(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位回路が配列された駆動装置で、
各単位回路は表示素子を駆動する駆動回路であって、
前記表示素子の一方の電極に、制御電極と第２電極間の電圧に従った電流を通電する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの制御電極に電圧を印加する第２のトランジスタと、
前記表示素子の一方の電極に電流を通電する第３のトランジスタと、
前記単位回路を選択するための走査信号が印加される第１の電極線と、
前記表示素子に電流を通電するための第２の電極線と、を有し、
前記第２および前記第３のトランジスタの制御電極は前記第１の電極線に接続され、
前記第１および前記第２のトランジスタの第１電極は第２の電極線に接続され、
前記第２のトランジスタの第２電極は前記第１のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第１のトランジスタの第２電極および前記第３のトランジスタの第１電極は前記表示素子の前記一方の電極に接続され、
前記第３のトランジスタの第２電極は隣接する前記単位回路の第１の電極線に接続されていることを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記第１のトランジスタの制御電極と第２電極との間に接続されたコンデンサを有することを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の駆動装置の駆動方法であって、
前記第１の電極線の１本に、前記第２および第３のトランジスタをオンさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に、前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する工程と、
前記第１の電極線に、前記第２および第３のトランジスタをオフさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に電圧を印加して前記第１のトランジスタに通電し、前記表示素子を活性化させる工程からなることを特徴とする駆動装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項１または２の駆動装置において、
前記第１の電極線に接続され、前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有する走査回路と、
前記第２の電極線に接続され、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有するデータドライバ回路と、を有することを特徴とする駆動装置。
【請求項５】
請求項４に記載の駆動装置の駆動方法であって、
前記走査回路が前記単位回路を選択する信号を前記第１の電極線の１本に出力する状態となるとき、前記データドライバ回路は前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態となり、
前記走査回路が第１の電極線の全てに前記単位回路を選択しない信号を出力する状態となるとき、前記データドライバ回路は前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態となることを特徴とする駆動装置の駆動方法。
【請求項６】
複数の単位回路が配列された表示装置で、
各単位回路は、
表示素子と、
前記表示素子の一方の電極に、制御電極と第２電極間の電圧に従った電流を通電する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの制御電極に電圧を印加する第２のトランジスタと、
前記表示素子の一方の電極に電流を通電する第３のトランジスタと、
前記単位回路を選択するための走査信号が印加される第１の電極線と、
前記表示素子に電流を通電するための第２の電極線と、を有し、
前記第２および前記第３のトランジスタの制御電極は前記第１の電極線に接続され、
前記第１および前記第２のトランジスタの第１電極は第２の電極線に接続され、
前記第２のトランジスタの第２電極は前記第１のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第１のトランジスタの第２電極および前記第３のトランジスタの第１電極は前記表示素子の前記一方の電極に接続され、
前記第３のトランジスタの第２電極は隣接する前記単位回路の第１の電極線に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記第１のトランジスタの制御電極と第２電極との間に接続されたコンデンサを有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の表示装置の駆動方法であって、
前記第１の電極線の１本に、前記第２および第３のトランジスタをオンさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に、前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する工程と、
前記第１の電極線に、前記第２および第３のトランジスタをオフさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に電圧を印加して前記第１のトランジスタに通電し、前記表示素子を活性化させる工程からなることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項６または７の表示装置において、
前記第１の電極線に接続され、前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有する走査回路と、
前記第２の電極線に接続され、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有するデータドライバ回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の表示装置の駆動方法であって、
前記走査回路が前記単位回路を選択する信号を前記第１の電極線の１本に出力する状態となるとき、前記データドライバ回路は前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態となり、
前記走査回路が第１の電極線の全てに前記単位回路を選択しない信号を出力する状態となるとき、前記データドライバ回路は前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態となることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は駆動装置および表示装置ならびに駆動装置および表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ、無機ＥＬまたはＬＥＤ等のように表示素子として発光素子がマトリクス状に配列されて、各発光素子が発光そることによって表示を行う発光素子型表示装置が知られている。特にアクティブマトリクス駆動方式の発光素子型表示装置は、高輝度、高コントラスト、高精細、低電力などの優位性を有しており、このような表示装置が近年開発され、特に有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】
かかる表示装置においては、１画素中に、有機ＥＬからなる発光素子およびこの発光素子をスイッチング駆動する複数の薄膜トランジスタを組み合わせたものがあり、例えば特許文献１によると、互いに平行に配列された複数の走査線および信号線と呼ばれる電極線が、透光性を有する基板上に形成され、これらの走査線および信号線に対して直交するように配列された複数の電源線と呼ばれる電極線も基板上に形成されている。
【０００４】
具体的には、例えば特許文献１に開示された技術によると、走査線、信号線および電源線に囲まれた領域に、アモルファスシリコンからなる３つの薄膜トランジスタが形成されており、さらにこの領域に１個の有機ＥＬ素子が設けられている。すなわち１個の画素に対して、３つのトランジスタおよび３本の電極線が設けられている。有機ＥＬ素子は、内部を流れる電流の単位面積あたりの値により発光強度（ｃｄ／ｍ2）が決まる特性を有している。
【０００５】
特許文献１に開示されている発光素子型表示装置の駆動装置について説明する。図６は特許文献１に開示されている発光素子型表示装置の駆動装置の構成を示す。
【０００６】
まず、図６の回路の構成を説明する。図６において、トランジスタ４２の制御電極は走査線４６に接続されている。トランジスタ４２のドレイン電極は、トランジスタ４１のドレイン電極および電源線４７に接続されている。トランジスタ４２のソース電極はトランジスタ４１のゲート電極およびコンデンサ４４の一方の電極に接続されている。トランジスタ４１のソース電極は、コンデンサ４４の他方の電極およびトランジスタ４３のドレイン電極に接続されている。トランジスタ４３のゲート電極は走査線４６に、ソース電極は信号線４８に接続されている。トランジスタ４４のソース電極、コンデンサ４４の他方の電極ならびにトランジスタ４３のドレイン電極は有機ＥＬ素子４５のアノード電極に接続されている。有機ＥＬ素子４５のカソード電極は基準電位Ｖｓｓに接続されている。基準電位Ｖｓｓは非選択期間（詳細は後述する）における電源線４７の電位以下であって、選択期間（詳細は後述する）における電源線４７の電位より高い。例えば、基準電位Ｖｓｓは接地電位である。トランジスタ４１，４２および４３はｎチャンネルアモルファスシリコン薄膜トランジスタである。
【０００７】
次に図６の回路の動作を説明する。
【０００８】
（選択期間）
選択期間では、走査線４６にハイレベルのオン電圧（基準電位Ｖｓｓより十分高い）が印加され、電源線４７にはローレベル（基準電位Ｖｓｓと同等またはＶｓｓより低い電位）が印加され、信号線４８には画像データに従った電流値のシンク電流が流される。したがって、コンデンサ４４には、トランジスタ４１に画像データに従った電流を通電させるようなゲート電極−ソース電極間の電圧差を生じさせる電荷がチャージされる。
【０００９】
（非選択期間）
非選択期間では、走査線４６にローレベルのオフ電圧（基準電位Ｖｓｓと等電位あるいは基準電位Ｖｓｓより低い）が印加され、電源線４７には基準電位Ｖｓｓより高いハイレベルの電圧が印加される。したがって、トランジスタ４２および４３はオフになり、コンデンサ４４は選択期間でチャージされた電荷を保持し続けて、トランジスタ４１はオン状態を維持し続ける。このときトランジスタ４１を流れる電流は有機ＥＬ素子４５に流れて有機ＥＬ素子４５が発光する。
【００１０】
また、かかる有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、その構造から、有機ＥＬ層の基板の側から光を取り出すボトムエミッション型と、基板の反対側から光を取り出すトップエミッション型に類別される。
【００１１】
トップエミッション型は開口率がほぼ１００％にできる反面、透明電極としてスパッタリング法を使用しないで薄膜を形成することが可能な材料を使用する必要があり、電極材料の選択が制限される。ボトムエミッション型は、駆動回路や配線のため開口率が低下するというデメリットがある反面、透明電極にスパッタリングによるＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）を使用することができるというメリットがある。
【００１２】
ＥＬ素子の駆動方法においては、特許文献１で開示されている電流プログラム法と呼ばれる駆動方法以外に、電圧プログラム法と呼ばれる駆動方法（非特許文献１参照）がある。電圧プログラム法は、劣化や温度変化などにともなうキャリヤの移動度変動によるスイッチングトランジスタの特性変動や発光素子の特性変動の影響を受け、同じ駆動電圧を与えても発光素子に供給される電流が異なってしまい、所望の発光強度で発光させることができないという問題があり、表示装置全体で素子特性がばらついた場合は表示装置の発光強度の均一性が悪化することにもなる。一方、電流プログラム法では、発光させる電流の大きさに対応した電圧を駆動回路に記憶させるため、スイッチングトランジスタや発光素子の特性が変化しても、所望の電流で駆動することができ、表示装置の発光強度の均一性の問題も生じない。
【特許文献１】特開２００３−１９５８１０号公報
【非特許文献１】ＳＩＤ２００３  ＩＢＭ  “ＴＦＴ  ＡＭＯＬＥＤ  Ｐｉｘｅｌ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  ａｎｄ  Ｄｒｉｖｉｎｇ  Ｍｅｔｈｏｄｓ”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
製造歩留まりの向上、駆動回路の小型化及び低コスト化という観点からは、各画素の回路構成を簡素化し、できるだけ少ないエレメントで回路を構成することが求められる。特に、バスラインの本数が多い場合は、実際の製造段階での断線発生による影響を受けやすくなり製造歩留まりの低下につながる恐れがあり、また、本数が多いために駆動回路も複雑化しやすくなるという問題がある。このため、バスラインの数を減らすことは非常に重要な命題である。しかしながら、上記特許文献１に開示される発明では、個々のバスラインにそれぞれ独自の機能が与えられており、その本数を少なくすることについて何ら考慮されていなかった。
【００１４】
したがって、本発明の課題とするところは、素子の劣化や温度変化の影響を受けにくい電流プログラム法を採用し、かつバスライン個々に与えられていた機能を特定のバスラインに重複して与えることにより、必要なバスラインの数を減らし、製造歩留まりを高くし、またバスラインを駆動する回路を小型化および低コスト化することが可能な駆動装置および表示装置ならびにそれらの駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
（請求項１）
複数の単位回路が配列された駆動装置で、
各単位回路は表示素子を駆動する駆動回路であって、
前記表示素子の一方の電極に、制御電極と第２電極間の電圧に従った電流を通電する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの制御電極に電圧を印加する第２のトランジスタと、
前記表示素子の一方の電極に電流を通電する第３のトランジスタと、
前記単位回路を選択するための走査信号が印加される第１の電極線と、
前記表示素子に電流を通電するための第２の電極線と、を有し、
前記第２および前記第３のトランジスタの制御電極は前記第１の電極線に接続され、
前記第１および前記第２のトランジスタの第１電極は第２の電極線に接続され、
前記第３のトランジスタの第１電極は前記表示素子の一方の電極に接続され、
前記第３のトランジスタの第２電極は隣接する前記単位回路の第１の電極線に接続されていることを特徴とする駆動装置。
【００１６】
（請求項２）
前記第１のトランジスタの制御電極と第２電極との間に接続されたコンデンサを有することを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【００１７】
（請求項３）
請求項１または２に記載の駆動装置の駆動方法であって、
前記第１の電極線の１本に、前記第２および第３のトランジスタをオンさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に、前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する工程と、
前記第１の電極線に、前記第２および第３のトランジスタをオフさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に電圧を印加して前記第１のトランジスタに通電し、前記表示素子を活性化させる工程からなることを特徴とする駆動装置の駆動方法。
【００１８】
（請求項４）
請求項１または２の駆動装置において、
前記第１の電極線に接続され、前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有する走査回路と、
前記第２の電極線に接続され、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有するデータドライバ回路と、を有することを特徴とする駆動装置。
【００１９】
（請求項５）
請求項４に記載の駆動装置の駆動方法であって、
前記走査回路は、
前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有し、
前記データドライバ回路は、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有することを特徴とする駆動装置の駆動方法。
【００２０】
（請求項６）
複数の単位回路が配列された表示装置で、
各単位回路は、
表示素子と、
前記表示素子の一方の電極に、制御電極と第２電極間の電圧に従った電流を通電する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの制御電極に電圧を印加する第２のトランジスタと、
前記表示素子の一方の電極に電流を通電する第３のトランジスタと、
前記単位回路を選択するための走査信号が印加される第１の電極線と、
前記表示素子に電流を通電するための第２の電極線と、を有し、
前記第２および前記第３のトランジスタの制御電極は前記第１の電極線に接続され、
前記第１および前記第２のトランジスタの第１電極は第２の電極線に接続され、
前記第３のトランジスタの第１電極は前記表示素子の一方の電極に接続され、
前記第３のトランジスタの第２電極は隣接する前記単位回路の第１の電極線に接続されていることを特徴とする表示装置。
【００２１】
（請求項７）
前記第１のトランジスタの制御電極と第２電極との間に接続されたコンデンサを有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【００２２】
（請求項８）
請求項６または７に記載の表示装置の駆動方法であって、
前記第１の電極線の１本に、前記第２および第３のトランジスタをオンさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に、前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する工程と、
前記第１の電極線に、前記第２および第３のトランジスタをオフさせる電圧を印加し、前記第２の電極線に電圧を印加して前記第１のトランジスタに通電し、前記表示素子を活性化させる工程からなることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【００２３】
（請求項９）
請求項６または７の表示装置において、
前記第１の電極線に接続され、前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有する走査回路と、
前記第２の電極線に接続され、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有するデータドライバ回路とを有することを特徴とする表示装置。
【００２４】
（請求項１０）
請求項９に記載の表示装置の駆動方法であって、
前記走査回路は、
前記単位回路を選択する信号を、前記第１の電極線の１本に出力する状態、および第１の電極線の全てに、前記単位回路を選択しない信号を出力する状態を有し、
前記データドライバ回路は、
前記表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する状態、および前記表示素子に電流を通電させるための電圧を出力する状態を有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に係る発明によれば、第３のトランジスタの第２電極が隣接する単位回路の第１の電極線に接続されているため、本発明の駆動装置は、第１の電極線および第２の電極線の２種類のバスラインで駆動することができる。したがって、回路に必要な要素が少なくなり、回路の面積も小さくなるため駆動装置の製造歩留まりを高くすることができる。
【００２６】
請求項２に係る発明によれば、第１のトランジスタの制御電極と第２電極間に電圧を保持するためのコンデンサが設けられている。したがって、表示素子に通電する電流を長時間にわたって安定して通電することができる。
【００２７】
請求項３に係る発明によれば、第１のトランジスタには表示素子を発光させるのと同等の電流を通電し、そのときの制御電極−第２電極間の電圧を容量に保持するので、第１のトランジスタや表示素子の特性が劣化や温度変化により変化しても、表示素子を活性化させる工程で、所望の電流を表示素子に通電させることができるため、安定した強度で表示素子の表示を行わせることができる。
【００２８】
また、本発明によると、表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する機能、および第１のトランジスタに通電し表示素子を活性化させる電圧を印加する機能の２つの機能を、第２の電極線に持たせている。したがって、バスラインとしては第１の電極線および第２の電極線の２種類が必要なだけである。そのため、表示素子を駆動するための回路要素が少なくなり、回路の面積も小さくなるため駆動装置の製造歩留まりを高くすることができる。
【００２９】
請求項４に係る発明によれば、複数の第１の電極線の１本のみに単位回路を選択する信号を出力するので、単位回路を選択する信号を出力する電極線を順次切り換えることにより、配列された駆動回路を走査しながら第１のトランジスタの制御電極−第２電極間に所望の電位差を保持させることができる。また、表示素子を活性化させる工程においては、第１の電極線のすべてに単位回路を選択しない信号を出力し、第２の電極線には表示素子に電流を通電するための電圧を印加するので、配列された全ての単位回路の表示素子が活性化される。したがって、配列された駆動回路を簡単な回路の構成によって走査すること、および表示素子を活性化することが可能である。
【００３０】
請求項５に係る発明によれば、複数の第１の電極線の一本のみに単位回路を選択する信号を出力するので、単位回路を選択する信号を出力する電極線を順次切り換えることにより、配列された駆動回路を走査しながら第１のトランジスタの制御電極−第２電極間に所望の電位差を保持させることができる。また、表示素子を活性化させる工程においては、第１の電極線のすべてに単位回路を選択しない信号を出力し、第２の電極線には表示素子に電流を通電するための電圧を印加するので、配列された全ての単位回路の表示素子が活性化される。したがって、配列された駆動回路を簡単な回路の構成によって走査すること、および表示素子を活性化することが可能である。
【００３１】
請求項６に係る発明によれば、第３のトランジスタの第２電極が隣接する単位回路の第１の電極線に接続されているため、本発明の表示装置は、第１の電極線および第２の電極線の２種類のバスラインで駆動することができる。したがって、回路に必要な要素が少なくなり、回路の面積も小さくなるため表示装置の製造歩留まりを高くすることができる。
【００３２】
請求項７に係る発明によれば、第１のトランジスタの制御電極と第２電極間に電圧を保持するためのコンデンサが設けられている。したがって、表示素子に通電する電流を長時間にわたって安定して通電することができる。
【００３３】
請求項８に係る発明によれば、第１のトランジスタには表示素子を発光させるのと同等の電流を通電し、そのときの制御電極−第２電極間の電圧を容量に保持するので、第１のトランジスタや表示素子の特性が劣化や温度変化により変化しても、表示素子を活性化させる工程で、所望の電流を表示素子に通電させることができるため、安定した強度で表示素子の表示を行わせることができる。
【００３４】
また、本発明によると、表示素子を活性化させるのと同等の電流を通電する機能、および第１のトランジスタに通電し表示素子を活性化させる電圧を印加する機能の２つの機能を、第２の電極線に持たせている。したがって、バスラインとしては第１の電極線および第２の電極線の２種類が必要なだけである。そのため、表示素子を駆動するための回路要素が少なくなり、回路の面積も小さくなるため駆動装置の製造歩留まりを高くすることができる。
【００３５】
請求項９に係る発明によれば、複数の第１の電極線の１本のみに単位回路を選択する信号を出力するので、単位回路を選択する信号を出力する電極線を順次切り換えることにより、配列された駆動回路を走査しながら第１のトランジスタの制御電極−第２電極間に所望の電位差を保持させることができる。また、表示素子を活性化させる工程においては、第１の電極線のすべてに単位回路を選択しない信号を出力し、第２の電極線には表示素子に電流を通電するための電圧を印加するので、選択された単位回路のすべての表示素子が活性化される。したがって、配列された駆動回路を簡単な回路の構成によって走査すること、および表示素子を活性化することが可能である。
【００３６】
請求項１０に係る発明によれば、複数の第１の電極線の１本のみに単位回路を選択する信号を出力するので、単位回路を選択する信号を出力する電極線を順次切り換えることにより、配列された駆動回路を走査しながら第１のトランジスタの制御電極−第２電極間に所望の電位差を保持させることができる。また、表示素子を活性化させる工程においては、第１の電極線のすべてに単位回路を選択しない信号を出力し、第２の電極線には表示素子に電流を通電するための電圧を印加するので、すべての表示素子が活性化される。したがって、配列された駆動回路を簡単な回路の構成によって走査すること、および表示素子を活性化することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
従来の駆動装置、例えば図６の駆動装置では、信号線４８には、選択期間において、画像データに従った大きさの電流を通電する機能のみを持たせ、電源線４７には、非選択期間において、トランジスタ４１および有機ＥＬ素子４５に発光電流を通電するための電圧を印加する機能を持たせていた。
【００３８】
しかしながら、本発明では、データ電極線（詳細は後述する）に、書き込み期間（詳細は後述する）において、画像データに応じた大きさの電流を通電する機能、および表示期間（詳細は後述する）において、第１のトランジスタおよび表示素子に通電される電流を供給するための電圧を印加する機能の２つの機能を持たせている。したがって、本発明によると、バスラインを１本減らすことができ、走査電極線およびデータ電極線の２本のバスラインによって表示素子を駆動することができる。
【００３９】
（第１の実施形態）
図を用いて本発明の第１の実施形態にかかる駆動装置および表示装置を説明する。図１および図２は第１の実施形態に係る駆動装置を用いた表示装置の構成を示す図である。図１および図２では説明の簡単のために単位回路の２行２列の配列としているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４０】
まず、本実施形態の構成を説明する。
【００４１】
図１において、符号１は表示装置であり、透明なガラス基板上にｎチャンネルアモルファスシリコントランジスタ、コンデンサ、配線、有機ＥＬ素子などが形成されている。符号２は走査回路として機能する走査ドライバ回路であり、行方向に並ぶ単位回路の数より１多い数の走査信号を出力する出力端子Ｇ1，Ｇ2およびＧ3を有している。符号３はデータドライバ回路であり、列方向に並ぶ単位回路の数と同数の出力端子Ｄ1およびＤ2を有している。データドライバ回路３は書き込み期間（詳細は後述する）においては表示素子に流すべき電流を出力し、表示期間（詳細は後述する）においては定電圧を出力する。符号４，５，６および７は単位回路である。符号Ｘ1，Ｘ2およびＸ3は第１の電極線である走査電極線であり、それぞれ走査ドライバ回路の出力端子Ｇ1，Ｇ2およびＧ3に接続されている。符号Ｙ1およびＹ2は第２の電極線であるデータ電極線であり、それぞれデータドライバ回路の出力端子Ｄ1およびＤ2に接続されている。それぞれの単位回路は以下の要素によって構成されている。ｍ、ｎを自然数として、符号Ｑ1（ｍ、ｎ）（ｍ＝１，２、ｎ＝１，２）は第１のトランジスタ、符号Ｑ2（ｍ、ｎ）（ｍ＝１，２、ｎ＝１，２）は第２のトランジスタ、符号Ｑ3（ｍ、ｎ）（ｍ＝１，２、ｎ＝１，２）は第３のトランジスタ、符号Ｃ（ｍ、ｎ）（ｍ＝１，２、ｎ＝１，２）はコンデンサ、符号ＥＬ（ｍ、ｎ）（ｍ＝１，２、ｎ＝１，２）は表示素子である有機ＥＬ素子である。
【００４２】
表示装置１から有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）を除いたものが駆動装置である。
【００４３】
第１のトランジスタＱ1（ｍ、ｎ）は、第１電極であるドレイン電極がデータ電極線Ｙ1，Ｙ2に接続され、制御電極であるゲート電極が第２のトランジスタＱ２（ｍ、ｎ）の第２電極であるソース電極およびコンデンサＣ（ｍ、ｎ）の一方の電極に接続され、ソース電極が有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）の一方の電極であるアノード電極およびコンデンサＣ（ｍ、ｎ）の他方の電極に接続されている。
【００４４】
第２のトランジスタＱ2（ｍ、ｎ）は、ソース電極が第１のトランジスタＱ1（ｍ、ｎ）のゲート電極およびコンデンサＣ（ｍ、ｎ）の一方の電極に接続され、ゲート電極が走査電極線Ｘ1，Ｘ2に接続され、ドレイン電極がデータ電極線Ｙ1，Ｙ2に接続されている。
【００４５】
第３のトランジスタＱ3（ｍ、ｎ）は、ドレイン電極が有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）のアノード電極およびコンデンサＣ（ｍ、ｎ）の他方の電極に接続され、ゲート電極が走査電極線Ｘ1，Ｘ2に接続され、ソース電極が隣接する単位回路の走査電極線Ｘ2，Ｘ3に接続されている。
【００４６】
符号８はカソード電極であり、すべての単位回路のカソード電極８は共通に接続されている。カソード電極８はバイアス電圧を供給するカソード電源９に接続されている。
【００４７】
なお、本実施形態におけるコンデンサＣ（ｍ、ｎ）については、素子間の浮遊容量で代用することも可能である。
【００４８】
次に、本実施形態の動作を説明する。
【００４９】
（書き込み期間）
図１は書き込み期間における、各電極線の電圧および電流の一例を示している。図１を参照して、走査信号として、走査電極線Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3のいずれか１本に選択電圧として高電圧を、他の電極線には非選択電圧として低電圧を、走査ドライバ回路２から出力する。ここでは例えば選択電圧として２０（Ｖ）を走査電極線Ｘ1に出力し、非選択電圧として０（Ｖ）を走査電極線Ｘ2，Ｘ3に出力したとする。選択電圧としてはトランジスタのスレッショルド電圧以上の電圧とする。これにより第２のトランジスタＱ2（１、１），Ｑ2（１、２）および第３のトランジスタＱ3（１、１），Ｑ3（１、２）がオンし、第１行目の単位回路４および５が選択される。データ電極線Ｙ1，Ｙ2には有機ＥＬ素子ＥＬ（１、１），ＥＬ（１、２）に流すべき電流Ｉ1，Ｉ2を、データドライバ回路３からそれぞれデータ電極線Ｙ1，Ｙ2に出力する。有機ＥＬ素子ＥＬ（１、１），ＥＬ（１、２）に流すべき電流Ｉ1，Ｉ2は表示装置１に表示すべき画像データに従って決定される。カソード電極８には有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）が逆バイアスになるように、例えば非選択電圧より高い電圧１０（Ｖ）がカソード電源９から印加される。
【００５０】
このとき、第２のトランジスタＱ2（１、１），Ｑ2（１、２）ならびに第３のトランジスタＱ3（１、１），Ｑ3（１、２）がオンし、有機ＥＬ素子ＥＬ（１、１），ＥＬ（１、２）は逆バイアスされているので、電流Ｉ１，Ｉ２はそれぞれ第１のトランジスタＱ1（１、１），Ｑ1（１、２）ならびに第３のトランジスタＱ3（１、１），Ｑ3（１、２）を流れて走査電極線Ｘ2に流出し、コンデンサＣ（１、１），Ｃ（１、２）には、それぞれ第３のトランジスタＱ3（１、１），Ｑ3（１、２）に、それぞれ電流Ｉ1，Ｉ2を流すための電圧が充電される。
【００５１】
次に、走査電極線Ｘ2に選択電圧を、走査電極線Ｘ1，Ｘ3に非選択電圧を出力し、第２行目の単位回路６，７を選択して、上述したのと同様に有機ＥＬ素子ＥＬ（２、１），ＥＬ（２、２）に流すべき電流Ｉ1，Ｉ2をデータドライバ回路３からデータ電極線Ｙ1，Ｙ2に出力して、コンデンサＣ（２、１），Ｃ（２、２）を充電する。
【００５２】
上述のように走査して、表示装置１上のすべての単位回路のコンデンサＣ（ｍ、ｎ）を充電する。
【００５３】
（表示期間）
図２は表示期間における、各電極線の電圧の一例を示している。図２を参照して、走査ドライバ回路２の出力端子Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3からは走査電極線Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3に非選択電圧の０（Ｖ）が出力され、データドライバ回路３の出力端子Ｄ1，Ｄ2からはデータ電極線Ｙ1，Ｙ2に２０（Ｖ）の電圧が出力され、カソード電極８には０（Ｖ）がカソード電源９から印加されている。データドライバ回路３から出力する電圧は、第１のトランジスタを飽和領域で駆動させるだけの電圧であり、すべての有機ＥＬ素子に供給する電流が出力可能な電流容量を有することが好ましい。
【００５４】
このとき、第２のトランジスタＱ2（ｍ、ｎ）および第３のトランジスタＱ3（ｍ、ｎ）はオフしているが、第１のトランジスタＱ1（ｍ、ｎ）はそのゲート電極−ソース電極間に設けたコンデンサＣ（ｍ、ｎ）にチャージされた電圧でオンし、有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）は順方向にバイアスされているので、書き込み期間において各コンデンサＣ（ｍ、ｎ）にチャージした電圧に従って、表示素子に流すべき所望の電流が、データ電極線Ｙ1，Ｙ2から第１のトランジスタＱ1（ｍ、ｎ）および有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）を通ってカソード電極８へ流れる。このようにして、有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）は表示すべき画素データに従って所望の明るさで発光する。
【００５５】
上述した本駆動装置の動作を、タイミングチャートを用いて説明する。図３は本実施形態の表示装置の各部の電圧および電流の時間変化を示した図である。縦軸は電圧または電流、横軸は時間を示す。
【００５６】
図３において、Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3は走査ドライバ回路２の出力端子の電圧、Ｄ1，Ｄ2はデータドライバ回路３の出力端子の電流および電圧、Ｖｃはカソード電極８の電圧である。ＩEL（１，１），ＩEL（１，２），ＩEL（２，１），ＩEL（２，２）はそれぞれ有機ＥＬ素子ＥＬ（１，１），ＥＬ（１，２），ＥＬ（２，１），ＥＬ（２，２）に流れる電流である。符号ＴWは書き込み期間、符号ＴDは表示期間を示す。
【００５７】
タイミングＴ1より前では、出力端子Ｇ1，Ｇ2，Ｇ3には非選択電圧の０（Ｖ）の電圧が出力され、出力端子Ｄ1，Ｄ2には０（Ｖ）が出力され、カソード電極８には０（Ｖ）が印加されている。このとき有機ＥＬ素子を流れる電流ＩEL（１，１），ＩEL（２，１），ＩEL（２，１），ＩEL（２，２）は０（Ａ）である。
【００５８】
タイミングＴ1において、出力端子Ｇ1には選択電圧の２０（Ｖ）の電圧が出力され、出力端子Ｄ1，Ｄ2には、それぞれ画像データに応じて有機ＥＬ素子ＥＬ（１，１），ＥＬ（１，２）に流すべき電流ＩW（１，１），ＩW（１，２）が出力され、カソード電極８には有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）が逆バイアスになる１０（Ｖ）の電圧が印加される。
【００５９】
タイミングＴ2において、出力端子Ｇ1の電圧は非選択電圧の０（Ｖ）にされ、出力端子Ｇ２の電圧は選択電圧の２０（Ｖ）にされ、出力端子Ｄ1，Ｄ2には、それぞれ有機ＥＬ素子ＥＬ（２，１），ＥＬ（２，２）に流すべき電流ＩW（２，１），ＩW（２，２）が出力される。このとき出力端子Ｇ1が２０（Ｖ）である期間と出力端子Ｇ2が２０（Ｖ）である期間は重なっていないことが好ましい。このタイミングにおいて、第２のトランジスタＱ2（１、１），Ｑ2（１、２）はオフになるので、コンデンサＣ（１，１），Ｃ（１，２）には、それぞれ第１のトランジスタＱ1（１，１），Ｑ1（１，２）に、それぞれ電流ＩW（１，１），ＩW（１，２）を流すためのゲート電極−ソース電極電圧が保持される。
【００６０】
タイミングＴ3において、出力端子Ｇ2の電圧は非選択電圧の０（Ｖ）にされ、よってすべての単位回路は非選択状態になる。このタイミングにおいて、第２のトランジスタＱ2（２、１），Ｑ2（２、２）はオフになるので、コンデンサＣ（２，１），Ｃ（２，２）には、それぞれ第１のトランジスタＱ1（２，１），Ｑ1（２，２）に、それぞれ電流ＩW（２，１），ＩW（２，２）を流すためのゲート電極−ソース電極電圧がチャージされる。
【００６１】
さらに、出力端子Ｄ1，Ｄ2には有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）を駆動するための電圧２０（Ｖ）が出力され、カソード電極８には有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）を順バイアスにする電圧０（Ｖ）が印加される。したがって、第１のトランジスタＱ1（ｍ，ｎ）および有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）には、Ｔ1からＴ3の期間においてコンデンサＣ（ｍ、ｎ）に保持された電圧に従った電流が流れ、表示装置１は所望の輝度で表示を行う。図３において電流ＩEL（１，１），ＩEL（１，２），ＩEL（２，１），ＩEL（２，２）の大きさは、それぞれＩW（１，１），ＩW（１，２），ＩW（２，１），ＩW（２，２）となる。
【００６２】
タイミングＴ4においては出力端子Ｇ1には再度選択電圧の２０（Ｖ）が出力され書き込み期間が始まる。
【００６３】
上述において、タイミングＴ1からＴ3までが書き込み期間、タイミングＴ3からＴ4までが表示期間となる。
【００６４】
図４は本実施形態に係る表示装置１の構成を示す断面である。図４は第１のトランジスタＱ1（ｍ，ｎ）および有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）を通る面での断面図である。
【００６５】
図４において、符号１は表示装置、符号１１は透明なガラス基板、符号１２はゲート電極である。ゲート電極１２は、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンもしくはチタン合金またはこれらの化合物であり、可視光の透過を遮断すると共に導電性を有するものである。
【００６６】
符号１３はＳｉＯ2，ＳｉＮなど絶縁性および透光性を有する材料によるゲート絶縁膜、符号１４はアモルファスシリコンによる半導体層、符号１５は有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）のアノード電極である。符号１６はドレイン電極、符号１７はソース電極であり、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、半導体層１４、ドレイン電極１６およびソース電極１７で第１のトランジスタＱ1（ｍ，ｎ）を形成している。
【００６７】
ドレイン電極１６およびソース電極１７は、クロム、クロム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンもしくはチタン合金またはこれらの化合物であり、可視光の透過を遮断すると共に導電性を有するものである。
【００６８】
符号１８はＳｉＯ2，ＳｉＮ，有機樹脂などによるパッシベーション層、符号１９は有機ＥＬ層、符号８は金属による電極で、有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）のカソード電極８となる。アノード電極１５、有機ＥＬ層１９およびカソード電極８は有機ＥＬ素子を構成している。
【００６９】
本表示装置１はボトムエミッション型と呼ばれる構成によるもので、有機ＥＬ層１９で発生した光は、表示装置１のガラス基板１１側から取り出される。
【００７０】
本実施形態で用いられる有機ＥＬ素子のアノード電極１５は、透光性および導電性を有している。さらにアノード電極１５は、有機ＥＬ層１９へ正孔を効率良く注入するものが好ましい。例えば、アノード電極１５としては、ＩＴＯ以外にＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム）、ＳｎＯ2（酸化スズ）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分としたものがある。
【００７１】
有機ＥＬ層１９は、例えば、アノード電極１５から順に正孔輸送層、発光層、電子輸送層となる３層構造であっても良いし、アノード電極１５から順に正孔輸送層、発光層となる２層構造であっても良いし、発光層からなる１層構造であっても良いし、その他の層構造であってもよい。
【００７２】
つまり、有機ＥＬ層１９は、正孔および電子を注入する機能、正孔および電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成して発光する機能を有する。有機ＥＬ層１９は、電子的に中立な有機化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が有機ＥＬ層１９内でバランス良く注入および輸送される。
【００７３】
なお、電子輸送性の物質が発光層に適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が発光層に適宜混合されていても良いし、電子輸送性の物質および正孔輸送性の物質が発光層に適宜混合されていても良い。
【００７４】
また、有機ＥＬ層１９の発光層には、発光材料が含有されている。発光材料としては、高分子系材料が用いられることになる。高分子系材料としては、ポリカルバゾール、ポリパラフェニレン、ポリアリーレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフルオレン、ポリシラン、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピリジン、ポリピリジンビニレン、ポリピロール系材料があげられる。また、高分子材料としては、上記高分子材料（ポリマー）を形成しているモノマーまたはオリゴマーの重合体もしくは共重合体、モノマーもしくはオリゴマーの誘導体の重合体もしくは共重合体、または、オキサゾール（オキサンジアゾール、トリアゾール、ジアゾール）もしくはトリフェニルアミン骨格を有するモノマーを重合した重合体もしくは共重合体を上げることができる。また、これらポリマーのモノマーとしては、熱、圧、ＵＶ、電子線などを与えることで上述の化合物を形成するモノマーおよびプレカーサポリマーを含むものである。また、これらモノマー間を結合する非共役系ユニットを導入してもかまわない。
【００７５】
このような高分子材料の具体的なものとしては、ポリビニルカルバゾール、ポリトデシルチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリスチレンスルフォン酸分散体変性物、ポリ９，９−ジアルキルフルオレン、ポリ（チエニレン−９，９−ジアルキルフルオレン）、ポリ（２，５−ジアルキルパラフェニレン−チエニレン）、（ジアルキル：Ｒ＝Ｃ１〜Ｃ２０）、ポリパラフェニレンビニレン、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチル−ペンチロキシ）−パラフェニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメチル−パラフェニレンビニレン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）、ポリ（２，５−ジメトキシパラフェニレンビニレン）、ポリ（１，４−パラフェニレンシアノビニレン）などが挙げられる。
【００７６】
また、発光材料としては、高分子系材料に限られるものではなく、低分子材料を蒸着して成膜させても良い。また、低分子材料の性質によっては、低分子材料を溶媒に溶かした状態で塗布して使用するものとしても良い。さらに低分子材料をドーパントとして高分子ポリマー中に分散させてもよく、その際のポリマーとしては、周知の汎用ポリマーを含む各種ポリマーを状況に応じて使用することができる。
【００７７】
低分子の発光材料（発光物質またはドーパント）としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキゾリン、ビススチリル、ピラジン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物など、４−ジメアノメチレン−４Ｈ−ピラン及び４−ジシアメノメチレン−４Ｈ−チオピラン、ジケトン、クロリン系化合物やこれらの誘導体が挙げられる。低分子発光材料の具体的なものとしては、Ａｌｑ３、クナクリドンなどが挙げられる。なお、発光材料は、上述のものに限定されるものではない。
【００７８】
発光層あるいは電子輸送層に含有する電子輸送性物質としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの８−キリノールまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などが挙げられる。
【００７９】
発光層あるいは正孔輸送層に含有する正孔輸送性物質としては、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキシジアゾール誘導体、ポリチオフェンなどが挙げられる。
【００８０】
有機ＥＬ層１９上に電極２０すなわちカソード電極８が形成されている。カソード電極８の材料としては、仕事関数の小さい材料が適している。カソード電極８の材料の具体的なものとして、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、カルシウム、もしくはバリウムもしくはこれらの合金またはこれら金属もしくは合金にリチウム、マグネシウムもしくはインジウムを含む化合物もしくは混合物などが挙げられる。また、カソード電極８は、以上の各種材料の層が積層された積層構造となっていても良く、具体的には、有機ＥＬ層１９から順に高純度のバリウム層、高純度アルミニウム層となる積層構造などが挙げられる。
【００８１】
以上のように、積層構造となる有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ、ｎ）では、アノード電極１５から正孔が有機ＥＬ層１９に注入され、カソード電極８から有機ＥＬ層１９に電子が注入される。そして、有機ＥＬ層１９の発光層へ正孔および電子が輸送されて、発光層にて正孔と電子が再結合するときに発光する。
【００８２】
本実施形態によると、表示装置を横断して形成されるバスラインとしては、単位回路を選択するための走査電極線および単位回路に電流を通電するためのデータ電極線の２種類のみでよい。従って従来技術による駆動装置よりも少ないバスラインしか有しないため、従来の駆動装置よりも製造歩留まりを高くすることができる。また、バスラインが少ないため、バスラインを駆動する回路も小型化および低コスト化できる。したがって、従来よりも低コストで駆動装置および表示装置を提供することが可能である。
【００８３】
本実施形態では本駆動装置を用いてボトムエミッション型の表示装置を構成している。従って、従来技術の表示装置よりもバスラインが少ない分だけ開口率の大きな表示装置を構成することができるので、従来よりも輝度の高い表示装置を提供することが可能である。また、従来と同様の輝度で表示する場合は、従来より少ない電力で表示することが可能である。したがって、本発明は、駆動装置の存在に開口率が左右されないトップエミッション型の表示装置に使用するよりも、ボトムエミッション型の表示装置に用いられることがより好ましい。
【００８４】
なお、本実施形態では、ｎチャンネルのトランジスタを用いて駆動装置を構成したが、使用するトランジスタとしてはｎチャンネルに限定されるものではなく、ｐチャンネルのトランジスタを用いても本発明の駆動装置を構成することは可能である。また、その場合の駆動方法においても、与える信号の電圧、電流の極性は本実施形態とは異なるものの、本実施形態と同様の動作をさせることは当業者にとって容易である。
【００８５】
本実施形態では、半導体層としてはアモルファスシリコンを用いたが、本発明に用いられる半導体層の材料としては、ポリシリコン、有機半導体などでも良い。
【００８６】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態は、使用する駆動回路は第１の実施形態と同じものであるが、表示装置の構成をトップエミッション型としたものである。したがって、表示装置の構成および駆動方法は第１の実施形態と同じであるのでその説明は省略し、表示装置の構成のみ説明する。
【００８７】
図５は本実施形態の駆動装置を用いた表示装置の構成を示す断面図である。図５は第１のトランジスタＱ1（ｍ，ｎ）および有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）を通る面での断面図である。
【００８８】
図５において、図４と同じ機能の要素には同じ番号を付した。符号２１は表示装置、符号１１はガラス基板、符号１２はゲート電極、符号１３はＳｉＯ2，ＳｉＮなどによるゲート絶縁膜、符号１４はアモルファスシリコンによる半導体層、符号１６はドレイン電極、符号１７はソース電極であり、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、半導体層１４、ドレイン電極１６およびソース電極１７で第１のトランジスタＱ1（ｍ，ｎ）を形成している。符号１８はＳｉＯ2，ＳｉＮ，有機樹脂などによるパッシベーション層、符号２２は有機樹脂などによる平坦化層、符号１５は有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）のアノード電極、符号１９は有機ＥＬ層、符号８は、有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）の透明なカソード電極である。アノード電極１５、有機ＥＬ層１９およびカソード電極８は有機ＥＬ素子を構成している。符号２３は第１のトランジスタのソース電極１７と有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）のアノード電極１５を電気的に接続するコンタクト電極である。
【００８９】
本表示装置２１はトップエミッション型と呼ばれる構成によるもので、有機ＥＬ層１９で発生した光は、表示装置２１のカソード電極８側から取り出される。
【００９０】
有機ＥＬ素子ＥＬ（ｍ，ｎ）のアノード電極１５の材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金、クロム合金などがある。
【００９１】
カソード電極８は、透光性を有する必要があり、有機ＥＬ層１９に近い方から、マグネシウムと銀の混合物の薄膜とＩＴＯまたはＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）の積層構造などの構成をとることができる。
【００９２】
有機ＥＬ層１９については、第１の実施形態と同様にすることができる。
【００９３】
本実施形態によると、表示装置を横断して形成されるバスラインとしては、単位回路を選択するための走査電極線および単位回路に電流を通電するためのデータ電極線の２種類のみでよい。従って従来技術による駆動装置よりも少ないバスラインしか有しないため、従来の駆動装置よりも製造歩留まりを高くすることができる。また、バスラインが少ないため、バスラインを駆動する回路も小型化および低コスト化出来る。従って従来よりも低コストで駆動装置および表示装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成およびその１つの動作状態を示す図である。
【図２】図１に示す表示装置の他の動作状態を示す図である。
【図３】第１の実施形態の表示装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図４】第１の実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図５】第２の実施形態の表示装置の構成を示す断面図である。
【図６】従来の技術による駆動装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
１  表示装置
２  走査ドライバ回路
３  データドライバ回路
４，５，６，７  単位回路
８  カソード電極
９  カソード電源
Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3  走査電極線
Ｙ1，Ｙ2  データ電極線
Ｑ1（ｍ，ｎ）  第１のトランジスタ
Ｑ2（ｍ，ｎ）  第２のトランジスタ
Ｑ3（ｍ，ｎ）  第３のトランジスタ
Ｃ（ｍ，ｎ）  コンデンサ
ＥＬ（ｍ，ｎ）  有機ＥＬ素子
【図１】
0004788216.tif 000002
【図２】
0004788216.tif 000003
【図３】
0004788216.tif 000004
【図４】
0004788216.tif 000005
【図５】
0004788216.tif 000006
【図６】
0004788216.tif 000007