(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離装置において、
ドライエッチングされた基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板に残留するレジストをドライアッシングするドライアッシング手段と、
このドライアッシング手段によって剥離された基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離するウエット剥離手段を具備し、
上記ウエット剥離手段は、
筒状の容器と、
この容器の軸方向一端に設けられ上記容器内にオゾン水を供給する供給部と、
この容器内に同心状に収容され所定の波長の紫外線を出射し上記オゾン水を励起して活性酸素を生じさせる紫外線ランプと、
上記容器の周壁に軸方向に沿って形成され上記搬送手段によって搬送される基板の搬送方向と交差する幅方向に沿って上記紫外線ランプにより励起されたオゾン水を供給するスリットと
を具備したことを特徴とするレジスト剥離装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はエッチング処理された基板に残留するレジストを除去するためのレジスト剥離装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、半導体装置や液晶表示装置などの製造過程においては、半導体ウエハやガラス基板などの基板に回路パターンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは上記基板に対して現像やエッチングなどの処理を行った後、洗浄及び乾燥処理が繰り返して行われることになる。
【０００３】
エッチング処理された基板には、レジストが付着残留するため、基板を洗浄処理する前に、そのレジストを剥離除去しなければならない。レジストを剥離する方法としては、通常、レジストが有機質であるから、アミン系の有機物を含む剥離液を用いたウェット方式が主流となっている。
【０００４】
一方、基板をエッチング処理する方法としては、エッチング液を用いるウェットエッチングと、活性ガスをプラズマ化して行なうドライエッチングとがあり、最近ではコストや環境面などの点で優れたドライエッチングが多用される傾向にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
アミン系の有機物を含む剥離液は非常に高価であるため、回収して繰り返し使用するようにしているものの、基板に付着残留した剥離液は後工程のリンス液や排気中に混じって工場から排出され、回収率が低下することが避けられない。
【０００６】
そのため、レジストの剥離に剥離液を用いた場合には、コスト上昇を招くということがあるばかりか、工場から排出されることで、環境上の問題が発生する虞がある。
【０００７】
この発明は、アミン系の有機物を含む剥離液を用いずに、エッチング処理された基板に付着残留するレジストを確実に除去できるようにしたレジスト剥離装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離装置において、
ドライエッチングされた基板を搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板に残留するレジストをドライアッシングするドライアッシング手段と、
このドライアッシング手段によって剥離された基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離するウエット剥離手段を具備し、
上記ウエット剥離手段は、
筒状の容器と、
この容器の軸方向一端に設けられ上記容器内にオゾン水を供給する供給部と、
この容器内に同心状に収容され所定の波長の紫外線を出射し上記オゾン水を励起して活性酸素を生じさせる紫外線ランプと、
上記容器の周壁に軸方向に沿って形成され上記搬送手段によって搬送される基板の搬送方向と交差する幅方向に沿って上記紫外線ランプにより励起されたオゾン水を供給するスリットと
を具備したことを特徴とするレジスト剥離装置にある。
【００１３】
この発明によれば、基板をドライエッチングした後、ドライアッシングすることで、基板に塗布されたレジストはドライ処理による熱などの影響によって変質するため残留し易いが、ドライアッシング後にウエット剥離することで、ドライアッシングによって除去できなかったレジストを確実に除去することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１に示すこの発明のレジスト剥離装置１はドライアッシング装置２とウエット剥離装置３とを有する。上記ドライアッシング装置２には、前工程のドライエッチング装置４によってエッチング加工がなされた基板５（図２に示す）が搬送されてくる。ドライアッシング装置２に搬送されてくる基板５にはその板面にドライエッチング時のマスクとなるレジストが設けられている。
【００１６】
ドライエッチング装置４としては反応性ガスのプラズマによって発生する活性種を利用するプラズマエッチング装置などが用いられる。ドライアッシング装置２としてはエッチング装置と同様、反応性ガスのプラズマを発生させ、そのプラズマに含まれる活性種によってレジストを除去するプラズマ剥離装置などが用いられる。
【００１７】
ドライエッチングされた基板５が上記ドライアッシング装置２で剥離されると、基板５に残留するレジストが除去される。しかしながら、基板５はドライエッチング工程とドライアッシング工程とを経てきているため、それらの工程で受ける熱影響や各ドライ工程で使用する反応性ガスの影響を受け、ドライアッシング工程ではレジストが除去しきれず、被膜状となって残ることがある。
【００１８】
剥離工程で基板５に残留するレジスト６（図２に示す）を除去するため、ドライアッシング装置３で剥離された基板５は、ウエット剥離装置３に搬入され、ここで活性酸素を用いて基板５に残留するレジスト６が除去される。活性酸素を発生させるためにはオゾン水が用いられる。
【００１９】
上記オゾン水は図２と図３に示すように筒状の容器１１内に、この一端面に接続された供給部としての供給管１２から供給される。上記容器１１内には、この容器１１内に供給されたオゾン水に所定の波長の紫外線を照射する紫外線ランプ１３が同心状に収容されている。この紫外線ランプ１３は、たとえば１７２ｎｍ（ナノメータ）のピーク波長をもっている。それによって、オゾン水に含まれるオゾンが分解されて酸素と活性酸素が発生する。
【００２０】
活性酸素を含むオゾン水は上記容器１１の周壁に軸方向に沿って形成された流出部としてのスリット１４から矢印で示すように基板５に向けて噴出する。スリット１４は基板５の幅寸法よりもわずかに長く形成され、上記基板５は搬送ローラ１５からなる搬送手段によって所定方向に搬送される。それによって、基板５の上面には全面にわたって活性酸素を含むオゾン水が供給されるから、活性酸素を含むオゾン水によってウエット剥離されることになる。
【００２１】
上記容器１１内で発生するオゾン水のオゾン濃度は、常温で２０〜８０ｐｐｍ、好ましくは３０ｐｐｍ以上で、濃度はできるだけ高いほうがよい。オゾン水のオゾン濃度を高くすることで、オゾン水を紫外線で励起することで、活性酸素の発生量を増大させることが可能となる。それによって、ドライアッシング工程で除去できなかったレジスト残渣を活性酸素の持つ強力な酸化作用によって効率よく分解除去することができる。
【００２２】
このように、基板５に設けられたレジスト６を、まずドライアッシングによって除去した後、基板５に残る変質したレジストをウエット剥離によって除去するようにしたことで、基板５からレジストを確実に除去することが可能となる。
【００２３】
剥離の最終工程はウエット方式であるが、従来のようにアミン系の有機物を含む剥離液を用いず、オゾン水を用い、このオゾン水に含まれる酸素を活性酸素にすることで、剥離効果を向上させている。
【００２４】
活性酸素は短時間で消失し、しかもオゾン水に含まれるオゾンは酸素と活性酸素に変換されるため、容器１１から排出されるオゾン水はほとんど無害であり、しかもオゾン水は安価である。そのため、アミン系の有機物を含む剥離液を用いた場合のように、環境上の問題の発生を招く虞がないばかりか、コスト的にも有利となる。
【００２５】
ウエット剥離装置３は、筒状の容器１１内に紫外線ランプ１３を収容した二重管構造である。そのため、装置全体をコンパクトに形成することができるばかりか、紫外線ランプ１３から出力される紫外線を、容器１１内を流れるオゾン水に効率よく照射することができるため、そのことによっても活性酸素の発生効率を高めることができる。
【００２６】
しかも、オゾン水を１７２ｎｍの紫外線で励起することで、オゾン水に含まれるオゾン濃度に応じて活性酸素を効率よく多量に発生させることが可能となるから、剥離効果の向上を図ることができる。
【００２７】
紫外線ランプ１３としてはピーク波長が１７２ｎｍでなく、１８５ｎｍと２５４ｎｍの２つのピーク波長を持つ紫外線を出力するものであってもよい。その場合、酸素が１８５ｎｍの紫外線を吸収してオゾンとなり、さらにオゾンが２５４ｎｍの波長の紫外線によって照射されることで、活性酸素が発生することになる。
【００２８】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、基板をドライエッチングした後、ドライアッシングすることで、基板に塗布されたレジストはドライ処理による熱などの影響によって変質するため残留し易いが、ドライアッシング後にウエット剥離することで、ドライアッシングによって除去できなかったレジストを確実に除去することが可能となる。
【００２９】
しかも、従来のようにアミン系の有機物を含む高価な剥離液を用いずにすむため、コスト的に有利であるばかりか、環境上の問題も発生し難い。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態を示す装置全体の概略的構成図。
【図２】ウエット剥離装置の構成を示す側面図。
【図３】ウエット剥離装置の構成を示す一部断面した正面図。
【符号の説明】
２…ドライアッシング装置
３…ウエット剥離装置
５…基板
１１…容器
１２…供給管（供給部）
１３…紫外線ランプ
１４…スリット（流出部）
【図１】
0004700224.tif 000002
【図２】
0004700224.tif 000003
【図３】
0004700224.tif 000004