(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、外部端子と接続するための端子部を含む導体パターンと、
前記導体パターンの上に形成される帯電防止バリア層と、
前記端子部の上面に形成される金属めっき層と
を備え、
前記帯電防止バリア層は、
金属薄膜と、
少なくとも一端が前記端子部に臨み、かつ、前記金属めっき層と接触し、少なくとも他端が前記金属支持基板に接触する半導電性層と
を含んでいることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記金属薄膜が、ニッケル薄膜であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記半導電性層が、酸化クロム層であることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記帯電防止バリア層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層を備えていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
前記金属薄膜は、前記導体パターンの上面および側面に、連続して形成され、
前記半導電性層は、前記金属薄膜の上面および側面と、前記金属薄膜から露出する前記絶縁層の上面および側面とに、連続して形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、電子部品が実装される回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板は、通常、金属支持基板と、金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成された導体パターンと、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層とを備えており、各種の電気機器や電子機器に広く用いられている。
このような回路付サスペンション基板において、銅導体層を形成する銅がカバー絶縁層に拡散（イオンマイグレーション）することを防止して、銅導体層の劣化や銅導体層間の短絡を防止するために、無電解ニッケルめっきにより、銅導体層の表面に、ニッケル薄膜を形成して、銅導体層の表面を被覆して保護することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に、電子部品を実装する場合には、その実装工程において、静電気により電子部品が破壊されることがある。
そのため、例えば、フレキシブル回路基板において、ベースフィルムあるいはカバーレイフィルムの表面に、蒸着法、スパッタリング法、無電解めっき法などにより金属層を形成して、静電気のアースまたは低減を図ることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１２９８３号公報
【特許文献２】特開平８−１５３９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、回路付サスペンション基板には、電子部品を実装するための端子部が、カバー絶縁層を開口して、その開口部から露出する導体パターンの露出部分として、設けられている。
とりわけ、電子部品の実装工程においては、その端子部（つまり、導体パターンの露出部分）に、若干の静電気が帯電する場合がある。端子部に静電気が帯電すると、実装される電子部品が静電気によって破壊されるおそれがある。
【０００５】
そのため、特許文献１に記載されるような銅導体層のイオンマイグレーションを防止するとともに、上記した端子部における静電気の帯電を防止することが望まれる。
しかるに、特許文献１に記載されるような銅導体層のイオンマイグレーションを防止するためのニッケル薄膜と、特許文献２に記載されるような静電気の帯電を防止するための金属層との両方を、回路付サスペンション基板の導体パターンの上に設けようとすると、それぞれ、ニッケル薄膜と金属層との目的が異なることから、端子部の静電気の帯電を除去するのに必要な範囲の表面抵抗値を、設定することが困難となる。
【０００６】
本発明の目的は、導体パターンのイオンマイグレーションを有効に防止することができるとともに、端子部における静電気の帯電を有効に防止することのできる回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、外部端子と接続するための端子部を含む導体パターンと、前記導体パターンの上に形成される帯電防止バリア層と、前記端子部の上面に形成される金属めっき層とを備え、前記帯電防止バリア層は、金属薄膜と、少なくとも一端が前記端子部に臨み、かつ、前記金属めっき層と接触し、少なくとも他端が前記金属支持基板に接触する半導電性層とを含んでいることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属薄膜が、ニッケル薄膜であることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記半導電性層が、酸化クロム層であることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記帯電防止バリア層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層を備えていることが好適である。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属薄膜は、前記導体パターンの上面および側面に、連続して形成され、前記半導電性層は、前記金属薄膜の上面および側面と、前記金属薄膜から露出する前記絶縁層の上面および側面とに、連続して形成されていることが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、帯電防止バリア層が金属薄膜と半導電性層とを含んでいるので、金属薄膜により導体パターンのイオンマイグレーションを有効に防止することができる。また、半導電性層により、端子部の静電気の帯電を除去するのに必要な範囲の表面抵抗値を、設定することができる。そのため、導体パターンのイオンマイグレーションと、端子部における静電気の帯電とを、同時にかつ有効に防止することができる。そのため、導体パターンの劣化や導体パターン間の短絡と、実装される電子部品の静電気破壊とを、同時にかつ有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す概略平面図、図２は、図１に示す１本の配線の長手方向に沿う部分断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載され、磁気ヘッドを実装して、その磁気ヘッドを、磁気ディスクとの間で相対的に走行させるときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドとリード・ライト基板とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【００１２】
なお、図１では、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述する絶縁層としてのベース絶縁層３、カバー絶縁層５および帯電防止バリア層１１を省略して示している。
導体パターン４は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａと、外部側接続端子部６Ｂと、これら磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂを接続するための配線７とを、一体的に連続して備えている。
【００１３】
配線７は、金属支持基板２の長手方向に沿って複数設けられ、幅方向（長手方向に直交する方向）において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
磁気ヘッド側接続端子部６Ａは、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線７の先端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この磁気ヘッド側接続端子部６Ａには、磁気ヘッドの外部端子としての端子部（図示せず）が接続される。
【００１４】
外部側接続端子部６Ｂは、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線７の後端部がそれぞれ接続されるように、複数設けられている。この外部側接続端子部６Ｂには、リード・ライト基板の外部端子としての端子部（図示せず）が接続される。
また、金属支持基板２の先端部には、磁気ヘッドを実装するためのジンバル８が設けられている。ジンバル８は、磁気ヘッド側接続端子部６Ａを長手方向において挟むように、金属支持基板２を切り抜くことによって形成されている。
【００１５】
この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３および金属支持基板２の上に形成されるカバー絶縁層５とを備えている。
また、カバー絶縁層５には、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂが配置される部分に対応して、厚さ方向を貫通する開口部９が形成されており、この開口部９から露出する導体パターン４の露出部分が、磁気ヘッド側接続端子部６Ａまたは外部側接続端子部６Ｂ（以下、総称して端子部６とする。）として設けられている。なお、図２では、磁気ヘッド側接続端子部６Ａおよび外部側接続端子部６Ｂのいずれか一方のみが示されている。
【００１６】
そして、この回路付サスペンション基板１では、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４の上には、カバー絶縁層５と、金属支持基板２、ベース絶縁層３および導体パターン４との間に挟まれるように、帯電防止バリア層１１が形成されている。
この帯電防止バリア層１１は、金属薄膜１２と、半導電性層１３とを備えている。
金属薄膜１２は、導体パターン４の上面（端子部６を除く）および側面（ベース絶縁層３の上面に積層される下端部を含む。）に、この導体パターン４を被覆するように、連続して形成されている。
【００１７】
半導電性層１３は、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、連続して形成されている。
また、半導電性層１３は、金属薄膜１２、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３およびベース絶縁層３から露出する金属支持基板２を被覆するように形成されている。なお、この半導電性層１３の上（すわなち、金属薄膜１２の上面に形成される半導電性層１３の上面、金属薄膜１２の側面に形成される半導電性層１３の側面、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面に形成される半導電性層１３の上面、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の側面に形成される半導電性層１３の側面、および、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面に形成される半導電性層１３の上面）には、半導電性層１３を被覆するように、カバー絶縁層５が形成されている。
【００１８】
また、この半導電性層１３は、端子部６に隣接する長手方向内方の一端としての一端部１４が、開口部９から端子部６に臨むように形成されており、その一端部１４の内端縁１６が、開口部９の開口端縁１９と平面視同一位置となるように形成されている。また、この半導電性層１３は、長手方向外方の他端としての他端部１５の外端縁１７が、カバー絶縁層５のカバー端縁１８と平面視同一位置となるように形成されている。また、カバー絶縁層５に被覆される金属支持基板２の上面に形成される半導電性層１３（半導電性層１３の他端部１５、および、ベース絶縁層３の側面に形成され、かつ、金属支持基板２の上面に積層される下端部を含む。）は、金属支持基板２に接触している。
【００１９】
この半導電性層１３では、その一端部１４が、導体パターン４と、後述する金属めっき層１０および金属薄膜１２を介して、電気的に接続され、他端部１５が、金属支持基板２と、電気的に接続されている。
また、端子部６の上面には、金属めっき層１０が形成されている。
この金属めっき層１０は、カバー絶縁層５における開口部９の開口端縁１９において、帯電防止バリア層１１の金属薄膜１２および半導電性層１３が接触するように、開口部９内に充填されている。
【００２０】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
この方法では、図３（ａ）に示すように、まず、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２としては、例えば、ステンレス箔、４２アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１００μｍである。
【００２１】
次に、この方法では、図３（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上面に、ベース絶縁層３を、例えば、金属支持基板２の上面における長手方向他方側（図３（ｂ）において、右側）の外周縁部２０が一部露出するようなパターンとして形成する。
ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂からなる。耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂からなる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００２２】
ベース絶縁層３をパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、ベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００２３】
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、ベース絶縁層３の上面に、導体パターン４を形成する。導体パターン４は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体からなり、好ましくは、銅からなる。また、導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の上面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法、好ましくは、アディティブ法によって、導体パターン４を、上記した端子部６および配線７が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。
【００２４】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去する。
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面（上面および側面）に、導体薄膜を形成する。導体薄膜は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層する。
【００２５】
次いで、この導体薄膜の上面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する導体薄膜の上面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体薄膜を除去する。
このようにして形成される導体パターン４では、その厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、各配線７の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、各配線７間の間隔は、例えば、１０〜２００μｍである。
【００２６】
また、端子部６は、その幅が、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍ、その間隔が、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、導体パターン４の上面および側面（ベース絶縁層３の上面に積層される下端部を含む。）に、金属薄膜１２を、この導体パターン４を被覆するように、連続して形成する。金属薄膜１２は、例えば、ニッケル、金、スズ、クロム、チタン、ジルコニウム、または、これらの合金などの金属からなり、好ましくは、ニッケルからなる。
【００２７】
また、金属薄膜１２は、例えば、導体パターン４の上面および側面に、電解めっきまたは無電解めっきにより形成する方法、上記した金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などにより、導体パターン４を被覆するように、連続して形成する。好ましくは、無電解めっきにより、金属薄膜１２を形成する。
無電解めっきでは、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図３（ｃ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を浸漬することにより、金属薄膜１２を形成する。
【００２８】
このようにして形成された金属薄膜１２は、その厚みが、例えば、０．０１〜０．５μｍ、好ましくは、０．０５〜０．３μｍの範囲に設定される。金属薄膜１２の厚みがこの範囲にあると、帯電防止バリア層１１において、有効な表面抵抗値を得ることができる。一方、金属薄膜１２の厚みが上記範囲に満たないと、導体パターン４のイオンマイグレーションを有効に防止することができない場合がある。また、金属薄膜１２の厚みが上記範囲を超えると、導体パターン４のイオンマイグレーションを有効に防止することができるが、帯電防止バリア層１１において、有効な表面抵抗値を得ることができない場合がある。
【００２９】
次に、図４（ｅ）に示すように、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、半導電性層１３を、これら各面にわたって連続して形成する。
半導電性層１３は、特に制限されないが、例えば、１×１０5〜１×１０13Ω／□の表面抵抗値を有する樹脂層または金属層からなり、例えば、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などの導電性粒子が分散されている樹脂層や、酸化金属層などからなる。好ましくは、酸化金属層からなる。
【００３０】
酸化金属層は、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物からなる。好ましくは、酸化クロムからなる。酸化クロムは、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を有する酸化金属層を形成することができる。
なお、酸化金属層における金属の酸化度合いは、次に述べる酸化金属層の形成方法によっても異なるが、厚み方向において均一に酸化されていてもよく、また、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下していてもよい。
【００３１】
酸化金属層の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。
金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法では、まず、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、金属をターゲットとしてスパッタリングする。
【００３２】
スパッタリングは、例えば、図５に示すスパッタリング装置が用いられる。すなわち、図５において、このスパッタリング装置では、真空チャンバー２１内に、ターゲット２２およびアース電極２３が互いに間隔を隔てて対向配置されている。ターゲット２２には、電源２４が接続されるとともに、プラズマエミッションモニター２５が、ターゲット２２に対してプラズマ発光可能に配置されている。なお、電源２４には、特に制限されず、パルス電源、直流電源（ＤＣ）、交流電源（ＲＦ）などが用いられる。
【００３３】
また、アース電極２３は、接地されるとともに、その表面に基板２６が設置されている。（ここで、基板２６は、図３（ｄ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１であって、導体パターン４側が、ターゲット２２と対向する状態で設置されている。）
ターゲット２２には、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、ジルコニウム、ガリウム、インジウムおよびこれらの合金などが用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。
【００３４】
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、スパッタリング皮膜が形成される。
【００３５】
なお、このような金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０-5〜１．３３×１０-2Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０-3〜４×１０-3ｍ3／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
なお、このようなスパッタリングは、より具体的には、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法あるいはこれらの複合化法などの公知のスパッタリング法が適宜選択される。
【００３６】
次いで、スパッタリング皮膜を、必要に応じて、加熱により酸化するには、特に制限されず、例えば、加熱炉などを用いて、大気中で加熱する。加熱温度は、例えば、５０〜４００℃、好ましくは、１００〜２５０℃であり、加熱時間は、例えば、１分〜１２時間である。これによって、図４（ｅ）に示すように、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層１３が形成される。
【００３７】
また、スパッタリング皮膜が、大気暴露下で自然酸化する場合には、特に加熱しなくてもよく、また、そのような場合でも、安定な酸化金属層を形成するために、加熱してもよい。
なお、この酸化金属層は、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下するように酸化されている。
【００３８】
反応性スパッタリングする方法では、上記した図５に示すスパッタリング装置において、真空チャンバー２１内に酸素を含む導入ガスを導入する以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。
より具体的には、ターゲット２２として、上記したスパッタリング皮膜を形成するための金属と同様の金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｄ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を配置する。
【００３９】
そして、真空チャンバー２１内に、酸素を必須としてアルゴンや窒素が任意の割合で混合された反応性ガス（例えば、Ａｒ／Ｏ2混合ガス、Ｎ2／Ｏ2混合ガス）を導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。
これによって、図４（ｅ）に示すように、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層１３が形成される。なお、この酸化金属層は、厚み方向において均一に酸化されている。
【００４０】
なお、このような反応性スパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０-5〜１．３３×１０-2Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ2混合ガスの場合
Ａｒ：１．２×１０-3〜２．４×１０-3ｍ3／ｈ
Ｏ2 ：６×１０-5〜３０×１０-5ｍ3／ｈ
Ｎ2 ／Ｏ2混合ガスの場合
Ｎ2 ：１．２×１０-3〜２．４×１０-3ｍ3／ｈ
Ｏ2 ：６×１０-5〜３０×１０-5ｍ3／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：３秒〜１５分
酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法では、上記した図５に示すスパッタリング装置において、酸化金属をターゲット２２とし、かつ、電源２４として交流電源が用いられる以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。ターゲット２２となる酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化錫、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
【００４１】
より具体的には、ターゲット２２として、上記した酸化金属を用いて、基板２６として、導体パターン４側がターゲット２２と対向するように、図３（ｄ）に示す製造途中の回路付サスペンション基板１を配置する。
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、図４（ｅ）に示すように、金属薄膜１２の上面および側面と、金属薄膜１２から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、ベース絶縁層３から露出する金属支持基板２の上面とに、酸化金属層からなる半導電性層１３が形成される。なお、この酸化金属層は、厚み方向において均一に酸化されている。
【００４２】
なお、このような酸化金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０-5〜１．３３×１０-2Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０-3〜４×１０-3ｍ3／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０-2〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：ＲＦ１００〜２０００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
このようにして形成された半導電性層１３は、その厚みが、例えば、０．００５〜０．０５μｍ、好ましくは、０．０１〜０．０２μｍの範囲に設定される。半導電性層１３の厚みがこの範囲にあると、帯電防止バリア層１１において、有効な表面抵抗値を得ることができる。また、この半導電性層１３（ベース絶縁層３の上面および側面と、金属支持基板２の上面とに形成されている部分）は、その表面抵抗値が、例えば、１×１０5Ω／□以上、好ましくは、１×１０7Ω／□以上、通常、１×１０13Ω／□以下である。
【００４３】
帯電防止バリア層１１の表面抵抗値が上記範囲に満たないと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、帯電防止バリア層１１の表面抵抗値が上記範囲を超えると、静電気破壊を防止することができない場合がある。
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、帯電防止バリア層１１の半導電性層１３の上に、カバー絶縁層５を形成する。
【００４４】
カバー絶縁層５は、端子部６が露出する開口部９が形成されるように、形成する。また、カバー絶縁層５は、図４（ｇ）が参照されるように、長手方向他方側（図４（ｇ）において、右側）の外周縁部２０の外周端縁３０が露出するようなパターンとして形成する。
カバー絶縁層５をパターンとして形成するには、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、感光性樹脂（感光性ポリアミド酸樹脂）のワニスを、帯電防止バリア層１１の半導電性層１３の表面に塗布し、塗布されたワニスを乾燥して、カバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により加熱後、現像によりパターンを形成させ、その後、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
【００４５】
なお、開口部９の長手方向長さは、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍ、幅方向長さは、例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍに設定する。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、カバー絶縁層５の開口部９から露出する帯電防止バリア層１１の半導電性層１３および金属薄膜１２と、カバー絶縁層５から露出するベース絶縁層３の上面に形成されている帯電防止バリア層１１の半導電性層１３と、カバー絶縁層５から露出する金属支持基板２の上面に形成されている帯電防止バリア層１１の半導電性層１３とを、エッチングにより除去する。
【００４６】
このエッチングでは、帯電防止バリア層１１を被覆しているカバー絶縁層５を、エッチングレジストとして、エッチングすべき帯電防止バリア層１１を、エッチング液を用いるウエットエッチングにより、除去する。
エッチング液は、帯電防止バリア層１１の半導電性層１３および金属薄膜１２によって適宜選択されるが、例えば、半導電性層１３が酸化クロムからなり、金属薄膜１２がニッケルからなる場合には、フェリシアン化カリウム系、過マンガン酸カリウム系、メタケイ酸ナトリウム系、硝酸第二セリウムアンモン系、塩酸系、硫酸系、硝酸系などのエッチング液が用いられる。
【００４７】
そして、このエッチングによって、開口部９から露出する半導電性層１３および金属薄膜１２が除去されることにより、開口部９から導体パターン４が露出し、その導体パターン４の露出部分が、端子部６として形成される。また、上記エッチングによって、カバー絶縁層５から露出するベース絶縁層３の上面に形成されている半導電性層１３と、カバー絶縁層５から露出する金属支持基板２の上面に形成されている半導電性層１３とが除去されることにより、帯電防止バリア層１１の半導電性層１３は、その全ての上面が、カバー絶縁層５により、被覆されるようになる。
【００４８】
その後、この方法では、図４（ｈ）に示すように、端子部６の上面に、金属めっき層１０を形成した後、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
金属めっき層１０は、金やニッケルなどの金属からなり、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。好ましくは、金をめっきして、金めっき層として形成する。また、好ましくは、ニッケルおよび金を順次めっきして、ニッケル／金の多層めっき層として形成することもできる。金属めっき層１０の厚みは、例えば、０．５〜２μｍである。
【００４９】
そして、このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、帯電防止バリア層１１が金属薄膜１２と、その金属薄膜１２の上に形成される半導電性層１３とを備えている。そのため、金属薄膜１２により導体パターン４のイオンマイグレーション、すなわち、導体パターン４を形成する金属がカバー絶縁層５に拡散することを、有効に防止することができる。また、半導電性層１３により、端子部６の静電気の帯電を除去するのに必要な上記した範囲の表面抵抗値を、帯電防止バリア層１１に設定することができる。
【００５０】
その結果、導体パターン４のイオンマイグレーションと、端子部６における静電気の帯電とを、同時にかつ有効に防止することができる。また、導体パターン４の劣化や導体パターン４間の短絡と、実装される電子部品の静電気破壊とを、同時にかつ有効に防止することができる。
さらにまた、帯電防止バリア層１１の半導電性層１３が、カバー絶縁層５によって被覆されているので、半導電性層１３の剥離を防止することができる。そのため、脱離した半導電性層１３が異物となって飛散することを防止することができる。
【００５１】
なお、上記した説明において、回路付サスペンション基板１の帯電防止バリア層１１では、帯電防止バリア層１１を、金属薄膜１２と、金属薄膜１２の上に形成される半導電性層１３とから形成したが、その逆、すわなち、半導電性層１３と、半導電性層１３の上に形成される金属薄膜１２とから形成することもできる。
【実施例】
【００５２】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
実施例１
厚み２５μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意して（図３（ａ）参照）、金属支持基板の上面に、別途調製した感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光した後、加熱し、その後、現像することにより、金属支持基板の上面の外周縁部が一部露出するようなパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００５３】
次いで、このベース絶縁層の上面に、アディティブ法によって、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを、端子部および配線が一体的に形成される配線回路パターンとして形成した（図３（ｃ）参照）。
その後、導体パターンの上面および側面（ベース絶縁層の上面に積層される下端部を含む。）に、この導体パターンを被覆するように、連続して、無電解ニッケルめっきによって、ニッケル薄膜からなる厚み０．１５μｍの金属薄膜を形成した（図３（ｄ）参照）。
【００５４】
また、金属薄膜が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。
次いで、金属薄膜の上面および側面と、金属薄膜から露出するベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに連続して、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した。
【００５５】
なお、スパッタリングは、上記と同様の方法において、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０-3ｍ3／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：４秒
スパッタリング皮膜の厚み：０．０１μｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる半導電性層を形成した（図４（ｅ）参照）。
【００５６】
なお、半導電性層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この半導電性層（ベース絶縁層の上面および側面と、金属支持基板の上面とに形成されている部分）の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１×１０9Ω／□であった。また、帯電防止バリア層（金属薄膜と半導電性層との積層部分）の表面抵抗値は１×１０7Ω／□であった。
【００５７】
次いで、感光性ポリアミド酸樹脂のワニスを、半導電性層の全面に塗布し、フォトマスクを介して露光した後、１９０℃で加熱後、現像することにより、カバー皮膜を形成し、このカバー皮膜を、３８０℃で２時間、加熱硬化した。これにより、開口部が形成され、長手方向他方側の外周縁部の外周端縁が露出するようなパターンとして、カバー絶縁層を形成した（図４（ｆ）参照）。
【００５８】
その後、カバー絶縁層の開口部から露出する半導電性層および金属薄膜と、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、カバー絶縁層から露出する金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングした（図４（ｇ）参照）。
エッチングは、カバー絶縁層をエッチングレジストとして、エッチングすべき帯電防止バリア層を、ウエットエッチングした。
【００５９】
その後、端子部の上面に、無電解金めっきにより、金めっき層を形成した後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図４（ｈ）参照）。
比較例１
金属薄膜を設けなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。すなわち、帯電防止バリア層の半導電性層は、導体パターンの上面および側面と、導体パターンから露出するベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに、連続して形成した。
【００６０】
比較例２
酸化クロム層からなる半導電性層に代えて、アルミニウム層からなる金属層を形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。
なお、アルミニウム層は、特開平８−１５３９４０号公報の記載に基づく蒸着法により、形成した。
【００６１】
また、金属層（ベース絶縁層の上面および側面と、金属支持基板の上面とに形成されている部分）の表面抵抗値は、１×１０8Ω／□であった。
しかし、この回路付サスペンション基板では、磁気ヘッドを実装したときに、磁気ヘッドに誤作動が生じた。
（評価）
（１）端子部の帯電
実施例１および比較例１で得られた、磁気ヘッド実装前の回路付サスペンション基板について、端子部の電荷量を、クーロンメーター（春日電機（株）製、ＮＫ−１００１）を用いて測定した。
【００６２】
その結果、実施例１および比較例１ともに、０ｎＱであった。
（２）イオンマイグレーション
実施例１および比較例１で得られた、磁気ヘッド実装前の回路付サスペンション基板について、試験雰囲気を、温度８５℃／湿度８５％に設定し、配線間の印加電圧を６Ｖとしたときの、配線間の抵抗値が、１×１０5Ω以下になるまでの時間を測定することにより、イオンマイグレーションを評価した。
【００６３】
その結果、実施例１では、１０００時間以上経過しても、配線間の抵抗値が１×１０5Ω以下とならなかった。一方、比較例１では、６５０時間経過したときに、配線間の抵抗値が１×１０5Ω以下となった。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す概略平面図である。
【図２】図１に示す１本の配線の長手方向に沿う部分断面図である。
【図３】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上面に、ベース絶縁層をパターンとして形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上面に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、導体パターンの上面および側面に、金属薄膜を、連続して形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の製造方法を示す製造工程図であって、（ｅ）は、金属薄膜の上面および側面と、金属薄膜から露出するベース絶縁層の上面および側面と、ベース絶縁層から露出する金属支持基板の上面とに、半導電性層を、連続して形成する工程、（ｆ）は、帯電防止バリア層の半導電性層の上に、カバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、カバー絶縁層の開口部から露出する半導電性層および金属薄膜と、カバー絶縁層から露出するベース絶縁層の上面に形成されている半導電性層と、カバー絶縁層から露出する金属支持基板の上面に形成されている半導電性層とを、エッチングにより除去する工程、（ｈ）は、端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【図５】スパッタリング装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００６５】
１      回路付サスペンション基板
２      金属支持基板
３      ベース絶縁層
４      導体パターン
５      カバー絶縁層
６      端子部
１１    帯電防止バリア層
１２    金属薄膜
１３    半導電性層
１４    一端部
１５    他端部
【図１】
0004790447.tif 000002
【図２】
0004790447.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004790447.tif 000005
【図５】
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