(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合ウエハ構造の製造方法であって、
（ａ）第１の周縁、接合面、および底面を有するデバイス・ウエハを準備するステップと、
（ｂ）前記デバイス・ウエハの前記第１の周縁に沿って前記接合面上に溝を形成するステップであって、余白が、前記溝と前記デバイス・ウエハの前記第１の周縁との間に存在するステップと、
（ｃ）上面を有するベース・ウエハを準備するステップと、
（ｄ）前記ベース・ウエハの前記上面上へ前記デバイス・ウエハの前記接合面を接合するステップと、
（ｅ）前記複合ウエハ構造を完成させるために、前記デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、前記デバイス・ウエハの前記底面を研削および研磨するステップとを含み、
前記デバイス・ウエハの前記底面の前記研削および研磨中に、前記溝の先端で誘発される亀裂によって前記余白が破断し、次いで取り除かれることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ベース・ウエハが第２の周縁を有し、ステップ（ｄ）の後で、前記ベース・ウエハの前記上面と接合されていない前記デバイスの前記接合面上の最大半径距離が不整合なずれとして画定され、前記余白の太さが前記不整合なずれと等しい、またはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ベース・ウエハの直径が、前記デバイス・ウエハの直径と等しくなるように小さくされるまで、前記ベース・ウエハの前記第２の周縁を研削またはレーザー切断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｄ）とステップ（ｅ）の間に、
前記デバイス・ウエハと前記ベース・ウエハの間の接合強度を強化するためにアニール処理を実行するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｄ）で、前記デバイス・ウエハの前記接合面が前記ベース・ウエハの前記上面上へ接合される前に、プラズマ処理が、前記デバイス・ウエハの前記接合面および前記ベース・ウエハの前記上面に加えられることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記溝が、機械的加工、レーザー切断加工、エッチング加工、またはウォータージェット切断加工によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記デバイス・ウエハおよび前記ベース・ウエハが、どちらも半導体材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間に、
前記デバイス・ウエハの前記接合面および／または前記ベース・ウエハの前記上面上に酸化層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体材料がシリコン材料であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記デバイス・ウエハが第１の半導体材料から形成され、前記ベース・ウエハが前記第１の半導体材料と異なる第２の半導体材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２の半導体材料がシリコン材料であり、前記第１の半導体材料が、ＳｉＧｅ材料および酸化物材料からなる群から選択される材料であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
複合ウエハ構造の製造方法であって、
（ａ）第１の周縁、接合面、および底面を有するデバイス・ウエハを準備するステップと、
（ｂ）前記第１の周縁に沿い、かつ余白により前記第１の周縁から隔たった領域で、水素イオン注入処理が前記デバイス・ウエハの前記接合面に対して実行されるステップであって、その結果前記領域で、前記接合面付近から前記接合面下の所定の深さまで前記デバイス・ウエハ内に水素イオンが注入されるステップと、
（ｃ）上面を有するベース・ウエハを準備するステップと、
（ｄ）前記ベース・ウエハの前記上面上へ前記デバイス・ウエハの前記接合面を接合するステップと、
（ｅ）前記接合面付近から前記接合面下の前記所定の深さまで、前記デバイス・ウエハ内に分布するマイクロ・ボイドへと注入された水素イオンを集めるためにアニール処理を実行するステップと、
（ｆ）前記複合ウエハ構造を完成させるために、前記デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、前記デバイス・ウエハの前記底面を研削および研磨するステップとを含み、
前記デバイス・ウエハの前記底面の前記研削および研磨中に、前記マイクロ・ボイドによって前記余白が破断し、次いで取り除かれることを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記ベース・ウエハが第２の周縁を有し、前記ベース・ウエハの前記上面上へ前記デバイス・ウエハの前記接合面を接合するステップの後で、前記ベース・ウエハの前記上面と接合されていない前記デバイスの前記接合面上の最大半径距離が不整合なずれとして画定され、前記余白の太さが前記不整合なずれと等しい、またはそれよりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ベース・ウエハの直径が、前記デバイス・ウエハの直径と等しくなるように小さくされるまで、前記ベース・ウエハの前記第２の周縁を研削またはレーザー切断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｄ）で、前記デバイス・ウエハの前記接合面が前記ベース・ウエハの前記上面上へ接合される前に、プラズマ処理が、前記デバイス・ウエハの前記接合面および前記ベース・ウエハの前記上面に加えられることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記デバイス・ウエハおよび前記ベース・ウエハが、どちらも半導体材料から形成されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
ステップ（ｃ）とステップ（ｄ）の間に、
前記デバイス・ウエハの前記接合面および／または前記ベース・ウエハの前記上面上に酸化層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体材料がシリコン材料であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記デバイス・ウエハが第１の半導体材料から形成され、前記ベース・ウエハが前記第１の半導体材料と異なる第２の半導体材料から形成されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の半導体材料がシリコン材料であり、前記第１の半導体材料が、ＳｉＧｅ材料および酸化物材料からなる群から選択される材料であることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合ウエハ構造の製造方法に関し、より詳細には、複合ウエハ構造の製造中に誘発される割れを能動的に制御し、さらに望まれていない縁部損傷から複合ウエハを保護する複合ウエハ構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構造などの複合ウエハ構造は、半導体プロセスまたは微小電気機械プロセスの基板となるように広範囲に使用されてきた。下記は、複合ウエハ構造の製造中にしばしば起こる縁部損傷を示す典型的なＳＯＩ構造の一例である。
【０００３】
図１を参照されたい。図１は、典型的なＳＯＩ構造１の断面図である。ＳＯＩ構造１は、基本的にはデバイス・ウエハ１２とベース・ウエハ１４とを含む。
【０００４】
図１に示すように、デバイス・ウエハ１２は、接合面１２２および底面１２４を有する。ＳＯＩ構造１の製造方法によれば、デバイス・ウエハ１２は、それ自体の接合面１２２で、ベース・ウエハ１４の上面１４２に接合される。具体的には、酸化シリコン層１６が、接合工程の前にデバイス・ウエハ１２の接合面１２２上および／またはベース・ウエハ１４の上面１４２上に形成される。図１は、ベース・ウエハ１４の上面１４２上にのみ形成された酸化層１６の一例である。さらに、デバイス・ウエハ１２とベース・ウエハ１４の間の接合強度を強化するために、接合されるデバイス・ウエハ１２およびベース・ウエハ１４にアニール処理が実行されることができる。通常、デバイス・ウエハ１２の最初の厚さが求める厚さに減少されるまで、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）加工がデバイス・ウエハ１２の底面１２４に実行される。
【０００５】
しかし、加工機械自体の位置合わせにおける限界により、デバイス・ウエハ１２とベース・ウエハ１４を接合した後、ベース・ウエハ１４の上面１４２とデバイス・ウエハ１２の接合面１２２とは、それらの縁部で互いに正確に接合することができず、それらの縁部間にずれが残る。デバイス・ウエハ１２の厚さを減らすためにデバイス・ウエハ１２の底面１２４に対して後続の研削加工をしている間に、上記のデバイス・ウエハ１２の縁部は、研削機からの負荷に耐えることができず、さらに予想外の割れが生じ、その割れ（図１に１２６番として示される）は縁部損傷と呼ばれている。上記のＳＯＩ構造の縁部損傷は、ＳＯＩ構造の利用できる領域を低減させ、その結果の半導体集積回路の製造プロセスでウエハの材料を浪費することになる。縁部損傷は、ＳＯＩ構造に関する大量生産の歩留りさえも減少させる。上記の縁部損傷の問題は、他のタイプの複合ウエハ構造でも容易に生じることに留意されたい。
【０００６】
製造プロセス中のＳＯＩ構造の縁部損傷の確率を減らすことに関して多くの文献が開示されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【０００７】
従来技術を理解してみると、それらすべては明らかに、割れの発生を防止するために、受動的な割れ制御の観点に基づいている。しかし、従来技術を適用することによる複合ウエハ構造に関する大量生産は、縁部損傷を防止することができない。さらに、一部の従来技術では、製造プロセスの複雑さも増加する。
【０００８】
従来技術と比較して、本発明に含まれる複合ウエハ構造の製造は、能動的な割れ制御の観点に基づいている。つまり、（縁部損傷を与えることがあり得る割れとは異なる）割れが確実に生じ、制御されるはずであり、それにより、複合ウエハ構造の製造方法を改善するということである。
【特許文献１】米国特許第５８２３３２５号
【特許文献２】米国特許第６５４１３５６号
【特許文献３】米国特許第６７１７２１７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって本発明の目的は、複合ウエハ構造の製造方法を提供することである。具体的には、本発明による方法は、複合ウエハ構造の製造中に誘発される割れを能動的に制御し、さらに、望まれていない縁部損傷を防止する破壊力学理論に基づいている。このことにより、本発明による方法は、複合ウエハ構造に関する産業的大量生産の歩留りを改善することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の好ましい実施形態によれば、複合ウエハ構造の製造方法は、まずデバイス・ウエハを準備することである。このデバイス・ウエハは、第１の周縁、接合面、および底面を有する。結果として、溝がデバイス・ウエハの第１の周縁に沿って接合面上に形成され、溝とデバイス・ウエハの第１の周縁との間には余白が存在する。その後、ベース・ウエハが準備される。このベース・ウエハは、上面を有する。次いで、デバイス・ウエハの接合面が、ベース・ウエハの上面上へ接合される。最後に、デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、デバイス・ウエハの底面の研削および研磨加工が実行されて、複合ウエハ構造を完成させる。具体的には、デバイス・ウエハの底面の研削および研磨中に溝の先端で誘発される亀裂によって余白が破断し、次いで取り除かれる。
【００１１】
本発明の第２の好ましい実施形態によれば、複合ウエハ構造を製造する方法は、まずデバイス・ウエハを準備することである。デバイス・ウエハは、第１の周縁、接合面、および底面を有する。結果として、第１の周縁に沿い、かつ余白により第１の周縁から隔たった領域で、水素イオン注入処理がデバイス・ウエハの接合面に対して実行され、その結果その領域で、接合面付近から接合面下の所定の深さまでデバイス・ウエハ内に水素イオンが注入される。その後、ベース・ウエハが準備される。このベース・ウエハは、上面を有する。結果として、デバイス・ウエハの接合面が、ベース・ウエハの上面上へ接合される。次いで、接合面付近から接合面下の所定の深さまでデバイス・ウエハ内に分布するマイクロ・ボイドへと注入された水素イオンを集めるために、接合されたデバイス・ウエハおよびベース・ウエハにアニール処理が実行される。最後に、デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、デバイス・ウエハの底面の研削および研磨加工が実行されて、複合ウエハ構造を完成させる。具体的には、デバイス・ウエハの底面の研削および研磨中にマイクロ・ボイドによって余白が破断し、次いで取り除かれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の効果および趣旨は、添付の図面と併せて、以下の詳述によって理解されることができる。
【００１３】
本発明は、複合ウエハ構造の製造方法を提供するものである。詳細には、本発明は、複合ウエハ構造の製造中に誘発される割れを能動的に制御し、さらに、望まれていない縁部損傷から複合ウエハを保護する複合ウエハ構造の製造方法に関する。
【００１４】
図２Ａ〜図２Ｈを参照されたい。図２Ａ〜図２Ｈは、本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【００１５】
図２Ａに示すように、まず第１にデバイス・ウエハ２２が準備される。デバイス・ウエハ２２は、第１の周縁２２１、接合面２２２、および底面２２４を有する。
【００１６】
結果として、図２Ｂに示すように、溝２２６がデバイス・ウエハ２２の第１の周縁２２１に沿って接合面２２２上に形成される。溝２２６とデバイス・ウエハ２２の第１の周縁２２１との間には余白２２８が存在することに留意されたい。余白２２８の太さは、ｄ１である。
【００１７】
実際には、溝の断面は、先端の応力集中係数を改善することができるＶ形または他の形であり得る。
【００１８】
一実施形態では、溝２２６は、機械的加工、レーザー切断加工、エッチング加工、またはウォータージェット切断加工によって形成されることができる。
【００１９】
結果として、図２Ｃに示すように、ベース・ウエハ２４が準備される。ベース・ウエハ２４は、第２の周縁２４１および上面２４２を有する。
【００２０】
さらに、実際的な要件によれば、酸化層が、デバイス・ウエハ２２の接合面２２２上および／またはベース・ウエハ２４の上面２４２上に形成されることができる。図２Ｄに示すように、図２Ｄは、ベース・ウエハ２４の上面２４２上にのみ形成された酸化層２６の一例である。
【００２１】
その後、図２Ｅに示すように、デバイス・ウエハ２２の接合面２２２は、ベース・ウエハ２４の上面２４２上へ接合される。さらに、デバイス・ウエハ２２とベース・ウエハ２４の間の接合強度を強化するために、接合されたデバイス・ウエハ２２およびベース・ウエハ２４にアニール処理が実行されることができる。デバイス・ウエハ２２の接合面２２２がベース・ウエハ２４の上面２４２上へ接合される前に、デバイス・ウエハ２２の接合面２２２とベース・ウエハ２４の上面２４２にプラズマ処理が加えられる。これにより、デバイス・ウエハ２２とベース・ウエハ２４の間の接合強度は強化されることができ、その結果のアニール処理の温度はあまり高くなくなる。
【００２２】
加工機械自体の位置合わせにおける限界により、デバイス・ウエハとベース・ウエハを接合した後に、デバイス・ウエハ２２の接合面２２２とベース・ウエハ２４の上面２４２との間で接合されない領域が存在することに留意されたい。図２Ｅに示すように、ベース・ウエハ２４の上面２４２と接合されていないデバイス２２の接合面２２２上の最大半径距離は、不整合なずれｄ２として画定される。実用的な用途では、余白２２８の太さｄ１は、不整合なずれｄ２と等しい、またはそれよりも大きい。これは、余白の太さの設計は、関連する加工条件の下で加工機械によって生じる可能性のある不整合なずれの最大値に基づくということである。デバイス・ウエハとベース・ウエハを接合した後に、溝全体がベース・ウエハ上に位置することを保証するために、余白の太さは、不整合なずれと等しい、またはそれよりも大きくなければならない。
【００２３】
その後、デバイス・ウエハの最初の厚さが求める厚さに減少するまで、ＣＭＰ加工などのデバイス・ウエハの底面の研削および研磨加工が実行されて、図２Ｈに示すように複合ウエハ構造を完成させる。
【００２４】
具体的には、図２Ｆに示すように、デバイス・ウエハ２２の底面２２４の研削および研磨中、溝２２６の先端は応力集中係数を有するので、溝２２６の先端で亀裂が生じる。亀裂は、底面２２４に対して垂直な方向に沿って広範囲に成長し拡がって、さらに余白２２８上に割れを発生させる。このとき、デバイス・ウエハ２２の残余厚Ｔｒは、最初の厚さＴｉｎｉと求める厚さＴｅｘｐの間である。図２Ｇに示すように、デバイス・ウエハ２２の底面２２４を研削している間、デバイス・ウエハ２２の厚さが求める厚さＴｅｘｐへと減少する前に、破断した余白２２８はデバイス・ウエハ２２から離れ、次いで取り除かれる。
【００２５】
さらに、本発明の第１の好ましい実施形態の方法によれば、ベース・ウエハ２４の第２の周縁２４１は、ベース・ウエハ２４の直径がデバイス・ウエハ２２の直径と等しくなるように小さくされるまで、さらに研削またはレーザー切断されることができる。
【００２６】
一実施形態では、デバイス・ウエハ２２およびベース・ウエハ２４は、どちらも半導体材料から形成されてホモ接合構造を形成する。例えば、ＳＯＩ構造を形成するために本発明の第１の好ましい実施形態の製造方法を適用する一方で、デバイス・ウエハおよびベース・ウエハはどちらもシリコン材料から形成される。
【００２７】
別の実施形態では、デバイス・ウエハ２２は第１の半導体材料から形成され、ベース・ウエハ２４は第１の半導体材料と異なる第２の半導体材料から形成されて、ヘテロ接合構造を形成する。例えば、第２の半導体材料はシリコン材料であり、第１の半導体材料は、ＳｉＧｅ材料、ＬｉＮｂＯ３材料、サファイヤ材料、および酸化物材料からなる群から選択される材料である。
【００２８】
図３Ａ〜図３Ｉを参照されたい。これらの図は、本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【００２９】
図３Ａに示すように、まず第１に、デバイス・ウエハ３２が準備される。デバイス・ウエハ３２は、第１の周縁３２１、接合面３２２、および底面３２４を有する。
【００３０】
結果として、図３Ｂに示すように、第１の周縁３２１に沿い、かつ余白３２８により第１の周縁３２１から隔たった領域で、水素イオン注入処理がデバイス・ウエハ３２の接合面３２２に対して実行され、その結果その領域で、接合面３２２付近から接合面３２２下の所定の深さｄｐｒｅまでデバイス・ウエハ３２内に水素イオンが注入される。余白３２８の太さは、ｄ１である。
【００３１】
その後、図３Ｃに示すように、ベース・ウエハ３４が準備される。ベース・ウエハ３４は、第２の周縁３４１および上面３４２を有する。
【００３２】
さらに、実際的な要件によれば、酸化層が、デバイス・ウエハ３２の接合面３２２上および／またはベース・ウエハ３４の上面３４２上に形成されることができる。図３Ｄに示すように、図３Ｄは、ベース・ウエハ３４の上面３４２上にのみ形成された酸化層３６の一例である。
【００３３】
その後、図３Ｅに示すように、デバイス・ウエハ３２の接合面３２２は、ベース・ウエハ３４の上面３４２上へ接合される。
【００３４】
加工機械自体の位置合わせにおける限界により、デバイス・ウエハとベース・ウエハを接合した後に、デバイス・ウエハ３２の接合面３２２とベース・ウエハ３４の上面３４２との間で接合されない領域が存在することに留意されたい。図３Ｅに示すように、ベース・ウエハ３４の上面３４２と接合されていないデバイス３２の接合面３２２上の最大半径距離は、不整合なずれｄ２として画定される。実用的な用途では、余白３２８の太さｄ１は、不整合なずれｄ２と等しい、またはそれよりも大きい。これは、余白の太さの設計は、関連する加工条件の下で加工機械によって生じる可能性のある不整合なずれの最大値に基づくということである。デバイス・ウエハとベース・ウエハを接合した後に、デバイス・ウエハの水素イオンが注入された領域がベース・ウエハ上に位置することを保証するために、余白の太さは、不整合なずれと等しい、またはそれよりも大きくなければならない。
【００３５】
その後、図３Ｆに示すように、接合面３２２付近から接合面３２２下の所定の深さｄｐｒｅまでデバイス・ウエハ３２内に分布するマイクロ・ボイド３２６へと注入された水素イオンを集めるために、接合されたデバイス・ウエハ３２およびベース・ウエハ３４にアニール処理が実行される。このとき、デバイス・ウエハ３２とベース・ウエハ３４の間の接合強度は、温度を制御することによって強化されることができる。デバイス・ウエハ３２の接合面３２２がベース・ウエハ３４の上面３４２上へ接合される前に、デバイス・ウエハ３２の接合面３２２とベース・ウエハ３４の上面３４２にプラズマ処理が加えられる。これにより、デバイス・ウエハ３２とベース・ウエハ３４の間の接合強度は強化されることができ、その結果のアニール処理の温度はあまり高くなくなる。
【００３６】
結果として、図３Ｉに示すように、デバイス・ウエハ３２の最初の厚さＴｉｎｉが求める厚さＴｅｘｐに減少するまで、ＣＭＰ加工などのデバイス・ウエハ３２の底面３２４の研削および研磨加工が実行されて、複合ウエハ構造３を完成させる。
【００３７】
具体的には、図３Ｇに示すように、デバイス・ウエハ３２の底面３２４の研削および研磨中、マイクロ・ボイド３２６が研削機からの負荷に耐えることができず、マイクロ・ボイド３２６周辺に亀裂が生じる。マイクロ・ボイドの分布に基づいて亀裂が、底面３２４に対して垂直な方向に沿って広範囲に成長し拡がり、余白３２８上に割れを発生させる。このとき、デバイス・ウエハ３２の残余厚Ｔｒは、最初の厚さＴｉｎｉと求める厚さＴｅｘｐの間である。図３Ｈに示すように、デバイス・ウエハ３２の底面３２４を研削している間、デバイス・ウエハ３２の厚さが求める厚さＴｅｘｐへと減少する前に、破断した余白３２８はデバイス・ウエハ３２から離れ、次いで取り除かれる。
【００３８】
さらに、本発明の第２の好ましい実施形態の方法によれば、ベース・ウエハ３４の第２の周縁３４１は、ベース・ウエハ３４の直径がデバイス・ウエハ３２の直径と等しくなるように小さくされるまで、さらに研削またはレーザー切断されることができる。
【００３９】
一実施形態では、デバイス・ウエハ３２およびベース・ウエハ３４は、どちらも半導体材料から形成されてホモ接合構造を形成する。例えば、ＳＯＩ構造を形成するために本発明の第２の好ましい実施形態の製造方法を適用する一方で、デバイス・ウエハおよびベース・ウエハはどちらもシリコン材料から形成される。
【００４０】
別の実施形態では、デバイス・ウエハ３２は第１の半導体材料から形成され、ベース・ウエハ３４は第１の半導体材料と異なる第２の半導体材料から形成されて、ヘテロ接合構造を形成する。例えば、第２の半導体材料はシリコン材料であり、第１の半導体材料は、ＳｉＧｅ材料、ＬｉＮｂＯ３材料、サファイヤ材料、および酸化物材料からなる群から選択される材料である。
【００４１】
明らかに、本発明による複合ウエハ構造の製造は、従来技術の複合ウエハ構造の製造と比較して、能動的かつ効果的に割れを制御し、さらに、望まれていない縁部損傷を防止するものである。これにより、本発明による複合ウエハ構造の製造は、複合ウエハ構造に関する産業的大量生産の歩留りを改善するために有用である。
【００４２】
上記の例および説明により、本発明の特徴および趣旨が十分に説明されるであろうことが期待される。当業者は、本発明の教示を保持しながら、デバイスの多数の修正および変更がなされることができることに容易に気付くであろう。したがって、上記の開示は、添付の特許請求の範囲の境界および範囲によってのみ限定されるものとして解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】典型的ＳＯＩ構造の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｆ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｇ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図２Ｈ】本発明の第１の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｄ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｅ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｆ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｇ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｈ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【図３Ｉ】本発明の第２の好ましい実施形態による複合ウエハ構造の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
３  複合ウエハ構造
２２、３２  デバイス・ウエハ
２２１、３２１  第１の周縁
２２２、３２２  接合面
２２４、３２４  底面
２２６  溝
２２８、３２８  余白
２４、３４  ベース・ウエハ
２４１、３４１  第２の周縁
２４２、３４２  上面
２６、３６  酸化層
３２６  マイクロ・ボイド
【図１】
0004611227.tif 000002
【図２Ａ】
0004611227.tif 000003
【図２Ｂ】
0004611227.tif 000004
【図２Ｃ】
0004611227.tif 000005
【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
0004611227.tif 000007
【図２Ｆ】
0004611227.tif 000008
【図２Ｇ】
0004611227.tif 000009
【図２Ｈ】
0004611227.tif 000010
【図３Ａ】
0004611227.tif 000011
【図３Ｂ】
0004611227.tif 000012
【図３Ｃ】
0004611227.tif 000013
【図３Ｄ】
0004611227.tif 000014
【図３Ｅ】
0004611227.tif 000015
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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