(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される電圧制御信号のレベルに応じた電圧を出力する電圧出力回路と、
上記電圧出力回路の出力電圧に応じたレベルを有する電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、
入力される第１の電圧設定信号または所定のレベルを有する第２の電圧設定信号のうち、信号レベルの大小関係に応じて何れか一方の電圧設定信号を選択し、当該電圧設定信号と上記電圧検出信号とのレベル差に応じた上記電圧制御信号を出力する電圧制御信号出力回路と、
上記電圧出力回路の出力電流レベルが所定の過電流レベルを超えているか否かを検出する過電流検出回路と、
上記第１の電圧設定信号のレベルを制御する電圧設定信号出力回路であって、上記過電流検出回路において過電流が検出されていない場合、上記第１の電圧設定信号のレベルを上記電圧制御信号出力回路で選択されない第１のレベルに設定し、過電流が検出された場合、上記第１の電圧設定信号のレベルを上記電圧制御信号出力回路で選択される第２のレベルに設定し、過電流が検出された状態から検出されない状態に変化した場合、上記第１の電圧設定信号を上記第２のレベルから上記第１のレベルへ所定の速度で徐々に変化させる、上記電圧設定信号出力回路と、
を有するレギュレータ回路。
【請求項２】
上記電圧制御信号出力回路が、上記第１の電圧設定信号と上記第２の電圧設定信号のうち低い電圧設定信号を選択して上記電圧検出信号とのレベル差に応じた上記電圧制御信号を出力し、
上記第１のレベルが上記第２の電圧設定信号のレベルよりも高く、上記第２のレベルが上記電圧設定信号のレベルよりも低い、
請求項１に記載のレギュレータ回路。
【請求項３】
上記過電流検出回路において、過電流検出状態から非検出状態に変化する場合の上記過電流レベルが、過電流非検出状態から検出状態に変化する場合に比べて小さい、請求項１又は２に記載のレギュレータ回路。
【請求項４】
上記電圧制御信号出力回路が、
上記電圧検出信号を入力し、第１のノードに電圧信号を供給するための第１のトランジスタと、
上記第１の電圧設定信号を入力し、第２のノードに電圧信号を供給するための第２のトランジスタと、
上記第２の電圧設定信号を入力し、上記第２のトランジスタと並列接続された第３のトランジスタと、
上記第１のトランジスタと上記第２又は第３のトランジスタとに電流を供給する電流源回路と、
上記第１のノードと上記第２のノードとに互いに等しい電流を供給するためのカレントミラー回路と、
上記第１のノードと上記第２のノードとの電圧差に応じた上記電圧制御信号を出力する出力回路と、
を有する、請求項１乃至３の何れかに記載のレギュレータ回路。
【請求項５】
上記電圧設定信号出力回路が、
定電流源と、
上記定電流源から供給される電流によって充電されるキャパシタと、
上記過電流検出回路の検出結果に応じて導通して上記キャパシタを放電させるトランジスタと、
上記キャパシタの充電電圧に所定のオフセットを与えて上記第１の電圧設定信号とする電圧源と、
を有する、請求項１乃至４の何れかに記載のレギュレータ回路。
【請求項６】
上記電圧出力回路が、
電圧入力端子と、
電圧出力端子と、
制御端子に入力される上記電圧制御信号に応じた出力電圧を供給するトランジスタと、
を有する、請求項１乃至５の何れかに記載のレギュレータ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、出力電圧を所望の電圧に制御するレギュレータ回路に係り、特に、過電流制限機能を有するレギュレータ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、過電流制限回路を有した従来のシリーズレギュレータの構成例を示す概略的な回路図である。
図５に示すシリーズレギュレータにおいて、直流電圧源Ｖｉｎの負出力端子が接地ラインに接続され、正出力端子が電流検出用抵抗３の端子Ｎ１に接続される。電流検出用抵抗３の他方の端子Ｎ２はｎ型ＭＯＳトランジスタ１のドレインに接続される。ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のソースＮ３と接地ラインとの間には、平滑キャパシタＣＬおよび電流負荷ＩＬが接続される。
【０００３】
また、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のソースＮ３と接地ラインとの間には電圧検出用に直列接続された抵抗２ａおよび抵抗２ｂが接続され、この接続中点Ｎ４が差動増幅回路４ａの正入力端子＋に接続される。差動増幅回路４ａの負入力端子−は、電圧源ＶＲ１の正端子から負端子を介して接地ラインに接続される。この正入力端子＋と負入力端子−との電圧差が差動増幅回路４ａにおいて増幅され、ｎｐｎトランジスタ４ｃのベースＮ５に入力される。
【０００４】
ｎｐｎトランジスタ４ｃのエミッタは接地ラインに接続され、コレクタは定電流回路４ｂを介して電源ラインＶｃｃに接続されるとともに、ｎｐｎトランジスタ４ｄのベースＮ６に接続される。ｎｐｎトランジスタ４ｄのコレクタは電源ラインＶｃｃに接続され、エミッタは定電流回路４ｅを介して接地ラインに接続される。このエミッタが、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲートＮ７に接続される。
【０００５】
電流検出用抵抗３の端子Ｎ２は、コンパレータ５ａの負入力端子−に接続される。電流検出用抵抗３の端子Ｎ１は、電圧源ＶＲ２の正出力端子から負出力端子を介してコンパレータ５ａの正入力端子＋に接続される。この正入力端子＋と負入力端子−との電圧レベルの比較結果に応じたハイレベルまたはローレベルの電圧がコンパレータ５ａにおいて生成され、ｎ型ＭＯＳトランジスタ５ｂのゲートに入力される。ｎｐｎトランジスタ４ｄのベースＮ６は、ｎ型ＭＯＳトランジスタ５ｂのドレイン−ソース端子を介して接地ラインに接続される。
【０００６】
上述した構成を有するシリーズレギュレータにおいて、電流負荷ＩＬに供給される出力電圧は、出力電圧の検出値と目標値との誤差が差動増幅回路４ａにおいて増幅されてｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲートに負帰還されることにより制御される。
【０００７】
例えばｎ型ＭＯＳトランジスタ１のソースＮ３の電圧が上昇した場合、この電圧が抵抗２ａおよび抵抗２ｂにより分圧された接続点Ｎ４の電圧も上昇する。これにより差動増幅回路４ａの出力電圧も上昇し、ｎｐｎトランジスタ４ｃのコレクタ電流が増えるので、ｎｐｎトランジスタ４ｄのベース電圧が低下する。したがって、ｎｐｎトランジスタ４ｄのエミッタ電圧が低下し、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート電圧が低下する。ゲート電圧の低下により、ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレイン−ソース間電流が減少してソースＮ３の電圧が低下する。
【０００８】
同様に、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のソースＮ３の電圧が低下した場合には、差動増幅回路４ａの出力電圧が低下し、ｎｐｎトランジスタ４ｄのベース電圧が上昇して、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート電圧が上昇することによりソースＮ３の電圧が上昇する。
このように、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のソースＮ３の電圧は、接続点Ｎ４の電圧と電圧源ＶＲ１の電圧とがほぼ等しくなるように負帰還制御される。
【０００９】
一方、電流検出用抵抗３、電圧源ＶＲ２、コンパレータ５ａおよびｎ型ＭＯＳトランジスタ５ｂからなる回路は過電流を制限するための回路であり、電流検出用抵抗３に流れる電流が一定レベルを超えた場合にｎ型ＭＯＳトランジスタ１を遮断させる機能を有している。
【００１０】
電流検出用抵抗３に流れる電流が十分小さく、端子Ｎ１と端子Ｎ２との電位差が電圧源ＶＲ２による電位差よりも小さい場合、コンパレータ５ａの正入力端子＋の電圧は負入力端子−に比べて低い。したがって、コンパレータ５ａの出力はローレベルとなり、ｎ型ＭＯＳトランジスタ５ｂはオフ状態となる。
【００１１】
電流検出用抵抗３に流れる電流が大きくなり、端子Ｎ１と端子Ｎ２との電位差が電圧源ＶＲ２による電位差よりも大きくなると、コンパレータ５ａの正入力端子＋の電圧が負入力端子−に比べて高くなり、コンパレータ５ａの出力はハイレベルとなる。これにより、ｎ型ＭＯＳトランジスタ５ｂがオン状態となって、ｎｐｎトランジスタ４ｄのベース電圧が接地ラインまで低下する。これにより、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲート電圧も接地ラインまで低下して、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１はオフ状態となる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図６は、図５に示すシリーズレギュレータにおいて過電流制限機能が働いた場合の出力電圧の変動を示す図である。
図６Ａは電流負荷ＩＬに流れる電流のシミュレーション波形の例を示しており、縦軸は負荷電流レベルを、横軸は時間をそれぞれ示している。また図６Ｂは電流負荷ＩＬに供給される出力電圧のシミュレーション波形の例を示しており、縦軸は出力電圧レベルを、横軸は時間をそれぞれ示している。
図６Ｂの出力電圧波形に示すように、電流負荷ＩＬの電流を０Ａから５Ａに増大させて過電流制限機能を働かせると、出力電圧を０．９Ｖとした場合、シリーズレギュレータの出力電圧は０Ｖから９００ｍＶの間で振動を繰り返す発振状態となってしまう。
【００１３】
すなわちこの発振状態において、過電流制限機能によりｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲートＮ７が接地電位まで低下すると、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１がオフ状態となって電流検出用抵抗３の電圧が低下するが、これにより過電流制御が解除されると、再び出力電圧が上昇して出力電流が増えて過電流制限機能が働く。このように図５に示すシリーズレギュレータにおいては、過電流制限機能の動作状態と通常の電圧制御状態とが繰り返されることにより、図６Ｂに示すような発振が起こってしまう。
【００１４】
図６Ｂに示すような電圧の発振が起こると、例えばこの電圧を電源として供給されている回路が動作異常を引き起こしてしまう可能性がある。また、平滑コンデンサＣＬに大きなパルス状の電流が流れるため、コンデンサの特性を劣化させてしまう問題がある。
【００１５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、過電流制限機能が働いた場合における出力電圧の発振を防止できるレギュレータ回路を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のレギュレータ回路は、入力される電圧制御信号のレベルに応じた電圧を出力する電圧出力回路と、上記電圧出力回路の出力電圧に応じたレベルを有する電圧検出信号を出力する電圧検出回路と、入力される第１の電圧設定信号または所定のレベルを有する第２の電圧設定信号のうち、信号レベルの大小関係に応じて何れか一方の電圧設定信号を選択し、当該電圧設定信号と上記電圧検出信号とのレベル差に応じた上記電圧制御信号を出力する電圧制御信号出力回路と、上記電圧出力回路の出力電流レベルが所定の過電流レベルを超えているか否かを検出する過電流検出回路と、上記過電流検出回路において過電流が検出されていない場合、上記第１の電圧設定信号のレベルを上記電圧制御信号出力回路で選択されない第１のレベルに設定し、過電流が検出された場合、上記第１の電圧設定信号のレベルを上記電圧制御信号出力回路で選択される第２のレベルに設定する電圧設定信号出力回路とを有する。
【００１７】
好適には、上記電圧設定信号出力回路が、上記過電流検出回路において過電流が検出された状態から検出されない状態に変化した場合、上記第１の電圧設定信号を上記第２のレベルから上記第１のレベルへ所定の速度で変化させる。
【００１８】
また、好適には、上記過電流検出回路において、過電流検出状態から非検出状態に変化する場合の上記過電流レベルが、過電流非検出状態から検出状態に変化する場合に比べて小さい。
【００１９】
また、上記電圧制御信号出力回路が、上記電圧検出信号を入力し、第１のノードに電圧信号を供給するための第１のトランジスタと、上記第１の電圧設定信号を入力し、第２のノードに電圧信号を供給するための第２のトランジスタと、上記第２の電圧設定信号を入力し、上記第２のトランジスタと並列接続された第３のトランジスタと、上記第１のトランジスタと上記第２又は第３のトランジスタとに電流を供給する電流源回路と、上記第１のノードと上記第２のノードとに互いに等しい電流を供給するためのカレントミラー回路と、上記第１のノードと上記第２のノードとの電圧差に応じた上記電圧制御信号を出力する出力回路とを有してもよい。
【００２０】
また、上記電圧設定信号出力回路が、定電流源と、上記定電流源から供給される電流によって充電されるキャパシタと、上記過電流検出回路の検出結果に応じて導通して上記キャパシタを放電させるトランジスタと、上記キャパシタの充電電圧に所定のオフセットを与えて上記第１の電圧設定信号とする電圧源とを有してもよい。
【００２１】
更には、上記電圧出力回路が、電圧入力端子と電圧出力端子とを有し、制御端子に入力される上記電圧制御信号に応じた出力電圧を供給するトランジスタを有してもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態について、図１を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るレギュレータ回路の構成例を示す概略的なブロック図である。図１に示すレギュレータ回路は、電圧出力回路１０、電圧検出回路２０、電流検出回路３０、電圧制御信号出力回路４０、比較回路５０および電圧設定信号出力回路６０を有する。
【００２３】
電圧出力回路１０は、端子Ｉ１および端子Ｉ２の間に供給された電圧源Ｖｉｎの電圧を、電圧制御信号Ｓｃｏｎｔに応じた電圧に変換して、これを端子Ｏ１と端子Ｏ２との間に出力する回路である。例えば、端子ＩＮ１と端子Ｏ１との間に接続されるトランジスタのゲート電圧を制御することにより電圧源Ｖｉｎの電圧を電圧降下させて出力するシリーズレギュレータ型の回路でも良い。あるいは、スイッチング素子を含んだＤＣ−ＤＣコンバータなどでも良い。
【００２４】
電圧検出回路２０は、電圧出力回路１０の出力電圧に応じたレベルを有する電圧検出信号Ｓｖｄを出力する回路である。例えば、負荷抵抗と比べて十分大きな抵抗値の抵抗を用いた分圧回路で出力電圧を適当な分圧比で分圧することにより出力電圧を検出しても良い。また、必要に応じて絶縁回路を設けて、電圧出力回路１０の出力と、電圧検出信号Ｓｖｄを入力する電圧制御信号出力回路４０とを絶縁しても良い。
【００２５】
電流検出回路３０は、電圧出力回路１０の出力電流に応じたレベルを有する電流検出信号Ｓｉｄを出力する回路である。例えば、負荷抵抗と比べて十分小さな抵抗値の抵抗を負荷電流が流れる経路に挿入し、この抵抗に発生する電圧に基づいて出力電流を検出しても良い。あるいはホール素子など他の電流検出素子を用いても良い。また電流検出回路３０の挿入箇所は、例えば図１に示すように電圧出力回路１０の出力端子と電圧検出回路２０の電圧検出ノードとの間でも良いし、電圧検出ノードと負荷との間でも良い。また、電圧出力回路１０の入力電流が出力電流と相関性を有する場合には、電圧出力回路１０の入力端子と電圧源Ｖｉｎとの間に電流検出回路３０を挿入しても良い。
【００２６】
電圧制御信号出力回路４０は、電圧設定信号出力回路６０から出力される電圧設定信号Ｓｖ１または所定のレベルを有する電圧設定信号Ｓｖ２のうち、信号レベルの大小関係に応じて何れか一方の電圧設定信号を選択し、この選択した電圧設定信号と電圧検出信号Ｓｖｄとのレベル差に応じた電圧制御信号Ｓｃｏｎｔを出力する。
【００２７】
例えば、電圧設定信号Ｓｖ１または電圧設定信号Ｓｖ２のうちの電圧レベルが低い方の電圧設定信号を選択するものとする。この場合、通常の電圧制御が行われる状態において、後述する電圧設定信号出力回路６０は電圧設定信号Ｓｖ１の電圧レベルを電圧設定信号Ｓｖ２より高く設定する。これにより、電圧制御信号出力回路４０は電圧設定信号Ｓｖ２を選択し、電圧設定信号Ｓｖ２と電圧検出信号Ｓｖｄとの電圧差に応じた電圧制御信号Ｓｃｏｎｔを出力する。
また、過電流制限機能が働く状態において、電圧設定信号出力回路６０は電圧設定信号Ｓｖ１の電圧レベルを電圧設定信号Ｓｖ２より低く設定する。これにより、電圧制御信号出力回路４０は電圧設定信号Ｓｖ１を選択し、電圧設定信号Ｓｖ１と電圧検出信号Ｓｖｄとの電圧差に応じた電圧制御信号Ｓｃｏｎｔを出力する。
【００２８】
比較回路５０は、電流検出信号Ｓｉｄと所定の過電流基準信号Ｓｉｒとを比較し、この比較結果に基づいて、出力電流レベルが所定の過電流レベルを超えているか否かを判定する。そしてこの判定結果Ｓｉｃを電圧設定信号出力回路６０に出力する。
【００２９】
電圧設定信号出力回路６０は、比較回路５０において過電流が検出されていないことを示す判定結果Ｓｉｃが出力されている場合に、電圧設定信号Ｓｖ１のレベルを電圧制御信号出力回路４０で選択されない第１のレベルに設定する。また、比較回路５０において過電流が検出されたことを示す判定結果Ｓｉｃが出力されている場合には、電圧設定信号Ｓｖ１のレベルを電圧制御信号出力回路４０で選択される第２のレベルに設定する。
【００３０】
例えば、上述のように電圧制御信号出力回路４０が電圧レベルの低い方の電圧設定信号を選択するものとすると、過電流が検出されていない状態においては、電圧設定信号Ｓｖ１のレベルを電圧設定信号Ｓｖ２より十分高く設定して、電圧設定信号Ｓｖ１が選択されないようにする。また、過電流が検出された状態においては、電圧設定信号Ｓｖ１のレベルを電圧設定信号Ｓｖ２より低い所定のレベルに設定して、電圧設定信号Ｓｖ１を選択させる。
【００３１】
ここで、上述した構成を有する図１のレギュレータ回路の動作について説明する。
出力電流の過電流が検出されていない通常の電圧制御状態において、電圧設定信号出力回路６０が出力する電圧設定信号Ｓｖ１のレベルは電圧制御信号出力回路４０で選択されない第１のレベルに設定される。したがって、電圧制御信号出力回路４０において、電圧制御信号Ｓｃｏｎｔは電圧設定信号Ｓｖ２と電圧検出信号Ｓｖｄとのレベル差に応じて生成される。
また、電圧出力回路１０、電圧検出回路２０および電圧制御信号出力回路４０によって負帰還制御のループが形成されており、電圧設定信号Ｓｖ２と電圧検出信号Ｓｖｄとのレベル差が小さくなるように電圧制御信号Ｓｃｏｎｔが負帰還制御される。これにより、電圧出力回路１０の出力電圧は電圧設定信号Ｓｖ２のレベルに応じた電圧となる。
【００３２】
また、出力電流の過電流が検出された過電流制限機能の動作状態において、電圧設定信号出力回路６０が出力する電圧設定信号Ｓｖ１は電圧制御信号出力回路４０で選択される第２のレベルに設定される。これにより、電圧設定信号Ｓｖ１と電圧検出信号Ｓｖｄとのレベル差が小さくなるように電圧制御信号Ｓｃｏｎｔが負帰還制御され、電圧出力回路１０の出力電圧は電圧設定信号Ｓｖ１のレベル（第２のレベル）に応じた電圧となる。
【００３３】
図５に示す従来例において過電流制限機能が働いた場合には、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１のゲートＮ７は接地ラインの電圧レベルまで低下し、負帰還ループが直ちに切断されていた。一方、図１に示すレギュレータ回路において過電流制限機能が働いた場合には、出力電圧が電圧設定信号Ｓｖ１のレベル（第２のレベル）に応じた電圧となるように負帰還制御が働いている。このため、負帰還ループが直ちに切断されてしまう従来回路に比べて出力電圧を発振し難くすることができる。
【００３４】
なお、比較回路５０の判定結果Ｓｉｃが過電流の検出状態から非検出状態に変化した場合に電圧設定信号Ｓｖ１のレベルが第２のレベルから第１のレベルへ変化する速度を、電圧設定信号出力回路６０において任意に制御させても良い。
この変化速度を適当に遅く設定することで、出力電圧のレベルを電圧設定信号Ｓｖ１に応じた電圧から電圧設定信号Ｓｖ２に応じた電圧へ滑らかに変化させることができる。これにより、過電流の検出状態から非検出状態に変化した場合に出力電圧が急激に変化していた従来回路に比べて、過渡的に負荷容量に流れ込む電流が減少し、出力電圧の発振をより効果的に抑えることができる。
【００３５】
また、過電流非検出状態から検出状態に変化する場合に比べて、過電流検出状態から非検出状態に変化する場合の過電流検出レベルが小さくなるようなヒステリシス特性を比較回路５０に持たせても良い。これにより、出力電流レベルが過電流検出レベル付近にある場合において、ノイズ等により判定結果Ｓｉｃが過電流非検出状態と検出状態との間で状態が不安定になることを防止でき、これによる出力電圧の発振を抑えることができる。
【００３６】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について、図２〜図４を参照して説明する。第２の実施形態は、上述した第１の実施形態の構成をより具体化したものである。
【００３７】
図２は、本発明の第２の実施形態に係るレギュレータ回路の構成例を示す概略的な回路図である。
図２において、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１は、図１における電圧出力回路１０に対応する回路である。
抵抗２１および抵抗２２からなる回路は、図１における電圧検出回路２０に対応する回路である。
抵抗３１は、図１における電流検出回路３０に対応する回路である。
差動増幅回路４１は、図１における電圧制御信号出力回路４０に対応する回路である。
ヒステリシスコンパレータ５１は、図１における比較回路５０に対応する回路である。
定電流回路６１、キャパシタ６２、ｎ型ＭＯＳトランジスタ６３および定電圧源６４からなる回路は、図１における電圧設定信号出力回路６０に対応する回路である。
【００３８】
直流電圧源Ｖｉｎの負出力端子が接地ラインに接続され、正出力端子が電流検出用抵抗３１の端子Ｎ１１に接続される。電流検出用抵抗３１の他方の端子Ｎ１２はｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のドレインに接続される。ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のソースＮ１３と接地ラインとの間には、平滑キャパシタＣＬ１および電流負荷ＩＬが接続される。
【００３９】
また、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のソースＮ１３と接地ラインとの間には電圧検出用に直列接続された抵抗２１および抵抗２２が接続され、この接続中点Ｎ１４が差動増幅回路４１の負入力端子−に接続される。差動増幅回路４１は２つの正入力端子を有しており、一方の正入力端子＋１は電圧源ＶＲ１の正端子から負端子を介して接地ラインに接続され、他方の正入力端子＋２は電圧源６４の正端子に接続される。差動増幅回路４１の出力は、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のゲートＮ１５に接続される。
【００４０】
電流検出用抵抗３１の端子Ｎ１２は、ヒステリシスコンパレータ５１の負入力端子−に接続される。電流検出用抵抗３１の端子Ｎ１１は、電圧源ＶＲ２の正端子から負端子を介してヒステリシスコンパレータ５１の正入力端子＋に接続される。この正入力端子＋と負入力端子−との電圧レベルの比較結果に応じたハイレベルまたはローレベルの電圧がヒステリシスコンパレータ５１において生成され、ｎ型ＭＯＳトランジスタ６３のゲートＮ１６に入力される。ｎ型ＭＯＳトランジスタ６３のドレインは定電流回路６１を介して電源ラインＶｃｃに接続されるとともに、キャパシタ６２を介してｎ型ＭＯＳトランジスタのソースおよび接地ラインに接続される。また、定電流回路６１とキャパシタ６２との接続中点Ｎ１７は、電圧源６４の負端子に接続される。
【００４１】
ここで、差動増幅回路４１のより具体的な構成例について説明する。
図３は、２つの正入力端子を有する差動増幅回路４１の入力部の構成例を示す概略的な回路図を示す。
図３に示すように、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１１のゲートは負入力端子−に、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２のゲートは正入力端子＋１に、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３のゲートは正入力端子＋２にそれぞれ接続されている。
【００４２】
ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１１、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２およびｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３のソースは共通に接続されており、さらに、定電流回路４１７を介して電源ラインＶｃｃに接続されている。
【００４３】
ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１１のドレインはｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４のドレインに接続され、ｐ型ＭＯＳトランジス４１２およびｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３のドレインはｎ型ＭＯＳトランジスタ４１５のドレインに接続されている。
【００４４】
ｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４およびｎ型ＭＯＳトランジスタ４１５は、互いのゲートが共通に接続されているとともに、ソースが接地ラインに接続されている。また、ｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４のゲートとドレインとが接続されている。
【００４５】
ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１１とｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４のドレインが接続されたノードＮ４１ａは、差動増幅回路４１６の正入力端子＋に接続される。ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３およびｎ型ＭＯＳトランジスタ４１５のドレインが共通に接続されたノードＮ４１ｂは、差動増幅回路４１６の負入力端子−に接続される。差動増幅回路４１６の出力端子は、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のゲートＮ１５に接続される。
【００４６】
このような構成を有する差動増幅回路４１において、ｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４およびｎ型ＭＯＳトランジスタ４１５はカレントミラー回路を構成しており、ｎ型ＭＯＳトランジスタ４１４のドレイン電流と一致する電流がｎ型ＭＯＳトランジスタ４１５のドレインに流れる。
また、並列接続されたｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２およびｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３は、正入力端子＋１および正入力端子＋２の電圧レベルの大小関係に応じて、何れか一方が活性化される。すなわち、正入力端子＋１の電圧が正入力端子＋２と比べて低い場合にはｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２が活性化され、正入力端子＋２の電圧が正入力端子＋１と比べて低い場合にはｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３が活性化される。この活性化されたトランジスタと、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１１、定電流回路４１７および上述のカレントミラー回路によって構成される差動増幅回路において負入力端子と正入力端子との電圧差が増幅され、ノードＮ４１ａとノードＮ４１ｂとの間の差動電圧として出力される。この差動電圧が差動増幅回路４１６において増幅されて、ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のゲートＮ１５に入力される。
【００４７】
次に、上述した構成を有する図２および図３に示すレギュレータ回路の動作について説明する。
過電流制限機能が働かない通常の電圧制御状態においては、抵抗３１に流れる電流は過電流状態に比べて小さく、この抵抗の両端に発生する電圧は電圧源ＶＲ２の電圧よりも小さい。この場合、ヒステリシスコンパレータ５１の負入力端子−の電圧は正入力端子＋の電圧より高くなり、ヒステリシスコンパレータ５１の出力電圧はローレベルとなる。このため、ｎ型ＭＯＳトランジスタ６３はオフ状態となり、キャパシタ６２は定電流回路６１の電流によって電源ラインＶｃｃまで充電される。
【００４８】
キャパシタ６２の充電電圧が電源ラインＶｃｃまで上昇するので、差動増幅回路４１の正入力端子＋２の電圧レベルは正入力端子＋１に比べて十分高くなり、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１２が活性化される。すなわち、差動増幅回路４１においては、正入力端子＋１と負入力端子−との電圧差が増幅されてｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のゲートに出力される。
したがって、通常の電圧制御状態におけるノードＮ１３の電圧は、電圧源ＶＲ１による正入力端子＋１の電圧とノードＮ１４の電圧とがほぼ一致するように負帰還制御される。
【００４９】
一方、過電流制限機能が働いた状態においては、抵抗３１の両端に発生する電圧が電圧源ＶＲ２の電圧よりも大きくなり、ヒステリシスコンパレータ５１の出力電圧はハイレベルとなる。このため、ｎ型ＭＯＳトランジスタ６３はオン状態となり、キャパシタ６２の充電電荷は放電され、ノードＮ１７の電圧は接地ラインの電圧まで低下する。
【００５０】
このとき、電圧源６４の電圧が電圧源ＶＲ１よりも低く設定されているとすると、正入力端子＋２の電圧レベルは正入力端子＋１より低くなり、ｐ型ＭＯＳトランジスタ４１３が活性化される。すなわち、差動増幅回路４１においては、正入力端子＋２と負入力端子−との電圧差が増幅されてｎ型ＭＯＳトランジスタ１１のゲートに出力される。
したがって、過電流制御機能が働いた状態におけるノードＮ１３の電圧は、電圧源６４による正入力端子＋２の電圧とノードＮ１４の電圧とがほぼ一致するように負帰還制御される。電圧源６４の電圧は電圧源ＶＲ１よりも低く設定されているので、過電流制限機能が働いた状態の出力電圧は、通常の電圧制御状態に比べて低くなる。
【００５１】
このように、図２および図３に示すレギュレータ回路は、図１のレギュレータ回路と同様に、過電流制限機能が働いた場合においてノードＮ１４の電圧と電圧源６４の電圧とが一致するように負帰還制御が働く。したがって、負帰還ループが直ちに切断されてしまう従来回路に比べて出力電圧を発振し難くすることができる。
【００５２】
また、過電流制限機能が働いた状態が解消されて抵抗３１の両端電圧がＶＲ２よりも小さくなると、ヒステリシスコンパレータ５１の出力はハイレベルからローレベルに変化し、これに応じてｎ型ＭＯＳトランジスタ６３はオン状態からオフ状態に変化する。
【００５３】
この時点において、接地ラインの電圧まで低下していたノードＮ１７の電圧は、定電流回路６１の電流でキャパシタ６２が充電されることにより徐々に上昇し、これに応じて差動増幅回路４１の正入力端子＋２の電圧も徐々に上昇する。そして、正入力端子＋２の電圧が正入力端子＋１の電圧を超えると、ｎ型ＭＯＳトランジスタ４１２が再び活性化されて、通常の電圧制御状態に移行する。
【００５４】
このように、過電流制限機能が働いた状態から通常の電圧制御状態に移行する場合において、正入力端子＋２に入力される電圧レベルを一定の速度で徐々に増加させるので、ノードＮ１３の電圧もこれに応じて滑らか変化する。したがって、出力電圧が急激に変化していた従来回路に比べて、出力電圧の発振をより効果的に抑えることができる。更に、平滑キャパシタＣＬ１に過渡的に流れ込む電流を抑えることができる。
【００５５】
また、ヒステリシスコンパレータ５１は、出力をローレベルからハイレベルに変化させる場合と、ハイレベルからローレベルに変化させる場合とで、正入力端子＋と負入力端子−との間に印加すべき電圧が異なっており、この電圧の違いによる不感帯の電圧範囲内に正入力端子＋と負入力端子−との電圧差が含まれる場合、出力レベルは変化しない。すなわち、通常状態から過電流状態に移行する場合と、過電流状態から通常状態に移行する場合とでは過電流検出レベルが異なっており、後者の過電流検出レベルが前者に比べて小さくなる。
【００５６】
このため、過電流状態において抵抗３１に流れる電流が、通常状態から過電流状態に移行するときの過電流検出レベルより小さくならなければ、過電流状態から通常状態へ移行しない。逆に、通常状態において抵抗３１に流れる電流が、過電流状態から通常状態に移行するときの過電流検出レベルより大きくならなければ、通常状態から過電流状態へ移行しない。
したがって、抵抗３１の電流が過電流検出レベル付近にある場合において、ノイズ等により正入力端子＋と負入力端子−との電圧差が変動しても、過電流制限機能が働いた状態と通常の電圧制御状態との間で状態が急激に変化することを防止でき、これによる出力電圧の発振を抑えることができる。
【００５７】
図４は、図２および図３に示すレギュレータ回路において過電流制限機能が働いた場合の出力電圧の波形例を示す図である。
図４Ａは電流負荷ＩＬに流れる電流のシミュレーション波形の例を示しており、縦軸は負荷電流レベルを、横軸は時間をそれぞれ示している。また図４Ｂは電流負荷ＩＬに印加される出力電圧のシミュレーション波形の例を示しており、縦軸は出力電圧レベルを、横軸は時間をそれぞれ示している。
【００５８】
図４Ｂの出力電圧波形に示すように、電流負荷ＩＬの電流を０Ａから５Ａに増大させて過電流制限機能を働かせると、レギュレータ回路の出力電圧は約９００ｍＶから約３００ｍＶまで低下するが、図６Ｂに示す従来回路の出力電圧のように振動することはない。また、電流負荷ＩＬの電流が５Ａから０Ａに戻ると、数１０μｓの遅延時間を経て、出力電圧はなだらかに上昇する。
このように、図２および図３に示すレギュレータ回路においては、過電流制限機能が働いた状態における出力電圧の発振が防止される。
【００５９】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されない。
例えば、図２および図３において使用されているＭＯＳトランジスタは、バイポーラトランジスタに置き換えることもできる。
また、図２および図３において使用されているｎ型ＭＯＳトランジスタをｐ型ＭＯＳトランジスタ、ｐ型ＭＯＳトランジスタをｎ型ＭＯＳトランジスタに置き換えることも可能である。
その他、当業者に自明な種々の改変が可能である。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、過電流制限機能が働いた場合における出力電圧の発振を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレギュレータ回路の構成例を示す概略的なブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るレギュレータ回路の構成例を示す概略的な回路図である。
【図３】２つの正入力端子を有する差動増幅回路４１の入力部の構成例を示す概略的な回路図を示す。
【図４】図２および図３に示すレギュレータ回路において過電流制限機能が働いた場合の出力電圧の波形例を示す図である。
【図５】過電流制限回路を有した従来のシリーズレギュレータの構成例を示す概略的な回路図である。
【図６】図５に示すシリーズレギュレータにおいて過電流制限機能が働いた場合の出力電圧の変動を示す図である。
【符号の説明】
１０…電圧出力回路、２０…電圧検出回路、３０…電流検出回路、４０…電圧制御信号出力回路、５０…比較回路、６０…電圧設定信号出力回路、１１…ｎ型ＭＯＳトランジスタ、２１，２２，３１…抵抗、４１…差動増幅回路、５１…ヒステリシスコンパレータ、６１…定電流回路、６２，ＣＬ１…キャパシタ、６３…ｎ型ＭＯＳトランジスタ、６４，Ｖｉｎ，ＶＲ１，ＶＲ２…定電圧源、ＩＬ１…電流負荷。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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