(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が導体に照射されることにより前記導体に近接場光を発生させ、かつ、前記導体を通過する電流により磁場を発生させる電磁場発生素子において、
前記導体は、
前記光が照射されることにより前記近接場光を発生し、かつ、前記電流を狭窄して狭窄された電流により前記磁場を発生する狭窄部を有しており、
前記導体に関して、前記近接場光及び前記磁場を作用させる対象物と対向する方向と、前記狭窄部において前記電流が流れる方向との両方に垂直な方向に、軟磁性体を設けており、
前記導体には、前記狭窄部を底部とする溝部が形成されており、
前記溝部における間隙は、前記狭窄部において前記電流が流れる方向における寸法が、前記光の波長よりも短く、
前記軟磁性体は、軟磁性絶縁体であり、
前記対象物に対向する方向と、前記狭窄部において前記電流が流れる方向との両方に垂直な方向における前記軟磁性体の寸法が、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、
前記軟磁性体は、
前記対象物に対向する方向における寸法が、前記狭窄部において前記電流が流れる方向における寸法、および、前記対象物に対向する方向と前記狭窄部において前記電流が流れる方向との両方に垂直な方向における寸法の両方と異なっており、
前記軟磁性体は、
前記対象物に対向する方向における寸法が、前記狭窄部において前記電流が流れる方向における寸法、および、前記対象物に対向する方向と前記狭窄部において前記電流が流れる方向との両方に垂直な方向における寸法の両方よりも長い形状を有しており、
前記軟磁性体の飽和磁化が、０．２Ｔ以上１Ｔ以下であり、
前記軟磁性体は、フェライトを含む半透明膜であり、
前記狭窄部と前記軟磁性体との間隔が、１００ｎｍを超え、かつ２００ｎｍ以下であり、
前記軟磁性体は、前記対象物に対向する方向と前記狭窄部において前記電流が流れる方向との両方に垂直な方向において、前記狭窄部、前記軟磁性体の下部に設けられる間隙部分、および前記軟磁性体が順次積層されるように、前記間隙に形成されていることを特徴とする電磁場発生素子。
【請求項２】
前記狭窄部に対して、前記対象物の移動する方向に前記軟磁性体が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁場発生素子。
【請求項３】
前記軟磁性体の位置は、前記対象物の線速度に応じて決定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁場発生素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電磁場発生素子を備え、
前記電磁場発生素子が前記近接場光及び前記磁場を作用させる前記対象物は、磁気記録媒体であり、
前記磁気記録媒体の所望位置に記録された情報を再生するための再生手段をさらに備えることを特徴とする情報記録再生ヘッド。
【請求項５】
前記再生手段は、前記導体を通過する電流を測定する電流測定手段であり、
前記電流測定手段が測定した、前記導体を通過する電流の変化に応じて、前記磁気記録媒体に記録された前記情報の再生が行われることを特徴とする請求項４に記載の情報記録再生ヘッド。
【請求項６】
請求項４または５に記載の情報記録再生ヘッドを備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体から磁場（磁化）及び近接場光を発生する電磁場発生素子、情報記録再生ヘッド、及び情報記録再生装置に関するものである。特に、本発明は、磁性層に対して、光（熱源）によって加熱された領域に記録再生を行う磁気記録装置に好適に用いられ、光と磁気とを利用して記録を行う電磁場発生素子、情報記録再生ヘッド、及び情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（Hard Disk Drive）に代表される磁気メモリに係る分野においては、更なる高密度化を達成するために、光ビームによる加熱手段を取り入れた記録方法が活発に研究されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、高密度磁気記録再生技術の１つとして、略室温に補償温度を有するｎ形フェリ磁性体からなる記録層が形成された磁気記録媒体及びこれを用いた光ビームによる光アシスト記録再生方式が開示されている。
【０００４】
前記の方式によれば、記録のときには、磁気記録媒体の局所部を、光照射により加熱する、即ち、光アシストを行う。これにより、前記局所部の保磁力は低下するため、磁気ヘッドによる記録が可能となる。そのため、こうした光アシスト記録再生方式では、磁気ヘッドの発生磁場の強さに比べて高い保磁力を有する磁気記録媒体に対しても記録が可能となる。そして、前記保磁力の高い磁気記録媒体では、熱揺らぎの問題を回避することができるため、超高密度磁気記録が可能となる。なお、ここで「熱揺らぎの問題」とは、例えば室温の熱エネルギーが、磁気記録媒体の磁化方向を乱すことで、前記磁気記録媒体に記録されている情報が消失してしまうといった問題である。
【０００５】
さらに、上述した光アシスト記録再生方式の応用例としては、更に小さな磁気ビットを形成し、記録密度の向上を達成するために、光ビームとして近接場光を用いる手法が提案されている。この手法によれば、光アシストによる昇温領域、即ち、前記近接場光のスポット径を、数十ｎｍ以下にすることが可能であるため、形成される磁気ビットサイズも数十ｎｍ以下にすることができる。その結果、この手法によれば、超高密度記録が可能となる。
【０００６】
こうした磁気ヘッドの一例としては、スライダである基板上に、光源となる半導体レーザ部と、狭窄部を有する導体部と、を形成した電磁場発生素子を備える磁気ヘッド（情報記録再生ヘッド）が開示されている。特許文献２に係る電磁場発生素子は、光源と、電流が狭窄される狭窄部を有した導体が積層された基板とを有し、光源からの光が狭窄部に照射されると、狭窄部に近接場光を発生する。
【０００７】
特許文献３には、ギャップを介して１対の構造体（構造体としては、軟磁性体が好適に用いられる）を設け、当該ギャップから近接場光及び磁化を印加する磁気ヘッド（光アシスト磁気記録ヘッド）が開示されている。
【特許文献１】特開平４−１７６０３４号公報（１９９２年６月２３日公開）
【特許文献２】特開２００４−３０３２９９号公報（２００４年１０月２８日公開）
【特許文献３】特開２００２−２９８３０２号公報（２００２年１０月１１日公開）
【特許文献４】特開２００７−１２８５７３号公報（２００７年５月２４日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、基板上に、光源となる半導体レーザ部と、狭窄部を有する導体部と、を形成した電磁場発生素子を備える磁気ヘッドに係る技術の他の一例を、図７（ａ）・（ｂ）を用いて説明すれば、以下の通りである。
【０００９】
図７（ａ）は、特許文献２に係る電磁場発生素子の変形例としての電磁場発生素子の正面図、即ち、前記変形例としての電磁場発生素子が磁気記録媒体と向き合う面を図示した図である。図７（ｂ）は、同図（ａ）の、１Ｚ−１Ｚ線における断面を図示する模式図である。
【００１０】
図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子では、記録のとき、光源である半導体レーザ部１１から狭窄部１９に向けて光１２を照射する。図７（ｂ）に示す間隙２０の幅Ｗは、２００ｎｍ程度であり、４００ｎｍ以上である光１２の波長に比べて狭小である。そのため、光１２は、間隙２０に進入することができないが、導体１３の表面を、表面プラズモン１４として伝導する。導体１３における狭窄部１９の端部まで伝導した表面プラズモン１４は、近接場光１５として発光する。そして、電磁場発生素子では、光１２の照射と同時に、狭窄部１９に電流１６を流し、磁場７１を発生させる。
【００１１】
以上の動作により、前記図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子では、近接場光１５により磁気記録媒体を加熱し、保磁力が低減した部分に、磁場７１を印加する。これにより、前記図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子を備える磁気ヘッドでは、光アシスト磁気記録を可能とする。
【００１２】
なお、図７（ａ）中、参照符号１０で示されている部材は、基板である。
【００１３】
しかしながら、前記図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子では、光照射の強度、即ち、磁気記録媒体の記録領域の温度を充分に高くする必要があるため、消費電力が高くなるという問題が発生する。
【００１４】
以下では、この問題について説明を行う。
【００１５】
図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子では、自身から発生される磁場の強さが、例えば１７．３ｋＡ／ｍ（０．０２１８Ｔに相当）である。そのため、高い保磁力を有する磁気記録媒体に記録を行うためには、前記磁気記録媒体の記録領域の温度を比較的高温まで加熱することで、その保磁力を１７ｋＡ／ｍ程度にまで低減させる必要がある。さらに、図７（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子を備えた磁気ヘッドでは、近接場光の照射域と磁場印加域とが概ね一致する。
【００１６】
しかしながら、磁気ヘッドにおいて、高速回転する磁気記録媒体に光を照射した場合には、光照射域と、前記光照射により温度上昇が最大になる磁気記録媒体の位置とが僅かに異なるという現象が発生する。
【００１７】
ここで、光照射域と前記光照射により温度上昇が最大になる位置とが僅かに異なる理由を、図８（ａ）〜（ｄ）を用いて定性的に説明する。なお、説明の便宜のため、図８（ａ）〜（ｃ）では、不連続な時系列で移動（回転）している磁気記録媒体が昇温された場合についての説明を行う。また、図８（ｄ）では、連続な時系列で移動（回転）している磁気記録媒体が昇温された場合についての説明を行う。
【００１８】
図８（ａ）では、磁気記録媒体に照射される照射光８１ａと、照射光８１ａにより前記磁気記録媒体が昇温する範囲（昇温部）８２ａと、を示している。また、図８（ｂ）では、同図（ａ）に示す状態から、所定の時間が経過した状態において磁気記録媒体に照射される照射光８１ｂと、照射光８１ｂにより前記磁気記録媒体が昇温する範囲（昇温部）８２ｂと、前記昇温部８２ａと、を示している。図８（ｂ）からも分かるとおり、前記所定の時間だけ光が照射された磁気記録媒体では、昇温部８２ａの他に昇温部８２ｂを有することになる。ここで、磁気記録媒体の昇温域は、昇温部８２ａと昇温部８２ｂの合計した領域になるため、昇温域の中心位置及び昇温域において温度上昇が最大になる位置は、照射光８１ｂにおけるこれらの位置に対して、磁気記録媒体の移動方向に僅かにずれる。さらに、図８（ｂ）からさらなる時間が経過した状態でも同様に、磁気記録媒体は、照射光８１ｃが照射されることによって、昇温部８２ａ、８２ｂの他に、昇温部８２ｃをさらに有することになる（図８（ｃ）参照）。
【００１９】
ここで、連続して昇温された場合の昇温状態を図８（ｄ）に示すと、磁気記録媒体では、照射光８１によって昇温された昇温部８２を有することになる。図８（ｄ）における点線は、光照射により温度上昇が最大になる位置であり、照射光８１の位置に比べ、磁気記録媒体の移動方向にずれている。
【００２０】
なお、前記ずれの量は、磁気記録媒体の線速度が１０〜３０ｍ／ｓの場合、数１０〜２００ｎｍ程度になると予想される。また、前記ずれは、磁気記録媒体の回転数に比例して大きくなるため、前記線速度が増加すれば、それに比例して、前記ずれ量も増加すると考えられる。
【００２１】
そのため、「磁気記録媒体の記録局所部分の温度を上げることにより保磁力を低下させて記録を行う」という、光アシスト磁気記録の原理を考慮すると、本来、磁場印加域は、近接場光の照射域ではなく、近接場光の照射により温度上昇が最大になる位置と一致することが好ましい。
【００２２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、近接場光による光アシスト磁気記録再生において、消費電力の低減が可能である電磁場発生素子、情報記録再生ヘッド、及び情報記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係る電磁場発生素子は、上記の問題を解決するため、光が導体に照射されることにより前記導体に近接場光を発生させ、かつ、前記導体を通過する電流により磁場を発生させる電磁場発生素子において、前記導体に関して、前記近接場光及び前記磁場を作用させる対象物と対向する方向と、前記電流が流れる方向とに垂直な方向に、軟磁性体を設けたことを特徴としている。
【００２４】
ところで、軟磁性体は、磁場が印加されることで、
（印加される磁場の強さ）×（軟磁性体の透磁率μ）
に比例する、強度の非常に高い磁場が発生する。
【００２５】
そこで、本願発明者らは、電磁場発生素子において、動いている対象物の線速度を考慮した上で、近接場光の照射により温度上昇が最大になる対象物の位置に高い磁場を発生させるような位置に、軟磁性体を設けることを考え、上記の構成を案出した。即ち、本発明に係る電磁場発生素子では、前記軟磁性体を、導体に関して、近接場光及び磁場を作用させる前記対象物と対向する方向と、電流が流れる方向とに垂直な方向に設けた。
【００２６】
なお、ここで「導体に関して、対象物と対向する方向」とは、対象物と導体との直線距離が最短となる方向を意味する。また、ここで軟磁性体とは、前記磁場の強さにて磁化反転が可能な程度に保磁力が低い磁性体のことを意味しており、例えば、６３．７ｋＡ／ｍ（０．０８Ｔに相当）以下の保磁力を有する磁性体が用いられている。
【００２７】
このため、本発明に係る電磁場発生素子では、近接場光による光アシスト磁気記録再生において、好適に使用される。即ち、本発明に係る電磁場発生素子が、光アシスト磁気記録再生を行う情報記録再生ヘッドに設けられる場合は、磁気記録を行うべき磁気記録媒体の線速度に応じて、近接場光の照射により温度上昇が最大になる位置と磁場印加域とを容易に一致させることが可能となる。このため、従来の電磁場発生素子を備える情報記録再生ヘッドのように、低い磁場、及び昇温域と磁場印加域とのずれを補うために、光照射の強度、即ち、磁気記録媒体の記録領域の温度を充分に高くする必要はなくなり、結果として、消費電力の低減が可能となる。
【００２８】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記導体は、前記光が照射されることにより前記近接場光を発生し、かつ、前記電流を狭窄して狭窄された電流により前記磁場を発生する狭窄部を有していることを特徴としている。
【００２９】
上記の構成によれば、導体の狭窄部では、電流が狭窄されるため、前記導体からは、充分に高い磁場が発生される。これにより、電磁場発生素子では、導体に流される電流の値が小さい場合であっても、前記充分に高い磁場を発生させることが可能となるため、さらなる消費電力の低減が可能となる。
【００３０】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記導体には、前記狭窄部を底部とする溝部が形成されており、前記溝部における間隙は、前記電流が流れる方向における寸法が、前記光の波長よりも短いことを特徴としている。
【００３１】
上記の構成によれば、狭窄部に光を照射することにより、前記狭窄部において前記近接場光を発光させることができる。
【００３２】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体は、軟磁性絶縁体であることを特徴としている。なお、ここで軟磁性絶縁体とは、導体と比較して電気が通りにくい軟磁性体を意味しており、例えば、０．１Ωｃｍ以上の抵抗率を有する軟磁性体のことを意味する。
【００３３】
上記の構成によれば、軟磁性体は、電気抵抗が高い部材として設けられているため、たとえ前記軟磁性体と導体とが接触している場合であっても、前記軟磁性体に電流は流れない、即ち、電流がショートしない。また、この場合は、本発明に係る電磁場発生素子を、比較的容易な作製方法により作製することができる。
【００３４】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体と前記導体とが離間されていることを特徴としている。なお、ここで「軟磁性体と導体とが離間されている」状態とは、軟磁性体と導体とが例えば１０ｎｍ以上離間されており、トンネル電流及び放電等による両者間での電荷移動が、実質的に発生しない状態を意味する。
【００３５】
上記の構成によれば、軟磁性体が導体である場合でも、前記軟磁性体に電流は流れない、即ち、電流がショートしない。従って、軟磁性体の材料として、金属磁性体を使用することができる。金属磁性体は、透磁率μ、飽和磁化等の磁気特性が極めて良好であるため、こうした金属磁性体を軟磁性体として用いることにより、軟磁性体が発生する磁場を容易に向上させることができる。
【００３６】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体の位置は、前記対象物の線速度に応じて決定されていることを特徴としている。
【００３７】
例えば、電磁場発生素子を備える情報記録再生ヘッドの場合、磁気記録媒体では、光照射域と温度上昇が最大になる位置とが、前記磁気記録媒体の回転数（線速度）により１０〜２００ｎｍ程度ずれる。そのため、軟磁性体と狭窄部との間隔が、即ち、軟磁性体と導体の底部との距離が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である場合は、前記磁気記録媒体の回転数（線速度）に合わせて、磁場印加域と近接場光の照射域との距離を最適にすることができる。これらのことを考慮すると、軟磁性体と狭窄部との間隔は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましい。こうして、対象物の線速度に応じて、軟磁性体の位置、即ち、軟磁性体が発生する磁場が最高となる位置が適宜設定されているのが好ましい。
【００３８】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記対象物に対向する方向と、前記電流が流れる方向とに垂直な方向における前記軟磁性体の寸法が、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００３９】
前記対象物に対向する方向と、前記電流が流れる方向とに垂直な方向における前記軟磁性体の寸法、即ち、軟磁性体の厚さが１０ｎｍ未満である場合、軟磁性体は保磁力が高くなりすぎ、磁化反転が困難となる。一方、前記軟磁性体の厚さが１０００ｎｍを超える場合、軟磁性体が発生する磁場の領域も約１０００ｎｍとなり、磁場が広がりすぎるため好ましくない。この場合、本発明に係る電磁場発生素子を備える情報記録再生ヘッドでは、磁気記録を行うべき磁気記録媒体に形成される磁気ビットが大きくなってしまうため、高密度記録には不適となる。これらのことを考慮すると、軟磁性体の厚さは、１０〜１０００ｎｍであるのが好ましい。
【００４０】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体は、前記対象物に対向する方向における寸法と、前記電流が流れる方向における寸法とが異なっていることを特徴としている。
【００４１】
即ち、本発明に係る電磁場発生素子は、軟磁性体が前記の関係を有することにより、記録のときに適切に磁場を印加することが可能となる。
【００４２】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体は、前記対象物に対向する方向における寸法が、前記電流が流れる方向における寸法よりも長い形状を有していることを特徴としている。
【００４３】
即ち、軟磁性体は、前記の関係を有することにより、前記対象物に対向する方向、即ち、電磁場発生素子が情報記録再生ヘッドに備えられる場合における媒体方向が磁化容易方向となる磁気異方性を有することになる。一般的に、磁性体の磁化方向は、磁化容易方向に特に向きやすい。磁場は、環状に発生するため様々な方向を向いているが、軟磁性体が前記の関係を有することにより、軟磁性体の磁化方向は、前記対向する方向に特に向きやすいため、正確、かつ、一様な磁場の印加が可能となる。
【００４４】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体は、前記対象物に対向する方向における寸法が、前記電流が流れる方向における寸法よりも短い形状を有していることを特徴としている。
【００４５】
即ち、軟磁性体は、前記の関係を有することにより、前記対象物に対向する方向、即ち、電磁場発生素子が情報記録再生ヘッドに備えられる場合における媒体方向が磁化容易方向とならないため、前記方向における残留磁化は、実質的に０となる。そのため、前記方向における磁化反転は容易となり、磁化反転の周波数特性は向上するため、高速記録に適している。
【００４６】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体の飽和磁化が、０．２Ｔ以上１Ｔ以下であることを特徴としている。
【００４７】
光アシスト磁気記録においては、光アシストを行った際の磁気記録媒体の保磁力が、通常、約１５９ｋＡ／ｍ（０．２Ｔに相当）であるため、記録を実行するためには１５９ｋＡ／ｍ以上の磁化の印加が必要である。また、飽和磁化が１Ｔを超えれば、光アシストの有無に関係なく、軟磁性体の有する磁化のみで記録が実行されてしまう虞があるため、光アシスト磁気記録により、高密度磁気記録を達成するためには、軟磁性体の飽和磁化は、０．２Ｔ以上１Ｔ以下が最適である。
【００４８】
また、本発明に係る電磁場発生素子は、前記軟磁性体は、フェライトを含むことを特徴としている。
【００４９】
フェライトは、絶縁性を有する軟磁性体であるため、前記軟磁性体がフェライトを含むことにより、前記軟磁性体を、高抵抗かつ高透磁率の磁性体とすることが可能となる。更に、金属であるのが一般的である磁性体内において、フェライトは消衰係数ｋが小さく、表面プラズモンの伝播の妨げになりにくい。そのため、軟磁性体として、フェライトを用いることにより、非常に良好な磁気特性が得られる。
【００５０】
また、本発明に係る情報記録再生ヘッドは、前記のいずれかの電磁場発生素子を備えることを特徴としている。具体的に、本発明に係る情報記録再生ヘッドは、前記のいずれかの電磁場発生素子を備え、前記電磁場発生素子が前記近接場光及び前記磁場を作用させる前記対象物は、磁気記録媒体であり、前記磁気記録媒体の所望位置に記録された情報を再生するための再生手段をさらに備えることを特徴としている。
【００５１】
特に、本発明に係る情報記録再生ヘッドは、前記再生手段は、前記導体を通過する電流を測定する電流測定手段であり、前記電流測定手段が測定した、前記導体を通過する電流の変化に応じて、前記磁気記録媒体に記録された前記情報の再生が行われるのが好ましい。但し、本発明に係る情報記録再生ヘッドにおける、情報の再生要領はこれに限定されず、例えば、前記再生手段は磁気抵抗効果素子であり、前記電磁場発生素子から発生された磁場を前記磁気抵抗効果素子により変換して得られた電気信号に応じて、前記磁気記録媒体に記録された前記情報の再生が行われてもよい。
【００５２】
また、本発明に係る情報記録再生装置は、前記のいずれかの情報記録再生ヘッドを備えることを特徴としている。
【００５３】
上記の構成によれば、印加磁場が高く、かつ、光照射により温度上昇が最大になる位置と磁場印加域を重ねることができるため、高い効率にて動作する光アシスト磁気記録を行う情報記録再生ヘッド及び情報記録再生装置の実現が可能となる。
【発明の効果】
【００５４】
本発明に係る電磁場発生素子は、光が導体に照射されることにより前記導体に近接場光を発生させ、かつ、前記導体を通過する電流により磁場を発生させる電磁場発生素子において、前記導体に関して、前記近接場光及び前記磁場を作用させる対象物と対向する方向と、前記電流が流れる方向とに垂直な方向に、軟磁性体を設けた構成である。
【００５５】
従って、近接場光による光アシスト磁気記録再生において、消費電力の低減が可能であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
〔実施の形態１〕
まず始めに、本発明に係る電磁場発生素子について、図１〜図３に基づいて説明する。
【００５７】
図１（ａ）は、本発明に係る電磁場発生素子の正面図、即ち、後述する本発明に係る情報記録再生ヘッドに備えられる前記電磁場発生素子が磁気記録媒体（対象物）と向き合う面を図示した図である。図１（ｂ）は、同図（ａ）の、１Ａ−１Ａ線における断面を図示する模式図である。
【００５８】
なお、本発明に係る電磁場発生素子の構造を明確に図示するため、図１（ａ）、及び後述する図３（ａ）については、磁気記録媒体の図示を省略している。
【００５９】
また、本願明細書では、単位をＳＩ単位系に統一している。また、本願明細書では、「保磁力」及び「磁場の強さ」の単位をＡ／ｍ（ｋＡ／ｍを含む）に、「磁場、磁束密度、及び磁化」の単位をＴ（テスラ）に統一している。
【００６０】
また、本願明細書では、導体を流れる電流により発生する磁場の量を「磁場の強さ（Ａ／ｍ）」と称し、この「磁場の強さ」を軟磁性体の透磁率倍した量を「磁化（Ｔ）」と称している。
【００６１】
さらに、前記「磁化」と、前記「磁場の強さ」を真空の透磁率倍した量と、を加算した量は、前記軟磁性体の磁束密度としての「磁場（Ｔ）」である。但し、前記「磁場の強さ」を真空の透磁率倍した量は、前記「磁化」と比較して非常に小さいため、前記「磁化」の量と前記「磁場」の量とは、実質的に等しい。そのため、本願明細書では、前記「磁化」を、本発明の電磁場発生素子の発生する「磁場」と称している。
【００６２】
図１（ａ）・（ｂ）に示すとおり、電磁場発生素子１は、半導体レーザ部１１と、基板１０に積層された導体１３と、を備えている。
【００６３】
導体１３は、基板１０に積層された下部導体１３ａと、前記下部導体１３ａの一部及び基板１０に積層された上部導体１３ｂとからなる。なお、ここでは、導体１３が下部導体１３ａと上部導体１３ｂという２つの部材からなるものとして説明を行っているがこれに限らず、導体１３は以下の形状を有する１つの部材として設けられていても当然構わない。そこで、図１（ａ）及び後述する図３（ａ）では、便宜的に、下部導体１３ａと上部導体１３ｂとの境界を、点線により図示している。また、導体１３には、下部導体１３ａ及び上部導体１３ｂにより、磁気記録媒体３０に対向する方向と、電流１６が流れる方向とに垂直な方向に開口し、かつ、前記磁気記録媒体３０に対向する方向に伸びる溝部が設けられている。なお、ここで、「磁気記録媒体３０に対向する方向」とは、前記磁気記録媒体３０と導体１３との直線距離が最短となるような方向を意味する。前記溝部を構成している下部導体１３ａは、狭窄部１９となり、導体１３に流れる電流１６は、この狭窄部１９で狭窄される。
【００６４】
また、前記溝部には、間隙２０が形成されることとなる。間隙２０には、例えばＳｉＯ２（酸化シリコン）が充填されている。また、図１（ａ）に示すとおり、電流１６が流れる方向における間隙２０の寸法、即ち、間隙２０の幅Ｗは、２００ｎｍ程度である。
【００６５】
なお、導体１３は、電気伝導率が高いＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属である。また、基板１０の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ属半導体、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＮに代表されるＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体、ＺｎＴｅ、ＺｅＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯ等のＩＩ−ＶＩ属化合物半導体、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の酸化物絶縁体、ＳｉＮ等の窒化物絶縁体、ガラス、プラスチック、等が使用される。
【００６６】
ここで、間隙２０には、軟磁性体１７が設けられている。軟磁性体１７としては、例えば、６３．７ｋＡ／ｍ（０．０８Ｔ）以下の低い保磁力を有する磁性体が使用される。図１（ａ）・（ｂ）における軟磁性体１７は、電流１６が流れる方向における寸法、即ち、軟磁性体１７の幅が、図１（ａ）に示す間隙２０の幅Ｗと等しい。また、図１（ａ）・（ｂ）における軟磁性体１７は、前記磁気記録媒体３０に対向する方向における寸法が、図１（ｂ）に示すＬである。また、図１（ａ）・（ｂ）における軟磁性体１７は、前記磁気記録媒体３０に対向する方向と、電流１６が流れる方向とに垂直な方向における寸法、即ち、軟磁性体１７の高さ（軟磁性体１７の厚さ）が、図１（ｂ）に示すＨである。さらに、軟磁性体１７と下部導体１３ａとの間隔は、図１（ｂ）に示すＤである。
【００６７】
上述したとおり、図１（ｂ）に示す間隙２０の幅Ｗは、２００ｎｍ程度である。一方、半導体レーザ部１１からの光１２は、波長が４００ｎｍ以上であるため、光１２は間隙２０に進入することができない。しかしながら、このとき光１２は、狭窄部１９表面、即ち、下部導体１３ａの上端面に表面プラズモン１４を励起させる。励起された表面プラズモン１４は、狭窄部１９の端部（即ち、図１（ｂ）に示す電磁場発生素子１の左端部）へと伝導し、前記狭窄部１９の端部まで伝導されると、近接場光１５として発光する。そして、電磁場発生素子１では、前記光１２の照射と同時に、狭窄部１９に電流１６を流す。電流１６が流されると、狭窄部１９周辺には、図示しない磁場が発生する。
【００６８】
そして、電磁場発生素子１では、前記磁場により、軟磁性体１７が磁化される。
【００６９】
ここで、軟磁性体１７は、幅Ｗ、長さＬ、及び高さＨが、
長さＬ＞幅Ｗ、かつ、長さＬ＞高さＨ
という関係を有する部材として、間隙２０に設けられている。なお、この理由は、以下のとおりである。
【００７０】
即ち、軟磁性体１７は、前記の関係を有することにより、長さＬの方向、即ち、電磁場発生素子１が情報記録再生ヘッドに備えられる場合における磁気記録媒体３０方向が磁化容易方向となる磁気異方性を有することになる。一般的に、磁性体の磁化方向は、磁化容易方向に特に向きやすい。狭窄部１９の底部に発生する磁場１８は、環状に発生するため様々な方向を向いているが、軟磁性体１７が前記の関係を有することにより、軟磁性体１７の磁化方向は、前記磁気記録媒体３０方向を向くことになる。
【００７１】
このことから、軟磁性体１７は、長さＬの方向、即ち、電磁場発生素子１が情報記録再生ヘッドに備えられる場合における磁気記録媒体３０方向が磁化容易方向となる磁気異方性を有することになり、これにより、軟磁性体１７は、長さＬの方向に優先的に磁化されることになる。これにより、軟磁性体１７は、
（電流１６が発生させる磁場の強さ）×（軟磁性体１７の透磁率μ）
に比例する磁場１８を、長さＬの方向に発生する。
【００７２】
なお、詳細については後述するが、磁場１８の印加域は、軟磁性体１７の幅Ｗ及び高さＨの寸法に応じて変化させることが可能である。さらに、磁化されている間、軟磁性体１７は、常に磁場１８を発生するため、磁場１８の向きを反転するときに電流１６を流す必要こそあるものの、磁場を発生させる毎に狭窄部１９に電流１６を流す必要はない。
【００７３】
但し、記録動作を高速に行う場合は、長さＬを幅Ｗ以下とすることが好ましい。即ち、軟磁性体１７は、前記の関係を有することにより、長さＬの方向が磁化容易方向とならないため、前記方向における残留磁化は、実質的に０となる。そのため、前記方向における磁化反転は容易となり、磁化反転の周波数特性が向上するため、高速記録に適している。
【００７４】
つまり、軟磁性体１７は、長さＬと幅Ｗとが互いに異なる寸法を有する部材であるのが好ましい。こうした軟磁性体１７が設けられることにより、電磁場発生素子１、および後述する電磁場発生素子２（図３（ａ）、（ｂ）参照）では、記録のときに適切に磁場を印加することが可能となる。
【００７５】
次に、前記電磁場発生素子１の作製方法について説明する。ここでは、従来技術に係る電磁場発生素子との相違点である、狭窄部１９の形成方法及び軟磁性体１７の設置方法について説明を行う。
【００７６】
図２（ａ）に示すとおり、前記電磁場発生素子１の作製方法では、始めに、狭窄部１９を構成する下部導体１３ａ、間隙２０として軟磁性体１７の下部に設けられる下部ＳｉＯ２層２１、軟磁性体１７、及び間隙２０として軟磁性体１７の上部に設けられる上部ＳｉＯ２層２２を順次形成した多層膜を基板１０上に形成する。次に、リソグラフィプロセスにより、狭窄部１９の幅（間隙２０の幅Ｗの方向）及び奥行き（軟磁性体１７の長さＬの方向）に相当するパターンを、エッチングもしくはリフトオフにより形成する。次に、前記狭窄部１９の幅及び奥行きに相当するパターンのレジスト層２３を形成する（図２（ｂ）参照）。次に、エッチングにより、下部ＳｉＯ２層２１、軟磁性体１７、及び上部ＳｉＯ２層２２の一部を除去する（図２（ｃ）参照）。このとき、前記エッチングは、下部導体１３ａに到達するのと同時に、もしくは、下部導体１３ａに到達した直後に終了する。次に、上部導体１３ｂを形成し（図２（ｄ）参照）、リフトオフによりレジスト層２３を除去する（図２（ｅ）参照）。こうして、前記電磁場発生素子１の作製方法では、電磁場発生素子１を作製する。
【００７７】
なお、下部導体１３ａ及び上部導体１３ｂは共に、Ａｕ（金）を用いるのが好ましい。Ａｕは消衰係数ｋが高いため、プラズモン伝導（プラズモン伝播）に好都合である。また、Ａｕ以外の材料としては、消衰係数ｋの高い材料、例えばＡｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）を使用することができる。
【００７８】
また、下部ＳｉＯ２層２１及び上部ＳｉＯ２層２２は、消衰係数ｋの低い材料、例えばＡｌＮ（窒化アルミ二ウム）により形成された層に代替可能である。
【００７９】
また、上述した電磁場発生素子１の作製方法は、容易かつ生産性に優れる作製方法であるが、前記作製方法により電磁場発生素子１を作製する場合は、軟磁性体１７と上部導体１３ｂとがショートしないように、軟磁性体１７の材料として、軟磁性絶縁体を用いることが好ましく、さらに好ましくは、マンガン亜鉛フェライト（Ｍｎ０．５Ｚｎ０．５Ｆｅ２Ｏ４）等の、絶縁性の高いフェライトを用いることが好ましい。この詳細については、後述する。
【００８０】
また、図３（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子２のとおり、軟磁性体１７と導体１３とは、離間されている状態で設けられているのが好ましい。なお、ここで「軟磁性体１７と導体１３とが離間されている」状態とは、軟磁性体１７と導体１３とが例えば１０ｎｍ以上離間されており、トンネル電流及び放電等による両者間での電荷移動が、実質的に発生しない状態を意味する。図３（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子２では、軟磁性体１７の幅が、間隙２０の幅Ｗよりも小さい幅Ｗ´であり、こうした軟磁性体１７が設けられることにより、「軟磁性体１７と導体１３とが離間されている」状態が実現されている。この場合は、軟磁性体１７が導体である場合でも、狭窄部１９を通過する電流がショートしない。従って、図３（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子２では、軟磁性体１７の材料として、金属磁性体であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、及び前記金属磁性体のうち少なくとも１種類の磁性体を有する化合物を使用することができる。これらの金属磁性体は、透磁率μ、飽和磁化等の磁気特性が極めて良好であるため、こうした金属磁性体を軟磁性体１７として用いることにより、軟磁性体１７が発生する磁場を容易に向上させることができる。但し、この場合は、図２（ａ）に示す前記多層膜を形成する工程において、例えばリソグラフィプロセスを用いて、軟磁性体の両側にＳｉＯ２層をさらに形成する必要がある。
【００８１】
また、電磁場発生素子１を備える情報記録再生ヘッドの場合、前記磁気記録媒体３０では、光照射域と温度上昇が最大になる位置とが、前記磁気記録媒体３０の回転数（線速度）により１０〜２００ｎｍ程度ずれる。そのため、軟磁性体１７と導体１３の底部との距離が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である場合は、前記磁気記録媒体３０の回転数（線速度）に合わせて、磁場印加域と光照射域との距離を最適にすることができる。このことから、軟磁性体１７と導体１３の底部（即ち、狭窄部１９）との距離、即ち、図１（ｂ）における距離Ｄは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましい。つまり、軟磁性体１７の位置は、前記磁気記録媒体３０の線速度に応じて決定されているのが好ましい。
【００８２】
また、磁場を好適に誘導するためには、軟磁性体１７の厚さ（即ち、図１（ｂ）における軟磁性体の高さＨ）を、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とするのが好ましい。即ち、軟磁性体１７の厚さが１０ｎｍ以下である場合、軟磁性体１７は保磁力が高くなりすぎ、磁化反転が困難となる。一方、軟磁性体１７の厚さが１０００ｎｍを超える場合、前記磁気記録媒体３０に印加される磁場の領域も約１０００ｎｍとなり、磁場が広がりすぎるため好ましくない。この場合、前記電磁場発生素子１を備える情報記録再生ヘッドでは、前記磁気記録媒体３０に形成される磁気ビットが大きくなってしまうため、高密度記録には不適となる。これらのことを考慮すると、軟磁性体１７の厚さは、１０〜１０００ｎｍであるのが好ましい。
【００８３】
また、軟磁性体１７の飽和磁化は、０．２Ｔ以上１Ｔ以下であるのが好ましい。電磁場発生素子１を備える情報記録再生ヘッドの場合、光アシスト磁気記録においては、光アシストを行った際の磁気記録媒体３０の保磁力が、通常、約１５９ｋＡ／ｍ（０．２Ｔに相当）であるため、記録を実行するためには１５９ｋＡ／ｍ、即ち、０．２Ｔ以上の磁化の印加が必要である。また、飽和磁化が１Ｔを超えれば、光アシストの有無に関係なく、軟磁性体１７の有する磁化のみで記録が実行されてしまう虞があるため、光アシスト磁気記録により、高密度磁気記録を達成するためには、軟磁性体１７の飽和磁化は、０．２Ｔ以上１Ｔ以下が最適である。
【００８４】
〔実施の形態２〕
ここからは、上述した電磁場発生素子に設けられる軟磁性体の材料として、軟磁性絶縁体であるマンガン亜鉛フェライトを採用した場合の、作製、特性評価結果について、図４に基づいて説明する。マンガン亜鉛フェライトは、フェライトの中でも、高い透磁率、高い磁化、及び低い保磁力を有しており、こうした材料は、磁性体コア材料に好適である。
【００８５】
なお、ここでは例として、図１（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子１に設けられる軟磁性体１７の材料としてマンガン亜鉛フェライトを採用した場合の、作製、特性評価結果について説明する。但し、当然ながら、マンガン亜鉛フェライトは、図３（ａ）・（ｂ）に示す電磁場発生素子２に設けられる軟磁性体１７の材料として採用してもよいことは言うまでもない。
【００８６】
軟磁性体１７としてのマンガン亜鉛フェライト膜は、マンガン亜鉛フェライトを、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition：パルスレーザアブレーション）法により、ガラス基板上に積層して形成した。その後、マンガン亜鉛フェライト膜が積層されたガラス基板を真空中にて４００℃にまで加熱し、アニール処理を２時間施した。
【００８７】
こうして形成したマンガン亜鉛フェライト膜の磁気特性を、図４のグラフに示す。図４のグラフは、試料振動型磁力計（ＶＳＭ）により得られた、測定温度を１７５℃とした場合の、マンガン亜鉛フェライト膜の磁気特性を示す磁化曲線（磁化Ｍと、外部から加えられる磁場の強さＨと、の関係を示すＭ−Ｈ曲線）である。図４に示すＭ−Ｈ曲線によれば、マンガン亜鉛フェライト膜の特性としては、比透磁率μｒ＝約１０、即ち、透磁率μ＝約１．２６×１０−５Ｈ／ｍ、保磁力＝約１０．９ｋＡ／ｍ（０．０１３８Ｔに相当）、飽和磁化＝約０．３Ｔが得られた。
【００８８】
つまり、図４のグラフに示す特性を有するマンガン亜鉛フェライト膜は、狭窄部１９を流れる電流１６により発生する磁場の強さが８．７５ｋＡ／ｍ以上である場合に磁化反転される。そして、磁化反転された前記マンガン亜鉛フェライト膜は、約０．３Ｔとなる磁場１８を発生する。これは、磁気記録媒体３０の磁化反転には十分な磁場である。
【００８９】
また、前記マンガン亜鉛フェライトは、屈折率ｎ＝２．３、消衰係数ｋ＝１．０の半透明膜である。そのため、たとえ狭窄部１９と軟磁性体１７とが接している場合であっても、表面プラズモン１４の伝導を妨げることはない。
【００９０】
次に、マンガン亜鉛フェライト膜の電気抵抗を測定した。抵抗測定手法に４端子法を採用して、シート抵抗を測定したところ、前記マンガン亜鉛フェライト膜では、約１Ωｃｍの抵抗率ρを得た。このようにマンガン亜鉛フェライト膜の抵抗率は充分に高いため、前記マンガン亜鉛フェライト膜により作製された軟磁性体１７は、たとえ上部導体１３ｂに接していたとしても、電流１６がショートすることはない。
【００９１】
以上のことから、本発明に係る電磁場発生素子に設けられている軟磁性体は、マンガン亜鉛フェライト膜等の軟磁性絶縁体、さらに好ましくは、フェライトを含む軟磁性絶縁体であるのが好ましいということが分かる。
【００９２】
〔実施の形態３及び比較例１〕
ここからは、前記電磁場発生素子１において、磁場に関するシミュレーションを行った結果について、図５に基づいて説明を行う。
【００９３】
図５（ａ）は、図１（ａ）に示す電磁場発生素子１の正面図であって、電流１６として１００ｍＡの電流を流したときに発生する磁場の様子を示す図である。なおここでは、電磁場発生素子１において、軟磁性体１７の比透磁率μｒが１０、即ち、透磁率μ＝約１．２６×１０−５Ｈ／ｍであり、かつ、軟磁性体１７と下部導体１３ａとの距離Ｄが２００ｎｍである、即ち、下部ＳｉＯ２層２１の厚みが２００ｎｍであるものとして説明を行う。
【００９４】
図５（ａ）によれば、電磁場発生素子１から発生している磁場は、軟磁性体１７が設けられている位置において、最も強く発生していることが分かる。つまりこれは、軟磁性体１７を使用することにより、磁場の増強が可能になること、及び、磁場の発生位置（換言すれば、磁場が最高となる位置）の制御が可能であることを示している。さらに、図５（ａ）によれば、軟磁性体１７が発生する磁場１８の印加域は、軟磁性体１７のサイズ、即ち、軟磁性体１７の幅Ｗ及び軟磁性体１７の高さＨと概ね等しいことが分かる。
【００９５】
一方、図５（ｂ）は、同図（ａ）において、軟磁性体１７の比透磁率μｒを１、即ち、透磁率μ＝約１．２６×１０−６Ｈ／ｍとした電磁場発生素子１´における磁場の発生の様子を示す図である。軟磁性体１７は、比透磁率μｒが１であるため、磁性体としての特性をほとんど有していない。そのため、図５（ｂ）に示す電磁場発生素子１´の特性は、実質的に、図５（ａ）に示す電磁場発生素子１において軟磁性体１７を使用しない場合に概ね等しい。
【００９６】
このとき、図５（ｂ）に示す電磁場発生素子１´は、図５（ａ）における電磁場発生素子１に比べ発生磁場が低く、かつ、電磁場発生素子１´全体において、磁場の分布はなだらかである。なお、図５（ｂ）に示す電磁場発生素子１´において磁場の最も高い部分は、下部導体１３ａと下部ＳｉＯ２層２１の境界部分であった。
【００９７】
〔実施の形態４及び比較例２〕
ここからは、前記電磁場発生素子１における近接場光１５の発生に関して、ＦＤＴＤ（Finite Different Time Domain）シミュレーションを行った結果について、図６に基づいて説明する。
【００９８】
入射光である光１２の偏光方向は、軟磁性体１７の長さＬの方向とした。ＦＤＴＤシミュレーションは、下部ＳｉＯ２層２１の厚みを２００ｎｍ、軟磁性体１７の厚さを５０ｎｍとし、軟磁性体１７の屈折率ｎ＝２．３、軟磁性体１７の消衰係数ｋ＝１．０、軟磁性体１７の比透磁率μｒを１０として行った。
【００９９】
図６（ａ）は、電磁場発生素子１の断面図であって、図１（ｂ）に示す電磁場発生素子１と同一の断面を示す図である。また、図６（ａ）はさらに、近接場光１５が発生する様子を図示している。
【０１００】
図６（ａ）によれば、表面プラズモン１４が、下部導体１３ａと下部ＳｉＯ２層２１との境界を伝導し、かつ、近接場光１５は、図６（ａ）における下部導体１３ａの左端部にて発生していることが分かる。
【０１０１】
ここで、電磁場発生素子１では、図５（ａ）にて示したとおり、軟磁性体１７を用いることで、磁場１８（図６（ａ）には図示しない）の発生部を軟磁性体１７の位置とすることができる。なお、磁場１８の発生部とは、最も磁場の高い磁場１８部分を意味する。
【０１０２】
一方、図６（ｂ）は、同図（ａ）において、軟磁性体１７の比透磁率μｒを１とした電磁場発生素子１´における近接場光の発生の様子を示す図である。すなわち、図６（ｂ）は、軟磁性体１７の比透磁率μｒを１としたときのＦＤＴＤシミュレーション結果を示している。軟磁性体１７は、比透磁率μｒが１であるため、磁性体としての特性をほとんど有していない。そのため、図６（ｂ）に示す電磁場発生素子１´の特性は、実質的に、図６（ａ）に示す電磁場発生素子１において軟磁性体１７を使用しない場合に概ね等しい。
【０１０３】
図６（ｂ）によれば、同図（ａ）と同様に、表面プラズモン１４が、狭窄部１９と下部ＳｉＯ２層２１との境界を伝導し、かつ、近接場光１５は、狭窄部１９の端部にて発生していることが分かる。つまり、図５（ｂ）に示す結果を勘案すると、軟磁性体１７を用いない場合は、近接場光１５の発生場所と磁場の発生場所（下部導体１３と下部ＳｉＯ２層２１の境界位置）とが概ね同一となる。
【０１０４】
〔実施の形態５〕
図９は、上記電磁場発生素子１を用いて、磁気記録媒体３０（図１（ｂ）参照）の所望位置に記録された情報（以下、「磁気情報」と称する）を再生する様子を示す図である。なお、図９に示す電磁場発生素子１には、検流計（再生手段、電流測定手段）９２がさらに備えられている。検流計９２は、電磁場発生素子１の導体１３を通過する電流を測定するものであり、両端が導体１３に接続されている。
【０１０５】
ここからは、電磁場発生素子１を用いて、磁気情報を再生する原理について説明する。
【０１０６】
電磁場発生素子１を用いた、磁気情報の磁気記録媒体３０からの再生動作は、磁気情報の磁気記録媒体３０への記録動作の、逆の動作により行われる。
【０１０７】
即ち、磁気記録媒体３０に形成された磁気ビット（図示しない）は、上記再生動作時において、再生すべき該磁気ビットが、軟磁性体１７と対向する（即ち、該磁気ビットから導体１３までの直線距離が最短となる）。このとき、軟磁性体１７は、該磁気ビットから漏洩された磁場により、漏洩された該磁場の方向へと磁化される。ここで、この軟磁性体１７の磁化に起因して、軟磁性体１７の磁化方向３６が変化する場合、導体１３には、電磁誘導の法則により、誘導電流（導体を通過する電流）９１が流れる。なお、誘導電流９１が流れる方向は、軟磁性体１７の磁化方向３６に応じて決定される。例えば、磁化方向３６が磁気記録媒体３０に対向する方向（即ち、紙面表裏方向）へと向くと、誘導電流９１は、該磁化方向３６と垂直な方向、具体的には、紙面と平行な導体１３の面において、紙面右回りもしくは紙面左回りに流れる。
【０１０８】
このことから、誘導電流９１が流れる方向を測定することで、前記磁気ビットの向きや位置を認識することができる。結果、導体１３に誘導電流９１が流れる方向の変化に応じて、電磁場発生素子１から、磁気情報を得ることができ、電磁場発生素子１を用いた、磁気情報の磁気記録媒体３０からの再生動作は、実現可能となる。
【０１０９】
ここで、磁気記録媒体３０から磁気情報を得て、該磁気情報を再生するためには、導体１３に流れる誘導電流９１を測定する必要がある。そして、該測定のためには、図９に示すように、導体１３に検流計９２の両端を接続し、検流計９２を用いて、導体１３に流れる誘導電流９１を測定すればよい。
【０１１０】
また、上記再生動作時に、光１２（図１（ｂ）参照）を照射しながら再生動作を行うことで、記録動作時と同様に、再生すべき上記磁気ビット周辺のみの温度を上昇させることができるため、光アシスト再生方式の実現が可能となる。このような光アシスト再生は、特許文献１に記載の技術をはじめとする、例えば磁気記録媒体３０の記録層の磁性材料として、室温に補償点を有するフェリ磁性体を用いる場合等に、特に有効な再生方式となる。
【０１１１】
なお、図９の例では、電磁場発生素子として、図１（ａ）および（ｂ）に示す電磁場発生素子１が用いられているが、これに限定されず、図３（ａ）および（ｂ）に示す電磁場発生素子２が用いられてもよい。
【０１１２】
本発明の情報記録再生ヘッドは、本発明に係るいずれかの電磁場発生素子により、光アシストを行いながら磁気情報の記録を行うと共に、再生手段としての検流計９２をさらに備え、上述した再生原理で磁気情報の再生を行うものである。本発明の情報記録再生ヘッドは、従来の光アシスト情報記録再生ヘッドのように、再生動作のために磁気抵抗効果素子を別途設ける必要が無いため、低コストでの実現が可能となる。また、本発明の情報記録再生ヘッドは、印加磁場を高くすることができ、かつ、光照射により温度上昇が最大になる位置と磁場印加域とを重ねることができるため、高い効率にて動作する光アシスト磁気記録を行う情報記録再生ヘッドの実現が可能となる。
【０１１３】
ここからは、電磁場発生素子１を用いて、磁気情報を再生する、上記とは別の原理について説明する。
【０１１４】
図１０は、上記電磁場発生素子１を用いて、磁気情報を再生する別の様子を示す図である。図１１は、上記電磁場発生素子１を用いて、磁気情報を再生するさらに別の様子を示す図である。図１０および図１１に示す電磁場発生素子１には、磁気抵抗効果素子（再生手段）１０１がさらに備えられている。磁気抵抗効果素子１０１は、磁場の有無に応じて電気抵抗が変化するものであり、電磁場発生素子１から発生された磁場を電気信号に変換するものである。磁気抵抗効果素子１０１は、例えば、周知のＧＭＲ（Giant Magnetoresistive Effect：巨大磁気抵抗効果）素子により構成される。磁気抵抗効果素子１０１は、電磁場発生素子１に接触するように設けられている。具体的に、磁気抵抗効果素子１０１は、図１０の例では電磁場発生素子１の上部に積層されて形成されており、図１１の例では電磁場発生素子１の基板１０と導体１３との間に形成されている。図１１の例の場合は、電磁場発生素子１の基板１０の上部に磁気抵抗効果素子１０１を積層した後、その他の電磁場発生素子１を構成する部材（導体１３および軟磁性体１７等）を、例えば図２（ａ）〜（ｅ）に示す要領で順次積層すればよい。
【０１１５】
電磁場発生素子１を、従来の光アシスト情報記録再生装置で使用する場合は、該電磁場発生素子１に、磁気抵抗効果素子１０１等の再生素子を設けることにより、再生動作を行うことも可能である。
【０１１６】
なお、図１０および図１１の例では、電磁場発生素子として、図１（ａ）および（ｂ）に示す電磁場発生素子１が用いられているが、これに限定されず、図３（ａ）および（ｂ）に示す電磁場発生素子２が用いられてもよい。
【０１１７】
以上のように、本発明に係る電磁場発生素子は例えば、磁化及び近接場光により記録及び再生を行う情報記録再生ヘッドに好適に用いられるものである。
【０１１８】
即ち、図９〜図１１に示す図面は、本発明に係る情報記録再生ヘッドの概略構成を示す図面であると解釈することができる。
【０１１９】
さらに、本発明に係る情報記録再生ヘッドは、磁化及び近接場光により記録及び再生を行う情報記録再生装置に好適に用いられるものであり、上記本発明に係る情報記録再生ヘッドを備えた情報記録再生装置においても、同様の効果が得られる。
【０１２０】
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、磁化及び近接場光を発生する電磁場発生素子（電磁化発生素子）、情報記録再生ヘッド、及び情報記録再生装置等に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明の実施の形態を示すものであり、図１（ａ）は、本発明に係る電磁場発生素子の正面図であり、図１（ｂ）は、同図（ａ）の１Ａ−１Ａ線における断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、前記電磁場発生素子の作製方法を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態を示すものであり、図３（ａ）は、本発明に係る別の電磁場発生素子の正面図であり、図３（ｂ）は、同図（ａ）の１Ｂ−１Ｂ線における断面図である。
【図４】マンガン亜鉛フェライト膜の磁気特性測定結果を示すグラフである。
【図５】図５（ａ）は、前記電磁場発生素子の正面図であって、電流として１００ｍＡの電流を流したときに発生する磁場の様子を示す図であり、図５（ｂ）は、同図（ａ）の電磁場発生素子において軟磁性体の比透磁率μｒを１とした電磁場発生素子における磁場の発生の様子を示す図である。
【図６】図６（ａ）は、前記電磁場発生素子の正面図であって、前記電磁場発生素子における近接場光の発生に関して、ＦＤＴＤシミュレーションを行った結果を示す図であり、図６（ｂ）は、同図（ａ）の電磁場発生素子において軟磁性体の比透磁率μｒを１とした電磁場発生素子における近接場光の発生の様子を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、特許文献２に係る電磁場発生素子の変形例としての電磁場発生素子を示す正面図であり、図７（ｂ）は、同図（ａ）の１Ｚ−１Ｚ線における断面図である。
【図８】図７（ａ）、（ｂ）に係る電磁場発生素子を備える情報記録再生ヘッドにおいて、光照射域と光照射により温度上昇が最大になる位置とが異なる理由を説明する図である。
【図９】本発明に係る情報記録再生ヘッドの概略構成を示す図であり、上記電磁場発生素子を用いて、磁気記録媒体の所望位置に記録された情報を再生する様子を示す図である。
【図１０】本発明に係る別の情報記録再生ヘッドの概略構成を示す図であり、上記電磁場発生素子を用いて、磁気記録媒体の所望位置に記録された情報を再生する別の様子を示す図である。
【図１１】本発明に係るさらに別の情報記録再生ヘッドの概略構成を示す図であり、上記電磁場発生素子を用いて、磁気記録媒体の所望位置に記録された情報を再生するさらに別の様子を示す図である。
【符号の説明】
【０１２３】
１、２  電磁場発生素子
１１  半導体レーザ部
１２  光
１３  導体
１３ａ  下部導体
１３ｂ  上部導体
１５  近接場光
１６  電流
１７  軟磁性体
１９  狭窄部
２０  間隙
３０  磁気記録媒体（対象物）
９１  誘導電流（導体を通過する電流）
９２  検流計（再生手段、電流測定手段）
１０１  磁気抵抗効果素子（再生手段）
２１３  情報記録再生ヘッド
２２０  情報記録媒体（対象物）
２２１  情報記録再生装置
【図１】
0004637220.tif 000002
【図２】
0004637220.tif 000003
【図３】
0004637220.tif 000004
【図４】
0004637220.tif 000005
【図７】
0004637220.tif 000006
【図８】
0004637220.tif 000007
【図９】
0004637220.tif 000008
【図１０】
0004637220.tif 000009
【図１１】
0004637220.tif 000010
【図５】
0004637220.tif 000011
【図６】
0004637220.tif 000012