(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの裏面を研削して半導体ウェーハを所定の厚さに仕上げる裏面研削工程と、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートを切削してこの半導体ウェーハを半導体チップに分割する工程と、を少なくとも含む半導体チップの製造方法であって、
前記裏面研削工程の前に、半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成する裏面切削溝形成工程が含まれ、
前記裏面切削溝形成工程において形成される切削溝は、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートに対応する領域に形成されると共に、所定の厚さに仕上げられる半導体ウェーハの裏面に僅かに食い込む程度に形成される
半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記裏面切削溝形成工程において形成される切削溝の幅は、分割工程において形成される切削溝よりも広く形成される請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップの製造方法であって、特に半導体ウェーハの裏面に面焼けを生じることなく裏面研削ができると共に、ダイシングにおいて裏面チッピングを生じることのない半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップは、複数の回路が形成された半導体ウェーハがその回路毎にダイシングされて形成されるが、放熱性を良くするために又はスマートカード、携帯電話、パソコン等の薄型化・軽量化のために、半導体ウェーハはダイシングに先立ちその裏面が研削ホイールによって所定の厚さに研削される。即ち、半導体ウェーハは、研削装置のチャックテーブルに裏面を表にして載置され、研削水の供給の下で研削ホイールによって裏面が研削され、所定の厚さに形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体ウェーハの裏面研削は、半導体ウェーハの裏面に研削ホイールを密着させて遂行するため密着面に研削水が充分供給されず、半導体ウェーハの裏面に面焼けが生じて品質の低下を招くという問題がある。
又、半導体ウェーハの裏面と研削ホイールとの密着面で発生した研削屑は、研削水の供給が不十分であると排出が良好に行われず、研削能力が低下して生産性が低下するという問題がある。更に、半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシングにおいて、切削ブレードの衝撃力が半導体ウェーハの裏面に細かな欠け（チッピング）を生じさせ、品質の低下を招くという問題もある。
従って、半導体ウェーハの裏面研削において、面焼けが生じないと共に研削屑の排出が良好で、品質の良い半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法を提供することに解決すべき課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するための具体的手段として、本発明は、半導体ウェーハの裏面を研削して半導体ウェーハを所定の厚さに仕上げる裏面研削工程と、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートを切削してこの半導体ウェーハを半導体チップに分割する工程と、を少なくとも含む半導体チップの製造方法であって、前記裏面研削工程の前に、半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成する裏面切削溝形成工程が含まれ、前記裏面切削溝形成工程において形成される切削溝は、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートに対応する領域に形成されると共に、所定の厚さに仕上げられる半導体ウェーハの裏面に僅かに食い込む程度に形成される半導体チップの製造方法を要旨とする。又、この半導体チップの製造方法において、前記裏面切削溝形成工程において形成される切削溝の幅は、分割工程において形成される切削溝よりも広く形成されること、を特徴とするものである。
【０００５】
本発明は、半導体ウェーハの裏面研削に先立ち、半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成するので、研削水が半導体ウェーハと砥石との密着面に円滑に供給されるようになり、研削面に面焼けを生じることなく円滑に研削することができる。
又、半導体ウェーハと砥石との密着面で発生した研削屑は、研削水の円滑な供給によって良好に排出される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る半導体チップの製造方法について、その実施形態を示す添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明方法に使用する切削装置１であり、この切削装置１によって先ず半導体ウェーハＷの裏面に切削溝を形成する裏面切削溝形成工程を行う。
【０００７】
半導体ウェーハＷは、図２（ａ）のように表面に多数のＩＣ等の回路Ｃが配設され、裏面は図２（ｂ）のように平面となっており、この裏面に図２（ｃ）、（ｄ）のように切削溝Ｍが、回路Ｃ間のストリートＳにそれぞれ対応する位置に所定の深さで切削される。
【０００８】
この裏面切削溝形成工程について説明すると、先ず前記切削装置１の上下動するカセット載置領域Ａ上に複数枚の半導体ウェーハＷを収容したカセット２が載置され、前後動する搬出入手段３によりカセット２内から半導体ウェーハＷを取り出すと共に、半導体ウェーハＷの裏面を上にして待機領域Ｂに搬送する。
【０００９】
次いで、旋回アームを有する搬送手段４で待機領域Ｂ上の半導体ウェーハＷを吸着してチャックテーブル５の上に搬送し、このチャックテーブル５に半導体ウェーハＷを保持させる。
【００１０】
チャックテーブル５は、左右動する移動テーブル（図略）に回転可能に支持され、移動テーブルの移動によってアライメント手段６の下に位置付けられて半導体ウェーハＷのアライメント工程がなされる。アライメント手段６には、図示は省略したが赤外線を感知する赤外線ＣＣＤカメラと、可視光線を感知する可視光線ＣＣＤカメラとが含まれており、いずれかのＣＣＤカメラを適宜選択できる構成となっている。
【００１１】
裏面切削溝形成工程においては、前記のように半導体ウェーハＷの表面に形成されたストリートＳに対応する位置に切削溝Ｍを形成する必要があるため、アライメント手段６において赤外線ＣＣＤカメラが選択される。そして、裏面を上にしてチャックテーブル５に保持された半導体ウェーハＷは、裏面側からストリートＳが検出されて切削手段７の切削ブレード８と、ストリートＳに対応するカットラインの位置とが合致するように位置合わせされる。
【００１２】
その後、チャックテーブル５に保持された半導体ウェーハＷは、切削ブレード８を回転可能に支持した切削手段７まで移動され、その切削ブレード８によって半導体ウェーハＷの裏面には所定の深さの切削溝Ｍが全てのストリートＳに対応して形成される。切削溝Ｍの深さは、切削手段７を上下動させ切削ブレード８の切り込み量を調整することで設定することが可能であり、好ましくは後の研削工程で所定の厚さに仕上げられる半導体ウェーハの裏面に僅かに食い込む程度の深さとする。
【００１３】
裏面に切削溝Ｍが形成された半導体ウェーハＷは、移動手段９により吸着されてチャックテーブル５から洗浄手段１０に搬入され、ここで洗浄及び乾燥された後前記搬送手段４により待機領域Ｂに戻され、更に搬出入手段３によってカセット２に収容される。
【００１４】
このようにして本発明方法では、半導体ウェーハＷの裏面研削の前に、半導体ウェーハＷの裏面に切削溝Ｍを形成する裏面切削溝形成工程が行われるのである。
次に、切削溝形成済みの半導体ウェーハＷの研削工程について説明すると、図３に示すような研削装置１１を用いてその研削ホイール１２により半導体ウェーハＷの裏面を研削する。
【００１５】
半導体ウェーハＷは、切削溝Ｍの形成された裏面を上にしてチャックテーブル１３に保持され、このチャックテーブル１３はターンテーブル１４に所定の間隔をあけて複数個回転可能に支持されており、ターンテーブル１４を回転することで半導体ウェーハＷが前記研削ホイール１２の下に位置付けられる。
【００１６】
研削ホイール１２は、基台１１ａに対して上下動可能に支持され、下端部には砥石１２ａが装着されており、この砥石１２ａを回転させ半導体ウェーハＷの上（裏面）に押し付けて研削する。研削時には、半導体ウェーハＷに研削水が供給され、その供給の下で半導体ウェーハＷは所定の厚さになるまで研削される。
【００１７】
この場合、半導体ウェーハＷの裏面には切削溝Ｍが形成されているため、研削水が半導体ウェーハＷと研削ホイール１２の砥石１２ａとの密着面に円滑に供給されるようになり、研削面に面焼けを生じることなく円滑に研削が遂行される。又、半導体ウェーハＷと砥石１２ａとの密着面で発生した研削屑は、研削水の円滑な供給によって良好に排出され、研削能力が向上する。
【００１８】
図４（ａ）は研削前、（ｂ）は研削後の状態を示すもので、前記裏面切削溝形成工程において形成された切削溝Ｍは、研削後にも半導体ウェーハＷの裏面に僅かに残るようにする。図中、Ｔは半導体ウェーハＷの表面に貼られた保護テープであり、前記回路Ｃを被覆保護している。
【００１９】
この半導体ウェーハＷの裏面研削工程後に分割工程がなされる。この分割工程は、前記切削装置１を用いて半導体ウェーハＷの表面をストリートＳに沿って切削することで遂行される。分割工程に入る前に、裏面研削済みの半導体ウェーハＷの表面から前記保護テープＴが剥離され、図５（ａ）のように半導体ウェーハＷの裏面は粘着テープＲを介してフレームＦに配設される。
【００２０】
フレームＦに配設された裏面研削済みの半導体ウェーハＷは、前記裏面切削溝形成工程の場合と同様にカセット２内に複数枚収容されると共に、このカセット２が切削装置１のカセット載置領域Ａ上に載置され、搬出入手段３によりカセット２内から取り出されて待機領域Ｂに搬送される。
【００２１】
待機領域Ｂ上の半導体ウェーハＷは、前記搬送手段４により吸着されてチャックテーブル５まで搬送され、そのチャックテーブル５上に吸引保持される。この後、チャックテーブル５を移動して半導体ウェーハＷをアライメント手段６に位置付け、アライメント工程がなされる。この場合、アライメント手段６のＣＣＤカメラは可視光線ＣＣＤカメラが選択され、半導体ウェーハＷの回路Ｃ面が撮像され、且つストリートＳが検出されて切削手段７の切削ブレード８とストリートＳとの位置合わせが行われる。
【００２２】
アライメント後、半導体ウェーハＷを保持したチャックテーブル５は切削手段７まで移動して、全てのストリートＳが切削ブレード８によって切削されて個々のチップＤに分割される。
【００２３】
この分割工程において、切削ブレード８は前記裏面切削溝形成工程で使用される切削ブレードの厚みよりも薄いものが用いられ、その切削溝Ｎ（分割溝）の幅は前記裏面切削溝Ｍの幅より狭くなる。又、図６（ｂ）のように切削ブレード８の切り込み深さは、半導体ウェーハＷの裏面に形成された切削溝Ｍの底に達すれば良いので、半導体ウェーハＷの厚さより浅くすることができる。この結果、半導体ウェーハＷの裏面には衝撃が伝播されず、裏面ピッチングが生じない。更に、粘着テープＲの粘着剤が切削ブレード８に付着しないため、切削ブレード８の寿命が向上する。図６（ａ）は分割後の半導体ウェーハＷの状態を示す。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、半導体ウェーハの裏面研削に先立ち、半導体ウェーハの裏面に切削溝を形成したので、研削水が半導体ウェーハと砥石との密着面に円滑に供給されるようになり、研削面に面焼けを生じることなく円滑に研削を遂行することができる。そして、半導体ウェーハと砥石との密着面で発生した研削屑は、研削水の円滑な供給によって良好に排出されることから研削能力が向上する。又、半導体ウェーハの裏面に形成する切削溝をストリートに対応させて形成すると共に、所定の厚さに仕上げられる半導体ウェーハの裏面に僅かに食い込む程度に形成すると、分割工程においてストリートを切削する切削ブレードの切り込み深さは、半導体ウェーハの全厚さに及ぶ必要はなく、裏面に形成された切削溝の底に達する程度の切り込み深さで良く、半導体ウェーハの裏面に与える切削ブレードの衝撃力が緩和されて裏面チッピングが減少すると共に、切削ブレードが粘着テープに到達しないので切削ブレードに粘着剤のまつわりがなく、切削ブレードの寿命が向上する。更に、半導体ウェーハの裏面に形成する切削溝の幅を比較的厚い切削ブレードで広く形成し、分割工程では比較的薄い切削ブレードを使用することで、分割工程において切削ブレードが裏面に形成された切削溝の底に到達した時点で切削ブレードの衝撃力が緩和され、裏面チッピングが一層減少することから半導体チップの品質を著しく向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に使用する切削装置の全体斜視図
【図２】（ａ）は半導体ウェーハの表面図、（ｂ）は半導体ウェーハの裏面図、（ｃ）は切削溝が形成された半導体ウェーハの裏面図、（ｄ）は切削溝部分の拡大断面図
【図３】本発明の実施に使用する研削装置の要部斜視図
【図４】（ａ）は研削前での半導体ウェーハの一部拡大断面図、（ｂ）は研削後での半導体ウェーハの一部拡大断面図
【図５】（ａ）は分割前での半導体ウェーハの表面図、（ｂ）はその一部拡大断面図
【図６】（ａ）は分割後での半導体ウェーハの表面図、（ｂ）はその一部拡大断面図
【符号の説明】
１…切削装置
２…カセット
３…搬出入手段
４…搬送手段
５…チャックテーブル
６…アライメント手段
７…切削手段
８…切削ブレード
９…移動手段
１０…洗浄手段
１１…研削装置
１２…研削ホイール
１３…チャックテーブル
１４…ターンテーブル
Ｗ…半導体ウェーハ
Ｍ…切削溝
Ｓ…ストリート
【図１】
0004687838.tif 000002
【図２】
0004687838.tif 000003
【図３】
0004687838.tif 000004
【図４】
0004687838.tif 000005
【図５】
0004687838.tif 000006
【図６】
0004687838.tif 000007