(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリンタヘッドに配置された発熱素子の駆動によりインク液滴を飛び出させて印刷するプリンタにおいて、
前記プリンタヘッドは、
半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の積層材料が順次積層されて前記発熱素子、前記発熱素子を駆動する駆動回路、前記発熱素子により加熱されるようにインクを保持するインク液室の壁面、前記インク液室に前記インクを導くインク流路の壁面が形成され、
所定の板状部材を配置して前記インク液室、前記インク流路、前記インク液室のインクを外部に導くノズルが形成され、
前記板状部材を配置する面が平滑になるように、前記半導体基板に積層された積層部材のうち少なくとも前記発熱素子の下層を含むいずれかの積層部材が平滑化されて形成され、
多層で形成される配線パターンのうち最上層の配線パターンの上側に積層された層間絶縁膜に溝が形成され、該溝に抵抗体膜を埋め込んだ形状により前記発熱素子が形成されたことを特徴とするプリンタ。
【請求項２】
前記平滑化の処理対象に、少なくとも前記インク液室の壁面、前記インク流路の壁面を構成する積層材料の下層の面が含まれることを特徴とする請求項１に記載のプリンタ。
【請求項３】
前記平滑化の処理対象に、少なくとも前記最上層の配線パターンの上側に積層された層間絶縁膜を含む各層間絶縁膜が含まれることを特徴とする請求項２に記載のプリンタ。
【請求項４】
発熱素子の駆動によりインク液滴を飛び出させて印刷するプリンタヘッドにおいて、
半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の積層材料が順次積層されて前記発熱素子、前記発熱素子を駆動する駆動回路、前記発熱素子により加熱されるようにインクを保持するインク液室の壁面、前記インク液室に前記インクを導くインク流路の壁面が形成され、
所定の板状部材を配置して前記インク液室、前記インク流路、前記インク液室のインクを外部に導くノズルが形成され、
前記板状部材を配置する面が平滑になるように、前記半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかが平滑化されて形成され、
多層で形成される配線パターンのうち最上層の配線パターンの上側に積層された層間絶縁膜に溝が形成され、該溝に抵抗体膜を埋め込んだ形状により前記発熱素子が形成されたことを特徴とするプリンタヘッド。
【請求項５】
前記平滑化の処理対象に、少なくとも前記インク液室の壁面、前記インク流路の壁面を構成する積層材料の下層の面が含まれることを特徴とする請求項４に記載のプリンタヘッド。
【請求項６】
前記平滑化の処理対象に、少なくとも前記最上層の配線パターンの上側に積層された層間絶縁膜を含む各層間絶縁膜が含まれることを特徴とする特徴とする請求項５に記載のプリンタヘッド。
【請求項７】
発熱素子の駆動によりインク液滴を飛び出させて印刷するプリンタヘッドの製造方法において、
半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の積層材料を順次積層して、前記発熱素子、前記発熱素子を駆動する駆動回路、前記発熱素子により加熱されるようにインクを保持するインク液室の壁面、前記インク液室に前記インクを導くインク流路の壁面を形成する第１の積層のステップと、
所定の板状部材を配置して前記インク液室、前記インク流路、前記インク液室のインクを外部に導くノズルを作成する第２の積層のステップと、を有し、
前記板状部材を配置する面が平滑になるように、前記半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかを平滑化し、
多層で形成される配線パターンのうち最上層の配線パターンの上側に積層された層間絶縁膜に溝が形成され、該溝に抵抗体膜を埋め込んだ形状により前記発熱素子を形成することを特徴とするプリンタヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法に関し、特にヒーターの加熱によりインク液滴を飛び出させる方式のプリンタに適用することができる。本発明は、半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の材料を順次積層してプリンタヘッドを作成するようにし、ノズルを構成する板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかを平滑化することにより、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができるようにする。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画像処理等の分野においては、ハードコピーのカラー化に対するニーズが高まっている。このようなニーズに対して、従来、昇華型熱転写方式、溶融熱転写方式、インクジェット方式、電子写真方式、熱現像銀塩方式等のカラーハードコピー方式が提案されている。
【０００３】
これらの方式のうちインクジェット方式は、記録ヘッドに設けられたノズルから記録液（インク）の小滴を飛翔させ、記録対象に付着してドットを形成するのもであり、簡単な構成により高画質の画像を出力することができる。このインクジェット方式は、インクを飛翔させる方式の相違により、静電引力方式、連続振動発生方式（ピエゾ方式）、サーマル方式等に分類される。
【０００４】
これらの方式のうちサーマル方式は、インクの局所的な加熱により気泡を発生し、この気泡によりインクを吐出口から押し出して印刷対象に飛翔させる方式であり、簡易な構成によりカラー画像を印刷することができる。
【０００５】
このサーマル方式によるプリンタは、いわゆるプリンタヘッドを用いて構成され、このプリンタヘッドには、インクを加熱する発熱素子、発熱素子を駆動するロジック集積回路による駆動回路等が搭載されるようになされている。
【０００６】
図５は、このサーマルヘッドを部分的に示す断面図である。プリンタヘッド１は、Ｐ型シリコン基板２にトランジスタを分離する素子分離領域（ＬＯＣＯＳ：Local oxidation of silicon）３が形成され、この素子分離領域３間に残されたトランジスタの形成領域にゲート酸化膜等が作成されてＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）型によるスイッチングトランジスタ４、駆動回路を構成するトランジスタ５、６が形成される。
【０００７】
続いてプリンタヘッド１は、絶縁膜等が積層された後、コンタクトホールが作成され、１層目の配線パターン７が作成される。プリンタヘッド１は、この１層目の配線パターン７により、駆動回路を構成するＭＯＳ型トランジスタ５、６が相互に接続され、ロジック集積回路が形成される。
【０００８】
さらにプリンタヘッド１は、絶縁膜等が積層された後、スパッタリング法によりタンタル、タンタルアルミニューム、窒化チタン等の発熱素子材料が堆積され、これにより局所的に抵抗膜が形成されて、この抵抗膜によりインクを加熱する発熱素子８が作成される。
【０００９】
プリンタヘッド１は、コンタクトホールが作成されて、２層目の配線パターン９が作成される。プリンタヘッド１は、この２層目の配線パターン９により、スイッチングトランジスタ４と発熱素子８との接続、発熱素子８と電源との接続、アースライン等が形成される。
【００１０】
プリンタヘッド１は、続いてＳｉＯ2 、ＳｉＮ等の絶縁物が堆積されて保護層１０が作成され、続いて発熱素子８の上に、局所的にＴａ膜が設けられ、このＴａ膜により耐キャビテーション層１１が作成される。プリンタヘッド１は、続いてドライフィルム１３、オリフィスプレート１４が順次積層される。ここでドライフィルム１３は、例えば炭素系樹脂により構成され、インク液室、インク流路の隔壁を所定の高さにより構成するように、所定形状、所定膜厚により硬化して作成される。これに対してオリフィスプレート１４は、発熱素子８の上に微小なインク吐出口であるノズル１５を形成するように、所定形状に加工された板状部材であり、ドライフィルム１３上に接着により保持される。これによりプリンタヘッド１は、ノズル１５、インク液室１６、このインク液室１６にインクを導く流路等が作成される。
【００１１】
プリンタヘッド１は、このインク液室１６にインクが導かれ、スイッチングトランジスタ４のスイッチング動作により発熱素子８が発熱し、インクを局所的に加熱する。プリンタヘッド１は、この加熱により、このインク液室１６の発熱素子８側面に核気泡が発生し、この核気泡が合体して膜気泡となって成長する。プリンタヘッド１は、この気泡による圧力の増大により、ノズル１５よりインクを押し出して印刷対象に飛翔させる。これによりプリンタヘッド１によるプリンタにおいては、発熱素子８の間欠的な加熱により、順次インクを印刷対象に付着して所望の画像を作成するようになされている。
【００１２】
さらにプリンタヘッド１は、これら発熱素子８を駆動するスイッチングトランジスタ４を同様のＭＯＳトランジスタ５、６によるロジック集積回路により制御するようになされており、これにより発熱素子８を高密度に配置して対応するスイッチングトランジスタによる確実に駆動できるようになされている。
【００１３】
すなわち高画質の印刷結果を得る為には、発熱素子８を高密度で配置することが必要となる。すなわち例えば６００〔ＤＰＩ〕相当の印刷結果を得るためには、発熱素子８を４２．３３３〔μｍ〕間隔で配置することが必要になり、このように高密度で配置した発熱素子８に個別の駆動素子を配置することは極めて困難である。これによりプリンタヘッド１では、半導体基板上にスイッチングトランジスタ等を作成して集積回路技術により対応する発熱素子８と接続し、さらには同様に半導体基板上に作成した駆動回路で各スイッチングトランジスタを駆動することにより、簡易かつ確実に各発熱素子８を駆動できるようになされている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところでこのような構造に係るプリンタヘッド１においては、オリフィスプレート１４を充分に密着させてドライフィルム１３に貼り着けることが困難な問題があった。
【００１５】
すなわち通常の半導体集積回路においては、１層目の配線パターン７を必要最低限の厚さにより形成し、電源ライン、アースラインを構成する２層目の配線パターン９を厚くすることで所望の電流容量を確保するようになされている。
【００１６】
これに対してプリンタヘッド１においては、通常の半導体集積回路とは逆に、１層目の配線パターンを厚く、２層目の配線パターンを薄くすることにより、この発熱素子８の上層に形成するインク保護層１０のシリコン窒化膜、タンタル耐キャビテーション層１１にて良好な被覆性を確保するようになされている。
【００１７】
プリンタヘッド１においては、このような構造により２層日の配線パターンが、アルミニュームによる配線パターンで１〔μｍ〕程度の厚さとなり、この２層目の配線パターン９で１〔μｍ〕程度の段差が発生する。このように２層目の配線パターン９で１〔μｍ〕程度の段差が発生すると、この上層に形成する保護層１０の表面、さらにはドライフィルム１３の表面に微細な凹凸が発生し、この微細な凹凸によりオリフィスプレート１４を充分に密着させてドライフィルム１３に貼り着けることが困難になる。因みに、このような凹凸が激しくなると、インク漏れが発生する場合も考えられる。
【００１８】
因みに２層目の配線パターン９をさらに薄くすることにより、このような凹凸を低減するようとすると、その分、配線パターンの抵抗値の増大により、電力損失が増大し、効率良く発熱素子８を駆動できなくなる。
【００１９】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができるプリンタ、プリンタヘッド及びプリンタヘッドの製造方法を提案しようとするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため請求項１又は請求項６の発明においては、プリンタ又はプリンタヘッドに適用して、板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかが平滑化されてなるようにする。
【００２１】
また請求項１１の発明においては、プリンタヘッドの製造方法に適用して、板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかを平滑化する平滑化のステップを有するようにする。
【００２２】
請求項１又は請求項６の構成によれば、板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかが平滑化されてなることにより、平滑な面に対して板上部材を配置することができる。これによりオリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができる。
【００２３】
これにより請求項１１の構成によれば、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けてプリンタヘッドを製造することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施の形態を詳述する。
【００２５】
（１）実施の形態の構成
図１、図２、図３及び図４は、本発明の実施の形態に係るプリンタヘッドの製造工程の説明に供する断面図である。この製造工程は（図１（Ａ））、Ｐ型シリコン基板２２を洗浄した後、シリコン窒化膜を堆積する。この製造工程は、続いてリソグラフィー工程、リアクティブイオンエッチング工程によりシリコン基板２２を処理し、これによりトランジスタを形成する所定領域以外の領域よりシリコン窒化膜を取り除く。これらによりこの製造工程は、シリコン基板２２上のトランジスタを形成する領域にシリコン窒化膜を形成する。
【００２６】
この製造工程は、続いて熱酸化工程により、シリコン窒化膜が除去されている領域に熱シリコン酸化膜を形成し、この熱シリコン酸化膜によりトランジスタを分離するための素子分離領域（ＬＯＣＯＳ）２３を形成する。この製造工程は、続いてシリコン基板２２を洗浄した後、トランジスタ形成領域にタングステンシリサイド／ポリシリコン／熱酸化膜構造のゲートを形成する。さらにソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程、熱処理工程によりシリコン基板２２を処理し、ＭＯＳ型によるスイッチングトランジスタ２４、２５等を形成する。なおここでスイッチングトランジスタ２４は、３０〔Ｖ〕軽度の耐圧を有するＭＯＳ型ドライバートランジスタであり、発熱素子の駆動に供するものである。これに対してトランジスタ２５は、このドライバートランジスタを制御する集積回路を構成するトランジスタであり、５〔Ｖ〕の電圧により動作するものである。この工程は、続いてＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりＢＰＳＧ（BoroPhosepho Silicate Glass ）膜２６を堆積し、層間絶縁膜を作成する。
【００２７】
続いてこの工程は（図１（Ｂ））、フォトリソグラフイー工程、ＣＦｘ系ガスを用いたリアクティブイオンエッチング法により、シリコン半導体拡散層（ソース・ドレイン）上に接続孔（コンタクトホール）を作成する。さらにシリコン基板２２を希フッ酸により洗浄し、スパッタリング法にて順次、膜厚２０〔ｎｍ〕のチタン膜、膜厚５０〔ｎｍ〕の窒化チタンバリアメタルを椎積する。さらにＷＦ6 を原料ガスとするＣＶＤ法にて接続孔にタングステンを埋めこむ。
【００２８】
この工程は、接続孔以外の層間膜上に堆積した余剰のタングステン、窒化チタンをＳＦ6 ガス又はＣｌ2 ガスを用いたドライエッチングにより除去し、これにより接続孔内にタングステンを残してコンタクト２７を形成する。この工程は、続いて銅を０．５〔ａｔ％〕添加したアルミニュームを膜厚６００〔ｎｍ〕により堆積する。さらに続いてフォトリソグラフイー工程、ドライエッチング工程を経、これにより１層目の配線パターン２８を作成する。この工程は、この１層目の配線パターン２８により、駆動回路を構成するＭＯＳ型トランジスタ２５を接続してロジック集積回路を形成するようになされている。
【００２９】
続いてこの工程は、ＣＶＤ法により層間絶縁膜であるシリコン酸化膜（いわゆるＴＥＯＳである）２９を堆積し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）工程により、層間絶縁膜であるシリコン酸化膜２９を平滑化する。これによりこの工程では、この配線パターン２８を始めとしてトランジスタ２４、２５、コンタクト２７による凹凸がこのシリコン酸化膜２９の上面に表れないようにする。
【００３０】
続いてこの工程は、図２（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、１層目のアルミニュームによる配線パターン２８に続く接続孔（ビアホール）が作成される。続いて１層目の場合と同様にして、接続孔にタングステンを埋め込む。さらにスパッタリング法により順次、膜厚１０〔ｎｍ〕によるチタン膜、膜厚５０〔ｎｍ〕による窒化チタン膜を堆積し、さらに銅を０．５〔ａｔ％〕添加したアルミニュームを膜厚６００〔ｎｍ〕により堆積する。これによりこの工程は、アルミニュームによる配線膜を作成する。
【００３１】
この工程は、フォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程によりこのアルミニューム配線膜を処理し、これにより２層目の配線パターン３１を作成する。この工程は、この２層目の配線パターン３１により、電源用の配線パターン、アース用の配線パターンを作成し、またドライブトランジスタ２４を発熱素子に接続するための配線パターンを形成する。
【００３２】
この工程は、続いてＣＶＤ法により層間絶縁膜であるシリコン酸化膜３２を堆積し、ＣＭＰ法により平滑化する。これによりこの工程では、この配線パターン３１による凹凸についても、このシリコン酸化膜３２の上面に表れないようにする。
【００３３】
続いてこの工程は、図２（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、２層目の配線パターン３１に続く接続孔（ビアホール）を作成する。続いて１層目の場合と同様にして、接続孔にタングステンを埋め込み、これにより発熱素子の接続用であるタングステンプラグ３３を作成する。
【００３４】
この工程は、図２（Ｅ）に示すように、続いてＣＶＤ法により層間絶縁膜であるシリコン酸化膜３４を堆積し、ＣＭＰ法により平滑化する。さらにフォトリソグラフィー工程、ドライエッチング工程により、このシリコン酸化膜からなる層間膜３４中に、発熱素子の抵抗体を埋め込む深さ６０〜１００〔ｎｍ〕の溝３５Ａを作成する。このときこの溝３５Ａにおいては、タングステンプラグ３３が露出するように形成される。
【００３５】
さらにこの工程は、続いて図３（Ｆ）に示すように、スパッタリング法により膜厚１０〔ｎｍ〕でチタン膜を積した後、溝３５Ａが完全に埋まるまで、窒化チタン又はタンタルを堆積する。ここでチタンは、窒化チタン又はタンタル膜の密着層として機能する。この工程は、続いて酸化剤を含む研磨剤を用いたＣＭＰ法により、シリコン酸化膜上の窒化チタン、タンタル膜を研磨して除去し、これにより溝３５Ａ内のみに窒化チタン又はタンタル膜が残るようにする。これによりこの工程では、上面に凹凸が表れないようにして、溝３５Ａ内に抵抗体を埋め込んで発熱素子３５を作成し、さらにはタングステンプラグ３３を介してスイッチングトランジスタ２４、電源にこの発熱素子３５を接続するようになされている。
【００３６】
これによりこの工程では、２層目の配線パターン３１の上層側に発熱素子３５を配置して、発熱素子３５からインク液室までの距離を短くするようにし、その分、発熱素子３５の発熱を効率良くインク液室に伝導できるようになされている。また発熱素子３５の下層を平滑化することにより、その分、発熱素子３５の断線等を防止することができるようになされている。
【００３７】
続いてこの工程は、図４（Ｇ）に示すように、発熱素子３５の上層にインク保護層として機能するシリコン窒化膜３７を膜厚３００〔ｎｍ〕により堆積する。続いてスパッタ法により膜厚２００〔ｎｍ〕のタンタル膜を堆積し、このタンタル膜により耐キャビテーション層３８を形成する。ここでこの耐キャビテーション層３８の下層においては、平滑化されており、またこの耐キャビテーション層３８においては、膜厚２００〔ｎｍ〕により形成されていることにより、上面においては、従来に比して格段的に平滑な面により形成されることになる。かくするにつき、このようにして平滑化してなる面上に耐キャビテーション層３８を作成することにより、この実施の形態においては、耐キャビテーション層３８の信頼性を従来に比して向上できるようになされている。
【００３８】
続いてこの工程は、図４（Ｈ）に示すように、炭素系樹脂によるドライフィルム１３、オリフィスプレート１４が順次積層され、これらドライフィルム１３、オリフィスプレート１４によりインク液室１６、このインク液室１６にインクを導く流路、ノズル１５が形成されるようになされている。この場合、このドライフィルム１３の下層においては、従来に比して格段的に平滑な面により形成されていることにより、オリフィスプレート１３を充分に密着させてドライフィルムに貼り着けることができるようになされている。
【００３９】
（２）実施の形態の動作
以上の構成において、この実施の形態に係るプリンタヘッドの製造工程では、半導体基板２２を処理してトランジスタ２４、２５を配置してなる半導体基板２２が作成され（図１（Ａ））、この半導体基板２２に層間絶縁膜２９、３２、……、配線パターン２８、３２、ドライフィルム１３、オリフィスプレート１４等を順次積層してプリンタヘッドを製造する（図１（Ｂ）〜図４（Ｈ））。
【００４０】
この製造工程では、このようにして順次積層材料を積層する際に、層間絶縁膜がＣＭＰ法により平滑化され、これにより平滑な面に対してドライフィルム１３が積層された後、オリフィスプレート１４が貼り着けられる。これによりこの製造工程では、オリフィスプレート１４を配置する面が平滑になるように、半導体基板２２に積層された積層部材が平滑化されて製造され、オリフィスプレート１４を平滑な面に貼り着けて、充分に密着させて保持することができる。これによりこの製造工程では、充分な強度を確保することができ、またインクの液漏れ等の事故を防止することができる。
【００４１】
さらに各層間絶縁膜が平滑化されていることにより、発熱素子３５を構成する抵抗体、耐キャビテーション層３８についても、平滑な面上に作成することができ、これによりこれら発熱素子３５、耐キャビテーション層３８についても、充分な信頼性を確保することができる。
【００４２】
さらにこのように平滑化して処理することにより、２層目の配線パターン３１上に発熱素子３５を作成した場合でも、発熱素子３５を平滑な面に作成することができる。これによりこの製造工程では、２層目の配線パターン３１の上層側に発熱素子３５を配置して、インク液室１６に近接して発熱素子３５を配置するようになされ、その分、効率良くインクを加熱することができるようになされている。
【００４３】
さらにこのようにして発熱素子３５を配置する際に、この製造工程においては、溝３５Ａを作成し、この溝３５Ａに抵抗体材料を埋め込んで発熱素子３５を配置する。これによりこの製造工程では、発熱素子３５を配置することによっても、オリフィスプレート１４を配置する面に微細な凹凸が発生しないようにし、その分充分にオリフィスプレート１４を密着して配置するようになされている。
【００４４】
これによりこの実施の形態に係るプリンタヘッドにおいては、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができ、その分充分な信頼性を確保することができる。またこのプリンタヘッドによるプリンタにおいては、充分な信頼性を確保することができる。
【００４５】
（３）実施の形態の効果
以上の構成によれば、半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の材料を順次積層してプリンタヘッドを作成するようにし、このときノズルを構成する板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかを平滑化することにより、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができる。
【００４６】
またこの平滑化の処理対象が、インク液室の壁面、インク流路の壁面を構成する積層材料の下層に積層された積層材料である層間絶縁膜の１つであることにより、半導体製造技術であるＣＭＰの手法により簡易に処理することができる。
【００４７】
またこの平滑化野処理対象が、各層間絶縁膜でもあることにより、発熱素子、耐キャビティーション膜についても平滑な面上に作成して、信頼性を向上することができる。
【００４８】
またこのようにすれば多層の配線パターンを有する場合に、最上層の配線パターンの上層側に、抵抗体膜を生膜して発熱素子を形成するようにしても、平滑な面上に発熱素子を作成して充分な信頼性を確保することができる。これにより最上層の配線パターンの上層側に発熱素子を配置して、充分な信頼性を確保しつつ、インク液室のインクを効率良く加熱することができる。
【００４９】
さらに層間絶縁膜に溝を形成し、この溝に抵抗体膜を埋め込んだ形状により発熱素子が形成することにより、発熱素子による凹凸についても発生を防止でき、オリフィスプレートをさらに一段と充分に密着させて貼り着けることができる。
【００５０】
（４）他の実施の形態
なお上述の実施の形態においては、層間絶縁膜に溝を形成し、この溝に抵抗体膜を埋め込んだ形状により発熱素子を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、実用上充分な平滑な面にオリフィスプレートを貼り着けることができる場合には、このような処理を省略することができる。
【００５１】
また上述の実施の形態においては、各層間絶縁膜を平滑化する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要はオリフィスプレートを貼り着ける面が実用上充分に平滑な面となれば、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができることにより、必要に応じて例えば最上層の層間絶縁膜だけを平滑化する場合等、必要に応じて上述の実施の形態に係る平滑化の処理の何れかを省略することもできる。
【００５２】
また上述の実施の形態においては、配線パターンを２層により構成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、１層により配線パターンを構成する場合、さらには３層以上により構成する場合等にも広く適用することができる。
【００５３】
また上述の実施の形態においては、最上層の配線パターンの上側に発熱素子を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、最上層の配線パターンの下側に発熱素子を配置する場合等にも広く適用することができる。
【００５４】
また上述の実施の形態においては、タンタル膜により発熱素子を作成する場合等について述べたが、本発明はこれに限らず、各種積層材料については、必要に応じて種々の材料を適用することができる。
【００５５】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、半導体素子を作成してなる半導体基板上に、所定の材料を順次積層してプリンタヘッドを作成するようにし、ノズルを構成する板状部材を配置する面が平滑になるように、半導体基板に積層された積層部材の少なくとも何れかを平滑化することにより、オリフィスプレートを充分に密着させて貼り着けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るプリンタヘッドの製造工程の説明に供する断面図である。
【図２】図１の続きを示す断面図である。
【図３】図２の続きを示す断面図である。
【図４】図３の続きを示す平面図である。
【図５】従来のプリンタヘッドを示す断面図である。
【符号の説明】
１……プリンタヘッド、２、２２……シリコン基板、４〜６、２４、３５……トランジスタ、７、９、２８、３１……配線パターン、８、２５……発熱素子、１１、３８……耐キャビテーション層、１３……ドライフィルム、１４……オリフィスプレート、１５……ノズル、１６……インク液室、２６、２９、３２、３４、３７……層間絶縁膜
【図１】
0004706098.tif 000002
【図２】
0004706098.tif 000003
【図３】
0004706098.tif 000004
【図４】
0004706098.tif 000005
【図５】
0004706098.tif 000006