(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたマークの重ね合わせ誤差を計測し、予め設定されたマークの位置に関する情報および属性に関する情報に対応づけて取得する工程と、
複数のマークの重ね合わせ誤差を、前記マークの位置に関する情報によって決まるベクトルと係数とを含む多項式で表した場合に、
複数のマークの重ね合わせ誤差の計測結果と前記マークの位置に関する情報とにもとづく回帰分析により前記係数を算出する工程と、
算出された係数と前記マークの属性に関する情報とにもとづく分散分析により、複数のマークの重ね合わせ誤差の自乗和または自乗平均値を、前記係数毎に、前記マークの属性に対応した複数の値として抽出する工程と、
を備えることを特徴とする露光装置の精度分析方法。
【請求項２】
前記露光装置の精度は、重ね合せ精度、アライメント精度、配列再現性、ステッピング精度、レンズディストーション精度、テレセン度の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の精度分析方法。
【請求項３】
前記マークの位置に関する情報は、ウエハ平面上のショット中心位置座標および各ショット中心を原点とするマーク位置座標のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の精度分析方法。
【請求項４】
前記マークの属性に関する情報は、マークが属するウエハを表す情報、マークが属するショットを表す情報、およびショット内のマーク種別を表す情報のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の精度分析方法。
【請求項５】
前記多項式のベクトルは、互いに直交することを特徴とする請求項１に記載の精度分析方法。
【請求項６】
前記分散分析を行う際に、前記マークの属性に関する情報に基づいて、互いに直交する列ベクトルを求め、該列ベクトルを用いて前記係数を複数の値に分離することを特徴とする請求項１に記載の精度分析方法。
【請求項７】
原版のテストパターンを、投影光学系により基板に結像し、その基板に転写された複数のマークを計測して露光装置の精度を分析する際に、マークの位置および属性に関する情報を用いて、前記基板に転写されたマーク計測データの自乗平均値を、前記マークの属性および形状モードに対応づけて分離する工程を有することを特徴とする精度分析方法。
【請求項８】
前記露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法により前記露光装置の精度を分析する工程とを有し、前記製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を製造する際に、レチクル面上の回路パターンをウェハ面上にステップアンドリピートして投影露光する露光装置（いわゆるステッパ）や、同様に、レチクル面上の回路パターンを、ウェハ面上に順にステップアンドスキャンして投影露光する露光装置（いわゆるスキャナ）において、装置の各種精度を調べるために計測したデータの分析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
露光装置の各種精度は、ウエハに転写した重ね合せマークのずれを計測する方法や、ウエハステージを移動させて、ウエハ全面に転写されたグレーティングマークを顕微鏡で順次計測する方法によって計測されている。従来は、その計測データの平均値や標準偏差から装置の精度を評価したり、回帰分析によって求めた各種オフセット値によって装置の調整が行われていた。
【０００３】
例えば、重ね合せ精度のデータとして、Ｘ方向にシフトＤx 、ウエハ倍率Ｍx 、ウエハ回転Ｒy のアライメント誤差をもったデータを仮定する。
【０００４】
【数１】
0004834249.tif 000002
【０００５】
このとき、各モードの係数推定値Ｄx ，Ｍx ，Ｒy は回帰分析により、以下の式（１）〜（３）のように求めていた。
【０００６】
【数２】
0004834249.tif 000003
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の分析方法では、計測データに付随する位置情報を利用した回帰分析を行っていたが、誤差の二乗平均を定量的に分析していなかったため、定量的に評価することはできない、誤差に占めるさまざまな要因があった。例えば、ステッパの重ね合せ精度では第１露光過程で、レチクルに描画された複数の主尺バーニヤを一括転写し、第２露光過程では、これらの主尺バーニヤに副尺バーニヤが重なるよう、ステージ位置に一定のオフセット距離を与えて露光する。このとき、ウエハ毎にシフトやウエハ倍率などを求めるだけでは、誤差の二乗平均に占めるこれらの成分を定量的に把握できなかった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の問題を解決し、計測データに付随する位置情報と属性情報によって、各種精度のデータを系統的に分析し、精度の内訳を定量的に且つ詳細に把握することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明は、基板に形成された重ね合わせマークから得られる情報に基づいて、分析対象を形状モードベクトルとモードゲインとの積を含む分析対象ベクトルとして取得し、前記形状モードベクトルと前記分析対象ベクトルとから前記モードゲインを抽出することで行われる露光装置の精度分析方法であって、複数の基板に形成された重ね合わせマークから前記マークの位置および属性に関する情報を取得する工程と、分析対象を前記マークの位置および属性に関する情報に基づいた形状モードベクトルおよびモードゲインの積を含む分析対象ベクトルとして取得する工程と、前記分析対象ベクトルの全自乗和または自乗平均値からモードゲインを抽出するための直交モード分析と、前記分析によって得られたモードゲインを直交配置モードに分離する分散分析とを行う工程と、前記得られた分析結果から露光装置の精度を評価する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明は別の観点では、複数の基板に形成されたマークから得られる情報に基づいて、露光装置の精度を分析する精度分析方法であって、マークが属する基板を表す情報、マークが属するショットを表す情報、およびマークの種別を表す情報のうち少なくともいずれかを含むマークの属性に関する情報および前記マークの位置計測データを取得する工程と、前記マークの位置計測データにもとづいて、前記位置計測データの自乗平均値を前記マークの属性および形状モードに対応づけて分析する工程と、分析結果にもとづいて露光装置の精度を分析する工程を備えることを特徴とする。
【００１０】
つまり、計測データの自乗平均に対し、例えば、データが属するウエハ、ショット、マークというデータの付随情報も利用した分析を行い、装置性能の評価や装置調整に有効な情報を提供することが可能となる。
【００１１】
ここで、自乗平均値を分析する工程を、具体的に説明すると、例えば、各マーク（ｉ＝１〜Ｎ）位置に関する情報（ｘi ，ｙi ）をＮ行２列の列ベクトルに表わし、これから派生した様々な形状モード、例えば各要素を自乗したベクトルなどを加え、これらの形状モードを用いた回帰分析によって各モード毎のモード係数を求める。つまり、これらの形状モードベクトルに基づいて互いに直交する列ベクトルを求め、これにより分析対象の計測値の全自乗和または自乗平均を抽出する。
【００１２】
さらに、得られたモード係数について、属性情報から直交配置によって求めた主効果や交互作用の直交配置ベクトルで分散分析を行い、データ全体の自乗平均値を各形状モードと各種属性に分離する。
【００１３】
本発明の半導体デバイス製造方法は、露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、上記本発明の方法により露光装置の精度を分析する工程とを有し、この製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする。これにより、装置性能の評価や装置調整を細かく行うことが可能となり、精密な半導体デバイスを製造することができるようになる。この際、製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工程と、ローカルエリアネットワークと半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、製造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信してもよい。また、製造装置のベンダーもしくはユーザーが提供するデータベースに外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって製造装置の保守情報を得る、または半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行ってもよい。
【００１４】
本発明のデバイス製造装置の保守方法は、半導体製造工場に設置された露光装置の保守方法であって、露光装置のベンダーまたはユーザーが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データベースを提供する工程と、半導体製造工場内から外部ネットワークを介して保守データベースへのアクセスを許可する工程と、保守データベースに蓄積される保守情報を外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
【作用】
以上の方法により露光装置の精度を分析することにより、データの自乗平均値は、データに付随する位置情報と属性情報によって詳細に分析することができるため、誤差の主要因を定量的に把握することが可能となる。
【００１６】
【実施例】
（第１実施例）
本発明の第１実施例について述べる。図１は配列再現精度を評価するときのショットレイアウト例である。同図において、１は配列再現精度を評価するための重ね合せマーク、２は配列再現精度を評価するためのウエハである。
【００１７】
配列再現精度の評価において、第１露光過程では、１枚のウエハにつき１６個のショットをステップピッチ２２ｍｍで転写する。続いて行われる第２露光過程では、第１露光過程で転写されたショット内１点の主尺に副尺を重ね合せ、重ね合せマーク１を形成する。これを、４枚のウエハ２に連続して行い、重ね合せ誤差を計測する。
表１および表２に、このときに得られたデータを示す。
【００１８】
【表１】
0004834249.tif 000004
【００１９】
【表２】
0004834249.tif 000005
【００２０】
各行に１つの重ね合せマークから得られる情報が記録されていて、１列目が重ね合せマークの番号である。ウエハ枚数はＫ（＝４）枚、ウエハ当リショット数はＪ（＝１６）ショットであるから、マークの数はＫ×Ｊ（＝６４）個ある。そして、２列目（ｋ）がウエハの番号、３列目（ｊ）がショット番号、４列目（Ｘ）と５列目（Ｙ）がウエハ中心を原点とするマークの位置座標Ｘj ，Ｙj 、６列目（ｘ）と７列目（ｙ）が重ね合せ誤差のＸ，Ｙ各方向計測値である。つまり、得られた重ね合せマークの情報には、ウエハ中心を原点とするマーク位置座標（Ｘj ，Ｙj ）の位置情報、データの属するウエハｋ、ショットｊの属性情報が付随している。次に、従来と同様に計測値ｘj ，ｙj を形状モードベクトル毎に分析する。ここでは例として、計測値ｘj を分析する。
【００２１】
表３は、形状モードに０次（シフト）、Ｘ１次（ウエハ倍率）、Ｙ１次（ウエハ回転）、Ｘ２次、Ｘ３次を設定した場合の原形モードベクトルを示している。
【００２２】
【表３】
0004834249.tif 000006
【００２３】
この原形モードベクトルを本実施例の分析に用いる際は、各列ベクトルは互いに直交していなくてはならない。それは、直交化しなければ、計測値の自乗平均値ｍｅａｎ（ｘ2 ）を形状モード毎に独立して分離できないからである。なお、形状モードベクトルに位置座標の高次ベクトル（例えば、Ｘ2 ）を設定した場合や、ショット配列が対称でない場合は、全ての形状モードベクトルが互いに直交するとは限らないため、その場合はモードに優先順位をつけ（通常は単純なモードを優先している) 優先順位の高いモード成分を除いた残差を新しいモードにする方法で直交化し、各形状モードベクトルの内積が要素数Ｎになるようにする。あるいは、シュミット（Ｓｈｕｍｉｄｔ）の直交化法を用いて正規直交ベクトルに変換し、要素数Ｎの平方根を乗じてもよい。表４は表３に示した原形モードベクトルを直交化したものである。
【００２４】
【表４】
0004834249.tif 000007
【００２５】
今、分析対象である計測値ｘが、Ｎ次元のベクトルとして与えられ、ベクトルｘはｎ個の形状モードベクトルΦi （ｉ＝１〜ｎ）と誤差ｅの線形和で表わされるとする。ここで、計測値ｘに含まれる各形状モードベクトルの量を「モードゲイン（ａ）」と呼ぶことにする。
【００２６】
【数３】
0004834249.tif 000008
【００２７】
式（５）中、ＥはＮ個の要素全てが１の列ベクトル、ｅは残差（列ベクトル）である。さて、分析によって求めたいものは各モードゲインａである。そこで、上の式（５）について、単位ベクトルＥとの内積をとれば、
【００２８】
【数４】
0004834249.tif 000009
となり、また、形状モードベクトルΦk との内積をとれば、
【００２９】
【数５】
0004834249.tif 000010
【００３０】
よって、（５）（６）式から、容易に各モードゲインａiが得られる。このとき、ベクトルｘの自乗平均値は、
【００３１】
【数６】
0004834249.tif 000011
となる。
【００３２】
このように、「直交ベクトル」を用いれば、分析対象のデータ（ベクトル）の自乗平均値（分散と平均値の自乗の和）に含まれる各モードゲインを抽出できる。
【００３３】
表５は、図１に示したウエハの計測データｘを表４の形状モードベクトルで分析したモードゲインをウエハ毎に求めた結果である。
【００３４】
【表５】
0004834249.tif 000012
【００３５】
直交ベクトルによるモード分析は、１セットのデータ（例えば、１枚のウエハから得られるデータ）を分析する方法であるから、その成分は１セットにつき１つ得られる。しかし、枚数を増やすと成分値も枚数分得られる。さらに複数台の装置でデータをとると「台数×枚数」の成分値が得られる。このようにして得た成分値も１セットのデータであるが、もはや位置情報による形状モードベクトルでは説明できない。そこで、さらに各モードゲインと残差を分散分析の手法で、２種類の属性（ウエハ、ショット）をもったＫ×Ｊ個のデータを、ｎ個の統計的な直交配置ベクトルで分析する。このとき、データのモデルは、各原因を示す形状モードが様々な割合で重畳してできていると考える。
【００３６】
【数７】
0004834249.tif 000013
このとき、データの自乗和は次のようになる。
【００３７】
【数８】
0004834249.tif 000014
【００３８】
上の式（１０）をみると、各形状モードの成分と残差に分類されていることが分かるので、各モードゲインを次の式（１１）のように表現する。
【００３９】
【数９】
0004834249.tif 000015
次に、各形状モードベクトルの自乗和を求める。
【００４０】
【数１０】
0004834249.tif 000016
続いて、残差を次の式（１３）のように表現する。
【００４１】
【数１１】
0004834249.tif 000017
【００４２】
同様に、残差の自乗和を求める。各括孤内に示された直交配置ベクトルは互いに直交するので、多くの項が零になる。
【００４３】
【数１２】
0004834249.tif 000018
【００４４】
（１２），（１４）式から、データの自乗和は次のように表わされる。なお、データの自乗平均はこれをデータ数（ＫＪ）で割ればよい。
【００４５】
【数１３】
0004834249.tif 000019
【００４６】
表６は、図１に示したウエハの計測データｘの自乗平均値を分析した結果である。分析表は縦横の合計が右下に表示されていて、それ（８９．６０ｎｍ2)が計測データｘの自乗平均値になっている。縦系は位置情報による形状モードによる分析であり、上の項目ほど優先順位の高いモードであり、Ｏｔｈｅｒという項目は形状モードで分析した残差を示している。一方、横系は統計的な直交配置モードである。縦系のモードも横系のモードも、各々の系で互いに直交したベクトルであるが、縦系の形状モードは、分析者の洞察などから定めたモードで、元来は直交しないモードも強制的に直交化している。一方、横系の直交配置モードはデータ属性の種類（ウエハ・ショット) から決定されるもので、２を属性の種類数だけ累乗した数だけ存在する。なお、各列の統計的モードの意味は、［＊，＊］が全平均、［ｋ，＊］が第１因子の級間変動、［＊，ｊ］が第２因子の級間変動であり、［ｋ，ｊ］が残差である。
【００４７】
【表６】
0004834249.tif 000020
【００４８】
（第２実施例）
次に、本発明の第２実施例について述べる。図２は重ね合せ精度を評価するときのショットレイアウト例である。同図において、１は重ね合せ精度を評価するための重ね合せマーク、４は重ね合せ精度を評価するためのウエハを示す。本例では、第１露光過程で１枚のウエハにつき５２個のショットをステップピッチ２２ｍｍで５枚のウエハに連続して転写し、これらを現像した後、１枚づつウエハをステージにチャッキングし、チャッキングに際して生じたウエハのシフト誤差、ウエハ回転誤差、現像プロセスによって生じたウエハの倍率誤差を補正するため、抽出された複数のアライメントマークを計測し、ウエハのシフト誤差、ウエハ回転誤差、ウエハの倍率誤差を補正するグローバルアライメントが行われ、続いて行われる第２露光過程では、第１露光過程で転写されたショット内５点の主尺に対し、副尺の重ね合せ露光が行われ、重ね合せマーク３が形成される。そして、これを４枚のウエハ４に連続して行い、重ね合せ誤差を計測している。このとき、ウエハ枚数はＫ（＝５）、ウエハ当りショット数はＪ（＝５２）、ショット内のマーク数はＩ（＝５）であるから、マークの総数はＫ×Ｊ×Ｉ（＝１３００）個あり、各データには、ショット中心位置座標（Ｘj ，Ｙj ）、ショット中心を原点とするマーク位置座標（Ｕi ，Ｖi ）の位置情報、データの属するウエハｋ、ショットｊおよびマークｉ、の属性情報が付随している。
【００４９】
ここで、第１実施例と同様にマークやショットの位置情報を用いた直交モード分析と、分析で得たモードゲインおよび残差の直交配置ベクトルによる分散分析によって、表７に示す分析表が得られる。この場合も、右下の値（１７０．５１ｎｍ2 ）が計測データｘの自乗平均値である。なお、各列の統計的モードの意味は、［＊，＊，＊］が全平均、［ｋ，＊，＊］が第１因子の級間変動、［＊，j ，＊］が第２因子の級問変動、［＊，＊，ｉ］が第３因子の級間変動、［ｋ，j ，＊］が第１因子と第２因子の交互作用、［ｋ，＊，ｉ］が第１因子と第３因子の交互作用、［＊，j ，ｉ］が第２因子と第３因子の交互作用、［ｋ，ｊ，ｉ］が残差である。
【００５０】
【表７】
0004834249.tif 000021
【００５１】
（半導体生産システムの実施例）
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００５２】
図３は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００５３】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５４】
さて、図４は本実施形態の全体システムを図３とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図４では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１０、レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカー２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００５５】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図５に一例を示す様な画面のユーザーインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザーインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した露光精度の分析方法に関する情報も含まれ、また前記ソフトウエアライブラリは露光精度を分析するための最新のソフトウエアも提供する。
【００５６】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００５７】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造装置では、ウエハやレジストの精密な位置決めが必要なところに上記説明した、光学式エンコーダを用いているため、半導体デバイス製造における歩留を向上することができる。また、上記説明した遠隔保守システムによって各製造装置の保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、データに付随する位置情報と属性情報によって、各種精度のデータを系統的に分析できるので、精度の内訳を定量的に且つ詳細に把握することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  配列再現精度を評価する検査ウエハのショット配列を示す図。
【図２】  重ね合せ精度を評価する検査ウエハのショット配列を示す図。
【図３】  半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図。
【図４】  半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図。
【図５】  ユーザーインタフェースの具体例。
【図６】  デバイスの製造プロセスのフローを説明する図。
【図７】  ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
１：重ね合せマーク、２：ウエハ。
【図１】
0004834249.tif 000022
【図２】
0004834249.tif 000023
【図３】
0004834249.tif 000024
【図４】
0004834249.tif 000025
【図５】
0004834249.tif 000026
【図６】
0004834249.tif 000027
【図７】
0004834249.tif 000028