(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、少なくとも下部電極と、有機発光媒体と、上部電極とを有するとともに、周囲が封止用部材により封止された有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、
前記支持基板を搬入するための第１のユニットと、
前記有機発光媒体の形成前に少なくとも支持基板を加熱して脱水処理を行うための第２のユニットと、
前記有機発光媒体および上部電極を形成するための第３のユニットと、
前記封止用部材により周囲を封止するための第４のユニットと、
を備えるとともに、
各ユニットの間に搬送装置が設けてあり、
前記第２のユニットが、加熱装置と、冷却装置とから構成してあること、を特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項２】
支持基板上に、少なくとも下部電極と、有機発光媒体と、上部電極とを有するとともに、周囲が封止用部材により封止された有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、
前記支持基板を搬入するための第１のユニットと、
前記有機発光媒体の形成前に少なくとも支持基板を加熱して脱水処理を行うための第２のユニットと、
前記有機発光媒体および上部電極を形成するための第３のユニットと、
前記封止用部材により周囲を封止するための第４のユニットと、
を備えるとともに、
各ユニットの間に搬送装置が設けてあり、
前記第２のユニットと、前記第４のユニットとを共用することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項３】
前記第２のユニットと、第３のユニットとの間に、前記第１のユニットが設けてあることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項４】
前記第２のユニットに、さらに、不活性ガスの循環装置および減圧装置の少なくとも一つが設けてあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項５】
前記第１のユニットに、不活性ガスの循環装置、減圧装置および冷却装置の少なくとも一つが設けてあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項６】
前記第１のユニットに、前記第４のユニットが接続してあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項７】
前記第２のユニットと、前記第４のユニットとを共用することを特徴とする請求項１、３〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項８】
前記第３のユニットが、複数試料を同時蒸着または逐次蒸着するための複数の蒸着源を有する真空蒸着装置であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項９】
前記第３のユニットが、バファー室と、真空蒸着装置と、スパッタ装置とを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項１０】
前記第３のユニットが、さらにプラズマ洗浄装置を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造装置。
【請求項１１】
支持基板を搬入するための第１のユニットによって、下部電極の設けられた支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから、加熱装置と冷却装置とを含んでなる第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を当該加熱装置において、前記支持基板を加熱して脱水処理を行うとともに、当該冷却装置において、脱水処理した支持基板を冷却し、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
支持基板を搬入するための第１のユニットによって、下部電極の設けられた支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから、加熱装置と冷却装置とを含んでなる第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を当該加熱装置において、前記支持基板を加熱して脱水処理を行うとともに、当該冷却装置において、脱水処理した支持基板を冷却し、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を、第２のユニットから第１のユニットを介して、第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
支持基板を搬入するための第１のユニットによって、下部電極の設けられた支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから、加熱装置と冷却装置とを含んでなる第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を当該加熱装置において、前記支持基板を加熱して脱水処理を行うとともに、当該冷却装置において、脱水処理した支持基板を冷却し、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第１のユニットを介して、第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
支持基板を搬入するための第１のユニットによって、下部電極の設けられた支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから、加熱装置を含んでなる第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を当該加熱装置において、前記支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第２のユニットと共用の第４のユニットとに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第２のユニットにおいて脱水処理された支持基板を、第１のユニットに移送して冷却した後、前記第３のユニットに移送することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第３のユニットにおいて有機発光媒体を形成した後、当該有機発光媒体が形成された支持基板を第２のユニットに移送して脱水処理した後、再び第３のユニットに移送して、前記上部電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止用部材により封止した後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下の値とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。より詳細には、画素における無発光領域や無発光箇所（ダークスポットと称する場合がある。）の発生を抑制することができる有機ＥＬ表示装置を製造可能な製造装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
なお、本願明細書の特許請求の範囲等に記載している「ＥＬ」は、「エレクトロルミネッセンス」を省略表記したものである。
背景技術
従来、有機ＥＬ表示装置において、大気中の水分による影響を排除して、長期駆動時の発光領域における無発光領域や無発光箇所等の発生を抑制するために、各種封止手段や防湿手段が検討されている。
そして、製造段階においても、大気に曝すことなく有機ＥＬ表示装置を製造することが検討されており、このような製造装置が、特開平８−１１１２８５号や、特開平１０−２１４６８２号や、特開平１０−３３５０６１号に開示されている。
例えば、特開平８−１１１２８５号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置２５０は、図２０に示すように、一つの真空装置１１０に対し、複数の作業用真空室１１１〜１１６がその周辺に接続してあり、また、真空装置内には搬送用の可動アーム１０２が設けてあり、真空装置や作業用真空室が減圧状態のままで、基板１０４が移動できるように構成してある。
したがって、一つの真空装置を介しながら、各作業用真空室において、基板上に有機ＥＬ素子の各層を形成することができる。すなわち、成膜工程から、保護膜を形成するに至るまで、大気に曝すことなく、有機ＥＬ表示装置を製造することが可能となる。
また、特開平１０−２１４６８２号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置３００は、図２１に示すように、独立した第１〜第ｎの作業用真空室２２２ａ〜２２６ａと、これらの作業用真空室に対し、それぞれゲートバルブ２２２ｄ〜２２６ｄを介して接続された第１〜第ｎの搬送用真空室２２２〜２２６と、を有している。また、各搬送用真空室２２２〜２２６は、ゲートバルブ２２２ｃ〜２２７ｃを介して水平方向に接続されており、各搬送用真空室に設けられたロボットアーム２２２ｂ〜２２６ｂにより、搬入口である第１のドライボックス２２１から、搬出口である第２のドライボックス２２７まで基板等を移送することができるように構成してある。
したがって、各作業用真空室において、有機ＥＬ素子の各層を形成するとともに、搬送用真空室を介して、減圧状態のまま、各作業用真空室を順次に移動することができる。すなわち、成膜工程から、封止工程に至るまで、大気に曝すことなく、有機ＥＬ表示装置を製造することが可能となる。
また、特開平１０−３３５０６１号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置３５０は、図２２に示すように、真空チャンバー３１５と、当該真空チャンバーに接続された真空装置３０７と、当該真空チャンバー内の有機ＥＬ素子３０９もしくは封止用部材３１２を搬送するための搬送押圧手段３１６と、有機ＥＬ素子３０９と封止用部材３１２との間の接着剤層３１３を硬化させるための硬化手段３１１と、を有している。
したがって、真空チャンバー３１５内で有機ＥＬ素子の各層を形成するとともに、予め真空チャンバー内に準備しておいた封止用部材３１２を、搬送押圧手段３１６により位置合わせした後、上方から押圧した状態で、さらに硬化手段（紫外線露光装置）３１１により、接着剤層３１３を硬化させることができる。すなわち、成膜工程から、封止工程に至るまで、大気に曝すことなく、減圧状態で、有機ＥＬ表示装置を製造することが可能となる。
しかしながら、特開平８−１１１２８５号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置では、真空槽の周囲に、例えば、５つもの作業用真空室（蒸着室またはスパッタリング室）を設けてあり、製造装置が大型化するという問題が見られた。
また、ガラス基板に透明電極や有機膜等を形成した有機ＥＬウェーハを脱水するためのユニットが設けられておらず、得られた有機ＥＬ表示装置において、有機発光媒体中の含水率を低下させることが困難であり、無発光領域としてのダークスポットが発生しやすいという問題が見られた。
さらに、有機ＥＬウェーハに保護膜を形成した後に、大気に曝しているため、封止が不十分になりやすいという問題も見られた。
また、特開平１０−２１４６８２号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置では、第１〜第ｎの作業用真空室と、第１〜第ｎの搬送用真空室と、第１および第２のドライボックスとを含み、それらが水平方向に接続されているため、製造装置が著しく大型化するという問題が見られた。
また、かかる製造装置には、第１のドライボックスが設けられているものの、当該第１のドライボックスは、単に水分量が低くコントロールされた空間であり、加熱装置等は設けられていないために、基板等に含まれる水分を積極的に脱水することができなかった。
そのため、得られた有機ＥＬ表示装置において、有機発光媒体中の含水率を低下させることが困難であり、無発光領域としてのダークスポット等の発生を十分に抑制して、長期間にわたって高い発光輝度を得ることは未だ困難であった。
また、特開平１０−３３５０６１号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置についても、脱水工程は設けられておらず、基板等に含まれる水分を積極的に脱水する機能は有していなかった。そのため、得られた有機ＥＬ表示装置において、有機発光媒体中の含水率を低下させることが困難であり、無発光領域としてのダークスポット等の発生を十分に抑制して、長期間にわたって高い発光輝度を得ることは未だ困難であった。
一方、特開２０００−１３３４４６号に開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置４００によれば、図２３に示すように、ロード側収納室４１２、４１３と、ロード側常圧搬送室４１１と、ロード室４２１と、真空搬送室４３１と、複数の製膜室４３２〜４３５と、アンロード室４４１と、アンロード側常圧搬送室４５１と、アンロード側収納室４５２、４５３と、気密作業室４５４とを含んで構成され、少なくともアンロード室４４１と、アンロード側常圧搬送室４５１とが、水分含有量１００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気であることを特徴とするとともに、ロード側収納室４１２、４１３において、基板および基板上の有機物質を加熱して、脱水することが好ましいことを開示している。
しかしながら、開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置では、基板の搬入場所と、基板の加熱場所とを共用しているため、ロード側収納室を一旦加熱した場合、ロード側収納室の温度が低下するまで、次の基板を搬入することができないという問題が見られた。また、同様に、基板の搬入場所と、基板の加熱場所とを共用しており、しかも、加熱後にロード側常圧搬送室が設けてあるため、ロード側収納室を減圧したり、冷却したり、あるいは精密天秤を設けることが困難であった。そのため、基板等を十分に脱水したり、あるいは、脱水工程に長時間かかるなどの問題が見られた。
そこで、ロード側収納室を複数設けることを提案しているが、加熱装置や精密天秤を含めて製造装置全体の規模が大きくなるという問題があり、また、複数のロード側収納室において加熱温度がばらつくために、得られる有機ＥＬ表示装置の性能がばらつくという問題が見られた。
さらに、開示された有機ＥＬ表示装置の製造装置では、基板の搬入場所と、基板の加熱場所とを共用しているため、逆に、基板の加熱場所と基板の洗浄装置とを共用することができず、製造装置全体の規模がますます大きくなったり、基板を加熱場所から、基板の洗浄装置へ移動する際に吸水してしまい、脱水効果が低下するなどの問題も見られた。
そこで、本発明の発明者らは、かかる問題をさらに鋭意検討したところ、基板の搬入場所とは別に、脱水ユニットを設け、支持基板等の脱水処理を加熱処理により積極的に行うことにより、有機発光媒体中の含水率を著しく低下させることができ、結果として、画素周囲における無発光領域としてのダークスポット等の発生を飛躍的に抑制できることを見出した。
すなわち、本発明の目的は、高温環境下で長時間駆動したとしても、ダークスポット等の発生が抑制できる有機ＥＬ表示装置が効率的に得られる有機ＥＬ表示装置の製造装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、高温環境下で長時間駆動したとしても、ダークスポット等の発生が抑制できる有機ＥＬ表示装置が効率的に得られる有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
発明の開示
［１］  本発明によれば、支持基板上に、少なくとも下部電極と、有機発光媒体と、上部電極とを有するとともに、周囲が封止用部材により封止された有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、
支持基板を搬入するための第１のユニットと、
有機発光媒体の形成前に少なくとも支持基板を加熱して脱水処理を行うための第２のユニットと、
有機発光媒体および上部電極を形成するための第３のユニットと、
封止用部材により周囲を封止するための第４のユニットと、
を備えるとともに、
各ユニットの間に搬送装置が設けてある有機ＥＬ表示装置の製造装置が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、このような製造装置によれば、基板の搬入場所とは別に、脱水処理を積極的に行う第２のユニットを含んで構成してあるため、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節が容易となり、耐久性に優れ、無発光領域としてのダークスポット等の発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を容易に得ることができる。
［２］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第２のユニットと、第３のユニットとの間に、第１のユニットが設けてあることが好ましい。
このような製造装置によれば、第１のユニットを介して、第２のユニットと、第３のユニットとの間を基板等が繰り返し行き来することができるため、成膜と、脱水とを何度も繰り返すことができる。
また、このような製造装置によれば、第１のユニットが、第２のユニットにおける加熱の際や、第３のユニットにおける減圧の際のバファーとしての役目を果たすこともできる。
［３］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第２のユニットが、加熱室と、冷却室とから構成してあることが好ましい。
このように構成することにより、加熱室で減圧下に基板を加熱した場合であっても、冷却室において基板を迅速に冷却することができる。
［４］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第２のユニットに、不活性ガスの循環装置、減圧装置および冷却装置の少なくとも一つが設けてあることが好ましい。
このように構成することにより、加熱による脱水処理をしながら、不活性ガスを使用することができるため、実質的に大気に曝されない状態で、脱水処理をさらに効率的に実施することができる。
また、このように構成することにより、減圧状態において、加熱による脱水処理を実施することができるため、脱水処理をさらに効率的に実施することができる。
さらに、このように構成することにより、加熱による脱水処理後に、基板を容易に冷却することができるため、次工程に移送するまでの時間を著しく減少させることができる。なお、減圧状態において加熱による脱水処理を行った場合には、自然冷却が進まないために、かかる冷却装置は、特に有効な手段となる。
［５］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第１のユニットに、不活性ガスの循環装置、減圧装置および冷却装置の少なくとも一つが設けてあることが好ましい。
このように構成することにより、第１のユニットにおいても、不活性ガスを使用することが可能となり、基板等の搬送中や、冷却中に、大気に曝されることがなくなる。
また、このように構成することにより、第１のユニットを減圧状態とすることができるため、減圧状態の第３のユニットに基板等を搬送することが容易になる。
さらに、このように構成することにより、第２のユニットにおける加熱による脱水処理後に、第１のユニットにおいても基板を容易に冷却することができるため、次工程に移送するまでの時間を著しく減少させることができる。
［６］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第１のユニットに、第４のユニットが接続してあることが好ましい。
このように構成することにより、第１〜第４のユニットを放射状に配置することができ、しかも第１の搬送装置と、第２の搬送装置とを共用することができるため、製造装置をより小型化することができる。
［７］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第２のユニットと、第４のユニットとを共用することが好ましい。
このように構成することにより、第１または第４のユニットのスペースを省略することができるため、製造装置をより小型化することができる。
［８］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第３のユニットが、複数試料を同時蒸着または逐次蒸着するための複数の蒸着源を有する真空蒸着装置であることが好ましい。
このように構成することにより、有機ＥＬ素子の各層を、一定の真空状態を保持したまま形成することができるため、有機発光媒体における含水率の調整が容易となるばかりか、第３のユニットを複数の蒸着装置等から構成した場合と比較して、製造装置をより小型化することができる。
なお、均一な厚さを有する有機発光媒体等を得るためには、基板および複数の蒸着源が、それぞれ独自の回転運動をすることが好ましい。
［９］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第３のユニットが、バファー室と、真空蒸着装置と、スパッタ装置とを含むことが好ましい。
このように構成することにより、有機ＥＬ素子の各層を、使用材料の種類に対応させて、成膜方法を適宜選択することができる。
また、バファー室を含んでいるため、当該バファー室を介して、真空蒸着装置と、スパッタ装置との間を接続することができるため、それぞれにおける真空度等の調整が容易となる。
さらに、このバファー室を利用することにより、複数の基板の入れ替えが可能となるため、真空蒸着装置およびスパッタ装置において、それぞれ別の基板を同時に処理することも容易となる。
［１０］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置を構成するにあたり、第３のユニットが、さらにプラズマ洗浄装置を含むことが好ましい。
このように構成することにより、さらに精密で、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置とすることができる。
［１１］  また、本発明の別の態様は、上述したいずれかの製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、
第１のユニットに、支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴としている。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節が容易となり、ダークスポット等の発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
［１２］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、第２のユニットが、加熱室と、冷却室とを含んでなり、当該加熱室において、支持基板を加熱して脱水処理を行うとともに、当該冷却室において、脱水処理した支持基板を冷却することが好ましい。
このように実施することにより、第２のユニットの加熱室において、減圧下に加熱脱水処理したとしても、第２のユニットの冷却室において、容易に冷却することができるため、製造時間を短縮することができる。
［１３］  また、本発明のさらに別の態様は、上述した製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、
第１のユニットに支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を、第２のユニットから第１のユニットを介して、第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
が好ましい。
このように支持基板を搬入場所と、脱水場所が異なる製造装置を用いているため、製造時間を短縮することができるとともに、製造装置の配置の自由度が向上し、さらには、有機発光媒体における含水率の調節が容易となる。
［１４］  また、本発明のさらに別の態様は、上述した製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、
第１のユニットに支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第１のユニットを介して、第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴としている。
このように実施することにより、製造時間を短縮することができるとともに、製造装置の配置の自由度が向上し、さらには、有機発光媒体における含水率の調節が容易となる。
［１５］  また、本発明のさらに別の態様は、上述した製造装置を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、
第１のユニットに支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第２のユニットと共用の第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止すること、
を特徴としている。
このように実施することにより、製造時間を短縮することができるとともに、製造装置の配置の自由度が向上し、さらには、有機発光媒体における含水率の調節が容易となる。
［１６］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、第２のユニットにおいて脱水処理された支持基板を、第１のユニットに移送して冷却した後、第３のユニットに移送することが好ましい。
このように第１のユニットにおいて冷却することにより、第２のユニットにおいて減圧状態で脱水処理を行ったとしても、支持基板を効率的に冷却することができ、第３のユニットへ移送するまでの時間を短縮することができる。
また、第１のユニットで脱水処理した基板を冷却することにより、第２のユニットにおいては、同時に別の基板を脱水処理することができるため、製造効率を高めることもできる。
［１７］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、第３のユニットにより、有機発光媒体を形成した後、有機発光媒体が形成された支持基板を第２のユニットに移送して脱水処理した後、再び第３のユニットに移送して、上部電極を形成することが好ましい。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節がさらに容易となり、ダークスポット等の発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
［１８］  また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法を実施するにあたり、封止用部材により封止した後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下の値とすることが好ましい。
このように実施することにより、室温のみならず、高温（例えば８０℃）の放置条件においても、ダークスポット等の発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
発明を実施するための最良の実施形態
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に、製造装置の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。
［第１の実施形態］
第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造装置１００は、図１にその概略を示すように、
支持基板を搬入するための第１のユニット２１と、
有機発光媒体の形成前に少なくとも支持基板を加熱して脱水処理を行うための第２のユニット２３と、
有機発光媒体および上部電極を形成するための第３のユニット２２と、
封止用部材により周囲を封止するための第４のユニット２４と、
を備え、
第２のユニット２３と第３のユニット２２との間に、第１のユニット２１が設けてあり、かつ、当該第１のユニット２１に第１の搬送装置２５が設けてあるとともに、第３のユニット２２と第４のユニットとの間に、第２の搬送装置２７が設けてある。なお、第１の搬送装置２５および第２の搬送装置２７は、それぞれ構成を図示せず、移動方向のみを矢印で表している。
以下、図１を適宜参照しながら、第１の実施形態における製造装置１００の構成や、その動作、あるいはこの製造装置１００により得られる有機ＥＬ表示装置等について説明する。
１．第１のユニット
▲１▼機能および構成
図１に示す第１のユニット２１は、支持基板等の搬入口であるとともに、第２のユニット２３や、第３のユニット２２に対する仲介スペースである。そのため、仕切り板２６を介して、それぞれ第２のユニット２３や、第３のユニット２２に接続されている。
したがって、第１のユニット２１は、図１０に独立して示すように、例えば、ハウジング４２と、基板ステージ４３と、冷却装置４８と、ホットプレート４４と、支持台４７と、ドライガス循環装置３５，３６と、真空ポンプ４０と、露点計４５と、全自動水分吸脱着測定装置４６とを具備していることが好ましい。
また、図１０中、矢印２５で示す方向に、往復運動可能な可動アーム等の搬送装置（図示せず。）が設けてあることが好ましい。
これらの構成部材のうち、ハウジング４２は、少なくとも支持基板１等と、基板ステージ４３とを収容するための部材である。
また、ホットプレート４４および冷却装置４８は、基板ステージ４３の下部に設けてあり、支持基板１等の温度を調節（加熱または冷却）して、第２のユニット２３で加熱された基板等を冷却できるように構成してある。
また、ドライガス循環装置３５，３６は、露点計４５により露点を調節しながら、不活性ガスを導入して、大気との接触を防止するために設けられている。
さらに、露点計４５や、全自動水分吸脱着測定装置４６は、第１のユニット２１において、発光媒体における含水率を測定する場合があるために設けられている。
なお、第１のユニット２１は、第４のユニット２４において封止して得られた有機ＥＬ表示装置を搬出するための搬出口とすることもできる。すなわち、図１に示す製造装置の場合には、第４のユニット２４における封止工程後の有機ＥＬ表示装置を、第４のユニット２４から外部に取り出すこともできるが、第３のユニット２２を介して第１のユニット２１に移送し、そこから外部に取り出すこともできる。
ここで、第１のユニットの体積を、第３のユニットにおける体積の１／２〜１／１０の範囲内とすることが好ましく、１／３〜１／５の範囲内とすることがより好ましい。
この理由は、かかる第１のユニットの体積が、第３のユニットにおける体積の１／２よりも大きくなると、大気圧状態の第１のユニットから、低圧状態の第３のユニットに基板等を移送する際に、第１のユニットの真空度を低下させるのに時間が過度にかかる場合があるためである。
一方、かかる第１のユニットの体積が、第３のユニットにおける体積の１／１０よりも小さくなると、処理可能な基板の大きさが過度に制限される場合があるためである。
▲２▼配置
第１の実施形態において、第１のユニット２１を、図１〜図３に示すように、第２のユニット２３と第３のユニット２２との間に配置することを特徴としている。
このような配置を行う第１の理由は、第１のユニット２１を介して、第２のユニット２３と、第３のユニット２２との間を、基板等が行き来できるようにするためである。すなわち、第１のユニット２１を介して、第２のユニット２３における脱水処理、および第３のユニット２２における成膜を、繰り返し、何度も実施するようにするためである。
例えば、第２のユニット２３において、下部電極が設けられた基板に対して所定の脱水処理をした後、第２のユニット２３から、第１のユニット２１を介して、第３のユニット２２に移送し、正孔注入層を形成する。次いで、第１のユニット２１を介して、正孔注入層が形成された基板を第３のユニット２２から第２のユニットに再度移送し、所定の脱水処理を施し、正孔注入層の含水率を所定以下の値にする。そして、このような操作を繰り返し、有機発光層の形成および脱水、電子注入層の形成および脱水、上部電極の形成および脱水等を行い、封止前に、含水率を極めて低い値に調節することができる。
また、この配置を行う第２の理由は、複数の基板に対して、第１のユニット２１を介して、同時または連続的に脱水処理および成膜を実施することが可能となるためである。
例えば、第１のユニット２１に、第１および第２の搬送装置２５、２７を設けるとともに、それぞれに処理する第１の基板および第２の基板を載置しておく。次いで、第１の搬送装置２５により、第１の基板のみを第２のユニット２３に移送し、所定の脱水処理を行う。そして、脱水処理した第１の基板を第１の搬送装置２５により、第１のユニット２１を介して、第２のユニット２３から第３のユニット２２に移送するとともに、同時に、第２の搬送装置２７に載置しておいた第２の基板について、第１のユニット２１から第２のユニット２３に移送する。そして、第３のユニット２２において、第１の基板上に成膜するとともに、同時に、第２のユニット２３において、第２の基板を脱水処理することができる。
また、このような配置を行う第３の理由は、搬送装置の数を減少させることができるためである。すなわち、第１のユニット２１に搬送装置２５を少なくとも一つ設けてあれば、当該搬送装置２５を用いて、第２のユニット２３と第３のユニット２２との間で、基板等を移送することができるためである。
よって、第１〜第３のユニット２１、２３、２２をこのように配置することにより、製造装置の小型化も図ることができる。
また、このような配置を行う第４の理由は、第２のユニット２３と第３のユニット２２とが相互に干渉しない状態にできるということである。
すなわち、第２のユニット２３と第３のユニット２２とが直接的に接続されていると、第２のユニット２３で外部に排気されるべき水分や低分子量物が、第３のユニット２２内に侵入するおそれがあり、また、外部に放出されるべき熱が、第３のユニット２２内に伝熱される場合があるためである。
よって、第２のユニット２３と第３のユニット２２との間に、第１のユニット２１を配置することにより、このような問題を解決することができるものである。
▲３▼搬送装置
また、図１〜図３に示す矢印で移動方向を示すとともに、図２に搬送装置の一例を示すが、かかる搬送装置２５は、基板を固定（把持）することができるとともに、位置の移動を可能とする装置であることが好ましい。したがって、把持部と、伸縮部とを有する可動アーム、ロボットアーム、可動レール、回転板等が挙げられる。
また、搬送装置２５、２７の数についても特に制限されるものではないが、１〜５個の範囲内の値とすることが好ましく、１〜３個の範囲内の値とすることがより好ましい。この理由は、搬送装置数が多いほど、処理可能な基板数を多くすることができるが、製造装置が大型化したり、処理可能な基板の大きさが制限される場合があるためである。
また、製造装置の構成によるが、図２に示すように第１のユニット２１と、第４のユニット２４とが直接接続してある場合や、図３に示すように第２のユニット２３と、第４のユニット２４とを共用する場合には、第１の搬送装置２５と、第２の搬送装置２７とについても、スペースの関係上、共用することも好ましい。このように構成することにより、製造装置をより小型化することができるとともに、搬送装置の操作を簡略化することができる。
２．第２のユニット
図１〜図３に示す第２のユニット２３は、基板や有機発光媒体等を脱水処理するための脱水ユニット（脱水装置）である。
この第２のユニットは、例えば、図１１に独立して示すように、ハウジング３２と、基板ステージ３３と、冷却装置３８と、ホットプレート３４と、支持台３７と、ドライガス循環装置３５，３６と、真空ポンプ３０と、露点計４５と、全自動水分吸脱着測定装置４６と、プラズマ洗浄装置３９とを具備していることが好ましい。
これらの構成部材のうち、ハウジング３２は、少なくとも脱水する支持基板１等と、基板ステージ３７と、脱水装置とを収容するための部材である。
また、ホットプレート３４および冷却装置３８は、基板ステージ３３の下部に設けてあり、支持基板１等の温度を調節（加熱または冷却）して、露点の調節を含めて脱水するための脱水装置を構成している。なお、さらに短時間で加熱することができることから、ホットプレート３４の代りに、あるいは、ホットプレートとともに、赤外線ランプを設けることも好ましい。
また、ドライガス循環装置３５、３６は、露点計４５により露点を調節しながら、不活性ガスを導入して脱水するために設けられている。したがって、脱水工程においても、基板等が大気に曝されることがなくなる。
また、露点計４５や、全自動水分吸脱着測定装置４６は、それぞれ発光媒体における含水率を測定するために設けられている。
さらに、プラズマ洗浄装置３９は、基板表面に付着した不純物やほこりを取り除き、安定した有機ＥＬ発光を得るために設けられている。
したがって、ハウジング内の基板ステージに固定された支持基板等に対して、ドライガス循環装置を用いて、不活性ガスを、例えば、流量１０リットル／分の条件で吹き付け、露点計により露点が−１０℃以下の値となるのを確認しながら、所定時間脱水処理を行うことが好ましい。
また、不活性ガスの導入と同時あるいは別時に、基板ステージの下部に設けてあるホットプレート等の加熱装置あるいは冷却装置を用いて、支持基板を所定温度、例えば４０℃〜３００℃の範囲内の値に制御して、より好ましくは５０℃〜２００℃の範囲内の値に制御して、さらに好ましくは８０℃〜１５０℃の範囲内の値に制御して、１〜１２０分間の時間で脱水処理を行うことが好ましい。特に、層間絶縁膜等の有機膜が基板上に予め形成してある場合には、かかる有機膜が熱劣化しないように、４０〜８０℃未満の温度範囲で加熱することが好ましい。
また、不活性ガスの導入と同時あるいは別時に、真空ポンプを用いて、ハウジング内の真空度を、例えば、１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下の値、より好ましくは、０．００１３３Ｐａ（０．００００１Ｔｏｒｒ）以下の値に調節することも好ましい。
さらに、プラズマ洗浄する際には、プラズマガスとして、アルゴン／酸素を用いた場合、それぞれの流量を２０〜１，０００ｓｃｃｍ／１０〜５００ｓｃｃｍの範囲内の値とすることが好ましく、圧力については、０．１〜１０Ｐａの範囲内の値とすることが好ましい。また、プラズマ洗浄の際の高周波（ＲＦ）の周波数を１３．５６ＭＨｚとするとともに、出力を１０〜２００Ｗの範囲内の値とすることが好ましく、洗浄時間については、１〜６０分の範囲内の値とすることが好ましい。
また、脱水ユニットに設けられた全自動水分吸脱着測定装置を用いて、有機発光媒体中の含水率を測定することができるように構成してある。すなわち、有機発光媒体中の含水率を測定する場合には、支持基板から有機発光媒体の一部を採取し、上述した重量Ａおよび重量Ｂを測定することにより、算出することができる。なお、有機発光媒体の採取は、手動または、搬送装置を用いて自動に行うことができる。
ここで、全自動水分吸脱着測定装置の概要について、図１８および図１９を参照して説明する。
図１８に示す全自動水分吸脱着測定装置５１は、装置の一例であるが、循環部Ａと、水分測定部Ｂとから構成してあり、図面上点線でそれぞれ区分してある。
そして、循環部Ａは、ガス貯蔵部６８と、このガス貯蔵部６８から二股に分かれて設けられたドライガス循環装置６７および湿潤ガス循環装置６６と、これらの循環装置６６、６７と、水分測定部Ｂとを連結する循環路６１とから構成されている。なお、これらの循環装置６６、６７は、水分測定部Ｂに含まれる制御室６５によって、遠隔的に制御してある。
一方、水分測定部Ｂは、制御室６５と、天秤室６２と、比較試料室（比較試料皿含む。）６４と、ドライボックス５６と、オイルバス５２等から構成されている。また、ドライボックス５６の周囲には、加熱装置５７が設けてあり、さらにドライボックス５６内において、測定試料を載置するための天秤５３の近傍に、ドライボックス５６内の温度をモニターするための温度センサー５４と、湿度をモニターするための湿度センサー５５とがそれぞれ設けてある。
このように構成された全自動水分吸脱着測定装置５１によれば、循環部Ａから供給されたドライガスを、オイルバス５２を通過させることにより温度又は湿度を一定にした後、このドライガスを注入口５８を介してドライボックス５６内に導入するとともに、加熱装置５７により、ドライボックス５６内の湿度および温度を一定に保持することができる。そして、このような状態で、精密天秤６３を用いて、比較試料室６４内の比較試料（リファレンス）と対比しながら、天秤５３に載置されたガラス基板等の測定試料の重量を、制御室６５において測定することが可能である。
また、図１９に重量を測定して得られた測定チャートを示すが、横軸に経過時間（分）を採って示してあり、縦軸に、試料の重量（ｇ）を採って示してある。この試料の測定例では、重量Ａが、５５４．４４０ｍｇであり、重量Ｂが、５５４．３００ｍｇとなる。ただし、この例ではドライボックス５６内の湿度を０％に制御してある。
なお、重量Ａおよび重量Ｂは、このように全自動水分吸脱着測定装置に設けられた精密天秤を用いて測定することが好ましいが、その他に、ＡＳＴＭ  Ｄ５７０−６３による方法や、熱分析（示差熱分析ＤＴＡ，示差走査熱量測定ＤＳＣ）またはカールフィッシャー法によっても含水率を測定することができる。
３．第３のユニット
第３のユニット２２は、支持基板等の表面に、有機発光媒体や、上部電極等を積層するための成膜ユニットである。
したがって、図１４に独立して示すように、少なくとも１つの蒸着装置６０、６１、スパッタリング装置６２、イオンプレーティング装置、電子ビーム蒸着装置、ＣＶＤ装置（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＯＣＶＤ装置（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、プラズマＣＶＤ装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等を具備することが好ましい。
▲１▼同時蒸着可能な蒸着装置
また、第３のユニット２２は、複数試料を同時または逐次に蒸着可能な蒸着装置であることが好ましい。
すなわち、図１２および図１３に示すような真空蒸着装置２０１を用い、基板２０３に対向して配置した複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆから、複数の蒸着材料（複数試料）を同時または逐次に蒸発させて成膜を行うことが好ましい。
また、このような真空蒸着装置２０１を用い、基板２０３に、当該基板２０３を自転させるための回転軸線２１３Ａを設定し、蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆをそれぞれ基板２０３の回転軸線２１３Ａから離れた位置に配設し、基板２０３を自転させながら蒸着を行うことが好ましい。
ここで、図１２および図１３に示す真空蒸着装置２０１をより詳細に説明すると、真空槽２１０と、この真空槽２１０内の上部に設置された、基板２０３を固定するための基板ホルダ２１１と、この基板ホルダ２１１の下方に対向配置された、蒸着材料を充填するための複数（６個）の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆとを含んで構成されている。
この真空槽２１０は、排気手段（図示せず。）により、内部を所定の減圧状態に維持できるようになっている。なお、蒸着源の数は、図面上６つ示されているが、これに限定されるものではなく、５つ以下であってもよく、あるいは７つ以上であってもよい。
また、基板ホルダ２１１は、基板２０３の周縁部を支持する保持部２１５を備え、真空槽２１０内で、基板２０３を水平に保持するように構成されている。
この基板ホルダ２１１の上面の中央部分には、基板２０３を回転（自転）させるための回転軸部２１３が垂直方向に立設されている。また、この回転軸部２１３には、回転駆動手段であるモータ２１４が接続され、モータ２１４の回転動作により、基板ホルダ２１１に保持された基板２０３が、当該基板ホルダ２１１とともに回転軸部２１３を回転中心として自転するようになっている。
すなわち、基板２０３の中心には、回転軸部２１３による回転軸線２１３Ａが垂直方向に設定されている。
また、この蒸着装置において、基板２０３の形状は特に限定されないが、例えば、図１２および図１３に示すように、基板２０３が短形平板状である場合、この基板２０３の回転軸線２１３Ａを中心とする仮想円２２１の円周上に沿って複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆを配設し、仮想円２２１の半径をＭ、基板２０３の一辺の長さをＬとしたときに、Ｍ＞（１／２）×Ｌを満足することが望ましい。なお、基板２０３の辺の長さがそれぞれ同一でなく、異なる場合には、最も長い辺の長さをＬとする。
このように構成することにより、複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆから、基板２０３に対する蒸着材料の入射角度を互いに同一にできるので、蒸着材料の組成比をより容易に制御することができる。
また、このように構成することにより、蒸着材料が、基板２０３に対して一定の入射角度を以て蒸着されるため、垂直に入射することがなくなり、膜面内における組成比の均一性を一層向上させることができる。
また、この蒸着装置において、図１２に示すように、複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆを、基板２０３の回転軸線２１３Ａを中心とする仮想円２２１の円周上に配設し、複数の蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆの配設数（個数）をｎとしたときに、各蒸着源２１２Ａ〜２１２Ｆを、仮想円２２１の中心から３６０°／ｎの角度で配設することが好ましい。
例えば、蒸着源２１２を６個配設する場合には、仮想円２２１の中心から６０°の角度で配設することが好適である。
このように配置すると、基板２０３の各部分に対して、複数の蒸着材料を順次重ねるように成膜できるので、膜の厚さ方向において、組成比が規則的に異なる薄膜層を容易に成膜することができる。
▲２▼蒸着装置およびスパッタ装置の共用装置
また、第３のユニットが、図１４に示すように、蒸着装置６０、６１およびスパッタリング装置６２の共用装置２２であることが好ましい。
このように構成することにより、有機ＥＬ素子の各層を、使用材料の種類に対応させて、成膜方法を適宜選択することができる。例えば、有機材料については蒸着装置６０、６１を用いて成膜することが好ましく、無機材料については、スパッタリング装置６２を用いて成膜することが好ましい。
また、第３のユニットが共用装置の場合には、図１４に示すように、バファー室６４を設けるとともに、このバファー室６４を介して、蒸着装置６０、６１、スパッタリング装置６２、あるいはプラズマ洗浄装置６３を接続部材６５により、接続することが好ましい。このようにバファー室６４を設けることにより、基板を各蒸着装置等に搬入した場合であっても、バファー室６４の真空度を調節しておくことにより、各蒸着装置等における真空度の低下を防止することができる。
また、このようにバファー室６４を設けることにより、所望の有機ＥＬ表示装置に対応して、成膜することができる。すなわち、ある基板に対しては、プラズマ洗浄装置６３、蒸着装置６０、６１、スパッタリング装置６２と順次に処理することもできるし、また別の基板に対しては、プラズマ洗浄装置６３、蒸着装置６０、スパッタリング装置６２と部分的に処理することもできる。
なお、図１４中に、バファー室６４の中心位置Ｅから、矢印Ａ〜ＤおよびＦで基板の各進行方向を示すが、搬送装置（図示せず。）を用いて、例えば、蒸着装置６０、６１を使用する場合には、基板を矢印ＡまたはＢの方向に移送すれば良い。
▲３▼プラズマ洗浄装置
また、第３のユニットには、図１４に示すように、プラズマ洗浄装置６３を設けてあることが好ましい。
このようなプラズマ洗浄装置６３を使用することにより、第２のユニット２３において、脱水処理された基板等の表面をさらに効果的に洗浄することができる。したがって、より精密で、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
また、プラズマ洗浄装置６３によるプラズマ洗浄条件についても、特に制限されるものではないが、例えば、プラズマガスとして、アルゴン／酸素を用いた場合、それぞれの流量を２０〜１，０００ｓｃｃｍ／１０〜５００ｓｃｃｍの範囲内の値とすることが好ましい。また、プラズマ洗浄の際の圧力については、０．１〜１０Ｐａの範囲内の値とすることが好ましい。さらに、プラズマ洗浄の際の高周波（ＲＦ）の周波数を１３．５６ＭＨｚとした場合、出力を１０〜２００Ｗの範囲内の値とすることが好ましい。そして、このようなプラズマ洗浄条件において、洗浄時間を１〜６０分の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるプラズマ洗浄条件であれば、ＩＴＯ等の透明電極表面を過度に損傷することなく、表面に付着した有機物質等の汚染物質を効果的に除去することができるためである。また、かかるプラズマ洗浄条件であれば、透明電極表面を最適な状態に改質することができ、正孔注入性を増加させることができるためである。
なお、プラズマ洗浄装置６３を用いる場合、当該プラズマ洗浄装置６３により、成膜前に基板を洗浄することが好ましいが、成膜後に、低分子量物等を除去する目的で、同装置を用いて、プラズマ処理することも好ましい。
▲４▼精密天秤
また、成膜後の有機発光媒体の含水率（Ｗ）を、後述する理由から０．０５重量％以下の値とするため、精密天秤、例えば精密天秤を備えた全自動水分吸脱着測定装置を設けることが好ましい。
ただし、有機発光媒体の周囲に、層間絶縁膜、平坦化層、蛍光媒体、カラーフィルタ等の有機膜が存在し、有機発光媒体とそれ以外の有機膜とを区別するのが困難な場合がある。その場合には、有機発光媒体以外の有機膜を一部含んだ混合物として重量を測定し、それから得られる値を有機発光媒体の含水率としても良い。なんとならば、このような混合物の含水率を０．０５重量％以下の値とすることによっても、発光面積比の低下を効率的に図ることができることが別途判明しているためである。すなわち、このようにして測定された含水率としての水分は、例えば、層間絶縁膜等の有機発光媒体以外の有機膜に局在することなく拡散し、有機発光媒体に侵入して、平衡状態に達するとともに、有機発光媒体又は対向電極を酸化劣化させると考えられる。したがって、例えば、有機発光媒体と、層間絶縁膜等の混合物を採取した場合であっても、当該有機発光媒体の含水率が０．０５重量％以下であると考えられる。
よって、有機発光媒体の周囲に、例えば層間絶縁膜が設けてある場合には、有機発光媒体および層間絶縁膜を任意に混合物として採取し、それらについての重量Ａおよび重量Ｂを測定して、それから算出した含水率を０．０５重量％以下の値とすれば良い。
ただし、有機ＥＬ表示装置の構成にもよるが、有機発光媒体を採取することなく有機発光媒体の含水率、あるいは有機発光媒体を含む有機膜の含水率をおおまかに把握することもできる。
すなわち、支持基板等を含めた状態で有機発光媒体の乾燥前の重量Ｃ、および乾燥後の重量Ｄを、全自動水分吸脱着測定装置等を用いて測定するとともに、予め全自動水分吸脱着測定装置を用いて測定しておいた有機発光媒体以外の支持基板等の重量Ｅ、あるいは有機発光媒体を含む有機膜以外の支持基板等の重量Ｅを加味して、下式から、有機発光媒体、あるいは有機発光媒体を含む有機膜の含水率（Ｗ）を推定することができる。
Ｗ＝〔（重量Ｃ−重量Ｄ）／（重量Ｄ−重量Ｅ）〕×１００
４．第４のユニット
第４のユニット２４は、有機ＥＬ素子内部への水分侵入を防止するために、第３のユニット２２の終了時点で得られた有機ＥＬ素子の周囲を、封止用部材により被覆する封止ユニット（封止装置）である。
この第４のユニット２４は、例えば、図１５に独立して示すように、ハウジング５２と、基板ステージ５５と、ホットプレート５４と、押圧装置５３と、接着剤硬化用露光装置５１と、ドライガス循環装置３５，３６と、真空ポンプ５０と、露点計４５と、全自動水分吸脱着測定装置４６とを具備していることが好ましい。
すなわち、ドライガス循環装置３５，３６を用いて、ハウジング５２内に窒素やアルゴン等のドライガスを十分に循環させたのち、その状態で、封止用部材５８を、有機ＥＬ素子５９の周囲を覆うように被せて、さらにその周囲を接着剤５７、例えば、ラジカル硬化型の接着剤、カチオン硬化型の接着剤、熱硬化型接着剤、あるいは湿気硬化型の接着剤等によりシールすることが好ましい。
また、接着剤５７を硬化させる際に、位置ずれが生じないように、押圧部材５３を用いて、９．８×１０４Ｐａ〜４．９×１０５Ｐａの押圧力で、加圧することが好ましい。
その他、接着剤５７と、封止用部材５８との界面から水分が侵入しないように、これらの接着剤５７中に、シランカップリング剤、例えば、γ−アミノプロピルトリメトキシシランや、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等を、全体量に対して、０．１〜５重量％の範囲内で添加することが好ましい。
また、封止用部材５８の構成材料としては、内部への水分侵入を有効に防止するために、支持基板と同種の材料、例えば、ソーダガラスや石英を用いることが好ましい。そして、封止用部材５８の厚さを０．１〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。
また、外部から有機ＥＬ素子５９までの沿面距離を長くするために、基板に溝部（図示せず。）を設けて、それに接着剤５７を充填した後、封止用部材５８を圧接して、固定することが好ましい。
５．接続部
第１のユニットと、第２のユニットとの間、第１のユニットと、第３のユニットとの間、および第２のユニットと、第３のユニットとの間には、それぞれ接続部２６が設けてあり、ゲートバルブやシャッター機構（仕切り板）等から構成してあることが好ましい。
そして、これらの接続部２６は、第１および第２の搬送装置（図示せず。）の動作と同期していることが好ましい。
例えば、大気圧状態の第１のユニットから、大気圧状態の第２のユニットに基板を移送する場合には、第１の搬送装置は基板を把持した上で、第２のユニット方向に進行し、それと同期して、第１のユニットと、第２のユニットとの間の接続部が開く。したがって、第１の搬送装置は、接続部を通過して、第２のユニットに到達後、基板の把持を中止し、第２のユニットにおける所定場所に基板を載置することができる。
また、大気圧状態の第１のユニットから、低圧状態の第２のユニットに基板を移送する場合には、まず、大気圧状態の第１のユニットと、低圧状態の第２のユニットとの間の接続部が開くとともに、第１の搬送装置が第１のユニットから第２のユニットに進行して、基板を把持する。
次いで、第１の搬送装置が、基板を把持した状態で、第１のユニットから第２のユニット方向に進行して、そこで止まる。次いで、第１のユニットと、第２のユニットとの間の接続部が閉まるとともに、第１のユニットの真空ポンプが作動する。そして、第１のユニットの真空度が、第３のユニットの真空度と同一となった時点で、第１のユニットと、第３のユニットとの間の接続部が開くとともに、再び、第１の搬送装置が、基板を把持した状態で、低圧状態の第１のユニットから低圧状態の第３のユニット方向に進行する。よって、第１の搬送装置は、第３のユニットに到達後、基板の把持を中止し、第３のユニットにおける所定場所に基板を載置することができる。
６．有機ＥＬ表示装置
第１の実施形態の製造装置により得られる有機ＥＬ表示装置は、以下のような構成を有していることが好ましい。
（１）支持基板
有機ＥＬ表示装置における支持基板（以下、基板と称する場合がある。）は、有機ＥＬ素子や、ＴＦＴ等を支持するための部材であり、そのため機械的強度や、寸法安定性に優れていることが好ましい。
このような基板としては、具体的には、ガラス板、金属板、セラミックス板、あるいはプラスチック板（ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂等）等を挙げることができる。
また、これらの材料からなる基板は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、さらに無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布することにより、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。
特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるために、基板における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的に、支持基板の含水率を０．０００１重量％以下の値およびガス透過係数を１×１０−１３ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ２・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とすることがそれぞれ好ましい。
なお、第１の実施形態では、基板と反対側、すなわち、上部電極側からＥＬ発光を取り出すため、基板は必ずしも透明性を有する必要はない。
（２）有機発光媒体
有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合して、ＥＬ発光が可能な有機発光層を含む媒体と定義することができる。かかる有機発光媒体は、例えば、下部電極上に、以下の各層を積層して構成することができる。
▲１▼有機発光層
▲２▼正孔注入層／有機発光層
▲３▼有機発光層／電子注入層
▲４▼正孔注入層／有機発光層／電子注入層
▲５▼有機半導体層／有機発光層
▲６▼有機半導体層／電子障壁層／有機発光層
▲７▼正孔注入層／有機発光層／付着改善層
これらの中で、▲４▼の構成が、より高い発光輝度が得られ、耐久性にも優れていることから通常好ましく用いられる。
▲１▼構成材料
有機発光媒体における発光材料としては、例えば、ｐ−クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導体、ベンゾチアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフェニル系化合物等の１種単独または２種以上の組み合わせが挙げられる。
▲２▼含水率
また、ダークスポットの発生を効果的に抑制するためには、以下の式で定義される有機発光媒体の含水率（Ｗ）を０．０５重量％以下の値とすることが好ましく、０．０００１〜０．０４重量％の範囲内の値とすることがより好ましく、０．０００１〜０．０３重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましく、０．０００１〜０．０１重量％の範囲内の値とすることが最も好ましい。
Ｗ＝〔（重量Ａ−重量Ｂ）／重量Ｂ〕×１００
重量Ａ：有機ＥＬ表示装置から採取された有機発光媒体について、全自動水分吸
脱着測定装置（精密天秤付き）により測定される重量である。
重量Ｂ：有機発光媒体を、ドライボックス内で、７５℃、３０分の条件で加熱
処理した後の有機発光媒体について、全自動水分吸脱着測定装置により
測定される重量である。
なお、重量Ａおよび重量Ｂは、それぞれ全自動水分吸脱着測定装置に設けられた精密天秤を用いて測定することが好ましいが、その他に、ＡＳＴＭ  Ｄ５７０−６３による方法や、熱分析（示差熱分析ＤＴＡ，示差走査熱量測定ＤＳＣ）またはカールフィッシャー法によっても含水率を測定することができる。
また、有機発光媒体の周囲に、層間絶縁膜、平坦化層、蛍光媒体、カラーフィルター等の有機膜が存在し、有機発光媒体とそれ以外の有機膜とを区別するのが困難な場合がある。その場合には、有機発光媒体以外の有機膜を一部含んだ混合物として重量Ａおよび重量Ｂを測定し、それから得られる値を有機発光媒体の含水率としても良い。なんとならば、このような混合物の含水率を０．０５重量％以下の値とすることによっても、発光面積比の低下を効率的に図ることができることが別途判明しているためである。
したがって、有機発光媒体の周囲に、例えば層間絶縁膜が設けてある場合には、有機発光媒体および層間絶縁膜を任意に混合物として採取し、それらについての重量Ａおよび重量Ｂを測定し、それから算出した含水率を０．０５重量％以下の値とすれば良い。
ここで、有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下の値に制限する理由を、図１７を参照しながら詳細に説明する。
図１７は、有機発光媒体（一部、他の有機膜を含む場合がある。）の含水率と、ダークスポットの発生による発光領域の変化率との関係を示しており、横軸には、有機発光媒体の含水率（重量％）を採って示してあり、縦軸には、発光領域の変化率（ダークスポット発生後の発光領域の面積／ダークスポット発生前の発光領域の面積）を発光面積比として示してある。
また、図１７中、▲印は、大気中、室温（２５℃）、２週間の条件で有機ＥＬ表示装置を放置した場合の発光面積比を表しており、●印は、７５℃の恒温槽、２週間の条件で有機ＥＬ表示装置を放置した場合の発光面積比を表している。
そして、図１７から容易に理解されるように、有機発光媒体の含水率が少ないほど、発光面積比の値が大きくなり、逆に有機発光媒体の含水率が多いほど、発光面積比の値が小さくなる傾向が見られた。ただし、発光面積比は、有機発光媒体の含水率に対して直線的に変化するものではなく、含水率が０．０５重量％を超えると、発光面積比が著しく低下する現象が見られた。
したがって、有機発光媒体の含水率を、このような臨界的意義を有する０．０５重量％以下の値に制限することにより、発光面積比の低下防止を効率的に図ることができ、すなわち、ダークスポットの発生を抑制して、長期間にわたって高い発光輝度を得ることができる。
なお、同じ含水率であれば、７５℃の恒温槽、２週間の放置条件のほうが、大気中、室温（２５℃）、２週間の放置条件よりも、発光面積比が小さくなる傾向が見られたが、含水率が０．０５重量％を超えると発光面積比が著しく低下するという現象は、いずれの放置条件においても観察された。
逆に言えば、有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下に制限することにより、大気中、室温（２５℃）、２週間の放置条件のみならず、７５℃の恒温槽、２週間の放置条件においてもダークスポットの発生を著しく抑制することができることになる。したがって、有機ＥＬ表示装置を、高温条件で使用する場合には、含水率を０．０５重量％以下の値とすることは、さらに有用となる。
（３）電極
以下、上部電極および下部電極について説明する。ただし、有機ＥＬ素子の構成に対応して、これらの上部電極および下部電極が、陽極層および陰極層に該当したり、あるいは、陰極層および陽極層に該当する場合がある。
▲１▼下部電極
下部電極は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陽極層に該当する場合には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム銅（ＣｕＩｎ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、金、白金、パラジウム等の電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが好ましい。
これらの電極材料を使用することにより、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて、均一な厚さを有する下部電極を形成することができる。
▲２▼上部電極
一方、上部電極についても、有機ＥＬ表示装置の構成に対応して陽極層あるいは陰極層に該当するが、例えば、陰極層に該当する場合には、陽極層と比較して、仕事関数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。
具体的には、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、希土類金属、これらの金属と有機発光媒体材料との混合物、およびこれらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を単独で使用するか、あるいはこれらの電極材料を２種以上組み合わせて使用することが好ましい。
（４）層間絶縁膜
第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置における層間絶縁膜は、有機ＥＬ素子（ＴＦＴ等の周辺素子も含む。）の近傍またはその周辺に存在し、主に、蛍光媒体またはカラーフィルタの凹凸を平坦化して、有機ＥＬ素子の下部電極を形成する際の平坦化された下地として使用される。また、層間絶縁膜は、高精細な配線材料を形成するための電気絶縁、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極との間の電気絶縁（短絡防止）、ＴＦＴの電気絶縁や機械的保護、さらには、ＴＦＴと有機ＥＬ素子との間の電気絶縁等を目的として用いられる。
したがって、第１の実施形態において、層間絶縁膜は、必要に応じて、平坦化膜、電気絶縁膜、隔壁、スペーサー、斜行部材等の名称で呼ぶ場合があり、本発明では、いずれをも包含するものである。
▲１▼構成材料
層間絶縁膜に用いられる構成材料としては、通常、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
また、層間絶縁膜を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（ＳｉＯ２またはＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３またはＡｌＯｘ）酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３またはＹＯｘ）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２またはＧｅＯｘ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯまたはＭｇＯｘ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ほう酸（Ｂ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）等を挙げることができる。なお、無機酸化物を表す構造式中のｘは、１〜３の範囲内の値である。
▲２▼形成方法
層間絶縁膜の形成方法は特に制限されるものではないが、例えば、スピンコート法、キャスト法、スクリーン印刷法等の方法を用いて成膜するか、あるいは、スパッタリング法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ法）、イオンプレーティング法等の方法で成膜することが好ましい。
▲３▼含水率
また、層間絶縁膜の含水率を、有機発光媒体と同様に、０．０５重量％以下の値とすることが好ましく、０．０３重量％以下の値とすることがより好ましく、０．０１重量％以下の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、層間絶縁膜の含水率が０．０５重量％を超えると、含まれる水分が上部電極や有機発光媒体の酸化劣化を促進して、ダークスポットが発生しやすくなる場合があるためである。
なお、層間絶縁膜の含水率は、有機発光媒体の含水率と同様に測定することが可能である。
（５）色変換媒体
色変換媒体としては、カラーフィルタや、ＥＬ発光とは異なる色を発光するための蛍光膜があるが、これらの組合わせも含むものである。
▲１▼カラーフィルタ
カラーフィルタは、光を分解またはカットして色調整またはコントラストを向上するために設けられ、色素のみからなる色素層、または色素をバインダー樹脂中に溶解または分散させて構成した層状物として構成される。
また、カラーフィルタの構成として、青色、緑色、赤色の色素を含むことが好適である。このようなカラーフィルタと、白色発光の有機ＥＬ素子とを組み合わせることにより、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であるためである。
なお、カラーフィルタは、後述する蛍光媒体と同様に、印刷法や、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることが好ましい。
また、カラーフィルタの含水率を、有機発光媒体と同様に、０．０５重量％以下の値とすることが好ましく、０．０３重量％以下の値とすることがより好ましく、０．０１重量％以下の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、カラーフィルタの含水率が０．０５重量％を超えると、含まれる水分が上部電極や有機発光媒体の酸化劣化を促進するため、ダークスポットの発生抑制が困難となる場合があるためである。
▲２▼蛍光媒体
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置における蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有しており、平面的に分離配置された層状物として構成されている。各蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光領域、例えば下部電極と上部電極との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。
このように構成することにより、下部電極と上部電極との交差部分における有機発光層が発光した場合に、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。特に、有機ＥＬ素子が青色発光するとともに、蛍光媒体によって、緑色、赤色発光に変換可能な構成とすると、一つの有機ＥＬ素子であっても、青色、緑色、赤色の光の三原色が得られ、フルカラー表示が可能であることから好適である。
また、蛍光媒体が、主に蛍光色素からなる場合は、所望の蛍光媒体のパターンが得られるマスクを介して、真空蒸着またはスパッタリング法で成膜することが好ましい。
一方、蛍光媒体が、蛍光色素と樹脂からなる場合は、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散または可溶化させて液状物とし、当該液状物を、スピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィー法で所望の蛍光媒体のパターンにパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好ましい。
また、蛍光媒体の含水率を、有機発光媒体と同様に、０．０５重量％以下の値とすることが好ましく、０．０３重量％以下の値とすることがより好ましく、０．０１重量％以下の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、蛍光媒体の含水率が０．０５重量％を超えると、含まれる水分が上部電極や有機発光媒体の酸化劣化を促進して、ダークスポットの発生抑制が困難となる場合があるためである。
なお、蛍光媒体の含水率は、有機発光媒体の含水率と同様に測定することが可能である。
（６）有機ＥＬ表示装置の構成例
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述した構成要素を基本的に組み合わせて構成することができるが、それ以外の他の構成要素、例えば正孔注入層や電子注入層とを組み合わせることも好ましい。
以下に典型的な有機ＥＬ表示装置についての構成例を示すが、これに限定されるものでない。
▲１▼支持基材／陽極層／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲２▼支持基材／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲３▼支持基材／蛍光媒体／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲４▼支持基材／蛍光媒体／平坦化層／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲５▼支持基材／カラーフィルタ／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲６▼支持基材／カラーフィルタ／平坦化層／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲７▼支持基材／カラーフィルタ／蛍光媒体／平坦化層／陽極層／層間絶縁膜／有機発光層／陰極層／封止用部材
▲８▼支持基材／陽極層／有機発光層／陰極層／蛍光媒体／封止用部材
▲９▼支持基材／陽極層／有機発光層／陰極層／カラーフィルタ／封止用部材
なお、図４に、▲２▼の構造の有機ＥＬ表示装置１８を、図５に、▲４▼または▲６▼の構造の有機ＥＬ表示装置１８を、図６に、▲８▼または▲９▼の構造の有機ＥＬ表示装置１８を、図７に、▲３▼または▲５▼の構造の有機ＥＬ表示装置を、図８に、図５の有機ＥＬ表示装置１８の変形例であって、▲４▼または▲６▼の構造の有機ＥＬ表示装置を、図９に、図６の有機ＥＬ表示装置１８の変形例であって、▲８▼または▲９▼の構造の有機ＥＬ表示装置をそれぞれ示す。
［第２の実施形態］
第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造装置１３０は、図１６にその概略を示すように、
支持基板を搬入するための第１のユニット（搬入口）２１と、
有機発光媒体の形成前に少なくとも支持基板を加熱して脱水処理を行うための第２のユニット２３における加熱室７１と、
加熱された支持基板を冷却するための第２のユニット２３における冷却室７０と、
有機発光媒体および上部電極を形成するための第３のユニット２２と、
バファーユニット７２と、
封止用部材により周囲を封止するための第４のユニット２４と、
を順次に備えており、
また、各ユニット間に、搬送装置（図示せず。）が設けてある。
以下、図１６を適宜参照しながら、第２の実施形態における製造装置１３０の特徴的構成や、その動作について説明する。
１．構成
（１）第１のユニット
第２の実施形態における第１のユニット（搬入口）２１は、第１の実施形態における第１のユニットの内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（２）第２のユニット
第２の実施形態における第２のユニット（脱水ユニット）２３は、加熱室７１と、冷却室７０と、その間を接続する接続部２６とから構成されていることから、加熱装置と、冷却装置とが同室に設けてある第１の実施形態と異なっている。
このように第２のユニット２３が分離していると、加熱室７１において、減圧状態で基板を加熱したとしても、冷却室７０に基板を移送することにより、迅速に冷却することが可能となる。
また、このように分離していると、加熱した基板を冷却室７０で冷却しながら、次の基板を加熱室７１において加熱することができるため、生産性を向上させることができる。
なお、加熱室７１には、加熱装置と、支持台と、ドライガス循環装置と、真空ポンプと、露点計と、全自動水分吸脱着測定装置とが設けてあることが好ましい。また、冷却室７０には、冷却装置と、支持台と、ドライガス循環装置と、真空ポンプと、露点計と、全自動水分吸脱着測定装置とが設けてあることが好ましい。
（３）第３のユニット
第２の実施形態における第３のユニット（成膜ユニット）２２は、第１の実施形態における第３のユニットの内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
（４）バファーユニット
バファーユニット７２は、第３のユニット２２と、第４のユニット２４との間に設けてあるが、設けていない場合と比較して、第３のユニット２２における真空度を調節することが容易になるという効果が得られる。すなわち、第４のユニット２４においては、通常大気圧下において封止作業を行うため、バファーユニット７２が設けられていないと、減圧状態の第３のユニット２２から、第４のユニット２４に基板を移送した後の、第３のユニット２２における真空度の調整が困難となる場合がある。
また、このようにバファーユニット７２を設けることにより、工程と工程との間における基板等の退避場所として使用することもできる。
さらに、このようにバファーユニット７２を設けることにより、事前に有機ＥＬ表示装置の成膜状態や、配線状態等を、電気的手段、あるいは顕微鏡等を用いて確認することができるため、不良品については、次工程の第４のユニット２４に移送することなく、ここを搬送口として、外部に取り出すことができる。
なお、バファーユニット７２においても、搬出口と、加熱装置と、冷却装置と、支持台と、ドライガス循環装置と、真空ポンプと、露点計等が設けてあることが好ましい。
（５）第４のユニット
第２の実施形態における第４のユニット（封止ユニット）２４は、第１の実施形態における第４のユニットの内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
２．動作
第２の実施形態における製造装置を動作させるにあたり、まず、基板を前工程として、湿式洗浄、赤外線洗浄、および紫外線洗浄した後、第１のユニット２１の所定場所に載置する。なお、前工程の段階で、基板上に、下部電極や、層間絶縁膜や、蛍光媒体等を形成しておくことも好ましい。
次いで、第１のユニット２１と、第２のユニット２３の加熱室７１との間に設けてある第１の搬送装置（図示せず。）を動作させ、基板を加熱室７１に移送する。
なお、第１の搬送装置の動作がスタートするとともに、第１のユニット２１と、第２のユニット２３の加熱室７１との間のシャッターが開くため、第１の搬送装置は基板を把持した状態で、シャッターを通過して、加熱室７１の所定場所に、基板を載置することができる。
次いで、基板が所定場所に載置されると、第１の搬送装置は、第１のユニット２１の所定位置に戻るとともに、第１のユニット２１と、第２のユニット２３の加熱室７１との間のシャッターが閉じる。そして、加熱室７１の加熱がスタートとする。
この加熱による脱水条件としては、第１の実施形態と同様に、例えば、５０〜３００℃、１０分〜２４時間とすることが好ましく、また、例えば、ドライガス循環装置を用いて、露点計により露点を−１０℃以下の値に調節しながら、不活性ガスを流量１０リットル／分程度導入することも好ましい。
次いで、脱水された基板を、搬送装置を用いて、冷却室７０に移送する。したがって、加熱室７１と冷却室７０との間のシャッターを開き、搬送装置を用いて、加熱室７１の所定位置から、冷却室７０の所定位置へと、基板を移送する。そして、基板を載置するとともに、加熱室７１と冷却室７０との間のシャッターが閉じて、基板の冷却を開始する。
したがって、このように基板を冷却することにより、加熱室７１において、基板を減圧状態で加熱したとしても、迅速に冷却することが可能となる。そして、基板の温度が少なくとも成膜温度付近になるまで冷却を続けることが好ましく、より好ましくは、室温付近になるまで冷却を続けることである。
なお、冷却室７０における冷却条件についても特に制限されるものではないが、例えば、１０〜４０℃、１０分〜１２時間とすることが好ましい。
次いで、基板温度が所定温度になったことを確認した後、この基板を、搬送装置により第３のユニット（成膜ユニット）２２に移送する。
ここで、第３のユニット２２を用いて、有機発光媒体や、上部電極を成膜することになるが、第１の実施形態と同様の成膜条件とすることができるので、詳細な説明は省略する。
次いで、有機発光媒体や上部電極が形成された基板を、第３のユニット２２から、搬送装置を用いて、バファーユニット７２に移送する。すなわち、減圧状態の第３のユニット２２から、同様に減圧状態のバファーユニット７２の所定場所に、その間に設けてあるシャッター２６を開けた状態で移送する。
なお、このようにバファーユニット７２が設けてあるため、基板を第４のユニット２４まで移送する際に、バファーユニット７２と、第４のユニット２４との間のシャッターを開閉しても、第３のユニット２２における真空度を所定値に維持することができる。すなわち、バファーユニット７２と、第３のユニット２２との間にもシャッターがあるため、バファーユニット７２の真空度を、第３のユニット２２の真空度と同等レベルに調節することにより、第３のユニット２２における真空度についても維持することができる。
最後に、有機発光媒体や上部電極が形成された基板を、バファーユニット７２から、搬送装置を用いるとともに、その間に設けてあるシャッター２６を開けて第４のユニット（封止ユニット）２４に移送する。
ここでも、第１の実施形態と同様の封止条件とすることが好ましい。すなわち、図１５に示すような第４のユニット２４において、例えば、不活性ガス中で、基板と、封止部材とを押圧した状態で、紫外線硬化型接着剤を硬化させることにより、これらの部材間をシールすることが好ましい。
［第３の実施形態］
第３の実施形態は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関し、以下に示す第１〜第４の工程を含んでいることを特徴としている。
このように実施することにより、大気に露出することがないため、外部の湿度等の影響を排除して含水率の調整が容易となるばかりか、有機ＥＬ表示装置の生産効率をさらに向上させることができる。
（１）第１の工程
第１の工程は、有機発光媒体の形成前の基板を第１のユニットである搬入口に載置する工程であり、有機ＥＬ表示装置の構成にもよるが、基板上に予め下部電極を形成しておくことが好ましい。
なお、前工程として、基板を図１に示す第１のユニットである搬入口に載置する前に、当該基板上に、層間絶縁膜（平坦化膜）、蛍光媒体、およびカラーフィルタを予め形成しておくことが好ましい。
また、このような支持基板への下部電極の形成は、真空蒸着装置等を用いて行うことが好ましく、上述した第３のユニットの製造装置を用いて行うことができる。
さらにまた、層間絶縁膜、蛍光媒体、およびカラーフィルタの形成は、それぞれフォトリソグラフィ法を用いて行うことが好ましい。
（２）第２の工程
第２の工程は、図１１に示す第２のユニットにおいて、支持基板に付着した水分、および、この支持基板上にカラーフィルタ、蛍光媒体、層間絶縁膜等の有機膜が形成してある場合には、これらの有機膜に含まれる水分を脱水する工程である。具体的に以下の加熱処理を行うか、あるいはこの加熱処理とともに、他の脱水処理を組み合わせて実施することが好ましい。
なお、第２の工程において、脱水処理の前後、あるいはいずれか一方の時に、第２のユニットに設けたプラズマ洗浄装置および超音波洗浄装置を用いて、基板表面に付着した不純物やほこりを取り除くことも好ましい。
▲１▼加熱処理
脱水工程の加熱温度を４０〜３００℃の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、加熱温度が４０℃未満となると、脱水効率が著しく低下する場合があるためであり、一方、加熱温度が３００℃を超えると、蛍光媒体等の有機膜に対して熱損傷を与える場合があるためである。
したがって、脱水工程の加熱温度を５０〜２５０℃の範囲内の値とすることがより好ましく、６０〜２００℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、有機ＥＬ表示装置の保管環境または駆動環境を考慮して、脱水工程の加熱温度を決定することも好ましい。すなわち、これらの保管環境または駆動環境における温度よりも高い温度、より好ましくは当該温度よりも少なくとも１０℃高い温度で予め処理することにより、保管環境または駆動環境におけるダークスポットの発生を抑制することができる。
なお、加熱による脱水処理した場合の脱水時間は、カラーフィルタ、蛍光媒体、第１および第２の層間絶縁膜等の面積や膜厚に影響されるが、当該脱水時間を例えば、１０分〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、脱水時間が１０分未満となると、脱水処理が不十分となって、組み立て後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下にするのが困難となる場合があるためである。一方、脱水時間が１２時間を超えても、処理時間が長くなるだけで、得られる効果は変わらない場合があるためである。
したがって、脱水時間を、３０分〜１０時間の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜６時間の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
▲２▼不活性ガス導入
脱水工程に、ヘリウム、アルゴン、窒素等の不活性ガスを、脱水ユニットに導入し、これらの不活性ガス中で脱水することが好ましい。また、製造コストが安価となることから、窒素を用いることがより好ましい。
このような不活性ガスを使用することによって、有機発光媒体を含む有機層や、陰極等が反応して酸化するのを抑制しながら、脱水処理を施すことができることから好ましい。
また、より優れた脱水効果を得るために、不活性ガスに対しても、あらかじめ脱水処理を施しておくことが好ましい。
なお、不活性ガスによる脱水処理した場合の脱水時間は、不活性ガスの流入速度、あるいは、カラーフィルタ、蛍光媒体、第１および第２の層間絶縁膜等の面積や膜厚にそれぞれ影響されるが、当該脱水時間を例えば、１０分〜４０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、脱水時間が１０分未満となると、脱水処理が不十分となって、組み立て後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下にするのが困難となる場合があるためである。一方、脱水時間が４０時間を超えても、処理時間が長くなるだけで、得られる効果は変わらない場合があるためである。
したがって、脱水時間を、３０分〜２４時間の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜１２時間の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
▲３▼露点調整
脱水工程の露点を−１０℃以下の値として、支持基板等の脱水処理を促進するものである。この理由は、露点が−１０℃を超えると、脱水効率が著しく低下する場合があるためである。
したがって、脱水工程の露点を−５０℃以下の値とすることがより好ましく、露点を−５０℃〜−１５０℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、脱水工程の露点は、不活性ガスの導入、真空度の低下、脱水ユニット内の温度の調節により、露点計をモニターしながら、脱水ユニット内の水分量を調節して容易に行うことができる。
また、露点を−１０℃以下の値とした場合の脱水時間は、カラーフィルタ、蛍光媒体、層間絶縁膜等の面積や膜厚に影響されるが、当該脱水時間を例えば、１０分〜４０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、脱水時間が１０分未満となると、脱水処理が不十分となって、組み立て後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下にするのが困難となる場合があるためである。一方、脱水時間が４０時間を超えても、処理時間が長くなるだけで、得られる効果は変わらない場合があるためである。
したがって、脱水時間を、３０分〜２４時間の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜１２時間の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
▲４▼真空度調整
脱水工程の真空度を１３．３Ｐａ以下の値とすることが好ましい。この理由は、かかる真空度が１３．３Ｐａを超えると、脱水効率が著しく低下する場合があるためである。
したがって、脱水工程の真空度を１３．３×１０−４Ｐａ以下の値とすることがより好ましく、１３．３×１０−４Ｐａ〜１３．３×１０−８Ｐａの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、脱水工程の真空度を１３．３×１０−４Ｐａ以下の値とした場合の脱水時間は、カラーフィルタ、蛍光媒体、層間絶縁膜等の面積や膜厚に影響されるが、当該脱水時間を例えば、１０分〜１２時間の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、脱水時間が１０分未満となると、脱水処理が不十分となって、組み立て後の有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下にするのが困難となる場合があるためである。一方、脱水時間が１２時間を超えても、処理時間が長くなるだけで、得られる効果は変わらない場合があるためである。
したがって、脱水時間を、３０分〜１０時間の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜６時間の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（３）第３の工程
第３の工程は、図１２および図１３に示す第３のユニット２２において、有機発光媒体を形成する工程や上部電極を形成する工程である。
有機発光媒体の形成工程や上部電極の形成は、具体的に、真空蒸着法やスパッタリング法等の乾燥状態での成膜が可能な方法を用いて形成することが好ましい。
ここで、第３のユニットにおいて説明した真空蒸着装置２０１を用いて、電子注入域１４を基板２０３上に成膜する方法について、具体的に説明する。
まず、図１３に示すような平面正方形状の基板２０３を用意し、この基板２０３を基板ホルダ２１１の保持部２１５に係止して水平な状態とする。
次いで、電子注入域１４を成膜するにあたり、仮想円２２１上で、隣接する二つの蒸着源２１２Ａおよび２１２Ｄに、電子輸送性化合物と電子注入性材料（還元性ドーパント）とをそれぞれ充填した後、排気手段により、真空槽２１０内を所定の真空度、例えば１３．３×１０−５Ｐａ（１．０×１０−６Ｔｏｒｒ）になるまで減圧する。
次いで、蒸着源２１２Ａおよび２１２Ｄを加熱して、各蒸着源２１２Ａおよび２１２Ｄからそれぞれ電子輸送性化合物および還元性ドーパントを同時に蒸発させるとともに、モータ２１４を回転騒動させて、基板２０３を回転軸線２１３Ａに沿って所定速度、例えば１〜１００ｒｐｍ（ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎｓ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅｓ）で回転させる。このようにして、基板２０３を自転させながら電子輸送性化合物および還元性ドーパントを共蒸着して電子注入域１４を成膜する。
このとき、図１３に示すように、蒸着源２１２Ａおよび２１２Ｄは、基板２０３の回転軸線２１３Ａから、水平方向に所定距離Ｍだけずれた位置に設けられているので、基板２０３の回転により、電子輸送性化合物および還元性ドーパントの基板２０３への入射角度を規則的に変化させることができる。
したがって、蒸着材料を基板２０３に対して一様に付着させることができ、電子注入域１４の膜面内で、蒸着材料の組成比が均一、例えば、濃度ムラが±１０％（モル換算）である薄膜層を確実に成膜することができる。
また、このように蒸着を実施することにより、基板２０３を公転させなくてもよいので、そのスペースや設備が不要になり、最小限のスペースで経済的に成膜を行うことができる。なお、基板を公転させるとは、基板以外に存在する回転軸の周りを回転させることをいい、自転させる場合よりも広い空間が必要となる。（４）第４の工程
第４の工程は、第３の工程の終了時点で得られた有機ＥＬ素子の周囲を、封止用部材により被覆する工程であり、図１５に示す第４のユニットを用いて行うことが好ましい。
したがって、第４の工程は、第４のユニット内にドライガス、例えば、乾燥窒素や乾燥アルゴンを０．０１〜６ｍ３／分の条件で循環させた状態で、封止用部材を、有機ＥＬ素子の周囲を覆うように被せ、次いで、押圧しながら、その周囲を接着剤等によりシールすることが好ましい。
ここで、ラジカル硬化型の接着剤、およびカチオン硬化型の接着剤を用いた場合には、接着剤硬化用露光装置を用いて、紫外線を照射することにより、１０秒以内の短時間で硬化させることができる。
また、熱硬化型接着剤を用いた場合には、ホットプレートを用いて、５０〜１５０℃、３０秒〜１時間の条件で加熱することにより、硬化させることができる。
さらに、湿気硬化型接着剤を用いた場合には、封止後、外気に暴露させることにより、徐々に硬化させることができる。
（５）各工程の組み合わせ
以下に、上述した第１〜第４の各工程を組み合わせて、有機ＥＬ表示装置を製造する例を示すが、かかる例示に限定されるものではない。
▲１▼第１の組み合わせ
第４のユニットが第３のユニットに連結された製造装置を用い、
第１のユニットに支持基板を搬入し、
搬送装置を用いて、搬入された支持基板を第１のユニットから第２のユニットに移送し、
第２のユニットにおいて、移送された支持基板を加熱して脱水処理を行い、
搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから第３のユニットに移送し、
第３のユニットにおいて、有機発光媒体および上部電極を形成し、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止する。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節が容易となり、ダークスポットの発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
▲２▼第２の組み合わせ
第４のユニットが第１のユニットに連結された製造装置を用い、
第１の組み合わせにおいて、
搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第４のユニットに移送し、
第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止するものである。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節が容易となり、ダークスポットの発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
▲３▼第３の組み合わせ
第４のユニットが第２のユニットと共用された製造装置を用い、第１の組み合わせにおいて、搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成した支持基板を第３のユニットから第１のユニットを介して、第２のユニットと共用の第４のユニットに移送し、第４のユニットにおいて、周囲を封止用部材により封止するものである。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節が容易となり、ダークスポットの発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
▲４▼第４の組み合わせ
第１〜第３の組み合わせにおいて、搬送装置を用いて、脱水処理された支持基板を第２のユニットから、第１のユニットに移送して冷却した後、第３のユニットに移送するものである。
このように脱水処理された支持基板を第１のユニットで冷却することにより、第２のユニットにおいて減圧状態で脱水処理を行ったとしても、支持基板を効率的に冷却することができ、第３のユニットへ移送するまでの時間を短縮することができる。
また、このように第１のユニットで脱水処理した基板を冷却することにより、第２のユニットにおいては、同時に別の基板を脱水処理することができるため、製造効率を高めることができる。
▲５▼第５の組み合わせ
第１〜第４の組み合わせにおいて、第３のユニットにおいて有機発光媒体を形成した後、搬送装置により、有機発光媒体が形成された支持基板を第３のユニットから第２のユニットに移送して脱水処理した後、再び第２のユニットから第３のユニットに移送して、上部電極を形成するものである。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節がさらに容易となり、ダークスポットの発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
▲６▼第６の組み合わせ
第１〜第５の組み合わせにおいて、第２のユニットが、加熱室と、冷却室とを含んでなり、当該加熱室において、支持基板を加熱して脱水処理を行うとともに、当該冷却室において、脱水処理した支持基板を冷却するものである。
このように実施することにより、有機ＥＬ表示装置の組み立て後の、有機発光媒体における含水率の調節がさらに容易となり、ダークスポットの発生が飛躍的に少ない有機ＥＬ表示装置を効率的に得ることができる。
実施例
［実施例１］
（１）有機ＥＬ素子の作製
▲１▼陽極（下部電極）の形成
縦１１２ｍｍ、横１４３ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング装置により全面的に成膜した。このＩＴＯ膜上に、ポジ型レジストＨＰＲ２０４（富士ハントエレクトロニクステクノロジー（株）製）をスピンコートし、温度８０℃、時間１０分の条件で乾燥した。
次いで、ストライプ状パターン（ライン幅９０μｍ，ギャップ幅２０μｍ）を有するフォトマスクを介して、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った。現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）を用いて、露光部を現像した。
次いで、オーブンを用いて、温度１３０℃の条件でポストベーク処理した後、臭化水素酸水溶液（濃度４７重量％）をエッチャントとして用いて、ＩＴＯ膜をエッチングした。その後、剥離液Ｎ３０３（長瀬産業（株）製）を用いてポジ型レジストを除去し、陽極（下部電極）としてのストライプ状のＩＴＯパターン（ライン数９６０本）を形成した。
▲２▼第１の層間絶縁膜の形成
次いで、ＩＴＯパターン上に、ネガ型レジストＶ２５９ＰＡ（新日鉄化学（株）製）をスピンコートし、ＩＴＯパターンに直交するストライプ状パターンを有するフォトマスク（ライン幅９０μｍ，ギャップ幅２０μｍ）を介して、温度８０℃、時間１０分の条件で乾燥した後、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った。
次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて、未露光部を現像し、さらに、オーブンを用いて、温度１６０℃の条件でポストベーク処理して、第１の層間絶縁膜（ＩＴＯの開口部７０μｍ×２９０μｍ）とした。
▲３▼第２の層間絶縁膜の形成
次いで、第１の層間絶縁膜の上から、ネガ型レジストＺＰＮ１１００（日本ゼオン（株）製）をスピンコートし、下部電極であるＩＴＯパターンに対して平行するストライプ状パターン（ライン幅２０μｍ，ギャップ幅３１０μｍ）を有するフォトマスクを介して、温度８０℃、時間１０分の条件で乾燥した後、露光量が１００ｍＪ／ｃｍ２となるように、高圧水銀灯を光源としたコンタクト露光を行った。
次いで、現像液としてＴＭＡＨを用いて、未露光部を現像し、さらに、オーブンを用いて、温度１６０℃の条件でポストベーク処理して、隔壁としての第２の層間絶縁膜（ライン幅２０μｍ，ギャップ幅３１０μｍ、膜厚５μｍ）とした。
▲４▼脱水工程
次いで、ＩＴＯパターン等が形成されたガラス基板（以下、単にガラス基板と称する場合がある。）に対して、イソプロピルアルコール洗浄および紫外線洗浄を施した後、このガラス基板を、図３に示す製造装置における第１のユニット（搬入口）の所定位置に載置した。
次いで、第１のユニットに設けてある搬送装置（可動アーム）を用いて、ガラス基板を第１のユニットから第２のユニット（脱水ユニット）に移送した。
そして、第１のユニット内のガラス基板を、ホットプレートを用いて６０℃に加熱し、その状態で乾燥窒素を導入しながら、露点を−５０℃まで低下させて、約２時間放置し、第１および第２の層間絶縁膜中の水分並びにガラス基板表面等に付着している水分を除去した。
▲５▼有機発光媒体の形成
次いで、ホットプレートの加熱を停止し、ガラス基板の温度が室温まで低下した後、第１のユニットに設けてある搬送装置を用いて、脱水処理したガラス基板を第２のユニットから、第１のユニットを経由して、第３のユニット（真空蒸着装置）に移送するとともに、図１３に示す基板ホルダーに固定した。
なお、第３のユニット内の加熱ボードに、予め以下の材料をそれぞれ充填しておいた。
正孔注入材料：４，４´，４´´−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、およ
び４，４´−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］−ビフェニル（ＮＰＤ）、
有機発光材料：４，４´−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ターフェニル
（ＤＰＶＴＰ）
電子注入材料：トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）
上部電極材料：Ａｌ−Ｌｉ合金（Ｌｉ濃度１０ａｔｍ％）
次いで、第３のユニット内の真空度を６６５×１０−７Ｐａまで減圧し、以下の蒸着速度および膜厚となるように、正孔注入層から上部電極の形成まで、途中で真空状態を破らず、一回の真空引きで順次に積層して、有機発光媒体（正孔注入層、有機発光層、電子注入層）、および上部電極を形成した。
ＭＴＤＡＴＡ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ．，膜厚６０ｎｍ
ＮＰＤ      ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ．，膜厚２０ｎｍ
ＤＰＶＴＰ  ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ．，膜厚４０ｎｍ
Ａｌｑ      ：蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓｅｃ．，膜厚２０ｎｍ
Ａｌ−Ｌｉ  ：蒸着速度０．５〜１．０ｎｍ／ｓｅｃ．，膜厚１５０ｎｍ
▲６▼封止工程
次いで、第１のユニットに設けてある搬送装置を用いて、有機発光媒体および上部電極を形成したガラス基板を、第３のユニットから、第１のユニットを経由して、第２のユニットと共用の第４のユニット（封止ユニット）に移送した。
この第４のユニット内で、封止用ガラス基板（青ガラス、ジオマテック（株）製）を上部電極側に積層した後、その周囲をカチオン硬化型接着剤ＴＢ３１０２（スリーボンド（株）製）を用い、紫外線露光により硬化させることにより封止して、発光性能測定用の有機ＥＬ表示装置とした。
なお、同様の製造条件で、含水率測定用の有機ＥＬ表示装置および耐久性試験用の有機ＥＬ表示装置をそれぞれ作成した。
（２）有機ＥＬ素子の評価
▲１▼含水率の測定
得られた有機ＥＬ表示装置を、乾燥窒素を連続的に導入した状態のドライボックス内で分解し、スパチュラを用いて有機発光媒体（一部、層間絶縁膜を含む。以下、同様である。）を採取するとともに、当該ドライボックス内に設けた全自動水分吸脱着測定装置ＩＧＡ  ＳＯＲＰ（英国Ｈｉｄｅｎ社製）を用いて重量を測定した。その結果、採取した有機発光媒体の重量Ａは、４３．９１９４ｍｇであった。
次いで、採取した有機発光媒体を、ドライボックス内で、７５℃、３０分の条件で加熱処理し、その処理後の重量を上述した全自動水分吸脱着測定装置を用いて測定した。その結果、加熱処理後の有機発光媒体の重量Ｂは、４３．９１９０ｍｇであった。
よって、得られた重量Ａおよび重量Ｂを算出式に導入して、有機発光媒体の含水率（Ｗ（％））を算出した。その結果、有機発光媒体の含水率（Ｗ）は０．０００９重量％であった。
すなわち、有機発光媒体を形成する前に第２のユニット（脱水工程）を設けて、支持基板表面および、第１および第２の層間絶縁膜から水分を除去することは、有機発光媒体の含水率を低下させるのに有効な手段であることが判明した。
▲２▼発光性能の測定
得られた有機ＥＬ表示装置の下部電極（ＩＴＯパターン，陽極）と、上部電極（陰極）との間に、ＤＣ１０Ｖの電圧を印加して、各電極の交差部分である各画素（約２３万画素）を発光させた。そして、色彩色差計ＣＳ１０００（ミノルタ（株）製）を用いて発光輝度を測定したところ、３００ｃｄ／ｍ２という値が得られた。なお、発光面の全面積を１００％としたときの、画素面積の割合である開口率は５６％であった。
また、同様条件で有機ＥＬ装置の各画素を発光させてＣＩＥ色度を測定したところ、ＣＩＥ色度座標において、ＣＩＥｘ＝０．１５，ＣＩＥｙ＝０．１８である青色発光が得られることを確認した。
▲３▼耐久性試験
得られた２組の有機ＥＬ表示装置を、大気中、室温（２５℃）の条件と、恒温槽中、７５℃条件とに、それぞれ２週間放置した。その後、上述した電圧条件で有機ＥＬ表示装置の各画素を発光させて、ダークスポットの発生が生じておらず、適切に発光している領域（以下、発光領域）の面積を測定し、放置前の発光領域の面積との比較から耐久性を評価した。
その結果、放置前の発光領域の面積を１としたときに、大気中、室温（２５℃）の条件で放置した場合には、放置後の発光領域の面積は、０．９８であり、恒温槽中、７５℃条件で放置した場合には、放置後の発光領域の面積は、０．９７であった。
すなわち、有機発光媒体中の含水率を所定値（０．０５重量％）以下の値とすることにより、大気中、室温（２５℃）の条件はもとより、７５℃の高温環境下においても長時間にわたってダークスポットの発生による発光面積の縮小を抑制できることが判明した。
［比較例１］
実施例１において、有機ＥＬ素子の形成前に、第２のユニットにより脱水処理をしなかった以外は、同一の条件で有機ＥＬ表示装置を作製して、評価した。得られた結果を表１に示す。
結果から理解されるように、脱水工程を設けなかったために、有機発光媒体の含水率は０．０７１３重量％であり、０．０５重量％以下の値に低下することができなかった。
また、得られた有機ＥＬ表示装置を大気中、室温（２５℃）条件、および恒温槽中、７５℃条件でそれぞれ２週間放置した場合には、それぞれ発光面積比が０．８０および０．５５となった。
すなわち、比較例１では、有機ＥＬ素子の形成前に脱水工程を設けて脱水処理をしなかったため、有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下の値とすることができず、大気中、室温（２５℃）条件および、７５℃の高温環境下において、ダークスポットの発生による発光面積の縮小を抑制できることが困難であった。［実施例２］
実施例１において、有機ＥＬ素子の形成前に、赤色フィルタと、蛍光媒体とを設けるとともに、下部電極の形成材料をＩＴＯからＩＺＯに変えた以外は、同一の条件で有機ＥＬ表示装置を作製して、評価した。得られた結果を表１に示す。
結果から理解されるように、実施例２では、赤色フィルタや、蛍光媒体の形成工程が必要になるためと思われるが、有機発光媒体の含水率は０．０３８５重量％であり、実施例１と比較すると、若干高い値であった。
しかしながら、大気中、室温（２５℃）条件、および７５℃の高温環境条件にそれぞれ２週間放置しても、発光面積比はそれぞれ０．９以上であった。すなわち、実施例２においても、脱水工程を設けて脱水処理をすることにより、ダークスポットの発生を抑制できることが確認された。
［比較例２］
実施例２において、有機ＥＬ素子の形成前に、第２のユニットにより脱水処理をしなかった以外は、同一の条件で有機ＥＬ表示装置を作製して、評価した。得られた結果を表１に示す。
結果から理解されるように、脱水工程を設けなかったために、有機発光媒体の含水率は０．３２１５重量％であり、０．０５重量％以下の値に低下することができなかった。
また、得られた有機ＥＬ表示装置を大気中、室温（２５℃）の条件で放置した場合には、発光面積比が０．３３となり、恒温槽中、７５℃条件で放置した場合には、０．１５となった。すなわち、有機ＥＬ素子の形成前に脱水工程を設けて脱水処理をしなかったため、有機発光媒体の含水率を０．０５重量％以下の値とすることができず、大気中、室温（２５℃）条件および、７５℃の高温環境下において、ダークスポットの発生による発光面積の縮小を抑制できることが困難であった。
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［実施例３］
実施例１において、図３に示す製造装置のかわりに、図１６に示すように、加熱室と冷却室とからなる脱水ユニットを含む製造装置を用いたほかは、実施例１と同様に、有機ＥＬ表示装置を作成し、評価した。
すなわち、第１および第２の層間絶縁膜が形成されたガラス基板に対して、イソプロピルアルコール洗浄および紫外線洗浄を施した後、このガラス基板を、図１６に示す製造装置における第１のユニット（搬入口）の所定位置に載置した。
次いで、第１のユニットに設けてある搬送装置（可動アーム）を用いて、ガラス基板を第１のユニットから第２のユニット（脱水ユニット）の加熱室に移送した。そして、加熱室内のガラス基板を、ホットプレートを用いて６０℃に加熱し、その状態で乾燥窒素を導入しながら、露点を−５０℃まで低下させて、２時間放置し、第１および第２の層間絶縁膜中の水分並びにガラス基板表面等に付着している水分を除去した。
次いで、搬送装置（可動アーム）を用いて、６０℃に加熱されたままのガラス基板を加熱室から冷却室に移送した。そして、乾燥窒素を導入しながら、冷却室内のガラス基板を、ステンレス製冷却板（温度１０℃）に３０分間接触させて、ガラス基板の温度を室温（２５℃）まで低下させた。
その結果、実施例３で得られた有機ＥＬ表示装置における有機発光媒体の含水率は０．０００９重量％であり、また、実施例１と同様に発光させたところ、発光輝度は３００ｃｄ／ｍ２であり、ＣＩＥｘ＝０．１５，ＣＩＥｙ＝０．１８である青色発光が得られることを確認した。
さらに、得られた有機ＥＬ表示装置を、大気中、室温（２５℃）条件、および７５℃の高温環境条件にそれぞれ２週間放置しても、初期値と比較した発光面積比はそれぞれ０．９８および０．９７であった。
すなわち、実施例３においても、脱水工程を設けて、有機発光媒体の含水率を所定値以下に脱水処理したことにより、ダークスポットの発生を抑制できることが確認された。
また、実施例３では、加熱室と冷却室とからなる脱水ユニットを使用したため、実施例１では２時間程度要した脱水処理後の基板温度の低下処理を、３０分というきわめて迅速に行うことができ、有機ＥＬ表示装置を効率的に作成できることも確認された。
［実施例４］
実施例１において、第３のユニットにおいて、成膜前に脱水した基板をプラズマ洗浄した以外は、実施例１と同様に、有機ＥＬ表示装置を作成し、評価した。
すなわち、プラズマガスとしアルゴン／酸素を使用し、それぞれのガス流量を２００ｓｃｃｍ／７５ｓｃｃｍとした。また、プラズマ洗浄の際の圧力を１．１８Ｐａとし、高周波（１３．５６ＭＨｚ）の出力を５０Ｗとし、プラズマ洗浄時間を１０分とした。
その結果、実施例４で得られた有機ＥＬ表示装置における有機発光媒体の含水率は０．０００９重量％であり、また、実施例１と同様に発光させたところ、発光輝度は３００ｃｄ／ｍ２であり、ＣＩＥｘ＝０．１５，ＣＩＥｙ＝０．１８である青色発光が得られることを確認した。
さらに、得られた有機ＥＬ表示装置を、大気中、室温（２５℃）条件、および７５℃の高温環境条件にそれぞれ２週間放置しても、初期値と比較した発光面積比はそれぞれ０．９９および０．９８であった。
すなわち、実施例４においても、脱水工程を設けて、有機発光媒体の含水率を所定値以下に脱水処理するとともに、成膜前に脱水した基板をプラズマ洗浄することにより、ダークスポットの発生をさらに効果的に抑制できることが確認された。
産業上の利用性
以上、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置によれば、基板等を積極的に脱水処理する第２のユニットを設けることにより、有機発光媒体における含水率を低下させる、より具体的には、０．０５重量％以下の値とした有機ＥＬ表示装置を効率的に得られるようになった。したがって、室温条件はもちろんのこと、高温環境下で長時間駆動したとしても、無発光領域であるダークスポットの発生を効果的に抑制できるようになった。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置によれば、搬入口としての第１のユニットを介して、脱水処理する第２のユニットと、成膜工程を実施する第３のユニットとを接続することにより、使い勝手や、生産効率が向上するようになった。
さらに、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造装置によれば、成膜工程を実施する第３のユニットとに複数の蒸着源を有する蒸着装置を用いたり、あるいは、脱水処理する第２のユニットと、封止工程を実施する第４のユニットとを共用することにより、有機ＥＬ表示装置を小型化することが容易となった。
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、基板等を脱水処理する第２の工程を設けることにより、高温環境下で長時間駆動したとしても、ダークスポット等の発生が抑制できる有機ＥＬ表示装置を効率的に得られるようになった。
したがって、耐久性に優れた２〜３０型（インチ）の有機ＥＬ表示装置が効率的に得られるため、小型表示携帯端末装置（携帯電話）、車載用表示装置、インストルメントパネル装置、カーナビゲーター装置、ノート型パーソナルコンピューター、壁掛テレビ等の民生用表示機器や、オフィスオートメーション表示装置、ファクトリ−オートメーション表示装置、計装装置用モニター等の産業用表示機器に広く使用することができる。
【図面の簡単な説明】
図１  有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その１）。
図２  有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その２）。
図３  有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その３）。
図４  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その１）。
図５  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その２）。
図６  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その３）。
図７  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その４）。
図８  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その５）。
図９  有機ＥＬ表示装置の断面図である（その６）。
図１０  第１のユニットの概略図である。
図１１  第２のユニットの概略図である。
図１２  第３のユニットの概略図である（その１）。
図１３  第３のユニットの概略図である（その２）。
図１４  第３のユニットの概略図である（その３）。
図１５  第４のユニットの概略図である。
図１６  第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である。
図１７  有機発光媒体の含水率と、発光面積比との関係を示す図である。
図１８  全自動水分吸脱着測定装置の説明に供する図である。
図１９  図１８に示す全自動水分吸脱着測定装置により測定した水分測定チャートである。
図２０  従来の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その１）。
図２１  従来の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その２）。
図２２  従来の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その３）。
図２３  従来の有機ＥＬ表示装置の製造装置を示す図である（その４）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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