(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度Ｔａからなるスパッタリングターゲットであって、
前記高純度Ｔａは、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を、Ａｇ，Ａｕ及びＣｕの合計含有量が0.02〜20ppmの範囲となるように含有し、前記ターゲット全体としての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキが30％以内であって、
前記ターゲットはＴａＮ膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記高純度Ｔａは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層を形成する際に用いられることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いてＴａＮ膜からなるバリア層を形成することを特徴とするバリア層の形成方法。
【請求項６】
請求項５記載のバリア層を用いて電子デバイスを形成することを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【請求項７】
請求項６記載の電子デバイスの形成方法において、
前記電子デバイスは、ＣｕまたはＣｕ合金よりなる配線膜と、前記配線膜に対して形成された前記バリア層とを具備することを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の電子デバイスの形成方法において、
前記電子デバイスは、半導体デバイスであることを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７記載の電子デバイスの形成方法において、
前記電子デバイスは、ＳＡＷデバイスであることを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【請求項１０】
請求項６または請求項７記載の電子デバイスの形成方法において、
前記電子デバイスは、ＴＰＨであることを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【請求項１１】
請求項６または請求項７記載の電子デバイスの形成方法において、
前記電子デバイスは、ＬＣＤデバイスであることを特徴とする電子デバイスの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットとそれを用いたバリア層および電子デバイスの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩに代表される半導体工業は急速に進捗しつつある。高速ロジックなどの半導体デバイスにおいては、高集積化、高信頼性化、高機能化が進むにつれて、微細加工技術に要求される精度も益々高まってきている。このような集積回路の高密度化や高速化などに伴って、ＡｌやＣｕを主成分として形成される金属配線の幅は1/4μm以下になりつつある。
【０００３】
一方、集積回路を高速で動作させるためには、Ａｌ配線やＣｕ配線の抵抗を低減することが必須となる。従来の配線構造では、配線の厚さを厚くすることで配線抵抗を低減することが一般的であった。しかし、さらなる高集積化・高密度化された半導体デバイスでは、これまでの積層構造を用いた際に、配線上に形成される絶縁膜のカバレッジ性が悪くなり、当然デバイスの歩留りも低下するため、配線技術そのものを改良することが求められている。
【０００４】
そこで、従来の配線技術とは異なる、デュアルダマシン（ＤＤ）配線技術を適用することが検討されている。ＤＤ技術とは、予め下地膜に形成した配線溝上に、配線材となるＡｌやＣｕを主成分とする金属をスパッタリング法やＣＶＤ法などを用いて成膜し、熱処理（リフロー）によって溝へ流し込み、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などにより余剰の配線金属を除去する技術である。
【０００５】
上述したような配線材料としては、抵抗率がＡｌより低いＣｕが主流となりつつある。Ｃｕ配線はＡｌ配線に比べて耐エレクトロマイグレーション性に優れていることから、これからの高速デバイスではＣｕ配線が必須である。このようなＣｕ配線を適用する場合には、ＣｕのＳｉ中への拡散防止を目的としたバリアメタル層を設ける必要がある。
【０００６】
半導体デバイス用のバリアメタルとしては一般的にＴｉＮが使用されてきたが、最近Ｃｕ配線用のバリア材料としてＴａＮが提案され、ＣｕのＳｉ中への拡散防止に対してはＴａＮが有効であることが明らかとなりつつある。そこで、Ｃｕ配線用のバリア層にはＴａＮ膜を適用する方向に進んでいる。
【０００７】
上記したようなバリア層としてのＴａＮ膜は、例えばＴａターゲットを用いてＡｒとＮ2の混合ガス中でスパッタリングを行うリアクティブスパッタ法を適用することにより形成される。この際、例えばアスペクト比が4を超えるような配線溝やホール内にＴａＮ膜を良好にかつ一様に形成するために、ターゲットに負の電圧を印加すると共に、基板側にも負のバイアス電圧を印加し、スパッタ粒子の直進性を向上させたスパッタ法、すなわちバイアススパッタ法を適用することが検討されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したようなバイアススパッタ法においては、まず成膜チャンバ内を最低でも1×10-5Pa以上の高真空状態に保持しながら、Ｔａターゲット側にある値以上の負の電圧を印加し、さらにＡｒやＫｒなどの希ガスとＮ2ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させる。同時に基板側にも負の電圧を印加する。このような状態でＡｒと共にＮ2+イオンでＴａターゲット表面を衝撃し、ＴａとＮとの化合物であるＴａＮ粒子を飛翔させることによりＴａＮ膜が成膜される。
【０００９】
しかしながら、従来のＴａターゲットを用いてバイアススパッタを実施した場合、基板側へのバイアス電圧を上げた際などに、長時間成膜しているとプラズマが不安定な状態になって、結果的に放電が切れてしまうという問題が発生する。このような問題が半導体デバイスの量産ラインで発生すると、多量の不良品を生じさせることになり、半導体デバイスの製造歩留りを大幅に低下させてしまう。
【００１０】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、バリア層としてのＴａＮ膜などをバイアススパッタ法で形成する際に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供することを目的としている。
【００１１】
本発明のスパッタリングターゲットは、請求項１に記載したように、高純度Ｔａからなるスパッタリングターゲットであって、前記高純度Ｔａは、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を、Ａｇ，  Ａｕ及びＣｕの合計含有量が0.02〜20ppmの範囲となるように含有し、前記ターゲット全体としての前記Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキが30％以内であって、前記ターゲットはＴａＮ膜からなるバリア層を形成する際に用いられることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｔａは、請求項２に記載したように、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下の純度を有することが好ましい。
【００１３】
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば請求項３に記載したように、バッキングプレートと接合して用いられる。また、請求項４に記載したように、ＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層の形成用として好適である。
【００１４】
本発明のスパッタリングターゲットにおいては、高純度ＴａにＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有させている。ここで、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはスパッタリング率が高く、かつイオン化効率が高い元素であり、これらの元素自体がイオン化してターゲットに戻り、自己維持スパッタする特性を有している。このような特性を有する金属元素をＴａターゲット中に適量添加することによって、Ｔａのイオン化が促進されるため、Ｔａターゲットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維持することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１６】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppm（質量比）の範囲で含有する高純度Ｔａからなるものである。上記したような元素を所定量含む高純度Ｔａによれば、Ｔａのバイアススパッタ時におけるプラズマ状態を安定化させることが可能となる。
【００１７】
すなわち、Ｓｉ基板上などにＴａターゲットを用いたリアクティブスパッタ法によりＴａＮ膜を成膜する場合、配線溝やホール内への成膜状態を向上させるために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイアススパッタ法を適用することが有効である。バイアススパッタによれば、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進性が向上するため、配線溝やホール内にＴａＮ膜を良好にかつ一様に形成することができる。
【００１８】
ただし、従来の高純度Ｔａターゲットを用いてバイアススパッタを実施した場合には、長時間成膜を継続するとプラズマが非常に不安定な状態に陥り、最終的には放電が切れてしまう。このようなプラズマ状態の不安定化を回避するためには、ＴａターゲットからもＴａイオンを放出させ、さらにこのＴａイオンの放出量を増加させることが有効である。この点について種々検討した結果、イオン化効率が高いＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素が、Ｔａイオンの発生数の増加に対して有効に作用することを見出した。
【００１９】
すなわち、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはスパッタリング率が高く、かつイオン化効率が高い元素である。このような金属元素はその原子自体がイオン化し、この生成した金属イオンがターゲットに戻って自己維持スパッタする、言い換えると自己維持放電によりスパッタが継続される特性を有している。
【００２０】
上記したような自己維持放電特性を有する金属元素、すなわちＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種をＴａターゲット中に適量含有させることによって、Ｔａのイオン化を促進させることができる。言い換えると、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕはＴａのイオン化を補う役割を果たす。このように、Ｔａのイオン化を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維持することが可能となる。
【００２１】
特に、基板側にマイナスの電荷（バイアス電圧）を印加した場合においても、自己維持放電特性を有する金属元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）でＴａのイオン化を促進することによって、Ｔａターゲットをスパッタリングする際のプラズマ状態を長時間にわたって安定に維持することができる。
【００２２】
上述したようなＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素（以下、自己維持放電性元素と記す）の含有量は、これらの元素の合計含有量として質量比で0.001〜20ppmの範囲とする。自己維持放電性元素の合計含有量が0.001ppm未満であると、上記したＴａのイオン化を促進させる効果が得られない。一方、自己維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると、スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下する。通常のスパッタ膜の膜厚面内均一性は5%以下が標準であるが、自己維持放電性元素の合計含有量が20ppmを超えると5%以上、さらには10%近くまで膜厚の面内均一性が低下してしまう。このようなことから、自己維持放電性元素の合計含有量は20ppm以下とする。
【００２３】
本発明のスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｔａ中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量は0.001〜10ppmの範囲とすることがより好ましく、さらには0.001〜3ppmの範囲とすることが望ましい。このような量範囲で自己維持放電性元素を含有させることによって、スパッタ膜の膜厚面内均一性とプラズマ状態の安定化効果とをより良好に両立させることが可能となる。
【００２４】
さらに、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素は、例えばＴａＮ膜の比抵抗に対しても影響を及ぼす。ＴａＮ膜の比抵抗はＮ量が増加するにつれて増大するが、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量を適宜に設定することによって、ＴａＮ膜の比抵抗を所望の範囲（例えば250μΩ・cm前後）に制御することができる。このように、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの元素は、本発明のターゲットをスパッタリングすることにより形成される、例えばＴａＮ膜の比抵抗の制御に対しても有効に機能するものである。ただし、ＴａＮ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量があまり多くなりすぎると膜の比抵抗が上昇するため、Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量は適宜に調整するものとする。
【００２５】
また、本発明のスパッタリングターゲットにおいて、上記した自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）の含有量のバラツキは、ターゲット全体として30%以内とする。なお、ここでいう自己維持放電性元素の含有量のバラツキとは、ターゲット各部におけるＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量（各元素の微視的な含有量の合計）を比較した場合のバラツキを示すものである。
【００２６】
このように、ターゲット全体に対するＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキを低く抑えることによって、ターゲット全体としてＴａのイオン化を促進させることができ、プラズマ状態をより一層安定化させることが可能となる。
【００２７】
さらに、ターゲット全体に対するＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキが大きくなると、スパッタ膜の膜厚の面内均一性が低下すると共に、スパッタ膜中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの量が局所的に増大し、膜の比抵抗を上昇させるおそれがある。このような点からもＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量のバラツキは30%以内とすることが好ましい。これら金属元素の合計含有量のバラツキは15%以内とすることがさらに好ましく、より望ましくは10%以内である。
【００２８】
ここで、本発明のスパッタリングターゲットにおける自己維持放電性元素の含有量（Ａｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量）は、以下に示す方法により測定された値を示すものとする。
【００２９】
すなわち、図１に示すように、例えば円板状ターゲットの中心部（位置１）と、中心部を通り円周を均等に分割した4本の直線上の外周近傍位置（位置２〜９）およびその1/2の距離の位置（位置１０〜１７）とから、それぞれ長さ10mm、幅10mmの試験片を採取する。これら17点の試験片のＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃｕ含有量をそれぞれ測定し、これらの測定値を平均した値を、ＴａターゲットのＡｇ含有量、Ａｕ含有量、Ｃｕ含有量とする。自己維持放電性元素の合計含有量は、これら各元素の含有量の平均値を合計した値を示すものである。Ａｇ量、Ａｕ量、Ｃｕ量はＩＣＰ−ＡＥＳ法に基づいて測定する。
【００３０】
さらに、ターゲット全体の自己維持放電性元素の合計含有量のバラツキは、上記した17点の試験片から求めたＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量の最大値および最小値から、｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×100の式に基づいて求めた値を示すものとする。
【００３１】
本発明のスパッタリングターゲットは、上述したように高純度Ｔａ中にＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の自己維持放電性元素を所定量含有させたことに特徴を有するものであるが、ターゲットを構成する高純度Ｔａの純度レベル（Ａｇ、ＡｕおよびＣｕ量を除く純度）をあまり上げすぎると、プラズマ状態が不安定になるおそれがある。
【００３２】
このようなことから、本発明のスパッタリングターゲットは、不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量が100ppm以下の高純度Ｔａで構成することが好ましい。言い換えると、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの各含有量（質量%）の合計量を100%から引いた値［100−(Fe%+Ni%+Cr%+Si%+Al%+Na%+K%)］が99.99〜99.999%の範囲の高純度Ｔａを用いることが好ましい。
【００３３】
上記した不純物元素の合計含有量が100ppmを超えると、得られる膜の比抵抗が高くなりすぎて、例えば配線膜としての特性が低下してしまう。このようなことから、Ｔａターゲット中の不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、ＮａおよびＫの合計含有量は100ppm以下とすることが好ましい。
【００３４】
本発明のスパッタリングターゲットは、例えば以下のようにして作製することができる。すなわち、まずＴａターゲットの形成原料となる高純度Ｔａを作製する。例えば、Ｔａ2Ｏ5鉱石に対してアルカリ融解法、分別結晶法、電子ビーム溶解法などを適用してＴａインゴットを作製する。
【００３５】
この際、Ｔａインゴットの純度が上記した範囲となるように、Ｔａ原料の精製条件を設定することが好ましい。Ｔａ原料の純度が低い場合には、例えばＴａ2Ｏ5に対してアルカリ融解法を実施した後、分別結晶法やハロゲン金属による還元法を適用したり、またさらに必要に応じて電子ビーム溶解などを適用する。さらに、最終的に得られるスパッタリングターゲットが0.001〜20ppmの範囲の自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）を含有するように、Ｔａ原料中のＡｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量を考慮した上で、例えば溶解時にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕを適当量添加する。
【００３６】
次に、得られたＴａインゴットに対して鍛造、圧延による塑性加工を施す。この塑性加工時の加工率は例えば50〜98%とする。このような加工率の塑性加工によれば、インゴットに適当な熱エネルギーを与えることができ、この熱エネルギーによって自己維持放電性元素（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ）の均質化（バラツキの減少）を図ることができる。加工時の熱エネルギーは結晶格子の配列を整合させる役割を果たすことから、微小内部欠陥の除去などに対しても有効に作用する。塑性加工工程においては、必要に応じて中間熱処理を実施してもよい。この後、1000〜1500℃の範囲の温度で1時間以上の熱処理を施す。この熱処理によって、ターゲット材中のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素のバラツキをさらに減少させる。
【００３７】
このようにして得られるＴａ素材を所望の円板状などに機械加工し、これを例えばＡｌやＣｕからなるバッキングプレートと接合する。バッキングプレートとの接合には、拡散接合やろう付け接合などが適用される。拡散接合時の温度は600℃以下とすることが好ましい。また、ろう付け接合は公知のＩｎ系やＳｎ系の接合材を使用して実施する。ここで得られたターゲット素材を所定サイズに機械加工することによって、本発明のスパッタリングターゲットが得られる。
【００３８】
本発明のスパッタリングターゲットは、各種電子デバイスの配線膜形成用として用いることができるが、特にＣｕ膜やＣｕ合金膜からなる配線膜に対するバリア層としてのＴａＮ膜の形成に好ましく用いられる。特に、リアクティブスパッタ法によるＴａＮ膜の成膜時に、スパッタ粒子（ＴａＮ粒子）の直進性を高めるために、基板側にも負のバイアス電圧を印加するバイアススパッタを適用する場合に、本発明のスパッタリングターゲットは好適である。
【００３９】
本発明のスパッタリングターゲットが使用される具体的な配線構造としては、例えばＳｉＯ2系の絶縁膜上にＴａＮ膜を成膜し、さらにその上にＣｕ配線膜（Ｃｕ膜またはＣｕ合金膜）を形成したＣｕ配線構造が挙げられる。このようなＣｕ配線構造によれば、例えばＤＤ配線技術を適用する際に好適な配線膜構造を提供することができ、高密度配線を高信頼性の下で再現性よく得ることができる。
これは超高集積タイプの半導体デバイスの製造歩留りの向上などに大きく貢献する。さらに、このようなＣｕ配線構造は、ＶＬＳＩなどの半導体デバイスに限らず、ＳＡＷデバイス、ＴＰＨ、ＬＣＤデバイスなどの各種の電子部品に適用することができる。
【００４０】
【実施例】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
【００４１】
実施例１、比較例１
まず、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素の含有量、さらに不純物元素としてのＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの含有量を変化させた18種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により作製した。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕをはじめとする各元素の含有量は、電子ビーム溶解時に添加したり、また電子ビーム溶解の回数により調整した。
【００４２】
上記した各Ｔａインゴットに冷間鍛造および冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直径300mm×厚さ10mmの18種類のＴａスパッタリングターゲットを作製した。なお、各元素の含有量については、ＩＣＰ装置（発光分光分析装置：セイコーインスツルメンツ社製・SPS 1200A）によって分析した。
【００４３】
このようにして得た18種類のＴａターゲットをそれぞれ用いて、基板−ターゲット間距離：300mm、スパッタガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1×10-5Pa、出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板バイアス：-100V、の条件下で、放電の持続性を調査した。この結果について、放電持続時間を表１に示す。
【００４４】
【表１】
0004825345.tif 000002
表１から明らかなように、適量のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕを含有させた、試料No.1〜No.3の本発明のＴａスパッタリングターゲットは、他の元素量を増やした試料No.4〜No.18のＴａスパッタリングターゲットに比べて、2倍ちかくの放電持続特性を有していることが分かる。
【００４５】
実施例２、比較例２
まず、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素含有量を変化させた6種類のＴａインゴットを、電子ビーム溶解により作製した。Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素の含有量は、電子ビーム溶解の回数や電子ビーム溶解時に添加することで調整した。なお、ＴａインゴットのＡｇ、Ａｕ、Ｃｕの各元素を除く純度は約99.95%である。
【００４６】
上記した各Ｔａインゴットに冷間鍛造および冷間圧延を施し、さらに1200℃×120minの条件で熱処理した。この後、それぞれ拡散接合法を適用してＡｌバッキングプレートと接合し、さらに機械加工を施して直径300mm×厚さ10mmの6種類のＴａスパッタリングターゲットを作製した。このようにして得た6種類のＴａスパッタリングターゲットのＡｇ、ＡｕおよびＣｕの合計含有量、およびそのバラツキを前述した方法に基づいて測定、評価した。
【００４７】
さらに、各Ｔａスパッタリングターゲットを用いて、基板−ターゲット間距離：300mm、スパッタガス：Ａｒ(5sccm)＋Ｎ2(20sccm)、背圧：1×10-5Pa、出力ＤＣ：18kW、スパッタ時間：5min、基板バイアス：-100V、の条件下でスパッタリングを実施し、厚さ5μmのＴａＮ膜をそれぞれ作製した。
【００４８】
上記したスパッタリング試験において、放電持続時間を測定した。また、得られたＴａＮ膜の膜厚の面内均一性と比抵抗を測定した。それらの結果を併せて表２に示す。なお、膜厚の面内均一性は、前述したバラツキの測定方法と同様に、円板状ターゲットの17点の位置においてＴａＮ膜の膜厚を測定し、その最大値および最小値から｛（最大値−最小値）／（最大値＋最小値）｝×100の式に基づいて求めた値を示す。
【００４９】
【表２】
0004825345.tif 000003
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のスパッタリングターゲットによれば、バイアススパッタを適用した場合においてもプラズマ状態を安定して持続させることができる。従って、このようなＴａスパッタリングターゲットを用いることによって、例えばＣｕ配線膜のバリア層として有効なＴａＮ膜などを安定して歩留りよく形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のスパッタリングターゲットにおけるＡｇ、ＡｕおよびＣｕの含有量の測定方法を説明するための図である。
【図１】
0004825345.tif 000004