(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割ライトシールドおよび主磁極を備えた磁気記録ヘッドの製造方法であって、
基体上に、第１の磁極を選択的に形成すると共に、その第１の磁極と第１の共有上面を共有すると共に前記第１の磁極に隣接するように第１の絶縁層を形成する第１の工程と、
前記第１の共有上面上に非磁性記録ギャップ層を形成する第２の工程と、
前記非磁性記録ギャップ層上に、第２の磁極を選択的に形成すると共に、その第２の磁極と第２の共有上面を共有すると共に前記第２の磁極に隣接するように終点検出層を形成する第３の工程と、
前記第２の共有上面上にハードマスクを選択的に形成する第４の工程と、
前記ハードマスクを使用して前記基体が露出するまで前記第１の磁極、前記第１の絶縁層、前記非磁性記録ギャップ層、前記第２の磁極および前記終点検出層をエッチングし、それらの第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層のうちの前記ハードマスクにより覆われていない部分を選択的に除去して開口を形成することにより、前記第１の磁極により構成されるように前記主磁極を形成すると共に前記第２の磁極により構成されるように前記分割ライトシールドを形成する第５の工程と、
前記開口を埋め込むと共に前記ハードマスクを覆うように第２の絶縁層を形成する第６の工程と、
ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して前記終点検出層が露出するまで前記第２の絶縁層と共に前記ハードマスクを研磨する第７の工程と、
ＣＭＰ法を使用して所望の厚さとなるまで前記分割ライトシールドを研磨する第８の工程と、を含む
ことを特徴とする磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を使用して前記第１の磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第３の工程において、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を使用して前記第２の磁極を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して前記第１の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第６の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して前記第２の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第４の工程が、
前記第２の共有上面上にフォトレジストモールドを選択的に形成する工程と、
前記フォトレジストモールドにより覆われていない前記第２の共有上面上にマスク材料を電気的に成膜する工程と、
前記フォトレジストモールドを除去することにより、前記第２の共有上面上に前記マスク材料により構成されるように前記ハードマスクを選択的に形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第７の工程において、
７．５以上８．５以下の範囲内のｐＨにおいて、２．０重量％以上５．０重量％以下の範囲内のアルミナおよび９３．０重量％以上９６．０重量％以下の範囲内の純水を含むスラリーを利用して、
−６．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1以上７０．０ｍｉｎ-1以下の範囲内のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が２．０重量％未満となるように研磨処理を実施する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第８の工程において、
４．０以上４．８以下の範囲内のｐＨにおいて、２．０重量％以上７．８重量％以下の範囲内のアルミナおよび９０．０重量％以上９５．０重量％以下の範囲内の純水を含むスラリーを利用して、
−６．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1以上７０．０ｍｉｎ-1以下の範囲内のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が３．０重量％未満となるように研磨処理を実施する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第８の工程において、０．３μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内の厚さとなるまで前記分割ライトシールドを研磨する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）またはルテニウム（Ｒｕ）を使用して前記非磁性記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程において、５０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下の範囲内の厚さとなるように前記非磁性記録ギャップ層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して製造することに適したマイクロ構造であって、
基体上に設けられたマイクロデバイスと、
前記マイクロデバイスから所定の距離を隔てて設けられたＣＭＰモニタリングサイトと、を備え、
前記基体が、ギャップ層および主磁極を含み、
前記マイクロデバイスが、前記ギャップ層を挟んで前記主磁極と対向するように配置された分割ライトシールドである
ことを特徴とするマイクロ構造。
【請求項１３】
前記ＣＭＰモニタリングサイトが、光学顕微鏡を使用して観察可能なものである
ことを特徴とする請求項１２記載のマイクロ構造。
【請求項１４】
前記ＣＭＰモニタリングサイトが、ＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施するための終点検出材料を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項１２記載のマイクロ構造。
【請求項１５】
前記終点検出材料が、ルテニウム（Ｒｕ）またはタンタル（Ｔａ）である
ことを特徴とする請求項１４記載のマイクロ構造。
【請求項１６】
前記マイクロデバイスと前記ＣＭＰモニタリングサイトとの間の距離が、５０．０μｍ以上８０．０μｍ以下の範囲内である
ことを特徴とする請求項１２記載のマイクロ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペデスタルを備えた磁気記録ヘッドの製造方法、ならびにＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して製造可能なマイクロ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式（ＰＭＲ；perpendicular magnetic recording）の磁気記録ヘッドの製造工程では、ヨーク領域においてトリム処理（ＰＰＴ；partial pole trim ）を実施したのち、ＣＭＰ法を使用して磁性膜に研磨処理を施す必要がある。このＣＭＰ法を使用した研磨工程では、研磨不足の場合には磁気的な短絡が発生し、一方、過剰研磨の場合には主磁極がダメージを受けるため、研磨処理の進行度を十分に制御しなければならない。
【０００３】
一般に、磁気記録ヘッドの製造工程では、ＣＭＰ処理を使用した研磨工程の前段階において、金属積層体（金属層の積層体）がアルミナ膜などにより被覆されている状態にある。この場合には、研磨処理を実施する上で、上記した金属積層体のうちの特定の層（途中の層）において研磨処理を停止させなければならない。このことから、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを高精度に製造するためには、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をモニタリングすることにより、その研磨処理の進行度を制御することが重要である。
【０００４】
図７は、従来の磁気記録ヘッドの構成を模式的に表している。この磁気記録ヘッドは、コイル領域１１７の周囲を囲む主磁極１１６、非磁性記録ギャップ層１１５、分割ライトシールド１１４、第１のライトシールド１１２および第２のライトシールド１１３を備えている。
【０００５】
垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを設計する場合における重要な技術的課題の１つは、トリム構造を有する磁極構造を形成するために、ＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施する点にある。このＣＭＰ法を使用した研磨処理では、めっき処理を使用して成膜された磁性膜が磁極構造の一部となるため、その磁性膜を研磨工程において完全に除去しなければならないが、従来のＣＭＰ法を使用した研磨工程では、磁性膜を研磨する上でいくつかの問題が生じてしまう。
【０００６】
図８〜図１０は、従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造方法を説明するためのものであり、特に、その磁気記録ヘッドのうちの主要部の製造工程を説明するためのものである。これらの図８〜図１０では、いずれもＡＢＳ（air bearing surface ）から見た場合の断面構成を示している。
【０００７】
この従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造方法では、まず、図８に示したように、基板１１１上に、成膜用のマスクとしてフォトレジストモールド１２２を形成する。続いて、フォトレジストモールド１２２を使用して、基板１１１上に、デバイスとして金属積層構造を有するペデスタル１１４／１１５／１１６を形成すると共に、フォトレジストモールド１２２の周辺に（磁性材料により構成された）フィールド領域１２１を併せて形成する。このペデスタル１１４／１１５／１１６は、図７に示した主磁極１１６、非磁性記録ギャップ層１１５および分割ライトシールド１１４がこの順に積層されることにより構成された積層構造体（トリム構造体）である。この従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造工程において、ＣＭＰ法を使用して研磨処理を実施する場合には、所望の金属表面において研磨処理を停止させる必要がある。なぜなら、上記したように、研磨不足の場合には磁気的な短絡が発生し、一方、過剰研磨の場合には主磁極１１６がダメージを受けてしまうからである。したがって、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドなどの機能的デバイスの製造歩留を確保するためには、所望の金属層に到達した際に研磨処理を停止させることが可能となるように、その研磨処理の終点を一律かつ高精度に制御しなければならない。
【０００８】
続いて、フォトレジストモールド１２２を除去したのち、図９に示したように、ペデスタル１１４／１１５／１１６およびその周辺（基板１１１およびフィールド領域１２１）を覆うようにフォトレスト層１３２を形成する。なお、図９において基板１１１上に形成されているペデスタル１１４／１１５／１１６、フィールド領域１２１およびフォトレジスト層１３２のうち、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造工程において最終的に残存するのはペデスタル１１４／１１５／１１６のみである。
【０００９】
最後に、フォトレジスト層１３２をマスクとしたウェットエッチング法を使用して、フィールド領域１２１を選択的にエッチングして除去することにより、図１０に示したように、基板１１１上にペデスタル１１４／１１５／１１６のみを残存させる。このエッチング工程、すなわち基板１１１上にペデスタル１１４／１１５／１１６のみを残存させるためにフィールド領域１２１をエッチングする工程は、「フィールドエッチング工程」と呼ばれている。こののち、フォトレジスト層１３２を除去することにより、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドのうちの主要部が完成する。
【００１０】
上記したように、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をモニタリングする際には、研磨処理の進行度を高精度に制御しなければならないが、そのＣＭＰ法を使用した研磨処理をモニタリングしながら研磨対象物である金属積層体のうちの所望の層において研磨処理を途中で停止させる作業は、従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造工程では実際に実施されていない。このＣＭＰ法を使用した研磨処理の進行度、すなわち研磨処理がどこまで進行したか（あるいは研磨処理がどこで停止したか）を確認するためのウェハプロセスとしては、一般に、デバイスを切断可能な集束イオンビーム（ＦＩＢ；focused ion beam）を利用したエッチング手法が使用されているが、この手法はいくつかの問題点を抱えている。第１に、オフラインサイクル時間が長いために極めて高価であると共に、デバイスにダメージを与える可能性がある。第２に、研磨対象物のサイズ（サンプルサイズ）が制限される。第３に、多くの場合、集束イオンビームを利用してデバイスを切断した際に、研磨処理を停止させた層が他の材料と比較して相対的に高いコントラストを有していないと、高品質な画像（いわゆるＦＩＢ像）が得られない。これらのいくつかの問題を考慮すると、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを高品質に製造する上で、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をモニタリングしながら、その研磨処理の進行度を制御することは、重大かつ困難な作業と言える。
【００１１】
このＣＭＰ法を使用した研磨処理に関しては、既にいくつかの関連技術が知られている。
【００１２】
具体的には、例えば、カウフマン（Kaufman ）等は、銅（Ｃｕ）およびタンタル（Ｔａ）に対して異なる選択性を有する２種類のスラリーを開示している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】米国特許第６０６３３０６号明細書
【００１３】
また、例えば、ディル・ジュニア（Dill,Jr ）等は、異なる材料を研磨するために使用される異なるスラリー、具体的にはアルミナを含むスラリーを開示している（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献２】米国特許第６５５４８７８号明細書
【００１４】
また、例えば、ボッグス（Boggs ）等は、ＣＭＰ法を使用した研磨処理の進行度を確認するために、ウェハ上にインジケータ領域を設ける手法を開示している（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献３】米国特許第５９７２７８７号明細書
【００１５】
また、例えば、ディル・ジュニア等は、ＣＭＰ法を使用して磁極を形成する手法を開示している（例えば、特許文献４参照。）。
【特許文献４】米国特許第６２２６１４９号明細書
【００１６】
また、例えば、ハン（Han ）等は、ＣＭＰ法を使用して研磨処理を実施する際に、研磨処理の進行度を停止させるためのストップ層を使用する手法を教示している（例えば、特許文献５参照。）。
【特許文献５】米国特許第６０２４８８６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
ところで、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを高品質に製造するためには、例えば、ＣＭＰ法を使用した研磨工程を経て分割ライトシールドを可能な限り高精度に形成する必要がある。しかしながら、従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造方法では、ＣＭＰ法を使用した研磨工程を経て分割ライトシールドを高精度に形成する観点において、未だ改善の余地がある。
【００１８】
具体的には、上記した従来の垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの製造方法を使用してペデスタル１１４／１１５／１１６を形成する場合には、例えば、ウェハ上に複数のペデスタル１１４／１１５／１１６を形成し、引き続きペデスタル１１４／１１５／１１６およびその周辺を覆うように絶縁層（例えばアルミナ）を成膜したのち、ＣＭＰ法を使用して絶縁層を研磨することにより、その絶縁層をペデスタル１１４／１１５／１１６の周辺に埋め込もうとすると、磁性材料（ペデスタル１１４／１１５／１１６）と絶縁性材料（絶縁層）との間における研磨速度の差異に起因して研磨量にばらつきが生じるため、所望の厚さとなるように複数のペデスタル１１４／１１５／１１６を高精度に形成することが困難である。
【００１９】
したがって、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドを高品質に製造する上で、ＣＭＰ法を使用した研磨処理を経て分割ライトシールドを可能な限り高精度に形成することが可能な技術の確立が望まれている。特に、ＣＭＰ法を使用した研磨工程を経て分割ライトシールドを可能な限り高精度に形成することが可能な技術を確立する場合には、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの量産性を考慮して、フィールドエッチング工程を省略し、主磁極にダメージを与えずに分割ライトシールドを高精度に形成し、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をオンライン方式で実施すると共に、その研磨処理の進行度を高精度に制御することも重要である。
【００２０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、分割ライトシールドを備えた磁気記録ヘッドを高精度に製造することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法およびマイクロ構造を提供することにある。
【００２１】
また、本発明の第２の目的は、フィールドエッチング工程を省略することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法およびマイクロ構造を提供することにある。
【００２２】
また、本発明の第３の目的は、主磁極にダメージを与えずに分割ライトシールドを高精度に形成することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法およびマイクロ構造を提供することにある。
【００２３】
また、本発明の第４の目的は、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をオンライン方式で実施すると共に、その研磨処理の進行度を高精度に制御することが可能な磁気記録ヘッドの製造方法およびマイクロ構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、分割ライトシールドおよび主磁極を備えた磁気記録ヘッドを製造する方法であり、基体上に、第１の磁極を選択的に形成すると共に、その第１の磁極と第１の共有上面を共有すると共に第１の磁極に隣接するように第１の絶縁層を形成する第１の工程と、第１の共有上面上に非磁性記録ギャップ層を形成する第２の工程と、非磁性記録ギャップ層上に、第２の磁極を選択的に形成すると共に、その第２の磁極と第２の共有上面を共有すると共に第２の磁極に隣接するように終点検出層を形成する第３の工程と、第２の共有上面上にハードマスクを選択的に形成する第４の工程と、ハードマスクを使用して基体が露出するまで第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層をエッチングし、それらの第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層のうちのハードマスクにより覆われていない部分を選択的に除去して開口を形成することにより、第１の磁極により構成されるように主磁極を形成すると共に第２の磁極により構成されるように分割ライトシールドを形成する第５の工程と、開口を埋め込むと共にハードマスクを覆うように第２の絶縁層を形成する第６の工程と、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して終点検出層が露出するまで第２の絶縁層と共にハードマスクを研磨する第７の工程と、ＣＭＰ法を使用して所望の厚さとなるまで分割ライトシールドを研磨する第８の工程とを含むものである。
【００２９】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第１の工程において、基体上に、第１の磁極が選択的に形成されると共に、その第１の磁極と第１の共有上面を共有すると共に第１の磁極に隣接するように第１の絶縁層が形成され、第２の工程において、第１の共有上面上に非磁性記録ギャップ層が形成され、第３の工程において、非磁性記録ギャップ層上に、第２の磁極が選択的に形成されると共に、その第２の磁極と第２の共有上面を共有すると共に第２の磁極に隣接するように終点検出層が形成され、第４の工程において、第２の共有上面上にハードマスクが選択的に形成されたのち、第５の工程において、ハードマスクが使用されて基体が露出するまで第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層がエッチングされ、それらの第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層のうちのハードマスクにより覆われていない部分が選択的に除去されて開口が形成されることにより、第１の磁極により構成されるように主磁極が形成されると共に第２の磁極により構成されるように分割ライトシールドが形成され、第６の工程において、開口が埋め込まれると共にハードマスクが覆われるように第２の絶縁層が形成され、第７の工程において、ＣＭＰ法を使用して終点検出層が露出するまで第２の絶縁層と共にハードマスクが研磨され、第８の工程において、ＣＭＰ法を使用して所望の厚さとなるまで分割ライトシールドが研磨されることにより、分割ライトシールドおよび主磁極を備えた磁気記録ヘッドが製造される。この場合には、例えば、第１段階目の研磨処理（第７の工程の研磨処理）において、磁性材料（終点検出層および分割ライトシールドの形成材料）よりも絶縁性材料（第２の絶縁層の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、その絶縁性材料が選択的かつ優先的に研磨される。これにより、研磨処理が終点検出層に到達した時点において停止し、すなわち終点検出層を利用して研磨処理の進行度が制御されるため、分割ライトシールドが過剰研磨されることが防止される。しかも、この場合には、例えば、第２段階目の研磨処理（第８の工程の研磨処理）において、絶縁性材料（第２の絶縁層の形成材料）よりも磁性材料（終点検出層および分割ライトシールドの形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、その磁性材料が選択的かつ優先的に研磨される。これにより、分割ライトシールドの厚さが所望の厚さとなるように調整される。
【００３０】
本発明に係るマイクロ構造は、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して製造することに適したものであり、基体上に設けられたマイクロデバイスと、マイクロデバイスから所定の距離を隔てて設けられたＣＭＰモニタリングサイトとを備え、基体がギャップ層および主磁極を含み、マイクロデバイスがギャップ層を挟んで主磁極と対向するように配置された分割ライトシールドであるものである。
【００３１】
本発明に係るマイクロ構造では、マイクロデバイスと共に、そのマイクロデバイスから所定の距離を隔てて設けられたＣＭＰモニタリングサイトを併せて備えるため、そのマイクロ構造を使用して本発明の磁気記録ヘッドを製造可能である。マイクロデバイスが設けられている基体はギャップ層および主磁極を含み、そのマイクロデバイスはギャップ層を挟んで主磁極と対向するように配置された分割ライトシールドである。
【００３５】
特に、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第１の工程において、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を使用して第１の磁極を形成し、第３の工程において、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を使用して第２の磁極を形成し、第１の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して第１の絶縁層を形成し、第６の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）を使用して第２の絶縁層を形成してもよい。
【００３６】
また、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第４の工程が、第２の共有上面上にフォトレジストモールドを選択的に形成する工程と、フォトレジストモールドにより覆われていない第２の共有上面上にマスク材料を電気的に成膜する工程と、フォトレジストモールドを除去することにより、マスク材料により構成されるように第２の共有上面上にハードマスクをパターン形成する工程とを含んでもよい。
【００３７】
また、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第７の工程において、７．５以上８．５以下の範囲内のｐＨにおいて２．０重量％以上５．０重量％以下の範囲内のアルミナおよび９３．０重量％以上９６．０重量％以下の範囲内の純水を含むスラリーを利用して、−６．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1以上７０．０ｍｉｎ-1以下の範囲内のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が２．０重量％未満となるように研磨処理を実施するのが好ましい。また、第８の工程において、４．０以上４．８以下の範囲内のｐＨにおいて２．０重量％以上７．８重量％以下の範囲内のアルミナおよび９０．０重量％以上９５．０重量％以下の範囲内の純水を含むスラリーを利用して、−６．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1以上７０．０ｍｉｎ-1以下の範囲内のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ以上６．０×６．８９４７５ＫＰａ以下の範囲内のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が３．０重量％未満となるように研磨処理を実施するのが好ましい。
【００３８】
また、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、第８の工程において、０．３μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内の厚さとなるまで分割ライトシールドを研磨し、第２の工程において、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）またはルテニウム（Ｒｕ）を使用して非磁性記録ギャップ層を形成し、第２の工程において、５０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下の範囲内の厚さとなるように非磁性記録ギャップ層を形成してもよい。
【００３９】
特に、本発明に係るマイクロ構造では、ＣＭＰモニタリングサイトが光学顕微鏡を使用して観察可能なものであるのが好ましい。また、ＣＭＰモニタリングサイトがＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施するための終点検出材料を含んで構成されており、その終点検出材料がルテニウム（Ｒｕ）またはタンタル（Ｔａ）であるのが好ましい。特に、マイクロデバイスとＣＭＰモニタリングサイトとの間の距離が５０．０μｍ以上８０．０μｍ以下の範囲内であるのが好ましい。
【発明の効果】
【００４２】
また、本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法によれば、第１の磁極を選択的に形成すると共に、その第１の磁極と第１の共有上面を共有すると共に第１の磁極に隣接するように第１の絶縁層を形成し、その第１の共有上面上に非磁性記録ギャップ層を形成し、その非磁性記録ギャップ層上に、第２の磁極を選択的に形成すると共に、その第２の磁極と第２の共有上面を共有すると共に第２の磁極に隣接するように終点検出層を形成し、その第２の共有上面上にハードマスクを選択的に形成したのち、ハードマスクを使用して基体が露出するまで第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層をエッチングし、それらの第１の磁極、第１の絶縁層、非磁性記録ギャップ層、第２の磁極および終点検出層のうちのハードマスクにより覆われていない部分を選択的に除去して開口を形成することにより、第１の磁極により構成されるように主磁極を形成すると共に第２の磁極により構成されるように分割ライトシールドを形成し、その開口を埋め込むと共にハードマスクを覆うように第２の絶縁層を形成し、ＣＭＰ法を使用して終点検出層が露出するまで第２の絶縁層と共にハードマスクを研磨し、引き続きＣＭＰ法を使用して所望の厚さとなるまで分割ライトシールドを研磨することにより、分割ライトシールドおよび主磁極を備えた磁気記録ヘッドを製造する製法的特徴に基づき、例えば、第１段階目の研磨処理において、磁性材料（終点検出層および分割ライトシールドの形成材料）よりも絶縁性材料（第２の絶縁層の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、分割ライトシールドが過剰研磨されることが防止される。しかも、この場合には、例えば、第２段階目の研磨処理において、絶縁性材料（第２の絶縁層の形成材料）よりも磁性材料（終点検出層および分割ライトシールドの形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、分割ライトシールドの厚さが所望の厚さとなるように調整される。したがって、分割ライトシールドが高精度に形成されるため、その分割ライトシールドを備えた磁気記録ヘッドを高精度に製造することができる。また、フィールドエッチング工程を省略することができると共に、主磁極にダメージを与えずに分割ライトシールドを高精度に形成することができる。さらに、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をオンライン方式で実施すると共に、その研磨処理の進行度を高精度に制御することができる。
【００４３】
さらに、本発明に係るマイクロ構造によれば、マイクロデバイスと共にそのマイクロデバイスから所定の距離を隔てて設けられたＣＭＰモニタリングサイトを併せて備える。マイクロデバイスが設けられている基体はギャップ層および主磁極を含み、そのマイクロデバイスはギャップ層を挟んで主磁極と対向するように配置された分割ライトシールドである。したがって、マイクロ構造を使用して本発明の磁気記録ヘッドの製造方法を実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００４５】
まず、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法を使用して製造される磁気記録ヘッドの構成について簡単に説明する。図１は、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドの断面構成を表している。この図１では、ＡＢＳ（air bearing surface ）から見た場合の断面構成を示している。なお、本発明の「マイクロ構造」は、本実施の形態に係る磁気記録ヘッドに適用されるものであるため、その「マイクロ構造」に関しては、以下で併せて説明する。
【００４６】
この磁気記録ヘッドは、図１に示したように、主に、基板１１上に、主磁極１６、非磁性記録ギャップ層１５および分割ライトシールド１４がこの順に積層された積層構造（トリム構造）を有する狭幅のペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）と、第１のライトシールド１２と、第２のライトシールド１３とがこの順に積層された積層構造を有している。基板１１と第１のライトシールド１２および第２のライトシールド１３との間において、ペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）の両側には、絶縁層９１を介して絶縁層５１、非磁性記録ギャップ層５１およびエッチングストップ層６１がこの順に積層されている。この分割ライトシールド１４は、ライトシールド（分割ライトシールド１４、第１のライトシールド１２および第２のライトシールド１３の集合体）のうちの一部を構成するものであり、特に、第１のライトシールド１２および第２のライトシールド１３の双方から分割（分離）して構成されたものである。
【００４７】
特に、磁気記録ヘッドは、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）法を使用して製造することに適したマイクロ構造を有しており、具体的には図１に示したように、マイクロデバイスとしての分割ライトシールド１４と、ＣＭＰモニタリングサイトとしてのエッチングストップ層６１とを備えている。すなわち、磁気記録ヘッドは、基体としての主磁極１６および記録ギャップ層１５上に設けられた分割ライトシールド１４（マイクロデバイス）と、その分割ライトシールド１４から所定の距離を隔てて設けられたエッチングストップ層６１（ＣＭＰモニタリングサイト）とを備えており、その分割ライトシールド１４は、非磁性記録ギャップ層１５を挟んで主磁極１６と対向するように配置されている。
【００４８】
ＣＭＰモニタリングサイトとしてのエッチングストップ層６１は、磁気記録ヘッドの製造工程において、ＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施するために使用されるものである。このエッチングストップ層６１は、例えば、光学顕微鏡を使用して観察可能なものであり、研磨処理の終点を検出することが可能な材料（終点検出材料）を含んで構成されている。この終点検出材料としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）またはタンタル（Ｔａ）などが挙げられる。なお、ＣＭＰモニタリングサイトとしてのエッチングストップ層６１がマイクロデバイスとしての分割ライトシールド１４から隔てられている距離（上記した所定の距離）、すなわち分割ライトシールド１４とエッチングストップ層６１との間の間隔は、約５０．０ｎｍ〜８０．０ｎｍである。
【００４９】
続いて、図１〜図６を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法として、図１に示した磁気記録ヘッドの製造方法について説明する。図２〜図６は、磁気記録ヘッドの製造方法を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。  
【００５０】
磁気記録ヘッドを製造する際には、まず、図２に示したように、例えばアルミナ製の基板１１を準備したのち、その基板１１上に、磁極１６Ｚ（第１の磁極）を選択的に形成すると共に、その磁極１６Ｚと共有上面Ｍ１（第１の共有上面）を共有すると共に磁極１６Ｚの両側に隣接するように絶縁層５１（第１の絶縁層）を形成する。この場合には、例えば、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）などの磁性材料を使用して約０．２μｍ〜０．４μｍの厚さとなるように磁極１６Ｚを形成すると共に、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料を使用して絶縁層５１を形成する。
【００５１】
続いて、図２に示したように、磁極１６Ｚおよび絶縁層５１により共有された共有上面Ｍ１上に、非磁性記録ギャップ層１５を形成する。この場合には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）またはルテニウム（Ｒｕ）などの非磁性材料を使用して約５０．０ｎｍ〜１００．０ｎｍの厚さとなるように非磁性記録ギャップ層１５を形成する。
【００５２】
続いて、図２に示したように、非磁性記録ギャップ層１５上に、分割ライトシールド１４（図１参照）を形成するための磁性層１４Ｘを形成する。この場合には、例えば、コバルト鉄合金窒化物（ＣｏＦｅＮ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）またはコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）などの磁性材料を使用して約０．３μｍ〜０．５μｍの厚さとなるように磁性層１４Ｘを形成する。
【００５３】
続いて、フォトリソグラフィ法などのパターニング処理およびドライエッチング法などのエッチング処理を使用して磁性層１４Ｘをパターニングすることにより、図３に示したように、非磁性記録ギャップ層１５上に磁極１４Ｚ（第２の磁極）を形成したのち、その磁極１４Ｚと共有上面Ｍ２（第２の共有上面）を共有すると共に磁極１４Ｚの両側に隣接するようにエッチングストップ層６１を形成する。このエッチングストップ層６１は、後工程においてＣＭＰ法を使用して研磨処理を実施する際に、その研磨処理の進行を制御し、具体的には研磨処理の終点を検出するために使用される終点検出層である。この場合には、ルテニウム（Ｒｕ）またはタンタル（Ｔａ）などを使用してエッチングストップ層６１を形成する。
【００５４】
続いて、図４に示したように、磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１により共有された共有上面Ｍ２上に、分割ライトシールド１４および主磁極１６を形成するために使用されるエッチング用マスクとしてハードマスク７１を選択的に形成する。この場合には、エッチング用の開口７１Ｋを有するようにハードマスク７１を形成する。具体的には、例えば、磁極１４Ｚ上に配置され、分割ライトシールド１４および主磁極１６のパターン形状および形成位置を規定する中央部分７１Ａと、エッチングストップ層６１上に配置され、中央部分７１Ａの両側に開口７１Ｋを隔てて配置された周辺部分７１Ｂとを含むようにハードマスク７１を形成する。
【００５５】
このハードマスク７１の形成手順は、例えば、以下の通りである。すなわち、まず、上記した共有上面Ｍ２上に、電極膜として導電性シード層（図示せず）を形成する。続いて、共有上面Ｍ２上に形成された導電性シード層上に、フォトレジストモールド（図示せず）を選択的に形成する。このフォトレジストモールドの構造的特徴は、図８に示したフォトレジストモールド１２２の構造的特徴と同様であるため、ここではフォトレジストモールドに関する詳細な説明を省略する。続いて、フォトレジストモールドにより覆われていない共有上面Ｍ２に、ハードマスク７１を形成するためのマスク材料（図示せず）を電気的に成膜する。この場合には、例えば、フォトレジストモールドにより覆われていない導電性シード層の導電性表面上に、その導電性シード層を電極膜としてめっき膜を成長させることにより、マスク材料としてコバルトニッケル鉄合金（ＣｏＮｉＦｅ）を約１．０μｍ〜４．０μｍの厚さとなるように電気的に成膜する。最後に、フォトレジストモールドを除去して共有上面Ｍ２上にマスク材料を残存させることにより、そのマスク材料により構成されるようにハードマスク７１を形成する。これにより、ハードマスク７１の形成工程が完了する。
【００５６】
続いて、ハードマスク７１を使用して、基板１１が露出するまで磁極１６Ｚ、絶縁層５１、非磁性記録ギャップ層１５、磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１をエッチングすることによりパターニングし、それらの磁極１６Ｚ、絶縁層５１、非磁性記録ギャップ層１５、磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１のうちのハードマスク７１により覆われていない部分（開口７１Ｋに対応する部分）を選択的に除去することにより、図５に示したように、開口８１を形成する。このパターニング処理では、磁極１６Ｚ、非磁性記録ギャップ層１５および磁極１４Ｚのそれぞれがハードマスク７１のうちの中央部分７１Ａに沿って掘り下げられ、すなわち磁極１６Ｚ、非磁性記録ギャップ層１５および磁極１４Ｚが互いに等しい幅を有するようにエッチング（トリミング）されるため、磁極１６Ｚにより主磁極１６が形成されると共に、磁極１４Ｚにより分割ライトシールド１４が形成される。これにより、主磁極１６、非磁性記録ギャップ層１５および分割ライトシールド１４がこの順に積層された積層構造（トリム構造）を有するペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）が形成されると共に、そのペデスタルの上面と同一面内の上面を有すると共にペデスタルから空間（開口８１）を隔てて周囲を囲むようにエッチングストップ層６１が選択的に形成される。この場合には、例えば、約０．１μｍ〜０．３μｍの幅を有するようにペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）を形成する。
【００５７】
続いて、ペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）とエッチングストップ層６１との間に設けられた空間（開口８１）を埋め込むと共にハードマスク７１を覆うように、絶縁層９１（第２の絶縁層）を形成する。この場合には、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料を使用して絶縁層９１を形成する。
【００５８】
続いて、第１段階目の研磨処理として、ＣＭＰ法を使用してエッチングストップ層６１と共に分割ライトシールド１４が露出するまで絶縁層９１を研磨して平坦化することにより、図６に示したように、分割ライトシールド１４とエッチングストップ層６１とにより平坦面Ｍ３を構成させる。このＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施する場合には、所定の条件（第１の条件）において所定のスラリー（第１のスラリー）を利用し、具体的には所定のスラリーとしてアルミナスラリーを利用する。この場合には、磁性材料（分割ライトシールド１４およびエッチングストップ層６１の形成材料）よりも絶縁性材料（絶縁層９１の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリー、具体的には７．５〜８．５のｐＨにおいて２．０重量％〜５．０重量％のアルミナおよび９３．０重量％〜９６．０重量％の純水を含むスラリー（例えばCabot 社製のＭＨ−８８１（製品名））を利用して、−６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝−６．０ｐ．ｓ．ｉ（pound per square inch ））〜６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝６．０ｐ．ｓ．ｉ）の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1（＝５０．０ｒ．ｐ．ｍ（revolutions per minute））〜７０．０ｍｉｎ-1（７０．０ｒ．ｐ．ｍ）のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝４．０ｐ．ｓ．ｉ）〜６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝６．０ｐ．ｓ．ｉ）のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が２．０重量％未満となるように研磨処理を実施する。この研磨処理では、研磨処理がエッチングストップ層６１に到達し、すなわちエッチングストップ層６１が露出するまで進行した時点において研磨処理が停止するため、研磨処理の進行度が制御される。特に、研磨処理では、光学顕微鏡を使用してエッチングストップ層６１に対応する領域を観察することにより、透明な（透光性を有する）絶縁層９１越しにエッチングストップ層６１を視認可能なため、研磨処理の進行度、すなわち研磨処理がエッチングストップ層６１まで到達したか否かを目視で確認可能である。これにより、第１段階目の研磨処理において、エッチングストップ層６１に基づいて研磨処理の進行度が制御されるため、分割ライトシールド１４が過剰研磨されることが防止される。
【００５９】
続いて、第２段階目の研磨処理として、ＣＭＰ法を使用して所定の厚さとなるまで分割ライトシールド１４と共にエッチングストップ層６１および絶縁層９１を研磨することにより、その分割ライトシールド１４の厚さを調整する。すなわち、第１段階目の研磨処理の完了時点において、分割ライトシールド１４の厚さは磁極１４Ｚの形成厚さに基づいて決定されているが、第２段階目の研磨処理の完了時点において、分割ライトシールド１４の厚さはその分割ライトシールド１４の研磨量に基づいて決定される。このＣＭＰ法を使用した研磨処理を実施する場合には、所定の条件（第２の条件）において所定のスラリー（第２のスラリー）を利用し、具体的には所定のスラリーとしてアルミナスラリーを利用する。この場合には、絶縁性材料（絶縁層９１の形成材料）よりも磁性材料（分割ライトシールド１４およびエッチングストップ層６１の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリー、具体的には４．０〜４．８のｐＨにおいて２．０重量％〜７．８重量％のアルミナおよび９０．０重量％〜９５．０重量％の純水を含むスラリー（例えばCabot 社製のＭＨ−８１４（製品名））を利用して、−６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝−６．０ｐ．ｓ．ｉ）〜６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝６．０ｐ．ｓ．ｉ）の逆圧、５０．０ｍｉｎ-1（５０．０ｒ．ｐ．ｍ）〜７０．０ｍｉｎ-1（７０．０ｒ．ｐ．ｍ）のウェハ回転速度、４．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝４．０ｐ．ｓ．ｉ）〜６．０×６．８９４７５ＫＰａ（＝６．０ｐ．ｓ．ｉ）のウェハ研磨圧力の条件において、添加物が３．０重量％未満となるように研磨処理を実施する。特に、分割ライトシールド１４を研磨する場合には、例えば、その分割ライトシールド１４の厚さが約０．３μｍ〜０．５μｍの厚さとなるように研磨量を調整する。
【００６０】
最後に、図１に示したように、分割ライトシールド１４、絶縁層９１およびエッチングストップ層６１により構成された平坦面Ｍ３上に、第１のライトシールド１２と、第２のライトシールド１３とをこの順に形成して積層させることにより、磁気記録ヘッドが完成する。
【００６１】
本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法では、（１）磁極１６Ｚ、絶縁層５１、非磁性記録ギャップ層１５、磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１を形成し、（２）磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１により共有された共有上面Ｍ１上にハードマスク７１を形成し、（３）ハードマスク７１を使用して磁極１６Ｚ、非磁性記録ギャップ層１５、磁極１４Ｚおよびエッチングストップ層６１をエッチング（トリミング）して開口８１を形成することによりトリム構造を有するペデスタル（主磁極１６／非磁性記録ギャップ層１５／分割ライトシールド１４）を形成し、（４）開口８１を埋め込むように絶縁層９１を形成し、（５）第１の段階目の研磨処理として、ＣＭＰ法を使用してエッチングストップ層６１が露出するまで絶縁層９１と共にハードマスク７１を併せて研磨し、（６）第２段階目の研磨処理として、ＣＭＰ法を使用して所望な厚さとなるまで分割ライトシールド１４を研磨することにより、分割ライトシールド１４および主磁極１６を備えた磁気記録ヘッドを製造している。
【００６２】
この場合には、例えば、上記したように、第１段階目の研磨処理において、磁性材料（分割ライトシールド１４およびエッチングストップ層６１の形成材料）よりも絶縁性材料（絶縁層９１の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、絶縁性材料が選択的かつ優先的に研磨される。これにより、研磨処理がエッチングストップ層６１に到達した時点において停止し、すなわち研磨処理の進行度が制御されるため、分割ライトシールド１４が過剰研磨されることが防止される。しかも、この場合には、例えば、上記したように、第２段階目の研磨処理において、絶縁性材料（絶縁層９１の形成材料）よりも磁性材料（分割ライトシールド１４およびエッチングストップ層６１の形成材料）を相対的に速い研磨速度で研磨可能なスラリーを利用して研磨処理を実施することにより、磁性材料が選択的かつ優先的に研磨される。これにより、分割ライトシールド１４の厚さが所望の厚さとなるように調整される。したがって、本実施の形態では、分割ライトシールド１４を高精度に形成することが可能であるため、その分割ライトシールド１４を備えた磁気記録ヘッドを高精度に製造することができる。
【００６３】
また、本実施の形態では、磁極１４Ｚの周囲を囲むようにエッチングストップ層６１を形成したことに伴い、分割ライトシールド１４を形成する上で、従来の磁気記録ヘッドの製造工程において必要であったフィールドエッチング工程（図９よび図１０参照）が不要になるため、そのフィールドエッチング工程が不要となる分だけ磁気記録ヘッドの製造工程が著しく簡略化される。したがって、フィールドエッチング工程を省略することができる。この結果、磁気記録ヘッドを容易に製造することができる。
【００６４】
また、本実施の形態では、上記したように、第１段階目の研磨処理において、研磨処理がエッチングストップ層６１に到達した時点において停止するため、その研磨処理が主磁極１６まで及ばない。したがって、主磁極１６にダメージを与えずに分割ライトシールド１４を高精度に形成することができる。
【００６５】
また、本実施の形態では、光学顕微鏡を使用してエッチングストップ層６１を観察することが可能であるため、第１段階目の研磨処理において、光学顕微鏡を使用してエッチングストップ層６１に対応する領域を観察しながら研磨処理を実施することにより、ＦＩＢを利用したエッチング手法を使用して研磨処理の進行度をオフライン方式で確認する場合とは異なり、研磨処理の進行度がオンライン方式でリアルタイム確認されると共に、光学的コントラストに関係せずに研磨処理の進行度が目視で正確に確認される。したがって、ＣＭＰ法を使用した研磨処理をオンライン方式で実施することができると共に、その研磨処理の進行度を高精度に制御することができる。この結果、磁気記録ヘッドを短時間で製造することができる。なお、ここで言う「オンライン方式」とは、研磨作業と研磨処理のモニタリング作業とを連続的かつ並行的に実施することが可能な方式であり、研磨作業と研磨処理のモニタリング作業とを別個に実施しなければならない方式、すなわち研磨作業を中断しながら研磨処理の進行度を確認しなければならないオフライン方式に対する反対の概念である。
【００６８】
また、本実施の形態に係るマイクロ構造では、マイクロデバイスとしての分割ライトシールド１４と、その分割ライトシールド１４から所定の距離を隔てて設けられたＣＭＰモニタリングサイトとしてのエッチングストップ層６１とを備えるため、本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法に関して上記した（１）〜（６）の手順において説明したように、そのマイクロ構造を使用して本実施の形態に係る磁気記録ヘッドを製造可能である。したがって、このマイクロ構造を使用して、本実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法を実施することができる。
【００６９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、本発明の磁気記録ヘッドの製造方法に関する手順、ならびにマイクロ構造に関する構成は、上記した本発明の技術的効果を生じ得る限りにおいて、自由に変更可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法およびマイクロ構造は、垂直磁気記録方式の磁気記録ヘッドおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法を使用して製造される磁気記録ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る磁気記録ヘッドの製造方法に関する一工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】従来の磁気記録ヘッドの全体の断面構成を模式的に表す断面図である。
【図８】従来の磁気記録ヘッドの製造方法に関する一工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１１…基板、１２…第１のライトシールド、１３…第２のライトシールド、１４…分割ライトシールド、１４Ｘ…磁性層、１４Ｚ，１６Ｚ…磁極、１５…非磁性記録ギャップ層、１６…主磁極、５１，９１…絶縁層、７１…ハードマスク、７１Ａ…中央部分、７１Ｂ…周辺部分、８１…開口、Ｍ１，Ｍ２…共有上面、Ｍ３…平坦面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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