(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石によってバイアス磁界が印加されるフェライトに高周波的に結合している複数の中心電極を備えた非可逆回路素子において、
前記フェライトには第１ないし第５の中心電極が設けられ、
第１及び第３中心電極は互いに交差することはなく、かつ、第２、第４及び第５中心電極と互いに絶縁された状態で交差し、
第１中心電極の一端と同他端との間に第１整合容量及び第１終端抵抗が並列に接続され、
第３中心電極の一端と同他端との間に第３整合容量及び第２終端抵抗が並列に接続され、
第２中心電極の一端と第５中心電極の他端との間に第２整合容量が接続され、
第１中心電極の他端と第２中心電極の一端とを接続し、
第２中心電極の他端と第４中心電極の他端とを接続し、
第４中心電極の他端と第５中心電極の一端とを接続し、
第５中心電極の他端と第３中心電極の一端とを接続し、
第１中心電極の一端をバランス入出力ポートの一端とし、
第３中心電極の他端をバランス入出力ポートの他端とし、
第４中心電極の一端をアンバランス入出力ポートとし、
バランス入出力ポートの一端から流れ込む電流で生じる磁界と、バランス入出力ポートの他端から流れ出る電流で生じる磁界とが、互いに同相同方向となるように、第１中心電極の一端及び同他端と第３中心電極の一端及び同他端とが配置されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
少なくとも前記第２中心電極は前記フェライトに１回以上巻回されていることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記第２中心電極の電気長は略１／４波長又はそれより僅かに短い波長であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子を略１８０°の位相差で動作する一対の増幅器出力に接続したことを特徴とする複合電子部品。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路素子又は請求の範囲第４項に記載の複合電子部品を備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータなどの２ポート型非可逆回路素子、該素子を備えた複合電子部品、及び該素子又は該複合電子部品を備えた通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。【０００３】
従来、バランス出力回路、特にプッシュプルアンプ（１８０°の位相差で動作する一対の増幅器を有するもの）の出力側には、バランやハイブリッドや電力合成器が挿入されていた。そして、これらバランなどによってバランス信号をアンバランス信号に変換していた。【０００４】
一方、非可逆回路素子として、特許文献１には、入力ポートの中心電極をバランス接続にし、バランやハイブリッドなどを介さないでバランス出力回路に接続することができる３ポート型アイソレータが開示されている。また、特許文献２には、バランス−アンバランス変換器を介さないでバランス回路に接続することができる高アイソレーション型等価回路のバランス入力−バランス出力型２ポート型アイソレータが開示されている。【０００５】
ところで、特許文献１に記載のような３ポート型アイソレータは、入力整合帯域が狭く、また、終端抵抗専用の入出力ポートや中心電極が必要となるので、回路が複雑でコスト高になり、信頼性に劣るという問題点を有している。【０００６】
また、特許文献２に記載のような高アイソレーション型の２ポート型アイソレータは、通過帯域が狭く、挿入損失が大きいために送信機には適してはおらず、発熱が大きいので結果的に信頼性に劣るという問題点を有している。
【特許文献１】特開２００２−２９９９１５号公報
【特許文献２】特開２００４−２８２６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、簡単な回路構成からなり、挿入損失が小さく、信頼性に優れたバランス入力−アンバランス出力型の非可逆回路素子、複合電子部品及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
永久磁石によってバイアス磁界が印加されるフェライトに高周波的に結合している複数の中心電極を備えた非可逆回路素子において、
前記フェライトには第１ないし第５の中心電極が設けられ、
第１及び第３中心電極は互いに交差することはなく、かつ、第２、第４及び第５中心電極と互いに絶縁された状態で交差し、
第１中心電極の一端と同他端との間に第１整合容量及び第１終端抵抗が並列に接続され、
第３中心電極の一端と同他端との間に第３整合容量及び第２終端抵抗が並列に接続され、
第２中心電極の一端と第５中心電極の他端との間に第２整合容量が接続され、
第１中心電極の他端と第２中心電極の一端とを接続し、
第２中心電極の他端と第４中心電極の他端とを接続し、
第４中心電極の他端と第５中心電極の一端とを接続し、
第５中心電極の他端と第３中心電極の一端とを接続し、
第１中心電極の一端をバランス入出力ポートの一端とし、
第３中心電極の他端をバランス入出力ポートの他端とし、
第４中心電極の一端をアンバランス入出力ポートとし、
バランス入出力ポートの一端から流れ込む電流で生じる磁界と、バランス入出力ポートの他端から流れ出る電流で生じる磁界とが、互いに同相同方向となるように、第１中心電極の一端及び同他端と第３中心電極の一端及び同他端とが配置されていること、
を特徴とする。
【０００９】
本発明に係る非可逆回路素子においては、第１及び第３中心電極は互いに交差することはなく、かつ、第２、第４及び第５中心電極と互いに絶縁された状態で交差し、第１中心電極の一端と同他端との間に第１整合容量及び第１終端抵抗が並列に接続され、第３中心電極の一端と同他端との間に第３整合容量及び第２終端抵抗が並列に接続され、第２中心電極の一端と第５中心電極の他端との間に第２整合容量が接続されているため、簡単な回路構成からなる小型の集中定数型アイソレータを得ることができ、挿入損失が小さく、広帯域な入力整合特性を有する。
【００１０】
また、第１中心電極の一端をバランス入出力ポートの一端とし、第３中心電極の他端をバランス入出力ポートの他端とし、第４中心電極の一端をアンバランス入出力ポートとし、バランス入出力ポートの一端から流れ込む電流で生じる磁界と、バランス入出力ポートの他端から流れ出る電流で生じる磁界とが、互いに同相同方向となるように、第１中心電極の一端及び同他端と第３中心電極の一端及び同他端とが配置されているため、バランを追加することなくバランス入力−アンバランス出力型のアイソレータを実現できる。
【００１１】
本発明に係る非可逆回路素子において、少なくとも第２中心電極はフェライトに１回以上巻回されていることが好ましい。第２中心電極のインダクタンスが大きくなり、入力整合が一層広帯域となり、電力増幅器などの前段回路との整合が容易になる。【００１２】
また、第２中心電極の電気長は略１／４波長又はそれより僅かに短い波長であることが好ましい。第２中心電極のインダクタンスが極めて大きくなることにより、第２整合容量を事実上接続する必要なく共振させることができ、第２整合容量のＱ値を原因とする挿入損失の劣化のおそれが解消する。しかも、入力整合が一層広帯域となり、電力増幅器などの前段回路との整合が容易になる。【００１３】
また、本発明に係る複合電子部品は前記非可逆回路素子を略１８０°の位相差で動作する一対の増幅器出力に接続したもので、バランなどを挿入することなくアンバランス信号を出力することができ、好ましい電気特性が得られ、装置の小型化が達成される。【００１４】
さらに、本発明に係る通信装置は、前記非可逆回路素子又は前記複合回路部品をそなえたものであり、好ましい電気特性が得られ、装置の小型化が達成される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、アイソレータの電気特性を、バランを追加することなくアンバランス信号用に使用でき、小型化、省資源化、低価格化でき、挿入損失を低減できて広帯域な入力整合特性を得ることができる。また、低発熱ゆえ高信頼性を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係るアイソレータを示す分解斜視図である。
【図２】前記アイソレータの等価回路図である。
【図３】前記アイソレータを構成する回路基板内の回路構成を示すブロック図である。
【図４】前記アイソレータの二つのバランス入力ポートに逆相信号を加えた場合の各Ｓ−パラメータの特性を示すグラフである。
【図５】前記アイソレータの二つのバランス入力ポートを互いに接続して同相信号を加えた場合の各Ｓ−パラメータの特性を示すグラフである。
【図６】本発明に係る複合電子部品の電気回路を示すブロック図である。
【図７】本発明に係る通信装置の電気回路を示すブロック図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る非可逆回路素子、複合電子部品及び通信装置の実施例について添付図面を参照して説明する。【００１８】
（アイソレータ、図１〜図５参照）
図１は、本発明に係る非可逆回路素子の一実施例であるアイソレータ１の分解斜視図である。このアイソレータ１は、集中定数型アイソレータであり、概略、金属製ケース１０と、金属製キャップ１５と、回路基板２０と、永久磁石３０と、中心電極組立体４０とで構成されている。中心電極組立体４０は、以下に詳述するように、フェライト４１、中心電極５１〜５５を含んでいる。【００１９】
ケース１０及びキャップ１５は、ともに軟鉄などの厚さが０．０５〜０．２５ｍｍ程度の強磁性体材料からなり、回路基板２０、中心電極組立体４０及び永久磁石３０を囲む枠体形状とされている。ケース１０は側片１１，１１がキャップ１５の側面に対して導電的に接合され、永久磁石３０とで磁気回路を形成する。また、ケース１０及びキャップ１５には、０．１〜１００μｍ程度の銅下地めっきの上に１〜５μｍ程度の銀めっきが施され、防錆性を高め、高周波磁束によって発生する渦電流による導体損失やグランド電流による導体損失を軽減させる。【００２０】
永久磁石３０はフェライト４１の主面４１ａに対して直流バイアス磁界を該主面４１ａに略垂直方向に印加するものである。図２に示す本アイソレータ１の等価回路に示されているように、第１中心電極５１（インダクタＬ１）と第２中心電極５２（インダクタＬ２）、及び、第３中心電極５３（インダクタＬ３）と第２中心電極５２とがフェライト４１を介して高周波的に結合されている。また、第４中心電極５４（インダクタＬ４）及び第５中心電極５５（インダクタＬ５）が第２中心電極５２と高周波的に結合されている。【００２１】
永久磁石３０は、通常、ストロンチウム系、バリウム系やランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。これらは、金属マグネットが導体であるのと比較して、誘電体でもあるため、永久磁石３０の内部に高周波磁束が損失少なく分布することができる。そのため、永久磁石３０を中心電極５１〜５５に近接させて配置しても、挿入損失をはじめとする電気特性をほとんど劣化させない。また、フェライト４１と温度特性が近いため、アイソレータとしての温度特性が良好となる。【００２２】
中心電極組立体４０は、直方体形状をなすフェライト４１の第１主面４１ａ（表面）上に互いに電気的に絶縁された中心電極５１〜５５を形成したものである。第１中心電極５１及び第３中心電極５３は互いに交差することはなく、かつ、第２、第４及び第５中心電極５２，５４，５５と互いに絶縁された状態で交差している。【００２３】
詳しくは、第１中心電極５１はその一端５１ａがフェライト４１の第１側面４１ｂに位置し、その他端５１ｂが第２側面４１ｃに位置している。一端５１ａをＡ電極、他端５１ｂをＢ電極と称する。第２中心電極５２はその一端５２ａがフェライト４１の第３側面４１ｄに位置し、その他端５２ｂが第４側面４１ｅに位置している。一端５２ａをＢ電極、他端５２ｂをＣ電極と称する。また、第３中心電極５３はその一端５３ａがフェライト４１の第１側面４１ｂに位置し、その他端５３ｂが第２側面４１ｃに位置している。一端５３ａをＣ電極、他端５３ｂをＤ電極と称する。【００２４】
さらに、第４中心電極５４はその一端５４ａがフェライト４１の第３側面４１ｄに位置し、その他端５４ｂが第４側面４１ｅに位置している。一端５４ａをＥ電極、他端５４ｂをＧ電極と称する。同様に、第５中心電極５５はその一端５５ａがフェライト４１の第３側面４１ｄに位置し、その他端５５ｂが第４側面４１ｅに位置している。一端５５ａをＧ電極、他端５５ｂをＣ電極と称する。【００２５】
ところで、中心電極５１〜５５は、フェライト４１の主面４１ａ及び側面４１ｂ〜４１ｅに銅、銅合金の金属板や金属箔及びそれらに銀や銀合金のめっきを施したものを設けることが好ましい。また、銀や銅の厚膜や薄膜による膜電極として形成してもよく、印刷や転写、フォトリソグラフ、エッチングなどの加工技術を用いて、所定の形状に高精度に形成してもよい。また、フェライト４１にはＹＩＧフェライトなどが用いられている。【００２６】
回路基板２０は、複数枚の誘電体シート上に所定の電極を形成して積層し、焼結した積層型基板であり、その内部には、図２及び図３に示すように、整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３、終端抵抗Ｒ１，Ｒ２が内蔵されている。また、上面には端子電極２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，２５ａ，２５ｂが、下面には外部接続用端子電極２６ａ，２６ｂ，２７，２８及びグランド電極２９が形成されている。【００２７】
回路基板２０は、厚膜導体電極との同時焼成が可能なガラスとアルミナやその他の誘電体の混合物を焼成したもの、樹脂とガラスとその他の誘電体からなる複合基板が用いられる。内部や外部の電極には、銀や銀合金の厚膜や、銅厚膜、銅箔などが用いられる。特に、外部接続用端子電極２６ａ，２６ｂ，２７，２８は、厚さ０．１〜５μｍのニッケルめっきを施した上に、０．０１〜１μｍの金めっきを施すことが好ましい。防錆、耐はんだ喰われ性の向上、はんだに不要な金属の拡散が生じて脆弱な合金層ができた結果はんだ接合自体の強度が落ちるといった不具合を防止するためである。【００２８】
なお、外部接続用端子電極２６ａ，２６ｂ，２７，２８は、厚膜電極を肉厚にして突出させ、前記ケース１０の底部を同一厚さとし、実装回路基板へのはんだ付けを向上させている。【００２９】
ここで、アイソレータ１の回路構成について説明する。図２はアイソレータ１の等価回路を示し、図３は回路基板２０の内部の回路構成を示す。【００３０】
詳しくは、１第１中心電極５１の一端５１ａ（Ａ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第３中心電極５３の一端５３ａ（Ｃ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界とが、互いに同相同方向となるように接続されている。また、第２中心電極５２の一端５２ａ（Ｂ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第４中心電極５４の一端５４ａ（Ｅ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第５中心電極５５の一端５５ａ（Ｇ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界とが、互いに同相同方向となるように接続されている。第２、第４中心電極５２，５４の他端５２ｂ，５４ｂ（Ｃ電極、Ｇ電極）及び第５中心電極５５の一端５５ａ（Ｇ電極）は、それぞれグランドに接続されている。また、第５中心電極５５の他端５５ｂ（Ｃ電極）は第３中心電極５３の一端５３ａ（Ｃ電極）と接続されている。【００３１】
第１中心電極５１と並列に第１整合用コンデンサＣ１及び第１終端抵抗Ｒ１が接続され、第２中心電極５２と並列に第２整合用コンデンサＣ２が接続され、かつ、第３中心電極５３と並列に第３整合用コンデンサＣ３及び第２終端抵抗Ｒ２が接続されている。【００３２】
そして、第１中心電極５１の一端５１ａ（Ａ電極）と第３中心電極５３の他端５３ｂ（Ｄ電極）とをバランス入力ポート＋Ｐ１，−Ｐ１とする。また、第４中心電極５４の一端５４ａ（Ｅ電極）をアンバランス出力ポートＰ２とする。【００３３】
即ち、図３のブロック図に示すように、回路基板２０の下面に形成された外部接続用端子電極２６ａがバランス入力ポート＋Ｐ１として機能し、端子電極２６ｂがバランス入力ポート−Ｐ１として機能する。また、端子電極２７がアンバランス出力ポートＰ２として機能する。【００３４】
また、回路基板２０の表面に形成された端子電極２１ａ，２１ｂは第１中心電極５１の一端５１ａ及び他端５１ｂと接続される。端子電極２２ａ，２２ｂは第２中心電極５２の一端５２ａ及び他端５２ｂと接続される。端子電極２３ａ，２３ｂは第３中心電極５３の一端５３ａ及び他端５３ｂと接続される。端子電極２４ａ，２４ｂは第４中心電極５４の一端５４ａ及び他端５４ｂと接続される。端子電極２５ａ，２５ｂは第５中心電極５５の一端５５ａ及び他端５５ｂと接続される。【００３５】
以上の構成からなるアイソレータ１においては、バランス入力ポート＋Ｐ１，−Ｐ１にバランス信号（１８０°の位相差のある差動信号）が入力されると、第１中心電極５１に電流が流れ、フェライト４１に高周波磁界が発生する。この高周波磁界によって第１中心電極５１に磁気的に結合している第２中心電極５２に電流が流れ、第２、第４及び第５中心電極５２，５４，５５はバラン回路と同等に作用し、第４中心電極５４の一端５４ａからアンバランス信号としてアンバランス出力ポートＰ２に伝送される。【００３６】
即ち、第１及び第３中心電極５１，５３は互いに交差することはなく、かつ、第２、第４及び第５中心電極５２，５４，５５と互いに絶縁された状態で交差し、第１中心電極５１と並列に第１整合用コンデンサＣ１及び第１終端抵抗Ｒ１が接続され、第２中心電極５２と並列に第２整合用コンデンサＣ２が接続され、かつ、第３中心電極５３と並列に第３整合用コンデンサＣ３及び第２終端抵抗Ｒ２が接続されているため、簡単な回路構成からなる小型の集中定数型アイソレータとなり、挿入損失が小さく、広帯域な入力整合特性を有する。【００３７】
図４に、前記アイソレータ１の二つのバランス入力ポートに逆相（平衡、差動、バランス）信号源兼負荷を接続した場合のＳ−パラメータ特性を示す。図４に明らかなように、７００ＭＨｚから８００ＭＨｚの動作周波数帯において、順方向透過特性（Ｓ２１）は大きく、信号は損失が少ない状態で伝達されている。逆方向透過特性（Ｓ１２）は小さく、信号の伝達がされず、減衰が大きいことがわかる。従って、アイソレータ１は、大きな非可逆性、即ち、逆方向信号に対するアイソレーションを持っていることが分かる。【００３８】
図５に、前記アイソレータ１の二つのバランス入力ポートを互いに接続して同相（不平衡、アンバランス）信号源を接続した場合のＳ−パラメータ特性を示す。このとき、二つのバランス入力ポートは互いに接続されている。図５から明らかなように、５０ＭＨｚから３０００ＭＨｚの広い周波数帯にわたって、順方向透過特性（Ｓ２１）は−３０ｄＢ以下と小さく、信号が伝達されない状態となっている。逆方向透過特性（Ｓ１２）も同様に、信号の伝達がされず、減衰が大きいことが分かる。【００３９】
図４及び図５の対比から明らかなように、アイソレータ１は良好なバランス性、即ち、同相信号除去比を有している。【００４０】
また、第１中心電極５１の一端５１ａ（Ａ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第３中心電極５３の一端５３ａ（Ｃ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界とが、互いに同相同方向となるように接続され、かつ、第２中心電極５２の一端５２ａ（Ｂ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第４中心電極５４の一端５４ａ（Ｅ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界と、第５中心電極５５の一端５５ａ（Ｇ電極）から同他端に電流を流した場合に発生する磁界とが、互いに同相同方向となるように接続され、第１中心電極５１の一端５１ａ（Ａ電極）と第３中心電極５３の他端５３ｂ（Ｄ電極）とをバランス入力ポート＋Ｐ１，−Ｐ１とし、第４中心電極５４の一端５４ａ（Ｅ電極）をアンバランス出力ポートＰ２としたため、バランを追加することなくバランス入力−アンバランス出力型のアイソレータを実現できる。【００４１】
ところで、前記整合用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３の静電容量は、それぞれ、中心電極５１，５２，５３，５５と動作周波数においておおよそ共振する値が選択される。終端抵抗Ｒ１，Ｒ２はアイソレータ１を５０Ωの回路で用いるとすると、略５０Ωの値を選択することになるが、中心電極５１〜５５のインダクタンス値によっては２５〜１００Ω程度の値が適切である。【００４２】
また、第２中心電極５２と第５中心電極５５の合成インダクタンス及び第２整合用コンデンサＣ２は、Ｑ値の高い、即ち、低損失の素子を用いることが好ましい。これらの合成インダクタンス及びＱ値が低いと、挿入損失が増加する。第１中心電極５１と第１整合用コンデンサＣ１、及び、第３中心電極５３と第３整合用コンデンサＣ３は、Ｑ値が低くても挿入損失は増加しない。しかし、極端にＱ値が低いとアイソレーションの帯域幅が減少する。【００４３】
本第１実施例において、回路基板２０は多層誘電体基板である。これにて、内部にコンデンサやインダクタなどの回路網を内蔵することができ、アイソレータ１の小型化、薄型化が達成でき、回路素子間の接続が基板内で行われるために信頼性の向上が期待できる。勿論、回路基板２０は必ずしも多層である必要はなく、単層であってもよく、整合用コンデンサや終端抵抗などをチップタイプとして外付けしてもよい。【００４４】
また、回路基板２０の下面には、通信機器などのプリント基板に本アイソレータ１を実装するための外部接続用端子電極２６ａ，２６ｂ，２７，２８が設けられている。これにて、電気接合箇所が減少するため、低損失で高信頼性を得ることができる。加えて、別の端子部品を設ける必要がなく、一層の低価格化が可能となり、回路基板２０の下面位置が端子面になるので低背化できる。【００４５】
なお、第２中心電極５２はフェライト４１の主面４１ａ，４１ｆに１ターン以上巻回されてもよい。このようにターン数が多くなると、第２中心電極５２のインダクタンスが大きくなり、入力整合が一層広帯域となり、電力増幅器などの前段回路との整合が容易になる。【００４６】
また、第２中心電極５２の電気長は略１／４波長又はそれより僅かに短い波長であることが好ましい。第２中心電極５２のインダクタンスが極めて大きくなることにより、第２整合用コンデンサＣ２を事実上接続する必要なく共振させることができ、第２整合用コンデンサＣ２のＱ値を原因とする挿入損失の劣化のおそれが解消する。しかも、入力整合が一層広帯域となり、電力増幅器などの前段回路との整合が容易になる。【００４７】
（複合電子部品、図６参照）
図６は、前記アイソレータ１とバランス型増幅器１２１，１２２とを接続した複合電子部品１２０（プッシュプル増幅器）のブロック図である。プッシュプル増幅器は、従来、アンテナやアンバランスの同軸ケーブルに接続するには、バランが必要となるため、小型化が困難で移動通信機への適用は限られていた。しかし、アンバランス出力型の本アイソレータ１を用いることにより、小型化を維持して高性能なアンバランス回路に接続することができる。【００４８】
（通信装置、図７参照）
図７は、前記アイソレータ１を携帯電話１４０の送信回路部に組み込んだ場合の電気回路図である。１３０はバラン、１３１は１８０°の位相差で動作する一対の増幅器１３２，１３３を備えたプッシュプルアンプ、１３４はアンテナスイッチ、１３５はアンテナ素子である。【００４９】
アイソレータ１のバランス入力ポート＋Ｐ１，−Ｐ１は給電端子とされ、プッシュプルアンプ１３１のバランス出力側に接続されている。アンバランス出力ポートＰ２はアンテナスイッチ１３４に接続されている。【００５０】
このアイソレータ１は、バランやハイブリッドなどを介さないで、プッシュプルアンプ１３１の出力側に接続することができ、送信回路部を小型かつ低コストにすることができるとともに、挿入損失や不要輻射が少なく、かつ、使用可能な周波数帯域が広い携帯電話１４０を得ることができる。【００５１】
また、プッシュプルアンプ１３１はその性質として、２倍高調波の発生が少なく、むしろ、３倍高調波が問題となる。一方、アイソレータ１は３倍高調波を抑制する能力が大きい。そのため、プッシュプルアンプ１３１とアイソレータ１を組み合わせることにより、好ましい電気特性を得ることができる。【００５２】
（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路素子、複合電子部品及び通信装置は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。【００５３】
特に、フェライトは直方体形状以外に、円板形状や６角形状、８角形状などであってもよい。また、回路基板２０の構成は任意である。さらに、前記実施例では、中心電極組立体４０はフェライト４１の主面４１ａを回路基板２０に対して平行に配置したいわゆる横置き配置としたが、フェライト４１の主面４１ａを回路基板２０に対して垂直に配置したいわゆる縦置き配置としてもよい。この場合、一対の永久磁石３０で中心電極組立体４０を両側から挟み込むようにすれば、直流バイアス磁界の分布が改善して低損失・広帯域動作がより容易に実現する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上のように、本発明は、マイクロ波帯で使用されるアイソレータなどの２ポート型非可逆回路素子に有用であり、特に、簡単な回路構成で、挿入損失が小さく、信頼性が良好な点で優れている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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