(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と、前記透光性基板の第１の表面に配置された複数の画素と、表示部とを少なくとも有し、
前記画素の各々は少なくとも光電変換素子部及び光透過領域とを有し、
読み取り対象物が前記透光性基板の第２の表面側に配されるごとく構成され、
前記光電変換素子部の前記透光性基板と反対側には遮光膜を有し、
前記透光性基板の第２の表面側からの光を前記光電変換素子部が検出し、
且つ
当該装置によって読み取り対象物の読み取り中も、前記透光性基板の第１の表面側より、読み取り対象物の目視が可能であることを特徴とする撮像機能一体型表示装置。
【請求項２】
前記表示部の各表示領域が前記各画素内に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項３】
前記表示部の各表示領域が、前記画素とは別異の領域に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項４】
前記透光性基板の第１の表面に、複数のゲート線と、前記ゲート線と交差するように配置された複数の信号線とを有し、
前記ゲート線の一対と前記信号線の一対とによって囲われた領域が前記画素領域であり、
前記画素の領域内に設けられた前記光電変換素子部は、前記透光性基板の第１の表面に形成された薄膜光電変換素子であり、且つ
透光性基板の第１の表面に薄膜トランジスタを有して構成される電子回路部を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項５】
前記第１の表面に配置された複数の画素の領域内に、薄膜トランジスタを有しており、
前記遮光膜は、前記透光性基板の第１の表面に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層の導体層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項６】
前記第１の表面に配置された複数の画素の領域内に、薄膜トランジスタを有しており、
前記遮光膜は、前記透光性基板の第１の表面に形成された前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極と同層の導体層で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項７】
前記第１の表面に配置された複数の画素の領域内に、薄膜トランジスタを有しており、
前記透光性基板の第１の表面に形成された前記薄膜トランジスタのゲート電極、及びソース及びドレイン電極が透明電極で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項８】
前記ゲート線及び前記信号線が透明電極で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項９】
前記表示部が発光素子であることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１０】
前記遮光膜は、前記発光素子の有する一方の電極と同層の導体層で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１１】
前記透光性基板の第１の表面に、少なくとも前記光電変換素子部と、薄膜トランジスタを有して構成される電子回路部とを有し、
前記遮光膜の、前記透光性基板と反対側の上部に、表示部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１２】
前記表示部の上部に第２の透光性基板が配置されてなることを特徴とする請求項１１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１３】
前記撮像機能一体型表示装置は、画像を読み取る時に前記読み取り対象物を照射する光源と、画像を表示する時に前記読み取り対象物の反射光を遮光する手段とを有することを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１４】
前記光源はバックライトであり、前記遮光する手段は液晶により構成されることを特徴とする請求項１３に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１５】
前記装置は撮像領域を指定する手段を有していることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１６】
前記第１の表面に配置された複数の画素の領域内に、薄膜トランジスタを有しており、
前記薄膜トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を有する島状半導体層と、前記島状半導体層上方に形成された層間絶縁膜を有しており、
前記光透過領域では少なくとも前記層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像機能一体型表示装置。
【請求項１７】
前記撮像装置は、フロントライトを有すること特徴とする請求項３に記載の撮像機能一体型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像機能を有する画像表示装置に係わる。特に２次元画像情報を読み取り、用途に合わせてデータ処理を行うことが可能な撮像機能一体型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２次元情報を読み取り、それを別の方法で表示する装置として、スキャナ、複写機、ファクシミリなどの装置が広く知られている。これらの装置は、まず紙や写真などを光源で照明し、その反射あるいは透過光を、光学系を通してイメージセンサで読み取ることにより、紙や写真の２次元情報を取得する。この後、各種の信号処理をしてデジタル情報としてコンピュータやプリンタなどへ送ることにより、取得した２次元情報をモニタに表示したり、印刷したりすることができる。
【０００３】
今後、ネットワーク網や電気的情報処理技術の発達に伴い、紙や印刷物、写真などの２次元情報を様々な形で電気的に処理することが可能となる。例えば読み取りデータの認識、変換などの処理を行い、必要に応じて検索、翻訳、辞書情報表示、説明表示、関連情報表示、拡大表示などを行うことにより、より便利、快適に読み取り情報を利用することが可能となる。この場合、画像読み取り装置においては、２次元情報を読み取る機能、取得した情報を認識し処理する機能、およびこれらの情報を表示する機能が一体化し、利便性と薄型軽量性を兼ね備えることが必要になる。
【０００４】
この画像読み取り装置と表示装置を一体化した従来技術が、例えば特開２００１−２９２２７６号公報（特許文献１）に開示されている。この装置は、同一基板主面上にエリアセンサと表示素子の双方を兼ね備えているため、エリアセンサにより読み取った画像情報を表示することにより、その内容を確認することができる。しかし、この構造では、読み取っている間は印刷物を見ることができず、また読み取りながら並行して同時に表示をする利便性がなかった。
【０００５】
この問題を解決する従来技術が、例えば特開平５−８９２３０号公報（特許文献２）に開示されている。この装置は、受光素子を有する液晶表示装置と、面発光素子を貼り合わせた構造であり、画像読み取りを行う場合には、装置に印刷物を密着させ、面発光素子を発光させる。読み取った画像は、読み取り面と反対側の液晶表示装置を用いて表示することができる。
【先行技術文献】
【特許文献１】
特開２００１−２９２２７６号公報
【特許文献２】
特開平５−８９２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが上記従来技術では、装置を動かした場合、表示にタイムラグが発生するため、印刷物の内容を閲覧できるまでに、しばらく時間がかかってしまう問題がある。又、同様の原因で、車内で使用する場合、手ぶれのため画像がぼやけてしまう問題がある。更に、上記従来技術では、常に印刷物を読み取り、表示を行うため消費電力が高く、携帯性に適さない問題がある。
【発明が解決するための手段】
【０００７】
本発明は、透明基板上に薄膜光ダイオードよりなる光センサと薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、ＴＦＴと称する。）より構成される読み取り機能を２次元的に配置したエリアセンサに、発光素子とＴＦＴより構成される表示機能を付加する。この表示機能付きエリアセンサを、例えば書籍などの印刷物の上に置くことにより、２次元画像情報を読み取る。読み取り機能を有する画素には、光透過領域が設けられており、更に、薄膜光ダイオード及びＴＦＴは、ほぼ透明な材料で形成されるため装置自体が透明であり、利用者はエリアセンサを印刷物の上に置いた状態で、印刷物の内容を直接閲覧することができる。この為、装置を動かした場合でも、利用者はすぐに印刷物の内容を閲覧できる。更に、利用者が必要な画像を装置の上から指定するなどの方法により、必要な時だけ画像を読み取るため、消費電力を低くすることができ、上記課題を解決することができる。更に、本装置は透明な装置であり、例えば文字や図などの拡大表示や、辞書情報、翻訳、説明文章、関連情報などの表示を行うと、従来の虫眼鏡のような使用シーンで、拡大表示のみならず、情報の拡大を行う情報レンズのような使い方が可能になる。
【０００８】
本発明の具体的な基本構成は次の通りである。即ち、本発明の撮像機能一体型表示装置は、透光性基板と、前記透光性基板の第１の表面に配置された複数の画素と、表示部とを少なくとも有し、前記画素の各々は少なくとも光電変換素子部及び光透過領域とを有し、読み取り対象物が前記透光性基板の第２の表面側に配されるごとく構成され、前記光電変換素子部の前記透光性基板と反対側には遮光膜を有し、前記透光性基板の第２の表面側からの光を前記光電変換素子部が検出し且つ当該装置によって読み取り対象物の読み取り中も、前記透光性基板の第１の表面側より読み取り対象物の目視が可能であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、前記表示部の各表示領域が前記各画素内に設けられる形態、或いは前記表示部の各表示領域が、前記画素とは別異の領域に設けられる形態をも取り得る。本発明では、いずれの形態でも、装置がオプティカル シースルーを特徴とするが、各表示領域が前記各画素内に設けられる形態では、表示と撮像素子とは一体形成されており、操作性に優れる。一方、表示部が前記画素を有する撮像領域とは別異の領域に設けられる形態では、表示エリアが分離されるので、高精細表示に有利である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、撮像及び画像表示を共に行い得る画像表示装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１の撮像機能一体型表示装置の斜視図である。
【図２】実施例１の撮像機能一体型表示装置における画素の平面レイアウト図である。
【図３】読み取り画像と画素の概念図である。
【図４】読み取り画像を認識した画素の概念図である。
【図５】本発明に係る撮像機能一体型表示装置の使用例を示す斜視図である。
【図６】実施例１の撮像機能一体型表示装置の断面図である。
【図７】実施例１の撮像機能一体型表示装置の動作を説明するフローチャートである。
【図８Ａ】実施例１の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図８Ｂ】実施例１の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図８Ｃ】実施例１の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図８Ｄ】実施例１の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図９】実施例２の撮像機能一体型表示装置における画素の平面レイアウト図である。
【図１０】実施例２の撮像機能一体型表示装置の断面図である。
【図１１Ａ】実施例２の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１１Ｂ】実施例２の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１１Ｃ】実施例２の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１２】実施例３の撮像機能一体型表示装置の断面図である。
【図１３】実施例３の撮像機能一体型表示装置の動作を説明するフローチャートである。
【図１４Ａ】実施例３の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１４Ｂ】実施例３の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１４Ｃ】実施例３の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１４Ｄ】実施例３の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１５】実施例４の撮像機能一体型表示装置の斜視図である。
【図１６】実施例４の撮像機能一体型表示装置における画素の平面レイアウト図である。
【図１７】実施例４の撮像機能一体型表示装置の断面図である。
【図１８Ａ】実施例４の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１８Ｂ】実施例４の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１８Ｃ】実施例４の製造工程を工程順に示す断面図である。
【図１９】実施例５の撮像機能一体型表示装置の断面図である。
【図２０】、実施例６の撮像機能一体型表示装置の概略構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施例）
第１図から第４図を用いて、本発明の第１の実施例である撮像機能一体型表示装置を説明する。第１図は、本発明の第１の実施例に係る撮像機能一体型表示装置の概略の斜視図である。対角長が約２０ｃｍ前後、厚さが２ｍｍ前後の透明基板１に、撮像機能と表示機能を併せ持った画素２が、平面状に並べられている。第１図には模式的に６４画素示しているが、実際は約４０μｍ前後の繰り返しピッチで、多数の画素が並んでいる。尚、タッチペンを用いた位置設定に関しての部材は第１図には、図面が複雑となるのでタッチペン以外は示していない。第５図にこの部分を示した。他の実施形態の関しても、タッチペンを用いた位置設定に関しては同様の構成を用いる。第２図は画素２の構成を示す平面図である。複数のゲート線ＧＬとそれにマトリクス状に交差する複数の信号線ＳＬとによって囲まれた領域に、薄膜光ダイオード（光センサ）ＳＮＲと、遮光膜Ｍ１、信号変換および増幅回路ＡＭＰ、発光素子ＬＥＤ、そして光透過領域ＯＰＮを有する。通例、薄膜光ダイオード（光センサ）ＳＮＲは多結晶シリコン膜よりなり、遮光膜Ｍ１はアルミニウム（Ａｌ）膜が用いられる。信号変換および増幅回路ＡＭＰは、多結晶シリコンＴＦＴを用いて構成される。又、本例では、発光素子ＬＥＤは有機発光ダイオードが用いられた。
【００１３】
この装置を用いて、楕円模様を読み取る時の様子を第３図に示す。模式的に示した６４個の画素２内には、前述した通り、それぞれ光センサ、遮光膜Ｍ１、増幅回路ＡＭＰ、発光素子ＬＥＤが配置されている。今、光センサ及び増幅回路を構成する多結晶シリコン膜と配線はほぼ透明であるため、遮光膜Ｍ１及び発光素子ＬＥＤを除いた領域を通して印刷物を見ることが出来る。画像を読み取る際は、楕円模様６と遮光膜Ｍ１が重なっている部分で画像を認識するため、実際に楕円模様６を認識する画素は第４図に示す領域６’（太い線で囲まれた領域）の通りとなる。
【００１４】
第５図は、タッチペンを用いて画像を読み取る方法の概略を説明する斜視図である。画素２が配列された透明基板１が準備される。第１図及び第２図に例示したものと同様である。読み取る為の印刷物４の上部に透明基板１が配置される。透明基板１の表面にはタッチパネル１０が配置されている。このタッチパネル１０はスペーサにより浮かせた上部透明電極と下部透明電極とを有している。タッチペンの押圧により接触した接点の抵抗値の変化を測定することにより、タッチパネル内の位置を検出することが出来る。この検出された位置情報は、集積回路３の回路によって電気信号処理され、画素センサを駆動させる。こうして、タッチペンを用いて画像情報が読み取られる。尚、こうしたタッチパネル、タッチペンを用いた位置設定及びこれに基づく画像読み取りの為の基本的構成、動作は通例のものを配置することで十分である。従って、その詳細を省略する。
【００１５】
本例においては、第５図に示すように、タッチペン５を用いて画像を読み取る領域７を指定することにより、必要な画像のみを読み取ることができる。読み取りの具体的な動作は後述する。本例では、必要な時だけ画像を読み取るため、常に画像を読み取る必要がなく、消費電力を低くすることができる。
【００１６】
第６図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の断面構造を説明する。第６図は、第２図に示した画素の線Ａ−Ａ’断面での断面図である。尚、第６図は、薄膜光ダイオードＳＮＲ、多結晶シリコンＴＦＴよりなる信号変換および増幅回路ＡＭＰ、多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１、遮光膜Ｍ１、有機発光ダイオードＬＥＤなどの空間配置の例を概括的に示すものである。第１０図、第１２図、第１７図、及び第１９図も同様にこうした概括的断面図である。その積層詳細は別の図面でなされる。
【００１７】
透明基板ＳＵＢに、多結晶シリコン膜よりなる薄膜光ダイオードＳＮＲ、多結晶シリコンＴＦＴよりなる信号変換および増幅回路ＡＭＰ、及び有機発光ダイオードを駆動する多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１が形成される。この上部に絶縁膜Ｌ１が形成され、この絶縁膜Ｌ１上に、遮光膜Ｍ１及び有機発光ダイオードＬＥＤが配置される。そして、これらの諸部材を第２の絶縁膜である保護膜Ｌ２が覆っている。こうして、各画素が形成されるが、各画素の光透過領域ＯＰＮでは、層間絶縁膜Ｌ１が除去されている。
【００１８】
次に、第６図及び第７図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の動作を説明する。まず、基板ＳＵＢを印刷物４に密着させる。外光が保護膜Ｌ２側から入射する。この入射光が印刷物表面で反射した後、光ダイオードＳＮＲに到達する（第７図のステップ１００）。遮光膜Ｍ１は、保護膜Ｌ２側から、直接光ダイオードＳＮＲに入射する光を遮光する。このため、印刷物からの反射光の強弱に対応して、光ダイオードＳＮＲ内に光キャリアが発生する（第７図のステップ１０１）。次に、画素のゲート線ＧＬと信号線ＳＬに電圧を印加することにより、画像を読み取る画素を選択する（第７図のステップ１０２）。選択された画素では、増幅回路ＡＭＰによって光ダイオードＳＮＲに発生した光キャリアが増幅される（第７図のステップ１０３）。
【００１９】
同様の動作を、隣接する画素についてそれぞれ繰り返すことによって、選択された画像の２次元情報を電気信号の形で読み取ることができる（第７図のステップ１０４）。尚、マトリクス状の画素の駆動については、マトリクス駆動の通例の方法に従って十分である。従って、その詳細な説明は省略する。以下の諸実施の形態においても同様である。
【００２０】
次に集積回路３により、必要に応じてデータ認識、変換などの処理を行う（第７図のステップ１０５）。表示を行う時は、多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１により有機発光ダイオードＬＥＤに印加する電圧を変えることにより発光量を画素毎に変更し、任意の場所に検索、翻訳、辞書情報表示、説明表示、関連情報表示、拡大表示などを行う（第７図のステップ１０６）。
【００２１】
次に、第８Ａ図より第８Ｄ図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明なガラス基板ＳＵＢに、酸化シリコン膜からなるバッファ層Ｌ３を堆積する。次に、多結晶シリコン膜ＰＳを形成する。即ち、この工程は、アモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積し、エキシマレーザによるレーザアニール結晶化法により、このアモルファスシリコン膜を結晶化する。本例では、電界効果移動度が２００ｃｍ２／Ｖｓ前後の多結晶シリコン膜ＰＳを形成した。更に、この多結晶シリコン膜ＰＳを、所望形状の島状ＰＳ１、ＰＳ２に加工した。そして、この島状多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２を覆って、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により堆積し、ゲート絶縁膜Ｌ４を形成した。次に、スパッタリング法によりＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を堆積し、通例のエッチング工程により、所望形状の透明なゲート電極膜ＧＥを形成した（第８Ａ図）。
【００２２】
次に、イオン打ち込み法によって、島状多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２に、ＴＦＴのソースＲ１、ドレインＲ２、及び光ダイオードのカソード層Ｒ３及びアノード層Ｒ４となる領域に、不純物イオンを導入する。そして、こうして準備した基板の上部に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜Ｌ５を堆積する。尚、半導体層での不純物領域の設定は、例えばゲート電極領域自体をマスク領域としてイオン打ち込みをする方法、或いは所望領域に制限しての局所的なイオン打ち込み方法など通例の諸方法を用いることが出来る。
【００２３】
この後、前記導入した不純物の活性化のための熱処理を行い、ＴＦＴのソース拡散層Ｒ１及びドレイン拡散層Ｒ２、光ダイオードのカソード層Ｒ３及びアノード層Ｒ４を形成した。この時、光ダイオードの受光効率を上げるために、不純物イオンの導入されない真性領域Ｒ５を残した（第８Ｂ図）。尚、ここでは、基本例として、ｎ型チャネルＴＦＴのみ示しているが、実際の回路構成に応じて、ｐ型チャネルＴＦＴや、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造のＴＦＴを形成した。
【００２４】
次に、各絶縁膜Ｌ４、Ｌ５に、所望のコンタクトホール１１０を開口した後、スパッタリング法によりＩＴＯを堆積する。そして、通例のエッチング工程により、透明なソース及びドレイン電極ＳＤを形成した。その後、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜Ｌ６を堆積し、プラズマ処理による水素化を行った。
更に、層間絶縁膜Ｌ６にコンタクトホール１１１を開口した後、Ａｌを堆積する。そして、通例のエッチングによって、有機発光ダイオードの下部電極Ｍ２を形成すると同時に、遮光膜Ｍ１を形成した（第８Ｃ図）。尚、ここでは図示していないが、コンタクトホール開口と同時に光透過領域の層間絶縁膜Ｌ５、Ｌ６を除去した。
【００２５】
通例の蒸着法により有機発光材料Ｌ７を積層した後、上部電極Ｍ３となる透明電極を形成し、発光素子を形成した（第８Ｄ図））。次に、有機材料からなる低誘電率の透明な保護絶縁膜Ｌ２を堆積し、透明なエリアセンサを完成させた。
【００２６】
本実施例では、有機発光ダイオードの下部電極Ｍ２と遮光膜Ｍ１を、同層の電極で形成することにより、ゲート電極ＧＥ及びソース及びドレイン電極ＳＤを透明電極で形成できるため、薄膜光ダイオード及び多結晶シリコンＴＦＴ回路をほぼ透明にすることができる。更に、光透過領域の層間絶縁膜Ｌ１を除去することにより、光の透過率を向上させることができる。又、ゲート線ＧＬ、信号線ＳＬも、ＩＴＯなどの透明電極により形成することによって、透過率を向上させることができる。透過率が向上することにより、利用者が印刷物を閲覧し易くなるだけでなく、光ダイオードに入射する光を強くでき、Ｓ／Ｎ比が向上する。その結果、読み取り速度が向上する。尚、例えば、薄膜トランジスタのゲート電極を透明、透光性となすと、光照射によりオフリーク電流が増加する。しかし、通例行われているごとく、例えば、当該部材に対して保持容量を形成することにより、リークによる信号劣化は防止することが出来る。
【００２７】
又、集積回路３の機能を、多結晶シリコンＴＦＴ回路により構成することにより、この領域も透明にすることができる。
【００２８】
（第２の実施例）
第２の実施形態である撮像機能一体型表示装置の概略構造は第１図と同様である。本例の画素２の平面図を第９図に示す。第１０図に、第９図に示す画素２における、線Ｂ−Ｂ’断面の断面図を示す。
【００２９】
本例は、撮像機能を有する透明基板ＳＵＢ１と表示機能を有する透明基板ＳＵＢ２とを貼り合わせた構造である。即ち、透明基板ＳＵＢ１上には、多結晶シリコン膜よりなる薄膜光ダイオードＳＮＲ、及び多結晶シリコンＴＦＴよりなる信号変換および増幅回路ＡＭＰが形成さ、前記薄膜光ダイオードＳＮＲ上には、層間絶縁膜Ｌ１を介して遮光膜Ｍ１が配置されている。最上部に保護絶縁膜Ｌ２が形成されている。一方、透明基板ＳＵＢ２上には、有機発光ダイオードを駆動する多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１、及びこの上部に有機発光ダイオードＬＥＤが、層間絶縁膜Ｌ１を介して形成される。この有機発光ダイオードＬＥＤを覆って、保護絶縁膜Ｌ２が形成されている。そして、両保護絶縁膜Ｌ２を相対して、両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２が貼り合わされている。
【００３０】
本例では、薄膜光ダイオードＳＮＲ及び遮光膜Ｍ１と、有機発光ダイオードＬＥＤとが上下に重なっている。第１の実施例と同様、保護膜Ｌ２側から入射した外光の反射光を光センサＳＮＲにより検出し、印刷物の画像情報を電気信号の形で読み取ることができる。
【００３１】
次に、第１１Ａ図より第１１Ｃ図を用いて、撮像機能を有する透明基板の製造方法を説明する。先ず、透明なガラス基板ＳＵＢに、酸化シリコン膜からなるバッファ層Ｌ３を堆積する。このバッファ層Ｌ３上にアモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により堆積し、エキシマレーザによるレーザアニール結晶化法により、このアモルファスシリコン膜を結晶化する。こうして、電界効果移動度が２００ｃｍ２／Ｖｓ前後の多結晶シリコン膜ＰＳを形成した。この多結晶シリコン膜ＰＳを所望形状の島状（ＰＳ１、ＰＳ２）に加工した後、この島状多結晶シリコン膜ＰＳ１及びＰＳ２を覆って、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により堆積し、ゲート絶縁膜Ｌ４を形成した。
【００３２】
次に、スパッタリング法によりＭｏを主成分としたゲート電極膜を堆積し、通例のエッチング工程により所望形状のゲート電極ＧＥを形成した（第１１Ａ図）。
次に、イオン打ち込み法によって、島状多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２に、ＴＦＴのソースＲ１、ドレインＲ２、及び光ダイオードのカソード層Ｒ３及びアノード層Ｒ４となる領域に、不純物イオンを導入する。そして、こうして準備した基板の上部に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜Ｌ５の堆積する。そして、活性化のための熱処理を行い、ＴＦＴのソース拡散層Ｒ１およびドレイン拡散層Ｒ２、光ダイオードのカソード層Ｒ３およびアノード層Ｒ４を形成した。この時、光ダイオードの受光効率を上げるために、不純物イオンの導入されない真性領域Ｒ５を残した（第１１Ｂ図）。
【００３３】
尚、ここでは、ｎ型チャネルＴＦＴのみ示しているが、実際の回路構成の必要に応じて、ｐ型チャネルＴＦＴや、ＬＤＤ構造のＴＦＴを形成した。
次に、前記ゲート絶縁膜Ｌ４及び層間絶縁膜Ｌ５にコンタクトホール１１０を開口した後、スパッタリング法によりＡｌとＴｉＮの積層膜を堆積する。そして、通例のエッチング工程により前記積層膜を所望形状に加工し、ソース及びドレイン電極ＳＤ及び遮光膜Ｍ１を形成した。その後、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜Ｌ６を堆積し、プラズマ処理による水素化を行った。その後、有機材料からなる低誘電率の透明な保護絶縁膜Ｌ２を堆積した（第１１Ｃ図）。
【００３４】
本実施例に依れば、光センサＳＮＲ及び遮光膜Ｍ１と、有機発光ダイオードＬＥＤとを上下に重ねることにより、光透過領域ＯＰＮの面積を大きくでき、透過率が向上する。更に、ソース・ドレイン電極ＳＤと遮光膜Ｍ１を同層の電極で形成する為、マスク合わせずれによって、ソース・ドレイン電極と遮光膜との間隔が縮まったり、両電極が重なったりすることがない。従って、こうした事に基づく寄生容量の増加を抑制できる。
【００３５】
（第３の実施例）
第３の実施形態は、本表示装置に液晶層を用いた例である。本例の撮像機能一体型表示装置の概略構造図は第１図と同様である。又、画素２の平面図は第２図と同様である。第１２図に画素２における画素２における、線Ａ−Ａ’断面の断面図を示す。
【００３６】
液晶層ＬＣは、光源を搭載された第１の透明基板ＳＵＢ１と、薄膜光ダイオードＳＮＲや有機発光ダイオードＬＥＤ、所望の集積回路などが搭載された第２の透明基板ＳＵＢ２の間に挟まれて設けられている。
【００３７】
透明基板ＳＵＢ１には、導波板ＬＴ２が形成され、少なくともその一端に光源ＬＴ１が配置されている。又、一方、透明基板ＳＵＢ１の反対側の第２の表面には、液晶駆動用の電極２０が形成されている。透明基板ＳＵＢ２には、遮光膜Ｍ１を介して薄膜光ダイオードＳＮＲ、信号変換および増幅回路ＡＭＰ、有機発光ダイオードを駆動する多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１、液晶層ＬＣを駆動するＴＦＴ回路ＳＷ２などが搭載される。これらを覆って、層間絶縁膜Ｌ１が形成される。そして、この上部に有機発光ダイオードＬＥＤが形成される。更に、これを覆って、保護絶縁膜Ｌ２が形成される。そして、この上部に液晶駆動用の電極２１が形成される。前記薄膜光ダイオードＳＮＲ、前記信号変換および増幅回路ＡＭＰ、及び液晶層ＬＣを駆動するＴＦＴ回路ＳＷ２などは多結晶シリコン膜で構成される。又、導波板ＬＴ２、及び光源ＬＴ１は、液晶表示の分野で用いられているフロントライト技術を用いて十分である。
【００３８】
前述したように、液晶層ＬＣは２枚の透明基板ＳＵＢに挟まれているが、多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ２により液晶に電圧が印加されない時は光が透過する。
【００３９】
又、前述したように、印刷物の照明及び画像を表示するための光源ＬＴ１と、導光板ＬＴ２が最下層に設けられている。
次に、第１２図及び第１３図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の動作を説明する。先ず、導光板ＬＴ２を印刷物に密着させ、印刷物を均一に照明できるように光源ＬＴ１を点灯する。導光板ＬＴ２は光源からの光を印刷物側に散乱させると同時に、印刷物からの反射光を透過させ、反射光が光ダイオードＳＮＲに到達する（第１３図のステップ１１０）。遮光膜Ｍ１は、基板側から光ダイオードに入射する外光を遮光するため、印刷物からの反射光の強弱に対応して、光ダイオード内に光キャリアが発生する（第１３図のステップ１１１）。次に、ゲート線ＧＬと信号線ＳＬに電圧を印加することにより画像を読み取る画素を選択する（第１３図のステップ１１２）。選択された画素では、増幅回路ＡＭＰによって光ダイオードに発生した光キャリアが増幅される（第１３図のステップ１１３）。同様の動作を、隣接する画素についてそれぞれ繰り返すことによって、選択された画像の２次元情報を電気信号の形で読み取ることができる（第１３図のステップ１１４）。次に集積回路３により、必要に応じてデータ認識、変換などの処理を行う（第１３図のステップ１１５）。
【００４０】
表示を行う時は、多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ２により、電極２０、２１を介して液晶層に、電圧を印加し、印刷物からの反射光を遮光する（第１３図のステップ１１６）。この後、多結晶シリコンＴＦＴ回路ＳＷ１により有機発光ダイオードに印加する電圧を変えることにより発光量を画素毎に変更し、任意の場所に検索、翻訳、辞書情報表示、説明表示、関連情報表示、拡大表示などを行う（第１３図のステップ１１７）。
【００４１】
次に、第１４Ａ図より第１４Ｄ図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明なガラス基板ＳＵＢに、酸化シリコン膜からなるバッファ層Ｌ３を形成する。そして、このバッファ層Ｌ３に遮光膜Ｍ１を所望形状に形成する。こうして準備した基板上に、アモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により堆積した。エキシマレーザによるレーザアニール結晶化法により、このアモルファスシリコン膜を結晶化し、電界効果移動度が２００ｃｍ２／Ｖｓ前後の多結晶シリコン膜ＰＳを形成した。この多結晶シリコン膜ＰＳを、所望形状の島状に加工する。そして、この島状の多結晶シリコン膜ＰＳ３、ＰＳ４を覆って、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により堆積して、ゲート絶縁膜Ｌ４を形成した。次に、スパッタリング法によりＩＴＯを堆積し、通例のエッチング工程により透明なゲート電極膜ＧＥを形成した（第１４Ａ図）。
【００４２】
次に、前記多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２に、イオン打ち込み法による不純物イオンの導入を行う。その上部に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜Ｌ５の堆積する。そして、前記導入した不純物の活性化のための熱処理を行い、ＴＦＴのソース拡散層Ｒ１およびドレイン拡散層Ｒ２、光ダイオードのカソード層Ｒ３およびアノード層Ｒ４を形成した。この時、光ダイオードの受光効率を上げるために、不純物イオンの導入されない真性領域Ｒ５を残した（第１４Ｂ図）。尚、ここでは、ｎ型チャネルＴＦＴのみ示しているが、実際には、用いる回路での必要性に応じて、ｐ型チャネルＴＦＴや、ＬＤＤ構造のＴＦＴをも形成する。
【００４３】
次に、前記ゲート絶縁膜Ｌ４及び層間絶縁膜Ｌ５に、コンタクトホール１１０を開口した後、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を堆積する。そして、このＩＴＯ膜を、通例のエッチング工程により、所望形状に加工し、透明なソース・ドレイン電極ＳＤを形成した（第１４Ｃ図）。その後、この上部に、シリコン窒化膜Ｌ６を堆積し、プラズマ処理による水素化を行った。このシリコン窒化膜Ｌ６にコンタクトホール１１２を開口した後、ＩＴＯ膜を堆積する。ＩＴＯ膜を所望形状に加工することにより、有機発光ダイオードの下部電極Ｍ２を形成した。更に、有機発光ダイオードの下部電極Ｍ２上に、蒸着法により有機発光材料Ｌ７及び上部電極Ｍ３となるＡｌ電極を積層する。こうして、発光素子が形成される（第１４Ｄ図）。
【００４４】
次に、有機材料からなる低誘電率の透明な保護絶縁膜Ｌ２を堆積した。その後、液晶分野で通例用いられている方法により、前記２枚の基板を用いて、その間に液晶を封入し、透明なエリアセンサを完成させた。
本実施例に依れば、光源にバックライトを使用している為、光ダイオードに入射する光を強くでき、Ｓ／Ｎ比が向上する。その結果、読み取り速度が向上する。さ更に、表示を行う時は、液晶により印刷物からの反射光を遮光するため、表示コントラストが向上する。
【００４５】
（第４の実施例）
第４の実施例は撮像領域と表示領域を分離した構造の例である。第１５図は、本例に依る撮像機能一体型表示装置の概略構造を示す斜視図である。対角長が約２０ｃｍ前後、厚さが２ｍｍ前後の透明基板１上に、撮像装置８と表示装置９、そして信号処理を行う集積回路３が形成されている。表示装置９は、例えば液晶表示装置や有機発光ダイオードを用いた画像表示装置を用いることができ、透明である必要はない。この撮像装置の画素２の平面図を第１６図に示す。複数のゲート線ＧＬとそれにマトリクス状に交差する複数の信号線ＳＬとによって囲まれた領域に、多結晶シリコン膜よりなる薄膜光ダイオードＳＮＲ、遮光膜Ｍ１、多結晶シリコンＴＦＴよりなる信号変換および増幅回路ＡＭＰ、光透過領域ＯＰＮを有する。
【００４６】
次に、第１７図を用いて、この撮像機能一体型表示装置の断面構造を説明する。第１７図は、第１６図中の線Ｃ−Ｃ’断面での断面図を示す。透明基板ＳＵＢに、多結晶シリコン膜よりなる薄膜光ダイオードＳＮＲ、多結晶シリコンＴＦＴよりなる信号変換および増幅回路ＡＭＰが配置される。そして、所望領域に層間絶縁膜Ｌ１を介して遮光膜Ｍ１が設けられる。こうして準備された基板の上部に保護絶縁膜Ｌ２が形成される。尚、光透過領域ＯＰＮの層間絶縁膜Ｌ１は除去されている。光透過領域ＯＰＮの透光性を増す為である。
【００４７】
第１の実施例と同様、保護絶縁膜Ｌ２側から入射した外光の反射光を光ダイオードＳＮＲ及び増幅回路ＡＭＰにより検出し、印刷物の画像情報を電気信号の形で読み取ることができる。
【００４８】
次に、第１８Ａ図より第１８Ｃ図を用いて、この撮像装置の製造方法を説明する。先ず、透明なガラス基板ＳＵＢに、酸化シリコン膜からなるバッファ層Ｌ３を堆積する。この上部に、アモルファスシリコン膜をプラズマＣＶＤ法により堆積し、エキシマレーザによるレーザアニール結晶化法により、このアモルファスシリコン膜を結晶化した。こうして、電界効果移動度が２００ｃｍ２／Ｖｓ前後の多結晶シリコン膜ＰＳを形成した。この多結晶シリコン膜ＰＳを所望形状の島状ＰＳ１、ＰＳ２に加工した後、これらを覆ってシリコン酸化膜Ｌ４をプラズマＣＶＤ法により堆積する。そして、シリコン酸化膜を所望形状に加工して、ゲート絶縁膜Ｌ４を形成した。次に、スパッタリング法によりＭｏを主成分としたゲート電極膜を堆積し、通例のエッチング方方法によりゲート電極ＧＥ及び遮光膜Ｍ１を形成した（第１８Ａ図）。
【００４９】
次に、前記多結晶シリコン膜ＰＳ１、ＰＳ２に、イオン打ち込み法による不純物イオンの導入を行う。そして、ゲート電極ＧＥ及び遮光膜Ｍ１を覆って、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜Ｌ５の堆積する。そして、前記導入した不純物の活性化のための熱処理を行い、ＴＦＴのソース拡散層Ｒ１およびドレイン拡散層Ｒ２、光ダイオードのカソード層Ｒ３およびアノード層Ｒ４を形成した。この時、光ダイオードの受光効率を上げるために、不純物イオンの導入されない真性領域Ｒ５を残した（第１８Ｂ図）。尚、ここでは、ｎ型チャネルＴＦＴのみ示しているが、具体的には回路構成上の必要に応じて、ｐ型チャネルＴＦＴや、ＬＤＤ構造のＴＦＴを形成する。
【００５０】
次に、ゲート絶縁膜Ｌ４及び層間絶縁膜Ｌ５にコンタクトホール１１０を開口した後、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を堆積する。このＩＴＯ膜をエッチング法により所望形状に加工し、透明なソース・ドレイン電極ＳＤを形成した。その後、こうして準備した基板に、シリコン窒化膜からなる層間絶縁膜Ｌ６を堆積し、プラズマ処理による水素化を行った（第１８Ｃ図）。尚、ここでは図示されていないが、コンタクトホール開口と同時に光透過領域の層間絶縁膜Ｌ５、Ｌ６を除去した。やはり、光透過領域の透光性を増す為である。その後、有機材料からなる低誘電率の透明な保護絶縁膜Ｌ２を堆積した。
【００５１】
本実施例に依れば、撮像領域と表示領域を分離した構造であるため、撮像領域の画素内に発光素子を設ける必要がない。その為、光透過領域ＯＰＮの面積を大きくでき、透過率が向上する。又、ゲート電極ＧＥと同層の金属膜を遮光膜Ｍ１として用いているため、光ダイオードと遮光膜との間隔を小さくでき、遮光効率が向上する。その結果、Ｓ／Ｎ比が向上し、読み取り速度が向上する。更に、表示領域を分離しているため、高精細かつ高コントラストな画像表示が可能である。
【００５２】
（第５の実施例）
第５の実施形態はフロントライトを有する例である。本例の撮像機能一体型表示装置の概略構造は第１５図と同様である。本例の画素２の平面図は第１６図と同様である。第１９図にこの画素２における、線Ｃ−Ｃ’断面の断面図を示す。第１９図は、実施例４とほぼ同様の構造であるが、フロントライト２０を備えている点が実施例４と異なる。尚、フロントライトは、液晶分野での技術を用いて十分である。
【００５３】
本実施例に依れば、エリアセンサがフロントライトを有しているため、光ダイオードに入射する光を強くでき、Ｓ／Ｎ比が向上する。その結果、読み取り速度が向上する。
【００５４】
（第６の実施例）
第６の実施の形態は、装置全体が凸レンズの形状を持った透明情報レンズとなっている例である。以下、第２０図を用いて、本発明の第６の実施例を説明する。
本実施例の形態は、前記第１から第３の実施例で説明された撮像機能一体型表示装置のいずれかを用いて構成される装置３０である。例えば、具体的には、装置３０が凸レンズの形状を持った、直径が約１５ｃｍ前後の透明情報レンズと言うことが出来る。下面は平面形状である透明基板３３に、読み取り機能と表示機能を持った画素３１が平面状に配置されている。透明基板３３の厚さは、利用時の安定感を持たせるため、約５ｍｍ前後と厚めにした。この表示機能付き透明エリアセンサに凸レンズ３２が設けられている。第２０図の画素３１の配置は模式的に示されているが、実際は約２０μｍ〜４０μｍ前後の繰り返しピッチで、多数配置されている。利用者は印刷物や電気的に表示された画像を、凸レンズで拡大して見る構造になっており、従来の光学式凸レンズを使用する感覚で、本発明の装置を透明センサや情報レンズとして利用することができる。尚、凸レンズ機能を持たせた以外をこれまでの実施の形態と同様に構成できるので、その詳細説明は省略する。
【００５５】
以上、実施例１から実施例６に例示した撮像機能一体型表示装置において、光ダイオードは、本発明の効果を得られる範囲で、非晶質シリコン膜で形成しても良い。又、本発明の効果を得られる範囲で、多結晶シリコンＴＦＴを有機半導体ＴＦＴに置き換えることも可能である。更に、実施例では、印刷物からの反射光を読み取る素子として光ダイオードを用いたが、他の光を感知する素子でも可能である。例えば光トランジスタを用いて光感知素子自体に増幅機能を持たせることにより、より効率的に印刷物からの反射光を読み取ることができる。
【００５６】
透明基板は、ガラス以外に石英ガラスやプラスチックのような他の絶縁性基板であっても良い。
【００５７】
アモルファスシリコン膜の結晶化は固相成長法でも良いし、熱ＣＶＤ法によって多結晶シリコン膜を成膜しても良い。又、その他の方法でも多結晶シリコン膜を形成することができる。例えば、連続発振の固体レーザをパルス変調してアモルファスシリコン膜に照射しながらスキャンし、スキャン方向に結晶成長を起こさせ、例えば結晶成長距離が１０μｍ以上であり、電界効果移動度が５００ｃｍ２／Ｖｓ前後の結晶性が優れた多結晶Ｓｉ膜を形成することにより、高い性能を有する多結晶シリコン薄膜光ダイオードや、多結晶シリコンＴＦＴを形成することができる。これらの素子を用いて、エリアセンサや表示に必要な回路を形成することにより、効率的かつ高速に印刷物の画像情報の読み取り、画像データの認識、変換が可能になる。又、より多くの機能を内蔵することも可能になる。従って、例えば読み取ったデータの認識、変換表示機能のみでなく、プロセッサ、通信、メモリなどの情報端末機能の内蔵も可能である。
【００５８】
実施例１から実施例６に例示した撮像機能一体型表示装置において、ゲート電極は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ等、公知の電極材料、又はそれらの合金でも良い。この場合、ゲート電極と同層の金属膜を遮光膜として用いることができ、光ダイオードと遮光膜との間隔を小さくできる。このため、遮光効率が向上し、Ｓ／Ｎ比が向上する。又、ソース・ドレイン電極は、透過率を低下させない範囲で、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ等、他の知られた電極材料であっても良い。
【００５９】
本発明の撮像機能一体型表示装置は、画素内に光透過領域が設けられており、更に薄膜光ダイオード及びＴＦＴは、ぼぼ透明な材料で形成されるため装置自体が透明である。従って、利用者はエリアセンサを印刷物の上に置いた状態で、印刷物の内容を直接閲覧することができる。利用者が印刷物の内容を閲覧する為、光透過領域の面積は、画素面積の４０％以上であることが望ましい。
【００６０】
本発明は、利用者が必要な画像を装置の上から指定するなどの方法により、必要な時だけ画像を読み取るため、消費電力を低くすることができる。この為、本発明は携帯性に優れた撮像機能一体型表示装置を提供できる。
【００６１】
本発明によれば、利用者が装置を印刷物の上に置いた状態で、印刷物の内容を直接閲覧することができる。更に、利用者が必要な画像を装置の上から指定するなどの方法により、必要な時だけ画像を読み取るため、消費電力を低くすることができる。
【００６２】
以上、詳細に説明したように、本発明は、画像読み取り中も、読み取り対象物の閲覧が可能である撮像機能一体型表示装置、或いは装置を動かした場合でも、すぐに印刷物の内容を閲覧でき、携帯性に優れた撮像機能一体型表示装置を提供することが出来る。
【００６３】
以下に、本発明の主な諸形態を列挙する。
【００６４】
（１）透明基板上に複数の光センサを平面状に並べた撮像機能一体型表示装置であって、該撮像機能一体型表示装置は透明であるため、画像読み取り中も、同時に読み取り対象物の内容の閲覧が可能であることを特徴とする撮像機能一体型表示装置。
【００６５】
（２）前記撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び薄膜トランジスタを有しており、前記光センサの遮光膜は、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同層の電極で形成されていることを特徴とする前記項目（１）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００６６】
（３）前記撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び薄膜トランジスタを有しており、前記光センサの遮光膜は、前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同層の電極で形成されていることを特徴とする前記項目（１）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００６７】
（４）前記撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び薄膜トランジスタを有しており、前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極及びソース・ドレイン電極が透明電極で形成されていることを特徴とする前記項目（１）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００６８】
（５）前記撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び薄膜トランジスタを有しており、前記ゲート線及び前記信号線が透明電極で形成されていることを特徴とする前記項目（１）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００６９】
（６）前記撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び薄膜トランジスタ及び発光素子を有していることを特徴とする前記項目（１）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７０】
（７）前記光センサの遮光膜は、前記発光素子を構成する電極と同層の電極で形成されていることを特徴とする前記項目（６）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７１】
（８）前記光センサと前記発光素子は、上下に重なって配置されていることを特徴とする前記項目（６）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７２】
（９）前記撮像機能一体型表示装置は、画像を読み取る時に前記読み取り対象物を照射する光源と、画像を表示する時に前記読み取り対象物の反射光を遮光する手段とを有することを特徴とする前記項目（６）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７３】
（１０）前記光源はバックライトであり、前記遮光する手段は液晶により構成されることを特徴とする前記項目（９）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７４】
（１１）透明基板上に複数の光センサを平面状に並べた撮像機能一体型表示装置であって、該装置は透明であるため、読み取り対象物と前記装置を重ねた状態で、前記読み取り対象物の閲覧が可能であり、前記装置は撮像領域を指定する手段を有しており、必要に応じて、前記手段によって指定された領域の画像を読み取ることを特徴とする撮像機能一体型表示装置。
【００７５】
（１２）透明基板上に複数の光センサを平面状に並べた撮像機能一体型表示装置であって、該撮像機能一体型表示装置は、前記透明基板上に複数のゲート線と、該複数のゲート線とマトリクス状に交差する複数の信号線とを有し、前記ゲート線と前記信号線によって囲まれた画素領域に前記光センサ及び光透過領域を有しており、画像読み取り中も、同時に前記光透過領域を通して読み取り対象物の内容の閲覧が可能であることを特徴とする撮像機能一体型表示装置。
【００７６】
（１３）前記光センサは、基板側から順にゲート絶縁膜、層間絶縁膜、表面を覆う保護絶縁膜を有しており、前記光透過領域では少なくとも前記層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする前記項目（１２）に記載の撮像機能一体型表示装置。
【００７７】
（１４）透明基板上に複数の光センサを平面状に並べた撮像装置と画像表示装置を別々の領域に設けた撮像機能一体型表示装置であって、前記撮像装置は透明であるため、画像読み取り中も、同時に読み取り対象物の内容の閲覧が可能であることを特徴とする撮像機能一体型表示装置。
【００７８】
（１５）前記撮像装置は、画像読み取り時の光源としてフロントライトを有することを特徴とする前記項目（１４）に記載の撮像機能一体型表示装置。
主な符号を説明する。
【符号の説明】
【００７９】
１…透明基板、２…画素、３…集積回路、４…印刷物、５…タッチペン、６…読み取り画像、７…画像読み取り領域、８…撮像領域、９…表示領域、ＳＵＢ…透明基板、ＳＮＲ…光ダイオード、ＡＭＰ…信号変換・増幅回路、ＬＥＤ…発光素子、ＯＰＮ…光透過領域、ＳＷ１…有機発光ダイオード駆動用ＴＦＴ回路、ＳＷ２…液晶駆動用ＴＦＴ回路、Ｌ１…層間絶縁膜、Ｌ２…保護絶縁膜、Ｌ３…バッファ層、Ｌ４…ゲート絶縁膜、Ｌ５…酸化シリコンからなる層間絶縁膜、Ｌ６…窒化シリコンからなる層間絶縁膜、Ｌ７…有機発光材料、Ｍ１…遮光膜、Ｍ２…発光素子の下部電極、Ｍ３…発光素子の上部電極、ＧＥ…ゲート電極、ＳＤ…ソース・ドレイン電極、ＰＳ…多結晶シリコン膜、Ｒ１…ソース拡散層、Ｒ２…ドレイン拡散層、Ｒ３…カソード層、Ｒ４…アノード層、Ｒ５…真性領域、ＬＴ１…光源、ＬＴ２…導光板、ＬＣ…液晶、２０…フロントライト、３０…透明基板、３１…画素、３２…凸レンズ、１００…反射光が光ダイオード到達、１０１…光キャリア発生、１０２…読み取り画素選択、１０３…光キャリア増幅、１０４…２次元画像情報取得、１０５…データ認識・変換、１０６…反射光の遮光、１０７…画像表示。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０】
0004759511.tif 000014
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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