(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下アームのスイッチング素子のオンとオフの駆動指令を発生する論理部から受信した駆動信号により、上アームのスイッチング素子を駆動する上アーム駆動回路と、前記論理部から受信した駆動信号により、下アームのスイッチング素子を駆動する下アーム駆動回路と、を有する電力変換装置の駆動装置であって、
前記論理部から前記上下アームの駆動回路へ前記駆動信号を電気信号として伝達する信号線と、
前記上アームの駆動回路と前記下アームの駆動回路へ前記駆動信号を電気信号として伝達する信号線と、を備え、
前記上アームの駆動回路に、前記上アームのスイッチング素子の主回路電位と同電位となる第１の電位領域と、前記第１の電位領域から絶縁された第２の電位領域を設けて、
前記下アームの駆動回路に、前記下アームのスイッチング素子の主回路電位と同電位となる第３の電位領域と、前記第３の電位領域から絶縁された前記第２の電位領域を設けて、
前記第２の電位領域は、前記論理部と同電位であり、電力変換装置の正側電源電位と負側電源電位の中間電位であることを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の駆動装置において、
前記駆動回路が制御する前記スイッチング素子のオンオフ情報を、前記スイッチング素子の主回路電位と同電位となる第１の電位領域から、前記第１の電位領域から絶縁された前記論理部と同電位の第２の電位領域に伝え、対アームの前記スイッチング素子を制御する対アームの前記駆動回路に伝達することを特徴とする駆動装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の駆動装置において、
前記論理部から伝達された前記駆動信号と、前記駆動回路から伝達された対アームの前記スイッチング素子のオンオフ情報と、を前記第２の電位領域においてＡＮＤ演算することを特徴とする駆動装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の駆動装置において、
前記論理部から前記上下アームの駆動回路へ前記駆動信号を電気信号として伝達する信号線と、前記上アームの駆動回路と前記下アームの駆動回路の間でオンオフ情報を電気信号として伝達する第２の信号線と、を、前記第２の電位領域内に配置することを特徴とする駆動装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の駆動装置において、
前記駆動回路が制御するスイッチング素子のオンオフ情報は前記論理部を経由して対アームの前記駆動回路に伝達することを特徴とする駆動装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の駆動装置において、
前記駆動回路が制御するスイッチング素子のオンオフ情報を前記第２の電位領域において分配し、一方は前記論理部に伝達し、他方は対アームの前記駆動回路に伝達することを特徴とする駆動装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の駆動装置において、
前記第１の電位領域と前記第２の電位領域間の信号伝達に高耐圧フォトカプラや短い光ファイバ等の光素子を用いることを特徴とする駆動装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の駆動装置において、
前記第１の電位領域と前記第２の電位領域間の信号伝達にパルストランスや高絶縁キャパシタ等の光部品を用いないことを特徴とする駆動装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の駆動装置において、
前記スイッチング素子がＩＧＢＴであり、前記駆動回路がＩＧＢＴのスイッチングを制御するゲート駆動回路であることを特徴とする駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電力変換装置用スイッチング素子の駆動装置に係り、特に複数の駆動装置間の同時オンによるアーム短絡を防止する駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、鉄道車両の電力変換装置にはスイッチング素子にＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor）を使ったＩＧＢＴインバータが広く使われている。ＩＧＢＴインバータはＩＧＢＴと、ＩＧＢＴを駆動するための指令を出す論理部、及びその指令を受け取りＩＧＢＴを駆動するゲート駆動装置から構成されている。論理部とゲート駆動装置の間は、高い絶縁を確保しつつ指令をやり取りしなければならないため、光ファイバなどを使った光伝達手段が広く使われている。
また、インバータの上下アームのＩＧＢＴが何からのトラブルで同時にオンしてしまい過電流が流れて装置が破壊に至る、いわゆるアーム短絡を防止するために、上下アームのゲート駆動装置でインターロックを取る技術が、特許文献１および特許文献２に開示されている。上下アームの同時オン防止回路において、電位が異なる上下アームのゲート駆動装置間で直接通信する場合には光ファイバ等の光信号伝送による接続が通常行われている。
【０００３】
また、論理部とゲート駆動装置を電線にて接続して電気信号にて情報伝送し、ゲート駆動装置上で論理部電位とＩＧＢＴ側の高圧電位の絶縁を確保する技術も例えば、特許文献３に記載されている。
【特許文献１】特開昭５６−１４１７８２号公報
【特許文献２】特開平８−２９８７８６号公報
【特許文献３】特開２００１−２３８４３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、長尺の光ファイバを光伝送に使用する従来技術では、ゲート駆動装置の組立時やメンテナンス時に誤って光ファイバを破損しやすいという問題点がある。また、電気信号にて情報伝送するゲート駆動装置では、上下アーム同時オン防止機能を設けるとさらに対アームの電位領域を同一ゲート駆動装置上に設ける必要があり、絶縁確保するためにゲート駆動装置が大型になるという問題点がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解決するものであって、電気信号にて情報伝送するゲート駆動装置において同時オン防止機能を搭載し、かつゲート駆動装置が小型となるスイッチング素子のゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の駆動装置は、上下アームのスイッチング素子のオンとオフの駆動指令を発生する論理部から受信した駆動信号により、上アームのスイッチング素子を駆動する上アーム駆動回路と、前記論理部から受信した駆動信号により、下アームのスイッチング素子を駆動する下アーム駆動回路と、を有する電力変換装置の駆動装置であって、前記論理部から前記上下アームの駆動回路へ前記駆動信号を電気信号として伝達する信号線と、前記上アームの駆動回路と前記下アームの駆動回路へ前記駆動信号を電気信号として伝達する信号線と、を備え、前記上アームの駆動回路に、前記上アームのスイッチング素子の主回路電位と同電位となる第１の電位領域と、前記第１の電位領域から絶縁された第２の電位領域を設けて、前記下アームの駆動回路に、前記下アームのスイッチング素子の主回路電位と同電位となる第３の電位領域と、前記第３の電位領域から絶縁された前記第２の電位領域を設けて、前記第２の電位領域は、前記論理部と同電位であり、電力変換装置の正側電源電位と負側電源電位の中間電位である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、第１の電位領域と第２の電位領域との間の信号伝送に必要となる大型・高コストの高絶縁信号送受信回路を減らすことが可能である。また、第１の電位領域と第２の電位領域との間で必要な絶縁耐圧を、電力変換装置の電源電圧より小さくすることが可能であり、第１の電位領域と第２の電位領域との間で絶縁確保のために必要となるスペースが狭く、ゲート駆動装置の小型化が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明の第１の実施例のゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示している。上アームのスイッチチング素子であるＩＧＢＴのオンオフを上アームのゲート駆動回路で制御し、また、下アームのスイッチチング素子であるＩＧＢＴのオンオフを下アームのゲート駆動回路で制御して、２つのスイッチング素子のオンオフにより、２レベルの信号を出力する。
【００１０】
図１において、１はＩＧＢＴの駆動信号を生成する論理部、２と３はそれぞれ上アームのゲート駆動回路、下アームのゲート駆動回路、４と５はそれぞれ上アームのＩＧＢＴ、下アームのＩＧＢＴ、１１と２１はそれぞれＩＧＢＴのエミッタ電位と同電位になる第１の電位領域（高圧主回路電位領域）、１２と２２はそれぞれ上下アームのゲート駆動回路にて論理部と同電位となる第２の電位領域（論理部電位領域）、１８１、１８３、２８１および２８３は電気信号を光信号に変換するインターフェイス回路、１８２、１８４、２８２および２８４は光信号を電気信号に変換するインターフェイス回路、１５１、１５２、２５１および２５２は光により信号を伝達する高絶縁信号伝達回路、１６と２６はＡＮＤ回路、１７と２７はゲート出力段回路、１１１、２１１は論理部１からの駆動信号をＩＧＢＴのゲート駆動装置に伝達する論理部指令信号線、１１２と２１２はインターフェイス回路１８２および２８２で受信したゲート駆動信号をゲート出力段回路１７、２７に伝える信号線、１１３と２１３はゲート出力段回路１７、２７の動作状態を伝えるフィードバック信号線、１１４は上アームのゲート駆動回路２の動作状態、すなわちＩＧＢＴ４のオンオフ情報を下アームのゲート駆動回路３に伝える同時オン防止信号線、２１４は下アームのゲート駆動回路３の動作状態を上アームのゲート駆動回路２に伝える同時オン防止信号線、１１５は論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号と下アームのゲート駆動回路３からの同時オン防止信号をＡＮＤ回路１６によりＡＮＤ演算したオン・オフ指令をインターフェイス回路１８１に伝える指令線、２１５は論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号と上アームのゲート駆動回路２からの同時オン防止信号をＡＮＤ回路２６によりＡＮＤ演算したオン・オフ指令をインターフェイス回路２８１に伝える指令線である。
【００１１】
上アームのゲート駆動回路２と下アームのゲート駆動回路３は同一構成であるため、上アームのゲート駆動回路２で動作を説明する。論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号は論理部指令信号線１１１を介して、論理部と同電位である上アームのゲート駆動回路２の論理部電位領域１２に搭載しているＡＮＤ回路１６に伝えられる。ＡＮＤ回路１６では下アームのゲート駆動回路３のオンオフ状態を伝える同時オン防止信号線２１４の信号とＩＧＢＴ駆動信号のＡＮＤをとり、両方Ｈｉレベルの場合にオン信号を出力する。ＡＮＤ回路１６の出力信号は電気信号であり、インターフェイス回路１８１にて電気信号を光信号に変換する。変換された光信号は高圧絶縁信号伝達回路１５１を介して高圧主回路電位領域１１にあるインターフェイス回路１８２に伝えられる。インターフェイス回路１８２では再び光信号を電気信号に変換し、変換された電気信号は信号線１１２を介してゲート出力段回路１７に伝えられる。ＡＮＤ回路１６からオン信号が出力された場合には、ゲート出力段回路１７では上アームのＩＧＢＴ４のゲートをＩＧＢＴのしきい値電圧を超える電圧に充電することでＩＧＢＴ４をオンさせる。
【００１２】
また、ゲート出力段回路１７では、ＩＧＢＴ４をオンさせると同時にフィードバック信号線１１３をＬｏレベルに引き下げ、下アームのゲート駆動装置３に上アームのＩＧＢＴ４がオンしたことを伝達する。フィードバック信号線１１３の信号はインターフェイス回路１８３、高絶縁信号伝達回路１５２，インターフェイス回路１８４を介して論理部電位領域１２にある同時オン防止信号線１１４に伝えられる。同時オン防止信号線１１４は下アームのゲート駆動回路３の論理部電位領域２２にあるＡＮＤ回路２６に接続しており、フィードバック信号線１１３がＬｏレベルの場合、同時オン防止信号線１１４もＬｏレベルとなり、ＡＮＤ回路２６では論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号によらずに常時オフ信号を出力して、下アームのＩＧＢＴ５がオンすることを防止する。これにより、上アームのＩＧＢＴ４がオンしている状態では下アームのＩＧＢＴ５がオンしないように保護する、いわゆる同時オン防止機能を実現している。
【００１３】
一方、ＡＮＤ回路１６において、論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号と下アームのゲート駆動回路の状態を伝える同時オン防止信号線２１４の信号のいずれか一方がＬｏレベルの場合にはインターフェイス回路１８１にオフ信号を出力する。この場合、ゲート出力段回路１７はＩＧＢＴ４のゲートを放電させて、ＩＧＢＴ４のゲートをＩＧＢＴのしきい値電圧を下回る電圧に抑えることでＩＧＢＴ４をオフさせる。また、ゲート出力段回路１７はＩＧＢＴ４をオフさせると同時に、フィードバック信号線１１３をＨｉレベルに引き上げＩＧＢＴ２がオフしたことを伝達する。フィードバック信号線１１３の信号はインターフェイス回路１８３、高絶縁信号伝達回路１５２、インターフェイス回路１８４を介して同時オン防止信号線１１４に伝えられる。同時オン防止信号線１１４がＨｉレベルであるため、下アームのＡＮＤ回路２６では論理部指令信号線２１１がＨｉレベルであればオン信号を出力し、論理部指令信号線２１１がＬｏレベルであればオフ信号を出力する。
【００１４】
本実施例１の特徴を従来例の図７と対比させながら説明する。図７において上アームのゲート駆動回路２と下アームのゲート駆動回路３は同一構成であるため、上アームのゲート駆動回路２で動作を説明する。
【００１５】
図７において、下アームのＩＧＢＴ５のオンオフ情報はフィードバック信号線２１３から直接上アームのゲート駆動装置２に伝達する。よって、上アームのゲート駆動回路２では下アームのＩＧＢＴエミッタ電位と同電位となる第３の電位領域（対アーム主回路電位領域）１３が必要となる。これに対して、図１の本実施例では上アームのゲート駆動装置２には異なる電位領域は２種類であるため、絶縁確保に必要なスペースを設ける箇所は少なくて済むという特徴がある。
【００１６】
さらに、論理部電位領域１２は図示していない電力変換装置の正側電源電位と負側電源電位の間の任意の電位に設定できる。このため、高圧主回路電位領域１１と論理部電位領域１２の間の距離ｒ１を電源電圧の絶縁を確保するのに必要な距離ｒ２より短くすることが可能であるという特徴がある。
【００１７】
例えば、電力変換装置の電源電圧を１５００Ｖとして、論理部電位領域１２の電位を正側電源電位と負側電源電位の中間電位に設定した場合について説明する。一般に電圧１５００Ｖの絶縁を確保するために必要な距離ｒ２は３０ｍｍであることが知られている。これに対し、高圧主回路電位領域１１と論理部電位領域１２では電源電圧の半電圧７５０Ｖの絶縁を確保すればよいため、絶縁確保に必要な距離ｒ１は２０ｍｍであることが知られている。絶縁確保に必要な距離が１０ｍｍ短くなっているためゲート駆動装置を小型にできる。
【００１８】
なお、図１の高絶縁信号伝達回路としては、パルストランスや、高耐圧のフォトカプラ、また従来の光ファイバの長さを短縮したものや、高絶縁のキャパシタンスを使った方法などが考えられる。パルストランスや高絶縁のキャパシタンスを使った場合には、図１に示したインターフェイス回路は不要となる。また、パルストランスや高絶縁のキャパシタンスは光ファイバやフォトカプラなどの光部品より寿命が長く、鉄道用電力変換器においてはより好ましい。
【００１９】
また、図１の実施例１では論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号と下アームのゲート駆動装置３から下アームのＩＧＢＴ５オンオフ情報を伝達した信号をＡＮＤ回路１６でＡＮＤをとる構成を示しているが、論理部指令信号線１１１と同時オン防止信号線２１４を論理部電位領域１２で直接接続してワイヤードＯＲをとることにより、ＡＮＤ回路１６を不要した構成でも同様の効果を得る。
【実施例２】
【００２０】
図２は、本発明の第２の実施例のゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示している。上アームのゲート駆動回路２と下アームのゲート駆動回路３は同一構成であるため、上アームのゲート駆動回路２で動作を説明する。第１の実施例と異なる点は同時オン防止信号線１１４を論理部１に接続し、論理部１を介して下アームのゲート駆動装置３に上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報を伝達する点である。図２の構成でも図１の構成と同様の効果を得ることができる。さらに、論理部１にて上アームのＩＧＢＴ駆動信号と上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報を比較し、オンオフ状態が異なっている場合には下アームのＩＧＢＴ５のオン動作を禁止する機能を設けた場合には、論理部側でも同時オン防止機能を実現できる。このため、論理部に設けた同時オン防止機能とゲート駆動装置間のインターロックによる同時オン防止機能のいずれか一方が故障しても、もう一方の同時オン防止機能でアーム短絡を防止できるため、電力変換装置の安全性が向上するという特徴がある。
【実施例３】
【００２１】
図３は、本発明の第３の実施例のゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示している。上アームのゲート駆動回路２と下アームのゲート駆動回路３は同一構成であるため、上アームのゲート駆動回路２で動作を説明する。第１の実施例と異なる点は同時オン防止信号線１１４に伝えられる上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報に関して、同時オン防止信号線１１４を分岐させることにより、論理部１と下アームのゲート駆動回路３の両方に上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報を伝達するということである。図７に示す従来の実施例では、論理部１と下アームのゲート駆動回路３の両方に上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報を伝達するためには、論理部電位領域１２および対アーム主回路電位領域１３から上アームのＩＧＢＴ４のオンオフ情報を出力するため、高絶縁信号伝達回路およびインターフェイス回路を１組追加しなければならないが、本発明ではゲート駆動装置内の部品追加を行うことなく論理部１と下アームのゲート駆動装置３の両方にＩＧＢＴ４のオンオフ情報を伝達できるという特徴がある。また、実施例２と比較すると上アームのゲート駆動装置２と下アームのゲート駆動装置３を直接接続しているため、オンオフ情報の伝達遅延時間を短縮でき、信号遅延による保護動作遅延を防止できるという特徴もある。
【００２２】
次に、図４は、３レベル電力変換装置の１相分の回路にゲート駆動回路を適用した例を示し、図５は、３レベル電力変換装置の１相分の回路にゲート駆動回路を適用した他の例を示している。
図４の回路において、トラブルにより誤ってオンして過電流が流れるケースとして、ＩＧＢＴ９３〜ＩＧＢＴ９５が同時にオンした場合（Ｐ−Ｃ間短絡）、ＩＧＢＴ９４〜ＩＧＢＴ９６が同時にオンした場合（Ｃ−Ｎ間短絡）、ＩＧＢＴ９３〜ＩＧＢＴ９６全てが同時にオンした場合（Ｐ−Ｎ間短絡）がある。ゲート駆動装置１０３とゲート駆動装置１０５間、およびゲート駆動装置１０４とゲート駆動装置１０６間で同時オン防止機能を搭載することにより全てのアーム短絡モードを防止できる。よって、実施例１から実施例３の構成をそのまま適用できる。
【００２３】
図５の回路において、トラブルにより誤ってオンして過電流が流れるケースとして、ＩＧＢＴ７３とＩＧＢＴ７５が同時にオンした場合（Ｐ−Ｃ間短絡）、ＩＧＢＴ７４とＩＧＢＴ７６が同時にオンした場合（Ｃ−Ｎ間短絡）、ＩＧＢＴ７３とＩＧＢＴ７６全が同時にオンした場合（Ｐ−Ｎ間短絡）がある。実施例１から実施例３の構成では上記３種類の短絡モードのうち、Ｐ−Ｃ間短絡およびＣ−Ｎ間短絡の２種類の短絡モードしか防げない。
【実施例４】
【００２４】
図６は、本発明の第４の実施例のゲート駆動回路を、たとえば、図５の３レベル電力変換装置に適用した場合を示している。実施例３では、３種類全ての短絡モードを防ぐことができる。図１の実施例と異なる点についてＩＧＢＴ７３のゲート駆動回路８３にて動作説明をする。
【００２５】
図６において、論理部１からのＩＧＢＴ駆動信号は論理部指令信号線３１１を介して論理部電位領域３２にあるＡＮＤ回路３６に伝えられる。このＡＮＤ回路３６では同時オンするとアーム短絡となるＩＧＢＴ７５のオンオフ状態を伝える同時オン防止信号線５１４の信号、およびＩＧＢＴ７６のオンオフ状態を伝える同時オン防止信号線６１４の信号の計３種類の信号のＡＮＤをとり、全てＨｉレベルの場合にのみインターフェイス回路３８１、高絶縁信号伝達回路３５１、インターフェイス回路３８２、信号線３１２を介して、ゲート出力段回路３７にオン信号を出力し、１つでもＬｏレベルの信号がある場合にはゲート出力段回路３７にオフ信号を出力する。
【００２６】
ＩＧＢＴ７３がオンした場合、ゲート出力段回路３７はフィードバック信号線３１３をＬｏレベルに引き下げ、ＩＧＢＴ７５ゲート駆動回路８５とＩＧＢＴ７６ゲート駆動回路８６にＩＧＢＴがオンしたことを伝達する。同時オン防止信号線３１４がＬｏレベルになるためにＩＧＢＴ７５ゲート駆動回路８５のＡＮＤ回路５６ではオフ信号を出力し、ＩＧＢＴ７５がオンするのを防止する。同様にして、ＩＧＢＴ７６ゲート駆動回路８６のＡＮＤ回路６６でもオフ信号を出力し、ＩＧＢＴ７６がオンするのを防止する。これにより、ＩＧＢＴ７３がオンしている状態ではＩＧＢＴ７５およびＩＧＢＴ７６がオンしないように保護する、いわゆる同時オン防止機能を実現している。
【００２７】
本発明の実施例１〜３では同時オンによりアーム短絡状態となる対アームのＩＧＢＴが２個以上存在する場合、それぞれのＩＧＢＴのエミッタ電位が異なる。よって、ＩＧＢＴ１個につき大型・高コストの高絶縁信号伝達回路およびインターフェイス回路が１組必要となるため、回路規模が増大し、ゲート駆動装置の大型化が避けられない。これに対して、図６に示された実施例４のゲート駆動回路では論理部電位領域内でＩＧＢＴ駆動信号と同時オン防止信号のＡＮＤ演算を行っているため、同時オンによりアーム短絡状態となる対アームのＩＧＢＴの個数に関係なく高絶縁信号伝達回路およびインターフェイス回路は２組で済み、ゲート駆動装置の小型化が可能であるという特徴がある。さらに、論理部指令信号線と同時オン防止信号線を直接接続してワイヤードＯＲをとることにより、ＡＮＤ回路を不要した構成では、ゲート駆動回路８３から８６に関して全て同じ構成となるとなるため、ゲート駆動装置の共通化が可能であるという特徴がある。
【００２８】
また、上記全ての実施例に関してスイッチング素子としてＩＧＢＴの例を述べたが、ＭＯＳＦＥＴやバイポーラトランジスタ、ＧＴＯ等のパワー半導体スイッチング素子でも全く同様の効果を得ることが出来る。
【００２９】
本発明は、電気信号にて論理部とゲート駆動装置間、およびスイッチング素子の同時オンによりアーム短絡となるゲート駆動装置間にて情報を伝送するゲート駆動装置を必要とする電力変換装置に利用できる。特に、鉄道、圧延機、電力関係の高電圧が必要となる分野において、絶縁確保のためのスペースを小さくできることによるゲート駆動装置の小型化の効果が大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１実施例であるゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例であるゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示す図である。
【図３】本発明の第３実施例であるゲート駆動回路を２レベル電力変換装置に適用した場合を示す図である。
【図４】３レベル電力変換装置の１相分の回路構成にゲート駆動回路を適用した例を示す図である。
【図５】３レベル電力変換装置の１相分の回路構成にゲート駆動回路を適用した他の例を示す図である。
【図６】本発明の第４の実施例であるゲート駆動回路を３レベル電力変換装置に適用した場合を示す図である。
【図７】従来例を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１    論理部
２    上アームのゲート駆動回路
３    下アームのゲート駆動回路
４    上アームのＩＧＢＴ
５    下アームのＩＧＢＴ
１１，２１，３１，４１，５１，６１    第１の電位領域（高圧主回路電位領域）
１２，２２，３２，４２，５２，６２    第２の電位領域（論理部電位領域）
１３，２３    第３の電位領域（対アーム電位領域）
１５１，１５２，１５３，２５１，２５２，２５３，３５１，３５２，４５１，４５２，５５１，５５２，６５１，６５２    高絶縁信号伝達回路
１６，２６，３６，４６，５６，６６    ＡＮＤ回路
１７，２７，３７，４７，５７，６７    ゲート出力段回路
１８１，１８３，１８５，２８１，２８３，２８５，３８１，３８３，４８１，４８３，５８１，５８３，６８１，６８３，    電気→光信号変換インターフェイス回路
１８２，１８４，１８６，２８２，２８４，２８６，３８２，３８４，４８２，４８４，５８２，５８４，６８２，６８４    光→電気信号変換インターフェイス回路
１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１    論理部指令信号線
１１２，２１２，３１２，４１２，５１２，６１２    信号線
１１３，１１８，２１３，２１８，３１３，４１３，５１３，６１３    フィードバック信号線
１１４，２１４，３１４，４１４，５１４，６１４    同時オン防止信号線
１１５，１１６，２１５，２１６，３１５，４１５，５１５，６１５    指令線
１１７，２１７    対アーム信号線
７１，７２，９１，９２    フィルタコンデンサ
７３，７４，７５，７６，９３，９４，９５，９６    ３レベル電力変換装置に使用したＩＧＢＴ
８３，８４，８５，８６，１０３，１０４，１０５，１０６    ３レベル電力変換装置に使用したゲート駆動回路
９７，９８    クランプダイオード
【図１】
0004841957.tif 000002
【図２】
0004841957.tif 000003
【図３】
0004841957.tif 000004
【図４】
0004841957.tif 000005
【図５】
0004841957.tif 000006
【図６】
0004841957.tif 000007
【図７】
0004841957.tif 000008