(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の電子部品を半田付けする半田付け方法であって、
熱源として光照射部を使用するとともに前記基板上において同じ溶融温度の半田が使用された複数の被半田付け部を同時に照射し、前記複数の被半田付け部に受光量調整部材を配置して前記被半田付け部の温度を半田溶融温度より高い所定範囲内の温度に昇温させる工程を有し、
前記工程において前記受光量調整部材の受光面積を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定範囲内の温度に調整することを特徴とする半田付け方法。
【請求項２】
前記受光量調整部材の光吸収率を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整する請求項１に記載の半田付け方法。
【請求項３】
前記受光量調整部材は、基板上の所定位置に電子部品を位置決めするための治具を兼ねている請求項１又は請求項２に記載の半田付け方法。
【請求項４】
前記受光量調整部材は、熱容量が同じで光吸収率が異なるように形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半田付け方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田付け方法及び電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上に半導体素子やチップ抵抗、チップコンデンサ等の電子部品を実装する場合、回路基板と電子部品とを半田を介して接合する方法が一般的である。そして、基板上に電子部品を半田付けする場合に、基板上に予め半田を供給しておき、この半田を加熱炉中で溶融して半田付けを行うリフロー半田付けが行われている。加熱炉を通過するワークには、様々な種類があり、その熱容量もまちまちであるので、一度に複数種類のワークを処理できないという問題がある。従来、加熱炉に大がかりな設備を付加しなくても、各ワークの種類毎に正確な温度プロファイルを実現するためのリフロー装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１には、ワークを乗せて加熱炉の中を通過する際に、ワークに対して所定の温度プロファイルを実現するため、ワークを乗せる保持手段を備え、保持手段は、上に乗るワークに所定の温度プロファイルが実現されるようにその熱容量が決定されている。保持手段はワークを乗せるカーボン治具と、カーボン治具を支持するトレイとを備えている。
【０００３】
また、赤外線ランプやハロゲンランプ等の発熱ランプを使用し、プリント基板に部品を半田付けする場合に、プリント基板上の温度分布が一様に所定温度となるように加熱制御でき、半田付けの信頼性を向上できる半田付け装置が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。特許文献２の半田付け装置では、プリント基板の半田付け領域を複数に分割し、この複数の領域を外部からそれぞれ加熱する複数の発熱源と、これら複数の発熱源の発熱量を制御信号に応じてそれぞれ制御する発熱制御手段とを備えている。また、プリント基板の複数の領域にそれぞれ設けられ温度によって変色する感熱材と、プリント基板を撮像するカラーテレビカメラと、このカラーテレビカメラからの画像データに基づき複数の領域毎の感熱材の温度データを出力する画像処理手段とを備えている。さらに、前記温度データに基づきプリント基板の各半田付け領域が一定温度となるように前記制御信号を生成する温度制御手段を備えている。
【０００４】
また、赤外線によるリフローソルダリングを行う時に、各々の電子部品に対してリフロー温度が推奨値になるようにするリフロー温度調整装置が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。特許文献３のリフロー温度調整装置は、熱伝導性の良好な材料で形成され、赤外線リフロー装置に備える熱源との間に所定の距離を保持して接近させ、リフロー温度を高くするように調整する電子部品に設置される。したがって、特定の電子部品のリフロー温度を十分に上昇させる。
【特許文献１】特開２００２−３４６７３６号公報
【特許文献２】特開平８−９７５４８号公報
【特許文献３】特開２００３−８１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、ワークを乗せる保持手段として、その上に乗るワークに所定の温度プロファイルが実現されるようにその熱容量が決定されているため、一度に複数のワークを処理することができる。しかし、熱源として光照射を行うもの用いることに関しては何ら記載がない。
【０００６】
また、特許文献２は光照射を行う熱源を使用する半田付け方法に関して記載されている。しかし、プリント基板に半田付けする部品毎に発熱源を準備し、温度によって変色する感熱材で半田付け領域の温度を検知し、各半田付け領域が半田付けに適した温度になるように各発熱源を発熱制御部で個々に制御するため、構成が複雑になる。
【０００７】
また、特許文献３には、熱伝導性の良好な材料で形成されたリフロー温度調整装置を電子部品上に設置して温度調整を行ったり、冷却素子を設けてリフロー温度を低く調整したりする方法等が記載されているが、照射光の受光量を変更することに関しては何ら記載されていない。
【０００８】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、熱源として光照射部を用いて基板上に複数の電子部品を半田付けする際に、簡単な構成で各電子部品が半田付けされる被半田付け部の温度を半田付けに適した所定の温度に調整した状態で半田付けを行うことができる半田付け方法及び電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため請求項１に記載の発明は、基板上に複数の電子部品を半田付けする半田付け方法であって、熱源として光照射部を使用するとともに前記基板上において同じ溶融温度の半田が使用された複数の被半田付け部を同時に照射し、前記複数の被半田付け部に受光量調整部材を配置して前記被半田付け部の温度を半田溶融温度より高い所定範囲内の温度に昇温させる工程を有し、前記工程において前記受光量調整部材の受光面積を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定範囲内の温度に調整する。
【００１０】
この発明では、基板上に複数の電子部品を半田付けする際、一般的なリフロー半田付けと異なり、リフロー炉全体を加熱するのではなく、基板の部分に光を照射して、基板上に配置された半田及び電子部品を基板と共に加熱する。光照射部からは同じ強さの光が基板に照射されるが、基板からの放熱が周縁部で大きいため、基板上の温度は均一ではなく、周縁部の温度が中央部に比較して低くなる。そのため、単に電子部品を基板上に配置して半田付けを行うと、全ての箇所で電子部品の半田付けを適正な温度で行うのは難しい。しかし、この発明では、複数の被半田付け部に受光量調整部材を配置して被半田付け部の温度を所定の温度に昇温させる。そのため、複数ある各被半田付け部上に半田を介して配置された各電子部品は適正な温度で半田付けが行われる。複数ある各被半田付け部上に配置される半田は、必ずしも同じ溶融温度の半田とは限らず、被半田付け部によって異なる溶融温度の半田が使用される場合もある。
【００１１】
また、各電子部品の半田付けに同じ溶融温度の半田が使用される場合、各被半田付け部の温度が半田溶融温度より高い所定範囲内にあれば、半田付けが良好に行われる。この発明では、複数の被半田付け部の半田の温度のばらつきが所定範囲内になるため、同じ半田を使用して半田付けを行えば、全ての電子部品は適正な温度で半田付けが行われる。
【００１２】
さらに、光照射部から均一に照射される光を受光する場合、他の条件が同じで受光面積が異なれば受光量が異なり温度上昇の程度が異なる。この発明では、受光面積を変えるという簡単な構成で、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記受光量調整部材の光吸収率を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整する。受光面積を変えて上昇温度の調整を行うには、所定の温度に対応した受光面積の受光量調整部材が必要になり、受光量調整部材を同じ面積にすることはできない。この発明では、受光量調整部材の光吸収率を変えることにより各被半田付け部の温度を所定の温度に調整するため、各被半田付け部に配置される受光量調整部材が同じ大きさの場合でも各被半田付け部の温度を所定の温度に調整することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記受光量調整部材は、基板上の所定位置に電子部品を位置決めするための治具を兼ねている。基板上の所定位置に電子部品を半田付けする際、使用する半田の種類によっては電子部品又は半田の位置決めを行う治具を用いるのが好ましい。この発明では、受光量調整部材が位置決め用の治具を兼ねているため、受光量調整部材及び治具を別々に設ける場合に比較して構成が簡単になるとともに、半田付けに必要な手間も少なくなる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記受光量調整部材は、熱容量が同じで光吸収率が異なるように形成されている。受光量調整部材の光吸収率を変更することにより受光量調整部材が吸収する熱量を調整して被半田付け部の温度を調整することはできる。しかし、光吸収率を変更して受光量調整部材が吸収する熱量を調整しても、受光量調整部材の熱容量が異なると、吸収する熱量が同じでも被半田付け部の温度は異なる状態になる。この発明では、各受光量調整部材の熱容量が同じため、受光量調整部材が吸収する熱量で各被半田付け部の温度を推定して光吸収率が適正か否かを判断することが容易になる。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の半田付け方法を半田付け工程に使用する電子機器の製造方法である。この発明では、電子機器の製造方法において、対応する前記請求項に記載の発明の作用、効果を奏する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、熱源として光照射部を用いて基板上に複数の電子部品を半田付けする際に、簡単な構成で各電子部品が半田付けされる被半田付け部の温度を半田付けに適した所定の温度に調整した状態で半田付けを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１の実施形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施形態を図１及び図２にしたがって説明する。
図２に示すように、電子機器としての半導体モジュール１０は、基板としての回路基板１１と、回路基板１１上に半田付けにより接合された電子部品１２とを備えている。回路基板１１は、表面に金属回路１３を有する複数のセラミック基板１４が金属製のヒートシンク１５に金属板１６を介して一体化された冷却回路基板である。各セラミック基板１４上にはそれぞれ複数個の電子部品１２が半田付けされている。電子部品１２としては、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）やダイオードが用いられている。
【００１９】
ヒートシンク１５は冷却媒体が流れる冷媒流路１５ａを備えている。ヒートシンク１５は、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。金属板１６は、セラミック基板１４とヒートシンク１５とを接合する接合層として機能し、例えば、アルミニウムや銅などで形成されている。
【００２０】
金属回路１３は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック基板１４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。電子部品１２は、金属回路１３に半田Ｈを介して接合されている。
【００２１】
次に半導体モジュール１０の製造方法の一工程である回路基板１１に対する電子部品１２の半田付け方法について説明する。半田付けは、熱源として光照射部を使用するとともに、基板上の複数の被半田付け部を同時に照射し、前記複数の被半田付け部に受光量調整部材を配置して被半田付け部の温度を所定の温度に昇温させることによって行う。
【００２２】
図１（ａ）は基板上に電子部品を半田付けする際の基板と光照射部との関係を示す模式斜視図である。図１（ａ）に示すように、回路基板１１上には位置決め治具１７ａ，１７ｂ，１７ｃを介して電子部品１２が所定位置に位置決めされた状態で配置されている。位置決め治具１７ａ，１７ｂ，１７ｃは、それぞれ２個の電子部品１２につき１個の割合で使用されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、位置決め治具１７ａ〜１７ｃは、回路基板１１を構成するセラミック基板１４上に載置された状態において、金属回路１３と係合可能な凹部１８を有し、凹部１８内に、金属回路１３に半田付けされる電子部品１２の位置決め用の孔１９が形成されている。孔１９は、電子部品１２のサイズに応じた大きさで形成されている。そして、孔１９と対応する金属回路１３上にシート半田２０及び電子部品１２の順に載置された状態で半田付けが行われるようになっている。この実施形態においては、各セラミック基板１４上に複数個（２つ）の電子部品１２が接合されるので、位置決め治具１７ａ〜１７ｃには複数個（２つ）の孔１９が形成されている。なお、図１（ｂ）では位置決め治具１７ａのみを図示している。位置決め治具１７ａ〜１７ｃは、例えば、グラファイト（カーボン）で形成されている。
【００２４】
位置決め治具１７ａ〜１７ｃは、電子部品１２及びシート半田２０の位置決めを行うだけでなく、光照射部３０から照射される光の受光量を調整する受光量調整部材を兼ねている。詳述すると、各位置決め治具１７ａ〜１７ｃは、光照射部３０から照射された光を受光することにより、対応する被半田付け部の温度が、シート半田２０の温度のばらつきが半田付けに適した所定範囲内となるように昇温させるように、その受光面積が設定されている。この実施形態では、回路基板１１の四隅に近い位置に配置される位置決め治具１７ａの受光面積が最大に、回路基板１１の中央寄りに配置される位置決め治具１７ｃの受光面積が最小に形成されている。また、位置決め治具１７ａ及び位置決め治具１７ｃに挟まれた位置に配置される位置決め治具１７ｂがその中間の受光面積となるように形成されている。
【００２５】
光照射部３０としてはハロゲンランプが使用され、図示しない電源から供給される電力が制御部３１で制御されて供給されるようになっている。光照射部３０は、照射光が回路基板１１全体を照射し余分な領域を照射するのを抑制する状態となるように、形状及び回路基板１１との距離が設定されている。
【００２６】
半田付けを行う際には、回路基板１１の各セラミック基板１４上に位置決め治具１７ａ〜１７ｃを凹部１８が金属回路１３と係合する状態で載置する。そして、各孔１９と対応する位置に同じ種類のシート半田２０及び電子部品１２を順に載置する。その結果、各電子部品１２がシート半田２０とともに回路基板１１の半田付けすべき所定の位置に位置決めされた状態で配置される。
【００２７】
次に光照射部３０による光照射が所定時間行われる。回路基板１１上には光照射部３０から均等に光が照射され、回路基板１１上に配置されたシート半田２０及び電子部品を基板と共に加熱する。光照射部３０からは同じ強さの光が回路基板１１に照射されるが、回路基板１１からの放熱が周縁部で大きいため、回路基板１１上の温度は周縁部の温度が中央部に比較して低くなる。そのため、単に電子部品１２を回路基板１１上に配置して半田付けを行うと、全ての箇所で電子部品１２の半田付けを適正な温度で行うのは難しい。しかし、この実施形態では、複数の被半田付け部となる電子部品１２の半田付け位置には、受光量調整機能を有する位置決め治具１７ａ〜１７ｃを配置して、被半田付け部の温度が半田付けに適した所定範囲の温度に昇温される。シート半田２０は光照射を直接受けないが、光照射を受けた電子部品１２及び位置決め治具１７ａ〜１７ｃの熱が伝導されてシート半田２０が加熱される。この結果、シート半田２０は、溶融温度以上の温度になって溶融する。
【００２８】
具体的には、放熱し易い四隅部に配置される位置決め治具１７ａの受光面積を最大に、放熱が少ない中央部よりに配置される位置決め治具１７ｃの受光面積を最小に設定している。その結果、複数ある各被半田付け部上のシート半田２０は温度のばらつきが所定範囲内になるため、全ての電子部品１２は適正な温度で半田付けが行われる。シート半田２０が完全に溶融した後、光照射部３０からの光照射が停止される。そして、放冷又は冷却用ガスにより回路基板１１が冷却され、溶融した半田が、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、金属回路１３と電子部品１２とを接合する。この状態において半田付けが終了する。次に位置決め治具１７ａ〜１７ｃを回路基板１１上から除去することにより半導体モジュール１０が完成する。
【００２９】
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）回路基板１１上に複数の電子部品１２を半田付けする半田付け方法において、熱源として光照射部３０を使用するとともに回路基板１１上の複数の被半田付け部を同時に照射し、複数の被半田付け部に受光量調整部材（位置決め治具１７ａ〜１７ｃ）を配置して被半田付け部の温度を所定の温度に昇温させる。したがって、熱源として光照射部３０を用いて回路基板１１上に複数の電子部品１２を半田付けする際に、簡単な構成で各電子部品１２が半田付けされる被半田付け部の温度を半田付けに適した所定の温度に調整した状態で半田付けを行うことができる。
【００３０】
（２）前記所定の温度を、複数の被半田付け部の半田の温度のばらつきが所定範囲内となる温度にするとともに、各電子部品１２の半田付けに同じ溶融温度のシート半田２０が使用されている。したがって、複数の被半田付け部のシート半田２０の温度のばらつきが所定範囲内になるため、同じシート半田２０を使用して、全ての電子部品１２が適正な温度で半田付けが行われる。
【００３１】
（３）受光量調整部材の受光面積を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整する。光照射部３０から均一に照射される光を受光する場合、他の条件が同じで受光面積が異なれば受光量が異なり温度上昇の程度が異なる。この実施形態では、受光面積を変えるという簡単な構成で、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整することができる。
【００３２】
（４）受光量調整部材は、回路基板１１上の所定位置に電子部品１２を位置決めするための位置決め治具１７ａ〜１７ｃを兼ねている。回路基板１１上の所定位置に電子部品１２を半田付けする際、使用する半田が半田ペーストの場合は電子部品１２や半田の位置決めは特に必要はないが、シート半田２０を使用する場合は治具を用いるのが好ましい。この実施形態では、受光量調整部材が位置決め治具１７ａ〜１７ｃを兼ねているため、受光量調整部材及び治具を別々に設ける場合に比較して構成が簡単になるとともに、半田付けに必要な手間も少なくなる。
【００３３】
（５）位置決め治具１７ａ〜１７ｃはグラファイトで形成されている。したがって、軽量で半田が付着し難いため治具として適しているとともに、材料自身が黒色で照射光の吸収率が高いため、受光面積を変更して受光量の調整を容易に行うことができる。
【００３４】
（６）電子機器の部品となる半導体モジュール１０の製造方法の一工程である電子部品１２の半田付け工程において前記の方法で半田付けを行っている。したがって、電子機器の製造方法において、前記各効果を得ることができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を図３（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。なお、第２の実施形態は、位置決め治具１７ａ〜１７ｃの構成が異なりその他の構成は第１の実施形態と基本的に同様であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。
【００３６】
この実施形態では、受光量の調整を受光面積の異なる受光量調整部材を使用して行う代わりに、光吸収率を変えることにより受光量の調整を行う点が第１の実施形態と異なっている。３種類の位置決め治具２１ａ，２１ｂ，２１ｃはその受光面積が同じで、光吸収率が異なるように形成されている。そして、放熱し易い四隅部に配置される位置決め治具２１ａは光吸収率が最大に、回路基板１１の中央よりに配置される位置決め治具２１ｃの光吸収率が最小に形成されている。また、位置決め治具２１ａ及び位置決め治具２１ｃに挟まれた位置に配置される位置決め治具２１ｂがその中間の光吸収率となるように形成されている。
【００３７】
具体的には、位置決め治具２１ａは全体が光吸収率の高いグラファイトで形成されている。他の位置決め治具２１ｂ，２１ｃは、全体がグラファイトで形成された位置決め治具２１ａの表面（受光面）に、光吸収率の低いアルミテープ２２を貼付するとともに貼付面積を変えることで治具（受光量調整部材）の光吸収率を所望の値に調整している。
【００３８】
そして、前記第１の実施形態と同様に、回路基板１１上に位置決め治具２１ａ〜２１ｃを用いてシート半田２０及び電子部品１２を位置決めした状態で、光照射部３０による光照射が所定時間行われる。光照射部３０からは同じ強さの光が回路基板１１に照射されるが、各位置決め治具２１ａ〜２１ｃの光吸収率の違いにより、被半田付け部の温度が半田付けに適した所定範囲の温度に昇温される。その結果、複数ある各被半田付け部上のシート半田２０は温度のばらつきが所定範囲内になるため、全ての電子部品１２は適正な温度で半田付けが行われる。
【００３９】
この実施形態においては、前記第１の実施形態における効果（１），（２），（４），（６）と同様な効果を有する他に次の効果を有する。
（７）受光量調整部材（位置決め治具２１ａ〜２１ｃ）の光吸収率を変えることにより、各被半田付け部の温度を所定の温度に調整する。受光面積を変えて上昇温度の調整を行うには、所定の温度に対応した受光面積の受光量調整部材が必要になり、受光量調整部材を同じ面積にすることはできない。しかし、この実施形態では、受光量調整部材の光吸収率を変えることにより各被半田付け部の温度を所定の温度に調整するため、各被半田付け部に配置される受光量調整部材の大きさを同じにすることができる。したがって、位置決め治具２１ａ〜２１ｃをロボットで所定の位置に配置する際、制御が容易になる。
【００４０】
（８）受光量調整部材（位置決め治具２１ａ〜２１ｃ）は、光吸収率の高いグラファイトで形成された本体に、光吸収率の低い材料を貼付するとともに貼付面積を変えることで治具（受光量調整部材）の光吸収率を所望の値に調整している。したがって、各位置決め治具２１ａ〜２１ｃ毎に、それぞれ全体を異なる光吸収率の材料で形成する場合に比較して適切な光吸収率に容易に調整することができる。
【００４１】
（９）受光量調整部材（位置決め治具２１ａ〜２１ｃ）は、光吸収率の高いグラファイトで形成された本体に、光吸収率の低い材料としてアルミテープを貼付することで形成されている。したがって、軽量化が容易で、材料も入手し易い。
【００４２】
（１０）各受光量調整部材（位置決め治具２１ａ〜２１ｃ）は、共通の本体に対して光吸収率の低い材料を貼付するとともに貼付面積を変えることで治具（受光量調整部材）の光吸収率を所望の値に調整している。したがって、本体の熱容量が同じため、治具表面（受光面）の光吸収率の異なる部分の面積と光吸収率とから適正な光吸収率の治具を形成することができる。
【００４３】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  第２の実施形態のように受光量調整部材の光吸収率を所望の値に調整して、回路基板１１上の被半田付け部の温度を所定の温度に昇温させる方法は、光吸収率の高い材料（グラファイト）で形成された本体に、光吸収率の低い材料を貼付するとともに貼付面積を変えることで受光量調整部材の光吸収率を所望の値に調整する方法に限らない。例えば、光吸収率の高い材料の表面（受光面）全体に、光吸収率の異なる材料で形成された膜を形成してもよい。具体的には異なる色の塗料を塗布する。塗料として黒色塗料を使用して形成された膜の光吸収率が高くなり、白色塗料やメタリック塗料を使用して形成された膜の光吸収率が低くなる。
【００４４】
○  位置決め治具１７ａ〜１７ｃ及び位置決め治具２１ａ〜２１ｃの材料はグラファイトに限らず、他の材料を使用してもよい。しかし、グラファイトは軽量で半田が付着し難く、光吸収率が高く耐熱性も高いという優れ特性を備えているため、位置決め治具１７ａ〜１７ｃ、２１ａ〜２１ｃの材料としてはグラファイトが好ましい。
【００４５】
○  受光量調整部材の光吸収率を所望の値に設定（調整）する方法は、光吸収率の高い材料で形成された本体に、光吸収率の異なる材料の膜を形成する方法に限らず、各受光量調整部材全体を要求される光吸収率の材料で形成してもよい。
【００４６】
○  受光量調整部材として、温度により変色して光吸収率が変化するもの、詳述すると温度が所定温度以上に上昇すると変色して光吸収率が低下するものを使用してもよい。例えば、受光量調整部材の材料として温度により変色して光吸収率が変化するものを使用する。所定温度としては半田溶融温度に近い温度が好ましい。この場合、受光量調整部材が光照射部３０から照射された光を吸収して温度が上昇し、所定温度に上昇した状態で変色して光吸収率が低下するため、温度上昇し易い部分にこの変色する受光量調整部材を配置することにより、光照射部３０の照射を所定時間行った際に、各被半田付け部の温度が所定範囲内になる。
【００４７】
○  位置決め治具１７ａ〜１７ｃ，２１ａ〜２１ｃが受光量調整部材を兼ねる構成に限らず、専用の受光量調整部材を設けてもよい。例えば、図４に示すように、位置決め治具１７ａで位置決めされた電子部品１２の上に専用の受光量調整部材２３を設けた状態で半田付けを行うようにしてもよい。受光量調整部材２３は電子部品１２の上に載置されるため、光照射部３０との距離が近くなるため、受光量調整部材２３の面積が同じであれば半田溶融に必要な光照射部３０の照射時間を短くすることができる。
【００４８】
○  複数ある各被半田付け部上に配置される半田は、必ずしも同じ溶融温度の半田とは限らず、被半田付け部によって異なる溶融温度の半田を使用してもよい。電子部品１２によっては溶融温度が低いものを使用する方が好ましい場合があるが、そのような場合、被半田付け部によって所定の温度が異なるが、受光量調整部材の受光量を調整することにより、適切な温度にすることができる。
【００４９】
○位置決め治具１７ａ〜１７ｃ，２１ａ〜２１ｃが位置決めする電子部品１２の数は２個に限らず、１個でも３個以上であってもよい。また、位置決めする電子部品１２の数が異なる位置決め部材を併用してもよい。
【００５０】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）基板上に複数の電子部品を半田付けする半田付け方法であって、一部の電子部品の半田付けに溶融温度が異なる半田を使用し、熱源として光照射部を使用するとともに前記基板上の複数の被半田付け部を同時に照射し、前記複数の被半田付け部に受光量調整部材を配置して前記被半田付け部の温度を半田付けに適した温度に昇温させることを特徴とする半田付け方法。
【００５１】
（２）前記受光量調整部材として温度により変色して光吸収率が変化するものが使用されている。
【００５２】
（３）前記受光量調整部材として受光面に、温度により変色して光吸収率が変化する膜が形成されたものが使用されている。
【００５３】
（４）前記受光量調整部材はグラファイト製の本体の受光面に白色又は光反射性の膜を形成するとともに、前記膜の面積を変えることにより光吸収率が調整されている。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】（ａ）は第１の実施形態における基板と光照射部との関係を示す模式斜視図、（ｂ）は基板、半田、治具、電子部品の関係を示す部分模式断面図。
【図２】半導体モジュールの模式断面図。
【図３】（ａ）は第２の実施形態における基板と光照射部との関係を示す模式斜視図、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図。
【図４】別の実施形態の基板、半田、治具、電子部品の関係を示す部分断面図。
【符号の説明】
【００５５】
１１…基板としての回路基板、１２…電子部品、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ…受光量調整部材を兼ねた位置決め治具、２３…受光量調整部材、３０…光照射部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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