(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、および前記基板上に形成された感光性樹脂層を備えた被転写基板と、表面に凹凸パターンを有するテンプレートとを用い、前記被転写基板の感光性樹脂層と、前記テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、
前記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、
前記露光工程後に、前記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、前記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、
を有し、
前記露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量の５０〜９９％の範囲内であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント法を用いたパターン形成体の製造方法に関し、特に従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができるパターン形成体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路やマイクロレンズを作製する際に、現在、フォトリソグラフィー法が広く使用されている。一方、このようなフォトリソグラフィーと比較して、安価に凹凸パターンを形成する方法として、インプリント法が知られている。インプリント法とは、表面に予め所望の凹凸パターンを有するテンプレートを用いて、被転写基板と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写基板の表面に凹凸パターンを形成する方法である。
【０００３】
ところが、このようなインプリント法を用いて、例えばマイクロレンズ付基板を製造する場合、以下のような問題があった。すなわち、インプリント法においては、例えば図５（ａ）に示すように、基板５１および感光性樹脂層５２を有する被転写基板５３と、表面に凹凸パターン５４を有するテンプレート５５とを用い、図５（ｂ）に示すように、被転写基板５３およびテンプレート５５を密着した状態で光５６を照射し、その後、テンプレート５５を剥離することによって、図５（ｃ）に示すような凹凸被転写基板５７を得る。このような場合に、凹凸被転写基板５７に、厚膜層５８が発生する。
【０００４】
この凹凸被転写基板５７の感光性樹脂層５２をマイクロレンズとして使用する場合、厚膜層５８は、集光率を低下させる原因となり得る。そのため、通常、図５（ｄ）に示すように、酸素プラズマ等のドライエッチング５９を行うことにより、厚膜層５８を除去し、図５（ｅ）に示すようなマイクロレンズ付基板（パターン形成体）６０を得る。
【０００５】
上記のようなドライエッチングを行うためには、凹凸被転写基板を真空系におく必要があり、その結果、マイクロレンズ付基板等を作製する際の工程が煩雑になるという問題があった。そのため、より簡便な方法でマイクロレンズ付基板等を作製することができる方法が望まれていた。なお、インプリント装置およびインプリント方法については、例えば特許文献１に開示されたもの等がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−９３７４８公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えばマイクロレンズ付基板等のパターン形成体を、従来に比べて簡便な方法で得ることができるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、基板、および上記基板上に形成された感光性樹脂層を備えた被転写基板と、表面に凹凸パターンを有するテンプレートとを用い、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。
【０００９】
本発明によれば、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができる。
【００１０】
また、上記発明においては、上記テンプレートが、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することが好ましい。上記テンプレートが、凹凸パターンの凸部または凹部に透過率調整層を有していれば、露光工程の際に、密着積層体の感光性樹脂層に照射される光を部分的に低減させることができる。これにより、例えば、感光性樹脂層にネガ型感光性樹脂層を用いた場合に、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域（通常の露光が行われた領域）に比べて架橋密度が低くなり、現像工程において除去され易くなるため、上述した厚膜層を容易に除去することができる。
【００１１】
また、上記発明においては、上記露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量に対して５０〜９９％の範囲内であることが好ましい。露光工程の際の光の露光量を上記範囲内とすることで、ネガ型感光性樹脂を、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化させることができ、その結果、現像処理を行うことにより、上述した厚膜層を容易に除去することができるからである。
【００１２】
また、本発明においては、表面に凹凸パターンを有し、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするインプリント用テンプレートを提供する。
【００１３】
本発明によれば、上記透過率調整層を有するテンプレートを用いることにより、インプリント法により生じる厚膜層を容易に除去することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明においては、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のパターン形成体の製造方法およびインプリント用テンプレートについて詳細に説明する。
【００１６】
Ａ．パターン形成体の製造方法
まず、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。本発明のパターン形成体の製造方法は、基板、および上記基板上に形成された感光性樹脂層を備えた被転写基板と、表面に凹凸パターンを有するテンプレートとを用い、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１７】
本発明によれば、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができる。より具体的には、従来においては、酸素プラズマ等のドライエッチングを行うことにより厚膜層を除去するため真空装置等が必要になり、工程が煩雑になるという問題があったが、本発明においては、現像液を用いた現像処理で厚膜層を除去することから、より簡便にパターン形成体を得ることができる。
【００１８】
また、上述したように、本発明はインプリント法により凹凸被転写基板を形成した後に、現像工程を行うことを特徴とするものである。従って、本発明のパターン形成体の製造方法は、インプリント法と現像工程とを行うものであれば特に限定されるものではないが、中でも、特定のテンプレートを用いること（第一態様）、または、ネガ型感光性樹脂層に対して特定の露光量で露光を行うこと（第二態様）が好ましい。
以下、第一態様および第二態様について説明する。
【００１９】
１．第一態様
まず、第一態様のパターン形成体の製造方法について説明する。本態様は、特定のテンプレートを用いることを特徴とするものである。具体的には、上記テンプレートが、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするものである。
【００２０】
本態様によれば、上記テンプレートが、凹凸パターンの凸部または凹部に透過率調整層を有することから、露光工程の際に、密着積層体の感光性樹脂層に照射される光を部分的に低減させることができる。これにより、例えば、感光性樹脂層にネガ型感光性樹脂層を用いた場合に、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域（通常の露光が行われた領域）に比べて架橋密度が低くなり、現像工程において除去され易くなるため、上述した厚膜層を容易に除去することができる。なお、「架橋密度が低い」ということは、一般的に、樹脂の硬化度が低いことを意味し、現像液に対する溶解性が高いことを意味する。また、後述するように、例えばパターン形成体としてマイクロレンズ付基板を作製する場合、感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層あれば、通常、テンプレートの凸部に透過率調整層が設けられ、感光性樹脂がポジ型感光性樹脂層であれば、通常、テンプレートの凹部に透過率調整層が設けられる。
【００２１】
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について図面を用いて説明する。図１は、本態様のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板の製造方法を示すものである。なお、「マイクロレンズ付基板」とは、基板と、上記基板上に形成されたマイクロレンズと、を備える部材であり、例えばイメージセンサー等の構成部品としてなり得るものである。
まず、図１（ａ）に示すように、基板１と、基板１上に形成されたネガ型感光性樹脂層２とを備えた被転写基板３と、表面に凹凸パターン４を有し、かつ、凹凸パターン４の凸部に光の透過率を調整する透過率調整層５を有するテンプレート６とを用い、図１（ｂ）に示すように、被転写基板３の感光性樹脂層２と、テンプレート６の凹凸パターン４とを密着させ密着積層体７を形成する密着積層体形成工程を行う。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、密着積層体７のテンプレート６側から光８を照射する露光工程を行う。この際、ネガ型感光性樹脂層２は、光８の照射によって、その架橋密度が増加し硬化するが、透過率調整層５により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層２の領域は、相対的に架橋密度が低くなる。
次に、密着積層体７のテンプレート６を剥離し、図１（ｄ）に示すような凹凸被転写基板９を得る。この際、厚膜層１０が発生するが、ネガ型感光性樹脂層２は上述した相対的に架橋密度が低い領域を有していることから、凹凸被転写基板９を現像液で現像することにより、厚膜層１０を容易に除去することができ、図１（ｅ）に示すようなマイクロレンズ付基板（パターン形成体）１１を得ることができる。
以下、本態様のパターン形成体の製造方法について、工程毎に説明する。
【００２３】
（１）密着積層体形成工程
本態様における密着積層体形成工程について説明する。本態様における密着積層体形成工程は、被転写基板の感光性樹脂層と、テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する工程である。
【００２４】
（ａ）テンプレート
まず、本態様に用いられるテンプレートについて説明する。本態様に用いられるテンプレートは、表面に凹凸パターンを有し、かつ、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有するものである。
【００２５】
本態様においては、上記透過率調整層が上記凹凸パターンの凸部に形成されたものであっても良く、凹部に形成されたものであっても良い。凸部および凹部のどちらに形成されるかは、用いる感光性樹脂層の種類、および現像工程で除去したい感光性樹脂層の領域を考慮して適宜選択される。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する場合であって、感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合は、上述した図１で説明したように、上記透過率調整層が凹凸パターンの凸部に形成されることが好ましい。
【００２６】
上記透過率調整層は、通常、露光時の照射光を減光するために用いられるものである。このような透過率調整層としては、具体的には、遮光層および半透明層等を挙げることができる。上記遮光層の材料としては、例えばクロム、モリブデン、アルミニウム、タングステン、タンタル、金属シリサイド等を挙げることができ、中でもクロムが好ましい。遮光性および加工性等に優れているからである。具体的には、上記遮光層が、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、クロム酸化窒化炭化物等のクロム系層であることが好ましい。一方、上記半透明層は、例えば上記遮光層の材料を用い、上記遮光層よりも膜厚の薄い層を形成することによって得ることができる。また、例えば上記遮光層の材料を用い、ドット状に遮光層を形成することによって、半透明層としても良い。
【００２７】
上記透過率調整層の透過率としては、特に限定されるものではないが、例えば５０％以下、中でも２５％以下であることが好ましい。なお、透過率調整層の透過率が０％である場合、透過率調整層は遮光層となる。
また、上記透過率調整層の膜厚としては、透過率調整層が遮光膜であるか半透明膜であるか等により異なり、特に限定されるものではないが、例えば、上記透過率調整層がクロムからなる遮光層である場合は、通常０．０５〜２μｍの範囲内である。
【００２８】
上記テンプレートが表面に有する凹凸パターンの形状としては、特に限定されるものではなく、パターン形成体の用途等に応じて適宜選択することができる。例えば、本態様のパターン形成体の製造方法によりマイクロレンズ付基板を作製する場合は、図２（ａ）に示すように、半球面状の凹部２１と平面状の凸部２２とを有し、さらに凸部２２に透過率調整層２３が形成されたテンプレート２４等を挙げることができる。なお、凸部２２の寸法ａとしては、特に限定されるものではないが、通常３０〜３５０ｎｍ程度である。
【００２９】
また、図２（ｂ）は、本態様に用いられるテンプレートの他の例を示す概略断面図である。本態様に用いられるテンプレートは、図２（ｂ）に示すように、溝状の凹部２１と平面状の凸部２２とを有し、凸部２２に透過率調整層２３が形成されたものであっても良い。
【００３０】
上記テンプレートの材料としては、露光工程で用いられる光に対して充分な透過性を有するものであれば特に限定されるものではないが、中でも熱膨張率が小さい材料であることが好ましい。熱膨張率が小さければ、熱による凹凸パターンの変形を抑制することができるからである。具体的には、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス等を挙げることができ、中でも石英ガラスが好ましい。
【００３１】
また、上記テンプレートの作製方法としては、上述したテンプレートを得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば以下の方法等を挙げることができる。
図３は、本態様に用いられるテンプレートの製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板形成用テンプレートの製造方法の一例を示す工程図である。本態様に用いられるテンプレートの製造方法は、まず図３（ａ）に示すように、基板３１と、基板３１の一方の表面全体に形成された透過率調整層３２とを備える原料基板を用意し、次に、通常のフォトマスクを作製する方法と同様の方法を用いて、図３（ｂ）に示すように、パターニングされた透過率調整層３２を形成し、次に図３（ｃ）に示すように、基板３１およびパターニングされた透過率調整層３２上にポジ型レジスト層３３を形成し、次に図３（ｄ）に示すように、ポジ型レジスト層３３に対して電子線３４により変調露光を行い、ポジ型レジスト層を露光量に応じて現像し、最後に、図３（ｅ）に示すように、ドライエッチング３５を行うことにより、図３（ｆ）に示すようなテンプレート３６を得る方法等を挙げることができる。
【００３２】
（ｂ）被転写基板
次に、本態様に用いられる被転写基板について説明する。本態様に用いられる被転写基板は、基板と、上記基板上に形成された感光性樹脂層とを備えたものである。
上記基板としては、本態様により得られるパターン形成体の用途等に応じて異なり、特に限定されるものではない。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する場合には、上記基板として、石英ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス（青板ガラス）等の透明ガラス基板等が挙げられる。
【００３３】
また、上記感光性樹脂層を構成する感光性樹脂としては、ポジ型感光性樹脂およびネガ型感光性樹脂のいずれも用いることができるが、中でも、本態様においては、ネガ型感光性樹脂を用いることが好ましい。取扱い性に優れているからである。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する際に用いられる上記ネガ型感光性樹脂としては、具体的には、ＰＡＫ−０１（東亞合成製）およびＮＩＰ−Ｋ（Zen Photonics製）等のアクリル系ポリマー等を挙げることができる。
上記感光性樹脂層の厚さとしては、パターン形成体の用途等に応じて異なるものであるが、通常０．１〜１００μｍの範囲内である。
【００３４】
（ｃ）密着積層体の作製
本態様に用いられる密着積層体は、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを、通常、常温で密着させることにより形成する。
【００３５】
（２）露光工程
次に、本態様における露光工程について説明する。本態様における露光工程は、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する工程である。
【００３６】
例えば密着積層体の感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合、上記露光工程を行うことにより、透過率調整層により照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域（通常の露光が行われた領域）は、後述する現像工程で現像液に溶解しない程度、あるいは溶解する場合であっても所望のパターンを維持できる程度の硬化状態となる。一方、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、後述する現像工程で現像液に溶解し除去可能な程度の硬化状態となる。なお、透過率調整層が遮光層である場合は、その遮光層近傍におけるネガ型感光性樹脂層の領域は、ほぼ未硬化状態のままである。
【００３７】
また、本態様に用いられる光としては、ネガ型感光性樹脂層を硬化させることができる硬化開始剤を分解できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な感光性樹脂を露光するために用いられる光と同様のものを用いることができる。例えば、水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）およびｉ線（３６５ｎｍ）、並びに、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）およびＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等を挙げることができる。
【００３８】
また、上記光の露光量としては、特に限定されるものではなく、通常のインプリント法と同様の露光量とすることができる。本態様においては、密着積層体のテンプレートが透過率調整層を有するものであることから、通常のインプリント法と同様の露光量で露光を行う場合であっても、例えばネガ型レジスト層の架橋密度を部分的に低くすること等ができ、後述する現像工程で容易に厚膜層等を除去することができる。上記光の露光量としては、特に限定されるものではないが、具体的には１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内、中でも５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内であることが好ましい。
【００３９】
（３）現像工程
次に、本態様における現像工程について説明する。本態様における現像工程は、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する工程である。
【００４０】
例えば凹凸被転写基板の感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合、上記現像工程を行うことにより、上記露光工程において透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、架橋密度が低いことから現像液に対する溶解度が高く、現像液に溶解し除去される。一方、上記露光工程において、透過率調整層により照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域（通常の露光が行われた領域）は、架橋密度が高いことから現像液に対する溶解度が低く、所望のパターンを維持する。
【００４１】
本態様に用いられる現像液としては、特に限定されるものではなく、用いられる感光性樹脂層の種類等に応じて、適宜選択することが好ましい。具体的には、アルカリ現像液および有機溶媒現像液等を挙げることができる。
【００４２】
また、本態様において、凹凸被転写基板を現像する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、浸漬法、スプレー法およびパドル法等を挙げることができ、中でもパドル法が好ましい。
【００４３】
（４）パターン形成体
次に、本態様により得られるパターン形成体について説明する。本態様により得られるパターン形成体の用途としては、特に限定されるものではないが、例えば、マイクロレンズ付基板、半導体デバイス、イメージセンサー、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)、光通信デバイス、ホログラム等を挙げることができる。
【００４４】
２．第二態様
次に、第二態様のパターン形成体の製造方法について説明する。本態様は、ネガ型感光性樹脂層に対して特定の露光量で露光することを特徴とするものである。具体的には、露光工程の際の光の露光量が完全硬化露光量に対して５０〜９９％の範囲内であることを特徴とするものである。
なお、「完全硬化露光量」とは、完全にネガ型感光性樹脂が硬化したものとみなすことができる最小の露光量であり、具体的には、ネガ型感光性樹脂の現像液に対する残膜量と、露光量との関係を示す曲線において、残膜量が一定となるために必要な最小の露光量をいう。
【００４５】
本態様によれば、露光工程の際の光の露光量を上記範囲内とすることで、ネガ型感光性樹脂を、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化させることができ、その結果、現像処理を行うことにより、上述した厚膜層を容易に除去することができる。
【００４６】
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について図面を用いて説明する。図４は、本態様のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板の製造方法を示すものである。
まず、図４（ａ）に示すように、基板４１と、基板４１上に形成されたネガ型感光性樹脂層４２とを備えた被転写基板４３と、表面に凹凸パターン４４を有するテンプレート４５とを用い、図４（ｂ）に示すように、被転写基板４３の感光性樹脂層４２と、テンプレート４５の凹凸パターン４４とを密着させ密着積層体４６を形成する密着積層体形成工程を行う。
【００４７】
次に、図４（ｃ）に示すように、密着積層体４６のテンプレート４５側から、光４７を特定の露光量で照射する露光工程を行う。この際、ネガ型感光性樹脂層４２は、光４７の照射によって、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化する。
次に、密着積層体４６のテンプレート４５を剥離し、図４（ｄ）に示すような凹凸被転写基板４８を得る。この際、厚膜層４９が発生するが、ネガ型感光性樹脂層４２は、上述したように、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化していることから、凹凸被転写基板４８を現像液で現像することにより、厚膜層４９を容易に除去することができ、図４（ｅ）に示すようなマイクロレンズ付基板（パターン形成体）５０を得ることができる。
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について、工程毎に説明する。
【００４８】
（１）密着積層体形成工程
まず、本態様における密着積層体形成工程について説明する。本態様における密着積層体形成工程は、被転写基板の感光性樹脂層と、テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する工程である。
【００４９】
（ａ）テンプレート
本態様に用いられるテンプレートは、表面に凹凸パターンを有するものである。本態様に用いられるテンプレートは、通常、上述した透過率調整層を有しないものであるが、透過率調整層を有しないこと以外は、「１．第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５０】
（ｂ）被転写基板
本態様に用いられる被転写基板は、基板と、上記基板上に形成された感光性樹脂層とを備えたものである。本態様においては、通常、感光性樹脂としてネガ型感光性樹脂が用いられる。なお、本態様に用いられる被転写基板については、「１．第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、密着積層体の作製方法についても同様である。
【００５１】
（２）露光工程
次に、本態様における露光工程について説明する。本態様における露光工程は、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する工程である。
【００５２】
本態様においては、上述したように、露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量に対して５０〜９９％の範囲内であることを特徴とするものであるが、中でも７５〜９５％の範囲内であることが好ましい。
【００５３】
また、上記光の露光量としては、用いる感光性樹脂層の種類等により異なるものであるが、例えば１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内、中でも５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内であることが好ましい。
【００５４】
また、本態様に用いられる光としては、ネガ型感光性樹脂層を適度に硬化させることができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な感光性樹脂を露光するために用いられる光と同様のものを用いることができる。例えば、水銀ランプのｇ線（４３６ｎｍ）およびｉ線（３６５ｎｍ）、並びに、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）およびＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等を挙げることができる。
【００５５】
（３）現像工程
次に、本態様における現像工程について説明する。本態様における現像工程は、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する工程である。本態様における露光工程については、「１．第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、本態様により得られるパターン形成体の用途等についても「１．第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、本態様においては、感光性樹脂の架橋反応を完全に進行させるため、通常、現像工程終了後にさらに露光を行う。
【００５６】
Ｂ．インプリント用テンプレート
次に、本発明のインプリント用テンプレートについて説明する。本発明のインプリント用テンプレートは、表面に凹凸パターンを有し、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするものである。
【００５７】
本発明によれば、上記透過率調整層を有するテンプレートを用いることにより、インプリント法により生じる厚膜層を容易に除去することができる。
なお、このようなインプリント用テンプレートについては、上述した「Ａ．パターン形成体の製造方法  １．第一態様」に記載したテンプレートと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
（マイクロレンズ用透過率調整テンプレートの作製）
石英ガラス上に厚さ２００Åのクロム膜（透過率１０％）をスパッタリング法で成膜し、次いで、電子線レジスト（ＥＢレジスト）を塗布し、レンズの周辺部の枠パターン幅１００ｎｍのレジストパターンをピッチ２μｍで作製した。上記クロム膜を塩素ガスでエッチングし、上記電子線レジストを剥離した。
次に、レンズ形状パターンを形成するために、レジスト剥離後の基板にＥＢレジストを塗布し、レジスト形状に応じて電子線（ＥＢ）の照射量を変化させ、現像することにより、凹型おわん形状のレジストパターンを形成した。次いで、ＣＦ４にてドライエッチングすることによりレジストパターンをエッチングし、石英ガラスに凹型おわん形状を転写、すなわち、エッチバックを行うことにより、マイクロレンズ用透過率調整テンプレートを得た。
【００６０】
（マイクロレンズアレイの作製）
ＣＭＯＳセンサーの上にカラーフィルタおよび平坦化層まで形成した基板上に、東亞合成社製ＰＡＫ−０１を滴下することにより感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層と、上記のマイクロレンズ用透過率調整テンプレートとを圧力０．４Ｎで密着させた。この後、水銀ランプにて１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、テンプレートを剥離した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）で６０秒現像し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）でリンスしてその後スピン乾燥させることにより、マイクロレンズアレイを形成した。得られたマイクロレンズアレイは、各マイクロレンズ間のギャップが１００ｎｍ程度と小さいものであった。
なお、従来法においては、レンズに寄与しないＰＡＫ−０１の厚膜層が約１００ｎｍ程度残っていたが、本実施例においては、厚膜層の発生なくマイクロレンズアレイを形成することができた。
【００６１】
［実施例２］
（マイクロレンズ用透過率調整テンプレートの作製）
石英ガラス上に電子線レジスト（ＥＢレジスト）を塗布し、その後、帯電防止膜エスペイサー（昭和電工社製）を塗布した。レジスト形状に応じて電子線（ＥＢ）の照射量を変化させ、現像することにより、凹型おわん形状のレジストパターンを形成した。次いで、ＣＦ４にてドライエッチングすることによりレジストパターンをエッチングし、石英ガラスに凹型おわん形状を転写、すなわち、エッチバックを行うことにより、マイクロレンズ用透過率調整テンプレートを得た。
【００６２】
（マイクロレンズアレイの作製）
ＣＭＯＳセンサーの上にカラーフィルタおよび平坦化層まで形成した基板上に、東亞合成社製ＰＡＫ−０１を滴下することにより感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層と、上記のマイクロレンズ用透過率調整テンプレートとを圧力０．４Ｎで密着させた。この後、水銀ランプにて１０００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、テンプレートを剥離した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）で６０秒現像し、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）でリンスしてその後スピン乾燥させた。その後、架橋反応を完全に進行させるために、水銀ランプにてさらに５００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、マイクロレンズアレイを形成した。得られたマイクロレンズアレイは、各マイクロレンズ間のギャップが１００ｎｍ程度と小さいものであった。
なお、従来法においては、レンズに寄与しないＰＡＫ−０１の厚膜層が約１００ｎｍ程度残っていたが、本実施例においては、厚膜層の発生なくマイクロレンズアレイを形成することができた。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明に用いられるテンプレートを例示する概略断面図である。
【図３】本発明に用いられるテンプレートの製造方法の一例を示す工程図である。
【図４】本発明のパターン形成体の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図５】インプリント法を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  …  基板
２  …  ネガ型感光性樹脂層
３  …  被転写基板
４  …  凹凸パターン
５  …  透過率調整層
６  …  テンプレート
７  …  密着積層体
８  …  光
９  …  凹凸被転写基板
１０  …  厚膜層
１１  …  マイクロレンズ付基板（パターン形成体）
【図１】
0004717623.tif 000002
【図２】
0004717623.tif 000003
【図３】
0004717623.tif 000004
【図４】
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【図５】
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