(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ用触媒を用いて基体を部分的にメッキする方法であって、前記基体は、基体を多数集合させた集合基体であり、該基体を入れた容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッキ用触媒の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメッキ施工面以外の部分にポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程を設けることを特徴とする基体の部分的メッキ方法。
【請求項２】
（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）粗化面をポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（３）被覆面以外の表面にメッキ用触媒を付与する工程、
（４）被覆材を除去する工程、
（５）触媒付与面にメッキする工程、
をこの順で経ることを特徴とする請求項１記載の基体の部分的メッキ方法。
【請求項３】
（１）前記基体の表面をポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（２）被覆面以外の表面を粗化する工程、
（３）粗化面にメッキ用触媒を付与する工程、
（４）被覆材を除去する工程、
（５）触媒付与面にメッキする工程、
をこの順で経ることを特徴とする請求項１記載の基体の部分的メッキ方法。
【請求項４】
メッキ用触媒の付与工程と被覆材の除去工程とを同時に行うことを特徴とする請求項２又は３記載の基体の部分的メッキ方法。
【請求項５】
（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、
（３）ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（４）被覆面以外の表面をメッキする工程、
（５）被覆材を除去する工程、
をこの順で経ることを特徴とする請求項１記載の基体の部分的メッキ方法。
【請求項６】
（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、
（３）メッキする工程、
（４）ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（５）被覆面以外の面のメッキ材を除去する工程、
（６）被覆材を除去する工程、
をこの順で経ることを特徴とする請求項１記載の基体の部分的メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、合成樹脂やその他の材料から構成される基体（チップ部品の基体を多数集合させた集合基体）を部分的にメッキする方法に関し、特に、プリント基板、リードフレームインサート成形回路部品等の電子・電気部品を製造するための上記基体への部分的メッキ方法に関する。
【０００２】
【技術背景】
従来から、合成樹脂基体（成形品）を部分的にメッキする方法として、
（１）成形品を表面粗化（例えばエッチング）し、ＰｄやＰｔ等を基礎とするメッキするための触媒を付与した後、メッキすべき部分を残してシルク印刷法やディスペンサー塗布法等によりレジストを塗布し、次いでメッキし、レジストを除去する方法、
（２）上記触媒付与後の成形品を金型にインサートし、この金型内にプラスチックやゴム等（電気絶縁材料）を注入（射出）して、成形品のメッキすべき部分以外の部分を被覆し、次いでメッキし、必要に応じて被覆材を除去する方法、
等が知られている（株式会社シーエムシー発行「プラスチック成形加工の複合化技術」Ｐ２６０〜２７５、特開平７−３１６８２５号公報、特開昭６３−４０９２号公報、特許第２５９２２４３号公報等）。
【０００３】
しかし、上記（１）の方法では、レジスト塗布後に熱乾燥等によるレジストの硬化工程が必要である。また、メッキ後のレジストの除去に際して塩化メチレン等の有機溶剤の使用を余儀なくされ、この塩化メチレン等の有機溶剤は、クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）等と同様にオゾン層破壊の原因物質とされ、廃棄量が増大すれば、皮膚ガンや白内障の増加、あるいは植物やプランクトン等の生態系の破壊が懸念される。
上記（２）の方法では、被覆材の密着性が低いため、被覆材の境界面にメッキ液が入り込み、寸法精度が低い。また、必要に応じて被覆材を除去する場合は、上記のレジストと同様の懸念がある。
しかも、上記（１）、（２）の方法とも、成形品の全面に、メッキ用の触媒が付与されているため、メッキ後、すなわち回路成形後の電気的な表面抵抗値が低い。
【０００４】
【発明の目的】
本発明は、レジストの塗布・硬化・除去工程がなく、従って有機溶剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮することもできる合成樹脂あるいは他の材料製の基体へのメッキ方法であって、しかも寸法精度が高く、かつ導電率の高い、高品質の電子・電気部品とすることができる、基体への部分的メッキ方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【発明の概要】
本発明は、上記目的を、メッキしたい部分以外の部分を、加水分解性高分子材料を被覆材として使用することにより達成しようとするものである。
すなわち、〔１〕本発明は、メッキ用触媒を用いて基体を部分的にメッキする方法であって、前記基体は、基体を多数集合させた集合基体であり、該基体を入れた容器をメッキ用触媒液中に浸漬して行うメッキ用触媒の付与工程の前又は後に、メッキ施工面又はメッキ施工面以外の部分にポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程を設けることを特徴とする基体の部分的メッキ方法に関する、また、
〔２〕（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）粗化面をポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（３）被覆面以外の表面にメッキ用触媒を付与する工程、
（４）被覆材を除去する工程、
（５）触媒付与面にメッキする工程、
をこの順で経るか、
〔３〕（１）前記基体の表面をポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（２）被覆面以外の表面を粗化する工程、
（３）粗化面にメッキ用触媒を付与する工程、
（４）被覆材を除去する工程、
（５）触媒付与面にメッキする工程、
をこの順で経るか、
〔４〕（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、
（３）ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（４）被覆面以外の表面をメッキする工程、
（５）被覆材を除去する工程、
をこの順で経るか、あるいは、
〔５〕（１）前記基体の表面を粗化する工程、
（２）メッキ用触媒を付与する工程、
（３）メッキする工程、
（４）ポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体である被覆材で部分的に被覆する工程、
（５）被覆面以外の面のメッキ材を除去する工程、
（６）被覆材を除去する工程、
をこの順で経ることが好ましい。
【０００６】
また、上記〔２〕，〔３〕の場合に、（３）のメッキ用触媒の付与工程と（４）の被覆材の除去工程とを同時に行うこともできる。
更に、上記〔２〕，〔３〕の場合に、（３）のメッキ用触媒の付与工程後に予備メッキ工程を加えることもできる。
そして、上記〔４〕の場合には、（５）の被覆材の除去工程後に、後メッキ工程を設けることもできる。
【０００７】
以上の本発明によれば、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料を被覆材として使用するため、該被覆材の除去を、有機溶剤を使用することなく、水溶性高分子材料では水を使用することで、また加水分解性高分子材料ではアルカリ水溶液や酸液を使用することで行うことができる。
これらの高分子材料として生分解性のものを使用すれば、土中や水中の微生物により水と二酸化炭素に容易に分解されるため、環境問題の懸念がなく、基体から除去後の廃棄処理が極めて簡単である。
【０００８】
また、水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料は、従来この種の被覆材として使用されていたプラスチックやゴム等に比して、射出成形した場合の転写性（型の形状通りに成形される性質）に優れる上、固化速度が緩慢であるため、基体（一般に被覆材とは異なる材料を使用）との界面密着性が高まり、寸法精度の高いメッキが可能となり、高品質の部分メッキ品を得ることができる。
【０００９】
しかも、この水溶性高分子材料又は加水分解性高分子材料は、最終的にはメッキ製品から除去されるため、これらの高分子材料による被覆形状は、最終製品の形状や寸法に左右されず、専らメッキ操作に好都合な設計とすることができ、最終製品の軽薄短小化に寄与する。すなわち、メッキ工程時の被覆材の形状や寸法によって最終製品の形状や寸法が制約されないため、基体を自由に被覆することができ、これにより基体上への立体的なパターンでの回路電極の形成が可能となって、回路電極等のチップ部品、延いては該チップ部品を装備する各種電子・電気部品の設計の自由度が増し、これら電子・電気部品の小型化・軽量化を一層進めることができる。
【００１０】
更に、本発明では、メッキが施されていない部分には、メッキ用触媒が残らないため、メッキ後の言い換えれば回路成形後の絶縁抵抗値が高くなり、製品の電気的特性を向上させることができる。
【００１１】
〔基体〕
本発明方法における基体としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の合成樹脂の他、セラミック、ガラス等の無機材料から構成される基材が使用できる。
好ましくは、芳香族系液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルポリスルホン、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエステル、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂、ポリアミド、変性ポリフェニレンオキサイド樹脂、ノルボルネン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等である。
より好ましくは、耐熱性及び熱膨張係数が広い温度条件において金属に近く、しかも金属膜と同等の伸縮性を有して、サーマルサイクルテストにおいて金属膜と同等の優れた特性を有するポリエステル系液晶ポリマーである。
これらの基体は、フィラーとして、ガラス繊維、ピロリン酸カルシウム、ワラストナイト、炭酸カルシウム、チタン酸バリウム、炭素繊維、石英繊維、硫酸バリウム等を加えたものであってもよい。
基体は、平板状のものであっても、各種の形状に成形したもの（成形品）であってもよく、また単品の基板であっても、複数を高集積化させた集合基板であってもよい。
【００１２】
〔被覆材〕
また、被覆材としては、前記の水溶性又は加水分解性の高分子材料であり、上記の基体の上で一定形状に成形し得る材料が使用でき、特に生分解性の材料が環境問題を回避する上で好ましい。
具体的には、式１で表されるポリビニルアルコール、式２で示される変性ポリビニルアルコール、式３で示されるポリ乳酸の他、デンプン、微生物発酵脂肪族ポリエステル、脂肪族ポリエステル−ジカルボン酸とジグリコールとの縮合物、脂肪族カプロラクトン系樹脂、セルロースアセテート系樹脂等であり、特に好ましくは、加水分解性のポリ乳酸又は、ポリ乳酸を主体とする脂肪族ポリエステルとの混合体又は共重合体（ランダム共重合体、ブロック共重合体）である。
すなわち、ポリ乳酸は、▲１▼加水分解性でかつ生分解性であること、▲２▼ポリビニルアルコールや変性ポリビニルアルコール等の水溶性高分子材料の場合にメッキ用触媒付与工程で生じる該材料への該触媒の吸着や該材料の膨潤等の不具合が、生じないため、より高精度でのメッキを行うことができること、▲３▼メッキ用触媒付与工程を長くしても、上記の水溶性高分子材料のような不具合（触媒の吸着や膨潤等）が生じないため、メッキ用触媒の付与を正確かつ確実に行うことができること、▲４▼メッキ用触媒が付着したとしても、後述する被覆材の除去工程で該触媒が容易に除去されること等の利点を有する。
【００１３】
【化１】
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【００１４】
また、上記のポリ乳酸は単独で使用してもよいし、あるいはポリ乳酸を主成分とし、これに脂肪族ポリエステル（ポリヒドロキシカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸又は脂肪族多価アルコールと脂肪族多価塩基酸とからなる脂肪族ポリエステル、ヒドロキシカルボン酸や脂肪族多価アルコールから選ばれる２種以上のモノマー成分と、脂肪族多価塩基酸から選ばれる２種以上のモノマー成分とからなるランダム共重合体やブロック共重合体等）の単独又は２種以上を、混合したものや、ランダム共重合又はブロック共重合させたものであってもよいし、また必要に応じてアルカリ分解促進剤、有機及び無機充填剤、可塑剤、湿潤剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、滑剤、着色剤等の汎用の合成樹脂に使用できる添加剤を混合したものであってもよい。
この脂肪族ポリエステルの混合量又は共重合量は、混合体又は共重合体の全量に対して１〜１０ｗｔ％程度、アルカリ分解促進剤の混合量は混合体全量に対して１〜１００ｗｔ％程度、好ましくは５〜８０ｗｔ％、より好ましくは１０〜６０ｗｔ％であり、その他の添加剤の混合量は混合体全量に対して１〜５％程度が適している。
【００１５】
なお、上記のポリ乳酸の重量平均分子量は、１万〜４０万程度が好ましく、脂肪族ポリエステルは、ポリ乳酸と混合させる場合の重量平均分子量は、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好ましくは５万〜３０万程度が適しており、またポリ乳酸と共重合させる場合はその共重合体の重量平均分子量が、１万〜５０万程度、好ましくは３万〜４０万程度、より好ましくは５万〜３０万程度が適している。
また、上記のヒドロキシカルボン酸としては、グリコール酸、Ｌ−乳酸、Ｄ−乳酸、Ｄ／Ｌ−乳酸、３−ヒドロキシブチリックアシッド、４−ヒドロキシブチリックアシッド、３−ヒドロキシバレリックアシッド、５−ヒドロキシバレリックアシッド、６−ヒドロキシカプロン酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
脂肪族多価アルコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，９−ノナンジオール、ネオペンチルグリコール、ポリテトラメチレングリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−ベンゼンジメタノール等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
脂肪族多価塩基酸としては、コハク酸、シュウ酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、フェニルコハク酸、１，４−フェニレンジ酢酸等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。
アルカリ分解促進剤としては、デンプン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール、ポリアミノ酸等の親水性高分子化合物、無水コハク酸、ポリコハク酸イミド等のアルカリ加水分解性化合物等が挙げられ、これらの１種以上が使用できる。中でも、ポリ乳酸や脂肪族ポリエステルへの分散性や相溶性、あるいはブリードアウトのし難さ等から、ポリアルキレングリコール、特にポリエチレングリコールが好ましい。
【００１６】
以上の被覆材で基体を部分的に被覆するには、射出、押出、圧縮、鋳造、トランスファー、その他の種々の成形方法により被覆形状を成形する手法が挙げられるが、好ましくは基体を型の一部とする射出成形法により被覆材の射出と同時に基体表面の所望箇所を被覆する手法である。
【００１７】
上記被覆材を除去するには、水溶性高分子材料の場合は水を用いて行い、加水分解性高分子材料の場合はアルカリ水溶液や酸液（各種の無機酸の液）を用いて行う。
場合によっては、後述するメッキ用触媒の付与工程において、メッキ用触媒の付与と同時に被覆材の除去を行うことができる。
被覆材が水溶性高分子材料の場合、高分子材料の種類にもよるが、一般には、２５〜９５℃程度の温水中に２〜３５時間浸漬して除去するのが好ましい。
被覆材が加水分解性高分子材料、特にポリ乳酸の場合は、濃度２〜１５ｗｔ％程度で温度２５〜７０℃程度のカ性アルカリ（ＮａＯＨ、ＫＯＨ等）水溶液中に１〜１２０分程度浸漬して除去するのが好ましい。なお、カ性アルカリ水溶液が高温、高濃度程、被覆材ばかりか、メッキ用触媒をも脱落することがあるため、この程度の範囲で除去工程を行うことが好ましい。
【００１８】
〔基体表面の粗化〕
上記の基体の表面を粗化する方法としては、例えば、公知のエッチング方法が適用できる。
エッチング方法には、湿式と乾式とがあり、基体に使用されている材料の種類等により、適宜の方式のエッチング方法を採用すればよい。
乾式法は、例えば、プラズマを照射したり、気体を使用する等して行うことができる。
湿式法は、例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、アルコール性ナトリウム、アルコール性カリウム等のアルカリ金属アルコラートの水溶液、あるいはジメチルホルムアミド等の有機溶剤を用い、これらのエッチング液を基体表面に塗布したり、これらの液中に基体を浸漬させる等して接触させて行うことができる。
このうち、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等の水溶液を用いる方法は、濃度３５〜５０ｗｔ％程度、温度７０〜９５℃程度の条件とすることが好ましい。
また、アルカリ金属アルコラートの水溶液や、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤を用いる方法は、水溶性又は加水分解性の高分子材料で被覆した後に粗化する場合に好適である。
なお、有機溶剤を使用する場合は、基体を膨潤するのみで、粗化まで至らないことがある。この場合は、有機溶剤での処理の後に、酸あるいはアルカリ処理を施せばよい。また、被覆工程後に、粗化を行う場合は、粗化工程で被覆材が完全には除去されないような条件とすることが必要であるが、ある程度除去されても問題ない。
【００１９】
なお、湿式法においては、上記のエッチング液と基体とを接触させた後に、塩酸やフッ酸等の酸溶液を用いて処理することが好ましい。この酸処理は、アルカリ性のエッチング液を単に中和するために行うのではなく、基体中に含まれるフィラーであって、かつ基体の表面近傍に存在しているフィラーの一部を除去し、基体表面の粗化効果をより一層高めるために行われる。
従って、この酸処理の条件（ｐＨ、温度、時間等）は、上記のフィラーが溶解する程度の条件とすることが好ましい。
また、湿式法は、上記のエッチング液と基体との接触の際、及び上記の酸溶液での処理の際に、基体を容器に入れ、この容器をエッチング液や酸溶液中に浸漬し、該液中で該容器を回転したり、揺動する等して行ってもよい。この容器は、多数の孔を穿設したバレル、球、箱状体のもの、あるいはカゴ状体のもの等が使用でき、その素材はポリプロピレン等の合成樹脂、あるいはフッ素系樹脂等で表面処理した金属等が使用できる。
【００２０】
〔メッキ用触媒〕
本発明におけるメッキ用触媒（以下、単に触媒と記すこともある）としては、公知のものが使用でき、中でもＰｄやＰｔを含むものが好ましく、これらは、例えば、塩化物等の無機塩として使用される。
メッキ用触媒の付与は、上記の無機塩を基体に付着させた後、アクセレータ処理により上記の触媒金属を析出させることで行われる。
無機塩を基体に付着させるには、無機塩の溶液と基体とを接触させればよく、例えば、無機塩の溶液中に基体を浸漬したり、この水溶液を基体に塗布する等して行われるが、本発明では、上記の粗化工程と同様に、基体を入れた上記のような容器を無機塩の溶液中に浸漬し、該溶液中で該容器を回転したり、揺動する等して行う。
具体的な条件は、基体の材料、メッキの材料、メッキ用触媒の材料、無機塩の付着方法等により種々異なり一概には決められないが、メッキ用触媒の塩として塩化パラジウムを使用し、浸漬法を採用する場合を例にとれば、一例として次のようなものが挙げられる。
【００２１】
触媒塩溶液組成
ＰｄＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：０．１〜０．３ｇ／ｄｍ３
ＳｎＣｌ２・２Ｈ２Ｏ：１０〜２０ｇ／ｄｍ３
ＨＣｌ            ：１５０〜２５０ｃｍ３／ｄｍ３
浸漬条件
温度：２０〜４５℃
時間：１〜１０分
【００２２】
なお、メッキ用触媒塩溶液の溶媒としては、上記の塩酸以外に、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等の、上記した水溶性又は加水分解性高分子材料からなる被覆材を完全には溶出させない（一部は溶出してもよい）有機溶剤を用いることもできる。
【００２３】
上記のようなメッキ用触媒塩の付着の後、水洗し、アクセレータ処理してメッキ用触媒（金属）を基体上に析出させる。
アクセレータ処理は、一般には、アクセレータ（促進液）と触媒塩付与後の基体とを、浸漬あるいは塗布等により接触させて行うが、本発明では、触媒塩付与後の基体を入れた容器をアクセレータ液中に浸漬し、回転あるいは揺動する等して行う（なお、本発明では、上記のメッキ用触媒塩の付着、水洗、及びアクセレータ処理の全てを、基体を同一の容器に入れたままで行う）。
この促進液としては、硫酸、塩酸、水酸化ナトリウム、アンモニア等の無機溶液が用いられる。
上記組成の触媒塩溶液を用い、上記条件での浸漬で触媒塩が付与されている場合は、水洗により、基体表面に付着しているＳｎ２＋−Ｐｄ２＋の錯体が加水分解され、Ｓｎ２＋はＳｎ（ＯＨ）Ｃｌとなって沈殿し、続いて行うアクセレータ処理により、Ｓｎ（ＯＨ）Ｃｌが溶解し、既に錯体状態が解かれているＰｄ２＋と酸化還元反応を生起して、金属Ｐｄが基体上で生成する。この金属Ｐｄがメッキ用触媒として作用する。
【００２４】
なお、上記のアクセレータ処理の際に水溶性又は加水分解性の高分子材料からなる被覆材が溶出することもあるため、アクセレータ処理と同時に被覆材の除去を行ってもよいし、被覆材を除去した後にアクセレータ処理を行ってもよい。
もちろん、被覆材が完全に溶出する前に、アクセレータ処理を終了することもできる。
【００２５】
水溶性又は加水分解性の高分子材料による被覆材の厚さが１０〜１０００μｍ程度、好ましくは１０〜５００μｍ程度と薄い場合には、上記したメッキ用触媒塩の付着（例えば、上記Ｓｎ２＋−Ｐｄ２＋錯体の付着）、水洗（該錯体の加水分解により、Ｓｎ（ＯＨ）Ｃｌの沈殿生成）、アクセレータ処理（Ｓｎ（ＯＨ）Ｃｌが溶解し、水洗の際に錯体状態が解かれたＰｄ２＋と酸化還元反応して金属Ｐｄを生成）と言う一連の操作からなるメッキ用触媒の付与工程において、被覆材が完全に溶出することもあり、メッキ用触媒の付与と同時に、被覆材の除去を行うことができる。
この場合、アクセレータ処理を、促進剤の温度を４０〜８０℃程度とし、該促進剤との接触時間を３０〜１２０分間程度とすることが好ましい。
また、基体の粗面化後に、基体を型の一部とする射出成形法により被覆材を設ける場合にあっては、基体と型とを密に接触させると、基体に設けた凹凸（粗面）が消失する懸念があるため、基体と型との間に微小な隙間を空けて射出成形型を構成し、この微小な隙間（本来的には被覆材を必要としない部分）にも被覆材を成形（すなわち、バリを形成）することがある。この微小な隙間の被覆材（バリ）は、極めて薄いため、上記のメッキ用触媒の付与工程中において、被覆材が完全に溶出させることができる。
以上のように、メッキ用触媒の付与工程と被覆材の除去工程とを同時に行うことは、工程面での効果のみならず、基体の粗面化面の保護、延いては高精度でのメッキ施工と言った効果をも得ることができる。
【００２６】
〔メッキ〕
本発明におけるメッキ方法は、公知のメタライジング方法（無電解メッキ方法や電気メッキ方法）が採用できる。
メッキ金属としては、銅、錫、鉛、ニッケル、金、その他各種の金属が挙げられる。
メッキ工程は、多数回に分けて行うこともできるし、１回で一度に行うこともできる。
なお、触媒付与工程の後に、予備メッキ工程を設けることもできる。予備メッキも、公知のメタライジング法で行うことができ、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属も、上記のいわゆる本メッキ工程での金属と同様のものが使用できる。この予備メッキ工程を設けることにより、本メッキ工程でのメッキ品質を一層良好なものとすることができる。
また、後メッキ工程を設けることもできる。後メッキ工程も、公知のメタライジング法で行うことができ、好ましくは無電解メッキ法であり、メッキ金属は、本メッキ工程での金属と同種であってもよいが、異種のものであってもよい。
【００２７】
〔メッキ材の除去〕
メッキ材の除去は、上記のようなメッキ金属を除去することができる手法であれば、どのような方法によってもよいが、一般には、塩化第二鉄、塩化第二銅などの無機塩の溶液と、メッキ施工面とを、浸漬あるいは塗布等により接触させて行うが、本発明では、上記の粗化工程やメッキ用触媒付与工程と同様に、メッキ後の基体を入れた上記のような容器を無機塩の溶液中に浸漬し、回転あるいは揺動する等して行うことが好ましい。
〔アニール処理〕
本発明では、以上の各工程が終了した後、アニール処理を行うこともできる。
このアニール処理により、メッキ被膜の密着力を更に向上させることができる。
アニール処理の条件は、１６０〜１７５℃で、１〜５時間保持の後、室温まで徐々に冷却することが好ましい。
【００２８】
【実施例】
実施例１
〔基体の成形工程〕
芳香族系ポリエステル（液晶ポリマー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を使用》）により、１次金型を用いて、図１（Ａ）（斜視図），（Ｂ）（（Ａ）の一部切欠図）に示す形状の基体（単品）１を成形した。
この基体１は、５０×３０×５（ｍｍ）の外形寸法を有し、図示するように、天面の対角線上の位置に、２個の貫通孔（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｈｏｌｅ）２，２を有している。
この基体１の複数個を多数の孔を穿設したポリプロピレン製のバレル状容器に入れ、この容器を回転させつつ、６０℃に加熱した脱脂液（奥野製薬社製商品名“エースクリーンＡ２２０”５０ｇ／リットル《以下、リットルをＬと、ミリリットルをｍＬと記す》水溶液）に１０分間浸漬した後、水洗して脱脂した。
【００２９】
〔基体表面の粗化工程〕
メチルアルコール１Ｌに金属Ｎａ３５０〜５００ｇ（本例では４３０ｇ）を溶解したアルカリ溶液を９０℃に加熱し、この加熱溶液中に、上記脱脂後の基体１の複数個を、上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら、３０〜８０分間（本例では４０分間）保持して、基体１の表面を粗化した。
なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条件で粗化することができた。
また、メチルアルコールに変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、この溶液に上記脱脂後の基体１の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保持の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５４ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状容器のままで回転しながら入れることにより、粗化することができた。
更に、水１ＬにＮａＯＨ３５０〜５００ｇ（本例では４００ｇ）を溶解したアルカリ溶液を使用した場合は、上記のメチルアルコールを使用した場合と同様の条件で粗化することができた。
【００３０】
〔基体の被覆工程〕
表面粗化後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した被覆材３としての水溶性高分子材（ポリビニルアルコール《以下、ＰＶＡ》《クラレ社製商品名“ポバール”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。
この成形品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとした。
【００３１】
〔メッキ用触媒の付与工程および被覆材の除去工程〕
メチルアルコールに、メッキ用触媒塩としての塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記と同様のバレル状容器に入れ、この容器を３〜５分間（本例では４分間）回転しながら浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与すると共に、被覆材３の溶解除去を行った。
被覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５ｍｍの何れの場合も、メッキ用触媒の付与と被覆材３の除去とが同時に良好に行われた。
【００３２】
〔メッキ工程〕
被覆材３除去後の基体１の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表１に示す組成の銅メッキ浴中に浸漬し回転させながら、表２に示すメッキ条件で、該基体１に厚さ０．３〜２０．０μｍ（本例では１０μｍ）となるように、無電解銅メッキを施した後、１７０℃で１時間保持し、室温まで徐冷するというアニール処理を行って図３に示す態様のものを得た。
また、無電解銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施した後、上記のバレル状容器に入れたままで、電気銅メッキを０．５μｍ厚さとなるように施し、次いで上記と同様のアニール処理を行った場合も、同様の態様のものを得た。
なお、図３中、符号４で示す部分が銅メッキが施された部分であり、図３に示すように、この銅メッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。
【００３３】
【表１】
銅メッキ浴組成
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ：０．０４モル／Ｌ
ＨＣＨＯ            ：０．１モル／Ｌ
ＮａＯＨ            ：０．２モル／Ｌ
ＥＤＴＡ・４Ｎａ    ：０．０８モル／Ｌ
α，α′−ジピリジル：５〜１０ｐｐｍ
ＰＥＧ−１０００＊１    ：５０〜１００ｐｐｍ
＊１ＰＥＧ−１０００：安定剤（荏原ユージライト社製商品名）
【００３４】
【表２】
メッキ条件
浴温度  ：６０〜７０℃
エア攪拌：０．１Ｌ／Ｌ・分
浴      ：０〜１ｄｍ２／Ｌ
【００３５】
比較例１
〔基体の成形工程〕
実施例１と同様にして図４に示す形状の基体（単品）１１を成形した。１２は貫通孔を示し、１１′は基体１１の凹部を示す。
【００３６】
〔基体表面の粗化工程〕
この基体１１を実施例１と同様にして粗化した。
【００３７】
〔メッキ用触媒の付与工程〕
濃度が１５０ｍＬ／Ｌの濃硫酸中に、メッキ用触媒塩として実施例１と同様の荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合で混合し、３０℃に保持した溶液中に、表面粗化した１次成形品１１を、実施例１と同様にして、３分間浸漬した後、水洗し、濃度が８０ｍＬ／Ｌの硫酸からなるアクセレータ液を５０℃に保持し、この液中に４分間浸漬し、水洗して、基体１１の全面にメッキ用触媒を付与した。
【００３８】
〔基体の被覆工程〕
メッキ用触媒付与後の基体１１を２次金型内にセットし、基体１１と同じ樹脂により、図５に示す態様の部分的被覆成形品（図４の凹部１１′に基体１１と同じ樹脂による被覆材１３が成形されたもの）を得た。
【００３９】
〔メッキ工程〕
この部分的被覆成形品に、実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。
この銅メッキは、基体１１と被覆材１３の密着が不良であるため、この界面のメッキ用触媒付与面が覗いている部分にも、施されていることが視認できた。
【００４０】
実施例２
〔基体の成形工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形した。
【００４１】
〔基体表面の粗化工程〕
この基体１を実施例１と同様にして粗化した。
【００４２】
〔基体の被覆工程〕
表面粗化後の基体１をセットし５〜３０℃（本例では１０℃）に保持した２次金型内に、１５０〜２６０℃（本例では１９０℃）に加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）を、射出圧２００〜１２００ｋｇ／ｃｍ２（本例では３５０ｋｇ／ｃｍ２）で射出し、図２（斜視図）に示す態様の部分被覆３成形品を得た。この成形品の被覆材３の厚さは１．５ｍｍであった。
【００４３】
〔メッキ用触媒の付与工程〕
水に、メッキ用触媒塩として実施例１と同様の荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”を２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、更にＨＣｌを１５０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の部分的被覆成形品を、実施例１と同様にして、３〜５分間（本例では４分間）浸漬した後、水洗し、３０℃に加温した塩酸（５〜１０％、本例では８％）中に４分間浸漬（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与した。
【００４４】
〔被覆材の除去工程〕
メッキ用触媒を付与した後の基体１を、実施例１と同様にして、濃度７ｗｔ％で３０℃のＮａＯＨ水溶液中に４０分間浸漬して、被覆材３を除去した。
【００４５】
なお、ポリ乳酸による被覆材３の厚さを実施例１と同じ１ｍｍと、０．５ｍｍとした場合は、いずれの場合も、上記のメッキ用触媒の付与工程において、メッキ用触媒の付与と同時に被覆材３の除去を行うことができた。
【００４６】
〔メッキ工程〕
この部分的被覆成形品に、実施例１と同様にして無電解銅メッキを施した。
また、実施例１と同様にして、無電解銅メッキを施した後、電気銅メッキを施した。
いずれの場合も、実施例１と同様に、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図２に示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に、銅メッキ４が施されていた。
【００４７】
実施例３
〔基体の成形工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形した。
【００４８】
〔基体の被覆工程〕
この基体１をセットし、実施例２と同様にして加水分解性樹脂を射出し、実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
【００４９】
〔基体表面の粗化工程〕
上記の部分的被覆成形品を、３５〜６０℃（本例では５０℃）に加温した濃度６０〜８０％（本例では５０％）のジメチルホルムアミド溶液に、実施例１と同様にして、５〜１２０分間（本例では６０分間）浸漬して、被覆材３以外の部分すなわち基体１の表面を膨潤させた後、水洗し、次いで７０〜７５℃（本例では７０℃）に加熱した濃硫酸（６００ｃｍ３／ｄｍ３）・８９％リン酸（１００ｃｍ３／ｄｍ３）・クロム酸（３０ｇ／ｄｍ３）に３０〜１２０分間（本例では７０分間）浸漬して、この膨潤部分を粗化した。
【００５０】
〔メッキ用触媒の付与工程〕
エチルアルコールに、メッキ用触媒塩としての塩化パラジウム（奥野製薬社製）を３０ｍＬ／Ｌの割合で添加した溶液を、５０〜９０℃（本例では６０℃）に加熱し、この溶液中に、実施例１と同様にして、上記の表面粗化後の成形品を１５〜１００分間（本例では６０分間）浸漬した後、水洗して、上記の表面粗化部分、すなわち被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与した。
【００５１】
〔被覆材の除去工程〕
触媒付与後の成形品を、実施例１と同様にして、２０〜８０℃（本例では５０℃）の５〜２０％（本例では５％）苛性ソーダ溶液に４０〜８０分間（本例では６０分間）浸漬し、被覆材３を加水分解して除去した。
【００５２】
〔メッキ工程〕
実施例１と同様にして無電解銅メッキ４を施した。
この銅メッキ４は、実施例１の場合と同様に、被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。
【００５３】
実施例４
〔基体の成形工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形した。
【００５４】
〔基体表面の粗化工程〕
実施例１と同様にして基体１の全面を粗化した。
【００５５】
〔メッキ用触媒の付与工程〕
実施例１と同様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
【００５６】
〔メッキ工程〕
アニール処理を行わない以外は実施例１と同様にして、厚さ５μｍの無電解銅メッキを施した。
【００５７】
〔被覆工程〕
メッキを施した後の基体に、実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様にして、部分的被覆（メッキを残す部分への被覆）成形品を得た。
【００５８】
〔メッキ材の除去工程〕
塩化第二鉄又は塩化第二銅（２８〜４２ｗｔ％《本例では４０ｗｔ％》）溶液中に、実施例１と同様にして、被覆工程後の成形品を浸漬して、被覆されていない部分のメッキ材を除去した。
【００５９】
〔被覆材の除去工程〕
実施例２と同様にして被覆材を加水分解して除去した後、実施例１と同様のアニール処理を行った。
【００６０】
実施例５
〔基体の成形工程〕
実施例１と同様にして実施例１と同様の基体１を成形した。
【００６１】
〔基体表面の粗化工程〕
実施例１と同様にして基体１の全面を粗化した。
【００６２】
〔メッキ用触媒の付与工程〕
実施例１と同様にして基体１の全面にメッキ用触媒を付与した。
【００６３】
〔基体の被覆工程〕
実施例２で用いたものと同じ加水分解性樹脂により、実施例１と同様にして、実施例１と同様の部分的被覆成形品を得た。
【００６４】
〔メッキ工程〕
アニール処理を行わない以外は実施例１と同様にして、厚さ１〜５μｍの無電解銅メッキを施した。
【００６５】
〔被覆材の除去工程〕
６０〜９０℃の４〜２５％苛性ソーダ溶液に、実施例１と同様にして、１〜３時間浸漬し、被覆材を加水分解して除去した。
【００６６】
〔後メッキ工程〕
無電解銅メッキが施された成形品の全面に、再度、実施例１と同様にして、厚さ１〜２０μｍの無電解銅メッキを施した。
【００６７】
実施例６
被覆材としてＰＶＡを使用すること、メッキを塩化アルミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロフラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、実施例４を繰り返した。
【００６８】
実施例７
〔基体の成形工程〕
芳香族系ポリエステル（液晶ポリマー《米国セラニース社製商品名“ベクトラＣ８１０”を使用》）により、１次金型を用いて、図６（斜視図）に示す形状の基体（集合基体）２１を成形した。
この基体２１の外形寸法は、ａ≒４０ｍｍ、ｂ≒５ｍｍ、ｃ≒４ｍｍ、ｄ≒７ｍｍ、ｅ≒２ｍｍであり、図示するように、天面に、２本の直線状に、複数個の貫通孔（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｈｏｌｅ）２，２，・・・を有している。
この集合基体２１の複数個を多数の孔を穿設したポリプロピレン製のバレル状容器に入れ、この容器を回転させつつ、６０℃に加熱した脱脂液（奥野製薬社製商品名“エースクリーンＡ２２０”５０ｇ／Ｌ水溶液）に１０分間浸漬した後、水洗して脱脂した。
【００６９】
〔基体表面の粗化工程〕
メチルアルコール１Ｌに金属Ｎａ４３０ｇを溶解したアルカリ溶液を９０℃に加熱し、この加熱溶液中に、上記脱脂後の基体２１の複数個を、上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら、４０分間保持して、基体２１の表面を粗化した。
なお、メチルアルコールに変えてエチルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合も、同様の条件で粗化することができた。
また、メチルアルコールに変えてイソプロピルアルコール（金属Ｎａ４３０ｇ）を使用した場合は、このアルカリ溶液を６０℃に加熱し、この溶液に上記脱脂後の基体２１の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで浸漬し回転しながら１０分間保持の後、クロム酸混液（ＣｒＯ３２２ｗｔ％と濃硫酸５４ｗｔ％の混合溶液）を６０℃に加熱した中にバレル状容器のままで回転しながら入れることにより、粗化することができた。
更に、水１ＬにＮａＯＨ４００ｇを溶解したアルカリ溶液を使用した場合は、上記のメチルアルコールを使用した場合と同様の条件で粗化することができた。
【００７０】
〔基体の被覆工程〕
表面粗化後の基体２１をセットし１０℃に保持した２次金型内に、１９０℃に加熱した被覆材３としての加水分解性高分子材（ポリ乳酸樹脂《三井化学社製商品名“ＬＡＣＥＡ”を使用》）を、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２で射出し、図７（Ａ）（全体斜視図），（Ｂ）（図７（Ａ）のα−α線切断部の説明図），（Ｃ）（図７（Ｂ）の一部切欠図）に示す態様の部分被覆３成形品（集合成形品）を得た。この成形品の被覆材３の厚さは、１ｍｍと、０．５ｍｍとした。
【００７１】
〔メッキ用触媒の付与工程および被覆材の除去工程〕
メチルアルコールに、メッキ用触媒塩としての塩化第一スズと塩化パラジウムとの混合塩酸液（荏原ユージライト社製商品名“エニレックスＣＴ−８”）を２０ｍＬ／Ｌの割合で添加し、これを３０℃に保持し、この溶液中に、上記の部分的被覆成形品の複数個を上記と同様のバレル状容器に入れ、この容器を４分間回転しながら浸漬した後、水洗し、６０℃に加温した塩酸（５０ｍＬ／Ｌ）中に６０分間浸漬（アクセレータ処理）し、部分被覆成形品の被覆材３以外の部分にメッキ用触媒を付与すると共に、被覆材３の溶解除去を行った。
被覆材３の厚さが１ｍｍ、０．５ｍｍの何れの場合も、メッキ用触媒の付与と被覆材３の除去とが同時に良好に行われた。
【００７２】
〔メッキ工程〕
被覆材３除去後の基体２１の複数個を上記のバレル状容器に入れたままで、表３に示す組成の予備メッキ浴中に浸漬し回転させながら、同表に示すメッキ条件で、該基体２１に厚さ０．５〜１．５μｍ（本例では１μｍ）となるように、無電解銅メッキを施した後、表４に示す組成の本メッキ浴中に浸漬し回転させながら、同表に示すメッキ条件で、上記の予備メッキ上に厚さ９．５〜８．５μｍ（本例では９μｍ）となるように、無電解銅メッキを施し、全体のメッキ厚さ１０μｍとした。
なお、この銅メッキの後、無電解Ｎｉメッキ・無電解Ａｕメッキ、あるいは電気Ｎｉメッキ・電気Ａｕメッキ等の後メッキを施すこともできるし、最終工程として実施例１と同様のアニール処理を行うこともできる。
図８の断面図に、本例でメッキが施された部分を概略的に示す。図８中、符号４で示す部分が銅メッキ（あるいは銅メッキ後に、Ｎｉメッキ・Ａｕメッキ等の後メッキ）が施された部分であり、同図に示すように、このメッキ４は、メッキ用触媒付与面のみ、すなわち図７（Ａ）〜（Ｃ）に示した被覆材３で覆われていた部分以外の部分と、貫通孔２内の表面に施されていた。
【００７３】
【表３】
予備（銅）メッキ浴組成・条件
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ  ：０．０４モル／Ｌ
ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．３モル／Ｌ
ＮａＯＨ              ：ｐＨ１２．２
ＥＤＴＡ・４Ｎａ      ：０．１０モル／Ｌ
安定剤＊１            ：若干
浴温度                ：３５℃
＊１安定剤：金属（メタルイオン）系
【００７４】
【表４】
本（銅）メッキ浴組成・条件
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ  ：０．０４モル／Ｌ
ＨＣＨＯ（３７％溶液）：０．０６モル／Ｌ
ＮａＯＨ              ：ｐＨ１２
ＥＤＴＡ・４Ｎａ      ：０．１モル／Ｌ
安定剤＊１            ：若干
浴温度                ：６５℃
メッキ速度            ：２．５μｍ／ｈｒ
【００７５】
その後、図６に点線で示す仮想線に沿ってカットし、図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得た。
【００７６】
実施例８
実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする以外は、実施例３と同様の工程に沿ってメッキを施した後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得た。
【００７７】
実施例９
実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする以外は、実施例４と同様の工程に沿ってメッキを施した後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得た。
【００７８】
実施例１０
実施例７の集合基体２１を用い、図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す態様で被覆し、実施例７の表３に示す予備メッキ浴組成・条件及び表４に示す本メッキ浴組成・条件とする以外は、実施例５と同様の工程に沿ってメッキを施した後、実施例７と同様にしてカットして図９（斜視図）に示す形状のチップ部品を得た。
【００７９】
実施例１１
被覆材としてＰＶＡを使用すること、メッキを塩化アルミニウムと水酸化リチウムアルミニウムをテトラヒドロフラン溶液中で処理して厚さ０．５〜２．５μｍ（本例では２μｍ）のアルミニウムメッキを得ること以外は、実施例９を繰り返した。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、従来のレジストの塗布・硬化・除去工程を省略することができ、従って有機溶剤による環境問題の懸念もないし、工程を短縮することもできる。
また、寸法精度が高く、かつ導電率の高い、高品質の電子・電気部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例で用いた基体の形状の一例を示す図で、（Ａ）が斜視図、（Ｂ）が（Ａ）の一部切欠図である。
【図２】図１の基体に被覆材を施した状態の一例を示す斜視図である。
【図３】図１のものに無電解メッキを施した状態の一例を示す斜視図である。
【図４】本発明の比較例で用いた基体の一例を示す図である。
【図５】図４の基体に被覆材を施した状態の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明の他の実施例で用いた集合基体の形状の一例を示す斜視図である。
【図７】図６の集合基体に被覆材を施した状態の一例を示す図であり、（Ａ）がその全体の斜視図、（Ｂ）が（Ａ）のα−α線切断部の説明図、（Ｃ）が（Ｂ）の一部切欠図である。
【図８】図７の被覆材を施した場合の図６の集合基体にメッキを施した状態を示す一部断面図である。
【図９】図８の状態でメッキが施された集合メッキ製品を各チップ部品にカットした状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１，１１，２１  基体
２，１２  孔
３，１３  被覆材
４        メッキ
【図１】
0004610079.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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