(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムのチャンバー内に設けられる改良されたバッフル板であって、
上面、下面、前記上面及び前記下面に結合された内側半径方向縁部、前記上面及び前記下面に結合された外側半径方向縁部、前記上面及び前記下面に結合されると共にガスが流れることができるように構成された少なくとも１つの通路を具備するリングからなり、前記上面は、前記外側半径方向縁部に近接する第１の係合面を具備し、前記下面は、前記外側半径方向縁部に近接する第２の係合面と、前記内側半径方向縁部に近接する複数の締結具係合面とを具備し、前記少なくとも１つの通路の夫々は、内側通路面を具備し、
前記リングは、前記第１の係合面と前記第２の係合面と前記締結具係合面において、前記チャンバー内の他の部材に接して保持され、また、
前記リングは、前記バッフル板の前記上面及び前記下面に結合されると共に、前記バッフル板を前記プラズマ処理システムに結合するために、締結具を受けるように構成された、複数の締結レセプタ及び複数の装着貫通孔を更に具備し、
前記複数の締結レセプタの少なくとも１つは、入口凹部、出口貫通孔、及び内側レセプタ面を具備し、
前記複数の締結レセプタの少なくとも１つの前記内側レセプタ面は、第１の入口面、第１のリップ面、第２の入口面、第２のリップ面、及び出口面を具備し、
前記第１の係合面を除く前記上面と、前記第２の係合面及び前記複数の締結具係合面を除く前記下面と、前記少なくとも１つの通路の夫々の前記内側通路面の表面には保護バリアを具備する改良されたバッフル板。
【請求項２】
前記少なくとも１つの通路は、スロットを具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項３】
前記スロットは、入口面積及び出口面積を具備し、前記入口面積は前記出口面積よりも大きい請求項２に記載の改良されたバッフル板。
【請求項４】
前記少なくとも１つの通路は、オリフィスを具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項５】
前記バッフル板の複数の露出面は、前記第１の入口面及び前記第１のリップ面を更に含む請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項６】
前記バッフル板は、金属を具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項７】
前記金属は、アルミニウムを具備する請求項６に記載の改良されたバッフル板。
【請求項８】
前記保護バリアは、ＩＩＩ族元素及びランタノイド系元素の少なくとも１つを含む化合物を具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項９】
前記ＩＩＩ族元素は、イットリウム、スカンジウム、及びランタンの少なくとも１つを具備する請求項８に記載の改良されたバッフル板。
【請求項１０】
前記ランタノイド系元素は、セリウム、ジスプロシウム、及びユーロピウムの少なくとも１つを具備する請求項８に記載の改良されたバッフル板。
【請求項１１】
前記化合物は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、及びＤｙＯ３の少なくとも１つを具備する請求項８に記載の改良されたバッフル板。
【請求項１２】
前記保護バリアは、前記バッフル板の複数の露出面の少なくとも１つの面内で一定である最小の厚さを具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【請求項１３】
前記保護バリアは、前記バッフル板の複数の露出面の少なくとも１つの面内で変化する最小の厚さを具備する請求項１に記載の改良されたバッフル板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理システム用の改良されたコンポーネントに関し、特に、基板ホルダを包囲するように、プラズマ処理システムにおいて使用されるバッフル板に関する。
【背景技術】
【０００２】
本件出願は、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７２ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された上部電極板のための方法及び装置」）、代理人番号２２５２７７ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良されたバッフル板のための方法及び装置」）、代理人番号２２８４１１ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された堆積シールドのための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７５ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された光学窓堆積シールドのための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７６ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良されたベローズシールドのための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７７ＵＳ６ＹＡと、に関連している。これらの全ての明細書の内容全体は参考文献として本願に全体的に組み込まれる。
【０００３】
半導体産業における集積回路（ＩＣ）の作製では、基板から材料を除去するため並びに基板に対して材料を堆積するのに必要な表面での化学反応を、プラズマ反応室内で創出すると共に支援するため、プラズマが一般的に使用される。通常、プラズマは真空状態のプラズマ反応室内で形成され、これは、供給された処理ガスとのイオン化衝突を維持するのに十分なエネルギにまで電子を加熱することにより行われる。更に、加熱された電子は、解離衝突を維持するのに十分なエネルギを具備することができる。従って、チャンバ内で行われる特定の処理（例えば、材料を基板から除去するエッチング処理、または材料を基板に付加する堆積処理）に適した荷電種及び化学反応種の密度が発生されるように、所定の条件（例えば、チャンバ圧力、ガス流量等）における特定のガスの組み合わせが選択される。
【０００４】
基板表面でプラズマ処理システムの機能（即ち、材料のエッチング、材料の堆積等）を実行するため、荷電種（イオン等）及び化学反応種の密度を形成することが必要となる。しかし、処理チャンバの内部におけるその他のコンポーネント表面は、物理的及び化学的に活性なプラズマに露出され、時間の経過と共に腐食する。プラズマ処理システムにおける露出されたコンポーネントの腐食は、プラズマ処理性能を漸進的に劣化させると共に、最終的には、システムを完全に故障させる原因となる。
【０００５】
処理プラズマに対する露出により継続する損傷を最少にするため、処理プラズマに対する露出を維持することで知られているプラズマ処理システムのコンポーネントが、保護バリアで被覆される。例えば、アルミニウムから作製されるコンポーネントは、プラズマに対してより耐性がある酸化アルミニウムの表面層を生成するように陽極酸化されることができる。他の例では、シリコン、石英、アルミナ、カーボン、またはシリコンカーバイドから作製されるような、消耗可能または交換可能なコンポーネントが、より貴重なコンポーネント（頻繁に交換するとコストを増加させる）の表面を保護するために処理チャンバ内に挿入されることができる。更に、望ましくない汚染物質や不純物などが処理プラズマに導入され且つ場合によっては基板上に形成されるデバイスにまで導入されることを最少化することができる表面材料を選択することが望ましい。
【０００６】
上述の両方の場合において、保護バリアの一体性または保護バリア作製の一体性や、交換可能なコンポーネントの消耗性により、保護被覆の故障は不可避なもので、プラズマ処理システムの頻繁なメンテナンスが必要となる。この頻繁なメンテナンスは、プラズマ処理の休止時間や新しいプラズマ処理チャンバコンポーネントに関連するコストを発生させ、それが過大なものとなる可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、プラズマ処理システム用の改良されたバッフル板を提供し、このバッフル板の構造及び製法は、上述の欠点を有効に解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある視点によれば、上面、下面、内側半径方向縁部、及び外側半径方向縁部を有するリングを具備するバッフル板が提供される。上面は、外側半径方向縁部に近接する第１の係合面を具備することができる。下面は、外側半径方向縁部に近接する第２の係合面と、内側半径方向縁部に近接する複数の締結具係合面とを具備することができる。バッフル板は、上面及び下面に結合されると共にガスが流れることができるように構成された少なくとも１つの通路を更に具備することができる。少なくとも１つの通路は、内側通路面を具備することができる。
【０００９】
本発明のある視点によれば、複数の締結レセプタを具備するバッフル板が更に提供される。各締結レセプタは、上面及び下面に結合されると共に、バッフル板をプラズマ処理システムに結合するために、締結具を受けるように構成される。各締結レセプタは、入口凹部、出口貫通孔、及び内側レセプタ面を具備することができる。
【００１０】
本発明のある視点によれば、複数の装着貫通孔を具備するバッフル板が更に提供される。各装着貫通孔は、上面及び下面に結合されると共に、バッフル板をプラズマ処理システムに結合するために、締結具を受けるように構成される。
【００１１】
本発明のある視点によれば、バッフル板は、処理プラズマに面するバッフル板の露出面上に形成された保護バリアを更に具備する。
【００１２】
本発明の別の視点によれば、バッフル板の露出面は、第１の係合面を除くバッフル板の上面と、第２の係合面及び複数の締結具係合面を除くバッフル板の下面と、上面及び下面に隣接する内側通路面とを含む。本発明はまた、複数の締結レセプタの夫々の第１の入口面と、複数の締結レセプタの夫々の第１のリップ面とを、露出面としてみなすことを随意選択的に含むことができる。
【００１３】
本発明によれば、プラズマ処理システムのバッフル板を作製する方法が更に提供される。この方法は、バッフル板を作製するステップと、バッフル板上に表面陽極酸化層を形成するためにバッフル板を陽極酸化するステップと、表面陽極酸化層を除去するためにバッフル板上の露出面を機械加工するステップと、露出面上に保護バリアを形成するステップと、を具備する。
【００１４】
本発明によれば、プラズマ処理システムのバッフル板を作製する別の方法が提供される。この方法は、バッフル板を製作するステップと、表面陽極酸化層の形成を阻止するためにバッフル板上の露出面をマスクするステップと、バッフル板上に表面陽極酸化層を形成するためにバッフル板を陽極酸化するステップと、露出面を脱マスクするステップと、露出面上に保護バリアを形成するステップと、を具備する。
【００１５】
本発明によれば、プラズマ処理システムのバッフル板を作製する別の方法が提供される。この方法は、バッフル板を作製するステップと、複数の露出面上に保護バリアを形成するステップと、を具備する。
【００１６】
本発明によれば、機械加工及びマスキングを組み合わせて保護バリアを受けるための露出面を処理し、次に露出面上に保護バリアを形成する方法を含むことができる。例えば、２つの露出面が陽極酸化前にマスクされ、他の２つの表面が陽極酸化後に機械加工されることにより、保護バリアが形成される４つの露出面を生成することができる。
【００１７】
上述のいずれの方法も、露出面ではない、陽極酸化された（または被覆された）表面を機械加工するステップを随意選択的に含むことができる（例えば、機械加工された表面が他の部分と係合する部位に、むき出しの金属接触を得るため）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のこれら及びその他の利点は、添付図面を参照した以下の本発明の例示的な実施形態の詳細な説明から更に明白になり、容易に認識されるであろう。
【００１９】
本発明の１実施形態によれば、プラズマ処理システム１は、図１に示されるように、プラズマ処理チャンバ１０、上部アセンブリ２０、上部電極２２、基板３５を支持するための基板ホルダ３０、プラズマ処理チャンバ１０内に減圧雰囲気１１を与えるための真空ポンプ（図示せず）に結合されたポンプダクト４０を具備する。プラズマ処理チャンバ１０は、基板３５付近の処理空間１２内における処理プラズマの形成を容易にする。プラズマ処理システム１は、２００ｍｍの基板、３００ｍｍの基板、または、それより大きい基板を処理するように構成することができる。
【００２０】
図示の実施形態において、上部電極２２は、堆積シールド２６（図１）を有する電極板２４（図１）を具備する。別の実施形態において、上部アセンブリ２０は、カバー、ガス注入アセンブリ、及び上部電極インピーダンス整合ネットワークの少なくとも１つを具備することができる。例えば、上部電極２２は、ＲＦ源に結合されることができる。別の実施形態において、上部アセンブリ２０は、上部電極２２に結合されたカバーを具備し、上部電極２２は、プラズマ処理チャンバ１０の電位に等しい電位に維持される。例えば、プラズマ処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、上部電極２２とは、接地電位に電気的に接続されることができる。
【００２１】
プラズマ処理チャンバ１０は、例えば、上部電極２２の堆積シールド２６に結合された光学的な覗きポート１６を更に具備することができる。光学的な覗きポート１６は、光学窓堆積シールド１８の後側に結合された光学窓１７と、光学窓１７を光学窓堆積シールド１８に結合するように構成された光学窓フランジ１９とを具備することができる。Ｏリングのようなシール部材が、光学窓フランジ１９と光学窓１７との間、光学窓１７と光学窓堆積シールド１８との間、及び光学窓堆積シールド１８とプラズマ処理チャンバ１０との間に夫々配設されることができる。光学的な覗きポート１６により、例えば、処理空間１２内の処理プラズマからの光放出をモニタすることが可能となる。
【００２２】
基板ホルダ３０は、例えば、ベローズ５２により包囲された垂直移動装置５０を更に具備する。ベローズ５２は、基板ホルダ３０とプラズマ処理チャンバ１０とに結合されると共に、プラズマ処理チャンバ１０内の減圧雰囲気１１から垂直移動装置５０をシールする。更に、ベローズシールド５４が、例えば、基板ホルダ３０に結合され、ベローズ５２を処理プラズマから保護するように構成することができる。基板ホルダ３０は、例えば、更にフォーカスリング６０及びシールドリング６２の少なくとも一方に結合されることができる。更に、バッフル板６４が、基板ホルダ３０の周囲を囲んで延在することができる。
【００２３】
基板３５は、例えば、ロボット型の基板搬送システムによって、スロット弁（図示せず）及びチャンバ供給通路（図示せず）を通してプラズマ処理チャンバ１０に対して搬送されることができる。基板３５は、基板ホルダ３０内に配設された基板リフトピン（図示せず）により受け取られ、そこに内蔵された装置によって機械的に移動される。基板３５は、基板搬送システムから受け取られると、基板ホルダ３０の上面まで下降される。
【００２４】
基板３５は、例えば、静電クランプシステムを介して基板ホルダ３０に固定されることができる。更に、基板ホルダ３０は、例えば、再循環冷媒流を含む冷却システムを具備することができる。冷媒流は、基板ホルダ３０から熱を受取り、その熱を熱交換システム（図示せず）へ搬送するか、或いは、加熱のため、熱交換システムから熱を搬送する。更に、例えば、基板３５と基板ホルダ３０との間のガスギャップ熱伝導を改善するため、バックサイドガスシステムを介して基板３５の裏面に対してガスを供給することができる。このようなシステムは、上昇または下降された温度において基板の温度制御が必要とされるときに利用可能となる。別の実施形態において、抵抗加熱素子のような加熱素子や熱電ヒータ／クーラを含むことができる。
【００２５】
図１に示される実施形態において、基板ホルダ３０は、電極を有することができ、その電極を通ってＲＦ電力が処理空間１２内の処理プラズマに結合される。例えば、基板ホルダ３０は、ＲＦ発生器（図示せず）からインピーダンス整合ネットワーク（図示せず）を介して基板ホルダ３０へ伝送されるＲＦ電力により、ＲＦ電圧で電気的にバイアスされることができる。ＲＦバイアスは、プラズマを形成し且つ維持するために電子を加熱するように動作することができる。この構成では、システムは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の反応室として動作することができ、チャンバと上部ガス注入電極とは、接地面として動作する。ＲＦバイアスの典型的な周波数は、１ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの範囲であり、望ましくは１３．５６ＭＨｚである。プラズマ処理用のＲＦシステムは、当業者によく知られている。
【００２６】
代わりに、処理空間１２内で形成される処理プラズマは、平行平板、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）ソース、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース、それらの任意の組み合わせを使用し、磁石システムが有る状態または無い状態で形成されることができる。代わりに、処理空間１２内の処理プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を使用して形成されることができる。更に別の実施形態において、処理空間１２内の処理プラズマは、ヘリコン波の発射によって形成される。更に別の実施形態において、処理空間１２内の処理プラズマは、伝播する表面波から形成される。
【００２７】
図２（平面図）及び図３（断面図）に示される本発明の例示された実施形態を参照すると、バッフル板６４は、上面８２、下面８４、内側半径方向縁部８６、及び外側半径方向縁部８８を具備するリングを形成することができる。また、バッフル板６４は、上面８２及び下面８４に結合されると共に、ガスが流れることができるように構成された少なくとも１つの通路９０を更に具備することができる。
【００２８】
図４は、１つの通路９０の拡大図であり、この拡大図は、通路９０の非主軸に沿った横断面を示す。各通路９０は、バッフル板６４の上面８２及び下面８４に隣接する内側通路面９２を具備する。例えば、少なくとも１つの通路９０は、各通路９０に近接する上面８２及び下面８４間の距離によって決定される長さを具備することができ、これは、１乃至５０ｍｍの寸法範囲を有する。この長さは、望ましくは１乃至１０ｍｍの寸法範囲にあり、より望ましくは５ｍｍ以上である。
【００２９】
図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、夫々、バッフル板６４の上面８２における通路９０の代表的な断面図、通路９０を主軸に沿って示す他の拡大断面図、及びバッフル板６４の下面８４における通路９０の代表的な断面図である。
【００３０】
図１及び図５Ｂに示される例示の実施形態において、少なくとも１つの通路９０は、半径方向に整一したスロットを具備することができる。本発明の別の実施形態において、スロットは、方位方向（azimuthal direction）に整一することができる。本発明の別の実施形態において、スロットは、傾斜されることによって半径方向及び方位方向に部分的に整一することができる。別の実施形態において、通路９０は、その整一手法の組み合わせを具備することができる、代わりに、通路は、少なくとも１つのオリフィスを含むことができる。
【００３１】
更に、図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、上面８２における通路９０の断面図は、入口断面積９１ａを示し、これは、下面８４における通路９０の断面図に示される各出口断面積９１ｂよりも大きい。代わりに、断面積は、例えば、上面８２から下面８４まで、通路の長さ方向に沿って一定とすることができる。代わりに、下面８４における通路９０の出口断面積９１ｂは、例えば、上面８２における通路９０の各入口断面積９１ａよりも大きな断面積を具備することができる。
【００３２】
更に、図５Ｂ及び図２を再度参照すると、バッフル板６４は、例えば、複数の締結レセプタ１００を更に具備することができる。各締結レセプタ１００は、上面８２及び下面８４に結合されると共に、バッフル板６４を基板ホルダ３０に取付けるために（ボルトのような）締結具（図示せず）を受けるように構成される。締結レセプタ１００は、第１の入口凹部１０２、第２の入口凹部１０３、及び出口貫通孔１０４を具備することができる。別の態様では、第２の入口凹部１０３は不要となる。例えば、バッフル板６４内に形成される締結レセプタ１００の数は、０乃至１００の範囲とすることができる。締結レセプタ１００の数は、望ましくは５乃至２０の範囲であり、より望ましくは１２である。
【００３３】
図６は、複数の締結レセプタ１００の１つを含む、バッフル板６４の内側半径方向縁部８６の拡大断面図を示す。内側半径方向縁部８６は、内側縁部面１１２及び複数の締結具係合面１１３を更に具備することができる。内側縁部面１１２は、バッフル板６４の上面８２及び下面８４に結合されることができる。少なくとも１つの締結具係合面１１３は、バッフル板６４の下面８４に結合され且つこれと一致すると共に、バッフル板６４を基板ホルダ３０に係合させるように構成されることができる。更に、図６に示されるように、締結レセプタ１００は、内側レセプタ面１０６を含むことができ、内側レセプタ面１０６は、第１の入口面１０７、第１のリップ面１０８、第２の入口面１０９、第２のリップ面１１０、及び出口面１１１を更に具備することができる。例えば、内側半径方向縁部８６は、内側半径方向縁部８６に近接する上面８２及び下面８４間の距離によって決定される最小の厚さを具備することができ、これは、１乃至５０ｍｍの寸法範囲を有する。この最小の厚さは、望ましくは１乃至１０ｍｍの寸法範囲にあり、より望ましくは２ｍｍ以上である。
【００３４】
図７は、バッフル板６４の外側半径方向縁部８８の拡大断面図を示す。外側半径方向縁部８８は、外側縁部面１１４、第１の係合面１１６、及び第２の係合面１１８を更に具備することができる。外側縁部面１１４は、バッフル板６４の上面８２及び下面８４に結合されることができる。第１の係合面１１６は、上面８２に結合され且つこの部分と一致すると共に、プラズマ処理システム１と係合するように構成されることができる。第２の係合面１１８は、下面８４に結合され且つこの部分と一致すると共に、プラズマ処理システム１と係合するように構成されることができる。例えば、第１及び第２の係合面は、バッフル板６４を、堆積シールド１４及びプラズマ処理チャンバ１０の少なくとも１つに係合させるために使用することができる。更に、例えば、外側半径方向縁部８８は、外側半径方向縁部８８に近接する第１の係合面１１６及び第２の係合面１１８間の距離によって決定される厚さを具備することができ、これは、１乃至５０ｍｍの寸法範囲を有する。この厚さは、望ましくは１乃至１０ｍｍの寸法範囲にあり、より望ましくは７ｍｍ以上である。
【００３５】
更に、図２に示されるように、バッフル板６４は、例えば、複数の装着貫通孔１０１を更に具備することができる。各装着貫通孔１０１は、上面８２及び下面８４に結合されると共に、バッフル板６４をプラズマ処理チャンバ１０及び上部電極２２の堆積シールド２６の少なくとも１つに取付けるために（ボルトのような）締結具（図示せず）を受けるように構成されることができる。例えば、バッフル板６４内に形成される装着貫通孔１０１の数は、０乃至１００の範囲とすることができる。装着貫通孔１０１の数は、望ましくは５乃至２０の範囲であり、より望ましくは１０以上である。
【００３６】
図２乃至図７を参照すると、バッフル板６４は、バッフル板６４の複数の露出面１４５上に形成された保護バリア１５０を更に具備する。本発明の１実施形態において、露出面１４５は、第１の係合面１１６を除くバッフル板６４の上面８２と、複数の締結具係合面１１３及び第２の係合面１１８を除くバッフル板６４の下面８４と、上面８２及び下面８４に隣接する内側通路面９２とを含むことができる。更に、露出面１４５は、複数の締結レセプタ１００の夫々の第１の入口面１０７と、複数の締結レセプタ１００の夫々の第１のリップ面１０８とを含むことができる。代わりに、露出面は、バッフル板６４上の全ての表面を含むことができる。
【００３７】
本発明の１実施形態において、保護バリア１５０は、Ａｌ２Ｏ３のようなアルミニウム酸化物を含む化合物を具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０は、Ａｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３との混合物を具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０は、ＩＩＩ族元素（周期律表の第ＩＩＩ族）及びランタノイド系元素の少なくとも一方を具備することができる。本発明の別の実施形態において、ＩＩＩ族元素は、イットリウム、スカンジウム、及びランタンの少なくとも１つを具備することができる。本発明の別の実施形態において、ランタノイド系元素は、セリウム、ジスプロシウム、及びユーロピウムの少なくとも１つを具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０を形成する化合物は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、及びＤｙＯ３の少なくとも１つを具備することができる。
【００３８】
本発明の１実施形態において、バッフル板６４上に形成される保護バリア１５０は、最小の厚さを有する熱スプレーコーティングを具備する。この最小の厚さは、複数の露出面１４５に亘って変化されることができる。換言すると、この特定の厚さは、露出面１４５の面内で変化されることができる。例えば、この最小の厚さは、露出面１４５の第１の部分上では一定であり、露出面１４５の第２の部分上では変化されるものであってもよい。例えば、厚さの変化は、湾曲面上、角部上、或いは穴内で発生する可能性がある。この最小の厚さは、０ミクロン乃至５５０ミクロンの範囲にある。この最小の厚さは、望ましくは５０ミクロン乃至２５０ミクロンの範囲であり、より望ましくは１５０ミクロン乃至２５０ミクロンの範囲である。
【００３９】
図８は、本発明の１実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのバッフル板６４を作製する方法を示す。フロー図３００は、ステップ３１０で開始し、このステップでバッフル板６４を作製する（例えば、バッフル板は、図２乃至図７を参照にして説明したバッフル板の特性を有する）。バッフル板の作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。バッフル板は、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００４０】
ステップ３２０で、バッフル板は、表面陽極酸化層を形成するために陽極酸化される。例えば、バッフル板をアルミニウムから作製するとき、表面陽極酸化層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を具備する。アルミニウムの部品を陽極酸化する方法は、表面陽極酸化の当業者によく知られている。
【００４１】
ステップ３３０で、表面陽極酸化層は、標準的な機械加工技術を使用して露出面１４５から除去される。この機械加工ステップ中または別の機械加工ステップ中、他の表面（例えば、上面の第１の係合面、下面の第２の係合面、及び下面の複数の締結具係合面）もまた機械加工されることができる（例えば、機械加工された表面で良好な機械的接触または電気的接触の少なくとも一方を提供する平坦またはむき出しの面を形成するため）。
【００４２】
ステップ３４０で、保護バリア１５０が、露出面１４５上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリア１５０は、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００４３】
図９は、本発明の別の実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのバッフル板を作製する方法を示す。フロー図４００は、ステップ４１０で開始し、このステップでバッフル板６４を作製する（例えば、バッフル板は、図２乃至図７を参照にして説明したバッフル板の特性を有する）。バッフル板の作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。バッフル板は、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００４４】
ステップ４２０で、露出面１４５が、そこに表面陽極酸化層が形成されることを防止するためにマスクされる。表面のマスキング及び脱マスキングは、表面コーティング及び表面陽極酸化の当業者によく知られている。このマスキングステップ中または別のマスキングステップ中、他の表面（例えば、上面の第１の係合面、下面の第２の係合面、及び下面の複数の締結具係合面）もまたマスクされることができる（例えば、機械加工された表面で良好な機械的接触または電気的接触の少なくとも一方を提供する平坦またはむき出しの面を維持するため）。
【００４５】
ステップ４３０で、バッフル板が陽極処理され、マスクされていない残りの表面に表面陽極酸化層が形成される。例えば、バッフル板をアルミニウムから作製するとき、表面陽極酸化層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を具備することができる。アルミニウム部品を陽極酸化する方法は、表面陽極酸化の当業者によく知られている。
【００４６】
ステップ４４０で、保護バリア１５０が露出面上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリアは、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００４７】
図１０は、本発明の別の実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのバッフル板を作製する方法を示す。フロー図５００は、ステップ５１０で開始し、このステップでバッフル板６４を作製する（例えば、バッフル板は、図２乃至図７を参照にして説明したバッフル板の特性を有する）。バッフル板の作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。バッフル板は、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００４８】
ステップ５２０で、保護バリア１５０が、バッフル板６４の露出面１４５上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリアは、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００４９】
図８乃至図１０を参照して説明した露出面１４５上に保護バリア１５０を形成する処理は、機械加工及びマスキングの組み合わせを利用するように変更することができる。この変更例の処理において、少なくとも１つの露出面が、陽極酸化層が形成されることを防止するためにマスクされる一方、他の露出面が陽極酸化される。次に、マスクされない露出面は機械加工され、また、マスクされた露出面は脱マスクされる。次に、全ての露出面上に保護バリア１５０を形成することが可能となる。上述のように、露出面ではない他の表面もまた、この方法の間に機械加工することができる（例えば、陽極酸化層がある場合よりも良好な機械的または電気的接触を提供するため）。
【００５０】
本発明のある例示的な実施形態だけについて詳細に前述したが、当業者によれば、本発明の新規な教示及び利点から実質的に逸脱せずに、例示的な実施形態に対して多数の変更が可能であることが認識できるであろう。従って、このような変更の全ては、本発明の技術的範囲内に含まれることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の１実施形態に係る、バッフル板を具備するプラズマ処理システムの簡単化されたブロック図。
【図２】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の平面図。
【図３】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の断面図。
【図４】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板内に形成された通路を非主軸に沿って示す拡大断面図。
【図５Ａ】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の上面内に形成された通路の拡大図。
【図５Ｂ】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板内に形成された通路を主軸に沿って示す拡大断面図。
【図５Ｃ】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の下面内に形成された通路の拡大図。
【図６】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の内側半径方向縁部の拡大図。
【図７】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のバッフル板の外側半径方向縁部の拡大図。
【図８】本発明の１実施形態に従って、プラズマ処理システム用のバッフル板を作製する方法を示す図。
【図９】本発明の別の実施形態に従って、プラズマ処理システム用のバッフル板を作製する方法を示す図。
【図１０】本発明の別の実施形態に従って、プラズマ処理システム用のバッフル板を作製する方法を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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