(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室において基板保持体に設けられた複数の基板保持部に複数枚の基板を水平かつ互いに中心を揃えた状態に整列させてそれぞれ保持して、前記複数枚の基板上に薄膜を形成する成膜工程と、前記処理室に空の前記基板保持体を収容した状態でクリーニングガスを供給し前記成膜工程によって堆積した膜を除去するクリーニング工程と、このクリーニング工程後に前記処理室に空の前記基板保持体を収容した状態で少なくとも前記基板保持体の前記基板保持部に対して、前記基板との摩擦が前記基板保持部と前記基板との摩擦よりも小さいコーティング膜を成膜するコーティング工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板保持体に設けられた複数の基板保持部に複数枚の基板を水平かつ互いに中心を揃えた状態に整列させてそれぞれ保持して、前記複数枚の基板を収容する処理室と、この処理室に前記基板に成膜用のガスを供給する成膜ガス供給管と、前記処理室にクリーニングガスを供給するクリーニング供給管と、クリーニング後に前記処理室に空の前記基板保持体を収容した状態で少なくとも前記基板保持体の前記基板保持部に対して、前記基板との摩擦が前記基板保持部と前記基板との摩擦よりも小さいコーティング膜をコーティングするガスを供給するコーティングガス供給管とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２において、前記コーティング膜は、窒化膜であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法に使用される基板処理装置であって、半導体素子を含む集積回路が作り込まれるシリコンウエハ（以下、ウエハという。）を処理する基板処理装置のメンテナンス技術に関し、例えば、ウエハに窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびポリシリコン等を堆積（デポジション）させる減圧ＣＶＤ装置に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの製造方法において、ウエハに窒化シリコンや酸化シリコンおよびポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガスを供給する成膜ガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入され、処理室に成膜ガスが成膜ガス供給管から供給されるとともに、ヒータユニットによって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にＣＶＤ膜が堆積するように構成されている。
【０００３】
このようなＣＶＤ装置においては、形成する膜種に関係なく成膜処理回数が増えるに従ってインナチューブの内外壁面やアウタチューブの内壁面およびボートの表面等における累積膜厚が増加し、ある累積膜厚に達すると、パーティクルの発生が急激に増加することが知られている。そこで、このようなＣＶＤ装置が使用されたＩＣの製造方法における成膜工程においては、ある累積膜厚に達すると、インナチューブおよびアウタチューブ等を予め洗浄されたものと全て交換する作業（以下、フル交換という。）を実施することにより、パーティクルの発生を防止することが行われている。
【０００４】
ところが、フル交換によるパーティクル発生防止方法においては、インナチューブやアウタチューブ等の取り付け取り外し作業に長時間が消費されるばかりでなく、プロセスチューブの温度の降下および再上昇に時間が消費されてしまうため、ＣＶＤ装置のダウンタイム（休止時間）がきわめて長く（例えば、一回当たり三十時間）なり、成膜工程ひいてはＩＣの製造方法全体としてのスループットを低下させてしまうという問題点がある。
【０００５】
このような問題点を解決するための方法として、インナチューブの内外壁面やアウタチューブの内壁面に堆積した堆積膜をドライエッチングの原理を利用して除去するセルフクリーニング方法（Ｉｎ−ｓｉｔｕチャンバクリーニング方法と呼ばれることもある。）が、提案されている。すなわち、このセルフクリーニング方法はプロセスチューブに三弗化窒素（ＮＦ3 ）ガス等のエッチングガスをクリーニングガスとして流すことにより、堆積膜をエッチングによって除去して清浄化（クリーニング）する方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したセルフクリーニング方法においては、セルフクリーニング方法が実施された直後の最初の成膜工程においてボートの保持部とウエハとの摩擦により、ボートの保持部付近からパーティクルが発生するという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。
【０００７】
本発明の目的は、基板保持体の保持部からのパーティクルの発生を防止することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、処理室において基板上に薄膜を形成する成膜工程と、前記処理室に空の基板保持体を収容した状態でクリーニングガスを供給し前記成膜工程によって堆積した膜を除去するクリーニング工程と、このクリーニング工程後に前記処理室に空の基板保持体を収容した状態で少なくとも前記基板保持体の基板保持部に対して成膜するコーティング工程とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
前記した手段によれば、クリーニング工程によって露出した基板保持体の保持部の表面をコーティング工程によるコーティング膜によってコーティングすることにより、クリーニング工程が実施された後の成膜工程において基板と基板保持体の保持部との摩擦を低減することができるため、基板保持体の保持部からのパーティクルを発生することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
図１〜図３に示されているように、本実施の形態に係るＩＣの製造方法の成膜工程に使用されるＣＶＤ装置は、中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１１を備えている。プロセスチューブ１１はインナチューブ１２とアウタチューブ１３とから構成されており、インナチューブ１２は石英ガラスまたは炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ１３は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。
【００１２】
インナチューブ１２は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室１４を実質的に形成している。インナチューブ１２の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口１５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ１２の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１３】
アウタチューブ１３は内径がインナチューブ１２の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ１２にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ１２の下端とアウタチューブ１３の下端との間には短尺の円筒形状に形成されたスペーサ１６が介設されており、スペーサ１６はインナチューブ１２およびアウタチューブ１３についての交換等のためにインナチューブ１２およびアウタチューブ１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。スペーサ１６がＣＶＤ装置の機枠（図示せず）に支持されることにより、アウタチューブ１３は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１４】
スペーサ１６の側壁の一部には排気管１７が接続されており、排気管１７は高真空排気装置（図示せず）に接続されてプロセスチューブ１１の内部を所定の真空度に真空排気し得るように構成されている。排気管１７はインナチューブ１２とアウタチューブ１３との間に形成された隙間に連通した状態になっており、インナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって排気路１８が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。排気管１７がスペーサ１６に接続されているため、排気管１７は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路１８の最下端部に配置された状態になっている。
【００１５】
インナチューブ１２の下端には上下にフランジを有する短尺の円筒形状に形成されたマニホールド１９が同軸に配置されており、マニホールド１９には成膜用のガスを供給する成膜ガス供給管２０と、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給管２１と、ボートの保持部をコーティングするためのガス（以下、コーティングガスという。）を供給するコーティングガス供給管２２Ａ、２２Ｂとがインナチューブ１２の炉口１５にそれぞれ連通するように接続されている。これらのガス供給管２０、２１、２２Ａ、２２Ｂによって炉口１５に供給されたガスは、インナチューブ１２の処理室１４内を流通して排気路１８を通って排気管１７によって排気される。なお、成膜ガスとコーティングガスとが同一である場合は、成膜ガス供給管２０とコーティングガス供給管２２Ａ、２２Ｂとは同一であってもよい。
【００１６】
マニホールド１９には下端開口を閉塞するシールキャップ２３が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２３はマニホールド１９の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ１１の外部に設備されたエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２３の中心線上には被処理基板としてのウエハ２４を保持するためのボート２５が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【００１７】
基板保持体としてのボート２５は上下で一対の端板２６、２７と、両端板２６、２７間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材２８と、各保持部材２８に長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように没設された多数条の保持溝２９とを備えており、基板保持部としての各保持溝２９間にウエハ２４を挿入されることにより、複数枚のウエハ２４を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１８】
アウタチューブ１３の外部にはプロセスチューブ１１内を加熱するヒータユニット３０が、アウタチューブ１３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３０はプロセスチューブ１１内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。ヒータユニット３０はＣＶＤ装置の機枠に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１９】
次に、本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法における成膜工程を、前記構成に係るＣＶＤ装置を使用してウエハにサイドウオールスペーサのための窒化膜を形成する場合について、説明する。
【００２０】
図１（ａ）に示されているように、複数枚のウエハ２４を整列させて保持したボート２５はシールキャップ２３の上にウエハ２４群が並んだ方向が垂直になる状態で載置されて、エレベータによって差し上げられてインナチューブ１２の炉口１５から処理室１４に搬入（ローディング）されて行き、シールキャップ２３に支持されたままの状態で処理室１４に存置される。この状態で、シールキャップ２３は炉口１５をシールした状態になる。
【００２１】
プロセスチューブ１１の内部が所定の真空度（数十〜数万Ｐａ）に排気管１７によって排気される。また、プロセスチューブ１１の内部が所定の温度（約６００℃）にヒータユニット３０によって全体にわたって均一に加熱される。
【００２２】
次いで、成膜ガス３１がインナチューブ１２の処理室１４に成膜ガス供給管２０によって供給される。本実施の形態においては、成膜ガス３１としては、ＢＴＢＡＳ〔化学名はBis-Tertiary Butyl Amino Silane 。化学式はＨ2 Ｓｉ｛ＨＮＣ（ＣＨ3 ）2 ｝2 〕ガスとアンモニア（ＮＨ3 ）ガスとが使用される。便宜上、図示を省略しているが、ＢＴＢＡＳガスとＮＨ3 ガスとは別々の成膜ガス供給管２０によってそれぞれ供給することが望ましい。
【００２３】
供給された成膜ガス３１はインナチューブ１２の処理室１４を上昇し、上端開口からインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって形成された排気路１８に流出して排気管１７から排気される。成膜ガス３１は処理室１４を通過する際にウエハ２４の表面に接触する。そして、このウエハ２４との接触に伴う成膜ガス３１による次式（１）の熱ＣＶＤ反応により、ウエハ２４の表面にはＢＴＢＡＳ−窒化（Nitrid）膜（以下、ＢＴＢＡＳ−窒化膜という。）が堆積（デポジション）する。
【００２４】
Ｈ2 Ｓｉ｛ＨＮＣ（ＣＨ3 ）2 ｝2 ＋ＮＨ3 →Ｓｉ3 Ｎ4 ＋Ｈ2 Ｃ＝Ｃ（ＣＨ3 ）＋Ｈ2 ＮＣ（ＣＨ3 ）3 ・・・（１）
【００２５】
ＢＴＢＡＳ−窒化膜が所望の膜厚だけ堆積する予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ２３が下降されて炉口１５が開口されるとともに、ボート２５に保持された状態でウエハ２４群が炉口１５からプロセスチューブ１１の外部に搬出（アンローディング）される。
【００２６】
以上の成膜処理において、成膜ガス３１は流れて行く間にウエハ２４だけでなく、インナチューブ１２の内外壁面やアウタチューブ１３の内壁面等に接触するため、これらの表面にもＢＴＢＡＳ−窒化膜が堆積することになる。図１（ｂ）に示されているように、これらの表面に堆積したＢＴＢＡＳ窒化膜（以下、堆積膜という。）３２は前述した成膜工程が繰り返される毎に累積して行くため、その累積した堆積膜３２の厚さは成膜のバッチ処理の回数が増えるに従って増加して行くことになる。そして、この累積した堆積膜３２は厚さがある値に達すると、剥離し易くなるため、パーティクルの発生が急激に増加する。
【００２７】
そこで、本実施の形態に係るＩＣの製造方法においては、累積した堆積膜３２の厚さがある値に達すると、ＣＶＤ装置に対して次のクリーニング工程が図２に示されているように実施される。
【００２８】
プロセスチューブ１１に累積した堆積膜３２を除去するクリーニング工程の実施に際しては、図２に示されているように、ボート２５はウエハ２４を装填されない状態でエレベータによって差し上げられてインナチューブ１２の炉口１５から処理室１４に搬入（ローディング）され、シールキャップ２３に支持されたままの状態で処理室１４に存置される。
【００２９】
プロセスチューブ１１の内部が所定の真空度（１３３０Ｐａ〜４６５５０Ｐａ）に排気管１７によって排気される。また、ヒータユニット３０によってプロセスチューブ１１の内部が所定の温度（約６００℃）に全体にわたって均一に加熱される。
【００３０】
次いで、クリーニングガス３３がインナチューブ１２の処理室１４にクリーニングガス供給管２１によって供給される。本実施の形態においては、クリーニングガス３３としては、ＮＦ3 ガスが使用される。ＮＦ3 ガスの流量は５００ｃｃｍ（立方センチメートル毎分）である。クリーニング時間（処理時間）は累積している堆積膜３２の厚さに対応して設定する。堆積膜３２の厚さをＡ（Å）とすると、クリーニング時間Ｔａ（分）は、次式（２）によって求めることが望ましい。
【００３１】
Ｔａ＝Ａ／１００・・・（２）
この式の根拠は次の通りである。クリーニングガスによるエッチングはインナチューブ１２の下部から始まり、上方に徐々に進む。インナチューブ１２の内周面のエッチングが終了すると、次にインナチューブ１２の外周面を下方にエッチングして行く。ウエハの表面にパーティクルの発生を防止することができる堆積膜の適切なエッチング量は、インナチューブの外周面の上半分までエッチングしてあれば充分である。必要以上に長くエッチングすることはパーティクルの弊害の発生を防止することができても、クリーニング時間を無駄に消費してしまう。ここで、３０００Åの堆積膜３２が累積している場合のインナチューブ１２を例にとる。クリーニング時間が１０分ではインナチューブ１２の内周面の下部までが、２０分ではインナチューブ１２の内周面の上端までが、３０分ではインナチューブ１２の外周面の上半分までがエッチングされる。つまり、３０００Åの窒化膜が堆積している場合には、３０分のクリーニング時間が適切である。このときのクリーニング速度は、３０００Å÷３０分＝１００Å／分となる。
【００３２】
以上のクリーニング時間Ｔａが経過すると、プロセスチューブ１１の内部が排気管１７によって排気され、プロセスチューブ１１の内部に残留しているクリーニングガス３３であるＮＦ3 ガスが排出される。
【００３３】
続いて、不活性ガスである窒素（Ｎ2 ）ガスがプロセスチューブ１１の内部に成膜処理供給管２０によって供給され、プロセスチューブ１１の内部のクリーニングガス３３が押し流される。この排気ステップと窒素ガスパージステップとは複数回繰り返される。
【００３４】
以上のようにしてプロセスチューブ１１に累積した窒化膜を除去するクリーニング工程が実施されたことになる。
【００３５】
ところで、以上のクリーニング工程が実施された直後の成膜工程における最初のバッチ処理においては、ボート２５の保持溝２９の付近からパーティクルが発生し、二回目のバッチ以降は保持溝２９の付近のパーティクルが減少するという現象が本発明者によって究明された。この現象は次のような原理によって引き起こされるものと考察される。
【００３６】
クリーニング工程後には、図４（ａ）に示されているように、ボート２５の保持溝２９においては堆積膜３２が除去されて石英ガラスの表面が露出した状態になっている。このため、クリーニング工程後の最初の成膜工程においては、保持溝２９に保持されたウエハ２４は石英ガラスの表面に直接的に接触した状態になる。ウエハ２４と保持溝２９との接触面間には摩擦が存在し、しかも、ウエハ２４のシリコンと保持溝２９の石英ガラスとの間の摩擦力ｆはきわめて大きい。クリーニング工程後の成膜工程における最初のバッチ処理において、高温の処理室１４に搬入された時にウエハ２４の熱膨張が起こることによって、保持溝２９との間において擦れが発生するため、パーティクル３４が発生し、また、図４（ｂ）に示されているように、ウエハ２４の保持溝２９との接触部位には擦過傷３５が発生する。そして、発生したパーティクル３４は落下して下側に位置するウエハ２４の上面に、図４（ｃ）に示されているように付着することになる。
【００３７】
このクリーニング工程実施後の成膜工程の最初のバッチ処理におけるパーティクル擦過傷の発生を防止するために、本実施の形態に係るＩＣの製造方法においては、クリーニング工程の実施後に、少なくとも保持溝２９の表面にコーティング膜３８をコーティングするコーティング工程がＣＶＤ装置に対して実施される。
【００３８】
ここで、コーティング膜３８としては、６００℃程度で成膜することができ、かつ、ウエハ２４との摩擦を低減することができるものが望ましい。前述したＢＴＢＡＳガスとＮＨ3 ガスとの反応によって成膜されるＢＴＢＡＳ−窒化膜の処理温度は、６００℃である。また、最初のバッチ処理以降の成膜工程においてウエハ２４と保持溝２９との間には擦過傷やパーティクルの発生が見られないため、ＢＴＢＡＳ−窒化膜のウエハ２４との摩擦は小さいものと考えられる。そこで、本実施の形態においては、コーティング膜３８として、ＢＴＢＡＳ−窒化膜が採用されている。
【００３９】
クリーニング工程の排気ステップおよび窒素ガスパージステップによってはプロセスチューブ１１およびボート２５の表面に吸着した弗素を完全には除去することができないため、プレパージガスとしてのＮＨ3 ガスがプロセスチューブ１１の内部へ供給され、プロセスチューブ１１の内部がＮＨ3 ガスによってパージされる。このときのＮＨ3 ガスの流量は４００ｃｃｍである。
【００４０】
図３（ａ）に示されているように、ＮＨ3 ガス３６がプロセスチューブ１１の内部へコーティングガス供給管２２Ｂによって流された状態のままで、ＢＴＢＡＳガス３７がプロセスチューブ１１の内部へコーティングガス供給管２２Ａによって供給される。すなわち、本実施の形態においては、コーティング膜３８であるＢＴＢＡＳ−窒化膜を成膜するために、コーティングガスとしては、ＢＴＢＡＳガス３７とＮＨ3 ガス３６とが使用されている。ＢＴＢＡＳガス３７の流量は、９０ｃｃｍであり、コーティング処理時の圧力は５０Ｐａである。ウエハ２４と保持溝２９の表面との摩擦を低減させるためには、コーティング膜３８の厚さは、３００Å以上が必要である。なお、本実施の形態においては、成膜ガスとコーティングガスとが同一であるので、成膜ガス供給管２０とコーティングガス供給管２２Ａ、２２Ｂとは同一である方が望ましい。
【００４１】
供給されたコーティングガスとしてのＢＴＢＡＳガス３７およびＮＨ3 ガス３６は、インナチューブ１２の処理室１４を上昇して、上端開口からインナチューブ１２とアウタチューブ１３との隙間によって形成された排気路１８に流出して排気管１７から排気される。ＢＴＢＡＳガス３７およびＮＨ3 ガス３６はプロセスチューブ１１およびボート２５の表面に接触する。この接触によるＢＴＢＡＳガス３７およびＮＨ3 ガス３６の熱ＣＶＤ反応により、図３（ｂ）に示されているように、プロセスチューブ１１および保持溝２９を含むボート２５の表面にはコーティング膜３８としてのＢＴＢＡＳ−窒化膜が堆積する。
【００４２】
コーティング膜３８が所定の膜厚だけ堆積する予め設定された処理時間が経過すると、ＢＴＢＡＳガス３７の供給が停止される。ＮＨ3 ガス３６はポストパージガスとしてプロセスチューブ１１の内部へ供給され続け、プロセスチューブ１１の内部がＮＨ3 ガス３６によってパージされる。
【００４３】
ちなみに、ＮＨ3 ガス３６を流さずにＢＴＢＡＳガス３７だけを流すと、コーティング膜３８としてのＢＴＢＡＳ−窒化膜は形成することができないため、コーティング工程の実施に際しては、前述したＢＴＢＡＳガス３７を流す前のプレパージステップにおいてＮＨ3 ガス３６が流される。また、ＢＴＢＡＳガス３７の供給とＮＨ3 ガス３６の供給とを同時に停止した場合にはプロセスチューブ１１の内部においてＢＴＢＡＳガス３７だけが残留する可能性があるため、本実施の形態においては、ＢＴＢＡＳガス３７の供給を停止する際に、ＮＨ3 ガス３６がポストパージガスとして供給され続ける。
【００４４】
次に、プロセスチューブ１１の内部が排気管１７によって排気され、続いて、不活性ガスである窒素ガスがプロセスチューブ１１の内部に成膜ガス供給管２０によって供給され、プロセスチューブ１１の内部のＮＨ3 ガス３６およびＢＴＢＡＳガス３７が押し流される。この排気ステップと窒素ガスパージステップとは複数回繰り返される。
【００４５】
そして、プロセスチューブ１１の内部は真空状態から大気圧状態に戻される。この後、シールキャップ２３が下降されて炉口１５が開口されるとともに、ボート２５が炉口１５からプロセスチューブ１１の外部に搬出される。
【００４６】
以上のコーティング工程が終了した後に、前述した通常の成膜工程が繰り返されることにより、ウエハにサイドウオールスペーサのためのＢＴＢＡＳ−窒化膜がＣＶＤ装置によってバッチ処理により順次に成膜されて行く。
【００４７】
この成膜工程が実施される際には、ボート２５の保持溝２９の表面にはＢＴＢＡＳ−窒化膜からなるコーティング膜３８が被着されているため、保持溝２９とウエハ２４との接触面間における摩擦は低減されることなる。したがって、クリーニング工程が実施された後の成膜工程における最初のバッチ処理において、ウエハ２４の熱膨張によってウエハ２４と保持溝２９との間に摩擦が発生しても、図５（ａ）に示されているように、ウエハ２４に擦過傷３５は殆ど発生しない。このため、図５（ｂ）に示されているように、下方のウエハ２４の保持溝２９の付近におけるパーティクル３４の付着も殆ど発生しない。
【００４８】
前記した実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００４９】
1)  クリーニング工程の実施後にウエハとの摩擦を低減するコーティング膜をボートの保持溝に被着するコーティング工程を実施することにより、ウエハと保持溝との間の摩擦をコーティング膜によって低減することができるため、クリーニング工程実施後の成膜工程における最初のバッチにおいて、ウエハの熱膨張に伴う擦過傷およびパーティクルの発生を防止することができる。
【００５０】
2)  クリーニング工程が実施された後の成膜工程の最初のバッチにおけるウエハの擦過傷およびパーティクルの発生を防止することにより、ＣＶＤ装置ひいてはＩＣの製造方法の歩留りを高めることができるため、ＩＣの製造方法全体としてのスループットを高めることができる。
【００５１】
3)  コーティング膜としてＢＴＢＡＳ−窒化膜を使用することにより、実績のある膜種によってウエハとの摩擦を効果的に低減することができるため、コーティング工程の付加によるイニシャルコストおよびランニングコストの増加を抑制することができる。
【００５２】
4)  コーティング工程の実施に際して、ＢＴＢＡＳガスを供給する前にＮＨ3 ガスを供給してプロセスチューブの内部をプレパージすることにより、コーティング膜としてのＢＴＢＡＳ−窒化膜を当初から確実に形成することができるため、ボートの保持溝の表面をＢＴＢＡＳ−窒化膜によって確実にコーティングすることができる。
【００５３】
5)  コーティング工程の終期において、ＢＴＢＡＳガスの供給を停止後もＮＨ3 ガスを供給してプロセスチューブの内部をポストパージすることにより、プロセスチューブの内部においてＢＴＢＡＳガスだけが残留するのを防止することができるため、プロセスチューブの内部にＢＴＢＡＳガスの生成物が残留するのを防止することができる。
【００５４】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００５５】
例えば、コーティング工程において成膜する膜は、ＢＴＢＡＳ−窒化膜に限らず、ポリシリコン膜や酸化膜等であってもよい。要は、ウエハとの摩擦を低減することができる膜種であればよい。
【００５６】
コーティング工程において使用するコーティングガスは、ＢＴＢＡＳガスおよびＮＨ3 ガスに限らず、ポリシリコン膜や酸化膜等を成膜するための他のガスを使用してもよい。例えば、ＢＴＢＡＳガスとＯ2 ガスを用いてＢＴＢＡＳ−酸化膜をコーティングするようにしてもよい。
【００５７】
コーティング膜の膜厚は、３００Åに限らず、３００Å超であってもよい。
【００５８】
クリーニング工程において使用するクリーニングガスは、ＮＦ3 ガスに限らず、三弗化塩素（ＣｌＦ3 ）ガス等の他のエッチングガスであってもよい。
【００５９】
成膜工程はＢＴＢＡＳガスとＮＨ3 ガスとを使用してＢＴＢＡＳ−窒化膜を成膜する場合に限らず、他のガスを使用して他の窒化膜や酸化膜およびポリシリコン等を成膜する場合であってもよい。
【００６０】
クリーニング工程は累積した堆積膜の膜厚に基づいて実施するに限らず、実際のパーティクルの発生状況を検出して不定期的に実施してもよいし、定期的実施と不定期的実施とを併用してもよい。
【００６１】
ＣＶＤ装置はアウタチューブとインナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、アウタチューブだけのプロセスチューブを備えたものや、横形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置、さらには、枚葉式ＣＶＤ装置等の他のＣＶＤ装置であってもよい。
【００６２】
さらに、基板処理装置はＣＶＤ装置に限らず、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用される拡散装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
【００６３】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、クリーニング工程の実施後に基板との摩擦を低減するコーティング膜を基板保持体の保持部に被着するコーティング工程を実施することにより、基板と保持部との間の摩擦をコーティング膜によって低減することができるため、クリーニング工程実施後の成膜工程における最初のバッチにおいて、基板の熱膨張に伴う擦過傷およびパーティクルの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置による本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法の成膜工程を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大断面図である。
【図２】同じくクリーニング工程を示す正面断面図である。
【図３】同じくコーティング工程を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ部の拡大断面図である。
【図４】擦過傷とパーティクルの発生現象を説明するための各説明図である。
【図５】擦過傷とパーティクルの防止効果を説明するための各説明図である。
【符号の説明】
１１…プロセスチューブ、１２…インナチューブ、１３…アウタチューブ、１４…処理室、１５…炉口、１６…スペーサ、１７…排気管、１８…排気路、１９…マニホールド、２０…成膜ガス供給管、２１…クリーニングガス供給管、２２Ａ、２２Ｂ…コーティングガス供給管、２３…シールキャップ、２４…ウエハ（基板）、２５…ボート、２６、２７…端板、２８…保持部材、２９…保持溝、３０…ヒータユニット、３１…成膜ガス、３２…堆積膜（ＢＴＢＡＳ−窒化膜）、３３…クリーニングガス、３４…パーティクル、３５…擦過傷、３６…ＮＨ3 ガス（コーティングガス）、３７…ＢＴＢＡＳガス（コーティングガス）、３８…コーティング膜（ＢＴＢＡＳ−窒化膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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