(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスと、
上記トランスの一次巻線に接続され、上記一次巻線に対する電圧の印加方向を正負反転可能なブリッジ回路と、
上記ブリッジ回路のスイッチング素子の制御により上記一次巻線に対し正負反転した電圧を交互に印加させ、第一の閾値以上の電圧が所定の端子に入力されるとラッチアップする制御ＩＣと、
センスレジスタで上記トランスの一次巻線に流れる電流量を電圧に換算して上記所定の端子に入力する電流検出回路と、
を備えたＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、
上記制御ＩＣに当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次側から所定の伝送ラインを介して当該ＤＣ−ＤＣコンバータの起動信号が入力されており、
当該ＤＣ−ＤＣコンバータは、
順方向電圧降下が上記第一の閾値よりも小さく上記制御ＩＣの所定の端子とグランド端子との間を順方向に接続するダイオードと、
当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次電圧の出力ラインにカソードを接続されたツェナダイオードと、当該ツェナダイオードのアノードとグランドの間を直列に接続する２つの抵抗と、ベースを上記２つの抵抗の間に接続されエミッタをグランドに接続されコレクタを上記伝送ラインに接続されたトランジスタと、を備える過電圧防止回路と、
当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次電圧を監視するマイコンと、を更に備え、
上記制御ＩＣは上記所定の端子の電圧が上記第一の閾値よりも小さい第二の閾値以上になると上記所定の端子の電圧が上記第二の閾値よりも小さい第三の閾値以下になるまで上記ブリッジ回路の制御を停止することにより上記トランスの出力を制限する機能を更に備え、
上記過電圧防止回路は上記二次電圧を検出して上記二次電圧が上記第一の閾値を超過すると上記起動信号の伝送ラインをグランドに引き込むことにより上記制御ＩＣに対する上記起動信号の入力を停止させ、
上記マイコンは上記二次電圧を所定時間間隔で検出しており、上記二次電圧が所定回数以上連続して異常電圧となったことを検出すると上記起動信号の出力を停止させることを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＣ−ＤＣコンバータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、過電圧検出時にラッチアップするＩＣのラッチアップ防止技術として、特許文献１の技術が知られている。すなわち特許文献１においては、ゲートドライブＩＣのラッチアップを防止するためにゲートドライブＩＣの電圧検出端子に対し順方向にダイオードを接続している。このようにダイオードを接続することにより、電圧検出端子の入力電圧がラッチアップ防止レベルに達するとダイオードがオンされて電圧レベルが低下することになる。
【０００３】
またＩＣのラッチアップ防止技術として、特許文献２の技術も知られている。特許文献２には、ＩＣの所定の端子に対して２種類の電源が接続されており、各電源から異なる電圧がタイミングをずらして供給される必要がある場合に、電源投入順序（高電圧→低電圧）の誤りに起因するラッチアップを防止する技術について記載されている。すなわちこの技術は、入力順の早い電源と所定の端子との間を、電源電圧の供給を阻止する回路手段（ヒューズ抵抗とダイオードの直列回路）で接続している。
【特許文献１】特開２０００−１２２０２８号公報
【特許文献２】特開２００１−３１３３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＤＣ−ＤＣコンバータでは、内部で使用している部品に一瞬でも過大サージが印可されると、破損に至る可能性が高いことが知られている。そのため、ＤＣ−ＤＣコンバータの制御を司る制御ＩＣには、所定端子の入力電圧が閾値を超えるとラッチし、ＩＣをシャットダウンする機能を備えるものがある。このようなＩＣでは、入力電圧を閾値と比較する際にグランド電位を利用しており、グランド電位が不安定になると簡単にラッチしてシャットダウンすることになる。しかしながら、電気電子機器にはダンプ試験があり、ダンプ試験が行われても誤動作が発生しないことが要求される。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、グランドラインが大きく変動する不安定な状態に陥っても誤動作しないＤＣ−ＤＣコンバータの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のＤＣ−ＤＣコンバータでは、トランスと、上記トランスの一次巻線に接続され、上記一次巻線に対する電圧の印加方向を正負反転可能なブリッジ回路と、上記ブリッジ回路のスイッチング素子の制御により上記一次巻線に対し正負反転した電圧を交互に印加させ、第一の閾値以上の電圧が所定の端子に入力されるとラッチアップする制御ＩＣと、センスレジスタで上記トランスの一次巻線に流れる電流量を電圧に換算して上記所定の端子に入力する電流検出回路と、を備えたＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、上記制御ＩＣに当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次側から所定の伝送ラインを介して当該ＤＣ−ＤＣコンバータの起動信号が入力されており、当該ＤＣ−ＤＣコンバータは、順方向電圧降下が上記第一の閾値よりも小さく上記制御ＩＣの所定の端子とグランド端子との間を順方向に接続するダイオードと、当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次電圧の出力ラインにカソードを接続されたツェナダイオードと、当該ツェナダイオードのアノードとグランドの間を直列に接続する２つの抵抗と、ベースを上記２つの抵抗の間に接続されエミッタをグランドに接続されコレクタを上記伝送ラインに接続されたトランジスタと、を備える過電圧防止回路と、当該ＤＣ−ＤＣコンバータの二次電圧を監視するマイコンと、を更に備え、上記制御ＩＣは上記所定の端子の電圧が上記第一の閾値よりも小さい第二の閾値以上になると上記所定の端子の電圧が上記第二の閾値よりも小さい第三の閾値以下になるまで上記ブリッジ回路の制御を停止することにより上記トランスの出力を制限する機能を更に備え、上記過電圧防止回路は上記二次電圧を検出して上記二次電圧が上記第一の閾値を超過すると上記起動信号の伝送ラインをグランドに引き込むことにより上記制御ＩＣに対する上記起動信号の入力を停止させ、上記マイコンは上記二次電圧を所定時間間隔で検出しており、上記二次電圧が所定回数以上連続して異常電圧となったことを検出すると上記起動信号の出力を停止させる構成としてある。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように本発明によれば、所定の端子とグランド電位との単純な差分ではなく、制御ＩＣが所定の端子で検出する電圧そのものを第一の閾値よりも低く抑えるため、グランドラインの変動に左右されずに制御ＩＣのラッチアップを防止可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供することができる。また、制御ＩＣがラッチアップして出力電圧を抑制せずとも、過電圧防止回路により出力電圧の過上昇を防止可能となる。また、簡易な構成で過電圧防止回路を実現可能となる。また、瞬間的な異常電圧を除外しつつ二次電圧に継続的な異常電圧発生時にＤＣ−ＤＣコンバータの動作そのものを完全に停止可能になる。また、制御ＩＣの有する一次電流制限機能を活かしつつ、グランドラインの変動に左右されずに制御ＩＣのラッチアップを防止可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも、以下の事項が明らかとなる。
前記主たる発明の構成によれば、ダイオードのアノードを上記所定の端子に接続するとともにカソードをグランド端子に接続することにより、制御ＩＣが所定の端子から検出される電圧（所定の端子とグランド端子との端子間電圧）を、上記第一の閾値よりも低く抑える。すなわち、制御ＩＣから見て上記第一の閾値以上の電圧が入力されると上記ダイオードに順方向電流が流れて第一の閾値よりも低い電圧に抑制する。よって、ＤＣ−ＤＣコンバータのグランドラインが暴れても、ダイオードの順方向電圧降下を超える電圧が所定の端子に入力されなくなる。
【０００９】
また、本発明の選択的な一側面として、上記制御ＩＣには二次側から本ＤＣ−ＤＣコンバータの起動信号が入力されており、二次電圧を検出して該二次電圧が所定電圧以上になると上記起動信号の伝送ラインをグランドに引き込む過電圧防止回路を更に備える構成としてもよい。該構成によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータの出力の過上昇を過電圧防止回路で抑制できるため、上記制御ＩＣで出力を抑制する必要が無くなる。
【００１０】
また、本発明の選択的な一側面として、上記過電圧防止回路は、上記二次電圧の出力ラインにカソードが接続されたツェナダイオードと、該ツェナダイオードのアノードとグランドの間を直列に接続する２つの抵抗と、ベースが上記２つの抵抗の間に接続されるとともにエミッタがグランドに接続され且つコレクタが上記伝送ラインに接続された構成としてもよい。すなわち２つの抵抗は分割抵抗を構成し、上記ベースは該分割抵抗の分割点に接続されることになる。すなわち簡易な回路構成で過電圧防止回路を提供可能となる。
【００１１】
また、本発明の選択的な一側面として、二次電圧を監視するマイコンを更に備え、上記マイコンは、上記二次電圧を所定時間間隔で検出しており、二次電圧が所定回数以上連続して異常電圧になったことを検出すると上記起動信号の出力を停止させる構成としてもよい。すなわち異常電圧が継続すると、ＤＣ−ＤＣコンバータの外部マイコンの制御でＤＣ−ＤＣコンバータを完全に停止可能となる。よって、より完全に過電圧を含めた異常電圧を抑制可能となる。
【００１２】
また、本発明の選択的な一側面として、上記制御ＩＣは、上記所定の端子の電圧が第二の閾値以上になったことを検出すると、該所定の端子の電圧が第三の閾値以下になるまで上記ブリッジ回路の制御を停止してトランス出力を制限する機能を備えており、上記第二の閾値が上記第一の閾値よりも小さく、上記第三の閾値が上記第二の閾値よりも小さい（［第一の閾値］＞［第二の閾値］＞［第三の閾値］）構成としてもよい。該構成において、制御ＩＣは、通常、上記トランスの１次電流量を第二の閾値に対応する量以下に抑制する制御を実行しており、該制御で一次電流量を抑制不可能な場合にのみラッチアップすることになる。
【００１３】
以下、下記の順序に従って本発明の実施形態を説明する。
（１）ＤＣ−ＤＣコンバータの構成：
（２）ラッチアップ防止回路：
（３）まとめ：
【００１４】
（１）ＤＣ−ＤＣコンバータの構成： 
以下、図面を参照して本発明の実施形態にかかるＤＣ−ＤＣコンバータ１００について説明する。図１はＤＣ−ＤＣコンバータ１００の回路図、図２は共振制御ＩＣ１４の内部ブロック図、図３は図２の一次電流検出回路の変形例、である。
【００１５】
図１において、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００は、概略、トランス１０と、ＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２を備えるハーフブリッジ回路１２と、トランス１０の一次側に印加する入力電圧を反転制御する共振制御ＩＣ１４と、トランス１０の一次電流量を検出する一次電流検出回路１６と、共振制御ＩＣ１４内部で発生される周波数を徐々に増加させるソフトスタート回路１８と、を備える。共振制御ＩＣ１４の行うトランス１０に印加される電圧の反転制御は、ハーフブリッジ回路１２を介して行われる。すなわち、共振制御ＩＣは、内部で発振される周波数に基づいて、交互にＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２をオンする信号を生成するのである。なお、本実施形態ではハーフブリッジ回路を例にとって説明を行うが、フルブリッジ回路等の他のブリッジ回路であってもよいし、プッシュプル回路であってもよい。また、スイッチング素子もＭＯＳＦＥＴに限るものではなく、各種トランジスタ素子を利用可能である。
【００１６】
ところで、図２にも示されるように、共振制御ＩＣ１４の制御は複数の入出力端子を備えている。具体的には、共振制御ＩＣ１４は、端子Ｉｓｅｎ，ＧＮＤ，ＯＵＴ，ＬＶＧ，ＲＦｍｉｎ，Ｖｃｃ、等を備えており、各端子に入出力される電圧は次のようになっている。端子Ｉｓｅｎ（電流検出端子、所定の端子）には、一次電流に対応する電圧が一次電流検出回路１６から入力される。端子ＧＮＤ（グランド端子）には、グランド電圧が入力される。端子ＯＵＴからは、ハイサイドのＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートドライブ電圧が出力される。端子ＬＶＧからは、ローサイドのＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートドライブ電圧が出力される。端子ＲＦｍｉｎには、最小の内部発振周波数設定のための電圧が入力される。端子Ｖｃｃには、所定の電源電圧が入力され、共振制御ＩＣ１４ではこの電源電圧を利用してハーフブリッジ回路１２のＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート駆動の電圧を生成する。
【００１７】
次に、前述した各回路の具体的な構成例および作用について説明する。
【００１８】
まず、一次電流検出回路１６は、図１に示すように、コンデンサＣＡ，ＣＢ，Ｃｒと、抵抗ＲＡ，ＲＢと、ダイオードＤ１，Ｄ２とで構成されている。一次電流検出回路１６における接続関係は、まず、コンデンサＣｒの一端と抵抗ＲＡの一端とがトランス１０のローサイドに接続され、抵抗ＲＡの他端にコンデンサＣＡの一端が接続されている。コンデンサＣＡの他端はダイオードＤ１のアノードとダイオードＤ２のカソードに接続されている。ダイオードＤ１のカソードには抵抗（センスレジスタ）ＲＢの一端とコンデンサＣＢの一端と端子Ｉｓｅｎとが接続されている。そしてコンデンサＣｒの他端とダイオードＤ２のアノードと抵抗ＲＢの他端とコンデンサＣＢの他端は、それぞれグランドに接続されている。
【００１９】
以上のように接続された一次電流検出回路１６は、トランス１０の一次電流量に応じて変化する電圧を生成して端子Ｉｓｅｎに入力することになる。より具体的には、トランス１０のローサイドからコンデンサＣｒに流れる一次電流量に応じた電流が、ダイオードＤ１，Ｄ２により整流されて抵抗ＲＢに流れ、この抵抗ＲＢの両端に発生する検知電圧Ｖｓｅｎが端子Ｉｓｅｎに入力されることになる。よって、トランス１０の一次電流が共振制御ＩＣ１４にフィードバックされる。なお、一次電流検出回路１６は、図１の構成に限られず、例えば図３のような簡易な回路構成でも実現可能である。
【００２０】
次に、ソフトスタート回路１８について説明する。ソフトスタート回路１８は、抵抗Ｒｓｓ，ＲＦｍｉｎとコンデンサＣｓｓとで構成されている。各素子は次のように接続されている。まず抵抗ＲＦｍｉｎが端子ＲＦｍｉｎとグランドとの間に接続され、抵抗Ｒｓｓが端子ＲＦｍｉｎと端子Ｃｓｓとの間に接続されている。そして端子Ｃｓｓとグランドの間にコンデンサＣｓｓが接続される。結果として、端子ＲＦｍｉｎとグランドとの間に抵抗ＲｓｓとコンデンサＣｓｓとが直列に配置されることになる。さらに、端子Ｃｓｓにはトランスの二次電圧が後述の二次電圧検出回路２０からフィードバックされている。従ってＤＣ−ＤＣコンバータ１００の動作中は、コンデンサＣｓｓには、二次電圧に対応する電圧が充電されることになる。
【００２１】
その他、共振制御ＩＣ１４がＤＣ−ＤＣコンバータ１００を制御するための周辺回路として、トランス１０の二次電圧を調整する出力調整回路２２と、ＤＣ−ＤＣコンバータの電源投入信号として起動中は入力され続けるＰ−ＯＮ信号から共振制御ＩＣ１４の発振の可否を制御する信号を生成する制御信号調整回路２６と、二次電圧検出回路２０と、ブートストラップ回路２４と、ラッチアップ防止回路５０とを、備える。なお、ラッチアップ防止回路５０については後に詳述する。
【００２２】
制御信号調整回路２６は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００の外部から電源投入信号（Ｐ−ＯＮ信号）が入力されると、所定の電圧信号を発生し、フォトカプラ経由で一次側に伝送する。この所定の電圧信号が一次側に伝送されると、一次側のトランジスタ回路がオンして共振制御ＩＣ１４のＶｃｃ端子にＶｃｃ電圧を入力する。図１においては、１５Ｖの電源電圧を利用してＶｃｃ電圧を生成している。
二次電圧検出回路２０は、分割抵抗や電解コンデンサ、シャントレギュレータ等で構成された回路によりトランス１０の出力電圧を所定割合に減圧して一次側に伝送し、共振制御ＩＣ１４にフィードバックする。ブートストラップ回路２４は、ＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２をドライブする出力の０→１変化に際して、ゲート電圧を押し上げることによって二つの論理値間のスイング幅を大きくさせる。
【００２３】
以上の回路構成において、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００は次のように動作する。まず、本ＤＣ−ＤＣコンバータ１００を備えた電気電子機器の電源が投入されると、端子Ｖｃｃへの電圧供給が開始される。すると、共振制御ＩＣ１４の内部で周波数発振が開始され、この周波数を利用してハーフブリッジ回路１２のＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２を交互に駆動する電圧が生成される。起動時の発振周波数は、定常状態における発振周波数よりも高周波で開始され、ソフトスタート回路１８のコンデンサＣｓｓの電圧を参照しつつ徐々に出力が上昇するように周波数を低下させていく。すなわち指数関数的なコンデンサＣｓｓの電圧変化に伴って発振周波数が減衰するのである。よって、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００の平均出力が徐々に増加することになり、突入電流が防止される。
【００２４】
さらに、共振制御ＩＣ１４には、端子Ｉｓｅｎの電圧に基づいて出力に制限をかける機能を有する。すなわち、端子Ｉｓｅｎに入力される電圧が第二の閾値（本実施形態においては０．８Ｖ）を超えると共振制御ＩＣ１４の内部作用により、ソフトスタートコンデンサＣｓｓの電荷を放電させるのである。すると発振周波数が急速に上昇し、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００の出力が低下する。この放電は端子Ｉｓｅｎの電圧が５０ｍＶに落ちるまで続く。端子Ｉｓｅｎの電圧が０．５ｍＶをきると、ソフトスタート回路１８のコンデンサＣｓｓの充電が再開され、内部発振周波数が徐々に増加していくことになる。
【００２５】
また、共振制御ＩＣ１４は、端子Ｉｓｅｎの電圧が第一の閾値（本実施形態においては１．５Ｖ；［第一の閾電圧］＞［第二の閾電圧］）を超えると、ラッチアップする。すなわち、共振制御ＩＣ１４は、端子Ｉｓｅｎから入力された電圧を所定の閾値と比較し、閾値より高電圧をラッチすると、共振制御ＩＣ１４をシャットダウンするのである。
【００２６】
（２）ラッチアップ防止回路： 
以上説明した回路構成では、ダンプ試験などで想定されているサージ電圧が発生するとグランド電位が不安定になる。すると、端子Ｉｓｅｎに入力される検知電圧Ｖｓｅｎも不安定になり、簡単に第二の閾電圧を超えてラッチアップしてしまう。この問題に対処するために、端子Ｉｓｅｎの入力電圧がラッチアップ電圧（閾値）を超えないように調整するラッチアップ防止回路５０を設ける。
【００２７】
ラッチアップ防止回路５０は、端子Ｉｓｅｎと端子ＧＮＤとの間を順方向に接続するダイオードＤａ，Ｄｂで構成される。すなわちダイオードの順方向電圧降下ＶＦ（一般的なシリコンダイオードの順方向電圧降下は、０．６〜０．７Ｖ程度）以上の電圧が端子Ｉｓｅｎに入力されるとダイオードＤａ，Ｄｂに順方向電流が流れ、端子Ｉｓｅｎの電圧をＶＦ以下に抑制する働きをする。
【００２８】
本実施形態においては、共振制御ＩＣ１４のラッチアップ電圧が１．５Ｖに設定されている場合を想定している。そこで、直列接続された２つのダイオードＤａ，Ｄｂで端子Ｉｓｅｎと端子ＧＮＤとの間を接続し、順方向電圧降下が１．２〜１．４Ｖになるように調整している。すなわち、端子Ｉｓｅｎの電圧が１．２〜１．４Ｖ以下に収まるようになっている。直列接続に使用するダイオードの数や個々の順方向電圧降下量の選択は、第二の閾電圧に合わせて適宜選択可能である。
【００２９】
以上のラッチアップ防止回路を追加することにより、端子Ｉｓｅｎに入力される電圧は第二の閾電圧である１．５Ｖに達することは無くなる。従って、共振制御ＩＣ１４はラッチアップしなくなる。ただし、共振制御ＩＣ１４内に備わるＶｓｅｎを第一の閾電圧以下に制限する機能の動作が間に合わずにＶｓｅｎが第二の閾電圧を超えてしまった場合にもラッチアップしなくなる。すなわち瞬間的な一次電流の急上昇に十分に対応できなくなる可能性があり得る。そこで、本発明では、二次電圧が閾値を超えるとＤＣ−ＤＣコンバータのＰ−ＯＮ信号（起動信号）をカットする過電圧防止回路６０を備える構成としてある。
【００３０】
過電圧防止回路６０は、二次電圧が所定値以上になるとＤＣ−ＤＣコンバータ１００を停止させる。すなわち、過電圧防止回路６０は、制御信号調整回路２６においてオン信号が伝送されるラインとトランス１０の二次電圧出力ラインとの間に設けられ、二次電圧が所定値を超えると、Ｐ−ＯＮ信号の伝送ラインをグランドに引き込み、制御信号の入力をカットするのである。より具体的には、二次電圧が所定の閾値を超えるとツェナダイオード６０ａが降伏してトランジスタ２６ａをオンしてオン信号を共振制御ＩＣに伝送しているラインをグランドに引き込み、トランジスタ２６ｂをオフさせることで共振制御ＩＣ１４の電源電圧をカットするのである。
【００３１】
また、本実施形態では、マイコンによる過電圧防止制御も行っている。すなわち、ダイオード７０ｂを介して、分割抵抗７０ａで所定割合に減圧された二次電圧がマイコンに入力される。マイコンは入力された電圧を所定時間間隔で監視しており、正常な出力電圧の範囲を外れた異常電圧が所定回数以上連続して入力されたことを検出すると、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００に対するＰ−ＯＮ信号の入力を停止させる。以上のマイコンの過電圧防止制御により、より完全に過電圧を防止可能となる。
【００３２】
（３）まとめ： 
以上説明したように、本実施形態においては、グランドラインが大きく変動する不安定な状態に陥っても誤動作しないＤＣ−ＤＣコンバータを提供するために以下の構成を採用している。すなわち、トランス１０と、直流電圧が入力されており、トランス１０の一次巻線に接続されたハーフブリッジ回路１２と、ＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ２を制御してトランス１０の一次巻線に対し交互に反転した電圧を印加させる制御を行うとともに、第一の閾値以上の電圧が電流検出端子Ｉｓｅｎに入力されるとラッチアップする共振制御ＩＣ１４と、センスレジスタＲＢでトランス１０の一次電流量を電圧に換算して電流検出端子Ｉｓｅｎに入力する電流検出回路１６と、を備えた、ＤＣ−ＤＣコンバータ１００において、共振制御ＩＣ１４の電流検出端子Ｉｓｅｎとグランド端子ＧＮＤの間を順方向に接続するダイオードＤａ，Ｄｂを備え、ダイオードＤａ，Ｄｂの順方向電圧降下を第一の閾値よりも小さくしてある。
【００３３】
なお、本発明は上記実施例に限られるものでないことは言うまでもない。当業者であれば言うまでもないことであるが、
・上記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって上記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が上記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本発明の一実施例として開示されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】ＤＣ−ＤＣコンバータ１００の回路図である。
【図２】共振制御ＩＣの内部ブロック図である。
【図３】図２の一次電流検出回路の変形例である。
【符号の説明】
【００３５】
１０…トランス、１２…ハーフブリッジ回路、１４…共振制御ＩＣ、１６…一次電流検出回路、１８…ソフトスタート回路、２０…二次電圧検出回路、２２…出力調整回路、２４…ブートストラップ回路、２６…制御信号調整回路、２６ａ…トランジスタ、２６ｂ…トランジスタ、５０…ラッチアップ防止回路、６０…過電圧防止回路、６０ａ…ツェナダイオード、７０ａ…分割抵抗、７０ｂ…ダイオード、１００…ＤＣ−ＤＣコンバータ、ＣＡ…コンデンサ、ＣＢ…コンデンサ、Ｃｒ…コンデンサ、Ｃｓｓ…コンデンサ、Ｄ１…ダイオード、Ｄ２…ダイオード、Ｄａ…ダイオード、Ｄｂ…ダイオード、ＲＡ…抵抗、ＲＢ…抵抗、Ｒｓｓ…抵抗、ＲＦｍｉｎ…抵抗。
【図１】
0004656155.tif 000002
【図２】
0004656155.tif 000003
【図３】
0004656155.tif 000004