(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路用の過電圧保護装置であって、
セラミック製基板と、
前記セラミック製基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に形成された内側の電極導体層と、
前記内側の電極導体層の上に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の上に形成された外側の電極導体層と、
前記外側の電極導体層の上に形成された保護層と、
を含み、
前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、部分的に前記バッファ層に切り込み、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成することによって、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を互いに相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項２】
前記誘電体層はガラス層であることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項３】
前記誘電体層は誘電材料からなることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項４】
前記内側の電極導体層は、セラミック製基板の長手方向に沿って複数の互いに離隔された電極が形成され、前記電極は前記長手方向に伸延された間隙によってそれぞれ相対する２つの部分に分かれることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項５】
前記内側の電極導体層は、その端に接地用の鋼片を有することを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項６】
前記内側の電極導体層は、コの字の形状をなしていることを特徴とする、請求項１または５に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項７】
前記外側の電極導体層、前記内側の電極導体層、および前記保護層は、前記セラミック製基板の両面に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項８】
前記バッファ層、前記外側の電極導体層、前記内側の電極導体層、および前記保護層は、容量またはインダクタの性質を有し、それらの誘電特性とともにＲＣ回路もしくはＥＭＩ回路として機能することを特徴とする、請求項１に記載の電子回路用の過電圧保護装置。
【請求項９】
電子回路用の過電圧保護装置の製造方法であって、
セラミック製基板を準備するステップと、
前記セラミック製基板の上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層を覆う内側の電極導体層を形成するステップと、
前記内側の電極導体層を覆う誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層を覆う外側の電極導体層を形成するステップと、
前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成するステップと、を含み、
前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を、間隙に対して相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置の製造方法。
【請求項１０】
電子回路用の過電圧保護装置の製造方法であって、
セラミック製基板を準備するステップと、
前記セラミック製基板の上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層を覆う内側の電極導体層を形成するステップと、
前記内側の電極導体層を覆う誘電体層を形成するステップと、
前記セラミック製基板の長手方向に沿って複数の互いに離隔された電極を備え、前記誘電体層を覆う外側の電極導体層を形成するステップと、
前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成するステップと、を含み、
前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を、間隙に対して相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路用の過電圧保護装置とその製造方法、とくに以下のような構造の装置に関する。基板上に内側の電極導体層、誘電体層、および外側の電極導体層が順に形成されることによって、誘電体層が内側の電極導体層および外側の電極導体層の間に挟まれる形となる。次に内側の電極導体層、誘電体層、および外側の電極導体層をセラミック製基板面に対して垂直に二分する横断的な間隙が形成される。すなわち、誘電体層が電極層を内側の電極導体層および外側の電極導体層の２つの電極層に離隔し、さらに間隙がそれぞれの電極層および誘電体層を２つの部分に分離する構造を有する電子回路の保護装置に関する。それゆえに、電子回路をサージ電圧から保護する機能を有する回路要素を得るために、静電放電経路が外側の電極および内側の電極の間に形成される。
【背景技術】
【０００２】
よく知られているように、キャパシタ、抵抗、およびインダクタは電子装置にとって３つの欠くことのできない受動回路要素である。キャパシタは、２つの導電材料の間に誘電材料を介在させて形成され、電気エネルギーを蓄える働きを有し、フィルタ、変調器、もしくは発振器などを構成する要素として機能する。キャパシタは、誘電物質によって固定キャパシタ、可変キャパシタ、およびクリスタルキャパシタに大別できる。抵抗は、電流を制限する機能を有する。インダクタは、電流の雑音を取り除くことによって、電磁気的な干渉を除去する。これら３つの要素は、情報通信などの電子装置の分野において電子回路を制御する上で互いに関連し合っている。
【０００３】
通信回路において、静電放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）によって引き起こされる過電圧は、例えば基板などの電子装置の部品に深刻な打撃を与える可能性があり、電子製品全体の損失に波及することもある。一般的に、電子装置は、ＥＳＤに起因するサージ電圧の打撃から電子製品を保護するために、受動要素（抵抗、キャパシタ、およびインダクタ）を組み合わせて用いる。
【０００４】
ＥＳＤ保護装置には、過渡電圧抑制ダイオード（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｕｐｐｒｅｓｓ  Ｄｉｏｄ；ＴＶＳＤ）、多層バリスタ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ｖａｒｉｓｔｏｒ；ＭＬＶ）、および間隙などがある一方、これらのＥＳＤ保護装置を用いたＥＳＤ保護手法（ＥＳＤ保護手段）としては、過渡電圧抑制ダイオードなどを用いた遮蔽、間隙を用いた間隙放電、および各種バリスタを用いたキャパシタの充放電機能などによるものなどがある。
【０００５】
電子装置をＥＳＤの打撃から保護するために、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ−Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ)配置において、図１Ａに示す間隙放電の電極がＥＳＤ保護を必要とする箇所に直接備えられ、これは製品コストを下げるためにＰＣＢ製造の際に同時に含められる。
【０００６】
図１Ａにおいて、ＰＣＢ基板１０上に先端の尖った放電電極１２ａが形成された回路１１がＥＳＤ保護手段として機能し、間隙１３が放電電極１２ａともう一方の接地された先端の尖った放電電極１２ｂの間に入れられる。
【０００７】
図１Ｂを図１Ａとともに参照すると、図１Ｂにおいて縦軸はサージ電圧による電力を、また横軸は時間を示す。サージ電圧１５による過電圧が、ＥＳＤ曲線１６によって示されるエネルギーをともなって回路１１に現れるとき、電極１２ａと１２ｂの間の間隙１３で破壊が起きる。それゆえに、回路１１を保護するために曲線１７に示すように過電圧の振幅を制限して回路１１が許容できる範囲にしなければならない。
【０００８】
しかしながら、慎重に調査すると、前述の保護様態は次の欠点があるために不完全と考えられる。
【０００９】
（１）機械的な切削により形成された間隙１３は、ＥＳＤのサージ電圧から保護するのに十分な必要とされる距離に達するほどに狭くすることができない。
【００１０】
（２）間隙１３の幅を要求される距離に達するほどに狭くすることができないため、破壊電圧が高くなり、電子回路および装置を保護することができない。
【００１１】
先行技術におけるこれらの欠陥は明らかであるので改善が強く求められる。本発明の発明者は、長年これらの欠陥の研究および改善に尽力し、本発明で提供される新しい電子回路用の過電圧保護装置とその製造方法を考え出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、セラミック製基板上にバッファ層、内側の電極導体層、誘電体層、および外側の電極導体層を含む多層構造に間隙を形成し、誘電体層の誘電材料または間隙に充填する材料として異なった特性を有する材料を用いることにより、上記の各層からなる構造が異なった容量またはインダクタを有することで、様々な種類の抵抗、キャパシタ、またはインダクタを含む電子回路を保護することができる保護装置を提供することにある。
【００１３】
なお、誘電体層にはガラスなどの誘電材料を用いることができる。また、誘電体層および間隙の形成には印刷工程を用いてもよい。
【００１４】
そして、もう一つの目的は、間隙に固体（好ましくはピエゾ効果を有する各種の圧電材料）を挿入、もしくは気体（希ガスなど）を封入することにより、ＥＳＤによる電子回路への打撃を防ぐ機能を提供することにある。
【００１５】
さらに、もう一つの目的は、製作が容易でかつ低コストの電子回路用の過電圧保護装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
電子回路用の過電圧保護装置であって、セラミック製基板と、前記セラミック製基板の上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された内側の電極導体層と、前記内側の電極導体層の上に形成された誘電体層と、前記誘電体層の上に形成された外側の電極導体層と、前記外側の電極導体層の上に形成された保護層と、を含み、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、部分的に前記バッファ層に切り込み、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成することによって、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を互いに相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置。
【００１７】
電子回路用の過電圧保護装置の製造方法であって、セラミック製基板を準備するステップと、前記セラミック製基板の上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層を覆う内側の電極導体層を形成するステップと、前記内側の電極導体層を覆う誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層を覆う外側の電極導体層を形成するステップと、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成するステップと、を含み、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を、間隙に対して相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置の製造方法。
【００１８】
電子回路用の過電圧保護装置の製造方法であって、セラミック製基板を準備するステップと、前記セラミック製基板の上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層を覆う内側の電極導体層を形成するステップと、前記内側の電極導体層を覆う誘電体層を形成するステップと、前記セラミック製基板の長手方向に沿って複数の互いに離隔された電極を備え、前記誘電体層を覆う外側の電極導体層を形成するステップと、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を貫通し、前記セラミック製基板を横断し、圧電物質または不活性ガスで満たされる間隙を形成するステップと、を含み、前記外側の電極導体層、前記誘電体層、および前記内側の電極導体層を、間隙に対して相対する２つの部分に分けることを特徴とする、電子回路用の過電圧保護装置の製造方法。
【００１９】
すなわち、セラミック製基板上にバッファ層、内側の電極導体層、誘電体層、および外側の電極導体層からなる多層構造を形成し、全体の構造が出来上がった後に切削工程で適切な深さの間隙がセラミック製基板を横断するように形成されることで、内側の電極導体層および外側の電極導体層の２つの電極層が横断的な間隙に対して相対する２つの部分に分けられ、かつ誘電体層によって内側の電極導体層は外側の電極導体層と隔てられる。この構造を用いて間隙に固体（好ましくはピエゾ効果を有する各種の圧電材料、たとえば水晶、酸化亜鉛など）を挿入もしくは気体（希ガスＨｅ、Ａｒなど）を封入し、適切な厚さの誘電体層を用いることによって、構造全体がＥＳＤ用の保護要素として機能する。それによって、構造全体を各種の電子回路に対して保護するために用いることができる。
【００２０】
また、電極層が形成された後、複数の互いに離隔された電極が基板の長手方向に得られる。その後切削工程により横断的な間隙が形成され、複数の前記互いに離隔された電極が間隙に対して相対する。それゆえに、電極層を含む平面内において水平および垂直方向に配置された複数の互いに離隔された電極を含むマトリックス構造が成立し、それによって、ＥＳＤ用の保護装置列が形成される。
【００２１】
また、内側および外側の電極間の距離は、印刷工程により形成された誘電体の厚さによって決定される。不適切な間隙間隔による不適切な破壊電圧を避けるために上部電極層と下部電極層の間の差分はできる限り小さくするように制御することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の特筆すべき特長は、以下のとおりである。
１．間隙幅は、ダイヤモンド刃による切削もしくはレーザトリミングによって１０〜３０μｍの範囲で容易に調整できる。
２．間隙幅は、印刷工程を通じて垂直方向の多層構造によって５〜２５μｍの範囲で容易に制御できる。
３．極度に小さくした間隙幅は、効果的に破壊電圧を下げ、それによって単純な保護構造を用いる低電圧の装置用のＥＳＤ保護が改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図２Ａから図２Ｆに示すように、本発明の電子回路用の過電圧保護装置の製造方法は、以下のステップを含む。
【００２４】
１．セラミック製基板２１の上にガラス層２２を形成する。ここで、ガラス層２２は、セラミック製基板２１の中央部に位置づけることで、ガラス層の縁がセラミック製基板の縁と接触しないようにする。（図２Ａを参照）
２．ガラス層２２を覆うように内側の電極導体層２３を形成し、内側の電極導体層２３の片側をセラミック製基板２１の片側と接続させる一方で、反対側は部分的にガラス層２２の上面を覆うようにする。（図２Ｂを参照）
３．ガラス層２２のちょうど上に位置する、内側の電極導体層２３を覆うガラス層２２の面積とほぼ同じ大きさの誘電体層２４を形成し、誘電体層２４の片側は、ガラス層２２の片側と接続する。（図２Ｃを参照）
４．誘電体層２４を覆う外側の電極導体層２５を形成し、外側の電極導体層２５の片側は、内側の電極導体層２３とセラミック製基板２１の接続部分とは反対側においてセラミック製基板２１と接続する一方で、外側の電極導体層の反対側は、部分的に誘電体層２４の上面を覆う。（図２Ｄを参照）
５．外側の電極導体層２５を覆う保護ガラス層２６を形成し、保護ガラス層２６の片側は、誘電体層２４と接触する。（図２Ｅを参照）
６．最後にダイヤモンド刃を用いた切削工程もしくはレーザトリミング工程によって、内側の電極導体層２３、誘電体層２４、および外側の電極導体層２５が重なり合う部分上でセラミック製基板を横断する形で切り出す。横断的な間隙３は、保護ガラス層２６、外側の電極導体層２５、誘電体層２４、および内側の電極導体層２３を貫通することで、上記５つの層が間隙を挟んでそれぞれ相対する。（図２Ｆ参照）
この構造を用いて内部および外側の電極導体層の間に挿入された誘電体層２４の厚さが放電間隙として機能することによって、構造全体がＥＳＤ保護装置となる。さらに、内側の電極導体層２３および外側の電極導体層２５は、横断的な間隙３によってそれぞれ第一後部電極層２３２に面する第一前部電極層２３１および第二後部電極層２５２に面する第二前部電極層２５１に分かれる。その後、圧電物質もしくは異なった性質をもった気体（例えば、Ｈｅのような不活性ガス）で間隙を満たすことにより、第一前部電極層２３１および第一後部電極層２３２の間で、および第二前部電極層２５１および第二後部電極層２５２の間で異なったトリガ電圧のＥＳＤ保護装置が得られる。
【００２５】
図３から図５を参照すると、本発明のもう一つの実施例にしたがった電子回路用の過電圧保護装置の製造方法は以下のステップを含む。
【００２６】
１．セラミック製基板４を準備する。
【００２７】
２．バッファ層４１をセラミック製基板４の中央部の上に、長辺がセラミック製基板４のそれと同じ方向に伸びるように直方体の形で形成する。
【００２８】
３．セラミック製基板４と同じ長さを有し、セラミック製基板の短手方向から見てコの字型の内側の電極導体層４２を形成してバッファ層４１を覆い、セラミック製基板の長手方向にある両端はそれぞれ中央部より厚い鋼片４２１および４２２を形成し、それらはバッファ層４１をまたぐ形で両端に位置づけられ、セラミック製基板４の上面に接続され、またセラミック製基板の短手方向には、外側に突き出した平らな面４２３が形成されることで、内側の電極導体層４２は十字形のような形を呈する。
【００２９】
４．内側の電極導体層４２を覆うように誘電体層４３を形成する。
【００３０】
５．誘電体層４３を覆うように外側の電極導体層４４を形成する。外側の電極導体層４４は、ＰｄもしくはＰｔを含む導電体物質で作られており、部分的に内側の電極導体層４２を覆う。複数の互いに離隔された電極がセラミック製基板の長手方向に沿って備えられており、これらの互いに離隔された電極のコマの部分はセラミック製基板の短手方向の両側に形成され、誘電体層４３、内側の電極導体層４２、およびバッファ層４１の両側にそれぞれ位置づけられる。それによって、それらの互いに離隔された電極のコマがセラミック製基板４の４Ａと４Ｂにそれぞれ接続される。（図３を参照）
６．その後、電極導体層４４を覆うように保護層を形成する。
【００３１】
７．最後に、ダイヤモンド刃を用いた切削工程もしくはレーザトリミング工程により、外側の電極導体層４４、誘電体層４３、および内側の電極導体層４２を貫通する、構造の中央部に沿って横断的な間隙５が形成され、部分的にバッファ層４１に切り込むことで外側の電極導体層４４、誘電体層４３、および内側の電極導体層４２を間隙に対して相対する２つの部分（以下、第一部分および第二部分と称する）に分ける。とくに外側の電極導体層４４については、第一部分の互いに離隔された電極４４１、４４２、４４３、および４４４と、第二部分の互いに離隔された電極４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄに対称的に分かれる。
【００３２】
上述した工程により得られるこの構造を用いると、外側の電極導体層４４および内側の電極導体層４２の間に入れる誘電体層４３を、その厚さをできる限り薄く制御することにより厚膜印刷工程よって作ることができる。さらに、種々の誘電物質を使用し、横断的な間隙５を固体もしくは気体で満たすことにより、構造全体が異なったインダクタ値、および容量値を有し、それによって様々な種類の抵抗、キャパシタ、またはインダクタを含む電子回路を保護する完全なＥＳＤ保護装置を得ることができる。
【００３３】
マトリックス状に配置された複数の互いに離隔された電極により形成された保護装置は、回路基板上で使用される際に複数の回路に接続するための複数のピンを提供することができる。一方、内側の電極導体層４２の両端に形成された鋼片４２１および４２２は、接地端子として用いられる。以上の方法を採ることで、抵抗および容量の特性に影響を与える誘電体層４２がうまく制御されるので、異なる回路に異なる保護回路を個別に接続していたこれまでの問題点を修正することができ、間隙５に破壊電圧の低下を避けるための物質を満たすことによって、結果的にサージ保護（ＥＳＤ保護）および保護された電子回路の安定性を改善する。
【００３４】
上述した保護装置を製造するためのステップ用いることにより、電子回路は確実にサージ電圧の打撃から保護される。
【００３５】
図６を参照すると、本発明のさらにもう一つの実施例によれば、バッファ層６１、内側の電極導体層６２、誘電体層６３、外側の電極導体層６４、保護層６５、第一絶縁層６６、および第二絶縁層６７が連続的に基板上に形成される。切削工程によって、横断的な間隙６８が上述した各層を向かい合う２つの部分に分ける。各種の気体および圧電感受性物質を間隙６８に空中放電の技術により満たすことで、ＥＳＤ保護を有する基板上の構造を得ることができる。それと同時に、圧膜印刷工程により内側の電極導体層７１、外側の電極導体層７２、誘電体層７３、保護層７４、第一絶縁層７５、および第二絶縁層７６が基板の反対の面に形成され、それによって先のものと同様の構造が得られＥＳＤ保護として機能する。その後で、電気メッキ工程によって２つの電極８１および８２が構造の外側に提供され、上部および下部の構造の間に電気的な接続を作れば、両面の電子回路用の過電圧保護装置がさらに形成される。
【００３６】
具体的には、図６に示されるように、ＥＳＤ保護装置は、基板上に形成されたバッファ層６１と、バッファ層６１を覆う内側の電極導体層６２を有する。内側の電極導体層６２は、バッファ層６１を跨いで一端側および他端側で基板と接している。内側の電極導体層６２は、一端側では、他の部分よりも厚く形成された厚膜部分を有している。
【００３７】
さらに、内側の電極導体層６２上の一部の領域には、内側の電極導体層６２の他端部から中央部にかけて誘電体層６３が形成されている。そして、この誘電体層６３を覆うように外側の電極導体層６４が形成されている。外側の電極導体層６４は、前記内側の電極導体層６２の他端部側に位置して基板と接触する基端部を有し、その先端部は、前記内側の電極導体層６２の一端側へ伸びている。
【００３８】
内側の電極導体層６２の一端側では、内側の電極導体層６２と外側の電極導体層６４の先端部との間の領域に第一絶縁層６６が形成されている。一方、内側の電極導体層６２の他端側では、内側の電極導体層６２と外側の電極導体層６４の基端部との間の領域に第二絶縁層６７が形成されている。第一絶縁層６６および第２絶縁層６７は、内側の電極導体層６２と外側の電極導体層６４とが電気的に接触するのを防止するとともに、それぞれの層の位置を固定している。
【００３９】
中央部では、切削工程によって、内側の電極導体層６２、誘電体層６３、外側の電極導体層６４を貫通するように間隙６８が形成されており、この間隙６８内に設けられる固体（ピエゾ効果を有する圧電材料）や気体などを充填されており、これらの固体や気体を封入するように保護層６５が表面に設けられている。
【００４０】
一方、裏面側においても、内側の電極導体層７１、外側の電極導体層７２、それらに挟まれた誘電体層７３を有しており、最表面には保護層７４が形成されている。内側の電極導体層７１は、一端部において他の部分よりも厚く形成されて外側へ向かって突出した圧膜部分を有しており、他端部側は、基板に沿って延びている。一方、外側の電極導体層７２は、前記内側の電極導体層７１の他端部側に位置して基板と接触する基端部を有し、その先端部は、前記内側の電極導体層７１の一端側へ伸びている。内側の電極導体層７１の一端側では、内側の電極導体層７１と外側の電極導体層７２の先端部との間の領域に第一絶縁層７５が形成されている。一方、内側の電極導体層７１の他端側では、内側の電極導体層７１と外側の電極導体層７２の基端部との間の領域に第二絶縁層７６が形成されている。
【００４１】
このように、前記外側の電極導体層、前記内側の電極導体層、および前記保護層が、前記セラミック製基板の両面に形成されていてもよい。
【００４２】
図６に示した実施例においては、基板の上部はＥＳＤ保護装置として働くことができる一方で、下部はＲＣもしくはＥＭＩ回路として働くことができ、それゆえに、２つの機能的な構造、例えば、ＥＳＤ保護機能とＲＣ回路を有する多機能装置もしくはＥＳＤ保護機能とＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ；電磁妨害）回路を有する多機能装置が実現される。
【００４３】
上述した構造全体として３次元的なマトリックス状に配置された抵抗およびキャパシタが、すべての電子回路に適用可能な多目的保護装置の役割を担うことによって、回路開発のコストが低減される。軽量で、薄く、短く、コンパクトである要求を満たし、とくに高周波もしくは高機能な電子回路に適している。
【００４４】
多層の誘電体および電極の構成単位とある特定の物質で満たされた間隙を一緒に用いることで、間隙を満たす物質を変えるだけで過電圧保護についての様々な要求に応える、多種のキャパシタおよび抵抗を含む構造を作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】従来の間隙放電装置の構造を示す概略図
【図１Ｂ】従来技術による放電電圧抑制曲線
【図２Ａ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図２Ｂ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図２Ｃ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図２Ｄ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図２Ｅ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図２Ｆ】本発明による製造方法の説明の平面および側面図
【図３】本発明の第二実施例による製造方法の説明の３次元分解組立図
【図４】本発明の第二実施例の３次元組立図
【図５】本発明の第二実施例の断面図
【図６】本発明の第三実施例の断面図
【符号の説明】
【００４６】
１０  ＰＣＢ基板、
１１  回路、
１２ａ、１２ｂ  先端の尖った放電電極、
１３  間隙、
１５  サージ電圧、
１６  静電放電曲線、
１７  許容範囲に制限された曲線、
４，２１  セラミック製基板、
２２  ガラス層、
２３、６２、７１  内側の電極導体層、
２４  誘電体層、
２５、６４、７２  外側の電極導体層、
２６  保護ガラス層、
３、５、６８  横断的な間隙、
４１、６１  バッファ層、
４２  内側の電極導体層、
４２１、４２２  鋼片、
４２３  電極層の外側に突き出した平らな面、
４３、６３、７３  誘電体層、
４４  外側の電極導体層、
４４１、４４２、４４３、４４４  単独電極、
４Ａ  セラミック製基板の上側、
４Ｂ  セラミック製基板の下側、
４４ａ、４４ｂ、４４ｃ、４４ｄ  単独電極、
６５、７４  保護層、
６６、７５  第一絶縁層、
６７、７６  第二絶縁層、
８１，８２  外部電極。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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