(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）Ｔｉ含有有機金属化合物である光触媒化合物を基板にコートし、２００℃以下の温度による熱処理によって無定形のＴｉＯ２を形成して光触媒フィルムを形成する段階と、
（ｉｉ）前記光触媒フィルム上に水溶性高分子化合物をコートして水溶性高分子層を形成する段階と、
（ｉｉｉ−１）前記光触媒フィルム及び水溶性高分子層を選択的に露光して金属結晶成長用核の潜在的パターンを得る段階と、
（ｉｉｉ−２）前記（ｉｉｉ−１）段階で得られた金属結晶成長用核の潜在的パターンを金属塩溶液で処理し、前記パターン上に前記塩溶液内の金属粒子を沈積させたパターンを得る段階と、
（ｉｖ）前記金属結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理して金属結晶を成長させることにより金属パターンを得る段階とを含む金属パターン形成方法。
【請求項２】
前記光触媒化合物が、露光時に電子励起が起こって活性を有する化合物であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記Ｔｉ含有有機金属化合物が、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラキス（２−エチル−ヘキシル）チタネートまたはポリブチルチタネートであることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記水溶性高分子化合物が、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ゼラチン及びこれらの共重合体よりなる群から選択された１種以上の物質であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記（ｉｉ）段階の水溶性高分子層に光増減剤が混合されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記光増減剤が、色素、有機酸、有機酸塩及び有機アミンよりなる群から選択された水溶性の化合物であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記光増減剤が、タール（ｔａｒ）色素、クロロフィリンのカリウム及びナトリウム塩、リボフラビンまたはその誘導体、水溶性アンナット、ＣｕＳＯ４、カラメル、クルクミン、コチナル、クエン酸、クエン酸アンモニウム、クエン酸ナトリウム、シュウ酸、酒石酸カリウム、酒石酸ナトリウム、アスコルビン酸、蟻酸、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、リンゴ酸よりなる群から選択された一つであることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記金属塩溶液がパラジウム塩溶液、銀塩溶液または両者の混合塩溶液であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記（ｉｖ）段階で、前記（ｉｉｉ）段階から得られた金属結晶成長用核の潜在的パターンをＮｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｒまたはこれらの合金からなる金属で無電解メッキ処理して第１層の金属パターンを形成し、さらに前記第１層の金属パターンをＣｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの合金で電解または無電解メッキ処理して第２層の金属パターンを得ることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低抵抗金属パターンの形成方法に係り、より詳しくは、光により反応性が変化する化合物、いわゆる光触媒化合物からなる光触媒フィルム及び水溶性高分子層を基板に形成し、選択的に露光し、光反応によって結晶成長用核（ｎｕｃｌｅｉ）の潜在的パターンを形成した後、これを所望の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させる金属パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、無機及び有機ＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板型表示素子において、表示面積の大画面化と高画質化が要求されるにつれて、金属配線の長さが著しく増加し、開口率の増加のためデザインルール（ｄｅｓｉｇｎ  ｒｕｌｅ）が減少しており、これにより配線抵抗とキャパシタンス（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）値が急激に上昇し、信号の遅延と歪みが現われるという問題点が発生している。このような状況下で、低い比抵抗の金属配線に対する工程の開発が、高画質、大面積の平板型表示素子の開発に絶対的に必要な要素技術として認識されている。大型ＬＣＤの場合、低い比抵抗を有するＡｌを配線材料として使用することについて検討が活発に行われてきた。現在、純粋なＡｌのみを使用するときに発生する「ヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）」などの物質移動による配線不均一性を防ぐため、Ａｌ合金の一種であるＡｌＮｄが用いられている。ところが、合金元素の添加による比抵抗の増加、及びα−ＳｉまたはＩＴＯとの高い反応性による接触抵抗の増加のため、Ａｌ合金をソース／ドレインの材料として用いる場合にはＣｒ／ＡｌＮｄ／Ｃｒのような多層構造が要求される。ところが、現在、多層金属パターン製造の場合、複雑な工程が要求されるため生産性に限界がある。
【０００３】
一方、表１は周期律表上における平板型表示素子の金属配線に使用可能な金属をまとめたものである。
【０００４】
【表１】
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【０００５】
現在では、Ａｌ合金が多く用いられているが、これより低い比抵抗を有し且つ非晶質シリコン層上で良好なコンタクト（Ｃｏｎｔａｃｔ）特性を有する材料の銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）材料が大きい関心を集めている。ところが、ゲート電極として銅または銀を使用する場合、下部基板との接着力が良くないため、後続の工程中に金属配線が剥がれ易く、ソース及びドレイン電極として用いた場合、２００℃以上で銅原子が非晶質シリコン層に拡散し、或いは電気駆動によるエレクトロマイグレーション（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）現象が発生して配線及び素子の特性が低下するという問題点がある。したがって、銅または銀を低抵抗配線材料として用いるためには、基板への接着力が良くて接触抵抗が小さい別途の金属を下部或いは上下部に形成して使用する必要性があるため、多重金属パターンの形成が求められている。
【０００６】
このため、大型化に対する要求と低価格化に対する要求を全て達成するために、既存の配線材料を新規材料に変えることと、多層金属配線をより簡単な工程で製造することが可能な技術の開発が必要である。
【０００７】
金属パターンを形成するために用いられる方法としては、フォトレジストを用いた方法がある。この方法は、パターン形成のために金属スパッタリング、露光・現像によるフォトレジストのパターン形成及びエッチングなどの複雑な工程を伴うので、多層金属パターンを得るには不適であり、多面積生産のためのガラス基板サイズの大型化に伴う真空薄膜装備開発の技術的困難さと製造コストの急騰などの問題点も抱えている。
【０００８】
一方、エッチング工程なしで直接金属パターンを形成する方法として、特許文献１では、光に敏感な有機化合物を金属に配位結合させて合成された有機金属化合物を基板上にコートした後、感光性樹脂塗布工程を経ることなく、直ちに光を照射してパターンを得る方法が開示されている。特許文献１の方法では、有機金属化合物を基板上に塗布した後、パターンの形成されたマスクに光を通過させると、光が有機金属化合物と直接反応し、金属に配位された有機配位子が分解して脱離し、残っている金属は周囲の金属原子又は大気中の酸素と反応して金属酸化膜パターンを形成する。ところが、前記方法は、リガンドの大部分を光反応によって脱離させて金属または金属酸化膜を作るため、リガンド汚染（ｌｉｇａｎｄ  ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）が残り、形成された酸化膜の電気伝導度を向上させるために水素／窒素の混合ガスを流しながら２００℃以上の高温で３０分〜数時間還元反応及び表面熱処理過程を経なければならないという問題点がある。
【０００９】
その他、特許文献２などにインクジェット方式による金属配線形成方法が開示されているが、高解像度及び高伝導度の配線形成が難しいという問題点がある。また、特許文献３などには、マイクロコンタクトプリント及び無電解メッキ方式による金属配線形成の例が開示されているが、大面積の平板型表示素子に均一な金属配線を形成し難いという問題点がある。
【００１０】
したがって、当該技術分野には、高伝導性金属を含んだ多層金属パターンを簡単な過程によって形成することが可能な方法に対する必要性が台頭してきた。
【特許文献１】米国特許第５，５３４，３１２号明細書
【特許文献２】特開平２００２−１６９４８６号公報
【特許文献３】米国特許第６，５２１，２８５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明者は、かかる問題点を解決するために鋭意研究した結果、光により反応性が変わる化合物、いわゆる光触媒化合物からなる光触媒フィルム及び水溶性高分子層を基板に形成し、選択的に露光し、光反応によって金属結晶成長用核の潜在的パターンを形成した後、これを所望の金属でメッキ処理して金属結晶を成長させる場合、高伝導性金属を含んだ単層または多層の金属パターンを非常に簡単な方法によって製造することができ、製造された金属パターンが金属配線として優れた特性を有することを確認して本発明に至った。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、高真空・高温などを要する金属薄膜工程または微細形状露光工程と後続のエッチング工程などによらず、簡単な工程によって速くて効率的に単層または多層の金属パターンを形成する方法及びこれを用いて製造した平板型表示素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を達成するために、本発明のある観点によれば、（ｉ）２００℃以下の温度による熱処理によって無定形のＴｉＯ２を形成するＴｉ含有有機金属化合物である光触媒化合物を、基板にコートして光触媒フィルムを形成する段階と、（ｉｉ）前記光触媒フィルム上に水溶性高分子化合物をコートして水溶性高分子層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記光触媒フィルム及び水溶性高分子層を選択的に露光して金属結晶成長用核の潜在的パターンを得る段階と、（ｉｖ）前記金属結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理して金属結晶を成長させることにより金属パターンを得る段階とを含む、金属パターンの形成方法を提供する。
【００１４】
また、本発明の他の観点によれば、前記方法によって製造された金属パターンを提供する。
【００１５】
また、本発明の別の観点によれば、前記金属パターンを金属配線として含む平板型表示素子を提供する。
【００１６】
さらに、本発明の別の観点によれば、前記金属パターンを電磁波遮蔽フィルタとして含む平板型表示素子を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る方法によれば、既存の物理的蒸着法ではなく簡単なコーティング法を用いて光触媒化合物薄膜を形成させた後、露光及び簡単なメッキ処理によって単層または多層の金属パターンを容易に形成することができる。
【００１８】
本発明によって製造された低抵抗金属パターンを平板型表示素子に有利に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を段階別に分けてより詳しく説明する。
【００２０】
第（ｉ）段階
まず、光触媒化合物を基板にコートして透明な無定形光触媒フィルム層を形成する。
【００２１】
本発明で用いられる「光触媒化合物」は、光によりその特性が著しく変化する化合物であって、特に、露光前には不活性（ｉｎａｃｔｉｖｅ）であるが紫外線などの光を受けた場合、活性化（ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）されて反応性が強くなる化合物を意味する。前記光触媒化合物は、紫外線露光時に露光部位に電子励起が起こり、還元性などの活性を呈して露光部分で金属イオンの還元が起こるので、ネガティブパターンを提供することができる。
【００２２】
このような光触媒化合物として、具体的には熱処理時に透明な無定形ＴｉＯ２を形成することが可能なＴｉを含んだ有機金属化合物を例として挙げることができる。より具体的には、テトライソプロピルチタネート（ｔｅｔｒａｉｓｏｐｒｏｐｙｌｔｉｔａｎａｔｅ）、テトラ−ｎ−ブチルチタネート（ｔｅｔｒａ−ｎ−ｂｕｔｙｌ  ｔｉｔａｎａｔｅ）、テトラキス（２−エチル−ヘキシル）チタネート［ｔｅｔｒａｋｉｓ（２−ｅｔｈｙｌ−ｈｅｘｙｌ）ｔｉｔａｎａｔｅ］、ポリブチルチタネート（ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｔｉｔａｎａｔｅ）などが例示される。
【００２３】
前記光触媒化合物は、イソプロピルアルコールなどの適切な溶媒に溶かしてスピンコーティング、スプレーコーティング、スクリーンプリンティングなどの方法によって基板にコートできる。
【００２４】
本発明で使用可能な基板には特別な制限はないが、好ましくは透明なプラスチック基板又はガラス材料が用いられる。透明なプラスチック基板としては、アクリル樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエーテルスルホン、オレフィン・マレイミド共重合体、ノルボルネン系樹脂などが用いられる。耐熱性が要求される場合には、オレフィン・マレイミド共重合体、ノルボルネン系樹脂がよく、そうでない場合には、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂などを用いることが好ましい。
【００２５】
上述したコーティング方法によって厚さ３０〜１０００ｎｍの層を形成し、コーティング後に２００℃以下の温度で２０分以下の条件でホットプレートまたは対流式オーブン（ｃｏｎｖｅｃｔｉｏｎ  ｏｖｅｎ）で加熱して光触媒フィルム層を形成する。２００℃超過の温度で加熱すると、結晶性のＴｉＯ２層が発生して光学的特性が悪化する。
【００２６】
第（ｉｉ）段階
上述したように形成された光触媒フィルム層上に水溶性高分子化合物をコートして水溶性高分子層を形成する。この際、使用される水溶性高分子の例としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ゼラチンなどの単一重合体或いは共重合体などが挙げられる。
【００２７】
水溶性高分子は、水に１〜３０質量％の濃度で溶かしてコートした後、加熱して水溶性高分子層を形成する。
【００２８】
このようにして形成された水溶性高分子層は、後続の紫外線露光時に光還元（ｐｈｏｔｏｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）を促進して光触媒活性を向上させる役割をする。
【００２９】
好ましくは、水溶性高分子層に光増減剤化合物を添加して光感度をより増加させることができる。光増減剤化合物としては色素、有機酸、有機酸塩、有機アミンの中の水溶性化合物が使用できる。より具体的には、タール（ｔａｒ）色素、クロロフィリン（ｃｈｌｏｒｏｐｈｙｌｌｉｎｅ）のカリウムまたはナトリウム塩、リボフラビン（ｒｉｂｏｆｌａｖｉｎ）またはその誘導体、水溶性アンナット（ａｎｎａｔｔｏ）、ＣｕＳＯ４、カラメル（ｃａｒａｍｅｌ）、クルクミン（ｃｕｒｃｕｍｉｎ）、コチニール（ｃｏｃｈｉｎｅａｌ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ  ａｃｉｄ）、クエン酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｃｉｔｒａｔｅ）、クエン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｃｉｔｒａｔｅ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ  ａｃｉｄ）、酒石酸カリウム（Ｋ−ｔａｒｔｒａｔｅ）、酒石酸ナトリウム（Ｎａ−ｔａｒｔｒａｔｅ）、アスコルビン酸（ａｓｃｏｒｂｉｃ  ａｃｉｄ）、蟻酸（ｆｏｒｍｉｃ  ａｃｉｄ）、トリエタノールアミン（ｔｒｉｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ）、モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ）、リンゴ酸（ｍａｌｉｃ  ａｃｉｄ）などが例示される。
【００３０】
前記光増減剤の添加量は、水溶性高分子１００質量部に対し、０．０１〜５０質量部の範囲が好ましい。
【００３１】
水溶性高分子層は、前記コーティング方法によってコートした後、１００℃以下の温度で５分以下加熱して水分を乾燥させて形成される。この際、膜厚は０．１〜１μｍの範囲に調節される。
【００３２】
第（ｉｉｉ）段階
本段階では、前記で形成された光触媒フィルム及び水溶性高分子層の複合構造を選択的に露光して金属結晶成長用核の潜在的パターンを得る。露光雰囲気または露光量などには別段の制限がなく、使用する光触媒化合物の種類によって適宜選択することができる。本段階で得られた活性化光触媒パターンは、後続のメッキ処理において金属結晶成長の核として作用する。
【００３３】
必要に応じて、後続の（ｉｖ）段階でより効果的に金属パターンを形成するようにするため、前記潜在的パターンを金属塩溶液で処理し、前記金属塩内の金属粒子が沈積（ｄｅｐｏｓｉｔ）したパターンを得ることができる。金属塩の処理に用いられる金属塩溶液としては、Ａｇ塩溶液またはＰｄ塩溶液またはこれらの混合溶液を挙げることができる。
【００３４】
第（ｉｖ）段階：
第（ｉｉｉ）段階で得られた金属結晶成長用核の潜在的パターンをメッキ処理し、或いは必要に応じて前記パターンに金属粒子を沈積させたパターンをメッキ処理すると、パターン化された結晶成長用核上に金属結晶が成長して金属パターンが得られる。メッキ処理は無電解メッキ方式または電解メッキ方式による。この際、金属結晶成長用核の潜在的パターンを金属塩溶液で処理して金属粒子を沈積させたパターンの場合、無電解メッキ溶液の触媒としてより高い活性度を持って金属結晶成長が促進されるので、より緻密な組織の金属パターンを得ることができてさらに有利である。
【００３５】
このような金属パターンの形成時に連続的なメッキ処理によって２層以上の金属結晶を結晶成長用核の潜在的パターン上に成長させて多層金属パターンを得ることも可能である。例えば、金属結晶成長用核の潜在的パターン上に所望の金属でメッキ処理して第１金属層を形成し、これをさらに所望の他の金属でメッキ処理すると、第１金属層が形成した部分にのみ第２金属層が形成され、多層金属パターンを容易に得ることができる。
【００３６】
この場合、金属の種類及びメッキの順序は必要に応じて選択することができ、それぞれの金属層は同一または異なる金属で形成することができる。また、それぞれの金属層の厚さは必要に応じて調節することができる。
【００３７】
低抵抗金属パターンを形成するためには、基板との接着特性及び基板または絶縁膜との接触特性を考慮し、第１金属層としてＮｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｒまたはこれらの金属の合金を０．１〜１μｍの厚さに形成することが好ましく、第２金属層として高い電気伝導度を有するＣｕ、Ａｇ、Ａｕまたはこれらの合金を０．３〜２０μｍの厚さに形成することが好ましい。第１金属層としてはコスト及び容易性の面からニッケルを使用することがより好ましく、第２金属層としてはＡｇまたはＣｕを使用することがより好ましい。
【００３８】
高伝導性の第２金属層がＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）または半導体成分と接触しなければならない場合、これらのコンタクト抵抗を改善するためにＮｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｃｒまたはこれらの金属の合金でメッキ処理して第３金属層を形成することができる。ひいては、高伝導性の第２金属層がＣｕの場合には、表面酸化膜の形成による物性の低下を防止するために、第３金属層としてＡｇ、Ａｕなどの貴金属層を形成することができる。
【００３９】
一方、コンタクト抵抗の改善のためには、好ましくは第１金属層と同一の金属をメッキ処理して第３金属層を形成する。
【００４０】
このような多層金属層を形成するメッキ方法は、特に制限されず、必要に応じて適切に組み合わせて使用することができる。例えば、第１金属層を絶縁膜上に形成する場合には無電解メッキ方式で形成し、Ｃｕ又はＡｇなどを使用する第２金属層の場合には電解または無電解メッキ方式で形成することができる。
【００４１】
前記無電解メッキまたは電解メッキは、公知の方法によるもので、通常のメッキ用組成物を使用することもできる。無電解メッキの場合、例えば１）特定の金属塩、２）還元剤、３）錯化剤、４）ｐＨ調節剤、５）ｐＨ緩衝剤及び６）改良剤を含むメッキ溶液を用い、前記金属結晶成長用核の潜在的パターンを有する基板を浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）して形成する。前記１）金属塩は、基板に金属イオンを供給する役割をし、好ましくは特定金属の塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩の化合物を使用する。前記２）還元剤は、基板上の金属イオンを還元する役割をし、前記還元剤の具体例にはＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、ＮａＨ２ＰＯ２、ヒドラジン、ホルマリンまたはブドウ糖などの多糖類化合物が挙げられる。ニッケルメッキ液の場合、好ましくはＮａＨ２ＰＯ２を使用し、ＣｕまたはＡｇメッキ液の場合、ホルマリンまたは多糖類化合物を使用する。前記３）錯化剤は、アルカリ性溶液における水酸化物の沈殿を防止し、遊離金属イオン濃度を調節することにより、金属塩の分解を防止し且つメッキ速度を調節する役割を果たす。前記錯化剤の具体例にはアンモニア溶液、酢酸、グアニル酸、酒石酸塩、ＥＤＴＡなどのキレート剤または有機アミン化合物が挙げられる。好ましくは、ＥＤＴＡなどのキレート剤である。前記４）ｐＨ調節剤はメッキ液のｐＨを調節する役割を行い、酸或いは塩基化合物である。５）ｐＨ緩衝剤はメッキ液のｐＨ変動を抑制するもので、その例としては各種の有機酸、弱酸性の無機化合物が挙げられる。６）改良剤化合物は、コーティング特性及び平坦化特性を改善させることが可能な化合物であって、その具体例としては一般な界面活性剤、結晶成長に妨害される成分を吸着することが可能な吸着性物質が含まれる。
【００４２】
電解メッキ法による場合、例えば１）金属塩、２）錯化剤、３）ｐＨ調節剤、４）ｐＨ緩衝剤及び５）改良剤を含むメッキ用組成物を使用することができる。メッキ溶液組成物に含有される前記成分の役割、具体例は前述した通りである。
【００４３】
このような方法によって形成された低抵抗金属パターンは、ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＥＬＤなどの平板型表示素子において金属配線として有用である。また、平板型表示素子において電磁波遮蔽フィルタとしても有用である。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。しかし、実施例は本発明を説明するためのもので、本発明を制限するものではない。
【００４５】
（金属結晶成長用核の潜在的パターン形成）
ポリブチルチタネートのイソプロパノール溶液（２．５質量％）をスピンコーティングによって透明のポリエステルフィルムに塗布し、これを１５０℃で５分間乾燥させてフィルムの厚さを１００ｎｍ程度に調節した。Ｐｏｌｙｓｃｉｅｎｃｅ社の分子量２５，０００のポリビニルアルコール高分子の水溶液（５質量％）に高分子の質量に対して１質量部のトリエタノールアミンを光増減剤として添加して攪拌した後、前記ポリブチルチタネート塗膜上にコートし、６０℃で２分間乾燥させた。このように準備された光触媒フィルムを、微細パターンの形成されているフォトマスクを介して広い波長範囲（ｂｒｏａｄ  ｒａｎｇｅ）の紫外線で照射した（米国オリエル社のＵＶ露光装備を使用）。露光後、ＰｄＣｌ２  ０．６ｇ及びＨＣｌ  １ｍＬを水１Ｌに溶かして製造した溶液に浸漬して露光部位の表面にＰｄ金属粒子を沈積させ、Ｐｄが沈積した金属結晶成長核のネガティブパターンを形成した。
【００４６】
（実施例１：無電解ニッケル及び無電解銅メッキ処理によるネガティブ方式の銅配線形成）
前記で準備した基板を、表２の（イ）に示される組成を有する無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、パターン化された金属配線の結晶を成長させた。得られたニッケル配線パターンを、表２の（ロ）に示される組成を有する無電解銅メッキ液に浸漬し、ネガティブ方式の２層ニッケル−銅配線パターンを得た。得られたパターンの基本物性を表３に示す。この際、厚さの測定はＤｅｋｔａｋ社のアルファステップ、比抵抗は４−ポイントプローブ（ｐｏｉｎｔ  ｐｒｏｂｅ）、解像度は光学顕微鏡でそれぞれ測定し、接着力はスコッチテープ（ｓｃｏｔｃｈ  ｔａｐｅ）剥離実験によって評価した。図１は得られた金属パターンの光学顕微鏡写真を示す。
【００４７】
（実施例２：無電解ニッケル及び電解銅メッキ処理によるネガティブ方式の銅配線形成）
前記でメッシュ（Ｍｅｓｈ）型のパターンが形成されたフォトマスクを用い、準備した基板を表２の（イ）組成の無電解ニッケルメッキ液に浸漬して選択的に金属配線の結晶を成長させ、得られたニッケル配線パターンを表２の（ハ）組成の電解銅メッキ液に浸漬し、０．１５Ａの電流を印加してネガティブ方式のニッケル−銅２層配線パターンを形成した。得られた金属パターンの基本物性は表３に示す。図２は得られた金属パターンの電子顕微鏡写真を示す。
【００４８】
（実施例３：無電解ニッケル及び無電解銀メッキ処理によるネガティブ方式の銀配線形成）
前記で準備した基板を、表２の（イ）に示される組成を有する無電解ニッケルメッキ液に浸漬し、パターン化された金属配線の結晶を成長させた。得られたニッケル配線パターンを日本高純度化学社の無電解銀メッキ液Ｓ−７００に浸漬し、ネガティブ方式のニッケル−銀２層配線パターンを得た。得られたパターンの基本物性は表３に示す。図３は得られた金属パターンの光学顕微鏡写真を示す。
【００４９】
【表２】
0004632243.tif 000003
【００５０】
【表３】
0004632243.tif 000004
【００５１】
本発明に係る方法によれば、既存の物理的蒸着法ではなく簡単なコーティング法を用いて光触媒化合物薄膜を形成させた後、露光及び簡単なメッキ処理によって単層または多層の金属パターンを容易に形成することができるので、高真空条件が要求されるスパッタリング工程、感光性樹脂を用いたフォトパターニング工程、エッチング工程を使用しなくても短時間内に効率よく高伝導度の単層及び多層金属配線パターンを効果的に得る方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１で得られた金属パターンの一例を示す光学顕微鏡写真である。
【図２】実施例２で得られた金属パターンの一例を示す電子顕微鏡写真である。
【図３】実施例３で得られた金属パターンの一例を示す光学顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
0004632243.tif 000006
【図３】
0004632243.tif 000007