(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成し、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からＣｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層の順に金属めっきを施すことによって回路を形成した回路基板において、Ｎｉめっき層とＡｕめっき層の間に、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属であるＲｈからなる第一中間めっき層がＡｕめっき層に接して、第一中間めっき層の金属であるＲｈに対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層が第一中間めっき層に接してそれぞれ形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
第二中間めっき層はＰｄ−Ｎｉ又はＰｄからなることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成し、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からＣｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層の順に金属めっきを施すことによって回路を形成した回路基板において、絶縁性基板はポリフタルアミドよりなる樹脂組成物を成形して形成されたものであり、回路の輪郭に沿って等しいエネルギー密度でレーザが照射されてめっき下地層が形成されており、レーザを照射して金属薄膜が除去された部分の絶縁性基板の表面の表面粗さＲｚが、レーザを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満であることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
Ａｕめっき層に封孔処理が施されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
Ａｕめっき層はパルスめっきによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
回路の側面と絶縁性基板の表面の少なくとも境界部が、樹脂層で被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項７】
絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成する工程と、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からＣｕめっき層、Ｎｉめっき層、第二中間めっき層、第一中間めっき層、Ａｕめっき層の順に金属めっきを施して回路を形成する工程とを有して、請求項１又は２に記載の回路基板を製造するにあたって、第一中間めっき層を、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属であるＲｈで、Ａｕめっき層に接して形成すると共に、第二中間めっき層を、第一中間めっき層の金属であるＲｈに対して標準電極電位が貴な金属で、第一中間めっき層に接して形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁性基板の表面に被覆された金属薄膜に回路の輪郭に沿ってレーザを照射して、金属薄膜を回路の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層を形成する工程と、めっき下地層の表面に、めっき下地層の側からＣｕめっき層、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層の順に金属めっきを施して回路を形成する工程とを有して、請求項３に記載の回路基板を製造するにあたって、回路の輪郭に沿って等しいエネルギー密度でレーザを照射してめっき下地層を形成するとともに、レーザを照射して金属薄膜が除去された部分の絶縁性基板の表面の表面粗さＲｚが、レーザを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満となるように、照射条件を調整してレーザの照射を行なうことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面又は三次元立体に形成される絶縁性基板の表面に回路を形成した回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基板の表面に回路を設けて形成される回路基板として、レーザによるパターニングで回路を形成するようにした技術が提案されている（例えば特許文献１等参照）。
【０００３】
すなわち、まず図７（ａ）のように絶縁性基板１を成形して作製し、絶縁性基板１の表面の全面にスパッタ等で金属薄膜２を図７（ｂ）のように形成する。次に図７（ｃ）のように、絶縁性基板１の表面に設ける回路３の輪郭に沿って、回路３間の絶縁部となる回路非形成部ロの箇所においてレーザＬを照射することによって、レーザＬを照射した部分の金属薄膜２を除去する。このように回路３の輪郭に沿ってレーザ照射で金属薄膜２を除去することによって、回路形成部イに残される金属薄膜２で回路３と同じパターンのめっき下地層４を形成することができ、このめっき下地層４は回路非形成部ロに残る金属薄膜２と隔離されている。この後、めっき下地層４に通電しながら電気銅めっきを行なうことによって、図７（ｄ）のようにめっき下地層４の表面にＣｕめっき層５を形成する。このとき、回路非形成部ロに残される金属薄膜２には通電されていないので、この金属薄膜２の表面にはＣｕめっきはなされない。そしてソフトエッチングして回路非形成部ロの金属薄膜２を除去することによって、図７（ｅ）のように下地層４にめっきされたＣｕめっき層５で回路３を形成することができるものである。
【０００４】
ここで、上記のようにＣｕめっき層５で回路３を形成するにあたって、銅およびその合金は高い導電性を有するが、通常の環境でも腐食を受けて反応性酸化物や硫化物を生成し、これにより電気配線の導電性が著しく損なわれるおそれがある。このため、特に携帯電話や携帯用デジタルスチルカメラなどの民生用電子機器の用途に回路基板を用いる場合、図７（ｆ）のように、Ｃｕめっき層５の表面にＮｉめっき層６とＡｕめっき層７を施すようにしている。耐腐食性と接触信頼性に優れたＡｕからなるＡｕめっき層７を最表面に設けてＣｕめっき層５を保護し、またリフロー等の熱負荷によるＣｕのＡｕへの拡散を防ぐために、ＣｕとＡｕの双方に対して密着性が高いＮｉからなるＮｉめっき層６をＣｕめっき層５とＡｕめっき層７の間に中間層として設けているのである。
【特許文献１】特許第３１５３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、Ｎｉは空気中の塩素イオンや硫化イオンなど自然界に存在する多くのイオンと反応し易く、特に携帯電話や携帯用デジタルスチルカメラなどのように人によって操作される機器では人体から出る汗に含まれる塩素イオンや硫化イオンなどと反応して、腐食生成物を形成し易い。
【０００６】
そして、上記のようにＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７を積層して形成される回路３にあって、Ｎｉめっき層６でのＮｉの腐食反応は、Ｎｉのイオン化と同時に電子を放出することによって進行し、この電子は、Ｎｉより標準電極電位が貴な金属、すなわちＡｕめっき層７のＡｕへと移動して、最表面のＡｕめっき層７から還元反応によって放出されるものであり、Ｎｉの腐食反応が進行し易いものである。特にＡｕめっき層７にピンホールがある場合には、ピンホールを通して塩素イオンや硫化イオンなどがＮｉめっき層６に作用し、上記のＮｉの腐食反応が容易に進行して、回路３の耐食性が著しく低下するものである。
【０００７】
また、上記のように回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去することによって、回路３と同じパターンのめっき下地層４を形成するにあたって、レーザＬは金属薄膜２を除去したあとの絶縁性基板１の表面にも作用することになり、レーザＬが絶縁性基板１に作用することによって図８（ａ）に示すように、めっき下地層４の周辺部において絶縁性基板１の表面が掘り下げられるように荒れるおそれがある。そしてこのようにめっき下地層４の周辺部で絶縁性基板１の表面が荒れていると、図８（ｂ）のようにめっき下地層４の上にＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７を積層するめっきを行なって回路３を作製するにあたって、回路３の側面のエッジの下部において、Ｃｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に微小な隙間１５が発生し、この隙間１５の部分ではＣｕめっき層５やＮｉめっき層６はＡｕめっき層７で覆われないことが多いので、この部分からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食されるおそれがあるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、耐食性に優れた回路を有する回路基板及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る回路基板は、絶縁性基板１の表面に被覆された金属薄膜２に回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、金属薄膜２を回路３の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層４を形成し、めっき下地層４の表面に、めっき下地層４の側からＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７の順に金属めっきを施すことによって回路３を形成した回路基板において、Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属であるＲｈからなる第一中間めっき層８がＡｕめっき層に接して、第一中間めっき層８の金属であるＲｈに対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層９が第一中間めっき層８に接してそれぞれ形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
この発明によれば、Ｎｉめっき層６側の第二中間めっき層９とＡｕめっき層７側の第一めっき層８の間に電子移動を妨害する電位障壁が形成され、Ｎｉめっき層６でのＮｉの腐食反応で電子が発生しても、Ａｕめっき層７に移動して還元反応によって放出されるようなことがなくなり、Ｎｉめっき層６でＮｉが腐食される反応を抑制することができ、回路３に腐食が発生することを防ぐことができるものである。
【００１１】
また請求項２の発明は、請求項１において、第二中間めっき層９はＰｄ−Ｎｉ又はＰｄからなることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明によれば、Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に第一中間めっき層８と第二中間めっき層９を形成することによる腐食防止の効果を高く得ることができるものである。
【００１３】
本発明の請求項３に係る回路基板は、絶縁性基板１の表面に被覆された金属薄膜２に回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、金属薄膜２を回路３の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層４を形成し、めっき下地層４の表面に、めっき下地層４の側からＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７の順に金属めっきを施すことによって回路３を形成した回路基板において、絶縁性基板１はポリフタルアミドよりなる樹脂組成物を成形して形成されたものであり、回路３の輪郭に沿って等しいエネルギー密度でレーザＬが照射されてめっき下地層４が形成されており、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満であることを特徴とするものである。
【００１４】
この発明によれば、回路３の輪郭に沿って金属薄膜２にレーザＬを照射してめっき下地層４を形成するにあたって、めっき下地層４の周辺の金属薄膜２が除去された絶縁性基板１の表面は荒れが小さいものであり、めっき下地層４の上に形成されるＣｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に隙間が形成されることを抑制することができ、この隙間からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食されることを防ぐことができるものである。また、回路３のコーナー部など輪郭に沿った一部において高いエネルギー密度でレーザＬが照射されることを抑制して、レーザ照射による絶縁性基板１の表面の荒れを抑制することができるものである。
【００１５】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、Ａｕめっき層７に封孔処理が施されていることを特徴とするものである。
【００１６】
この発明によれば、Ａｕめっき層７にピンホールが形成されても、外部環境がＮｉめっき層６に直接作用することを防いで、腐食が発生することを防ぐことができるものである。
【００１７】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、Ａｕめっき層７はパルスめっきによって形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
この発明によれば、Ａｕめっき層７を緻密に形成することができ、Ａｕめっき層７にピンホールが発生することを抑制して、ピンホールからの腐食を防ぐことができるものである。
【００２１】
また請求項６の発明は、請求項１乃至５のいずれかにおいて、回路３の側面と絶縁性基板１の表面の少なくとも境界部が、樹脂層１０で被覆されていることを特徴とするものである。
【００２２】
この発明によれば、めっき下地層４の上に形成されるＣｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に隙間があっても、この隙間を樹脂層１０で塞ぐことができ、隙間からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食されることを防ぐことができるものである。
【００２３】
本発明の請求項７に係る回路基板の製造方法は、絶縁性基板１の表面に被覆された金属薄膜２に回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、金属薄膜２を回路３の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層４を形成する工程と、めっき下地層４の表面に、めっき下地層４の側からＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、第二中間めっき層９、第一中間めっき層８、Ａｕめっき層７の順に金属めっきを施して回路３を形成する工程とを有して、請求項１又は２に記載の回路基板を製造するにあたって、第一中間めっき層８を、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属であるＲｈで、Ａｕめっき層７に接して形成すると共に、第二中間めっき層９を、第一中間めっき層８の金属であるＲｈに対して標準電極電位が貴な金属で、第一中間めっき層８に接して形成する工程を有することを特徴とするものである。
【００２４】
この発明によれば、Ｎｉめっき層６側の第二中間めっき層８とＡｕめっき層７側の第一めっき層９の間に電子移動を妨害する電位障壁が形成された回路３を作製することができ、Ｎｉめっき層６でのＮｉの腐食反応で電子が発生しても、Ａｕめっき層７に移動して還元反応によって放出されるようなこととがなくなり、Ｎｉめっき層６でＮｉが腐食される反応を抑制することができ、回路３に腐食が発生することを防ぐことができるものである。
【００２５】
本発明の請求項８に係る回路基板の製造方法は、絶縁性基板１の表面に被覆された金属薄膜２に回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、金属薄膜２を回路３の輪郭で除去することによって回路パターンのめっき下地層４を形成する工程と、めっき下地層４の表面に、めっき下地層４の側からＣｕめっき層５、Ｎｉめっき層６、Ａｕめっき層７の順に金属めっきを施して回路３を形成する工程とを有して、請求項３に記載の回路基板を製造するにあたって、回路３の輪郭に沿って等しいエネルギー密度でレーザＬを照射してめっき下地層４を形成するとともに、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満となるように、照射条件を調整してレーザＬの照射を行なうことを特徴とするものである。
【００２６】
この発明によれば、回路３の輪郭に沿って金属薄膜２にレーザＬを照射してめっき下地層４を形成するにあたって、めっき下地層４の周辺の金属薄膜２が除去された絶縁性基板１の表面の荒れを小さくすることができ、めっき下地層４の上に形成されるＣｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に隙間が形成されることを抑制して、この隙間からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食されることを防ぐことができるものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層８がＡｕめっき層に接して、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層９が第一中間めっき層８に接してそれぞれ形成することによって、Ｎｉめっき層６側の第二中間めっき層８とＡｕめっき層７側の第一めっき層９の間に電子移動を妨害する電位障壁が形成され、Ｎｉめっき層６でのＮｉの腐食反応で電子が発生しても、Ａｕめっき層７に移動して還元反応によって放出されるようなことがなくなり、Ｎｉめっき層６でＮｉが腐食される反応を抑制することができ、回路３に腐食が発生することを防ぐことができるものである。
【００２８】
また本発明によれば、回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満であることによって、めっき下地層４の周辺の金属薄膜２が除去された絶縁性基板１の表面の荒れが小さく、めっき下地層４の上に形成されるＣｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に隙間が形成されることを抑制することができ、この隙間からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食されることを防ぐことができるものであり、耐食性に優れた回路３を有する回路基板を得ることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【００３０】
本発明において絶縁性基板１としては、ポリフタルアミド、液晶ポリマー、ＡＢＳ、ポリイミド、ポリエーテルイミドなど、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂の組成物を成形したものや、アルミナなどのセラミックスを成形したものなどを用いることができるものであり、図１（ａ）のように平板状に形成したものの他に、三次元立体形状に形成したものを用いることもできる。
【００３１】
樹脂組成物を成形して絶縁性基板１を作製する場合、ベース樹脂に必要に応じて無機フィラーを配合して混合・混練することによって、樹脂組成物を調製することができる。ここで、ベース樹脂が結晶性の熱可塑性樹脂の場合、結晶化促進のための結晶核剤として粉末状、繊維状、板状、球状などの微粉末のフィラーを適宜配合してもよい。さらに可塑剤、帯電防止剤、安定剤、顔料等の着色剤、滑剤、難燃剤などの添加剤を微量配合してもよい。そしてこの樹脂組成物を押出成形等によりペレット化したのち、金型を用いて射出成形などの成形をすることによって、絶縁性基板１を得ることができるものである。
【００３２】
樹脂組成物のベース樹脂としては、上記のように種々の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂や用いることができるが、これらのなかでも、特にポリフタルアミドを用いることが好ましい。ポリフタルアミドは芳香族ポリアミドの一種であり、金属層との密着性が元々優れていると共に、耐熱性、機械的特性、寸法安定性、耐薬品性に優れ、また良好な溶融流動性を有し、且つ金型汚染が少なくて、成形性が良好な樹脂である。従ってポリフタルアミドをベース樹脂とすることによって、物理的諸特性や耐薬品性の高い絶縁性基板１を得ることができるものである。
【００３３】
上記のように作製される絶縁性基板１に金属薄膜２を形成するのに先立って、まず絶縁性基板１の表面をプラズマ処理し、絶縁性基板１の表面を活性化させる。プラズマ処理は、チャンバー内に一対の電極を対向配置し、一方の電極に高周波電源を接続すると共に他方の電極を接地して形成したプラズマ処理装置を用いて行なうことができる。絶縁性基板１の表面をプラズマ処理するにあたっては、絶縁性基板１を電極間において一方の電極の上にセットし、チャンバー内を真空引きして１０−４Ｐａ程度に減圧した後、チャンバー内にＮ２やＯ２等の化学的反応が活性なガスを導入して流通させると共に、チャンバー内のガス圧を８〜１５Ｐａに制御し、次に高周波電源によって電極間に高周波電圧（ＲＦ：１３．５６ＭＨｚ）を１０〜１００秒程度印加する。このとき、電極間の高周波グロー放電による気体放電現象によって、チャンバー内の活性ガスが励起され、陽イオンやラジカル等のプラズマが発生し、陽イオンやラジカル等がチャンバー内に形成される。そしてこれらの陽イオンやラジカルが絶縁性基板１の表面に衝突することによって、絶縁性基板１の表面を活性化することができるものであり、絶縁性基板１の表面に形成される金属薄膜２の密着性を高めることができるものである。特に陽イオンが絶縁性基板１に誘引衝突すると、絶縁性基板１の表面に金属と結合し易い窒素極性基や酸素極性基が導入されるので、金属薄膜２との密着性がより向上するものである。尚、プラズマ処理条件は上記のものに限定されるものではなく、絶縁性基板１の表面がプラズマ処理で過度に粗面化されない範囲で、任意に設定して行なうことができるものである。
【００３４】
上記のようにプラズマ処理をした後、図１（ｂ）のように絶縁性基板１の表面の全面に金属薄膜２を形成する。金属薄膜２の形成は、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法（ＰＶＤ法）で行なうことができる。ここで、上記のように絶縁性基板１をチャンバー内でプラズマ処理した後、チャンバー内を大気開放することなく、これらのスパッタリングや真空蒸着やイオンプレーティングを連続プロセスで行なうのがよい。金属薄膜２を形成する金属としては、銅、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛、黄銅、ＮｉＣｒなど、金属単体あるいは合金を用いることができる。
【００３５】
上記のスパッタリングとしては、例えばＤＣスパッタ方式を適用することができる。まずチャンバー内に絶縁性基板１を配置した後、真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きし、この状態でチャンバー内にアルゴン等の不活性ガスを０．１Ｐａのガス圧になるように導入する。更に５００Ｖの直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードし、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅などの金属薄膜２を絶縁性基板１の表面に形成することができる。
【００３６】
また真空蒸着としては、電子線加熱式真空蒸着方式を適用することができる。まず真空ポンプによりチャンバー内の圧力が１０−３Ｐａ以下になるまで真空引きを行なった後、４００〜８００ｍＡの電子流を発生させ、この電子流をるつぼの中の蒸着材料に衝突させて加熱すると蒸着材料が蒸発し、３００ｎｍ程度の膜厚の銅などの金属薄膜２を絶縁性基板１の表面に形成することができる。
【００３７】
またイオンプレーティングで金属薄膜２を形成するにあたっては、まずチャンバー内の圧力を１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、上記の真空蒸着と同様の条件で蒸着材料を蒸発させると共に、絶縁性基板１とるつぼの間にある誘導アンテナ部にアルゴン等の不活性ガスを導入し、ガス圧を０．０５〜０．１Ｐａとなるようにしてプラズマを発生させ、そして誘導アンテナに１３．５６ＭＨｚの高周波で５００Ｗのパワーを印加すると共に、１００〜５００Ｖの直流電圧のバイアス電圧を印加することによって、３００〜５００ｎｍ程度の膜厚の銅などの金属薄膜２を絶縁性基板１の表面に形成することができる。
【００３８】
上記のようにして物理蒸着法で絶縁性基板１の表面に金属薄膜２を形成するにあたって、絶縁性基板１の表面は上記のようにプラズマ処理によって化学的に活性化されているものであり、絶縁性基板１の表面に対する金属薄膜２の密着性を向上することができるものである。この金属薄膜２の膜厚は、電気めっきを行なう際に通電することができればよいので、上記のように極薄いものでよい。
【００３９】
次に、上記のように絶縁性基板１の表面に金属薄膜２を形成した後、この金属薄膜２からめっき下地層４を作製する。めっき下地層４の形成はレーザパターニング法によって行なうことができる。すなわち図１（ｃ）に示すように、絶縁性基板１に形成する回路３の輪郭に沿って、回路３を形成する回路形成部イと回路３間の絶縁部である回路非形成部ロとの境界にレーザＬを照射し、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去することによって、回路形成部イの金属薄膜２を回路パターンで残して、めっき下地層４を形成することができるものである。
【００４０】
次に、このめっき下地層４に通電して電気めっきを施す。電気めっきは電気銅めっきで行なうものであり、図１（ｄ）のようにめっき下地層４の表面にＣｕめっき層５を形成することができる。このとき、回路非形成部ロに残される金属薄膜２はめっき下地層４と隔離されており、この金属薄膜２には通電されていないので、回路非形成部ロに残される金属薄膜２の表面にはＣｕめっきはなされない。めっき下地層４の表面に形成されるＣｕめっき層５の厚みは、特に限定されるものではないが、０．５〜５０μｍ程度が好ましく，より好ましくは１〜３５μｍ程度である。
【００４１】
この後、ソフトエッチング処理をして、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去すると共に、回路形成部イのＣｕめっき層５は残存させることによって、図１（ｅ）のように、めっき下地層４の上にめっきされたＣｕめっき層５で、パターン形状の回路３を作製することができるものである。
【００４２】
このようにめっき下地層４の上にＣｕめっき層５を形成して回路３を形成した後、回路３の耐腐食性や接触信頼性を向上させるために、Ｃｕめっき層５の上にさらに電気ニッケルめっきや電気金めっきを施して、Ｎｉめっき層６やＡｕめっき層７を設けて、回路３形成の仕上げを行なう。Ｎｉめっき層６やＡｕめっき層７の厚みは、特に限定されるものではないが、Ｎｉめっき層６は０．５〜３０μｍ程度が好ましく、より好ましくは３〜２０μｍ程度であり、Ａｕめっき層７は０．００１〜５μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．００５〜２μｍ程度である。
【００４３】
そして本発明では、このようにＣｕめっき層５の上にＮｉめっき層６とＡｕめっき層７を設けるにあたって、図１（ｆ）に示すように、Ｃｕめっき層５に接して形成されるＮｉめっき層６と最表面に形成されるＡｕめっき層７との間に、第一の中間めっき層８と第二の中間めっき層９をそれぞれ電気めっきして形成するようにしてある。第一中間めっき層８は、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属を有するものとして形成されるものであり、この第一中間めっき層８はＡｕめっき層７に接して形成するようにしてある。また第二中間めっき層９は、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有するものとして形成してあり、Ｎｉめっき層６と第一中間めっき層８にそれぞれ接して形成するようにしてある。
【００４４】
ここで、主な金属の標準電極電位を表１に示す。
【００４５】
【表１】
0004706690.tif 000002
【００４６】
上記のように第一中間めっき層８を形成する金属は、Ａｕに対して標準電極電位が卑であり（すなわちＡｕより標準電極電位が低い）、また第二中間めっき層９を形成する金属は、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴である（すなわち第一中間めっき層８の金属より標準電極電位が高い）ので、この条件を満たす金属を表１から選択して、第一中間めっき層８や第二中間めっき層９を形成するようにすればよい。ここで、第一中間めっき層８や第二中間めっき層９を形成する金属は、単体の金属であっても、合金状態の金属であってもよい。さらに、合金のように複数の金属で中間めっき層８や第二中間めっき層９を形成する場合には、複数の金属のうち少なくとも一種が上記の条件を満たすものであればよい。従って例えば、第一中間めっき層８をＲｈで形成する場合、第二中間めっき層９はＰｄや、あるいはＡｇで形成することができ、さらにＰｄ−Ｎｉのように第一中間めっき層８の金属より標準電極電位が低い金属を含むものであってもよい。第一中間めっき層８や第二中間めっき層９の厚みは、特に限定されるものではないが、第一中間めっき層８の膜厚は０．００５〜１μｍ程度、第二中間めっき層９の膜厚は０．００５〜１μｍ程度であることが好ましい。
【００４７】
図２（ａ）はＮｉめっき層６、第二中間めっき層９、第一中間めっき層８、金めっき層７の順に形成されためっき層の標準電極電位（Ｅ（Ｖ））を概念的に示すものである。既述のように、Ｎｉめっき層６のＮｉは塩素イオンや硫化イオンなどと反応して腐食し易い。そしてＮｉめっき層６のＮｉが腐食される際の反応
Ｎｉ→Ｎｉ＋＋ｅ−
で、Ｎｉのイオン化と同時に放出される電子（ｅ−）は、外系へ放出されるために必要なエネルギーが低いより貴な金属へと移動するが、Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間に、貴な金属の第二中間めっき層９と卑な金属の第一中間めっき層８が接して設けられているために、第二中間めっき層９と第一中間めっき層８の境界に電子移動を妨害する電位障壁が形成され、電子がＡｕめっき層７へと移動することを防ぐことができ、最表面のＡｕめっき層７から還元反応によって放出されるようなことがなくなる。従って、Ｎｉめっき層６でＮｉが腐食される反応を抑制することができるものであり、またＡｕめっき層７にピンホールがあっても、上記の電位障壁で電子の放出が抑制されるためにＮｉの溶解を防ぐことができ、Ｎｉめっき層６に腐食が生じることを防ぐことができるものである。
【００４８】
第一中間めっき層８や第二中間めっき層９を形成する金属としては、上記の条件を満たすものであれば、任意の組み合わせで用いることができるが、なかでも、第一中間めっき層８をＲｈで、第二中間めっき層９をＰｄ−Ｎｉで形成するのが好ましい。あるいは、第一中間めっき層８をＲｈで、第二中間めっき層９をＰｄで形成するのが好ましい。
【００４９】
Ｒｈは、標準電極電位がＰｔやＰｄよりも低いにもかかわらず、電気抵抗が小さく、酸化膜を形成しにくいという性質を持っており、しかもＡｇなど電気抵抗の低い材料と比較した場合に、腐食環境での耐食性が高く安定した材料である。このため、第一中間めっき層８の金属としてＲｈが適しているものである。
【００５０】
一方、ＰｄやＰｄ合金は、同じ膜厚ではＡｕよりもピンホールの少ない被覆を行なうことができ、またＩｒ、Ｐｔなどと比較すると硬度が低いためにクラックの発生を抑えることもできる。このため、第一中間めっき層８のＲｈや下地となるＮｉめっき層６のＮｉよりも貴な金属としてＰｄやＰｄ合金を用いて第二中間めっき層９を形成することが適しているものである。
【００５１】
このように、第一中間めっき層８がＲｈ、第二中間めっき層９がＰｄ−Ｎｉの組み合わせ、あるいは第一中間めっき層８がＲｈ、第二中間めっき層９がＰｄの組み合わせでＡｕめっき層７とＮｉめっき層６の間に形成することによって、耐腐食性が高い回路３を形成することができるものである。尚、Ｒｈからなる第一中間めっき層８の厚みは０．００５〜１μｍ程度が好まく、より好ましくは０．０１〜０．４μｍ程度である。またＰｄからなる第二中間めっき層９の厚みは０．００５〜１μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５μｍ程度である。さらにＰｄ−Ｎｉからなる第二中間めっき層９の厚みは０．０１〜１μｍ程度が好ましく、より好ましくは０．０３〜０．５μｍ程度である。またＰｄ−Ｎｉの合金比率は、Ｐｄ：Ｎｉ＝７：３〜９：１の質量比の範囲が好ましい。
【００５２】
上記のように電気金めっきを行なってＡｕめっき層７を形成するにあたって、電気金めっきは、パルス波形の電流を用いるパルスめっきによって行なうのが好ましい。パルスめっきでは、高いパルス電流密度で微細結晶にめっきをすることができ、Ａｕめっき層７を緻密に形成することができるものであり、ピンホールの発生を抑制することができるものである。従って、ピンホールによる回路３の腐食をより効果的に防ぐことができるものである。
【００５３】
またこのように回路３の最表面にＡｕめっき層７を形成した後、Ａｕめっき層７の表面を封孔処理するのが好ましい。このように封孔処理をすることによって、Ａｕめっき層７にピンホールが形成されていても、ピンホールを封じることができ、ピンホールを通して回路３が腐食されることをより効果的に防ぐことができるものである。
【００５４】
封孔処理に用いる封孔処理剤としては、従来から一般に提供されているものを使用することができるものであり、例えばアミノテトラゾールとメチルベンゾトリアゾールを含む封孔液（特開２００１−２７９４９１号公報参照）、テトラゾール系化合物とチアゾール系化合物を含む水溶性封孔液（特開２０００−２８２０３３号公報参照）、ベンゾトリアゾール系化合物、メルカプトベンゾチアゾール系化合物、トリアジン系化合物のうち１種もしくは２種以上含む水溶性封孔液（特許第２８０４４５２号公報、特許第２８０４４５３号公報参照）などを挙げることができる。封孔処理剤は親水基１７ａと親油基１７ｂを有する界面活性剤１７と防錆剤１８とを含有するものであり、図３に示すように、界面活性剤１７の作用で防錆剤１８を金属表面に均一に吸着させ、Ａｕめっき層７にピンホール１４が形成されていても防錆剤１８でピンホール１４を封じて、Ｎｉめっき層６が腐食促進成分と接触して腐食することを防ぐことができるものである。
【００５５】
ここで、上記のように回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去することによって、回路３と同じパターンのめっき下地層４を形成するにあたって、レーザＬは絶縁性基板１にも作用するので、既述の図８（ａ）のように絶縁性基板１の表面がダメージを受けて荒れるおそれがあり、めっき下地層４の上に回路３を作製するにあたって、回路３の側面のエッジの下側にＣｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に微小な隙間１５が既述の図８（ｂ）のように発生し、この隙間１５の部分から腐食されるおそれがある。
【００５６】
そこで本発明では、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚ（すなわちレーザＬが照射されない絶縁性基板１の表面粗さＲｚ）の１．９倍未満となるように、照射条件を調整してレーザＬの照射を行なうようにしている。つまり、レーザＬを照射する前の絶縁性基板１の表面粗さをＲｚ１、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された絶縁性基板１の表面粗さをＲｚ２とすると、Ｒｚ２／Ｒｚ１＜１．９となるようにしてある。尚、表面粗さＲｚはＪＩＳ  Ｂ０６０１（２００１）に規定されているものである。
【００５７】
このように、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満であれば、レーザ照射で形成されるめっき下地層４の周囲の絶縁性基板１の表面の荒れが小さく、めっき下地層４の上にめっきを施して回路３を形成するにあたって、回路３の側面のエッジの下部において図４に示すように、Ｃｕめっき層５やＮｉめっき層６と絶縁性基板１の表面との間に隙間が発生することを防ぐことができるものである。従って既述の図８のように回路３の側面のエッジの下部に隙間１５が形成される場合のような、隙間１５からＣｕめっき層５やＮｉめっき層６が腐食される問題を未然に防ぐことができるものである。
【００５８】
尚、レーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満であれば、回路３の側面のエッジの下部に隙間が形成されることを防止して回路３の腐食を防ぐことができるが、既述のような第一中間めっき層８や第二中間めっき層９をＡｕめっき層７とＮｉめっき層６の間に形成しておくことによって、この第一中間めっき層８や第二中間めっき層９の作用によっても、回路３の側面のエッジの部分からの回路３の腐食をより効果的に防ぐことができるものである。さらに、上記ように封孔処理をすることによって、回路３の側面のエッジの下部の隙間を封じることができ、回路３の腐食をより効果的に防ぐことができるものである。
【００５９】
上記のようにレーザＬを照射して金属薄膜２が除去された部分の絶縁性基板１の表面粗さＲｚが、レーザＬを照射する前の表面粗さＲｚの１．９倍未満になるようにするために、レーザ照射の際のレーザ出力条件を調整するのが好ましい。この場合、ポリフタルアミドで形成される絶縁性基板１の基材色及びレーザＬの波長との関係で、レーザ出力を調整するのが好ましい。
【００６０】
また、上記のように回路３の輪郭に沿ってレーザＬを照射して、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去することによって、回路３と同じパターンのめっき下地層４を形成するにあたって、レーザＬを回路３の輪郭に沿って等しいエネルギー密度で照射するようにするのが好ましい。例えば屈曲するパターンで回路３を形成するにあたって、図５（ｂ）のように回路３のコーナーが角張っている場合、回路３の輪郭に沿ってレーザＬを走査させる際に、回路３の角張ったコーナー部でレーザＬの走査速度が遅くなって、このコーナー部（ハ矢印で示す）に照射されるレーザＬのエネルギー密度が大きくなる（図４においてレーザＬのスポットを「○」で図示する）。従ってこの場合には、レーザＬのエネルギー密度が大きくなる回路３のコーナー部において絶縁性基板１のダメージが大きくなって表面粗さが大きくなる。一方、図５（ａ）のように回路３のパターンをコーナーがアールを描く円弧に形成することによって、コーナー部においてもレーザＬの走査速度が一定になり、レーザＬを回路３の輪郭に沿って等しいエネルギー密度で照射することができるものであり、絶縁性基板１にダメージを与えることなく、また表面粗さが大きくなることなく、レーザ照射を行なうことができるものである。
【００６１】
図６の実施の形態は、回路３の側面のエッジ部と絶縁性基板１の表面との間に樹脂層１０を設けて、回路３の側面と絶縁性基板１の表面の境界部を、樹脂層１０で被覆するようにしたものである。このように樹脂層１０で被覆することによって、回路３の側面のエッジの下部に隙間があっても、この隙間を樹脂層１０で封じることができるものであり、回路３の側面のエッジからの腐食をより効果的に防ぐことができるものである。尚、既述のような第一中間めっき層８や第二中間めっき層９をＡｕめっき層７とＮｉめっき層６の間に形成しておくことによって、この第一中間めっき層８や第二中間めっき層９の作用によっても、回路３の側面のエッジの下部からの回路３の腐食をより一層効果的に防ぐことができるものである。
【００６２】
上記の樹脂層１０を形成する樹脂としては、特に制限されることなく使用することができるものであって、紫外線硬化型樹脂、現像型樹脂、熱硬化型樹脂など任意のものを用いることができ、例えば紫外線硬化型ソルダーレジストインキ（太陽インキ製造（株）製「ＵＶＲ−１５０Ｇ  ＮＴＯ」）を例示することができる。
【実施例】
【００６３】
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００６４】
（実施例１）
黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする成形材料（株）クラレ製「ＢＴ１５００」を用いて、絶縁性基板１を成形した（図１（ａ））。そしてこの絶縁性基板１の表面をプラズマ処理した後、絶縁性基板１の表面に銅をスパッタリングすることによって、膜厚０．３μｍの金属薄膜２を形成した（図１（ｂ））。
【００６５】
次に回路パターンの輪郭に沿って波長３５５ｎｍ、出力０．３５ＷのＴＨＧ−ＹＡＧレーザＬを照射して、レーザパターンニングを行なった（図１（ｃ））。
【００６６】
次に、レーザパターンニングして形成されるめっき下地層４に通電し、めっき下地層４の上に銅めっきを行なってＣｕめっき層５を形成した（図１（ｄ））。銅めっきは、硫酸銅・五水和物の濃度２００ｇ／Ｌ、硫酸濃度５０ｇ／Ｌ、塩素イオン濃度７５ｍｇ／Ｌの浴組成の硫酸銅浴を用い、温度２５℃、電流密度２．０Ａ／ｄｍ２、時間２５分のめっき条件で行ない、膜厚１０μｍのＣｕめっき層５を形成した。
【００６７】
次にエッチング液として過酸化アンモニウム溶液を用い、ソフトエッチングすることによって、回路非形成部ロの金属薄膜２を除去した（図１（ｅ））。
【００６８】
この後、めっき下地層４及びＣｕめっき層５に通電して電気めっきを行ない、Ｃｕめっき層５の上にＮｉめっき層６、第二中間めっき層９、第一中間めっき層８、Ａｕめっき層７をこの順に積層して回路３を作製し、回路基板を得た（図１（ｆ））。
【００６９】
このとき、Ｎｉめっき層６を形成するためのニッケルめっきは、硫酸ニッケル３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／Ｌ、ほう酸３０ｇ／Ｌの浴組成のワット浴を用い、温度５０℃、電流密度１．５Ａ／ｄｍ２、時間２０分のめっき条件で行ない、膜厚６μｍのＮｉめっき層６を形成した。
【００７０】
また第二中間めっき層９はＰｄ−Ｎｉめっきで形成した。このＰｄ−Ｎｉめっきは、Ｐｄ濃度２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ濃度８ｇ／Ｌ、ｐＨ７．５の浴組成のＰｄ−Ｎｉめっき浴を用い、温度４５℃、電流密度５Ａ／ｄｍ２、時間２０秒のめっき条件で行ない、合金比率が８：２のＰｄ−Ｎｉで膜厚０．４μｍの第二中間めっき層９を形成した。
【００７１】
また第一中間めっき層８はＲｈめっきで形成した。このＲｈめっきは、Ｒｈ２．０ｇ／Ｌ、硫酸濃度４５ｇ／Ｌの浴組成の硫酸ロジウム浴を用い、温度４５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２、時間４５秒のめっき条件で行ない、膜厚０．１μｍのＲｈで第一中間めっき層８を形成した。
【００７２】
また、Ａｕめっき層７を形成するための金めっきは、Ａｕ濃度５ｇ／Ｌ、Ｔｌ濃度１０ｍｇ／Ｌの浴組成の純Ａｕめっき浴を用い、温度６０℃、電流密度０．２Ａ／ｄｍ２、時間９０秒のめっき条件で行ない、膜厚０．２μｍのＡｕめっき層７を形成した。尚、この金めっきは、温度６０℃、電流密度０．２Ａ／ｄｍ２、デューティー比（ｔon／（ｔon＋ｔoff））が０．０９、オンタイム（ｔon）１０ｍｓ、オフタイム（ｔoff）１００ｍｓ、時間３０分のパルスめっきで行ない、膜厚０．２μｍのＡｕめっき層７を形成するようにしてもよい。
【００７３】
(実施例２）
第二中間めっき層９をＰｄめっきで形成し、第一中間めっき層８をＲｈめっきで形成するようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００７４】
ここで、第二中間めっき層９のＰｄめっきは、Ｐｄ濃度６ｇ／Ｌ、ｐＨ０．８の浴組成のＰｄめっき浴を用い、温度５５℃、電流密度０．７５Ａ／ｄｍ２、時間２５秒のめっき条件で行ない、膜厚０．１μｍのＰｄで第二中間めっき層９を形成した。
【００７５】
また、Ｒｈからなる第一中間めっき層８は、実施例１と同じ条件で形成した。
【００７６】
（実施例３）
第二中間めっき層９をＡｇめっきで形成し、第一中間めっき層８をＲｈめっきで形成するようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００７７】
ここで、第二中間めっき層９のＡｇめっきは、銀濃度５０ｇ／Ｌ、遊離シアン濃度１ｇ／Ｌ、Ｓｅ濃度５ｍＬ／Ｌの浴組成の低シアン浴を用い、温度５０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２、時間１５秒のめっき条件で行ない、膜厚０．３μｍのＡｇで第二中間めっき層９を形成した。
【００７８】
また、Ｒｈからなる第一中間めっき層８は、実施例１と同じ条件で形成した。
【００７９】
（比較例１）
第二中間めっき層９や第一中間めっき層８を形成しないようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。
【００８０】
（比較例２）
Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間にＰｄ−Ｎｉからなる中間めっき層を一層のみ設けるようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。このＰｄ−Ｎｉめっきは、実施例１と同じ条件で行なった。
【００８１】
（比較例３）
Ｎｉめっき層６とＡｕめっき層７の間にＲｈからなる中間めっき層を一層のみ設けるようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。このＲｈめっきは、実施例１と同じ条件で行なった。
【００８２】
（比較例４）
第二中間めっき層９をＲｈめっきで形成し、第一中間めっき層８をＰｄめっきで形成するようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。このＲｈめっきは実施例１と同じ条件で、Ｐｄめっきは実施例２と同じ条件で行なった。
【００８３】
（比較例５）
第二中間めっき層９をＲｈめっきで形成し、第一中間めっき層８をＰｄ−Ｎｉめっきで形成するようにした他は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。このＲｈめっきやＰｄ−Ｎｉめっきは実施例１と同じ条件で行なった。
【００８４】
上記の実施例１〜３及び比較例１〜５で得た回路基板について、人工汗による電解腐食試験を行なった。人工汗として、ＪＩＳ  Ｌ０８４８（２００４）に準拠した表２に示す酸性汗とアルカリ性汗を用い、この人工汗に回路基板を浸漬して、回路３に１．２Ｖの直流電流を３時間通電した。
【００８５】
【表２】
0004706690.tif 000003
【００８６】
そしてこの後に回路３を目視観察し、回路３に青錆が発生しているものを「×」、青錆が発生していないものを「○」と評価した。結果を表３に示す。
【００８７】
【表３】
0004706690.tif 000004
【００８８】
表３にみられるように、Ａｕに対して標準電極電位が卑な金属を有する第一中間めっき層８と、第一中間めっき層８の金属に対して標準電極電位が貴な金属を有する第二中間めっき層９とを設けた実施例１〜３では、青錆が発生していないものであり、このような第一中間めっき層８と第二中間めっき層９を設けることによって、回路３の耐久性を高めることができることが確認された。
【００８９】
ここで、図２（ｂ）は比較例４における、Ｎｉめっき層６、Ｒｈからなる第二中間めっき層９、Ｐｄからなる第一中間めっき層８、金めっき層７の順に形成されためっき層の標準電極電位（Ｅ（Ｖ））を概念的に示すものである。このものでは、各めっき層の金属の標準電極電位は、Ｎｉめっき層６、Ｒｈからなる第二中間めっき層９、Ｐｄからなる第一中間めっき層８、金めっき層７の順に高くなっており、そして第二中間めっき層９のＲｈの標準電極電位は＋０．７５８Ｖ、第一中間めっき層８のＰｄの標準電極電位は＋０．９１５Ｖであって、第二中間めっき層９と第一中間めっき層８の間に電子移動を妨害する電位障壁が形成されていないため、Ｎｉめっき層６のＮｉが腐食される際に放出される電子（ｅ−）はＡｕめっき層７へと移動して還元反応によって放出され易くなっている。このため、Ｎｉの腐食反応が進行して溶出し、上記のように青錆が発生することになるものである。
【００９０】
一方、図２（ａ）は実施例２における、Ｎｉめっき層６、Ｐｄからなる第二中間めっき層９、Ｒｈからなる第一中間めっき層８、金めっき層７の順に形成されためっき層の標準電極電位（Ｅ（Ｖ））を概念的に示すものである。このものでは、第二中間めっき層９のＰｄの標準電極電位は＋０．９１５Ｖ、第一中間めっき層８のＲｈの標準電極電位は＋０．７５８Ｖであって、第二中間めっき層９と第一中間めっき層８の間に電子移動を妨害する電位障壁が形成されている。このため、Ｎｉめっき層６のＮｉが腐食される際に放出される電子（ｅ−）がＡｕめっき層７へと移動して還元反応によって放出されることを防ぐことができ、Ｎｉの腐食反応が進行することを抑制して、上記のように青錆が発生することを防止できるものである。
【００９１】
（実施例４）
絶縁性基板１として、白色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「Ｋ１４００」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長３５５ｎｍ、レーザ出力０．３５ＷのＴＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９２】
（実施例５）
絶縁性基板１として、白色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「Ｋ１４００」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長５３３ｎｍ、レーザ出力０．４５ＷのＳＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９３】
（実施例６）
絶縁性基板１として、着色剤を配合しないナチュラル色（乳白色の樹脂本来の色）のポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「Ｎ１０００Ａ」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長５３３ｎｍ、レーザ出力０．４５ＷのＳＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９４】
（実施例７）
絶縁性基板１として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「ＢＴ１５００」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長３５５ｎｍ、レーザ出力０．３５ＷのＴＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９５】
（比較例６）
絶縁性基板１として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「ＢＴ１５００」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長３５５ｎｍ、レーザ出力０．３５ＷのＴＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９６】
（比較例７）
絶縁性基板１として、黒色に着色したポリフタルアミドをベース樹脂とする（株）クラレ製「ＢＴ１５００」で成形したものを用いた。また、レーザパターニングを、レーザ波長３５５ｎｍ、レーザ出力０．５６ＷのＴＨＧ−ＹＡＧレーザを用いて行なった。そして第一中間めっき層８と第二中間めっき層９をめっきせずに、Ｎｉめっき層６の上にＡｕめっき層７を形成するようにした他は、実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００９７】
上記の実施例４〜７及び比較例６〜７について、プラズマ処理をした後、銅をスパッタリングして金属薄膜２を形成する前の絶縁性基板１の表面粗さＲｚ（Ｒｚ１）を測定し、またレーザパターニングして金属薄膜２を除去した後の絶縁性基板１の表面粗さＲｚ（Ｒｚ２）を測定した。そしてＲｚ２／Ｒｚ１を算出した。これらの結果を表４に示す。
【００９８】
また、上記の実施例４〜６及び比較例６〜８で得た回路基板について、人工汗による電解腐食試験を上記と同様にして行ない、回路３を目視観察した結果を表４に示す。
【００９９】
【表４】
0004706690.tif 000005
【０１００】
表４にみられるように、Ｒｚ２／Ｒｚ１が１．９以上の各比較例では、回路３に腐食が生じたが、Ｒｚ２／Ｒｚ１が１．９未満の各実施例では、回路３に腐食が生じず、回路３の耐食性が向上していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は概略断面図、（ｆ）は一部の拡大断面図である。
【図２】めっき層の標準電極電位を概念的に示す概略図であり、（ａ）は実施例２についての図、（ｂ）は比較例４についての図である。
【図３】本発明の他の実施の形態を示すものであり、封孔処理した状態の拡大した概略図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す一部の拡大断面図である
【図５】本発明の他の実施の形態を示すものであり、（ａ）（ｂ）はそれぞれ平面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態を示す拡大した断面図である。
【図７】従来例を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図、（ｆ）は一部の拡大断面図である。
【図８】従来例を示すものであり、（ａ）（ｂ）はそれぞれ一部の拡大した断面図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１  絶縁性基板
２  金属薄膜
３  回路
４  めっき下地層
５  Ｃｕめっき層
６  Ｎｉめっき層
７  Ａｕめっき層
８  第一中間めっき層
９  第二中間めっき層
１０  樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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