(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティー部を有し、外周面に複数の入力外部端子、出力外部端子およびグランド外部端子を、前記キャビティー部内に、前記入力外部端子、前記出力外部端子および前記グランド外部端子に導通した複数の入力パッド、出力パッドおよびグランドパッドを有する容器と、
該容器の前記キャビティー部内に併設して収容されている複数のＳＡＷフィルタ素子と、前記容器の前記キャビティー部を封止する金属製蓋体とから成り、
各前記ＳＡＷフィルタ素子の入力電極は前記入力パッドに、出力電極は前記出力パッドに、およびグランド電極は前記グランドパッドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、
前記グランド外部端子を挟んで、一の前記ＳＡＷフィルタ素子に接続された前記入力外部端子と、該一のＳＡＷフィルタ素子に隣接する他の前記ＳＡＷフィルタ素子に接続された前記入力外部端子とが配設されており、
前記複数のグランド外部端子は、互いに隣接する前記ＳＡＷフィルタ素子を分割する線上に位置し、かつ互いに対向するように前記容器の対向する外周面上に配設された一対の第１のグランド外部端子と、該第１のグランド外部端子以外の第２のグランド外部端子とを有し、前記金属製蓋体が、前記第１のグランド外部端子および前記第２のグランド外部端子のうち前記第１のグランド外部端子のみを介して接地されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記グランド外部端子を挟んで、前記一のＳＡＷフィルタ素子に接続された前記出力外部端子と、前記他のＳＡＷフィルタ素子に接続された前記出力外部端子とが配設されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デュプレクサや微弱信号抽出用フィルタに用いられる複数のＳＡＷフィルタ素子を１つの容器に収容して成る弾性表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波素子で構成された弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと称す）素子は多くの通信分野で用いられ、高性能、小型、量産性等の特徴を有することから携帯電話等の普及の一翼を担っている。
【０００３】
例えば、デュプレクサは、１つの容器内に受信用フィルタを構成するＳＡＷフィルタ素子と送信用フィルタを構成するＳＡＷフィルタ素子とを配置していた。また、微弱信号抽出用フィルタは、前段ＳＡＷフィルタ素子、増幅回路、後段ＳＡＷフィルタ素子とから成り、上述の前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子とを同一容器のキャビティー部内に配置していた。
【０００４】
いずれの場合でも、複数のＳＡＷフィルタ素子間での結合を抑えて、相互干渉を防止することが重要となる。特に、微弱信号抽出用フィルタでは、前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子の帯域の中心周波数が略同一で、しかも、同時に２つのＳＡＷフィルタ素子を駆動する必要があるため、両者の相互干渉を如何に低減するかが重要となる。
【０００５】
即ち、相互干渉が大きいと、前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子とを外部配線によって縦続接続した場合、２つのＳＡＷフィルタ素子の各減衰量から期待できるトータル減衰量がそのまま得られない場合が多い。これは、相互干渉によって２つのＳＡＷフィルタ素子のトータル減衰量が、前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子のアイソレーションレベルにより制約される為である。実際の機器では、２つのＳＡＷフィルタ素子間に増幅回路を挟んで使用されることが多いが、その場合も同様の問題が発生する。
【０００６】
従来、上述のようなＳＡＷフィルタ素子の相互の干渉を低減する方法としては、例えば、特開平１１−２０５０７７号などに開示されている。
【０００７】
同号公報の技術は、２つのＳＡＷフィルタ素子を容器のキャビティー部内に収容し、前記容器の入力パッド、出力パッド、グランドパッドとＳＡＷフィルタ素子の入力電極、出力電極、グランド電極とを電気的に接続して弾性表面波装置を構成したものである。特に、前記容器のキャビティー部内に複数のグランドパッドを設け、一方のＳＡＷフィルタ素子のグランド電極と他方のＳＡＷフィルタ素子のグランド電極とを別のグランドパッドに接続することが開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の従来技術では、ＳＡＷフィルタ素子の入出力電極、グランド電極と入出力パッド、グランドパッドとの接続関係しか規定されていない。本発明者が種々の実験を行ったところ、一方のＳＡＷフィルタ素子に接続された入出力外部端子と他方のＳＡＷフィルタ素子に接続された入出力外部端子との相互干渉や、容器のキャビティー部を封止する金属製蓋体を介したそれぞれのＳＡＷフィルタ素子との間の相互干渉が発生することを知見した。
【０００９】
従来の弾性表面波装置ＳＷを図１６、図１７に示す。図１６は、従来の弾性表面波装置ＳＷにおける金属製蓋体を省略した状態の外観図であり、図１７は、図１６においてＳＡＷフィルタ素子を省略した状態の外観図である。図中、１００は前段ＳＡＷフィルタ素子、２００は後段ＳＡＷフィルタ素子、３００は凹状の容器である。
【００１０】
また、１３５は容器３００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子１００の入力電極１０５にボンディングワイヤを介して接続される入力パッド、１３６は容器３００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子１００のグランド電極１０１にボンディングワイヤを介して接続されるグランドパッド、１３７は容器３００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子１００の出力電極１０４からボンディングワイヤを介して接続される出力パッド、１３８は容器３００の段差部に形成され後段ＳＡＷフィルタ素子２００の出力電極１０６にボンディングワイヤを介して接続される出力パッド、１３９は容器３００の段差部に形成され後段ＳＡＷフィルタ素子２００のグランド電極１０２にボンディングワイヤを介して接続されるグランドパッド、１３４は容器３００の段差部に形成され前段ＳＡＷフィルタ素子２００の入力電極１０５にボンディングワイヤを介して接続される入力パッドである。５００は容器３００のキャビティー部３１７の実装面の略全面に形成したグランド導体膜である。
【００１１】
更に、１４７、１４８は容器３００の外側面に形成され、不図示の金属製蓋体に接続される外部グランド端子、１４１は前段ＳＡＷフィルタ素子１００の外部入力端子、１４２は容器３００の外側面に形成された前段ＳＡＷフィルタ素子１００の外部出力端子、同じく１４３は後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部入力端子、１４４は後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部出力端子である。
【００１２】
図１７に示すように、グランド導体膜５００はグランドパッド１３６、１３９に接続され、容器３００の外側面に形成されたグランド外部端子１４７、１４８と導通されている。なお、複数のグランド外部端子１４７、１４８を設けているのはグランド導体膜５００のグランドを強化するためである。
【００１３】
更に、前段ＳＡＷフィルタ素子１００の外部入力端子１４１は入力パッド１３５に、外部出力端子１４２は出力パッド１３７にそれぞれ接続されている。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２００の外部入力端子１４３は入力パッド１３４に、外部出力端子１４４は出力パッド１３８にそれぞれ接続されている。
【００１４】
しかしながら、以上のような構成では、ＳＡＷフィルタ素子２００に接続された入出力外部端子１４３、１４４との間の電磁気的な結合、あるいは、金属製蓋体を形成した場合に金属製蓋体を介したＳＡＷ素子間の電磁気的結合を防止することは出来ないものである。
【００１５】
一方、弾性表面波装置において、容器の外周面に形成した入出力外部端子間の電磁結合を防止する構成については特開平７−３２１５９４に開示されている。
【００１６】
しかしながら、１つのＳＡＷフィルタ素子における帯域外の信号の減衰特性を向上させるものであり、従って、デュプレクサや微弱信号抽出用フィルタのように複数のＳＡＷフィルタ素子を一つの容器に収容した場合の、互いのＳＡＷフィルタの相互干渉を防止できる技術の開示は全くされていない。
【００１７】
本発明は、上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、デュプレクサや微弱信号抽出用フィルタのように複数のＳＡＷフィルタ素子を一つの容器に収容した場合に、互いのＳＡＷフィルタの相互干渉を防止し、もって、安定したフィルタ特性が導出できる弾性表面波装置を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、キャビティー部を有し、外周面に複数の入力外部端子、出力外部端子およびグランド外部端子を、前記キャビティー部内に、前記入力外部端子、前記出力外部端子および前記グランド外部端子に導通した複数の入力パッド、出力パッドおよびグランドパッドを有する容器と、該容器の前記キャビティー部内に併設して収容されている複数のＳＡＷフィルタ素子と、前記容器の前記キャビティー部を封止する金属製蓋体とから成り、各前記ＳＡＷフィルタ素子の入力電極は前記入力パッドに、出力電極は前記出力パッドに、およびグランド電極は前記グランドパッドに夫々接続されている弾性表面波装置であって、前記グランド外部端子を挟んで、一の前記ＳＡＷフィルタ素子に接続された前記入力外部端子と、該一のＳＡＷフィルタ素子に隣接する他の前記ＳＡＷフィルタ素子に接続された前記入力外部端子とが配設されており、前記複数のグランド外部端子は、互いに隣接する前記ＳＡＷフィルタ素子を分割する線上に位置し、かつ互いに対向するように前記容器の対向する外周面上に配設された一対の第１のグランド外部端子と、該第１のグランド外部端子以外の第２のグランド外部端子とを有し、前記金属製蓋体が、前記第１のグランド外部端子および前記第２のグランド外部端子のうち前記第１のグランド外部端子のみを介して接地されていることを特徴とする弾性表面波装置である。
【００１９】
また、前記グランド外部端子を挟んで、前記一のＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部端子と、前記他のＳＡＷフィルタ素子に接続された出力外部端子とが配設されていることを特徴とする弾性表面波装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の弾性表面波装置を図面に基づいて説明する。尚、実施例は、微弱信号抽出用フィルタを用いて説明する。微小信号とは、例えば、人工衛星などから地上に送信される信号などが例示される。
【００２２】
この微小信号抽出用フィルタは、例えば、図１に示すように、アンテナ回路Aに接続され、且つ増幅手段Ｐとともに用いらる。具体的には、アンテナ回路Ａに、特定周波数帯域を通過させ得る前段（フロントエンド）ＳＡＷフィルタ素子（以下、単に前段ＳＡＷフィルタ素子）１、この特定周波数の信号成分を抽出した信号を増幅する増幅手段Ｐ、増幅した信号を再度抽出処理する後段（インターステージ）ＳＡＷフィルタ素子（以下、単に後段ＳＡＷフィルタ素子）２を順次接続する。これにより、微弱信号が増幅されて通常のスイッチ回路や受信回路で処理できる程度のレベルの信号となり、しかも、ノイズ成分が抑制された信号が得られることになる。
【００２３】
このような微弱信号抽出用フィルタの構成において、少なくとも増幅手段Ｐは、ＩＣチップなどによって別部品で扱うことになる。そして、前段ＳＡＷフィルタ素子と後段ＳＡＷフィルタ素子とを同一容器内に収容して、１つの部品として取り扱う。
【００２４】
本発明の弾性表面波装置ＳＷは、この前段ＳＡＷフィルタ素子１と後段ＳＡＷフィルタ素子２とを一体化した部品をいう。尚、ＳＡＷフィルタ素子とは、それ自体がフィルタ機能を持つもので、個々で共振器の機能を有して、これらを接続することでフィルタとなるものは含まれない。
【００２５】
図２は本発明の弾性表面波装置ＳＷの外観図である。また、図３は金属製蓋体を省略した状態の平面図であり、図７、図９は容器の断面構造を示し、図6、図８は、容器の主要部分の平面図である。尚、図５（ａ）、（ｂ）は、本発明のＳＡＷフィルタ素子の等価回路を示す。
【００２６】
図２において、本発明の弾性表面波装置ＳＷは、容器３と容器上面に被着封止された金属製蓋体７とから構成されている。また、容器３外側の４つの端面には、外部端子を形成するための平面から見た形が半円形の溝部が、例えば８つ（一対の辺には夫々３つ、もう一対の辺には１つ）形成されている。
【００２７】
この外部端子を形成する半円形の溝部は容器３の厚み方向に形成されており、この溝部内に外部端子４１〜４８が形成されている。例えば、一対の対向しあう端面の一方面には、前段ＳＡＷフィルタ素子用入力パッドに導通する前段用入力外部端子４１、後段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッドに導通するグランド外部端子４５、後段ＳＡＷフィルタ素子用入力パッドに導通した後段用入力外部端子４３が形成されている。
【００２８】
また、一対の対向しあう端面の他方面には、前段ＳＡＷフィルタ素子用出力パッド（後述）に導通する前段用出力外部端子４２、前段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッド（後述）に導通するグランド外部端子４６、後段ＳＡＷフィルタ素子用出力パッド（後述）に導通した後段用出力外部端子４４が形成されている。
【００２９】
さらに、もう一対の端面の一方面には、前段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッドに導通するグランド外部端子４７が配置されている。また、もう一対の端面の他方面には、後段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッドに導通するグランド外部端子４８が配置されている。
【００３０】
このような容器３の上面には、図３に示すように、例えば２つのＳＡＷフィルタ素子１、２が実装される実装面３Ｃ及び両側面に段差部３ａ、３ｂを有するキャビティー部３０が形成されている。そして、この実装面３Ｃには、ＳＡＷフィルタ素子１、２が配置されている。また、キャビティー部３０の段差部３ａには、図３の上側から、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極（後述）と接続する入力パッド３１、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグランド電極（後述）と接続するグランドパッド３５、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド３６、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極と接続する入力パッド３３、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド３７が配置されている。
【００３１】
また、他方の段差部３ｂには、図３の上側から、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグランド電極と接続するグランドパッド３８、前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力電極と接続する出力パッド３２、グランドパッド３９、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド４０、後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力電極と接続する出力パッド３４が配置されている。
【００３２】
また、キャビティー部３０で、この段差部３ａ、３ｂに囲まれたキャビティー部の実装面３Ｃには、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２が接合される領域において、グランド導体膜５１が形成されている（図１１参照）。
【００３３】
即ち、図３でキャビティー部３の実装面３ｃにあるグランド導体膜５１上には、前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２が配置されている。
【００３４】
このＳＡＷフィルタ素子１、２は、図４に示すようにタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶基板などの圧電基板５３、５４の表面に、互いに噛み合う１組の櫛型電極指からなるインターデジタル電極ＰＳ、接続導体ＰＰＳ、入力電極１１、２１、出力電極１２、２２、グランド電極１３、１４、２３〜２５、必要に応じて反射器電極（図中、×の記号を指す）が形成されている。
【００３５】
そして、このインターデジタル電極ＰＳにより、１つの共振部を構成することになる。そして、この共振部は直列共振部、並列共振部に分類され、接続導体を介して、直列共振部と並列共振部とが互いに接続される。
【００３６】
例えば、図４（ａ）の上部に示す前段ＳＡＷフィルタ素子１は、圧電基板５３上に３つの直列共振部Ｓ１１〜Ｓ１３と４つの並列共振部Ｐ１１〜Ｐ１４とが接続導体ＰＰＳによってラダー状に接続されている。この等価回路図を図５（ａ）に示す。
【００３７】
そして、このＳＡＷフィルタ素子１には、１つの入力電極１１、１つの出力電極１２、２つのグランド電極１３、１４が被着形成されている。
【００３８】
図４（ｂ）に示す後段ＳＡＷフィルタ素子２は、圧電基板５４上に２つの直列共振部Ｓ２１〜Ｓ２２と３つの並列共振部Ｐ２１〜Ｐ２３とが接続導体ＰＰＳによってラダー状に接続されている。この等価回路図を図５（ｂ）に示す。
【００３９】
そして、このＳＡＷフィルタ素子２には、１つの入力電極２１、１つの出力電極２２、３つのグランド電極２３〜２５が被着形成されている。
【００４０】
尚、前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２は、夫々通過帯域での特性、及び選択性を考慮して、接続段数が若干相違している。
【００４１】
このようなＳＡＷフィルタ素子１、２は、絶縁性接着材を介して、キャビティー部３０の実装面３ｃのグランド導体膜５１に接合されている。
【００４２】
また、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極１１は、図３の右側の段差部３ａに形成した入力パッド３１にボンディングワイヤを介して接続され、出力電極１２は、左側の段差部３ｂに形成した出力パッド３２にボンディングワイヤを介して接続されている。また、グランド電極１３は、段差部３ａのグランドパッド３５にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極１４は、段差部３ｂのグランドパッド３８にボンディングワイヤを介して接続されている。
【００４３】
また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極２１は、図３の右側の段差部３ａに形成された入力パッド３３にボンディングワイヤを介して接続され、出力電極２２は、段差部３ｂに形成した出力パッド３４にボンディングワイヤを介して接続されている。また、グランド電極２３は、段差部３ａに形成したグランドパッド３６にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極２４は、段差部３ｂに形成したグランドパッド４０にボンディングワイヤを介して接続され、グランド電極２５は、段差部３ａに形成したグランドパッド３７にボンディングワイヤを介して接続されている。
【００４４】
このような容器３は、少なくとも３層のセラミック層から構成されており、上述のように容器３の一対の外側端面には、図６に示すように、容器３の外部端子４１、４５、４３が厚み方向に形成されている。この外部端子４１、４５、４３は、断面半円形状の溝部の内部に、底面から所定位置まで導体が形成されている。例えば、図６〜図９に示すように前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極１１（図４参照）と接続する入力外部端子４１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極２１（図４参照）と接続する入力外部端子４３は、容器３の底面から外側端面にかけて容器３の厚みの途中まで延びている。また、容器３外側端面の幅方向の略中央部分に位置するグランド外部端子４５は、容器３の底面から外側端面を通って容器３の厚み方向全域に延びて形成され、さらに、容器３の上面に形成したシールリング接合用の導体膜６１に導通している。
【００４５】
また、容器３のもう一方の外側端面は、側面図を省略しているが、図６と同様、出力外部端子４２、４４は、底面から容器の厚みの途中にまで延び、グランド外部端子４６は、容器３の底面から容器の上面にまで延び、さらに、容器３の上面に形成したシールリング接合用の導体膜６１に導通している。
【００４６】
尚、図７において、６１は、上述したようにシールリング接合用導体膜（グランド電位）であり、６２はシールリングであり、７は、金属製蓋体である。
【００４７】
また、図８は、図６と直交する外側端面である。この外側端面には、グランド外部端子４７のみが形成されている。これに対向する容器３の端面には、グランド外部端子４８のみが形成されている。このグランド外部端子４７、４８は、容器３の底面から上面に延びて形成されている。
【００４８】
図7、図9に示す容器３は、最上面のセラミック層３ｘは、キャビティー部３０（図3参照）の開口を形成するためにリング状を成しており、その上面の全面にわたり、コバール、４２アロイなどからなるシールリング６２をロウ付により接合する導体膜６１が被着形成されている。
【００４９】
ここで、図7に示すように最上層のセラミック層３ｘに形成された溝部３０ｘには、例えば入力外部端子４１となる導体膜が被着されていない。これは、他の入出力外部端子４２、４３、４４についても同様な構造である。
【００５０】
また、図９に示すように、グランド外部端子４５、４６については、３つのセラミック層３ｘ〜３zの厚みに跨がって導体膜が形成され、図８に示すようにグランド外部端子４７、４８についてはセラミック層３ｘに形成された溝部３１ｘには、導体膜が被着されていない。この理由は後述する。
【００５１】
また、中間に位置するセラミック層３ｙの上面図を図１０に示す。セラミック層３ｙはキャビティー部３０内壁に段差部３ａ、３ｂを形成するため（図3参照）、キャビティー部３０の開口部寸法に比較して若干小さい開口部を有するリング状となっている。そして、このセラミック層ｙの外周には、外部端子を形成する領域を確保するための容器３の外側端面に溝部が形成される半円形の凹部（符号を省略している）が８つ形成されている。夫々の凹部には、前段ＳＡＷフィルタ素子側の入力外部端子４１となる導体膜、グランド外部端子４５となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子側の入力外部端子４３となる導体膜、グランド外部端子４８となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子側の出力外部端子４４となる導体膜、グランド外部端子４６となる導体膜、前段ＳＡＷフィルタ素子側の出力外部端子４２となる導体膜、グランド外部端子４７となる導体膜が形成されている。
【００５２】
また、このセラミック層３ｙの開口周囲には、各ＳＡＷフィルタ素子の入力電極１１、２１と接続する入力パッド３１、３３となる導体膜、出力電極１２、２２と接続する出力パッド３２、３４となる導体膜、グランド電極１３、１４、２３、２４、２５と接続するグランドパッド３５、３６、３７、３８、３９、４０となる導体膜が形成されている。
【００５３】
例えば、最上層のセラミック層３ｘの開口と中間に位置するセラミック層３ｙの開口の差によって発生する段差部３ａにおいて、例えば、図３の右側となる段差部３ａに相当する部分には、図１０の上から、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極と接続する入力パッド３１となる導体膜、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグランド電極と接続するグランドパッド３５となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド３６となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極と接続する入力パッド３３となる導体膜、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極と接続するグランドパッド３７となる導体膜が形成されている。そして、この５つのパッドのうち、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力電極１１に接続する入力パッド３１となる導体膜は、この辺の外方側に延出され、溝部内の入力外部端子４１となる導体膜に導通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極２３に接続するグランドパッド３６となる導体膜は、この辺の外方側に延出され、溝部内のグランド外部端子４５となる導体膜に導通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力電極２１に接続する入力パッド３３となる導体膜は、この辺の外方側に延出され、そのまま溝部内の入力外部端子４３となる導体膜に導通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２のグランド電極２５に接続するグランドパッド３７となる導体膜は、異なる辺に形成された溝部内のグランド外部端子４８となる導体膜に導通している。
【００５４】
尚、段差部３ａの上から２つ目のパッドである前段ＳＡＷフィルタ素子のグランド電極１３と接続するグランドパッド３５は、段差部３ａの内側に導出され、その壁面に形成した半円形状凹部内に形成されている導体膜に接続している。
【００５５】
また、図面の左側となる段差部３ｂに相当する部分の各パッドにおいて、前段ＳＡＷフィルタ素子１のグランド電極１４に接続するグランドパッド３８は、異なる辺に形成された溝部内のグランド外部端子４７となる導体膜に導通している。また、前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力電極１２に接続する出力パッド３２となる導体膜は、この辺の外方側に延出され、そのまま図面の左辺の溝部内の出力外部端子４２となる導体膜に導通している。また、後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力電極２２に接続する出力パッド３４となる導体膜は、この辺の外方側に延出され、そのまま図面の左辺の溝部内の出力外部端子４４となる導体膜に導通している。
【００５６】
尚、グランドパッド３９はそのまま図面の左辺の溝部内グランド側外部端子４６となる導体膜に導通している。また、グランドパッド４０は、段差部３ｂの内側に導出され、その壁面に形成した半円形状溝部内に形成している導体膜に接続している。
【００５７】
最下層のセラミック層３ｚの上面図を図１１に示す。セラミック層３ｚは平板形状となっており、各セラミック層３ｘ、３ｙと同様に外周に８つの凹部が形成されている。そして、各凹部の内面には、それぞれ外部端子となる導体膜が形成されている。
【００５８】
また、このセラミック層３ｚの上面で、キャビティー部３０の実装面となる領域には、グランド導体膜５１が形成されており、この上に前段ＳＡＷフィルタ素子１と後段ＳＡＷフィルタ素子２が搭載される。
【００５９】
また、グランド導体膜５１は、右側段差部３ａの図面上から２つ目のグランドパッド３５と凹枠内の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にまで延出され（延出部５１ａ参照）、凹部内の導体膜に接続している。また、このグランド導体膜５１は、図面上、上辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外部端子４７となる導体膜と導通している。さらに、図面上、左辺中央に形成された凹部にまで延出され、グランド外部端子４６に導通している。
【００６０】
また、このグランド導体膜５１は、段差段３ｂの図面上から４つ目のグランドパッド４０と凹枠内の導体膜を介して導通するように、その凹部の下部にまで延出され（延出部５１ｂ参照）、凹枠内の導体膜に接続されている。また、このグランド導体膜５１は、図面上、下辺に形成された凹部にまで延出され、グランド外部端子４８となる導体膜と導通している。
【００６１】
さらに、図面上、右辺中央に形成された凹部にまで延出され、グランド外部端子４５に導通している。即ち、このグランド導体膜５１は、例えば、容器３の異なる辺に形成されたグランド外部端子４５，４６，４７、４８に接続されている。これにより、異なる方向からグランド電位に接地する。
【００６２】
また、セラミック層３ｚの底面図を図１２に示す。セラミック層３ｚの底面には、各端子電極４１〜４８と導通した平面状の端子電極４１ａ〜４８aが被着形成されている。
【００６３】
このような容器３は、複数の容器３が抽出できる形状の複数種類、例えば３種類のセラミックグリーンシートを順次積層して形成される。即ち、最上層に位置するセラミック層３ｘ、中間層となるセラミック層３ｙ、最下層となるセラミック層３ｚとなるシートは、所定位置に溝部となるスールホールを形成し、このシート上またはスルーホールの内面に導電性ペーストを塗布する。尚、最上層に位置するセラミック層３ｘ、中間層となるセラミック層３ｙとなるシートに関しては、キャビティー部を形成する開口を有する。
【００６４】
そして、このようなセラミックシートを積層一体化し、焼成し、さらに、容器３の形状に分割または切断することによって得られる。尚、分割または切断を焼成処理前に行っても構わない。ここで、各種導体膜は、Ｗ（タングテステン）やＭｏ（モリブデン）、Ａｇ、Ｃｕなどが例示できる。尚、これらの金属は、セラミックの材料（焼成温度、焼成雰囲気が相違する）によって決定される。セラミック材料がアルミナであれば、導体材料は、Ｗ（タングテステン）やＭｏ（モリブデン）が例示できる。セラミック材料がガラス−セラミック材料であれば、Ａｇ、Ｃｕなどが例示できる。
【００６５】
尚、Ｃｕを用いた場合には、焼成雰囲気は還元性雰囲気でおこなう。
【００６６】
また、容器３から露出するパッド３１〜４０、外部端子４１〜４８は、その表面にＮｉメッキ、Ａｕメッキなどが塗着されている。これにより、パッド３１〜４０においては、ボンディングワイヤによる接合が容易に行え、外部端子４１〜４８においては半田などとの接合が容易となる。また、最上面に位置する導体膜６１では、シールリングとのろう付け接合が容易且つ強固に行える。
【００６７】
このような３つのセラミック層３ｘ〜３ｚからなる容器３の表面に位置する導体膜６１上には、シールリング６２がろう付けによって接合して容器３全体が構成される。
【００６８】
容器３のキャビティー部３０には、上述したように、前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２が接着剤を介して、グランド導体膜５１に接合され、Ａｕなどのワイヤボンディングを介して接続れさる。
【００６９】
そして、このように容器３のキャビティー部３０内に収容された前段ＳＡＷフィルタ素子１及び後段ＳＡＷフィルタ素子２は、キャビティー部３０の外部の開口周囲に配置されたシールリング６２上に金属製蓋体７が載置され、金属製蓋体７とシールリング６２との接合部分に、所定電流を通電して、シーム溶接を行う。
【００７０】
このように形成された金属製蓋体７は、コバールや４２アロイなどの金属平板に、表面に応じて、実装面側にＡｇ層を形成している。実質的には、容器３の外周面である側面に配置されたグランド外部端子４５、４６を介してグランド電位に接地されることになる。
【００７１】
以上のような構成の弾性表面波装置ＳＷでは、複数のグランド外部端子４５〜４８のうち、グランド外部端子４５、４６が金属製蓋体７と電気的に接続されている。このグランド外部端子４５、４６は各ＳＡＷフィルタ素子１、２の間、即ち、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２の間である分割位置に配置され、かつ、互いに向かい合って形成されている。
【００７２】
ここで、グランド外部端子４５を前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４１と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子４３の間に配置しているため、入力外部端子４１と出力外部端子４３の電磁結合により、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４１から後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子４３へ信号が漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの悪化を防ぐことが出来る。
【００７３】
また、グランド外部端子４６を前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子４２と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子４４の間に配置しているため、出力外部端子４２と出力外部端子４４の電磁結合により、前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子４２から後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子４４へ信号が漏れてしまうことにより発生するアイソレーションの悪化を防ぐことが出来る。
【００７４】
尚、この実施例では前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子とが、また前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子とが、それぞれ同一面上に配置されていたが、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子とが、また前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子とがそれぞれ同一面上に配置されている場合は、前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子との間、及び、前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子との間に、それぞれグランド外部端子を配置すればよい。
【００７５】
また、金属製蓋体７を２つのＳＡＷフィルタ素子１、２を分割する線上に位置するグランド外部端子４５及びグランド外部端子４６を通じて接地しているため、金属製蓋体７にグランドレベルの電位が２つのＳＡＷフィルタ素子１、２の間で分断して形成され、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２間の金属製蓋体を介した電磁気的結合により、前段ＳＡＷフィルタ素子１から後段ＳＡＷフィルタ素子２へ信号が漏れてしまうことによって発生するアイソレーションの悪化を防止する事が出来る。
【００７６】
本発明者らは、この効果を確認するために、前段ＳＡＷフィルタ素子１、後段ＳＡＷフィルタ素子２とともに、１．５７ＧＨＺ帯域の中心周波数となる微弱信号抽出用フィルタ装置に基づいて、アイソレーション特性を実測した。
【００７７】
図１９にアイソレーション特性測定時の測定回路を示す。尚、図示していないが、グランド外部端子４５〜４８は全て接地されている。この場合のアイソレーション特性は前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４１に入力された信号に対する後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子４４から出力される信号の減衰の度合いであり、減衰量が大きいほどアイソレーションが良いことになる。
【００７８】
その結果、本発明の弾性表面波装置ＳＷでは、図１３に示すように通過帯域の低周波側の、例えば１４７５ＭＨｚにおいて３９ｄＢの減衰量を確保できるのに対して、図１８に示すように、従来例では、１４７５ＭＨｚにおいて３２ｄＢ程度の減衰量しか確保できない。
【００７９】
また、図１４に示すように、グランド外部端子４５を前段ＳＡＷフィルタ素子１の入力外部端子４１と後段ＳＡＷフィルタ素子２の入力外部端子４３の間に配置し、グランド外部端子４６を前段ＳＡＷフィルタ素子１の出力外部端子４２と後段ＳＡＷフィルタ素子２の出力外部端子４４の間に配置したが、グランド外部端子４５、４６は金属製蓋体７に非接続とし、グランド外部端子４７、４８を金属製蓋体７に接続した場合は、１４７５ＭＨｚにおいて３５ｄＢ程度の減衰量しか確保できない。これは、入出力外部端子の間にグランド外部端子を配置することで、入出力外部端子同士の電磁気的結合によるアイソレーションの悪化は防止できるが、金属製蓋体７を二つのＳＡＷフィルタ素子１、２を分割する線上に位置するグランド外部端子４５及びグランド外部端子４６を通じて接地してないため、金属製蓋体７の電位が二つのＳＡＷフィルタ素子１、２の間で分断されず、二つのＳＡＷフィルタ素子１、２間の金属製蓋体７を介した電磁気的結合により、前段ＳＡＷフィルタ素子１から後段ＳＡＷフィルタ素子２へ信号が漏れてしまうことによって発生するアイソレーションの悪化を防止する事が出来ないからである。
【００８０】
また、図１５に示すように、すべての外部グランド端子４５、４６、４７、４８を金属製蓋体７に接続した場合は、１４７５ＭＨｚにおいて３９ｄＢ程度の減衰量になるが、他の周波数の全体で比較すると、全体的には外部グランド端子４５、４６のみを金属製蓋体７に接続した場合よりも若干劣る特性になる。
【００８１】
尚、上述の実施例では、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２を容器３内のキャビティー部３０に収容した微弱信号抽出用フィルタで説明したが、キャビティー部３０内に、３つ以上のＳＡＷフィルタ素子を配置しても構わない。
【００８２】
また、２つのＳＡＷフィルタ素子１、２を同一基板上に形成しても構わない。
【００８３】
例えば、３つのＳＡＷフィルタ素子を収容した場合には、それぞれの入出力外部端子の間にグランド外部端子を配置し、かつ、それぞれのＳＡＷフィルタ素子を分割する位置に配置された互いに向かい合った外部グランド端子を金属製蓋体と接続すればよい。
【００８４】
また、上述の実施例では、微弱信号抽出用フィルタを例にして説明したが、１つの容器に２つ以上のＳＡＷフィルタ素子を収容した全ての弾性表面波装置にも広く適用できる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明では、２つのＳＡＷフィルタ素子間の相互干渉が少なくアイソレーションの良い弾性表面波装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の弾性表面波装置の実装形態を示す等価回路図である。
【図２】本発明の弾性表面波装置の外観斜視図である。
【図３】本発明の弾性表面波装置において、金属製蓋体を省略した状態を示した概略図である。
【図４】本発明の弾性表面波装置に用いるＳＡＷフィルタ素子上の電極配置を示した平面図である。
【図５】（ａ）は本発明の前段ＳＡＷフィルタ素子の等価回路図であり、（ｂ）は、後段ＳＡＷフィルタ素子の等価回路図である。
【図６】本発明の弾性表面波装置における容器の一方面側の側面図である。
【図７】本発明の弾性表面波装置における入出力外部端子部分の断面図である。
【図８】本発明の弾性表面波装置における容器の他方の端面側の側面図である。
【図９】本発明の弾性表面波装置における２つのＳＡＷフィルタ素子を分割する位置に配置され向かい合うグランド外部端子のうちの１つに関する断面図である。
【図１０】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する中間に位置するセラミック層の上面図である。
【図１１】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する最下層に位置するセラミック層の上面図である。
【図１２】本発明の弾性表面波装置の容器を構成する最下層に位置するセラミック層の下面図である。
【図１３】本発明の弾性表面波装置におけるアイソレーション特性図である。
【図１４】比較例として、本発明の弾性表面波装置に於いて、グランド外部端子４５、４６を金属製蓋体７に非接続とし、グランド外部端子４７、４８を金属製蓋体７に接続したときのアイソレーション特性図である。
【図１５】比較例として、本発明の弾性表面波装置に於いて、グランド外部端子４５，４６、４７、４８を全て金属製蓋体７に接続したときのアイソレーション特性図である。
【図１６】従来の弾性表面波装置において、金属製蓋体を省略した状態を示した外観斜視図である。
【図１７】図１６において、ＳＡＷフィルタ素子を省略した状態の外観斜視図である。
【図１８】従来の弾性表面波装置におけるアイソレーション特性図である。
【図１９】アイソレーション特性の測定回路図である。
【符号の説明】
１・・前段ＳＡＷフィルタ素子
２・・後段ＳＡＷフィルタ素子
３・・容器
３０・・キャビティー部
４１・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の入力外部端子
４２・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の出力外部端子
４３・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の入力外部端子
４４・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の出力外部端子
４５、４６、４７、４８・・グランド外部端子
３１・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の入力パッド
３２・・前段ＳＡＷフィルタ素子用の出力パッド
３５、３８、３９・・前段ＳＡＷフィルタ素子用入力グランドパッド
３３・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の入力パッド
３４・・後段ＳＡＷフィルタ素子用の出力パッド
３６、３７、４０・・後段ＳＡＷフィルタ素子用グランドパッド
５１・・グランド導体膜
【図１】
0004726358.tif 000002
【図２】
0004726358.tif 000003
【図３】
0004726358.tif 000004
【図４】
0004726358.tif 000005
【図５】
0004726358.tif 000006
【図６】
0004726358.tif 000007
【図７】
0004726358.tif 000008
【図８】
0004726358.tif 000009
【図９】
0004726358.tif 000010
【図１０】
0004726358.tif 000011
【図１１】
0004726358.tif 000012
【図１２】
0004726358.tif 000013
【図１３】
0004726358.tif 000014
【図１４】
0004726358.tif 000015
【図１５】
0004726358.tif 000016
【図１６】
0004726358.tif 000017
【図１７】
0004726358.tif 000018
【図１８】
0004726358.tif 000019
【図１９】
0004726358.tif 000020