(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された被加工物を，保持テープを介してフレームに保持された状態でチップ状に分割してチップ間隔を拡張する加工装置において：
前記被加工物を収容するカセットから搬送された前記被加工物の位置を基準位置に合わせる位置合わせ手段と；
前記位置合わせ手段から搬送された前記被加工物に対して，前記被加工物の前記分割予定ラインに沿って外力を加えることにより，前記被加工物をチップ状に分割するブレーキング手段と；
前記ブレーキング手段により分割された前記被加工物を保持する前記保持テープを伸張させることにより，当該被加工物のチップ間隔を拡張するチップ間隔拡張手段と；
を備え，
前記カセットと前記位置合わせ手段とを結ぶ第１ラインと，前記位置合わせ手段と前記ブレーキング手段とを結ぶ第２ラインとが略直交するように，前記カセット，前記位置合わせ手段および前記ブレーキング手段が配置され，
前記位置合わせ手段の下方には，前記チップ間隔拡張手段が配置されることを特徴とする，加工装置。
【請求項２】
前記被加工物に接着フィルムが貼り付けられ，さらに前記接着フィルムに前記保持テープが貼り付けられている場合には，
前記被加工物に貼り付けられた前記接着フィルムを伸張させることにより，前記接着フィルムを分断させる接着フィルム分断手段をさらに備え，
前記フィルム分断手段は，前記第１ライン上に前記位置合わせ手段と隣接して配置されることを特徴とする，請求項１に記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，被加工物の加工装置に関し，より詳細には，被加工物のチップ間隔を拡張させる加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程において，略円板形状である半導体ウェハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインにより複数の領域が区画され，この区画された領域に，ＩＣ，ＬＳＩ等の回路が形成される。そして，半導体ウェハをストリートに沿って切断することにより，回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップが製造される。また，サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウェハも所定のストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード，レーザダイオード等の光デバイスに分割され，電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウェハや光デバイスウェハ等のストリートに沿った切断は，通常，ダイサーと称される切削装置によって行われている。この切削装置は，半導体ウェハや光デバイスウェハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと，チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と，チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動させる切削送り手段とを具備している。
【０００４】
切削手段は，回転スピンドルと，回転スピンドルに装着された切削ブレードと，回転スピンドルを回転駆動する駆動機構とを有している。切削ブレードは，円盤状の基台と，基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなり，切れ刃は，例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定されて，厚さ約２０μｍに形成されている。
【０００５】
しかし，サファイヤ基板，炭素珪素基板等はモース高度が高いため，切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。さらに，切削ブレードは，約２０μｍの厚さを有するため，デバイスを区画するストリートとして約５０μｍの幅を要する。このため，例えば３００μｍ×３００μｍのデバイスの場合には，ストリートがデバイス全体に占める面積比率が約１４％にもなり，生産性が悪いという問題がある。
【０００６】
一方，近年，半導体ウェハ等の板状の被加工物を分割する方法として，その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光を用いて，被加工物の分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光を照射するレーザー加工方法も試みられている。レーザー加工方法を用いた分割方法では，例えば特許文献１のように，被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して，透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光を照射して，被加工物の内部にストリートに沿って連続的に変質層を形成する。この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加え，被加工物を分割する。
【０００７】
このように，ストリートに沿って連続的に形成された変質層に対して外力を付与し，半導体ウェハを個々のチップに分割する方法として，本願出願人は，半導体ウェハが貼着された保持テープを伸張して半導体ウェハに引っ張り力を付与することにより半導体ウェハを個々のチップに分割する方法を提案した（特許文献２）。
【０００８】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００５−１２９６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，被加工物の分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光を照射するレーザー加工方法を用いて半導体ウェハを分割したとき，半導体ウェハがすべてのストリートに沿って分割されていない場合がある。このため，半導体ウェハが貼着された保持テープを伸張して半導体ウェハに引っ張り力を付与したとしても，半導体ウェハの全領域，特に中心領域まで引っ張り力が十分に伝達されないという問題があった。また，半導体ウェハを分割して形成されたチップの間隔を拡張するためのチップ間隔拡散装置は，レーザー切削装置等の切削装置の付属的な装置であるため，省スペース化が要求され，その配置や構成を工夫する必要があった。
【００１０】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，チップ間隔を精度よく拡張して維持することの可能な，新規かつ改良された加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された被加工物を，保持テープを介してフレームに保持された状態でチップ状に分割してチップ間隔を拡張する加工装置が提供される。被加工物の分割予定ラインに沿って外力を加えることにより，被加工物をチップ状に分割するブレーキング手段と，ブレーキング手段により分割された被加工物を保持する保持テープを伸張させることにより，当該被加工物のチップ間隔を拡張するチップ間隔拡張手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
かかる加工装置では，レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された状態であって，完全に分割されていないストリートが残る被加工物に対して，まずブレーキング手段により，各ストリートに対して外力を加える。これにより，被加工物が完全にチップ状に分割される。その後，チップ間隔拡張手段により保持テープを伸張するので，保持テープが伸張することによる被加工物への引っ張り力が十分に伝達され，精度よくチップ間隔を拡張させることができる。
【００１３】
ここで，被加工物に，接着フィルムを貼り付けて，さらに接着フィルムに保持テープを貼り付けてもよい。この場合，本発明にかかる加工装置は，被加工物に貼り付けられた接着フィルムを伸張させることにより，接着フィルムを分断させる接着フィルム分断手段をさらに備える。接着フィルムは，例えば積層チップの加工に用いられるフィルムであり，レーザー光によっては切断されない。そこで，接着フィルムが貼り付けられた被加工物を加工する際には，接着フィルムをチップ形状に合わせて分断するために，加工装置に接着フィルム分断手段を設けてもよい。
【００１４】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された被加工物を，保持テープを介してフレームに保持された状態でチップ状に分割してチップ間隔を拡張する加工装置が提供される。被加工物を収容するカセットから搬送された被加工物の位置を基準位置に合わせる位置合わせ手段と，位置合わせ手段から搬送された被加工物に対して，被加工物の分割予定ラインに沿って外力を加えることにより，被加工物をチップ状に分割するブレーキング手段と，ブレーキング手段により分割された被加工物を保持する保持テープを伸張させることにより，当該被加工物のチップ間隔を拡張するチップ間隔拡張手段と，を備えることを特徴とする。ここで，カセットと位置合わせ手段とを結ぶ第１ラインと，位置合わせ手段とブレーキング手段とを結ぶ第２ラインとが略直交するように，カセット，位置合わせ手段およびブレーキング手段を配置させ，位置合わせ手段の下方に，チップ間隔拡張手段を配置させてもよい。
【００１５】
かかる加工装置では，レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された状態であって，完全に分割されていないストリートが残る被加工物に対して，まずブレーキング手段により，各ストリートに対して外力を加える。これにより，被加工物が完全にチップ状に分割される。その後，チップ間隔拡張手段により保持テープを伸張するので，保持テープが伸張することによる被加工物への引っ張り力が十分に伝達させるので，精度よくチップ間隔を拡張させることができる。さらに，加工装置を上記構成とすることにより，省スペース化を実現することができる。
【００１６】
ここで，被加工物に，接着フィルムを貼り付けて，さらに接着フィルムに保持テープを貼り付けてもよい。この場合，本発明にかかる加工装置は，被加工物に貼り付けられた接着フィルムを伸張させることにより，接着フィルムを分断させる接着フィルム分断手段をさらに備える。接着フィルム分断手段を設けることにより，レーザー光では分断されなかった接着フィルムを分断することができる。かかる接着フィルム分断手段は，例えば，第１ライン上に位置合わせ手段と隣接して配置させることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように本発明によれば，チップ間隔を精度よく拡張して維持することの可能な加工装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず，図１に基づいて，本発明の加工装置の第１の実施形態であるチップ間隔拡張装置１について説明する。ここで，図１は，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１を示す全体斜視図である。
【００２０】
本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１は，図１に示すように，例えば，カセット駆動手段２と，第１の搬送手段３と，第２の搬送手段４と，第３の搬送手段５と，ブレーキング手段６と，エキスパンド手段７と，接着フィルム分断手段８とを備える。
【００２１】
チップ間隔拡張装置１は，例えば，被加工物の内部にパルスレーザー光の集光点を合わせて照射させることによって被加工物の内部に連続的に変質層が形成された被加工物を，チップ状に分割してチップ間隔を拡張する加工装置である。被加工物は，例えば略円板形状のウェハＷであり，図１に示すように，かかるウェハＷは，保持テープ１１を介して例えば環状のフレーム１２に保持されている。ウェハＷの表面にはストリートと呼ばれる分割予定ラインが格子状に配列されており，かかるストリートに沿ってウェハＷを分割することにより，複数のチップが形成される。ウェハＷは，カセット１０に収容されて，チップ間隔拡張装置１のカセット載置台２１に載置される。なお，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１では，その内部にレーザー光によって変質層が形成されたウェハＷが加工対象であるため，カセット１０に収容されたウェハＷはレーザー光によって変質層が形成されたものである。
【００２２】
カセット駆動手段２は，カセット１０を載置して上下方向（Ｚ方向）に移動させる手段であり，例えば，カセット１０が載置されるカセット載置台２１と，カセット載置台２１を上下方向に駆動させる駆動手段２３とを有する。駆動手段２３は，カセット載置台２１に載置されたカセット１０をＺ方向に移動させて，後述する第１の搬送手段３により搬送するウェハＷの収容された位置を，ウェハ取り出し位置に合わせる。
【００２３】
第１の搬送手段３は，カセット１０とウェハＷが位置合わせされる基準位置との間でウェハＷを搬送する搬送手段であり，例えば，Ｌ字形状に形成された一対の第１のガイドレール３１と，ウェハＷを保持する保持部（図示せず。）と，保持部をＹ方向に移動させる駆動部（図示せず。）とを有する。第１のガイドレール３１は，Ｙ方向に延設されており，それぞれＸ方向に移動可能である。保持部は，例えばウェハＷを掴むことができるような爪形状に形成されており，駆動部によりＹ方向に移動される。また，第１のガイドレール３１は，ウェハＷの位置合わせを行う位置合わせ手段も兼ねており，例えばウェハＷを第１のガイドレール３１で挟むことによって，ウェハＷの位置を，後述する第２の搬送手段４によってウェハＷを保持する位置（以下，「基準位置」とする。）に位置合わせすることができる。
【００２４】
第２の搬送手段４は，ウェハＷを上下方向（Ｚ方向）に移動させ，また，基準位置とブレーキング手段６との間でウェハＷを移動させることも可能な搬送手段である。第２の搬送手段４は，例えば，ウェハＷを吸着保持するウェハ保持部４１と，ウェハ保持部４１を支持する支持部４３と，支持部４３を移動させる駆動部（図示せず。）とを有する。ウェハ保持部４１は，例えば吸引源（図示せず。）と連通する吸着パッド（図示せず。）を備えており，吸着パッドをウェハＷに接触させて吸引することにより，ウェハＷを保持することができる。駆動部は，例えばＺ方向に駆動させるためのＺ軸駆動部と，Ｘ方向に移動させるためのＸ軸駆動部とを備えており，支持部４３および支持部４３に支持されたウェハ保持部４１をＺ方向およびＸ方向に移動させる。さらに，第２の搬送手段４は，θ軸に回転することができ，例えば後述するブレーキング手段６におけるウェハＷの角度調整を行うことも可能である。
【００２５】
第３の搬送手段５は，基準位置とブレーキング手段６との間でウェハＷを移動させる搬送手段である。第３の搬送手段５は，例えば鉛直方向（Ｚ方向）に延びる押圧部材５５と，押圧部材５５を移動させる駆動部（図示せず。）とを有する。押圧部材５５の端部によって一対の第２のガイドレール５１に支持されたウェハＷを押圧し，ウェハＷをブレーキング手段６側へ移動させる。
【００２６】
ブレーキング手段６は，レーザー光照射により内部にストリートに沿って変質層が形成されたウェハＷを，完全にチップ状に分割するための分割手段である。ウェハＷは，レーザー加工によりチップ状に分割されるが，すべてのストリートに沿って分割されていない場合がある。ブレーキング手段６は，すべてのストリートにおいて完全に分割されるように，各ストリートに沿って外力を加える。なお，ブレーキング手段６の構成については後述する。
【００２７】
エキスパンド手段７は，ブレーキング手段６によって完全にチップ状に分割されたウェハＷのチップ間隔を拡張するためのチップ間隔拡張手段である。エキスパンド手段７は，例えばウェハＷが貼り付けられた保持テープ１１を伸張させることにより，チップ間隔を拡張させることができる。かかるエキスパンド手段７の構成については後述する。
【００２８】
接着フィルム分断手段８は，接着フィルム分断手段８は，接着フィルムが貼り付けられたウェハＷのチップ間隔をエキスパンド手段７によって拡張させる前に，接着フィルムを分断するために用いられる分断手段である。したがって，接着フィルムが貼り付けられていないウェハＷを加工する場合には，チップ間隔拡張装置１に接着フィルム分断手段８を設けなくともよい。かかる接着フィルム分断手段８の構成については後述する。
【００２９】
以上，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１の全体構成について説明した。次に，本実施形態にかかるブレーキング手段６，エキスパンド手段７および接着フィルム分断手段８について説明する。
【００３０】
まず，図２および図３に基づいて，本実施形態にかかるブレーキング手段６の構成について説明する。ここで，図２は，本実施形態にかかるブレーキング手段６の概略を示す斜視図である。また，図３は，本実施形態にかかるブレーキング手段６によるウェハＷの分割方法について説明するための説明図であり，（ａ）は，ウェハ分割前を示し，（ｂ）は，ウェハ分割後を示す。
【００３１】
本実施形態にかかるブレーキング手段６は，例えば，Ｙ方向に並んで２つの分割手段６０を備えている。各分割手段６０は，例えば，ウェハＷに接触して吸着保持する吸着保持部６１と，ウェハＷのストリートの位置を確認するための撮像部６３とを有する。吸着保持部６１は，Ｘ方向に延びる２つの吸着パッド６１ａ，６１ｂから構成されており，２つ折にすることができる。撮像部６３は，ウェハＷを撮像する例えばＣＣＤカメラであり，ウェハＷのストリートと吸着保持部６１による分割方向とにずれが生じていないかを確認するために用いられる。
【００３２】
ブレーキング手段６によりウェハＷを分割する方法としては，例えば図３（ａ）に示すように，まず，レーザー光により内部に変質層１３が形成されたウェハＷのストリートと，一対の吸着保持部６１による分割方向とを合わせ，吸着保持部６１によりウェハＷを吸着保持する。次いで，図３（ｂ）に示すように，吸着保持部６１を２つ折（例えば，山折り）にしてウェハＷに対して外力を加える。これにより，ウェハＷ内部に変質層１３が形成されたが完全には分割しきれていなかった部分も，完全に分割される。このようにして，全てのストリートに対して順次外力を加えることによって，ウェハＷを完全にチップ状に分割することができる。
【００３３】
以上，本実施形態にかかるブレーキング手段６の構成について説明した。次に，図４Ａおよび図４Ｂに基づいて，本実施形態にかかるエキスパンド手段７の構成について説明する。ここで，図４Ａは，本実施形態にかかるエキスパンド手段７の動作を説明するための説明図であり，（ａ）は，エキスパンド手段７にウェハＷが載置された状態を示し，（ｂ）は，保持テープ１１が伸張された状態を示す。また，図４Ｂは，本実施形態にかかるエキスパンド手段７の動作を説明するための説明図であり，（ｃ）は，保持テープ１１の弛み部分１１ａを収縮させる工程を示し，（ｄ）は，ウェハＷのチップ間隔が拡張された状態を示す。
【００３４】
本実施形態にかかるエキスパンド手段７は，図４Ａ（ａ）に示すように，例えば，テーブル７１と，ウェハＷを載置する吸着部７３と，フレーム１２を保持するフレーム保持部７５と，加熱部７７とを有する。テーブル７１は，吸着部７３を支持する支持台であり，昇降可能に形成されている。吸着部７３は，ウェハＷ部分が載置される部分であり，ウェハＷを吸着保持することが可能である。フレーム保持部７５は，フレーム１２を保持する保持部である。加熱部７７は，保持テープ１１を収縮させるための熱を発生する熱源である。熱源は，例えば熱風を噴射する熱風源や，ヒータ加熱板等を用いることができる。
【００３５】
次に，かかるエキスパンド手段７によるエキスパンド工程について説明する。まず，図４Ａ（ａ）に示すように，フレーム保持部７５上にフレーム１２が載置されるように，ウェハＷが吸着部７３上に載置される。このとき，吸着部７３は，ウェハＷを吸着保持していない。一方，フレーム１２は，フレーム保持部７５により吸着保持される。なお，フレーム１２は，吸着保持により固定する他，例えば固定具（図示せず。）を用いてフレーム保持部７５に固定してもよい。
【００３６】
次いで，図４Ａ（ｂ）に示すように，テーブル７１を上昇させて，保持テープ１１を伸張させる。保持テープ１１の伸張により生じる引っ張り力によって，ウェハＷのチップ間隔が拡張される。この状態で，吸着部７３によりチップ状に分割されたウェハＷを吸着保持し，チップ間隔が拡張した状態を保持する。その後，テーブル７１を加工させて，ウェハＷを元の位置（図４Ａ（ａ）の位置）に移動させる。
【００３７】
ここで，保持テープ１１を伸張させた後，ウェハＷを元の位置に戻すため，保持テープ１１が吸着部７３に固定された部分とフレーム１２との間の保持テープ１１には，弛み部分１１ａが生じる。そこで，図４Ｂ（ｃ）に示すように，保持テープ１１の弛み部分１１ａを加熱部７７により加熱して，保持テープ１１を収縮させる。こうして保持テープ１１の弛みを除去することができる。その後，吸着部７３によるウェハＷの吸着を解除すると，図４Ｂ（ｄ）に示すように，チップ間隔が拡張されたウェハＷが保持テープ１１上に保持されることになる。
【００３８】
以上，本実施形態にかかるエキスパンド手段７の構成について説明した。次に，本実施形態にかかる接着フィルム分断手段８について説明する。
【００３９】
接着フィルム分断手段８は，上述したように，ウェハＷがフレーム１２に装着された保持テープ１１上に接着フィルムを介して貼り付けられている場合，エキスパンド手段７によりチップ間隔を拡張する前に，接着フィルムをチップ形状に合わせて分断するための分断手段である。ここで，接着フィルムは，例えばダイアタッチフィルム（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ；ＤＡＦ）であり，接着フィルムを伸張させる力が加えられると，チップの形状に合わせて分断される特殊なフィルムである。接着フィルムは，レーザー光の照射によっては分断されないため，かかる接着フィルム分断手段８が必要となる。
【００４０】
接着フィルム分断手段８は，例えば，カセット１０と基準位置とを結ぶ第１ラインの延長上に，基準位置とＹ負方向に隣接して配置することができる。接着フィルム分断手段８の内部は，約５〜−２５℃に冷却されている。接着フィルムを分断する分断工程は，上述したエキスパンド手段７と同様であり，ウェハＷの下側のテーブルを押し上げることにより接着フィルムを拡張させて引き千切る。このとき，テーブルの上昇速度は例えば約５００ｍｍ／ｓｅｃであり，エキスパンド工程におけるテーブルの上昇速度と比較して速い。その後，テーブルを下降してウェハＷを元の位置に戻す。このようにして，接着フィルムを分断することができる。
【００４１】
以上，本実施形態にかかる接着フィルム分断手段８の構成について説明した。
【００４２】
次に，図５Ａ〜図５Ｆに基づいて，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１により加工されるウェハＷの動きについて説明する。ここで，図５Ａは，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１において，カセット１０から基準位置までのウェハＷの移動を示す説明図である。また，図５Ｂは，基準位置からブレーキング手段６までのウェハＷの移動を示す説明図である。さらに，図５Ｃは，ブレーキング手段６から基準位置までのウェハＷの移動を示す説明図である。そして，図５Ｄは，基準位置と接着フィルム分断手段８との間のウェハＷの移動を示す説明図である。また，図５Ｅは，ウェハＷのエキスパンド手段７への移動を示す説明図である。そして，図５Ｆは，エキスパンド手段７からカセット１０までのウェハＷの移動を示す説明図である。なお，以下では，ウェハＷに接着フィルムが貼り付けられているものとして説明する。
【００４３】
まず，図５Ａに示すように，チップ間隔拡張装置１のカセット載置台２１には，複数のウェハＷが収容されたカセット１０が載置される。かかるカセット１０から第１の搬送手段３によって１枚のウェハＷが取り出され，第１のガイドレール３１に沿ってウェハＷの位置合わせを行う位置に移動させる（矢印Ａ１）。位置合わせを行う位置に移動されたウェハＷは，位置合わせ手段でもある第１のガイドレール３１によって挟まれて基準位置３５に合わせられる。位置合わせされたウェハＷは，第２の搬送手段４により吸着保持されて，上方に移動される（矢印Ａ２）。
【００４４】
次いで，図５Ｂに示すように，第２の搬送手段４に上方に移動されたウェハＷは，第１のガイドレール３１の上方に設けられた第２のガイドレール５１上に載置される（矢印Ａ３）。第２のガイドレール５１はＹ方向に移動可能であり，上述したウェハＷの位置合わせ後にウェハＷを第２の搬送手段４により持ち上げる際には，第２のガイドレール５１はウェハＷが可能な間隔に開かれている。第２の搬送手段４によって吸着されたウェハＷが持ち上げられ，第２のガイドレール５１を通過すると，第２のガイドレール５１はその間隔を狭めてウェハＷが載置できる幅に閉じられる。
【００４５】
第２のガイドレール５１に載置されたウェハＷは，第３の搬送手段５により押圧されて，第２のガイドレール５１，第３のガイドレール５３に沿ってブレーキング手段６まで移動される（矢印Ａ４）。第３のガイドレール５３は，ブレーキング手段６の上方に設けられており，第２のガイドレール５１と同様，Ｙ方向に移動可能である。ウェハＷをブレーキング手段６へ移動させる際には，第３のガイドレール５３は，ウェハＷが載置された第２のガイドレール５１と略同一の幅に設定されて，第２のガイドレール５１と連結するように設けられる。これにより，ウェハＷを，第２のガイドレール５１から第３のガイドレール５３を経て，ブレーキング手段６に移動させることができる。
【００４６】
ブレーキング手段６では，上述したように，第３のガイドレール５３に保持されたウェハＷに対して当該ウェハＷの表面側にあるストリートに沿って外力を加えて，分割されていないストリートがないようにウェハＷを完全にチップ状に分割する。
【００４７】
すなわち，ブレーキング工程では，まず，撮像部６３によってウェハＷの表面を撮像し，ストリートの位置を確認する。吸着保持部６１による分割方向に対してストリートの方向にずれが生じていた場合には，ウェハＷを第２の搬送手段４によって保持して上方へ移動させて，ウェハＷを回転させてずれを補正した後，再度第３のガイドレール５３上に載置する。そして，撮像部６３によって，ストリートの位置にずれがないことを確認する。次いで，吸着保持部６１をストリートの直下に位置するように移動させてウェハＷを吸着保持した後，吸着保持部６１の２つの吸着パッド６１ａ，６１ｂを２つ折にしてウェハＷに外力を加える。このようにして，第１の方向のストリートに対して外力を加え，ウェハＷを完全に分割する。
【００４８】
さらに，第１の方向に直交する第２の方向のストリートに対してブレーキングを行うために，第２の搬送手段４によりウェハＷを保持して上方に移動させて，ウェハＷを９０°回転させる。その後，ウェハＷを再度第３のガイドレール５３上に載置して，第２の方向のストリートに対しても第１の方向のストリートと同様に，撮像部６３によりストリートの位置を確認した後，ブレーキングを行う。こうして，ウェハＷを完全にチップ状に分割することができる。
【００４９】
ブレーキング手段６によって分割処理されたウェハＷは，図５Ｃに示すように，第２の搬送手段４に保持されて上方に移動された後，Ｘ正方向に移動され（矢印Ａ５），基準位置３５の第１のガイドレール３１上に載置される（矢印Ａ６）。この際，第２のガイドレール５１はウェハＷが通過可能な間隔に開かれている。
【００５０】
さらに，図５Ｄに示すように，第１のガイドレール３１に載置されたウェハＷは，例えば第１の搬送手段３によって，基準位置３５から接着フィルム分断手段８へ移動される（矢印Ａ７）。ウェハＷは，接着フィルム分断手段８により当該ウェハＷに接着された接着フィルムが分断されると，再び第１の搬送手段３によって基準位置３５に移動される（矢印Ａ８）。その後，ウェハＷは，第２搬送手段４によって吸着保持されて上方へ移動され（矢印Ａ９），エキスパンド手段７に移動される。この際，第２のガイドレール５１および第１のガイドレール３１は，ウェハＷが通過可能な間隔にそれぞれ開かれる。
【００５１】
その後，図５Ｅに示すように，第２の搬送手段によりエキスパンド手段７に移動されたウェハＷは（矢印Ａ１０），上述したエキスパンド工程によりチップ間隔が拡張される。エキスパンド工程が終了すると，第２の搬送手段４により，吸着保持されて上方へ移動される（矢印Ａ１１）。ウェハＷが上方へ移動されると，第１のガイドレール３１は，ウェハＷを載置可能な間隔に閉じられる。
【００５２】
第２の搬送手段４により移動されたウェハＷは，図５Ｆに示すように，第１のガイドレール３１上に載置される（矢印Ａ１２）。そして，第１のガイドレール３１上に載置されたウェハＷは，第１の搬送手段３によりカセット１０へ収容される（矢印Ａ１３）。
【００５３】
以上，本実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１の動作について説明した。チップ間隔拡張装置１では，このようにしてウェハＷのチップ間隔を広げることができる。
【００５４】
なお，ウェハＷに接着フィルムが貼り付けられていない場合には，接着フィルム分断手段８による接着フィルムの分断工程を省略できる。したがって，図５Ｃにおいて，ブレーキング手段６よるブレーキング工程を終えたウェハＷは，第２の搬送手段４により吸着保持されて基準位置３５の上方まで移動させた後（矢印Ａ５），第２のガイドレール５１および第１のガイドレール３１を通過してエキスパンド手段７上に載置される（図５Ｅの矢印Ａ１０）。そして，エキスパンド工程によりウェハＷのチップ間隔を拡張させればよい。
【００５５】
また，エキスパンド手段７の下側には，例えば紫外線ユニット（図示せず。）を配置することもできる。これは，紫外線ユニットにより保持テープ１１に対して紫外線を照射することにより，保持テープ１１を硬化させることを目的とする。例えば，ブレーキング手段６によるブレーキング工程の前や，エキスパンド手段７によるエキスパンド工程の前に保持テープ１１を硬化させて，チップを保持テープ１１から剥がれやすくする。これにより，保持テープ１１からチップに与えられる力が弱くなり，ウェハＷをチップ状に分割するときに生じるチッピングを低減させることができる。したがって，チップの損傷を低減させることができるので，チップの質が向上し，生産性を向上させることができる。
【００５６】
以上，第１の実施形態にかかるチップ間隔拡張装置１について説明した。かかるチップ間隔拡張装置１は，ブレーキング手段６とエキスパンド手段７とを備え，レーザー光照射により分割予定ラインに沿った変質層が内部に形成された被加工物を，保持テープ１１を介してフレーム１２に保持された状態でブレーキング手段６によりチップ状に完全に分割した後，エキスパンド手段７によりチップ間隔を拡張する。したがって，チップ間隔を拡張させる際にウェハＷの全領域まで引っ張り力が十分に伝達され，チップ間隔を精度よく拡張させることが可能となる。また，ブレーキング手段６とエキスパンド手段７と備え，上述したような配置や構成とすることにより，省スペース化を実現することができる。
【００５７】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５８】
例えば，上記実施形態では，ウェハＷを基準位置３５からブレーキング手段６に移動させる際には，第３の搬送手段５を用いたが，本発明はかかる例に限定されず，第２の搬送手段４を用いてもよい。すなわち，第１のガイドレール３１上に載置されたウェハＷを第２の搬送手段４により吸着保持して上方へ移動させた後，そのままＸ負方向へ移動させて，第３のガイドレール５３上に載置させることもできる。
【００５９】
また，上記実施形態では，本実施形態にかかるブレーキング手段６は，２つの分割手段６０を備えているが，本発明はかかる例に限定されず，１つであってもよい。また，ブレーキング手段６によりウェハＷに対して外力を加える際，吸着保持部６１を山折りにして外力を加えたが，本発明はかかる例に限定されず，例えば，谷折りにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は，被加工物の加工装置に適用可能であり，特に，被加工物のチップ間隔を拡張させる加工装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施形態にかかる加工装置を示す全体斜視図である。
【図２】同実施形態にかかるブレーキング手段の概略を示す斜視図である。
【図３】同実施形態にかかるブレーキング手段によるウェハの分割方法について説明するための説明図であり，（ａ）は，ウェハ分割前を示し，（ｂ）は，ウェハ分割後を示す。
【図４Ａ】同実施形態にかかるエキスパンド手段の動作を説明するための説明図であり，（ａ）は，エキスパンド手段にウェハが載置された状態を示し，（ｂ）は，保持テープが伸張された状態を示す。
【図４Ｂ】同実施形態にかかるエキスパンド手段の動作を説明するための説明図であり，（ｃ）は，保持テープの弛み部分を収縮させる工程を示し，（ｄ）は，ウェハのチップ間隔が拡張された状態を示す。
【図５Ａ】同実施形態にかかる加工装置において，カセットから基準位置までのウェハの移動を示す説明図である。
【図５Ｂ】同実施形態にかかる加工装置において，基準位置からブレーキング手段までのウェハの移動を示す説明図である。
【図５Ｃ】同実施形態にかかる加工装置においてブレーキング手段から基準位置までのウェハの移動を示す説明図である。
【図５Ｄ】同実施形態にかかる加工装置において，基準位置と接着フィルム分断手段との間のウェハの移動を示す説明図である。
【図５Ｅ】同実施形態にかかる加工装置において，ウェハのエキスパンド手段への移動を示す説明図である。
【図５Ｆ】同実施形態にかかる加工装置において，エキスパンド手段からカセットまでのウェハの移動を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１              チップ間隔拡張装置
１０            カセット
１１            保持テープ
１２            フレーム
２              カセット駆動手段
３              第１の搬送手段
３１            第１のガイドレール
３５            基準位置
４              第２の搬送手段
５              第３の搬送手段
５１            第２のガイドレール
５３            第３のガイドレール
６              ブレーキング手段
６０            分割手段
６１ａ，６１ｂ  吸着パッド
６１            吸着保持部
７              エキスパンド手段
８              接着フィルム分断手段
８１            第４のガイドレール
Ｗ              ウェハ
Ｃ              チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
0004841944.tif 000005
【図４Ｂ】
0004841944.tif 000006
【図５Ａ】
0004841944.tif 000007
【図５Ｂ】
0004841944.tif 000008
【図５Ｃ】
0004841944.tif 000009
【図５Ｄ】
0004841944.tif 000010
【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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