(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
消去単位であるブロックを複数含み、かつ前記ブロックを単位としてデータの書き込みが行われる不揮発性メモリと、
情報処理装置から送られてきたデータを一時保存するバッファメモリと、
前記バッファメモリにおけるデータの保存状況に応じて前記情報処理装置にビジー信号を送信し、かつ前記ビジー信号を解除するタイミングを遅延させてビジー信号の幅を延長することが可能なインターフェースと、
前記情報処理装置から送られてきたデータを前記不揮発性メモリのブロックに書き込む書き込み処理と、前記不揮発性メモリの全部又は一部の領域のデータが書き込まれていないブロックに他のブロックのデータをコピーしてそのブロックを全てデータで埋めた後、前記他のブロックのデータを消去して空きブロックを確保するコピー処理とを択一的に行うコントローラとを備え、
前記コントローラは、前記コピー処理を行うときに、前記インターフェースにおける前記ビジー信号の幅延長を開始させるとともに、前記コピー処理の進捗に合わせて、前記幅延長を一時的に中断するように制御することを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記インターフェースに前記コピー処理が終了した時点で前記ビジー信号の幅延長を解除する信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記バッファメモリが、コピー処理が終了して、前記幅延長が解除された後に前記不揮発性メモリへ書き込むべきデータの受信を開始した時点又はその直前に、前記インターフェースに前記ビジー信号の幅延長を開始する信号を送信することを特徴とする請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記インターフェースは、前記ビジー信号を発信するビジー発信回路と、前記コピー処理の進捗に合わせて前記コントローラから出力されるビジー解除信号を受け、前記ビジー信号を解除するタイミングを設定するビジー延長回路とを備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の不揮発性記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリを内蔵した不揮発性記憶装置に関し、更に詳しくは、記憶容量の増大に伴って発生し易くなるタイムアウトの防止に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型・軽量であることを長所とするメモリーカード等の不揮発性記憶装置は、様々な技術分野、特に民生のＡＶ機器や通信機器において広く使用されるようになってきた。それらの不揮発性記憶装置の多くはＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの不揮発性メモリを内蔵している。
【０００３】
一方、このようなフラッシュメモリは、まだ書き込みが一度も行われていない領域に対しては、磁気ディスクなどと同様にデータを直接書き込むことができるが、その一方で、既にデータが書き込まれている領域に対しては、まずブロック単位でデータを消去し、消去後の実書き込み領域に対してしか書き込みを行えないという性質を有している。
【０００４】
図８（Ａ）に、現在一般的に使用されているフラッシュメモリのブロック構成を示す。フラッシュメモリは最小消去単位である複数の物理ブロック８０１で構成されており、また１つの物理ブロック８０１はデータの書き込み単位である複数のページ８０２で構成されている。図の例では１ページは５１２Ｂ、１ブロックの容量は５１２Ｂ×３２ページで１６ＫＢである。
【０００５】
次に、このようなフラッシュメモリを記憶媒体とする不揮発性記憶装置に情報処理装置（以下、ホストという）を用いてデータを書き込む際の処理について、図面を用いて具体的に説明する。
【０００６】
図９はホスト１００に不揮発性記憶装置の一種であるメモリーカード１１０が装着された状態を示したものである。メモリーカード１１０は基本的に、記録媒体であるフラッシュメモリ１１1、フラッシュインターフェース（以下、フラッシュＩ／Ｆと略す）１１２を介してフラッシュメモリ１１１へのデータの書き込み、又はフラッシュメモリ１１１からのデータの読み出しを行うカードコントローラ１１３、ホスト１００から転送されたデータを一時的に保存するバッファメモリ１１４、及びホスト１１０との間でデータや制御信号の転送を行うホストＩ／Ｆ１１５で構成されている。
【０００７】
図１０は、メモリーカード１１０にデータを書き込む際のホスト１００・メモリーカード１１０間のデータの流れを示すタイムチャートである。
ホスト１００からメモリーカード１１０にデータを書き込む際には、最初に、ホスト１００から図１０ａに示すライトコマンド１００１が発行され、外部バス１１７を介してメモリーカード１１０に転送され、それに引き続いて、図１０ｂに示すようにデータ転送の単位であるセクタ（５１２Ｂ）毎にデータ１００２の転送が行われ、ホストＩ／Ｆ１１５を介してバッファメモリ１１４に一時的に保存される。
【０００８】
その際、図１０（ｃ）に示すように、１セクタのデータ転送が行われる毎に、ホストＩ／Ｆ１１５内のビジー発信回路１１８がビジー信号１００３を出力してホスト１００に送信し、バッファメモリ１１４の内部で次のセクタのデータを受信可能な状態になったら、ビジー信号１００３を解除してレディーの状態にする。
【０００９】
ホスト１００は、メモリーカード１１０がレディーの状態であれば、好きな時に次のセクタのデータ転送を行い、メモリーカード１１０はビジー信号を出力することを繰り返す。ホスト１００は転送するデータがなくなったら、メモリーカード１１０がレディー／ビジーいずれの状態にあるかによらず、ストップコマンド１００４を発行する。それを受けてメモリーカード１１０はビジー信号１００３を出力する(既にビジー信号が出力中の場合もある)。
【００１０】
ホスト１００から転送された５１２Ｂのデータは、バッファメモリ１１４内のバッファＡ１１９，Ｂ１２０に交互に一時的に保存された後、カードコントローラ１１３の制御により、図１１に示すフローに従ってフラッシュメモリ１１１へ書き込まれ、転送済のデータの書き込みが全て終了した後に、メモリーカード１１０はビジー信号を解除してレディーの状態に戻し書き込みを終了する。
【００１１】
次に、図１１のフローチャートを参照し、フラッシュメモリ１１１にデータを書き込む際のカード内部の処理について説明する。
上述したようにメモリーカード１１０へのデータの書き込みは未書き込みの領域にしか行えないため、まず書き込み先となる未書き込みの領域を有する物理ブロックを設定する必要があり（ステップＳ１１０１）、新たに消去済みのブロックを確保する必要がある場合には（Ｓ１１０２でＹＥＳ）、不要なデータが記録された物理ブロックからそのデータを消去して空のブロックを確保する（Ｓ１１０３）。一方、未書き込みの領域を持つ書き込み先ブロックを設定できて、新たな消去済のブロックを確保する必要がない場合には（Ｓ１１０２でＮＯ）、そのブロックに対してデータの書き込みを実行する（Ｓ１１０４）。
【００１２】
書き込みはページ単位で行われ、書き込むべきデータがある場合には書き込みを続け（Ｓ１１０５でＹＥＳ）、論理アドレス単位で１ブロック分のデータの書き込みが終了するまでは（Ｓ１１０６でＮＯ）、同じ物理ブロックに対してデータの書き込み処理を繰り返す（Ｓ１１０４）。論理アドレス単位で１ブロック分のデータ書き込みが終了した場合には（Ｓ１１０６でＹＥＳ）、書き込み先となる新たな物理ブロックを設定してＳ１１０１からＳ１１０４までの処理を繰り返す。
一方、途中で未書き込みのデータがなくなれば書き込みを終了する（Ｓ１１０５でＮＯ）。
【特許文献１】特開平１１−２１２８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
近年、記憶容量の大容量化の要請に伴ってメモリーカードを構成する１ブロックの容量が増加する傾向にある。図８（Ｂ）、（Ｃ）に記憶容量の大容量化に伴って採用されたブロックの構成を示すが、図８（Ｂ）では１ページを２ＫＢ、１物理ブロックを６４ページで構成し、１物理ブロックの容量は１２８ＫＢである。また図８（Ｃ）は多値タイプ（図では４値）のメモリーカードに採用されたブロック構成であり、１ページを２ＫＢ、１物理ブロックを１２８ページで構成し、１物理ブロックの容量は２５６ｋＢであり、図８（Ａ）に示す従来のブロックと比較すると、容量が１６倍になる。
なお、多値タイプはひとつのメモリセルで４つの状態を取ることで２ビットの情報を保持することができるためメモリ容量を増やすことができるが、従来の２値タイプに比べてページあたりの書き込み時間が長いというデメリットがある。
【００１４】
図１２は図８（Ｃ）に示した多値タイプの大ブロックを採用したメモリーカードに書き込みを行う際のメモリーカード１１０内各部のデータの流れを示したタイムチャート（一部省略）であり、図１３は図１２の先頭部分のタイムチャートに更にビジー信号を加えたものである。なお、タイムチャートの枠内の数字はページ数を表している。
【００１５】
以下、図１２及び１３に基づいてデータ書き込み時のメモリーカード各部のデータの流れを説明する。
ホスト１００からライトコマンドが発行された後、フラッシュメモリ１１１の書き込み単位であるページ（２ＫＢ）を一まとまりとして、ホスト１００からホストＩ／Ｆ１１５にデータが送られ（図１２のａ）、最初の０ページのデータがバッファメモリ１１４内のバッファＡ１１９に一時保存される（同ｂ）。次に、１ページ目のデータがホスト１００から送られ、バッファメモリ１１４内のバッファＢ１２０に一時保存される（同ｄ）。
【００１６】
続いて、０ページ目のデータがバッファＡ１１９からフラッシュメモリ１１１に送られた後、書き込みが行われ（同ｃ・ｆ）、空いたバッファＡ１１９には２ページ目のデータが一時保存される。この処理が繰り返されて１ブロック１２８ページ分のデータの書き込みが終了する（同ｂ・ｃ・ｄ・ｅ・ｆ）。
【００１７】
ところで、図に示した例では、フラッシュメモリ１１１へのデータ書き込みに先立ちコピー処理を行っている（同ｆ）。コピー処理とは、図１１のフローチャートで説明したデータ消去済の空きブロックを確保する処理であり、具体的には、いくつかのブロックに分散して記録されたデータを、全部又は一部の領域のデータが書き込まれていないブロックに集めてコピーした後、コピー元として分散していたデータの記録されている各ブロックのデータを消去して空きブロックを確保するものである。メモリーカード１１０は、このようなコピー処理とブロック単位でのデータ書き込み処理を択一的に時分割で行っている。
【００１８】
上述したコピー処理を行う場合、図８（Ａ）に示すような１６ＫＢと比較的容量の小さいブロックの場合、１ブロックの処理時間は、データ転送とページ単位の書き込み時間を含めて１０ｍｓ弱であるが、図８（Ｂ）のブロックの場合はページあたりの容量とページ数が増えるために約２５ｍｓ、図８（Ｃ）のブロックの場合は多値タイプのメモリでページあたりの書き込み時間が長いために約１２５ｍｓとなる。
【００１９】
図１０で説明したように、ホスト１００からメモリーカード１１０にセクタ単位でデータを転送する毎に比較的幅の短いビジー信号１３０１がホスト１００に返送されるが、コピー処理中はバッファメモリ１１４に保存されたデータをフラッシュメモリ１１１に転送することができないため、図１３のｇに示すようにコピー処理が終了し、バッファＡのデータがフラッシュメモリ１１１に転送されるまでビジー信号１３０２が継続して出力される。
【００２０】
１ブロックの大容量化に伴い、コピー処理中に出されるビジー信号１３０２の幅が通常時のビジー信号１３０１に比べ極端に長くなるため、ホスト１００はメモリーカード１１０に何らかの異常が発生したと判断し、タイムアウトするという問題があった。
【００２１】
特許文献１では、このような問題点を解決するため、フラッシュメモリの消去に伴って長い幅のビジー信号が発生する恐れがある場合には、ビジー信号を解除するタイミングを一定期間遅延させてビジー信号の幅を延長することにより、ホストからカードへデータを送る時間を遅らせてタイムアウトの発生を防止している。
【００２２】
しかし、特許文献１の場合、フラッシュメモリの消去を終了した後は通常の書き込み処理に戻るため、ホストからの指示があった場合のみビジー信号の幅を延長すれば良いが、上述したようにコピー処理を行う時期をメモリーカード自身が設定するような場合には対応できないという問題があった。
【００２３】
本発明は、このような従来の問題点を解決するもので、ビジー信号の幅延長を開始するタイミングを設定する手段を設けることにより、書き込み処理とコピー処理を自己の判断に基づいて択一的に時分割で行うメモリーカードにおいても、ビジー信号の幅延長を実現してタイムアウトの発生を防止できるようにしたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記目的を達成するため、本発明の不揮発性記憶装置は、消去単位であるブロックを複数含み、かつ前記ブロックを単位としてデータの書き込みが行われる不揮発性メモリと、情報処理装置から送られてきたデータを一時保存するバッファメモリと、前記バッファメモリにおけるデータの保存状況に応じて前記情報処理装置にビジー信号を送信し、かつ前記ビジー信号を解除するタイミングを遅延させてビジー信号の幅を延長することが可能なインターフェースと、前記情報処理装置から送られてきたデータを前記不揮発性メモリのブロックに書き込む書き込み処理と、前記不揮発性メモリの全部又は一部の領域のデータが書き込まれていないブロックに他のブロックのデータをコピーしてそのブロックを全てデータで埋めた後、前記他のブロックのデータを消去して空きブロックを確保するコピー処理とを択一的に行うコントローラとを備え、前記コントローラは、前記コピー処理を行うときに、前記インターフェースにおける前記ビジー信号の幅延長を開始させるとともに、前記コピー処理の進捗に合わせて、前記幅延長を一時的に中断するように制御することを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の不揮発性記憶装置において、前記コントローラは、前記バッファメモリが、コピー処理の終了が終了して、前記幅延長が解除された後に前記不揮発性メモリへ書き込むべきデータの受信を開始した時点又はその直前に、前記インターフェースに前記ビジー信号の幅延長を開始する信号を送信することが好ましい。
【００２６】
また不揮発性記憶装置において、前記インターフェースは、前記ビジー信号を発信するビジー発信回路と、前記ビジー信号を解除するタイミングを遅延させてビジー信号の幅を延長するビジー延長回路と、前記ビジー信号の幅を設定する信号幅設定回路とを備えていてもよい。
【００２７】
同様に前記インターフェースは、前記ビジー信号を発信するビジー発信回路と、前記コピー処理の進捗に合わせて前記コントローラから出力されるビジー解除信号を受け、前記ビジー信号を解除するタイミングを設定するビジー延長回路とを備えていてもよい。
【００２８】
また本発明の不揮発性記憶装置において、前記コントローラは、前記インターフェースに前記コピー処理が終了した時点で前記ビジー信号の幅延長を解除する信号を出力することが好ましい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ブロックの大容量化に伴ってコピー処理に長時間かかるようになった場合でも、タイムアウトを発生させない不揮発性記憶装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
（参考の形態１）
図１は本発明の参考の形態１におけるメモリーカードのブロック図で、ホストに装着された状態を示す。図中、図９と同一機能を有する部分には同一符号を付している。
【００３１】
図１において１００は情報処理装置であるホスト、１１０は不揮発性記憶装置の一種であるメモリーカードであり、メモリーカード１１０はホスト１１０の本体に設けられたスロット（図示せず）に着脱可能な状態で装着されている。
【００３２】
メモリーカード１１０はフラッシュメモリ１１１、フラッシュＩ／Ｆ１１２、カードコントローラ１１３、バッファメモリ１１４、ホストＩＦ１１５及び内部バス１１６で構成される。
【００３３】
カードコントローラ１１３はホスト１００の指示に従い、フラッシュＩ／Ｆ１１２を介してフラッシュメモリ１１１へのデータの書き込み、フラッシュメモリ１１１からのデータの読み出しを制御する。バッファメモリ１１４はホスト１００から転送されたデータを一時的に保存する。本実施の形態ではフラッシメモリ１１１として図８（Ｃ）に示す多値タイプの大ブロックを採用しているため、バッファＡ１１９、Ｂ１２０の容量はそれぞれ２ＫＢである。
【００３４】
ホストＩ／Ｆ１１５は外部バス１１７を介しホスト１００との間で相互にデータの転送を行う。ホストＩ／Ｆ１１５にはビジー発信回路１１８、ビジー延長回路１２１及び信号幅設定回路１２２が含まれる。ビジー発信回路１１８はバッファメモリ１１４が空いているかどうか確認し、バッファメモリ１１４に既にデータが保存され、新たなデータを受け入れる状態にないときにホスト１００にビジー信号を送信する。ビジー延長回路１２１はビジー信号を解除するタイミングを遅延させてビジー信号に幅を持たせ、信号幅設定回路１２２はビジー信号の幅を設定する。
【００３５】
図２及び図３は本参考の形態１においてフラッシュメモリ１１１にデータを書き込む際のメモリーカード１１０内各部のデータの流れを示すタイムチャートであり、図２はブロックへのデータの書き込みに先立ってコピー処理を行う場合を示し、図３はブロックへのデータ書き込みの間にコピー処理を行う場合を示す。
【００３６】
以下、図２に基づいてデータ書き込みの際の処理を説明する。カードコントローラ１１３の制御に基づき、図２ｆに示すように、コピー処理が始まり、ホスト１００からバッファＡ１１９に対し０ページ目のデータの転送が開始された時点で、カードコントローラ１１３からビジー延長回路１２１にビジー延長設定信号２０１が送られ、その後は図２ｇに示すようにビジー信号の解除タイミングが遅延され、ビジー信号の幅が延長される。
【００３７】
具体的には、ホスト１００から０ページ目のデータ（２ＫＢ）がホストＩ／Ｆ１１５を介し、図２ａの上段に数値０〜３で示すようにセクタ単位（５１２Ｂ）でバッファＡ１１９に送られ、その都度ビジー発信回路１１８からビジー信号が発信されるが（同ｇ）、信号幅設定回路１２２によって定められた所定期間ビジー信号の幅が延長された後レディー状態となる（同ａ・ｂ・ｇ）。同様にして１ページ目のデータがセクタ単位でホスト１００からバッファＢ１２０に送られる（同ａ・ｄ）。なお、信号幅設定回路１２２で設定されるビジー信号の幅は、コピー処理に要する時間及びホスト１００でタイムアウトが生じない範囲の時間を考慮して決定される。
【００３８】
次に、フラッシュメモリ１１１におけるコピー処理が終了すると、カードコントローラ１１３からビジー延長回路１２１にビジー延長解除信号２０２が送られ、その後はビジー発信回路１１８から通常の信号幅のビジー信号が発信され、フラッシュメモリ１１１へのページ単位のデータ書き込みが行われる。
【００３９】
図２から明らかなように、ビジー信号の幅を延長することにより、コピー処理の最中に、極端に広い幅のビジー信号が送られることがなくなるため、ホスト１００におけるタイムアウトの発生を防止できる。
【００４０】
図３は２つのブロックへのデータの書き込みの間にコピー処理を行う場合を示したものであるが、同図ｃに示すようにバッファＡ１１９からフラッシュメモリ１１１に１２６ページ目のデータを転送した時点、言い換えればホスト１００からバッファメモリ１１４に対し、次に書き込むべきブロックの最初のページである１２８ページ目のデータの転送を開始した時に、カードコントローラ１１３からビジー延長回路１２１にビジー延長設定信号２０１を送り、その後、図２と同様にビジー信号の幅を延長することにより、ホスト１００からバッファメモリ１１４にデータを送るタイミングを遅らせており、図２の場合と同様に、コピー処理の最中に、極端に長い幅のビジー信号が送られることがなくなるため、ホスト１００でタイムアウトが生じるのを防止できる。
【００４１】
次に、図４のフローチャートを参照し、メモリーカード１１０にデータを書き込む際のカード内部の処理について説明する。書き込みを開始すると、カードコントローラ１１３は書き込み先となる物理ブロックの設定を行い（Ｓ４０１）、消去済ブロックの確保が不要な場合は（Ｓ４０２でＮＯ）、Ｓ４０６以降のステップでフラッシュメモリ１１１へのデータ書き込みを行う。この際、カードコントローラ１１３からビジー延長回路１２１にビジー延長解除信号２０２を送り、ビジー信号の幅延長を解除するが（Ｓ４０５）、この時点では、まだビジー信号の幅延長の設定がされていないため、動作に影響はない。
【００４２】
一方、消去済ブロックの確保が必要な場合は（Ｓ４０２でＹＥＳ）、コピー処理によって消去済の空のブロックを確保するが（Ｓ４０４）、図１１に示した従来例と異なり、カードコントローラ１１３はその前にビジー延長設定信号２０１をビジー延長回路１２１に出力してビジー信号の幅を延長するよう設定する（Ｓ４０３）。その後コピー処理を行うことによって消去済の空のブロックを確保する（Ｓ４０４）。
【００４３】
コピー処理を終了し空のブロックを確保した後、カードコントローラ１１３はビジー延長解除信号２０２を出力してビジー信号の幅延長を解除し（Ｓ４０５）、引き続いて確保した空のブロックへのデータ書き込みを実行する（Ｓ４０６）。
【００４４】
図３で説明したように、コピー処理はブロック単位でのデータ書き込み処理の間にも行われるため、カードコントローラ１１３は、バッファメモリ１１４からフラッシュメモリ１１１に転送されたデータが１２６ページ目すなわち論理アドレスで規定するブロックの境界から所定サイズ前のデータであるか確認し、所定サイズ前である場合は（Ｓ４０７でＹＥＳ）、ビジー延長設定信号２０１をビジー延長回路１２１に送信してビジー信号の幅を延長するよう設定する（Ｓ４０８）。
【００４５】
これは、次のブロックのデータを書き込む前に消去済のブロックの確保が必要になる場合に備えての処理である。消去ブロックの確保には時間がかかるため、次のブロックの先頭のデータがホスト１００からメモリーカード１１０に転送される前にビジー信号の幅を延長する設定を行う。一方、バッファメモリ１１４からフラッシュメモリ１１１に転送されたデータがブロックの境界から所定サイズ前でない場合は、特に処理は行わない（Ｓ４０７でＮＯ）。
【００４６】
それ以降、未書き込みのデータがあり、かつ論理ブロックがデータで埋まった場合には（Ｓ４０９及びＳ４１０でＹＥＳ）、Ｓ４０１に戻り、新たな物理ブロックを設定して消去済みブロックの確保が必要かどうか判断する（Ｓ４０２）。消去済みブロックの確保が必要ない場合には（Ｓ４０２でＮＯ）、ビジー信号の幅延長を解除する（Ｓ４０５）。これによって論理ブロック境界の所定サイズ前に設定したビジー信号の幅延長（Ｓ４０８）が解除される。
一方、消去済みブロックの確保が必要な場合には、コピー処理（Ｓ４０４）を行った後、ビジー信号の幅延長を解除する（Ｓ４０５）。
【００４７】
なお、図３に示すように、コピー処理を開始する際にビジー延長設定信号２０１が出力されるが（Ｓ４０３）、すでに論理ブロック境界の所定サイズ前のデータ（図では１２６ページ目のデータ）がバッファメモリ１１４からフラッシュメモリ１１１に転送された時点でビジー延長設定信号２０１は出力されているので（Ｓ４０８）、動作に影響はない。
【００４８】
一方、ブロックにまだ余裕がある場合は（Ｓ４１０でＮＯ）、ページ単位でのデータの書き込みを継続し（Ｓ４０６）、未書き込みのデータがなくなった場合は書き込みを終了する（Ｓ４０９でＮＯ）。
【００４９】
なお、図３では、ビジー延長設定信号２０１を１２６ページ目のデータをバッファメモリ１１４からフラッシュメモリ１１１に転送した時点で出力したが、ビジー延長設定信号２０１は、コピー処理後、次のブロックに書き込むべきデータをバッファメモリ１１４がホスト１００から受け取る時点であれば、データの受信と同時かその直前に出力しても良い。
（実施の形態１）
【００５０】
図５は本発明の実施の形態１におけるメモリーカード１１０のブロック図である。また図６及び図７は図５のメモリーカードにおいてフラッシュメモリ１１１にデータを書き込む際のデータの流れを示すタイムチャートであり、図６はブロックへのデータの書き込みに先立ってコピー処理を行う場合を示し、図７はブロックへのデータ書き込みの間にコピー処理を行う場合を示す。
【００５１】
図５に示す本実施の形態１の構成は、信号幅設定回路１２２がない点及びビジー延長回路５０１の機能が若干異なる点以外は図１に示す参考の形態１の構成と同じである。参考の形態１では延長するビジー信号の幅は信号幅設定回路１２２によって定められたが、本実施の形態では、図６及び７に示すように、コピー処理の進捗に合わせてカードコントローラ１１３からビジー解除信号６０１がビジー延長回路５０１に出力され、ビジー延長回路５０１はビジー解除信号６０１を受けるとビジー信号を解除する。例えば、１ブロック１２８ページのコピー処理のうち、図６では３２ページ分の処理が終了する毎に、また図７ではコピー処理の開始時点及び４２ページ分の処理が終了する毎にビジー解除信号６０１を出力してビジー信号の解除を行う。その他の処理については、参考の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００５２】
参考の形態１のようにビジー信号の幅をあらかじめ設定された一定時間延長させるだけだと、一部の領域がデータで埋められたブロックにコピー処理を施す場合、ブロック中の全ての領域のコピー処理を行う場合に比べてコピー処理の時間が短くなり、バッファメモリが空いているにもかかわらず不要にビジー信号の幅を延長することになり、結果としてデータの転送を遅延させることになる。本実施の形態１のようにコピー処理の進捗に応じてビジー解除信号を出力すれば、バッファメモリの空きを適切に制御することが出来、結果としてデータ転送を不要に遅延させるリスクを回避できる。
【００５３】
なお、上記実施の形態において、不揮発性記憶装置としてフラッシュメモリを記憶媒体とするメモリーカードを用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ブロックを消去・書き込みの単位とする多くの不揮発性記憶装置に適用できることは云うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明にかかる不揮発性記憶装置によれば、ホストにおけるタイムアウトの発生防止と不揮発性メモリへの効率的な書き込みを両立できるため、今後主流となることが予想される大容量の不揮発性記憶装置に適用して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の参考の形態１におけるメモリーカードの構成を示すブロック図
【図２】本発明の参考の形態１におけるデータ書き込み時の各部のデータの流れを示すタイムチャート
【図３】本発明の参考の形態１におけるデータ書き込み時の各部のデータの流れを示すタイムチャート
【図４】本発明の参考の形態１におけるデータ書き込みの処理を示すフローチャート
【図５】本発明の実施の形態１におけるメモリーカードの構成を示すブロック図
【図６】本発明の実施の形態１におけるデータ書き込み時の各部のデータの流れを示すタイムチャート
【図７】本発明の実施の形態１におけるデータ書き込み時の各部のデータの流れを示すタイムチャート
【図８】フラッシュメモリのブロック構成を説明する図
【図９】従来のメモリーカードのブロック図
【図１０】従来のメモリーカードにおけるデータ書き込み時の各部のタイムチャート
【図１１】従来のメモリーカードにおけるデータ書き込みの処理を示すフローチャート
【図１２】従来のメモリーカードにおけるデータ書き込み時の各部のデータの流れを示すタイムチャート
【図１３】図１２の先頭部分のタイムチャート
【符号の説明】
【００５６】
１００  ホスト
１１０  メモリーカード
１１１  フラッシュメモリ
１１２  フラッシュＩ／Ｆ
１１３  カードコントローラ
１１４  バッファメモリ
１１５  ホストＩ／Ｆ
１１６  内部バス
１１７  外部バス
１１８  ビジー発信回路
１２１  ビジー延長回路
１２２  信号幅設定回路
５０１  ビジー延長回路
【図１】
0004790334.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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