(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面に電極を備えた複数の半導体素子と、半導体素子で発生する熱を放熱する冷却板と、絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第一の接続回路が形成され、該第一の接続回路の所定の位置に上記半導体素子の裏面電極が固着され、上記第一の接続回路の裏面が上記冷却板に固着された第一の回路基板と、一方が上記第一の接続回路に固着された上記半導体素子の複数の表面電極へそれぞれ固着された複数の第一の通電ブロックと、一方が上記第一の接続回路の所定の位置に固着され、上記第一の通電ブロックの高さに一致する高さに調整された複数の第二の通電ブロックと、絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第二の接続回路が形成され、該第二の接続回路を上記複数の第一の通電ブロックおよび上記複数の第二の通電ブロックの端面に接触させた第二の回路基板と、該第二の回路基板の第二の接続回路が形成された反対面に配置された弾性部材と、該弾性部材の第二の回路基板側の反対面に配置された加圧部材と、該加圧部材と上記冷却板の間を締結する締結部材とを備え、上記冷却板と上記加圧部材との間を上記締結部材により締め付けることにより、上記弾性部材を介して上記第一の回路基板、上記複数の半導体素子、上記第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロック、第二の回路基板それぞれに押圧力を加えたことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
上記第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロックは、円形棒状の導電材料を所定の長さに切断し、軸方向が固着面に対して垂直方向に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。
【請求項３】
上記第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロックは、円形棒状の導電材料を所定の長さに切断し、軸方向が上記加圧部材の押圧方向に対して直交方向に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
上記第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロックは、円筒状の導電材料を所定の長さに切断し、軸方向が上記加圧部材の押圧方向に対して直交方向に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
上記第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロックは、導電材料を所定の直径の球状に形成したことを特徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
上記第一の通電ブロックおよび上記第二の通電ブロックの上記半導体素子の電極または上記第一の接続回路への接続、および上記第二の接続回路への接続は半田により行われていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
上記第一の通電ブロックおよび上記第二の通電ブロックの上記半導体素子の電極または上記第一の接続回路への接続は半田により行われ、上記第二の接続回路への接続は、上記弾性部材により常時加えられる押圧力により接触することにより行われていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項８】
上記電力用半導体装置には、制御導体の中間位置に押圧ばねを配置し、接触側の先端部が針状に形成された制御導体により、上記加圧部材に装着された絶縁ブッシュを貫通して外部に導出されていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項９】
上記加圧部材は、所定寸法の金属板で形成した締付板に、締付面を除く全面を絶縁部材で覆ったことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項１０】
上記第一の回路基板と上記第二の回路基板の間の間隙に、絶縁性充填材を充填したことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大電流の電力変換に供される電力用半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電力用半導体装置では、半導体素子の通電端子部分には、アルミワイヤを超音波接続するワイヤボンディングが多用されている。しかし、このワイヤボンディングは生産性が低く、断続通電による温度サイクルによって接合部に亀裂が発生し易く温度サイクル寿命が短いという問題点がある。このような問題点を解消して温度サイクル寿命が長くなる構成としては、例えば、特許文献１にパワー半導体モジュールとして開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示された構成は、特許文献１の図１、図２に示されているように、上面に所定の回路を形成し、接触部には導電性の接触部を配設し、下面が冷却体に接触した基板と、基板の両側の同一平面状に配設された導体プレートと、基板上面の接触部に半導体素子の接続部を対向させて配設された半導体素子と、可撓性材料の表面に接続回路を形成し、半導体素子を配設した基板、導体プレートを覆うように配設し、半導体素子、基板および導体プレートに接触する接触部にイボ状の突起を設けた可撓性導体プレートと、可撓性導体プレートの上面に圧力蓄積体を配設し、圧力蓄積体の上面に配設された圧力プレートとからなり、半導体素子と基板の接触部はロー付け等の材料接合式で接続し、半導体素子の基板側とは反対側の上面接触部と可撓性導体プレートとの接続、可撓性導体プレートと基板および導体プレートとの接続は、冷却体と圧力プレートとの間を締め付けることで、圧力蓄積体を介して各接触部に圧力を加えることで接触するように構成されている。
【０００４】
このように構成された特許文献１のパワー半導体モジュールは、各接触部が圧力蓄積体を介して締め付けることで、可撓性導体プレートの表面に凹凸があっても安定した電気接触が確立されるものである。
また、特許文献２には、ワイヤボンディングを使用しない構造の半導体装置が示されている。この構成は、半導体素子の電極上に溶接シリンダを載置し、基板間の回路を構成する構造である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５３４０８号公報
【特許文献２】特開２００４−３１２９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示された構成の半導体素子と基板との接続は、ロー付け等の材料接合式で接続され、半導体素子の表面電極との接続部は、可撓性導体プレートで接続されているので、接触部の温度サイクル寿命は長くなる特徴を有しているが、可撓性導体プレートの表面に設けられた接続回路は、可撓性を必要とするので厚さを厚くすることができず、また、接触部は突起が押し付けられることで接触状態が確保される構成であり、接触面積が小さく電流容量を大きくすることができないという問題点があった。
また、特許文献２の溶融する溶接シリンダを用いた構成では、溶接シリンダにＳｎやＳｎ−Ｐｂ合金系の半田が用いられられるが、半導体素子がＳｉで構成され高温で使用される半導体装置では、線膨張係数の小さなＳｉに対して、溶接シリンダは線膨張係数が２０ｐｐｍ／℃を越える材料からなり、半導体素子のＳｉの線膨張係数に対して非常に大きな値であり、大電流電力用半導体装置における断続通電による温度差の大きな温度サイクルによって溶接シリンダに大きな熱応力が加わり、溶接シリンダにクラックが発生して回路が遮断される可能性がある問題点があった。
【０００７】
この発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、半導体素子相互間の接続回路の電流容量を大きくすることが装置寸法を大きくすることなく容易に実現でき、運転時の温度サイクルによってクラックが発生しても接続状態が維持できる電力用半導体装置を構成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る電力用半導体装置は、表面および裏面に電極を備えた複数の半導体素子と、半導体素子で発生する熱を放熱する冷却板と、絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第一の接続回路が形成され、第一の接続回路の所定の位置に半導体素子の裏面電極が固着され、第一の接続回路の裏面が冷却板に固着された第一の回路基板と、一方が第一の接続回路に固着された半導体素子の複数の表面電極へそれぞれ固着された複数の第一の通電ブロックと、一方が第一の接続回路の所定の位置に固着され、第一の通電ブロックの高さに一致する高さに調整された複数の第二の通電ブロックと、
絶縁材で構成され、少なくとも片面に導電性金属箔が貼着されて第二の接続回路が形成され、第二の接続回路を複数の第一の通電ブロックおよび複数の第二の通電ブロックの端面に接触させた第二の回路基板と、第二の回路基板の第二の接続回路が形成された反対面に配置された弾性部材と、弾性部材の第二の回路基板側の反対面に配置された加圧部材と、加圧部材と冷却板の間を締結する締結部材とを備え、冷却板と加圧部材との間を締結部材により締め付けることにより、弾性部材を介して第一の回路基板、複数の半導体素子、第一の通電ブロックおよび第二の通電ブロック、第二の回路基板それぞれに押圧力を加えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の係る電力用半導体装置は、半導体素子を装着する第一の回路基板と、半導体装置を構成する接続回路を形成する第二の回路基板を板状の絶縁材の表面に導電性金属箔を貼着して接続回路を構成したことにより、接続回路を構成する導電性金属箔の厚さを厚くすることが容易となり、半導体素子の電極と基板との間および第一の回路基板と第二の回路基板の相互間の接続は、通電ブロックにより接続する構成としたことにより、大電流容量の電力用半導体装置が装置寸法を大きくすることなく構成できる。
また、弾性部材により各接触部に押圧力が加えられているので、温度サイクルによって半田部分にクラックの発生があっても、通電機能は確保されて継続運転が可能な電力用半導体装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は実施の形態１の電力用半導体装置の外観を示した斜視図であり、図２は図１の構成のＡ−Ａ部の断面図である。
実施の形態１の電力用半導体装置は、半導体素子として、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：以下半導体素子１５と呼称する）２個と還流ダイオード（ＦＷＤｉ：以下半導体素子１６と呼称する）を２個で電力用半導体装置を構成する場合について説明する。
半導体素子１５は、縦横各１０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの大きさであり、裏面にはコレクタ電極１５ａ、表面にはゲート電極およびエミッタ電極１５ｂが設けられている。
半導体素子１６は、縦横各１０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの大きさであり、裏面にはカソード電極１６ａ、表面にはアノード電極１６ｂが設けられている。
【００１１】
図１の構成は、冷却板１の基板載置面にシリコーン等の伝熱効果を高めるグリースを塗布し、セラミック等の絶縁板の片面には第一の接続回路１２ａを形成する例えば銅（Ｃｕ）等の導電性金属箔、反対面にも同様の銅（Ｃｕ）等の導電性金属箔１２ｂを貼着した第一の回路基板１１を載置し、この第一の回路基板１１の第一の接続回路１２ａの所定の位置に、半導体素子１５および半導体素子１６を載置してコレクタ電極である裏面電極１５ａ、およびカソード電極である裏面電極１６ａを半田２０により固着し、第一の接続回路１２ａに固着された半導体素子１５および半導体素子１６の複数の表面電極へ複数の第一の通電ブロック２１の一端側を半田２０により固着し、第一の接続回路１２ａの所定の位置に第二の通電ブロック２２の一端を半田２０により固着し、第一の回路基板１１の第一の接続回路１２ａの所定の位置に通電導体３１および制御導体３２の一端側を半田２０により固着し、セラミック等の絶縁板の片面には第二の接続回路１４ａを形成する例えば銅（Ｃｕ）等の導電性金属箔、反対面にも同様の銅（Ｃｕ）等の導電性金属箔１４ｂを貼着した第二の回路基板１３の第二の接続回路１４ａを半導体素子側として第一の通電ブロック２１および第二の通電ブロック２２の上端に接触する状態で載置して半田２０により固着し、第二の回路基板１３の第二の接続回路１４ａの反対面にシリコーンゴム等の耐熱性と弾力性を備えた弾性部材２５を載置し、この弾性部材２５の上面に、締結用ボルト穴２ａおよび接続端子３１および接続端子３３を挿通する導体挿通穴２ｂ、２ｃを孔設し、導体挿通穴２ｂ、２ｃに絶縁ブッシュ３２、３４を装着した加圧部材２を載置し、第一の回路基板１１、半導体素子１５および半導体素子１６および第二の回路基板１３を積層した外周部に枠体２を配置し、締結ボルト４により冷却板１と加圧部材２との間を適正な締付力で締め付ける。
【００１２】
第一の回路基板１１と第二の回路基板１３の間の間隙には、第一の接続回路１２ａ、第二の接続回路１４ａや第一の通電ブロック２１、第二の通電ブロック２２相互間の絶縁耐力を確保するためにシリコーンゲルなどの絶縁充填材７を充填する。
第一の回路基板１１と第二の回路基板１３との間に絶縁充填剤７を充填することにより内部の絶縁耐力が確保される
【００１３】
このように構成したことにより、弾性部材２５を介して第一の回路基板１１、半導体素子１５、半導体素子１６、第二の回路基板１３に適正な押圧力が与えられ、弾性部材２５の反発力により、第１の通電ブロック２１および第二の通電ブロック２２の半田２０により固着した部分に適正な押圧力が与えられた状態が維持される。
【００１４】
第一の通電ブロック２１および第二の通電ブロック２２の端部と第二の接続回路１４ａとの間は半田により固着しなくても、弾性部材２５の反発力で常時押圧力が与えられているので、通電各接触部の通電機能は確保され、第二の接続回路１４ａとの接続部は必ずしも半田２０による固着は必要でない。
【００１５】
半導体素子１５の表面電極１５ｂおよび半導体素子１６の表面電極１６ｂの表面には半田が濡れるように例えば最表面がニッケルとなるような金属膜が蒸着などの方法により処理されている。
【００１６】
また、各接続部を固着する半田２０は、半導体素子１５および半導体素子１６の使用温度において固着状態が維持できる溶融温度の半田が使用される。例えば図２の構成では、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕを主成分とし、厚さ０．１５ｍｍの半田を使用している。
【００１７】
また、半導体素子の基材として、炭化シリコン（ＳｉＣ）を用いた半導体素子では、最高使用温度が２５０℃程度の温度でも使用できるので、この場合の半田の材質は、Ａｕ−Ｓｎ系やＡｌ−Ｓｉ系のものが使用される。
【００１８】
第一の回路基板１１および第二の回路基板１３の実際の構成は、主として窒化アルミ（ＡｌＮ）からなり厚さが０．６３５ｍｍのセラミック板の両面に０．３ｍｍの銅箔を貼着し、片面に第一の接続回路１２ａまたは第二の接続回路１４ａを形成している。
また、第二の回路基板１３の大きさは、通電導体３１および制御導体３２を外部に導出する必要があるので、第一の回路基板１１よりも小さくなっている。
【００１９】
半導体素子１５の表面電極１５ｂおよび半導体素子１６の表面電極１６ｂと第二の接続回路１２ａとの間を接続する第一の通電ブロック２１は、直径２．０、長さ２．０ｍｍの中実円形の棒状ブロックとし、軸方向が接続面に対して垂直方向に配置して両端面が半田２０により固着される。
第一の回路基板１１の第一の接続回路１２ａと第二の接続回路１４ａとの間を接続する第二の通電ブロック２２は、直径２．０ｍｍ、長さ２．５ｍｍの中実円形の棒状ブロックとし、軸方向が接続面に対して垂直方向に配置して両端面が半田２０により固着される。
【００２０】
通電導体３１は、第一の接続回路１２ａの所定の位置に一端を半田２０にて固着し、加圧部材２の導体挿通穴２ｂに絶縁ブッシュ３３を装着し、その内径部に挿通して外部に導出し、制御導体３２は、第一の接続回路１２ａの所定の位置に一端を半田２０にて固着し、加圧部材２の導体挿通穴２ｃに絶縁ブッシュ３４を装着し、その内径を挿通して外部に導出される。
絶縁ブッシュ３２または絶縁ブッシュ３４は接続導体３１または３３と加圧部材２との間の沿面絶縁距離を確保するために、例えば、通電導体３１の場合には、図３（ａ）または（ｂ）に示すように絶縁ブッシュ３３に図３（ａ）の３３ａまたは図３（ｂ）の３３ｂように溝加工を施して沿面絶縁距離を長くすると沿面絶縁耐力を高くすることができる。
【００２１】
このように電力用半導体装置を構成すると、半導体素子間の接続回路が第一の回路基板１１および第二の回路基板１３に設けた第一の接続回路１２ａおよび第二の接続回路１４ａを形成する銅等の導電性金属箔の厚さを厚くすることが容易となり、第一の回路基板１１と第二の回路基板１３の間を接続する第二の通電導体２２および半導体素子１５の表面電極１５ｂ、半導体素子１６の表面電極１６ｂと第二の接続回路１４ａとの間を接続する第一の通電導体２１は断面積は周囲に殆ど影響することなく大きくすることができるので、電力用半導体装置の寸法を大きくすることなく構成できるようになり、例えば通電電流が１００Ａを越える大電流用の電力用半導体装置でも容易に構成することができる。
【００２２】
また、弾性部材により各接触部に押圧力が加えられているので、温度サイクルにより半田にて固着した部分にクラックが発生しても、押圧力により通電機能は確保されているので継続運転が可能な電力用半導体装置となる。
さらに、第一の通電ブロック２１および第二の通電ブロック２２の第二の接続回路１４ａへの接続は弾性部材２５により常時加えられる押圧力により加圧されているので半田による固着をしないでも接触状態が確保される。
【００２３】
実施の形態２．
実施の形態１の第一の通電ブロック２１は直径２ｍｍの銅材を長さ２ｍｍの中実円形の棒状ブロックに切断した構成とし、第二の通電ブロック２２は直径２ｍｍの銅材を長さ２．５ｍｍの中実円形棒状ブロックに切断した構成とし、第一の接続回路１２ａと第二の接続回路１４ａの所定の位置に配置する構成であったが、直径２ｍｍの銅等の導電性材料を長さのバラツキなく加工することは高精度の加工技術を必要とする。
実施の形態２では、半導体素子の電極方面と回路基板に設けられた接続回路の位置の接続距離に一致する直径の銅材を使用するものである。
【００２４】
図４は実施の形態２の通電ブロック部分の構成図である。
図４（ａ）は半導体素子の表面電極上面に通電ブロックを載置した状態を示し、図４（ｂ）は半導体素子の表面電極と回路基板に形成された接続回路との接続部の半田付けの状態を示す図である。
【００２５】
実施の形態２の通電ブロック４１は、図４（ａ）に示すとおり接続部の離隔距離の相当する直径の棒材を必要な長さに切断し、軸方向を接続面に対して平行に配置して表面電極１６ａまたは接続回路の所定の位置に半田２０により固着する構成としたものである。図４（ａ）状態で両側を半田２０にて固着した状態は図４（ｂ）の状態となり、棒材の周囲に半田２０が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
【００２６】
このように通電ブロック４１を横方向にして半導体素子の電極に載置して半田２０にて固着する構成にすると、通電ブロックの長さの切断精度は必要でなくなり、切断加工が容易となり、生産性が向上する。
【００２７】
実施の形態３．
実施の形態２では、通電ブロックを銅等の中実円形棒状の導電性材料を切断し、軸方向を接続面に対して平行に配置して半田２０により固着する構成としたが、実施の形態３は円筒状の導電材料を切断して円筒状の通電ブロックとしたものである。
【００２８】
図５は実施の形態３の通電ブロック部分の構成図であり、図５（ａ）は半導体素子の電極上面に通電ブロックを載置して半田付けした状態を示し、図５（ｂ）は半導体素子の電極と基板に形成された接続回路の半田付けの状態を示す図である。
【００２９】
実施の形態３の通電ブロック５１は、図５（ａ）に示すとおり接続部の離隔距離の相当する外径の銅等の円筒状の導電性材料を必要な長さに切断して通電ブロックとし、軸方向を接続面に対して平行に配置して表面電極１６ａまたは第一の接続回路１２ａの所定の位置に半田２０により固着する構成としたものである。図５（ａ）状態で両側を半田２０にて固着した状態は図５（ｂ）の状態となり、導電性材料の周囲に半田２０が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
【００３０】
このように円筒状の銅材を切断した通電ブロック５１を接続面に対して平行に配置して半田２０にて固着する構成にすると、接続部の離隔距離のバラツキが大きい場合でも、離隔距離より少し太めの管状の銅材を使用することにより、第一の回路基板１１と第二の回路基板１３による押圧力により離隔距離に応じて変形して良好な接触状態が確保される。
また、実施の形態２と同様に、接続面に対して平行に配置するので、通電ブロックの長さの精度は必要でなくなり、切断加工が容易となり、生産性が向上する。
【００３１】
実施の形態４．
実施の形態２では、通電ブロックを銅等の円形棒状の導電材料を切断して接続面に対して平行に配置して半田にて固着する方法であり、実施の形態３は円筒状の銅材を切断して通電ブロックとしたものであったが、実施の形態４は、導電材料を球状の形成した球状の通電ブロックとしたものである。
【００３２】
図６は実施の形態４の通電ブロック部分の構成図である。
図６（ａ）は半導体素子の電極上面に球状の通電ブロックを載置した状態を示し、図６（ｂ）は半導体素子の電極と基板に形成された接続回路の半田付けにより固着した状態を示す図である。
【００３３】
実施の形態４の通電ブロック６１は、図６（ａ）に示すとおり接続部の離隔距離の相当する直径の銅等の導電材料を球状に形成して電極または接続回路の所定の位置に配置して半田２０により固着している。通電ブロック６１が半導体素子の電極と接続回路間に半田２０にて固着された状態は図６（ｂ）の状態となる。球状の通電ブロック６１が半田２０が取り巻く状態となり必要な通電容量は確保される。
【００３４】
このように球状の通電ブロック６１を使用すると、球状のほぼ全面に半田２０が濡れた状態となり良好な接続状態が確保される。
球状の通電ブロックは、銅等の導電材料の一端を所定量溶融させて落下途中で溶融状態での表面張力により、球状に固化させる等の方法により製作すれば切断した場合に発生するかえりが発生することがなく容易に製作することができる。
【００３５】
実施の形態５．
実施の形態１〜実施の形態４では、加圧部材２を板状の金属材料で構成したが、この場合は、通電導体３１、制御導体３２を加圧部材２を貫通して外部へ導出する構成であったが、制御導体３１は通電容量を必要としないので、基板に半田で固着する必要性はない。
実施の形態５は、制御導体の接触部を押圧方式とした実施の形態である。
【００３６】
図７は実施の形態５の構成を示す断面図である。図７の構成は、制御導体７１の基板との接触部を針状に尖らせ、加圧部材２に装着した絶縁ブッシュ７３の内径部の部分に押圧ばね７２を設けて外部に導出する構成としている。絶縁ブッシュ７３の内径部分は段付き穴を設け押圧ばね７２が段差部分で支持され、加圧部材２を装着すると先端部が押圧ばね７２の押し付け力により接触圧力が与えられる。図７の制御導体以外の部分は図２と同一である。
【００３７】
このように構成すると、制御胴体７１の部分の構成が簡単になって組立が容易となり、生産性が向上する。
【００３８】
実施の形態６．
実施の形態６は、実施の形態１〜５の加圧部材２を絶縁被覆形に形成したものである。
図８は実施の形態６の構成図である。この構成では加圧部材８０を、金属板を所定の寸法に形成し、締付用ボルト穴および通電導体、制御導体の挿通穴を孔設して締付板とし、締結ボルト４の頭部が接する部分を除いた全面に絶縁部材８２により覆った構成としたものである。
【００３９】
このように構成すると、通電導体３１および制御導体３２の挿通部に絶縁ブッシュを設ける必要がなくなって組立が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施の形態１の電力用半導体装置の外観を示した斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ部の断面図である。
【図３】絶縁ブッシュの具体的な構成図である。
【図４】実施の形態２の通電ブロック部分の構成図である。
【図５】実施の形態３の通電ブロック部分の構成図である。
【図６】実施の形態４の通電ブロック部分の構成図である。
【図７】実施の形態５の電力用半導体装置の構成図である。
【図８】実施の形態６の電力用半導体装置の構成図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  冷却板、２  加圧部材、３  枠体、４  締結ボルト、７  絶縁充填材、
１１  第一の回路基板、１２ａ  第一の接続回路、１３  第二の回路基板、
１４ａ  第二の接続回路、１５，１６  半導体素子、２０  半田、
２１  第一の通電ブロック、２２  第二の通電ブロック、２５  弾性部材、
３１  通電導体、３２  制御導体、３３  絶縁ブッシュ、３４  絶縁ブッシュ、
４１  通電ブロック、５１  通電ブロック、６１  通電ブロック、７１  制御導体、
７２  押圧ばね、７３  絶縁ブッシュ、８０  加圧部材、８１  締付板、
８２  絶縁部材。
【図１】
0004637784.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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