(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲルマニウム発光層状重合体において、ゲルマニウム原子が平面構造を形成し、かつ該平面が層状に重なっていることを特徴とする、ゲルマニウム発光層状重合体。
【請求項２】
分子式が（ＧｅＨ）ｎである、請求項１記載の発光層状重合体。
【請求項３】
ゲルマニウム原子の少なくとも１部に、ハロゲン原子、ＯＨ基、ＮＨ２基、ＣＨ３基またはアルカンから選択される１価の基が結合している、請求項１記載の発光層状重合体。
【請求項４】
ケイ素−ゲルマニウム発光層状重合体において、ケイ素原子とゲルマニウム原子とが混合された平面構造を形成し、かつ該平面が層状に重なっていることを特徴とする、ケイ素−ゲルマニウム発光層状重合体。
【請求項５】
ケイ素原子および／またはゲルマニウム原子の少なくとも１部に、ハロゲン原子、ＯＨ基、ＮＨ２基、ＣＨ３基またはアルカンから選択される１価の基が結合している、請求項４記載の発光層状重合体。
【請求項６】
平面構造が５Å〜６０Åの間隔を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光層状重合体。
【請求項７】
平面構造が中間平面により相互に分離されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の発光層状重合体。
【請求項８】
中間平面が（Ｃａ（ＯＨ）２）ｎ平面である、請求項７記載の発光層状重合体。
【請求項９】
結晶質の構造を形成する、請求項１から８までのいずれか１項記載の発光層状重合体。
【請求項１０】
４００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長で最大強度を有する発光を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の発光層状重合体。
【請求項１１】
発光層状重合体において、請求項１から１０までのいずれか１項記載の層状重合体の個々の相の連続を有することを特徴とする、発光層状重合体。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光層状重合体の製造方法において、０＜ｘ≦１であるＣａ（Ｓｉｌ-ｘＧｅｘ）２のトポ化学変化により層状重合体を製造することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光層状重合体の製造方法。
【請求項１３】
層状重合体を製造するために、結晶質のゲルマニウムまたはケイ素ゲルマニウムからなる基板上で、０＜ｘ≦１のＣａ（Ｓｉｌ-ｘＧｅｘ）２のエピタキシャル層を使用する、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
０＜ｘ≦１のＳｉｌ-ｘＧｅｘ基板上にＣａを堆積させ、その後、加熱処理することにより、加熱した０＜ｘ≦１のＳｉｌ-ｘＧｅｘ基板上にＣａを堆積させることにより、基板上にＣａ、ＧｅおよびＳｉを同時堆積させ、その後加熱処理することにより、あるいは加熱した基板上にＣａ、ＧｅおよびＳｉを同時堆積させることにより、０＜ｘ≦１のＣａ（Ｓｉｌ-ｘＧｅｘ）２エピタキシャル層を製造することを特徴とする、請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】
ゲルマニウム基板または０＜ｘ≦１のＳｉｌ-ｘＧｅｘ基板上にＣａ、ＧｅおよびＳｉを同時堆積させるか、または加熱したゲルマニウム基板または０＜ｘ≦１のＳｉｌ-ｘＧｅｘ基板上にＣａ、ＧｅおよびＳｉを同時堆積させる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
ＨＣｌまたはＨ２Ｏを含有する液体を用いてトポ化学変化を実施する、請求項１２から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
相対空気湿度１０〜１００％を有する空気中でトポ化学変化を実施する、請求項１２から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
オプトエレクトロニク部材において、部材が、請求項１から１１までのいずれか１項記載の半導体原子を有する発光層状重合体（１０）を有し、その際、半導体原子は平面構造中に配置されており、かつ平面構造が層状に重なっていることを特徴とする、オプトエレクトロニク部材。
【請求項１９】
請求項１２から１７までのいずれか１項記載の発光層状重合体（１０）が結晶質の基板（１２）上に製造されている、請求項１８記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２０】
結晶質の基板（１２）が、ゲルマニウム基板またはケイ素ゲルマニウム基板である、請求項１９記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２１】
層状重合体（１０）の構造が基板の表面に対して平行に配向されていない配向を有する基板（１２）を使用する、請求項１９または２０記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２２】
基板（１２）が（１１０）−表面を有する、請求項１９から２１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２３】
ドープされた基板（１２）を有する、請求項１９から２２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２４】
発光層状重合体（１０）上に電気コンタクト（１６）が配置されている、請求項１９から２３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２５】
電気コンタクト（１６）が金属または導電性の酸化物からなる、請求項２４記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２６】
コンタクト（１６）が光透過性である、請求項２４または２５記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２７】
コンタクト（１６）がＳｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、ＺｎＯ、ＩｎＯまたはＩｎＺｎＯを含有する、請求項２４から２６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２８】
層状重合体（１０）が完全に、または空間的に選択的にドープされている、請求項１８から２７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項２９】
層間に挿入されるアルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子によりドープを行う、請求項２８記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項３０】
発光ダイオードまたはレーザーダイオードである、請求項１８から２９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項３１】
光放射を検出するための、請求項１８から２９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニク部材。
【請求項３２】
集積回路において、請求項１から１１までのいずれか１項記載の半導体原子を含有する発光層状重合体を有し、その際、半導体原子は平面構造中に配置されており、かつ平面構造が層状に重なっていることを特徴とする、集積回路。
【請求項３３】
請求項１８から３１までのいずれか１項記載の部材を有する、請求項３２記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
結晶質のゲルマニウムは数多くのオプトエレクトロニク部材中で、特に放射線検出器として使用されている。しかしこの材料から可視光領域または近赤外線ないし中間赤外線のスペクトル領域を放射するオプトエレクトロニク部材、たとえば発光ダイオードまたはレーザーを構成することはできない。というのも、結晶質のゲルマニウムによる間接的なバンドギャップが、伝導帯と価電子帯との間の放射遷移を妨げるからである。
【０００２】
光放射を検出するためのゲルマニウムの特殊な特性を、発光素子も有している光電子集積回路中で使用すべき場合、その他の半導体材料、たとえばＩＩＩ−Ｖ−化合物半導体をこの発光素子の製造のために使用しなくてはならない。しかしこのために必要とされる、異なった半導体を結合するための方法は通常、技術的にコストがかかる。
【０００３】
式（ＧｅＲ２）ｎの、発光する鎖状のゲルマニウム重合体が公知であり、この場合、Ｒは１価のリガンド、たとえばＨ、ＯＨ、ＣＨ３、ＮＨ２、Ｃｌなどを表す。これらの重合体は重合により製造され、かつ種々の基板、たとえばガラスもしくは導電性の透明な酸化物上に堆積させることができる。
【０００４】
結晶質のゲルマニウムからなる基板上でこのような重合体を使用する場合、その他の発光性半導体材料の使用に対する特別な利点は存在せず、特に結晶質のゲルマニウムとこれらのゲルマニウム重合体との間の界面に電子的に活性な欠陥が形成される可能性があり、これはこうして製造される発光素子の特性を著しく損なう。
【０００５】
さらに、重合（ウルツ・カップリング）により製造される、いわゆるランダムな網状重合体が公知である（W. J. Szymanski, G. T. Visscher, P. A. Bianconi, Macromolecules 26, 869 (1993), H. Kishida, H. Tachibana, M. Matsumoto, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 65, 1358 (1994)）。
【０００６】
重合により得られるこれらの網状重合体は、三次元的に架橋した、非晶質の構造を有し、かつ５４０ｎｍの波長で弱い蛍光を示すにすぎない。
【０００７】
二ケイ化カルシウムＣａＳｉ２に関してはすでに１８６３年以来、塩酸中に導入することにより、ＣａＳｉ２の結晶格子からカルシウム原子を除去することができ、かつ層状のケイ素重合体が形成されることが公知である（F. Woehler, Liebigs Annalen 127, 257 (1863)）。これはいわゆるトポ化学反応であり、この場合、この材料中に存在するＳｉ平面の構造および積層順序は維持されたままである（A. Weiss, G. Beil, H. Meyer, Z. Naturforsch, 35b, 25 (1979)）。この反応は有利には０℃で実施する（H. Kautsky, Z. anorg. Chem. 117, 209 (1921)）。
【０００８】
本発明の課題は、改善された発光特性を有する半導体重合体ならびにこのための製造方法を提供することである。さらに本発明の課題は、該半導体重合体を用いてオプトエレクトロニク部材を製造することである。
【０００９】
上記課題は、請求項１、１３、１８もしくは３４に記載の特徴により解決される。本発明の有利な実施態様は、従属請求項の対象である。
【００１０】
以下では本発明を図１〜５と関連させて詳細に説明する。
【００１１】
図面では、
図１は、ゲルマニウム層状重合体の第一の実施態様の構造的な構成の略図を示し、
図２は、第一の実施態様の構造的な構成と比較した、ゲルマニウム層状重合体の第二の実施態様の構造的な構成および該層状重合体を製造するための材料の略図を示し、
図３は、図１もしくは２に記載の両方の実施態様ならびに層状重合体を製造するための材料のＸ線回折図を示し、
図４は、両方の実施態様のけい光スペクトルを示し、かつ
図５は、本発明によるオプトエレクトロニク部材の断面の略図を示す。
【００１２】
本発明によれば、適切なゲルマニウム化物もしくは混合されたケイ素ゲルマニウム化物をトポ化学変化により、たとえば０＜ｘ≦１のＣａ（Ｓｉｌ-ｘＧｅｘ）ｚの反応により、ゲルマニウム重合体もしくはケイ素−ゲルマニウム重合体を形成する。
【００１３】
有利にはこのために、適切な結晶構造を有する結晶質の基板または適切な結晶構造を有する緩衝層を有する基板を使用する。その際、緩衝層は多層構造であってもよい。特にゲルマニウム基板もしくはゲルマニウム−ケイ素基板が適切である。この場合、層状重合体は基板上にエピタキシャル層を形成し、界面における電子的に活性な欠陥は、ごくわずかに形成されるのみである。
【００１４】
層状のゲルマニウム重合体を製造するために、まずＣａとゲルマニウムとの反応によりゲルマニウム化物ＣａＧｅ２を形成させる。これは適切な施与法でゲルマニウム基板上にＣａを堆積させ、その後、加熱処理してＣａＧｅ２を形成することにより、加熱したゲルマニウム基板上にＣａを堆積させ、その際、その後の加熱処理なしでＣａＧｅ２を形成すること（反応性エピタキシャル堆積(Reactive Deposition Epitaxy)）により、または基板、有利にはゲルマニウム基板上にＣａおよびＧｅを（たとえば蒸着、スパッタリングもしくは分子線エピタキシー法により）同時堆積(Codeposition)させ、その後、加熱処理することにより、または加熱したゲルマニウム基板上に同時堆積させることにより行うことができる。
【００１５】
有利には結晶質のゲルマニウム上でゲルマニウム基板の温度７００〜９００℃およびカルシウム流約１０ｎｍ／分で反応性エピタキシャル堆積により製造する。８１０℃の温度が特に有利である。その際、毎時約１μｍの成長速度が達成される。
【００１６】
ゲルマニウム化カルシウムは、２種類の結晶構造で結晶化することができる：格子定数ａ＝４．０Åとｃ＝３０．６Åとを有するｔｒ６  ＣａＧｅ２（空間群Ｄ３ｄ５）および格子定数ａ＝４．０Åとｃ＝１０．２Åとを有するｈ２  ＣａＧｅ２（空間群Ｃ６ｖ４）。ｔｒ６  ＣａＧｅ２の結晶構造は図２ｃに記載されている。これは、波形のゲルマニウム（二重）平面と、カルシウム原子からなる平面との連続からなる層状構造である（H. J. Wallbaum, Naturwissenschaften 32, 76, (1944)）。ｔｒ６  ＣａＧｅ２中には６重の積層が存在するが、これに対してｈ２  ＣａＧｅ２中には２重の積層が存在するのみである。
【００１７】
層状のゲルマニウム重合体へのＣａＧｅ２の変化は、トポ化学反応により行う。ゲルマニウム原子の平面構造が維持されている、発光する層状ゲルマニウム重合体を得るために、本発明の場合、ＨＣｌを含有する溶液中、有利には−５℃より低い温度で、特に有利には濃ＨＣｌ（水中３７％）中、−３０℃で反応を実施する。この条件下で、酸素および塩素の不純物をほとんど含有していない、化学名ポリゲルミン(Polygermin)を有する式（ＧｅＨ）ｎの層状のゲルマニウム重合体が形成する。
【００１８】
ＨＣｌ中での反応により得られるゲルマニウム層状重合体の第一の形をポリゲルミンＡと呼ぶ。
【００１９】
ポリゲルミンＡの構造を図１に略図で記載する。ＨＣｌによりｔｒ６  ＣａＧｅ２を反応させる際に、ｔｒ６  ＣａＧｅ２と同じ空間群Ｄ３ｄ５および格子定数ａ＝４．０Åとｃ＝３３．９Åとを有するｔｒ６（ＧｅＨ）ｎが生じ、相応してｈ２  ＣａＧｅ２の変化の際にはｈ２（ＧｅＨ）ｎが生じる。
【００２０】
隣接する（ＧｅＨ）ｎ平面間の結合が弱いことにより、平面間での無秩序な層(turbostratische Unordnung)の形成および５．４〜５．９Åの間の平面間隔ｃ／６の変化につながり、これはたとえば図３に記載されている、ｔｒ６  （ＧｅＨ）ｎの（００６）−反射のブラッグ−ブレンターノの幾何学においてＣｕＫα放射線により記録されるＸ線回折図の幅から取り出すことができる。本来のＣａＧｅ２膜のように、トポ化学変化により得られた（ＧｅＨ）ｎ膜はエピタキシーによりゲルマニウム基板に対して配向している。
【００２１】
図４にはポリゲルミンＡのけい光スペクトルが記載されている。層状重合体は約９００ｎｍ（１．４ｅＶ）で強い赤外発光を示す。この発光は明らかに、冒頭で記載したゲルマニウム網状重合体の場合よりも著しく強く際だっている。
【００２２】
近赤外線の波長領域における発光は、この層状重合体を集積オプトエレクトロニク部材中で、ゲルマニウムからなるフォトダイオードと一緒に適用するために特に有利である。というのは、該重合体は結晶質のゲルマニウムの最も高いスペクトル感度にほぼ近いからである。
【００２３】
本発明による第二の方法では、塩酸を使用せずに、水を用いてＣａＧｅ２のトポ化学変化によってゲルマニウム層状重合体を製造する。この場合、有利にはＣａＧｅ２を湿った空気中に、特に有利には相対空気湿度１０〜１００％および温度１０〜３０℃で曝露する。あるいはＣａＧｅ２もしくはＣａＧｅ２で被覆した基板を水中に導入することにより、ゲルマニウム層状重合体を製造することができる。
【００２４】
この変化の場合、結晶格子からカルシウム原子は除去されず、むしろ付加的に水が結晶中に組み込まれる。使用されるＣａＧｅ２出発材料の結晶構造に応じてふたたびｔｒ６もしくはｈ２結晶構造を有する結晶質の層状重合体が生じる。これらの層状重合体は交互のＧｅ含有層およびＣａ含有層を有する層構造を有する。
【００２５】
湿った空気に触れるか、またはＣａＧｅ２を水中に導入することにより生じるゲルマニウム層状重合体を以下ではポリゲルミンＢとよぶ。その構造的な構成はｔｒ６  結晶構造に関して図２ａに記載されている。比較のために図２ｂはふたたびポリゲルミンＡの構造を、および図２ｃはＣａＧｅ２の構造を示す。
【００２６】
ポリゲルミンＢは、ポリゲルミンＡと同様に（ＧｅＨ）ｎ層平面を有する。ポリゲルミンＡと対照的にこの層平面は（（ＣａＯＨ）２）ｎ−平面により相互に分離されている。格子定数はａ＝４．０Åおよびｃ＝６５．３Åであり、その際、隣接するゲルマニウム平面間の間隔は、上記の理由からｃ／６＝１０．６Å〜１１．０Åの間で変化する（図３を参照のこと）。湿った空気に触れて変化したポリゲルミンＢは６５０ｎｍで強い蛍光を示す（図４を参照のこと）。
【００２７】
ポリゲルミン中のゲルマニウム平面においてその他の適切なリガンドにより水素を化学的に置換することにより、ゲルマニウム平面の間隔ならびにバンドギャップの大きさひいては発光の波長を変えることができる。その際、Ｈ原子は完全に、もしくは部分的にその他の１価のリガンド、たとえばハロゲン原子、ＯＨ基もしくはＮＨ２基またはアルキル基−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５などにより置換されていてもよい。このためにまず、ＯＨ基による置換のために有利にはポリゲルミンをＨＢｒ中に導入することによりＢｒによる置換を実施し、次いで水中でＯＨ基によりＢｒリガンドの置換を行う。アルカンによる置換は有利にはアルケンのヒドロシリル化により行う。この場合、平面間隔は５から６０Åまで、発光の波長は４００から１６００ｎｍまで変化しうる。導電性を向上するため、オプトエレクトロニク部材の実現のために重要な層状ゲルマニウム重合体のドーピングは、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子、有利にはＬｉ、ＫもしくはＣａの層間挿入により行うことができる。
【００２８】
本発明の有利な実施態様の場合、層状重合体は混合されたゲルマニウム−ケイ素−層平面を有する。これによりその他の有利な層状重合体および層状構造が生じる。
【００２９】
個々の平面がケイ素原子およびゲルマニウム原子から混合されてなっているケイ素−ゲルマニウム−層状重合体は、本発明によれば、適切な結晶質の基板上に堆積したＳｉｌ-ｘＧｅｘ合金からなるＣａ（Ｓｉｌ-ｘＧｅｘ）２を、ＣａＧｅ２の製造に相応して製造し、かつ引き続きＨＣｌもしくはＨ２Ｏ含有溶液もしくは湿った空気の使用下にトポ化学反応させることにより製造することができる。
【００３０】
純粋なゲルマニウム層状重合体とケイ素層状重合体との個々の層の連続からなる層状構造は、本発明によればＣａＧｅ２／ＣａＳｉ２超格子を、たとえば蒸着、スパッタリングもしくは分子線エピタキシー法により製造し、かつ引き続きＨＣｌもしくはＨ２Ｏ含有の溶液の使用下にトポ化学反応させることにより得られる。ゲルマニウム層状重合体のための上記の本発明の実施態様は、ケイ素−ゲルマニウム層状重合体にも関する。さらに平面構造はその他の半導体原子を含有していてもよく、またはこれらから形成されていてもよい。半導体原子とは半導体の特性を有する材料の原子、たとえばＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮと理解すべきである。
【００３１】
オプトエレクトロニク部材中のケイ素−ゲルマニウム層状重合体の特別な利点は特に、バンドギャップもしくは発光の調整を単にケイ素もしくはゲルマニウム原子の相対的な割合が変化し、リガンドは化学的に置換されないという可能性、または「多色の」発光をオプトエレクトロニク部材中に作製する可能性である。というのも、ケイ素−およびゲルマニウム層状重合体は異なった波長において発光を有するからである。
【００３２】
図５中には本発明による層状重合体を有するオプトエレクトロニク部材が記載されている。この場合、ゲルマニウム層状重合体１０が結晶質のゲルマニウムからなる基板１２上に配置されている。有利にはゲルマニウム層状重合体１０はゲルマニウム基板１２上に製造する。この場合、ゲルマニウム基板は重合体層における電気コンタクトとして作用し、かつ直列抵抗を回避するために自体公知の方法によりドープされていてもよい。
【００３３】
この場合、基板に対する電気コンタクトはたとえば適切な金属のバックコンタクト１４により実現することができる。
【００３４】
フロントコンタクトとして金属の膜または導電性酸化物１６からなる膜を重合体層１０上に施与する。部材の表面を通過して光が侵入することができるように、フロントコンタクトは有利には放射線透過性に作られている。このために金属のフロントコンタクトはたとえば十分に薄く、ひいては光学的に少なくとも部分的に透明に形成されていてもよい。あるいはフロントコンタクトは窓として形成された切欠を有していてもよい。
【００３５】
部材のダイオード特性を改善するために、層１０はドープされていてもよい。場合により層１０は空間選択的に基板１２への移行部の付近においてのみ、またはフロントコンタクト１６の移行部の付近でドープされている。有利には低い仕事関数を有する金属、たとえばＳｒ、Ｃａ、ＭｇまたはＡｌをフロントコンタクトとして、比導電率０．０１〜１０００ｌ／Ωｃｍを有するｐタイプにドープされたゲルマニウムを基板材料として、およびＡｌをバックコンタクトとして使用する。さらに、導電性酸化物、たとえばＺｎＯ、ＳｎＯもしくはＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）をコンタクト材料として使用することもできる。層状重合体１０はケイ素−ゲルマニウム重合体であってもよいことは自明である。
【００３６】
ゲルマニウム基板の表面に対するゲルマニウム平面の空間的な配向は、層状の重合体中で基板の結晶配向に依存する。（１１１）−表面を有するゲルマニウム基板に関して、層状重合体の平面は基板表面に対して平行である。
【００３７】
層状重合体の導電率はその構造によって著しく異方性であり、この場合、平面に対して平行な導電率は実質的に平面に対して垂直な導電率よりも大きい。従ってゲルマニウム基板（１２）が（１１１）−表面を有する場合、重合体層（１０）は、図５に記載されている部材中で、その他の配向の基板上に製造された、同じ厚さの重合体層よりも実質的に高い抵抗を有する。従って重合体層中の抵抗を低減し、かつ発光収率を向上するために、（１１１）とは異なる配向を有するゲルマニウム基板が有利である。発光ダイオードおよびレーザーを製造するために、（１１０）−表面を有する基板が特に有利である。
【００３８】
ゲルマニウム層状重合体またはケイ素−ゲルマニウム層状重合体を有するオプトエレクトロニク部材は、電荷担体を電気的に重合体層へ注入することによって発光ダイオードまたはレーザーとして形成されていてもよい。しかし光放射を検出するためにも、たとえばフォトダイオードとして、またはフォトコンダクタとしても使用することができる。
【００３９】
層状のゲルマニウム重合体およびケイ素−ゲルマニウム重合体の使用下にさらに、使用される半導体材料が有利にはもっぱらゲルマニウムをベースとし、かつ特に回路の結晶質のゲルマニウム基板自体から製造されている、光電子集積回路を実現することもできる。この場合、本発明による層状重合体により、発光ダイオードまたはレーザーを構成するための発光素子を実現することができ、ならびに光放射を、たとえば結晶質のゲルマニウムからなるｐｎ−フォトダイオードにより検出するための光検出器を、選択的なドーピングにより形成することができる。さらに、たとえば結晶質のゲルマニウムを選択的に酸化することにより形成されるＧｅＯ２からなる光導波体により、発光素子および受光素子が結合していてもよい。
【００４０】
実施例に基づいた本発明の解説は本発明をこれらに限定するものではないことは自明である。ここでゲルマニウム層状重合体、該重合体をベースとするオプトエレクトロニク部材、およびその使用を引き合いに出す場合、これらはケイ素−ゲルマニウム層状重合体ならびにゲルマニウム層状重合体とケイ素層状重合体とからなる層構造も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ゲルマニウム層状重合体の第一の実施態様の構成の略図を示す。
【図２ａ】  ゲルマニウム層状重合体の第二の実施態様の構成および該層状重合体を製造するための材料の略図を示す。
【図２ｂ】  ゲルマニウム層状重合体の第二の実施態様の構成および該層状重合体を製造するための材料の略図を示す。
【図２ｃ】  ゲルマニウム層状重合体の第二の実施態様の構成および該層状重合体を製造するための材料の略図を示す。
【図３】  第一および第二の実施態様ならびに層状重合体を製造するための材料のＸ線回折図を示す。
【図４】  第一および第二の実施態様の蛍光スペクトルを示す。
【図５】  本発明によるオプトエレクトロニク部材の断面の略図を示す。
【符号の説明】
１０  重合体層、  １２  基板、  １４  バックコンタクト、  １６  フロントコンタクト
【図１】
0004773027.tif 000002
【図２ａ】
0004773027.tif 000003
【図２ｂ】
0004773027.tif 000004
【図２ｃ】
0004773027.tif 000005
【図３】
0004773027.tif 000006
【図４】
0004773027.tif 000007
【図５】
0004773027.tif 000008