(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導式または非超伝導式の等時性セクタ集束型サイクロトロンであって、磁気回路を構成する上側の磁極と下側の磁極とを備えた電磁石を有する真空チャンバー（９）を備え、磁極が一緒になって「山セクタ対」と呼ばれる少なくとも３対のセクタ（３，４）から成っていて、「谷セクタ対」と呼ばれる一対のセクタ（５）によって互いに分離されており、各山セクタ対および各谷セクタ対が上側のセクタと下側のセクタとから成っており、上側のセクタと下側のセクタとが、中央平面（１００）と呼ばれる、サイクロトロンの対称平面に対して対称的に配置されていて、上側のセクタと下側のセクタとの間に鉛直方向ギャップを有しており、その鉛直方向ギャップは、山セクタ対の間では小さく、谷セクタ対の間では大きく形成されている、前記サイクロトロンが少なくとも一対の主コイル（６）によって給電されるようになっている形式のものにおいて、
（ｉ）  前記山セクタ対は、少なくとも一対の拡張された山セクタ（３）と、少なくとも一対の拡張されていない山セクタ（４）とを含み、前記拡張された山セクタ対の山セクタ（３）が、前記拡張されていない山セクタ対の山セクタ（４）に比べて、サイクロトロンの半径方向に２〜１０センチメートル長く形成されていて；
（ｉｉ）  拡張された山セクタ（３）の前記対の半径方向端部に、前記拡張された山セクタ対の山セクタ（３）に配置される大きさに限定されている切欠き（７）が設けられており、前記切欠き（７）の形状が、抽出されたビーム（１２）の軌道の形状を辿っていて、前記切欠き（７）における鉛直方向ギャップが、山セクタの拡張された部分における磁界の急激な降下または凹部（２００）を有するようにするために、段状に増大している
ことを特徴とする前記超伝導式または非超伝導式の等時性セクタ集束型サイクロトロン。
【請求項２】
前記拡張された山セクタ対の山セクタ（３）の半径方向端部を超えて前記切欠きの外縁部が移動することにより、「平坦部」（７’）が形成されていて、前記平坦部（７’）の形状が前記抽出されたビーム（１２）の軌道の形状を辿っていて、前記平坦部（７’）における鉛直方向ギャップが、山セクタの拡張された部分における磁界の急激な降下または凹部（２００）を有するようにするために、段状に増大している、請求項１に記載のサイクロトロン。
【請求項３】
拡張されていない山セクタ（４）の鉛直方向ギャップ、ならびに、拡張された山セクタ（３）の鉛直方向ギャップが、本質的に楕円形輪郭（２０）を有しており、この楕円形輪郭が、山セクタの半径方向端部で、中央平面（１００）に向かって閉じる傾向を有している請求項１または２項記載のサイクロトロン。
【請求項４】
正の磁界成分を形成するコイルと、負の磁界成分を形成するコイルとから成る少なくとも一組の調波コイル（４０ａおよび４０ｂ）が、一対の山セクタの鉛直方向ギャップにおいて配置されている請求項１から３までのいずれか１項記載のサイクロトロン。
【請求項５】
互いに対向する山セクタの一方に形成される鉛直方向ギャップ輪郭がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）において凸部（４２ａ）を有し、前記互いに対向する山セクタの他方に形成される鉛直方向ギャップ輪郭がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）において凹部（４２ｂ）を有するように変形されている請求項１から３までのいずれか１項記載のサイクロトロン。
【請求項６】
互いに対向する２つの谷に、永久磁石（４４ａおよび４４ｂ）が配置されて、一方の谷にはシャープな磁界凸部がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）に形成され、対向する谷には磁界凹部がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）に形成されるようになっている請求項１から３までのいずれか１項記載のサイクロトロン。
【請求項７】
軌道に沿って見たときの切欠き（７）の出口の位置に勾配補正体（１０）が存在している請求項１から６までのいずれか１項記載のサイクロトロン。
【請求項８】
勾配補正体（１０）が、シールドされていない永久磁石（２５０）から成っており、内部軌道で摂動する磁界を最小限にするために、完全に開いた鉛直方向ギャップと、補償用永久磁石（３００）とを有している請求項７記載のサイクロトロン。
【請求項９】
抽出されたビーム（１２）とビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）との間に著しい旋回分離が生じている方位で、軌道に沿って見たときの勾配補正体（１０）の出口の位置の後方に、損失ビームストッパ（８）が配置されている請求項７または８記載のサイクロトロン。
【請求項１０】
軌道に沿って見た場合、前記勾配補正体（１０）の出口の後方に前記真空チャンバー（９）の出口（１７）が位置し、そのさらに後方に、水平方向および鉛直方向に集束作用を有する一対の四極子（１３）が、真空チャンバー（９）の半径方向外側に位置する帰路ヨーク（２）において配置されており、前記真空チャンバーの出口（１７）は、シールドされていない永久磁石（４００）から成る、請求項１から９までのいずれか１項記載のサイクロトロン。
【請求項１１】
前記拡張された山セクタ対の磁界を降下させ、磁界の形状においてシャープな凹部（２００）を形成することにより、ビームの抽出直前の最後の旋回の軌道（１１）において荷電粒子ビームを抽出するための請求項１から１０までのいずれか１項記載のサイクロトロンの使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、小型の等時性サイクロトロンならびに個別セクタ型サイクロトロンであり得る等時性サイクロトロンに関する。
【０００２】
本発明は、超伝導性及び非超伝導性のサイクロトロンの双方に適用される。
【０００３】
本発明はさらに、等時性セクタ集束型サイクロトロンから荷電粒子を抽出するための新しい方法に関する。
【０００４】
【先行技術】
サイクロトロンは、陽または陰イオンを数ＭｅＶ以上のエネルギーにまで加速するのに使用される円形の粒子加速器である。サイクロトロンは（放射性同位元素の生産または陽子療法のための）医療用途に使用できるだけでなく、別の加速器内へのインジェクタとして工業用途にも、または、基礎研究にも使用することができる。
【０００５】
サイクロトロンは、いくつかのサブシステムから成っており、これらのサブシステムのうち最も重要なものは、主に、磁気回路、ＲＦ加速システム、真空システム、注入システムおよび抽出システムである。
【０００６】
最も重要なものは、磁界を形成する磁気回路である。この磁気回路は、加速された粒子を装置の中心から装置の外径に向かってその粒子の軌道が渦巻きを描くように導くものである。最も初期のサイクロトロンの場合、磁界は、円筒形に形成された２つの磁極の間の鉛直方向ギャップ内で、これらの磁極の周りに巻かれた２つのソレノイドコイルによって形成されていた。最近の等時性サイクロトロンの場合、これらの磁極は、もはや１つのソリッドな円筒から成っているのではなく、複数のセクタに分けられていて、円運動するビームが、山セクタで形成された高磁界と谷セクタで形成された低磁界をを交互に通るようになっている。この山セクタでは、磁極相互間のギャップは小さく、山セクタで形成された高磁界に続いて谷セクタで形成された低磁界がもうけられている。この谷セクタでは、磁極相互間のギャップは大きい。このように方位的に磁界が変化する方式では、それが適切に形成されている場合には、半径方向および鉛直方向への集束作用を可能にして、同時に装置を全体を通して、粒子回転周波数を一定にすることを可能にする。
【０００７】
２つのタイプの等時性サイクロトロンが存在する：第１のタイプは小型サイクロトロンである。このサイクロトロンにおいては、磁極全体の周りに巻かれた一組の円形コイルによって磁界が形成される。第２のタイプは個別セクタ型サイクロトロンである。このサイクロトロンにおいては、各セクタはそれぞれのコイルセットを備えている。
【０００８】
欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−０２２２７８６号明細書には、「深い谷型(deep-valley)サイクロトロン」と呼ばれる小型のセクタ集束型等時性サイクロトロンが記載されている。このサイクロトロンのコイルにおける電力消費量は極めて低い。このことは、磁気回路を閉じるために働くコイルの周りに配置された円形形状の１つの帰路ヨークとを組み合わせて山セクタの著しく小さい磁極ギャップと、谷セクタの著しく大きい磁極ギャップとを有する独得な磁気構造により達成される。
【０００９】
国際公開ＷＯ９３／１０６５１号には、小型のセクタ集束型等時性サイクロトロンが記載されている。このサイクロトロンは、山セクタでは楕円形または準楕円形に形成された磁極ギャップを持つという特徴を有している。磁極ギャップは山セクタの外径に向かって閉じる傾向を有し、山セクタの外径に対して極めて接近している粒子を加速するのを可能にする。しかもこの場合、磁界の集束作用および等時性が失われることはない。このことは後で指摘するように、ビームの抽出を容易にする。
【００１０】
サイクロトロンの第２の主サブシステムはＲＦ加速システムである。このシステムは普通「ディー」と呼ばれる加速電極で終わる共鳴無線周波数キャビティから成っている。ＲＦシステムは、粒子の回転周波数に等しい周波数、または、それよりも高い調波周波数で、数キロボルトからその数十分の一までの交番電圧をディーに発生する。このような交番電圧は、粒子が磁極のエッジ方向に外側に向かって螺旋運動をする時に粒子を加速するのに用いられる。深い谷型サイクロトロンの別の主要な利点は、ＲＦキャビティとディーとを谷に配置することができ、これにより、極めてコンパクトなサイクロトロンの構成が得られることである。
【００１１】
サイクロトロンの第３の主サブシステムは真空システムである。真空システムの目的は、粒子が運動しているギャップ内を排気し、これにより真空タンク内の残留ガスによる加速粒子の過度の散乱を回避し、また、ＲＦシステムによって形成される電気的なスパークや放電を阻止する。
【００１２】
第４のサブシステムは注入システムである。注入システムは、基本的にはイオン源から成る。イオン源では、加速プロセスの開始前に荷電粒子が形成される。イオン源は、サイクロトロン内部の中心に設けるか、または、装置の外側に取り付けることができる。装置の外側に取り付ける場合、注入システムは、イオン源からサイクロトロンの中心に粒子を導くための手段をも含んでいる。サイクロトロンの中心で、粒子は加速プロセスを開始する。
【００１３】
粒子が加速を完了し、磁極セクタの外径に達すると、粒子は装置から抽出されるか、または、装置内でそれ自体で使用することができる。装置内でそれ自体で使用される場合、真空チャンバー内には同位元素生産のためのターゲットが設けられる。しかしながら、このことの主な欠点は、粒子がターゲットから部分的に散乱し、次いで制御不能な状態で真空タンク全体で失われてしまうことである。このことは、装置を強く放射化させるおそれがある。
【００１４】
多くの用途では、ビームを装置の外側に取り出しこのビームが使用されるターゲットに導くことが望まれる。この場合には、抽出システムは装置内で外径近くに組み込まれる。ビーム抽出は、サイクロトロンビームを発生させる上で最も困難なプロセスのうちの１つと考えられている。ビーム抽出は、基本的には、加速領域から、ビームが自由に装置から飛び出しうるほど磁界が十分に低い外径領域へビームを制御された状態で運ぶことにある。
【００１５】
正に帯電した粒子を抽出することに関して、共通の方法は、外方に向かって電界を形成する静電デフレクタを使用することである。この電界は、磁界の閉じ込め作用から粒子を引き出す。このような作用を達成するために、セプタムと呼ばれる極めて薄い電極が装置内の最後の内部軌道と抽出されることになる軌道との間に配置される。しかしながら、セプタムはビームの一部を遮断し、従って、この抽出法は２つの大きな欠点を有している。第１の欠点は、抽出効率が限定されることであり、これにより遮断されたビームによりセプタムが加熱され、抽出可能な最大ビーム強度が限定されることである。第２の欠点は、セプタムによる粒子の遮断がサイクロトロンを強く放射化することである。
【００１６】
良く知られた別の抽出方法は負に帯電した粒子に関するものである。この場合、抽出は薄いフォイルにビームを透過させることにより達成される。陰イオンは、自らの電子を奪われ、陽イオンに変換される。このような技術は、１００％近くの抽出効率を可能にし、さらに、先のシステムよりも相当シンプルな抽出システムを可能にする。しかし、この場合にも不都合が生じる。これは、陰イオンは余り安定ではなく、従って、真空タンク内の残留ガスとの衝突により、または、イオンに作用する過度に大きな磁力により、簡単に消失してしまうという事実によるものである。このようなビーム損失はまた、サイクロトロンの望ましくない放射化の原因となる。さらに、陽イオンを加速するサイクロトロンは、加速器の信頼性を高めるとともに、より強度の高いビームの生産を可能にし、これと同時に、装置のサイズおよび重量を著しく小さくすることを可能にする。
【００１７】
また、刊行物「The Review of Scientific Instruments, 27 (1956), No. 7」および刊行物「Nuclear Instruments and Methods 18, 19 (1962) pp. 41-45e （J. Reginald Richardson）」から公知のように、抽出システムを使用せずにサイクロトロンからビームを抽出することができるという方法が公知である。この自動抽出に必要となる条件は、磁界における粒子軌道についてのある共鳴条件である。しかし、この方法は、実現するのが難しく、また、実際には適用できないほど品質の悪い状態で抽出された光ビームを提供するおそれがある。
【００１８】
米国特許第３０２４３７９号明細書において報告されたサイクロトロンシステムも公知である。このシステムでは、磁界は、方位角とは本質的に無関係である。すなわち、このシステムは非等時性サイクロトロンである。なお、本明細書に記載したサイクロトロンは、磁界の摂動によりビームの抽出を可能にする「再生器」と「圧縮機」とから成るビーム抽出のための手段を含む。
【００１９】
欧州特許ＥＰ−０８５３８６７には、サイクロトロンからの抽出のための方法が記載されている。このサイクロトロンにおいては、最大半径の近くで山セクタに設けられた磁極ギャップと、同一半径での粒子の１旋回当たりの半径方向ゲインとの間の比率は２０未満であり、山セクタに設けられた磁極ギャップは、山セクタの最大半径で閉じる傾向を備えた楕円形状または準楕円形状を有し、山セクタのうちの少なくとも１つが、他の山セクタに比べて本質的に非対称的な幾何学的形状または磁界を有している。本発明は、なかんずくこのような狭い準楕円形の磁極ギャップ、および少なくとも１つのセクタの非対称に関連しており、同時に、ビームを自動抽出できるように適用可能な非対称の種類の概要を示したものである。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、前述のようなストリッピング機構または静電デフレクタを使用することなく、サイクロトロンから荷電粒子を抽出する新しい方法を提案することである。
【００２１】
このようにして、現在入手可能なサイクロトロンよりもよりシンプルなコンセプトを有し、より経済的な等時性サイクロトロンを得ることもこの発明の課題である。
【００２２】
特に正に帯電した粒子に対する抽出効率と、最大抽出ビーム強度とを増加させることも本発明の課題である。
【００２３】
【本発明の主な特徴】
本発明は、超伝導式または非超伝導式の等時性セクタ集束型サイクロトロンであって、磁気回路を構成する上側の磁極と下側の磁極とを備えた電磁石から成っており、磁極が「山」と呼ばれる少なくとも３対のセクタから成っており、「山」では前記セクタ相互間の鉛直方向ギャップが小さく、これらの山セクタは「谷」と呼ばれるセクタを構成するスペースによって分離されており、「谷」では鉛直方向ギャップが大きく、前記サイクロトロンが、少なくとも一対の主コイルによって給電されるようになっている形式のものにおいて、少なくとも一対の拡張された山セクタと、少なくとも一対の拡張されていない山セクタとを有するために、少なくとも一対の上側および下側の山が残りの対の山セクタよりも著しく長く形成されており、磁界内の凹部を形成するために、抽出されたビームの軌道の形状に追従する切欠きまたは「平坦部」が、拡張された山セクタの前記対に設けられていることを特徴とする超伝導式または非超伝導式の等時性セクタ集束型サイクロトロンに関する。
【００２４】
本発明の好ましい構成によれば、切欠きの半径方向幅が、拡張された山セクタに完全に配置されるように、数センチメートル、好ましくは２ｃｍオーダに限定されている。
【００２５】
本発明の別の構成によれば、切欠きの外縁部が、拡張された山セクタの半径方向端部を超えて移動されていてもよい。この場合、一種の「平坦部」が形成される。しかしながら、この「平坦部」は山の鉛直方向ギャップが段状に増大し、「平坦部」の内縁部近くの磁界がこれに関連して突然減小するという特徴をなおも有している。
【００２６】
拡張されていない山セクタの鉛直方向ギャップ、ならびに、拡張された山セクタの鉛直方向ギャップが、本質的に楕円形輪郭を有しており、この楕円形輪郭が、山セクタの半径方向端部で、中央平面に向かって閉じる傾向を有していることが好ましい。
【００２７】
好ましい１つの構成によれば、山セクタの鉛直方向ギャップに、少なくとも一組の調波コイルが配置されており、該コイルが本質的に、その場所での局地的な軌道の形状を有している。これらのコイルは、現存の磁界に第１の調波磁界成分を付加し、切欠きの入口で旋回分離を増加させるのに役立つ。
【００２８】
本発明の別の好ましい構成によれば、方位的に互いに対向する山セクタに形成される鉛直方向ギャップ輪郭が、一方の輪郭がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道において高い凸部を示し、他方の輪郭がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道に深い凹部を示すように変形されている。このような変形は、現存の磁界に第１の調波磁界成分を付加し、切欠きの入口で旋回分離を増大するのに役立つ。
【００２９】
第３の好ましい構成によれば、互いに対向する２つの谷に、永久磁石が配置されて、一方の谷には、シャープな磁界凸部がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道において形成され、対向する谷には、磁界凹部がビームの抽出直前の最後の旋回の軌道に形成されるようになっている。このような配置は、現存の磁界に第１の調波磁界成分を付加し、切欠きの入口で旋回分離を増大させるのに役立つ。
【００３０】
切欠きの出口として勾配補正体が存在していることが好ましい。このような勾配補正体は、シールドされていない永久磁石から成っており、内部軌道で摂動する磁界を最小限にするために、完全に開いた鉛直方向ギャップと、小さな補償用永久磁石とを有している。
【００３１】
抽出されたビームとビームの抽出直前の最後の旋回の軌道との間に著しい旋回分離が生じている方位で、勾配補正体の出口の後方に、損失ビームストッパが配置されていると有利である。このようなビームストッパは、内部ビームならびに抽出されたビームの悪い部分を遮断するように配置されている。
【００３２】
帰路ヨークに、水平方向および鉛直方向に集束作用を有する一対の四極子が、シールドされていない永久磁石から成る真空チャンバーの出口の後方に配置されていることが好ましい。
【００３３】
本発明はさらに、上述のような等時性セクタ集束型サイクロトロンから荷電粒子ビームを抽出する方法であって、静電デフレクタまたはストリッパ機構の助けなしに、ビームの抽出直前の最後の旋回の軌道に生じる磁界のシャープな凹部を粒子のビームを抽出するのに用いる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
本発明は、小型の等時性セクタ集束型サイクロトロンから荷電粒子を抽出するための新しい方法に関する。サイクロトロンの最も重要なサブシステムは、図１および図２によって示したような、電磁石により形成された磁気回路である。この磁気回路は次の主エレメントから成っている：
−  ２つのベースプレート（１）および磁束帰路（２）、これらは共に結合して、ヨークと呼ばれる剛性構造を形成する；
−  少なくとも３つの上側の山セクタおよび少なくとも３つの下側の山セクタ。好ましくは図１および図２に示したような、４つの上側の山セクタおよび４つの下側の山セクタ（３，４）。これらは中央平面（１００）と呼ばれる対称平面に対して対称的に配置されており、真ん中に約３６ｍｍの鉛直方向ギャップを、また抽出領域に約１５ｍｍの鉛直方向ギャップを有している；
−  ２つの山セクタ相互間には、谷セクタ（５）と呼ばれるセクタが設けられており、山セクタのギャップよりも実質的に大きい鉛直方向ギャップが形成されている。この谷セクタは、約６７０ｍｍの鉛直方向ギャップを有している；
−  山セクタと磁束帰路（２）との間に配置された２つの円形コイル（６）。
【００３５】
抽出方法は、サイクロトロンに静電デフレクタ機構または静電ストリッパ機構が組み込まれていないという事実によって特徴付けられる。抽出方法はさらに、山セクタの鉛直方向ギャップは山セクタの半径方向端部に向かって狭まる準楕円形の輪郭（２０）を有しているという事実により特徴付けられる。抽出方法はさらに、サイクロトロンの少なくとも一対の山セクタ（３）が他方の対の山セクタ（４）よりもかなり長い（約数センチメートル、好ましくは約４．０ｃｍ）という事実によって特徴付けられる。
【００３６】
サイクロトロン内では、ビームはローレンツ力と呼ばれる力によって、磁界領域内に閉じ込められる。この力は、磁界の大きさに対して比例し、粒子速度に対しても比例する。この力は、磁界の方向と粒子の軌道方向の両者に対して垂直であってサイクロトロンのほぼ中心方向を向いている。
【００３７】
粒子が磁極の半径方向エッジに達したとき、粒子に作用する力が突然実質的に減じられて、粒子を磁界の閉じ込め領域内に保持するのにもはや十分に大きいものでなくなると、抽出を達成することができる。この場合の重要な点は、このような力の減小は、最後の内部軌道が妨害されないように半径方向に僅かな距離で実現されなければならない。
【００３８】
ローレンツ力をこのように突然低下させるための一般的な方法は、静電デフレクタを組み込むことである。このような装置の場合、極めて薄い内側のセプタムと外側の電極との間に、静電界が形成される。このデフレクタは、ローレンツ力を打ち消す働きをする外方に向けられた電気的な力を形成する。最後の内部軌道と、抽出されたビームの軌道との間に配置されたセプタムは、電気的に接地電位にあるので、内部軌道の摂動はほとんどない。しかしながら、静電デフレクタを使用することの主な欠点は、セプタムがビームの一部を遮断することである。これにより、セプタムは放射化され、加熱され、従って最大抽出効率およびビーム強度が制限されることになる。
【００３９】
本発明により提案される抽出スキームが、図３に示されている。この図３は、サイクロトロンの中央平面を示す図である。欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−０２２２７８６号明細書に記載されたものと同様の深い谷を有する小型のサイクロトロンが、本発明を実施するのに好ましいサイクロトロンである。従って、４つの山セクタ（３，４）と４つの谷セクタ（５）とから成る４重対称構造を有するこのようなサイクロトロンを、一例として取り上げる。しかしながら、３重対称構造を有する、または４重対称構造よりも多重の同様の実施態様も可能である。前述のようないくつかの部材、例えば、山セクタ、谷セクタ、真空チャンバー（９）、円形コイル（６）、帰路ヨーク（２）および加速電極（１４）が、図３に示されている。また、サイクロトロン内の最後の全旋回（１１）および抽出されたビーム（１２）も図示されている。
【００４０】
本発明の１つの重要な特徴は、求められるローレンツ力の突然の低下は、磁極エッジ近くの磁界が急速に低下することにより行われることである。磁界の急速で十分な低下を実現させるために、山セクタにおける磁極相互間の鉛直方向ギャップは小さくなければならない。最大半径の近くの山セクタにおける鉛直方向ギャップと、この半径における粒子１旋回当たりの半径方向ゲインとの間の比率は２０未満であるべきである。
【００４１】
磁極の外径近くの山セクタに設けられた鉛直方向ギャップの輪郭は、磁極最大半径に向かって閉じる傾向を有する楕円または準楕円形状（２０）を備えていると有利である。このような輪郭により、山セクタの外径に向かって極めて接近した粒子を加速することができ、しかもこの場合、磁界の集束作用および等時性は失われない。また、上記輪郭により、磁極の半径を僅かに越えて急激な降下を示す磁界を形成することが可能になる。その結果、抽出されたビームの軌道に作用する磁力は、最後の内部軌道に作用する磁力よりも実質的に低い。
【００４２】
本発明の別の新しい重要な特徴は、サイクロトロンにおける少なくとも一対の山セクタ（３）が他の対の山セクタ（４）よりも著しく長いことである。少なくとも一対の山セクタが拡張していることにより、このセクタにおける磁界マップが拡張される。このセクタは、抽出プロセスと抽出されたビームの光学特性とを最適化するように形成することができる。
【００４３】
本発明の別の新しい重要な特徴は、山セクタの上述のような拡張部において、切欠き（７）が機械加工されており、この切欠きは、このセクタ上の抽出されたビーム（１２）の形状に追従し、山セクタの小さなギャップと上述のような準楕円形のギャップ輪郭（２０）とを組み合わせて、求められる磁界およびローレンツ力の突然の低下を引き起こすことである。この切欠き（７）の効果は、静電デフレクタの効果に匹敵するものであり、切欠きは静電デフレクタの代わりとなると云える。実際、切欠きは次のような意味において磁界にシャープな凹部を形成する。すなわち、半径の関数として、磁界は急激に最小値まで降下するが、続いて再び上昇し、程度の差こそあれ同じ初期値になるからである。このことは重要である。なぜならば、よく知られた降下する磁界の形状の水平的な集束ずれ作用により、抽出されたビームの品質が破壊されてしまうことを阻止するからである。切欠きの幾何学的形状が、図４に山セクタのギャップの準楕円形状と共に示されている。この図面は、磁界の形状および、特に、切欠き（７）によって形成された磁界のシャープな凹部（２００）をも示している。
【００４４】
図５においてさらに精確に説明した別の好ましい実施例によれば、切欠きの外縁部が、拡張された山セクタの半径方向端部を超えて移動されていてもよい。この場合、一種の「平坦部」（７’）が形成されるが、この平坦部はさらに山セクタの鉛直方向ギャップが段状に増大し、それに関連して「平坦部」の内部近くで磁界が突然低下すること（図示せず）により、特徴付けられる。
【００４５】
なお、サイクロトロン内のビームの密度分布は、旋回の中心で最大値を、２つの旋回の間で非ゼロの最小値を示す連続的なプロフィールである。このような最小値に位置する粒子は、抽出プロセスにおけるビーム損失を引き起こす。このようなビーム損失は、装置内の最後の内部軌道と、切欠きが配置されている方位角における抽出されたビームの軌道との間の旋回分離を増大することにより減少される。ローレンツ力の突然の低下に加えて、このことは、ビームの効果的な抽出にとって第２の非常に重要な要素となる。
【００４６】
本発明によれば、抽出半径の近くで旋回分離を増大するために、３つの個別の方法が提供される。これら３つの方法全ては、抽出半径の上流側のサイクロトロン磁界における第１の調波フーリエ成分を形成することに関連する。第１の調波磁界成分は、その磁界が３６０度の範囲を有する方位角の正弦関数または余弦関数のように挙動するという事実により特徴付けられる。このような第１の調波磁界成分の振幅および方位位相を適正に選択することにより、ビームのコヒーレント振動が引き起こされる。このビームのコヒーレント振動は、サイクロトロンにおける所望の位置における旋回分離を増大する。
【００４７】
第１の好ましい実施例によれば、旋回分離を増大するための方法は、装置内の比較的低い半径で、小さな調波補正コイル（４０ａおよび４０ｂ）を使用することにより特徴付けられる。図３に示す可能な構造が、１つの山セクタのギャップに上側および下側のコイル（４０ａ）を組み込むことになる。これらのコイルは正の磁界成分を形成し、対向するセクタには負の磁界成分を形成する同じコイル対が設けられる。このような第１の調波コイルセットで、コヒーレント振動の振幅を変えることができるが、位相は固定されている。しかしこの第１の好ましい実施例では、ビームは調波コイルと抽出半径との間でなおも数回旋回しなければならない。さらに、コヒーレント振動の振幅だけを調節するのでは十分ではない。第１のセットに対して９０度の方位角を成して、第２のコイルセットが組み込まれているようなよりフレキシブルな構造がある。このような構造で、コヒーレント振動の振幅および位相を変えることができる。４対の調波コイルの代わりに３つの対が使用されるような他の構造も可能である。これらの３対の調波コイルは１２０度だけ間隔を置いた方位角で取り付けられる。この３対の調波コイルは、３重対称構造を有するサイクロトロンにとって好ましい構造となる。
【００４８】
第２の好ましい実施例によれば、旋回分離を増大するための方法は、拡張された山セクタに対して＋９０度および−９０度の方位に配置された２つの山セクタのギャップの輪郭を変えることにより特徴付けられる。このギャップの輪郭の変更は、１つのセクタにおいてギャップ輪郭が凸部を含み、従って急速に閉じ、次いで再び開き、また対向するセクタにおいてギャップ輪郭が凹部を含み、従って急速に開き、次いで再び閉じるように行われる。両山セクタのギャップ輪郭は図６の（ａ）および（ｂ）に示されている。このような抽出スキームは前述の方法の変化実施例であり、図７に示されている。図７において、符号（４２ａ）は凸部の所要の近似位置を示し、符号（４２ｂ）は凹部の所要の近似位置を示している。このような構造は、切欠きが配置されている方位に対して９０度を成す方位位相を有する強力な第１の調波成分を形成する。この方法において、第１の調波半径と抽出半径との間の旋回はただ１回だけであり、従って第１の調波位相を調節する必要はない。山セクタにおける第１の調波の半径方向輪郭および半径方向位置は、装置内の抽出直前の旋回がこの摂動によって強い影響を受け、最後から２番目の旋回は影響を受けないようになっているのが理想的である。このことは磁界輪郭の突然の変化を必要とする。この変化はやはり、山セクタの鉛直方向ギャップが前述のように十分に小さい場合にだけ可能である。
【００４９】
図８に示した第３の好ましい実施例によれば、旋回分離を増大するための方法は、対向する２つの谷に永久磁石（４４ａおよび４４ｂ）を配置することによって特徴付けられる。永久磁石の配置は、一方の谷に正の鉛直方向磁界成分を形成し、対向する谷に負の鉛直方向磁界成分を形成するように行われる。ビームの光学的挙動に関する限り、この方法は前記方法と等価である。永久磁石は切欠きの入口の方位に対して＋９０度および−９０度の方位に配置され、また、装置内の抽出直前の旋回が永久磁石の磁界によって影響を受け、最後から２番目の旋回が影響を受けないような半径で配置されるべきである。このような方法は、谷セクタにおいては、磁界レベルが、永久磁石の消磁の不都合を伴わずに永久磁石材料を使用可能にするのに十分に低いという事実を利用するものである。この実施例においても、第１の調波成分の半径方向輪郭のシャープな勾配が必要となる。このことは、後で説明するように、永久磁石の特別な構造により達成することができる。前記２つの方法の変化実施例であるこの抽出スキームは、図８に示されている。図８において符号（４４ａ）および（４４ｂ）は所要の第１の調波磁界成分を形成する永久磁石の、サイクロトロン内での近似位置を示す。
【００５０】
抽出されたビームが拡張された山セクタから出ると、このビームは切欠きによって形成された磁界形状の光学的影響により、水平方向に発散する。ビームを再集束するために、勾配補正体が切欠きの出口で谷セクタに組み込まれている。図面において、この勾配補正体は符号１０により示されている。
【００５１】
この勾配補正体の構成は以下のような特性を有していることが好ましい：
−勾配補正体は永久磁石から構成され、永久磁石をシールドするために鉄または他の軟強磁性体を使用しない；このことは、谷内の外部磁界が比較的低いことにより可能である、
−サイクロトロン内の内部軌道の摂動がほとんどない、
−完全に開いた鉛直方向ギャップがあり、従って、中央平面内の障害物により、ビームの一部が不所望に遮断されることがない。
【００５２】
図９は勾配補正体の概略的な縦断面図である。抽出されたビームならびに内部ビームの半径方向位置がこの図面に示されている。磁界の所要の負の勾配は基本的には、図示の極性を有する４つの比較的大きい永久磁石（２５０）によって得られる。しかしながら、内側には付加的な２つのより小さな永久磁石（３００）が配置されている。これらの付加的な永久磁石は、内部ビームの位置で摂動する磁界の大きさを補償するのに役立つ。こうして得られた磁界の形状は、実線によって図９に示されている。比較のために、このような補正なしで得られる磁界も図示されている（破線）。
【００５３】
第１の調波磁界成分を谷に配置された永久磁石によって形成する抽出スキームに関連して、図９に示したものと同様の構成を、図８の符号（４４ａ）および（４４ｂ）に使用することができる。しかしこの場合、活用されるのは集束作用ではなく、装置の内径側における磁界の急速な上昇である。このような磁界の増大は、小さな補償用永久磁石によって実現することもできる。既に前述したように、このようなシャープな上昇は、抽出直前の旋回が第１の調波磁界成分によって大きな影響を受けるが、しかし最後から２番目の旋回は影響を受けないようにするために必要となる。
【００５４】
図３，７および８に示したいくつかの実施例に、損失ビームストッパ（８）の使用を提案することができると有利である。このビームストッパの目的は、不適当に抽出され、ストッパなしでは放射化するか、またはサイクロトロンの不所望の部分を損傷してしまうような僅かな量のビームを遮断することである。このビームストッパにおけるビーム損失は、静電デフレクタを使用した通常の抽出法で生じるセプタムにおけるビーム損失に匹敵する。しかしながら、提案した抽出法の主な利点は、内部ビームと分離されたビームとの間の旋回分離が既に１０ｃｍオーダであるような場所に、このビームストッパを組み込むことができることである。これにより、損失ビームのビーム密度が実質的に減じられ、水冷却がより簡単かつ有効になる。従って加熱の問題はセプタムにおける加熱の問題よりも、著しく少なくなる。さらに、冷却水中の熱のほとんど全てを放散させ、中性子放射の形成を最小限に抑えるために、ビームストッパの構成および構造材料を最適に選択することができる。静電デフレクタの場合、このような選択は自由ではない。なぜならば、高電界が存在するからである。損失ビームストッパの使用は、静電デフレクタを用いたコンベンショナルな抽出を介して獲得するよりも、著しく高い強度のビームを抽出することを可能にする。図１０は損失ビームストッパ（８）の提案された構成を示している。この損失ビームストッパは、抽出されたビーム（１２）の内側の後部を遮断するだけでなく、内部ビーム（１１）の外側の後部をも遮断するように構成されている。こうして、ビームストッパを適切に位置決めすることにより、ビームの低品質部分すべてを効果的に除去することができる。水圧を高くすることにより、冷却水は高速で狭い通路内に押し込まれる。この高い速度は、実質的に冷却効果を高める。冷却水は薄いアルミニウム壁内を通過する。従って熱のほとんどは水中で放散される。アルミニウムならびに水における中性子の生産性は低い。
【００５５】
勾配補正体（１０）を通過した後、ビームは、真空チャンバーの出口（１７）および帰路ヨークの出口（１８）を介してサイクロトロンを去る。この出口には、ビームを水平方向および鉛直方向に集束させるために、二重につながる四極子（１３）が配置されている。コンパクトな構成を可能にするために、四極子はシールドされていない永久磁石（４００）から成っている。この実施例においても、出口では外部磁界が低いので、シールドはやはり不要である。図１１は、四極子の縦断面を示している。永久磁石（４００）の磁性が矢印によって示されている。永久磁石の寸法は、四極子の内径のすべてにわたって生じる磁界内での制御不能な非線形の影響を最小限にするために最適化されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の好ましい実施例による、小型のセクタ集束型サイクロトロンのための磁気回路の下半部を三次元的に示す図である。
【図２】  図１に示したような磁気回路を示す縦断面図である。
【図３】  本発明の第１の好ましい実施例による小型のセクタ集束型サイクロトロンを、中央平面に沿って示す図である。
【図４】  本発明の第１の好ましい実施例に対応する拡張された山セクタを示す縦断面図である。
【図５】  本発明の好ましい他の実施例に対応する拡張された山セクタを示す縦断面図である。
【図６】  （ａ）および（ｂ）は、本発明のさらに他の好ましい実施例による小型のセクタ集束型サイクロトロンのための、互いに対向する山セクタに設けられたギャップの輪郭を示す図である。
【図７】  図６の（ａ）および（ｂ）に示したような山セクタのギャップを有する、小型のセクタ集束型サイクロトロンを中央平面に沿って示す図である。
【図８】  本発明の第３の好ましい実施例として、小型のセクタ集束型サイクロトロンを中央平面に沿って示す図である。
【図９】  永久磁石の構造と磁界の形状とを示す、勾配補正体の縦断面図である。
【図１０】  冷却機構を説明するための損失ビームダンパの横断面図および縦断面図である。
【図１１】  帰路ヨークの出口に配置された永久磁石四極子を示す縦断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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