(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御前には、目標温度ｔ１に対して高温（又は低温）の所定温度若しくはその近傍温度になっている板状対象物体の当初の表面温度ｔｘを、目標温度に制御する温度制御方法において、
目標温度より所定温度だけ低温（又は高温）の固定温度ｔｃを有するように温度管理された蓄熱基体の一面に、上記板状対象物体の一方の面が面するように、上記蓄熱基体及び上記板状対象物体を近接させた状態を継続させて、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に向かって変化させ、
上記板状対象物体の表面温度が目標温度に達したとき、又は、上記板状対象物体の表面温度の目標温度に対する温度差が所定範囲内まで減少したとき、上記板状対象物体を上記蓄熱基体から所定距離だけ離れた位置に移動させ、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に保持する
ことを特徴とする温度制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載の温度制御方法において、上記固定温度ｔｃは、目標温度ｔ１に対する上記板状対象物体の当初の表面温度ｔｘの温度差に基づいて決定することを特徴とする温度制御方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の温度制御方法において、目標温度を有するように温度管理された基準蓄熱基体に近接された板状基準物体について検出された表面温度に、制御対象の上記板状対象物体の表面温度が一致したとき、上記板状対象物体を上記蓄熱基体から所定距離だけ離れた位置に移動させ、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に保持することを特徴とする温度制御方法。
【請求項４】
制御前には、目標温度ｔ１に対して高温（又は低温）の所定温度若しくはその近傍温度になっている板状対象物体の当初の表面温度ｔｘを、目標温度に制御する温度制御装置において、
目標温度より所定温度だけ低温（又は高温）の固定温度ｔｃを有するように温度管理された蓄熱基体と、
上記板状対象物体を、その一面が、上記蓄熱基体の一面に面するように近接させた第１の位置と、上記蓄熱基体から所定距離だけ離れた第２の位置とのいずれかの位置に位置させる板状対象物体移動機構と、
上記板状対象物体を上記第１の位置に位置させて、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に向かって変化させ、上記板状対象物体の表面温度が目標温度に達したとき、又は、上記板状対象物体の表面温度の目標温度に対する温度差が所定範囲内まで減少したとき、上記板状対象物体を上記第２の位置に移動させ、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に保持させる制御手段と
を有することを特徴とする温度制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等のように、処理温度（目標温度）とは異なる温度で保管されている対象物体を加熱し又は冷却して目標温度に制御する温度制御方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程においては、半導体ウエハの表面温度が露光に適した目標温度（例えば、２３℃）に達するのを待って露光を行う必要がある。一般に、露光前の半導体ウエハは、目標温度よりも高い温度（例えば、２５℃）に管理された室内に保管されているため、半導体ウエハの表面温度が目標温度まで下がるのを待って露光を開始している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来では、半導体ウエハの表面温度が目標温度まで下がるのにかなりの時間（一般的な条件の場合、約４５秒）を要し、半導体製造工程の更なるスループットの向上を図るには、より短時間で目標温度に制御できる方法の実現が望まれる。
【０００４】
本発明は以上の課題を考慮してなされたもので、半導体ウエハその他の対象物体の温度を短時間で目標温度に制御することができる温度制御方法及び装置の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、第１の発明は、制御前には、目標温度ｔ１に対して高温（又は低温）の所定温度若しくはその近傍温度になっている板状対象物体の当初の表面温度ｔｘを、目標温度に制御する温度制御方法において、目標温度より所定温度だけ低温（又は高温）の固定温度ｔｃを有するように温度管理された蓄熱基体の一面に、上記板状対象物体の一方の面が面するように、上記蓄熱基体及び上記板状対象物体を近接させた状態を継続させて、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に向かって変化させ、上記板状対象物体の表面温度が目標温度に達したとき、又は、上記板状対象物体の表面温度の目標温度に対する温度差が所定範囲内まで減少したとき、上記板状対象物体を上記蓄熱基体から所定距離だけ離れた位置に移動させ、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に保持することを特徴とする。
【０００６】
第２の発明は、制御前には、目標温度ｔ１に対して高温（又は低温）の所定温度若しくはその近傍温度になっている板状対象物体の当初の表面温度ｔｘを、目標温度に制御する温度制御装置において、目標温度より所定温度だけ低温（又は高温）の固定温度ｔｃを有するように温度管理された蓄熱基体と、上記板状対象物体を、その一面が、上記蓄熱基体の一面に面するように近接させた第１の位置と、上記蓄熱基体から所定距離だけ離れた第２の位置とのいずれかの位置に位置させる板状対象物体移動機構と、上記板状対象物体を上記第１の位置に位置させて、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に向かって変化させ、上記板状対象物体の表面温度が目標温度に達したとき、又は、上記板状対象物体の表面温度の目標温度に対する温度差が所定範囲内まで減少したとき、上記板状対象物体を上記第２の位置に移動させ、上記板状対象物体の表面温度を目標温度に保持させる制御手段とを有することを特徴とする。
本発明においては、蓄熱基体の温度を目標温度（例えば、２３℃）そのものに管理するのではなく、目標温度とは所定の温度差を有する温度（例えば１８℃）に管理するため、対象物体と蓄熱基体との温度差を従来方法よりも大きくとることができる。これにより、対象物体を蓄熱基体の近接位置に保持した直後からの表面温度の変化の速度を大きくでき、その分速く、対象物体の表面温度を目標温度に到達させることができる。
【０００７】
この発明は、蓄熱基体の温度を目標温度に到達させるのに要する時間の短縮を図るべく、蓄熱基体と目標温度との間に特に大きな温度差を設定した場合に有効である。例えば、温度差が大きい場合には、対象物体を蓄熱基体の近接位置に保持したままの状態で放置すると、対象物体の温度は目標温度を瞬時に通りすぎてしまい、対象物体の温度を制御する本来の目的であるその後の処理に必要な時間だけ対象物体の温度を目標温度に維持することができない。
【０００８】
しかし、本発明のように、所定の条件下で対象物体を蓄熱基体から所定の距離だけ離すことで、対象物体の表面温度を目的温度に短時間で到達させることができ、しかもその温度状態を保持することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る温度制御方法及び装置を図面を用いて説明する。
【００１０】
（Ａ）第１の実施形態
（Ａ−１）装置構成
本実施形態では、本発明に係る温度制御方法及び装置を、半導体ウエハの露光前処理に適用する場合について説明する。従って、本実施形態では、対象物体としての半導体ウエハの温度を目標温度に制御する場合について説明する。なお、後述するように、本実施形態において制御対象とする温度は、被露光領域となる半導体ウエハ表面の温度である。
【００１１】
図１に、本実施形態に係る温度制御装置の構成例を示す。なお、図１は、本発明の実施に関係する部分の構成を機能的に表したものである。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態における温度制御装置では、半導体ウエハ１の表面温度の測定に非接触型の温度センサ２Ａ及び２Ｂを使用し、温度制御の対象である半導体ウエハ１の表面温度だけでなく、これとは別に用意される基準温度設定用の半導体ウエハ１の表面温度も同時に測定する方式を採用する。これは、２つの測定結果を比較することにより、測定結果に不可避的に重畳される環境誤差等を打ち消して、精度の高い温度制御を可能とするためである。
【００１３】
このため、図１に示す温度制御装置では、チャンバー３を仕切り３Ａによって２つの部屋に分け、その一方を基準温度（ここでは、２３℃とする。）に制御された半導体ウエハ１の表面温度についての測定結果を得るための基準温度設定室に、他方を露光直前の半導体ウエハ１の表面温度を基準温度と同じ目標温度に実際に制御するための温度制御室に用いている。
【００１４】
このうち、基準温度設定室には、基準温度コントローラ４によって２３℃に制御される基準プレート５と、この基準プレート５によってその表面温度が常時２３℃に保たれるように制御される半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１の表面に接触しその表面温度を直接的に測定する接触型の温度センサ２Ｃと、半導体ウエハ１との位置関係が温度制御室における測定条件と同じ条件で取り付けられた非接触型の温度センサ２Ａとが設けられてなる。
【００１５】
ここで、基準温度コントローラ４は、接触型の温度センサ２Ｃから入力される測温信号Ｓt1が基準温度よりも高い温度を表している場合、基準プレート５の温度を低下させる制御信号Ｓcont1 を出力し、反対に、接触型の温度センサ２Ｃから入力される測温信号Ｓt1が基準温度よりも低い温度を表している場合、基準プレート５の温度を上昇させる制御信号Ｓcont1 を出力することで、半導体ウエハ１の表面温度を一定温度に制御する。
【００１６】
なお、基準温度コントローラ４による基準プレート５の温度制御はかかる制御信号を用いる方式に限られるものでなく、基準プレート５に対して供給する電流や電圧等を判定結果に応じて直接増減する方式を用いることもできる。
【００１７】
他方、温度制御室には、プレート温度コントローラ６によって目標温度に対して所定の温度差を有する温度（ここでは、１８℃とする。）に温度制御されるプレート７（これが特許請求の範囲における蓄熱基体に対応する。）と、処理対象としての半導体ウエハ１と、プレート７に設けられた不図示の貫通孔を介して図中上下方向に駆動自在に取り付けられ、その先端部において半導体ウエハ１を下面から支持し、半導体ウエハ１とプレート７との間隔を一定距離に保持する適当な個数のリフト８と、当該リフト８を一体に駆動し、プレート７の表面から突出するリフト８の突出量を調整するためのストローク機構９と、半導体ウエハ１の表面温度を非接触で測定する温度センサ２Ｂとが設けられてなる。
【００１８】
ここで、半導体ウエハ１とプレート７との間隔は、温度制御の際、プレート７の表面から突出するリフト８の突出量の制御によって２段階に切り替えられるようになっている。第１段階における間隔は、半導体ウエハ１の温度を目標温度に到達させるまでに用いられる間隔であり、第２段階における間隔は、半導体ウエハ１の温度が目標温度に達した後に用いられる間隔である。本実施形態においては、第１段階における間隔を図２（Ａ）に示すように０．１５〔ｍｍ〕とし、第２段階における間隔を図２（Ｂ）に示すように４〔ｍｍ〕とする。この長さは、リフト８のプレート７の表面からの突出量と同じである。
【００１９】
なおこのように、半導体ウエハ１とプレート７との間隔を２段階で切り替えるのは、本実施形態では、半導体ウエハ１の表面温度を短時間で目標温度に到達させるべく、蓄熱基体としてのプレート７の温度を目標温度よりもかなり低い温度（１８℃）に設定するため、目標温度到達後も第１段階における間隔を維持すると、半導体ウエハ１の表面温度が目標温度よりも低下してしまうからである。このため、本実施形態では、第２段階における間隔として、空気を媒体として実現される熱交換の停止に十分な距離だけ半導体ウエハ１をプレート７から引き離す設定を採用している。
【００２０】
因みに、これらの２種類の間隔の他にも、本実施形態においては、リフト８のプレート７の表面からの突出量として、ロボットアーム等との間で半導体ウエハ１を受け渡しする際に使用する第３の突出量が用意されている。
【００２１】
これら３通りの突出量の制御は、ストロークコントローラ１０によって実現される。ストロークコントローラ１０は、非接触型温度センサ２Ｄによって測定されたウエハカセット１１内の半導体ウエハ１の温度に応じたストローク量を内蔵メモリ等から読み出し、ストローク量制御信号Ｓcont3 としてストローク機構９に出力する。この実施形態の場合、室温は２５℃に設定されており、半導体ウエハ１の温度も２５℃であるので、ストローク量としては０．１５〔ｍｍ〕が与えられる。
【００２２】
また、ストロークコントローラ１０は、差温検出部１２からリフトアップ信号Ｓupが与えられたとき、ストローク量を０．１５〔ｍｍ〕から４〔ｍｍ〕に切り替えるようにストローク量制御信号Ｓcont3 を出力する。さらに、ストロークコントローラ１０は、ロボット搬送出力信号の入力によって、ロボットアームとの間で半導体ウエハ１の受け渡しの実行が指示されたとき、受け渡しに適した第３の突出量が得られるようにストローク量制御信号Ｓcont3 を出力する。
【００２３】
前述のリフトアップ信号Ｓupは、差温検出部１２において生成され、ストロークコントローラ１０に与えられる。差温検出部１２は、基準温度設定室の非接触型温度センサ２Ａで測定された基準測定温度信号Ｓt1と、温度制御室の非接触型温度センサ２Ａで測定された実測定温度信号Ｓt2との両方を比較し、両者が一致するとき又は両者の差分が所定の範囲内に入った時点でリフトアップ信号Ｓupの出力を行う。
【００２４】
なお、以下の説明では、両測定結果が一致した時点でリフトアップ信号Ｓupを出力するものとして説明するが、温度制御中における半導体ウエハ１の表面温度の変化速度が大きいために、基準測定温度信号Ｓt1と実測定温度信号Ｓt2との一致検出を待ってリフトアップ信号Ｓupを出力したのでは半導体ウエハ１の温度を目標温度で静止し得ないような場合には、前述のように、両者の差分が所定の範囲内に入った時点でリフトアップ信号Ｓupの出力を行う予測制御を採用する。ここで、所定の範囲とは、実験その他の経験によって定められるべき値である。
【００２５】
さらに、本実施形態における温度制御装置には、蓄熱基体としてのプレート７の温度を設定するための手段として、演算設定部１３とプレート温度コントローラ６とが設けられている。このうち、プレート温度コントローラ６は、演算設定部１３で設定された温度にプレート７の温度をフィードバック制御する手段であり、既存の装置が用いられる。従って、新規な部分は演算設定部１３の部分である。
【００２６】
演算設定温度１３は、差温検出部１２から目標温度に当る基準温度ｔ１（２３℃）を入力すると共に、ウエハカセット１１側の温度センサ２Ｄから半導体ウエハ１１の温度制御前の温度ｔx （２５℃）を入力し、その値から設定温度ｔc を次式のように計算する。
【００２７】
ｔc ＝ｔx ＋（ｔx −ｔ１）・Ｋ                              …（１）
ここで、Ｋは温度定数であって、処理対象である半導体ウエハ１の熱容量（表面積や体積等で定まる。）やプレート７の熱容量（表面積や体積等で定まる。）の他、熱交換媒体の熱伝達係数や目標温度に到達させるために予定している目標時間等に応じて定まる値である。本実施形態では、この値として「−３．５」を使用する。従って、本実施形態における環境下における設定温度ｔc は、２５℃＋{（２５℃−２３℃）×（−３．５）}を計算することにより与えられる１８℃となる。
【００２８】
（Ａ−２）温度制御動作
続いて、本実施形態に係る温度制御装置による半導体ウエハの温度制御動作を説明する。なお、前提条件として、基準温度設定室内に載置された半導体ウエハ１の表面温度は、既に基準温度（２３℃）に制御されているものとする。また、温度制御室内に設けるプレート７の設定温度（１８℃）は、ウエハカセット１１内に収容されている半導体ウエハ１の表面温度ｔx を基に計算され、プレート温度コントローラ６によって一定に制御されているものとする。
【００２９】
まず、ウエハカセット１１から露光対象である半導体ウエハ１が１枚ずつ取り出され、ロボットアーム等によって温度制御室内へ搬送される。半導体ウエハ１が温度制御室内の所定位置まで搬送されると、ストロークコントローラ１０に対してロボット搬送出力信号が与えられる。ストロークコントローラ１０は、当該信号を入力するとストローク機構９に対して第３のストローク量を指示し、半導体ウエハ１をロボットアーム等からリフト８へ移し替える。なお、当該移し替えの後、ロボットアーム等は半導体ウエハ１と衝突の生じない位置へ退避される。
【００３０】
かかる退避が確認されると、ストロークコントローラ１０は、予め非接触型の温度センサ２Ｄで測定された半導体ウエハ１の温度ｔx に応じた間隔だけ、半導体ウエハ１とプレート７とのが離れて対峙するように所定のストローク量をストローク機構９に与え、半導体ウエハ１がプレート７の表面から０．１５〔ｍｍ〕の位置へ移動させる。この移動によって所定値に停止した状態が、温度制御が開始されるタイミングであって、図３の温度制御開始時刻に相当する。
【００３１】
ところで、前述したように、本実施形態におけるプレート７の温度は１８℃に設定されており、半導体ウエハ１との間には実に７℃もの温度差が存在する。因みに、従来手法の場合には、プレート７の温度が目標温度に設定されていたため２℃の温度差しかなかった。しかも、半導体ウエハ１とプレート７との間隔はごくわずかであるため、半導体ウエハ１はプレート７との間にある空気層を介した熱交換によって、半導体ウエハ１の表面温度は急速に低下し始める。この状態を図３では点線で表している。
【００３２】
さて、このように温度制御が開始されると、温度制御装置では、差温検出部１２において温度センサ２Ａから与えられる基準測定温度信号Ｓt1と、温度センサ２Ｂから与えられる実測定温度信号Ｓt2との比較を実行し、両者が一致する瞬間の監視を実行する。そして、差温検出部１２は、両者の一致が確認されたタイミングでリフトアップ信号Ｓupをストロークコントローラ１０に出力し、半導体ウエハ１をプレート７に対して４〔ｍｍ〕だけ離れた位置へと退避させる。
【００３３】
この退避動作の結果、半導体ウエハ１の表面温度を低下させるように働く外的要因はほとんど無視し得る状態になり、図３において実線で示すように、半導体ウエハ１の表面温度は目標温度である２３℃に保持される状態になる。図３の場合、初期温度が２５℃である半導体ウエハ１の表面温度を２３℃に温度制御するのに要する時間は約３秒である。この時間は、従来手法で要していた４５秒に比べ、格段に短い時間である。因みに、図３では、従来手法によって温度制御する場合の温度遷移の様子を一点鎖線で表している。
【００３４】
さて、このように温度制御が完了すると、温度制御装置は、ロボットアーム等による搬送可能な位置に半導体ウエハ１を移動させ、ロボットアーム等への移し替えを行う。当該ロボットアーム等への移し替えの完了により、１枚の半導体ウエハ１に対する温度制御動作が完了し、次の露光対象である半導体ウエハ１の温度制御動作に移行する。この動作が繰り返し実行される。
【００３５】
（Ａ−３）第１の実施形態の効果
以上のように、本実施形態における温度制御装置においては、目標温度（２３℃）に対して所定の温度差（７℃）を有するように温度管理されたプレート７、すなわち１８℃に温度管理されたプレート７の近接位置に半導体ウエハ１を保持し、半導体ウエハ１の表面温度をプレート７の温度（１８℃）との中間に位置する目標温度（２３℃）に制御するようにしたことにより、目標温度（２３℃）に制御されたプレート７によって温度制御を実施する従来手法に比べ、半導体ウエハ１の表面温度が目標温度に達する時間を格段に短縮することができる。
【００３６】
また、本実施形態においては、半導体ウエハ１の表面温度が目標温度に達したタイミングで、半導体ウエハ１をプレート７から適当な距離だけ引き離すような制御を行うようにしたことにより、温度制御に要する時間の短縮と同時に、半導体ウエハ１の表面温度を確実に目標温度に維持させることができる。
【００３７】
また、本実施形態においては、半導体ウエハ１の初期温度（すなわち、室温）と目標温度との温度差に応じてプレート７の温度を適切な温度に自動設定できるようにしたことにより、室温等の変動によらず、温度制御に要する時間をほぼ一定にすることができる。
【００３８】
また、本実施形態においては、実際に制御対象となっている半導体ウエハ１の表面温度の測定結果のみに基づいて温度制御を実行するのではなく、正確に基準温度に管理された半導体ウエハ１の表面温度の測定結果との比較によって温度制御を実行するようにしたことにより、信頼性の高い温度制御を可能とできる。
【００３９】
（Ｂ）第２の実施形態
続いて、本発明に係る温度制御方法及び装置の第２の実施形態を説明する。なお、本実施形態は、第１の実施形態の変形例に相当する。従って、前提条件や処理対象については第１の実施形態と同じである。
【００４０】
図４に、本実施形態に係る温度制御装置の構成例を示す。ここで、図４は、図１との対応部分には対応符号を付して表すと共に、図１との同一部分に同一符号を付して表している。
【００４１】
この第２の実施形態と前述の第１の実施形態との違いは、図４と図１を対比すれば明らかなように、差温検出部１２'が比較対象とする基準温度が測定値として与えられるのではなく（すなわち、非接触型の温度センサ２Ａで測定された温度ではなく）、内部メモリ等に固定的に格納された温度（２３℃）として与えられる点である。なお、その他の部分については、第１の実施形態と同じである。すなわち、差温検出部１２'の比較対象を除いて、その制御動作等は第１の実施形態の場合と同様である。
【００４２】
かかる構成とすることにより、本実施形態に係る温度制御装置では、第１の実施形態で必要とされた基準温度設定室とその温度管理部（基準温度コントローラ４、基準プレート５、温度センサ２Ａ、２Ｃ）を設ける必要がなくなり、その分、装置の小型化を実現できる。
【００４３】
また、この第２の実施形態では、ほぼ目標温度（２３±０．２℃）に温度管理された室内に温度制御装置を配置し、相対的に低い精度で温度管理されている空間に配置されたウエハカセット１１から隔離しているが、かかる構成とすることにより、温度制御後の半導体ウエハ１の表面温度を長く目標温度に保つことができる。
【００４４】
因みに、本実施形態における差温検出部１２'は、プレート７に載置された半導体ウエハ１の表面温度が、目標温度（２３℃）に対して±０．１℃の範囲内に入るように温度制御を行って、制御後の半導体ウエハ１をチャンバー３の外部雰囲気中（２３±０．２℃）へ出力する。
【００４５】
（Ｃ）他の実施形態
上述の第２の実施形態においては、ほぼ目標温度（２３±０．２℃）に温度管理された室内に温度制御装置を配置する場合について述べたが、当該室内の温度が基準温度（２３±０．１℃）に厳格に温度管理されている場合には、当該温度の測定結果を基準温度に用いるようにしても良い。このようにしても、第１の実施形態に比べて装置構成を簡略化することができる。
【００４６】
上述の実施形態においては、温度制御の開始から目標温度に達するまでの第１段階の間隔を０．１５〔ｍｍ〕に設定する一方、目標温度に達した後の第２段階における間隔を４〔ｍｍ〕に設定する場合について述べたが、これらの値は一例であり、それぞれ使用環境等に応じて最適な値を選択すれば良い。
【００４７】
上述の実施形態においては、半導体処理工程のうちの露光前処理として実行される温度制御方法について述べたが、本発明はこれに限らず、他の処理工程の前処理として実行される温度制御方法にも適用し得る。
【００４８】
上述の実施形態においては、半導体処理工程における前処理に適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、半導体ウエハ以外の物体の製造工程又は処理工程での温度制御にも適用し得る。例えば、ガラス基板やプラスチック材料の製造工程等で行われる温度制御にも適用し得る。
【００４９】
上述の実施形態においては、演算設定部１３によって目標温度と半導体ウエハ１の初期温度との温度差を確認し、当該温度差に基づいてプレート７の温度と目標温度との間に設ける所定の温度差を決定する場合について述べたが、半導体ウエハ１の温度管理が徹底している場合には、プレート７の設定温度をプレート温度コントローラ６に固定値を設定しておく構成としても良い。
【００５０】
上述の実施形態においては、半導体ウエハ１とプレート７との間の熱交換媒体が空気である場合について述べたが、空気に限られるものでなく、例えば不活性ガスを熱交換媒体とする場合にも適用し得る。
【００５１】
上述の実施形態においては、温度制御の対象となる半導体ウエハ１の初期温度（２５℃）が目標温度（２３℃）よりも高い場合、すなわち対象物体としての半導体ウエハ１を蓄熱基体としてのプレート７で冷却することにより目標温度に制御する場合について述べたが、本発明はこれとは反対に、対象物体の初期温度が目標温度よりも低い場合、すなわち対象物体を蓄熱基体で加熱することにより目標温度に制御する場合にも同様に適用し得る。この場合、蓄熱基体の温度を目標温度に設定するのではなく、目標温度よりも所定の温度だけ高く設定して対象物体を加熱すれば良い。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、目標温度に対して所定の温度差を有するように温度管理された蓄熱基体の近接位置に対象物体を保持し、対象物体の表面温度を当該温度と蓄熱基体の温度との中間に位置する目標温度に制御することにより、対象物体を蓄熱基体の近接位置に保持した直後からの表面温度の変化の速度を大きくでき、その分速く、対象物体の表面温度を目標温度に到達させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る温度制御方法を適用する温度制御装置の第１の実施形態例を示す図である。
【図２】  温度制御動作中における半導体ウエハとプレートとの間隔の切り替え動作を示す図である。
【図３】  本発明による温度制御によって実現される温度の推移特性を示す図である。
【図４】  本発明に係る温度制御方法を適用する温度制御装置の第２の実施形態例を示す図である。
【符号の説明】
１…半導体ウエハ、２Ａ、２Ｂ、２Ｄ…非接触型温度センサ、２Ｃ…接触型温度センサ、３…チャンバー、３Ａ…仕切り、４…基準温度コントローラ、５…基準プレート、６…プレート温度コントローラ、７…プレート、８…リフト、９…ストローク機構、１０…ストロークコントローラ、１１…ウエハカセット、１２、１２'…差温検出部、１３…演算設定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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