(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記所定温度が１℃であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化パターンが正常に光照射加熱処理が行われたときの温度変化パターンと異なることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、
前記保持手段の温度を測定する測温手段と、
前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化曲線の傾きが所定値未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記保持手段は、基板を載置するサセプタと当該サセプタを介して基板を加熱する加熱プレートとを含み、
前記測温手段は前記加熱プレートの温度を測定することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光源はキセノンフラッシュランプを備えることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウェハーやガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することにより該基板を熱処理する熱処理装置に関し、特に基板に閃光を照射したときの該基板の破損を検知する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置等の熱処理装置が使用されている。このような熱処理装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。
【０００３】
一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。
【０００４】
このような問題を解決するため、キセノンフラッシュランプ等を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーに閃光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間の閃光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。
【０００５】
しかし、キセノンフラッシュランプは極めて高いエネルギーを有する光を瞬間的に半導体ウェハーに照射するため、一瞬で半導体ウェハーの表面温度が急速に上昇し、急速な表面の熱膨張によって半導体ウェハーが割れることもある。半導体ウェハーが割れたときには、その半導体ウェハー自体が処理不良基板となることは勿論であるが、破損したウェハーの破片が熱処理チャンバー内に飛散して汚染することとなる。さらに、その後、熱処理チャンバーに隣接して設置された搬送ロボットチャンバーに設けられた搬送ロボットが処理後の半導体ウェハーを搬出しようとするときに、熱処理チャンバーと搬送ロボットチャンバーとの間のゲートバルブが開放され、破損したウェハーの破片が搬送ロボットチャンバーにパーティクルとして入り込むこととなる。
【０００６】
このような隣接チャンバーへの汚染拡大を防止するとともに、より早急な破損対応処理を行うためには、フラッシュ加熱時における半導体ウェハーの破損をなるべく迅速に検知する必要がある。その破損検知手法の一つとして、フラッシュ加熱時の急激な熱膨張によって半導体ウェハーが破損したときには粉々に飛散して熱処理チャンバー内の保持部上にウェハーが存在しなくなるため、保持部上のウェハーの有無を検出することが考えられる。チャンバー内や搬送ロボット上の半導体ウェハーの有無を検出する手法としては、投光部と受光部とを設け、ウェハーによる遮光を利用してその有無を検出したり、半導体ウェハー表面の反射を利用してその有無を検出する光学式のウェハー検出手法が一般に知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３７３００号公報
【特許文献２】特開平１１−４０６４７号公報
【特許文献３】特開２００２−２０３８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、一般的に利用されている光学式のウェハー検出手法をフラッシュ加熱方式の熱処理装置に適用すると以下のような問題が生じる。まず、フラッシュ加熱時のウェハー破損はキセノンフラッシュランプの点灯の瞬間に生じるものであるが、フラッシュランプからの閃光が光学式センサの外乱となって正確な検出ができなくなるおそれがある。また、キセノンフラッシュランプからの強烈な閃光が直接に光学式センサに入射するとセンサの故障の原因となる可能性がある。また、フラッシュ加熱方式の熱処理装置においては、ウェハーの保持部にホットプレートを設けて予めウェハーを４００℃〜５００℃程度に予備加熱することが多いが、そのホットプレートの近傍に光学式センサを設置することは極めて困難である。さらに、フラッシュ加熱方式の熱処理装置においては、フラッシュ加熱時の光利用効率を向上させるためにウェハーをランプに近づけることができるように保持部が上下動可能に構成されている。このような可動式の保持部に光学式センサを取り付けることは、装置構成を煩雑にする要因となる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、光照射時の基板の破損を検知することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、前記保持手段の温度を測定する測温手段と、前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、を備える。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記所定温度を１℃としている。
【００１２】
また、請求項３の発明は、基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、前記保持手段の温度を測定する測温手段と、前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化パターンが正常に光照射加熱処理が行われたときの温度変化パターンと異なることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、を備える。
【００１３】
また、請求項４の発明は、基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に光を照射する光源と、前記保持手段の温度を測定する測温手段と、前記光源から光が照射された直後において前記測温手段によって測定される前記保持手段の温度変化曲線の傾きが所定値未満であることを検出することによって前記保持手段に保持された基板の破損を検知する破損検知手段と、を備える。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記保持手段に、基板を載置するサセプタと当該サセプタを介して基板を加熱する加熱プレートとを含ませ、前記測温手段に前記加熱プレートの温度を測定させている。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記光源にキセノンフラッシュランプを備える。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１の発明によれば、光源から光が照射された直後において測温手段によって測定される保持手段の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって保持手段に保持された基板の破損を検知しているため、従来のような光学式のセンサを用いることなく光照射時の基板の破損を検知することができる。
【００１７】
また、請求項２の発明によれば、保持手段の上昇温度が１℃未満であることを検出することによって保持手段に保持された基板の破損を検知しているため、光照射時の基板の破損を確実に検知することができる。
【００１８】
また、請求項３の発明によれば、光源から光が照射された直後において測温手段によって測定される保持手段の温度変化パターンが正常に光照射加熱処理が行われたときの温度変化パターンと異なることを検出することによって保持手段に保持された基板の破損を検知しているため、従来のような光学式のセンサを用いることなく光照射時の基板の破損を検知することができる。
【００１９】
また、請求項４の発明によれば、光源から光が照射された直後において測温手段によって測定される保持手段の温度変化曲線の傾きが所定値未満であることを検出することによって保持手段に保持された基板の破損を検知しているため、従来のような光学式のセンサを用いることなく光照射時の基板の破損を検知することができる。
【００２０】
また、請求項５の発明によれば、加熱プレートの温度を測定しており、光源から光が照射された直後における加熱プレートの温度変化異常を検知することによって光照射時の基板の破損を検知することができる。
【００２１】
また、請求項６の発明によれば、光源にキセノンフラッシュランプを備えており、フラッシュ光照射時の基板の破損を検知することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２３】
＜１．基板処理装置の全体構成＞
図１は本発明にかかる熱処理装置を組み込んだ基板処理装置１００を示す平面図であり、図２は正面図である。なお、図１および図２において適宜部分的に断面図としており、細部については適宜簡略化している。また、図１，２および以降の各図においては、それらの方向関係を明確にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００２４】
図１および図２に示すように基板処理装置１００は、未処理の半導体ウェハーＷを装置内に搬入するとともに処理済みの半導体ウェハーＷを装置外に搬出するためのインデクサ部１１０、インデクサ部１１０に対して半導体ウェハーＷの出し入れを行う受渡ロボット１２０、未処理の半導体ウェハーＷの位置決めを行うアライメント部１３０、処理済みの半導体ウェハーＷの冷却を行う冷却部（クーラ）１４０、アライメント部１３０、冷却部１４０等に対して半導体ウェハーＷの出し入れを行う搬送ロボット１５０、および、半導体ウェハーＷにフラッシュ加熱処理を施す加熱処理部１６０を有する。
【００２５】
また、搬送ロボット１５０による半導体ウェハーＷの搬送空間として搬送ロボット１５０を収容する搬送室１７０が設けられており、アライメント部１３０、冷却部１４０および加熱処理部１６０が搬送室１７０に連結されて配置されている。
【００２６】
インデクサ部１１０は２つのキャリア９１が無人搬送車（ＡＧＶ）等により搬送されて載置される部位であり、半導体ウェハーＷはキャリア９１に収容された状態で基板処理装置１００に対して搬出入される。また、インデクサ部１１０では、受渡ロボット１２０による任意の半導体ウェハーＷの出し入れを行うことができるようにキャリア９１が図２の矢印９１Ｕにて示す如く昇降移動されるように構成されている。
【００２７】
受渡ロボット１２０は、矢印１２０Ｓにて示すようにスライド移動可能であるとともに矢印１２０Ｒにて示すように回動可能とされており、これにより、２つのキャリア９１に対して半導体ウェハーＷの出し入れを行い、さらに、アライメント部１３０および冷却部１４０に対して半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。
【００２８】
なお、受渡ロボット１２０によるキャリア９１に対する半導体ウェハーＷの出し入れは、ハンド１２１のスライド移動、および、キャリア９１の昇降移動により行われる。また、受渡ロボット１２０とアライメント部１３０または冷却部１４０との半導体ウェハーＷの受け渡しは、ハンド１２１のスライド移動、および、ピン（アライメント部１３０や冷却部１４０において半導体ウェハーＷを突き上げるピン）による半導体ウェハーＷの昇降移動により行われる。
【００２９】
受渡ロボット１２０からアライメント部１３０へは半導体ウェハーＷの中心が所定の位置に位置するように半導体ウェハーＷが渡される。そして、アライメント部１３０は半導体ウェハーＷを回転させて半導体ウェハーＷを適切な向きに向ける。
【００３０】
搬送ロボット１５０は鉛直方向を向く軸を中心に矢印１５０Ｒにて示すように旋回可能とされるとともに、複数のアームセグメントからなる２つのリンク機構を有し、２つのリンク機構の末端にはそれぞれ半導体ウェハーＷを保持する搬送アーム１５１ａ，１５１ｂが設けられる。これらの搬送アーム１５１ａ，１５１ｂは上下に所定のピッチだけ隔てて配置され、リンク機構によりそれぞれ独立して同一水平方向に直線的にスライド移動可能とされている。また、搬送ロボット１５０は２つのリンク機構が設けられるベースを昇降移動することにより、所定のピッチだけ離れた状態のまま２つの搬送アーム１５１ａ，１５１ｂを昇降移動させる。
【００３１】
搬送ロボット１５０がアライメント部１３０、加熱処理部１６０または冷却部１４０を受け渡し相手として半導体ウェハーＷの受け渡し（出し入れ）を行う際には、まず、両搬送アーム１５１ａ，１５１ｂが受け渡し相手と対向するように旋回し、その後（または旋回している間に）昇降移動していずれかの搬送アームが受け渡し相手と半導体ウェハーＷを受け渡しする高さに位置する。そして、搬送アーム１５１ａ（１５１ｂ）を水平方向に直線的にスライド移動させて半導体ウェハーＷの受け渡しを行う。
【００３２】
加熱処理部１６０はキセノンフラッシュランプ６９（以下、単に「フラッシュランプ６９」とも称する）からの閃光を半導体ウェハーＷに照射して加熱処理を行う部位である。この加熱処理部１６０については後に詳述する。
【００３３】
加熱処理部１６０にて処理が施された直後の半導体ウェハーＷは温度が高いため、搬送ロボット１５０により冷却部１４０に載置されて冷却される。冷却部１４０にて冷却された半導体ウェハーＷは処理済の半導体ウェハーＷとして受渡ロボット１２０によりキャリア９１に返却される。
【００３４】
また、既述のように、基板処理装置１００では搬送ロボット１５０の周囲が搬送室１７０で覆われ、この搬送室１７０にアライメント部１３０、冷却部１４０および加熱処理部１６０が接続される。受渡ロボット１２０とアライメント部１３０および冷却部１４０との間にはそれぞれゲートバルブ１８１，１８２が設けられ、搬送室１７０とアライメント部１３０、冷却部１４０および加熱処理部１６０との間にはそれぞれゲートバルブ１８３，１８４，１８５が設けられる。そして、アライメント部１３０、冷却部１４０および搬送室１７０の内部が清浄に維持されるようにそれぞれに窒素ガス供給部（図示省略）から高純度の窒素ガスが供給され、余剰の窒素ガスは適宜排気管から排気される。なお、半導体ウェハーＷが搬送される際に適宜これらのゲートバルブが開閉される。
【００３５】
また、アライメント部１３０および冷却部１４０は受渡ロボット１２０と搬送ロボット１５０との間の互いに異なる位置に位置し、アライメント部１３０では半導体ウェハーＷの位置決めを行うために半導体ウェハーＷが一時的に載置され、冷却部１４０では処理済の半導体ウェハーＷを冷却するために半導体ウェハーＷが一時的に載置される。
【００３６】
＜２．加熱処理部の構成＞
次に、加熱処理部１６０の構成について説明する。図３は、本発明に係る熱処理装置の一形態である加熱処理部１６０の構成を示す側断面図である。加熱処理部１６０は基板として半導体ウェハーＷに閃光を照射してその半導体ウェハーＷを加熱する熱処理装置である。
【００３７】
加熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６を備える。チャンバー６は、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３、および、チャンバー側部６３の下部を覆うチャンバー底部６２によって構成される。また、チャンバー側部６３およびチャンバー底部６２によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。熱処理空間６５の上方は上部開口６０とされている。
【００３８】
また、加熱処理部１６０は、上部開口６０に装着されて上部開口６０を閉塞する閉塞部材である透光板６１、チャンバー６の内部において半導体ウェハーＷを保持しつつ予備加熱を行う略円板状の保持部７、保持部７をチャンバー６の底面であるチャンバー底部６２に対して昇降させる保持部昇降機構４、保持部７に保持される半導体ウェハーＷに透光板６１を介して光を照射することにより半導体ウェハーＷを加熱する光照射部５、および、これらの構成を制御して熱処理を行う制御部３を備える。
【００３９】
透光板６１は、例えば、石英等により形成され、光照射部５から出射された光を透過して熱処理空間６５に導くチャンバー窓として機能する。チャンバー６の本体を構成するチャンバー底部６２およびチャンバー側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部６３の内側面の上部のリング６３１は、光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。
【００４０】
チャンバー底部６２には、保持部７を貫通して半導体ウェハーＷをその下面（光照射部５からの光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバー６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。
【００４１】
チャンバー側部６３は、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ１８５により開閉可能とされる。チャンバー側部６３における搬送開口都６６とは反対側の部位には熱処理空間６５に処理ガス（例えば、窒素（Ｎ2）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素（０2）ガス等）を導入する導入路８１が形成され、その一端は弁８２を介して図示省略の給気機構に接続され、他端はチャンバー側部６３の内部に形成されるガス導入チャンネル８３に接続される。また、搬送開口部６６には熱処理空間６５内の気体を排出する排出路８６が形成され、弁８７を介して図示省略の排気機構に接続される。
【００４２】
図４は、チャンバー６をガス導入チャンネル８３の位置にて水平面で切断した断面図である。図４に示すように、ガス導入チャンネル８３は、図３に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバー側部６３の全周の約１／３に亘って形成されており、導入路８１を介してガス導入チャンネル８３に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔８４から熱処理空間６５内へと供給される。
【００４３】
図３に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される）、固定板４４、ボールネジ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバー６の下部であるチャンバー底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の下部開口６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、下部開口６４を挿通して、保持部７（厳密には保持部７のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。
【００４４】
移動板４２にはボールネジ４５と螺合するナット４６が固定されている。また、移動板４２は、チャンバー底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。
【００４５】
モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールネジ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールネジ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板４２に固定されたシャフト４１が鉛直方向に沿って移動し、シャフト４１に接続された保持部７が図３に示す半導体ウェハーＷの受渡位置と図８に示す半導体ウェハーＷの処理位置との間で滑らかに昇降する。
【００４６】
移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールネジ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ４５１の上端がボールネジ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７が透光板６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７と透光板６１との衝突が防止される。
【００４７】
また、保持部昇降機構４は、チャンバー６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールネジ４５を回転して保持部７の昇降を行うことができる。
【００４８】
チャンバー底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバー底部６２の下面に接続される。一方、ベローズ４７の下端はベローズ下端板４７１に取り付けられている。べローズ下端板４７１は、鍔状部材４１１によってシャフト４１にねじ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバー底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７が収縮され、下降する際にはべローズ４７が伸張される。そして、保持部７が昇降する際にも、ベローズ４７が伸縮することによって熱処理空間６５内の気密状態が維持される。
【００４９】
保持部７は、半導体ウェハーＷを予備加熱（いわゆるアシスト加熱）するホットプレート（加熱プレート）７１、および、ホットプレート７１の上面（保持部７が半導体ウェハーＷを保持する側の面）に設置されるサセプタ７２を有する。保持部７の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。サセプタ７２は石英（あるいは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）等であってもよい）により形成され、その上面には半導体ウェハーＷの位置ずれを防止するピン７５が設けられる。サセプタ７２は、その下面をホットプレート７１の上面に面接触させてホットプレート７１上に設置される。これにより、サセプタ７２は、ホットプレート７１からの熱エネルギーを拡散してサセプタ７２上面に載置された半導体ウェハーＷに伝達するとともに、メンテナンス時にはホットプレート７１から取り外して洗浄可能とされる。
【００５０】
図５は、保持部７およびシャフト４１を示す断面図である。ホットプレート７１は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４を有する。上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。
【００５１】
図６は、ホットプレート７１を示す平面図である。図６に示すように、ホットプレート７１は、保持される半導体ウェハーＷと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に４等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿入される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１とゾーン７１２との隙間の周上に１２０°毎に設けられる。
【００５２】
６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線７６（図６では図示省略）が周回するように配設されてヒータが形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部７に保持された半導体ウェハーＷは、６つのゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられている。各センサ７１０は略円筒状のシャフト４１（図５参照）の内部を通り制御都３に接続される。
【００５３】
ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測される６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ(Proportional,Integral,Differential)制御により行われる。ホットプレート７１では、半導体ウェハーＷの熱処理（複数の半導体ウェハーＷを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーＷの熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。
【００５４】
６つのゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通り電力供給源（図示省略）に接続されている。電力供給源から各ゾーンに至る経路途中において、電力供給源からの２本の電力線７６１は、図７の断面図に示すように、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体７６２を充填したステンレスチューブ７６３の内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト４１の内部は大気開放されている。
【００５５】
図３に示す光照射部５は、複数（本実施の形態においては３０本）のキセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」という）６９、リフレクタ５２および光拡散板５３を有する。複数のフラッシュランプ６９は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプ６９の上方にそれら全体を覆うように設けられ、その表面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。また、光拡散板５３は、表面に光拡散加工を施した石英ガラスにより形成され、透光板６１との間に所定の間隙を設けて光照射部５の下面側に設置される。加熱処理部１６０には、メンテナンス時に光照射部５をチャンバー６に対して相対的に上昇させて水平方向にスライド移動させる照射部移動機構５５がさらに設けられる。
【００５６】
なお、本実施の形態の加熱処理部１６０は、半導体ウェハーＷの熱処理時にフラッシュランプ６９およびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバー６および光照射部５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造（図示省略）を備えている。例えば、チャンバー６のチャンバー側部６３およびチャンバー底部６２には水冷管が設けられており、光照射部５は内部に気体を供給する供給管とサイレンサ付きの排気管が設けられて空冷構造とされている。また、透光板６１と光照射部５（の光拡散板５３）との間隙には圧縮空気が供給され、光照射都５および透光板６１を冷却するとともに、間隙に存在する有機物等を排除して熱処理時における光拡散板５３および透光板６１への付着を抑制する。
【００５７】
＜３．熱処理動作＞
次に、基板処理装置１００における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が加熱処理部１６０による熱処理により行われる。
【００５８】
基板処理装置１００では、まず、イオン注入後の半導体ウェハーＷがキャリア９１に複数枚収容された状態でインデクサ部１１０上に載置される。そして、受渡ロボット１２０がキャリア９１から処理対象の半導体ウェハーＷを１枚ずつ取り出し、アライメント部１３０に搬入する。アライメント部１３０は、半導体ウェハーＷの向きを一定方向に向ける位置決め処理を行う。
【００５９】
処理対象の半導体ウェハーＷの位置決め処理が終了すると、搬送ロボット１５０の搬送アーム１５１ａ（または１５１ｂ）がその半導体ウェハーＷをアライメント部１３０から搬送室１７０内へと取り出し、搬送ロボット１５０が加熱処理部１６０を向くように旋回する。
【００６０】
搬送ロボット１５０が加熱処理部１６０に向くと、搬送アーム１５１ａ（１５１ｂ）がアライメント部１３０から取り出した半導体ウェハーＷを加熱処理部１６０へと搬入する。このときに搬送ロボット１５０は、フラッシュランプ６９の長手方向と垂直に搬送アーム１５１ａ，１５１ｂをスライド移動させる。そして、加熱処理部１６０において半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が行われるのであるが、その詳細については後述する。
【００６１】
フラッシュ加熱処理が終了した後、半導体ウェハーＷが搬送ロボット１５０により搬出される。次に、搬送ロボット１５０は冷却部１４０に向くように旋回し、搬送アーム１５１ａ（または１５１ｂ）が加熱処理済の半導体ウェハーＷを冷却部１４０内に載置する。冷却部１４０にて冷却された半導体ウェハーＷは受渡ロボット１２０によりキャリア９１へと返却され、一連の基板処理が完了する。
【００６２】
続いて、加熱処理部１６０における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理についてさらに詳細に説明する。図９は、半導体ウェハーＷを熱処理する際の加熱処理部１６０の動作の流れを示すフローチャートである。以下、図９および他の図を適宜参照しながら半導体ウェハーＷをフラッシュ加熱処理する工程についてまず説明し、その後、フラッシュ加熱により半導体ウェハーＷが破損した場合の破損検知技術について説明する。
【００６３】
加熱処理部１６０により半導体ウェハーＷが熱処理される際には、まず、保持部７が図３に示すようにチャンバー底部６２に近接した位置に配置される。以下、図３における保持部７のチャンバー６内における位置を「受渡位置」という。保持部７が受渡位置にあるとき、支持ピン７０の先端は、保持部７を貫通して保持部７の上方に突出する。
【００６４】
次に、弁８２および弁８７が開かれてチャンバー６の熱処理空間６５内に常温の窒素ガスが導入される（ステップＳｌ）。続いて、搬送開口部６６が開放され、搬送ロボット１５０により搬送開口部６６を介して半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入され（ステップＳ２）、複数の支持ピン７０上に載置される。
【００６５】
半導体ウェハーＷの搬入時におけるチャンバー６への窒素ガスのパージ量は約４０リットル／分とされ、供給された窒素ガスはチャンバー６内においてガス導入チャンネル８３から図４中に示す矢印ＡＲ４の方向へと流れ、図３に示す排出路８６および弁８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー６に供給された窒素ガスの一部は、べローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバー６には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスのパージ量は半導体ウェハーＷの処理工程に合わせて様々に変更される。
【００６６】
半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されると、ゲートバルブ１８５により搬送開口部６６が閉鎖される。そして、図８に示す如く、保持部昇降機構４により保持部７が透光板６１に近接した位置（以下、「処理位置」という）まで上昇される（ステップＳ３）。このとき、半導体ウェハーＷは支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２の上面に載置・保持される。
【００６７】
ホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれは、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に配設された抵抗加熱線７６により所定の温度まで加熱されている。保持部７が処理位置まで上昇して半導体ウェハーＷが保持部７と接触することにより、その半導体ウェハーＷは予備加熱され（ステップＳ４）、図１１に示すように半導体ウェハーＷの温度が次第に上昇する。
【００６８】
この処理位置にて約６０秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーＷの温度が予め設定された予備加熱温度Ｔ１まで上昇する（図１１参照）。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし６００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。また、保持部７と透光板６１との間の距離は、保持部昇降機構４のモータ４０の回転量を制御することにより任意に調整することが可能とされている。
【００６９】
約６０秒間の予備加熱時間が経過した後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御により光照射部５から半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射される（ステップＳ５）。このとき、光照射部５のフラッシュランプ６９から放射される光の一部は光拡散板５３および透光板６１を透過して直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてから光拡散板５３および透光板６１を透過してチャンバー６内へと向かい、これらの光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプ６９からの閃光照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。
【００７０】
すなわち、光照射部５のフラッシュランプ６９から照射される光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、図１１に示すように、フラッシュランプ６９からの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、加熱処理部１６０では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに添加された不純物の熱による拡散（この拡散現象を、半導体ウェハーＷ中の不純物のプロファイルがなまる、ともいう）を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
【００７１】
また、フラッシュ加熱の前に保持部７により半導体ウェハーＷを予備加熱しておくことにより、フラッシュランプ６９からの閃光照射によって半導体ウェハーＷの表面温度を処理温度Ｔ２まで速やかに上昇させることができる。
【００７２】
フラッシュ加熱が終了し、処理位置における約１０秒間の待機の後、保持都７が保持部昇降機構４により再び図３に示す受渡位置まで下降し（ステップＳ６）、半導体ウェハーＷが保持部７から支持ピン７０へと渡される。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口都６６が開放され、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷは搬送ロボット１５０により搬出され（ステップＳ７）、加熱処理部１６０における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が完了する。
【００７３】
既述のように、加熱処理部１６０における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスがチャンバー６に継続的に供給されており、そのパージ量は、保持部７が処理位置に位置するときには約３０リットル／分とされ、保持部７が処理位置以外の位置に位置するときには約４０リットル／分とされる。
【００７４】
加熱処理部１６０では、新たな半導体ウェハーＷに対して同じ内容の熱処理を行う場合には、半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入して予備加熱および閃光照射を行った後にその半導体ウェハーＷをチャンバー６から搬出する動作（図９のステップＳ１〜Ｓ７）が繰り返される。また、新たな半導体ウェハーＷに対して異なる熱処理を行う場合には、新たな熱処理に合わせて各種設定（窒素ガスのパージ量等）を行う間、保持部７は処理位置まで上昇して待機する。このように、透光板６１の温度を熱処理が継続的に行われているときとほぼ同じ温度に維持することにより、新たな熱処理時においても半導体ウェハーＷに対する熱処理の質（半導体ウェハーＷの処理品質）を維持することができる。
【００７５】
ところで、フラッシュ加熱時にフラッシュランプ６９に印加される電圧は３０００Ｖ〜４０００Ｖにもおよび、フラッシュランプ６９は２０Ｊ／ｃｍ2〜３０Ｊ／ｃｍ2という極めて高いエネルギーを有する閃光を０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の極短時間に半導体ウェハーＷに照射するため、一瞬で半導体ウェハーＷの表面温度が急速に上昇し、急速な表面の熱膨張によって半導体ウェハーＷが割れることがある。このような原因にて半導体ウェハーＷが割れたときには、半導体ウェハーＷが数ｍｍ以下の破片となってチャンバー６内に飛散する。よって、ステップＳ５のフラッシュ加熱の直後に保持部７上の半導体ウェハーＷの有無を検知することができれば破損検知を行うことができる。ここで、フラッシュランプ６９による閃光照射を利用した熱処理装置においては従来より広く使用されている光学式のウェハー検知技術が適用できないことは既述した通りであり、本実施の形態では以下のようにしてフラッシュ加熱直後における保持部７上の半導体ウェハーＷの有無を検知している。
【００７６】
図１０は、半導体ウェハーＷの破損検知手順を示すフローチャートである。まず、センサ７１０によるホットプレート７１の温度測定を開始する（ステップＳ１１）。この温度測定を開始する時点は、遅くともフラッシュランプ６９から閃光照射を行うよりも前の時点である。通常は、ホットプレート７１の抵抗加熱線に電力供給が行われている間は温度制御の目的で継続してセンサ７１０による温度測定が行われているため、その測定結果を利用するようにすれば良い。センサ７１０はホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれに設置されているが、ここでの破損検知に使用するのは中央のゾーン７１１に設けられたセンサ７１０による温度測定結果である。
【００７７】
次に、光照射部５のフラッシュランプ６９から半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射されてフラッシュ加熱が行われる（ステップＳ１２）。このフラッシュ加熱処理は、図９のステップＳ５にて説明した通りである。このときにも中央のゾーン７１１に設けられたセンサ７１０によってホットプレート７１の温度測定が継続して行われている。そして、光照射部５から閃光が照射されたフラッシュ加熱直後におけるホットプレート７１の上昇温度が所定値未満であるか否かが制御部３によって判断される（ステップＳ１３）。
【００７８】
図１２は、正常なフラッシュ加熱処理が行われたときのホットプレート７１の温度変化を示す図である。また、図１３は、フラッシュ加熱によって半導体ウェハーＷが破損したときのホットプレート７１の温度変化を示す図である。ホットプレート７１は予め設定された所定温度に加熱されているが、処理対象の半導体ウェハーＷをサセプタ７２の上面に載置した瞬間にその半導体ウェハーＷに熱エネルギーを奪われて若干温度が低下する。その後、半導体ウェハーＷの予備加熱工程が行われている間に、ホットプレート７１の温度が元の設定温度に戻るように抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。約６０秒間の予備加熱時間が経過する時点では、ホットプレート７１の温度は概ね元の設定温度に戻っている。そして、光照射部５のフラッシュランプ６９から半導体ウェハーＷに閃光照射が行われる。
【００７９】
上述したように、フラッシュランプ６９からの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇するのであるが、フラッシュ加熱の特性上、急激な温度上昇は半導体ウェハーＷの表面近傍のごく浅い領域に限られる。しかしながら、瞬間的であるとはいえ半導体ウェハーＷの表面が１０００℃ないし１１００℃程度の高温に昇温した結果、その熱エネルギーが半導体ウェハーＷの裏面にも伝導されて若干の温度上昇が裏面側にも生じる。そして、その熱エネルギーは半導体ウェハーＷの裏面からサセプタ７２を介してホットプレート７１にまで伝導される。その結果、図１２に示すように、フラッシュランプ６９からの閃光照射が行われた直後にホットプレート７１においても２℃ないし４℃程度の温度上昇が認められるのである。半導体ウェハーＷが破損することなく正常なフラッシュ加熱処理が行われたときには、ホットプレート７１の中央のゾーン７１１に設けられたセンサ７１０によって、図１２に示す如きフラッシュ照射直後の温度上昇が観測されるのである。
【００８０】
ところが、フラッシュ加熱によって半導体ウェハーＷの表面温度が急速に上昇し、急速な表面の熱膨張によって半導体ウェハーＷが割れた場合には、破損した半導体ウェハーＷの砕片がチャンバー６内に飛散することとなるため、正常処理が行われたときに認められるような半導体ウェハーＷからホットプレート７１への熱伝導が生じない。つまり、熱伝導の熱源となる半導体ウェハーＷが飛散して存在しなくなるため、ホットプレート７１への熱伝導が生じ得ないのである。よって、フラッシュランプ６９からの閃光照射によるフラッシュ加熱によって半導体ウェハーＷが割れた場合には、図１３に示すように、フラッシュ照射直後のホットプレート７１の温度上昇がほとんど生じないのである。本実施形態では、このようなフラッシュ照射直後のホットプレート７１の温度変化をセンサ７１０によって観測することによって半導体ウェハーＷの破損を検知しているのである。
【００８１】
具体的には、中央のゾーン７１１に設けられたセンサ７１０によって計測されるホットプレート７１の温度上昇が所定の閾値（本実施形態では１℃）以上である場合には、正常なフラッシュ加熱処理が行われたものと制御部３が判断して図９に示した通常の熱処理手順を続行する。一方、ホットプレート７１の温度上昇が上記所定の閾値未満である場合には、フラッシュ照射によって半導体ウェハーＷが破損したものと制御部３が判断して（ステップＳ１４）、所定のウェハー破損対応処理が実行される（ステップＳ１５）。ウェハー破損対応処理としては、例えば、制御部３の制御によって装置からエラー発報を行うとともに、チャンバー６への窒素ガス供給停止およびホットプレート７１への電力供給停止を行って安全を確保した後に飛散した破片の回収等の装置復旧作業を行う。
【００８２】
このように、本実施の形態では、フラッシュランプ６９から閃光が照射された直後において中央のゾーン７１１に設けられたセンサ７１０によって測定されるホットプレート７１の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって保持部７に保持された半導体ウェハーＷの破損を検知するようにしている。このようにすれば、従来より広く使用されている光学式のウェハー検出手法を用いることなく半導体ウェハーＷの破損を検知することができ、本実施の形態のようにフラッシュランプ６９を使用した加熱処理技術にも好適である。そして、フラッシュ加熱直後に半導体ウェハーＷの破損を検知することにより、迅速に処理不良を検出することができ、その結果、破損によって生じたパーティクルが加熱処理部１６０から搬送室１７０に流入するのを防止することができる。
【００８３】
ここで、正常なフラッシュ加熱処理が行われた直後に上昇するホットプレート７１の温度は半導体ウェハーＷの種類やフラッシュランプ６９の発光エネルギーに依存するが、通常の処理であれば２℃ないし４℃程度である。比較的要求温度の低い低エネルギーの発光を行ったとしても、正常なフラッシュ加熱処理が行われたのであれば少なくとも１℃はホットプレート７１の温度が上昇するものと考えられる。よって、本実施形態では、センサ７１０によって計測されるフラッシュ照射直後のホットプレート７１の温度上昇が１℃未満であればフラッシュ照射によって半導体ウェハーＷが破損したものと判断するようにしているのである。もっとも、ステップＳ１３における判断の基準となる閾値は１℃に限定されるものではなく、これを２℃とすればより安全サイドにて半導体ウェハーＷの割れ検知を行うことができる。
【００８４】
＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては光照射部５に３０本のフラッシュランプ６９を備えるようにしていたが、これに限定されずフラッシュランプ６９の本数は任意のものとすることができる。また、フラッシュランプはキセノンランプにかえてクリプトンランプでもよい。
【００８５】
また、光照射部５にフラッシュランプ６９に代えて他の種類のランプ（例えばハロゲンランプ）を備え、当該ランプからの光照射によって半導体ウェハーＷの加熱を行う熱処理装置であっても本発明に係る技術を適用することができる。特に、レーザ照射装置のように瞬間的に大きなエネルギーを基板に与える装置であれば本発明に係る技術を適用する意義は大きい。
【００８６】
また、上記実施形態においては、ホットプレート７１の温度制御の目的で処理中は常時センサ７１０によってホットプレート７１の温度測定を行うようにしていたが、半導体ウェハーＷの破損検知のためだけであれば、フラッシュランプ６９からフラッシュ発光をトリガーとしてホットプレート７１の温度測定を開始するようにしても良い（図１０のステップＳ１１）。
【００８７】
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱直後におけるホットプレート７１の上昇温度が所定温度未満であることを検出することによって保持部７に保持された半導体ウェハーＷの破損を検知するようにしていたが、これに代えて光照射部５から閃光が照射された直後においてセンサ７１０によって測定されるホットプレート７１の温度変化パターンが正常に光照射加熱処理が行われたときの温度変化パターンと異なることを検出することによって保持部７に保持された半導体ウェハーＷの破損を検知するようにしても良い。すなわち、図１２と図１３とを比較すると明らかなように、フラッシュ照射直後におけるホットプレート７１の温度変化パターンが正常処理が行われたときと半導体ウェハーＷの割れが生じたときとで異なり、この温度変化パターンの相違が検出されたときに半導体ウェハーＷが破損したものと判断するようにしても良い。
【００８８】
また、光照射部５から閃光が照射された直後においてセンサ７１０によって測定されるホットプレート７１の温度変化曲線の傾きが所定値未満であることを検出することによって保持部７に保持された半導体ウェハーＷの破損を検知するようにしても良い。すなわち、図１２と図１３とを比較すると明らかなように、フラッシュ照射直後におけるホットプレート７１の温度変化曲線の傾きが正常処理が行われたときの方が大きい。よって、フラッシュ照射直後におけるホットプレート７１の温度変化曲線の傾きが所定値未満であるときには、半導体ウェハーＷが破損したことによってホットプレート７１に熱伝導が行われなかったものと判断することができる。
【００８９】
また、上記実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明にかかる熱処理装置を組み込んだ基板処理装置を示す平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の加熱処理部の構成を示す側断面図である。
【図４】加熱処理部のガス路を示す断面図である。
【図５】加熱処理部の保持部およびシャフトを示す断面図である。
【図６】加熱処理部のホットプレートを示す平面図である。
【図７】抵抗加熱線への配線を示す断面図である。
【図８】加熱処理部の構成を示す側断面図である。
【図９】熱処理時の加熱処理部の動作の流れを示すフローチャートである。
【図１０】半導体ウェハーの破損検知手順を示すフローチャートである。
【図１１】熱処理時のウェハー温度の変化を示す図である。
【図１２】正常なフラッシュ加熱処理が行われたときのホットプレートの温度変化を示す図である。
【図１３】フラッシュ加熱によって半導体ウェハーが破損したときのホットプレートの温度変化を示す図である。
【符号の説明】
【００９１】
３  制御部
４  保持部昇降機構
５  光照射部
６  チャンバー
７  保持部
６５  熱処理空間
６９  フラッシュランプ
７１  ホットプレート
７２  サセプタ
１００  基板処理装置
１１０  インデクサ部
１３０  アライメント部
１４０  冷却部
１５０  搬送ロボット
１６０  加熱処理部
１７０  搬送室
７１０  センサ
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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