(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性変形可能な薄膜部に遮光膜及び該遮光膜に形成された微小開口を備えた露光マスクの前記薄膜部を変形させて被処理体に対して密着させ、該露光マスクに形成された微小開口からにじみ出る近接場光を用いて露光を行う近接場露光方法において、
前記露光マスクを、前記被処理体に密着させる工程と、
前記露光マスクを前記被処理体に対して密着させる際に、前記露光マスクと前記被処理体との間に存在するこれらに付着した異物によって生じる前記露光マスクの変形により、前記露光マスクと前記被処理体との間に存在する異物を検出する工程と、を有し、
前記露光マスクと前記被処理体との間に存在する異物を検出する工程が、
前記露光マスクに付着した異物を検出する工程と、前記被処理体に付着した異物を検出する工程とを含み、
前記露光マスクに付着した異物を検出する工程が、
前記露光マスクを平坦な透明基板に対向する位置に移動する工程と、
前記露光マスクを変形させて前記透明基板に密着させる工程と、
前記露光マスクと平坦な透明基板とに光を透明基板側から照射する工程と、
前記露光マスクから反射する該露光マスクからの反射光と、該透明基板から反射する該透明基板からの反射光と、による干渉縞を観察する工程と、を備え、
前記被処理体に付着した異物を検出する工程が、
前記被処理体を照射光に対して透明な薄膜の弾性体で構成された疑似露光マスクに対向する位置に移動する工程と、
前記擬似露光マスクを変形させて前記被処理体に密着させる工程と、
前記被処理体と、前記疑似露光マスクとに光を前記擬似露光マスク側から照射する工程と、
前記被処理体から反射する該被処理体からの反射光と、該疑似露光マスクから反射する該疑似露光マスクからの反射光と、による干渉縞を観察する工程と、を備え、
さらに、前記露光マスクに付着した異物を検出する工程と、前記被処理体に付着した異物を検出する工程での異物の検出結果に基づいて、
前記露光マスクあるいは前記被処理体に付着した異物を除去し、または、前記露光マスクあるいは前記被処理体を異物の付着していないものと交換する工程
を有することを特徴とする近接場露光方法。
【請求項２】
前記露光マスクからの反射光と前記透明基板からの反射光とによる干渉縞を観察する工程が、該干渉縞から前記異物の位置、高さ、大きさ、あるいは前記露光マスクと前記透明基板が離間している領域、を算出する工程を含み、
前記被処理体からの反射光と前記疑似露光マスクからの反射光とによる干渉縞を観察する工程が、該干渉縞から前記異物の位置、高さ、大きさ、あるいは前記露光マスクと前記疑似露光マスクが離間している領域、を算出する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の近接場露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場露光方法に関し、例えば一般に集積回路や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの製造工程におけるフォトマスクや被処理体などの表面に付着した異物を検出し、除去するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化及び薄型化の要請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への要求はますます高くなっている。例えば、マスクまたはレチクルのパターンに対するデザインルールはライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）１３０ｎｍを量産工程で達成しようとし、今後益々小さくなることが予想される。近年主流である投影露光装置は、一般に、光源から出射された光束を利用してマスクを照明する照明光学系とマスクと被露光物との間に配置される投影光学系とを有する。
投影露光装置では一般に解像度は使用する光源の波長が略限界であると言われ、エキシマレーザーを使用しても投影露光装置は０．１０μｍ以下のパタ−ンを形成することが困難である。加えて、仮に、より短い波長を有する光源が存在しても、かかる短波長の露光光を投影光学系に使用される光学材料（即ち、レンズの硝材）が透過できずに（その結果被露光物に投影できずに）露光ができなくなるという問題もある。
【０００３】
かかる問題に対して、近年、０．１μｍ以下の微細加工を可能にする手段として近接場光学顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＮＯＭ）の原理を用いた露光装置が提案されている。このような露光装置として、例えば、特許文献１あるいは特許文献２では、マスク面の法線方向に弾性変形可能なマスクをレジストに密着させ、マスク面に形成した１００ｎｍ以下の大きさの微小開口パターンから滲み出す近接場光を用いて被露光物に光の波長限界を越える局所的な露光を行う装置が提案されている。この方式の特徴として、微小な開口からにじみ出る近接場光は、その開口に入射した光の波長程度の距離までに局在するため、被処理体と開口との距離を、光の波長以下、望ましくは１００ｎｍ以下の距離にまで近づける必要がある。そのため、露光マスクとして弾性変形が可能なマスクとし、基板のうねりなどに対しても露光マスクを撓ませることで基板に対して倣わせるように構成されている。
【特許文献１】特開平１１−１４５０５１号公報
【特許文献２】特開平１１−１８４０９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この弾性変形可能なマスクが被露光物に対して密着せず、近接場光の存在しない領域にまで離れている状態で露光を行うと、被露光物には光の波長限界を超える局所的な露光を行うことができないことがある。特に、マスクと被処理体の間に異物が挟まると、図３に示すように異物３０２の存在する部分だけでなく、それ以外にもその周囲にわたり微小開口３０５が被処理体３０３に密着しない非密着領域３０４が存在することとなり、異物３０２周辺一帯にまでフォトマスク３０１と被処理体３０３の間に間隙が生じてしまう。その結果、被処理体３０３に近接場光３０６が到達せずに、次の処理に進んでしまうこととなり、そのためパターンを形成することができず、製造したウエハやガラス基板に欠陥が生じ、歩留まりの低下が起こることがあった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、基板間に存在する異物を検出することにより、歩留まりを向上させることが可能となる近接場露光方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下のように構成した近接場露光方法を提供するものである。
すなわち、本発明の近接場露光方法は、弾性変形可能な薄膜部に遮光膜及び該遮光膜に形成された微小開口を備えた露光マスクの前記薄膜部を変形させて被処理体に対して密着させ、該露光マスクに形成された微小開口からにじみ出る近接場光を用いて露光を行う近接場露光方法において、
前記露光マスクを、前記被処理体に密着させる工程と、
前記露光マスクを前記被処理体に対して密着させる際に、前記露光マスクと前記被処理体との間に存在するこれらに付着した異物によって生じる前記露光マスクの変形により、前記露光マスクと前記被処理体との間に存在する異物を検出する工程と、を有し、
前記露光マスクと前記被処理体との間に存在する異物を検出する工程が、
前記露光マスクに付着した異物を検出する工程と、前記被処理体に付着した異物を検出する工程とを含み、
前記露光マスクに付着した異物を検出する工程が、
前記露光マスクを平坦な透明基板に対向する位置に移動する工程と、
前記露光マスクを変形させて前記透明基板に密着させる工程と、
前記露光マスクと平坦な透明基板とに光を透明基板側から照射する工程と、
前記露光マスクから反射する該露光マスクからの反射光と、該透明基板から反射する該透明基板からの反射光と、による干渉縞を観察する工程と、を備え、
前記被処理体に付着した異物を検出する工程が、
前記被処理体を照射光に対して透明な薄膜の弾性体で構成された疑似露光マスクに対向する位置に移動する工程と、
前記擬似露光マスクを変形させて前記被処理体に密着させる工程と、
前記被処理体と、前記疑似露光マスクとに光を前記擬似露光マスク側から照射する工程と、
前記被処理体から反射する該被処理体からの反射光と、該疑似露光マスクから反射する該疑似露光マスクからの反射光と、による干渉縞を観察する工程と、を備え、
さらに、前記露光マスクに付着した異物を検出する工程と、前記被処理体に付着した異物を検出する工程での異物の検出結果に基づいて、
前記露光マスクあるいは前記被処理体に付着した異物を除去し、または、前記露光マスクあるいは前記被処理体を異物の付着していないものと交換する工程
を有することを特徴としている。
また、本発明の近接場露光方法は、前記露光マスクからの反射光と前記透明基板からの反射光とによる干渉縞を観察する工程が、該干渉縞から前記異物の位置、高さ、大きさ、あるいは前記露光マスクと前記透明基板が離間している領域、を算出する工程を含み、
前記被処理体からの反射光と前記疑似露光マスクからの反射光とによる干渉縞を観察する工程が、該干渉縞から前記異物の位置、高さ、大きさ、あるいは前記露光マスクと前記疑似露光マスクが離間している領域、を算出する工程を含むように構成することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、前記露光マスクに付着した異物あるいは前記被処理体に付着した異物を検出し、露光マスク及び被処理体ともに異物が付着していない状態として、製造したウエハやガラス基板に欠陥が生じることを防止することができ、歩留まりの向上を図ることが可能となる近接場露光方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に本発明における参考例と実施の形態について説明する。
［参考例１］
図１は、本発明の参考例１における構成を示す図であり、（ａ）は上記した本発明の異物検出手段を適用した近接場露光装置の構成を示す図、（ｂ）は受光素子上に照射されている光の強度分布による干渉縞を示す図である。
図１において、１０１は露光マスクであり、これは図４に示した露光マスクと同様の構成を有している。すなわち、ここでの露光マスクは、図４に示すように露光に用いる光に対して透明なマスク母材４０１上に、露光に用いる光に対して遮光性のある遮光層４０２が形成されており、その遮光層に任意のパターンに対応した微小開口４０３が形成されているものである。この露光マスクは、小さな異物に接触することで撓むように、薄膜の弾性体４０４で構成されており、この薄膜は支持体４０５によって支持されている。
また、ここでの露光マスクの「裏面」とは圧力調整容器に面している側であり図１紙面中では上側を指し、「おもて面」とは、その反対側を言う。
【０００９】
図１における近接場露光装置は大きく分類すると、圧力調整容器、圧力調整手段、露光マスク、光源、被処理体、異物検出用光源、異物検出用コリメータレンズ、ハーフミラー、参照面、受光素子とに分かれる。露光マスクを圧力調整装置に裏面を面して配置し、被処理体に相対させて配置する。
この露光マスク１０１は、近接場露光装置の圧力調整容器１０３内に、それぞれ露光マスク１０１の裏面が面するように配置され、圧力調整によりマスクの薄膜部のたわみを調整するように構成されている。
被処理体としては、基板１０５の表面にレジスト１０６を形成する（以下、これを１０６／基板１０５と記す）。このレジスト１０６／基板１０５を、ステージ１１８上に取り付け、露光マスク１０１面法線方向にステージ１１８を駆動し、露光マスク１０１のおもて面と基板１０５上のレジスト１０６面との間隔が全面にわたって１００ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
【００１０】
密着させる方法として、露光マスク１０１の裏面からおもて面方向に向かって圧力を印加することにより、露光マスク１０１に弾性変形による撓みを生じさせ、レジスト１０６／基板１０５へ押し付けるようにすることにより、全面にわたって密着させることができる。
このような圧力を印加する方法の一例として、図１に示したように、露光マスク１０１のおもて面を圧力調整容器１０３外側に面するように、裏面を圧力調整容器１０３内側に面するように配置させ、ポンプ等の圧力調整手段１１７を用いて、圧力調整容器１０３内に高圧ガスを導入し、圧力調整容器１０３内が外気圧より高い圧力になるようにする。他の例として、圧力調整容器１０３の内部を照明光に対して透明な液体で満たし、シリンダーを用いて圧力調整容器１０３内部の液体の圧力を調整するようにしても良い。
【００１１】
ここでは、露光マスク１０１とレジスト１０６／基板１０５を密着させるために、露光マスク１０１の裏面を圧力調整容器１０３内に配置し、圧力調整容器１０３内より低い外気圧との圧力差により、露光マスク１０１の裏面側からおもて面側に圧力が加わるようにした例を示したが、逆の構成として、露光マスクのおもて面およびレジスト／基板を減圧容器内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力差により、露光マスクの裏面側からおもて面側に圧力が加わるようにしても良い。いずれにしても、マスクのおもて面側に比べ、裏面側が高い圧力となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
【００１２】
つぎに、本参考例における異物の検出方法について説明する。
図１の露光マスク１０１、異物検出用光源、ハーフミラー、参照面、受光素子に注目して詳細に説明する。図１（ａ）では、露光マスクと被処理体であるレジスト／基板の間に異物が挟まり、薄膜である露光マスクが変形している。
図１（ｂ）は受光素子上に照射されている光の強度分布で紙面下方から見た図であり、干渉縞が見えている。図１中の１１１は露光マスクと被処理体にはさまれた異物、１０７は異物検出用光源、１０８はハーフミラー、１０９は参照面、１１０は受光素子である。
【００１３】
図１に示すように薄膜である露光マスク１０１と被処理体であるレジスト１０６／基板１０５との間に異物１１１をはさんで密着させると、薄膜が撓み異物の大きさや形などに応じた変形が生じる。ここで、異物検出用光源１０７から射出した異物検出用光ＰＬを、ビームエキスパタンダー１１２などを通し、異物を検出したいだけの領域にまで広げる。そして、コリメータレンズ１１３を通し平行光とした後、ハーフミラー１０８によりその光を２つに分け、一方を露光マスク１０１の異物検出を行いたい薄膜部に、もう一方を光学的に平滑な表面を持つ参照面１０９に照射する。そこからの反射光を、ハーフミラー１０８を通して受光素子１１０に照射し、反射光同士の干渉を受光素子１１０上で観察する。つまり、これはトワイマン・グリーン干渉計と同様の構成となっている。
【００１４】
露光マスク１０１とレジスト１０６／基板１０５が異物１１１により密着を阻害された領域は、基板に対して密着せずに撓んだ状態であるため、参照面１０９との光路差が変化し、受光素子１１０上には異物を中心とした干渉縞（図１（ｂ））が観察される。この干渉縞から異物の位置、高さ、薄膜と基板とが密着していない非密着領域を推測することができる。受光素子１１０で検出した信号から、異物の位置、高さ、非密着領域を算出し、露光に影響を及ぼす異物であったら異物除去を行うか、使用している被処理体、または露光マスクを新しいものに交換し処理を進める。
【００１５】
つぎに、以上のように異物の検出処理が行われた後、本実施の形態においては近接場光による露光が、つぎのように行われれる。
まず、異物検出のために用いたハーフミラー１０８と受光素子１１０を、図示しないアクチュエーターで露光光を遮らない位置まで移動する。
次に露光処理に移る。図１において、露光光源１１５から出射される露光光ＥＬをコリメータレンズ１１４で平行光にした後、ガラス窓１１６を通し、圧力調整容器１０３内に導入し、露光マスクに対して裏面（図１では上側）から照射し、露光マスク１０１おもて面のマスク母材１０４上の金属薄膜１０２に形成された微小開口パターンから滲み出す近接場光でレジストの露光を行う。
以上のような構成とすることで、薄膜の露光マスクと被処理体の間に存在する異物の検出処理を行うことができ、その結果、製造したウエハやガラス基板などに欠陥が少なくなり歩留まりを向上させることができた。
【００１６】
［参考例２］
図２は、本発明の参考例２における近接場露光装置の構成を示す図である。
これは、参考例１と同様に、薄膜である露光マスクと被処理体との間に存在する異物を薄膜の変形により検出する異物検出の形態である。また、薄膜の変形を検出する方法は、基本的に参考例１と同様である。参考例１と異なる点について以下に説明する。
参考例１では、異物を検出したい領域全面に一度に異物検出用光を照射していた。これに対して、本参考例では、図２に示したように、光源から出射した光をガルバノミラーなどの光を偏向することのできる偏向素子２１１，２１２で、２次元的にハーフミラーを通し露光マスク２０１上を走査することで、異物を検出したい領域に２次元的に光を照射する。露光マスク２０１と参照面２０９からの反射光を受光素子２１０で検出する。このとき、露光マスク２０１上を走査する異物検出用光ＰＬと同期して、受光素子２１０上に到達する露光マスク２０１と参照面２０９からの反射光が干渉した光の強度を検出する。光を照射した位置とその時検出した光強度から干渉縞を検出することができる。この干渉縞から異物の位置、高さ、薄膜と基板とが密着していない非密着領域を推測することができる。
以上のような構成とすることで、薄膜の露光マスクと被処理体の間に存在する異物の検出が行えた。その結果、製造したウエハやガラス基板などの欠陥が少なくなり歩留まりを向上することができた。
【００１７】
［参考例３］
つぎに図５〜図７を参照して、本発明の参考例３の近接場露光方法における異物の検出方法について説明する。
図６は、本参考例の特徴を最もよく表す図面であり、同図の６０１は擬似マスク、６０２は検査の対象となる被処理体、６０３は擬似マスクと被処理体との間にはさまれた異物、６０４は擬似マスクと被処理体が密着していない領域である。擬似マスクの詳細は図５に示す。同図の５０１は照明光に対して透明な擬似マスク、５０２はその擬似マスクを支持する支持体、５０３は擬似マスクが薄膜となっている薄膜部である。
図６（ａ）は、異物６０３が擬似マスク６０１と被処理体６０２に挟まっている状態の断面図、図６（ｂ）は、擬似マスク６０１裏面側から見た図である。ここでいう擬似マスクのおもて裏とは、被処理体６０２と密着する面をおもて面、その逆を裏面とする。ここでの擬似マスクとは、通常フォトマスクには光を遮光するための金属などの遮光層が設けられているが、裏面側から観察することが目的のため遮光層を設けていないマスクのことをいう。また、小さな異物に接触することで撓むように擬似マスクは、薄膜の弾性体で構成している。
【００１８】
図６のように擬似マスクと被処理体の間に異物をはさんで密着させると、擬似マスク６０１が撓み密着領域と異物を中心とした非密着領域６０４が出来る。この非密着領域６０４に対してある波長λの光を照射すると、図６（ｂ）のように擬似マスク裏面側から見ると異物６０３を中心に干渉縞６０５が現れる。
これは、擬似マスクおもて面と被処理体表面からの反射した光が干渉し、擬似マスクおもて面と被処理体表面の間隙が、“ｎλ／２（ｎは整数）”となる部分で光が強めあい、“（２ｎ＋１）λ／４”となる部分で弱めあっているために起こる。つまり干渉縞６０５により、異物６０３が存在する場所、異物の高さ（大きさ）、非密着領域６０４の広さを推測することができる。
干渉縞６０５から異物の情報（位置・高さ・非密着領域など）を記憶し、擬似マスク６０１を異なる個所の被処理体６０２に移動し、再び被処理体６０２に密着させ、干渉縞６０５から異物６０３の情報を読み取る。この動作を繰り返し、記憶した異物６０３の位置や大きさを比較することで、擬似マスク６０１に付着している異物と被処理体６０２に付着している異物６０３の選定が行え、被処理体６０２に付着している異物６０３について情報が得られる。
【００１９】
ここでは、マスク裏面側から観察するために遮光層のない擬似マスク６０１を用いたが、図７のように図６における被処理体６０２を透明基板７０３に変え、構成を上記と逆にすることで、遮光膜が設けられた通常の露光マスク７０５上に付着した異物を検出することができる。
ここでの露光マスクは、実施の形態１で述べたとおり図４に示す露光マスクと同様の構成を有しており、図４に示すように露光に用いる光に対して透明なマスク母材４０１上に、露光に用いる光に対して遮光性のある遮光層４０２が形成されており、その遮光層に任意のパターンに対応した微小開口４０３が形成されているものである。上述した擬似マスクと同様で露光マスクも、小さな異物に接触することで撓むように、薄膜の弾性体４０４で構成している。この薄膜は、支持体４０５によって支持されている。
【００２０】
図７において、露光マスク７０５上の遮光層７０１を透明基板７０３に密着させ、その間に異物７０４がはさまると上記と同様に非密着領域７０６ができる。その領域にある波長λの光を照射し、透明基板７０３側から観察することで干渉縞７０７が観察できる。透明基板７０３の複数個所で同様に干渉縞７０７を観察することで、露光マスク７０５上に付着している異物と透明基板７０３上に付着している異物の選定を行い、露光マスク７０５に付着している異物について情報を得ることができる。
以上のような構成で擬似マスクと被処理体の、及びマスクと透明基板の間にある異物を検出することが可能である。この両者の検出を異なった被処理体または透明基板上で行うことにより、被処理体、マスクに付着している異物の数、位置、高さ、非密着領域を検出することが可能になる。
［実施の形態］
以上のような本発明の構成を適用して、近接場光を用いた露光装置に組み込んだ実施の形態について、図８を参照して説明する。
図８における露光マスク８０１は、図４に示した露光マスクと同様の構成の露光マスクである。また、擬似マスク８０２は、図５に示した擬似マスクと同様の構成の擬似マスクである。ここでの露光マスク及び擬似マスクの「裏面」とは共に薄膜に対して支持体が存在している側を指し、「おもて面」とは、その反対側を言う。
この露光マスク８０１及び擬似マスク８０２は、近接場露光装置の２つある圧力調整容器８０３，８０４内に、それぞれ露光マスク８０１・擬似マスク８０２の裏面が面するように配置して圧力調整を加えマスクの薄膜部のたわみを調整する。
【００２１】
図８における近接場露光装置は大きく分類すると、圧力調整容器、圧力調整手段、擬似マスク、露光マスク、光源、被処理体、透明基板、受光光学系、受光素子とに分かれる。露光マスク及び擬似マスクを圧力調整装置に裏面を面して配置し、透明基板及び被処理体に相対させて配置する。
被処理体としては、基板８０５の表面にレジスト８０６を形成する。レジスト８０６／基板８０５をステージ８１５上に取り付け、擬似マスク８０２面法線方向にステージ８１５を駆動し、擬似マスク８０２のおもて面と基板８０５上のレジスト８０６面との間隔が全面にわたって１００ｎｍ以下になるように両者を密着させる。
密着させる方法として、擬似マスク８０２の裏面からおもて面方向に向かって圧力を印加することにより、擬似マスク８０２に弾性変形による撓みを生じさせ、レジスト８０６／基板８０５へ押し付けるようにすることにより、全面にわたって密着させることができる。
【００２２】
このような圧力を印加する方法の一例として、図８に示したように、擬似マスク８０２のおもて面を圧力調整容器８０３外側に面するように、裏面を圧力調整容器８０３内側に面するように配置させ、ポンプ等の圧力調整手段８０９を用いて、圧力調整容器８０３内に高圧ガスを導入し、圧力調整容器８０３内が外気圧より高い圧力になるようにする。他の例として、圧力調整容器８０３の内部を照明光に対して透明な液体で満たし、シリンダーを用いて圧力調整容器８０３内部の液体の圧力を調整するようにしても良い。
【００２３】
ここでは、擬似マスク８０２とレジスト８０６／基板８０５を密着させるために、擬似マスクの裏面を圧力調整容器８０３内に配置し、圧力調整容器８０３内より低い外気圧との圧力差により、擬似マスク８０２の裏面側からおもて面側に圧力が加わるようにした例を示したが、逆の構成として、擬似マスクのおもて面およびレジスト／基板を減圧容器内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力差により、近接場マスクの裏面側からおもて面側に圧力が加わるようにしても良い。いずれにしても、マスクのおもて面側に比べ、裏面側が高い圧力となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
【００２４】
その後、上述した本発明の異物検出方法を用いて擬似マスク８０２とレジスト８０６／基板８０５との間にはさまれている異物の検出を行う。擬似マスク８０２の裏面側から光を照射し、擬似マスクとレジスト８０６／基板８０５との間に異物を中心に生じている間隙による干渉縞を擬似マスク８０２裏側から対物レンズ等の光学系８０７を通してＣＣＤなどの受光素子８０８で検出する。その後、検出するレジスト８０６／基板８０５の場所を変え、上記と同様に異物検出を行うことで、擬似マスク８０２に付着している異物とレジスト８０６／基板８０５に付着している異物の選定を行い、レジスト８０６／基板８０５に付着している異物を検出する。
ここで、検出した受光素子からの信号をモニターで見るだけでも良いが、画像処理システム８２１を通し、画像処理を行い異物の情報などを算出して自動的に記憶、マッピングしても良い。
検出した結果、レジスト／基板上に異物が付着していた場合、そのレジスト／基板を露光処理せずに処分するか、異物除去を行った上で露光処理に進ませる。
【００２５】
以上記したレジスト／基板に付着している異物の検出と並行して、同様に露光マスク８０１と透明基板８１８との間の異物の検出も行う。
透明基板８１８をステージ８１７に取り付け、露光マスク８０１面法線方向にステージ８１７を駆動し、露光マスク８０１の表面と透明基板８１８表面との間隔が前面にわたって１００ｎｍ以下になるように密着させる。密着させる方法は、上述した擬似マスク８０２とレジスト８０６／基板８０５との密着方法と同様の方法を用いる。
【００２６】
その後、上述した本発明の異物検出方法を用いて露光マスク８０１と透明基板８１８との間にはさまれている異物の検出を行う。透明基板８１８の裏面側（ステージ側）から光を照射し、露光マスク８０１と透明基板８１８との間に異物を中心に生じている間隙による干渉縞を透明基板８１８裏側から対物レンズ等の光学系８１０を通してＣＣＤなどの受光素子８１１で検出する。その後、検出する透明基板８１８の場所を変え、上記と同様に異物検出を行うことで、露光マスク８０１に付着している異物と透明基板８１８に付着している異物の選定を行い、露光マスク８０１に付着している異物を検出する。
ここで、検出した受光素子からの信号をモニターで見るだけでも良いが、画像処理システム８２２を通し、画像処理を行い異物の情報などを算出して自動的に記憶、マッピングしても良い。
検出した結果、露光マスクに異物が付着していた場合、その露光マスクを用いた露光処理は行わず、新しいマスクに交換するか、露光マスクの洗浄後、再び異物検出を行い異物除去を確認し露光処理に進む。
【００２７】
以上で、被処理体（レジスト８０６／基板８０５）及び露光マスク８０１に付着している異物の検出を行い、被処理体（レジスト８０６／基板８０５）及び露光マスク８０１ともに異物が付着していない状態となった。その後、被処理体（レジスト８０６／基板８０５）をステージ８１５を駆動することにより露光処理位置８１６に移動させる。それと並行して露光マスク８０１の付いている圧力調整容器８０４を図示しないアクチュエータにより露光処理位置８１６にまで移動させる。
ステージ８１５を駆動することにより、露光マスク８０１に対する被処理体（レジスト８０６／基板８０５）のマスク面内２次元方向の相対位置合わせを行う。次に、マスク面法線方向にステージ８１５を駆動し、露光マスク８０１のおもて面と被処理体（レジスト８０６／基板８０５）との間隔が全面にわたって１００ｎｍ以下になるように両者を密着させる。この密着させる方法は、上述した異物検出時の密着方法と同様の方法を用いる。
【００２８】
この後、露光光源８１３から出射される露光光８１９をコリメータレンズ８１４で平行光にした後、ガラス窓８２０を通し、圧力調整容器８０４内に導入し、露光マスク８０１に対して裏面（図８では上側）から照射し、露光マスク８０１おもて面のマスク母材上の遮光膜に形成された微小開口パターンから滲み出す近接場で被処理体（レジスト８０６／基板８０５）であるレジスト８０６の露光を行う。
【００２９】
つぎに、近接場露光終了後における露光マスクと被処理体の剥離に関しては以下のように行う。
圧力調整手段８１２を用いて、圧力調整容器８０４内の圧力を外気圧より小さくし、被処理体から露光マスク８０１を剥離させる。
前述したように、密着時の圧力印加の装置構成において、図８とは逆の構成として、露光マスクのおもて面およびレジスト／基板を減圧容器内に配置し、減圧容器内より高い外気圧との圧力差により、露光マスクの裏面側からおもて面側に圧力が加わるようにした場合は、剥離時には、容器内を外気圧より高い圧力にすればよい。
いずれにしても剥離時には、露光マスクのおもて面側に比べ、裏面側が低い圧力となるような圧力差を設けるようにすれば良い。
以上のような構成とすることで、薄膜の露光マスクと被処理体の間に存在する異物の検出が行えた。その結果、製造したウエハやガラス基板などの欠陥が少なくなり歩留まりを向上することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の参考例１における構成を示す図であり、（ａ）は本発明の異物検出手段を適用した近接場露光装置の構成を示す図、（ｂ）は受光素子上に照射されている光の強度分布による干渉縞を示す図。
【図２】本発明の参考例２における構成を示す図であり、（ａ）は本発明の異物検出手段を適用した近接場露光装置の構成を示す図、（ｂ）は受光素子上に照射されている光の強度分布による干渉縞を示す図。
【図３】本発明の課題における異物により近接場光を用いた露光が阻害される概念を説明する図。
【図４】本発明の実施の形態を説明するための露光マスクの構成を示す図。
【図５】本発明の実施の形態に適用される参考例３を説明するための露光マスクの構成を示す図。
【図６】本発明の実施の形態に適用される参考例３の近接場露光における異物検出方法を説明する図。
【図７】本発明の実施の形態に適用される参考例３の別の態様による近接場露光における異物検出方法を説明する図。
【図８】本発明の実施の形態の近接場露光における異物検出方法を説明する図。
【符号の説明】
【００３１】
１０１、２０１：露光マスク
１０２金属遮光膜
１０３：圧力調整容器
１０４：マスク母材
１０５、２０５：基板
１０６、２０６：レジスト
１０７、２０７：異物検出用光源
１０８、２０８：ハーフミラー
１０９、２０９：参照面
１１０、２１０：受光素子
１１１：異物
１１２：ビームエキスパンダー
１１３：コリメータレンズ
１１４：コリメータレンズ
１１５：露光光源
１１６：ガラス窓
１１７：圧力調整手段
１１８：ステージ
２１１、２１２：偏向素子
３０１：フォトマスク
３０２：異物
３０３：被処理体
３０４：非密着領域
３０５：微小開口
３０６：近接場光
４０１：マスク母材
４０２：遮光層
４０３：微小開口
４０４：薄膜の弾性体
４０５：支持体
５０１：擬似マスク
５０２：支持体
５０３：薄膜部
６０１：擬似マスク
６０２：被処理体
６０３：異物
６０４：非密着領域
６０５：干渉縞
７０１：遮光層
７０２：マスク母材
７０３：透明基板
７０４：異物
７０５：露光マスク
７０６：非密着領域
７０７：干渉縞
８０１：露光マスク
８０２：擬似マスク
８０３、８０４：圧力調整容器
８０５：基板
８０６：レジスト
８０７、８１０：受光光学系
８０８、８１１：受光素子
８０９、８１２：圧力調整手段
８１３：露光光源
８１４：コリメータレンズ
８１５：ステージ
８１６：露光処理位置
８１７：ステージ
８１８：透明基板
８１９：露光光
８２０：ガラス窓
８２１、８２２：画像処理システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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