(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハの粗研削された面取り部を、該ウエーハと第２の砥石とを相対的に傾けて精研削することにより加工する方法において、上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用い、該第１の砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削することにより該ツルアーの縁部を前記第１の砥石の上下非対称の溝形状に成形し、該ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削することにより該第２の砥石の周囲に溝を形成し、該第２の砥石の周囲に形成された溝方向に対して前記半導体ウエーハを相対的に傾けて該ウエーハの面取り部を精研削することを特徴とする半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項２】
前記第１の砥石としてメタル砥石を用い、前記第２の砥石としてレジン砥石を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項３】
前記ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削するときに前記ツルアーの縁部の上下非対称の形状を打ち消して前記第２の砥石の周囲に上下対称の形状の溝が形成されるように、前記第１の砥石の溝の上下の角度を決定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項４】
前記ツルアーとして、炭化珪素からなる砥粒をフェノール樹脂で結合して成形したものを用いることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項５】
前記半導体ウエーハとして、シリコンウエーハを加工することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項６】
前記第２の砥石による精研削後の半導体ウエーハの面取り部における上下の角度の目標値を、２２度とすることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項７】
前記第２の砥石により半導体ウエーハの面取り部を加工する前に、該ウエーハの面取り部が上下非対称の形状となるように粗研削を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの面取り部の加工方法。
【請求項８】
面取り部が粗研削された半導体ウエーハと周囲に溝が形成された第２の砥石とを相対的に傾け、該第２の砥石の溝で前記ウエーハの面取り部を精研削する場合に前記第２の砥石の溝形状を修正する方法であって、上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用い、該第１の砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削することにより該ツルアーの縁部を前記第１の砥石の上下非対称の溝形状に成形し、該ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削することにより該第２の砥石の溝形状を修正することを特徴とする第２の砥石の溝形状の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの面取り部を研削により加工する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の作製に使用されるシリコンウエーハ等の半導体ウエーハは、ハンドリングによるチッピングを防止するため、縁部を研削することで面取り加工が行われ、最近ではデバイス工程での発塵対策として研磨による鏡面面取り加工も行われている。しかし、面取り部の加工歪みが深い場合、鏡面面取り加工を行っても歪みや条痕が残留し、発塵の原因になってしまう。
【０００３】
そこで、面取り部の加工歪みを低減させる方法として、ウエーハに対して例えばレジンボンド砥石（レジン砥石）を傾けてウエーハの面取り部を研削する、いわゆるヘリカル研削を行う方法がある（特許文献１参照）。
通常の研削では、図３（Ａ）に示したようにレジン砥石１３の回転軸に対してウエーハＷの主面が垂直となる状態で面取り部を研削するが、この場合、面取り部には図３（Ｂ）に示したように円周方向の研削痕１４が発生し易い。
【０００４】
一方、ヘリカル研削を行う場合には、図４（Ａ）に示されるようにウエーハＷの回転軸に対してレジン砥石１３の回転軸が傾斜した状態でウエーハＷの面取り部を研削する。このようなヘリカル研削を行うと、図４（Ｂ）に示したようにウエーハＷの面取り部には斜め方向に弱い研削痕１５が発生するものの、ウエーハＷの面取り部と砥石１３とが面接触となり、通常研削に比べ面取り部の表面粗さが改善される効果が得られる。
【０００５】
ところが、上記のようにレジン砥石を用いてウエーハの面取り部のヘリカル研削を行うと、ウエーハの面取り部の低歪化のほか、砥石ライフの長寿命化が可能である反面、ウエーハの面取り部の上下の対称性が大きく崩れるという問題があった。特に面取り部の連続加工を行うとレジン砥石の溝の上下の角度が徐々に変化する結果、ウエーハの面取り部の非対称性が一層大きくなってしまう。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１５２２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上の問題点に鑑み、本発明は、レジン砥石等により半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削する際、ウエーハの面取り部を上下対称的な形状に面取り加工することができる半導体ウエーハの面取り部の加工方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、半導体ウエーハの粗研削された面取り部を、該ウエーハと第２の砥石とを相対的に傾けて精研削することにより加工する方法において、上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用い、該第１の砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削することにより該ツルアーの縁部を前記第１の砥石の上下非対称の溝形状に成形し、該ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削することにより該第２の砥石の周囲に溝を形成し、該第２の砥石の周囲に形成された溝方向に対して前記半導体ウエーハを相対的に傾けて該ウエーハの面取り部を精研削することを特徴とする半導体ウエーハの面取り部の加工方法が提供される（請求項１）。
【０００９】
上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用い、縁部を成形したツルアーを介してヘリカル研削により第２の砥石に溝を形成すれば、第２の砥石の周囲に上下略対称形状の溝を形成することができる。そして、この第２の砥石を用いてウエーハの面取り部をヘリカル研削すれば、ウエーハの面取り部を上下略対称形状に加工することができる。
【００１０】
この場合、前記第１の砥石としてメタル砥石を用い、前記第２の砥石としてレジン砥石を用いることができる（請求項２）。
レジン砥石は半導体ウエーハの面取り部の精研削に好適であり、また、メタル砥石はレジン砥石よりも硬質であり、ツルアーの加工に好適である。
【００１１】
この場合、前記ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削するときに前記ツルアーの縁部の上下非対称の形状を打ち消して前記第２の砥石の周囲に上下対称の形状の溝が形成されるように、前記第１の砥石の溝の上下の角度を決定することが好ましい（請求項３）。
上記のように第１の砥石の溝の上下の角度を決定し、ツルアーを介して第２の砥石をヘリカル研削すれば、上下対称形状に近い溝をより確実に形成することができる。
【００１２】
前記ツルアーとして、炭化珪素からなる砥粒をフェノール樹脂で結合して成形したものを用いることができる（請求項４）。
炭化珪素からなる砥粒をフェノール樹脂で結合して成形したツルアーであれば、メタル砥石等の第１の砥石によって好適に加工することができ、一方、加工されたツルアーを用いてレジン砥石等の第２の砥石を好適に加工することができる。
【００１３】
前記半導体ウエーハとして、シリコンウエーハを加工することが好ましい（請求項５）。
シリコンウエーハは半導体デバイス等の作製に最も多く使用されており、本発明はシリコンウエーハの面取り部の加工に極めて有用となる。
【００１４】
前記第２の砥石による精研削後の半導体ウエーハの面取り部における上下の角度の目標値を、２２度とすることができる（請求項６）。
本発明を適用すれば、面取り部の上下の角度が一般的に目標とされる２２度に極めて近く、上下が略対称形状となる面取り部に加工することができる。
【００１５】
また、前記第２の砥石により半導体ウエーハの面取り部を加工する前に、該ウエーハの面取り部が上下非対称の形状となるように粗研削を行ってもよい（請求項７）。
本発明では上下略対称形状の溝が形成された第２の砥石を用いてウエーハのヘリカル研削を行うことができるが、連続加工により第２の砥石の溝形状は徐々に変化する。そこで、ヘリカル研削後のウエーハの面取り部の角度が大きくなり易い側を予め角度が小さくなるように面取り部を粗研削しておけば、ヘリカル研削後にはより確実に上下略対称となる面取り部に加工することができる。
【００１６】
また、本発明では、面取り部が粗研削された半導体ウエーハと周囲に溝が形成された第２の砥石とを相対的に傾け、該第２の砥石の溝で前記ウエーハの面取り部を精研削する場合に前記第２の砥石の溝形状を修正する方法であって、上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用い、該第１の砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削することにより該ツルアーの縁部を前記第１の砥石の上下非対称の溝形状に成形し、該ツルアーと第２の砥石とを相対的に傾けて該第２の砥石を研削することにより該第２の砥石の溝形状を修正することを特徴とする第２の砥石の溝形状の修正方法が提供される（請求項８）。
【００１７】
第２の砥石を用いてウエーハの面取り部をヘリカル研削して連続加工すると、第２の砥石の研削用の溝が磨耗したり目詰まりするなどして溝形状が徐々に変化する。そこで、上下非対称の形状の溝が周囲に形成された第１の砥石を用いてツルアーの縁部を成形し、このツルアーを介してヘリカル研削により第２の砥石の溝形状を修正すれば、第２の砥石の溝を上下略対称形状に再生することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削する際、上下非対称の形状の溝が周囲に形成されたメタル砥石等の第１の砥石を用いてツルアーを加工し、このツルアーを用いたヘリカル研削によりレジン砥石等の第２の砥石の周囲に上下略対称形状となる溝の形成又は修正を行う。そして、この第２の砥石で半導体ウエーハの面取り部のヘリカル研削を行えば、ウエーハの面取り部を上下略対称となる形状に加工することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下添付の図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。
本発明者は、シリコンウエーハの面取り部をレジン砥石（第２の砥石）を用いてヘリカル研削する際、ウエーハの面取り部の形状が上下非対称となってしまう原因について調査を行った。
従来、例えば、シリコンウエーハの面取り部における上下の角度がともに２２度となるように面取り部を加工しようとする場合、まず、原器（第１の砥石）として、図５（Ａ）に示したように、上下の角度がそれぞれ２２度で上下対称となる溝２４を有するメタル砥石２１を作製する。そして、このメタル砥石２１の上下対称形状の溝２４に円盤状のツルアー２２を水平に押し当ててツルアー２２の縁部を研削する（図５（Ｂ））。
【００２０】
これによりツルアー２２の縁部は、メタル砥石２１の溝形状と同等、すなわち２２度の角度で上下対称形状に成形される。そして、図５（Ｃ）に示されるような、まだ研削用の溝が形成されていないレジン砥石２３をヘリカル面取り機に傾斜をつけて取り付けるとともに、縁部が成形されたツルアー２２ａを吸着テーブル２６で保持してヘリカル研削を行う。すなわち、メタル砥石２１の溝形状を、ツルアー２２ａを介してヘリカル面取り機上でレジン砥石２３に転写すれば、レジン砥石２３の周囲にウエーハの面取り部を研削するための溝を形成することができる。
【００２１】
ところが、本発明者の調査によれば、レジン砥石２３に対し、縁部を上下対称形状に形成したツルアー２２ａを用いて溝の形成あるいは修正（ツルーイング）を行うと、レジン砥石に傾斜がついているため、図５（Ｄ）に示したようにツルアー２２ａにねじれが生じ、縁部が浮き上がる現象が生じる。そのままの状態で溝の形成やツルーイングが実施されるため、レジン砥石２３の溝２５は上下が非対称の形状に加工されてしまう。そして、このようにレジン砥石２３の非対称の形状の溝２５でウエーハの面取り部をヘリカル研削すると、面取り部は上下非対称の形状に加工されてしまうことになる。
【００２２】
そこで本発明者は、半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削する場合でも、面取り部の形状を上下対称に加工する方法について鋭意研究を行った。その結果、原器として、溝形状が上下非対称となるメタル砥石を用いてツルアーの縁部を加工し、さらにこの上下非対称のツルアーを用いてレジン砥石をヘリカル研削すれば、レジン砥石の周囲に上下略対称形状となる溝を形成することができることがわかった。そして、このレジン砥石を用いて半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削により加工すれば、ウエーハの面取り部を上下略対称形状に加工することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【００２３】
以下、好適な態様としてシリコンウエーハの面取り部の加工を行う場合について説明する。
図１は本発明によりシリコンウエーハの面取り部の加工を行う工程の一例を示すフロー図であり、図２はレジン砥石に溝を形成する手順を示す説明図である。
まず、原器（第１の砥石）として、上下非対称の形状の溝４が形成されたメタル砥石１を用意する（図１（Ａ）、図２（Ａ））。このようなメタル砥石１としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属粉等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒を混ぜて成形したものを好適に用いることができる。
【００２４】
メタル砥石１の非対称の溝形状は、この溝４で研削して成形されるツルアーの縁部の形状に反映し、さらにそのツルアーを用いてレジン砥石（第２の砥石）をヘリカル研削することにより形成される溝の形状に影響することになる。従って、メタル砥石の溝４の上下の角度θ１，θ２は、レジン砥石の溝形状等を考慮して決めればよい。具体的には、ツルアーとレジン砥石とを相対的に傾けてレジン砥石を研削（ヘリカル研削）するときにツルアーの縁部の上下非対称の形状を打ち消してレジン砥石の周囲に上下対称の形状の溝が形成されるようにメタル砥石１の溝４の上下の角度θ１，θ２を決定することが好ましい。
【００２５】
次に、メタル砥石１の上下非対称形状の溝４で円盤状のツルアー２の縁部を研削してメタル砥石１の上下非対称の溝形状に成形する（図１（Ｂ）、図２（Ｂ））。
ツルアー２の材質は、メタル砥石１によって加工することができる一方、レジン砥石を研削することができるものを採用する。例えば炭化珪素からなる砥粒を、必要に応じて充填剤等も加えてフェノール樹脂で結合し、これを円盤状のツルアーに成形したものを好適に用いることができる。
炭化珪素とフェノール樹脂で構成したツルアーであれば、メタル砥石によって好適に加工することができ、また、レジン砥石の溝の形成や修正を行う場合、ツルアーの磨耗を少なく抑えることができ、同じツルアーを用いて繰り返しレジン砥石の溝をツルーイングすることができる。
【００２６】
ツルアーの縁部を加工するには、上下非対称形状の溝４が形成されたメタル砥石１と円盤状のツルアー２をともに回転させるとともに、ツルアー２の縁部をメタル砥石１の溝４に水平に当てて研削する。これにより、ツルアー２の縁部にはメタル砥石１の上下非対称の溝形状が転写されることになる。
【００２７】
次に、縁部が上下非対称の形状に加工されたツルアー２ａを用いてレジン砥石３の周囲に溝５を形成する（図２（Ｃ）、（Ｄ））。このとき、ツルアー２ａとレジン砥石３とを相対的に傾けてレジン砥石３を研削し、レジン砥石３の周囲に溝５を形成する（図１（Ｃ））。
レジン砥石３の材質は、ツルアーによって研削することで周囲に溝５を形成することができる一方、形成された溝５によってシリコンウエーハの面取り部を精研削することができるものを採用する。例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂又はポリエチレン樹脂等を主成分とし、ダイヤモンド砥粒や立方晶窒化ホウ素砥粒を混ぜて成形したものを好適に用いることができる。
【００２８】
レジン砥石３に溝５を形成するには、まず、レジン砥石３をヘリカル面取り機（不図示）に所定の傾斜角度で取り付けるとともに、縁部が成形されたツルアー２ａをヘリカル面取り機の吸着テーブル６で保持してヘリカル研削を行う。なお、ツルアー２ａによりレジン砥石３をヘリカル研削して溝５を形成する際、例えばレジン砥石３に形成される溝５の上側の角度が小さくなる傾向があれば、ツルアー２ａの縁部（面取り部）が大きい角度θ２に形成されている側を上にしてレジン砥石３をヘリカル研削する。このようにツルアー２ａを用いてレジン砥石３のヘリカル研削を行えば、ツルアー２ａの縁部の上下非対称の形状が打ち消され、レジン砥石３ａの周囲に上下略対称の形状の溝５を形成することができる（図２（Ｅ））。
【００２９】
上記のような工程を経てレジン砥石３ａの周囲に形成された溝方向に対してシリコンウエーハを相対的に傾けてウエーハの面取り部を精研削する（図１（Ｄ））。
なお、シリコンウエーハは、メタル砥石を用いて縁部を予め粗研削することにより粗面取りしておく。ウエーハの面取り部を予め粗研削しておくことで、レジン砥石３ａを用いたヘリカル研削により面取り部を短時間で精研削することができ、また、レジン砥石のライフを長期化することができる。そして、ウエーハの粗研削された面取り部を、上下略対称の形状となる溝５が形成されたレジン砥石３ａを用いてヘリカル研削すれば、シリコンウエーハは硬く、ツルアーのようなねじれは生じないため、ウエーハの面取り部にはレジン砥石３ａの溝形状が反映され、上下略対称形状となる面取り部に加工することができる。
【００３０】
なお、連続加工を行うとレジン砥石３ａも磨耗したり目詰まりして溝形状が変化し、上下の対称性が徐々に崩れてくる。そこで、レジン砥石３ａの溝形状の上下の対称性が悪化した場合には、上記のツルアー２ａを用いて溝５を形成する場合と同様に適宜ヘリカル研削をすれば、上下の対称性の高い溝形状に修正（ツルーイング）することができる。
【００３１】
なお、レジン砥石３ａによりシリコンウエーハの面取り部を加工する前に、ウエーハの面取り部がわずかに上下非対称の形状となるように粗研削を行ってもよい。ウエーハの面取り部をヘリカル研削により連続加工したとき、例えば、面取り部の上側の角度が大きくなる傾向がある場合には、ウエーハの面取り部の上側の角度が小さくなるように粗研削を行っておく。特にレジン砥石の溝形状の変化に応じ、ウエーハの面取り部が上下非対称の形状となるように粗研削を行い、これをレジン砥石によるヘリカル研削に投入すれば、ウエーハの面取り部の形状を上下略対称に連続加工することができる。
【００３２】
以上のように上下対称形状の溝が形成されたメタル砥石（原器、第１の砥石）を用い、ツルアーを介してレジン砥石（第２の砥石）に上下略対称形状となる溝を形成し、粗研削されたウエーハの面取り部をヘリカル研削することで上下略対称形状の面取り部に加工することができる。
また、本発明によりレジン砥石の溝のツルーイングを行えば、１回あたりのツルーイングに対して加工できるウエーハの枚数が増えるほか、レジン砥石のライフが延びて１つのレジン砥石で加工できるウエーハの枚数が増える。従って、半導体ウエーハの製造におけるコストの低減にもつながる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
原器として、上側が２２度、下側が２１度の角度となる上下非対称形状の溝を周囲に形成したメタル砥石（主成分：金属粉（Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｕ）、ダイヤモンド砥粒）を用意した。このメタル砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削することによりメタル砥石の溝形状に成形した。なお、ツルアーの構成は下記表１の通りである。
【００３４】
【表１】
0004742845.tif 000002
【００３５】
上記のように縁部を成形した後のツルアーをヘリカル面取り機の吸着テーブルで保持し、傾斜して取り付けてあるレジン砥石（主成分：フェノール樹脂、ダイヤモンド砥粒）の周囲をヘリカル研削することによりレジン砥石の周囲に溝を形成した。
【００３６】
（比較例１）
原器として、上下の角度が２２度となる上下対称形状の溝を周囲に形成したメタル砥石を用意した。このメタル砥石の溝で円盤状のツルアーの縁部を研削してツルアーの縁部をメタル砥石の溝形状に成形し、さらにこのツルアーを用いてレジン砥石の周囲をヘリカル研削して溝を形成した。なお、メタル砥石、ツルアー、及びレジン砥石の材質の構成は実施例１のものと同じである。
【００３７】
＜ヘリカル研削後のウエーハの面取り部＞
チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットをスライスして得たシリコンウエーハの縁部を粗面取りした。
このシリコンウエーハを上記実施例１のレジン砥石を備えたヘリカル面取り機の吸着テーブルで保持し、レジン砥石の周囲に形成した溝でウエーハの面取り部を精研削した。
【００３８】
５０枚のシリコンウエーハに対して上記のように面取り部のヘリカル研削を行い、研削後における各ウエーハの面取り部の上下の角度と、面取り部の先端の幅を測定した。測定には、コベルコ理研社製の面取り形状測定器（エッジプロファイラー）を用いた。
図６（Ａ）は、加工したウエーハの順番と、レジン砥石による精研削後の各ウエーハの面取り部における上下の角度を示している。ウエーハの面取り部における角度は上下とも目標値（２２度）に近い略対称形状であり、上下の角度とも±１度以内であった。
また、図６（Ｂ）は、面取り部の先端の幅を測定したものであり、目標値（３２０μｍ）の前後で多少ばらつきはあるものの、平均的に目標値に極めて近かった。
【００３９】
一方、比較例１で作製したレジン砥石を備えたヘリカル面取り機でも同様にシリコンウエーハの面取り部をヘリカル研削し、研削後における各ウエーハの面取り部の上下の角度と、面取り部の先端の幅を測定した。
図７（Ａ）は、加工したウエーハの順番と、レジン砥石による精研削後の各ウエーハの面取り部における上下の角度を示している。面取り部の角度は上下とも目標値（２２度）から大きくずれ、特に下側の角度が２３度を越えているものがほとんどであり、面取り部は上下非対称の形状に加工されたことがわかる。
また、面取り部の先端の幅は、図７（Ｂ）に示されるように約２０枚目以降では目標値（３２０μｍ）よりも１０μｍ程度小さいものがほとんどであった。
【００４０】
＜ツルーイング１回あたりの加工枚数＞
上記実施例１と比較例１で作製したレジン砥石をそれぞれ用いてシリコンウエーハの面取り部の連続加工を行った。また、シリコンウエーハの面取り部を上下非対称となるように粗研削を行う以外は実施例１と同じ条件でシリコンウエーハの面取り部の連続加工も行った（実施例２）。なお、研削能力の低下に伴い、所定の外周面幅、外周角度、外周形状を満たさなくなったとき、各ツルアーを用いて適宜溝の修正（ツルーイング）を行った。
【００４１】
図８は、各レジン砥石のツルーイング１回あたりに加工できたシリコンウエーハの枚数を示している。図８に見られるように、実施例１、２のレジン砥石では、ツルーイング１回につき目標とした１０００枚を越えるシリコンウエーハの面取り加工を行うことができた。
一方、比較例１のレジン砥石では、ツルーイング１回につき６００枚程度のシリコンウエーハの面取り加工しか行うことができなかった。
【００４２】
＜レジン砥石のライフ＞
実施例１のレジン砥石と比較例１のレジン砥石をそれぞれ用い、レジン砥石のツルーイングを繰り返してシリコンウエーハの面取り部の連続加工を行い、磨耗によりレジン砥石が所定の直径以下となって使用不可能となるまでに加工できたシリコンウエーハの枚数を図９に示した。この図からわかるように、実施例１のレジン砥石は、比較例１のレジン砥石に比べウエーハの加工枚数が約２５％高かった。
【００４３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４４】
例えば、上記実施形態では、レジン砥石を所定の角度で傾斜させてヘリカル研削を行う場合について説明したが、ウエーハとレジン砥石、並びにツルアーとレジン砥石は相対的に傾けて研削されればよく、例えばレジン砥石を垂直に保ち、ウエーハを傾けてヘリカル研削を行う場合にも本発明を適用することができる。
また、ヘリカル研削を行う半導体ウエーハはシリコンウエーハに限定されず、他の半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削する場合にも本発明を適用することができる。
さらに、上記実施形態では、好適な態様として、第１の砥石としてメタル砥石を、第２の砥石としてレジン砥石を用いる場合について説明したが、第１及び第２の砥石はこれらに限定されず、第１の砥石によりツルアーを加工し、ツルアーにより第２の砥石に溝を加工し、第２の砥石の溝によりウエーハの面取り部を精研削することができれば、他の材質の砥石を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの面取り部の加工方法を示すフロー図である。
【図２】本発明によりレジン砥石に溝を形成する手順を示す説明図である。
【図３】レジン砥石により半導体ウエーハの面取り部を通常の方法で研削する状態（Ａ）と研削後のウエーハの面取り部の表面状態（Ｂ）を示す概略図である。
【図４】レジン砥石により半導体ウエーハの面取り部をヘリカル研削する状態（Ａ）と研削後のウエーハの面取り部の表面状態（Ｂ）を示す概略図である。
【図５】従来の方法によりレジン砥石に溝を形成する手順を示す説明図である。
【図６】実施例１のレジン砥石を用いてシリコンウエーハの面取り部をヘリカル研削した後の面取り部の形状を示すグラフである。（Ａ）上下の角度  （Ｂ）端面の幅
【図７】比較例１のレジン砥石を用いてシリコンウエーハの面取り部をヘリカル研削した後の面取り部の形状を示すグラフである。（Ａ）上下の角度  （Ｂ）端面の幅
【図８】ツルーイング１回あたりに加工したシリコンウエーハの枚数を示すグラフである。
【図９】１つのレジン砥石で加工することができたシリコンウエーハの枚数を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４６】
１…メタル砥石（第１の砥石）、  ２，２ａ…ツルアー、  ３，３ａ…レジン砥石（第２の砥石）、  ４…メタル砥石の溝（上下非対称）、  ５…レジン砥石の溝、  Ｗ…ウエーハ。
【図１】
0004742845.tif 000003
【図２】
0004742845.tif 000004
【図３】
0004742845.tif 000005
【図４】
0004742845.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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