(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略球状の端子に接触する接触部と、
端部に前記接触部が設けられた棒状のプローブ本体部と、
を有するプローブであって、
前記接触部は、前記端子に接触する複数の突起部を有し、
前記複数の突起部は、前記プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置され、
前記突起部は、前記軸側でつきあわされる一対の側面部を有し、
前記複数の突起部の前記一対の側面部により形成される稜線は、前記プローブ本体部側で交差し、
前記稜線の交差位置が、前記プローブ本体部の前記中心軸からずれており、
前記プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、少なくとも一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および前記中心軸間の距離と、
他方の突起部の稜線あるいは前記稜線の延長線および前記中心軸間の距離と、が異なることを特徴とするプローブ。
【請求項２】
請求項１に記載のプローブにおいて、
前記一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線の前記軸に対する角度と、他方の突起部の稜線の前記軸に対する角度とが異なることを特徴とするプローブ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプローブにおいて、
前記一対の突起部のうちの前記一方の突起部は、前記一対の突起部のうちの前記他方の突起部と比較して、前記プローブ本体部からの高さ寸法が異なることを特徴とするプローブ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のプローブにおいて、
前記突起部は角錐形状であることを特徴とするプローブ。
【請求項５】
半導体装置の電気的特性の検査を行なうための検査装置であって、
請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブと、
前記プローブを保持するソケットと、を備えることを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブおよびこれを備えた検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置には、プローブが設けられている。
このプローブの接触部を、半導体デバイスの端子（例えば、半田ボール）に接触させることにより、検査が実施される。
このような検査に使用されるプローブの接触部は、例えば、図１１に示すような形状となっている。
図１１に示すプローブ１００は、棒状のプローブ本体部１０１と、このプローブ本体部１０１の端部に設けられた接触部１０３とを有する。
接触部１０３は４本の突起部１０２を有する。
このようなプローブ１００では、図１２の断面図に示すように、接触部１０３の突起部１０２の稜線１０２Ａに、半田ボール４１が接触し、半田ボール４１が着座する。
しかしながら、図１１，１２に示したようなプローブ１００を使用した場合には、半導体デバイスの電気的特性の検査を正確に行なうことが困難となることがある。
【０００３】
これは、以下のような理由によるものである。
半田ボール４１をプローブ１００の接触部１０３の突起部１０２に接触させる際には、プローブ１００の中心軸Ｃと、半田ボール４１の中心点とを略一致させ、接触部１０３の突起部１０２の稜線１０２Ａに半田ボール４１を接触させる。
このとき、中心軸Ｃと各突起部１０２の稜線１０２Ａとの間の距離がすべて等しいため、半田ボール４１の中心点と、プローブ１００の中心軸Ｃとを一致させると、半田ボール４１がそのまま突起部１０２の稜線１０２Ａに着座してしまうことがある。
この場合には、半田ボール４１の表面が稜線１０２Ａにより削られることがないので、半田ボール４１表面の酸化膜が除去されない。
このように、半田ボール４１の表面の酸化膜が除去されない場合には、酸化膜の影響により抵抗値が増大し、半導体デバイスの電気的特性の検査を正確に行なうことが困難となる。
【０００４】
そこで、図１３に示すような、接触部１０８を有するプローブ１０７が提案されている（特許文献１参照）。
このプローブ１０７の接触部１０８は、図１３（Ａ）に示すように、複数の突起部１０９を有しており、この突起部１０９間に溝Ｍを形成している。
図１３（Ｂ）に示すように、半田ボール４１を突起部１０９に接触させると、突起部１０９は、半田ボール４１からの反力をうけて、外周側に弾性変形する。
このとき、突起部１０９と、半田ボール４１との接点が移動するため、半田ボール４１表面の酸化膜が除去されることとなる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−1７２５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１記載の技術は、以下の点で改善の余地を有している。
特許文献１記載の技術では、突起部１０９間に突起部１０９を弾性変形させるための溝Ｍを形成しなくてはならず、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、略球状の端子に接触する接触部と、端部に前記接触部が設けられた棒状のプローブ本体部と、を有するプローブであって、前記接触部は、前記端子に接触する複数の突起部を有し、前記複数の突起部は、前記プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置され、前記突起部は、前記軸側でつきあわされる一対の側面部を有し、前記複数の突起部の前記一対の側面部により形成される稜線は、前記プローブ本体部側で交差し、
前記プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、少なくとも一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および前記中心軸間の距離と、他方の突起部の稜線あるいは前記稜線の延長線および前記中心軸間の距離と、が異なることを特徴とするプローブが提供される。
【０００８】
ここで、複数の突起部が、プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置されるとは、プローブ本体部の中心軸を囲むように配置されていてもよく、また、中心軸からずれた位置にある軸を囲むように配置されていてもよい。
また、突起部は、少なくとも２以上あればよい。
本発明によれば、プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および中心軸間の距離と、他方の突起部の稜線あるいは稜線の延長線および中心軸間の距離と、が異なっている。
従って、プローブ本体部の中心軸を、略球状の端子（例えば、半田ボール）の中心点と一致させて配置した場合、端子の表面は、他方の突起部の稜線には接触せずに、一方の突起部の稜線に接触することとなる。
端子が、他方の突起部に接触するまで、端子をプローブ本体側に押し込むと、一方の突起部の稜線と、端子表面との間で、摩擦が生じ、端子表面の酸化膜が除去されることとなる。
【０００９】
このように、本発明では、突起部を弾性変形させなくても、端子表面の酸化膜の除去を行なうことができるので、従来のように、溝を形成する必要がない。
そのため、プローブの製造工程が複雑にならずに、製造コストを削減することができる。
さらには、本発明では、突起部を弾性変形させなくても、端子表面の酸化膜を除去することができるので、突起部の材料を弾性変形可能な材料に制限する必要がなく、材料選択の自由度を増加させることができる。
【００１０】
さらに、本発明によれば、半導体装置の電気的特性の検査を行なうための検査装置であって、上述したプローブと、前記プローブを保持するソケットと、を備えることを特徴とする検査装置も提供することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複雑な製造工程を経ることなくプローブおよび検査装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、すべての図面において、同様な構成要素には、同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
（第一実施形態）
図１には、本実施形態の検査装置１が示されている。
検査装置1は、半導体デバイス４の電気的特性試験を行なう装置である。
検査対象となる半導体デバイス４は、半導体チップを搭載した多層プリント回路基板４２に接続された略球状の端子（半田ボール）４１を有する。この半田ボール４１は、格子状に配列されており、この半田ボール４１は、図示しないコネクタを介して、多層プリント回路基板４２に接続される。
このような半導体デバイス４の通電検査等の電気的特性試験は、検査装置１により行なわれる。
この検査装置１は、ソケット３と、複数本のプローブ２とを有する。
ソケット３には、検査対象となる半導体デバイス４の外形寸法に応じた凹部３１が形成されている。
この凹部３１の底面部には、前記半導体デバイス４の半田ボール４１の配列ピッチに対応した複数の貫通孔３１１が形成されている。
この各貫通孔３１１内にプローブ２が設置され、貫通孔３１１によってプローブ２が保持されている。
なお、プローブ２は、貫通孔３１１内を摺動自在に保持されていてもよい。
プローブ２は、一方の端部が半田ボール４１に接触するとともに他方の端部が図示しない検査回路基板に接触する。
【００１４】
次に、図２および図３を参照し、プローブ２の概要について説明する。
図２は、プローブ２の先端を示す斜視図であり、図３は、プローブ２の対向する突起部２２，２３の頂点および、軸Ｄを通る断面図である。
プローブ２は、半田ボール４１に接触する接触部２０と、端部に接触部２０が設けられた棒状のプローブ本体部２１と、を有する。
接触部２０は、半田ボール４１に接触する複数の突起部２２，２３を有する。
複数の突起部２２，２３は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと平行であり、プローブ本体部２１の長手方向に沿った軸Ｄを囲むように配置されている。
突起部２２は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２２２を有し、突起部２３も軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２３２を有する。一対の側面部２２２，２３２で形成される稜線２２１，２３１は、プローブ本体部２１側で交差している。プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交する断面において、一対の突起部２２，２３のうち、一方の突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離Ｗ１と、他方の突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離Ｗ２と、が異なっている。
【００１５】
以下に、プローブ２の詳細を説明する。
プローブ２のプローブ本体部２１は、略円柱形状である。プローブ本体部２１の一方の端部に、接触部２０が設けられている。
接触部２０は、プローブ本体部２１と一体的に構成されている。
【００１６】
接触部２０は、いわゆる王冠状に形成されており、プローブ本体部２１の端部から突出した複数の突起部２２，２３を有している。本実施形態では、４本の突起部２２，２３（２本の突起部２２と、２本の突起部２３）を有している。
突起部２２，２３は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと平行な軸Ｄを囲むように配置されている。ここで、軸Ｄは、中心軸Ｃからずれた位置にあり、プローブ本体部２１を貫通する軸である。
また、突起部２２と、突起部２３とは軸Ｄを挟んで対向するように配置されている。突起部２２，２３は、いずれも、角錐形状であり、先端部が尖った形状となっている。
【００１７】
突起部２２は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２２２を有する。突起部２２には、この一対の側面部２２２により稜線２２１が形成される。
また、突起部２３は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２３２を有する。突起部２３には、一対の側面部２３２により稜線２３１が形成される。
すなわち、突起部２２の稜線２２１、突起部２３の稜線２３１は、軸Ｄ側に突出しているといえる。
突起部２２，２３の断面（中心軸Ｃと直交する方向の断面）は、略扇型形状であり、突起部２２，２３は、前記扇の頂点が内側（軸Ｄ側）に向くように配置されている。
また、突起部２２の稜線２２１と、突起部２３の稜線２３１とは対向している。
【００１８】
突起部２２の稜線２２１、突起部２３の稜線２３１は、プローブ本体部２１側で交差している。すなわち、稜線２２１、２３１は、それぞれ、軸Ｄに対して傾斜して配置されており、稜線２２１，２３１とで略Ｖ字を描いている。
ここで、図３に示すように、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度と、稜線２３１との軸Ｄに対する傾斜角度とは異なっている。
稜線２３１の傾斜角度θ２は、稜線２２１の傾斜角度θ１よりも小さい。
また、稜線２２１，２３１の交差位置（交点Ｅ）は、軸Ｄ上にある。すなわち、稜線２２１，２３１の交差位置（交点Ｅ）は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置にある。
【００１９】
さらに、本実施形態では、突起部２２のプローブ本体部２１からの高さ寸法と、突起部２３のプローブ本体部２１からの高さ寸法は等しい。
また、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交し、稜線２２１，２３１を含む断面（突起部２２，２３と直交し、稜線２２１，２３１と交差する断面）において、突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離（図３のＷ１）と、突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離（図３のＷ２）と、が異なっており、距離Ｗ１のほうが距離Ｗ２よりも小さくなっている。
換言すると、図３においては、中心軸Ｃに直交し、中心軸Ｃと突起部２２の稜線２２１とを結ぶ直線の長さ寸法（距離Ｗ１）と、中心軸Ｃに直交し、中心軸Ｃと突起部２３の稜線２３１とを結ぶ直線の長さ寸法（距離Ｗ２）とは異なっている。
ここで、「稜線２２１，２３１を含む断面」の高さ位置は、特に限定されないが、本実施形態のように突起部２２，２３の高さ寸法が等しい場合には、突起部２２，２３の頂点を含まない位置であればよい。また、稜線２２１，２３１を含む断面の高さ位置は、交点Ｅよりも高い位置である。
なお、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交する断面において、一方の突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離と、他方の突起部２２および中心軸Ｃ間の距離とは等しい。同様に、一方の突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離と、他方の突起部２３の稜線および中心軸Ｃ間の距離とは等しい。
【００２０】
このようなプローブ２は、以下のようにして製造することができる。
略円柱状の材料（例えば、Ｂｅと、Ｃｕとの合金）を用意し、その先端部をＶ字のカッターホイールで切削した後、表面をＮｉ−Ａｕめっきする。これにより、突起部２２，２３が形成されたプローブ２を製造することができる。
【００２１】
図４を参照して、このようなプローブ２に半田ボール４１を着座させる動作について説明する。
プローブ２に半田ボール４１を接触させる際には、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させる。
このとき、突起部２２の稜線２２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ１、突起部２３の稜線２３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ２とが異なっており、距離Ｗ１の方が、距離Ｗ２よりも短いため、半田ボール４１は、稜線２２１にのみ接触する（図４（Ａ）参照）。
次に、半導体デバイス４がプローブ２側に押し込まれる。半田ボール４１は、突起部２２の稜線２２１に沿って、プローブ本体部２１側に押し込まれることとなる（図４（Ｂ）参照）。この際、半田ボール４１の表面の酸化膜が突起部２２の稜線２２１により削られることとなる。
その後、半田ボール４１は、突起部２３の稜線２３１にも接触することとなり、半田ボール４１が突起部２２，２３に接触して着座することとなる。
【００２２】
以下、本実施形態の効果について説明する。
前述したように、突起部２２の稜線２２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ１が、突起部２３の稜線２３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ２よりも短いため、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際には、半田ボール４１は、稜線２２１にのみ接触する。
半田ボール４１を、プローブ本体部２１側に押し込む際に、半田ボール４１は、突起部２２の稜線２２１に接触したまま移動することとなるので、半田ボール４１の表面の酸化膜を除去することができる。
このように本実施形態では、突起部２２，２３を弾性変形させなくても、半田ボール４１の酸化膜の除去を行なうことができるので、従来のプローブのように、溝を形成する必要がない。
そのため、プローブ２の製造工程が複雑にならない。
【００２３】
さらに、本実施形態では、突起部２２，２３を弾性変形させなくても、半田ボール４１表面の酸化膜を除去することができるので、突起部２２，２３の材質を弾性変形可能な材料に制限する必要がなくなる。従って、プローブ２の材料選択の自由度を増加させることができる。
【００２４】
また、本実施形態では、突起部２２の稜線２２１、突起部２３の２３１の交差位置（交点Ｅ）を、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置としているため、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、半田ボール４１を、稜線２２１にのみより確実に接触させることができる。
【００２５】
さらに、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ１と、稜線２３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ２とを異なる角度としており、傾斜角度θ１を傾斜角度θ２よりも大きくしている。そのため、傾斜角度θ１を傾斜角度θ２と等しい角度とする場合に比べ、半田ボール４１の中心点とプローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、より確実に半田ボール４１を、稜線２３１に接触させずに、稜線２２１にのみ接触させることができる。
また、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ１と、稜線２３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ２とを異なる角度とすることで、突起部２２，２３の高さ寸法を等しくすることができる。
【００２６】
（第二実施形態）
図５〜図７を参照して、第二実施形態について説明する。
本実施形態のプローブ５は、前記実施形態と同様のプローブ本体部２１と、このプローブ本体部２１の一方の端部に設けられた接触部５１とを有する。
このプローブ５は、前記実施形態のプローブ２にかえて検査装置１に使用されるものである。
プローブ５の接触部５１も、前記実施形態と同様に、いわゆる王冠状に形成されており、接触部５１は、プローブ本体部２１の端部から突出した複数の突起部５２，５３（２本の突起部５２、２本の突起部５３）を有している。
前記実施形態では、突起部２２，２３のプローブ本体部２１からの高さ寸法は略等しかったが、本実施形態では、突起部５２，５３のプローブ本体部２１からの高さ寸法Ｈ１，Ｈ２（図６参照）は異なっている。
【００２７】
突起部５２，５３は、前記実施形態と同様、軸Ｄを囲むように配置されており、突起部５２，５３の形状は、角錐形状である。
突起部５２は、前記実施形態の突起部２２，２３と同じく、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部５２２を有する。突起部５２には、この一対の側面部５２２により稜線５２１が形成される。
また、突起部５３も、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部５３２を有する。突起部５３には、一対の側面部５３２により稜線５３１が形成される。
すなわち、突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１は、軸Ｄ側に突出しているといえる。
また、前記実施形態と同様、突起部５２，５３の（中心軸Ｃと直交する方向の断面）は、略扇型形状であり、突起部５２，５３は、前記扇の頂点が内側（軸Ｄ側）に向くように配置されている。
さらに突起部５２の稜線５２１と、突起部５３の稜線５３１とは対向している。
突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１は、プローブ本体部２１側で交差している。
【００２８】
図６に示すように、稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とは等しい。
また、稜線５２１，５３１の交差位置（点Ｅ）は、軸Ｄ上にある。すなわち、稜線５２１，５３１の交差位置（点Ｅ）は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置にある。
さらに中心軸Ｃと直交し、稜線５２１，５３１を含む断面（突起部５２，５３と直交し、稜線５２１，５３１と交差する断面）において、突起部５２の稜線５２１および中心軸Ｃ間の距離（図６の距離Ｗ３）と、他方の突起部５３の稜線５３１および中心軸Ｃ間の距離（図６の距離Ｗ４）とが異なっており、距離Ｗ３のほうが、距離Ｗ４よりも小さくなっている。
ここで、「稜線５２１，５３１を含む断面」の高さ位置は、交点Ｅよりも高い位置であればよい。
【００２９】
図７を参照して、プローブ５に半田ボール４１を着座させる動作について説明する。
プローブ５に半田ボール４１を接触させる際には、半田ボール４１の中心点と、プローブ５のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させる。
このとき、突起部５２の稜線５２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ３と、突起部５３の稜線５３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ４とが異なっており、距離Ｗ３の方が、距離Ｗ４よりも短いため、半田ボール４１は、稜線５２１にのみ接触する（図７（Ａ）参照）。
次に、半導体デバイス４がプローブ５側に押し込まれる。半田ボール４１は、突起部５２の稜線５２１に沿って、プローブ本体部２１側に押し込まれることとなる（図７（Ｂ）参照）。この際、半田ボール４１の表面の酸化膜が突起部５２の稜線５２１により削られることとなる。
その後、半田ボール４１は、突起部５３の頂点につきささり、半田ボール４１が突起部５２，５３に接触して着座することとなる。
【００３０】
このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏するうえ、以下の効果を奏する。
本実施形態では、突起部５２、５３の高さ寸法を異なるものとし、突起部５３の高さ寸法を、突起部５２の高さ寸法よりも小さくし、さらに、突起部５２，５３を角錐形状としている。
そのため、半田ボール４１を突起部５２、５３に着座させた際、半田ボール４１を突起部５２の稜線５２１に接触させるとともに、突起部５３の先端部に突き刺すことができる。
ここで、半導体デバイス４の電気的特性の検査を正確に行なうためには、半田ボールの材質により、半田ボールと、突起部との接触方式を使い分ける必要がある。
半田ボールと、突起部との接触方式は、従来技術で説明したような突起部の稜線に半田ボールが接触するような接触方式（峰（稜線）受けタイプ）と、図８に示すように、半田ボール４１が突起部１０６の先端につきささるような接触方式（突き刺しタイプ）とがある。
【００３１】
例えば、共晶はんだのような柔らかい半田ボールの場合、一般的に突き刺しタイプより峰（稜線）受けタイプが適している。これに対し、鉛フリー半田のように硬い半田ボールの場合には、一般的には突き刺しタイプの方が峰（稜線）受けタイプより適している。
本実施形態のプローブ５は、１本のプローブ５で、峰（稜線）受けタイプと、突き刺しタイプの２種の接触方式を実施することができる。
そのため、本実施形態のプローブ５は、半田ボール４１の材質によらず、様々な種類の半田ボール４１に幅広く対応することができる。
特に、ユーザごとに半導体デバイス４の半田ボール４１の材質を変更することがあるため、半田ボール４１の材質によらず、使用することができるプローブ５は非常に有用なものとなる。
【００３２】
さらに、突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１の交差位置（点Ｅ）を、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置とすることで稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とを等しくしても、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、半田ボール４１を、稜線５２１にのみ接触させることができる。
本実施形態では、稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とを等しくすることができるので、突起部５２，５３の製造工程がさらに簡素になり、容易にプローブ５を製造することができ、また製造コストを削減することができる。
【００３３】
また、本実施形態では、突起部５３の形状を角錐形状とし、先端が尖った形状としているため、半田ボール４１を確実に突き刺すことができる。
【００３４】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記各実施形態では、稜線２２１，２３１，５２１，５３１の交差位置が、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれているとしたが、これに限らず、稜線の交差位置が、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと一致していてもよい。
例えば、図９の断面図に示すように、突起部６２の稜線６２１と、突起部６３の稜線６３１との交差位置がプローブ本体部２１の中心軸Ｃと一致していてもよい。
この場合、突起部６２の稜線６２１の中心軸Ｃに対する傾斜角度θ５と、突起部６３の稜線６３１の中心軸Ｃに対する傾斜角度θ６とを異なる角度とすればよい。
このようにすることで、中心軸Ｃに直交し、稜線６２１，６３１を含む断面において、中心軸Ｃおよび稜線６２１間の距離Ｗ５、中心軸Ｃおよび稜線６３１間の距離Ｗ６とを異なるものとすることができる。
なお、図９に示すプローブ６は、一対の突起部６２と、一対の突起部６３とを有し、突起部６２、６３は、中心軸Ｃを囲むように配置されている。そして、前記各実施形態と同様、突起部６２の稜線６２１と、突起部６３の稜線６３１とが対向している。
また、図１０に示すように、角度θ５が９０°に近いような角度である場合には、中心軸Ｃおよび突起部６３に直交し、稜線６３１を含む断面（稜線６３１と交差する断面）において、中心軸Ｃおよび稜線６２１の延長線６２１Ａ間の距離Ｗ７、中心軸Ｃおよび稜線６３１間の距離Ｗ８とを異なるものとすればよい。
【００３５】
さらに、前記実施形態では、接触部は、４本の突起部を有するものとしたが、これに限らず、例えば、突起部は３本であってもよく、さらには、５本、或いは８本であってもよい。
また、突起部は２本であってもよい。
ただし、前記各実施形態のように、突起部を４本とすることで半田ボール４１に、安定的に突起部を接触させることができる。また、突起部を４本とすることで、さらに多くの突起部を成形する場合に比べて、突起部の成形に手間を要しない。
【００３６】
また、第一実施形態では、中心軸Ｃと直交する断面において、軸Ｄを挟んで対向する突起部２２，２３のうち、突起部２２の稜線２２１と中心軸Ｃとの距離Ｗ１、突起部２３の稜線２３１と中心軸Ｃとの距離Ｗ２が異なるものとしていた。
同様に第二実施形態においても、軸Ｄを挟んで対向する突起部５２，５３のうち、突起部５２の稜線５２１と中心軸Ｃとの距離Ｗ３、突起部５３の稜線５３１と中心軸Ｃとの距離Ｗ４が異なるものとしていた。
このように、本発明では、軸Ｄを挟んで対向する一対の突起部の稜線の中心軸Ｃからの距離を異なるものとすることが好ましい。
なお、軸Ｄを挟んで対向する一対の突起部とは、例えば、突起部が奇数本であり、真正面に他の突起部が配置されていないような場合には、一の突起部と、この一の突起部の軸Ｄを挟んだ正面位置に隣接する他の突起部とをいう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態にかかる検査装置を示す模式図である。
【図２】第一実施形態にかかるプローブを示す斜視図である。
【図３】第一実施形態にかかるプローブを示す断面図である。
【図４】プローブの突起部に半田ボールが着座する様子を示す図である。
【図５】本発明の第二実施形態にかかるプローブを示す斜視図である。
【図６】第二実施形態にかかるプローブを示す断面図である。
【図７】プローブの突起部に半田ボールが着座する様子を示す図である。
【図８】突き刺しタイプのプローブを示す断面図である。
【図９】プローブの変形例を示す断面図である。
【図１０】プローブの他の変形例を示す断面図である。
【図１１】従来のプローブを示す図である。
【図１２】従来のプローブに半田ボールが着座した状態を示す図である。
【図１３】従来のプローブを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    検査装置
２    プローブ
３    ソケット
４    半導体デバイス
５    プローブ
６    プローブ
２０    接触部
２１    プローブ本体部
２２，２３    突起部
３１    凹部
４１    半田ボール
４２    多層プリント回路基板
５１    接触部
５２，５３    突起部
６２    突起部
６３    突起部
１００    プローブ
１０１    プローブ本体部
１０２    突起部
１０２Ａ    稜線
１０３    接触部
１０６    突起部
１０７    プローブ
１０８    接触部
１０９    突起部
２２１，２３１    稜線
２２２，２３２    側面部
３１１    貫通孔
５２１，５３１    稜線
５２２    側面部
５３２    側面部
６２１    稜線
６２１Ａ    延長線
６３１    稜線
Ｃ    中心軸
Ｄ    軸
Ｅ    交点
Ｈ１，Ｈ２    高さ寸法
Ｍ    溝
Ｗ１    距離
Ｗ２    距離
Ｗ３    距離
Ｗ４    距離
Ｗ５    距離
Ｗ６    距離
Ｗ７    距離
Ｗ８    距離
θ１    傾斜角度
θ２    傾斜角度
θ３    傾斜角度
θ４    傾斜角度
θ５    傾斜角度
θ６    傾斜角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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