(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハー表面に、少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）、一般式（１）で表される化合物からなるエポキシ樹脂（ロ）、及び、光重合開始剤（ハ）を含んでなり、且つ、光硬化成分を８０重量％から２０重量％、熱硬化成分を２０重量％から８０重量％含有する感光性樹脂組成物よりなる絶縁樹脂層が積層され、その上に銅箔のエッチングにより形成された再配線層が設けられ、絶縁樹脂層における半導体ウエハー上のアルミパッド部をフォトリソグラフィー法により開口し、再配線層とアルミパッド部をワイヤーボンディング接続されてなることを特徴とする半導体装置。
【化１】
0004639505.tif 000006
（式中、Ｒ1は１価炭化水素基、Ｒ2は１価炭化水素基又は水素原子、Ｒ3はエポキシ基含有有機基である。ａは０又は整数であり、ｂおよびｃは整数であり、ａ／ｃは０〜４の数であり、ｂ／ｃは０．０５〜４の数であり、且つ（ａ＋ｂ）／ｃは０．２〜４の数である。）
【請求項２】
少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）が、分子中に１個又は２個のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物とホルムアルデヒドとを、酸性触媒下で縮合して得られる多官能フェノールからなることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
多官能フェノールが、フェノール性水酸基の３０〜７０％をグリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートと反応させてなることを特徴とする、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）が、アルキルフェノールノボラックからなることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関するものであり、詳しくは、半導体装置の小型化及び低コスト化に寄与する、ウェハーレベルのパッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできている。これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、小型化かつ多ピン化してきており、また、半導体パッケージを含めた電子部品を実装する、実装用基板も小型化してきている。
【０００３】
半導体パッケージはその小型化に伴って、従来のようなリードフレームを使用した形態のパッケージでは、小型化に限界がきているため、最近では回路基板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）といった、エリア実装型の新しいパッケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケージにおいて、半導体チップの電極と従来型半導体パッケージのリードフレームの機能を有する、半導体パッケージ用基板と呼ばれる、プラスチックやセラミックス等各種材料を使って構成される、サブストレートの端子との電気的接続方法として、ワイヤーボンディング方式やＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式、さらにはＦＣ（Ｆｒｉｐ  Ｃｈｉｐ）方式などが知られているが、最近では、半導体パッケージの小型化に有利なＦＣ接続方式を用いた、ＢＧＡやＣＳＰの構造が盛んに提案されている。しかし、これらのパッケージは半導体チップを個片化した後に、１つ１つパッケージング及びテストを実施しなくてはならず、コストを押し上げる要因となっていた。
【０００４】
このため、半導体チップを個片化する前に、一括してパッケージング及びテストする方法が各社より提案されている。その中でも、ウェハー上に絶縁樹脂層を形成し、その上に設けたパッドとの間を、従来からある接合技術であるワイヤーボンディングを用いて接合する方法が、最も高い次元で信頼性とコストを両立させ得る手法であるとして注目を集めている。
【０００５】
その方法として、ウェハーレベルパッケージの製造方法において、半導体ウェハー表面に感光性樹脂を用いた絶縁樹脂層を形成し、次にフォトリソグラフィー法により、絶縁樹脂層にワイヤーボンディング用開口部を設け、この開口部を通して一括してワイヤーボンドおよび封止した後、ダイシングして、各チップを個片化する提案もある。
【０００６】
しかし、従来の感光性樹脂は露光・現像（光硬化）後および熱硬化後にエッチング液や、メッキ液に対する耐性はあったが、光硬化・熱硬化前にエッチング液やメッキ液に対する耐性はなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、フォトリソグラフィー法により製造される半導体装置において、絶縁層樹脂の硬化前にエッチング液やメッキ液に暴露されても、パターンニング精度の良い絶縁樹脂層を有する半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の目的を達成するため、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）、エポキシ樹脂（ロ）および光重合開始剤（ハ）を必須成分とする感光性樹脂が、▲１▼光硬化および熱硬化前の状態でも、エッチング液や、メッキ液に対する耐性があり、▲２▼エッチング液やメッキ液に暴露されたあと、フォトリソグラフィー法によりパターンニングできることと、▲３▼硬化後、パッケージの絶縁層としての優れた特性を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、半導体ウエハー表面に、少なくとも１個のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）、一般式（１）で表される化合物からなるエポキシ樹脂（ロ）、及び、光重合開始剤（ハ）を含んでなり、且つ、光硬化成分を８０重量％から２０重量％、熱硬化成分を２０重量％から８０重量％含有する感光性樹脂組成物よりなる絶縁樹脂層が積層され、その上に銅箔のエッチングにより形成されたの再配線層が設けられ、絶縁樹脂層における半導体ウエハー上のアルミパッド部をフォトリソグラフィー法により開口し、再配線層とアルミパッド部をワイヤーボンディング接続されてなることを特徴とする半導体装置である。
【化２】
0004639505.tif 000002
（式中、Ｒ1は１価炭化水素基、Ｒ2は１価炭化水素基又は水素原子、Ｒ3はエポキシ基含有有機基である。ａは０又は整数であり、ｂおよびｃは整数であり、ａ／ｃは０〜４の数であり、ｂ／ｃは０．０５〜４の数であり、且つ（ａ＋ｂ）／ｃは０．２〜４の数である。）
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明に用いる少なくとも１個のアクリロイル基またはメタクリロイル基を有するフェノールノボラック（イ）は、フェノールノボラックとグリシジル基を有するアクリレートまたはメタクリレートとを反応させて得られる。フェノールノボラックとしては、分子中に１個または２個のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物とホルムアルデヒドと酸触媒下で得られる多官能フェノールを用いるのが好ましく、更には、アルキルフェノールを用いるのが好ましい。
【００１１】
光重合しアルカリ現像性に優れた、パターン精度のよい感光性樹脂を得るためには、フェノールノボラックのフェノール性水酸基に対して、３０〜７０％の比率でグリシジル基を有するアクリレートまたはメタクリレートを反応させることが適当である。３０％より小さいと光重合が不十分になり、現像時の露光部と未露光部のコントラストがつき難くなる。そのうえ、フェノールノボラックのアルカリ可溶性が高くなるため、回路加工工程でアルカリエッチングを選択した場合、露光部の樹脂の膜減りが生じる。また、７０％より多いとアルカリ可溶性を発現するフェノール性水酸基が不足しアルカリ現像ができなくなる。
【００１２】
本発明に用いるエポキシ樹脂（ロ）は、オルソクレゾールノボラック型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビフェノール型、ジシクロペンタジエン型、脂肪族タイプ、一般式（１）で表される化合物や、その他のシリコーンタイプ等が挙げられる。
【００１３】
【化２】
0004639505.tif 000003
（式中、Ｒ1は１価炭化水素基、Ｒ2は１価炭化水素基又は水素原子、Ｒ3はエポキシ基含有有機基である。ａは０又は整数であり、ｂおよびｃは整数であり、ａ／ｃは０〜４の数であり、ｂ／ｃは０．０５〜４の数であり、且つ（ａ＋ｂ）／ｃは０．２〜４の数である。）
【００１４】
一般式（１）で表される化合物は、その分子は、ちょうど、かご状に緩く３次元化したオリゴシロキサンの表面にエポキシ基含有有機基が存在している構造をとっているものと考えられる。かご型に緩く３次元化したシリコーンが、樹脂組成物中で柔軟なミクロドメイン構造を形成し、その結果、樹脂組成物自体に柔軟性を与え、基材への接着性が向上する。
【００１５】
また、このオルガノポリシロキサンの表面に、エポキシ基含有有機基が、選択的に高濃度で存在するため、このオルガノポリシロキサンは、樹脂組成物中の他の成分と高い相溶性を示し、そのエポキシ基は高い反応性を示す。そのため、現像時に、未露光部の樹脂組成物中のオルガノシロキサンの除去が容易になり、加工後の樹脂組成物より、未反応のオルガノポリシロキサンの不均一化や浸み出しが発生せず、さらに、耐熱性、機械特性等の特性も向上されているものと考えられる。
【００１６】
一般式（１）以外の構造の、エポキシ基含有有機基を有するオルガノポリシロキサンには、直鎖状のポリシロキサンの側鎖又は末端にエポキシ基含有有機基を導入したものが存在する。しかし、このオルガノポリシロキサンは、樹脂組成物中の他の成分との相溶性やエポキシ基の反応性に乏しく、本発明において必須成分（イ）の代わりに使用した場合、得られる樹脂組成物の耐熱性や機械特性は、本発明によるものと比較して著しく劣ったものしか得られない。
【００１７】
本発明で用いる一般式（１）で表される化合物は、以下の条件を満足させるものが好ましい。式（１）中、Ｒ1の１価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、トルイル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、クロロメチル基等が挙げられる。
【００１８】
式（１）中、Ｒ2の１価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、トルイル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、クロロメチル基等が挙げられる。
【００１９】
式（１）中、Ｒ3のエポキシ基含有有機基としては、例えば、グリシドキシエチル基、グリシドキシプロピル基、グリシドキシブチル基、３，４−エポキシシクロヘキシルエチル基、３，４−エポキシシクロヘキシルプロピル基、３，４−エポキシノルボルネニルエチル基である。
【００２０】
式（１）中のａは０又は整数であり、ｂおよびｃは整数であり、ａ／ｃは０〜４の数であり、ｂ／ｃは０．０５〜４の数であり、且つ（ａ＋ｂ）／ｃは０．２〜４の数である。（ａ＋ｂ）／ｃが４より大きくなると、樹脂組成物中のオルガノシロキサンのミクロドメインが小さくなりすぎ、柔軟性が発現しない恐れがある。また、ｂ／ｃが０．０５より小さくなると、オルガノポリシロキサンの反応性が低くなり、良好な樹脂特性が発現しない恐れがある。
【００２１】
本発明に用いる光重合開始剤（ハ）としては、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類、ベンゾイン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどのベンゾインアルキルエーテル類、４―フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノンなどのアセトフェノン類、チオキサンソン、２−クロルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソンなどのチオキサンソン類、エチルアントラキノン、ブチルアントラキノンなどのアルキルアントラキノン類などを挙げることができる。これらは単独、あるいは２種以上の混合物として用いられる。
【００２２】
本発明に用いる感光性樹脂組成物には、フェノール樹脂や酸無水物等の公知のエポキシ樹脂（ロ）の硬化剤、反応性希釈剤や硬化促進剤等を添加することも可能である。
反応性希釈剤としては、アクリロイル基やメタクリロイル基などの光官能基または、エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物基や、水酸基などの熱官能基を、１分子中に少なくとも１個以上有する化合物が挙げられる。
【００２３】
本発明に用いる感光性樹脂組成物における配合量としては、フェノールノボラック（イ）、エポキシ樹脂（ロ）及びその硬化剤において、光硬化成分が８０重量％から２０重量％、熱硬化成分が２０重量％から８０重量％であることが好ましい。
光硬化成分が２０重量％未満であると、パターンニングできなくなくなり、また、８０重量％より多いと耐熱性が悪くなり、パッケージ信頼性に劣ることとなる。
【００２４】
なお、光硬化成分とは、アクリロイル基又はメタクリロイル基などの光官能基を有する化合物を意味し、熱硬化成分とは、エポキシ基、カルボキシル基、アミノ基、酸無水物基や、水酸基等の熱官能基を有する化合物を意味する。また、１分子中に少なくとも1つのアクリロイル又はメタクリロイル基を有するフェノールノボラックは、光官能基と熱官能基を共に有しているため、フェノール性水酸基と、アクリロイル基またはメタクリロイル基の置換度によって、計算上、熱硬化成分と光硬化成分に分けた。例えば、フェノール性水酸基の７０％をグリシジルメタクリレートと反応させて、つくられたメタクリロイル基を有するフェノールノボラックは、７０％分を光硬化成分とし、３０％分を熱硬化成分とする。
【００２５】
また、光重合開始剤（ハ）の配合量は、光硬化成分１００重量部に対して、１から１５重量部であることが好ましい。１重量部未満であると、露光部の光硬化に乏しく、優れた解像性が得られない恐れがある。１５重量部より多いと、露光部と未露光の境界から未露光部に入ったところまで光硬化されてしまう傾向にあり、優れた解像性が得られない恐れがあり、また、耐熱性の低下が著しく、高温で光重合開始剤起因の分解ガスが問題となってくる恐れがある。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
感光性絶縁樹脂は、感光性絶縁樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）、ドライフィルム、あるいは液状の形態で供給されており、生産設備の種類によって供給形態を選択することが可能である。ＲＣＣおよびドライフィルムの場合は、ロールラミネーター、プレス等の手段を使って、ウェハー表面に感光性絶縁樹脂を貼付ける。一方、液状の場合は、スピンコーター、スクリーン印刷機、カーテンコーターなどの手段を使って、ウェハー表面に樹脂を塗布、乾燥し、絶縁樹脂層を形成させる。また、ドライフィルムおよび液状樹脂を用いた場合は、絶縁樹脂層の上にさらに銅箔を張付ける。
【００２７】
まず、本発明に用いる感光性樹脂組成物よりなる樹脂層は、前記感光性樹脂組成物をワニスとし、これを、スピンコーター、スクリーン印刷機、カーテンコーターなどの手段を使って、ワニスを直接、ウエハー上に塗布して絶縁樹脂層を形成することができる。また、ポリエステルフィルム等の基材に前期同様の方法で塗布、乾燥した後、樹脂層のみを引き剥がして、ドラフィルムとして、ウエハー上に積層することができる。次いで、前記樹脂層の上に、銅箔を張り合わせて、配線層を形成する。この時、予め銅箔上に前記感光性樹脂組成物ワニスを塗布、乾燥し、絶縁樹脂層を形成させ、樹脂層付き銅箔として、ウエハーに積層しても良い。
【００２８】
次に、サブトラクティブ法により、銅箔からなる配線層をエッチングして、絶縁樹脂層の上に再配線回路を形成する。その後、表面に再配線用回路を持つ感光性絶縁樹脂は、フォトリソグラフィーの手法により、例えば、紫外線を照射して、その下にあるウェハーのワイヤーボンディング用アルミパッド部を開口する。感光性樹脂がネガ型の場合は開口部が露光しないようにあらかじめ設計されたフォトマスクを使用する。
【００２９】
次に、上記の露光済み絶縁樹脂層を所定の現像液により現像し、その下にあるワイヤーボンディングパッド部を開口せしめる。このための現像液としては、一般的に知られている炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、テトラアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）、有機溶剤などを適切な濃度に調製して用いる。
【００３０】
次に、パターンニングした絶縁樹脂層を更に露光した後、加熱により絶縁樹脂層を熱硬化する。次いで、再配線回路のボンディッパッドとボンドフィンガー部以外の部分をソルダーレジストで被覆する。次いで、ボンドフィンガーとアルミパッドを金線で接続し、封止樹脂により、これらを封止する。
【００３１】
最後に、ボンディングパッド上にハンドボールを搭載し、ウエハーを個片化して半導体パッケージとなる。
【００３２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００３３】
[合成例]
・メタクリロイル基含有フェノールノボラックＡの合成
フェノールノボラック（大日本インキ化学工業（株）製、フェノライトＴＤ−２０９０−６０Ｍ）の不揮発分７０％ＭＥＫ溶液６００ｇ（ＯＨ約４当量）を２ｌのフラスコ中に投入し、これにトリブチルアミン１ｇ、およびハイドロキノン０．２ｇを添加し、１１０℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート２８４ｇ（２モル）を３０分間で滴下した後、１１０℃で５時間攪拌反応させることにより、不揮発分約８０％メタクリロイル基含有フェノールノボラック（メタクリロイル基変性率５０％）Ａを得た。
【００３４】
・メタクリロイル基含有フェノールノボラックＢの合成
ビスフェノ−ルＡノボラック（大日本インキ化学工業（株）製、フェノライトＬＦ−４８７１）の不揮発分約７０％メチルエチルケトン溶液６８５ｇ（ＯＨ約４当量）を、２ｌのフラスコ中に投入し、これにハイドロキノン０．２ｇとグリシジルメタクリレート２８４ｇ（２モル）加え、１１０℃に加温した。その中へ、トリブチルアミン１ｇを添加した後、１１０℃で５時間攪拌反応させることにより、不揮発分約８０％メタクリロイル基含有フェノールノボラック（メタクリロイル基変性率５０％）Ｂを得た。
【００３５】
（実施例１）
メタクリロイル基含有フェノールノボラックＡ１００ｇに、下記の式（１）で表される構造のオルガノポリシロキサン（但し、式中、Ｒ1：メチル、Ｒ2：メチル、Ｒ3：グリシドキシプロピル、ａ＝０．８，ｂ＝３．０、ｃ＝１．０）６３ｇと、光開始剤として  ベンジルジメチルケタール（チバ・ガイギー社製、イルガキュア６５１）４ｇと熱硬化促進剤として  トリフェニルフォスフィン  ０．６ｇを添加して、樹脂組成物とした。
【００３６】
【化３】
0004639505.tif 000004
【００３７】
５μｍ厚の電解銅箔上に、上記の樹脂組成物を、バーコーターにより流延塗布し、６０℃で１０分間、８０℃で１０分間乾燥することにより、厚さ７０μｍの感光性樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）を得た。このＲＣＣを、半導体ウェハー表面にロールラミネーターにより貼付けし、構造物を得た。次に、この構造物の上に、ロールラミネーターによりドライフィルムメッキレジストを貼付けて、メッキレジスト層を形成し、ワイヤーボンドフィンガー、半田ボールパッド、およびそれらをつなぐための回路となるべき部位を、フォトリソグラフィー手法により開口した後、ここに１０μ厚の銅層、５μｍ厚のニッケル層、および１μｍ厚の金層を電解メッキにより形成した。この後、メッキレジストを３％水酸化ナトリウム水溶液で剥離除去した後、金メッキ層をレジストとして、ＲＣＣの銅箔をアルカリエッチングし、金メッキ層直下に導体回路を形成した。
【００３８】
エッチングにより銅箔を除去された樹脂表面は、アルカリエッチング液により浸食されていないことが確認された。また、絶縁樹脂層とウエハー界面もメッキ液やアルカリエッチング液によって浸食されていないことが確認された。
【００３９】
さらに、ワイヤーボンドパッド上の絶縁樹脂層を現像、開口できるように、マスクと平行光露光機を用いて露光した。その後、２.３８％ＴＭＡＨ水溶液にて所定位置の樹脂を現像できることが確認された。
【００４０】
次に、その表面に紫外線を５００ｍＪ照射した後、１５０℃１時間加熱することにより、ウェハー上に、ワイヤーボンディング用の樹脂開口部、および金メッキで表面を被覆されたワイヤーボンドフィンガー、半田ボールパッド、およびこれらをつなぐ回路を持つ絶縁樹脂層を得た。
【００４１】
このようにして得られた絶縁層付きチップは、絶縁樹脂およびその上に設けられた回路上にソルダーレジストを設け、樹脂開口部を経由して金線によりチップと絶縁樹脂上回路が接合された後、樹脂開口部及びワイヤーボンドフィンガー周辺が印刷封止樹脂により封止された。更に、所定の位置に半田ボールが搭載され、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。
【００４２】
（実施例２〜10および比較例１〜２）
実施例１と同様の方法で加工し、同様の評価をおこなった。（但し、実施例２，３，５，６と比較例10には、ウエハー上にＲＣＣを貼り付ける際にロールラミネーターを使用せず、加熱プレス機を使用した。）下記の表１に各実施例及び比較例の原料組成比を示す。
【００４３】
【表１】
0004639505.tif 000005
【００４４】
なお、クレゾールノボラックタイプエポキシにはＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６７０ＥＸＰ（エポキシ当量：２０５、大日本インキ化学工業（株）製）、ビスフェノールＡノボラックタイプエポキシにはＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−８６５（エポキシ当量：２０７、大日本インキ化学工業（株）製）、反応性希釈剤にはウレタンアクリレート（Actilane 200、日本シイベルヘグナー（株）製）トリエチレングリコールジメタクリレート（ネオマーＰＭ−２０１、三洋化成工業（株）製）を用いた。
【００４５】
実施例２〜１０では、エッチングにより銅箔を除去された樹脂表面は、アルカリエッチング液により浸食されていないことと、絶縁樹脂層とウエハーとの界面もメッキ液やアルカリエッチング液によって浸食されていないことが確認された。また、２.３８％ＴＭＡＨ水溶液にて所定位置の樹脂を現像できることが確認された。さらに、各々の絶縁樹脂層を用いて作製された半導体装置は、半導体装置としての動作に支障のないことが確認された。
【００４６】
比較例１では、エッチング液や、メッキ液によって侵食されていないことが確認され、その後、現像できることも確認された。しかし、この絶縁樹脂層を用いた半導体装置は耐リフロー信頼性が不足する結果となった。具体的には、この半導体装置を温度30℃・湿度70%の環境下で168時間放置し、吸湿処理後、直ちに最高温度240℃に設定されたIRリフロー機に通すと、半導体装置に膨れが発生した。なお、比較例１は光硬化樹脂と熱硬化樹脂の配合割合が８１：１９である（メタクリロイル基含有フェノールノボラックは50％分が光硬化樹脂、残り50％分が熱硬化樹脂として計算した。）
【００４７】
比較例２では、エッチング液やメッキ液による、樹脂表面と、樹脂層とチップ界面の侵食が確認された。また、エッチング液やメッキ液で処理しないで、露光・現像を行った。未露光部だけでなく、露光部までもが現像液（２．３８％ＴＭＡＨ水溶液）で現像される結果となった。なお、比較例２は光硬化樹脂と熱硬化樹脂の配合割合が１９：８１である（メタクリロイル基含有フェノールノボラックは50％分が光硬化樹脂、残り50％分が熱硬化樹脂として計算した。）。
【００４８】
以上の結果から、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するフェノールノボラック、エポキシ樹脂および光重合開始剤を必須成分とする樹脂組成物を用いることにより、フォトリソグラフィー法により製造される半導体装置において、絶縁層樹脂の硬化前にエッチング液やメッキ液に暴露されても、パターンニング精度の良い絶縁樹脂層を有する半導体装置を提供することができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有するフェノールノボラック、エポキシ樹脂および光重合開始剤を必須成分とする樹脂組成フォトリソグラフィー法により製造される半導体装置において、絶縁層樹脂の硬化前にエッチング液やメッキ液に暴露されても、パターンニング精度の良い絶縁樹脂層を有する半導体装置を提供することができる。