(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体の被処理体を収容する処理空間が形成された洗浄処理容器と、
前記被処理体を処理するための洗浄流体を貯留する流体貯溜槽と、
前記流体貯溜槽から前記洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給する供給路と、
前記洗浄処理容器から前記流体貯溜槽に前記洗浄流体を戻す環流路と、
前記洗浄処理容器の天井側に配置されて前記板状体の被処理体の平面に対して超音波を照射して前記被処理体の表面を流れる層流状態の前記洗浄流体に対して乱流を形成させる音波照射ユニットを有する乱流形成手段と、を備え、
前記洗浄処理容器、前記流体貯溜槽、前記供給路及び前記環流路により密閉された洗浄流体循環路を形成し、
前記被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な前記処理空間の断面積は、前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な前記被処理体の断面積の最大値よりも所定倍大きいことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記洗浄処理容器に回収用流体を外気に晒すことなく供給して、前記洗浄流体を前記流体貯留槽に回収する回収用流体供給系を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄処理容器にリンス流体を外気に晒すことなく供給するリンス流体供給系と、
前記洗浄処理容器に乾燥流体を外気に晒すことなく供給する乾燥流体供給系と、
前記洗浄処理容器に前記各流体を１種類ずつ選択的に連続供給するように制御する供給制御手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記リンス流体供給系及び前記乾燥流体供給系は前記洗浄流体循環路に接続されていて、前記リンス流体及び前記乾燥流体は前記洗浄流体循環路を通じて洗浄処理容器に供給されることを特徴とする請求項３に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記洗浄流体循環路に残留するリンス流体を洗浄流体に置換するための残留液処理用洗浄流体を貯留する第２の流体貯溜槽を更に備え、
前記残留液処理用洗浄流体を外気に晒すことなく前記洗浄流体循環路に流し前記残留液処理用洗浄流体を前記第２の流体貯溜槽へ回収するための密閉された残留液処理用循環路を形成したことを特徴とする請求項４に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記残留液処理循環流路には、前記洗浄処理容器をバイパスして前記残留液処理用洗浄流体を流すためのバイパス管が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記洗浄処理容器へ乾燥流体のみを供給する乾燥流体専用配管を備えることを特徴とする請求項６に記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記所定倍は、約１．５倍乃至約３００倍であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記流体貯留槽は、前記被処理体の表面に付着した複数種の付着物のそれぞれに対応した洗浄流体を貯留する複数の貯留槽を備えることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項１０】
前記被処理体の板面に対して平行に前記洗浄流体を流す流体案内手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項１１】
前記流体案内手段は、前記洗浄処理容器の流体導入口に接続された末広がりの扁平な洗浄流体導入部と、前記洗浄処理容器の流体排出口に接続された逆末広がりの扁平な洗浄流体排出部を有することを特徴とする請求項１０に記載の洗浄装置。
【請求項１２】
前記音波照射ユニットは、超音波を発生する超音波素子と、これにより発生した超音波を伝播するバッファ槽とからなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項１３】
前記乱流形成手段は、前記洗浄処理容器の内壁面に設けられた凹凸部を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の洗浄装置を、上下、左右、前後方向のうち少なくとも１つの方向に複数並設したことを特徴とする洗浄システム。
【請求項１５】
洗浄流体を収容する流体貯留槽から、板状体の被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な断面積が、前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な被処理体の断面積の最大値よりも所定倍大きい処理空間を有する洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給すると共に、前記被処理体の表面を流れる層流状態の前記洗浄流体に対して乱流を形成させるために前記洗浄処理容器の天井側に配置した音波照射ユニットから前記被処理体の平面に向けて超音波を照射することにより前記被処理体を処理し、前記洗浄流体を前記流体貯留槽に還流することにより、前記洗浄流体を外気に晒すことなく循環することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１６】
前記洗浄流体として、前記被処理体に付着した複数種の付着物のそれぞれに対応した複数種の洗浄流体を順次供給して、前記被処理体を処理することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄方法。
【請求項１７】
前記洗浄流体は、前記被処理体の表面にパターニングされたレジストマスクを除去するレジスト除去液と、該レジストマスクをマスクとして前記被処理体をドライエッチングした際に被エッチング層の側壁に付着する側壁保護膜を除去する側壁保護膜除去液の２種類の流体であり、前記側壁保護膜除去液を供給して処理した後に前記レジスト除去液を供給して処理することを特徴とする請求項１６に記載の洗浄方法。
【請求項１８】
銅配線層が形成された前記被処理体を処理することを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項１９】
前記洗浄処理容器に回収用流体を外気に晒すことなく供給して、前記洗浄流体を前記流体貯留槽へ回収することを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項２０】
前記洗浄処理容器にリンス流体を外気に晒すことなく供給して、前記被処理体を処理した１つの前記洗浄流体を洗い流すリンス処理工程と、前記洗浄処理容器に乾燥流体を外気に晒すことなく供給して前記リンス流体を乾燥させる乾燥処理工程とを含むことを特徴とする請求項１５乃至１９のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項２１】
前記洗浄流体が循環する洗浄流体循環路に残留するリンス液を洗浄流体に置換するための残留液処理用洗浄流体を第２の流体貯留槽に貯留し、前記洗浄流体循環路に前記残留液処理用洗浄流体を外気に晒すことなく供給して、前記残留液処理用洗浄流体を前記第２の流体貯留槽へ回収することを特徴とする請求項２０に記載の洗浄方法。
【請求項２２】
前記被処理体の板面に対して平行に前記洗浄流体を流して処理することを特徴とする請求項１５乃至２１のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項２３】
前記洗浄処理容器内の前記洗浄流体に乱流を形成しながら前記被処理体を処理することを特徴とする請求項１５乃至２１のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面等に付着している付着物を除去する洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路等を形成するには、半導体ウエハ上に成膜、酸化・拡散、エッチング等の各種処理を繰り返し施すことが行なわれる。この場合、例えば上述したようなある種の処理を行なう前には、ウエハ表面に付着している有機物、金属不純物、パーティクル或いは自然酸化膜等を必要に応じて除去する洗浄処理が行なわれる。また、配線パターンやホールを形成するために酸化膜等をエッチングすることも行なわれるが、この際使用するレジストマスクや異方性を高める側壁保護膜等も後の工程において洗浄処理や何らかの処理によって除去される。例えばこのエッチング工程により、半導体ウエハ上に所望の配線パターンを形成する場合には、まず、図１０（Ａ）に示すように半導体ウエハのエッチングの対象となる膜として、例えばＳｉＯ２などの層間絶縁膜２の上面にレジスト４を塗布してこれを通常の露光技術によりパターン化してマスク６を作る。尚、符号８は例えば銅やアルミニウムなどの金属配線層である。
【０００３】
次に、図１０（Ｂ）に示すようにこのレジストマスク６をマスクとしてプラズマを用いたドライエッチングなどにより上記層間絶縁膜２をその下地の金属配線層８が露出するまで削り取って所望のパターンに形成する。この際、横方向へのエッチングの広がりを防止してエッチングの異方性を高めるために、エッチングの進行に伴い、層間絶縁膜２の側壁に、エッチングガス、層間絶縁膜２の削り屑、或いはエッチングにより剥がれたレジスト等が反応して生成された側壁保護膜１０を積極的に形成させるようにしている。
このようにエッチング処理が完了したならば、次に、図１０（Ｃ）に示すように、Ｏ２を導入してプラズマアッシング処理により、不要なレジストマスク６を灰化して除去するようにしていた。そして、その後、ウェット洗浄するなどして側壁保護膜も除去することが行われている。
【０００４】
ところで、上述したようなウェット洗浄は、一般的には、被処理体である複数枚の半導体ウエハを薬液などの洗浄液が溜められている貯留槽内へ一度に完全に浸積することにより洗浄したり、或いは図１１に示すように、回転台１２に半導体ウエハＷをクランプしてこれを回転した状態でノズル１４から薬液やリンス流体（超純水など）等の洗浄液１６などを液状或いはスブレ状に供給し、この洗浄液１６を遠心力によりウエハ面上に拡散させながら洗浄するようになっている。
また、乾燥もこのウエハＷを回転させた状態で行なうようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したような洗浄装置では、洗浄時にウエハが大気に晒されて、表面の金属配線層等が酸化したり、或いは洗浄液中に混入している酸素等により金属配線層が酸化される場合があった。また、上述したような貯留槽内へウエハを浸積する方法は、ウエハ表面の洗浄流体の流れはあるもののその速度は極めて低く、洗浄が十分に行なわれない場合があった。
また、回転するウエハ中心部に洗浄液を供給する場合には、ウエハ中心部からウエハ周辺部へ行くに従って角速度が大きくなるなど速度分布が不均一になっているので、角速度の遅い中心部の洗浄や乾燥が不十分になって洗浄処理及び乾燥処理の面内均一性が損なわれる場合があり、特に、薬液の温度管理が厳しい場合にはウエハ周辺部に行く程、薬液の温度が低下するなどの問題があった。
また、上述のように回転台１２を回転させる装置の場合には、回転機構を必要とすることから装置が大型化してこれを複数台段積みすることは困難なので平置きするしかなく、洗浄処理部が増えた場合にはフットプリントが大きくなるといった問題点があった。
【０００６】
更には、図１０に示す構造の金属膜８が、Ｃｕメタルダマシン技術により形成された銅膜の場合には、Ｏ２プラズマアッシング時にこの銅膜が酸化されてその電気的特性が劣化してしまうという問題があり、Ｏ２プラズマアッシングを行なうことなく、レジストマスク６や側壁保護膜１０を迅速に除去できる洗浄方法、或いは洗浄装置が強く望まれていた。
また、従来の浸積式やスピン式の洗浄装置では、処理雰囲気がクローズされていないため、処理室内雰囲気中の酸素による金属配線層、特に銅配線層の酸化や、洗浄流体中の揮発性成分の蒸発による流体の組成変化などの問題もあった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、被処理体の金属配線層等が酸化されることを防止することができる洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法を提供することにある。本発明の他の目的は、流速の速い洗浄流体を用いることによって洗浄を迅速に、且つ効率的に行なうことができる洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願の第１の発明は、板状体の被処理体を収容する処理空間が形成された洗浄処理容器と、前記被処理体を処理するための洗浄流体を貯留する流体貯溜槽と、前記流体貯溜槽から前記洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給する供給路と、前記洗浄処理容器から前記流体貯溜槽に前記洗浄流体を戻す環流路と、前記洗浄処理容器の天井側に配置されて前記板状体の被処理体の平面に対して超音波を照射して前記被処理体の表面を流れる層流状態の前記洗浄流体に対して乱流を形成させる音波照射ユニットを有する乱流形成手段と、を備え、前記洗浄処理容器、前記流体貯溜槽、前記供給路及び前記環流路により密閉された洗浄流体循環路を形成し、前記被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な前記処理空間の断面積は、前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な前記被処理体の断面積の最大値よりも所定倍大きいことを特徴とする洗浄装置である。
【０００８】
これによれば、洗浄処理容器内に洗浄流体を流し込んで被処理体の表面を洗浄する際に、洗浄流体を大気に晒すことなく洗浄処理を迅速に且つ効率的に行なうことが可能となる。また、処理容器内に空気が入ることがないので、例えば洗浄される銅膜などの金属配線層が酸化されることも防止できる。換言すれば、洗浄流体を循環使用することにより、洗浄流体を効率的に使用することができ、また、洗浄流体を密閉状態で使用してこれが空気と接触することがないので、洗浄流体が酸化や気化により変質することも防止することが可能となる。
【０００９】
また、前記洗浄処理容器に回収用流体を外気に晒すことなく供給して、前記洗浄流体を前記流体貯留槽に回収する回収用流体供給系を更に備えることにより、洗浄流体を効率的に使用できる。
更に、前記洗浄処理容器にリンス流体を外気に晒すことなく供給するリンス流体供給系と、前記洗浄処理容器に乾燥流体を外気に晒すことなく供給する乾燥流体供給系と、前記洗浄処理容器に前記各流体を１種類ずつ選択的に連続供給するように制御する供給制御手段とを更に備えるようにすれば、被処理体のリンス処理、乾燥処理も同一装置内で連続的に行なうことも可能となる。
また、前記リンス流体供給系及び前記乾燥流体供給系は前記洗浄流体循環路に接続されていて、前記リンス流体及び前記乾燥流体は前記洗浄流体循環路を通じて洗浄処理容器に供給するようにすれば、洗浄流体循環路を形成する配管内もリンス処理、乾燥処理ができ、また余計な配管を設ける必要もなく、装置を小型化することができる。
【００１０】
また、前記洗浄流体循環路に残留するリンス流体を洗浄流体に置換するための残留液処理用洗浄流体を貯留する第２の流体貯留槽を更に備え、前記残留液処理用洗浄流体を外気に晒すことなく前記洗浄流体循環路に流し前記残留液処理用洗浄流体を前記第２の流体貯留槽へ回収するための密閉された残留液処理循環流路を形成することにより、洗浄流体循環路を循環路として形成した場合にあっても、前の工程で配管中に残留したリンス流体の存在が次の工程に影響しないようにできる。
この場合、前記流体貯留槽は、前記被処理体の表面に付着した複数種の付着物のそれぞれに対応した洗浄流体を貯留する複数の貯留槽を備えるようにしてもよい。これによれば、作用の異なる洗浄流体を、これらを混合させることなく洗浄装置内へ供給して、連続処理を行なうことが可能となり、例えばプラズマエッチング処理後の半導体ウエハ面のレジストマスクや側壁保護膜を連続的に洗浄して除去することが可能となる。
【００１１】
また、例えば前記被処理体の板面に対して平行に前記洗浄流体を流す流体案内手段を設けることにより、洗浄流体を円滑に流し、処理を均一に行なうことができる。
また、前記音波照射ユニットは、超音波を発生する超音波素子と、これにより発生した超音波を効率的に伝播するバッファ槽とを有するように構成することができる。
また更に、前記乱流形成手段は、前記洗浄処理容器の内壁面に設けられた凹凸部であることにより形成することができる。
また、上記した洗浄装置を、上下、左右、前後方向のうち少なくとも１つの方向に複数並設することにより、占有する床面積を小さくしてフットプリントを大幅に縮小することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の関連技術は、処理装置が、気密に維持可能な搬送室と、被処理体を外部との間で搬入搬出する前記搬送室に気密に接続されたロードロック室と、前記搬送室に搬出入口を介して気密に接続された少なくとも１個の真空処理室と、前記搬送室に搬出入口を介して気密に接続された洗浄装置と、前記搬送室内に設けられ、前記ロードロック室、前記真空処理室及び前記洗浄装置との間で前記被処理体を搬送するための搬送手段と、を備え、前記洗浄装置は、被処理体を収容する処理空間が形成された洗浄処理容器と、前記被処理体を処理するための洗浄流体を貯留する流体貯溜槽と、前記流体貯溜槽から前記洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給する供給路と、前記洗浄処理容器から前記流体貯溜槽に前記洗浄流体を戻す環流路とを備え、前記洗浄処理容器、前記流体貯溜槽、前記供給路及び前記環流路により密閉された洗浄流体循環路を形成し、前記被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方に対して垂直な前記処理空間の断面積は、前記方向に対して垂直な前記被処理体断面積の最大値よりも所定倍大きいように設定し、密閉された洗浄流体循環路が形成された洗浄装置を真空処理装置等とクラスター状に結合することによって、洗浄工程までも含めてウエハＷを外気に晒すことない一貫した一連の処理工程が可能になる。
【００１３】
本願の第２の発明は、洗浄流体を収容する流体貯留槽から、板状体の被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な断面積が、前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な被処理体の断面積の最大値よりも所定倍大きい処理空間を有する洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給すると共に、前記被処理体の表面を流れる層流状態の前記洗浄流体に対して乱流を形成させるために前記洗浄処理容器の天井側に配置した音波照射ユニットから前記被処理体の平面に向けて超音波を照射することにより前記被処理体を処理し、前記洗浄流体を前記流体貯留槽に還流することにより、前記洗浄流体を外気に晒すことなく循環することを特徴とする洗浄方法である。
【００１４】
また、例えば前記洗浄流体は、前記被処理体の表面にパターニングされたレジストマスクを除去するレジスト除去液と、該レジストマスクをマスクとして前記被処理体をドライエッチングした際に被エッチング層の側壁に付着する側壁保護膜を除去する側壁保護膜除去液の２種類の流体であり、前記側壁保護膜除去液を供給して処理した後に前記レジスト除去液を供給して処理するようにする。
これによれば、ウエハ表面に付着した側壁保護膜とレジストマスク両方を連続したウェット洗浄処理により迅速且つ簡単に除去することができ、また、この順序で洗浄処理を行なうことにより、逆の順序で処理した場合に起こり得る側壁保護膜の硬化や、レジストマスク表面にできる硬化層の側壁保護膜への被さりといった不測の事態を回避することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明の洗浄システムの外観を示す概略構成図、図２は図１に示す洗浄システムの一部を示すブロック構成図、図３は図１に示す洗浄システムに用いる洗浄装置の一例を示す断面構成図、図４は図３に示す洗浄装置の平面図である。
図示するようにこの洗浄システム２０は、全体が略直方体状に成された洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈを複数個、図示例では４個多段に段積みした洗浄装置列を２列有しており、全体で８個の洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈを有している。そして、２つの洗浄装置列の間には、例えばボールネジ等よりなり鉛直方向に移動可能な昇降機構２４が設置され、この昇降機構２４には、被処理体としての半導体ウエハＷを保持して搬送するために屈伸及び旋回可能に成された搬送アーム２６が取り付けられており、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈに対してウエハＷを搬入及び搬出し得るようになっている。
この洗浄装置列は昇降機構の周囲に２個以上配設してもよいのは勿論であり、こうすることによりシステムの専有スペースが大幅に縮小される。尚、洗浄装置２２はこの例示に限らず、上下方向だけではなく、左右、前後などの任意の方向のうち少なくとも１つの方向に複数並設し、フットプリントの向上を図ってもよい。
【００１６】
また、この洗浄システム２０の全体は、筐体２８により被われており、この内部は、不活性な例えばＮ２ガスにより満たされている。尚、ここでは洗浄システム２０に対してウエハＷを搬出入するＩ／Ｏポートの記載は省略されている。
また、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈは、使用する洗浄流体を全て同じにしてもよいし、或いは互いに異なる種類の洗浄流体を用いるようにしてもよいし、更には、１台の洗浄装置に対して複数種類の洗浄流体を用いるようにしてもよい。この場合、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈ内の構成部品の材料は、使用する洗浄流体に対して耐腐食性の高い材料を用いる。
【００１７】
図２は上記洗浄システムの一部のブロック構成図であり、ここでは４つの洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄに対して同一の洗浄流体を供給する場合の例を示している。尚、他の洗浄装置２２Ｅ〜２２Ｈもこれらと同様に構成してもよく、或いは別種の洗浄流体を供給するようにしてもよい。
図２中において、流体貯留槽３０は密閉されて、内部には洗浄流体３２が貯留されてＮ２ガスなどの不活性雰囲気になされている。この洗浄流体３２が不足すると、補給系３４を介して補給される。この流体貯留槽３０には、循環ポンプ３６、洗浄流体３２の温度調整を行なう温調器３８、洗浄流体３２中の不純物を除去するフィルタ４０及び開閉弁４２を順次介設して再度、流体貯留槽３０へ戻る待機循環系４４が接続されており、待機中には洗浄流体３２を循環させて、温調器３８により洗浄流体３２の温度を一定に維持しつつフィルタ４０により洗浄流体３２中の例えば粒状の不純物を除去するようになっている。
【００１８】
また、上記待機循環系４４と各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄとをそれぞれ接続するようにして、洗浄流体３２を各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄへ供給するための供給路４６Ａ、４６Ｂ、４６Ｃ、４６Ｄが設けられている。そして、各供給路４６Ａ〜４６Ｄには、それぞれ流量調整弁４８Ａ〜４８Ｄ及び入口側三方弁５０Ａ〜５０Ｄが順に接続されている。更に、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄと流体貯留槽３０とをそれぞれ接続するようにして、洗浄流体３２を流体貯留槽３０へ戻すための還流路４７Ａ、４７Ｂ、４７Ｃ、４７Ｄが設けられ、それぞれに出口側三方弁５２Ａ〜５２Ｄが接続されている。後述するように洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄは外気から密閉された構造となっているため、これら供給路４６Ａ〜４６Ｄと還流路４７Ａ〜４７Ｄにより、流体貯留槽３０と洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの間で洗浄流体３２を外気に晒すことなく循環する洗浄流体循環路５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄが形成されている。また上記供給路４６Ａ〜４６Ｄは、待機循環系４４に接続せずに、流体貯留槽３０と洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄを直接接続してもよいのは勿論である。
【００１９】
一方、上記各入口側三方弁５０Ａ〜５０Ｄには、リンス流体として例えば超純水を外気に晒すことなく供給するためのリンス流体供給系５４Ａ〜５４Ｄが接続されると共に、各リンス流体供給系５４Ａ〜５４Ｄには、リンス用三方弁５６Ａ〜５６Ｄがそれぞれ介設されている。そして、このリンス用三方弁５６Ａ〜５６Ｄには、Ｎ２ガスやアルコールの蒸気などの乾燥流体を外気に晒すことなく供給するための乾燥流体供給系５８が共通に接続されている。この乾燥流体供給系５８には、その上流側より、流体の流量を調整するレギュレータ６０、流体中の不純物を除去するフィルタ６２及び開閉弁６６により選択的に供給されるアルコールを気化させる気化器６４が順次介設されている。また、これら処理流体、リンス流体及び乾燥流体、更に後述する回収用流体や排出用流体を選択的に連続供給するように制御するため、供給制御手段６５が設けられている。
このようにリンス流体供給系５４Ａ〜５４Ｄ及び乾燥流体供給系５８を洗浄流体循環路５１Ａ〜５１Ｄに接続することによって、配管内も同時にリンスして乾燥することができる。また、余計な配管類も設ける必要がなく、装置の小型化を図ることができる。
また、上記出口側三方弁５２Ａ〜５２Ｄには、不用な液体や気体を排出させる排出系６８が接続されており、この排出系６８には気水分離器７０を介設して気体と液体とを分離して、液体をドレインとして系外へ排出するようになっている。
【００２０】
次に、図３、図４、図１２及び図１３を参照して、洗浄装置について説明する。ここでは、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈの基本的な構造は同一なので、洗浄装置２２Ａを例にとって説明する。この洗浄装置２２Ａは、例えばステンレス等により箱状に成形された洗浄処理容器７２を有しており、この洗浄処理容器７２の一側壁には流体導入口７４が形成されると共に、これに対向する他側壁には流体排出口７６が形成され、これらの流体導入口７４及び流体排出口７６には上記供給路４６Ａ及び還流路４７Ａがそれぞれ接続されて洗浄流体３２（図２参照）を流すようになっている。
この洗浄処理容器７２の底部７８には、被処理体としての半導体ウエハＷが通過し得る大きさの開口８０が形成されており、この開口８０をＯリング等のシール部材８２を介して液密に開閉蓋８４が密閉している。そのため洗浄容器７２中の各流体や半導体ウエハＷ等は、処理中に外気に晒されることがないようになっている。この開閉蓋８４の下方には、例えばステンレス等の区画壁８６により区画された搬送室８８が設けられている。そして、上記開閉蓋８４は、この区画壁８６の底部に昇降機構９０を介して支持されており、この開閉蓋８４の全体を図３中において一点鎖線で示すようにウエハの搬出入に必要なストロークだけ昇降可能としている。
【００２１】
そして、この区画壁８６の側壁には、ウエハＷを搬出入する時に用いる搬送口９２が設けられており、この搬送口９２を介して図１に示す搬送アーム２６が進入してきて、ウエハＷの受け渡しを行なうようになっている。そして、上記開閉蓋８４の上面には、基台９３を介して保持手段としてのウエハクランパ９４が設置されており、このウエハクランパ９４が有する３つ以上、図示例では４つの爪部９６によりウエハＷの周縁部を着脱可能に保持し得るようになっている。
一方、上記洗浄処理容器７２の天井部には、流れる洗浄流体３２に対して乱流を生ぜしめたり、或いは乱流を促進させる乱流形成手段として音波照射ユニット１００が設けられている。具体的には、この音波照射ユニット１００は、例えばステンレス製よりなる素子基板１０２に接着剤などにより接合した板状の超音波素子１０４を有しており、この超音波素子１０４は、ウエハＷの平面の全面もしくは一部をカバーできる大きさに設定されており、ウエハ面上に例えば８５０ＫＨｚ程度の超音波を照射できるようになっている。また、流体導入口７４から流体排出口７６までの空間である処理空間Ｓを区画する例えばステンレス製の区画板１０６と上記素子基板１０２との間は、上記発生した超音波を効率的にウエハ面に伝播するための密閉されたバッファ槽１０８として構成されており、バッファ槽１０８の一端にバッファ水１１０を導入するバッファ水導入口１１１Ａ、それに対向する他端にバッファ水排出口１１３Ａをそれぞれ設け、バッファ水１１０をバッファ槽１０８内に流すことにより、処理流体３２及び被処理体Ｗの温度調整、更にはバッファ槽１０８内に発生する気泡の除去効果も期待できる。また、バッファ水排出口１１３Ａの開口部は、開口部と素子基板１０２との間に気泡が溜まらないような位置に設けるのがよく、更には開口部の少なくとも一部が素子基板１０２と接していて、バッファ水排出口１１３Ａ側が上方になるようにバッファ槽１０８が、例えば５度程度傾斜していることが望ましい。
【００２２】
ここで、図４に示すように流体導入口７４及び流体排出口７６の幅は、ウエハＷの直径と同等か、或いはそれ以上に設定されており、ウエハ面に均一に洗浄流体を流すようになっている。更に、ウエハＷと区画板１０６との間の距離Ｌ１及びウエハＷと密閉蓋８４との間の距離Ｌ２は、共にできるだけ小さく、例えば０．３５〜１０ｍｍ程度の範囲内に設定されており、処理空間Ｓの容量及び流路面積（被処理体上を横切る流体の層流の流れ方向に対して直交する方向の断面積）を非常に小さくして、例えば処理空間Ｓの容積をおよそ30〜6000cm3、つまり被 処理体、例えば２００ｍｍウエハの体積である約２２ｃｍ3 の約1.5乃至約300倍の容積と設定し、流路面積をおよそ2.1 〜420 ｃｍ2、つまり被処理体の前記方向に直交する方向の断面積の最大値である、ウエハ中心部における断面積の約1.5乃至約300倍とする。処理空間Ｓの体積を上記のように設定することにより、従来の洗浄装置よりも洗浄流体32やリンス流等の使用量が少なくなる。また、処理空間Ｓを流れる洗浄流体32の流速を例えば50cm／sec程度に設定でき、従来の 洗浄装置の流体速度、例えば0.5cm／sec程度と比較してかなり大きくなり、ウエハに対して高速な洗浄流体を供給することが出来る。また、処理空間Ｓの長さは、ウエハＷが例えば８インチ（２００ｍｍ）サイズの時は２３０〜２５０ｍｍ程度である。また、上記素子基板１０２及び区画板１０６の厚さは、超音波の半波長の整数倍の長さとし、超音波を効率的に伝播させるようになっている。
【００２３】
また、図１２及び図１３に示すように、洗浄処理容器７２の流体導入口７４には洗浄流体３２を導入する入力管１８２との間に末広がりの扁平な洗浄流体導入部１８０が設けられており、また、洗浄処理容器７２の流体排出口７６には洗浄流体３２を排出する排出管１８３との間に逆末広がりの扁平な洗浄流体排出部１８１が設けられている。洗浄流体導入部１８０は、入力管１８２側から流体導入口７４側へ向かってより流路厚みが狭くなるように形成されており、約７０ｍｍの長さを有し、入力管１８２の近傍では約１０ｍｍの厚さを有し流体導入口７４の近傍では約５ｍｍの厚さを有する。また、洗浄流体導入部１８０は、入力管１８２側から流体導入口７４側へ向かってより流路幅が大きくなるように形成されており、入力管１８２の近傍では約１５０ｍｍの広さを有し流体導入口７４の近傍では約２２０ｍｍの広さを有する。洗浄流体排出部１８１は、流体排出口７６側から排出管１８３側へ向かってより流路厚みが大きくなるように形成されており、約７０ｍｍの長さを有し、流体排出口７６の近傍では約５ｍｍの厚さを有し排出管１８３の近傍では約１０ｍｍの厚さを有する。また、洗浄流体排出部１８１は、流体排出口７６側から排出管１８３側へ向かってより流路幅が小さくなるように形成されており、流体排出口７６の近傍では約２２０ｍｍの広さを有し排出管１８３の近傍では約１００ｍｍの広さを有する。洗浄流体３２が入力管１８２内を２０ｌｉｔ／ｍｉｎで流れている場合に、入力管１８２における洗浄流体３２の流速は約２２ｃｍ／ｓｅｃであるのに対し処理空間Ｓにおける流速は約３０ｃｍ／ｓｅｃであった。洗浄流体導入部１８０及び洗浄流体排出部１８１を設けたことにより、ある程度の高速な流速を保ったまま、処理空間Ｓ内の洗浄流体32を層流で流すことが出来る。
【００２４】
次に、以上のように構成された本実施例の動作について図５に示すフローも参照して説明する。
まず、図１に示すような搬送アーム２６を用いて、これを昇降及び伸縮させるなどして未処理の半導体ウエハＷを所望する洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈ内へ導入する。このウエハＷの導入に際しては、図３に示すようにウエハクランパ９４を搭載した開閉蓋８４を昇降機構９０により降下させ、この状態で先の搬送アーム２６を伸ばすことにより、ウエハＷをウエハクランパ９４に受け渡し、ウエハＷの周縁部を爪部９６で保持する。そして、ウエハＷを保持したならば、昇降機構９０を駆動して開閉蓋８４を上昇させて洗浄処理容器７２の底部７８の開口８０を液密に閉じ、処理空間Ｓ内を密閉状態とする。
【００２５】
次に、この処理空間Ｓ内に洗浄流体導入部１８０を介して流体導入口７４から流体排出口７６及び洗浄流体排出部１８１に向けて流速の速い洗浄流体３２を流してウエハＷの上下両面の洗浄を行なう。この場合、非常に狭くなされた処理空間Ｓ内に、速い流速で洗浄流体３２を流すことから、洗浄が効率的に行われてこれを迅速に行なうことができる。また、流体導入口７４及び洗浄流体排出部１８１の存在によって、処理空間Ｓ内に速い流速で洗浄流体32の層流を効率的に流すことができる。この際、洗浄流体32の流速は前述のように充分に高速であるため、層流状態の洗浄流体32のウエハ面に接する部分で乱流が発生し、ウエハ面に接する洗浄流体32の流速が局部的に速くなり、これにより、ウエハ表面には常に新鮮な薬液等の洗浄流体３２が作用することとなり、洗浄をより効率的に行なうことができる。また、処理空間Ｓが流体案内手段となり、洗浄流体はウエハの板面に対して平行に流れるため、ウエハの処理はより均一に行なわれる。
【００２６】
この場合、ウエハ面に接する洗浄流体に乱流を形成するためには、処理流体を高速で流すことが必須であり、このような高速流は、循環ポンプ36（図２参照）の供給量に対して処理空間Ｓの流路面積を小さくすることによって容易に生じさせることができる。また、上記洗浄処理と同時に、音波照射ユニット１００の超音波素子１０４を駆動することにより、これより放射された超音波１１２がバッファ槽１０８中のバッファ水１１０を介して伝播してウエハＷの表面全体に照射されることになる。これにより、洗浄流体３２に、この流れ方向と直交する方向の振動が加わり、これによりウエハ面に接する洗浄流体３２に乱流を生ぜしめたり、或いは発生していた乱流を更に促進するように作用するので、この促進された乱流の作用によって、薬液の粘性から被処理体表面に生じる不動層の影響を低減し、洗浄処理を迅速、且つ効率的に行なうことができる。尚、ここで用いるのは超音波に限定されず、通常の可聴周波数帯域の音波を用いてもよい。
【００２７】
また、超音波素子１０４を駆動することにより、これに熱が発生するが、バッファ槽１０８を流れるバッファ水１１０が冷却水としても機能するので、超音波素子１０４と素子基板１０２とを密着させている接着剤の劣化による超音波素子１０４のはがれなども抑制することができる。また、超音波１１２の作用によりバッファ水１１０中に気泡が発生することになるが、このバッファ水１１０は循環されているので、発生した気泡もバッファ槽１０８から外へ搬送されてしまい、このバッファ槽１０８内に溜ることもない。また、洗浄流体の及ぼす腐食作用により、区画板１０６が腐食した場合にはこの区画板１０６のみを交換すればよく、素子基板１０２に腐食が及ぶことを防止することが可能となる。
本発明の洗浄装置では、前述のように乱流が形成されるような高速流を流すことも出来る一方、処理流体の供給量を少量に制御することによって、被処理体の表層面のみをウェットエッチング処理するように低速流を流すこともできる。その流速は、例えば、約2.5〜約5000cm／secのような範囲内で設定可能である。
【００２８】
このようにして、洗浄処理が完了したならば、洗浄流体３２の供給を停止して、次に、回収用流体としてＮ2 ガス等を流すことにより処理空間Ｓや配管類に溜っている洗浄流体３２を追い出してこれを流体貯留槽３０に回収する。この回収を行なうことにより洗浄流体３２の使用量がより低減できる。洗浄流体の回収は、乾燥流体供給系５８により供給されるＮ2 ガス等の乾燥流体を回収用流体として用いてもよいし、別に回収用流体供給系を設けてもよい。そして、次に、この処理空間Ｓに超純水などのリンス流体を流すことによりウエハ表面に付着している洗浄流体３２を洗い流してリンスを行なう。リンス流体を供給している時も、好ましくは超音波素子１０４を駆動してウエハ面に超音波１１２を照射して乱流を生ぜしめることにより、リンス処理を迅速に行なうことができる。
更に、この処理空間Ｓに排出用流体としてＮ2 ガス等を流すことによってリンス流体を排出する。この排出を行なうことにより、この後に行なうリンス流体の乾燥処理をより効率的に行なうことができる。排出用流体は、乾燥流体や回収用流体を流用してもよいし、別に排出用流体供給系を設けて供給を行なってもよい。
【００２９】
次に、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の蒸気アルコールを流すことによってリンス流体の表面張力を破り、更に、加熱されたホットＮ2 ガス等を流すことにより、ウエハ面及び洗浄処理容器７２内を完全に乾燥させる。尚、上述の回収用流体及び排出用流体による処理は、処理をより効率化するためのものであるので、使用者が行なうか否か任意に選択できるものである。
なお、上記の乾燥処理する手法としては、マランゴニー（Marangoni）乾燥処 理によってもよく、あるいはＩＰＡ蒸気を流す乾燥処理によってもよく、あるいは減圧乾燥処理によってもよい。マランゴニー乾燥処理は、Ｎ2 ガスをキャリアガスとしてチャンバ内にＩＰＡ蒸気を供給し、非常にゆっくりとした速度でチャンバ内の水を排液するようにすると水とＩＰＡとの間の表面張力の差に起因して液面降下後にウエハの表面が乾燥されるというものである。ここで、乾燥を完全なものにするために、その後ホットＮ2 ガスを流したり赤外線を照射する。また、ＩＰＡ蒸気を流す乾燥処理は、チャンバ内の水を急速に排液した後に、チャンバ内にＮ２ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気を供給し、チャンバ内の水がＩＰＡ蒸気に置換されたタイミングでＩＰＡ蒸気の供給をやめ、高温のホットＮ２ガスを吹き付けるものである。なお、この場合、熱源として赤外線を照射するようにしてもよい。また、減圧乾燥処理はチャンバがウエハの大きさよりわずかに大きい場合に有効であり、減圧に要する時間を短くでき、これによってウォーターマークの発生が始まる前に水分を飛ばしてしまうことが可能になる。この際に、赤外線を照射して加熱ことによりより短時間で減圧することができる。本発明における乾燥処理においては、マランゴニー乾燥処理と減圧乾燥処理の組合せ、あるいはＩＰＡ蒸気を流す乾燥処理と減圧乾燥処理の組合せを行うことによって、より優れた乾燥状態を実現することができる。
【００３０】
そして、これらの一例の作業が終了したならば開閉蓋８４を降下させて、洗浄済みのウエハＷを搬送アーム２６（図１参照）を用いて取り出すことになる。尚、洗浄流体３２としては、洗浄対象となる物質に応じて種々のものが用いられ、また、液体に限らず、後述するようにミスト含有気体、オゾン含有気体等も用いることができる。また、上記洗浄処理は、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｈにおいて個別独立的に行なうことができる。
【００３１】
次に、上記した一連の流れについて４つの洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄを用いた時の流れを図２及び図５に示すフローも参照して総括的に説明する。
まず、何ら洗浄処理を行わない待機中の時には、各洗浄流体循環系４６Ａ〜４６Ｄを閉状態とし、待機循環系４４を駆動してこの系内に流体貯留槽３０内の洗浄流体３２を循環させて、温調器３８で洗浄流体３２の温度を所定の温度に維持して化学的に安定化させておくと同時に、この洗浄流体３２中の不純物をフィルタ４０により取り除く（Ｓ１）。そして、洗浄処理を行なう場合には、対象となる洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの洗浄流体循環系４６Ａ〜４６Ｄの各三方弁５０Ａ〜５０Ｄ、５２Ａ〜５２Ｄを、洗浄流体が流れるように開き、これにより所望する洗浄装置内で半導体ウエハＷの洗浄処理を、前述したように行なう（Ｓ２）。
【００３２】
この場合、循環ポンプ３６の圧力で洗浄流体３２は必要とされる洗浄装置へ供給される。尚、循環ポンプ３６の供給圧は、十分高くなされており、また、必要に応じて待機循環系４４の開閉弁４２を閉じて供給圧を高めるようにしてもよい。このようにして、洗浄処理中は、洗浄装置内を通過した洗浄流体３２は再度、流体貯留槽３０内へ戻って来て循環使用されるので、洗浄流体３２が無駄になることはない。
このように、洗浄処理が終了したならば、まず、入口側三方弁５０Ａ〜５０Ｄをガス流通側に切り替えて、これと同時に、各リンス三方弁５６Ａ〜５６Ｄもガス供給側に切り替えると共に乾燥気体供給系５８を駆動して回収用流体としてＮ２ガスを供給し、回収処理を行なう（Ｓ３）。尚、この際、アルコールは供給しない。このＮ2 ガスパージにより、対象となる洗浄流体循環路や洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄ内に滞留していた洗浄流体３２はＮ2 ガスにより押し出されて流体貯留槽３０内に戻されて回収されることになる。このように、洗浄流体３２は回収されて無駄になることなく、有効に利用される。
【００３３】
次に、Ｎ2 ガスの供給を停止して、リンス用三方弁５６Ａ〜５６Ｄをリンス流通側に切り替えると同時に、出口側三方弁５２Ａ〜５２Ｄを排出側に切り替えて、対象となる洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄに例えば超純水よりなるリンス流体を供給し、ウエハ表面等に付着している洗浄流体を洗い流す（Ｓ４）。この洗い流したリンス流体は、排出系６８を流れて気水分離器７０内に流入し、ここで液体とガスとに気水分離された後、系外へ排出される。
次に、上記リンス流体の供給を停止し、リンス用三方弁５６Ａ〜５６ＤをＮ２ガス通過用に切り替えて、排出用流体としてＮ2 ガス（アルコール抜き）を供給し、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄ内に滞留していたリンス流体をＮ2 ガスにより上記気水分離器７０側へ排出する（Ｓ５）。
【００３４】
次に、上述のようにＮ2 ガスを供給した状態で、開閉弁６６を開にすることにより、アルコール、例えばイソプロピルアルコールを気化器６４内で気化させてＮ２ガス中に混入させる（Ｓ６）。これにより、気化アルコールが洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄ内に供給されて、内部に付着するリンス流体の表面張力が破られて液滴ができ難い状態となり、乾燥し易くなる。
次に、上記気化アルコールの供給を停止し、Ｎ２ガスのみを流し続けてウエハ面及び洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄ内の乾燥を行なう（Ｓ７）。この場合、Ｎ2 ガスを加熱してホットＮ2 ガスとして流すことにより、乾燥処理時間を短縮化することができる。以上の一連の乾燥処理工程（Ｓ６及びＳ７）で、ウエハＷの洗浄を終了し、これを洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄから取り出して搬送することになる。
【００３５】
このように、洗浄流体３２をフルクローズ状態で循環使用することにより、この洗浄流体３２を無駄に使用することがなく、しかも、洗浄流体３２が外気に晒されることがなく循環されているため、この中の揮発成分が蒸発したりすることがないので、洗浄流体３２の性質を安定的に維持することが可能となる。また金属配線槽、特に酸化し易い銅などに対する酸化の問題も、洗浄流体３２やリンス流体中の溶存酸素の低減のみをコントロールすれば容易に回避することができる。
尚、ここでの洗浄処理は、あらゆる種類の洗浄に用いることができ、例えばアッシング後の洗浄処理、ウエハ膜付け処理の前等に行なわれる通常の前洗浄処理、レジスト除去の洗浄等に用いることができる。上記前洗浄には、例えばアンモニア（ＮＨ3 ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）の混合物、或いは塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素水との混合物を洗浄流体として用いることができ、また、レジスト除去には例えば濃硫酸と過酸化水素水との混合物を洗浄流体とした用いることができる。また、他の洗浄流体としては、希フッ酸（ＨＦ，Ｈ2 Ｏ）、バッファードフッ酸（ＨＦ，ＮＨ4 Ｆ，Ｈ2 Ｏ）、硫酸過水（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ2 Ｏ3 ，Ｈ2 Ｏ）や、ＣＯ2 などの超臨界流体等も用いることができる。
【００３６】
また、洗浄流体として通常の中性の薬液を用いる場合には、洗浄装置内の素子基板１０２や区画板１０６はステンレス製でもよいが、ステンレスに対して腐食性のある例えば酸系の洗浄流体を用いる場合には、区画板１０６の材料として例えば耐腐食性の高いテフロン等を用いる。また、素子基板１０２の材料としては超音波を透過するクォーツ等も用いることができる。
更に、洗浄流体としては、上述したような液体に限らず、オゾン雰囲気中に超純水のミストを混合させてオゾン反応を加速させるようにした気体状の洗浄流体や、オゾン雰囲気中に硫酸ミストを混合させてオゾン反応を加速させるようにした気体状の洗浄流体等も用いることができる。
【００３７】
また、ここでは乱流形成手段として音波照射ユニット１００を設けたが、これに替えて、或いはこれと併用して処理空間Ｓを区画する区画板１０６の表面に、図６に示すように高さが例えば０．１〜５ｍｍ程度の微細な波状凹凸１２０を設けるようにして洗浄流体に乱流を生ぜしめるようにしてもよい。更には、開閉蓋８４にウエハクランパ９４を取り付ける際に、固定的な基台９３を設け、搬送アーム２６からウエハＷをウエハクランパ９４に受け渡すことができるだけの空間を、開閉蓋８４とウエハクランパ９４の間に設けたが、これに替えて、図７に示すように液密性を保持しつつウエハクランパ９４を上下動可能とするベローズ１２２を設けるようにしてもよい。これによれば、ウエハＷの受け渡しする時のみベローズ１２２を延ばし、洗浄時にはベローズ１２２を縮退させるようにしておけば、処理空間Ｓの高さをより小さくして流路面積を更に小さくでき、この分、洗浄流体の流速を高めることが可能となる。
【００３８】
また、上記実施例では、１つの洗浄装置に対して１種類の洗浄流体を用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、被処理体表面に付着した複数種の付着物のそれぞれに対応した洗浄流体を用いてもよい。図８に示すように複数、例えば２種類の洗浄流体を用いることができるようにしてもよい。尚、図２中の構成部品と同一部品には同一符号を付して説明を省略する。
この場合には、図２に示した洗浄システムに加えて、第２の洗浄流体を使用する流体貯留槽３０−２、第２の供給路４６Ａ−２〜４６Ｄ−２及び第２の還流路４７Ａ−２〜４７Ｄ−２を設ける。そして、図２中の入口側三方弁５０Ａ〜５０Ｄに替えて、入口側四方弁１３０Ａ〜１３０Ｄを設けて、これに上記各第２の供給路４６Ａ−２〜４６Ｄ−２の上流側を接続し、それ以降の下流側は、先に説明した第１の供給路４６Ａ〜４６Ｄと共用する。
【００３９】
また、図２中の出口側三方弁５２Ａ〜５２Ｄに替えて、出口側四方弁１３２Ａ〜１３２Ｄを設けて、これに上記各第２の還流路４７Ａ−２〜４７Ｄ−２の下流側を接続する。上流側は第１の還流路４７Ａ〜４７Ｄと共用する。そして、第２の流体貯留槽３０−２内には、第２の洗浄流体３２−２を貯留し、第２の待機循環系４４−２には、同じく第２の循環ポンプ３６−２、第２の温調器３８−２、第２のフィルタ４０−２及び第２の開閉弁４２−２を順次介設している。また、この第２の流体貯留槽３０−２には第２の補給系３４−２も接続される。この実施例によれば、半導体ウエハＷを２種類の洗浄流体により連続的に洗浄処理を行なうことが可能となる。
【００４０】
すなわち、まず先に単に洗浄流体と称した第１の洗浄流体３２により、図２を参照して説明したように洗浄処理を行なって、Ｎ2 パージによる回収処理工程、リンス流体によるリンス処理工程、Ｎ2 パージによる排出処理工程、Ｎ2 ガス及びアルコールによる乾燥処理工程を行なった後、これに続けて上記第２の洗浄流体３２−２による洗浄処理を行なって、Ｎ2 パージによる回収処理工程、リンス流体によるリンス処理工程、Ｎ2 パージによる排出処理工程、Ｎ2 ガス及びアルコールによる乾燥処理工程を行なうようにする。この時の第１と第２の洗浄流体の切り替えは、新たに設けた入口側四方弁１３０Ａ〜１３０Ｄ及び出口側四方弁１３２Ａ〜１３２Ｄの切り替え操作を行なうことによって実行する。
この時の洗浄方法の総括的なフローは図９に示されており、ここでは図５で説明したフローに対してステップＳ１１−１、Ｓ１２−１及びＳ１８が加えられている。尚、図９中のＳ１１〜Ｓ１７は、それぞれ図５中のＳ１〜Ｓ７に対応する。
【００４１】
まず、洗浄処理を行なわない時には、それぞれの待機循環系４４、４４−２において洗浄流体３２、３２−２を循環させておく（Ｓ１１）。次に、洗浄処理が開始されると、まず、第１の工程か否かが判断され（Ｓ１１−１）、最初は第１の工程であることから第１の洗浄流体による洗浄処理を行なう（Ｓ１２）。この第１の洗浄処理が終了したならば、系内に残留する第１の洗浄流体３２をＮ2 パージで回収し（Ｓ１３）、次に、超純水リンスなどによりウエハ表面等に付着している第１の洗浄流体３２を洗い流し（Ｓ１４）、更に、Ｎ2 パージにより系内に残留するリンス流体を排出する（Ｓ１５）。更に、蒸気アルコールでウエハ表面等を乾燥した後（Ｓ１６）、ホットＮ2 ガスを流して完全に乾燥させる（Ｓ１７）。次に、全ての種類の洗浄流体を使用したか否かが判断され（Ｓ１８）、ここでは第１の洗浄流体による洗浄しか完了していないのでＮＯとなり、Ｓ１１−１へ戻る。
【００４２】
次に、Ｓ１１−１の判断では、第１の工程が終了しているのでＮＯとなって、第２の工程として第２の洗浄流体による洗浄処理を行なう（Ｓ１２−１）。この洗浄処理では、前述したように、図８中において新たに付加した、第２の流体貯留槽３０−２や第２の洗浄流体循環系４６Ａ−２〜４６Ｄ−２等が使用される。このようにして、第２の洗浄流体３２−２による洗浄が終了したならば、前述のようにＳ１３〜Ｓ１７の各処理を行なった後、Ｓ１８における判断において全ての種類の洗浄流体を使用したことからＹＥＳとなり、処理を終了することになる。
このように、本実施例によれば２つの種類の異なる洗浄流体３２、３２−２で、これらを混合することなく連続的に洗浄処理を行なうことが可能となる。このような２種類の洗浄流体３２、３２−２を用いた連続洗浄処理としては、例えば図１０を参照して説明したように、プラズマドライエッチング時に使用したレジストマスク６や側壁保護膜１０を除去する時に、下地の金属膜８に悪影響を与えることなくこれらを除去することができる。すなわち、第１の洗浄流体３２を用いて、まず側壁保護膜１０を除去する側壁保護膜除去工程を行ない、第２の洗浄流体３２−２を用いてレジストマスク６を除去するレジスト除去工程を行なう。ここで、第１の洗浄流体３２としては、有機アルカリ水溶液、例えば有機アミン水溶液を用いることができる。
【００４３】
特に、この有機アミン水溶液としては、モノエタノールアミン水溶液、トリメチルアンモニウムハイドライド水溶液などが挙げられ、例えば市販されているものとしてＥＬＭ−Ｃ３０（商品名：三菱ガス化学（株）製）等を用いることができる。ＥＬＭ−Ｃ３０を用いた場合には、温度２３℃で５分程度の洗浄処理を行えばよい。また、第１の洗浄流体３２の流速は、従来のウェット洗浄の流速が０．５ｃｍ／ｓｅｃ程度であるのに対して、ここでは５０ｃｍ／ｓｅｃ程度の高速流とし、ウエハ表面上の反応作用を加速させる。これにより、迅速且つ効率的な洗浄を行なうことができる。また、この時、先に説明したようにウエハ面に超音波を照射することにより、洗浄流体３２に乱流が発生したり、或いは乱流の発生が促進されて、一層迅速な洗浄が可能となる。
【００４４】
また、第２の洗浄流体３２−２としては、有機溶剤、例えば有機アミンを用いることができる。例えば、市販品としてはＴ−１０６（商品名：東京応用化学（株）製）を用いることができ、この場合には、例えば９０℃で２０分程度の洗浄処理を行えばよい。この時も、第２の洗浄流体３２−２の流速は、第１の洗浄流体３２の場合と同様に５０ｃｍ／ｓｅｃ程度の高速流とし、更に、超音波照射により、ウエハ表面の洗浄を迅速且つ効率的に行なうようにする。
この側壁保護膜除去工程とレジスト除去工程の順序は、使用者により選択できるものではあるが、レジスト除去を先に行なった場合には次に挙げるような問題点がある。レジスト除去工程の後に側壁保護膜除去工程を行なった場合、レジスト除去工程で使用される有機アミンなどの洗浄流体により、次工程で除去すべき側壁保護膜中に存在する油脂成分の脱離が進み、側壁保護膜が硬化する。そのため、有機アミン水溶液などによる側壁保護膜除去工程において、側壁保護膜の充分な除去が困難となる場合がある。また、レジストマスクはドライエッチングの際に表面で何らかの反応が起きるため、硬化した層がレジストマスク表面に形成される。レジストを先に除去すると、この硬化層が側壁保護膜除去工程の上に被さり、側壁保護膜の除去が困難になる。これらの問題を回避するため、側壁保護膜除去工程の後にレジスト除去工程を行なうことがより好ましいと言える。更に、側壁保護膜除去工程とレジスト除去工程の間には、第１の洗浄流体３２−２の充分な除去及び乾燥、つまり、Ｎ2 パージ、リンス流体の供給及びリンス流体の充分な乾燥が必要である。第１の洗浄流体３２−２に含まれる水成分やリンス流体である超純水などが、レジスト除去工程で用いられる有機アミンと混合されると、溶液がアルカリ性となり、所望の処理をすることが困難となるからである。
【００４５】
このように、本発明装置を用いて２種類の洗浄流体３２、３２−２による連続ウェット洗浄処理を行なえば、プラズマドライエッチング処理時に付着させた側壁保護膜１０やマスクとして用いたレジストマスク６を、下地の金属膜８に酸化などのダメージを与えることなく迅速且つ簡単に除去することができる。実際に、このようにして洗浄したウエハ表面を電子顕微鏡写真で確認したところ、側壁保護膜及びレジストマスクは完全に除去されており、しかも、下地の銅膜が何らダメージを受けていないことが確認できた。
また、このような洗浄方法を採用することにより、エッチング工程全体の工程数も減らすことができ、コスト削減に寄与することができる。そして、特に、下地膜が銅膜の時には、これが酸化されることはないので特に有効である。
【００４６】
次に、図１４を参照して本発明の他の実施例について説明する。図２に示す実施例では、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄは横置きされていたのに対し、図１４に示す実施例では洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄは縦置きされている。
また、本実施例では、図２に示した実施例とは異なり、前の工程で配管中に残留した残留液を次の工程に移る前に配管を洗浄処理するための残留液処理循環流路が形成されている。以下に本実施例を詳細に説明する。尚、図２中の構成部品と同一部品には同一符号を付して説明を省略する。
本実施例では、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄは縦置きされ、洗浄処理容器７２は図３に示す状態から９０度回転した状態にあり洗浄流体入口７４は下方に位置し流体排出口７６は上方に位置する。ウエハＷは、処理空間Ｓ内に鉛直方向に保持されている。
【００４７】
図１４中において、流体貯留槽３０とは別に、残留液処理用の洗浄流体２３２を貯留する流体貯留槽２３０が設けられている。流体貯留槽２３０も流体貯留槽３０と同様に密閉されている。また、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの入口側と出口側には、残留液処理循環流路を形成するバイパス管２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃ、２１０Ｄが接続されている。流体貯留槽２３０に貯留された残留液処理用洗浄流体２３２は、各洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの処理空間Ｓを流れることなくバイパスされ、バイパス管２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃ、２１０Ｄを流れるようになっている。
流体貯留槽３０に貯留された洗浄流体３２、超純水（リンス流体）、及び流体貯留槽２３０に貯留された洗浄流体等の液体は、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄに対し下方側から上方側に向かって流され、Ｎ2 ガス（乾燥気体）等の気体は洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄに対し上方側から下方側に向かって流される。洗浄流体等の液体を洗浄装置22A〜22Dに対し下方側から上方側に向かって流すことにより、洗浄装置22A〜22D中の気体を上方の出口から排出し、無理なく洗浄流体32の層流を形成することができる。また、Ｎ2 ガス（乾燥気体）等の気体を洗浄装置22A〜 22Dに対し上方側から下方側に向かって流すことにより、ウエハＷに付着した或 いは処理空間Ｓ内に残存した液体が重力により下方へと落下するのを促進し、液体の除去・回収及び乾燥の効率化が図れる。
【００４８】
バイパス管２１０Ａ、２１０Ｂ、２１０Ｃ、２１０Ｄは、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの入口側において三方弁２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ及び２０２Ｄによって供給路４６Ａ〜４６Ｄに接続されるとともに、洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの出口側において三方弁２０３Ａ、２０３Ｂ、２０３Ｃ及び２０３Ｄによって供給路４６Ａ〜４６Ｄに接続されている。
また、流体貯留槽３０及び流体貯留槽２３０の上方には、洗浄流体３２と残留液処理用洗浄流体２３２とのいずれかを流すかを切り替えるための三方弁２０４Ａ、２０４Ｂ、２０４Ｃ及び２０４Ｄが設けられている。
三方弁２０２Ａ〜２０２Ｄ、２０３Ａ〜２０３Ｄ、２０４Ａ〜２０４Ｄは、三方弁５０Ａ〜５０Ｄや三方弁５２Ａ〜５２Ｄと同様に、供給制御手段６５によって制御される。
洗浄流体３２と残留液処理用洗浄流体２３２の各々は、供給制御手段６５によって制御可能な二方弁を介して流体貯留槽３０及び流体貯留槽２３０から流出し流入する。
【００４９】
次に、残留液の処理について説明する。前の工程で用いた処理液が配管中に残留すると、次の工程に悪影響する場合がある。そこで、次の工程に移る前に、残留液処理用洗浄流体２３２を残留液処理循環流路流路に流し、残留液を洗浄する。残留液処理循環流路は密閉された循環型の流路として形成される。この場合、三方弁２０２Ａ〜２０２Ｄ、２０３Ａ〜２０３Ｄ、２０４Ａ〜２０４Ｄ、三方弁５０Ａ〜５０Ｄ、三方弁５２Ａ〜５２Ｄが供給制御手段６５によって制御され、残留液処理循環流路は、流体貯留槽２３０中の残留液処理用洗浄流体２３２が三方弁５６Ａ〜５６Ｄ、三方弁５０Ａ〜５０Ｄ、三方弁２０２Ａ〜２０２Ｄ、バイパス管２１０Ａ〜２１０Ｄ、三方弁２０３Ａ〜２０３Ｄ、三方弁５２Ａ〜５２Ｄ、三方弁２０４Ａ〜２０４Ｄの順に流れるように形成される。このように残留液処理用洗浄流体232を洗浄空間Ｓ内に供給せず、バイパス管210A〜210D内に導く ことによって、ウエハ処理に残留液の影響を及ぼすことなく好適に除去することができる。
【００５０】
本発明においては、前述したように、供給路４６Ａ〜４６Ｄと還流路４７Ａ〜４７Ｄにより、流体貯留槽３０と洗浄装置２２Ａ〜２２Ｄの間で洗浄流体３２を外気に晒すことなく循環する洗浄流体循環路５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄが形成されている。このように、洗浄流体循環路51A、51B、51C、51Dが循環路であるために、リンス液後の乾燥処理を行っても配管の継ぎ手やバルブなどの細部に残留液が溜まる場合がある。これら残留液は後の洗浄処理の際に、洗浄流体32の濃度が変化させたりして処理に影響を及ぼしていた。これを解消するために、本実施例によれば、上述のように残留液処理循環路を形成し残留液処理用洗浄流体232によって残留液を洗浄処理することが可能になるので、洗浄流体循環路 51A、51B、51C、51Dを循環路として形成したことに関係して生じ得る問題を解決することができるのである。ここで、残留液処理用洗浄流体232としては、 後の洗浄処理の際に用いる洗浄流体32と同じ処理流体を用いる。つまり、リンス処理・乾燥処理を行った後に、残留液処理用洗浄流体232として洗浄流体32と同 じ処理流体を配管中に供給し、配管内の残留液を除去及び洗浄流体32で置換、その後洗浄流体32を処理空間S内に供給し洗浄処理を行う。洗浄流体32を複数種類 用いて洗浄処理するような場合は、残留液処理用洗浄流体232も同じ種類の処理 流体を複数種類備えるようにすればよい。また、本実施例では残留液処理用洗浄流体232も洗浄流体32と同様に循環させているが、循環させずに配管内を洗浄後 排液するように構成してもよい。
【００５１】
次に、図15、図16を参照して本発明の第3実施例について説明する。本実施例 は、二方弁57A、57B、57C、57D、を設けた乾燥専用配管211A、211B、211C、211Dを付加したことが大きな特徴であり、前述の実施例の構成部品と同一の部品については、同一符号を付して説明を省略する。
乾燥専用配管211A〜211Dは、乾燥流体供給系58の三方弁52A〜52Dよりも前段、乾燥流体の供給源に近い部分から分岐して、直接洗浄装置22A〜22Dに連通している。二方弁57A〜57Dは、乾燥専用配管211A〜211Dの途中に設けられ、それぞれ供給制御手段65によって制御される。
乾燥専用配管211A〜211Dを用いた際の乾燥処理の場合、処理空間Ｓ内の乾燥と配管内の乾燥とを別々の配管からの乾燥流体の供給で行うことになる。つまり、乾燥専用配管211A〜211Dは、乾燥流体を処理空間Ｓ内へ導くためのみに用いられ、一方、配管内の乾燥は、三方弁52A〜52D、三方弁203A〜203D、バイパス管210A〜210D、三方弁202A〜202Bと乾燥流体が流れるように弁を制御して行なう。バイパス管210A〜210Dに導かずに、配管内の乾燥と処理空間Ｓ内の乾燥を同じラインで行うと、配管内に存在するリンス液が処理空間Ｓ内に導かれ、ウエハ表面に飛散し、乾燥後にウォーターマークとして残り、歩留りが悪くなるおそれがあった。しかし、本実施例のように、処理空間Ｓ内への乾燥流体の供給を乾燥専用配管211A〜211Dにより行うことで、乾燥後のウォーターマークの発生を抑制することができる。
【００５２】
次に、第３実施例の洗浄装置の正面図を図16に示す。洗浄装置20は、第２の実施例と同様に、縦置きされ、上部に接続された乾燥専用配管211から乾燥流体が 、下部から洗浄流体32やリンス流体が供給されるような構成になっている。また、上部排出管183に接続された配管を通り、三方弁52を介して洗浄流体32等を排 出するように構成されている。尚、バイパス管210、三方弁203については図示を略している。
排出管183と乾燥専用配管211に備えられた二方弁57との間に、中間室２９１を形成する。中間室２９１と排出管183とは、スリット２９２で連通しているが 、洗浄流体等を排出する配管の断面積の方が充分に大きいため、中間室２９１内にスリット２９２を介して液体が浸入することはほとんどなくなる。二方弁57に洗浄流体32が付着すると、洗浄流体32中の気泡が弁内に侵入し、後のリンス処理において十分にリンスしきれないという問題点があった。弁内に気泡が溜まったまま処理を続けると、乾燥処理の際にその気泡がウエハに付着し重大な欠陥となっていた。しかし、中間室２９１を設けることにより、洗浄流体32が二方弁57に付着することは殆どなくなり、この問題は解消することができる。更に、洗浄処理やリンス処理の最中に、乾燥専用配管211から中間室２９１へ微量の乾燥流体 を供給することにより、中間室２９１への液の侵入を更に防ぐことができる。また、スリット２９２には若干洗浄流体32が付着するため、リンス流体の排出ラインを中間室２９１の側方に設け、洗浄流体32の排出は排出管183のラインから行 うことにより、スリット２９２に付着した洗浄流体32の除去もできるため、更に好適の処理を行うことが出来る。
【００５３】
次に、図１７を参照して、洗浄装置２０を備えた基板処理装置３０１について説明する。前述したように、洗浄装置２０には、密閉された洗浄流体循環路が形成されているので、洗浄装置２０を真空処理装置等と組み合わせることによって洗浄工程までも含めてウエハＷを外気に晒すことない一貫した一連の成膜処理工程が可能になる。
図１７は基板処理装置３０１の全体の概略構成を示す平面図である。図中３０２は搬送室であり、この搬送室３０２は、８角形柱状に形成された気密構造のチャンバよりなる。この搬送室３０２には、被処理体であるウエハＷを搬入出する２個の搬出入口が側壁に形成されており、ウエハカセットＣが載置される気密構造の２個のカセット室３０３Ａ、３０３Ｂが各々搬出入口を介して搬送室３０２に気密に接続されている。カセット室３０３Ａ、３０３Ｂは、搬送室３０２に気密に接続されウエハＷを外部との間で搬入搬出するためのロードロック室として機能する。ウエハカセットＣは、２５枚のウエハＷを収納する容器であり、カセット室３０３Ａ、３０３Ｂの上部には、カセットＣを取り入れ、取り出しできるように前後に開閉自在な蓋部が形成されると共に、内部には、カセットＣを間欠的に昇降させるための昇降機構が設けられ、また底部には排気管が接続され、この排気管はバルブを介して真空ポンプ例えばドライポンプに接続されている。
【００５４】
搬送室３０２には、４個のウエハの搬出入口が側壁に形成されている。これらの搬出入口を介して３個の真空処理室３０４，３０５，３０６が搬送室３０２に気密に接続されており、搬出入口を介して洗浄装置２０が搬送室３０２に気密に接続されている。搬送室３０２内には、カセット室３０３Ａ、３０３Ｂ、真空処理室３０４，３０５，３０６及び洗浄装置２０の間でウエハＷを搬送するための搬送手段３０８が設けられている。搬送手段３０８は、各々独立して水平方向に回動される３本の搬送アームを備えた多関節アームよりなる。
真空処理室３０４は、ウエハＷの表面に、酸化膜を形成するための酸化処理室であり、真空処理室３０５は、酸化処理室３０４で形成した酸化膜のエッチング処理するためのエッチング処理室であり、真空処理室３０６は、エッチング処理３０５でエッチング処理されたウエハＷをアッシング処理するためのアッシング処理室である。アッシング処理室３０６でアッシング処理されたウエハＷは、外気に晒されることなく洗浄装置２０に送られ洗浄処理され、洗浄後、ウエハＷは洗浄装置２０から搬送室３０２に戻される。その後、その他の必要な処理を施され、カセット室３０３Ａ、３０３Ｂに搬送される。また、アッシング処理室306 を設けずに、エッチング処理を行った後に洗浄装置20に搬送、洗浄処理を行うという処理手順を行ってもよい。
【００５５】
本実施例によれば、洗浄装置２０は密閉された洗浄流体循環路を有するとともに、洗浄装置２０は気密構造のチャンバとともに搬送室３０２に気密に接続されているので、ウエハＷを外気に晒すことなく一貫した成膜処理が可能になる。
上述した実施例では、成膜処理装置を例に取り説明したが、成膜処理に限らず、ウエハＷを外気に晒すことがない処理が望まれる場合であれば、他の処理、例えば露光処理であってもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の洗浄装置、洗浄システム及び洗浄方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
洗浄処理容器内に洗浄流体を流し込んで被処理体の表面を洗浄する際に、洗浄流体を大気に晒すことなく洗浄処理を迅速に且つ効率的に行なうことが可能となる。また、処理容器内に空気が入ることがないので、例えば洗浄される銅膜などの金属配線層が酸化されることも防止できる。換言すれば、洗浄流体を循環使用することにより、洗浄流体を効率的に使用することができ、また、洗浄流体を密閉状態で使用してこれが空気と接触することがないので、洗浄流体が酸化や気化により変質することも防止することができる。
また、特に請求項３の発明によれば、洗浄流体を効率的に使用でき、また、被処理体のリンス処理、乾燥処理も同一装置内で連続的に行なうこともできる。
また、特に請求項５の発明によれば、残留液処理循環流路を形成し残留液処理用洗浄流体によって残留液を洗浄処理することが可能になるので、洗浄流体循環路を循環路として形成した場合にあっても、前の工程で配管中に残留した残留液の存在が次の工程に影響しないようにできる。
また、特に請求項９の発明によれば、作用の異なる洗浄流体を、これらを混合させることなく洗浄装置内へ供給して、連続処理を行なうことが可能となり、例えばプラズマエッチング処理後の半導体ウエハ面のレジストマスクや側壁保護膜を連続的に洗浄して除去することができる。
例えばウエハ表面に付着した側壁保護膜とレジストマスク両方を連続したウェット洗浄処理により迅速に且つ簡単に除去することができ、また、この順序で洗浄処理を行なうことにより、逆の順序で処理した場合に起こり得る側壁保護膜の硬化や、レジストマスク表面にできる硬化層の側壁保護膜への被さりといった不測の事態を回避することができる。
また、特に請求項１０の発明によれば、洗浄流体を円滑に流し、処理を均一に行なうことができ、また、乱流により薬液の粘性から被処理体表面に生じる不動層の影響を低減し、洗浄処理を迅速且つ効率的に行なうことが可能となる。
また、特に請求項１４の発明によれば、占有する床面積を小さくしてフットプリントを大幅に縮小することができる。
また、本発明の関連技術によれば、密閉された洗浄流体循環路が形成された洗浄装置を真空処理装置等とクラスター状に結合することによって、洗浄工程までも含めてウエハＷを外気に晒すことない一貫した一連の処理工程が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の洗浄システムの外観を示す概略構成図である。
【図２】図１に示す洗浄システムの一部を示すブロック構成図である。
【図３】図１に示す洗浄システムに用いる洗浄装置の一例を示す断面構成図である。
【図４】図３に示す洗浄装置の平面図である。
【図５】本発明の洗浄方法のフローを示す図である。
【図６】乱流形成手段の変形例を示す図である。
【図７】保持手段の取付機構の変形例を示す図である。
【図８】本発明の洗浄システムの変形例を示す図である。
【図９】図８に示す洗浄システムを用いて行なわれるフローを示す図である。
【図１０】従来のエッチング処理を説明するための図である。
【図１１】従来の洗浄装置の一例を示す図である。
【図１２】洗浄処理容器の流体導入口に設けられた洗浄流体導入部と流体排出口に設けられた洗浄流体排出部を示す平面図である。
【図１３】洗浄処理容器の流体導入口に設けられた洗浄流体導入部と流体排出口に設けられた洗浄流体排出部を示す断面図である。
【図１４】図１に示す洗浄システムの他の例の一部を示すブロック構成図である。
【図１５】洗浄システムの更に他の例である第３実施例の一部を示すブロック構成図である。
【図１６】第３実施例の洗浄装置を示す正面図である。
【図１７】洗浄装置を一部として組み込んだ処理装置を示す平面図である。
【符号の説明】
２０  洗浄システム
２２Ａ〜２２Ｈ  洗浄装置
３０，３０−２  流体貯留槽
３２，３２−２  洗浄流体
４４，４４−２  待機循環系
４６Ａ〜４６Ｄ，４６Ａ−２〜４６Ｄ−２  供給路
５１Ａ〜５１Ｄ  洗浄流体循環路
５４Ａ〜５４Ｄ  リンス流体供給系
５８  乾燥気体供給系
７２  洗浄処理容器
７４  流体導入口
７６  流体排出口
９４  ウエハクランパ（保持手段）
１００  音波照射ユニット（乱流形成手段）
１０２  素子基板
１０４  超音波素子
１０８  バッファ槽
１１２  超音波
Ｓ  処理空間
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0004608748.tif 000002
【図２】
0004608748.tif 000003
【図３】
0004608748.tif 000004
【図４】
0004608748.tif 000005
【図５】
0004608748.tif 000006
【図６】
0004608748.tif 000007
【図７】
0004608748.tif 000008
【図８】
0004608748.tif 000009
【図９】
0004608748.tif 000010
【図１０】
0004608748.tif 000011
【図１１】
0004608748.tif 000012
【図１２】
0004608748.tif 000013
【図１３】
0004608748.tif 000014
【図１４】
0004608748.tif 000015
【図１５】
0004608748.tif 000016
【図１６】
0004608748.tif 000017
【図１７】
0004608748.tif 000018