(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる内層基板上に、電気絶縁層（Ａ２）を形成し、該電気絶縁層（Ａ２）の上に導電体回路（Ｂ２）を形成する多層回路基板の製法であって、
（ａ）内層基板の電気絶縁層（Ａ１）が、過マンガン酸塩あるいはプラズマと接触させ、表面粗さＲaを０．２〜１００ｎｍに調整したものであり、かつ、
（ｂ）電気絶縁層（Ａ２）が、硬化性樹脂組成物を成形してなるシート又はフィルムを内層基板に重ね載せ、圧力０．０１〜２０ＭＰａで加熱圧着して、硬化させたものである
ことを特徴とする多層回路基板の製法。
【請求項２】
内層基板の電気絶縁層（Ａ１）が、表面粗さＲａを０．４〜５０ｎｍに調整したものである請求項１記載の多層回路基板の製法。
【請求項３】
硬化性樹脂組成物が、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基を有する脂環式オレフィン重合体を含有してなるものである請求項１又は２記載の多層回路基板の製法。
【請求項４】
表面粗さＲaが０．２〜１００ｎｍに調整された電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる内層基板上に、シート又はフィルム形状の硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層（Ａ２）が形成され、該電気絶縁層（Ａ２）の上に導電体回路（Ｂ２）が形成されてなる請求項１記載の製法により得られる多層回路基板。
【請求項５】
電気絶縁層（Ａ１）又は（Ａ２）が、脂環式オレフィン重合体を含有する硬化性樹脂組成物のシート又はフィルムが硬化したものである請求項４記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層回路基板に関し、さらに詳しくは、電気絶縁層間の密着性が高く、且つ回路を流れる高周波信号にノイズが入りにくい多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、多機能化に伴って、電子機器に用いられている回路基板もより高密度化が要求されるようになってきている。
回路基板の高密度化の一般的手法として、回路基板を多層化することが良く知られている。多層回路基板は、通常、電気絶縁層（１）と、その表面に形成された導電体回路（１）とからなる内層基板上に、電気絶縁層（２）を積層し、該電気絶縁層（２）の上に導電体回路（２）を形成することによって、必要に応じて、さらに電気絶縁層と導電体回路を数段積層することによって得られる。
【０００３】
多層回路基板内の導電体回路相互間は、通常、電気絶縁層で絶縁されているが、回路相互間を必要に応じて通電するためにバイアホールなどの配線で接続している部分もある。
電気絶縁層間の密着性が不足していると、電気絶縁層間にすき間が生じ、そこに水蒸気などが侵入すると電気絶縁性が低下することがある。また、バイアホールに負荷がかかりすぎて、断線することもある。
【０００４】
そこで、特開平１１−５４９３６号公報などで提案されているように、内層基板上のエポキシ樹脂、マレイミド樹脂などを含有する電気絶縁層表面を導電体回路との段差０．５μｍ以上となるように腐食液で化学的に粗面化し、その上に積層される電気絶縁層と該段差とをかみ合わせて、アンカー効果を生じさせることによって、内層基板と電気絶縁層との密着性を向上させていた。しかし、これら粗面化された電気絶縁層の表面に導電体回路をスパッタリング法によって形成しようとしても、溶射された導電体粒子が粗面の凹部分を埋め尽くすほどに付着しないので、導電体回路に不通電部分が発生することがあった。また、超高周波の信号を回路に流した場合に、導電体回路層と電気絶縁層間の凹凸の影響で、信号に雑音が入り込むことがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、電気絶縁層間の密着性が高く、且つ回路を流れる高周波信号にノイズが入りにくい多層回路基板を提供することにある。
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究をした結果、電気絶縁層の表面粗さを特定の範囲に調整した内層基板の上に、シート又はフィルム形状に形成した硬化性樹脂組成物を載せ、硬化させることによって、上記目的を達成できることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに到った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる内層基板上に、電気絶縁層（Ａ２）を形成し、該電気絶縁層（Ａ２）の上に導電体回路（Ｂ２）を形成する多層回路基板の製法であって、
（ａ）内層基板の電気絶縁層（Ａ１）が、過マンガン酸塩あるいはプラズマと接触させ、表面粗さＲaを０．２〜１００ｎｍに調整したものであり、かつ、
（ｂ）電気絶縁層（Ａ２）が、硬化性樹脂組成物を成形してなるシート又はフィルムを内層基板に重ね載せ、圧力０．０１〜２０ＭＰａで加熱圧着して、硬化させたものである
ことを特徴とする多層回路基板の製法が提供される。
【０００７】
又、本発明によれば、表面粗さＲaが０．２〜１００ｎｍに調整された電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる内層基板上に、シート又はフィルム形状の硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層（Ａ２）が形成され、該電気絶縁層（Ａ２）の上に導電体回路（Ｂ２）が形成されてなる前記の製法により得られる多層回路基板が提供される。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の多層回路基板は、表面粗さＲaが０．２〜１００ｎｍに調整された電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる内層基板上に、シート又はフィルム形状の硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層（Ａ２）が形成され、該電気絶縁層（Ａ２）の上に導電体回路（Ｂ２）が形成されてなるものである。
【０００９】
本発明に使用される内層基板は、電気絶縁層（Ａ１）と、その表面に形成された導電体回路（Ｂ１）とからなる。
【００１０】
内層基板は、その電気絶縁層（Ａ１）の表面粗さが調整されている。電気絶縁層の表面粗さＲａは０．１〜４００ｎｍ、好ましくは０．２〜８０ｎｍ、特に好ましくは０．４〜５０ｎｍ である。本発明の電気絶縁層（Ａ１）の表面粗さＲａは０．２〜１００ｎｍである。Ｒａがこの範囲内にある場合は、電気絶縁層間の密着性が高く、且つ回路を流れる高周波信号にノイズが入りにくくなる。
【００１１】
電気絶縁層（Ａ１）は、公知の電気絶縁材料、例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリフェニルエーテル、ガラスなどを含有する硬化性樹脂組成物を、硬化してなるもので形成されたものである。本発明においては電気絶縁層（Ａ１）として、後記の脂環式オレフィン重合体を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものが好適である。
【００１２】
電気絶縁層（Ａ１）の表面に形成された導電体回路（Ｂ１）は、導電性金属などの導電体により形成された電気回路であって、その回路構成などは通常の多層回路基板に用いられているものと同じものが使用できる。
内層基板の具体例として、プリント配線基板、シリコンウェハー基板などが挙げられる。内層基板の厚みは、通常５０μｍ〜２ｍｍ、好ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、より好ましくは１００μｍ〜１ｍｍである。
【００１３】
本発明に用いる内層基板は、好適な態様として、電気絶縁層（Ａ１）の表面を過マンガン酸塩又はプラズマと接触させたものである。過マンガン酸塩又はプラズマと電気絶縁層（Ａ１）とを接触させることによって、詳細な機構はわからないが、電気絶縁層（Ａ１）の表面が化学的に修飾され、また、表面粗さが前記の範囲に調整される。この内層基板に後記の脂環式オレフィン重合体を含有する硬化性樹脂組成物のシート又はフィルムを硬化してなる電気絶縁層（Ａ２）を形成することによって、電気絶縁層間の密着性が高くなると共にノイズの低減を図ることができる。
【００１４】
電気絶縁層（Ｂ２）を構成する材料は電気絶縁性のものであれば特に限定されない。具体的には電気絶縁層（Ａ１）で例示したものが挙げられる。これらのうち、本発明においては後記の硬化性樹脂組成物の硬化物が好適である。
【００１５】
内層基板上に電気絶縁層（Ａ２）を形成する方法としては、硬化性樹脂組成物の溶液又は分散液を内層基板上に塗布した後、溶媒を除去乾燥して硬化性組成物の塗布層を形成した後、該組成物を硬化させる方法が一般に採られている。しかし、本発明においては、硬化性樹脂組成物をフィルム又はシートに成形し、そのシート又はフィルムを加熱圧着等により内層基板上に重ね合わせた後に、硬化することによって、電気絶縁層（Ａ２）を形成することが必要である。
【００１６】
硬化性樹脂組成物をシート又はフィルムに成形する方法は特に限定されないが、本発明においては溶液キャスト法や溶融キャスト法で成形するのが好ましい。溶液キャスト法では、硬化性樹脂組成物の溶液又は分散液を支持体に塗布した後に、溶媒を乾燥除去する。
【００１７】
本発明の硬化性樹脂組成物を溶解又は分散させるために使用する溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒などを挙げることができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１８】
これら溶媒のなかでも、微細配線への埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、芳香族炭化水素系溶媒や脂環式炭化水素系溶媒のごとき非極性溶媒と、ケトン系溶媒のごとき極性溶媒とを混合した混合溶媒が好ましい。これらの非極性溶媒と極性溶媒の混合比は適宜選択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：８０〜８０：２０の範囲である。
【００１９】
溶媒の使用量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、硬化性樹脂組成物の溶液又は分散液の固形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲である。
【００２０】
硬化性樹脂組成物の溶媒中への分散又は溶解方法は、常法に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロールなどを使用した方法などで行うことができる。
【００２１】
溶液キャスト法に使用する支持体として、樹脂フィルムや金属箔などが挙げられる。 樹脂フィルムとしては、通常、熱可塑性樹脂フィルムが用いられ、具体的には、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これら樹脂フィルムの中、耐熱性や耐薬品性、積層後の剥離性などの観点からポリエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等が好ましい。金属箔としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。導電性が良好で安価である点から、銅箔、特に電解銅箔や圧延銅箔が好適である。支持体の厚さは特に制限されないが、作業性等の観点から、通常１μｍ〜１５０μｍ、好ましくは２μｍ〜１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍである。
【００２２】
塗布方法として、デイップコート、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、スリットコートなどの方法が挙げられる。また溶媒の除去乾燥の条件は、溶媒の種類により適宜選択され、乾燥温度は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃であり、乾燥時間は、通常３０秒〜１時間、好ましくは１分〜３０分である。
【００２３】
フィルム又はシートの厚みは、通常０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好ましくは１．０〜８０μｍである。なお、フィルム又はシートを単独で得たい場合には、支持体上にフィルム又はシートを形成した後、支持体から剥離する。
【００２４】
硬化性樹脂組成物からなるフィルム又はシートを内層基板上に積層するには、通常、支持体付きのフィルム又はシートを、該フィルム又はシートが内層基板面に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用して加熱圧着する。加熱圧着は、配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑えるために真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温度は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、圧力は、通常０．０１〜２０ＭＰａ（０．１〜２００ｋｇ／ｃｍ２）、好ましくは０．１〜１０ＭＰａ（１〜１００ｋｇ／ｃｍ２）、圧着時間は、通常３０秒〜５時間、好ましくは１分〜３時間、真空度は通常１０１ｋＰａ（７６０ｍｍＨｇ ｖａｃ．）〜１．３３Ｐａ（０．０１ｍｍＨｇ ｖａｃ．）、好ましくは４０ｋＰａ（３００ｍｍＨｇ ｖａｃ．）〜１３．３Ｐａ（０．１ｍｍＨｇ ｖａｃ．）である。
【００２５】
硬化性樹脂組成物を硬化させるために、通常、硬化性樹脂組成物を加熱する。硬化剤の種類に応じて適宜選択されるが、硬化させるための温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、硬化時間は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。前記支持体付きフィルム又はシートを内層基板に積層させた場合には、前記支持体が付いたままで、硬化性樹脂組成物からなるフィルム又はシートを加熱し硬化させてもよいが、通常は前記支持体を剥がした後に硬化性樹脂組成物からなるフィルム又はシートを加熱し硬化させる。
【００２６】
電気絶縁層（Ａ２）上に新たな導電体回路を形成する方法としては、メッキや、スパッタリングによる方法などが挙げられる。メッキやスパッタリングをする前に、電気絶縁層（Ａ２）と導電体回路（Ｂ２）との密着力を高めるために、電気絶縁層（Ａ２）の表面を過マンガン酸やクロム酸などの液を接触させ、あるいはプラズマ処理などを施すことができる。
【００２７】
一方、前記支持体付きフィルム又はシートを内層基板に積層させた場合は、支持体を全て除去し、該フィルム又はシートを硬化させた後に、メッキやスパッタリングなどによって導電体回路（Ｂ２）を形成させる。支持体が導電性金属箔の場合は該金属箔を一部又は全部残して、そのまま導電体回路（Ｂ２）として利用することもできる。
【００２８】
本発明においては、電気絶縁層（Ａ２）および導電体回路（Ｂ２）を形成して得られた基板を、新たな内層基板として、新たに電気絶縁層および導電体回路を幾層にも積層することができる。
【００２９】
本発明の多層回路基板では、通常、電気絶縁層（Ａ２）で仕切られた導電体回路（Ｂ１）と（Ｂ２）との間をビアで接続して使用される。ビアは、ドリル、レーザーなどの物理的処理によって形成することもできるし、前記硬化性樹脂組成物をマスキングして光で硬化させ未硬化部分を取り除く、いわゆるフォトリソグラフィーによっても形成することができる。これらビア形成方法のうち、絶縁層の特性を低下させず、より微細なビアを形成できるという観点から、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー等のレーザーによる方法が好ましい。
【００３０】
また、上記多層回路基板において、導電体回路の一部は、金属電源層や金属グラウンド層、金属シールド層になっていてもよい。
【００３１】
本発明に用いる好適な硬化性樹脂組成物は、脂環式オレフィン重合体および硬化剤を含有するものである。
【００３２】
該組成物を構成する脂環式オレフィン重合体は、脂環式構造を有するオレフィンの重合体である。脂環式構造としては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などが挙げられるが、機械的強度、耐熱性などの観点から、シクロアルカン構造が好ましい。また、脂環式構造としては、単環、多環、縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環などが挙げられる。脂環式構造を構成する炭素原子数は、格別な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、機械的強度、耐熱性、及び成形性の諸特性が高度にバランスされ好適である。また、本発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、通常、熱可塑性のものである。
【００３３】
脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式構造を有するオレフィン（以下、脂環式オレフィンということがある。）由来の繰り返し単位を含有する。脂環式オレフィン重合体中の脂環式オレフィン由来の繰り返し単位の割合は、使用目的に応じて適宜選択されるが、通常３０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％、より好ましくは７０〜１００重量％である。脂環式オレフィン由来の繰り返し単位の割合が過度に少ないと、耐熱性に劣り好ましくない。脂環式オレフィン由来の繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、格別な限定はなく、使用目的に応じて適宜選択される。
【００３４】
本発明で用いられる脂環式オレフィン重合体として、極性基を有するものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられ、特に、カルボキシル基又はカルボン酸無水物基が好適である。
【００３５】
脂環式オレフィン重合体は、通常、脂環式オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして必要に応じて不飽和結合部分を水素化することによって、或いは芳香族オレフィンを付加重合又は開環重合し、そして該重合体の芳香環部分を水素化することによって得られる。また、極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、例えば、１）前記脂環式オレフィン重合体に極性基を有する化合物を変性反応により導入することによって、２）極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合することによって、あるいは３）エステル基などの極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合した後、エステル基を加水分解することによって得られる。
【００３６】
脂環式オレフィン重合体を得るために使用される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，５−ジメチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−オクタデシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
【００３７】
５−プロペニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルビニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シアノ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネイト、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エニル−２−メチルオクタネイト、
【００３８】
ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシ−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキシル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン、
【００３９】
トリシクロ〔４．３．０．１２，５ 〕デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、トリシクロ〔４．３．０．１２，５ 〕デカ−３−エン、トリシクロ〔４．４．０．１２，５〕ウンデカ−３，７−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１２，５〕ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ〔４．４．０．１２，５ 〕ウンデカ−３−エン、テトラシクロ〔７．４．０．１１０，１３．０２，７〕−トリデカ−２，４，６−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン）、テトラシクロ〔８．４．０．１１１，１４．０３，８〕−テトラデカ−３，５，７，１２−１１−テトラエン（別名：１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン）、
【００４０】
テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン（慣用名：テトラシクロドデセン）、８−メチル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−ビニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、
【００４１】
８−シクロペンチル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキシル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ〔６．５．１．１３，６．０２，７．０９，１３〕ペンタデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ〔７．４．０．１３，６．１１０，１３．０２，７〕−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノルボルネン系単量体；
【００４２】
シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが挙げられる。
【００４３】
芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。
【００４４】
脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
脂環式オレフィン重合体は、前記脂環式オレフィン及び／又は芳香族オレフィンと、これら共重合可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよい。
脂環式オレフィン又は芳香族オレフィンと共重合可能な単量体としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数２〜２０のエチレンまたはα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００４６】
脂環式オレフィン又は／及び芳香族オレフィンの重合方法及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。
【００４７】
脂環式オレフィン重合体の具体例としては、例えば、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、単環シクロアルケン重合体、脂環式共役ジエン重合体、ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環水素添加物が好ましく、特にノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が好ましい。
前記の脂環式オレフィン重合体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４８】
脂環式オレフィン重合体は、その分子量によって特に制限されない。脂環式オレフィン重合体の分子量は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜２５０，０００の範囲である。脂環式オレフィン重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）がこの範囲にあるときには、耐熱性、成形物表面の平滑性などがバランスされ好適である。
【００４９】
脂環式オレフィン重合体の分子量分布は、シクロヘキサンまたはトルエンを溶媒とするＧＰＣで測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常５以下、好ましくは４以下、より好ましくは３以下である。
上記の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲及び測定法は、ノルボルネン系重合体に好適に適合するが、それに限定されるものではない。また、上記方法で重量平均分子量や分子量分布が測定できない脂環式オレフィン重合体の場合には、通常の溶融加工法により樹脂層を形成し得る程度の溶融粘度や重合度を有するものを使用することができる。
【００５０】
脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、通常５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、最も好ましくは１２５℃以上である。
【００５１】
本発明に用いる硬化性樹脂組成物を構成する硬化剤としては、格別な限定はなく、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤又はイオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤等が用いられ、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性、及び脂環式オレフィン重合体との相溶性の観点でイオン性硬化剤が好ましい。
【００５２】
イオン性硬化剤としては、例えば、ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミンなどの脂肪族ポリアミン化合物；ジアミノシクロヘキサン、３（４），８（９）−ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．１．０２，６  ］デカン；１，３−（ジアミノメチル）シクロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミンＮ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタンなどの脂環族ポリアミン化合物；４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、α，α′−ビス（４−アミノフェニル）−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α′−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン、メタフェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミンなどの芳香族ポリアミン化合物；
【００５３】
４，４′−ビスアジドベンザル（４−メチル）シクロヘキサノン、４，４′−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチル−シクロヘキサノン、４，４′−ジアジドジフェニルスルホン、４，４′−ジアジドジフェニルメタン、２，２′−ジアジドスチルベンなどのビスアジド化合物；無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、ナジック酸無水物、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、無水マレイン酸変性ポリプロピレンなどの酸無水物；フマル酸、フタル酸、マレイン酸、トリメリット酸、ハイミック酸などのジカルボン酸化合物；１，３′−ブタンジオール、１，４′−ブタンジオール、ヒドロキノンジヒドロキシジエチルエーテル、トリシクロデカンジメタノールなどのジオール化合物；１，１，１−トリメチロールプロパン等のトリオール；フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどの多価フェノール；ナイロン−６、ナイロン−６６、ナイロン−６１０、ナイロン−１１、ナイロン−６１２、ナイロン−１２、ナイロン−４６、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレンジアミンテレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミドなどのポリアミド化合物；ヘキサメチレンジイソシアネート、トルイレンジイソシアネートなどのジイソシアネート化合物；
【００５４】
フェノールノボラック型固形エポキシ化合物、クレゾールノボラック型固形エポキシ化合物、クレゾール型固形エポキシ化合物、ビスフェノールＡ型固形エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型固形エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールＡ型固形エポキシ化合物、臭素化ビスフェノールＦ型固形エポキシ化合物等のグリシジルエーテル型固形エポキシ化合物、脂環式固形エポキシ化合物、グリシジルエステル型固形エポキシ化合物、グリシジルアミン型固形エポキシ化合物、イソシアヌレート型固形エポキシ化合物などの常温固体の多価エポキシ化合物などが挙げられる。これらの中でも、ジオール化合物、多価フェノール化合物及び常温固体の多価エポキシ化合物が、特に、常温固体の多価エポキシ化合物、殊に常温固体の臭素化多価エポキシ化合物が好ましい。
【００５５】
ラジカル性硬化剤としては、例えば、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、ｔ−ブチルハイドロペルオキシド、２，５−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロペルオキシド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α′−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、オクタノイルペルオキシド、イソブチリルペルオキシド、ペルオキシジカーボネートなどの有機ペルオキシドなどが挙げられる。
【００５６】
これらの硬化剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合割合は、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、通常５〜１５０重量部、好ましくは１５〜１１０重量部、より好ましくは３０〜１００重量部の範囲である。
【００５７】
脂環式オレフィン重合体と硬化剤との硬化反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用することもできる。
硬化促進剤は、特に限定されない。硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、第３級アミン系化合物や三弗化ホウ素錯化合物などが好適である。なかでも、第３級アミン系化合物を使用すると、微細配線に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性が向上する。
【００５８】
第３級アミン系化合物の具体例としては、例えば、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げられる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を有する置換イミダゾール化合物が好ましい。
【００５９】
置換イミダゾール化合物の具体例としては、例えば、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−（２’−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−［２’−（３”，５”−ジアミノトリアジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換されたイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中でも、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式オレフィン重合体との相溶性の観点から好ましく、特に、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００６０】
これらの硬化促進剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜５重量部である。
【００６１】
硬化助剤は、特に限定されるものではない。例えば、キノンジオキシム、ベンゾキノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマレイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系硬化助剤等が挙げられる。
【００６２】
これらの硬化助剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合割合は、硬化剤１００重量部に対して、通常１〜１０００重量部、好ましくは１０〜５００重量部の範囲である。
【００６３】
本発明に用いる硬化性樹脂組成物には液状エポキシ樹脂が配合されているのが好ましい。液状エポキシ樹脂は、溶剤の不存在下の常温で液体のエポキシ化合物（あるいは樹脂）である。具体的には、フェノール型液状エポキシ樹脂として、ＣＡＳ  ５８４２１−５５−９、ＣＡＳ  ９００３−８５−４、、ＣＡＳ  ３０６２１−６５−９、ＣＡＳ  ８９１１８−７０−７、ジブロモクレジルグリシジルエーテル；アミン型液状エポキシ樹脂として、ＣＡＳ  ２８７６８−３２−３、既存化学物質  ３−２７９２、ＣＡＳ  ２０９５−０６−９、ＣＡＳ  ４００２７−５０−７；アルコール型液状エポキシ樹脂として、ＣＡＳ  ３４６２９−７８−２、ＣＡＳ  ２９６１１−９７−０、ＣＡＳ  ７−３４３、ＣＡＳ  ９０７２−６２−２、ＣＡＳ  ３０４９９−７０−８、ＣＡＳ  ３０５８３−７２−３、ＣＡＳ  １１１２１−１５−６；エステル型液状エポキシ樹脂としては、ＣＡＳ  ２７１０３−６６−８、ＣＡＳ  ７１９５−４５−１、ＣＡＳ  ３６３４３−８１−４、ＣＡＳ  ３６２２１−２５−７、ＣＡＳ  ６８４７５−９４−５、ＣＡＳ  ６８９９１−７１−９；その他の液状エポキシ樹脂として、ＣＡＳ  ２５０８５−９８−７、ＣＡＳ  ２９７９７−７１−５、ＣＡＳ  ２６６１６−４７−７、ＣＡＳ  ２８８２５−９６−９；エポキシ変性液状ゴム（具体的にはエポキシ変性液状ポリブタジエン）、ゴム分散液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型液状エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのうち、臭素化液状エポキシ樹脂、特にジブロモクレジルグリシジルエーテルが好適である。
【００６４】
これら液状エポキシ樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合割合は、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、通常１〜１００重量部、好ましくは５〜８０重量部、より好ましくは７〜６０重量部の範囲である。
【００６５】
本発明に用いる硬化性樹脂組成物には、所望に応じて、その他の成分を配合することができる。その他の成分としては、脂環式オレフィン重合体以外の重合体や配合剤などが挙げられる。
【００６６】
脂環式オレフィン重合体以外の重合体としては、例えば、ゴム質重合体や樹脂を挙げることができる。
ゴム質重合体は、通常３０℃以下のＴｇを有する重合体であり、具体例としては、例えば、天然ゴム、ポリイソブチレンゴム、ブチルゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエン共重合体ゴム、スチレン・ブタジエン共重合体ゴム、スチレン・イソプレン共重合体ゴム、スチレン・ブタジエン・イソプレン三元共重合体ゴムのごときジエン系ゴム及びこれらジエン系ゴムの水素添加物；エチレン・プロピレン共重合体等のエチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・その他のα−オレフィン共重合体などの飽和ポリオレフィンゴム；エチレン・プロピレン・ジエン共重合体、α−オレフィン・ジエン共重合体、イソブチレン・イソプレン共重合体、イソブチレン・ジエン共重合体などのα−オレフィン・ジエン系重合体ゴム；ウレタンゴム、ポリエーテルゴム、アクリルゴム、プロピレンオキサイドゴム、エチレンアクリルゴムなどの特殊ゴム；スチレン・ブタジエン・スチレンブロック共重合体ゴム、スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体ゴムなどのスチレン系熱可塑性エラストマー及びそれらの水素添加物；ウレタン系熱可塑性エラストマー；ポリアミド系熱可塑性エラストマー；１，２−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー；などが挙げられる。
【００６７】
樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、シンジオタクチックポリプロピレン、ポリブテン、ポリペンテンなどのポリオレフィン；ナイロン６６などのポリアミド；エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体；ポリエステル；ポリカーボネート；アクリル樹脂；ポリイミドなどが挙げられる。
【００６８】
これらの重合体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。その他の重合体の配合割合は、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、通常１００重量部以下、好ましくは７０重量部以下、より好ましくは５０重量部以下であり、その下限は０重量部である。
【００６９】
配合剤としては、フィラー、難燃剤、難燃助剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤などが挙げられ、その配合割合は、本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。
【００７０】
また、配合剤として絶縁抵抗性及び耐剥離性を向上させるために、チオール化合物、特に、分子中に少なくとも二個のチオール基を有する多価チオール化合物が好ましく、さらに分子内にヘテロ環構造を有するものがより好ましい。ヘテロ環の構造としてはトリアジン環構造が好ましい。配線埋め込み性をさらに考慮した場合には特にトリアジンチオール化合物が好ましい。チオール化合物の配合量は、脂環式オレフィン重合体１００重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部である。配合量が少なすぎると、絶縁抵抗性及び耐剥離性の向上効果が発揮されにくくなり、配合量が多すぎると、耐熱性及び耐薬品性が低下傾向になる。
【００７１】
本発明の多層回路基板は、コンピューターや携帯電話等の電子機器において、ＣＰＵやメモリなどの半導体素子、その他の実装部品を実装するためのプリント配線板として使用できる。特に、微細配線を有するものは高密度プリント配線基板として、高速コンピューターや、高周波領域で使用する携帯端末の配線基板として好適である。
【００７２】
【実施例】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、実施例中、〔部〕は、特に断りのない限り〔重量部〕のことである。
【００７３】
評価及び測定方法
（１）分子量は、特に断りのない限り、トルエンを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。
（２）水素化率及びカルボキシル基含有率は、１Ｈ−ＮＭＲにより測定した。
（３）ガラス移転温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。
（４）表面粗さの測定は、ＪＩＳＢ０６０１に定めるＲａを原子間力顕微鏡を用いて測定した。
（５）絶縁抵抗性試験は内層絶縁層上に、配線間距離５０ミクロン、配線幅５０ミクロンの櫛形電極を形成し、外層絶縁樹脂を積層した後、直流電圧５０Ｖにて、１２０℃、飽和水蒸気条件下に放置し、該櫛形電極間の絶縁抵抗試験を行い、３００時間後の抵抗値を測定した。抵抗が１０９オーム以上のものは◎、１０８オーム以上で１０９オーム未満のものは○、１０８オーム未満で短絡してないものは△、短絡しているものは×と評価した。
（６）耐剥離性（密着性）の試験は、配線板の内層平滑絶縁層と上層の絶縁層のピール強度を１２０℃、飽和水蒸気条件下に３００時間放置の環境試験前後で比較し、保持率として評価した。
保持率は、（環境試験後／環境試験前）×１００％で表され、保持率が９０％以上のものは◎、８０％以上で９０％未満のものは○、７０％以上で８０％未満のものは△、７０％未満のものは×として評価した。
（７）耐熱性試験は配線板を１２０℃、飽和水蒸気条件で１２時間処理した後、２６０℃のハンダ浴に６０秒間浸漬し外観を検査し、膨れや剥がれの発生のないものを○、膨れや剥がれのあるのもを×として評価した。
（８）高周波特性はＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準じて自動平衡ブリッジ法による測定にて１ＭＨｚにおける誘電正接を測定した。誘電正接が０．０２以下のものを○、０．０２をこえて０．０５以下のものを△、０．０５をこえるものを×とした。
（９）耐薬品性試験は、配線板を１ｍｏｌ／ｌ濃度、温度８０℃の苛性ソーダ水溶液に１５分間浸漬したのち、層間の密着をＪＩＳ  Ｋ５４００に準じて碁盤目試験にて評価した。切り傷の交点と正方形の一目一目に、絶縁層の剥がれがないものを○、切り傷の交点にわずかな剥がれがあって、正方形の一目一目に剥がれがなく、剥がれた部分の面積が全正方形面積の５％以内のものを△、５％以上のものを×として評価した。
【００７４】
実施例１
（硬化性樹脂組成物のフィルム）
テトラシクロドデセン（ＴＣＤ）５０モル％と８−メチルテトラシクロドデセン（ＭＴＤ）５０モル％を開環重合し、次いで水素添加率９９％になるように水素添加反応して、数平均分子量（Ｍｎ）＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝１５８℃のＴＣＤ／ＭＴＤ開環共重合体水素化物を得た。
この開環共重合体水素化物２８部、無水マレイン酸１０部及びジクミルパーオキシド３部をｔ−ブチルベンゼン１３０部に溶解し、１４０℃で６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液を３００部のメタノール中に注ぎ、反応生成物を凝固させた。凝固したマレイン酸変性重合体を１００℃で２０時間真空乾燥しマレイン酸変性開環重合体水素添加物を得た。この重合体水素添加物の分子量はＭｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００でＴｇは１７０℃であった。この重合体水素添加物のマレイン酸基含有率は２５モル％であった。
マレイン酸変性開環重合体水素添加物１００部と臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：アラルダイトＡＥＲ８０４９：旭チバ株式会社製）を５０部、硬化促進剤として１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールを０．１部、液状エポキシ化合物（商品名：シェルブロック：油化シェルエポキシ株式会社）を３０部、キシレン１３５部とシクロペンタノン９０部の混合溶媒にそれぞれ溶解させてワニスを得た。
このワニスを孔径３ミクロンのテフロン製精密フィルターでろ過した後、ダイコーターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ７５ミクロンのポリエチレンナフタレートフィルム（商品名：テオネックス：帝人株式会社製 ）に塗工し、その後窒素オーブン中で１２０℃で２１０秒で乾燥させ樹脂厚み３５ミクロンの支持体付きドライフィルムを得た。
【００７５】
（内層基板）
配線幅及び配線間距離が７５ミクロンで導体厚みが１８ミクロンの導電体配線層と、直径０．２ｍｍのメッキスルーホールが形成された、厚さ０．８ｍｍのコア基板の両面に、前述の支持体付きドライフィルムを、支持体が外側となるようにして重ね載せ、真空ラミネーターを用いて、真空度１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ  ｖａｃ．）にて、温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ（５Ｋｇｆ／ｃｍ２）で３０分間加熱圧着した。その後、支持体のみを剥がし、１８０℃の窒素オーブン中に６０分間、放置し、ドライフィルムを積層させ電気絶縁層（Ａ１）を形成した。ドライフィルムを積層した部分に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて直径３０ミクロンの層間接続のビアホールを形成した。
【００７６】
得られた基板を、過マンガン酸濃度０．３ｍｏｌ／ｌ、苛性ソーダ濃度３．０ｍｏｌ／ｌになるように調整した８０℃の水溶液に約１０分浸漬させた後、水洗、乾燥させた。
該基板を、銅スパッタによって、ビアホールの壁面及び積層板表面全面に厚さ０．１ミクロンの銅の薄膜を形成した。
その後、この積層板表面に市販の感光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像してメッキレジストパターンを得た。次にメッキレジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ１２ミクロンの電解銅メッキ膜を得た。
メッキレジストを剥離液にて剥離除去した後、レジスト膜下のスパッタ膜を塩化第二銅と塩酸混合溶液により除去して配線パターン（導電体回路（Ｂ１））を形成した。
次いで、２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−Ｓ−トリアジン０．１部をイソプロピルアルコール１００部に溶解させて得られた溶液に室温で１分間浸漬させた後、９０℃で１５分間乾燥させ内層基板を得た。得られた内層基板の絶縁層表面の粗さＲａは３ｎｍであった。
【００７７】
（多層回路基板）
この内層基板両面に、前述と同じ支持体付きドライフィルムを、支持体が外側となるようにして重ね載せ、真空ラミネーターを用いて、真空度１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ  ｖａｃ．）にて、温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ（５Ｋｇｆ／ｃｍ２）で３０分間加熱圧着した。その後、支持体のみを剥がし、１８０℃の窒素オーブン中に６０分間、放置し、ドライフィルムを積層させ、電気絶縁層（Ａ２）を形成させた。ドライフィルムを積層した部分に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて直径３０ミクロンの層間接続のビアホールを形成した。
得られた基板を、過マンガン酸濃度０．３ｍｏｌ／ｌ、苛性ソーダ濃度３．０ｍｏｌ／ｌになるように調整した８０℃の水溶液に約１０分浸漬させた後、水洗、乾燥させた。
該基板を、銅スパッタによって、ビアホールの壁面及び積層板表面全面に厚さ０．１ミクロンの銅の薄膜を形成した。
その後、この積層板表面に市販の感光性ドライフィルムを熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム上に所定のパターンのマスクを密着させ露光した後、現像してメッキレジストパターンを得た。次にメッキレジスト非形成部分に電解銅メッキを施し厚さ１２ミクロンの電解銅メッキ膜を得た。
メッキレジストを剥離液にて剥離除去した後、レジスト膜下のスパッタ膜を塩化第二銅と塩酸混合溶液により除去して配線パターン（導電体回路（Ｂ２））を形成し、多層回路基板を得た。この多層回路基板の評価結果を表１に示す。
【００７８】
実施例２
過マンガン酸を含有する溶液に基板を浸漬した代わりに、アルゴンプラズマ中に基板を１０分間放置した以外は実施例１と同様にしてＲａが２ｎｍの内層基板を得、さらに実施例１と同様にして多層回路基板を得た。この多層回路基板の評価結果を表１に示す。
【００７９】
実施例３
実施例１で使用した硬化性組成物中のマレイン酸変性開環重合体水素添加物の代わりにエポキシ樹脂（商品名：エピコート１００１：油化シェルエポキシ株式会社製）を使用し、硬化性組成物にジシアンジアミド３部を追加したこと以外は実施例１と同様にして支持体付きドライフィルムを得、この支持体付きドライフィルムを用いて実施例２と同様にして内層基板および多層回路基板を得た。内層基板の表面粗さＲａは１００ｎｍであった。結果を表１に示す。
【００８０】
［比較例］
実施例１で使用したポリエチレンナフタレートの代わりに、厚さ１８ミクロンの電解銅箔（株式会社ジャパンエナジー製  ＪＴＣ箔）を使用した以外は実施例１と同様にして支持体付きフィルム（樹脂部分の厚み３５μｍ）を得た。
そして、上記の支持体付きフィルムを、実施例１同様にコア基板両面に重ね、真空プレス機を用いて、常温にて１３３．３Ｐａ（１ｍｍＨｇ  ｖａｃ．）まで真空にした後、毎分１０℃で１２０℃まで昇温し、１２０℃に到達した時点でプレス圧力３ＭＰａ（３０Ｋｇｆ／ｃｍ２）で３０分間保持し、次いでプレス圧力を３ＭＰａ（３０Ｋｇｆ／ｃｍ２）に維持したままで毎分１０℃で１８０℃まで昇温し、１８０℃に到達した時点で６０分間保持して積層板を得、該積層板を５０℃の過硫酸アンモニウム２５０ｇ／ｌの水溶液に、２時間浸漬し、基板表面の銅箔を全面剥離し、次いで積層板を水で洗浄、乾燥して電気絶縁層（Ａ１）を得たこと以外は実施例１と同様にしてＲａが２．５μｍの内層基板を得た。
この内層基板を前述と同様にして（銅箔）支持体付きフィルムを積層して電気絶縁層（Ａ２）を形成した以外は実施例１と同様にして多層回路基板を得た。結果を表1に示す。
【００８１】
【表１】
0004637984.tif 000002