(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極と複数の誘電体セラミック層とが交互に積層されてなる容量形成部と、前記容量形成部の上下面上にそれぞれ積み重ねられる誘電体セラミックからなる外層部とを含む、コンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の相対向する端部上に形成される第１および第２の外部電極と
を備え、
複数の前記内部電極は組をなして互いの間に静電容量を形成するようにされた第１の内部電極と第２の内部電極とに分類され、前記第１の内部電極は前記第１の外部電極に電気的に接続され、前記第２の内部電極は前記第２の外部電極に電気的に接続されている、
積層セラミックコンデンサであって、
前記外層部は、最外層とその内側に積層される第２層とを少なくとも備え、前記第１および第２の外部電極の各端部は、前記最外層上に位置され、
前記第２層の熱膨張係数は、前記最外層の熱膨張係数より大きく、かつその差が１×１０-6〜３×１０-6／℃の範囲にあり、さらに、
前記最外層の厚みが５０〜８０μｍの範囲にあり、かつ前記第２層の厚みが２０〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第２層は、前記外層部における前記容量形成部に隣接する位置に位置される、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記外層部は、前記第２層と前記容量形成部との間に位置する第３層をさらに備え、前記第３層は、前記最外層と同じ材料から構成される、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記最外層および前記第２層は、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックから構成され、前記最外層および前記第２層の各々の熱膨張係数は、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックにおけるＢａのＣａへの置換量によって調整されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサに備えるコンデンサ本体における、内部電極が配置されていない部分である外層部の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この発明にとって興味ある積層セラミックコンデンサの一般的な構造が図５に示されている。【０００３】
図５に示すように、積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体２と、このコンデンサ本体２の相対向する端部上に形成される、第１および第２の外部電極３および４とを備えている。コンデンサ本体２は、複数の内部電極５および６と複数の誘電体セラミック層７とが交互に積層されてなる容量形成部８と、この容量形成部８の上下面上にそれぞれ積み重ねられる誘電体セラミックからなる外層部９とを含んでいる。【０００４】
上述の複数の内部電極５および６は、組をなして互いの間に静電容量を形成するようにされた第１の内部電極５と第２の内部電極６とに分類され、第１の内部電極５は第１の外部電極３に電気的に接続され、第２の内部電極６は第２の外部電極４に電気的に接続されている。【０００５】
このような積層セラミックコンデンサ１において、通常は、容量形成部８に存在する誘電体セラミック層７と外層部９とは互いに同じ誘電体セラミック材料から構成される。【０００６】
また、積層セラミックコンデンサ１を製造するにあたっては、内部電極５および６、誘電体セラミック層７ならびに外層部９が形成された、コンデンサ本体２の生の状態のものが用意され、これを同時に焼成し、その後に、焼結したコンデンサ本体２の両端部に導電性ペーストを塗布し、これを焼き付けることにより、外部電極３および４を形成することが行なわれる。【０００７】
このような積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層７および外層部９を構成する誘電体セラミックと内部電極５および６との間での熱膨張係数の差、上記誘電体セラミックと外部電極３および４との間での熱膨張係数の差により、焼結したコンデンサ本体２を得るための焼成工程および外部電極３および４を形成するための焼付け工程の後の冷却過程において、残留応力がコンデンサ本体２に発生しており、特に、外部電極３および４の各々の端部１０付近に、図５において破線の矢印で示すような引張応力１１が集中していることが多い。【０００８】
このような状況の下、実装時や、熱サイクル条件が付与されるとき、あるいは、積層セラミックコンデンサ１を実装する配線基板（図示せず。）に撓みが生じたときなど、外的要因により、コンデンサ本体２に応力が発生した場合、もともと残留応力としての引張応力１１が集中している外部電極３および４の端部１０近傍にさらに応力が加わることになるため、ここを起点として矢印１２で示すような方向に伸展するクラックが発生しやすい。【０００９】
そこで、外層部９における構造を工夫することにより、上述のようなクラックが発生することを抑制する技術が、たとえば特許文献１および２において提案されている。【００１０】
特許文献１では、外層部９を構成する誘電体セラミックの熱膨張係数を容量形成部８における誘電体セラミック層７を構成する誘電体セラミックの熱膨張係数よりも０．２×１０-6〜１×１０-6／℃だけ小さくし、かつ外層部９の厚みを２０〜２００μｍとすることが提案されている。このような構成を採用することにより、容量形成部８に比べ、外層部９の熱膨張係数が小さくなるため、容量形成部８での冷却収縮により、外層部９での圧縮応力および外部電極３および４の端部１０での圧縮応力が高くなり、クラックの発生を抑制することができる。【００１１】
特許文献２では、外層部９における最外層を機械的強度の高い誘電体セラミックで構成し、最外層の内側に積層される第２層を多孔質とすることが提案されている。このような構成によれば、外層部９における最外層と容量形成部８との間での収縮度の違いを多孔質の第２層で吸収しながら、機械的強度の高い最外層によって、クラックの発生を抑制することができる。【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載の技術によれば、外層部９と外部電極３および４との間での熱膨張係数の差が大きくなり、外部電極３および４の端部１０付近に集中する引張応力１１がより強くなり、クラックがかえって発生しやすくなる可能性がある。【００１３】
また、特許文献１に記載の技術および特許文献２に記載の技術のいずれであっても、熱サイクルのような低応力サイクルによる疲労破壊によってクラックが発生した場合、図５において矢印１２で示すように、クラックは外層部９内を伸展して内部電極５および６にまで到達する可能性が高い。その結果、積層セラミックコンデンサ１にあっては、ショート不良や容量低下等の特性劣化が引き起こされる。
【特許文献１】特開平３−１３６３０８号公報
【特許文献２】特開平２−８６１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明は、複数の内部電極と複数の誘電体セラミック層とが交互に積層されてなる容量形成部と、容量形成部の上下面上にそれぞれ積み重ねられる誘電体セラミックからなる外層部とを含む、コンデンサ本体と、コンデンサ本体の相対向する端部上に形成される第１および第２の外部電極とを備え、複数の内部電極は組をなして互いの間に静電容量を形成するようにされた第１の内部電極と第２の内部電極とに分類され、第１の内部電極は第１の外部電極に電気的に接続され、第２の内部電極は第２の外部電極に電気的に接続されている、積層セラミックコンデンサに向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１６】
すなわち、外層部は、最外層とその内側に積層される第２層とを少なくとも備えている。前述した第１および第２の外部電極の各端部は、上記最外層上に位置される。第２層の熱膨張係数は、最外層の熱膨張係数より大きく、かつその差が１×１０-6〜３×１０-6／℃の範囲にある。そして、最外層の厚みが５０〜８０μｍの範囲にあり、かつ第２層の厚みが２０〜５０μｍの範囲にあることを特徴としている。
【００１７】
この発明において、第２層は、外層部における容量形成部に隣接する位置に位置されても、あるいは、外層部は、第２層と容量形成部との間に位置する第３層をさらに備えていてもよい。後者の場合、第３層は、最外層と同じ材料から構成される。【００１８】
この発明において、最外層および第２層は、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックから構成され、最外層および第２層の各々の熱膨張係数は、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックにおけるＢａのＣａへの置換量によって調整されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
外部電極の形成のための焼付け工程の後の冷却過程では、最外層と外部電極との間での熱膨張係数の差により、外部電極の端部の近傍に引張応力が集中する。他方、この発明に係る積層セラミックコンデンサでは、上記冷却過程において、第２層の収縮度合いが最外層の収縮度合いよりも大きくなるため、最外層には比較的強い圧縮応力が働くことになる。この圧縮応力は、外部電極の端部近傍での引張応力の集中を緩和するように作用する。したがって、この発明によれば、まず、外部電極の端部近傍でのクラックの発生を抑制することができる。【００２０】
しかしながら、上述のように、圧縮応力によりクラックの発生が抑制されている場合であっても、熱サイクルのような低応力サイクルに伴う疲労破壊により、クラックが発生してしまう可能性がある。発生したクラックは、外層部内を伸展し、内部電極へ到達することもある。【００２１】
上述の事態を回避するために、前述したような最外層と第２層との間での熱膨張係数の関係、ならびに最外層および第２層の各厚みについての数値限定範囲が規定される。このような数値限定範囲によれば、たとえクラックが発生したとしても、第２層の収縮による最外層への圧縮応力によって、クラックは、内部電極に到達しない方向へ曲げられる。その結果、この発明によれば、積層セラミックコンデンサにおいて、ショート不良や容量低下などの問題が生じにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した積層セラミックコンデンサ２１の一部を拡大して示す図であり、引張応力３２を緩和するように作用する圧縮応力３６を図解的に示している。
【図３】図３は、図１に示した積層セラミックコンデンサ２１の一部を拡大して示す図であり、引張応力３２によって生じ得るクラックの伸展方向を説明するための図である。
【図４】図４は、この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１を示す断面図である。
【図５】図５は、この発明にとって興味ある従来の積層セラミックコンデンサ１を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
２１，４１  積層セラミックコンデンサ
２２  コンデンサ本体
２３，２４  外部電極
２５，２６  内部電極
２７  誘電体セラミック層
２８  容量形成部
２９  外層部
３０  最外層
３１  第２層
３２  引張応力
３３  外部電極の端部
３６  圧縮応力
３７，３８  クラックの伸展方向を示す矢印
４２  第３層
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１を示す断面図である。【００２５】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ２１は、コンデンサ本体２２と、このコンデンサ本体２２の相対向する端部上に形成される、第１および第２の外部電極２３および２４とを備えている。コンデンサ本体２２は、複数の内部電極２５および２６と複数の誘電体セラミック層２７とが交互に積層されてなる容量形成部２８と、この容量形成部２８の上下面上にそれぞれ積み重ねられる誘電体セラミックからなる外層部２９とを含んでいる。
【００２６】
複数の内部電極２５および２６は、組をなして互いの間に静電容量を形成するようにされた第１の内部電極２５と第２の内部電極２６とに分類され、第１の内部電極２５は第１の外部電極２３に電気的に接続され、第２の内部電極２６は第２の外部電極２４に電気的に接続されている。【００２７】
ここまで述べた構成は、図５に示した従来の一般的な積層セラミックコンデンサ１においても採用されている。以下に、この実施形態にとって特有の構成について説明する。【００２８】
外層部２９は、最外層３０とその内側に積層される第２層３１とから構成される。図１等において、第２層３１は、他の層と区別するため、破線によるハッチングを施した領域として示されている。第１および第２の外部電極２３および２４の各端部３３は、最外層３０上に位置される。
【００２９】
第２層３１の熱膨張係数は、最外層３０の熱膨張係数より大きく、かつその差が１×１０-6〜３×１０-6／℃の範囲にあるように選ばれる。【００３０】
外層部２９における最外層３０および第２層３１は、互いに同じ材料系の誘電体セラミックから構成されることが好ましい。このように、共通の材料系の誘電体セラミックを用いながらも、互いに異なる２種類の熱膨張係数を実現するには、たとえば、次のような手段を講じることが好ましい。【００３１】
すなわち、最外層３０および第２層３１が、ともに、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックから構成される場合、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミックにおけるＢａのＣａへの置換量を増加させることによって、熱膨張係数が大きくなる現象を利用して、最外層３０および第２層３１の各々の熱膨張係数を調整することが好ましい。【００３２】
また、最外層３０の厚みは、５０〜８０μｍの範囲となるようにされる。第２層３１の厚みは、２０〜５０μｍの範囲になるようにされる。【００３３】
上述したような特徴的構成を備える積層セラミックコンデンサ２１によれば、次のような効果が奏される。図２および図３は、上記効果を説明するためのもので、図１に示した積層セラミックコンデンサ２１の一部が拡大されて示されている。【００３４】
外部電極２３および２４を形成するための焼付け工程の後の冷却過程では、外層部２９における最外層３０と外部電極２３および２４との間での熱膨張係数の差によって、図２において破線の矢印で示すように、引張応力３２が、外部電極２３および２４の各々の端部３３の近傍に集中する。【００３５】
他方、内部電極２５および２６の熱膨張係数が外層部２９の熱膨張係数よりも大きいため、上記冷却過程では、外層部２９よりも容量形成部２８の方がより大きく収縮する。この容量形成部２８での収縮３４は、強制的に外層部２９での収縮３５をもたらすように作用し、互いに向かい合う矢印で示す圧縮応力３６が、外層部２９全体に働いている状態となる。【００３６】
さらに、前述したような熱膨張係数の関係に選ばれることから、上記冷却過程においては、第２層３１が、最外層３０よりも大きく収縮しようとするため、最外層３０においては、上記圧縮応力３６がより強められる。この圧縮応力３６は、外部電極２３および２４の各々の端部３３近傍での引張応力３２の集中を緩和するように作用するため、引張応力３２によるクラックの発生をまず抑制することができる。【００３７】
しかしながら、上述のように、クラックの発生が抑制されているにもかかわらず、熱サイクルのような低応力サイクルに伴う疲労破壊により、引張応力３２が起点となって、図３において矢印３７で示す方向に向かうクラックが発生することがある。この実施形態によれば、最外層３０と第２層３１との間での熱膨張係数の関係ならびに最外層３０および第２層３１の各々の厚みが前述したように選ばれているので、図３において、矢印３７方向へ伸展しようとするクラックがたとえ発生したとしても、第２層３１でのより大きな収縮によって最外層３０へと及ぼされる圧縮応力３６によって、矢印３８で示すように、クラックは曲げられ、内部電極２５および２６にまで到達することが防止される。その結果、積層セラミックコンデンサ２１において、ショート不良や容量低下などの特性劣化を生じさせにくくすることができる。【００３８】
なお、最外層３０と第２層３１との間での熱膨張係数の差が１×１０-6〜３×１０-6／℃の範囲に選ばれるのは、次の理由による。１×１０-6／℃未満の場合には、最外層３０に対して十分な圧縮応力３６を与えることができないため、クラックを矢印３８で示すように曲げることができないからである。他方、３×１０-6／℃より大きい場合には、最外層３０に及ぼされる圧縮応力３６が強すぎるため、クラックがコンデンサ本体２２の端面３９付近にまで伸展し、外部電極２３および２４の収縮により端面３９近傍において端面３９方向に向く圧縮応力４０が作用して、クラックを内部電極２５および２６方向へ向かうように曲げてしまうことがあるからである。【００３９】
また、最外層３０の厚みが５０〜８０μｍの範囲に選ばれるのは、次の理由による。５０μｍ未満の場合には、クラックを矢印３８方向へ曲げるのに十分な経路を最外層３０中において与えることができず、クラックが第２層３１に到達し、さらには、第２層３１を通して内部電極２５および２６にまで到達してしまう可能性が高くなるからである。他方、８０μｍを超えると、最外層３０に対して十分な圧縮応力３６を与えることができず、クラックを矢印３８方向へ適正に曲げることができなくなるからである。【００４０】
また、第２層３１の厚みが２０〜５０μｍの範囲に選ばれるのは、この範囲を外れると、最外層３０に対して十分な圧縮応力３６を与えることができず、クラックを矢印３８方向へ曲げることができなくなるからである。【００４１】
図４は、この発明の第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１を示す断面図である。図４において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。【００４２】
第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ２１では、第２層３１は、外層部２９における容量形成部２８に隣接する位置に位置されたが、第２の実施形態による積層セラミックコンデンサ４１では、図４に示すように、外層部２９は、第２層３１と容量形成部２８との間に位置する第３層４２をさらに備えていることを特徴としている。第３層４２は、最外層３０と実質的に同じ材料から構成される。【００４３】
第２の実施形態からわかるように、第２層３１は、最外層３０の厚みが５０〜８０μｍの範囲にある限り、外層部２９における任意の位置に位置させることができる。【００４４】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。【００４５】
この実験例では、コンデンサ本体が１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有し、誘電体セラミック層の厚みが７．４μｍであり、内部電極の厚みが１．３μｍであり、外層部の各厚みが１００μｍである、積層セラミックコンデンサを作製した。また、内部電極の形成には、ニッケルを導電成分として含む導電性ペーストを用い、コンデンサ本体を得るため、この導電性ペーストを誘電体セラミック層および外層部とともに同時に焼成した。また、外部電極の形成には、銅を導電成分として含む導電性ペーストを用い、焼結後のコンデンサ本体の両端部に導電性ペーストを塗布し、次いで焼き付けた。【００４６】
また、誘電体セラミック層を形成するため、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。この誘電体セラミックの熱膨張係数は、２５〜８００℃の温度範囲において、１１×１０-6／℃であった。【００４７】
以下の表１には、この実験例において作製した各試料に係る積層セラミックコンデンサの外層部での熱膨張係数および厚みが示されている。なお、熱膨張係数は、２５〜８００℃の温度範囲における値である。【００４８】
【表１】
0004636084.tif 000002
【００４９】
表１において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。【００５０】
表１に示した「熱膨張係数」に関して、それが「１１」×１０-6／℃であるものは、ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。「１１．５」×１０-6／℃であるものは、Ｂａ0.97Ｃａ0.03ＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。「１２」×１０-6／℃であるものは、Ｂａ0.95Ｃａ0.05ＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。「１３」×１０-6／℃であるものは、Ｂａ0.9 Ｃａ0.1 ＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。「１４」×１０-6／℃であるものは、Ｂａ0.86Ｃａ0.14ＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。「１５」×１０-6／℃であるものは、Ｂａ0.82Ｃａ0.18ＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミックを用いた。【００５１】
なお、試料１４および１５は、外層部が単層構造の比較例である。ここで、試料１５の外層部の熱膨張係数は「１０」×１０-6／℃であるが、これは、特許文献１に記載される、ＢａＴｉＯ3 にＣａＺｒＯ3 を添加して、上記のような熱膨張係数となるように添加量を調整したものを用いた。【００５２】
このようにして得られた各試料について、表１に示すように、「応力緩和」および「クラック曲がり」を評価した。【００５３】
「応力緩和」の評価は、８００℃から２５℃へと至る温度領域において外部電極の端部に加わる応力を有限要素法により計算した値を、試料１４を基準として相対評価したものである。「応力緩和」の欄に示された数値が小さいほど、応力が緩和され、クラックが発生しにくいことを示している。【００５４】
「クラック曲がり」の評価は、−５５℃および１２５℃の各温度を繰り返し付与する熱サイクルを２０００サイクル実施した後において、コンデンサ本体を研磨し、クラックの形状を目視にて確認することによって評価したものである。表１において、「◎」および「○」は、クラックが適正に曲がり、内部電極に到達しない状態を示しており、特に、「◎」は、最外層と第２層との界面とこの界面にクラックが最接近している点との距離が１０μｍ以上である場合を示し、「○」は、上記界面とクラックが最接近している点との距離が１０μｍ未満である場合を示している。また、「×」は、クラックが内部電極に到達していることを示している。【００５５】
表１に示すように、この発明の範囲内にある試料１〜５、１１および１３によれば、「応力緩和」に関して、６３〜８７％にまで、外部電極の端部への応力集中を減らすことができるので、クラックの発生を抑制することができる。この「応力緩和」に関して、この発明の範囲内にある試料１〜５、１１および１３の間で比較すればわかるように、熱膨張係数の差が大きいほど、最外層の厚みが薄いほど、あるいは第２層の厚みが厚いほど、応力緩和効果が高くなる傾向がある。【００５６】
また、「クラック曲がり」に関して、この発明の範囲内にある試料１〜５、１１および１３によれば、熱サイクル等の低応力サイクルによる疲労で発生したクラックは、内部電極に到達することがない。したがって、積層セラミックコンデンサの特性劣化を生じさせにくくすることができる。【００５７】
この発明を規定する「熱膨張係数の差」、「最外層の厚み」および「第２層の厚み」の各々についての数値限定の根拠について、以下に説明する。【００５８】
表２は、表１に示した試料において、「熱膨張係数の差」について注目し、他の「最外層の厚み」および「第２層の厚み」については同じ条件とされた試料のみを抽出して、これら試料を「熱膨張係数の差」を示す数値の順に並べて示したものである。【００５９】
【表２】
0004636084.tif 000003
【００６０】
表２から、「クラック曲がり」に関して良好な結果を示し、クラックが内部電極に到達しないようにするには、「熱膨張係数の差」が１×１０-6〜３×１０-6／℃の範囲でなければならないことがわかる。【００６１】
表３は、表１に示した試料において、「最外層の厚み」について注目し、他の「熱膨張係数の差」および「第２層の厚み」については同じ条件とされた試料のみを抽出して、これら試料を「最外層の厚み」を示す数値の順に並べて示したものである。【００６２】
【表３】
0004636084.tif 000004
【００６３】
表３から、「クラック曲がり」に関して良好な結果を示し、クラックが内部電極に到達しないようにするには、「最外層の厚み」が５０〜８０μｍの範囲でなければならないことがわかる。【００６４】
表４は、表１に示した試料において、「第２層の厚み」について注目し、他の「熱膨張係数の差」および「最外層の厚み」については同じ条件とされた試料のみを抽出して、これら試料を「第２層の厚み」を示す数値の順に並べて示したものである。【００６５】
【表４】
0004636084.tif 000005
【００６６】
表４から、「クラック曲がり」に関して良好な結果を示し、クラックが内部電極に到達しないようにするには、「第２層の厚み」が２０〜５０μｍの範囲でなければならないことがわかる。【００６７】
これらに対して、試料６のように、「熱膨張係数の差」が小さすぎると、最外層に対して十分な圧縮応力を与えられず、内部電極に到達しないようにクラックを曲げることができない。他方、試料７のように、「熱膨張係数の差」が大きすぎると、圧縮応力が強くなりすぎ、クラックがコンデンサ本体の端面付近にまで伸展し、外部電極によって及ぼされる応力によって、クラックが内部電極方向に向かうように曲げられ、内部電極に到達してしまう。【００６８】
また、試料８のように、最外層が厚すぎると、最外層に対して十分な圧縮応力を与えることができず、内部電極に到達しないようにクラックを曲げることができない。他方、試料９のように、最外層が薄すぎると、クラックが曲がるのに十分な経路を最外層に与えることができず、クラックが第２層、さらには内部電極へと伸展してしまう。【００６９】
また、試料１０のように、第２層が薄すぎると、最外層に対して十分な圧縮応力を与えることができず、他方、試料１２のように、第２層が厚すぎる場合であっても、最外層に対して十分な圧縮応力を与えることができず、いずれの場合も、内部電極に到達しないようにクラックを曲げることができない。【００７０】
また、外層部が単層構造の試料１４では、応力緩和効果を与え得る手段を有していないので、クラックが発生しやすく、また、クラックの方向を制御する手段をも有していないので、クラックが発生したとき、内部電極に到達してしまう。【００７１】
また、同じく単層構造の外層部を備える試料１５では、応力緩和効果をある程度期待できるものの、クラックの方向を制御する手段を有していないので、クラックは内部電極に到達してしまう。
【図１】
0004636084.tif 000006
【図２】
0004636084.tif 000007
【図３】
0004636084.tif 000008
【図４】
0004636084.tif 000009
【図５】
0004636084.tif 000010