(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である一般式（１）
【化１】
0004804615.tif 000011
（式中、Ｒ1は水素原子又はＣ１〜Ｃ６アルキル基を表し、ＱはＮ、Ｏ若しくはＳ原子を１〜４個含む、置換基を有していてもよい５又は６員ヘテロ環基を表す。）で表される化合物の異性体混合物を光照射することにより、異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝１：９〜６：４である一般式（１）で表される化合物の異性体混合物を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られた異性体混合物と、前記一般式（１）で表される化合物の異性体混合物中に含まれる（Ｚ）異性体に対して、０．５倍モル〜１．５倍モルの一般式（２）
【化２】
0004804615.tif 000012
（式中、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。また、Ｒ2とＲ3が一緒になって、置換基を有していてもよいＣ２〜Ｃ３アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）
で表されるシクロペンタジエン誘導体とを、所定温度に加熱する第２の工程とを有する、一般式（３）
【化３】
0004804615.tif 000013
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ及びＱは前記と同じ意味を表す。）
で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体の製造方法。
【請求項２】
異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である前記一般式（１）で表される化合物の異性体混合物と、前記一般式（１）で表される化合物に対して、０．１倍モル〜１倍モルの前記一般式（２）で表されるシクロペンタジエン誘導体とを、光照射しながら所定温度に加熱することを特徴とする、前記一般式（３）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体の製造方法。
【請求項３】
光増感剤の存在下に光照射を行う
請求項１又は２に記載の一般式（３）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、農薬、医薬の製造中間体、特に除草活性化合物の製造中間体として有用なビシクロヘプタン誘導体のシス異性体を、高選択的、高収率、かつ簡便に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般式（３’）
【０００３】
【化４】
0004804615.tif 000002
【０００４】
（式中、Ｒ1は水素原子又はＣ１〜Ｃ６アルキル基を表し、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ＱはＮ、Ｏ若しくはＳ原子を１個〜４個含む、置換基を有してもよい５又は６員ヘテロ環基を表す。また、Ｒ2とＲ3が一緒になって、置換基を有していてもよいＣ２〜Ｃ３アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）で表される化合物（以下、「ビシクロヘプテン誘導体」という。）は、農薬、医薬の製造中間体、特に除草活性化合物の製造中間体として有用である（例えば、ＷＯ９７／４１１１７号公報、ＷＯ９８／３１６８１号公報参照）。
【０００５】
このビシクロヘプテン誘導体は、下記に示すように一般式（１）で表される化合物と、一般式（２）で表される化合物（以下、「シクロペンタジエン誘導体」という。）との、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応によって製造することができる（ＷＯ００／０３９８８号公報参照）。
【０００６】
【化５】
0004804615.tif 000003
【０００７】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ及びＱは前記と同じ意味を表す。また、Ｒ1及びＱが共にエンド位に付加したものを「シス異性体（Ｃｉｓ）」、Ｒ1がエキソ位にＱがエンド位に付加した異性体を（Ｔｒａｎｓ−１）、Ｒ1がエンド位にＱがエキソ位に付加した異性体を（Ｔｒａｎｓ−２）という。）
これらの立体異性体のうちで、農薬、医薬の製造中間体、特に上記ＷＯ９７／４１１１７号公報、ＷＯ９８／３１６８１号公報等に開示される除草活性化合物の製造中間体として有用なものはシス異性体である。したがって、上記反応においてはシス異性体を効率よく製造することが必要である。
【０００８】
ところで、一般式（１）で表される化合物のごときエン類と、一般式（２）で表される化合物のごときジエン類とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応においては、一般的に、エン類の（Ｚ）異性体からは６員環環式化合物のシス異性体が、（Ｅ）異性体からはトランス異性体が主として生成することが知られている。したがって、一般式（１）で表される化合物の（Ｚ）異性体のみを用いれば、一般式（３）で表されるようなビシクロへプテンのシス異性体が効率よく得られることになる。
【０００９】
しかしながら、一般式（１）で表される化合物は、一般式（１）においてＱがエステル基やアルデヒド基であって、合成及び入手が容易である（Ｅ）異性体を主成分とする原料化合物から製造される。したがって、一般式（１）で表される化合物も（Ｅ）異性体を多く含む異性体混合物として得られるが、該異性体混合物から（Ｚ）異性体を分離して反応に用いることは、煩雑な分離工程が必要である。そのため、従来のビシクロヘプタン誘導体の製造方法（ＷＯ００／０３９８８号公報等）においては、一般式（１）で表される化合物の異性体混合物とシクロペンタジエン誘導体とを反応させて、ビシクロヘプテン誘導体を異性体混合物として得ており、除草活性化合物の製造中間体として有用なビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を収率よく製造することが困難であった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、（Ｅ）異性体を多く含む一般式（１）で表される化合物を出発原料として用い、高選択的、高収率、かつ簡便にビシクロヘプタン誘導体のシス異性体を工業的に有利に製造する方法を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本発明者らは、一般式（１）で表される化合物とシクロペンタジエン誘導体とのＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を詳細に検討した。その結果、一般式（１）で表される化合物の異性体のうち、（Ｚ）異性体の方が（Ｅ）異性体よりもシクロペンタジエン誘導体との反応性が高いことを見出し、その現象を利用することによって、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は第１に、異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である一般式（１）
【００１３】
【化６】
0004804615.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ1は水素原子又はＣ１〜Ｃ６アルキル基を表し、ＱはＮ、Ｏ若しくはＳ原子を１個〜４個含む、置換基を有してもよい飽和又は不飽和の５若しくは６員ヘテロ環基を表す。）で表される化合物の異性体混合物を光照射することにより光異性化させて、異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝１：９〜６：４である一般式（１）で表される化合物の異性体混合物を得る第１の工程と、
前記第１の工程で得られた異性体混合物と、前記一般式（１）で表される化合物の異性体混合物中に含まれる（Ｚ）異性体に対して、０．５倍モル〜１．５倍モルの一般式（２）
【００１５】
【化７】
0004804615.tif 000005
【００１６】
（式中、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。また、Ｒ2とＲ3が一緒になって、置換基を有してもよいエチレンジオキシ、トリメチレンジオキシ基等のＣ２〜Ｃ３アルキレンジオキシ基を形成してもよい。）で表されるシクロペンタジエン誘導体とを、所定温度に加熱する第２の工程とを有する一般式（３）
【００１７】
【化８】
0004804615.tif 000006
【００１８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ及びＱは前記と同じ意味を表す。）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体の製造方法を提供する。
【００１９】
本発明は第２に、異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である前記一般式（１）で表される化合物の異性体混合物と、前記一般式（１）で表される化合物に対して、０．１倍モル〜１倍モルの前記一般式（２）で表されるシクロペンタジエン誘導体とを、光照射しながら所定温度に加熱することを特徴とする、前記一般式（３）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体の製造方法を提供する。
前記第１及び第２の発明においては、光異性化反応の効率を高めるために、光増感剤の存在下に光照射を行うのが好ましい。
【００２０】
第１の発明によれば、一般式（３）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を、高選択的、高収率、かつ簡便に製造することができる。
【００２１】
また、第２の発明によれば、第１の発明のように２つの工程を経ることなく、目的とする一般式（３）で表されるビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を高選択的、高収率、かつ簡便に製造することができる。
【発明の実施の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、一般式（１）で表される化合物であって、その異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である異性体混合物を出発原料とする。
先ず、一般式（１）で表される化合物を光照射して光異性化させる第１の工程について説明する。
【００２３】
【化９】
0004804615.tif 000007
【００２４】
式中、Ｒ1は、水素原子、又はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ６アルキル基を表す。
【００２５】
Ｑは、Ｎ、Ｏ若しくはＳ原子を１個〜４個含む、置換基を有してもよい飽和あるいは不飽和の５若しくは６員ヘテロ環基を表す。
【００２６】
（Ａ）５員飽和ヘテロ環基の具体例としては、
２−ピロリジニル、３−ピロリジニル、２−テトラヒドロフラニル、３−テトラヒドロフラニル、２−テトラヒドロチエニル、３−テトラヒドロチエニル、
２−オキサゾリジニル、４−オキサゾリジニル、５−オキサゾリジニル、３−イソオキサゾリジニル、４−イソオキサゾリジニル、５−イソオキサゾリジニル、
２−チアゾリジニル、４−チアゾリジニル、５−チアゾリジニル、３−イソチアゾリジニル、４−イソチアゾリジニル、５−イソチアゾリジニル、
２−イミダゾリジニル、４−イミダゾリジニル、
１，２，４−オキサジアゾリジン−３−イル、１，２，４−オキサジアゾリジン−５−イル、１，３，４−オキサジアゾリジン−２−イル、
１，２，４−チアジアゾリジン−３−イル、１，２，４−チアジアゾリジン−５−イル、１，３，４−チアジアゾリジン−２−イル、
１，３，４−トリアゾリジン−２−イル、
１，３−ジオキソラン−２−イル、１，３−ジオキソラン−４−イル、１，３−ジオキソラン−２−イル、１，３−ジオキソラン−４−イル、１，３−オキサチオラン−２−イル基等が挙げられ、
【００２７】
（Ｂ）５員不飽和ヘテロ環基の具体例としては、
２−フリル、３−フリル、
２−チエニル、３−チエニル、２，３−ジヒドロフラン−２−イル、２，３−ジヒドロフラン−３−イル、２，３−ジヒドロフラン−４−イル、２，３−ジヒドロフラン−５−イル、２，５−ジヒドロフラン−２−イル、２，５−ジヒドロフラン−３−イル、
２，３−ジヒドロチオフェン−２−イル、２，３−ジヒドロチオフェン−３−イル、２，３−ジヒドロチオフェン−４−イル、２，３−ジヒドロチオフェン−５−イル、２，５−ジヒドロチオフェン−２−イル、２，５−ジヒドロチオフェン−３−イル、
【００２８】
ピロール−２−イル、ピロール−３−イル、
イミダゾール−２−イル、イミダゾール−４−イル、イミダゾール−５−イル、２−イミダゾリン−２−イル、２−イミダゾリン−４−イル、２−イミダゾリン−５−イル、
ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、オキサゾール−２−イル、オキサゾール−３−イル、オキサゾール−４−イル、オキサゾール−５−イル、イソオキサゾール−３−イル、イソオキサゾール−４−イル、イソオキサゾール−５−イル、
１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル、１，２，３−オキサジアゾール−４−イル、１，２，３−オキサジアゾール−５−イル、１，２，５−オキサジアゾール−３−イル、
【００２９】
２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル、
イソチアゾール−３−イル、イソチアゾール−４−イル、イソチアゾール−５−イル、
１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、１，２，３−チアジアゾール−４−イル、１，２，３−チアジアゾール−５−イル、１，２，５−チアジアゾール−３−イル、
１，２，４−トリアゾール−３−イル、１，２，４−トリアゾール−５−イル、
１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，２，３−トリアゾール−４−イル、
１，２，３−トリアゾール−５−イル、テトラゾール−５−イル、
２−ピロリン−１−イル、２−ピロリン−２−イル、２−ピロリン−３−イル、
２−ピロリン−４−イル、２−ピロリン−５−イル、
２−オキサゾリン−２−イル、２−オキサゾリン−４−イル、２−オキサゾリン−５−イル、３−オキサゾリン−２−イル、３−オキサゾリン−４−イル、３−オキサゾリン−５−イル、４−オキサゾリン−２−イル、４−オキサゾリン−４−イル、４−オキサゾリン−５−イル、
２−イソオキサゾリン−３−イル、２−イソオキサゾリン−４−イル、２−イソオキサゾリン−５−イル、
３−イソオキサゾリン−３−イル、３−イソオキサゾリン−４−イル、３−イソオキサゾリン−５−イル、
４−イソオキサゾリン−３−イル、４−イソオキサゾリン−４−イル、４−イソオキサゾリン−５−イル、
２−チアゾリン−２−イル、４−チアゾリン−４−イル、４−チアゾリン−５−イル、
２−イソチアゾリン−３−イル、２−イソチアゾリン−４−イル、２−イソチアゾリン−５−イル、
３−イソチアゾリン−３−イル、３−イソチアゾリン−４−イル、３−イソチアゾリン−５−イル、
４−イソチアゾリン−３−イル、４−イソチアゾリン−４−イル、４−イソチアゾリン−５−イル、
１−ピラゾリン−３−イル、１−ピラゾリン−４−イル、１−ピラゾリン−５−イル、
２−ピラゾリン−３−イル、２−ピラゾリン−４−イル、２−ピラゾリン−５−イル、
３−ピラゾリン−３−イル、３−ピラゾリン−４−イル、３−ピラゾリン−５−イル基等が挙げられ、
【００３０】
（Ｃ）６員飽和ヘテロ環基の具体例としては、
２−ピペリジニル、３−ピペリジニル、４−ピペリジニル、
２−ピペラジニル、
モルホリン−２−イル、モルホリン−３−イル、
５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−チアジン−２−イル、
２−テトラヒドロピラニル、３−テトラヒドロピラニル、４−テトラヒドロピラニル、
２−テトラヒドロチオピラニル、３−テトラヒドロチオピラニル、４−テトラヒドロチオピラニル基等が挙げられ、
【００３１】
（Ｄ）６員不飽和ヘテロ環基の具体例としては、
２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル、
３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル、
５−ピリミジニル、
ピラジン−２−イル
２Ｈ−ピラン−３−イル、２Ｈ−チオピラン−３−イル基等が挙げられる。
【００３２】
またこれらの基は、ヘテロ環の任意の位置に１又は２以上の同一若しくは異なる置換基を有してもよい。かかる置換基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ４アルキル基；クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、１−フルオロエチル、１，１−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル基等のＣ１〜Ｃ４ハロアルキル基；等を挙げることができる。
これらのうち、Ｑの好ましい具体例としては、次のＱ−１〜Ｑ−９
【００３３】
【化１０】
0004804615.tif 000008
【００３４】
で表される基が挙げられる。
上記式中、ｎは０、１又は２であり、Ｒ’は、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ４アルキル基；クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、１−フルオロエチル、１，１−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル基等のＣ１〜Ｃ４ハロアルキル基；等を表す。
【００３５】
前記一般式（１）で表される化合物は、例えば、下記（ａ）〜（ｅ）に示す文献に記載された方法に従って製造することができる。
（ａ）  Ｃｈｉｍ．Ｉｎｄ．（Ｍｉｌａｎ）．，５９（１）５６（１９７７）：３−（１−プロペニル）−１Ｈ−ピロールの製造
（ｂ）Ｚｈ．Ｏｒｇａｎ．Ｋｈｉｍ．，２，４１７（１９９６）：５−（１−プロペニル）−イソオキサゾールの製造
（ｃ）Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６２，３６７１（１９９７）：３−（１−プロペニル）−２−イソオキサゾリンの製造
（ｄ）Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ．，２２（１１），２４７５（１９８４）：４−（１−プロペニル）ピリジンの製造
（ｅ）Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ．，２９（１），１０３（１９８９）：５−（１−プロペニル）−オキサゾールの製造
【００３６】
上記一般式（１）で表される化合物の光異性化は、紫外線、可視光等を用いることができるが、好ましくは波長３００ｎｍ〜７００ｎｍの近紫外線、可視光である。その光源としては、白熱球、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ等を用いることができる。また照射時間は通常５時間〜３０時間、好ましくは１０時間〜２０時間である。また、光異性化の温度には特に制限はないが、通常、室温〜１００℃である。
【００３７】
上記光異性化においては、光化学平衡状態が存在すると考えられる。そのため、（Ｅ）異性体のすべてを（Ｚ）異性体に異性化することはできない。一般的には、照射光の強度を強くすると、光化学平衡状態に到達するのが早くなり、また照射時間を長くすると、より光化学平衡状態に近くなる。照射光強度及び照射時間は適宜選択することができるが、本発明においては、（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝１：９〜６：４とした異性体混合物をそのまま次の反応に供することが出来る。
【００３８】
また、この光異性化反応においては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、アントラキノン等の芳香族ケトン類等の、光増感剤を添加するとより円滑に反応が進行する。光増感剤の添加量は、一般式（１）で表される化合物１モル対して、０．００１モル〜０．１モルが好ましい。
【００３９】
この光異性化反応は無溶媒で行うことができるが、溶媒を用いて行うこともできる。用いられる溶媒としては、一般式（１）で表される化合物を溶解し、かつ、光に安定なものであれば特に制限ない。
用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族系炭化水素類；
エタノール、ｎ−プロピルアルコール、エチレングリコール、１，３−ブタンジオール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含イオウ炭化水素；アセトニトリル等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、あるいは二種以上の混合溶液として使用することができる。
【００４０】
一般式（１）で表される化合物の異性体の存在比（異性体モル比）は、ガスクロマトグラフィーや1Ｈ−ＮＭＲ等の分析手段により測定することができる。
一般式（１）で表される化合物の異性体混合物は、そのまま、あるいは溶媒を減圧留去して、次の反応に用いることができる。
【００４１】
次に、得られた異性体混合物とシクロペンタジエン誘導体（２）とを反応させ、ビシクロヘプテン誘導体のシス異性体（３）を製造する第２の工程について説明する。
【００４２】
【化１１】
0004804615.tif 000009
【００４３】
一般式（２）で表されるシクロペンタジエン誘導体において、Ｘはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素、塩素、臭素原子等が挙げられる。また、Ｘはすべてが同一のハロゲン原子であっても、それぞれ異なるハロゲン原子であってもよい。
Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基を表す。Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。また、Ｒ2とＲ3が一緒になって、エチレンジオキシ、トリメチレンジオキシ基等のＣ２〜Ｃ３アルキレンジオキシ基を形成してもよい。
さらに、前記Ｃ２〜Ｃ３アルキレンジオキシ基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル基等の置換基を有していてもよい。
これらの中でも、Ｘがすべて塩素原子であり、Ｒ2及びＲ3がメトキシ基、エトキシ基等の低級アルコキシ基である化合物が好ましい。
【００４４】
この反応は、例えば、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．，４２，１７４１（１９８６），Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２６，２０６６（１９６１）等に記載された方法と同様にして行うことができる。
【００４５】
この反応は、室温〜２５０℃、好ましくは７０℃〜２００℃、より好ましくは１００〜１３０℃で行われる。また、反応温度を連続的に変化させることも可能である。また、例えば、最初１１０℃〜１１５℃で数時間保持した後、１２５℃〜１３５℃まで昇温し、そのままさらに数時間保持する等の反応温度を数段階に分けて行うこともできる。これにより、副生成物であるトランス体の生成を抑えることができる。
【００４６】
上記反応は、第１の工程で得られた反応液に所定量のシクロペンタジエン誘導体を添加して、所定温度に加熱することにより行う。シクロペンタジエン誘導体の使用量は、第１の工程により得られた反応液に含まれる一般式（１）で表される化合物の（Ｚ）異性体１モルに対し、０．１モル〜１０モル、好ましくは０．５モル〜１モルである。
【００４７】
この反応は、通常無溶媒で行われるが、溶媒を用いて行うこともできる。用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；エタノール、ｎ−プロピルアルコール、エチレングリコール、１，３−ブタンジオール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含イオウ炭化水素類；アセトニトリル等が挙げられるが、これらは単独で、あるいは二種以上を混合して使用することが出来る。
【００４８】
また、ヒドロキノン、ジフェニルピクリルヒドラジル、トリ−ｐ−ニトロフェニルメチル等の重合防止剤、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基を添加することにより、反応をより円滑に行うことができる。重合防止剤、塩基の使用量は、一般式（１）で表される化合物１モルに対して０．０００１モル〜０．１モルである。
【００４９】
この反応は、一般式（１）で表される（Ｚ）及び（Ｅ）異性体のうち、（Ｚ）異性体がシクロペンタジエン誘導体と反応しやすい（反応速度が速い、又は反応性が高い）ということを利用したものである。即ち、第１の工程で得られる反応液には、１０モル％〜６０モル％の一般式（１）で表される化合物の（Ｚ）異性体と、４０モル％〜９０モル％の（Ｅ）異性体が含まれているが、そこへ、（Ｚ）異性体の存在量に見合うだけのシクロペンタジエン誘導体を添加し、加熱すると、（Ｚ）異性体がシクロペンタジエン誘導体と優先的に反応して、ビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を高収率、高選択的に与えるというものである。また、この反応は連続的におこなうことができるため、簡便であり、工業的に有利である。
【００５０】
反応液には目的物のほかに反応に使用されなかった（Ｅ）異性体が含まれるが、未反応の（Ｅ）異性体は、光異性化反応に再利用することができる。
【００５１】
以上のようにして、光異性化反応とＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応とを連続的に２つの工程で行わせることにより、ビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を高選択的、高収率、かつ簡便に製造することができる。
【００５２】
また、本発明においては、以上の反応を１つの工程で行わせることも可能である。即ち、異性体モル比が（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝０：１００〜１０：９０である一般式（１）で表される化合物の異性体混合物と所定量の一般式（２）で表されるシクロペンタジエン誘導体とを、光照射下に所定温度に加熱することにより、ビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を製造することもできる。
【００５３】
シクロペンタジエン誘導体の使用量は、一般式（１）で表される化合物１モルに対して、０．１モル〜１０モル、好ましくは０．１モル〜１モルである。より好ましくは、一般式（１）で表される化合物の光異性化の光化学平衡状態における（Ｚ）異性体と（Ｅ）異性体の存在量を予め求めておき、その存在量に基づく（Ｚ）異性体の量に見合うだけのシクロペンタジエン誘導体を添加し、加熱する。
【００５４】
この反応は、室温〜２５０℃、好ましくは７０℃〜２００℃、より好ましくは１００〜１３０℃で行われる。また、反応中に反応温度を変化させることも可能である。また、最初１１０℃〜１１５℃で数保持した後、１２５℃〜１３５℃まで昇温し、そのままさらに数５時間保持する等の反応温度を数段階に変化させて行わせることもできる。これにより、副生成物であるトランス体の生成を抑えることができる。
【００５５】
この反応における光照射の条件や反応溶媒等は、前記第１の発明と同様にして行うことができる。また、前記第１の反応と同様、ベンゾフェノン、アセトフェノン、アントラキノン等の芳香族ケトン類等の光増感剤を添加すると、より円滑に反応が進行するので好ましい。
【００５６】
反応は無溶媒で行うことができるが、溶媒を用いて行うこともできる。用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族系炭化水素類；エタノール、ｎ−プロピルアルコール、エチレングリコール、１，３−ブタンジオール、エチレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含イオウ炭化水素；アセトニトリル等が挙げられるが、これらは単独で、あるいは二種以上を混合して使用してもよい
【００５７】
また、ヒドロキノン、ジフェニルピクリルヒドラジル、トリ−ｐ−ニトロフェニルメチル等の重合防止剤、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基の添加するのも、反応をより円滑に行わせる上で好ましい。
【００５８】
以上のような方法により、１つの工程でビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を高選択的、高収率、かつ、簡便に製造することができる。
【００５９】
この反応においては、（Ｅ）異性体を多く含む一般式（１）で表される化合物を光異性化すると同時に、光異性化して生成した（Ｚ）異性体が系内に存在するシクロペンタジエン誘導体と選択的に反応して、目的とするビシクロヘプテン誘導体のシス異性体を得るものである。
【００６０】
【実施例】
次に、実施例により本発明を更に詳細に説明する。本発明は下記実施例に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、一般式（１）〜（３）で表される化合物、溶媒の種類、用いる塩基の種類等を自由に変更することができる。
【００６１】
（実施例１）
Ｃｉｓ−１，２，３，４−テトラクロロ−６−メチル−７，７−ジメトキシ−５−（２−オキサゾリン−３−イル）−ビシクロ[２．２．１]ヘプタ−２−エンの製造
【００６２】
【化１２】
0004804615.tif 000010
【００６３】
（Ｚ）異性体を３モル％含む（Ｅ）−３−（１−プロペニル）−２−イソオキサゾリン１１１ｇをトルエン８９０ｍｌに溶解させ、光増感剤としてベンゾフェノン９ｇを添加した。この溶液に、窒素気流下、高圧水銀ランプ（４００Ｗ）にて１０時間光照射した。反応液からトルエンを減圧留去することにより、（Ｚ）異性体：（Ｅ）異性体＝３０：７０（モル比）からなる異性体混合物１１１ｇを得た。なお、異性体の存在量は、ガスクロマトグラフィーにより測定して求めた。
【００６４】
次いで、上記で得た異性体混合物１１１ｇに、１，１−ジメトキシ−２，３，４，５−テトラクロロシクロペンタジエン５２．８ｇ（０．２モル）を加え、１１０℃〜１１５℃で５時間、１２５℃〜１３０℃にて８時間反応させた。得られた反応生成物を高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、Ｃｉｓ−１，２，３，４−テトラクロロ−６−メチル−７，７−ジメトキシ−５−（２−イソオキサゾリン−３−イル）−ビシクロ[２．２．１]ヘプタ−２−エンが、収率９５％（シクロペンタジエン基準）で得られたことがわかった。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、農薬、医薬の製造中間体、特に除草活性化合物の製造中間体として有用なビシクロヘプタン誘導体のシス異性体を、高収率、高選択的、かつ簡便に製造することができる。