(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に配線層を有するベース基板と、
上記ベース基板上に、誘電絶縁材料をスピンコート法で塗布することにより形成された誘電絶縁層と、当該誘電絶縁層上に薄膜形成された受動素子とを有する高周波素子部とを備え、
上記誘電絶縁層の形成面上に上記誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部が配置されることにより、上記誘電絶縁層に厚みが部分的に大となる肉厚部が形成されており、
上記受動素子が、上記誘電絶縁層の肉厚部上に形成されている高周波モジュール装置。
【請求項２】
上記ベース基板は、上記高周波素子部の形成面が研磨加工により平坦化された有機配線基板である請求項１記載の高周波モジュール装置。
【請求項３】
上記流動抑制部は、上記受動素子が形成される領域の周囲を囲むように配置されている請求項１記載の高周波モジュール装置。
【請求項４】
上記流動抑制部は、メッキ法により厚膜形成された金属膜である請求項１記載の高周波モジュール装置。
【請求項５】
上記金属膜は、上記ベース基板及び上記高周波素子部と電気的に接続されている請求項４記載の高周波モジュール装置。
【請求項６】
主面上に配線層を有するベース基板を形成するベース基板形成工程と、
上記ベース基板上にスピンコート法により誘電絶縁材料を塗布することにより形成された誘電絶縁層と、当該誘電絶縁層上に薄膜形成された受動素子とを有する高周波素子部を形成する高周波素子部形成工程とを有し、
上記高周波素子部形成工程が、
上記ベース基板上に上記スピンコート法により塗布される上記誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部を形成する流動抑制部形成工程と、
上記流動抑制部が形成される上記ベース基板上に、上記スピンコート法により塗布された上記誘電絶縁材料の流れが上記流動抑制部により抑制されることで部分的に厚みが大となる肉厚部を有する上記誘電絶縁層を形成する誘電絶縁層形成工程と、
上記誘電絶縁層の肉厚部上に上記受動素子を形成する受動素子形成工程と
を有する高周波モジュール装置の製造方法。
【請求項７】
上記ベース基板形成工程において、有機配線基板が用いられ、上記高周波素子部の形成面に研磨加工を施して平坦化する工程を有する請求項６記載の高周波モジュール装置の製造方法。
【請求項８】
上記流動抑制部形成工程が、上記流動抑制部を上記受動素子が形成される領域の周囲を囲むように形成する工程である請求項６記載の高周波モジュール装置の製造方法。
【請求項９】
上記流動抑制部形成工程が、メッキ法により金属膜を厚膜形成して上記流動抑制部を形成する工程である請求項６記載の高周波モジュール装置の製造方法。
【請求項１０】
上記流動抑制部形成工程が、上記金属膜を上記ベース基板と上記高周波素子部とに電気的に接続する工程を有する請求項９記載の高周波モジュール装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータ、携帯電話機、オーディオ機器等の各種電子機器に好適に搭載され、情報通信機能やストレージ機能等を有して超小型通信機能モジュールを構成する高周波モジュール装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、音楽、音声或いは画像等の各種情報は、近年、データのデジタル化に伴ってパーソナルコンピュータやモバイルコンピュータ等によっても手軽に扱えるようになっている。また、これらの情報は、音声コーデック技術や画像コーデック技術により帯域圧縮が図られて、デジタル通信やデジタル放送により各種の通信端末機器に対して容易にかつ効率的に配信される環境が整いつつある。例えば、オーディオ・ビデオデータ（ＡＶデータ）は、携帯電話機によって屋外での受信も可能である。
【０００３】
ところで、データ等の送受信システムは、家庭を始めとして小規模な地域内においても好適なネットワークシステムの提案によって、様々に活用されるようになっている。ネットワークシステムとしては、例えばＩＥＥＥ８０２．１１ａで提案されているような５ＧＨｚ帯域の狭域無線通信システム、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂで提案されているような２．４５ＧＨｚ帯域の無線ＬＡＮシステム或いはＢｌｕｅｔｏｏｔｈと称される近距離無線通信システム等の種々の次世代ワイヤレスシステムが注目されている。
【０００４】
データ等の送受信システムは、かかるワイヤレスネットワークシステムを有効に利用して、家庭内や屋外等の様々な場所において手軽にかつ中継装置等を介することなく様々なデータの授受、インターネット網へのアクセスやデータの送受信が可能となっている。
【０００５】
一方、データ等の送受信システムにおいては、小型軽量で携帯可能であり上述した通信機能を有する通信端末機器の実現が必須となる。通信端末機器においては、送受信部においてアナログの高周波信号の変復調処理を行うことが必要であることから、一般に図２７に示すような送受信信号からいったん中間周波数に変換するようにしたスーパーへテロダイン方式による高周波送受信回路１００が備えられる。
【０００６】
高周波送受信回路１００には、アンテナや切替スイッチを有して情報信号を受信或いは送信するアンテナ部１０１と、送信と受信との切替を行う送受信切替器１０２とが備えられる。高周波送受信回路１００には、周波数変換回路部１０３や復調回路部１０４等からなる受信回路部１０５が備えられる。高周波送受信回路１００には、パワーアンプ１０６やドライブアンプ１０７及び変調回路部１０８等からなる送信回路部１０９が備えられる。高周波送受信回路１００には、受信回路部１０５や送信回路部１０９に基準周波数を供給する基準周波数生成回路部が備えられる。
【０００７】
以上のような構成の高周波送受信回路１００においては、詳細を省略するが、各段間にそれぞれ介挿された種々のフィルタ、局発装置（ＶＣＯ）、ＳＡＷフィルタ等の大型機能部品や、整合回路或いはバイアス回路等の高周波アナログ回路に特有なインダクタ、抵抗、キャパシタ等の受動部品の点数が非常に多い構成となっている。したがって、高周波送受信回路１００は、全体に大型となり、通信端末機器の小型軽量化に大きな障害となっていた。
【０００８】
一方、通信端末機器には、図２８に示すように中間周波数への変換を行わずに情報信号の送受信を行うようにしたダイレクトコンバージョン方式による高周波送受信回路１１０も用いられる。高周波送受信回路１１０においては、アンテナ部１１１によって受信された情報信号が送受信切替器１１２を介して復調回路部１１３に供給されて直接ベースバンド処理が行われる。高周波送受信回路１１０においては、ソース源で生成された情報信号が変調回路部１１４において中間周波数に変換されることなく直接所定の周波数帯域に変調され、アンプ１１５と送受信切替器１１２を介してアンテナ部１１１から送信される。
【０００９】
以上のような構成の高周波送受信回路１１０においては、情報信号について中間周波数の変換を行うことなくダイレクト検波を行うことによって送受信する構成であることから、フィルタ等の部品点数が低減されて全体構成の簡易化が図られ、より１チップ化に近い構成が見込まれるようになる。しかしながら、高周波送受信回路１１０においても、後段に配置されたフィルタ或いは整合回路の対応が必要となる。また、高周波送受信回路１１０は、高周波段で一度の増幅を行うことから充分なゲインを得ることが困難となり、ベースバンド部でも増幅操作を行う必要がある。したがって、高周波送受信回路１１０は、ＤＣオフセットのキャンセル回路や余分なローパスフィルタを必要とし、さらに全体の消費電力が大きくなるといった問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波送受信回路は、上述したようにスーパーへテロダイン方式及びダイレクトコンバージョン方式のいずれにおいても、通信端末機器の小型軽量化等の要求仕様に対して充分な特性を満足し得ないものであった。このため、高周波送受信回路については、例えばＳｉ−ＣＭＯＳ回路等をベースとして簡易な構成によって小型化を図ったモジュール化について種々の試みが図られている。すなわち、試みの１つは、例えば特性のよい受動素子をＳｉ基板上に形成するとともにフィルタ回路や共振器等をＬＳＩ上に作り込み、さらにベースバンド部分のロジックＬＳＩも集積化することで、いわゆる１チップ化高周波モジュールを製作する方法である。
【００１１】
しかしながら、この１チップ化高周波モジュールにおいては、図２９に示すように、いかにして性能のよいインダクタ部１２０をＬＳＩ上に形成するかが極めて重要となる。かかる１チップ化高周波モジュールでは、Ｓｉ基板１２１及びＳｉＯ２絶縁層１２２のインダクタ部形成部位１２３に対応して大きな凹部１２４を形成する。１チップ化高周波モジュールは、凹部１２４に臨ませて第１の配線層１２５を形成するとともに凹部１２４を閉塞する第２の配線層１２６が形成されてコイル部１２７を構成する。また、１チップ化高周波モジュールは、他の対応として配線パターンの一部を基板表面から立ち上げて空中に浮かすといった対応を図ることによってインダクタ部１２０が形成されていた。しかしながら、この１チップ化高周波モジュールは、いずれもインダクタ部１２０を形成する工程が極めて面倒であり、工程の増加によってコストがアップするといった問題があった。
【００１２】
また、この１チップ化高周波モジュールにおいては、アナログ回路の高周波回路部と、デジタル回路のベースバンド回路部との間に介在するＳｉ基板の電気的干渉が大きな問題となった。
【００１３】
以上のような欠点を改善する高周波モジュールとしては、例えば図３０に示したＳｉ基板をベース基板に用いた高周波モジュール１３０や、図３１に示したガラス基板をベース基板に用いた高周波モジュール１４０が提案されている。
【００１４】
この高周波モジュール１３０は、Ｓｉ基板１３１上にＳｉＯ２層１３２を形成した後に、リソグラフィ技術によって受動素子形成層１３３が成膜形成されてなる。
【００１５】
受動素子形成層１３３には、詳細を省略するが、その内部に配線パターンとともにインダクタ部、抵抗体部或いはキャパシタ部等の受動素子が薄膜形成技術や厚膜形成技術によって多層に形成されている。
【００１６】
高周波モジュール１３０は、受動素子形成層１３３上にビア（中継スルーホール）等を介して内部配線パターンと接続された端子部が形成され、これら端子部にフリップチップ実装法等により高周波ＩＣやＬＳＩ等の回路素子１３４が直接実装されて構成される。この高周波モジュール１３０は、例えばマザー基板等に実装することで、高周波回路部とベースバンド回路部とを区分して両者の電気的干渉を抑制することが可能とされる。
【００１７】
ところで、かかる高周波モジュール１３０においては、導電性を有するＳｉ基板１３１が、受動素子形成層１３３内に各受動素子を形成する際に機能するが、各受動素子の良好な高周波特性にとって邪魔になるといった問題があった。
【００１８】
一方、高周波モジュール１４０は、上述した高周波モジュール１３０におけるＳｉ基板１３１の問題を解決するために、ベース基板にガラス基板１４１が用いられている。高周波モジュール１４０も、ガラス基板１４１上にリソグラフィ技術によって受動素子形成層１４２が成膜形成されてなる。受動素子形成層１４２には、詳細を省略するが、その内部に配線パターンとともにインダクタ部、抵抗体部或いはキャパシタ部等の受動素子が薄膜形成技術や厚膜形成技術によって多層に形成されている。
【００１９】
高周波モジュール１４０は、受動素子形成層１４２上にビア等を介して内部配線パターンと接続された端子部が形成され、これら端子部にフリップチップ実装法等により高周波ＩＣやＬＳＩ等の回路素子１４３が直接実装されて構成される。この高周波モジュール１４０は、導電性を有しないガラス基板１４１を用いることで、ガラス基板１４１と受動素子形成層１４２との容量的結合度が抑制され受動素子形成層１４２内に良好な高周波特性を有する受動素子を形成することが可能である。
【００２０】
ところで、高周波モジュール１４０においては、例えばマザー基板等に実装するために、受動素子形成層１４２の表面に端子パターンを形成するとともにワイヤボンディング法等によってマザー基板との接続が行われる。したがって、高周波モジュール１４０は、端子パターン形成工程やワイヤボンディング工程が必要となる。
【００２１】
これらの１チップ化高周波モジュールにおいては、上述したようにベース基板上に高精度の受動素子形成層が形成される。ベース基板には、受動素子形成層を薄膜形成する際に、スパッタリング時の表面温度の上昇に対する耐熱特性、リソグラフィ時の焦点深度の保持、マスキング時のコンタクトアライメント特性が必要となる。ベース基板は、このために高精度の平坦性が必要とされるとともに、絶縁性、耐熱性或いは耐薬品性等が要求される。
【００２２】
上述したＳｉ基板１３１やガラス基板１４１は、かかる特性を有しておりＬＳＩと別プロセスにより低コストで低損失な受動素子の形成を可能とする。また、Ｓｉ基板１３１やガラス基板１４１は、従来のセラミックモジュール技術で用いられる印刷によるパターン等の形成方法或いはプリント配線基板に配線パターンを形成する湿式エッチング法等と比較して、高精度の受動素子の形成が可能であるとともに、素子サイズをその面積が１／１００程度まで縮小することを可能とする。さらに、Ｓｉ基板１３１やガラス基板１４１は、受動素子の使用限界周波数帯域を２０ＧＨｚまで高めることも可能とする。
【００２３】
ところで、かかる１チップ化高周波モジュールにおいては、上述したようなＳｉ基板１３１やガラス基板１４１上に受動素子とともに配線やグランド等が薄膜形成技術や厚膜形成技術によって多層に形成されている。このため、図３２に示す高周波モジュール２００においては、Ｓｉ基板１３１やガラス基板１４１上に形成された受動素子とグランド部２０１、ここでは主に、インダクタ部２０２とグランド部２０１との間の距離が近いことから寄生容量の影響によりインダクタ部２０２のインダクタンスのＱ値が劣化するといった問題があった。
【００２４】
高周波モジュール２００においては、かかる問題を防止するために、例えば第１の薄膜層２０３及び第２の薄膜層２０４を厚くしてインダクタ部２０２とグランド部２０１との距離を離し、インダクタ部２０２に対する寄生容量の影響を低減する方法が提案されている。また、高周波モジュール２００においては、図３３に示すように、インダクタ部２０２の下方にグランド部２０１が形成されない配線禁止領域Ａを施すことによりインダクタ部２０２に対する寄生容量の影響を低減する方法も提案されている。
【００２５】
しかしながら、第１の方法は、インダクタ部２０２と配線２０５とを配線するためのビア２０６を形成する際に第１の薄膜層２０３が厚くなったためにビア２０６の径が大きくなってしまい、高周波モジュール２００の厚みや面積が大型化するといった問題がある。
【００２６】
一方、第２の方法は、グランド部２０１がマイクロストリップ線路のシールド、ＲＦ電流が他の配線への干渉や不要な結合をすることを防ぐシールドとして機能していることから、配線禁止領域Ａでこれらのシールドが機能しなくなる。また、第２の方法は、グランド部２０１を電源や受動素子を電気的に接続させる配線としても機能させていることから、配線禁止領域Ａを避けて配線を施すことにより、高周波モジュール２００の面積が大型化するといった問題がある。
【００２７】
そこで、本発明は、ベース基板上に形成された配線層の受動素子に対する寄生容量の影響を低減するとともに、高機能化及び小面積化、小型化を図った高周波モジュール装置及びその製造方法を提供することを目的に提案されたものである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成する本発明にかかる高周波モジュール装置は、主面上に配線層を有するベース基板と、ベース基板上に、誘電絶縁材料をスピンコート法で塗布することにより形成された誘電絶縁層と、当該誘電絶縁層上に薄膜形成された受動素子とを有する高周波素子部とを備え、誘電絶縁層の形成面上に設けた誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部により、誘電絶縁層に厚みが部分的に大となる肉厚部が形成され、この誘電絶縁層の肉厚部上に受動素子が形成されていることを特徴としている。
【００２９】
以上のように構成された本発明にかかる高周波モジュール装置によれば、ベース基板の誘電絶縁層の形成面上に流動抑制部が設けられたことにより、回転操作された状態のベース基板に滴下された誘電絶縁材料の周面へと広がる流れが流動抑制部により抑制されて、誘電絶縁層に厚みが部分的に大となる肉厚部が形成される。したがって、高周波モジュール装置によれば、誘電絶縁層の肉厚部上に形成された受動素子とベース基板上に形成された配線層との距離が保持され、受動素子に対する配線層からの寄生容量の影響が低減される。
【００３０】
また、上述した目的を達成する本発明にかかる高周波モジュール装置の製造方法は、主面上に配線層を有するベース基板を形成するベース基板形成工程と、ベース基板上にスピンコート法により誘電絶縁材料を塗布することにより形成された誘電絶縁層と、当該誘電絶縁層上に薄膜形成される受動素子とを有する高周波素子部を形成する高周波素子部形成工程とを経て高周波モジュール装置を製造する。高周波素子部形成工程は、ベース基板上にスピンコート法により塗布される誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部を形成する流動抑制部形成工程と、流動抑制部が形成されたベース基板上に、スピンコート法により塗布された誘電絶縁材料の流れが流動抑制部により抑制されることで部分的に厚みが大となる肉厚部を有する誘電絶縁層を形成する誘電絶縁層形成工程と、誘電絶縁層の肉厚部上に受動素子を形成する受動素子形成工程とを有することを特徴とする。
【００３１】
以上のように構成された本発明にかかる高周波モジュール装置の製造方法によれば、流動抑制部形成工程によりベース基板上に形成された流動抑制部が、誘電絶縁層形成工程でスピンコート法により塗布された誘電絶縁材料の流れを抑制して誘電絶縁層に部分的な肉厚部を形成する。これにより、高周波モジュール装置の製造方法では、受動素子形成工程により誘電絶縁層の肉厚部上に形成された受動素子とベース基板上に形成された配線層との距離が保持され、受動素子に対する配線層からの寄生容量が低減された高周波モジュール装置が製造される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態として図１に示した高周波モジュール装置１は、詳細を後述するベース基板部製作工程で形成されたベース基板部２の最上層が高精度の平坦面からなる高周波素子層形成面３として構成されているとともに、この高周波素子層形成面３上に詳細を後述する高周波素子層部製作工程によって高周波素子層部４が形成されてなる。高周波モジュール装置１は、ベース基板部２が、上層に形成された高周波素子層部４に対する電源系の配線部や制御系の配線部或いはグランド部を構成する。高周波モジュール装置１には、図１に示すように、高周波素子層部４の上面に高周波ＩＣ９０やチップ部品９１が実装されるとともにシールドカバー９２によって封装される。高周波モジュール装置１は、いわゆる１チップ部品としてマザー基板９３上に実装される。
【００３３】
ベース基板部２は、両面基板からなるコア基板５と、このコア基板５をコアとしてその第１の主面５ａ側に形成された第１のパターン配線層６と、第２の主面５ｂ側に形成された第２のパターン配線層７とからなる。ベース基板部２には、コア基板５に対して第１の樹脂付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９が接合される。第１の樹脂付銅箔８は、コア基板５の第１の主面５ａ側に接合されて、このコア基板５とともに２層からなる第１のパターン配線層６を形成する。第２の樹脂付銅箔９は、コア基板５の第２の主面５ｂ側に接合されて、このコア基板５とともに２層からなる第２のパターン配線層７を形成する。
【００３４】
ベース基板部２の構成並びに作製工程について、以下図２乃至図１０を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
ベース基板部２の製作工程は、図２に示すように、コア基板５の第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂに適宜の第１のパターン配線層１２及び第２のパターン配線層１３やコア基板５を貫く複数のビアホール１４を形成する第１のパターン配線層形成工程ｓ−１と、コア基板５の第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂに第１の樹脂付銅箔８と第２の樹脂付銅箔９とをそれぞれ接合する第１の銅箔接合工程ｓ−２と、これら樹脂付銅箔８、９とにビア１５、１６を形成するビア形成工程ｓ−３とを有する。ベース基板部２の製作工程は、接合された樹脂付銅箔８、９にそれぞれ適宜の第３のパターン配線層１７及び第４のパターン配線層１８とを形成する第２のパターン配線層形成工程ｓ−４とを経て、ベース基板中間体１９を製作する。
【００３６】
ベース基板部２の製作工程は、ベース基板中間体１９に対して第３のパターン配線層１７及び第４のパターン配線層１８を被覆する第３の樹脂付銅箔１０と第２の樹脂付銅箔１１とをそれぞれ接合する第２の銅箔接合工程ｓ−５を有する。ベース基板部２の製作工程は、第３の樹脂付銅箔１０と第４の樹脂付銅箔１１とに対して研磨処理を施して第１の主面５ａ側の最上層に高周波素子層形成面３を形成する研磨工程ｓ−６を経てベース基板部２を製作する。
【００３７】
コア基板５は、低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特性に優れた基材、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、ポリテトラフルオロエチレン（商標名テフロン）、ポリイミド、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、セラミック或いはセラミックと有機基材の混合体等が用いられて形成される。コア基板５は、機械的剛性とともに耐熱性、耐薬品性を有し、例えば上述した基材よりもさらに廉価なエポキシ系基板ＦＲ−５等も用いられる。コア基板５は、上述した基材によって形成されることで、高精度に形成されることによって比較的高価となるＳｉ基板やガラス基板と比較して廉価であり、材料コストの低減が図られる。
【００３８】
コア基板５には、図３に示すように、第１の主面５ａと第２の主面５ｂの全面に銅箔層２０ａ、２０ｂが形成されている。コア基板５には、図４に示すように、第１のパターン配線層形成工程ｓ−１が施される。コア基板５は、ドリルやレーザによる孔穿加工が施されて所定の位置にそれぞれビアホール１４が形成される。コア基板５には、メッキ等によって内壁に導通処理が施されたビアホール１４内に、導電ペースト２１を埋め込んだ後にメッキ法によって蓋形成が行われる。コア基板５は、銅箔層２０ａ、２０ｂに対してフォトリソグラフ処理が施されることによって、第１の主面５ａと第２の主面５ｂとにそれぞれ所定の第１のパターン配線層１２及び第２のパターン配線層１３とが形成される。
【００３９】
以上の工程を経たコア基板５には、第１の銅箔接合工程ｓ−２によって、図５に示すように、第１のパターン配線層１２及び第２のパターン配線層１３をそれぞれ被覆して第１の樹脂付銅箔８と第２の樹脂付銅箔９とが第１の主面５ａと第２の主面５ｂに接合される。第１の樹脂付銅箔８と第２の樹脂付銅箔９には、それぞれ銅箔層８ａ、９ａの一方主面の全体に樹脂層８ｂ、９ｂが裏打ちされたいわゆる樹脂付銅箔が用いられる。
【００４０】
第１の樹脂付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９は、樹脂層８ｂ、９ｂ側を接合面として、コア基板５の第１の主面５ａと第２の主面５ｂとに接着樹脂（プリプレグ）によって接合される。なお、これら第１の樹脂付銅箔８及び第２の樹脂付銅箔９は、樹脂層８ｂ、９ｂが熱可塑性樹脂によって形成される場合には、接着樹脂を不要としてコア基板５に接合される。
【００４１】
第１の樹脂付銅箔８と第２樹脂付銅箔９には、コア基板５に接合された状態においてビア形成工程ｓ−３が施されて、図６に示すように、上述した各ビアホール１４に対応する部位に対してフォトリソグラフ処理が施されることにより、それぞれビア１５、１６が形成される。ビア形成工程ｓ−３は、ビア１５、１６の形成部位にフォトリソグラフ処理を施した後、湿式エッチングを行って第１の樹脂付銅箔８と第２樹脂付銅箔９とに開口部２２ａ、２２ｂを形成し、これら開口部２２ａ、２２ｂをマスクとしてレーザ加工を施こすことによって第１のパターン配線層１２或いは第２のパターン配線層１３のランド部が受けとなってそれぞれにビア１５、１６を形成する。
【００４２】
第１の樹脂付銅箔８と第２樹脂付銅箔９には、図７に示すように、ビアメッキ等によりビア１５、１６の内壁に導通処理が施されるとともにメッキ法や導電ペーストの埋め込みにより導電材２３ａ、２３ｂが充填される。第１の樹脂付銅箔８及び第２樹脂付銅箔９には、第２のパターン配線層形成工程ｓ−４により、銅箔層８ａ、９ａにそれぞれ所定のパターンニングが施されて、第３のパターン配線層１７及び第４のパターン配線層１８とが形成される。第２のパターン配線層形成工程ｓ−４は、上述した第１のパターン配線層形成工程ｓ−１と同様に、銅箔層８ａ、９ａに対してフォトリソグラフ処理を施こすことにより樹脂層８ｂ、９ｂ上にそれぞれ第３のパターン配線層１７と第４のパターン配線層１８とを形成してベース基板中間体１９を製作する。
【００４３】
ベース基板部製作工程においては、ベース基板部２に後述する高周波素子層部４を形成するために、ベース基板中間体１９に対して高精度の平坦性を有する高周波素子層形成面３を形成する研磨工程が施される。ベース基板中間体１９には、第２の銅箔接合工程ｓ−５により、図８に示すように第３のパターン配線層１７及び第４のパターン配線層１８をそれぞれ被覆して第３の樹脂付銅箔１０と第４の樹脂付銅箔１１とが第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂにそれぞれ接合される。第３の樹脂付銅箔１０及び第４の樹脂付銅箔１１も、上述した第１の樹脂付銅箔８や第２の樹脂付銅箔９と同様に、それぞれ銅箔層１０ａ、１１ａの一方主面の全体に亘って樹脂層１０ｂ、１１ｂが裏打ちされたいわゆる樹脂付銅箔が用いられる。
【００４４】
第３の樹脂付銅箔１０及び第４の樹脂付銅箔１１は、図９に示すように、樹脂層１０ｂ、１１ｂを接合面として、ベース基板中間体１９の表裏主面に接着樹脂（プリプレグ）によって接合される。なお、第３の樹脂付銅箔１０及び第４の樹脂付銅箔１１も、樹脂層１０ｂ、１１ｂが熱可塑性樹脂によって形成される場合には、接着樹脂を不要としてベース基板中間体１９に接合される。
【００４５】
ベース基板中間体１９には、研磨工程ｓ−６により、接合した第３の樹脂付銅箔１０と第４の樹脂付銅箔１０とに対して研磨処理が施される。研磨工程ｓ−６は、例えばアルミナとシリカの混合液からなる研磨材により第３の樹脂付銅箔１０と第４の樹脂付銅箔１１の全体を研磨することによってベース基板中間体１９の両面を精度の高い平坦面に形成する。研磨工程ｓ−６においては、図１０に示すように、第３の樹脂付銅箔１０側、換言すれば高周波素子層形成面３については第３のパターン配線層１７が露呈するまでの研磨を施す。また、研磨工程ｓ−６においては、第４の樹脂付銅箔１１側については第４のパターン配線層１８を露呈させずに樹脂層１１ｂが所定の厚みΔｘを残すようにして研磨を施す。
【００４６】
ベース基板部製作工程は、上述した各工程によりコア基板５からベース基板中間体１９を経て、良好な平坦精度を有する高周波素子層形成面３が形成されてなるベース基板部２を製作する。ベース基板部製作工程は、ベース基板中間体１９を製作する工程を従来の多層基板の製作工程と同様とすることで、多層基板の製作プロセスをそのまま適用可能であるとともに、量産性も高いといった特徴を有している。なお、ベース基板部製作工程については、上述した工程に限定されるものではなく、従来採用されている種々の多層基板の製作工程が採用されてもよいことは勿論である。
【００４７】
ベース基板部２は、上述したようにコア基板５の第１の主面５ａ側に接合された第１の樹脂付銅箔８によって、第３のパターン配線層１７が形成されている。ベース基板部２は、この第３のパターン配線層１７が、第３の樹脂付銅箔１０の樹脂層１０ｂを第３のパターン配線層１７が露呈するまで研磨が施された構造となっている。ベース基板部２は、後述する高周波素子層部製作工程において、第３のパターン配線層１７上に高周波素子層部４を形成することで、第３のパターン配線層１７を薬品、機械的或いは熱的負荷から保護する樹脂層１０ｂが不要となる。ベース基板部２は、かかる構成によって後述する高周波素子層部製作工程において、第３のパターン配線層１７が高周波素子層部に対する電源系の配線部や制御系の配線部或いはグランド部を構成する。
【００４８】
ベース基板部２は、上述したようにコア基板５の第２の主面５ｂ側に接合された第２の樹脂付銅箔９によって、第４のパターン配線層１８が形成されている。ベース基板部２は、この第４のパターン配線層１８が、第４の樹脂付銅箔１１の樹脂層１１ｂの研削量を制限することによって第４のパターン配線層１８が露呈されない構造となっている。ベース基板部２は、かかる構成によって後述する高周波素子層部製作工程において、第４のパターン配線層１８が残された樹脂層１１ｂ（誘電体層）によって薬品や機械的或いは熱的負荷から保護されるようにする。第４のパターン配線層１８は、高周波素子層部４を形成した後に、上述した樹脂層１１ｂが切削除去されることで露呈されて入出力端子部２４を構成する。
【００４９】
以上のようにして製作されたベース基板部２には、後述する高周波素子層形成工程を経て高周波素子層形成面３上に高周波素子層部４が積層形成される。高周波素子層部４には、平坦化されたベース基板部２の高周波素子層形成面３上に、誘電絶縁材料からなる第１の誘電絶縁層３０乃至第３の誘電絶縁層３２と、誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部３３と、薄膜形成技術を用いて形成されたキャパシタ部２６、レジスタ部２７等の受動素子が内蔵された素子形成層部２８と、一部にインダクタ部２５が形成された配線層部２９とが形成されてなる。高周波素子層部４には、配線層部２９上に高周波ＩＣ９０やチップ部品９１が実装されるとともに、全体がシールドカバー９２によって覆われる。
【００５０】
なお、ベース基板部製作工程においては、コア基板５に対して第２の樹脂付銅箔９を介して接合される第４の樹脂付銅箔１１が、銅箔部１１ａを研磨されることになる。ベース基板部製作工程においては、接合された各構成部材がプレス機によってプレスされて一体化される。ベース基板部製作工程においては、金属製のプレス面と第４の樹脂付銅箔１１とのなじみがよく、精度のよいプレスが行われるようになる。したがって、第４の樹脂付銅箔１１については、銅箔部が配線層を構成しないことから、銅貼りでなく他の樹脂付金属箔であってもよい。
【００５１】
上述したベース基板部製作工程においては、両面基板からなるコア基板５をコアとしてその第１の主面５ａと第２の主面５ｂとに第１の樹脂付銅箔８乃至第４の樹脂付銅箔１１とを接合して４層構成のベース基板部２を製作する工程を採用したが、本発明はかかるベース基板部の製作工程に限定されるものではないことは勿論である。ベース基板部の製作工程としては、例えば２枚の両面基板を接着樹脂（プリプレグ）によって接合されることで上述したベース基板部２と同様のベース基板部が製作される。
【００５２】
高周波素子層部４の構成並びに作製工程について、以下図１１乃至図２０を参照しながら詳細に説明する。
【００５３】
高周波素子層部４の製作工程は、上述した工程を経て製作されたベース基板部２の平坦化された高周波素子層形成面３上に、第１の誘電絶縁層３０を成膜形成する第１の誘電絶縁層形成工程ｓ−７と、第１の誘電絶縁層３０上に誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部３３を形成する流動抑制部形成工程ｓ−８と、流動抑制部３３が形成された第１の誘電絶縁層３０上に第２の誘電絶縁層３１を成膜形成する第２の誘電絶縁層形成工程ｓ−９と、第２の誘電絶縁層３１上に素子形成層部２８を形成するための下地処理を施す下地処理工程ｓ−１０と、素子形成層部２８内に各受動素子を形成する受動素子形成工程ｓ−１１との工程を経る。高周波素子層部４の製作工程は、素子形成層部２８を被覆するとともに配線層部２９を形成するための第３の誘電絶縁層３２を成膜形成する第３の誘電絶縁層形成工程ｓ−１２と、配線層部２９に所定のパターン配線３４や受動素子を形成する配線層形成工程ｓ−１３と、表裏主面を被覆するレジスト層３５ａ、３５ｂを形成するレジスト層形成工程ｓ−１４とを経て、高周波モジュール装置１を製作する。
【００５４】
ベース基板部２には、第１の誘電絶縁層形成工程ｓ−７において、図１２に示すように、高周波素子層形成面３上に誘電絶縁材料が供給されて例えばスピンコート法により第１の誘電絶縁層３０が成膜形成される。誘電絶縁材料には、コア基板５と同様に低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特性に優れかつ耐熱性や耐薬品性に優れた基材が用いられる。誘電絶縁材料には、具体的には、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）或いはエポキシ樹脂やアクリル系樹脂が用いられる。
【００５５】
第１の誘電絶縁層３０上には、流動抑制部作製工程ｓ−８において、図１３に示すように、例えばメッキ法により金属膜からなる流動抑制部３３が厚膜形成される。流動抑制部３３は、詳細な構成については後述するが、厚みが５０μｍ乃至１００μｍ程度に厚膜形成されてなる。なお、流動抑制部３３の作製は、必ずしもメッキ法に限定されることはなく、金属膜の厚膜形成が可能とされる、例えばスクリーン印刷法等を適用して成膜してもよい。
【００５６】
第１の誘電絶縁層の主面に形成された流動抑制部３３上には、第２の誘電絶縁層形成工程ｓ−９において、図１４に示すように、誘電絶縁材料が供給されて例えばスピンコート法により第２の誘電絶縁層３１が成膜形成される。誘電絶縁材料には、第１の誘電絶縁層３０と同様に低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特性に優れかつ耐熱性や耐薬品性に優れた基材が用いられる。
【００５７】
第２の誘電絶縁層形成工程ｓ−９においては、図１４に示すように、回転操作されるベース基板部２に滴下された誘電絶縁材料が外周方向へと広がる際に、第１の誘電絶縁層３０上に形成された流動抑制部３３によって流れが抑制されて部分的に厚みが大となる肉厚部３６を有する第２の誘電絶縁層３１が形成される。第２の誘電絶縁層形成工程ｓ−９においては、第２の誘電絶縁層３１に対して第１の誘電絶縁層３０を貫通する多数のビア３７が形成される。各ビア３７は、高周波素子層形成面３に露呈された第３のパターン配線層１７の所定のランド１７ａに対応して形成され、ランド１７ａを外方に臨ませる。各ビア３７は、誘電絶縁材料として感光性樹脂を用いた場合には、所定のパターンニングに形成されたマスクを第２の誘電絶縁層３１に取り付けてフォトリソグラフ法により形成される。各ビア３７は、その他適宜の方法によっても形成される。
【００５８】
下地処理工程ｓ−１０においては、図１５に示すように、各ビア３７を含む第２の誘電絶縁層３１の表面上に、例えばスパッタリング法等によって全面に亘って例えばニッケル層と銅層とからなる配線層３８が成膜形成されて素子形成層部２８となる。配線層３８は、ニッケル層と銅層の厚みがそれぞれ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ程度に成膜されてなる。下地処理工程ｓ−１０においては、配線層３８のレジスタ部２７の形成部位をレジストでマスキングした状態で硝酸／硫酸／酢酸の混合液からなるエッチング液によってエッチング処理を施すことにより、配線層３８を除去する処理を行う。
【００５９】
配線層３８には、受動素子層形成工程ｓ−１１が施されてレジスタ部２７やキャパシタ部２６が形成される。配線層３８には、図１５に示すように、除去された部位にリフトオフ法によって窒化タンタル層３９が形成される。この窒化タンタル層３９は、レジスト処理された全面に窒化タンタル（ＴａＮ）がスパッタリングされ、レジスト層部分の窒化タンタルが取り去られることにより配線層３８が除去されたレジスタ部２７の対応部位にのみ形成される。
【００６０】
配線層３８には、図１５に示すようにキャパシタ部２６の形成部位にも窒化タンタル層４０が形成される。配線層３８には、キャパシタ部形成部位を除く全面にレジストコーティングが行われた状態で、ホウ酸アンモニウム等の電解液中で窒化タンタルが陽極となるように電界がかけられる、いわゆる陽極酸化が施される。この陽極酸化処理は、１００Ｖ、３０分程度の電界印加により行われることにより、窒化タンタル層４０が酸化して、タンタルオキサイト（ＴａＯ２）層４１を形成する。
【００６１】
配線層３８には、必要な配線パターンだけを残すようにフォトリソグラフ処理によってレジストパターンニングが行われる。タンタルオキサイト層４１には、レジストを取り去った後にマスキングが施され、例えばリフトオフ法によってニッケル層と銅層とからなる上部電極４２が形成される。高周波素子層部製作工程においては、以上の工程を経て、図１６に示すベース基板部２上に流動抑制部３３や受動素子等が形成された高周波モジュール装置中間体４３が製作される。
【００６２】
高周波素子層部製作工程においては、以上の工程を経て製作された高周波モジュール装置中間体４３に対して、第３の誘電絶縁層形成工程ｓ−１２によって図１７に示すように第３の誘電絶縁層３２が成膜形成される。第３の誘電絶縁層形成工程ｓ−１２は、上述した第１の誘電絶縁層３０及び第２の誘電絶縁層３１と同様の方法によって第３の誘電絶縁層３２を形成するとともに、この第３の誘電絶縁層３２に配線層３８に形成された所定のパターンやキャパシタ部２６の上部電極４２を外方に臨ませる複数のビアホール４４を形成する。
【００６３】
高周波素子層部製作工程においては、配線層形成工程ｓ−１３により、第３の誘電絶縁層３２上にパターン配線３４が形成される。配線層形成工程ｓ−１３は、具体的にはスパッタリング法等によって第３の誘電絶縁層３２上にニッケル層及び銅層とかなるスパッタ層を成膜形成し、このスパッタ層に対してフォトリソグラフ処理を施して所定のパターンニングを行う。配線層形成工程ｓ−１３は、さらにスパッタ層に対して電界メッキにより数μｍ程度の厚みを有する銅メッキを選択的に行った後に、メッキ用レジストを除去しさらにスパッタ層を全面的にエッチングすることによって図１８に示すように配線層部２９を形成する。
【００６４】
配線層部２９の一部には、第２の誘電絶縁層作製工程ｓ−９にて形成された肉厚部３６の上方にインダクタ部２５が形成される。インダクタ部２５は、肉厚部３６の上方に形成されることで、電源系の配線部や制御系の配線部或いはグランド部を構成する第３のパターン配線層１７に対する距離が大となり、第３のパターン配線層１７から受ける寄生容量の影響が低減されてインダクタンスのＱ値の劣化が抑制される。インダクタ部２５は、直列抵抗値が問題となるが、上述したようにスパッタ層に対して電解メッキを施す厚膜形成技術によって形成することで充分な厚みを以って形成され、損失の低下が抑制される。
【００６５】
高周波素子層部製作工程においては、後述するレジスト層形成工程ｓ−１４により第４のパターン配線層１８の主面にレジスト層３５ｂを形成することで、第４のパターン配線層１８を薬品、機械的或いは熱的負荷から保護する樹脂層１１ｂが不要となる。高周波素子層部製作工程においては、樹脂層１１ｂに対して研磨加工を施すことにより、第４のパターン配線層１８を露呈させる。
【００６６】
高周波素子層部製作工程においては、レジスト層形成工程ｓ−１４により、図１９に示すように、高周波素子層部４の表面全体とベース基板部２の第４のパターン配線層１８とにレジスト層３５ａ、３５ｂをそれぞれコーティングする。高周波素子層部製作工程においては、これらレジスト層３５ａ、３５ｂに対してマスクパータンを介してフォトリソグラフ処理を施し、所定の位置に開口部４５ａ、４５ｂを形成する。高周波素子層部製作工程においては、図２０に示すように、これら開口部４５ａ、４５ｂに無電解ニッケル／銅メッキを施してそれぞれ電極端子４６ａ、４６ｂを形成することにより、ベース基板部２上に高周波素子層部４が形成された高周波モジュール装置１を製作する。
【００６７】
高周波モジュール装置１は、図１に示すように、高周波素子層部４側に形成された電極端子４６ａが、高周波ＩＣ９０やチップ部品９１を搭載して接続する接続端子を構成する。高周波モジュール装置１は、ベース基板部２の第４のパターン配線層１８側に形成された電極端子４６ｂが、例えばマザー基板９３に搭載される際の接続端子及び入出力端子部２４を構成する。高周波ＩＣ９０は、例えばフリップチップ９４を介するフリップチップ法によって実装される。
【００６８】
なお、高周波モジュール装置１は、高周波素子層部４の表面に搭載される高周波ＩＣ９０やチップ部品９１が、シールドカバー９２によって覆われている。このため、高周波モジュール装置１においては、高周波ＩＣ９０やチップ部品９１からの発熱がシールドカバー９２内にこもるために、例えば図２１に示すような高周波ＩＣ９０の上面とシールドカバー９２の内面との間に、熱伝導性樹脂材７０等を充填する放熱構造を設けることが好ましい。
【００６９】
以上のように構成される高周波モジュール装置１においては、上述したように、第１の誘電絶縁層３０上に誘電絶縁材料の流れを抑制する流動抑制部３３が形成されることにより、第２の誘電絶縁層３１の厚みが部分的に大となる肉厚部３６が形成される。高周波モジュール装置１においては、第２の誘電絶縁層３１の肉厚部３６の上方にインダクタ部２５が形成されていることから、インダクタ部２５とグランド部を構成する第３のパターン配線層１７との距離が大となる。したがって、高周波モジュール装置１においては、第３のパターン配線層１７のインダクタ部２５に対する寄生容量の影響が低減されることから、インダクタ部２５のインダクタンスのＱ値の劣化が抑制される。なお、高周波モジュール装置１においては、肉厚部３６の上方に形成される受動素子をインダクタ部２５にすることに必ずしも限定されず、例えば、キャパシタ素子、レジスタ素子、分布定数素子等を形成してもこれらの受動素子に対する寄生容量の影響を低減することが可能である。
【００７０】
高周波モジュール装置１においては、メッキ法により厚膜形成された金属膜からなる流動抑制部３３が形成されている。このため、流動抑制部３３は、ベース基板部２及び高周波素子層部４の金属配線層と電気的に接続させた場合、配線として機能させてもよい。これにより、高周波モジュール装置１においては、流動抑制部３３を配線として例えば受動素子等の電源供給配線をして用いることができることから、余剰な配線を削減でき小面積化、小型化が図られる。
【００７１】
高周波モジュール装置１において、流動抑制部３３が、図２２に示すように、インダクタ部２５を形成する領域の周囲を囲む略矩形をなす枠状に形成されている。これにより、流動抑制部３３は、第２の誘電絶縁層３１を形成する際に、インダクタ部２５が形成される領域に肉厚部３６が適切に形成されるように誘電絶縁材料の流れを抑制する。また、流動抑制部３３は、インダクタ部２５を形成する領域の周囲を囲む形状が略矩形をなす枠状であることに必ずしも限定されるものでなく、例えば図２３乃至図２５に示すようなインダクタ部２５が形成される領域で誘電絶縁材料の流れを抑制する枠の周壁が不連続に形成される流動抑制部３３ａ乃至流動抑制部３３ｃであってもよい。これにより、高周波モジュール装置１においては、流動抑制部３３ａ乃至流動抑制部３３ｃを配線としても用いた際に、所望の配線パターンの一部を構成することができることから、小面積化、小型化が図られる。なお、流動抑制部３３は、インダクタ部２５が形成される領域に肉厚部３６が適切に形成されるように誘電絶縁材料の流れを抑制する例えば図２６に示すような略円環をなす枠状を呈する流動抑制部３３ｄであっても良い。この流動抑制部３３ｄは、略円環をなす枠の周壁が不連続に形成された形状であっても良いことは勿論である。
【００７２】
高周波モジュール装置１においては、配線層３８とインダクタ部２５との距離を大となることなく、第２の誘電絶縁層３１における肉厚部３６だけでインダクタ部２５とグランド部を構成する第３のパターン配線層１７との距離が大となるようにしている。これにより、高周波モジュール装置１においては、配線層３８とインダクタ部２５とを電気的に接続させるビアホール４４の径を大きくすることなく小面積化、小型化が図られる。
【００７３】
高周波モジュール装置１においては、従来のように、インダクタ部２５とグランド部を構成する第３のパターン配線層１７との距離を離すためのグランド部における配線禁止領域Ａを施すことがないことから、第３のパターン配線層１７をマイクロストリップ線路のシールド、ＲＦ電流が他の配線への干渉や不要な結合をすることを防ぐシールドとして十分に機能させることができる。また、高周波モジュール装置１においては、第３のパターン配線層１７に配線禁止領域Ａがなく配線の引き回しに制約がないことから小面積化、小型化が図られる。
【００７４】
高周波モジュール装置１においては、有機基材等からなるベース基板部２上に形成された高周波素子層部４がインダクタ部２５と第３のパターン配線層１７との距離を大とすることから、インダクタ部２５に対するインダクタンスのＱ値の劣化を抑制するとともに、小面積化、小型化を図ることができる。これにより、高周波モジュール装置１においては、高周波素子層部４が形成されるベース基板部２として上述した有機基材等を用いることに必ずしも限定されることはなく、ベース基板部２に例えば、Ｓｉ基板、ガラス基板等を用いてもインダクタ部２５に対するインダクタンスのＱ値の劣化を抑制するとともに、小面積化、小型化を図ることができる。
【００７５】
【発明の効果】
以上で説明したように、本発明によれば、ベース基板の誘電絶縁層の形成面上に流動抑制部が設けられたことにより、回転操作された状態のベース基板に滴下された誘電絶縁材料の周面へと広がる流れが流動抑制部により抑制されて、誘電絶縁層に厚みが部分的に大となる肉厚部が形成された高周波モジュール装置が得られるようになる。したがって、本発明によれば、誘電絶縁層の肉厚部上に形成された受動素子とベース基板上に形成された配線層との距離が保持され、受動素子に対する配線層からの寄生容量の影響が低減されることから、特性の良い受動素子を有する高周波モジュール装置が得られるようになる。本発明によれば、受動素子を形成する領域だけが誘電絶縁層の肉厚部であることから、ベース基板及び高周波素子部の電気的な接続を担うビアの径を大きくすることなく小面積化、小型化が図られた高周波モジュール装置が得られるようになる。本発明によれば、グランド部に配線禁止領域を施すことなく配線の引き回しに制約がないことから小面積化、小型化が図られた高周波モジュール装置が得られるようになる。本発明によれば、高周波素子部を形成する際に、メッキ法といった簡易な厚膜形成工程を追加するだけで、簡便に高機能化及び小面積化、小型化が図られた高周波モジュール装置が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる高周波モジュール装置の縦断面図である。
【図２】同高周波モジュール装置のベース基板部製作工程図である。
【図３】同高周波モジュール装置に用いられるコア基板の縦断面図である。
【図４】コア基板のパターンニング工程説明図である。
【図５】第１の樹脂付銅箔及び第２の樹脂付銅箔の接合工程説明図である。
【図６】ビア形成の工程説明図である。
【図７】第１のパターン配線層及び第２のパターン配線層の形成工程説明図である。
【図８】第３の樹脂付銅箔及び第４の樹脂付銅箔の接合工程説明図である。
【図９】第３の樹脂付銅箔及び第４の樹脂付銅箔を接合した状態の工程説明図である。
【図１０】第３の樹脂付銅箔及び第４の樹脂付銅箔の研磨工程説明図である。
【図１１】同高周波モジュール装置の高周波素子層部製作工程図である。
【図１２】第１の誘電絶縁層の形成工程説明図である。
【図１３】流動抑制部の形成工程説明図である。
【図１４】第２の誘電絶縁層の形成工程説明図である。
【図１５】配線層の形成工程説明図である。
【図１６】受動素子の形成工程説明図である。
【図１７】第３の誘電絶縁層の形成工程説明図である。
【図１８】配線層部の形成工程説明図である。
【図１９】レジスト層の形成工程説明図である。
【図２０】高周波モジュール装置の縦断面図である。
【図２１】放熱構造を備えた高周波モジュール装置の縦断面図である。
【図２２】高周波モジュール装置のインダクタ部の下層における流動抑制部の配置の一例を示した透視平面図である。
【図２３】高周波モジュール装置のインダクタ部の下層における流動抑制部の配置の一例を示した透視平面図である。
【図２４】高周波モジュール装置のインダクタ部の下層における流動抑制部の配置の一例を示した透視平面図である。
【図２５】高周波モジュール装置のインダクタ部の下層における流動抑制部の配置の一例を示した透視平面図である。
【図２６】高周波モジュール装置のインダクタ部の下層における流動抑制部の配置の一例を示した透視平面図である。
【図２７】スーパーへテロダイン方式による高周波送受信回路の構成図である。
【図２８】ダイレクトコンバージョン方式による高周波送受信回路の構成図である。
【図２９】従来の高周波モジュールに備えられるインダクタ部の説明図であり、同図（ａ）は要部斜視図、同図（ｂ）は要部縦断面図である。
【図３０】従来のシリコン基板を用いた高周波モジュールの縦断面図である。
【図３１】従来のガラス基板を用いた高周波モジュールの縦断面図である。
【図３２】従来の高周波モジュールの要部を示した縦断面図である。
【図３３】従来の高周波モジュールのグランド部に配線禁止領域が施された状態を示す要部縦断面図である。
【符号の説明】
１  高周波モジュール装置、２  ベース基板部、３  高周波素子層形成面、４  高周波素子層部、５  コア基板、６  第１のパターン配線層、７  第２のパターン配線層、８  第１の樹脂付銅箔、９  第２の樹脂付銅箔、１０  第３の樹脂付銅箔、１１  第４の樹脂付銅箔、１２  第１のパターン配線層、１３  第２のパターン配線層、１４  ビアホール、１５，１６  ビア、１７  第３のパターン配線層、１７ａ  ランド、１８  第４のパターン配線層、１９  ベース基板中間体、２０ａ，２０ｂ  銅箔層、２１  導電ペースト、２２ａ，２２ｂ  開口部、２３ａ，２３ｂ  導電材、２４  入出力端子部、２５ インダクタ部、２６  キャパシタ部、２７  レジスタ部、２８  素子形成層部、２９  配線層部、３０  第１の誘電絶縁層、３１  第２の誘電絶縁層、３２  第３の誘電絶縁層、３３，３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ  流動抑制部、３４  パターン配線、３５ａ，３５ｂ  レジスト層、３６  肉厚部、３７  ビア、３８  配線層、３９，４０  窒化タンタル層、４１  タンタルオキサイト層、４２  上部電極、４３  高周波モジュール装置中間体、４４  ビアホール、４５ａ，４５ｂ  開口部、４６ａ，４６ｂ  電極端子、７０  導電性樹脂材、９０  高周波ＩＣ、９１  チップ部品、９２  シールドカバー、９３  マザー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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