(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材質（２）およびそれとは異なる第２の材質（３）が露出された下地の表面上に膜（４）を成膜し、前記第１の材質（２）上に位置する該膜（４）を除去して前記第２の材質（３）上に位置する該膜（４）を選択的に残すようにした膜の形成方法において、
前記第１の材質として絶縁膜（２）、前記第２の材質としてアルミニウムを主成分とする薄膜（３）、前記膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記アルミニウムを主成分とする薄膜（３）上の前記膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の前記膜（４）を剥離することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項２】
第１の材質（２）およびそれとは異なる第２の材質（５１）が露出された下地の表面上に膜（４）を成膜し、前記第１の材質（２）上に位置する該膜（４）を除去して前記第２の材質（５１）上に位置する該膜（４）を選択的に残すようにした膜の形成方法において、
前記第１の材質として絶縁膜（２）、前記第２の材質としてシリコン基板（５０）上のシリコン（５１）、前記膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用い、前記絶縁膜（２）が、シリコン基板（５０）上に形成されてその開口部（５２）内に前記シリコン（５１）を露出させて前記下地を構成するとともに、前記膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記シリコン（５１）上の前記膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の前記膜（４）を剥離することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項３】
第１の材質（２）およびそれとは異なる第２の材質（６０）が露出された下地の表面上に膜（４）を成膜し、前記第１の材質（２）上に位置する該膜（４）を除去して前記第２の材質（６０）上に位置する該膜（４）を選択的に残すようにした膜の形成方法において、
前記第１の材質としてシリコン酸化膜（２）、前記第２の材質としてシリコン窒化膜（６０）、前記膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記シリコン窒化膜（６０）上の前記膜（４）を残し前記シリコン酸化膜（２）の上の前記膜（４）を剥離することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項４】
前記応力調整膜（５）の成膜後に粘着シート（７）を貼着し、当該粘着シート（７）を剥がすことにより、前記第１の材質（２）上に位置する前記膜（４）は前記粘着シート（７）に被着させて前記下地表面から除去し、前記第２の材質（３，５１，６０）上に位置する前記膜（４）は前記粘着シート（７）の粘着力に抗して前記下地表面に残存させるようにすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の膜の形成方法。
【請求項５】
前記粘着シート（８１）に被着された膜（８０）を基板（８２）上に移設することを特徴とする請求項４に記載の膜の形成方法。
【請求項６】
前記粘着シート（８１）に被着された膜（８０）を前記基板（８２）上に粘着剤（８３）を用いて固定することを特徴とする請求項５に記載の膜の形成方法。
【請求項７】
前記粘着シートに被着された膜（９０）と前記基板（９２）との間の界面に両者の化合物（９３）を形成して、前記粘着シートに被着された膜（９０）を前記基板（９２）上に固定することを特徴とする請求項５に記載の膜の形成方法。
【請求項８】
前記粘着シート（１０１）に被着された膜（１００）によるパターン形状を用いて、基板（１０２）上に配置された感光性樹脂（１０４）を露光し、該感光性樹脂（１０４）に前記パターン形状を転写することを特徴とする請求項４に記載の膜の形成方法。
【請求項９】
前記膜（４）としてチタン薄膜を用いるとともに、前記応力調整膜（５）としてニッケル薄膜を用い、それらチタン薄膜とニッケル薄膜の積層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の膜の形成方法。
【請求項１０】
前記チタン薄膜と前記ニッケル薄膜の積層膜は全応力が１５００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の膜の形成方法。
【請求項１１】
第１の材質（２）およびそれとは異なる第２の材質（３）が露出された下地の表面上に膜（４）を成膜し、前記第１の材質（２）上に位置する該膜（４）を除去して前記第２の材質（３）上に位置する該膜（４）を選択的に残すようにした膜の形成方法において、
前記第１の材質としてシリコン酸化膜（２）、前記第２の材質としてアルミニウムを主成分とする薄膜（３）、前記膜（４）として膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜を用いることにより、該白金膜の全応力を調整し前記シリコン酸化膜（２）と前記白金膜の間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて、前記アルミニウムを主成分とする薄膜（３）上の前記白金膜を残し前記シリコン酸化膜（２）の上の前記白金膜を剥離することを特徴とする膜の形成方法。
【請求項１２】
基板（１）の上において電極部（３）または配線部と絶縁膜（２）が露出した状態から、当該基板（１）の上に金属膜（４）を成膜し、前記電極部（３）または配線部の上の金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法において、
前記電極部または配線部としてアルミニウムを主成分とする薄膜（３）、前記金属膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記金属膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記アルミニウムを主成分とする薄膜（３）上の前記金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の前記金属膜（４）を剥離することを特徴とする電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１３】
基板（５０）の上において電極部（５１）または配線部と絶縁膜（２）が露出した状態から、当該基板（５０）の上に金属膜（４）を成膜し、前記電極部（５１）または配線部の上の金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法において、
前記電極部または配線部としてシリコン基板（５０）での不純物拡散領域（５１）、前記金属膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記金属膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記不純物拡散領域（５１）上の前記金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の前記金属膜（４）を剥離することを特徴とする電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１４】
基板（１）の上において絶縁膜（２）と他の絶縁膜（６０）が露出した状態から、当該基板（１）の上に金属膜（４）を成膜し、前記他の絶縁膜（６０）の上の金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法において、
前記絶縁膜としてシリコン酸化膜（２）、前記他の絶縁膜（６０）としてシリコン窒化膜（６０）、前記金属膜（４）としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜（４）の上に応力調整膜（５）としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜（５）の膜厚により前記金属膜（４）と下地との界面にかかる応力を調整して、前記シリコン窒化膜（６０）上の前記金属膜（４）を残し前記シリコン酸化膜（２）の上の前記金属膜（４）を剥離することを特徴とする電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１５】
前記金属膜（４）としてチタン薄膜を用いるとともに、前記応力調整膜（５）としてニッケル薄膜を用い、それらチタン薄膜とニッケル薄膜の積層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１６】
前記チタン薄膜と前記ニッケル薄膜の積層膜は全応力が１５００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離した後において、基板（１，５０）の上に保護膜（３７）を堆積するとともに、当該保護膜（３７）での前記電極部（３ａ）または配線部を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項１２または１３に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１８】
前記露出させた電極部（３ａ）または配線部上に、はんだ付けを行う工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項１９】
前記応力調整膜（５）の上に、はんだ濡れ性の良好な金属膜（６）を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１８に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２０】
前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離する工程は、粘着シート（７）を用いて行うものであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２１】
前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離する工程は、自然剥離により行うものであることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２２】
前記自然剥離した金属膜（８０）を、粘着シート（８１）を用いて第２の基板（８２）に配置する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２３】
前記自然剥離した金属膜（８０）のパターンを、粘着シート（８１）を用いて第２の基板（８２）に転写する工程を含むことを特徴とする請求項２１に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２４】
前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離した後において、基板（１，５０）上の前記応力調整膜（５）を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の電極あるいは配線の形成方法。
【請求項２５】
基板（１）の上において電極部（３）または配線部と絶縁膜（２）が露出した状態から、当該基板（１）の上に金属膜（４）を成膜し、前記電極部（３）または配線部の上の金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法において、
前記絶縁膜としてシリコン酸化膜（２）、前記電極部または配線部としてアルミニウムを主成分とする薄膜（３）、前記金属膜（４）として膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜を用いることにより、該白金膜の全応力を調整し前記シリコン酸化膜（２）と前記白金膜の間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて、前記アルミニウムを主成分とする薄膜（３）上の前記白金膜を残し前記シリコン酸化膜（２）の上の前記白金膜を剥離することを特徴とする電極あるいは配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法に係り、詳しくは、例えば、基板上での所望の領域（例えば、バンプ形成領域）に金属膜を配置する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの金属電極形成方法として、ホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法がよく知られており、これにより、所望の領域に電極を形成することができる。また、この他の手法として、フリップチップ工程での、Ｃｕバンプ用のアンダーバンプメタル膜（以下、ＵＢＭ膜という）の形成の際に、保護膜と下地電極との密着性の差を利用して粘着シートによりＵＢＭ膜を選択的に除去する手法も提案されている（特開平１０−６４９１２号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前述のホトリソグラフィーを用いた金属電極の形成方法においては、ホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高いという問題がある。また、ＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に関しては、更に安定して剥離を行いたいという要求がある。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、低コストに、所望の膜や電極あるいは配線を配置することができる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、第１の材質およびそれとは異なる第２の材質が露出された下地の表面上に膜を成膜し、上記第１の材質上に位置する該膜を除去して上記第２の材質上に位置する該膜を選択的に残すようにした膜の形成方法として、請求項１に記載の発明では、上記第１の材質として絶縁膜、上記第２の材質としてアルミニウムを主成分とする薄膜、上記膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記アルミニウムを主成分とする薄膜上の上記膜を残し上記絶縁膜の上の上記膜を剥離するようにしている。
また、請求項２に記載の発明では、上記第１の材質として絶縁膜、上記第２の材質としてシリコン基板上のシリコン、上記膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用い、上記絶縁膜が、シリコン基板上に形成されてその開口部内に上記シリコンを露出させて上記下地を構成するとともに、上記膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記シリコン上の上記膜を残し上記絶縁膜の上の上記膜を剥離するようにしている。
また、請求項３に記載の発明では、上記第１の材質としてシリコン酸化膜、上記第２の材質としてシリコン窒化膜、上記膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記シリコン窒化膜上の上記膜を残し上記シリコン酸化膜の上の上記膜を剥離するようにしている。
また、請求項１１に記載の発明では、上記第１の材質としてシリコン酸化膜、上記第２の材質としてアルミニウムを主成分とする薄膜、上記膜として膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜を用いることにより、該白金膜の全応力を調整し上記シリコン酸化膜と上記白金膜の間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて、上記アルミニウムを主成分とする薄膜上の上記白金膜を残し上記シリコン酸化膜の上の上記白金膜を剥離するようにしている。
これらの方法によれば、第１の材質およびそれとは異なる第２の材質が露出された下地の表面上に膜を成膜する際に、該膜の全応力が調整されて、膜と第１の材質との密着力と、膜と第２の材質との密着力の差が制御される。つまり、膜と第１の材質との密着力、および膜と第２の材質との密着力が強く、第１の材質から膜を、また、第２の材質から膜を剥離することができない状態に対し、膜の全応力（total stress）を制御することにより、第１の材質と膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。なお、全応力とは、膜厚と内部応力との乗算値（全応力＝膜厚×内部応力）である。
【０００６】
そして、第１の材質上に位置する該膜が除去されて、第２の材質上に位置する該膜が選択的に残される。
その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、低コストに、所望の膜を配置することができる。
【００１０】
また、基板の上において電極部または配線部と絶縁膜が露出した状態から、当該基板の上に金属膜を成膜し、上記電極部または配線部の上の金属膜を残し上記絶縁膜の上の金属膜を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法として、請求項１２に記載の発明では、上記電極部または配線部としてアルミニウムを主成分とする薄膜、上記金属膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記金属膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記アルミニウムを主成分とする薄膜上の上記金属膜を残し上記絶縁膜の上の上記金属膜を剥離するようにしている。
また、請求項１３に記載の発明では、上記電極部または配線部としてシリコン基板での不純物拡散領域、上記金属膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記金属膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記不純物拡散領域上の上記金属膜を残し上記絶縁膜の上の上記金属膜を剥離するようにしている。
また、請求項２５に記載の発明では、上記絶縁膜としてシリコン酸化膜、上記電極部または配線部としてアルミニウムを主成分とする薄膜、上記金属膜として膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜を用いることにより、該白金膜の全応力を調整し上記シリコン酸化膜と上記白金膜の間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて、上記アルミニウムを主成分とする薄膜上の上記白金膜を残し上記シリコン酸化膜の上の上記白金膜を剥離するようにしている。
また、基板の上において絶縁膜と他の絶縁膜が露出した状態から、当該基板の上に金属膜を成膜し、上記他の絶縁膜の上の金属膜を残し上記絶縁膜の上の金属膜を剥離するようにした電極あるいは配線の形成方法として、請求項１４に記載の発明では、上記絶縁膜としてシリコン酸化膜、上記他の絶縁膜としてシリコン窒化膜、上記金属膜としてチタン、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、またはこれらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金の膜を用いるとともに、該金属膜の上に応力調整膜としてニッケル、銅、パラジウム、またはこれらの金属を主成分とする合金の膜を積層し、該応力調整膜の膜厚により上記金属膜と下地との界面にかかる応力を調整して、上記シリコン窒化膜上の上記金属膜を残し上記シリコン酸化膜の上の上記金属膜を剥離するようにしている。
これらの方法によれば、基板の上ににおいて絶縁膜と電極部または配線部、もしくは絶縁膜と他の絶縁膜が露出した状態から、当該基板の上に金属膜が成膜されるとき、電極部または配線部と金属膜、もしくは他の絶縁膜と金属膜との間の密着力、および絶縁膜と金属膜との間の密着力が強く、電極部または配線部、もしくは他の絶縁膜から金属膜を、また、絶縁膜から金属膜を剥離することができない従来の状態に対し、金属膜の全応力（total stress）を制御することにより、絶縁膜と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。そして、電極部または配線部、もしくは他の絶縁膜の上の金属膜を残し絶縁膜の上の金属膜が剥離される。
【００１１】
その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コストに、電極部または配線部の上に金属膜を配置することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００１６】
図１（ａ）〜（ｄ）には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。本実施形態においては、一般にパワー素子と呼ばれる半導体デバイスに具体化している。その半導体デバイスの詳細については後ほど説明する。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板であるシリコン基板１を用意する。そして、ウェハ状態のシリコン基板１に対し一般的な半導体デバイス製造技術を用いてトランジスタ等の素子（図示略）を形成する。さらに、シリコン基板１の上にＣＶＤ法などにより絶縁膜２を形成する。この絶縁膜２はＢＰＳＧ（Ｂoron- Ｐhosphorus Ｓilicate Ｇlass）膜やＰＳＧ（Ｐhosphorus Ｓilicate Ｇlass）膜などから成る。さらに、この絶縁膜２に対しシリコン基板内部（バルク部分）と導通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部２ａを形成する。引き続き、開口部２ａを含めた絶縁膜２の上部に、スパッタリング法や蒸着法を用いてアルミ薄膜３を形成する。その後、フォトリソグラフィー手法により、このアルミ薄膜３の不要部分を除去する。このようにして残されたアルミ薄膜３はトランジスタ等の素子の電極部となる。
【００１８】
このようにして、シリコン基板１の上において、電極部（アルミ薄膜）３と絶縁膜２が露出した状態となる。
さらに、熱処理を行って、シリコン基板１とアルミ薄膜３とを良好な導通が得られるようにする。なお、シリコン基板１と電極部（アルミ薄膜）３との間に、基板１とアルミ薄膜３の相互拡散によるアロイスパイクの発生を防止する目的で、バリアメタルと呼ばれる金属を形成してもよい。
【００１９】
引き続き、図１（ｂ）に示すように、ウェハ状態のシリコン基板１の上に、更に金属膜４，５，６を順に成膜する。この金属膜４，５，６を拡大したものを図２に示す。
【００２０】
図２において、第１の層である金属膜４は、アルミ薄膜３と良好な接合を形成するための膜であり、具体的には、チタン薄膜を用いている。なお、チタン薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、または、これらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。また、アルミ薄膜３上には、通常、酸化膜が形成されるため、一般的にアルミ薄膜３上に他の金属膜を成膜する場合、前述の酸化膜を取り除く工程が必要となる。しかし、本実施形態のように第１層目の金属膜としてチタン薄膜を用いた場合、チタンが前述の酸化膜を還元し、自らを酸化することで良好な界面が形成され、そのため、酸化膜除去工程は不要とすることができる。
【００２１】
図２において、第２の層である金属膜５は、下地の金属膜４と基板１（絶縁膜２）との界面にかかる応力を調整するための膜であり、具体的にはニッケル薄膜を用いている。なお、ニッケル薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、パラジウム、または、これらの金属を主成分とする合金などを用いてもよい。この金属膜５により、以降の工程において絶縁膜２と金属膜４との間の密着力を剥離可能な範囲まで低下させて金属膜４と絶縁膜２の剥離を容易に行わせることができるようになる。ここで、金属膜４と金属膜（応力調整膜）５の積層膜は全応力（total stress）、つまり、膜厚と内部応力を乗算したもの（全応力＝膜厚×内部応力）が１００Ｎ／ｍ以上である。
【００２２】
図２において、第３の層である金属膜６は、はんだ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金（Ａｕ）を用いている。なお、金（Ａｕ）の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、銀、白金、鉄、錫、ニッケル−バナジウム合金などを用いてもよい。また、金属膜６は、金属膜５にニッケルなど、はんだ濡れ性の良い金属を用いた場合は省略することも可能である。しかし、ニッケル表面が酸化するとはんだ濡れ性が劣化するため、金属膜６を用いることが望ましい。
【００２３】
上述の３つの金属膜４，５，６は、図３に示したような、大気に暴露することなく、真空中で連続成膜可能なスパッタリング装置により成膜する。つまり、真空チャンバ１０にはその一端部にウェハ投入口１１が、また、他端部にウェハ取り出し口１２が設けられ、さらに、同チャンバ１０には第１金属膜用ターゲット１３と第２金属膜用ターゲット１４と第３金属膜用ターゲット１５が配置されている。そして、真空チャンバ１０内においてウェハを搬送しつつ膜４，５，６を順に成膜することができるようになっている。また、真空チャンバ１０の近傍にはコントロールパネル１６が配置されている。この図３の装置を使用することにより、金属膜間に酸化膜を形成することなく成膜でき、そのため、各金属膜間の密着性を高め、積層した膜４，５，６は１つの金属膜のような振る舞いをすることとなる。
【００２４】
なお、図３の形状の装置でなくても、真空を破ること無く搬送することが可能であれば、異なるスパッタリング装置または蒸着装置においても実現可能である。
【００２５】
そして、上述の金属膜４，５，６の成膜後、図３のスパッタリング装置からウェハ状シリコン基板１を取り出し、真空チャック等でウェハ状シリコン基板１を固定し、図１（ｃ）に示すように、粘着シート（粘着フィルム）７を金属膜６上に隙間が生じないように貼り付ける。
【００２６】
次に、粘着シート７を、図４に示すように、ウェハ状基板１上から静かに剥ぎ取ると、図１（ｄ）に示すように、金属膜４，５，６の不要部分が半導体デバイスから除去される。つまり、図５に示すように、絶縁膜２上の金属膜４，５，６は粘着シート７に付着し、ウェハ状基板１上から除去されるが、アルミ薄膜３上の金属膜４，５，６はウェハ状基板１に残存する。このようにして、金属膜４，５，６の不要部分が基板１側から（半導体デバイス）から簡単に取り除かれる。
【００２７】
図４では、粘着シート７は、ウェハ状のシリコン基板１と同一形状にカットされているが、これは、ウェハ状基板１の搬送や一時保管を容易にするためである。搬送や一時保管をする必要が無いときは、粘着シート７の形状は、ウェハ状基板１と同一形状である必要は無く、ウェハ状基板１より大きなサイズであって、かつ、円形でも、四角形でも問題は無い。特に、一時保管をする必要が無い場合には、ウェハ状基板１より大きなサイズである方が引き剥がし易く、むしろ好ましい。
【００２８】
引き剥がしの原理は、以下の通りである。
本実施形態の第１の金属膜４であるチタンはアルミニウムだけでなく絶縁膜２とも良好な接合を形成する。このため、通常、絶縁膜２とチタン薄膜４の間を剥がすことは困難である。しかし、図２に示すように、チタン薄膜４の上部にニッケル薄膜５を成膜すると、剛性率および成膜時の熱膨張率の差から、ニッケル薄膜５の内部に大きな膜応力（引張応力）が発生する（詳しくは、チタンは熱膨張率がアルミやシリコンに近く、ニッケルは熱膨張率がチタンに比べ大きく、また、ニッケル成膜時に１５０℃から室温に下がるときにおいて引張応力が残留する）。このとき、チタン薄膜４の膜厚を５００ｎｍ以下とし、上述のようにチタン薄膜４とニッケル薄膜５との間に酸化膜を形成することなく成膜すると、応力の影響はチタン薄膜４と絶縁膜２の界面まで及び、チタン薄膜４と絶縁膜２との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。
【００２９】
このように、下地材料の付着性（密着力）の差と、金属電極薄膜（４，５，６）の内部応力を用いることにより、所望の電極材料を安定して絶縁膜２上のみ剥離することができる。尚、チタン薄膜４は、特開平１０−６４９１２号公報に示されるＣｕのように熱処理によりシリコン酸化物からは剥離しない金属である。即ち、このような金属膜をシリコン酸化物等から剥離する方法として、他の膜の応力を利用するのである。
【００３０】
図６に示したように、電極材料として多用されるチタン薄膜はシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）との密着性が高いため、粘着テープによる剥離試験を行っても剥離は発生しない。しかしながら、その上に１００Ｎ／ｍの全応力を付与すべくニッケル薄膜を積層してＮｉ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 構造とすることにより粘着テープでの剥離が可能となる。その原理は、図７に示した有限要素法の計算結果から明確である（Ｉ．Ｋondo：Ｊ．Ｖac. Ｓci. Ｔechnol. Ａ１２（１），１６９，１９９４）。図７のＡで示す領域が最も応力の高い部分である。つまり、スパッタＮｉ膜には引張応力が存在し、その応力によってチタン薄膜と下地（図７ではシリコン基板）界面に高い引張応力が発生するので、Ｔｉ／Ｓｉ界面での剥離が可能になる。
【００３１】
なお、図７ではチタン薄膜の下地材料はシリコン基板であるが、これは、後記する第２の実施形態に対応するものであり、第２の実施形態ではシリコン基板の上にチタン薄膜／ニッケル薄膜を配置している。
【００３２】
図８に、チタン薄膜を用いた場合における、全応力を変えたときの粘着テープでの剥離率の測定結果を示す。つまり、チタン薄膜４と絶縁膜（ＳｉＯ2 ）２との間の付着力、および、チタン薄膜４とアルミ薄膜３との間の付着力を、それぞれ測定した結果を示す。なお、ここでのアルミ薄膜は、前処理無し、即ち、表面のアルミ酸化膜は除去していない。図８から、シリコン酸化膜上では１００Ｎ／ｍで剥離を生じさせることができることが分かる。これに対し、前処理無しのアルミ薄膜の表面では、３８０Ｎ／ｍでも剥離は発生しないことが分かる。従って、例えば、３００Ｎ／ｍの全応力を用いれば、成膜後において粘着テープを用いた剥離を行えば、前処理無しのアルミ薄膜の表面に選択的にチタン薄膜を残すことができる。
【００３３】
このように、金属膜４と絶縁膜２間の付着力は、金属膜４とアルミ薄膜３間の付着力より小さく、全応力が１００Ｎ／ｍ以上で金属膜４を粘着シート７を用いて引き剥がすと、絶縁膜２上からは剥がれるが、アルミ薄膜３上には残存することとなる。
【００３４】
ここで、膜４と膜５の積層膜の全応力は、主にニッケル膜５の膜厚により制御可能である。全応力値は高い方が絶縁膜２上で剥離する上で有利となる。しかし、１５００Ｎ／ｍ以上の応力となると、ウェハが反り、場合によっては（ウェハ厚が薄い場合など）、ウェハを破損するおそれがあるため、製造上では１００Ｎ／ｍ以上、１５００Ｎ／ｍ以下の範囲内で制御することが好ましい。このように、全応力を１５００Ｎ／ｍ以下に抑えることにより、成膜後のウェハのそりや破損などの不具合を未然に防止することができる。
【００３５】
また、図４を用いて説明した粘着シート７により金属膜４，５，６を剥ぎ取る方法として、図９，１０，１１に示すようにすると、剥ぎ取りをより容易に行うことができる。
【００３６】
つまり、図９のように、素子形成領域（半導体デバイスの形成領域）２０の周囲を金属膜の剥ぎ取り領域２１とする。この場合、剥ぎ取り領域２１が、素子形成領域２０の間およびウェハ状基板１の外周部となり、かつ、連続している。これにより、粘着シート７の剥ぎ取りの際に、ウェハ状基板１の最外周から剥離が始まり、以後、剥離が連続する。このように、剥離が断続することが無いため、バリの発生や剥ぎ取りムラを防止することができる。また、一旦、剥ぎ取りが開始されると、素子形成領域２０における連続していない剥ぎ取り部分も周りからの剥離時の力の作用を受けて、容易に剥離される。
【００３７】
また、図９のようにすることが困難な場合には、図１０のように、スクライブ部分に直線的に延びる剥ぎ取り領域２２を設け、Ｚ方向から剥ぎ取りを行う。すると、剥離の起点を明確にすることができ、剥離を容易に行うことができる。また、スクライブラインに直交する方向（図中のＸあるいはＹ方向）から剥ぎ取りを行うようにすることもできる。
【００３８】
この場合、図１１に示すように、剥ぎ取り領域２２に沿って粘着シート７に切れ目２３を入れる。つまり、粘着シート７を切れ目２３により半円部７ａと半円部７ｂに区画する。そして、切れ目２３から、剥ぎ取りを開始すると、更に剥ぎ取りが容易となる。
【００３９】
図１（ｄ）に示すように、粘着シート７を用いて金属膜４，５，６の不要部分を半導体デバイスから除去した後において、図１２に示すようにする。図１２（ａ）において、Ｎ- 型シリコン基板３０の裏面側にはＮ+ 型領域３１が形成され、Ｎ- 型シリコン基板３０の表層部にはＮ型領域３２とＰ型領域３３が形成されている。さらに、Ｎ- 型シリコン基板３０の上にはゲート酸化膜３４を介してゲート電極３５が形成されている。このようにして、トランジスタセルを構成している。なお、ゲート酸化膜３４とゲート電極３５は絶縁膜２に覆われている。Ｎ- 型シリコン基板３０の上面側にはアルミ薄膜３ａが配置され、アルミ薄膜３ａがＮ型領域３２とＰ型領域３３に接しており、ソース電極となっている。また、Ｎ- 型シリコン基板３０の上面側には、配線としてのアルミ薄膜３ｂが配置されている。さらに、Ｎ- 型シリコン基板３０の裏面側がドレインとなる。このように、図１に示したアルミ薄膜３は機能からアルミ電極３ａとアルミ配線３ｂに分けられる。
【００４０】
また、上記に記述した、拡散領域はＮ型、Ｐ型は逆でも素子としての機能に問題がなければかまわない。また、図には示さないが、Ｎ+ 型領域３１をＰ+ 型領域にすることでＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）を作成することも可能である。
【００４１】
そして、図１２（ｂ）に示すように、基板の裏面にドレイン電極３６を形成するとともに、基板の上面に保護膜３７を形成し、フォトリソグラフィー法により電極部分３８を開口する。さらに、図１２（ｃ）に示すように、アルミ電極３ａ上の金属膜４，５，６に、はんだ３９を形成する。
【００４２】
このように、本実施の形態は下記の特徴を有する。
（イ）膜の形成方法として、図１（ｂ）に示すように、第１の材質（絶縁物）２およびそれとは異なる第２の材質（金属）３が露出された下地の表面上に膜（金属）４を成膜し、図１（ｄ）に示すように、第１の材質２上に位置する該膜４を除去して第２の材質３上に位置する該膜４を選択的に残すようにした膜の形成方法において、図１（ｂ）に示すように、膜４を成膜する際に該膜４の全応力を調整して、膜４と第１の材質２との密着力と、膜４と第２の材質３との密着力の差を制御するようにした。
【００４３】
つまり、膜４と第１の材質２との密着力、および膜４と第２の材質３との密着力が強く、第１の材質２から膜４を、また、第２の材質３から膜４を剥離することができない状態に対し、膜４の全応力（total stress）を制御することにより、第１の材質２と膜４との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、低コストに、所望の膜を配置することができる。
【００４４】
より詳しくは、膜４の成膜後に図１（ｃ）に示すように粘着シート７を貼着し、当該粘着シート７を剥がすことにより、第１の材質２上に位置する膜４は粘着シート７に被着させて下地表面から除去し、第２の材質３上に位置する膜４は粘着シート７の粘着力に抗して下地表面に残存させる。また、膜４の上に積層する膜５により膜４の全応力を調整することが可能である。さらに、膜４として、第１，第２の材質２，３に直接接触し、還元性を有する膜を用いると好ましい。
（ロ）電極の形成方法として、図１（ｂ）に示すように、その表面に金属３と絶縁膜２とが露出されたシリコンウェハ１の表面上に金属膜４を、当該金属膜４の全応力が金属３上、絶縁膜２上においてともに増大するように成膜して、当該全応力の増大により金属膜４と絶縁膜２との密着力を低下させる。このとき、金属３と金属膜４との間の密着力、および絶縁膜２と金属膜４との間の密着力が強く、金属３から金属膜４を、また、絶縁膜２から金属膜４を剥離することができない状態に対し、金属膜４の全応力（total stress）を制御することにより、絶縁膜２と金属膜３との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。この状態で図１（ｃ）に示すように、シリコンウェハ１上に粘着シート７を貼着し、そして図５に示すように、当該粘着シート７を剥がすことにより絶縁膜２上に位置する金属膜４を粘着シート７に被着させてシリコンウェハ１上から剥離し、金属３上に位置する金属膜４をシリコンウェハ１上に残存させる。その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コストに、電極部の上に金属膜を配置することができる。
（ハ）電極の形成方法として、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の上において電極部３と絶縁膜２が露出した状態から、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１の上に金属膜４を成膜し、さらに、金属膜４の上に、当該金属膜４と下地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜５を形成して、図１（ｃ），（ｄ）に示すように、電極部３の上の金属膜４を残し絶縁膜２の上の金属膜４を剥離するようにした。よって、金属膜４を成膜した後においては、電極部３と金属膜４との間の密着力、および絶縁膜２と金属膜４との間の密着力が強く、電極部３から金属膜４を、また、絶縁膜２から金属膜４を剥離することができない状態となっているが、応力調整膜５により、絶縁膜２と金属膜４との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。詳しくは、金属膜４には引張応力（あるいは圧縮応力）が存在し、その応力にて金属膜４と下地の界面に高い応力が発生して界面での剥離が可能になる。その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定して剥離することができるようになる。
【００４５】
このようにして、剥離が容易で、かつ、低コストに、電極部３の上に金属膜４，５，６が配置された構造の半導体装置、即ち、図１２の縦型パワートランジスタを製造することができる。
（ニ）応力調整膜（金属膜）５をニッケル薄膜としたので、実用上好ましい。
（ホ）金属膜４と金属膜５の積層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上となるようにしたので、実用上好ましい。
（ヘ）電極部３はアルミ薄膜（広くは、アルミニウムを主成分とする薄膜）であるので、実用上好ましい。
（ト）図１２（ａ）に示すように、絶縁膜２の上の金属膜４を剥離した後において、図１２（ｂ）に示すように、シリコン基板１の上に保護膜３７を堆積するとともに、当該保護膜３７での電極部３ａを露出させ、図１２（ｃ）に示すように、露出させた電極部３ａ上に、はんだ付けを行うものとしたので、実用上好ましい。
（チ）この場合において、図１２（ａ）に示すように、応力調整膜５の上に、はんだ濡れ性の良好な金属膜６を形成したので、実用上好ましい。
（リ）図１（ｃ），（ｄ）に示すように、絶縁膜２の上の金属膜４を剥離する工程は、粘着シート７を用いて行うので、実用上好ましい。
【００４６】
なお、電極部３ａの代わりに配線部に適用してもよい。つまり、図１２では、トランジスタセル上において、はんだ３９を配置したが、これ以外の場所でもよい。図１３は、トランジスタセル以外のアルミ配線３ｂの上にはんだ４０を配置した例である。これを利用した場合、パワー素子以外でも、例えばフリップチップ実装を行う素子のバンプ用ＵＢＭとして利用可能である。
【００４７】
また、絶縁膜２の上の金属膜４を剥離した後において、応力調整膜５を除去するようにしてもよい。
また、金属膜４に例えば白金を用いた場合、金属膜５および金属膜６は不要となる場合がある。これは、白金はそれ自身高い真応力（intrinsic stress）を持ち、かつ、金属膜よりも絶縁膜との密着性が低い。図１４に示したデータは、白金単体の膜厚に対する白金とアルミの剥離率、および白金とＳｉ酸化膜の剥離率の関係である。図１４から、Ｐｔ膜厚が約２２０ｎｍ以上であればＳｉ酸化膜上で剥離を生じさせることができることが分かる（酸化シリコン／アルミ／白金系においてＰｔ膜厚を２２０ｎｍ以上とすることにより、酸化シリコン上のみに剥離を発生させることができる）。即ち、金属膜５が無くても、絶縁膜上を選択的に剥離可能である。特に、白金は、はんだ付け可能な金属であるため、金属膜５，６は不要である。このように、電極部（または配線部）と絶縁膜が露出した状態から、基板の上に、金属膜を成膜する際に、この金属膜の全応力（total stress）を制御し、その後、電極部（または配線部）の上の金属膜を残し絶縁膜の上の金属膜を剥離するようにしても、金属膜の全応力の制御にて、やはり、絶縁膜と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下でき、剥離が容易で、かつ、低コストに、電極部（または配線部）の上に金属膜を配置することができる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４８】
図１５には、本実施形態におけるダイオードの製造工程を示す。
第１の実施形態では電極部（または配線部）を構成する金属膜３はアルミ薄膜であり、その上に金属膜４を形成する例を示したが、本実施形態においては半導体基板であるシリコン基板５０での不純物拡散領域５１の上に金属膜４を配置している。つまり、第１の材質２は絶縁物であり、第２の材質５１はシリコンであり、膜４は金属であり、絶縁物２は、シリコン基板５０上に形成されてその開口部５２内にシリコン５１を露出させ、下地を構成している。
【００４９】
図１５（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基板５０に一般的な半導体デバイス製造技術を用いてＮ型不純物拡散領域５１を形成する。これにより、ＰＮ接合を有するダイオードが構成される。そして、第１の実施形態に示したものと同様の絶縁膜２を形成し、フォトリソグラフィー法により開口部５２を形成する。さらに、フッ酸等により開口部５２に形成される自然酸化膜を除去する。
【００５０】
その後、図１５（ｂ）に示すように、アルミ薄膜を成膜しないで、金属膜４，５，６を順に成膜する（図２参照）。また、シリコン基板５０の裏面に電極５３を形成する。
【００５１】
続いて、図１５（ｃ）に示すように、粘着シート７を貼り付ける。そして、図４，５に示した方法と同様な方法で粘着シート７をウェハ状基板５０より引き剥がす。すると、図１５（ｄ）に示すように、絶縁膜２の開口部５２のみに金属膜４，５，６を残すことができる。そして、図１５（ｅ）に示すように、金属膜４，５，６の部分の全面にはんだ付けを行い、はんだ５４を実装する。
【００５２】
さらに、図８を用いて説明を加える。図８には、チタン薄膜と絶縁膜（ＳｉＯ2 ）との間の付着力、および、チタン薄膜とシリコン基板との間の付着力を、それぞれ測定した結果も示すが、シリコン酸化膜上では１００Ｎ／ｍで剥離を生じさせることができ、これに対し、シリコン基板の表面では、３８０Ｎ／ｍでも剥離は発生しないことが分かる。従って、チタン薄膜と絶縁膜間の付着力は、チタン薄膜とシリコン基板間の付着力より小さく、全応力が１００Ｎ／ｍ以上でチタン薄膜を粘着シート７を用いて引き剥がすと、絶縁膜上からは剥がれるが、シリコン基板上には残存することとなる。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を、第２の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５３】
図１６には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。図１６は、図１５（ｄ）に示す部位ではなく、その周辺でのシリコン基板１に複数の素子を形成した回路（ＬＳＩ等）の部分を示す。
【００５４】
本実施形態では、第１の材質２は酸化シリコンであり、第２の材質６０は窒化シリコンであり、膜４は金属である。
まず、図１６（ａ）に示すように、シリコン基板１上に絶縁膜であるシリコン酸化膜２を熱酸化またはＣＶＤ法等より形成する。図には示していないが、トランジスタ等の素子形成の後、絶縁膜であるシリコン窒化膜６０を形成し、シリコン窒化膜６０における不要部分を除去し、その上に金属膜４，５，６を順に成膜する。この金属膜４，５，６は図２に示すと同様な多層構造である。この時、下層のチタン薄膜４がシリコン窒化膜６０と密着性が良いことから、ニッケル薄膜５の膜厚を第１，第２の実施形態に比較して薄くすることができる。そして、図４，５に示す方法により金属膜４，５，６を剥がすと、チタン薄膜４とシリコン酸化膜２とは密着が良くないため、図１６（ｂ）に示すように、金属膜４，５，６はシリコン窒化膜６０上のみに残存する。当然、ＬＳＩ上にはシリコンと導通を得る部分も存在するためその部分の構造は図１５（ｄ）と同等の構造となる。
【００５５】
なお、図１６を用いて説明した技術を応用して図１７に示すように、絶縁基板（ガラス基板等）７０を用いることもできる。絶縁基板７０の上にシリコン薄膜等の半導体薄膜７１が形成され、この半導体薄膜７１に素子（薄膜トランジスタなど）が配置され、さらに、半導体薄膜７１の上の所定領域にシリコン窒化膜６０が配置され、その上にのみ金属膜４，５，６を残存させている。このように、半導体基板上以外でも使用が可能である。
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５６】
図１８（ａ）に示すように、金属膜４，５，６の内部応力が極めて高い場合においては、図１８（ｂ）に示すように、金属膜４と絶縁膜２の付着性が極めて低くなるため、絶縁膜２上の金属膜４，５，６は自然剥離し、ウェハ状基板１から浮き上がる。そこで、ピンセット等により、その浮き上がった部分をつまみ、引き剥がす。このように、粘着シートを使用しなくても、金属膜３の上にのみ金属膜４，５，６を配置することができる。特に、金属膜４，５，６の下に、ＡｕやＰｔなど極めて酸化しにくい金属膜を配置する場合には、その効果は顕著となる。
【００５７】
このように、金属膜４，５，６の内部応力が極めて高い場合、粘着シートを用いなくても、自発的な剥離を利用して金属膜４，５，６を配置することができる。しかし、この場合でも、粘着シートを用いた方が、より容易で、確実に電極や配線をパターニングできる。
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態を、第４の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５８】
図１９には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。
本実施形態においては、第４の実施形態で自然剥離により剥離した金属膜８０を他の基板８２上に配置している。つまり、本実施形態では、自然剥離した金属膜８０を、粘着シート８１を用いて第２の基板８２に配置する工程を含んでいる。即ち、粘着シート８１に被着された膜８０を基板８２上に移設する工程を含んでいる。
【００５９】
図１９（ａ）に示すように、自然剥離した金属膜８０を、粘着力の弱い粘着シート８１に貼り付ける。また、ウェハ状の第２の基板８２に対し、先の粘着力の弱い粘着シート８１よりも粘着力の強い粘着剤８３を塗布する。このとき、導電性の材料であると望ましい。さらに、図１９（ｂ）に示すように、粘着剤８３の上部に先の粘着シート８１に張り付いた金属膜８０を貼り付ける。次に、図１９（ｃ）に示すように、粘着シート８１を剥がす。すると、金属膜８０が基板８２側に配置される。
【００６０】
このようにして、剥離した金属膜８０を他素子の電極や配線として利用することができる。このとき、膜８０が基板８２上に粘着剤８３を用いて固定される。
あるいは、図２０（ａ）に示すように、自然剥離した金属膜９０を粘着シート９１に貼り付ける。そして、図２０（ｂ）に示すように、ウェハ状の第２の基板９２に、粘着シート９１に張り付いた金属膜９０を貼り付ける。さらに、図２０（ｃ）に示すように、熱処理して、化合物層（シリサイド）９３を形成する。そして、図２０（ｄ）に示すように、粘着シート９１を剥がすと、金属膜９０を第２の基板９２に配置できる。このように、膜９０と基板９２との間の界面に両者の化合物９３を形成して、膜９０を基板９２上に固定することができる。
（第６の実施の形態）
次に、第６の実施の形態を、第５の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００６１】
図２１には、本実施形態における半導体装置の製造工程を示す。
本実施形態においては、第４の実施形態で自然剥離した金属膜のパターン１００を、粘着シート１０１を用いて第２の基板１０２に転写している。
【００６２】
詳しくは、図２１（ａ）に示すように、自然剥離した金属膜のパターン１００を粘着シート（透明）１０１に貼り付ける。一方、ウェハ状の第２の基板１０２に、金属膜１０３を形成するとともに、その上にフォトレジストなどの感光樹脂材料１０４を塗布する。そして、図２１（ｂ）に示すように、基板１０２の上に先の粘着シート１０１を貼り付ける。さらに、光を照射（露光）する。次に、図２１（ｃ）に示すように、粘着シート１０１を剥がすとともに、感光部分のレジスト１０４を剥離する。そして、図２１（ｄ）に示すように、残ったレジスト１０４をマスクとして所定領域の金属膜１０３をエッチング除去する。さらに、図２１（ｅ）に示すように、レジスト１０４を除去する。
【００６３】
このようにして、剥離パターンをマスクとして使用することができる。即ち、粘着シート１０１に被着された膜１００によるパターン形状を用いて、基板１０２上に配置された感光性樹脂１０４を露光し、該感光性樹脂１０４にパターン形状を転写する。
【００６４】
あるいは、図２１（ａ）に示すように、自然剥離した金属膜のパターン１００を粘着シート１０１に貼り付けるとともに、ウェハ状基板１０２に金属膜１０３と粘着材料１０４を塗布し、図２１（ｂ）に示すように、その上部に先の粘着シート１０１を貼り付ける。そして、図２１（ｅ）に示すように、粘着シート１０１ごとエッチングして金属膜のパターン１００を転写する。
【００６５】
なお、これまでの説明においては半導体基板（ウェハ）上に電極や配線のパターンを形成する場合について述べてきたが、配線用基板上に電極や配線のパターンを形成する場合に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図２】  要部の拡大図。
【図３】  成膜装置を説明するための斜視図。
【図４】  粘着シートの剥がし工程を説明するための斜視図。
【図５】  粘着シートの剥がし工程を説明するための断面図。
【図６】  テープ試験での剥離測定結果を示す図。
【図７】  有限要素法による応力測定結果を示す図。
【図８】  テープ試験での剥離測定結果を示す図。
【図９】  別例の剥き取り領域を示す図。
【図１０】  別例の剥き取り領域を示す図。
【図１１】  別例の粘着シートを説明するための図。
【図１２】  第１の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図１３】  第１の実施の形態における半導体装置を示す図。
【図１４】  テープ試験での剥離測定結果を示す図。
【図１５】  第２の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図１６】  第３の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図１７】  半導体装置を示す図。
【図１８】  第４の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図１９】  第５の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【図２０】  半導体装置の製造工程を示す図。
【図２１】  第６の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図。
【符号の説明】
１…シリコン基板、２…絶縁膜、３…アルミ薄膜、４…金属膜、５…応力調整膜、６…金属膜、７…粘着シート、３７…保護膜、３９…はんだ、５０…Ｐ型シリコン基板、５１…Ｎ型不純物拡散領域、８０…金属膜、８１…粘着シート、８２…第２の基板、９０…金属膜、９１…粘着シート、９２…第２の基板、１００…金属膜のパターン、１０１…粘着シート、１０２…第２の基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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