(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗発熱体を埋設した板状セラミック体の一方の主面を被加熱物の載置面とし、他方の主面に前記抵抗発熱体と電気的に接続される給電端子を備えるとともに、前記給電端子を包囲するように前記板状セラミック体に気密に接合されたセラミック筒状体を有するセラミックヒーターにおいて、前記セラミック筒状体内に、前記板状セラミック体の他方の主面および前記セラミック筒状体の内壁面に接合した、前記セラミック筒状体と前記板状セラミック体との接合部を加熱する加熱機構を設けたことを特徴とする筒状体を有するセラミックヒーター。
【請求項２】
前記加熱機構は、セラミック体中に抵抗発熱体を埋設した副セラミックヒーターであることを特徴とする請求項１に記載の筒状体を有するセラミックヒーター。
【請求項３】
前記副セラミックヒーターを構成するセラミック体の熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項２に記載の筒状体を有するセラミックヒーター。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミックヒーターにおけるセラミック筒状体を支持台として前記セラミックヒーターを真空処理室内に設置したことを特徴とする加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック製の筒状体を有するセラミックヒーターと、これを用いた加熱装置に関するものであり、特にプラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、スバッタリング等の成膜工程やプラズマエッチング、光エッチング等のエッチング工程において、半導体ウエハ等の被加熱物を保持した状態で各種処理温度に加熱する加熱装置として好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造工程において、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、スパッタリングなどの成膜工程や、プラズマエッチング、光エッチングなどのエッチング工程では、半導体ウエハ（以下、ウエハと称す。）を保持しつつ、各種処理温度に加熱するために筒状体を有するセラミックヒーターが使用されている。
【０００３】
図３は従来の筒状体を有するセラミックヒーターを真空処理室内に設置した加熱装置を示す断面図で、真空処理室２０は成膜ガスやエッチングガスあるいはクリーニングガス等のプロセスガスを供給するためのガス供給孔２１と、真空引きするための排気孔２２を備えており、真空処理室２０内にはセラミック製の筒状体５２を支持台としたセラミックヒーター４１が設置されている。
【０００４】
このセラミックヒーター４１は、円板状をなし、上下面が平滑かつ平坦に形成された板状セラミック体４２からなり、板状セラミック体４２中には抵抗発熱体４４を埋設するとともに、一方の主面（上面）をウエハＷの載置面４３とし、他方の主面（下面）には上記抵抗発熱体４４と電気的に接続される給電端子４６が接合されている。また、板状セラミック体２の内部中央には、熱電対等の温度検出手段４８が内蔵されており、載置面４３上に載せたウエハＷの温度を間接的に検出するようになっていた。
【０００５】
さらに、板状セラミック体４２の下面には、給電端子４６を包囲するようにセラミック筒状体５２が、ガラス接合、拡散接合、ロウ付け接合等の接合手段によって気密に接合してあり、セラミック筒状体５２内を通って給電端子４６に接続されたリード線４７及び温度検出手段４８のリード線４９を真空処理室２０外へ取り出すようになっていた（特開平４−７８１３８号公報参照）。
【０００６】
そして、この筒状体を有するセラミックヒーター４１を備えた加熱装置によりウエハＷに成膜やエッチング等の処理を施すには、まず、真空処理室２０内を真空状態とするとともに、セラミックヒーター４１の載置面４３にウエハＷを載せ、給電端子４６に通電して抵抗発熱体４４を発熱させることにより、載置面４３に載せたウエハＷを４００℃以上の各種処理温度まで加熱し、この状態でガス供給孔２１よりデポジッション用ガスやエッチング用ガスなどのプロセスガスを真空処理室２０内へ導くことで、ウエハＷに成膜処理やエッチング処理を施すようになっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、成膜やエッチング等の処理速度を高めるためには、セラミックヒーター１の昇温時や降温時における速度を速めることが必要であり、近年では２０℃／ｍｉｎを超える速度で昇温や降温させることが望まれている。
【０００８】
しかしながら、図３に示すセラミックヒーター４１は、２０℃／ｍｉｎを超える速度で昇温や降温を繰り返すと、セラミックヒーター４１を構成する板状セラミック体４２とセラミック筒状体５２との接合部５０における気密性が損なわれ、真空処理室２０内の真空度が低下する結果、成膜精度やエッチング精度に悪影響を与えるといった課題があった。
【０００９】
即ち、図３に示すような板状セラミック体４２とセラミック筒状体５２とからなるセラミックヒーター４１は、一体焼結にて製作することが極めて難しく、焼結された板状セラミック体４２とセラミック筒状体５２とを個別に製作したあと、前述したようにガラス接合、拡散接合、ロウ付け接合等の接合手段にて接合して製作されるのであるが、昇温や降温を繰り返すと、板状セラミック体４２とセラミック筒状体５２との接合部５０に温度勾配ができて熱応力が集中し易く、室温から４００℃を超える処理温度範囲において、２０℃／ｍｉｎを超える速度で昇温や降温を繰り返すと、接合部５０には大きな熱応力が作用し、前述したどの接合手段を用いたとても接合部５０に亀裂が発生し、短期間のうちに気密性が保てなくなっていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、抵抗発熱体を埋設した板状セラミック体の一方の主面を被加熱物の載置面とし、他方の主面に前記抵抗発熱体と電気的に接続される給電端子を備えるとともに、前記給電端子を包囲するように前記板状セラミック体に気密に接合されたセラミック筒状体を有するセラミックヒーターにおいて、前記セラミック筒状体内に、前記板状セラミック体の他方の主面および前記セラミック筒状体の内壁面に接合した、前記セラミック筒状体と前記板状セラミック体との接合部を加熱する加熱機構を設けたことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は前記セラミックヒーターの筒状体を支持台として前記セラミックヒーターを真空処理室内に設置して加熱装置を構成したものである。
【００１２】
なお、前記加熱機構としては、セラミック体中に抵抗発熱体を埋設した副セラミックヒーター、特に前記セラミック体の熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である副セラミックヒーターを用いることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１４】
図１は本発明の筒状体を有するセラミックヒーターを真空処理室内に設置した加熱装置を示す断面図、図２は図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【００１５】
図１の加熱装置において、２０はプロセスガスを供給するためのガス供給孔２１と、真空引きするための排気孔２２を備えた真空処理室で、この真空処理室２０内にはセラミック筒状体１２を支持台としたセラミックヒーター１を設置してある。
【００１６】
このセラミックヒーター１は、円板状をなし、ウエハＷと同程度の大きさ、例えば外径１５０〜３５０ｍｍ、厚み８〜２５ｍｍ程度の上下面が平坦かつ平滑な板状セラミック体２と、両端部にフランジ部１１，１３を有する略円筒状をしたセラミック筒状体１２とからなり、セラミック筒状体１２の一方のフランジ部１１を板状セラミック体２の下面５と気密に接合してある。
【００１７】
板状セラミック体２中には、タングステン、モリブデン、白金等の金属やタングステンカーバイト等からなる抵抗発熱体４を埋設するとともに、板状セラミック体２の上面をウエハＷを載せる載置面３とし、セラミック筒状体１２によって包囲される板状セラミック体２の下面には抵抗発熱体４と電気的に接続される給電端子６を接合してある。
【００１８】
また、板状セラミック体２の内部中央には、熱電対等の温度検出手段８を内蔵してあり、載置面３上に載せたウエハＷの温度を間接的に検出するようになっている。そして、給電端子６及び温度検出手段８に接続されたリード線７，９は、セラミック筒状体１２内を通して真空処理室２０外へ取り出すようになっている。
【００１９】
なお、図１では、板状セラミック体２内に抵抗発熱体４のみを埋設した例を示したが、セラミックヒーター１の載置面３上に載せるウエハWの均熱化を更に図るため、板状セラミック体２中の載置面３側に静電吸着用の電極を埋設し、ウエハＷと載置面３との間に作用する静電吸着力によってウエハＷを載置面３上に強制的に吸着固定したり、あるいは板状セラミック体２の載置面３に開口する吸引孔を設けたりして、真空吸引によりウエハＷを載置面３上に強制的に吸着固定するようにしても良い。
【００２０】
セラミックヒーター１を構成する板状セラミック体２及びセラミック筒状体１２としては、緻密で耐熱性、耐食性、さらには耐プラズマ性に優れたセラミックスにより形成することが好ましく、このようなセラミックスとしては、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウムを主成分とする窒化物系セラミックスを用いることができる。これらの中でも特に窒化アルミニウムを成分とするセラミックスは、他のセラミックスと比較して高い熱伝導率を有すことから、他のセラミックスと比較して急速昇温が可能であるとともに、ハロゲン系ガスやプラズマに対して優れていることから好適である。
【００２１】
また、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２は、その接合部における熱応力をできるだけ少なくする観点から同種（主成分が同じ）のセラミックスにより形成することが好ましく、好適には同一組成のセラミックスにより形成することが良い。
【００２２】
板状セラミック体２とセラミック筒状体１２を気密に接合一体化する手段としては、焼結による接合、ガラス接合、ロウ付け接合、拡散接合等のいずれの方法を用いても良いが、好ましくは焼結により接合一体化することが良い。ここで、焼結により接合するとは、接合材として板状セラミック体２やセラミック筒状体１２と同種あるいは同一組成のセラミックペーストを板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との間に介在させた状態で加圧しながら焼結させるホットプレス法により接合するか、あるいは加圧した状態で超音波振動を加えて焼結させる超音波振動法により接合することを言う。
【００２３】
このように、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２とを焼結によって接合一体化すれば、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との間の熱膨張差を小さくし、接合部１０に発生する温度勾配を極めて小さくすることができるため、接合部１０に集中する熱応力を大幅に低減することができる。しかも、接合部１０もセラミックスからなるため、耐食性や耐プラズマ性にも優れることから腐食摩耗が少なく、摩耗粉の発生が少ないことからウエハＷに悪影響を与えることが少ない。
【００２４】
さらに、セラミック筒状体１２内には、加熱機構としてセラミック筒状体１２の内径とほぼ同径の円柱状をなし、板状セラミック体２の下面５に接合された給電端子６やそのリード線７、あるいは温度検出手段８のリード線９を導出するための貫通孔３３，３４を備えたセラミック体３２中に、図２に示すようなパターン形状を有するタングステン、モリブデン、白金等の金属やタングステンカーバイト等からなる抵抗発熱体３５を埋設するとともに、セラミック体３２の下面に上記抵抗発熱体３５と電気的に接続された給電端子３６を備えた副セラミックヒーター３１を内蔵し、板状セラミック体２の下面５及びセラミック筒状体１２の内壁面１４と接合してあり、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との接合部１０を加熱するようにしてある。
【００２５】
なお、３７はセラミック体３２に設けた熱電対等の温度検出手段で、副セラミックヒーター３１の温度を検出するようになっており、３８は給電端子３６に接続されたリード線、３９は温度検出手段３７に接続されたリード線で、それぞれセラミック筒状体１２内を通って真空処理室２０外へ取り出すようになっている。
【００２６】
そして、この筒状体を有するセラミックヒーター１を備えた加熱装置によりウエハＷに成膜やエッチング等の処理を施すには、まず、真空処理室２０内を真空状態とするとともに、セラミックヒーター１の載置面３にウエハＷを載せ、例えばフィードバック制御にてセラミックヒーター１に備える温度検出手段８と副セラミックヒーター３１の温度検出手段３７の温度が同一又は近似するようにそれぞれ抵抗発熱体４，３５に通電してセラミックヒーター１及び副セラミックヒーター３１を発熱させることにより、載置面３に載せたウエハＷを４００℃以上の各種処理温度まで加熱し、この状態でガス供給孔２１よりデポジッション用ガスやエッチング用ガスなどのプロセスガスを真空処理室２０内へ導くことで、ウエハＷに成膜処理やエッチング処理を施すことができる。
【００２７】
そして、本発明のセラミックヒーター１によれば、副セラミックヒーター３１により板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との接合部１０を加熱機構によって加熱するようにしたことから、接合部１０に作用する温度勾配を極めて小さくすることができ、室温域から４００℃以上の各種処理温度範囲において、セラミックヒーター１を２０℃／ｍｉｎ以上の速度で昇温や降温を繰り返したとしても、熱応力の集中を緩和して接合部１０やその周辺部にクラックが発生することを防ぐことができる。
【００２８】
即ち、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２とを接合しても、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との間には接合界面が存在し、この接合界面の存在により板状セラミック体２とセラミック筒状体１２を同種あるいは同一組成のセラミックスにより形成して熱膨張差を小さくしたとしても接合界面における熱伝達が悪いため、接合部１０には温度勾配ができ、熱応力が集中するのであるが、本発明は、セラミック筒状体１２内に加熱機構を内蔵し、板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との接合部１０を強制的に加熱するようにしたことから、接合部１０に集中する熱応力を緩和し、接合部１０にクラックが発生することを防止することができる。
【００２９】
その為、本発明のセラミックヒーター１を用いて加熱装置を構成すれば、昇温速度及び降温速度を高め、一つのウエハＷを処理するのに要する時間を大幅に短縮することができるとともに、セラミックヒーター１の破損がないため、加熱装置の寿命を向上させることができ、以てウエハＷの生産性を高めることができる。
【００３０】
しかも、セラミックヒーター１が単一のパターン形状を有する抵抗発熱体４を備えたものである場合、所定の処理温度において、セラミック筒状体１２からの熱引けによって載置面３を均熱化することが難しいのであるが、本発明のセラミックヒーター１によれば、加熱機構の発熱量を調整することにより、セラミック筒状体１２への熱引け量を制御し、載置面３の均熱化を図ることもできる。
【００３１】
なお、図１では副セラミックヒーター３１を板状セラミック体２の下面５及びセラミック筒状体１２の内壁面１４に接合して内蔵したが、板状セラミック体２の下面５のみ接合したものや、セラミック筒状体１２の内壁面１４とのみ接合しても構わない。ただし、セラミック筒状体１２の内壁面１４とのみ接合する場合、副セラミックヒーター３１を接合部１０からあまり離れた位置に接合すると、副セラミックヒーター３１を発熱させても接合部１０を加熱することができず、接合部１０に集中する熱応力を緩和することができない。その為、セラミック筒状体１２の内壁面１４とのみ接合する場合には、接合部１０から副セラミックヒーター３１の上面までの距離を３０ｍｍ以内とすることが良い。
【００３２】
副セラミックヒーター３１を接合する手段としては、焼結による接合、ガラス接合、ロウ付け接合、拡散接合等のいずれの方法を用いても良いが、好ましくは前述したように焼結により接合一体化することが良い。
【００３３】
また、抵抗発熱体４を埋設した板状セラミック体２及び抵抗発熱体３５を埋設したセラミック体３２をそれぞれ製造するには、これまで周知の技術を用いれば良く、例えば、セラミック原料中に抵抗発熱体４，３５となる金属線、金属箔、金属板を埋設しておき、ホットプレスによりセラミック原料を焼結して製作するか、あるいは予め複数枚のセラミックグリーンシートを形成しておき、その１枚に抵抗発熱体４，３２となる導体層を印刷し、導体層を覆うように他のセラミックグリーンシートを積み重ねて積層したあと焼結して製作すれば良い。
【００３４】
ところで、このような成果を得るためには、副セラミックヒーター３１を構成するセラミック体３２の熱伝導率を５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とすることが好ましい。
【００３５】
これは、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、抵抗発熱体３４を発熱させてもセラミック体３２内での熱伝達ロスが大きく、副セラミックヒーター３１の発熱量が小さいため、接合部１０に集中する熱応力を緩和する効果が小さいからである。
【００３６】
熱伝導率５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上を有するセラミック体３２としては、炭化珪素、窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスを用いることができ、例えば、ＡｌＮの含有量が９９．８重量％以上の高純度窒化アルミニウム質セラミックスを用いれば２５℃における熱伝導率を５０〜８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度とすることができ、また酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）や酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）を１〜９重量％の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックスを用いれば、２５℃における熱伝導率を１００〜１４０Ｗ／ｍ・Ｋ程度とすることができ、硼素（Ｂ）と炭素（Ｃ）を含有する炭化珪素質セラミックスを用いれば、２５℃における熱伝導率を７０〜７５Ｗ／ｍ・Ｋ程度とすることができ、また、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）と酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を含有する炭化珪素質セラミックスを用いれば、２５℃における熱伝導率を６０〜６５Ｗ／ｍ・Ｋ程度とすることができる。ただし、板状セラミック体２との接合部１５あるいはセラミック筒状体１２との接合部１６に作用する熱応力を緩和する観点から、板状セラミック体２やセラミック筒状体１２に近似した熱膨張係数を有するものを適宜選択して用いることが良い。
【００３７】
以上、これまで本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態だけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で改良や変更できることは言うまでもない。
【００３８】
【実施例】
（実施例１）ここで、図１に示す本発明のセラミックヒーター１と図３に示す従来のセラミックヒーター４１を試作し、各セラミックヒーター１，４１を発熱させた時の板状セラミック体２，４２とセラミック筒状体１２，５２との接合部１０，５０に作用する熱応力について調べる実験を行った。
【００３９】
本実験にあたり、各セラミックヒーター１，４１はいずれも板状セラミック体２，４２の寸法を外径３００ｍｍ、厚み１５ｍｍとするとともに、セラミック筒状体１２，５２の寸法を外径９０ｍｍ、内径７５ｍｍ、高さ２５ｃｍ、フランジ部１１，１３の外径９０ｍｍ、内径７５ｍｍ、厚み２５ｍｍとし、板状セラミック体２，４２及びセラミック筒状体１２，５２を２５℃における熱伝導率が６４Ｗ／ｍ・Ｋ、８００℃における熱伝導率が３２Ｗ／ｍ・Ｋである高純度窒化アルミニウム質セラミックスにより形成した。そして、板状セラミック体２，４２とセラミック筒状体１２，５２とを焼結にて接合一体化した。なお、板状セラミック体２，４２中に埋設する抵抗発熱体４，４４はタングステンにより形成し、同一パターン形状とした。
【００４０】
また、本発明のセラミックヒーター１において、セラミック筒状体１２内に内蔵する副セラミックヒーター３１は、セラミック体３２の寸法を外径７５ｍｍ、高さ３０ｍｍとし、２５℃における熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋである高純度窒化アルミニウム質セラミックスにより形成した。そして、この副セラミックヒーター３１を板状セラミック体２の下面５及びセラミック筒状体１２の内壁面１４と焼結にて接合一体化した。なお、セラミック体３２中に埋設する抵抗発熱体３５はタングステンにより形成した。
【００４１】
そして、各セラミックヒーター１，４１を真空処理室２０内に設置して加熱装置を構成し、温度検出手段８，４８の温度が８００℃となるように各セラミックヒーター１，４１を発熱させるとともに、本発明のセラミックヒーター１にあっては副セラミックヒーター３１も８００℃となるように発熱させ、この時の載置面３，４３における任意の１０点の温度を赤外線放射温度計にて測定し、得られた温度データを基に有限要素法を用いたシミュレーション解析により、８００℃に加熱した時のセラミックヒーター１，４１を構成する板状セラミック体２，４２とセラミック筒状体１２，５２との接合部１０，５０に作用する熱応力を算出した。
【００４２】
この結果、従来のセラミックヒーター４１においては接合部５０に作用する熱応力が２５４．８ＭＰａであったのに対し、本発明のセラミックヒーター１は、接合部１０に作用する熱応力が１９６ＭＰａとかなり低かった。
【００４３】
また、本発明のセラミックヒーター１において、副セラミックヒーター３１を構成するセラミック体３２として２５℃における熱伝導率が９０Ｗ／ｍ・Ｋ、３０Ｗ／ｍ・Ｋであるものも用意して同様に測定し、シミュレーション解析により熱応力を算出したところ表１の通りであった。
【００４４】
【表１】
0004637316.tif 000002
【００４５】
この結果、副セラミックヒーター３１を構成するセラミック体３２の熱伝導率が高くなるほど熱応力が小さくなる傾向にあり、熱伝導率はできるだけ高い方が良いことが判る。（実施例２）次に、実施例１での効果を確認するため、実験例１で用意した加熱装置を用い、各セラミックヒーター１，４１を常温域（２５℃）から８００℃の温度範囲で、昇温速度を２０℃／時、降温速度を２０℃／時として加熱、冷却を繰り返す熱サイクル試験を行ったあと、Ｈｅリークディテクターによって接合部１０，５０の気密性について確認する実験を行った。
【００４６】
なお、本発明のセラミックヒーター１には、副セラミックヒーター３１を構成するセラミック体３２の２５℃における熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋであるものを用いた。
【００４７】
この結果、副セラミックヒーターを持たない従来の加熱装置では、１０回程度の熱サイクル試験でセラミックヒーター４１を構成する板状セラミック体４２とセラミック筒状体５２との接合部５０にクラックが発生してＨｅがリークし、気密性が低下したのに対し、副セラミックヒーター３１を備える本発明の加熱装置は、６００回の熱サイクル試験においてもセラミックヒーター１を構成する板状セラミック体２とセラミック筒状体１２との接合部１０にクラックは見られず、Ｈｅリーク量が１３３×１０−９Ｐａと充分な気密性を維持していた。
【００４８】
以上のように、本発明によれば、抵抗発熱体を埋設した板状セラミック体の一方の主面を被加熱物の載置面とし、他方の主面に抵抗発熱体と電気的に接続された給電端子を備えるとともに、給電端子を包囲するように板状セラミック体に気密に接合されたセラミック筒状体を有するセラミックヒーターにおいて、セラミック筒状体内に、板状セラミック体の他方の主面およびセラミック筒状体の内壁面に接合した、セラミック体中に抵抗発熱体を埋設した副セラミックヒーター等からなる加熱機構を内蔵し、この加熱機構によってセラミック筒状体と板状セラミック体との接合部を加熱するようにしたことから、セラミックヒーターを２０℃／ｍｉｎを超える速度で昇温したり降温したりしてもセラミックヒーターを構成する板状セラミック体とセラミック筒状体との接合部に作用する熱応力を大幅に低減してクラックが発生することを防止することができ、所定の温度に加熱、冷却するまでの時間を短縮することができる。
【００４９】
その為、本発明の筒状体を有するセラミックヒーターを成膜用やエッチング用の加熱装置に用いれば、昇温速度及び降温速度を高めることができるため、各種処理時間を短縮することができるとともに、セラミックヒーターが長寿命であるため、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の筒状体を有するセラミックヒーターを真空処理室内に設置した加熱装置を示す断面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】従来の筒状体を有するセラミックヒーターを真空処理室内に設置した加熱装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１，４１：セラミックヒーター  ２，４２：板状セラミック体
３，４３：載置面  ４，４４：抵抗発熱体  ５：板状セラミック体の下面
６，３６：給電端子  ７，３８，４７：給電端子のリード線
８，３７，４８，：温度検出手段  ９，３９，４９：温度検出手段のリード線
１０，５０：板状セラミック体とセラミック筒状体との接合部
１１，１３：フランジ部  １２，５２：セラミック筒状体
１４：セラミック筒状体の内壁面
１５：板状セラミック体とセラミック体との接合部
１６：セラミック筒状体とセラミック体との接合部
２０：真空チャンバー  ２１：ガス供給孔  ２２：排気孔
３１：副セラミックヒーター  ３２：セラミック体  ３３，３４：貫通孔
３５：抵抗発熱体  ３６：給電端子  Ｗ：半導体ウエハ
【図１】
0004637316.tif 000003
【図２】
0004637316.tif 000004
【図３】
0004637316.tif 000005