(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してあり、組み立て時に目印とするための認識用ランドを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記認識用ランドは、
前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させた前記基板の表面上に形成してあり、
表面又は全部が金属膜からなり、
電流を供給して素子の電気的及び光学的特性を測定するための、又は電圧及び電流を測定するための１若しくは複数のテストプロービング用電極であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記認識用ランドは、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、及びポリイミドからなる群から選択される化合物を含むパッシベーション膜を介して前記表面上に形成してある請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザダイオード等に用いられるものであり、一般式ＩｎX ＡｌY Ｇａ1-X-Y Ｎ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０≦Ｘ＋Ｙ＜１）で表される窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＮ系化合物半導体は、従来、困難であった青色発光を実現した発光ダイオードの材料である。近年、このＧａＮ系化合物半導体を用いた発光素子の生産性の向上及び発光効率の向上を図るべく種々の研究がなされており、例えば、発光効率を向上させる技術が特許第２７４８８１８号公報に開示されている。
図１２は、そのＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図、図１３はそのXIII-XIII 線断面図であり、図中、２１はサファイアからなる基板である。
このＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、基板２１上にｎ型ＧａＮ化合物半導体層２２、活性層２３、及びｐ型ＧａＮ化合物半導体層２４がこの順に積層されている。ｐ電極２６は、金属薄膜２５を介しｐ型ＧａＮ化合物半導体層２４上に形成されている。ｎ電極２８は、ｐ型ＧａＮ化合物半導体層２４及び活性層２３をエッチング等により除去して露出させたｎ型ＧａＮ化合物半導体２２上に形成されている。ｐ電極２６及びｎ電極２８以外の部分には、保護膜２９が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
基板２１上に結晶成長したＧａＮ系化合物半導体は、他の半導体と比較して、表面に凹凸ができやすく、金属薄膜２５を介しｐ型ＧａＮ化合物半導体層２４上に形成されたｐ電極２６、及びｎ型ＧａＮ化合物半導体層２２上に形成されたｎ電極２８は、下層のＧａＮ化合物半導体層の影響を受けて、表面に凹凸ができやすい。従って、基板２１に対して垂直に入射した光は、ｐ電極２６及びｎ電極２８において乱反射し、垂直方向に反射するものが少なくなる。
【０００４】
このＧａＮ化合物半導体発光素子を用いてＬＥＤランプ等を作製する場合、ウエハをチップに分割した後、リードフレーム等にダイボンディングするとき、又はワイヤボンディングするときに、一般にはチップをテレビカメラで撮影した画像について電算機処理等により画像認識を行い、チップ上のワイヤボンディング用金属電極であるｐ電極２６及びｎ電極２８のうちのいずれか１つ又は複数を認識用ランドとして用いて、このチップの位置及び向き等を認識し、又は認識用ランドの位置のみを認識し、自動で組立を行っている。
通常、カメラの光軸は、チップの基板に対し略垂直に設定されており、チップ照明用光源として、撮影用レンズに同軸照明用機能を有したものを用いてチップに対し垂直な方向から照明を行うか、又は、撮影用レンズの先端付近にリング状照明用具を設置し、カメラの光軸とは少しずれるが、基板２１に略垂直な方向から照明を行っている。
いずれの場合にしても、このような照明及び撮影を行った場合、表面に凹凸があるｐ電極２６及びｎ電極２８において、照明光が乱反射し、カメラ側に垂直に反射する率が低くなるので、ｐ電極２６及びｎ電極２８以外の部分とのコントラストが低下し、自動認識をする場合に誤認識をしたり、認識不能になるという問題があった。
【０００５】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ＧａＮ系化合物半導体層の一部を除去して露出させた基板の表面上に、又は平滑膜を介した前記表面上に認識用ランドを形成することにより、テレビカメラで撮影するときに、照明光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランドの位置を正確かつ確実に認識することができ、生産性高くＬＥＤランプ等を組み立てることができるＧａＮ系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明は、認識用ランドの少なくとも表面を金属から構成することにより、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高いＧａＮ系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００７】
そして、本発明は、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねることにより、素子の表面を有効利用することができるＧａＮ系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してあり、組み立て時に目印とするための認識用ランドを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記認識用ランドは、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させた前記基板の表面上に形成してあり、表面又は全部が金属膜からなり、電流を供給して素子の電気的及び光学的特性を測定するための、又は電圧及び電流を測定するための１若しくは複数のテストプロービング用電極であることを特徴とする。
【０００９】
第２発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、第１発明において、前記認識用ランドが、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、及びポリイミドからなる群から選択される化合物を含むパッシベーション膜を介して前記表面上に形成してあることを特徴とする。
【００１０】
第１発明及び第２発明においては、認識用ランドが平滑な表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照射光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くＬＥＤランプ等を組み立てることができる。
【００１１】
画像認識のために用いられる照明用光源及び撮影用カメラが特定される場合であって、画像認識のために狭い波長域しか使用されないとき、例えば赤色及び赤外線のＬＥＤで照明を行い、その波長につき感度が高いテレビカメラで撮影を行うときは、認識用ランドの厚さを選択し、又は認識用ランドを多層構造にして光の干渉により、その波長で反射率が高くなるようにすればよいが、組み立て装置が特定できない場合、汎用性を持たせたい場合、白色光源で照明し、カメラの高感度波長域が広い場合等には、認識用ランドが種々の波長で反射率が高い金属から構成するのが好ましい。
本発明においては、認識用ランドの少なくとも表面に金属膜を含むので、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高い。
【００１４】
本発明においては、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねているので、素子の表面を有効利用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図、図２はそのII−II線断面図であり、図中、１はサファイアからなる基板である。
このＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、基板１上にｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４、及び電流拡散層５がこの順に積層されている。電流拡散層５上には、ｐ電極６が形成されており、電流拡散層５、ｐ型ＧａＮ層４、活性層３及びｎ型ＧａＮ層２をエッチングにより除去して得られたｎ電極形成孔７には、ｎ電極８が形成されている。
【００１６】
図３及び図４は、実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体素子の製造工程を示す断面図である。
まず、減圧ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）装置内に基板１を設置し、水素を供給しながら基板１を１０５０℃に加温してサーマルクリーニングを施す。次に、基板１の温度を５１０℃まで降下させ、窒素及び水素をキャリアガスとしてアンモニア、トリメチルアルミニウムを供給し、基板１上に低温ＡｌＮバッファ層を略２０ｎｍの厚さに成膜する。
その後、基板１の温度を略１０００℃に上昇させて前記キャリアガスを用いてアンモニア、トリメチルガリウムを流す。このとき同時にｎ型ドーパントとしてのＳｉを用いてｎ型ＧａＮであるＳｉドープＧａＮ層（以下、ｎ型ＧａＮ層２という）を略１．２μｍの厚さに成長させる。
【００１７】
次に、トリメチルインジウムを断続的に流しつつ、ｎ型ＧａＮとｎ型ＩｎＧａＮとのＭＱＷ（多重量子井戸）からなる活性層３をｎ型ＧａＮ層２の上に略４０ｎｍの厚さに成膜する。
次に、Ｍｇをドーパントとしてｐ型ＡｌＮからなるキャップ層を活性層３上に略０．１μｍの厚さに成長させる。さらに、キャップ層の上にｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層を略０．１μｍの厚さに成長させ、その上にＧａＩｎＮ層を略１０ｎｍの厚さに成長させる（図３（ａ））。以下、ｐ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層及びＧａＩｎＮ層を総称してｐ型ＧａＮ層４という。
【００１８】
その後、基板１の温度を略８００℃に降下させ、減圧ＭＯＣＶＤ装置内の圧力を略７ｋＰａにし、同時に、減圧ＭＯＣＶＤ装置内の雰囲気をアンモニア等の水素原子を含む混合ガスの雰囲気から窒素ガスのみの雰囲気に切り替える。
そして、キャリアガスとして窒素ガスを用いてトリメチルジンクを流し、上述のようにして得られたＬＥＤ構造ウエハ上にＺｎ膜を数ｎｍの厚さに形成する。
その後、窒素ガスのみを流した状態で、基板１の温度を１００℃以下まで低下させ、ウエハを減圧ＭＯＣＶＤ装置から取り出す。そして、ウエハの表面に形成したＺｎ膜を硫酸（３０wt％，６０℃）によりエッチングして取り除く。
【００１９】
次に、ウエハを真空蒸着装置に入れ、ＩＴＯ（ＳｎＯ2 を１０％含む）を電子銃で加熱、蒸発させて略１０ｎｍの厚さのＩＴＯ（ＳｎＯ2 を１０％含む）膜を形成すると共に、スパッタリング装置により略５００ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成する（図３（ｂ））。以下、これらのＩＴＯ膜を電流拡散層５という。
電流拡散層５上に、ｎ電極形成用穴９ａを有したエッチングマスク９を形成する（図３（ｃ））。
【００２０】
次に、臭化水素を用いたドライエッチングにより電流拡散層５をエッチングし、引続きガスを塩素に変えてｎ型ＧａＮ層２が露出するまでエッチングを行う。これによりｎ電極形成孔７が形成される（図３（ｄ））。
【００２１】
次に、エッチングマスク９を除去し、先にエッチングマスク９を形成していた部分の略全体と、ｎ電極形成孔７とにエッチングマスク１０を形成する。マスク材としてノボラック樹脂系のフォトレジスト、並びにポリイミド及びポリアミド系樹脂を用い、成膜及びフォトリソグラフィーの条件を調整することにより、電流拡散層５上に形成するエッチングマスクの外縁部に傾斜を付ける。エッチングマスク１０は、ｎ電極形成孔７においては、その側面部から底部にかけて形成されており、所定円形面積分、ｎ型ＧａＮ層２が露出するように、テーパ状に形成されている（図４（ｅ））。
【００２２】
次に、基板１が露出するまで、塩素によりドライエッチングを行う（図４（ｆ））。これにより、ｎ電極形成孔７の下側にテーパ状の底部７ａが形成される。このとき、エッチングマスク１０自体も塩素によりエッチングされるが、外縁部が傾斜しているので、エッチングマスク１０の層厚が薄い部分はエッチングマスク１０がなくなり、下層の電流拡散層５及びｐ型ＧａＮ層４の一部もエッチングされる。従って、電流拡散層５は外縁部が傾斜する。また、この際、塩素プラズマによるドライエッチングでは、ＧａＮ系半導体に比べてサファイアのエッチングレートは非常に遅く、ほとんどエッチングされないため、選択エッチングが可能であり、ＧａＮ系半導体層を過剰にエッチングすることにより、結晶成長前と同様に平滑なサファイア基板の表面を露出させることが可能である。
【００２３】
残存しているエッチングマスク１０を除去する（図４（ｇ））。
次に、電流拡散層５上にｐ電極６を形成し、ｎ電極形成孔７にｎ電極８を形成する。これらの電極はリフトオフ法により、真空蒸着で、Ｔｉを１００ｎｍ、Ｐｔを２０ｎｍ、Ａｕを１μｍ蒸着させて同時に形成する（図４（ｈ））。
最後に、基板１の裏面を研削、研磨し、ウエハをチップ毎に分離して、発光素子を得る。
【００２４】
以上のようにして製造されたＧａＮ系化合物半導体発光素子は、ｎ電極８が平滑な基板１の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照明用光源から出射した光がこのｎ電極８上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置によりｎ電極８の位置、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識することができ、生産性高くＬＥＤランプ等を組み立てることができる。
ｎ電極８は、各素子に必須の構成要素であり、その機能上、或る程度大きな面積を占有することが許容されるので、これが認識用ランドを兼ねる場合、素子の表面を有効利用することができるとともに、より確実に画像認識を行うことができる。
また、ｎ電極８は金属からなり、金属は種々の波長の光を反射させることができるので、照明光の波長及び撮影カメラの高感度波長域が制限されず、汎用性が高い。
【００２５】
実施の形態２．
図５は、実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図、図６はそのVI−VI線断面図であり、図中、図１及び図２と同一部分は同一符号を付してある。
この実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、ｐ電極６は、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４及び電流拡散層５の側面と接触しないようにポリイミド等からなる絶縁膜１１を介在させた状態で、基板１上に形成されている。ｐ電極６は、絶縁膜１１の一端部を覆う状態で、電流拡散層５上に延設してある。
【００２６】
この実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造工程は、実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造工程と、図４（ｇ）の工程まで同一である。その後の製造工程を図７に示す。
絶縁膜１１の一端を基板１に固着させ、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４及び電流拡散層５の各側面に当接させた状態で、他端を電流拡散層５上に固着させる（図７（ｉ））。この絶縁膜１１により、後述するｐ電極６がｐ型ＧａＮ層４の側面と接して短絡するのが防止される。
【００２７】
次に、基板１上に、その側部が絶縁膜１１を覆う状態でｐ電極６を形成し、ｎ電極形成孔７にｎ電極８を形成する。これらの電極はリフトオフ法により、真空蒸着で、Ｔｉを１００ｎｍ、Ｐｔを２０ｎｍ、Ａｕを１μｍ蒸着させて同時に形成する（図７（ｊ））。
最後に、基板１の裏面を研削、研磨し、ウエハをチップ毎に分離して、発光素子を完成する。
【００２８】
この実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、基板１上に形成されたｐ電極６を電流拡散層５と電気的に接続する必要があり、垂直に近い断面に沿って配線する場合はうまくつながらなかったり、後から断線する虞があるので、電流拡散層５の外縁部を傾斜させている。
そして、ｐ電極６及びｎ電極８の両方が平滑な基板１の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、いずれの電極を画像認識のために用いても正確に画像認識を実施することができ、両方を用いた場合は、素子の位置及び向きをより正確に把握することができる。
【００２９】
実施の形態３．
図８は、実施の形態３に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す断面図であり、図中、図２と同一部分は同一符号を付してある。
この実施の形態３に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、ｐ電極６は、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４及び電流拡散層５の側面と接触しないように絶縁膜１１を介在させて、基板１上に形成されている。ｎ電極８は、電流拡散層５、ｐ型ＧａＮ層４、活性層３及びｎ型ＧａＮ層２の一部をエッチングにより除去して得られたｎ電極形成孔７に形成されている。
【００３０】
この実施の形態３に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、ｐ電極６が平滑な基板１の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、正確に画像認識を実施することができる。
【００３１】
実施の形態４．
図９は、実施の形態４に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
このＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、基板１上にｎ型ＧａＮ層２、活性層３、及びｐ型ＧａＮ層４がこの順に形成されている。ｐ電極６は、金属薄膜１５を介しｐ型ＧａＮ層４上に形成されている。ｎ電極８は、ｐ型ＧａＮ層４及び活性層３をエッチング等により除去して露出させたｎ型ＧａＮ層２上に形成されている。ｐ電極６及びｎ電極８が形成されている部分以外の部分には、保護膜１２が形成されている。
このＧａＮ化合物半導体素子においては、アライメントマーク１３が、露出している基板１の端部に直接形成されている。
【００３２】
この実施の形態４に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、アライメントマーク１３が平滑な基板１の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、別途の認識用ランドを設けることなく素子の表面を有効利用することができるとともに、照明光源から出射した光が略垂直にテレビカメラ側に反射し、正確に画像認識を行うことができる。
【００３３】
実施の形態５．
図１０は、実施の形態５に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図、図１１はそのXI−XI線断面図であり、図中、図９と同一部分は同一符号を付してある。
このＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、ｎ型ＧａＮ層２の一角に、その側面をｎ型ＧａＮ層２の側面に沿わせた状態で、テストプロービング用電極１４が形成されている。このテストプロービング用電極１４は、ｎ電極８と同時に形成される。
【００３４】
テストプロービング用電極１４は２種類あり、第１のテストプロービング用電極１４は、ｐ電極６及びｎ電極８であるワイヤボンディング用電極にプローブの接触痕を残したくない場合であって、接触痕がボンディング不良の原因となるので、本来のワイヤボンディング用電極と電気的に等価な電極をｐ，ｎ各１個ずつ追加して設けるものである。ｐ，ｎ各々につきオーミックコンタクト部が共通で、電気的に接続されたボンディング用パッドとプロービング用パッドとがあればよく、ボンディング用パッドの表面積を広げて、ボンディングに使用しない端部をプローブ用に使用することにしてもよい。
【００３５】
第２のテストプロービング用電極１４は、ｐ，ｎ各１個の電極だけでは測定できない特性の評価を行う場合であって、ワイヤボンディング用のｎ電極８とは独立したｎ型オーミックコンタクトを有するｎ電極、ワイヤボンディング用のｐ電極６とは独立したｐ型オーミックコンタクトを有するｐ電極を設けるものである。例えばＩ−Ｖ特性の不良時に、結晶膜の不良及び電極の不良のいずれであるかを判定するときに、独立したｎ型オーミックコンタクトを有する２つのｎ電極間のＩ−Ｖ特性を評価することにより、ワイヤボンディング用のｎ電極８の状態を調べることができる。
テストプロービング用電極１４としてｐ電極及びｎ電極の両方を作製した場合は、ｐ電極６及びｎ電極８の両方の状態を調べることができるが、素子の表面に設ける制約上、一方の電極のみを作製することもある。
【００３６】
実施の形態５においては、テストプロービング用電極１４が上述した第２のテストプロービング用電極１４であり、ｎ電極のみを形成した場合につき説明している。
この実施の形態５に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、テストプロービング用電極１４は平滑な基板１の表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、これを画像認識のために用いた場合、別途の認識用ランドを設けることなく素子の表面を有効利用することができるとともに、照明光源から出射した光が略垂直にテレビカメラ側に反射し、正確に画像認識を行うことができる。
【００３７】
以上のように、本実施の形態のＧａＮ系化合物半導体発光素子においては、認識用ランドを兼ねるワイヤボンディング用電極、アライメントマーク１３及びテストプロービング用電極１４が基板１の表面に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をＬＥＤランプ及びレーザダイオード等に組み込むためにテレビカメラで撮影するときに、照射光がこのワイヤボンディング用電極等の表面で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くＬＥＤランプ等を組み立てることができる。
【００３８】
なお、前記実施の形態においては、ワイヤボンディング用電極、アライメントマーク１３及びテストプロービング用電極１４が認識用ランドを兼ねる場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、独立した認識用ランドを基板１の表面上に形成することにしてもよい。
【００３９】
そして、前記実施の形態においては、認識用ランドを基板１の表面上に直接形成する場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、基板１の表面に半導体層の保護に用いるパッシベーション膜を形成した上に認識用ランドを形成することにしてもよい。この膜の材料としてはＳｉＯ2 、ＳｉＮ及びＳｉＯＮ等の無機誘電体、ポリイミド等の有機化合物があり、前者はＣＶＤ及びスパッタリング等により成膜し、後者はスピンコート後、焼結して成膜する。他にもｐｎ接合を短絡せず、基板１の平滑さを確保できるものであればよい。
【００４０】
さらに、前記実施の形態においては、認識用ランドを単層の金属膜から構成した場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、用途に応じて、認識用ランドの表面のみに金属膜を有することにしてもよい。
また、画像認識のために狭い波長域しか使用されない場合、認識用ランドを単層又は多層構造の誘電体膜から構成して、光の干渉によりその波長域で反射率が高くなるようにしてもよい。汎用性を持たせたい場合は、認識用ランドを種々の波長において反射率が高い金属から構成するのが好ましい。
【００４１】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明による場合は、認識用ランドが平滑な表面上に形成されており、その表面が平滑であるので、素子をテレビカメラで撮影するときに、照射光がこの認識用ランド上で乱反射することなく、テレビカメラ側に略垂直に反射し、画像認識装置により認識用ランド、素子の位置及び向きを正確かつ確実に認識して、生産性高くＬＥＤランプ等を組み立てることができる。
【００４２】
本発明による場合は、認識用ランドの少なくとも表面が金属からなるので、種々の波長の光を反射させることができ、広い波長域で画像認識を実施することができ、汎用性が高い。
【００４５】
本発明による場合は、テストプロービング用電極が認識用ランドを兼ねているので、素子の表面を有効利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線断面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５に係るＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線断面図である。
【図１２】従来のＧａＮ系化合物半導体発光素子を示す平面図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII線断面図である。
【符号の説明】
１    基板
２    ｎ型ＧａＮ層
３    活性層
４    ｐ型ＧａＮ層
５    電流拡散層
６    ｐ電極
８    ｎ電極
１３  アライメントマーク
１４  テストプロービング用電極
【図１】
0004616491.tif 000002
【図２】
0004616491.tif 000003
【図３】
0004616491.tif 000004
【図４】
0004616491.tif 000005
【図５】
0004616491.tif 000006
【図６】
0004616491.tif 000007
【図７】
0004616491.tif 000008
【図８】
0004616491.tif 000009
【図９】
0004616491.tif 000010
【図１０】
0004616491.tif 000011
【図１１】
0004616491.tif 000012
【図１２】
0004616491.tif 000013
【図１３】
0004616491.tif 000014