(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコンからなるレンズ素材にシリコン基板を直接接合する工程と、
前記シリコン基板を厚さ方向に部分的に除去して肉薄のシリコン膜に加工する工程と 、
前記シリコン膜上に素子基体材料をエピタキシャル成長させ素子基体を形成する工程 と、
前記シリコン膜上に形成された前記素子基体に光電変換素子を設ける工程と、
前記レンズ素材を前記光電変換素子とは反対の面側においてエッチング加工し、レン  ズを形成する工程と
を有し、前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって平行光化又は集光される光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
バッファー層を介して前記シリコン膜上に前記素子基体材料をエピタキシャル成長させる、請求項１に記載した光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記素子基体材料がガリウム砒素であり、前記バッファー層がストロンチューム・チタン・オキサイド層である、請求項２に記載した光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記光電変換素子としての発光素子アレイ又は受光素子アレイを前記素子基体に設ける、請求項１に記載した光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Large Scale Integration）の微細化に伴い、トランジスタ単体の速度は著しく増加しており、例えば、インテル社製ペンティアム（登録商標）に代表されるＭＰＵ（Micro Processor Unit）は、３ＧＨｚ程度の動作速度で動作している。
【０００３】
一方、データを送信する電気配線については、スケーリング則により配線抵抗が増加するため、配線遅延の課題が挙げられている。また、配線抵抗だけでなく、配線間の容量も大きな課題となっている。それらを解決するためには、材料が本質的に持っている物性値を変更する必要があり、配線に関してはアルミニウムから銅へ、配線間の層間膜に関してはより低誘電率の材料へと開発が進んでいる。
【０００４】
上記はＬＳＩ内部に関するものであるが、ＬＳＩ外部にもデータを伝送する必要があり、上記と同様の課題が挙げられている。そのような状況の中で、以下に示すような技術的、能力的な背景がある。
【０００５】
技術的な観点においては、半導体の微細化の進行により、ロジックとメモリー（ＤＲＡＭ：Dynamic Random Access Memory）を同一チップに形成するＳＯＣ（Silicon on chip）では、その両立が困難な領域になりつつあり、ロジックとメモリーを分割する傾向にある。能力的な観点においては、複数のＭＰＵを並列接続することにより、パフォーマンス向上をねらっている。
【０００６】
即ち、ＬＳＩ同士の接続がＬＳＩの微細化及び性能向上に従い、増えることになる。上述したように、ＬＳＩの微細化に伴って電気配線の能力を材料の観点から向上していかなければならないが、既に量産的な観点から使用できる材料はほぼ適用されている状況にある。さらに、電気配線の場合、長距離伝送、高周波伝送になるほど減衰が増加するため、ＬＳＩ同士を接続する配線にはより厳しい状況となっている。
【０００７】
上記のようなＬＳＩ間を接続する伝送律速を解決するために、様々な方法が提案されている。大別すると、電気配線技術の延命、電磁波による伝送、光による伝送である。
【０００８】
電気配線技術の延命では、配線長を短くするためにＳｉＰ（Silicon in Package）にする方法、特に３次元実装技術を用いたチップ積層化が有効である（例えば、電子情報通信学会論文誌C vol.J87-C No.11 pp.791-801 2004年11月を参照。）。回路設計技術においては、例えば、インピーダンス不整合点を結ぶ配線距離を信号切り替え時間の半分の整数倍で信号伝送時間に設計するインピーダンス不整合解決方法（例えば、特開２００１−１１１４０８号公報を参照。）等がある。
【０００９】
電磁波による伝送では、ＭＥＭＳ（Mechanical Electrical Systems）技術を用い、送受信するアンテナをシリコン基板内に形成する方法がある（例えば、Rashid, et al, Proceedings of the IEEE 2003 international Inter-connect Technology Conference, pp.156-158, June 2003を参照。）。
【００１０】
ＬＳＩ間接続高速伝送技術の開発において、光による伝送方法が最も盛んに行われている。光伝送によるＬＳＩ間接続構造の基本的な構成部品は発光素子、受光素子及び光導波路であり、また、これら光デバイスとＬＳＩチップとを接続するインターポーザが多く使用されている（例えば、後記の特許文献１参照。）。
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−３１４５６号公報（４頁４７行目〜７頁２４行目、図１、図２、図３、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のような光システムにおいて、課題となる点は光のカップリングである。発光素子（例えば面発光レーザ）からの光放射全角度が２５°であるため、光ビームは広がる。このため、発光素子からの出射光を光導波路へ導入させたときに光伝送ロスが生じる。
【００１３】
図５は、発光源として１０μｍΦの面発光レーザを使用した場合における、発光素子、光導波路間の距離と、光損失との関係を示すグラフである。図５に示すように、発光素子と光導波路間の距離が７０μｍ未満ならば入射による光ロスはゼロであるが、それ以上の距離になると、例えば、１０５μｍの距離では５０％（約３ｄＢ）ロスになり、また２６０μｍの距離では９０％（約１０ｄＢ）ロスとなる。なお、システムの構造上、発光素子と光導波路の距離を数十μｍレベルで制御することは非常に困難である。
【００１４】
これを解決するために、光が拡散するのを防止する手法として、一般的にレンズが用いられており、実装技術によりレンズ基体を発光素子に貼り付ける方法と、発光素子が形成された素子基体（例えばガリウム砒素）自体をレンズ加工する方法がある。
【００１５】
しかしながら、貼り付け方法の場合、発光素子とレンズ基体とのアライメントは機械的な精度によるところが大きく、位置合わせ精度が最も良くて数μｍオーダーであり、量産レベルでは十数μｍオーダーである。
【００１６】
また、素子基体自体をレンズ加工する場合、ガリウム砒素等の素子基体は非常に脆いため、これを加工して曲率を有するレンズ形状を形成することは非常に難しく、また、レンズの位置は機械精度だけに頼ることになる。さらに、厚いガリウム砒素からなるレンズが光を透過することは非常に困難である。
【００１７】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、光の拡散を効果的に防止することができる光電変換装置、及びこの光電変換装置を容易に作製することができる光電変換装置の製造方法、並びにこの光電変換装置を適用した光情報処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
即ち、本発明は、光電変換素子と、前記光電変換素子が設けられた素子基体とを有し、前記光電変換素子とは反対の面側において、前記素子基体と、酸化シリコンからなるレンズとがシリコン膜を介して接合され、前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって光路変更される、光電変換装置に係るものである。
【００１９】
また、本発明の光電変換装置の製造方法であって、酸化シリコンからなるレンズ素材と、光電変換素子の素子基体とをシリコン膜を介して接合する工程と、前記素子基体に前記光電変換素子を設ける工程と、前記レンズ素材を前記光電変換素子とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズを形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法に係るものである。
【００２０】
さらに、光電変換装置と、光導波部と、光電変換素子を駆動する駆動素子とからなり、前記光電変換装置が、
光電変換素子と、前記光電変換素子が設けられた素子基体とを有し、前記光電変換素  子とは反対の面側において、前記素子基体と、酸化シリコンからなるレンズとがシリコ  ン膜を介して接合され、前記光電変換素子の出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レ  ンズによって光路変更される
ことを特徴とする、光情報処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の光電変換装置によれば、前記素子基体と、前記酸化シリコンからなるレンズとが前記シリコン膜を介して接合され、前記光電変換素子の前記出射光又は入射光の光ビーム成分が前記レンズによって光路変更されるので、前記出射光又は入射光が拡散するのを効果的に防止することができる。
【００２２】
また、本発明の光電変換装置の製造方法によれば、前記酸化シリコンからなるレンズ素材と、前記光電変換素子の前記素子基体とを前記シリコン膜を介して接合する工程と、前記素子基体に前記光電変換素子を設ける工程と、前記レンズ素材を前記光電変換素子とは反対の面側においてエッチング加工し、前記レンズを形成する工程とを有するので、半導体プレーナー技術を適用することができる。従って、例えば、半導体プロセスのＣＤ（Critical Dimension）ロスレベルでアライメントが可能であり、前記光電変換素子と前記レンズとの光軸ずれは殆ど無視でき、また位置合わせ許容値（余裕度）は、従来例による貼り付け方法のそれよりも大きいため、歩留りの向上を図ることができる。
【００２３】
また、従来例による素子基体自体をレンズ加工する方法では、ガリウム砒素等の素子基体は非常に脆いため、これを加工して曲率を有するレンズ形状を形成することは非常に難しい。これに対し、本発明によれば、前記酸化シリコンからなるレンズ素材をエッチング加工して前記レンズを形成するので、半導体プロセスで容易に作製することができる。
【００２４】
さらに、本発明の光電変換装置は、上述したように、前記出射光又は前記入射光の前記光ビーム成分が拡散するのを効果的に防止することができる。従って、この光電変換装置を適用してなる本発明の光情報処理装置は、例えば、前記出射光を前記光導波部へ導入する際の光損失を大幅に低減することができ、システムの誤作動低減やエラーレート低減によるシステム全体の速度向上などの効果が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明において、前記酸化シリコンとはＳｉＯ2の他、添加物を含むガラスでも良い。
【００２６】
また、前記光電変換素子としての発光素子アレイ又は受光素子アレイが前記素子基体に設けられていることが好ましい。
【００２７】
また、前記レンズ素材にシリコン基板を直接接合し、この接合体において前記シリコン基板を厚さ方向に部分的に除去して肉薄の前記シリコン膜に加工し、このシリコン膜上に素子基体材料層（例えばガリウム砒素）を形成することが好ましい。
【００２８】
さらに、バッファー層を介して前記シリコン膜上に素子基体材料をエピタキシャル成長させることが好ましい。これにより得られる本発明に基づく光電変換装置は、前記素子基体と、前記シリコン膜とが前記バッファー層を介して接合され、前記出射光又は入射光の前記光ビーム成分が前記レンズによって平行光化又は集光される。シリコンとガリウム砒素の格子定数には４％程度の違いがあるため、エピタキシャル成長させることは難しい。この格子定数の違いを緩和させるために前記バッファー層を設けるのが望ましい。前記バッファー層としては、ＳＴＯ（ストロンチューム・チタン・オキサイド）等を用いることができる。これにより、前記シリコン膜上にガリウム砒素からなる前記素子基体材料層を形成することができる。
【００２９】
本発明に基づく光情報処理装置において、前記レンズと、前記光導波部の光入射部又は光出射部とが共通の光軸上で位置合わせされていることが好ましい。
【００３０】
第１の実施の形態
図１は、本発明に基づく光電変換装置の概略図である。図１（ａ）は、本発明に基づく光電変換装置の概略断面図であり、図１（ｂ）は、（ａ）のＡ方向から見た概略平面図である。
【００３１】
図１に示すように、本発明に基づく光電変換装置１は、光電変換素子２と、光電変換素子２が設けられた素子基体（例えばガリウム砒素）３とを有し、光電変換素子２とは反対の面側において、素子基体３と、酸化シリコンからなるレンズ４とがシリコン膜５を介して接合され、光電変換素子２の前記出射光又は入射光の光ビーム成分がレンズ４によって光路変更される。
【００３２】
また、光電変換素子２としての前記発光素子アレイ又は前記受光素子アレイが素子基体３に設けられていることが好ましい。
【００３３】
また、ガリウム砒素等の素子基体３と、シリコン膜５とがバッファー層（図示省略）を介して接合され、前記出射光又は入射光の前記光ビーム成分がレンズ４によって平行光化又は集光されることが望ましい。シリコンとガリウム砒素の格子定数には４％程度の違いがあるため、エピタキシャル成長させることは難しい。この格子定数の違いを緩和させるために前記バッファー層を設けるのが望ましい。前記バッファー層としては、ＳＴＯ（ストロンチューム・チタン・オキサイド）等を用いることができる。
【００３４】
本発明に基づく光電変換装置１によれば、光電変換素子２とは反対の面側において、素子基体３と、酸化シリコンからなるレンズ４とがシリコン膜５を介して接合され、前記出射光又は入射光の光ビーム成分がレンズ４によって光路変更されるので、前記出射光又は入射光が拡散するのを効果的に防止することができる。
【００３５】
以下に、本発明に基づく光電変換装置１の製造方法の一例を図２、図３を参照して工程順に説明する。なお、ここでは前記光電変換素子として発光素子（例えば面発光レーザ）を適用した例を挙げて説明するが、前記光電変換素子として受光素子を設ける場合も同様である。
【００３６】
まず、図２（ａ）に示すように、酸化シリコンからなるレンズ素材４ａにシリコン基板５ａを直接接合する。この接合においては精密な表面制御及び温度制御が必要である。即ち、レンズ素材４ａとシリコン基板５ａとの接合は、基板接触部の界面での化学反応によりなされ、表面の水酸基間の結合に始まり、熱処理を加えることにより、水酸基間の結合がＳｉ−Ｏ−Ｓｉのシロキサン結合となり、水（Ｈ2Ｏ）を放出する。
【００３７】
そして、図２（ｂ）に示すように、この接合体６においてシリコン基板５ａを厚さ方向に部分的に除去して肉薄のシリコン膜５に加工する。より具体的には、シリコン基板５ａを５０〜２００ｎｍの厚さにカッティングする。さらにこのシリコン基板５ａの表面は、次工程で素子基体材料（例えばガリウム砒素）をエピタキシャル成長させるために、ミラー面かつ清浄な状態にしておく必要がある。従って、最終的にはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の研磨処理を行うのが好ましい。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、シリコン膜５上に素子基体材料層（素子基体。例えばガリウム砒素）３を形成する。より具体的には、バッファー層（図示省略）を介してシリコン膜５上に素子基体材料をヘテロエピタキシャル成長させる。シリコンとガリウム砒素の格子定数には４％程度の違いがあるため、エピタキシャル成長させることは難しい。この格子定数の違いを緩和させるために前記バッファー層を設けるのが望ましい。前記バッファー層としては、ＳＴＯ（ストロンチューム・チタン・オキサイド）等を用いることができる。これにより、シリコン膜５上にガリウム砒素からなる素子基体３を形成することができる。
【００３９】
なお、前記素子基体材料はガリウム砒素に限定するものではないが、現状の技術では最も一般的な材料である。
【００４０】
次に、図２（ｄ）に示すように、素子基体３に前記光電変換素子としての発光素子（例えば面発光レーザ）２を設ける。面発光レーザ２は既に商品化されており、その作製は標準的なプロセスを適用することができる。基本的な構成は電極−導電性反射層（ｎ又はｐ）−クラッド層−活性層−クラッド層−導電性反射層（ｐ又はｎ）−電極からなる。
【００４１】
次に、図２（ｅ）に示すように、レンズ素材４ａの発光素子２とは反対の面側において、レジスト７を塗布する。なお、レジスト７の材料、膜厚、塗布条件等は次工程のエッチングや所望のレンズ形状に依存する。
【００４２】
次に、図３（ｆ）及び（ｇ）に示すように、レジスト７をグレーティングマスク８を用いてリソグラフィー工程にて露光及び現像する。グレーティングマスク８を用いることにより、露光部９を曲率を有するレンズ形状にすることができる。ここで、素子基体３に形成された発光素子２と、レジスト７の露光部９との位置決めは、光の透過性が高い酸化シリコンからなるレンズ素材４ａを用いるので、例えば、画像認識で位置合わせをするような装置によって発光素子２の光出射部を認識することができる。即ち、この光出射部をアライメントマークとして用い、レンズ形成のためのリソグラフィーを行うことができる。
【００４３】
次に、図３（ｈ）に示すように、上記のようにして作製したレジストマスク（露光部）９に対して、異方性ドライエッチングによる全面エッチバックを行い、レンズ素材４ａをエッチング加工し、レンズ４を形成する。
【００４４】
以上のようにして、本発明に基づく光電変換装置１を作製することができる。
【００４５】
従来例による、最も一般的な光ビーム成分の光路変更方法は、実装技術によりレンズ基体を発光素子に貼り付ける方法が適用されている。しかしながら、この場合、何らかの接着剤が必要となるが、発光素子とレンズ基体との熱膨張係数を充分に考慮しないと剥離の問題が発生する。また、接着剤の光の透過性も充分に考慮する必要がある。
【００４６】
これに対し、本実施の形態によれば、発光素子２が形成された素子基体３とシリコン膜５との接合は、薄い前記バッファー層を介しての原子同士の結合であり、かつ、シリコン膜５と酸化シリコンからなるレンズ４との接合は、接触部の界面での化学反応によりなされているので、それらの密着性は強固であり、剥離を懸念する必要がない。
【００４７】
また、従来例によるレンズ基体を貼り付ける方法の場合、発光素子とレンズ基体とのアライメントは機械的な精度によるところが大きい。これに対し、本発明に基づく製造方法によれば、光の透過性の高い酸化シリコンからなるレンズ素材４ａを用い、発光素子２とレンズ４を半導体プレーナー技術で形成することができる。即ち、半導体プロセス技術で実績のあるステッパーやスキャナーを用いることができ、そのアライメントは半導体プロセスのＣＤ（Critical Dimension）ロスレベルにすることができる。このため、発光素子２とレンズ４との光軸ズレは殆ど無視できる。
【００４８】
また、本実施の形態において、発光素子２とレンズ４との位置合わせ許容値（余裕度）は、従来例による貼り付け方法のそれよりも大きいため、歩留り的な観点でも有意な効果を示す。
【００４９】
さらに、従来例による素子基体自体をレンズ加工する方法では、ガリウム砒素等の素子基体は非常に脆いため、これを加工して曲率を有するレンズを形成することは非常に難しい。これに対し、本発明によれば、酸化シリコンからなるレンズ素材４ａをエッチング加工してレンズ４を形成するので、半導体プロセスで容易に作製することができる。
【００５０】
第２の実施の形態
図４は、本発明に基づく光情報処理装置の一例の概略断面図である。図４に示すように、本発明に基づく光情報処理装置１０は、本発明に基づく光電変換装置１と、前記光導波部としての例えば光導波路１１と、前記光電変換素子を駆動する駆動素子１２とからなる。
【００５１】
また、本発明に基づく光電変換装置１は、前記光電変換素子としての発光素子アレイ２ａ又は受光素子アレイ２ｂが素子基体３に設けられている。
【００５２】
本発明に基づく光電変換装置１は、インターポーザ１３にはんだ１４によって実装され、またインターポーザ１３の光電変換装置１とは反対の面側において駆動素子１２が実装されている。そして、発光素子２ａ、受光素子２ｂと駆動素子１２とがインターポーザ１３の貫通電極１５を介して電気的に接続されている。また、図示省略したが、インターポーザ１３には能動素子や配線等が形成されており、インターポーザ１３に搭載された各素子やチップが相互に接続されている。さらに、光導波路１１は例えばプリント配線板１６に実装されている。
【００５３】
また、レンズ４と、光導波路１１の光入射部又は光出射部とが共通の光軸上で位置合わせされている。
【００５４】
前記光導波部としての光導波路１１は特に限定されず、従来公知のものが使用可能であるが、例えば、クラッド１７ａ、１７ｂと、これらクラッド１７ａ、１７ｂ間に挟持されたコア１８とを有し、また光入射部及び光出射部にそれぞれレンズ部材１９を有する。さらに、光導波路１１の光入射端面及び光出射端面は、４５°ミラー面に形成されている。
【００５５】
本発明に基づく光情報処理装置１０のメカニズムは、前記光電変換素子としての発光素子２ａによって信号変調された出射光（例えばレーザ光）が酸化シリコンからなるレンズ４を通して平行光化される。この信号光は、更に光導波路１１の光入射部に形成されたレンズ部材１９によって集光され、光導波路１１のコア１８へ効果的に入射される。入射した光は光導波路１１を導波し、光導波路１１の光出射部に形成されたレンズ部材１９によって平行光化されて、光導波路１１から出射される。そして、出射光は酸化シリコンからなるレンズ４によって集光されて、受光素子２ｂに効果的に受光される。このように、光導波路１１を信号変調されたレーザ光等の伝送路として光伝送・通信システムを構築することができる。
【００５６】
従来例による、最も一般的な光ビーム成分の光路変更は、実装技術によりレンズ基体を発光素子に貼り付ける方法が適用されているが、実装の位置合わせ精度は、スループットを考慮しても数μｍオーダーである。また、三次元の実装になるため、レンズだけの実装ばらつきはばらつき値の３乗となる。さらに、複数点数の実装を行うため、前後の実装部品とのアライメントを考慮する必要もある。即ち、実装点数はできる限り少なくした方が最終製品の歩留りは向上することになる。
【００５７】
これに対し、本実施の形態によれば、本発明に基づく光電変換装置１を用いることにより、実装部品点数の削減になるため、歩留りをより向上させることができる。
【００５８】
また、従来例のようにレンズ基体を実装するためには何らかのガイドが必要であるが、本実施の形態によれば、本発明に基づく光電変換装置１を用いるのでガイド形成又は取り付けの工程を省略することができる。
【００５９】
さらに、本発明の光電変換装置１は、上述したように、前記出射光又は前記入射光の前記光ビーム成分が拡散するのを効果的に防止することができる。従って、この光電変換装置１を適用してなる本発明の光情報処理装置１０は、例えば、前記出射光を光導波路１１へ導入する際の光損失を大幅に低減することができ、システムの誤作動低減やエラーレート低減によるシステム全体の速度向上などの効果が期待できる。
【００６０】
次に、システムのトータル的な利点を示すと、まず、実装点数が減少するので、システムの製造ＴＡＴ（Turn around time）が速くなる。
【００６１】
また、実装点数が減少するので、システム全体のストレスバランスを最適化し易くなり、信頼性の高いシステムを構築できる。
【００６２】
また、前記光電変換素子としての発光素子２ａから光導波路１１への光結合ロスが低減できるので、発光素子２ａの出力を低減することができる。即ち、発光素子２ａをドライブさせるドライバーの消費電力を低減することができる。
【００６３】
また、発光素子２ａから光導波路１１への光結合ロスが低減でき、効率的に前記出射光を光導波路１１に導入することができるので、受光素子２ｂの光電変換効率が大きくなり、それに伴い、受光素子２ｂから出力される電流値が大きくなるため、電流を増幅するアンプの消費電力を低減することができる。
【００６４】
さらに、発光素子２ａから光導波路１１への光結合ロスが低減でき、効率的に光を光導波路１１に導入することができるので、出力側の受光素子の感度を落とすことができ（スペックを落とすことができ）、受光側のコスト低減ができる。
【００６５】
以上、本発明を実施の形態について説明したが、上述の例は、本発明の技術的思想に基づき種々に変形が可能である。
【００６６】
例えば、前記光導波部として前記光導波路を用いる例を挙げて説明したが、例えば光ファイバー等も適用可能である。
【００６７】
また、本発明に基づく光電変換装置は、ＬＳＩチップ間光伝送のアプリケーションだけでなく、光を用いた全てのシステムに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】第１の実施の形態による、本発明に基づく光電変換装置の概略図である。
【図２】同、本発明に基づく光電変換装置の製造方法の一例を工程順に示す概略断面図である。
【図３】同、本発明に基づく光電変換装置の製造方法の一例を工程順に示す概略断面図である。
【図４】第２の実施の形態による、本発明に基づく光情報処理装置の概略断面図である。
【図５】従来例による、発光部から光導波路までの距離と、光損失との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６９】
１…光電変換装置、２…光電変換素子、２ａ…発光素子アレイ（発光素子）、
２ｂ…受光素子アレイ（受光素子）、３…素子基体、４…レンズ、４ａ…レンズ素材、
５…シリコン膜、５ａ…シリコン基板、６…接合体、７…レジスト、
８…グレーティングマスク、９…露光部、１０…光情報処理装置、１１…光導波路、
１２…駆動素子、１３…インターポーザ、１４…はんだ、１５…貫通電極、
１６…プリント配線板、１７ａ、１７ｂ…クラッド、１８…コア、１９…レンズ部材
【図１】
0004742699.tif 000002
【図２】
0004742699.tif 000003
【図３】
0004742699.tif 000004
【図４】
0004742699.tif 000005
【図５】
0004742699.tif 000006