(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１偏光膜と、第２位相差膜と、第１位相差膜と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとが該順で配置され、かつ、第２偏光膜を含み、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、
前記第１位相差膜の厚み方向のレターデーション値が−１０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、第１位相差膜の面内レターデーション値が５０ｎｍ以下であり、第２位相差膜の厚み方向のレターデーション値が０ｎｍ〜−１００ｎｍであり、第２位相差膜の面内レターデーション値が５０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、
前記第２位相差膜が下記式（１）で表される分極率異方性Δαが２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3である置換基を有し、脂肪酸アシル基と芳香族アシル基とを含む混合酸エステルからなり、アシル基の総置換度ＰＡが１．５〜３．０であり、芳香族アシル基の置換度が０．１〜１．１であるセルロースアシレートフィルムであって、前記芳香族アシル基が、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とするセルロースアシレートフィルムからなり、前記第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向と平行であって、前記第２位相差膜の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸に実質的に直交である液晶表示装置。
式（１） Δα＝αｘ−（αｙ＋αｚ）／２
（式（１）中、αｘ、αｙおよびαｚは、それぞれ、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値であり、αｘ≧αｙ≧αｚを満足する）
一般式（Ｉ）
【化１】
0004637698.tif 000035
（一般式（Ｉ）中、Ｘは、一価の置換基を表し、ｎは、０〜５の整数を表す。）
【請求項２】
前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向のレターデーション値が４０ｎｍ〜−４０ｎｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向のレターデーション値が２０ｎｍ〜−２０ｎｍである、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚みが６０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムまたはノルボルネン系フィルムである請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２位相差膜が、前記第１偏光膜に隣接している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差膜および前記第２位相差膜が、配置されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
第２位相差膜が延伸処理されたセルロースアシレートフィルムからなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光板一体型光学補償フィルムおよび液晶表示装置に関し、特に水平方向に配向した液晶分子に略横方向の電界を印加することにより表示を行う、いわゆるインプレーンスイッチング（ＩＰＳ）モードやフリンジフィールド（ＦＦＳ）モードの液晶表示装置およびこれに用いる偏光板一体型光学補償フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置としては、二枚の直交した偏光板の間に、ネマチック液晶をツイスト配列させた液晶層を挟み、電界を基板に対して垂直な方向にかける方式、いわゆるＴＮモードが広く用いられている。この方式では、黒表示時に液晶が基板に対して立ち上がるために、斜めから見ると液晶分子による複屈折が発生し、光漏れが起こる。この問題に対して、液晶性分子がハイブリッド配向したフィルムを用いることで、液晶セルを光学的に補償し、この光漏れを防止する方式が実用化されている。しかし、液晶性分子を用いても液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しく、画面下方向での諧調反転が抑えきれないという問題を生じていた。
【０００３】
かかる問題を解決するため、横電界を液晶に対して印加する、いわゆるインプレーンスイッチングモードやフリンジフィールドモードによる液晶表示装置や、誘電率異方性が負の液晶を垂直配向してパネル内に形成した突起やスリット電極によって配向分割した垂直配向（ＶＡ）モードが提案され、実用化されている。近年、これらのパネルはモニター用途に留まらず、ＴＶ用途として開発が進められており、それに伴って画面の輝度が大きく向上してきている。このため、これらの動作モードで従来問題とされていなっかった、黒表示時の対角位斜め入射方向での僅かな光漏れが表示品質の低下の原因として顕在化してきた。
【０００４】
この色調や黒表示の視野角を改善する手段の一つとして、液晶層と偏光板の間に複屈折特性を有する光学補償材料を配置することがＩＰＳモードにおいても検討されている。例えば、傾斜時の液晶層のレターデーションの増減を補償する作用を有する光軸を互いに直交した複屈折媒体を基板と偏光板との間に配置することで、白表示または中間調表示を斜め方向から直視した場合の色付きが改善できることが開示されている（特許文献１参照）。また、負の固有複屈折を有するスチレン系ポリマーやディスコティック液晶性化合物からなる光学補償フィルムを使用した方法（特許文献２、３、４参照）や、光学補償フィルムとして複屈折が正で光学軸がフィルムの面内にある膜と複屈折が正で光学軸がフィルムの法線方向にある膜とを組み合わせる方法（特許文献５参照）、レターデーションが二分の一波長の二軸性の光学補償シートを使用する方法（特許文献６参照）、偏光板の保護膜として負のレターデーションを有する膜を使い、この表面に正のレターデーションを有する光学補償層を設ける方式（特許文献７参照）が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−８０４２４号公報
【特許文献２】特開平１０−５４９８２号公報
【特許文献３】特開平１１−２０２３２３号公報
【特許文献４】特開平９−２９２５２２号公報
【特許文献５】特開平１１−１３３４０８号公報
【特許文献６】特開平１１−３０５２１７号公報
【特許文献７】特開平１０−３０７２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、提案された方式の多くは、液晶セル中の液晶の複屈折の異方性を打ち消して視野角を改善する方式であるために、直交偏光板を斜めから見た場合の偏光軸交差角度の直交からのズレに基づく光漏れを十分に解決できないという問題がある。また、この光漏れを補償できるとされる方式でも、液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しい。さらに、延伸複屈折ポリマーフィルムで光学補償を行うＩＰＳモード液晶セル用光学補償シートでは、複数のフィルムを用いる必要があり、その結果、光学補償シートの厚さが増し、表示装置の薄形化に不利である。また、延伸フィルムの積層には粘着層を用いるため、温湿度変化により粘着層が収縮してフィルム間の剥離や反りといった不良が発生することがあった。
【０００７】
本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、簡易な構成で、表示品位のみならず、視野角特性が著しく改善されたＩＰＳ型液晶表示装置を提供することを課題とする。また、本発明は、液晶表示装置、特にＩＰＳ型液晶表示装置の視野角特性の改善に寄与する偏光板一体型光学補償フィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段は以下の通りである。
（１）少なくとも、第１偏光膜と、第２位相差膜と、第１位相差膜と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルとが該順で配置され、かつ、第２偏光膜を含み、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、前記第１位相差膜の厚み方向のレターデーション値が−１０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、第１位相差膜の面内レターデーション値が５０ｎｍ以下であり、第２位相差膜の厚み方向のレターデーション値が０ｎｍ〜−１００ｎｍであり、第２位相差膜の面内レターデーション値が５０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、前記第２位相差膜が下記式（１）で表される分極率異方性Δαが２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3である置換基を有し、脂肪酸アシル基と芳香族アシル基とを含む混合酸エステルからなり、アシル基の総置換度ＰＡが１．５〜３．０であり、芳香族アシル基の置換度が０．１〜１．１であるセルロースアシレートフィルムであって、前記芳香族アシル基が、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とするセルロースアシレートフィルムからなり、前記第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向と平行であって、前記第２位相差膜の遅相軸が、前記第１偏光膜の透過軸に実質的に直交である液晶表示装置。
式（１） Δα＝αｘ−（αｙ＋αｚ）／２
（式（１）中、αｘ、αｙおよびαｚは、それぞれ、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値であり、αｘ≧αｙ≧αｚを満足する）
一般式（Ｉ）
【化１】
0004637698.tif 000002
（一般式（Ｉ）中、Ｘは、一価の置換基を表し、ｎは、０〜５の整数を表す。）
（２）前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向のレターデーション値が４０ｎｍ〜−４０ｎｍである、（１）に記載の液晶表示装置。
（３）前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚み方向のレターデーション値が２０ｎｍ〜−２０ｎｍである、（１）に記載の液晶表示装置。
（４）前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜の厚みが６０μｍ以下である、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（５）前記第１偏光膜および／または前記第２偏光膜の、少なくとも前記液晶層に近い側の片面に、保護膜が設けられており、該保護膜がセルロースアシレートフィルムまたはノルボルネン系フィルムである（１）〜（４）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（６）前記第２位相差膜が、前記第１偏光膜に隣接している、（１）〜（５）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（７）前記液晶セルの一対の基板のうち視認側と反対側の基板により近い位置に、前記第１位相差膜および前記第２位相差膜が、配置されている（１）〜（６）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
（８）第２位相差膜が延伸処理されたセルロースアシレートフィルムからなる、（１）〜（７）のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、少なくとも、第１偏光膜と、第１位相領域と、第２位相領域と、液晶層を一対の基板で挟んだ液晶セルと、第２偏光膜とを含み、黒表示時に前記液晶層の液晶分子が前記一対の基板の表面に対して平行に配向する液晶表示装置であって、前記第１位相差領域の厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ値）が−１０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、第１位相差領域の面内レターデーション（Ｒｅ値）が５０ｎｍ以下であり、第２位相差領域のＲｔｈ値が０ｎｍ〜−１００ｎｍであり、第２位相差領域のＲｅ値が５０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、前記第２位相差領域が式（１）で表される分極率異方性Δαが２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3である置換基を含むセルロースアシレートフィルムであり、かつ、前記第１偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向と平行である液晶表示装置とすることにより、正面方向の特性を何ら変更させることなく、斜めの方位角方向から見た場合に２枚の偏光板の吸収軸が９０度からずれることから生ずるコントラストの低下、特に４５度斜め方向からのコントラストの低下を改善させることが可能になった。
特に、本発明では、分極率異方性Δαが２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3である置換基を含むセルロースアシレートフィルムを第２位相差領域に用いる。該セルロースアシレートフィルムは、セルロースアシレートの置換基の種類や水酸基へのアシル置換度の調整や、作製条件の調整により、第２位相差領域に要求される光学特性を一層のみで満たすことができる。従って、該セルロースアシレートフィルムを用いることにより、簡易な構成で視野角特性の改善された液晶表示装置を作製することができる。また、当該フィルムは、偏光膜の保護膜として要求される性能を有するので、偏光膜の表面に形成することで、保護膜として機能させることができ、より簡易な構成で、視野角特性の改善された液晶表示装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下において、本発明の液晶表示装置の一実施形態およびその構成部材について順次説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本発明における各種の「基」は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において置換基を有していてもよい。
【００１１】
本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長５９０ｎｍにおける面内のレターデーションおよび厚み方向のレターデーションを表す。Ｒｅ値はＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長５９０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ値は前記Ｒｅ値、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長５９０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長５９０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨが算出した。
【００１２】
ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ  ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ  ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。
【００１３】
また、Ｒｔｈ値の符号は面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋２０°傾斜した方向から波長５９０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値がＲｅ値を超える場合を正とし、Ｒｅ値を下回る場合を負とする。但し、｜Ｒｔｈ／Ｒｅ｜が９以上の試料では、回転自由台座付きの偏光顕微鏡を用いて、面内の進相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した状態で、偏光板の検板を用いて決定できる試料の遅相軸がフィルム平面に平行にある場合を正とし、また遅相軸がフィルムの厚み方向にある場合を負とする。
【００１４】
本明細書において、「平行」、「直交」とは、厳密な角度±１０゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±５゜未満であることが好ましく、±２゜未満であることがより好ましい。また、「実質的に垂直」とは、厳密な垂直の角度よりも±２０゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は厳密な角度との誤差は、±１５゜未満であることが好ましく、±１０゜未満であることがより好ましい。また、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。さらに屈折率の測定波長は特別な記述がない限り、可視光域のλ＝５９０ｎｍでの値である。
【００１５】
本明細書において「偏光板」とは、特に断らない限り、長尺の偏光板および液晶装置に組み込まれる大きさに裁断された（本明細書において、「裁断」には「打ち抜き」および「切り出し」等も含むものとする）偏光板の両者を含む意味で用いられる。また、本明細書では、「偏光膜」および「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する保護膜を有する積層体を意味するものとする。
【００１６】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す模式図である。図２および図３は、本発明の液晶表示装置の一実施形態の模式図である。
［液晶表示装置］
図２に示す液晶表示装置は、第１偏光膜８と、第１位相差領域１０と、第２位相差領域１２と、第１基板１４と、液晶層１６と、第２基板１８と、第２偏光膜２１とを有する。第１偏光膜８および第２偏光膜２１は、それぞれ保護膜７ａと７ｂおよび２０ａと２０ｂによって挟持されている。
【００１７】
図２の液晶表示装置では、液晶セルは、第１基板１４および第２基板１８と、これらに挟持される液晶層１６からなる。液晶層の厚さｄ（μｍ）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは透過モードにおいて、ねじれ構造を持たないＩＰＳ型では０．２〜０．４μｍの範囲が最適値となる。この範囲では白表示輝度が高く、黒表示輝度が小さいことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。基板（１４・１８）の液晶層１６に接触する表面には、配向膜（不図示）が形成されていて、液晶分子を基板の表面に対して略平行に配向させるとともに配向膜上に施されたラビング処理方向（第１基板ラビング方向１５・第２基板ラビング方向１９）により、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子配向方向が制御されている。また、基板（１４・１８）の内面には、液晶分子に電圧印加可能な電極（図２中不図示）が形成されている。
【００１８】
図１に、液晶素子画素領域１中の液晶分子の配向を模式的に示す。図１は、液晶層１６の１画素に相当する程度の極めて小さい面積の領域中の液晶分子の配向を、基板（１４・１８）の内面に形成された配向膜のラビング方向４、および基板（１４・１８）の内面に形成された液晶分子に電圧印加可能な画素電極２および表示３とともに示した模式図である。電界効果型液晶として正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いてアクティブ駆動を行った場合の、電圧無印加状態若しくは低印加状態での液晶分子配向方向は５ａおよび５ｂであり、この時に黒表示が得られる。すなわち、５ａおよび５ｂは、黒表示時の液晶化合物のダイレクターを示す。電極（２・３）間に印加されると、電圧に応じて液晶分子は６ａおよび６ｂ方向へとその配向方向を変える。通常、この状態で明表示を行なう。すなわち、６ａおよび６ｂは、白表示時の液晶化合物のダイレクターを示す。
【００１９】
再び図２において、第１偏光膜８の透過軸９と、第２偏光膜２１の透過軸２２は直交して配置されている。第２位相差領域１２の遅相軸１３が、第１偏光膜８の透過軸９に平行（即ち第１偏光膜８の吸収軸（不図示）に直交）であり、且つ黒表示時の液晶層１６中の液晶分子の遅相軸方向１７に平行である。
図２に示す液晶表示装置では、第１偏光膜８が二枚の保護膜７ａおよび７ｂに挟持された構成を示しているが、保護膜７ｂはなくてもよい。また、偏光膜２１も二枚の保護膜２０ａおよび２０ｂに挟持されているが、液晶層１６に近い側の保護膜２０ａはなくてもよい。なお、図２の態様では、第１位相差領域１０および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜との間に配置されていてもよい。本実施形態では、いずれの構成においても、第２位相差領域１２が液晶セルにより近くなるように配置する。
【００２０】
本発明の他の実施形態を図３に示す。図３の液晶表示装置は、第２位相差領域１２が偏光膜８および第１位相差領域１０の間に配置されている。図３の液晶表示装置において、保護膜７ｂまたは保護膜２０ａはなくてもよい。図３に示す態様では、第２位相差領域１２は、その遅相軸１３が、第１偏光膜８の透過軸９に直交（即ち第１偏光膜８の吸収軸（不図示）に平行）であり、且つ黒表示時の液晶層１６中の液晶分子の遅相軸方向１７に直交である。なお、図３の態様では、第１位相差領域１０および第２位相差領域１２は、液晶セルの位置を基準にして、液晶セルと視認側の偏光膜との間に配置されていてもよいし、液晶セルと背面側の偏光膜との間に配置されていてもよい。本実施形態では、いずれの構成においても、第１位相差領域１０が液晶セルにより近くなるように配置する。
【００２１】
図２および図３の態様において、第１位相差領域１０は、Ｒｔｈが−１０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、Ｒｅが５０ｎｍ以下である。一方、第２位相差領域１２は、Ｒｔｈがー１００ｎｍ〜０ｎｍであり、Ｒｅが５０ｎｍ〜３３０ｎｍである。
図２および図３の態様において、第２位相差領域１２は分極率異方性が大きい置換基を含むセルロースアシレートを含むフィルム（セルロースアシレートフィルム）からなる。置換基の種類や置換率の制御、Ｒｅ値やＲｔｈ値を低減する添加剤の利用、フィルムの作製条件調整により、第２位相差領域として要求される前記光学特性を一層（位相差膜（Ｚ２））のみで示すことができる。詳細については別途記載する。また、かかる位相差膜（Ｚ２）は、偏光膜の保護膜として要求される性能を満足し得るので、図２の態様では、保護膜７ｂがなくても、偏光膜８と、第１位相差領域１０と、第２位相差領域１２とを一体的に作製することで、高温湿度下等、過酷な環境下に置かれた場合にも、偏光膜８が劣化して、表示特性が低下するのを軽減することができる。また、図３の態様では、偏光膜８と第２位相差領域１２とを一体的に作製することで、保護膜７ｂがなくても、高温湿度下等、過酷な環境下に置かれた場合にも、偏光膜８が劣化して、表示特性が低下するのを軽減することができる。
【００２２】
なお、図２および図３には、上側偏光板および下側偏光板を備えた透過モードの表示装置の態様を示したが、本発明は一の偏光板のみを備える反射モードの態様であってもよく、かかる場合は、液晶セル内の光路が２倍になることから、最適Δｎ・ｄの値は上記の１／２程度の値になる。また、本発明に用いられる液晶セルはＩＰＳモードやＦＦＳモードに限定されることなく、黒表示時に液晶分子が前記一対の基板の表面に対して実質的に平行に配向する液晶表示装置であれば、いずれも好適に用いることができる。この例としては強誘電性液晶表示装置、反強誘電性液晶表示装置、ＥＣＢ型液晶表示装置がある。
【００２３】
本発明の液晶表示装置は、図１〜図３に示す構成に限定されず、他の部材を含んでいてもよい。例えば、液晶層と偏光膜との間にカラーフィルターを配置してもよい。また、偏光膜の保護膜の表面に反射防止処理やハードコートを施しても良い。また、構成部材に導電性を付与したものを使用してもよい。また、透過型として使用する場合は、冷陰極あるいは熱陰極蛍光管、あるいは発光ダイオード、フィールドエミッション素子、エレクトロルミネッセント素子を光源とするバックライトを背面に配置することができる。この場合、バックライトの配置は図２および図３の上側であっても下側であってもよい。また、液晶層とバックライトとの間に、反射型偏光板や拡散板、プリズムシートや導光板を配置することもできる。また、上記した様に、本発明の液晶表示装置は、反射型であってもよく、かかる場合は、偏光板は観察側に１枚配置したのみでよく、液晶セル背面あるいは液晶セルの下側基板の内面に反射膜を配置する。もちろん前記光源を用いたフロントライトを液晶セル観察側に設けることも可能である。
【００２４】
本発明の液晶表示装置には、画像直視型、画像投影型や光変調型が含まれる。本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や金属粉未射出成形（ＭＩＭ）のような３端子または２端子半導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置に適用した態様が特に有効である。勿論、時分割駆動と呼ばれるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様も有効である。
【００２５】
以下、本発明の液晶表示装置に使用可能な種々の部材の好ましい光学特性や部材に用いられる材料、その製造方法等について、詳細に説明する。
【００２６】
［第１位相差領域］
本発明において、第１位相差領域は、後述する第２位相差領域とはＲｅ値およびＲｔｈ値が異なる領域をいう。このような第１の位相差領域は、一の位相差膜（Ｚ１）から構成されていてもよいし、他の光学フィルムとの積層体であってもよい。
第１位相差領域のＲｔｈ値が−１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、３０ｎｍ〜１１０ｎｍであることがより好ましく、４５〜９０ｎｍであることがさらに好ましい。
第１位相差領域のＲｅ値は、５０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、液晶表示装置が有する偏光膜（２つの偏光膜を有する場合はより近い位置に配置される偏光膜）を保護する保護膜に光学的な異方性がある場合、保護膜と第１位相差領域との合計が、前記範囲の光学特性を示すのも好ましい。
【００２７】
上記光学特性を満足する第１位相差膜領域としては、複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜、および支持体（好ましくは透明支持体）上に低分子あるいは高分子液晶性化合物を塗布もしくは転写することによって形成された光学異方性層を有する位相差膜などによって形成でき、本発明ではいずれも使用することができる。
【００２８】
上記光学特性を有する複屈折ポリマーフィルムからなる位相差膜は、高分子フィルムを二軸延伸することでも容易に形成できる。また、延伸することなしに流延するだけでこの光学特性を発現するセルロースアシレート類を好適に用いることができる。かかるセルロースアシレートとして、特開２００２−９０５４１号公報に記載されているものを用いることができる。高分子フィルムの材料は、一般に合成ポリマー（例えば、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ノルボルネン樹脂、セルロースアセテート）が用いられる。
【００２９】
塗布若しくは転写で支持体上に形成した位相差膜として、キラル構造単位を含んだ棒状コレステリック液晶性組成物を、その螺旋軸を基板に略垂直に配向させたのち、固定化したものや、固有複屈折が負のディスコティック液晶性化合物を水平配向（ダイレクターは基板に垂直）させたもの、ポリイミド高分子を基板上に流延固定したものなどを例示することができる。
【００３０】
［第２位相差領域］
本発明における第２位相差領域は、下記式（１）で表される分極率異方性Δαが２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3である置換基を有するセルロースアシレートフィルムからなり、レターデーションが下記式（ａ）および式（ｂ）を満たし、かつ、セルロースアシレートフィルムの長手方向に実質的に直交または平行な遅相軸を有する。
式（１） Δα＝αｘ−（αｙ＋αｚ）／２
（式（１）中、αｘ、αｙおよびαｚは、それぞれ、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値であり、αｘ≧αｙ≧αｚを満足する）
式（ａ） ５０ｎｍ ≦ ｜Ｒｅ（５９０）｜ ≦ ３３０ｎｍ
式（ｂ） −１００ｎｍ ≦ Ｒｔｈ（５９０） ≦ ０
（式（ａ）および式（ｂ）中、Ｒｅ(λ)は、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）であり、Ｒｔｈ(λ)は、波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。）
以下、発明の第２位相差領域について詳細に説明する。
【００３１】
本発明において、第２位相差領域は、Ｒｔｈ値が−９０ｎｍ〜０ｎｍであるのが好ましく、−８０ｎｍ〜０ｎｍであるのがより好ましい。
また、Ｒｅ値が９０〜３００ｎｍであるのが好ましく、１３０〜２８０ｎｍであるのがより好ましい。
【００３２】
本発明において、第２位相差領域は、後述するように、分極率異方性が大きい置換基を有するセルロースアシレートフィルムであり、一の位相差膜（Ｚ２）のみから構成されていることが好ましい。
セルロースシレートに分極率異方性が大きい置換基を導入し、かつ他の置換基および置換度を調整することで、膜厚方向に屈折率が最大となる光学補償フィルムが得られる。特に本発明においては、β−グルコース環に置換された分極率異方性が大きい置換基が、延伸処理時にβ−グルコース環主鎖に対して直交し、かつ立体障害等の作用により膜厚方向に屈折率が最大になる方向に配向することが好ましい。その結果フィルム面内においては、延伸軸方向よりも延伸直行方向に遅相軸が発現し、かつフィルム面内の遅相軸方向よりも、膜厚方向の屈折率がさらに大きくなることで、Ｒｔｈ値が負に大きく発現する光学補償フィルムが得られる。さらには、分極率異方性の大きい置換基の置換度、分光吸収のλｍａｘにより、セルロースアシレートフィルムの屈折率楕円体が変化し、延伸処理と組み合わせることで広範囲に光学性能を制御することが可能となる。
【００３３】
(置換基の末端間距離および分極率異方性)
本発明に用いるセルロースアシレートの置換基の末端間距離および分極率異方性ΔαはＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ｂ．０３、米ガウシアン社ソフトウェア）を用いて計算した。
末端間距離はＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊レベルの計算で構造最適化した後、最も離れた原子間の距離として算出した。
分極率異方性ΔαはＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊レベルで最適化された構造を用いて、３ＬＹＰ／６−３１１＋Ｇ＊＊レベルで分極率を計算し、得られた分極率テンソルを対角化した後、対角成分より算出した。
本発明における置換基の末端間距離および分極率異方性の計算においては、セルロースアシレートの構成単位であるβ−グルコース環上の３角水酸基に連結する置換基を、水酸基の酸素原子を含む部分構造にて計算して求めた。
本発明に用いるセルロースアシレートの置換基の分極率異方性Δαは下記数式（１）により定義される。
式（１）
Δα＝αx−（αy＋αz）／２
（式（１）中、αｘ、αｙおよびαｚは、それぞれ、分極率テンソルを対角化後に得られる固有値であり、αｘ≧αｙ≧αｚを満足する）
分極率異方性は、フィルム延伸時の延伸直交方向への屈折率発現性と関係がある。すなわち、分極率異方性が小さい場合には延伸方向に遅相軸が発現し、大きい場合には延伸直交方向に遅相軸が発現する。本発明のＲｔｈ値が負の値を有する光学補償フィルムを得る目的においては、Δαは２．５×１０-24ｃｍ3〜３０×１０-24ｃｍ3であり、好ましくは４×１０-24ｃｍ3〜２５×１０-24ｃｍ3であり、特に好ましくは５×１０-24ｃｍ3〜２０×１０-24ｃｍ3である。
本明細書において、特に述べない限り、分極率異方性が大きい置換基とは、Δαが上記範囲内であることを示している。
【００３４】
本発明の第２位相差領域における、好ましいセルロースアシレートは、脂肪酸アシル基と芳香族アシル基とを含む混合酸エステルであることが好ましい。ここで芳香族アシル基としては下記一般式（Ｉ）で表される基が好ましい。
【００３５】
一般式（Ｉ）
【化２】
0004637698.tif 000003
（一般式（Ｉ）中、Ｘは、一価の置換基を表し、ｎは、０〜５の整数を表す。）
【００３６】
Ｘは、一価置換基を表し、置換基の例には、ハロゲン原子、シアノ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド基、アラルキル基、ニトロ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アシルオキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、アルキルスルホニルオキシ基およびアリールオキシスルホニル基、−Ｓ−Ｒ、−ＮＨ−ＣＯ−ＯＲ、−ＰＨ−Ｒ、−Ｐ(−Ｒ)2、−ＰＨ−Ｏ−Ｒ、−Ｐ(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｐ(−Ｏ−Ｒ)2、−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)2、−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｏ−Ｒ、−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−Ｏ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)2−Ｏ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｏ−Ｒ、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−ＮＨ−ＰＨ(＝Ｏ)−Ｒ、−ＮＨ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｒ)(−Ｏ−Ｒ)、−ＮＨ−Ｐ(＝Ｏ)(−Ｏ−Ｒ)2、−ＳｉＨ2−Ｒ、−ＳｉＨ(−Ｒ)2、−Ｓｉ(−Ｒ)3、−Ｏ−ＳｉＨ2−Ｒ、−Ｏ−ＳｉＨ(−Ｒ)2および−Ｏ−Ｓｉ(−Ｒ)3が含まれる。上記Ｒは脂肪族基、芳香族基またはヘテロ環基である。
また、可能な場合は、置換基同士が結合して環を形成してもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基、カルボンアミド基、スルホンアミド基およびウレイド基が好ましく、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基およびカルボンアミド基がより好ましく、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基およびアリールオキシ基がさらに好ましく、ハロゲン原子、アルキル基およびアルコキシ基が最も好ましい。
【００３７】
上記ハロゲン原子には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が含まれる。
上記アルキル基は、環状構造または分岐を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、１〜６であることがさらに好ましく、１〜４であることが最も好ましい。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基および２−エチルヘキシル基が含まれる。
上記アルコキシ基は、環状構造あるいは分岐を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、１〜６であることがさらに好ましく、１〜４であることが最も好ましい。アルコキシ基は、さらに別のアルコキシ基で置換されていてもよい。アルコキシ基の例には、メトキシ基、エトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−メトキシ−２−エトキシエトキシ基、ブチルオキシ基、ヘキシルオキシ基およびオクチルオキシ基が含まれる。
【００３８】
上記アリール基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。アリール基の例には、フェニル基およびナフチル基が含まれる。
上記アリールオキシ基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがより好ましい。アリールオキシ基の例には、フェノキシ基およびナフトキシ基が含まれる。
上記アシル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましい。アシル基の例には、ホルミル基、アセチル基およびベンゾイル基が含まれる。
上記カルボンアミド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。カルボンアミド基の例には、アセトアミド基およびベンズアミド基が含まれる。
上記スルホンアミド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。スルホンアミド基の例には、メタンスルホンアミド基、ベンゼンスルホンアミド基およびｐ−トルエンスルホンアミド基が含まれる。
上記ウレイド基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。
【００３９】
上記アラルキル基の炭素原子数は、７〜２０であることが好ましく、７〜１２であることがさらに好ましい。アラルキル基の例には、ベンジル基、フェネチル基およびナフチルメチル基が含まれる。
上記アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルコキシカルボニル基の例には、メトキシカルボニル基が含まれる。
上記アリールオキシカルボニル基の炭素原子数は、７〜２０であることが好ましく、７〜１２であることがさらに好ましい。アリールオキシカルボニル基の例には、フェノキシカルボニル基が含まれる。
上記アラルキルオキシカルボニル基の炭素原子数は、８〜２０であることが好ましく、８〜１２であることがさらに好ましい。アラルキルオキシカルボニル基の例には、ベンジルオキシカルボニル基が含まれる。
上記カルバモイル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。カルバモイル基の例には、無置換のカルバモイル基およびＮ−メチルカルバモイル基が含まれる。
上記スルファモイル基の炭素原子数は、２０以下であることが好ましく、１２以下であることがさらに好ましい。スルファモイル基の例には、スルファモイル基およびＮ−メチルスルファモイル基が含まれる。
上記アシルオキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アシルオキシ基の例には、アセトキシ基およびベンゾイルオキシ基が含まれる。
【００４０】
上記アルケニル基の炭素原子数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルケニル基の例には、ビニル基、アリル基およびイソプロペニル基が含まれる。
上記アルキニル基の炭素原子数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１２であることがさらに好ましい。アルキニル基の例には、チエニル基が含まれる。
上記アルキルスルホニル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。
上記アリールスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。
上記アルキルオキシスルホニル基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。
上記アルキルスルホニルオキシ基の炭素原子数は、１〜２０であることが好ましく、１〜１２であることがさらに好ましい。上記アリールオキシスルホニル基の炭素原子数は、６〜２０であることが好ましく、６〜１２であることがさらに好ましい。
【００４１】
一般式（Ｉ）中、ｎは、０〜５の整数であり、１〜５の整数であることが好ましく、１〜４の整数であることがより好ましく、１〜３の整数であることがさらに好ましく、１または２であることが最も好ましい。
【００４２】
次に、本発明のセルロース混合酸エステル中脂肪酸エステル残基において、脂肪族アシル基は炭素原子数が２〜２０で具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、ラウロイル基、ステアロイル基等があげられる。好ましくはアセチル基、プロピオニル基およびブチリル基であり、特に好ましいのはアセチル基である。本発明において前記脂肪族アシル基とはさらに置換基を有するものも包含する意味であり、置換基としては例えば前記の一般式（Ｉ）のＸとして例示したものがあげられる。
【００４３】
さらに、芳香族環に置換する置換基の数が２個以上の時、互いに同じでも異なっていてもよいが、また、互いに連結して縮合多環化合物（例えば、ナフタレン、インデン、インダン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン、クロメン、クロマン、フタラジン、アクリジン、インドール、インドリンなど）を形成してもよい。一般式（Ｉ）で表される芳香族アシル基の具体例は下記に示す通りであるが、その中でも、好ましいのは、Ｎｏ．１、３、５、６、８、１３、１８、２８、より好ましいのはＮｏ．１、３、６、１３である。
【００４４】
次に、セルロースの水酸基への芳香族アシル基の置換は、一般的には芳香族カルボン酸クラロイドあるいは芳香族カルボン酸から誘導される対称酸無水物および混合酸無水物を用いる方法等が挙げられる。特に好ましいのは芳香族カルボン酸から誘導した酸無水物を用いる方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ、Ｖｏｌ．２９、３９８１−３９９０（１９８４）記載）が挙げられる。
本発明の第２位相差領域に用いるセルロース混合酸エステル化合物の製造方法としては、（１）セルロース脂肪酸モノエステルまたはジエステルを一旦製造したのち、残りの水酸基に前記一般式（Ｉ）で表される芳香族アシル基を導入する方法、（２）セルロースに直接に、脂肪族カルボン酸と芳香族カルボン酸の混合酸無水物を反応させる方法、などがあげられる。（１）においては、セルロース脂肪酸エステルまたはジエステルの製造方法自体は周知の方法であるが、これにさらに芳香族アシル基を導入する後段の反応は、該芳香族アシル基の種類によって異なり、反応温度は、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは２０〜５０℃で、反応時間は、好ましくは３０分以上、より好ましくは３０〜３００分で行われる。また（２）の混合酸無水物を用いる方法も、反応条件は混合酸無水物の種類によって変わるが、反応温度は、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは２０〜５０℃、反応時間は、好ましくは３０〜３００分、より好ましくは６０〜２００分である。上記のいずれの反応も、反応を無溶媒または溶媒中のいずれで行ってもよいが、好ましくは溶媒を用いて行われる。溶媒としてはジクロロメタン、クロロホルム、ジオキサンなどを用いることができる。
【００４５】
芳香族アシル基の置換度はセルロース脂肪酸モノエステルの場合、残存する水酸基に対して２．０以下、好ましくは０．１〜２．０である。また、セルロース脂肪酸ジエステル（二酢酸セルロース）の場合、残存する水酸基に対して好ましくは１．１以下、より好ましくは０．１〜１．１である。
特に、本発明の第２位相差領域におけるセルロースアシレートは、アシル基の総置換度ＰＡが１．５〜３．０であり、芳香族アシル基の置換度が０．１〜１．０であることが好ましい。
以下に一般式（Ｉ）で表される芳香族アシル基の具体例を示すが、本発明はこれに限定するものではない。
【００４６】
【化３】
0004637698.tif 000004
【００４７】
【化４】
0004637698.tif 000005
【００４８】
【化５】
0004637698.tif 000006
【００４９】
【化６】
0004637698.tif 000007
【００５０】
本発明で用いられるセルロースアシレートは、３５０〜８００の質量平均重合度を有することが好ましく、３７０〜６００の質量平均重合度を有することがさらに好ましい。また本発明で用いられるセルロースアシレートは、７００００〜２３００００の数平均分子量を有することが好ましく、７５０００〜２３００００の数平均分子量を有することがさらに好ましく、７８０００〜１２００００の数平均分子量を有することが最も好ましい。
【００５１】
本発明で用いられるセルロースアシレートは、アシル化剤として酸無水物や酸塩化物を用いて合成できる。アシル化剤が酸無水物である場合は、反応溶媒として有機酸（例えば、酢酸）や塩化メチレンが使用される。触媒としては、硫酸のようなプロトン性触媒が用いられる。アシル化剤が酸塩化物である場合は、触媒として塩基性化合物が用いられる。工業的に最も一般的な合成方法では、セルロースをアセチル基および他のアシル基に対応する有機酸（酢酸、プロピオン酸、酪酸）またはそれらの酸無水物（無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）を含む混合有機酸成分でエステル化してセルロースエステルを合成する。
【００５２】
この方法において、綿花リンターや木材パルプのようなセルロースは、酢酸のような有機酸で活性化処理した後、硫酸触媒の存在下で、上記のような有機酸成分の混合液を用いてエステル化する場合が多い。有機酸無水物成分は、一般にセルロース中に存在する水酸基の量に対して過剰量で使用する。このエステル化処理では、エステル化反応に加えてセルロース主鎖β１→４−グリコシド結合）の加水分解反応（解重合反応）が進行する。主鎖の加水分解反応が進むとセルロースエステルの重合度が低下し、製造するセルロースエステルフィルムの物性が低下する。そのため、反応温度のような反応条件は、得られるセルロースエステルの重合度や分子量を考慮して決定することが好ましい。
【００５３】
重合度の高い（分子量の大きい）セルロースエステルを得るためには、エステル化反応工程における最高温度を５０℃以下に調節することが重要である。最高温度は、好ましくは３５〜５０℃、さらに好ましくは３７〜４７℃に調節する。反応温度が３５℃以上であれば、エステル化反応が円滑に進行するので好ましい。反応温度が５０℃以下であれば、セルロースエステルの重合度が低下するなどの不都合が生じないので好ましい。
【００５４】
エステル化反応の後、温度上昇を抑制しながら反応を停止すると、さらに重合度の低下を抑制でき、高い重合度のセルロースエステルを合成できる。すなわち、反応終了後に反応停止剤（例えば、水、酢酸）を添加すると、エステル化反応に関与しなかった過剰の酸無水物は、加水分解して対応する有機酸を副成する。この加水分解反応は激しい発熱を伴い、反応装置内の温度が上昇する。反応停止剤の添加速度が大きすぎることがなければ、反応装置の冷却能力を超えて急激に発熱して、セルロース主鎖の加水分解反応が著しく進行し、得られるセルロースエステルの重合度が低下するなどの問題が生じることはない。また、エステル化の反応中に触媒の一部はセルロースと結合しており、その大部分は反応停止剤の添加中にセルロースから解離する。このとき反応停止剤の添加速度が大きすぎなければ、触媒が解離するために充分な反応時間が確保され、触媒の一部がセルロースに結合した状態で残るなどの問題は生じにくい。強酸の触媒が一部結合しているセルロースエステルは安定性が非常に悪く、製品の乾燥時の熱などで容易に分解して重合度が低下する。これらの理由により、エステル化反応の後、好ましくは４分以上、さらに好ましくは４〜３０分の時間をかけて反応停止剤を添加して、反応を停止することが望ましい。なお、反応停止剤の添加時間が３０分以下であれば、工業的な生産性の低下などの問題が生じないのでより好ましい。
【００５５】
反応停止剤としては、一般に酸無水物を分解する水やアルコールが用いられている。ただし、本発明では、各種有機溶媒への溶解性が低いトリエステルを析出させないために、水と有機酸との混合物が、反応停止剤として好ましく用いられる。以上のような条件でエステル化反応を実施すると、質量平均重合度が５００以上である高分子量セルロースエステルを容易に合成することができる。
【００５６】
レターデーション発現剤
本発明に使用するセルロースアシレートフィルムはレターデーション発現剤（特に、Ｒｅを発現させるためのもの）を加えてもよい。レターデーション発現剤としては、例えば、特開２００２−２９６４２１号公報または特開２００２−３６３３４３号公報に記載されている化合物を用いることができる。レターデーション発現剤の含量は、セルロースアシレートフィルムの重量（固形分）の、０．０１〜３０重％であることが好ましく、０．１％〜２５重量％がさらに好ましく、０．１〜２０重量％が最も好ましい。
【００５７】
レターデーション低下剤
本発明で採用するセルロースアシレートフィルムは所望の厚み方向のレターデーション（特に、Ｒｔｈ）を実現するために、レターデーション低下剤（特に、Ｒｔｈ低下剤）を用いてもよい。レターデーション低下剤としては、例えば、特開平１１−２４６７０４号公報、特開２００１−２４７７１７号公報、または、特開２００５−１１３１１３号公報に記載されている化合物を用いることができる。レターデーション低下剤の含量は、セルロースアシレートフィルムの重量（固形分）の、０．０１〜３０重％であることが好ましい。
【００５８】
波長分散調整剤
本発明で採用するセルロースアシレートフィルムは波長分散調整剤を添加してもよい。波長分散剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。
【００５９】
ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で表される化合物が本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【００６０】
一般式（１０１）
Ｑ1−Ｑ2−ＯＨ
（一般式（１０１）中、Ｑ1は含窒素芳香族ヘテロ環を表し、Ｑ2は芳香族環を表す。）
【００６１】
Ｑ1は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５〜７員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンゾセレナゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環、ナフトチアゾール環、ナフトオキサゾール環、アザベンズイミダゾール環、プリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、トリアザインデン環、テトラザインデン環等が挙げられ、さらに好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズオキサゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール環である。
Ｑ1で表される含窒素芳香族ヘテロ環はさらに置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環してさらに環を形成してもよい。
【００６２】
Ｑ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは、炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。さらに好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
Ｑ2で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ2はさらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば、プロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えば、フェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、メトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えば、フェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えば、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば、フェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、ジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えば、イミダゾリル環、ピリジル環、キノリル環、フリル環、ピペリジル環、モルホリノ環、ベンゾオキサゾリル環、ベンズイミダゾリル環、ベンズチアゾリル環などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００６３】
一般式（１０１）で表される化合物のうち、より好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）
【００６４】
【化７】
0004637698.tif 000008
【００６５】
（一般式（１０１−Ａ）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【００６６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8およびＲ9の置換基としては前述の置換基Ｔが好ましい。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1およびＲ3としてより好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、よりさらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。
【００６７】
Ｒ2およびＲ4としてより好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、よりさらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００６８】
Ｒ5およびＲ8としてより好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、よりさらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００６９】
Ｒ6およびＲ7としてより好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、よりさらに好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【００７０】
一般式（１０１―Ａ）で表される化合物のうち、より好ましい化合物は、下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）
【化８】
0004637698.tif 000009
【００７１】
（一般式（１０１−Ｂ）中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6およびＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【００７２】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【００７３】
【化９】
0004637698.tif 000010
【００７４】
【化１０】
0004637698.tif 000011
【００７５】
以上例示したベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【００７６】
ベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で表される化合物が好ましく用いられる。
一般式（１０２）
【００７７】
【化１１】
0004637698.tif 000012
【００７８】
（一般式（１０２）中、Ｑ21およびＱ22はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ0はＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）
【００７９】
Ｑ21またはＱ22で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ21またはＱ22で表される芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ21またはＱ22で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子または硫黄原子の少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【００８０】
Ｑ21またはＱ22で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ21またはＱ22さらに置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【００８１】
Ｘ0はＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては上述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘ0として好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基はさらに置換してもよい。）、または酸素原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
【００８２】
一般式（１０２）で表される化合物は、好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）
【００８３】
【化１２】
0004637698.tif 000013
【００８４】
（一般式（１０２−Ａ）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28およびＲ29はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【００８５】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28およびＲ29はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【００８６】
Ｒ21、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ28およびＲ29はとして好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基、ヒドロキシ基、であり、特に好ましくは水素原子、メチル基、ヒドロキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。
【００８７】
Ｒ22として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【００８８】
Ｒ27として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、水素原子である。
【００８９】
一般式（１０２）で表される化合物中、好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）
【００９０】
【化１３】
0004637698.tif 000014
【００９１】
（一般式（１０２−Ｂ）中、Ｒ10は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表す。）
【００９２】
Ｒ10は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ10として好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数５〜１２のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。
【００９３】
一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【００９４】
【化１４】
0004637698.tif 000015
【００９５】
【化１５】
0004637698.tif 000016
【００９６】
【化１６】
0004637698.tif 000017
【００９７】
また本発明に用いられる波長分散調整剤ののうち、シアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）
【００９８】
【化１７】
0004637698.tif 000018
【００９９】
（一般式（１０３）中、Ｑ31およびＱ32はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ1およびＸ2は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、少なくとも一方はシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ31またはＱ32で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
【０１００】
芳香族炭化水素環として、好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
【０１０１】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアゾール環、トリアジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、チアゾリン環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサゾリン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、プテリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、テトラゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズオキサゾール環、ベンズチアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラザインデン環などが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０１０２】
Ｑ31またはＱ32で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ31およびＱ32はさらに置換基を有してもよく、上述の置換基Ｔが好ましい。
【０１０３】
Ｘ1およびＸ2は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、少なくとも一方はシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ1およびＸ2で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ1およびＸ2はで表される置換基はさらに他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ1およびＸ2はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０１０４】
Ｘ1およびＸ2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０１０５】
一般式（１０３）で表される化合物中、好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）
【０１０６】
【化１８】
0004637698.tif 000019
【０１０７】
（一般式（１０３−Ａ）中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39およびＲ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ1およびＸ2は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。）
【０１０８】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39およびＲ30はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０１０９】
Ｒ31、Ｒ32、Ｒ34、Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37、Ｒ39およびＲ30として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０１１０】
Ｒ33およびＲ38として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０１１１】
一般式（１０３−Ａ）で表される化合物中、より好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
【０１１２】
一般式（１０３−Ｂ）
【化１９】
0004637698.tif 000020
【０１１３】
（一般式（１０３−Ｂ）中、Ｒ3およびＲ8は、一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｘ3は水素原子または置換基を表す。）
【０１１４】
Ｘ3は、水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合はさらに他の置換基で置換されてもよい。Ｘ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０１１５】
一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物中、より好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
【０１１６】
一般式（１０３−Ｃ）
【化２０】
0004637698.tif 000021
【０１１７】
（一般式（１０３−Ｃ）中、Ｒ3およびＲ8は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ331は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０１１８】
Ｒ331はＲ3およびＲ8が両方水素の場合には、好ましくは炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０１１９】
Ｒ331はＲ3およびＲ8が水素以外の場合には、好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。
【０１２０】
一般式（１０３）で表される化合物は、Jounal  of  American Chemical Society ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０１２１】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０１２２】
【化２１】
0004637698.tif 000022
【０１２３】
【化２２】
0004637698.tif 000023
【０１２４】
【化２３】
0004637698.tif 000024
【０１２５】
本発明に使用するセルロースアシレートフィルムは、押出し法、溶液流延法等の種々の方法を利用して作製することができる。フィルム状に成形した後、所定の光学特性を得るために、さらに延伸処理を施すことが望ましい。溶液流延法を利用して前記フィルムを作製する場合は、ドープ中に、可塑剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．１〜２０質量％）、改質剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．１〜２０質量％）、紫外線吸収剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．００１〜１０質量％）、平均粒子サイズが５〜３０００ｎｍである微粒子粉体（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．００１〜５質量％）、フッ素系界面活性剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．００１〜２質量％）、剥離剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して（好ましい添加量はセルロースエステルに対して（０．０００１〜２質量％）、劣化防止剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．０００１〜２質量％）、赤外線吸収剤（好ましい添加量はセルロースエステルに対して０．１〜５質量％）等の添加剤を含有させてもよい。その他、フィルムの作製方法については、発明公開技法（公開技法２００１−１７４５号、２００１年３月１５日発行、発明協会）等に詳細が記載されていて、本発明に適用することができる。
【０１２６】
得られたセルロースアシレートフィルムには、適宜、表面処理を行うことにより、セルロースアシレート層と他の層との接着を改善することが可能となる。表面処理には、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、ケン化処理（酸ケン化処理、アルカリケン化処理）が含まれ、特にグロー放電処理およびアルカリケン化処理が好ましい。
なお、前述した様に、分極率異方性Δαが大きい置換基を含むセルロースアシレートを含むフィルムのみで前記第２位相差領域に要求される光学特性を満たすこともできるが、本発明には、前記第２位相差領域が、他の複屈折性フィルムや他の位相差膜を含む態様も含まれる。
【０１２７】
［保護膜］
本発明の偏光板は、偏光膜の片面または両面に保護膜を設けてもよい。
本発明における偏光膜用の保護膜としては、可視光領域に吸収が無く、光透過率が８０％以上であり、複屈折性に基づくレターデーションが小さいものが好ましい。
具体的には、保護膜のうち、液晶層に近い側の保護膜の、面内のレターデーション値（Ｒｅ）は、０〜３０ｎｍが好ましく、０〜１５ｎｍがより好ましく、０〜５ｎｍが最も好ましい。さらに、保護膜のうち、液晶層に近い側の保護膜の、厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ）は、−４０ｎｍ〜４０ｎｍが好ましく、−２０ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、−１０ｎｍ〜１０ｎｍが最も好ましい。保護膜は、上記のような特性を有するフィルムであれば特に定めることなく好適に用いることができるが、偏光膜の耐久性の観点からはセルロースアシレートおよびノルボルネン系のフィルムがより好ましい。
セルロースアシレートフィルムのＲｔｈを小さくする方法として、特開平１１−２４６７０４号公報、特開２００１−２４７７１７号公報に記載の方法等を採用できる。また、セルロースアシレートフィルムの厚みを小さくすることによっても、Ｒｔｈを小さくすることができる。
本発明において、第１偏光膜用および／または第２偏光膜用保護膜としてのセルロースシレートフィルムの厚みは、１０〜６０μｍであるのが好ましく、２０〜４５μｍであることがさらに好ましい。
【０１２８】
［偏光板一体型光学補償フィルム］
本発明は、偏光膜と光学補償機能を有する第２位相差領域（位相差膜（Ｚ２））が一体化されて作製された、より好ましくは、偏光膜と、光学補償機能を有する第１位相差領域および第２位相差領域が一体化されて作製された、偏光板一体型補償フィルムに関する。
本発明の偏光板一体型光学補償フィルムを用いることで、より簡易な構成で、液晶表示装置の視野角特性を改善できる。また、本発明の偏光板一体型光学補償フィルムは、ロールツーロールで長尺状に作製し、その後所望の大きさに裁断して、液晶表示装置に組み込むことができるので、簡易な工程で作製可能であり、液晶表示装置の生産性の改善にも寄与する。
【０１２９】
本発明の偏光板一体型光学補償フィルムの一実施形態は、偏光膜と、位相差膜（Ｚ２）とを有し、
偏光膜は、該偏光膜の長手方向に平行な吸収軸を有し、位相差膜（Ｚ２）は、分極率異方性大きい置換基を有するセルロースアシレートフィルムからなり、レターデーションが上述した式（ａ）および式（ｂ）を満たし、かつ、該位相差膜（Ｚ２）の長手方向に実質的に直交または平行な遅相軸を有する。
さらに好ましくは、偏光膜と第２位相差領域（位相差膜（Ｚ２））との間に、第１位相差領域（例えば、位相差膜（Ｚ１））を有する。
本実施形態の偏光板一体型光学補償フィルムは、偏光膜としての機能のみならず、前記第１位相差領域および第２位相差領域としての光学特性を満足する位相差層をそれぞれ有する。本実施形態の偏光板一体型光学補償フィルムは、偏光膜と位相差膜（Ｚ２）との光学的軸合わせが容易であり、例えば、ロールツーロールで長尺状に作製され、所定の大きさに裁断された後、液晶表示装置（例えば、上述の図２の構成の液晶表示装置）に用いられる。
【０１３０】
本発明の偏光板一体型光学補償フィルムの他の好ましい実施形態は、偏光膜と、第２位相差領域（位相差膜（Ｚ２））と、第１位相差領域（例えば、位相差膜（Ｚ１））とを、この順序で有する。本実施形態の偏光板一体型光学補償フィルムは、偏光膜としての機能のみならず、前記第１位相差領域および第２位相差領域としての光学特性を満足する位相差層をそれぞれ有する。本実施形態の偏光板一体型光学補償フィルムは、偏光膜と第２位相差領域との光学的軸合わせが容易であり、例えば、ロールツーロールで長尺状に作製され、所定の大きさに裁断された後、液晶表示装置（例えば、上述の図３の構成の液晶表示装置）に用いられる。
【０１３１】
なお、本発明の偏光板一体型光学補償フィルムは、偏光膜の上記位相差膜が形成されている側と反対の表面に、偏光膜用保護膜を有していてもよい。また、偏光膜と上記位相差膜との間にも、偏光膜偏光膜用の保護膜を有していてもよいが、かかる場合は、該保護膜の複屈折性に基づくレターデーションは小さいのが好ましく、面内のレターデーションＲｅおよび厚み方向のレターデーションＲｔｈは、いずれも０ｎｍに近い程好ましい。好ましくは、０±５ｎｍである。特に、Ｒｔｈ値を４０ｎｍ以下とすることにより、よりコントラストの向上を実現することができる。
【実施例】
【０１３２】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
【０１３３】
＜ＩＰＳモード液晶セルの作製＞
一枚のガラス基板上に、図１に示す様に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極（図１中、画素電極２および表示電極３）を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。図１中に示す方向４に、ラビング処理を行なった。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行なって配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ：ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９および誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。
【０１３４】
＜強誘電性液晶セルの作製＞
ＩＴＯ電極付ガラス基板上ポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行なった。この基板を２枚製作し、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を１．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．１５および自発分極（Ｐｓ）が１２ｎＣｃｍ-2である強誘電性液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は２８０ｎｍであった。
【０１３５】
＜第２位相差領域の作製（位相差膜（Ｚ２））の作製＞
（セルロースアシレート溶液の調製）
表１に記載の組成物を耐圧性のミキシングタンクに投入して攪拌し、セルロースアシレート溶液を調製した。得られた溶液は絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（＃６３、東洋濾紙（株）製）で濾過し、さらに絶対濾過精度２．５μｍの濾紙（ＦＨ０２５、ポール社製）にて濾過して所望のセルロースアシレート溶液を得た。
表１中、単位は質量部で示している。また、ＴＰＰはトリフェニルフォスフェートを、ＢＤＰはビフェニルジフェニルフォスフェートを、それぞれ示している。さらに、芳香族アシル基の番号は、上記一般式（Ｉ）で表される基の例示化合物として挙げた番号である。ＰＡは、アシル基の総置換度を示している。
【０１３６】
【表１】
0004637698.tif 000025
【０１３７】
（添加剤溶液の調整）
別の耐圧性のミキシングタンクに表２に記載の化合物を投入して攪拌し、添加剤溶液を調製した。得られた溶液はポールフィルター（３０μｍ）を用いて濾過して所望の添加剤溶液を得た。
表２中、単位は、質量部で示している。
【０１３８】
【表２】
0004637698.tif 000026
【０１３９】
レターデーション低下剤（Ｘ）
【化２４】
0004637698.tif 000027
【化２５】
0004637698.tif 000028
【０１４０】
（セルロースアシレートフィルムの作製）
上記セルロースアシレート溶液を３０℃に加温し、流延ギーサー（特開平１１−３１４２３３号公報に記載）を通してバンド長６０ｍの鏡面ステンレス支持体上に流延した。流延スピードは２０ｍ／分とした。流延部から５０ｃｍ手前で、流延して回転してきた自己支持性のあるセルロースアシレートフィルムをバンドから剥ぎ取った。
剥ぎ取ったフィルムの端部をテンターのクリップで挟み、幅方向に延伸した。テンターゾーンの給気温度は１４０℃とし、所定の延伸倍率で延伸処理を行なった。
延伸処理したフィルムをテンターから離脱し、端部を切り取ったあと、乾燥処理を行なった。乾燥温度は所定の光学性能を実現するように１２０℃〜１４０℃の間で調製した。このようにして得られたフィルムを表３に示した。
【０１４１】
（光学性能評価）
得られたフィルムから４０×５０ｍｍの大きさのサンプルを切り出し、自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション値の測定の際に得られる配向角から決定した。結果を表３に示した。表３中、軸方向TDは横方向を、MDは縦方向を示している。また、各主成分の使用量は質量部で示している。
【０１４２】
【表３】
0004637698.tif 000029
【０１４３】
＜第１位相差領域１の作製＞
（位相差膜（Ｚ１）の作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、下記の組成を有するセルロースアセテート溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液の組成
酢化度６０．９％のセルロースアセテート                  １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                      ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）              ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                          ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                                    ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒）                                １１質量部
【０１４４】
別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤（ＤＸ）１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。セルロースアセテート溶液４８７質量部にレターデーション上昇剤溶液７質量部を混合し、十分に攪拌してドープを調製した。
【０１４５】
レターデーション上昇剤（ＤＸ）
【化２６】
0004637698.tif 000030
【０１４６】
得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、６０℃の温風で１分間乾燥し、フィルムをバンドから剥ぎ取った。次にフィルムを１４０℃の乾燥風で１０分間乾燥し、厚さ８０μｍのセルロースアセテートフィルム１を製作した。
【０１４７】
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ＝８ｎｍ、Ｒｔｈ＝８２ｎｍであった。
【０１４８】
（保護膜の作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、下記の組成を有するセルロースアセテート溶液Ａを調製した。
【０１４９】
【表４】
0004637698.tif 000031
【０１５０】
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子（AELOSIL  R972、日本アエロジル（株）製）２０質量部と、メタノール８０質量部とを３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット材溶液Ａを作製した。
【０１５１】
【表５】
0004637698.tif 000032
【０１５２】
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ａを調整した。レターデーション低下剤および波長分散調整剤は下記の化合物を用いた。
【０１５３】
【表６】
0004637698.tif 000033
【０１５４】
波長分散調整剤（Ｘ）
【化２７】
0004637698.tif 000034
【０１５５】
前記セルロースアシレート溶液Ａを９４．６質量部、マット材溶液Ａを１．３質量部、添加剤溶液Ａを４．１質量部を、それぞれろ過後に混合した組成物溶液を、流延部、テンター部、乾燥部から構成されるバンド流延機を用いて流延した。前記組成物溶液中、レターデーション低下剤（Ｘ）および波長分散調整剤（Ｘ）のセルロースアシレートに対する質量比は１１．７％および１．２％であった。
バンド上で流延したフィルムを剥離した後、テンターで両端を保持しながら乾燥させた。残留溶剤量が約２０％のところでテンターから離脱させ、クリップ跡のある両端を切り落とした後、複数のロールからなる乾燥部で１００〜１３５℃の温度範囲で乾燥させて巻き取った。このようにして得た保護膜の膜厚は８０μｍであった。
【０１５６】
このフィルムの光学特性は自動複屈折率計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株）製）を用いて、Ｒｅの光入射角度依存性を測定することにより求めたところ、Ｒｅ（５９０）＝０ｎｍ、Ｒｔｈ（５９０）＝−１ｎｍであった。
【０１５７】
＜偏光板一体型光学補償フィルム１の作製＞
ヨウ素水溶液中で連続して染色した厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムを搬送方向に５倍延伸し、乾燥して長さ５００ｍの偏光膜を得た。この偏光膜の一方の面に、ケン化処理したセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝２ｎｍ、Ｒｔｈ＝４５ｎｍ、厚さ８０μｍ）を、もう一方の面に、ケン化処理した第１位相差領域１を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述の第２位相差領域１を、接着剤を用いて、第１位相差領域１の上に連続して貼り合わせて長さ５００ｍの長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム１を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域１の遅相軸はフィルム長手方向に対して直交していた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム１の任意の部分から裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板１を１０枚得た。なお、裁断は一方の辺が偏光膜の吸収軸と平行になるように行った。
【０１５８】
＜偏光板一体型光学補償フィルム２の作製＞
上述と同様にして長さ５００ｍの偏光膜を得た。この偏光膜の一方の面に、ケン化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦを、もう一方の面に、ケン化処理した第１位相差領域１を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述の第２位相差領域２を、接着剤を用いて、第１位相差領域１の上に連続して貼り合わせ、長さ５００ｍの長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム２を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域２の遅相軸はフィルム長手方向に対して直交していた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム２の任意の部分から同様に裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板２を２０枚得た。
【０１５９】
＜偏光板一体型光学補償フィルム３の作製＞
上述と同様にして得た長尺状の偏光膜の両面に、ケン化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦを、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述の第２位相差領域３の２枚を、接着剤を用いて、この上に連続して貼り合わせて長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム３を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域３の遅相軸はフィルム長手方向に対して直交していた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム３の任意の部分から同様に裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板３を１０枚得た。
【０１６０】
＜偏光板一体型光学補償フィルム４の作製＞
上述と同様にして得た長尺状の偏光膜の一方の面に、ケン化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦを、もう一方の面にケン化処理した第２位相差領域４を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述の第１位相差領域１を、接着剤を用いて、第２位相差領域４の上に連続して貼り合わせて長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム４を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域４の遅相軸はフィルム長手方向に対して平行になっていた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム４の任意の部分から同様に裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板４を１０枚得た。
【０１６１】
＜偏光板一体型光学補償フィルム５の作製＞
上述と同様にして得た長尺状の偏光膜の一方の面に、ケン化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦを、もう一方の面にケン化処理した第２位相差領域５を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述の第１位相差領域１を、接着剤を用いて、第２位相差領域５の上に連続して貼り合わせて長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム５を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域５の遅相軸はフィルム長手方向に対して平行になっていた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム５の任意の部分から同様に裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板５を１０枚得た。
【０１６２】
＜偏光板一体型光学補償フィルム６の作製＞
上述と同様にして得た長尺状の偏光膜の一方の面に、ケン化処理したフジタックＴＤ８０ＵＦを、もう一方の面にケン化処理した第２位相差領域６を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて連続して貼り合わせた。さらに前述のフジタックＴＤ８０ＵＦ（第一位相差領域に相当する）を、接着剤を用いて、第２位相差領域６の上に連続して貼り合わせて長尺状の偏光板一体型光学補償フィルム６を作製した。偏光膜の吸収軸はフィルム長手方向に対して平行であり、第２位相差領域６の遅相軸はフィルム長手方向に対して平行になっていた。
このロール状の偏光板一体型光学補償フィルム６の任意の部分から同様に裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの積層偏光板６を２０枚得た。
【０１６３】
＜偏光板Ａの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜の片面に貼り付けた。さらに同様にして前記製作の厚さ６０μｍの保護膜１を偏光膜のもう片面に貼り付け偏光板Ａを形成した。
＜偏光板Ｂの作製＞
同様にして偏光膜を製作し、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴ４０ＵＺ、富士写真フイルム（株）製、Ｒｅ＝１ｎｍ、Ｒｔｈ＝３５ｎｍ、厚さ４０μｍ）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光膜の両面に貼り付け偏光板Ｂを形成した。
【０１６４】
［実施例１］
＜液晶表示装置１の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム１をその吸収軸を液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交にして（偏光膜の透過軸が黒表示時の液晶分子の遅相軸方向と平行であるようにして）、第２位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、液晶セルのもう一方の側に２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさで、一方の辺が偏光膜の吸収軸と平行になるように裁断した市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）を偏光板一体型光学補償フィルム１とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置１を作製した。
【０１６５】
上記液晶表示装置１を１０台作製し、白表示と黒表示を行い、その正面方向の輝度の比をコントラスト比として求めた。位相差板を含まず、偏光板のみを貼り合せた液晶表示装置のコントラスト比に対して、９０％以下であるものを不良品とした。１０台の液晶表示装置１のうちの不良品の発生台数は０台であった。
さらに作製した液晶表示装置の漏れ光を測定した。測定はまず、暗室内に設置されたシャーカステン上に、偏光板を貼り合わせない状態で上記ＩＰＳモード液晶セルを置き、液晶セルのラビング方向を基準として左方向に４５度の方位で、且つ液晶セル法線方向から方向６０°の方向に１ｍ離れたところに設置された輝度計で輝度１を測定した。
次いで、上記と同じシャーカステン上に上記液晶表示装置１を同様に配置して、暗表示の状態で同様に輝度２を測定し、これを輝度１に対する１００分率で表したものを漏れ光とした。測定した漏れ光の、良品１０台の平均値は０．１７％であった。
【０１６６】
［実施例２］
＜液晶表示装置２の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム２をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第２位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、上記で製作した偏光板Ｂを偏光板一体型光学補償フィルム２とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置２を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置２のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例1と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．１２％であった。
【０１６７】
［実施例３］
＜液晶表示装置３の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム２をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第２位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、上記で製作した偏光板Ａを偏光板一体型光学補償フィルム２とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置３を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置３のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例１と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．０４％であった。
【０１６８】
［実施例４］
＜液晶表示装置４の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム３をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第２位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、上記で製作した偏光板Ａを偏光板一体型光学補償フィルム３とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置４を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置４のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例1と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．０５％であった。
【０１６９】
［実施例５］
＜液晶表示装置５の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム４をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第１位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）を偏光板一体型光学補償フィルム４とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置５を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置５のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例1と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．１０％であった。
【０１７０】
［実施例６］
＜液晶表示装置６の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム５をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第１位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、上記で製作した偏光板Ａを偏光板一体型光学補償フィルム５とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置６を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置６のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例１と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．０５％であった。
【０１７１】
［実施例７］
＜液晶表示装置７の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム６をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第１位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、上記で製作した偏光板Ａを偏光板一体型光学補償フィルム６とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置７を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置７のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例１と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．０５％であった。
【０１７２】
［実施例８］
＜液晶表示装置８の作製＞
作製した強誘電性液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム６をその吸収軸が液晶セルに直流電圧を印加した場合の液晶の配向方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第１位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、製作した偏光板Ａを偏光板一体型光学補償フィルム６とクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置７を作製した。このように作製した１０台の液晶表示装置７のうちの不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例１と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．０５％であった。
【０１７３】
［比較例１］
ヨウ素水溶液中で連続して染色した厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムを搬送方向に５倍延伸し、乾燥して長さ５００ｍの偏光膜を得た。この偏光膜の両面に、ケン化処理したセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を貼合して、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさに１０枚裁断した。なお、裁断は一方の辺が偏光膜の吸収軸と平行になるように行った。さらにロール状の第２位相差領域３の任意の部分から裁断し、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさの位相差板２３Ａを１０枚得た。なお、裁断は一方の辺が第２位相差領域３の遅相軸と平行になるように行った。位相差板２３Ａの遅相軸と偏光板の吸収軸が直交になるようにして位相差板と偏光板を貼り合せ、偏光板一体型光学補償フィルム７とし、これを１０枚作製した。
【０１７４】
＜液晶表示装置９の作製＞
作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、上記で作製した偏光板一体型光学補償フィルム７をその吸収軸が液晶セルのラビング方向（黒表示時の液晶分子の遅相軸方向）と直交するように、第２位相差領域が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、液晶セルのもう一方の側に上記で作製した偏光板Ａをクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置９を作製した。
上記液晶表示装置９を１０台作製し、実施例４と同様にして調べた不良品の発生台数は３台であった。さらに、左斜め方向６０°方向での漏れ光を測定したところ、良品７台の平均値は０．０９％であった。この結果から、一旦長尺状の偏光板一体型光学補償フィルムとし、その後、裁断して作製したほうが、偏光板と位相差版とを各々裁断した後、積層して作製するよりも、不良品の発生が極めて少ないことがわかった。
【０１７５】
［比較例２］
＜液晶表示装置１０の作製＞
同様に作製したＩＰＳモード液晶セルの両方に、２０ｃｍ×２０ｃｍの大きさで、一方の辺が偏光膜の吸収軸と平行になるように裁断した市販の偏光板（ＨＬＣ２−５６１８、（株）サンリッツ製）をクロスニコルの配置で貼り付け、液晶表示装置１０を作製した。  上記液晶表示装置１０を１０台作製し、実施例１と同様にして調べた不良品の発生台数は０台であった。さらに、実施例1と同様な方法で漏れ光を測定したところ、良品１０台の平均値は０．５５％であった。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明の液晶表示装置の画素領域例を示す概略図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の他の例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１７７】
１    液晶素子画素領域
２    画素電極
３    表示電極
４    ラビング方向
５ａ、５ｂ  黒表示時の液晶化合物のダイレクター
６ａ、６ｂ  白表示時の液晶化合物のダイレクター
７ａ，７ｂ  第１偏光膜用保護膜
８    第１偏光膜
９    第１偏光膜の偏光透過軸
１０    第１位相差領域
１２    第２位相差領域
１３    第２位相差領域の遅相軸
１４    第１基板
１５    第１基板ラビング方向
１６    液晶層
１７    液晶分子の遅相軸方向
１８    第２基板
１９    第２基板ラビング方向
２０ａ、２０ｂ  第２偏光膜用保護膜
２１    第２偏光膜
２２    第２偏光膜偏光透過軸
【図１】
0004637698.tif 000036
【図２】
0004637698.tif 000037
【図３】
0004637698.tif 000038