(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本ずつの陽極線及び陰極線の各交点に発光素子が形成され、前記陽極線及び陰極線の各交点において陽極線と前記発光素子のための発光層との間の一部を絶縁する絶縁部が設けられ、前記陰極線及び陽極線の一方を走査線とすると共に他方を信号線とした単純マトリクス型表示パネルの駆動装置において、
前記信号線を駆動源に対し選択的に接続するための信号線駆動回路並びに前記走査線を走査するための走査線駆動回路を備え、前記走査線駆動回路により走査線を走査すると共に、その走査に同期して前記信号線駆動回路により所望の信号線を前記駆動源に接続することにより当該走査線及び信号線の交点位置の発光素子を発光させるという発光制御を実行するように構成され、
前記走査線駆動回路は、走査により選択した走査線に前記発光制御のための第１の駆動電圧を印加すると共に、非選択走査線にピーク値を走査期間Ｔにおいて時間の経過と共に２段階に変更する第２の駆動電圧を逆バイアス電圧として印加可能に構成され、
前記第２の駆動電圧のうち前記ピーク値が相対的に大きい逆バイアス電圧のパルス幅を走査期間Ｔにおいて５０マイクロ秒以下の期間印加することを特徴とする単純マトリクス型表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記走査線駆動回路は、前記非選択走査線に、走査期間Ｔの始まりにおいて１８Ｖから２０Ｖの範囲の逆バイアス電圧を５０マイクロ秒以下の期間印加し、その後１３Ｖの逆バイアス電圧を印加する構成であることを特徴とする請求項１記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記走査線駆動回路は、前記非選択走査線に、走査期間Ｔの始まりにおいて１３Ｖの逆バイアス電圧を印加し、走査期間Ｔの残りが５０マイクロ秒以下の期間に１８Ｖから２０Ｖの範囲の逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
複数本ずつの陽極線及び陰極線の各交点に発光素子が形成され、前記陽極線及び陰極線の各交点において陽極線と前記発光素子のための発光層との間の一部を絶縁する絶縁部が設けられ、前記陰極線及び陽極線の一方を走査線とすると共に他方を信号線とした単純マトリクス型表示パネルの駆動方法において、
前記走査線を走査しながら、その走査に同期して所望の信号線を駆動源に接続することにより当該走査線及び信号線の交点位置の発光素子を発光させるという発光制御を実行すると共に、所定期間において非走査状態にある陰極線に対して逆バイアス電圧を印加する制御を実行し、その逆バイアス電圧印加制御時には、ピーク値を走査期間Ｔにおいて時間の経過と共に２段階に変更すると共に、前記ピーク値が相対的に大きい逆バイアス電圧のパルス幅を走査期間Ｔにおいて５０マイクロ秒以下の期間とする逆バイアス電圧を印加することを特徴とする単純マトリクス型表示パネルの駆動方法。
【請求項５】
前記走査線駆動回路は、前記非選択走査線に、走査期間Ｔの始まりにおいて１８Ｖから２０Ｖの範囲の逆バイアス電圧を５０マイクロ秒以下の期間印加し、その後１３Ｖの逆バイアス電圧を印加する構成であることを特徴とする請求項４記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動方法。
【請求項６】
前記走査線駆動回路は、前記非選択走査線に、走査期間Ｔの始まりにおいて１３Ｖの逆バイアス電圧を印加し、走査期間Ｔの残りが５０マイクロ秒以下の期間に１８Ｖから２０Ｖの範囲の逆バイアス電圧を印加することを特徴とする請求項４記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクス状に配置した複数本数ずつの陽極線及び陰極線の各交点に発光素子が形成された単純マトリクス型表示パネルの駆動装置及び駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
単純マトリクス型表示パネルの一例である有機ＥＬパネルは、例えば特許文献１に見られるような方法で駆動されるものであり、図５には、このような駆動方法の説明図が示されている。この図５は、マトリクス状に配置された陽極線Ａ1〜Ａ256と陰極線Ｂ1〜Ｂ64との交点位置に発光素子（画素）が形成された２５６×６４ドットの有機ＥＬ表示パネルＰを駆動対象とした例である。この場合、陽極線Ａ1〜Ａ256及び陰極線Ｂ1〜Ｂ64の何れか一方（図５の例では陰極線Ｂ1〜Ｂ64）を走査線として、これらを一定の時間間隔で順次選択して走査すると共に、この走査周期に同期して他方（図５の例では陽極線Ａ1〜Ａ256）を信号線として、これらを駆動源である電流源１1〜１256からの出力によりドライブし、これにより所望の交点位置の発光素子を発光させる方式となっている。
【０００３】
陰極線Ｂ1〜Ｂ64には、その順次走査を行うために、電源電圧（Ｖrow）またはアース電位（０Ｖ）を選択するための走査スイッチ２1〜２64が接続されている。これらの走査スイッチ２1〜２64を、電源端子側からアース端子側へ一定周期で順次切り替えながら走査していくことにより、陰極線Ｂ1〜Ｂ64に対しアース電位（０Ｖ）を順次与えていく。一方、陽極線Ａ1〜Ａ256には、電源端子から給電される電流源１1〜１256またはアース電位（０Ｖ）を選択するための駆動スイッチ３1〜３256が接続されている。これらの駆動スイッチ３1〜３256を、走査スイッチ２1〜２64の走査周期に同期して選択的にオンオフ制御することにより、オンされた駆動スイッチに対応した陽極線Ａ1〜Ａ256を電流源１1〜１256に接続する。これにより、所望の交点位置の発光素子に駆動電流を供給する。
【０００４】
例えば、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,2を発光させる場合には、図５に示すように、走査スイッチ２1のみをアース端子側に切り替えて陰極線Ｂ1がアース電位となるように走査すると共に、駆動スイッチ３1、３2を電流源側に切り替えて陽極線Ａ1、Ａ2を電流源１1、１2にそれぞれ接続する。すると、図中矢印で示すように、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,2のみに駆動電流が供給されて発光するようになる。そして、このような走査及び駆動制御を、走査スイッチ２1〜２64及び駆動スイッチ３1〜３256について選択的に行うことにより、任意の位置の発光素子を同様に発光させることができる。この場合、上記のような走査及び駆動を高速で繰り返すことにより駆動対象の発光素子が間欠的に発光するものであるが、人間の目には残像現象により各発光素子が同時に発光しているように認識させることができる。
【０００５】
一方、例えば発光素子Ｅ1,3を発光させないためには、図示のように、走査スイッチ２1がアース端子側に切り替えられて陰極線Ｂ1にアース電位が与えられているときに、駆動スイッチ３3をアース端子側に切り替えることにより陽極線Ａ3にアース電位を印加した状態とすれば良い。このときには、発光素子Ｅ1,3は、その両極間に０Ｖが印加されることになり発光しない。この場合、走査中の陰極線Ｂ1以外の陰極線Ｂ2〜Ｂ64、つまり非選択状態にある陰極線Ｂ2〜Ｂ64に対しては、逆バイアス電圧Ｖrowを印加することで、それら陰極線Ｂ2〜Ｂ64に対応した発光素子の誤発光を防止している。
【０００６】
図６には、陰極線Ｂ1、Ｂ2、Ｂ64、陽極線Ａ1、Ａ3、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,3、Ｅ64,3に印加される駆動電圧波形が示されている。この図６に示すように、特許文献１に記載された駆動方法では、走査の切り替わり時には、全ての走査スイッチ及び駆動スイッチをアース端子側に短時間だけ切り替えることにより、陽極線Ａ1〜Ａ256及び陰極線Ｂ1〜Ｂ64の全てを一旦０Ｖにシャントし、以て全ての発光素子の寄生容量に充電された電荷を放電している。このような放電が行われる結果、駆動電流の供給開始から発光素子が発光するまでの立ち上がり速度を高められて高速走査を行い得るようになる。
【０００７】
ところで、一般的に、有機ＥＬ表示パネルは、表示面側である透明基板上に、陽極となるＩＴＯ電極（透明電極）、発光層、陰極となるアルミニウム電極をこの順に積層した構造となっているが、製造工程での塵埃の付着などによって、発光層の厚み（陽極及び陰極間の寸法）が他に比べて小さくなった状態の不良箇所や、発光層が存在せず陽極及び陰極が接触した状態の不良箇所が発生する可能性がある。このように発光素子を形成する発光層部分で不良箇所が発生した有機ＥＬ表示パネルにあっては、その不良箇所でのリーク電流が増大し、他の正常な発光層に流れる駆動電流が減少することになり、これにより表示パネル全体の輝度が低下したり、リーク箇所を通じて非発光制御対象の発光素子が不用意に発光するという所謂ライン欠陥が発生したりするなどの発光不良を惹起するという問題点があった。
【０００８】
このような問題点に対処するために、従来では、特許文献２に見られるような駆動方法が考えられており、以下この例を図５に当てはめて説明する。即ち、上記駆動方法では、陰極線Ｂ1〜Ｂ64を１フレーム分走査した後に、全ての陰極線Ｂ1〜Ｂ64を電源端子（Ｖrow）に接続すると共に、全ての陽極線Ａ1〜Ａ256をアース電位に接続するというリセット期間を設けたものであり、これにより、陰極線Ｂ1〜Ｂ64の走査が一通り行われる毎に、全ての発光素子に対して発光時とは逆方向の電圧（逆バイアス電圧Ｖrow）が印加されるようにしている。この駆動方法によれば、リセット期間において発光素子に印加される逆バイアス電圧Ｖrowによって、前述したような発光層部分での不良箇所にリーク電流が集中して流れるようになる。すると、当該不良箇所及びその周辺の発光層が気化され、これに伴う膨張圧によって陰極が陽極から離れる方向に湾曲し、その膨張が進んだ場合には陰極が部分的に破断屈曲するようになる。このような陰極の湾曲若しくは破断屈曲が発生した箇所は発光しなくなるが、陰極及び陽極が隔離された状態になるのでリーク電流も発生しなくなり、このため他の正常な発光層における発光不良を回避できることになる。尚、上記のような非発光部分は所謂ドット抜け箇所になるものであるが、このドット抜けは部分的に発生するだけであるから全体の表示性能に悪影響を及ぼすことはないものと考えられる。
【特許文献１】特開平１１−３１１９７８号公報
【特許文献２】特開平１１−３０５７２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本出願の発明者らは、特許文献２に見られるような駆動方法を採用して素子の発光不良を有効に防止するためには、逆バイアス電圧Ｖrowをある値以上のレベルに設定することが必要であることを明らかにした。即ち、図７は、逆バイアス電圧Ｖrowと発光素子において発光不良が発生する確率との相関関係を示す実験結果である。この実験では、逆バイアス電圧Ｖrowを複数段階（１４Ｖ〜２０Ｖの間の５段階）に設定した各状態での駆動を１０００時間継続した後の発光不良発生確率を測定した。この実験結果からは、発光不良の発生を抑制するためには、逆バイアス電圧Ｖrowを１８〜２０Ｖ程度にまで高める必要があることが分かる。
しかしながら、逆バイアス電圧Ｖrowを高めた場合には、これに起因して、（１）絶縁部での陰極及び陽極間の短絡、（２）階調制御特性の悪化、という新たな問題が発生する。これらの問題について、図５及び図８〜図１１も参照しながら説明する。
【００１０】
（１）絶縁部での陰極及び陽極間の短絡の問題
信号線である陽極線Ａ1〜Ａ256のうちの１本に接続されたｍ個（図５の例では６４個）の発光素子のうちｋ個が非発光である場合、その非発光の発光素子については、１フレーム分の走査期間中にパルス状の逆バイアス電圧つまり逆バイアスパルスが（ｋ−１）回印加され、駆動対象の発光素子については、１フレーム分の走査中に逆バイアスパルスがｋ回印加される。図８（ａ）には、隣接する２つの発光素子の間隙部分の断面構造が模式的に示されており、それら２つの発光素子の間隙部分には、例えばポリイミド系樹脂材料による絶縁部が設けられる。本出願の発明者らは、逆バイアスパルスが印加される回数が増えるに従って、絶縁部のダメージが大きくなり、これに伴い、陰極と陽極とが図８（ｂ）に示すような形態（同図中、破線で囲んだ部分を参照）で短絡する確率が高くなることを明らかにした。
【００１１】
図９には、１フレーム分の走査期間中における逆バイアスパルスの印加回数と、図８（ｂ）で示したような絶縁部での短絡現象の発生確率との関係を示す実験結果である。この実験結果は、逆バイアス電圧が２０Ｖのときのデータであり、逆バイアス電圧を１３Ｖ程度にまで下げて同様の実験を行ったときには、上記短絡現象は全く発生しなかった。
このように、上記絶縁部で発生する陰極及び陽極間の短絡モードと、前述した発光層部分で発生する陰極及び陽極間の短絡モードとは、背反する要素を持っている。つまり、発光層部分での短絡現象に起因した発光不良は、逆バイアス電圧を１８〜２０Ｖ程度まで大きくすることにより防止できるが、このように逆バイアス電圧のレベルを大きくすると、絶縁部での陰極及び陽極間の短絡に起因した発光不良が発生しやすくなる。この逆に、逆バイアス電圧を１３Ｖ程度まで小さくすれば、絶縁部での短絡現象に起因した発光不良の発生を防止できるが、発光層部分での短絡現象に起因した発光不良の発生を防止できなくなる。
【００１２】
（２）階調制御特性の悪化の問題
図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には、発光素子の発光時において逆バイアス電圧が２０Ｖであった場合における走査線（陰極線Ｂ1〜Ｂ64）の電圧、電流源から信号線（陽極線Ａ1〜Ａ256）に出力される電流、発光輝度の各波形が示され、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には、発光素子の発光時において逆バイアス電圧が１３Ｖであった場合における走査線の電圧、電流源から信号線に出力される電流、発光輝度の各波形が示されている。これら図１０及び図１１において、特に、信号線に出力される電流及び発光輝度については、実線が高輝度発光時の波形を示し、破線がパルス幅変調による低輝度発光時の波形を示すものである。
【００１３】
図１０に示すように、逆バイアス電圧が比較的高い状態では、発光停止期間から発光期間に切り替わったとき（同図中のタイミングｔ）に、発光素子の発光輝度が急峻に立ち上がって本来の目標輝度（二点鎖線で示す）を瞬間的に超えるようになり、特に高輝度発光時には、その後に時間の経過と共に徐々に目標輝度に収束する、という輝度特性を呈する。この場合、発光素子の発光輝度は、駆動電流に比例するから発光素子に流れる実際の駆動電流も上記輝度特性に近似した波形を有していることになる。上記のような発光輝度の急峻な立ち上がり現象は、逆バイアス電圧と発光素子の発光時に印加される順バイアス電圧との差に依存し、逆バイアス電圧が１８〜２０Ｖ程度ある状態で顕著に現れ、図１１のように、逆バイアス電圧が１３Ｖ程度の状態では発光輝度の立ち上がりが抑制されることになる。
【００１４】
このような過渡現象が発生する原因は、各信号線に接続された多数個（図５の例では６４個）の発光素子の寄生容量間で電荷移動が発生し、駆動対象の発光素子に過渡的に過大な電圧が印加されるためである。この場合、電流源の電流駆動能力は、上記のような過渡現象を瞬時に収束させるだけの大きさがないのが通常である。このため、逆バイアス電圧が比較的大きい場合には、発光停止状態から発光状態に切り替えた直後の発光輝度が瞬時的に大幅に高い状態になることが避けられない。従って、平均的な発光輝度（つまり人間の目に視認される輝度）を下げるべく駆動電流のパルス幅を図１１中に破線で示すように小さくしても、発光初期の輝度が高いため、そのパルス幅の現象割合ほどには発光輝度が低下せず、このため、例えば１／５０程度の高い減光比やリニアな階調制御が達成困難になる。
【００１５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子のための発光層部分で生じる陽極及び陰極間の短絡と、発光素子間の絶縁部で生じる陽極及び陰極間の短絡を同時に防止可能になる単純マトリクス型表示パネルの駆動装置及び駆動方法を提供することにあり、また、このような駆動装置及び駆動方法において、発光素子に印加する逆バイアス電圧が大きい場合に生ずる階調制御特性の悪化を改善することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動装置によれば、走査線駆動回路により走査線を走査すると共に、その走査に同期して信号線駆動回路により所望の信号線を駆動源に接続することにより、当該走査線及び信号線の交点位置の発光素子を発光させるという発光制御が行われる。走査線駆動回路は、走査により選択した走査線に、前記発光制御のための第１の駆動電圧を印加すると共に、非選択走査線に、ピーク値を走査期間Ｔにおいて時間の経過と共に２段階に変更する第２駆動電圧を、ピーク値が相対的に大きい逆バイアス電圧のパルス幅が５０マイクロ秒以下である逆バイアス電圧として印加する。このような逆バイアス電圧印加制御が行われると、発光素子を構成する陽極及び陰極間の寸法が他に比べて小さくなった状態の不良箇所や当該陽極及び陰極が接触した状態の不良箇所が存在した場合には、その不良箇所にリーク電流が集中して流れるようになる。
【００１７】
この場合、印加される逆バイアス電圧のレベルがある程度以上であったときには、上記不良箇所周辺の発光層が気化されることに伴う膨張圧によって陰極が陽極から離れる方向に湾曲し、その膨張が進んだ場合には陰極が部分的に破断屈曲するようになり、その発光層部分での陰極及び陽極間の短絡を防止できるようになる。また、上記逆バイアス電圧は、ピーク値が時間的に変動する構成となっているから、その逆バイアス電圧のパルス幅を、発光素子間の絶縁部で発生する陰極及び陽極間の短絡現象を来たすことがない状態に設定しておけば、上記絶縁部で生じる陽極及び陰極間の短絡も同時に防止できるようになる。
【００１８】
また、逆バイアス電圧のピーク値を２段階に変更するだけの構成で済むから、走査線駆動回路の構成の簡単化を実現できる。
請求項２記載の手段によれば、走査期間Ｔの最初の期間のみ２０Ｖの逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、その逆バイアス電圧によって、発光層部分で生じる陰極及び陽極間の短絡を防止できるようになる。
請求項３記載の手段によれば、走査線の１フレーム分の走査期間Ｔの当初には１３Ｖの比較的低いピーク値の逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、逆バイアス電圧と発光素子の発光時に印加される順バイアス電圧との差が相対的に小さくなる。このため、発光素子の発光期間に移行したときに、その発光輝度が急峻に立ち上がる現象（発光素子に流れる駆動電流が急激に増える現象）が抑制されるようになり、結果的に、減光制御時などにおいてリニアな線形性を確保できるようになって階調制御特性を改善できるようになる。
【００１９】
請求項４ないし６にそれぞれ記載の単純マトリクス型表示パネルの駆動方法によれば、上述した請求項１ないし３にそれぞれ記載した発明と同様の作用・効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１〜図３には本発明の第１実施例が示されており、以下これについて説明する。
全体の電気的構成を示す図１において、有機ＥＬ表示パネル１１（単純マトリクス型表示パネルに相当）は、前記図５に示したものと同様構成のもので、マトリクス状に配置された陽極線Ａ1〜Ａ256と陰極線Ｂ1〜Ｂ64との交点位置に２５６×６４ドットの発光素子（画素）が形成されており、陰極線Ｂ1〜Ｂ64が走査線、陽極線Ａ1〜Ａ256が信号線とされている。この場合、具体的に図示しないが、有機ＥＬ表示パネル１１は、表示面側である透明基板上に、陽極線Ａ1〜Ａ256を構成する透明電極材料としてのＩＴＯ電極膜、発光層、陰極線Ｂ1〜Ｂ64を構成する通常の電極材料としてのアルミニウム電極膜をこの順に積層した構造となっており、隣接する発光素子の各間隙部分には例えばポリイミド系樹脂材料による絶縁部（前記図８参照）が設けられる。
【００２１】
陽極線Ａ1〜Ａ256をドライブするための信号線駆動回路１２は、出力電圧がＶcol（例えば２０Ｖ）に設定された電源端子１２ａから給電される電流源１３1〜１３256（駆動源に相当）と、陽極線Ａ1〜Ａ256をそれぞれに対応された電流源１３1〜１３256またはアース電位（０Ｖ）に選択的に接続するための駆動スイッチ１４1〜１４256とにより構成されている。
【００２２】
陰極線Ｂ1〜Ｂ64の順次走査を行うための走査線駆動回路１５は、出力電圧がＶrow1（例えば１３Ｖ：第２の駆動電圧に相当）及びＶrow2（例えば２０Ｖ：第２の駆動電圧に相当）にそれぞれ設定された電源端子１５ａ及び１５ｂと、陰極線Ｂ1〜Ｂ64を電源端子１５ａ、１５ｂ及びアース端子（０Ｖ：第１の駆動電圧に相当）に選択的に接続するための走査スイッチ１６1〜１６64とにより構成されている。つまり、陰極線Ｂ1〜Ｂ64に対する印加電圧は、走査スイッチ１６1〜１６64によって０Ｖ、１３Ｖ、２０Ｖの何れかから選択される構成となっている。
【００２３】
上記のような構成によって有機ＥＬ表示パネル１１を駆動する場合には、走査線駆動回路１５内の走査スイッチ１６1〜１６64を順番にオンオフすることによって陰極線Ｂ1〜Ｂ64を一定の時間間隔でアース電位に順次接続して走査すると共に、この走査周期に同期して信号線駆動回路１２内の駆動スイッチ１４1〜１４256を選択的にオンオフするという発光制御を実行することにより、陽極線Ａ1〜Ａ256をそれぞれに対応した電流源１３1〜１３256からの出力によりドライブし、これにより所望の交点位置の発光素子を発光させる。
【００２４】
例えば、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,2を発光させる場合には、図１に示すように、走査スイッチ１６1のみをアース端子側に切り替えて陰極線Ｂ1がアース電位となるように走査すると共に、駆動スイッチ１４1、１４2を電流源側に切り替えて陽極線Ａ1、Ａ2を電流源１３1、１３2にそれぞれ接続する。すると、図中矢印で示すように、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,2のみに駆動電流が供給されて発光するようになる。このような信号線駆動回路１２及び走査線駆動回路１５による発光制御を、走査スイッチ１６1〜１６64及び駆動スイッチ１４1〜１４256について選択的に行うことにより、任意の位置の発光素子を同様に発光させることができる。尚、上記したような走査及び駆動動作を高速で繰り返すことにより、間欠的に発光する各発光素子を人間の目には残像現象により同時に発光しているように認識させることができる。
【００２５】
一方、例えば発光素子Ｅ1,3を発光させないためには、図示のように、走査スイッチ１６1がアース端子側に切り替えられて陰極線Ｂ1にアース電位が与えられているときに、駆動スイッチ１４3をアース端子側に切り替えることにより陽極線Ａ3にアース電位を印加した状態とすれば良い。このときには、発光素子Ｅ1,3は、その両極間に０Ｖが印加されることになり発光しない。
【００２６】
この場合、走査中の陰極線Ｂ1以外の陰極線Ｂ2〜Ｂ64、つまり非選択状態にある陰極線Ｂ2〜Ｂ64に対しては、電源端子１５ａ及び１５ｂの何れかから逆バイアス電圧Ｖrow1（１３Ｖ）またはＶrow2（２０Ｖ）を印加することで、それら陰極線Ｂ2〜Ｂ64に対応した発光素子の誤発光防止制御を走査線駆動回路１５を通じて行っている。
このような誤発光防止制御時には、走査スイッチ１６1〜１６64の切替モードを以下のように制御することにより、１フレーム分の走査期間中において逆バイアス電圧のレベルが変化される構成となっている。
【００２７】
図２には、本実施例において陰極線Ｂ1、Ｂ2、Ｂ64、陽極線Ａ1、Ａ3、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,3に印加される駆動電圧波形が示されている。即ち、フレーム周波数が例えば約１２０Ｈｚに設定されていた場合、本実施例では走査線数が６４本であるから、１走査周期は約１３０μsecになる。この走査期間のうち、１０μsec分の期間は、従来技術の項で説明したように、走査の切り替わり時に全ての走査スイッチ１６1〜１６64及び駆動スイッチ１４1〜１４256をアース端子側に切り替えることにより、陽極線Ａ1〜Ａ256及び陰極線Ｂ1〜Ｂ64の全てを一旦０Ｖにシャントし、以て全ての発光素子の寄生容量に充電された電荷を放電させるための期間とする。従って、本実施例の場合、約１３０μsecから１０μsecを差し引いた約１２０μsecが１フレームの走査期間Ｔとなる。
【００２８】
本実施例では、誤発光防止制御対象の走査線に印加する逆バイアス電圧のレベルを、走査期間Ｔの約１２０μsecのうちの最初の１０μsecの期間においてＶrow2（２０Ｖ）、残りの約１１０μsecの期間においてＶrow1（１３Ｖ）となるように、走査スイッチ１６1〜１６64の切替状態を制御する。
要するに、本実施例では、誤発光防止制御時おいて、誤発光防止制御対象の発光素子に対し、１フレームの走査期間Ｔの最初の１０μsecのみ２０Ｖの逆バイアス電圧が印加され、残りの約１１０μsecは１３Ｖの逆バイアス電圧が印加される構成に特徴を有するものであり、以下においては、この特徴的構成の意義について説明する。
【００２９】
本出願の発明者らは、従来技術の項で説明したような実験及びさらなる実験を実施することにより以下（１）、（２）のような知見を得た。
（１）発光素子の発光層部分で発生する陰極及び陽極間の短絡を防止するためには、逆バイアス電圧のレベルを大きくする必要があるが、その印加時間は短くて良い。実験結果によると、印加時間は１μsec程度の短い時間でも、上記のような短絡を防止することができる。
（２）隣接する発光素子間の絶縁部で発生する陰極及び陽極間の短絡は、逆バイアス電圧が大きい状態でもそのパルス幅が狭ければ発生しない。例えば逆バイアス電圧のパルス幅が５０μsec以下であれば、１フレームの走査期間Ｔでの逆バイアス電圧の印加回数が最大値（本実施例の場合は６３回となる）であったとしても、絶縁部で発生する上記短絡を防止することができる。尚、図３には、当該実験により得られた逆バイアス電圧のパルス幅と絶縁部での陰極及び陽極間の短絡発生確率との相関関係を示した。
【００３０】
要するに、本実施例では、誤発光防止制御時おいて、誤発光防止制御対象の発光素子に対し、１フレームの走査期間Ｔの最初の１０μsecのみ２０Ｖの逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、その逆バイアス電圧によって、発光層部分で生じる陰極及び陽極間の短絡を防止できるようになる。この場合、上記逆バイアス電圧のパルス幅は、発光素子間の絶縁部で発生する陰極及び陽極間の短絡現象を来たすことがないと想定される５０μsecより十分に小さい１０μsecであるから、上記絶縁部で生じる陽極及び陰極間の短絡も同時に防止できるようになる。
【００３１】
また、本実施例では、発光制御に同期して行われる上述のような誤発光防止制御時において、１走査周期（約１３０μsec）のうちの１フレームの走査期間Ｔを除いた残りの期間（１０μsec）には１３Ｖの逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、非駆動対象の発光素子の誤発光に伴う表示品質の低下防止機能を確実に得ることができる。特に、本実施例では、逆バイアス電圧のピーク値を２段階に変更する構成で済むから、走査線駆動回路の構成の簡単化を実現できる。
（第２の実施の形態）
図４には、前記第１実施例に変更を加えた本発明の第２実施例が示されており、以下これについて異なる部分のみ説明する。
【００３２】
この実施例のハードウェア構成は前記第１実施例と同じであり、走査線駆動回路１５を通じて行われる誤発光防止制御時の駆動波形のみが異なる。即ち、図４には、本実施例において陰極線Ｂ1、Ｂ2、Ｂ64、陽極線Ａ1、Ａ3、発光素子Ｅ1,1、Ｅ1,3に印加される駆動電圧波形が示されている。本実施例においても、フレーム周波数が例えば約１２０Ｈｚに設定されおり、従って、１走査周期は約１３０μsecになり、この走査期間のうち、１０μsec分の期間が全ての発光素子の寄生容量に充電された電荷を放電させるための期間とすることも前記第１実施例と同様である。従って、本実施例においても、１フレームの走査期間Ｔは約１２０μsecとなる。
【００３３】
本実施例では、誤発光防止制御対象の走査線に印加する逆バイアス電圧のレベルを、走査期間Ｔの約１２０μsecのうちの最初の約１１０μsecの期間においてＶrow1（１３Ｖ）、残りの１０μsecの期間（最後の期間）においてＶrow2（２０Ｖ）となるように、走査スイッチ１６1〜１６64（図１参照）の切替状態を制御する。
このように構成した本実施例においても、誤発光防止制御時おいて、誤発光防止制御対象の発光素子に対し、１フレームの走査期間Ｔの最後の１０μsecにおいて２０Ｖの逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、その逆バイアス電圧によって、発光層部分で生じる陰極及び陽極間の短絡を防止できるようになるなど、前記第１実施例と同様の効果を奏することができる。特に、本実施例によれば、誤発光防止制御時おいて、１フレームの走査期間Ｔの当初には１３Ｖという比較的低いレベルの逆バイアス電圧が印加される構成となっているから、逆バイアス電圧と発光素子の発光時に印加される順バイアス電圧との差が相対的に小さくなる。このため、発光素子の発光期間に移行したときに、その発光輝度が急峻に立ち上がる現象（発光素子に流れる駆動電流が急激に増える現象）が抑制されるようになり、結果的に、減光制御時などにおいてリニアな線形性を確保できるようになって階調制御特性を改善できるようになる。
【００３４】
（その他の実施の形態）
尚、本発明は上記した各実施例に限定されるものではなく、以下に述べるような変形或いは拡大が可能である。
【００３５】
上記実施例では、逆バイアス電圧（第２の駆動電圧）のピーク値を２段階に切り替える構成としたが、例えば、そのピーク値を、時間の経過と共に３段階以上に増減させる構成としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１実施例を示す全体構成図
【図２】印加電圧の波形を示すタイミングチャート
【図３】実験結果を示す図
【図４】本発明の第２実施例を示す図２相当図
【図５】従来例を説明するための図１相当図
【図６】図２相当図
【図７】実験結果を示す図その１
【図８】要部の断面構造を模式的に示す図
【図９】実験結果を示す図その２
【図１０】動作説明用の波形図その１
【図１１】動作説明用の波形図その２
【符号の説明】
【００３７】
１１は有機ＥＬ表示パネル（単純マトリクス型表示パネル）、１２は信号線駆動回路、１３1〜１３256は電流源（駆動源）、１４1〜１４256は駆動スイッチ、１５は走査線駆動回路、１６1〜１６64は走査スイッチ、Ａ1〜Ａ256は陽極線、Ｂ1〜Ｂ64は陰極線、Ｅ1,1〜Ｅ64,256は発光素子を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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