(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたアライメントマークを照明し、該照明をされた前記アライメントマークからの光に基づいて前記アライメントマークの位置を計測する計測手段を有し、前記基板にショット毎に形成された第１既設層のアライメントマークおよび第２既設層のアライメントマークそれぞれの位置を前記計測手段により計測し、計測された複数のアライメントマークの位置に基づいて前記基板を露光する露光装置であって、
前記基板にショット毎に形成された複数のアライメントマークに対してアライメントマーク毎に前記照明の条件を設定する設定手段を有する、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記設定手段は、マニュアルの切り替え部を含み、該切り替え部を介して前記照明の条件を設定する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記設定手段は、複数の前記照明の条件それぞれで前記計測手段により得られたアライメントマークの波形に基づいて前記照明の条件を設定する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記照明の条件は、前記アライメントマークを照明する照明光の波長に関するものである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在半導体製造では、複数の層を順次成膜することによって、半導体が形成される。現実の半導体製造においては、ある層に形成されたアライメントマークの位置を計測して露光するのではなく、複数の層においてマークを形成し、複数の層のマークの位置計測によってアライメントを行う方法が知られている。
【０００３】
特開平７−３２１０１２号公報に記載されているように、基板に層を形成する際、前記層以前に形成された少なくとも２つ以上の層の各々に形成されているマークの位置を各々計測し、前記各層のマーク位置の計測結果に基づいて前記層を形成することが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来は、各層に形成されたアライメントマークを測定する際、各層のアライメントマークの、物理的形状、レジストの塗布状態などの製造プロセスにより、各層のマーク位置の計測精度が劣化する問題があった。
【０００５】
本発明は、各層に形成されたアライメントマークを計測する精度の点で有利な露光装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決し、目的を達成するために、本発明の露光装置は、基板に形成されたアライメントマークを照明し、該照明をされた前記アライメントマークからの光に基づいて前記アライメントマークの位置を計測する計測手段を有し、前記基板にショット毎に形成された第１既設層のアライメントマークおよび第２既設層のアライメントマークそれぞれの位置を前記計測手段により計測し、計測された複数のアライメントマークの位置に基づいて前記基板を露光する露光装置であって、前記基板にショット毎に形成された複数のアライメントマークに対してアライメントマーク毎に前記照明の条件を設定する設定手段を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に関わる位置合わせ方法は、各層毎に形成されたアライメントマークを計測する際、アライメントの計測条件又は計測部を切り替える。
【００１６】
従来より、露光装置ではウエハ面上の位置情報を得るためのアライメントマークの計測方式として非露光光を用い、投影レンズを通さないオフアクシス（Off-Axis）方式、また非露光光を用い投影レンズを通す非露光ＴＴＬ（Through The Lens）方式が知られている。
【００１７】
特に近年、ＡＡマーク観察像の検出精度を高めるために観察用照明光として複数の波長が用いられるようになった。例えば、非露光光の観察用照明光としてハロゲンランプによる比較的波長幅の広い光源（例えば６３３±３０ｎｍ）を用いると、Ｈｅ−Ｎｅレーザのような単色光源を用いてウエハ上のＡＡマークを観察した時に発生しがちな、レジスト膜による干渉縞を低減することができ、より良好なアライメントが行えるという特徴がある。
【００１８】
また、照明光の中心波長を変化させることにより干渉条件を改良させる方法もある。
【００１９】
低段差プロセスなどに対応するために、Ｈｅ−Ｎｅレーザによる照明条件、例えば照明の光強度分布の状態を表す値（σ＝標準偏差）についての条件を変更することも可能である。
【００２０】
即ち、各層で異なるプロセスに対応するために、各層のアライメントマークを計測する際に各層のアライメントマークに最適な観察光の条件を切り替えて、各々アライメントマークを計測する。
【００２１】
以下、図面に基づいて各実施形態を説明する。
［第１実施形態］
図１は本発明の第１実施形態に関わる非露光ＴＴＬ方式とオフアクシス方式を含むアライメント装置を備える露光装置を示す。
【００２２】
図１において、照明系１を発した光源からの光は第一の物体としてのレチクル２を照射する。レチクル２の面上のパターンは投影光学系３によって第２の物体としてのウエハ４上に投影転写されている。ウエハ４は定盤１０上に配置された可動ステージ５の上に固定されている。レチクル２はレチクルステージ２ａに保持されており、レチクルステージ２ａはレチクル駆動機構（不図示）によりＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動される。
【００２３】
ウエハ４上には、前工程までに形成された既設層中に、回路パターンとある定まった位置関係に配置された複数のウエハ位置合わせアライメントマーク４ａ，４ｂ等とが形成されている。６は第１計測条件又は計測部としてのＴＴＬ方式の顕微鏡である。ＴＴＬ顕微鏡６は投影光学系３のレンズを通してウエハ４上の位置合わせマーク４ａを読み取る顕微鏡であり、レチクル２と投影光学系３との間に配置したミラー６ｄを介してウエハ４上の位置合わせマーク４ａの位置計測を行っている。６ａはＨｅ−Ｎｅレーザによる照明光源、６ｂはＣＣＤカメラである。照明光源６ａから出た照明光はアライメント光学系６ｃ、及びレチクル２と投影光学系３との間に設けられたミラー６ｄを介し、投影光学系３のレンズを透過してウエハ４上のアライメントマーク領域を照明する。
【００２４】
そして、ウエハ４上で反射ないしは散乱したアライメントマーク４ａに基づく光は再び投影光学系３のレンズを透過し、ミラー６ｄおよびアライメント光学系６ｃを介し、ＣＣＤカメラ６ｂに結像している。
【００２５】
ＣＣＤカメラ６ｂではアライメントマーク４ａの像を処理しウエハ４の位置情報を得ている。
【００２６】
７は、第２計測条件又は計測部としてのオフアクシス顕微鏡であり、２つの計測方法を有し、これらはＴＴＬ方式顕微鏡６とは別の位置に置かれ、露光されるべき位置から定まった位置関係にある位置に形成されたアライメントマーク４ｂを計測する。７ａは第１計測方法で用いるＨｅ−Ｎｅレーザによる第１の照明光源、７ｂは第２の計測方法で用いるハロゲンランプによる照明光源、７ｃはＣＣＤカメラである。これら第１および第２の計測方法で用いる２つの光源７ａ、７ｂのどちらか１つを光源として選択し、その光源からの照明光はアライメント光学系７ｄを介し、投影光学系３を通さずに、ウエハ４上のアライメントマーク領域を照明している。
【００２７】
ウエハ４の表面で反射ないしは散乱した光は再びアライメント光学系７ｄを介してＣＣＤカメラ７ｃに結像する。ＣＣＤカメラ７ｃにより、画像処理することによって位置情報を計測する。
【００２８】
図２に本実施形態のアライメントマーク配置例を示し、図２（ａ）はショット内平面配置図、図２（ｂ）はマークの段差構造を示す。１１，１３はＡ層で形成されたアライメントマーク、１２，１４はＢ層で形成されたアライメントマークを表す。
【００２９】
図３にグローバルアライメント時の計測ショットＳ１〜Ｓ８の配置例を示し、図４にその例における計測・露光シーケンスを示す。ステップ３１でレチクルセット、ステップ３２でウエハセット、ステップ３３で光源としてハロゲンランプ選択をし、まず、オフアクシス顕微鏡７により、波長帯域の広いハロゲンランプ７ｂを光源として、ステップ３４では図２（ａ），（ｂ）に示したＡ層で形成されたアライメントマーク１１の計測、ステップ３５ではマーク１３の計測をそれぞれ行い、次に、ステップ３６では光源としてＨｅ−Ｎｅレーザ光を選択し、そのＨｅ−Ｎｅレーザ光７ａを光源としてステップ３７ではＢ層で形成されたアライメントマーク１２の計測を、ステップ３８ではマーク１４の計測を、それぞれ行う。
【００３０】
ステップ３９で全サンプルショットの計測をしたか判断し、全サンプルショットの計測をするまで上記計測を繰り返し、全サンプルショットの計測をしたら、ステップ４０でマーク１１及びマーク１３の計測値からＡ層とのずれの算出をし、ステップ４１でマーク１２及びマーク１４の計測値からＢ層とのずれの算出を行う。ステップ４２でずれ量の統計処理をし、ステップ４３でレチクルステージ補正駆動を行った後、ステップ４４で露光し、ステップ４５でウエハを搬出し、ステップ４６で全ウエハの処理を終了したか判断し、全ウエハの処理を終了してない場合はステップ３２のウエハセットから上記処理を繰り返す。
【００３１】
例えば、各マーク毎に、計測条件又は計測部としてＨｅ−Ｎｅレーザー、ハロゲンランプなどの光源の切り替えを行い、各々ＣＣＤカメラで検出したマークの波形が良好なコントラストとなるような計測条件又は計測部を予め決定しておき、これを装置側で設定できるようにマニュアルの切り替え部を設ける。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態では、計測条件又は計測部として、ＴＴＬ方式とオフアクシス方式の切り替えが可能であり、また計測方法としてハロゲンランプの中心波長を変更するための波長フィルタ（不図示）を構成してもよい。
【００３２】
また、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光による照明の光強度分布の状態を表す値（不図示のσ＝標準偏差）を切り替えて変更することも可能である。
【００３３】
第１実施形態と同様に、各マーク毎に計測条件又は計測部としてＴＴＬ方式とオフアクシス方式の切り替え、ハロゲンランプの中心波長の切り替え、またσを切り替えることにより、マークの波形が良好なコントラストとなるように予め計測条件又は計測部を決定しておき、装置側で設定できるようにマニュアル切り替え部を設ける。また、コントラストを自動で算出し、各マーク毎に最適な計測条件又は計測部、または波長およびσを決定することも可能である。
【００３４】
ウエハの位置を測定する際には、アライメントマークの物理的形状、レジストの塗布状態など製造プロセスにより、照明光の反射、吸収、散乱、回折、干渉により影響を受けることから、最適な照明条件を設定する必要がある。
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態として、各ロット処理のスタート直後にウエハに形成された各マークごとに計測条件を自動で切り替え、コントラストを自動で算出してマークごとに最適な計測条件又は計測部を決定するようにしてもよい。
【００３５】
マークは、図６（ａ）に示すように、同一形状の４つの矩形状部分で構成されている。第１実施形態で説明したように、アライメントマークで反射した光束は投影光学系３のレンズを透過し、アライメント光学系を介してＣＣＤカメラにアライメントマークの画像ＷＭを形成する。
【００３６】
ＣＣＤカメラにおいて光電変換し、不図示のＡ／Ｄ変換装置において２次元のデジタル信号列に変換する。更に、このデジタル信号化に対して、図６（ａ），（ｂ）に示すように処理ウィンドウＷｐを設定し、ｙ方向に加算処理を行うことにより２次元画像信号を１次元のデジタル信号列Ｓ（ｘ）に変換する。
【００３７】
各マークごとに、アライメント計測条件、例えばハロゲンランプ又はＨｅＮｅレーザなどの光源の切り替え、また、ＨｅＮｅレーザ光による光強度分布の状態σを切り替えることにより図７（ａ），（ｂ）のようにコントラストが変化する。図７（ａ）は画像信号のコントラストの高い状態、図７（ｂ）は画像信号のコントラストの低い状態を夫々示している。
【００３８】
図５は、マークごとに最適な計測条件を決定するための処理手順を示すフローチャートである。
【００３９】
図５に示すように、ステップ５０２では光源としてハロゲンランプを選択し、ステップ５０３ではオフアクシス顕微鏡７によりアライメントマークの測定を行い、ステップ５０４ではコントラスト値を算出する。
【００４０】
ステップ５０５では、アライメントマーク１１〜１４に対して、計測とコントラスト算出を繰り返す。
【００４１】
次に、ステップ５０６では、ハロゲンランプの中心波長を変更し、同様にステップ５０７でアライメントマークの計測を行う。ステップ５０８では、同様にコントラスト値を算出する。ステップ５０９では、アライメントマーク１１〜１４に対して、計測とコントラスト算出を繰り返す。
【００４２】
ステップ５１０〜５１３は、アライメント光源としてＨｅＮｅレーザ光を選択した場合の処理であり、ステップＳ５１０でＨｅＮｅレーザを選択した後、ステップ５１１〜５１３で上記ステップ５０３〜５０５と同様の手順を行う。
【００４３】
ステップ５１４〜５１７は、ＨｅＮｅレーザ光の光強度分布σを変更した場合の処理であり、ステップ５１４で光強度分布σを変更した後、ステップ５１５〜５１７で上記ステップ５０３〜５０５と同様の手順を行う。
【００４４】
ステップ５１８では、各マークごと、また計測条件を変更した場合のコントラスト値より、各マークごとに最適な計測条件を決定する。決定された計測条件は、ロット内で保持しておき、各ウエハにて決定された計測条件にてグローバルアライメントが行われる。
【００４５】
決定された計測条件は、ロットごとに自動計測し、またロット単位でレシピの条件として計測条件を保持してもよい。同じロットがスタートした場合には、保持された計測条件を参照することで自動計測する時間を削減することができる。
［半導体生産システムの実施形態］
次に、本発明に関わる装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００４６】
図８は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００４７】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。
【００４８】
これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。
【００４９】
具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。
【００５０】
なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５１】
さて、図９は本実施形態の全体システムを図８とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。
【００５２】
図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図９では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。
【００５３】
一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。
【００５４】
このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００５５】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。
【００５６】
記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。
【００５７】
各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。
【００５８】
また、ウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報、即ち各既設層に対する適切な計測条件又は計測部や計測条件の情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００５９】
次に，上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
【００６０】
図１１は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００６１】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【００６２】
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００６３】
前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００６４】
図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。
【００６５】
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【００６６】
これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、各層に形成されたアライメントマークを計測する精度の点で有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に関わる非露光ＴＴＬ方式とオフアクシス方式を含むアライメント装置を備えた露光装置を示す構成図である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施形態に関わるアライメントマークのショット内平面配置図、（ｂ）はアライメントマークの段差構造を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に関わるグローバルアライメント時の計測ショットを示す図である。
【図４】本発明の実施形態に関わる計測露光シーケンスを示すフローチャートである。
【図５】マークごとに最適な計測条件を決定するための処理手順を示すフローチャートである。
【図６】（ａ）は、アライメントマーク画像と処理ウィンドウを示す図、（ｂ）は、アライメントマーク画像と処理ウィンドウを設定して得られる２次元画像信号を変換した１次元のデジタル信号列を示す図である。
【図７】（ａ）は、画像信号のコントラストの高い状態を示す図、（ｂ）は、画像信号のコントラストの低い状態を示す図である。
【図８】本発明に関わる装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】本発明に関わる装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１２】ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１  照明系
２  レチクル
２ａ  レチクルステージ
３  投影光学系
４  ウエハ
４ａ，４ｂ  アライメントマーク
５  可動ステージ
６  ＴＴＬ（Through The Lens）顕微鏡
６ａ  照明光源
６ｂ  ＣＣＤカメラ
６ｃ  アライメント光学系
６ｄ  ミラー
７  オフアクシス（Off-Axis）顕微鏡
７ａ，７ｂ  光源（レーザ光）
７ｃ  ＣＣＤカメラ
７ｄ  アライメント光学系
１０  定盤
１１，１３  アライメントマーク（Ａ層）
１２，１４  アライメントマーク（Ｂ層）
１０１  ベンダの事業所
１０２，１０３，１０４  製造工場
１０５  インターネット
１０６  製造装置、
１０７  工場のホスト管理システム
１０８  ベンダ側のホスト管理システム
１０９  ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１０  操作端末コンピュータ
１１１  工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
２００  外部ネットワーク
２０１  製造装置ユーザの製造工場
２０２  露光装置
２０３  レジスト処理装置
２０４  成膜処理装置
２０５  工場のホスト管理システム
２０６  工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
２１０  露光装置メーカ
２１１  露光装置メーカの事業所のホスト管理システム
２２０  レジスト処理装置メーカ
２２１  レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム
２３０  成膜装置メーカ
２３１  成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム
４０１  製造装置の機種
４０２  シリアルナンバー
４０３  トラブルの件名
４０４  発生日
４０５  緊急度
４０６  症状
４０７  対処法
４０８  経過
４１０，４１１，４１２  ハイパーリンク機能
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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