(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面側からの光を反射する反射領域をそれぞれ少なくとも一部に備えた複数の画素領域と、
前記反射領域にポジ型感光性樹脂で形成され、皺状の表面を少なくとも一部に備える皺状樹脂層と、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣った皺状の表面を備える反射電極と、
前記皺状樹脂層より下層に形成され、前記基板裏面側からの光を遮光する、開口のない遮光部とを有し、
前記複数の画素領域は、前記基板裏面側からの光を前記基板表面側に透過させる透明電極が形成された透過領域をさらに備え、
前記遮光部は、前記透明電極と同一の形成材料で形成された下層部と、遮光性を有する材料で前記下層部上に形成され、前記下層部とほぼ同一形状にパターニングされた上層部とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の画素領域毎に形成された薄膜トランジスタをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
基板表面側からの光を反射する反射領域と、前記基板裏面側からの光を透過させる透過領域とを画素領域毎に備えた液晶表示装置用基板の製造方法であって、
光透過性を有する第１の導電膜と遮光性を有する第２の導電膜とを前記基板上に順に形成し、
前記第１及び第２の導電膜をパターニングして、開口のない遮光部を前記反射領域に形成するとともに前記透過領域に所定形状の導電層を形成し、
前記遮光部及び前記導電層上に絶縁膜を形成し、
前記透過領域の前記絶縁膜を除去して前記導電層を露出させ、
露出した前記導電層のうち前記第２の導電膜を除去して透明電極を形成し、
前記反射領域の前記絶縁膜上に所定形状の樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面を硬化させて熱処理し、表面の少なくとも一部に皺状凹凸を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記皺状樹脂層を形成する工程は、前記遮光部の形成されていない領域の前記樹脂層に前記皺状凹凸が形成されないように、熱処理する前の前記樹脂層に対して前記基板裏面側から露光する工程を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置に関し、特に、透過及び反射の両モードでの表示が可能な半透過型の液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置に対してより一層の高性能化が求められている。携帯電話機や携帯型電子機器等の普及とともに、特に低消費電力化や屋外での使用容易性等が強く要求されている。低消費電力化と屋外での高い使用容易性とを実現するものとして、光反射性を有する画素電極（反射電極）を備え、外光を反射させて表示することにより光源装置が不要な反射型液晶表示装置がある。
【０００３】
反射型液晶表示装置の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板には、光反射率の高い金属薄膜により反射電極が形成されている。反射型液晶表示装置は、表示画面側から入射する自然光や電気を利用した光をＴＦＴ基板上の反射電極で反射させ、その反射光を液晶表示用の光源として用いている。反射電極は凹凸状の表面を有している。反射電極の凹凸状の表面は、表面に凹凸を有する感光性樹脂層を反射電極の下層に予め形成することにより得られる。表示画面側から入射する光を反射電極の凹凸状表面で乱反射させることにより、高輝度及び高視野角が得られるようになっている。
【０００４】
例えば、特許文献３及び４に記載された反射型液晶表示装置では、樹脂材料からなるオーバーコート層の表面（上層部）に所定のエネルギーを与えて上層部を相対的に下層部よりも硬化させ、さらに熱硬化点以上の温度で熱処理することにより、オーバーコート層表面に皺（しわ）状の凹凸を形成している。
【０００５】
また、反射型液晶表示装置と同様の反射モードでの表示に加え、透過モードでの表示も可能な半透過型液晶表示装置がある。半透過型液晶表示装置では、光透過性材料からなる透明電極を備える透過領域と、光反射性材料からなる反射電極を備える反射領域とが画素領域毎に形成されている。半透過型液晶表示装置の反射電極は、反射型液晶表示装置と同様に表面に凹凸を有する樹脂層上に形成されている。ここで、半透過型液晶表示装置には、画素領域内での反射領域の面積比率を増加させて反射モードでの表示輝度を向上させた微透過型液晶表示装置や、逆に画素領域内での透過領域の面積比率を増加させて透過モードでの表示輝度を向上させた微反射型液晶表示装置などが含まれる。
【０００６】
図２７（ａ）は、従来の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示している。図２７（ｂ）は、図２７（ａ）のＸ−Ｘ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示している。図２７（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０２のガラス基板１１０上には、図２７（ａ）の左右方向に延びるゲートバスライン１１２が互いに並列して複数形成されている（図２７では１本のみ示している）。
【０００７】
ゲートバスライン１１２上の基板全面には絶縁膜（以下、成膜部位により「ゲート絶縁膜」ともいう）１３０が形成されている。ゲートバスライン１１２に絶縁膜１３０を介して交差して、図２７（ａ）の上下方向に延びるドレインバスライン１１４が互いに並列して複数形成されている（図２７（ａ）では２本示している）。ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４の各交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。
【０００８】
ＴＦＴ１２０は、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層１２８を絶縁膜１３０上に有している。動作半導体層１２８上にはチャネル保護膜１２３が形成されている。チャネル保護膜１２３直下の領域のゲートバスライン１１２は、ＴＦＴ１２０のゲート電極として機能するようになっている。チャネル保護膜１２３上には、隣接するドレインバスライン１１４から引き出されたドレイン電極１２１と、ドレイン電極１２１に所定の間隙を介して対向するソース電極１２２とが形成されている。
【０００９】
ＴＦＴ１２０上の基板全面には、保護膜１３２が形成されている。保護膜１３２上であって画素領域毎の反射領域には、表面に皺状の凹凸を有する皺状樹脂層１３４が形成されている。皺状樹脂層１３４上には、反射電極１１７が形成されている。反射電極１１７表面には、皺状樹脂層１３４表面に倣って皺状の凹凸が形成されている。反射電極１１７及び皺状樹脂層１３４は、ＴＦＴ１２０上を覆うように配置されている。一方、保護膜１３２上であって画素領域毎の透過領域には、透明電極１１６が形成されている。反射領域と、当該反射領域の図２７（ａ）中上方に隣接する透過領域とによって１画素が構成される。同一画素内の反射電極１１７と透明電極１１６は、互いに電気的に接続されている。透明電極１１６は、図２７（ａ）中上方に隣接する画素の反射電極１１７の下層に形成されたＴＦＴ１２０のソース電極１２２に、コンタクトホール１２４を介して電気的に接続されている。
【００１０】
またガラス基板１１０上には、ゲートバスライン１１２に並列して図２７（ａ）中左右方向に延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている。蓄積容量バスライン１１８は、蓄積容量の一方の電極として機能する。蓄積容量バスライン１１８上には、絶縁膜１３０を介して蓄積容量電極１１９が形成されている。蓄積容量電極１１９は、ソース電極１２２に電気的に接続され、蓄積容量の他方の電極として機能する。さらにガラス基板１１０上には、ゲートバスライン１１２及び蓄積容量バスライン１１８に並列して図２７（ａ）中左右方向に延びる線状の光漏れ防止膜１４０が形成されている。光漏れ防止膜１４０は、反射領域及び透過領域の境界近傍を遮光するように配置され、両領域の境界近傍における液晶の配向不良に起因する光漏れを防止している。
【００１１】
図２７に示すＴＦＴ基板１０２のうち、皺状樹脂層１３４は以下のような工程を経て形成される。まず、ＴＦＴ等の形成されたガラス基板全面にポジ型の感光性樹脂を塗布して樹脂層を形成する。次に、ガラス基板を露光装置の露光ステージ上に載置し、反射領域となる領域を遮光するフォトマスクを介して樹脂層を露光する。これにより、反射領域以外の領域の樹脂層は感光する。続いて樹脂層を現像すると、感光した領域の樹脂層は現像液に溶解して除去され、感光していない反射領域の樹脂層は現像液に溶解せずに残存する。次に、残存した樹脂層の表面にＵＶ光を照射し、樹脂層の上層部を硬化させる。続いて、樹脂層を熱硬化点以上の温度で熱処理して、皺状の凹凸を表面に有する皺状樹脂層を形成する。
【００１２】
ところが、樹脂層を露光する工程では、露光ステージ表面で反射した光が反射領域の樹脂層にも入射してしまう。これにより反射領域の樹脂層は、現像液に溶解しない程度に感光して硬化する。一般に、露光ステージ表面には溝が形成されている。このため、反射領域の樹脂層に入射する反射光の強度は露光ステージ表面の溝の有無によって異なるので、溝の位置に対応して樹脂層の硬化の程度が異なってしまうことになる。したがって、その後の工程で均一な皺状凹凸を樹脂層表面に形成できず、露光ステージ表面の溝の位置に対応して皺状凹凸の形状が変化してしまう。このため、作製された半透過型液晶表示装置では、反射モードでの表示の際に露光ステージ表面の溝の位置に対応する表示むらが視認され、所望の反射率及び良好な反射均一性が得られないという問題が生じる。
【００１３】
【特許文献１】特開平５−２３２４５５号公報
【特許文献２】特開平８−３３８９９３号公報
【特許文献３】特開２００２−２２１７１６号公報
【特許文献４】特開２００２−２９６５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、良好な反射表示特性が得られる液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的は、基板表面側からの光を反射する反射領域をそれぞれ少なくとも一部に備えた複数の画素領域と、前記反射領域にポジ型感光性樹脂で形成され、皺状の表面を少なくとも一部に備える皺状樹脂層と、前記皺状樹脂層上に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣った皺状の表面を備える反射電極と、前記皺状樹脂層より下層に形成され、前記基板裏面側からの光を遮光する遮光部とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、良好な反射表示特性が得られる液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置について図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施の形態による半透過型液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、半透過型液晶表示装置は、光透過性材料からなる透明電極、光反射性材料からなる反射電極、及びＴＦＴ等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、共通電極やＣＦ層等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有している。
【００１８】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。
【００１９】
対向基板４は、画素領域毎に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれか１色が形成されたＣＦ層を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜が形成されている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の表面には、偏光板８７が貼り付けられている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側には、バックライトユニット８８が配置されている。一方、対向基板４のＣＦ層形成面と反対側の表面には、偏光板８６が貼り付けられている。
【００２０】
図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。図３（ａ）はＴＦＴ基板２のほぼ１画素分の構成を示し、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図２及び図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には、図２及び図３（ａ）の左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いに並列して複数形成されている（図３（ａ）では１本のみ示している）。
【００２１】
ゲートバスライン１２上の全面には絶縁膜（ゲート絶縁膜）３０が形成されている。ゲートバスライン１２に絶縁膜３０を介して交差して、図２及び図３（ａ）の上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いに並列して複数形成されている（図３（ａ）では２本示している）。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４の交差位置近傍には、例えばチャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成されている。
【００２２】
ＴＦＴ２０は、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層２８を絶縁膜３０上に有している。動作半導体層２８上にはチャネル保護膜２３が形成されている。チャネル保護膜２３上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１及びその下層のオーミックコンタクト層となるｎ+ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。ドレイン電極２１及びソース電極２２は、例えばチタン（Ｔｉ）層２１ａ、アルミニウム（Ａｌ）層２１ｂ、Ｔｉ層２１ｃの積層構造を有している。このような構成において、チャネル保護膜２３直下のゲートバスライン１２がＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００２３】
ＴＦＴ２０上の基板全面には、保護膜３２が形成されている。保護膜３２上であって画素領域毎の反射領域には、表面に皺状の凹凸を有する皺状樹脂層３４が形成されている。皺状樹脂層３４は、ポジ型の感光性樹脂を用いて形成されている。皺状樹脂層３４上には、反射電極１７が形成されている。反射電極１７は光反射性を有する導電膜で形成され、例えばＴｉ層１７ａ及びＡｌ層１７ｂが順に積層された構造を有している。反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４表面に倣って皺状の凹凸が形成されている。表示画面側から入射する光を反射電極１７の皺状表面で散乱反射させることにより、良好な反射表示特性が得られるようになっている。各画素に形成された反射電極１７は、当該画素の図３（ａ）中下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０上を覆うように配置されている。
【００２４】
一方、保護膜３２上であって画素領域毎の透過領域には、透明電極１６が形成されている。透明電極１６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の光透過性を有する導電膜で形成されている。反射領域と、当該反射領域の図３（ａ）中上方に隣接する透過領域とによって１画素が構成される。同一画素内の反射電極１７と透明電極１６は、互いに電気的に接続されている。
【００２５】
また、ゲートバスライン１２に並列して、図２及び図３（ａ）の左右方向に延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８は、ゲートバスライン１２と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜３０を介して蓄積容量電極１９が画素領域毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成されている。さらに、ゲートバスライン１２に並列して、図３（ａ）中左右方向に延びる線状の光漏れ防止膜４０が形成されている。光漏れ防止膜４０は、反射領域及び透過領域の境界近傍を遮光するように配置され、両領域の境界近傍における液晶の配向不良に起因する光漏れを防止している。光漏れ防止膜４０はゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８と同一の形成材料で形成され、例えば電気的にフローティング状態になっている。
【００２６】
本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、反射領域に形成された皺状樹脂層３４より下層に、ガラス基板１０の裏面側（図３（ｂ）中下方）からの光を遮光する遮光部６０ａ、６０ｂを有している。遮光部６０ａ、６０ｂは、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、及び光漏れ防止膜４０と同一の形成材料で同時に形成されている。遮光部６０ａは光漏れ防止膜４０とゲートバスライン１２との間に配置されている。遮光部６０ａは光漏れ防止膜４０に電気的に接続され、ゲートバスライン１２からは電気的に分離されている。遮光部６０ｂはゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に配置されている。遮光部６０ｂは、ゲートバスライン１２からは電気的に分離され、蓄積容量バスライン１８に電気的に接続されている。ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０、及び遮光部６０ａ、６０ｂ（及びドレイン電極２１とソース電極２２との一部）によって、反射領域（皺状樹脂層３４形成領域）の大部分の領域でガラス基板１０裏面側からの光が遮光されるようになっている。皺状樹脂層３４形成領域のうち、ガラス基板１０裏面側からの光が遮光される領域の面積比率は、より高いのが望ましい（例えば３０％以上）。
【００２７】
ＴＦＴ２０や各バスライン１２、１４、１８、光漏れ防止膜４０、遮光部６０ａ、６０ｂ等はフォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２８】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光装置の露光ステージでの反射光は遮光部６０ａ、６０ｂ等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことはほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にも均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。また、遮光部６０ａ、６０ｂは、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、及び光漏れ防止膜４０等と同一工程で形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００２９】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例について図４を用いて説明する。図４（ａ）は本変形例によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例では図３に示す構成と異なり、遮光部６０ａ、６０ｂがそれぞれ複数に分離され、さらに光漏れ防止膜４０及び蓄積容量バスライン１８からもそれぞれ電気的に分離されている。遮光部６０ａ、６０ｂがゲートバスライン１２等と同一の形成材料で形成されている点は図３に示す構成と同様である。
【００３０】
ゲートバスライン１２と光漏れ防止膜４０との間に形成された３つの遮光部６０ａは、ゲートバスライン１２及び光漏れ防止膜４０の双方から電気的に分離され、フローティング状態になっている。また、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に形成された２つの遮光部６０ｂは、ゲートバスライン１２及び光漏れ防止膜４０の双方から電気的に分離され、フローティング状態になっている。本変形例では、導電性異物の混入等により遮光部６０ａがゲートバスライン１２又は光漏れ防止膜４０のいずれか一方と短絡しても、ゲートバスライン１２と光漏れ防止膜４０とが短絡してしまうことはない。同様に、遮光部６０ｂがゲートバスライン１２又は蓄積容量バスライン１８のいずれか一方と短絡しても、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８とが短絡してしまうことはない。したがって、本変形例によれば、図３に示す構成と同様の効果が得られることに加え、ＴＦＴ基板２の製造歩留りがさらに向上する。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板について図５及び図６を用いて説明する。図５（ａ）は本実施の形態によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図５（ｂ）は図５（ａ）のＣ−Ｃ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、反射領域に形成された皺状樹脂層３４の下層に、ガラス基板１０の裏面側（図５（ｂ）中下方）からの光を遮光する遮光部６１ａ、６１ｂを有している。遮光部６１ａ、６１ｂは、ドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９と同一の形成材料で同時に形成されている。遮光部６１ａは、ドレインバスライン１４及びドレイン電極２１に電気的に接続され、光漏れ防止膜４０とゲートバスライン１２との間に配置されている。遮光部６１ｂは、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９に電気的に接続され、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に配置されている。ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０、及び遮光部６１ａ、６１ｂによって、反射領域の大部分の領域でガラス基板１０裏面側からの光が遮光されるようになっている。
【００３２】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６１ａ、６１ｂ等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にも均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。また、遮光部６１ａ、６１ｂは、ドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９等と同一工程で形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００３３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例について図６を用いて説明する。図６（ａ）は本変形例によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図６（ｂ）は図６（ａ）のＤ−Ｄ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例では図５に示す構成と異なり、遮光部６１ａ、６１ｂがそれぞれ複数に分離され、さらにドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９からもそれぞれ電気的に分離されている。遮光部６１ａ、６１ｂがドレインバスライン１４等と同一の形成材料で形成されている点は図５に示す構成と同様である。
【００３４】
ゲートバスライン１２と光漏れ防止膜４０との間に形成された３つの遮光部６１ａは、ドレインバスライン１４及びドレイン電極２１の双方から電気的に分離され、フローティング状態になっている。また、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に形成された２つの遮光部６１ｂは、ドレインバスライン１４、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９の全てから電気的に分離され、フローティング状態になっている。本変形例では、導電性異物の混入等により遮光部６１ａが当該画素の左右方向に隣接する２本のドレインバスライン１４のいずれか一方と短絡しても、２本のドレインバスライン１４同士が互いに短絡してしまうことはない。同様に、遮光部６１ｂがドレインバスライン１４又はソース電極２２（蓄積容量電極１９）のいずれか一方と短絡しても、ドレインバスライン１４とソース電極２２とが短絡してしまうことはない。したがって、本変形例によれば、図５に示す構成と同様の効果が得られることに加え、ＴＦＴ基板２の製造歩留りがさらに向上する。
【００３５】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板について図７を用いて説明する。図７（ａ）は本実施の形態によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図７（ｂ）は図７（ａ）のＥ−Ｅ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、反射領域に形成された皺状樹脂層３４の下層に、ガラス基板１０の裏面側（図７（ｂ）中下方）からの光を遮光する遮光部６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂを有している。遮光部６０ａ、６０ｂは、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及び光漏れ防止膜４０と同一の形成材料で同時に形成されている。遮光部６０ａはゲートバスライン１２と光漏れ防止膜４０との間に配置され、ゲートバスライン１２及び光漏れ防止膜４０の双方から電気的に分離されている。遮光部６０ｂはゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に配置され、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８の双方から電気的に分離されている。
【００３６】
光漏れ防止膜４０と遮光部６０ａとの間の間隙部に対応する位置には、絶縁膜３０を介して一部が光漏れ防止膜４０及び遮光部６０ａに重なるように遮光部６１ａが配置されている。同様にゲートバスライン１２と遮光部６０ａとの間の間隙部に対応する位置には、絶縁膜３０を介して一部がゲートバスライン１２及び遮光部６０ａに重なるように遮光部６１ａが配置されている。また、ゲートバスライン１２と遮光部６０ｂとの間の間隙部に対応する位置には、絶縁膜３０を介して一部がゲートバスライン１２及び遮光部６０ｂに重なるように遮光部６１ｂが配置されている。遮光部６１ａ、６１ｂは、ドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９と同一の形成材料で同時に形成されている。このように本実施の形態では、遮光部が領域により異なる形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０、ドレイン電極２１、ソース電極２２、蓄積容量電極１９、及び遮光部６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂによって、反射領域のほぼ全域でガラス基板１０裏面側からの光が遮光されるようになっている。
【００３７】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂ等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１及び第２の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にも均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。また、遮光部６０ａ、６０ｂはゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０等と同一工程で形成でき、遮光部６１ａ、６１ｂはドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９等と同一工程で形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００３８】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板について図８及び図９を用いて説明する。図８（ａ）は本実施の形態によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図８（ｂ）は図８（ａ）のＦ−Ｆ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図８（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、反射領域に形成された皺状樹脂層３４の下層に、ガラス基板１０の裏面側（図８（ｂ）中下方）からの光を遮光する遮光部６２ａ、６２ｂを有している。またＴＦＴ基板２には、第１乃至第３の実施の形態のようなチャネル保護膜型のＴＦＴ２０ではなく、チャネルエッチ型のＴＦＴ２５が形成されている。
【００３９】
ＴＦＴ２５は、ａ−Ｓｉ層からなる動作半導体層２８を絶縁膜３０上に有している。動作半導体層２８上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２１及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。例えばソース電極２２は棒状の平面形状を有し、ドレイン電極２１はソース電極２２をＣ字状に囲むように配置されている。動作半導体層２８のチャネル領域表面は、ドレイン電極２１とソース電極２２との間の分離絶縁を確実にするために一部エッチングされている。動作半導体層２８の成膜時の膜厚は例えば１５０〜２００ｎｍであり、表面がエッチングされた部分の動作半導体層２８の膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。動作半導体層２８直下のゲートバスライン１２は、ＴＦＴ２５のゲート電極として機能するようになっている。本例のゲートバスライン１２は、ゲート電極として機能する領域が他の領域より幅広に形成されている。
【００４０】
遮光部６２ａ、６２ｂは、ＴＦＴ２５の動作半導体層２８と同一の形成材料で同時に形成されている。遮光部６２ａ、６２ｂは、ＴＦＴ２５の動作半導体層２８のうち表面がエッチングされた部分の膜厚とほぼ同じ１００ｎｍ程度の膜厚を有し、光を遮光（吸収）する機能を備えている。このように本実施の形態では、チャネルエッチ型のＴＦＴ２５の動作半導体層２８がチャネル保護膜型のＴＦＴ２０の動作半導体層２８の膜厚（例えば３０〜５０ｎｍ程度）と比較して厚く形成されることを利用している。遮光部６２ａは、ゲートバスライン１２と光漏れ防止膜４０との間に配置され、動作半導体層２８、ドレイン電極２１、ドレインバスライン１４、ゲートバスライン１２、及び光漏れ防止膜４０から電気的に分離されている。遮光部６２ｂは、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８との間に配置され、動作半導体層２８、ソース電極２２、蓄積容量電極１９、ゲートバスライン１２、及び蓄積容量バスライン１８から電気的に分離されている。ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０、及び遮光部６２ａ、６２ｂによって、反射領域の大部分の領域でガラス基板１０裏面側からの光が遮光されるようになっている。
【００４１】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６２ａ、６２ｂ等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第３の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にも均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。また、遮光部６２ａ、６２ｂは、動作半導体層２８と同一工程で形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００４２】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例について図９を用いて説明する。図９（ａ）は本変形例によるＴＦＴ基板２の１画素のうち反射領域近傍の構成を示し、図９（ｂ）は図９（ａ）のＧ−Ｇ線で切断したＴＦＴ基板２の断面構成を示している。図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例では遮光部６２ａの一部が光漏れ防止膜４０に重なって形成されている。また、隣り合う２つの遮光部６２ａ間の間隙部（遮光部６２ａの周囲）には、ゲートバスライン１２等と同一の形成材料で同時に形成され、光漏れ防止膜４０から延出する遮光部６０ａが配置されている。さらに、遮光部６２ａとドレイン電極２１との間の間隙部には、遮光部６０ａと同一の形成材料で同時に形成された遮光部６０ａ’が配置されている。一方、遮光部６２ｂの周囲には、ゲートバスライン１２等と同一の形成材料で同時に形成された遮光部６０ｂが配置されている。遮光部６０ｂは、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８の双方から電気的に分離されている。このように本変形例では、遮光部が領域により異なる形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、光漏れ防止膜４０、ドレイン電極２１、ソース電極２２、蓄積容量電極１９、及び遮光部６０ａ、６０ａ’、６０ｂ、６２ａ、６２ｂによって、反射領域のほぼ全域でガラス基板１０裏面側からの光が遮光されるようになっている。したがって本変形例によれば、図８に示す構成よりもさらに均一な皺状凹凸を反射電極１７に形成できるため、良好な反射表示特性が得られる。
【００４３】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１０乃至図１２を用いて説明する。図１０は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図１０では、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図１０に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０のゲート電極（ゲートバスライン）１２の下層に絶縁膜３１を有している。透過領域には、ガラス基板１０の直上に透明電極１６が形成されている。透明電極１６の表面は、保護膜３２、絶縁膜３０、３１が除去された開口部２７を介して露出している。透明電極１６は、反射電極１７を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。反射領域の絶縁膜３１の下層には、遮光部６３が形成されている。遮光部６３は、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２と、遮光性を有する高融点金属層５３とがこの順に積層されて同一形状にパターニングされた構成を有している。
【００４４】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図１１及び図１２は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図１１（ａ）に示すように、透明絶縁性基板であるガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、例えば膜厚７０ｎｍのＩＴＯ層５２と、例えば膜厚１００ｎｍの高融点金属層５３をスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、ＩＴＯ層５２と高融点金属層５３とが積層された厚さ約１７０ｎｍの導電膜が基板全面に形成される。高融点金属層５３としては、例えばＴｉ、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）やこれらの合金等を用いることができる。次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスク（あるいはレチクル）を用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを行う。これにより、反射領域となる領域の少なくとも一部に遮光部６３が形成され、透過領域となる領域に所定形状の導電膜（導電層）５４が形成される。
【００４５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、遮光部６３及び導電膜５４上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚２００ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜し、絶縁膜３１を形成する。
【００４６】
次に、図１２（ａ）に示すように、絶縁膜３１上の基板全面に例えば膜厚１３０ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）５５と、例えば膜厚７０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５６とをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、Ａｌ層５５と高融点金属層５６との積層からなる厚さ２００ｎｍの導電膜が形成される。Ａｌ合金としては、ネオジム（Ｎｄ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、スカンジウム（Ｓｃ）等のうち１つ又は複数をＡｌに添加した材料を用いることができる。また高融点金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等を用いることができる。次いで、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第２のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成される。
【００４７】
次に、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びゲートバスライン端子上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜（ゲート絶縁膜）３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚３０ｎｍのａ−Ｓｉ層を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚１５０ｎｍのＳｉＮ膜を形成する。次に、ＳｉＮ膜上の全面にスピンコート等によりレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面側から背面露光を行う。続いて、第３のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、チャネル保護膜２３が形成される。
【００４８】
次に、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層表面を洗浄（自然酸化膜の除去）した後、速やかに、例えば膜厚３０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により基板全面に形成する。次に、例えば膜厚４０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、膜厚７５ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、膜厚８０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。高融点金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等を用いることができる。ただし、後の工程で透過領域の高融点金属層５３をエッチング除去する際に、高融点金属層５９は除去されずに残存する必要があるため、高融点金属層５３の形成材料とのエッチング選択性を考慮する必要がある（図１２（ｂ）参照）。
【００４９】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ａ−Ｓｉ層、及びａ−Ｓｉ層に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２、動作半導体層２８、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）が形成される。このエッチングにおいて、チャネル保護膜２３はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層はエッチングされずに残存する。以上の工程により、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成される。
【００５０】
次に、図１２（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０、３１）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２及び絶縁膜３０、３１が除去された開口部２７が形成される。続いて、酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングを行う。これにより、開口部２７を介して露出した導電膜５４のうち上層部の高融点金属層５３が除去されて下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。
【００５１】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第６のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のオーバーコート（ＯＣ）層（樹脂層）を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６３が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【００５２】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。続いて、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。次に、クリーンオーブン等を用い、ＯＣ層の熱硬化点以上の温度（１８０〜２３０℃）で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図１０参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【００５３】
なお、例えば図３に示すような構成では、遮光部６０ａ、６０ｂとゲートバスライン１２との間の間隙部を介して露光ステージからの反射光が入射してしまうこともあり得る。したがって、皺状樹脂層３４の一部の領域では露光ステージ表面の溝の位置に対応して皺状凹凸の形状が変化してしまい、反射領域に対する間隙部の面積比率によっては表示むらが視認されるおそれがある。これを防ぐため、ＯＣ層をパターニングした後であって熱硬化点以上の温度で熱処理を行う前に、ガラス基板１０裏面側（図中下方）から所定の露光条件で背面露光を行ってもよい。これにより、遮光部６０ａ、６０ｂとゲートバスライン１２との間の間隙部に対応する領域のＯＣ層が全画素でほぼ均一に硬化するため、当該領域にはその後の熱処理によっても皺状凹凸が形成されないものの、表示むらが視認されることはなくなる。
【００５４】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、膜厚１００ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。なお、Ｔｉ層に代えて、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等からなる高融点金属層を形成してもよい。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。また反射電極１７は、開口部２７の一部を介して透明電極１６に電気的に接続される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図１０に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００５５】
本実施の形態によれば、反射領域に皺状樹脂層３４を形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６３等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第４の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【００５６】
また遮光部６３は、透明電極１６と同一のフォトマスク（第１のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層５３は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、所定のエッチャントを用いて除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６３を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００５７】
〔第６の実施の形態〕
次に、本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１３乃至図１５を用いて説明する。図１３は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図１３では、図１０乃至図１２と同様に、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図１３に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、チャネルエッチ型のＴＦＴ２５を備えること以外は第５の実施の形態と同様である。すなわちＴＦＴ基板２は、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２と、遮光性を有する高融点金属層５３とがこの順に積層されて同一形状にパターニングされた遮光部６３を有している。
【００５８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図１４及び図１５は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図１４（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、例えば膜厚７０ｎｍのＩＴＯ層５２と、例えば膜厚１００ｎｍの高融点金属層５３をスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、ＩＴＯ層５２と高融点金属層５３とが積層された厚さ約１７０ｎｍの導電膜が基板全面に形成される。次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを行う。これにより、反射領域となる領域の少なくとも一部に遮光部６３が形成され、透過領域となる領域に導電膜５４が形成される。
【００５９】
次に、図１４（ｂ）に示すように、遮光部６３及び導電膜５４上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚２００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３１を形成する。
【００６０】
次に、図１５（ａ）に示すように、絶縁膜３１上の基板全面に例えば膜厚１３０ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）５５と、例えば膜厚７０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５６とをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、Ａｌ層５５と高融点金属層５６との積層からなる厚さ２００ｎｍの導電膜が形成される。次いで、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第２のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成される。
【００６１】
次に、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びゲートバスライン端子上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚１５０ｎｍのａ−Ｓｉ層を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚３０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層を形成する。
【００６２】
次に、ｎ+ａ−Ｓｉ層上の全面にスピンコート等によりレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、第３のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ＴＦＴ２５の形成領域上にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、動作半導体層２８及びその上層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１が島状に形成される。
【００６３】
次に、例えば膜厚４０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、膜厚７５ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、膜厚８０ｎｍの高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。高融点金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等を用いることができる。ただし、後の工程で透過領域の高融点金属層５３をエッチング除去する際に、高融点金属層５９は除去されずに残存する必要があるため、高融点金属層５３の形成材料とのエッチング選択性を考慮する必要がある（図１５（ｂ）参照）。
【００６４】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜及びｎ+ａ−Ｓｉ層５１に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。このエッチングでは、ドレイン電極２１及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１と、ソース電極２２及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層５１との間を確実に分離させるため、動作半導体層２８表面までエッチング（チャネルエッチング）される。これにより、ＴＦＴ２５のドレイン電極２１及びソース電極２２、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）が形成される。以上の工程により、チャネルエッチ型のＴＦＴ２５が形成される。
【００６５】
次に、図１５（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて例えば膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０、３１）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２、絶縁膜３０、３１が除去された開口部２７が形成される。続いて、酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングを行う。これにより、開口部２７を介して露出した導電膜５４のうち上層部の高融点金属層５３が除去されて下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。
【００６６】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第６のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨなどのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のＯＣ層を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６３が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【００６７】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。次に、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。続いて、必要であればガラス基板１０裏面側からの背面露光を行う。次に、クリーンオーブン等を用い、１８０〜２３０℃の温度で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図１３参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【００６８】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、膜厚１００ｎｍのＡｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。また反射電極１７は、開口部２７の一部を介して透明電極１６に電気的に接続される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図１３に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００６９】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６３等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第５の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【００７０】
また遮光部６３は、透明電極１６と同一のフォトマスク（第１のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層５３は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、所定のエッチャントを用いて除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６３を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することもない。
【００７１】
〔第７の実施の形態〕
次に、本発明の第７の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１６及び図１７を用いて説明する。図１６は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図１６では、図１０乃至図１５と同様に、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図１６に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の透過領域には、ガラス基板１０の直上に透明電極１６が形成されている。透明電極１６の表面は、保護膜３２、絶縁膜３０が除去された開口部２７を介して露出している。透明電極１６は、反射電極１７を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。ゲートバスライン（ゲート電極）１２は、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２、高融点金属層７０、Ａｌ層７１、及び高融点金属層７２がこの順に積層された構成を有している。反射領域の絶縁膜３０の下層には、遮光部６４が形成されている。遮光部６４は、ゲートバスライン１２と同様に、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２、高融点金属層７０、Ａｌ層７１、及び高融点金属層７２がこの順に積層された構成を有している。遮光部６４の各層は同一形状にパターニングされている。
【００７２】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図１７は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図１７（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、ＩＴＯ層５２、高融点金属層７０、Ａｌ層７１、及び高融点金属層７２をこの順に成膜し、導電膜を形成する。次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成されるとともに、反射領域となる領域の少なくとも一部に遮光部６４が形成され、透過領域となる領域に導電膜５４が形成される。
【００７３】
次に、図１７（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１２、遮光部６４及び導電膜５４上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてａ−Ｓｉ層を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を形成する。次に、ＳｉＮ膜上の全面にスピンコート等によりレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面側から背面露光を行う。続いて、第２のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、チャネル保護膜２３が形成される。
【００７４】
次に、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層表面を洗浄した後、速やかに、ｎ+ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により基板全面に形成する。次に、高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、高融点金属層５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。
【００７５】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第３のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ａ−Ｓｉ層、及びａ−Ｓｉ層に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２、動作半導体層２８、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）が形成される。このエッチングにおいて、チャネル保護膜２３はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層はエッチングされずに残存する。以上の工程により、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成される。
【００７６】
次に、図１７（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２及び絶縁膜３０が除去された開口部２７が形成される。
【００７７】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第５のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨなどのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のＯＣ層を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６４が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【００７８】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。次に、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。続いて、必要であればガラス基板１０裏面側からの背面露光を行う。次に、クリーンオーブン等を用い、１８０〜２３０℃の温度で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図１６参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【００７９】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、Ｔｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第６のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。また反射電極１７は、透明電極１６に電気的に接続される。同時にこのエッチングでは、開口部２７を介して露出している導電膜５４のうち高融点金属層７２、Ａｌ層７１及び高融点金属層７０が除去されて最下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図１６に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００８０】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６４等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第６の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【００８１】
また遮光部６４は、第５及び第６の実施の形態と同様に、透明電極１６と同一のフォトマスク（第１のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層７０、Ａｌ層７１及び高融点金属層７２は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、反射電極１７を形成するエッチング工程で除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６４を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することがない。
さらに本実施の形態では、透明電極１６及び遮光部６４がゲートバスライン１２等と同一のフォトマスクを用いてパターニングされている。このため、第５及び第６の実施の形態よりもマスク枚数を１枚削減できる。
なお、本実施の形態ではチャネル保護膜型のＴＦＴ２０を備えたＴＦＴ基板２を例に挙げているが、チャネルエッチ型のＴＦＴ２５を備えたＴＦＴ基板２にも適用できる。
【００８２】
〔第８の実施の形態〕
次に、本発明の第８の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図１８乃至図２０を用いて説明する。図１８は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図１８では、図１０乃至図１７と同様に、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図１８に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、透過領域の絶縁膜３０上にＴＦＴ２０の動作半導体層２８と同一の形成材料で一体的に形成されたａ−Ｓｉ層７５を有している。ａ−Ｓｉ層７５上には透明電極１６が形成されている。反射領域には、絶縁膜３０上であって保護膜３２より下層に遮光部６５が形成されている。遮光部６５は、動作半導体層２８と同一の形成材料で形成されたａ−Ｓｉ層７３、透明電極１６と同一の形成材料からなるＩＴＯ層５２、及び高融点金属層７４がこの順に積層された構成を有している。遮光部６５の各層は同一形状にパターニングされている。なお本実施の形態では、透過領域の透明電極１６の下層にａ−Ｓｉ層７５が形成されているが、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０の動作半導体層２８及びａ−Ｓｉ層７５の膜厚は３０〜５０ｎｍ程度であるため、透過領域での光透過率はほとんど減少しない。
【００８３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図１９及び図２０は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図１９（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５５と、高融点金属層（Ｍｏ層）５６とをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、Ａｌ層５５と高融点金属層５６からなる導電膜が形成される。高融点金属としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等を用いることもできる。次いで、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成される。
【００８４】
次に、図１９（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びゲートバスライン端子上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてａ−Ｓｉ層７６を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層７６上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を形成する。次に、ＳｉＮ膜上の全面にスピンコート等によりレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面側から背面露光を行う。続いて、第２のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、チャネル保護膜２３が形成される。
【００８５】
次に、チャネル保護膜２３上の基板全面に、ＩＴＯ層５２及び高融点金属層７４をスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、ＩＴＯ層５２と高融点金属層７４とが積層された導電膜が基板全面に形成される。次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第３のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを行う。これにより、反射領域の少なくとも一部に遮光部６５’が形成され、透過領域に導電膜５４が形成される。
【００８６】
次に、図２０（ａ）に示すように、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層７６表面を洗浄した後、速やかに、ｎ+ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により基板全面に形成する。次に、高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、高融点金属層５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。
【００８７】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ａ−Ｓｉ層、及びａ−Ｓｉ層７６に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２、動作半導体層２８、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）、ａ−Ｓｉ層７５が形成される。このエッチングにおいて、チャネル保護膜２３はエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層７６はエッチングされずに残存する。ソース電極２２は、透明電極１６となる透過領域のＩＴＯ層５２に、高融点金属層７４を介して電気的に接続される。以上の工程により、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成されるとともに、ａ−Ｓｉ層７３、ＩＴＯ層５２及び高融点金属層７４の積層からなる遮光部６５が形成される。
【００８８】
次に、図２０（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２が除去された開口部２７が形成される。
【００８９】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第６のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨなどのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のＯＣ層を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６５が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【００９０】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。次に、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。続いて、必要であればガラス基板１０裏面側からの背面露光を行う。次に、クリーンオーブン等を用い、１８０〜２３０℃の温度で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図１８参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【００９１】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、Ｔｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。同時にこのエッチングでは、開口部２７を介して露出している導電膜５４のうち上層部の高融点金属層７４が除去されて下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図１８に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００９２】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６５等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第７の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【００９３】
また遮光部６５は、第５乃至第７の実施の形態と同様に、透明電極１６と同一のフォトマスク（第３のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層７４は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、反射電極１７を形成するエッチング工程で除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６５を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することがない。
【００９４】
〔第９の実施の形態〕
次に、本発明の第９の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図２１乃至図２３を用いて説明する。図２１は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図２１では、図１０乃至図２０と同様に、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図２１に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、透過領域の絶縁膜３０上にＴＦＴ２０の動作半導体層２８と同一の形成材料で一体的に形成されたａ−Ｓｉ層７５を有している。ａ−Ｓｉ層７５上には、ＴＦＴ２０のチャネル保護膜２３と同一の形成材料からなるＳｉＮ膜７７が形成されている。ＳｉＮ膜７７上には透明電極１６が形成されている。反射領域には、絶縁膜３０上であって保護膜３２より下層に遮光部６６が形成されている。遮光部６６は、動作半導体層２８と同一の形成材料で形成されたａ−Ｓｉ層７３、チャネル保護膜２３と同一の形成材料で形成されたＳｉＮ膜７７、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２、及び高融点金属層７４がこの順に積層された構成を有している。遮光部６６の各層は同一形状にパターニングされている。なお本実施の形態では、透過領域の透明電極１６の下層にａ−Ｓｉ層７５及びＳｉＮ膜７７が形成されているが、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０の動作半導体層２８及びａ−Ｓｉ層７５の膜厚は３０〜５０ｎｍ程度であるとともに、ＳｉＮ膜７７は高い光透過率を有しているため、透過領域での光の透過率はほとんど減少しない。
【００９５】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図２２及び図２３は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図２２（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５５と、高融点金属層（Ｍｏ層）５６とをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、Ａｌ層５５と高融点金属層５６からなる導電膜が形成される。高融点金属としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗやこれらの合金等を用いることもできる。次いで、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成される。
【００９６】
次に、図２２（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びゲートバスライン端子上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてａ−Ｓｉ層７６を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層７６上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を形成する。次に、ＳｉＮ膜上の全面に、ＩＴＯ層５２及び高融点金属層７４をスパッタリングによりこの順に成膜する。次に、高融点金属層７４上の全面にレジストを塗布し、第２のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを高融点金属層７４及びＩＴＯ層５２に対して行う。これにより、透過領域に導電膜５４が形成され、反射領域の少なくとも一部に遮光部６６’の上層部となる導電膜が形成される。
【００９７】
次に、基板全面にレジストを塗布してレジスト層を形成する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面側から背面露光を行う。続いて、第３のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターン、透過領域の導電膜５４、及び反射領域の導電膜をエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングをＳｉＮ膜に対して行う。これにより、チャネル保護膜２３、導電膜５４下層のＳｉＮ膜７７、及び遮光部６６’の下層部となるＳｉＮ膜７７が形成される。
【００９８】
次に、図２３（ａ）に示すように、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層７６表面を洗浄した後、速やかに、ｎ+ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により基板全面に形成する。次に、高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、高融点金属層５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。
【００９９】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ａ−Ｓｉ層、及びａ−Ｓｉ層７６に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２、動作半導体層２８、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）、ａ−Ｓｉ層７３、７５が形成される。ソース電極２２は、透明電極１６となる透過領域のＩＴＯ層５２に、高融点金属層７４を介して電気的に接続される。以上の工程により、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成されるとともに、ａ−Ｓｉ層７３、ＳｉＮ膜７７、ＩＴＯ層５２及び高融点金属層７４の積層からなる遮光部６６が形成される。
【０１００】
次に、図２３（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２が除去された開口部２７が形成される。
【０１０１】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第６のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨなどのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のＯＣ層を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６６が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【０１０２】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。次に、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。続いて、必要であればガラス基板１０裏面側からの背面露光を行う。次に、クリーンオーブン等を用い、１８０〜２３０℃の温度で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図２１参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【０１０３】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、Ｔｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。同時にこのエッチングでは、開口部２７を介して露出している導電膜５４のうち上層部の高融点金属層７４が除去されて下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図２１に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【０１０４】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６６等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第８の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【０１０５】
また遮光部６６は、第５乃至第８の実施の形態と同様に、透明電極１６と同一のフォトマスク（第２のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層７４は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、反射電極１７を形成するエッチング工程で除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６６を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することがない。
【０１０６】
〔第１０の実施の形態〕
次に、本発明の第１０の実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法について図２４乃至図２６を用いて説明する。図２４は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の構成を示す断面図である。図２４では、図１０乃至図２３と同様に、画素のＴＦＴ２０の形成領域を左側に示し、当該画素の透過領域を中央に示し、当該画素に隣接する画素の反射領域を右側に示している。図２４に示すように、本実施の形態によるＴＦＴ基板２は、透過領域の絶縁膜３０上に形成された透明電極１６を有している。反射領域には、絶縁膜３０上であって保護膜３２より下層に遮光部６７が形成されている。遮光部６７は、透明電極１６と同一の形成材料で形成されたＩＴＯ層５２、及び高融点金属層７４がこの順に積層された構成を有している。遮光部６７の各層は同一形状にパターニングされている。
【０１０７】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について説明する。図２５及び図２６は、本実施の形態によるＴＦＴ基板２の製造方法を示す工程断面図である。まず、図２５（ａ）に示すように、ガラス基板１０上に直接、又は必要に応じてＳｉＯX等の保護膜を形成した後、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５５と、高融点金属層（Ｍｏ層）５６とをスパッタリングによりこの順に成膜する。これにより、Ａｌ層５５と高融点金属層５６からなる導電膜が形成される。次いで、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８（図示せず）、及びゲートバスライン端子（図示せず）が形成される。
【０１０８】
次に、図２５（ｂ）に示すように、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びゲートバスライン端子上の基板全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてａ−Ｓｉ層を形成する。続いて、ａ−Ｓｉ層上の全面に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を形成する。次に、ＳｉＮ膜上の全面にスピンコート等によりレジストを塗布し、レジスト層を形成する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面側から背面露光を行う。続いて、第２のフォトマスクを用いてガラス基板１０の表面側から露光する。その後現像し、露光された領域のレジスト層を溶解して除去する。これにより、ゲートバスライン１２上のチャネル保護膜形成領域上のみに、自己整合的にレジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、チャネル保護膜２３が形成される。
【０１０９】
次に、希フッ酸を用いてａ−Ｓｉ層の表面を洗浄した後、速やかに、ｎ+ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により基板全面に形成する。次に、高融点金属層（Ｔｉ層あるいはＴｉ合金層）５７、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）５８、高融点金属層５９をスパッタリングによりこの順に成膜し、導電膜を形成する。
【０１１０】
次に、導電膜上の全面にレジストを塗布し、第３のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ａ−Ｓｉ層、及びａ−Ｓｉ層に対して塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２、動作半導体層２８、蓄積容量電極１９（図示せず）、ドレインバスライン１４（図示せず）、ドレインバスライン端子（図示せず）が形成される。以上の工程により、チャネル保護膜型のＴＦＴ２０が形成される。
【０１１１】
次に、図２６（ａ）に示すように、ドレイン電極２１及びソース電極２２上の基板全面に、ＩＴＯ層５２及び高融点金属層７４をスパッタリングによりこの順に成膜する。次に、高融点金属層７４上の全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、例えば酢酸、硝酸及びリン酸の混合薬液を用いたウエットエッチングと、例えばシュウ酸の薬液を用いたウエットエッチングとを高融点金属層７４及びＩＴＯ層５２に対して行う。これにより、透過領域に導電膜５４が形成され、反射領域の少なくとも一部に遮光部６７が形成される。
【０１１２】
次に、図２６（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を基板全面に成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の全面にレジストを塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。当該レジストパターンをエッチングマスクとして、保護膜３２（及び絶縁膜３０）に対してフッ素系ガス＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、ソース電極２２上のコンタクトホール２６、蓄積容量電極１９上のコンタクトホール（図示せず）、ゲートバスライン端子及びドレインバスライン端子上のコンタクトホール（図示せず）が形成される。同時に、透過領域の導電膜５４上の保護膜３２が除去された開口部２７が形成される。
【０１１３】
次に、スピンコータやスリットコータ等を用いて例えばポジ型の感光性ノボラック樹脂を基板全面に塗布し、例えば膜厚０．５〜４μｍ程度の感光性樹脂層を形成する。続いて、１６０℃以下の温度で加熱処理を行う。次に、第６のフォトマスクを用いて感光性樹脂層を露光し、ＴＭＡＨなどのアルカリ現像液を用いて現像し、所定形状のＯＣ層を形成する。ＯＣ層は、反射領域となる領域の少なくとも一部に形成される。ここで、このパターニングの露光工程では、感光性樹脂層より下層（ガラス基板１０側）に遮光部６７が形成されているため、露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射することがほとんどない。
【０１１４】
次に、クリーンオーブンやホットプレート等を用い、ＯＣ層に対して１００〜１８０℃の温度で０．２〜６０分程度のアニールを行う。次に、ＯＣ層の表面に対して波長２００〜４７０ｎｍのＵＶ光を照射エネルギー密度１０〜５５０ｍＪ／ｃｍ2で５〜３００秒程度照射する。続いて、必要であればガラス基板１０裏面側からの背面露光を行う。次に、クリーンオーブン等を用い、１８０〜２３０℃の温度で１時間程度のアニールを行う。これにより、表面に皺状の凹凸を備える皺状樹脂層３４が反射領域に形成される（図２４参照）。上述のように、本実施の形態では露光装置の露光ステージで反射した光が反射領域の感光性樹脂層に入射してしまうことがほとんどないため、その後のＵＶ光照射及び熱処理により均一な皺状凹凸を有する皺状樹脂層３４が得られる。
【０１１５】
次に、皺状樹脂層３４上の基板全面に、Ｔｉ層（あるいはＴｉ合金層）１７ａと、Ａｌ層（あるいはＡｌ合金層）１７ｂをスパッタリング等により形成する。次に、Ａｌ層１７ｂ上の全面にレジストを塗布し、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、所定形状のレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行う。これにより、皺状樹脂層３４上を含む反射領域に反射電極１７が形成される。皺状樹脂層３４上の反射電極１７表面には、皺状樹脂層３４の表面形状に倣って皺状の凹凸が形成される。反射電極１７は、コンタクトホール２６を介してソース電極２２に電気的に接続され、不図示のコンタクトホールを介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。また反射電極１７は、開口部２７の一部を介して透明電極１６に電気的に接続される。同時にこのエッチングでは、開口部２７を介して露出している導電膜５４のうち上層部の高融点金属層７４が除去されて下層部のＩＴＯ層５２が残存し、透明電極１６が形成される。この後、１５０〜２３０℃の範囲内、好ましくは２００℃で熱処理を行う。以上の工程を経て、図２４に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【０１１６】
本実施の形態によれば、皺状樹脂層３４を反射領域に形成するためにポジ型の感光性樹脂層をパターニングする工程において、露光ステージでの反射光は遮光部６７等により遮光されるので、反射領域の感光性樹脂層に光が入射してしまうことは第１乃至第９の実施の形態と同様にほとんどない。このため、その後の工程で表面にエネルギーを与えて熱処理を行うことによって、ほぼ均一な皺状凹凸が形成された皺状樹脂層３４が得られる。すなわち、皺状樹脂層３４上に形成される反射電極１７にもほぼ均一な皺状凹凸が形成され、所望の傾斜面分布が制御性良く得られるようになる。したがって本実施の形態によれば、優れた反射均一性及び安定した反射率が得られ、反射表示特性の良好な半透過型液晶表示装置が実現できる。
【０１１７】
また遮光部６７は、第５乃至第９の実施の形態と同様に、透明電極１６と同一のフォトマスク（第４のフォトマスク）を用いてパターニングされている。透明電極１６上の高融点金属層７４は、コンタクトホール２６の形成と同時に形成された開口部２７を介して露出した後に、反射電極１７を形成するエッチング工程で除去されている。したがって、本実施の形態では新たなフォトマスクを用いずに遮光部６７を形成できるため、ＴＦＴ基板２の製造工程が増加することがない。
【０１１８】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では半透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型の液晶表示装置にも適用できる。
【０１１９】
以上説明した本実施の形態による液晶表示装置用基板及びその製造方法並びにそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板表面側からの光を反射する反射領域をそれぞれ少なくとも一部に備えた複数の画素領域と、
前記反射領域にポジ型感光性樹脂で形成され、皺状の表面を少なくとも一部に備える皺状樹脂層と、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣った皺状の表面を備える反射電極と、
前記皺状樹脂層より下層に形成され、前記基板裏面側からの光を遮光する遮光部と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の画素領域は、前記基板裏面側からの光を前記基板表面側に透過させる透明電極が形成された透過領域をさらに備えること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記３）
付記２記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記透明電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、前記透明電極と同一の形成材料で形成された下層部と、遮光性を有する材料で前記下層部上に形成され、前記下層部とほぼ同一形状にパターニングされた上層部とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の画素領域毎に形成された薄膜トランジスタをさらに有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記６）
付記５記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記７）
付記６記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、前記ゲート電極から電気的に分離されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記８）
付記５乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、前記ドレイン電極及びソース電極から電気的に分離されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記１０）
付記５乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、少なくとも一部が前記薄膜トランジスタの動作半導体層と同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置用基板において、
前記遮光部は、前記動作半導体層から分離されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
（付記１２）
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記一対の基板の一方に、付記１乃至１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記１３）
基板表面側からの光を反射する反射領域と、前記基板裏面側からの光を透過させる透過領域とを画素領域毎に備えた液晶表示装置用基板の製造方法であって、
光透過性を有する第１の導電膜と遮光性を有する第２の導電膜とを前記基板上に順に形成し、
前記第１及び第２の導電膜をパターニングして前記反射領域に遮光部を形成するとともに前記透過領域に所定形状の導電層を形成し、
前記遮光部及び前記導電層上に絶縁膜を形成し、
前記透過領域の前記絶縁膜を除去して前記導電層を露出させ、
露出した前記導電層のうち前記第２の導電膜を除去して透明電極を形成し、
前記反射領域の前記絶縁膜上に所定形状の樹脂層を形成し、
前記樹脂層の表面を硬化させて熱処理し、表面の少なくとも一部に皺状凹凸を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層上に反射電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
（付記１４）
付記１３記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記遮光部及び前記導電層を形成するのと同時に薄膜トランジスタのゲート電極を形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
（付記１５）
付記１３又は１４に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記皺状樹脂層を形成する工程は、前記遮光部の形成されていない領域の前記樹脂層に前記皺状凹凸が形成されないように、熱処理する前の前記樹脂層に対して前記基板裏面側から露光する工程を含むこと
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本発明の第６の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第７の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の第７の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の第８の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１９】本発明の第８の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２０】本発明の第８の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２１】本発明の第９の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２２】本発明の第９の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２３】本発明の第９の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２４】本発明の第１０の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２５】本発明の第１０の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２６】本発明の第１０の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２７】従来の半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１２１】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
１０  ガラス基板
１２  ゲートバスライン（ゲート電極）
１４  ドレインバスライン
１６  透明電極
１７  反射電極
１７ａ  Ｔｉ層
１７ｂ  Ａｌ層
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０、２５  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２１ａ、２１ｃ  Ｔｉ層
２１ｂ  Ａｌ層
２２  ソース電極
２３  チャネル保護膜
２４、２６  コンタクトホール
２８  動作半導体層
３０、３１  絶縁膜
３２  保護膜
３４  皺状樹脂層
４０  光漏れ防止膜
５１  ｎ+ａ−Ｓｉ層
５２  ＩＴＯ層
５３、５６、５７、５９、７０、７２、７４  高融点金属層
５４  導電膜
５５、５８、７１  Ａｌ層
６０ａ、６０ｂ、６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂ、６３、６４、６５、６６  遮光部
７３、７５、７６  ａ−Ｓｉ層
７７  ＳｉＮ膜
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
0004628693.tif 000002
【図２】
0004628693.tif 000003
【図３】
0004628693.tif 000004
【図４】
0004628693.tif 000005
【図５】
0004628693.tif 000006
【図６】
0004628693.tif 000007
【図７】
0004628693.tif 000008
【図８】
0004628693.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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