(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と前記ベース部の主面上に突設されたナノスケールの凸部とからなるパターンの転写を行うナノインプリント用のモールドであって、
前記ベース部と前記凸部とが互いに異なる材質からなり、前記凸部の一部は前記ベース部に埋設されているとともに、前記凸部の埋設部の底部は前記凸部の突起部分の断面よりも大なる面積を有することを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記ベース部は耐熱性材からなることを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項３】
前記ベース部は光透過性材からなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のモールド。
【請求項４】
前記ベース部において、前記凸部が埋設されている部分の断面が逆テーパ形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のモールド。
【請求項５】
前記ベース部において、前記凸部が埋設されている部分の断面がボーイング形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のモールド。
【請求項６】
前記凸部はタンタル、窒化チタン、銀、白金合金、ガラス、グラッシーカーボン、炭化ケイ素及びＳｉＯ２の少なくとも１を含む材料からなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のうちいずれか１に記載のモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂膜にインプリント法を用いてパターンを形成するためのモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度の半導体デバイスや磁気記録装置、ＭＥＭＳ及び次世代記録メディア等の微細加工品を量産する技術としてナノインプリントプロセスが注目されている。かかる技術は基板上に塗布された溶融状樹脂にモールド（転写型）を押圧しながら該樹脂を硬化することによって、モールドの片面に刻み込まれた数十〜数百ｎｍの凹凸形状を樹脂に転写するものである。なお、樹脂の硬化方法によって熱式ナノインプリントと光硬化式ナノインプリントとに大別されている（特許文献１及び非特許文献１）。【０００３】
上記したナノインプリントプロセスにおいては、転写の際にモールドのパターン面を樹脂に押し付ける際、その圧力によってパターン部の凹凸形状が変形してしまうことがあった。また、かかる変形を回避すべく凹凸形状の上にメッキ処理等を行なう場合はその処理行程に時間がかかる上にモールド自体に反りが生じることがあった。【０００４】
一方、光硬化式ナノインプリントに用いるモールドは、上記の押圧に耐え得る強度を有していることに加えて光透過性を有していることが要求されるため、適切な材料を選択するのが困難であった。
【特許文献１】特開第2004−148494号公報
【非特許文献１】S.Y. Chou et al., Appl. Phys. Lett. 67, 3314(1995)
【発明の開示】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題には上記の問題が一例として挙げられ、パターン転写の際の押圧力に対抗し得る剛性を備えたモールドを提供することを目的としている。
【０００６】
この目的を達成するために、本発明に係るモールドは、ベース部とベース部の主面上に突設されたパターン部とからなるモールドであって、ベース部とパターン部とが互いに異なる材質からなることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第1実施例のモールドの断面図である。
【図２】熱式ナノインプリント工程の説明図である。
【図３】パターン部の突起部分に働く力を説明した図である。
【図４】本発明の第1実施例のモールドの製造方法を説明した図である。
【図５】本発明の第1実施例のモールドの代替例の断面図である。
【図６】本発明の第1実施例のモールドの他の代替例の断面図である。
【図７】本発明の第２実施例のモールドの断面図である。
【図８】光硬化式ナノインプリント工程の説明図である。
【図９】本発明の第２実施例のモールドの製造方法を説明した図である。
【図１０】ハードディスクの略平面図である。
【図１１】本発明の第１実施例のモールドを用いてハードディスクを製造する工程を説明した図である。
【図１２】ナノインプリント装置の概略図である。
【符号の説明】
【０００８】
１０、２０、３０、１１０  モールド（転写型）
１１、２１、３１、１１１  ベース部
１２、２２、３２、１１２  パターン部
１５、１１５  レジスト
１５１、５１  基板
１５２、５２  樹脂
２２０  ハードディスク
３００  熱式ナノインプリント装置
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態に係る溶融状樹脂膜にパターンを形成するためのモールドを、添付図面を参照しながら説明する。
【第１実施例】
【００１０】
図１には、本発明の第１実施例に係るモールド１０の概略断面図が示されている。モールド１０は、平坦な主面を有するベース部１１と、ベース部１１の主面に突設されたパターン部１２とからなり、これによりパターン部１２はベース部１１の主面に凹凸形状を形成している。第１実施例のモールド１０は、溶融状樹脂膜が熱可塑性樹脂である場合の転写、特に、熱式ナノインプリントによる転写に使用されることを特徴としている。
【００１１】
ここで、熱式ナノインプリントによる転写方法について、その概要を図２（a）〜（c）を参照しながら説明する。先ず図２（a）に示すように、Ｓｉ等の半導体からなる基板５１上にＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）、ポリカーボネート、アクリル等の熱可塑性樹脂５２をスピンコータ等の薄膜形成手段により塗布し、その後、該樹脂５２が塗布された基板５１を樹脂５２のガラス移転温度（ＰＭＭＡの場合は１０５℃）より高い温度（例えば２００℃）に加熱して樹脂５２を軟化させる。次に図２（b）に示すように、凹凸形状の形成されている面が樹脂５２の塗布されている面に対向するようにしてモールド１０を樹脂５２に例えば数メガパスカルの圧力で押圧し、凹凸形状を樹脂５２に転写する。更に押圧状態を保ったまま基板５１を冷却して樹脂５２を硬化せしめる。樹脂５２の硬化が完了した時点でモールド１０を樹脂５２から分離して図２（c）の如く転写が完了する。
【００１２】
上記した熱式ナノインプリントにおいては、室温〜約２００℃程度の範囲の温度変化がモールド１０に生じるので、モールド１０はかかる温度変化に耐え得る必要がある。更に、熱式ナノインプリントにおいてはパターン部１２で溶融状樹脂５２を押圧して流動させることによって樹脂５２に凹凸パターンを形成するため、押圧の際にパターン部１２の各突起部分は樹脂からの圧力を受ける。このとき、パターン部１２の不均一な凹凸形状や樹脂５２の粘度のばらつき等の樹脂の流動条件の局所的な差異に起因して樹脂５２はパターン部１２の突起部分の左右で非対称に流動し得る。このとき、図３（a）の矢印で示すように各突起部分には下方からの応力ＦＶに加えて横方向のせん断応力ＦＨが働く。更に、上記熱式ナノインプリントにおいては、押圧後の樹脂５２の冷却の際、凹凸形状や樹脂の熱伝導度のばらつき等の伝熱条件の局所的な差異に起因して樹脂５２の収縮が突起部分の左右で非対称となり得る。この場合も各突起部分には横方向のせん断応力が働く。
【００１３】
このように、上記熱式ナノインプリントにおいては、パターン部１２に局所的な強い応力が働くので、パターン部１２は剛性の高い材料によって形成されるのが好ましい。例えばベース部１１はＳｉ等の耐熱性を有し且つ微細加工が可能な材料によって形成されるのに対して、パターン部１２はタンタル、窒化チタン、銀、白金合金、ガラス、グラッシーカーボン、炭化ケイ素又はＳｉＯ２等の耐熱性を有し且つ剛性の高い材料によって形成されるのが好ましい。
【００１４】
しかしながら、上記のようにベース部１１とパターン部１２とを別々の材料で形成した場合は、使用しているうちに、その接合面で剥離を生じることが懸念される。特に熱式ナノインプリントにおいては、上述したように温度変動によるストレスに加えて押圧時や冷却時にパターン部１２に強いせん断応力が働くのでより剥離が生じ易い状況にあるといえる。更に熱式ナノインプリントにおいては、樹脂冷却後は、パターン部１２と樹脂５２とがナノスケールの凹凸で噛み合わさっているため、モールド１０を樹脂５２から分離する際に図３（b）に示すようにベース部１１からパターン部１２を引き抜く強い力ＦＰが働く。
【００１５】
これに対して本発明の第１実施例のモールド１０は、図１に示すようにパターン部１２の一部がベース部１１に埋設されているため、パターン部１２とベース部１１との接触面積が、埋設されていない場合に比べてより広くなり、且つ、パターン部１２とベース部１１との接合面が引き抜く力の働く方向に対して垂直及び水平な面から構成されるので、接合面が垂直のみからなる場合に比べてより剥がれにくくなる。
【００１６】
次に、本発明の第１実施例のモールドの製造方法を図４（a）〜（g）を参照しながら説明する。
【００１７】
まず、図４（ａ）のようにＳｉ等の微細加工が可能な耐熱性材からなるベース部１１にスピンコータ等の薄膜形成手段により電子ビーム露光用のレジスト１５（例えば東京応化製のＯＥＢＲシリーズ）を塗布する。続いて、図４（b）のように電子ビーム描画装置を用いて電子線ビームＥＢをレジスト１５に向けて照射してパターンを直接描画する。その後レジスト１５を現像することにより図４（c）に示すようにパターン１５aをレジスト１５に形成する。ここで電子ビームは数ｎｍ程度にビーム径を絞り込むことが出来るので、１０ｎｍ程度の凹凸パターンを形成することが可能となる。次にパターン１５ａをマスクパターンとして図４（d）のようにベース部１１をエッチングして溝１１aを形成する。次に図４（e）のようにレジスト１５を残したままで、ＣＶＤ、スパッタリング等の成膜法によりタンタル等の高剛性材料１２を積層する。その後、積層された高剛性材料１２の表面を図４（f）のようにレジスト１５が露出するまでＣＭＰ等の平坦化法により平坦化する。最後にレジスト１５を除去し、図４（g）の如き本発明のモールド１０が完成する。
【００１８】
なお、図４（c）に示す現像工程の後、基板に対して所定の選択比を有する材料からなる薄膜をスパッタリング等の成膜法によって一様に積層し、その後レジスト部及びその上の薄膜をリフトオフによって除去してベース部１１上に薄膜を残存させてパターンを形成し、かかるパターンをマスクとしてベース部１１をエッチングしても良い。この場合もエッチング以降は図４（e）〜（g）と同様のステップを経てモールドが完成するが、パターン部１２の凹凸の位置は図４（ｇ）に対して反転した位置に形成されることになる。
【００１９】
また、図４（d）の如くレジスト１５をマスクとして直接基板をエッチングするのではなく、基板１１とレジスト１５との間に予めスパッタリング等の成膜法により基板に対して所定の選択比を有する材料からなる薄膜を形成し、図４（c）によって形成されたレジスト１５の一次パターン１５aをマスクとして該薄膜をエッチングして二次パターンを形成し、該薄膜の二次パターンをマスクとして基板１１をエッチングしても良い。これによって基板１１のエッチングに際し所望の選択比を確保することが可能となる。
【００２０】
更に代替例として、図４（d）のエッチングの際に、使用ガス、温度、圧力等のエッチング条件を適宜調整することによって、ベース部１１に形成される溝１１aの形状を種々の形状にしても良い。例えば、ＨＢｒ−Ｃｌ２−Ｏ２−ＳＦ６系混合ガスを用いて基板１１をドライエッチングする場合、ＳＦ６ガスの流量比を低めに設定して、エッチング生成物による側面保護膜の堆積を調整することによってサイドエッチングを適宜調整し、よってパターン部２２が埋め込まれるベース部２１の溝の形状を図５に示すように逆テーパ形状にしたり、図６に示すようにビア樽形状（ボーイング形状）にしたりすることが可能となる。これによって熱式ナノインプリントの際にパターン部２２、３２がベース部２１、３１からより剥がれにくくなる。
【００２１】
上記のように、本発明の第１実施例のモールド１０は、パターン部１２とベース部１１との材質が互いに異なっており、パターン部１２の一部がベース部１１に埋設されているので、溶融状樹脂膜が熱可塑性樹脂である場合の転写、特に、熱式ナノインプリントによる転写に使用してもパターン部１２が容易に剥離することがなくなる。
【第２実施例】
【００２２】
次に図７を参照して本発明の第２実施例に係るモールド１１０について説明する。モールド１１０は、平坦な主面を有するベース部１１１と、ベース部１１１の主面に突設されたパターン部１１２とからなり、これによりパターン部１１２はベース部１１１の主面に凹凸形状を形成している。第２実施例のモールド１１０は、溶融状樹脂膜が光硬化性樹脂である場合の転写、特に、光硬化式ナノインプリントによる転写に使用されることを特徴としている。ここで光硬化式ナノインプリントによる転写方法について、その概要を図８（a）〜（c）を参照しながら説明する。
【００２３】
先ず、図８（a）に示すようにＳｉ等の半導体からなる基板１５１にエポキシ、シリコーン、ポリイミド等からなる光硬化樹脂１５２をスピンコータ等の薄膜形成手段により塗布する。次に図８（b）に示すように、凹凸形状の形成されている面が樹脂１５２の塗布されている面に対向するようにしてモールド１１０を樹脂１５２に例えば数メガパスカルの圧力で押圧し、凹凸形状を樹脂１５２に転写する。更に押圧状態を保ったままモールド１１０を通して紫外線（例えば３００〜４００ｎｍの波長の紫外光）を照射することよって樹脂１５２を硬化せしめる。樹脂１５２の硬化が完了した時点でモールド１１０を樹脂１５２から分離して図８（c）の如く転写が完了する。
【００２４】
上記のように、光硬化式ナノインプリントでは、光硬化の際にモールドを通して紫外線が照射されるので、少なくともベース部１１１は透光性を有する材料によって形成される必要がある。更に光硬化式ナノインプリントにおいては、突起部分に熱式ナノインプリントのような伝熱条件の局所的な差異に起因する横方向のせん断応力は生じないが、押圧の際には熱式ナノインプリントの場合と同じように樹脂の流動条件の局所的な差異に起因するせん断応力が働く。よって、かかるせん断応力に耐え得る材料によってパターン部が形成される必要がある。かかる要件を満たすべく、第２実施例のモールド１１０においても、ベース部１１１及びパターン部１１２は各々異なる材料によって形成されるのが好ましい。例えばベース部１１１は石英、ソーダ石灰ガラス、ガラス、サファイアまたはフッ化カルシウム等の微細加工が可能であり且つ透光性を有する材料で形成されるのに対し、パターン部１１２はタンタル、窒化チタン、銀、白金合金等の剛性の高い材料によって形成されるのが好ましい。
【００２５】
また、第２実施例においても、第1実施例と同様の押圧時のせん断応力やモールド１１０の樹脂からの分離の際の引き抜き力が働くため、ベース部１１１及びパターン部１１２を各々異なる材料によって形成したことによってその接合面において剥離を生じることが懸念される。これに対して第２実施例においても図７に示すようにパターン部１１２の一部がベース部１１１に埋設しているので、容易に剥がれることがなくなる。
【００２６】
次に、本発明の第２実施例のモールドの製造方法を図９（a）〜（f）を参照しながら説明する。
【００２７】
まず、図９（ａ）のように石英等の透光性を有する耐熱性材からなるベース部１１１にスピンコータ等の薄膜形成手段により電子ビーム露光用のレジスト１１５（例えば東京応化製のＯＥＢＲシリーズ）を塗布する。また必要に応じて、電子ビーム露光時に発生するチャージアップの影響を防止する為に、レジスト１１５上に帯電防止膜等を形成しても良い。続いて、図９（b）のように電子ビーム描画装置を用いて電子線ビームＥＢをレジスト１１５に向けて照射してパターンを直接描画する。その後、レジスト１１５を現像することにより図９（c）に示すようにパターン１１５aをレジスト１１５に形成する。ここで電子ビームは数ｎｍ程度にビーム径を絞り込むことが出来るので、１０ｎｍ程度の凹凸パターンを形成することが可能となる。次にパターン１１５ａをマスクパターンとして図９（d）のようにベース部１１１をエッチングして溝１１１aを形成する。次に図９（e）のようにレジスト１１５を残したままで、ＣＶＤ、スパッタリング等の成膜法によりタンタル等の高剛性材料１１２を積層する。その後、積層された高剛性材料１１２の表面を図９（f）のようにレジスト１１５が露出するまでＣＭＰ等の平坦化法によって平坦化する。最後にレジスト１１５を除去し、図９（g）の如き本発明のモールド１１０が完成する。
【００２８】
なお、図９（c）に示す現像工程の後、基板に対して所定の選択比を有する材料からなる薄膜をスパッタリング等の成膜法によって一様に積層し、その後レジスト部及びその上の薄膜をリフトオフによって除去してベース部１１１上に薄膜を残存させてパターンを形成し、かかるパターンをマスクとしてベース部１１１をエッチングしても良い。この場合もエッチング以降は図９（e）〜（g）と同様のステップを経てモールドが完成するが、パターン部１１２の凹凸の位置は図９（ｇ）に対して反転した位置に形成されることになる。
【００２９】
また、図９（d）の如くレジスト１１５をマスクとして直接基板をエッチングするのではなく、基板１１１とレジスト１１５との間に予めスパッタリング等の成膜法により窒化クロム等の基板に対して所定の選択比を有する材料からなる薄膜を形成し、図９（c）によって形成されたレジスト１１５の一次パターン１１５aをマスクとして該薄膜をエッチングして二次パターンを形成し、該薄膜の二次パターンをマスクとして基板１１１をエッチングしても良い。これによって基板１１１のエッチングに際し所望の選択比を確保することが可能となる。
【００３０】
更に代替例として、図９（d）のエッチングの際に、使用ガス、温度、圧力等のエッチング条件を適宜調整することによって、ベース部１１１に形成される溝１１１aの形状を種々の形状にしても良い。例えば、基板１１１をドライエッチングする場合、エッチングガスの流量比を所定の値に設定して、エッチング生成物による側面保護膜の堆積を調整することによってサイドエッチングを適宜調整し、パターン部が埋め込まれるベース部の溝の形状を逆テーパ形状にしたり、ビア樽形状（ボーイング形状）にしたりすることが可能となる。これによってナノインプリントの際にパターン部がベース部からより剥がれにくくなる。
【００３１】
上記のように、本発明の第２実施例のモールド１１０は、高剛性のパターン部１１２の一部が透光性を有するベース部１１１に埋設されているので、溶融状樹脂膜が光硬化性樹脂である場合の転写、特に、光硬化式ナノインプリントによる転写に使用してもパターン部１１２が剥がれ落ちたり、変形したりすることがなくなる。
【００３２】
次に、第１実施例のモールド１０を用いて、パターンドメディアの一例としてのハードディスク等の磁気記録媒体を製造する方法について、図１０、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【００３３】
いわゆるハードディスクは、磁性粒子が人工的に規則正しく並べられた磁気記録媒体であり、論理的に磁性粒子１つにつき１ビットの記録が可能となるので、例えば、約25nmのビット間隔のパターンの場合は、約１Tbpsi（Tbit/inch2）の極めて高い記録密度が実現可能になる。本発明の実施例のモールドは前述したように、10nm程度の凹凸パターンが転写可能であるため、かかるハードディスクを容易に作成することが可能となる。
【００３４】
図１０には、かかるハードディスクに形成されるパターン形状の例が示されている。図１０に示されるように、ハードディスク２２０に形成されるパターン形状は、一般的にデータトラック部２２１とサーボパターン部２２２とからなる。データトラック部２２１には同心円状にドット列２２３の記録パターンが並んでいる。サーボパターン部２２２には、アドレス情報やトラック検出情報を示す方形のパターンや、クロックタイミングを抽出するトラックを横切る方向に延びたライン状のパターン等が形成されている。
【００３５】
次に図１１を参照して、図１０に示したハードディスクを製造する工程を説明する。
【００３６】
先ず、図１１（a）に示すように、特殊加工化学強化ガラス、Ｓiウエハ、アルミ板等の材料からなる記録媒体用ベース基板２００を準備する。
【００３７】
次に、このベース基板２００上にスパッタリング等で記録膜層２０１を成膜する。垂直磁気記録媒体の場合には当該記録膜層は、軟磁性下地層、中間層及び強磁性記録層からなる積層構造となる。続いて、記録膜層２０１の上にスパッタリング等でTaやTi等の金属からなるメタルマスク層２０２を形成し、最後に該メタルマスク層２０２の上に被転写材２０３をスピンコート等によって成膜して被転写物２１０が形成される。ハードディスクには、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）等の熱可塑性樹脂が使用される。図１１（b）に上記の如く形成された被転写物２１０が示されている。尚、第２実施例のモールド１１０を使用する場合は、被転写材２０３には光硬化性樹脂が用いられる。この時、後述するナノインプリント装置には光硬化式ナノインプリント装置が用いられる。
【００３８】
次に、図１１（c）に示すように、前述の被転写物２１０及び本発明の第１実施例のモールド１０を、被転写材２０３とモールド１０の凹凸面とが互いに向き合うようにして熱式ナノインプリント装置にセットする。
【００３９】
ここで図１２を参照しながら一般的な熱式ナノインプリント装置３００の構成について説明する。熱式ナノインプリント装置３００は、インプリント時にレジストから発生する溶媒等を除去すべく真空ポンプ３０４が接続されたチャンバ３０１内に設けられている。チャンバ３０１の上部には、モールド１０を支持するモールド支持部３０２が固定されている。モールド支持部３０２に対向するように、被転写物２１０を支持するステージ３０３が設置されている。ステージ３０３は油圧等によって駆動する昇降装置３０５に搭載されており、これによって被転写物２１０が持ち上げられてモールド１０に押し付けられ、転写が行なわれる。なお、ステージ３０３と昇降装置３０５との間にはロードセル３０６が設置されており、転写の際の押圧力が測定される。また、ステージ３０３には被転写物２１０を加熱・冷却するヒータ３０７及びクーラ３０８が設けられている。
【００４０】
熱式ナノインプリント装置３００にモールド１０及び被転写物２１０をセットした後、ナノインプリント装置３００を起動する。これによって図１１（d）に示されるようにステージ３０３が上昇し、所定のシーケンスに従ってインプリントが行なわれる。インプリントが行なわれた後、図１１（e）に示されるようにステージ３０３が下降して転写が完了する。
【００４１】
次に、転写された被転写物２１０をナノインプリント装置３００から取り出し、被転写材２０３の残膜部分をO2ガス等を用いたアッシング等によって図１１（f）に示すように除去する。これによって、残った被転写材２０３のパターンが、メタルマスク層２０２をエッチングするためのエッチングマスクとなる。
【００４２】
次に、図１１（g）に示すように、被転写材２０３をエッチングマスクとしてCHF3ガス等を用いてメタルマスク層２０２をエッチング加工する。その後、図１１（h）に示すように、ウェットプロセスかO2ガス等を用いたドライアッシングによって被転写材２０３を除去する。
【００４３】
次に、図１１（i）に示すように、メタルマスク層２０２をエッチングマスクとしてArガス等を用いてドライエッチングで記録膜層２０１をエッチング加工する。その後、図１１（j）に示すように、ウェットプロセスかドライエッチングによってメタルマスク層２０２を除去する。
【００４４】
次に、図１１（k）に示すように、スパッタリングや塗布工程等で記録膜層２０１の表面に形成されたパターンの溝部分に非磁性材料２０５（磁気記録媒体の場合はSiO2等の非磁性材料）を充填する。
【００４５】
次に、図１１（l）に示すように、エッチバックやケミカルポリッシュ等によって表面を研磨して平坦化する。これによって記録材料が非記録性材料によって分離された構造が作成される。
【００４６】
最後に、図１１（m）に示すように、例えば記録膜層の保護膜２０６や潤滑膜２０７を塗布方式やディッピング方式によって表面に形成することでハードディスク２２０が完成する。
【００４７】
以上、詳細に説明したように、本発明によるパターン転写用モールドを用いて磁気ディスク基板をインプリントすることにより、高精度なパターン構造を有するパターンドメディアを製造することができる。また、実施例ではパターンドメディアを一例として説明したが、それに限らず、例えば、ディスクリートトラックメディアにも適用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１（ａ）−（ｄ）】
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【図１１（ｅ）−（ｉ）】
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【図１１（ｊ）−（ｍ）】
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【図１２】
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