(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと;
前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調整する消去信号勾配調整部と;
前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と；を含み、
前記消去信号勾配調整部は、前記温度が上昇することによって前記消去信号の勾配を増加させ、前記温度が降下することによって前記消去信号の勾配を減少させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項２】
前記消去信号勾配調整部は、
前記消去信号の勾配を０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項３】
前記消去信号勾配調整部は、
前記消去信号の勾配を２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変することを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項４】
プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と;
前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調節する消去信号勾配調整段階と;
前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と；を含み、
前記消去信号勾配調整段階では、前記温度が上昇することによって前記消去信号の勾配を増加させ、前記温度が降下することによって前記消去信号の勾配を減少させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記消去信号の勾配は、０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変されることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
前記消去信号の勾配は、２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変されることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項７】
プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと;
前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調整する消去信号電圧調整部と;
前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と；を含み、
前記消去信号電圧調整部は、前記温度が上昇することによって前記消去信号の電圧を増加させ、前記温度が降下することによって前記消去信号の電圧を減少させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項８】
前記消去信号電圧調整部は、
前記消去信号の電圧を８０Ｖ〜２８０Ｖの電圧の範囲内で可変することを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項９】
前記消去信号電圧調整部は、
前記消去信号の電圧を１５５Ｖ〜２０５Ｖの電圧の範囲内で可変することを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１０】
プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と;
前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調節する消去信号電圧調整段階と;
前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と；を含み、
前記消去信号電圧調整段階では、前記温度が上昇することによって前記消去信号の電圧を増加させ、前記温度が降下することによって前記消去信号の電圧を減少させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１１】
前記消去信号の電圧は、８０Ｖ〜２８０Ｖの間で調節されることを特徴とする請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１２】
前記消去信号の電圧は、１５５Ｖ〜２０５Ｖの間で調節されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
サブフィールドのリセット期間に前記電極に初期化信号を供給し、前記リセット期間以降のアドレス期間に前記電極にアドレス信号を供給し、前記アドレス期間以降のサステイン期間に前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給した後に前記電極に消去信号を供給する駆動部と、
前記プラズマディスプレイパネルの温度によって前記消去信号の勾配を調整する消去信号勾配調整部と、を備え、
前記消去信号勾配調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が第１温度である場合の前記消去信号の勾配を、前記プラズマディスプレイパネルの温度が前記第１温度より高い第２温度である場合の前記消去信号の勾配より小さくすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１４】
電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
サブフィールドのリセット期間に前記電極に初期化信号を供給し、前記リセット期間以降のアドレス期間に前記電極にアドレス信号を供給し、前記アドレス期間以降のサステイン期間に前記電極にサステイン信号を供給し、前記サステイン信号を供給した後に前記電極に消去信号を供給する駆動部と、
前記プラズマディスプレイパネルの温度によって前記消去信号の電圧を調整する消去信号電圧調整部と、を備え、
前記消去信号電圧調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が第１温度である場合の前記消去信号の電圧を、前記プラズマディスプレイパネルの温度が前記第１温度より高い第２温度である場合の前記消去信号の電圧より小さくすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【請求項１５】
前記消去信号電圧調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が前記第１温度である場合の前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧より小さくし、前記プラズマディスプレイパネルの温度が前記第２温度である場合の前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧より大きくすることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、より詳細には、プラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：以下、「ＰＤＰ」という）は、 Ｈｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅなどの不活性混合ガスの放電時に発生する紫外線によって蛍光体を発光させることにより、画像を表示する。このような ＰＤＰは、薄膜化と大型化が容易であるうえ、最近の技術開発に励まされて画質が向上している。
【０００３】
図１は、従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの電極配置を概略的に示す図である。
【０００４】
図１を参照すれば、従来の３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セルは、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚと、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚと直交するアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍと、を備える。
【０００５】
スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ、サステイン電極Ｚ及びアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍの交差部には、赤色Ｒ、緑色Ｇ及び青色Ｂのいずれか一つを表示するためのセル１が形成される。スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎ及びサステイン電極Ｚは図示しない上部基板上に形成される。上部基板には図示しない誘電体層とＭｇＯ保護層が積層される。アドレス電極Ｘ１〜Ｘｍは図示しない下部基板上に形成される。下部基板上には水平に隣接したセル間の光学的、電気的混信を防止するための隔壁が形成される。下部基板と隔壁の表面には、真空紫外線によって励起されて可視光を放出する蛍光体が形成される。上部基板と下部基板との間の放電空間には、Ｈｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅ、Ｈｅ＋Ｘｅ＋Ｎｅなどの不活性混合ガスが注入される。次に、このような構造を有する従来のＰＤＰの画像階調処理方法を、図２を参照して説明する。
【０００６】
図２は、従来ＰＤＰの画像階調処理方法を説明するための図である。
【０００７】
図２を参照すれば、ＰＤＰは、画像の階調を具現するために、一つのフレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分けて時分駆動を行う。各サブフィールドは、全画面を初期化するためのリセット期間と、走査ラインを選択して該選択された走査ラインでセルを選択するためのアドレス期間と、放電回数によって階調を具現するサステイン期間と、に分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合、図２のように、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６.６７ｍｓ）は、８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分けられる。８個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８のそれぞれは、前述したようにリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に分けられる。各サブフィールドのリセット期間とアドレス期間は各サブフィールド毎に同一である反面、サステイン期間とそれに割り当てられるサステインパルスの数は各サブフィールドにおいて２n（ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７の割合で増加する。
【０００８】
図３は、一つのサブフィールドに供給されるＰＤＰの駆動波形を示す図である。
【０００９】
図３を参照すれば、ＰＤＰは、全画面を初期化させるためのリセット期間と、セルを選択するためのアドレス期間と、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間と、に分けて駆動される。
【００１０】
リセット期間の初期にはすべてのスキャン電極Ｙに上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐが同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚとアドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐによって全画面の各セル内においてスキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘとの間と、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間には、光がほとんど発生しない書き込み暗放電（Dark discharge）が起こる。この書き込み暗放電により、アドレス電極Ｘおよびサステイン電極Ｚ上には正極性（＋）の壁電荷が蓄積され、スキャン電極Ｙ上には負極性（−）の壁電荷が蓄積される。
【００１１】
上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐに次いで、上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐのピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めて基底電圧ＧＮＤまたは負極性の特定電圧レベルまで落ちる降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが、スキャン電極Ｙに同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給され、アドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。このように降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが供給されるとき、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間には消去暗放電が起こる。このような消去暗放電によって書き込み暗放電時に発生した壁電荷の中から、アドレス放電に不要な過剰壁電荷が消去される。リセット期間における壁電荷分布の変化を考察すると、アドレス電極Ｘ上の壁電荷はほとんど変わらず、一方スキャン電極Ｙ上で書き込み暗放電によって形成された負極性の壁電荷は、消去暗放電によってその一部が減少する。
【００１２】
アドレス期間では、スキャンパルスＳｐがスキャン電極Ｙに順次供給されると同時に、スキャンパルスＳｐに同期されるデータパルスＤｐがアドレス電極Ｘに供給される。スキャンパルスＳｐとデータパルスＤｐの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧とが加えられることにより、データパルスＤｐが供給されるセル内ではアドレス放電が発生する。このアドレス期間中にサステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給される。
【００１３】
サステイン期間では、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚに交互にサステイン電圧Ｖｓのサステインパルスｓｕｓが供給される。アドレス放電によって選択されたセルはセル内の壁電圧とサステインパルスｓｕｓの電圧とが加えられることにより、サステインパルスｓｕｓが供給される度にスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間でサステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【００１４】
サステイン放電の終了後には、電圧がサステイン電圧Ｖｓまで徐々に上昇する消去ランプ波形ｒａｍｐ−ｅｒｓがサステイン電極Ｚに供給されて、全画面のセル内に残留する壁電荷を消去させる。
【００１５】
ところで、このようなＰＤＰは、高温または低温でフルホワイトまたはそれと近接した階調でＰＤＰを駆動する場合、アドレス期間の放電時間が増えるジッタリング（Jittering）現象によるセルの消灯現象（以下、「高温誤放電」という）が発生する一方、反対に選択されないセルが点灯して輝点が発生するか、垂直ラインで連続的に誤放電が発生する雨降り現象（以下、「低温誤放電」という）が発生するなどの問題点がある。これは、周囲温度の変化時にリセット期間でアドレス電極Ｘとスキャン電極Ｙ上に蓄積される壁電荷量が変わるからである。このような温度変化による誤放電は気候と地理的な影響を受けるので、ＰＤＰの競争力を低下させる主な原因として指摘されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、かかる従来の問題点を解決するためのもので、その目的は、プラズマディスプレイパネル駆動時の温度変化と関係なく安定した放電を実現するプラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調整する消去信号勾配調整部と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と、を含む。
【００１８】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調節する消去信号勾配調整段階と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と、を含む。
【００１９】
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調整する消去信号電圧調整部と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と、を含む。
【００２０】
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調節する消去信号電圧調整段階と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と、を含む。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の第１、第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法によれば、プラズマディスプレイパネルの駆動時に周囲温度を感知してそれによる消去信号を調節して印加することにより、安定した放電を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調整する消去信号勾配調整部と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
前記消去信号勾配調整部は、前記消去信号の勾配を０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変することを特徴とする。
【００２４】
前記消去信号勾配調整部は、前記消去信号の勾配を２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変することを特徴とする。
【００２５】
前記消去信号勾配調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から高温になると、前記消去信号の勾配を常温での基準勾配より高めることを特徴とする。
【００２６】
前記消去信号勾配調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から低温になると、前記消去信号の勾配を常温での基準勾配より低めることを特徴とする。
【００２７】
本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調節する消去信号勾配調整段階と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と、を含む。
【００２８】
前記消去信号の勾配は、０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変されることを特徴とする。
【００２９】
前記消去信号の勾配は、２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変されることを特徴とする。
【００３０】
前記消去信号勾配調整段階は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から高温になると、前記消去信号の勾配を常温での基準勾配より高めることを特徴とする。
【００３１】
前記消去信号勾配調整段階は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から低温になると、前記消去信号の勾配を常温での基準勾配より低めることを特徴とする。
【００３２】
前記常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、前記高温の範囲は５０℃超過１００℃以下で、前記低温の範囲は０℃未満−２０℃以上であることを特徴とする。
【００３３】
以下、添付図を参照して本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法を具体的に説明する。
【００３４】
図４は、本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示す図である。
【００３５】
図４を参照すれば、本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの駆動装置は、ＰＤＰのアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにデータを供給するためのデータ駆動部１２２と、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動するためのスキャン駆動部１２３と、共通電極のサステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部１２４と、ＰＤＰの温度を感知するための温度センサー１２７と、ＰＤＰの温度によってランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を調節するための消去信号勾配調整部１２６と、データ駆動部１２２、スキャン駆動部１２３、サステイン駆動部１２４及び消去信号勾配調整部１２６を制御するためのタイミングコントローラ１２１と、それぞれの駆動部１２２、１２３、１２４に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部１２５と、を含む。
【００３６】
データ駆動部１２２には、図示しない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回などによって逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路によって各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部１２２は、タイミングコントローラ１２１からのタイミング制御信号ＣＴＲＸに応答してデータをサンプリングしラッチした後、そのデータをアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍに供給する。
【００３７】
スキャン駆動部１２３は、タイミングコントローラ１２１の制御下でリセット期間中に上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐと降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。そして、スキャン駆動部１２３は、タイミングコントローラ１２１の制御下でアドレス期間中にスキャン電圧−ＶｙのスキャンパルスＳｐをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給し、サステイン期間中にサステインパルスｓｕｓをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。
【００３８】
サステイン駆動部１２４は、タイミングコントローラ１２１の制御下で降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが発生する期間およびアドレス期間中にサステイン電圧Ｖｓのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間中にスキャン駆動部１２３と交互に動作してサステインパルスｓｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。また、サステイン駆動部１２４は、少なくとも一つのサブフィールドで最後のサステインパルスｓｕｓがスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給されて放電が起こった後、消去信号勾配調整部１２６によって勾配が調節されたランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓをサステイン電極Ｚに供給する
温度センサー１２７は、ＰＤＰの背面に連綴される印刷回路ボード（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）またはＰＤＰの付近の別途の器具上に設置されてＰＤＰの周囲温度を感知し、その温度を指示する電気的信号を消去信号勾配調整部１２６に供給する。ＰＤＰの駆動部１２２、１２３、１２４は前記印刷回路ボードに実装される。
【００３９】
消去信号勾配調整部１２６は、温度センサー１２７からの温度感知信号とタイミングコントローラ１２１の制御信号ＣＴＲＥＲＳとに応答してランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を調整する。すなわち、消去信号勾配調整部１２６は、ＰＤＰの温度が常温から高温になると消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を高め、ＰＤＰの温度が常温から低温になると消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を低める。この時、常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、高温の温度範囲は５０℃超過１００℃以下で、低温の温度範囲は０℃未満−２０℃以上である。また、この時に調節される消去信号の勾配は、好ましくはＰＤＰを構成するスィッチの耐圧特性を含む全体ＰＤＰの寿命特性を考慮して、０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変できるようにし、さらに好ましくは消去信号勾配調整部１２６を調節して２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変できるようにする。
【００４０】
このために、消去信号勾配調整部１２６は、ＲＣ時定数を調整するために多数の抵抗や多数のキャパシターを温度によって選択するスィッチ素子を含み、場合によっては温度によって抵抗値が変わるサーミスターを含んで温度センサー１２７と一体化することもできる。
【００４１】
このような消去信号勾配調整部１２６は、スキャン駆動部１２３またはサステイン駆動部１２４のいずれかに内蔵される。
【００４２】
タイミングコントローラ１２１は、垂直／水平同期信号とクロック信号を入力として駆動部１２２、１２３、１２４および消去信号勾配調整部１２６の動作タイミングと同期化を制御するためのタイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺ、ＣＴＲＥＲＳを発生させ、そのタイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺ、ＣＲＲＥＲＳを当該駆動部１２２、１２３、１２４と消去信号勾配調整部１２６に供給することにより、駆動部１２２、１２３、１２４と消去信号勾配調整部１２６を制御する。データ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロックと、ラッチ制御信号と、エネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号と、が含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部１２３内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部１２４内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。そして、消去信号勾配制御信号ＣＴＲＥＲＳには、消去信号勾配調整部１２６に含まれたスィッチ素子の制御信号が含まれる。
【００４３】
駆動電圧発生部１２５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ−ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄなどを発生する。このような駆動電圧は放電ガスの組成や放電セル構造によって変わることができる。
【００４４】
図５は、本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明するための駆動波形を示す図である。
【００４５】
図５を参照すれば、本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、１フレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む複数のサブフィールドに時分割し、少なくとも一つのサブフィールドでサステイン放電後に印加される消去信号の勾配を周囲温度によって可変する。すなわち、先ず、プラズマディスプレイパネルの温度を感知し、感知された温度によってプラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の勾配を調節し、このような消去信号を利用してセル内の電荷を消去した後、セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する。次に、これをより詳細に説明する。
【００４６】
先ず、リセット期間の初期にはすべてのスキャン電極Ｙに上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐが同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚとアドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐによって全画面のセル内において、スキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘとの間と、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間とには、光がほとんど発生しない書き込み暗放電（Dark discharge）が起こる。この書き込み暗放電によってアドレス電極Ｘとサステイン電極Ｚ上には正極性（＋）の壁電荷が蓄積され、スキャン電極Ｙ上には負極性（−）の壁電荷が蓄積される。このような書き込み暗放電は、リセット期間直前にセル内の残留電荷を消去するための消去信号の勾配によって変わる。
【００４７】
図６は、本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの高温駆動の時、最後のサステイン放電後に１８Ｖ/μsの勾配を持つ消去信号の供給後、次のサブフィールドで書き込み暗放電が発生する時点と、その放電の強度を示す放電光波形である。このような図６の放電光波形は図面に示されていないが、一般的に常温で４.５Ｖ/μs以上６Ｖ/μs以下の勾配を持つ消去信号の供給時、安定的なアドレス放電を起こすためのリセット期間の書き込み暗放電で示した放電光波形と同様である。すなわち、プラズマディスプレイパネルの高温駆動の時、消去信号の勾配を大きくすると書き込み暗放電が早く且つ強く起こり、その結果、アドレス電極とサステイン電極上に多くの壁電荷が蓄積される。これにより、アドレス期間で高温誤放電現象を防止する。
【００４８】
リセット期間の上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐに次いで、上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐのピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めて基底電圧ＧＮＤまたは負極性の特定電圧レベルまで落ちる降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが、スキャン電極Ｙに同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給され、アドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。このように降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが供給されるとき、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間に消去暗放電が起こる。このような消去暗放電によって書き込み暗放電時に発生した壁電荷の中から、アドレス放電に不要な過剰壁電荷が消去される。リセット期間での壁電荷分布の変化を考察すると、アドレス電極Ｘ上の壁電荷はほとんど変わらず、一方スキャン電極Ｙ上で書き込み暗放電によって形成された負極性の壁電荷は、消去暗放電によってその一部が減少する。これに比べて、サステイン電極Ｚ上の壁電荷は、書き込み暗放電で正極性の壁電荷が蓄積されたが、消去暗放電時にスキャン電極Ｙ上に蓄積されていた負極性の壁電荷がサステイン電極Ｚ側に移動することにより、スキャン電極Ｙ上の壁電荷の減少分量だけの負極性壁電荷が蓄積されるので、消去暗放電直後に壁電荷の極性が正極性から負極性に反転する。
【００４９】
アドレス期間では、スキャンパルスＳｐがスキャン電極Ｙに順次供給されると同時に、そのスキャンパルスＳｐに同期されるデータパルスＤｐがアドレス電極Ｘに供給される。スキャンパルスＳｐとデータパルスＤｐの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧とが加えられることにより、データパルスＤｐが供給されるセル内ではアドレス放電が発生する。アドレス放電によって選択されたセル内には、サステイン電圧Ｖｓが供給されるときに放電の発生を可能にする程度の壁電荷が形成される。このアドレス期間中にサステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給される。このようなアドレス放電は、次の図７のように消去信号の勾配が変わる時に変わる書き込み暗放電時に発生する初期壁電荷の量に応じて変わる。
【００５０】
図７は、消去信号の勾配によるアドレス放電時に示される放電光波形を示す図である。すなわち、図７（ａ）と図７（ｂ）は消去信号の勾配がそれぞれ１８Ｖ／μsと９Ｖ／μsの場合のアドレス放電光波形を示し、図７（ｃ）と図７（ｄ）は消去信号の勾配がそれぞれ６Ｖ／μsと４.５Ｖ／μsの場合のアドレス放電光波形を示す。
【００５１】
図７を参照すれば、消去信号の勾配がそれぞれ１８Ｖ／μsと９Ｖ／μsの場合のアドレス放電は、略１μs内外で起こり、消去信号ｒａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsと４.５Ｖ／μsの場合のアドレス放電は、略１.２５μs内外で起こる。
【００５２】
サステイン期間では、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚに交互にサステイン電圧Ｖｓのサステインパルスｓｕｓが供給される。アドレス放電によって選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスｓｕｓの電圧とが加えられることにより、サステインパルスｓｕｓが供給される度にスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間でサステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【００５３】
サステイン放電の終了後には、ＰＤＰの周囲温度によって勾配の変わる電圧がサステイン電圧Ｖｓまで徐々に上昇するランプ波形イン消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓが、サステイン電極Ｚに供給されて全画面のセル内に残留する壁電荷を消去させる。消去信号勾配は、ＰＤＰの温度が常温から高温になると勾配を高め、ＰＤＰの温度が常温から低温になると勾配を低める。また、前記消去信号勾配は、好ましくはＰＤＰを構成するスィッチの耐圧特性を含む全体ＰＤＰの寿命特性を考慮して、０.１Ｖ／μs〜１８０Ｖ／μsの間で可変できるようにし、さらに好ましくは２Ｖ／μs〜２０Ｖ／μsの間で可変できるようにする。この時、常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、高温の温度範囲は５０℃超過１００℃以下で、低温の温度範囲は０℃未満−２０℃以上である。
【００５４】
このような消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓは、前述したようにリセット期間の書き込み暗放電を制御することで、温度によるスキャン電極とアドレス電極上に形成された壁電荷の変化量を補償する。
【００５５】
次の図８〜図１０は、上述した本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの駆動方法による効果を検証するための実験値である。
【００５６】
先ず、図８は、消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、プラズマディスプレイパネルの周囲温度が上昇する時の光の波長スペクトラム[ｎｍ]の変化を示す図である。すなわち、図８（ａ）は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、ＰＤＰの周囲温度が常温から７０℃以上の高温になる時の高温誤放電によって光の波長スペクトラム[ｎｍ]が５３８４ｎｍの頂点が５２０９ｎｍに変わることを示す。このように高温におけるスペクトラムの変化を、本発明では、図８（ｂ）のように消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を１８Ｖ／μsに高めることにより、光の波長スペクトラム[ｎｍ]の頂点を５２０９ｎｍから５３０６ｎｍに変化させて温度による光の波長スペクトラム[ｎｍ]の変化を補償する。
【００５７】
図９は、消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、プラズマディスプレイパネルの周囲温度が上昇する時の色温度の変化を示す色座標値である。すなわち、図９中の矢印（ａ）は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、ＰＤＰの周囲温度が常温から７０℃以上の高温になるとき、緑セルの光量が低下することで緑の色温度が減少することを示す。このように変化した色温度は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を１８Ｖ／μsに高めると図９中の矢印（ｂ）のように最適の色温度に復元される。
【００５８】
図１０は、消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、温度増加によるリセット期間の書き込み暗放電による放電光波形を示す図である。すなわち、図１０は、７０℃以上の高温で消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で、放電のジッタ値が増加することでリセット期間の書き込み暗放電が遅延されることを示す。このような高温環境で消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を１８Ｖ／μsに高めると、図面に示されていないが書き込み暗放電（緑色）が早く起こる。
【００５９】
図１１は、消去信号の勾配を可変する時のアドレス放電の変化を示す放電光波形を示す図である。すなわち、図１１（ａ）は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsで常温の条件下で発生するアドレス放電を示すもので、図１１（ｂ）は、消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配が６Ｖ／μsで、ＰＤＰの周囲温度が７０℃以上の高温に上昇するにつれて放電ジッタ値が増加し、これによりアドレス放電が遅延されることを示すものである。このような高温環境で消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を１８Ｖ／μsに高めると、図１１の（ｃ）のようにアドレス放電が早く起こる。
【００６０】
このように、本発明の第１実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの勾配を温度によって可変することにより、ＰＤＰを高温または低温で使用するとしても、高温誤放電や低温誤放電を予防することができ、いかなる環境下でも安定したアドレス放電を行うことができる。
【００６１】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度センサーと、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調整する消去信号電圧調整部と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する駆動部と、を含むことを特徴とする。
【００６２】
前記消去信号電圧調整部は、前記消去信号の電圧を８０Ｖ〜２８０Ｖの電圧まで上昇させることを特徴とする。
【００６３】
前記消去信号電圧調整部は、前記消去信号の電圧を１５５Ｖ〜２０５Ｖの電圧まで上昇させることを特徴とする。
【００６４】
前記消去信号電圧調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から高温になると、前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧以上に上昇させることを特徴とする。
【００６５】
前記消去信号電圧調整部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から低温になると、前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧以下に降下させることを特徴とする。
【００６６】
本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、プラズマディスプレイパネルの温度を感知する温度感知段階と、前記温度によって前記プラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調節する消去信号電圧調整段階と、前記消去信号を利用して前記セル内の電荷を消去した後、前記セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する信号供給段階と、を含む。
【００６７】
前記消去信号の電圧は、８０Ｖ〜２８０Ｖの間で調節されることを特徴とする。
【００６８】
前記消去信号の電圧は、１５５Ｖ〜２０５Ｖの間で調節されることを特徴とする。
【００６９】
前記消去信号電圧調整段階は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から高温になると、前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧以上に上昇させることを特徴とする。
【００７０】
前記消去信号電圧調整段階は、前記プラズマディスプレイパネルの温度が常温から低温になると、前記消去信号の電圧を前記サステイン信号の電圧以下に降下させることを特徴とする。
【００７１】
前記常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、前記高温の範囲は５０℃超過１００℃以下で、前記低温の範囲は０℃未満−２０℃以上であることを特徴とする。
【００７２】
以下、添付図を参照して本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置及び駆動方法を具体的に説明する。
【００７３】
図１２は、本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示す図である。
【００７４】
図１２を参照すれば、本発明の第２実施形態に係るＰＤＰの駆動装置は、ＰＤＰのアドレス電極Ｘ１〜Ｘｍにデータを供給するためのデータ駆動部１３２と、スキャン電極Ｙ１〜Ｙｎを駆動するためのスキャン駆動部１３３と、共通電極のサステイン電極Ｚを駆動するためのサステイン駆動部１３４と、ＰＤＰの温度を感知するための温度センサー１３７と、ＰＤＰの温度によってランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの電圧を調整するための消去信号電圧調整部１３６と、各駆動部１３２、１３３、１３４および消去信号電圧調整部１３６を制御するためのタイミングコントローラ１３１と、各駆動部１３２、１３３、１３４に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部１３５と、を含む。
【００７５】
データ駆動部１３２は本発明の第１実施形態に係るＰＤＰのデータ駆動部１２２と実質的に同一である。
【００７６】
スキャン駆動部１３３は、タイミングコントローラ１３１の制御下でリセット期間中に上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐと降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。そして、スキャン駆動部１３３は、タイミングコントローラ１３１の制御下でアドレス期間中にスキャンパルスＳｐをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに順次供給し、サステイン期間中にサステインパルスｓｕｓをスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。また、スキャン駆動部１２３は、少なくとも一つのサブフィールドで最後のサステイン放電が起こった後、消去信号電圧調整部１３６によって電圧が調整されるランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２をスキャン電極Ｙ１〜Ｙｎに供給する。
【００７７】
サステイン駆動部１３４は、タイミングコントローラ１３１の制御下で降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが発生する期間およびアドレス期間中にサステイン電圧Ｖｓのバイアス電圧をサステイン電極Ｚに供給し、サステイン期間中にスキャン駆動部１３３と交互に動作してサステインパルスｓｕｓをサステイン電極Ｚに供給する。また、サステイン駆動部１３４は、少なくとも一つのサブフィールドで最後のサステイン放電が起こった後、消去信号電圧調整部１３６によって電圧が調整されるランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２をサステイン電極Ｚに供給する。
【００７８】
温度センサー１３７は、ＰＤＰの背面に連綴される印刷回路ボード（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）またはＰＤＰの付近の別途の器具上に設置されてＰＤＰの周囲温度を感知し、その温度を指示する電気的信号を消去信号電圧調整部１３６に供給する。ＰＤＰの駆動部１３２、１３３、１３４は前記印刷回路ボードに実装される。
【００７９】
消去信号電圧調整部１３６は、温度センサー１３７からの温度感知信号とタイミングコントローラ１３１の制御信号ＣＴＲＥＲＳ２とに応答して消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧を調整する。すなわち、消去信号電圧調整部１３６は、ＰＤＰの温度が常温から高温になると消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧をサステイン電圧Ｖｓ以上の電圧Ｖｓ＋ΔＶに上昇させて供給し、ＰＤＰの温度が常温から低温になると消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧をサステイン電圧Ｖｓ以下の電圧Ｖｓ−ΔＶに降下させて供給する。このために、消去信号電圧調整部１３６は、ＰＤＰの温度によってサステイン電圧Ｖｓ、サステイン電圧Ｖｓ以上の電圧Ｖｓ＋ΔＶ、又は、サステイン電圧Ｖｓ以下の電圧Ｖｓ−ΔＶのいずれか一つを選択するための所定の電圧源を含む。
【００８０】
この時、所定の電圧源はＰＤＰ寿命特性に適う８０Ｖ〜２８０Ｖとし、好ましくは１５５Ｖ〜２０５Ｖとする。ここで、常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、高温の温度範囲は５０℃超過１００℃以下で、低温の温度範囲は０℃未満−２０℃以上である。
【００８１】
一方、消去信号電圧調整部１３６は、スキャン駆動部１３３またはサステイン駆動部１３４のいずれかに内蔵することができる。
【００８２】
タイミングコントローラ１３１は、垂直／水平同期信号とクロック信号を入力として駆動部１３２、１３３、１３４および消去信号電圧調整部１３６の動作タイミングと同期化を制御するためのタイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺ、ＣＴＲＥＲＳ２を発生させ、そのタイミング制御信号ＣＴＲＸ、ＣＴＲＹ、ＣＴＲＺ、ＣＲＲＥＲＳ２を当該駆動部１３２、１３３、１３４と消去信号電圧調整部１３６に供給することにより、駆動部１３２、１３３、１３４と消去信号電圧調整部１３６を制御する。データ制御信号ＣＴＲＸには、データをサンプリングするためのサンプリングクロックと、ラッチ制御信号と、エネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号と、が含まれる。スキャン制御信号ＣＴＲＹには、スキャン駆動部１３３内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。サステイン制御信号ＣＴＲＺには、サステイン駆動部１３４内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン／オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。そして、消去信号電圧制御信号ＣＴＲＥＲＳ２には、消去ランプ波形ＶＲａｍｐの電圧を選択するためのスィッチ素子の制御信号が含まれる。
【００８３】
駆動電圧発生部１３５は、セットアップ電圧Ｖｓｅｔｕｐ、スキャン共通電圧Ｖｓｃａｎ−ｃｏｍ、スキャン電圧−Ｖｙ、サステイン電圧Ｖｓ、データ電圧Ｖｄ、サステイン電圧Ｖｓ以上の電圧Ｖｓ＋ΔＶ、サステイン電圧Ｖｓ以下の電圧Ｖｓ−ΔＶなどを発生する。
【００８４】
このような駆動電圧は放電ガスの組成や放電セル構造によって変わることができる。
【００８５】
図１３は、本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明するための駆動波形を示す図である。
【００８６】
図１３を参照すれば、本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、１フレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む複数のサブフィールドに時分割し、少なくとも一つのサブフィールドでサステイン放電後に印加される消去信号の電圧を周囲温度によって可変する。すなわち、先ず、プラズマディスプレイパネルの温度を感知し、感知された温度によってプラズマディスプレイパネルのセル内の電荷を消去するための消去信号の電圧を調節し、このような消去信号を利用してセル内の電荷を消去した後、セルを初期化するための初期化信号、前記セルを選択するためのアドレス信号及び前記セルに対してサステイン放電を起こすためのサステイン信号を前記プラズマディスプレイパネルに供給する．次に、これをより詳細に説明する。
【００８７】
先ず、リセット期間の初期にはすべてのスキャン電極Ｙに上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐが同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚとアドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐによって全画面のセル内において、スキャン電極Ｙとアドレス電極Ｘとの間と、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間とには、光がほとんど発生しない書き込み暗放電（Darkdischarge）が起こる。この書き込み暗放電によってアドレス電極Ｘとサステイン電極Ｚ上には正極性（＋）の壁電荷が蓄積され、スキャン電極Ｙ上には負極性（−）の壁電荷が蓄積される。このような書き込み暗放電は、リセット期間直前にランプ波形の消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧によって変わる。
【００８８】
上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐに次いで、上昇ランプ波形Ｒａｍｐ−ｕｐのピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めて基底電圧ＧＮＤまたは負極性の特定電圧レベルまで落ちる降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが、スキャン電極Ｙに同時に供給される。これと同時に、サステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給され、アドレス電極Ｘには０［Ｖ］が供給される。このように降下ランプ波形Ｒａｍｐ−ｄｏｗｎが供給されるとき、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間に消去暗放電が起こる。このような消去暗放電によって書き込み暗放電時に発生した壁電荷の中から、アドレス放電に不要な過剰壁電荷が消去される。リセット期間での壁電荷分布の変化を考察すると、アドレス電極Ｘ上の壁電荷はほとんど変わらず、一方スキャン電極Ｙ上で書き込み暗放電によって形成された負極性の壁電荷は、消去暗放電によってその一部が減少する。これに比べて、サステイン電極Ｚ上の壁電荷は、書き込み暗放電で正極性の壁電荷が蓄積されたが、消去暗放電時にスキャン電極Ｙ上に蓄積されていた負極性の壁電荷がサステイン電極Ｚの方に移動することにより、スキャン電極Ｙ上の壁電荷の減少分量だけの負極性壁電荷が蓄積されるので、消去暗放電直後に壁電荷の極性が正極性から負極性に反転する。
【００８９】
アドレス期間では、スキャンパルスＳｐがスキャン電極Ｙに順次供給されると同時に、そのスキャンパルスＳｐに同期されるデータパルスＤｐがアドレス電極Ｘに供給される。スキャンパルスＳｐとデータパルスＤｐの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧とが加えられることにより、データパルスＤｐが供給されるセル内ではアドレス放電が発生する。アドレス放電によって選択されたセル内には、サステイン電圧Ｖｓが供給されるときに放電の発生を可能にする程度の壁電荷が形成される。このアドレス期間中にサステイン電極Ｚにはサステイン電圧Ｖｓが供給される。このようなアドレス放電は、消去信号の電圧が変わる時に変わる書き込み暗放電時に発生する初期壁電荷の量に応じて変わる。
【００９０】
サステイン期間では、スキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚに交互にサステイン電圧Ｖｓのサステインパルスｓｕｓが供給される。アドレス放電によって選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスｓｕｓの電圧とが加えられることにより、サステインパルスｓｕｓが供給される度にスキャン電極Ｙとサステイン電極Ｚとの間でサステイン放電、すなわち表示放電が発生する。
【００９１】
サステイン放電の終了後には、ＰＤＰの周囲温度によって電圧の変わる消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２が、サステイン電極Ｚに供給されて全画面のセル内に残留する壁電荷を消去させる。すなわち、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２は、リセット期間の書き込み暗放電を制御して温度によるスキャン電極とアドレス電極上の壁電荷の変化量を補償する。このような消去信号の電圧は、ＰＤＰの温度が常温から高温になるとサステイン電圧以上とし、ＰＤＰの温度が常温から低温になるとサステイン電圧以下とする。この時、調節される消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧範囲は、パネルの寿命特性を考慮してサステイン電圧Ｖｓ±１００Ｖ、例えばサステイン電圧Ｖｓが１８０Ｖならば８０Ｖ〜２８０Ｖの間で可変される。好ましくは消去ランプ波形ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧範囲は、サステイン電圧Ｖｓ±２５Ｖ、例えばサステイン電圧Ｖｓが１８０Ｖならば１５５Ｖ〜２０５Ｖの間で可変される。具体的には、ＰＤＰの周囲温度が常温から高温になると、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧をサステイン電圧Ｖｓ以上の電圧、例えば１８０Ｖ〜２８０Ｖの電圧まで上昇させて高温誤放電を予防し、一方、ＰＤＰの周囲温度が常温から低温になると、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓ２の電圧をサステイン電圧Ｖｓ以下の電圧、例えば８０Ｖ〜１８０Ｖの電圧まで降下させて低温誤放電を予防する。
【００９２】
温度の範囲は、本発明の第１実施形態と同様に、常温の範囲は０℃以上５０℃以下で、高温の温度範囲は５０℃超過１００℃以下で、低温の温度範囲は０℃未満−２０℃以上である
このように、本発明の第２実施形態に係るＰＤＰの駆動方法は、消去信号ＶＲａｍｐ−ｅｒｓの電圧を温度によって可変することにより、ＰＤＰを高温または低温で使用するとしても、高温誤放電や低温誤放電を予防することができ、いかなる環境でも安定したアドレス放電を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの電極配置を概略的に示す図である。
【図２】従来のＰＤＰの画像階調処理方法を説明するための図である。
【図３】一つのサブフィールドに供給されるＰＤＰの駆動波形を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明するための駆動波形を示す図である。
【図６】一定の勾配を有する消去信号の供給時に書き込み暗放電が発生する時点と、その放電強度の光波形とを示す図である。
【図７】消去信号の勾配によるアドレス放電時に示される放電光波形を示す図である。
【図８】消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下でプラズマディスプレイパネルの周囲温度が上昇する時の光の波長スペクトラムの変化を示す図である。
【図９】消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下でプラズマディスプレイパネルの周囲温度が上昇する時の色温度の変化を示す図である。
【図１０】消去信号の勾配が６Ｖ／μsに固定された条件下で温度増加によるリセット期間の書き込み暗放電による放電光波形を示す図である。
【図１１】消去信号の勾配の可変時のアドレス放電の変化を示す放電光波形を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動装置を示す図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を説明するための駆動波形を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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