(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に縦横に列設された信号線および走査線と、前記信号線および前記走査線の各交点にスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極と、前記スイッチング素子それぞれに電気的に接続された複数の補助容量電極と、前記補助容量電極それぞれに絶縁層を介して対向配置された補助容量給電線と、を有するアレイ基板を備えた平面表示装置において、
前記補助容量電極に接続される第１の配線層と、
前記スイッチング素子と前記第１の配線層とに接続される第２の配線層と、
前記画素電極に接続される上部電極と前記スイッチング素子とに接続される第３の配線層と、を備え、
前記第１および第２の配線層は、互いに異なる層に形成されることを特徴とする平面表示装置。
【請求項２】
前記第２の配線層および前記補助容量給電線は、互いに上下に重ならないように形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項３】
前記第１の配線層は、前記補助容量電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項４】
前記第２および第３の配線層は、前記上部電極と同一層に形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項５】
前記第１および第２の配線層の長さは略等しく設定されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子のチャネル領域、前記補助容量電極および前記第１の配線層は、多結晶シリコンを用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載の平面表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画素表示用のスイッチング素子に補助容量が接続された平面表示装置およびその製造方法に関し、例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置などを対象とする。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、高画質、薄型軽量、低消費電力という大きな利点を有するため、ノート型コンピュータや携帯電子機器などに幅広く利用されている。特に、最近では、移動度の高い多結晶シリコンによる薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと呼ぶ）を画素スイッチング素子に用いた液晶表示装置の開発研究が盛んに行われている。
【０００３】
図１４はこの種のＴＦＴを用いた液晶表示装置の構造を示す上面図、図１５は図１４のＡ−Ａ線断面図である。
【０００４】
以下、図１４の液晶表示装置の製造方法について簡単に説明する。ガラス基板１の上面に、多結晶シリコンからなる半導体層２が形成され、この半導体層２を被覆するようにゲート絶縁膜４が形成された後、その上面に第１の配線層であるゲート電極５が形成される。
【０００５】
画素表示用のＴＦＴには、画素電極１９と補助容量電極３とが接続されている。補助容量は、半導体層２により形成される補助容量電極３と、ゲート電極５と同じ層に形成される補助容量給電線６とで、ゲート絶縁膜４を挟み込んだ構造になっている。
【０００６】
図１４に示したＴＦＴは、半導体層２の材料として多結晶シリコンを用いているため、電界効果移動度が高く、個々のＴＦＴを小型化しても、十分な駆動能力を得ることができる。したがって、この種のＴＦＴを用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を構成すると、開口率や輝度を向上できるとともに、消費電力も減らすことができる。
【０００７】
また、この種のＴＦＴは電界効果移動度が高いため、ＴＦＴの動作を制御するためのシフトレジスタ等の駆動回路を画像表示領域と同じガラス基板上に形成することも可能である。このため、ＴＦＴ駆動用の基板を別に設ける必要がなくなり、外部回路を簡略化できるとともに、製造工程の削減と製造コストの削減が可能になる。
【０００８】
しかしながら、図１４の液晶表示装置は、補助容量電極３の表面性や製造途中での異物の混入等により、補助容量の容量絶縁膜（ゲート絶縁膜）４の絶縁性が不十分となり、画素電極１９と補助容量給電線６とが短絡する欠陥が生じて製造歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
このような欠陥が生じると、対応する画素はある電位に固定され、常時非点灯の画素欠陥となる。また、対向電極との間に直流電圧が印加され続けるために、画素領域に対応した液晶層に含まれる液晶組成物が劣化することになり、信頼性も低下してしまう。
【００１０】
このような画素欠陥を修復する一手法として、短絡不良の起きた補助容量電極部分にレーザビームを照射して切断し、画素電極から電気的に切り離す手法が提案されている。この場合、修復された画素は、信号線と画素電極との間の寄生容量の影響を受けるものの、半点灯状態に改善される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高開口率を実現するための画素構造である配線ＢＭ構造では、配線部と画素電極とが上下に重なっているため、レーザビームで配線部の一部を切断すると、そのレーザビームにより新たな短絡不良が起きるおそれがある。
【００１２】
このようなおそれを回避するには、補助容量電極とスイッチング素子とを、予め切断するための配線で接続しておき、画素電極を形成する前に短絡箇所を検出して切り離す必要がある。
【００１３】
ところが、アレイ基板の状態での短絡箇所の発見率は100％ではなく、アレイ基板の完成後、対向基板と張り合わせた後に新たに発見された短絡箇所に関しては、修復できないという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示不良画素を信頼性よくリペアすることができる平面表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の他の目的は、平面表示装置の完成後に、補助容量信号線および補助容量電極の短絡不良箇所をリペアすることができる平面表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様では、絶縁基板上に縦横に列設された信号線および走査線と、前記信号線および前記走査線の各交点にスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極と、前記スイッチング素子それぞれに電気的に接続された複数の補助容量電極と、前記補助容量電極それぞれに絶縁層を介して対向配置された補助容量給電線と、を有するアレイ基板を備えた平面表示装置において、
前記補助容量電極に接続される第１の配線層と、
前記スイッチング素子と前記第１の配線層とに接続される第２の配線層と、
前記画素電極に接続される上部電極と前記スイッチング素子とに接続される第３の配線層と、を備え、
前記第１および第２の配線層は、互いに異なる層に形成されることを特徴とする平面表示装置が提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る平面表示装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。以下では、平面表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図３は本発明の第１の実施形態である液晶表示装置の第１の実施形態の上面図、図４は図３のＡ−Ａ線断面図、図５は図３のＢ−Ｂ線断面図である。図５では、簡略化のため、対向基板側を省略している。
【００１９】
図３の液晶表示装置は、配線部にレーザを照射して、配線部を高抵抗化させる点に特徴がある。これにより、画素電極が補助容量給電線に短絡して欠点となった場合でも、効果的にリペアすることができる。レーザは、例えば図３の点線Ｌ１，Ｌ２に照射される。
【００２０】
図６は図３の半導体回路の製造工程を示す断面図であり、この断面図に基づいて図３の半導体回路の製造工程を順に説明する。
【００２１】
まず、ガラス基板１上に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、膜厚30nm〜100nmの非結晶シリコン層を成膜する。次に、例えば、エキシマ・レーザー・アニール法等により、非結晶シリコン層を結晶化して多結晶シリコン層を生成し、フォトリソグラフィ工程により島状にエッチング加工してＴＦＴおよび接続配線部を構成する半導体層２を形成する。同時に、多結晶シリコン層からなる補助容量電極３も形成する（図６（ａ））。
【００２２】
次に、半導体層２の上面に、例えば酸化シリコン膜などを膜厚100nm程度成膜し、ゲート絶縁膜４を形成する（図６（ｂ））。
【００２３】
次に、スパッタリング法により、第１の配線層（例えば、MoＷ合金層）を成膜した後、このMoＷ合金層をフォトリソグラフィ法によりエッチング加工してレジストの剥離を行い、ゲート電極５を形成する。同時に、補助容量給電線６も同層に形成する（図６（ｃ））。
【００２４】
次に、第１の配線層のゲート電極５をマスクとして、例えば、ボロンＢの高濃度ドーピングを行う。ドーピングは、例えばイオン注入により行い、ドーズ量は２×1015〜５×1016／cm2程度が最適である。このドーピングにより、ソース領域低抵抗半導体層７と、ドレイン領域低抵抗半導体層８と、ドレイン領域低抵抗半導体層８から延在される接続配線部８’とが形成される（図６（ｃ））。
【００２５】
次に、ゲート電極５とゲート絶縁膜４の上面を酸化シリコンなどで覆って層間絶縁膜９を形成する。次に、ソース領域低抵抗半導体層７とドレイン領域低抵抗半導体層８の上方に位置するゲート絶縁膜４と層間絶縁膜９の一部領域をフォトリソグラフィ法によりエッチング除去し、それぞれコンタクトホール１０，１１を形成する。
【００２６】
また、層間絶縁膜９の上面に、第２の配線層として、スパッタリング法により、膜厚500nm程度のAl層を成膜し、フォトリソグラフィ法によりエッチング加工して、ソース電極１２およびドレイン電極１３を形成する。
【００２７】
ソース電極１２の形成材料であるAl層は、コンタクトホール１０の内部に充填されてソース領域低抵抗半導体層７に接続される。同様に、コンタクトホール１１の内部にもAl層が充填されてドレイン領域低抵抗半導体層８に接続される（図６（ｄ））。
【００２８】
補助容量電極３の一部はイオン注入法等により低抵抗化され、この低抵抗化された部分の上方に位置する層間絶縁膜９には、第２の配線層を埋め込むためのコンタクトホール１５ａが形成される。
【００２９】
また、接続配線部８’の端部上方に位置する層間絶縁膜９にも第２配線層を埋め込むためのコンタクトホール１５ｂが形成される。このコンタクトホール１５ａ，１５ｂには、接続配線として機能する第２の配線層１４が埋め込まれる。
【００３０】
次に、第２の配線層１４の上面には、図５に示すように、素子部を保護するための絶縁膜１６が形成される。絶縁膜１６の上面には、カラーフィルタ層１７が形成され、その上面にはオーバーコート層１８が形成され、さらにその上面には画素電極１９が形成される。カラーフィルタ層１７、オーバーコート層１８および画素電極１９の一部にはコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールにより、画素電極１９とドレイン電極１３とを接続するコンタクト２０が形成される（図３）。
【００３１】
次に、画素電極１９の上面には、液晶分子を配向させるためのポリイミドからなる配向膜２１が形成される。以上の工程により、図４に示すように、アレイ基板５０が完成する。
【００３２】
このアレイ基板５０は、配向膜２３、対向電極２４およびガラス基板１からなる対向基板５１と対向配置され、両基板間に液晶層２２が挟み込まれて封止される。以上の工程により、液晶表示装置が完成する。
【００３３】
上述したように、補助容量を構成する補助容量電極３と補助容量給電線６との間の絶縁が不十分であったり、補助容量電極３と補助容量給電線６との間のゲート絶縁膜４に導電性の異物が混入したりすると、画素電極１９と補助容量給電線６との短絡不良が起きる。
【００３４】
本出願人は、半導体層にて接続配線部８’を構成し、この接続配線部８’にそれぞれ異なる強度のレーザを照射したときに、配線部の断面形状と液晶の比抵抗値との間に相関があることを実験により確かめた。
【００３５】
図７はこの実験結果を示す図であり、横軸はレーザの照射エネルギー、縦軸は液晶の比抵抗値である。なお、図７は波長532nmのレーザを放射するNTN製NRS-45を用いた例を示している。
【００３６】
図７に示すように、レーザの照射エネルギーにより、第１期〜第４期までの４段階の異なる特性が得られた。図８Ａは第１期の配線部の状態を模式的に示す図、図８Ｂは第２期の配線部の状態を模式的に示す図、図８Ｃは第３期の配線部の状態を模式的に示す図、図８Ｄは第４期の配線部の状態を模式的に示す図である。
【００３７】
第１期は、接続配線部８’を構成するポリシリコン層が消失・変色する状態であり、この状態では、レーザ照射位置の比抵抗値はまだ高い。
【００３８】
第２期は、レーザの照射位置の中心から周囲の層間絶縁層９にかけて、すり鉢状のクラックが入る状態であり、この状態では、すり鉢状のクラックは液晶層にまで達しておらず、絶縁層９は液晶層２２に接触せず、比抵抗値もほとんど低下しない。
【００３９】
第３期は、クラックが大きくなって空洞ができる状態であり、空洞の一部が液晶層２２に接触するようになるが、第２期より若干、抵抗値が低下するにすぎない。
【００４０】
第４期は、絶縁層９のほとんどが液晶中に飛散する状態であり、飛散物により液晶中の比抵抗が低下し、いわゆる表示むらが生じやすい。
【００４１】
本出願人は、図８の第２期から第４期の一部までの状態を維持するように、レーザの照射エネルギーを設定することにより、表示品質の向上を図った。
【００４２】
また、本出願人は、図９に示すように、レーザにより消失する配線部の体積（横軸）と、表示特性の回復が可能な抵抗値を示すレーザエネルギー（縦軸）に相関があることを発見した。
【００４３】
図９に示すように、配線部の体積がわかれば、高抵抗化が可能なレーザの照射エネルギーを求めることができ、逆に、レーザの照射エネルギーが予め定まっている場合には、配線部の体積をレーザの照射エネルギーに応じた値に設定することにより、配線部を高抵抗化することができる。
【００４４】
本出願人は、図８および図９の両方の特性を考慮に入れて、以下の条件で実験を行った。まず、図８の第２期に相当するレーザエネルギーを図３の点線部Ｌ１またはＬ２に照射して、比抵抗を低下させないような構造にする。次に、図９を参考にして、レーザエネルギーが（１）式を満たすように設定して、配線の高抵抗化を実現する。
0.01×Ｖ＋0.6＜Ｒ＜0.1×Ｖ＋1.5    …（１）
【００４５】
図９によれば、第２期を実現するレーザエネルギーは0.8μJである。そこで、多結晶シリコンからなる配線部の幅を500オングストローム、配線面積を６μｍ×３μｍにした。この結果、補助容量電極３と補助容量給電線６とが短絡した液晶表示装置では、配線部を液晶中に飛散させることなく高抵抗化させることが可能になり、信頼性の高い製造プロセスが得られた。
【００４６】
（第２の実施形態）
図１０は本発明の第２の実施形態である液晶表示装置の平面図、図１１は図１０のA-B-C線断面図である。本実施形態の液晶表示装置は、縦横に列設された信号線６１および走査線６２を有する。各信号線６１は、層間絶縁膜６３を介して、走査線６２および補助容量給電線６４に対して直交するように配置されている。補助容量給電線６４は、走査線６２と同一の層に形成されるとともに、走査線６２に対して平行に形成されている。信号線６１および補助容量給電線６４により区画された領域は、一画素領域に相当する。
【００４７】
補助容量給電線６４の一部は、ゲート絶縁膜６５を介して、ポリシリコン膜により形成された補助容量電極６６に対向配置され、補助容量給電線６４と補助容量電極６６との間で補助容量素子を形成している。
【００４８】
画素電極６７は、信号線６１および補助容量給電線６４の上方に、その周縁部を重ねるように配置されている。スイッチング素子として機能する画素ＴＦＴ６８(Thin Film Transistor)は、信号線６１と走査線６２の各交点近傍に配置されている。
【００４９】
画素ＴＦＴ６８は、ポリシリコン膜により形成されたドレイン電極６９およびソース電極７０と、ゲート絶縁膜６５を介して形成された走査線６２の一部領域からなるゲート電極７１とを有する。ドレイン電極６９は、コンタクトホール７２を介して信号線６１に電気的に接続されている。
【００５０】
本実施形態は、補助容量電極６６に接続される第１の配線層７３と、画素ＴＦＴ６８のソース電極と第１の配線層７３とに接続される第２の配線層７４と、補助容量素子の上部電極７５と画素ＴＦＴのソース電極７０とに接続される第３の配線層７６とを設け、第１および第２の配線層７３，７４を互いに上下に異なる層に形成する点に特徴がある。
【００５１】
より具体的には、画素ＴＦＴ６８のソース電極７０は、コンタクトホール７７と第３の配線層７６を介して、補助容量素子の上部電極７５に接続されている。補助容量電極６６は、第１の配線層７３とコンタクトホール７８を介して第２の配線層７４に接続され、この第２の配線層７４は画素ＴＦＴ６８のソース電極７０に接続されている。
【００５２】
第１の配線層７３は、補助容量電極６６と同一層に形成される。第２および第３の配線層７４，７６は、補助容量電極６６の上部電極７５と同一層に形成される。
【００５３】
第１の配線層７３の少なくとも一部と第２の配線層７４の少なくとも一部は、補助容量給電線６４と補助容量電極６６に上下に重ならないように配置される。望ましくは、図１２に示すように、第１の配線層７３の長さと第２の配線層７４の長さは略等しく設定される。これにより、第１または第２の配線層７３，７４のどちらにレーザビームを照射しても、その配線層を確実に切断することができる。
【００５４】
また、第１の配線層７３と、第２および第３の配線層７４，７６とは、それぞれ異なる材料で形成され、第１の配線層７３は最下層の配線層（例えば、ポリシリコン層）であり、第２および第３の配線層７４，７６は最上層の配線層（例えば、Ta等）である。
【００５５】
本実施形態では、アレイ基板１００の状態、すなわち対向基板１０１と張り合わせてセルを形成する前の状態で補助容量電極６６と補助容量給電線６４との短絡箇所が検出された場合には、図１１の矢印ｙ１で示すように、アレイ基板１００の上方からレーザビームを照射して第２の配線層７４を切断する。一方、セル形成後は、図１１の矢印ｙ２で示すように、アレイ基板１００の下方からレーザビームを照射して第１の配線層７３を切断する。
【００５６】
図１３は画素ＴＦＴ６８の周辺の等価回路図である。図１３の「×」で示す位置が切断される。
【００５７】
従来の液晶表示装置は、第１の配線層７３を備えていなかったため、アレイ基板１００の完成前に補助容量電極６６と補助容量給電線６４の短絡箇所を検出できなかった場合には、液晶セル完成後に短絡が検出されても、そのリペアを行えなかった。その理由は、画素ＴＦＴ６８のソース電極７７と補助容量電極６６とを接続する第２の配線層７４は、画素電極６７の近くに形成されているため、基板の裏面側からレーザビームを照射すると、画素電極６７がレーザビームの影響を受けるおそれがあるためである。また、第２の配線層７４とガラス基板６０との間には層間絶縁膜６３が配置されているため、レーザビームを第２の配線層７４の所望の位置に照射するのが困難であった。
【００５８】
図１４は、第１の配線層７３を設けずに第２の配線層７４により補助容量電極６６と画素ＴＦＴ６８とを接続する従来例の平面図である。図１４の場合、補助容量電極６６と補助容量給電線６４との短絡不良が起きると、レーザビームにより第２の配線層７４を切断する必要があるが、第２の配線層７４は上部電極７５と同一層に形成されるため、画素電極６７がレーザビームの影響を受けるおそれがあるとともに、層間絶縁膜６３があるためにレーザビームを精度よく第２の配線層７４に照射できないという問題がある。
【００５９】
一方、本実施形態の場合、基板の裏面側から第１の配線層７３にレーザビームを照射することにより、画素電極６７に影響を与えることなく第２の配線層７４を切断できる。すなわち、図１１に示すように第１の配線層７３の上面には絶縁膜６３が形成されているため、矢印ｙ２に示すように基板の裏面側から第２の配線層７４にレーザビームを照射しても、このレーザビームが画素電極６７に届くことはない。また、第１の配線層７３はガラス基板６０に密接して形成されるため、レーザビームを確実に第１の配線層７３に照射できる。したがって、リペアの精度を高めることができ、信頼性の高い液晶表示装置が得られる。
【００６０】
図１５は本実施形態の液晶表示装置の製造工程を示す断面図である。以下、図１５に基づいて、本実施形態の液晶表示装置の製造工程を説明する。まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの透光性絶縁性基板上に、ＣＶＤ法などによりアモルファスシリコン膜を50nm程度被着する（図１５（ａ））。
【００６１】
次に、450℃で１時間程度、炉アニールを行った後、XeClエキシマレーザを照射し、アモルファスシリコンを多結晶化する。次に、多結晶シリコンをフォトエッチング法によりパターンニングし、表示領域内の画素ＴＦＴ６８のチャネル層と駆動回路領域のＴＦＴ（回路ＴＦＴ）のチャネル層となるポリシリコン膜を形成するとともに、補助容量を形成するための補助容量電極６６と、補助容量電極６６に接続される第１の配線層７３とを形成する（図１５（ｂ））。
【００６２】
次に、ＣＶＤ法により、絶縁基板の全面に、ゲート絶縁膜６５となるSiＯx膜を100nm程度被着した後、SiOx膜の上面全体に、Ta、Cr、Al、Mo、Ｗ、Cuなどの単体金属、これら金属の積層膜または合金膜を400nm程度被着し、フォトエッチング法により所定の形状にパターンニングする（図１５（ｃ））。この結果、走査線６２、補助容量給電線６４、画素ＴＦＴ６８のゲート電極７１、回路ＴＦＴのゲート電極７１、および駆動回路領域内の各種配線が形成される。
【００６３】
次に、ゲート電極７１をマスクとして、イオン注入やイオンドーピング法により不純物の注入を行い、画素ＴＦＴ６８のドレイン電極６９およびソース電極７０と、Nch型回路ＴＦＴ８５のソース電極７０およびドレイン電極６９を形成する。不純物の注入は、例えば加速電圧80keVで５×1015atoms/cm2のドーズ量で、ＰＨ3／Ｈ2によりリンを高濃度注入する。
【００６４】
次に、画素ＴＦＴ６８と駆動回路領域のNch型回路ＴＦＴ８５に不純物が注入されないように、これらＴＦＴをレジストで被覆した後、Ｐch型回路ＴＦＴ８６のゲート電極７１をマスクとして、加速電圧80keVで５×1015atoms/cm2のドーズ量でＢ2Ｈ6／Ｈ2によりボロンを高濃度注入し、Ｐch型回路ＴＦＴ８６のソース電極７０とドレイン電極６９とを形成する。
【００６５】
次に、Ｎch型ＬＤＤ(Lightly Doped Drain)を形成するための不純物注入を行い、基板をアニールすることにより不純物を活性化する。次に、例えばPECVD法を用いて絶縁基板の全面にSiＯ2からなる膜６３を500nm程度被着する。
【００６６】
次に、フォトエッチング法により、画素ＴＦＴ６８のドレイン電極６９に至るコンタクトホール７２と、ソース電極７０に至るコンタクトホール７７と、第１の配線層７３に至るコンタクトホール７８と、回路ＴＦＴのソース電極７０およびドレイン電極６９に至るコンタクトホール７９，８０とを形成する（図１５（ｄ））。
【００６７】
次に、Ta、Cr、Al、Mo、Ｗ、Cuなどの単体金属、これら金属の積層膜または合金膜を500nm程度被着し、フォトエッチング法により所定の形状にパターンニングし、信号線６１、画素ＴＦＴ６８のドレイン電極６９と信号線６１の接続領域８１、ソース電極７０と第１の配線層７３とを接続する第２の配線層７４、補助容量素子の上部電極７５、および駆動回路領域内の回路ＴＦＴの各種配線領域等を形成する（図１５（ｄ））。
【００６８】
次に、PECVD法により、絶縁基板の全面に、SiＮxからなる保護絶縁膜８２を成膜し、フォトエッチング法により補助容量素子の上部電極７５に至るコンタクトホール８３を形成する（図１５（ｅ））。
【００６９】
次に、有機絶縁膜８４を全面に２μｍほど塗布し、補助容量素子の上部電極７５に至るコンタクトホール８３を形成する。
【００７０】
最後に、ＩＴＯをスパッタ法により100nm程度成膜し、フォトエッチング法により所定の形状にパターンニングして、画素電極６７を形成する。画素電極６７を上部電極７５に接続させることで、図１１に示すアレイ基板１００が完成する。
【００７１】
一方、透明性絶縁基板として例えばガラス基板９０上に、顔料などを分散させた着色層９１を形成し、その上面にスパッタ法により例えばＩＴＯからなる透明性電極である対向電極９２を形成することにより、対向基板１０１が得られる。
【００７２】
次に、アレイ基板１００の画素電極６７形成面側全面と対向基板１０１の対向電極形成面側全面に、低温キュア型のポリイミドからなる配向膜９３，９４を印刷塗布し、両基板を対向させたときに配向軸が90°となるようにラビング処理をする。その後、両基板を対向させて組み立ててセル化し、両基板の間隙にネマティック液晶を注入して封止する。そして、両基板の絶縁基板側に偏光板を貼り付けることにより、液晶表示装置が得られる。
【００７３】
このようにして出来上がった液晶表示装置は、第１および第２の配線層７３，７４を介して画素ＴＦＴ６８のソース電極７０と補助容量電極６６とを電気的に接続するため、アレイ基板１００の完成時には修復できなかった補助容量電極６６および補助容量給電線６４の短絡箇所を、セル完成後にアレイ基板１００の裏面からレーザビームを照射しての配線層７３を切断することり、補助容量電極６６と画素電極６７とを電気的に切り離すことができる。このため、セル完成後でも、補助容量電極６６と補助容量給電線６４との短絡不良をリペアすることができる。
【００７４】
上述した第２の実施形態では、画素ＴＦＴ６８のチャネル領域等の半導体層をポリシリコンで形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置について説明したが、ポリシリコン以外の材料を用いて半導体層を形成してもよい。
【００７５】
上述した各実施形態では、本発明を液晶表示装置の製造方法に適用した例について説明したが、本発明は、液晶表示装置以外の各種の平面表示装置、例えば、ＥＬ(electroluminescence)表示装置などにも適用可能である。
【００７６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、スイッチング素子と補助容量電極との接続経路として、第１および第２の配線層を設けるため、アレイ基板の完成時に補助容量電極と補助容量給電線との短絡不良が見つかった場合には、基板の上方から第２の配線層にレーザビームを照射して同配線層を切断し、平面表示装置の完成後に補助容量電極と補助容量給電線との短絡不良が見つかった場合には、基板の裏面側から第１の配線層にレーザビームを照射して同配線層を切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＴＦＴを用いた液晶表示装置の構造を示す上面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】本発明に係る平面表示装置の製造方法の一実施形態の上面図。
【図４】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図５】図１のＢ−Ｂ線断面図。
【図６】図１の半導体回路の製造工程を示す断面図。
【図７】横軸がレーザの照射エネルギー、縦軸が液晶の比抵抗値を示す図。
【図８】第１〜第４期の配線部の状態を模式的に示す図。
【図９】レーザにより消失する配線部の体積（横軸）と、表示特性の回復が可能な抵抗値を示すレーザエネルギー（縦軸）との関係を示す図。
【図１０】本発明の第２の実施形態である液晶表示装置の平面図。
【図１１】図１０のA-B-C線断面図。
【図１２】図１０を拡大した図。
【図１３】画素ＴＦＴ周辺の等価回路図。
【図１４】第１の配線層を設けずに第２の配線層により補助容量電極と画素ＴＦＴとを接続する従来例の平面図。
【図１５】本実施形態の液晶表示装置の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  半導体層
３  補助容量電極
４  ゲート絶縁膜
５  ゲート電極
６  補助容量給電線
７  ソース領域低抵抗半導体層
８  ドレイン領域低抵抗半導体層
９  層間絶縁膜
１０，１１  コンタクトホール
１２  ソース電極
１３  ドレイン電極
１３  ドレイン電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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