(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムの基板ホルダの周囲に設けられベローズを保護するための改良されたベローズシールドであって、
内面、外面、第１の端部、及び第２の端部を具備する円筒壁と、前記第１の端部は取り付けフランジを具備し、前記取り付けフランジは、前記円筒壁の前記内面に結合されると共に前記基板ホルダと係合するように構成された内部面と、前記内部面に結合された内側半径方向面と、前記外面及び前記内側半径方向面に結合された外部面とを具備し、前記円筒壁の前記第２の端部は端面を具備し、
前記取り付けフランジは、前記取り付けフランジの前記内部面及び前記外部面に結合されると共に前記ベローズシールドを前記基板ホルダに直接結合するために締結具を受けるように構成された複数の締結レセプタを更に具備し、
前記複数の締結レセプタの夫々は、入口凹部、出口貫通孔、及び内側レセプタ面を具備し、
前記ベローズシールドが直接結合された前記基板ホルダは、更にフォーカスリング及びシールドリングの少なくとも一方に結合されるように構成されており、
前記第２の端部の前記端面、前記円筒壁の前記外面、及び前記第１の端部の前記取り付けフランジの前記外部面の表面に保護バリアを具備する改良されたベローズシールド。
【請求項２】
前記保護バリアは、ＩＩＩ族元素及びランタノイド系元素の少なくとも１つを含む化合物を具備する請求項１に記載の改良されたベローズシールド。
【請求項３】
前記ＩＩＩ族元素は、イットリウム、スカンジウム、及びランタンの少なくとも１つを具備する請求項２に記載の改良されたベローズシールド。
【請求項４】
前記ランタノイド系元素は、セリウム、ジスプロシウム、及びユーロピウムの少なくとも１つを具備する請求項２に記載の改良されたベローズシールド。
【請求項５】
前記保護バリアは、Ｙ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、及びＤｙＯ３の少なくとも１つを具備する請求項１に記載の改良されたベローズシールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理システム用の改良されたコンポーネントに関し、特に、ベローズを保護するため、プラズマ処理システムにおいて使用されるベローズシールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
本件出願は、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、堆積シールドを有する改良された上部電極板のための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７２ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良されたバッフル板のための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７４ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良されたバッフル板のための方法及び装置」）、代理人番号２２８４１１ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された堆積シールドのための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７５ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された光学窓堆積シールドのための方法及び装置」）、代理人番号２２６２７６ＵＳ６ＹＡと、同日に出願の同時係属米国特許出願第１０／ＸＸＸ，ＸＸＸ号明細書（発明の名称「プラズマ処理システムにおける、改良された上部電極板のための方法及び装置」）、代理人番号２２５２７７ＵＳ６ＹＡと、に関連している。これらの全ての明細書の内容全体は参考文献として本願に全体的に組み込まれる。
【０００３】
半導体産業における集積回路（ＩＣ）の作製では、基板から材料を除去するため並びに基板に対して材料を堆積するのに必要な表面での化学反応を、プラズマ反応室内で創出すると共に支援するため、プラズマが一般的に使用される。通常、プラズマは真空状態のプラズマ反応室内で形成され、これは、供給された処理ガスとのイオン化衝突を維持するのに十分なエネルギにまで電子を加熱することにより行われる。更に、加熱された電子は、解離衝突を維持するのに十分なエネルギを具備することができる。従って、チャンバ内で行われる特定の処理（例えば、材料を基板から除去するエッチング処理、または材料を基板に付加する堆積処理）に適した荷電種及び化学反応種の密度が発生されるように、所定の条件（例えば、チャンバ圧力、ガス流量等）における特定のガスの組み合わせが選択される。
【０００４】
基板表面でプラズマ処理システムの機能（即ち、材料のエッチング、材料の堆積等）を実行するため、荷電種（イオン等）及び化学反応種の密度を形成することが必要となる。しかし、処理チャンバの内部におけるその他のコンポーネント表面は、物理的及び化学的に活性なプラズマに露出され、時間の経過と共に腐食する。プラズマ処理システムにおける露出されたコンポーネントの腐食は、プラズマ処理性能を漸進的に劣化させると共に、最終的には、システムを完全に故障させる原因となる。
【０００５】
処理プラズマに対する露出により継続する損傷を最少にするため、処理プラズマに対する露出を維持することで知られているプラズマ処理システムのコンポーネントが、保護バリアで被覆される。例えば、アルミニウムから作製されるコンポーネントは、プラズマに対してより耐性がある酸化アルミニウムの表面層を生成するように陽極酸化されることができる。他の例では、シリコン、石英、アルミナ、カーボン、またはシリコンカーバイドから作製されるような、消耗可能または交換可能なコンポーネントが、より貴重なコンポーネント（頻繁に交換するとコストを増加させる）の表面を保護するために処理チャンバ内に挿入されることができる。更に、望ましくない汚染物質や不純物などが処理プラズマに導入され且つ場合によっては基板上に形成されるデバイスにまで導入されることを最少化することができる表面材料を選択することが望ましい。
【０００６】
上述の両方の場合において、保護バリアの一体性または保護バリア作製の一体性や、交換可能なコンポーネントの消耗性により、保護被覆の故障は不可避なもので、プラズマ処理システムの頻繁なメンテナンスが必要となる。この頻繁なメンテナンスは、プラズマ処理の休止時間や新しいプラズマ処理チャンバコンポーネントに関連するコストを発生させ、それが過大なものとなる可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、プラズマ処理システム用の改良されたベローズシールドを提供し、このベローズシールドの構造及び製法は、上述の欠点を有効に解決する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある視点によれば、プラズマ処理システムの基板ホルダに結合することができるベローズシールドが提供される。このベローズシールドは、内面、外面、第１の端部、及び第２の端部を有する円筒壁を具備する。第１の端部は取り付けフランジを具備することができ、取り付けフランジは、円筒壁の内面に結合されると共に基板ホルダと係合するように構成された内部面と、内側半径方向面と、円筒壁の外面に結合された外部面とを具備することができる。円筒壁の第２の端部は端面を具備することができる。
【０００９】
ベローズシールドの取り付けフランジは、ベローズシールドを基板ホルダに結合するために、締結具を受けるための複数の締結レセプタを更に含むことができる。各締結レセプタは、入口凹部、出口貫通孔、及び内側レセプタ面を具備することができる。
【００１０】
ベローズシールドは、処理プラズマに面するベローズシールドの複数の露出面上に形成された保護バリアを更に具備することができる。
【００１１】
本発明の別の視点によれば、ベローズシールドの複数の露出面は、円筒壁の端面、円筒壁の外面、及び円筒壁の外面に隣接する取り付けフランジの外部面を含む。
【００１２】
本発明によれば、プラズマ処理システムのベローズシールドを作製する方法が提供される。この方法は、ベローズシールドを作製するステップと、ベローズシールド上に表面陽極酸化層を形成するためにベローズシールドを陽極酸化するステップと、表面陽極酸化層を除去するためにベローズシールド上の露出面を機械加工するステップと、露出面上に保護バリアを形成するステップと、を具備する。
【００１３】
本発明はまた、プラズマに実際には露出されない他の部分を機械加工するステップを随意選択的に含むことができる。このような部分は、陽極酸化層のない接触を提供するために機械加工される可能性がある（例えば、良好な機械的接触または電気的接触を提供するため）。このような部分は、制限的ではないが、取り付けフランジの内部面及び複数の締結レセプタの内側レセプタ面を含むことができる。
【００１４】
本発明によれば、プラズマ処理システムのベローズシールドを作製する別の方法が提供される。この方法は、ベローズシールドを製作するステップと、表面陽極酸化層の形成を阻止するためにベローズシールド上の露出面をマスクするステップと、ベローズシールド上に表面陽極酸化層を形成するためにベローズシールドを陽極酸化するステップと、露出面上に保護バリアを形成するステップと、を具備する。
【００１５】
本発明はまた、プラズマに実際には露出されない他の部分をマスクするステップを随意選択的に含むことができる。このような部分は、陽極酸化層のない接触を提供するためにマスクされる可能性がある（例えば、良好な機械的接触または電気的接触を提供するため）。このような部分は、制限的ではないが、取り付けフランジの内部面及び複数の締結レセプタの内側レセプタ面を含むことができる。
【００１６】
本発明によれば、更に、保護バリアが形成されるむき出しの面を提供するために、機械加工及びマスキングを組み合わせた方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のこれら及びその他の利点は、添付図面を参照した以下の本発明の例示的な実施形態の詳細な説明から更に明白になり、容易に認識されるであろう。
【００１８】
本発明の１実施形態によれば、プラズマ処理システム１は、図１に示されるように、プラズマ処理チャンバ１０、上部アセンブリ２０、電極板２４、基板３５を支持するための基板ホルダ３０、プラズマ処理チャンバ１０内に減圧雰囲気１１を与えるための真空ポンプ（図示せず）に結合されたポンプダクト４０を具備する。プラズマ処理チャンバ１０は、基板３５付近の処理空間１２内における処理プラズマの形成を容易にする。プラズマ処理システム１は、種々の寸法の基板（即ち、２００ｍｍの基板、３００ｍｍの基板、または、それより大きい基板）を処理するように構成することができる。
【００１９】
図示の実施形態において、上部アセンブリ２０は、カバー、ガス注入アセンブリ、及び上部電極インピーダンス整合ネットワークの少なくとも１つを具備することができる。例えば、電極板２４は、ＲＦ源に結合されることができる。別の実施形態において、上部アセンブリ２０は、カバーと電極板２４とを具備し、電極板２４は、プラズマ処理チャンバ１０の電位に等しい電位に維持される。例えば、プラズマ処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、電極板２４とは、接地電位に電気的に接続されることができる。
【００２０】
プラズマ処理チャンバ１０は、例えば、処理空間１２内の処理プラズマからプラズマ処理チャンバ１０を保護するための堆積シールド１４と、光学的な覗きポート１６とを更に具備することができる。光学的な覗きポート１６は、光学窓堆積シールド１８の後側に結合された光学窓１７と、光学窓１７を光学窓堆積シールド１８に結合するように構成された光学窓フランジ１９とを具備することができる。Ｏリングのようなシール部材が、光学窓フランジ１９と光学窓１７との間、光学窓１７と光学窓堆積シールド１８との間、及び光学窓堆積シールド１８とプラズマ処理チャンバ１０との間に夫々配設されることができる。光学的な覗きポート１６により、例えば、処理空間１２内の処理プラズマからの光放出をモニタすることが可能となる。
【００２１】
基板ホルダ３０は、例えば、ベローズ５２により包囲された垂直移動装置５０を更に具備する。ベローズ５２は、基板ホルダ３０とプラズマ処理チャンバ１０とに結合されると共に、プラズマ処理チャンバ１０内の減圧雰囲気１１から垂直移動装置５０をシールする。更に、ベローズシールド５４が、例えば、基板ホルダ３０に結合され、ベローズ５２を処理プラズマから保護するように構成することができる。基板ホルダ３０は、例えば、更にフォーカスリング６０及びシールドリング６２の少なくとも一方に結合されることができる。更に、バッフル板６４が、基板ホルダ３０の周囲を囲んで延在することができる。
【００２２】
基板３５は、例えば、ロボット型の基板搬送システムによって、スロット弁（図示せず）及びチャンバ供給通路（図示せず）を通してプラズマ処理チャンバ１０に対して搬送されることができる。基板３５は、基板ホルダ３０内に配設された基板リフトピン（図示せず）により受け取られ、そこに内蔵された装置によって機械的に移動される。基板３５は、基板搬送システムから受け取られると、基板ホルダ３０の上面まで下降される。
【００２３】
基板３５は、例えば、静電クランプシステムを介して基板ホルダ３０に固定されることができる。更に、基板ホルダ３０は、例えば、再循環冷媒流を含む冷却システムを具備することができる。冷媒流は、基板ホルダ３０から熱を受取り、その熱を熱交換システム（図示せず）へ搬送するか、或いは、加熱のため、熱交換システムから熱を搬送する。更に、例えば、基板３５と基板ホルダ３０との間のガスギャップ熱伝導を改善するため、バックサイドガスシステムを介して基板３５の裏面に対してガスを供給することができる。このようなシステムは、上昇または下降された温度において基板の温度制御が必要とされるときに利用可能となる。別の実施形態において、抵抗加熱素子のような加熱素子や熱電ヒータ／クーラを含むことができる。
【００２４】
図１に示される実施形態において、基板ホルダ３０は、電極を有することができ、その電極を通ってＲＦ電力が処理空間１２内の処理プラズマに結合される。例えば、基板ホルダ３０は、ＲＦ発生器（図示せず）からインピーダンス整合ネットワーク（図示せず）を介して基板ホルダ３０へ伝送されるＲＦ電力により、ＲＦ電圧で電気的にバイアスされることができる。ＲＦバイアスは、プラズマを形成し且つ維持するために電子を加熱するように動作することができる。この構成では、システムは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の反応室として動作することができ、チャンバと上部ガス注入電極とは、接地面として動作する。ＲＦバイアスの典型的な周波数は、１ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの範囲であり、望ましくは１３．５６ＭＨｚである。プラズマ処理用のＲＦシステムは、当業者によく知られている。
【００２５】
代わりに、処理空間１２内で形成される処理プラズマは、平行平板、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）ソース、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース、それらの任意の組み合わせを使用し、ＤＣ磁石システムが有る状態または無い状態で形成されることができる。代わりに、処理空間１２内の処理プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を使用して形成されることができる。更に別の実施形態において、処理空間１２内の処理プラズマは、ヘリコン波の発射によって形成される。更に別の実施形態において、処理空間１２内の処理プラズマは、伝播する表面波から形成される。
【００２６】
図２(断面図)及び図３(部分平面図)に示される本発明の例示された実施形態を参照すると、ベローズシールド５４は、円筒壁８０を具備し、円筒壁８０は、内面８２、外面８４、第１の端部８６、及び第２の端部８８を具備する。円筒壁８０の第１の端部８６は、円筒壁８０に結合されると共に、ベローズシールド５４を基板ホルダ３０に取り付けるように構成された取り付けフランジ９０と、基板ホルダ３０の上面を収容するための貫通孔９２とを具備する。円筒壁８０の第２の端部８８は端面９４を具備する。
【００２７】
図４は、円筒壁８０に結合されると共に、ベローズシールド５４を基板ホルダ３０に取り付けるように構成された取り付けフランジ９０の拡大図である。取り付けフランジ９０は、内部面９６、内側半径方向面９７、及び外部面９８を具備する。更に、内部面９６は係合面９９を具備することができ、外部面９８は、ベローズシールド５４を基板ホルダ３０に結合するための装着面９１を具備することができる。
【００２８】
更に、取り付けフランジ９０は、例えば、複数の締結レセプタ１００を具備することができる。各締結レセプタ１００は、内部面９６及び外部面９８に結合されると共に、ベローズシールド５４を基板ホルダ３０に結合するための（ボルトのような）締結具（図示せず）を受けるように構成される。締結レセプタ１００は、入口凹部１０２、出口貫通孔１０４、及び内側レセプタ面１０６を具備することができる。例えば、ベローズシールド５４内に形成される締結レセプタ１００の数は、０乃至１００の範囲とすることができる。締結レセプタ１００の数は、望ましくは５乃至２０の範囲であり、より望ましくは６以上である。
【００２９】
図５は、円筒壁８０の第２の端部８８を形成する端面９４の拡大図である。
【００３０】
図２乃至図５を参照すると、ベローズシールド５４は、ベローズシールド５４の複数の露出面１１０上に形成された保護バリア１５０を更に具備する。本発明の１実施形態において、複数の露出面１１０は、円筒壁８０の端面９４、円筒壁８０の外面８４、及び円筒壁８０の外面８４に隣接する取り付けフランジ９０の外部面９８を含むことができる。代わりに、露出面１１０は、ベローズシールド５４上に残る全ての表面を更に含むことができる。
【００３１】
本発明の１実施形態において、保護バリア１５０は、Ａｌ２Ｏ３のようなアルミニウム酸化物を含む化合物を具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０は、Ａｌ２Ｏ３とＹ２Ｏ３との混合物を具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０は、ＩＩＩ族元素（周期律表の第ＩＩＩ族）及びランタノイド系元素の少なくとも一方を具備することができる。本発明の別の実施形態において、ＩＩＩ族元素は、イットリウム、スカンジウム、及びランタンの少なくとも１つを具備することができる。本発明の別の実施形態において、ランタノイド系元素は、セリウム、ジスプロシウム、及びユーロピウムの少なくとも１つを具備することができる。本発明の別の実施形態において、保護バリア１５０を形成する化合物は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、及びＤｙＯ３の少なくとも１つを具備することができる。
【００３２】
本発明の１実施形態において、ベローズシールド５４上に形成される保護バリア１５０は、最小の厚さを有する。この最小の厚さは、複数の露出面１１０の少なくとも１つの面内で一定のものとして特定されることができる。別の実施形態において、この最小の厚さは、複数の露出面１１０の少なくとも１つの面内で変化されることができる。代わりに、この最小の厚さは、複数の露出面１１０の少なくとも１つの第１の部分上では一定であり、複数の露出面１１０の少なくとも１つの第２の部分上では変化されるものであってもよい（例えば、厚さの変化は、湾曲面上、角部上、或いは穴内で発生する可能性がある）。例えば、この最小の厚さは、０．５ミクロン乃至５００ミクロンの範囲とすることができる。この最小の厚さは、望ましくは１００ミクロン乃至２００ミクロンの範囲であり、より望ましくは２０ミクロン以上である。
【００３３】
図６は、本発明の１実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのベローズシールドを作製する方法を示す。フロー図３００は、ステップ３１０で開始し、このステップで（上述のような）ベローズシールド５４を作製する。ベローズシールドの作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。ベローズシールド５４は、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００３４】
ステップ３２０で、ベローズシールドは、表面陽極酸化層を形成するために陽極酸化される。例えば、ベローズシールドをアルミニウムから作製するとき、表面陽極酸化層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を具備する。アルミニウムの部品を陽極酸化する方法は、表面陽極酸化の当業者によく知られている。
【００３５】
ステップ３３０で、表面陽極酸化層は、標準的な機械加工技術を使用して露出面１１０から除去される。このステップ中または別のステップ中、他の非露出面（例えば、取り付けフランジの内部面の係合面及び複数の締結レセプタの内側レセプタ面）もまた機械加工されることができる。このような非露出面は、これらの部分間或いはこれらが係合する部分との間で、良好な機械的または電気的接触を提供するために機械加工される可能性がある。
【００３６】
ステップ３４０で、保護バリア１５０が、露出面１１０上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリアは、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨（または平滑化）するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００３７】
図７は、本発明の別の実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのベローズシールドを作製する方法を示す。フロー図４００は、ステップ４１０で開始し、このステップで（上述のような）ベローズシールド５４を作製する。ベローズシールドの作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。ベローズシールド５４は、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００３８】
ステップ４２０で、露出面１１０が、そこに表面陽極酸化層が形成されることを防止するためにマスクされる。このステップ中または別のステップ中、他の非露出面（例えば、
取り付けフランジの内部面及び複数の締結レセプタの内側レセプタ面）もまたマスクされることができる。このような非露出面は、これらの部分間或いはこれらが係合する部分との間で、良好な機械的または電気的接触を提供するためにマスクされる可能性がある。表面のマスキング及び脱マスキングは、表面コーティング及び表面陽極酸化の当業者によく知られている。
【００３９】
ステップ４３０で、ベローズシールドが陽極処理され、マスクされていない残りの表面に表面陽極酸化層が形成される。例えば、ベローズシールドをアルミニウムから作製するとき、表面陽極酸化層は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を具備することができる。アルミニウム部品を陽極酸化する方法は、表面陽極酸化の当業者によく知られている。
【００４０】
ステップ４４０で、保護バリア１５０が露出面１１０上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリアは、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨（または平滑化）するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００４１】
図８は、本発明の別の実施形態に従って、図１に記載のプラズマ処理システムのベローズシールドを作製する方法を示す。フロー図５００は、ステップ５１０で開始し、このステップで（上述のような）ベローズシールド５４を作製する。ベローズシールドの作製は、機械加工、鋳造、研磨、鍛造、及び研削の少なくとも１つを具備することができる。例えば、前述の各要素は、ミルや旋盤等を含む一般的な技術を使用して、機械図面に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルや旋盤を使用してコンポーネントを機械加工する技術は、機械加工の当業者によく知られている。ベローズシールドは、例えば、アルミニウムから作製されることができる。
【００４２】
ステップ５２０で、保護バリアが、ベローズシールドの露出面１１０上に形成される。例えば、イットリアを具備する保護バリアは、セラミックスプレーコーティングの当業者によく知られている（熱）スプレーコーティング技術を使用して形成されることができる。別の実施形態において、保護バリアの形成は、更に熱スプレーコーティングを研磨（または平滑化）するステップを含むことができる。例えば、熱スプレーコーティングの研磨では、スプレーされた表面をサンドペーパーで研磨してもよい。
【００４３】
図６乃至図８を参照して説明した露出面１１０上に保護バリア１５０を形成する処理は、機械加工及びマスキングの組み合わせを利用するように変更することができる。この変更例の処理において、少なくとも１つの露出面１１０が、陽極酸化層が形成されることを防止するためにマスクされる一方、他の露出面１１０が陽極酸化される。次に、マスクされない露出面１１０は機械加工され、また、マスクされた露出面は脱マスクされる。次に、全ての露出面１１０上に保護バリア１５０を形成することが可能となる。上述のように、露出面ではない他の表面もまた、この方法の間に機械加工することができる（例えば、陽極酸化層がある場合よりも良好な機械的または電気的接触を提供するため）。
【００４４】
本発明のある例示的な実施形態だけについて詳細に前述したが、当業者によれば、本発明の新規な教示及び利点から実質的に逸脱せずに、例示的な実施形態に対して多数の変更が可能であることが認識できるであろう。従って、このような変更の全ては、本発明の技術的範囲内に含まれることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の１実施形態に係る、ベローズシールドを具備するプラズマ処理システムの簡単化されたブロック図。
【図２】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のベローズシールドの断面図。
【図３】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のベローズシールドの部分平面図。
【図４】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のベローズシールドの取り付けフランジの拡大図。
【図５】本発明の１実施形態に係る、プラズマ処理システム用のベローズシールドの第２の端部における端面の拡大図。
【図６】本発明の１実施形態に従って、プラズマ処理システム用のベローズシールドを作製する方法を示す図。
【図７】本発明の別の実施形態に従って、プラズマ処理システム用のベローズシールドを作製する方法を示す図。
【図８】本発明の別の実施形態に従って、プラズマ処理システム用のベローズシールドを作製する方法を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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