(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶からなる半導体基板の表面にイオン注入に対するマスクとなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜に所定のパターンを持った開口部を形成する工程と、
前記半導体基板の表面に対して垂直でない方向から酸素イオンを注入する工程と、
前記半導体基板を熱処理温度１２５０℃以上、熱処理時の酸素流量比５％以上、処理時間１０分以上の熱処理を行い、前記半導体基板の内部に埋込み酸化膜の存在するＳＯＩ領域を形成する工程と、を含むＳＯＩ基板の製造方法であって、
前記半導体基板の表面に酸素イオンを注入する工程において、注入する酸素イオンの注入線束の基板平面への射影と基板本体の特定の方位とのなす角を、少なくとも２つ以上とすることを特徴とする、埋込み酸化膜の存在するＳＯＩ領域と埋込み酸化膜の存在しない非ＳＯＩ領域の間の表面高さの差が２００ｎｍ以下であるＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜をマスクにして前記半導体基板の表面に酸素イオンを注入する工程において、注入を複数回に分割して行い、酸素イオンの注入線束の基板平面への射影と基板本体の特定の方位とのなす角が分割毎に異なるものである請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜をマスクにして前記半導体基板の表面に酸素イオンを注入する工程において、酸素イオンの注入線束と前記基板本体の表面の法線とのなす角度が１０度以上である請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜としてシリコンの酸化膜を形成する請求項１〜３のいずれか一つに記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）技術により作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造素子とバルク構造素子とが混載されたＳＯＩ基板及びその部分ＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＩＭＯＸで部分ＳＯＩを製造する場合は、通常のＳＩＭＯＸ用イオン注入機の構造上、マスクの開口部に対し、一定の方向から酸素イオンが斜入射されていた。
【０００３】
すなわち、保護膜２にリソグラフィーによって形成した開口部３から酸素イオン４を基板表面から注入し、所定の洗浄処理を実施し、高温熱処理を施すことによって埋め込み酸化膜５を形成させるというものであった（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００４】
これらの特許文献１、２には、注入は基板表面法線に対して約７度傾けることが紹介されている。これはチャネリングを防止し、注入された酸素イオンの分布を適正にし、健全な埋め込み酸化膜を形成させるためである。一方、このように傾斜させてイオン注入を行うと、埋め込み酸化膜の端部が表面に露出してしまう（例えば、特許文献２、特許文献３参照。）。これは、図４のように、開口部のある部分では、保護膜によるイオンの遮蔽が不十分であるため、基板表面にも酸素イオンが注入されてしまい、熱処理によって埋め込み酸化膜が形成されるとき、埋め込み酸化膜が表面に露出してしまうというものである。このような露出部は、その後のフッ酸での表面酸化膜除去・洗浄の工程でくぼみや空洞が形成されてしまうため、素子分離構造を必ず配置しなければならないなど回路設計上の障害となっていたり、ＣＭＰ研磨工程でのスラリー残りなどプロセス上の問題でもあった。
【０００５】
特許文献２や特許文献３では、上記の課題を解決する方法が提案されているが、いずれも実際の工業生産への適用は困難なものである。
【０００６】
特許文献２で提案されている垂直入射では、チャネリングにより注入された酸素の分布にテールが存在するため、ＢＯＸ形成が阻害されるためＢＯＸ品質が劣化する。特許文献３で提案されているような、基板表面法線から７〜１０度傾けての異方性エッチングは、ＥＣＲ方式においてもプラズマと基板との電位差が基板表面垂直方向に発生させる形式であったり、共鳴点を利用する場合でも、傾斜させることでずれが生じ、方向性が確保できないなど、制御が困難である。また、窒化膜を用いるプロセスは、工程数が増加し、かつ、工程時間が長くなるため、製造コストが上昇し不利である。
【０００７】
また、従来から提案されている部分ＳＯＩでは、ＳＯＩ領域と非ＳＯＩ領域の間に段差が生じてしまうが、その解決法の提案もなく、したがって、課題の顕在化もなされていなかった。許容される段差は目的とする集積回路の回路パターン寸法に依存するが、現時点ではおよそ２００ｎｍ程度以下と言われており、さらに許容される段差の値は小さくなる。
【特許文献１】特開平０８−０１７６９４号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８０２５号公報
【特許文献３】特開２００１−３０８１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これまでは、部分ＳＯＩ基板をＳＩＭＯＸ法で製造する場合、通常の方法ではＢＯＸの露出が避けられず、また、幾つかその解決の提案もなされてきたが、工業的な利用は難しいものしかなかった。本発明は、埋め込み酸化膜の露出の無い、健全な部分ＳＯＩ構造をＳＩＭＯＸ法で工業的にかつ安価に製造する方法ならびに該方法で製造されるＳＯＩ基板を提供することにある。さらには、本発明はＳＯＩ領域と非ＳＯＩ領域の間に問題となる段差が生じない製造方法ならびに該方法で製造されるＳＯＩ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記諸目的は、シリコン単結晶からなる半導体基板の内部に埋込み酸化膜を有するＳＯＩ基板であって、埋込み酸化膜の存在するＳＯＩ領域と埋込み酸化膜の存在しない非ＳＯＩ領域の間の表面高さの差が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板により達成される。
【００１０】
上記諸目的は、シリコン単結晶からなる半導体基板の表面にイオン注入に対するマスクとなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜に所定のパターンを持った開口部を形成する工程と、前記半導体基板の表面に対して垂直でない方向から酸素イオンを注入する工程と、前記半導体基板を熱処理して前記半導体基板の内部に埋込み酸化膜を形成する工程とを含む製造方法によって製造されたＳＯＩ基板であって、埋込み酸化膜の存在するＳＯＩ領域と埋込み酸化膜の存在しない非ＳＯＩ領域の間の表面高さの差が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板によっても達成される。
【００１１】
上記諸目的は、シリコン単結晶からなる半導体基板の表面にイオン注入に対するマスクとなる保護膜を形成する工程と、前記保護膜に所定のパターンを持った開口部を形成する工程と、前記半導体基板の表面に対して垂直でない方向から酸素イオンを注入する工程と、前記半導体基板を熱処理して前記半導体基板の内部に埋込み酸化膜を形成する工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法であって、前記半導体基板の表面に酸素イオンを注入する工程において、注入する酸素イオンの注入線束の基板平面への射影と基板本体の特定の方位とのなす角を、少なくとも２つ以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板によっても達成される。
【発明の効果】
【００１２】
以上述べたように、本発明方法によれば、埋め込み酸化膜の表面における露出の無い、健全な部分ＳＯＩ構造をＳＩＭＯＸ法で工業的にかつ安価に製造する方法ならびに該方法で製造されるＳＯＩ基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１４】
ここで、図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）は、本発明によるＳＯＩ基板の製造工程の一例を示すフロー図である。以下、保護膜を熱酸化膜とした場合について説明する。
【００１５】
図１（Ａ）において、シリコン単結晶からなる半導体基板１の表面にイオン注入に対するマスクとなる保護膜２である酸化膜を熱酸化によって形成する。ついで図１（Ｂ）に示すように、前記保護膜２にリソグラフィー技術によって所定のパターンを持った開口部３を形成する。さらに図１（Ｃ）に示すように、前記半導体基板１の表面に対して垂直でない方向から酸素イオン４を注入し、前記半導体基板１を熱処理して、図１（Ｄ）に示すように前記半導体基板１の内部に埋込み酸化膜５を形成する。
【００１６】
このとき、開口部３は異方性エッチングにより、基板に対して端部が垂直に近い角度で形成されたマスクとすることが好ましい。
【００１７】
ＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の場合、例えば、加速エネルギー１８０ｋｅＶでドーズ量４×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の酸素イオンを注入し、所定の深さに高濃度酸素イオン注入層を形成し、アニール温度を１３５０℃とし、Ａｒに０．５％濃度の酸素を添加した雰囲気ガス中で４時間アニールした後、酸素濃度を７０％としてさらに４時間アニールを行なう、といった工程で製造される。しかしながら、ＳＩＭＯＸ基板の製造条件については、特にこれに限定されるものではない。
【００１８】
ここで、半導体基板はＳｉあるいはＳｉＧｅである。
【００１９】
例えば、図２（Ａ）および（Ｂ）に示すように、基板の方位［１１０］と注入する酸素イオン４の注入線束４２の基板平面への射影４１とのなす角φを条件αとβのように異なるものとすることで、保護膜によるマスクの開口部の端部でのイオンの遮蔽を均一にすることが可能となる。
【００２０】
また、本発明は、前記保護膜２をマスクにして前記半導体基板１の表面に酸素イオン４を注入する工程において、注入を複数回に分割して行い、酸素イオンの注入線束４２の基板平面への射影４１と基板本体１の特定の方位とのなす角が分割毎に異なるものである既述のＳＯＩ基板の製造方法である。
【００２１】
注入中に前記角度φを自由に設定できない場合は、注入を複数回に分割して行い、分割毎に角度φを変えることで、前述のように保護膜によるマスクの開口部の端部でのイオンの遮蔽を均一にすることが可能となる。
【００２２】
また、本発明は、前記保護膜２をマスクにして前記半導体基板１の表面に酸素イオン４を注入する工程において、酸素イオンの注入線束４２と前記基板本体１の表面の法線７とのなす角度が１０度以上、好ましくは１１〜１６度である既述のＳＯＩ基板の製造方法である。
【００２３】
酸素イオン４の注入線束４２と前記基板本体１の表面の法線７とのなす角度θ（図２参照）が１０度以上である方が埋め込み酸化膜の露出を抑制することができる。
【００２４】
以上は、イオン注入と熱処理によって埋め込み絶縁膜、埋め込み空洞、あるいはＳｉＣやＳｉ３Ｎ４などの埋め込みシリコン化合物膜を形成させる場合にも適用でき、埋め込み層あるいは空洞の露出を防ぐことが可能である。
【００２５】
また、本発明は、前記熱処理の工程において、熱処理温度１２５０℃以上、好ましくは１３００℃以上、さらに好ましくは１３２５℃以上、熱処理時の酸素流量比５％以上、好ましくは２０％以上、処理時間１０分以上、好ましくは３０分以上の熱処理工程を含む既述のＳＯＩ基板の製造方法である。
【００２６】
このような熱処理ステップを組み込むことによって、ＳＯＩ／バルク領域間での段差が解消される。
【００２７】
また、本発明は、前記保護膜２としてシリコンの酸化膜を形成する既述のＳＯＩ基板の製造方法である。
【００２８】
保護膜としては酸素イオンを遮蔽するものであればよいが、シリコンの酸化膜を用いた方がより広い条件での製造が可能である（表１参照）。
【００２９】
このように、本発明は、上記の方法で製造されたＳＯＩ基板であって、埋め込み酸化膜が基板表面に露出しておらず、ＳＯＩ／バルク領域間での段差が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板を提供する。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例で本発明を具体的に説明する。
【００３１】
実施例１〜１７および比較例１〜５
チョクラルスキー法によりボロンドープ単結晶シリコンを育成し、（００１）面が基板主表面となる口径２００ｍｍのウェーハを用意した。酸素イオン注入を基板温度５５０℃、加速電圧１８０ｋｅＶ、総注入ドーズ量４×１０１７ｃｍ−２にて行った。まず、本発明の実施例として、注入を４回に分割し、各分割を１×１０１７ｃｍ−２のドーズ量とした。ウェーハには、＜１１０＞方向外周に、方位をしめすノッチが形成されているが、各分割の注入線束の射影と＜１１０＞方向とのなす角度、φを、９０度ずつ回転させた。各分割の注入中、当該角度φは一定とした。基板表面の法線と各分割の注入線束とのなす角度θは１５度とした。同様の手順で、角度θを１０〜１６度まで１度ずつ変更させ、部分ＳＯＩを作製した。さらに、注入を２回に分割し、分割毎に角度φを１８０度間隔で変更、３回に分割し、分割毎に角度φを１２０度間隔で変更し、部分ＳＯＩを作製した。比較例として、分割なしの注入など表１に示した条件での注入も実施した。これらのウェハを熱処理炉に投入し、以下の２条件で熱処理を行った。
【００３２】
条件Ａ：温度１３５０℃、雰囲気アルゴン＋０．５％酸素、処理時間４時間
条件Ｂ：温度１３５０℃、雰囲気アルゴン＋０．５％酸素、処理時間４時間
に続いて、それぞれ
温度１３５０℃、雰囲気アルゴン＋７０％酸素、処理時間３時間
作製された部分ＳＯＩウェハは表面酸化層をフッ酸で除去した後、分光エリプソメトリを用いて、ＳＯＩ部分の表面シリコン層、埋め込み酸化層の厚さを測定した。その結果、各サンプル間に大きな違いはなく、熱処理条件によって、
条件Ａ：表面シリコン層の厚さ＝３４０ｎｍ、埋め込み酸化層厚さ＝８５ｎｍ
条件Ｂ：表面シリコン層の厚さ＝１７５ｎｍ、埋め込み酸化層厚さ＝１０５ｎｍ
であった。
【００３３】
次に、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて、ＳＯＩ／バルクの境界の表面を観察した。観察結果を表１にまとめる。ＳＯＩ／バルク境界でのＢＯＸの露出を評価した。全く観察されなかった場合をＳ、一部観察された場合をＰ、境界全てで露出している場合をＦとした。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
熱処理の工程において、熱処理温度１２５０℃以上、熱処理時の酸素流量比５％以上、処理時間１０分以上の熱処理工程を含むと、そうでない場合に生じるＳＯＩ／バルク領域間での段差が解消される。（なお、図３に流量比−処理温度の相図を示す。）。〇では２００ｎｍ以上の段差が観察され、●では２００ｎｍ以上の段差は観察されなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるＳＯＩ基板の製造工程の一例を示すフロー図。
【図２】本発明によるＳＯＩ基板の製造工程の内、イオン注入工程の一例を示す模式図。
【図３】本発明によるＳＯＩ基板の製造工程の内、熱処理条件とＳＯＩ／バルク領域間での段差解消の有無を示す相図。
【図４】従来技術によるＳＯＩ基板の製造工程の特徴を示す模式図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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