(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物。
【化１】
0004627576.tif 000021
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ6、Ａ7、Ａ8、Ａ9、Ａ10、Ａ11及びＡ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立にＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【請求項２】
式(ＩＭ−１)で示される化合物。
【化２】
0004627576.tif 000022
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ3、Ａ9〜Ａ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【請求項３】
式(ＩＭ−１)で示される化合物と、式(ＩＭ−２)で示される誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，８−アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５−ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン及びＮ−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法。
【化３】
0004627576.tif 000023
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ3、Ａ9〜Ａ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【化４】
0004627576.tif 000024
(式中、ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＯＳＯ2ＣＨ3、ＯＳＯ2ＣＦ3又は
【化５】
0004627576.tif 000025
を示し、Ａ2、Ａ6〜Ａ8は、いずれも水素原子を示す。Ｒ2はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【化６】
0004627576.tif 000026
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ6、Ａ7、Ａ8、Ａ9、Ａ10、Ａ11及びＡ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立にＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【請求項４】
式(ＩＭ−３)で示される化合物と、式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，８−アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５−ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン及びＮ−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法。
【化７】
0004627576.tif 000027
(式中、ＸはＩ、Ｂｒ又はＯＳＯ2ＣＦ3を示し、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ3、Ａ9〜Ａ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【化８】
0004627576.tif 000028
(式中、Ａ2、Ａ6〜Ａ8は、いずれも水素原子を示す。Ｒ2はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【化９】
0004627576.tif 000029
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ6、Ａ7、Ａ8、Ａ9、Ａ10、Ａ11及びＡ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立にＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【請求項５】
請求項１記載のフェニルアセチレン化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物。
【請求項６】
請求項５記載の液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示素子の構成材料あるいは液晶組成物の配合成分として有用であり、骨格にフッ素置換されたアルキル基又はアルコキシ基を有する新規なフェニルアセチレン化合物、その中間体として有用な化合物、その製造法、それを含む液晶組成物及びそれを用いた液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示素子の高性能化は、情報化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物としては、より高速化、あるいは高性能化等の物性を達成するために、屈折率異方性の大きい材料の配合が必要とされている。屈折率異方性が比較的大きい液晶としてトラン化合物が知られている[Ｍｏｌ.Ｃｒｙｓｔ.Ｌｉｑ.Ｃｒｙｓｔ.,第２３巻第２３３頁(１９７３年)］が、屈折率異方性は約０．２と満足できるほどの大きさではなかった。また、下記式で表される化合物(２)が開発されている(特開平２−８３３４０号公報)。
【０００３】
【化７】
0004627576.tif 000002
(式中、Ａｌｋｙｌは、アルキル基を表す。)
この化合物(２)は屈折率異方性が０．３以上の値を有するが、他液晶との相溶性が悪く、実用的ではない。そこで、他液晶との相溶性を向上させることを目的として下記式で表される化合物(３)が開発されている(特開平９−２１６８４１号公報)。
【０００４】
【化８】
0004627576.tif 000003
(式中、Ｒ5はアルキル基を示し、ＹはＲ5、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又はシアノ基を示し、Ｈ1〜Ｈ12は水素原子、フッ素原子又は塩素原子を示す(但し、Ｈ1〜Ｈ12の少なくとも１つはフッ素原子又は塩素原子である)。)
この化合物(３)は、他液晶との相溶性の点で上記化合物(２)より改善されているが、水素原子をフッ素原子等のハロゲン原子で置換しているため屈折率異方性が低下し、相溶性改善と引き替えに屈折率異方性が犠牲にされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、大きい屈折率異方性を有し、他の液晶と混合し易く、かつ光に対する安定性がより有利である新規なフェニルアセチレン化合物、これの製造に有用な化合物、これの製造法、これを用いた液晶組成物及びこれを用いた、光シャッターや表示素子などに使用できる液晶素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を加えた結果、ある種のフェニルアセチレン化合物が十分大きな屈折率異方性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち、本発明によれば、式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物が提供される。
【化１２】
0004627576.tif 000004
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ6、Ａ7、Ａ8、Ａ9、Ａ10、Ａ11及びＡ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立にＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【０００８】
また本発明によれば、式(ＩＭ−１)で示される化合物が提供される。
【化１３】
0004627576.tif 000005
(式中、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ3、Ａ9〜Ａ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【０００９】
更に本発明によれば、上記式(ＩＭ−１)で示される化合物と、式(ＩＭ−２)で示される誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，８−アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５−ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン及びＮ−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする上記式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法が提供される。
【化１４】
0004627576.tif 000006
(式中、ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＯＳＯ2ＣＨ3、ＯＳＯ2ＣＦ3又は
【化１５】
0004627576.tif 000007
を示し、Ａ2、Ａ6〜Ａ8は、いずれも水素原子を示す。Ｒ2はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【００１１】
また本発明によれば、式(ＩＭ−３)で示される化合物と、式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウム／炭素、トリフェニルホスフィンパラジウム錯体から選ばれるパラジウム触媒、及びアルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属のカルボン酸塩、アルカリ金属のアルコキシド、アルカリ金属の水酸化物、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，８−アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５−ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン及びＮ−メチルピペリジンから選ばれる塩基性物質の存在下、反応させることを特徴とする上記式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法が提供される。
【化１６】
0004627576.tif 000008
(式中、ＸはＩ、Ｂｒ又はＯＳＯ2ＣＦ3を示し、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ3、Ａ9〜Ａ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【化１７】
0004627576.tif 000009
(式中、Ａ2、Ａ6〜Ａ8は、いずれも水素原子を示す。Ｒ2はＲ4−Ｏ−基を示す(但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。)。)
【００１２】
更に本発明によれば、上記式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物が提供される。
更にまた本発明によれば、上記液晶組成物を一対の電極基板間に挟持してなることを特徴とする液晶素子が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下本発明を更に詳細に説明する。
本発明のフェニルアセチレン化合物は、上記式(１)で表される化合物である。式(１)において、Ａ4又はＡ5の一方は、フッ素原子で置換されている炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、他方は水素原子を示す。Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ6、Ａ7、Ａ8、Ａ9、Ａ10、Ａ11及びＡ12は、いずれも水素原子を示す。Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立にＲ4−Ｏ−基を示す。但し、Ｒ4は直鎖もしくは分枝の炭素数１〜１２のアルキル基を示す。
【００１４】
式(１)において、Ｒ1及びＲ2としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等のアルコキシ基；２−メチルプロピルオキシ基、２−メチルブチルオキシ基、３−メチルブチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基等の分枝アルキルオキシ基等が挙げられる。
【００１５】
式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、Ｒ1及びＲ2は、上記列挙した基が好ましいが、これに限定されない。
【００１６】
【化１８】
0004627576.tif 000010
【００２０】
【化１９】
0004627576.tif 000011
【００２２】
本発明の上記式(ＩＭ−１)で示される化合物は、上記式(１)で表されるフェニルアセチレン化合物の製造等に有用な化合物である。式(ＩＭ−１)中のＡ1、Ａ3〜Ａ5、Ａ9〜Ａ12及びＲ1の具体例としては、上記式(１)のＡ1、Ａ3〜Ａ5、Ａ9〜Ａ12及びＲ1として列挙した基を好ましく挙げることができる。
【００２３】
式(ＩＭ−１)で表される化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、Ｒ1は、上記式(１)のＲ1として列挙した基が好ましいがこれに限定されない。
【００２４】
【化２０】
0004627576.tif 000012
【００２７】
【化２１】
0004627576.tif 000013
【００２９】
式(ＩＭ−１)で表される化合物は、例えば、式(Ｍ−１)で表される化合物と式(Ｍ−２)で表される化合物とをカップリングさせた後、ブチン−２−オールをヨウ化銅の存在下若しくは非存在下、パラジウム触媒及びトリエチルアミン等の塩基の存在下で反応させ、さらに、水酸化カリウム等の塩基の存在下で反応させることにより製造できる。
【００３０】
【化２６】
0004627576.tif 000014
(式(Ｍ−１)及び(Ｍ−２)において、Ａ1、Ａ3〜Ａ5、Ａ9〜Ａ12及びＲ1は、式(１)中のものと同じ意味を示す。）
【００３１】
本発明の上記式(ＩＭ−３)で示される化合物は、上記式(１)で表されるフェニルアセチレン化合物の製造等に有用な化合物である。式中のＲ1の具体例としては、上記式(１)のＲ1として列挙した基を好ましく挙げることができる。
【００３２】
式(ＩＭ−３)で表される化合物の具体例としては、下記構造式で示される化合物等が挙げられる。但し、Ｒ1は、上記式(１)のＲ1として列挙した基が好ましいがこれに限定されない。またＸは、ＸはＩ、Ｂｒ、Ｃｌ、ＯＳＯ２ＣＨ３、ＯＳＯ２ＣＦ３又は
【化２７】
0004627576.tif 000015
を示す。
【００３５】
【化２２】
0004627576.tif 000016
【００３７】
式(ＩＭ−３)で表される化合物は、例えば、式(Ｍ−３)で表される化合物と式(Ｍ−４)で表される化合物とをカップリングさせる方法等により製造できる。
【００３８】
【化３２】
0004627576.tif 000017
(式(Ｍ−３)及び(Ｍ−４)において、Ａ1、Ａ3〜Ａ5、Ａ9〜Ａ12及びＲ1は、式(１)中のものと同じ意味を示す。）
【００３９】
本発明のフェニルアセチレン化合物の製造法は、上記式(ＩＭ−１)で示される化合物を用いる方法(以下、第１の製造法という)、並びに上記式(ＩＭ−３)で示される化合物を用いる方法(以下、第２の製造法という)であるが、上記式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物の製造法は、これらに限定されるものではない。
【００４０】
本発明の第１の製造法では、上記式(ＩＭ−１)で示される化合物と、上記式(ＩＭ−２)で示される化合物とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下、反応させることにより得る方法である。
式(ＩＭ−２)において、式中のＡ2、Ａ6〜Ａ8及びＲ2の具体例としては、上記式(１)のＡ2、Ａ6〜Ａ8及びＲ2として列挙した基を好ましく挙げることができる。
上記反応において、式(ＩＭ−２)で示される化合物の使用量は、式(ＩＭ−１)で示される化合物に対して、通常０．３〜１０倍当量、好ましくは０．５〜２倍当量である。
上記パラジウム触媒としては、例えば、塩化パラジウム；酢酸パラジウム；パラジウム／炭素；テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム等のトリフェニルホスフィンパラジウム錯体等が挙げられる。
パラジウム触媒の使用量は、使用する式(ＩＭ−２)で示される化合物に対して、０．００１〜０．１倍当量の範囲が好ましい。
上記塩基性物質としては、例えば、アルカリ金属の炭酸塩、カルボン酸塩、アルコキシド、水酸化物や、あるいはトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、１，８−アザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７，１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５−ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−メチルピペリジン等の有機塩基が挙げられる。特に、トリエチルアミン等の３級アミンの使用が好ましい。
塩基性物質の使用量は、使用する式(ＩＭ−２)で示される化合物に対して、通常１〜１００倍当量、好ましくは１〜２０倍当量である。
前記反応に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えることもできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する式(ＩＭ−２)で示される化合物に対して、通常０〜１倍当量、好ましくは０〜０．１倍当量である。
前記反応に際しては、更に必要により、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として使用することができる。
第１の製造法における反応条件は、適宜決定することができるが、反応温度は通常−２０〜２００℃、好ましくは３０〜１５０℃であり、反応時間は通常１〜４８時間の範囲の条件で行なうことができる。
【００４１】
本発明の第２の製造法では、上記式(ＩＭ−３)で示される化合物と、上記式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体とを、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下、反応させる方法である。
式(ＩＭ−４)において、式中のＡ2、Ａ6〜Ａ8及びＲ2の具体例としては、上記式(１)のＡ2、Ａ6〜Ａ8及びＲ2として列挙した基を好ましく挙げることができる。
上記反応において、式(ＩＭ−３)で示される化合物の使用量は、式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常０．３〜１０倍当量、好ましくは０．５〜２倍当量である。
上記パラジウム触媒としては、上記第１の製造法において列挙したものを好ましく挙げることができる。
パラジウム触媒の使用量は、使用する式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常０．０００１〜１倍当量、好ましくは０．００１〜０．１倍当量の範囲である。
上記塩基性物質としては、上記第１の製造法において列挙したものを好ましく挙げることができる。
塩基性物質の使用量は、使用する一般式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常１〜１００倍当量、好ましくは１〜２０倍当量である。
前記反応に際しては、更にヨウ化銅(I)を添加剤として加えることもできる。ヨウ化銅(I)の使用量は、使用する一般式(ＩＭ−４)で示されるエチニルベンゼン誘導体に対して、通常０〜１倍当量、好ましくは０〜０．１倍当量である。
前記反応に際しては、更に必要により、例えば、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、ベンゼン、トルエン等を反応溶媒として使用することができる。
第２の製造法における反応条件は、適宜決定することができるが、反応温度は通常２０〜２００℃、好ましくは３０〜１５０℃であり、反応時間は１〜４８時間の範囲の条件で行なうことができる。
【００４２】
本発明の液晶組成物は、式(１)で示されるフェニルアセチレン化合物を少なくとも１種を配合成分として含有する。混合する他の成分は特に限定されないが、液晶相を示す化合物あるいは組成物が好ましい。
本発明の液晶組成物において、式(１)で表されるフェニルアセチレン化合物の配合割合は、液晶組成物中に０．１〜９９．９重量％、好ましくは１〜９９重量％の範囲が好ましい。
本発明の液晶組成物には、捩れ剤として、カイラル化合物を一種もしくは複数種含有させることができる。カイラル化合物は、特に限定されないが、好ましくは以下に示す化合物を例示することができる（但し、例示中の＊は不斉炭素を表す）。
【００４３】
【化３３】
0004627576.tif 000018
【００４４】
本発明の液晶組成物において、カイラル化合物の配合割合は、配合組成等において適宜選択することができ、特に限定されない。
【００４５】
本発明の液晶表示素子は、上記液晶組成物を一対の電極基板に挟持した素子であれば、特に限定されず、公知の液晶表示素子と同様な構成ものが挙げられる。電極の種類及び形態も特に限定されず、公知の電極等が使用できる。また、本発明の液晶表示素子の作製は、通常の液晶表示素子の作製にしたがって同様に行うことができ、他の要素を適宜付加させることも可能である。
【００４６】
【実施例】
以下実施例により、本発明に関してより詳細に述べるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
撹拌装置及び温度計を装着したフラスコ内に、窒素雰囲気下で下記中間体(ｍ−１)４．９０ｇ、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０．２０g、ヨウ化銅(Ｉ)０．１０g、トリフェニルホスフィン０．２０g、トリエチルアミン４．９９g及び酢酸エチル２４．５ｇを仕込み、５９℃に昇温した。その後、下記中間体(ｍ−２)２．７９ｇを酢酸エチル２．８ｇに溶解した溶液を滴下し、５７〜６１℃で２時間撹拌した。その後濾過し、酢酸エチルで洗浄した。濾液を濃縮後、得られた固体をヘキサンを移動相とするシリカゲルクロマトグラフィーにて精製した。さらにエタノールで再結晶し、目的とする化合物を４．５０ｇ得た。
得られた化合物を1Ｈ−ＮＭＲスペクトルで測定した結果、下記構造式で表される化合物(１−１)であった。
【００４７】
【化３４】
0004627576.tif 000019
尚中間体（ｍ−１）、（ｍ−２）は以下のように合成して得た。
【化３５】
0004627576.tif 000020
【００４８】
化合物(１−１)の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルデータは以下のとおりであった。
1Ｈ−ＮＭＲ(δ)：0.91(t,3H,J＝6Hz)、0.93(t,3H,J＝6Hz)、1.31−1.44(m, 6H)、1.57−1.62(m,2H)、1.77−1.81(m,2H)、2.62(t,2H,J＝9Hz)、3.96(t,2H, J＝6Hz)、6.87(d,2H,J＝6Hz)、7.17(d,2H,J＝6Hz)、7.37−7.57(m,7H)
上記化合物(１−１)の相系列を偏光顕微鏡観察により評価したところ、６０℃未満で結晶相を示し、６０〜１２７℃の範囲でネマティック相を示し、１２７℃を超えると等方相を示した。従って、この化合物は、液晶性化合物であることがわかる。
また、化合物(１−１)を、ネマティック組成物 ＭＪ９３１３８１(メルクジャパン社製)に１０重量％添加して測定した屈折率異方性Δｎから濃度比で外挿したΔｎを求めたところ、０．３７と極めて大きいものであった。なお、Δｎはアッベ屈折計で測定し、測定温度は２０℃、測定波長は５８９ｎｍで行った。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の骨格にフッ素置換されているアルキル基又はアルコキシ基を有するフェニルアセチレン化合物及びこの化合物を用いた液晶組成物は、屈折率異方性が大きく、安定で、他液晶に混合し易く、例えば、ＳＴＮ(超ねじれネマティック)型液晶素子やＰＤＬＣ(ポリマ―分散型液晶)型液晶素子に代表される液晶素子を構成する材料として特に有用である。