(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
前記ＩＣチップ実装用基板の一の面側では、
最外層の層間樹脂絶縁層上に、下層の導体回路とバイアホールを介して電気的に接続している最外層の導体回路が形成されており、
前記最外層の層間樹脂絶縁層及び前記最外層の導体回路上に、最外層のソルダーレジスト層が形成されており、
前記最外層のソルダーレジスト層に形成された光学素子収納用開口に、受光素子および発光素子がそれぞれ収納されており、
前記受光素子の受光部及び前記発光素子の発光部は、それぞれ前記ＩＣチップ実装用基板の外側に露出しており、
前記受光素子及び前記発光素子は、それぞれ導体層を介して前記最外層の導体回路と電気的に接続しており、
前記ＩＣチップ実装用基板の他の面側には、ＩＣチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とするＩＣチップ実装用基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層の厚さは、前記受光素子若しくは前記発光素子の厚さと、前記最外層の導体回路の厚さと、前記導体層の厚さとを合計した厚さと同じであるか、又は、前記合計した厚さよりも厚い請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項３】
前記受光素子の受光部と光信号を接続する光路、および、前記発光素子の発光部と光信号を接続する光路が確保されている請求項１又は２に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項４】
前記光路は、光路用開口である請求項３に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層には、半田バンプが形成されている請求項１〜４のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項６】
前記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されている請求項１〜５のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項７】
前記受光素子は、半田接続することができるものである請求項１〜６のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項８】
前記発光素子は、半田接続することができるものである請求項１〜７のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ実装用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信分野を中心として光ファイバに注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野においては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを用いた通信技術が必要となる。
光ファイバは、（１）低損失、（２）高帯域、（３）細径・軽量、（４）無誘導、（５）省資源等の特徴を有しており、この特徴を有する光ファイバを用いた通信システムでは、従来のメタリックケーブルを用いた通信システムに比べ、中継器数を大幅に削減することができ、建設、保守が容易になり、通信システムの経済化、高信頼性化を図ることができる。
【０００３】
また、光ファイバは、一つの波長の光だけでなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同時に多重伝送することができるため、多様な用途に対応可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サービス等にも対応することができる。
【０００４】
そこで、このようなインターネット等のネットワーク通信においては、光ファイバを用いた光通信を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソコン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士の通信にも用いることが提案されている。
【０００５】
このように基幹網と端末機器との通信等に光通信を用いる場合、端末機器において情報（信号）処理を行うＩＣが、電気信号で動作するため、端末機器には、光→電気変換器や電気→光変換器等の光信号と電気信号とを変換する装置（以下、光／電気変換器ともいう）を取り付ける必要がある。そこで、従来の端末機器では、例えば、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学部品等を別々に実装し、これらに電気配線や光導波路を接続し、信号伝送および信号処理を行っていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の端末機器では、ＩＣ実装パッケージ基板と光学部品とを別々に実装しているため、装置全体が大きくなり、端末機器の小型化を妨げる要因となっていた。
また、従来の端末機器では、ＩＣ実装パッケージ基板と光学部品との距離が離れているため、電気配線距離が長く、信号伝送時にクロストークノイズ等による信号エラー等が発生しやすかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本発明者らは、接続信頼性に優れる光通信を達成するとともに、端末機器の小型化に寄与することができるＩＣチップ実装用基板について鋭意検討した結果、ＩＣチップ実装用基板に各種光学部品を実装することにより、上述した課題を解決することができることに想到し、下記の構成からなる本発明のＩＣチップ実装用基板を完成させた。
なお、本明細書中では、第一の本発明、第二の本発明、第三の本発明について説明するが、本願発明はこれら第一〜第三の本発明のうち、第二及び第三の本発明である。
【０００８】
即ち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の表面には、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が実装されていることを特徴とする。
【０００９】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が内蔵または収納され、
上記ＩＣチップ実装用基板の他の面側には、ＩＣチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とする。
【００１０】
第三の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光素子および発光素子が埋設されるとともに、上記受光素子の受光部と光信号を接続する光路、および、上記発光素子の発光部と光信号を接続する光路が確保され、
上記ＩＣチップ実装用基板の他の面側には、ＩＣチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とする。
また、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板における上記光路は、光路用開口であることが望ましい。
【００１１】
第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記ＩＣチップ実装用基板の少なくとも一の面側の最外層にはソルダーレジスト層が形成され、上記ソルダーレジスト層には、半田バンプが形成されていることが望ましい。
なお、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ソルダーレジスト層は形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。
【００１２】
また、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されていることが望ましい。
【００１３】
また、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記受光素子および上記発光素子は、半田接続することができるものであることが望ましい。
上記半田接続することができる受光素子および発光素子としては、例えば、（１）フリップチップ型部品であって、受光面および発光面と同じ側に設けられた半田パッドにより上記ＩＣチップ実装用基板に実装されるとともに、電気接続されるもの。（２）フリップチップ型部品であって、受光面および発光面の反対側に設けられた半田パッドにより上記ＩＣチップ実装用基板に実装されるとともに、電気接続されるもの。（３）ワイヤーボンディング型部品であって、受光面および発光面と同じ側に設けられた半田パッドにより上記ＩＣチップ実装用基板に実装され、受光面および発光面の反対側に設けられたワイヤーボンディング用パッドにワイヤーボンディングされることにより電気接続されるもの。（４）ワイヤーボンディング型部品であって、受光面および発光面の反対側に設けられた半田パッドにより上記ＩＣチップ実装用基板に実装され、受光面および発光面と同じ側に設けられたワイヤーボンディング用パッドにワイヤーボンディングされることにより電気接続されるもの等が挙げられる。
これらのなかでは、上記（１）または（２）であることが望ましい。半田が有するセルフアライメント効果を利用して、受光素子および発光素子（受光部および発光部）の位置を、マザーボード等の外部基板の導光路（光導波路等）に精度よく合わせることができ、受光素子および発光素子の位置決め精度に優れるとともに、ワイヤーボンディングが不要であるため、ＩＣチップ実装用基板に容易に実装することができる。なお、本発明のＩＣチップ実装用基板に実装される受光素子および発光素子としては、上記（１）〜（４）に挙げたもののいずれか一種である必要はなく、上記（１）〜（４）に挙げたものが二種以上存在していてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上記した構成からなるため、基板の表面に受光素子および発光素子が実装されているため、該基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学部品との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。
また、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップを実装することにより光通信に必要な電子部品や光学部品を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
【００１５】
また、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板において、受光素子および発光素子が実装されている側の最外層にソルダーレジスト層が形成され、上記ソルダーレジスト層に半田バンプが形成されている場合には、この半田バンプを介してＩＣチップ実装用基板を外部基板と接続することができるため、半田が有するセルフアライメント効果により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができ、第一〜第三の本発明のＩＣチップ実装用基板と外部基板との間で正確な光信号の伝送を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の表面には、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が実装されていることを特徴とする。
【００１７】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、基板の表面に受光素子および発光素子が実装されているため、該基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学部品との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。
また、ＩＣチップを実装した本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学部品を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
【００１８】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記受光素子等が実装されている側の最外層にソルダーレジスト層が形成されており、上記ソルダーレジスト層に半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。
【００１９】
なお、セルフアライメント作用とは、ソルダーレジスト層が半田をはじくため、リフロー処理時に半田が自己の有する流動性により半田バンプ形成用開口の中央付近により安定な形状で存在しようとする作用をいう。このセルフアライメント作用を利用した場合、上記半田バンプを介して、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板に接続する際に、リフロー前には両者に位置ズレが発生していたとしても、リフロー時に上記ＩＣチップ実装用基板が移動し、該ＩＣチップ実装用基板を外部基板上の正確な位置に取り付けることができる。
従って、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子と、上記外部基板に実装された光学部品（光導波路等）とを介して、光信号の伝送を行う場合に、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子や発光素子の実装位置が正確であれば、上記ＩＣチップ実装用基板と上記外部基板との間で正確な光信号の伝送を行うことができる。
【００２０】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、その一の表面に、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が実装されている。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【００２１】
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
【００２２】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長（０．６〜１．６μｍの範囲）を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
なお、上記受光素子および上記発光素子としては、光学素子として市販されているものも使用することができ、その大きさとしては、受光部や発光部を有する面の一辺の長さが２〜１５ｍｍ程度のものが望ましい。
【００２３】
以下、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図１では、ＩＣチップが実装された状態のＩＣチップ実装用基板を示す。
【００２４】
図１に示すように、ＩＣチップ用実装基板１２０は、基板１２１の両面に導体回路１２４（１２４ａ〜１２４ｄ）と層間樹脂絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ導体回路間、および、層間樹脂絶縁層１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１２９（１２９ａ、１２９ｂ）およびバイアホール１２７（１２７ａ〜１２７ｈ）により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１３４が形成されている。
また、ＩＣチップ用実装基板１２０の一の表面には、受光部１３８ａおよび発光部１３９ａがそれぞれ露出するように、受光素子１３８および発光素子１３９が実装され、加えて、受光素子１３８等が実装されている側のソルダーレジスト層には、半田バンプ１３７が形成されており、ＩＣチップ用実装基板１２０の他の表面には、半田接続部１４３（１４３ａ、１４３ｂ）を介してＩＣチップ１４０が実装されている。
【００２５】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板１２０では、光ファイバや光導波路等（図示せず）を介して外部から送られてきた光信号は、受光素子１３８（受光部１３８ａ）で受信した後、受光素子１３８で電気信号に変換し、さらに、導電層１４２ａ−導体回路１２４ａ−バイアホール１２７ａ、１２７ｂ−スルーホール１２９ａ−バイアホール１２７ｃ、１２７ｄ−導体回路１２４ｂ−半田接続部１４３ａを介してＩＣチップ１４０に送られることとなる。
【００２６】
また、ＩＣチップ１４０から送り出された電気信号は、半田接続部１４３ｂ−導体回路１２４ｃ−バイアホール１２７ｅ、１２７ｆ−スルーホール１２９ｂ−バイアホール１２７ｇ、１２７ｈ−導体回路１２４ｄ−導電層１４２ｂを介して発光素子１３９に送られた後、発光素子１３９で光信号に変換され、この光信号を発光素子１３９（発光部１３９ａ）から光ファイバや光導波路に発信することとなる。
【００２７】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【００２８】
また、ＩＣチップ実装用基板１２０では、一の面側のソルダーレジスト層に半田バンプ１３７が形成されているため、ＩＣチップ１４０から送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光導波路等を介して外部に送りだされるだけでなく、半田バンプを介しても外部基板に送られることとなる。
また、半田バンプ１３７を介して、ＩＣチップ実装用基板１２０の外部からＩＣチップを駆動させるのに必要な電力を供給することもできる。
【００２９】
次に、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する方法について説明する。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等が挙げられる。
また、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板や、シリコン基板を用いてもよい。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【００３０】
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間の接続をスルーホールにより行う場合には、例えば、上記絶縁性基板にドリルやレーザ等を用いて貫通孔を形成した後、無電解めっき処理等を施すことによりスルーホールを形成しておく。なお、上記貫通孔の直径は、通常、１００〜３００μｍである。
また、スルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。
【００３１】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面に粗化形成処理を施す。
上記粗化形成処理としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を挙げることができる。
ここで、粗化面を形成した場合、通常、該粗化面の平均粗度の下限は０．１μｍが望ましく、上限は５μｍが望ましい。導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性、導体回路の電気信号伝送能に対する影響等を考慮すると上記粗化面の下限は２μｍがより望ましく、上限は４μｍがより望ましい。
なお、この粗化形成処理は、スルーホール内に樹脂充填材を充填する前に行い、スルーホールの壁面にも粗化面を形成してもよい。スルーホールと樹脂充填材との密着性が向上するからである。
【００３２】
（３）次に、導体回路を形成した基板上に、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部がアクリル化された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム上に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
【００３３】
これらのなかでは、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着する方法が望ましく、樹脂フィルムの圧着は、例えば、真空ラミネータ等を用いて行うことができる。
また、圧着条件は特に限定されず、樹脂フィルムの組成等を考慮して適宜選択すればよいが、通常は、圧力０．２５〜１．０ＭＰａ、温度４０〜７０℃、真空度１３〜１３００Ｐａ、時間１０〜１２０秒程度の条件で行うことが望ましい。
【００３４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂や、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３５】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部をアクリル化した樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
【００３６】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【００３７】
また、上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂や感光性樹脂（熱硬化性樹脂の一部をアクリル化した樹脂も含む）と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えばフェノール樹脂／ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂とポリエーテルスルフォン等が挙げられる。
【００３８】
また、上記樹脂複合体における熱硬化性樹脂や感光性樹脂と熱可塑性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保することができるからである。
【００３９】
また、上記樹脂層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。
具体的には、例えば、下層が熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝５０／５０の樹脂複合体から形成され、上層が熱硬化性樹脂または感光性樹脂／熱可塑性樹脂＝９０／１０の樹脂複合体から形成されている等である。
このような構成にすることにより、基板との優れた密着性を確保するとともに、後工程でバイアホール用開口等を形成する際の形成容易性を確保することができる。
【００４０】
また、上記樹脂層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００４１】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持することができるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成してもよい。
【００４２】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させる。
【００４３】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００４４】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４５】
上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質は、無機粒子、樹脂粒子および金属粒子から選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
【００４６】
上記無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４７】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００４８】
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００４９】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうこととなるからである。
【００５０】
また、上記樹脂粒子としては、ゴム粒子や液相樹脂、液相ゴム等を用いてもよい。
上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
また、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用してもよい。
【００５１】
上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴマーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。
上記液相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。
【００５２】
上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分離するように）ように、これらの物質を選択する必要がある。
上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂または液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製することができる。
そして、このような状態の感光性樹脂組成物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂または液相ゴムを除去することにより粗化面を形成することができる。
【００５３】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００５４】
上記可溶性の物質を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低いため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００５５】
上記粗化液として用いる酸としては、例えば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、アルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の水溶液等を用いることが望ましい。
また、上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液が望ましい。
【００５６】
上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましい。
また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。
【００５７】
このように、平均粒子と相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせることにより、薄膜導体層の溶解残渣をなくし、めっきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さらに、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。
さらに、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸が小さくても実用的なピール強度を維持することができる。
上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍであることが望ましい。
【００５８】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。また、この工程では、必要に応じて、貫通孔を形成してもよい。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。また、層間樹脂絶縁層の材料として感光性樹脂を用いた場合には、露光現像処理により形成してもよい。
【００５９】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。この場合、バイアホール用開口は、レーザ処理を施すことにより形成することができる。
また、この工程で貫通孔を形成する場合、該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等により形成すればよい。
【００６０】
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。
【００６１】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で樹脂フィルム層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【００６２】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０−４〜１０−８秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
また、光学系レンズと、マスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射強度が同一のレーザ光を複数の部分に照射することができるからである。
このようにしてバイアホール用開口を形成した後、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。
【００６３】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、導体回路を形成する。
導体回路を形成するにあたっては、まず、層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング等の方法により形成することができる。
【００６４】
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。
これらのなかでは、電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、その下限は０．３μｍが望ましく、０．６μｍがより望ましい。また、その上限は２．０μｍが望ましく、１．２μｍがより望ましい。また、スパッタリングにより形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【００６５】
また、上記薄膜導体層を形成する前に、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。粗化面を形成することにより、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との密着性を向上させることができる。特に、粗化面形成用樹脂組成物を用いて層間樹脂絶縁層を形成した場合には、酸や酸化剤等を用いて粗化面を形成することが望ましい。
【００６６】
また、上記（４）の工程で貫通孔を形成した場合には、層間樹脂絶縁層上に薄膜導体層を形成する際に、貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成することによりスルーホールとしてもよい。
【００６７】
（６）次いで、その表面に薄膜導体層が形成された基板の上にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【００６８】
（７）その後、薄膜導体層をめっきリードとして電気めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電気めっき層を形成する。上記電気めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、上記電気めっき層の厚さは、５〜２０μｍが望ましい。
【００６９】
その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の薄膜導体層を除去することにより導体回路（バイアホールを含む）を形成することができる。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、層間樹脂絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、このめっきレジストを形成した後、電気めっき層を形成する方法（工程（６）および（７））に代えて、薄膜導体層上の全面に電気めっき層を形成した後、エッチング処理を施す方法を用いて導体回路を形成してもよい。
【００７０】
また、上記（４）および（５）の工程においてスルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填してもよい。
また、スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合、必要に応じて、無電解めっきを行うことにより樹脂充填材層の表層部を覆う蓋めっき層を形成してもよい。
【００７１】
（８）次に、蓋めっき層を形成した場合には、必要に応じて、該蓋めっき層の表面に粗化処理を行い、さらに、必要に応じて、（３）〜（７）の工程を繰り返すことにより、その両面に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層形成する。また、この工程では、スルーホールを形成してもよいし、形成しなくてもよい。
【００７２】
（９）次に、導体回路と層間樹脂絶縁層とを形成した基板の最外層に、必要に応じて、ソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる。
【００７３】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト層の厚さの下限は１０μｍが望ましく、より望ましくは１５μｍであり、上限は３０μｍが望ましく、より望ましくは２５μｍである。なお、上記ソルダーレジスト層の厚さは２０μｍであることが最も望ましい。
【００７４】
（１０）次に、上記ソルダーレジスト層に、半田バンプ形成用開口と光学素子実装用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口および光学素子実装用開口の形成は、バイアホール用開口を形成する方法と同様の方法、即ち、露光現像処理やレーザ処理を用いて行うことができる。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光学素子実装用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。また、上記光学素子実装用開口の開口径としては、受光素子および発光素子の半田パッド（接続端子）のピッチ（例えば、１００〜２５０μｍ）、および、上記半田パッドの直径（例えば、５０〜２００μｍ）に合わせて適宜調整すればよく、具体的には、例えば、上記半田パッドの直径と略同一であってもよいし、上記半田パッドの直径よりも１０〜３０μｍ程度大きくてもよい。半田パッドの直径よりも大きくした場合には、半田の接合強度を向上させることができる。
【００７５】
（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。これらのなかでは、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することが望ましい。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
また、この工程では、光学素子実装用開口を形成することにより露出した導体回路部分にも被覆層を形成することが望ましい。
【００７６】
（１２）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
上記半田ペーストの組成としては、Ｓｎ：Ａｇ（重量比）＝９６．５：３．５（融点２２１℃、共晶）が挙げられる。
また、上記半田ペーストのその他の組成としては、例えば、Ｓｎ：Ａｇ：Ｃｕ（重量比）＝９６．５：３．０：０．５等のＳｎＡｇＣｕ系、Ｓｎ：Ｃｕ（重量比）＝９９．３：０．７等のＳｎＣｕ系、Ｓｎ：Ｓｂ（重量比）＝９５．０：５．０等のＳｎＳｂ系等が挙げられる。
【００７７】
（１３）さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子および発光素子）を実装する。光学素子の実装は、例えば、上記（１２）の工程で光学素子実装用開口にも半田ペーストを充填しておき、さらに、リフローを行う際に、位置合わせをして上記光学素子を取り付けることにより半田（導電層）を介して実装すればよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
これらの方法を用いた場合には、受光素子および発光素子はソルダーレジスト層の表面に実装されることとなる。
このような工程を経ることにより、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【００７８】
次に、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が内蔵または収納され、
上記ＩＣチップ実装用基板の他の面側には、ＩＣチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とする。
【００７９】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板では、基板の表面に受光素子および発光素子が実装されているため、該基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学部品との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。
また、ＩＣチップを実装した本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学部品を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
【００８０】
また、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板においても、上記受光素子等が実装されている側の最外層にソルダーレジスト層が形成されており、該ソルダーレジスト層に半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができるため、正確な光信号の伝送を行うことができる。
【００８１】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板と比べて、受光素子および発光素子の実装方法が異なる。即ち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、該ＩＣチップ実装用基板の一の表面に受光素子および発光素子が実装されているのに対し、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板では、該ＩＣチップ実装用基板の一の表面側に、受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が内蔵または収納（以下、両者を併せて単に収納という）されている。
【００８２】
以下、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図２は、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図２では、ＩＣチップが実装された状態のＩＣチップ実装用基板を示す。
【００８３】
図２に示すように、ＩＣチップ用実装基板２２０は、基板２２１の両面に導体回路２２４と層間樹脂絶縁層２２２とが積層形成され、基板２２１を挟んだ導体回路間、および、層間樹脂絶縁層２２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール２２９およびバイアホール２２７により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ用実装基板２２０の一の面側には、受光部２３８ａおよび発光部２３９ａがそれぞれ露出するように、受光素子２３８および発光素子２３９がソルダーレジスト層２３４に収納され、受光素子２３８および発光素子２３９は導体層２４２を介して導体回路２２４に接続されている。
また、受光素子２３８等が収納されている側のソルダーレジスト層２３４には半田バンプ２３７が形成されており、ＩＣチップ実装用基板２２０の他の表面には半田接続部２４３を介してＩＣチップ２４０が実装されている。
【００８４】
第二の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【００８５】
また、ＩＣチップ実装用基板２２０では、一の面側のソルダーレジスト層に半田バンプ２３７が形成されているため、ＩＣチップから送り出された電気信号は、この半田バンプ２３７を介して外部基板に送りだすことができる。
また、半田バンプ２３７を介して、ＩＣチップ実装用基板２２０の外部からＩＣチップを駆動させるのに必要な電力を供給することもできる。
【００８６】
このような第二の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装されている受光素子や発光素子としては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装されている受光素子や発光素子と同様のもの等が挙げられる。
【００８７】
次に、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する方法について説明する。
（１）まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１）〜（８）の工程と同様の方法を用いて、その両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、バイアホールおよびスルーホールが形成された基板を製造する。
【００８８】
（２）次に、導体回路と層間樹脂絶縁層とを形成した基板の最外層にソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（９）の工程と同様の方法を用いて形成することができる。
なお、上記ソルダーレジスト層の露出面は、受光素子の受光面や発光素子の発光面と同一面を形成しており、例えば、上記受光素子および上記発光素子の厚さが３００μｍであり、これらの半田接続高さが５０μｍである場合、上記ソルダーレジスト層の厚さは３５０μｍである。但し、場合によっては、上記ソルダーレジスト層の厚さは、厳密に３５０μｍである必要はなく、例えば、３００〜４００μｍであってもよい。
【００８９】
（３）次に、上記ソルダーレジスト層に、半田バンプ形成用開口と光学素子収納用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口の形成は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１０）の工程と同様の方法、即ち、バイアホール用開口を形成する方法と同様の方法を用いて行うことができる。
また、上記光学素子収納用開口の形成は、上記半田バンプ形成用開口の形成と同様の方法を用いて行うことができる。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光学素子収納用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【００９０】
（４）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて被覆し、半田パッドとする。具体的には、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１１）の工程と同様の方法を用いて被覆層を形成する。
また、この工程では、光学素子収納用開口を形成することにより露出した導体回路部分にも被覆層を形成することが望ましい。
【００９１】
（５）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
【００９２】
（６）さらに、ソルダーレジスト層に受光素子および発光素子を、それぞれ受光部および発光部が露出するように収納する。光学素子（受光素子および発光素子）の実装は、例えば、上記（５）の工程で光学素子収納用開口にも半田ペーストを充填しておき、さらに、リフローを行う際に、上記光学素子を取り付けることにより半田（導電層）を介して実装すればよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
【００９３】
また、上記（２）〜（５）の工程を行う方法では、ソルダーレジスト層を形成した後、光学素子を収納しているが、このような方法に代えて、以下のような方法を用いて光学素子の収納と半田バンプの形成とを行ってもよい。
即ち、上記（１）の工程を経て、その両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、バイアホールおよびスルーホールが形成された基板を製造した後、まず、半田ペーストや導電性接着剤を介して光学素子を導体回路に取り付ける。
次に、ソルダーレジスト組成物を光学素子非実装部に塗布したり、光学素子を収納する部分に相当する部分に開口を有するフィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりすることにより光学素子が収納されたソルダーレジスト層を形成する。
【００９４】
さらに、上記（３）〜（５）の工程と同様にして、半田バンプ形成用開口の形成、必要に応じて被覆層の形成、および、半田ペーストの充填を行うことにより半田バンプを形成する。
【００９５】
これらの方法を用いた場合には、ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光素子および発光素子が内蔵または収納されることとなる。
このような工程を経ることにより、第二の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【００９６】
次に、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第三の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されたＩＣチップ実装用基板であって、
上記ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光素子および発光素子が埋設されるとともに、上記受光素子の受光部と光信号を接続する光路、および、上記発光素子の発光部と光信号を接続する光路が確保され、
上記ＩＣチップ実装用基板の他の面側には、ＩＣチップが取り付けられる部位を備えていることを特徴とする。
【００９７】
第三の本発明のＩＣチップ実装用基板では、基板の表面に受光素子および発光素子が実装されているため、該基板にＩＣチップを実装した場合、ＩＣチップと光学部品との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れる。
また、ＩＣチップを実装した本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学部品を一体化することができるため、光通信用端末機器の小型化に寄与することができる。
【００９８】
また、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板においても、上記受光素子等が実装されている側の最外層にソルダーレジスト層を形成し、該ソルダーレジスト層に半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができるため、正確な光信号の伝送を行うことができる。
【００９９】
第三の本発明のＩＣチップ実装用基板は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板と比べて、受光素子および発光素子の実装方法が異なる。即ち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、該ＩＣチップ実装用基板の一の表面に受光素子および発光素子が実装されているのに対し、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板では、該ＩＣチップ実装用基板の一の面側に、受光素子および発光素子が埋設されるとともに、上記受光素子の受光部や発光素子の発光部と光信号を接続する光路が確保されている。
【０１００】
以下、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図３は、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。なお、図３では、ＩＣチップが実装された状態のＩＣチップ実装用基板を示す。
【０１０１】
図３に示すように、ＩＣチップ用実装基板３２０は、基板３２１の両面に導体回路３２４と層間樹脂絶縁層３２２とが積層形成され、基板３２１を挟んだ導体回路間、および、層間樹脂絶縁層３２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール３２９およびバイアホール３２７により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ用実装基板３２０の一の面側には、受光素子３３８および発光素子３３９がそれぞれ埋設され、導体回路３２４と導体層３４２を介して接続されるとともに、受光部３３８ａや発光部３３９ａと光信号を接続する光路用開口３４０が確保されている。
【０１０２】
第三の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【０１０３】
また、ＩＣチップ実装用基板３２０では、一の面側のソルダーレジスト層に半田バンプ３３７が形成されているため、ＩＣチップから送り出された電気信号は、この半田バンプ３３７を介して外部基板に送りだすことができる。
また、半田バンプ３３７を介して、ＩＣチップ実装用基板３２０の外部からＩＣチップを駆動させるのに必要な電力を供給することもできる。
【０１０４】
また、ＩＣチップ実装用基板３２０では、受光素子３３８および発光素子３３９を埋設するために設けられた光学素子埋設用開口がそのまま光路用開口３４０（３４０ａ、３４０ｂ）となり、受光素子３３８や発光素子３３９と光信号を接続するための光路としての役割を果たすことになるが、上記光路用開口は、受光素子および発光素子の受光部および発光部に対向する部分にのみ設けられていてもよい。
また、ＩＣチップ実装用基板３２０では、受光素子３３８および発光素子３３９は、ソルダーレジスト層に埋設されているが、受光素子等の光学素子の埋設位置はソルダーレジスト層に限定されず、光路が確保されていれば層間樹脂絶縁層や基板に埋設されていてもよいし、複数の層にまたがるように埋設されていてもよい。
【０１０５】
また、上記光路は、樹脂等により充填されていてもよい。この場合、受光部や発光部に埃が付着したり、傷がついたりするおそれがなく、より確実に光信号の高接続信頼性を確保することができる。
また、上記光路に充填する材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性エポキシ樹脂；ポリオレフィン系樹脂；ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【０１０６】
このような第三の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装されている受光素子や発光素子としては、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装されている受光素子や発光素子と同様のもの等が挙げられる。
【０１０７】
次に、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する方法について説明する。
（１）まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１）〜（８）の工程と同様の方法を用いて、その両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、バイアホールおよびスルーホールが形成された基板を製造する。
【０１０８】
（２）次に、導体回路と層間樹脂絶縁層とを形成した基板の最外層にソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（９）の工程と同様の方法を用いて形成することができる。
また、上記ソルダーレジスト層の厚さは、受光素子および発光素子がフリップチップ型部品である場合、上記受光素子および上記発光素子の厚さと、これらの半田接続高さとを併せた厚さよりも厚ければよく、上記受光素子および上記発光素子がワイヤーボンディング型部品である場合、上記受光素子および上記発光素子の厚さと、これらの半田接続高さと、ワイヤー部分の高さとを併せた厚さよりも厚ければよく、上記フリップチップ型部品の場合よりも１００μｍ程度厚くすればよい。
【０１０９】
（３）次に、上記ソルダーレジスト層に、半田バンプ形成用開口と光学素子埋設用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口の形成は、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１０）の工程と同様の方法、即ち、バイアホール用開口を形成する方法と同様の方法を用いて行うことができる。
また、上記光学素子埋設用開口の形成は、上記半田バンプ形成用開口の形成と同様の方法を用いて行うことができる。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光学素子埋設用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【０１１０】
（４）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて被覆し、半田パッドとする。具体的には、例えば、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法（１１）の工程と同様の方法を用いて被覆層を形成する。
また、この工程では、光学素子埋設用開口を形成することにより露出した導体回路部分にも被覆層を形成することが望ましい。
【０１１１】
（５）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
【０１１２】
（６）さらに、ソルダーレジスト層に受光素子および発光素子を、それぞれ光学素子埋設用開口に埋設する。具体的には、上記（５）の工程で光学素子埋設用開口にも半田ペーストを充填しておき、さらに、リフローを行う際に、上記光学素子を取り付けることにより半田（導電層）を介して実装すればよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
なお、上記受光素子および上記発光素子がワイヤーボンディング型部品である場合、ワイヤー部分を樹脂で封止し、特に上記ワイヤー部分が受光面および発光面である場合は、上述した光路を充填する樹脂により封止する。
【０１１３】
また、上記（２）〜（５）の工程を行う方法では、ソルダーレジスト層を形成した後、光学素子を埋設しているが、このような方法に代えて、以下のような方法を用いて光学素子の埋設と半田バンプの形成とを行ってもよい。特に、光学素子が有する受光部や発光部に対向する部分にのみ光路を形成する場合には、下記の方法を用いることが望ましい。
【０１１４】
即ち、上記（１）の工程を経て、その両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成されるとともに、バイアホールおよびスルーホールが形成された基板を製造した後、まず、半田ペーストや導電性接着剤を介して光学素子を導体回路に取り付ける。
次に、ソルダーレジスト組成物を光学素子非実装部に塗布したり、光学素子に相当する部分に開口を有するフィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりすることによりソルダーレジスト層を形成する。
【０１１５】
さらに、上記（３）〜（５）の工程と同様にして、半田バンプ形成用開口および光路用開口の形成、必要に応じて被覆層の形成、および、半田ペーストの充填を行うことにより光学素子の埋設と半田バンプの形成とを行う。
なお、この方法を用いて光学素子を埋設する場合には、ソルダーレジスト組成物に感光性樹脂組成物を用い、光路用開口の形成を露光、現像処理により行うことが望ましい。レーザ処理により光路用開口を形成した場合、光学素子の表面、特に、受光部や発光部に傷を付けるおそれがあるからである。
また、ソルダーレジスト層以外、例えば、層間樹脂絶縁層に光学素子を埋設する場合には、該層間樹脂絶縁層を形成する際に光学素子を実装しておき、ソルダーレジスト層を積層形成した後、光路を形成すればよい。
【０１１６】
これらの方法を用いた場合には、ＩＣチップ実装用基板の一の面側には、受光素子および発光素子が埋設されることとなる。
このような工程を経ることにより、第三の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【実施例】
【０１１７】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０１１８】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１１９】
Ｃ．ＩＣチップ実装用基板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図４（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２４とスルーホール２９とを形成した。
【０１２０】
（２）スルーホール２９と導体回路２４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール２９を含む導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図４（ｂ）参照）。
【０１２１】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール２９内および基板２１の片面の導体回路非形成部と導体回路２４の外縁部とに樹脂充填材３０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図４（ｃ）参照）。
【０１２２】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面やスルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の処理を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。
【０１２３】
このようにして、スルーホール２９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材３０の表層部および導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材３０と導体回路２４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール２９の内壁面と樹脂充填材３０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図４（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２４の表面とが同一平面となる。
【０１２４】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスルーホール２９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路２４の全表面に粗化面（図示せず）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１２５】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層２２を形成した（図４（ｅ）参照）。
即ち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０１２６】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図５（ａ）参照）。
【０１２７】
（８）バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１２８】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、下層層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１２９】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔２９の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図５（ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
【０１３０】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図５（ｃ）参照）。
【０１３１】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図５（ｄ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                        １  Ａ／ｄｍ２
時間                                  ６５  分
温度                              ２２±２  ℃
【０１３２】
（１３）さらに、めっきレジスト２３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２と電解銅めっき膜３３とからなる厚さ１８μｍの導体回路２５（バイアホール２７を含む）を形成した（図６（ａ）参照）。
【０１３３】
（１４）次に、上記（５）〜（１３）の工程の工程を繰り返すことにより、上層の層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層形成した（図６（ｂ）〜図６（ｃ）参照）。さらに、上記（５）の工程で用いた方法と同様の方法を用いて最外層の導体回路に粗化面を形成した。
【０１３４】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１３５】
（１６）次に、層間樹脂絶縁層２２と導体回路２５（バイアホール２７を含む）とを形成した基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層を形成した。
【０１３６】
（１７）次いで、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形成した。
また、光学素子実装側のソルダーレジスト組成物の層には、半田バンプ形成用開口と光学素子実装用開口とのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着させ、上記した条件で露光、現像処理を行うことにより直径２００μｍの開口と、直径１８０μｍの開口とを形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口３５を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層と、半田バンプ形成用開口３５と光学素子実装用開口３１とを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層３４とを形成した（図７（ａ）参照）。なお、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０１３７】
（１８）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口３５と光学素子実装用開口３１に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とした。
【０１３８】
（１９）次に、ソルダーレジスト層３４に形成した半田バンプ形成用開口３５と光学素子実装用開口３１に半田ペーストを印刷し、さらに、光学素子実装用開口３１に印刷した半田ペーストに、受光素子３８および発光素子３９の受光部３８ａおよび発光部３９ａの位置合わせを行いながら取り付け、２００℃でリフローすることにより、受光素子３８および発光素子３９を実装するとともに、半田バンプ形成用開口３５に半田バンプ３７を形成し、ＩＣチップ実装用基板とした。
なお、受光素子３８としては、ＩｎＧａＡｓからなるものを用い、発光素子３９としては、ＩｎＧａＡｓＰからなるものを用いた（図７（ｂ）参照）。
このような工程を経ることにより、本実施例では、その一の表面に受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を製造した。
【０１３９】
（実施例２）
（１）まず、実施例１の（１）〜（１４）の工程と同様の方法を用いてその両面に層間樹脂絶縁層と導体回路とが積層形成された基板を製造した。
（２）次に、実施例１の（１５）および（１６）の工程と同様の方法を用いてソルダーレジスト組成物の層を形成した。
【０１４０】
（３）さらに、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２ の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径２００μｍの開口を形成した。
また、光学素子実装側のソルダーレジスト組成物の層には、半田バンプ形成用開口と光学素子収納用開口とのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを密着させ、上記した条件で露光、現像処理を行うことにより半田バンプ形成用開口（直径２００μｍ）と、光学素子収納用開口とを形成した。
さらに、実施例１の（１７）と同様の条件でソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層と、半田バンプ形成用開口と光学素子収納用開口とを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層３４とを形成した。
【０１４１】
（４）次に、実施例１の（１８）の工程と同様の方法を用いて半田バンプ形成用開口と光学素子収納用開口とに被覆層（半田パッド）を形成した。
（５）次に、ソルダーレジスト層に形成した半田バンプ形成用開口に半田バンプを形成するのに必要な量の半田ペーストを印刷するとともに、光学素子収納用開口にも半田ペーストを印刷した。さらに、この光学素子収納用開口に受光素子および発光素子を収納し、２００℃でリフローすることにより、受光素子および発光素子を実装するとともに半田バンプを形成し、ＩＣチップ実装用基板とした。なお、受光素子および発光素子としては、実施例１と同様のものを用いた。
このような工程を経ることにより、本実施例では、その一の面側に受光部および発光部がそれぞれ露出するように、受光素子および発光素子が収納されたＩＣチップ実装用基板（図２参照）を製造した。
【０１４２】
（実施例３）
（１）まず、実施例１の（１）〜（１４）の工程と同様の方法を用いてその両面に層間樹脂絶縁層と導体回路とが積層形成された基板を製造した。
（２）次に、最外層の導体回路の所定の位置に、導電性接着剤を介して受光素子および発光素子を取り付けた。なお、受光素子および発光素子としては、実施例１と同様のものを用いた。
（３）次に、実施例１の（１５）の工程と同様の方法を用いてソルダーレジスト組成物を調製した。
さらに、上記（２）の工程で導体回路に取り付けた受光素子および発光素子の受光部および発光部にレジストを貼りつけた後、上記ソルダーレジスト組成物を塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジス組成物の層を形成した。なお、上記受光素子および発光素子の厚さは３００μｍであった。
【０１４３】
（４）さらに、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層に密着させ、実施例１の（１７）と同様の条件で露光、現像処理を行い、直径２００μｍの半田バンプ形成用開口を形成した。また、光学素子実装側のソルダーレジスト組成物の層にも同様にして半田バンプ形成用開口を形成した。
次に、上記（３）の工程で受光部および発光部に取りつけたレジストを除去し、さらに、実施例１の（１７）と同様の条件でソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口と、受光部および発光部に対向する部分に形成された光路用開口とを有するとともに、光学素子が完全に埋設したソルダーレジスト層を形成した。なお、該ソルダーレジスト層の厚さは、ＩＣチップ実装側の厚さが４５０μｍで、光学素子実装側が４５０μｍである。
【０１４４】
（５）次に、実施例１の（１８）の工程と同様の方法を用いて半田バンプ形成用開口に被覆層（半田パッド）を形成した。
（６）次に、半田バンプ形成用開口に半田バンプを形成するのに必要な量の半田ペーストを印刷し、２５０℃でリフローすることにより半田バンプを形成し、ＩＣチップ実装用基板とした。
このような工程を経ることにより、本実施例では、その一の面側に受光素子および発光素子が埋設されるともに、該受光素子の受光部や該発光素子の発光部と光信号を接続する光路が確保されたＩＣチップ実装用基板を製造した。
【０１４５】
このようにして得られた実施例１〜３のＩＣチップ実装用基板について、受光素子の受光部に対向する位置に光ファイバの端面を配置し、発光素子の発光部に対向する位置に検出器を取りつけ、その後、光ファイバを介して光信号を送り、ＩＣチップで演算させた後、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】第二の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図３】第三の本発明のＩＣチップ実装用基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図５】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図６】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４７】
２０  ＩＣチップ実装用基板
２１  基板
２２  層間樹脂絶縁層
２４  導体回路
２７  バイアホール
２９  スルーホール
３１  光学素子実装用開口
３４  ソルダーレジスト層
３８  受光素子
３９  発光素子
１２０、２２０、３２０  ＩＣチップ実装用基板
１２１、２２１、３２１  基板
１２２、２２２、３２２  層間樹脂絶縁層
１２４、２２４、３２４  導体回路
１２７、２２７、３２７  バイアホール
１２９、２２９、３２９  スルーホール
１３１、２３１、３３１  光学素子用開口
１３４、２３４、３３４  ソルダーレジスト層
１３８、２３８、３３８  受光素子
１３９、２３９、３３８  発光素子
１４０、２４０、３４０  ＩＣチップ
１４２、２４２、３４２  導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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