(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の画素が配列された画素部と、前記画素部の画素を駆動させるための駆動回路部とを含み、
前記画素部と駆動回路部を構成する薄膜トランジスターは、少なくとも各々チャンネル領域に所定の電圧を印加するためのボディーコンタクト領域を備え、
前記画素部の薄膜トランジスターはソースーボディーコンタクトであり、駆動回路部の薄膜トランジスターはゲートーボディーコンタクトであることを特徴とする有機電界発光平板表示装置。
【請求項２】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ゲート電極及びソース／ドレーン電極をさらに備え、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース電極に連結し、前記電極から前記チャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光平板表示装置。
【請求項３】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ソース／ドレーン電極に連結するアクティブ層のソース／ドレーン領域をさらに備え、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン領域とは互いに反対導電型不純物がドーピングされた不純物領域からなることを特徴とする請求項２記載の有機電界発光平板表示装置。
【請求項４】
前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、ゲート電極とソース／ドレーン電極をさらに備え、前記ボディーコンタクト領域は、前記ゲート電極に連結し、前記ゲート電極から前記チャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光平板表示装置。
【請求項５】
前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、ソース／ドレーン電極に連結するアクティブ層のソース／ドレーン領域をさらに備え、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン領域とは互いに反対導電型の不純物がドーピングされた不純物領域からなることを特徴とする請求項４記載の有機電界発光平板表示装置。
【請求項６】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ＮＭＯＳ薄膜トランジスターで構成され、駆動回路部の薄膜トランジスターは、ＰＭＯＳ薄膜トランジスターで構成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光平板表示装置。
【請求項７】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ＰＭＯＳ薄膜トランジスターで構成され、前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、ＮＭＯＳ薄膜トランジスターで構成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光平板表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示装置に関し、より具体的には画素部と駆動回路部の薄膜トランジスターが互いに異なるボディーコンタクト構造を有する、長寿命の高速平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）は、薄膜トランジスターアレイが配列された画素部と、前記画素部の薄膜トランジスターアレイを駆動させるためのデータ駆動回路部とゲート駆動回路部とを備える。
【０００３】
従来のＡＭＯＬＥＤでは、画素部の薄膜トランジスターと前記データまたはゲート駆動回路部の薄膜トランジスターが全てポーリシリコン薄膜トランジスターで構成されていた。したがって、１８０ｐｐｉ以上の高解像度ＡＭＯＬＥＤで、前記画素部と駆動回路部をポーリシリコン薄膜トランジスターで構成する場合、薄膜トランジスターの移動度が大きいため、駆動回路部の高速動作特性は得ることができた。
【０００４】
しかし、オン電流（ｏｎ−ｃｕｒｒｅｎｔ）が非常に高いために画素部のＥＬ素子を介して流れる電流量が限界値を超過するようになり、これにより単位面積当たり輝度が増加してＥＬ素子の寿命を短縮させる問題点があった。
【０００５】
一方、必要な程度のオン電流特性を維持するために、移動度の低い薄膜トランジスターで画素部と駆動回路部を構成する場合には、オン電流が相対的に低くなり適正な輝度を発生するので、ＥＬ素子の寿命短縮問題は解決できるが、駆動回路部の高速動作特性を満足させることはできなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決するためのものであって、長寿命の高速平板表示装置を提供することにその目的がある。  
本発明の他の目的は、画素部と駆動回路部を互いに異なるボディーコンタクトを有する薄膜トランジスターで構成して輝度均一度を改善させ、消費電力を減少させることができる平板表示装置を提供することにある。  
本発明の他の目的は、小型高解像度に適した平板表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述のような目的を達成するために、本発明は、多数の画素が配列された画素部と、前記画素部の画素を駆動させるための駆動回路部とを含み、前記画素部と駆動回路部を構成する薄膜トランジスターは、少なくとも各々チャンネル領域に所定の電圧を印加するためのボディーコンタクト領域を備え、前記画素部と駆動回路部の薄膜トランジスターは、互いに異なる構造のボディーコンタクト領域を備える平板表示装置を提供することを特徴とする。
【０００８】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ゲート電極及びソース／ドレーン電極と前記ソース／ドレーン電極に連結するソース／ドレーン領域をさらに備え、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン電極のうち、一つの電極に連結し、前記電極から前記チャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成され、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン領域とは互いに反対導電型の不純物がドーピングされた不純物領域からなる。
【０００９】
前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、ゲート電極とソース／ドレーン電極と前記ソース／ドレーン電極に連結するソース／ドレーン領域をさらに含み、前記ボディーコンタクト領域は、前記ゲート電極に連結し、前記ゲート電極から前記チャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成され、前記ボディーコンタクト領域は、前記ソース／ドレーン領域とは互いに反対導電型の不純物がドーピングされた不純物領域からなる。
【００１０】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ゲート駆動信号によりスイッチングされてデータ信号を伝達する第１薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターを介して伝達されるデータ信号によってＥＬ素子を駆動させるための第２薄膜トランジスターとを少なくとも含み、前記第１薄膜トランジスターと第２薄膜トランジスターのうち、少なくとも一つは前記駆動回路部の薄膜トランジスターと互いに異なる構造のボディーコンタクト領域を有することを特徴とする。
【００１１】
前記画素部の薄膜トランジスターは、ＮＭＯＳまたはＰＭＯＳ薄膜トランジスターで構成され、駆動回路部の薄膜トランジスターは、ＰＭＯＳまたはＮＭＯＳ薄膜トランジスターで構成されたり、または前記画素部の薄膜トランジスターは、ＮＭＯＳ薄膜トランジスターまたはＰＭＯＳ薄膜トランジスターのうち、一つで構成され、前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、ＰＭＯＳ薄膜トランジスターとＮＭＯＳ薄膜トランジスターのＣＭＯＳ薄膜トランジスターで構成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、多数の画素が配列された画素部と、前記画素部の画素を駆動させるための駆動回路部を含み、前記画素部は、所定範囲の入力電圧に対して均一な出力電流を有する薄膜トランジスターで構成され、前記駆動回路部は、低い入力電圧に対して優秀なオン／オフ特性を有する薄膜トランジスターで構成される平板表示装置を提供することを特徴とする。
【００１３】
前記画素部の薄膜トランジスターは、チャンネル領域と前記チャンネル領域に所定の電圧を提供するためのボディーコンタクト領域を備えるアクティブ層と、ゲート電極及びソース／ドレーン電極とを備え、前記ボディーコンタクト領域が前記ソース／ドレーン電極のうち、一つの電極に連結し、前記電極からチャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターとして、ドレーン電極に印加される入力電圧に対してドレーン電極を介して出力されるドレーン電流が均一な薄膜トランジスターで構成される。
【００１４】
前記駆動回路部の薄膜トランジスターは、チャンネル領域と前記チャンネル領域に所定の電圧を提供するためのボディーコンタクト領域を備えるアクティブ層と、ゲート電極及びソース／ドレーン電極とを備え、前記ボディーコンタクト領域が前記ゲート電極に連結し、前記ゲート電極からチャンネル領域に所定の電圧が提供される構造を有するゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターとして、ゲート電極に印加される入力電圧に対してドレーン電極を介して出力されるドレーン電流のオン／オフ特性が優秀な均一な薄膜トランジスターで構成される。
【発明の効果】
【００１５】
上述のような本発明の実施例によれば、画素部の薄膜トランジスターをドレーン電流特性が優秀なソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成し、駆動回路部の薄膜トランジスターを低電圧でオン／オフ特性が優秀なゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成することによって、高速動作特性を得ることができるだけでなく、ＥＬ素子を介して流れる電流を均一に維持して均一な輝度特性を得ることができ、素子の寿命を延長させることができる利点がある。  
前記では本発明の好適な実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者であれば、前記特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を様々に修正及び変更させることができることを分かる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を添付の図面を参照して説明すれば、次の通りである。
【００１７】
図１は、本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置の概略的な構成図を示すものである。図１を参照すれば、絶縁基板（１）上にマトリックス形態で多数の画素が配列された画素部（２）と、前記画素部（２）を駆動させるための駆動回路部とを備える。前記画素部（２）は、図面上には示されていないが、多数のゲートライン、多数のデータライン及び多数の電源ラインと、前記ラインに連結する複数個の画素がマトリックス形態で配列される。各画素は、基本的にＥＬ素子と、データラインからのデータ信号による駆動電流を前記ＥＬ素子で供給するための駆動トランジスターと、ゲートラインに印加されるスキャン信号に応答して前記駆動トランジスターにデータ信号を伝達するためのスイッチングトランジスターと、前記データ信号を保存するためのキャパシター等からなる。
【００１８】
前記画素部（２）の画素を駆動するための駆動回路部は、前記画素部（２）のゲートラインを駆動するためのスキャン信号を提供するためのゲート駆動回路部（４）と、前記画素部（２）のデータラインにデータ信号を供給するためのデータ駆動回路部（３）とを含む。
【００１９】
本発明の実施例において、画素部（２）の薄膜トランジスターは、ソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成し、駆動回路部（３）、（４）の薄膜トランジスターは、ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成する。ソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、アクティブ層にソース／ドレーン領域と分離形成されるボディーコンタクト領域を備え、前記ボディーコンタクト領域がソース／ドレーン領域のうち、一つ、例えばソース領域に連結するボディーコンタクト構造を有する。ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、アクティブ層にソース／ドレーン領域と分離形成されるボディーコンタクト領域を備え、前記ボディーコンタクト領域がゲート電極と連結するボディーコンタクト構造を有する。
【００２０】
前記ソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、キンク効果（ｋｉｎｋ  ｅｆｆｅｃｔ）を減少させて広いドレーン電圧範囲で同一のドレーン電流を得ることができるので、画素部（２）を構成する薄膜トランジスターに適している。一方、ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、低いゲート電圧でオン／オフ特性を具現できるので、駆動回路部（３）、（４）を構成する薄膜トランジスターに適している。
【００２１】
前記画素部（２）の薄膜トランジスターを構成するソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、韓国特許出願第２００３−００２７３３９号に開示され、駆動回路部（３）、（４）の薄膜トランジスターを構成するゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、韓国特許出願第２００３−０５２７０９号に開示された。
【００２２】
図２は、図１に示す本発明の有機電界発光表示装置において、画素部を構成するソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターの平面図を示すものである。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、図２の２Ａ−２Ａ’線及び図２の２Ｂ−２Ｂ’線に沿う断面構造を各々示すものである。
【００２３】
図２、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を参照すれば、本発明の実施例に係るソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターはアクティブ層（３０）、ゲート電極（５０）及びソース／ドレーン電極（７１）、（７３）を備える。前記アクティブ層（３０）は、チャンネル領域（３５）を間に置いて形成されたソース／ドレーン領域（３１）、（３３）と、前記ソース／ドレーン領域（３１）、（３３）と分離されて形成されたボディーコンタクト領域（３７）を備える。
【００２４】
前記ゲート電極（５０）は、前記アクティブ層（３０）のうち、チャンネル領域（３５）に対応して形成される。前記ソース電極（７１）は、前記ソース領域（３１）に対応して形成され、コンタクト（６１）を介して不純物領域（３１）と電気的に連結する。前記ドレーン電極（７３）は、前記ドレーン領域（３３）に対応して形成され、コンタクト（６３）を介してドレーン用不純物領域（３３）と電気的に連結する。一方、前記ボディーコンタクト領域（３７）に対応して連結配線（７７）が形成されるが、前記連結配線（７７）は、コンタクト（６７）を介して前記ボディーコンタクト領域（３７）と前記ソース電極（７１）を電気的に連結させる。
【００２５】
また、本発明の実施例では、前記ボディーコンタクト領域（３７）に電源を印加するための連結配線（７７）をソース電極（７１）と一体に形成したが、ソース電極（７１）と分離形成してソース電極（７１）に印加される電源と同一の電源を印加することもできる。また、連結配線（７７）がソース電極（７１）と連結するように形成したが、ドレーン電極（７３）に連結構成することもできる。
【００２６】
上述のような構造を有する本発明のソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、動作中にドレーン領域の横方向電界によりドレーン領域（３３）とチャンネル領域（３５）の境界部分で発生されるホットキャリアがボディーコンタクト領域（３７）を介して抜け出すようにすることによって、ホットキャリアがソース領域（３１）へ移動することを防止してキンク効果を防止できる。
【００２７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、従来のフローティングボディーＴＦＴと本発明のボディーコンタクト領域とを備えたＴＦＴの動作特性度を示すものである。図４（Ａ）は、Ｗ／Ｌ＝４μｍ／４μｍであり、ＬＤＤ領域の幅が１μｍであるｎ型薄膜トランジスターの場合において、本発明と従来のＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性を示すものである。図４（Ｂ）は、Ｗ／Ｌ＝４μｍ／４μｍであるｐ型薄膜トランジスターの場合において、本発明と従来のＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性を示すものである。
【００２８】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照すれば、従来のアクティブ層がフローティングされているＴＦＴより本発明のソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターのキンクフリー（Ｋｉｎｋ  ｆｒｅｅ）特性が優れていることが分かる。この際、ｎ型ＴＦＴとｐ型ＴＦＴのＩＤ−ＶＤ特性の差は、正孔のインパクトイオン化特性（Ｉｍｐａｃｔ  ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ）が前者より少ないためである。
【００２９】
図５は、図１に示す本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置において、駆動回路部の薄膜トランジスターを構成するゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターの平面図を示すものである。
【００３０】
図５を参照すれば、本発明の実施例に係るゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターはアクティブ層（１３０）、ゲート電極（１５０）及びソース／ドレーン電極（１７１）、（１７３）を備える。前記アクティブ層（１３０）は、チャンネル層（１３５）を間に置いて形成されたソース／ドレーン領域（１３１）、（１３３）と、前記ソース／ドレーン領域（１３１）、（１３３）と分離されて形成されたボディーコンタクト領域（１３７）とを備える。
【００３１】
前記ゲート電極（１５０）は、前記アクティブ層（１３０）のうち、チャンネル領域（１３５）に対応して形成される。前記ソース電極（１７１）は、前記ソース領域（１３１）に対応して形成され、コンタクト（１６１）を介して不純物領域（１３１）と電気的に連結する。前記ドレーン電極（１７３）は、前記ドレーン領域（１３２）に対応して形成され、コンタクト（１６３）を介してドレーン用不純物領域（１３３）と電気的に連結する。
【００３２】
一方、前記ボディーコンタクト領域（１３７）に対応して連結配線（１８０）が形成されるが、前記連結配線（１８０）は、ゲート電極（１５０）に形成されたコンタクト（１６５）とボディーコンタクト領域（１３７）に形成されたコンタクト（１６７）を介して前記ボディーコンタクト領域（１３７）と前記ゲート電極（１５０）を連結させる。前記連結配線（１８０）は、前記ソース／ドレーン電極（１７１）、（１７３）と同一の物質で構成され、島形態の連結パターンである。
【００３３】
また、本発明の実施例では、前記ボディーコンタクト領域（１３７）に電源を印加するための連結配線（１８０）をコンタクト（１６５）を介してゲート電極（１５０）と電気的に連結させることによって、低電圧駆動が可能であるため、臨界電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）のスイング幅を減少させることができ、低電圧のゲート電圧で高いドレーン電流を得ることができる。
【００３４】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、従来のフローティングボディー薄膜トランジスターと本発明のゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターの動作特性度を示すものである。図６（Ａ）は、フローティングボディー薄膜トランジスターとゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターがＮＭＯＳトランジスターで構成される場合のゲート電圧（ＶＧ）に対するドレーン電流（Ｉｄ）を示すものであり、図６（Ｂ）は、フローティングボディー薄膜トランジスターとゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターがＰＭＯＳトランジスターで構成される場合のゲート電圧（ＶＧ）に対するドレーン電流（Ｉｄ）を示すものである。
【００３５】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）を参照すれば、ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターの臨界電圧がフローティングボディー薄膜トランジスターより傾斜した傾き（ｓｔｅｅｐ  ｓｌｏｐｅ）を有するので、低いゲート電圧でオン／オフ特性を得ることができる。
【００３６】
したがって、本発明の実施例では、駆動回路部（３）、（４）を図４に示すゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成し、画素部（２）を図２、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すようなソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで構成することにより、高速動作特性を得ると共に低電圧駆動が可能である。また、画素部のＥＬ素子を介して均一な電流が流れるので均一な輝度特性を得ると共に寿命を延長させることができる。
【００３７】
本発明の実施例において、前記ソース／ドレーン領域とボディーコンタクト領域は、互いに異なる導電型を有する。例えば、ソース／ドレーン領域が高濃度のｎ型不純物領域からなると、ボディーコンタクト領域は、高濃度のｐ型不純物領域になる。反面に、ソース／ドレーン領域が高濃度のｐ型不純物領域からなると、ボディーコンタクト領域は、高濃度のｎ型不純物領域になる。この際、アクティブ層のチャンネル領域は、第１または第２導電型の不純物がドーピングされていない真性領域である。
【００３８】
また、本発明の実施例では、ソース／ドレーン領域が高濃度不純物領域からなる薄膜トランジスターでボディーコンタクト領域を形成することについて説明したが、ソース／ドレーン領域が高濃度不純物領域と低濃度不純物領域のＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスターにも適用可能である。
【００３９】
その上、本発明のソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターとゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターは、前記例示された構造に限定されることでなく、ソースとボディーコンタクト領域が連結する構造と、ゲートとボディーコンタクト領域が連結する構造とは、全て可能である。
【００４０】
本発明の実施例において、画素部を構成するスイッチングトランジスターと駆動トランジスターを全てソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで具現したり、スイッチングトランジスターと駆動薄膜トランジスターのうち、一つ、例えば駆動トランジスターのみをソース−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで具現し、スイッチングトランジスターは、ゲート−ボディーコンタクト薄膜トランジスターで具現することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置の概略的な構成図である。
【図２】本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置において、画素部の薄膜トランジスターの平面図である。
【図３】（Ａ）は図２の２Ａ−２Ａ’線に沿う画素部の薄膜トランジスターの断面図であり、（Ｂ）は図２の２Ｂ−２Ｂ’線に沿う画素部の薄膜トランジスターの断面図である。
【図４】図２に示す画素部の薄膜トランジスターにおいて、ドレーン電圧とドレーン電流との関係を示す図面である。
【図５】本発明の実施例に係る有機電界発光表示装置において、駆動回路部の薄膜トランジスターの平面図である。
【図６】図５に示す駆動回路部の薄膜トランジスターにおいて、ゲート電圧とドレーン電流との関係を示す図面である。
【符号の説明】
【００４２】
１、１０  絶縁基板
２  画素部
３  データ駆動回路部
４  ゲート駆動回路部
３０、１３０  アクティブ層
３１、３３、１３１、１３３  ソース／ドレーン領域
３５、１３５  チャンネル領域
３７、１３７  ボディーコンタクト領域
５０、１５０  ゲート
６０、１６０  層間絶縁膜
６１、６３、６７、１６１、１６３、１６５、１６７  コンタクト
７７、１８０  連結配線
７１、７３、１７１、１７３  ソース／ドレーン電極
【図１】
0004713840.tif 000002
【図２】
0004713840.tif 000003
【図３】
0004713840.tif 000004
【図４】
0004713840.tif 000005
【図５】
0004713840.tif 000006
【図６】
0004713840.tif 000007