(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の化合物半導体で構成され、且つ、該第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体で構成された複数の量子リングが表面に形成された、偏光素子の作製に適用するための半導体基板であって、
前記各量子リングはアスペクト比が２以上５以下の略楕円形状を有し、前記複数の量子リングは略同一方向に延在している、半導体基板。
【請求項２】
前記第１の化合物半導体がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である、請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
前記第１の化合物半導体がＧａＡｓである、請求項１に記載の半導体基板。
【請求項４】
前記第２の化合物半導体がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体基板。
【請求項５】
前記第２の化合物半導体がＧａＳｂである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板に関するものであり、特に偏光素子の作製に適用するための半導体基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、金属や半導体を用いた極微細低次元構造である量子ドットに関する研究が盛んに行われている。このような研究は、電子や正孔を極微細な３次元空間に閉じ込めたときに発現する量子効果を利用し、これまでにない優れた性能を持つデバイスを実現しようというものであり、近年のナノテクノロジーの急速な進展に伴って益々注目を集めている。３次元量子閉じ込め構造である「量子ドット」の概念は、荒川と榊の提案により初めて示された（下記非特許文献１参照）。ただし提案当時の研究状況では、理論的予測の域を出ておらず、デバイスの実現は困難であると考えられていた。しかし現在では、微細構造化に関するめざましい技術革新のおかげで、ＥＢ露光やＸ線露光を用いた微細加工、加工基板上への選択成長、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法における３次元島状成長による自己形成など、いくつもの方法により量子ドットを形成することが可能となった。
【０００３】
ところが、上で挙げた方法のうち、露光技術を用いた微細加工で量子ドットを形成する方法においては、加工損傷を回避することが困難であるため、加工後の成長界面の状態が悪いという問題があった。このような加工損傷は特性劣化の原因となるため、多くの加工損傷を有する基板においては、様々な量子効果特性を精度良く評価することが困難であった。また、選択成長で量子ドットを形成する方法においては、加工工程が極めて複雑であるため、量子ドットの作製に多大な手間と時間を要するという問題があった。
【０００４】
そのため、ＭＢＥ法を用いた自己形成で量子ドットを形成する方法が、現在主流となりつつある。なぜなら、この方法を用いることで、加工損傷のほとんど無い高品質な量子ドットを、比較的容易に形成することが可能であるからである。この自己形成法は、例えばＹ．Ｓｕｇｉｙａｍａらが下記非特許文献２において示している。すなわち、ＧａＡｓ基板とＩｎＡｓとの間の格子不整合（約７．１％）に起因する３次元島状成長機構を利用して、ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ量子ドットを形成する。なおこの量子ドットの形状は、直径が数十ｎｍ程度の半球レンズ状であることが、原子間力顕微鏡等での観察により直接的に確認されおり、基板にランダムに発生している量子ドットの面密度は１０１０ｃｍ−２程度である。
【０００５】
また、ＧａＡｓ基板上に自己形成されたリング状のＩｎＡｓ量子ドットについては、Ａ．Ｌｏｒｋｅらが下記非特許文献３において示している。この文献によれば、まず従来方法によってＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ量子ドットを形成し、その量子ドットをドット高さと同程度の薄いＧａＡｓ層で覆った後に熱処理することで、ＩｎＡｓが拡散してドット頭頂部が陥没したカルデラ状の量子ドットが形成される。
【０００６】
【非特許文献１】Y.Arakawa and H.Sakaki, "Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current", Appl.Phys.Lett., Vol．４０, １９８２, pp．９３９
【非特許文献２】Y.Sugiyama et al, "Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dots on (００１) GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy", Jpn.J.Appl.Phys., Vol．３５, １９９６, pp．１３２０
【非特許文献３】A.Lorke et al, "Spectroscopy of Nanoscopic Semiconductor Rings", Phys．Rev．Lett．, Vol．８４, ２０００, pp．２２２３
【非特許文献４】K.Suzuki et al, "Density Control of GaSb/GaAs Self-assembled Quantum Dots (-25nm) Grown by Molecular Beam Epitaxy", Jpn.J.Appl.Phys., Ｖｏｌ．３７,Part 2, １９９８, pp．２０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したような基板に関しては、実際のデバイスへの応用に関する研究が未だ不十分である。発明者らは、鋭意研究の末、特定デバイスの作製に好適な基板を作製することに成功した。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、デバイスの作製に好適な半導体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体基板は、第１の化合物半導体で構成され、且つ、該第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体で構成された複数の量子リングが表面に形成された半導体基板であって、各量子リングはアスペクト比が２以上５以下の略楕円形状を有し、複数の量子リングは略同一方向に延在していることを特徴とする。
【００１０】
この半導体基板の基板は、第１の化合物半導体で構成されている。そして、その表面には、第２の化合物半導体で構成された、アスペクト比が２以上５以下である略楕円形状の量子リングが複数形成されている。そして、これら複数の量子リングは略同一方向に沿って延在している。この半導体基板の表面に光を照射した場合、その照射光の偏光のうち、量子リングの延在方向である楕円の長軸方向に平行な偏光は反射され、短軸方向に平行な偏光は透過する。すなわち、この半導体基板は、量子リングが延在する方向の偏光成分を反射し、その偏光成分に垂直な偏光成分のみを透過する分離機能を有する。なお、アスペクト比が１に近い略真円形状の量子リングを有する従来の半導体基板では、このような偏光成分の分離を実現することができない。従って、本発明に係る半導体基板は、従来の半導体基板では困難であった、一方の偏光のみを選択的に透過する偏光デバイスへの応用に好適なものである。なお、本発明における「量子リング」とは、リング形状を有する量子ドットを示すものであり、頂部が陥没したカルデラ状の量子ドットや平坦面から隆起した壁状の量子ドットを含むものとする。
【００１１】
また、第１の化合物半導体がＧａＡｓを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であることが好ましい。
【００１２】
また、第２の化合物半導体がＧａＳｂを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、デバイスの作製に好適な半導体基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明に係る半導体基板を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１５】
まず本実施形態に係る半導体基板を作製する手順について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体基板を作製する手順を示した図である。図１（ａ）に示すように、表面１０ａに（１００）面が露出している、ＧａＡｓ（第１の化合物半導体）で構成された単結晶基板１０を準備し、この単結晶基板１０を固体ソース分子線エピタキシ装置（図示せず）内に装填する。そして基板温度５６０℃の条件下で、単結晶基板１０の表面１０ａにＧａＡｓバッファ層１２を１００ｎｍ程度成長させる（図１（ｂ）参照）。続いて、基板温度を４５０℃まで降温した後、ＧａＳｂ（第２の化合物半導体）を３．５ＭＬ(分子層)成長させる。このＧａＳｂの成長条件として、Ｖ／ＩＩＩ比１０、成長速度０．２８ＭＬ／ｓｅｃが選択される。ＧａＡｓとＧａＳｂとの間には約７．８％もの大きな格子不整合があるため、ＧａＡｓの単結晶基板１０上にＧａＳｂを成長させた場合、ＧａＳｂは島状に３次元成長する。すなわち、上述した所定条件の下でＧａＳｂを３次元成長させることで、単結晶基板１０上に量子ドット１４が形成される（図１（ｃ）参照）。以上で、本発明の実施形態に係る半導体基板１６の作製が完了する。
【００１６】
単結晶基板１０上にＧａＳｂを成長する際、その成長の様子を反射高エネルギ電子線回折（ＲＨＥＥＤ）法を用いて観察した。その結果、ＧａＳｂが１．６〜１．７ＭＬだけ成長したところで、ＲＨＥＥＤパターンが線状パターンから点状パターンへと変化することが確認できた。このようなパターンの変化は、１．６〜１．７ＭＬ程度まで結晶表面の平坦性を維持しつつ２次元モードで成長を続けていたＧａＳｂが、その後３次元成長モードへと遷移したことを示している。このように３次元成長モードに遷移して成長したＧａＳｂの断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定した。その結果を図２に示す。図２は、基板１０上に成長したＧａＳｂの断面形状を示したグラフである。このグラフの横軸は所定位置からの距離（ｎｍ）を示しており、縦軸は最低地点からの高さ（ｎｍ）を示している。この図２から、単結晶基板１０上に成長しているＧａＳｂは、バンプ形状の量子ドットではなく、バンプ形状の頂部が窪んだ形状（クレーター状）である、リング状の量子ドット（量子リング）となっていると推測される。
【００１７】
そこで、原子間力顕微鏡による表面形状観察で直接的に観察した結果、単結晶基板１０上のＧａＳｂは確かに楕円状の量子リングとなっており、いずれも同一方向に延在していることが確認された（図１（ｃ）参照）。そして、これらの量子リング１４の延在方向をＸ線回折装置で調べたところ、その延在方向は単結晶基板１０における＜０１１＞方向であることが確認された。
【００１８】
この量子リング１４の寸法形状について、図３を参照しつつ説明する。図３は、量子リングの概略拡大図である。図３に示すように、量子リング１４の線幅は約９ｎｍである。そして、量子リング１４の長軸方向であり、且つ延在方向である＜０１１＞方向に関する長さは約２００ｎｍであり、その＜０１１＞方向に対して垂直な方向（すなわち、短軸方向）に関する長さは約５０ｎｍである。すなわち、量子リング１４の延在方向（＜０１１＞方向）に関する長さと、その延在方向に対して垂直な方向に関する長さとの比率（アスペクト比）はおよそ４となっている。また、量子リング１４の高さは約２．６ｎｍである。
【００１９】
ここで、上記非特許文献４に代表されるような従来技術においては、量子ドットは成長速度が０．１ＭＬ／ｓｅｃ、Ｖ／ＩＩＩ比が５程度である成長条件で形成される。基板上にＩｎＡｓを成長させる場合も、多くの場合において成長速度は０．１ＭＬ／ｓｅｃ程度であり、特に、発光素子の活性層等に量子ドットを形成する場合には、高品質、高密度な量子ドットを形成するため、その成長速度は０．０１ＭＬ／ｓｅｃ以下とすることが多い。このような低い成長速度あるいは低いＶ／ＩＩＩ比の成長条件で形成された、従来技術に係る量子ドットは、一般にバンプ状（扁平な球状）になることが知られており、リング状になることは確認されていない。ところが発明者らは、上述した方法により単結晶基板１０上にＧａＳｂを成長させることで、ＧａＳｂが楕円形状の量子リング１４になることを新たに見出した。
【００２０】
バンプ状の量子ドットをリング状の量子ドットに成形することは可能であるが、このような成形には熱処理等の面倒な処理が必要であるため、製造時間の延長や製造コストの増大を招いてしまう。一方、本実施形態に係る方法で量子リングを形成する場合には、そのような面倒な処理をする必要がないため、製造時間の短縮及び製造コストの削減が図られる。
【００２１】
以上で説明したように、ＭＢＥ装置を用いた上述の自己形成法によれば、複雑で高度なリソグラフィ技術や熱処理工程を特に必要とすることなく、ＧａＡｓ基板上にサブミクロンオーダの周期的配列構造を有するＳｂ系化合物を容易に形成することができる。
【００２２】
なお、量子リング１４を作製するために単結晶基板１０上に積層する材料は、ＧａＳｂ等のＳｂ系化合物半導体であることが好ましい。なぜならば、ＧａＳｂが３次元島状に成長するモードにおいては、通常、ＧａＡｓとＧａＳｂとの間の格子不整合に起因する歪みエネルギは島の体積に比例して蓄積される。そして歪みエネルギがある臨界点に達すると、転位が発生して歪みエネルギは大きく緩和され、ＧａＳｂの成長モードが２次元成長モードへと遷移する。すなわち、転位の発生による格子緩和の進行速度が量子ドットの形状を決定する上での一要素となる。そして、Ｓｂ系化合物半導体は、格子緩和の進行速度が速く、比較的早い段階で量子ドットの成長モードが３次元島状成長モードから２次元成長モードへと遷移するため、量子ドットはリング状になりやすい。一方、Ａｓ系化合物半導体等の材料は、Ｓｂ系化合物に比べてその格子緩和の進行速度が遅く、３次元島状成長が持続するため、量子ドットはバンプ状（半球レンズ状）となりやすい。
【００２３】
また、上述した量子リングが複数段形成された半導体基板を作製することも可能である。すなわち、量子リング１４が形成された半導体基板１６上に、上述した方法と同様の方法により、量子リング１４の高さと同程度以上の厚さのＧａＡｓバッファ層を積層すると共にこの上にＧａＳｂを成長させることで、このＧａＡｓバッファ層上に量子リング１４と同様の量子リングを形成することができる。このように複数段に量子リングを形成することで、半導体基板１６の偏光度を変化させることができる。
【００２４】
次に、上述した半導体基板１６を用いて作製された偏光素子（偏光ビームスプリッタ）について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本発明の実施形態に係る偏光素子を示した概略断面図である。図４に示す偏光素子１８は、半導体基板１６を所定サイズにチップ化して作製されたものである。
【００２５】
偏光素子１８においては、量子リング１４の延在方向は図４に紙面に対して垂直な方向であり、複数の量子リング１４が断面に沿って周期的に並んでいる。
【００２６】
この偏光素子１８の量子リング１４が形成された面１８ａに対して、波長範囲が０．８７〜１．７μｍである光を照射すると、照射光のうち、量子リング１４の延在方向の偏光成分（図４の矢印Ａ参照）は反射され、量子リング１４の延在方向に対して垂直な方向の偏光成分（図４の矢印Ｂ参照）は透過される。すなわち、この偏光素子１８によれば、近赤外領域である０．８７〜１．７μｍの波長の光の偏光成分を分離することができる。すなわち、偏光素子１８は、近赤外領域の通信波長帯のレーザを光源として用いることが可能である。なお、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギ以上である波長０．８７μｍ以下の光を照射した場合は、その照射光はＧａＡｓ単結晶基板１０に吸収される。一方、ＧａＳｂのバンドギャップエネルギ以下である波長１．７μｍ以上の光を照射した場合は、その照射光はＧａＡｓ単結晶基板１０及び量子リング１４を透過する。
【００２７】
またこのような偏光素子１８は、既存の近赤外半導体レーザや光導波路構造と一体的に形成することができるため、デバイスユニットの大幅な小型化及び低コスト化が実現可能である。上述した偏光素子１８に用いる半導体基板１６は、自己形成法を用いて比較的容易に量子ドットを形成することができ、積層化も容易である。そのため、半導体基板１６を用いて作製される偏光素子１８は、偏光度の向上を容易に図ることができる。
【００２８】
さらに、量子力学の基本的な性質を直接応用してこれまでとは異なる通信や情報処理を行う量子計算機は、一般に二つの状態の量子力学的な重ね合わせをとる量子ビット、コヒーレントに重ね合わせ状態を変化させる回転ゲート、量子ビット間の量子相関を変化させる制御ノットゲートから構成されている。この量子計算機においては、光学素子によって回路が構成され、光子の偏光が利用される。そのため、偏光素子１８を用いて、光源や導波路と組み合わせた一体型ハイブリット素子を形成し、このハイブリッド素子を量子計算機の回路に利用することにより、計算機システムの小型化及び低コスト化を図ることができる。また、偏光素子１８は、偏光度に優れ、簡便、小型な近赤外領域で動作する素子として利用することが可能である。
【００２９】
以上で詳細に説明したように、半導体基板１６の基板表面には複数の量子リング１４が略同一方向に沿って延在しており、この基板表面に光を照射した場合には、その照射光の偏光のうち、量子リング１４の延在方向の偏光は反射され、量子リング１４の延在方向に対して垂直な方向の偏光は透過する。すなわち、この半導体基板１６は、一方の偏光のみを選択的に透過する偏光素子１８への応用に好適なものとなっている。
【００３０】
なお、量子リング１４のアスペクト比は２以上５以下の範囲から選択する。すなわち、量子リング１４のアスペクト比が１以上２未満であるような、略真円形状の量子リングでは、偏光成分の分離を実現することが困難であるため、作製された偏光素子が十分に機能しない。また、量子リング１４のアスペクト比を５より大きくしようとすると、単結晶基板１０上に多量のＧａＳｂを堆積させる必要が生じる。この堆積量の増加は量子リング１４の大型化に伴う偏光能力の低下を招くため、アスペクト比が５より大きい量子リング１４を備える偏光素子では必要十分な偏光分離を実現することが困難である。
【００３１】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、量子リングの形状は、楕円形に限定されず、扁平楕円、４つの角部分が曲線となっている長方形状等であってもよい。また量子リングのアスペクト比は、４に限定されず、２以上５以下の範囲で適宜変更することができる。さらに、複数の量子リングは、実質的に同一方向に延在していれば、互いの延在方向に多少の傾きズレがあってもよい。
【００３２】
また、上述した実施形態では量子リングがＧａＳｂで構成される場合について示したが、量子リングを構成する化合物半導体は、例えば、ＩｎやＡｌを含む２元混晶や３元混晶のＳｂ系化合物半導体半導体などであってもよい。さらに、単結晶基板の構成材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のＧａＡｓに限定されず、その他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体やそれ以外の化合物半導体から適宜選択してもよい。固体ソースのＭＢＥ装置での成長方法のみを示したが、ガスソースを用いたＭＢＥ装置を用いる成長方法で量子リングを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体基板を作製する手順を示した図である。
【図２】基板上に成長したＧａＳｂの断面形状を示したグラフである。
【図３】量子リングの概略拡大図である。
【図４】本発明の実施形態に係る偏光素子を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０…単結晶基板、１４…量子リング、１６…半導体基板、１８…偏光素子。
【図１】
0004824270.tif 000002
【図２】
0004824270.tif 000003
【図３】
0004824270.tif 000004
【図４】
0004824270.tif 000005