(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の周波数で交番する第１の信号および前記第１の周波数より低い第２の周波数で交番する第２の信号を送信する手段と、
磁界でバイアスすると前記第１の周波数で共振するようになっている強磁性磁歪部材を備えるＥＡＳマーカと、前記第２の信号は、該ＥＡＳマーカが前記第１の信号および前記第２の信号に曝されると、前記第１の周波数付近の共振を変調し、それによって前記第１の信号の側波帯を形成して放射し、
前記側波帯を検出する手段と、
を備える磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）システム。
【請求項２】
前記第１の周波数は約５８ｋＨｚであり、前記第２の周波数は約２００Ｈｚである、請求項１のシステム。
【請求項３】
前記第１の信号および前記第２の信号のうちの少なくとも１つはパルス化される、請求項１のシステム。
【請求項４】
前記磁界はＤＣ磁界を含む、請求項１のシステム。
【請求項５】
前記ＥＡＳマーカは、前記強磁性磁歪部材に隣接して配置された磁化できる強磁性部材をさらに備え、該磁化できる強磁性部材は、磁化されると前記ＤＣ磁界を供給する、請求項４のシステム。
【請求項６】
前記強磁性磁歪部材は、前記磁歪部材の線形磁気応答領域で前記第１および前記第２の信号を混合する、請求項１のシステム。
【請求項７】
第１の周波数で交番する第１の信号および前記第１の周波数より低い第２の周波数で交番する第２の信号を送信するステップと、
磁界でバイアスすると前記第１の周波数で共振するようになっている強磁性磁歪部材を備えるＥＡＳマーカを設けるステップと、前記第２の信号は、前記ＥＡＳマーカが前記第１の信号および前記第２の信号に曝されると、前記第１の周波数の付近の共振を変調し、それによって前記第１の信号の側波帯を形成し放射し、
前記側波帯を検出するステップと、を備える、
バイアス磁界に曝された時に、予め選択された周波数で共振する強磁性磁歪部材を有するタイプの磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）マーカの検出力を高める方法。
【請求項８】
前記送信するステップは、約５８ｋＨｚで前記第１の周波数そして約２００Ｈｚで前記第２の周波数を送信するステップを含む、請求項７の方法。
【請求項９】
前記送信するステップは、前記第１の信号および前記第２の信号のうちのパルス化された少なくとも１つを送信するステップを含む、請求項７の方法。
【請求項１０】
前記ＥＡＳマーカを設けるステップは、ＤＣ磁界でバイアスすると共振するために用いられる前記ＥＡＳマーカを設けるステップを含む、請求項７の方法。
【請求項１１】
前記ＥＡＳマーカを設けるステップは、前記磁歪部材に隣接して配置された磁化できる強磁性部材を設けるステップを含み、前記強磁性部材は、磁化されると前記ＤＣ磁界を供給する、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記ＥＡＳマーカを設けるステップは、前記強磁性磁歪部材の線形磁気応答領域で前記信号を混合するＥＡＳマーカを設けるステップを含む、請求項７の方法。
【請求項１３】
第１の周波数で交番する第１の搬送波信号および複数の第２の周波数で交番する複数の第２の変調信号を送信する手段と、前記複数の第２の周波数は全て前記第１の周波数より低く、前記複数の第２の信号の各々はそれぞれのゾーンに送信される、
磁界でバイアスすると前記第１の周波数で共振する強磁性磁歪部材を備えるＥＡＳマーカと、前記複数の第２の信号の各々は、該ＥＡＳマーカが前記第１の信号および前記第２の信号の各々に曝されると、前記第１の周波数付近の共振を変調し、それによって前記第１の信号の側波帯を形成して放射し、
前記側波帯を検出し、前記複数の第２の信号のうちどれが前記マーカで受信されたか、および検出時にどのゾーンに前記マーカがあるかを前記側波帯から決定する手段とを備える、
磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）システム。
【請求項１４】
第１の周波数で交番する第１の搬送波信号および複数の第２の周波数で交番する複数の第２の変調信号を送信するステップと、前記複数の第２の周波数は全て前記第１の周波数より低く、前記複数の第２の信号の各々はそれぞれのゾーンに送信され、
磁界でバイアスすると前記第１の周波数で共振するように適用されている強磁性磁歪部材を備えるＥＡＳマーカを設けるステップと、前記複数の第２の信号の各々は、前記ＥＡＳマーカが前記第１の信号および前記第２の信号の各々に曝されると、前記第１の周波数付近の共振を変調し、それによって前記第１の信号の側波帯を形成して放射し、
前記側波帯を検出するステップと、
該側波帯から、前記複数の第２の信号のどれが前記マーカで受信されたか、および検出時にどのゾーンに前記マーカがあったかを決定するステップとを含む、バイアス磁界に曝されると予め選択された周波数で共振する強磁性磁歪部材を有するタイプの磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）マーカの検出力を高める方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
発明の分野
本発明は、磁気機械的な電子物品監視システムおよび方法に関し、特に、磁気機械的なマーカからの側波帯信号の発生および検出に関する。
関連技術の説明
電子物品監視（ＥＡＳ）システムは、管理された領域から物品の未許可の移動を防止または制止することがよく知られている。通常のＥＡＳシステムでは、管理された領域の出口に配置された電磁界と相互作用するようになっているマーカが、保護されるべき物品に取り付けられる。マーカが電磁界、すなわち「呼掛けゾーン」にもたらされた場合、マーカの存在は検出されて、警報を発生するなどの、適当な処置がとられる。
【０００２】
いくつかのタイプのＥＡＳシステムおよびマーカが現在知られている。あるタイプにおいて、マーカは、共振回路を形成するアンテナとダイオードあるいはアンテナとコンデンサのいずれかを含む。アンテナとダイオードを有するマーカは、呼掛け装置によって送信された電磁界の中に置かれると、受信アンテナに呼掛け周波数の高調波を発生する。共振回路マーカは、送信された信号の吸収を増加させて、受信コイルの信号を減少させる。受信コイル中の高調波または信号レベル変化の検出はマーカの存在を示す。
【０００３】
高調波発生マーカおよび共振回路マーカによる問題のうちの１つは、遠隔距離での検出が困難なことである。高調波発生および共振回路マーカに関する別の問題は、ベルトのバックル、ペン、ヘアクリップおよび他の金属物体のような他の部品により発生する疑似信号とマーカ信号を区別することが困難なことである。
【０００４】
米国特許第４，６６０，０２５号は、大きいバルクハウゼン不連続を示す磁気ヒステリシス・ループを有する磁気材料を利用した、改良型高調波発生マーカを開示している。磁気材料は、材料の瞬時磁気分極に対抗する方向の磁界強度が所定の閾値を超える外部磁界に曝されると、材料の磁気分極の修復性反転をもたらす。大きいバルクハウゼン不連続を示す磁気材料を有するマーカを利用する結果、より容易に検出される振幅を有する高次高調波が生成される。しかしながら、これらの改良型高調波発生マーカを利用しても依然として誤認警報の可能性がある。
【０００５】
高調波発生マーカは、検出のために必要とされる高調波信号を発生するために磁気材料の非線形挙動に依存する。より頑強なＥＡＳシステムは、磁気共振器が線形磁気応答領域で動作する磁気機械的または磁気音響マーカを利用する。
【０００６】
米国特許第４，５１０，４８９号および第４，５１０，４９０号はそれぞれ、電子物品監視（ＥＡＳ）システムおよび関連の磁気機械的マーカを開示している。磁気機械的なマーカは、バイアス磁界の存在下で特定の周波数に応答して共振する磁歪材料で作られた共振要素を含む。バイアス磁界は通常、磁歪材料に隣接して配置された強磁性要素によって供給される。強磁性要素は、磁化されると、磁歪材料がその予め選択された共振周波数で共振することができるようにするバイアス磁界を供給する。マーカは、マーカの共振周波数で呼掛けコイルおよび受信コイル間でのカップリングの変化を検出することによって検出される。
【０００７】
マーカがマーカの共振周波数で呼掛けられ検出されるので、送信された呼掛け周波数はマーカの検出に干渉する。したがって、バースト化またはパルス化された磁気機械的なＥＡＳシステムが好ましい。パルス化されたシステムにおいては、送信器はマーカを励起するために一定の持続期間の間、５８ｋＨｚなどの予め選択された周波数で信号を発生する。受信器は送信期間の間ディセーブルされる。その後、受信器は、マーカの共振包絡線を検出するよう起動されるが、このとき、共振包絡線は時間とともに減衰し、これは「リング・ダウン」と一般に呼ばれる。高い品質係数（Ｑ）応答を有するマーカは、パルス化されたシステムにおける良好な検出に必要であり、これにより、ほとんど誤認警報がなくなり、遠隔距離からの検出が可能になる。パルス化された磁気機械的な機構は最高品質および最高の機能を有するＥＡＳシステムにおいて今まで入手されているが、まだ改良の余地がある。
【０００８】
受信器は通常、送信パルスの発生後、受信器の検出窓をわずかに遅延させる起動後の初期化期間を含む。さらに、有限長の送信パルスによって、マーカは、送信器が停止する前に、完全にエネルギーを蓄積するのに十分な時間がない場合があるため、マーカはより低いエネルギー・レベルからリング・ダウンし始める可能性がある。したがって、検出窓は、マーカがその利用できる格納エネルギーの一部を既に失った時間にシフトされて、検出をより難しくする。磁気機械的なマーカのための信号の発生および検出方法の改善が望まれている。
【０００９】
発明の簡単な概要
側波帯検出は、高調波および磁界の擾乱検出を改善することができる。高調波の検出において、または基本周波数の検出において、搬送波信号は、それ自体が雑音源である。ＥＡＳマーカから検出されている信号は小さいため、少量の搬送波雑音でさえ所望の信号を隠してしまう。側波帯検出を用いる場合、搬送波周波数は、側波帯の検出を隠す重大な雑音源でない。
【００１０】
本発明の第１の態様において、変調信号を発生し検出するために磁気機械的なマーカを用いる電子物品監視システムが提供される。第１の周波数での第１の信号および第２の周波数での第２の信号は、呼掛けゾーンに送信される。第２の周波数は、第１の周波数より低い周波数の磁界である。磁歪材料を有する磁気機械的なマーカは、呼掛けゾーンを通過する物品に取り付けられる。マーカの磁歪材料は、磁界で所定のレベルにバイアスすると、第１の周波数で共振する。第２の信号は、マーカの共振周波数を第２の信号の低周波交番磁界によって第１の周波数付近でシフトさせる、マーカのバイアスを引き起こす低周波磁界である。変調に関して、第１の信号は搬送波信号であり、第２の信号は、マーカが行なう２つの信号の変調のための変調信号である。変調信号は、第２すなわち変調周波数の倍数だけ、第１すなわち搬送波周波数からずれた第１の周波数の側波帯を形成する。適当な受信設備での側波帯信号の検出は、呼掛けゾーンにおけるマーカの存在を示す。
【００１１】
本発明の第２の態様において、バイアス磁界に曝されると予め選択された周波数で共振する強磁性磁歪要素を有するタイプの磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）マーカの検出力を高める方法が提供される。この方法は、第１の周波数で第１の信号を、かつ、第２の周波数で第２の信号を呼掛けゾーンに送信することを含む。第２の信号は、第１の信号より周波数が低い。呼掛けゾーンにＥＡＳマーカを置くことによって、磁歪材料が磁界によって所定のレベルにバイアスする時に、第１の周波数で共振するようにさせる。第２の信号は、マーカの共振周波数を第２の信号交番磁界によって第１の周波数付近でシフトさせる低周波磁界であって、これにより第１の信号の変調および第１の周波数の側波帯の形成をもたらす。側波帯の検出は、呼掛けゾーンにおける妥当なマーカの存在を指す。
【００１２】
本発明の上記態様において、磁歪材料のためのバイアス磁界は、第２の信号を利用して生成されたような送信磁界、または異なる送信磁界であってよい。好ましくは、バイアス磁界は、磁歪材料に隣接して配置された磁化できる強磁性部材によって実施することができるＤＣ磁界である。強磁性部材は磁化されると、バイアスＤＣ磁界を供給する。
【００１３】
本発明の一実施形態において、第１の周波数は約５８ｋＨｚであり、第２の周波数が約２００Ｈｚである。これらの周波数は一例であるが、他の周波数も実施することができる。第１および第２の信号は、連続波（ＣＷ）であることができ、側波帯検出は、第１および第２の信号の送信と同期して実行することができる。同期した検出により、送信器または受信器の複雑な切り換えの必要性がなくなる。あるいは、第１の信号、第２の信号または両方の信号は、パルス化することができる。さらに、マーカの強磁性磁歪材料は、材料の線形磁気応答領域で第１および第２の信号を混入させる。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、磁界でバイアスすると第１の周波数で共振し、第１の周波数および第２の周波数を混合して第１の検出可能な周波数の側波帯を生成する磁歪材料を有するタイプの磁気機械的なＥＡＳシステムを提供することである。
【００１５】
本発明のさらなる目的は、磁界でバイアスすると第１の周波数で共振し、線形磁気応答領域において第１の周波数および第２の周波数を混成して第１の検出可能な周波数の側波帯を生成する磁歪材料を有するタイプの磁気機械的なＥＡＳシステムを提供することである。
【００１６】
本発明のさらに別の目的は、バイアス磁界に曝されると予め選択された周波数で共振し、第１の周波数および第２の周波数を混合して第１の検出可能な周波数の側波帯を生成する強磁性磁歪要素を有するタイプの磁気機械的な電子物品監視（ＥＡＳ）マーカの検出を向上させる方法を提供するである。
【００１７】
本発明の他の目的、利点および応用は、本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な記述によって明白にされる。
発明の詳細な説明
図１を参照すると、本発明によるＥＡＳシステムは、全体的に１０で示され、磁気機械的なマーカ２、共振周波数送信器４、低周波送信器６、呼掛けゾーン７および受信器８を備える。呼掛けゾーン７は通常、マーカ２を取り付けることができる品目の移動を防止するために管理された領域の出口に置かれる。共振周波数送信器４および低周波送信器６は、以下で十分に説明するように、両方とも呼掛けゾーン７に向けて送信する。マーカは、能動的な磁気機械的なマーカ２が呼掛けゾーン７に置かれると、送信された２つの周波数をマーカが混合することによって側波帯を発生する。呼掛けゾーン７でマーカ２の存在を指示する少なくとも１つの側波帯は、受信器８で検出される。
【００１８】
図２を参照すると、磁気機械的なマーカ２は、磁界でバイアスすると予め選択された共振周波数で機械的に共振するようになっている強磁性磁歪材料で作られた共振器１２を含む。送信器４によって送信された周波数は、マーカ２の共振周波数付近であるように予め選択される。一実施形態において、共振器１２に隣接して配置されたバイアス要素１４は、磁化されると共振器１２を磁気的にバイアスさせ、予め選択された共振周波数で共振させる、高い強制的な（coercive）強磁性要素である。あるいは、バイアス要素１４の代わりに、共振器１２は送信器６または異なる磁界（図示略）によって送信される低周波磁界によってバイアスすることができる。共振器１２は、機械的共振との干渉を防止するためにハウジング部材１８内の空洞１６に配置することができる。マーカ２に関するさらなる詳細は、米国特許第４，５１０，４８９号および第４，５１０，４９０号で入手可能である。
【００１９】
図３を参照すると、代表的な電磁界（ＢＨ）ループが、当該分野で知られているように、垂直方向のＢ軸および水平方向のＨ軸によって、共振器１２の磁歪材料について図示される。本発明に従って多くの別の寸法の共振器を焼きなまして実施することができるが、一例において、共振器１２は、約９エルステッド（Ｏｅ）の横異方性を有する磁界で焼きなまされる約０．５インチの幅および約１．５インチの長さの磁気リボンである。図３のＢ−Ｈループ測定値は、２０で示されるように、約±１４Ｏｅで飽和し、飽和点の間で実質的に直線である１．５インチ片を示している。
【００２０】
図３で図示されるリボンの共振周波数は、図４に示されるように、印加された外部ＤＣ磁界のレベルで決まる。共振は、６０．６ｋＨｚで開始し、磁界の増加に伴って、約１２Ｏｅで５５ｋＨｚの最小値に到達する。周波数はその後、材料がその磁気飽和点に到達した時に６０．５ｋＨｚに向かって急増する。
【００２１】
図５を参照すると、外部磁界強度の関数としてＡ１信号振幅が図示される。Ａ１振幅は、励起送信器がオフにされた後に、１ミリ秒計測されたマーカ信号出力である。振幅は磁界強度と共に増加し、約７．４Ｏｅ磁界で約３．２ｎＷｂの最大値に達する。信号は、その後徐々に減少し、飽和に向かってＤＣ磁界がさらに増加する。適切なマーカ動作のために、共振器１２は約６〜７Ｏｅでバイアスする必要がある。この領域では、図４に図示されるように、共振周波数はＯｅの単位磁界強度当たり約６５０Ｈｚシフトする。図２に示される隣接した高い強制的な磁気バイアス要素１４は、バイアス磁界を提供するのが好ましい。
【００２２】
図６を参照すると、品質係数（Ｑ）が外部磁界強度の関数として図示される。Ｑは、共振器の損失的の程度を示す。Ｑが高ければ高いほど、共振器の損失が低く、送信器の電源がオフにされた後のリング・ダウン時間が長い。共振器のＱは、約１２Ｏｅの最小値に到達するまでバイアスＤＣ磁界と共に減少する。
【００２３】
図７を参照すると、上述されたように共振器１２によるマーカ２の周波数応答が図示される。垂直軸上の相対マーカ信号レベルが、水平軸上の掃引周波数に対して示される。この実施形態において、共振周波数は５８．２ｋＨｚであり、Ｑは３８０である。２２で示される反共振周波数は、磁気機械的カップリングによる。上記から、共振周波数が外部磁界のエルステッド当たり６５０Ｈｚシフトすることがわかる。低周波交番磁界の印加は、共振周波数をシフトし、共振励起周波数とともに、低周波磁界と同期しているピーク・マーカ応答に変動が生じる。マーカ応答は、低周波数変調磁界によって共振または「搬送波」周波数の変調として現れる。
【００２４】
図８を参照すると、５８ｋＨｚの搬送波周波数および２００Ｈｚの変調信号の混合応答が、本発明に従って作られるマーカ２について図示される。５８ｋＨｚの搬送波の磁界強度は約０．５８ｍＯｅであり、２００Ｈｚの変調周波数の磁界強度は約９．７６ｍＯｅである。変調から生じる共振周波数３０および第１の側波帯３２は、第２の側波帯３３とともにはっきりとわかる。第１の側波帯３２は、予期されるように、基本、すなわち共振周波数３０から±２００Ｈｚ離れている。上述されるように、共振器１２は約６〜７ＯｅのＤＣ磁界でバイアスする。再び図３を参照すると、共振器１２は、２０で示す線形磁気応答領域での動作中に変調を実行している。
【００２５】
図９を参照すると、０．５８ｍＯｅ磁界での５８ｋＨｚの搬送波周波数および２００Ｈｚの変調信号での混合応答が、本発明に従って作られるマーカ２について図示される。図８の場合のように、５８ｋＨｚの搬送波周波数は、０．５８ｍＯｅの磁界レベルにある。２００Ｈｚの変調周波数は、３８．９ｍＯｅより高い磁界レベルにある。共振周波数３５および基本、すなわち共振周波数３５から±２００Ｈｚの第１の側波帯３６は、共振周波数３５から±４００Ｈｚの第２の側波帯３８と同様に、低周波信号より大きい磁界強度ではっきりとわかる。
【００２６】
図１０を参照すると、基本周波数およびその側波帯成分の信号比率が、低周波信号振幅の関数として図示される。第１の側波帯は、左右に対して２４および２５で示され、それぞれ基本周波数より２００Ｈｚ低く、２００Ｈｚ高い。第２の側波帯は、左右に対して２６および２７で示され、すなわち、それぞれ基本周波数より４００Ｈｚ低く、４００Ｈｚ高い。曲線の傾斜によって、第１の側波帯２４および２５は、低周波磁界の振幅に線形比例していることが明白である。第２の側波帯２６および２７は、低周波磁界強度の二乗に比例している。搬送波周波数へのマーカの応答は線形であり、有効透磁率は約２０，０００である。
【００２７】
したがって、低周波信号の磁界強度は、基本および側波帯成分間の比率を決定することが明白である。低周波磁界が増加すると、第１の側波帯は低周波信号の磁界強度と線形に上昇する。第２の側波帯は、低周波信号の磁界強度の二乗に従って増加する。基本のレベルは、低周波磁界強度が増加された時に基本に対する側波帯の比率が増加するように、搬送波周波数に依存する。基本および側波帯での正味エネルギーは、搬送波信号の磁界強度によって決定される。
【００２８】
図１１を参照すると、搬送波周波数に関するマーカ２の応答が図示される。励起周波数がマーカの共振周波数に匹敵する時に、基本成分での著しい利得が４０で明白である。基本周波数の応答は、この実施形態において５８．２ｋＨｚで最大４０を有する。
【００２９】
図１２を参照すると、励起周波数に対する左側の第１の側波帯４２および右側の第１の側波帯４４の応答が図示される。側波帯振幅は、マーカの共振周波数の周りに著しい利得を示し、左側の第１の側波帯４２および右側の第１の側波帯４４の最大ピークはそれぞれ、５８．０ｋＨｚおよび５８．４ｋＨｚで発生する。
【００３０】
図１を引用して、上述され図示されるように、マーカ２が発生した変調側波帯は受信器８で検出できる。受信器８は、当該分野で知られている従来の方法で実施することができる変調側波帯信号を処理する側波帯検出器を含む。複数の変調している低周波信号は、検出されたマーカ２の位置を突き止めるために別々のゾーンに送信することができる。
【００３１】
図１３を参照すると、本発明を組み込んだＥＡＳシステムのための別の実施形態が図示される。１つまたは複数の共振周波数送信器５０は、ゾーン５２、５３および５４に例えば５８．２ｋＨｚであり得る搬送波周波数を送信する。３つのゾーンＺ１、Ｚ２およびＺ３は図示されるが、いかなる数のゾーンも本発明に従って実施することができる。低周波送信器５６、５８および６０は、例えばそれぞれ２００Ｈｚ、２５０Ｈｚおよび３００Ｈｚであり得る３つの異なる変調周波数Ｔ１、Ｔ２およびＴ３を送信する。１つまたは複数の受信器６２は、上記のように、ゾーン５２、５３または５４のいずれかにおいてマーカ２が発生する側波帯を検出する。２００Ｈｚ、２５０Ｈｚまたは３００Ｈｚのような検出された側波帯周波数Ｔ１、Ｔ２またはＴ３は、受信器６２で検出された時に、ゾーン・マーカ２が中にあることを示す。
【００３２】
好ましい実施形態として選択および上述されたマーカは、変調周波数および振幅、搬送波周波数および振幅、ＤＣバイアス磁界レベル、ならびにＱ係数のような種々の励起条件に依存する混合能力を含む。上記から、マーカ搬送波および変調周波数、基本および側波帯の振幅、ならびに基本振幅に対する側波帯振幅の比率が全て選択可能なパラメータであることは明らかである。
【００３３】
本発明の変形例および修正例は、本発明の範囲から逸脱せずに作ることができることを理解すべきである。本発明の範囲は、本明細書に開示された特定の実施形態に限定するものと解釈すべきでなく、前述の開示に鑑みて読まれる時に、併記の特許請求項のみに従うと解釈すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を組み込んだ電子物品監視システムのブロック図である。
【図２】本発明によるマーカの１つの実施形態の分解斜視図である。
【図３】本発明で使用される強磁性磁歪共振器の１つの実施形態のＢＨループを示しているグラフである。
【図４】外部磁界強度の関数として図３の共振器の共振周波数を示しているグラフである。
【図５】外部磁界強度の関数として図４の共振器からの信号の振幅を示しているグラフである。
【図６】外部磁界強度の機能として図４の共振器の品質係数Ｑを示しているグラフである。
【図７】本発明によるマーカの周波数応答を示しているグラフである。
【図８】５８ｋＨｚの搬送波周波数および２００Ｈｚの変調信号での本発明によるマーカの混合応答を示しているグラフである。
【図９】５８ｋＨｚの搬送波周波数および図８の磁界強度より高い磁界強度を有する２００Ｈｚの変調信号での本発明によるマーカの混合応答を示しているグラフである。
【図１０】低周波数の変調信号振幅の関数として、基本およびその側波帯の信号の比率を示しているグラフである。
【図１１】掃引された搬送波周波数に対する本発明によるマーカの応答のグラフである。
【図１２】本発明によるマーカの搬送波周波数の機能としての第１の側波帯の応答のグラフである。
【図１３】本発明を組み込んだ電子物品監視システムの別の実施形態のブロック図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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