(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させる第１バッファ膜接触口を含む第１バッファ膜と、
前記第１バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第１バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている第１連結部材と、
前記ゲート配線及び前記第１連結部材上に形成されていて、前記第１連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜上に形成されていて、前記第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
を含み、
前記ソース電極は前記第１及び第２絶縁膜接触口により前記第１連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項２】
前記第１ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素（SiOx）及び窒化ケイ素（SiNx）のうちの少なくともいずれか１つを含んでなることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項３】
前記第２ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate：Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含んでなることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項４】
前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第１バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第２連結部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項５】
前記データ配線と同一の層に形成されており、前記ゲート電極と対応する所に形成され、前記有機半導体層を覆う光遮断膜をさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項６】
前記第１バッファ膜は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項７】
前記第１バッファ膜と前記ゲート配線との間に形成されていて、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン系樹脂のうちの少なくともいずれか１つを含んでなる第２バッファ膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項８】
前記第２バッファ膜は、前記データ線を露出させる第２バッファ膜接触口が形成されていることを特徴とする、請求項７に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項９】
前記第２連結部材を通じて前記データパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記第１及び第２絶縁膜接触口によって露出された前記ゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１０】
前記ソース電極、ドレイン電極、データパッド接触部材及びゲートパッド抵触部材は同一層に形成されていて、ITO（indium  tin  oxide）及びIZO（indium  zinc  oxide）のうちのいずれか１つからなることを特徴とする、請求項９に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１１】
前記有機半導体層を覆う保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１２】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させる第１バッファ膜接触口を含む第１バッファ膜と、
前記第１バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第１バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている第１連結部材と、
前記ゲート配線及び前記第１連結部材上に形成されていて、前記第１連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第１保護層と、
前記第１保護層上に形成されていて、透明電極物質からなる第２保護層と、
を含み、
前記ソース電極は前記絶縁膜接触口により前記第１連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項１３】
前記第２保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか１つからなることを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１４】
前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第１バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第２連結部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１５】
前記第１バッファ膜は無機物質を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１６】
前記第１バッファ膜と前記ゲート配線との間に形成されていて、前記データ線を露出させる第２バッファ膜接触口が形成されている有機物質の第２バッファ膜を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１７】
前記第２連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項１８】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜と、
前記バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている連結部材と、
前記ゲート配線及び前記連結部材上に形成されていて、前記連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜と、
前記第１ゲート絶縁膜上に形成されていて、前記第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第１保護層と、
前記第１保護層上に透明電極物質からなる第２保護層と、
を含み、
前記ソース電極は前記第１及び第２絶縁膜接触口により前記第１連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項１９】
絶縁基板を準備する段階と、
前記絶縁基板上にデータ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜上に前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線、及び前記データ線と連結される第１連結部材を形成する段階と、
前記ゲート配線及び前記第１連結部材上に前記第１連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第１ゲート絶縁膜上に前記第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記チャネル領域に有機半導体層を形成する段階と、
を含み、
前記ソース電極は前記第１及び第２絶縁膜接触口により前記第１連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか１つを含んでなることを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２１】
前記第２ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate：Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含んでなることを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２２】
前記有機半導体層上に保護層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線及び第１連結部材を形成する段階は、
前記バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第２連結部材を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２４】
前記ソース及びドレイン電極を形成する段階は、
前記第２連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記第１及び第２絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とを形成する段階を含むことを特徴とする、請求項２３に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２５】
前記有機半導体層は、蒸発法（Evaporation）によって形成することを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２６】
前記有機半導体層は、インクジェット（inkjet）方法によって形成されることを特徴とする、請求項１９に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２７】
絶縁基板を備える段階と、
前記絶縁基板上にデータ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜上に前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線、及び前記データ線と連結される連結部材を形成する段階と、
前記ゲート配線及び前記連結部材上に前記連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体層、フッ素系高分子からなる第１保護層及び透明電極物質からなる第２保護層を順に形成する段階と、
前記チャネル領域に対応するように前記第２保護層をパターニングする段階と、
前記第２保護層を利用して前記有機半導体層と前記第１保護層をパターニングする段階と、
を含み、
前記ソース電極は前記第１及び第２絶縁膜接触口により前記第１連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項２８】
前記第２保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか１つからなることを特徴とする、請求項２７に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項２９】
蒸発法によって前記有機半導体層を形成することを特徴とする、請求項２７に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項３０】
フォトエッチング工程を通じて前記チャネル領域上に局部的に位置するように前記第２保護層をパターニングすることを特徴とする、請求項２７に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【請求項３１】
インクジェット法によって前記有機半導体層を形成することを特徴とする、請求項２７に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスター基板に係り、より詳しくは、有機半導体層（Organic  Semiconductor layer）を備える薄膜トランジスター基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスター基板は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor：TFT）を含む。 ここで、薄膜トランジスターは半導体層を含み、半導体層は非晶質シリコンやポリシリコンが用いられるが、最近、有機半導体の適用が進められている。
有機半導体（Organic  Semiconductor layer：OSC）は、常温、常圧で形成できるため、工程単価を下がることができ、熱に弱いプラスチック基板に適用できるという長所がある。しかし、このような有機半導体は耐化学物質性能及び耐プラズマ性能が脆弱であるという短所がある。
【０００３】
このような特性を有する有機半導体を適用した有機薄膜トランジスターは、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート電極と、前記ゲート電極を覆っていて、有機物質からなる単層のゲート絶縁膜と、前記ゲート電極を中心に互いに分離されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、有機半導体層上に形成されている第１保護層と、第１保護層上に形成されているアルミニウムを含む第２保護層とを含む。
【０００４】
しかし、このような構造を有する有機薄膜トランジスターは単層のゲート絶縁膜だけで形成されているため、ゲート絶縁膜がデータ配線とゲート配線との間をきちんと絶縁することができないおそれがある。このような絶縁不良により、薄膜トランジスターのヒステリシス（hysterisis）の幅が大きくなり、有機薄膜トランジスターの再現性が悪くなるという問題点がある。そして、第１保護層上に形成されていて、アルミニウムを含む第２保護層は、第１保護層とのストレス（stress）が大きいためリフティング（lifting）が生じ、これによって有機薄膜トランジスターの特性が悪くなるという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的は、本発明によって、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート配線と、ゲート配線上に形成されていて、ゲート配線の少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜上に形成されていて、第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域に形成されている有機半導体層とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板によって達成される。
【０００７】
ここで、第１ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素（SiOx）及び窒化ケイ素（SiNx）のうちの少なくともいずれか１つを含んで形成することができる。
そして、第２ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate、Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含んで形成することができる。
【０００８】
ここで、ゲート配線は、絶縁基板上に一方向に形成されているゲート線と、ゲート線の端部に形成されているゲートパッドと、有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極と、第１及び第２絶縁膜接触口を覆っている連結部材とを含む構成とすることができる。
そして、前記絶縁基板とゲート配線との間に形成されているデータ配線をさらに含み、データ配線は、ゲート線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ線と、データ線の端部に形成されているデータパッドとを含む構成とすることができる。
【０００９】
また、データ配線は、ゲート電極と対応する所に形成され、有機半導体層を覆う光遮断膜をさらに含む構成とすることができる。
ここで、データ配線とゲート配線との間に形成されていて、データ線とデータパッドの少なくとも一部を露出させる第１バッファ膜接触口が形成されている第１バッファ膜をさらに含む構成とすることができる。
【００１０】
そして、第１バッファ膜は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。
また、 第１バッファ膜とゲート配線との間に形成されていて、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン系樹脂のうちの少なくともいずれか１つを含んでなる第２バッファ膜をさらに含む構成とすることができる。
【００１１】
そして、第２バッファ膜には、データ線を露出させる第２バッファ膜接触口を形成することができる。
ここで、連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、第１及び第２絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含む構成とすることができる。
【００１２】
そして、ソース電極、ドレイン電極、データパッド接触部材及びゲートパッド抵触部材は同一層に形成されていて、ITO（indium  tin  oxide）及びIZO（indium  zinc  oxide）のうちのいずれか１つで構成することができる。
ここで、有機半導体層を覆う保護層をさらに含む構成とすることができる。
本発明の目的は、本発明によって、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート配線と、ゲート配線上に形成されていて、ゲート配線の少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域に形成されている有機半導体層と、有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第１保護層と、第１保護層上に形成されていて、透明電極物質からなる第２保護層とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板によって達成される。
【００１３】
ここで、第２保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか１つで構成することができる。
そして、ゲート配線は、絶縁基板上に一方向に形成されているゲート電極と、ゲート線の端部に形成されているゲートパッドと、有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極と、絶縁膜接触口を覆っている連結部材とを含む構成とすることができる。
また、絶縁基板とゲート配線との間に形成されているデータ配線をさらに含み、データ配線は、ゲート線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ線と、データ線の端部に形成されているデータパッドとを含む構成とすることができる。
【００１４】
ここで、データ配線と前記ゲート配線上に形成されていて、データ線とデータパッドの少なくとも一部を露出させる第１バッファ膜接触口が形成されている無機物質の第１バッファ膜をさらに含む構成とすることができる。
そして、第１バッファ膜とゲート配線との間に形成されていて、データ線を露出させる第２バッファ膜接触口が形成されている有機物質の第２バッファ膜を含む構成とすることができる。
【００１５】
また、連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、第１及び第２絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含む構成とすることができる。
本発明の目的は、本発明によって、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート配線と、ゲート配線上に形成されていて、ゲート配線の少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜上に形成されていて、第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域に形成されている有機半導体層と、有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第１保護層と、第１保護層上に透明電極物質からなる第２保護層とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板によって達成される。
【００１６】
本発明の他の目的は、絶縁基板を備える段階と、絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、ゲート配線上にゲート配線の少なくとも一部を露出させる第１絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第１ゲート絶縁膜を形成する段階と、第１ゲート絶縁膜上に第１絶縁膜接触口に対応する第２絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第２ゲート絶縁膜を形成する段階と、第２ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、チャネル領域に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法によって達成される。
【００１７】
ここで、第１ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素（SiOx）及び窒化ケイ素（SiNx）のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。
そして、第２ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate：Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。
【００１８】
また、有機半導体層上に保護層を形成する段階をさらに含む構成とすることができる。
ここで、ゲート配線は、絶縁基板上に一方向に形成されているゲート線と、ゲート線の端部に形成されているゲートパッドと、有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極と、第１及び第２絶縁膜接触口を覆っている連結部材とを含む構成とすることができる。
【００１９】
そして、絶縁基板とゲート配線との間にデータ配線を形成する段階をさらに含み、データ配線は、ゲート線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ線と、データ線の端部に形成されているデータパッドとを含む構成とすることができる。
また、データ配線とゲート配線との間にデータ線とデータパッドの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口が形成されているバッファ膜を形成する段階をさらに含む構成とすることができる。
【００２０】
ここで、ソース及びドレイン電極の形成時、連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、第１及び第２絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とを形成することができる。
そして、有機半導体層は、蒸発法（Evaporation）によって形成することができる。
また、有機半導体層はインクジェット（inkjet）方法によって形成することができる。
【００２１】
本発明の他の目的は、絶縁基板を備える段階と、絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、ゲート配線上にゲート配線の少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体層、フッ素系高分子からなる第１保護層及び透明電極物質からなる第２保護層を順に形成する段階と、チャネル領域に対応するように前記第２保護層をパターニングする段階と、第２保護層を利用して有機半導体層と第１保護層をパターニングする段階とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法によって達成される。
【００２２】
ここで、第２保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか１つで構成することができる。
そして、有機半導体層は、蒸発法によって形成されることができる。
また、第２保護層は、フォトエッチング工程を通じてチャネル領域上に局部的に位置するようにパターニングすることができる。
そして、有機半導体層は、インクジェット方法によって形成することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、有機薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板を提供することができる。
また、薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板の製造法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照して、本発明についてさらに詳細に説明する。以下において、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上に'形成されて（位置して）いるというのは、２つの膜（層）が接している場合だけでなく、２つの膜（層） の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
図１は本発明による薄膜トランジスター基板の配置図を概略的に示したものであり、図２は図１のII-II線による断面図である。
【００２５】
本発明による薄膜トランジスター基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０ 上に形成されているデータ配線１２０と、データ配線１２０上に順に形成されている第１バッファ膜１３０及び第２バッファ膜１３５と、第２バッファ膜１３５上に形成されているゲート配線１４０と、ゲート配線１４０ 上に順に形成されている第１ゲート絶縁膜１５０及び第２ゲート絶縁膜１５５と、第２ゲート絶縁膜１５５上に形成されている透明電極層１６０と、透明電極層１６０の少なくとも一部に接するように第２ゲート絶縁膜１５５上に形成されている有機半導体層１７０と、有機半導体層１７０上に順に形成されている第１保護層１８０及び第２保護層１９０とを含む。
【００２６】
絶縁基板１１０は、ガラスまたはプラスチックで構成することができる。絶縁基板１１０をプラスチックで構成する場合、薄膜トランジスター基板１００に柔軟性を付与できる長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱いという短所がある。本発明のように、有機半導体層１７０を用いれば、半導体層の形成を常温、常圧で行うことができるので、プラスチック素材の絶縁基板１１０を用いることが容易であるという長所がある。ここで、プラスチックの種類としては、ポリカーボン（polycarbon）、ポリイミド（polyimide）、ポリエーテルスルホン（PES）、ポリアリレート（PAR）、ポリエチレンナフタレート（PEN）、ポリエチレンテレフタレート（PET）などを用いることが可能である。
【００２７】
データ配線１２０は絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２０は、絶縁基板１１０上に一方向に延長されているデータ線１２１と、データ線１２１の端部に設けられ、外部から駆動または制御信号の伝達を受けるデータパッド１２３及び後述するゲート電極１４３に対応する位置に形成されて有機半導体層１７０を覆う光遮断膜１２５を含む。ここで、光遮断膜１２５は選択的に形成することができるものである。そして、データパッド１２３は外部から駆動及び制御信号の伝達を受けてデータ線１２１に駆動及び制御信号を印加する。データ配線１２０の材料としては、安価で伝導度の良いAl、Cr、Mo、Ndや、相対的に高価であるAu、Pt、Pdのうちの少なくともいずれか１つを含むように構成できる。そして、データ配線１２０は前記材料のうちの少なくともいずれか１つを含む単一層または複数層で構成することができる。
【００２８】
本発明においては、データ配線１２０の形成過程で用いられる化学物質から第１及び第２ゲート絶縁膜１５０、１５５を保護して、有機半導体層１７０の特性が劣化することを防止するために、データ配線１２０を先に形成し、データ配線１２０上にバッファ膜１３０、１３５を形成する構造を採用している。
絶縁基板１１０上には、データ配線１２０を覆うように第１バッファ膜１３０が形成されている。第１バッファ膜１３０はデータ配線１２０とゲート配線１４０との間の電気的絶縁を行うための層であって、工程性に優れた窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などのような無機物質からなる無機膜であり得る。第１バッファ膜１３０は、データ線１２１とデータパッド１２３を露出させる第１バッファ膜接触口１３１、１３２が形成されている。酸化ケイ素または窒化ケイ素を利用して後述する第１バッファ膜１３０を形成するので、ゲートパッド１４３及びデータパッド１２３のOLB（outer  lead  bonding）の修正作業（rework）が可能である。
【００２９】
第１バッファ膜１３０上には有機物質からなる第２バッファ膜１３５が形成されている。ただし、データパッド１２３とゲートパッド１４５が位置する非表示領域には第２バッファ膜１３５を形成しないことが好ましい。これは、厚い有機膜がデータパッド１２３とゲートパッド１４５に残存する場合、駆動チップ（図示せず）との接触不良が発生し得るためである。第２バッファ膜１３５はデータ線１２１を露出させる第２バッファ膜接触口１３６が設けられている。第２バッファ膜１３５は、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン樹脂のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。
【００３０】
データ配線１２０の形成の際に用いられる化学物質またはプラズマが残存して、後述するバッファ膜接触口１３１、１３２、１３６と絶縁膜接触口１５１、１５２、１５３、１５６、１５７、１５８の隙間または界面の間に流入することによって、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能に脆弱な後述する有機半導体層１７０の損傷するおそれがあるが、第１バッファ膜１３０及び第２バッファ膜１３５を形成することによってこのような現象を少なくすることができる。また、第１バッファ膜１３０及び第２バッファ膜１３５は、光遮断膜１２５がフローティング電極として作用することを防止する役割も果たす。
【００３１】
第２バッファ膜１３５上にはゲート配線１４０が形成されている。ゲート配線１４０は、上述したデータ線１２１と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するゲート線１４１と、ゲート線１４１の端部に設けられて外部から駆動または制御信号の印加を受けるゲートパッド１４５と、ゲート線１４１から分岐され後述する有機半導体層１７０に対応する位置に形成されているゲート電極１４３と、第１バッファ膜接触口１３１、１３２によって露出されたデータ配線１２０とその周辺のバッファ膜１３０、１３５を覆っている連結部材１４７、１４９とを含む。
【００３２】
ゲートパッド１４５は、外部から薄膜トランジスターをオン／オフ（ON/OFF）するための駆動及び制御信号の印加を受け、ゲート線１４１を通じてゲート電極１４３に伝達する。第２バッファ膜１３５が厚い有機膜で形成され、第２ゲート絶縁膜１５５が厚く形成されることによって、 データ配線１２０を露出させる第２バッファ膜接触口１３６と第２絶縁膜接触口１５６、１５７との段差が大きくなりすぎて、透明電極層１６１、１６７とデータ配線１２０との間の接触不良が発生するおそれがあるが、連結部材１４７、１４９を設けることによりこのような現象を減らすことができる。つまり、データ線１２１とソース電極１６１との間及びデータパッド１２３とデータパッド接触部材１６７との間に連結部材１４７、１４９を介在し、絶縁膜接触口１５６、１５７をデータ配線１２０周辺のバッファ膜１３０ 、１３５上に形成して段差を減らすことによって、ソース電極１６１とデータパッド接触部材１６７がデータ配線１２０に的確に接触するようになる。
【００３３】
ゲート配線１４０も、データ配線１２０のようにAl、Cr、Mo、Nd、Au、Pt、Pdのうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができ、単一層または複数層で構成することができる。
ゲート配線１４０上には第１ゲート絶縁膜１５０が形成されている。第１ゲート絶縁膜１５０は、データ配線１２０とゲート配線１４０とを相互に電気的絶縁状態にする役割を果たすと同時に、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能が脆弱な有機半導体層１７０に不純物が流入することを防止する。第１ゲート絶縁膜１５０は耐久性に優れた酸化ケイ素（SiOx）及び窒化ケイ素（SiNx）のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。
【００３４】
そして、第１ゲート絶縁膜１５０には、ゲートパッド１４５を露出させる第１絶縁膜接触口１５３と、連結部材１４７、１４９を露出させる第１絶縁膜接触口１５１、１５２が形成されている。
第１ゲート絶縁膜１５０ 上には厚い有機膜である第２ゲート絶縁膜１５５が形成されている。第２ゲート絶縁膜１５５は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate：Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができる。そして、第２ゲート絶縁膜１５５には、第１絶縁膜接触口１５１、１５２、１５３に対応して、ゲートパッド１４５を露出させる第２絶縁膜接触口１５８と、連結部材１４７、１４９を露出させる第２絶縁膜接触口１５６、１５７が形成されている。
【００３５】
第２ゲート絶縁膜１５５上には透明電極層１６０が形成されている。透明電極層１６０は、絶縁膜接触口１５１、１５６を通じて連結部材１４７によってデータ線１２１と接続されており、有機半導体層１７０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１７０を介在してソース電極１６１と分離されているドレイン電極１６３と、ドレイン電極１６３と接続されて画素領域に形成されている画素電極１６５とを含む。
【００３６】
そして、絶縁膜接触口１５２、１５７によって露出した連結部材１４９を覆っているデータパッド接触部材１６７と、絶縁膜接触口１５３、１５８によって露出されたゲートパッド１４５を覆っているゲートパッド接触部材１６９とをさらに含む。
透明電極層１６０は、ITO（indium  tin  oxide）またはIZO（indium  zinc  oxide）などの透明な導電物質で形成される。ソース電極１６１は、絶縁膜接触口１５１、１５６を通じてデータ線１２１と物理的・電気的に接続されて画像信号の伝達を受ける。そして、ゲート電極１４３を介在してソース電極１６１と離間してチャネル領域Ａを定義するドレイン電極１６３は、ソース電極１６１と共に薄膜トランジスターを形成し、各画素電極１６５の動作を制御及び駆動するスイチング及び駆動素子として動作する。
【００３７】
チャネル領域Ａには有機半導体層（organic  semiconductor layer）１７０が形成されている。有機半導体層１７０はチャネル領域Ａを覆うとともに、ソース電極１６１及びドレイン電極１６３と少なくとも一部が接している。このような有機半導体層１７０としては、ベンゼン環が五つ連結されているペンタセン（pentacene）、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（perylenetetracarboxylic  dianhydride：PTCDA）、オリゴチオペン（oligothiopene）、ポリチオフェン（polythiophene）、ポリチエニレンビニレン（polythienylenevinylene）などを用いることができる。その外にも一般的に用いられる公知の有機半導体物質を用いることができる。
【００３８】
有機半導体層１７０ 上には第１保護層１８０が形成されている。第１保護層１８０は、有機半導体層１７０を覆っており、フッ素系高分子からなる厚い有機膜で構成できる。ここで、フッ素系高分子としては、これに限定されないが、 PTFE（Poly  Tetra  Fluoro Ethylene）、FEP（Fluorinated  Ethylene  Propylene）、PFA（Poly  Fluoro  Alkoxy）、ETFE（Ethylene  Tetra  Fluoro  Ethylene）、PVDF（polyvinylidene  fluoride）などを使用することが可能である。第１保護層１８０は、有機半導体層１７０の特性が劣化することを防止するための層である。
【００３９】
そして、第１保護層１８０上に第２保護層１９０をさらに形成することもできる。第２保護層１９０は、有機半導体層１７０と第１保護層１８０のパターンを形成するためのマスクとして用いることもでき、有機半導体層１７０を保護して有機薄膜トランジスター（O-TFT）の特性を向上することができる。第２保護層１９０はITO及びIZOのうちのいずれか１つで構成することができる。ITO及びIZOのうちの少なくともいずれか１つを含む第２保護層１９０は、Alを含む第２保護層１９０と比べ、下部の第１保護層１８０とのストレスが小さいため、相対的にリフティングの発生が少なくなる。これにより、有機薄膜トランジスターの特性が向上する。
【００４０】
一方、図示していないが、絶縁膜接触口１５１、１５６から有機半導体層１７０まで覆う保護膜（図示せず）をさらに形成することができる。ここで、保護膜は低温保護膜とすることができる。
以下、 図３ａ〜図３ｋを参照して、有機薄膜トランジスター（O-TFT）を具備した薄膜トランジスター基板の製造方法について説明する。
【００４１】
図３aに示したように、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで形成された絶縁基板１１０を準備する。可撓性（flexible）薄膜トランジスター基板を製作するには、プラスチック基板を用いることが好ましい。
次に、図３ｂに示したように、絶縁基板１１０上にデータ配線物質をスパッタリング（sputtering）などの方法によって蒸着した後、フォトエッチング（photolithography）工程を通じてデータ線１２１、データパッド１２３及び光遮断膜１２５を形成する。ここで、光遮断膜１２５は選択的に形成することができる。
【００４２】
そして、図３ｃに示したように、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などの無機物質からなる第１バッファー物質を絶縁基板１１０とデータ配線１２０上に加え、第１バッファ膜１３０を形成する。第１バッファ膜１３０は化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着法によって形成することができる。そして、感光性有機膜などを遮断壁として利用し、エッチング工程を通じデータ配線１２０を露出させる第１バッファ膜接触口１３１、１３２を形成する。
【００４３】
その後、図３ｄに示したように、第１バッファ膜１３０上に第２バッファー物質を加えて第２バッファ膜１３５を形成する。ただし、データパッド１２３とゲートパッド１４５が位置する非表示領域には第２バッファ膜１３５を形成しない。第２バッファ膜１３５は、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン樹脂のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができ、スリットコーティングまたはスピンコーティング方法によって形成することができる。そして、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程を通じデータ線１２１を露出させる第２バッファ膜接触口１３６を形成する。
【００４４】
次に、図３ｅに示したように、第２バッファ膜１３５上にAl、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Ndのうちの少なくともいずれか１つを含むゲート配線物質をスパッタリングなどの方法によって蒸着した後、フォトエッチング工程を通じてゲート線１４１、ゲート電極１４３、ゲートパッド１４５及び連結部材１４７、１４９を形成する。
その後、図３ｆに示したように、ゲート配線１４０と第２バッファ膜１３５ 上に酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか１つを含んでなる第１ゲート絶縁膜１５０を形成する。第１ゲート絶縁膜１５０は化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着法によって形成されることができる。そして、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程を通じ第１絶縁膜接触口１５１、１５２、１５３を形成する。
【００４５】
そして、図３ｇに示したように、第１ゲート絶縁膜１５０上には厚い有機膜である第２ゲート絶縁膜１５５を形成する。第２ゲート絶縁膜１５５は、シリコン系高分子（Si  polymer）、アゾビスイソブチロニトリル（azobis  isobutiro  nitrile：AIBN）、テトラブチルオルトチタネート（tetra  butyl  ortho  titanate：Ti(OBu)4）及びブタノール（butanol）のうちの少なくともいずれか１つを含む構成とすることができ、スリットコーティングまたはスピンコーティングなどによって形成することができる。そして、エッチング工程を通じ、第２ゲート絶縁膜１５５に第１絶縁膜接触口１５１、１５２、１５３に対応し、ゲートパッド１４５を露出させる第２絶縁膜接触口１５８と、連結部材１４７、１４９を露出させる第２絶縁膜接触口１５６、１５７とを形成する。
【００４６】
次に、図３ｈに示したように、ITOまたはIZOのような透明な導電性金属酸化物（透明導電物質）を第１ゲート絶縁膜１５０上にスパッタリング法を通じて形成した後、フォトエッチング工程またはエッチング工程を利用して透明電極層１６０を形成する。透明電極層１６０は、絶縁膜接触口１５１、１５６を通じてデータ線１２１と接続され、有機半導体層１７０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１７０を介在してソース電極１６１と分離されてチャネル領域Ａを定義するドレイン電極１６３と、ドレイン電極１６３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１６５とを含む。そして、絶縁膜接触口１５２、１５７を通じてデータパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１６７と、絶縁膜接触口１５３、１５８を通じてゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１６９とをさらに含む。
【００４７】
その後、図３ｉに示したように、透明電極層１６０上に有機半導体溶液を加えて有機半導体層１７０を形成する。有機半導体層１７０は蒸発法またはコーティングによって形成することができる。有機半導体層１７０はデータパッド１２３及びゲートパッド１４５以外の表示領域に形成することができる。
次に、フッ素系高分子からなる第１保護層１８０をスピンコーティングまたはスリットコーティングを通じて有機半導体層１７０上に形成する。第１保護層１８０はデータパッド１２３及びゲートパッド１４５以外の表示領域に形成することができる。
【００４８】
続けて、図３ｊに示したように、第１保護層１８０上にスパッタリング方法によってITO及びIZOのうちの少なくともいずれか１つを含む第２保護層１９０を形成する。
そして、図３ｋに示したように、フォトエッチング工程を利用してチャネル領域Ａに対応するように第２保護層１９０をパターニングする。
その後、パターニングされた第２保護層１９０を遮断壁として利用したエッチング工程を通じ有機半導体層１７０と第１保護層１８０を同時にパターニングし、図２に示したような有機薄膜トランジスター（O-TFT）を完成する。
【００４９】
一方、図示していないが、絶縁膜接触口１５１、１５６から有機半導体層１７０まで覆う保護膜（図示せず）をさらに形成することができる。ここで、保護膜は低温保護膜であり得る。
このような構成によって、本発明の第１実施形態による有機薄膜トランジスターの作用及び効果について、図４ａ〜図５を参照して説明する。
【００５０】
図４ａは単一ゲート絶縁膜が適用された有機薄膜トランジスターのヒステリシス特性を示したグラフであり、図４ｂは本発明の第２実施形態による二重ゲート絶縁膜の使用時の有機薄膜トランジスターのヒステリシス特性を示したグラフである。図４ａに用いられたゲート絶縁膜は、本発明の第２ゲート絶縁膜１３５と同一の物質を利用して作製したものであり、ゲート電圧を上げる時（Ｆ）と、ゲート電圧を下げる時（Ｒ）との特性差が大きい。これは薄膜トランジスター製造工程または材料に不良が発生して有機薄膜トランジスターの再現性が良くないことを表す。つまり、ゲート絶縁膜１３５の絶縁特性が良くないため現われた不良である。
【００５１】
しかし、図４ｂに示したように、有機膜と無機膜からなる二重ゲート絶縁膜１３０、１３５を適用した場合には、ゲート電圧を上げる時（Ｆ）と、ゲート電圧を下げる時（Ｒ）との特性差が小さい。これは薄膜トランジスター製造工程における不良または材料に関しての不良が減少して、有機薄膜トランジスターの再現性が改善されたことを表す。つまり、ゲート絶縁膜１３０、１３５を二重に形成することによって、絶縁特性が改善されて有機薄膜トランジスターの特性が向上することが分かる。
図５は、本発明の第１実施形態によって、第２保護層１９０としてITOまたはIZOを用いる場合と、従来のようにAlを用いる場合に、ゲート電圧値の変化によるドレイン電流値を示したグラフである。図５に示したように、丸い点で表示した線は、ITO及びIZOのうちの少なくともいずれか１つを含んでなる第２保護層１９０を有する有機薄膜トランジスターのゲート電圧値によるドレイン電流値を示したものであり、三角形で表示した線は、Alを含む第２保護層１９０が形成された有機薄膜トランジスターのゲート電圧値によるドレイン電流値を示したものである。
【００５２】
一般的に、薄膜トランジスターの特性は、次の式で表すことができる。
【００５３】
【数１】
0004721972.tif 000002
ここで、Ionは最大電流値であり、Ioffは遮断漏洩電流（off-state  leakage current）であり、 μは電荷移動度であり、σは薄膜の伝導度であり、ｑは電荷量であり、ＮAは電荷密度であり、ｔは半導体膜の厚さであり、Ｃoは酸化膜の静電用量であり、ＶDはドレイン電圧である。
【００５４】
図５に示したように、ITO及びIZOのうちの少なくともいずれか１つを含む第２保護層１９０が形成された有機薄膜トランジスターのIon/Ioff電流比がさらに大きいことが分かる。Ion/Ioff電流比が大きいということは、漏洩電流（current  leakage）が少ないことを意味し、これは薄膜トランジスターの特性がさらに良いということを示す。
以下、図６を参照して、本発明による第２実施形態について説明する。第２実施形態においては第１実施形態と同一の構成要素について同一の参照番号を付けた。そして、第２実施形態においては第１実施形態と異なる特徴的な部分だけを抜粹して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態による。
【００５５】
図６は本発明の第２実施形態による薄膜トランジスターを製造する過程の一段階を概略的に説明するための断面図である。第１実施形態における有機半導体層１７０は蒸発法とフォトエッチング工程を通じて形成されたが、第２実施形態においてはインクジェット方式によって形成する。
図６に示したように、ソース電極１６１とドレイン電極１６３とによって定義されるチャネル領域Ａを取り囲みながら、ソース電極１６１とドレイン電極１６３それぞれの少なくとも一部を露出させる隔壁２００を形成する。隔壁２００は感光性有機物質を利用して露光、現像工程を通じて形成されることができ、 他の公知の方法によっても形成可能である。
【００５６】
完成された隔壁２００によって取り囲まれたチャネル領域Ａにノズル３００を通じて有機半導体物質をジェッティング（jetting）する。有機半導体物質は溶剤によって水性とすることができ、また油性とすることもでき、有機半導体物質は溶剤除去過程を経過して有機半導体層１７０が形成される。
そして、完成された有機半導体層１７０上に第１保護層溶液をジェッティングする。保護層溶液は、溶剤によって水性とすることができ、また油性とすることもでき、保護層溶液は溶剤除去過程を経過して第１保護層１８０に形成され、第１保護層１８０の表面は平坦である。
【００５７】
これによって、図２に示したように、有機薄膜トランジスター（O-TFT）が作製され、公知の方法によって有機薄膜トランジスター（O-TFT）を含む液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子または無機電界発光ディスプレイ素子などの薄膜トランジスター基板が製作される。
本発明による薄膜トランジスター基板１００の製造方法は、従来と異なりインクジェット方法によって有機半導体層１７０及び第１保護膜１８０を形成することによって、従来の工程と比べて相対的に製造が簡単である。また、有機半導体層１７０を形成した後のプラズマまたは化学物質を利用した工程が省略されるので、有機半導体層１７０の特性の劣化を減少することができる。
【００５８】
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示され説明されたが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図である。
【図２】図１のII-II線による断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｂ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｃ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｄ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｅ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｆ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｇ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｈ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｉ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｊ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３ｋ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図４ａ】単一ゲート絶縁膜の使用時の有機薄膜トランジスターの特性を説明するためのグラフである。
【図４ｂ】本発明の第１実施形態による二重ゲート絶縁膜の使用時の有機薄膜トランジスターの特性を説明するためのグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態によってITOまたはIZOの第２保護層の使用時の薄膜トランジスターの特性を説明するためのグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態による薄膜トランジスター基板を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００  薄膜トランジスター基板
１１０  絶縁基板
１２０  データ配線
１３０、１３５  バッファ膜
１４０  ゲート配線
１４５  ゲートパッド
１４７、１４９  連結部材
１５１、１５２、１５３、１５６、１５７、１５８  絶縁膜接触口
１５０、１５５  ゲート絶縁膜
１６０  透明電極層
１６１  ソース電極
１６３  ドレイン電極
１７０  有機半導体層
１８０、１９０  保護層
３００  ノズル
【図１】
0004721972.tif 000003
【図２】
0004721972.tif 000004
【図３ａ】
0004721972.tif 000005
【図３ｂ】
0004721972.tif 000006
【図３ｃ】
0004721972.tif 000007
【図３ｄ】
0004721972.tif 000008
【図３ｅ】
0004721972.tif 000009
【図３ｆ】
0004721972.tif 000010
【図３ｇ】
0004721972.tif 000011
【図３ｈ】
0004721972.tif 000012
【図３ｉ】
0004721972.tif 000013
【図３ｊ】
0004721972.tif 000014
【図３ｋ】
0004721972.tif 000015
【図４ａ】
0004721972.tif 000016
【図４ｂ】
0004721972.tif 000017
【図５】
0004721972.tif 000018
【図６】
0004721972.tif 000019