(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末とＺｎ−Ｂ系ガラス粉末１００〜１０００ｐｐｍとからなるフェライト粉体であって、前記Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末の組成範囲が、Ｆｅ２Ｏ３が４８．５〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが６〜１２ｍｏｌ％、ＺｎＯが２８〜３４ｍｏｌ％、ＣｕＯが７〜１５ｍｏｌ％であり、当該フェライト粉体の比表面積が５．０〜１０．０ｍ２／ｇであって、圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であることを特徴とするフェライト粉体。
【請求項２】
請求項１記載のフェライト粉体において、Ｚｎ−Ｂ系ガラス粉末の成分が、Ｎａ２Ｏ、ＰｂＯを含有しないＺｎ−Ｂ系ガラス粉末であることを特徴とするフェライト粉体。
【請求項３】
請求項１または２記載のフェライト粉体と結合材料とを用いてシート状に成膜してなることを特徴とするグリーンシート。
【請求項４】
請求項１または２記載のフェライト粉体を加圧成形した後、焼結してなる焼結密度が５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であることを特徴とするフェライト焼結体。
【請求項５】
請求項３記載のグリーンシートを積層した後、焼結してなる焼結密度が５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であることを特徴とするフェライト焼結体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い透磁率を有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に関し、詳しくは９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高透磁率のフェライト焼結体を得ることができるフェライト粉体、グリーンシート並びに焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化、高周波化に伴い、これらに用いられる各種電子部品も小型化、低背化が要求されている。
【０００３】
例えば、電子機器の電子回路に用いられるインダクタは、磁心または空芯ボビンに絶縁被覆を有する銅線を巻線してコイルを形成する巻線型から、フェライト焼結型の積層型チップインダクタが実用化されている。
【０００４】
この積層型チップインダクタは次の製造工程を経て製造される。即ち、フェライト粉末を含むペーストをシート状に成膜してなるグリーンシートに、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料を含むペーストを用いて導電パターンを印刷などにより形成した後、これらを積層し、所定温度において焼結させて、外部電極を形成する工程で製造される。
【０００５】
ところで、上述の如く積層型チップインダクタの製造工程においては、電極材料とフェライトの積層体を同時焼成する方法を採っているために、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料とフェライトの界面反応（相互拡散）によってフェライト本来の特性が劣化するという問題点を有しており、この問題を回避するためには約９００℃以下という低温で焼成する必要があるとされている。
【０００６】
しかし、９００℃以下の温度で焼成した場合には、積層型チップインダクタ用の磁性体として透磁率等の電磁気特性に優れたＮｉ系フェライト焼結体が得られ難く、特に十分に高い透磁率を得ることは困難であった。
【０００７】
これまで、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末について、低温においても焼成可能な技術が幾つか提案されている。例えば、低温で焼結させるため微粉砕により、仮焼成後の粉体の比表面積を６．０ｍ２／ｇ以上とすることで、緻密な焼結体を作製し、高い透磁率を得る方法（特許文献１）がある。また、焼結助剤であるホウケイ酸ガラスを添加することで焼結時に液相を生成させ、フェライトの粒成長を促進して透磁率を高くする方法（特許文献２）、他にもガラス成分を添加する方法として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏからなるガラス成分を添加して、液相焼結を形成し、フェライトの粒成長を促進して透磁率を高くする方法（特許文献３）がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１０９３２４号公報
【特許文献２】特開平５−３２６２４１号公報
【特許文献３】特開２０００−２０８３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１記載の技術においては、ガラス成分を添加しておらず、液相焼結の効果が少なく、フェライトの粒成長を促進できないため、透磁率を十分に高くできない問題があった。
【００１０】
特許文献２又は３記載の技術では、ガラス成分を添加することで、焼結時に液相を生成させ、フェライトの粒成長を促進して透磁率を高くする方法を採っているが、特許文献１では、ホウケイ酸ガラスを用いて、フェライトの粒成長を促進しても、その透磁率は最高で１５００程度であり、十分ではなかった。また、ガラス粉末の成分に環境負荷の大きいＰｂＯを含んでいるため、使用に好ましくない。また、特許文献３では、ガラス成分として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｎａ２Ｏを使用しているが、Ｎａはフェライトの透磁率を大きく減少させるため、液相焼結による透磁率の上昇の効果も十分ではない。また、Ｎａは他の電子機器にも悪影響を与えるため好適でない。
【００１１】
そこで、本発明は、上記従来の技術における課題を解決し、高い透磁率を有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末に関し、詳しくは９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高透磁率のフェライト焼結体を得ることができる粉末、グリーンシート並びに焼結体である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記技術的課題は、次の通りの本発明によって達成できる。
【００１３】
即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末とＺｎ−Ｂ系ガラス粉末１００〜１０００ｐｐｍとからなるフェライト粉体であって、前記Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末の組成範囲が、Ｆｅ２Ｏ３が４８．５〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが６〜１２ｍｏｌ％、ＺｎＯが２８〜３４ｍｏｌ％、ＣｕＯが７〜１５ｍｏｌ％であり、当該フェライト粉体の比表面積が５．０〜１０．０ｍ２／ｇ、圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であることを特徴とするフェライト粉体である。
【００１４】
また、本発明は、前記フェライト粉体において、Ｚｎ−Ｂ系ガラス粉末の成分としては、Ｎａ２Ｏ、ＰｂＯを含有しないＺｎ−Ｂ系ガラス粉末であることを特徴とするフェライト粉体である。
【００１５】
また、本発明は、前記フェライト粉体と結合材料とを用いてシート状に成膜してなるグリーンシートである。
【００１６】
また、本発明は、前記フェライト粉体を加圧成形した後、焼結してなる焼結密度が５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であることを特徴とするフェライト焼結体である。
【００１７】
また、本発明は、前記グリーンシートを積層した後、焼結してなる焼結密度が５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であることを特徴とするフェライト焼結体である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るフェライト粉体は、高い透磁率を有するフェライト焼結体を９００℃以下の低温で得ることができるので、フェライト焼結体の前駆体として好適である。
【００１９】
本発明に係るフェライト粉体を含有するグリーンシートは、高い透磁率を有するフェライト焼結体を９００℃以下の低温で得ることができるので、フェライト焼結体の前駆体として好適である。
【００２０】
本発明に係るＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体は、９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高い透磁率を有するので、積層型チップインダクタ用の磁性体として好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の構成をより詳しく説明すれば次の通りである。
【００２２】
まず、本発明におけるフェライト粉体について説明する。
【００２３】
本発明に係るフェライト粉体とは、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末とＺｎ−Ｂ系ガラス粉末１００〜１０００ｐｐｍとからなるフェライト粉体であり、該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末とは、原料混合後に仮焼成を行った後、粉砕して得た粉末のことである。該フェライト粉体の比表面積としては、５．０〜１０．０ｍ２／ｇであり、かつ圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３以上である。
【００２４】
本発明に係るフェライト粉体の比表面積が５．０ｍ２／ｇ未満の場合、焼結時の反応性が低いため、９００℃以下の低い温度では十分に焼結せず、高い透磁率を得ることができない。また、比表面積が５．０〜１０．０ｍ２／ｇの範囲であれば十分に高い透磁率を得ることができ、１０．０ｍ２／ｇを超えるフェライト粉末は長時間の粉砕が必要となり、生産性に問題があるため好ましくない。好ましくは５．１〜９．０ｍ２／ｇである。
【００２５】
本発明に係るフェライト粉体の圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３未満の場合、粉末間の密着性が悪く、十分に高い透磁率を得ることができない。好ましくは３．２０〜３．３４×１０３ｋｇ／ｍ３である。
【００２６】
本発明に係るフェライト粉体の比表面積が５．０〜１０．０ｍ２／ｇの範囲であっても、圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３未満であると、未反応の原料が多く残留し、焼結性が低下し、十分に高い透磁率を得ることができない。
【００２７】
本発明に係るフェライト粉体の圧縮密度が３．２０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であっても、比表面積が５．０ｍ２／ｇ未満であると、仮焼成の段階でフェライトの粒成長が進んでしまっており、焼結時に熱収縮が起こり難く、緻密な焼結体とならないため、十分に高い透磁率を得ることができない。
【００２８】
次に、本発明におけるＺｎ−Ｂ系ガラス粉末について説明する。
【００２９】
本発明におけるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末に添加する焼結助剤としてはＺｎ−Ｂ系ガラス粉末であり、その添加量は、該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末に対して１００〜１０００ｐｐｍの範囲である。
【００３０】
本発明におけるＺｎ−Ｂ系ガラス粉末の添加量が、１００ｐｐｍ未満の場合、液相焼結の効果が少なく、フェライトの粒成長を促進できないため、透磁率を十分に高くできない。また、Ｚｎ−Ｂ系ガラス粉末の添加量が、１０００ｐｐｍを超える場合、焼結体中にガラス相が非磁性層として占める割合が多く、反磁界の影響により、透磁率が低下してしまうため好ましくない。より好ましくは１２０〜８００ｐｐｍである。
【００３１】
本発明における焼結助剤としてのＺｎ−Ｂ系ガラス粉末の成分としては、Ｎａ２Ｏ、ＰｂＯを含有せず、少なくともＺｎＯ，Ｂ２Ｏ３を含有したガラス粉末である。また、他のガラス成分としては、特に限定されるものでない。好ましくは上記ＺｎＯ，Ｂ２Ｏ３以外に、ＳｉＯ２，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ，Ｌｉ２Ｏ，Ａｌ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ３から選ばれる１種又は２種以上を含有するガラス粉末である。より好ましくは３０〜８５重量％のＺｎＯ、５〜５０重量％のＢ２Ｏ３を含有するガラス粉末がよい。
【００３２】
本発明におけるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末の成分について説明する。本発明におけるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末の組成範囲としては、Ｆｅ２Ｏ３が４８．５〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯが６〜１２ｍｏｌ％、ＺｎＯが２８〜３４ｍｏｌ％、ＣｕＯが７〜１５ｍｏｌ％であることが好ましい。
【００３３】
本発明におけるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末の組成範囲として、上記範囲に限定した理由を詳細に説明する。Ｆｅ２Ｏ３が４８．５ｍｏｌ％未満では、透磁率が十分に高くならない。一方、Ｆｅ２Ｏ３が５０ｍｏｌ％を超える場合は、焼結性が著しく低下し、透磁率が高くならない。
また、ＮｉＯが６ｍｏｌ％未満では、キュリー点が低下し、使用温度範囲内で高い透磁率を維持できない。一方、ＮｉＯが１２ｍｏｌ％を超える場合は、透磁率が十分に高くならない。
また、ＺｎＯが３０ｍｏｌ％未満では、透磁率が高くならない。一方、ＺｎＯが３４ｍｏｌ％を超える場合は、キュリー点が低下し、使用温度範囲内で高い透磁率を維持できない。
また、ＣｕＯは、低温での焼結性を向上させるために使用しているため、ＣｕＯが７ｍｏｌ％未満では、焼結性が著しく低下し、透磁率が高くならない。一方、ＣｕＯが１２ｍｏｌ％を超える場合は、透磁率が十分に高くならない。
好ましくはＦｅ２Ｏ３が４９〜４９．８ｍｏｌ％、ＮｉＯが８〜１０ｍｏｌ％、ＺｎＯが３０〜３３ｍｏｌ％、ＣｕＯが８〜１２ｍｏｌ％である。
【００３４】
次に、本発明に係るフェライト粉体の製造法について述べる。
【００３５】
本発明に係るフェライト粉体は、各種金属酸化物、炭酸塩等の原料を混合した後、仮焼成を行い、次いで、粉砕してＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末を製造する過程において、仮焼後にＺｎ−Ｂ系ガラス粉末を添加することによって得ることができる。
【００３６】
該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの原料にはＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを用いる。各種金属の混合割合は、前記所定の混合比となるようにすればよい。
【００３７】
原料混合方法としては、公知のいずれの方法をも使用できるが、湿式アトライターや、湿式ボールミルが好ましい。
【００３８】
仮焼成は、７００〜８００℃で０．５〜３時間が好ましい。
【００３９】
粉砕方法は、公知のいずれの方法をも使用できるが、まず、アトマイザーで粗粉砕を行った後、乾式振動ミルや湿式ボールミルで微粉砕を行う方法が好ましい。
【００４０】
仮焼後のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末に対して、Ｚｎ−Ｂ系ガラスを添加・混合すればよい。Ｚｎ−Ｂ系ガラスの添加時期は、特に限定しないが、より好ましくは前記微粉砕時に添加する。
【００４１】
次に、本発明におけるグリーンシートについて説明する。
【００４２】
グリーンシートとは、積層型チップインダクタを製造する際の被焼結物となるもので、該フェライト粉体を結合材料、可塑剤及び溶剤等と混合して塗料とし、該塗料をドクターブレード式コーター等で数μｍから数百μｍの厚さに成膜した後乾燥してなるシートである。このグリーンシートをその表面にＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料を含むペーストを用いて導電パターンを印刷などにより形成した後、これらを積層し、所定温度において焼結させて、外部電極を形成する工程により積層型チップインダクタを得ることができる。
【００４３】
本発明におけるグリーンシートは、フェライト粉体１００重量部と結合材料が２〜２０重量部、好ましくは４〜１５重量部と可塑剤が０．５〜１５重量部、好ましくは２〜１０重量部とからなる。また、成膜後の乾燥が不十分なことにより溶剤が残留しいてもよい。
【００４４】
結合材料の種類は、ポリビニルブチラール、ポリアクリル酸エステル、ポリメチルメタクリレート、塩化ビニル、ポリメタクリル酸エステル、エチレンセルロース、アビエチン酸レジン等であり、ポリビニルブチラールが好ましい。
【００４５】
結合材料が２重量部未満の場合は、グリーンシートが脆くなりやすい。強度の点からその上限値は２０重量部で十分である。
【００４６】
可塑剤の種類は、フタル酸ベンジル−ｎ−ブチル、ジブチルフタレート、ジメチルフタレート、ポリエチレングリコール、フタル酸エステル、ブチルステアレート、メチルアジテート等であり、フタル酸ベンジル−ｎ−ブチルが好ましい。
【００４７】
可塑剤が０．５重量部未満の場合は、グリーンシートが固くなり、ひび割れを生じやすくなる。可塑剤が１５重量部を超える場合は、グリーンシートが軟らかくなる。
【００４８】
本発明におけるグリーンシートの製造にあたっては、フェライト粉体１００重量部に対して、２０〜１５０重量部の溶剤を使用する。好ましくは、３０〜１２０重量部である。溶剤が上記範囲外である場合は、均一なグリーンシートが得られないので、得られる焼結体は、特性にバラツキがあるものとなりやすい。
【００４９】
本発明におけるグリーンシートの製造に用いる溶剤の種類は、アセトン、ベンゼン、ブタノール、エタノール、メチルエチルケトン、トルエン、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、酢酸ｎ−ブチル等であり、メチルエチルケトン、トルエンが好ましい。
【００５０】
次に、本発明に係るフェライト焼結体について説明する。
【００５１】
本発明に係るフェライト焼結体は、本発明に係る前記フェライト粉体を金型を用いて、０．３〜３．０×１０４ｔ／ｍ２の圧力で加圧する、所謂、粉末加圧成形法により得られた成形体、又は、本発明における前記フェライト粉体を含有するグリーンシートを積層して得られた、所謂、グリーンシート法により得られた積層体を８００〜９００℃、好ましくは８７０〜９００℃で１〜２０時間、好ましくは１〜１０時間焼結することによって得ることができる。成形方法としては、公知のいずれの方法をも使用できるが、上記粉末加圧成形法や、グリーンシート法が好ましい。
【００５２】
焼結温度が８００℃未満の場合には、本発明の目的とする焼結密度が５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であるフェライト焼結体を得ることが困難となる。また、焼結温度が９００℃を超える場合には、電極材料とフェライトの積層体を同時焼成する方法を採っているために、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の電極材料とフェライトの界面反応（相互拡散）によってフェライト本来の特性が劣化する。
【００５３】
本発明におけるフェライト焼結体の密度は、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００であるフェライト焼結体を得るためには、５．０×１０３ｋｇ／ｍ３以上、好ましくは５．１５×１０３ｋｇ／ｍ３以上である。
【００５４】
＜作用＞
本発明によると、高い透磁率を有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に関し、詳しくは９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高透磁率のフェライト焼結体を得ることができる粉末、グリーンシート並びに焼結体を得ることが可能となる。
【００５５】
本発明についてさらに詳しく説明すると、９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高透磁率のフェライト焼結体を得るためには、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末と、焼結助剤としてＺｎ−Ｂ系ガラス粉末を組み合わせたフェライト粉体であり、該フェライト粉体の比表面積と圧縮密度を同時に制御することが効果的であることを見いだした。
【００５６】
本発明においては、Ｚｎ−Ｂ系ガラス粉末を採用することにより、ホウケイ酸ガラスやＮａ−Ｓｉ−Ｂ系ガラス等と比較して、透磁率を高くする効果が高いことを見出した。この要因として、Ｚｎ−Ｂ系ガラスにはフェライトの特性を劣化させる原因となる元素が少ないこと、より低い温度で液相焼結を形成しやすいことなどが考えられる。
【実施例】
【００５７】
以下に、本発明の実施例を比較例と対比して示す。
【００５８】
フェライト粉体の比表面積は、「ＭｏｎｏＳｏｒｂ  ＭＳ−ＩＩ」（湯浅アイオニック（株）製）を用いてＢＥＴ法により測定した。
【００５９】
フェライト粉体の圧縮密度は、該フェライト粉体を１．０×１０４ｔ／ｍ２の圧力で圧縮した時の、寸法と重量を測定し、計算で求めた。
【００６０】
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体の焼結密度は、寸法と重量を測定し、計算で求めた。
【００６１】
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体の透磁率は、リング状の焼結体に巻線を施し、インピーダンス・ゲインフェーズアナライザー「４１９４Ａ」（アジレント・テクノロジー（株））製）により測定した。
【００６２】
実施例１
＜フェライト粉体の作製＞
まず、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末を作製した。原料としてＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを用い、組成比として、Ｆｅ２Ｏ３が４９．５ｍｏｌ％、ＮｉＯが８．５ｍｏｌ％、ＺｎＯが３２．０ｍｏｌ％、ＣｕＯが１０．０ｍｏｌ％となるように秤量して、アトライターを用いて３０分間の湿式配合を行った後、この混合物を濾別・乾燥し、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト原料混合物を得た。該Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト原料混合物を７５０℃において、１．５時間の仮焼成を行った。続いて、該仮焼成品をアトマイザーにより粗粉砕を行い、該粗粉砕品にＺｎ−Ｂ系ガラス粉末を３００ｐｐｍ添加し、振動ミルを用いて３時間の乾式微粉砕を行い、フェライト粉体を得た。
【００６３】
このときの製造条件及び得られた粉末の諸特性を表１に示す。
【００６４】
実施例２〜６、比較例１〜８
Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト原料混合物の仮焼成温度、ガラス粉末の種類及び添加量、フェライト粉体の微粉砕時間を種々変化させた以外は、前記実施例１と同様にフェライト粉体を作製した。
【００６５】
このときの製造条件及び得られた粉末の諸特性を表１に示す。
【００６６】
実施例７
＜Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体の作製＞
実施例１のフェライト粉体１００重量部に対して、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）６％水溶液１０重量部を添加混合した後、該粉末６．５ｇを秤量し、金型を用いて外形２５ｍｍφ、内径１５ｍｍφ、厚さ６ｍｍに加圧成型（プレス圧１．０×１０４ｔ／ｍ２）した。この成型体を焼結温度９００℃において、２時間の焼結を行った。
【００６７】
このときの製造条件及び得られた焼結体の諸特性を表２に示す。
【００６８】
実施例８〜１３、比較例９〜１４
フェライト粉体の種類、加圧成型の圧力、焼結温度及び焼結時間を種々変化させた以外は、前記実施例７と同様、粉末加圧成型法によってＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体を作製した。
【００６９】
このときの製造条件及び得られた焼結体の諸特性を表２に示す。
【００７０】
実施例１４
実施例１と同様のフェライト粉体を作製し、該フェライト粉体１００重量部に対して結合材料ポリビニルブチラール「エスレックＢ  ＢＬ−Ｓ」（商品名、積水化学工業（株）製）７重量部と可塑剤フタル酸ベンジル−ｎ−ブチル（東京化成工業（株）製試薬）４．４重量部と溶剤として酢酸ｎ−ブチル試薬特級（米山薬品工業（株）製）３０重量部及びメチルエチルケトン（日本化成品（株）製）３０重量部とを加えて、ボールミルで１５時間混合して塗料を作製した。この塗料をドクターブレード式コーターによってＰＥＴフィルム上に塗布して、塗膜を形成した後、乾燥することにより膜厚７５μｍのグリーンシートを得た。これを縦３６ｍｍ×横３６ｍｍの大きさに切断して１４枚を積層した後、０．３５×１０４ｔ／ｍ２の圧力で加圧して厚み約１ｍｍのグリーンシート積層体を得た。得られたグリーンシート積層体を９００℃、２時間で焼結し、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体を得た。得られたＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体は、超音波加工機により、リング状に切り出した。
【００７１】
このときの製造条件及び得られた焼結体の諸特性を表２に示す。
【００７２】
実施例１５、比較例１５〜１７
フェライト粉体の種類、加圧成型の圧力、焼結温度及び焼結時間を種々変化させた以外は、前記実施例１４と同様、グリーンシート成型法によってＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体を作製した。
【００７３】
このときの製造条件及び得られた焼結体の諸特性を表２に示す。
【００７４】
前記実施例から明らかなとおり、本発明に係るフェライト粉体は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末と焼結助剤としてＺｎ−Ｂ系ガラス粉末とを組み合わせており、該フェライト粉体の比表面積と圧縮密度とを同時に制御したことにより、９００℃以下の低い温度で焼結することができ、しかも高透磁率のＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体を得ることができる。
【００７５】
本発明に係るフェライト粉体、及び該フェライト粉体末を用いたグリーンシートから作製したＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体は、いずれも、焼結密度が５．１５×１０３ｋｇ／ｍ３以上であって、１００ｋＨｚにおける透磁率が１８００〜２３００と優れた電磁気特性を有する。
【００７６】
一方、表１、２の比較例１〜１７の諸特性から、フェライト粉体の比表面積と圧縮密度、及び焼結助剤としてのガラス粉末の種類と添加量のいずれかが欠けているため、十分に高い透磁率を得ることができない。
【００７７】
【表１】
0004753016.tif 000002
【００７８】
【表２】
0004753016.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明に係るフェライト粉体は、高い透磁率を有するフェライト焼結体を９００℃以下の低温で得ることができるので、フェライト焼結体の前駆体として好適であり、得られるＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト焼結体は、高い透磁率を有するので、積層型チップインダクタ用の磁性体として好適である。