(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田ボールを用いて基材に取り付けられる半導体装置であって、
放熱部材と、
前記放熱部材上に設けられ、かつ前記半導体装置が前記基材に取り付けられた後に前記放熱部材上から除去され、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた放熱部材と、
前記放熱部材上に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は、前記半導体基板及び前記放熱部材が基材に搭載された後に前記放熱部材上から除去されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半田ボールを用いて基材に取り付けられる半導体装置であって、
放熱部材と、
前記放熱部材上に接着剤により除去可能に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は光を透過させる性質を有し、
前記接着剤は前記光に照射されることで軟化する性質を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた放熱部材と、
前記放熱部材上に接着剤により除去可能に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は光を透過させる性質を有し、
前記接着剤は前記光に照射されることで軟化する性質を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置であって、
前記光が紫外線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の半導体装置であって、
前記放熱部材と前記放熱防止部材とに設けられた凹凸形状を嵌合させることにより、前記放熱防止部材は前記放熱部材上に固定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置であって、
前記放熱防止部材は、前記放熱部材の上面を覆うように設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体素子が設けられた半導体基板と、放熱部材とが、この順に積層してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の基材への装着前に前記放熱部材に放熱防止部材を設ける工程と、
前記半導体装置の前記基材への装着後に前記放熱部材から前記放熱防止部材を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱防止部材は前記放熱部材に接着剤を用いて取り付けられ、
前記放熱防止部材は光を透過させる性質を有し、
前記接着剤は前記光に照射されることで軟化する性質を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記光が紫外線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱部材と前記放熱防止部材とには凹凸形状が設けられており、
前記放熱部材に前記放熱防止部材を設ける工程において、前記放熱部材と前記放熱防止部材とを嵌合させることにより、前記放熱部材に前記放熱防止部材を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記放熱防止部材は、前記放熱部材の上面を覆うように設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱部材を設けた半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットやイントラネットなどの急速な普及に伴い、使用される半導体装置の小型化、多ピン化、高出力化が進んでいる。それと併せて、半導体装置には高い信頼性が求められている。ここで、半導体装置の信頼性は動作温度にも影響され、動作温度の低下が信頼性の増大を促進する。したがって、半導体装置の信頼性を犠牲にすることなく、半導体装置からより大きな動作能力を引き出すためには、半導体装置がより良好な熱的性能を有することが必要である。そのため、半導体装置の信頼性向上を目指し、半導体装置の低熱抵抗化が進められている。
【０００３】
特許文献１には、半導体装置の低熱抵抗化を進めるために、半導体装置の表面にヒートスプレッターなどの金属板を貼り付ける、もしくは埋め込むことによって半導体装置の放熱性を向上させる技術が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２１０７６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、この種の技術を用いることによって半導体装置の低熱抵抗化が進むと、図１０に示すように、素子形成層５と、シリコン基板６と、ヒートスプレッター２とを備える半導体パッケージ１を基板４へ実装する際に、ヒートスプレッター２からリフローの熱７が放熱されてしまう。そのため、半田ボール３の温度が十分に上がらず、実装の際に不具合が生じるという課題を有していた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
半田ボールを用いて基材に取り付けられる半導体装置であって、
放熱部材と、
前記放熱部材上に設けられ、かつ前記半導体装置が前記基材に取り付けられた後に前記放熱部材上から除去され、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備えることを特徴とする半導体装置、が提供される。
また、本発明によれば、
半田ボールを用いて基材に取り付けられる半導体装置であって、
放熱部材と、
前記放熱部材上に接着剤により除去可能に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は光を透過させる性質を有し、
前記接着剤は前記光に照射されることで軟化する性質を有することを特徴とする半導体装置、が提供される。
【０００７】
本発明によれば、基板への実装時に放熱防止部材が備えられることによって、基板への実装時における、半導体素子上に設けられた放熱部材からの放熱を抑制することができる。したがって、基板への実装時に半田ボールなどの基板接合物質の温度を十分に上げることができ、この結果、半導体装置の良好な実装性を得ることができる。また、放熱防止部材は、基板への実装後には除去可能であるため、熱抵抗が低減され、放熱特性に優れた半導体装置を得ることができる。
【０００８】
本発明によれば、
半導体素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた放熱部材と、
前記放熱部材上に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は、前記半導体基板及び前記放熱部材が基材に搭載された後に前記放熱部材上から除去されることを特徴とする半導体装置、が提供される。
また、本発明によれば、
半導体素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた放熱部材と、
前記放熱部材上に接着剤により除去可能に設けられ、前記放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材と、
を備え、
前記放熱防止部材は光を透過させる性質を有し、
前記接着剤は前記光に照射されることで軟化する性質を有することを特徴とする半導体装置、が提供される。
【０００９】
本発明によれば、実装時に放熱防止部材が備えられることによって、従来問題となっていた、基板への実装時の放熱部材からの放熱を抑制することができる。したがって、実装時に半田ボールなどの基板接合物質の温度を十分に上げることができ、この結果、半導体装置の良好な実装性が得られる。また、放熱防止部材は、実装後には除去可能であるため、熱抵抗が低減され、放熱特性に優れた半導体装置が得られる。
【００１０】
本発明によれば、
半導体素子が設けられた半導体基板と、放熱部材とが、この順に積層してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の基材への装着前に前記放熱部材に放熱防止部材を設ける工程と、
前記半導体装置の前記基材への装着後に前記放熱部材から前記放熱防止部材を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供される。
【００１１】
本発明において、基材とは、基板だけでなく、半導体ウエハや半導体チップも含むものとする。
【００１２】
本発明によれば、基材への実装時には放熱部材に放熱防止部材が設けられているので、放熱部材からの放熱を抑制することができる。したがって、半田ボールなどの基材との接合物質の温度を十分に上げることができる。この結果、実装性の良好な半導体装置を製造することができる。また、放熱防止部材は、実装後には除去されるため、熱抵抗が低減され、放熱特性に優れた半導体装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、実装時においては半導体装置に放熱防止部材が備えられ、実装後に放熱防止部材が除去される。そのため、実装時に半導体装置を接合する接合物質の温度が十分に上がり、良好な実装性を得る。また、いったん実装された後には放熱防止部材が除去されるので、熱抵抗が低減され、放熱特性に優れた半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１（ａ）に示す半導体装置（半導体パッケージ１００）は、半田ボール１０６を用いて基板１１２に取り付けられており、半導体素子（素子形成層１０２）と、半導体素子上に設けられた放熱部材（ヒートスプレッター１０８）と、放熱部材上に除去可能に設けられ、放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材（低熱伝導率板１１０）とを備える。
【００１７】
また、図１（ａ）に示す半導体装置（半導体パッケージ１００）は、半導体素子（素子形成層１０２）が設けられた半導体基板（シリコン基板１０４）と、半導体基板上に設けられた放熱部材（ヒートスプレッター１０８）と、放熱部材上に除去可能に設けられ、放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材（低熱伝導率板１１０）とを備える。
【００１８】
また、基板への実装後には放熱防止部材が放熱部材から除去されるので、熱抵抗を低減した半導体装置の使用時における放熱性は十分に確保される。
【００１９】
また、放熱防止部材は接着剤により固定されてもよい。また、放熱防止部材が光を透過させる性質を有し、接着剤が光に反応することで軟化する性質を有してもよい。こうすることにより、半導体装置を基板に実装させた後の、放熱防止部材の取り外しが容易になりつつ、半導体装置の良好な実装性が得られる。また、光は紫外線であってもよい。
【００２０】
また、放熱部材と放熱防止部材とに設けられた凹凸形状を嵌合させることにより、放熱防止部材が固定されてもよい。こうすることにより、放熱防止部材の取り外しが容易になりつつ、半導体装置の良好な実装性が得られる。
【００２１】
また、基材への実装後には放熱防止部材を放熱部材から除去するので、使用時における放熱性が十分に確保された熱抵抗を低減した半導体装置を製造することができる。
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明において詳細な説明を適宜省略する。また、以下の実施形態の説明において、半導体パッケージとは半導体装置の一実施例をあらわし、放熱板あるいはヒートスプレッターは放熱部材の一実施例をあらわすものである。
【００２３】
第一の実施形態
図１は、本実施形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を説明するための断面図である。図１（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、半導体パッケージ１００は、素子形成層１０２、シリコン基板１０４、半田ボール１０６、ヒートスプレッター１０８、低熱伝導率板１１０により構成されている。ここで、低熱伝導率板１１０は、後述するリフローの際のヒートスプレッター１０８からの放熱を抑制するために設けられる放熱防止部材である。低熱伝導率板１１０は、ニクロムなどの熱伝導率の低い金属や、ガラス、セラミックス、プラスチックスなどの熱伝導率の低い物質等により構成することができる。また、低熱伝導率板１１０としては、シート状の物質、剛性の高い物質などが好ましく用いられる。ヒートスプレッター１０８は、シリコン基板１０４の裏面側、すなわち、図１（ａ）中、シリコン基板１０４の上面と接するように設けられている。また、ヒートスプレッター１０８は放熱板でもよく、また放熱効果に優れる放熱部材であればよい。
【００２５】
低熱伝導率板１１０は、ヒートスプレッター１０８に接着剤１１４を用いて固定されており、接着剤の種類はヒートスプレッター１０８と低熱伝導率板１１０の材質により適宜選択される。ここで、低熱伝導率板１１０は、ヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように設けられている。
【００２６】
次に、半導体パッケージ１００の下面、すなわち、図１中、素子形成層１０２の下面に設けられた半田ボール１０６をリフローにより基板１１２に接合する。ここで、半田ボール１０６がいわゆる鉛フリー半田により構成されている場合には、リフローの温度は、２１０℃から２６０℃の範囲が好ましく用いられ、２３０℃が特に好ましく用いられる。
【００２７】
半導体パッケージ１００には、ヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように低熱伝導率板１１０が備えられているので、リフローの際のヒートスプレッター１０８からの放熱が抑制される。したがって、半田ボール１０６に熱量が十分に伝えられ、半田ボール１０６を所望の温度に加熱することが可能となる。この結果、半導体パッケージ１００と基板１１２との半田ボール１０６による接合は十分なものとなり、半導体パッケージ１００の基板１１２への実装性が良好になる。
【００２８】
ついで、図１（ｂ）に示すように、リフローした後に、低熱伝導率板１１０を半導体パッケージ１００から取り外すことによって、半導体パッケージ１０１は、放熱特性に優れた低熱抵抗化半導体パッケージとして用いることができる。
【００２９】
本願発明の第１の実施形態においては、図６（ａ）に示すような構成も可能である。図６（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１５０は、半田ボール１５６と、半導体パッケージ基板１５４と、ヒートスプレッター１５３と、低熱伝導率板１５１と、半導体チップ１５５と、により構成されている。
【００３０】
低熱伝導率板１５１は、前述のとおり、リフローの際のヒートスプレッター１５３からの放熱を抑制するために設けられる放熱防止部材である。この放熱防止部材は、上述の説明と同様、熱伝導率の低い物質で構成されている。
【００３１】
半導体パッケージ基板１５４は、中心に穴があいており、その中に半導体チップ１５５が配置されている。また、半導体チップ１５５は、半導体基板に半導体素子が設けられたものである。半導体チップ１５５と半導体パッケージ基板１５４と間の電気的接続方法（不図示）は、ワイヤボンディング、ＴＡＢリードなどいずれの形態であってもよい。また半導体パッケージ基板１５４は、内部に電気的接続層（不図示）を備え、半田ボール１５６を介して外部、たとえば、基板１５７と接続される。
【００３２】
低熱伝導率板１５１は、ヒートスプレッター１５３に接着剤１５２を用いて固定されている。接着剤の種類も上述の説明と同様に適宜選択される。
【００３３】
半導体チップ１５５の上にはヒートスプレッター１５３が配されるが、両者が密着する構造であってもよいし、熱伝導率の高い部材を間にはさんでもよい。また、ヒートスプレッター１５３は放熱板でもよく、放熱効果に優れる放熱部材であればよい。
【００３４】
次に、半導体装置１５０の下面に設けられた半田ボール１５６をリフローによって、基板１５７に接合する。半導体装置１５０には低熱伝導率板１５１が備えられているので、リフローの際のヒートスプレッター１５３からの放熱が抑制される。したがって、半田ボール１５６に熱量が十分に伝えられ、半田ボール１５６を所望の温度に加熱することが可能となり、半導体装置１５０と基板１５７との半田ボール１５６による接合は十分なものとなり、半導体装置１５０の基板１５７への実装性が良好になる。さらに、図６（ｂ）に示すように、リフローした後に、低熱伝導率板１５１を半導体装置１５０から取り外すことによって、半導体装置１５０を低熱抵抗化半導体パッケージ１５８として用いることができる。
【００３５】
本願発明の第１の実施形態においては、図７（ａ）に示すような構成も可能である。
【００３６】
図７（ａ）に示すように、半導体装置１６０は、半田ボール１６７と、半導体パッケージ基板１６６と、ヒートスプレッター１６３と、低熱伝導率板１６１と、半導体チップ１６５と、補強材１６４と、により構成されている。
【００３７】
低熱伝導率板１６１は、前述したとおり、リフローの際のヒートスプレッター１６３からの放熱を抑制するために設けられる放熱防止部材である。
【００３８】
補強材１６４は、中心に穴があいており、その中に半導体チップ１６５が配置されている。
【００３９】
半導体チップ１６５は、半導体基板に半導体素子が設けられたものである。半導体チップ１６５と半導体パッケージ基板１６６との電気的接続方法（不図示）は、バンプ形成のみならず、ワイヤボンディング、ＴＡＢリード、半田ボールなどいずれの形態であってもよい。
【００４０】
半導体パッケージ基板１６６は、内部に電気的接続層（不図示）を備え、半田ボール１６７を介して外部、たとえば基板１６８と接続される。低熱伝導率板１６１は、ヒートスプレッター１６３に接着剤１６２を用いて固定されている。接着剤の種類も上述の説明と同様に適宜選択される。
【００４１】
半導体チップ１６５の上にはヒートスプレッダー１６３が配されるが、両者が密着する構造であってもよいし、熱伝導率の高い部材を間にはさんでもよい。なお、図７（ａ）の構造を備えることによる、半田リフロー時の効果およびリフロー後の製造工程（図７（ｂ））は、図６の説明で記載したものと同じであるため、説明を省略する。
【００４２】
図１（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）に示されるように、半田ボールを用いて基板に取り付けられる半導体装置であって、放熱部材を備える半導体装置であれば、放熱部材上に除去可能に設けられ、放熱部材からの放熱を抑制する放熱防止部材を備えることによって、上記実施形態に記載された半導体装置を構成できる。本実施形態においては、放熱部材として、ヒートスプレッターあるいは放熱板を一例に用いて説明したが、本願発明においては、放熱部材は放熱効果に優れる部材であればよい。
【００４３】
したがって、半田ボールを用いてプリント基板などの基板に取り付けられる、放熱部材を備える構造の従来型半導体パッケージにおいて、放熱部材上に新たに低熱伝導率板を備えた構造としてもよい。上述の従来型半導体パッケージの例として、たとえば、ＥＢＧＡ（Enhanced Ball Grid Array）やＦＣＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）などが挙げられる。
【００４４】
本実施形態においては、図１（ａ）を用いて、低熱伝導率板１１０が接着剤によりヒートスプレッター１０８に接合された形態について説明したが、図９に示すように、ネジ１１６などの固定具を用いてヒートスプレッター１０８に接合し、リフロー終了後にネジ１１６などの固定具を外し、低熱伝導率板１１０をヒートスプレッター１０８から取り外してもよい。たとえば、図８に示すように、図６（ａ）を用いて説明した形態において、接着剤１５２の代わりに、ネジなどの固定具を用いて固定化してもよい。図８においては、ネジ１５９を低熱伝導率板１５１、ヒートスプレッター１５３および半導体パッケージ基板１５４にまで貫通させているが、低熱伝導率板１５１を固定化することができれば、ネジ１５９をヒートスプレッター１５３まで貫通させるだけでよい。また、図示はしていないが、図７（ａ）を用いて説明した形態において、接着剤１６２の代わりに、ネジなどの固定具を用いて固定化してもよい。
【００４５】
第二の実施形態
図２は、本実施形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を説明するための断面図である。図２（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【００４６】
図２（ａ）に示すように、半導体パッケージ１２０は、ガラスやアクリルなどのプラスチックスなどのように特定の波長範囲を有する光１２４に対して透過性の高い材料を用いた低熱伝導率板１２２などにより構成されており、低熱伝導率板１２２は、ヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように、上記した光１２４により軟化する特定の接着剤１２６を用いて固定されている。
【００４７】
ここで、低熱伝導率板１２２は、ガラス、セラミックス、プラスチックスなどの熱伝導率の低い物質により構成されている。また、シート状の物質、剛性の高い物質などが好ましく用いられる。
【００４８】
ここで、上記した光１２４としては、たとえば、紫外線が好ましく用いられる。また、上記した光１２４により軟化する特定の接着剤１２６としては、たとえば、紫外線により軟化する樹脂材料からなる接着剤（以下、紫外線軟化接着剤）などが好ましく用いられる。
【００４９】
紫外線軟化接着剤としては、たとえば、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シフ）など、紫外線の照射により切断される結合を有する接着剤が挙げられ、このような結合を多く有する接着剤が好ましく用いられ、たとえば、ポリエチレン系やポリプロピレン系などといったポリオレフィン系、ポリイミド系、ポリエステル系、ポリメチルメタクリレート系（ＰＭＭＡ）などが好ましく用いられる。また、これらの材料のうち、１種または２種以上を用いてもよい。
【００５０】
また、構造式中、芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環あるいはその縮合環）を有する接着剤を用いてもよい。たとえば、ポリフェニレンサルファイド系（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン系（ＰＥＳ）などの接着剤が好ましく用いられる。また、これらの材料のうち、１種または２種以上を用いてもよい。
【００５１】
ここで、上記した接着剤１２６を用いることによって、図２（ｂ）に示すように、紫外線を紫外線透過性の高い材料により構成された低熱伝導率板１２２を通して上記した接着剤１２６によるヒートスプレッター１０８と低熱伝導率板１２２との接着部分に照射することによって、リフロー後に容易にヒートスプレッター１０８と低熱伝導率板１２２とを分離することができる。こうすることにより、半導体パッケージ１２１を放熱特性に優れた半導体装置として用いることができる。（図２（ｃ））。
【００５２】
ここで、半導体パッケージ１２０には、ヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように低熱伝導率板１２２が備えられているので、リフローの際にヒートスプレッター１０８からの放熱が抑制される。したがって半田ボール１０６に熱量が十分に伝えられ、半田ボール１０６を所望の温度に加熱することが可能となる。
【００５３】
この結果、リフロー後に低熱伝導率板１２２を容易に取り外すことが可能になりつつ、半導体パッケージ１２０と基板１１２との半田ボール１０６による接合は十分なものとなり、半導体パッケージ１２０の基板１１２への良好な実装性が得られる。
【００５４】
第三の実施形態
図３は、本実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【００５５】
半導体パッケージ１３０は、あらかじめ凹凸形状を設けたヒートスプレッター１３２と、それと嵌合するような凹凸形状を設けた低熱伝導率板１３４とが、その凹凸形状に合わせて固定されている。固定の方法としては、寸法公差によるはめ合わせ、ネジなどによる機械的固定、接着剤による固定などが好ましく用いられ、寸法公差によるはめ合わせが特に好ましく用いられる。
【００５６】
ヒートスプレッター１３２と低熱伝導率板１３４とが凹凸形状を有するという特徴を有していることによって、ヒートスプレッター１３２と低熱伝導率板１３４とが接する部分の表面積が増大する。そのため、リフロー時のヒートスプレッター１３２と低熱伝導率板１３４との密着性が、より良好になり、リフロー時における低熱伝導率板１３４のヒートスプレッター１３２からの剥離が、より抑制される。
【００５７】
また、寸法公差によるはめ合わせによって、ヒートスプレッター１３２と低熱伝導率板１３４とが接合された場合には、リフロー後に容易に、かつ半導体パッケージ１３０に損傷などの影響を与えることなくヒートスプレッター１３２と低熱伝導率板１３４とを分離することができる。
【００５８】
ここで、半導体パッケージ１３０には、ヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように低熱伝導率板１３４が備えられているので、リフローの際にヒートスプレッター１３２からの放熱が抑制される。したがって半田ボール１０６に十分な熱量が伝えられ、半田ボール１０６を所望の温度に加熱することが可能となる。
【００５９】
この結果、リフロー後に低熱伝導率板１３４を容易に取り外すことが可能になりつつ、半導体パッケージ１３０と基板１１２との半田ボール１０６による接合は十分なものとなる。そのため、半導体パッケージ１３０の基板１１２への良好な実装性が得られる。また、放熱特性に優れた半導体装置を得ることができる。
【００６０】
以上、発明の好適な実施の形態を説明した。しかし、本発明は上述の実施の形態に限定されず、当業者が本発明の範囲内で上述の実施形態を変形可能なことはもちろんである。
【００６１】
たとえば、上記実施形態においては、低熱伝導率板として低熱伝導率で構成された一体の板状のものを用いた形態について説明したが、図４に示すように、外壁１４２は低熱伝導率部材以外の物質により構成され、内部が中空であり、その中空部分１４４に低熱伝導率液体や低熱伝導率ガスが充填されていてもよい。なお、外壁１４２は、低熱伝導率部材により構成されていてもよい。
【００６２】
また、上記実施形態においては、半導体パッケージを基板に装着する形態について説明したが、図５に示すように半導体チップ１４６に装着する形態でもよい。図５では、半導体チップ１４６と素子形成層１０２とシリコン基板１０４からなる半導体チップが半田ボール１０６を介して基板１１２に接続されている。ワイヤボンディング１４８は、半導体チップ１４６と基板１１２とを電気的に接続する機能を有する。
【００６３】
また、上記実施形態においては、特定の波長範囲を含む光１２４として紫外線、特定の波長の光により軟化する特定の接着剤として紫外線軟化接着剤を用いた形態について説明したが、紫外線により軟化する接着剤以外でも、特定の波長範囲を含む光により軟化する性質を有する接着剤であればよく、また、その特定の波長の光を用いてもよい。
【００６４】
また、上記実施形態の図８においては、固定具としてネジ１５９を用いる形態について説明したが、ネジ１５９以外でも、ピンなど低熱伝導率板１５１をヒートスプレッター１５３に機械的に固定できるものであればよい。また、図９に示すように、ネジ１１６を用いて、シリコン基板１０４にネジ止めしてもよい。
【００６５】
また、第一の実施形態においては、図６（ｂ）、図７（ｂ）のような構成の半導体パッケージに図１（ａ）と同じく接着剤で低熱伝導部材を取り付ける構成を説明したが、図６（ｂ）、図７（ｂ）の構造を第二の実施形態および第三の実施形態で説明した半導体パッケージに適用することも可能である。さらに、図６（ｂ）、図７（ｂ）のような構成の半導体パッケージのみならず、本願発明においては、半田ボールを用いて基板に取り付けられる半導体装置であって、放熱部材を備える半導体装置であれば、放熱部材の上部に上記実施形態で記載したように低熱伝導部材を取り付けることによって本願発明を実施することができる。
【００６６】
また、上記実施形態においては、低熱伝導率板１１０がヒートスプレッター１０８の上面の全体を覆うように設けられる形態について説明したが、上面の一部を覆うように設けられていてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態においては、放熱防止部材として低熱伝導率板を挙げているが、板状に限るものではない。放熱防止部材は、除去可能な熱伝導率の低い部材であればよく、たとえばフィルム状放熱防止部材でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成ならびに製造工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】従来技術に係る半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００      半導体パッケージ
１０１      半導体パッケージ
１０２      素子形成層
１０４      シリコン基板
１０６      半田ボール
１０８      ヒートスプレッター
１１０      低熱伝導率板
１１２      基板
１１４      接着剤
１１６      ネジ
１２０      半導体パッケージ
１２１      半導体パッケージ
１２２      低熱伝導率板
１２４      光
１２６      接着剤
１３０      半導体パッケージ
１３２      ヒートスプレッター
１３４      低熱伝導率板
１４２      外壁
１４４      中空部分
１４６      半導体チップ
１４８      ワイヤボンディング
１５０      半導体装置
１５１      低熱伝導率板
１５２      接着剤
１５３      ヒートスプレッター
１５４      半導体パッケージ基板
１５５      半導体チップ
１５６      半田ボール
１５７      基板
１５８      半導体パッケージ
１５９      ネジ
１６０      半導体装置
１６１      低熱伝導率板
１６２      接着剤
１６３      ヒートスプレッター
１６４      補強材
１６５      半導体チップ
１６６      半導体パッケージ基板
１６７      半田ボール
１６８      基板
１６９      半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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