(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影レンズを通して入射される被写体光に応じて光電変換信号を出力する電荷蓄積型の光電変換素子と、
前記光電変換素子に入射する前記被写体光を所定の光束に制限する光束制限手段と、
前記光束制限手段によって制限された前記所定の光束を前記光電変換素子の第１領域に導く光学手段と、
前記所定の光束を受光する前記光電変換素子の第１領域から出力される光電変換信号に基づいて、前記撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出手段と、
前記第１領域から出力される光電変換信号が飽和しているか否かを判定し、飽和していないと判定されたとき、前記第１領域から出力される光電変換信号に基づいて、前記光電変換素子の電荷蓄積時間を制御し、飽和していると判定されたとき、光電変換信号の目標出力値と前回の電荷蓄積時に前記光電変換素子の前記第１の領域の近傍の第２領域から出力された光電変換信号の出力値との比率、および前回の電荷蓄積時の電荷蓄積時間に基づいて、前記光電変換素子の電荷蓄積時間を制御する制御手段とを備えることを特徴とする焦点検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オートフォーカスカメラの焦点検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被写体光をＣＣＤのような光電変換素子で受光し、光電変換素子から出力される光電変換信号に基づいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出装置が知られている。光電変換素子の出力信号レベルは、入射される被写体光量に応じて変化する。入射される被写体光量が多過ぎる場合は出力される信号レベルが高すぎて飽和し、被写体光量が少な過ぎる場合は出力される信号レベルが低くてノイズの影響を受けやすくなる。そこで、被写体輝度に応じて光電変換素子の電荷蓄積時間を変化させることにより、光電変換信号レベルが適正に調整される。被写体輝度を検出する方法として、輝度検出用に専用のセンサを設ける方法と、光電変換素子の出力信号レベルから被写体輝度を検出する方法とがある。一般に、専用のセンサを設けるとコストアップにつながるので、光電変換素子の出力信号レベルから被写体輝度を検出する方法が用いられる。たとえば、特開平２−１１３２１５号公報には、光電変換時に光電変換素子から出力される受光素子出力の最大出力値について、次回の光電変換時に適正値として出力されるように電荷蓄積時間を演算して求め、光電変換素子の電荷蓄積時間を制御する焦点検出装置が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術による焦点検出装置では、光電変換素子の電荷蓄積時間が所定時間より長くて光電変換信号が飽和してしまうと、電荷蓄積時間に関係なく光電変換信号レベルが飽和レベルにクリップされてしまう。したがって、電荷蓄積時間と信号レベルとの関係がわからなくなるので、次回以降の電荷蓄積時間を適正に制御できないという問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、光電変換素子から出力される光電変換信号が飽和しても電荷蓄積時間を適正に制御するようにした焦点検出装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明による焦点検出装置は、撮影レンズを通して入射される被写体光に応じて光電変換信号を出力する電荷蓄積型の光電変換素子と、前記光電変換素子に入射する前記被写体光を所定の光束に制限する光束制限手段と、前記光束制限手段によって制限された前記所定の光束を前記光電変換素子の第１領域に導く光学手段と、前記所定の光束を受光する前記光電変換素子の第１領域から出力される光電変換信号に基づいて、前記撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出手段と、前記第１領域から出力される光電変換信号が飽和しているか否かを判定し、飽和していないと判定されたとき、前記第１領域から出力される光電変換信号に基づいて、前記光電変換素子の電荷蓄積時間を制御し、飽和していると判定されたとき、光電変換信号の目標出力値と前回の電荷蓄積時に前記光電変換素子の前記第１の領域の近傍の第２領域から出力された光電変換信号の出力値との比率、および前回の電荷蓄積時の電荷蓄積時間に基づいて、前記光電変換素子の電荷蓄積時間を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【０００６】
【作用】
焦点検出に使用する光電変換素子の所定の領域から出力される光電変換信号レベルは、所定の領域の近傍から出力される光電変換信号レベルよりも高い。したがって、所定の領域の近傍からの光電変換信号は、所定の領域からの光電変換信号に比べると飽和しにくい。本発明は、このような現象を利用することにより、光電変換素子の所定の領域から出力される光電変換信号レベルを飽和レベルに近い値にするように、光電変換素子の電荷蓄積時間を最適な値に設定する。
【０００７】
なお、上記課題を解決するための手段の項では、本発明をわかりやすく説明するために実施の形態の図と対応づけたが、これにより本発明が実施の形態に限定されるものではない。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施の形態による焦点検出装置を備える一眼レフカメラである。図１のカメラは、カメラ本体７０と、ファインダ装置８０と、交換レンズ９０とを備える。ファインダ装置８０および交換レンズ９０は、それぞれカメラ本体７０に着脱可能である。交換レンズ９０は、レンズ９１と絞り９２とを内蔵する。
【０００９】
図１において、カメラ本体７０は、クイックリターンミラー７１と、シャッター７２と、感光部材７３と、ファインダマット８１と、ペンタプリズム８２と、接眼レンズ８３と、プリズム８４と、結像レンズ８５と、測光用光電変換素子８６と、焦点検出装置３６とを有する。レリーズ前に交換レンズ９０を通してカメラ本体７０に入射する被写体光は、点線で示す位置にあるクイックリターンミラー７１によりファインダ装置８０に導かれる。この被写体光は、ファインダマット８１に結像するとともに、焦点検出装置３６にも被写体像を結像する。ファインダーマット８１に結像する被写体光は、ペンタプリズム８２で接眼レンズ８３に導かれる。また、ファインダーマット８１に結像する被写体光は、プリズム８４と結像レンズ８５を通って測光用光電変換素子８６にも被写体像を結像する。
【００１０】
レリーズ後にカメラ本体７０に入射する被写体光は、実線で示す位置に回動されるクイックリターンミラー７１の下部を通過し、シャッター７２を介してフィルムなどの感光部材７３上に結像する。
【００１１】
図１のカメラで不図示のレリーズスイッチが半押し操作されると、被写体の輝度を検出する測光動作が行われる。被写体の輝度検出は、測光用光電変換素子８６から出力される検出信号を用いて不図示のＣＰＵで行われる。ＣＰＵは、測光動作をはじめとする全てのカメラ動作を制御する。このＣＰＵが被写体輝度を検出し、検出した輝度を用いて所定の演算を行うことにより、撮影時の制御シャッター時間と制御絞り値とが算出される。
【００１２】
焦点検出装置３６は、レンズ９１の焦点調節状態を検出する。図２は、焦点検出装置３６の概要を表すブロック図である。焦点検出装置３６は、焦点検出光学系１と、イメージセンサーアレイ２と、焦点検出演算部３と、蓄積時間制御部４とを有し、レンズ９１の焦点調節状態を検出する。焦点検出光学系１は、レンズ９１を通過する被写体光をイメージセンサーアレイ２上に結像させる。イメージセンサーアレイ２は、ＣＣＤなどの電荷蓄積型のラインセンサであり、入射光量に応じた光電変換信号を素子位置に対応して出力する。焦点検出演算部３は、イメージセンサーアレイ２の複数の画素領域から出力される複数の光電変換信号の信号レベルと、各光電変換信号を出力するイメージセンサーアレイ２上の画素領域の位置とを用いて所定の演算を行う。蓄積時間制御部４は、光電変換信号の信号レベルを用いてイメージセンサーアレイ２の電荷蓄積時間を制御する。
【００１３】
図３を参照して焦点検出装置３６の構成および焦点検出動作の原理を説明する。焦点検出装置３６は、上述した不図示のＣＰＵにより制御される。焦点検出光学系１は、視野マスク９００、フィールドレンズ３００、開口マスク４００、再結像レンズ５０１および５０２などで構成される。領域８００は、レンズ９１(図１)の射出瞳である。また、領域８０１、８０２は、開口マスク４００に穿設される開口部４０１、４０２をフィールドレンズ３００によってそれぞれ領域８００上に逆投影される像が存在する領域である。焦点検出光学系１には、赤外光カットフィルタ７００が設けられている。領域８０１、８０２を介して入射する光束は、感光部材７３(図１)の等価面６００上で焦点を結んだ後、赤外光カットフィルタ７００、視野マスク９００、フィールドレンズ３００、開口部４０１、４０２および再結像レンズ５０１、５０２を介してイメージセンサーアレイ２上の領域２０１、２０２にそれぞれ結像する。
【００１４】
イメージセンサーアレイ２の領域２０１、２０２に結像した一対の被写体像は、レンズ９１が感光部材７３の等価面６００よりも前（被写体側）に被写体の鮮鋭像を結ぶいわゆる前ピン状態では互いに近づき、逆に感光部材７３の等価面６００よりも後に被写体の鮮鋭像を結ぶいわゆる後ピン状態では互いに遠ざかる。そして、イメージセンサーアレイ２の領域２０１、２０２に結像した被写体像が所定の間隔となるとき、被写体の鮮鋭像が感光部材７３の等価面６００上に位置する。すなわち、一対の被写体像が相対的に一致する。
【００１５】
焦点検出演算部３は、イメージセンサーアレイ２上に結像される一対の被写体像が光電変換された電気信号を用いて所定の演算を行うことにより、一対の被写体像の相対距離を求める。一対の被写体像の相対距離が求められると、レンズ９１の焦点調節状態、つまり交換レンズ９０により鮮鋭な像が形成される位置が、感光部材７３の等価面６００に対してどの方向にどれだけ離れているか、つまりずれ量が求められる。図３において焦点検出領域は、イメージセンサーアレイ２の領域２０１，２０２が再結像レンズ５０１、５０２によって逆投影されて、感光部材７３の等価面６００の近傍で重なる部分に相当する。
【００１６】
イメージセンサーアレイ２の電荷蓄積時間の制御を詳細に説明する。イメージセンサーアレイ２の複数の画素から出力される光電変換信号の信号レベルのそれぞれは、イメージセンサーアレイ２に入射される光量が多いとき高くなり、入射される光量が少ないとき低くなる。また、入射される光量が同じでも、電荷蓄積時間が長いとき高くなり、電荷蓄積時間が短いとき低くなる。イメージセンサーアレイ２に蓄積される電荷量は、電荷が蓄積されるコンデンサの容量により制限されるので、蓄積電荷がコンデンサの容量を超えて蓄積されることはない。したがって、イメージセンサーアレイ２に入射される光量が多い場合や電荷の蓄積時間が長い場合は、イメージセンサーアレイ２から出力される光電変換信号の信号レベルが所定の値で制限される。制限される所定の値を飽和レベルと呼ぶ。
【００１７】
イメージセンサーアレイ２から出力される光電変換信号にはノイズが存在する。ノイズは光電変換信号の信号レベルに関係なく存在するので、光電変換信号レベルを高めて飽和レベルに近づける方がノイズの影響を受けにくくなる。そこで、光電変換信号レベルを飽和レベルに達しない範囲でできるだけ高めるように、イメージセンサーアレイ２の電荷蓄積時間を変化させることにより、光電変換信号レベルを入射光量にかかわらずほぼ一定にするように制御する。この制御をオートゲインコントロール(ＡＧＣ)と呼ぶ。
【００１８】
図４はイメージセンサーアレイ２から出力される光電変換信号を説明する図である。(a)はイメージセンサーアレイ２の素子列nを表す図、(b)は白い紙のように輝度が均一な被写体をイメージセンサーアレイ２上に結像した場合に(a)の素子列nから出力される光電変換信号D［n］を表す図である。図４(b)の横軸は素子番号、縦軸は信号レベルを表す。図４(a)において、イメージセンサーアレイ２は、素子１〜素子Ｍで表されるＭ個の素子列nを有する。このうち、素子Asから素子Aeで示される範囲が領域２０１に、素子Bs〜素子Beで示される範囲が領域２０２に相当する。図４(b)において、素子列nの領域２０１および領域２０２から光電変換信号D［As］〜D［Ae］およびD［Bs］〜D［Be］がそれぞれ出力される。上述した焦点検出演算部３は、領域２０１および２０２を演算領域として、光電変換信号D［As］〜D［Ae］およびD［Bs］〜D［Be］を用いて上述した演算を行う。
【００１９】
また、図４(b)において、素子列nの領域２０１および領域２０２以外から出力される光電変換信号値は０である。ただし、素子As,Ae,Bs,Beの近傍、すなわち、素子Asの左側、素子Aeの右側、素子Bsの左側および素子Beの右側は、図３の開口部４０１，４０２のエッジで生じる回折や、レンズ９１(図１)および焦点検出光学系１のレンズ収差などにより、出力される光電変換信号値が階段状に変化する。
【００２０】
図２の蓄積時間制御部４は、次回の電荷蓄積時間Ｔnを次式(１)により算出する
【数１】
Ｔn＝Ｔp×Ｌr／Ｌp                    （１）
ただし、Ｔpは前回の光電変換時の電荷蓄積時間、Ｌrは目標とする光電変換信号D［n］の最大値、Ｌpは前回の電荷蓄積時に出力された光電変換信号D［n］の最大値である。
【００２１】
上式(１)によれば、前回の信号レベルＬpが目標信号レベルＬrより低い場合には、ＬrとＬpの比率に応じて電荷蓄積時間Ｔnが前回の電荷蓄積時間Ｔpより長く設定され、蓄積時間Ｔnによる蓄積によって得られる信号レベルが目標信号レベルＬrに概等しくなることが期待できる。反対に、前回の信号レベルＬpが目標信号レベルＬrより高い場合には、ＬrとＬpの比率に応じて電荷蓄積時間Ｔnが前回の電荷蓄積時間Ｔpより短く設定され、蓄積時間Ｔnによる蓄積によって得られる信号レベルが目標信号レベルＬrに概等しくなることが期待できる。なお、目標信号レベルＬrは、イメージセンサーアレイ２が飽和しない範囲でできるだけ大きな値とされる。
【００２２】
前回の信号レベルＬpが飽和レベル以上の場合は、以下のように次回の電荷蓄積時間を算出する。図５は、図４(b)の素子Asの近傍を拡大した図である。(a)は出力される光電変換信号の最大値が点線で示される飽和レベルに達していない場合の光電変換信号を表す図、(b)は(a)に比べて被写体輝度が２倍の場合に出力される光電変換信号を表す図、(c)は(a)に比べて被写体輝度が４倍の場合に出力される光電変換信号を表す図である。(b)および(c)は光電変換信号の最大値が飽和レベルに達している。なお、(a)〜(c)の電荷蓄積時間は同一である。
【００２３】
図５(a)において、素子Asより右側に位置する素子から出力される光電変換信号は、被写体の輝度が均一であることからほぼ同一の信号レベルになる。素子Asより左側に位置する素子は、開口部４０１を通過する光束の周辺の遮光部に対応するが、上述した回折およびレンズ収差に起因する光の回り込みにより完全に遮光状態にならない。したがって、素子Asに近づくほど光が回り込み、素子Asから離れるにつれて回り込む光量が低下して次第に遮光される。この結果、イメージセンサーアレイ２から出力される光電変換信号は、素子(As-1)から素子(As-4)へと素子Asから離れるにしたがって段階的に信号レベルが低くなる。このように遮光部で段階的に信号レベルが低くなるのは、素子Ae,Bs,Beの近傍に共通である。
【００２４】
図５(b)の光電変換信号レベルは、被写体輝度が２倍のため図５(a)の光電変換信号レベルの２倍になる。ところが、素子(As-1)より右側から出力される光電変換信号は、飽和レベルでクリップされるので図５(a)に比べて２倍の出力にはならない。図５(c)の光電変換信号レベルは、被写体輝度が４倍のため図５(b)の光電変換信号レベルのさらに２倍になる。ところが、素子(As-2)より右側から出力される光電変換信号は、飽和レベルでクリップされるので図５(b)に比べて２倍の出力にはならない。
【００２５】
一方、素子(As-4)および素子(As-3)のように素子Asから離れて位置する素子は、入射される光量が素子Asに近接する素子に入射される光量に比べて少ないので、出力される光電変換信号が飽和レベルに達しにくい。したがって、前回の電荷蓄積時に得られた光電変換信号D［n］の最大値Ｌpが飽和レベル以上の場合は、素子Asから離れて位置する素子から出力される光電変換信号の値を用いて、次式(２)により次回の電荷蓄積時間を算出する。
【数２】
Ｔn＝Ｔp×(Ｌr×Ｋb)／Ｌop             （２）
ただし、Ｔpは前回の光電変換時の電荷蓄積時間、Ｌrは目標とする光電変換信号D［n］の最大値、Ｌopは前回の電荷蓄積時に素子Asから離れて位置する素子(As-i)から出力された光電変換信号D［As-i］、係数Ｋbは、飽和のない状態での素子Asと素子(As-i)の出力比である。
【００２６】
たとえば、前回の電荷蓄積時の光電変換信号が図５(b)で表される場合に、次回の電荷蓄積時の光電変換信号が図５(a)で表されるような電荷蓄積時間を算出する場合を考える。この場合には、飽和レベルに達している素子Asの代わりに、飽和レベルに達していない素子(As-2)から出力される光電変換信号D［As-2］を用いて次回の電荷蓄積時間が算出される。素子(As-2)から出力される信号値が素子Asから出力される信号値の１／２倍であるとすれば、次回の電荷蓄積時間Ｔnは、上式(２)の係数Ｋb＝１／２とおくことにより、前回の電荷蓄積時間Ｔpの１／２倍の電荷蓄積時間を算出できる。
【００２７】
以上のように蓄積時間制御部４でイメージセンサーアレイ２の電荷蓄積時間Ｔnが算出されると、蓄積時間制御部４が次回の電荷蓄積時間Ｔnを設定して、イメージセンサアレイ２に電荷の蓄積を行わせる。焦点検出演算部３は、電荷蓄積時間Ｔnで光電変換された光電変換信号D［As］〜D［Ae］およびD［Bs］〜D［Be］を用いて上述した演算を行う。図１において、焦点検出装置３６でレンズ９１の焦点調節状態が検出されると、不図示のレンズ駆動装置によりレンズ９１の焦点位置が調整される。この後、不図示のレリーズスイッチが全押し操作されると、クイックリターンミラー７１が跳ね上がり、絞り９２が上述した制御絞り値に制御され、シャッター７２が上述した制御シャッター時間で制御されて撮影が行われる。
【００２８】
以上説明した動作を図６のフローチャートを参照して説明する。図６は、焦点調節状態を検出する時に電荷蓄積時間を決定する処理手順を説明するフローチャートである。ステップＳ１において、不図示のレリーズスイッチが半押し操作されると、図６の処理が起動される。蓄積時間制御部４内の不図示のメモリに記憶されている所定値が読み出され、電荷蓄積時間Ｔnの初期値とされる。続くステップＳ２では、蓄積時間制御部４がイメージセンサーアレイ２に電荷蓄積時間Ｔnを設定して電荷を蓄積させ、ステップＳ３へ進む。ステップＳ３において、蓄積時間制御部４がイメージセンサーアレイ２から光電変換信号D［1］〜D［M］を読み出す。読み出された光電変換信号D［1］〜D［M］は、焦点検出演算部３にも送られる。
【００２９】
ステップＳ４において、焦点検出演算部３は、光電変換信号D［1］〜D［M］の中からD［As］〜D［Ae］およびD［Bs］〜D［Be］を用いて上述した演算を行い、レンズ９１のデフォーカス量を求める。ステップＳ５において、図６の処理を中止する指令が出されたか否かを検出し、出されていると判定する(ステップＳ５の肯定判定)と図６の処理を終了し、出されていないと判定する(ステップＳ５の否定判定)とステップＳ６に進む。
【００３０】
ステップＳ６において、蓄積時間制御部４は、ステップＳ２における蓄積動作で用いた電荷蓄積時間を前回の電荷蓄積時間Ｔpとおく。続くステップＳ７において、光電変換信号D［As］〜D［Ae］の最大値をDmaxとおき、ステップＳ８に進む。ステップＳ８では、最大値Dmaxが飽和レベル以上か否かを判定し、飽和レベル以上と判定する(ステップＳ８の肯定判定)とステップＳ１１へ進み、飽和レベル未満と判定する(ステップＳ８の否定判定)とステップＳ９へ進む。ステップＳ９では、Dmaxを前回の電荷蓄積時の光電変換信号ＬpとしてステップＳ１０に進む。ステップ１０において、上式(１)で算出される電荷蓄積時間をＴnとおき、ステップＳ２へ戻る。
【００３１】
一方、ステップＳ１１において、カウンタiを１にセットしてステップＳ１２に進む。カウンタiは、素子(As)の近傍で光電変換信号レベルを判定する素子の数をカウントするために用いられる。ステップＳ１２では、素子(As-i)から出力される光電変換信号D［As-i］が飽和レベル以上か否かを判定し、飽和レベル以上と判定する(ステップＳ１２の肯定判定)とステップＳ１６へ進み、飽和レベル未満と判定する(ステップＳ１２の否定判定)とステップＳ１３へ進む。ステップＳ１３において、光電変換信号D［As-i］を前回の電荷蓄積時の光電変換信号ＬopとおいてステップＳ１４に進む。ステップ１４において、あらかじめ蓄積時間制御部４内の不図示のメモリに記憶されている出力比Ｋb［i］を読み出してＫbとおく。ステップＳ１５では、上式(２)で算出される電荷蓄積時間をＴnとおき、ステップＳ２へ戻る。
【００３２】
ステップＳ１６では、カウンタiが４か否かを判定し、４であると判定する(ステップＳ１６の肯定判定)とステップＳ１７へ進み、４でないと判定する(ステップＳ１６の否定判定)とステップＳ１８へ進む。ステップＳ１７において、あらかじめ蓄積時間制御部４内の不図示のメモリに記憶されている所定値Ｃkを読み出して、次式(３)により算出される時間を次の電荷蓄積時間ＴnとおいてステップＳ２に戻る。
【数３】
Ｔn＝Ｔp×Ｃk                         （３）
ただし、Ｔpは前回の光電変換時の電荷蓄積時間、Ｃkは１未満の係数であり、通常、Ｃk＜Ｋb［4］とされる。上式(３)によれば、次回の電荷蓄積時間Ｔnが所定の割合で前回の電荷蓄積時間Ｔpより短縮される。
【００３３】
ステップＳ１８では、カウンタiの値を１つ進めてステップＳ１２に戻る。
【００３４】
以上説明した実施の形態によれば、焦点検出演算部３でデフォーカス量を演算するために用いるイメージセンサーアレイ２の演算領域、すなわち、素子As〜Aeの光電変換信号D［As］〜D［Ae］の最大値Dmaxが飽和レベル未満のとき、Dmaxを用いて電荷蓄積時間Ｔnを算出し、Dmaxが飽和レベル以上のとき、素子Asの左側近傍の素子(As-i)の光電変換信号D［As-i］を用いて電荷蓄積時間Ｔnを求めるようにした。したがって、Dmaxが飽和レベル以上になることにより、前回の光電変換信号Ｌpと前回の電荷蓄積時間Ｔpとの関係がわからない場合でも、次回の電荷蓄積時間Ｔnを算出することが可能になる。この結果、光電変換信号レベルが飽和レベルを超えない範囲で大きくすることが可能になるから、ノイズの影響を少なくしてデフォーカス量を演算することが可能になる。
【００３５】
以上の説明では、イメージセンサーアレイ２の素子As〜Aeの光電変換信号D［As］〜D［Ae］、および素子Asの左側近傍の素子(As-i)の光電変換信号D［As-i］を用いて電荷蓄積時間Ｔnを求めるようにしたが、素子Aeの右側近傍の素子(Ae+i)の光電変換信号D［Ae+i］を用いて電荷蓄積時間Ｔnを求めるようにしてもよく、両近傍の光電変換信号を併用して求めてもよい。また、素子Bs〜Beの光電変換信号D［Bs］〜D［Be］、素子Bsの左側近傍の素子(Bs-i)の光電変換信号D［Bs-i］、および素子Beの右側近傍の素子(Be+i)の光電変換信号D［Be+i］を用いて求めてもよい。
【００３６】
上述したように、素子As,Ae,Bs,Beの近傍で、素子Asの左側、素子Aeの右側、素子Bsの左側および素子Beの右側において出力される光電変換信号値が階段状に変化する。この変化を表す係数Ｋbは、焦点検出光学系１の組立誤差などにより焦点検出装置３６ごとに個体差を有する。したがって、装置ごとにＫb［i］をあらかじめ測定して蓄積時間制御部４内のメモリに記憶させておく。
【００３７】
上記の説明では、カウンタiを４までカウントするように説明したが、４に限るものではない。
【００３８】
また、以上の説明では、イメージセンサーアレイ２にラインセンサを用いて説明したが、２次元の撮像領域を有する面センサを用いることもできる。この場合には、開口マスク４００の開口部４０１および４０２による２つの光束が面センサ上にならぶ方向のライン上のデータを用いるようにする。
【００３９】
さらにまた、上述した説明では、前回の蓄積で得られたイメージセンサーアレイ２の素子As〜Aeの光電変換信号D［As］〜D［Ae］の最大値DmaxをＬpとしたが、前回の蓄積で得られた光電変換信号D［As］〜D［Ae］の平均値をＬpとおくようにしてもよい。
【００４０】
特許請求の範囲における各構成要素と、発明の実施の形態における各構成要素との対応について説明すると、イメージセンサーアレイ２が光電変換素子に、焦点検出光学系１が光学手段に、素子As〜Aeが所定の領域および第１の領域に、焦点検出演算部３が焦点検出手段に、蓄積時間制御部４が制御手段、判定手段および記憶手段に、素子(As-1)〜(As-4)が領域の近傍および第２の領域に、視野マスク９００および開口マスク４００が光束制限手段に、フィールドレンズ３００および再結像レンズ５０１，５０２が光学手段に、それぞれ対応する。
【００４１】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、次のような効果を奏する。
（１）請求項１，２，５に記載の発明による焦点検出装置では、撮影レンズの焦点調節状態の検出に用いられる光電変換素子の所定の領域、およびこの領域の近傍から出力される光電変換信号に基づいて光電変換素子の電荷蓄積時間を制御するようにした。したがって、たとえば、低輝度の被写体から高輝度の被写体に変える場合など、光電変換素子の所定の領域から出力される光電変換信号レベルが飽和する場合でも、所定の領域の近傍から出力される光電変換信号を用いて電荷蓄積時間の制御を行うことができる。この結果、従来技術に比べて速く、適正に電荷蓄積時間を制御することが可能になるから、シャッターチャンスを逃すことが防止される。
（２）とくに、請求項２に記載の発明では、光電変換信号が飽和していないとき、所定の領域から出力される光電変換信号を用いて電間蓄積時間の制御を行い、光電変換信号が飽和しているとき、所定の領域の近傍から出力される光電変換信号を用いて電荷蓄積時間の制御を行うようにしたから、光電変換信号の飽和の有無に関係なく電荷蓄積時間を適正に制御することができる。
（３）請求項３〜５に記載の発明による焦点検出装置では、制限光束に対応する光電変換素子の第１領域、および制限光束の周囲に対応する光電変換素子の第２領域から出力される光電変換信号に基づいて光電変換素子の電荷蓄積時間を制御するようにした。したがって、たとえば、低輝度の被写体から高輝度の被写体に変える場合など、制限光束に対応する第１領域から出力される光電変換信号レベルが飽和する場合でも、制限光束の周囲に対応する第２領域の光電変換信号を用いて電荷蓄積時間の制御を行うことができる。この結果、従来技術に比べて速く、適正に電荷蓄積時間を制御することが可能になる。
（４）とくに、請求項４に記載の発明では、光電変換信号が飽和していないとき、制限光束に対応する第１領域から出力される光電変換信号を用いて電間蓄積時間の制御を行い、光電変換信号が飽和しているとき、制限光束の周囲に対応する第２領域から出力される光電変換信号を用いて電荷蓄積時間の制御を行うようにしたから、光電変換信号の飽和の有無に関係なく電荷蓄積時間を適正に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施の形態による焦点検出装置を備える一眼レフカメラを表す図である。
【図２】焦点検出装置の概要を表すブロック図である。
【図３】焦点検出装置の構成および焦点検出動作の原理を説明する図である。
【図４】イメージセンサーアレイから出力される光電変換信号を説明する図であり、(a)はイメージセンサーアレイの素子列を表す図、(b)は被写体の輝度が均一な場合に(a)の素子列から出力される光電変換信号を表す図である。
【図５】図４(b)の素子Asの近傍を拡大した図であり、(a)は光電変換信号の最大値が飽和レベルに達していない場合を表す図、(b)は(a)に比べて被写体輝度が２倍の場合を表す図、(c)は(a)に比べて被写体輝度が４倍の場合を表す図である。
【図６】焦点調節状態検出時の電荷蓄積時間を決定する処理手順を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
１…焦点検出光学系、                ２…イメージセンサーアレイ、
３…焦点検出演算部、                ４…蓄積時間制御部、
３６…焦点検出装置、                ９１…撮影レンズ、
201,202…イメージセンサーアレイ上の領域、
300…フィールドレンズ、             400…開口マスク、
401,402…開口部、                   501,502…再結像レンズ、
900…視野マスク、
D［As］〜D［Ae］…領域201の光電変換信号、
D［Bs］〜D［Be］…領域202の光電変換信号
D［As-1］〜D［As-4］…素子As左側近傍の光電変換信号
【図１】
0004608728.tif 000002
【図２】
0004608728.tif 000003
【図３】
0004608728.tif 000004
【図４】
0004608728.tif 000005
【図５】
0004608728.tif 000006
【図６】
0004608728.tif 000007