(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＮからなる絶縁板と、該絶縁板の一方の表面に接合された回路板と、前記絶縁板の他方の表面に接合された金属板とを備えた絶縁回路基板と、前記金属板の下面に接合された冷却シンク部とを備えた冷却シンク部付き絶縁回路基板であって、
前記回路板の表面に第１はんだ層を介して半導体チップが接合される構成とされ、
前記冷却シンク部は、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成され、冷媒が循環する内部空間を有し、
前記金属板と前記冷却シンク部とは、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍからなるＳｎを主成分とする第２はんだ層を介して接合されており、
前記回路板および金属板は、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成されるとともに、前記回路板の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、前記金属板の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１であることを特徴とする冷却シンク部付き絶縁回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられる冷却シンク部付き絶縁回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の冷却シンク部付き絶縁回路基板としては、例えば下記特許文献１に示されるような、セラミックス等により形成された絶縁板と、該絶縁板の一方の表面に接合された回路板と、前記絶縁板の他方の表面に接合された金属板とを備える絶縁回路基板と、前記金属板の、前記絶縁板に接合された表面と反対側の下面に設けられた冷却部とを備える概略構成とされ、前記回路板の表面にはんだ層を介して半導体チップが接合されるようになっている。
【０００３】
前記冷却部は、放熱板と内部に冷媒が供給される冷却シンク部とを備え、これらの放熱板と冷却シンク部とが、これらの間に熱伝導性グリース（例えばシリコーングリース）を介してねじにより締結されて接続された構成とされている。そして、前記冷却部の放熱板が、前記金属板にはんだ層を介して接合されている。
【特許文献１】特開平８−２６４６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年では、前記冷却シンク部付き絶縁回路基板の回路板の表面に半導体チップが接合されてなるパワーモジュールの高出力化に伴い、当該パワーモジュールを構成する前記各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、このパワーモジュールの積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることに対する要求が高まっている。しかし、前記熱伝導性グリースは前記トータル熱抵抗を低減させることに対して大きな阻害要因となっていた。
【０００５】
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることができる冷却シンク部付き絶縁回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の冷却シンク部付き絶縁回路基板は、ＡｌＮからなる絶縁板と、該絶縁板の一方の表面に接合された回路板と、前記絶縁板の他方の表面に接合された金属板とを備えた絶縁回路基板と、前記金属板の下面に接合された冷却シンク部とを備えた冷却シンク部付き絶縁回路基板であって、前記回路板の表面に第１はんだ層を介して半導体チップが接合される構成とされ、前記冷却シンク部は、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成され、冷媒が循環する内部空間を有し、前記金属板と前記冷却シンク部とは、厚さ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍからなるＳｎを主成分とする第２はんだ層を介して接合されており、前記回路板および金属板は、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成されるとともに、前記回路板の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、前記金属板の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１であることを特徴とする。
【０００７】
この発明では、前記回路板および金属板が、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成されるとともに、前記回路板の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、前記金属板の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１とされているので、前記金属板を前記冷却シンク部に直接接合することにより、熱伝導性グリースを介在させず、しかも接合界面数を低減させて、積層方向におけるトータル熱抵抗の低減されたパワーモジュールを形成しても、前記半導体チップと回路板との接合部ならびに前記金属板と冷却シンク部との接合部に発生する応力を緩和させることが可能になる。
【０００８】
すなわち、前記金属板の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、かつａ／ｂ＜１とされて、その厚さが厚くされているので、金属板の上面に熱膨張係数の小さい絶縁板が接合されて、この絶縁板により金属板の上面側における熱変形が拘束されたとしても、金属板の下面側における熱変形が絶縁板により拘束されることを抑制することが可能になる。また、前記回路板の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下で、かつａ／ｂ＜１とされて、その厚さが薄くされているので、この回路板の上下面に、熱膨張係数が小さい半導体チップおよび絶縁板がそれぞれ接合されることにより、この回路板の熱変形を偏りなく均等に拘束することが可能になる。
【０００９】
以上により、パワーモジュールを構成する前記各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、このパワーモジュールの積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることが可能になる絶縁回路基板を提供することができる。
【００１０】
ここで、前記回路板の厚さが０．２ｍｍより小さいと、該回路板に流せる電流量が制限され、また、この厚さが０．８ｍｍより大きいと、絶縁板により回路板の熱変形を偏りなく均等に拘束させることが困難になり、前記第１はんだ層における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなって、接合信頼性を低下させるおそれがある。
【００１１】
前記金属板の厚さが０．６ｍｍより小さいと、この金属板の熱変形が、その上面側のみならず下面側も絶縁板により拘束されることになり、前記第２はんだ層における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなって、接合信頼性が低下するおそれがあり、また、この厚さが１．５ｍｍより大きいと、金属板の熱変形により、絶縁板および回路板が変形させられることによって、前記第１はんだ層における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなり、接合信頼性を低下させるおそれがある。
【００１３】
この発明によれば、前記金属板と冷却シンク部とがＳｎを主成分とする第２はんだ層により接合されているので、冷却シンク部および絶縁板の熱膨張係数が異なることによって、接合界面に応力が生じようとした場合においても、この応力を前記第２はんだ層により吸収させることが可能になり、パワーモジュールの接合信頼性をさらに向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることが可能になる冷却シンク部付き絶縁回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。
本実施形態のパワーモジュール１０は、絶縁回路基板２０と、該絶縁回路基板２０の一方の表面側に設けられた半導体チップ（発熱体）３０と、絶縁回路基板２０の他方の表面側に設けられた冷却シンク部３１とを備えている。言い換えると、パワーモジュール１０は、絶縁回路基板２０および冷却シンク部３１からなる冷却シンク部付き絶縁回路基板１０ａと半導体チップ３０とを備えている。
【００１６】
絶縁回路基板２０は、絶縁板１１と、該絶縁板１１の一方の表面に接合された回路板１２と、絶縁板１１の他方の表面に接合された金属板１３とを備えている。そして、回路板１２の表面に第１はんだ層１４を介して半導体チップ３０が接合され、金属板１３の、絶縁板１１に接合された表面と反対側の下面に冷却シンク部３１が設けられている。
【００１７】
ここで、回路板１２および金属板１３の表面にはそれぞれ、図示されない厚さ約２μｍのＮｉメッキ層が形成されており、このＮｉメッキ層の形成された回路板１２の表面に、第１はんだ層１４を介して半導体チップ３０が接合され、また、Ｎｉメッキ層の形成された回路板１２および金属板１３の各表面と絶縁板１１とがろう付けにより接合されている。
【００１８】
なお、絶縁板１１が、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４等の窒化物系セラミックス、若しくはＡｌ２Ｏ３等の酸化物系セラミックスにより形成され、回路板１２および金属板１３が、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成された構成において、絶縁板１１と回路板１２および金属板１３とを接合するろう材は、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系、Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｍｇ系またはＡｌ−Ｍｎ系のろう材から選ばれる１または２以上のろう材とされる。ここで、回路板１２および金属板１３は、熱伝達等の観点から、純Ａｌ若しくは純度９８％以上のＡｌ合金により形成されるのが望ましい。
【００１９】
冷却シンク部３１は、純Ａｌ、Ａｌ合金、純Ｃｕ若しくはＣｕ合金等の金属若しくはＡｌＳｉＣ等の金属セラミック複合材により形成されるとともに、表面に金属板１３が設けられる本体部３１ａと、表面に内部空間３１ｂと連通する開口部が形成された箱体３１ｃとを備えている。ここで、本体部３１ａは、製造上、純Ａｌ、Ａｌ合金、純Ｃｕ若しくはＣｕ合金等の金属若しくはＡｌＳｉＣ等の金属セラミック複合材のいずれか１つの材料から構成されるのが望ましいが、複数の材料を積層した複合体とすることもできる。例えば、本体部３１ａの内部空間３１ｂ側の部分を純Ａｌとし、金属板１３側の部分に純Ｃｕ板を設けた複合体とすることができる。この場合、純Ｃｕ板は、前記純Ａｌの熱膨張係数とＡｌＮ（絶縁板１１）の熱膨張係数の中間の熱膨張係数を有することから、応力緩衝部材として機能する。本体部３１ａの、前記表面と反対側の下面には、下方に向けて延在し、かつこの本体部３１ａの幅方向（図１の紙面に奥行き方向）に延在する冷却フィン３１ｄがその長さ方向（図１の紙面の左右方向）に複数所定の間隔をあけて形成されている。なお、本体部３１ａは、熱伝達および加工性等の観点から、純Ａｌ若しくはＡｌ合金が望ましく、Ａｌ合金では特に純度９８％以上が良い。
【００２０】
この冷却シンク部３１は、本体部３１ａの冷却フィン３１ｄが、箱体３１ｃの内部空間３１ｂに突出した状態で、本体部３１ａの前記下面が、箱体３１ｃの前記開口部を閉塞する構成とされている。さらに、本体部３１ａの前記下面と、箱体３１ｃの表面における前記開口部の周縁部との間には、熱伝導グリースが介在されておらず、本体部３１ａの前記下面と、箱体３１ｃの表面における前記開口部の周縁部とは、直接接触した構成とされている。
【００２１】
そして、この閉塞された前記内部空間３１ｂに冷却液や冷却空気などの冷媒を供給および回収する図示されない冷媒循環手段が設けられ、該手段により前記冷媒が、本体部３１ａの前記下面および冷却フィン３１ｄの全域に接触するようになっている。
すなわち、前記内部空間３１ｂに供給された冷媒により、半導体チップ３０から冷却シンク部３１に伝導された熱を回収することによって、半導体チップ３０からの熱をパワーモジュール１０から放散させるようになっている。なお、冷却シンク部３１の本体部３１ａの熱伝達係数は約６０００Ｗ／℃・ｍ２〜約１５０００Ｗ／℃・ｍ２とされている。
【００２２】
さらに本実施形態では、金属板１３と本体部３１ａとは、ヤング率が３５ＧＰａ以上、０．２％耐力が４０ＭＰａ以上、引張強度が４０ＭＰａ以上のＳｎを主成分とする第２はんだ層１５により接合されている。金属板１３、および本体部３１ａの互いに対向する表面には、図示されないＮｉメッキ層（金属板１３では厚さ約２μｍ、本体部３１ａでは厚さ約５μｍ）が形成されており、これらの各Ｎｉメッキ層と第２はんだ層１５とが接合されている。図示の例では、金属板１３の下面の略全域が、第２はんだ層１５により接合されている。また、第２はんだ層１５は、Ｓｎ８５ｗｔ％以上、Ａｇ０．５ｗｔ％以上、Ｃｕ０．１ｗｔ％以上である３元以上の多元系合金からなるはんだにより形成されている。
なお、第１はんだ層１４の材質は特に限定されるものではないが、Ｓｎを主成分とするはんだにより形成されるのが望ましい。
【００２３】
また、絶縁板１１の縦、横および厚さがそれぞれ１０ｍｍ〜１００ｍｍ、１０ｍｍ〜１００ｍｍおよび０．２ｍｍ〜１．０ｍｍとされ、回路板１２の縦、横および厚さがそれぞれ１０ｍｍ〜１００ｍｍ、１０ｍｍ〜１００ｍｍおよび０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下とされ、金属板１３の縦、横および厚さがそれぞれ１０ｍｍ〜１００ｍｍ、１０ｍｍ〜１００ｍｍおよび０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされたパワーモジュール１０が、−４０℃〜１０５℃の温度範囲で使用される場合において、第１はんだ層１４および第２はんだ層１５の厚さは０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとされている。
【００２４】
また、前記の数値範囲において、回路板１２の厚さは金属板１３の厚さより小さくされており、回路板１２の厚さをａ、金属板１３の厚さをｂとすると、ａ／ｂ＜１の関係を満たしている。
【００２５】
以上説明したように、本実施形態に係るパワーモジュール１０によれば、回路板１２および金属板１３が、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成されるとともに、回路板１２の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、金属板１３の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１とされているので、金属板１３を冷却シンク部３１の本体部３１ａに第２はんだ層１５を介して直接接合することにより、熱伝導性グリースを介在させず、しかも接合界面数を低減させて、積層方向におけるトータル熱抵抗の低減されたパワーモジュール１０を形成しても、半導体チップ３０と回路板１２との接合部ならびに金属板１３と冷却シンク部３１の本体部３１ａとの接合部に発生する応力を緩和させることが可能になる。
【００２６】
すなわち、金属板１３の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、かつａ／ｂ＜１とされて、その厚さが厚くされているので、金属板１３の上面に熱膨張係数の小さい絶縁板１１が接合されて、この絶縁板１１により金属板１３の上面側における熱変形が拘束されたとしても、金属板１３の下面側における熱変形が絶縁板１１により拘束されることを抑制することが可能になる。また、回路板１２の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下で、かつａ／ｂ＜１とされて、その厚さが薄くされているので、この回路板１２の上下面に、熱膨張係数が小さい半導体チップ３０および絶縁板１１がそれぞれ接合されることにより、この回路板１２の熱変形を偏りなく均等に拘束することが可能になる。
【００２７】
以上により、パワーモジュール１０を構成する前記各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、このパワーモジュール１０の積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることが可能になる絶縁回路基板２０を提供することができる。
【００２８】
ここで、回路板１２の厚さが０．２ｍｍより小さいと、該回路板１２に流せる電流量が制限され、また、この厚さが０．８ｍｍより大きいと、絶縁板１１により回路板１２の熱変形を偏りなく均等に拘束させることが困難になり、第１はんだ層１４における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなって、接合信頼性を低下させるおそれがある。
【００２９】
金属板１３の厚さが０．６ｍｍより小さいと、この金属板１３の熱変形が、その上面側のみならず下面側も絶縁板１１により拘束されることになり、第２はんだ層１５における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなって、接合信頼性が低下するおそれがあり、また、この厚さが１．５ｍｍより大きいと、金属板１３の熱変形により、絶縁板１１および回路板１２が変形させられることによって、第１はんだ層１４における熱サイクル時の亀裂進展速度が大きくなり、接合信頼性を低下させるおそれがある。
【００３０】
また、金属板１３と冷却シンク部３１の本体部３１ａとがＳｎを主成分とする第２はんだ層１５により接合されているので、本体部３１ａおよび絶縁板１１の熱膨張係数が異なることによって、パワーモジュール１０、特に接合界面に応力が生じようとした場合においても、この応力を第２はんだ層１５により吸収させることが可能になり、パワーモジュール１０の接合信頼性をさらに向上させることができる。
【００３１】
ここで、以上の作用効果のうち、金属板１３の厚さを回路板１２の厚さよりも大きくしたことにより、第２はんだ層１５に生ずる応力を低減できることについて、実験により検証した。
【００３２】
本実験に供する冷却シンク部付き絶縁回路基板として、ＡｌＮを主成分とする材質により形成された絶縁板１１の縦、横および厚さがそれぞれ５０ｍｍ、５０ｍｍおよび０．６３５ｍｍとされ、回路板１２および金属板１３の縦および横がそれぞれ４８ｍｍおよび４８ｍｍとされ、ＡＡ（Ａｌｍｉｎｕｍ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）６０６３系のＡｌ合金により形成された冷却シンク部３１は、その本体部３１ａの縦、横および厚さがそれぞれ１００ｍｍ、１００ｍｍおよび３ｍｍとされるとともに、冷却フィン３１ｄの厚さ（図１の紙面の左右方向の大きさ）、長さ（図１の紙面の上下方向の大きさ）およびピッチがそれぞれ１ｍｍ、８ｍｍおよび３ｍｍとされ、Ｓｎ３．５％Ａｇ０．７５％Ｃｕからなる第２はんだ層１５の厚さが０．３ｍｍとされた構成を採用した。この構成において、回路板１２および金属板１３の厚さを、０．２ｍｍから１．５ｍｍまでの範囲で種々異ならせた４９種類の冷却シンク部付き絶縁回路基板を形成した。以下、回路板１２の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、金属板１３の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１の構成を実施例といい、これ以外の構成を比較例という。
【００３３】
なお、回路板１２は純度９９．９９％のＡｌ合金、金属板１３は純度９９．５％のＡｌ合金によりそれぞれ形成した。また、金属板１３と冷却シンク部３１の本体部３１ａとの第２はんだ層１５を介した接合は、予め、金属板１３が接合される冷却シンク部の本体部３１ａの表面と、金属板１３の表面とに、前記Ｎｉメッキ層を無電解メッキにより形成しておき、その後、温度が３００℃とされた還元雰囲気下で実施した。また、この接合の際、同時に第２はんだ層１５と同じはんだ材料により、縦、横および厚さがそれぞれ１０ｍｍ、１０ｍｍおよび０．３ｍｍとされたＡｌＮを用いたヒーターチップを回路板１２に接合した。このヒータチップは、本検証試験の実施に際して半導体チップ３０に代えて採用したものである（以下、この構成を「パワーモジュール」という）。さらに、回路板１２および金属板１３と絶縁板１１とは、Ａｌ−Ｓｉろう箔を用いてあらかじめ真空ろう付けした。なお、このろう付けに際し予め、回路板１２および金属板１３の各表面に厚さ２μｍのＮｉメッキ層を無電解メッキにより形成した。
【００３４】
以上の各パワーモジュールをそれぞれ、フッ素系溶媒からなる液相雰囲気下に置いて、その雰囲気温度を−４０℃から１０５℃に１０分間で上昇させ、１０５℃から−４０℃に１０分間で下降させる温度履歴を１サイクルとした温度サイクルを前記各パワーモジュールに付与し、該付与前の熱抵抗値（以下、「初期熱抵抗値」という）と比べて１０％以上の上昇が確認されたときの熱サイクル数を、このパワーモジュールの熱サイクル寿命として測定した。ここで、第１、第２はんだ層１４、１５等の接合部等に亀裂が発生および進展したときに、熱抵抗値が上昇することになる。この熱サイクル寿命の測定は、５００サイクル経過するたびに熱抵抗値を測定することにより実施した。
【００３５】
なお、熱抵抗値の測定は、冷却シンク部３１の内部空間３１ｂに水温５０℃の冷却水を循環させて、冷却フィン３１ｄの外表面を一定温度に保った状態で、ヒーターチップに１００Ｗの電力を供給して発熱させる。このヒーターチップの温度が一定になった後に、そのヒーターチップの温度（Ｔｈ）および冷却水の温度（５０℃）により、熱抵抗値（ＨＲ）を、ＨＲ＝（Ｔｈ−５０）／１００（℃／Ｗ）から算出した。ここで、ヒーターチップ温度（Ｔｈ）はあらかじめヒーターチップのＴＣＲ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を測定しておき、発熱前後のヒーターチップの抵抗値の差（ΔＲ）を求めることによって、Ｔｈ=ΔＲ／ＴＣＲ＋Ｔｒ（℃）から算出した（Ｔｒは室温）。
【００３６】
従来例として、前記パワーモジュールと同じヒーターチップ、絶縁板１１、回路板１２、金属板１３および冷却シンク部３１を採用するとともに、金属板１３と冷却シンク部３１との間に、縦、横および厚さがそれぞれ７０ｍｍ、７０ｍｍおよび３ｍｍとされたＣｕＭｏ合金からなる放熱板を配設した構成を採用した。なお、該従来例の構成は、まず、回路板１２および金属板１３と絶縁板１１とをＡｌ−Ｓｉろう箔を用いて真空ろう付けした後に、Ｐｂ５０％Ｓｎはんだ材料により、ヒーターチップと回路板１２とを接合するとともに、前記放熱板と金属板１３とを接合した。さらに、厚さが約０．１５ｍｍとされたシリコーングリース層を介して、前記放熱板と冷却シンク部３１とを接着させた。なお、前記実施例および比較例と全く同様にして、回路板１２等の各表面にＮｉメッキ層も形成した。
【００３７】
結果、従来例の初期熱抵抗値は０．７２（℃／Ｗ）であるのに対し、実施例の初期熱抵抗値は０．２８（℃／Ｗ）〜０．３０（℃／Ｗ）であり、従来例と比べて半分より小さくできることが確認された。また、図２に示すように、前記比較例では、前記熱サイクル寿命が３０００以下であるのに対し、実施例では３５００より大きいことが確認された。
以上より、回路板１２の厚さ（ａ）が０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、金属板１３の厚さ（ｂ）が０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下で、ａ／ｂ＜１とされたパワーモジュール１０では、各構成要素１２等同士の接合信頼性を低減させることなく、積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることができることが確認された。
【００３８】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、前記冷却シンク部３１に、絶縁板１１の熱膨張係数と冷却シンク部３１の本体部３１ａの熱膨張係数との中間の熱膨張係数を有するＣｕ等からなる応力緩衝部材を備えさせ、該応力緩衝部材を、金属板１３と冷却シンク部３１との間に配設するようにしてもよく、また、この応力緩衝部材に代えて、純度が９９％以上の純Ａｌからなるひずみ吸収部材を配設するようにしてもよい。
また、金属板１３と冷却シンク部３１の本体部３１ａとをろう付けにより接合してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
各構成要素同士の接合信頼性を低減させることなく、積層方向におけるトータル熱抵抗を低減させることが可能になる絶縁回路基板および冷却シンク部付き絶縁回路基板を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】この発明の一実施形態に係る絶縁回路基板を用いたパワーモジュールを示す全体図である。
【図２】この発明の一実施形態に係る絶縁回路基板を用いたパワーモジュールの作用効果を検証した試験結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  パワーモジュール
１０ａ  冷却シンク部付き絶縁回路基板
１１  絶縁板
１２  回路板
１３  金属板
１４  第１はんだ層
１５  第２はんだ層
２０  絶縁回路基板
３０  半導体チップ
３１  冷却シンク部
【図１】
0004747284.tif 000002
【図２】
0004747284.tif 000003