(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
基板テーブルの位置に関する数量を測定する基板テーブル用位置測定システムと、
パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系と、
投影系の下流側のレンズと基板との間の空間に浸漬流体を供給する流体供給システムと、
流体供給システムの位置に関する数量を測定する流体供給システム用位置測定システムと、
流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の衝突を防止する損害抑制システムであって、基板テーブルの位置に関する数量および流体供給システムの位置に関する数量から、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の空隙寸法に関する数量を計算する計算機を含み、この寸法に関する数量が予め定めた安全レベルを超えたときに警報信号を発生するようになされた損害抑制システムとを含み、
損害抑制システムが空隙寸法を較正する較正機構を含み、較正機構は流体供給システムが基板テーブルの一部に接触しているときに基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離を較正するように構成されているリソグラフィ装置。
【請求項２】
流体供給システムの位置に関する数量が投影系の焦点面に対する流体供給システムの回転位置、および投影系の焦点面に実質的に直角な軸線に沿う流体供給システムの位置を含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項３】
空隙寸法に関する数量が基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの局部的な最小の間隔距離を含み、計算機は流体供給システムおよび基板を保持する基板テーブルのそれぞれの、投影系の焦点面に対する回転位置、および流体供給システムと基板を保持する基板テーブルのそれぞれの、投影系の焦点面に実質的に直角な軸線に沿う位置から、局部的な最小距離を決定するように構成されており、請求項２に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項４】
基板テーブルの位置に関する数量が基板テーブルの位置および基板テーブルにより保持された基板の高さマップを含み、空隙寸法に関する数量は基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離を含み、計算機は基板テーブルの位置、基板の高さマップおよび流体供給システムの位置から距離を計算するように構成されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項５】
空隙寸法に関する数量が流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間隔距離の変化速度を含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項６】
流体供給システムの位置に関する数量が投影系の焦点面に対する流体供給システムの回転位置と、投影系の焦点面に実質的に直角な軸線に沿う流体供給システムの速度とを含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項７】
空隙寸法に関する数量が基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離を含み、計算機は投影系の焦点面に対する流体供給システムの、および基板を保持する基板テーブルのそれぞれの回転速度、および流体供給システムおよび基板を保持する基板テーブルのそれぞれの、投影系の焦点面に実質的に直角な軸線に沿う速度から決定するように構成されている請求項６に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項８】
基板テーブルの位置に関する数量が基板テーブルの速度および基板テーブルにより保持された基板の高さマップを含み、空隙寸法の数量が基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離の変化する速度を含み、計算機は基板テーブルの位置、基板の高さマップおよび流体供給システムの位置から変化する速度を計算するように構成されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項９】
基板テーブルに向かう流体供給システムの表面は流体供給システムの傾斜縁で制限されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１０】
流体供給システムの傾斜縁が基板テーブルに面する流体供給システムの表面に平行な方向の少なくとも１０に対して流体供給システムの表面に直角な方向に１の比率の傾斜を含む請求項９に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１１】
作動時の流体供給システムに向き合う基板テーブルの構造部の表面が基板テーブルの構造部の傾斜縁によって制限されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１２】
基板テーブルの構造部の傾斜縁が基板テーブルの構造部の表面に平行な方向の少なくとも１０に対して基板テーブルの構造部の表面に直角な方向に１の比率の傾斜を含む請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１３】
流体供給システムの表面および基板テーブルの構造部の表面がそれぞれ実質的に同じ硬さを有す材料を含む請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板テーブルの一部が、基板テーブルの適当な凹部内に配置され、かつ液体供給システムにより保持された浸漬流体が流出することを防止するよう液体供給システムを閉じる閉止ディスクを含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１５】
損害抑制システムが、警報信号の発生によって、流体供給システムを位置決めするアクチュエータの電源を遮断するように構成されている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１６】
流体供給システム用位置決めシステムが流体供給システムに作用する重力を補償するための補償力を与えるために重力補償装置を含み、補償力は基板テーブルから流体供給システムを押圧するように作用する上方へ向かう力を流体供給システムに与えるようにオーバー・ディメンションとされている請求項１５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１７】
流体供給システムが、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の空隙を実質的にシールするためにガス・ナイフを含み、ガス・ナイフのガス流は基板テーブルから離れる方向へ流体供給システムを押圧する力を流体供給システムに与えるようになされている請求項１５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１８】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系と、
投影系の下流側のレンズと基板との間の空間に浸漬流体を供給する流体供給システムと、
流体供給システムの位置を制御する流体供給システム用位置制御システムと、
流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の衝突を防止する損害抑制システムであって、流体供給システム用位置制御システムの、流体供給システム位置に影響を与えるアクチュエータを駆動するためのアクチュエータ駆動信号を予め定めた閾値と比較し、そのアクチュエータ駆動信号が閾値を超えたときに警報信号を発生するようになされている損害抑制システムとを含み、
損害抑制システムが空隙寸法を較正する較正機構を含み、較正機構は流体供給システムが基板テーブルの一部に接触しているときに基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離を較正するように構成されているリソグラフィ装置。
【請求項１９】
流体供給システムが、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の空隙を実質的にシールするためにガス・ナイフを含み、ガス・ナイフのガス流は基板テーブルから離れる方向へ流体供給システムを押圧する力を流体供給システムに与えるようになされている請求項１８に記載されたリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浸漬式のリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット箇所に、所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この場合、他にマスクまたは焦点板と称されるパターン形成装置をＩＣの個々の層に形成するべき回路パターンを作るのに使用できる。このパターンは基板（例えば、シリコン・ウェーハ）上のターゲット箇所（例えば、一個または数個のダイで形成される部分を含む）に伝えられる。パターンの伝達は典型的には基板上に備えられた放射光感応物質（レジスト）の層に結像させることで行われる。一般に、一つの基板は、次々とパターン形成される隣接したターゲット箇所のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体を一度にターゲット箇所に露光することで各々のターゲット箇所を照射するいわゆるステッパと、放射光ビームを通して所定の方向（「走査」方向）にパターンを走査すると同時に、その方向と平行または非平行に基板を同期して走査することで各々のターゲット箇所を照射するいわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることでパターン形成装置から基板へパターンを伝達することもまた可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において、投影系の最終要素、すなわち投影系の底部と、基板との間の空隙を充満するように備えられた屈折率の比較的大きな液体、例えば水、に基板を沈めて、浸漬式のリソグラフィ装置の例を形成することが提案されている。これは、露光放射線は液体中で波長が短くなることから、一層正確な投影と、一層小さい造作の像形成とを可能にする。浸漬液体の効果は、その投影系における有効開口数ＮＡの増大、および焦点深度の増大とみなせる。他の浸漬液体も提案されており、それには固体粒子（例えば、石英）で濁された水が含まれる。したがってリソグラフィ装置は、浸漬液体を供給するため、または所定箇所に液体を保持するために構成された流体供給装置を備えられる。この液体は局部的な加熱を回避するために流動される。
【０００４】
基板、または基板および基板テーブルは、浸漬液体の溜まり（浴）の中に浸される。そのような構造の一例が米国特許第４５０９８５２号に開示されており、その記載内容のすべてが本明細書で援用される。代替的に、浸漬液体は液体抑留システムを使用して基板上の局所、および投影系の最終要素と基板との間にのみ、液体供給システムにより供給されることができる。基板は一般に投影系の最終要素よりも広い表面積を有する。そのような構造の一例は、国際特許出願９９／４９５０４に開示されており、その記載内容のすべてが本明細書で援用される。液体は少なくとも一つの入口から基板上に供給される。投影系の最終要素に対して基板の移動方向に沿って供給されることが好ましく、その液体は低圧源に連結することのできる少なくとも一つの出口から排出される。最終要素の周囲の近くに配置される入口および出口の配向および個数はさまざまに可能である。さらに、液体供給システムはシール部材を備え、このシール部材は投影系の最終要素と基板テーブルとの間の空隙の境界部の少なくとも一部に沿って延在する。このシール部材はＸＹ平面内で投影系に対して実質的に静止されるが、Ｚ方向（投影系の光軸の方向）に幾分かは相対移動できる。シール部材と基板表面との間にシールが形成される。このシールはガス・シールのような無接触シールであることが好ましく、ガス・シールはガス・ベアリングとしての機能をさらに果たす。そのような構造の一例はヨーロッパ特許出願第０３２５２９５５．４号に開示されており、その記載内容のすべてが本明細書で援用される。
【０００５】
記載内容のすべてが本明細書で援用されるヨーロッパ特許出願第０３２５７０７２．３号は、ツイン段またはデュアル段の浸漬式リソグラフィ装置を開示している。その装置は、基板を支持する二つのステージを備えている。レベル測定は一方のステージにより第一の位置で浸漬液体の存在しない状態で実施され、露光は他方のステージにより第二の位置で浸漬液体の存在する状態で実施される。
【０００６】
上述したように浸漬を使用したリソグラフィ装置の既知の実施において、浸漬液体を与える液体供給システムは空気ベアリングのようなガス・ベアリングによって基板および（または）基板テーブルに対してガイドされる。ガス・ベアリングは液体供給システムと基板または基板テーブルとの間の空隙内にガスの流れを形成する。液体供給システムは空隙内を流れるそのようなガスの層上に配置されることが有効である。そのようなガス・ベアリングを使用することで、ガス・ベアリングは一般に液体供給システムと基板または基板テーブルとの間隔距離を最小限にすることから、或る程度の安全性が得られる。さらに、基板表面と、基板テーブルの基板を取囲む周辺部分の表面との間にレベル差が生じることを避けるために、選択機構が厚さに応じて基板の選択を行っている。過大または過小な厚さを有する基板は、そのような基板のリソグラフィ装置における処理が基板と基板を取囲む基板テーブルの表面との間にレベル差を生じ、これは基板から基板テーブルへ移動するときに、またはその逆において、液体供給システムの基板ならびに基板テーブルに対する衝突を引起こすので、リソグラフィ装置への取込みを拒絶される。そのような衝突は、基板表面とその基板を取囲む基板テーブルの表面との間の高さの差が、基板ならびに基板テーブルと液体供給システムとの間の空隙の高さに達するか、それ以上となる場合に生じる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施例によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板テーブルの位置に関する数量を測定する基板テーブル用位置測定システムと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系と、投影系の下流側のレンズと基板との間の空間に浸漬流体を供給する流体供給システムと、流体供給システムの位置に関する数量を測定する流体供給システム用位置測定システムと、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の衝突を防止する損害抑制システム（ｄａｍａｇｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｓｙｓｔｅｍ）とを含み、損害抑制システムは、基板テーブルの位置に関する数量および流体供給システムの位置に関する数量から、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の空隙寸法に関する数量を計算する計算機を含み、この寸法に関する数量が予め定めた安全レベルを超えたときに損害抑制システムが警報信号を発生するようになされたリソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の実施例において、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系と、投影系の下流側のレンズと基板との間の空間に浸漬流体を供給する流体供給システムと、流体供給システムの位置を制御する流体供給システム用位置制御システムと、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の衝突を防止する損害抑制システムとを含み、損害抑制システムは、流体供給システム用位置制御システムの、流体供給システム位置に影響を与えるアクチュエータを駆動するためのアクチュエータ駆動信号を予め定めた閾値と比較し、そのアクチュエータ駆動信号が閾値を超えたときに警報信号を発生するようになされたリソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
本発明のさらに他の実施例によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系と、投影系の下流側のレンズと基板との間の空間に浸漬流体を供給する流体供給システムと、流体供給システムからの浸漬流体の漏れを検出する漏れ検出システムとを含み、漏れ検出システムは流体供給システムの漏れを生じ易い領域に配置された二つの相互に隔絶された導電体を含み、この漏れ検出システムは相互に隔絶された導電体の間の電気的容量を測定することで漏れを検出するように構成されているリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
本発明の実施例が単なる例として添付の概略図面を参照して説明される。添付図面において同じ符号は同じ部分を示している。
【実施例１】
【００１１】
図１は本発明の一実施例のリソグラフィ装置を模式的に示している。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射線または他の適当な放射線）を調整するようになされた照射系（照射装置）ＩＬと、パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、或るパラメータにしたがってパターン形成装置を正確に位置決めするようになされている第一の位置決め装置ＰＭに連結されたマスク支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴとを含む。この装置はまた、基板（例えばレジスト被覆ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、或るパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするようになされた第二の位置決め装置ＰＷに連結されている基板テーブル（例えばウェーハ・テーブル）ＷＴ、すなわち「基板支持部」を含む。この装置はさらにまた、基板Ｗのターゲット箇所Ｃ（例えば一つ以上のダイを含む）に対し、パターン形成装置ＭＡによって放射ビームＢに与えたパターンを投影するようになされた投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳを含む。
【００１２】
放射光の方向決め、成形、または制御のために、照射系は各種形式の光学部材、例えば屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式、または他の形式の光学要素、またはそれらのいずれかの組合せ、のようなさまざまな形式の光学要素を照射系は含むことができる。
【００１３】
マスク支持構造は、パターン形成装置を支持する、すなわちその重量を支える。この支持構造は、パターン形成装置の配向、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターン形成装置が真空環境中に保持されているか否かのような他の条件に応じた方法で、パターン形成装置を保持する。マスク支持構造はパターン形成装置を保持するために、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を使用することができる。マスク支持構造は、フレームまたはテーブルとされ、例えばそれらは要望に応じて固定または可動とすることができる。マスク支持構造は、パターン形成装置が例えば投影系に対して所望位置にあることを保証できる。本明細書での「焦点板」や「マスク」という用語の使用は、より一般的な用語の「パターン形成装置」と同義であるとみなすことができる。
【００１４】
本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、例えば基板のターゲット箇所にパターンを形成するため、横断面にパターンを有した放射ビームを与えるために使用できるあらゆる装置を示すものと広く解釈されねばならない。放射ビームに与えられたパターンは、例えば、パターンが位相シフトの造作や、いわゆる補助造作を含むならば、基板のターゲット箇所に望まれるパターンと厳密には一致しないことに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路のようなターゲット箇所に形成されるデバイスの特定の機能層に一致する。
【００１５】
パターン形成装置は透過式または反射式とされる。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレー、およびプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、二値式、交番位相シフト式、および減衰位相シフト式のようなマスク形式、並びに各種のハイブリッド・マスク形式を含む。例とするプログラム可能なミラー・アレーは小さなミラーのマトリックス配列を使用し、各ミラーは入射する放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾動できる。この傾いたミラーが、ミラー・マトリックスで反射される放射ビームにパターンを与える。
【００１６】
本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用される露光用放射光に適当であるように、または浸漬液体や真空を使用するような他の要因に対して適当であるように、屈折式、反射式、屈折反射式、磁気式、電磁式、静電式の光学システム、またはそれらのいずれかの組合せを含むいずれかの形式の投影系を包含するものとして広く解釈されねばならない。「投影レンズ」という用語の本明細書におけるいずれの使用も、「投影系」というさらに一般的な用語と同義であるとみなすことができる。
【００１７】
本明細書で示すように、この装置は透過式（例えば透過式マスクを使用）のものである。これに代えて、この装置は反射式（例えば上述で引用したような形式のプログラム可能なミラー・アレーを使用するか、反射式マスクを使用する）のものとすることができる。
【００１８】
このリソグラフィ装置は二つ（デュアル・ステージ）またはそれ以上の基板テーブルすなわち「基板支持部」（および（または）二つまたはそれ以上のマスク・テーブルすなわち「マスク支持部」）を有する形式のものである。このような「複数ステージ」の機械では、追加されるテーブルすなわち支持部は平行して使用されるか、または、一つ以上のテーブルすなわち支持部が露光に使用される間に、一つ以上のテーブルすなわち支持部では準備段階が遂行される。
【００１９】
このリソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的大きい屈折率の液体、例えば水で覆われ、投影系と基板との間の間隙がその液体で満たされるようになされる形式とすることもできる。浸漬液体はリソグラフィ装置の別の空間、例えばマスクと投影系との間に与えられることもできる。浸漬技術は投影系の開口数を大きくするために使用できる。本明細書で使用される「浸漬」という用語は、基板などの構造が液体中に沈められねばならないことを意味するのではなく、むしろ露光時に投影系と基板との間に液体が位置することを単に意味する。
【００２０】
図１を参照すれば、照射装置ＩＬは放射ビームを放射源ＳＯから受取る。この放射源およびリソグラフィ装置は、例えば供給源が励起レーザーである場合、別個の装置とされる。この場合、供給源がリソグラフィ装置の一部を形成すると考えられるのではなく、例えば適当な方向決めミラーおよび（または）ビーム拡張器を含むビーム導入系ＢＤによって放射ビームは放射源ＳＯから照射装置ＩＬへ送られる。他の例では、例えば放射源が水銀ランプである場合、放射源はリソグラフィ装置と一体の部分とされる。放射源ＳＯおよび照射装置ＩＬは、必要ならばビーム導入系ＢＤも一緒にして、放射系と称される。
【００２１】
照射装置ＩＬは、放射ビームの角度の大きさの分布を調整するようになされた調整器ＡＤを含む。一般に、照射装置の瞳面内のこの大きさの分布の少なくとも外側および（または）内側の半径方向範囲（一般にそれぞれσアウターおよびσインナーと称される）は調整することができる。さらに、照射装置ＩＬは集積光学装置ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他のさまざまな要素を含むことができる。照射装置は、放射ビームの横断面に所望の均一性および大きさ分布を与えるように放射ビームを調整するのに使用できる。
【００２２】
放射ビームＢは支持構造（例えばマスク・テーブルＭＴ）上に支持されたパターン形成装置（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターン形成装置によってパターン化される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは投影系ＰＳを通過し、この投影系ＰＳが基板Ｗのターゲット箇所Ｃに放射ビームＢを結像させる。第二の位置決め装置ＰＷおよび位置センサーＩＦ（例えば干渉式装置、リニア・エンコーダまたは容量式センサー）によって、例えば、放射ビームＢの光路内に別のターゲット箇所Ｃを位置決めするように基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスク保管部からのマスクの機械的な取出しの後、または走査の間に、放射ビームＢの光路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために、第一の位置決め装置ＰＭおよび他の位置センサー（図１に明瞭には示されていない）を使用することができる。一般にマスク・テーブルＭＴの動きは長いストロークのモジュール（粗い位置決め）と、短いストロークのモジュール（微細な位置決め）とによって実現されるのであり、それらは第一の位置決め装置ＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」の動きは長いストロークのモジュールと、短いストロークのモジュールとを使用して実現されるのであり、それらは第二の位置決め装置ＰＷの一部を形成する。ステッパ（スキャナに対するものとして）の場合、マスク・テーブルＭＴは短いストロークのアクチュエータのみに連結されるか、固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク整合マークＭ１，Ｍ２および基板整合マークＰ１，Ｐ２を使用して整合される。基板整合マークは図示したように専用のターゲット箇所の部分を占めるが、それらはターゲット箇所の間の空間に配置される（それらは罫書きレーンの整合マークとして知られている）。同様に二つ以上のダイがマスクＭＡに備えられている場合には、マスク整合マークはダイの間に位置させることができる。
【００２３】
この明細書において基板テーブルやウェーハという用語が使用されるが、これは技術分野においてステージやチャックと称され、すなわちミラー・ブロック組立体（その上に、例えば位置センサーＩＦの干渉計ビームが反射される）およびそれに取付けられた基板保持用テーブルと称されることが理解される。ステージはさらにまた位置決め装置ＰＷの静止部分を含む。
【００２４】
記載した装置は以下のモードの少なくとも一つにおいて使用することができる。
【００２５】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴすなわち「マスク支持部」および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」は基本的に静止され、放射ビームに与えられたパターン全体が一度（すなわち一回の静止露光）にターゲット箇所Ｃに投影される。その後に基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」はＸ方向および（または）Ｙ方向へ移動され、別のターゲット箇所Ｃが露光できるようになされる。このステップ・モードでは、露光視野の最大寸法が一回の静止露光にて結像されるターゲット箇所Ｃの寸法を制限する。
【００２６】
２．走査モードでは、マスク・テーブルＭＴすなわち「マスク支持部」および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」が同期して走査され、その間に放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃに投影される（すなわち、一回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴすなわち「マスク支持部」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」の速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大寸法が一回の動的露光におけるターゲット箇所の幅（走査方向でない方向の）を制限するのに対して、走査動作の移動長さはターゲット箇所の高さ（走査方向）を決定する。
【００２７】
３．他のモードでは、マスク・テーブルＭＴすなわち「マスク支持部」は本質的に静止状態に保持されてプログラム可能なパターン形成装置を保持する。基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」は、放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃに投影される間、移動または走査される。このモードでは、一般にパルス化された放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成装置は基板テーブルＷＴすなわち「基板支持部」の各々の移動後に、または走査時の連続した放射パルスの間に、必要ならば最新版にアップデートされる。この作動モードはマスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができ、そのようなリソグラフィとは上述で引用した形式のプログラム可能なミラー・アレーのようなプログラム可能なパターン形成装置を使用するものである。
【００２８】
上述した使用モードまたは全く異なる使用モードの組合せおよび（または）変更形のモードも利用することができる。
【００２９】
図２は、基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴを示している。投影系ＰＳは基板Ｗのターゲット箇所に例えばパターンを投影する。流体供給システム、すなわちこの実施例では液体供給システムＬＳが浸漬流体、すなわちこの例では浸漬液体を投影系ＰＳの下流側のレンズＤＬと基板Ｗとの間の空間内に与える。さらに図２は、流体供給システムの位置に関する数量を測定するための流体供給システムの位置測定システムとして、液体供給システム用位置測定システムＬＳＰを模式的に示している。干渉計ＩＦ１，ＩＦ２が、干渉計ＩＦ１，ＩＦ２のそれぞれと基板テーブルＷＴとの間のビーム長さを測定する。これにより、基板テーブル用位置測定システムＷＴＰＭは基板テーブルＷＴの位置を決定することができる。さらに、流体供給システム、詳しくはこの例においては液体供給システムＬＳと、基板を保持する基板テーブルとの間に衝突が生じることを防止するために、損害抑制システムが備えられる。この損害抑制システムＤＣＯＮは、液体供給システムと基板テーブルならびに基板との間の空隙（ＧＡＰ）寸法に関する数量を計算するための計算機ＣＡＬＣを含む。計算機ＣＡＬＣはこの寸法に関する数量を、基板テーブル用位置測定システムＷＴＰＭで与えられる基板テーブルの位置に関する数量と、液体供給システム用位置測定システムＬＳＰで与えられる液体供給システムの位置に関する数量とから計算する。損害抑制システムは、寸法に関する数量が予め定めた安全レベルを超えたときに警報信号を発生することができる。したがって、損害抑制システムＤＣＯＮは空隙寸法に関する数量を予め定めた安全レベルと比較するための比較器を備える。
【００３０】
基板テーブル用位置測定システムは、エンコーダ、容量式位置センサー、干渉計、または既知の位置測定装置のいずれかの組合せのようなあらゆる形式の位置センサーを使用する。浸漬流体は浸漬液体または浸漬ガスを含む。浸漬流体はいずれかの適当な液体を含み、現在の実例では超純水のような水が適用されるが、他の液体も可能である。液体供給システム用位置測定システム、より一般的な用語では流体供給システム用位置測定システムは、例えば一つ以上の多次元エンコーダ単体、一つ以上の干渉計、一つ以上の容量式位置センサー、またはそれ自体が既知の他のいずれかの位置センサー、ならびにいずれかの位置センサーの組合せのようないずれかの形式の位置センサーを使用する。基板テーブル用位置測定システム、流体供給システム用位置測定システム、および損害抑制システムは専用のハードウェア、例えば専用の電子装置に部分的または全体的に備えられるが、リソグラフィ装置のそれらの要素の機能の少なくとも一部はマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロコントローラ・ネットワーク、コンピュータネットワークなどのコンピュータ装置にて実行される適当なソフトウェア指令の形で提供されることも可能である。また、この機能の少なくとも一部は、プログラム可能電子回路のようなプログラム可能装置に備えられることも可能である。
【００３１】
図２はＸ，ＹおよびＺ軸を示している。ＹおよびＺ軸は図２の紙面に位置するものと理解すべきである。Ｘ軸はこの大いに模式化した図面においては、紙面に垂直であると理解すべきである。さらに、Ｘ，ＹおよびＺ軸は基板テーブルＷＴ、基板Ｗ、液体供給システムＬＳおよび投影系ＰＳのみに関係し、図２に示されている他の要素はブロックとしてのみ模式的に示されており、したがって図示のようにＸ，ＹおよびＺ軸との関係はない。
【００３２】
基板テーブル位置に関する数量ならびに液体供給システム位置に関する数量は、位置、速度、加速度などを含むいずれかの位置に関する数量を含む。同様に、間隙寸法に関する数量もまた、例えば距離、距離の変化する速度、液体供給システムおよび基板テーブルならびに基板の相対的な加速度などを含むいずれかの形式の寸法に関する数量を含む。さらに、本明細書において、液体供給システムと基板を保持する基板テーブルとの間の空隙に関連するなどで「基板を保持する基板テーブル」という用語が与えられたときに、これは基板、基板テーブルおよび（または）その両方を含むものと理解すべきである。したがって、液体供給システムと基板を保持した基板テーブルとの間の空隙の例において、これは液体供給システムと基板テーブルとの間の空隙、液体供給システムと基板テーブルならびに基板との間の空隙と理解すべきである。
【００３３】
上述した損害抑制システムは、液体供給システムおよび基板ならびに基板テーブルの間の空隙寸法に関する数量を計算することにより、液体供給システムならびに基板および（または）基板テーブルの損害を防止することができる。既存の、すなわち流体供給システム用位置測定システムおよび基板テーブル用位置測定システムに関する既知の位置測定システムを使用すること、および既知のリソグラフィ装置に既に与えられている位置測定システムを使用することは可能である。これは、リソグラフィ装置に含める追加のハードウェアの量を減少させるので、装備を簡単にする。本明細書に記載するリソグラフィ装置は、液体供給システムと基板または基板テーブルもしくはその両方との衝突による液体供給システム、基板および（または）基板テーブルの損害を防止する。本明細書に記載するこの実施例は、活動的に位置決めされる液体供給システムと、より一般的な用語によれば流体供給システムとの組合せが特に有利であるが、現状技術によるガス・ベアリングでガイドされる液体供給システムでは、固有の安全問題は有利とはならない。液体供給システムのそのような活動的な位置決め装置には、電気モータ、圧電駆動装置、空気圧式位置決め装置などのモータを含むあらゆる形式のアクチュエータを使用した位置決め装置が含まれる。
【００３４】
流体供給システムの位置に関する数量は、投影系の焦点面に対する流体供給システムの回転位置を含む。投影系の焦点面は、ＸおよびＹ軸で定められた平面に実質的に平行な平面内に位置される。流体供給システムの位置に関する数量は、この好ましい実施例においては、さらに焦点面に実質的に直角な軸線、すなわちＺ軸に沿った流体供給システムの位置を含む。本明細書に関連して、「回転位置」という用語は、説明したように平面に対する回転と理解すべきである。回転位置は、したがって本明細書ではＸ軸に対する回転および（または）Ｙ軸に対する回転を含む。この好ましい実施例は、比較的簡単な構造を可能にする。現状技術によれば、基板テーブルの位置は一般に６自由度（三軸を含む三次元座標系に沿う三つの次元、ならびにそれぞれの軸に対する三つの回転）にて測定される。空隙の寸法に関する数量としてそれぞれの部分の間隔距離が使用される場合、空隙寸法を計算するために必要なすべての位置情報を得るためには、図２における液体供給システムのＺ軸に沿う位置、ならびにＸおよびＹ軸で定められた平面に対するその回転を知ることが要求される。
【００３５】
空隙寸法に関する数量は、基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの間の局部的な最小距離を含み、計算機は、流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとのそれぞれの、投影系の焦点面に対する回転位置から、また流体供給システムと基板を保持する基板テーブルとのそれぞれの、投影系の焦点面に実質的に直角な軸線に沿う一から、局部的な最小距離を決定する。「局部的な最小距離」は、基板テーブルならびに基板と液体供給システムとの間の最小距離、すなわち距離が最小である位置における距離と理解しなければならない。したがって、液体供給システムは図２において、紙面内で右方向へ僅かに回転される、すなわちＸ軸に対して時計方向に回転されると仮定すると、局部的な最小距離は紙面において液体供給システムの右側に見られることになる。この局部的な最小距離を計算する利点は、空隙が最小であるすなわち最小距離となる位置で安全性がもっとも望まれ、その位置において距離が大きなその他の位置よりも衝突が起こり易いということから、この距離が衝突を防止するために使用されるパラメータになるということである。
【００３６】
上述した好ましい実施例に加えて、またはその代わりに、基板テーブルの位置に関する数量は基板テーブルの位置および基板テーブルで保持された基板の高さマップＨＭＡＰを含み、空隙寸法に関する数量は基板を保持する基板テーブルと流体供給システムとの間隔距離を含み、計算機は基板テーブルの位置、基板の高さマップＨＭＡＰおよび流体供給システムの位置からこの距離を計算する。基板の高さマップＨＭＡＰは二段式（デュアル・ステージ）リソグラフィ装置の第二ステージで決定されるか、他の測定装置によって決定される。高さマップＨＭＡＰは基板の複数の位置での高さ情報または厚さ情報を含み、したがって基板の位置に応じた厚さまたは高さ情報を与える。高さマップはさらに基板を取囲む基板テーブルの部分の高さ情報を含む。高さマップを使用する利点は、基板の高さの変化を考慮できるようにすることである。すなわち、基板が比較的厚い箇所では、液体供給システムと基板との間の空隙は基板が比較的薄い箇所よりも狭くなる。また、基板の処理や層の追加によって、基板の厚さは製造過程で厚くなり得るのであり、これにより液体供給システムと基板との間の空隙は狭くなるように導かれる。
【００３７】
位置に関する数量として位置を使用する代わりに、またはそれに加えて、したがって基板テーブルならびに液体供給システムの位置に関する数量の代わりに、またはそれに加えて、位置に関する数量は基板テーブルの速度ならびに液体供給システムの速度のような速度を含めることも可能である。この速度は、速度測定装置、例えば液体供給システムならびに基板テーブルの速度を測定する適当な中央装置（ｃｅｎｔｒｅ）を使用して決定することができるが、比較的簡単に信頼性を有して実施できる実際の設備は、それぞれの部分（すなわち液体供給システムおよび（または）基板テーブル）の位置を第一の瞬時に決定し、また第二の瞬時にそれらの部分の位置を決定し、これらの二つの瞬時に測定した位置からマイクロプロセッサ、マイクロコントローラまたは専用のハードウェアのような計算機を使用して速度を計算することができる。
【００３８】
位置に関する数量として速度を使用する利点は、早期に警報メッセージを発信できるようにすることである。すなわち、液体供給システムおよび基板テーブルが互いに向かう速度を有するとみなされた場合、その速度が或る値を超えたときには既に重大状況であると推測される。基板テーブルならびに液体供給システムの慣性によって、空隙が小さな寸法であればそれらの要素の互いに向かう速度は衝突を生じることになり得る。したがって、位置に関する数量が速度を含む好ましい実施例は、衝突しそうな状態が前もって容易に推測できるので、衝突を高い確度で防止できることになる。一実施例において、二つの瞬時における、すなわち二つの連続したサンプリング時点における液体供給システムならびに基板テーブルの位置の測定によって速度を決定して、第一および第二の瞬時における位置測定値の位置的な差から、それぞれの部分の速度を概算することができる。液体供給システムならびに基板テーブルの速度から、互いの相対的な速度が計算でき、その相対速度が予め定めた安全レベル超えたときに警報メッセージが発信されるようにできる。
【００３９】
上述した本発明の全ての実施例は、位置に関する数量が速度を含む実施例と組合されて、上述した好ましい実施例の利点に加えて、重大な状況を早期に認識できるという付加的な利点を与える。例えば、回転速度、局部的な最小距離の変化速度などは、重大な状況を早期に認識できるようにする。さらに、位置に関する数量は位置ならびに速度を含み、重大状況の起きる可能性を一層厳密に認識させることが可能である。すなわち、それぞれの部分の間隔距離が大きい場合には、互いに向かう速度が高速でも許容できるが、それぞれの部品の間隔距離が小さければ、互いに向かう速度は低速でなければ許容できない。
【００４０】
図３ａは、基板テーブルＷＴ上に位置された基板Ｗを示している。液体供給システムＬＳは基板Ｗの頂部の上に位置されている。図３ａはさらに基板テーブルのＷＴＳで表す構造部を示している。この構造部は閉止用ディスク、伝達像センサーを含み、またはさまざまな他の要素および機能を含み得る。この構造部ＷＴＳの表面が図３ａに概略的に示されるように基板Ｗの表面と同じレベルでないときに、問題が生じる。これは、換言すれば、液体供給システムＬＳが図３ａの平面内で左側へ移動する場合に液体供給システムＬＳと構造部ＷＴＳとの間に衝突を生じる。この問題を少なくとも一部緩和するために、好ましい実施例では、基板テーブルに面する流体（液体）供給システムの表面に、図３ｂに示されるような流体供給システムの傾斜縁ＳＫＦＬを備えることが提案された。一実施例において、この傾斜縁は、基板テーブルに面する液体供給システムの表面ＳＬＳに平行な方向の少なくとも１０に対して、液体供給システムの表面ＳＬＳに直角な方向の１の比率の傾斜を含む。
【００４１】
液体供給システムの傾斜縁に代えて、またはそれに加えて、作動時の流体供給システムに面する基板テーブルの構造部の表面が、基板テーブルの構造部の傾斜縁ＳＫＷＴＳで制限されることもできる。衝突時の損害を防止するために、基板テーブルの構造部の傾斜縁ＳＫＷＴＳは、基板テーブルの構造部の表面に平行な方向の少なくとも１０に対して、基板テーブルの構造部の表面に直角な方向の１の比率の傾斜を含むことが好ましい。衝突が生じた場合、傾斜縁ＳＫＦＬおよび（または）ＳＫＷＴＳによって液体供給システムＬＳと構造部ＷＴＳのそれぞれの部分が互いに滑って乗り上げることになり、実質的ないかなる損傷も生じないので、損害は防止される。さらに、衝突した場合の損害を最小限に抑えるために、流体供給システムの表面および基板テーブルの構造部の表面はそれぞれ実質的に同等の硬さを有する材料を含む。
【００４２】
図４は基板Ｗを保持する基板テーブルＷＴを示している。基板テーブルＷＴは、基板Ｗが例えば適当な基板操作装置で基板テーブルＷＴから取外せるように投影系ＰＳに対して移動されている。したがって、基板テーブルＷＴは図面の紙面において右側へ移動されるか、投影系ＰＳが図面の紙面において左側へ移動されていることが可能である。液体供給システムＬＳはここで閉止ディスクＣＬＤにより閉じられて、液体供給システムＬＳにより保持された浸漬液体が流出することを防止される。この実施例では、閉止ディスクＣＬＤは別個のディスクを含んでなるが、閉止ディスクは基板テーブルＷＴの一体部分を形成することも想像できる。図２に示された損害抑制システムの較正がここで実行され、液体供給システムＬＳはこの状態において閉止ディスクＣＬＤに対して押圧され、閉止ディスクＣＬＤは基板テーブルＷＴに対して押圧されている。したがって、液体供給システムＬＳと基板テーブルＷＴとの間の既知の位置関係はこの状態において存在する。ここで、例えば図２に示された液体供給システム用位置測定システムＬＳＰによって液体供給システムの位置を決定すること、また例えば図２に示された基板テーブル用位置測定システムＷＴＰＭによって基板テーブルの位置を決定することで、位置の差が決定され、液体供給システムと基板テーブルとの間の空隙が図２に示された計算機ＣＡＬＣによって計算される。計算結果は、その後比較器（図示せず）で予め定めた値を含むであろう空隙の期待値と比較され、計算した空隙寸法が期待される空隙寸法と一致しない場合には、適当なパラメータ、例えば液体供給システム用位置測定システムＬＳＰが再度較正される。
【００４３】
したがって図２において較正機構は計算機ＣＡＬＣの出力を与えられる第一の入力部と、空隙の予想される損害が与えられる第二の入力部と、出力部とを含むブロックによってブロック模式図として示されており、その出力は較正のために液体供給システム用位置決めシステムに与えられる。これに代えて、較正機構は一つ以上の他の適当な部分の較正、例えば損害抑制システムＤＣＯＮ、または特に計算機ＣＡＬＣの較正のために備えられることが可能である。また、計算された空隙の損害と予想された空隙の寸法との間の差を補償するために、適当なオフセットが計算機ＣＡＬＣに与えられる。ここに記載する実施例では、閉止ディスクが使用されているが、基板テーブルの他の適当な部分を適用することもできる。さらに、図４に示されるように、閉止ディスクは基板テーブルの適当な凹部内に位置させることができる。
【００４４】
警報信号が発せられると、損害抑制システムは流体供給位置決めシステムのアクチュエータに対する電源を遮断する。これは非常に迅速な作動を与え、流体供給システムの非常に迅速な停止をもたらし、例えば基板ならびに基板テーブルに損害抑制システムがさらに接近することを防止する。これに代えて、損害抑制システムは液体供給位置決めシステムの設定点へ移動させる信号、すなわち液体供給システム用位置測定システムを基板ならびに基板テーブルから引離す方向へ移動させる信号を与えることが可能である。また、損害抑制システムは警報信号が発せられたことにより基板テーブル位置決め装置の電源を遮断できることも認識されるであろう。
【００４５】
さらに、流体供給システムは流体供給位置決めシステムのアクチュエータが消勢されたときに基板テーブルから離れる方向へ押圧されるようにすることができる。その力は、流体供給システムに対して上方へ向かう力を与えるようにオーバー−ディメンション（ｏｖｅｒ−ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｅｄ）とされた重力補償装置（磁気式重力補償装置など）によって与えることができる。これに代えて、または加えて、その力は液体システムと基板テーブルまたは基板との間の空隙をシールするように機能するガス・ナイフで与えられることができる。このガス・ナイフのガス流は基板テーブルから離れる方向へ液体供給システムを押圧する力を液体供給システムに作用させる。重力補償装置やガス流で行われようとも、あるいはその他の方法で行われようとも、液体供給システムを位置決めするアクチュエータが例えば警報信号ＷＳＩＧによって消勢された場合に液体供給システムは基板テーブルまたは基板から離れる方向へ移動されるので、そのような上方へ向かう力によって安全性は高められる。
【００４６】
図５は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ、投影系ＰＳおよび液体供給システムＬＳを示している。さらに図５は、液体供給システムＬＳの位置に関する設定点を発信する設定点発生器ＳＥＴＰ、制御装置ＣＯＮＴ、液体供給システムＬＳを駆動するアクチュエータＡＣＴ、および液体供給システムの位置を測定する位置センサーＳＥＮＳを含む。図５に示すように、フィードバック・ループが形成される。液体供給システム用位置制御システムのアクチュエータＡＣＴを駆動するアクチュエータ駆動信号ＡＣＴ−ＤＲは図５に概略的に示すように損害抑制システムＤＣＯＮに与えられる。損害抑制システムＤＣＯＮは比較器ＣＯＭＰによりアクチュエータ駆動信号ＡＣＴ−ＤＲを予め定められた閾値である閾値ＴＨＲと比較して、アクチュエータ駆動信号がその閾値を超えたときに警報信号ＷＳＩＧを発信する。液体供給システムから液体供給システムＬＳと基板Ｗまたは基板テーブルＷＴとの間の空隙に流入するガス流は（このガス流は液体供給システムが定める空間内に液体を閉じ込めるように作用し、そこから液体供給システムと基板ならびに基板テーブルとの間の空隙へ液体がもれることを防止する）、基板テーブルＷＴおよび（または）基板Ｗに対して液体供給システムＬＳを上方へ押圧する力を発生する。したがって、アクチュエータＡＣＴは正常作動状態においてはガス流が発生する上方への力を補償するために液体供給システムＬＳに下方へ向かう力を作用させねばならない。液体供給システムが基板または基板テーブルに接近すればするほど、ガス流による力は大きくなり、したがってそのような液体供給システムに作用する上方への力を補償するためにアクチュエータＡＣＴによる力はさらに大きくされねばならない。アクチュエータＡＣＴにより与えられるこの大きな力はアクチュエータ駆動信号ＡＣＴ−ＤＲの対応する値に反映される。したがって、空隙が小さい重大寸法になったときには、液体供給システムに比較的大きな上方への力がガス流によって作用され、これはアクチュエータ駆動信号の対応する値を生じる。空隙が過小、すなわち或る限界値より狭くなったときには、補償装置はアクチュエータ駆動信号が閾値を超えたことを検出し、したがって警報信号ＷＳＩＧを発信する。図５に関連して、液体供給システムに作用する上方への力は、ガス・ナイフ、ガス・シールなどのガス流で発生される力として説明した。しかしながら、この上方へ向かう力は他のいずれかの機構によっても発生でき、または、液体供給システムと基板ならびに基板テーブルの間の望ましくない機械的接触が生じた場合に浸漬液体の流れを引き起こす。
【００４７】
図６ａは浸漬液体の漏れを検出する漏れ検出システムの一部を示している。漏れ検出システムは第一の導電体ＣＯＮＤ１と第二の導電体ＣＯＮＤ２とを含む。第一および第二の導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２は互いに絶縁されている。したがって、まったくまたは実質的に両者間に電気的導通はない。この二つの導電体は流体供給システムの漏れが生じ易い領域に配置される。図６ａは例えば流体供給システムの頂面として理解され、この例では浸漬液体を保持する容器部は導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２と同心的に配置され、導電体で取囲まれる。幾分かの浸漬液体がこの容器部から漏れて導電体に達した場合（浸漬液体ＩＭＬの液滴の例が図６ａに示されている）、浸漬液体が存在することにより、導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２の間の電気的容量は浸漬液体ＩＭＬの誘電特性のために変化する。漏れ検出システムは、相互に絶縁された導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２の間の電気的容量を測定するように構成される。容量式の漏れ検出装置を使用する利点は、抵抗式漏れ検出装置を使用する従来の漏れ検出装置（したがって第一および第二の導電体の間の抵抗を測定し、それゆえにそれぞれの導電体と浸漬液体との間の電気的接触を必要とする）の場合のように導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２と浸漬液体との間に電気的接触を確立する必要がないために、無接触測定が可能になることである。電気的接触が回避されることから、導電体による、または電解的作用による浸漬液体の汚染は回避される。容量式検出装置の他の利点は、浸漬液体が一つ以上の付随する容量と組合って形成する抵抗によって、抵抗式漏れ検出装置内部に形成される付随的フィルタが省略されるので、迅速な検出装置を構成できることである。二つの導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２により形成されるキャパシタの読取り回路は、例えば相互コンダクタンス増幅器またはそれ自体は周知である容量式センサー用の他の読取り回路を使用する。導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２は、例えばプラスチックを含む実質的な非導電層で覆われて、導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２と（漏れた）浸漬液体との間の電気的接触の確立を防止する。したがって、浸漬液体の電気分解および（または）導電体によるその汚染が防止される。
【００４８】
図６ａに示されるように、二つの導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２は同心的なリング形状の導電体を含む。上述したように、導電体は液体供給システムの頂面に配置され、したがって投影系の下側レンズに向き合わされるが、この頂面の導電体に加えて、またはその代わりに、液体供給システムの底面に導電体が配置されて基板を保持する基板テーブルに向き合わせることができる。最初の例では、液体供給システムの頂面で生じる漏れが検出される一方、後の例では液体供給システムの底端にて液体供給システムと基板または基板テーブルの間の空隙内で生じた漏れが検出される。
【００４９】
図６ｂは浸漬液体ＩＭＬを保持する液体供給システムＬＳの一部の横断側面図を示すいっそう詳細な実施例の一部を示している。空隙ＧＡＰ内への浸漬液体ＩＭＬの漏れを防止するために、浸漬液体を吸引し、および（または）浸漬液体の漏れなどを防止するガス流を与えるための複数のチャンネルＣＨＮが備えられる。それにもかかわらずに幾分かの浸漬液体ＩＭＬがチャンネルＣＨＮを通過するならば、漏れ検出システムＬＤＳは図６ｂに示されるように浸漬液体ＩＭＬの液滴で引き起こされる導電体ＣＯＮＤ１，ＣＯＮＤ２の間の電気的容量の変化を検出する。図６ｂは図６ａと同じ倍率で描かれておらず、むしろ図６ｂは図６ａの概略図を詳細に示す倍率とされていることが留意される。
【００５０】
本明細書で「液体供給システム」という用語が使用される場合には、流体供給システムと読み変えることができ、その逆もできる。さらに、本明細書で認識される基板テーブルＷＴは、実際的な実施例では、基板用テーブルが上に配置されるミラー・ブロック（その一つ以上の面が干渉計ＩＦ１，ＩＦ２のミラーとして機能する）で構成されることに注目される。
【００５１】
また、図１〜図６は当業者に理解されるように、部分的に横断面で示されている。
【００５２】
図２〜図６に示されるように二つ以上の実施例が単一のリソグラフィ装置に組合わされるが、本発明の範囲内で、それらの実施例のおのおのは単独で備えることができる。
【００５３】
本明細書ではリソグラフィ装置をＩＣ製造における使用に関して特別に言及したが、本明細書で説明したリソグラフィ装置には、例えば一体化された光学システム、磁気定義域記憶装置、フラット・パネル表示装置、液晶表示（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例があることを理解しなければならない。当業者は、そのような代替応用例に関連して、本明細書で使用する「ウェーハ」または「ダイ」という用語はそれぞれより一般的な「基板」または「ターゲット箇所」と同義であるとみなせることを理解するであろう。本明細書で引用する基板は、露光の前または後に、例えばトラック（典型的に基板にレジスト層を付与し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツールおよび（または）検査ツールで処理される。適用できるならば、本明細書の説明はそれらのまたはその他の基板処理ツールに適用される。さらに、基板は、例えば複層ＩＣを形成するために二回以上処理され、したがって本明細書で使用する基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板も示す。
【００５４】
本発明の実施例を光学リソグラフィに関連して使用するために特定の引用が上述されたが、本発明は他の応用例、例えばインプリント式リソグラフィに使用でき、許される範囲で光学リソグラフィに限定されないことが認識されるであろう。インプリント式リソグラフィでは、パターン形成装置の形状図（トポグラフィ）が基板に形成されるパターンを定める。パターン形成装置のこの形状図は基板に付与されたレジスト層に押付けられ、これによりレジストは電磁補償放射線、熱、圧力またはそれらの組合せを作用されることで硬化される。パターン形成装置はレジストが硬化した後パターンを残したままレジストから引離される。
【００５５】
本明細書で使用する「放射光（線）」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば約３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームのような粒子ビームを含む全ての形式の電磁放射線を包含する。
【００５６】
「レンズ」という用語は、状況が許されるならば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電気式の光学要素を含むさまざまな形式の光学要素のいずれか、またはそれらの組合せとすることができる。
【００５７】
本発明の特定の実施例が上述で説明されたが、本発明は説明した以外の方法で実施できることは認識されるであろう。例えば本発明は、上述で開示したような方法を記載する機械で読取り可能な命令の一つ以上のシーケンスを収めたコンピュータ・プログラムの形態とされるか、またはそのようなコンピュータ・プログラムを収めたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態とされることができる。
【００５８】
上述の記述は説明を意図するもので制限する意図はない。したがって、当業者には以下の特許請求の範囲に記載の範囲から逸脱することなく、記載された本発明を変更できることが明白となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施例のリソグラフィ装置を示す。
【図２】本発明の実施例のリソグラフィ装置の一部の概略図を示す。
【図３】図３ａ，図３ｂは、本発明の他の実施例のリソグラフィ装置の基板テーブルおよび流体供給システムを模式的に示す。
【図４】本発明のさらに他の実施例のリソグラフィ装置の液体供給システムおよび基板テーブルの較正のための位置決めを模式的に示す。
【図５】本発明のさらに他の実施例のリソグラフィ装置の一部を模式的に示す。
【図６】図６ａ，図６ｂは、本発明のさらに他の実施例のリソグラフィ装置の漏れ検出装置を模式的に示す。
【符号の説明】
【００６０】
ＡＤ  調整器
Ｂ  放射光
ＢＤ  ビーム導入系
Ｃ  ターゲット箇所
ＣＡＬＣ  計算機
ＣＨＮ  チャンネル
ＣＯ  コンデンサ
ＣＯＮＤ１  第一の導電体
ＣＯＮＤ２  第二の導電体
ＤＬ  レンズ
ＧＡＰ  空隙
ＨＭＡＰ  高さマップ
ＩＬ  照射装置
ＩＦ  位置センサー
ＩＭＬ  浸漬液体
ＩＮ  集積光学装置
ＬＤＳ  漏れ検出システム
ＬＳ  液体供給システム
ＬＳＰ  液体供給システム位置決めシステム
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｍ１，Ｍ２，Ｐ１，Ｐ２  整合マーク
ＰＳ  投影系
ＰＭ  第一の位置決め装置
ＰＷ  第二の位置決め装置
ＳＫＦＬ  傾斜縁
ＳＫＷＴＳ  傾斜縁
ＳＬＳ  表面
ＳＯ  放射源
Ｗ  基板
ＷＳＩＧ  警報信号
ＷＴ  基板テーブル
【図１】
0004610526.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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