(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有するガラス基板と、
前記絶縁表面と重なり合う関係にある位置にあるシリコン層とを備え、
前記シリコン層は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含み、
前記絶縁表面と前記シリコン層との間に、シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を備え、前記シリコン窒化膜と前記絶縁基板との間と、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との間とに、それぞれ酸窒化膜が配置されており、前記酸窒化膜は、膨張率で比較した場合、前記シリコン酸化膜と前記シリコン窒化膜との間に相当するものである、半導体装置。
【請求項２】
前記シリコン層は、能動素子領域となる主領域を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記シリコン層のうち、前記主領域以外の部分に含まれる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記シリコン層は、薄膜トランジスタの活性領域となる部分を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記シリコン層は、キャパシタを構成する電極のうちの１つとなる部分を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記シリコン層は、他の配線とのコンタクト部となる部分を含む、請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。より特定的には、結晶化シリコンを用いて作成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を含む半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを作製しようとする場合、多結晶シリコンを結晶化する工程が行なわれる。この結晶化の工程としては、アモルファスシリコン膜にＸｅ−Ｃｌなどのエキシマレーザを照射して発生する熱でアモルファスシリコン膜を溶融させ、その後の冷却時にシリコンを結晶化させるという「レーザアニール」と呼ばれる処理が行なわれる。この処理によって、多結晶シリコン膜を得ることができる。この方法で作製すると、基板自体はほとんど熱を受けないため、耐熱温度が低い材料を基板として用いることができる。したがって、耐熱温度が低いガラス基板上に薄膜トランジスタを作製することが可能となっている。
【０００３】
しかし、Ｘｅ−Ｃｌなどのエキシマレーザでは、アモルファスシリコン膜に照射したとしても、シリコン層のうち表面に近い部分にしかレーザ光が到達しないため、結晶粒径が大きい層はシリコン層のうち表面付近にしか形成されなかった。そこで、レーザアニールにおいてエキシマレーザの代わりにＹＡＧレーザを照射することが提案されている。
【０００４】
特開２００２−３６７９０４号公報（特許文献１）では、図１、図４、段落００３３に記載されているように、固相成長多結晶膜を半導体膜の下部に極薄く残留させ、その他の部位を溶融させて残留固相成長多結晶膜から結晶を成長させている。その実施例として、非晶質半導体膜に熱処理を施して非晶質膜を固相にて結晶化させ（段落００５９）、得られた固相成長真性多結晶珪素膜にＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第二高調波を照射し、溶融結晶化を行なっている（段落００６０）。ここでは、半導体膜の約８０％が溶融したことが記載されている。
【０００５】
特開２０００−２６９１３３号公報（特許文献２）では、真性非晶質珪素膜にＮｄ：ＹＡＧレーザ光の第二高調波を照射して溶融再結晶化を行なっている（段落００２３）。ここでは半導体膜の約９２％が溶融したことが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３６７９０４号公報（図１、図４、段落００３３、００５９、００６０）
【特許文献２】特開２０００−２６９１３３号公報（図５、段落００２３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シリコン基板を用いて形成されたトランジスタにおいては、トランジスタ特性を劣化させる原因となる不要な不純物は、結晶欠陥の部分にトラップされやすい性質がある。この性質を利用して、ゲッタリングを行なわせることができる。シリコン基板を用いて形成されたトランジスタの場合、シリコン基板裏面に多結晶シリコンを堆積させたり、シリコン基板裏面に対してサンドブラストなどによって結晶欠陥が多い部分を形成したりすることでゲッタリングサイトを構成している。
【０００７】
一方、ガラス基板を用いて形成される薄膜トランジスタでは、シリコン層の厚みが非常に薄いため、シリコン層の裏面に意図的に多結晶シリコン膜を堆積することは理論上可能ではあるが加工に必要な工程を考慮すると効率が悪い。また、シリコン層の裏面にサンドブラストなどの処理を行なうことは不可能である。そのため、ガラス基板を用いて形成される薄膜トランジスタにおいては、他の何らかの方法で、ゲッタリングサイトを構成する必要がある。
【０００８】
そこで、本発明では、ガラス基板などの絶縁表面を有する基板を用いて形成される半導体装置において、ゲッタリングサイトの役割を担う部分を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体装置は、絶縁表面を有するガラス基板と、前記絶縁表面と重なり合う関係にある位置にあるシリコン層とを備え、前記シリコン層は、アモルファス状態のゲッタリング領域を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シリコン層のうちある部分では電子移動度を上げることができ、高速動作に適した状態を実現している。その一方で、シリコン層のうち他の部分では、アモルファス状態などとなっており、ゲッタリングサイトの役割を果たすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態１）
（構成）
図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における半導体装置について説明する。この半導体装置は、トップゲート型の薄膜トランジスタである。この半導体装置は、図１に示すように、絶縁表面を有する基板であるガラス基板１と、ガラス基板１と重なり合う関係にあるシリコン層３とを備えている。ガラス基板１とシリコン層３との間には、いわゆる下地膜としてのシリコン酸化膜２が介在している。シリコン層３は、能動素子領域となる主領域を含む。シリコン層３の上側には、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。シリコン層３の部分を拡大して図２に示す。
【００１２】
シリコン層３は、粒界６によって多数の結晶粒７に仕切られている。各々の結晶粒７は、ゲート電極５に近い側にほぼ完全結晶である第１層８を含み、ゲート電極５と反対の側に第１層８とは異なる第２層９を含む２層構造となっている。図２においては、矢印５１で示す側がゲート電極５がある側であり、矢印５２で示す側がゲート電極５があるのと反対側である。
【００１３】
このシリコン層３は、レーザアニールの際に矢印１０の向きにＹＡＧ−２ωレーザが照射されて形成されたものである。ＹＡＧ−２ωレーザを用いていることによって、多結晶シリコン部分での透過性が高まり、深い部分まで溶融および再結晶化を行なうことができている。また、このレーザアニールの際には、シリコン層３のすべてを再結晶化させるのではなく、ゲート電極５があるのと反対側の表面近傍の一部を意図的に再結晶化させずにアモルファスのまま残しており、これが第２層９となっている。すなわち、第２層９は、アモルファス状態である。第２層９は、シリコン層３の中のゲッタリング領域である。ゲッタリング領域は主領域以外の部分に設けることが好ましい。
【００１４】
なお、ここでは、下地膜がシリコン酸化膜２のみからなる例を示したが、図３に示すように、下地膜がシリコン酸化膜２とシリコン窒化膜１３との積層体によって構成される場合もある。図３の例では、シリコン酸化膜２とガラス基板１との間にシリコン窒化膜１３が配置されている。
【００１５】
（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置では、ＹＡＧ−２ωレーザの照射による溶融および再結晶化によって、各々の結晶粒のうちゲート電極に近い側は、１つ１つの結晶粒径が大きな、すなわち、結晶性の優れた第１層となっている。したがって、ゲート電極に近い側では電子移動度を上げることができ、高速動作に適した状態を実現している。その一方で、各々の結晶粒のうちゲート電極と反対の側は、第２層となっており、この第２層はアモルファス状態であるので、個々の結晶粒に含まれる第２層がゲッタリングサイトの役割を果たす。したがって、不要な不純物は第２層によって捕獲されるので、薄膜トランジスタの動作を安定させることができる。
【００１６】
本実施の形態では、第２層がアモルファス状態である構造としたが、第２層はアモルファス状態でなくともよく、たとえば、微小な結晶欠陥が、第１層に比べてより多く存在する層としてもよい。その場合にも、第２層は微小な結晶欠陥の存在によりゲッタリングサイトの役割を果たすことができる。あるいは、第２層は、結晶粒径の小さい多結晶シリコンであってもよい。
【００１７】
また、本実施の形態では、ＹＡＧ−２ωレーザの照射によるレーザアニールの例を示したが、他の種類のレーザの照射によるレーザアニールであってもよい。特に、波長λが３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の範囲のレーザを照射することによるレーザアニールであることが好ましい。本実施の形態では、そのうちの一例としてＹＡＧ−２ωレーザを用いる例を示した。
【００１８】
なお、従来、通常は、ガラス基板とシリコン層との間には、下地膜としてシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が配置されているが、レーザアニールの際に膨張係数の違いから、ガラス基板と下地膜との間や、シリコン層と下地膜との間で剥離が生じる可能性があった。これを防止するために、これらの層間の密着力を強化することが求められていた。これに対して、本実施の形態では、アモルファス状態の層または微小な結晶欠陥がより多く存在する層である第２層がシリコン層３の下面にあることにより、シリコン層３と下地膜としてのシリコン酸化膜２との間の密着力が強化されている。
【００１９】
なお、図２に示すように、第１層８の厚みＡが第２層９の厚みＢよりも大きいことが好ましい。このようになっていれば、図４に示すように、コンタクトホール１６形成時にエッチングが過剰に進行してコンタクトホール１６がシリコン層３内に入り込んでしまった場合でも、コンタクトホール１６が第１層８を貫通してしまわずに底面が第１層８の内部に留まる確率が高くなるからである。このようにコンタクトホール１６の底面が第１層８の内部に留まれば、電気抵抗を低く抑えることができる。
【００２０】
（実施の形態２）
（構成）
図５を参照して、本発明に基づく実施の形態２における半導体装置について説明する。この半導体装置は、逆スタガー型の薄膜トランジスタである。この半導体装置は、図５に示すように、絶縁表面を有する基板であるガラス基板１と、ガラス基板１と重なり合う関係にあるシリコン層３とを備えている。ガラス基板１とシリコン層３との間には、いわゆる下地膜としてのシリコン酸化膜２が介在している。ここまでは、実施の形態１で説明したトップゲート型の薄膜トランジスタと同様である。しかし、実施の形態２における逆スタガー型の薄膜トランジスタでは、ゲート電極１２は、ガラス基板１とシリコン層３との間に挟まれている。ガラス基板１の平坦な表面にゲート電極１２が局所的に載置されるように形成されており、このゲート電極１２の上側をゲート絶縁膜４が覆っている。さらに、ゲート絶縁膜４の上側をシリコン層３が覆っている。したがって、ガラス基板１の平坦な表面に対して、ゲート電極１２の存在によって盛り上がった形状がそのまま、ゲート絶縁膜４およびシリコン層３の形状にも反映されている。このシリコン層３も、粒界６によって多数の結晶粒７に仕切られている点は実施の形態１と同様である。各々の結晶粒７は、ゲート電極５に近い側にほぼ完全結晶である第１層８を含み、ゲート電極５と反対の側に第１層８とは異なる第２層９を含む２層構造となっている点も実施の形態１と同様である。ただ、実施の形態１と比べてシリコン層３に対するゲート電極がある側が上下逆になっているので、実施の形態２のシリコン層３では、第１層８が下側となり、第２層９が上側となっている。
【００２１】
このシリコン層３は、レーザアニールの際に矢印１１の向きにＹＡＧ−２ωレーザが照射されて形成されたものである。照射するレーザとしては、ＹＡＧ−２ωレーザに限らず、波長λが３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の範囲のレーザであってもよい。本実施の形態では、そのうちの一例としてＹＡＧ−２ωレーザを用いる例を示した。第２層９の内容については、実施の形態１で説明したものと同様である。
【００２２】
なお、ここでは、下地膜がシリコン酸化膜２のみからなる例を示したが、図６に示すように、下地膜がシリコン酸化膜２とシリコン窒化膜１３との積層体によって構成される場合もある。図６の例では、シリコン酸化膜２とガラス基板１との間にシリコン窒化膜１３が配置されている。
【００２３】
（作用・効果）
本実施の形態における半導体装置では、各々の結晶粒が結晶性の優れた第１層と、ゲッタリングサイトの役割を果たす第２層とを含んでいるので、電気抵抗を低く抑え、高速動作を可能にしつつ、ゲッタリングも着実に行なって薄膜トランジスタの動作を安定させることができる。
【００２４】
（実施の形態３）
（構成）
図７を参照して、本発明に基づく実施の形態３における半導体装置について説明する。この半導体装置は、図７に示すようなトップゲート型の薄膜トランジスタである。この半導体装置では、シリコン層３内に実施の形態１で説明した構成を備え、さらに図７に示されるように、ガラス基板１とシリコン酸化膜２との間にシリコン窒化膜１３が介在している。このシリコン窒化膜１３とガラス基板１との間には酸窒化膜１４ａが介在している。一方、シリコン窒化膜１３とシリコン酸化膜２との間には酸窒化膜１４ｂが介在している。シリコン窒化膜１３の厚みは、５０ｎｍ〜１００ｎｍである。酸窒化膜１４ａ，１４ｂの膜厚はそれぞれ数ｎｍ〜数十ｎｍである。
【００２５】
（作用・効果）
本実施の形態では、膨張率で比較した場合、シリコン酸化膜２とシリコン窒化膜１３との間に相当する膜である酸窒化膜がシリコン窒化膜１３の上下界面に形成されているので、シリコン酸化膜２とシリコン窒化膜１３との間の密着力を強化することができる。さらに、シリコン窒化膜１３とガラス基板１との間の密着力も強化することができる。こうして、シリコン層３とガラス基板１との間で生じる剥離を防止することができる。
【００２６】
なお、図８に示すように、シリコン窒化膜１３がなく、ガラス基板１とシリコン酸化膜２とが酸窒化膜１５を介して接している構造であってもよい。この場合も、シリコン層３とガラス基板１との間で生じる剥離を防止することができる。
【００２７】
図７、図８では、トップゲート型の例を示したが、本発明は、図９に示すように、逆スタガー型に対しても適用可能である。図９では、ガラス基板１とシリコン酸化膜２とがシリコン窒化膜１３を挟みこんでおり、酸窒化膜１４ａ，１４ｂがシリコン窒化膜１３の上下界面に形成されている。この場合も、ガラス基板１近傍で生じる剥離を防止することができる。
【００２８】
上記各実施の形態では、半導体装置が薄膜トランジスタである例を示した。その場合、シリコン層は、薄膜トランジスタの活性領域となる部分を含む。しかし、本発明の適用対象は、薄膜トランジスタに限らない。本発明を適用したシリコン層の第１層が露出する側の表面は、シリコンの活性領域として他の用途にも利用できる。たとえば、キャパシタなどの素子を形成することにも利用可能である。その場合、シリコン層は、キャパシタを構成する電極のうちの１つとなる部分を含む。そのほかに、たとえば、シリコン層は、他の配線とのコンタクト部となる部分を含むこととしてもよい。
【００２９】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における半導体装置の断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における半導体装置に含まれるシリコン層の拡大断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における半導体装置の変形例の断面図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における半導体装置に含まれるシリコン層にコンタクトホールが侵入した状態の拡大断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における半導体装置の断面図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における半導体装置の変形例の断面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態３における半導体装置の断面図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態３における半導体装置の第１の変形例の断面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態３における半導体装置の第２の変形例の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  ガラス基板、２  シリコン酸化膜、３  シリコン層、４  ゲート絶縁膜、５，１２  ゲート電極、６  粒界、７  結晶粒、８  第１層、９  第２層、１０，１１  （レーザ照射の向きを示す）矢印、１３  シリコン窒化膜、１４ａ，１４ｂ，１５  酸窒化膜、１６  コンタクトホール、５１  （ゲート電極がある側を示す）矢印、５２  （ゲート電極があるのと反対側を示す）矢印。
【図１】
0004717385.tif 000002
【図２】
0004717385.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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