(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性領域中に、単一磁区として振る舞う磁性領域が分散している磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性領域は、硬磁性材料からなる第１の磁性部と、該第１の磁性部の保磁力よりも弱い保磁力を有する軟磁性材料からなる第２の磁性部を有し、
前記軟磁性材料からなる第２の磁性部は、前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向に、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の周囲を被覆するように設けられており、
前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向の、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の断面の半径は、下記の（１）式で表される臨界半径Ｒｈ以下であり、かつ、
前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向の、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の断面の厚みは、下記の（２）式で表される臨界半径Ｒｓの二倍以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【数１】
0004637040.tif 000013
（式中、硬磁性材料からなる第１の磁性部において、Ｒｈは臨界半径（ｃｍ）、Ａｈは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｋｈは磁気異方性定数（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓｈは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
【数２】
0004637040.tif 000014
（式中、軟磁性材料からなる第２の磁性部において、Ｒｓは臨界半径（ｃｍ）、Ｃは形状による係数で１．４４、Ａｓは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｍｓｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
【請求項２】
非磁性領域中に、単一磁区として振る舞う磁性領域が分散している磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性領域は、硬磁性材料からなる第１の磁性部と、該第１の磁性部の保磁力よりも弱い保磁力を有する軟磁性材料からなる第２の磁性部を有し、
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部は、前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向に、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の周囲を被覆するように設けられており、
前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向の、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の断面の半径は、下記の（２）式で表される臨界半径Ｒｓ以下であり、かつ、
前記磁気記録膜の膜面に対して平行方向の、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の断面の厚みは下記の（１）式で表される臨界半径Ｒｈの二倍以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【数３】
0004637040.tif 000015
（式中、軟磁性材料からなる第２の磁性部において、Ｒｓは臨界半径（ｃｍ）、Ｃは形状による係数で１．４４、Ａｓは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｍｓｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
【数４】
0004637040.tif 000016
（式中、硬磁性材料からなる第１の磁性部において、Ｒｈは臨界半径（ｃｍ）、Ａｈは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｋｈは磁気異方性定数（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓｈは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
【請求項３】
前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度が、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度の二分の一以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比κ＝Ｋｕ２／Ｋｕ１が、該第１の磁性部の平均飽和磁化Ｍｓ１と、該第２の磁性部の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μ＝Ｍｓ２／Ｍｓ１よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部は、磁気記録膜の膜面に対して垂直方向に磁気異方性容易軸を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記平均磁気異方性エネルギー密度と、前記平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の違いによることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記平均磁気異方性エネルギー密度と、前記平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の組成比及び／または結晶構造の違いによることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記平均磁気異方性エネルギー密度と、前記平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の違いと、構成元素の組成比及び／または結晶構造の違いの組み合わせによることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部は、Ｌ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄのいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記軟磁性材料からなる第２の磁性部は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
多孔質母材の複数の孔にＰｔおよびＰｄの少なくとも一つからなる第一の金属を充填する工程と、該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第一の金属を露出する工程と、該露出した第一の金属をＦｅおよびＣｏの少なくとも一つを含有する第二の金属で被覆する工程と、該第一の金属および第二の金属を加熱処理してＬ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかを含む硬磁性材料からなる第１の磁性部と、該第１の磁性部を被覆したＦｅ、Ｃｏいずれかを含む軟磁性材料からなる第２の磁性部を形成する工程と、該第２の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
多孔質母材の複数の孔にＦｅおよびＣｏの少なくとも一つからなる第二の金属を充填する工程と、該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第二の金属を露出する工程と、該露出した第二の金属をＰｔおよびＰｄの少なくとも一つを含有する第一の金属で被覆する工程と、該第一の金属および第二の金属を加熱処理してＦｅ、Ｃｏのいずれかを含む軟磁性材料からなる第２の磁性部と、該第２の磁性部を被覆したＬ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかを含む硬磁性材料からなる第１の磁性部を形成する工程と、該第１の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、記録媒体として垂直磁気記録媒体が注目を浴びている。また、情報量の増大化に伴いハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という。）等の磁気記録媒体の面記録密度の向上が期待されており、磁気記録媒体上の各記録ビットサイズは数１０ｎｍ程度の極めて微細なものになってきている。
【０００３】
しかしながら、記録ビットの微細化は、１ビットあたりの磁化量を小さくし、「熱揺らぎ」による磁化反転で、磁化情報の消失という問題を生じる。
一般に、この「熱揺らぎ」は、Ｋｕ・Ｖ／ｋＴ（ここで、Ｋｕ：異方性定数、Ｖ：磁化最小単位体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）の値が小さい程影響が大きくなる。そして、経験的には、Ｋｕ・Ｖ／ｋＴが１００未満になると、「熱揺らぎ」による磁化の反転が生じると言われている。
【０００４】
「熱揺らぎ」に対する耐性を持ちながら記録感度を低下させる磁気記録媒体として、非特許文献１に膜厚方向に硬磁性（ハード）と軟磁性（ソフト）を構成している垂直磁気記録媒体が提案されている。図４は、非特許文献１に於けるに磁気記録膜の概略を示す図である。結晶成長の種となるシード層４０１上にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2からなる硬磁性層４０２を成膜し、さらにＮｉＦｅ−ＳｉＯ2からなる軟磁性層４０３を成膜してなる。この技術は、磁化領域の微細化に伴う熱的安定性を確保しつつ、記録するための磁界を低く維持できるように、ハード層とソフト層の積層構造を用いていることを特徴としている。
【非特許文献１】日本応用磁気学会“日本応用磁気学会誌”第２９巻、２００５年、ｐ．２３９−２４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、膜厚方向の積層構成では、必然的に膜厚が厚くなってしまうことが懸念される。膜厚の増加は、記録膜の下部側（記録ヘッドと反対側）で記録磁界の膜面方向への発散が生じ易くなるため、記録密度向上させる場合には、好ましくない。
【０００６】
一方で、硬磁性と軟磁性を利用する構成は、記録密度の増大に伴い、今後重要になってくる。
そこで、本発明者らは、磁気記録媒体の磁気記録膜の面内方向（膜面方向）に硬磁性と軟磁性を有する新規な磁気記録媒体につき、鋭意検討を進め、本発明を成すに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、前述の新規な構造を有するノイズが小さく、「熱揺らぎ」による記録劣化が少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための磁気記録媒体は、
非磁性領域中に磁性領域が分散している磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、該磁性領域は保磁力を有する第１の磁性部と、
該第１の磁性部の保磁力よりも弱い保磁力を有する第２の磁性部を有し、
該第１の磁性部と第２の磁性部は磁気記録膜の膜面に対して平行方向に積層して設けられていることを特徴とする。
【０００９】
前記第１の磁性部は硬磁性材料からなり、前記第２の磁性部は軟磁性材料からなることが好ましい。
前記磁性領域は、前記第１の磁性部の周囲を被覆するように前記第２の磁性部が設けられていることが好ましい。
【００１０】
前記磁性領域は、前記第２の磁性部の周囲を被覆するように前記第１の磁性部が設けられていることが好ましい。
前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度が、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度の二分の一以下であることが好ましい。
【００１１】
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比κ＝Ｋｕ２／Ｋｕ１が、
該第１の磁性部の平均飽和磁化Ｍｓ１と、該第２の磁性部の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μ＝Ｍｓ２／Ｍｓ１よりも小さいことが好ましい。
【００１２】
前記磁性領域は、硬磁性材料からなる第１の磁性部の周囲を被覆するように軟磁性材料からなる第２の磁性部が設けられており、前記硬磁性材料からなる第１の磁性部の膜の膜面に対して平行方向の断面の半径は、下記の（１）式で表される臨界半径Ｒｈ以下であり
【００１３】
【数１】
0004637040.tif 000002
【００１４】
（式中、硬磁性材料からなる第１の磁性部において、Ｒｈは臨界半径（ｃｍ）、Ａｈは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｋｈは磁気異方性定数（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓｈは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
、かつ軟磁性材料からなる第２の磁性部の膜の膜面に対して平行方向の断面の厚みは下記の（２）式で表される臨界半径Ｒｓの二倍以下であることが好ましい。
【００１５】
【数２】
0004637040.tif 000003
【００１６】
（式中、軟磁性材料からなる第２の磁性部において、Ｒｓは臨界半径（ｃｍ）、Ｃは形状による係数で１．４４、Ａｓは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｍｓｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
前記磁性領域は、軟磁性材料からなる第２の磁性部の周囲を被覆するように硬磁性材料からなる第１の磁性部が設けられており、前記軟磁性材料からなる第２の磁性部の膜の膜面に対して平行方向の断面の半径は、下記の（２）式で表される臨界半径Ｒｓ以下であり
【００１７】
【数３】
0004637040.tif 000004
【００１８】
（式中、軟磁性材料からなる第２の磁性部において、Ｒｓは臨界半径（ｃｍ）、Ｃは形状による係数で１．４４、Ａｓは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｍｓｓは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
、かつ硬磁性材料からなる第１の磁性部の膜の膜面に対して平行方向の断面の厚みは下記の（１）式で表される臨界半径Ｒｈの二倍以下であることが好ましい。
【００１９】
【数４】
0004637040.tif 000005
【００２０】
（式中、硬磁性材料からなる第１の磁性部において、Ｒｈは臨界半径（ｃｍ）、Ａｈは交換結合定数（ｅｒｇ／ｃｍ）、Ｋｈは磁気異方性定数（ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｍｓｈは飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）を表す。）
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部は、磁気記録膜の膜面に対して垂直方向に磁気異方性容易軸を有することが好ましい。
【００２１】
前記平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の違いによることが好ましい。
前記平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の組成比及び／または結晶構造の違いによることが好ましい。
【００２２】
前記平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは、第１の磁性部および第２の磁性部を構成する構成元素の違いと、構成元素の組成比及び／または結晶構造の違いの組み合わせによることが好ましい。
【００２３】
前記硬磁性材料からなる第１の磁性部は、Ｌ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何いずれかを含むことが好ましい。
前記軟磁性材料からなる第２の磁性部は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいずれかを含むことが好ましい。
【００２４】
上記課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、
多孔質母材の複数の孔に硬磁性材料を充填して第１の磁性部を形成する工程と、該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第１の磁性部を露出する工程と、
該露出した第１の磁性部を軟磁性材料で被覆して第２の磁性部を形成する工程と、
該第２の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することを特徴とする。
【００２５】
また、上記課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、多孔質母材の複数の孔にＰｔおよびＰｄの少なくとも一つからなる第一の金属を充填する工程と、
該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第一の金属を露出する工程と、
該露出した第一の金属をＦｅおよびＣｏの少なくとも一つを含有する第二の金属で被覆する工程と、
該第一の金属および第二の金属を加熱処理して、
Ｌ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかを含む硬磁性材料からなる第１の磁性部と、第１の磁性部を被覆したＦｅ、Ｃｏいずれかを含む軟磁性材料からなる第２の磁性部を形成する工程と、
該第２の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することが好ましい。
【００２６】
上記課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、
多孔質母材の複数の孔に軟磁性材料を充填して第２の磁性部を形成する工程と、該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第２の磁性部を露出する工程と、
該露出した第２の磁性部を硬磁性材料で被覆して第１の磁性部を形成する工程と、該第１の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することを特徴とする。
【００２７】
また、上記課題を解決するための磁気記録媒体の製造方法は、
多孔質母材の複数の孔にＦｅおよびＣｏの少なくとも一つからなる第二の金属を充填する工程と、該多孔質母材の一部あるいは全部を除去して第二の金属を露出する工程と、
該露出した第二の金属をＰｔおよびＰｄの少なくとも一つを含有する第一の金属で被覆する工程と、
該第一の金属および第二の金属を加熱処理してＦｅ、Ｃｏのいずれかを含む軟磁性材料からなる第２の磁性部と、
該第２の磁性部を被覆したＬ１０規則化構造をもつＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄの何れかを含む硬磁性材料からなる第１の磁性部を形成する工程と、
該第１の磁性部の周囲に非磁性材料を充填して第１の磁性部および第２の磁性部を非磁性材料で埋め込む工程を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により、ノイズが小さく、「熱揺らぎ」による記録劣化が少ない磁気記録媒体を、磁気記録膜の膜厚を増加させることなく提供できる。特に磁気記録膜の膜厚の増加を伴わずに、高磁気異方性磁性材料磁性を用いた磁気記録膜の記録感度向上が図れる。そのため、従来の磁気ヘッドでも印加磁界を効率的に磁気記録膜内に印加できるため、更なる記録感度向上と記録時ノイズが低い磁気記録媒体が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を詳細に説明する。
磁気記録媒体は、非磁性領域中に磁性領域が分散している磁気記録膜を有する磁気記録媒体であって、
該磁性領域は保磁力を有する硬磁性材料からなる第１の磁性部と、該第１の磁性部の保磁力よりも弱い保磁力を有する軟磁性材料からなる第２の磁性部を有し、該第１の磁性部と第２の磁性部は磁気記録膜の膜面に対して平行方向に積層して設けられていることを特徴とする。
【００３０】
図１および図２を用いて本発明の実施形態について説明する。図１は本発明に関わる磁気記録媒体の一実施態様を示す断面の構成図である。図中１は基板、２は下地層、３は軟磁性下地層、４は非磁性層、５は磁気記録膜、６は保護層、７は潤滑層である。
【００３１】
ここでは本発明をＨＤＤのディスク状媒体に適用した構成について説明する。図８に示すように、上記磁気記録媒体８１を読み取り書き込み用磁気ヘッド８３、磁気ヘッドを所望の記録位置へ移動させる磁気ヘッド駆動部８４、
モーターなどによりディスク状磁気記録媒体８１を回転駆動する磁気記録媒体駆動部８２、信号処理部８５等からなるＨＤＤ装置に組み込むことができる。しかしながら、本発明の主要な構成は一般の磁気記録媒体の磁気記録膜に適用が可能であり、固形基板上に垂直磁気記録膜を有する媒体に対して使用でき、本発明の適用範囲をディスク状回転媒体に限るものではない。
【００３２】
基板１はガラス、アルミニウム、カーボン基板やプラスチック基板、Ｓｉ基板などからなり、磁気記録膜５への信号の記録、磁気記録膜５からの磁気信号の再生が良好に行える機械特性を備えるものであれば他の材質を用いても良い。
【００３３】
下地層２は、基板１の表面あれ等の影響を除去するため、酸素・水分などから上層の各層を保護するため、基板１の硬度補強、上層との密着性向上のために設けられる。一般にはＮｉＰなどをめっき法などで基板１上に数ナノメートル乃至数百ナノメートル厚で製造される。さらに軟磁性下地層１３の磁気特性を制御する効果をもたせてもよい。
【００３４】
軟磁性下地層３は本磁気記録媒体へ記録磁気ヘッドより発生する磁界で情報書き込みを行う際に、磁気記録膜５内で磁束が収斂し磁界強度を強めるとともに記録膜面垂直方向へ磁界の方向が揃う目的で設けられる。特に垂直磁気記録用のモノポール記録磁気ヘッドを用いて、記録磁気ヘッドの記録用モノポール、軟磁性下地層３、記録磁気ヘッドのトレーディングポールで磁束の還流を生じ閉磁回路を構成することで良好な磁気記録がなされる。磁束を収斂するために高透磁率な材料例えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）などやＦｅＴａＣ、ＣｏＺｒＮｂなどのアモルファス軟磁性材料が使用できるが、上層の膜材料との成膜上の整合から他の高透磁率材料を用いてもよい。また軟磁性下地層３内での磁壁の移動によるスパイクノイズの防止を目的に多層構成、反強磁性磁性材の利用、配向制御などを行ってもよい。膜厚はほぼ１００ナノメートル以下になると磁束収斂の効果が低下するが、厚すぎると生産性や媒体耐久性が劣化するため、数百ナノメートル乃至数ミクロン程度をとることが好ましい。
【００３５】
非磁性層４は軟磁性下地層３と磁気記録膜５の磁気的結合を制御する目的と、磁気記録膜５成膜時の配向制御などの目的で設けられる。
磁気記録膜５は膜面垂直方向に記録情報信号に応じて磁化の方向を記録する記録膜である。本発明の特徴は磁気記録膜５の構成にあるため、後に磁気記録膜５の構成に関して図２を用いて説明する。
【００３６】
保護層６は磁気記録膜５保護する目的で設けられ、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜して形成される。
潤滑層７は浮上磁気ヘッドによる記録再生のため、媒体表面と浮上磁気ヘッドの潤滑性向上のためのもので通常のＨＤＤ媒体で利用される。たとえばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）等が使用できる。
【００３７】
記録時には潤滑層７の表面上の浮上型磁気記録ヘッドより磁気記録媒体へほぼ媒体面垂直方向の記録磁界を印加する。磁気記録ヘッドはモノポール型ヘッドが記録磁界が収斂し記録磁界を効率的に磁気記録膜５へ印加できるため好ましい。浮上型磁気記録ヘッドは潤滑層７表面上を十数ナノメートルのフライングハイトで浮上滑走し、モノポールより本垂直磁気媒体ほぼ垂直方向に磁界を発生する。発生する磁界は磁気記録ヘッド−潤滑層７表面間の間隔、潤滑層７、保護層６を通過し磁気記録膜５内の記録部の磁化を所定の記録方向（媒体面垂直の上下方向の何れか）に反転させ、非磁性層４を通って軟磁性下地層３へ達する。軟磁性下地層３の高透磁率のため膜面に平行となった磁界は、磁気記録ヘッドヘッド後方で非磁性層４、磁気記録膜５、保護層６、潤滑層７を横断して磁気記録ヘッドのモノポール後方のトレーディングポールへ達する。
【００３８】
磁気記録ヘッドのモノポール磁極より発生後の磁界は、磁気記録ヘッド−潤滑層７表面間の間隔、潤滑層７、保護層６、磁気記録膜５で発散し軟磁性下地層３でその高透磁率のため収斂する。そのため、磁気記録膜５内で強い磁界強度を得るためにはこの発散する距離が短いほど好ましい。特に磁気記録膜５内では膜厚方向に印加磁界が均一にかかることにより、磁化反転による記録が安定におこなえるため、磁気記録膜５の厚みは再生時の出力が確保できる限りで薄いことが望ましい。
【００３９】
図２は磁気記録媒体の磁気記録膜の実施形態を示す概略図であり、図２（ａ）は第一の実施形態、図２（ｂ）は第二の実施形態の磁気記録膜の構成を表す。
図２中５は図１と同様に磁気記録膜を表す。２２は磁性領域、２１は各磁性領域２２を磁気的に分離する非磁性材、２３は磁性領域２２を構成する軟磁性材料からなる第２の磁性部（以降、軟磁性層と記す）、２４は磁性領域２２を構成する硬磁性材料からなる第１の磁性部（以降、硬磁性層と記す）である。
【００４０】
磁性領域２２の特徴は、第１の磁性部と第２の磁性部は磁気記録膜の膜面に対して平行方向に内・外に渡って二層以上が積層して設けられている構成からなり、それぞれに軟磁性層２３、硬磁性層２４から構成されるところにある。また本発明に関わる磁性領域２２の特徴は磁気記録膜の膜面に対して平行方向に磁気的に分断されて存在するところにある。
【００４１】
これによって記録感度を向上するために軟磁性層２３を具備するに関わらず磁性粒子の磁気記録膜５の膜厚方向サイズが増大せず、従来例にくらべ磁気記録膜５の厚みを薄く構成することができる。
【００４２】
本発明の第一の形態は硬磁性層２４を内径とする円柱の磁性体構造の外径に沿って磁気記録膜の膜面に対して平行方向８に軟磁性層２３を有するものである（図２（ａ））。また本発明の第二の形態は軟磁性層２３を内径とする円柱の磁性体構造の外径に沿って磁気記録膜の膜面に対して平行方向に硬磁性層２４を有するものである（図２（ｂ））。
【００４３】
但し本発明に関わる磁性領域２２の磁気記録膜方向の層構成は二層に限ることものではなく軟磁性の磁気特性をもつ層群と硬磁性の磁気特性を持つ層群からなる多層構成をとることも可能であるが、説明の簡便のため本実施形態に沿って説明する。
【００４４】
軟磁性層２３、硬磁性層２４の違いは平均磁気異方性エネルギー密度の大きさによる。軟磁性層とは平均磁気異方性エネルギー密度が硬磁性層の平均磁気異方性エネルギーよりも小さいものをいう。さらに詳しく言えば、本発明による硬磁性層と軟磁性層は、硬磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と軟磁性層の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比κ
【００４５】
【数５】
0004637040.tif 000006
【００４６】
が、硬磁性層の平均飽和磁化Ｍｓ１と軟磁性層の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μ
【００４７】
【数６】
0004637040.tif 000007
【００４８】
よりも小さい（κ＜μ）ものをいう。
【００４９】
本発明を軟磁性の磁気特性をもつ層群と硬磁性の磁気特性を持つ層群からなる多層構成とする際には、硬磁性層の平均飽和磁化、平均磁気異方性エネルギー密度として硬磁性層群全体の平均飽和磁化、平均磁気異方性エネルギー密度とする。軟磁性層の平均飽和磁化、平均磁気異方性エネルギー密度として軟磁性層群全体の平均飽和磁化、平均磁気異方性エネルギー密度とする。
【００５０】
平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の構成元素の違いによってもよい。また平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の構成元素の組成比の違いによってもよい。また平均磁気異方性エネルギー、平均飽和磁化の違いは軟磁性層、硬磁性層を構成材料の結晶構造の違いによってもよい。さらに平均磁気異方性エネルギー密度、平均飽和磁化の違いは以上の組み合わせによって軟磁性層、硬磁性層間に生じせしめてもよい。
【００５１】
軟磁性層、硬磁性層の磁気異方性エネルギー密度、飽和磁化は各層内で場所による分布をもっても良い。
磁性領域２２は磁気記録膜５の構成要素として、磁気記録膜５上に磁気的記録情報パターンを形成する要素となる。情報記録パターンは従来のグラニュラ媒体と同様に複数の磁性領域２２から構成されてもよい。この場合磁性領域２２の磁気記録膜５の配列は不規則的であってもよく、磁性領域２２の磁気記録膜５断面形状サイズは或る程度のバラツキが許容されるが、磁性領域２２の断面サイズ自体は記録密度向上のため小さいことが望ましい。この場合磁性領域２２間の結合が大きいと記録パターンの乱れが生じ記録ノイズが発生するが、本発明に於いては磁性領域２２間が非磁性材２１により磁気的に分断されているためノイズの発生が抑えられる。
【００５２】
またパターンド媒体のように情報記録パターンの単位を１つの磁性領域２２から構成されてもよい。この場合は上記の複数の磁性領域２２から構成される場合より同等の記録密度をとるときにも磁性領域２２の断面サイズは大きく取ることもできる。なお、磁性領域２２の磁気記録膜５の配列は規則化されていること、磁性領域２２の断面サイズが揃っていることが好ましい。
【００５３】
本実施形態に於いて磁性領域２２内の磁化は磁気記録膜５が垂直磁気膜となるように膜面にほぼ垂直な上下２方向の何れかを取る。これは磁性領域２２内の硬磁性層２４の磁気異方性の磁気容易軸を磁気記録膜５の膜面に垂直にとることと、軟磁性層２３の膜厚を薄くとることで達成される。但し、軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギー密度が硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度に比べ左程小さくないときには軟磁性層２３の磁気異方性の磁気容易軸を磁気記録膜５の膜面に垂直にとることが好ましい。
【００５４】
また磁性領域２２内の磁化の向き保持は、軟磁性層２３の膜厚を薄くとることでほぼ硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度の大きさで決まる。硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度の大きさを大きくとることで磁化方向の保持特性が向上する。特に「熱揺らぎ」に関しては硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度の大きさＫｕ１とその体積Ｖ１との積（Ｋｕ１・Ｖ１）で決定される。このためＫｕ１を大きな材料ととることで硬磁性層２４、ひいては磁性領域２２を小さくとれ、媒体の解像度が向上するため高記録密度化や媒体ノイズの低減の意味で好ましい。
【００５５】
硬磁性層２４を構成する材料として平均磁気異方性エネルギー密度の大きさの大きい磁性材料、特にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄが層内の一部を占めていることが望ましい。ただし硬磁性層２４に平均磁気異方性エネルギー密度をもたらすものであれば上記材料に限ない。特に層内の一部に他の結晶構造を有したり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄの組み合わせ或いは以外の元素を含んだ合金が一部、或いは全部に含まれるものでもよい。
【００５６】
一般に「熱揺らぎ」に対してはＫｕ・Ｖ／ｋＴの値が１００以上あれば実用上の記録保持に問題がないとされる。上記磁性材を硬磁性層２４に用いることで平均磁気異方性エネルギー密度は製造条件にもよるが１×１０7ｅｒｇ／ｃｃ程度が得られるため、硬磁性層２４の体積として４００ｎｍ3程度以上あればよい。硬磁性層２４の体積の上限は、高記録密度化や媒体ノイズの観点からは小さいほど好ましく、また硬磁性層２４内に磁壁が生じる大きさとなると磁化保持特性の劣化や記録特性の劣化を生じるため、磁壁が生じないサイズが好ましい。このサイズは硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度、飽和磁化などによるが、式１で示された硬磁性材料の単一磁区の臨界サイズ半径Ｒｈの二倍程度の大きさまでが許容でき、数十ナノメートル乃至数百メートルとなる。
【００５７】
記録時の磁気記録ヘッドからの磁界の収斂性より磁気記録膜５は薄いほうがよい。現在の記録磁気ヘッドの能力からほぼ１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好適には２０ｎｍ以下である。本実施形態でも硬磁性層２４の磁気記録膜厚方向サイズはほぼ１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好適には３０ｎｍ以下であり、製造上の利点から１ｎｍ以上が好ましい。１ｎｍ未満では製造上の困難の他に上記の「熱揺らぎ」による記録劣化を防止するための体積を得るために磁気記録膜面方向の面積が大きくなりすぎ、記録密度や媒体ノイズの面で不利となる。より好適には５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。ただし１ｎｍ未満であっても本発明の効果が消失するものでない。
【００５８】
硬磁性層２４の磁気記録膜５面断面形状は任意でかまわないが、極端に異方的である場合には軟磁性層２３との接合が劣化したり磁化保持特性に異方性を生じたり、また磁性領域２２の形状が異方的になり媒体ノイズ発生のもととなるため好ましくない。図２では断面形状は略円形であるが、断面外周のアスペクトが極端値（好ましくは１０以下）でなけば略楕円、略多角形、涙滴形状などでもよい。断面のサイズ（直径または外接円の直径）は、磁気記録膜厚方向サイズ、硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度の大きさＫｕ１との兼ね合いで、Ｋｕ１・Ｖ／ｋＴが１００以上となればよい。断面のサイズが大きくなると記録密度、媒体ノイズが不利となるため、直径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。
【００５９】
例えば断面円形の場合、平均磁気異方性エネルギー密度１×１０7ｅｒｇ／ｃｃで、磁気記録膜厚方向のサイズ５ｎｍで直径約１０ｎｍ以上、磁気記録膜厚方向のサイズ３０ｎｍで直径約４ｎｍ以上で上記条件を満足する。また記録密度１テラビット毎平方インチを満たすピット間隔が２５ｎｍとなることから、高密度化のためには直径約１５ｎｍ以下程度が好ましいが、これをこえても有効である。平均磁気異方性エネルギー密度がさらに向上すればより小さなサイズが可能である。
【００６０】
軟磁性層２３の厚みは厚いほど軟磁性層２３の体積が増加し、記録時に弱い記録磁界で反転するため記録感度を高くできる。一方で厚みが厚くなると磁壁が発生したり、軟磁性層２３内に磁化方向の分布が生じ、反転時にも磁化の一斉回転を取らなくなる。一般に軟磁性層２３内の磁化の方向が一斉にそろうサイズの目安として軟磁性材料の単一磁区の臨界半径Ｒｓの二倍を用いることができ、Ｒｓは軟磁性層２３の磁気特性であるＡｓ，Ｍｓｓによるが式２を用いて概算できる。式２より得られる軟磁性層２３の厚みの上限は軟磁性層２３の材質にもよるが１０ｎｍ乃至１００ｎｍとなる。また軟磁性層２３の厚みが大きくなると磁性領域２２の径が大きくなり、媒体ノイズや高密度化の観点から好ましくない。これらの観点から軟磁性層２３の厚みは１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下が望ましい。
【００６１】
一方軟磁性層２３の厚みの下限は主に製造条件によって決まり、０．１ｎｍ以上が好ましい。記録感度向上の効果は軟磁性層２３の厚みは薄くなるほどその効果が減少するが、軟磁性層２３の材料にもよるが後述の計算によれば条件によって０．２ｎｍ程度の膜厚でもほぼ１０％程度の記録感度向上が期待できる。
【００６２】
軟磁性層２３の材質は平均磁気異方性エネルギー密度が小さいほど、また飽和磁化が大きいほど記録感度向上の効果があるが、硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度の１／２以下程度であればよく、１／１０以下であることが好ましい。軟磁性層２３の材質は硬磁性層２４の材質と異なるものでもよい。さらにいえば軟磁性層２３を構成する元素の全てあるいは一部は硬磁性層２４を構成する元素と異なるものとすることができる。或いは軟磁性層２３を構成する元素の組成比は硬磁性層２４を構成する元素と異なるものとすることができる。或いは軟磁性層２３の主たる結晶構造を硬磁性層２４のものと異なるものとすることができる。以上の何れか、或いは何れかの組み合わせで軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギーさらに飽和磁化を硬磁性層２４のそれと異なるものにすることができる。
【００６３】
たとえば硬磁性層２４にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄを用いた場合、軟磁性層２３をＮｉＦｅ合金（パーマロイ）、ＣｏＦｅ合金などの軟磁性材料とすることができる。また、硬磁性層２４にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔを、軟磁性層２３を構成元素が同じである、ＦｅＰｔ、Ｆｅ3Ｐｔ、ＦｅＰｔ3合金とすることができる。さらに例えば硬磁性層２４にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔを、軟磁性層２３を同ＦｅＰｔの非規則化構造とすることができる。
【００６４】
上記のような磁性領域２２の構成をとることで以下のような効果が生じる。
始めに「熱揺らぎ」に関しては、磁性領域２２はその小さなサイズからほぼ一斉回転する単一磁区粒子として振舞う。軟磁性層２３は磁気異方性エネルギー密度が小さいため、主に硬磁性層２４の体積Ｖ１と平均磁気異方性エネルギー密度により決定されるが、「熱揺らぎ」に関する耐久性Ｋｕ１・Ｖ１／ｋＴは１００以上の指標をとることができる。
【００６５】
記録に関しては、同様に磁性領域２２はほぼ一斉回転する単一磁区粒子として振舞うが、そのとき一斉回転の反転を生じる記録磁界の最小値Ｈminは
【００６６】
【数７】
0004637040.tif 000008
【００６７】
となる。
ただし、Ｋｕ１は硬磁性層２３の磁気異方性エネルギー密度（単位ｅｒｇ／ｃｃ）、Ｋｕ２は軟磁性層２４の磁気異方性エネルギー密度（単位ｅｒｇ／ｃｃ）である。Ｍｓ１は硬磁性層２３の飽和磁化（単位ｅｍｕ／ｃｃ）、Ｍｓ２は軟磁性層２４の飽和磁化（単位ｅｍｕ／ｃｃ）である。
【００６８】
Ｖ１は硬磁性層２３の体積（単位ｃｍ3）、Ｖ２は軟磁性層２４の体積（単位ｃｍ3）、κは前記式（３）の磁気異方性エネルギー密度の比である。μは前記式（４）の飽和磁化の比を示す。
【００６９】
一方、軟磁性層２３だけの場合の記録磁界の最小値Ｈmin０は
【００７０】
【数８】
0004637040.tif 000009
【００７１】
である。
このため、κ＜μであれば  Ｈmin＜Ｈmin０となり記録最小磁界の大きさが小さくなり記録感度が向上する。またκ／μの値が同じ時には感度上昇は軟磁性層２３と硬磁性層２４の体積比Ｖ２／Ｖ１が大きいほどその効果は大きい。
【００７２】
表１にκ＜μとなる種々の、κ、μに対して軟磁性層２３と硬磁性層２４の体積比Ｖ２／Ｖ１を変えたときの  Ｈmin／Ｈmin０の値を示す。平均飽和磁化の比μが０．５程度あれば、平均磁気異方性エネルギー密度が１／４程度でも効果が得られることが判る。また平均飽和磁化の比が小さくても、κの比を小さくとれば効果が得られることが判る。
【００７３】
【表１】
0004637040.tif 000010
【００７４】
図２（ａ）に示した第一の実施形態、硬磁性層２４を内側とし、軟磁性層２３を外側としたときに表１に示した軟磁性層２３と硬磁性層２４の体積比Ｖ２／Ｖ１を得るための軟磁性層２３の厚みと硬磁性層２４の半径の比を表２に示す。参考のため従来例のスタック構成をとった場合に同様の体積比を得るための軟磁性層膜厚と硬磁性層膜厚の比を併記する。硬磁性層２４の体積を同じとし、同等の「熱揺らぎ」の耐久性を得られるものとして比較した。
【００７５】
【表２】
0004637040.tif 000011
【００７６】
但し、硬磁性層および軟磁性層の径の単位はｎｍ、硬磁性層および軟磁性層の厚さの単位はｎｍである。
【００７７】
図２（ｂ）に示した第二の実施形態、軟磁性層２３を内側とし、硬磁性層２４を外側としたときに表１に示した軟磁性層２３と硬磁性層２４の体積比Ｖ２／Ｖ１を得るための軟磁性層２３の径と硬磁性層２４の厚みを表３に示す。数値は硬磁性層のみで同等の体積となる磁性領域を構成するときの体積を１として、硬磁性層２４の体積を同じとし、同等の「熱揺らぎ」の耐久性を得られるものとして比較した。表２と同様に参考のため従来例のスタック構成をとった場合に同様の体積比を得るための軟磁性層膜厚と硬磁性層膜厚の比を併記する。
【００７８】
【表３】
0004637040.tif 000012
【００７９】
表１，２から第一の実施形態に於いては、軟磁性層２３と硬磁性層２４との平均磁気異方性エネルギー密度を１／１０から１／２程度、飽和磁界を同程度から１／２程度にする。そして、軟磁性層２３の層厚を半径の１／２程度（直径の１／４程度）とすることで必要記録磁界を５０％乃至３０％減少させられることがわかる。また表３より第二の実施形態に於いても同等の効果が得られることが判る。
【００８０】
より具体的な例として、直径８ｎｍ、高さ１０ｎｍのシリンダ形状の硬磁性層２４に従来例の膜厚方向に軟磁性層を設けた場合と、本発明の第一の実施形態に従って磁気記録膜面方向に軟磁性層２３を設けた場合の記録感度の計算値のグラフを図１０に示す。軟磁性層の磁気異方性エネルギー密度は零とした。グラフ上段目盛りは従来例の場合に硬磁性層２４上に軟磁性層をつんだ高さで、これが磁気記録膜膜厚になる。グラフ下段目盛りは本発明の第一の実施形態の場合の硬磁性層２４の外周に軟磁性層２３を設けた時の直径で、これが磁性領域２２の直径にあたる。
【００８１】
例として与えた直径８ｎｍ、高さ１０ｎｍは非特許文献１に示された実験例に準拠したものであるが、これにより製造される磁気記録膜厚１０ｎｍは記録ヘッド性能から充分好ましい値である。またほぼ１０ｎｍ以下の磁性領域も記録ノイズの観点から好ましい数値であり本例は実施形態として充分実用的な値である。
【００８２】
図１０のグラフより、従来例では記録層厚を１０ｎｍから１９ｎｍに、約２倍程度にすることで約４０％程度の磁界感度向上が得られるが、本発明に関わる第一の実施形態では同等の効果を直径を８ｎｍから１０．５ｎｍにすることで得られる。このとき軟磁性層２３の厚みは１．２５ｎｍとなる。硬磁性層２４の外周に軟磁性層２３をほぼ１ｎｍ程度加えることで、従来例では磁気記録膜膜厚を２倍程度増加させねばならなかったのと同程度の効果が得られることを示している。
【００８３】
以上のように本発明では、従来例の如く記録層膜厚を大きく増加させることなく、ほぼ１ｎｍ程度の厚みの軟磁性層を付加することで従来例と同程度の効果を得ることができる。
【００８４】
次に本発明の磁気記録媒体の製造方法について述べる。
本発明は主に磁気記録膜５の構成に関するものであり、磁気記録膜５の下部構造である基板１から軟磁性下地層３まで、および上部構造の保護層６、潤滑層７は従来のＨＤＤ用垂直記録媒体と同様の製造方法で製造できるため詳しい説明は省略する。また磁気記録膜５の製造に関しては非磁性層４を磁気記録膜５に対する下地として使用する場合があるため、以下の説明は主に磁気記録膜５と非磁性層４に関して行う。
【００８５】
本実施形態の磁気記録膜５は非磁性材２１、軟磁性層２３、硬磁性層２４からなる構造体である。磁気記録膜５面上に展開されたこのような構造体は、半導体プロセスで用いられるレジスト露光を用いたパターニングで製造することも可能ではある。また、特開２００４−２３７４２９号公報、特開２００２−１７５６２１号公報で開示されたナノホール製造方法を利用し、以下に述べる方法で所望の構造を製造することが望ましい。
【００８６】
図６は本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の磁気記録膜５を製造する第一の製造方法の工程図を示す。
図７は本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の磁気記録膜５を製造する第二の製造方法の工程図を示す。
【００８７】
始めに図６に示した第一の製造方法の概要を説明する。軟磁性下地層３上に非磁性層４と後に磁気記録膜５を構成する多孔質部材を作成する。（多孔質部材作成工程６１）次に多孔質部材の孔中に硬磁性層２４を構成する硬磁性材料を充填する。（硬磁性材充填工程６２）次に多孔質部材の母材部分の一部を除去し硬磁性材料部分を露出させる。（多孔質母材除去工程６４）次に露出した硬磁性材部分の上に軟磁性層２３を構成する軟磁性材を被覆する。（軟磁性材被覆工程６５）さらに磁性領域を構成する軟磁性材で包まれた硬磁性材料部分を非磁性材で埋め込む。（非磁性材への埋め込み工程６６）最後に表面部分を整形し磁気記録膜５とする。（磁気記録膜表面整形工程６７）
【００８８】
上記硬磁性材は磁気異方性エネルギー密度が高い一般の硬磁性材料であればよいが、特にＬ１０規則化構造をとるＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄを用いることで高い磁気異方性エネルギー密度を確保することができる。この場合には多孔質部材の孔中に該材料を充填後、熱処理により該材料にＬ１０規則化を進行させる工程を含むことが好ましい。（規則化工程６３）
【００８９】
また上記軟磁性材は磁気異方性エネルギーが低く、飽和磁化Ｍｓが高い一般の軟磁性材料であればよく、ＮｉＦｅ合金（パーマロイ）などを用いることもできる。また硬磁性層２４との材料結合性を考えて、ＦｅまたはＣｏ、ＰｔまたはＰｄの成分をもち規則化せれていない金属材料を用いることで小さい磁気異方性エネルギー密度をもつ軟磁性層２３を構成することもできる。
【００９０】
図７に示した第二の製造方法では、第一の製造方法と同様に軟磁性下地層３上に非磁性層４と後に磁気記録膜５を構成する多孔質部材を形成する。（多孔質部材形成工程７１）多孔質部材の孔中に、後の規則化工程でＬ１０規則化構造のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄを生成し硬磁性層２４となる第一の金属Ｘを充填する。（金属Ｘ充填工程７２）次に多孔質部材の母材部分の一部あるいは全部を除去し第一の金属Ｘを露出させる。（多孔質母材除去工程７３）次に露出した金属Ｘの上に軟磁性層２３を構成する第二の金属Ｙを積層する。（金属Ｙ被覆工程７４）その後熱処理により主として硬磁性層２４部分にＬ１０規則化を進行させ、主として硬磁性層２４部分の磁気異方性エネルギー密度を相対的に上げるとともに、軟磁性層２３部分の飽和磁化を相対的に高く保つ。（規則化工程７５）これにより硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比κが、硬磁性層２４の平均飽和磁化Ｍｓ１と軟磁性層２３の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μよりも小さなものとなる。最後に第一の製造方法と同様に磁性領域を構成する軟磁性層２３で包まれた硬磁性層２４を非磁性材で埋め込み（非磁性材への埋め込み工程７６）、表面部分を整形し磁気記録膜５とする。（磁気記録膜表面整形工程７７）
【００９１】
特に第二の製造方法ではＰｔ・Ｐｄのいずれかを主成分とする金属Ｘからなる、膜面に対して垂直な多数の柱状部材と、該柱状部材を取り囲む母材から成る薄膜を用意する工程と、
該母材の上部または全部を除去する工程と、該母材除去により表面の露出した該金属Ｘの周囲にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、のいずれかより成る金属Ｙを被覆する工程と、
熱処理により該金属Ｘ及び該記金属Ｙを含むＬ１０規則合金相を形成する工程とから成る。
【００９２】
以下に図３を用いて、各工程について具体的に説明する。図３は本発明に関わる磁気記録媒体の磁気記録膜の製造方法の一例を示す工程図である。
始めに軟磁性下地層３上に非磁性層４を形成する。非磁性層４は磁気記録膜５が垂直磁気記録膜となるように配向制御の機能をもつことが好ましい。また第一の製造方法の軟磁性材被覆工程６５において電解メッキ法を用いるため、また第二の製造方法の金属Ｙ被覆工程７４において電解メッキ法を用いる場合には電極の一部として使用するため導電性が必要となる。第二の製造方法の金属Ｙ被覆工程７４において無電解メッキ法を用いる場合には導電性を持たせる必要はない。
【００９３】
一方で該被覆過程で非磁性層４に直接軟磁性材が付着すると後に磁性領域間が磁気的結合を生じてしまい磁気記録膜５の記録特性にとって好ましくない。このため非磁性層４に導電性をもたせ、軟磁性材被覆工程６５、あるいは金属Ｙ被覆工程７４で電解メッキ法を用いる場合にはあらかじめ多孔質母材除去工程６４での母材の除去に際して磁気記録膜５付近の一部母材を残す必要がある。
【００９４】
配向制御のためには非磁性層４に（００１）配向したＭｇＯなどの配向制御層を挿入し、更に配向制御層の上にめっきのための電極層などを設ける。また、配向制御及び電極層の両者の役割を果たすＺｎＯ等を用いる事も可能である。ここで、孔に充填する磁性材料の配向を制御するために下地電極層の配向を（００１）することが好ましい。
【００９５】
特に硬磁性材として磁気異方性エネルギー密度が大きいＬ１０規則化合金を用いる場合には、磁性体におけるＬ１０規則合金層のｃ軸を基板垂直方向に配向させるためには下地電極層が基板面に対して平行に正方状の結晶配列を有していることが好ましい。特に、ｆｃｃ構造の（００１）配向を利用することが好ましい。
【００９６】
例えば非磁性層４を（００１）配向したＭｇＯなどの配向制御層とすることができる。また非磁性層４の最下層を配向したＭｇＯなどの配向制御層とし、該配向制御層に基づき、（００１）配向を有するＰｔやＰｂ膜をエピタキシャル成長させたものを非磁性層４とすることも好ましい形態である。但し、後述するように第二の製造方法ではＰｔ、ＰｄとＦｅ、Ｃｏの熱拡散を用いて合金を製造することを目的としているため、非磁性層４のＰｔやＰｄが規則合金形成に寄与することを防ぐためには、非磁性層４にＣｕやＡｇ等の材料を用いることも可能である。配向制御のためにはｃ軸配向したＺｎＯ等を用いる事も可能である。ここで、孔に充填する磁性材料の配向を制御するために下地にはｆｃｃ構造を有する材料を用い、且つ（１１１）または（００１）配向させることが好ましく、最も好適なのは（００１）配向である。
【００９７】
また非磁性層４にＰｔやＰｄを含む場合に軟磁性下地層３へこれら金属が拡散するのを防ぐため、非磁性層４の下層部分を下引き層としてＴｉなどからなる保護層を構成することもできる。
【００９８】
（１）多孔質部材作成工程
始めに非磁性層４上に、磁気記録膜５を構成する膜を成膜し、その膜面内に複数の孔を作成する。本工程は上記第一の製造方法、第二の製造方法に共通の工程であるので両製造方法に共通のものとして説明する。（各々図６の６１、図７の７１）
【００９９】
図３（ａ）に、複数の孔を有する多孔質部材３００を示す。多孔質部材３００の厚みは磁気記録膜５と同等或いはそれ以上とする。磁気記録膜５はほぼ１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好適には３０ｎｍ以下であり、より好適には５ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。そのため、それ以上に成膜し、製造された構造体表面を後工程としてエッチングなどで膜厚の調整を行うこともできるが、好ましくは磁気記録膜５膜厚程度とする。
【０１００】
部材を孔上面側から見ると、孔が図５のように分散した状態である。図３、図５において、３０１は孔、３０２は孔間に介在する孔壁である。この孔壁部を孔が分散配置されており、母材（あるいはマトリックス部）と表現する場合がある。図３の孔３０１は非磁性層４上に貫通している。
【０１０１】
前記多孔質部材３００において、多孔質部材３００の孔３０１は、柱状の孔であるが、この複数の孔の平均直径は前記の硬磁性層２４の径程度とする。「熱揺らぎ」効果の低減と記録密度化の観点から直径２ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好ましい。
【０１０２】
さらに詳しく説明すれば、特に第一の製造方法によれば硬磁性層２４となる硬磁性材料を多孔質部材３００の孔３０１に充填するため、孔３０１の直径は所望の硬磁性層２４の直径と同じにとればよい。一方第二の製造方法に於いては多孔質部材３００の孔３０１に充填した第一の金属Ｘとその周囲に構成した第二の金属Ｙとを後述の熱処理によってＬ１０規則化することで硬磁性層２４を作成する。その際後述のように元素間の拡散等が生じ磁気異方性エネルギー密度が高い部分は当初の第一の金属Ｘの充填した直径よりやや外側に広がることがある。これを見越して第二の製造方法に於いては孔３０１の直径は所望の硬磁性層２４の直径よりやや小さくとることもできる。この差分は孔３０１の直径、所望の硬磁性層２４の直径、軟磁性層の厚みや熱処理条件によるが１ｎｍから５ｎｍ程度にとることが望ましい。
【０１０３】
前記多孔質部材３００は、例えば特開２００４−２３７４２９号公報に記載されているように、アルミニウムやアルミニウムを含む合金を、シュウ酸やリン酸等の溶液中で陽極酸化処理して孔を形成することで得られる。当該方法によれば、酸化物であるアルミナを孔壁に有する多孔質体が形成される。
【０１０４】
また、例えば、特開２００２−１７５６２１号公報に記載されているように、相分離構造を形成する材料を用いて、柱状の部材がそれを取り囲む領域に分散した構造を形成し、当該柱状の部材を除去することにより多孔質層を得ることができる。
【０１０５】
これらの方法で得られる孔径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、特に本実施形態で利用する形態の直径１ｎｍ以上３０ｎｍ以下が好適である。
更に直径１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で、且つ孔間の平均間隔２０ｎｍ以下であるような鋳型を用いて、磁性体を充填した構造体を製造するためには有用な手法である。
【０１０６】
またこれらの方法で得られる孔の深さ（孔の長手方向の厚さ）は、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下の深さである。
以下に、特に特開２００２−１７５６２１号公報に記載されている方法に基づいた例についてより詳しく説明を加える。
【０１０７】
具体的には、柱状の部材の周囲が別な材料により構成される領域に取り囲まれている構造物を用意し、柱状部材を選択的に除去する。該構造物には前記領域を構成する材料が、前記柱状の部材を構成する材料と前記領域を構成する材料の全量に対して２０ａｔｏｍｉｃ％以上７０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれている構造物である。上記割合の範囲であれば、実質的に柱状の部材がそれを取り囲むマトリックス領域に分散した構造体が実現される。ここで柱状の部材の構成材料としては、ＡｌやＭｇなどが挙げられる。前記柱状の部材を取り囲む領域を構成する材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉとＧｅの混合物（以降、ＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）と記載することがある。）などが挙げられる。
【０１０８】
このような柱状の部材がそれらを取り囲む領域に分散した構造体を得るには、前記柱状の部材及びそれを取り囲む領域を構成する材料の両方を含むターゲットを用いたスパッタリング法などの非平衡成膜法により実現される。
【０１０９】
成膜後、柱状部材を選択的に除去する。例えば、柱状部材がＡｌの場合、２．８％に希釈したアンモニア水に浸漬することにより、Ａｌ部分が溶出し多孔質材料が形成される。その他、各種酸溶液等も使用することが可能である。マトリックッス部はＡｌ柱状部材の溶解後酸化されてＳｉＯ2またはＧｅＯ２、及びＳｉＯ2とＧｅＯ２の混合物となる。
【０１１０】
（２）充填工程
多孔質部材３００の複数の孔内に、第一の製造方法では硬磁性材料を充填し（図６中６２）、第二の製造方法では後にＬ１０規則化して硬磁性材料となる第一の金属Ｘを充填する。（図７中７２）
図３（ｂ）に、孔３０１内に内包充填物３０３を充填し余剰な充填材料を研磨等により除去した構造を示す。
【０１１１】
第一の製造方法では内包充填物３０３は磁気異方性エネルギー密度が大きい硬磁性材料である。例えばＣｏＣｒＰｔなどをスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等のドライプロセスやメッキ法により充填することもできるが、磁気異方性エネルギー密度がより大きなＬ１０規則化合金のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄを充填することが好ましい。
【０１１２】
このとき最も充填性に優れる手法はメッキ法である。非磁性層４にＰｔ又はＰｄ、その他の導電性金属成分を含有させるることで非磁性層４を電極とする。Ｐｔ，Ｐｄ原料としてヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩、ヘキサクロロＰｄ酸塩を、Ｆｅ、Ｃｏの原料としてそれぞれの塩化塩、硫酸塩を含んだメッキ液を用いて電解メッキを行えばよい。
【０１１３】
なお、めっき浴中のＦｅイオンは比較的不安定であり沈殿物を形成しやすいので、Ｆｅイオンの安定化のために、錯化剤を添加することもできる。錯化剤には酒石酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸や、これらの塩から適宜選択される。特に酒石酸もしくはその塩および／またはクエン酸もしくはその塩、更には、酒石酸ナトリウムおよび／または酒石酸アンモニウムを用いることが好ましい。
【０１１４】
また、ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩の経時変化を抑制するために、ＮａＣｌなどのＣｌ−イオンを過剰に含む溶液とすることも効果的である。また、必要に応じてアンモニウムイオンを添加することによりヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸アンモニウムの錯体を形成し溶液中での安定化を更に促進することも可能である。
【０１１５】
めっき液中に加える原料の割合、及びめっき電位の制御を行い、Ｆｅ、またはＣｏ組成とＰｔ、Ｐｄ組成がほぼ同等となりＬ１０規則化組成と同等になるようにする。充填直後のＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄは一般にＬ１０規則化されていないのでこの段階で４００℃乃至６５０℃で数十分から数時間の熱処理を行いＬ１０規則化を進行させる熱処理過程６３を行うことが好ましい。（規則化工程６３）またこの熱処理は後述の第二の製造方法における熱処理工程７５と同様に還元雰囲気下、真空下または水素雰囲気下で行なう事が好ましい。特に水素雰囲気下で熱処理を行なう事が好ましい。
【０１１６】
第二の製造方法では充填物３０３はＰｔ又はＰｄ、或いはＰｔ、Ｐｄを主成分としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを少なくとも１種類以上含んでいる第一の金属Ｘである。この場合は後の（５）熱処理工程で硬磁性層２４をＬ１０規則合金化し外皮の軟磁性層を被覆する際に、充填物部分をＬ１０規則合金化する組成を得るために前もって組成制御しておくことが可能である。但しこれらの金属の組成比が大きくなると後の（３）母材除去工程において母材３０２の除去と同時に充填物３０３も酸に犯され易くなるため、これらの金属の組成比は総体でＰｔ又はＰｄの組成比を超えないことが好ましい。
【０１１７】
特にＰｔ、Ｐｄを充填する場合には無電解メッキが好ましい手法であるが、孔底部に触媒層を必要とする。このため、非磁性層４にもＰｔやＰｄ等を用いることが好ましい。また非磁性層４の導電性を利用して電解メッキ法を行うこともできる。
【０１１８】
また、非磁性層４にＰｔやＰｄ等を用いずに、多孔質部材３００製造後に孔３０１の底部のみにＰｔ層やＰｄ層を製造してもよい。この場合は多孔質部材３００製造スパッタリングなどにより孔３０１底部および非孔部の母材３０２の表面にＰｔ層或いはＰｄ層を成膜し、非孔部の母材３０２の表面のＰｔ層或いはＰｄ層研磨などで除去すればよい。
【０１１９】
メッキ法により充填された内包充填物３０３のＰｔ及びＰｄは非磁性層４の配向の影響を受けて成長するが、メッキ中の不純物等の影響を受ける可能性がある。このような場合はメッキ後、不純物除去並びに結晶成長を促進させるために熱処理を行なうことも可能である。例えば、非磁性層４にＰｔまたはＰｄ（００１）膜を用いた場合は、充填するＰｔ，Ｐｄの配向を制御する事が容易となる。
【０１２０】
一方、第一の製造方法、第二の製造方法ともに充填にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等のドライプロセスを用いることも可能である。特に、アークプラズマガンは、イオン化された金属粒子を成膜するイオンプレーティングに近い手法であり、ダマシン等の配線形成において埋め込み性能に優れる成膜手法であることが証明されている。また、基板バイアスをかけることにより充填性が良好となる。
【０１２１】
この他、堆積する粒子が基板に対して直進性良く飛散する、例えばイオンビームスパッタ等も孔内への埋め込みに適した手法である。しかしながら、ドライプロセスを用いる場合、孔内のみならず孔壁上へも成膜されるため、充填性が悪化する可能性がある。故に、第一の実勢形態の充填工程にドライプロセスを用いるに際して、硬磁性層２４の直径が５０ｎｍ以下の場合には（磁気記録膜厚）／（硬磁性層）で示されるアスペクト比が２以下のものに適用することが好ましい。より好ましくははアスペクト比が１以下のものにドライプロセスが好適に適用できる。また、必要に応じて、孔壁上の堆積物をエッチングプロセスにより取り除く工程と、充填工程とを交互に行なう事で充填性を改善する事も可能である。
【０１２２】
後の（５）熱処理工程に於いては、得られる規則合金の結晶配向は、充填物３０３を形成している金属の結晶構造に強く影響される。例えばｃ軸が面直方向をとるＦｅＰｔ（００１）配向を有する構造体を形成するためには、ｆｃｃ結晶構造を有し（００１）配向をもつＰｔを用意することが好ましい。何れの場合にも非磁性層４を配向制御膜として使用することで、充填されるＰｔまたはＰｄはｆｃｃ結晶構造を有し（００１）配向を持つようにすることができる。充填工程にて溢れ出た部分は研磨等の手法により除去するのが好ましい。
【０１２３】
（３）母材除去工程
図３（ｃ）に第一の製造方法及び第二の製造方法に於けるに多孔質母材除去工程６４または７３で母材の一部を除去した構造を示す。
【０１２４】
後の被覆工程で電解メッキを行うため非磁性層４を電極の一部として導電性を持たせた場合、あるいは前記充填工程でメッキ触媒として非磁性層４にＰｔまたはＰｄ等を用いる場合は、図３（ｃ）に示すように母材３０２を残す。即ち、鋳型である母材３０２を残す事により、後述の軟磁性材や第二の金属Ｙの被覆時に、非磁性層４への被覆を防ぐ必要がある。溶液の種類、濃度及び温度などを制御することにより、母材材料の溶解速度及び溶解量を制御することが可能となり、図３（ｃ）のように母材の一部を残すことが可能である。
【０１２５】
一方、第二の製造方法に於いて、充填物３０３としてＰｔ又はＰｄを主成分とする第一の金属Ｘを用い、これを触媒として後に金属Ｙ被覆工程７４に無電解メッキを用いる場合は、図３（ｄ）に示すように母材３０２を全部除去しても構わない。この場合は軟磁性層４に導電性や触媒特性をもたせずに構成できるため、直接軟磁性層４に金属Ｙが被覆せず、後に軟磁性材が磁性領域間を磁気的に接合するのを防げる。
【０１２６】
母材３０２は図３（ａ）の工程でアルミの陽極酸化を用いる場合はアルミナであり、相分離構造を用いた場合はＳｉまたはＧｅ、またはＳｉ，Ｇｅの酸化物であるためＮａＯＨ等のアルカリ溶液またはフッ化水素などで除去が可能である。
【０１２７】
一方、第二の製造方法で充填するＰｔやＰｄは耐食性が強い材料であり、また第一の製造方法で充填するＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄはＬ１０規則化するために強度が向上し、王水等特殊な酸以外には耐性を有する。故に、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液またはフッ化水素等への浸漬、または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液に浸漬することにより選択的にマトリックス材料３０２を溶解し、ＰｔまたはＰｄが上に凸な構造３０３を製造することが可能である。
【０１２８】
（４）被覆工程
上記工程（３）により、上に凸な突起状構造体３０５が形成される。第一の製造方法では突起状構造体３０５は硬磁性体材、特に好ましくはＬ１規則化したＦｅＰｔ、ＦｅＰｄ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄ合金である。また第二の製造方法では突起状構造体３０５は主としてＰｔ、Ｐｄよりなる第一の金属Ｘである。
【０１２９】
この突起状構造体３０５の表面に、第一の製造方法ではパーマロイなどの軟磁性材料を、第二の製造方法ではＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを少なくとも１種類以上含む第二の金属Ｙを、被覆することにより図３（ｅ）のような外皮３０４を有する構造体を作製する。
【０１３０】
この被覆は突起状構造体３０５を電極とした電解めっき法を用いることにより電極となる突起状構造体３０５上に軟磁性材料、または金属Ｙからなる外皮３０４で覆うことで形成できる。
【０１３１】
例として第一の製造方法にそってＬ１０規則化合金の硬磁性体材からなる突起状構造体３０５にパーマロイからなる軟磁性材料を被覆する場合には、以下のように行う。
メッキ液としてたとえば硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄の混合液に緩衝剤として硼酸、添加剤としてサッカリンナトリウム、界面活性剤としてラウリル酸ソーダなどを添加したメッキ液で電解メッキを行う。これにより、突起状構造体３０５上にパーマロイを積層させることができる。パーマロイのＦｅとＮｉの組成比は主に電圧とメッキ液中の硫酸鉄の成分でコントロールできる。
【０１３２】
第一の製造方法ではメッキされる軟磁性材の厚みがほぼそのまま軟磁性層２３膜厚になるため、前記好適な軟磁性層２３の厚みに応じてメッキ時間を調整することで所望の厚みの軟磁性層２３が製造できる。
【０１３３】
このとき非磁性層４を各突起状構造体３０５へ電圧を印加する電極として使用する。その場合に図３（ｃ）で非磁性層４自体は除去されていない母材３０２に被覆され直接メッキ液に接触することがない。従って、母材３０２にパーマロイからなる軟磁性材が付着することはなく、各突起状構造体３０５、外皮３０４は後にも磁気的に接続されることはない。
【０１３４】
その他の軟磁性材を用いるときにも、その組成に合わせたメッキ液を用いることで同様に被覆することが可能である。特に突起状構造体３０５をなす材料との接続の整合をとるため同元素を含む異なる組成、結晶構造となる材料を用いてもよい。たとえば突起状構造体３０５をＬ１０規則化合金のＦｅＰｔ，ＣｏＰｔ，ＦｅＰｄ，ＣｏＰｄなどとし、軟磁性材としてＦｅＰｄ3、Ｆｅ3Ｐｄ、Ｆｅ3Ｐｔ、ＦｅＰｔ3、ＣｏＰｔ3、Ｃｏ3Ｐｔ等のＬ１２規則化合金や規則していない合金とすることができる。これらは一般にＬ１０規則化合金より磁気異方性エネルギー密度が小さく、突起状構造体３０５と同等の元素を含むため、積層面での接続が良好に行われやすい。これらの材料もメッキ液の成分を調整することで電解メッキで突起状構造体３０５上に積層できる。
【０１３５】
同様に第二の製造方法にそって第一の金属Ｘからなる突起状構造体３０５に第二の金属Ｙからなる外皮３０４を皮膜することができるが、この場合金属ＸがＰｔ、Ｐｄなどの触媒効果をもつ金属を主成分とするため無電解メッキ法を用いることも可能である。
【０１３６】
例えば硬磁性層２４をＦｅＰｔのＬ１０規則合金が主成分となるように構成する場合について説明する。この場合上記工程（３）により、上に凸なＰｔから成る突起状構造体３０５を形成する。次に金属ＹとしてＦｅを主成分とするために、塩化鉄、硫酸鉄、スルファミン酸等を含有したメッキ液によりメッキ処理を行い、金属Ｙからなる外皮３０４を突起状構造体３０５上に積層する。めっき浴中では、Ｆｅイオンが不安定であり、沈殿物を形成しやすいので、Ｆｅイオンの安定化のために、錯化剤を添加することもできる。錯化剤には酒石酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸や、これらの塩から適宜選択される。特に酒石酸もしくはその塩および／またはクエン酸もしくはその塩、更には、酒石酸ナトリウムおよび／または酒石酸アンモニウムを用いることが好ましい。金属イオンを錯体化することにより、浴のｐＨ濃度を高くすることも可能になり、被覆時に障害となる水素発生を抑制する事が可能となる。
【０１３７】
被覆に無電解メッキ法を用いる場合には突起状構造体３０５に通電する必要がないため、非磁性層４に導電性を必要としない。特に突起状構造体３０５をドライプロセスによる多孔質部材３００への充填で製造する場合には非磁性層４をＭｇＯなどの酸化物で構成できる。その場合は多孔質母材除去工程７３で図３（ｄ）のように母材３０２を全て、非磁性層４へ貫通するまで除去することができる。図３（ｄ）の構造に上記の無電解メッキを施すことで図３（ｆ）のごとき被覆された構造が得られる。このようなプロセスでは多孔質母材除去工程７３で母材除去の調整が簡単になるという製造上の利点がある。
【０１３８】
或いは金属ＹとしてＰｔ成分を含むこともできる。その場合にはＰｔ成分としてたとえばヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩をメッキ液に含めばよい。但し金属ＹにはＦｅとＰｔの量論比が１：１近傍でＬ１０規則合金が形成するため、突起状構造体３０５を形成するＰｔに応じた組成比よりＦｅ成分が多く構成されている必要があり、これにより後に外側にＦｅの成分が主体をなる軟磁性層２３が形成される。
【０１３９】
その他のＬ１０規則化合金を硬磁性層２４の主成分として構成するときにも、同様に硬磁性層２４の主成分に応じて突起状構造体３０５としてＰｔまたはＰｄを形成する。その後、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを少なくとも１種類以上含む金属Ｙからなる外皮３０４をメッキ法により形成すればよい。
【０１４０】
メッキされる外皮３０４の厚みは所望の軟磁性層２３の厚み同等にとることができる。ただし第二の製造方法においては、硬磁性層２４は突起状構造体３０５をなす第一の金属Ｘと外皮３０４をなす第二の金属Ｙとから後の熱処理工程でＬ１０規則化によって製造される。その際に後述のように第一の金属Ｘ、第二の金属Ｙの元素の拡散を伴い、Ｌ１０規則化は第一の金属Ｘ、第二の金属Ｙの境界から進行し、磁気異方性エネルギーの高い部分は第一の金属Ｘ、第二の金属Ｙの境界を中心に突起状構造体３０５の径より外側まで広がる。このため硬磁性層２４の所望の径に対して前述のように多孔質部材３００の孔３０１径を小さくすることが望ましい。この場合には外皮３０４の厚みは磁気異方性エネルギーの高い部分の外周がわへの移動を見越して所望の軟磁性層２３の厚みより厚くとることが好ましい。この増分は多孔質部材３００の孔３０１の径の減分に対応して１ｎｍから５ｎｍ程度にとればよい。
【０１４１】
（５）熱処理工程
第二の製造方法では、第一の金属Ｘからなる突起状構造体３０５に第二の金属Ｙを被覆後に熱処理による熱処理（規則化）工程７５を含む。
【０１４２】
図３（ｇ）、（ｈ）に示す構造体は、図３（ｅ）、（ｆ）で示す凸構造体が金属Ｙからなる外皮３０４で覆われた構造体を熱処理したものである。
熱処理により、突起状構造体３０５のＰｔまたはＰｄとその表面を覆った金属Ｙ（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びその合金）との界面よりそれぞれの原子が熱拡散し合金化が始まり、径内部ではＬ１０規則合金構造を形成する。一方外皮部の外周部分では金属Ｙが残り、軟磁性特性が保持される。結果的に、主に突起状構造体３０５部分では第一の金属Ｘと第二の金属Ｙより規則化した、磁気異方性エネルギー密度が大きいＬ１０規則合金を多く含む硬磁性層２４が、外周の外皮３０４部分には第二の金属Ｙが規則化せずに残った軟磁性層２３が形成される。
【０１４３】
例として前記のように突起状構造体３０５をＰｔを主成分とし外皮３０４をＦｅを主成分とし、硬磁性層２４をＦｅＰｔのＬ１０規則合金が主成分となるように構成する場合について説明する。
【０１４４】
ＦｅとＰｔの積層構造におけるＦｅＰｔ規則合金の形成プロセスにおいて、熱処理初期にはＰｔ側にＦｅ原子が置換し、ＦｅＰｔ3合金が形成され、その後更に熱拡散が進行することによりＦｅＰｔ規則合金が形成されることが報告されている。本工程においても、同様に突起状構造体３０５のＰｔにＦｅ原子が置換しＦｅＰｔ3合金を経由してＦｅＰｔ規則合金が形成される。その結果突起状構造体３０５と外皮３０４の界面付近よりＦｅＰｔ規則合金が形成され、熱拡散によりＬ１０規則が進み、Ｆｅ原子がＰｔ原子側に置換するようにして規則合金化が進んでいく。このため当初は突起状構造体３０５と外皮３０４の界面付近よりの磁気異方性エネルギー密度が大きくなる。時間の経過とともに拡散によりＬ１０規則化が進み磁気異方性エネルギー密度な部分の領域が広がっていき突起状構造体３０５全体の磁気異方性エネルギー密度が大きくなる。同時に外皮３０４側も界面付近よりの磁気異方性エネルギー密度が大きくなるが、外周側ではＰｔ量が少ないため磁気異方性エネルギー密度の上昇は少ない。突起状構造体３０５の径を所望の硬磁性膜２４の径より小さめにとっている場合は磁気異方性エネルギー密度の分布にずれ分を吸収する。そして、硬磁性膜２４のほぼ所望の径内で磁気異方性エネルギー密度の平均値が高くその外周を構成する軟磁性層膜２３では磁気異方性エネルギー密度の平均値が低くなる。
【０１４５】
一方突起状構造体３０５は当初非磁性のＰｔの成分が磁性のＦｅ成分より多いため平均飽和磁化が小さく、外皮３０４は平均的には磁性のＦｅ成分が非磁性のＰｔの成分より多いため飽和磁化が大きくなっている。規則化によりＦｅ原子がＰｔ原子側に置換され突起状構造体３０５部分の平均飽和磁化は大きく、外皮３０４の平均飽和磁化は小さくなる。但し、初期のＦｅ、Ｐｔの比が大きく異なるために、突起状構造体３０５付近の平均飽和磁化は外皮３０４部分の平均飽和磁化より大きなものとなる。
【０１４６】
その結果、突起状構造体３０５を中心として平均磁気異方性エネルギー密度が相対的に高く平均飽和磁化が相対的に小さい硬磁性層２４が、外皮３０４部分より平均磁気異方性エネルギー密度が相対的に低く平均飽和磁化が相対的に大きい軟磁性層２３が製造される。
【０１４７】
その結果、以下のようになる。
硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比κが、硬磁性層２４の平均飽和磁化Ｍｓ１と軟磁性層２３の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μよりも小さなものとなる。そして、前記硬磁性層２４と軟磁性層２３の条件をみたす層が製造される。
【０１４８】
本熱処理工程では、還元雰囲気下で行なう事が好ましく、真空下または水素雰囲気下で行なう事が好ましい。特に水素雰囲気下で熱処理を行なう事により、金属中に含まれる酸化物及び水酸化物を除去することが可能であり熱拡散も促進される。また、熱処理前または同時に水素プラズマ照射すことにより還元効果が高まる。予めＦｅとＰｔの量論比を１：１近傍にした場合は、熱処理温度は６００℃程度が好ましいが、磁気記録媒体の応用には５００℃以下、更に好ましくは４０５０℃以下とすると良い。また、昇温速度の速いＲＴＡ（ｒａｐｉｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）をも用いることも好ましい熱処理方法である。
【０１４９】
また熱処理時間を調整することで、拡散、規則化の具合を調整し、κ、及び硬磁性層２４の平均飽和磁化Ｍｓ１と軟磁性層２３の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μを同時に調整できる。
【０１５０】
ここで、κとは、硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比である。
第一の製造方法を用いた場合には、当初から突起状構造体３０５を硬磁性材、外皮３０４を軟磁性材で形成しているので、突起状構造体３０５部分がそのまま硬磁性層２４、外皮３０４部分がそのまま軟磁性層２３として前記の条件を満たす構造が製造されている。
【０１５１】
（６）非磁性体への埋め込み工程および磁気記録膜表面整形工程
次に、第一の製造方法、第二の製造方法ともに非磁性材２１を埋め込む埋め込み工程６６，７６と表面を研磨することで最終的に磁気記録膜５に仕上げる磁気記録膜表面整形工程６７、７７を行う。埋め込む非磁性材２１は非磁性で、接触する軟磁性層２３を劣化させないものであればよいが、例えばＳｉＯ2やＳｉＮ2をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着などにより埋め込めばよい。埋め込み後磁気記録膜５の表面を平坦化するために研磨、エッチングなどの磁気記録膜表面整形工程６７、７７を行うこうが好ましい。
【０１５２】
図３（ｉ）、（ｊ）に磁気記録膜表面整形工程６７、７７後の磁気記録膜５を示す。突起状構造体３０５よりＬ１０規則化により形成された硬磁性層２４を囲み、外皮３０４より形成された軟磁性層２３が構成されている。これらの間を非磁性材２１で充填し、磁気記録膜５が構成される。
【０１５３】
本製造例では磁気記録膜５表面で硬磁性層２４、軟磁性層２３が露出するように研磨、エッチングなどを行っている。この時点で磁気記録膜５の厚みを所望の厚みに調整することも可能である。
【０１５４】
特に図９（ａ）、（ｂ）に示したように硬磁性層２４上層にも軟磁性層２３を有する構成をとることも可能である。
図９には本発明の第三の実施形態を示した図であり、本図での符合は図２、図３と同じである。本構成では被覆工程（４）で突起状構造体の上層に積層されることで生じる軟磁性層２３の部分を磁気記録膜表面整形工程６７、７７で除去せずに残すことで形成される。磁気記録膜５表面には軟磁性層２３が露出することとなる。
【０１５５】
但し、軟磁性層２３の膜厚が前記の如く薄く構成されているために相対的におおきな磁気交換結合の大きさにより、軟磁性層２３の磁気記録膜５表面部分では硬磁性層２４の磁化と同じ方向の磁化が誘起される。そのため、再生時に読み取る磁気記録膜５表面の磁化は図３（ｉ）（ｊ）の硬磁性層２４が磁気記録膜５表面に露出する場合と変わらない。
【０１５６】
このような構成では、硬磁性層２４の側面のみに軟磁性層２３を設ける場合にくらべ、同じ軟磁性層２３膜厚でも、軟磁性層２３部分の体積と硬磁性層２４の体積の比を大きくとることで記録感度が向上する。一方従来例に比べれば側面の軟磁性層２３の体積により磁性層膜厚を極端に大きくしなくとも記録感度を向上させることができる。また磁気記録膜表面整形工程６７、７７で研磨などを行う厚みが少なくてすむという製造上の利点も有する。
【０１５７】
最終的に記録媒体とするためには、上記のように製造された磁気記録膜５上に、この後通常の成膜プロセスを用いて保護層６、潤滑層７を製造すればよい。
本発明の第二の実施形態に関わる磁気記録膜５の製造に関しては、第一の実施形態に関わる第二の製造方法と同等の工程を利用することができる。主な相違は第一の金属Ｘと第二の金属Ｙの組成構成にある。
【０１５８】
多孔質部材３００に充填する金属材料Ｘ’として磁性を有するＦｅ、Ｃｏなどの元素比率がＰｔ、Ｐｄなどの元素比率よりも多く含まれるようにして突起状構造体３０５を製造する。その上にＰｔ、Ｐｄなどの元素を主成分とする金属Ｙ’を外皮３０４として被覆する。
【０１５９】
熱処理工程７５では外皮３０４部分へ突起状構造体３０５のＦｅなどが拡散することでＬ１０規則化が起こり、主に外皮３０４部分の磁気異方性エネルギー密度が増加する。一方突起状構造体３０５部分では熱処理工程７５にもＦｅなどの磁性元素が相対的に多く残っているために平均飽和磁化が外皮３０４部分に比べ大きくなる。
【０１６０】
これによりκが、外径の硬磁性層２４の平均飽和磁化Ｍｓ１と内径の軟磁性層２３の平均飽和磁化Ｍｓ２の比μよりも小さな、軟磁性層２３を包んで硬磁性層２４を形成できる。
【０１６１】
ここで、κとは、外径の硬磁性層２４の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ１と内径の軟磁性層２３の平均磁気異方性エネルギー密度Ｋｕ２の比である。
製造工程としては図３に示した第一の実施形態に関わる第二の製造方法と同じであり、各工程でも類似点が多いため以下に、特に異なる部分のみ述べる。
【０１６２】
（１’）多孔質部材製造工程
第一の実施形態に関わる第二の製造方法と同様に特開２００２−１７５６２１号公報に記載されている方法に基づいて製造される。第二の実施形態に於いて内部を構成する軟磁性層２３の体積は外部を構成する硬磁性層２４の体積より小さくした方が磁気記録膜５全体の性能バランスを好適にする場合がおおい。
【０１６３】
一方後述の熱処理工程におけるＬ１０規則化では中心の突起状構造体３０５を形成する第一の金属Ｘ’と周囲の外皮３０４を形成する金属Ｙ’との境界付近からＬ１０規則化が開始する。磁気異方性エネルギー密度が高い領域はこの境界部分を中心として形成されるため、製造される中心付近の軟磁性層の半径は突起状構造体３０５の径よりやや小さくなることがある。これを算定にいれ突起状構造体３０５の半径は第二の実施形態のおける所望の軟磁性層２３の半径よりやや大きめに製造することが望ましい。
【０１６４】
これらの結果、突起状構造体３０５の径は一般に第一の実施形態におけるものとほぼ同程度のものとなり、好適には直径１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度の孔径をもつ多孔質部材３００を製造する。前述のようにこのような孔も特開２００２−１７５６２１号公報に記載されている方法を利用することで製造できる。
【０１６５】
（２’）第一の金属Ｘ’充填工程
突起状構造体３０５となる第一の金属Ｘ’を多孔質部材３００内の複数の孔に充填する。第一の実施形態に関わる第二の製造方法との差異は第一の金属Ｘ’の組成である。
【０１６６】
軟磁性の特性的にはＦｅ、Ｃｏなどを第一の金属Ｘ’として充填することが好ましいが、後の母材除去過程において突起状構造体３０５が酸によって劣化を起こすのを防ぐため、該金属を主成分とし相対的に少量のＰｔ、Ｐｄを含ませておくことが好ましい。
【０１６７】
充填は前述のメッキ法を用い、メッキ液成分をＦｅ、またはＣｏイオンの成分を大きくとることで所望の金属Ｘ’を突起状構造体３０５として製造できる。また、アークプラズマガンなどによるドライプロセスによる埋め込みも有効な方法である。
【０１６８】
（３’）母材除去工程
フッ化水素等への浸漬により母材３０２の一部或いは全部を除去する。
（４’）被覆工程
第一の金属Ｘ’からなる突起状構造体３０５上に第二の金属Ｙ’を被覆する。第二の実施形態の製造おいては第二の金属ＹはＰｔ、Ｐｄを主成分にした金属とする。
【０１６９】
被覆は第一の実施形態に関わる第二の製造方法と同等にメッキ法を用いて行うことができる。特に第二の実施形態の場合は積層する第二の金属Ｙ’が貴金属であるＰｔ、Ｐｄを主成分とするため、無電解メッキによる被覆が効果的である。このような場合には非磁性層４を酸化物とし充填工程をドライプロセスで行い、母材除去は非磁性層４まで貫通させてもよい。
【０１７０】
特に第二の金属Ｙ’をＰｔ、Ｐｄとした場合には、これら元素自体は強い磁気特性を示さない。このためこれらを、磁性領域２２間を分断する非磁性材２１として流用することも可能である。この場合には本工程で突起状構造体３０５上で外皮３０４として皮膜のように被覆するのでなく各突起状構造体３０５全体を埋め込んでもよい。これにより後の非磁性体への埋め込み工程を省略することができる。
【０１７１】
この場合には後に硬磁性層２４の外径は後の熱処理（規則化）工程でＦｅ等が拡散してＬ１０規則化する拡散距離によるため、磁性領域２２間の磁気的分断を確保するためには熱処理過程での規則化する範囲の調節が必要となる。
【０１７２】
（５’）熱処理工程
熱処理により、突起状構造体３０５のＦｅ、Ｃｏとその表面を覆ったＰｔあるいはＰｄを主成分とする金属Ｙ’との界面よりそれぞれの原子が熱拡散し合金化が始まり、Ｌ１０規則合金構造を形成する。Ｌ１０規則化は突起状構造体３０５と周囲のＰｔあるいはＰｄの界面付近より始まる。このため規則化時間を調節することで、突起状構造体３０５中心付近では規則化が進まず、Ｆｅ、Ｃｏなどの磁性を持つ元素の成分が多いため平均飽和磁化が大きいままにすることができる。このとき突起状構造体３０５と周囲のＰｔあるいはＰｄの界面付近より外側はＬ１０規則化するとともにＦｅ、Ｃｏなどの磁性を持つ元素が拡散し磁性膜の特性をもつ。その外側は主にＰｔあるいはＰｄであり非磁性材料となる。
【０１７３】
このため中心の軟磁性層２３の径は突起状構造体３０５の径よりやや小さく、硬磁性層２４の厚みは外皮３０４の厚みよりやや厚く製造され傾向がある。これを見越して突起状構造体３０５の直径を所望の軟磁性層２３より大きめに、被覆する外皮３０４の厚みを所望の硬磁性層２４の厚みより薄めに設定することもできる。
【０１７４】
一般に軟磁性層２３の体積より硬磁性層２４の体積の方が小さいほうが磁気記録膜５の「熱揺らぎ」耐性や記録感度、記録密度などの性能バランスが取りやすい。そのため、上記の効果を見越した場合にも、形成する突起状構造体３０５の径や外皮３０４の厚みは第一の実施例での製造条件と大きくずれることはなく製造可能な範囲になる。
【０１７５】
熱処理工程の時間調節によって突起状構造体３０５中心付近で相対的に小さな磁気異方性エネルギー密度と相対的に大きな飽和磁化を持つ。
そして、突起状構造体３０５と周囲のＰｔあるいはＰｄの界面付近で相対的に大きな磁気異方性エネルギー密度と相対的に小さな飽和磁化を持つようにする。また時間調節によってＦｅ、Ｃｏなどの磁性を持つ元素の拡散を隣接する突起状構造体３０５間の距離の半分以下とすることで磁性領域２２間を分断することができる。
【０１７６】
このようにして突起状構造体３０５中心付近に軟磁性層２３を、その外周に硬磁性層２４を、さらに外周にはＰｔあるいはＰｄを、磁性領域２２間を分断する非磁性材２１として流用した構成の第二の実施形態の磁気記録膜５が構成できる。
【０１７７】
但し磁性領域２２間を分断する効果をより確実にするためにはＰｔあるいはＰｄの外皮３０４を皮膜として構成し、熱処理工程の後全体をＳｉＯ2、ＳｉＮ２などの非磁性材料へスパッタなどで埋めむ第一の実施例の製造方法と同様に工程を設けてもよい。またこのとき磁気記録膜表面整形工程で軟磁性層２３に製造された硬磁性層２４部分を除去せずに磁気記録膜表面に露出させておくことも可能である。
【０１７８】
最後に磁気記録膜表面整形工程を行って第二の実施形態の磁気記録膜５を完成させ、その後保護層６、潤滑層７を成膜して第二の実施形態に基づく記録媒体とする。
【実施例】
【０１７９】
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
実施例１として上記第一の実施形態を第一の製造方法で製造する例について説明する。特に本発明の主要部分は磁気記録膜の構成にあるため、説明は主に磁気記録膜の製造方法について行う。
【０１８０】
ディスク状のガラス基板にＮｉＰメッキをした上にＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層を５００ｎｍ厚で製造し、以下の方法で磁気記録膜を製造する。
（１）膜面内に複数の孔を作成する工程
基板上に（００１）配向ＭｇＯ５０ｎｍ、その上に（００１）配向Ｐｔ１０ｎｍをスパッタ法にて成膜する。更に、Ａｌ56Ｓｉ44組成のスパッタリングターゲットから成膜されたＡｌＳｉ構造体２０ｎｍを順次成膜する。ここで用いたＡｌＳｉ構造体は、円柱状のアルミニウム部分とそれを取り囲むＳｉ母材から形成される。このＡｌＳｉ構造体のアルミニウム部分を除去して微細な孔を形成するために室温で２．８ｍｏｌ％のアンモニア水に１０分浸漬する。ここでは、孔の平均直径は６ｎｍであり、孔間の間隔は平均１２ｎｍとなる。Ｓｉ部分はアンモニア水浸漬により酸化されて、ＳｉＯ2となっている。これにより多孔質層が形成される。
（２）充填工程
孔の底部に下地のＰｔ表面が露出した多孔質層中にめっき法を用いてＦｅＰｔ合金を充填する。ここで用いるめっき浴は、以下からなる。
【０１８１】
ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩０．０１１ｍｏｌ／Ｌ、塩化アンモニウム０．０２２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄０．０２ｍｏｌ／Ｌ、酒石酸アンモニウムを０．０２ｍｏｌ／Ｌ、塩化ナトリウム０．１ｍｏｌ／Ｌからなる。浴温度を５０℃としてｐＨ８に調整する。界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウム０．０００１ｍｏｌ／Ｌを加えることも可能である。上記めっき浴を用いてめっきを施す事により、孔内へＦｅＰｔ合金を充填する。めっきされるＦｅＰｔ合金組成は、製造条件、特に印加電圧により選択することが可能あり、５０ａｔｏｍｉｃ％−ＦｅＰｔを作製する。
【０１８２】
（３）熱処理工程
上記工程により作製される構造体を５００℃に熱処理し、熱処理後ＦｅＰｔ薄膜部分を研磨により除去し、柱状構造体上部を露出させる。孔内に充填されている合金材料によるＬ１０規則合金相が形成されているか否かは、Ｌ１０規則構造に伴うｘ線回折のピークが観測されるかどうかにより分かる。
【０１８３】
（４）母材除去工程
製造した構造体を水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）２０％溶液に浸漬させることにより、母材のＳｉＯ2を除去する。エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により組成分析を行なうとＳｉピークが観察され、断面ＴＥＭ観察によりＳｉＯ2が下地近傍に５ｎｍ程度残っていることが確認できる。
【０１８４】
（５）軟磁性層被覆工程
ＮｉＳｉＯ4・７Ｈ2Ｏ（３００ｇ／ｌ）、
ＮｉＣｌ2・６Ｈ2Ｏ（２５ｇ／ｌ）、
ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（１０ｇ／ｌ）、
Ｈ3ＢＯ3（１５ｇ／ｌ）、サッカリンナトリウム（０．５ｇ／ｌ）、
ラウリル硫酸ナトリウム（０．２ｇ／ｌ）からなるメッキ液で電流密度１０〜１５ｍＡ／ｃｍ2でメッキを行い、厚さ２ｎｍ程度のパーマライト膜を上記工程で露出したＦｅＰｔに被覆する。
【０１８５】
（６）埋め込み工程
スパッタリングによりＳｉＯ2の埋め込みを行い表面を研磨して磁気記録膜とする。その後保護層、潤滑層を製造し磁気記録媒体とする。
【０１８６】
比較のため上記（４）母材除去工程以降を省いた軟磁性層を設けない磁気記録膜を持つ磁気記録媒体を製造する。
そして、上記記録媒体をスピンスタンドに設置し、ＳＰＴ記録ヘッドを用いて記録、ＭＲ再生ヘッドを用いて再生を行う記録再生試験を行うことで記録感度が向上していることが確認できる。例えばトラック幅０．１５μｍのＳＰＴ記録ヘッドで、ピット長５０ｎｍ相当の単一トーン信号を異なる記録印加磁界強度で記録、同時にＭＲ再生ヘッドを用いて再生し再生信号が観察できる下限の記録印加磁界を最小記録磁界とする。同時に上記（５）の軟磁性層被覆工程を除いて作成された参照用磁気記録媒体を製造する。そして、この媒体に対し上記と同じ記録再生試験を行う。これにより、本実施例の磁気記録媒体の最小記録磁界が参照用磁気記録媒体の最小記録磁界より小さく記録感度が向上したことが確認できる。
【０１８７】
実施例２
実施例２として上記第一の実施形態を第二の製造方法で製造する例について説明する。特に本発明の主要部分は磁気記録膜の構成にあるため、説明は主に磁気記録膜の製造方法について行う。
【０１８８】
ディスク状のガラス基板にＮｉＰメッキをした上にＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層を５００ｎｍ厚で製造し、以下の方法で磁気記録膜を製造する。
（１）膜面内に複数の孔を製造する工程
基板上に（００１）配向ＭｇＯ５０ｎｍ、その上に（００１）配向Ｐｔ１０ｎｍをスパッタ法にて成膜する。更に、Ａｌ56Ｓｉ44組成のスパッタリングターゲットから成膜されたＡｌＳｉ構造体２０ｎｍを順次成膜する。ここで用いたＡｌＳｉ構造体は、円柱状のアルミニウム部分とそれを取り囲むＳｉ母材から形成されることが特徴である。このＡｌＳｉ構造体のアルミニウム部分を除去して微細な孔を形成するために室温で２．８ｍｏｌ％のアンモニア水に１０分浸漬する。ここでは、孔の平均直径は６ｎｍであり、孔間の間隔は平均１２ｎｍとなる。Ｓｉ部分はアンモニア水浸漬により酸化されて、ＳｉＯ2となっている。これにより多孔質層が形成される。
【０１８９】
（２）充填工程
孔内に無電解めっき法を用いてＰｔを充填する。Ｐｔ無電解めっき液は、以下からなる。
【０１９０】
レクトロレスＰｔ１００基本液１００ｍｌ（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）、２８％アンモニア水１０ｍｌ、レクトロレスＰｔ１００還元剤２ｍＬ（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株））、純水８８ｍＬを混合して調整しためっき液である。６０℃の前記めっき液中に前記多孔質層を１０分間浸すことによりＰｔを充填する。ＦＥ−ＳＥＭで観察した結果、前記多孔質層中に直径５ｎｍ、高さは２０ｎｍ程度のＰｔが充填される。
【０１９１】
（３）母材除去工程
製造した構造体を水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）２０％溶液に浸漬させることにより、母材のＳｉＯ2を除去する。エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により組成分析を行なうとＳｉピークが観察され、断面ＴＥＭ観察によりＳｉＯ2が下地近傍に５ｎｍ程度残っていることが確認できる。
【０１９２】
（４）被覆工程
突起状構造体を有するＰｔにメッキ法にてＦｅを被覆する。突起状Ｐｔが電極となり、Ｐｔを覆うようにしてＦｅメッキする。Ｆｅメッキ浴はメッキレートを制御するために、塩化鉄に酒石酸アンモニウムを添加し錯体構造を含むメッキ浴を用い１ｎｍ乃至２ｎｍ程度の厚みのＦｅが付着する。
【０１９３】
（５）熱処理工程
上記メッキ後、水素雰囲気中にてＲＴＡ法を用いて５００℃の熱処理を行なう。熱処理後、ＸＲＤにて合金化されたＦｅＰｔの強い（００１）回折ピークが観察され、ｃ軸配向したＦｅＰｔが製造されていることが分かる。
【０１９４】
（６）埋め込み、表面整形工程
スパッタリングによりＳｉＯ2の埋め込みを行い表面を研磨して磁気記録膜とする。その後保護層、潤滑層を製造し磁気記録媒体とする。
【０１９５】
実施例３
実施例３として上記第二の実施形態製造する例について説明する。第二の実施例と重複する部分が多いため特に異なる部分についてのみ記載する。
【０１９６】
第二の実施例と同様に、ディスク状のガラス基板にＮｉＰメッキをした上にＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性下地層を５００ｎｍ厚で製造し、上記第二の実施例の（１）膜面内に複数の孔を製造する工程を行ってこれにより多孔質層を作成する。
【０１９７】
次に多孔質層下のＰｔ層を電極として電解めっき法を用いて多孔質層へＦｅリッチなＦｅＰｔ合金を充填する。
ここで用いるめっき浴は第一の実施例のＦｅＰｔ充填工程で用いたものと同様である。ヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸塩０．０１１ｍｏｌ／Ｌ、塩化アンモニウム０．０２２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸鉄０．０２ｍｏｌ／Ｌ、酒石酸アンモニウムを０．０２ｍｏｌ／Ｌ、塩化ナトリウム０．１ｍｏｌ／Ｌからなる。浴温度を５０℃としてｐＨ８に調整する。但し印加電圧をよりマイナス側にすることでＦｅ組成を増加させる。界面活性剤としてドデシル硫酸ナトリウム０．０００１ｍｏｌ／Ｌを加えることも可能である。上記めっき浴を用いてめっきを施す事により、孔内へＦｅＰｔ合金を充填する。
【０１９８】
その後第二の実施例の母材除去過程と同様の母材除去過程を行い母材を除去する。
さらに無電解めっきによりＰｔを被覆する。Ｐｔ無電解めっき液は、以下からなる。
レクトロレスＰｔ１００基本液１００ｍｌ（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株）、２８％アンモニア水１０ｍｌ、レクトロレスＰｔ１００還元剤２ｍＬ（日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース（株））、純水８８ｍＬを混合して調整しためっき液であり、６０℃の前記めっき液中に１０分間浸すことによりＰｔを充填する。
【０１９９】
そして、この状態で規則化のための加熱処理を行う。最後にスパッタリングによりＳｉＯ2の埋め込みを行い表面を研磨して磁気記録膜とする。その後保護層、潤滑層を製造し磁気記録媒体とする。
【産業上の利用可能性】
【０２００】
本発明に係る垂直磁気媒体はＨＤＤ装置などの高密度磁気記録装置、及びそれら装置を含む情報処理装置、画像記録装置などに利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２０１】
【図１】本発明に関わる磁気記録媒体の一実施態様を示す断面の構成図である。
【図２】磁気記録媒体の磁気記録膜の一実施形態を示す概略図である。
【図３】本発明に関わる磁気記録媒体の磁気記録膜の製造方法の一例を示す工程図である。
【図４】従来例に於ける垂直磁気記録媒体の磁気記録膜の構成を示す図である。
【図５】本発明に関わる磁気記録膜の製造方法における多孔質部材を示す図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の磁気記録膜を製造する第一の製造方法の工程図である。
【図７】本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の磁気記録膜を製造する第二の製造方法の工程図である。
【図８】本発明に関わる磁気記録媒体を利用した磁気記録装置の構成を示す図である。
【図９】本発明に関わる磁気記録媒体の作成方法を説明する図である。
【図１０】本発明に関わる磁気記録媒体の具体的構成における従来例との差異を示すグラフである。
【符号の説明】
【０２０２】
１  基板
２  下地層
３  軟磁性下地層
４  非磁性層
５  磁気記録膜
６  保護層
７  潤滑層
８  膜面に対して平行方向
２１  非磁性材
２２  磁性領域
２３  軟磁性層
２４  硬磁性層
３００  多孔質部材
３０１  孔
３０２  母材
３０３  内包充填物
３０４  外皮
３０５  突起状構造体
４０１  シード層
４０２  硬磁性層
４０３  軟磁性層
４０４  結晶粒
４０５  ＣｏＣｒＰｔ結晶
４０６  ＮｉＦｅ結晶
４０７  磁気的粒子
【図１】
0004637040.tif 000017
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004637040.tif 000023
【図８】
0004637040.tif 000024
【図９】
0004637040.tif 000025
【図１０】
0004637040.tif 000026