(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをフリップチップボンディング方式により配線基板に実装する半導体装置において、半導体チップを配線基板に実装する前、または実装後に、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面を窒素ガスを用いてプラズマ処理し、次いで、半導体チップと実装基板との間隙にエポキシ系アンダーフィル材を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップがポリイミドパッシベーション膜を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
半導体チップの表面及び実装基板の表面をプラズマ処理する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
半導体チップを配線基板に実装した後に、プラズマ処理を行う、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。具体的には、半導体チップをフリップチップボンディング方式により配線基板に実装する半導体装置において、半導体チップを配線基板に実装する前、または実装後に、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面をプラズマ処理し、次いで、半導体チップと実装基板との間隙にエポキシ系アンダーフィル材を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（半導体装置）の製造は、半導体チップ（半導体素子）を実装基板に実装することによって行われている。半導体チップを実装基板に実装するにあたっては、半導体パッケージの小型化、高密度化、及び信号速度の高速化に伴い、フリップチップボンディングが、マイクロプロセッサをはじめとするグラフィック用ＬＳＩ、ＤＳＰ、メモリー、ディスプレードライバー様ＬＳＩ等の様々な用途で使われ始めている。この実装方法は、例えば、半導体チップの表面の電極上にバンプを形成した後、このバンプと実装基板の表面の電極とを位置合わせして、接触させた状態で実装基板の表面に半導体チップを載置し、バンプを加熱溶融させた後固化することによって、半導体チップの電極と実装基板の電極とを電気的に接続するものである。
【０００３】
また、フリップチップボンディング方法においては、アンダーフィルが行われている。アンダーフィルは実装基板とこれに実装された半導体チップとの間に形成される間隙を樹脂封止することであり、アンダーフィルにより間隙にアンダーフィル材（封止樹脂）を形成することによって、バンプを保護することができ、アンダーフィル材でバンプを補強して半導体チップと実装基板の接合強度を高めたり、アンダーフィル材で間隙を密閉して大気中の水分が間隙に侵入するのを防止して半導体パッケージの耐湿性を向上させたりすることができるものである。アンダーフィルは、通常毛管現象を用いてアンダーフィル材を注入する工法で行われる。このとき、アンダーフィル材と接触する半導体チップ表面のポリイミドパッシベーション膜、あるいは配線基板表面のレジストとの濡れ性が注入特性に影響するため、半導体チップ表面状態のコントロールには十分注意を払う必要がある。
【０００４】
ここで、従来のフリップチップボンディング及び封止について、図１により説明する。フリップチップボンディングは、まず、半導体チップ１０の表面の電極１２上に、バンプ１３を形成させ、次いでバンプ１３を下にして基板１５上の電極１４とを、リフローによるハンダ接合、超音波による金−金接合等の手段を用いて接合する。そして、電極を接合した後に、半導体チップ１０と基板１５との隙間に液状又はペースト状の封止材をディスペンサ等で注入し、その後バッチ炉で封止材を硬化させる。これにより、半導体チップ１０と基板１５の間にアンダーフィル１６が形成される。なお、半導体チップ１０の側方から基板１５上にアンダーフィル１６がはみ出た部分をフィレット１６ａという。
【０００５】
実装基板上で用いられるハンダは、従来、Ｓｎ−Ｐｂ系の共晶ハンダであったが、環境問題への対応から鉛フリーハンダへの置き換えが急速に進んでいる。ハンダ接続はハンダフラックスを使用して行い、ハンダフラックスを、その後、水、有機溶剤等で洗浄するが、洗浄が十分でなくハンダフラックスの一部が残存する場合がある。最近は、ノンクリーニングフラックスも使用されるようになってきているが、ハンダフラックスが残存すると、液状又はペースト状の封止材を注入する時間が長時間化したり、ボイドが発生したりして、実装基板の作製において好ましくない。
【０００６】
従来から、基板や半導体表面を大気圧下又は減圧下でプラズマ処理を行いクリーニングすることが試みられている。例えば、特開平２−１５１７１号公報や特開平３−２４１７３９号公報や特開平１−３０６５６９号公報には、反応容器内の放電空間に一対の電極を配置すると共に電極の間に誘電体を設け、放電空間にＨｅ（ヘリウム）やＡｒ（アルゴン）などの希ガスとモノマー気体とを混合して導入し、大気圧下にプラズマ励起させて基体表面を処理するか、付着強度に優れる薄膜を形成するプラズマ処理方法が開示されている。
【０００７】
また、特開平４−３５８０７６号公報や特開平４−２１２２５３号公報や特開２０００−３５３７４３号公報にも、希ガスと反応性ガスを導入し、大気圧下にプラズマ励起させた後に、活性種をプラズマ下流に輸送して基板表面を処理する方法が提案されている。さらに、特開平９−１６７７５７号公報には、大気圧プラズマ生成用ガスとして、放電用ガスＨｅに、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの中から選ばれる不活性ガスを添加するか、あるいはＯ2、ＣＦ4、Ｎ2、ＣＯ2、ＳＦ6、ＣＨＦ3の中から選ばれた反応性ガス、少なくともＯ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌを含むガスを使用して、半導体装置が形成された被処理体をプラズマ処理する方法が記載されている。
【０００８】
また、特開平５−１６０１７０号公報には、半導体装置の組立工程における前処理として、リードフレームや半導体チップやモールド樹脂の表面の汚染を除去する方法が開示されている。この方法は、減圧下にした処理室内にアルゴン酸素プラズマ或いは水素還元プラズマによるドライプロセス処理を行い、アルゴンイオンの物理的作用及び酸素ラジカル・水素ラジカルの化学的作用によるエッチング機能でリードフレーム等の表面の汚染を除去している。また、特開平８−３７２００号公報には、フラックスのような有機物を除去したい場合は、大気圧又はその近傍の圧力下で、プラズマ生成用ガスとしてＨｅと酸素との混合ガス、圧縮空気、窒素と酸素との混合ガス、窒素、フッ素化合物、又は有機物を含むガスを使用して、酸化物を除去できることが記載されている。さらに、特開平８−７８５２９号公報には、大気圧又はその近傍の圧力下で少なくとも酸素を含むガス中に気体放電を生じさせ、生成されるガスの活性種に基板に形成された金属層を曝露させて金属層の表面を酸化させる方法が開示されている。
【特許文献１】特開平２−１５１７１号公報
【特許文献２】特開平３−２４１７３９号公報
【特許文献３】特開平１−３０６５６９号公報
【特許文献４】特開平４−３５８０７６号公報
【特許文献５】特開平４−２１２２５３号公報
【特許文献６】特開２０００−３５３７４３号公報
【特許文献７】特開平９−１６７７５７号公報
【特許文献８】特開平５−１６０１７０号公報
【特許文献９】特開平８−３７２００号公報
【特許文献１０】特開平８−７８５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、本発明者らは、上記特許文献９に開示された方法は、ワイヤボンディング接続された半導体装置をモールド樹脂で封入してパッケージする際には、電子部品やリード表面がプラズマ処理で改質されて濡れ性が向上するものの、この方法は、フリップチップボンディング方法に多用される実装基板と半導体チップとの間の間隙にアンダーフィル材を注入する場合には効果が不十分であることを知見した。すなわち、フリップチップボンディング方法では、実装基板と半導体チップとの間隙は、一般的に、３０から１００μｍと非常に小さく、半導体チップの表面や実装基板の表面やバンプの表面に有機物、例えば、ハンダフラックスやハンダフラックスを洗浄するために用いた有機溶剤等が付着して汚染されていると、アンダーフィル材の注入性が著しく低下する。実装基板と半導体チップの間隙におけるアンダーフィル材の注入性の低下は、アンダーフィル材の注入に長時間を要するほか、アンダーフィル材の未注入部分を生ぜしめるか、半導体チップ、実装基板やバンプの表面とアンダーフィル材との密着性が低下することにより信頼性の点での不具合を生ぜしめるか、注入後のボイドを発生させる原因になる。このため、最近の狭ピッチ化、狭ギャップ化では、従来の半導体装置の製造で使用されてきたアルゴンプラズマ、酸素プラズマによる表面洗浄、表面改質では、半導体チップのポリイミドパッシベーションの表面状態に影響を与え、アンダーフィル材の注入に際しての注入速度の低下、アンダーフィル材との接着性の低下、ボイドの発生等の悪影響を与えることがある。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、アンダーフィル材の注入性を向上し、ボイド発生を防止することができるフリップチップ実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、半導体チップをフリップチップボンディング方式により配線基板に実装する半導体装置において、半導体チップを配線基板に実装する前、または実装後に、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面をプラズマ処理し、次いで、半導体チップと実装基板の間隙にエポキシ系アンダーフィル材を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１２】
本発明においては、半導体チップの表面及び実装基板の表面をプラズマ処理することが好ましい。また、プラズマ処理を窒素ガス中で行うことが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明で使用するエポキシ系アンダーフィル材は、エポキシ樹脂である。エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、硬化して樹脂状になるエポキシ化合物であれば、特に限定されない。エポキシ樹脂は、常温で液状であるか、あるいは常温で固体のものを希釈剤により希釈することにより常温で液状を示すものである。エポキシ樹脂自体が常温で液状であることが好ましい。
【００１４】
エポキシ樹脂は、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、エーテル系又はポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、シリコーンエポキシコポリマー樹脂等が例示される。
【００１５】
特に常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が約４００以下の、下記式：
【００１６】
【化１】
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【００１７】
で示されるｐ−グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールＡジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約５７０以下のもの；ビニル（３，４−シクロヘキセン）ジオキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）５，１−スピロ（３，４−エポキシシクロヘキシル）−ｍ−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂；３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ならびに１，３−ジグリシジル−５−メチル−５−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂；ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。これらのエポキシ樹脂は、単独でも、２種以上併用してもよい。
【００１８】
また、これらの常温で液体であるエポキシ樹脂に、常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用することもでき、そのようなエポキシ樹脂として、高分子量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が例示される。
【００１９】
希釈剤を用いる場合、非反応性希釈剤及び反応性希釈剤のいずれをも使用することができるが、反応性希釈剤が好ましい。反応性希釈剤は、１分子中に１個又は２個以上のエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物であり、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリル等のアルケニル基；又はアクリロイル、メタクリロイル等の不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このような反応性希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物；アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物；（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等が例示される。
【００２０】
本発明で使用するエポキシ系アンダーフィル材には、エポキシ樹脂の用硬化剤として、フェノール樹脂、酸無水物又はアミン系化合物を用いることができる。フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ｐ−キシレン変性フェノール樹脂等が例示されるが、これらに限定されるものではなく、アンダーフィル用樹脂組成物に通常、用いられるものであればよい。エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、フェノール樹脂中のＯＨ当量が、０．３〜１．５当量となることが好ましく、０．５〜１．２当量がより好ましい。酸無水物としては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、無水メチルハイミック酸、無水ドデセニルコハク酸、無水メチルナジック酸等が例示される。エポキシ樹脂と酸無水物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、酸無水物当量が０．６〜１．０となることが好ましい。アミン系化合物としては、脂肪族ポリアミン；芳香族アミン；及びポリアミノアミド、ポリアミノイミド、ポリアミノエステル、ポリアミノ尿素等の変性ポリアミンが例示され、特に限定されるものではない。また、第三級アミン系、イミダゾール系、ヒドラジド系、ジシアンジアミド系、メラミン系の化合物も用いることができる。アミン系化合物の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、アミン当量が０．６〜１．０となる量が好ましい。これらの硬化剤は、単独でも、２種以上併用してもよい。
【００２１】
本発明のエポキシ系アンダーフィル材としての樹脂組成物には、必要に応じて、硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤としては、イミダゾール系、第三級アミン系、リン化合物系等、エポキシ樹脂の硬化促進剤として用いられるものが挙げられるが、アンダーフィル用樹脂組成物の使用目的や必要とする硬化条件によって選択され、特に限定されるものではない。例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。硬化促進剤の配合量は、樹脂組成物全体の０．０５〜３０重量％の割合に設定することが好ましい。
【００２２】
本発明のエポキシ系アンダーフィル用樹脂組成物には、シランカップリング剤、界面活性剤、エラストマー、充填剤としてのフィラーなどを適宜配合しても良い。フィラーとしては溶融シリカ、窒化アルミ、溶融アルミナなどが例示され、形状としては球状が好ましい。平均粒子径は０．２μｍから２０μｍで、半導体のデザイン、封止方法で異なる。異なるフィラー、粒子径のフィラーを混合して使用しても良い。
【００２３】
本発明において、半導体チップと実装基板との間隙への本発明のエポキシ系アンダーフィル材の注入は、ディスペンサを用いて、半導体チップ周囲にＩ字型、もしくはＬ字型にアンダーフィル材を吐出させることにより行うことができる。ディスペンサから吐出されたアンダーフィル材は毛管現象により実装基板との間隙を充填する。また、エアデイスペンサ、ジェットデイスペンサ等を使用して、本発明のエポキシ系アンダーフィル材を注入することができる。
【００２４】
プラズマ処理に使用する装置としては、一般的なプラズマ装置を使用することができる。代表的なプラズマ装置としては、サムコ株式会社のＭｏｄｅｌ  ＰＣ１０００が挙げられる。プラズマ処理に使用するガスは、一般的にはＮ２、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ４を使用することができるが、実装基板と半導体チップとの非常に狭い間隙にアンダーフィル材を注入する場合には、半導体チップ、実装基板又はバンプの少なくとも一つの表面をＮ２ガスでプラズマ処理を行う必要がある。プラズマ処理に際して、装置内の圧力は２００ｍＴｏｒｒ、処理時間は、５分間である。
【実施例】
【００２５】
以下に本発明を、実施例を用いてより詳細に説明するが、かかる実施例の説明は例示であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２６】
エポキシ系アンダーフィル材の調製
２種類のエポキシ系アンダーフィル材を使用した。アンダーフィルＡ材は、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品番号ＹＤＦ８１７０）１８０重量部、液状フェノール樹脂（明和化成株式会社製、商品番号ＭＥＨ８０００）１１０重量部、イミダゾール（四国化成株式会社製、商品番号２Ｅ４ＭＺ）１重量部、球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、商品番号ＳＯＥ５）４３５重量部を使用し、混合後、３本ロールにて分散させた。またアンダーフィルＢ材は、ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（東都化成株式会社製、商品番号ＹＤＦ８１７０）１８０重量部、酸無水物として無水メチルナジック酸（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品番号ＹＨ３０６）２３０重量部、イミダゾール（四国化成株式会社製、商品番号２Ｅ４ＭＺ）１重量部、球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、商品番号ＳＯＥ５）６１５重量部を使用し、アンダーフィルＡ材と同様にして調製した。
【００２７】
半導体装置の作製
ＴＥＧ（Test element group、日立超ＬＳＩ株式会社製）とＦＲ４基板（ウエル株式会社製）とを、ハンダぺースト（日本スペリア株式会社製ＳＮ９７Ｃ）を使用して、２６０℃のハンダリフロー炉に通してフリップチップ接続した。
【００２８】
プラズマ処理
フリップチップ接続後の半導体装置に、サムコ株式会社のＭｏｄｅｌ  ＰＣ１０００を使用して、はんだリフローにより接続された基板、半導体チップをＴＥＧのポリイミドパッシベーション膜表面にプラズマ処理を実施した。プラズマ処理は、反応ガス種としてＮ２、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ４を使用し、条件は下記のとおりであった。プラズマ処理に際しての装置内の圧力は２００ｍｔｏｒｒ、処理時間は、５分間であった。
【００２９】
アンダーフィル材の注入
半導体チップと実装基板との間隙への本発明のエポキシ系アンダーフィル材の注入は、ディスペンサを用いて、半導体チップ周囲にＩ字型、もしくはＬ字型にアンダーフィル材を７０℃で吐出させて行った。
【００３０】
エポキシ系アンダーフィル材の注入性の評価
半導体チップと実装基板との間隙へのエポキシ系アンダーフィル材の注入性は、ポリイミドパッシべーション膜との接触角、注入テスト、及びボイドの発生の有無で評価した。
【００３１】
接触角は、ポリイミドパッシべーション膜を有したＴＥＧにプラズマ処理を施した際のエポキシ系アンダーフィル材を滴下したときのアンダーフィル材とパッシベーション膜との接触角である。接触角の測定方法は、図２に示すように、半導体チップ（パッシベーション膜）上にアンダーフィル材を０．４ｍｌ滴下し、その後１５０℃で６０分間硬化後、図２に示すようにして、硬化物の高さ（ｈ）、直径（２ｒ）から接触角（Ａ）を、式Ａ＝２ｘｔａｎ−１（ｈ／ｒ）により求めた。なお、接触角（Ａ）は、測定値１０個の平均値とした。結果を表１に示す。
【００３２】
注入テストは、２０ｍｍ角のＦＲ４基板（ウエル株式会社製）にハンダ接続されたＴＥＧ（日立超ＬＳＩ株式会社製）を用い、ＴＥＧにプラズマ処理を施し、次いでディスペンサを用いてエポキシ系アンダーフィル材を注入した。注入性の評価は、ディスペンサからアンダーフィルを吐出した後、アンダーフィル材が対辺側に滲み出した時間を測定した。なお、時間が短いほどアンダーフィル材の注入性は良好であるといえる。結果を表１に示すが、実施例は優れた結果を示している。
【００３３】
ボイド発生有無の測定は、ＦＲ４基板（ウエル株式会社製）にハンダ接続されたＴＥＧ（日立超ＬＳＩ株式会社製）を用い、ＴＥＧにプラズマ処理を施し、次いでエポキシ系アンダーフィル材を注入した後の、アンダーフィル材とＴＥＧ表面との界面におけるボイドを、走査型超音波顕微鏡（ソニックス株式会社製、HiSpeed-1000TM）を使用して評価した。結果を表１及び図３〜７に示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
表１に示すように、Ｎ２ガスを用いてＴＥＧにプラズマ処理を行った実施例１及び２は、ポリイミドパッシベーションとの接触角が非常に小さく、アンダーフィル材のパッシベーション膜に対する濡れ性に優れる。加えて、ＴＥＧボイドも発生していない。一方、ＣＦ４あるいはＯ２ガスを用いてプラズマ処理を行った比較例１〜４は、ポリイミドパッシベーションとの接触角が比較的大きく、ＴＥＧボイドも少々から多数発生している。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明によって、アンダーフィル材の注入性を著しく向上させることができるので、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体を含むデバイスの封止等に広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来のフリップチップボンディング及び封止方法を示す概略図である。
【図２】プラズマ処理したポリイミドパッシべーション膜へのエポキシ系アンダーフィル材の接触角を測定する方法を示す図である。
【図３】実施例１（プラズマガス：Ｎ２、アンダーフィル材：Ａ）を使用したときのボイドの発生状況を示す走査型超音波顕微鏡写真である。
【図４】実施例２（プラズマガス：Ｎ２、アンダーフィル材：Ｂ）を使用したときのボイドの発生状況を示す走査型超音波顕微鏡写真である。
【図５】比較例１（プラズマガス：ＣＦ４、アンダーフィル材：Ａ）を使用したときのボイドの発生状況を示す走査型超音波顕微鏡写真である。
【図６】比較例３（プラズマガス：Ｏ２、アンダーフィル材：Ａ）を使用したときのボイドの発生状況を示す走査型超音波顕微鏡写真である。
【図７】比較例４（プラズマガス：Ｏ２、アンダーフィル材：Ｂ）を使用したときのボイドの発生状況を示す走査型超音波顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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