(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体ブロックに設けた導波管、および、誘電体基板に設けた線路導体と接地導体とを対向させてなるマイクロストリップライン、を備え、前記線路導体の端部を前記接地導体の端部よりも延長させるとともに前記導波管内の終端部分に配して、前記導波管と前記マイクロストリップラインとを接続させた線路変換器において、
前記導波管の終端部分を離れて囲む位置に、前記誘電体ブロックのチョーク用溝部を前記接地導体に対面させて設け、
前記マイクロストリップラインと前記導波管との接続部分に前記接地導体の非形成領域を設け、
前記接地導体の非形成領域から切り込まれた切り込み状の接地導体非形成部を、前記接続部分から延びる前記マイクロストリップラインに沿って設けた線路変換器。
【請求項２】
前記チョーク用溝部を少なくとも前記マイクロストリップラインを横断するように設け、
前記接地導体非形成部の先端が前記チョーク用溝部に重なるように設けた請求項１に記載の線路変換器。
【請求項３】
前記接地導体非形成部の長手方向の寸法を、用いる電磁波の波長の略１／４とした請求項１または２に記載の線路変換器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の線路変換器と、該線路変換器の前記導波管および前記マイクロストリップラインのそれぞれにつながる高周波回路と、を備えた高周波モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波モジュールを電磁波の送受信部に備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波帯またはミリ波帯で用いられる伝送線路の線路変換器、それを備えた高周波モジュール、および通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、異種の伝送線路間を結合する線路変換器として、誘電体基板に設けた平面回路の一部（マイクロストリップライン）を導体ブロックの導波管に挿入してなる線路変換器が知られており、このような線路変換器として特許文献１、特許文献２が開示されている。【０００３】
ここで、図１（Ａ）に特許文献１を参考にした線路変換器の構成例を示す。線路変換器１は、導波管のＥ面に平行な面で２分割された導体ブロック２，３に導波管４となる溝４Ａ，４Ｂを設け、導波管４内にＥ面に対して平行に誘電体基板５の一部を挿入して構成されている。誘電体基板５にはマイクロストリップラインの線路導体６と接地導体７とを設け、線路導体６と接地導体７との端部が導波管４の終端部分に位置するように構成されている。この導波管４内において線路導体６及び接地導体７は導波管４のＨ面にそれぞれ近接し、それぞれにスタブ長が電磁波の１／４波長分となる複数のオープンスタブ（図示せず。）を設け、このオープンスタブを介して導波管４の導体と線路導体６および接地導体７が高周波的に結合するように構成されている。【０００４】
このような線路変換器において、導波管を設けた導体ブロックと線路を設けた誘電体基板との界面に隙間が生じる場合には、その隙間にスプリアスモードの電磁波が生じ、放射損失が大きくなる場合があった。【０００５】
そこで特許文献２では、図1（Ｂ）に示す構成により、この問題を解決している。線路変換器１は、上述の構成と同様に、導体ブロック２に導波管４を設けるが、上述の問題を解決するために導波管４の終端部分を囲むようにチョーク用溝Ｇ２２を設ける。これにより導体ブロック２と誘電体基板（図示せず。）との界面の隙間にスプリアスモードの電磁波が生じないようにして、放射損失の少ない線路変換器を提供している。
【特許文献１】特開平５−３３５８１５号公報
【特許文献２】特開２００４−１４７２９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の線路変換器では、接地導体及び線路導体と導波管の導体との結合を良好にすることはできるが、誘電体基板と導体ブロックとの隙間に生じるスプリアスモードの電磁波を抑制するものではなかった。また、特許文献１では複数のオープンスタブにより導波管との結合を生じさせるが、その場合にマイクロストリップラインで高周波（ミリ波、マイクロ波）を扱うには、電極形成の微細度を極めて高くする必要があり、微細加工が困難になるとともに、場合によっては櫛歯状の電極が断線したり浮き上がったりしスタブの信頼性が低下するという問題がある。【０００７】
また、特許文献２の線路変換器では、スプリアスモードの電磁波を充分に遮断するには、導波管の終端部分の略全周を囲うように例えばコの字型にチョーク用溝を設ける必要があり、そのためには大きなサイズの導体ブロックを用いる必要があった。【０００８】
そこで、小型化を実現するためにチョーク用溝を一部のみに設けるようにすることが考えられるが、その場合には逆にスプリアスモードの電磁波を充分に抑制できないという相反する問題が生じる。さらには、スプリアスモードの電磁波によって導波管の等価的な短絡点がずれてしまい、導波管と平面回路との結合が弱まるという問題が生じる。【０００９】
そこで、この発明の目的は、誘電体基板と導体ブロックとの隙間に生じるスプリアスモードの電磁波の抑制と、導波管−平面回路間の結合状態の改善を図り、小型化が可能な線路変換器および、それを備えた高周波モジュール、通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の線路変換器は、導体ブロックに設けた導波管と、誘電体基板に設けた線路導体および接地導体からなるマイクロストリップラインと、前記線路導体の端部を前記接地導体の端部よりも延長させて構成した結合用導体と、を備え、前記結合用導体を前記導波管内の終端部分に配したものであり、前記導体ブロックの、前記接地導体に対面する位置で、且つ前記導波管の終端部分を離れて囲む位置にチョーク用溝部を設け、前記結合用導体と前記マイクロストリップラインとの境界付近の前記接地導体の端部に、切り込み状の接地導体非形成部を設ける。【００１１】
このように、導体ブロックにチョーク用溝部を設け、誘電体基板に接地導体非形成部を設ける構成としたため、導体ブロックと誘電体基板の接地導体との間に隙間があっても、接地導体非形成部およびチョーク用溝部によって、スプリアスモードの電磁波による放射損失を抑制できる。この接地導体非形成部を、チョーク用溝部のみでは充分にスプリアスモードの電磁波を抑制できない箇所や、チョーク用溝部を設けることができず電磁波が漏れてしまう箇所などに設けることで、効果的にスプリアスモードの電磁波を抑制することができる。【００１２】
さらには、スプリアスモードの電磁波が抑制できるために、導波管の等価的な短絡点のずれも抑制でき、導波管と平面回路との結合状態を改善できる。また、チョーク用溝部の形状をより自由に設計でき、導体ブロックの小型化、ひいては線路変換器全体の小型化が実現できる。また、このような接地導体非形成部は、例えば櫛歯状に電極を形成する場合と比べ、電極が浮き上がってしまうことや断線することがほとんど無く、電極形成の信頼性を改善できる。【００１３】
また、この発明の線路変換器は、前記チョーク用溝部を少なくとも前記マイクロストリップラインを横断するように設け、前記接地導体非形成部を前記マイクロストリップラインに略平行になるように、前記接地導体の端部から前記チョーク用溝部に亘って設ける。【００１４】
このように、チョーク用溝部を少なくともマイクロストリップラインを横断するように設けることで、このライン方向に漏れようとするスプリアスモードの電磁波をチョーク用溝部によって抑制できる。また、接地導体非形成部をマイクロストリップラインに略平行に導波管の部分の接地導体の端部からからチョーク用溝部まで亘るように設ける構成としたため、チョーク用溝部と導波管との間の方向に漏れようとするスプリアスモードの電磁波を抑制できる。これらの構成により極めて効果的にスプリアスモードの電磁波を遮断でき、スプリアスモードの電磁波による放射損失を抑制できる。【００１５】
また、この発明の線路変換器では、前記接地導体非形成部の長手方向の寸法を、用いる電磁波の波長の略１／４とした。【００１６】
このような構成により、接地導体非形成部のチョーク用溝側の端付近を、より確実に短絡させることができ、接地導体非形成部の導波管側の端付近を、より確実に開放させることができる。これにより導波管の等価的な短絡点の位置がずれることを無くして、導波管と平面回路との結合状態を、さらに改善することができる。【００１７】
また、この発明の高周波モジュールは、上述の線路変換器と、該線路変換器の前記導波管および前記マイクロストリップラインにそれぞれつながる高周波回路と、を備える。【００１８】
これにより、高周波回路間での伝送損失や結合状態を改善した高周波モジュールを提供できる。【００１９】
また、この発明の通信装置は、上述の高周波モジュールを電磁波の送受信部に備える。【００２０】
これにより、送受信部における損失を改善した通信装置を提供できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、誘電体基板と導体ブロックとの隙間に生じるスプリアスモードの電磁波を抑制でき、導波管−平面回路間の結合状態を改善し、小型化が可能な線路変換器および、それを備えた高周波モジュール、通信装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来の線路変換器の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る線路変換器の構成を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る線路変換器の構成を示す断面図である。
【図４】電磁界解析シミュレーションに係る電極パターンを示す図である。
【図５】同シミュレーションに係る、接地導体の表面電流分布を示す図である。
【図６】同シミュレーションに係る、導体ブロックの表面電流分布を示す図である。
【図７】同シミュレーションに係る、伝送損失とスリット長の関係を示す図である。
【図８】第１の実施形態に係る線路変換器の変形例を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の送受信部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２３】
１１−線路変換器
１２，４２−上導体ブロック
１３−下導体ブロック
１４，４４−導波管
１４Ａ，４４Ａ−上導波管用溝
１４Ｂ−下導波管用溝
１５，２５，３５，４５−誘電体基板
１６，２６，３６−線路導体
１７，２７Ａ，３７Ａ，４７Ａ−接地導体
１８−マイクロストリップライン
１９−チョーク用溝
２０−線路用溝
２１，３１，４１−結合用導体
２２−キャップ逃げ部
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、第１の実施形態に係る線路変換器の構成を図２〜６を参照して説明する。
本実施形態では、基板上に設けた電子部品や配線素子を含む平面回路をマイクロストリップライン１８に接続して構成する。そして、そのマイクロストリップライン１８の線路導体１６の先端を基板端辺に引き出し、その先端に結合用導体２１を設ける。さらに、導体ブロックの導波管１４内にその結合用導体２１を配置することでサスペンデッドラインアンテナを構成し線路変換を可能にする。なお、場合によって平面回路は保護キャップにより覆う。【００２５】
図２に線路変換器１１の構成を示す。図２（Ｂ）は、上導体ブロック１２の平面図である。そして図２（Ａ）は、マイクロストリップライン１８側から見た各導体ブロック１２，１３の背面図（（Ｂ）で示すＡ方向から見た図）であり、図２（Ｃ）は、導波管１４側から見た各導体ブロック１２，１３の正面図（（Ｂ）で示すＣ方向から見た図）であり、る。また図２（Ｄ）は、（Ｂ）で示すＤ方向から見た各導体ブロック１２，１３の右側面図である。【００２６】
本実施形態では、アルミナなどのセラミックからなる誘電体基板１５の端辺を、（Ｂ），（Ｄ）に示すように、上導体ブロック１２と下導体ブロック１３との中ほどにまで挿入するように配置し、誘電体基板１５の上面側を上導体ブロック１２で、誘電体基板１５の下面を下導体ブロック１３で挟み込むように配置して、線路変換器１１を構成している。【００２７】
また、上導体ブロック１２は、保護キャップとの接触を防ぐためのキャップ逃げ部２２を備えている。キャップ逃げ部２２は、上導体ブロック１２の誘電体基板側を除去するように構成している。このキャップ逃げ部２２によりチョーク用溝部１９Ａ，１９Ｂが寸断されている。これにより保護キャップによって電子部品や配線素子の耐湿性，耐塵性などを向上させる場合であっても、線路変換器１１全体の小型化が可能になる。【００２８】
また（Ｄ）に示すように下導体ブロック１３は、誘電体基板１５をはめ合わせるための段差を備えている。この段差部分に誘電体基板１５を接着し、上導体ブロック１２をさらにその上に接着して線路変換器１１を構成するが、これらの接着には、例えば導電性接着剤などを用いる。【００２９】
また（Ａ）に示すように、誘電体基板１５には接地導体１７Ａと線路導体１６とからなるマイクロストリップライン１８を設けている。また、下導体ブロック１３には線路用溝２０を設けており、上導体ブロック１２にはチョーク用溝１９Ａ，１９Ｂを設けている。【００３０】
また（Ｃ）に示すように、上導体ブロック１２に設けた上導波管用溝１４Ａと下導体ブロック１３に設けた下導波管用溝１４Ｂとによって導波管１４を構成している。ここでは、導波管１４内に何ら充填しない空洞導波管の構造を示しているが、導波管１４内に誘電体を充填した誘電体充填導波管（ＤＦＷＧ）を用いてもよい。【００３１】
図３に、線路変換器１１の断面図を示す。図３（Ａ）は、誘電体基板１５の上面側（図で示すＡ−Ａ′部分）を見た断面図である。図３（Ｃ）は、誘電体基板１５の下面側（図で示すＣ−Ｃ′部分）を見た断面図である。また、図３（Ｂ）は図で示すＢ−Ｂ’部分の断面図であり、図３（Ｄ）は同じく図で示すＤ−Ｄ’部分の断面図である。【００３２】
導波管１４は上導波管用溝１４Ａと下導波管用溝１４Ｂからなり、上導波管用溝１４Ａは、（Ａ）に示すように先端が上導体ブロック１２に中央付近で終端するように形成している。また、下導波管用溝１４Ｂは（Ｃ）に示すように下導体ブロック１３の中央付近で屈曲するように形成している。上導波管用溝１４Ａと下導波管用溝１４Ｂとは、その輪郭線が一致するように形成しており、下導波管用溝１４Ｂの湾曲部分および上導波管用溝１４Ａの終端部分が導波管１４の終端部分となる。【００３３】
この導波管１４では、上導体ブロック１２および下導体ブロック１３の境界面に平行な面（図３（Ａ），（Ｃ）に示す面と平行な導体面）がＥ面（伝搬する電磁波のモードであるＴＥ１０モードの電界に対して平行な導体面）となり、上導体ブロック１２および下導体ブロック１３の境界面に垂直で、導波管１４の電磁波伝搬方向に平行な面（図３（Ｄ）に示す面と平行な面）が導波管のＨ面（伝搬する電磁波のモードであるＴＥ１０モードの電界に対して垂直な導体面）となるように、その寸法を設定している。【００３４】
また、（Ｄ）に示す下導体ブロック１３に設けた段差部分には誘電体基板１５を嵌め合わせるが、その段差部分の中央にさらに凸部分を設け、誘電体基板１５の端縁に設けた凹み部分Ｑ（図３（Ａ），図３（Ｃ）に示す中央の凹み。）に嵌め合わせる。これにより、当該下導体ブロック１３と誘電体基板１５との位置合わせが容易なものになり、高い位置精度で下導体ブロック１３と誘電体基板１５とを嵌め合わせることができる構造となっている。【００３５】
このように、下導体ブロック１３に設けた段差に誘電体基板１５を嵌め合わせるとともに、上導体ブロック１２を重ねる構成により、導波管１４のＥ面に平行で且つ導波管１４（下導体ブロック１３と上導体ブロック１２との間）の略中央位置に、一方のＨ面から他方のＨ面に亘るように誘電体基板１５を配置している。【００３６】
なお、誘電体基板１５の端辺の凹み部分は、誘電体基板１５の製造工程において、ウェハに設けた長円形の穿孔を切断して、ウェハから誘電体基板１５を切り出すことにより形成したものであり、長円形の穿孔は電極パターンの誘電体基板１５端辺からの寸法精度を高めるためのものである。このようにして誘電体基板１５の端辺の凹み部分を切断してウェハを切り出したことにより、ウェハ切り出しの加工精度によらずに、後述する線路導体１６および接地導体非形成領域Ｍの基板端辺からの寸法の精度を高め、安定した高周波特性を実現している。【００３７】
また、マイクロストリップライン１８は、誘電体基板１５の下面に設けた線路導体１６と、その上面に設けた接地導体１７Ａから構成している。接地導体１７Ａは、誘電体基板１５の上面の略全面に設けており、下面の接地導体１７Ｂとスルーホール（図示していない。）を介して導通するように構成している。マイクロストリップライン１８の端部には線路導体１６の先端を接地導体１７Ａより延長するようにし、矩形の電極パターンを設けて結合用導体２１としている。この結合用導体２１は前述の導波管１４の終端部分に配置し、結合用導体２１から延長する線路導体１６の部分は導波管１４に垂直になるように配置している。また、線路導体１６は線路用溝２０の略中心に沿うように構成し、導波管１４から所定寸法だけ離れた位置で屈曲するように構成している。【００３８】
また、線路導体１６に対面する下導体ブロック１３には、線路用溝２０を設けている。線路用溝２０により、マイクロストリップライン１８の線路導体１６側に所定の空間が設けられることになり、マイクロストリップライン１８の電磁波が下導体ブロック１３によって遮断させることが無いようにしている。この線路用溝２０は、（Ｃ）に示すように下導波管用溝１４Ｂに連続するように構成している。連続部分は前記したように下導体ブロック１３の中央付近で湾曲するように形成している。【００３９】
マイクロストリップライン１８先端の結合用導体２１は、導波管１４内の終端部分に配置しており、図３（Ａ）に示すように接地導体１７Ａを設けていない領域Ｎを形成している。またさらに、前記領域Ｎと連続させて、マイクロストリップライン１８の線路導体１６と平行に所定寸法だけ、線路導体１６よりも導波管１４の終端部分に近づけて配置したスリット状の接地導体非形成領域Ｍ（この領域Ｍが本発明の接地導体非形成部である。）を設けている。また、領域Ｎに対向する誘電体基板１５下面の位置には、線路導体１６の先端のみを設けた領域Ｐを形成している。【００４０】
このマイクロストリップライン１８の先端の結合用導体２１と電極を設けていない領域Ｐ，Ｎを導波管１４の内部の所定位置に配置することにより、導波管１４の終端部分の導体と結合用導体２１と誘電体基板１５とで、サスペンデッドラインアンテナを構成している。なお、このサスペンデッドラインアンテナにより、導体ブロックに設けた導波管１４のモードと、誘電体基板１５に設けたマイクロストリップライン１８のモードとを結合させている。【００４１】
単に導体ブロック１２，１３を誘電体基板１５に重ね合わせた状態では、その界面に生じる隙間が不連続部となり、誘電体基板１５を挟む上面の接地導体１７と上導体ブロック１２との隙間による平行平板間に平行平板モードなどのスプリアスモードが生じ、そのスプリアスモードの電磁波が隙間から漏れようとする。そこで本実施形態ではチョーク用溝１９Ａ，１９Ｂおよび接地導体非形成領域Ｍにより、隙間から漏れようとするスプリアスモードの電磁波を遮断している。【００４２】
チョーク用溝１９Ａ，１９Ｂの形状はスプリアスモードの電磁波を効果的に遮断できるように適宜設計したものであり、前記導波管１４の終端部分から所定寸法だけ離れて囲う位置に配置している。また、当該所定寸法は概ね導波管内での電磁波自由空間波長の１／４から大きく外れないような寸法としている。【００４３】
そのため、導体ブロック１２，１３および誘電体基板１５を重ね合わせた状態で、その界面に生じる隙間から漏れようとする電磁波の一部がこのチョーク用溝１９Ａ，１９Ｂの空間で開放される。すなわち、図３の（Ａ）において導波管１４の終端部分とチョーク用溝１９Ａ，１９Ｂで示す部分との間隔が伝搬波長の略１／４となる間隔寸法であるため、チョーク用溝１９Ａ，１９Ｂの端辺部分が開放端となり、導波管１４の終端部分が等価的に短絡端となる。これにより、隙間からの放射損失を抑制するとともに、接地導体にグランド電流がよりスムーズに流れるようにしている。【００４４】
また接地導体非形成領域Ｍは、その長手方向が前述の線路導体１６と略平行であり、その長手方向の寸法が導波管１４を伝搬する高周波信号の１／４波長に相当する長さと略等しく設定している。これにより、接地導体に沿って流れるスプリアスモードの電磁波を遮断する。また、その長さを伝搬信号の１／４波長に相当する長さとすることで、この領域Ｍのチョーク用溝１９Ａ側の先端周辺の導体をより確実に短絡させ、それによって導波管の終端部分を等価的に開放させる。このようにして、隙間からの放射損失を抑制するとともに、接地導体にグランド電流がよりスムーズに流れるようにしている。なお、この接地導体非形成領域Ｍは、線路導体１６から所定距離だけ離れた片脇にのみ配置してもよく、両側に配置してもよい。【００４５】
次に、所定の設計例についてシミュレーションした結果を図４〜図７を基に説明する。なお、シミュレーションにおいては、接地導体１７Ａと上導体ブロック１２との間の隙間に生じるスプリアスモードの電磁波によって、それぞれの導体表面に生じる表面電流の強度分布を求めた。
図４は、導波管１４とマイクロストリップライン１８との線路変換の様子を示す３次元電磁界解析シミュレーションに用いた配線パターンを示している。また図５は、シミュレーションの結果得られた接地導体１７Ａの表面電流の強度分布を示す図である。また図６は、シミュレーションの結果得られた上導体ブロック１２の表面電流の強度分布を示す図である。また、図４〜図６において、それぞれ（Ａ）はチョーク用溝のみを設けた場合を示しており、（Ｂ）はチョーク用溝に加え接地導体非形成領域Ｍを設けた場合を示している。また、図７は接地導体非形成領域Ｍの長手方向の寸法（スリット長さ）を変化させた場合の電力損失の変化を示す図である。【００４６】
図５の（Ａ），（Ｂ）を対比すれば明らかなように、接地導体非形成領域Ｍによって接地導体１７Ａの表面電流が遮断されている。また、図６の（Ａ），（Ｂ）を対比すれば明らかなように、上導体ブロック１２の導体表面においても、表面電流が前記領域Ｍに対向する位置より先には生じなくなっている。【００４７】
このことは、接地導体非形成領域Ｍによってスプリアスモードの電磁波が抑制され、その電磁波によって導体表面に励起される表面電流が抑制されたことによる。このように接地導体非形成領域Ｍによって効果的にスプリアスモードの電磁波を抑制することができる。【００４８】
また、図７は、７６ＧＨｚ帯の電磁波に対して好適に設計した場合のスリット長さと電力損失（伝送損失）の変化を示した図である。この７６ＧＨｚ帯の電磁波は自由空間波長が約４．０ｍｍであり、その１／４波長は約１．０ｍｍとなる。シミュレーションにおけるスリット長さの最適値は、周辺の誘電体や導体による波長短縮効果により、１／４波長より若干短い０．８ｍｍとなる。スリット長さを０．０ｍｍとした場合と比べると、スリット長さを０．８ｍｍとした場合には、明らかに電力損失が抑制できている。このことは、前述のようにスプリアスモードの電磁波を抑制できたことと、導波管表面導体がより確実に短絡できることによる。【００４９】
以上に示したように、接地導体非形成領域Ｍを、チョーク用溝部のみでは充分にスプリアスモードの電磁波を抑制できない箇所や、チョーク用溝部を設けることができず電磁波が漏れてしまう箇所などに設けることで、効果的にスプリアスモードの電磁波を抑制することができ、導波管と平面回路（マイクロストリップライン）との結合状態を改善できる。また、そのスリット長さを適切に設定することで効果的に伝送損失を抑制できる。【００５０】
また、チョーク用溝部を、導波管の終端部分の全体を囲うように、例えばコの字状に設ける必要がなくなるため、導体ブロックを小型化でき、従来より小型で伝送損失を抑制した線路変換器を提供できる。【００５１】
なお、導波管としては上記した空洞導波管以外にも、誘電体充填導波管や、平行な導体平面間に誘電体ストリップを挟み込んだ構造をとる誘電体線路、特に非放射性誘電体線路などを構成してもよい。【００５２】
次に、線路変換器の変形例について、図８を参照して説明する。
図８（Ａ）に示す変形例のように、誘電体基板２５の接地導体２７Ａに設けた接地導体非形成領域Ｍは、その幅方向の寸法を大きくし、線路導体２６の対向する位置にまで接地導体非形成領域Ｍを広げたような形状であってもよく、接地導体２７Ａがマイクロストリップラインのグランドとして動作する範囲であればどのような形状でもよい。【００５３】
また、図８（Ｂ）に示す変形例のように、誘電体基板３５の接地導体３７Ａに設けた接地導体非形成領域Ｍは、線路導体３６とは反対の方向に広げるように設けてもよく、この場合には、図８（Ａ）に示した変形例よりもグランド面が大きく確保できるためにマイクロストリップラインのインピーダンスに対するずれが抑制できる。【００５４】
また、図８（Ｃ）に示す変形例のように、導体ブロック４２の導波路４４の終端部分を囲う位置には、誘電体基板４５のマイクロストリップラインを設けた側にのみチョーク用溝４９を設けるように構成してもよい。このような構成であっても、スプリアスモードの電磁波を抑制することができ、導波管と平面回路（マイクロストリップライン）との結合状態を改善できる。【００５５】
次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の構成について、図９を参照して説明する。
図９は高周波モジュールおよび通信装置の送受信部の構成を示すブロック図である。
図９において、ＡＮＴは送受信アンテナ、Ｃｉｒはサーキュレータ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮはシンセサイザ、ＩＦは中間周波信号である。【００５６】
ＭＩＸａは入力されたＩＦ信号と、ＳＹＮから出力された信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａは、これを電力増幅してＣｉｒを介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＣｉｒから取り出した受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂはＳＹＮから出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして中間周波信号ＩＦを出力する。【００５７】
図９に示した増幅回路ＡＭＰａ，ＡＭＰｂ部分には、第１の実施形態で示した構造の線路変換器を備えた高周波部品を用いる。すなわち、伝送線路として誘電体充填導波管や空洞導波管を用い、誘電体基板に増幅回路を構成した平面回路を用いる。このように増幅回路と線路変換器を含む高周波部品を使用することにより、低損失で通信性能に優れた高周波モジュールおよび、その送受信部に高周波モジュールを用いた低損失で通信性能に優れた通信装置を構成する。【００５８】
なお、図示する構成に、さらに符号化・復号化回路、同期制御回路、変調器、復調器、およびＣＰＵなどから成る信号処理回路に接続して高周波モジュールおよび通信装置を構成してもよい。そのような構成であっても、本発明の線路変換器を電磁波の送受信部に備えることで、低損失で通信性能に優れた通信装置を構成することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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