(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションプログラムであって、
コンピュータに、
前記デバイスの製造時に使われるマスクの位置データと該マスクのマスクエッジに対応する断面形状を示す断面形状情報と膜厚高さとを記憶する記憶部から読み出した該位置データから該マスクエッジを前記デバイスの下地層に投影した第１のエッジ位置を計算し、該第１のエッジ位置と該記憶部から読み出した該膜厚高さとから第２のエッジ位置を計算し、該第１のエッジ位置と該記憶部から読み出した該断面形状情報とから第３のエッジ位置を計算し、該第２のエッジ位置と該第３のエッジ位置と該断面形状情報とからエッジスロープ形状を得て前記３次元モデルを算出する処理、
を実行させるための３次元デバイスシミュレーションプログラム。
【請求項２】
前記断面形状情報は、前記マスクエッジの断面形状を関数で表現し、前記関数のパラメータを指定することにより前記断面形状情報を入力することを特徴とする請求項１に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
【請求項３】
前記断面形状情報は、前記マスクエッジの断面形状を断面写真から抽出した輪郭データを使用することを特徴とする請求項１に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
【請求項４】
さらに、前記マスクエッジの３次元形状として、凹凸のある表面形状を生成する処理、
を備えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
【請求項５】
デバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションシステムであって、
前記デバイスの製造時に使われるマスクの位置データと該マスクのマスクエッジに対応する断面形状を示す断面形状情報と膜厚高さとを記憶する記憶部から読み出した該位置データから該マスクエッジを前記デバイスの下地層に投影した第１のエッジ位置を計算し、該第１のエッジ位置と該記憶部から読み出した該膜厚高さとから第２のエッジ位置を計算し、該第１のエッジ位置と該記憶部から読み出した該断面形状情報とから第３のエッジ位置を計算し、該第２のエッジ位置と該第３のエッジ位置と該断面形状情報とからエッジスロープ形状を得て前記３次元モデルを算出する３次元モデル算出手段、
を備えることを特徴とする３次元デバイスシミュレーションシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス、ＭＥＭＳデバイス、ＨＤＤヘッドなどのマイクロ／ナノデバイスに対する設計製造技術に関し、特に、デバイスの性能シミュレーションなどのために必要な３次元形状モデルを作成するための３次元デバイスシミュレーションプログラムおよび３次元デバイスシミュレーションシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、製造工程毎に撮像した形成パターンを取り込み、その形成パターンに各製造工程の特性データを加味することで積層形状を作成し、また各製造工程で取り込んだ画像データとマスクパターンデータから形状の相関関係を求め、この相関関係情報を用いることでマスクパターン形状から製造時の形状をシミュレーションすることが可能な技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
また、２次元データであるマスクデータを用いて３次元形状データを生成する３次元形状生成方法において、
２次元データであるマスクデータに対して高さ方向に変形を加えて３次元形状を生成し、構造を反映した知識情報を用いてさらにこれに変形を加えることにより、２次元のマスクデータから半導体素子の特性シミュレートを行うためのパラメータを正確に抽出できるような正しい３次元形状を生成する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００４】
また、マスクパターンの形状やマスクパターン同士の位置関係に応じて光強度シミュレーションモデルを変更し、光強度シミュレーションの繰り返し回数を変更してシミュレーションベースの光学的近接効果補正（ＯＰＣ）を実施することにより、チップ内の全マスクパターンに対してＯＰＣを実施し、かつＯＰＣに要する時間の増加を抑制することのできる技術が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開平１０−４１３６６号公報
【特許文献２】特開２０００−２０７４３３号公報
【特許文献３】特開２００１−１７４９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、デバイスの微細化が進むことにより、計算機によるデバイスの性能シミュレーションが重要になってきている。ところが、シミュレーションのための３次元形状モデルの作成には、非常に多くの工数がかかってしまう。例えば、機械系３次元ＣＡＤなどを使って手作業で作成しており、複雑なデバイスでは数時間かかってしまうという問題点があった。
【０００６】
また、他のモデル生成技術として、製造プロセスのシミュレータによってデバイスの３次元形状を生成する方法がある。この方法は、エッチングやスパッタリングなどの製造プロセスをシミュレーションし、詳細にデバイス形状を計算するものである。しかし、正確なシミュレーションが難しいことや、狭い領域を計算するだけでも数時間かかるなどの理由で、部分的にしかモデル化できないという問題点があった。
【０００７】
また、ＭＥＭＳ用のシミュレーションシステムではデバイス全体を３次元シミュレーションできるものは存在するが、簡易的な３次元モデルの生成機能しかなく、単純形状しか取り扱うことができないという問題点があった。
【０００８】
図１８は、従来の技術を説明するための図である。
従来のＭＥＭＳ用のシミュレーションシステムは、図１８の（Ａ）に示したような単純な形状のマスクを押し出して、（Ｂ）に示したような単純な３次元形状のモデルを生成するものである。
【０００９】
また、その他にデバイスのモデル化に関する公知例として、オフセット法やレベルセット法といった形状生成方法が知られているが、いずれも主にプロセスシミュレーションに使われる技術である。
【００１０】
これに対して、デバイスの微細化や多層構造により、３次元形状はますます複雑、大規模化しており、３次元形状モデルの効率的な作成方法が求められている。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、マイクロ／ナノデバイスの３次元形状モデルを生成する際に、マスクエッジ部分の断面形状を指定することにより、マスクを使って複雑な３次元形状を簡単に生成することが可能な３次元デバイスシミュレーションプログラムおよび３次元デバイスシミュレーションシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、下記のような構成を採用した。
すなわち、本発明の一態様によれば、本発明の３次元デバイスシミュレーションプログラムは、マスクデータを用いてデバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションシステムに実行させるためのコンピュータ実行可能な３次元デバイスシミュレーションプログラムであって、マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する手順と、前記マスクデータと入力された断面形状情報とに基づいて、前記３次元モデルを算出する手順とを実行させるための３次元デバイスシミュレーションプログラムである。
【００１２】
また、本発明の３次元デバイスシミュレーションプログラムは、前記断面形状情報が、前記エッジ部分の断面形状を関数で表現し、前記関数のパラメータを指定することにより前記断面形状情報を入力することが望ましい。
【００１３】
また、本発明の３次元デバイスシミュレーションプログラムは、前記断面形状情報が、前記エッジ部分の断面形状を断面写真から抽出した輪郭データを使用することが望ましい。
【００１４】
また、本発明の３次元デバイスシミュレーションプログラムは、さらに、前記エッジ部分の３次元形状として、凹凸のある表面形状を生成する手順とを備えることが望ましい。
また、本発明の一態様によれば、本発明の３次元デバイスシミュレーションシステムは、マスクデータを用いてデバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションシステムであって、マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する断面形状入力手段と、前記マスクデータと前記断面形状入力手段によって入力された断面形状情報とに基づいて、前記３次元モデルを算出する３次元モデル算出手段とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、マイクロ／ナノデバイスの３次元形状モデルを生成する際に、マスクを使って複雑な３次元形状を簡単に生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面に基づいて本発明を適用した実施の形態を説明する。
図１は、簡易的なモデル生成の方法を説明するための図である。
デバイスは複数の製造プロセスを経て多層の薄膜構造が形成される。例えば図１の（Ａ）に示したように、第１のプロセスにおいて、下地層１１に対して第１のマスクパターンを押し出すと第１のモデル１３が生成され、図１の（Ｂ）に示したように、第２のプロセスにおいて、第１のモデル１３に重ねて第２のマスクパターン１４を押し出すと第２のモデル１５が生成される。このように、レジストなどの一時的な膜を除けば、デバイスの最終形状の概略は図１の（Ｂ）に示すようにマスクパターンのパターン形状とその膜厚とから簡易的に構成することができる。この場合、第１のモデル１３や第２のモデル１５のマスクエッジ部分は理想的な垂直な側面になるが、実際のデバイスでは製造プロセスの特性により様々な形状のマスクエッジ部分を有するモデルが生成される。
【００１７】
図２は、マスクエッジの断面を指定したモデルを説明するための図である。
上述したように、実際のデバイスは様々な形状のマスクエッジ部分を有している。このマスクエッジ部分の形状を再現するため、本発明では、マスクエッジ部分の断面形状を指定し、この断面形状に基づいてマスクエッジ部分の３次元形状を生成する。これにより、わずかな工数で、任意のマスクエッジ形状を持つ３次元デバイスモデルを生成できるようになる。
【００１８】
さらに、マスクエッジ部分の断面形状を指数関数や三角関数などで事前にパターン化しておくことや、電子顕微鏡写真などの断面写真から断面形状を取り込むことなどにより、簡単な設定でモデル生成が可能になる。
【００１９】
図３は、本発明を適用した３次元デバイスシミュレーションシステムの概要を説明するための図である。
図３において、３次元デバイスシミュレーションシステム３０は、モデルの生成条件を設定・入力する計算条件入力部３１と、モデルの形状を計算する形状計算部３２と、計算結果を出力する計算結果出力部３３とを備えている。また、計算条件入力部３１は、データ入力部３１１と断面形状設定部３１２と計算環境設定部３１３とを備え、計算結果出力部３３は、形状表示部３３１を備えている。
【００２０】
データ入力部３１１は、マスクパターンを表したマスクデータ３４と、プロセス数、各プロセスにおけるエッチングやデポジションなどのプロセス種類、積層する膜厚または削り取る深さ等の製造プロセスデータ３５とを入力する。断面形状設定部３１２は、マスクエッジ部分の断面形状データ３６を入力・設定する。計算環境設定部３１３は、形状計算部３２が計算する計算範囲や計算精度等の計算条件を入力・設定する。
【００２１】
形状計算部３２は、データ入力部３１１、断面形状設定部３１２、計算環境設定部３１３により入力された各入力条件に基づいて、各プロセスで生成される形状を順に計算する。
【００２２】
そして、計算結果出力部３３は、形状計算部３２によって計算された計算結果であるデバイスのモデルを、シミュレーション用のモデルデータ３７に変換する。また、形状表示部３３１は、形状計算部３２によって計算された計算結果であるデバイスのモデルを、３次元形状として３次元デバイスシミュレーションシステム３０の表示画面上に表示する。
【００２３】
次に、本発明を適用した３次元デバイスシミュレーション処理の流れについて説明する。
図４は、３次元デバイスシミュレーションシステムにおいて実行される３次元デバイスシミュレーション処理の流れを示すフローチャートである。
【００２４】
図４に示した３次元デバイスシミュレーション処理は、計算条件を入力してから計算結果を３次元モデルとして表示するまでを示している。ここでは、最も簡単な３次元デバイスシミュレーション処理の例は、プロセス数が「１」でプロセス種類が「デポジション」となる。
【００２５】
まず、ステップＳ４１において、データ入力部３１１が、マスクデータ３４を入力してマスクパターンの形状を抽出する。
図５は、入力されるマスクデータの例を示す図である。
【００２６】
図５に示すように、マスクデータは通常ＧＵＩを用いて入力される。
図４の説明に戻り、ステップＳ４２において、データ入力３１１が、プロセス数、プロセス種類、膜厚等の製造プロセスデータ３５を入力して膜厚を設定する。
【００２７】
図６は、入力される製造プロセスデータの例を示す図である。
図６において、入力されるプロセスデータはプロセス数が「７」であり、例えば下地層（ＢＡＳＥ）の上に第１層として押し出すマスクパターン（番号：１）は、プロセス種類が「デポジション」、膜厚が「０．３ｍｍ」である。
【００２８】
図４の説明に戻り、ステップＳ４３において、断面形状設定部３１２が、ステップＳ４１で入力されたマスクデータ３４のマスクエッジ部分の断面形状データ３６を入力・設定する。この断面形状データ３６の入力・設定について説明する。
【００２９】
断面形状データ３６を簡単に入力・指定する方法として、指数関数や三角関数などで断面形状を表現し、関数のパラメータで断面形状を入力・することができる。例えば、断面の横軸をｘ、縦軸をｙとし、２次関数を使って断面形状をｙ＝−ａ×ｘ2と表すことができる。
【００３０】
図７は、断面形状を２次関数で表した例を示す図である。
図７において、断面形状は２次関数ｙ＝−ａ×ｘ2を使って表され、パラメータａを変えることで断面形状の傾きを変えることができる。また、断面形状データ３６として、断面写真から画像処理により輪郭を抽出し、その輪郭データを指定することで、正確な断面形状の入力・設定することもできる。
【００３１】
図４の説明に戻り、ステップＳ４４において、計算環境設定部３１３が、計算範囲や計算精度等の計算条件を入力し、下地層１１の形状を設定する。
そして、ステップＳ４５において、サブルーチン「デバイス形状の計算」が実行される。
【００３２】
図８は、サブルーチン「デバイス形状の計算」の流れを示すフローチャートである。
サブルーチン「デバイス形状の計算」は、「マスクエッジ部分の形状の計算」と「マスク内側領域の形状の計算」との２つの計算により行われる。
【００３３】
まず、ステップＳ８１において、さらにサブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」が実行される。そして、ステップＳ８２において、「マスク内側領域の形状の計算」が実行されるが、この「マスク内側領域の形状の計算」は、既存の技術であるオフセット法やレベルセット法で実現されている。
【００３４】
ここで、ステップＳ８１のサブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」について説明する。
図９は、サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の流れを示すフローチャートであり、図１０は、サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の概要を説明するための図である。
【００３５】
この「マスクエッジ部分の形状の計算」においては、断面形状データ３６を、例えば横幅、高さ、２次元座標系における点のプロットデータとして入力しておき、形状計算では、膜厚高さからスケールを合わせることにより実行する。
【００３６】
まず、ステップＳ９１において、マスクパターン（例えば、第１のマスクパターン１２）の形状を複数のエッジ部分（マスクエッジ）に分解する。そして、ステップＳ９２において、各エッジ部分（例えば、図１０のマスクエッジ１２ａ）に対して、下地層１１へ投影したエッジ位置（図１０中のマスクエッジの投影部１１ａ）を計算して求める。
【００３７】
ステップＳ９３において、下地層１１上のエッジ位置（投影部１１ａ）から膜厚の高さだけ移動したエッジＥ１を計算して求める。さらに、ステップＳ９４において、下地層１１上のエッジ位置（投影部１１ａ）と図４のステップＳ４３で入力した断面形状とから下地層１１上でのエッジＥ２を計算して求める。
【００３８】
そして、ステップＳ９５において、ステップＳ９３で求めたエッジＥ１とステップＳ９４で求めたエッジＥ２と図４のステップＳ４３で入力した断面形状とに基づいて、エッジスロープ形状を計算して求める。
【００３９】
図１１および図１２は、エッジスロープ形状の計算を説明するための図である。
ｘｙ平面上にエッジＥ１とエッジＥ２とを投影し、これら２本のエッジ（エッジＥ１とエッジＥ２）で囲まれる矩形範囲内に格子点Ｇij（０≦ｉ＜ｍ，０≦ｊ＜ｎ）を配置する（図１１参照。）。そして、格子点Ｇijに対して、下地層１１の表面上の位置を（ｘＢ，ｙＢ，ｚＢ）とし、スロープ高さをｚＳ＝Ｆ（ｙＢ）とすると、格子点Ｇijの真上のエッジスロープ位置は、（ｘＢ，ｙＢ，ｚＢ＋ｚＳ）となる。なお、断面形状は、ｚ＝Ｆ（ｙ）で表現でき、ｙ＝ＷがエッジＥ１の位置であり、ｙ＝０がエッジＥ２の位置である（図１２参照。）。
【００４０】
図４の説明に戻り、ステップＳ４６において、ステップＳ４５で求めたデバイスの形状を表面ポリゴンデータに変換し、ステップＳ４７において、形状表示部３３１が、計算結果であるデバイスのモデルを、３次元形状として３次元デバイスシミュレーションシステム３０の表示画面上に表示する。
【００４１】
以上のようにして、本発明を適用した３次元デバイスシミュレーション処理が実行される。
なお、実際に製造したデバイスの形状は、様々な要因によってバラツキが生じる。これを表現するために、デバイスの形状の表面にランダムな凹凸を生成するようにする。凹みの深さ、凸部の高さ、凹凸の密度は事前に設定する。さらに、他のバラツキとして、規則性のあるバラツキがある。例えば、デバイスの右側（内側）のマスクエッジと左側（外側）のマスクエッジで断面形状が異なることがある。これを表現するために、マスクパターンのエッジ位置とそれに対する断面形状とを指定できるようにする。
【００４２】
次に、モデルの角部の生成方法について説明する。
図１３、図１４および図１５は、モデルの角部の生成方法を説明するための図である。
図１３に示したように、マスクエッジとマスクエッジとが交差するモデルの角部に対して、その形状生成方法を指定できるようにする。
【００４３】
まず、第１の形状生成方法として、角部をはさむ２つのマスクエッジから、それぞれで生成したエッジ部形状を交差するまで延長する方法がある（図１４参照。）。この場合、角部の半径方向での断面形状は指定した形状にならない。なお、図１４の（Ａ）は、モデルを斜めから見た斜視図であり、（Ｂ）は、モデルを上から見た平面図である。
【００４４】
第２の形状生成方法として、断面形状を回転させた形状を生成する方法がある（図１５参照。）。この場合は、半径方向での断面形状は指定した形状通りになる。なお、図１５の（Ａ）は、モデルを斜めから見た斜視図であり、（Ｂ）は、モデルを上から見た平面図である。
【００４５】
また、実際の製造プロセスでは、製造装置によって、マスクの形状より実際のデバイスの形状が縮小あるいは拡大してしまうことがある。また、左右や上下にずれた形状のデバイスが製造されてしまうこともある。これらをモデルに反映できるように、マスクエッジ位置のシフト量を設定できるようにする。シフト量としては、平行移動、回転移動、拡大／縮小の移動量を用意する。３次元デバイスシミュレーション処理においては、入力したマスクデータ３４からマスク形状を抽出した後、エッジ成分を指定された方向に指定された量だけ移動させ、新しいマスクエッジ位置を計算しておくことにより実現する。
【００４６】
なお、上述してきた本発明の実施の形態は、３次元デバイスシミュレーション処理の一機能としてハードウェアまたはＤＳＰボードやＣＰＵボードでのファームウェアもしくはソフトウェアにより実現することができる。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明してきたが、本発明が適用される３次元デバイスシミュレーション装置は、その機能が実行されるのであれば、上述の実施の形態に限定されることなく、単体の装置であっても、複数の装置からなるシステムあるいは統合装置であっても、ＬＡＮ、ＷＡＮ等のネットワークを介して処理が行なわれるシステムであってもよいことは言うまでもない。
【００４８】
また、図１６に示したように、バス１６０９に接続されたＣＰＵ１６０１、ＲＯＭやＲＡＭのメモリ１６０２、入力装置１６０３、出力装置１６０４、外部記録装置１６０５、媒体駆動装置１６０６、ネットワーク接続装置１６０７で構成されるシステムでも実現できる。すなわち、前述してきた実施の形態のシステムを実現するソフトェアのプログラムコードを記録したＲＯＭやＲＡＭのメモリ１６０２、外部記録装置１６０５、可搬記録媒体１６１０を、３次元デバイスシミュレーション装置に供給し、その３次元デバイスシミュレーション装置のコンピュータがプログラムコードを読み出し実行することによっても、達成されることは言うまでもない。
【００４９】
この場合、可搬記録媒体１６１０等から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコードを記録した可搬記録媒体１６１０等は本発明を構成することになる。
【００５０】
プログラムコードを供給するための可搬記録媒体１６１０としては、例えば、フレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、磁気テープ、不揮発性のメモリーカード、ＲＯＭカード、電子メールやパソコン通信等のネットワーク接続装置１６０７（言い換えれば、通信回線）を介して記録した種々の記録媒体などを用いることができる。
【００５１】
また、図１７に示すように、コンピュータ（情報処理装置）１７００がメモリ１７０１上に読み出したプログラムコードを実行することによって、前述した実施の形態の機能が実現される他、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ１７００上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施の形態の機能が実現される。
【００５２】
さらに、可搬型記録媒体１７１０から読み出されたプログラムコードやプログラム（データ）提供者から提供されたプログラム（データ）１７２０が、コンピュータ１７００に挿入された機能拡張ボードやコンピュータ１７００に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリ１７０１に書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施の形態の機能が実現され得る。
【００５３】
すなわち、本発明は、以上に述べた実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の構成または形状を取ることができる。ここで、上述した実施の形態の特徴を列挙すると、以下の通りである。
【００５４】
（付記１）
マスクデータを用いてデバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションシステムに実行させるためのコンピュータ実行可能な３次元デバイスシミュレーションプログラムであって、
マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する手順と、
前記マスクデータと入力された断面形状情報とに基づいて、前記３次元モデルを算出する手順と、
を実行させるための３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記２）
前記断面形状情報は、前記エッジ部分の断面形状を関数で表現し、前記関数のパラメータを指定することにより前記断面形状情報を入力することを特徴とする付記１に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記３）
前記断面形状情報は、前記エッジ部分の断面形状を断面写真から抽出した輪郭データを使用することを特徴とする付記１に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記４）
さらに、前記エッジ部分の３次元形状として、凹凸のある表面形状を生成する手順と、
を備えることを特徴とする付記１乃至３の何れか１項に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記５）
前記断面形状情報は、位置によって異なる断面形状を指定できることを特徴とする付記１乃至４の何れか１項に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記６）
前記エッジ部分の角部分の形状として、前記角部分を中心とする半径方向の断面形状が、前記入力された断面形状となることを特徴とする付記１乃至５の何れか１項に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記７）
前記エッジ部分の角部分の形状として、前記エッジ部分の位置を前記マスクの平面内で移動させることにより生成される断面形状であることを特徴とする付記１乃至５の何れか１項に記載の３次元デバイスシミュレーションプログラム。
（付記８）
マスクデータを用いてデバイスの３次元モデルを生成する３次元デバイスシミュレーションシステムであって、
マスクのエッジ部分の断面形状を示す断面形状情報を入力する断面形状入力手段と、
前記マスクデータと前記断面形状入力手段によって入力された断面形状情報とに基づいて、前記３次元モデルを算出する３次元モデル算出手段と、
を備えることを特徴とする３次元デバイスシミュレーションシステム。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】簡易的なモデル生成の方法を説明するための図である。
【図２】マスクエッジの断面を指定したモデルを説明するための図である。
【図３】本発明を適用した３次元デバイスシミュレーションシステムの概要を説明するための図である。
【図４】３次元デバイスシミュレーションシステムにおいて実行される３次元デバイスシミュレーション処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】入力されるマスクデータの例を示す図である。
【図６】入力される製造プロセスデータの例を示す図である。
【図７】断面形状を２次関数で表した例を示す図である。
【図８】サブルーチン「デバイス形状の計算」の流れを示すフローチャートである。
【図９】サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の流れを示すフローチャートである。
【図１０】サブルーチン「マスクエッジ部分の形状の計算」の概要を説明するための図である。
【図１１】エッジスロープ形状の計算を説明するための図（その１）である。
【図１２】エッジスロープ形状の計算を説明するための図（その２）である。
【図１３】モデルの角部の生成方法を説明するための図（その１）である。
【図１４】モデルの角部の生成方法を説明するための図（その２）である。
【図１５】モデルの角部の生成方法を説明するための図（その３）である。
【図１６】本発明における３次元デバイスシミュレーションシステムのハードウェア構成を示す図である。
【図１７】本発明における３次元デバイスシミュレーションプログラムのコンピュータへのローディングを説明するための図である。
【図１８】従来の技術を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５６】
１１      下地層
１１ａ    投影部
１２      第１のマスクパターン
１２ａ    マスクエッジ
１３      第１のモデル
１４      第２のマスクパターン
１５      第２のモデル
３０      ３次元デバイスシミュレーションシステム
３１      計算条件入力部
３２      形状計算部
３３      計算結果出力部
３４      マスクデータ
３５      製造プロセスデータ
３６      断面形状データ
３７      モデルデータ
３１１    データ入力部
３１２    断面形状設定部
３１３    計算環境設定部
３３１    形状表示部
１６０１  ＣＰＵ
１６０２  メモリ
１６０３  入力装置
１６０４  出力装置
１６０５  外部記録装置
１６０６  媒体駆動装置
１６０７  ネットワーク接続装置
１６０９  バス
１６１０  可搬記録媒体
１７００  コンピュータ
１７０１  メモリ
１７１０  可搬記録媒体
１７２０  プログラム（データ）
【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１８】
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