(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも絶縁樹脂層と導体配線層が形成された多層配線基板の製造方法において、
（１）絶縁性基板として、あらかじめ、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミドをスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成する工程、
（２）前記絶縁性基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させる工程、
（３）１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を前記第一の配位子に結合させて導入する工程、
（４）１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、銅を絶縁樹脂層の表面に配位させる工程、
（５）１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させる工程、
（６）前記（４）及び（５）の工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層である配位高分子錯体を形成する工程、
（７）めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成する工程、
を具備したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも絶縁樹脂層と導体配線層が形成された多層配線基板の製造方法において、
（１）絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド前駆体をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成する工程、
（２）前記絶縁性基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、フッ素化ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させる工程、
（３）１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、前記工程（２）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を前記第一の配位子に結合させて導入する工程、
（４）１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、前記工程（３）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、銅を絶縁樹脂層の表面に配位させる工程、
（５）１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、前記工程（４）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させる工程、
（６）前記（４）及び（５）の工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層である配位高分子錯体を形成する工程、
（７）めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成する工程、
を具備したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁樹脂層と配線パターンを有する導体配線層を層状に形成する電気配線板、交互に積層して形成される、いわゆる、ビルドアップ法による多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器への高速化、高機能化、小型化等の要求に対し、それに組み込まれる配線基板に対しても高配線密度化、薄型化、小型化等の要求が高まっている。これらの要求に対応する一つの配線基板の構成として、ビルドアップ工法配線基板が挙げられる。
【０００３】
ビルドアップ工法とは、基板上に絶縁樹脂層と導体配線層とを交互に積み上げていく方式であり、例えば、特開平４−１４８５９０号公報に記載されている。この工法にて作製された多層配線基板の絶縁樹脂層は、従来の多層配線基板の絶縁樹脂層のように、ガラスクロスなどの芯材を使用せず、感光性樹脂組成物あるいは熱硬化樹脂組成物を絶縁性基板上に塗布し、硬化させることにより形成される。導体配線はめっきで形成される。このため、従来の多層配線板に比べ、高配線密度化、薄型化、小型化を図ることができる。
【０００４】
上下導体配線層の導通は、樹脂組成物の感光性を利用してフォトリソグラフィーによる微細な孔を形成し、同様に、めっきにて行うことができる。この孔内配線をビアホールと呼ぶ。
【０００５】
従来の多層配線基板の導通方法であるスルーホールではその系は３００μｍが限界であったのに対し、ビルドアップ工法のうち、フォトリソグラフィーによるビアホール径は１００μｍ以下、また、レーザ加工では５０μｍ以下も可能となる。このことは、導体配線面のランド径を小さくすることができることを意味し、配線の高密度化を図ることができる。
【０００６】
また、発熱量の大きい半導体集積素子を搭載するには、耐熱性の高い多層配線基板が必要になる。ここでは、主に、セラミック多層配線基板上にビルドアップ工法で絶縁樹脂層と導体配線層とが交互に積みあげられたものが用いられる。絶縁樹脂層には、耐熱性が高い、ポリイミドが用いられる。ポリイミドには感光性を有するタイプと感光性のないタイプ、両方が用いられる。
【０００７】
近年、電気信号の高速化に対応するため、絶縁樹脂層に対し低誘電率化の要求が高まっている。このため、誘電率３．０を切る高分子材料の開発が進められている。この中で、フッ素化ポリイミドの適応が考えられている。この材料は、ポリイミドに導入されたフッ素原子により、誘電率３．０を切り、同時に低吸水性を示す。また、ポリイミド骨格を有するので耐熱性も高く、ガラス転移温度は３００℃以上である。特開平７−１０６７２４号公報ではフッ素化ポリイミドを絶縁樹脂層に用いたマルチチップモジュールが開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ビルドアップ工法における導体配線層は、上記絶縁樹脂層上に無電解めっきによって形成される。一般的に、絶縁樹脂層上の無電解めっき層の接着力は低い。特に、高密度配線の要求により、その幅は５０μｍ以下になり、ますます接着力は低くなる傾向にある。接着力の低下は製品の信頼性に大きく影響を与える。
【０００９】
絶縁樹脂層上の無電解めっき膜の接着力の向上のためのめっき前処理として、過マンガン酸塩や重クロム酸塩などの酸化処理が行われている。この方法は、酸化分解による表面の粗面化、ならびに、絶縁樹脂表面に酸素原子が導入され、極性基が導入されることにより、めっき液の濡れ性向上、めっき金属との結合性が付与され接着力が向上すると考えられている。
【００１０】
しかしながら、過マンガン酸塩や重クロム酸塩などの酸化反応は、グリシジル基とか炭素・炭素二重結合部など限られた基でしか起こらず、極性基の形成は絶縁樹脂の構造によって左右される。
【００１１】
信頼性のあるめっき接着強度の目安は、９０°引き剥がし強度で１０００ｇ／ｃｍであると言われている。絶縁樹脂層として一般的なエポキシ樹脂系の場合、上記酸化反応は比較的起こりやすいと推定されるが、それでも、めっき接着強度は５００ｇ／ｃｍである。したがって、接着強度のさらなる向上が必要となる。
【００１２】
一方、ポリイミド樹脂では、過マンガン酸塩や重クロム酸塩などの酸化剤による処理を行っても、ベンゼン環が部分的に酸化されるのみで、粗面化もほとんどされず、めっき接着強度は１００ｇ／ｃｍにも満たない。また、フッ素化ポリイミドでは、表面エネルギーがさらに低いためめっき強度はほとんどゼロに等しい。これらの樹脂に対しても、同様に接着強度のさらなる向上が必要となる。
【００１３】
このため、絶縁樹脂層上の無電解めっき膜のさらなる接着向上についてはさまざまな技術が開示されているが、その多くは、より大きなアンカー形成用凹部を設けることについて述べられている。たとえば、特開平２−１８８９９２号公報では、酸化剤に対して難溶性の耐熱樹脂中に、酸化剤に可溶な平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の混合物を、あるいは、平均粒径２〜１０μｍの耐熱性樹脂粒子と平均粒径２μｍの耐熱性樹脂粒子の疑似粒子を混合することにより、酸化剤処理後の絶縁樹脂層にアンカー形成用の凹部を設け、めっき膜の接着強度向上が図られている。
【００１４】
しかしながら、この技術ではアンカーとなるべき凹部が大きすぎ、凹部に配線端部がかかってしまう場合、配線の直線性が失われるという問題が起こる。すなわち、エッチングによる導体配線層形成方法であるサブトラクティブ法においては、めっきによって析出した凹部内部金属のエッチング残りが発生する。また、めっきにて導体配線層を形成するアディティブ法においては、凹部へのめっきレジストの被覆が不完全になり、凹部内部にめっき金属が析出してしまう。このため、導体配線層の直線性が失われる。特に、５０μｍ程度、あるいは、それ以下の線幅の要求に対し、線幅のばらつきは無視できなくなり、高速信号波形の歪みを引き起こす原因となる。
【００１５】
また、上記の凹部の形状が複雑であるため、めっき金属と絶縁樹脂間に空気層を形成しやすく、めっき膜の接着強度が高いにも関わらず、後プロセスの熱履歴により空気層の膨張が起こり、局所的に導体配線層が剥離を起こすといった問題があった。
【００１６】
一方、アンカーを使わない方法としては、「縄舟ら、エレクトロニクス実装学会誌、ｖｏｌ２、Ｎｏ．５、ｐ３９０，１９９９年」において、ポリイミド樹脂表面にアルカリ処理を行い、一部のイミド環を開環して、カルボン酸を形成した後、銅イオンをカルボキシル基に配位させ、その後、還元処理を行い、金属銅を樹脂表面上に析出させる方法の提案を行っている。
【００１７】
しかし、この方法では、イミド開環部がポリイミド表面に限られてしまい、このため、めっき金属との配位点が多くなく、めっき接着強度が充分に取れないという問題がある。あるいは、配位基の種類がイミド開環により形成されたカルボキシル基及びアミド基に限られてしまい、金属と相互作用があまり強くないという問題点がある。
【００１８】
本発明では、上記問題を解決すべく、導体配線層線幅のばらつきを最小限にし、かつ、絶縁樹脂との高い接着強度を有し、局所的な導体配線層の剥離を起こさず、かつ、耐熱性が高く、信頼性の高い多層配線基板を提供するものである。
【００１９】
上記問題を解決するために、請求項１においては、
少なくとも絶縁樹脂層と導体配線層が形成された多層配線基板の製造方法において、
以下の工程を具備する多層配線基板の製造方法を提案する。
（１）絶縁性基板として、あらかじめ、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミドをスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成する工程、
（２）前記絶縁性基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させる工程、
（３）１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を前記第一の配位子に結合させて導入する工程、
（４）１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、銅を絶縁樹脂層の表面に配位させる工程、
（５）１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、前記絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させる工程、
（６）前記（４）及び（５）の工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層である配位高分子錯体を形成する工程、
（７）めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成する工程、
請求項２においては、
以下の工程を具備する多層配線基板の製造方法を提案する。
（１）絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（前駆体）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成する工程、
（２）前記絶縁性基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、フッ素化ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させる工程、
（３）１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、前記工程（２）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を前記第一の配位子に結合させて導入する工程、
（４）１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、前記工程（３）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、銅を絶縁樹脂層の表面に配位させる工程、
（５）１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、前記工程（４）を経た絶縁性基板を１０分浸漬させた後、取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させる工程、
（６）前記（４）及び（５）の工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層である配位高分子錯体を形成する工程、
（７）めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成する工程、
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
導体配線層、下地層、絶縁樹脂層間の断面図を図１〜５に示す。なお、下地層とは、絶縁樹脂層と導体配線層との間に設けられた層をいう。
【００２１】
図１のように、多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の絶縁樹脂層に由来する第一の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子錯体を形成することで、配線パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成させる。
【００２２】
あるいは図２のように、多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の第一の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子錯体を形成することで配線パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成させ、さらに、その下地層４である配位高分子錯体に導電性を付与することにより、無電解めっきの工程を省くことができる。
【００２３】
もしくは図３のように、多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合させ、第三の配位子に金属を作用させて導体配線層２を形成する。
【００２４】
または図４のように、多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位子を結合させ、第三の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子錯体を形成することで配線パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成させる。
【００２５】
または図５のように多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有するポリマーを結合させ、第三の配位子に金属を作用させて導体配線層２を形成させる。
【００２６】
もしくは図６のように多層配線基板の絶縁樹脂層１表面の第一の配位子に第三の配位を複数個有するポリマーを結合させ、第三の配位子と化学的配位結合を有する配位高分子錯体を形成することで配線パターンを有する導体配線層２との接着強度の高い下地層４を形成させる。
【００２７】
ここで言う多層配線基板とは電気配線基板、電気光配線基板等、一般的に絶縁樹脂層と導体配線層が交互に積層された構造を持つ基板のことを示している。
【００２８】
絶縁樹脂層に由来する第一の配位子とは、絶縁樹脂層を構成していた原子団が化学反応により配位子に変化したものである。例えば、ポリイミドの場合、イミド環が開環して得られるカルボキシル基、アミド基が挙げられる。
【００２９】
下地層を形成する第二の配位子を有する化合物としては耐熱性が高く、主鎖に芳香族環や複素環を有し、かつ、金属と２カ所以上配位する能力のある配位子を有する化合物を用いる。芳香族環としてはベンゼン環、ナフタレン環、複素環としてはピリジン、ピラジン、ピリミジン等があげられる。例えば、４，４′−ビピリジンを用いる。
【００３０】
絶縁樹脂層に由来しない第三の配位子とは、配位子を構成する原子が全て絶縁樹脂層の外部から与えられたものである。例えば、アミノ基、アミド基、アジド基、アゾ基、ジアゾ基、シアノ基、イソシアン基、シアナト基、チオシアナト基、エピイミノ基、ヒドロキシイミノ基、ピリジル基等の窒素原子を含む化合物、例えば、イソシアノナト基、エポキシ基、エピジオキシ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロソ基、ヒドロキシ基等の酸素原子を含む化合物、例えば、イソチオシアノナト基、エピチオ基、エピジチオ基、ジチオ基、ジチオカルボキシ基、チオ基、チオカルボニル基、チオキソ基、メルカプト基等の硫黄原子を含む化合物、例えば、ホスフィノ基、ホスホロ基、ホスホソ基等のリン原子を含む化合物、例えば、クロル基、フロル基、ブロム基のハロゲン原子を含む化合物、ヨード基を含む化合物を用いることができる。
【００３１】
下地層を形成する配位高分子錯体の金属５としては、第３周期、第４周期、第５周期のいずれの金属でもよいが、特に６配位、５配位、４配位と複数箇所で配位子と配位できる能力のある金属が挙げられる。例えば、さまざまな配位様式を持つ銅原子やパラジウム、主に平面４配位をとる白金などが挙げられる。
【００３２】
下地層を形成する配位高分子錯体としては、例えば、[[Cu(SO4)(C5H4N)2]]ｎ化合物、｛[Cu(SiF6)(C5H4N)2]｝n化合物、｛K2[Pt(CN)4]｝n化合物等がこれに当てはまる。
【００３３】
導体配線層との接着強度は、この下地層中の配位子との配位結合により高められる。
【００３４】
本発明によれば、導体配線層２が結合の強固な下地層及び／または第三の配位子を介して絶縁樹脂層１と結合するため、層間剥離が発生しない。また、絶縁樹脂層の構成樹脂のみと化学的配位結合をするため、ビアホール孔を形成した後に下地層を形成することができ、ビアホール孔側のめっき強度の向上も図れる。
【００３５】
本発明においては、絶縁樹脂層に光導波路を形成することで、光配線層と導体配線層を交互に積層して形成される光・電気配線基板に応用できる。
【００３６】
【実施例】
〈参考例１〉
絶縁性基板として、あらかじめ、熱処理により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００３７】
さらに、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００３８】
次いで、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００３９】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００４０】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した。
【００４１】
〈参考例２〉
絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００４２】
さらに、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００４３】
次いで、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００４４】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００４５】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００４６】
〈参考例３〉
絶縁性基板として、あらかじめ、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製ユピコート）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００４７】
さらに、１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を導入した。
【００４８】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位さた。
【００４９】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した。
【００５０】
〈参考例４〉
絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００５１】
さらに、１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を導入した。
【００５２】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００５３】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００５４】
〈実施例１〉
絶縁性基板として、あらかじめ、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００５５】
さらに、１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を導入した。
【００５６】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００５７】
さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００５８】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００５９】
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００６０】
〈実施例２〉
絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００６１】
さらに、１モルのスルファミドを含むピリジン溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、１００℃、１時間加熱処理をして、第三の配位子であるアミド基を導入した。
【００６２】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００６３】
さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００６４】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程以降を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００６５】
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００６６】
〈参考例５〉
絶縁性基板として、あらかじめ、熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００６７】
さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾燥して、表面にラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着させた。
【００６８】
次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射してラジカル反応を発生させ、第三の配位子であるアミド基を有するモノマーを重合させた。
【００６９】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００７０】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した。
【００７１】
〈参考例６〉
絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００７２】
さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着させた。
【００７３】
次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射してラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有するモノマーを重合させた。
【００７４】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００７５】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００７６】
〈実施例３〉
絶縁性基板として、あらかじめ、絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに１８０℃、１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化ナトリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基、及び、アミド基を導入させた。
【００７７】
さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含むアセトン溶液に、１分浸漬させた後、基板を取り出し乾燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着させた。
【００７８】
次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射してラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有するモノマーを重合させた。
【００７９】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００８０】
さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００８１】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００８２】
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００８３】
〈実施例４〉
絶縁性基板としてガラス基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ３３０５）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。この基板を水酸化カリウム水溶液中に浸漬し、ポリイミドを開環させることで、絶縁樹脂層表面に第一の配位子であるカルボキシル基及びアミド基を導入させた。
【００８４】
さらに、５０ｍモルのベンゾフェノンを含むアセトン溶液に１分浸漬させた後、基板を取り出し乾燥して、ラジカル発生剤であるベンゾフェノンを吸着させた。
【００８５】
次に、１モルのメタクリルアミド水溶液中に、上記基板を１時間浸漬させながら、ＵＶを照射してラジカルを発生させ、第三の配位子であるアミド基を有するモノマーを重合させた。
【００８６】
次いで、１モル硫酸銅水溶液１００ｍｌ中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し銅を絶縁樹脂層の表面に配位させた。
【００８７】
さらに、１モルの４，４′−ビピリジンを含むメタノール溶液中に、上記基板を１０分浸漬させた後、基板を取り出し、第二の配位子である４，４′−ビピリジンを銅原子上に配位させた。
【００８８】
上記硫酸銅水溶液に浸漬する工程を複数回繰り返すことで、絶縁樹脂層上に下地層４である配位高分子錯体を形成した。
【００８９】
めっきにて２０μｍ厚の導体層を形成した後、エッチングにてパターニングを行い、導体配線層を形成した。
【００９０】
〈比較例１〉
絶縁性基板として、あらかじめ熱酸化により絶縁処理を加えたシリコン基板上にポリイミド（宇部興産社製商品名ユピコート）をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、３０分にて乾燥を行い、さらに、１８０℃１時間で硬化して絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
【００９１】
上記絶縁樹脂表面を５０℃に加熱した過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した。
【００９２】
〈比較例２〉
絶縁樹脂としてセラミック基板上にフッ素化ポリイミド（日立化成工業社製商品名ＯＰＩ−Ｎ１００５）をスピンコータにて１０００ｒｐｍで塗布し、１００℃、３０分、さらに、２００℃、３０分、さらに、３５０℃、１時間でイミド化させ絶縁樹脂層を形成した。このときの膜厚は約１０μｍであった。
【００９３】
上記絶縁樹脂表面を５０℃に加熱した過マンガン酸カリウム（５０ｇ／ｌ）、水酸化ナトリウム（２０ｇ／ｌ）水溶液中にて酸化処理した。この上に、無電解めっき、電解めっきにて２０μｍ厚の導体配線層を形成した。
【００９４】
〈めっき接着強度評価〉
実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、参考例１、参考例２、参考例３、参考例４、参考例５、参考例６、比較例１、比較例２で得られた各めっき導体配線層をフォトエッチングプロセスにより幅１０ｍｍ、長さ７０ｍｍにパターン加工し、めっき接着強度測定用サンプルを作製した。めっき接着強度の測定はＪＩＳ−Ｃ６４８１に基づいて行った。すなわち、基板を固定し、引き剥がしためっき金属の一端を引っ張り試験器のチャックに固定し、基板に対して９０°方向の引き剥がし強度を測定したところ、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、参考例１、参考例２、参考例３、参考例４、参考例５、参考例６、の基板については１０００ｇ／ｃｍ以上の安定な接着強度を示した。一方、比較例１，２
の基板については１００ｇ／ｃｍ以上であった。
【００９５】
また、実施例３、実施例４、実施例５、実施例６において、スルファミドの替わりに、２−アミノピリミジン、１−アミノ−４−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、４−アミノチオフェノール、トリフェニルホスフィン、ヨウ素を用いて同様に実施したところ同様な効果が見られた。
【００９６】
〈多層配線基板製造方法の実施形態例〉
多層配線基板製造方法の実施形態例を図７、図８にて説明する。基板表面を酸化処理した０．５ｍｍ厚のシリコン基板９上に、感光性を有する絶縁樹脂フォトニース（東レ社製）をスピンコーターにて１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、６０分、乾燥を行い、さらに、１８０℃、３０分、２５０℃、３０分、４００℃、１時間でイミド化を行い、約２０μｍ厚の絶縁樹脂層１を形成した（図７（Ａ）参照）。
【００９７】
次いで、上記の実施例１〜４、参考例１〜６の様に絶縁樹脂層上に下地層４を形成した（図７（Ｂ）参照）。
【００９８】
めっきにて２０μｍ厚の導体配線層２を形成した（図７（Ｃ）参照）。
【００９９】
次に、導体配線層状にフォトレジストを塗布し露光、現像を行いエッチングを施すことによって導体配線層を形成した（図７（Ｄ）参照）。導体幅精度は５０μｍ±５μｍにおさまり、直線性も良好であった。
【０１００】
次に、感光性を有する絶縁樹脂であるフォトニース（東レ社製）をスピンコートして１０００ｒｐｍで塗布し、８０℃、６０分にてイミド化を行い、２０μｍ厚の絶縁樹脂層を形成した（図７（Ｅ）参照）。
【０１０１】
次に、絶縁樹脂層に所定のビアパターンを有するマスクを介して、１ｋＷの超高圧水銀灯にて、２００ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光を行い、専用現像液にて、スプレー現像を行い、さらに、１８０℃、３０分、さらに、２５０℃、３０分、さらに、４００℃（１時間）のポストベークを行い、５０μｍ径のビアホール孔１１を形成した（図７（Ｆ）参照）。
【０１０２】
次いで、上記の実施例１〜１０の様に絶縁樹脂層上に下地層４を形成した。その後、ビア孔に対してレーザー照射を行い、ビア孔底部の下地層を除去した（図８（Ｇ）参照）。
【０１０３】
次に、めっきを行い、２０μｍ厚の導体配線層及びフィルドビア１２を形成した（図８（Ｈ）参照）。
【０１０４】
次に、導体配線層をフォトエッチング法によりパターン加工し、配線パターンを有する導体配線層を形成した（図８（Ｉ）参照）。導体幅精度は２５μｍ±３μｍにおさまり、直線性も良好であった。
【０１０５】
さらに、上記の操作を繰り返すことにより、複数の絶縁樹脂層と配線パターンを有する導体配線層とが交互に積層された多層配線基板が得られた（図８（Ｊ）参照）。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明によれば、導体配線層が結合の強固な下地層及び／または、第三の配位子を介して絶縁樹脂層と結合するため、層間剥離が発生しない。
【０１０７】
また、配線パターンを有する導体配線層の配線幅のばらつきが小さく、配線パターンを有する導体配線層との接着強度の良好な、信頼性の高い多層配線基板が得られる。
【０１０８】
さらに、絶縁樹脂層を光配線であり、電気配線では高周波電流が流れることでノイズ及び電磁波が発生して周囲に悪影響を与えることにもなる信号を、光に置き換えることで回避できる。
【０１０９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図２】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図３】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図４】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図５】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図６】本発明に係わる多層配線基板の導体配線層、絶縁樹脂層間を断面方向から表した説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施形態例を示す多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で表した説明図である。
【図８】（Ｇ）〜（Ｊ）は、本発明の実施形態例を示す多層プリント配線板の構成及び製造工程を部分断面図で表した説明図である。
【符号の説明】
１…絶縁樹脂層（光導波路）
２…導体配線層、または導体配線層
３…配位高分子錯体
４…下地層
５…第二の配位子
６…下地層を形成する配位高分子錯体の金属
７…第一の配位子
８…第三の配位子
９…無電解めっき
１０…シリコン基板
１１…ビアホール孔
１２…フィルドビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
0004826020.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004826020.tif 000007
【図７】
0004826020.tif 000008
【図８】
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