(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティにコンデンサが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記コンデンサと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
前記コンデンサは、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されており、
前記基板は、キャビティを穿設した基板であり、
前記コンデンサの前記粗面は、前記基板に形成されたキャビティの内壁面に接着されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記粗面の平均粗度（Ｒｊ）は、０．０１〜５μｍである請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記粗面は、エンボス加工、研磨処理、酸や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還元処理、エッチング処理のいずれかにより形成されている請求項１または２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
コンデンサの前記粗面は、接着剤を介して前記キャビティの内壁面に接着されている請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に実装するコンデンサおよび多層プリント配線板に関し、特に、多層プリント配線板に内蔵させるコンデンサ、および、該コンデンサを内蔵した多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パッケージ基板用のプリント配線板では、電源からＩＣチップの電源／アースまでのループインダクタンスを低減するために、チップコンデンサを表面実装していた。即ち、伝送損失となるループインダクタンスは、図１５（ａ）に示すＩＣチップ１９０の電源端子１９２Ｐからプリント配線板３００内の電源線を介して電源までの配線長および電源からプリント配線板３００内のアース線を介してＩＣチップ１９０のアース端子１９２Ｅ間での配線長に比例する。このため、図１５（ｂ）に示すように、プリント配線板３００にチップコンデンサ２００を表面実装し、電源とＩＣチップの電源端子／アース端子との間にチップコンデンサを介在させることで、ループインダクタンスを決定するループ長を図中の実線で示すように、短縮することができる。
【０００３】
しかしながら、ループインダクタンスのリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数が増加するのに伴って、上述の多層プリント配線板の表面にチップコンデンサを実装させても、ループインダクタンスを充分に低減することができなくなってきた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、電源からＩＣチップの電源／アースまでのループインダクタンスをより低減させるために、鋭意研究を行った結果、多層プリント配線板にコンデンサを内蔵させれば良いことを知見し、前に、コンデンサが内蔵または収納（以下、両者をあわせて単に内蔵ともいう）されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記電子部品と導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板を提案した。
このような多層プリント配線板では、ＩＣチップとコンデンサとの間の距離が、コンデンサを表面実装する場合に比べて短く、高周波数で駆動するＩＣチップを実装した場合でも、ループインダクタンスが充分に低い。
【０００５】
上記多層プリント配線板においては、基板にザクリ（凹部）、貫通孔等のコンデンサを内蔵するためのキャビティが設けられ、該キャビティ内に接着剤を介してコンデンサが取り付けられており、さらに、このコンデンサが内蔵された基板の両面には、層間樹脂絶縁層と導体回路とが形成され、コンデンサの接続端子と上層の導体回路、及び、層間樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間は、バイアホールを介して接続されている。
【０００６】
しかしながら、従来の多層プリント配線板実装用コンデンサは、表面実装を目的に製造されたものであり、通常、コンデンサの一面のみが多層プリント配線板表面に接触するものであり、コンデンサを基板に内蔵する使用形態が想定されたものではなかった。従って、コンデンサの表面全体の状態は均一ではなく、そのため、該コンデンサを基板に内蔵した際には、コンデンサの表面状態が不均一であることに起因して、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりするという問題があった。この場合、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりし、これが、多層プリント配線板の電気的接続性、信頼性を低下させる原因になっていた。
【０００７】
また、上記以外にコンデンサを基板中に埋め込む従来技術として、特開平６−３２６４７２号公報、特開平７−２６３６１９号公報、特開平１１−４５９５５号公報、特開平１１−１２６９７８号公報、特開平１−３１２８６８号公報等がある。
【０００８】
特開平６−３２６４７２号公報には、ガラスエポキシからなる樹脂基板にコンデンサを埋め込んだ発明が記載されており、このように基板にコンデンサを埋設することにより、電源のノイズが低減され、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要となり、基板のサイズを小さくすることができるという効果が得られることが記載されている。
【０００９】
また、特開平７−２６３６１９号公報には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込み、このコンデンサを電源層と接地層との間で接続した発明が記載されており、このように構成することで、配線の長さを短くすることができ、インダクタンスを低減させることができるという効果が得られることが記載されている。
【００１０】
しかしながら、これらの公報に記載されたコンデンサが埋設された基板においても、例えば、ヒートサイクルを１０００回繰り返す信頼性試験を行うと、電気特性の低下、基板や層間樹脂絶縁層におけるクラックの発生、コンデンサと基板や層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生等が起こるという問題があった。
【００１１】
本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、コンデンサ表面の少なくとも一部に粗面を形成することにより、コンデンサと接着剤との密着性が向上し、該コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりしにくくなることを見出し本発明を完成した。
【００１４】
即ち、本発明の多層プリント配線板は、キャビティにコンデンサが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記コンデンサは、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されており、
上記基板は、キャビティを穿設した基板であり、
上記コンデンサの上記粗面は、上記基板に形成されたキャビティの内壁面に接着されていることを特徴とする。
また、上記粗面の平均粗度（Ｒｊ）は、０．０１〜５μｍであることが望ましい。
また、上記粗面は、エンボス加工、研磨処理、酸や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還元処理、エッチング処理のいずれかにより形成されていることが望ましい。
更に、コンデンサの上記粗面は、接着剤を介して上記キャビティの内壁面に接着されていてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサは、多層プリント配線板に収納または内蔵されるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明のコンデンサによれば、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されているため、このコンデンサを多層プリント配線板の基板のキャビティ等に接着剤を介して埋設した場合には、該接着剤との密着性に優れ、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりすることがない。従って、本発明のコンデンサは、多層プリント配線板の内蔵用として適したものである。
【００１７】
上記コンデンサは、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されたものであり、具体例としては、例えば、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）または（ｄ）に示すようなチップコンデンサ等が挙げられる。
なお、図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明のコンデンサの一例を模式的に示す断面図である。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、コンデンサ２０、１２０、２２０、３２０は、第１電極２１と第２電極２２と、第１電極２１、第２電極２２に挟まれた誘電体２３とからなり、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。
また、第１電極２１、第２電極２２の周囲にはＳｎ等からなる金属層２６、２２６が形成されていてもよい。金属層２６、２２６を形成することにより、防錆性、半田付き性等を向上させることができる。
【００１９】
また、図１（ａ）に示すコンデンサ２０では、第１電極２１および第２電極２２の周囲に金属層２６が形成されており、金属層２６の表面全体にのみ粗面２７が形成されている。（ｂ）に示すコンデンサ１２０では、コンデンサ２０同様、第１電極２１および第２電極２２の周囲に金属層２６が形成されており、金属層２６の表面、および、誘電体２３の表面に粗面１２７が形成されいる。また、（ｃ）に示すコンデンサ２２０では、第１電極および第２電極２２の上面を除いた部分に金属層２２６が形成されており、金属層２２６の表面にのみ粗面２２７が形成されている。また、（ｄ）に示すコンデンサ３２０では、誘電体２３の表面にのみ粗面３２７が形成されている。
このように、本発明のコンデンサでは、表面の少なくとも一部に粗面が形成されていればよく、必ずしも、全体に粗面が形成されている必要はない。
従って、図示していないが、電極の側面にのみ粗面が形成されていてもよいし、誘電体の表面の一部にのみ粗面が形成されていてもよい。
【００２０】
上記コンデンサの表面に形成される粗面の平均粗度（Ｒｊ）は、０．０１〜５μｍであることが望ましい。
上記平均粗度が０．０１μｍ未満では、コンデンサ表面と接着剤との密着性が不充分なため、該コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりするのを充分に抑制することができないことがあり、一方、粗面の平均粗度が５μｍを超えると、使用時の熱膨張や熱収縮により接着剤に損傷が発生してしまうことがあり、また、粗面を形成する際に、コンデンサにクラックや割れが発生してしまうことがある。
【００２１】
上記コンデンサに粗面を形成する方法としては特に限定されず、該コンデンサの表面に所望の凹凸を有する粗面を形成することができる方法であればよい。粗面形成方法としては、例えば、エンボス加工、研磨処理、酸や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還元処理、エッチング処理等が挙げられる。
【００２２】
上記エンボス加工としては、例えば、コンデンサを製造する際に、誘電体となるセラミック材料の最外面にエンボス加工により粗面を形成する方法が挙げられる。
即ち、コンデンサの製造は、通常、誘電体となるセラミックス材料のグリーンシートに、導電膜となる金属ペーストを印刷し、その後、この金属ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層し、さらに、外部電極形成用ペーストを塗布した後、焼成することにより行う。そこで、このグリーンシートを焼成する前に、エンボス加工により、積層した際に最外層となるグリーンシートの外側の面に粗面を形成しておき、これを焼成することにより、コンデンサの表面に粗面を形成することができる。
また、エンボス加工以外の方法で、グリーンシートに粗面を形成してもよい。
【００２３】
上記研磨処理としては、従来公知の各種研磨材を用いて、完成したコンデンサの表面を研磨処理する方法等が挙げられる。
以下に示す粗面形成方法は、いづれも完成したコンデンサの表面に施す処理である。
【００２４】
上記酸や酸化剤等による処理において、酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸、りん酸等が挙げられる。また、酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過マンガン酸、クロム酸等が挙げられる。
【００２５】
上記めっき処理としては、例えば、硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ≒９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施す方法等が挙げられる。
【００２６】
上記エッチング処理としては、例えば、有機酸と第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行う方法等が挙げられる。
上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。
これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００２７】
また、上記混合溶液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保することができるからである。
【００２８】
上記第二銅錯体としては、アゾール類の第二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望ましい。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶解させることができるからである。
【００２９】
また、上記酸化還元処理としては、例えば、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。
【００３０】
これらの粗面を形成する方法は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
なお、上記した粗面を形成する方法は、電極や金属層の表面に粗面を形成するのに適した方法と、誘電体の表面に粗面を形成するのに適した方法とが混在している。具体的には、酸や酸化剤等による処理、めっき処理、酸化還元処理、および、エッチング処理は、電極や金属層の表面に粗面を形成する方法として適しており、エンボス加工は、誘電体の表面に粗面を形成する方法として適している。また、研磨処理は両者に適している。
【００３１】
従って、コンデンサの表面に粗面を形成する際には、粗面を形成する部位を考慮して、形成方法を適宜選択することが望ましく、コンデンサの全表面に粗面を形成する場合には、複数の形成方法を組み合わせることが望ましい。
【００３２】
このような方法を用いて、コンデンサ表面の少なくとも一部に粗面を形成することにより、従来の表面実装用コンデンサを多層プリント配線板に内蔵するのに適したコンデンサとすることができる。
【００３３】
次に、本発明の多層プリント配線板について説明する。
本発明の多層プリント配線板は、コンデンサが内蔵または収納されている基板上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、上記コンデンサと導体回路、および、上下の導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板であって、
上記コンデンサは、本発明のコンデンサであることを特徴とする。
【００３４】
本発明の多層プリント配線板によれば、表面の少なくとも一部に粗面が形成された本発明のコンデンサが基板に内蔵されているため、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりすることがない。そのため、上記多層プリント配線板は、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的接続性、信頼性に優れる。
【００３５】
この場合、ヒートサイクル等により、コンデンサ周辺の樹脂に応力が発生し、伸縮するが、本発明のコンデンサでは、その全面に粗化面が形成されており、該コンデンサとその周囲の樹脂とが強力に接着されているため、その応力が樹脂の一部に集中することがない。
その結果、本発明の多層プリント配線板では、周辺樹脂にクラックやコンデンサからの剥離が発生せず、コンデンサのずれも発生しない。
【００３６】
以下、本発明の多層プリント配線板について図面を参照しながら説明する。
まず、上記多層プリント配線板の第一の実施形態について説明する。
図２は、本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図であり、図３は、図２に示す多層プリント配線板にＩＣチップを実装し、ドータボードに取り付けた状態を模式的に示す断面図である。
【００３７】
図２に示すように多層プリント配線板１０は、コンデンサ２０と、コンデンサ２０を内蔵する基板３０と、層間樹脂絶縁層４０、６０とからなる。層間樹脂絶縁層４０には、バイアホール４６および導体回路４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイアホール６６および導体回路６８が形成されている。
また、基板３０を介した上下の導体回路間を接続するために、スルーホール３６が形成されている。
【００３８】
また、層間時絶縁層６０上には、ソルダーレジスト層７０が配設されており、ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路６８（バイアーホール６６を含む）には、ドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６がニッケルめっき層および金めっき層を介して設けられている。
【００３９】
この多層プリント配線板１０では、基板にコンデンサ２０が接着剤３２を介して内蔵され、コンデンサ２０の表面の少なくとも一部には粗面（図示せず）が設けられている。このため、コンデンサ２０と接着剤３２との密着性が高く、ヒートサイクル条件下においても、コンデンサ２０と接着剤３２との接触面で剥離が発生したり、接着剤にクラックが発生したりすることがない。従って、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、多層プリント配線板１０は、電気的接続性、信頼性に優れる。
【００４０】
上記接着剤としては特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
【００４１】
また、図３に示すように、ＩＣチップ９０が実装され、ドータボードへ取り付けられた多層プリント配線板では、上側のソルダーレジスト層７０の開口部７１内に形成されたバンプ７６と、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２とが接続されている。また、下側のソルダーレジスト層７０の開口部７１内に形成されたバンプ７６は、ドータボード９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２へ接続されている。
【００４２】
また、図３中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に接続されている。
【００４３】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００４４】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００４５】
従って、本発明の多層プリント配線板では、図１５（ｃ）に示すように、コンデンサ２０を基板に内蔵することにより、ＩＣチップ９０の直下にコンデンサ２０が配置されることとなり、コンデンサを介した電源とＩＣチップ９０の電源端子９２Ｅ／アース端子９２Ｐとの間の距離、即ち、ループインダクタンスを決定するループ長が図１５（ｃ）中の実線で示すように、さらに短縮されている。
その結果、高周波数で駆動するＩＣチップ９０を実装した場合でも、ループインダクタンスが充分に低く、また、電力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能である。
【００４６】
さらに、コンデンサ２０同士の間にスルーホール３６を設けることにより、コンデンサを信号線が通過しない構成にすることができる。そのため、コンデンサを信号線が通過する構成にした場合に発生する高誘電体によるインピーダンス不連続による反射、および、高誘電体通過による信号伝搬遅延を防ぐことができる。
【００４７】
次に、図２に示した第１の実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法（第一の多層プリント配線板の製造方法）について、図４〜図８を参照しながら説明する。
【００４８】
（１）片面に金属膜４１を積層した樹脂フィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参照）。樹脂フィルム４０αとしては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体からなるもの等が挙げられる。また、感光性樹脂を用いることもできる。
【００４９】
上記ポリオレフィン系樹脂の具体例としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、住友スリーエム社製の商品名：１５９２等が挙げられる。また、融点が２００℃以上の熱可塑型ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０℃）、出光石油化学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０℃）等が挙げられる。
【００５０】
これらのなかでは、シクロオレフィン系樹脂が望ましい。
シクロオレフィン系樹脂は、誘電率が低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが起きにくいことに加え、機械的特性、特に、剛性が高いため、しっかりとした層間樹脂絶縁層を形成することができ、その結果、多層プリント配線板の接続信頼性を充分に確保することができる。
【００５１】
また、上記シクロオレフィン系樹脂は、導体回路との密着性にも優れるため、層間樹脂絶縁層が導体回路から剥離することを防止することができ、剥離に起因する層間樹脂絶縁層でのクラックの発生等も防止することができる。
さらに、上記シクロオレフィン系樹脂は、吸水率が小さいため、導体回路間の電気絶縁性が高くなり、信頼性も向上する。
【００５２】
上記シクロオレフィン系樹脂としては、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体であることが望ましい。上記誘導体としては、２−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。
上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
【００５３】
上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。
また、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重合体であってもよい。
【００５４】
また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が高くなり、機械的特性が向上するからである。
上記シクロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０〜２００℃であることが望ましい。
【００５５】
上記シクロオレフィン系樹脂は、フィラー等を含まないものであってもよく、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を含むものであってもよい。
【００５６】
また、上記樹脂複合体は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含むものである。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
これらのなかでは、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）および／またはフェノキシ樹脂が望ましい。耐熱性、絶縁性に優れるとともに、高い靱性値を有するため、耐クラック性、形状保持性に優れる層間樹脂絶縁層を形成するのに特に適しているからである。
【００５７】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂は、感光化した樹脂であってもよく、具体的には、例えば、メタクリル酸やアクリル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアクリレート化したものが望ましい。これらのなかでは、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００５８】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５９】
上記樹脂複合体における熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保することができるからである。
【００６０】
上記樹脂複合体の具体例としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散した粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６１】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６２】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００６３】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径ものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とのを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本明細書において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００６４】
上記可溶性樹脂粒子としては、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００６５】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６６】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６７】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６８】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６９】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため上下の導体回路間の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７０】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであればよく、上記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。
【００７１】
上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バイアホールを含む導体回路との密着性を確保することができるからである。
また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有するフィルムを用いてもよい。この場合、フィルムの表層部以外は、酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００７２】
上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
可溶性粒子の混合重量比が５重量％未満では、充分な粗さの粗化面を形成することができない場合があり、５０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解して粗化面を形成する際に、層間樹脂絶縁層の深部まで溶解してしまい、樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間の絶縁性を確保することができず、短絡の原因となる場合がある。
【００７３】
上記粗化面形成用樹脂組成物は、上記熱可塑性樹脂および上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００７４】
上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂組成物に対して、０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、層間樹脂絶縁層を形成する際に、樹脂複合体が充分に硬化せず、酸や酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層表面に粗化面を形成し、酸等が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、層間樹脂絶縁層の絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変成させることがあり、信頼性の低下を招いてしまうことがある。
【００７５】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが挙げられる。
上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性能をより向上させることができる。
【００７６】
また、上記粗化面形成用樹脂組成物は、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００７７】
（２）次に、金属膜４１をパターンエッチングして所定の回路パターン４２を形成する（図４（ｂ）参照）。続いて、樹脂フィルム４０αの下面の回路パターン４２にコンデンサ２０を半田、導電性ペースト等の接着材料３４を介して接着する。なお、コンデンサの表面に形成された粗面については、図示していない。
この場合、コンデンサは、半田等の接着材料を介して回路パターン４２に接続されるため、コンデンサの第１および第２電極の周囲には、Ｓｎからなる金属層が形成されていることが望ましい。
【００７８】
（３）上記樹脂フィルム４０αとは別に、コンデンサ２０を内蔵するキャビティ３１を穿設した基板３０αを用意する。
キャビティ３１は、ザクリ、貫通孔を形成したプリプレグと貫通孔を形成しないプリプレグとの接合や、射出成形等により形成する。
基板３０αとしては、一般的にプリント配線板で使用されるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂等にガラスエポキシ樹脂等の補強材や心材を含浸させた樹脂からなる基板や、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層した基板等が挙げられる。また、両面銅張積層板、片面板、金属膜を有さない樹脂板、樹脂フィルム等を用いてもよい。
【００７９】
（４）次に、コンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０αと、キャビティ３１を設けた基板３０αと、更に、もう１枚の樹脂フィルム４０αとを積層した後プレスし（図４（ｃ）および（ｄ）参照）、その後、必要に応じて、加熱硬化させることにより、樹脂フィルムの硬化層４０βを形成する（図５（ａ）参照）。
このとき、予め、キャビティ３１の内壁面および／またはコンデンサに接着剤を塗布しておくことにより、コンデンサをキャビティ３１の内壁面に接着剤３２を介して接着させる。
【００８０】
（５）次に、樹脂フィルムの硬化層４０βにバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とする（図５（ｂ）参照）。
バイアホール用開口４３の形成は、レーザ処理により行う。このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ2 ）レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。
【００８１】
上記エキシマレーザは、後述するように、バイアーホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成されたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、レーザ照射部位の周囲の樹脂に対するダメージが特に小さいからである。
【００８２】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【００８３】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μｍ秒であることが望ましい。
また、バイアホール用開口を形成する部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。
【００８４】
また、光学系レンズと、マスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強度が同一のレーザ光を複数の部分に照射することができるからである。
【００８５】
また、樹脂フィルム４０αとして感光性樹脂を用いた場合には、露光・現像処理によりバイアホール用開口を形成してもよい。
なお、この場合は、樹脂フィルム４０αを積層して、プレスした後、加熱硬化する前に、露光・現像処理を施すことが望ましい。
完全に硬化した層は、露光・現像処理により開口を形成するのに適さず、所望の形状の開口を形成することができないからである。
【００８６】
（６）次に、必要に応じて、デスミア処理を行う。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素との混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線照射することにより、表面改質することもできる。
その後、ドリル加工またはレーザ処理によりスルホール用貫通孔３３を形成する。スルホール用貫通孔３３の径としては、５０〜５００μｍが望ましい（図５（ｃ）参照）。
【００８７】
また、スルホール用貫通孔３３を形成した後、層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口およびスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に粗化面を形成してもよい。
例えば、層間樹脂絶縁層４０の材料として、上記ポリオレフィン系樹脂を用いた場合には、プラズマ処理により粗化面を形成することができ、上記粗化面形成用樹脂組成物を用いた場合には、酸や酸化剤を用いて粗化面を形成することができる。
【００８８】
（７）次に、無電解めっき、スパッタリング等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口およびスルーホール用貫通孔の内壁面を含む）に薄膜導体層４４を形成する（図６（ａ）参照）。薄膜導体層４４は、単層であってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、予め、層間樹脂絶縁層４０表面にパラジウム触媒等の触媒核を付与しておくことが望ましい。
【００８９】
薄膜導体層４４の材質としては、例えば、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。これらのなかでは、電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
薄膜導体層４４の厚さとしては、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングにより形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【００９０】
（８）次に、薄膜導体層４４を形成した層間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジスト５１を形成し、その後、薄膜導体層４４をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層４５を析出させる（図６（ｂ）参照）。
上記電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、このとき、バイアホール用開口を電解めっきにより充填してフィールドビア構造としてもよく、バイアホール用開口に導電性ペーストを充填した後、その上に蓋めっき層を形成してフィールドビア構造としてもよい。フィールドビア構造を形成することにより、バイアホールの直上にバイアホールを設けることができる。
【００９１】
（９）次に、めっきレジスト５１を除去した後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６を形成する（図６（ｃ）参照）。
なお、触媒を付着させた後、無電解めっきにより薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよい。触媒を除去することにより、電気特性の低減を防止することができる。
【００９２】
（１０）次に、必要に応じて、導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面に粗化面を形成する。該粗化面は、エッチング処理、黒化還元処理、めっき処理等により形成することができる。
【００９３】
上記エッチング処理は、例えば、有機酸と第二銅錯体とを含むエッチング液を用いて行うことができる。
上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。
これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記混合溶液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保することができるからである。
【００９４】
上記第二銅錯体としては、アゾール類の第二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでは、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望ましい。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶解させることができるからである。
【００９５】
上記黒化還元処理の具体的な方法としては、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）、を含む水溶液を黒化浴とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。
【００９６】
上記めっき処理の具体的な方法としては、硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施す方法等が挙げられる。
【００９７】
（１１）次に、スルホール３６内を樹脂充填材を用いて充填し、その後、導体回路４８を形成した基板３０の両面に樹脂フィルム６０αを張り付ける（図７（ａ）参照）。
上記樹脂充填材としては、エポキシ樹脂等の樹脂を主成分とする導電性を有さない樹脂や、銅等の金属ペーストを含有させた導電性樹脂等を用いることができる。また、熱硬化性エポキシ樹脂に、シリカ等の無機フィラーを配合して熱膨張率を層間樹脂絶縁層と整合させた樹脂充填材を用いてもよい。
また、樹脂フィルム６０αとしては、樹脂フィルム４０αと同様のものを用いることができる。
【００９８】
（１２）次に、必要に応じて、樹脂フィルムを硬化させた後、上記（５）〜（１０）の工程（スルーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことにより、更に上層の層間樹脂絶縁層６０および導体回路６６（バイアホール６８）を形成する（図７（ｂ）〜図８（ｂ）参照）。
【００９９】
（１３）次に、最外層の導体回路６８を含む基板面に開口部７１を有するソルダーレジスト層７０を形成する。上記ソルダーレジスト層としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フッ素系樹脂、熱可塑性エラストマー、ソルダーレジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられる。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組成物）をロールコータ法等により塗布したり、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着したりした後、レーザ処理、露光・現像処理等により開口処理を行い、さらに、硬化処理等を行うことにより形成する。
【０１００】
上記ソルダーレジスト樹脂組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体等が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調製されていることが望ましい。
【０１０１】
上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙げられる。
また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げられる。
また、開口部７１は、露光・現像処理、レーザ処理等により形成する。
【０１０２】
（１４）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１内の導体回路６８上にニッケルめっき層７２、金めっき層７４等を形成することにより、半田パッドを設け、該半田パッド上に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０が基板に内蔵され、半田バンプを有する多層プリント配線板を得ることができる（図２参照）。
また、上記ソルダーレジスト層の開口部に、はんだペーストを印刷した後、開口部に導電性ピンを載置し、２００℃でリフローすることにより、外部端子と接続するためのＰＧＡ(Pin Grid Array)が配設された多層プリント配線板としてもよい。
【０１０３】
次に、第二の実施形態の多層プリント配線板について図９を参照しながら説明する。
図９は、本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
図９に示した第二の実施形態の多層プリント配線板１１０は、第一の実施形態の多層プリント配線板とほぼ同様である。
ただし、多層プリント配線板１１０では、コンデンサの内蔵方法が異なる。
即ち、第一の実施形態では、コンデンサの第１、第２電極２１、２２とバイアホール４６との間は、半田や導電性ペースト等の接着材料３４を用いて電気的に接続していたが、第二の実施形態の多層プリント配線板では、第１および第２電極にめっきを施すことにより、バイアホールとの間を電気的に接続する。そのため、それぞれの内蔵方法に適したコンデンサを使用している。
【０１０４】
そこで、第一および第二の実施形態で用いるコンデンサについて説明する。
第一の実施形態で用いるコンデンサ２０は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１電極２１および第２電極２２の外周にＳｎ等からなる金属層２６が形成されている。これは、Ｓｎ等からなる金属層２６を有する場合、半田付け性が向上するとともに、防錆効果を有するからである。従って、金属層２６表面に形成する粗面が金属層２６と同様の材質のものから形成されている場合、即ち、エンボス加工、酸や酸化剤による処理、研磨処理やエッチング処理等により形成されている場合は、半田付け部分に粗面が形成されていてもよいが、粗面が金属層２６と異なる材質のものから形成されている場合、即ち、めっき処理、酸化還元処理等により形成されている場合は、半田付け部分には粗面が形成されていない方が好ましい。
【０１０５】
一方、第二の実施形態で用いるコンデンサ２２０は、図１（ｃ）に示すように、第１電極２１および第２電極２２の上面が露出するように金属層２２６が形成されている。そのため、めっきを用いて、電極とバイアホールとを接続するのに適している。なお、めっきにより、電極とバイアホールとを接続した場合には、接続抵抗を低減させることができる。
【０１０６】
次に、図９に示した多層プリント配線板の製造方法（第二の多層プリント配線板の製造方法）について、図１０〜図１２を参照しながら説明する。
【０１０７】
（１）ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）板３５に、コンデンサ内蔵用の貫通孔を形成し、これを４枚積層した積層板３０αと、貫通孔を形成しないＢＴ樹脂板３５を２枚積層した積層板３０βとを出発材料とする（図１０（ａ）参照）。
積層板３０α、３０βとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるもの、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等を用いることができる。
【０１０８】
（２）次に、積層板３０αに形成した貫通孔３７にコンデンサ２２０を内蔵する。なお、コンデンサ２２０は、接着剤３２を介して貫通孔３７内に取り付ける。その後、積層板３０αと積層板３０βとを積層した後、圧着することによりコンデンサ内蔵基板３０とする（図１０（ｂ）参照）。
上記接着剤としては、第一の多層プリント配線板の製造方法で用いた接着剤と同様のものを用いることができる。
【０１０９】
（３）次に、コンデンサ内蔵基板３０の両面に、樹脂フィルム４０αを積層した後、圧着し、その後、必要に応じて、加熱硬化させることにより樹脂フィルムの硬化層４０βを形成する（図１０（ｃ）および（ｄ）参照）。
樹脂フィルム４０αとしては、第一の多層プリント配線板の製造方法で用いるものと同様のもの、即ち、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂等の熱硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物等を用いることができる。
【０１１０】
（４）次に、ドリル加工やレーザ処理を用いて、スルホール用開口３３を形成する（図１１（ａ）参照）。スルホール用開口３３の径としては、５０〜５００μｍが望ましい。
次に、基板の両面に形成した樹脂フィルムの硬化層４０βにバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とする（図５（ｂ）参照）。
バイアホール用開口４３の形成は、レーザ処理により行う。このとき、使用するレーザとしては、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様のものを用いることができる。
なお、樹脂フィルム４０αとして感光性樹脂を用いた場合には、露光・現像処理によりバイアホール用開口を形成してもよい。
【０１１１】
（５）次に、必要に応じて、デスミア処理を行う。特に、炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成した場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。
上記デスミア処理は、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法で行うことができる。
また、デスミア処理終了後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面を含む）に粗化面を形成してもよい。
【０１１２】
（６）次に、無電解めっき、スパッタリング等により層間樹脂絶縁層４０表面（バイアホール用開口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面を含む）に薄膜導体層４４を形成する（図１１（ｃ）参照）。薄膜導体層４４は、単層であってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、予め、層間樹脂絶縁層４０表面にパラジウム触媒等の触媒核を付与しておくことが望ましい。
薄膜導体層４４の材質および厚さとしては、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様のものが望ましい。
【０１１３】
（７）次に、薄膜導体層４４を形成した層間樹脂絶縁層４０上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジスト５１を形成し（図１２（ａ）参照）、その後、薄膜導体層４４をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層４５を析出させる（図１２（ｂ）参照）。
なお、めっきレジスト５１の形成、および、電解めっき層４５の析出は、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法により行うことができる。
【０１１４】
（８）次に、めっきレジスト５１を除去した後、そのめっきレジスト５１下に存在する薄膜導体層４４をエッチングにて溶解除去し、薄膜導体層４４と電解めっき層４５とからなる導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６を形成する（図１２（ｃ）参照）。
なお、触媒を付着させた後、無電解めっきにより薄膜導体層４４を形成した場合は、酸、または、酸化剤を用いて層間樹脂絶縁層４０上の触媒を除去してもよい。触媒として用いたパラジウムを除去することにより、電気特性の低減を防止することができる。
【０１１５】
これ以降は、図示していないが、図７（ａ）〜図８（ｃ）に図示した方法と同様の方法である。
（９）次に、必要に応じて、導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面に粗化面を形成する。該粗化面は、第一の製造方法と同様、エッチング処理、黒化還元処理、めっき処理等により形成することができる。
【０１１６】
（１０）次に、スルホール３６内を樹脂充填材を用いて充填する。
上記樹脂充填材としては、第一の多層プリント配線板の製造方法と同様のものを用いることができる。
【０１１７】
（１１）次に、必要に応じて、（３）〜（１０）の工程（スルーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことにより、更に上層の層間樹脂絶縁層６０および導体回路６８（バイアホール６６を含む）を形成する。
【０１１８】
（１２）さらに、第一の多層プリント配線板の製造方法（１３）および（１４）の工程と同様にして、ソルダーレジスト層および半田バンプを形成し、コンデンサの内蔵された多層プリント配線板とする（図９参照）。
【０１１９】
次に、第三の実施形態の多層プリント配線板について図１３を参照しながら説明する。
図１３は、本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
図１３に示した第三の実施形態の多層プリント配線板２１０は、第二の実施形態の多層プリント配線板とほぼ同様である。
ただし、多層プリント配線板２１０では、コンデンサの内蔵方法が異なる。即ち、第二の実施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣチップ側（上側）のみ、電気的に接続していたが、本実施形態では、第１電極２１および第２電極２２のＩＣチップ側（上側）およびドータボード側（下側）の両側をそれぞれ電気的に接続している。従って、コンデンサの外部電極がいわゆるスルーホールの機能を備えており、パッケージ構造を簡単にできるので、高周波のＩＣチップに対応することができる。
【０１２０】
従って、第三の実施形態で用いるコンデンサとしては、図１（ｄ）に示すような第１電極２１、第２電極２２の周囲に金属層が形成されておらず、誘電体膜２３の表面にのみ粗面が形成されているコンデンサが望ましい。
上述したように、第三の実施形態では、コンデンサの外部電極がいわゆるスルホールの機能を備えているため、該外部電極の表面に粗面を形成した場合には、この粗面に起因した表皮効果等により、多層プリント配線板の電気特性が低下することがあるからである。
【０１２１】
次に、図１３に示した多層プリント配線板の製造方法（第三の多層プリント配線板の製造方法）について、図１４を参照しながら説明する。
（１）まず、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）板を積層してなる積層板３０αにコンデンサを内蔵する貫通孔３７を形成する（図１４（ａ）参照）。
積層板３０αとしては、上記ＢＴ樹脂からなる積層板以外に、例えば、エポキシ樹脂やフェノール樹脂からなるもの、または、ガラスクロス等の強化材を含有したもの等を用いることができる。
【０１２２】
次に、積層板３０α内の貫通孔３７内に，コンデンサ３２０を内蔵させる（図１４（ｂ）参照）。なお、貫通孔３７の内壁面には、予め、接着剤を塗布しておき、接着剤を介して貫通孔３７の内壁面に、コンデンサを接着する。
【０１２３】
（２）樹脂フィルム４０αと、コンデンサ３２０を内蔵する積層板３０αと、樹脂フィルム４０αとを積層して、圧着し、その後、加熱硬化させることでコンデンサ３２０を内蔵する基板３０および樹脂フィルムの硬化４０βを形成する（図１４（ｃ）および（ｄ）参照）。
（３）その後、第二の製造方法の工程（４）〜（１２）と同様にして、コンデンサ内蔵基板１３０の両面に、層間樹脂絶縁層および導体回路を順次形成し、さらに、最外層にソルダーレジスト層を形成することによりコンデンサ内蔵多層プリント配線板を製造する（図１３参照）。
【０１２４】
また、本発明の多層プリント配線板の実施形態は、上記第一〜第三の実施形態に限定されず、例えば、多数のコンデンサが一つのキャビティに並列に内蔵された形態であっても良い。このような実施形態の多層プリント配線板では、電源電圧の不足分を補うことができ、ＩＣの誤動作がなくすことができる。従って、このような多層プリント配線板は、フリップチップ用として最適である。
【０１２５】
このような多層プリント配線板では、基板にコンデンサ内蔵されているため、ＩＣチップを実装した際に、該ＩＣチップとコンデンサとの距離が短く、高周波数で駆動するＩＣチップを実装した場合でも、ループインダクタンスが充分に低い。また、基板に内蔵するコンデンサは、その表面の少なくどせ一部に粗面が形成されているため、コンデンサと接着剤との密着性が高く、ヒートサイクル条件下においても、コンデンサと接着剤との接触面で剥離が発生したり、接着剤にクラックが発生したりすることがない。従って、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的接続性、信頼性に優れる。
【０１２６】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１２７】
（実施例１）
（１）片面に銅からなる金属膜４１を積層したエポキシ樹脂フィルム４０αを出発材料とする（図４（ａ）参照）。
まず、金属膜４１をパターンエッチングすることにより、所定の回路パターン４２を形成した（図４（ｂ）参照）。
【０１２８】
（２）次に、樹脂フィルム４０αに形成した回路パターン４２に、半田３４を介してコンデンサ２０を取り付けた（図４（ｃ）参照）。
コンデンサ２０としては、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）の金属層２６表面に、研磨材として、砥粒を用いた研磨処理により、平均粗度（Ｒｊ）＝０．５〜１．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図１（ｂ）参照）。
【０１２９】
なお、コンデンサの表面に形成した粗面の平均粗度は、以下の方法を用いて測定した。
即ち、ＪＩＳ９４に準じた方法により、表面粗さ形状測定機（東京精密社製、サーフコム１３０Ａ／４８０Ａ）を用いて、粗面の平均粗度を測定した。
【０１３０】
（３）上記とは別に、コンデンサ２０を内蔵するためのキャビティ３１を穿設した基板３０αを用意する。
次に、キャビティ３１の内壁に接着剤を塗布した後、コンデンサ２０を取り付けた樹脂フィルム４０αと、キャビティ３１を穿設した基板３０αと、もう１枚の樹脂フィルム４０αとを積層してプレスした（図４（ｃ）および（ｄ）参照）。
なお、接着剤としては、エポキシ系樹脂を用いた。
【０１３１】
（４）次に、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２０を内蔵する基板３０と、樹脂フィルムの硬化層４０βを形成した（図５（ａ）参照）。
続いて、樹脂フィルムの硬化層４０β上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、ドップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂フィルムの硬化層４０βに、直径６０μｍのバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とした（図５（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【０１３２】
（５）次に、層間樹脂絶縁層５０を形成した基板３０に、ドリル加工により、直径３００μｍのスルーホール用貫通孔３３を形成した（図５（ｃ）参照）。
さらに、層間樹脂絶縁層４０の表面（バイアホール用開口４３およびスルーホール用貫通孔３３の内壁面を含む）に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面に触媒核を付着させた。
【０１３３】
（６）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、層間樹脂絶縁層４０およびスルーホール用貫通孔３３の表面全体に厚さ０．６〜０．９μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき層）４４を形成した（図６（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4               ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                  ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                  ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル    ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１３４】
（７）次に、市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１を設けた。
さらに、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、めっきレジスト非形成部に電解銅めっき層４５を形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１３５】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤              １．９５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                 １  Ａ／ｄｍ2
時間                  ６５    分
温度                ２２±２  ℃
【０１３６】
（８）次に、めっきレジスト５１を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチングして除去し、層間樹脂絶縁層４０には導体回路４８とバイアホール４６を形成し、基板３０にはスルーホール３６を形成した（図６（ｃ）参照）。
【０１３７】
（９）次に、導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成した。
さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に残存するパラジウム触媒を除去した。
【０１３８】
さらに、スルホール３６内にスキージを用いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。
なお、樹脂充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の粒径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度を２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓに調製したものを使用した。ここで、硬化剤としては、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１３９】
その後、基板の両面に樹脂フィルム６０αを張り付けた（図７（ａ）参照）。なお、樹脂フィルム６０αとしては、エポキシ樹脂からなる樹脂フィルムを用いた。
【０１４０】
（１０）上記（４）〜（８）の工程（スルーホール用貫通孔の形成工程を除く）を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路６８（バイアホール６６を含む）を形成し、その後、導体回路６６の表面をエッチング処理することにより、粗化面（図示せず）を形成することにより、最外層に導体回路の形成された多層配線板を得た（図７（ｂ）〜図８（ｂ）参照）。
【０１４１】
（１１）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【０１４２】
（１２）次に、多層配線板に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成した（図８（ｃ）参照）。
【０１４３】
（１３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層（図示せず）を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ０．０３μｍの金めっき層（図示せず）を形成することで、導体回路６８およびに半田パッドを形成した。
【０１４４】
（１４）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成した。これにより、コンデンサ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得た（図２参照）。
【０１４５】
（実施例２）
実施例１で用いた金属層２６の表面に粗面が形成されたコンデンサに、さらに、研磨材として、砥粒を用いて、誘電体２３の表面に研磨処理を施すことにより、平均粗度（Ｒｊ）＝０．５〜１．０μｍの粗面を形成したコンデンサ（図１（ｂ）参照）を用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４６】
（実施例３）
コンデンサとして、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）の金属層の表面に、有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液を用いたエッチング処理を施すことにより、平均粗度（Ｒｊ）＝１．０〜１．５μｍの粗面を形成したものを用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１４７】
（実施例４）
（１）エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３５を４枚積層し、コンデンサを内蔵するための貫通孔を形成した積層板３０αと、プリプレグ３５を２枚積層した積層板３０βとを出発材料とした（図１０（ａ）参照）。
【０１４８】
（２）次に、積層板３０αに形成した貫通孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ２２０を取り付け、さらに、積層板３０αと積層板３０βと積層して張り付け、コンデンサ２２０を内蔵する基板３０を得た（図１０（ｂ）参照）。なお、コンデンサ２２０の底面と積層板３０βとの間にも上記接着剤を介在させた。
【０１４９】
コンデンサ２２０は、市販のチップコンデンサ（村田製作所社製、ＧＰＭ３３）の第１電極および第２電極２２の上面には金属層を形成せず露出させておき、金属層２２６の表面に、下記の無電解めっき液を用いためっき処理を施すことにより、平均粗度（Ｒｊ）＝１．０〜２．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図１（ｃ）参照）。
【０１５０】
無電解めっき液としては、硫酸銅（８ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．６ｇ／ｌ）、クエン酸（１５ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２９ｇ／ｌ）、ホウ酸（３１ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（０．１ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝９の無電解めっき液を使用した。
【０１５１】
（３）次に、コンデンサ２２０を内蔵した基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレスし、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２２０を内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形成した（図１０（ｃ）および（ｄ）参照）。
なお、樹脂フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。
【０１５２】
（４）次に、樹脂フィルムの硬化層４０βを形成した基板３０に、ドリル加工により、直径３００μｍのスルーホール用貫通孔３３を形成した（図１１（ａ）参照）。
【０１５３】
続いて、樹脂フィルムの硬化層４０β上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、ドップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂フィルムの硬化層４０βに、直径６０μｍのバイアホール用開口４３を形成し、層間樹脂絶縁層４０とした（図１１（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【０１５４】
（５）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層４０の表面に粗化面（図示せず）を形成した。この際、不活性ガスとしは、アルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で２分間プラズマ処理を実施した。
【０１５５】
（６）次に、同じ装置を用い、内部アルゴンガスを使用した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金からなる厚さ０．２μｍの薄膜導体層４４を層間樹脂絶縁層４０および貫通孔３３の表面に形成した（図１１（ｃ）参照）。
【０１５６】
（７）次に、市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき４４に張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト５１を設けた（図１２（ａ）参照）。
さらに、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、めっきレジスト非形成部に電解銅めっき層４５を形成した（図１２（ｂ）参照）。
【０１５７】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤              １．９５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                 １  Ａ／ｄｍ2
時間                  ６５    分
温度                ２２±２  ℃
【０１５８】
（８）次に、めっきレジスト５１を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５１下の無電解めっき層４４を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチングして除去し、層間樹脂絶縁層４０に導体回路４８とバイアホール４６を、基板３０にスルーホール３６を形成した（図１２（ｃ）参照）。
【０１５９】
（９）次に、導体回路４８、バイアホール４６およびスルーホール３６の表面を、有機酸塩と第二銅錯体とからなるエッチング液を用いて、エッチング処理することにより、該表面に粗化面（図示せず）を形成した。
さらに、導体回路４８等を形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に３分間浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の層間樹脂絶縁層４０の表面を１μｍエッチングし、その表面に残存するパラジウム触媒を除去した。
【０１６０】
さらに、スルホール３６内にスキージを用いて樹脂充填剤を充填し、１００℃で２０分間乾燥させることにより、樹脂充填剤層３８を形成した。
なお、樹脂充填剤としては、実施例１で用いた樹脂充填剤と同様のものを用いた。
【０１６１】
その後、基板の両面に樹脂フィルム６０αを張り付けた。なお、樹脂フィルム６０αとしては、樹脂フィルム４０αと同様のものを用いた。
【０１６２】
（１０）上記（４）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路６８（バイアホール６６を含む）を形成し、その後、導体回路６６の表面をエッチング処理することにより、粗化面（図示せず）を形成することにより、最外層に導体回路の形成された多層配線板を得た。
【０１６３】
（１１）実施例１の（１１）〜（１４）と同様にして、コンデンサ２２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１１０を得た（図９参照）。
【０１６４】
（実施例５）
（１）コンデンサを内蔵するための貫通孔３７を形成したビスマレイミド・トリアジン（ＢＴ）樹脂板３０αを出発材料とした（図１４（ａ）参照）。
【０１６５】
（２）次に、積層板３０αに形成した貫通孔に、接着剤（熱硬化性樹脂）を介在させてコンデンサ３２０を取り付け、コンデンサ３２０を内蔵する基板３０を得た（図１４（ｂ）参照）。
コンデンサ３２０としては、製造時に誘電体の表面に平均粗度（Ｒｊ）＝０．５〜１．０μｍの粗面を形成したものを用いた（図１（ｄ）参照）。
【０１６６】
（３）次に、コンデンサ３２０を内蔵した基板３０の上下に樹脂フィルム４０αを積層してプレスし、その後、加熱硬化処理を施し、コンデンサ２２０を内蔵した基板の両面に樹脂フィルムの硬化層４０βを形成した（図１４（ｃ）および（ｄ）参照）。
なお、樹脂フィルム４０αとしては、熱硬化性シクロオレフィン系樹脂からなる樹脂フィルムを使用した。
【０１６７】
（４）以下、実施例４の（４）〜（１１）と同様の方法を用いて、コンデンサ３２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板２１０を得た（図１３参照）。
なお、実施例４では、コンデンサ２２０の第１、第２電極２１、２２の上面のみをバイアホールと接続するように、多層プリント配線板を製造したが、本実施例では、コンデンサ３２０の第１、第２電極２１、２２と上面と下面のそれぞれをバイアホールと接続するように多層プリント配線板を製造した。
【０１６８】
実施例１〜５で得られた多層プリント配線板について、下記の条件でヒートサイクル試験を行った後、下記の評価方法により、コンデンサと接着剤と間での剥離の発生の有無、接着剤中でのクラックの発生の有無、短絡または断線の発生の有無、層間樹脂絶縁層の膨れの有無を評価した。結果を表１に示した。
【０１６９】
ヒートサイクル試験
得られた多層プリント配線板を、１３０℃の雰囲気下に３分間維持した後、−６５℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを、１０００回および２０００回繰り返した。
【０１７０】
評価方法
（１）コンデンサと接着剤との間での剥離の発生の有無
多層プリント配線板をカッターで切断し、切断した断面を顕微鏡で観察した。なお、ここでは、コンデンサを切断するように、多層プリント配線板を切断した。
（２）接着剤中でのクラックの発生の有無
上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、その断面を顕微鏡で観察した。
【０１７１】
（３）短絡または断線の発生の有無
多層プリント配線板にＩＣチップを実装した後、導通試験を行い、モニターに表示される結果から導通状態を評価した。
（４）層間樹脂絶縁層の膨れの有無
上記（１）と同様にして多層プリント配線板を切断し、その断面を顕微鏡で観察した。
（５）信頼性試験前後における静電容量の測定
ピコアンメータを用い、上記信頼性試験の前後において、コンデンサの静電容量を測定した。その結果を下記の表２に示した。
【０１７２】
【表１】
0004641589.tif 000002
【０１７３】
【表２】
0004641589.tif 000003
【０１７４】
表１に示したように、実施例１〜５で得られた多層プリント配線板について、１０００サイクルのヒートサイクル試験を行った場合、コンデンサと接着剤と間での剥離は発生しておらず、接着剤中にもクラックは発生していなかった。
また、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れも発生していなかった。
【０１７５】
また、２０００サイクルのヒートサイクル試験を行った場合には、実施例１、３、４および５で得られた多層プリント配線板では、粗面を形成していない部分の一部で、コンデンサと接着剤と間での剥離が発生しており、接着剤中にもわずかにクラックが発生していたが、製品に影響を与える程のものではなく、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れは発生していなかった。
また、実施例２で得られた多層プリント配線板では、コンデンサと接着剤と間での剥離は発生しておらず、接着剤中にもクラックは発生していなかった。
また、この場合でも、短絡や断線、層間樹脂絶縁層の膨れも発生していなかった。
【０１７６】
さらに、表２に示したように、実施例１〜５で基板に埋設したコンデンサは、信頼性試験の前後で静電容量に変化が少なく、導体回路−コンデンサの間においても、電気的接続による影響が殆どない。
【０１７７】
【発明の効果】
以説明したように、本発明のコンデンサは、その表面の少なくとも一部に粗面が形成されているため、多層プリント配線板の基板に接着剤を介して内蔵された場合に、該接着剤との密着性に高く、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりすることがなく、多層プリント配線板に内蔵するコンデンサとして好適である。
【０１７８】
また、本発明の多層プリント配線板は、コンデンサが内蔵されているため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短く、高周波数で駆動するＩＣチップを実装した場合でもループインダクタンスが充分低い。
さらに、内蔵されるコンデンサは、表面の少なくとも一部に粗面が形成された本発明のコンデンサであるため、コンデンサと接着剤との間で剥離が発生したり、該接着剤にクラックが発生したりすることがない。そのため、上記多層プリント配線板は、コンデンサの端子とバイアホールとの間の接続が遮断されたり、層間樹脂絶縁層に膨れが生じたりすることがなく、電気的接続性、信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のカーボンの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図２に示す多層プリント配線板にＩＣチップを実装し、ドータボードに取り付けた状態を模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の多層プリント配線板の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の多層プリント配線板の更に別の一例を模式的に示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、従来の多層プリント配線板のループインダクタンスの説明図であり、（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板のループインダクタンスの説明図である。
【符号の説明】
１０、１１０、２１０  多層プリント配線板
２０、１２０、２２０、３２０  コンデンサ
２１  第１電極
２２  第２電極
２３  誘電体
２４  第１導電膜
２５  第２導電膜
２６、２２６、３２６  金属層
２７、２２７、３２７  粗面
３０  基板
４０、６０  層間樹脂絶縁層
４６、６６  バイアホール
４８、６８  導体回路
７０  ソルダーレジスト層
７６  半田バンプ
９０  ＩＣチップ
【図１】
0004641589.tif 000004
【図２】
0004641589.tif 000005
【図３】
0004641589.tif 000006
【図４】
0004641589.tif 000007
【図５】
0004641589.tif 000008
【図６】
0004641589.tif 000009
【図７】
0004641589.tif 000010
【図８】
0004641589.tif 000011
【図９】
0004641589.tif 000012
【図１０】
0004641589.tif 000013
【図１１】
0004641589.tif 000014
【図１２】
0004641589.tif 000015
【図１３】
0004641589.tif 000016
【図１４】
0004641589.tif 000017
【図１５】
0004641589.tif 000018