(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを絶縁層を介して配置して固定し、前記各ｎ型棒状素子と前記各ｐ型棒状素子の両端面をそれぞれ露出させた配線面を有する熱電素子ブロックと、前記熱電素子ブロックの前記配線面に設けられ、前記ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子を接続する配線用導電体とを有する熱電素子であって、前記熱電素子ブロックの外周部の前記ｎ型棒状素子又は前記ｐ型棒状素子の少なくとも一部を他のｎ型棒状素子又はｐ型棒状素子より短い接続用棒状素子とし、前記接続用棒状素子は、一方の端面が配線用導電体に接続され、  他方の端面が金属膜で被覆されて外部接続を行う引出端となることを特徴とする熱電素子。
【請求項２】
前記接続用棒状素子は、  前記熱電素子ブロックの一つの側面のみに位置することを特徴とする請求項１に記載の熱電素子。
【請求項３】
前記接続用棒状素子は、  前記熱電素子ブロックの二つの側面に位置することを特徴とする請求項１に記載の熱電素子。
【請求項４】
前記接続用棒状素子は、複数の棒状素子が並列してなることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の熱電素子。
【請求項５】
前記複数のｎ型棒状素子が、一方の側面から他方の側面に連続する板状のｎ型板状素子であり、前記複数のｐ型棒状素子が、一方の側面から他方の側面に連続する板状のｐ型板状素子である  ことを特徴とする、請求項１又は３に記載の熱電素子。
【請求項６】
ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを絶縁層を介して固定して熱電素子ブロックを形成する工程と、前記熱電素子ブロックの上下面を除去して配線面を形成する工程と、前記配線面に配線用導電体を形成して前記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒状素子を接続する工程と、前記熱電素子ブロックの外周の前記ｎ型棒状素子又は前記ｐ型棒状素子の少なくとも一部を前記配線面より低く加工して接続用棒状素子を形成する工程と、前記接続用棒状素子の前記配線用導電体が接続していない端面に金属膜を被覆して外部接続を行う引出端を形成する工程とを有することを特徴とする熱電素子の製造方法。
【請求項７】
前記配線面に配線用導電体を形成する工程と、前記接続用棒状素子を形成する工程との順番を逆にして、前記接続用棒状素子を形成した工程後に、前記配線面に配線用導電体を形成する工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の熱電素子の製造方法。
【請求項８】
前記配線面に前記配線用導電体を形成した工程後に、前記接続用棒状素子の前記配線用導電体が接続していない端面に金属膜を被覆する工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の熱電素子の製造方法。
【請求項９】
前記複数のｎ型棒状素子が、一方の側面から他方の側面に連続する板状のｎ型板状素子であり、前記複数のｐ型棒状素子が、一方の側面から他方の側面に連続する板状のｐ型板状素子である  ことを特徴とする請求項６から８のいずれか1項に記載の熱電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は温度差発電や冷却に用いる熱電素子の構造と製造方法に関するものであり、特に熱電素子を外部回路へ接続するための接続用電極の構造と作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
熱電対はその両端に温度差を与えることにより電極間に電圧を発生し、反対に電極から電流を流すと温度差を生じる性質を持ち、この熱・電気変換特性を利用しようして作られているのが熱電素子である。
【０００３】
たとえば熱電素子は熱を電気エネルギーに変換できる方法として発電素子に応用され、あるいは電気エネルギーで対象物を冷やしたりする冷却素子に応用される。
【０００４】
ところで熱電素子は構造やその動作が簡単なため、他の熱／電気変換システムに比べて小型化に有利なところから、発電素子としては腕時計などの携帯用電子機器内部での発電に応用され、さらに冷却素子としては半導体集積回路（ＩＣ）などの局所的な冷却などへの応用が広がっている。
【０００５】
熱電素子として発電又は冷却に使われている半導体材料の中でもっとも一般的なのはビスマス（Ｂｉ）とテルル（Ｔｅ）を主成分にしたいわゆるＢｉＴｅ合金である。
この材料は室温近辺で現在もっとも性能が良いため各所で多用されているが、大きな欠点として機械的強度が弱く非常にもろい材料であることがあげられる。
【０００６】
そのため小さな熱電素子を作製するためにいくつかの検討がなされているが、たとえば特開昭６３−２０８８０号公報に一つの作製方法が記載されている。
この公報に記載の製造方法は、薄い板状に加工したｐ型熱電材料とｎ型熱電材料を断熱材を挟みながら、交互に積層し、積層面に垂直な方向に一定間隔で溝を形成し、ｐ型棒状素子及びｎ型棒状素子を形成する方法である。
【０００７】
ｐ型棒状素子とｎ型棒状素子は、それぞれの両端面で電極材料により直列に接続される。電極材料を形成する方法としては、蒸着等の真空技術を用いて金属膜を形成し、その金属膜をフォトリソグラフィーの手法を用いてパターン化することで実現する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで熱電素子は、発電に用いる場合でも冷却素子として用いる場合においても、外部の回路と接続しなくては当然ながらその機能を発揮することはできない。
そして同時に、熱電対の温接点と冷接点の外部熱源や冷却対象物への熱的に良好な接触も備えなければならない。
【０００９】
確かに前記の公報の構造をとれば、脆い熱電半導体を用いても小さな熱電素子構造を実現することは出来る。
しかし、前記の公報に開示されているのは、熱電半導体を配線するところまでであり、外部への接続及び熱接触に関する具体的な手段は示されていない。たとえばこの熱電素子の温接点あるいは冷接点をなしている電極部分を冷却対象物に接触させると、電極自体は隠れてしまい外部への電気的な接触ができなくなるという問題が生じてしまう。
【００１０】
このように従来例においては断熱材が充填され、端面を金属膜で配線している小型の熱電素子の外部接続においては有効な手法は開示されていない。
【００１１】
そこで、簡単に考えられる外部への接触の方法としては、リード線を半田を用いて電極へ接続する方法、あるいはワイヤーボンディングにより金線などを直接電極に接続する方法などが考えられる。
しかし、どちらの方法にせよ配線面から直接リード線を引き出すとすれば、外部への良好な熱的な接触が難しくなる。
【００１２】
そこで本発明の目的は、上記の問題点を解決して、外部への良好な熱接触をとりつつ、安定した電気的接続を有する熱電素子とその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の熱電素子の構造および製造方法においては、下記に記載する手段を採用する。
【００１４】
本発明の熱電素子の構造は、ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを絶縁層を介して配置して固定し、前記各ｎ型棒状素子と前記各ｐ型棒状素子の両端面をそれぞれ露出させた配線面を有する熱電素子ブロックと、前記熱電素子ブロックの前記配線面に設けられ、前記ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子を接続する配線用導電体とを有する熱電素子であって、前記熱電素子ブロックの外周部の前記ｎ型棒状素子又は前記ｐ型棒状素子の少なくとも一部を他のｎ型棒状素子又はｐ型棒状素子より短い接続用棒状素子とし、前記接続用棒状素子は、一方の端面が配線用導電体に接続し、他方の端面が金属膜で被覆されて外部接続を行う引出端としたことを特徴とする。
【００１５】
前記接続用棒状素子は、前記熱電素子ブロックの一つの側面のみに位置することを特徴とする。または前記接続用棒状素子は、前記熱電素子ブロックの二つの側面に位置することを特徴とする。
【００１６】
または前記接続用棒状素子は、複数の棒状素子が並列してなることを特徴とする。または前記複数のｎ型棒状素子が、一方の側面から他方の側面に連続する板状のｎ型板状素子であり、前記複数のｐ型棒状素子が一方の側面から他方の側面に連続する板状のｐ型板状素子であることを特徴とする。
【００１７】
さらに本発明の熱電素子の構造は、ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを絶縁層を介して配置して固定し、前記各ｎ型棒状素子と各ｐ型棒状素子の両端面をそれぞれ露出させた配線面を有する熱電素子ブロックと、前記熱電素子ブロックの前記各配線面に設け、前記ｎ型棒状素子とｐ型棒状素子を接続する配線用導電体とを有する熱電素子であって、前記熱電素子ブロックの外周部の前記ｎ型棒状素子又は前記ｐ型棒状素子の少なくとも一部を除去して前記配線用導電体を露出させ、露出した配線用導電体を外部接続を行う引出端としたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の熱電素子の製造方法は、ｎ型熱電半導体からなる複数のｎ型棒状素子とｐ型熱電半導体からなる複数のｐ型棒状素子とを絶縁層を介して固定して熱電素子ブロックを形成する工程と、前記熱電素子ブロックの上下面を除去して配線面を形成する工程と、前記配線面に配線用導電体を形成して前記ｎ型棒状素子と前記ｐ型棒状素子を接続する工程と、前記熱電素子ブロックの外周の前記ｎ型棒状素子又は前記ｐ型棒状素子の少なくとも一部を前記配線面より低く加工して接続用棒状素子を形成する工程と、前記接続用棒状素子の前記配線用導電体が接続していない端面に金属膜を被覆して外部接続を行う引出端を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１９】
または前記配線面に配線用導電体を形成する工程と、前記接続用棒状素子を形成する工程との順番を逆にすることを特徴とする。または前記接続用棒状素子を形成した工程後に、接続用棒状素子の配線用導電体が接続していない端面に金属膜を被覆する工程を行うことを特徴とする。または前記配線面に配線用導電体を形成した工程後に、接続用棒状素子の配線用導電体が接続していない端面に金属膜を被覆する工程を行うことを特徴とする。または前記複数のｎ型棒状素子が連続する板状のｎ型板状素子であり、前記複数のｐ型棒状素子が連続する板状のｐ型板状素子であることを特徴とする。
【００２１】
〔作用〕
本発明の熱電素子は複数配列した棒状素子より低い接続用棒状素子を設け、その接続用棒状素子の端面である引出端で外部と電気的接続を行う。
このことで、引出端と配線面との間に段差があることから、配線面での外部との熱的接触を保ちつつ、接続用棒状素子により外部回路との電気的接続を良好に行うことが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の熱電素子の構造および製造方法おける最適な実施形態を説明する。
【００２３】
〔構造の第１の例：図１および図２〕
まずはじめに、本発明の熱電素子の構造の第１例を説明する。
図１に示すように本発明の熱電素子の構造は、主に熱電素子ブロック１０と、熱電素子ブロック１０の表面に配した配線用導電体２０から成る。
【００２４】
熱電素子ブロック１０は、ｎ型熱電半導体を加工して柱状にしたｎ型棒状素子１１と、ｐ型熱電半導体を加工して柱状にしたｐ型棒状素子１２とを規則的に配置してなる。その配列は、ｎ型棒状素子１１だけが偶数個並ぶ列と、ｐ型棒状素子１２だけが偶数個並ぶ列とが交互に繰り返される構造となっている。
それぞれ偶数個の棒状素子を並べるのは、後で説明する接続用棒状素子が一つの側面５０ａに形成できるからである。
【００２５】
ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２、あるいはｎ型棒状素子１１同士、あるいはｐ型棒状素子１２同士を絶縁し、ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２を固定するために、絶縁性樹脂からなる絶縁層３０を設ける。
【００２６】
図１では片面しか見えていないが、熱電素子ブロック１０には対向した２つの配線面４０ａ、４０ｂがあり、配線面４０ａ、４０ｂにはそれぞれ配線用導電体２０を配している。
配線用導電体２０は隣り合ったｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とを柱の端面において接続しており、２つの配線面４０ａ、４０ｂではｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の柱一本ずつずれた配置をとっており、これによって多数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とが交互に直列化する構造となっている。
ただし、図１に示すように、配線用導電体２０が折り返される部分では、ｎ型棒状素子１１同士あるいはｐ型棒状素子１２同士が並ぶため、２本を並列化させるようにＬ字の配線用導電体２０を配置するようになる。
【００２７】
直列化したｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２との初めと終わりには、ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２より低い接続用棒状素子１３を設ける。
先に述べたように、本構造ではｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２を偶数個並べ、図１に示すような折り返しの配線形態をとることにより、接続用棒状素子１３は熱電素子ブロック１０の配線面４０ａ、４０ｂから見た外周の棒状素子であり、一つの側面５０ａの両端に位置するようになる。
ここで、本実施形態において、側面５０ａとは、熱電素子ブロック１０の配線面４０ａ、４０ｂから見た多角形平面の各辺に位置する配線面４０ａ、４０ｂ以外の面である。これは、後述する側面５０ｂについても同じである。
【００２８】
接続用棒状素子１３は直列化された初めと終わりの棒状素子であるため、接続用棒状素子１３の一端面には接続用導電体２０が接続しているが、他端面には接続用導電体２０が接続していない。
そしてその接続用導電体２０が接続していない側は、配線面４０ａまたは配線面４０ｂとのあいだに段差ができるように、接続用棒状素子１３はｎ型棒状素子１１やｐ型棒状素子１２に比べて低くしている。
【００２９】
接続用棒状素子１３は熱電素子ブロック１０と外部回路との接続をするために用いられる。つまり配線面４０ａ、４０ｂとのあいだで段差が出来ている側の端面は引出端１４となり、リード線等を接続する。
そのため、半田付けやワイヤーボンディングを確実に行うために、引出端１４にはニッケル、銅、金などの金属膜を単層又は複数層施した方がよい。
【００３０】
さらに本発明の熱電素子を実際に利用する場合の実装形態を表す側面図を図２に示す。
たとえば熱電素子を発電素子として利用する場合、低温部材６１と配線面４０ａを接触させ、高温部材６２と配線面４０ｂとを接触させ熱電素子の上下に温度差を与える。この温度差で熱電素子には電圧が発生するが、その電圧を外部に取り出すための端子が引出端１４である。
【００３１】
図示はしていないが低温部材６１と高温部材６２を配線面４０ａ、４０ｂに接触させる場合、低温部材６１と高温部材６２の表面が電気的に絶縁していれば、アルミナなどの粒子を含む熱伝導性エポキシ樹脂や熱伝導性シリコーン樹脂などを界面に設け固定する。
また、金属などで出来ている低温部材６１や高温部材６２と配線面４０ａ、４０ｂとを接触させるには、あらかじめ配線面４０ａ、４０ｂを絶縁性の樹脂で被覆しておかなければならない。この場合、前述の熱伝導性エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が絶縁性を有することから絶縁被膜を兼ねることも可能である。
【００３２】
引出端１４には図２のように銅線などのリード線８０が接続され、外部回路とつながれる。引出端１４には金などが形成されているため、鉛錫合金などのハンダ材７０を用いてリード線８０を接続することができる。
【００３３】
このように本発明の熱電素子はｎ型棒状素子１１やｐ型棒状素子１２より低く形成されている接続用棒状素子１３が配線面４０ａ、４０ｂとの間で段差を作っている。このため、本発明の熱電素子では、接続用棒状素子１３でハンダ材７０を介して配線用のリード線８０どを接続することができ、外部と良好な電気的接続と、配線面４０ａ、４０ｂと外部の低温部材６１や高温部材６２との熱的に良好な接触とを、同時に達成することが出来る。
さらに本発明の熱電素子を冷却素子として用いる場合は、配線面４０ａ、４０ｂと熱的に接触するのは、冷却対象物となる低温部材６１と放熱用部材となる高温部材６２である。
【００３４】
〔構造の第２の例：図３および図４〕
図３には第２例における熱電素子の構造を示す。
第２例における熱電素子の構造は、基本的に熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなることは第１例の構造と同じである。また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じである。
【００３５】
ここで、本第２例の構造においては熱電素子ブロック１０の外周にあり、一つの側面５０ａに含まれる１列すべてのｎ型棒状素子１１が低くなり、配線面４０ａとの間で段差を形成している。この複数の低いｎ型棒状素子１１は並列して接続用棒状素子１３を構成している。
配線用導電体２０の電気的接続がわかりにくいため、図４にもう一方の配線面４０ｂの構成を示す。図４のように直列化したｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の初めと終わりにある配線用導電体２０はＬ字型をしており、低くなっている複数の接続用棒状素子１３の片面を並列につないでいる。
そして複数の接続用棒状素子１３の配線面４０ａと段差を形成している引出端１４にはニッケル、銅、金などの金属膜をそれぞれの棒状素子ごとに、図３に示すように設ける。
【００３６】
以上の構成から図３および図４に示す熱電素子も第１例と同様に引出端１４が配線面４０ａより低くなっていることから、外部の熱源や冷却物と配線面４０ａとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。
また複数の接続用棒状素子１３を有していることから、広い面積の引出端１４を有し、外部への接続が容易になる。さらに、外部接続は複数の接続用棒状素子１３のどれを取っても良いことから、リード線接続の自由度が増す。また引出端１４がすべて一方の配線面４０ａと同じ面側にあることから、実装がしやすくなる。また、後に製造方法で説明するが、１列を同時に加工して柱を短くすることから、製造が容易になる。
【００３７】
〔構造の第３の例：図５〕
図５には異なった構造の熱電素子を示す。
基本的には熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなることは第１例の構造と同じである。また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じである。
【００３８】
また本第３例の構造においては１列のｎ型棒状素子１１すべてが低くなっているのは第２例の構造と同じである。この第３例の構造は、第２例の構造とは配線用導電体２０の一部の形状が異なっている。
本第３例の構造ではｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２を直列化する配線用導電体２０の最終端の一方が、ｐ型棒状素子１２と接続用棒状素子１３とにまたがって形成してある。
【００３９】
また本第３例の構造においても複数の低い接続用棒状素子１３は配線用導電体２０を用いて電気的に接続して並列化している。この時並列化は図５では見えないが、他方の配線面４０ｂにて行う。
また、接続用棒状素子１３の引出端１４にはニッケル、銅、金などの金属膜をそれぞれの棒状素子ごとに設ける。
【００４０】
以上から本第３例の熱電素子も前記第１例、第２例の熱電素子と同様に、外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。また、第２例と同じく広い面積の引出端１４を有し、外部への接続が容易になる。
さらに低い段差部に形成する配線用導電体２０が接続するｐ型棒状素子が、第２の例では使われていなかったのに対し、本構造なら無駄にせずに利用することが可能である。
【００４１】
〔構造の第４の例：図６および図７〕
図６にはさらに別の熱電素子の構造を示す。
この第４例における熱電素子の構造は、基本的には熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなることは第１例の構造と同じである。また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じである。
【００４２】
この第４例では熱電素子ブロック１０の一つの側面５０ａにある１列のｎ型棒状素子１１の端、図６では右端の１本を除いて低くして、配線面４０ａとの間で段差を形成し、接続用棒状素子１３となっている。
配線の構成がわかりやすいように図７には他方の配線面４０ｂから見た構成を示している。このように基本的は第２の例の構造と同じであるが、１列のｎ型棒状素子１１の１本を接続用棒状素子１３ではなく、本来の熱電対として機能するよう利用している。またこの構成でも接続用棒状素子１３は最終端の配線用導電体２０によって電気的に接続して並列化されている。
また接続用棒状素子１３の引出端１４にはニッケル、銅、金などの金属膜をそれぞれの棒状素子ごとに設ける。
【００４３】
以上の構成から本第４例の熱電素子もこれまで説明した第１例から第３例の熱電素子と同様に、外部の熱源や冷却物と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。また、広い面積の引出端１４を有し、外部への接続が容易になる。
さらに一つの側面５０ａにある１本のｎ型棒状素子１１も熱電対として利用できることから、第２例さらに第３例より多くの棒状素子が熱電対として利用できるため、外形形状は第２例や第３例と同じであるが熱電素子としての出力は大きくなる。
【００４４】
〔構造の第５の例：図８〕
図８に示すように本第５例の構造も、主に熱電素子ブロック１０と熱電素子ブロック１０の表面に配した配線用導電体２０から成る。
【００４５】
熱電素子ブロック１０は、ｎ型熱電半導体を加工して柱状にしたｎ型棒状素子１１と、ｐ型熱電半導体を加工して柱状にしたｐ型棒状素子１２を規則的に配置している。
その棒状素子の配列は、ｎ型棒状素子１１だけが奇数個並ぶ列とｐ型棒状素子１２だけが奇数個並ぶ列が交互に繰り返される構造となっている。
【００４６】
ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２、あるいはｎ型棒状素子１１同士、あるいはｐ型棒状素子１２同士を絶縁し、ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２を固定するために、絶縁性樹脂からなる絶縁層３０を有する。
【００４７】
本第５例の構造でも配線用導電体２０は隣り合ったｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とを柱状の棒状素子の端部において接続しており、２つの配線面４０ａ、４０ｂでは柱一本ずつずれた配置をとっており、これによって多数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とが交互に直列化する構造となっている。
またＬ字の配線用導電体２０を用いて配線を折り返し、奇数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２をもちいることで、直列化した棒状素子の初めと終わりは熱電素子ブロック１０の対角位置に現れ、接続用棒状素子１３も対角位置、すなわち対向した二つの側面５０ａと側面５０ｂにそれぞれ存在する。
【００４８】
接続用棒状素子１３は、図８には見えていない側の配線面４０ｂにおいて最終端の配線用導電体２０と接続しており、図８で見えている配線面４０ａとの間では段差を形成するように柱の高さが低くなっている。
接続用棒状素子１３の段差が出来ている側の引出端１４には、金属膜を施している。
【００４９】
以上本第５例の構造では第１〜第４例の構造と同じように、外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。また、第１例の構造と同様に接続用棒状素子１３は熱電素子ブロック１０にある棒状素子のなかの２本のみであるため、素子面積に占める熱電対の面積比率が高く、素子の出力効率が高くなる。
またさらに、本構造でも２つの引出端１４はどちらも一方の配線面４０ａと同じ面側にあることから、外部接続を容易に行うことが出来、さらに熱電素子ブロック１０の実装もしやすい。
【００５０】
〔構造の第６の例：図９および図１０〕
図９には異なる熱電素子の構造を示す。基本的に熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなることは第５例の構造と同じである。また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じである。
【００５１】
本第６例の構造では電気的に直列化したｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の初めと終わりに位置する接続用棒状素子１３は、熱電素子ブロック１０の一方の側面５０ａに位置する複数のｎ型棒状素子１１と他方の側面５０ｂに位置する複数のｐ型棒状素子１２から成り立っている。そして、両側面５０ａ、５０ｂにおいて、一列すべてのｎ型棒状素子１１またはｐ型棒状素子１２が配線面４０ａと段差を作るように低い構成とし、接続用棒状素子１３となっている。
接続用棒状素子１３の段差が出来ている側の引出端１４には金属膜を施している。
【００５２】
構成がわかりやすいようにもう一つの配線面４０ｂから見た構造を図１０に示す。図１０のように直列化した複数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の初めと終わりに接続する配線用導電体２０はＬ字型構造をしており、複数のｎ型棒状素子１１又はｐ型棒状素子１２を電気的に並列に接続している。
これによって、段差を形成している配線用導電体２０の引出端１４は複数個の柱で成り立っている。
【００５３】
以上から本第６例の構造でも上記の第１〜第５例の構造と同様に、外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。また、広い面積の引出端１４を有し、外部への接続が容易になる。
また、対向した側面５０ａと側面５０ｂとに引出端１４が分離していることから、この熱電素子ブロック１０を複数個直列接続するときに、熱電素子ブロック１０と熱電素子ブロック１０との接続が容易となる。
【００５４】
〔構造の第７の例：図１１および図１２〕
図１１にはさらに異なる熱電素子の構造を示す。本構造は第４例の構造と基本的には同じ構成であり、熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなる。
また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じである。
【００５５】
ここでは熱電素子ブロック１０の一つの側面５０ａに含まれる１列のｎ型棒状素子１１の端、図１１では右端の１本のみが残っており、他の柱はなくなっている。これは第４例の構造の低くなっている接続用棒状素子１３をすべて除去することによって成り立っており、配線用導電体２０が露出した構成となっている。
本第７例の構造ではこの露出した配線用導電体２０が外部への取り出し電極も兼ねており、外部接続用配線用導電体２０ａ、２０ｂとなっている。そして外部接続用配線用導電体２０ａ、２０ｂが配線面４０ｂと接続する面側の露出面にリード線等を接続することになる。
【００５６】
本第７例の熱電素子の実装形態を表す側面図を図１２に示す。たとえば熱電素子を発電素子として利用する場合、低温部材６１と配線面４０ａとを接触させ、さらに高温部材６２と配線面４０ｂとを接触させて、熱電素子の上下に温度差を与える。
この温度差で熱電素子には電圧が発生するが、その電圧を外部に取り出すための端子が露出している配線用導電体２０である。
【００５７】
図示はしていないが低温部材６１と高温部材６２を配線面４０ａ、４０ｂに接触させる場合、低温部材６１と高温部材６２の表面が電気的に絶縁していれば、アルミナなどの粒子を含む熱伝導性エポキシ樹脂や熱伝導性シリコーン樹脂などを両界面に設け固定する。
また、金属などで出来ている低温部材６１や高温部材６２と配線面４０ａ、４０ｂとを接触させるには、あらかじめ配線面４０ａ、４０ｂを絶縁性の樹脂で被覆しておかなければならない。この場合、前述の熱伝導性エポキシ樹脂やシリコーン樹脂が絶縁性を有することから絶縁被膜を兼ねることも可能である。
【００５８】
露出した配線用導電体２０には、図１２のように銅線などのリード線８０が接続され、外部回路とつながれる。
露出した配線用導電体２０は金属材料の被膜であるから、鉛錫合金などのハンダ材７０を用いてリード線８０を接続する。
【００５９】
以上のように、本第７例の熱電素子構造でも外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。
また、リード線８０による接続箇所に接続用棒状素子が無い構造であることから、接続用棒状素子を伝わって流れる配線面４０ａ、４０ｂ間での熱のもれが小さくなることから、温度差が大きくとれ特性的に有利である。
【００６０】
〔構造の第８の例：図１３〕
図１３には異なる熱電素子の構造を示す。本構造は第５の構造と基本的には同じ構成であり、熱電素子ブロック１０と配線用導電体２０からなる。また、熱電素子ブロック１０に含まれるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２と絶縁層３０の配列も同じであり、奇数個並んだｎ型棒状素子１１列とｐ型棒状素子１２列をもちいている。
奇数個の配列は、先の第５例でも述べたように、外部接続用の電極を対角位置にとり、構成する棒状素子をすべて熱電対として利用して、面積あたりの効率を高めるためである。
【００６１】
また本構造においても上記の第７の構造と同様に、両端部の配線用導電体２０は露出して外部接続用配線用導電体２０ａ、２０ｂを構成している。これも第５例の構造の接続用棒状素子１３をすべて除去することから成り立っている。
【００６２】
以上のように本第８例の熱電素子構造でも外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。
また、リード線等による外部との接続箇所に接続用棒状素子が無い構造であることから、接続用棒状素子を伝わって流れる配線面４０ａ、４０ｂ間での熱のもれが小さくなることから、温度差が大きくとれ特性的に有利である。
【００６３】
上記のように配線用導電体２０の棒状素子と接続した面側が露出して、外部接続用配線用導電体２０ａ、２０ｂを構成している構造は、２つの例により示したが、接続用棒状素子１３を除去するという基本的な考え方を用いれば、第１例、第２例、第３例、第６例の構造と同じ構成でも適用可能である。
【００６４】
また、上記第１例から第８例のすべての構造例において、ｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の配列を便宜上固定した図面に従って説明したが、両者を入れ替えて構成してもその機能には全く変わりがない。
【００６５】
〔構造の第９の例：図１４〕
図１４にはさらに異なる実施の形態の熱電素子の構造を示す。主に熱電素子ブロック１０と、熱電素子ブロック１０の表面に配した配線用導電体２０とから成る。
【００６６】
熱電素子ブロック１０は、ｎ型熱電半導体を加工して板状にしたｎ型板状素子１１０と、ｐ型熱電半導体を加工して板状にしたｐ型板状素子１２０を交互に直線的に配置して構成する。
ｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０との間には両者を絶縁固定するために、絶縁性樹脂からなる絶縁層３０が介在している。
【００６７】
図１４では一方の端面しか見えていないが、熱電素子ブロック１０には対向した２つの配線面４０ａ、４０ｂがあり、配線面４０ａ、４０ｂには配線用導電体２０を配している。
配線用導電体２０は隣り合ったｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０とを端面において接続しており、２つの配線面４０ａ、４０ｂでは板一枚ずつずれた配置をとっており、これによって多数のｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０とが交互に直列化する構造となっている。
【００６８】
直列化したｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０との両端には、接続用板状素子１３０を設ける。本構造では接続用板状素子１３０は直線的に並んだｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０の両端に存在する。接続用板状素子１３０は直列化された板状素子の初めと終わりに位置するため、一方の配線面４０ｂでのみ配線用導電体２０と接続し、他方の配線面４０ａでは接続されていない。
そして配線用導電体２０が接していない側は配線面４０ａとのあいだで段差ができるようにｎ型板状素子１１０及びｐ型板状素子１２０に比べて低く構成し、接続用板状素子１３０としている。
【００６９】
接続用板状素子１３０は、熱電素子ブロック１０と外部回路との接続をするために用いられる。
図１４には示していないが、配線面４０ａとのあいだで段差が出来ている側の引出端１４に銅線などのリード線を、ハンダを用いて接合あるいは金線を用いたワイヤーボンディングを行う。半田付けやワイヤーボンディングを確実に行うためには、引出端１４には金や銅などの金属膜を施した方がよい。
【００７０】
以上から本第９例の熱電素子も前記の熱電素子と同様に、外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える構成となっている。
また、広い面積の引出端１４を有し、外部への接続が容易になる。さらに柱の構成が直線的で単純であり、配線用導電体２０の構成も簡単になることから、後に製造方法で説明するが、製造面から作りやすい構成になっている。
【００７１】
〔製造方法の第１の例：図１５〜図１９〕
はじめに、図１５に示すように、ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体とに縦溝１を形成し、縦隔壁２を残してｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を作製する。このとき、ｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４とで、縦溝１のピッチを同一にし、かつ一方のブロックの縦溝１幅が他方のブロックの縦隔壁２幅よりも大きくなるようにする。
本例ではｎ型熱電半導体としてＢｉＳｅＴｅ合金の焼結体、ｐ型熱電半導体としてＢｉＳｂＴｅ合金の焼結体を用いた。
【００７２】
この縦溝１の幅寸法への制限は、後述の工程でｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を溝同士で嵌め合わせるために設定してある。
この縦溝１幅と縦隔壁２幅の差が後工程で絶縁樹脂層の幅を決定するため、確実に絶縁をとることと、嵌め合わせの工程での作業性を考慮すると、縦溝１幅と縦隔２幅の寸法差は１０μｍ以上あることが好ましい。
【００７３】
なお、縦溝１の加工はワイヤーソーによる研磨加工あるいはダイシングソーによる研削加工により行う。
【００７４】
つづいてｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を、互いに縦溝１に相手の縦隔壁２を挿入し合って組み合わせて一体化する。このｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を組み合わせた状態を図１６に示す。
組み合わせた２つの櫛歯素子３，４は、嵌合部に絶縁層３０を設けて固着することで一体化する。流動性の高い絶縁性接着剤中に組み合わせた櫛歯素子を部分的に浸漬し、毛管現象により接着剤を縦溝１と縦隔壁２との隙間に充填すれば絶縁を保ちつつ絶縁層３０で固着が行える。ここで絶縁層３０に用いる接着剤としては低粘度のエポキシ系の接着剤を用いることとする。
【００７５】
このように組み合わせた櫛歯素子は、次に図１７に示すように、再度の溝加工を行い、一体化櫛歯素子５にする。横溝６は、この後組み合わせる必要がなく、残った横隔壁７を素子として利用することになるため、出来るだけ狭い方が望ましい。すなわちワイヤーソーによる研磨加工により横溝６を形成する。
なお、本工程での横溝６は縦溝１に交差した方向に形成するもので、一般的には図１７に示したとおり縦溝１と直交させるのが最適である。
【００７６】
横溝６は図１７のようにｎ型櫛歯素子３の面から形成しても、これとは逆にｐ型櫛歯素子４側の面から形成してもよい。このとき、切り込む側のｎ型櫛歯素子３又はｐ型櫛歯素子４の溝が形成されていない基台部分は、除去した後に溝加工を行った方が良い。
基台部を除去するのは、初めに加工した縦溝１が観察できることから、横溝６との直交性がとりやすいためである。また、基台部がない方が、加工深さが小さくなるため深さ方向での柱曲がりが低減できる効果もある。
【００７７】
続いて、横溝６にエポキシ系の絶縁性樹脂を充填し硬化して絶縁層３０を形成する。この時の樹脂も櫛歯素子を組合せ固着したときと同じものを用いるのが望ましい。
【００７８】
絶縁層３０で固めた一体化櫛歯素子５はその上面５１と下面５２を研削で除去し、ｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４の縦溝１と縦隔壁２との嵌合部を残すように仕上げ、図１８に示す熱電素子ブロック１０を形成する。
この状態の熱電素子ブロック１０は、ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体が柱状に規則的に並んでおり、ｎ型熱電半導体のそれぞれの柱がｎ型棒状素子１１であり、ｐ型熱電半導体のそれぞれの柱がｐ型棒状素子１２となっている。
【００７９】
図１８に示す熱電素子ブロック１０の上下２つの配線面４０ａ、４０ｂにおいてｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２との配線を行う。
ニッケルからなる金属板に開口部を設け、開口部と配線面４０ａ、４０ｂにおけるｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とが重なるように位置合わせを行い、金属板と熱電素子ブロック１０とを密着して固定する。
【００８０】
金属板を固定した熱電素子ブロック１０を真空蒸着装置内に設置し、ニッケルあるいはパラジウムを１００ｎｍの膜厚で蒸着する。この方法は一般にマスク蒸着法と呼ばれるものであり、図１〜図１３に示した配線用導電体２０のパターンが形成できる。
２面の配線面４０ａ、４０ｂにこの蒸着は行うが、マスク蒸着法で形成する配線用導電体２０は、２つの配線面４０ａ、４０ｂで柱一本ずつずれたパターンになっており、複数のｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２とを電気的に直列化するように配置する。
また２つの面の蒸着工程は１面ずつ２回に分けて行っても、両面同時に行ってもかまわない。
【００８１】
蒸着工程につづいて直列化したｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２の始めと終わりにあたる棒状素子を配線面４０ａより低くなるよう加工し、接続用棒状素子１３を形成する。
たとえば、図１、図６、図８に示すように、配線用導電体２０が接続していない側の配線面４０ａと段差を形成するように、側面部のｎ型棒状素子１１又はｐ型棒状素子１２を所定量削る。この加工には、エンドミルなどを利用した切削加工が好ましい。
この場合、エンドミルではすべての方向に直角の加工が出来ないため、たとえば図１９に示すように、エンドミルの径によって多少、円弧１５を描くように出来上がる。図１９は図１の熱電素子を一つの側面から見た図である。
【００８２】
また、別の配線形状をとる場合は、たとえば図３、図５、図９に示すようにｎ型棒状素子１１あるいはｐ型棒状素子１２の１列すべてを低く加工し、接続用棒状素子１３を形成する。
この加工には上記のエンドミル加工も利用できるが、ダイシングソーを用いた研削加工の方が容易である。
【００８３】
また、別の加工方法としてエッチングによる加工も可能である。接続用棒状素子１３となる柱の配線用導電体２０が接続していない端面のみを残して、熱電素子ブロック１０には保護膜を形成する。保護膜にはアセトン等の溶剤で除去できるフォトレジストなどの樹脂が望ましい。
樹脂を接続用棒状素子１３領域のみが開口するようにコーティングした後、熱電素子ブロック１０を塩酸＋硝酸水溶液に浸漬することで、ｎ型棒状素子１１又はｐ型棒状素子１２をエッチングし低く加工し、接続用棒状素子１３を得ることが出来る。
【００８４】
ただし、図５に示した構造を達成するためには、ここで述べた接続用棒状素子１３の加工工程は、先に述べた一体化櫛歯素子５の上面５１と下面５２を研削で除去し熱電素子ブロック１０を形成する工程の次に行い、蒸着工程は接続用棒状素子１３の加工工程に続いて行なわなければならない。
また、その他図１、図３、図６、図８、図９に示した構成の場合でも同様に順番を入れ替えてもかまわない。
【００８５】
接続用棒状素子１３の加工工程につづいて、熱電素子ブロック１０を無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、ニッケルの被膜を形成する。ニッケル被膜は蒸着によって形成したニッケル膜又はパラジウム膜を反応の核として成長することから、蒸着膜の上にまず形成される。また、蒸着膜はｎ型棒状素子１１とｐ型棒状素子１２にも形成されているため、棒状素子の露出している端面にもニッケル被膜は形成される。
このとき同時に低く加工された接続用棒状素子１３の加工面にもニッケル被膜は形成され、つまり端部に金属膜が形成されることになる。ニッケルメッキの厚さは数μｍ〜数１０μｍである。
【００８６】
さらにニッケルメッキにつづいて、金メッキ処理をやはり無電解メッキ処理にて行い、ニッケル被膜の上に金の被膜をさらに形成する。
金メッキは置換メッキのためあまり厚くはつけられないため、せいぜい膜厚は５０ｎｍほどである。
【００８７】
これらメッキ工程を行うのは、蒸着膜の抵抗を下げると共に、耐酸化性及び耐食性を増すために施される。
同時に、接続用棒状素子１３の端面から外部へ半田付けやワイヤーボンディング接続が出来るように金属膜を形成するためでもある。
【００８８】
ここで、ニッケルメッキでは比抵抗がやや大きいため、さらに配線抵抗を下げたい場合は、無電解ニッケルメッキにつづいて銅メッキを行う。この時ニッケルメッキは数μｍ程度でそれほど厚く形成する必要はない。銅メッキは無電解メッキが難しいことから、電解メッキを利用する。電解メッキは両端の接続用棒状素子１３に外部電極を接続させて電流を印加して行う。銅メッキも必要に応じて数μｍから数１０μｍの厚さで形成する。
そして銅メッキにつづいて、やはり電解メッキ法を用いて金を０．１μｍほどの厚さで形成し、耐食性等を確保する。
【００８９】
さらに図１１、図１３に示すように、配線用導電体２０が露出するように接続用棒状素子１３のすべてを加工除去する方法もある。
これによって配線用導電体２０の配線面側の一部が露出し、外部接続用配線用導電体２０ａ、２０ｂとなり、これを外部接続用の電極として利用することが出来る。
この場合、蒸着膜のみでは薄く加工が難しいため、上記したメッキ工程を蒸着工程に続いて行い、接続用棒状素子１３を加工する前に配線用導電体２０を厚膜化しておくことが好ましい。そして、配線用導電体２０を露出させるように、接続用棒状素子１３を加工除去するためには、メッキ厚さは少なくとも２０μｍ以上形成することが望ましい。
【００９０】
以上の工程によって本発明の熱電素子は完成するが、最後のメッキ工程は場合によっては無くても良い。その場合、先の蒸着工程において十分抵抗を下げられるよう、ニッケル蒸着につづいて銅を蒸着しておく。
また、メッキ膜が無い場合は、接続用棒状素子１３の端面処理が行われないため、外部接続には低融点ハンダをもちいたり、金板やニッケル板を接続用棒状素子の引出端１４に局所的に加熱しながら圧力をかけて拡散接合する圧着法を用いたりした方がよい。
【００９１】
〔製造方法の第２の例：図１５、図１６および図２０〕
基本的には第１例の製造方法と同じであり、まずは図１５に示す様にｎ型櫛歯素子３とｐ型櫛歯素子４を用意し、図１６に示す様に両者を組合せ、エポキシ樹脂を用いて固着する。
第１例の製造方法ではこの後さらに溝加工を行ったが、本第２例の方法では溝加工はせずに上下面の縦溝１が形成されていない基台部の研削除去を行い、熱電素子ブロック１０を形成する。その構造を図２０に示す。
【００９２】
図２０のように熱電素子ブロック１０はｎ型熱電半導体からなるｎ型板状素子１１０とｐ型熱電半導体からなるｐ型板状素子１２０が絶縁層３０を介して直線的に交互に並んだ非常に簡単な構造を有する。
【００９３】
この後の工程も第１例の製造方法と同じであり、熱電素子ブロック１０の配線面４０にマスク蒸着法を用いてニッケルあるいはパラジウム膜をパターン状に蒸着し、図１４のような配線用導電体２０を形成する。
そののち、直列化したｎ型板状素子１１０とｐ型板状素子１２０の側面にある板状素子を、ダイシングソーを用いて切削加工し、配線面４０ａとの間で段差を形成して接続用板状素子１３０とする。
この製造方法にても加工は、ダイシングソー以外にエンドミルをもちいたり、エッチングを用いたりすることも可能である。
【００９４】
そして、熱電素子ブロック１０に、無電解メッキ液中にてニッケルメッキと金メッキを施し、配線用導電体２０を厚膜化するとともに、接続用板状素子１３０の加工面を金属処理をする。またメッキには電解メッキ法を用いても良い。
【００９５】
以上２つの製造方法を説明したが、どちらの方法においても１個の素子を作るように図に示した。しかしながら本製造方法では、大きな櫛歯状素子を用いることで、一度に多数の熱電素子ブロックを一括して製造することも可能である。
【００９６】
つまり、目的とする熱電素子の数倍の大きさのｎ型櫛歯状素子３とｐ型櫛歯状素子４を組合せて作ることにより、熱電素子の数倍大きい熱電素子ブロック１０を形成できる。配線工程を通した後、熱電素子ブロック１０を分割することで、同時に多数個の熱電素子ブロックの製造が可能である。
この場合、接続用棒状素子１３あるいは接続用板状素子１３０を形成する段差加工も、分割前に施した方が一括して段差加工が出来るため、素子一つずつに対する位置あわせなどが必要なくなり効果的である。
【００９７】
以上の様な方法を用いることで、熱電半導体と絶縁層を有する熱電素子に配線面より低い位置に外部回路への引出端１４を製造することが出来る。
これにより外部の熱源や冷却部材と配線面４０ａ、４０ｂとの間で良好な熱接触をとりつつ、リード線などによる電気的な接続も行える熱電素子を製造することが可能である。また、メッキ工程を利用することで、加工した引出端１４にも金属材料の被覆処理が行え、外部配線の信頼性を高めることが出来る。
【００９８】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明の熱電素子は配線用導電体パターンの形成される配線面より低い接続用棒状素子を形成し、配線面と段差を形成した端面に引出端を有している。
これにより熱電素子を発電で使うとき低温部材や高温部材に接触させる場合、あるいは冷却素子として使うとき冷却対象部材に接触させる場合、熱電対の端部である配線面を対象部材に密着させつつ、密着を妨げずに引出端から外部回路へ接続することが出来る。この時引き出しにはリード線を半田付け、あるいはワイヤーボンディングなどにより行うことが出来る。
【００９９】
また、接続用棒状素子を複数の柱で構成することにより、引出端の面積を増大させ、さらに外部接続を容易にすることが出来る。これは、小型の素子では非常に有利である。
【０１００】
以上のように本発明では、熱電材料を絶縁物で固着し直接配線膜を施した小型の熱電素子で、従来では両立の難しかった外部回路への引き出しという電気的接続と熱源や冷却部材への良好な熱的接触を同時に可能にするものである。
本発明で得られる小型の熱電素子は携帯用電子機器内部での温度差発電又は半導体素子の局所冷却などへ利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す側面図である。
【図３】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図６】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図７】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図８】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図９】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図１０】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図１１】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図１２】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す側面図である。
【図１３】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図１４】本発明の実施の形態における熱電素子の構造を示す斜視図である
【図１５】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１６】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１７】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１９】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す側面図である。
【図２０】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【符号の説明】
１：縦溝            ２：縦隔壁            ３：ｎ型櫛歯素子
４：ｐ型櫛歯素子            ５：一体化櫛歯素子            ６：横溝
７：横隔壁            １０：熱電素子ブロック
１１：ｎ型棒状素子            １２：ｐ型棒状素子
１３：接続用棒状素子            １４：引出端
２０：配線用導電体            ３０：絶縁層
４０ａ：配線面            ４０ｂ：配線面            ５０ａ：側面
５０ｂ：側面            ５１：上面            ５２：下面
６１：低温部材（冷却対象物）            ６２：高温部材（放熱部材）
７０：ハンダ材            ８０：リード線          １１０：ｎ型板状素子
１２０：ｐ型板状素子            １３０：接続用板状素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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