(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記複数の画素回路の各々は有機ＥＬ素子を有し、前記有機ＥＬ素子は第１電極、第２電極および前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有し、前記第２電極が複数の前記発光素子に共通に設けられた共通電極である、発光装置であって、
前記基板上における前記発光領域の外側に配置され、前記複数の画素回路の駆動または検査に関係する信号を生成する周辺回路と、
前記基板上における前記周辺回路の外側に配置され、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線と、
前記共通電極である前記第２電極を覆って前記第２電極に接触しており、前記発光領域および前記周辺回路を覆って前記有機ＥＬ素子の各々および前記周辺回路を封止する電極保護膜と、
前記電極保護膜を挟んで前記有機ＥＬ素子および前記周辺回路とは反対側に配置されており、前記電極保護膜に対向する第１の面と、前記第１の面と反対側にある第２の面とを有しており、前記第１の面の凹凸よりも前記第２の面の凹凸が小さくなるように形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜を覆っており、前記有機ＥＬ素子の各々をさらに外気から遮断するガスバリア層とを備え、
前記平坦化膜および前記ガスバリア層は前記周辺回路の領域の少なくとも一部を覆っており、
前記基板上における前記周辺回路の外側で前記ガスバリア層が前記電極保護膜に直接接触しており、前記ガスバリア層が前記電極保護膜に直接接触している位置は、前記第２電極用電源線に重なる位置であって、
前記平坦化膜は、前記第１の面と前記第２の面とをつなぎ前記基板に対して傾斜した傾斜面を有しており、前記傾斜面は前記周辺回路に重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記周辺回路を覆って前記周辺回路を封止する回路保護膜と、
前記回路保護膜を挟んで前記周辺回路とは反対側に配置されており、前記回路保護膜に対向する面と、前記回路保護膜とは反対の面とを有しており、前記回路保護膜に対向する面の凹凸よりも前記回路保護膜とは反対の面の凹凸が小さい回路段差平坦化膜と、
前記回路段差平坦化膜を挟んで前記回路保護膜とは反対側に配置されており、前記有機ＥＬ素子の各々の前記発光層を画定する隔壁とを備え、
前記有機ＥＬ素子は前記回路段差平坦化膜と前記電極保護膜の間に配置されており、 
前記基板上における内側には前記隔壁と前記回路段差平坦化膜が重なって形成されている第１の領域があり、その外側には前記隔壁と前記回路段差平坦化膜の一方が形成されている第２の領域があり、さらにその外側には前記隔壁も前記回路段差平坦化膜も形成されていない第３の領域があり、前記平坦化膜の前記傾斜面は前記第１の領域、前記第２の領域および前記第３の領域に重なり前記第３の領域で終端することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の発光装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜封止構造により保護された有機ＥＬ素子を有する発光装置およびこれを
有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の一種として、電界により励起して発光する有機エレクトロルミネッセント（
ＥＬ）素子が知られている。有機ＥＬ素子を備える装置の製造工程では、酸素や水分など
により有機ＥＬ素子が劣化するのを防ぐために封止が行われる。この封止の技術として、
極めて薄い無機膜をガスバリア層として用いて、これで有機ＥＬ素子を覆う薄膜封止技術
が知られている（特許文献１〜４）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１８５９９４号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４０４１号公報
【特許文献３】特開２０００−２２３２６４号公報
【特許文献４】特開２００３−１７２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子を配置する基板には、有機ＥＬ素子の各々に対応する画素回路だけでなく
、画素回路の駆動または検査に関係する信号を生成する周辺回路が配置されることが多い
。このような装置では、基板の小型化のために、画素回路が設けられた発光領域と周辺回
路の間隔は小さい方が望ましい。また、基板上の周辺回路も通常はトランジスタであり、
トランジスタから例えば水素などの成分の離脱によって性能が劣化することを防止できる
と好ましい。そこで、封止に寄与するガスバリア層を発光領域だけでなく周辺回路の領域
にも拡張することが考えられる。
【０００５】
しかし、薄膜封止に使用されるガスバリア層は、小さな分子の水蒸気または空気を遮断
するため緻密であるため、段差または急激な形状変化により応力集中が起こりやすい。周
辺回路の領域をガスバリア層で覆った場合には、周辺回路に起因して生ずることがある段
差または凹凸により、ガスバリア層が屈曲した形状になり、屈曲部分に応力が集中して破
損しやすくなる。
【０００６】
そこで、本発明は、画素回路だけでなく周辺回路もガスバリア層で保護するとともに、
ガスバリア層の一部に応力が集中するのを抑制することができる発光装置およびこれを有
する電子機器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る発光装置は、基板上の発光領域に設けられた複数の画素回路を備え、前記
複数の画素回路の各々は有機ＥＬ素子を有し、前記有機ＥＬ素子は第１電極、第２電極お
よび前記第１電極と前記第２電極の間に挟まれた発光層を有する発光装置であって、前記
基板上における前記発光領域の外側に配置され、前記複数の画素回路の駆動または検査に
関係する信号を生成する周辺回路と、前記発光領域および前記周辺回路を覆って前記有機
ＥＬ素子の各々および前記周辺回路を封止する電極保護膜と、前記電極保護膜を挟んで前
記有機ＥＬ素子および前記周辺回路とは反対側に配置されており、前記電極保護膜に対向
する第１の面と、前記第１の面と反対側にある第２の面とを有しており、前記第１の面の
凹凸よりも前記第２の面の凹凸が小さくなるように形成された平坦化膜と、前記平坦化膜
を覆っており、前記有機ＥＬ素子の各々をさらに外気から遮断するガスバリア層とを備え
、前記平坦化膜および前記ガスバリア層は前記周辺回路の領域の少なくとも一部を覆って
いる。
【０００８】
本発明によれば、平坦化膜が周辺回路の領域の少なくとも一部を覆っているため、周辺
回路によって生ずることがある段差または凹凸を平坦化膜が緩和し、平坦化膜を覆うガス
バリア層の屈曲角度も緩和されることにより、ガスバリア層の一部に応力が集中するのを
抑制できる。また、電極保護膜に加えてガスバリア層を有する封止構造により周辺回路を
保護することができる。例えば、平坦化膜を有機化合物で製造した場合に、製造後の平坦
化膜により発生するガスまたは不純物により周辺回路が劣化するのを電極保護膜で抑制す
ることができる。本明細書でいう周辺回路は、例えば、発光素子を駆動するための駆動回
路、あるいは、発光素子や配線を検査するための検査回路等が含まれ得る。
【０００９】
前記基板上における前記周辺回路の外側で前記ガスバリア層が前記電極保護膜に直接接
触していると好ましい。この態様によれば、周辺回路の外側でガスバリア層が電極保護膜
に直接接触しているので、ガスバリア層と電極保護膜で挟まれた平坦化層へ外側からの空
気または水分が伝わって入るのを防止できる。また、電極保護膜に欠陥が生じたとしても
、ガスバリア層が電極保護膜に直接接触している部分では、電極保護膜の欠陥により封止
性能が害されることをガスバリア層が防止できる。
【００１０】
この態様において、前記第２電極は複数の前記発光素子に共通に設けられた共通電極であって、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記基板上における前記周辺回路の外側に配置されており、前記第２電極用電源線に重なる位置で、前記ガスバリア層が前記電極保護膜に直接接触していると好ましい。
【００１１】
ガスバリア層と電極保護膜で挟まれた平坦化層へ外側から空気が流入するのを防止する
ためには、ガスバリア層が電極保護膜に直接接触する部分の長さは大きいほど好ましい。
しかし、これらの直接接触する部分を大きくすると、基板を大きくせざるをえないおそれ
がある。この態様では、第２電極用電源線に重なる位置で、前記ガスバリア層が前記電極
保護膜に直接接触しているので、幅が広い第２電極用電源線よりも外側のみの位置で、前
記ガスバリア層が前記電極保護膜に直接接触する場合に比べて、基板の面積を狭小化する
ことが可能である。また、仮に、幅が広い第２電極用電源線が周辺回路と発光領域の間に
配置されていると、発光領域と周辺回路の間隔が広いために、基板を大きくせざるをえな
いおそれがある。しかし、この態様では、第２電極用電源線が周辺回路の外側に配置され
て、第２電極用電源線に重なる位置で、ガスバリア層が電極保護膜に直接接触しているの
で、基板をあまり大きくしなくてもよい。さらに、第２電極用電源線は第２電極とは異な
る高さに形成されることが多いため、第２電極用電源線と第２電極を電気的に接続する部
分には他の部分との段差が生じがちであり、これに伴い電極保護膜に段差による欠陥が生
ずることがある。しかし、電極保護膜においてこのような段差による欠陥が生じたとして
も、第２電極用電源線に重なる位置で、ガスバリア層が電極保護膜に直接接触しているた
めに、電極保護膜の欠陥により封止性能が害されることをガスバリア層が防止できる。
【００１４】
前記平坦化膜は、前記第１の面と前記第２の面とをつなぎ前記基板に対して傾斜した傾
斜面を有しており、前記傾斜面は前記周辺回路に重なっていると好ましい。
【００１５】
この態様の平坦化膜の傾斜面は、基板に対して垂直な面で第１の面と第２の面をつなぐ
場合よりも、平坦化膜を覆うガスバリア層の屈曲角度を緩和してガスバリア層における応
力集中を緩和することができる。平坦化膜の傾斜面が周辺回路に重なるということは、平
坦化膜が周辺回路またはその近辺にて終端するということである。この場合には、平坦化
膜の傾斜面が周辺回路の完全に外側にある場合に比べて、平坦化膜の占有面積を小さくす
ることができるので、基板の面積を狭小化することが可能である。
【００１６】
この態様において、前記周辺回路を覆って前記周辺回路を封止する回路保護膜と、前記
回路保護膜を挟んで前記周辺回路とは反対側に配置されており、前記回路保護膜に対向す
る面と、前記回路保護膜とは反対の面とを有しており、前記回路保護膜に対向する面の凹
凸よりも前記回路保護膜とは反対の面の凹凸が小さい回路段差平坦化膜と、前記回路段差
平坦化膜を挟んで前記回路保護膜とは反対側に配置されており、前記有機ＥＬ素子の各々
の前記発光層を画定する隔壁とを備え、前記有機ＥＬ素子は前記回路段差平坦化膜と前記
電極保護膜の間に配置されており、前記基板上における内側には前記隔壁と前記回路段差
平坦化膜が重なって形成されている第１の領域があり、その外側には前記隔壁と前記回路
段差平坦化膜の一方が形成されている第２の領域があり、さらにその外側には前記隔壁も
前記回路段差平坦化膜も形成されていない第３の領域があり、前記平坦化膜の前記傾斜面
は前記第１の領域、前記第２の領域および前記第３の領域に重なり前記第３の領域で終端
すると好ましい。
この態様では、基板上における内側には大きい高さの第１の領域があり、その外側には
やや高さが低い第２の領域があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域があ
ることにより、基板上における電極保護膜の高さを内側から外側に向けて漸減させること
ができる。この状態で、平坦化膜の傾斜面が第１の領域、第２の領域および第３の領域に
重なり第３の領域で終端することにより、緩やかな曲線を描くように平坦化膜の傾斜面を
形成しやすい。このため、平坦化膜を覆うガスバリア層の屈曲角度も緩和されるので、ガ
スバリア層の一部に応力が集中するのを抑制できる。
【００１８】
本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備える。このような電子機器として、発
光装置を表示装置に適用したパーソナルコンピュータ、携帯電話機、および携帯情報端末
などが該当し、また、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射
して潜像を形成するプリンタヘッドとして、発光装置を用いてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る様々な実施の形態を説明する。これらの
図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２０】
＜第１実施形態＞
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図
であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の状態の後に補助配線１５０および画素電極７６をさら
に形成した状態を示す平面図である。図１（Ａ）に示すように、この発光装置１は、パネ
ル１０とフレキシブル基板２０とを備える。パネル１０の端部には接続端子が形成され、
この接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic
conductive  film:異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤
を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、データ線駆動回路２００が
設けられており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電源電圧がパネル１０に
供給される。
【００２１】
パネル１０には、発光領域Ａと、その外側（つまり基板もしくはパネル１０の外周と発
光領域Aの間）の回路領域Ｂが設けられている。回路領域Ｂには走査線駆動回路１００Ａ
および１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０が形成されている。プリチャージ回路
１２０は書き込み動作に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための
回路である。走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０
は、発光領域Ａの周辺にある周辺回路である。但し、周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良
否を検査する検査回路（図示せず）を含んでもよいし、データ線駆動回路２００が回路領
域Ｂに設けられた周辺回路であってもよい。
【００２２】
発光領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交
差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯ
ＬＥＤ（organic  light  emitting  diode）素子を含み、電流供給線１１３から給電を
受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。
【００２３】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャ
ネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯ
ＬＥＤ素子７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１
３に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ素子７０の陽極に接続される。また、
トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている
。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース
電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極
と接続される。
【００２４】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよ
び１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給
されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、デー
タ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ素子
７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００２５】
また、図１（Ａ）に示すように、回路領域Ｂの外周部側（つまり基板もしくはパネル１
０の外周と回路領域Bの間）には、コの字状の第２電極用電源線１４０が形成されている
。第２電極用電源線１４０は、後述するようにＯＬＥＤ素子の陰極（第２電極）に電源電
圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。ＯＬＥＤ素子
は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層
を含む）７４を有する（図４参照）。共通電極７２は、図１（Ｂ）に示すように発光領域
Ａおよび回路領域Ｂにわたって形成される。また、共通電極７２と第２電極用電源線１４
０とを接続する補助配線１５０が、回路領域Ｂにおいて周辺回路を覆うように形成される
。補助配線１５０は、発光領域Ａに設けられる補助配線の第１部分１５０ａと、回路領域
Ｂに設けられる補助配線の第２部分１５０ｂとを含んでいる。発光領域Ａでは補助配線１
５０の第１部分１５０ａと画素電極７６とが接触しないように、補助配線１５０の第１部
分１５０ａが格子状に形成されている。つまりＯＬＥＤ素子７０の間に補助配線１５０の
第１部分１５０ａとが配置されている。本明細書でいう補助配線とは、共通電極７２に重
ねて電気的に接続され、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。明確化のため、
図３に、図１（Ｂ）の一部を拡大して示す。
【００２６】
この実施形態の発光装置１は、トップエミッションの形式で構成されており、発光機能
層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は、透明材料から形
成されている。このため、回路領域Ｂを共通電極７２によって遮光することはできない。
一方、上述した補助配線１５０には、導電性および遮光性を有する金属が用いられるため
、補助配線１５０によって遮光が可能である。これにより、周辺回路に光が入射して光電
流が発生することを抑制できる。また、補助配線１５０は、発光領域Ａの画素電極７６と
同一の工程で形成される。したがって、回路領域Ｂに遮光性を付加するために特別な工程
は不要である。
【００２７】
図４に発光装置１の部分断面図を示す。同図において、発光領域ＡにはＯＬＥＤ素子７
０が形成される一方、回路領域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される
。同図において発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。同図に示すように、基板
３０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、および６０が
形成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０はｐチャネ
ル型である。トランジスタ４０，５０は走査線駆動回路１００Ａの一部であり、トランジ
スタ６０とＯＬＥＤ素子７０は単位回路Ｐの一部である。
【００２８】
トランジスタ４０、５０、および６０は、基板３０の表面に形成された酸化珪素を主体
とする下地保護層３１の上に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０
１、５０１および６０１が形成される。シリコン層４０１、５０１および６０１を覆うよ
うに、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例
えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層４０１、５０１
および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が設けられる。トランジ
スタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ族元素がドーピングさ
れ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。ここで、Ｖ族元素がドー
ピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。
【００２９】
トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５
０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、
ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される
。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂ
となる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６
２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。
【００３０】
第１層間絶縁層３３が、ゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３
２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに
、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電
極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホ
ールを介してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。また、これらの電
極と同一の工程で第２電極用電源線１４０、データ線１１２および電流供給線１１３が形
成される。これらの電極および第２電極用電源線１４０などは導電性を有するアルミニウ
ム等の材料で形成される。
【００３１】
回路保護膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、
ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０を覆うように第１層間絶縁層３３の
上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率
が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料で
あってもよいし、水素を含んでいても良い。回路保護膜３４により、トランジスタ４０、
５０、および６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極や
ドレイン電極の下に形成してもよい。
【００３２】
回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。回路段差平坦化膜３５は
、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小
さい。つまり、トランジスタ４０，５０，６０、走査線１１１、データ線１１２、電流供
給線１１３などにより生ずる凹凸を平坦化するために、回路段差平坦化膜３５は用いられ
る。回路段差平坦化膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子
材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、
フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪
素等の無機材料から化学気相成長法（chemical vapor deposition: CVD）により回路段差
平坦化膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は化
学気相成長法によって膜を形成した場合、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様
であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングに
よって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹
凸の影響を受け難いので回路段差平坦化膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹
凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を回路段差平坦化膜３５に
用いることもできる。
【００３３】
回路段差平坦化膜３５上には、発光領域Ａで画素電極７６（第１電極）および補助配線
の第１部分１５０ａを形成すると同時に、回路領域Ｂに補助配線の第２部分１５０ｂを形
成する。即ち、画素電極７６と補助配線１５０とは同一の層において、同一の材料を用い
て同時に形成される。この実施形態における画素電極７６はＯＬＥＤ素子７０の陽極であ
り、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してト
ランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料
としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれ
らの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光
を共通電極７２に向けて反射する。補助配線１５０は、回路領域Ｂにおいて、回路保護膜
３４に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４０と接続される。
【００３４】
次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極
７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。
隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複
数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。例えば、アクリルもしく
はポリイミド等が隔壁３７の材料である。この場合、パターニングのため感光性材料を混
合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。隔壁３７にはコンタク
トホールＣＨが同時に形成される。発光領域３７において、このコンタクトホールＣＨを
介して補助配線１５０の第１部分１５０ａと後述する共通電極７２が接続される。また、
回路領域Ｂにおける補助配線１５０の第２部分１５０ｂの上には、隔壁３７と同一の層が
設けられていない。
【００３５】
次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光
層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分
子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送
層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を
備えていてもよい。
【００３６】
次に、発光領域Ａおよび回路領域Ｂにわたって補助配線１５０および発光機能層７４を
覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透明であり、ＯＬ
ＥＤ素子７０からの光は、共通電極７４を透過して図中上側の方向に射出される。この実
施形態の共通電極７２をすべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能させるため、共通電
極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、
アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。ま
た、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望まし
い。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極
７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。
【００３７】
また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数
が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、ＩＴＯ（indium  tin  oxi
de）、ＩＺＯ（indium  zinc  oxide）、またはＺｎＯ２のような酸化導電材料からなる
光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であ
ってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ２のような酸化導電材料は緻密な素材であり
、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が発光
領域Ａおよび回路領域Ｂにわたって形成されているため、発光領域Ａの単位回路Ｐおよび
回路領域Ｂの周辺回路が、後述する発光素子段差平坦化膜８２で発生するガスまたは外気
から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上
記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れ
ているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに
、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第
２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記
の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し
、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。
【００３８】
また、共通電極７２を形成するに先立って、隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成
される。このコンタクトホールＣＨを介して発光領域３７において補助配線の第１部分１
５０ａと共通電極７２が接続される。発光領域Ａにおいて格子状に形成される補助配線の
第１部分１５０ａ（図１（Ｂ）参照）に共通電極７２が接続されることにより、共通電極
７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができる。これに加えて、補助配線の第
２部分１５０ｂは、回路領域Ｂにおいて隔壁３７により覆われていないため共通電極７２
と広い面積で面接触するので、接続抵抗を下げることができる。したがって、電源インピ
ーダンスを大幅に低減することが可能となる。
【００３９】
次に、共通電極７２を覆うように電極保護膜８０が形成される。電極保護膜８０は、回
路保護膜３４と同様に、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料
から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよ
いし、水素を含んでいても良い。さらに、電極保護膜８０を覆うように発光素子段差平坦
化膜８２が形成される。発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する面の凹
凸よりも、電極保護膜８０と反対側にある面の凹凸が小さくなるように形成された層、つ
まりコンタクトホールＣＨ、隔壁３７およびＯＬＥＤ素子７０で生じた段差を平坦化する
膜である。回路段差平坦化膜３５と同様に、酸化珪素等の無機材料から蒸着により発光素
子段差平坦化膜８２を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよいが、回路
段差平坦化膜３５に関して述べたのと同じ理由から、例えばウレタン、アクリル、エポキ
シ、またはシアノアクリレート等の有機化合物で発光素子段差平坦化膜８２を形成するこ
とが好ましい。また、隔壁３７が温度により伸縮しても、後述するガスバリア層８４が割
れないように、隔壁３７と類似の熱膨張係数を有する有機化合物で発光素子段差平坦化膜
８２を形成することが好ましい。発光素子段差平坦化膜８２として有機化合物を用いる場
合には、硬化する際や硬化後において発光素子段差平坦化膜８２により発生するガスまた
は不純物が下層に浸透する可能性があるが、電極保護膜８０によってこれを防止し、ＯＬ
ＥＤ素子７０の寿命を低下させないようにすることができる。
【００４０】
くわえて、発光素子段差平坦化膜８２を覆うようにガスバリア層８４を形成する。ガス
バリア層８４の材料には、例えば窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料
から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよ
いし、水素を含んでいても良い。ガスバリア層８４は、高密度プラズマ気相成長法によっ
て、高密度で硬度の大きい薄膜として形成される。ガスバリア層８４によって、外気や水
分が発光装置１の内部に浸入することが防がれる。つまり、ガスバリア層８４は、発光素
子段差平坦化膜８２と電極保護膜８０で囲まれたＯＬＥＤ素子７０の各々をさらに外気か
ら遮断する。発光素子段差平坦化膜８２およびガスバリア層８４は、周辺回路（トランジ
スタ４０，５０を有する走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２
０）の領域全体を覆っている。
【００４１】
図４に示すように、周辺回路のトランジスタ４０，５０がある部分とない部分とでは、
回路保護膜３４の上面上に高さの段差または凹凸が生ずることがある。またトランジスタ
４０，５０内においても、要素の高さがばらつくために、回路保護膜３４の上面上に高さ
の段差または凹凸が生ずることがある。この実施形態では、回路段差平坦化膜３５が周辺
回路の領域を覆っているため、周辺回路によって生ずることがある段差または凹凸を回路
段差平坦化膜３５が緩和するが、回路段差平坦化膜３５は薄いので、このような段差また
は凹凸をあまり平坦化できないこともありうる。回路段差平坦化膜３５上の補助配線１５
０、共通電極７２および電極保護膜８０は蒸着でほぼ一様な厚さに形成されるため、この
ような段差または凹凸を平滑化することが難しい。
【００４２】
しかし、この実施の形態では、発光素子段差平坦化膜８２が周辺回路の領域全体を覆っ
ているため、周辺回路によって生ずることがある段差または凹凸を発光素子段差平坦化膜
８２が緩和し、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度も緩和され
ることにより、ガスバリア層８４の一部に応力が集中するのを抑制できる。また、電極保
護膜８０に加えてガスバリア層８４を有する封止構造により周辺回路を保護することがで
きる。例えば、発光素子段差平坦化膜８２を有機化合物で製造した場合に、硬化する際や
硬化後において発光素子段差平坦化膜８２により発生するガスまたは不純物により周辺回
路が劣化するのを電極保護膜８０で抑制することができる。
【００４３】
図４に示すように、基板３０上における周辺回路の外側でガスバリア層８４が電極保護
膜８０に直接接触している。従って、ガスバリア層８４と電極保護膜８０で挟まれた発光
素子段差平坦化膜８２へ外側からの空気または水分が伝わって入るのを防止できる。また
、電極保護膜８０に欠陥が生じたとしても、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接
触している部分では、電極保護膜８０の欠陥により封止性能が害されることをガスバリア
層８４が防止できる。
【００４４】
ガスバリア層８４と電極保護膜８０で挟まれた発光素子段差平坦化膜８２へ外側から空
気が流入するのを防止するためには、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接触する
部分の長さは大きいほど好ましい。しかし、これらの直接接触する部分を大きくすると、
基板３０を大きくせざるをえないおそれがある。この実施形態では、図４に示すように、
第２電極用電源線１４０における共通電極７２が第２電極用電源線１４０に直接接触する
部分に重なる位置で、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接触しているので、幅が
広い第２電極用電源線１４０よりも外側のみの位置で、ガスバリア層８４が電極保護膜８
０に直接接触する場合に比べて、基板３０の面積を狭小化することが可能である。また、
仮に、幅が広い第２電極用電源線１４０が周辺回路と発光領域Ａの間に配置されていると
、発光領域Ａと周辺回路の間隔が広いために、基板３０を大きくせざるをえないおそれが
ある。しかし、この実施形態では、第２電極用電源線１４０が周辺回路の外側に配置され
て、第２電極用電源線１４０に重なる位置で、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接
接触しているので、基板３０をあまり大きくしなくてもよい。さらに、第２電極用電源線
１４０は共通電極７２とは異なる高さに形成されているため、第２電極用電源線１４０と
共通電極７２を電気的に接続する部分には他の部分との段差が生じて、これに伴い電極保
護膜８０に段差による欠陥が生ずることがある。しかし、電極保護膜８０においてこのよ
うな段差による欠陥が生じたとしても、第２電極用電源線１４０に重なる位置で、ガスバ
リア層８４が電極保護膜８０に直接接触しているために、電極保護膜８０の欠陥により封
止性能が害されることをガスバリア層８４が防止できる。
【００４５】
発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する凹凸の大きい面（図中の下面
）と、電極保護膜８０と反対側にある平坦な面（図中の上面）をつなぐ傾斜面８２ａを有
する。発光素子段差平坦化膜８２において基板３０に対して垂直な面で図中の下面と図中
の上面をつなぐ場合よりも、傾斜面８２ａでつなぐことにより、発光素子段差平坦化膜８
２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度を緩和してガスバリア層８４における応力集中を緩
和することができる。この傾斜面８２ａが周辺回路に重なるということは、発光素子段差
平坦化膜８２が周辺回路またはその近辺にて終端するということである。この場合には、
傾斜面８２ａが周辺回路の完全に外側にある場合に比べて、発光素子段差平坦化膜８２の
占有面積を小さくすることができるので、基板３０の面積を狭小化することが可能である
。
【００４６】
図４に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回路段差平坦
化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁３７がなく
回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側には隔壁
３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従って、基板上
回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側にはやや高さ
が低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域Ｂ３があ
ることにより、基板上における電極保護膜８０の高さを内側から外側に向けて漸減させる
ことができる。
【００４７】
発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２ａは第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第
３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で終端する。発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８
２ａが第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で
終端することにより、緩やかな曲線を描くように発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２
ａを形成しやすい。このため、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲
角度も緩和されるので、ガスバリア層８４の屈曲部分に応力が集中するのを抑制できる。
特に、発光素子段差平坦化膜８２を粘性の高い液体状の有機化合物をコーティングして固
化させることにより形成する場合には、電極保護膜８０の表面に沿って有機化合物が伸び
るため、急激な屈曲のない傾斜面８２ａを形成しやすいので、ガスバリア層８４の破壊を
抑制できる。
【００４８】
図５は、本発明の第１実施形態の変形例に係る発光装置１Ａの構成の一部を示す概略平
面図であって、図１（Ａ）と同様の状態を示す図である。この変形例では、第２電極用電
源線１４０は図１（Ａ）と異なり、コの字状ではなく、短い矩形に形成されている。上述
と同様に、図５の状態の後に、補助配線１５０および画素電極７６がさらに形成されて、
図１（Ｂ）と全く同一の状態になる。補助配線１５０は回路領域Ｂを広く覆っており、回
路領域Ｂにおいて第２電極用電源線１４０に接続される。従って、第２電極用電源線１４
０は図１（Ａ）のようにコの字状に長く形成する必要はなく、この変形例のように短い矩
形に形成しても問題はない。この変形例では、第２電極用電源線１４０を形成する面積を
節約することができる。
【００４９】
図６は図５の変形例の発光装置１Ａの部分断面図を示す。同図は、発光領域Ａおよび周
辺回路たる走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂを横切るが第２電極用電源線１４０を横切
らない断面を示す。周辺回路を構成するトランジスタ４０，５０の少なくとも一部には回
路段差平坦化膜３５が重なっており、回路段差平坦化膜３５は補助配線１５０の第１部分
１５０ａで覆われている。周辺回路上において、電極保護膜８０の端部は回路保護膜３４
に直接接触しており、回路段差平坦化膜３５の端部を通じて水分またはガスが入ることを
抑制している。
【００５０】
この変形例では、発光素子段差平坦化膜８２が周辺回路の一部を覆っているため、周辺
回路によって生ずることがある段差または凹凸を発光素子段差平坦化膜８２が緩和し、発
光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度も緩和されることにより、ガ
スバリア層８４の一部に応力が集中するのを抑制できる。また、周辺回路に重なる領域で
、ガスバリア層８４が回路保護膜３４と直接接触して終端している。従って、周辺回路の
外側でガスバリア層８４が終端する場合に比べて、基板３０の面積を狭小化することが可
能である。ガスバリア層８４が回路保護膜３４と直接接触し、電極保護膜８０の端部が回
路保護膜３４と直接接触していることにより、回路段差平坦化膜３５と電極保護膜８０の
間に配置されたＯＬＥＤ素子７０が封止される。
【００５１】
図６では、ガスバリア層８４が回路保護膜３４と直接接触して終端しているが、ガスバ
リア層８４が電極保護膜８０の端部に直接接触して終端していてもよい。この場合にも、
周辺回路の外側でガスバリア層８４が終端する場合に比べて、基板３０の面積を狭小化す
ることが可能であり、回路段差平坦化膜３５と電極保護膜８０の間に配置されたＯＬＥＤ
素子７０が封止される。
【００５２】
この変形例でも、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回路段差平坦化
膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁３７がなく回
路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側には隔壁３
７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従って、基板上回
路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側にはやや高さが
低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域Ｂ３がある
ことにより、基板上における電極保護膜８０の高さを内側から外側に向けて漸減させるこ
とができる。
【００５３】
発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２ａは第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第
３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で終端する。発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８
２ａが第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で
終端することにより、緩やかな曲線を描くように発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２
ａを形成しやすい。このため、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲
角度も緩和されるので、ガスバリア層８４の屈曲部分に応力が集中するのを抑制できる。
特に、発光素子段差平坦化膜８２を粘性の高い液体状の有機化合物をコーティングして固
化させることにより形成する場合には、電極保護膜８０の表面に沿って有機化合物が伸び
るため、急激な屈曲のない傾斜面８２ａを形成しやすいので、ガスバリア層８４の破壊を
抑制できる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態においては、補助配線１５０を発光領域Ａに形成されるＯＬＥＤ
素子７０の構成要素である画素電極７６と同時に形成した。これに対して、第２実施形態
は、ＯＬＥＤ素子７０の形成とは、独立して補助配線１５０を形成する。
【００５５】
図７に第２実施形態に係る発光装置２の断面図を示す。この図に示すように、補助配線
１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成され、補助配線１５０および共通電極
７２を覆うように電極保護膜８０が形成される。逆に、補助配線１５０を共通電極７２の
下に面接触するように形成してもよい。
補助配線１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成されるのであれば、共通電
極７２を形成する際に、補助配線１５０の段差や補助配線１５０の応力により共通電極７
２が断線する虞がない。一方、補助配線１５０を共通電極７２の下に面接触するように形
成する場合には、発光機能層７４を形成する前に、隔壁３７上に形成することができる。
この場合には、発光機能層７４が形成されていないため、フォトリソグラフィなどにより
補助配線１５０のパターンを形成することができ、トランジスタ４０、５０、６０や走査
線１１１などの配線と同様の精度で補助配線１５０を形成することができる。
【００５６】
補助配線１５０の材料は、第１実施形態と同様であり、遮光性と導電性を有する。そし
て、補助配線１５０は、回路領域Ｂにおいて共通電極７２と面で接触するので、接続抵抗
を下げることができる。したがって、電源インピーダンスを大幅に低減することが可能と
なる。また、補助配線１５０は発光領域ＡにおいてＯＬＥＤ素子７０が形成されない領域
に配置される。例えば、補助配線１５０は隔壁３７の上に形成される。したがって、第１
実施形態のように発光領域Ａにおいて、コンタクトホールＣＨを形成して共通電極７２と
補助配線１５０とを接続する必要がない。コンタクトホールＣＨを形成する場合には、コ
ンタクトホールＣＨの内面に共通電極７２および電極保護膜８０を形成する必要があるの
で、構造が複雑となり信頼性が低下する。これに対して、第２実施形態では、補助配線１
５０を隔壁３７の上に形成したので、構造を簡素化し信頼性を向上させることができる。
【００５７】
また、この実施形態においては、共通電極７２の端部において補助配線１５０が共通電
極７２の外に突出しており、さらに外側を電極保護膜８０が覆っている。このように形成
することによって、パネル１０の端部から入り込む水分や空気が共通電極７２の面に沿っ
て発光機能層７４に到達することを抑制することができる。この実施の形態では、画素電
極７６は不透明な反射性のものであるが、画素電極７６を透明導電材料から形成して、デ
ュアルエミッションを実現してもよい。
【００５８】
この実施の形態でも、発光素子段差平坦化膜８２が周辺回路の領域全体を覆っているた
め、周辺回路によって生ずることがある段差または凹凸を発光素子段差平坦化膜８２が緩
和し、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度も緩和されることに
より、ガスバリア層８４の一部に応力が集中するのを抑制できる。また、電極保護膜８０
に加えてガスバリア層８４を有する封止構造により周辺回路を保護することができる。例
えば、発光素子段差平坦化膜８２を有機化合物で製造した場合に、硬化する際や硬化後に
おいて発光素子段差平坦化膜８２により発生するガスまたは不純物により周辺回路が劣化
するのを電極保護膜８０で抑制することができる。
【００５９】
図７に示すように、基板３０上における周辺回路の外側でガスバリア層８４が電極保護
膜８０に直接接触している。従って、ガスバリア層８４と電極保護膜８０で挟まれた発光
素子段差平坦化膜８２へ外側からの空気または水分が伝わって入るのを防止できる。また
、電極保護膜８０に欠陥が生じたとしても、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接
触している部分では、電極保護膜８０の欠陥により封止性能が害されることをガスバリア
層８４が防止できる。
【００６０】
また、第２電極用電源線１４０における共通電極７２が第２電極用電源線１４０に直接
接触する部分に重なる位置で、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接触しているの
で、幅が広い第２電極用電源線１４０よりも外側のみの位置で、ガスバリア層８４が電極
保護膜８０に直接接触する場合に比べて、基板３０の面積を狭小化することが可能である
。また、仮に、幅が広い第２電極用電源線１４０が周辺回路と発光領域Ａの間に配置され
ていると、発光領域Ａと周辺回路の間隔が広いために、基板３０を大きくせざるをえない
おそれがある。しかし、この実施形態では、第２電極用電源線１４０が周辺回路の外側に
配置されて、第２電極用電源線１４０に重なる位置で、ガスバリア層８４が電極保護膜８
０に直接接触しているので、基板３０をあまり大きくしなくてもよい。さらに、第２電極
用電源線１４０は共通電極７２とは異なる高さに形成されているため、第２電極用電源線
１４０と共通電極７２を電気的に接続する部分には他の部分との段差が生じて、これに伴
い電極保護膜８０に段差による欠陥が生ずることがある。しかし、電極保護膜８０におい
てこのような段差による欠陥が生じたとしても、第２電極用電源線１４０に重なる位置で
、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接接触しているために、電極保護膜８０の欠陥
により封止性能が害されることをガスバリア層８４が防止できる。
【００６１】
発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する凹凸の大きい面（図中の下面
）と、電極保護膜８０と反対側にある平坦な面（図中の上面）をつなぐ傾斜面８２ａを有
する。発光素子段差平坦化膜８２において基板３０に対して垂直な面で図中の下面と図中
の上面をつなぐ場合よりも、傾斜面８２ａでつなぐことにより、発光素子段差平坦化膜８
２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度を緩和してガスバリア層８４における応力集中を緩
和することができる。この傾斜面８２ａが周辺回路に重なるということは、発光素子段差
平坦化膜８２が周辺回路またはその近辺にて終端するということである。この場合には、
傾斜面８２ａが周辺回路の完全に外側にある場合に比べて、発光素子段差平坦化膜８２の
占有面積を小さくすることができるので、基板３０の面積を狭小化することが可能である
。
【００６２】
図７に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７と回路段差平坦
化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には隔壁３７がなく
回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側には隔壁
３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。従って、基板上
回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外側にはやや高さ
が低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３の領域Ｂ３があ
ることにより、基板上における電極保護膜８０の高さを内側から外側に向けて漸減させる
ことができる。
【００６３】
発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２ａは第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第
３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で終端する。発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８
２ａが第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で
終端することにより、緩やかな曲線を描くように発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２
ａを形成しやすい。このため、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲
角度も緩和されるので、ガスバリア層８４の屈曲部分に応力が集中するのを抑制できる。
特に、発光素子段差平坦化膜８２を粘性の高い液体状の有機化合物をコーティングして固
化させることにより形成する場合には、電極保護膜８０の表面に沿って有機化合物が伸び
るため、急激な屈曲のない傾斜面８２ａを形成しやすいので、ガスバリア層８４の破壊を
抑制できる。
【００６４】
＜第３実施形態＞
図８（Ａ）は、本発明の第３実施形態に係る発光装置３の構成の一部を示す概略平面図
であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の状態の後に共通電極７２をさらに形成した状態を示す
平面図であり、図９は、図８（Ｂ）の状態の後に補助配線１５０をさらに形成した状態を
示す平面図である。図１０は発光装置３の部分断面図である。図１１は発光装置３の図１
０とは別の部分断面図である。
【００６５】
上述した第１実施形態では、図１に示すように回路領域Ｂにおいて周辺回路（走査線駆
動回路１００Ａ、１００Ｂ、プリチャージ回路１２０）の外側に第２電極用電源線１４０
を設けたが、第３実施形態では、第２電極用電源線１４０を周辺回路と発光領域Ａとの間
に設けている。第２電極用電源線１４０と共通電極７２は、図８（Ｂ）に示すようにコン
タクトホールＣＨで接続されている。
【００６６】
図１０に示すように、回路領域Ｂから発光領域Ａに延びる走査線１１１の少なくとも第
２電極用電源線１４０と重なる部分は、第２電極用電源線１４０とは異なる高さに配置さ
れており、両者の間は第１層間絶縁層３３で絶縁されている。図示しないが、データ線１
１２の少なくとも第２電極用電源線１４０と重なる部分や電流給電線１１３の少なくとも
第２電極用電源線１４０と重なる部分も同様である。走査線１１１、データ線１１２、あ
るいは電流給電線１１３の少なくとも第２電極用電源線１４０と重なる部分は、ゲート絶
縁層３２の上にゲート電極４２、５２、および６２と同一の材料から同時に形成される（
図示しないが、他の実施形態でも同様である）。そして、第１層間絶縁層３３の上に第２
電極用電源線１４０が形成される。
【００６７】
この実施形態では、周辺回路（走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ
回路１２０）には共通電極７２も補助配線１５０も重なっていないため、周辺回路と共通
電極７２または補助配線１５０の隙間に寄生容量が発生することがない。従って、周辺回
路から伝送される信号（例えば走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ内のシフトレジスタが
上記のように走査線１１１を選択するために発生するシフトパルス）の劣化を抑制するこ
とができる。
【００６８】
この実施形態では、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４が周辺回路（トランジ
スタ４０，５０を持つ走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０
）に重なっていることにより、発光装置の製造プロセスにおいて、周辺回路が回路段差平
坦化膜３５および回路保護膜３４により機械的に保護される。特に補助配線１５０または
共通電極７２を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補助配線１５０または共通電
極７２をパターニングするマスクが周辺回路と接触して周辺回路を破損することを防止で
きる。このようなマスクは回路段差平坦化膜３５および最も外側の隔壁３７に配置される
。また、例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が周辺回路に流れて破損するのを
防止することができる。緻密で脆弱な材料から形成されて薄い回路保護膜３４は衝撃に弱
いが、それよりも厚くて緩衝性のある回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４および周辺
回路に重なっていることにより、周辺回路への機械的な保護、および静電気からの保護は
より確実になる。
【００６９】
図１１に示すように、基板３０の外周縁と発光領域Ａの間の回路領域Ｂには、データ線
１１２（図１（Ａ）参照）の端子１１２Ａが形成されている。端子１１２Ａは、フレキシ
ブル基板２０にＡＣＦで接着されてデータ線駆動回路２００に電気的に接続され、データ
線１１２を介して単位回路Ｐに信号を供給する。データ線１１２の端子１１２Ａ以外の部
分は回路保護膜３４で覆われており、さらに部分的に回路段差平坦化膜３５で覆われてい
る。データ線１１２が回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４に覆われている部分を
有することにより、発光装置の製造プロセスにおいて、データ線１１２が回路段差平坦化
膜３５および回路保護膜３４により機械的に保護される。特に補助配線１５０または共通
電極７２を蒸着により形成するのであれば、蒸着の際に補助配線１５０または共通電極７
２をパターニングするマスクがデータ線１１２と接触して断線させることを防止できる。
このようなマスクは回路段差平坦化膜３５および最も外側の隔壁３７に配置される。また
、例えば蒸着後の洗浄工程などで発生した静電気が単位回路Ｐに流れて破損するのを防止
することができる。緻密で脆弱な材料から形成されて薄い回路保護膜３４は衝撃に弱いが
、それよりも厚くて緩衝性のある回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４および周辺回路
に重なっていることにより、データ線１１２への機械的な保護、および単位回路Ｐの静電
気からの保護はより確実になる。また、データ線１１２と補助配線１５０または共通電極
７２との間には隔壁３７と回路段差平坦化膜３５が介在しているため、これらの間に寄生
容量が発生しにくい。
【００７０】
図１１の断面図ではデータ線１１２が回路保護膜３４および回路段差平坦化膜３５が保
護されていることが示されているが、図８（Ａ）に示されるように、単位回路Ｐに電流を
供給する第１電極用電源線１３０および第２電極用電源線１４０には、データ線１１２に
平行に延びる部分があり、これらのデータ線１１２に平行に延びる部分には、フレキシブ
ル基板２０にＡＣＦで接着されて電源に電気的に接続される端子が設けられている。これ
らの第１電極用電源線１３０および第２電極用電源線１４０も回路段差平坦化膜３５およ
び回路保護膜３４に覆われている部分を有することにより、発光装置の製造プロセスにお
いて機械的に保護され、静電気が流れることから保護される。
【００７１】
この実施の形態でも、発光素子段差平坦化膜８２が周辺回路の領域全体を覆っているた
め、周辺回路によって生ずることがある段差または凹凸を発光素子段差平坦化膜８２が緩
和し、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度も緩和されることに
より、ガスバリア層８４の一部に応力が集中するのを抑制できる。また、電極保護膜８０
に加えてガスバリア層８４を有する封止構造により周辺回路を保護することができる。例
えば、発光素子段差平坦化膜８２を有機化合物で製造した場合に、硬化する際や硬化後に
おいて発光素子段差平坦化膜８２により発生するガスまたは不純物により周辺回路が劣化
するのを電極保護膜８０で抑制することができる。
【００７２】
図１０に示すように、基板３０上における周辺回路の外側でガスバリア層８４が電極保
護膜８０に直接接触している。従って、ガスバリア層８４と電極保護膜８０で挟まれた発
光素子段差平坦化膜８２へ外側からの空気または水分が伝わって入るのを防止できる。ま
た、電極保護膜８０に欠陥が生じたとしても、ガスバリア層８４が電極保護膜８０に直接
接触している部分では、電極保護膜８０の欠陥により封止性能が害されることをガスバリ
ア層８４が防止できる。
【００７３】
発光素子段差平坦化膜８２は、電極保護膜８０に対向する凹凸の大きい面（図中の下面
）と、電極保護膜８０と反対側にある平坦な面（図中の上面）をつなぐ傾斜面８２ａを有
する。発光素子段差平坦化膜８２において基板３０に対して垂直な面で図中の下面と図中
の上面をつなぐ場合よりも、傾斜面８２ａでつなぐことにより、発光素子段差平坦化膜８
２を覆うガスバリア層８４の屈曲角度を緩和してガスバリア層８４における応力集中を緩
和することができる。この傾斜面８２ａが周辺回路に重なるということは、発光素子段差
平坦化膜８２が周辺回路またはその近辺にて終端するということである。この場合には、
傾斜面８２ａが周辺回路の完全に外側にある場合に比べて、発光素子段差平坦化膜８２の
占有面積を小さくすることができるので、基板３０の面積を狭小化することが可能である
。
【００７４】
図１０および図１１に示すように、基板３０上の回路領域Ｂにおける内側には隔壁３７
と回路段差平坦化膜３５が重なって形成されている第１の領域Ｂ１があり、その外側には
隔壁３７がなく回路段差平坦化膜３５が形成されている第２の領域Ｂ２があり、さらにそ
の外側には隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない第３の領域Ｂ３がある。
従って、基板上回路領域Ｂにおける内側には大きい高さの第１の領域Ｂ１があり、その外
側にはやや高さが低い第２の領域Ｂ２があり、さらにその外側にはかなり高さが低い第３
の領域Ｂ３があることにより、基板上における電極保護膜８０の高さを内側から外側に向
けて漸減させることができる。
【００７５】
発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２ａは第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第
３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で終端する。発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８
２ａが第１の領域Ｂ１、第２の領域Ｂ２および第３の領域Ｂ３に重なり第３の領域Ｂ３で
終端することにより、緩やかな曲線を描くように発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２
ａを形成しやすい。このため、発光素子段差平坦化膜８２を覆うガスバリア層８４の屈曲
角度も緩和されるので、ガスバリア層８４の屈曲部分に応力が集中するのを抑制できる。
特に、発光素子段差平坦化膜８２を粘性の高い液体状の有機化合物をコーティングして固
化させることにより形成する場合には、電極保護膜８０の表面に沿って有機化合物が伸び
るため、急激な屈曲のない傾斜面８２ａを形成しやすいので、ガスバリア層８４の破壊を
抑制できる。
【００７６】
＜変形例＞
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる変形が
可能である。
また、上述した各実施形態においては、共通電極７２はＯＬＥＤ素子７０の陰極であっ
たが、陽極であってもよい。
さらに、上述した各実施形態において、補助配線１５０および画素電極７６を、遮光性
を有する金属材料、例えばアルミニウムの層と、透明酸化物導電材料、例えばＩＴＯ、Ｉ
ＺＯ、またはＺｎＯ２等の層の２層で構成してもよい。このような透明酸化物導電材料は
ガス透過率が低いため、例えば、外気や硬化後の発光素子段差平坦化膜８２で発生するガ
スや不純物から、周辺回路を保護することができる。
くわえて、上述した各実施形態において発光領域Ａに補助配線１５０を格子状に配置し
たが、これを設けなくてもよい。
上述した各実施形態においては、すべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として単一の共通電
極７２が設けられているが、複数の共通電極を設けて、それぞれの共通電極が異なるＯＬ
ＥＤ素子７０の陰極となるように配置してもよい。
図１１は、第３実施形態の発光装置３の図１０とは別の部分断面図であるが、第２実施
形態に係る発光装置２の図７とは別の断面を図１１のようにしてもよい。
【００７７】
上述した実施の形態においては、第１の領域B１では隔壁３７と回路段差平坦化膜３５
が重なって形成され、第２の領域B２では隔壁３７がなく回路段差平坦化膜３５が形成さ
れ、第３の領域B３では隔壁３７も回路段差平坦化膜３５も形成されていない。但し、第
１の領域B１では隔壁３７と回路段差平坦化膜３５が重なって形成され、第２の領域B２で
は回路段差平坦化膜３５がなく隔壁３７が形成され、第３の領域B３では隔壁３７も回路
段差平坦化膜３５も形成されていないような変形も可能である。特に、第２および第３実
施形態をこのように変形してもよい。このように変形すると、第１の領域B１と第２の領
域B２の境界における発光素子段差平坦化膜８２の傾斜面８２ａひいてはこれを覆うガス
バリア層８４の屈曲角度が緩和され、この部分への応力集中が抑制される。
【００７８】
上述した実施の形態においては、第２電極用電源線１４０に共通電極７２が重なってお
り、この重なり部分にて補助配線１５０が共通電極７２に重なっているが、第２電極用電
源線１４０に共通電極７２が重ならず、これらの間を補助配線１５０で接続してもよい。
共通電極７２を陰極として用いる場合には、その材料は一般に仕事関数が低く反応性が高
いので、できる限り封止部分（ガスバリア層８４と基体（電極保護膜８４）の接触する部
分）から遠ざけることが好ましい。第２電極用電源線１４０に共通電極７２が重ならない
ようにすれば、共通電極は基板上の内側の部分で終端させることができ、封止部分から共
通電極７２を遠い位置に配置することが容易である。
この場合には、周辺回路は、共通電極７２により覆われていなくてもよいが、上述した
第１および第２実施形態と同様に、周辺回路を覆うように共通電極７２と補助配線１５０
が配置され、周辺回路上において共通電極７２と補助配線１５０が積層されていれば、共
通電極７２と補助配線１５０が広い面積で面接触し、これらを低抵抗で接続できる。
【００７９】
＜応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図１２は、上記実
施形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構
成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置
１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキー
ボード２００２が設けられている。この発光装置１（１Ａ，２，３）はＯＬＥＤ素子７０
を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００８０】
図１３に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３
０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装
置としての発光装置１（１Ａ，２，３）を備える。スクロールボタン３００２を操作する
ことによって、発光装置１（１Ａ，２，３）に表示される画面がスクロールされる。
【００８１】
図１４に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal
Digital  Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１お
よび電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１（１Ａ，２，３）を備
える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報
が発光装置１に表示される。
【００８２】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１２から図１４に示したもの
のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ペー
ジャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ
電話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射し
て潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオ
プレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に補助配線および画素電極をさらに形成した状態を示す平面図である。
【図２】同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１（Ｂ）の一部の拡大図である。
【図４】同装置の部分断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であって、図１（Ａ）と同様の状態を示す図である。
【図６】図５の装置の部分断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図８】（Ａ）は本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に共通電極をさらに形成した状態を示す平面図である。
【図９】図８(Ｂ）の状態の後に補助配線をさらに形成した状態を示す平面図である。
【図１０】同装置の部分断面図である。
【図１１】同装置の図１０とは別の部分断面図である。
【図１２】本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係る発光装置を有する携帯電話機の外観を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る発光装置を有する携帯情報端末の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
１，１Ａ，２，３…発光装置、３０…基板、７０…ＯＬＥＤ素子（発光素子、有機ＥＬ
素子）、３４…回路保護膜、３５…回路段差平坦化膜、３７…隔壁、７２…共通電極（第
２電極）、７４…発光機能層、７６…画素電極（第１電極）、８０…電極保護膜、８２…
発光素子段差平坦化膜、８２ａ…傾斜面、８４…ガスバリア層、１００Ａ，１００Ｂ…走
査線駆動回路（周辺回路）、１１１…走査線、１１２…データ線、１１２Ａ…端子、１１
３…電源供給線、１２０…プリチャージ回路（周辺回路）、１４０…第２電極用電源線、
１５０…補助配線、Ａ…発光領域、Ｂ…回路領域、Ｂ１…第１の領域、Ｂ２…第２の領域
、Ｂ３…第３の領域、Ｐ…単位回路（画素回路）。
【図１】
0004742835.tif 000002
【図２】
0004742835.tif 000003
【図３】
0004742835.tif 000004
【図４】
0004742835.tif 000005
【図５】
0004742835.tif 000006
【図６】
0004742835.tif 000007
【図７】
0004742835.tif 000008
【図８】
0004742835.tif 000009
【図９】
0004742835.tif 000010
【図１０】
0004742835.tif 000011
【図１１】
0004742835.tif 000012
【図１２】
0004742835.tif 000013
【図１３】
0004742835.tif 000014
【図１４】
0004742835.tif 000015