(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子の表面を所定の溶質分子を含む液体表面へ向けて近接させつつ、上記光学素子に対して上記溶質分子の吸収端波長以上の光を照射し、
上記光学素子の表面が上記液体表面へほぼ接触した時において、上記照射した光に応じて上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記溶質分子を解離させてエッチングすること
を特徴とする光学素子の表面平滑化方法。
【請求項２】
塩素分子を含む溶質分子を含む上記液体へ上記光学素子の表面を接触させること
を特徴とする請求項１記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項３】
光の回折限界以下のピッチで上記凹凸が形成された光学素子を上記液体へ接触させること
を特徴とする請求項１又は２記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項４】
所望のエッチング形状に応じて、上記液体の液面に対する上記光学素子の表面の接触角度を調整すること
を特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項５】
溶質分子を含む液体中に光学素子を浸漬し、
上記溶質分子の吸収端波長以上の光を上記液体を通過させて上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも先鋭化部分に発生させた近接場光に基づいて上記溶質分子を解離させてエッチングすること
を特徴とする光学素子の表面平滑化方法。
【請求項６】
塩素分子を含む溶質分子を含む上記液体中に光学素子を浸漬すること
を特徴とする請求項５記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項７】
請求項１〜６のうち何れか１項に記載の光学素子の表面平滑化方法の工程を有すること
を特徴とする光学素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングして平滑化する際に好適な光学素子の表面平滑化方法並びにこれを用いた光学素子の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、合成石英、ＢＫ７（ホウケイ酸塩クラウンガラス）等を用いたレンズ、反射鏡、窓板、偏光素子等の光学素子の表面平滑化方法としては、例えば、特許文献１に示すような光学素子の研削・研磨加工方法が提案されている。この研削・研磨加工方法においては、固定砥粒工具とレンズホルダーとを少なくとも有する加工装置を用いており、このレンズホルダーに光学素子であるレンズを保持して固定砥粒工具の加工面に当接させたまま、固定砥粒工具を回転モーターによって所定の回転数をもって回転駆動させる。そして、レンズを固定砥粒工具の加工面上を円弧状に揺動させながら、レンズ表面の研磨を行う。かかる場合において、レンズと固定砥粒工具との間には、ダイヤモンド等を初めとした砥粒を含む研磨液が接触された状態にある。
【特許文献１】特開２００１−１９８７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上述した特許文献１に示す光学素子の研削・研磨加工方法では、レンズ表面を固定砥粒工具や研磨液等を用いて物理的に研磨することによってその表面を平滑化しているため、固定砥粒の物理的な寸法より小さな凹凸まで研磨することができないという問題点があった。また、上述のような研磨液を用いた物理的な研磨では、研磨工程の進行に伴い、研磨液が凝集、固体化等されてしまい粗大粒子を形成し、これによって光学素子表面に引っ掻き疵（スクラッチ）を形成し、微細な凹凸が光学素子表面に残存してしまうという問題点があった。また、上述した特許文献１に示す光学素子の研削・研磨加工方法では、研磨の対象となる光学素子を構成する材質や厚みに応じて最適な研磨条件を調整する必要があるが、光の回折限界以下のナノオーダのレベルで表面凹凸が最小となる条件を見つけ出すことは現実的に困難であった。
【０００４】
また、従来提案されてきた、光学素子の表面平滑化方法では、光学素子の表面形状によっては研磨を施すこと自体が困難な場合もあった。このため、光学素子の表面形状に支配されることなく、その表面をナノオーダで平滑化可能なプロセスに対する要望が強かった。
【０００５】
さらに、従来における光学素子の研削・研磨加工方法は、物理的な研磨を行う上で長時間を要し、しかもシステム全体が大掛かりになることから製造コストが過大となる欠点もあった。また、研磨の対象となる光学素子の数が増加するにつれて、プロセスを実行する上で必要な電力が大きくなり、より環境に配慮した方法を提案する必要もあった。
【０００６】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されてものであり、その目的とするところは、光学素子の表面形状に依存することなく、しかも低コスト、小電力でしかも短時間で、光学素子表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングして平滑化することが可能な表面平滑化方法並びにこれを用いた光学素子の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る光学素子の表面平滑化方法は、光学素子の表面を所定の溶質分子を含む液体表面へ向けて近接させつつ、上記光学素子に対して上記溶質分子の吸収端波長以上の光を照射し、上記光学素子の表面が上記液体表面へほぼ接触した時において、上記照射した光に応じて上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記溶質分子を解離させてエッチングすることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る光学素子の表面平滑化方法は、溶質分子を含む液体中に光学素子を浸漬し、上記溶質分子の吸収端波長以上の光を上記液体を通過させて上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも先鋭化部分に発生させた近接場光に基づいて上記溶質分子を解離させてエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法では、特に光学素子における先鋭化部分を初めとした局所的な部分において近接場光を発生させ、かかる近接場光による非断熱光化学反応に基づいて当該部分近傍のみについて溶質分子を選択的に解離させ、生成したラジカルに基づいて先鋭化部分を選択的にエッチングすることが可能となる。特に、この近接場光は、ナノオーダの先鋭化部分であっても選択的に発生させることができることから、表面平滑化処理そのものをナノオーダで実現することができる。このため、本発明では、従来の光学素子の研磨方法と比較して、光の回折限界以下のピッチで凹凸を無くすことにより、光学素子２の表面をより平滑化させることが可能となる。
【００１０】
また本発明は、光学素子２の表面形状がいかなるものであっても、その微細な表面凹凸の局所領域に近接場光を発生させることができることから、光学素子の表面形状により処理の制約を受けることが無くなり、処理対象としての光学素子の表面形状の自由度に幅を持たせることで汎用性を向上させることができる。従って、従来において物理研磨を精度よく施すことが困難であった表面が湾曲した形状の凹曲面や凸曲面に対しても、上述した組成の液体中において上記波長からなる光を照射するのみ、特別の制御することなく平滑化が可能となる。
【００１１】
さらに本発明では、物理的な研磨を行う場合と比較して短時間で済み、しかも製造コストを低減させることが可能となる。
【００１２】
また、液体の液面においてのみ上述した分子の解離を起こさせてラジカルによる反応を起こさせることができる本発明では、エッチングの位置を液面のみに制御することが可能となり、ナノオーダで凹凸を除去して平滑化する上で極めて好適な条件を作り出すことが可能となる。
【００１３】
また、本発明では、プロセスを実行する上で必要な電力を低減でき、より環境に配慮したプロセスとすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システム１である。
【００１６】
この表面平滑化処理システム１は、液体を利用して光学素子２の表面を平滑化するものであって、槽１１内に液体が注入されているとともに、上下可動とされた可動ステージ１５と、この可動ステージの下面に貼着されている光学素子２とを備えており、更にこの可動ステージの上方から光を照射可能な光源１４を備えている。
【００１７】
可動ステージ１５は、光源１４から照射された光が透過可能な材料で構成されている。光源１４から照射されてきた光は、この可動ステージ１５を透過して光学素子２へと入射されることになる。またこの可動ステージ１５は、下方向へ向けて可動させることにより、その下面に貼着された光学素子２を液体に接触させることが可能となる。
【００１８】
槽１１内に注入される液体としては、溶質分子として、例えば塩素分子等を含むものである。
【００１９】
光源１４は、図示しない駆動電源による制御に基づき、所定の波長を有する光を射出するものである。この光源１４からは、以下に詳細に説明するように、溶質分子の吸収端波長よりも長波長からなる光が射出される。この光源１４は、例えば、レーザーダイオード等によって具体化される。また、この光源以外に図示しない光学系を備えていてもよく、偏光レンズや集束レンズ等を備えて具体化される。これによって、光学素子構２表面の凹凸の位置、大きさ、範囲等に応じて、ビーム径やビーム形状を制御し、光を照射する範囲を絞ることができる。
【００２０】
なお、図２に、本発明を適用した表面平滑化処理システム１による処理対象としての光学素子２の例を示す。光学素子２は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、基板、ビームスプリッター、偏光素子として用いられるものである。光学素子２ａは、図２(a)、(b)に示されるように、その表面３１、裏面３２ともに平坦な形状から構成される、いわゆる平行平面基板とよばれる光学素子である。光学素子２ｂ、２ｃは、図２(c)〜(f)に示すように、その表面に凹曲面３３や凸曲面３４を有するレンズであり、裏面３２は平坦な形状から構成される。このように、光学素子２は、その表面が平坦な形状からなる光学素子２ａや、その表面が所定の曲率をもって湾曲してなる光学素子２ｂ、２ｃ等が含まれるものであるが、図示される形状に限定されるものではない。また、光学素子２は、その大きさに限定されるものではない。
【００２１】
光学素子２の材質は、例えば、ＢＫ７等のクラウンガラス、Ｆ２等のフリントガラスのような光学ガラスであったり、合成石英、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、岩塩（ＮａＣｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、サファイヤ、ジンクセレン（ＺｎＳｅ）等のような光学結晶等によって具体化される。
【００２２】
このような光学素子２は、表面平滑化処理システム１による処理前において、図３(a)に示すように、表面に微細な凹凸が形成されている。この凹凸のピッチは、数ｎｍのオーダから数μｍまでのオーダまで様々であるが、本発明では特に１ｎｍ程度のピッチで構成されている凹凸をエッチングする場合においても適用可能である。以下この光学素子２の表面が内側に凹んでいる凹部４１と、外側に先鋭化された凸部４２で形成されているものとし、更に、この凸部４２の先端を先鋭化部分４３という。なお、表面粗さが極度に大きい場合等には、予め物理研磨を施しておき、その後の仕上げ加工として、本発明を適用するようにしてもよい。
【００２３】
次に、上述した構成からなる表面平滑化処理システム１により、実際に光学素子２の表面を平滑化させるプロセスについて説明をする。
【００２４】
先ず、表面処理を施すべき光学素子２を可動ステージ１５の下面に貼着する。また、槽１１内に液体を注入する。
【００２５】
因みに以下では、液体として、吸収端波長４００ｎｍの塩素分子が含まれている液体を使用する場合を例にとる。
【００２６】
次に、光源１４からの光を液体を通じて光学素子２に入射させる。このときの光源１４から照射する光の波長は、５３２ｎｍであるがこれに限定されるものではない。
【００２７】
図４は、液体に含まれている溶質分子の原子核間距離に対するポテンシャルエネルギーの関係について示している。通常、液体内に含まれた溶質分子に対して、基底準位と励起準位とのエネルギー差Ｅａ以上の光エネルギーをもつ光、即ち、溶質分子の吸収端波長よりも短波長からなる光（以下、この光を共鳴光という。）を照射すると、この溶質分子は、励起準位へ直接励起される。この励起準位は、解離エネルギーＥｂを超えているため、矢印で示される方向へ溶質分子を光解離させてラジカルが生成される。これは、伝搬光を使った通常の光解離のメカニズムに基づくものであるが、伝搬光の電場強度が分子サイズの空間内において均一な分布であるため、溶質分子を構成する原子核や電子のうち軽い電子のみが光に対して反応するものの、原子核間距離を変化させることができない。即ち、伝搬光による光解離過程は断熱近似となることから、基底状態から解離軌道へ遷移させるためには、励起準位軌道のポテンシャルエネルギーよりも高い光エネルギーを持つ光を照射する必要がある。ちなみに、溶質分子の吸収端波長以上の非共鳴光を伝搬光として照射した場合、溶質分子は励起準位へ励起されない。非共鳴光は、図５における光エネルギーＳ１、Ｓ２等のように励起準位軌道のポテンシャルエネルギーよりも低いため、伝搬光を単に照射させたのみでは、ガス分子を光解離させて活性種としてのラジカルを生成させることはできない。
【００２８】
これに対して本発明では、溶質分子の吸収端波長以上の光（以下、この光を非共鳴光という。）を利用するが、光学素子２の表面凹凸をエッチングする上で、光源１４から照射された非共鳴光としての伝搬光を直接的に利用するものではなく、この照射された伝搬光に基づいて光学素子２の局所領域に発生させた近接場光に基づいて、表面の凹凸をエッチングする。
【００２９】
ここでいう近接場光とは、約１μｍ以下の大きさからなる物体の表面に伝搬光を照射した場合に、その物体の表面にまとわりついて局在する非伝搬光のことをいう。この近接場光は、非常に強い電場成分を有しているが、物体の表面から遠ざかるにつれてその電場成分が急激に減少する性質をもっている。この非常に強い電場成分が見られる物体表面からの厚みは、その物体の寸法に依存しており、その物体の寸法と同程度の厚みからなる。
【００３０】
近接場光の電場強度は、局所領域においても急激に減少するという特質を有する。このため、この近接場光を塩素系ガスの分子と反応させた場合において、その電場は分子にとって不均一な空間分布となり、塩素系ガス分子中の原子核も、かかる近接場光の電場勾配により引力を受けることになる。即ち、近接場光をガス分子と反応させることにより、当該ガス分子を構成する比較的軽い電子のみならず、原子核をも近接場光に対して応答させることができる。その結果、近接場光により、原子核間距離を周期的に変化させることが可能となり、分子の振動準位への直接的な励起を生じさせる、いわゆる非断熱光化学反応を起こさせることが可能となる。
【００３１】
溶質分子の吸収端波長以上の非共鳴光を近接場光として液体に反応させた場合には、かかる非断熱光化学反応により、液体に含まれる溶質分子をラジカルへと解離させることが可能となる。この非断熱光化学反応は、図４に示すような過程Ｔ１〜Ｔ３に分類することができる。過程Ｔ１は、溶質分子が複数の分子振動準位を介して励起され（多段階遷移）、その結果、励起準位にまで励起された後に、活性種等に解離される過程のことをいう。また、過程Ｔ２は、溶質分子の解離エネルギーＥｂ以上の光エネルギーをもつ光を照射した場合に、溶質分子が解離エネルギーＥｂ以上のエネルギー準位の分子振動準位にまで励起され、その結果、活性種等に直接的に解離される過程のことをいう。また、過程Ｔ３は、溶質分子のＥｂ以下の光エネルギーを持つ光を照射した場合に、溶質分子が複数の分子軌道準位を介して多段階遷移し、Ｅａ未満Ｅｂ以上のエネルギー準位まで励起された後に、活性種等に解離される過程のことをいう。
【００３２】
このように、非共鳴光を近接場光として溶質分子と反応させた場合に、非断熱光化学反応における過程Ｔ１〜Ｔ３により、当該溶質分子を分子振動準位にまで直接的に遷移させることが可能となる。
【００３３】
ここで伝搬光を光学素子２に照射することにより、近接場光が発生する局所領域とは、図３(b)に示すように凸部４２の先端に相当する先鋭化部分４３である。この先鋭化部分４３において近接場光が選択的に発生するともに、光学素子２の表面が液体表面へほぼ接触した時において、当該発生した近接場光により、液体中の溶質分子５１が解離されてラジカル５２が生成される。このラジカル５２は、近接場光が発生した先鋭化部分４３近傍のみにおいて選択的に生成される。そして、この生成されたラジカル５２は、これに最も近接する先鋭化部分４３のみと選択的に反応することになる。その結果、図３(c)に示すように、先鋭化部分４３がラジカル５２の活性によりエッチングされることになる。そして先鋭化部分４３がエッチングされると、この凸部４２において更に先鋭化部分４３’が形成されるが、これに対しても近接場光が選択的に発生し、溶質分子５１を解離させてラジカル５２を先鋭化部分４３’近傍において選択的に形成されることができる。その結果、この先鋭化部分４３’は、ラジカル５２と反応することによりエッチングされることになる。
【００３４】
上述したように、光学素子２の局所領域における近接場光の発生と、溶質分子５１の解離によるラジカル活性、先鋭化部分４３の反応が繰り返し実行されることにより、最終的には図３(d)に示すように、凸部４２をエッチングされることにより表面を平滑化させ、表面粗さを低減させることが可能となる。なお、近接場光が発生する箇所は、先鋭化部分４３に限定されることなく、表面凹凸を構成するいかなる部位において発生し得ることは勿論である。
【００３５】
このように、本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法では、特に光学素子２における先鋭化部分４３を初めとした局所的な部分において近接場光を発生させ、かかる近接場光による非断熱光化学反応に基づいて当該部分近傍のみについて溶質分子５１を選択的に解離させ、生成したラジカル５２に基づいて先鋭化部分４３を選択的にエッチングすることが可能となる。特に、この近接場光は、ナノオーダの先鋭化部分４３であっても選択的に発生させることができることから、表面平滑化処理そのものをナノオーダで実現することができる。このため、本発明では、従来の光学素子の研磨方法と比較して、光の回折限界以下のピッチで凹凸を無くすことにより、光学素子２の表面をより平滑化させることが可能となる。
【００３６】
また本発明は、光学素子２の表面形状がいかなるものであっても、その微細な表面凹凸の局所領域に近接場光を発生させることができることから、光学素子２の表面形状により処理の制約を受けることが無くなり、処理対象としての光学素子２の表面形状の自由度に幅を持たせることで汎用性を向上させることができる。従って、従来において物理研磨を精度よく施すことが困難であった、光学素子２ｂ、２ｃのような、表面が湾曲した形状の凹曲面３３や凸曲面３４に対しても、上述した組成の液体中において上記波長からなる光を照射するのみ、特別の制御することなく平滑化が可能となる。
【００３７】
さらに本発明では、物理的な研磨を行う場合と比較して短時間で済み、しかも製造コストを低減させることが可能となる。特に本発明では、ステージ１３上に多くの光学素子２を並べて同時に平滑化処理を行うことが可能となるため、処理効率を向上させることが可能となる。
【００３８】
また、液体の液面においてのみ上述した分子の解離を起こさせてラジカルによる反応を起こさせることができる本発明では、エッチングの位置を液面のみに制御することが可能となり、ナノオーダで凹凸を除去して平滑化する上で極めて好適な条件を作り出すことが可能となる。
【００３９】
また、本発明では、プロセスを実行する上で必要な電力を低減でき、より環境に配慮したプロセスとすることが可能となる。
【００４０】
因みに、上述した実施の形態においては、液体の溶質分子として塩素を含む場合を例にとり説明をしたが、これ以外の溶質分子で液体を構成する場合も同様の技術思想が適用される。即ち、液体を構成する溶質分子の吸収端波長以上のみの光を照射することにより、上述したような近接場光を利用した非断熱光化学反応に基づいて溶質分子を解離させることが可能となる。
【００４１】
なお本発明において、照射する光の波長帯域としては１０μｍ以下とするのが好ましい。この光の波長が１０μｍ超であると、溶質分子の振動準位への直接的な励起が生じにくく、近接場光によるエッチングレートが低減するためである。
【００４２】
なお本発明は、図６に示すようにエッチングしたい形状に応じて、液体の液面に対する光学素子２の表面の接触角度を調整したものである。図６(a)では、液体の液面に対して光学素子２を斜め方向から接触させる。その結果、上述したようなメカニズムに基づいてエッチングが開始される。このエッチングは液体に含まれる分子が解離することにより行われることから、液面の近傍においてのみ起こりえる現象である。このため、光学素子２は基本的には液面近傍においてのみエッチングされることになる。
【００４３】
逆にかかる現象を利用して光学素子２に対する液面の位置や角度を制御、調整することにより、所望のエッチング形状を得ることが可能となる。図６(b）は、上述したように液体の液面に対して光学素子２を斜め方向から接触させた場合において、得られたエッチングの形状を示している。このエッチングの形状は、光学素子２に対する液面の位置や角度に対応したものである。
【００４４】
また、本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システム１は、例えば図７に示すような形態により具体化されていてもよい。
【００４５】
この表面平滑化処理システム１は、液体を利用して光学素子２の表面を平滑化するものであって、槽１１内に液体が注入されているとともに、処理対象としての光学素子２が載置されるステージ１３を配設してなり、このステージ１３上に光を照射可能な光源１４を備えている。
【００４６】
このような図７に示す構成からなる表面平滑化処理システム１により、実際に光学素子２の表面を平滑化させるプロセスについて説明をする。
【００４７】
先ず、表面処理を施すべき光学素子２をステージ１３上に載置する。そして、槽１１内に液体を注入する。その結果、光学素子２は液体に浸漬されることになる。ちなみに、予め液体が注入された槽１１内に光学素子２をステージ１３上に載置することによりこれを液体に浸漬させるようにしてもよい。
【００４８】
因みに以下では、吸収端波長４００ｎｍの塩素が含まれている溶質分子からなる液体を使用する場合を例にとる。その結果、この光学素子２は、塩素を含む溶質分子の液体中において浸漬されている状態を作り出すことが可能となる。
【００４９】
次に、光源１４からの光を液体を通じて光学素子２に入射させる。このときの光源１４から照射する光の波長は、４００ｎｍ以上である。また光学素子２の表面は、図８(a)に示すように、凹部４１、凸部４２が連続するようにして構成され、凸部４２の先端には先鋭化部分４３が形成されている。
【００５０】
ここで伝搬光を光学素子２に照射することにより、近接場光が発生する角部とは、図８(b)に示すように凸部４２の先端に相当する先鋭化部分４３である。この先鋭化部分４３において近接場光が選択的に発生すると、当該発生した近接場光により溶質分子５１が解離されてラジカル５２が生成される。このラジカル５２は、近接場光が発生した先鋭化部分４３近傍のみにおいて選択的に生成される。そして、この生成されたラジカル５２は、これに最も近接する先鋭化部分４３のみと選択的に反応することになる。その結果、図８(c)に示すように、先鋭化部分４３がラジカル５２の活性によりエッチングされることになる。そして先鋭化部分４３がエッチングされると、この凸部４２において更に先鋭化部分４３’が形成されるが、これに対しても近接場光が選択的に発生し、原料ガス分子５１を解離させてラジカル５２を先鋭化部分４３’近傍において選択的に形成されることができる。その結果、この先鋭化部分４３’は、ラジカル５２と反応することによりエッチングされることになる。
【００５１】
また、近接場光が発生する角部は、かかる先鋭化部分のみならず、凹部４１、凸部４２を構成するいかなる角部分をも含む。凹部４１もここでいう角部に含まれ、図８(b)に示すように近接場光が発生し、この発生した近接場光に基づいて発生させたラジカル５２により当該凹部４１が平滑化されることになる。
【００５２】
上述したように、光学素子２の局所領域における近接場光の発生と、溶質分子５１の解離によるラジカル活性、角部の反応が繰り返し実行されることにより、最終的には図８(d)に示すように、角部をエッチングすることにより表面を平滑化させ、表面粗さを低減させることが可能となる。
【００５３】
因みに本発明は、上述したプロセスからなる光学素子の表面平滑化方法の工程を有すること光学素子の作製方法として具体化されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システムを示す図である。
【図２】本発明を適用した表面平滑化処理システムによる処理対象としての光学素子の例を示す図である。
【図３】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法について説明するための図である。
【図４】チャンバ内に導入された塩素系ガスのガス分子の原子核間距離に対するポテンシャルエネルギーの関係図である。
【図５】共鳴光照射モードについて説明するための図である。
【図６】エッチングしたい形状に応じて液面に対する光学素子の表面の接触角度を調整した例を示す図である。
【図７】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システムを示す図である。
【図８】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法について説明するための他の図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  表面平滑化処理システム
２  光学素子
１３  ステージ
１４  光源
４１  凹部
４２  凸部
４３  先鋭化部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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