(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハツェンダ型光変調器に、被測定周波数の高周波ＡＣ信号とモニタ用の低周波ＡＣ信号とを重畳して印加、又は両者を別々に構成された電極にそれぞれ印加し、該光変調器からの出力光の低速応答を観測することによりマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧を測定する方法において、
該高周波ＡＣ信号の電圧振幅を可変し、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅を用いて、マッハツェンダ型光変調器の被測定周波数における半波長電圧を測定することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法において、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅のピーク−ピーク電圧振幅値ＶＰ−Ｐと、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧値Ｖπとの関係が、
式  Ｊ０（πＶＰ−Ｐ／（２Ｖπ））＝０  （Ｊ０は０次のベッセル関数）
の関係を満足することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法。
【請求項３】
請求項１に記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法において、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅でピーク−ピーク電圧振幅値が最小となる値をＶＰ−Ｐｍｉｎとした場合に、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧値Ｖπが、
式  πＶＰ−Ｐｍｉｎ／（２Ｖπ）＝２．４０５
の関係を満足することを特徴とするマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法を用いて、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧を測定可能としたことを特徴とするマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マッハツェンダ型光変調器（以下、ＭＺ型光変調器をいう）の半波長電圧（ＡＣ半波長電圧ともいう）の測定方法及び測定装置に関わり、特に高速、大容量光ファイバ通信に用いられる高周波変調に対応したＭＺ型光変調器の高周波における半波長電圧を測定するための測定方法及び測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光変調器は、光通信における送信部などに用いられる主要な素子であり、特に、ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）を用いて製作されたＭＺ型光変調器は、近年の高速大容量光通信において、高速・広波長帯域・低チャープといった特徴から非常に多く使用されている。
ＭＺ型光変調器１は、図１に示すように、電気光学効果を有する基板上に、光波を導波するための光導波路２と、前記光波にマイクロ波帯域の高速変調信号を印加するための電極（不図示）などによって構成される。ＭＺ型光変調器の動作原理は、光導波路２の一端から入力された光が、途中で分岐されると共に信号源から印加された電気信号の電圧の大きさに依存して屈折率が変化した基板中を通過するため相互の光に速度差を生じ、分岐した光が合流した際には、相互に位相のずれが発生し、合成された光出力は、該電気信号に応じた強度変化を示すものである。
【０００３】
図２は、ＭＺ型光変調器１に印加される信号源３の入力電圧（Ｖ）変化に対する、光出力（Ｉ）変化示すグラフであり、一般に、入力電圧Ｖが増加するに従い、光出力Ｉは一定の範囲を正弦波的に振動する曲線を描く。図２のように、光出力における最小点と最大点との間の入力電圧幅を半波長電圧Ｖπと呼び、光通信における光変調器でＯＮ／ＯＦＦスイッチング制御を行う際に、光変調器に印加する電気信号の電圧値を決定する重要な数値である。
同じ光変調器であっても、半波長電圧は光変調器に印加される電気信号の周波数に応じて変化し、しかも、近年の光通信の高速・大容量化に伴い、光変調器の駆動周波数も高周波化し、１０ＧＨｚやそれ以上の周波数においても正確な半波長電圧を測定することが要求されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
半波長電圧の測定方法としては、図３のように光出力を直接観察する測定方法（従来例１）や、米国特許第６，２０４，９５４号に示す図５のような光出力の平均出力値を用いる測定方法（従来例２）などがある。
従来例１では、図３に示すように、ＭＺ型光変調器１にレーザ光源４からの光を入射すると共に、高周波ＡＣ信号３１にバイアス用のＤＣ電源３２からのバイアス電圧をバイアスＴ３３により重畳した電圧をＭＺ型光変調器１に印加する。そして、ＭＺ型光変調器１から出射される光を、高速フォトディテクタ５１により検出し、検出出力をサンプリングオシロスコープ５２で観測することにより行われる。
従来例１の測定方法は、ＭＺ型光変調器１の入力電圧Ｖと光出力Ｉとの関係（Ｖ−Ｉ特性）が、図４のグラフＡに示すような場合、ピーク−ピーク電圧振幅値ＶＰ−Ｐを持つ高周波ＡＣ信号にバイアス電圧ＶＢが重畳されて、グラフＢのような入力電圧がＭＺ型光変調器１に印加されると、光出力はグラフＣのようになり、このグラフＣの波形はサンプリングオシロスコープ５２で直接観察される。
そして、この直接観察を行いながら、グラフＣのピーク−ピークの振幅幅が最大となるように、ＶＰ−ＰとＶＢの電圧値を調整し、最大時のＶＰ−Ｐを測定することで、ＭＺ型光変調器１の半波長電圧Ｖπが求められる（Ｖπ＝ＶＰ−Ｐ）。
しかしながら、従来例１の測定方法では、１０ＧＨｚを超える高周波では、高速フォトディテクタ５１など受光系の周波数特性の問題から、正確な光波形（図４のグラフＣ）を観察するのが困難である。このため、精密な半波長電圧の測定が出来ない。
【０００５】
他方、従来例２では、図５に示すように、レーザ光が通過しているＭＺ型光変調器１に対して、高周波ＡＣ信号３１にＤＣ電源３２からのバイアス電圧をバイアスＴ３３により重畳した電圧を印加する。そして、ＭＺ型光変調器１から出射される光を光カプラー５３で分岐し、一方の光を光パワーメータ５４に、他方の光をフォトディテェクタ５５により検出し、検出出力をスペクトラムアナライザ５６に導入するように構成される。
従来例２の測定方法は、ＭＺ型光変調器１の入力電圧Ｖと光出力Ｉとの関係（Ｖ−Ｉ特性）が、図６のグラフＡに示すような場合、バイアス電圧ＶＢをＶ−Ｉ特性のグラフＡのピーク値を示す入力電圧となるように調整（バイアス点調整）し、バイアス電圧ＶＢにピーク−ピーク電圧振幅値ＶＰ−Ｐを有する高周波ＡＣ信号を重畳した場合（グラフＢ１）の光出力の平均出力値（グラフＣ１）や、高周波ＡＣ信号を付加しない場合（バイアス電圧ＶＢのみ。グラフＢ２）の光出力値（グラフＣ２）、そして、高周波ＡＣ信号のＶＰ−Ｐを各々測定する。そして、Ｖ−Ｉ特性が正弦関数になることを利用して、ＭＺ型光変調器の半波長電圧Ｖπを求めることができる。
従来例２の測定方法では、高周波において精密な半波長電圧が測定できるが、ＭＺ型光変調器のバイアス点調整が必要であり、バイアス点変動が生じて光出力に揺らぎがある場合の正確な半波長電圧の測定が難しいという問題がある。また、半波長電圧の計算に用いるパラメータが多く、計算が煩雑となっている。
【０００６】
本発明は、上記のような問題点を解決し、ＭＺ型光変調器の半波長電圧の測定において、高周波においても精密な測定が可能で、該光変調器のバイアス点変動に依存せず、しかも計算に用いるパラメータも簡潔な測定方法及び装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1に係るマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法は、マッハツェンダ型光変調器に、被測定周波数の高周波ＡＣ信号とモニタ用の低周波ＡＣ信号とを重畳して印加、又は両者を別々に構成された電極にそれぞれ印加し、該光変調器からの出力光の低速応答を観測することによりマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧を測定する方法において、該高周波ＡＣ信号の電圧振幅を可変し、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅を用いて、マッハツェンダ型光変調器の被測定周波数における半波長電圧を測定することを特徴とする。
【０００８】
請求項２に係るマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法は、請求項１に記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法において、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅のピーク−ピーク電圧振幅値ＶＰ−Ｐと、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧値Ｖπとの関係が、
式  Ｊ０（πＶＰ−Ｐ／（２Ｖπ））＝０  （Ｊ０は０次のベッセル関数）
の関係を満足することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係るマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法は、請求項１に記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法において、該モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の該高周波ＡＣ信号の電圧振幅でピーク−ピーク電圧振幅値が最小となる値をＶＰ−Ｐｍｉｎとした場合に、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧値Ｖπが、
式  πＶＰ−Ｐｍｉｎ／（２Ｖπ）＝２．４０５
の関係を満足することを特徴とする。
【００１０】
請求項４に係るマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定装置は、請求項１乃至３のいずれかに記載のマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法を用いて、マッハツェンダ型光変調器の半波長電圧を測定可能としたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適例を用いて詳細に説明するが、本発明の範囲は、当該好適例に限定されるものではない。
本発明では、図７に示すように、ＭＺ型光変調器１に、被測定周波数の高周波ＡＣ信号３４とモニタ用の低周波ＡＣ信号３５を重畳して印加、又は図９に示すように、両者を別々に構成された電極（具体的には、ＲＦ用信号電極とバイアスポート用接地電極）にそれぞれ印加し、光変調器の出力光の低速応答（低周波ＡＣ信号３５に対応した変化）を、フォトディテクタ５７とオシロスコープ５８により観測し、この波形の観察に合わせて、高周波ＡＣ信号３４の電圧振幅を調整することにより、ＭＺ型光変調器１の半波長電圧の測定を可能とするものである。
本発明によれば、ＭＺ型光変調器に係る測定で問題となるバイアス点の調整・制御を行う必要が無く、しかも、非常に簡便に精密な半波長電圧の測定をすることが可能となる。
【００１２】
本発明の測定原理について説明する。
高周波ＡＣ信号３４による位相変化をΦ１、低周波ＡＣ信号３５による位相変化をΦ２とすると、ＭＺ型光変調器１の光出力は、式（１）で表される。ただし、Ｉ０は光出力の最大値、Ｖｐ−ｐは高周波ＡＣ信号３４のピーク−ピーク電圧振幅値、ｆは被測定周波数である高周波ＡＣ信号３４の周波数、Ｖπは被測定周波数ｆでのＭＺ型光変調器１の半波長電圧を、各々意味する。
【数１】
0004608149.tif 000002
【００１３】
次に、式（１）の光出力Ｉに係る低速応答Ｉ’は、高周波ＡＣ信号（周波数ｆ）の時間平均をとることに相当し、式（２）のように表すことができる。
【数２】
0004608149.tif 000003
【００１４】
さらに、式（２）を級数展開して整理すると、式（３）のように表すことができる。
【数３】
0004608149.tif 000004
【００１５】
式（３）から、ＭＺ型光変調器の光出力の低速応答Ｉ’は、定数項、０次のベッセル関数と余弦関数の積で表される。ここでベッセル関数で表される量は、高周波ＡＣ信号３４による出力変化であり、余弦関数で表される量は、低周波ＡＣ信号３５による出力変化である。
今、ベッセル関数の項を０とするような電圧Ｖｐ−ｐの高周波ＡＣ信号３４を入力した場合、式（３）の第２項は０となり、いかなる低周波ＡＣ信号３５を入力しても、光出力の低速応答Ｉ’はＩ０／２となり、一定の光出力となる。この様子を示したのが図８（ｂ）である。
つまり、ＭＺ型光変調器１に加える高周波ＡＣ信号３４の電圧振幅を連続的に変化させながら、ＭＺ型光変調器１からの出力光の低速応答をオシロスコープ５８により観測し、図８（ａ）のように低周波ＡＣ信号の影響で光出力が変動している状態が、図８（ｂ）のように光出力が一定となった場合に、ＭＺ型光変調器１に入力している高周波ＡＣ信号３４の電圧Ｖｐ−ｐを測定することにより、被測定周波数ｆにおける半波長電圧Ｖπを算出することができる。
【００１６】
光出力の低速応答Ｉ’が一定となった場合のＶｐ−ｐとＶπとの関係は、式（３）のベッセル関数の項を０にする条件である
Ｊ０（πＶＰ−Ｐ／（２Ｖπ））＝０  （Ｊ０は０次のベッセル関数）
により、導出できる。
ただし、０次のベッセル関数が０となる条件は複数あるため、通常は必要な信号電圧が最小ですむ、最初に光出力が最小となるピーク−ピーク電圧振幅値ＶＰ−Ｐｍｉｎから、πＶＰ−Ｐｍｉｎ／（２Ｖπ）＝２．４０５の関係を用いて半波長電圧値Ｖπを算出する。
【００１７】
本発明に係る実験の一例を図９、１０に示す。
ＭＺ型のＬＮ光変調器１１には、レーザ光源から発生された１．５５μｍのレーザ光を、偏波コントローラ４２を通過させて偏波状態を調整して入射させる。
ＬＮ光変調器１１には、被測定周波数ｆの高周波ＡＣ信号とモニタ用の低周波ＡＣ信号を重畳して入力する。高周波ＡＣ信号の入力は、高周波信号発生器３４−１からの高周波マイクロ波を高周波アンプ３４−２により電圧振幅値を可変して、ＬＮ光変調器１１の高周波用（ＲＦ）ポートに入力する。また、低周波ＡＣ信号の入力は、低周波信号発生器３５−１から１ｋＨｚの正弦波をＬＮ光変調器１１のバイアス（ＢＩＡＳ）ポートに入力する。低周波ＡＣ信号の振幅電圧は半波長電圧の２倍以上に設定することで、常に光出力の振幅値が最大となるため、観測が容易となり、より精度の高い測定が可能となる。
ＬＮ光変調器１１からの出射光は、フォトディテクタ５７で光出力を検出し、検出信号をオシロスコープ５８で観測する。
【００１８】
本実験例における測定結果は、各被測定周波数１ＧＨｚ、５ＧＨｚ、１０ＧＨｚに対し、半波長電圧は４．９Ｖ、５．７Ｖ、６．４Ｖとなった。
図１０では、この測定結果である半波長電圧を利用した場合のＬＮ光変調器１１の電気・光応答特性と、光コンポーネントアナライザによるＬＮ光変調器１１の電気・光応答特性の測定結果を比較したものである。これによると両者は非常に良く一致しており、本発明の測定は従来のものと比較し大幅に簡素化して測定しているにも拘わらず、測定結果はＬＮ光変調器１１の特性を的確に捉えていることから、本発明の測定精度は非常に優れたものと言える。
【００１９】
また、本発明の測定方法及び装置は自動化することも可能であり、例えば、高周波ＡＣ信号の電圧振幅Ｖｐ−ｐを０から自動的に増加させ、光出力の低速応答Ｉ’の変動幅が所定値以内（所定値は０に近いほどより正確な測定結果が得られるが、測定誤差などの影響により完全に０とすることは困難なため、測定結果の用途に応じて効率的な測定が行える値を設定するのが望ましい）になった時点の値Ｖｐ−ｐを記憶させ、該値を用いて別途設けられた演算装置により半波長電圧Ｖπを算出するように構成することができる。そして、被測定周波数を順次変更しながら、同様な測定方法を繰り返すことで、任意の周波数帯域に渡る半波長電圧を自動的に測定することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、モニタ用低周波ＡＣ信号による出力光の強度変化がほぼ０となる時の高周波ＡＣ信号の電圧振幅値の最小値Ｖｐ−ｐｍｉｎを測定し、式πＶＰ−Ｐｍｉｎ／（２Ｖπ）＝２．４０５に代入するだけで、簡単にマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧Ｖπが測定できる。
しかも、被測定周波数が高周波であっても、直接高周波波形を観測する必要がないため、精密な測定が可能であると共に、バイアス点に依存しない測定方法のため、バイアス点調整が不要な上、光変調器のバイアス点変動の影響を受けない。
さらに、半波長電圧Ｖπの計算に用いるパラメータもＶｐ−ｐｍｉｎのみでよいなど、極めて効果的なマッハツェンダ型光変調器の半波長電圧測定方法及び装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ＭＺ型光変調器の概略図。
【図２】  ＭＺ型光変調器のＶ−Ｉ特性を示すグラフ。
【図３】  従来例１の測定方法を示す概略図。
【図４】  従来例１の測定方法によるＶ−Ｉ特性等の関係を示すグラフ。
【図５】  従来例２の測定方法を示す概略図。
【図６】  従来例２の測定方法によるＶ−Ｉ特性等の関係を示すグラフ。
【図７】  本発明の測定方法を示す概略図。
【図８】  本発明の測定法による光出力の低速応答の状態変化を示すグラフ。
【図９】  本発明の実験例を示す概略図
【図１０】  本発明の測定結果を利用した場合のＭＺ型光変調器における電気・光応答特性を示すグラフ。
【符号の説明】
１    ＭＺ型光変調器
２    光導波路
３    信号源
４    レーザ光源
３１  高周波ＡＣ信号
３２  ＤＣ電源
３３  バイアスＴ
３４  高周波ＡＣ信号
３４−１  高周波信号発生器
３４−２  高周波アンプ
３５  低周波ＡＣ信号
３５−１  低周波信号発生器
３６  信号加算器
４１  レーザ光源
４２  偏波コントローラ
５１  高速フォトディテクタ
５２  サンプリングオシロスコープ
５３  光カプラー
５４  光パワーメータ
５５  フォトディテクタ
５６  スペクトラムアナライザ
５７  フォトディテクタ
５８  オシロスコープ
【図１】
0004608149.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0004608149.tif 000009
【図６】
0004608149.tif 000010
【図７】
0004608149.tif 000011
【図８】
0004608149.tif 000012
【図９】
0004608149.tif 000013
【図１０】
0004608149.tif 000014