(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、１）反射防止組成物のコーティング層、および２）反射防止層の上にフォトレジストのコーティング層を持ち、前記反射防止組成物はａ）樹脂、ｂ）酸または熱的酸発生剤、およびｃ）架橋剤を含み、該樹脂が下式：
【化１】
0004773037.tif 000005
（式中、Ｒは水素またはアルキルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はおのおの独立に任意に置換したアルキルまたは任意に置換したアルコキシである）のモノマーの重合したユニットを含む、基板からなる塗布された基板。
【請求項２】
該反射防止組成物が、１個以上の酸素原子で置換した１個以上の発色団を含む、請求項１の塗布された基板。
【請求項３】
該発色団がフェニルである請求項２の塗布された基板。
【請求項４】
フェニルがエステル部分によって置換されている請求項３の塗布された基板。
【請求項５】
該発色団がアセトキシスチレン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシメタクリレート、および２−フェノキシメチルメタクリレートからなる群から選択したモノマーを含む請求項２の塗布された基板。
【請求項６】
該基板がマイクロエレクトロニクスウエハ、フラットパネルディスプレイ基板、または光学−電子基板である請求項１〜５のいずれか１項の塗布された基板。
【請求項７】
反射防止組成物が請求項２〜６のいずれか１項の反射防止組成物である請求項１の塗布された基板。
【請求項８】
基板上にフォトレジストレリーフ画像を形成する方法であって、
（ａ）該基板上に反射防止組成物の層を塗布すること、
（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト層を塗布すること、および
（ｃ）該フォトレジスト層を活性化照射光に露光することおよび露光したフォトレジスト層を現像することを含み、
反射防止組成物がａ）樹脂、ｂ）酸または熱的酸発生剤、およびｃ）架橋剤を含み、該樹脂が下式：
【化２】
0004773037.tif 000006
（ここでＲは水素またはアルキルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立的に任意に置換したアルキル、または、任意に置換したアルコキシである）のモノマーの重合したユニットを含む、
方法。
【請求項９】
該反射防止組成物が１個以上の発色団を持つ樹脂を含み、前記発色団は１個以上の酸素原子で置換されている、請求項８の方法。
【請求項１０】
該発色団がフェニルである請求項９の方法。
【請求項１１】
反射防止組成物がａ）樹脂、ｂ）酸または熱的酸発生剤、ｃ）架橋剤を含み、該樹脂が下式：
【化３】
0004773037.tif 000007
（式中、Ｒは水素またはアルキルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立的に任意に置換されたアルキルまたは任意に置換されたアルコキシである）のモノマーの重合したユニットを含む、上塗りされたフォトレジストとともに使用する反射防止組成物。
【請求項１２】
該反射防止組成物が１個以上の発色団を持ち、前記発色団は１個以上の酸素原子で置換されている、樹脂を含む請求項１１の反射防止組成物。
【請求項１３】
該発色団がフェニルである請求項１２の反射防止組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板から上塗りされたフォトレジスト層に戻る露光用照射光の反射を減らす組成に関する。より具体的には、本発明は、耐エッチング性をもち、かつ標準のプラズマエッチング液中で増大したエッチング速度を示す反射防止用コーティング組成物（「ＡＲＣ」）に関する。本発明の好ましいＡＲＣは、以前の組成物と比較して顕著に増大した酸素含量を持つ。
【０００２】
【従来の技術】
フォトレジストは、画像の基板への転写に使用される感光性フィルムである。フォトレジストのコーティング層は基板上に形成され、ついでフォトレジスト層はフォトマスクを通して活性化照射光の光源に曝される。フォトマスクは、活性化照射光を通過させない領域と活性化照射光を通過させる領域を持つ。活性化照射光への露光は、フォトレジスト被膜の光誘起性化学的変化をもたらし、それによって、フォトレジスト塗布基板にフォトマスクのパターンを転写する。露光の後、フォトレジストを現像すると、基板の選択的加工を可能にするレリーフ画像が得られる。
【０００３】
フォトレジストは、ポジティブに反応するか、またはネガティブに反応する。ネガティブに反応するフォトレジストの大部分では、活性化照射光に露光されるコーティング層部分は、光活性化合物とフォトレジスト組成物の重合可能試薬との間の反応において、重合するか架橋する。したがって、露光されたコーティング部分は、露光されていない部分よりも現像液への溶解性が小さくなる。ポジティブに反応するフォトレジストの場合、露光された部分は現像溶液への溶解性が増し、一方露光されなかった領域は、現像液への溶解度が比較的小さいままである。フォトレジスト組成物は当業界には公知であり、デフォレスト（Ｄｅｆｏｒｅｓｔ）（『フォトレジストの材料およびプロセス』、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｂｏｏｋ  Ｃｏｍｐａｎｙ、ニューヨーク、１９７５年、第２章）およびモーリー（Ｍｏｒｅａｙ）（『半導体リソグラフィー  原理、実際および材料』、Ｐｌｅｎｕｍ  Ｐｒｅｓｓ、ニューヨーク、第２章および４章）によって述べられている。フォトレジスト組成物およびその製造法と使用法の教示に関して、両者を参照として本明細書に組み入れる。
【０００４】
フォトレジストの主要な用途は、半導体製造においてあり、そこでの目的は、シリコンおよびヒ化ガリウムのような高度に研磨された半導体スライスを、回路機能を遂行する、望ましくはミクロンまたはサブミクロンの形態の電子伝導経路の複雑なマトリックスに変換することである。適切なフォトレジスト加工が、この目的を達成する鍵である。種々のフォトレジスト加工工程の間には強い相互依存性があるが、露光が、高分解能フォトレジスト画像を達成することにおいて、より重要な工程の１つであると考えられる。
【０００５】
フォトレジストを露光するために使用される活性化照射光の反射が、しばしばフォトレジスト層に作られる画像の分解能に限界をもたらす。基板／フォトレジスト界面からの照射光の反射が、露光中にフォトレジストに照射光強度のばらつきを起こすことがあり、現像時に不均一なフォトレジスト線幅を生じる。照射光はまた、基板／フォトレジスト界面から、露光の意図されていないフォトレジストの領域に散乱することがあり、この場合も線幅のばらつきを起こす。散乱および反射の量は、通常、領域によって変化するので、更なる線幅の不均一を生じる。
【０００６】
活性化照射光の反射はまた、当業界において「定在波効果」として知られていることの一因となる。露光設備のレンズにおける色収差の影響を排除するために、フォトレジスト投影技術においては一般に単色または準単色照射光が使用される。しかしながら、フォトレジスト／基板界面の照射光反射のために、単色または準単色照射光がフォトレジスト露光のために使用されるとき、建設的および破壊的な干渉が特に重要である。そのような場合、反射した光は、入射光と干渉して、フォトレジスト中に定在波を形成する。高度に反射する基板領域の場合に問題が悪化する。なぜなら、大きな振幅の定在波は、波長の短い所で露出不足のフォトレジストの薄層を生成するからである。露出不足の層はフォトレジストの完全な形成を妨げ、フォトレジストプロフィルにおける端部の鋭さの問題を引き起こすことがある。
【０００７】
基板の表面形態のばらつきもまた、分解能を限定する反射問題を引き起こす。基板上のあらゆる画像は、種々の制御できない方向に散乱または反射する妨害照射光を生じて、フォトレジスト現像の一様性に影響を及ぼす。より複雑な電気回路を設計しようとする努力で、基板の表面形態がますます複雑になるにしたがって、反射する照射光の影響がさらに問題となる。たとえば、多くのマイクロエレクトロニクスの基板上で使用される金属の相互接続部は、それらの形態と高い反射率の領域のゆえに特に問題となる。
【０００８】
高密度半導体素子に向かう最近の傾向とともに、産業界では、照射光源の波長を、遠紫外（ＤＵＶ）光（３００ｎｍ以下の波長）、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８．４ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３のｎｍ）、電子ビームおよび軟Ｘ線へと短くする動きがある。フォトレジスト被膜に画像転写するために短波長の光を使用することは、一般に、下層にある基板の表面とともに上層のレジスト表面からの反射の増加を結果した。こうして、より短い波長の使用は、基板表面からの反射の問題を悪化させた。
【０００９】
反射された照射光の問題を減らす努力において、基板表面とフォトレジスト被膜層の間にある種の照射光吸収層が挿入された。たとえば、ＰＣＴ出願公開公報（ＷＯ）第９０／０３５９８号、欧州特許出願公開公報（ＥＰＯ）第０６３９９４１  Ａ１号ならびに米国特許第４，９１０，１２２号、第４，３７０，４０５号および第４，３６２，８０９号参照、これらはすべて、反射防止用（ハレーション防止用）組成物およびその使用の教示に関する参照によって、本明細書に組み入れる。そのような層は、文献においては反射防止用層すなわちＡＲＣ（ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）とも称されてきた。
【００１０】
シップレーカンパニーの欧州特許出願第５４２００８  Ａ１号では、樹脂バインダーおよび架橋剤組成物を含む、非常に有用なハレーション防止（反射防止）用組成物が開示されている。更なる非常に有用なＡＲＣが、米国特許第５，９３９，２３６号および第５，８８６，１０２号（いずれもシップレーカンパニーの出願）に開示されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以前のＡＲＣ組成物は多くの反射防止用用途に有効であることが判明したが、それらの先行組成物はまた若干の潜在的な性能限界を起こす可能性がある。
【００１２】
特に、ＡＲＣエッチング速度が問題となる。下にあるＡＲＣ層のプラズマエッチング（それによって基板（たとえばマイクロエレクトロニクスウエハ）表面が露出される）の間に、プラズマエッチング剤は、上にある現像されたフォトレジストマスクをも除去する。露出した基板表面の加工の間にＡＲＣが完全に機能した後でも、レジストマスクの有効な厚さは残らなければならない。しかしながら、ＡＲＣ層を除去するのに必要な時間が長くなるにしたがって、フォトレジストマスクの分解の度合いも増加する。これは、非常に望ましくない。
【００１３】
フォトレジスト分解は、できるだけ薄いフォトレジスト層の使用を可能にするために、最小にしなければならない。パターンの入った画像の最大解像度を提供するために、ますます薄いレジスト層が必要とされる。ＡＲＣエッチングの間にＵＦＴＬが重要であるならば、有効な厚さのレジストマスクがエッチング工程の修了時点で残っているようにより厚いレジスト層が塗布されなければならない。
【００１４】
したがって、上塗りされたフォトレジスト層とともに使用する、新規な反射防止用コーティング組成物を持つことが望ましい。より速いエッチング速度によってフォトレジスト分解を最小にする新規な反射防止用コーティング組成物を持つことが特に望ましい。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
我々は、標準のプラズマエッチング液において増大したエッチング速度を示す新規な反射防止用コーティング剤（「ＡＲＣ」）を発見した。実際、本発明のＡＲＣは、エッチング中のレジスト分解が顕著に小さくなるような、増大したエッチング速度を示す。
【００１６】
本発明のＡＲＣは、通常、以前のＡＲＣ組成物と比較して顕著に増加した酸素含量を持つ。本発明の好ましいＡＲＣは、少なくとも約５ないし少なくとも約５０モルパーセントの酸素を含む。本発明の特に好ましいＡＲＣは、少なくとも約３０モルパーセントの酸素、より望ましくは約４０モルパーセントの酸素、より望ましくは約５０モルパーセント、最も望ましくは約６０モルパーセントの酸素を含む。このような増加した酸素含量は、いろいろな方法によって達成することができる。
【００１７】
本発明の第一の好ましい側面においては、反射防止組成物の酸素含量を、高い酸素含量の添加剤の添加によって増加させることができる。そのような添加剤は、望ましくは、総添加剤組成に基づいて少なくとも約３０〜４０モルパーセントの酸素、より望ましくは少なくとも約５０モルパーセントの酸素、さらに望ましくは、添加剤組成物の合計に基づいて少なくとも約６０モルパーセントの酸素を含む。
【００１８】
本発明のＡＲＣに用いられる添加剤は、望ましくは１個以上の小分子、たとえば約３，０００ダルトン未満の分子量を持つ化合物を含む。好ましい高酸素含量の添加剤はオリゴマー化合物を含む。
【００１９】
個々の高酸素含量の添加剤を使用することよりも、またはそれに加えて、ＡＲＣ樹脂および／または架橋剤成分が高酸素含量の組成物を提供するのに適している。
【００２０】
たとえば、本発明のＡＲＣは、通常、露光照射光を吸収する発色団を含む。望ましくは、そのような発色団はＡＲＣの樹脂成分に共有結合的に結合している。
【００２１】
したがって、発明の第二の側面では、その発色団を変えて、高酸素含量を持つようにする。そのように、反射防止組成物の酸素含量は、該樹脂として使用される特定のモノマーまたはポリマーによって増加させることができる。たとえば、１９３ｎｍで画像が造られるレジストとともに使用される本発明のＡＲＣにとって好ましい発色団はフェニルである。２４８ｎｍで画像が造られるレジストとともに使用される本発明のＡＲＣにとって好ましい発色団はアントラセンである。特に２４８ｎｍでの画像化のための、他の適当な発色団は、キノリニルおよびリング置換のキノリニル誘導体（たとえばヒドロキシキノリニル基）を含む。そのようなフェニル、アントラセンおよび他の芳香族発色団は、エステル連鎖、特にアセトキシのような高酸素含量エステル（すなわち−ＯＣ（=Ｏ）ＣＨ３）などの、１個以上の高酸素含量の置換基を持つことができる。重合して本発明のＡＲＣ樹脂を提供することのできる、いくつかの特に好ましい高酸素含量発色団には、アセトキシスチレン、２−ヒドロキシ−３−フェノキシメタクリレート、２−フェノキシエチルメタクリレート、ヒドロキシアントラセン、アセトキシアントラセンおよびその同類が含まれる。
【００２２】
ＡＲＣ樹脂は、発色団基の修飾とは別に、高酸素含量を持つように変えることができる。たとえば、本発明のＡＲＣに使用される樹脂は、１個以上の高酸素含量モノマーの重合によって生成させることができる。本発明の好ましいＡＲＣ樹脂は、重合したアクリレートエステルユニットを含み、そこでは結合したエステル部分（すなわちエステルのカルボキシル酸素に結合した基）は１個以上の酸素原子を含む。
【００２３】
本発明のＡＲＣの樹脂への導入のために特に好ましい化合物は、下式の化合物を含む、
【００２４】
【化４】
0004773037.tif 000002
【００２５】
式中、Ｒは、水素、または１〜約８個の炭素をもつアルキル基であり、望ましくは、Ｒは水素またはメチルであり、さらに、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、各々独立的に、望ましくは１〜約１０個の炭素原子、より望ましくは１〜約３個または４個の炭素原子をもつ任意に置換したアルキル、あるいは、１〜約１０個の炭素原子、より望ましくは１〜約３個または４個の炭素原子をもつ任意に置換したアルコキシである。特に好ましいＲ１、Ｒ２およびＲ３基は１個または２個の炭素原子、すなわち任意に置換したメチル、エチル、メトキシおよびエトキシを持つ。置換したＲ１、Ｒ２およびＲ３基の好ましい置換基は、酸素含有部分、たとえばヒドロキシル、低級アルコキシ、エステル、アルカノイルおよびその同類である。
【００２６】
望ましくは、本発明のＡＲＣは架橋剤を含む。そのようにして、反射防止用コーティング層は、レジストとＡＲＣ層との混合を避けることができ、少なくともいくつかの系においては、フォトレジスト組成物の上塗りされた層と架橋して、２つのコーティング層間の接着を増強する。架橋剤は、望ましくは熱的に活性化されることができる。架橋剤は、種々の材料から成ることができるが、望ましくはグリコウリル（ｇｌｙｃｏｕｒｉｌ）樹脂のようなアミンベースの材料である。
【００２７】
望ましくは、本発明のＡＲＣはまた、樹脂バインダーと架橋化合物間の反応を触媒して、比較的低温で架橋反応を進行させうる、酸または熱的酸発生剤を含む。本明細書使うとき、「酸発生剤」という用語は、化合物の適当な処理、たとえば活性化照射光への露光または熱処理で酸を生成する化合物を指す。
【００２８】
本発明のＡＲＣは、以前のＡＲＣに優る、改善されたエッチング速度差を提供する。（本明細書で言及するとき、「ＡＲＣエッチング速度差」という用語は、上塗りされたレジスト層が同一プラズマエッチング液によってエッチングされる速度と比較した、下にあるＡＲＣ層がプラズマエッチング液によってエッチングされる速度を指す。）たとえば、本発明のＡＲＣは、標準のＦ２／Ｏ２プラズマ中で従来のフォトレジスト組成物より少なくとも２５％大きい速度でエッチングする。より望ましくは、本発明のＡＲＣは、そのプラズマ中の上塗りしたフォトレジスト組成物より、少なくとも約４０％、最も望ましくは少なくとも約５０％か６０％大きい速度でエッチングする。
【００２９】
本明細書において言及するとき、「標準のプラズマエッチング」という用語は、以下のプロトコールによって行われたプラズマエッチングを意味すると定義される：塗布された基板（たとえば、本発明に準拠したＡＲＣおよび／またはレジストで塗布された基板）を、プラズマエッチングチャンバー（たとえば、Ｍａｒｋ  ＩＩ  Ｏｘｉｄｅ  Ｅｔｃｈ  Ｃｈａｍｂｅｒ）に、圧力２５ｍＴ、６００ワットの最大電圧、３３ＣＨＦ３（Ｓｃｃｍ）、７Ｏ２（Ｓｃｃｍ）および８０Ａｒ（Ｓｃｃｍ）で置く。通常、有機層（すなわちＡＲＣおよび／またはレジスト）は、層当り１０００Åの乾燥した（温和なベーキング）厚さを持つ。
【００３０】
本発明は、さらに本発明のＡＲＣおよびフォトレジスト組成物で塗布したレリーフ像および新規な基板を形成する方法を提供する。本発明に準拠してＡＲＣおよびレジストで塗布した典型的基板には、マイクロエレクトロニクスウエハ、フラットパネルディスプレイおよび光学−電子基板が含まれる。
【００３１】
発明の他の側面は、以下に開示する。
【００３２】
（発明の詳細な説明）
上に述べたように、本発明は標準のプラズマ液中で増大したエッチング速度を示す新規な反射防止用塗布剤を提供する。実際、本発明のＡＲＣは、ＵＦＴＬおよびレジスト分解の他の形態が顕著に小さくなるような高くなったエッチング速度を示す。
【００３３】
本発明のＡＲＣは、通常、以前のＡＲＣ組成物と比較して顕著に増加した酸素含量を持つ。本発明の好ましいＡＲＣは、少なくとも約５から少なくとも約５０モルパーセントの酸素を含む。本発明の特に望ましいＡＲＣは、少なくとも約３０モルパーセントの酸素、なおより望ましくは約４０モルパーセントの酸素、なおより望ましくは約５０のモルパーセント、最も望ましくは約６０モルパーセントの酸素を含む。そのような増加した酸素含量は、いろいろな方法によって達成することができる。
【００３４】
本発明の第一の好ましい側面では、反射防止組成物の酸素含量は、高酸素含量の添加剤の添加によって上げることができる。そのような添加剤は、望ましくは少なくとも約４０モルパーセントの酸素、より望ましくは少なくとも約５０モルパーセントの酸素、さらにより望ましくは少なくとも約６０モルパーセントの酸素を含む。
【００３５】
本発明のＡＲＣ中に用いられる添加剤は、望ましくは１個以上の小さい分子、たとえば約３，０００未満ダルトンの分子量を持つ化合物を含む。そのような添加剤は、高分子または非高分子であってよい。好ましい態様では、該添加剤は、好適には約２００〜２，５００ダルトンの分子量を持つオリゴマーである。
【００３６】
本発明のＡＲＣは、通常、露光照射光を吸収する発色団を含む。該発色団は、望ましくは、ＡＲＣ組成物の樹脂成分に共有結合的に結合している。該発色団は、高い酸素含量を持つように変えることができる。そのようにして、反射防止組成物の酸素含量は、樹脂として使用される特定のモノマーまたはポリマーによって増やされる。
【００３７】
望ましくは、本発明のＡＲＣ樹脂は、重合したアクリレートエステルユニットを含み、そこにおいてはカルボキシル酸素に結合したエステル部分が１個以上の酸素原子を含む。例証のためであるが、エステル部分のカルボキシル酸素に結合したエステル部分は下式のＲ基であり、ここでカルボキシル酸素には下線が引かれている：−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ。
【００３８】
上に述べたように、本発明のＡＲＣ樹脂への導入に特に好ましい化合物は、下式のモノマーである。
【００３９】
【化５】
0004773037.tif 000003
【００４０】
ここで、Ｒは、水素または１〜約８個の炭素をもつアルキルであり、望ましくはＲは水素またはメチルであり、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、望ましくは１〜約１０個の炭素原子、より望ましくは１〜約３個または４個の炭素原子を持つ、各々独立的に任意に置換したアルキルである、あるいは、１〜約１０個の炭素原子、より望ましくは１〜約３個または４個の炭素原子をもつ、任意に置換したアルコキシである。特に好ましいＲ１、Ｒ２およびＲ３基は、１個または２個の炭素原子、すなわち任意に置換されたメチル、エチル、メトキシおよびエトキシを持つ。置換されたＲ１、Ｒ２およびＲ３基の好ましい置換基は、酸素を含む部分、たとえばヒドロキシル、Ｃ１−４アルコキシのような低級アルコキシ、すなわちメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、−Ｃ（=Ｏ）ＯＣ１−４Ｈ３−９のような低級アルキルエステル、およびアセチル（−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３）またはアルデヒド（Ｃ（=Ｏ）Ｈ）のようなアルカノイル、である。置換されたＲ１、Ｒ２およびＲ３基の他の適当な置換基は、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、Ｃ１−４アルキル、Ｃ２−４アルケニルおよびその同類を含む。
【００４１】
本発明の高酸素含量のポリマーまたは他の添加物中に含めるべき、更なる特に好ましいモノマーは、下記の物を含む：２４８ｎｍ光で画像を造るレジストとともに使用されるＡＲＣに対しては、好ましいモノマーは、たとえば、メチルエーテルメタクリル酸エチレングリコール（ＥＧＭＡ）、メチルエーテルメタクリル酸ジエチレングリコール（ＤＥＧＭＡ）およびメタクリル酸２，３−ジヒドロキシプロピル（ＤＨＰＭＡ）を含み、これらは、望ましくはアントラセン部分を含む１個以上のモノマーとともに重合させ、１９３ｎｍ光で画像を造るレジストとともに使用されるＡＲＣに対しては、好ましいモノマーは、たとえば３−メトキシ−４−アセトキシスチレン、４−ニトロスチレン、３−ニトロスチレン、メタクリル酸４−ニトロフェニルおよびその同類である。
【００４２】
本発明のＡＲＣの好ましい樹脂はまた、たとえば、樹脂上でヒドロキシまたはカルボキシ部分、あるいは酸の存在においてまたは別様にそのような反応性基を生成することのできるエステルなどの「マスクされた」部分によって、架橋剤成分との反応を行うことができる。
【００４３】
本発明の反射防止組成物樹脂バインダーの好ましい樹脂には、少なくともモノマーの１つが発色団基を含む２種以上の異なるモノマーを重合させることによって与えられるコポリマーが含まれる。
【００４４】
上に記したように、本発明のＡＲＣは、望ましくは、さらに樹脂成分の架橋を提供する架橋剤を含む。該架橋剤は、適切にも熱的に活性化される、すなわち、反射防止組成物の層は該ＡＲＣ層を熱処理すると架橋される。そのような架橋は、レジストとＡＲＣ層との望ましくない混合を減らすこと、およびＡＲＣとレジスト層間の架橋を通して強化された接着を与えること、を含む多くの利点を提供することができる。
【００４５】
架橋剤は、いろいろな材料から成ることができ、望ましくは、グリコウリル樹脂、特にメトキシメチル化グリコウリル樹脂のようなアミンベースの材料である。望ましくは、架橋剤成分は、比較的高い酸素含量をもつ。
【００４６】
好ましいメトキシメチル化グリコウリルは、既知の方法によって調製することができる。該化合物はまた、アメリカンサイアナミッド社からＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ  １１７４の商品名で市販されている。
【００４７】
他の適当な低塩基性架橋剤には、ヒドロキシ化合物、特に２個以上のヒドロキシまたはヒドロキシアルキル置換基（例、Ｃ１−８ヒドロキシアルキル置換基）をもつフェニルまたは他の芳香族などの多価化合物が含まれる。ジメタノールフェノール（Ｃ６Ｈ３（ＣＨ２ＯＨ）２ＯＨ）、および（１〜２個の環の原子の中に）隣接するヒドロキシおよびヒドロキシアルキル置換基をもつ他の化合物、特に１個以上のメタノールまたは他のヒドロキシアルキル環置換基およびヒドロキシアルキル置換基のような少なくとも１個の隣接するヒドロキシ基をもつフェニルまたは他の芳香族化合物などのフェノール化合物が好ましい。そのような架橋剤も比較的高い酸素含量を持ち、それによってＡＲＣ酸素含量をさらに上げる。
【００４８】
本発明のＡＲＣはまた、望ましくは、樹脂バインダーと架橋性化合物との間の反応を触媒するまたは他の仕方で促進する、そして比較的低温で架橋反応が進むことを可能にする酸または、熱的酸生成剤を含む。
【００４９】
たとえば、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラートおよび他の有機スルホン酸アルキルエステルなどの種々の既知の熱的酸発生剤が好適に使用される。活性化でスルホン酸を生成する化合物は概して適切である。通常、熱的酸発生剤は、反射防止組成物中に、該組成物の乾燥成分総量の約０．５〜１５重量％、より望ましくは総乾燥成分の約２重量パーセントの濃度で存在する。
【００５０】
また、特に、反射防止組成物の使用の前に酸が組成物成分の望まない反応を促進しないように硬化するために酸の存在下で加熱を必要とする反射防止組成物に対しては、熱的酸発生剤よりはむしろ、単純に酸を反射防止組成物に処方してもよい。適当な酸には、たとえば、トルエンスルホン酸およびスルホン酸のようなスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸またはそれらの化合物の混合物などの強酸が含まれる。
【００５１】
本発明はまた、フォトレジスト組成物との意図的な使用の間に顕著な架橋を起こさない反射防止組成物を含む。そのような非架橋の反射防止組成物は、架橋反応を誘起する、または促進するために架橋剤成分あるいは酸または熱的酸発生剤を含む必要はない。言い換えると、そのような非架橋反射防止組成物は、通常、架橋反応を促進するための架橋剤成分および／または酸の生成源を本質的に欠いている（すなわち約１〜２重量％未満）か、全く含まない。
【００５２】
本発明の反射防止組成物はまた、上塗りしたフォトレジスト層の望ましくないノッチング（ｎｏｔｃｈｉｎｇ）またはフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を禁止するあるいは実質的に防止するために十分な量を好適に使用される１個以上の光酸発生剤（すなわち「ＰＡＧ」）を含んでもよい。本発明のこの側面では、光酸発生剤は、架橋反応を促進するための酸生成源として使われず、したがって、望ましくは、光酸発生剤は、（架橋ＡＲＣの場合）反射防止組成物の架橋の間に実質的に活性化されない。特に、熱的に架橋される反射防止組成物に関して、反射防止組成物ＰＡＧは、上塗りされたレジスト層が次に露光される間にＰＡＧが、活性化されて酸を発生するように、架橋反応の条件に対し実質的に安定でなければならない。具体的には、好ましいＰＡＧは、約１４０℃または１５０℃〜１９０℃の温度で５〜３０分間またはより長時間露光した際に実質的に分解しない、または別様の劣化を起こさない。
【００５３】
少なくとも若干の本発明の反射防止組成物に関しては、界面活性剤として働き、反射防止組成物／レジスト塗布層界面に近い反射防止組成物層の上部近くに集合することができる反射防止組成物光酸発生剤が好ましい。したがって、たとえば、そのような好ましいＰＡＧには、長鎖脂肪族基（例、４個以上の炭素、望ましくは６〜１５またはそれ以上の炭素原子を持つ置換または非置換のアルキルあるいは脂環式基、または１個または望ましくは２個以上のフルオロ置換基をもつＣ１−１５アルキルまたはＣ２−１５アルケニルのようなフッ化基が含まれる。
【００５４】
本発明の反射防止組成物はまた、上塗りされたフォトレジスト層を露光するのに使用される照射光を吸収する更なる色素化合物を含むことができる。他の任意の添加剤には、表面水平化剤（たとえばユニオンカーバイドから商品名Ｓｉｌｗｅｔ７６０４の下で市販されている水平化剤またはスリーエム社から市販されている界面活性剤ＦＣ１７１）が含まれる。
【００５５】
液体コーティング組成物を作るために、反射防止組成物の成分は、たとえば乳酸エチルまたは２−メトキシエチルエーテル（ジグライム）、エチレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルのような１種以上のグリコールエーテル類のような適当な溶媒、メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノールおよびエトキシプロパノールのようなエーテルとヒドロキシ部分の両方を持つ溶媒、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなエステルおよび二塩基性エステル、炭酸プロピレンおよびγ−ブチロラクトンのような他の溶媒に溶解させる。溶媒中の乾燥成分濃度は、適用方法などのいくつかの因子に依存する。一般に、反射防止組成物の固形分は、反射防止組成物の総重量の約０．５〜２０重量％、望ましくは反射防止組成物の総重量の約２〜１０重量パーセント内で変化する。
【００５６】
種々のフォトレジスト組成物は、ポジ型およびネガ型の光酸発生組成物を含む本発明の反射防止組成物とともに使用することができる。本発明のフォトレジストは、通常、樹脂バインダーおよび光活性成分、典型的には光酸発生剤化合物を含む。望ましくは、フォトレジスト樹脂バインダーは、画像レジスト組成物にアルカリ水性の現像性能を付与する官能基を持つ。ヒドロキシルまたはカルボン酸エステルのような極性官能基を含む樹脂バインダーが好ましく、該樹脂バインダーは、水性アルカリ溶液でレジストを現像するのに十分な量がレジスト組成物に使用される。
【００５７】
一般に好ましいレジスト樹脂バインダーは、業界ではノボラック樹脂として知られているフェノールアルデヒド縮合体、アルケニルフェノールのホモおよびコポリマーおよびＮ−ヒドロキシフェニルマレイミドのホモおよびコポリマーを含むフェノール樹脂である。
【００５８】
ノボラック樹脂生成のためにアルデヒド特にホルムアルデヒドと縮合するのに適したフェノール類の例には、フェノール、ｍ−クレゾール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、チモールおよびそれらの混合物が含まれる。酸触媒縮合反応により、分子量（Ｍｗ）で約５００から１００，０００ダルトンまでの巾のある適当なノボラック樹脂が生成する。ポリ（ビニルフェノール類）は、たとえば、米国特許第４，４３９，５１６号で開示された方法で調製することができる。好ましい樹脂バインダーおよびその調製は、米国特許第５，１２８，２３０号にも開示されている。
【００５９】
ポリビニルフェノール類は、ブロック重合、乳化重合または対応するモノマーの溶液重合によって触媒の存在下で生成させることができる。ポリビニルフェノール樹脂の産生に有用なビニルフェノールは、たとえば、市販のクマリンまたは置換クマリンの加水分解、それに続く、生成したヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸によって調製することができる。有用なビニルフェノールはまた、対応するヒドロキシアルキルフェノールの脱水により、または置換または非置換のヒドロキシベンズアルデヒドとマロン酸との反応から生成するヒドロキシケイ皮酸の脱炭酸によって調製することができる。そのようなビニルフェノールから調製される好ましいポリビニルフェノール樹脂は、約２，０００〜約６０，０００ダルトンの分子量（Ｍｗ）範囲を持つ。
【００６０】
フェノールおよび非芳香族環状アルコールユニットを含むコポリマーは、本発明のレジストにとって好ましい樹脂バインダーであり、ノボラックまたはポリビニルフェノール樹脂の部分的水素化によって好適に調製することができる。そのようなコポリマーおよびフォトレジスト組成物におけるそれの使用は、サッカレー（Ｔｈａｃｋｅｒａｙ）らの米国特許第５，１２８，２３２号に開示されている。
【００６１】
更なる好ましい樹脂バインダーには、ビスヒドロキシメチル化化合物およびブロックノボラック樹脂から造られた樹脂が含まれる。そのような樹脂およびフォトレジスト組成物におけるそれの使用が開示されている米国特許第５，１３０，４１０号および第５，１２８，２３０号を参照してほしい。その上、類似のまたは異なる組成物の２個以上の樹脂バインダーは、フォトレジスト組成物のリソグラフ的性質の付加的調整をするために混合するか、一緒に組合わせることができる。たとえば、樹脂の混合物は、写像速度および熱的性質を調節して、現像液中のレジストの溶解挙動を制御するのに用いることができる。
【００６２】
本発明のＡＲＣとともに使用するフォトレジストの１つの適当なクラスは、「従来の」ポジ型レジストであり、それは、光酸発生剤およびノボラックまたはポリ（ビニルフェノール）あるいはその部分的に水素化した誘導体のような樹脂バインダー成分を含み、そこでは光活性成分が溶解速度阻害剤として働く。レジストのコーティング層の光活性化の結果、光活性成分の酸性材料への転化が起り、無傷の（非活性）光活性成分だけを含む領域よりもこの酸性光生成物を含むコーティング層の領域を水性アルカリ現像液溶液に比較的より可溶化する。これらのポジ型レジストに通常使用される光活性成分は、２，１，４−ジアゾナフトキノンスルホン酸エステルおよび２，１，５−ジアゾナフトキノンスルホン酸エステルのようなキノンジアジドである。
【００６３】
本発明の特に好ましい面では、本発明のＡＲＣが、化学的に増幅されたポジ型レジスト組成物とともに使用される。多くのそのようなレジスト組成物は、たとえば米国特許第４，９６８，５８１号、第４，８８３，７４０号、第４，８１０，６１３号および第４，４９１，６２８号に記載されてあり、その全てを、化学的に増強されたポジ型レジストを作ることおよび使用することの教示に対する参照により本明細書に組み入れる。
【００６４】
本発明のＡＲＣとともに使用される特に好ましい化学的に増強されたフォトレジストは、混合した状態で光酸発生剤およびフェノール性および非フェノール性単位の両方を含むコポリマーを含有する樹脂バインダーである。たとえば、そのようなコポリマーの１つの好ましい基は、該コポリマーの非フェノール性ユニットの（実質的に、本質的に、または完全に）上だけに、酸感受性（ａｃｉｄ  ｌａｂｉｌｅ）基を持つ。特に好ましいコポリマーバインダーは、下式の反復ユニットｘおよびｙを持つ。
【００６５】
【化６】
0004773037.tif 000004
【００６６】
式中、ヒドロキシル基は、コポリマーを通じてオルト、メタまたはパラ位に存在し、Ｒ’は、１〜約１８個の炭素原子、より典型的には１ないし約６〜８個の炭素原子を持つ置換または非置換アルキルである。ｔ−ブチルは、一般に好ましいＲ’基である。Ｒ’基は、たとえば、１個以上のハロゲン（特にＦ、ＣｌまたはＢｒ）、Ｃ１−８アルコキシ、Ｃ２−８アルケニル等で、任意に置換することができる。ｘおよびｙユニットは、コポリマー中で常に交換可能であるし、ポリマー中にランダムに散在することができる。そのようなコポリマーは、容易に造ることができる。たとえば、上式の樹脂に関しては、ビニルフェノールならびにｔ−ブチルアクリレートおよびその同類のような置換または非置換のアクリル酸アルキルを、業界において知られているフリーラジカル条件下で縮合させることができる。アクリレートユニットの部分、置換されたエステル部分、すなわちＲ'−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−は、樹脂の酸感受性基として働き、樹脂含有フォトレジストのコーティング層の露光時に、光酸誘起開裂を受ける。望ましくは、分子量分布が約３以下の、より望ましくは分子量分布が約２以下の、約８，０００〜約５０，０００、より望ましくは約１５，０００〜約３０，０００の分子量をもつ。
【００６７】
非フェノール樹脂、たとえば、ｔ−ブチルアクリレートまたはｔ−ブチルメタクリレートのようなアクリル酸アルキルのコポリマーおよびビニルノルボルニルまたはビニルシクロヘキサノール化合物のようなビニル脂環式化合物もまた、本発明の組成物において樹脂バインダーとして使用することができる。そのようなコポリマーはまた、そのようなフリーラジカル重合または他の既知の方法によって調製することができ、好適には約８，０００〜約５０，０００の分子量および約３以下の分子量分布を持つ。更なる好ましい化学的に増幅されたポジ型レジストは、シンタ（Ｓｉｎｔａ）らの米国特許第５，２５８，２５７号に開示されている。
【００６８】
本発明のＡＲＣ用とともに使用する好ましいネガ型レジスト組成物は、酸および光酸発生剤に曝すとき硬化する、架橋する、または、堅くなる材料の混合物からなる。
【００６９】
特に好ましいネガ型レジスト組成物は、フェノール樹脂のような樹脂バインダー、架橋剤成分および本発明の光活性成分を含む。そのような組成物およびその使用は欧州特許出願第０１６４２４８号および第０２３２９７２号およびサッカレーらの米国特許第５，１２８，２３２号に開示されている。樹脂バインダー成分として使用するために好ましいフェノール樹脂は、上に述べたようなノボラックおよびポリ（ビニルフェノール）を含む。好ましい架橋剤は、メラミンを含むアミンベースの材料、グリコウリル、ベンゾグアナミンベースの材料およびウレアベースの材料を含む。メラミンホルムアルデヒド樹脂が一般に最も好ましい。そのような架橋剤は市販されており、たとえば、アメリカンサイアナミッドから商品名Ｃｙｍｅｌ３００、３０１および３０３の下で販売されているメラミン樹脂がある。グリコウリル樹脂は、商品名Ｃｙｍｅｌ１１７０、１１７１、１１７２およびＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４の下でアメリカンサイアナミッドから販売され、ウレアベースの樹脂は、Ｂｅｅｔｌｅ６０、６５および８０の商品名の下で販売され、ベンゾグアナミン樹脂は、商品名Ｃｙｍｅｌ１１２３および１１２５の下で販売されている。
【００７０】
本発明のＡＲＣとともに使用されるレジストの適当な光酸発生剤化合物には、米国特許第４，４４２，１９７号、第４，６０３，１０１号および第４，６２４，９１２号（これらの特許は、参照により本明細書に組み入れる）に開示されているものなどのオニウム塩、サッカレーらの米国特許第５，１２８，２３２号にあるハロゲン化された光活性化合物などの非イオン性有機光活性化合物、およびスルホン化エステルおよびスルフォニルオキシケトンを含むスルホナート光酸発生剤が含まれる。ベンゾイントシラート、ｔ−ブチルフェニルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセテートおよびｔ−ブチルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセテートを含む、適当なスルホナートＰＡＧＳの開示に関して、Ｊ．ｏｆ  Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ４（３）：３３７〜３４０（１９９１）を参照してほしい。好ましいスルホナートＰＡＧはまた、シンタらの米国特許第５，３４４，７４２号に開示されている。
【００７１】
上述のように、本発明のＡＲＣは、たとえばトリフルオロメタンスルホン酸、カンファースルホナートまたは他スルホン酸、あるいは約２以下のｐＫａ（２５℃）を持つ他の酸のような露光する際に強酸光生成物を生成するフォトレジストと共において特に有用である。理論に束縛されることは望まないが、光生成の強酸がレジストから移動して、塩基性のさらに強い架橋剤を含む対応するＡＲＣと比較してより小さい程度にＡＲＣに残る故に、本発明のＡＲＣは、そのような強酸レジストとともにおいて特に効果的であると考えられる。すなわち、本発明の低塩基性架橋剤は、もっと強い塩基性のＡＲＣ架橋剤より小さい程度に上塗りされたレジスト層の光生成した強酸を結びつける。その結果として、レジスト層からの酸損失は少ししか起こらず、フーチングのような解像度問題は減少する。
【００７２】
本発明のＡＲＣ用とともに使用されるフォトレジストはまた、他の材料を含むことができる。たとえば、他のオプションの添加剤には、光化学反応性および増感性色素、反条線剤（ａｎｔｉ−ｓｔｒｉａｔｉｏｎ  ａｇｅｎｔｓ）、可塑剤、速度エンハンサ等が含まれる。そのようなオプションの添加剤は、フィラーおよび色素（これらは比較的高濃度、たとえば、レジストの乾燥成分総重量の５〜３０重量％の大きさで存在する）を除いて、フォトレジスト組成物中に低濃度で存在する。
【００７３】
実際には、本発明の反射防止組成物は、回転塗布のような種々の方法によって、コーティング層として基板に塗布される。反射防止組成物は、一般に、基板の上に、乾燥した層の約０．０２〜０．５μｍの厚さ、望ましくは、乾燥した層の約０．０４〜０．２０μｍの厚さで、基板に塗布される。基板は、好適にはフォトレジストを含むプロセスに通常使用される基板である。たとえば、基板はケイ素、二酸化ケイ素またはアルミニウム−酸化アルミニウムのマイクロエレクトロニクスウエハである。ヒ化ガリウム、セラミック、石英または銅の基板も使用可能である。液晶ディスプレイまたは他のフラットパネルディスプレイ用に使用される基板（たとえばガラス基板、インジウム酸化スズ塗布基板およびその同類）も好適に使用される。
【００７４】
望ましくは、フォトレジスト組成物を該ＡＲＣ上に塗布する前に反射防止層を硬化する。硬化条件は、ＡＲＣの成分によって異なる。したがって、組成物が酸または酸発生剤を含まないならば、硬化の温度および条件は、酸または酸発生剤化合物を含む組成物の場合よりさらに強力になる。典型的硬化条件は、約１２０℃〜２２５℃での約０．５〜４０分間である。望ましくは、硬化条件によりＡＲＣコーティング層がフォトレジスト溶媒ならびにアルカリ水性現像液に実質的に不溶になる。その上、上述したように、ＡＲＣが光酸発生剤を含むならば、組成物のコーティング層は、コーティング層を活性化照射光の効果的な量（たとえば、約１０〜３００ｍＪ／ｃｍ２）に露光し、続いて５０〜２２５℃の露光後ベーキングによって少なくとも部分的に硬化させることができる。
【００７５】
そのような硬化の後に、フォトレジストをＡＲＣの表面に塗布する。ＡＲＣの塗布と同様に、フォトレジストを、回転塗布、浸漬塗布、メニスカス塗布またはローラー塗布のような標準的手段によって塗布することができる。塗布の後、通常、フォトレジストコーティング層を加熱して乾燥し、望ましくはレジスト層がタックフリーになるまで溶媒を除去する。最適には、ＡＲＣ層とフォトレジスト層との混在は本質的に起こるべきでない。
【００７６】
レジスト層に、常法により、たとえば１９３ｎｍまたは２４８ｎｍで、マスクを通して活性化照射光で画像を形成させる。レジストシステムの光活性成分を効果的に活性化する露光エネルギーが、レジストコーティング層にパターンの入った画像を生じるのに十分である。さらに具体的には、露光エネルギーは、露光装置に依存して、約３〜３００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内にある。コーティング層の露光領域と非露光領域間の溶解度差を創るまたは高めるために、必要ならば、露光したレジスト層を露光後ベーキングにかける。たとえば、ネガ型酸硬化フォトレジストは、酸促進架橋反応を誘起するために、通常露光後加熱を必要とし、多くの化学的に増強されたポジ型レジストは、酸促進脱保護反応を誘起するために露光後加熱を必要とする。通常、露光後ベーキング条件には、約５０℃またはそれ以上の温度、もっと具体的には、約５０℃〜１６０℃の範囲の温度が含まれる。
【００７７】
ついで、露光したレジストコーティング層を、望ましくは水性現像液（たとえば水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水またはその同類によって例示される無機アルカリ）で現像する。あるいは、有機現像液が使用される。一般に、現像は業界で認知された手法に準拠する。現像に続いて、露光したコーティング層領域をさらに硬化させるために、しばしば酸硬化フォトレジストの最終ベーキングが約１００〜１５０℃の温度で数分間行われる。
【００７８】
ついで、現像された基板は、フォトレジストの露出されるそれらの基板領域上で、たとえば、当業界においてよく知られている方法にしたがってフォトレジストの露出した基板領域を化学的にエッチングして、またはメッキして、選択的に加工する。適当なエッチング液には、フッ化水素酸エッチング溶液および酸素プラズマエッチング液のようなプラズマガスエッチング液が含まれる。上で詳述したように、プラズマガスエッチング液は以前の組成物と比較して増加した速度で反射防止剤を除去する。
【００７９】
ここで言及した全ての文書は、参照により本明細書に組み入れる。以下の非限定の実施例は、本発明を例示する。
【００８０】
【実施例】
実施例１
メタクリルオキシ酢酸メチルの合成
磁気撹拌子および加成漏斗を備えた１Ｌの丸底フラスコを氷／水浴で冷却した。メタクリル酸９０．３９ｇ（１．０５モル）とトリエチルアミン１０６．２５ｇ（１．０５モル）を順にフラスコに添加した。
【００８１】
生成した無色の水溶液を室温まで加温し、クロロ酢酸メチル（１０８．５２ｇ、１モル）のアセトン（２５０ｍｌ）水溶液で処理した。白い塩が混合の１５分後に生成した。白い懸濁液を撹拌し、４５℃で１２時間加温した。懸濁液を室温まで冷却した後、白色の塩を濾過し、アセトン溶液を減圧下濃縮すると、黄褐色の溶液が得られ、それをヘキサン４００ｍｌで希釈した。該ヘキサン溶液を、２００ｍｌの飽和Ｎａ２ＣＯ３水溶液およびＤＩ水（２×２００ｍｌ）で洗浄し、ついで、無水ＭｇＳＯ４上で乾燥し、減圧下濃縮した。得られた黄褐色溶液の減圧蒸留（５６℃／０．５ｍｍＨｇ）により、メタクリルオキシ酢酸メチルの無色の液１１４ｇ（収率７２％）が得られ、それを、１Ｈ−ＮＭＲによって同定し、純粋であると判断した。
【００８２】
実施例２
メタクリルオキシ酢酸メチルとメチルアンスラセンメタクル酸メチルモノマーとの反応によってポリマーを調製する。マグネチックスターラ、窒素と減圧の入口を備えた３００ｍｌの丸底フラスコに、メタクリルオキシ酢酸メチル（過剰モル）およびメチルアンスラセンメタクル酸エステルモノマー、ＡＩＢＮイニシエーターおよび溶媒（ＴＨＦ）を添加する。反応修了まで、反応水溶液を好適には高い温度で撹拌する。
【００８３】
実施例３
液状反射防止コーティング組成物の総重量に基づいた重量％として表わした成分量で成分：
１）樹脂：実施例２のポリマー  ２．１７％、
２）架橋剤：Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ１１７４（アメリカンサイアナミッド）  ０．６１％、
３）酸：ｐ−トルエンスルホン酸  ０．０６％、
４）光酸発生剤：ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニウムカンファースルホネート  ０．１６％、
５）界面活性剤：ＦＣ１７１（スリーエム社）  ０．０３％、
６）溶媒：乳酸エチル  １８％、シクロヘキサノン  １０％、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル  ６８．９７％、
を混合することによって本発明の反射防止組成物を調製する。
【００８４】
反射防止組成物をシリコンウエハ基板上に回転塗布し、減圧ホットプレートの上で１７５０℃で６０秒間ベーキングする。
【００８５】
この反射防止組成物の上に、ＤＵＶフォトレジスト（たとえば、商品名ＵＶＩＩＨＳのもとに販売され、シップレーカンパニーから入手可能なもの）を回転塗布により塗布し、該塗布された基板を１３５℃で６０秒間ベーキングする。ついで、上塗りしたレジスト層を、フォトマスクを通してＫｒＦエキシマ照射光（２４８ｎｍ）に露光させる。ついで、塗布された基板を減圧ホットプレート上でベーキングし、レジスト層をアルカリ性の水性現像液で現像する。
【００８６】
本発明のこれまでの記述は単にそれの例証であって、特許請求の範囲に述べられている本発明の範囲および精神から離れることなく、改変および修飾できることは理解される。