(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の電位を電位センサによって測定する電位測定方法において、
前記試料はホトマスクであって、当該ホトマスクのパターンが形成されている面とは反対側の面の電位を、当該ホトマスクの搬送中に前記電位センサによって測定し、当該測定された電位が所定の閾値以下となったときに、前記ホトマスクを当該ホトマスクのパターン形成面を測定するための荷電粒子線装置に搬送することを特徴とする試料の電位測定方法。
【請求項２】
請求項２において、
前記測定された電位が所定の閾値を超えている場合には、イオナイザによる除電を行うことを特徴とする試料の電位測定方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記電位センサによって測定される最大電位が所定値以下となるように、前記イオナイザによる除電が行われることを特徴とする電位測定方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記測定された電位の大きさに応じて、前記イオナイザによる除電時間が制御されることを特徴とする電位測定方法。
【請求項５】
試料の電位を電位センサによって測定する電位測定方法において、
前記試料はホトマスクであって、当該ホトマスクのパターンが形成されている面とは反対側の面の電位を、前記電位センサによって測定し、当該電位センサの測定結果に基づいて、前記パターンが形成されている面の電位分布を求めることを特徴とする試料の電位測定方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記電位センサは、前記ホトマスクの搬送方向に垂直な方向であって、前記パターン面に平行となるように、前記パターンが形成されている面とは反対の面側に、複数配列されていることを特徴とする試料の電位測定方法。
【請求項７】
荷電粒子光学系と、
ホトマスクを保持する保持機構と、
当該保持機構と前記荷電粒子光学系との間でホトマスクを搬送する搬送機構を備えた荷電粒子線装置において、
前記搬送機構による前記ホトマスクの搬送軌道外に配置されると共に、前記搬送機構によるホトマスクの搬送中に、前記ホトマスクのパターンが形成されている面とは反対側の面の電位を測定する電位センサを備え、前記搬送機構は、当該電位センサによって測定された電位が所定の閾値以下となったときに、前記ホトマスクのパターン形成面が前記荷電粒子光学系に相対するように、当該ホトマスクを搬送することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記ホトマスクのパターンが形成されている面とは反対側の面を除電するイオナイザを備え、当該イオナイザは、前記電位センサによって測定された電位が所定の閾値を超えている場合に除電を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記イオナイザは、前記電位センサによって測定される最大電位が所定値以下となるように除電を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記イオナイザは、前記測定された電位の大きさに応じて、除電時間が制御されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
荷電粒子光学系と、
ホトマスクを保持する保持機構と、
当該保持機構と前記荷電粒子光学系との間でホトマスクを搬送する搬送機構を備えた荷電粒子線装置において、
前記ホトマスクのパターンが形成されている面とは反対側の面の電位を測定する電位センサを備え、当該電位センサの測定結果に基づいて、前記パターンが形成されている面の電位分布を求めることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記電位センサは、前記ホトマスクの搬送方向に垂直な方向であって、前記パターン面に平行となるように、前記パターンが形成されている面とは反対の面側に、複数配列されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料を測定，検査する荷電粒子線装置に係り、特にホトマスク等のような絶縁膜上にパターンが形成されているような試料を測定，検査対象とする装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造で使用されるホトマスクは、パターンの高集積化に伴い微細化が進んでいる。それに伴い、ホトマスクを検査，測定する装置には、高精度化が求められ、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）に代表される荷電粒子線を用いた検査，測定が主流になっている。
【０００３】
ホトマスクは、通常絶縁物である石英（Ｑｚ）を母材とすると共に、表面には電子線描画装置等で描画されたクロム（Ｃｒ）の集積回路パターンが形成されている。また、さらにそのクロム（Ｃｒ）は、電子線描画装置等で描画されたレジストパターン（感光剤）によって、覆われている。
【０００４】
例えば、測長ＳＥＭ（Critical Dimension ＳＥＭ）を用いて、ホトマスクを測定する場合、ホトマスクの裏面は、絶縁物である石英（Ｑｚ）が露出しているため、パターン製造工程やホトマスクのハンドリング，収納状態により帯電することがある。
【０００５】
試料に付着する帯電は、測定のために用いられるＳＥＭのフォーカスずれや倍率変動の原因となるため、測長誤差の要因となっている。
【０００６】
特許文献１には、試料室内に設けられた複数の電位計を用いて試料表面の帯電を計測し、計測された電位量に基づいて、電子線の加速電圧やリターディング電圧にフィードバックを行うＳＥＭが開示されている。
【０００７】
更に、特許文献２には、試料の搬送過程において、試料表面の電位分布を測定し、リターディング電圧等にフィードバックを行うＳＥＭが開示されている。
【０００８】
また、特許文献３には、マスクのような試料を測定対象とし、電位計を用いた帯電の測定を行うと共に、その帯電を打ち消すために、イオナイザによる除電を行うことが説明されている。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−５２６４２号公報
【特許文献２】ＷＯ０３／００７３３０
【特許文献３】米国特許番号USP 6,507,474
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
例えば、ホトマスクのような試料は、Ｃｒパターンが形成され、測長ＳＥＭの測定対象となる試料面（以下、パターン面と称することもある）とは反対側の面（以下試料裏面と称することもある）に、大きな帯電が付着する。試料裏面に付着する帯電は、パターン面を測定するために、測長ＳＥＭの試料ホルダ、或いは試料台に配置したときに、その帯電の電位分布が、パターン面側に及ぶことがある。
【００１１】
特許文献１の記載のように、試料室内に複数の電位計を設けて、パターン面側の電位を測定する場合、ＳＥＭによる測定の他に、電位測定を行う時間が必要となるため、測定のスループットを大幅に低減させてしまう要因となる。特に、ホトマスクは、帯電の分布状態が一定ではないため、所望の測定個所に電位計を位置づけるための時間を要することになる。試料全面を覆うように、多くの電位計を設置すれば、当該スループットの問題もかなり解消されるものと考えられるが、限られた真空空間内に多くのの電位計を設けることは、技術面，コスト面からみて非常に困難である。
【００１２】
一方、特許文献２，３には、試料室内ではなく、試料の帯電状況を、試料室に至るまでの搬送過程にて、測定することが説明されている。このような構成によれば、スループットを低下させることなく、帯電分布を測定することが可能となるが、以下の問題がある。
【００１３】
先に説明したように、ホトマスクのような試料では、ＳＥＭによる測定の対象となるパターン面の裏面に、大きな帯電が付着する。そしてこの帯電分布は、ＳＥＭによる測定のために試料ホルダ等に、試料を置いたときに、はじめてパターン面側に現れる。特許文献２，３には、その搬送過程において、パターン面側の帯電を測定することについての説明があるが、このような構成では、試料ホルダ等に試料を配置したときに現れる帯電の状況を確認することはできず、結果、正確な帯電測定に基づく、装置条件（荷電粒子線のフォーカスや倍率等）調整を行うことができない。
【００１４】
本発明は、ホトマスクのような試料を測定対象とする荷電粒子線装置において、試料裏面に帯電が付着していたとしても、高精度に装置条件の調整を行い得る荷電粒子線の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するための一態様として、試料の搬送過程において、試料裏面の電位分布を測定し、その測定に基づいて、試料の除電の程度を制御、又は試料ホルダ等に試料を配置したときの試料表面の電位分布を推定、或いは計算する装置を提案する。
【発明の効果】
【００１６】
上記一態様によれば、ホトマスクのようなパターン面とは異なる面に大きな帯電が付着する試料であっても、高精度且つ高速に測定、或いは検査を行うことができる荷電粒子線装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を用いて、試料裏面に大きな帯電が付着する可能性のある試料を高速且つ高精度に測定，検査する装置について説明する。なお、以下の説明では、荷電粒子線装置の１つである走査電子顕微鏡を例にとって説明するが、これに限られることはなく、例えばイオンを試料に照射する集束イオンビーム（Focused Ion beam：ＦＩＢ）装置のような他の荷電粒子線装置に適用することも可能である。試料の帯電によって、フォーカスコンディション等の条件が変化する装置であれば、適用が可能である。
【００１８】
現在、スピンコーターによるレジスト塗布時の摩擦やプラズマを使用したエッチング処理などの半導体製造プロセスにおいて、ホトマスク表面が帯電する現象が明らかとなってきており、ホトマスクの表面に生成されたパターンの破壊を防止するため、その処理後に除電するなど帯電に対する管理が厳密になってきている。
【００１９】
しかし、ホトマスク用測長ＳＥＭで検査されるホトマスクは、表面を電子線描画装置等で描画されたクロム（Ｃｒ）の集積回路パターン、または、そのクロム（Ｃｒ）上に電子線描画装置等で描画されたレジストパターン（感光剤）で、その裏面は、通常絶縁物である石英（Ｑｚ）が母材となっており、パターン製造工程やホトマスクのハンドリング、収納状態により帯電していることがある。
【００２０】
ホトマスクの帯電量は、このハンドリング位置や収納状態などホトマスク支持接触する方法によって一定ではないが、そのホトマスクの裏面は、石英（Ｑｚ）が露出しているため、帯電位置はホトマスク周辺に分布する特徴を持っている。
【００２１】
このホトマスク裏面の帯電は、ホトマスクをホトマスク用測長ＳＥＭの試料台に搬送した時、石英（Ｑｚ）の分極によりホトマスク表面に反転した電荷が現れ、その影響により荷電粒子線のフォーカスずれや倍率変動の原因となり測長誤差の要因となっている。また、搬送前にイオナイザ等によりホトマスク裏面の除電をすることは可能であるが、帯電位置に特徴が有り、その帯電量も一定でないため、除電時間を最悪条件に合わせた時間にしなければならない。よって装置処理枚数の低下を招く。
【００２２】
なお、ホトマスク表面は、導電体であるクロム（Ｃｒ）が存在しその特徴を持つことが少なくホトマスク表面全体に帯電する傾向にある。また、表面のクロム（Ｃｒ）は、その生成の都合上ホトマスクの端面に若干廻り込んでいるため、ホトマスク端面を導電性の部材で接地することで瞬時に除電することが可能である。
【００２３】
以下に、ホトマスク用測長ＳＥＭに供給するホトマスクの最適な帯電量測定方法と荷電粒子線のフォーカスずれや倍率変動をあらかじめ低減、或いは無くすための装置を、測長ＳＥＭを例にとって説明する。
【００２４】
前記課題を解決するための手段は、ホトマスク用測長ＳＥＭにホトマスクを供給する試料搬送機構にホトマスク裏面且つ周辺部の帯電量が計測可能な位置に表面電位センサを設け、ホトマスク用測長ＳＥＭ本体の真空室内を移動する試料台にホトマスクを供給する前に、ホトマスク裏面且つ周辺部の帯電量を測定し、本試料搬送機構からホトマスクが供給された時のホトマスク表面の電位を予測し、その予測値が荷電粒子線のフォーカスずれや倍率変動の原因となり測長誤差の要因となる表面電位の閾値より大きい場合は、その表面電位センサの前段に設けたイオナイザ等の除電機能を利用し再度除電する機能を設けることである。
【００２５】
以上のような構成によれば、パターン製造工程やホトマスクのハンドリング、収納状態での帯電を原因とする荷電粒子線のフォーカスずれや倍率変動をあらかじめ低減、或いは無くすことが可能となるため、信頼性の高いホトマスク用測長ＳＥＭが実現可能となる。
【実施例１】
【００２６】
本実施例は、ホトマスク用測長ＳＥＭを例にとって説明するが、ホトマスクと同じような課題が生じる試料を測定するためのＳＥＭ等への適用も可能である。
【００２７】
図１にホトマスク上に形成されたパターンを測長する走査電子顕微鏡の全体構成を示す。ホトマスク用測長ＳＥＭは、荷電粒子の加速電圧，ホトマスクの情報，観察位置情報などをもとに、荷電粒子線を放出し偏向を行う荷電粒子光学系１と、ホトマスク２を保持する試料台３と、当該試料台を真空雰囲気内に保持すると共に、荷電粒子光学系１から放出される荷電粒子線（本例の場合、電子ビーム）下にて、ホトマスク２を包囲する試料室４と、電子ビーム光軸に対し、ホトマスク２を少なくとも垂直な方向に移動させるステージ５と、測定を行うホトマスク２を包囲する雰囲気の真空排気、或いは測定を終えたホトマスク２を包囲する雰囲気を大気開放するための真空ポンプ（図示せず）が取り付けられた予備室６と、試料室４と予備室６の間に設けられたゲートバルブ７と、予備室と大気側を区別するゲートバルブ８から構成されている。
【００２８】
なお、本例では予備室６と試料室４との間で、ホトマスク２を載せた試料台３を搬送する例について説明するが、これに限られることはなく、例えば試料台３等にホトマスク２を載せることなく、試料室４に搬送するようにしても良い。この場合、本例で言うところの試料台とはステージ５と同義とする。
【００２９】
また、ゲートバルブ８の大気側には、ホトマスク２を予備室６内の試料台３に搬送するための試料搬送機構９が配置されている。
【００３０】
試料搬送機構９は、一般的にホトマスク２を収納するマスクケース１０（保持機構）を開閉するオープナー１１と、ホトマスク２の向きを予備室６内の試料台３の向きと合わせるためのアライナ１２と、オープナー１１とアライナ１２と予備室６内の試料台３間のホトマスク２の搬送を行う搬送ロボット１３で構成されている。
【００３１】
搬送ロボット１３のホトマスク２を保持するロボットアーム１４は、ホトマスク２端面をクランプして保持する構造とし、材質は導電性の樹脂を使用し、ホトマスク２端面に一部回りこんでいる導電性のクロム（Ｃｒ）を接地除電している。また、図５に図示するように、ホトマスク２の表面の帯電を一様に除去するために、イオナイザ１５が、予備室６の直前にホトマスク２裏面にイオンが照射されるように配置されている。なお、パターン面にも帯電が付着する可能性があれば、表面用と裏面用の２以上のイオナイザを取り付けるようにしても良い。
【００３２】
ホトマスク２は、クリーンな環境を維持するためのマスクケース１０に常時保管され図３のようにマスクケース１０内で保持されている。そのホトマスク２は、オープナー１１にセットされマスクケース１０の蓋が開けられ搬送ロボット１３によってアライナ１２に搬送される。搬送されたホトマスク２は、アライナ１２で位置合わせをした後、再び搬送ロボット１３で予備室６内の試料台３に搬送される。次にゲートバルブ８が閉まり、予備室６の真空排気後ゲートバルブ７が開きホトマスク２を保持した状態で試料台３を試料室４内に搬送される。試料室４内では、パターン形成面が荷電粒子光学系１に相対するように配置されることになるため、ステージ５による移動によって、ホトマスク２の任意の個所が荷電粒子線下に位置づけられ、パターンの線幅等の測長が行われる。
【００３３】
本実施例では、試料搬送機構９のイオナイザ１５の近傍且つ予備室６との間の搬送ロボット１３の通過点であって、ホトマスク２の裏面且つ周辺部１０mm程度の範囲を計測することが出来るように表面電位センサ１６を２箇所配置する。表面電位センサ１６は、試料搬送機構９によるホトマスク２の搬送軌道外であって、ホトマスク２の搬送軌道の裏面側に近接して設けられている。この表面電位センサ１６の配置によりホトマスク２の縁部近傍の帯電量を検出することが可能となる。
【００３４】
本例では、縁部近傍が最も帯電量が高いため、本実施例の測定で裏面の最大帯電量が決まる。この最大帯電量から、試料台３にホトマスクが搬送された時のホトマスク表面の電位を実験的に求めておくことにより予測が可能となり、荷電粒子線のフォーカス補正や倍率補正が可能となってくる。また、ホトマスク２裏面の最大帯電量に見合った除電時間を設定し、ホトマスク２毎に帯電量に見合った除電時間を適用する。
【００３５】
本例では、ホトマスク２の縁部近傍以外は、ホトマスク２機能維持の観点から、他部材と接触することがないように構成している。その結果、接触部以外では、摩擦等に基づく帯電の発生を抑制している。ホトマスク等の試料では、縁部近傍（ホトマスクの搬送機構，保持機構、及び／又はＳＥＭによる測定，検査前の製造工程における他部材との接触部分，縁部近傍以外との接触を行う装置であれば、当該部分）にて、最も大きな帯電が検出されることが多い。本例ではこのような状況に鑑みて、搬送ロボット１３によるホトマスク２の縁部の移動軌道上の電位の測定が可能なように、表面電位センサ１６を配置している。
【００３６】
以上のような構成において、ホトマスク２をマスクケース１０から、ＳＥＭの試料台３まで搬送するプロセスを、図７のフローチャートに基づいて説明する。なお、図１の走査形電子顕微鏡には、図示しない制御装置が接続されており、図７にて説明する処理を自動的に実行するようなプログラムが記憶された記憶媒体を備えている。
【００３７】
まず、マスクケース１０に保管されたホトマスク２を測定対象とすべく、制御装置からの測定の指示に基づいて、オープナー１１によって、マスクケース１０が開放される（Ｓ０００１）。次に、搬送ロボット１３は、マスクケース１０からホトマスク２を取り出し、アライナ１２に搬送する（Ｓ０００２）。次に、アライナ１２は、ホトマスク２を試料台３に適正に載置するために、当該ホトマスク２の位置合わせを行う（Ｓ０００３）。次に、搬送ロボット１３は、位置合わせされたホトマスク２を、試料室に向かって搬送するが、その過程にて、イオナイザ１５上に、ホトマスク２を通過させる。この際、イオナイザ１５のスイッチはオンになっているため、通過の際にホトマスク２に蓄積された電荷の除電が行われる（Ｓ０００５）。
【００３８】
次に、除電を受けたホトマスク２は、表面電位センサ１６上を通過するように、移動するため、その過程にて、帯電量が計測される（Ｓ０００６）。計測された帯電量が閾値を超えているか否かが判断され（Ｓ０００７）、測定された帯電量が閾値以下であれば、試料台３にホトマスクを搬送（Ｓ００１１）し、帯電量が閾値を超えている場合には、当該計測された帯電量が所定の閾値を下回るようにイオナイザ１５による除電時間を設定（Ｓ０００８）し、再度ホトマスク２に対するイオナイザ１５による除電が行われる（Ｓ０００９）。
【００３９】
上述の例では、表面電位センサ１６を、ホトマスク２の進行方向に対してホトマスク２の表面（パターン面、或いはその裏面）方向に垂直な方向であって、ホトマスク２の端部を基点として１０mmの範囲の帯電量を計測可能なように配列されている。このように、表面電位センサ１６を端部近傍に選択的に配置する理由は、本例におけるホトマスク２の他部材との接触部分が、当該範囲にあるからである。
【００４０】
特に本例の場合、マスクケース１０内にてホトマスク２の端部を支持するような構成となっており、ホトマスク２の中で最も他部材と接触する可能性のあるのは上記範囲である。よって、当該範囲が最も帯電量が大きくなると推測できるため、当該範囲を選択的に測定できるように、ホトマスク２の移動軌道外であって、その端部が通過する軌道下に、２つの表面電位センサ１６を備えている。無論、ホトマスク２全体の帯電量測定を可能とするために、表面電位センサ１６を、ホトマスク２の進行方向に対し垂直な方向であって、ホトマスク２の面方向に、３つ以上の表面電位センサを配列するようにしても良い。但し、コストの観点、及び最も高い帯電量を示す個所が判明すれば良いという観点から、本例では最も高い帯電量を示す個所として想定される２箇所に、表面電位センサ１６を配置した。
【００４１】
なお、本例では、帯電が最も付着する個所として、ホトマスク２端部を例示したが、これに限られることはなく、例えば、他部材と接触する個所が別に存在するのであれば、当該個所の帯電量を選択的に検出できるように、表面電位センサ１６を配置するようにしても良い。また、他部材と接触する個所は、試料の搬送機構だけではなく、試料を保管するマスクケースの中や、或いは測長ＳＥＭによる測定工程の前の半導体製造工程における搬送機構や保持機構等との接触個所を測定対象とすることも可能である。更に測定対象位置の変化に併せて、表面電位センサ１６の位置を可動可能としても良い。
【００４２】
また、表面電位センサとして、ケルビン法（振動容量法）を応用した、いわゆるケルビンプローブを採用するようにしても良い。
【００４３】
ロボットアーム１４はホトマスク２を吊下げるために、ホトマスク２の下部（裏面）に接触し、ロボットアーム１４に支持される吊下げ部を備えている。この吊下げ部は、ホトマスク２縁部近傍を部分的に支持すると共に、表面電位センサ１６による測定とイオナイザ１５による除電が円滑に行われるように、小さく形成されている。
【００４４】
上記除電によって、帯電量が所定の閾値以下となれば、荷電粒子光学系１による所定のフォーカスコンディションを基準とした所定のフォーカス変化によって、ジャストフォーカス点を見出すことが可能となる。なお、フォーカスの調整は、対物レンズへの励磁電流、或いは印加電圧、又は試料に印加される負電圧（以下、リターディング電圧とする）を調整することによって、行う。当該フォーカスの変化量は、検出された最大帯電量に応じて変化させるようにしても良い。以上のように、試料裏面の電位量測定によって、試料表面のフォーカス調整を行うことで、試料裏面の帯電の存在によらず、高速且つ高精度にフォーカス調整を行うことが可能となる。
【実施例２】
【００４５】
本実施例では、試料裏面に発生する帯電量に応じて、試料表面に現れる帯電量を予測し、当該予測値に基づいて、フォーカス調整を行う例を説明する。実施例１にて説明した試料裏面に付着する帯電の影響は、試料を試料台に配置したときに、試料表側に現れる。一例として、試料裏面の帯電の分布が、試料表面に鏡対称となって現れることがある。本実施例では、そのような帯電の存在によらず、高速且つ高精度にフォーカス調整を行う例を説明する。なお、本例では、試料裏面の帯電の二次元的な分布が測定可能なように、表面電位センサを試料の搬送方向に対して垂直な方向に３つ以上配列した構成を前提として説明する。
【００４６】
ホトマスク２を試料台３に配置したとき、ホトマスク２の表面（パターン側）に、電位分布が現れることがある。これは、ホトマスク２裏面に付着していた帯電に起因するものであるため、ホトマスク２裏面の電位測定結果に基づいて、表面に現れる電位分布を予測し、当該予測値に基づいて、フォーカス調整を行う。より具体的には、ホトマスク裏面にて取得された帯電量計測結果から、図４に図示するような電位マップを作成し、当該マップに基づいて、フォーカスコンディションを調整する。図４に図示する電位マップは、５つの表面電位センサｐ１〜ｐ５を用いて、ホトマスク２の裏面を測定し、その後、各測定点間を補間するように関数近似を行うことによって作成されたものである。なお、５つの表面電位センサは、ホトマスク２の搬送方向（図２の進行方向）に垂直な方向であって、パターン面に平行な方向に配列されている。
【００４７】
次に、このようにして形成された帯電マップは、ホトマスク２の裏面のものであるので、表面の電位分布とすべく、本例の場合、所定の係数を乗算して、表面の各点の電位量とする。より具体的には、ホトマスク２裏面の或る点の電位（帯電量）が、Ｖｂであった場合、表面の電位量Ｖａを、
Ｖａ＝ｋ・Ｖｂ［Ｖ］      （１）
にて計算する。係数ｋは、試料の厚さ，材質，測定点の位置，測定環境，パターンの配列の状態等によって調整が可能な値である。試料表面の電位分布が、試料裏面のそれと比べて減衰している場合、ｋは１.０より小さな値となる。このような係数は実験的に、或いはシュミレーションによって求められる。また、調整後の各位置の電位量に基づいて、上記関数近似を行うようにしても良い。
【００４８】
リターディング電圧の調整によって、フォーカス調整を行う場合、決定された試料表面の電位量Ｖａを、所定のリターディング電圧Ｖｒに重畳すると共に、当該重畳された電圧を基準として、リターディング電圧を所定値変化させ、ジャストフォーカス点を見出すようにする。
【００４９】
以上のような構成によれば、試料裏面の帯電の存在によらず、高速且つ高精度にフォーカス調整を行うことが可能となる。
【００５０】
なお、これまでの説明では帯電の予測に基づいてフォーカス調整を行う例について説明したが、校正の対象を倍率とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】ホトマスク用測長ＳＥＭの構成図である。
【図２】ホトマスク用測長ＳＥＭの搬送経路を示す図である。
【図３】ホトマスクの収納状態図である。
【図４】収納時に帯電したホトマスク裏面の帯電状態を示す図である。
【図５】ホトマスク裏面の帯電量を測定する方法を示す図である。
【図６】表面電位センサの配置図である。
【図７】本実施例のホトマスク搬送フロー図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  荷電粒子光学系
２  ホトマスク
３  試料台
４  試料室
５  ステージ
６  予備室
７，８  ゲートバルブ
９  試料搬送機構
１０  マスクケース
１１  オープナー
１２  アライナ
１３  搬送ロボット
１４  ロボットアーム
１５  イオナイザ
１６  表面電位センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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