(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部とを有して、該支持部と前記錘部とが１つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置の製造方法であって、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とを形成する基板を用意し、
該基板は、第１のエッチングガスにより加工される上部層と、同じく第１のエッチングガスにより加工される下部層との間に、前記第１のエッチングガスにより加工されずに前記第１のエッチングガスとは異なる第２のエッチングガスにより加工される中間層を挟んだ３層以上の層形状に形成されたものとし、
前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部の形成位置の前記上部層を前記第１のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、前記間隙部の形成位置の前記下部層および前記梁部の形成位置の前記下部層を前記第１のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、前記間隙部の形成位置の中間層を前記第２のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有し、
前記上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状を規則正しい複数の方向性を持つ溝形状とするとともに、前記下部層のエッチング溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝形状をその全長にわたって形成することを特徴とする外力検知装置の製造方法。
【請求項２】
上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状をメアンダ状または鋸形状または波形状とすることを特徴とする請求項１記載の外力検知装置の製造方法。
【請求項３】
基板は、上部層と下部層をシリコンにより形成し、中間層を酸化シリコンにより形成したＳＯＩ基板としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の外力検知装置の製造方法。
【請求項４】
上部層と下部層とが中間層を介して積層されている積層基板をエッチングガスによりエッチング加工してそれぞれ形成された、錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部と、梁部とを有して、該支持部と前記錘部とが１つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置であって、
前記中間層は前記上部層および下部層がエッチングされる第１のエッチングガスとは異なる第２のエッチングガスによってエッチングされる材質の層と成し、
前記錘部と前記支持部との間の錘部の可動空間の間隔部位は、前記積層基板の下部層又は該下部層と前記中間層の両層を下部層の下端から中間層にかけて進入させた溝をエッチングにより形成することによって形成されており、
前記下部層に形成された溝の真上側には前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部が前記上層部の上端から前記中間層に至るまで前記上層部を貫通させたエッチングの溝により形成されており、該上層部側の溝の溝壁面は規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面とするとともに、その真下側の前記下部層に形成されている溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面がその全長にわたって形成されていることを特徴とする外力検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサ等に用いられる外力検知装置の製造方法および外力検知装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサ等の外力検知装置の例として、例えば図５（ｄ）の断面図に示すように、錘部７と、該錘部７と間隔を介して配置された支持部５とを有して、該支持部５と前記錘部７とが１つ以上（この図では１つ）の接続箇所において梁部６により連結された構成を備えたものがある。梁部６は、錘部７よりも肉薄に形成されており、同図および、図５（ｅ）の平面図に示すように、前記錘部７の周りには、該錘部７の可動空間が形成されている。この種の外力検知装置は、外力に応じて、前記錘部７が可動して変位し、これに伴って、前記梁部６の変形が生じる構成を備えており、このような外力検知装置として、加速度センサ等の、様々な提案例がある（例えば、特許文献１、２、３、参照。）。
【０００３】
なお、錘部７と支持部５と梁部６は、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板により形成されるものである。図５（ａ）に示すように、ＳＯＩ基板１は、Ｓｉ（シリコン）の上部層２（ＳＯＩ層）とＳｉＯ2（酸化シリコン）の中間層３（ＢＯＸ層）とＳｉの下部層４（支持層）とが順に積層形成された（言い換えれば、上部層２と下部層４の間に中間層３を挟んだ）層形状の多層基板である。
【０００４】
上部層２と下部層４は、共に、Ｓｉにより形成されているので、Ｓｉを溶かして加工することが可能な第１のエッチングガスにより加工することができ、中間層３は、ＳｉＯ2により形成されているので、前記第１のエッチングガスにより加工されずに前記第１のエッチングガスとは異なる第２のエッチングガスにより加工することができる。
【０００５】
そこで、このＳＯＩ基板１を用いて前記錘部７と前記支持部５と前記梁部６を形成する加工は、例えば、図５の（ｂ）〜（ｄ）に示すようにして行うことができる。まず、図５（ｂ）に示すように、外力検知装置を構成する錘部７と支持部５とを隔てる間隙部８の形成位置の前記上部層２を、前記第１のエッチングガスにより溝形状に加工してエッチング溝９を形成する（上部層エッチング工程）。なお、図５（ｅ）に示されるように、エッチング溝９は一直線状に形成される。
【０００６】
次に、図５（ｃ）に示すように、前記間隙部８の形成位置の前記下部層４と前記梁部６の形成位置の前記下部層４を、前記第１のエッチングガスにより加工する（下部層エッチング工程）。なお、前記間隙部８の下部層４は、前記エッチング溝９よりも幅広に加工する。そして、支持部５と錘部７とが梁部６を介して（例えば、この図では、片持ち梁状に）連結されたパタンを形成し、また、支持部５と錘部７との間隙部８においては、中間層３のみが残存されている状態とする。
【０００７】
その後、図５（ｄ）に示すように、前記間隙部８の形成位置の中間層３を、前記第２のエッチングガスにより加工することにより（中間層エッチング工程）、間隙部８によって錘部７を支持部５と隔てるようにし、また、必要に応じて、梁部６の下部側の中間層３も第２のエッチングガスにより加工することにより、錘部７と梁部６と支持部５を、外力検知装置に適用される前記態様に形成することができる。
【０００８】
【特許文献１】特許公報３９５６９９９号
【特許文献２】特開２００４−１２５６１６号公報
【特許文献３】特開２００４−１０９１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、図５（ｃ）の下部層エッチング工程において、エッチングは、下部層４の下部側、つまり、ＳＯＩ基板１の下側から徐々に進むが、そのエッチング速度は、均一でないために、前記中間層３に接する状態で残存する下部層４の膜厚が不均一になる。この状態において、中間層３の上部に、図５（ｅ）に示したような一直線状のエッチング溝９が形成されていると、中間層３に掛かる応力が不均一となって、この図の矢印Ｆが示すエッチング溝９の形成部位に集中する。
【００１０】
そうなると、この箇所において中間層３が、エッチングによって加工される工程の前に、局部的に破断することがあり、この破断時の衝撃で、梁部６が折れたり、梁部６が折れることによって錘部７が基板面内から飛び出したりすることがあるために、外力検知装置の製造の歩留まりが悪くなり、また、ロットアウトが生じてしまうといった問題があった。
【００１１】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、歩留まりよく製造することが可能な、外力検知装置の製造方法および外力検知装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、本発明の外力検知装置の製造方法は、
錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部とを有して、該支持部と前記錘部とが１つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置の製造方法であって、
前記錘部と前記支持部と前記梁部とを形成する基板を用意し、
該基板は、第１のエッチングガスにより加工される上部層と、同じく第１のエッチングガスにより加工される下部層との間に、前記第１のエッチングガスにより加工されずに前記第１のエッチングガスとは異なる第２のエッチングガスにより加工される中間層を挟んだ３層以上の層形状に形成されたものとし、
前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部の形成位置の前記上部層を前記第１のエッチングガスにより溝形状に加工する上部層エッチング工程と、前記間隙部の形成位置の前記下部層および前記梁部の形成位置の前記下部層を前記第１のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程の後に、前記間隙部の形成位置の中間層を前記第２のエッチングガスにより加工する中間層エッチング工程を有し、
前記上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状を規則正しい複数の方向性を持つ溝形状とするとともに、前記下部層のエッチング溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝形状をその全長にわたって形成することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の外力検知装置は、
上部層と下部層とが中間層を介して積層されている積層基板をエッチングガスによりエッチング加工してそれぞれ形成された、錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部と、梁部とを有して、該支持部と前記錘部とが１つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部の周りには該錘部の可動空間が形成され、外力に応じて前記錘部の変位と、これに伴う前記梁部の変形とが生じる構成を備えた外力検知装置であって、
前記中間層は前記上部層および下部層がエッチングされる第１のエッチングガスとは異なる第２のエッチングガスによってエッチングされる材質の層と成し、
前記錘部と前記支持部との間の錘部の可動空間の間隔部位は、前記積層基板の下部層又は該下部層と前記中間層の両層を下部層の下端から中間層にかけて進入させた溝をエッチングにより形成することによって形成されており、
前記下部層に形成された溝の真上側には前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部が前記上層部の上端から前記中間層に至るまで前記上層部を貫通させたエッチングの溝により形成されており、該上層部側の溝の溝壁面は規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面とするとともに、その真下側の前記下部層に形成されている溝の溝幅の両端間であって当該両端よりも内側に前記規則正しい複数の方向性を持つ溝壁面がその全長にわたって形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の外力検知装置は、錘部と、該錘部と間隔を介して配置された支持部とを有して、該支持部と前記錘部とが１つ以上の接続箇所において前記錘部よりも肉薄の梁部によって連結されており、前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部を形成するエッチングの溝の溝壁面が、複数の方向性を持つ溝壁面と成しているものであり、例えば本発明の外力検知装置の製造方法によって、歩留まりよく製造することができる。
【００１５】
本発明の外力検知装置の製造方法は、上部層と中間層と下部層とを有する３層以上の層形状の基板によって、外力検知装置を構成する錘部と支持部と梁部とを形成するものであり、前記錘部と前記支持部とを隔てる間隙部の形成位置の下部層と梁部の形成位置の下部層を第１のエッチングガスにより加工する下部層エッチング工程を有している。この工程における下部層のエッチング速度が不均一になると、中間層に接する状態で残存する下部層の膜厚が不均一になり、ここで、従来のように、上部層エッチング工程で一直線状のエッチング溝が中間層の上部に形成されていると、エッチング溝に沿った領域に応力が集中し、中間層が、そのエッチング工程の前に局部的に破断することがあるが、本発明では、前記エッチング溝の平面形状を複数の方向性を持つ溝形状とすることにより、前記応力を分散させることができ、前記中間層の局部的な破断を防ぐことができる。
【００１６】
つまり、本発明によれば、エッチング溝の平面形状を複数の方向性を持つ溝形状とすることにより、同じ距離の領域に一直線状の溝を形成する場合に比べ、溝の長さを長くできるし、応力の方向も分散させることができるために、前記応力を分散させることができ、それにより、前記中間層の局部的な破断を防ぐことができる。したがって、中間層の破断に伴って梁部が折れてしまったり、梁部が折れることにより錘部が基板面内から飛び出したりするといったことを防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、錘部の飛び出しを防げるために、製造装置に対しての負荷を低減でき、製造装置のメンテナンス頻度の低減を図ることができるし、安定したロット流動を実現できる。
【００１７】
特に、本発明において、前記上部層エッチング工程におけるエッチング溝の平面形状をメアンダ状または鋸形状または波形状とすることにより、前記応力分散効果を非常に良好に発揮することができるため、前記各効果を、よりいっそう確実に発揮することができる。
【００１８】
さらに、上部層と下部層をシリコンにより形成し、中間層を酸化シリコンにより形成したＳＯＩ基板を用いて外力検知装置を製造すると、ＳＯＩ基板は、様々なパタンを精度よく形成できるので、前記各効果によって外力検知装置を容易に、かつ、精度よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明において、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
【００２０】
図１（ａ）には第１実施形態例の外力検知装置である加速度センサの要部構成が模式的な分解斜視図により示されている。この図に示されるように、第１実施形態例の外力検知装置は、ＳＯＩ基板１から形成される錘部７と支持部５（５ａ，５ｂ，５ｃ）と梁部６とを備えた加速度検知体２０を有している。また、図１（ｂ）には、加速度検知体２０が図２（ａ）のＡ−Ａ’断面で切断されるように、加速度センサを切断した場合の、断面構成（加速度センサの断面図の一部）が模式的に示されている。
【００２１】
これらの図に示すように、本実施形態例の加速度センサにおいて、ガラス製の基台１１の上に枠状のポリイミド層１２が形成され、その上に、ＳＯＩ基板１から成る錘部７と梁部６と支持部５を有する加速度検知体２０が積層されて形成されており、加速度検知体２０の上には、枠状のポリイミド層１４、板状のポリイミド層１６、ガラス基板１７が順に積層されている。ガラスの基台１１およびガラス基板１７は、加速度検知体２０を、外力や環境から保護する役割を果たす。
【００２２】
なお、図１（ｂ）の図中、符号１８は保護層を示し、２５はピエゾ抵抗を、２３は低抵抗配線を、２４は金属配線を、それぞれ示す。
【００２３】
また、図２（ａ）には、本実施形態例の加速度センサの加速度検知体２０の斜視図が、図２（ｂ）には、その平面図が示されており、図２（ｂ）において、ＳＯＩ基板１の下部層４および中間層３が除去されている領域に、ドットをつけて示している。
【００２４】
これらの図に示すように、加速度検知体２０に形成された２つの錘部７は、線対称形状を有して、互いに対向配置されており、前記支持部５（５ａ，５ｂ，５ｃ）のうち、支持部５ｂは、加速度検知体２０の外縁側に枠状に形成され、支持部５ｃは、図２（ｂ）の上下方向に伸延されて、その上端と下端とが支持部５ｂに連結され、錘部７を左右両側から挟む態様で設けられている。また、支持部５ａは、加速度検知体２０の中央部に形成されている。支持部５ａ，５ｂ，５ｃと錘部７とは、互いに間隔を介して配置されている。これらの間隔が形成された各間隙部８において、ＳＯＩ基板１の上部層２には、エッチング溝９が形成されている。
【００２５】
また、錘部７は、略コ形状の梁部６を介して支持部５ａに接続されており、梁部６は、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１の下部層４と中間層３とが除去された状態で、錘部７よりも肉薄に形成されている。梁部６と錘部７との境界部および錘部７と支持部５ｂ、５ｃの境界部の上部層２にも、エッチング溝９が形成されている。
【００２６】
前記支持部５ａの中央部と支持部５ｃ，５ｂには、それぞれ、配線パタン２８が形成されており、これらの配線パタン２８は、梁部６に形成されている前記ピエゾ抵抗２５（図１（ｂ）、参照）と、加速度検知体２０の両端側の支持部５ｂに設けられた金属配線２４とに、接続されている。各金属配線２４は、外部の電圧電源やグランド等に適宜接続されている。なお、図２（ａ）および（ｂ）においては、電極パタン２８の図示を、一部省略して示しており、また、図１（ａ）においては、電極パタン２８と金属配線２４を省略して示している。
【００２７】
本実施形態例において、特徴的な構成は、錘部７と支持部５ｂ，５ｃとの間隙部８に形成されて、錘部７の外周側をコ字形状に囲む態様のエッチング溝９の平面形状を、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の方向性を持つ溝形状のメアンダ状としたことである。このエッチング溝９の溝幅は、１〜１０μｍ程度、折り返しピッチ（図２の（ａ）のＰ）は、１０〜１００μｍ程度としており、エッチング溝９の溝壁面は、複数の方向性を持つ溝壁面と成している。
【００２８】
以下、本実施形態例の製造方法について、図３（ａ）〜（ｇ）に基づいて、説明する。まず、図３（ａ）のＳＯＩ基板１を用意して、図３（ｂ）に示すように、予め定められた設定位置に、ピエゾ抵抗２５と、その引き出しのための金属配線２４と、保護層１８を形成する。また、必要に応じて、低抵抗の活性層配線２３を形成する。これらの抵抗や配線の形成は、シリコン半導体の製造で通常使用される製造技術を用いて行う。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板１の上側に、ポリイミド層１４を形成して、錘部７となる部位の上部側に、錘部７の可動空間が形成されるようにする。なお、ポリイミド層１４は、以下に述べるように、例えば、フォトリソグラフィー技術を用いて塗布し、パタン形成した後に、硬化させることにより形成される。つまり、まず、形成したいキャビティ空間の幅に応じて、液状のポリイミドを、スピン塗布によって、通常、３〜２０μｍの厚さに塗布する。その後、感光性ポリイミドの場合は、フォトリソグラフィー技術を用いてキャビティパタンを形成し、非感光性ポリイミドの場合は、ポリイミドのポストベーク（後硬化）の後に、フォトレジストで形成したマスクパタン越しにエッチングした後、レジストを剥離することで、ポリイミドのパタン形成を完了する。
【００３０】
その後、図３（ｄ）に示すように、錘部７と支持部５との間隙部８の形成位置および、支持部５ｂと支持部５ｃとの間隙部８の形成位置や、梁部６と錘部７との境界部等、適宜の位置において、上部層２と保護層１８を、第１のエッチングガスを用いたエッチングにより加工し、エッチング溝９を形成するが、本実施形態例では、錘部７をコ字形状に囲む態様で形成される、錘部７と支持部５ｂ，５ｃとの間の間隙部８に形成するエッチング溝９の平面形状を、図２（ａ）、（ｂ）に示したように、複数の方向性を持つ溝形状のメアンダ状とする。なお、このエッチング溝９を形成する際のエッチングは、ドライエッチングでもウエットエッチングでもよく、エッチング時に用いられるフォトレジストは、エッチング完了後に、洗浄により取り除く。
【００３１】
次に、図３（ｅ）に示すように、別途、ガラス基板１７にポリイミド層１６を形成しておいて、加速度検知体２０上に、ポリイミド層１６を介してガラス基板１７を固定する。この固定は、熱圧着機による接合によって行われるものであり、接合温度は、ＳＯＩ基板１上に形成された金属配線等に影響を与えないような、２５０〜４００℃に設定される。また、接合圧力は、ポリイミド層１４の膜厚等の形成状態により適宜の最適値に設定して行われるものであるが、例えば０．５ＭＰａ以上の圧力で接合できる。
【００３２】
その後、図３（ｆ）、（ｇ）に示すように、従来例と同様に、下部層エッチング工程、中間層エッチング工程を順に行う。なお、下部層４のエッチング時に、上部層２のエッチング溝９と干渉しないように、エッチング溝９よりも幅広の直線状に、下部層４を削っていくようにする。また、これらのエッチング工程におけるエッチングは、ドライエッチングが好適であり、下部層エッチング工程後のフォトレジストの取り除きは、アッシング等のドライ処理により取り除く。
【００３３】
また、別途、ガラスの基台１１上にポリイミド層１２を形成しておき、基台１１上に、ポリイミド層１２を介して加速度検知体２０を固定して、図１（ｂ）に示したような加速度センサを製造する。なお、基台１１上への加速度検知体２０の固定方法は、加速度検知体２０とガラス基板１７との固定と同等の温度、もしくは、それよりも低い温度における熱圧着による接合によって行われる。
【００３４】
本実施形態例は、以上のようにして製造され、本実施形態例において、加速度センサに加速度が加えられると、錘部７が可動し、それに伴って梁部６が変形し、梁部６に設けられたピエゾ抵抗２５（詳細な配置は、図示せず）の抵抗値が、加速度が加えられていない状態における抵抗値から変化し、それにより、加速度の検出が行われる。なお、この加速度検出動作の基本原理は、例えば、前記特許文献１に記載されている原理と同様であり、その詳細説明は省略する。
【００３５】
本実施形態例によれば、前記の製造方法を適用し、錘部７と支持部５ｂ，５ｃとの間隙部８の形成位置において、ＳＯＩ基板１の上部層２に形成するエッチング溝９の平面形状をメアンダ状に形成することにより、該エッチング溝９の長さを長くできるし、複数の方向性を持つ溝形状とすることにより、前記間隙部８において中間層３にかかる応力の方向を分散させることができるので、製造途中における中間層３の破断を防止し、梁部６の破損や錘部７の飛び出しといった従来の問題を解決することができる。
【００３６】
なお、本発明は前記各実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、前記錘部７をコ字形状に囲む態様で、錘部７と支持部５ｂ，５ｃとの間隙部８に形成する前記エッチング溝９の溝幅や形状、折り返しのピッチ等は特に限定されるものでなく、適宜設定されるものである。例えば、図４（ａ）〜（ｄ）には、錘部７をコ字形状に囲む態様で、錘部７と支持部５ｂ，５ｃとの間隙部８に形成するエッチング溝９の形態例の平面図が、梁部６と錘部７との境界部に形成するエッチング溝９と共に示されている。
【００３７】
なお、このエッチング溝９の例として、図４（ａ）は、前記実施形態例と異なる折り返しピッチで形成したメアンダ状のエッチング溝９の例を示し、図４（ｂ）は、曲線のみの波形状のエッチング溝９の例を示しており、図４（ｃ）は、鋸形状のエッチング溝９の例を示しており、これらのようなエッチング溝９の形成によって、前記実施形態例と同様の効果を奏することができる。また、図４（ｄ）は、ラダー状（長手方向の直線の両側に短い直線を互い違いに形成した形状）のエッチング溝９の例を示しており、このように、直線部の組み合わせであっても、複数の方向性を持たせることにより、従来のように、エッチング溝９を一直線状に形成する場合に比べて、製造歩留まりを格段に向上させることができる。
【００３８】
また、前記実施形態例では、加速度検知体２０をポリイミド層１２，１４，１６を介してガラス基板１７と基台１１とで挟む態様としたが、加速度検知体２０の上下や周囲の構造は特に限定されるものでなく、適宜設定されるものであり、錘部７の可動空間を確保できればよく、例えばガラス基板１７と基台１１に、錘部７が可動可能となるように、凹部を形成してもよい。なお、外力検知装置は、加速度検知体２０を保護できる構成を備えていれば好ましい。
【００３９】
さらに、本発明の加速度センサ等の外力検知装置において、錘部７と支持部５と梁部６の形状および、ピエゾ抵抗２５等の配置形態等は特に限定されるものでなく、適宜設定されるものであり、検知する外力に応じて錘部７の変位と、それに伴う梁部６の変形が生じる構成を備えて、外力を検知できる構成であればよいので、例えば、梁部６によって両持ち梁状態で錘部７を支持部５に連結する（つまり、錘部７の両側に設けた支持部５に、それぞれ、梁部６を介して錘部７を連結する）態様としてもよい。
【００４０】
さらに、前記実施形態例では、上部層２と下部層４をシリコンにより形成し、中間層３を酸化シリコンにより形成したＳＯＩ基板１を用いて、錘部７と支持部５と梁部６を有する加速度検知体２０を形成したが、錘部７と支持部５と梁部６を形成する基板は、必ずしもＳＯＩ基板１とするとは限らず、適宜設定されるものである。なお、基板の形成材料や構造によっては、梁部６の下部側の中間層３をエッチングにより除去せずに、残しておいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る外力検知装置の一実施形態例の構成を説明するための模式的な分解斜視図（ａ）と模式的な断面図（ｂ）である
【図２】前記実施形態例の外力検知装置における加速度検知体の模式的な斜視図（ａ）と平面図（ｂ）である。
【図３】前記実施形態例の外力検知装置の製造方法を示す模式的な断面説明図である。
【図４】その他の実施形態例の外力検知装置における加速度検知体において、錘部の周りと梁部の周り形成されたエッチング溝の模式的な平面図である。
【図５】外力検知装置の一従来例の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ＳＯＩ基板
２  上部層
３  中間層
４  下部層
５  支持部
６  梁部
７  錘部
８  間隙部
９  エッチング溝
【図１】
0004687736.tif 000002
【図２】
0004687736.tif 000003
【図３】
0004687736.tif 000004
【図４】
0004687736.tif 000005
【図５】
0004687736.tif 000006