(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光強度を検出するステップと、
検出された発光強度の変化量を算出するステップと、
発光強度の変化量が発光強度と記憶部に予め記憶されているガードレベルより大きいと判断され、その後発光強度変化量が一定となったら処理時間を読み込むステップと、
処理時間と予め記憶部に記憶されている検知最小時間を比較するステップと、
処理時間が前記検知最小時間を経過されたとき、アッシング処理を終了するステップと、
を有する基板処理方法。
【請求項２】
処理時間をカウントし、検知最小時間を経過したか否か判断するステップと、
前記処理時間が検知最小時間を経過したとき、発光強度を検出するステップと、
検出された発光強度の変化量を算出するステップと、
検出された発光強度が記憶部に予め記憶されているガードレベルより大きいと判断され、その後、発光強度変化量が一定となったら、アッシング処理を終了するステップと、
を有する基板処理方法。
【請求項３】
処理時間と検知最小時間を比較した後、処理時間が検知最小時間に達していないときは、表示部に誤検知であることを表示するステップをさらに有する請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
処理ガスを供給するガス供給部と、
プラズマを生成するプラズマ発生部と、
プラズマにより、ウエハホルダに搭載されたウエハを処理する処理室と、
表示部と、
処理時間をカウントするタイマと、
発光強度測定部と、
発光強度測定部が検出した発光強度の変化量と記憶部に事前に記憶されたガードレベルと比較し、発光強度の変化量がガードレベルより大きいと判断され、その後発光強度変化量が一定となったら、処理時間を読み込み、処理時間と予め記憶部に記憶されている検知最小時間を比較し、処理時間が検知最小時間を越えたとき、プラズマ処理を終了するよう制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項５】
前記表示部はタッチパネルを有し、このタッチパネルから操作者の指示がなされる請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
供給されるガスは、酸素含有ガスである請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記表示部は、処理時間と検知最小時間を比較した結果を表示する請求項４記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等に用いられる基板の処理方法、特にプラズマを用いて基板表面のアッシングを行なうのに適した基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイス等の製造においては、フォトレジストをウエハ表面に塗布した後、フォトマスクに描かれたパターンを転写してウエハ表面にレジストパターンを形成される。続いて、レジストパターンにしたがって、ウエハ表面を選択的にエッチングして微細なパターンを形成したり、埋め込み電極を作成する際に必要な不純物を選択的に注入したりするなどの処理が行なわれる。そして、不要になったフォトレジストを除去するため酸素プラズマなどで灰化除去、いわゆるアッシング処理が行なわれる（特許文献１）。【０００３】
このアッシング処理において、プラズマの発光強度を光センサにより検出し、該発光強度の変化量の大きさからウエハ上の全てのレジストがアッシングされたこと（エンドポイント）を検知するものが知られている。【０００４】
【特許文献１】特開平７−１５３７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の技術においては、ウエハ上の全てのレジストが除去される前に発光強度変化量の突発的な変化が検出された場合であっても、エンドポイントであると誤検知してアッシング処理を終了し、レジストが完全に除去されていないウエハ、すなわち不良品を後工程に流すおそれがあった。【０００６】
本発明は、上記従来の問題を解消し、アッシング処理のエンドポイントを正確に認識することにより、生産性の向上を実現する基板の処理方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の特徴とするところは、発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、発光強度の変化量が発光強度と記憶部に予め記憶されているガードレベルより大きいと判断され、その後発光強度変化量が一定となったら処理時間を読み込むステップと、処理時間と予め記憶部に記憶されている検知最小時間を比較するステップと、処理時間が前記検知最小時間を経過されたとき、アッシング処理を終了するステップと、を有する基板処理方法にある。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、検知されたエンドポイントと所定時間とを比較するステップと、比較した結果を表示するステップとを有するので、エンドポイントを正確に認識することが可能となる。したがって、エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止し、もって生産性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るアッシング処理装置の縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るアッシング処理装置を示し、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るアッシング処理装置のコントローラの周辺構造を説明するブロック図である。
【図５】本発明の実施形態に係るアッシング処理のレシピ設定データを説明する表である。
【図６】本発明の実施形態に係るアッシング処理装置のコントローラに用いられる発光強度及び発光強度変化量を示し、（ａ）は通常時、（ｂ）は異常時を説明するグラフである。
【図７】本発明の実施形態に係るアッシング処理装置により実施されるエンドポイント検知処理を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００１０】
２００  アッシング処理装置
２１５  発光強度測定器
２３２  コントローラ
２３２ａ  ＣＰＵ
２３２ｄ  算出部
２３２ｅ  検知部
２３４ａ  表示画面
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
まず、本発明にかかる処理方法が適用される基板処理装置１００を図１に基づいて説明する。
図１に示す前後左右は、以下の説明の前後左右に対応する。
なお、基板処理装置１００においては、ウエハなどの基板を搬送するキャリアとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod；ポッド）が使用される。【００１２】
図１に示すように、基板処理装置１００は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るような構造に構成された第１の搬送室としての第１のトランスファーチャンバ１０２を備えており、第１のトランスファーチャンバ１０２の筐体１０４は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。この第１のトランスファーチャンバ１０２には、負圧下でウエハを移載する第１のウエハ移載機１０６が設置されている。【００１３】
筐体１０４の六枚の側壁のうち、前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室としての第１のロードロックチャンバ１０８と搬出用の予備室としての第２のロードロックチャンバ１１０とがそれぞれゲートバルブ（図示省略）を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得るような構造に構成されている。さらに、第１のロードロックチャンバ１０８には搬入室用の基板置き台１１２が設置され、第２のロードロックチャンバ１１０には搬出室用の基板置き台１１４が設置されている。【００１４】
第１のロードロックチャンバ１０８及び第２のロードロックチャンバ１１０の前側には、略大気圧下で用いられる第２の搬送室としての第２のトランスファーチャンバ１１６が、ゲートバルブ（図示省略）を介して連結されている。第２のトランスファーチャンバ１１６にはウエハを移載する第２のウエハ移載機１１８が設置されている。この第２のウエハ移載機１１８は、リニアアクチュエータ１２０によって左右方向に往復移動させられる。【００１５】
第２のトランスファーチャンバ１１６の筐体１２２には、ウエハを第２のトランスファーチャンバ１１６に対して搬入および搬出するためのウエハ搬入搬出口（図示省略）と、ポッドオープナ（図示省略）とを備える。ポッドオープナは、ＩＯステージ１２４に載置されたポッド１２６のキャップを開閉することにより、ポッドのウエハの出し入れが可能となる。また、ポッド１２６は、工程内搬送装置（ＲＧＶ；図示省略）によりＩＯステージ１２４に供給および排出される。【００１６】
筐体１０４の六枚の側壁のうち、背面側に位置する二枚の側壁には、ウエハに所望の処理を行なう第１の処理炉としてのプロセスチャンバ２０２と、第２の処理炉としてのプロセスチャンバ１２８とが隣接して連結される。【００１７】
次に、アッシング処理装置２００に用いられるプロセスチャンバ２０２を図２及び３に基づいて説明する。
なお、説明の具体化および明確化のために、基板処理装置１００の第１の処理炉としてのプロセスチャンバ２０２の構成を説明するが、その他の処理炉の構成も同様である。【００１８】
図２に示すように、アッシング処理装置２００は、上述したプロセスチャンバ２０２、ガス導入路２０４、プラズマ発生器２０５、処理室２０８、ウエハホルダ２１０、ガス排出路２１２を有する。プロセスチャンバ２０２は、例えば高純度の石英ガラスからなり、頂部が略ドーム状である円筒形状に形成され、且つ内部を減圧可能に構成されている。このプロセスチャンバ２０２の頂部の中央にはプラズマ用のガスを導入するための細管が一体的に設けられている。ガス導入路２０４は、プロセスチャンバ２０２に形成された細管に接続され、チャンバ２０２内にプラズマ用ガス等の処理ガスを導入するようになっている。このガス導入路２０４には、ガス供給装置２０３が接続されており、このガス供給装置２０３は、流量制御装置（ＭＦＣ：マスフローコントローラ）２０３ａ、バルブ２０３ｂ及びガス供給源（図示省略）を有し、原料ガスやパージガス等の処理ガスＡ、Ｂをガス導入路２０４に供給する。処理室２０８は、プロセスチャンバ２０２の下方に該プロセスチャンバ２０２と連続的に設けられている。ウエハホルダ２１０は、処理室２０８内に設けられ、搬入されたウエハ２１４を略水平に保持するようになっている。ガス排出路２１２は、処理室２０８の下部に設けられ、処理室２０８内のガスを排出するようになっている。【００１９】
アッシング処理装置２００は、略水平なベースを備えた架台２１６を利用して組み立てられており、プロセスチャンバ２０２は、その軸線を鉛直方向に向けて架台２１６のベース上に搭載される。このプロセスチャンバ２０２は、外観的には各種の態様とすることができ、少なくとも底面が開放され、拡径された底面周縁を該プロセスチャンバ２０２に外嵌するフランジ２１８によって係止される。【００２０】
プラズマ発生器２０５は、高周波共振コイル２０６と高周波電源２０７とを有する。高周波共振コイル２０６は、印加される電力や磁界強度または装置の外形などを勘案し、有効太さが５０〜３００ｍｍ２程度、コイル直径が２００〜４５０ｍｍ程度に形成され、プロセスチャンバ２０２の外周側に２〜６０回程度巻回される。この高周波共振コイル２０６は、複数のサポートによって支持され、これらのサポートは、樹脂などの絶縁性部材から平板状に形成され、フランジ２１８の上端面に鉛直方向に立設されている。【００２１】
また、高周波共振コイル２０６は、共振モードにより、その一端または両端が後述する外部シールド２２０に整合コンデンサ（図示省略）を介して接続される。高周波共振コイル２０６の共振には、１／４波長または１／２波長の共振モードが選択される。さらに、高周波共振コイル２０６には高周波電源２０７へ接続するためのタップが設けられている。このタップの配設位置は、高周波共振コイル２０６と高周波電源２０７の共振特性が略等しくなるように調整可能となっている。高周波電源２０７は、高周波発生器２０７ａと増幅器２０７ｂとを有し、例えば１〜１００ＭＨｚ程度の高周波電力を１〜５ＫＷ程度で供給するようになっている。この高周波共振コイル２０６の磁界成分によってプロセスチャンバ２０２内のガスを励起するようになっている。【００２２】
外部シールド２２０は、例えばアルミニウム等の導電性部材により円筒形状に形成され、高周波共振コイル２０６の外周側に設けられており、一端が電気的に接地され、高周波共振コイル２０６によって発生する電界を遮蔽するようになっている。【００２３】
シールド部材２２２は、高周波共振コイル２０６とプロセスチャンバ２０２との間に配設され、高周波共振コイル２０６の電界成分を遮蔽するようになっている。このシールド部材２２２は、アルミニウム等の導電性材料により円筒状に形成され、プロセスチャンバ２０２の外周面から所定隙間を隔てて該プロセスチャンバ２０２と同心円状に配置し得る程度の直径となっており、フランジ２１８の端面上に搭載され、外部シールド２２０の上蓋側に係止されている。また、シールド部材２２２には、その軸線と平行に複数のスリットが設けられており、このスリットは２〜１０ｍｍ程度の間隙で形成され、該シールド部材２２２の周方向に５〜１００ｍｍ程度のピッチで設けられている。なお、シールド部材２２２は、外部シールド２２０を介して電気的に接地されている。【００２４】
処理室２０８は、短軸の略有底円筒状に形成され、架台２１６の水平なベースの下面に吊持されている。この処理室２０８は、架台２１６に形成された第１の開口部２１６ａ及び該処理室２０８の天板に形成された第２の開口部２０８ａを通じ、プロセスチャンバ２０２の開口底面に連続するよう設けられている。また、処理室２０８の周面にはゲートバルブ２２４が設けられ、該ゲートバルブ２２４を通じてウエハ２１４の搬入及び搬出が行なわれる。また、処理室２０８の側壁の一部には、発光強度測定器２１５が配設されており、処理室２０８内にて発生するプラズマの発光強度を検出（測定）するようになっている。【００２５】
発行強度測定器２１５は、ウエハ２１４の直上を検出することで、より正確にエンドポイントを検出することができる。従って、発行強度測定器２１５は、高さ方向で、チャンバ下部からウエハホルダ２１０の間に設けられていることが望ましい。さらには、ウエハ２１４と同等の高さに発行強度測定器２１５を設けることが望ましい。ウエハ２１４と同等の高さに設けることで、より確実にウエハ２１４の処理状態を検出することができるためである。【００２６】
ウエハホルダ２１０は、短軸円柱状に形成され、上端面にウエハ２１４が搭載されるホルダブロック（サセプタ）２１０ａと該ホルダブロック２１０ａを支持する支柱２１０ｂとから構成されている。ホルダブロック２１０ａは、一般に用いられる電磁チャックを備えている。支柱２１０ｂは、後述するステー２２６上に立設され、処理室２０８の底板に設けられた第２の開口部２０８ａに摺動自在に挿通されるようになっている。ステー２２６は、正逆回転可能なサーボモータ等の駆動手段（図示省略）に付設されたボールネジ２２８によって昇降可能に構成されている。ホルダブロック２１０ａは、処理室２０８内から第２の開口部２０８ａ、第１の開口部２１６ａを経てプロセスチャンバ２０２の略底面に至る位置の間を昇降するように構成されている。また、ホルダブロック２１０ａの下端面と処理室２０８の底板との間には、処理室２０８内を外部から遮断するための伸縮自在なベローズが配設されている。【００２７】
ガス排出路２１２は、処理室２０８においてウエハホルダ２１０よりも下方に接続されていればよく、例えば処理室２０８の底板に接続されている。このガス排出路２１２には、真空ポンプ２１３を含む排気装置が接続され、プロセスチャンバ２０２及び処理室２０８の内部は、処理室２０８の底板に設けられた孔２０８ｂ、該ガス排出路２１２を通じて減圧可能となっている。【００２８】
図３にも示すように、多孔板２３０は、処理室２０８のウエハホルダ２１０の外周側に配置され、処理室２０８を上下に仕切るように設けられている。多孔板２３０に開口された孔２３０ａは、３〜３０ｍｍ程度の直径に形成され、ウエハホルダ２１０の周方向に沿って略均等に配置されている。この多孔板２３０を配置した場合には、ガス排出路２１２に吸引されるラジカルの流れを均一に分散させることができ、ウエハ２１４表面のレジストをより均一にアッシングすることができる。【００２９】
コントローラ２３２は、アッシング処理装置２００を構成する各部材の動作等を制御する制御手段として用いられる。【００３０】
基板処理装置１００及びアッシング処理装置２００による処理を説明する。
未処理の（レジストの塗布された）ウエハは２５枚がポッド１２６に収納された状態で、工程内搬送装置により、処理工程を行なう基板処理装置１００へ搬送される。搬送されてきたポッド１２６は、ＩＯステージ１２４上に工程内搬送装置から受け渡されて載置され、ポッド１２６のキャップがポッドオープナにより開放される。【００３１】
ポッド１２６が開放されると、第２のトランスファーチャンバ１１６に設置された第２のウエハ移載機は、ポッド１２６からウエハをピックアップし、第１のロードロックチャンバ１０８に搬入し、ウエハを基板置き台１１２に移載する。この移載作業の間、第１のトランスファーチャンバ１０２側のゲートバルブは閉じられており、第１のトランスファーチャンバ１０２の負圧は維持される。ウエハの基板置き台１１２への移載が完了すると、ゲートバルブが閉じられ、第１のロードロックチャンバ１０８が負圧に排気される。【００３２】
第１のロードロックチャンバ１０８が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブが開かれ、第１のロードロックチャンバ１０８、第１のトランスファーチャンバ１０２及びプロセスチャンバ２０２が連通される。次に、第１のトランスファーチャンバ１０２の第１のウエハ移載機１０６は、基板置き台１１２からウエハをピックアップしてプロセスチャンバ２０２内のウエハホルダ２１０上に搬入する。次に、プロセスチャンバ２０２内に処理ガスが供給され、所望の処理がウエハに対して行なわれる。なお、プロセスチャンバ２０２における処理は、さらに後述される。【００３３】
プロセスチャンバ２０２で処理が完了すると、処理済のウエハは、第１のトンランスファーチャンバ１０２の第１のウエハ移載機１０６により、第１のトランスファーチャンバ１０２に搬出される。第１のウエハ移載機１０６が、プロセスチャンバ２０２から搬出したウエハを第２のロードロックチャンバ１１０へ搬送し、基板置き台１１４に移載すると、第２のロードロックチャンバ１１０はゲートバルブによって閉じられる。【００３４】
第２のロードロックチャンバ１１０がゲートバルブによって閉じられると、第２のロードロックチャンバ１１０内が不活性ガスにより、ほぼ大気圧に戻される。第２のロードロックチャンバ１１０内がほぼ大気圧に戻されると、ゲートバルブが開かれ、ＩＯステージ１２４に載置された空のポッド１２６のキャップがポッドオープナによって開かれる。次に、第２のトランスファーチャンバ１１６の第２のウエハ移載機１１８は、基板置き台１１４からウエハをピックアップして第２のトランスファーチャンバ１１６に搬出し、ポッド１２６に収納してゆく。以上の作動が繰り返されることにより、基板処理装置１００により、ウエハが順次処理される。【００３５】
処理済の２５枚のウエハのポッド１２６への収納が完了すると、ポッド１２６のキャップがポッドオープナによって閉じられる。閉じられたポッド１２６は、ＩＯステージ１２４の上から、次の工程へと工程内搬送装置によって搬送される。【００３６】
次に、本発明のアッシング処理装置２００のプロセスチャンバ２０２における処理をさらに説明する。
なお、ここでは、説明の具体化および明確化のために、第１の処理炉としてのプロセスチャンバ２０２における処理について説明するが、基板処理装置１００のその他の処理炉における処理も同様である。【００３７】
処理室２０８内にレジストの塗布されたウエハ２１４が搬入され、ウエハホルダ２１０上に保持されると、真空ポンプ２１３の駆動により、ガス排出路２１２を通じて排気され、プロセスチャンバ２０２及び処理室２０８の内部が１０〜２００ｍＴｏｒｒ程度の圧力まで減圧される。【００３８】
続いて、ガス供給装置２０３及び高周波電源２０７を作動させる。より具体的には、ガス供給源（図示省略）からの流量をＭＦＣ２０３ａにより調整するとともに真空ポンプ２１３により排気量を調整し、プロセスチャンバ２０２内の真空度を例えば５０ｍＴｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ程度の圧力に維持しつつ、ガス供給装置２０３により酸素（Ｏ２）等のプラズマ用ガスをプロセスチャンバ２０２内へ供給する。続いて、高周波電源２０７により高周波共振コイル２０６に高周波電力を印加し、高周波共振コイル２０６の周に電界と磁界を発生させる。【００３９】
その際、高周波共振コイル２０６とプロセスチャンバ２０２との間に配設されたシールド部材２２２により高周波共振コイル２０６の電界成分を遮蔽し、プロセスチャンバ２０２に対してその軸線方向に電界成分を印加させる。これにより、プロセスチャンバ２０２内に供給された気体がプラズマ化される。このとき、処理室２０８の側壁の一部に配設された発光強度測定器２１５により処理室２０８内で発生するプラズマの発光強度を測定する。コントローラ２３２がウエハ２１４上の全てのレジストが除去（アッシング）されたと判定するとアッシング処理を終了する。処理済みのウエハ２１４は、第１のウエハ移載機１０６によりゲートバルブ２２４を介して処理室２０８から搬出される。【００４０】
次に、コントローラ２３２の機能構成を図４及び５に基づいて説明する。
コントローラ２３２は、プラズマ発生器２０５、発光強度測定器２１５、真空ポンプ２１３、ＭＦＣ２０３ａ、バルブ２０３ｂ及び入力表示手段としてのタッチパネル２３４等に接続されており、発光度測定器２１５より出力される測定データを受信し、プラズマ発生器２０５、真空ポンプ２１４、ＭＦＣ２０３ａ、バルブ２０３ｂ及びタッチパネル２３４の動作を制御するようになっている。【００４１】
タッチパネル２３４は、表示画面２３４ａを有し、作業者（オペレータ）からのレシピ設定データ等の入力指示を受付けるようになっている。図５に示すように、タッチパネル２３４は、例えば高周波（ＲＦ）電力値（Ｗ）、圧力値（ｍＴｏｒｒ）、供給するガスのガス流量値（ｓｃｃｍ）、処理時間（ｓｅｃ）、後述するガードレベル、材料高（ｍｍ）、サセプタ温度（℃）及び所定時間としてのエンドポイント検知最小時間（ｓｅｃ）等のレシピ設定データを受け付ける。タッチパネル２３４は、これら作業者により入力されたレシピ設定データをコントローラ２３２に出力し、また、コントローラ２３２から出力されたデータ等を表示画面２３４ａに表示するようになっている。【００４２】
次に、コントローラ２３２におけるエンドポイントの検知方法について図４及び５に基づいて説明する。【００４３】
図４に示すように、コントローラ２３２は、ＣＰＵ２３２ａ、ＲＡＭ２３２ｂ、入力部２３２ｃ、算出部２３２ｄ及び検知部２３２ｅを有する。ＣＰＵ２３２ａは、装置全体の動作を制御し、ＲＡＭ２３２ｂは、入力部２３２ｃを介して入力された発光強度測定器２１５から出力されたデータやタッチパネル２３４より出力されたレシピ設定データ等を格納する。また、算出部２３２ｄは、ＲＡＭ２３２ｂに格納されたデータに基づいて発光強度の変化量を算出し、検知部２３２ｅは、算出部２３２ｄにより算出された結果（発光強度変化量）に基づいて後述するエンドポイントを検知するようになっている。タイマ２３２ｆは、処理時間等をカウントする。【００４４】
より具体的には、図６（ａ）に示すように、算出部２３２ｄは、入力部２３２ｃを介して入力された発光強度Ｉに基づいて、発光強度変化量Ｉｄを所定時間毎に算出する。検知部２３２ｅは、算出部２３２ｄにより算出された発光強度変化量ＩｄとＲＡＭ２３２ｂに格納されているガードレベルｖ１とを比較する。検知部２３２ｅは、発光強度変化量Ｉｄがガードレベルｖ１より大きくなった後、発光強度変化量Ｉｄがほぼ一定のレベルになったタイミングでタイマが処理時間をカウントし、その時間をエンドポイントＴｅであると検知するようになっている。【００４５】
このとき、コントローラ２３２は、エンドポイントＴｅとＲＡＭ２３２ｂに格納されているエンドポイント検知最小時間Ｔｍとを比較し、エンドポイントＴｅがエンドポイント検知最小時間Ｔｍを経過している（Ｔｅ＞Ｔｍ）場合にはアッシング処理を終了させる。一方、図６（ｂ）に示すように、コントローラ２３２は、エンドポイントＴｅ’がエンドポイント検知最小時間Ｔｍを経過していない（Ｔｅ’＜Ｔｍ）場合には、エンドポイントＴｅ’は早期誤検知であると判定し、タッチパネル２３４の表示画面２３４ａにその旨を表示するようになっている。表示することにより、操作者は確実に早期誤検知状態を把握することができる。
なお、ガードレベルｖ１及びエンドポイント検知最小時間Ｔｍは、作業者により予め設定されており、基板処理前に、タッチパネルを通してＲＡＭ２３２ｂに記憶（格納）し、もしくは事前にレシピ等に組み込ませ、ＲＡＭ２３２に記憶（格納）する。【００４６】
次に、エンドポイント検知処理Ｓ１０を図７に基づいて説明する。【００４７】
ステップＳ１００において、コントローラ２３２は、ウエハ２１４のアッシング処理が開始されると、タイマ２３２ｆで処理経過時間のカウント（処理経過時間タイマ）をスタートする。続いて、図６に示すように、発光強度測定器２１５は、処理室２０８内で発光するプラズマの発光強度を検出する。このとき、コントローラ２３２は、発光強度測定器２１５により検出されたプラズマの発光強度ＩをＲＡＭ２３２ｄに格納する。さらに、コントローラ２３２の算出部２３２ｄは、検出された発光強度Ｉに基づいて発光強度変化量Ｉｄを算出する。【００４８】
ステップＳ１０２において、コントローラ２３２は、アッシング処理における異常が発生したか否かを判定し、異常が無いと判定した場合にはステップＳ１０４の処理に移行し、異常が発生したと判定した場合にはステップＳ１１２の処理に移行する。【００４９】
ステップＳ１０４において、コントローラ２３２は、エンドポイントが検知されたか否かを判定する。より具体的には、図６に示すように、コントローラ２３２の検知部２３２ｅは、算出部２３２ｄにより算出された発光強度変化量Ｉｄとガードレベルｖ１とを比較し、発光強度変化量Ｉｄがガードレベルｖ１より大きくなった後、発光強度変化量Ｉｄがほぼ一定になったタイミングをエンドポイントＴｅと検知する。コントローラ２３２は、検知部２３２ｅによりエンドポイントが検知された場合にはステップＳ１１０の処理に移行し、エンドポイントが検知されていないと判定した場合にはステップＳ１０６の処理に移行する。【００５０】
ステップＳ１０６において、コントローラ２３２は、停止操作が行なわれたか否かを判定し、停止操作が行なわれていないと判定した場合にはステップＳ１０８の処理に移行する。一方、コントローラ２３２は、例えば作業者によりタッチパネル２３４の処理停止ボタンが押下された場合等には停止操作が行なわれたと判定し、処理を終了する。【００５１】
ステップＳ１０８において、コントローラ２３２は、タイムオーバーになったか否かを判定する。より具体的には、コントローラ２３２は、処理経過時間タイマの値が予め設定された処理時間の値よりも大きくなったか否かを判定し、大きくなった（タイムオーバー）と判定した場合にはステップＳ１１０の処理に移行し、タイムオーバーでないと判定した場合には再度ステップＳ１０２の処理に移行する。【００５２】
ステップＳ１１０において、コントローラ２３２は、エンドポイントがエンドポイント検知最小時間より短いか否かを判定する。より具体的には、図６（ｂ）に示すように、コントローラ２３２は、検知部２３２ｅに検知されたエンドポイント（例えばエンドポイントＴｅ’）と予め設定されたエンドポイント検知最小時間Ｔｍとを比較し、エンドポイントＴｅ’がエンドポイント検知最小時間Ｔｍを経過していない場合（Ｔｅ’＜Ｔｍ）にはステップＳ１１２の処理に移行する。一方、コントローラ２３２は、検知部２３２ｅに検知されたエンドポイント（例えばエンドポイントＴｅ）が予め設定されたエンドポイント検知最小時間Ｔｍを経過していると判定した場合（Ｔｍ＜Ｔｅ）にはウエハ２１４上の全てのレジストがアッシングされたと判定し、アッシング処理を終了する。
ここで、アッシング処理の終了とは、プラズマ発生器２０５を停止することをいう。即ち、高周波電源２０７から高周波共振コイル２０６への電力を停止する。また、停止と略同時に、処理ガスの供給を停止する。【００５３】
ステップＳ１１２において、コントローラ２３２は、タッチパネル２３４の表示画面２３４ａや警報ランプなどにエンドポイントとエンドポイント検知最小時間とを比較した結果、すなわちエンドポイントが誤検知された旨等のアラームを表示させる。また、アラーム表示とともに警報ブザーを鳴動させても良い。特に、異常検知の場合は、その状態であることを表示すると共に、警報ブザーの鳴動させることにより、確実に操作者に異常状態を知らせることができる。その後、ステップＳ１１４の処理に移行する。【００５４】
ステップＳ１１４において、コントローラ２３２は、作業者の操作があるか否かを判定する。より具体的には、コントローラ２３２は、作業者のタッチパネル２３４等の操作により処理継続の指示が入力された場合には再度ステップＳ１０２の処理に移行し、作業者の操作が無い場合、もしくは作業者により処理停止の指示が入力された場合には処理を終了する。【００５５】
本発明の基板処理方法によれば、検知されたエンドポイントとエンドポイント検知最小時間とを比較するステップと、比較した結果を表示するステップとを有するので、エンドポイントを正確に認識することが可能となる。したがって、エンドポイントの誤検知による処理終了を防止し、もって生産性の向上を実現することができる。【００５６】
尚、上記実施例では、発行強度変化量Ｉｄを検出し、その後検出されたエンドポイントＴｅが検知最小時間Ｔｍより短いか否かを判定している。しかしながらそれに限るものではない。例えば、まず処理時間が検知最小時間Ｔｍを経過したか否か確認する。処理時間が、検知最小時間を経過したと判断された後、発光強度変化量Ｉｄを検出し、発光強度変化量Ｉｄがガードレベルを超えた後一定となった状態、つまりエンドポイントＴｅを検出したとき、レジストがアッシングされたと判断しても良い。【００５７】
この場合、発行強度測定器２１５は、処理開始時から起動していても良いが、処理検知最小時間Ｔｍに近づいた場合に起動し、発光度を検知するようにしても良い。このように、処理検知最小時間Ｔｍに近づいてから起動することで、省電力化を図ることができる。また、処理検知最小時間Ｔｍに近づいてから初めて発光強度変化量を検出するので、常に変化量を検出することより、負荷を減らすことができる。【００５８】
表示部には、アラーム以外も表示することができる。例えば、プラズマ処理を開始してから、基板を搬入してからの処理時間を表示しても良い。また、処理検知最小時間Ｔｍを表示しても良い。これらの表示により、操作者がアッシング処理の時間経過を把握することができる。さらに、操作者がアッシング処理の終了が近づいていることを把握することができる。【００５９】
以下に、本発明の好ましい実施形態を示す。【００６０】
（第１の実施形態）
発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、算出された発光強度の変化量よりエンドポイントを検知するステップと、検知されたエンドポイントと所定時間とを比較するステップと、前記比較した結果を表示するステップと、を有する基板処理方法。この実施形態によれば、基板処理のエンドポイントを正確に認識することができる。エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止し、生産性の向上を実現することができる。【００６１】
（第２の実施形態）
エンドポイントと所定時間を比較し、エンドポイントが所定時間を経過していた場合、高周波電源からの電力供給を停止し、アッシング処理を終了するステップをさらに有する第１の実施形態記載の基板処理方法。この実施形態によれば、基板処理のエンドポイントを正確に認識することができる。エンドポイントを認識した後、確実にアッシング処理を終了することができる。【００６２】
（第３の実施形態）
発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、発光強度の変化量が発光強度と記憶部に予め記憶されているガードレベルより大きいと判断され、その後発光強度変化量が一定となったら処理時間を読み込むステップと、処理時間と予め記憶部に記憶されている検知最小時間を比較するステップと、処理時間が前記検知最小時間を経過されたとき、アッシング処理を終了するステップと、を有する基板処理方法。この実施形態によれば、予め記憶されたガードレベルや検知最小時間と比較することにより、操作者が希望する制御を確実に行なうことができる。また、検知最小時間に達する前でも発光強度変化量を検出するので、処理開始後いつでも、誤検知を確実に把握することができる。【００６３】
（第４の実施形態）
処理時間をカウントし、検知最小時間を経過したか否か判断するステップと、前記処理時間が検知最小時間を経過したとき、発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、検出された発光強度が記憶部に予め記憶されているガードレベルより大きいと判断され、その後、発光強度変化量が一定となったら、アッシング処理を終了するステップと、を有する基板処理方法。この実施形態によれば、処理検知最小時間Ｔｍに近づいてから初めて発光強度変化量を検出するので、常に変化量を検出することより、負荷を減らすことができる。【００６４】
（第５の実施形態）
処理時間と検知最小時間を比較した後、処理時間が検知最小時間に達していないときは、表示部に誤検知であることを表示するステップをさらに有する第３又は第４の実施形態記載の基板処理方法。【００６５】
（第６の実施形態）
基板を処理室へ搬入し、基板ホルダへ基板を搭載するステップと、前記処理室に処理ガスを供給した後、プラズマを発生させるステップと、発生させたプラズマの発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、算出された発光強度の変化量よりエンドポイントを検知するステップと、検知されたエンドポイントと所定時間とを比較するステップと、比較した結果を表示するステップと、プラズマ処理終了後、基板を搬出するステップと、を有する基板処理方法。この実施形態によれば、基板処理のエンドポイントを正確に認識することができる。エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止すると共に、処理後の基板搬出を確実に行なうことができるので、生産性の向上を実現することができる。【００６６】
（第７の実施形態）
前記プラズマを発生させるステップの後、基板処理時間を表示部に表示するステップをさらに有する第６の実施形態記載の基板処理方法。この実施形態によれば、操作者がアッシング処理の時間経過を把握することができる。さらに、操作者がアッシング処理の終了が近づいていることを把握することができる。【００６７】
（第８の実施形態）
基板を処理室へ搬入し、基板ホルダへ基板を搭載するステップと、酸素含有ガス供給し、プラズマを発生するステップと、酸素プラズマによりレジストを除去するステップと、酸素プラズマの発光強度を検出するステップと、検出された発光強度の変化量を算出するステップと、算出された発光強度の変化量よりエンドポイントを検知するステップと、検知されたエンドポイントと所定時間とを比較するステップと、比較した結果を表示するステップと、プラズマ処理終了後、基板を搬出するステップと、
を有する基板処理方法。この実施形態によれば、アッシング処理のエンドポイントを正確に認識することができる。エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止すると共に、処理後の基板搬出を確実に行なうことができるので、生産性の向上を実現することができる。【００６８】
（第９の実施形態）
処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ発生部と、プラズマにより、ウエハホルダに搭載されたウエハを処理する処理室と、表示部と、処理時間をカウントするタイマと、発光強度測定部と、発光強度測定部が検出した発光強度の変化量と記憶部に事前に記憶されたガードレベルと比較し、発光強度の変化量がガードレベルより大きいと判断され、その後発光強度変化量が一定となったら、処理時間を読み込み、処理時間と予め記憶部に記憶されている検知最小時間を比較し、処理時間が検知最小時間を越えたとき、プラズマ処理を終了するよう制御する制御部と、を有する基板処理装置。この実施形態によれば、基板処理のエンドポイントを正確に認識することができる。また、エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止し、生産性の向上を実現することができる。【００６９】
（第１０の実施形態）
前記表示部はタッチパネルを有し、このタッチパネルから操作者の指示がなされる第９の実施形態記載の基板処理装置。この実施形態によれば、操作者はタッチパネルにより指示を行なうことにより、確実に装置に情報を伝えることができる。【００７０】
（第１１の実施形態）
供給されるガスは、酸素含有ガスである第１０の実施形態記載の基板処理装置。この実施形態によれば、アッシング処理のエンドポイントを正確に認識することができる。エンドポイントの誤検知による処理の終了を防止し、生産性の向上を実現することができる。【００７１】
（第１２の実施形態）
前記表示部は、処理時間と検知最小時間を比較した結果を表示する第９の実施形態記載の基板処理装置。この実施形態によれば、処理時間と検知最小時間を比較した結果を表示することにより、操作者は現在の処理状況を確実に把握することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、半導体デバイス等に用いられる基板の処理方法において、生産性の向上を実現する必要があるものに利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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