(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層と、
前記第１電極と前記発光層との間に配置された、銅フタロシアニンまたはスターバースト型アミン類から形成される正孔注入層と、
前記第１電極と前記発光層との間に配置された正孔輸送層と、
前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に配置された電荷発生層と、
を備え、
前記電荷発生層は、下記化学式（１）で表される化合物から形成され、厚さが２０〜８０Åであることを特徴とする、有機電界発光表示素子；
【化１】
0004790565.tif 000013
前記化学式（１）中、Ｒは、ニトリル基（−ＣＮ）、スルホン基（−ＳＯ２Ｒ’）、スルホキシド基（−ＳＯＲ’）、スルホンアミド基（−ＳＯ２ＮＲ’２）、スルホネート基（−ＳＯ３Ｒ’）、ニトロ基（−ＮＯ２）、またはトリフルオロメタン基（−ＣＦ３）であり、この際、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。
【請求項２】
前記電荷発生層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）エネルギーレベルと、正孔注入層物質のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）エネルギーレベルとの差が、−２〜＋２ｅＶの範囲にあるエネルギー準位を有する物質を使用することを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記電荷発生層は、各画素に共通した層として形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記発光層と前記第２電極との間に、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層からなる群より選択される少なくとも１つの層をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する有機電界発光表示素子の製造方法であって、
前記第１電極の上部に正孔注入層を積層する工程と、
前記正孔注入層の上部に電荷発生層を積層する工程と、
前記電荷発生層の上部に正孔輸送層を積層する工程と、
を含み、前記電荷発生層は、下記化学式（１）で表される化合物から形成され、厚さが２０〜８０Åであることを特徴とする、有機電界発光表示素子の製造方法；
【化２】
0004790565.tif 000014
前記化学式（１）中、Ｒは、ニトリル基（−ＣＮ）、スルホン基（−ＳＯ２Ｒ’）、スルホキシド基（−ＳＯＲ’）、スルホンアミド基（−ＳＯ２ＮＲ’２）、スルホネート基（−ＳＯ３Ｒ’）、ニトロ基（−ＮＯ２）、またはトリフルオロメタン基（−ＣＦ３）であり、この際、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。
【請求項６】
前記電荷発生層のＬＵＭＯエネルギーレベルと、正孔注入層物質のＨＯＭＯエネルギーレベルとの差が、−２〜＋２ｅＶ範囲内のエネルギー準位を有する物質を使用することを特徴とする、請求項５に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記電荷発生層は、抵抗加熱気相蒸着法、電子ビーム気相蒸着法、レーザビーム気相蒸着法、またはスパッタリング法によって製造されることを特徴とする、請求項５または６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記発光層と前記第２電極との間に、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層からなる群より選択される少なくとも１つの層をさらに含むことを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示素子にかかり、さらに詳細には、正孔注入層と正孔輸送層との間にある電荷発生層を用いて、駆動電圧を低減させた有機電界発光表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ：ＥＬ）素子は、自発光型表示素子であって、視野角が広く、優れたコントラストおよび優れた応答時間を有する。ＥＬ素子は、発光層を形成する材料によって、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに区分される。有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて輝度、駆動電圧、および応答速度の特性に優れている。さらに、有機ＥＬ素子は多色化が可能である。
【０００３】
一般的に、有機電界発光表示素子は、基板の上部にアノードが形成されており、前記アノードの上部に、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、およびカソードが順次に積層されている構造を有する。ここで、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層は、有機化合物から形成される有機薄膜である。
【０００４】
有機ＥＬ素子の前記アノードと前記カソードとの間に電圧が印加されると、アノードから注入された正孔は、正孔輸送層を経て発光層に移動する。一方、電子は、カソードから電子輸送層を経て発光層に注入される。その後、発光層領域でのキャリアの再結合によって、励起子が生成される。この励起子が、励起状態から基底状態に変化し、これによって、発光層の蛍光性分子が発光することによって画像が形成される。
【０００５】
前面発光の有機発光表示素子においては、素子の厚さが厚いほど、マイクロキャビティ効果が大きくなり、粒子による不良の発現を最小化する。しかし、素子全体の厚さが厚くなるにつれて、駆動電圧は上昇する。マイクロキャビティ効果は、発光層から発光する光が、カソードを経て素子の外へ出るまでの進行経路による、電界発光素子からの発光される光の波長の変化である。この効果を最大化するためには、光の本来の波長に最も近い波長を有する光が発光できるように、適切な経路が設定されなければならない。経路は、素子の有機層の厚さを調節することにより、設定されうる。一般的に、長波長を有する光であるほど、使われている有機層の厚さが厚くなる傾向を示す。すなわち、赤色光はより厚い有機層を用いて得られ、青色光はより薄い有機層を用いて得られる。それゆえ、前記有機層の適切な厚さは、所望の発光波長によって決定される。このような厚さの範囲は、好ましい周期の厚さを有し、最大化された光抽出効率が得られるが、第１周期の厚さは薄すぎて、粒子による弱い放射を防ぐことができず、第２周期の厚さは厚すぎるため、粒子による弱い放射を防ぐことができないのみならず、駆動電圧の上昇を防ぐことができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の技術的問題点を基になされたものであり、その目的は、駆動電圧が低く、発光効率および寿命に優れた有機電界発光表示素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記問題点に鑑み、鋭意研究を積み重ねた結果、正孔注入層と正孔輸送層との間に電荷発生層を備えることにより、駆動電圧が低く、発光効率および寿命に優れた有機電界発光表示素子が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に配置された正孔注入層と、前記第１電極と前記発光層との間に配置された正孔輸送層と、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に配置された電荷発生層と、を備えることを特徴とする、有機電界発光表示素子である。
【０００９】
また、本発明は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する有機電界発光表示素子の製造方法であって、前記第１電極の上部に正孔注入層を積層する工程と、前記正孔注入層の上部に電荷発生層を積層する工程と、前記電荷発生層の上部に正孔輸送層を積層する工程と、を含むことを特徴とする、有機電界発光表示素子の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、駆動電圧が低く、発光効率および寿命に優れた有機電界発光表示素子およびその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【００１２】
本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された発光層と、前記第１電極と前記発光層との間に配置された正孔注入層と、前記第１電極と前記発光層との間に配置された正孔輸送層と、前記正孔注入層と前記正孔輸送層との間に配置された電荷発生層と、を備えることを特徴とする、有機電界発光表示素子である。
【００１３】
本発明の有機電界発光表示素子に含まれる電荷発生層は、下記化学式（１）で表される化合物から形成されうる。
【００１４】
【化１】
0004790565.tif 000002
【００１５】
前記化学式（１）中、Ｒは、ニトリル基（−ＣＮ）、スルホン基（−ＳＯ２Ｒ’）、スルホキシド基（−ＳＯＲ’）、スルホンアミド基（−ＳＯ２ＮＲ’２）、スルホネート基（−ＳＯ３Ｒ’）、ニトロ基（−ＮＯ２）、またはトリフルオロメタン（−ＣＦ３）基であり、この際、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。
【００１６】
本発明に使用される前記化学式（１）の具体的な化合物の例としては、下記の化学式（２）〜（５）で表わされる化合物が好ましく挙げられる。
【００１７】
【化２】
0004790565.tif 000003
【００１８】
【化３】
0004790565.tif 000004
【００１９】
【化４】
0004790565.tif 000005
【００２０】
【化５】
0004790565.tif 000006
【００２１】
前記化学式（２）〜（５）中、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。
【００２２】
前記化学式で表される有機化合物の例は、単に理解を容易にするためのものであり、これらに限定されるものではない。
【００２３】
また、本発明の有機電界発光表示素子に含まれる電荷発生層は、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ３）、Ｆ１６ＣｕＰｃ、および金属酸化物からなる群より選択される少なくとも１種から形成されることがより好ましい。前記金属酸化物は、五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、七酸化二レニウム（Ｒｅ２Ｏ７）、またはインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）であることが好ましい。
【００２４】
電荷発生層として使用される物質は、電荷発生層のＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）エネルギーレベルと、正孔注入層物質のＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）エネルギーレベルとの差が、−２〜＋２ｅＶの範囲にあるエネルギー準位を有する物質であることが好ましい。
【００２５】
例えば、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレンの場合、ＨＯＭＯエネルギーレベルは、約９．６〜９．７ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギーレベルは、約５．５ｅＶである。また、Ｆ４−ＴＣＮＱの場合、ＨＯＭＯエネルギーレベルは約８．５３ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギーレベルは約６．２３ｅＶである。有機ＥＬ素子の正孔注入層に使われる物質の、平均的なＨＯＭＯエネルギーレベルは、約４．５〜５．５ｅＶである。したがって、電荷発生層としてヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレンを使用した場合、電荷発生層のＬＵＭＯエネルギーレベルと正孔注入層物質のＨＯＭＯエネルギーレベルとの差は、０ｅＶ〜１．０ｅＶとなる。また、電荷発生層としてＦ４−ＴＣＮＱを使用する場合、電荷発生層のＬＵＭＯエネルギーレベルと正孔注入層物質のＨＯＭＯエネルギーレベルとの差は、０．７３ｅＶ〜１．７３ｅＶとなる。
【００２６】
正孔注入層と正孔輸送層との間に形成される電荷発生層によって、駆動電圧は低減されうる。
【００２７】
本発明で用いられる電荷発生層は、抵抗加熱気相蒸着法、電子ビーム気相蒸着法、レーザビーム気相蒸着法、またはスパッタリング法などを使用して形成されうる。また、前記電荷発生層が、前記化学式（１）の、Ｒ’が炭素数５以上のアルキル、または置換されたアルキル基である化合物から形成される場合、蒸着法の代わりに、インクジェットプリンティング、スピンコーティング、ドクターブレーディング、ロールコーティングなどの、溶液を扱う方法を使用して電荷発生層が形成されうる。
【００２８】
電荷発生層は、各画素に共通した層として形成されうる。前記電荷発生層の厚さは、好ましくは、１０〜２００Åであり、より好ましくは、２０〜８０Åである。電荷発生層の厚さが１０Å未満である場合には、電荷発生効果が低下する場合があり、２００Åを超える場合には、駆動電圧の上昇や漏れ電流によるクロストークが起こる場合がある。本発明の有機電界発光表示素子は、前記発光層と前記第２電極との間に、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層から選択される少なくとも１つをさらに含むことが好ましい。
【００２９】
また、本発明は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する有機電界発光表示素子の製造方法であって、前記第１電極の上部に正孔注入層を積層する工程と、前記正孔注入層の上部に電荷発生層を積層する工程と、前記電荷発生層の上部に正孔輸送層を積層する工程と、を含むことを特徴とする、有機電界発光表示素子の製造方法を提供する。
【００３０】
図２Ａないし図２Ｃを参照して、本発明の一実施形態による有機電界発光表示素子の製造方法を説明すれば、次のようになるが、本発明の製造方法はこれに限定されるものではない。
【００３１】
まず、基板の上部に、第１電極であるアノードがコートされる。前記基板は、透明性、表面平滑性、取扱容易性、および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板などの、通常有機ＥＬ素子で用いられるいかなる基板も使用することができる。前記アノードは、仕事関数の大きい（好ましくは４．５ｅＶ以上）金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または高導電性を有するあらゆる透明物質などから形成されうる。
【００３２】
その後、前記アノードの上部に、高真空蒸着法を用いて、正孔注入層が形成されうる。正孔注入層の形成に用いられる物質の種類によっては、正孔注入層は、物質を溶媒に溶解させた後、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレーディング、インクジェットプリンティング、熱転写法、有機気相蒸着（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＯＶＰＤ）などの方法を用いて形成されうる。
【００３３】
高真空熱蒸着、またはスピンコーティングなどの、上述の方法を使用して正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）が形成される。前記正孔注入層の厚さは、１００〜２５００Åであることが好ましい。正孔注入層の厚さが１００Å未満である場合には、正孔注入特性が低下する場合があり、２５００Åを超える場合には、駆動電圧が上昇する場合がある。特に、前面構造では、マイクロキャビティの効果により生み出される所望の色によって、第２周期の正孔注入層の厚さは、１０００Å〜２５００Åであることが好ましい。
【００３４】
前記正孔注入層に用いられる物質は特に制限されない。正孔注入層の形成に用いられる物質の例としては、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）またはスターバースト型のアミン類であるＴＣＴＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（下記化学式（６）参照）、またはＩＤＥ  ４０６（出光興産株式会社製）などが好ましく挙げられる。
【００３５】
【化６】
0004790565.tif 000007
【００３６】
前記正孔注入層の上部に前記電荷発生層が形成される。前記電荷発生層の形成に使用される物質は、特に制限されないが、下記化学式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【００３７】
【化７】
0004790565.tif 000008
【００３８】
前記化学式（１）中、Ｒは、ニトリル基（−ＣＮ）、スルホン基（−ＳＯ２Ｒ’）、スルホキシド基（−ＳＯＲ’）、スルホンアミド基（−ＳＯ２ＮＲ’２）、スルホネート基（−ＳＯ３Ｒ’）、ニトロ基（−ＮＯ２）、またはトリフルオロメタン基（−ＣＦ３）であり、この際、Ｒ’は、アミン基、アミド基、エーテル基、もしくはエステル基で置換されているかまたは非置換である炭素数１〜６０のアルキル基、アリール基、または複素環基である。
【００３９】
また、前記電荷発生層の物質は、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン、Ｆ４−ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ３、Ｆ１６ＣｕＰｃ、または金属酸化物であることが好ましい。前記金属酸化物は、Ｖ２Ｏ５、Ｒｅ２Ｏ７、またはＩＴＯであることが好ましい。
【００４０】
前記電荷発生層は、抵抗加熱気相蒸着法、電子ビーム気相蒸着法、レーザビーム気相蒸着法、またはスパッタリング法などを使用して、前記正孔注入層の上部に形成されうる。前記電荷発生層は、各画素に共通した層として形成されうる。前記電荷発生層の厚さは、好ましくは、１０〜２００Å、さらに好ましくは、２０〜８０Åである。電荷発生層の厚さが１０Å未満である場合には、電荷発生の効果が低下する場合があり、２００Åを超える場合には、駆動電圧の上昇及び漏れ電流によるクロストークが起こる場合がある。
【００４１】
前記電荷発生層の上部に、真空熱蒸着またはスピンコーティングなどの多様な方法によって、正孔輸送層が形成される。前記正孔輸送層に用いられる物質は、特に制限されないが、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、またはＩＤＥ  ３２０（出光興産株式会社製）などが好ましく挙げられる（下記化学式（７）参照）。前記正孔輸送層の厚さは、５０〜１５００Åであることが好ましい。正孔輸送層の厚さが５０Å未満である場合には、正孔輸送特性が低下する場合があり、１５００Åを超える場合には、駆動電圧が上昇する場合がある。
【００４２】
【化８】
0004790565.tif 000009
【００４３】
次いで、正孔輸送層の上部に発光層を形成する。前記発光層の形成方法は、特に制限されないが、真空蒸着法、インクジェットプリンティング法、レーザ転写法、フォトリソグラフィ法、ＯＶＰＤ法などの多様な方法が使用されうる。
【００４４】
前記発光層の厚さは、１００〜８００Åであることが好ましい。発光層の厚さが１００Å未満であると、有機電界発光表示素子の発光効率および寿命が低下する場合があり、８００Åを超えると、駆動電圧が上昇する場合がある。
【００４５】
前記発光層上に、真空蒸着法またはスピンコーティング法などの方法を用いて正孔阻止層が形成されてもよい。この際、使用される正孔阻止層形成用の物質は、特に制限されないが、電子輸送能力を有し、かつ、発光化合物より高いイオン化ポテンシャルを有するものが好ましい。正孔阻止層に用いられる物質の例としては、Ｂａｌｑ、ＢＣＰ、ＴＰＢＩなどが好ましく挙げられる（下記化学式（８）参照）。正孔阻止層の厚さは、３０〜５００Åであることが望ましい。正孔阻止層の厚さが３０Å未満であると、正孔阻止特性が低下して効率が低下する場合がある。５００Åを超えると、駆動電圧が上昇する場合がある。
【００４６】
【化９】
0004790565.tif 000010
【００４７】
前記正孔阻止層上に、真空蒸着法、またはスピンコーティング法により電子輸送層が形成されてもよい。電子輸送層の材料としては、特に制限されないが、Ａｌｑ３が好ましい。前記電子輸送層の厚さは、５０〜６００Åであることが好ましい。電子輸送層の厚さが５０Å未満であると、有機電界発光表示素子の寿命特性が低下する場合があり、６００Åを超えると、駆動電圧が上昇する場合がある。
【００４８】
また、前記電子輸送層上に、電子注入層が形成されてもよい。前記電子注入層の形成材料の例としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、またはＬｉｑ（下記化学式（９）参照）などの物質が好ましく挙げられる。前記電子注入層の厚さは、１〜１００Åであることが好ましい。電子注入層の厚さが１Å未満であると、電子注入層が効果的な役割を果たせない場合があり、１００Åを超えると、前記電子注入層が絶縁層として作用するため、駆動電圧が高くなる場合がある。
【００４９】
【化１０】
0004790565.tif 000011
【００５０】
次いで、前記電子注入層を有さない場合には電子輸送層の上部に、一方、前記電子注入層を有する場合には電子注入層の上部に、真空熱蒸着法、スパッタリング法、金属−有機化合物化学蒸着法などの方法を用いて、第２電極であるカソードが形成され、有機電界発光表示素子が完成する。
【００５１】
前記カソードに用いられる金属の例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム合金（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム合金（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀合金（Ｍｇ−Ａｇ）などが好ましく挙げられる。
【００５２】
本発明の一実施形態による有機電界発光表示素子は、前述のように、アノード、正孔注入層、電荷発生層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの間に、単層または２層の中間層をさらに含んでもよい。加えて、正孔阻止層、電子阻止層が本発明の有機電界発光表示素子中に、さらに備えられていてもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明が下記実施例にのみ限定されるものではない。
【００５４】
（実施例１）
コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切って、それぞれの片をイソプロピルアルコールおよび脱イオン水の中で５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ／オゾン洗浄してアノードを形成した。
【００５５】
前記基板の上部に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着して、正孔注入層を５００Åの厚さで形成した。前記正孔注入層の上部に、電荷発生層の形成物質としてヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレンを用い、抵抗加熱気相蒸着法によって、２０Åの厚さで形成した。前記電荷発生層の上部に、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して、正孔輸送層を２００Åの厚さで形成した。
【００５６】
ＯＶＰＤ法を用いて真空蒸着して、約３００Åの厚さの発光層を形成した。前記発光層の上部に電子輸送物質であるＡｌｑ３を蒸着して、約３００Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部に、ＬｉＦを真空蒸着して厚さが１０Åの電子注入層を形成し、電子注入層の上部にＭｇ−Ａｇ合金を真空蒸着して、２００Åの厚さのカソードを形成して、有機電界発光表示素子を完成させた。
【００５７】
（実施例２）
電荷発生層の厚さを５０Åにしたことを除いては、実施例１と同様にして、有機電界発光表示素子を製造した。
【００５８】
（実施例３）
電荷発生層の厚さを８０Åにしたことを除いては、実施例１と同様にして、有機電界発光表示素子を製造した。
【００５９】
（比較例）
コーニング社製の１５Ω／ｃｍ２（１２００Å）ＩＴＯガラス基板を、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍのサイズに切って、それぞれの片をイソプロピルアルコールおよび脱イオン水の中で５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ／オゾン洗浄してアノードを形成した。
【００６０】
前記基板の上部に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを真空蒸着して、正孔注入層を１３００Åの厚さで形成した。前記正孔注入層の上部に、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して、正孔輸送層を２００Åの厚さで形成した。
【００６１】
ＯＶＰＤ法を用いて真空蒸着して、約３００Åの厚さの発光層を形成した。前記発光層の上部に、電子輸送物質であるＡｌｑ３を蒸着して、約３００Åの厚さの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部に、ＬｉＦを真空蒸着して厚さが１０Åの電子注入層を形成し、電子注入層の上部にＭｇ−Ａｇ合金を真空蒸着して、２００Åの厚さのカソードを形成して、有機電界発光表示素子を完成させた。
【００６２】
前記実施例１〜３、および比較例１によって製造された有機電界発光表示素子において、駆動電圧、効率、および寿命特性を測定した。その結果を下記表１に示す。
【００６３】
【表１】
0004790565.tif 000012
【００６４】
実施例１〜３の有機電界発光表示素子では、駆動電圧が５．５０〜５．２２Ｖであり、比較例１の有機電界発光表示素子では、駆動電圧が６．０８Ｖであった。
【００６５】
また、実施例１〜実施例３の場合には、輝度４００ｃｄ／ｍ２で３．１６〜４．１６ｃｄ／Ａであり、比較例１の場合には、輝度４００ｃｄ／ｍ２で効率が３．０４ｃｄ／Ａであった。
【００６６】
また、寿命特性は、最初の発光輝度が約５０％までに低下する時間であるが、実施例１〜３の有機電界発光表示素子は、５，０００ｃｄ／ｍ２で１，５００時間であり、比較例１の有機電界発光表示素子は、５，０００ｃｄ／ｍ２で１，０００時間であった。実施例１〜３の有機電界発光表示素子は、比較例１の有機電界発光表示素子に比べて、寿命特性が約１．５倍改善されるということが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、有機電界発光表示素子に関連した技術分野で好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】従来の技術による有機電界発光表示素子の断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による、有機電界発光表示素子の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態による、有機電界発光表示素子の断面図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態による、有機電界発光表示素子の断面図である。
【図１】
0004790565.tif 000015
【図２Ａ】
0004790565.tif 000016
【図２Ｂ】
0004790565.tif 000017
【図２Ｃ】
0004790565.tif 000018