(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料表面から放出される二次イオンを検出し、前記試料中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分析方法において、前記試料をエレクトロネガティブな元素雰囲気に曝した状態でイオンビームを照射して、前記エレクトロネガティブな元素と前記試料中に含まれるエレクトロポジティブな元素との負の複合分子イオンを検出することを特徴とする深さ方向元素分析方法。
【請求項２】
上記試料をエレクトロネガティブな元素雰囲気に曝した状態で、二次イオンを励起するための一次イオンとして、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかを用いることを特徴とする請求項１記載の深さ方向元素分析方法。
【請求項３】
上記試料をエレクトロネガティブな元素雰囲気に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオンとして用いて二次イオンを励起することを特徴とする請求項１記載の深さ方向元素分析方法。
【請求項４】
上記複合分子イオンの検出工程において、試料中に含まれるエレクトロネガティブな元素も同時に検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の深さ方向元素分析方法。
【請求項５】
上記エレクトロネガティブな元素雰囲気を構成するエレクトロネガティブな元素を供給する手段が、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の深さ方向元素分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は深さ方向元素分析方法に関するものであり、特に、二次イオン質量分析方法（ＳＩＭＳ法）を用いて微小領域における深さ方向の元素の分布を測定する際にエレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素を同時に同程度の高感度で検出するための構成に特徴のある深さ方向元素分析方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、ウエル領域やチャネルドープ領域等における不純物濃度及びその分布がデバイス特性に大きな影響を与えるが、近年の微細化、薄層化の進展に伴って半導体基板や堆積させた薄膜の表面から浅い領域における不純物濃度分布を精度良く形成することが求められている。
【０００３】
この様な要請に応えるためには、測定対象領域における不純物濃度分布を高精度に把握する必要があり、そのために、半導体基板や堆積させた薄膜の表面から深さ方向の不純物等の元素分布の測定のための代表的手段である二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）が主に用いられているので、ここで、図５を参照して従来のＳＩＭＳ法を説明する。
【０００４】
図５参照  
図５は、従来のＳＩＭＳ装置の概略的構成図であり、測定対象となる試料４１を固定保持するとともに、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向への移動と傾斜及び回転が可能な試料ホルダー４２、一次イオン源となる酸素イオン銃４３及びセシウムイオン銃４４、二次イオンを質量分析する四重極型質量分析器４５、分析したイオンの量を測定する検出器４６、イオン照射による帯電を補正する電子銃４７によって構成される。
なお、正の二次イオンを発生させる場合には酸素イオン銃４３を用い、負の二次イオンを発生させる場合にはセシウムイオン銃４４を用いる。
【０００５】
この二次イオン質量分析法は、試料表面にイオンを照射して発生する二次イオンの質量分析を行うことによって組成分析を行うもので、スパッタエッチング現象を利用しているため深さ方向の組成分析が可能になるものである。
【０００６】
この場合、ＩＶ族元素より価数の小さなエレクトロポジティブな元素とＩＶ族元素より価数の大きなエレクトロネガティブな元素とでは、一次イオンに用いる元素種によって、二次イオン化率が大きくことなるため、一次イオン種を使い分けている。
【０００７】
例えば、エレクトロポジティブな元素については，一次イオンに酸素イオン４３を用いて一次イオンを酸素イオンとしてＢ+ 等の正の二次イオンを検出し、一方，エレクトロネガティブな元素については、セシウムイオン銃４４を用いて一次イオンをセシウムイオンとしてＡｓ- 等の負の二次イオンを検出している。
【０００８】
このように、分析対象となる元素種に応じて使い分けを行うことによって、全元素に渡って初めて、ｐｐｂ−ｐｐｍオーダの高感度分析が可能となる。
因に、エレクトロポジティブな元素、例えば、Ｂに対してセシウムイオンを照射した場合には、エレクトロネガティブな元素、例えば、Ａｓに対してセシウムイオンを照射した場合に比べて３〜４桁程度感度が低下する。
【０００９】
しかし、半導体装置におけるｐｎ接合領域のように、エレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素が共に存在する試料ではそれらを同時に高感度で測定しなければならない場合があり、その場合に、酸素イオンを使った測定とセシウムイオンを使った測定との２回の測定を行わなければならず、時間がかかるという問題がある。
【００１０】
また、２回の測定を行う場合、スパッタエッチングを利用した測定であるため、それぞれの測定結果では、深さ分解能が異なるという問題があり、また、イオン照射領域を同じ領域とするために位置合わせ等の操作が複雑になり、さらに、測定結果の解析も複雑になる。
【００１１】
そこで、両方の元素を一度の工程で測定するために、窒素イオンと酸素イオンとを同時に照射してまずＣｒ+ 等のエレクトロポジティブな元素を検出し、次いで、酸素イオンの照射を停止してセシウムイオンを窒素イオンとともに照射することによってＳ- 等のエレクトロネガティブな元素を検出することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
このように、窒素イオンを照射した状態で、酸素イオンとセシウムイオンを切り替える工程を繰り返すことによって、測定毎にイオンビームの照射位置合わせが不要になり、同じ測定領域から両方の元素を高感度で検出することができることになる。
【特許文献１】特開平０１−００９３５０号公報報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、上述の提案の場合にも、エレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素の検出深さは厳密には異なっており、また、イオンの切り替え操作が必要になるなど、検出工程が複雑化するという問題がある。
【００１４】
したがって、本発明は、簡単な構成によりエレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素とを同時に高感度で検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１表面から放出される二次イオンを検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分析方法であって、試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でイオンビームを照射して、エレクトロネガティブな元素２と試料１中に含まれるエレクトロポジティブな元素３との負の複合分子イオン６を検出することを特徴とする。
【００１６】
このように、試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でイオンビームを照射して、エレクトロネガティブな元素２（Ｎ）と試料１中に含まれるエレクトロポジティブな元素３（Ｍ）との負の複合分子イオン６（ＭＮx - ）として検出することにより、エレクトロポジティブな元素３（Ｍ）の検出感度低くなる一次イオン５を用いた場合にも、エレクトロポジティブな元素３（Ｍ）を高感度で検出することが可能になる。
なお、ＭＮx - としては、ＭＮ- 或いはＭＮ2 - 等の複数種の複合分子イオン６が発生するが、二次イオン検出手段７の設定を変えることによって任意の複合分子イオン６を検出することができる。
【００１７】
この場合のエレクトロネガティブな元素雰囲気４は、窒素雰囲気、フッ素雰囲気、或いは、塩素雰囲気でも良いが、扱いやすさの観点からは酸素雰囲気が望ましく、その場合に酸素によりＭ原子の仕事関数を低下させてイオン化効率を高めるためには、酸素分圧を１×１０-8Ｔｏｒｒ以下の低真空度とすることが望ましい。
なお、あまり低真空になりすぎるとイオンの発生率が大幅に低くなる。
【００１８】
この場合に、二次イオンを励起するための一次イオン５として、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかが望ましく、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｃａ等が挙げられるが、液体金属であるためビームを絞り易いＣｓが望ましい。
【００１９】
また、試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオン５として用いて二次イオンを励起しても良いものであり、それによって、イオン源の特性により一次イオン５をより細く絞ることができるので、より微小領域の分析が可能になる。
【００２０】
即ち、エレクトロネガティブな元素２とアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンとが同時に存在する雰囲気下では、本来イオン化効率の低いアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオン５として照射しても高感度の検出が可能になる。
【００２１】
なお、この場合のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオンとしては、液体金属であるＧａイオン、溶融が容易なＡｕイオン、Ｂｉイオン、Ｉｎイオン、或いは、Ｓｎイオンのいずれかが好適である。
【００２２】
また、上述の複合分子イオン６の検出工程において、試料１中に含まれるエレクトロネガティブな元素８も同時に検出することが最も典型的な測定工程であり、それによって、試料１中に含まれるエレクトロネガティブな元素２とエレクトロポジティブな元素３とを同時にほぼ同感度で測定することが可能になる。
【００２３】
また、エレクトロネガティブな元素雰囲気４を構成するエレクトロネガティブな元素２を供給する手段としては、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれでも良いが、イオンガンを用いる場合には、イオンによるスパッタが実効的に起こらない程度の低加速エネルギーで照射することが必要になる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、半導体装置のｐｎ接合領域の評価など、エレクトロポジティブな元素とエレクトロネガティブな元素が共に存在する試料で、それらを同時に高感度で測定することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明は、ｐｎ接合領域を形成した半導体ウェハ等の試料を酸素等のエレクトロネガティブな元素をリークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構により供給して酸素等のエレクトロネガティブな元素雰囲気に曝した状態でＬｉ+ ，Ｎａ+ ，Ｋ+ ，Ｒｂ+ ，Ｃｓ+ ，Ｃａ+ 等のアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかからなる一次イオンビームを照射して、酸素等のエレクトロネガティブな元素と試料中に含まれるＢ等のエレクトロポジティブな元素との負の複合分子イオンＢＯ- 或いはＢＯ2 - を、試料中に含まれるＡｓ等のエレクトロポジティブな元素と同時に検出するものである。
【００２６】
或いは、試料を酸素等のエレクトロネガティブな元素雰囲気に曝した状態でＬｉ+ ，Ｎａ+ ，Ｋ+ ，Ｒｂ+ ，Ｃｓ+ ，Ｃａ+ 等のアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、Ｇａ+ ，Ａｕ+ ，Ｂｉ+ ，Ｉｎ+ ，Ｓｎ+ 等のアルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオンとして用いて、ＢＯ- 或いはＢＯ2 - 等の負の複合分子イオンを、試料中に含まれるＡｓ等のエレクトロポジティブな元素と同時に検出するものである。
【実施例１】
【００２７】
ここで、図２を参照して、本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図であり、排気口１２及びガス導入口１３を有する測定チャンバー１１、試料１５を載置・駆動するゴニオステージ１４、一次イオンとしてのＣｓ+ イオン１７を照射するＣｓイオン銃１６、試料１５から発生した二次イオン１８を質量分析する四重極型質量分析器１９、質量分析したイオンの量（数）を測定する検出器２０、試料１５の表面近傍に酸素ガス２２を供給するノズル２１、ノズル２１の開閉を制御するリークバルブ２３によって構成される。
なお、ここでは、試料１５としてＢ等をドープしたシリコン基板を用いた。
【００２８】
まず、１×１０-9Ｔｏｒｒのベース圧力まで真空排気した測定チャンバー１１内にリークバルブ２３を開にしてノズル２１から酸素ガス２２を導入して１×１０-8Ｔｏｒｒ以下の低真空度、例えば、１．０×１０-7Ｔｏｒｒの酸素雰囲気になった状態で、０．５ｋｅＶのＣｓ+ イオン１７を照射して四重極型質量分析器１９及び検出器２０によって発生した二次イオン１８の検出・分析を行う。
【００２９】
この場合、酸素ガス２２を試料１５の表面に供給することによって、ＢとＯ2 とを化学的に反応させて（仕事関数を小さくして）Ｂのイオン化効率を高め、二次イオン１８をＢＯ- 或いはＢＯ2 - 等の負の複合分子イオンとして検出する。
なお、この場合、四重極型質量分析器１９の設定によりＢＯ- 或いはＢＯ2 - のいずれかを選択することができる。
【００３０】
この本発明の実施例１においては、Ｃｓ+ イオンを一次イオンとして用いて測定する際に、試料の表面を酸素雰囲気に曝しているので、一次イオンをＣｓ+ イオンとした場合に検出感度が低いＢ等のエレクトロポジティブな元素を、３〜４桁程度感度良く検出することが可能になる。
【００３１】
したがって、試料中にＡｓ等のエレクトロネガティブな元素が同時に含まれている場合には、Ｂ等のエレクトロポジティブな元素とＡｓ等のエレクトロネガティブな元素とを同時に同程度の感度で検出することが可能になる。
【実施例２】
【００３２】
ここで、図３及び図４を参照して、本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法を説明する。
図３参照  
図３は、本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図であり、排気口１２及びガス導入口１３を有する測定チャンバー１１、試料１５を載置・駆動するゴニオステージ１４、Ｃｓ+ イオン１７を照射するＣｓイオン銃１６、一次イオンとしてのＧａ+ イオン２５を照射するＧａイオン銃２４、試料１５から発生した二次イオン１８を質量分析する四重極型質量分析器１９、質量分析したイオンの量（数）を測定する検出器２０、試料１５の表面近傍に酸素ガス２２を供給するノズル２１、ノズル２１の開閉を制御するリークバルブ２３によって構成される。
なお、ここでは、試料１５としてＢを３ｋｅＶの加速エネルギーで１×１０15ｃｍ-2ドープしたシリコン基板を用いた。
【００３３】
まず、１×１０-9Ｔｏｒｒのベース圧力まで真空排気した測定チャンバー１１内にリークバルブ２３を開にしてノズル２１から酸素ガス２２を導入して１×１０-8Ｔｏｒｒ以下の低真空度、例えば、１．０×１０-7Ｔｏｒｒの酸素雰囲気にした状態で、例えば、０．５ｋｅＶのＣｓ+ イオン１７を約３００μｍ×３００μｍの領域に３０ｎＡで５０μ秒照射したのち、１５ｋｅＶのＧａ+ イオン２５を約１５０μｍ×１５０μｍの領域に１ｐＡで１０ｎ秒照射しこの交互の照射を数回、例えば、７回繰り返し、四重極型質量分析器１９及び検出器２０によって発生した二次イオン１８の検出・分析を行う。
【００３４】
この場合、酸素ガス２２とともにＣｓ+ イオン１７を試料１５の表面に供給しているので、単独では二次イオン発生効率の低いＧａ+ イオンを照射しても、上記の実施例１と同程度の感度でＢをＢＯ2 - 等の負の複合分子イオンとして検出することができる。
【００３５】
図４参照  
図４は、本発明の実施例２による分析結果を示すＢ濃度分布図であり、従来のように単にＣｓ+ イオンのみを照射して二次イオンとしてＢ+ イオンを検出する場合に比べて、３桁以上高い検出感度が得られることが分かる。
なお、ここでは、負の複合分子イオンをＢＯ2 - として検出した結果を示してる。
【００３６】
このように、本発明の実施例２においては、より狭い領域の分析を行うためにイオンビームを絞り易いＧａ+ イオンを一次イオンとして用いる際に、試料の表面に予め酸素ガスを供給するとともに、Ｃｓ+ イオンを供給してＯとＣｓとが同時に試料表面に存在する状況を実現しているので、高感度の検出が可能になる。
【００３７】
なお、この実施例２において、四重極型質量分析器１９及び検出器２０による検出タイミングを調整することによって、Ｃｓ+ イオンの照射時の二次イオンを検出することもできるし、或いは、Ｇａ+ イオンの照射時の二次イオンを検出することもでき、さらには、両方の照射時の二次イオンを連続して検出することもできる。
【００３８】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、一次イオンとして電気陰性度の高いアルカリ金属のＣｓを用いているが、Ｃｓに限られるものではなく、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂの他のアルカリ金属或いは、アルカリ金属と同様に電気陰性度の高いアルカリ土類金属、例えば、Ｃａを用いても良いものである。
なお、取扱容易性の観点からは、Ｃｓ以外の元素としては、Ｌｉ或いはＮａが好適である。
【００３９】
また、上記の各実施例においては、Ｂ等のエレクトロボジティブな元素のイオン化効率を高めるために酸素を供給しているが、酸素に限られるものではなく、窒素、フッ素、或いは、塩素等の酸素と同様にエレクトロネガティブな元素を用いても良いものである。
なお、フッ素或いは塩素を用いる場合には、反応性が高いので、測定チャンバーをはじめとする測定装置系を耐フッ素性或いは耐塩素性の高い部材で構成したり、コーティングする必要がある。
【００４０】
また、上記の各実施例においては、酸素ガスをリークバルブを介してノズルから供給しているが、酸素ガスに限られるものではなく、酸素イオン銃を用いて酸素イオンとして供給しても良いものである。
但し、この場合、酸素イオンによるスパッタエッチングが生ずることは望ましくないので、スパッタエッチングが生じないように、０．２５ｋｅＶ以下の加速エネルギーで照射する必要がある。
【００４１】
さらには、酸素をプラズマの形で供給して良いものであり、測定チャンバー内に酸素プラズマを発生させる機構を設けるダイレクトプラズマでも良いし、或いは、測定チャンバーの外で発生させた酸素プラズマを測定チャンバー内に導入するリモートプラズマでも良い。
【００４２】
また、上記の実施例２においては、一次イオンとして液体金属であるＧａを用いているが、Ｇａ+ イオンに限られるものではなく、Ａｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、或いは、Ｓｎ等の溶融が容易な金属が望ましい。
即ち、これらの金属は液体金属或いは溶融が容易な金属であるので、イオン銃内において溶融して点状のイオン源とすることができるので、レンズで収束させる場合の収束性が高くなる。
なお、ＨｇやＰｂでも原理的には問題はないが、環境汚染等が問題になる。
【００４３】
また、上記の各実施例においては、エレクトロネガティブな元素とエレクトロポジティブな元素が両方ドープされている試料における元素分析を前提に考えているが、ドープされている成分が不明の試料の元素分析にも適用されるものであり、この場合には、何方の元素がドープされていても或いは両方ドープされていても、両方の元素に対して同程度の高感度での検出が可能になる。
【００４４】
また、上記の各実施例においては、二次イオン検出手段として四重極型質量分析器を用いているが、四重極型質量分析器に限られるものではなく、磁場（セクター）型質量分析器或いは飛行時間（ＴＯＦ）型質量分析器等の他の構成の質量分析器を用いても良いことは言うまでもない。
【００４５】
また、上記の各実施例においては言及を省略しているが、図５に示した従来例と同様に、イオン照射に伴う帯電を補正するために電子銃を設けることが望ましい。
【００４６】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１表面から放出される二次イオンを検出し、前記試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分析方法において、前記試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でイオンビームを照射して、前記エレクトロネガティブな元素２と前記試料１中に含まれるエレクトロポジティブな元素３との負の複合分子イオン６を検出することを特徴とする深さ方向元素分析方法。
（付記２）  上記エレクトロネガティブな元素雰囲気４が、酸素雰囲気であり、且つ、酸素分圧が１×１０-8Ｔｏｒｒ以下の低真空度であることを特徴とする付記１記載の深さ方向元素分析方法。
（付記３）  上記試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態で、二次イオンを励起するための一次イオン５として、アルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンのいずれかを用いることを特徴とする付記１または２に記載の深さ方向元素分析方法。
（付記４）  上記試料１をエレクトロネガティブな元素雰囲気４に曝した状態でアルカリ金属イオン或いはアルカリ土類金属イオンを照射したのち、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオン或いは希土類元素イオンのいずれかのイオンを一次イオン５として用いて二次イオンを励起することを特徴とする付記１または２に記載の深さ方向元素分析方法。
（付記５）  上記アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンを除く金属イオンが、Ｇａイオン、Ａｕイオン、Ｂｉイオン、Ｉｎイオン、或いは、Ｓｎイオンのいずれかであることを特徴とする付記４記載の深さ方向元素分析方法。
（付記６）  上記複合分子イオン６の検出工程において、試料１中に含まれるエレクトロネガティブな元素８も同時に検出することを特徴とする付記１乃至５のいずれか１に記載の深さ方向元素分析方法。
（付記７）  上記エレクトロネガティブな元素雰囲気４を構成するエレクトロネガティブな元素２を供給する手段が、リークバルブ、イオンガン、或いは、プラズマ発生機構のいずれかであることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１に記載の深さ方向元素分析方法。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の活用例としては、半導体集積回路装置における不純物元素の分析、特に、ｐ型不純物とｎ型不純物とが同時にドープされている領域における不純物元素の分析が典型的なものであるが、成膜した絶縁膜或いはシリサイド膜等における成膜方向の組成分布の測定にも適用されるものであり、さらには、薄膜磁気ヘッド等の金属膜を含む多層構造膜の成膜方向の組成分布の測定にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図である。
【図３】本発明の実施例２の深さ方向元素分析方法に用いる二次イオン質量分析装置の概念的構成図である。
【図４】本発明の実施例２による分析結果を示すＢ濃度分布図である。
【図５】従来のＳＩＭＳ装置の概略的構成図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  試料
２  エレクトロネガティブな元素
３  エレクトロポジティブな元素
４  元素雰囲気
５  一次イオン
６  複合分子イオン
７  二次イオン検出手段
８  エレクトロネガティブな元素
１１  測定チャンバー
１２  排気口
１３  ガス導入口
１４  ゴニオステージ
１５  試料
１６  Ｃｓイオン銃
１７  Ｃｓ+ イオン
１８  二次イオン
１９  四重極型質量分析器
２０  検出器
２１  ノズル
２２  酸素ガス
２３  リークバルブ
２４  Ｇａイオン銃
２５  Ｇａ+ イオン
４１  試料
４２  試料ホルダー
４３  酸素イオン銃
４４  セシウムイオン銃
４５  四重極型質量分析器
４６  検出器
４７  電子銃
【図１】
0004726003.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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