(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板上に形成されており、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極を含む電極と、
前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第１の酸化ケイ素膜と、
前記電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第２の酸化ケイ素膜とを備え、レイリー波を利用した弾性表面波装置であって、
表面波の波長λとしたときに、前記電極の膜厚が０．１２λ〜０．１８λの範囲にあり、前記オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のθが下記の式（１）を満たす範囲とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
【数１】
0004636178.tif 000005
【請求項２】
前記第２の酸化ケイ素膜の膜厚Ｈが、０．１５λ〜０．５０λの範囲とされている、請求項１に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、ＬｉＮｂＯ３基板上にＩＤＴ電極及び酸化ケイ素膜が形成されている構造を有し、かつレイリー波を利用した弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機のＲＦ段などに用いられている帯域フィルタでは、広帯域でありかつ良好な温度特性を有することが求められている。そのため、従来、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３基板や回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板からなる圧電性基板上に、ＩＤＴ電極が形成されており、かつＩＤＴ電極を被覆するように、酸化ケイ素膜を形成した弾性表面波装置が用いられている。この種の圧電性基板は、周波数温度係数が負の値を有し、温度特性を改善するために、正の周波数温度特性を有する酸化ケイ素膜がＩＤＴ電極を被覆するように形成されている。【０００３】
しかしながら、このような構造において、ＩＤＴ電極を汎用されているＡｌまたはＡｌを主成分とする合金などにより形成した場合、ＩＤＴ電極において、十分な反射係数を得ることができなかった。そのため、共振特性にリップルが生じがちであるという問題があった。【０００４】
このような問題を解決するものとして、下記の特許文献１には、電気機械結合係数Ｋ２が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ３からなる圧電性基板上に、Ａｌよりも密度の大きい金属を主体とするＩＤＴ電極が形成されており、該ＩＤＴ電極が形成されている残りの領域に第１の酸化ケイ素膜が電極と等しい膜厚に形成されており、該電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように第２の酸化ケイ素膜を積層した弾性表面波装置が開示されている。【０００５】
特許文献１に記載の弾性表面波装置では、上記ＩＤＴ電極の密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上とされており、それによってＩＤＴ電極の反射係数が十分に高められ、共振特性に現れるリップルを抑圧することができるとされている。【０００６】
特許文献1では、レイリー波が利用されており、上記電極材料として、ＡｕやＣｕなどが例示されており、Ｃｕからなる電極の場合にその膜厚は０．００５８λ〜０．１１λとした構成が開示されており、特に、０．００５８λ〜０．０５５λとすることにより、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２を大きくすることができる旨が示されている。また、上記ＬｉＮｂＯ３基板としては、オイラー角が（０°±５°，３８°±１０°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板が示されており、上記第２の酸化ケイ素膜の膜厚としては、表面波の波長λとしたとき、０．１５λ〜０．４λの範囲とされている構成が示されている。
【特許文献１】ＷＯ２００５−０３４３４７
【発明の開示】
【０００７】
近年、弾性表面波装置においても高周波化が一層進んでいる。そのため、ＩＤＴ電極における電極指ピッチが小さくなってきており、電極指自体の幅寸法も小さくなってきている。その結果、配線抵抗が大きくなり、弾性表面波装置における損失が大きくなりがちであった。
【０００８】
弾性表面波装置における損失を低減するには、電極の膜厚を厚くすればよい。しかしながら、レイリー波を利用した従来の弾性表面波装置では、例えば特許文献１に記載のように、ＣｕからからなるＩＤＴ電極の膜厚は、厚くとも０．１１λとされていた。これは、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚を０．１１λまで厚くすると、ＳＨ波の応答が急激に大きくなり、共振周波数と反共振周波数との間に大きなスプリアスが現れると考えられていたことによる。従って、特許文献１では、ＩＤＴ電極Ｃｕで構成した場合、その厚みは、０．００５８λ〜０．１１λの範囲とされており、好ましくは０．００５８λ〜０．０５５とされていた。
【０００９】
従って、高周波化を進め、電極指ピッチを小さくしたり、電極指の幅寸法を小さくした場合、電極膜厚をさほど厚くすることができないため、配線抵抗が大きくなり、損失が大きくなりがちであった。
【００１０】
また、上記のように、第１，第２の酸化ケイ素膜を有する弾性表面波装置では、酸化ケイ素膜の形成により周波数温度特性は改善されるものの、酸化ケイ素膜の膜厚ばらつきにより特性がばらつくという問題もあった。
【００１１】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、高周波化を図るために、電極指ピッチを小さくしたり、電極指の幅寸法を小さくした場合であっても、損失の増大が生じ難い、レイリー波を利用した弾性表面波装置を提供することにある。
【００１２】
本発明によれば、オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のＬｉＮｂＯ３基板と、前記ＬｉＮｂＯ３基板上に形成されており、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極を含む電極と、前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第１の酸化ケイ素膜と、前記電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第２の酸化ケイ素膜とを備え、レイリー波を利用した弾性表面波装置であって、表面波の波長λとしたときに、前記電極の膜厚が０．１２λ〜０．１８λの範囲にあり、前記オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のθが下記の式（１）を満たす範囲とされていることを特徴とする、弾性表面波装置が提供される。
【００１３】
【数１】
0004636178.tif 000002
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置では、好ましくは、第２の酸化ケイ素膜の膜厚Ｈは、０．１５λ〜０．５０λの範囲とされ、その場合には、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２を６％以上とすることができ、広帯域化を容易に図ることができる。
（発明の効果）
【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置では、ＬｉＮｂＯ３基板上にＩＤＴ電極を含むＣｕを主体とする電極が形成されており、上記第１，第２の酸化ケイ素膜が形成されており、レイリー波を利用した弾性表面波装置において、電極膜厚が、上記特定の範囲内とされており、すなわち０．１２λ以上と厚くされているため、電極抵抗を低くすることができ、それによって高周波化を進めた場合であっても損失の低減を図ることが可能となる。加えて、ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角のθが上記特定の範囲内とされているので、レイリー波の電気機械結合係数の低下が生じ難い。
【００１６】
よって、本発明によれば、高周波化に容易に対応することができ、低損失であり、広帯域の弾性表面波装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の模式的平面図及びその要部を拡大して示す部分切欠拡大正面断面図である。
【図２】図２は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の厚み及びオイラー角のθが変化した場合のレイリー波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。
【図３】図３は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の厚み及びオイラー角のθが変化した場合のＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。
【図４】図４は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚が変化した場合のレイリー波及びＳＨ波の音速の変化を示す図である。
【図５】図５は、ＩＤＴ電極の膜厚が変化した場合のレイリー波の電気機械結合係数の変化を示す図である。
【図６】図６は、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．２λ、０．３λまたは０．４λとしたときのオイラー角のθの変化によるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。
【図７】図７は、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．２λ、０．３λまたは０．４λとしたときのオイラー角のθの変化によるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。
【図８】図８は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚が０．０４λである場合の、第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ、０．３λまたは０．４λの場合の、オイラー角のθの変化によるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。
【図９】図９は、実施形態及び第１，第２の比較例の弾性表面波装置のインピーダンス特性及び位相特性を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態の弾性表面波装置において、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．３４λ、０．２９λまたは０．２４λとした場合のインピーダンス特性及び位相特性を示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１…弾性表面波装置
２…ＬｉＮｂＯ３基板
３…ＩＤＴ電極
４，５…反射器
６…第１の酸化ケイ素膜
７…第２の酸化ケイ素膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００２０】
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の模式的平面図であり、（ｂ）はその要部を示す部分切欠拡大正面断面図である。【００２１】
弾性表面波装置１は、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板２を用いて構成されている。ＬｉＮｂＯ３基板２の結晶方位は、オイラー角で（０°±５°，θ，０°±１０°）とされている。【００２２】
また、ＬｉＮｂＯ３基板２上には、図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３が形成されている。図１（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側には、反射器４，５が形成されている。【００２３】
これらの電極が形成されている領域の残りの領域には、第１の酸化ケイ素膜６が形成されている。第１の酸化ケイ素膜６の膜厚は、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５の膜厚と等しくされている。そして、これらの電極３，４及び第１の酸化ケイ素膜６を覆うように第２の酸化ケイ素膜７が形成されている。【００２４】
弾性表面波装置１では、ＬｉＮｂＯ３基板は、負の周波数温度係数を有する。これに対して、酸化ケイ素膜６，７は、正の周波数温度係数を有する。従って、周波数特性を改善することができる。【００２５】
加えて、ＩＤＴ電極３を含む電極の密度が、第１の酸化ケイ素膜６の密度の１．５倍以上とされている。すなわち、本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、Ｃｕにより形成されている。従って、ＩＤＴ電極３の密度は８．９３ｇ／ｃｍ３であり、他方、第１の酸化ケイ素膜の密度は２．２１ｇ／ｃｍ３である。【００２６】
従って、前述した特許文献１に開示されているように、ＩＤＴ電極３の反射係数を高めることができる。それによって、共振特性上に現れるリップルを抑圧することが可能とされている。【００２７】
本実施形態の弾性表面波装置１の特徴は、さらに、上記ＩＤＴ電極３の膜厚が、表面波の波長λとしたときに、０．１２λ〜０．１８λの範囲にあり、かつＬｉＮｂＯ３基板２のオイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のθが下記の式（１）を満たす範囲とされていることにある。すなわち、ＩＤＴ電極３の膜厚が、０．１２λ以上と厚くされているので、電極抵抗を低くすることができる。よって、高周波化を進めた場合であっても損失の低減を図ることができる。また、オイラー角のθが特定の範囲内とされているので、レイリー波の電気機械結合係数の低下が生じ難い。【００２８】
【数１】
0004636178.tif 000003
【００２９】
これを、具体的な実験例に基づき説明する。【００３０】
（第１の実験例）
オイラー角（０°，２０°〜５０°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板２において励振されるレイリー波及びスプリアスとなるＳＨ波に関し、有限要素法により計算を行った。なお、計算モデルは、図１（ｂ）に示すように、第２の酸化ケイ素膜の上面が平坦な構造とし、ＩＤＴ電極をＣｕで構成し、第１，第２の酸化ケイ素膜６，７はＳｉＯ２膜により構成したものとした。なお、ＩＤＴ電極のデューティは０．５０とし、第２の酸化ケイ素膜７を構成しているＳｉＯ２膜の膜厚は０．３λの厚みとした。【００３１】
ＩＤＴ電極３の膜厚を、０．０５λ、０．１０λ、０．１２λまたは０．２０λとし、オイラー角のθを変化させた場合のレイリー波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を図２に示す。また、ＩＤＴ電極の膜厚を０．０５λ、０．１０λ、０．１２λまたは０．２０λとし、オイラー角のθを変化させた場合のスプリアスとなるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を図３に示す。【００３２】
図２及び図３から明らかなように、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚が０．１２λ以上になると、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２及びＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２のいずれもが、オイラー角のθに対する依存性が変化することがわかる。すなわち、レイリー波の場合には図２から明らかなように、ＩＤＴ電極の膜厚が０．１０λ以下の場合には、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２が比較的小さく、かつ膜厚が０．０５λと薄くなると、オイラー角のθにより、電気機械結合係数Ｋ２が大きく変化していることがわかる。これに対して、ＩＤＴ電極の膜厚が０．１２λ以上の場合には、レイリー波の電気機械結合係数は６％以上と高く、しかもオイラー角のθの変化による変化が少ないことがわかる。【００３３】
他方、図３から明らかなように、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２は、オイラー角のθが変化すると大きく変化している。もっとも、ＩＤＴ電極３の膜厚が０．０５λの場合には、θ＝３６°付近でスプリアスとなるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２が極小となっているのに対し、電極膜厚が０．１２λ及び０．２０λでは、θ＝３０°付近でＳＨ波の電気機械結合係数が極小になっている。なお、ＩＤＴ電極の膜厚が０．１０λの場合には、オイラー角のθ＝３６°の場合に、ＳＨ波の電気機械結合係数は５％と非常に高かったので、図３には図示できていない。【００３４】
従って、図３から明らかなように、スプリアスとなるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２が最小となるθは、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚が０．１２λ以上となると、θ＝３６°付近から３０°付近にシフトすることがわかる。【００３５】
従来、レイリー波を利用する場合、ＩＤＴ電極３の膜厚が厚くなると、ＳＨ波スプリアスが大きくなると考えられていた。すなわち、上記のように、例えば電極膜厚が０．１０λ、かつオイラー角のθが３６°の場合、ＳＨ波の電気機械結合係数は５％と非常に高かった。【００３６】
これに対して、０．１２λ以上の膜厚とした場合には、θが３６°付近では、図３から明らかなように、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２は、０．２〜０．４％程度であるものの、θ＝３０°±５°の範囲内で０．１％以下と小さく、θ＝３０°付近では、非常に小さく、０．０５％以下となることがわかる。【００３７】
このように、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚が、０．１２λ付近を境にして、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２及びレイリー波の電気機械結合係数Ｋ２のθ依存性が変化するのは、図４に示すようにレイリー波の音速とＳＨ波の音速が、ＩＤＴ電極３の膜厚が０．１２λで交叉するためと考えられる。すなわち、図４に示すように、ＩＤＴ電極の膜厚が増加するにつれて、ＳＨ波及びレイリー波の音速は低下するが、０．１２λ以上になると、レイリー波の音速がＳＨ波の音速を上回ることになる。【００３８】
従って、図２及び図３に示したように、ＩＤＴ電極の膜厚が０．１２λ以上になると、上記レイリー波とＳＨ波の音速が逆転することにより、レイリー波及びＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２のθに対する依存性が変化しているものと考えられる。【００３９】
図５は、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２のＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚による変化を示す図である。ここでは、ＩＤＴ電極３のデューティは０．５０、第２の酸化ケイ素膜７としてのＳｉＯ２膜の膜厚は０．３λとした。【００４０】
図５から明らかなように、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚が増加するにつれて、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２は低下する傾向のあることがわかる。しかしながら、ＩＤＴ電極３の膜厚が０．１８λ以下であれば、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２は６％以上と十分高い値を示すことがわかる。従って、電気機械結合係数Ｋ２を６％以上と十分大きな値とするには、ＩＤＴ電極３の膜厚は０．１８λ以下とすることが必要である。【００４１】
本発明では、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚が、０．１２λ以上とされており、それによって、ＩＤＴ電極の膜厚が十分厚くされ、電極抵抗が低くされている。この場合、図２及び図３の結果から、後述するようにオイラー角のθを選択することにより、ＳＨ波によるスプリアスを十分小さくすることができ、かつレイリー波による電気機械結合係数Ｋ２を６％以上の十分大きな値とすることができる。特に、ＩＤＴ電極の膜厚を上記のように０．１８λ以下とすることにより、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２を確実に６％以上と大きくすることができる。【００４２】
図６は、ＩＤＴ電極のデューティを０．５０、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚を０．１２λとし、第２の酸化ケイ素膜７としてのＳｉＯ２膜の膜厚を０．２λ、０．３λまたは０．４λとした場合のオイラー角のθによるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。【００４３】
図７は、図６と同様に、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚を０．１２λ、デューティを０．５０とし、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．２０λ、０．３λまたは０．４λとしたときのオイラー角のθによるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化を示す図である。【００４４】
図６から明らかなように、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を、０．２λ、０．３λまたは０．４λのいずれの場合であっても、オイラー角のθが変化したとしても、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２はさほど変化せず、６％以上の高い値を示している。他方、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２については、図７から明らかなように、オイラー角のθが変化すると大きく変化しているが、第２の酸化ケイ素膜の膜厚が、０．２λ、０．３λまたは０．４λの場合のいずれにおいても、ほぼ同様の結果となっている。【００４５】
従って、図６及び図７から明らかなように、第２の酸化ケイ素膜７の膜厚が製造ばらつき等によりばらついたとしても、レイリー波及びＳＨ波のオイラー角のθ依存性はほとんど変化しないことがわかる。よって、上記実施形態によれば、ＳｉＯ２膜からなる第２の酸化ケイ素膜７の厚みばらつきが生じたとしても、ＳＨ波スプリアスによる特性の影響のばらつきが生じ難い、特性の安定な弾性表面波装置１を提供し得ることがわかる。【００４６】
なお、図８は、ＩＤＴ電極３の膜厚を０．０４λとした場合のＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２のオイラー角のθ及び第２の酸化ケイ素膜７の膜厚による変化を示す図である。図８から明らかなように、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚が０．０４λと薄い場合には、第２の酸化ケイ素膜７の膜厚が０．２λの場合、０．３λの場合あるいは０．４λの場合において、オイラー角のθによるＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２の変化が非常に異なっていることがわかる。従って、ＩＤＴ電極３の膜厚が０．０４λと薄い場合には、第２の酸化ケイ素膜７の膜厚がばらつくと、特性が大きくばらつくことがわかる。【００４７】
なお、ＳＨ波はスプリアスとなるため、その電気機械結合係数Ｋ２は小さいことが好ましい。ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２が最小となるθの値は、ＣｕからなるＩＤＴ電極３の膜厚をＴＣＵとすると、下記の式（１）で表される。この式（１）は、上記図３の結果から導かれたものである。【００４８】
【数１】
0004636178.tif 000004
【００４９】
また、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２が０．１％以下であればスプリアスによる影響は非常に小さくなる。そのため、上記式（１）で示されるθは、θ±５°の範囲であることが望ましく、その場合には、ＳＨ波の電気機械結合係数Ｋ２を０．１％以下とすることができる。【００５０】
また、図６から明らかなように、ＳｉＯ２からなる第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．２λ〜０．４λの範囲であれば、オイラー角のθが２０°〜５０°の広い範囲に渡り、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２が６％よりも高くされている。本願発明者の実験によれば、この第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．１５λ〜０．５λの範囲にあれば、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ２を６％以上と高くし得ることが確かめられている。従って、好ましくは、第２の酸化ケイ素膜の膜厚は０．１５λ〜０．５λ、より好ましくは図６に示されているように０．２λ〜０．４λの範囲とすればよい。【００５１】
図９は、上記実施形態の弾性表面波装置１と、比較のために用意した第１，第２の比較例の弾性表面波装置のインピーダンス特性及び位相特性を示す。実施形態の弾性表面波装置では、ＩＤＴ電極３は、膜厚が０．１２λのＣｕ膜とした。第１の比較例では、Ｃｕ膜の膜厚を０．１０λ、第２の比較例では、Ｃｕ膜の膜厚を０．０８λとした。【００５２】
なお、ＩＤＴ電極３の膜厚以外の仕様は以下の通りとした。【００５３】
オイラー角で（０°，３０°，０°）のＬｉＮｂＯ３基板２上に、上記実施形態の弾性表面波装置では、０．１２λ＝２４８ｎｍの厚みのＩＤＴ電極３を形成し、第２の酸化ケイ素膜７として、６００ｎｍ＝０．２９λのＳｉＯ２膜を作製し、１．９ＧＨｚ帯の１ポート型弾性表面波共振子を作製した。なお、λ＝２．０７μｍとした。【００５４】
第１の比較例では、ＩＤＴ電極は、２０７ｎｍ＝０．１０λのＣｕ膜により形成し、第２の酸化ケイ素膜７の膜厚は６００ｎｍ＝０．２９λとした。また、第２の比較例では、ＣｕからなるＩＤＴ電極の厚みは１６６ｎｍ＝０．０８λとし、第２の酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ２膜の膜厚は６００ｎｍ＝０．２９λとした。ＩＤＴ電極のデューティはいずれも０．５とした。【００５５】
実線が上記実施形態の結果を、破線が第１の比較例の結果を、一点鎖線が第２の比較例の結果を示す。【００５６】
図９から明らかなように、第２の比較例では、共振周波数と反共振周波数との間に矢印Ａで示す大きなスプリアスが現れており、第１の比較例においても共振周波数の低域側に矢印Ｂで示すスプリアスの現れていることがわかる。これらのスプリアスは、ＳＨ波によるスプリアスと考えられる。これに対して、上記実施形態の弾性表面波装置１では、このようなスプリアスが認められない。【００５７】
また、図１０は、上記実施形態の弾性表面波装置１において、第２の酸化ケイ素膜７の膜厚を、０．３４λの場合から、０．２９λ及び０．２４λに変化させたことを除いては同様にして構成された弾性表面波装置を用意し、これらの弾性表面波装置についてのフィルタ特性を測定した結果を示す。実線が、上記実施形態と同様に、第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．３４λの場合の結果を、破線が０．２９λの場合の結果を、一点鎖線が０．２４λの場合の結果を示す。【００５８】
図１０から明らかなように、いずれの場合においてもスプリアスは見られず、良好な共振特性の得られることがわかる。従って、ＳｉＯ２からなる第２の酸化ケイ素膜の膜厚がばらついたとしても、スプリアスが現れ難く、従って良好な共振特性を安定に得ることができる。【００５９】
ＬｉＮｂＯ３基板のオイラー角は、上記実施形態では、（０°，θ±５°，０°）とされていたが、本願発明者の実験によれば、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφは０°±５°の範囲であればよく、ψは０°±１０°の範囲であればよく、いずれの場合においても、上記実施形態と同様の効果が得られることが確認されている。【００６０】
上記実施形態では、ＩＤＴ電極は、Ｃｕにより構成されていたが、本発明においては、Ｃｕを主体とする電極を用いればよく、Ｃｕからなる主たる電極層の下方に、相対的に厚みの薄い密着層が形成されていてもよく、あるいはＣｕを主たる電極層上に、薄い保護電極層が積層されていてもよい。これらの場合、Ｃｕからなる主たる電極層の厚みを本発明の電極の厚みとすればよい。【００６１】
さらに、前述した１ポート型弾性表面波共振子やデュプレクサの帯域フィルタ部に限らず、様々な共振子や様々な回路構成の表面波フィルタに本発明を適用することができる。
【図１】
0004636178.tif 000006
【図２】
0004636178.tif 000007
【図３】
0004636178.tif 000008
【図４】
0004636178.tif 000009
【図５】
0004636178.tif 000010
【図６】
0004636178.tif 000011
【図７】
0004636178.tif 000012
【図８】
0004636178.tif 000013
【図９】
0004636178.tif 000014
【図１０】
0004636178.tif 000015