(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた電極（以下、基板電極）を有する基板に、両面に電極が設けられた圧電素子を固定するとともに前記圧電素子に設けられた一面の電極と前記基板電極とを電気的に接続し、前記圧電素子の他面の電極と前記基板電極を電気的に接続する接続工程と、
前記圧電素子に音響整合層を設ける音響整合層形成工程と、
前記基板に前記圧電素子を埋め込む溝であり、前記圧電素子の厚さと同一又は前記圧電素子の厚さよりも深い前記溝を形成する溝形成工程とを備え、
前記接続工程は、前記溝の底部に配線用の電極を設け、前記溝に圧電素子を配置固定することを特徴とする圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項２】
前記音響整合層は、光硬化、紫外線硬化、熱硬化あるいは常温で硬化する樹脂からなり、
前記圧電素子の厚さによる段差分だけ、樹脂を塗布して硬化させた後に、所定の厚さだけ前記圧電素子の上に音響整合層を再度塗布し、硬化させて形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項３】
前記基板を複数個に分割して複数個の圧電トランスデューサを製造する分割工程を備え、
前記分割工程は、前記基板に前記圧電素子を固定した後、前記基板を分割する工程の前に、前記圧電素子を所定の形状に分割することを特徴とする請求項１に記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項４】
前記分割工程は、前記圧電素子を固定する工程の際に、前記圧電素子の駆動領域のみ、あるいはそれより狭い領域で前記基板と固定することを特徴とする請求項３に記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項５】
前記分割工程は、前記圧電素子を所定の大きさに分割する工程と、前記基板を分割する工程との間に、不要な圧電素子を除去することを特徴とする請求項３あるいは４のいずれかに記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項６】
前記基板の前記圧電素子固定面（以下、表面）の裏面（以下、裏面）に前記基板を支持する支持体を設ける工程を有し、
前記分割工程は、前記基板を分割する際に、前記支持体ごと複数個に分割することを特徴とする請求項３に記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
前記基板の前記圧電素子固定面（以下、表面）の裏面（以下、裏面）に前記基板を支持する支持体を設ける工程を有し、
前記基板の裏面には、前記表面に設けられた前記基板電極と電気的に接続された基板電極（以下、裏面電極）が設けられ、前記支持体には、前記支持体の側面あるいは底面と前記基板の裏面に設けられた前記裏面電極と電気的に接続するための電極が設けられており、
前記支持体を固定する工程の際に、前記支持体に設けられた電極と前記基板の裏面に設けられた前記裏面電極とを電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の圧電トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電トランスデューサの製造方法、及び圧電トランスデューサに係わり、詳細には、人体内部、物体内部の情報を検出するための、圧電トランスデューサの製造方法、及び圧電トランスデューサに関する。
【従来の技術】
従来の圧電トランスデューサについて図１１，１２を用いて説明する。
図１１が従来の圧電トランスデューサの斜視図であり、図１２は図１１の圧電トランスデューサの側面図である。
圧電トランスデューサ１００は音響整合層１１０、バッキング材１３０、圧電素子１０１、圧電素子に電圧を印加するためのフレキシブル基板１２０とから構成される。
圧電トランスデューサ１００は、タングステン粉末をエポキシ樹脂に混合させたバッキング材１３０上にフレキシブル基板１２０と圧電素子１０１を貼り付け、さらに圧電素子１０１の上に樹脂などの音響整合層１１０を塗布、あるいは貼り付け、最後に圧電素子１０１をダイシングにより短冊状に切断して製造していた。
圧電素子１０１には、図１２に示すように、電極１０２、１０３が設けられている。電極１０２は圧電素子の上面１０１ａからフレキ１２０に電気的に接続させるため、圧電素子１０１の側面とも電気的に接続されている。
以上が、一般的な超音波探触子の構造、及び製造方法であるが、両面に電極を設け、両面の電極へ所定の電圧を印加するための銅線を取り付けられた板状の圧電素子を、樹脂の中に埋め込むという圧電トランスデューサも提案されている。
【発明が解決しようとする課題】
従来の圧電素子を利用した圧電トランスデューサにおいては、一般的な超音波探触子、樹脂に埋め込んだ形のトランスデューサに関して、以下のような問題点があった。
１．圧電素子に特殊なパターニングを行う必要があるため、製造が困難であった。
２．音響整合層をトランスデューサごとに設ける必要があり、また音響整合層の厚さ、表面状態によって感度が大きく異なるため、トランスデューサを複数個生産した場合、それぞれのトランスデューサ毎の感度のばらつきを制御することが困難であった。
３．トランスデューサを一つづつ製造するため、量産性が非常に悪く、製造コストが高かった。
４．圧電素子に所望の電気信号を印加するために銅線などを使用すると、配線が煩雑となったり、電気的なインピーダンスが高くなるため、電気的な損失が大きくなる。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の圧電トランスデューサの製造方法においては、パターニングされた電極を有する基板に、圧電素子を固定するとともに圧電素子に設けられた一面の電極と基板電極を導通させ、圧電素子に設けられた他面の電極と基板電極を導線などにより導通させ、圧電素子の超音波放射面に音響整合層を設け、基板を複数枚に分割することで、音響整合層の厚さのばらつきが少なく、検出感度のばらつきを抑え、量産性の優れた圧電トランスデューサの製造を行うこととしている。
さらに、音響整合層を設ける工程をスピンコート、ラミネートによって製造することで、音響整合層を所定の厚さで均一に塗布することが可能となり、結果として性能のばらつきが少なくなる。
また、基板として、スルーホールを設けたガラエポ基板などを用いることで、導線などの配線を基板の超音波送信面に設ける必要がなくなり、音響整合層を均一に塗布しやすくなる。
また、圧電素子を基板に固定した後に圧電素子を所定の大きさに切断することで、製造時に圧電素子が破損することが少なくなる。
さらに、支持体を基板の背面に設けることで、耐久性とともに不要な超音波の伝搬を防ぎ、感度の優れた圧電トランスデューサを複数個製造することが可能となる。
支持体に電極を設けるなどすることで、電気的な損失を少なくした圧電トランスデューサを提供することが可能となる。
【発明の実施の形態】
本発明の実施においては、パターニングされた電極を有する基板に、圧電素子を固定するとともに圧電素子に設けられた一面の電極と基板電極を導通させ、圧電素子に設けられた他面の電極と基板電極を導通させ、圧電素子の超音波放射面に音響整合層を設け、基板を複数枚に分割することで、音響整合層の厚さのばらつきが少なく、量産性の優れた圧電トランスデューサの製造を行うこととしている。
基板としては、ガラス、シリコンなどの基板を用い、基板と圧電素子は、導電性、あるいは絶縁性の接着剤で固定する。この際、圧電素子の両面に設けられた電極のうち、一方の面の電極が基板電極と導通するように固定する。
音響整合層としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが適しており、使用する超音波の周波数などによって異なる。音響整合層の厚さも使用する超音波の周波数によって異なり、使用する超音波の波長の１／４程度が適している。
圧電素子、音響整合層を設けた基板を、所定の大きさにダイシングなどにより分割し、複数個の圧電トランスデューサを製造する。
さらに、音響整合層を設ける工程をスピンコートあるいはラミネートによって製造することで、音響整合層を所定の厚さで均一に塗布することが可能となる。
また、基板として、スルーホールを設けたガラエポ基板を用いることで、配線を基板の超音波送信面に設ける必要がなくなり、音響整合層を均一に塗布しやすくなる。
さらに、支持体を基板の背面に設けることで、耐久性とともに不要な超音波の伝搬を防ぎ、感度の優れた圧電トランスデューサを複数個製造することが可能となる。
支持体に電極を設けるなどすることで、電気的な損失を少なくした圧電トランスデューサを提供することが可能となる。
詳細は以下の実施例において述べる。
【実施の形態１】
本発明の圧電トランスデューサの製造方法に関する１実施の形態について図１〜図３を用いて説明する。
図１は本発明の圧電トランスデューサの製造方法の工程を説明する説明図であり、図２は本発明の圧電トランスデューサの製造方法により製造された圧電トランスデューサの斜視図、図３は図２の圧電トランスデューサの側面図である。なお、図２において、音響整合層４９は省略している。
本発明の圧電トランスデューサは図１に示すように、基板４３、圧電素子４１、基板４３の上面４３ａに設けられた基板電極４７ａ、４７ｂ、図３に示す基板の裏面電極４７ｃによって構成される。
はじめに本発明の圧電トランスデューサの製造方法を図１を用いて説明する。
まず所定の大きさに加工された圧電トランスデューサ（上下面に図示しない電極が設けられている）を基板４３上に固定する（図１（ａ））。
この際、基板電極４７ａと圧電素子４１が重なるように配置する。固定には、絶縁性、導電性の接着剤を用いるかあるいは、圧電素子４１と基板電極４７ａを熱圧着させることも可能であるが、圧電素子４１の一面（図１（ａ）での裏面）に設けられた電極と基板電極４７ａが電気的に導通されることが必要である。
次に、圧電素子４１の他面（図１（ａ）での上面）に設けられた電極と基板電極４７ｂをワイヤボンディングによりワイヤ６１を設けることで電気的に接続する（図１（ｂ））。
さらに音響整合層４９を基板４３上に設ける（図１（ｃ））。音響整合層４９は光硬化、熱硬化、紫外線硬化、あるいは常温硬化の樹脂を用いる。音響整合層４９の塗布にはスピンコートあるいはラミネートによって塗布する。ラミネートの場合は、所定の厚さのフィルムを使用することになる。後述するように、音響整合層４９の厚さは０．１ｍｍ以下程度に均一に塗布する必要があるためである。最後に基板４３を複数個に分割することで完成する（図１（ｄ））。分割はダイシングによって分割する。本実施の形態では、圧電素子４１を超音波送信用、超音波受信用の２枚を１組として圧電トランスデューサとして構成しているため、図１（ａ）で１２枚の圧電素子を固定すると、６個の圧電トランスデューサを製造することができる。
図２が本実施の形態の圧電トランスデューサの製造方法によって製造された圧電トランスデューサ４であるが、圧電素子４１の一面に電極４７ａが、他面に電極４７ｂが電気的に接続されているため、圧電素子４１の上下両面に異なった電位の電圧を印加することが可能である。電極４７ａ、４７ｂは図３に示す裏面電極４７ｃと電気的に接続されており、裏面電極４７ｃにワイヤなどの銅線を接続することで圧電トランスデューサ４を駆動することができる。
つぎに、本発明の圧電トランスデューサに使用した部材について説明する。
圧電素子４１は、厚さ０．２ｍｍ（共振周波数９．６ＭＨｚ）、外形０．５×８ｍｍのＰＺＴを使用した。
基板４３は、ガラスエポキシ樹脂を使用した。電極４７ａ、４７ｂはＣｕ板に金メッキを施した電極であり、厚さは５０μｍ程度である。
音響整合層４９の材質は、圧電トランスデューサによって検査、測定される対象物の材質によって適当な材質が選択されるが、本実施の形態では、生体（人体）内の情報を検出するために使用するため、生体との適合性を基に選定を行った。
音響整合層４９を介して生体と各圧電素子４１との間で効率良く超音波を伝搬するためには、音響整合層４９の音響インピーダンスを、生体の音響インピーダンスＺｌと圧電素子の音響インピーダンスＺｃとの間の値にする必要がある。音響インピーダンスとは、音波の伝搬のしやすさを示す値であり、その値はヤング率や密度によって変化する。
そして、音響整合層４９の理想的な音響インピーダンスＺｍは、
Ｚｍ＝（Ｚｃ×Ｚｌ）1/2  …式（１）
によって示すことができる。そして、式（１）に、公知であるＺｌ＝１．５Ｍ（Ｎ・ｓｅｃ／ｍ3 ）、Ｚｃ（ＰＺＴを使用）＝３０Ｍ（Ｎ・ｓｅｃ／ｍ3 ）を代入すると、Ｚｍ＝約６．７Ｍ（Ｎ・ｓｅｃ／ｍ3 ）となる。
この計算値を基に、本実施の形態では、音響整合層４９に、音響インピーダンスが約６Ｍ（Ｎ・ｓｅｃ／ｍ3 ）である紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂を使用している。
また、超音波の伝搬について、音響整合層４９の厚さも重要な要素である。音響整合層４９の厚さが不適当な場合には、上述の音響インピーダンスと同様に、音響整合層４９において超音波の反射が起こってしまい、効率良く超音波が伝搬しない。
音響整合層４９の圧電素子４１上の厚さ（図３のｈ）は、音響整合層４９が伝搬する超音波の周波数で波長の１／４程度にするのが好ましい。具体的には、超音波の周波数が９ＭＨｚ（通常、２．３〜１０ＭＨｚの超音波を使用する）で、音響整合層４９における音速が約３０００ｍ／ｓの場合、音響整合層４９の厚さは８０μｍ程度が適当である。
さらに音響整合層４９はほぼ平坦となるように塗布される必要がある。音響整合層４９が凹凸をもって形成されると、超音波が所定の方向に送信されにくくなり、結果として感度が低下してしまう。スピンコート、ラミネートを用いることにより、複数個の圧電トランスデューサを製造しても、音響整合層４９の厚さ、平坦さを均一に塗布することが可能となるため、量産性の良い圧電トランスデューサの製造方法を提供することが可能となる。
また、基板４３上に設けられた電極４７ａ、４７ｂをスルーホールメッキする事で、基板４３の裏面４３ｂより、裏面電極４７ｃ（図３参照）を取り出すことが可能となる。基板４３の裏面４３ｂの裏面電極４７ｃより、圧電素子４１を駆動するための電極４７ａ、４７ｂと導通させない場合、基板４３の上面４３ａ上の電極４７ａ、４７ｂに圧電素子４１に駆動電気信号を印加するため、導線などを設ける必要が生じる。この場合、導線として圧電素子４１の厚さより細い導線を使用しないと音響整合層４９から導線が露出するなどの問題が生じてしまう。また、導線を設けるためには、音響整合層４９を塗布する前に設ける必要があり、製造上非常に繁雑となる。
本実施の形態のように裏面４３ｂから電極を取り出せばよいので、音響整合層４９を設けた後、フレキ、導線などを裏面電極４７ｃに接続して圧電素子４１を駆動させればよい。
さらに、基板４３の材質として、圧電素子４１と基板４３との接合面で乱反射を防ぐため、音響インピーダンスが圧電素子に近く、さらに乱反射を防ぐため、超音波の減衰率が高いものが望ましい。本実施の形態では、基板４３としてガラスエポキシ樹脂を使用したが、ガラスエポキシ樹脂は、積層されて形成されているため、層と層の間に空隙が存在する。空気層は超音波の減衰率が極めて高いため、超音波の減衰率も比較的高く、基板４３の材質として適している。
また、本実施の形態では、圧電素子４１を２枚使用するタイプの圧電トランスデューサを６個同時に製造する工程について説明したが、特にこれに限定されるわけではなく、１枚の圧電素子で送信、受信を行うタイプ、複数枚配置して、測定の際に電気的に走査するタイプであっても問題ないし、６個以上、あるいはそれ以下の圧電トランスデューサを製造しても問題ない。
また、圧電素子、音響整合層、基板の材質、大きさも適宜変更することが可能である。
さらに、必要であれば音響整合層４９上に超音波を集束させるためのレンズを設けることも可能である。
【実施の形態２】
本発明の圧電トランスデューサの製造方法に関する１実施の形態について図４を用いて説明する。
図４は本発明の圧電トランスデューサの製造方法のうち、音響整合層４９を塗布する工程を示した図であり、そのほかの工程、構造は実施の形態１と同じである。
音響整合層４９を圧電素子４１の厚さの分だけ、塗布する（図４（ａ））。この際、音響整合層４９の塗布は、スピンコート、ラミネートなどに限らず、所定の分量だけディスペンサなどで流し込んでも良い。
次に圧電素子４１の上に所定の厚さ（本実施の形態の場合８０μｍ程度  図３のｈ）で樹脂をスピンコート、ラミネートにより塗布する（図４（ｂ））。
スピンコート、ラミネートなどによって直接、音響整合層４９を塗布すると、圧電素子４１の段差があるため、ムラ、凹凸が生じる。音響整合層４９に凹凸がある場合、音響整合層４９の表面で超音波が乱反射する可能性があり、結果として検出感度の低下につながる。本実施の形態のように樹脂を塗布する工程を複数回に分けることで、均一に音響整合層４９を塗布することが可能となる。
本実施の形態では図示しなかったが、音響整合層４９の上に生体との密着性を良くする目的で、シリコンゲルなどの弾性材料を設けることも可能である。
さらに、音響整合層４９を塗布する際に、所定の形状の型を用意して、音響整合層４９を流し込み、レンズ形状として超音波の送信、受信強度を向上させることも可能である。
【実施の形態３】
本発明の圧電トランスデューサの製造方法に関する１実施の形態について図５を用いて説明する。
図５は、基板に溝７０を設け、溝７０に圧電素子を埋め込んだ構造の圧電トランスデューサの製造方法であり、他の工程、構造については実施の形態１と同じである。
以下、本実施の形態における圧電トランスデューサの製造方法の工程について図５を用いて説明する。
まず、基板４３にダイシングなどにより溝７０を設ける（図５（ａ））。この際、溝７０の深さは圧電素子４１の厚さと同じかそれより深いことが望ましい。
次に、溝７０の底部７１に電極４８をスパッタなどにより設ける（図５（ｂ））。
次に、圧電素子４１を溝７０に配置し、配線６１、６２をワイヤボンディングなどにより行う（図５（ｃ））。この際、配線６１は圧電素子４１の上面へ、配線６２は溝７０に設けられた電極４８へ接続させることで、基板電極４７ａ、４７ｂより圧電素子４１の上下面へ電気的に接続可能で、それぞれ異なる電位の電圧を印加することができる。
以降、音響整合層の塗布、複数の圧電トランスデューサへの分割などは実施の形態１と同じである。
このような構造、製造方法とすることで、圧電素子４１による段差が生じなくなるため、音響整合層４９を一度の工程で均一に塗布することが可能となり、結果として検出感度のばらつきを低く抑えることが可能となる。
【実施の形態４】
本発明の圧電トランスデューサの製造方法に関する１実施の形態について図６を用いて説明する。
図６は、適当な大きさの圧電素子を基板上に貼り付けた後、圧電素子を所定の大きさに切断する工程を含む圧電トランスデューサの製造法の説明図である。
以下に本実施の形態の圧電トランスデューサの製造法について説明する。
まず適当な大きさの圧電素子４１を基板４３上に固定する（図６（ａ））。
次に圧電素子４１を所定の幅に分割して、４１ａ、４１ｂとする（図６（ｂ））。
次に必要な圧電素子４１ａのみを残し、ワイヤなどにより配線６１を設ける（図６（ｃ））。
以下、音響整合層４９の塗布工程、基板４３の分割工程は実施の形態１と同じである。
一般に圧電素子を厚さ方向に効率良く振動させるためには、圧電素子の厚さｔと幅ｗの比ｗ／ｔが０．６程度であることが望ましい。本実施の形態の場合、圧電素子４１の厚さが０．２ｍｍだと、幅ｗは０．１２ｍｍとなる。このような細い幅の圧電素子を取り扱うことは非常に困難であり、製造が難しくなる。
本実施の形態のように、はじめに大きなサイズの圧電素子４１を基板４３に設け、必要な部分と不要な部分に圧電素子４１を分割することで、上記問題が解決される。
なお、不要な圧電素子４１ｂは、取り除かなくても、圧電素子４１ａと電気的に接続されていなければ特に問題が無いが、構造上などの理由により、取り除くのが望ましい場合は、図６（ａ）の工程の際に接着剤を図６（ｂ）の４１ａに対応する領域のみに塗布しておけば、図６（ｂ）の圧電素子分割工程の後に取り除くことができる。
【実施の形態５】
本発明の圧電トランスデューサの製造方法に関する１実施の形態について図７，８を用いて説明する。
図７は、本実施の形態に使用する支持体８１の斜視図であり、図８は本実施の形態の圧電トランスデューサの製造方法を説明する説明図である。
その他の工程、構造、材料については実施の形態１と同じである。
以下に工程を説明する。
所定の大きさに加工された圧電素子４１を固定した基板４３の裏面に支持体８１を固定する（図８（ａ））。
次に、支持体８１ごとダイシングなどにより分割して、複数の圧電トランスデューサ４を製造する（図８（ｂ））。
この際、支持体８１の凹部によって、空隙８０が形成され、この空隙８０が超音波減衰層として機能する。
圧電トランスデューサにおいて、超音波を送受信する面の反対面には、超音波を減衰させるための超音波減衰層が設けられる。空気層は超音波減衰性が極めて高く、超音波減衰層として利用できる。本実施の形態はこのような理由から凹型のくぼみを有する支持体８１を、基板４３の支持と、超音波の減衰の面から用いたが、従来使用されているような、タングステン粉末をエポキシ樹脂に混合したような材質としても良い。
【実施の形態６】
本発明の圧電トランスデューサの一実施の形態について図９，１０を用いて説明する。
図９，１０は本実施の形態の圧電トランスデューサの説明図である。図９は支持体８１に支持体電極８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂを設けた説明図である。その他の工程、構造、材料については実施の形態１と同じである。
支持体電極８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂは、図３の裏面電極４７ｃと接続される。このような構造とすることで、基板からワイヤなどの余分な配線を必要とせず、構造、製造工程が容易となるばかりか、ノイズ信号などがのりにくくなり、また電気的なインピーダンスも低く抑えられるため、低い電力で駆動することが可能となる。
支持体電極８２ａ、８２ｂ、８３ａ、８３ｂは、図示しない駆動回路が実装されるシリコン、ガラエポなどの基板に直接実装することが可能であり、製造が非常に容易となる。
図１０は、支持体８１に基板４３の背面４３ｂと接続するための電極が設けられたフレキシブル基板８４を設けた図である。このような構造とすることで、容易に圧電トランスデューサを製造することが可能となる。
【発明の効果】
以上のように、本発明の圧電トランスデューサの製造方法及び圧電トランスデューサによれば、
１．音響整合層を均一に塗布することが可能となるため、性能のばらつきを押さえ、高感度な圧電トランスデューサを複数個製造することが可能となり、性能の向上、コストを低く押さえられるという効果がある。また、樹脂の塗布工程を変えたり、裏面に電極が取り出せる基板を使用することで、さらにばらつきを押さえて音響整合層を設け、製造効率を向上させることが可能となる。
２．電極の取り出しをワイヤボンディングなどで行ったり、圧電素子を溝に埋め込んだ形状とすることで、特殊なパターニングを圧電素子に施す必要がなくなり、製造コストの削減、性能のばらつきの低減という効果がある。
また、基板に圧電素子を貼り付けた後、所定の大きさに圧電素子を分断することで、従来製造が困難であった細長く破壊しやすい圧電素子を使用することが可能となり、製造が容易になるばかりでなく、性能も向上させることができるという効果がある。
３．本発明の圧電トランスデューサによれば、圧電素子を駆動する電気信号を印加するための配線を容易にすることが可能であるため、構造、製造工程が容易となるばかりか、ノイズ信号を抑えられ、また電気的なインピーダンスも低く抑えられるため、電気的な損失が低くなり、低い電力で駆動することが可能となり、省エネルギー化という効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の圧電トランスデューサの製造方法の説明図である。
【図２】本発明の圧電トランスデューサの斜視図である。
【図３】本発明の圧電トランスデューサの側面図である。
【図４】本発明の圧電トランスデューサの製造方法の説明図である。
【図５】本発明の圧電トランスデューサの製造方法の説明図である。
【図６】本発明の圧電トランスデューサの製造方法の説明図である。
【図７】本発明の圧電トランスデューサに使用する支持体の説明図である。
【図８】本発明の圧電トランスデューサの製造方法の説明図である。
【図９】本発明の圧電トランスデューサの構造を示す説明図である。
【図１０】本発明の圧電トランスデューサの構造を示す説明図である。
【図１１】従来の圧電トランスデューサの説明図である。
【図１２】従来の圧電トランスデューサの説明図である。
【符号の説明】
４    圧電トランスデューサ
４１  圧電素子
４１ａ  圧電素子
４１ｂ  圧電素子
４３    基板
４３ａ  基板の一面
４３ｂ  基板の背面
４７ａ  電極
４７ｂ  電極
４７ｃ  裏面電極
４８    電極
４９    音響整合層
６１    ワイヤ
６２    ワイヤ
７０    溝
７１    溝の底部
８０    空隙
８１    支持体
８２ａ、８２ｂ  支持体電極
８３ａ、８３ｂ  支持体電極
８４  フレキシブル基板
１００  圧電トランスデューサ
１０１  圧電素子
１０２  電極
１０３  電極
１１０  音響整合層
１２０  フレキシブル基板
１３０  バッキング材
【図１】
0004610790.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004610790.tif 000008
【図８】
0004610790.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004610790.tif 000011
【図１１】
0004610790.tif 000012
【図１２】
0004610790.tif 000013