(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１蒸発材料又は第１昇華材料が収容される第１容器と、
前記第１容器に繋げられ、該第１容器内で蒸発又は昇華した材料が流入され、該材料が水平方向に広げられる第１材料通路と、
前記第１材料通路に繋げられ、前記蒸発又は昇華した材料が該第１材料通路の外に放出される４つの第１開口部と、
第２蒸発材料又は第２昇華材料が収容される第２容器と、
前記第２容器に繋げられ、該第２容器内で蒸発又は昇華した材料が流入され、該材料が水平方向に広げられる第２材料通路と、
前記第２材料通路に繋げられ、前記蒸発又は昇華した材料が該第２材料通路の外に放出される４つの第２開口部と、
を具備し、
前記４つの第１開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記４つの第１開口部が配置され、
前記４つの第２開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記４つの第２開口部が配置され、
前記第１材料通路は、第１の上部板状部材と第１の下部板状部材によって形成され、前記第１の上部板状部材と前記第１の下部板状部材との間に設けられ、
前記４つの第１開口部は前記第１の上部板状部材に設けられ、
前記第１の下部板状部材には第３開口部が設けられ、前記第３開口部によって前記第１材料通路と前記第１容器内が繋げられ、
前記第１開口部を結ぶ線によって形成される多角形及び前記第２開口部を結ぶ線によって形成される多角形それぞれが略正方形であり、前記第１開口部及び前記第２開口部それぞれが略同一円周上に配置され、隣り合う第１開口部及び第２開口部それぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度が３４°以内であることを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
請求項１において、前記第２材料通路は、第２の上部板状部材と第２の下部板状部材によって形成され、前記第２の上部板状部材と前記第２の下部板状部材との間に設けられ、
前記４つの第２開口部は前記第２の上部板状部材に設けられ、
前記第２の下部板状部材には第４開口部が設けられ、前記第４開口部によって前記第２材料通路と前記第２容器内が繋げられていることを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
被成膜基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
請求項１又は２に記載の蒸発源と、
前記蒸発源が収容された蒸着室と、
を具備することを特徴とする蒸着装置。
【請求項４】
被成膜基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
蒸着室と、
前記蒸着室内に配置され、請求項１又は２に記載の蒸発源と、
前記蒸着室内に配置され、前記蒸発源に対向するように被成膜基板が保持される基板保持機構と、
を具備し、
前記基板保持機構に保持された被成膜基板と前記第１開口部及び前記第２開口部それぞれとの距離が前記略正方形の一辺の長さに略等しいことを特徴とする蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法に係わり、特に、成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できる蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は、従来の蒸着装置を説明するための構成図である。
この蒸着装置は一つの蒸発源１０１を有し、この蒸発源１０１の上方に被成膜基板１０２が保持されるようになっている。被成膜基板１０２の平面形状は、例えば２００ｍｍ×２００ｍｍの四角形である。蒸発源１０１は、その熱源として例えばシーズヒータ（図示せず）を用いている。このシーズヒータの熱は坩堝を介して蒸発材料に伝達され、蒸発材料を蒸発させ、被成膜基板１０２の表面に薄膜を蒸着により形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したような、平面形状が四角形の被成膜基板１０２に点状の蒸発源１０１を用いた蒸着法により薄膜を成膜する場合、蒸発源１０１と被成膜基板１０２との距離が該被成膜基板の表面上の位置によって異なるため、被成膜基板の全面に薄膜を均一に成膜することが困難である。つまり、図５に示すように、被成膜基板１０２の中央部と蒸発源との距離Ｒ０が被成膜基板１０２の縁部と蒸発源との距離Ｒ１に比べて短いため、被成膜基板の中央部では薄膜が厚く成膜され、被成膜基板の縁部では薄膜が薄く成膜されることになる。従って、被成膜基板１０２に成膜される薄膜の膜厚分布を例えば±３％以内にするには、被成膜基板と蒸発源との距離Ｒ０を７００ｍｍ以上とる必要がある。しかし、距離Ｒ０が長くなるほど成膜効率が低下するので、距離Ｒ０を７００ｍｍ以上とることは量産性を考えた場合に現実的ではない。このように成膜効率を維持しつつ被成膜基板の全面に薄膜を略均一に成膜することは困難である。
【０００４】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できる蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明に係る蒸発源は、蒸発材料又は昇華材料が収容される容器と、
前記容器に繋げられ、該容器内で蒸発又は昇華した材料が流入される材料通路と、
前記材料通路に繋げられ、前記蒸発又は昇華した材料が該材料通路の外に放出される３つ以上の開口部と、
を具備し、
前記３つ以上の開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の開口部が配置されていることを特徴とする。
【０００６】
上記本発明に係る蒸発源によれば、３つ以上の開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の開口部を配置することにより、被成膜基板と蒸発源との距離を量産性が低下するほど長くしなくても被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜することができる。
【０００７】
本発明に係る蒸発源は、第１蒸発材料又は第１昇華材料が収容される第１容器と、
前記第１容器に繋げられ、該第１容器内で蒸発又は昇華した材料が流入される第１材料通路と、
前記第１材料通路に繋げられ、前記蒸発又は昇華した材料が該第１材料通路の外に放出される３つ以上の第１開口部と、
第２蒸発材料又は第２昇華材料が収容される第２容器と、
前記第２容器に繋げられ、該第２容器内で蒸発又は昇華した材料が流入される第２材料通路と、
前記第２材料通路に繋げられ、前記蒸発又は昇華した材料が該第２材料通路の外に放出される３つ以上の第２開口部と、
を具備し、
前記３つ以上の第１開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第１開口部が配置され、
前記３つ以上の第２開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第２開口部が配置されていることを特徴とする。
【０００８】
上記本発明に係る蒸発源によれば、３つ以上の第１開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第１開口部を配置すると共に、３つ以上の第２開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第２開口部を配置する。これにより、被成膜基板と蒸発源との距離を量産性が低下するほど長くしなくても被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できると共に、第１蒸発材料又は第１昇華材料に第２蒸発材料又は第２昇華材料をドーピングした材料からなる薄膜を被成膜基板に成膜することができる。
【０００９】
また、本発明に係る蒸発源において、前記多角形が略正多角形であることが好ましい。
また、本発明に係る蒸発源において、前記第１開口部を結ぶ線によって形成される多角形及び前記第２開口部を結ぶ線によって形成される多角形それぞれが略正方形であり、前記第１開口部及び前記第２開口部それぞれが略同一円周上に配置され、隣り合う第１開口部及び第２開口部それぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度が３４°以内であることが好ましい。
【００１０】
本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸発源と、
前記蒸発源が収容された蒸着室と、
を具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
蒸着室と、
前記蒸着室内に配置され、請求項１に記載の蒸発源と、
前記蒸着室内に配置され、前記蒸発源に対向するように被成膜基板が保持される基板保持機構と、
を具備し、
前記多角形が略正方形であり、前記基板保持機構に保持された被成膜基板と前記開口部との距離が前記略正方形の一辺の長さに略等しいことを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る蒸着装置は、被成膜基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
蒸着室と、
前記蒸着室内に配置され、請求項４に記載の蒸発源と、
前記蒸着室内に配置され、前記蒸発源に対向するように被成膜基板が保持される基板保持機構と、
を具備し、
前記基板保持機構に保持された被成膜基板と前記第１開口部及び前記第２開口部それぞれとの距離が前記略正方形の一辺の長さに略等しいことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る蒸着方法は、蒸発材料又は昇華材料を加熱して蒸発又は昇華させ、この蒸発又は昇華させた材料を３つ以上の開口部から放出させ、この放出させた材料を被成膜基板に蒸着させる蒸着方法であって、
前記３つ以上の開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の開口部が配置されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る蒸着方法は、第１蒸発材料又は第１昇華材料を加熱して蒸発又は昇華させ、この蒸発又は昇華させた第１材料を３つ以上の第１開口部から放出させると共に、第２蒸発材料又は第２昇華材料を加熱して蒸発又は昇華させ、この蒸発又は昇華させた第２材料を３つ以上の第２開口部から放出させ、この放出させた第１材料及び第２材料を被成膜基板に蒸着させる蒸着方法であって、
前記３つ以上の第１開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第１開口部が配置され、
前記３つ以上の第２開口部を結ぶ線によって形成される図形が多角形となるように、前記３つ以上の第２開口部が配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば、成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜できる蒸発源、蒸着装置及び蒸着方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
(実施の形態１)
図１（Ａ）は、本発明の実施の形態１による蒸発源を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。
【００１７】
図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、蒸発源は蒸発材料（図示せず）を収容する石英製の容器１を備えている。容器１の周囲には熱源としてのランプヒータ２が配置されている。容器１内に収容された蒸発材料は、ランプヒータ２からの輻射熱により直接加熱されるようになっている。容器１の上部には開口部１ａが形成されており、この開口部１ａは蒸発材料通路３に繋げられている。
【００１８】
蒸発材料通路３は、上部板状部材４と下部板状部材５によって形成され、上部板状部材４と下部板状部材５との間に配置されている。上部板状部材４及び下部板状部材５それぞれは略正方形の平面形状を有している。上部板状部材４の四隅には第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄが設けられており、これら材料放出用開口部それぞれの開口サイズは略等しく形成されている。下部板状部材５の中央には開口部１ａが設けられており、この開口部が容器１の上部の開口部に相当する。また、下部板状部材５の下面の四隅には支持脚６ａ，６ｂが配置されており、これら支持脚によって蒸発源全体が支持されている。上部板状部材４及び下部板状部材５それぞれは、無酸素銅又はＡｌによって形成され、図示せぬシーズヒータによって加熱されるようになっている。
【００１９】
上記蒸発源は、ランプヒータ２からの輻射熱により容器１内の蒸発材料が直接加熱され、気化された蒸発材料が開口部１ａから蒸発材料通路３内に流入され、蒸発材料通路３内で水平方向に広げられて第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれから蒸発源の外部に放出されるようになっている。このような蒸発源を用いて被成膜基板に蒸発材料を蒸着させる方法は、第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄに対向する位置に保持された被成膜基板（図示せず）に、第１乃至第４の材料放出用開口部から放出された蒸発材料を付着させて薄膜を形成するものである。
尚、本実施の形態では、加熱されると蒸発する蒸発材料を用いているが、加熱されると昇華する昇華材料を用いることも可能である。
【００２０】
第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれを結ぶ線によって形成される四角形は略正方形となっている。第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれと被成膜基板との距離をＲ０とし、第１の材料放出用開口部４ａの中心と第２の材料放出用開口部４ｂの中心との距離をＲ２とした場合、前記距離Ｒ０と前記距離Ｒ２を略等しくして蒸発源と被成膜基板を配置した蒸着装置を用いると、被成膜基板に極めて膜厚均一性の高い薄膜を成膜できることが確認された。尚、第２の材料放出用開口部４ｂの中心と第３の材料放出用開口部４ｃの中心との距離はＲ２であり、第３の材料放出用開口部４ｃの中心と第４の材料放出用開口部４ｄの中心との距離はＲ２であり、第４の材料放出用開口部４ｄの中心と第１の材料放出用開口部４ａの中心との距離もＲ２である。
具体的には、例えば距離Ｒ０を２３０ｍｍとし、距離Ｒ２を２３０ｍｍとすると、２００ｍｍ×２００ｍｍの四角形である被成膜基板に成膜された薄膜の膜厚分布は±１．７０％にできることが確認された。
【００２１】
上記実施の形態１によれば、４つの材料放出用開口部それぞれを結ぶ線によって形成される四角形が略正方形になるように、第１乃至第４の材料放出用開口部を配置することにより、被成膜基板と蒸発源との距離Ｒ０を量産性が低下するほど長くしなくても被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜することが可能となる。従って、蒸発源と材料放出用開口部が一つである従来の蒸発源では困難であった成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜することが可能となる。
【００２２】
尚、上記実施の形態１では、４つの材料放出用開口部それぞれを結ぶ線によって形成される四角形が略正方形になるように、第１乃至第４の材料放出用開口部を配置しているが、これに限定されるものではなく、材料放出用開口部の数及び位置は下記のように変更して実施することも可能である。
例えば、複数の材料放出用開口部それぞれを結ぶ線によって形成される多角形が略正多角形になるように、前記材料放出用開口部を配置することも可能であり、この場合も成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜することができる。
【００２３】
また、三つの材料放出用開口部それぞれを結ぶ線によって形成される三角形が二等辺三角形になるように、前記材料放出用開口部を配置することも可能であり、この場合も成膜効率を維持しつつ被成膜基板に膜厚均一性の高い薄膜を成膜することができる。
【００２４】
また、複数の材料放出用開口部それぞれを結ぶと多角形になるように、前記材料放出用開口部を配置することも可能である。この場合、複数の材料放出用開口部それぞれを結ぶと正多角形になる場合に比べて被成膜基板に成膜される薄膜の膜厚均一性は低下するが、従来の蒸発源に比べれば成膜効率を維持しつつ被成膜基板に成膜される薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【００２５】
また、上述した変形例による蒸発源の場合、上記実施の形態１による蒸発源と同様に複数の材料放出用開口部それぞれの開口サイズを略等しく形成するが、これに限定されるものではなく、被成膜基板に成膜される薄膜の膜厚均一性を高めるように、複数の材料放出用開口部それぞれの開口サイズを変化させることも可能である。
【００２６】
（実施の形態２）
本実施の形態による共蒸発源は、２つの蒸発材料を蒸発させて被成膜基板に薄膜を成膜するものであり、いわゆる共蒸着によって被成膜基板に薄膜を成膜するものである。
【００２７】
図２（Ａ）は、第１蒸発材料を蒸発させる第１蒸発源を示す平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図である。図３（Ａ）は、第２蒸発材料を蒸発させる第２蒸発源を示す平面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。図４（Ａ）は、本発明の実施の形態２による共蒸発源を示す平面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。図４に示す共蒸発源は、第２蒸発源２０に第１蒸発源１０を組み込んだものである。
【００２８】
図２に示す第１蒸発源１０は、図１に示す蒸発源と略同様の構成となっており、容器１及びランプヒータ２が下部板状部材５の中央よりやや右側に位置する点が異なるだけである。従って、図２については図１と同一符号を付し、図２についての詳細な説明は省略する。
【００２９】
図３に示す第２蒸発源２０は、第２蒸発材料（図示せず）を収容する石英製の容器１を備えている。容器１の周囲には熱源としてのランプヒータ２が配置されている。容器１内に収容された第２蒸発材料は、ランプヒータ２からの輻射熱により直接加熱されるようになっている。容器１の上部には開口部１ａが形成されており、この開口部１ａは蒸発材料通路１３に繋げられている。
【００３０】
蒸発材料通路１３は、上部板状部材１４と下部板状部材１５によって形成され、上部板状部材１４と下部板状部材１５との間に配置されている。上部板状部材１４及び下部板状部材１５それぞれは、図２に示す上部板状部材４及び下部板状部材５と同様の大きさの略正方形の平面形状を有している。上部板状部材１４の四隅には、図２に示す上部板状部材４と同様に第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄが設けられており、これら材料放出用開口部それぞれの開口サイズは略等しく形成されている。下部板状部材１５の中央よりやや左側には開口部１ａが設けられており、この開口部が容器１の上部の開口部に相当する。また、下部板状部材１５の下面の四隅には支持脚１６ａ，１６ｂが配置されており、これら支持脚によって第２蒸発源２０全体が支持されている。上部板状部材１４及び下部板状部材１５それぞれは、無酸素銅又はＡｌによって形成され、図示せぬシーズヒータによって加熱されるようになっている。
【００３１】
また、上部板状部材１４及び下部板状部材１５には第２開口部１５ａが設けられている。蒸発材料通路１３は、第２開口部１５ａ内に繋がっておらず、第２開口部１５ａに対して遮断されている。第２開口部１５ａは、図２に示す第１蒸発源１０の容器１及びランプヒータ２を挿入できる程度の大きさである。また、第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれは、図３（Ｂ）に示すように、上部板状部材１４の板状部分より上方に位置しており、図３の第２蒸発源２０に図２の第１蒸発源１０を組み込んだ際に第１蒸発源１０の第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれと略同じ高さとなるように配置されている。
【００３２】
上記第２蒸発源２０は、ランプヒータ２からの輻射熱により容器１内の蒸発材料が直接加熱され、気化された蒸発材料が開口部１ａから蒸発材料通路１３内に流入され、蒸発材料通路１３内で水平方向に広げられて第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれから第２蒸発源２０の外部に放出されるようになっている。
尚、本実施の形態では、第２蒸発源２０の蒸発材料として加熱されると蒸発する蒸発材料を用いているが、加熱されると昇華する昇華材料を用いることも可能である。
【００３３】
第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれを結ぶ線によって形成される四角形は略正方形となっており、第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれの位置関係は図１に示す蒸発源と同様である。従って、図３の第２蒸発源２０についても図１の蒸発源１０と同様の作用効果を奏するものである。
【００３４】
次に、図３に示す第２蒸発源２０に図２に示す第１蒸発源１０を組み込んだ図４に示す共蒸発源について説明する。
図４に示すように、第２蒸発源２０の上に第１蒸発源１０を重ねるように配置し、第２蒸発源２０の第２開口部１５ａ内に第１蒸発源１０の容器１及びランプヒータ２等を挿入する。第１蒸発源の上部板状部材４の対角線７と第２蒸発源の上部板状部材１４の対角線１７とで作る角度θが３４°以内、好ましくは３０°以内となるような位置関係で、第２蒸発源に第１蒸発源を重ねて配置する。つまり、第１蒸発源１０を図２に示す第１蒸発源の位置に対して＋１７°以内、好ましくは＋１５°以内回転させ、第２蒸発源２０を図３に示す第２蒸発源の位置に対して−１７°以内、好ましくは−１５°以内回転させることにより、角度θが３４°以内、好ましくは３０°以内になるように配置する。
【００３５】
換言すれば、第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄ，１４ａ〜１４ｄそれぞれは略同一円周上に配置されている。隣り合う第１の材料放出用開口部４ａ及び第１の材料放出用開口部１４ａそれぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度、第２の材料放出用開口部４ｂ及び第２の材料放出用開口部１４ｂそれぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度、第３の材料放出用開口部４ｃ及び第３の材料放出用開口部１４ｃそれぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度、第４の材料放出用開口部４ｄ及び第４の材料放出用開口部１４ｄそれぞれと前記円の中心とを結ぶ線によって形成される角度はすべて３４°以内、好ましくは３０°以内とされている。
【００３６】
上記共蒸発源は、ランプヒータ２からの輻射熱により容器１内の第１蒸発材料が直接加熱され、気化された第１蒸発材料が開口部１ａから蒸発材料通路３内に流入され、蒸発材料通路３内で水平方向に広げられて第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれから第１蒸発源１０の外部に放出されると共に、ランプヒータ２からの輻射熱により容器１内の第２蒸発材料が直接加熱され、気化された第２蒸発材料が開口部１ａから蒸発材料通路１３内に流入され、蒸発材料通路１３内で水平方向に広げられて第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれから第２蒸発源２０の外部に放出されるようになっている。
【００３７】
このような共蒸発源を用いて被成膜基板に蒸発材料を蒸着させる方法は、第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄ，１４ａ〜１４ｄに対向する位置に保持された被成膜基板（図示せず）に、第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄから放出された第１蒸発材料に第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄから放出された第２蒸発材料をドーピングした材料を付着させて薄膜を形成するものである。ドーピング量は、第１蒸発材料の放出量に対する第２蒸発材料の放出量を調整することにより制御することができる。
【００３８】
前述したように、第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄそれぞれを結ぶ線によって形成される四角形が略正方形となっていると共に、第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれを結ぶ線によって形成される四角形も同じサイズで略正方形となっている。第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄ，１４ａ〜１４ｄそれぞれと被成膜基板との距離をＲ０とし、第１の材料放出用開口部４ａの中心と第２の材料放出用開口部４ｂの中心との距離をＲ２とし、第１の材料放出用開口部１４ａの中心と第２の材料放出用開口部１４ｂの中心との距離をＲ２とした場合、前記距離Ｒ０と前記距離Ｒ２を略等しくして共蒸発源と被成膜基板を配置した共蒸着装置を用いると、被成膜基板に極めて膜厚均一性の高い薄膜を成膜できることが確認された。具体的には、例えば距離Ｒ０を２３０ｍｍとし、距離Ｒ２を２３０ｍｍとし、角度θを３４°とすると、被成膜基板に成膜された薄膜の膜厚分布は±３％にできることが確認された。
【００３９】
上記実施の形態２によれば、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、第１蒸発源の上部板状部材４の対角線７と第２蒸発源の上部板状部材１４の対角線１７とで作る角度θが３４°以内にすることにより、第１蒸発材料に第２蒸発材料がドーピングされた薄膜を±３％以内の膜厚分布で被成膜基板に成膜することができる。
【００４０】
尚、上記実施の形態２では、第１蒸発源及び第２蒸発源それぞれにおいて、４つの材料放出用開口部それぞれを結ぶ線によって形成される四角形が略正方形になるように、第１乃至第４の材料放出用開口部を配置しているが、これに限定されるものではなく、材料放出用開口部の数及び位置は実施の形態１と同様に変更して実施することも可能である。
【００４１】
また、上記実施の形態２では、材料放出用開口部のサイズ、数及び位置を第１蒸発源１０と第２蒸発源２０とで同じにしているが、これに限定されるものではなく、材料放出用開口部のサイズ、数及び位置を第１蒸発源と第２蒸発源とで異なるようにすることも可能である。
【００４２】
また、上記実施の形態２では、第１蒸発源１０の第１乃至第４の材料放出用開口部４ａ〜４ｄ及び第２蒸発源２０の第１乃至第４の材料放出用開口部１４ａ〜１４ｄそれぞれを配置する高さを略同じ高さとしているが、異なる高さとすることも可能である。
【００４３】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３による蒸着装置について説明する。
この蒸着装置は、ガラス基板などの被成膜基板に薄膜を蒸着するためのものである。蒸着装置は蒸着室となるチャンバーを備えている。チャンバー内には蒸発源が配置されており、この蒸発源は、実施の形態１による蒸発源を用いても良いし、実施の形態２による共蒸発源を用いても良い。
【００４４】
また、チャンバー内には、蒸発源の上方に位置する、被成膜基板を保持する基板保持機構が配置されている。
上記蒸着装置は、蒸発源を加熱して蒸発材料又は昇華材料を材料放出用開口部から上方に放出させることにより、前記基板保持機構に静止状態で保持された被成膜基板の全面に蒸着膜を成膜するようになっている。
【００４５】
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、容器１は、熱源からの輻射熱を蒸発材料に直接伝える材質であれば石英製でなくてもよい。また容器１をステンレス、モリブデン又は炭化珪素により形成してもよい。この場合、容器が熱源からの輻射熱により直接加熱され、そして蒸発材料が加熱される。
【００４６】
また、上記実施の形態では、ランプヒータ２を用いているが、これに限定されるものではなく、他の種類のヒータ、例えばシーズヒータを用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（Ａ）は、本発明の実施の形態１による蒸発源を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。
【図２】（Ａ）は、第１蒸発材料を蒸発させる第１蒸発源を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】（Ａ）は、第２蒸発材料を蒸発させる第２蒸発源を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の実施の形態２による共蒸発源を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示す４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】従来の蒸着装置を説明するための構成図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…容器
１ａ…開口部
２…ランプヒータ
３，１３…蒸発材料通路
４，１４…上部板状部材
４ａ〜４ｄ，１４ａ〜１４ｄ…第１乃至第４の材料放出用開口部
５，１５…下部板状部材
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ…支持脚
７…第１蒸発源の上部板状部材の対角線
１０…第１蒸発源
１５ａ…第２開口部
１７…第２蒸発源の上部板状部材の対角線
２０…第２蒸発源
１０１…蒸発源
１０２…被成膜基板
θ…角度
Ｒ０…被成膜基板の中央部と蒸発源との距離
Ｒ１…被成膜基板の縁部と蒸発源との距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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