(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記配線パターンの材料を含む第１の機能液を配置させ、配置された前記第１の機能液を固化させて配線を形成する工程と、
前記配線の前記基板には対向していない面の全面を覆うように、材料がＡｕからなるメッキ層を形成する工程と、
前記配線の配線間、および前記基板と前記メッキ層との隙間に絶縁材料を含む第２の機能液を配置させ、配置された前記第２の機能液を固化させて絶縁層を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項２】
基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上に前記配線パターンの材料を含む第１の機能液を配置させ、配置された前記第１の機能液を固化させて配線を形成する工程と、
前記配線の前記基板には対向していない面の全面を覆うように、材料がＮｉからなる第１メッキ層と前記第１メッキ層の上に材料がＡｕからなる第２メッキ層とを積層させメッキ層を形成する工程と、
前記配線の配線間、および前記基板と前記メッキ層との隙間に絶縁材料を含む第２の機能液を配置させ、配置された前記第２の機能液を固化させて絶縁層を形成する工程と、
を備えていることを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線パターン形成方法において、
前記配線を形成する工程では、
前記配線の材料がＡｇを含むことを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、
前記メッキ層の上面であって、端子部以外の箇所にも前記絶縁層を形成することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項５】
基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンが形成された配線基板の製造方法であって、
前記基板上に、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の前記配線パターン形成方法を用いて前記配線パターンを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンの形成方法、配線パターン、配線基板、及び電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化、高性能化、などの技術の進展により、半導体回路の微細化が進められてきており、回路基板の高密度化が求められてきている。このような、回路基板の高密度化の進展に伴い、導電体からなる配線パターンとこの配線パターンの配線の間を埋めるための絶縁体からなる絶縁パターンとを微細に形成する技術が要求されてきている。そこで、回路基板の高密度化に対応するためには、配線パターンの配線間の間隔を狭くする必要があり、しかも、配線パターンの絶縁を確実にすることが重要である。
【０００３】
例えば特許文献１に開示されているように、配線パターンが形成された基板表面に、配線パターンの配線の間を埋めるように硬化性インクを吐出して配置させ、配置させたインクを硬化させてから、フィルム状またはシート状の硬化性成形物を積層して硬化させることにより、電気絶縁層を形成する方法が提案されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２００５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、この方法では、配線パターンの上に、シート状の硬化性生成物を積層しているので、シートを貼り付けた隙間から水がしみこむと、マイグレーションが発生する恐れがあった。また、配線に部品を接合するような配線パターンの場合、配線パターンが剥き出しになるので、シートで覆うわけにもいかない。配線パターンをシートで覆うことができないと、配線パターンに水分が付着して、マイグレーションが生じてしまう恐れがあった。そして、マイグレーションが発生すると、配線パターン間の絶縁抵抗値が変化する。その結果、配線パターンの絶縁性の確保が困難となり、例えば配線基板などでは絶縁破壊の恐れがあった。
【０００６】
本発明の目的は、絶縁性をより向上させることが可能な配線パターンの形成方法、配線パターン、品質の良好な配線基板、及び電気光学装置、電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の配線パターン形成方法は、基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、前記基板上に前記配線パターンの材料を含む第１の機能液を配置させ、配置された前記第１の機能液を固化させて配線を形成する工程と、前記配線を覆うように、メッキ層を形成する工程と、前記配線の配線間に絶縁材料を含む第２の機能液を配置させ、配置された前記第２の機能液を固化させて絶縁層を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、メッキ層が配線の表面だけでなく、配線の側面にわたって覆うように形成されており、しかも、絶縁層が基板とメッキ層との間の微細な隙間をも塞ぐように形成されるから、水分が配線パターンに吸着しても配線を保護することができるので、耐マイグレーション性を向上させることができる。耐マイグレーション性が向上すれば、配線パターンの絶縁性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の配線パターン形成方法は、前記メッキ層を形成する工程では、第１メッキ層と前記第１メッキ層の上に第２メッキ層とを積層させて、前記メッキ層を形成することが望ましい。
【００１０】
この発明によれば、第１メッキ層と第２メッキ層とを積層させてメッキ層を形成しているから、第１メッキ層と第２メッキ層とで、配線を保護することができるので、耐マイグレーション性をより向上させることができる。耐マイグレーション性がより向上すれば、配線パターンの絶縁性をより向上させることができる。
【００１１】
本発明の配線パターン形成方法は、前記メッキ層を形成する工程では、材料がＡｕからなる前記メッキ層を形成することが望ましい。
【００１２】
この発明によれば、配線の上にＡｕのメッキ層が形成されるから、配線を保護するのに加えて、Ａｕは導電性がよい材料なので、配線パターンと部品との接続性を向上させることができる。しかも、Ａｕは酸化しにくいので、はんだ付けが容易にできる。
【００１３】
本発明の配線パターン形成方法は、前記メッキ層を形成する工程では、材料がＮｉからなる前記第１メッキ層と、材料がＡｕからなる前記第２メッキ層と、材料がＡｇからなる前記配線とを積層させて、前記メッキ層を形成することが望ましい。
【００１４】
この発明によれば、第１メッキ層がＮｉなので、配線材料であるＡｇの拡散を防止することができるから、耐マイグレーション性をより向上させることができる。また、第２メッキ層がＡｕなので、Ａｕは導電性が良い材料だから、配線パターンと部品との接続性を向上させることができる。しかも、Ａｕは酸化しにくいので、はんだ付けが容易にできる。
【００１５】
本発明の配線パターン形成方法は、前記絶縁層を形成する工程では、端子部以外の箇所に前記配線パターンの上面を覆うように、前記絶縁層を形成することが望ましい。
【００１６】
この発明によれば、端子部以外は配線パターンの上面を覆うように絶縁層が形成されているから、従来技術のように、配線パターンの上に、シート状の硬化性生成物を積層しなくても絶縁性を得ることができる。しかも、端子部は絶縁層が形成されていないので、部品との接合ができる。
【００１７】
本発明の配線基板の製造方法は、基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンが形成された配線基板の製造方法であって、前記基板上に、前述に記載の前記配線パターン形成方法を用いて前記配線パターンを形成することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、前述の配線パターンを備えているから、耐マイグレーション性が向上するので、絶縁性の向上した配線基板を形成できる。配線基板の絶縁性が向上すれば、配線パターンを高密度化にできるので、小型化・軽量化が可能な配線基板を形成できる。
【００１９】
本発明の配線基板は、基板上に液滴吐出法を用いて配線パターンが形成された配線基板であって、配線と、前記配線を覆うように形成されたメッキ層と、前記メッキ層を覆うように形成された絶縁層と、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、配線をメッキ層と絶縁層とで保護しているから、耐マイグレーション性が向上した配線基板を提供できる。耐マイグレーション性が向上するので、絶縁性の向上した配線基板を提供できる。
【００２１】
本発明の配線基板は、前述に記載の配線基板の製造方法を用いて形成されたことを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、前述の配線パターンを備えているから、耐マイグレーション性が向上するので、絶縁性の向上した配線基板を提供できる。絶縁性が向上すれば、配線パターンを高密度化にできるので、小型化・軽量化が可能な配線基板を提供できる。
【００２３】
本発明の電気光学装置は、前述に記載の配線基板を備えていることを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、絶縁性の向上した配線基板を備えているので、品質の向上した電気光学装置を提供できる。しかも、高密度で、小型化・軽量化が可能な配線基板なので、小型化・軽量化が実現可能な電気光学装置を提供できる。
【００２５】
本発明の電子機器は、前述に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、品質の向上した電気光学装置を備えているので、高品質の電子機器を提供できる。しかも、小型化・軽量化が可能な電気光学装置なので、小型化・軽量化が実現可能な電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（第１実施形態）
本実施形態では、基板上に液滴吐出法によって形成された配線パターンについて説明する。なお、配線の上にはメッキ層が形成されている。
【００２８】
図１は、本実施形態における配線基板１０の例を示す概略図である。図１を参照して、本発明の配線基板１０について説明する。
【００２９】
図１に示すように、配線基板１０は、基板Ｐ上に形成された配線パターン３０、絶縁層３３などで構成されている。配線パターン３０は、配線１３とメッキ層１４とで構成されていて、メッキ層１４は、第１メッキ層１４ａと第２メッキ層１４ｂとが積層している。
【００３０】
基板Ｐの材料は、ポリイミドなどの樹脂材料である。配線１３の材料には、その電気的な特性を確保するために、導電体であるＡｇを採用している。第１メッキ層１４ａの材料は、耐食性の良好なＮｉである。第２メッキ層１４ｂの材料は、やわらかくて、導電性の良好なＡｕである。耐食性の良好なＮｉの第１メッキ層１４ａは、配線１３のマイグレーションを防ぐことができ、導電性の良好なＡｕの第２メッキ層１４ｂは、はんだ付け性が容易である。なお、メッキ層１４は、一層でもかまわない。例えば材料をＡｕにして、Ａｕのメッキ層１４が厚く形成されていれば、マイグレーションを防ぐことができる。
【００３１】
絶縁層３３は、配線１３の間を埋めるように形成されている。そして、絶縁層３３を形成する材料は、アクリル系樹脂の絶縁材料である。配線１３上にメッキ層１４を形成するときに、配線１３に比べて基板Ｐ上にはメッキが付着しにくいので、基板Ｐとメッキ層１４との間には微小な隙間１９が生じてしまうのであるが、絶縁層３３が、この隙間１９を塞ぐように形成されている。
【００３２】
次に、配線基板１０を形成するための配線用機能液、基板、液滴吐出法、液滴吐出装置、について順次説明する。
＜配線用機能液＞
【００３３】
まず、配線材料としての配線用機能液について説明する。液体材料である配線用機能液は、導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子としてＡｇを使用する。その他の導電性微粒子として例えば、金、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は、１ｎｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。１．０μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３４】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３５】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により液滴を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液滴のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなる。０．０７Ｎ／ｍを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板Ｐとの接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、基板Ｐへの配線用機能液の濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３６】
上記分散液の粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて配線用機能液を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合は、ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
＜基板＞
【００３７】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板、セラミックなど各種のものを用いることができる。Ｓｉウエハ、金属板を使用するときには、その下地に絶縁膜が必要になる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜、絶縁膜などが下地層として形成されたものも含む。
＜液滴吐出法＞
【００３８】
液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。ここで、帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３９】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
＜液滴吐出装置＞
【００４０】
次に、上述の液滴吐出法を用いて液体材料を吐出する液滴吐出装置の一例について説明する。なお、本実施形態においては、液滴吐出法を用いて液滴吐出ヘッド１から基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）することによる液滴吐出装置ＩＪを挙げて説明する。
【００４１】
図２は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
図２において、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００４２】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、液体材料が吐出される。
【００４３】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００４４】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニング機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発、乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４５】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出ノズルから液滴を吐出する。
【００４６】
図３は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図３において、液体材料を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加して、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形する。液体室２１が元の状態に復元するときに、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４７】
以上説明した液滴吐出装置は、本発明に係る配置方法や製造方法において用いることができるものであるが、本発明はこれに限られることはなく、液滴を吐出し、所定の着弾予定位置に着弾させることができるものであれば、如何なる装置を用いることも可能である。
【００４８】
配線基板１０の形成方法について以下に示す。
【００４９】
図４（ａ）〜（ｄ）および、図５（ｅ）〜（ｇ）は、配線基板１０の製造工程を示す図であり、図６は、配線基板１０の製造工程の手順を示す概略フローチャートである。
【００５０】
図４、図５及び図６を参照して、本発明の配線基板１０の形成方法について説明する。なお、本実施形態の配線基板１０の形成方法は、基板洗浄工程、基板表面処理工程、配線用機能液配置工程、配線用機能液固化処理工程、メッキ層形成工程、絶縁用機能液配置工程、乾燥工程、絶縁用機能液固化処理工程から概略構成される。以下、各工程について詳細に説明する。
（基板洗浄工程）
【００５１】
図６のステップＳ１では、基板Ｐを洗浄する。基板Ｐの撥液化処理を良好に行うため、撥液化処理の前処理工程として洗浄を行うことが好ましい。基板Ｐの洗浄方法は、例えば、紫外線洗浄、紫外線/オゾン洗浄、プラズマ洗浄、酸あるいはアルカリ洗浄等を採用できる。なお、基板Ｐは、ポリイミドを用いた。
（基板表面処理工程）
【００５２】
図６のステップＳ２では、図４（ａ）に示すように、基板Ｐの表面を表面処理する。基板Ｐの表面処理は、配線用機能液Ｘ１の着弾径を小さくする目的で必要な接触角を得られるように基板Ｐの表面を撥液化することである。基板Ｐの表面を撥液化する方法としては、基板Ｐの表面に有機薄膜を形成する方法、プラズマ処理法等、前述の方法のうちから採用できる。なお、ここでは有機薄膜を形成する方法を採用した。そして、基板Ｐの表面は撥液性が付与される。
【００５３】
基板Ｐの撥液化処理として、有機薄膜を形成する方法では、配線パターン３０を形成すべき基板Ｐの表面に、シラン化合物や界面活性剤等の有機分子から有機薄膜を形成する。基板Ｐの表面を処理するための有機分子は、基板Ｐに物理的または化学的に結合可能な官能基と、その反対側に撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を備えており、基板Ｐに結合して有機薄膜を形成し、理想的には単分子膜となる。また、その他の方法として、基板Ｐ上に配線１３を形成する領域のみ親液性を付与し、その他の領域には撥液性を付与する構成としてもよい。
【００５４】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板Ｐに対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、配線パターン３０を形成すべき基板Ｐの表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、フルオロカーボン系化合物を好適に用いることができ、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）の処理条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
（配線用機能液配置工程）
【００５５】
図６のステップＳ３では、図４（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線材料としての配線用機能液Ｘ１を液滴吐出ヘッド１から吐出して液滴１１を配置する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば液滴の重量が４ｎｇ／ｄｏｔ、液滴の速度（吐出速度）が５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことでできる。また、液滴を吐出するときの雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。なお、配線用機能液Ｘ１は、導電性微粒子としてＡｇを含んでいる。基板Ｐ上は撥液性が付与されているため、吐出された配線用機能液Ｘ１は、基板Ｐ上で弾かれやすくなり、所定の長さを有する液体材料が配置される。配置された液体材料の断面形状は、略かまぼこ型になりやすい。
（配線用機能液固化処理工程）
【００５６】
次に、図６のステップＳ４では、図４（ｃ）に示すように、基板Ｐ上に配置された液滴１１を乾燥する。基板Ｐに液滴１１を配置した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。そして液状の膜を形成する。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【００５７】
Ａｇを含んでいる液状の膜の場合、導電性を得るために熱処理を行い、固化させる必要がある。そのため、基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００５８】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行うこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、Ａｇの導電性微粒子を含む液滴１１に対して、固化処理が行われる。有機銀化合物を含む場合には、配置された液滴１１に対して、有機銀化合物の有機分を除去するのに、処理温度が１００℃以上で、処理時間が３０分以上行うことが好ましい。以上により、Ａｇの微粒子間の電気的接触が確保され、導電性を有する配線１３が形成される。そして、形成された配線１３の厚さは、５〜１０μｍの範囲である。
（メッキ層形成工程）
【００５９】
次に、図６のステップＳ５では、図４（ｄ）に示すように、基板Ｐ上に形成された配線１３の上に、メッキ層１４を積層して、配線パターン３０を形成する。メッキ層１４は、第１メッキ層１４ａと、第２メッキ層１４ｂとで構成されている。
【００６０】
無電解メッキ法または電解メッキ法などの方法により、第１メッキ層１４ａを配線１３の上に形成する。配線１３上に、例えばＰｄ触媒を付与後、第１メッキ層１４ａを形成する。このようにすることによって、第１メッキ層１４ａを成長させることができる。第１メッキ層１４ａの材質は、Ｎｉであり、Ｎｉは耐食性が良いから、配線１３を形成する材料のＡｇの拡散を抑制することができる。なお、第１メッキ層１４ａの膜厚が、０．５μｍ〜５μｍの範囲である。
【００６１】
同様に、無電解メッキ法または電解メッキ法などの方法により、第２メッキ層１４ｂを第１メッキ層１４ａ上に形成する。そして、第１メッキ層１４ａと第２メッキ層１４ｂとで構成されるメッキ層１４が、配線１３上に形成される。第２メッキ層１４ｂは、Ａｕなので、電気抵抗値が小さく、導電性が優れている。また、Ａｕは、はんだのなじみやすさも良いので、はんだ付け性も優れている。しかも、やわらかいので、Ａｕやアルミなどの細い線でＩＣパッケージなどを接続するときのボンディング性も優れている。なお、第２メッキ層１４ｂは、０．０１μｍ〜２μｍの範囲である。したがって、メッキ層１４は、０．５１ｍ〜７μｍの範囲となる。ここで、配線１３の材料がＡｇで、基板Ｐの材料がポリイミドであるため、基板Ｐは配線１３よりメッキがのりにくいから、基板Ｐとメッキ層１４との間に微細な隙間１９が生じることがある。
【００６２】
本実施形態におけるメッキ層１４は、第１メッキ層１４ａと第２メッキ層１４ｂとを積層させた構成にしたが、これにこだわることはなく、例えばメッキ層１４を一層にしてもよい。一層にした場合、材料をＡｕにして、メッキ層１４の厚さを厚く形成すればよい。なお、一層にした場合のメッキ層１４の厚さは約１μｍであることが望ましい。メッキ層１４の厚さがある程度確保されていて、一層であれば、製法も簡略化されるから、配線基板１０を簡単に形成できる。しかも、材料にＡｕが使用されていて、ある程度の膜厚が確保されているから、導電性や、はんだ付け性も良好な配線基板１０ができる。また、配線材料として選択されたＡｇを拡散させるほどの処理が施されないことや、Ａｇ以外の材料で配線１３ができていれば拡散することもないので、Ａｕ一層でも構わない。
（絶縁用機能液配置工程）
【００６３】
次に、図６のステップＳ６では、図５（ｅ）に示すように、基板Ｐ上に液滴吐出装置ＩＪを用いて、絶縁材料を含む絶縁材料用機能液Ｘ２を液滴吐出ヘッド１から吐出して、凹部１６に液滴３１を配置する。なお、液滴吐出の条件としては、例えば液滴の重量が４ｎｇ／ｄｏｔ、液滴の速度（吐出速度）が５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことでできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。絶縁材料用機能液Ｘ２は、例えばアクリル樹脂である。なお、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料を用いることもできる。絶縁材料用機能液Ｘ２を凹部１６に吐出させると、基板Ｐとメッキ層１４との微細な隙間１９に絶縁材料用機能液Ｘ２が入り込み、隙間１９が埋まる。そして、引き続き絶縁材料用機能液Ｘ２を凹部１６に吐出させると、基板Ｐとメッキ層１４の側面とを保護できるように、液滴３１は配置される。なお、メッキ層１４を覆うように絶縁材料用機能液Ｘ２が配置されていてもよい。このようにすれば、配線１３をさらに保護できる。
（乾燥工程）
【００６４】
次に、図６のステップＳ７では、図５（ｆ）に示すように、膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。そして、液滴３１を乾燥させると、絶縁材料の液状膜３２ができる。
（絶縁用機能液固化処理工程）
【００６５】
次に、図６のステップＳ８では、図５（ｇ）に示すように、絶縁材料の液状膜３２を硬化処理する。絶縁材料の液状膜３２は、形状を保持するために固化処理を行う必要がある。そのため、基板Ｐには熱処理及び／又は光処理が施される。
【００６６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行うこともできる。熱処理で固化させるときの温度は、１００℃以上で、処理時間が３０分以上行うことが好ましい。また、光処理で固化させるときは、紫外線を照射することが好ましい。以上により、絶縁材料の液状膜３２は形状が確保され、絶縁性を有する絶縁層３３が形成される。そして、絶縁層３３の厚さは、配線１３と同じ５〜１０μｍの範囲である。メッキ層１４と絶縁層３３とで、配線１３が保護されるので、配線パターン３０に水分が付着しても、マイグレーションを抑制することができる。なお、マイグレーションとは、電流・電圧が加わっている状態で、配線１３に水分が付着して、配線１３を形成する金属材料が（この場合Ａｇ）、絶縁層３３の表面や、その内部に移行する現象である。そして、マイグレーションが発生すると、絶縁抵抗が変わり、絶縁性が低下する。
【００６７】
第１実施形態では、以下の効果が得られる。
【００６８】
（１）基板Ｐ上に配線１３を形成して、この配線１３にメッキ層１４を形成して、さらに、絶縁層３３を配線１３の間を埋めるように形成しているから、配線１３の表面だけでなく、隙間１９をも塞ぐことができる。したがって、配線１３を保護することができる配線パターン３０の形成方法なので、耐マイグレーション性を向上させることができる。耐マイグレーション性が向上すれば、配線パターン３０の絶縁性を向上させることができる。
（２）配線１３の上に第１メッキ層１４ａと第２メッキ層１４ｂとを積層させてメッキ層１４を形成しているから、第１メッキ層１４ａと第２メッキ層１４ｂとで、配線１３を保護することができるので、耐マイグレーション性をより向上させることができる。耐マイグレーション性がより向上すれば、配線パターン３０の絶縁性をより向上させることができる。
（３）第１メッキ層１４ａがＮｉだから、Ｎｉは耐食性がよい材料なので、配線１３のＡｇの拡散を防止することができる。
（４）第２メッキ層１４ｂがＡｕだから、Ａｕは導電性がよい材料なので、配線１３と部品との接続性を向上させることができる。さらに、Ａｕははんだのなじみやすさも良いので、はんだ付けが容易にできる。
（第２実施形態）
【００６９】
図７は、本実施形態における配線基板５０の例を示す概略図である。図７を参照して、本発明の配線基板５０について説明する。なお、基板Ｐの材料や、配線材料、絶縁材料、およびメッキ材料などは、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。
【００７０】
図７に示すように、回路基板８０（図１１参照）は、配線基板５０とＩＣパッケージ６５とがはんだ６３を介して接合されている。
【００７１】
配線基板５０には、基板Ｐ上に配線パターン６０が形成されている。配線パターン６０は、配線５５、メッキ層５６などで構成されている。配線基板５０は、第１配線としての配線５１、第１絶縁層としての絶縁層５２、導体ポスト５３、第２絶縁層としての絶縁層５４、第２配線としての配線５５、メッキ層５６などで構成されている。メッキ層５６は、配線５５の上に形成されている。そして、メッキ層５６は、第１メッキ層５６ａと第２メッキ層５６ｂとで構成されている。導体ポスト５３は、配線５１の上に形成されている。導体ポスト５３は、配線５１と配線５５とを接続する役目を備えている。絶縁層５７は、配線５５を覆うように形成されている。絶縁層５７は端子部には形成されていないので、端子部のメッキ層５６は露出している。端子部以外のメッキ層５６は絶縁層５７により覆われている。また、絶縁層５７は、基板Ｐとメッキ層５６との間に生じた隙間５９を塞いでいる。
【００７２】
配線基板５０の形成方法について以下に示す。
【００７３】
図８（ａ）〜（ｄ）および、図９（ｅ）〜（ｈ）は、配線基板５０および、回路基板８０の製造工程を示す図であり、図１０は、配線基板５０および、回路基板８０の製造工程の手順を示す概略フローチャートである。
【００７４】
図８、図９及び図１０を参照して、本発明の配線基板５０および、回路基板８０の形成方法について説明する。配線基板５０を形成するために使用する材料や、液滴吐出法、液滴吐出装置、乾燥方法、固化処理方法などは、第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。なお、本実施形態の配線基板５０の形成方法は、第１配線形成工程、第１絶縁層形成工程、導体ポスト形成工程、第２絶縁層形成工程、第２配線形成工程、メッキ層形成工程、第３絶縁層形成工程、から概略構成される。さらに、配線基板５０にＩＣパッケージ６５を接合するためのＩＣパッケージ接合工程から概略構成される。以下、各工程について説明する。
（第１配線形成工程）
【００７５】
図１０のステップＳ１１では、基板Ｐ上にフォトリソによって図８（ａ）に示すように、配線５１を形成する。基板Ｐはテープ状である。配線５１は、その材料がＣｕ/Ｎｉ/Ａｕの三層構造、Ｃｕ/Ａｕの二層構造、またはＣｕの一層などである。これらのＣｕ/Ｎｉ/Ａｕ、Ｃｕ/Ａｕ、Ｃｕなどは配線材料として電気的な導通が得られやすいので好ましい。
【００７６】
Ｃｕ/Ｎｉ/Ａｕの三層構造の場合、基板Ｐ上にフォトリソにより（例えばサブトラクティブ法を用いて）Ｃｕをエッチングして一層目を形成する。次に、二層目を無電解メッキ法または電解メッキ法などで形成する。一層目上に、例えばＰｄ触媒を付与後、二層目を形成する。このようにすることによって、二層目のＮｉを成長させることができる。この二層目上に三層目のＡｕを無電解メッキ法または電解メッキ法などで形成し配線５１を形成する。
【００７７】
Ｃｕ/Ａｕの二層構造の場合、フォトリソにより（例えばサブトラクティブ法を用いて）Ｃｕをエッチングして一層目を形成する。次に、二層目のＡｕを無電解メッキ法または電解メッキ法などで形成し配線５１を形成する。
【００７８】
Ｃｕのみの一層の場合、フォトリソにより（例えばサブトラクティブ法を用いて）Ｃｕをエッチングして配線５１を形成する。
【００７９】
なお、配線５１の形成方法は、フォトリソにこだわることはなく、液滴吐出方法や真空蒸着法、スパッタリング法などの形成法の手法を採用してもよい。そして、形成された配線５１の厚さは、５〜１０μｍの範囲である。
（第１絶縁層形成工程）
【００８０】
次に、図１０のステップＳ１２では、絶縁用機能液Ｘ２を液滴吐出方法で配置させて、配置させた絶縁用機能液Ｘ２を乾燥・固化させて、図８（ｂ）に示すように、絶縁層５２を形成する。絶縁層５２は、その材料がアクリル系樹脂の絶縁材料である。絶縁層５２の形成方法は、液滴吐出方法にこだわることはなく、印刷法などの手法を採用してもよい。そして、形成された絶縁層５２の厚さは、１０〜２０μｍの範囲である。
（導体ポスト形成工程）
【００８１】
次に、図１０のステップＳ１３では、配線用機能液Ｘ１を液滴吐出方法で配置させて、配置させた配線用機能液Ｘ１を乾燥・固化させて、図８（ｃ）に示すように、配線５１の上に導体ポスト５３を形成する。導体ポスト５３は、その材料がＡｇである。導体ポスト５３の形成方法は、液滴吐出方法にこだわることはなく、真空蒸着法や、スパッタリング法などの薄膜形成法の手法を採用してもよい。そして、形成された導体ポスト５３の厚さは、３〜５μｍの範囲である。
（第２絶縁層形成工程）
【００８２】
次に、図１０のステップＳ１４では、絶縁用機能液Ｘ２を液滴吐出方法で配置させて、配置させた絶縁用機能液Ｘ２を乾燥・固化させて、図８（ｄ）に示すように、絶縁層５４を形成する。絶縁層５４は、絶縁層５２と同様に、その材料がアクリル系樹脂の絶縁材料である。そして、形成された絶縁層５４の厚さは、約１５μｍである。
（第２配線形成工程）
【００８３】
次に、図１０のステップＳ１５では、配線用機能液Ｘ１を液滴吐出方法で配置させて、配置させた配線用機能液Ｘ１を乾燥・固化させて、図９（ｅ）に示すように、配線５５を形成する。配線５５は、その材料がＡｇである。配線５５の形成方法は、液滴吐出方法にこだわることはなく、真空蒸着法や、スパッタリング法などの薄膜形成法の手法を採用してもよい。そして、形成された配線５５の厚さは、３〜５μｍの範囲である。
（メッキ層形成工程）
【００８４】
次に、図１０のステップＳ１６では、図９（ｆ）に示すように、メッキ層５６を積層して、基板Ｐ上に配線パターン６０を形成する。メッキ層５６は、第１メッキ層５６ａと第２メッキ層５６ｂとで構成されていて、第１メッキ層５６ａを無電解メッキ法または電解メッキ法などで形成する。第１メッキ層５６ａは、その材料がＮｉであり、その膜厚は、０．５μｍ〜５μｍの範囲である。配線５５上に、例えばＰｄ触媒を付与後、第１メッキ層５６ａを形成する。このようにすることによって、第１メッキ層５６ａのＮｉを成長させることができる。この第１メッキ層５６ａの上に第２メッキ層５６ｂを無電解メッキ法または電解メッキ法などで形成する。第２メッキ層５６ｂは、その材料がＡｕであり、形成されたその膜厚は、０．０１μｍ〜２μｍの範囲である。
（第３絶縁層形成工程）
【００８５】
次に、図１０のステップＳ１７では、絶縁用機能液Ｘ２を液滴吐出方法で配置させて、配置させた絶縁用機能液Ｘ２を乾燥・固化させて、図９（ｇ）に示すように、絶縁層５７を形成する。絶縁層５７は、絶縁層５２および絶縁層５４と同様に、その材料がアクリル系樹脂の絶縁材料である。絶縁層５７の厚さは、約５μｍである。そして、配線基板５０が形成できる。絶縁層５７は端子部には形成されていないので、端子部のメッキ層５６は露出している。端子部以外のメッキ層５６は絶縁層５７により覆われている。
（ＩＣパッケージ接合工程）
【００８６】
最後に、図１０のステップＳ１８では、図９（ｈ）に示すように、はんだ６３を使用して、配線基板５０のメッキ層５６が表面に露出した端子部分に、ＩＣパッケージ６５を接合する。そして、回路基板８０ができる。
【００８７】
次に、配線パターン６０を有する配線基板５０を使用した本発明の電気光学装置としての液晶表示装置１００について説明する。
【００８８】
図１１は、電子機器としての液晶表示装置１００を示す分解斜視図である。
図１１の液晶表示装置１００は、液晶パネル７３と駆動用の回路基板（半導体装置）８０とを有する。また、必要に応じて、バックライト等といった照明装置、その他の付帯構造が液晶パネル７３に付設される。液晶パネル７３は、シール材１３３によって周縁が互いに接着された一対の基板１３１および１３２を有し、それらの基板間に形成された間隙、いわゆるセルギャップに、例えばＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型の液晶が封入されて構成されている。基板１３１および１３２は、例えばガラスや合成樹脂等の透光性材料によって構成される。基板１３１および１３２の外側には偏光板１４０が貼着され、少なくとも一方の基板１３１，１３２と偏光板１４０との間に、位相差板（図示せず）が挿入されている。そして、一方の基板１３１の内側表面には、表示用電極１３１ａが形成され、他方の基板１３２の内側表面には表示用電極１３２ａが形成されている。これらの表示用電極１３１ａ，１３２ａは、ストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成される。また、これらの表示用電極１３１ａ，１３２ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった透光性導電材料によって形成されている。
【００８９】
液晶パネル７３は、一方の基板１３１が他方の基板１３２から張り出す張出し部１３１Ｔを有し、その張出し部１３１Ｔに複数の接続端子１３１ｂが形成されている。これらの接続端子１３１ｂは、基板１３１上に表示用電極１３１ａを形成するときに、それと同時に形成され、例えばＩＴＯによって形成される。これらの接続端子１３１ｂには、表示用電極１３１ａに接続されるものと、表示用電極１３２ａに接続されるものとが含まれている。表示用電極１３２ａについては、接続端子１３１ｂからの配線がシール材１３３に含まれた導通材を介して他方の基板１３２上の表示用電極１３２ａに接続される。なお、表示用電極１３１ａ，１３２ａおよび接続端子１３１ｂは、実際には極めて狭い間隔で多数本が基板１３１上および基板１３２上に形成されるが、図１１では、構造を分かり易く示すためにそれらの間隔を拡大して模式的に示し、さらにそれらのうちの数本を図示することにして、他の部分を省略してある。また、接続端子１３１ｂと表示用電極１３１ａとのつながり状態、および接続端子１３１ｂと表示用電極１３２ａとのつながり状態も図１１では省略してある。
【００９０】
回路基板８０は、基材であるフィルム基板Ｐ、フィルム基板上Ｐに形成された配線パターン６０、入力端子部７５、出力端子部７６、半導体ＩＣ実装領域（素子実装領域）８１、ＩＣパッケージ６５を備えている。フィルム基板Ｐは、厚さ５５μｍ以下、特に２５μｍ以下の薄い厚さのポリイミド樹脂で形成されており、任意の箇所で折り曲げ可能な可撓性と絶縁性とを備えている。回路基板８０は、フィルム基板Ｐの半導体ＩＣ実装領域８１に、液晶駆動用のＩＣパッケージ６５を実装したＣＯＦ（Chip On Film）方式の可撓性基板となっている。なお、フィルム基板Ｐは、必ずしもポリイミド樹脂である必要はなく、任意の箇所で折り曲げ可能な樹脂材料や、有機材料などであればよい。例えば、ポリエチレンテレフタレートや、ポリエステル、液晶ポリマーなどを用いてもよい。
【００９１】
回路基板８０は、異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film： ＡＣＦ）１３５によって、液晶パネル７３の基板１３１の張出し部１３１Ｔに接続されている。異方性導電膜１３５は、接着用樹脂およびそれに混入された導電性粒子によって形成されており、圧着することにより、その接着用樹脂によって回路基板８０と基板１３１とが固着され、導電性粒子によって、回路基板８０側の出力端子部７６の各端子と液晶パネル７３の接続端子１３１ｂとが導電接続される。そして、外部から制御信号、映像信号、電源電位等が供給され、ＩＣパッケージ６５において液晶駆動用の駆動信号（出力信号）が生成されて液晶パネル７３に供給されるようになっている。
【００９２】
図１２は、図１１に示した電気光学装置としての液晶表示装置１００を備えた電子機器としての携帯電話６００の例を示す図である。図１２において、液晶表示装置１００を備えた液晶表示部６０１を示している。携帯電話６００は、耐マイグレーション性が良好で、はんだ付けが容易にできる回路基板８０（配線基板５０）を有する液晶表示装置１００を備えたものであるので、例えば絶縁性が良好で、品質が向上した電子機器としての携帯電話６００を提供できる。しかも、ワイヤーボンディング性や、フリップチップボンディング性が向上するから、生産効率が高まるようになるので、液晶表示装置１００および、携帯電話６００の生産性の向上もできる。
【００９３】
第２実施形態では、以下の効果が得られる。
【００９４】
（５）配線パターン６０において、端子部以外は配線パターン６０の上面を覆うように絶縁層５７が形成されているから、従来技術のように、配線パターン６０の上に、シート状の硬化性生成物を積層しなくても絶縁性を得ることができる。しかも、端子部は絶縁層５７が形成されていないので、部品との接合ができる。
（６）耐マイグレーション性が向上した配線パターン６０を備えているから、絶縁性の向上した配線基板５０を形成できる。配線基板５０の絶縁性が向上すれば、配線５５を高密度化にできるので、小型化・軽量化が可能な配線基板５０を形成できる。
（７）絶縁性の向上した配線基板５０を備えているので、品質の向上した電気光学装置としての液晶表示装置１００を提供できる。しかも、高密度で、小型化・軽量化が可能な配線基板５０なので、小型化・軽量化が実現可能な電気光学装置としての液晶表示装置１００を提供できる。
（８）品質の向上した電気光学装置としての液晶表示装置１００を備えているので、高品質の電子機器としての携帯電話６００を提供できる。しかも、小型化・軽量化が可能な電気光学装置としての液晶表示装置１００なので、小型化・軽量化が実現可能な電子機器としての携帯電話６００を提供できる。
【００９５】
以上、好ましい実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、以下に示すような変形をも含み、本発明の目的を達成できる範囲で、他のいずれの具体的な構造および形状に設定できる。
【００９６】
（変形例１）前述の実施形態で配線基板１０（５０）を形成するときに、フレキシブルなテープ状の基板Ｐを採用したが、これに限らない。例えば、ガラスエポキシ基板や、セラミックス基板などのリジッド型を採用してもかまわない。このようにしても、前述の実施形態と同様の効果が得られ、耐マイグレーションを向上させることが可能な配線基板１０（５０）が形成される。そして、耐マイグレーションを向上できれば、絶縁性の向上した配線基板１０（５０）を提供できるので、絶縁性の良好な電気光学装置や、電子機器などを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】第１実施形態における配線パターンを示す概略図。
【図２】液滴吐出装置の概略図。
【図３】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造工程を示す図。
【図５】（ｅ）〜（ｇ）は、配線基板の製造工程を示す図。
【図６】配線パターンの製造工程の手順を示す概略フローチャート。
【図７】第２実施形態における配線パターンを示す概略図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、配線基板の製造工程を示す図。
【図９】（ｅ）〜（ｈ）は、配線基板の製造工程を示す図。
【図１０】配線パターンの製造工程の手順を示す概略フローチャート。
【図１１】電気光学装置としての液晶表示装置の分解斜視図。
【図１２】電子機器としての携帯電話を示す図。
【符号の説明】
【００９８】
１…液滴吐出ヘッド、１０…配線基板、１１…液滴、１３…配線、１４…メッキ層、１４ａ…第１メッキ層としてのＮｉの膜、１４ｂ…第２メッキ層としてのＡｕの膜、１６…凹部、１９…隙間、３０…配線パターン、３１…液滴、３３…絶縁層、５０…配線基板、５１、５５…配線、５６…メッキ層、５６ａ…第１メッキ層としてのＮｉの膜、５６ｂ…第２メッキ層としてのＡｕの膜、５２、５４、５７…絶縁層、５９…隙間、６０…配線パターン、１００…電気光学装置としての液晶表示装置、６００…電子機器としての携帯電話、Ｐ…基板、Ｘ１…配線用機能液、Ｘ２…絶縁用機能液。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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