(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターニングされた保護膜を基材上に形成するデバイスの保護膜形成方法であって、前記保護膜に対しパターニング可能なように該保護膜と前記基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、該保護膜の密着力の相対的に弱い部分を取り除いて、所定のパターニングを有する保護膜を前記基材上に形成することを特徴とするデバイスの保護膜形成方法。
【請求項２】
前記保護膜が、ポリパラキシリレン材料からなる有機物膜であることを特徴とする請求項１記載のデバイスの保護膜形成方法。
【請求項３】
前記保護膜に紫外線照射を選択的に施すことにより、前記密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成することを特徴とする請求項２記載のデバイスの保護膜形成方法。
【請求項４】
前記基材上に残された前記密着力の相対的に強い部分の保護膜の端部に、膜保持部材を設けることを特徴とする請求項１，２または３記載のデバイスの保護膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの保護膜形成方法に関し、詳細には、パターニングされた保護膜の形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ファクシミリ、複写機あるいは放射線撮像装置などにおいて、画像情報を一旦画像記録手段に潜像として記録させ、その後この画像記録手段から画像情報を読み取ることが広範になされている。
【０００３】
例えば、医療用放射線画像の記録再生においては、Ｘ線等の放射線に感応するａ−Ｓｅから成るセレン板等の光電変換素子を感光体（放射線画像記録媒体）として用い、この感光体等に放射線画像情報を担持する放射線を照射して放射線画像情報に対応する潜像電荷を蓄積させ、その後レーザビームで感光体を走査し、そのとき感光体内に生じる電流を感光体両側の平板電極あるいは線状電極を介して検出することにより、潜像電荷が担持する静電潜像すなわち放射線画像情報を読み取るシステムが知られている。また、近年、画像読取手段を構成する光源として、有機ＥＬ発光素子を用いることも検討されている。
【０００４】
一般に、これらの素子上には素子の物理的化学的保護のために保護膜が設けられているが、ポリパラキシリレンは、ＣＶＤ法により容易に被膜形成ができるとともに、膜（パリレン被膜）としての防湿性、耐電圧性に優れ、化学的にも不活性で耐薬品性が高いことから、電気部品、電気回路基板、その他多くの部品等の保護膜として検討されてきている。しかし、一方で、パリレン被膜の基材に対する密着性は、基材の種類によってその特性が大きく異なることが知られている。
【０００５】
この基材に対する密着性の特性を利用したものとして、特許文献１には分離層にパリレン被膜を用い、基材の表面改質により基材との界面で部分的に分離層に対して密着性の良好な部分と、乏しい部分を設けて、分離層を容易に剥離することができる技術が記載されている。一方、特許文献２には、基材との密着性が向上させる方法として、パリレン被膜を形成後に紫外線照射をする技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１８３６１５号公報
【特許文献２】特開平１−１６８８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
精密部品のコーティング、特にデバイスの保護膜の形成に際しては、配線などの点から基材上のある部分には保護膜を形成し、ある部分には保護膜を形成したくないという場合がある。このような場合、従来は、所定のパターニングをした保護膜を貼り付けたり、あるいは、保護膜を形成した後に、保護膜を形成したくない部分の保護膜を物理的、化学的処理を施して取り除くという手法がとられていた。
【０００７】
しかし、前者のようにパターニングをした保護膜を貼り付ける方法では、精密コーティングに対応できないとい問題があり、後者の保護膜を形成した後に保護膜を部分的に取り除くという方法では、取り除く際の作業性を重視すれば、保護膜全体と基材との密着性をある程度弱くしておく必要があるが、そうするとパターニング後の保護膜と基材との密着性が充分ではなく、一方、パターニングされた保護膜の密着性を重視すれば、パターニング後の保護膜と基材との密着性は確保されるものの、保護膜を形成したくない部分の保護膜を充分に取り除くことができなかったり、取り除く際に、基材を浸食したりするという問題がある。特に、デバイスのような精密部品の場合、部分的に保護膜を取り除く際の物理的、化学的処理には温度や薬剤に制限があるため、保護膜の容易なパターニング方法が要望されている。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、保護膜のパターニングが容易であって、パターニングされた保護膜の密着性が良好なデバイスの保護膜形成方法およびパターニング保護膜を有するデバイスを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のデバイスの保護膜形成方法は、所定のパターニングされた保護膜を基材上に形成するデバイスの保護膜形成方法であって、前記保護膜に対しパターニング可能なように該保護膜と前記基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、該保護膜の密着力の相対的に弱い部分を取り除いて、所定のパターニングを有する保護膜を前記基材上に形成することを特徴とするものである。
【００１０】
前記保護膜は、ポリパラキシリレン材料からなる有機物膜であることが好ましい。この場合、前記保護膜に紫外線照射を選択的に施すことにより、前記密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成することが好ましい。
【００１１】
前記基材上に残された前記密着力の相対的に強い部分の保護膜の端部には、膜保持部材を設けることが好ましい。
【００１２】
本発明のパターニング保護膜を有するデバイスは、前記本発明のデバイスの保護膜形成方法により製造されたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のデバイスの保護膜形成方法は、保護膜に対しパターニング可能なようにこの保護膜と基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、保護膜の密着力の相対的に弱い部分を取り除いて、所定のパターニングを有する保護膜を基材上に形成するので、基材上に残された密着力の相対的に強い部分の保護膜は基材との密着性を良好なものとすることが可能な一方、密着力の相対的に弱い部分は基材上から容易に取り除くことが可能である。
【００１４】
特に、本発明のデバイスの保護膜形成方法は、保護膜に対しパターニング可能なようにこの保護膜と基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成するので、保護膜を形成する基材の種類を選ばず、所定のパターニングを有する保護膜を基材上に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を用い、本発明のデバイスの保護膜形成方法について、基材上に電極が配置された表面に部分的に保護膜としてパリレン被膜を形成する場合を例にとって説明する。図１は基材上に電極が配置された表面に部分的にパリレン被膜を形成し、電極に配線をする場合の工程図である。
【００１６】
まず、図１(a)に示す基材１上に配置された電極２に対して、基板１上および電極２上の全面に亘ってパリレン被膜３を重合法によって形成する（図１(b)）。パリレン被膜３を形成した後、形成したパリレン被膜３の取り除きたい部分に対してマスク４を配置し、パリレン被膜３全体に対して紫外線を照射する（図１(c)）。照射後、マスク４でカバーされていたパリレン被膜３Ａ部分は、電極２に対して密着力が弱いままであり、マスク４でカバーされていなかったパリレン被膜３Ｂ部分は基材１に対して密着力が強くなる（図１(d)）。次いで、密着力が弱いパリレン被膜３Ａ部分を電極２上から取り除く（図１(e)）。続いて、電極２に対して配線５を接続し（図１(f)）、パリレン被膜３Ｂ部分の端部を覆うように膜保持部材６で配線５を固定する（図１(g)）。
【００１７】
なお、図１ではパリレン被膜３は基材１上のみに形成しているが、基材１の側面まで、あるいは側面と底面まで設けることによって、パリレン被膜３Ｂ部分と基材１の剥離をより抑制することが可能である。
【００１８】
本発明のデバイスの保護膜形成方法は、保護膜に対しパターニング可能なように保護膜と基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を設けるので、基材の種類は何ら限定されるものではなく、金、銀、アルミニウム、鉄、銅、ニッケルなどの金属、ＡＢＳ、ＰＢＴ、塩化ビニル樹脂、スチレンなどのプラスチックなど広く選択することができる。また、基材はある程度の剛性を有するものの他、可撓性、弾性を有するものであってもよく、その厚みも限定されるものではない。
【００１９】
特に、基材が極薄のガラス（例えば数十μｍ）のような場合、密着性を重視して保護膜を形成すると、保護膜を形成したくない部分の保護膜を充分に取り除くことができなかったり、あるいは極薄のガラス基材の割れなどを引き起こすことがあるが、本発明の保護膜形成方法では、保護膜に対しパターニング可能なように基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、この相対的に密着力が弱い部分を取り除くので、割れなどの問題を生じることがなく、一方、残された相対的に密着力の強い部分は基材に対して密着力が良好であるため、充分な密着性を確保することができる。
【００２０】
なお、基材側にあらかじめ溝や段差などを形成しておき、ここを境界として密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、溝や段差部に刃などを入れることにより、相対的に密着力が弱い部分をきれいに取り除くことができる。
【００２１】
密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成する手段は、保護膜の種類によって最適なものを選べばよく、紫外線照射、カップリング剤、コロナ放電、プラズマ処理、オゾン洗浄、酸処理、表面粗化等の物理的、化学的処理を施す手法などから適宜選択することができるが、保護膜が、ポリパラキシリレン材料からなる有機物膜である場合には、紫外線照射によると、基材に対する影響を与えにくく、かつ精密に領域を選択することができる。
【００２２】
紫外線照射の波長は、３００〜４００ｎｍの波長が好ましい。これより短い波長の場合は被膜の劣化が起こりやすく、長い波長の場合には長時間の照射が必要となって経済的でない。紫外線の強度は波長や基材や保護膜の種類によって、さらにこれらの組合せによって微妙に異なるため一概には言えないが、例えば１ｋｗの水銀ランプをパリレン被膜上２０ｃｍのところから１０分前後照射することにより、ガラスに対する密着性を強くすることができる。
【００２３】
本発明の保護膜に用いられるポリパラキシリレン材料としては、以下の化学構造式の化合物が挙げられる。
【化１】
0004755941.tif 000002
【化２】
0004755941.tif 000003
【化３】
0004755941.tif 000004
【化４】
0004755941.tif 000005
【化５】
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【化６】
0004755941.tif 000007
【００２４】
（但し、ｎは５０００以上の整数）等の化学式であらわされ、単独で用いても組み合わせて用いても良い。
【００２５】
パリレン被膜は気相蒸着重合法によって形成されるが、その蒸着機構は３つの工程より成る。即ち、原料である固体二量体のジパラキシリレン（Ａ）の気化が起こる第一工程、二量体の熱分解によるジラジカルパラキシリレン（Ｂ）の発生が起こる第二工程、基材へのジラジカルパラキシリレンの吸着と重合が同時に成され、高分子量のポリパラキシリレン（Ｃ）の被膜形成が起こる第三工程である。この３つの工程における化学式（１）の反応式は下記の様になる。
【化７】
0004755941.tif 000008
【００２６】
この工程中において一般に真空度は０．１〜１００Ｐａ（１０−３〜１Ｔｏｒｒ）であり、第一工程は１００〜２００℃、第二工程は４５０〜７００℃、第三工程は室温にて行われる。これら、気相蒸着重合法によって得られたパリレン被膜は、基材に対してコンフォーマル（同形）コーティングが可能である他、コーティングそのものは室温で行うことができるので、基材に対する熱履歴を与えないでコーティングを行うことができる。このため、高温の処理をすることができないＳｅデバイス等の基材に対するコーティングにも最適である。
【００２７】
加えて、パリレン被膜は、シリコーン、エポキシ、ウレタン等を上回る電気絶縁性、１５０℃以下の温度で全ての有機溶剤に対しての不溶性、ほとんどの酸、アルカリにも腐蝕されないという耐薬品性、真空及び不活性ガス雰囲気下であれば２００℃以上で１０年間の連続使用に耐え得る耐熱性、−１５０℃の低温においても１８０°の曲げにも破損しない耐寒性、ミクロンオーダーの狭い隙間への浸透性及び精密性、水蒸気及びガスの浸透性が極めて少なく同時に被着体からのアウトガスの遮断性も優れるガスバリア性のあるパターニング保護膜を得ることが可能である。さらに、パリレン被膜は、被着体によっては０．２μｍの厚さよりピンホールの無いコンフォーマルコーティングが可能であり、更にコーテイング時に基材に熱履歴を加えないためにコーティング歪を残さずにパターニングをすることができる。
【００２８】
基材上に残された前記密着力の相対的に強い部分の保護膜の端部に設ける膜保持部材としてはエポキシ樹脂があげられ、このエポキシ樹脂を固めることにより、保護膜の端部を補強することができる。また、ガラス部材などで端部を上から押さえたり、あるいは端部とその近辺以外をマスキングした上で、パリレン膜端の上からパリレン膜を形成して固めるといった方法を用いてもよい。
【００２９】
以上のように、本発明のデバイスの保護膜形成方法は、保護膜に対しパターニング可能なようにこの保護膜と基材との界面で密着力が相対的に強い部分と弱い部分を形成し、保護膜の密着力の相対的に弱い部分を取り除いて、所定のパターニングを有する保護膜を基材上に形成するので、基材上に残された密着力の相対的に強い部分の保護膜は基材との密着性を良好なものとすることが可能な一方、密着力の相対的に弱い部分は基材上から容易に取り除くことが可能である。
【００３０】
従って、本発明のデバイスの保護膜形成方法は、有機ＴＦＴ素子や有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い薄膜デバイス装置、これらを用いた液晶表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置などに広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の保護膜形成方法の工程を示す概略図
【符号の説明】
【００３２】
１    基材
２    電極
３    パリレン被膜
４    マスク
５    配線
６    膜保持部材
【図１】
0004755941.tif 000009