(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、上部電極と下部電極との間に発生するプラズマによって、前記下部電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングするドライエッチング装置であって、
前記下部電極は、前記基板の中心部の下方に配置された第１の電極と、前記基板の角部の下方に各々独立して配置された複数の第２の電極からなり、
前記第１の電極の面積は、前記複数の第２の電極のそれぞれの面積より大きく、
前記第１の電極に第１の高周波電源が電気的に接続され、前記複数の第２の電極の各々に互いに異なる第２の高周波電源が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の電極に印加される高周波電力と、前記複数の第２の電極に印加される高周波電力は異なることを特徴とするドライエッチング置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１の電極に印加される高周波電力の周波数と、前記複数の第２の電極に印加される高周波電力の周波数は同一であることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の電極及び前記複数の第２の電極の各々に互いに異なる測定装置が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記上部電極に第３の高周波電源が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項６】
対向する上部電極と、第１の電極及び複数の第２の電極からなる下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
前記第１の電極の面積を、前記複数の第２の電極のそれぞれの面積より大きくし、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が前記基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に前記基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第１の電極に第１の高周波電力を印加し、かつ、前記複数の第２の電極に第２の高周波電力を印加して、前記上部電極と前記下部電極との間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力は異なることを特徴とするエッチング方法。
【請求項８】
請求項６において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力の周波数は同一であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、前記上部電極に第３の高周波電力を印加することを特徴とするエッチング方法。
【請求項１０】
対向するラジアルラインスロットアンテナと、第１の電極及び複数の第２の電極からなる下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
前記第１の電極の面積を、前記複数の第２の電極のそれぞれの面積より大きくし、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が前記基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に前記基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第１の電極に第１の高周波電力を印加し、前記複数の第２の電極に第２の高周波電力を印加し、
前記アンテナからマイクロ波を供給して前記アンテナと前記下部電極との間にプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力は異なることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１２】
請求項１０において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力の周波数は同一であることを特徴とするエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はドライエッチング装置、特に減圧チャンバー内に導入した反応ガスに磁界または電界を印加することにより発生するプラズマを用いたエッチング装置、およびエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来では、ドライエッチング装置の処理能力に限界があり、生産性の向上という点で問題があった。
【０００３】
生産効率を向上させるため、マザーガラスサイズは年々大きくなっており、現状で使用されている大きな基板としては、５５０ｍｍ×６５０ｍｍのサイズや６５０ｍｍ×８３０ｍｍのサイズが用いられている。将来的には８５０ｍｍ×９５０ｍｍのサイズや９５０ｍｍ×１０００ｍｍのサイズが用いられるようになると予想される。
【０００４】
従来では、被処理基板のサイズが大きくなるにつれてエッチングの面内均一性が低下してしまうという傾向が生じていた。
【０００５】
また、被処理基板の表面全体を均一にエッチング処理する技術として特開平１０−３２６７７２号公報がある。同公報は平行平板型エッチング装置であって、下部電極をリング状に分割するとともに上部電極との間に印加する交流電界の周波数を変化させている。従って、分割された下部電極には低周波電源または高周波電源が接続されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、四角形の基板（正方形、長方形など）を用いてドライエッチングを行った場合、四角形の基板特有のバラツキが基板面内で生じることを見出した。
【０００７】
ここで、従来の平行平板型のドライエッチング装置を使用したエッチング方法を例にあげて説明する。
【０００８】
表１にＲＩＥ法による平行平板型のドライエッチング装置（電極サイズ５０ｃｍ×５０ｃｍ）を用いた基板内でのエッチングのバラツキを測定した実験結果を示す。
【０００９】
【表１】
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【００１０】
表１に示したのは、図２１（Ａ）に示す位置（Ａ〜Ｉ）における酸化シリコン膜と非晶質シリコン膜との選択比を示したものである。４枚のサンプルを図２１（Ｂ）に示すように電極上に配置してエッチングを行った。エッチングガスとしてはＣＨＦ3を用い、流量を３５ｓｃｃｍ、８００Ｗ（電力パワー密度０．３２Ｗ／ｃｍ2）、４００秒でのエッチングを行って４枚のサンプルの各ポイントでの比較を行った。
【００１１】
表１より電極の中央部に位置する測定ポイントの選択比が最も均一な値（３０．４〜５９）を示している。一方、電極の中央部から離れるに従って、電極の角部に位置する測定ポイントの選択比は非常に低くなっている。即ち、図２１（Ｂ）に示す配置された４枚のうち、１枚の基板での基板内では、選択比のバラツキが生じる結果となる。例にとると、サンプル１の基板において、電極の中央部に最も近いポイントＧは、選択比が７１．８であるのに対し、電極の中央部から最も離れたポイントＩは選択比が７．４となっており、約十倍近く差が生じてしまっている。
【００１２】
本発明者らの経験上、エッチングの選択比は電極中心が最も大きく、電極中央部から離れるに従って、同心円状に選択比が低下している。このように、均一な電力パワー密度で表面全面がエッチングされているはずであるのに、エッチングのバラツキが生じる結果となっている。即ち、四角形の基板を用いた場合、基板全面に印加される実質的な電力パワーが不均一となり、電極の中央部における電力パワー密度と、電極の角部における電力パワー密度とが異なる。
【００１３】
そのため、従来のエッチング装置を用いた場合、電極の角部における選択比が最も低く、エッチング不良が生じる。このエッチング不良が原因で歩留まりが低下するというおそれがあった。また、今後、さらに基板が大型化した場合、この問題はさらに顕著に表れてくると考えられる。電極と同じサイズの大きな基板を用いた場合、基板の中央部と、基板の角部とでバラツキが生じることとなる。ここでは１つの電極上に４枚の基板を配置した実験例を示したが、電極と同じサイズの大きな基板を用いても、２枚以上の基板を用いても同様のバラツキが生じる。
【００１４】
このように、電極の角部に生じるエッチング不良に関する問題は、上記公報（特開平１０−３２６７７２号公報）のように円形の基板１枚を用いた場合には生じることはなかった。即ち、四角形の基板内においてエッチング不良が生じる問題は、本発明者らによってはじめて見出されたものである。
【００１５】
本発明はこのような問題点を解決する手段を提供することを目的とし、大型の基板を処理しうるドライエッチング装置を提供することを目的とする。また、四角形の被処理基板の面内均一性を高めるエッチング方法も提供する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、基板を配置する電極を複数の電極で構成し、それらの電極の数と同数の高周波電源を備え、各々を独立に接続させたエッチング装置を用いる。また、本発明は、これらの複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に印加される高周波電力と、基板の角部の下方に配置された電極に印加される高周波電力を制御することによってエッチングの面内均一性を高める。
【００１７】
上記複数の電極に印加される高周波電力を制御する際、高周波電力における様々なパラメータ（バイアスパワー、ＩＣＰパワー、基板温度など）をそれぞれ調節することが可能であるが、ある一つのパラメータのみを調節することが望ましい。代表的には、上記複数の電極に印加される単位面積当りの高周波電力のバイアスパワー（電力パワー密度）のみをそれぞれ調節すれば、エッチング処理により得られるテーパ−角やエッチング処理のエッチングレート及び選択比の均一性を向上させることができる。なお、コイル電極（石英板の面積（直径２５ｃｍの円板））と、電極面積（１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍ）とを備えたＩＣＰエッチング装置において、バイアスパワーは、図１１〜図１３に示すようにエッチング処理をコントロールすることができる。なお、図１１にはテーパ−角のバイアスパワー依存性、図１２にはＷ膜及びＳｉＯＮ膜のエッチングレートのバイアスパワー依存性、図１３にはＷ膜とＳｉＯＮ膜との選択比のバイアスパワー依存性を示した。
【００１８】
本明細書で開示する発明の構成（１）は、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、第１の電極と第２の電極との間に発生するプラズマによって、前記第２の電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングするドライエッチング装置であって、
前記第２の電極は、各々独立した複数の電極からなり、該電極の各々に高周波電源が独立して接続されていることを特徴とするドライエッチング装置である。
【００１９】
また、発明の他の構成（２）は、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、第１の電極と第２の電極との間に交流電界を印加して発生するプラズマによって、前記第２の電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングするドライエッチング装置であって、前記第１の電極は平面状のコイルからなり、第１の高周波電源が接続され、
前記第２の電極は、各々独立した複数の電極からなり、該電極の各々に第２の高周波電源が独立して接続されていることを特徴とするドライエッチング装置である。
【００２０】
上記構成（１）または構成（２）において、前記第２の電極を構成する複数の電極は、基板の中心部の下方に配置された電極と、基板の角部の下方に配置された電極とを有することを特徴としている。
【００２１】
また、図１にその一例を示したが、前記基板の中心部の下方に配置された電極の面積は、前記基板の角部の下方に配置された電極の面積より大きいことを特徴としている。
【００２２】
また、上記構成（１）または構成（２）において、図２にその一例を示したが、前記第２の電極を構成する複数の電極は、互いに同形同寸であることを特徴としている。
【００２３】
また、上記各構成において、前記第２の電極を構成する複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に印加される高周波電力と、基板の角部の下方に配置された電極に印加される高周波電力は異なることを特徴としている。
【００２４】
また、上記各構成において、前記第２の電極を構成する複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に印加される高周波電力の周波数と、基板の角部の下方に配置された電極に印加される高周波電力の周波数は同一であることを特徴としている。
【００２５】
また、上記各構成において、前記基板は０．３ｍ2以上の面積を有することを特徴としている。
【００２６】
また、発明の他の構成（３）は、
対向する第１の電極と第２の電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法において、
チャンバー内に設けられた複数の電極からなる第２の電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第２の電極を構成する複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に第１の高周波電力を印加し、基板の角部の下方に配置された電極に第２の高周波電力を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極との間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて、前記複数の電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法である。
【００２７】
また、上記構成（３）において、前記第１の高周波電力の周波数と前記第２の高周波電力の周波数は同一であることを特徴としている。
【００２８】
また、上記構成（３）において、前記ドライエッチング装置は、平行平板型エッチング装置あるいはＩＣＰ型エッチング装置である。
【００２９】
また、発明の他の構成（４）は、
ドライエッチング装置を使用するエッチング方法において、
チャンバー内に設けられた複数の電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に第１の高周波電力を印加し、基板の角部の下方に配置された電極に第２の高周波電力を印加し、
磁界または電界によりプラズマを発生させて、前記複数の電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法である。
【００３０】
また、上記構成（４）において、前記ドライエッチング装置は、マグネトロン型エッチング装置、ＥＣＲ型エッチング装置、ヘリコン型エッチング装置のいずれか一である。
【００３１】
また、発明の他の構成（５）は、
基板上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを選択的に形成し、
対向する第１の電極と第２の電極とを備えたドライエッチング装置のチャンバー内に設けられた複数の電極からなる第２の電極上に、前記基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第２の電極を構成する複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極に第１の高周波電力を印加し、基板の角部の下方に配置された電極に第２の高周波電力を印加して、前記第１の電極と前記第２の電極との間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて、前記複数の電極上に配置された基板上の導電膜を選択的にエッチングすることを特徴とする配線の形成方法である。
【００３２】
また、上記構成（５）において、前記配線は、ＴＦＴのゲート電極またはゲート配線であることを特徴としている。なお、このゲート電極またはゲート配線の形状はテーパー形状である。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００３４】
（実施の形態１）
ここではＩＣＰ型エッチング装置に本発明を適用した例について説明する。なお、ＩＣＰ型エッチング装置は、誘導結合プラズマを用いたエッチング装置である。
【００３５】
図１は、ＩＣＰ型エッチング装置の断面図および上面図である。図１（Ｂ）において、エッチング装置のチャンバー１０１の上面は、石英ガラスなどの絶縁物１００からなっており、該絶縁物１００の外側に第１の電極１０５が配置されている。なお、図１（Ａ）は、平面状のコイルである第１の電極１０５の上から見た図である。本発明において、このコイル状の第１の電極は図１に示す形状に限定されず、どのような形状のものであっても構わない。この第１の電極にはマッチング回路１０６を介して第１の高周波電源１０４が接続されている。この第１の電極１０５に高周波電流を流してチャンバー内に電磁波を形成し、この電磁場内に流れる電子を反応ガスの中性粒子に衝突させてプラズマを生成する。なお、反応ガスは、ガス供給系１０２から所定の反応ガスをチャンバー１０１内に導入し、ガス排気系１０３により排気を行う。
【００３６】
被処理基板１０７は、複数の電極１０８ａ〜１０８ｄ、１０９からなる第２の電極上にクランプ（図示しない）で押さえられて配置される。また、被処理基板１０７のサイズは、０．３ｍ2以上の面積、例えば６０ｃｍ×７２ｃｍとした場合、絶縁物１００は、直径９８ｃｍの円板とすればよい。なお、図１（Ｂ）の断面図は、図１（Ｃ）に示した上面図の鎖線Ａ−Ａ’で切断した図に相当する。１０９は、被処理基板の中央部に接する第２の電極であり、１０８ａ〜１０８ｄは、被処理基板の角部に接する第２の電極である。また、各電極の間は、空隙または絶縁物でそれぞれ電気的に絶縁する。なお、電極１０８ａには第２の高周波電源１１０が接続されており、電極１０９には第２の高周波電源１１１が接続されており、電極１０８ｃには第２の高周波電源１１２が接続されており、ここでは図示しないが電極１０８ｂや電極１０８ｄにもそれぞれ第２の高周波電源が独立に接続されている。本発明は、これらの高周波電源の高周波電力を変化させて均一なエッチングを実現するものである。また、第２の電極に印加される電力を測定する測定装置や、各高周波電源の高周波電力を制御するためのコントロール部を設けてもよい。また、第２の電極にＤＣパワー、ＡＣパワー、または高周波エネルギー（マイクロ波等）を適宜、印加してエッチングを調節してもよい。
【００３７】
また、図１４にコントロール部６０１を備えたドライエッチング装置の例を示した。なお、コントロール部及び測定装置以外は図１で示したドライエッチング装置と同一であるので、同一である部分は図１の符号を用いた。図１４では、プローブ６００ａ〜６００ｃで測定し、その値をもとにＣＰＵ等を備えたコントロール部６０１によって適切なバイアスパワーを算出し、各高周波電源１１０〜１１２に指示を出す。これはエッチング処理前に行って各高周波電源の出力調整を行ってもよいし、エッチング処理中に各高周波電源の出力調整を随時行ってもよい。
【００３８】
次に、図１に示すエッチング装置を用いてエッチングする工程を順に説明する。
【００３９】
まず、減圧されたチャンバー１０１内にガス供給系１０２から所定の反応ガスを導入しながら、ガス排気系１０３により排気を行い、チャンバー１０１内を所定の圧力に保つ。次いで、チャンバー内の圧力を保ちながら第１の高周波電源１０４によって高周波電力（代表的には１３．５６ＭＨｚ）を平面状のコイルからなる第１の電極１０５に供給すると、チャンバー内にプラズマが発生し、第２の電極１０８ａ〜１０８ｄ、１０９上に配置された被処理基板１０７に設けられた被エッチング材料膜に対してエッチングすることができる。この時、第２の電極１０８ａ〜１０８ｄ、１０９にも第２の高周波電源１１０〜１１２によって高周波電力を供給する。ただし、各高周波電源の周波数は同一であることが好ましい。
【００４０】
また、第２の電極の構成は、図１の構造に限定されず、少なくとも基板の角部に接する複数の電極と、基板の中央部に接する電極とを備え、それぞれに独立した高周波電源を備えていればよい。図２には、その一例を示した。第２の電極及び高周波電源以外の構造は図１に示した構造と同一であるので図１と同じ符号を用いる。図２では、第２の電極としてマトリクス状に複数の電極２０１が配置されており、各々の電極には独立して高周波電源２０２が接続されている。なお、図２（Ｂ）の断面図は、図２（Ｃ）に示した上面図の鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した図に相当する。
【００４１】
本発明により、基板全面に印加される実質的な電力パワーが均一となるように第２の電極を配置することで、基板面内のエッチングのバラツキを低減することができ、特に基板の角部におけるエッチング不良を低減することができる。また、本発明の構成であれば、大型の基板であっても面内均一性が非常に高いエッチングを実現することができる。
【００４２】
また、本発明は、コイルのインダクタンスを低下させるためにコイルを分割したマルチスパイラル方式のＩＣＰエッチング装置や、くし形コイルを円状の平板に配置したスポーク形のＩＣＰエッチング装置に適用することが可能である。
【００４３】
また、本発明は、ＩＣＰ型エッチング装置に限定されず、ＲＩＥエッチング装置、例えば、平行平板型エッチング装置、ＥＣＲエッチング装置、マグネトロン型エッチング装置にも適用できる。
【００４４】
（実施の形態２）
図３には本発明を平行平板型エッチング装置に適用した一例を示した。平行平板型エッチング装置は、コンデンサを通して電極に高周波を印加することによって生成される容量結合プラズマを用いたエッチング装置である。
【００４５】
３０５はアースに接続された第１の電極（上部電極）であり、この第１の電極３０５と第２の電極との間に高周波電界を印加してチャンバー３０１内の反応ガスをイオン化させ、反応ガス中のイオンにより被処理基板３０７上に設けられた被エッチング材料膜をエッチングする。なお、反応ガスは、ガス供給系３０２から所定の反応ガスをチャンバー３０１内に導入し、ガス排気系３０３により排気を行う。
【００４６】
また、被処理基板３０７は複数の電極３０８ａ〜３０８ｄ、３０９からなる第２の電極（下部電極）上に石英等からなる絶縁物３００を介して配置する。なお、被処理基板の角部の下方に配置された電極３０８ａには第２の高周波電源３１０が接続されており、被処理基板の中央部の下方に配置された電極３０９には第２の高周波電源３１１が接続されており、電極３０８ｃには第２の高周波電源３１２が接続されており、ここでは図示しないが電極３０８ｂや電極３０８ｄにもそれぞれ第２の高周波電源が独立に接続されている。なお、図３（Ａ）の断面図は、図３（Ｂ）に示した上面図の鎖線Ａ−Ａ’で切断した図に相当する。このように、図３に示す平行平板型エッチング装置においても、第２の電極を構成する複数の電極の各々に独立して高周波電源３１０〜３１２を接続している。
【００４７】
上記構成により、基板全面に印加される実質的な電力パワーが均一となるように第２の電極を配置することで、基板面内のエッチングのバラツキを低減することができ、特に基板の角部におけるエッチング不良を低減することができる。また、上記構成の構成であれば、大型の基板であっても面内均一性が非常に高いエッチングを実現することができる。
【００４８】
また、第２の電極と第２の高周波電源の間に測定装置（プロ−バー、電圧測定機器、オシロスコープ等）３１３が設けられている。さらに、この測定装置３１３から得られた情報をもとにして、各高周波電源の高周波電力を制御するためのコントロール部を設けてもよい。
【００４９】
なお、図３では第２の電極上に石英等からなる絶縁物を介して被処理基板を配置した例を示したが、第２の電極と接して被処理基板を配置してもよい。
【００５０】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００５１】
【実施例】
［実施例１］
本実施例は、同一基板上に画素部と駆動回路とを備えた液晶表示装置の作製方法の一例を図４〜図８を用いて示す。
【００５２】
まず、本実施例ではコーニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスからなる基板４０１を用いる。なお、基板４０１としては、透光性を有する基板であれば限定されず、石英基板を用いても良い。また、本実施例の処理温度に耐えうる耐熱性が有するプラスチック基板を用いてもよい。
【００５３】
次いで、基板４０１上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜から成る下地膜４０２を形成する。
【００５４】
下地絶縁膜４０２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯx Ｎy ）、またはこれらの積層膜等を１００〜５００ｎｍの膜厚範囲で用いることができ、形成手段としては公知の成膜方法（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等）を用いる。ここでは、膜組成において酸素元素より窒素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜４０２ａと、膜組成において窒素元素より酸素元素を多く含む酸化窒化シリコン膜４０２ｂを積層形成した。
【００５５】
次いで、下地絶縁膜上に非晶質半導体膜４０３を形成する。（図４（Ａ））非晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉXＧｅ1-X（０＜Ｘ＜１））合金などで形成すると良い。形成手段としては公知の成膜方法（熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法、減圧熱ＣＶＤ法等）を用いることができる。
【００５６】
次いで、非晶質半導体膜４０３を結晶化させて結晶質半導体膜４０４を形成する。（図４（Ｂ））結晶化方法は公知の方法（固相成長法、レーザー結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いた固相成長法等）を用いることができる。本実施例では、レーザー結晶化法により結晶質シリコン膜を形成した。レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発振型のエキシマレーザーや、パルス発振型または連続発振型のＹＡＧレーザーや、ＹＶＯ4レーザーを用いることができる。
【００５７】
次いで、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、エッチングを行って所望の形状の半導体層４０５〜４０９を形成する。ここで、実施の形態１または実施の形態２に記載のドライエッチング装置を用いれば、面内均一性の優れたエッチングを行うことができる。
【００５８】
次いで、保護膜４１０を介してｐ型を付与する不純物元素（以下、ｐ型不純物元素という）を添加する。（図４（Ｃ））ｐ型不純物元素としては、代表的には１３族に属する元素、典型的にはボロンまたはガリウムを用いることができる。この工程（チャネルドープ工程という）はＴＦＴのしきい値電圧を制御するための工程である。なお、ここではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法でボロンを添加する。勿論、質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いても良い。
【００５９】
なお、本実施例ではチャネルドープ工程を行ったが、特に必要でない場合には行わなくても構わない。
【００６０】
次いで、保護膜４１０を除去した後、ゲート絶縁膜となる絶縁膜４１１（ここでは酸化窒化シリコン膜）を半導体層上に成膜し、さらにその上に第１導電膜４１２及び第２導電膜４１３を積層形成する。（図４（Ｄ））
【００６１】
次に図５（Ａ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりレジストによるマスク４１４を形成し、ゲート電極を形成するための第１のエッチング処理を行う。エッチング方法に限定はないが、好適には本発明のＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いる。エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2を混合し、０．５〜２Ｐａ、好ましくは１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００Ｗ（電力パワー密度１．０２Ｗ／ｃｍ2）のＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマを生成して行う。なお、基板側の電極面積サイズは、１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍであり、コイル型の電極面積サイズ（ここではコイルの設けられた石英円板）は、直径２５ｃｍの円板である。基板側（試料ステージ）にも１００Ｗ（電力パワー密度０．６４Ｗ／ｃｍ2）のＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した場合にはタングステン膜、窒化タンタル膜及びチタン膜の場合でも、それぞれ同程度の速度でエッチングすることができる。
【００６２】
上記エッチング条件では、レジストによるマスクの形状と、基板側に印加するバイアス電圧の効果により端部をテーパー形状とすることができる。テーパー部の角度は１５〜４５°となるようにする。なお、図１１に上記エッチング条件（圧力１Ｐａ、５００ＷのＲＦ電力、ガス流量ＣＦ4／Ｃｌ2＝３０sccm／３０sccm）でのバイアスパワーの依存性のグラフを示した。また、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表的には３）であるので、オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされる。また、図１２はＷ膜及び酸化窒化シリコン膜のエッチングレートのバイアスパワー依存性を示すグラフ、図１３は、Ｗ膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比のバイアスパワー依存性を示すグラフである。
【００６３】
本実施例では、この第１のエッチング処理を実施の形態１に示した本発明のドライエッチング装置（図１または図２）及びエッチング方法を用いて行う。本発明のドライエッチング装置を用いることによってテーパ−部の角度（テーパー角）が均一化できる。ここでは、第２の電極の電極サイズを考慮し、図１１を元にして第２の電極に印加されるバイアスパワーをそれぞれ調節して電力パワー密度を均一化させ、基板面内のテーパー角を均一化した。後の工程でこのテーパ−部を通過させて低濃度不純物領域を形成するため、このテーパ−部を均一にすることは、結果的に基板面内に形成される全てのＴＦＴの電気的特性を均一化することにつながる。従って、本発明のエッチング装置を用いることは、基板面内のバラツキ低減に極めて有用である。
【００６４】
こうして、第１のエッチング処理により第１導電膜と第２導電膜から成る第１形状の導電層４１５〜４２０（第１の導電層４１５ａ、４１６ａ、４１７ａ、４１８ａ、４１９ａ、４２０ａと第２導電層４１５ｂ、４１６ｂ、４１７ｂ、４１８ｂ、４１９ｂ、４２０ｂ）を形成する。なお、図示しないが、絶縁膜４１３において、第１の形状の導電層で覆われない領域は２０〜５０ｎｍ程度エッチングされ薄くなる。
【００６５】
次いで、レジストマスクをそのままの状態としたまま、第１の形状の導電層をマスクとして第１のドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。（図５（Ｂ））例えば、加速電圧を２０〜６０ｋｅＶとし、１×１０13〜５×１０14／ｃｍ2のドーズ量で行い、不純物領域（ｎ＋領域）４２１ａ〜４２１ｅを形成する。例えば、不純物領域（ｎ＋領域）におけるリン（Ｐ）濃度は１×１０20〜１×１０21／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００６６】
次いで、レジストマスクをそのままの状態としたまま、図５（Ｃ）に示すように第２のエッチング処理を行う。エッチングはＩＣＰエッチング法を用い、エッチングガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ2を混合して、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５００Ｗ（電力パワー密度１．０２Ｗ／ｃｍ2）のＲＦ電力(１３．５６ＭＨｚ)を供給してプラズマを生成する。基板側（試料ステージ）には５０Ｗ（電力パワー密度０．３２Ｗ／ｃｍ2）のＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このような条件によりタングステン膜を異方性エッチングし、第１の導電層である窒化タンタル膜またはチタン膜を残存させるようにする。ここでも本発明のＩＣＰ型エッチング装置を用いて面内均一性を向上させることが望ましい。こうして、第２形状の導電層４２３〜４２８（第１の導電膜４２３ａ、４２４ａ、４２５ａ、４２６ａ、４２７ａ、４２８ａと第２の導電膜４２３ｂ、４２４ｂ、４２５ｂ、４２６ｂ、４２７ｂ、４２８ｂ）を形成する。４２２はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層で覆われない領域はさらに薄くなった。
【００６７】
次いで、レジストマスクをそのままの状態としたまま、第２のドーピング処理を行いｎ型の不純物（ドナー）をドーピングする。（図５（Ｄ））この場合、第２形状の導電層のうち、第２の導電膜はドーピングする元素に対してマスクとなり、加速電圧を適宣調節（例えば、７０〜１２０ｋｅＶ）して、ゲート絶縁膜及び第１の導電膜のテーパ部を通過した不純物元素により不純物領域（ｎ−領域）４２９ａ〜４２９ｅを形成する。例えば、不純物領域（ｎ−領域）におけるリン（Ｐ）濃度は１×１０17〜１×１０19／ｃｍ3の範囲となるようにする。
【００６８】
本実施例では、本発明のＩＣＰ型エッチング装置を用いたことによって、テーパ部が均一化されたため、テーパ部を通過させて形成される不純物領域（ｎ−領域）を基板面内において均一化することができた。
【００６９】
次いで、レジストマスクを除去した後、フォトリソグラフィ法により、駆動回路のｎチャネルＴＦＴのうち、所定のＴＦＴを覆うレジストマスク４３０を形成した後、エッチングを行い、第３形状の導電層（第１の導電膜４２３ｃ、４２５ｃ、４２６ｃ、４２７ｃ、４２８ｃと第２の導電膜４２３ｄ、４２５ｄ、４２６ｄ、４２７ｄ、４２８ｄ）と絶縁膜４３１〜４３６を形成する。（図６（Ａ））こうすることによって、レジストマスク４３０で覆われたＴＦＴ以外のＴＦＴは、第１の導電膜と不純物領域（ｎ−領域）とが重ならないＴＦＴとすることができる。なお、図６（Ａ）中では絶縁膜４３１、４３３〜４３６が不純物領域（ｎ−領域）と重なっていないが、実際は、一部かさなった構造となる。
【００７０】
次いで、レジストマスク４３０を除去した後、図６（Ｂ）に示すように、レジストによるマスク４３７を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層にｐ型の不純物（アクセプタ）をドーピングする。典型的にはボロン（Ｂ）を用いる。不純物領域（ｐ＋領域）４３８、４３９の不純物濃度は２×１０20〜２×１０21／ｃｍ3となるようにし、含有するリン濃度の１．５〜３倍のボロンを添加して導電型を反転させる。
【００７１】
以上までの工程でそれぞれの半導体層に不純物領域が形成される。その後、図６（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜から成る保護絶縁膜４４０をプラズマＣＶＤ法で形成する。そして導電型の制御を目的としてそれぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。
【００７２】
さらに、水素化処理を行う。本実施例では比較的低温で行うことが可能な水素プラズマを用いて水素化処理を行った。
【００７３】
次いで、保護絶縁膜４４０を覆って層間絶縁膜４４１を形成する。層間絶縁膜４４１は、ポリイミド、アクリルなどの有機絶縁物材料で形成する。勿論、プラズマＣＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho silicate）を用いて形成される酸化シリコン膜を適用しても良いが、平坦性を高める観点からは前記有機物材料を用いることが望ましい。
【００７４】
次いで、コンタクトホールを形成し、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｇを主成分とする膜、チタン（Ｔｉ）、またはそれらの積層膜等の反射性の優れた材料を用いて、ソース配線またはドレイン配線４４２〜４５０、及び画素電極４５１を形成する。また、画素電極４５１を形成した後、公知のサンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させることが好ましい。
【００７５】
以上の工程で、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴと含む駆動回路４５３と、画素ＴＦＴ及び保持容量を含む画素部４５４を同一基板上に得ることができる。
【００７６】
駆動回路４５３において、ロジック回路部やサンプリング回路部を構成するｐチャネル型ＴＦＴにはチャネル形成領域、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域を有している。
【００７７】
駆動回路４５３において、ロジック回路部を構成するｎチャネル型ＴＦＴには高速動作を重視したＴＦＴ構造とすることが好ましく、チャネル形成領域、ゲート電極と重なる不純物領域（Gate Overlapped Drain：ＧＯＬＤ領域）、ゲート電極の外側に形成される不純物領域（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域を有している。
【００７８】
また、駆動回路４５３において、サンプリング回路部を構成するｎチャネル型ＴＦＴには低オフ電流動作を重視したＴＦＴ構造とすることが好ましく、チャネル形成領域、ゲート電極の外側に形成される不純物領域（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域を有している。
【００７９】
また、画素部４５４の画素ＴＦＴを構成するｎチャネル型ＴＦＴには低オフ電流動作を重視したＴＦＴ構造とすることが好ましく、チャネル形成領域、ゲート電極の外側に形成される不純物領域（ＬＤＤ領域）とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域を有している。
【００８０】
また、画素部４５４の保持容量４６０の一方の電極として機能する半導体層には、それぞれｐ型を付与する不純物元素が添加されている。保持容量４６０は、絶縁膜４３６を誘電体として、電極４２８ｄ、４２８ｃと、半導体層とで形成している。
【００８１】
なお、ここでは、画素電極として、反射電極を用いた例を示したが、透光性を有する導電性材料を用いて画素電極を形成すれば、透過型の表示装置を作製することができる。その場合、ソース配線またはドレイン配線を作製する工程の前後で画素電極を形成し、その画素電極の材料としては、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、またはガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）等を用いることが望ましい。
【００８２】
図７の状態を得た後、画素電極４５１上に配向膜を形成しラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパターニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ（図示しない）を所望の位置に形成した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
【００８３】
次いで、対向基板を用意する。次いで、対向基板上に着色層、遮光層を形成した後、平坦化膜を形成する。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極を少なくとも画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜を形成し、ラビング処理を施した。
【００８４】
次いで、画素部と駆動回路が形成された基板と対向基板とを接着層（本実施例ではシール材）で貼り合わせる。接着層にはフィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って２枚の基板が貼り合わせられる。そして、一枚の基板に複数の画素部を形成、いわゆる多面取りとした場合、基板を各々分断して、一つの画素部を有する基板を複数得る。その後、両基板の間に液晶材料を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。
【００８５】
次いで、外部入力端子にＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）を貼り付ける。さらに対向基板のみに偏光板（図示しない）を貼りつける。また、カラー化させる場合にはカラーフィルタを基板に設ける。
【００８６】
以上のようにして作製される液晶表示装置は各種電子機器の表示部として用いることができる。この液晶表示装置の状態について図８を用いて説明する。
【００８７】
図８に示す上面図は、画素部、駆動回路、ＦＰＣ８９（フレキシブルプリント配線板：Flexible Printed Circuit）を貼り付ける外部入力端子８０、外部入力端子と各回路の入力部までを接続する配線８１などが形成された基板８２ａと、カラーフィルタなどが設けられた対向基板８２ｂとがシール材８３を介して貼り合わされている。
【００８８】
ゲート側駆動回路８４と重なるように固定基板側に遮光層８６ａが設けられ、ソース側駆動回路８５と重なるように固定基板側に遮光層８６ｂが形成されている。また、画素部８７上の固定基板側に設けられたカラーフィルタ８８は遮光層と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色の着色層とが各画素に対応して設けられている。実際に表示する際には、赤色（Ｒ）の着色層、緑色（Ｇ）の着色層、青色（Ｂ）の着色層の３色でカラー表示を形成するが、これら各色の着色層の配列は任意なものとする。
【００８９】
ここでは、カラー化を図るためにカラーフィルタ８８を対向基板に設けているが特に限定されず、基板上に素子を作製する際、基板上にカラーフィルタを形成してもよい。
【００９０】
また、カラーフィルタにおいて隣り合う画素の間には遮光層が設けられており、表示領域以外の箇所を遮光している。また、ここでは、駆動回路を覆う領域にも遮光層８６ａ、８６ｂを設けているが、駆動回路を覆う領域は、後に液晶表示装置を電子機器の表示部として組み込む際、カバーで覆うため、特に遮光層を設けない構成としてもよい。また、基板上に必要な素子を作製する際、基板上に遮光層を形成してもよい。
【００９１】
また、上記遮光層を設けずに、第２固定基板と対向電極の間に、カラーフィルタを構成する着色層を複数層重ねた積層で遮光するように適宜配置し、表示領域以外の箇所（各画素電極の間隙）や、駆動回路を遮光してもよい。
【００９２】
また、外部入力端子にはベースフィルムと配線から成るＦＰＣ８９が異方性導電性樹脂で貼り合わされている。さらに補強板で機械的強度を高めている。
【００９３】
［実施例２］
本実施例では、画素部または駆動回路に使用するＴＦＴを逆スタガ型ＴＦＴで構成した液晶表示装置の例を図９に示す。図９（Ａ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図であり、図９（Ａ）において、点線Ａ−Ａ'で切断した部分が、図９（Ｂ）の画素部の断面構造に相当する。
【００９４】
画素部において、画素ＴＦＴ部はＮチャネル型ＴＦＴで形成されている。なお、ＴＦＴの活性層は、非晶質構造を有する半導体膜（代表的にはアモルファスシリコン膜）や結晶構造を有する半導体膜（代表的にはポリシリコン膜）のいずれでもよいが、駆動回路と画素部とを同一基板上に形成する場合には、結晶構造を有する半導体膜を用いることが望ましい。基板上５１にゲート電極５２が形成され、その上に窒化珪素からなる第１絶縁膜５３ａ、酸化珪素からなる第２絶縁膜５３ｂが設けられている。なお、５３ａ、５３ｂはゲート絶縁膜としての機能を有する。また、第２絶縁膜５３ｂ上には、活性層としてｎ+ 領域５４〜５６と、チャネル形成領域５７、５８と、前記ｎ+ 型領域とチャネル形成領域の間にｎ- 型領域５９、６０が形成される。また、チャネル形成領域５７、５８は絶縁層６１、６２で保護される。絶縁層６１、６２及び活性層を覆う第１の層間絶縁膜６３にコンタクトホールを形成した後、ｎ+ 領域５４に接続する配線６４が形成され、ｎ+ 領域５６にＡｌあるいはＡｇ等からなる画素電極６５が接続され、さらにその上にパッシベーション膜６６が形成される。また、７０は画素電極６５と隣接する画素電極である。
【００９５】
なお、本実施例では、画素部の画素ＴＦＴのゲート配線をダブルゲート構造としているが、オフ電流のバラツキを低減するために、トリプルゲート構造等のマルチゲート構造としても構わない。また、開口率を向上させるためにシングルゲート構造としてもよい。
【００９６】
また、画素部の容量部は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を誘電体として、容量配線７１と、ｎ+ 領域５６とで形成されている。
【００９７】
なお、図９で示した画素部はあくまで一例に過ぎず、特に上記構成に限定されないことはいうまでもない。
【００９８】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例１のいずれとも自由に組み合わせることが可能である。
【００９９】
実施の形態１や実施の形態２にその一例を示した本発明のエッチング装置は、各パターニング工程でのエッチング処理に適用することができるが、特にゲート電極５２のパターニングにおけるエッチング処理に用いて、ゲート電極５２のテーパ部を均一とし、そのゲート電極５２を覆うゲート絶縁膜のカバレッジを良好なものとすることができる。本発明により、被処理基板が大型化しても被処理基板の角部におけるエッチング不良を引き起こすことなく、面内均一性に優れ、且つ、精度の高いエッチング処理を行うことができる。
【０１００】
［実施例３］
本実施例では、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を備えた自発光表示装置を作製する例を図１０に示す。
【０１０１】
図１０（Ａ）は、ＥＬモジュールをを示す上面図、図１０（Ｂ）は図１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。絶縁表面を有する基板５００（例えば、ガラス基板、結晶化ガラス基板、もしくはプラスチック基板等）に、画素部５０２、ソース側駆動回路５０１、及びゲート側駆動回路５０３を形成する。また、５１８はシール材、５１９はＤＬＣ膜であり、画素部および駆動回路部はシール材５１８で覆われ、そのシール材は保護膜５１９で覆われている。さらに、接着材を用いてカバー材で封止されている。
【０１０２】
なお、５０８はソース側駆動回路５０１及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における自発光装置には、自発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１０３】
次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。基板５００上に絶縁膜５１０が設けられ、絶縁膜５１０の上方には画素部５０２、ゲート側駆動回路５０３が形成されており、画素部５０２は電流制御用ＴＦＴ５１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極５１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５１３とｐチャネル型ＴＦＴ５１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
【０１０４】
これらのＴＦＴ（５１１、５１３、５１４を含む）を作製する際のパターニングにおいて、本発明のエッチング装置を用いれば、面内均一性の高い半導体層の形状、配線幅、またはコンタクトホール形状を実現することができる。
【０１０５】
画素電極５１２はＥＬ素子の陽極として機能する。また、画素電極５１２の両端にはバンク５１５が形成され、画素電極５１２上にはＥＬ層５１６およびＥＬ素子の陰極５１７が形成される。
【０１０６】
ＥＬ層５１６としては、発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせてＥＬ層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。例えば、低分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用いればよい。また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレット化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプレット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１０７】
陰極５１７は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線５０８を経由してＦＰＣ５０９に電気的に接続されている。さらに、画素部５０２及びゲート側駆動回路５０３に含まれる素子は全て陰極５１７、シール材５１８、及び保護膜５１９で覆われている。
【０１０８】
なお、シール材５１８としては、できるだけ可視光に対して透明もしくは半透明な材料を用いるのが好ましい。また、シール材５１８はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。
【０１０９】
また、シール材５１８を用いて発光素子を完全に覆った後、すくなくとも図１０に示すようにＤＬＣ膜等からなる保護膜５１９をシール材５１８の表面（露呈面）に設けることが好ましい。また、基板の裏面を含む全面に保護膜を設けてもよい。ここで、外部入力端子（ＦＰＣ）が設けられる部分に保護膜が成膜されないように注意することが必要である。マスクを用いて保護膜が成膜されないようにしてもよいし、ＣＶＤ装置でマスキングテープとして用いるテフロン（登録商標）等のテープで外部入力端子部分を覆うことで保護膜が成膜されないようにしてもよい。
【０１１０】
以上のような構造でＥＬ素子をシール材５１８及び保護膜で封入することにより、ＥＬ素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等のＥＬ層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い自発光装置を得ることができる。
【０１１１】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例１、実施例２のいずれとも自由に組み合わせることが可能である。
【０１１２】
実施の形態１や実施の形態２にその一例を示した本発明は、図１０に示す画素部のＴＦＴあるいは駆動回路のＴＦＴを作製する際に使用するエッチング処理（電極形成、コンタクトホールの形成など）に適用することができる。本発明により、被処理基板が大型化しても被処理基板の角部におけるエッチング不良を引き起こすことなく、面内均一性に優れ、且つ、精度の高いエッチング処理を行うことができる。
【０１１３】
また、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層して図１０とは逆方向に発光する構成としてもよい。
【０１１４】
［実施例４］
本実施例は、本発明を適用し、ラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）をマイクロ波供給手段として用いたエッチング装置の一例を図１５に示す。
【０１１５】
図１５中、７００はラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）であり、７０４はマイクロ波透過性の誘電体であり、このアンテナ７００からマイクロ波を供給してアンテナ７００と電極７０８、７０９との間にプラズマを発生させ、被処理基板７０７上に設けられた被エッチング材料膜をエッチングする。なお、反応ガスは、ガス供給系７０２から所定の反応ガスをチャンバー７０１内に導入し、ガス排気系７０３により排気を行う。
【０１１６】
また、被処理基板７０７は複数の電極７０８ａ〜７０８ｄ、７０９からなる第２の電極（下部電極）上に配置する。なお、被処理基板の角部の下方に配置された電極７０８ａには高周波電源７１０が接続されており、被処理基板の中央部の下方に配置された電極７０９には高周波電源７１１が接続されており、電極７０８ｃには高周波電源７１２が接続されており、ここでは図示しないが電極７０８ｂや電極７０８ｄにもそれぞれ高周波電源が独立に接続されている。なお、図１５（Ａ）の断面図は、図１５（Ｂ）に示した上面図の鎖線Ａ−Ａ’で切断した図に相当する。このように、図１５に示すエッチング装置においても、電極を構成する複数の電極の各々に独立して高周波電源７１０〜７１２を接続している。
【０１１７】
上記構成により、基板面内のエッチングのバラツキを低減することができ、特に基板の角部におけるエッチング不良を低減することができる。また、上記構成の構成であれば、大型の基板であっても面内均一性が非常に高いエッチングを実現することができる。
【０１１８】
また、電極と高周波電源の間に測定装置（プロ−バー、電圧測定機器、オシロスコープ等）を設けてもよい。さらに、この測定装置から得られた情報をもとにして、各高周波電源の高周波電力を制御するためのコントロール部を設けてもよい。
【０１１９】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例１、実施例２、実施例３のいずれとも自由に組み合わせることが可能である。
【０１２０】
［実施例５］
本実施例では、画素部に使用するｎチャネル型ＴＦＴの下方に遮光膜を兼ねるゲート配線を設けた液晶表示装置の例を図１６に示す。図１６（Ｂ）は、画素部の画素の一つを拡大した上面図であり、図１６（Ｂ）において、点線Ｅ−Ｅ'で切断した部分が、図１６（Ａ）の画素部の断面構造に相当する。
【０１２１】
図１６において、８０１は基板、８０２はゲート配線、８０３ａ、８０３ｂはゲート配線を覆う絶縁膜、８０８はゲート絶縁膜、８１０はゲート電極、８１１は容量配線である。なお、このゲート配線８０２は活性層を光から保護する遮光層としても機能する。また、活性層は、８１２〜８１５で示す領域からなり、そのうち８１２は、ＬＤＤ領域となる低濃度不純物領域、８１３は、高濃度にリンが添加されたソース領域またはドレイン領域となる高濃度不純物領域、８１４、８１５はチャネル形成領域である。なお、低濃度不純物領域８１２は、セルフアラインでドーピングされており、ゲート電極８１０とは重なっていない。
【０１２２】
また、図１６（Ａ）において、８１６は、パッシベーション膜、８１７は有機樹脂材料からなる層間絶縁膜、８１８は画素電極と高濃度不純物領域を接続する電極、８１９はソース配線、８２０はアクリルからなる層間絶縁膜、８２１は遮光層、８２２は層間絶縁膜、８２３、８２４は透明導電膜からなる画素電極である。
【０１２３】
本発明は、図１６に示す画素ＴＦＴを作製する際に使用するエッチング処理に適用することができる。
【０１２４】
また、図１７に、図１６とはゲート電極と活性層の構成が異なる例を示した。なお、図１７は図１６とはゲート電極と活性層の構成が異なるだけで、それら以外の構成は図１６と同一であるので説明を省略する。
【０１２５】
図１７中、活性層は、高濃度不純物領域９１３、低濃度不純物領域９１２、チャネル形成領域９１４、９１５からなる。  図１７ではゲート電極９１０及び容量配線９１１の形状がテーパ−形状となっており、ドーピングの際、このテーパ−部を通過させてリンをドーピングし、低濃度不純物領域９１２を形成した。従って、低濃度不純物領域９１２は、ゲート電極９１０とは一部重なっている。
【０１２６】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例１、実施例２、実施例３のいずれとも自由に組み合わせることが可能である。
【０１２７】
実施の形態１や実施の形態２にその一例を示した本発明は、図１６に示す画素ＴＦＴを作製する際、例えばテーパ−形状のゲート電極の形成に使用するエッチング処理、コンタクトホール形成に使用するエッチング処理に適用することができる。本発明により、被処理基板が大型化しても被処理基板の角部におけるエッチング不良を引き起こすことなく、面内均一性に優れ、且つ、精度の高いエッチング処理を行うことができる。
【０１２８】
［実施例６］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々な装置（アクティブマトリクス型液晶ディスプレイ、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、アクティブマトリクス型ＥＣディスプレイなど）に用いることができる。本発明は、駆動回路や画素部に設けるＴＦＴを作製する際、例えばテーパ−形状のゲート電極の形成に使用するエッチング処理、コンタクトホール形成に使用するエッチング処理に適用することができる。即ち、それらの装置を含む電子機器全てに本発明を実施できる。
【０１２９】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１８〜図２０に示す。
【０１３０】
図１８（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【０１３１】
図１８（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６等を含む。
【０１３２】
図１８（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【０１３３】
図１８（Ｄ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体２３０１、表示部２３０２、アーム部２３０３等を含む。
【０１３４】
図１８（Ｅ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０１３５】
図１８（Ｆ）はデジタルカメラであり、本体２５０１、表示部２５０２、接眼部２５０３、操作スイッチ２５０４、受像部（図示しない）等を含む。
【０１３６】
図１９（Ａ）はフロント型プロジェクターであり、投射装置２６０１、スクリーン２６０２等を含む。
【０１３７】
図１９（Ｂ）はリア型プロジェクターであり、本体２７０１、投射装置２７０２、ミラー２７０３、スクリーン２７０４等を含む。
【０１３８】
なお、図１９（Ｃ）は、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）中における投射装置２６０１、２７０２の構造の一例を示した図である。投射装置２６０１、２７０２は、光源光学系２８０１、ミラー２８０２、２８０４〜２８０６、ダイクロイックミラー２８０３、プリズム２８０７、液晶表示装置２８０８、位相差板２８０９、投射光学系２８１０で構成される。投射光学系２８１０は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図１９（Ｃ）中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１３９】
また、図１９（Ｄ）は、図１９（Ｃ）中における光源光学系２８０１の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系２８０１は、リフレクター２８１１、光源２８１２、レンズアレイ２８１３、２８１４、偏光変換素子２８１５、集光レンズ２８１６で構成される。なお、図１９（Ｄ）に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。
【０１４０】
ただし、図１９に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の電気光学装置及びＥＬモジュールでの適用例は図示していない。
【０１４１】
図２０（Ａ）は携帯電話であり、本体２９０１、音声出力部２９０２、音声入力部２９０３、表示部２９０４、操作スイッチ２９０５、アンテナ２９０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）２９０７等を含む。
【０１４２】
図２０（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０１４３】
図２０（Ｃ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は特に大画面化した場合において有利であり、対角１０インチ以上（特に３０インチ以上）のディスプレイには有利である。
【０１４４】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施例１〜５のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１４５】
【発明の効果】
本発明により、被処理基板が大型化しても被処理基板内におけるエッチング不良を引き起こすことなく、面内均一性に優れ、且つ、精度の高いエッチング処理を行うことができる。従って、本発明のドライエッチング装置は、大型の量産装置に適している。
【０１４６】
また、本発明により、膜厚が薄い被処理膜をエッチングする場合や、選択比が低いエッチング処理を行う場合において、従来生じていた部分的なオーバーエッチングを抑えることができ、有効である。
【０１４７】
また、本発明により、被処理基板が大型化しても基板全面に渡って、半導体層の形状やコンタクトホールの形状を均一化することができる。
【０１４８】
また、エッチングによって配線のテーパ部のテーパ−角を制御する場合において、本発明により基板全体に均一なテーパ−角を得ることができ、特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】    本発明のドライエッチング装置の構成を示す図である。
【図２】    本発明のドライエッチング装置の構成を示す図である。
【図３】    本発明のドライエッチング装置の構成を示す図である。
【図４】    ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図である。
【図５】    ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図である。
【図６】    ＡＭ−ＬＣＤの作製工程を示す図である。
【図７】    アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図を示す図である。
【図８】    ＡＭ−ＬＣＤの外観を示す図である。
【図９】    アクティブマトリクス型液晶表示装置の画素上面図および画素断面図を示す図である。
【図１０】  アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置の外観図および断面図を示す図である。
【図１１】  テーパ−角αのバイアスパワー依存性を示す図である。
【図１２】  エッチングレートのバイアスパワー依存性を示す図である。
【図１３】  選択比のバイアスパワー依存性を示す図である。
【図１４】  コントロール部を備えたドライエッチング装置を示す図である。
【図１５】  本発明のドライエッチング装置の構成を示す図である。
【図１６】  アクティブマトリクス型液晶表示装置の画素上面図及び断面図を示す図である。
【図１７】  アクティブマトリクス型液晶表示装置の画素断面図を示す図である。
【図１８】  電子機器の一例を示す図。
【図１９】  電子機器の一例を示す図。
【図２０】  電子機器の一例を示す図。
【図２１】  基板の測定ポイントを示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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