(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定厚さの表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層とを有するＳｉ基板を準備し、上記Ｓｉ基板を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜に変成させる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法であって、上記変成に先立って、表面Ｓｉ層に対して窒素をイオン注入することにより、表面Ｓｉ層における表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に窒素含有Ｓｉ層を形成することを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【請求項２】
上記Ｓｉ基板の表面Ｓｉ層の厚みを１ｎｍ〜１５ｎｍに薄膜化した後、当該薄膜化した表面Ｓｉ層に対して窒素をイオン注入する請求項１記載の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【請求項３】
上記イオン注入によって注入される窒素の濃度ピークを、表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面よりも埋め込み絶縁層側になるよう設定する請求項１または２記載の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【請求項４】
上記窒素含有Ｓｉ層の窒素含有量は、１原子％〜３０原子％である請求項１〜３のいずれか一項に記載の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層埋め込み型の半導体基板である単結晶ＳｉＣ基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
単結晶ＳｉＣ（炭化シリコン）は、熱的、化学的安定性に優れ、機械的強度も強く、放射線照射にも強いという特性から、次世代の半導体デバイス材料として注目を集めている。また、埋め込み絶縁層を有するＳＯＩ基板は、回路の高速化と低消費電力化を図る上で優れており、次世代のＬＳＩ基板として有望視されている。従って、これら２つの特徴を融合した絶縁層埋め込み型半導体ＳｉＣ基板が半導体デバイス材料として極めて有望視されている。
【０００３】
上記のような絶縁層埋め込み型半導体ＳｉＣ基板は、表面Ｓｉ層とこの表面Ｓｉ層の下側に存在する埋め込み絶縁層（ＳｉＯ２層）とを有する絶縁層埋め込み型Ｓｉ基板を用いて作製する。すなわち、絶縁層埋め込み型Ｓｉ基板の表面Ｓｉ層を１０ｎｍ程度に薄膜化し、これを高温で炭化処理して単結晶ＳｉＣ薄膜に変成し、上記単結晶ＳｉＣ薄膜をシード層としてエピタキシャル法によりＳｉＣを成長させる（例えば下記の特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−２２４２４８号公報
【特許文献２】特開２０００−３０６９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した製造方法では、表面Ｓｉ層が炭化してＳｉＣに変成されるが、変成されたＳｉＣ層と埋め込まれているＳｉＯ２層との界面は、高温下で不安定で、特にＳｉＣがＳｉＯ２層に侵入しやすいうえ、Ｓｉ→ＳｉＣ反応が急激に進行するため、上記ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面が不安定となり、界面が荒れて波打つような状態になる。したがって、均一な界面の単結晶ＳｉＣ基板が得られないという問題がある。このように、ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面が荒れて波打つと、ＳｉＣ層の厚みにばらつきが生じる結果となり、半導体デバイスとして使用する際に大きな問題となることが予想される。また、上記ＳｉＣ／ＳｉＯ２界面が不均一な状態でエピタキシャル成長によりＳｉＣを成長させる場合に、成長したＳｉＣ層の結晶性が低下してきれいな単結晶ＳｉＣ層が得られないうえ、その膜厚も不均一になり、しかも表面状態も粗い状態になりやすいという問題もあった。
【０００５】
本発明は、上記のような事情に鑑みなされたもので、ＳｉＣ層とＳｉＯ２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態でＳｉＣ層を形成することができる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、所定厚さの表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層とを有するＳｉ基板を準備し、上記Ｓｉ基板を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜に変成させる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法であって、上記変成に先立って、表面Ｓｉ層に対して窒素をイオン注入することにより、表面Ｓｉ層における表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に窒素含有Ｓｉ層を形成することを要旨とする。
【発明の効果】
【０００８】
すなわち、本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、表面Ｓｉ層における表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に窒素含有Ｓｉ層を形成したのち、上記Ｓｉ基板を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜に変成させる。ここで、上記窒素含有Ｓｉ層は、窒素が含有されたＳｉであり、純Ｓｉに比べて反応性が低く不活性である。このため、表面Ｓｉ層における表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に高温下で安定な窒素含有Ｓｉ層を形成してから炭化処理を行うことにより、生成されたＳｉＣが絶縁層に侵入して界面を不安定にするのが防止され、ＳｉＣ／絶縁層界面が均一な状態となる。したがって、その後にエピタキシャル成長によってＳｉＣ層を形成した場合にも、ＳｉＣの結晶性が向上するため、きれいな単結晶で膜厚も均一なＳｉＣ層が得られるようになる。さらに、この後にエピタキシャルＧａＮ層等の他の半導体膜を形成させた場合にも、その半導体膜の結晶性や膜厚均一性はすぐれたものとなる。
【０００９】
本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法において、上記Ｓｉ基板の表面Ｓｉ層の厚みを１ｎｍ〜１５ｎｍに薄膜化した後、当該薄膜化した表面Ｓｉ層に対して窒素をイオン注入する場合には、薄膜化された表面Ｓｉ層の表面からイオン注入して窒素含有Ｓｉ層を形成することから、イオン注入によって形成する窒素含有Ｓｉ層を表面から浅い位置に形成すればよいため、イオン注入のエネルギーレベルを低く設定することができる。したがって、イオン注入によって表面Ｓｉ層の結晶性が低下するのを防止することができる。また、低いエネルギーレベルによるイオン注入で表面からの浅い位置に窒素含有Ｓｉ層を形成させることから、窒素分布領域の厚みも狭くなる。このため、所定の窒素含有Ｓｉ層を、表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に形成したときに、表面Ｓｉ層のうち窒素を含有しない表面層の存在比率が大きくなり、表面Ｓｉ層の炭化によるＳｉＣの生成がスムーズに行われ、結晶性のよい単結晶ＳｉＣ層が得られるようになる。
【００１０】
本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法において、上記イオン注入によって注入される窒素の濃度ピークを、表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面よりも埋め込み絶縁層側になるよう設定する場合には、所定の窒素含有Ｓｉ層を、表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層との界面近傍領域に形成したときに、表面Ｓｉ層のうち窒素を含有しない表面層の存在比率が大きくなる。このため、表面Ｓｉ層の炭化によるＳｉＣの生成がスムーズに行われ、結晶性のよい単結晶ＳｉＣ層が得られるようになる。
【００１１】
本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法において、上記窒素含有Ｓｉ層の窒素含有量は、１原子％〜３０原子％である場合には、表面Ｓｉ層の結晶性を低下させることなく、ＳｉＣの絶縁層への侵入を抑制し、均一な界面で結晶性等のよい単結晶ＳｉＣ層を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
つぎに、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００１４】
図１−１および図１−２は、本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法の一実施の形態を示す図である。
【００１５】
この単結晶ＳｉＣ基板の製造方法は、まず、所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を準備する（図１−１（ａ））。ついで、上記Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３の厚みを１ｎｍ〜１５ｎｍに薄膜化する（図１−１（ｂ））。つぎに、表面Ｓｉ層３に対して窒素をイオン注入し（図１−１（ｃ））、表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍の領域に窒素含有Ｓｉ層５を形成する（図１−２（ｄ））。
【００１６】
そして、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる（図１−２（ｅ））。ついで、上記単結晶ＳｉＣ層６をシードとしてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣ層６を成長させる（図１−２（ｆ））。さらに、必要に応じて、上記単結晶ＳｉＣ層６の上に、エピタキシャル成長によりＧａＮ層７等の他の半導体膜を形成させることが行われる（図１−２（ｇ））。
【００１７】
以下、各工程について詳しく説明する。
【００１８】
上記Ｓｉ基板１は（図１−１（ａ）参照）、Ｓｉ母材２の表面近傍に、埋め込み絶縁層４として所定厚みのＳｉＯ２層が形成され、表面に所定厚さの表面Ｓｉ層３が形成されたものである。上記埋め込み絶縁層４の厚みは、約１〜２００ｎｍ程度の厚みになるよう設定されている。
【００１９】
ついで、上記Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３の厚みを薄くし薄膜化する（図１−１（ｂ）参照）。この薄膜化は、例えば、Ｓｉ基板１を酸化雰囲気で加熱処理することにより、埋め込み絶縁層４との界面８近傍に所望厚みのＳｉ層を残存させるよう、表面Ｓｉ層３の表面から所定深さを酸化させたのち、表面に生成した酸化物層をフッ化水素酸等でエッチングすることにより除去して薄膜化することが行われる。
【００２０】
このとき、薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みは、１ｎｍ〜１５ｎｍ程度に設定するのが好ましく、より好ましいのは１ｎｍ〜１０ｎｍ程度であり、さらに好ましいの３ｎｍ〜７ｎｍ程度である。上記薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みが１ｎｍ未満では、その後の変成工程によって単結晶ＳｉＣ層６が十分に生成されないうえ、窒素含有Ｓｉ層５を形成させたときに表面にＳｉが十分に残存しなくなり、やはりその後の変成工程での単結晶ＳｉＣ層６の生成に支障をきたすからである。
【００２１】
また、上記薄膜化した表面Ｓｉ層３の厚みが１５ｎｍを超えると、その後のイオン注入によって窒素含有Ｓｉ層５を表面から深い位置に形成させる必要が生じることから、イオン注入のエネルギーレベルを高くする必要が生じ、表面Ｓｉ層３の結晶性を低下させるおそれがある。また、窒素を表面から深いところまでイオン注入させる必要があることから、深さ方向の窒素分布領域９（図２参照）も広くなる。このため、所定の窒素含有Ｓｉ層５を、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍の領域に形成したときに、表面Ｓｉ層３のうち窒素を含有しない表面層の存在比率が小さくなって、その後の変成工程でのＳｉＣ層６の生成に支障をきたすおそれがある。
【００２２】
つぎに、表面Ｓｉ層３に対して窒素イオンの注入を行い（図１−１（ｃ）参照）、表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍の領域に窒素含有Ｓｉ層５を形成する（図１−２（ｄ）参照）。
【００２３】
図２は、イオン注入後のＳｉ基板１の表層部の状態を示す拡大断面図である。図において、９はイオン注入によって窒素イオンが注入されて窒素イオンが分布して存在している窒素分布領域である。この窒素分布領域９は、深さ方向に所定の厚みを有する層状に形成されるが、窒素イオンの分布状態は、層の厚み方向中心付近が最も窒素濃度が高い濃度ピークｐであり、上記濃度ピークｐから離れるにしたがって徐々に濃度が低下している。
【００２４】
上記イオン注入は、上述した薄膜化工程によって薄膜化された表面Ｓｉ層３に対して窒素をイオン注入することにより行われる。このように、薄膜化された表面Ｓｉ層３の表面からイオン注入して窒素含有Ｓｉ層５を形成することから、イオン注入によって形成する窒素含有Ｓｉ層５を表面から浅い位置に形成すればよいため、イオン注入のエネルギーレベルを低く設定することができる。したがって、イオン注入によって表面Ｓｉ層３の結晶性が低下するのを防止することができる。また、低いエネルギーレベルによるイオン注入で表面からの浅い位置に窒素含有Ｓｉ層５を形成させることから、窒素分布領域９の厚みも狭くなる。このため、所定の窒素含有Ｓｉ層５を、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に形成したときに、表面Ｓｉ層３のうち窒素を含有しない表面層の存在比率が大きくなり、表面Ｓｉ層３の炭化によるＳｉＣの生成がスムーズに行われ、結晶性のよい単結晶ＳｉＣ層６が得られるようになる。
【００２５】
また、この例では、上記イオン注入によって注入される窒素イオンの濃度ピークｐを、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８よりも深い位置、すなわち埋め込み絶縁層４側になるよう設定している。そして、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍の窒素含有Ｓｉ層５は、窒素分布領域９の濃度ピークｐの近傍ではなく、濃度ピークｐよりも表面側の窒素濃度が低い領域によって形成している。このようにすることにより、所定の窒素含有Ｓｉ層５を、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に形成したときに、表面Ｓｉ層３のうち窒素を含有しない表面層の存在比率が大きくなる。このため、表面Ｓｉ層３の炭化によるＳｉＣの生成がスムーズに行われ、結晶性のよい単結晶ＳｉＣ層６が得られるようになる。
【００２６】
上述したような窒素イオンの濃度ピークｐの深さ位置は、イオン注入の際の加速エネルギーによって制御することができる。表面Ｓｉ層３の厚みを５ｎｍ前後になるよう薄膜化した場合、窒素イオン注入の際の加速エネルギーは、約１５ｋｅＶ程度に設定される。これにより、窒素イオンの濃度ピークｐの深さ位置は、表面から４０ｎｍ程度の位置に配置され、濃度曲線の半価幅は約５０ｎｍ程度となる。そして、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍の窒素含有Ｓｉ層５は、窒素分布領域９の濃度ピークｐの近傍ではなく、濃度ピークｐよりも表面側の窒素濃度が低い領域によって形成される。
【００２７】
ここで、上記窒素含有Ｓｉ層５の窒素含有量は、１原子％〜３０原子％程度に設定するのが好ましい。窒素含有Ｓｉ層５の窒素含有量が１原子％未満であると、Ｓｉ→ＳｉＣ反応の際のＳｉＣ界面を安定化させる効果に乏しく、３０原子％を超えると、表面Ｓｉ層３の結晶性を低下させるからである。したがって、窒素含有Ｓｉ層５の濃度を上記濃度範囲に設定することにより、表面Ｓｉ層３の結晶性を低下させることなく、ＳｉＣの絶縁層への侵入を抑制し、均一な界面で結晶性等のよい単結晶ＳｉＣ層６を得ることができる。
【００２８】
また、表面Ｓｉ層３の結晶性を低下させない観点から、窒素含有Ｓｉ層５の窒素含有量を３０原子％以下に設定するのが好ましいことは、上述したとおりであるが、同様の観点から、イオン注入によって形成される窒素分布領域９の濃度ピークｐでの窒素濃度も、３０原子％以下に設定するのが好ましい。
【００２９】
つぎに、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる（図１−２（ｅ）参照）。
【００３０】
上記変成工程は、例えば、図３に示す装置により行われる。この装置は、ヒータ１１を有する加熱炉１０と、上記加熱炉１０内に導入される雰囲気ガス（水素ガスＧ１および炭化水素ガスＧ２）を貯留するボンベ１３，１４とを備えている。１２は水素ガスＧ１と炭化水素ガスＧ２とを混合して混合ガスとして加熱炉１０に供給する混合器である。
【００３１】
上記装置により、窒素のイオン注入により窒素含有Ｓｉ層５が形成されたＳｉ基板１を加熱炉１０内に設置し、上記加熱炉１０内に水素ガスＧ１と炭化水素系ガスＧ２との混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）を供給しながら、加熱炉１０内の雰囲気温度を上昇させて、前記Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させることが行われる。
【００３２】
より詳しく説明すると、上記Ｓｉ基板１を加熱炉１０内に設置して、加熱炉１０内に水素ガスＧ１に対して炭化水素系ガスＧ２を１体積％の割合で混合した混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）を供給する。また、この混合ガス（Ｇ１＋Ｇ２）の供給と同じくして、加熱炉１０内の雰囲気温度を１２００〜１４０５℃に加熱する。この加熱によって、Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる。
【００３３】
ここで、前記水素ガスＧ１はキャリアガスであり、炭化水素ガスＧ２としては例えばプロパンガスを使用する。例えば、水素ガスＧ１のボンベ１３からの供給量が１０００ｃｃ／分であったならば、炭化水素ガスＧ２のボンベ１４からの供給量を１０ｃｃ／分とする。
【００３４】
このとき、表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に窒素含有Ｓｉ層５を形成したのち、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる。ここで、上記窒素含有Ｓｉ層５は、窒素が含有されたＳｉであり、純Ｓｉに比べて反応性が低く不活性である。このため、表面Ｓｉ層３における表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４との界面８近傍領域に高温下で安定な窒素含有Ｓｉ層５を形成してから炭化処理を行うことにより、生成されたＳｉＣが埋め込み絶縁層４に侵入して界面８を不安定にするのが防止され、ＳｉＣ／絶縁層界面８が均一な状態となる。したがって、その後にエピタキシャル成長によって単結晶ＳｉＣ層６を形成した場合にも、ＳｉＣの結晶性が向上するため、きれいな単結晶で膜厚も均一な単結晶ＳｉＣ層６が得られるようになる。さらに、この後にエピタキシャルＧａＮ層７等の他の半導体膜を形成させた場合にも、その半導体膜の結晶性や膜厚均一性はすぐれたものとなる。
【００３５】
上記単結晶ＳｉＣ層６は、表面Ｓｉ層３を変成させたものであるため、その膜厚は表面Ｓｉ層３の膜厚とほぼ等しくなる。すなわち、単結晶ＳｉＣ層６の膜厚は、Ｓｉ基板１の表面Ｓｉ層３の膜厚を制御することにより、任意に制御できることになる。
【００３６】
必要に応じて、上記工程を過剰に行って単結晶ＳｉＣ層６を上記単結晶ＳｉＣ層６の上に堆積させることが行われる。上記工程を過剰に行う（例えば数分〜数時間継続させる）ことにより、上記単結晶ＳｉＣ層６の上に炭素薄膜が堆積される。
【００３７】
ついで、上記単結晶ＳｉＣ層６をシードとしてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣ層６を成長させる（図１−２（ｆ））。
【００３８】
上記エピタキシャル成長は、例えば、下記の条件により単結晶ＳｉＣ層６を成長させる。例えば、単結晶ＳｉＣ層６が形成されたＳｉ基板１を処理チャンバー内に配置し、上記処理チャンバー内にモノメチルシランまたはシランおよびポロパン等の原料ガスを約１ｓｃｃｍ程度のガス流量で供給しながら、温度８００〜１４０５℃で処理することにより、上記単結晶ＳｉＣ層６をシードとしてエピタキシャル成長により、単結晶ＳｉＣ層６を成長させることができる。
【００３９】
そののち、必要に応じて、上記単結晶ＳｉＣ層６の上に、エピタキシャル成長によりＧａＮ層７等の他の半導体膜を形成させることが行われる（図１−２（ｇ）参照）。
【００４０】
上記エピタキシャル成長は、例えば、下記の条件によりＧａＮ層７を成長させる。例えば、単結晶ＳｉＣ層６をエピタキシャル成長させたＳｉ基板１を処理チャンバー内に配置し、上記処理チャンバー内にトリメチルガリウムおよびアンモニア等の原料ガスを約１ｓｃｃｍ程度のガス流量で供給しながら、温度８００〜１４０５℃で処理することにより、上記単結晶ＳｉＣ層６の上にＧａＮ層７を形成させることができる。
【００４１】
このようにして得られた単結晶ＳｉＣ基板は、表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる際に、純Ｓｉに比べて反応性が低く不活性な窒素含有Ｓｉ層５の存在により、炭化処理の際に生成されたＳｉＣが埋め込み絶縁層４に侵入して界面を不安定にするのが防止され、ＳｉＣ／絶縁層界面８が均一な状態となる。したがって、その後にエピタキシャル成長によって単結晶ＳｉＣ層６を形成した場合にも、ＳｉＣの結晶性が向上するため、きれいな単結晶で膜厚も均一な単結晶ＳｉＣ層６が得られるようになる。さらに、この後にエピタキシャルＧａＮ層７等の他の半導体膜を形成させた場合にも、その半導体膜の結晶性や膜厚均一性はすぐれたものとなる。
【実施例】
【００４２】
つぎに、本発明の単結晶ＳｉＣ基板の製法の実施例について説明する。
【００４３】
サンプルとして厚み１００ｎｍの表面Ｓｉ層３を有した３０ｍｍ四方のＳｉ基板１を準備した。上記サンプルのＳｉ基板１を、１ｓｌｍで酸素ガスを流しながら１１００℃で９０分加熱して表面に酸化膜を形成させたのち、フッ化水素酸等でエッチングすることにより、表面Ｓｉ層３を５ｎｍに薄膜化した。
【００４４】
ついで、下記のイオン注入条件で窒素のイオン注入を行い、窒素含有Ｓｉ層５を形成させた。
加速エネルギー      １５ｅＶ
ドーズ量            ７×１０１６／ｃｍ２
イオン電流          １００μＡ／ｃｍ２
イオン注入時間  ２０分
【００４５】
上記窒素含有Ｓｉ層５が形成されたＳｉ基板１を処理チャンバー内に配置し、処理チャンバー内に１ｓｌｍのＨ２ガスと１０ｓｃｃｍのＣ３Ｈ８を流しながら１２５０℃に加熱して１５分間炭化処理を行い、ＳｉＣ変成を行った。
【００４６】
そして、上記処理チャンバー内に１ｓｃｃｍのモノメチルシランを流しながら９００℃に保持することにより、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行った。
【００４７】
一方、窒素のイオン注入を行わない以外は同じ条件で薄膜化・ＳｉＣ変成等を行って比較例の単結晶ＳｉＣ基板を作製した。
【００４８】
上記実施例の単結晶ＳｉＣ層６と埋め込み絶縁層４との界面は、比較例に比べて大幅に均一になった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、大規模集積回路等に用いる半導体基板の製造等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１−１】本発明の一実施例の単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を示す図である。
【図１−２】上記単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を示す図である。
【図２】上記単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を示す図である。
【図３】上記単結晶ＳｉＣ基板の製造方法に用いる装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１      Ｓｉ基板
２      Ｓｉ母材
３      表面Ｓｉ層
４      埋め込み絶縁層
５      窒素含有Ｓｉ層
６      単結晶ＳｉＣ層
７      ＧａＮ層
８      界面
９      窒素分布領域
１０      加熱炉
１１      ヒータ
１２      混合器
１３      ボンベ
１４      ボンベ
【図１−１】
0004713089.tif 000002
【図１−２】
0004713089.tif 000003
【図２】
0004713089.tif 000004
【図３】
0004713089.tif 000005