(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層とは異なる第２の無機組成物からなる第２の絶縁層とが積層されている積層体の表面および／または内部に導体配線層が形成されている多層配線基板であって、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中にＺｎＯを含有するとともに、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面におけるＺｎＯの含有量が、前記第１のガラスセラミック組成物および前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりも多いことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記界面におけるＺｎＯの含有量の多い領域の幅が８０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との室温から４００℃における平均熱膨張係数の差が１×１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との積層体の表面から複数の絶縁層にわたって凹部を形成してなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記導体配線層が金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第２の絶縁層が、Ｚｎ、ＴｉおよびＢを含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層が、Ｓｉ、Ａｌ、ＭＯ（Ｍはアルカリ土類金属）を含むガラスを含有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の多層配線基板。
【請求項８】
第１のガラスセラミック組成物からなる第１のグリーンシートを作製する工程と、前記第１のガラスセラミック組成物よりも高い温度で焼結する第２の無機組成物からなる第２のグリーンシートを作製する工程と、前記第１のグリーンシートおよび／または前記第２のグリーンシートの表面に導体配線層を形成する工程と、前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを積層して積層体を作製する工程と、該積層体を前記第１のグリーンシートが焼結し、前記第２のグリーンシートが焼結しない第１の焼成温度で０．５時間以上焼成した後、前記第２のグリーンシートが焼結する第２の焼成温度で２時間以下の時間で焼成する工程とを具備する多層配線基板の製造方法であって、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物としてＺｎＯを含有するものを用いるとともに、前記積層体を焼成することにより、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層とは異なる第２の無機組成物からなる第２の絶縁層との界面における、ＺｎＯの含有量が、前記第１のガラスセラミック組成物および前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりも多くなった積層体を作製することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の焼成温度と前記第２の焼成温度との差を５０〜１５０℃とすることを特徴とする請求項８記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のガラスセラミック組成物として軟化点が５００〜９５０℃のものを用いることを特徴とする請求項８または９記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記積層体の焼成による面内方向の収縮率が５％以下であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記積層体の表面から複数の絶縁層にわたって凹部を形成する工程を具備することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導体配線層の形成方法が、前記第１のグリーンシートおよび／または前記第２のグリーンシートの表面に金属箔からなる導体配線層を被着形成する方法であることを特徴とする請求項８乃至１２のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低抵抗金属からなる導体配線層を具備する多層配線基板に関するものであり、特に、焼成による面内方向の収縮を抑制した多層配線基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来より、異なる組成のグリーンシートを積層して焼成することにより異なる特性の絶縁層を積層してなる多層配線基板が提案されている。例えば、特開平７−３１２５１１号公報では、高誘電率層と低誘電率層との間に、厚みが０．１〜０．３ｍｍで両者の構成成分を含む中間層を１層介装して、高誘電率層と低誘電率層との界面での基板の反りや層間剥離を防止できることが記載されている。
【０００３】
また、特開平６−２８３３８０号公報では、絶縁層と誘電体層とを積層する際に、いずれか焼結温度が高い一方の層を焼結させた後、該焼結体に他方の層を形成するためのグリーンシートを積層して焼成した多層配線基板が記載されている。
【０００４】
一方、上記のような多層配線基板は、焼成によってグリーンシートが面（グリーンシート積層面）内およびグリーンシート厚み方向に収縮するものであったが、最近、導体配線層の高密度化が求められ、これに伴い、多層配線基板において絶縁層の面（絶縁層積層面）内方向での焼成による収縮を抑制することが図られている。
【０００５】
例えば、特開平６−９７６５６号公報では、ホウケイ酸鉛ガラスとアルミナとの混合物からなる第１のグリーンシートと、コージェライト等の無機酸化物からなる第２のグリーンシートの表面に銀や銅等の導体ペーストを塗布して積層し、９００℃で第１の焼成を行った後に１０００℃で第２の焼成を行うことによって、グリーンシートの焼成に伴う面内方向の収縮率を抑制できることが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−９７６５６号公報の第２のグリーンシートとしてコージェライト等の無機組成物を用いた多層配線基板では、第１の焼成温度において第１のグリーンシート中に存在するガラス成分の第２のグリーンシート側への拡散、移動が充分でなく、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとは部分的に接着される結果、焼結した第１の絶縁層と第２の絶縁層との積層面に未接着部分が生じて耐湿性が低下したり、使用時の衝撃や温度サイクルによってクラックや剥離等が発生する恐れがあった。
【０００７】
従って、本発明の目的は、絶縁層の積層面内方向の収縮を抑制して微細配線化が可能であるとともに、低抵抗金属を含有する導体配線層を形成しても異なる２種以上の絶縁層の特性を損なうことなく積層できる多層配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題に対して検討した結果、第１のガラスセラミック組成物および／または第２の無機組成物中にＺｎＯを含有せしめ、焼成温度、焼成時間を制御した２段階の焼成を行うことによって、２段階焼成によりＺｎＯが特異的に拡散、移動する結果、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりもＺｎＯの含有量が多い領域を存在させて、各絶縁層の特性を維持したまま、絶縁層間の部分的な剥離等を発生させることなく積層面内方向の収縮を抑制して異種材料の積層体を焼成した多層配線基板を作製できることを知見した。
【０００９】
すなわち、本発明の多層配線基板は、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層とは異なる第２の無機組成物からなる第２の絶縁層とが積層されている積層体の表面および／または内部に導体配線層が形成されている多層配線基板であって、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中にＺｎＯを含有するとともに、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面におけるＺｎＯの含有量が、前記第１のガラスセラミック組成物および前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりも多いことを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、前記界面におけるＺｎＯの含有量の多い領域の幅が８０μｍ以下であることが望ましい。
【００１１】
また、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との積層体の表面から複数の絶縁層にわたって凹部を形成してなること、前記導体配線層が金属箔からなることが望ましい。
【００１２】
さらに、前記第２の絶縁層が、Ｚｎ、ＴｉおよびＢを含有すること、前記第１の絶縁層が、Ｓｉ、Ａｌ、ＭＯ（Ｍはアルカリ土類金属）を含むガラスを含有することが望ましい。
【００１３】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、第１のガラスセラミック組成物からなる第１のグリーンシートを作製する工程と、前記第１のガラスセラミック組成物よりも高い温度で焼結する第２の無機組成物からなる第２のグリーンシートを作製する工程と、前記第１のグリーンシートおよび／または前記第２のグリーンシートの表面に導体配線層を形成する工程と、前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを積層して積層体を作製する工程と、該積層体を前記第１のグリーンシートが焼結し、前記第２のグリーンシートが焼結しない第１の焼成温度で０．５時間以上焼成した後、前記第２のグリーンシートが焼結する第２の焼成温度で２時間以下の時間焼成する工程を具備する多層配線基板の製造方法であって、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物としてＺｎＯを含有するものを用いるとともに、前記積層体を焼成することにより、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層とは異なる第２の無機組成物からなる第２の絶縁層との界面における、ＺｎＯの含有量が、前記第１のガラスセラミック組成物および前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりも多くなった積層体を作製することを特徴とするものである。
【００１４】
ここで、前記第１の焼成温度と前記第２の焼成温度との差を５０〜１５０℃とすることが望ましい。
【００１５】
また、前記第１のガラスセラミック組成物として軟化点が５００〜９００℃のものを用いること、前記積層体の焼成による面内方向の収縮率が５％以下であることが望ましい。
【００１６】
さらに、前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとの積層体の表面から複数の絶縁層にわたって凹部を形成する工程を具備することが望ましい。
【００１７】
また、前記導体配線層の形成方法が、前記第１のグリーンシートおよび／または前記第２のグリーンシートの表面に金属箔からなる導体配線層を被着する方法であることが望ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の多層配線基板の製造方法についての一例について説明する。
（第１のグリーンシート）
まず、第１のグリーンシートを作製するには、ガラス原料とセラミック原料とを混合する。
【００１９】
上記ガラス原料としては、平均粒径０．５〜１０μｍ、特に１〜３μｍのホウケイ酸系ガラス、アルカリ珪酸系ガラス、シリカガラス等の粉末が好適であり、中でもガラスの拡散速度を制御する点で、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭＯ（Ｍはアルカリ土類金属）を含むガラスを特に主成分として含有することが望ましい。なお、アルカリ土類金属（Ｍ）としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａから選ばれる少なくとも１種が使用可能であるが、特に、ガラスの軟化点の調整の点で、アルカリ土類金属（Ｍ）としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種からなることが望ましい。
【００２０】
また、ガラスの軟化点の調整、絶縁層の誘電損失の低減、誘電率や熱膨張係数の調整等の点で、ガラス中にはＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3がガラス総量に対して、酸化物換算量でそれぞれ０〜２０重量％、特に１〜１０重量％の割合で含有されていてもよい。また、それ以外に、ＣｕＯ、ＴｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｏ3Ｏ4、Ｐ2Ｏ5の不純物がガラス総量に対して、酸化物換算による総量で０．１重量％以下の含まれていてもよく、さらに、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）の含有量は酸化物換算による総量で０．１重量％以下、特に０．０５重量％以下であることが望ましい。
【００２１】
また、ＺｎＯの拡散を制御する点、絶縁層の積層面内方向の収縮率を抑制する点、酸化性雰囲気あるいは非酸化性雰囲気中での脱バインダ特性を良くする点、成分の拡散を制御する点で、ガラス原料の軟化点は、５００〜９５０℃、特に、７００〜９５０℃、さらに８００〜９２０℃であることが望ましい。
【００２２】
さらに、上述した観点および熱膨張係数、誘電率、誘電損失、抗折強度等の点から、ガラス原料としては、ＳｉＯ2を４０〜４６重量％、Ａｌ2Ｏ3を２６〜３２重量％、ＺｎＯを５〜１０重量％、ＭｇＯを７〜１４重量％、Ｂ2Ｏ3を４〜１５重量％との割合で含有するガラスや、ＳｉＯ2を４６〜５４重量％、Ａｌ2Ｏ3を２〜９重量％、ＣａＯを２１〜３０重量％、ＭｇＯを１４〜２５重量％との割合で含有し、後述するような結晶相を析出可能な結晶化ガラスが最適である。
【００２３】
（ガラセラのフィラー）
一方、セラミック原料としては、例えば、平均粒径０．５〜１５μｍ、さらに１〜１０μｍ、さらには１．５〜８μｍの酸化物、窒化物または炭化物粉末からなり、特に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、コージェライト、エンスタタイト、フォルステライト、ステアタイト、ウイレマイト、ＺｎＴｉＯ3、Ｚｎ2ＴｉＯ4、ディオプサイド、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とすることが望ましい。
【００２４】
また、上述したガラス原料とフィラー成分であるセラミック原料との混合比率は、ガラス原料４０〜８０重量％、特に５０〜７０重量％と、セラミック原料２０〜６０重量％、特に３０〜５０重量％との比率からなることが望ましい。
【００２５】
（第２のグリーンシート）
他方、第２のグリーンシートを作製するには、例えば、平均粒径０．５〜１５μｍ、さらに１〜１０μｍ、さらには３〜８μｍで、１０５０℃以下、特に１０００℃以下、さらには１０００℃より低い温度で９０％以上に緻密化が可能なセラミック原料、またはガラス原料とセラミック原料とを準備する。
【００２６】
具体的なセラミック原料としては、特に、Ｚｎ、ＭｇおよびＴｉを含む（Ｚｎ，Ｍｇ）ＴｉＯ3で表されるイルメナイト結晶相、（Ｚｎ，Ｍｇ）2ＴｉＯ4で表されるスピネル型結晶相および（Ｚｎ，Ｍｇ）2ＳｉＯ4で表されるウイレマイト型結晶相の群から選ばれる少なくとも１種を析出可能な原料粉末、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＯの各酸化物粉末、またはＺｎＴｉＯ3、Ｚｎ2ＴｉＯ4、ＭｇＴｉＯ3、Ｍｇ2ＴｉＯ4、ＭｇＳｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＺｎＳｉＯ3、Ｚｎ2ＳｉＯ4、ＣａＴｉＯ3等の複合酸化物、さらには焼成過程で酸化物を形成しうる炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩等のセラミック粉末が使用可能である。
【００２７】
また、特に１０５０℃以下、さらに１０００℃以下、さらには１０００℃より低い温度で焼結体を相対密度９５％以上に緻密化させるため、第１の絶縁層と第２の絶縁層との接着性を高めるため、中間層内にボイドが発生することを抑制するために、上記セラミック粉末に加えて、Ｂ2Ｏ3粉末を０．０５〜２０重量％、特に３〜１０重量％の割合で添加することが望ましい。
【００２８】
（ＺｎＯ成分）
ここで、本発明によれば、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中にＺｎＯを含有することが重要であり、これによって、各層中に存在するＺｎＯ成分が特異的に第１の絶縁層と第２の絶縁層との界面に拡散、移動して両者を強固に接合することができる結果、第１の絶縁層と第２の絶縁層との拘束力が高く、界面で剥離等の発生がない優れた積層体および多層配線基板を作製できる。なお、ＺｎＯ成分は、上記拡散、移動の容易性の点で絶縁層をなすセラミックス中マトリックスとして存在することが望ましい。
【００２９】
また、ＺｎＯ成分が第１のガラスセラミック組成物中に存在する場合には、第１の焼成温度にて第１のグリーンシートが焼結する際にガラスセラミック組成物中のＺｎＯを含むガラス成分が第２のグリーンシートとの積層界面で多くなることによって、第１および第２のグリーンシートの密着力および拘束力を高める作用をなす。一方、ＺｎＯ成分が第２のガラスセラミック組成物中に存在する場合には、第１の焼成温度にて第１の絶縁層を焼成した後第２の焼成温度にて第２のグリーンシートが焼結する際に、第２の無機組成物中のＺｎＯ成分が、前記第１の焼成温度で生じたガラスと結合するように前記ガラスが多い領域に選択的に拡散、移動することにより、第１および第２の絶縁層間に両者よりもＺｎＯ成分の多い領域が存在するとともに、第１および第２の絶縁層間で剥離することを防止できる。
【００３０】
上記セラミック原料以外にも、コージエライト、フォルステライト、エンスタタイト、クオーツ、ディオプサイド、スライソナイト、アノーサイト、ＳｒＴｉＯ3、チタニア等のセラミック原料や、軟化点が９５０〜１０５０℃のガラスを、特に６０〜９０重量％と、上記のようなセラミック原料を、特に１０〜４０重量％との比率で混合した混合物が使用可能である。
【００３１】
（グリーンシートの作製）
上記それぞれの原料粉末に対して、所望により、有機バインダ、分散剤および溶媒を添加、混合してそれぞれスラリーを作製した後、ドクターブレード法、カレンダーロール法、プレス成形法、圧延法等によって第１のグリーンシートおよび第２のグリーンシートをそれぞれ作製する。グリーンシートの厚みは１５０〜２５０μｍであることが望ましい。
【００３２】
そして、これらグリーンシートに所望によりスルーホールを形成した後、該スルーホール内に低抵抗金属を特に主成分として含有する導体ペーストを充填する。また、グリーンシートの表面には前記金属ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法によって印刷することによって、低抵抗金属を含有する導体配線層を形成してもよいが、望ましくは、微細で寸法精度のよい導体配線層を形成する点で、純度９９％以上の低抵抗金属からなる金属箔を用いて導体配線層を形成することが望ましい。
【００３３】
ここで、低抵抗金属としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｌ、ＮｉおよびＣｏの群から選ばれる少なくとも１種が挙げられるが、特に抵抗が低い点でＣｕまたはＡｇを主成分とすることが望ましく、さらに絶縁層中への金属のマイグレーション（拡散）が小さいＣｕを主成分として含有することが望ましい。
【００３４】
なお、上記金属箔を用いて前記グリーンシート表面に導体配線層を形成するには、まず、樹脂シートに金属箔を貼り付け、レジスト等を用いてエッチングすることにより導体配線パターンに加工した後、前記グリーンシート表面の所定位置に前記導体配線パターンを転写することによって所定のパターンの導体配線層を形成する方法が好適に使用可能である。かかる方法によれば、前記エッチング処理によって導体配線層の断面形状が逆台形形状となるために、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとをくさび状に接続でき、焼成後に第１の絶縁層と第２の絶縁層が剥離することを防止できる。
【００３５】
その後、上記配線層を形成した複数のグリーンシートを位置合わせして積層し、４０〜５０℃、５０〜１００ＭＰａで熱圧着する。この時、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの接着性を高め、剥離や気孔等のない中間層を形成するために、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの積層面にエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等の有機バインダを溶剤で希釈した密着液を塗布することが望ましい。
【００３６】
そして、上記積層体を焼成する。焼成に関しては、例えば、導体配線層としてＣｕ等の酸化性雰囲気中での焼成によって酸化する金属を含有する場合、非酸化性雰囲気または弱酸化性雰囲気中、６００〜７５０℃で脱バインダ処理を行った後、例えば、５０〜３００℃で昇温して第１のグリーンシートが焼結し、かつ第２のグリーンシートが焼結しない第１の焼成温度、例えば、７５０〜９２５℃、特に８５０〜９００℃で、０．５時間以上、特に０．５〜２時間、さらに１〜１．５時間保持し第１のグリーンシートを焼結させる。
【００３７】
この時、第１のグリーンシートは焼結によって収縮しようとするものの、該シートの表面が第２のグリーンシートに接着されており、その接着力のために積層面内方向の収縮が抑制され、第１のグリーンシートの厚み方向に選択的に収縮する。また、この第１の焼成温度において、第１のグリーンシート中のガラス成分が第２のグリーンシートとの積層面にしみ出し、該ガラス成分が毛細管現象により第２のグリーンシート側に拡散する。なお、このガラス成分の拡散により第１のグリーンシートの積層面側にガラス成分が欠如した層が形成される。
【００３８】
その後、例えば、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとの拘束力と高めるとともに、局所的な温度上昇によってクラックや剥離を防止するために、昇温速度５０〜４００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間で、第２の焼成温度、望ましくは上述した低抵抗金属との同時焼成が可能な１０５０℃以下、特に９００〜１０５０℃、さらに９３０〜９８０℃で、２時間以下の時間保持することによって、第２のグリーンシートを焼結させる。
【００３９】
この上記第２の焼成温度での保持によって、第２のグリーンシートは焼結によって収縮しようとするものの、該シートの表面が第１のグリーンシートが焼結した第１の絶縁層と接着されており、その接着力のために積層面内方向の収縮が抑制され、第２のグリーンシートの厚み方向に選択的に収縮する。また、この焼成時に、第１の絶縁層の積層面側に存在するガラス成分が欠如した部分に第２のグリーンシート中の成分が拡散し、第１絶縁層の積層面側に第２のグリーンシート（絶縁層）の成分が多い部分が形成される。
【００４０】
すなわち、上記焼成によって、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に、ＺｎＯ成分の多い領域が形成される。なお、この領域は、気孔率が０．５％以下、特に０．４％以下、さらに０．２％以下であることが望ましい。このＺｎＯ成分の多い領域の存在によって、第１の絶縁層および第２の絶縁層の積層面内の収縮を抑制し、両層の特性を劣化させることなく、かつ両者を強固に接合できる。
【００４１】
なお、上記ＺｎＯ成分の多い領域の幅は、第１の絶縁層と第２の絶縁層との充分な接着力および第１の絶縁層と第２の絶縁層との特性変化を小さくするために、１〜８０μｍ、特に３〜２０μｍであることが望ましい。また、上記ＺｎＯ成分の多い領域において、ＺｎＯはガラスまたは結晶化して存在してもよい。
【００４２】
ここで、第１の焼成温度での保持時間を０．５時間以上としたのは、０．５時間より短いと第１のグリーンシートを緻密化することが困難で、その後の第２の焼成温度において焼結が進行して、第２のグリーンシートとともに積層面内方向にも収縮したり、第１のグリーンシートから第２のグリーンシート側へ拡散するガラス成分量が不十分で、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとの積層面で局所的に接続不良が発生するためである。また、第１のグリーンシート中のガラス成分の拡散、移動量を調整するためには第１の焼成温度での保持時間が０．５時間以上であることが望ましい。
【００４３】
さらに、第２の焼成温度での保持時間を３時間以下としたのは、第２の焼成温度での保持時間が３時間より長いと第１の絶縁層が過焼結となり第１の絶縁基板中に多量のボイドが発生するとともに、ＺｎＯ成分の多い領域から成分の一部が流失する恐れがあるためである。なお、第２のグリーンシートを充分に緻密化させて基板強度を向上させるためには、第２の焼成温度での保持時間は、０．５〜２．５時間、特に１〜２時間であることが望ましい。
【００４４】
なお、第１の焼成温度と第２の焼成温度との温度差は、焼成による積層面内方向の収縮率を小さくするとともに、各層をともに緻密化するために、５０〜１５０℃、特に７０〜１００℃、さらに８０〜９０℃であることが望ましい。
【００４５】
（凹部、キャビティ形成）
また、本発明によれば、前記第１のグリーンシートと第２のグリーンシートとの積層体の表面部に半導体素子等の電子部品を収納して気密に封止するための凹部（キャビティ）を形成するような場合においても、前記積層体が部分的に収縮してクラック等が発生することなく、積層面方向の寸法精度の高い多層配線基板を作製できる。
【００４６】
なお、上記第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの積層体の表面部分に凹部を形成するには、所定形状の空洞部を有する少なくとも１層のグリーンシートを交互に積層すればよい。
【００４７】
（実装）
そして、この配線基板の表面または凹部内に、適宜、半導体素子等の電子部品を搭載し、配線層と信号の伝達が可能なように接続する。接続の方法としては、配線層上に直接搭載させて接続させたり、あるいは５０μｍ程度の樹脂、Ａｇ−エポキシ、Ａｇ−ガラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金属、セラミックス等の接着剤により前記半導体素子を絶縁基板表面に固着し、ワイヤボンディング、リボンボンディング、ＴＡＢテープなどにより配線層と半導体素子とを接続したりする。
【００４８】
さらに、半導体素子等の電子部品が搭載された配線基板表面または凹部内の開口部に、絶縁層と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体を、ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合して凹部内を気密に封止することが望ましい。
【００４９】
また、配線基板の裏面には配線基板の配線層と電気的に接続され、かつ外部回路基板へ実装するための接続端子が配設されていてもよい。なお、接続端子は半田等からなり、層状であってもよく、またはボール状であってもよい。
【００５０】
（基板）
次に、上述した方法によって得られる本発明の多層配線基板について、その一例である図１の半導体素子等の素子を収納するための素子収納用パッケージについての概略断面図を基に説明する。
図１によれば、半導体素子収納用パッケージ１は、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層２と第２の無機組成物からなる第２の絶縁層３とが交互に積層され、該第１の絶縁層２と第２の絶縁層３との積層体である絶縁基板４の表面および内部に低抵抗金属を含有する導体配線層５が形成された構成からなる。
【００５１】
なお、図１によれば、絶縁基板４は第１の絶縁層２を２層以上と第２の絶縁層３を２層以上を交互に積層したものであるが、本発明によれば、これに限定されるものではなく、例えば、第１の絶縁層２の両面に第２の絶縁層３が積層された構成からなっていてもよい。また、絶縁層２、３の両面に形成される導体配線層５、５間は、絶縁層２、３を貫通して形成されるビアホール導体６によって電気的に接続される。
【００５２】
本発明によれば、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３との間には、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりもＺｎＯの含有量が多い領域が存在することが大きな特徴であり、これによって、上述したように、焼成による積層面内方向の収縮を抑制できるとともに、焼成時あるいは使用時のクラックや層間剥離を防止することができる。
【００５３】
ここで、ＺｎＯの含有量が多い領域での気孔率は０．５％以下、特に０．４％以下、さらに０．２％以下であることが望ましく、また、ＺｎＯの含有量が多い領域の幅が８０μｍ以下、特に１〜８０μｍ、さらに３〜２０μｍであることが望ましい。
【００５４】
なお、焼成時あるいは使用時のクラックや層間剥離を抑制する点で、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３の室温（２５℃）〜４００℃における平均熱膨張係数の差が１×１０-6／℃以下、特に、０．５×１０-6／℃以下であることが望ましい。
【００５５】
また、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３との誘電率の差は、インピーダンスの変化を防いで信号の伝送特性を均一にするため、２以下、特に１以下、さらには０．５以下であることが望ましい。
【００５６】
さらに、絶縁基板４内には、誘電率が第１および第２の絶縁層２、３のそれと５以上、特に１０以上異なる第３の絶縁層１０が形成されていてもよい。
【００５７】
さらに、半導体素子収納用パッケージ１に、特に１ＭＨｚ以上、さらに１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合、高周波信号の伝送特性を高めるために、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３の誘電損失は、例えば、１０ＧＨｚにおいて２０×１０-4以下、特に１５×１０-4以下、さらに１０×１０-4以下と小さいことが望ましい。
【００５８】
一方、図１によれば、絶縁基板４の表面には凹部（キャビティ）８が形成され、この凹部８内には、Ｓｉ、Ｓｉ−Ｇｅ、Ｇａ−Ａｓ等の半導体素子等の半導体素子９が搭載されている。そして、凹部８の開口部は上述した材料からなる蓋体１１が形成され、上述した接着剤により凹部８の開口部と接合されて凹部８が気密に封止されている。また、半導体素子９は導体配線層５と上述したワイヤボンディング１２等を介して電気的に接続されている。
【００５９】
なお、半導体素子９および導体配線層５に高周波信号を流す場合には、蓋体１１は半導体素子９と外部との電磁波の漏洩が防止できる材料から構成されることが望ましく、また、導体配線層５の形状は、高周波信号の伝送損失を小さくするために、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちの少なくとも１種から構成されることが望ましい。また、導体配線層５は高周波信号の伝送損失を小さくするために、銅または銀の低抵抗金属のいずれか１種を含有し、特にこれら金属を主成分とすることが望ましい。
【００６０】
また、絶縁基板４の裏面には、パッケージ１を外部回路基板１３へ実装するための接続端子１４が形成されており、本発明によれば、絶縁基板４に反り等が発生することなく接続端子１４を介してパッケージ１を外部回路基板１３へ実装することができる。
【００６１】
さらに、図１のパッケージ１では、絶縁基板４と蓋体１１にて半導体素子９を気密に封止した構成であったが、本発明はこれに限られるものではなく、蓋体１１を形成せず半導体素子９を樹脂モールド等によって封止したものであってもよい。
【００６２】
【実施例】
（実施例１）
表１の組成からなる平均粒径２μｍの結晶化ガラスおよび表２の組成からなる平均粒径２μｍのセラミック粉末を準備した。
【００６３】
【表１】
0004610066.tif 000002
【００６４】
【表２】
0004610066.tif 000003
【００６５】
上記ガラス粉末およびセラミック粉末を表３に示す比率で混合し、有機バインダ、可塑剤、トルエンを添加、混合して２種類のスラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により、それぞれ厚さ２００μｍのグリーンシートを作製した。そして、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成して、該ビアホール内にＣｕ粉末を主成分として含有する導体ペーストを充填した。
【００６６】
一方、樹脂シート表面に接着剤を用いて厚み１２μｍのＣｕ箔を貼り付け、レジストを用いてエッチング処理することにより導体配線パターンを形成した後、該導体配線パターンを前記グリーンシート表面の前記ビアホール導体に位置合わせして載置し、４０℃で５０ＭＰａに加圧した後、樹脂シートを剥がすことによって、導体配線層をグリーンシート表面に転写した。
【００６７】
そして、このグリーンシートをそれぞれ１枚づつ交互に積層し、５０℃の温度で５０ＭＰａの圧力を加えて熱圧着し、得られた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００℃で脱バインダ処理を行った後、乾燥窒素中で表３の条件で焼成し多層配線基板を得た。
【００６８】
得られた多層配線基板について、絶縁基板の面内方向の寸法を測定し、焼成による収縮率を算出した。また、絶縁基板の絶縁層の積層面部分について走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）およびエレクトロンプローブマイクロアナリシス（ＥＰＭＡ）観察を行い界面の外観を検査し、ＺｎＯ成分が多い領域の存在の有無の確認、およびＺｎＯの多い領域の幅を測定した。なお、図２に試料Ｎｏ．３についてＥＰＭＡの線分析結果を示した。
【００６９】
また、このＥＰＭＡ線分析の結果より、ＺｎＯ成分の多い領域の幅を、さらにその領域における気孔率をルーゼックス解析法によって測定した。また、ビアホール導体を挟んで接続された長さ２０ｍｍの２本の配線層の端部同士をテスターに接続して配線回路の抵抗率を測定した。結果は、表３に示した。
【００７０】
（比較例１）表３に示す第１および第２のグリーンシートの間に、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの構成成分を１：１の比率で混合して実施例１のグリーンシートと同様に作製した厚み１００μｍの中間層形成用のグリーンシートを介在させて積層する以外は実施例１と同様に多層配線基板を作製し、評価した（試料Ｎｏ．１７）。結果は表３に示した。
【００７１】
（比較例２）表３の第１および第２のグリーンシートの間に、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス粉末を含有するガラスペーストを２０μｍ塗布して、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートを積層する以外は実施例１と同様に多層配線基板を作製し、評価した（試料Ｎｏ．１８）。結果は表３に示した。
【００７２】
【表３】
0004610066.tif 000004
【００７３】
さらに、得られた多層配線基板の絶縁基板を研削加工して、第１の絶縁層および第２の絶縁層を取り出し、誘電体円柱共振器法により、１０ＧＨｚにおける誘電率および誘電損失、２５〜４００℃における熱膨張曲線をとり、平均熱膨張係数を算出した。結果は、表４に示した。
【００７４】
【表４】
0004610066.tif 000005
【００７５】
表３、４の結果から明らかなように、第１の焼成温度における保持時間および第２の焼成温度における保持時間が０．５時間より短い試料Ｎｏ．１では、ＺｎＯ成分の多い領域の存在が見られず、焼成収縮率も大きくなった。また、第１の絶縁層と第２の絶縁層に同じガラスを配合した試料Ｎｏ．１４では、積層面の収縮率が大きく、また、ＺｎＯ成分の多い領域の生成は見られなかった。さらに、第１のガラスセラミック組成物および第２の無機組成物ともにＺｎＯを含まない試料Ｎｏ．１６では、第１の絶縁層と第２の絶縁層との間に部分的な剥離が発生して界面での気孔率が高く、抵抗率は２．５ｍΩ・ｃｍとなった。なお、試料Ｎｏ．１６では、第２の絶縁層の相対密度を９０％以上に高めることができず、高周波での誘電率および誘電損失は測定不能であった。
【００７６】
さらに、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの中間の組成からなる他のグリーンシートを介在させた試料Ｎｏ．１７では、ＺｎＯ成分の多い領域の生成が見られず積層面の収縮率も大きいものであった。また、第１の絶縁層と第２の絶縁層をガラスにて接着した試料Ｎｏ．１８では、接着層であるガラスの焼成収縮に伴って界面に剥離が発生するとともに、ガラスが各グリーンシート側へ移動してＺｎＯ成分の多い領域は確認できなかった。
【００７７】
これに対して、本発明に従い、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの積層体を、第１のグリーンシートが焼結し、前記第２のグリーンシートが焼結しない第１の焼成温度で所定時間保持した後、所定の速度で昇温して第２のグリーンシートが焼結する第２の焼成温度で所定時間保持した試料Ｎｏ．２〜１３、１５では、いずれもＺｎＯ成分の多い領域の存在が確認でき、積層面の収縮率１％以下、抵抗率が１．５ｍΩ・ｃｍ以下の優れた特性を有するものであった。
【００７８】
（実施例２）
実施例１の表１〜４の試料Ｎｏ．３の多層配線基板に対して、第１のグリーンシートおよび第２のグリーンシート１枚ずつの内部に５×３ｍｍの空洞部を形成して実施例１と同様に積層して、実施例１と同様に焼成することにより、図３に示すような表面に凹部を形成した多層配線基板を作製した。
【００７９】
得られた多層配線基板に対して、絶縁基板の凹部底面の中央部と周縁付近における絶縁基板の厚みｔ1、ｔ2を測定した結果、ｔ1とｔ2の厚み差は２μｍ以下であり、絶縁基板の反りが小さいことがわかった。また、この多層配線基板を用いて外部回路基板に良好に実装できた。
【００８０】
（比較例３）
実施例１の表１〜４の試料Ｎｏ．３の多層配線基板に対して、第１のグリーンシートのみを用いて実施例２と同様に凹部を形成したグリーンシート積層体を作製し、焼成温度８５０℃にて１時間保持する第１の焼成温度のみで焼成する以外は実施例２と同様に作製し、実施例２と同様に絶縁基板の凹部底面の中央部と周縁付近における絶縁基板の厚みｔ1、ｔ2を測定した結果、ｔ1とｔ2の厚み差は１０μｍであり、実施例２の絶縁基板よりも反りが大きいことがわかった。また、この多層配線基板を用いて外部回路基板に実装した結果、反りが大きいために接続端子のはがれが見られた。
【００８１】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の多層配線基板によれば、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層とは異なる第２の無機組成物からなる第２の絶縁層とが積層されている積層体の表面および／または内部に導体配線層を形成されている多層配線基板であって、前記第１のガラスセラミック組成物および／または前記第２の無機組成物中にＺｎＯを含有するとともに、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との界面におけるＺｎＯの含有量が、前記第１のガラスセラミック組成物および前記第２の無機組成物中のＺｎＯの含有量よりも多いことにより、第１のガラスセラミック組成物からなる第１の絶縁層と第２の無機組成物からなる第２の絶縁層との接合を強固にできる。これにより、多層配線基板の絶縁層の積層面内方向の収縮を抑制して微細配線化を可能としたり、低抵抗金属を含有する導体配線層を形成しても異なる２種以上の絶縁層の特性を損なうことなく積層した多層配線基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの概略断面図である。
【図２】実施例１の試料Ｎｏ．３のＥＰＭＡのＺｎＯの含有量（Ｚｎ濃度）についての線分析結果を示す図である。
【図３】実施例２および比較例３の多層配線基板の構成を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
１      半導体素子収納用パッケージ
２      第１の絶縁層
３      第２の絶縁層
４      絶縁基板
５      導体配線層
６      ビアホール導体
８      凹部（キャビティ）
９      半導体素子
１０    第３の絶縁層
１１    蓋体
１２    ワイヤボンディング
１３    外部回路基板
１４    接続端子
【図１】
0004610066.tif 000006
【図２】
0004610066.tif 000007
【図３】
0004610066.tif 000008