(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートをプレートを備えた剥離装置を用いて剥離する剥離方法であって、前記サポートプレートは中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する一方の面に形成された前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔とを有し、前記プレートは中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔と、その径方向において前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔との間に形成されたサポートプレートを吸着するための孔とを有し、
更にこの剥離方法は、
前記プレートの第１の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、  
前記溶剤を前記サポートプレートの第１の貫通孔を介して該第１の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、
前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程と、
前記接着剤層を溶解した前記溶剤を前記サポートプレートの第２の貫通孔を介して前記プレートの第２の貫通孔から排出させる工程とを有し、
更に、前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程を行った直後、前記プレートの第１の貫通孔に外部より気体を供給し、前記気体を前記サポートプレートの第１の貫通孔を介して該第１の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程を行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートをプレートを備えた剥離装置を用いて剥離する剥離方法であって、前記サポートプレートは中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、接着剤層と接する一方の面に形成された前記第１の貫通孔に連通する溝と、周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔とを有し、前記プレートは中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔と、その径方向において前記第１の貫通孔と前記第２の貫通孔との間に形成されたサポートプレートを吸着するための孔とを有し、
更にこの剥離方法は、
前記プレートの第２の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、
前記溶剤を、前記サポートプレートの第２の貫通孔を介して、該第２の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、
前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程と、
前記接着剤層を溶解した前記溶剤を前記サポートプレートの第１の貫通孔を介して前記プレートの第１の貫通孔から排出させる工程とを有し、
更に、前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程を行った直後、前記プレートの第２の貫通孔に外部より気体を供給し、前記気体を前記サポートプレートの第２の貫通孔を介して該第２の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程を行うことを特徴とする剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の基板を薄板化する際に用いられるサポートプレート、更には、半導体ウェーハから上記サポートプレートを剥離する剥離装置及び剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄厚の半導体チップとしなければならない。このため半導体チップの基になるウェーハの厚さは現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍの厚さが要求されると言われている。
【０００３】
従来では、半導体ウェーハの薄板化は、例えば図８に示す工程を経て行われている。
即ち、先ず、半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）に保護テープを貼り付け、これを反転して半導体ウェーハの裏面（Ｂ面）をグラインダーで研削して薄板化する。次に、この薄板化された半導体ウェーハの裏面を、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープ上に固定し、この状態で半導体ウェーハの回路（素子）形成面（Ａ面）を覆っている保護テープを剥離する。そしてこの後、ダイシング装置によりチップ毎に切り離すようにしている。
このような方法は特許文献１に開示されている。
なお、特許文献１では、保護テープとして耐熱性保護テープを用い、剥離する際にはこの保護テープの一端に強粘着テープを粘着して薄板化した半導体ウェーハから引き剥がすようにしている。
【０００４】
また、特許文献２では、保護テープの代わりに窒化アルミニウム−窒化硼素気孔焼結体にラダー型シリコーンオリゴマーを含浸せしめた保護基板を用い、この保護基板と半導体ウェーハとを熱可塑性フィルムを用いて接着すると共に、剥離するには８０℃の純水に入れ、３時間保持した後に剥離することが記載されている。
【０００５】
また、特許文献３では、保護基板として半導体ウェーハと実質的に同一の熱膨張率のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素等の材料を用いることが記載されている。
また特許文献３では、保護基板と半導体ウェーハとをポリイミドなどの熱可塑性樹脂を用いて接着し、グラインダーで薄板化した後、剥離する場合には水、アミン又は水とアミンの混合溶液中に浸漬する方法、或いは水蒸気を用いる方法が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２７０６７６号公報
【特許文献２】特開２００２−２０３８２１号公報
【特許文献３】特開２００１−０７７３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した各先行技術にあっては、半導体ウェーハからサポートプレート（保護テープ）を剥離する際に、サポートプレート（保護テープ）と半導体ウェーハとの間に溶剤が浸入しにくく剥離に時間がかかってしまう。
また、サポートプレート（保護テープ）と半導体ウェーハとを接着している熱可塑性フィルムが完全に溶けずにサポートプレート又は半導体ウェーハの一方にくっついたまま残ってしまうことがある。
このように、接着剤の残渣が生じる剥離する際に半導体ウェーハに割れや欠けが生じ易い。
【０００８】
そこで、本出願人はサポートプレートとして厚み方向に多数の貫通孔が形成されたものを提案している。図９は、このサポートプレートを剥離する方法を説明したものである。
この方法は、先ず、サポートプレート１００の上面にＯリング１０１を介して溶剤供給プレート１０２を重ねる。次に、サポートプレート１００、Ｏリング１０１及び溶剤供給プレート１０２で囲まれる空間Ｓに溶剤供給管１０３から溶剤を供給する。これにより、サポートプレート１００に形成した貫通孔１０４を介して接着剤層１０５を溶解するようにしたものである。
【０００９】
このような多数の貫通孔を形成したサポートプレートを用いた方法の場合、短時間のうちに確実に接着剤を除去できるが、新たな問題が発生した。
即ち、図１０に示すように、サポートプレートの周縁部から溶剤が外側に漏れ、ダイシングテープに大量の溶剤が落下し、ダイシングテープが短時間のうちに劣化してしまう。
また、空間Ｓに供給された新規な溶剤の一部はそのまま回収されてしまい剥離効率が悪い。
また、接着剤が完全に溶解した場合でも、半導体ウェーハからサポートプレートを剥離するための装置としてフィンガー等を用いると回路形成面を傷つけてしまう虞がある。
【００１０】
上述した点に鑑み、本発明は、例えば基板を薄板化した後に、基板からはポートプレートを短時間で容易に剥離することを可能にするサポートプレート、サポートプレートの剥離装置及び剥離方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るサポートプレートは、一方の面に接着剤を介して基板の回路形成面が貼り合わされるサポートプレートであって、サポートプレートの中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、サポートプレートの接着剤と接する一方の面に形成された貫通孔に連通する溝と、サポートプレートの周縁部において厚み方向に形成された溝に連通する第２の貫通孔とを有する構成とする。
【００１２】
本発明に係るサポートプレートによれば、サポートプレートの中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、サポートプレートの接着剤と接する一方の面に形成された貫通孔に連通する溝と、サポートプレートの周縁部において厚み方向に形成された溝に連通する第２の貫通孔とを有するので、例えば第１の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第２の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とし、実際に基板を薄板化した後に基板からサポートプレートを剥離する際は、基板とサポートプレートとを貼り合せている接着剤の全面に速やかに満遍なく溶剤を供給することができ、短時間でサポートプレートを剥がすことが可能となる。
また、例えば第２の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第１の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とした場合もこれと同様の作用を得ることができる。
【００１３】
本発明に係る剥離装置は、基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートを剥離する剥離装置において、この剥離装置はプレートを備えており、このプレートは、その中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、その周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔と、その径方向において第１の貫通孔と第２の貫通孔との間に形成されたサポートプレートを吸着するための孔とを有する構成する。  
【００１４】
本発明に係る剥離装置によれば、剥離装置はプレートを備えており、このプレートは、その中央付近において厚み方向に形成された第１の貫通孔と、その周縁部において厚み方向に形成された第２の貫通孔と、その径方向において第１の貫通孔と第２の貫通孔との間に形成されたサポートプレートを吸着するための孔とを有するので、例えば第１の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第２の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とし、実際に基板を薄板化した後に基板からサポートプレートを剥離する際は、基板とサポートプレートとを貼り合せている接着剤の全面に速やかに満遍なく溶剤を供給することができ、短時間でサポートプレートを剥がすことができる。
また、例えば、第２の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第１の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とした場合もこれと同様の作用を得ることができる。
【００１５】
本発明に係る剥離方法は、基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートを剥離装置を用いて剥離する剥離方法において、プレートの第１の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、溶剤をサポートプレートの第１の貫通孔を介してこの第１の貫通孔に通する溝に行き渡らせる工程と、溶剤により基板と接する面の接着剤を溶解させる工程と、接着剤を溶解した溶剤を、サポートプレートの第２の貫通孔を介して、プレートの第２の貫通孔から排出させる工程とを有するようにする。
【００１６】
上述した本発明に係る剥離方法によれば、プレートの第１の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、溶剤をサポートプレートの第１の貫通孔を介してこの第１の貫通孔に通する溝に行き渡らせる工程と、溶剤により基板と接する面の接着剤を溶解させる工程と、接着剤を溶解した溶剤をサポートプレートの第２の貫通孔を介してプレートの第２の貫通孔から排出させる工程とを有するので、基板とサポートプレートとを貼り合せている接着剤の全面に速やかに満遍なく溶剤を供給することができ、短時間でサポートプレートを剥がすことができる。
【００１７】
また、本発明に係る剥離方法は、基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートを剥離装置を用いて剥離する剥離方法において、プレートの第２の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、溶剤をサポートプレートの第２の貫通孔を介してこの第２の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、溶剤により基板と接する面の接着剤を溶解させる工程と、接着剤を溶解した溶剤をサポートプレートの第１の貫通孔を介してプレートの第１の貫通孔から排出させる工程とを有するようにする。
【００１８】
上述した本発明に係る剥離方法によれば、プレートの第２の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、溶剤をサポートプレートの第２の貫通孔を介してこの第２の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、溶剤により基板と接する面の接着剤を溶解させる工程と、接着剤を溶解した溶剤をサポートプレートの第１の貫通孔を介してプレートの第１の貫通孔から排出させる工程とを有するので、基板とサポートプレートとを貼り合せている接着剤の全面に速やかに満遍なく溶剤を供給することができ、短時間でサポートプレートを剥がすことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板とサポートプレートとを貼り合せている接着剤の全面に速やかに溶剤を供給でき、短時間でサポートプレートを剥がすことができ、処理時間の短縮化を図ることが可能になる。
従って、高信頼性で処理時間を短縮化させるに好適なサポートプレート、サポートプレートの剥離装置及び剥離方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係るサポートプレートの一実施の形態を示す概略構成図であり、図２は、溝の形成方法を説明するための工程図である。
【００２１】
本実施の形態に係るサポートプレート１は、図１に示すように、ガラス板、セラミック板或いは金属板等から形成されている。
このサポートプレート１の一方の面には、図示しないが、接着剤層を介して半導体ウェーハＷの回路形成面が貼り合わされる。
【００２２】
そして、本実施の形態においては特に、サポートプレート１が次に示すように構成されている。
具体的には、サポートプレート１の中央付近（中央部）に外部より溶剤が供給される第１の貫通孔２が厚み方向に貫通して形成されている。この貫通孔２は例えば複数形成されている。なお、図１に示す場合では４つの貫通孔２を示したが貫通孔２の数はこれに限定されない。
また、サポートプレート１の半導体ウェーハＷが貼り合わされる一方の面には、貫通孔２と連通する溝３が形成されている。この溝３は、一方の面において外周迄の略全域に亘って形成されている。因みに、例えば厚さ０．７ｍｍのサポートプレート１に対し、溝３は一方の面の表面から０．３ｍｍの深さで形成されている。ここで、溝３の深さは、サポートプレート１と半導体ウェーハＷとを貼り合せた際に間に介在される接着剤層で完全に埋まらない程度の深さが必要となる。これは、接着剤層と溝３の底面との間に僅かな隙間をつくることで、後述するように溶剤が供給された際にこの隙間をつたって溶剤が速やかに流れるようになるためである。
また、サポートプレート１の周縁部には、溝３と連通し溶剤が外部へ排出（回収）される第２の貫通孔４が厚み方向に貫通して形成されている。この貫通孔４は例えばサポートプレート１の周縁部に複数形成されている。
以上の構成から、サポートプレート１においては、外部より溶剤が供給される第１の貫通孔２と溶剤が外部へと排出される第２の貫通孔４とが溝３を介して連通されていることになる。
【００２３】
溝３は、図１中にその一部の拡大図を示すように格子状に形成されている。この溝３は、上述したように、第１の貫通孔２と第２の貫通孔４とを連通させているため、例えば第１の貫通孔２へ外部から供給された溶剤は、この格子状の溝３を介して中央付近から周縁部（外周部）へと向かって流れて第２の貫通孔４に至る。
【００２４】
ここで、格子状の溝３を有するサポートプレート１を形成する方法を図２の工程図を用いて簡単に説明する。
【００２５】
先ず、例えばガラス板を用意し、溝３を形成する一方の面にドライフィルムレジストを塗布する（ステップ１）。
次に、格子状のフォトマスクを用いて、ドライフィルムレジストに対して露光及び現像処理を行う（ステップ２及び３参照）。
これにより、ガラス板の一方の面には格子状のドライフィルムレジスト（格子状の溝３形成用のレジストマスク）が形成される。
【００２６】
次に、周縁部を保護した後、格子状のドライフィルムレジストをマスクとしてサンドブラスト法によりガラス板を切削する（ステップ４及び５参照）。
これにより、ガラス基板の一方の面にはその表面から所定の深さに格子状の溝３が形成される。
【００２７】
次に、ガラス基板の他方の面にドライフィルムレジストを塗布する（ステップ６参照）。  
そして、第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４形成用のフォトマスクを用いて、ドライフィルムレジストに対して露光及び現像処理を行う（ステップ７及びステップ８参照）。
これにより、ガラス板の他方の面には第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４に相当するドライフィルムレジスト（第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４形成用のレジストマスク）が形成される。
【００２８】
次に、周縁部を保護した後（ステップ９参照）、第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４形成用のレジストをマスクとしてサンドブラスト法によりガラス板を切削する（ステップ１０参照）。
この後、ガラス基板上を洗浄することにより（ステップ１１参照）、ガラス基板の他方の面においては中央付近に厚み方向に貫通する第１の貫通孔２が形成され、周縁部分に厚み方向に貫通する第２の貫通孔４が形成される。
【００２９】
なお、図２に示す工程では、先に溝３を形成し後に第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４を形成した場合を示したが、この順序を逆にすることもできる。
また、サンドブラスト法以外にもドライエッチング法やウェットエッチング法を用いて格子状の溝を形成することもできる。しかし、これらの方法を用いた場合、溝の幅、深さ等にもよるがサンドブラスト法に比べて均一な溝の形成が難しい。このような点から溝３の形成にはサンドブラスト法が好適である。
【００３０】
本実施の形態のサポートプレート１によれば、中央付近に、外部より溶剤が供給される貫通孔２が厚み方向に形成され、接着剤と接触する一方の面に、第１の貫通孔２に連通する格子状の溝３が形成され、周縁部に、溝３に連通すると共に、溶剤が外部に排出される第２の貫通孔４が厚み方向に形成されているので、実際に、後述する剥離装置及び剥離方法を用いて半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥離する際に、ウェーハＷとサポートプレート１とを貼り合せている接着剤の全面に速やかに満遍なく溶剤を供給させることが可能になる。これにより、例えば従来のサポートプレートを用いた場合に比べて、短時間でサポートプレート１を剥離することが可能になる。
【００３１】
即ち、従来のサポートプレートの構造は厚み方向に多数の貫通孔が形成された構成のため接着剤は各貫通孔に接している部分から溶解し始める。このため、接着剤の全てに溶剤が満遍なく行き渡るまでに時間を要していた。
しかしながら、本実施の形態におけるサポートプレート１の場合、接着剤に接する面の略全域に格子状の溝３が形成されているため、第１の貫通孔２から供給された溶剤はこの貫通孔２と連通する格子状の溝３を介して周縁部へと流れ、接着剤の全てに溶剤が速やかに満遍なく行き渡る。
従って、例えば従来のサポートプレートを用いた場合に比べて短時間でサポートプレート１を剥離することが可能になる。
【００３２】
また、従来のように厚み方向に多数の貫通孔が形成されていないので、後述する剥離装置及び剥離方法を用いて実際に半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥離する際は孔のない箇所を真空吸着で保持することが可能になる。これにより、半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥がす工程を簡素化させることが可能になる。
【００３３】
また、従来のように厚み方向に多数の貫通孔が形成されていないので、サポートプレート１としての強度を向上させることができ、従来のサポートプレートに比べて再利用率を更に高めることができる。
【００３４】
また、このように半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥離する際にウェーハＷに無理な力が作用しないためウェーハＷに割れや欠けが生じにくい。
これにより、このようなサポートプレート１が貼り合わされた半導体ウェーハＷにおいては、例えばウェーハＷが薄板化された後グラインダーをかけた面を例えば第２の回路形成面とすることが可能になる。
【００３５】
次に、本実施の形態のサポートプレート１の他の実施の形態を説明する。
上述した実施の形態のサポートプレート１では溝３の形状を格子状としたが、本実施の形態のサポートプレート１では、溝３の形状を千鳥状にすることもできる（図３（ａ）の溝の拡大図及び図３（ｂ）の周縁部の拡大図参照）。
すなわち、本実施の形態のサポートプレート１では、溝の形状は図１に示した格子状の溝３において列毎に所定の間隔ずらした構成である。
【００３６】
このように、千鳥状の溝３とした場合においても、格子状の溝３の場合と同様にウェーハＷとサポートプレート１とを貼り合せている接着剤の全面に千鳥状の溝３を介して溶剤を速やかに満遍なく供給することができる。これにより、従来のサポートプレートを用いた場合に比べてサポートプレート１を基板から短時間で剥離させることが可能になる
なお、このような形状の溝３を形成する場合も図２に示した工程と同様にして行うことができる。
【００３７】
次に、本実施の形態のサポートプレートのさらに他の実施の形態を説明する。
本実施の形態のサポートプレート１は溝の形状がハニカム形状に形成されている。具体的には溝３が亀の子形状（正六角形）に形成されている（図４（ａ）の溝の拡大図及び図４（ｂ）の周縁部の拡大図参照）。
【００３８】
このように、亀の子形状の溝３とした場合は、上述した格子状の溝３や千鳥状の溝３の場合に比べてウェーハＷとサポートプレート１とを貼り合せている接着剤の全面に亀の子形状の溝３を介して溶剤をより速やかに満遍なく供給させることができ、基板からサポートプレート１を従来のサポートプレートを用いた場合に比べてさらに短時間で剥離させることが可能になる。
【００３９】
この理由としては、亀の子形状の溝３の場合、格子状や千鳥状の溝３に比べて、隣接し合う各亀の子形状の溝３がそれぞれ中央付近から周縁部へと向かうように形成されるため、中央付近から供給された溶剤が周縁部へと行き渡り易いことが１つとして考えられる。
なお、このような亀の子形状の溝３を形成する場合も図２に示した工程と同様にして行うことができる。
【００４０】
なお、溝３の形状としては、上述した各形状以外にも溶剤供給孔３を中心として周縁部に形成された溶剤排出孔５へと向かう渦巻き状の溝を形成することもできる。
【００４１】
また、サポートプレートとしては、次に示す構成、所謂すりガラスとした構成とすることもできる。
具体的には、図示せざるも、半導体ウェーハＷが貼り合わされるガラス基板の表面を０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度荒らした構成とする。なお、その他の構成は上述した各実施の形態のサポートプレート１の場合と同様であるので重複説明は省略する。
このような構成のサポートプレートとした場合は、第１の貫通孔２から溶剤が毛細管現象を利用して全面に浸透する。これにより上述した各溝３を有するサポートプレート１の場合と同様の作用を得ることが出来る。
【００４２】
次に、半導体ウェーハＷから前述した構成のサポートプレートを剥離する際に用いられる、本発明の剥離装置及び剥離方法の一実施の形態を、図５及び図６を用いて説明する。
なお、本実施の形態においては、図４に示した亀の子形状の溝３を有するサポートプレート１を用いた場合を挙げて説明する。
【００４３】
本実施の形態の剥離装置２０はプレート１０を備えている。このプレート１０は昇降機構に支持されており上下方向に所定のストロークで昇降可能に構成されている。
【００４４】
プレート１０には中央部に外部より溶剤が供給される第１の貫通孔（溶剤供給孔）１２が形成されている。また、周縁部には接着剤層を溶解した溶剤が外部へ排出される第２の貫通孔（溶剤排出孔）１４が形成されている。また、径方向において第１の貫通孔１２と第２の貫通孔１４との間には孔１３が形成されている。この孔１３は真空引き孔とされておりサポートプレート１と接する側は凹部１５とされている。第１の貫通孔１２は、図示しないが例えばチューブを介して溶剤供給手段と接続されている。
【００４５】
このような構成のプレート１０に孔１３を通じて真空吸着によりサポートプレート１及びこのサポートプレート１に貼り合わされた半導体ウェーハＷを吸着させた場合は、溶剤供給孔１２はサポートプレート１の第１の貫通孔２に接続される。また、溶剤排出孔１４はサポートプレート１の第２の貫通孔４に接続される。また、孔１３はサポートプレート１の第１の貫通孔２及び第２の貫通孔４が形成されていない箇所に接する。
【００４６】
次に、このような構成の剥離装置２０を用いてサポートプレート１を半導体ウェーハＷから剥離する場合を説明する。
【００４７】
先ず、プレート１０をサポートプレート１の上面に押し付け、プレート１０の溶剤供給孔１２をサポートプレート１の第１の貫通孔２に一致（接続）させる。また、溶剤排出孔１４をサポートプレート１の第２の貫通孔４に一致（接続）させる（図５に示す状態）。
【００４８】
次に、このような状態において、プレート１０の溶剤供給孔１２に溶剤供給手段（図示せず）により溶剤を供給する。
これにより、溶剤は溶剤供給孔１２を介してサポートプレート１の第１の貫通孔２へと流れ、この貫通孔２から連通する亀の子状の溝３へと流れる。
この際、上述したように、溝３はサポートプレート１の周縁部迄に至る略全面に亘って形成されているので、溶剤は接着剤層５の全面に速やかに満遍なく行き渡り接着剤層５を溶解する。
【００４９】
そして、接着剤層５を溶解させた溶剤は、サポートプレート１の周縁部に形成され、溝３と連通する第２の貫通孔４を介してプレート１０の溶剤排出孔１４へと流れて外部に排出（回収）される。
【００５０】
この後（所定時間が経過した後）、半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥離する。
この際、プレート１０の真空引き孔１３を介して凹部１５内を減圧し、サポートプレート１をプレート１０に真空吸着せしめた状態でプレート１０を上昇せしめる。これにより、半導体ウェーハＷのみはダイシングテープ７に残りサポートプレート１のみが剥離される。なおダイシングテープ７は粘着性を有すると共にフレーム６に保持されている。
【００５１】
本実施の形態の剥離装置及び剥離方法によれば、プレート１０の溶剤供給孔１２から供給された溶剤がサポートプレート１の第１の貫通孔２を介してこの貫通孔２と連通する亀の子状の溝３を介して周縁部へと流れる。そして、この溶剤はサポートプレート１の周縁部の第２の貫通孔４を介してプレート１０の溶剤排出孔１４へと流れ外部へ排出される。
このように、溝３により接着剤層５の全てに溶剤を速やかに満遍なく行き渡らせることができるため、例えば従来のサポートプレートを用いた場合に比べて短時間でサポートプレート１を剥離することができる。
【００５２】
なお、半導体ウェーハＷからサポートプレート１を剥離する際、接着剤層５を溶解した溶剤の表面張力によりサポートプレート１が半導体ウェーハＷに粘着されたままでありサポートプレート１が剥がれ難い場合も考えられる。
このような場合、プレート１０の溶剤供給孔３を通じてサポートプレート１の第１の貫通孔２へ気体（エア）を供給することで、上述した表面張力を解消させて（破いて）サポートプレート１をさらに剥がし易くすることも可能である。
このような方法を実現させるためは、上述した構成の剥離装置において、例えば気体供給手段を設け、プレート１０の溶剤供給孔３へと通じる溶剤供給手段からのチューブに気体供給手段からのチューブを繋ぐようにすることで可能である。
【００５３】
上述した各実施の形態では、中央付近に溶剤を供給して周縁部から溶剤を排出させる場合を挙げて説明を行ったが、反対に、周縁部から溶剤を供給して中央付近から溶剤を排出させる場合も考えられる。
この場合は、上述した各サポートプレート１において、周縁部に形成された第２の貫通孔４が外部から溶剤が供給される孔となり中央付近に形成された第１の貫通孔２が外部に溶剤が排出される孔となる。
また、剥離装置２０のプレート１０においても、周縁部に形成された第２の貫通孔１４が外部から溶剤が供給される孔となり中央付近に形成された第１の貫通孔１２が外部に溶剤が排出される孔となる。
その他の構成は上述した構成と同様であるので重複説明は省略する。
このような構成とした場合においても、上述した中央付近に溶剤を供給して周縁部から溶剤を排出させる場合と同様の作用を得ることができる。
【００５４】
なお、本実施の形態の剥離装置２０では、図５に示したようにプレート１０をサポートプレート１の上面に設ける場合を説明したが、図７に示すようにプレート１０をサポートプレート１の下面に当てる構造としてもよい。
この場合は、プレート１０では溶剤供給孔１２を形成しているが溶剤排出孔１４は形成しなくても構わない。
【００５５】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係るサポートプレートの一実施の形態を示す概略構成図。
【図２】格子状の溝を説明するための拡大図。
【図３】千鳥状の溝を説明するための拡大図。
【図４】ハニカム状の溝を説明するための拡大図。
【図５】本発明に係るサポートプレートの剥離装置の一実施の形態を示す概略構成図。
【図６】図５の上面図。
【図７】剥離装置の他の実施の形態を示す図。
【図８】従来の剥離方法を説明する図（その１）。
【図９】従来の剥離方法を説明する図（その２）。
【図１０】従来の問題点を説明する図。
【符号の説明】
【００５７】
１…サポートプレート、２…第１の貫通孔、３…溝、４…第２の貫通孔、５…接着剤層、６…フレーム、７…ダイシングテープ、１０…プレート、１２…溶剤供給孔、１３…孔、１４…溶剤排出孔、１５…凹部、２０…剥離装置、Ｗ…半導体ウェーハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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