(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に電気光学物質が挟持され、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられた樹脂膜と、該樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記一対の基板のうちの他方の基板上に設けられた遮光膜とを有し、
前記樹脂膜表面の前記光反射膜が設けられた領域には複数の凹部及び複数の凸部から成る第１凹凸パターンが設けられ、前記樹脂膜表面の前記遮光膜に対向する領域には複数の凹部及び複数の凸部から成る第２凹凸パターンが設けられ、前記第２凹凸パターンは前記第１凹凸パターンより小さい形状を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記一対の基板にはサブ画素が平面的に複数並べて設けられ、前記遮光膜は前記複数のサブ画素のうち互いに隣接するサブ画素同士の間に位置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記第２凹凸パターンの個々の前記凹部の深さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凹部の深さより浅く、前記第２凹凸パターンの個々の前記凸部の高さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凸部の高さより低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記第２凹凸パターンのピッチは前記第１凹凸パターンのピッチより小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記第２凹凸パターンの個々の前記凹部の深さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凹部の深さより浅く、前記第２凹凸パターンの個々の前記凸部の高さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凸部の高さより低く、前記第２凹凸パターンのピッチは前記第１凹凸パターンのピッチより小さいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記遮光膜の幅をａとし、前記第２凹凸パターンが設けられた領域の幅をｂとしたとき、
ａ≧ｂ
であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機といった各種の電子機器では、例えば、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、電気光学装置が用いられている。この電気光学装置としては、例えば、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する液晶表示装置等が多く用いられている。液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより表示が行われる。
【０００３】
上記の液晶表示装置には、個々の画素領域内の一部又は全域に光反射膜を設け、当該光反射膜によって反射された反射光を用いて表示を行うものがある。このように反射光を用いて表示を行う表示装置では、光が鏡面反射することを防止するために、一般に、光反射膜の下層となる樹脂膜の表面に、複数の凸部及び凹部から成る凹凸パターンが設けられている。また、互いに隣接する画素間において一方の画素から他方の画素に光が漏れないように、画素間に遮光膜が設けられていることが多い。
【０００４】
このような電気光学装置として、従来、互いに隣接する画素の間であって、遮光膜に対向する領域の樹脂膜に凸部を設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この電気光学装置では、互いに隣接する画素間に凸部を設けることにより、当該画素間に発生する電界に起因する電気光学物質の動作不良、例えば、液晶表示装置における液晶の配向不良等を防止している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９５１６６号公報（第１１頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、電気光学装置において、互いに隣接する画素間の樹脂膜の表面には、画素領域内と同じ凹凸パターンが設けられることがある。画素領域内に設けられる凹凸パターンは、光反射膜による反射率を上げて反射光を効率良く表示に利用するため、光散乱特性が広くなるように形成されていることが多い。このように、広い散乱特性の凹凸パターンが画素間に形成された場合には、一方の画素から入射した光が画素間に形成された凹凸パターンで反射して、隣接する他方の画素へ漏れるおそれがあった。こうなると、電気光学装置の表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【０００７】
また、特許文献１に開示された電気光学装置においても、互いに隣接する画素の間であって、遮光膜に対向する領域の樹脂膜に凸部を設けている。しかしながら、この凸部は隣接する画素間に発生する電界の影響を考慮したものであり、その凸部で反射する光が画素内に漏れることに関しては考慮されていない。そのため、画素内に漏れ出た光によって電気光学装置の表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、互いに隣接する画素間の領域で反射した光が画素領域内に漏れ出ることを防止することにより、電気光学装置及び電子機器における表示のコントラストが低下することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置は、互いに対向する一対の基板間に電気光学物質が挟持され、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられた樹脂膜と、該樹脂膜上に設けられた光反射膜と、前記一対の基板のうちの他方の基板上に設けられた遮光膜とを有し、前記樹脂膜表面の前記光反射膜が設けられた領域には複数の凹部及び複数の凸部から成る第１凹凸パターンが設けられ、前記樹脂膜表面の前記遮光膜に対向する領域には複数の凹部及び複数の凸部から成る第２凹凸パターンが設けられる電気光学装置である。この電気光学装置において、前記第２凹凸パターンは前記第１凹凸パターンより小さい形状を有する。
【００１０】
上記構成の電気光学装置において、一方の基板の樹脂膜上に設けられた光反射膜は、例えば室内光等といった外部光を反射してその光を表示に利用するためのものである。また、他方の基板に設けられた遮光膜は、例えば、一方の基板を透過した光や基板上の光反射膜で反射された光が不要な領域に出射しないために遮光するものである。
【００１１】
樹脂膜の表面に設けられた第１凹凸パターンは、例えば当該第１凹凸パターン上に設けられた光反射膜において反射する光を散乱させることができ、鏡面反射を防止したり、反射光の指向性を高めている。また、遮光膜に対向する領域内の樹脂膜の表面に設けられた第２凹凸パターンは、樹脂膜の表面で反射する光を散乱させることができる。また、第２凹凸パターンは、例えば照明装置等から供給された光が樹脂膜を透過する際にその透過光を散乱させることもできる。
【００１２】
上記の電気光学装置のように樹脂膜の表面に設けた凹凸パターンを用いて光を散乱させる場合、光の散乱角度は凹凸パターンの形状の大きさによって異なる。例えば、凹凸パターンの形状が大きければ、凹凸パターンによって散乱する光の散乱角度は大きくなり、凹凸パターンの散乱特性は広くなる。他方、凹凸パターンの形状が小さければ、凹凸パターンによって散乱される光の散乱角度は小さくなり、凹凸パターンの散乱特性は狭くなる。
【００１３】
この凹凸パターンの光散乱特性は、電気光学装置の表示の特性に関連している。図１５は、電気光学装置の表示部（すなわち、一対の基板から成る電気光学パネル）の光反射率と、その電気光学パネルに設けられた樹脂膜の凹凸パターンの光散乱特性の関係を示している。さらに、電気光学パネルにおける表示のコントラストと凹凸パターンの光散乱特性の関係を示している。実線で示す曲線は、電気光学パネルの光反射率の特性を示し、破線で示す曲線は電気光学パネルにおける表示のコントラストの特性を示している。
【００１４】
電気光学パネルの光反射率は、図１５において実線で示すように、凹凸パターンの光散乱特性が広狭の中間値の所で最も高くなっている。そして、凹凸パターンの光散乱特性が広い領域及び光散乱特性が狭い領域で光反射率が低くなる。他方、電気光学パネルの表示のコントラストは、図１５において破線で示すように、凹凸パターンの光散乱特性が狭い領域で最も高くなっている。そして、凹凸パターンの光散乱特性が広くなるとコントラストは低くなる。図１５から明らかなように、電気光学パネルの光反射率が最も高い点と電気光学パネルにおける表示のコントラストが最も高い点は一致していない。
【００１５】
仮に、電気光学パネルの表示を明るくするために、凹凸パターンの光散乱特性を広くする、すなわち凹凸パターンの形状を大きく設定する場合には、その電気光学パネルにおける表示のコントラストが低くなるおそれがある。これは、広い散乱特性の凹凸パターンによって散乱された光のうち遮光膜で遮光されるべき光が遮光膜以外の領域に漏れ出ることにより発生する。逆に、電気光学パネルのコントラストを高くするために、凹凸パターンの光散乱特性を狭くする、すなわち凹凸パターンの形状を小さく設定する場合には、その電気光学パネルにおける光反射率が低下して表示が暗くなるおそれがある。
【００１６】
本発明の電気光学装置では、一方の基板上に設けられた樹脂膜上に光反射膜を設け、当該光反射膜が設けられた領域の樹脂膜の表面に第１凹凸パターンを設けている。そしてさらに、一方の基板上に設けられた樹脂膜の表面であって、他方の基板上に設けられた遮光膜に対向する領域内に第２凹凸パターンを設けている。これらの、第１凹凸パターンと第２凹凸パターンとはその形状の大きさが異なっている。具体的には、第１凹凸パターンに対し、遮光膜に対向する領域に設けられた第２凹凸パターンは、その凹凸の形状が小さくなっている。従って、第２凹凸パターンの光散乱特性は第１凹凸パターンの光散乱特性に比べて狭くなっている。これにより、第２凹凸パターンで反射した光及び第２凹凸パターンを透過した光は広がりが小さくなり、対向する遮光膜に向けて散乱できるので、遮光膜が設けられた領域からそれ以外の領域、例えば電気光学装置の表示領域内に不要な光が漏れることを防止できる。その結果、電気光学装置の表示の明るさを高く維持した状態で、その電気光学装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００１７】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記一対の基板には表示の最小単位であるサブ画素が平面的に複数並べて設けられ、前記遮光膜は前記複数のサブ画素のうち互いに隣接するサブ画素同士の間に位置することが望ましい。
【００１８】
本発明態様において、遮光膜は、サブ画素間を遮光する要素、いわゆるブラックマスクとして機能することができる。このブラックマスクは、平面的に並べられたサブ画素間を遮光することにより、電気光学装置における表示のコントラストを向上させることができる。本発明態様において、サブ画素の領域内には第１凹凸パターンが設けられることになる。また、隣接するサブ画素同士の間の領域であって遮光膜に対向する領域内には、第１凹凸パターンより小さい形状の第２凹凸パターンが設けられることになる。第２凹凸パターンは第１凹凸パターンより狭い光散乱特性を有しているので、遮光膜に対向する領域はサブ画素の領域に比べて狭い光散乱特性を有することができる。
【００１９】
このように、互いに隣接するサブ画素間に設けられた遮光膜に対向する領域の光散乱特性を狭くすれば、第２凹凸パターンで反射した光及び第２凹凸パターンを透過した光を、第２凹凸パターンに対向する遮光膜に向けて散乱できる。その結果、サブ画素の領域内へ不要な光が漏れることを防止することができるので、電気光学装置の表示の明るさを高く維持した状態で、その電気光学装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００２０】
また、従来の電気光学装置では、互いに隣接するサブ画素間の領域の樹脂膜には凹凸パターンが設けられない構造のものがあった。このような電気光学装置では、一対の基板を組み合わせる際に位置がずれること、いわゆる組みズレが発生した場合、樹脂膜のうちの遮光されるべき領域とサブ画素の領域とが平面的に重なるおそれがある。こうなると、サブ画素の領域内であって、遮光されるべき領域と平面的に重なった部分で鏡面反射が起こり、当該部分の表示が暗くなる等の障害が発生するおそれがある。
【００２１】
このことに関し、本発明の電気光学装置においては、遮光膜に対向する領域の樹脂膜の表面に第２凹凸パターンを設けたので、一対の基板間において組みズレが発生して樹脂膜のうちの遮光すべき領域がサブ画素内に入ったとしても、その領域には第２凹凸パターンがあるので光を散乱することができ、サブ画素内で鏡面反射が起こることを防止して正確な表示を行うことができる。
【００２２】
次に、本発明に係る電気光学装置において、（１）前記第２凹凸パターンの個々の前記凹部の深さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凹部の深さより浅く、（２）前記第２凹凸パターンの個々の前記凸部の高さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凸部の高さより低いことが望ましい。ここで、凹部の深さとは、凹凸パターンを側面から見たときの凹部の底点から開口面までの距離とのことである。また、凸部の高さとは、凹凸パターンを側面から見たときの凸部の頂点から底面までの距離のことである。
【００２３】
本発明態様では、第２凹凸パターンを形成する個々の凹部の深さを第１凹凸パターンの個々の前記凹部の深さより浅くした。さらに、第２凹凸パターンを形成する個々の凸部の高さを第２凹凸パターンの個々の前記凹部の高さより低くした。従って、第２凹凸パターンの高さはその全域において第１凹凸パターンより低く、凹部及び凸部の斜面の傾斜がなだらかになっている。このように、遮光膜に対向する領域に設けられた第２凹凸パターンの高さを低くすれば、第２凹凸パターンの光散乱特性を狭く設定できる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記第２凹凸パターンのピッチは前記第１凹凸パターンのピッチより小さいことが望ましい。ここで凹凸パターンのピッチとは、凹凸パターンを形成する複数の凹部のうち互いに隣接する２つの凹部の底点間の距離、又は凹凸パターンを形成する複数の凸部のうち互いに隣接する２つの凸部の頂点間の距離である。本発明態様のように、第２凹凸パターンのピッチを小さくすれば、第２凹凸パターンの散乱特性を狭く設定できる。
【００２５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、（１）前記第２凹凸パターンの個々の前記凹部の深さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凹部の深さより浅く、（２）前記第２凹凸パターンの個々の前記凸部の高さは前記第１凹凸パターンの個々の前記凸部の高さより低く、（３）前記第２凹凸パターンのピッチは前記第１凹凸パターンのピッチより小さいことが望ましい。このように、第２凹凸パターンの高さを低くし、且つ第２凹凸パターンのピッチを小さくすれば、第２凹凸パターンの散乱特性をより一層確実に狭くできる。
【００２６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記遮光膜の幅をａとし、前記第２凹凸パターンが設けられた領域の幅をｂとしたとき、
ａ≧ｂ
であることが望ましい。こうすれば、仮に一対の基板間で組みズレが発生した場合でも、樹脂膜のうちの遮光膜によって遮光されるべき領域がサブ画素の領域内に平面視で重なることを確実に防止できるので、サブ画素内において表示が暗くなる等といった障害が発生することを確実に防止できる。
【００２７】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、光反射膜が設けられた領域に設けられた第１凹凸パターンの形状に対し、遮光膜に対向する領域に設けられた第２凹凸パターンの形状を小さくしたことにより、第２凹凸パターンの光散乱特性を第１凹凸パターンの光散乱特性に比べて狭く設定した。その結果、第２凹凸パターンで反射した光及び第２凹凸パターンを透過した光は対向する遮光膜の領域内に向けて散乱されるので、遮光膜が設けられた領域からそれ以外の領域、例えば表示領域内に不要な光が漏れることを防止し、電気光学装置の表示の明るさを高く維持した状態で、その電気光学装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示部における表示のコントラストが低下することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（電気光学装置の第１実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。
【００２９】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図２は、図１において矢印Ｚ１で示す部分を拡大して示している。また、図３（ａ）は、図２の矢印Ａに従った平面構造を示している。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）において矢印Ｂで示す部分を拡大して示している。また、図４は、図３（ａ）のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である。なお、図１は、図３（ａ）のＺ３−Ｚ３線に従った断面図である。
【００３０】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００３１】
液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。一方の基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、他方の基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板８が配置され、観察側から見て背面に素子基板７が配置される。
【００３２】
シール材６は素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に間隙、いわゆるセルギャップＧを形成する。シール材６はその一部に液晶注入口（図示せず）を有し、この液晶注入口を介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質である液晶が注入される。注入された液晶はセルギャップＧ内で電気光学物質の層としての液晶層１２を形成する。液晶注入口は液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。液晶の注入方法としては、上記のような液晶注入口を通して行う方法以外に、液晶注入口を持たない連続する環状のシール材６によって囲まれる領域内に液晶滴下する方法でもよい。
【００３３】
セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。
【００３４】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００３５】
素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ１で示す部分の拡大図である図２にも示すように、データ線１９が列方向Ｙ（すなわち、図２の左右方向）に延びている。そして、アクティブ素子として機能するスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。
【００３６】
このデータ線１９は、矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。データ線１９は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）等といった金属によって形成されている。また、ＴＦＤ素子３１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００３７】
それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上に、それらを覆う樹脂膜である層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３、画素電極２４、配向膜２６ａの順番で形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００３８】
層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００３９】
光反射膜２３及び画素電極２４は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、図３（ａ）に示すように、個々のＴＦＤ素子３１に接続されて各データ線１９に沿って設けられている。
【００４０】
図２のＴＦＤ素子３１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３１ａ及び３１ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素３１ａは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素３１ｂは、第１素子電極３２、絶縁膜３３、そして第２素子電極３４ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３２は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３３は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３４ａ，３４ｂは、例えばＣｒによって形成される。
【００４１】
図３（ａ）のうちのＴＦＤ素子３１の近傍を拡大して示す図である図３（ｂ）において、第１ＴＦＤ要素３１ａ内の第２素子電極３４ａはデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３１ｂ内の第２素子電極３４ｂは導電膜２７を介して画素電極２４に接続されている。データ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素３１ａと第２ＴＦＤ要素３１ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００４２】
第２ＴＦＤ要素３１ｂの第２素子電極３４ｂと画素電極２４とを導電接続する導電膜２７は、第２素子電極３４ｂから導出されており、その先端には面積の広い平面部分が形成されている。この平面部分は、図２に示すように、一部が層間絶縁膜２２に覆われ、他の一部が層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出している。この導電膜２７のうち、層間絶縁膜２２の１つの端部Ｅから外部に露出した部分（すなわち、図３（ｂ）の斜線部分）がコンタクト部２７ａである。図２において、表示の最小単位の領域をサブ画素Ｄと呼ぶことにすれば、層間絶縁膜２２が在る部分から層間絶縁膜２２が無い部分にわたってサブ画素Ｄの中に形成された画素電極２４が導電膜２７のコンタクト部２７ａに接触し、これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との間の電気的な接続が行われている。
【００４３】
本実施形態では、図２に示すように、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより画素電極２４の層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、以下のような利点を有する。
【００４４】
まず、ＴＦＤ素子３１とデータ線１９とを覆う層間絶縁膜２２を形成し、その層間絶縁膜２２上に画素電極２４を形成するものとしているため、画素電極２４とＴＦＤ素子３１、及び画素電極２４とデータ線１９の間の寄生容量を低減することができる。また、層間絶縁膜２２を介して画素電極２４とＴＦＤ素子３１、及び画素電極２４とデータ線１９とを積層構造にて形成しているため、ＴＦＤ素子３１及びデータ線１９を覆う形にて画素電極２４を構成することができ、画素電極２４をＴＦＤ素子３１及びデータ線１９と同一平面上に形成する場合に比して、画素電極２４を大きく構成することができ、ひいては有効画素領域を大きくとることができるようになる。
【００４５】
以上のような効果を齎す結果、非常に信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となり、特にこれを表示装置として用いた場合には、開口率の大きい視認性に優れた表示を実現することが可能となる。
【００４６】
図１において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００４７】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図２にも示すように、着色膜４１と遮光膜４２とが形成され、これら着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート膜４３が形成され、その上に帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。帯状電極４４は、図２の行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００４８】
着色膜４１はカラーフィルタを構成する要素であり、個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２は、図３（ａ）に示すように、列方向Ｙに延びる帯状に形成され、その帯状の遮光膜４２の複数本が、行方向Ｘに関して互いに隣接する着色膜４１の間に設けられている。
【００４９】
着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、異なる色の着色膜４１を重ねる、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）を使用することによって形成される。
【００５０】
図２において、着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、帯状電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。帯状電極４４は、矢印Ａ方向から見てカラーフィルタ基板８上に複数本が互いに平行に並ぶように設けられている。個々の帯状電極４４は行方向Ｘ（すなわち、紙面垂直方向）に延びている。図２において帯状電極４４の上に形成された配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の配向が決められる。
【００５１】
図１において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２４は矢印Ａ方向から平面的に見て、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４４は、行方向Ｘに並ぶ複数の画素電極２４と矢印Ａ方向から平面的に見て重なるようにストライプ状に並んでいる。画素電極２４と帯状電極４４とは矢印Ａ方向から見て重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５２】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５３】
図２において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｔは図３（ａ）に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域である。一方、領域Ｒはサブ画素Ｄ内の残りの領域であって、本実施形態では領域Ｔをコ字状に囲む領域である。
【００５４】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図２において矢印Ａ方向から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内の光反射膜２３で反射する。一方、図１の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００５５】
層間絶縁膜２２の表面の個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には、複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂが矢印Ａ方向から平面的に見てランダムに形成され、これにより第１の凹凸パターン３８が設けられている。また、図４において、層間絶縁膜２２の表面のカラーフィルタ基板８上の遮光膜４２に対向する領域には、複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂが矢印Ａ方向から平面的に見てランダムに形成され、これにより第２の凹凸パターン３９が設けられている。層間絶縁膜２２に設けられたこれらの第１凹凸パターン３８及び第２凹凸パターン３９に関しては後に詳しく説明する。
【００５６】
図２において、光反射膜２３は、第１凹凸パターン３８が形成されている層間絶縁膜２２の上に形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を呈している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００５７】
本実施形態の層間絶縁膜２２は、反射表示領域Ｒに設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【００５８】
次に、図１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部４５を有している。この張出し部４５の表面には、配線４６がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線４６は矢印Ａ方向から見て複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部４５の辺端には複数の外部接続用端子４７が紙面垂直方向に沿って互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。これらの外部接続用端子４７が設けられた張出し部４５の辺端に、例えば、ＦＰＣ基板（図示せず）が接続される。
【００５９】
複数の配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。これらの配線４６の一部は、シール材６によって囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びてデータ線１９に繋がっている。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６の中に含まれる導通材４８を介してカラーフィルタ基板８上の各帯状電極４４につながっている。
【００６０】
張出し部４５の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４９を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５０が実装されている。駆動用ＩＣ５０は、データ線１９へデータ信号を伝送し、帯状電極４４へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ５０は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ５０を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図１の紙面垂直方向に並べて実装される。
【００６１】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６２】
上記反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００６３】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を規制され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６４】
以下、図４の層間絶縁膜２２の表面に形成される凹凸パターンについて詳しく説明する。図５は、図４の層間絶縁膜２２の表面に設けられた凹凸パターンの形状を示す側面断面図である。図５（ａ）は、反射表示領域Ｒ内に設けられる第１凹凸パターン３８の形状を示している。また、図５（ｂ）は、遮光膜４２に対向して設けられる第２凹凸パターン３９の形状を示している。また、図６は、図２の素子基板７を矢印Ａ方向から平面的に観た図であって、主に、素子基板７上の層間絶縁膜２２とその表面に設けられた第１凹凸パターン３８及び第２凹凸パターン３９を示している。
【００６５】
図４において、層間絶縁膜２２の表面のサブ画素Ｄの反射表示領域Ｒ内には、複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂから成る第１凹凸パターン３８が設けられている。この第１凹凸パターン３８は、図６において平面的に示すように、反射表示領域Ｒの全域において複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂを不規則なパターン（すなわち、ランダムなパターン）に設けることによって形成されている。
【００６６】
この第１凹凸パターン３８の形状は、当該第１凹凸パターン３８を形成する凹部３８ａと凸部３８ｂの形状によって決めることができる。凹部３８ａの形状は、図５（ａ）において、凹部３８ａの深さｈ０と、第１凹凸パターン３８のピッチｕによって規定できる。凹部３８ａの深さｈ０は、当該凹部３８ａの底点Ｐ０から開口面Ｆ０までの距離である。また、第１凹凸パターン３８のピッチｕは、互いに隣接する凹部３８ａの底点Ｐ０間の距離ｕ０である。他方、凸部３８ｂの形状は、凸部３８ｂの高さｈ１と、第１凹凸パターン３８のピッチｕによって規定できる。凸部３８ｂの高さｈ１は、当該凸部３８ｂの底点Ｐ０から開口面Ｆ０までの距離である。また、第１凹凸パターン３８のピッチｕは、互いに隣接する凸部３８ｂの頂点Ｐ１間の距離ｕ１である。
【００６７】
次に、図４において、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域、すなわち、カラーフィルタ基板８の遮光膜４２に対向する領域の層間絶縁膜２２の表面には、複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂから成る第２凹凸パターン３９が設けられている。この第２凹凸パターンは、図６において平面的に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域であって、カラーフィルタ基板８の遮光膜４２に対向する領域内において、複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂが不規則なパターン（すなわち、ランダムなパターン）に形成されている。この第２凹凸パターン３９は、反射表示領域Ｒ内の第１凹凸パターン３８に比べて小さい形状に形成されている。
【００６８】
この第２凹凸パターン３９の形状は、当該第２凹凸パターン３９を形成する凹部３９ａと凸部３９ｂの形状によって決めることができる。凹部３９ａの形状は、図５（ｂ）において、凹部３９ａの深さｈ２と、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’によって規定できる。凹部３９ａの深さｈ２は、当該凹部３９ａの底点Ｐ２から開口面Ｆ２までの距離である。また、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’は、互いに隣接する凹部３９ａの底点Ｐ２間の距離ｕ２である。他方、凸部３９ｂの形状は、凸部３９ｂの高さｈ３と、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’によって規定できる。凸部３９ｂの高さｈ３は、当該凸部３９ｂの頂点Ｐ３から底面Ｆ３までの距離である。また、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’は、互いに隣接する凸部３９ｂの頂点Ｐ３間の距離ｕ３である。
【００６９】
本実施形態においては、図４に示すように、第２凹凸パターン３９は第１凹凸パターン３８より小さい形状を有している。具体的には、図５（ｂ）に示す第２凹凸パターン３９の凹部３９ａの深さｈ２が図５（ａ）に示す第１凹凸パターン３８の凹部３８ａの深さｈ０より浅くなっている。また、図５（ｂ）の第２凹凸パターン３９の凸部３９ｂの高さｈ３が図５（ａ）の第１凹凸パターン３８の凸部３８ｂの高さｈ１より低くなっている。
【００７０】
次に、図６において、第２凹凸パターン３９は、カラーフィルタ基板８に設けられた遮光膜４２に対向する領域内に設けられている。本実施形態において、カラーフィルタ基板８上の遮光膜４２は、列方向Ｙに延びる帯状に形成され、その帯状の遮光膜４２の複数本が、行方向Ｘに関して互いに隣接する着色膜４１の間に設けられている。ここで帯状に形成された遮光膜４２の幅を「ａ」とし、前記第２凹凸パターン３９が設けられた領域の幅を「ｂ」としたとき、
ａ≧ｂ
であることが望ましい。本実施形態では、
ａ＞ｂ
である場合を例示している。例えば、遮光膜４２の幅ａを８μｍとし、第２凹凸パターン３９が設けられた領域の幅ｂを４μｍとすることができる。
【００７１】
ところで、従来の液晶表示装置においては、層間絶縁膜の表面であって光反射膜が設けられた領域と、同じく層間絶縁膜の表面であって互いに隣接するサブ画素間の領域とは、同じ大きさの凹凸パターンが設けられていることがある。この場合の凹凸パターンは、例えば光反射膜において反射する光の反射率を高くしてその反射光を効率良く表示に利用するために光散乱特性が広くなるように形成されることが多い。例えば、図１５において、実線の曲線で示す液晶パネルの光反射率がその曲線の最高点になるように凹凸パターンの光散乱特性を広く設定する。
【００７２】
このように散乱特性が広い凹凸パターンがサブ画素間の領域に形成された場合には、一方のサブ画素から入射した光がサブ画素間の領域に形成された凹凸パターンで反射して、隣接する他方のサブ画素へ漏れるおそれがあった。こうなると、図１５において破線の曲線で示すように、液晶表示装置の表示のコントラストが低下するおそれがあった。
【００７３】
これに対し、本実施形態の液晶表示装置では、図６に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域内であって、遮光膜４２に対向する領域内の層間絶縁膜２２の表面に設けられた第２凹凸パターン３９は、反射表示領域Ｒの第１凹凸パターン３８より小さい形状を有している。これにより、第２凹凸パターン３９の光散乱特性を第１凹凸パターン３８の光散乱特性より狭くすることができる。具体的には、図４に示すように、第１凹凸パターン３８上に設けられた光反射膜２３によって反射する光Ｌ０は広角度の範囲に散乱するが、第２凹凸パターン３９において反射する光Ｌ２及び第２凹凸パターン３９を通過する光Ｌ３は狭い角度の範囲内に散乱することができる。
【００７４】
従って、第２凹凸パターン３９を小さい形状に形成して光散乱特性を狭くすれば、仮にサブ画素Ｄから第２凹凸パターン３９が設けられた領域へ光Ｌ２が入射されても、その光Ｌ２を対向する遮光膜４２の領域内に向けて散乱できる。また、仮に、照明装置３（図１参照）からの光Ｌ３が第２凹凸パターン３９を透過しても、第２凹凸パターン３９は狭い光散乱特性を有しているので、光Ｌ３を対向する遮光膜４２の領域内へ向けて散乱できる。その結果、一方のサブ画素Ｄから入射した光が隣接する他方のサブ画素Ｄとの間の領域に形成された第２凹凸パターン３９で反射して、隣接する他方のサブ画素Ｄへ漏れ出ることを防止できるので、液晶表示装置の表示の明るさを高く維持した状態で、液晶表示装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【００７５】
またさらに、本実施形態では、図６において、カラーフィルタ基板８に設けられた遮光膜４２の幅を「ａ」とし、その遮光膜４２に対向する領域のうち、第２凹凸パターン３９が設けられた領域の幅を「ｂ」としたとき、それら「ａ」と「ｂ」の関係が
ａ＞ｂ
となるように設定した。これにより、仮に、図４において素子基板７とカラーフィルタ基板８との間で組みズレが発生した場合でも、遮光膜４２によって遮光されるべき領域がサブ画素Ｄの領域内に平面視で重なることを確実に防止できる。それ故、サブ画素Ｄ内において、表示が暗くなる等といった障害が発生することを確実に防止できる。
【００７６】
（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態について説明する。図１に示す実施形態では、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用した。本実施形態では、３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用する場合を例示する。なお、本実施形態では、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いるものとする。
【００７７】
図７は、本発明に係る液晶表示装置の全体の側面断面構造を示している。また、図８は、図７において矢印Ｚ４で示す部分を拡大して示している。また、図９は、図７の矢印Ａに従った平面構造を示している。また、図１０は、図９のＺ５−Ｚ５線に従った断面図であり、主にＴＦＴ素子を示している。なお、図７は、図９のＺ６−Ｚ６線に従った断面図である。図７〜図１０において図１〜図６に示した要素と同じ要素は同じ符号を用いて示すことにして、その要素の説明は省略するものとする。
【００７８】
図７において、液晶表示装置５１は、電気光学パネルである液晶パネル５２と、この液晶パネル５２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置５１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル５２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００７９】
液晶パネル５２は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板５７及び５８を有する。基板５７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板５８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。本実施形態では、観察側にカラーフィルタ基板５８が配置され、観察側から見て背面に素子基板５７が配置される。
【００８０】
素子基板５７は、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成された第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、矢印Ｚ４で示す部分の拡大図である図８にも示すように、ソース線５９が列方向Ｙ（すなわち、図８の左右方向）に延びている。また、ゲート線６０が行方向Ｘ（すなわち、図８の紙面垂直方向）に延びている。そして、スイッチング素子として機能するアクティブ素子であるＴＦＴ素子６１がソース線５９及びゲート線６０に接続して形成されている。
【００８１】
それらのＴＦＴ素子６１、ソース線５９及びゲート線６０の上に、それらを覆う保護膜６２が形成され、その上に第１樹脂膜としての凹凸樹脂膜６３が形成され、その上に光反射膜６４が形成され、その上に画素電極６５が形成され、その上に配向膜６６ａが形成されている。この配向膜６６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板５７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００８２】
通常、保護膜６２は、透光性と絶縁性を有する窒化膜（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２）を用いて形成される。また、凹凸樹脂膜６３は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。
【００８３】
光反射膜６４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。画素電極６５は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成されている。また、配向膜６６ａは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成されている。
【００８４】
光反射膜６４及び画素電極６５は、矢印Ａ方向から平面的に見て素子基板５７上に行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜６４及び画素電極６５は、図９に示すように、各ソース線５９と各ゲート線６０とが交差する位置の近傍に設けられていて、個々のＴＦＴ素子６１に接続されている。
【００８５】
図８において、保護膜６２及び凹凸樹脂膜６３には、画素電極６５とＴＦＴ素子６１とを電気的に接続するための開口部として貫通穴であるコンタクトホール６７が形成されている。このコンタクトホール６７は、矢印Ａ方向から平面的に見てＴＦＴ素子６１の素子本体部分に重ならない位置であって、画素電極６５と重なる位置に形成される。
【００８６】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子６１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子６１は、図１０に示すように、ゲート電極７１、ゲート絶縁膜７２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）によって形成された半導体膜７３、Ｎ＋−Ｓｉ膜７４ａ，７４ｂ、ソース電極７５、ドレイン電極７６を有する。本実施形態のＴＦＴ素子６１は、ボトムゲート構造及びシングルゲート構造のチャネルエッチ型のＴＦＴ素子として構成されている。
【００８７】
ＴＦＴ素子６１から少し離れて補助容量７７が設けられている。この補助容量７７は画素電極６５に付随する容量が小さくなり過ぎることを防止するために設けられるものである。この補助容量７７は、ゲート電極７１と同じ層内に同じ材料によって形成された第１電極７１ａと、ゲート絶縁膜７２と同じ層内に同じ材料によって形成されていて第１電極７１ａを覆う絶縁膜７２ａと、ドレイン電極７６と同じ層内に形成されていて絶縁膜７２ａを覆う第２電極７６ａとによって構成されている。図９に示すように、第１電極７１ａは、ゲート線６０に平行で、ソース線５９に交差して延びている。また、第２電極７６ａは面積の広い長方形状に形成されている。
【００８８】
図１０において、ドレイン電極７６は、その一端がＮ＋−Ｓｉ膜７４ｂを介して半導体膜７３に接続し、その他端が補助容量７７の第２電極７６ａとなる所まで延びている。また、ドレイン電極７６はコンタクトホール６７を介して画素電極６５に電気的に接続し、ソース電極７５は、図９に示すように、ソース線５９から分岐して形成されている。ゲート電極７１は、ソース線５９と直角方向に延びるゲート線６０から分岐して延びている。
【００８９】
図１０において、画素電極６５の下に保護膜６２と凹凸樹脂膜６３とから成る層間絶縁膜を設けることにより、画素電極６５の層とＴＦＴ素子６１の層は別々の層に分けられている。これにより、画素電極６５とＴＦＴ素子６１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極６５の層とＴＦＴ素子６１の層とを別層とすることにより、画素電極６５の面積、すなわち画素面積をＴＦＴ素子６１によって阻害されることなく大きくすることができ、そのため、液晶表示装置において鮮明な表示を行うことができる。
【００９０】
次に、図７において、素子基板５７に対向するカラーフィルタ基板５８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２基板としての第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが貼り付けられている。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００９１】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図８にも示すように、カラーフィルタを構成する着色膜８１が形成され、その周囲に遮光膜８２が形成され、着色膜８１及び遮光膜８２の上に第２樹脂膜としてのオーバーコート膜８３が形成され、その上に共通電極８４が形成され、その上に配向膜６６ｂが形成されている。オーバーコート膜８３は、カラーフィルタを保護する保護膜として機能する。配向膜６６ｂは、例えばポリイミド等を印刷等によって塗布することによって形成される。
【００９２】
個々の着色膜８１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜８１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜８２はそれらの着色膜８１を囲む格子状に形成されている。
【００９３】
着色膜８１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜８１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列で並べられている。着色膜８１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜８２は、異なる色の着色膜８１を重ねたり、あるいは、所定の材料（例えば、Ｃｒ）によって形成される。
【００９４】
図７において、共通電極８４は、カラーフィルタ基板５８の表面の全面に設けられている。一方、素子基板５７上に設けられた複数の画素電極６５は矢印Ａ方向から平面的に見て行方向Ｘ及び列方向Ｙに沿ってマトリクス状に並んでいる。これらの画素電極６５とカラーフィルタ基板５８上に設けられた共通電極８４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合った領域が表示のためのサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖ内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００９５】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜８１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜８１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。
【００９６】
図８において、光反射膜６４は、例えばフォトエッチング処理によって形成される。この光反射膜６４はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図９に示すようにサブ画素Ｄ内の一部の長方形状の領域であり、領域Ｔはサブ画素Ｄ内の残りの長方形状の領域である。
【００９７】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜６４が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜６４が存在しない領域が透過表示領域Ｔである。反射表示領域Ｒはサブ画素Ｄの片側の領域であり、透過表示領域Ｔはサブ画素Ｄの残りの片側の領域であり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界線はサブ画素Ｄを行方向Ｘに横切る線（本実施形態では直線）となっている。図８において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒにおいて光反射膜６４で反射する。一方、図７の照明装置３の導光体１４から出射した図２の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００９８】
凹凸樹脂膜６３の表面であって個々のサブ画素Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する部分には複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂが矢印Ａ方向から見て平面的にランダムに形成され、これにより凹凸樹脂膜６３の表面に第１凹凸パターン３８が形成されている。光反射膜６４は、そのような凹凸パターン３８が形成されている凹凸樹脂膜６３の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンの形状を有している。このように光反射膜６４に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜６４で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。また、凹凸樹脂膜６３の表面であってカラーフィルタ基板５８上の遮光膜８２に対向する領域には、複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂが矢印Ａ方向から平面的に見てランダムに形成され、これにより第２の凹凸パターン３９が設けられている。凹凸樹脂膜６３に設けられた第１凹凸パターン３８及び第２凹凸パターン３９に関しては後に詳しく説明する。
【００９９】
カラーフィルタ基板５８上のオーバーコート膜８３は反射表示領域Ｒ内に設けられており、透過表示領域Ｔ内には設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われる。但し、“Δｎ”は屈折率異方性、“ｄ”は液晶層厚を示している。
【０１００】
次に、図７において、第１透光性基板７ａの張出し部４５の表面に設けられた配線４６は、シール材６に囲まれた領域内に向けて列方向Ｙに延びるように形成されている。配線４６の一部は、素子基板７上のソース線５９（図８参照）に直接に繋がってデータ線として機能する。また、複数の配線４６の他の一部は、シール材６によって囲まれた領域内で素子基板７の側辺に沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲って行方向Ｘに延びるように形成されている。配線４６は、素子基板７上のゲート線６０（図８参照）に直接に繋がって走査線として機能する。
【０１０１】
図７の張出し部４５の表面に実装される駆動用ＩＣ４９は、ソース線５９へデータ信号を伝送し、ゲート線６０へ走査信号を伝送する。駆動用ＩＣ４９は１つのＩＣチップで形成しても良いし、必要に応じて複数のＩＣチップで形成しても良い。駆動用ＩＣ４９を複数のＩＣチップによって構成する場合には、それらのＩＣチップは張出し部４５上で図７の紙面垂直方向に並べて実装される。
【０１０２】
以上のように構成された液晶表示装置５１によれば、図７において、液晶表示装置５１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置５１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【０１０３】
上記の反射型表示を行う場合、図８において、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板５８を通して液晶パネル５２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板５７内へ入った後、反射表示領域Ｒの光反射膜６４で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図７の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。図８の符号Ｌ１で示す出射光は、透過表示領域Ｔにおいて光反射膜６４が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【０１０４】
以上のように液晶層１２へ光が供給されると、素子基板５７の画素電極６５とカラーフィルタ基板５８の共通電極８４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御される。この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板５８の偏光板１８ｂ（図７参照）を通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性によりサブ画素Ｄごとに通過を規制され、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【０１０５】
本実施形態においても、図４に示した先の実施形態と同様に、図８の樹脂膜６３の表面には複数の凹部及び複数の凸部から成る凹凸パターンが設けられている。具体的には、反射表示領域Ｒ内の凹凸樹脂膜６３の表面には第１凹凸パターン３８が設けられている。そして、凹凸樹脂膜６３の表面であってカラーフィルタ基板５８上の遮光膜８２に対向する領域には第２凹凸パターン３９が設けられている。
【０１０６】
図１１は、図８の液晶パネル５２を矢印Ａ方向から平面的に示す図であり、主に、素子基板５７上の凹凸樹脂膜６３と、その表面に設けられた第１凹凸パターン３８及び第２凹凸パターン３９を示している。第１凹凸パターン３８は、図１１で平面的に示すように、反射表示領域Ｒの全域において複数の凹部３８ａ及び複数の凸部３８ｂが不規則なパターン（すなわち、ランダムなパターン）に形成されている。この第１凹凸パターン３８は、図５（ａ）に示した先の実施形態と同じ形状とすることができる。
【０１０７】
また、第２凹凸パターン３９は、図１１に平面的に示すように、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域であって、カラーフィルタ基板８の遮光膜４２に対向する領域内において、複数の凹部３９ａ及び複数の凸部３９ｂが不規則なパターン（すなわち、ランダムなパターン）に形成されている。この第２凹凸パターン３９は、図５（ｂ）に示した先の実施形態と同じ形状とすることができる。
【０１０８】
本実施形態において、第２凹凸パターン３９は、図４に示すように第１凹凸パターン３８より小さい形状を有している。具体的には、図５（ｂ）に示す第２凹凸パターン３９の凹部３９ａの深さｈ２が、図５（ａ）に示す第１凹凸パターン３８の凹部３８ａの深さｈ０より浅くなっている。また、図５（ｂ）の第２凹凸パターン３９の凸部３９ｂの高さｈ３が、図５（ａ）の第１凹凸パターン３８の凸部３８ｂの高さｈ１より低くなっている。また、図５（ｂ）の第２凹凸パターン３９のピッチｕ’が、図５（ａ）の第１凹凸パターン３８のピッチｕより小さくなっている。
【０１０９】
次に、図１１において、第２凹凸パターン３９は、カラーフィルタ基板５８に設けられた遮光膜８２に対向する領域内に設けられている。本実施形態において、カラーフィルタ基板５８上の遮光膜８２は、サブ画素Ｄを囲む格子状に設けられている。ここで遮光膜８２の幅を「ａ」、前記第２凹凸パターン３９が設けられた領域の幅を「ｂ」としたとき、
ａ≧ｂ
であることが望ましい。本実施形態では、
ａ＞ｂ
である場合を例示している。
【０１１０】
本発明に係る電気光学装置としての液晶表示装置では、図１１に示すように、凹凸樹脂膜６３の表面にあり、互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間に設けられた遮光膜８２に対向する領域内に設けられた第２凹凸パターン３９は、反射表示領域Ｒ内の凹凸樹脂膜６３の表面に設けられた第１凹凸パターン３８より小さい形状を有している。これにより、第２凹凸パターン３９の光散乱特性を第１凹凸パターン３８の光散乱特性より狭くすることができる。具体的には、図８に示すように、第１凹凸パターン３８上に設けられた光反射膜６４によって反射する光Ｌ０は広角度の範囲に散乱するが、第２凹凸パターン３９において反射する光Ｌ２及び第２凹凸パターン３９を通過する光Ｌ３は狭い角度の範囲内に散乱することができる。
【０１１１】
従って、第２凹凸パターン３９を小さい形状に形成して光散乱特性を狭くすれば、サブ画素Ｄから第２凹凸パターン３９が設けられた領域へ光Ｌ２が入射されても、その光Ｌ２を対向する遮光膜８２の領域内に向けて散乱できる。また、照明装置３（図７参照）からの光Ｌ３が第２凹凸パターン３９を透過しても、第２凹凸パターン３９は狭い光散乱特性を有することから、光Ｌ３を対向する遮光膜８２の領域内へ向けて散乱できる。その結果、一方のサブ画素Ｄから入射した光が隣接する他方のサブ画素Ｄとの間の領域に形成された第２凹凸パターン３９で反射して、隣接する他方のサブ画素Ｄへ漏れることを防止できるので、液晶表示装置の表示の明るさを高く維持した状態で、液晶表示装置の表示のコントラストが低下することを防止できる。
【０１１２】
さらに、本発明では、図１１において、カラーフィルタ基板５８に設けられた遮光膜８２の幅を「ａ」とし、その遮光膜８２に対向する領域のうち、第２凹凸パターン３９が設けられた領域の幅を「ｂ」としたとき、それら「ａ」と「ｂ」の関係が
ａ＞ｂ
となるように設定した。これにより、仮に、図８において素子基板５７とカラーフィルタ基板５８との間で組みズレが発生した場合でも、遮光膜８２によってサブ画素Ｄの領域内への光漏れを確実に防止できる。それ故、サブ画素Ｄ内において、表示が暗くなる等といった障害が発生することを確実に防止できる。
【０１１３】
（電気光学装置に関するその他の実施形態）
上記に実施形態を挙げて本発明に係る電気光学装置を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１１４】
例えば、上記実施形態では、図５（ｂ）に示すように、第２凹凸パターン３９の凹部３９ａの深さｈ２を第１凹凸パターン３８の凹部３８ａの深さｈ０より浅くし、且つ第２凹凸パターンの凸部３９ｂの高さｈ３を第１凹凸パターン３８の凸部３８ｂの高さｈ１より低くし、且つ第２凹凸パターン３９のピッチｕ’を第１凹凸パターン３８のピッチｕより小さくした場合を例示した。
【０１１５】
また、本発明において、第２凹凸パターン３９の形状は図５（ｂ）に示す形状に限られることはない。例えば、図１２（ａ）に示すように、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’は第１凹凸パターン３８のピッチｕと同じとすることができる。そして、第２凹凸パターン３９の凹部３９ａの深さｈ２を第１凹凸パターン３８の凹部３８ａの深さｈ０より浅くし、且つ第２凹凸パターンの凸部３９ｂの高さｈ３を第１凹凸パターン３８の凸部３８ｂの高さｈ１より低くすることができる。
【０１１６】
図１２（ｂ）に示すように、第２凹凸パターン３９のピッチｕ’のみを第１凹凸パターン３８のピッチｕより小さくすることもできる。この場合には、第２凹凸パターン３９の凹部３９ａの深さｈ２と第１凹凸パターン３８の凹部３８ａの深さｈ０とは同じとすることができ、且つ第２凹凸パターンの凸部３９ｂの高さｈ３を第１凹凸パターン３８の凸部３８ｂの高さｈ１とは同じ高さとすることもできる。上記いずれの実施形態においても、第２凹凸パターン３９の光散乱特性を第１凹凸パターン３８の光散乱特性を狭くできる。
【０１１７】
また、上記実施形態は、チャネルエッチ型でシングルゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子をスイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用したものであるが、本発明はチャネルエッチ型以外のアモルファスシリコンＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用できる。また、本発明は、アモルファスシリコンＴＦＴ素子以外のＴＦＴ素子、例えば高温ポリシリコンＴＦＴ素子や、低温ポリシリコンＴＦＴ素子等をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。
【０１１８】
本発明は、シングルゲート構造以外のＴＦＴ素子、例えばダブルゲート構造又はマルチゲート構造のＴＦＴ素子を用いる液晶表示装置にも適用でき、上記実施形態は３端子型スイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いる電気光学装置に本発明を適用したものであるが、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等といった２端子型スイッチング素子を用いる電気光学装置にも適用できる。
【０１１９】
（電子機器の第１実施形態）
以下、本発明に係る電子機器の実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１２０】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。
【０１２１】
表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。
【０１２２】
次に、表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１２３】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１又は図７に示した液晶表示装置５１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１及び図７の液晶表示装置５１は、光反射膜が設けられた領域の第１凹凸パターン３８の形状に対し、遮光膜に対向する領域の第２凹凸パターン３９の形状を小さくしたことにより、第２凹凸パターン３９の光散乱特性を第１凹凸パターン３８の光散乱特性より狭くすることができる。その結果、第２凹凸パターン３９で反射した光及び第２凹凸パターン３９を透過した光が、対向する遮光膜の領域内に向けて散乱されるので、遮光膜が設けられた領域からそれ以外の領域、例えばサブ画素Ｄ内への不要な光漏れを防止し、液晶表示装置１，５１の表示のコントラスト低下を防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示部における表示のコントラスト低下を防止できる。
【０１２４】
（電子機器の第２実施形態）
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２の表示画面１１４によって視認でき、本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【０１２５】
表示体部１１２の一端部には伸縮自在のアンテナ１１６が取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【０１２６】
表示装置１１３は、例えば、図１又は図７に示した液晶表示装置１・５１を用いた構成である。図１及び図７の液晶表示装置１・５１は、光反射膜が設けられた領域の第１凹凸パターン３８の形状に対し、遮光膜に対向する領域に設けられた第２凹凸パターン３９の形状を小さくすることにより、第２凹凸パターン３９の光散乱特性を第１凹凸パターン３８の光散乱特性に比べて狭く設定できる。その結果、第２凹凸パターン３９で反射した光及び第２凹凸パターン３９を透過した光は対向する遮光膜の領域内に向けて散乱され、遮光膜が設けられた領域からそれ以外の領域、例えばサブ画素Ｄ内への不要な光漏れを防止でき、液晶表示装置１，５１の表示のコントラスト低下を防止できる。従って、本発明に係る電子機器においても、電子機器の表示部の表示のコントラスト低下を防止できる。
【０１２７】
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す側面断面図。
【図２】図１の矢印Ｚ１で示す部分の拡大断面図。
【図３】図２の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及び周辺の平面構造を示す平面図。
【図４】図３のＺ２−Ｚ２線に従う断面図。
【図５】凹凸パターンの形状を示す側面断面図。（ａ）は第１凹凸パターンを示し、（ｂ）は第２凹凸パターンを示す側面断面図。
【図６】図２の層間絶縁膜を矢印Ａに従う平面図。
【図７】本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を示す側面断面図。
【図８】図７の矢印Ｚ４で示す部分を拡大断面図。
【図９】図８の矢印Ａに従い素子基板上の１つのサブ画素及び周辺の平面構造を示す平面図。
【図１０】図９のＺ５−Ｚ５線に従う断面図。
【図１１】図８の凹凸樹脂膜を矢印Ａに従う平面図。
【図１２】第２凹凸パターンの他の実施形態を示す側面断面図。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図。
【図１４】本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図。
【図１５】電気光学装置における表示のコントラストと光反射率の特性を示す図。
【符号の説明】
【０１２９】
１，５１．液晶表示装置（電気光学装置）、  
２，５２．液晶パネル（電気光学パネル）、  ３．照明装置、  ６．シール材、  
７，５７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８，５８．カラーフィルタ基板、  
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ（光源）、  １４．導光体、
１４ａ．光入射面、  １４ｂ．光出射面、  １６．光反射層、  １７．光拡散層、  
１８ａ，１８ｂ．偏光板、  １９．データ線、  ２２．層間絶縁膜（樹脂膜）、  
２３，６４．光反射膜、  ２４，６５．画素電極、  
２６ａ，２６ｂ，６６ａ，６６ｂ．配向膜、  ２７．導電膜、  ２７ａ．コンタクト部、
３１．ＴＦＤ素子、  ３１ａ．第１ＴＦＤ要素、  ３１ｂ．第２ＴＦＤ要素、
３２．第１素子電極、  ３３．絶縁膜、  ３４ａ，３４ｂ．第２素子電極、
３８．凹凸パターン、  ３８ａ．凹部、  ３８ｂ．凸部、  ４１，８１．着色膜、
４２，８２．遮光膜、  ４３，８３．オーバーコート膜、  ４４．帯状電極、  
４５．張出し部、  ４６．配線、  ４７．外部接続用端子、  ４８．導通材、  
４９．ＡＣＦ、  ５０．駆動用ＩＣ、  ５９．ゲート線６０．データ線、  
６１．ＴＦＴ素子、  ６２．保護膜、  ６３．凹凸樹脂膜（樹脂膜）、  
７１．ゲート電極、  ７２．ゲート絶縁膜、  ７３．半導体層、  
７４ａ，７４ｂ．Ｎ＋−Ｓｉ膜、  ８４．共通電極、
１０１．液晶表示装置（電気光学装置）、  １０２．制御回路、  
１０３．液晶パネル（電気光学パネル）、  １０４．駆動回路、  
１１０．携帯電話機（電子機器）、  Ｄ．サブ画素、  Ｆ０，Ｆ２．凹部の開口面、
Ｆ１，Ｆ３．凸部の底面、  Ｇ．セルギャップ、  ｈ０，ｈ２．凹部の深さ、
ｈ１，ｈ３．凸部の高さ、  Ｌ０，Ｌ１．光、  Ｐ０，Ｐ２．凹部の底点、  
Ｐ１，Ｐ３．凸部の頂点、  Ｒ．反射表示領域、  Ｔ．透過表示領域、  
ｔ０，ｔ１．層厚、  ｕ，ｕ’，ｕ０，ｕ１，ｕ２，ｕ３．凹凸パターンのピッチ、
Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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