(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パターンが形成された第１パターン形成面を有する第１ガラス基板と、ブラックマトリックスを含む第２パターンが形成された第２パターン形成面を有する第２ガラス基板とが、前記第１パターン形成面及び前記第２パターン形成面が互いに対向するように配置され、
前記第２ガラス基板には前記第２ガラス基板の一部を切断するための切断予定ラインが設けられ、前記第２パターン形成面と垂直な方向に沿い、かつ前記切断予定ラインを通過する仮想面と、前記第２パターン形成面とが交差する線の位置に、レーザー光を反射する機能を有するレーザー光透過抑止部が設けられた表示パネルを製造する製造工程と、
前記第２パターン形成面の反対面に向けて、前記第２パターン形成面と垂直な方向に、
かつ、前記切断予定ラインに沿って、前記第２ガラス基板の内部に前記レーザー光の集光点が位置するように前記レーザー光を照射する照射工程と、
を備え、
前記レーザー光は、前記第２ガラス基板を透過する波長であり、
前記ブラックマトリックス及び前記レーザー光透過抑止部は、クロムからなる膜であり、スパッタ法により同時期に形成される、ことを特徴とする表示パネルのレーザスクライブ方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルのレーザスクライブ方法によって製造されたことを特徴とする表示パネル。
【請求項３】
請求項２に記載の表示パネルを搭載したことを特徴とする電子機器。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示パネルのガラス基板等の切断方法として、レーザ光を用いて切断するレーザスクライブ方法が知られている。例えば、特許文献１に記載のレーザスクライブ方法では、切断しようとするガラス基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収という現象を利用することにより、集光点部に改質領域を形成させる。そして、改質領域を起点にしてガラス基板が切断される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の方法では、レーザ光は、集光点の位置までに留まらず、集光点を超えて基板中を進行してしまうという問題があった。例えば、上下基板を貼り合わせた液晶表示パネルの上基板の内部にレーザ光の集光点を合わせてレーザ光を照射すると、上記のように、レーザ光の一部が上基板を表側から裏側まで進行して、即ち、貫通して、下基板上に形成されたパターン形成部にレーザ光が照射され、パターン焼けやパターン切断による電気的接続不具合を引き起こしやすくなるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、レーザ光が集光点を超えて進行することを抑制することができる表示パネル、表示パネルのレーザスクライブ方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、第１パターンが形成された基板面である第１パターン形成面を有する第１基板と、第２パターンが形成された基板面である第２パターン形成面を有する第２基板とが、当該第１パターン形成面及び当該第２パターン形成面が互いに対向するように配置され、第２基板に当該第２基板の一部を切断するための切断予定ラインが設けられ、第２パターン形成面と垂直な方向に沿い、かつ切断予定ラインを通過する仮想面と、第１パターン形成面と第２パターン形成面とのうち少なくとも一方の面とが交差する線の位置に、反射、吸収、散乱のうち少なくとも一つの機能を有する抑止部が設けられた表示パネルを製造する製造工程と、第２パターン形成面の反対面に向けて、第２パターン形成面と垂直な方向に、かつ、切断予定ラインに沿って、第２基板の内部にレーザ光の集光点が位置するようにレーザ光を照射する照射工程とを備えることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、製造工程では、切断予定ラインを通過する仮想面と、第１パターン形成面と第２パターン形成面とのうち少なくとも一方の面とが交差する線の位置に、反射、吸収、散乱のうち少なくとも一つの機能を有する抑止部が形成される。そして、照射工程で、切断予定ラインに沿って照射されたレーザ光のうち第２基板の内部に設定された集光点を超えて、更に進行したレーザ光は、抑止部に達する。当該抑止部に達したレーザ光は、抑止部によって進行力が減衰される。従って、レーザ光の照射方向に対して、抑止部を超える個所に形成された第１パターンの焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を抑えることができる。
【０００８】
本発明の表示パネルのレーザスクライブ方法の製造工程では、抑止部は、金属膜で形成してもよい。
【０００９】
これによれば、金属膜によって、照射されたレーザ光を反射させることができる。
【００１０】
本発明の表示パネルのレーザスクライブ方法の製造工程では、金属膜は、第２パターン形成面に、第２パターンの形成で使用されるブラックマトリクスと同じ材料で形成してもよい。
【００１１】
これによれば、第１パターンの形成に使用されるブラックマトリクスと同じ材料を用いるので、形成されたブラックマトリクスにより、レーザ光を反射させることができ、さらに、材料選定等の工数を省き、作業効率を向上させることができる。
【００１２】
本発明の表示パネルのレーザスクライブ方法の製造工程では、金属膜とブラックマトリクスを同時期に形成してもよい。
【００１３】
これによれば、金属膜とブラックマトリクスを同時期に形成することにより、作業効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明の表示パネルのレーザスクライブ方法の製造工程では、抑止部は、樹脂膜で形成してもよい。
【００１５】
これによれば、樹脂膜によって、照射されたレーザ光を吸収させることができる。
【００１６】
本発明の表示パネルのレーザスクライブ方法の製造工程では、第２パターン形成面に、凹凸部を形成することにより抑止部を形成してもよい。
【００１７】
これによれば、形成された凸凹部により、照射されたレーザ光を散乱させることができる。
【００１８】
本発明の表示パネルは、上記の表示パネルのレーザスクライブ方法によって製造されたことを要旨とする。
【００１９】
これによれば、レーザ光を照射して、第２基板の一部を切断するとき、レーザ光の照射方向に対して抑止部を超える個所にあたる第１基板に形成された第１パターンの焼けや切断によるパターン欠陥等の不具合を抑え、信頼性の高い表示パネルを提供することができる。
【００２０】
本発明の電子機器は、上記の表示パネルを搭載したことを要旨とする。
【００２１】
これによれば、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した第１〜第３実施形態について図面に従って説明する。
【００２３】
[第１実施形態]
（表示パネルの構成）
まず、第１実施形態に係る表示パネルの構成について説明する。図１は、マザー基板の概略を示し、図１（ａ）は、平面図を示し、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示す。
【００２４】
図１（ａ）において、マザー基板１は、複数個の表示パネルとしての液晶表示パネル１０が区画形成して構成されている。そして、図１（ｂ）に示すように、第１基板１１と第２基板１２が対向して接着されている。１つの液晶表示パネル１０は、それぞれの区画領域の周縁部を切断することによりマザー基板１から切り出される。
【００２５】
図２は、図１に示したマザー基板１から切り出された液晶パネルの構成を示し、図２（ａ）は、平面図を示し、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線の断面図を示す。また、同図（ｃ）は、第２基板１２の一部が切断された後の断面図を示す。
【００２６】
図２（ａ）および（ｂ）において、液晶表示パネル１０は、第１基板１１と、第２基板１２と、シール材１４によって接着された第１，第２基板１１，１２の隙間に充填された液晶１５等で構成されている。
【００２７】
第１基板１１は、透明性を有するガラス基板の第１パターン形成面１１０に第１パターンが形成されている。具体的には、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）素子１３と、ＴＦＴ素子１３の３端子のうち一つに接続された画素を構成する画素電極（図示せず）と、ＴＦＴ素子１３の残りの２端子に接続されたデータ線（図示せず）と走査線（図示せず）が形成されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されてデータ線駆動回路部２２に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域にそれぞれ形成された走査線駆動回路部２１に接続されている。各データ線駆動回路部２２および走査線駆動回路部２１の入力側配線は、第１基板１１のＹ軸方向の端部に形成された実装配線２０にそれぞれ接続されている。実装配線２０とは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部２１を繋ぐ配線２３が設けられている。
【００２８】
第２基板１２は、透明性を有するガラス基板の第２パターン形成面１２０に第２パターンが形成されている。具体的には、ブラックマトリクス１６と、ブラックマトリクス１６によって区画された領域に形成された色要素１７とブラックマトリクス１６および色要素１７の上面に形成された共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、第２基板１２の四ヶ所に設けられた上下導通部２４を介して第１基板１１側に設けられた配線と導通しており、該配線も実装配線２０に接続されている。
【００２９】
また、液晶１５に面する第１基板１１の表面および第２基板１２の表面には、それぞれ配向膜１９が形成されている。
【００３０】
液晶表示パネル１０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装配線２０に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部２２および走査線駆動回路部２１に入力されることにより、ＴＦＴ素子１３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と共通電極１８との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００３１】
液晶表示パネル１０は、上記のように、実装配線２０に外部の中継基板との接続を行うスペースを確保するため、実装配線２０と対向する位置にあたる第２基板１２の一部（切断部１２ａ）を切断する必要がある。
【００３２】
このため、第２基板１２には、第２基板１２の一部の切断部１２ａを切断する位置を設定する切断予定ライン３０が設けられている。切断予定ライン３０は、第２基板１２の面に対して垂直な方向において、第１基板１１の実装配線２０に重なるように設けられている。第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に、抑止部としての金属膜１６ａが形成されている。金属膜１６ａは、レーザ光を反射させる機能を有し、本実施形態では、クロムを材料とするブラックマトリクス１６と同じ材料を用いている。
【００３３】
切断部１２ａの切断には、レーザ光が用いられ、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面から、切断予定ライン３０に沿ってレーザ光を照射することにより、図２（ｃ）に示すように、第２基板１２の一部の切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００３４】
（表示パネルのレーザスクライブ方法）
次に、第１実施形態に係る表示パネルのレーザスクライブ方法について説明する。図３及び図４は、表示パネルとしての液晶表示パネルのスクライブ方法を示す工程図である。詳細には、図３（ａ）〜（ｇ）は、表示パネルを製造する製造工程を示し、図４（ｈ），（ｉ）は、レーザ光を照射する照射工程を示す。
【００３５】
図３（ａ）では、第２基板１２の第２パターン形成面１２０にブラックマトリクス１６と、切断予定ライン３０に沿った個所に抑止部としての金属膜１６ａを形成する。金属膜１６ａは、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に形成されている。本実施形態において、金属膜１６ａは、ブラックマトリクス１６と同じ材料を用いている。ブラックマトリクス１６と金属膜１６ａの形成方法は、クロム膜をスパッタ法などにより第２パターン形成面１２０に成膜され、その後、フォトリソグラフィ法によりクロム膜パターンを施すことにより形成される。
【００３６】
図３（ｂ）では、ブラックマトリクス１６の形成によって区画された領域に色要素１７を付着させる。色要素１７の付着方法は、印刷法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００３７】
図３（ｃ）では、ブラックマトリクス１６および色要素１７の表面に共通電極１８を形成する。共通電極１８の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００３８】
図３（ｄ）では、共通電極１８の表面に配向膜１９を形成する。配向膜１９の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００３９】
図３（ｅ）では、第２パターン形成面１２０にシール材１４を形成する。シール材１４は、熱硬化性樹脂やＵＶ硬化性樹脂を用いることができ、印刷法、ディスペンサ法、インクジェット法等を採用することができる。
【００４０】
図３（ｆ）では、第２基板１２と、ＴＦＴ素子１３等の第１パターンが形成された第１基板１１とをシール材１４の接着力によって接着させる。
【００４１】
図３（ｇ）では、シール材１４によって規制された両基板１１，１２の間に液晶１５を注入させる。
【００４２】
以上の工程を経て、液晶表示パネル１０が形成される。
【００４３】
図４（ｈ）では、レーザ照射装置を用いて、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ３３から、液晶表示パネル１０の第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面となるレーザ光照射面１３０に向けて、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に、かつ、切断予定ライン３０に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光３５の集光点Ｐが位置するようにレーザ光３５を照射する。
【００４４】
レーザ照射装置のレーザ光源は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するフェムト秒レーザである。この場合、波長：８００ｎｍ、パルス幅：３００ｆｓ（フェムト秒）、繰り返し周波数：１ｋＨｚ、出力：７００ｍＷである。集光レンズ３３は、倍率：１００倍、開口数（ＮＡ）：０．８の対物レンズである。
【００４５】
レーザ光３５は、レーザ光照射面１３０から第２基板１２の厚さ方向に８割程の位置に集光点Ｐが設定され、切断予定ライン３０に沿って走査する。さらに、集光点Ｐをレーザ光照射面１３０に近づく方向に位置設定し、レーザ光３５を照射しながら切断予定ライン３０に沿って走査する。これを複数回走査することにより、切断予定ライン３０に沿って改質領域が形成される。
【００４６】
そして、図４（ｉ）に示すように、改質領域を起点として、第２基板１２の一部の切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００４７】
（電子機器の構成）
次に、電子機器の構成について説明する。図５は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図５において、プロジェクタ６０を構成する光学系に液晶表示パネル１０ａが複数個搭載されている。
【００４８】
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
【００４９】
（１）レーザ光照射面１３０から切断予定ライン３０に沿ってレーザ光３５を照射したとき、集光点Ｐを超えて進行したレーザ光３５は、第２基板１２の第２パターン形成面１２０に、切断予定ライン３０に沿った個所に対応して形成された金属膜１６ａに達すると、金属膜１６ａによって反射されるので、レーザ光３５の進行がほぼ抑制され、実装配線２０への照射をほぼ抑えることができる。従って、実装配線２０等のパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００５０】
（２）金属膜１６ａは、ブラックマトリクス１６と同じ材料を用いるので、材料選定等の管理を省いて、作業効率を向上させることができる。
【００５１】
（３）金属膜１６ａは、ブラックマトリクス１６の形成と同時期に形成されるので、作業効率を向上させることができる。
【００５２】
[第２実施形態]
（表示パネルの構成）
次に、第２実施形態に係る表示パネルについて説明する。図６は、表示パネルとしての液晶表示パネルの構成を示し、図６（ａ）は、断面図を示し、同図（ｂ）は、第２基板１２の一部が切断された後の断面図を示す。なお、上記の液晶表示パネルは、第１実施形態で説明した同様のマザー基板１から切り出された個片の液晶表示パネルである（図１参照）。
【００５３】
図６（ａ）において、液晶表示パネル１０は、第１基板１１と、第２基板１２と、シール材１４によって接着された第１，第２基板１１，１２の隙間に充填された液晶１５等で構成されている。なお、液晶表示パネル１０の基本構成は、第１実施形態における液晶表示パネル１０の構成と同じなので、説明を省略し、異なる部分について説明する。
【００５４】
第２基板１２には、第２基板１２の一部の切断部１２ａを切断する位置を設定する切断予定ライン３０が設けられている。切断予定ライン３０は、第２基板１２の面に対して垂直な方向において、第１基板１１の実装配線２０に重なるように設けられている。第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に、抑止部としての樹脂膜４０が形成されている。樹脂膜４０は、レーザ光を吸収させる機能を有し、例えば、エポキシ樹脂や塩化ビニル樹脂等が用いられる。また、樹脂膜４０の色彩は、黒色を採用することが好ましいが、半透明の樹脂膜４０を用いてもよい。
【００５５】
切断部１２ａの切断には、レーザ光が用いられ、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面から、切断予定ライン３０に沿ってレーザ光を照射することにより、図６（ｂ）に示すように、第２基板１２の一部の切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００５６】
（表示パネルのレーザスクライブ方法）
次に、第２実施形態に係る表示パネルのレーザスクライブ方法について説明する。図７及び図８は、表示パネルとしての液晶表示パネルのスクライブ方法を示す工程図である。詳細には、図７（ａ）〜（ｈ）は、表示パネルを製造する製造工程を示し、図８（ｉ），（ｊ）は、レーザ光を照射する照射工程を示す。
【００５７】
図７（ａ）では、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の切断予定ライン３０に沿った個所に抑止部としての樹脂膜４０を形成する。樹脂膜４０は、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に形成されている。樹脂膜４０は、例えば、エポキシ樹脂が用いられ、ディスペンサ法、インクジェット法等により形成される。また、必要に応じて、乾燥処理を行い、固化した樹脂膜４０が形成される。
【００５８】
図７（ｂ）では、第２基板１２の第２パターン形成面１２０にブラックマトリクス１６を形成する。ブラックマトリクス１６は、クロム膜をスパッタ法などにより成膜され、その後、フォトリソグラフィ法によりクロム膜パターンを施すことにより形成される。
【００５９】
図７（ｃ）では、ブラックマトリクス１６の形成によって区画された領域に色要素１７を付着させる。色要素１７の付着方法は、印刷法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００６０】
図７（ｄ）では、ブラックマトリクス１６および色要素１７の表面に共通電極１８を形成する。共通電極１８の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００６１】
図７（ｅ）では、共通電極１８の表面に配向膜１９を形成する。配向膜１９の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００６２】
図７（ｆ）では、第２パターン形成面１２０にシール材１４を形成する。シール材は、熱硬化性樹脂やＵＶ硬化性樹脂を用いることができ、印刷法、ディスペンサ法、インクジェット法等を採用することができる。
【００６３】
図７（ｇ）では、第２基板１２と、ＴＦＴ素子１３等の第１パターンが形成された第１基板１１とをシール材１４の接着力によって接着させる。
【００６４】
図７（ｈ）では、シール材１４によって規制された両基板１１，１２の間に液晶１５を注入させる。
【００６５】
以上の工程を経て、液晶表示パネル１０が形成される。
【００６６】
図８（ｉ）では、レーザ照射装置を用いて、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ３３から、液晶表示パネル１０の第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面となるレーザ光照射面１３０に向けて、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に、かつ、切断予定ライン３０に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光３５の集光点Ｐが位置するようにレーザ光３５を照射する。
【００６７】
レーザ照射装置のレーザ光源は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するフェムト秒レーザである。この場合、波長：８００ｎｍ、パルス幅：３００ｆｓ（フェムト秒）、繰り返し周波数：１ｋＨｚ、出力：７００ｍＷである。集光レンズ３３は、倍率：１００倍、開口数（ＮＡ）：０．８の対物レンズである。
【００６８】
レーザ光３５は、レーザ光照射面１３０から第２基板１２の厚さ方向に８割程の位置に集光点Ｐが設定され、切断予定ライン３０に沿って走査する。さらに、集光点Ｐをレーザ光照射面１３０に近づく方向に位置設定し、レーザ光３５を照射しながら切断予定ライン３０に沿って走査する。これを複数回走査することにより、切断予定ライン３０に沿って改質領域が形成される。
【００６９】
そして、図８（ｊ）に示すように、改質領域を起点として、第２基板１２の一部の切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００７０】
（電子機器の構成）
電子機器の構成については、第１実施形態の電子機器としてのプロジェクタ６０の構成と同様なので説明を省略する（図５参照）。
【００７１】
従って、上記の第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下に示す効果がある。
【００７２】
（１）レーザ光照射面１３０から切断予定ライン３０に沿ってレーザ光３５を照射したとき、集光点Ｐを超えて進行したレーザ光３５は、第２基板１２の第２パターン形成面１２０に、切断予定ライン３０に沿った個所に対応して形成された樹脂膜４０に達すると、樹脂膜４０によって吸収されるので、レーザ光３５の進行がほぼ抑制され、実装配線２０への照射をほぼ抑えることができる。従って、実装配線２０等のパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００７３】
[第３実施形態]
（表示パネルの構成）
次に、第３実施形態に係る表示パネルについて説明する。図９は、表示パネルとしての液晶表示パネルの構成を示し、図９（ａ）は、断面図を示し、同図（ｂ）は、第２基板１２の一部が切断された後の断面図を示す。なお、液晶表示パネル１０は、第１実施形態で説明した同様のマザー基板１から切り出された個片の液晶表示パネルである（図１参照）。
【００７４】
図９（ａ）において、液晶表示パネル１０は、第１基板１１と、第２基板１２と、シール材１４によって接着された第１，第２基板１１，１２の隙間に充填された液晶１５等で構成されている。なお、液晶表示パネル１０の基本構成は、第１実施形態における液晶表示パネル１０の構成と同じなので、説明を省略し、異なる部分について説明する。
【００７５】
第２基板１２には、第２基板１２の一部の切断部１２ａを切断する位置を設定する切断予定ライン３０が設けられている。切断予定ライン３０は、第２基板１２面の面に対して垂直な方向において、第１基板１１の実装配線２０に重なるように設けられている。第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に、抑止部としての凹凸部５０が形成されている。
【００７６】
切断部１２ａの切断には、レーザ光が用いられ、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面から、切断予定ライン３０に沿ってレーザ光を照射することにより、図９（ｂ）に示すように、第２基板１２の一部の切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００７７】
（表示パネルのレーザスクライブ方法）
次に、第３実施形態に係る表示パネルのレーザスクライブ方法について説明する。図１０及び図１１は、表示パネルとしての液晶表示パネルのスクライブ方法を示す工程図である。詳細には、図１０（ａ）〜（ｈ）は、表示パネルを製造する製造工程を示し、図１１（ｉ），（ｊ）は、レーザ光を照射する照射工程を示す。
【００７８】
図１０（ａ）では、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の切断予定ライン３０に沿った個所に抑止部としての凹凸部５０を形成する。凹凸部５０は、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に沿い、かつ、切断予定ライン３０を通過する仮想面と、第２パターン形成面１２０とが交差する線の位置に形成されている。凹凸部５０は、例えば、第２基板１２の第２パターン形成面１２０にレーザ光５５を照射することにより形成される。
【００７９】
図１０（ｂ）では、第２基板１２の第２パターン形成面１２０にブラックマトリクス１６を形成する。ブラックマトリクス１６は、クロム膜をスパッタ法などにより成膜され、その後、フォトリソグラフィ法によりクロム膜パターンを施すことにより形成される。
【００８０】
図１０（ｃ）では、ブラックマトリクス１６の形成によって区画された領域に色要素１７を付着させる。色要素１７の付着方法は、印刷法、フォトリソグラフィ法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００８１】
図１０（ｄ）では、ブラックマトリクス１６および色要素１７の表面に共通電極１８を形成する。共通電極１８の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００８２】
図１０（ｅ）では、共通電極１８の表面に配向膜１９を形成する。配向膜１９の形成方法は、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット法等といった適宜の手法により形成される。
【００８３】
図１０（ｆ）では、第２パターン形成面１２０にシール材１４を形成する。シール材は、熱硬化性樹脂やＵＶ硬化性樹脂を用いることができ、印刷法、ディスペンサ法、インクジェット法等を採用することができる。
【００８４】
図１０（ｇ）では、第２基板１２と、ＴＦＴ素子１３等の第１パターンが形成された第１基板１１とをシール材１４の接着力によって接着させる。
【００８５】
図１０（ｈ）では、シール材１４によって規制された両基板１１，１２の間に液晶１５を注入させる。
【００８６】
以上の工程を経て、液晶表示パネル１０が形成される。
【００８７】
図１１（ｉ）では、レーザ照射装置を用いて、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ３３から、液晶表示パネル１０の第２基板１２の第２パターン形成面１２０の反対面となるレーザ光照射面１３０に向けて、第２パターン形成面１２０と垂直な方向に、かつ、切断予定ライン３０に沿って、第２基板１２の内部にレーザ光３５の集光点Ｐが位置するようにレーザ光３５を照射する。
【００８８】
レーザ照射装置のレーザ光源は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するフェムト秒レーザである。この場合、波長：８００ｎｍ、パルス幅：３００ｆｓ（フェムト秒）、繰り返し周波数：１ｋＨｚ、出力：７００ｍＷである。集光レンズ３３は、倍率：１００倍、開口数（ＮＡ）：０．８の対物レンズである。
【００８９】
レーザ光３５は、レーザ光照射面１３０から第２基板１２の厚さ方向に８割程の位置に集光点Ｐが設定され、切断予定ライン３０に沿って走査する。さらに、集光点Ｐをレーザ光照射面１３０に近づく方向に位置設定し、レーザ光３５を照射しながら切断予定ライン３０に沿って走査する。これを複数回走査することにより、切断予定ライン３０に沿って改質領域が形成される。
【００９０】
そして、図１１（ｊ）に示すように、改質領域を起点として、切断部１２ａが第２基板１２から切り離され、液晶表示パネル１０ａが形成される。
【００９１】
（電子機器の構成）
電子機器の構成については、第１実施形態の電子機器としてのプロジェクタ６０の構成と同様なので説明を省略する（図５参照）。
【００９２】
従って、上記の第３実施形態によれば、第１及び第２実施形態の効果に加え、以下に示す効果がある。
【００９３】
（１）レーザ光照射面１３０から切断予定ライン３０に沿ってレーザ光３５を照射したとき、集光点Ｐを超えて進行したレーザ光３５は、第２基板１２の第２パターン形成面１２０の切断予定ライン３０に沿った個所に対応して形成された凹凸部５０に達すると、凹凸部５０によって散乱されるので、レーザ光３５の進行がほぼ抑制され、実装配線２０への照射をほぼ抑えることができる。従って、実装配線２０等のパターンの焼け、パターン欠陥等の不具合を低減することができる。
【００９４】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
【００９５】
（変形例１）第１及び第２実施形態において、金属膜１６ａおよび樹脂膜４０は、第２基板１２の第２パターン形成面１２０に形成したが、これに限定されない。例えば、第２基板１２の面に対して垂直な方向において、切断予定ライン３０に重なる第１基板１１に形成された実装配線２０の上に形成してもよい。このようにしても、レーザ光３５は、金属膜１６ａまたは樹脂膜４０によって、反射または吸収されるので、実装配線２０の焼けや切断の発生を低減させることができる。
【００９６】
（変形例２）第１及び第２実施形態において、金属膜１６ａおよび樹脂膜４０は、第２基板１２に形成したが、これに限定されない。例えば、切断予定ライン３０の線上における第２基板１２と第１基板１１の実装配線２０の上の両方に形成してもよい。このようにすれば、実装配線２０の焼けや切断に対して、さらに安全性を確保することができる。
【００９７】
（変形例３）第１及び第２実施形態において、金属膜１６ａおよび樹脂膜４０は、一面に隙間のない膜形状としたが、これに限定されない。例えば、スリット形状であってもよい。この場合でも、レーザ光の進行を抑制することができる。
【００９８】
（変形例４）第１及び第２実施形態において、金属膜１６ａおよび樹脂膜４０は、均一な膜厚で形成したが、これに限定されない。例えば、切断予定ライン３０にあたる局所部分は、他の膜厚より厚くしてもよい。このようにすれば、さらに、レーザ光３５の進行を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】マザー基板の概略を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図。
【図２】第１実施形態における液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）及び（ｃ）は、断面図。
【図３】第１実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ａ）〜（ｇ）は製造工程を示す工程図。
【図４】第１実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ｈ），（ｉ）は照射工程を示す工程図。
【図５】プロジェクタの構成を示す斜視図。
【図６】第２実施形態における液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）及び（ｂ）は断面図。
【図７】第２実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ａ）〜（ｈ）は製造工程を示す工程図。
【図８】第２実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ｉ），（ｊ）は照射工程を示す工程図。
【図９】第３実施形態における液晶表示パネルの構成を示し、（ａ）及び（ｂ）は断面図。
【図１０】第３実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ａ）〜（ｈ）は製造工程を示す工程図。
【図１１】第３実施形態における液晶表示パネルのレーザスクライブ方法を示し、（ｉ），（ｊ）は照射工程を示す工程図。
【符号の説明】
【０１００】
１…マザー基板、１０，１０ａ…表示パネルとしての液晶表示パネル、１１…第１基板、１２…第２基板、１２ａ…切断部、１３…ＴＦＴ素子、１４…シール材、１５…液晶、１６…ブラックマトリクス、１６ａ…抑止部としての金属膜、１７…色要素、１８…共通電極、１９…配向膜、２０…第１パターンの実装配線、２１…走査線駆動回路部、２２…データ線駆動回路部、２４…上下導通部、３０…切断予定ライン、３３…集光レンズ、３５，５５…レーザ光、４０…抑止部としての樹脂膜、５０…抑止部としての凹凸部、６０…電子機器としてのプロジェクタ、１１０…第１パターン形成面、１２０…第２パターン形成面、１３０…レーザ光照射面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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