(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量結合ＲＦプラズマ反応室であって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバにおいて相互に実質的に一定の間隔をあけて置かれ、前記チャンバのプラズマ反応空間を規定する、延長された第１および第２の電極（１０，２０）とを含み、
前記第１の電極（１０）は電気的に相互に分離される副電極（１２）に細分されており、前記副電極（１２）は、前記第２の電極（２０）から所定の距離をおいて前記第２の電極（２０）に対抗する表面を有しており、前記第２の電極（２０）はワークピースキャリア電極であり、
前記副電極（１２）の第１のグループ（ＡA）は共通の第１の電気入力（Ｖ11）に接続され、
前記副電極（１２）の第２のグループ（ＡB）は共通の第２の電気入力（Ｖ12）に接続され、
前記第１および前記第２の電気入力（Ｖ11，Ｖ12）は互いに独立しており、
前記反応室はさらに
前記第１および第２の電極（１０，２０）に電気信号を供給するＲＦ発生手段を含み、
前記ＲＦ発生手段が、信号調整ユニット（４４，４９，５０）を介して前記第１および第２の電気入力（Ｖ11，Ｖ12）に動作可能に接続される１つのＲＦ発生器（４７）を含み、
前記反応室はさらに、前記第１の電極（１０）を囲むさらなるボーダー電極（５０）が設けられ、
隣接する前記副電極（１２）が、前記第１および第２の電極（１０，２０）の間で生成されるべきＲＦプラズマの暗空間距離より小さい、隣接する前記副電極同士の互いに対向する側面間のギャップ（２３）により分離されており、気体を前記副電極の間の前記ギャップ（２３）を通して前記第１および第２の電極（１０，２０）の間の前記プラズマ反応空間の中へ供給する気体（３１）入口を備え、
各前記副電極（１２）が、前記ワークピースキャリア電極（２０）に向かって尖った凸状の表面を有し、
前記ボーダー電極（５０）は、前記第２の電極から離れた位置において、前記反応チャンバの側壁に対向して、前記反応チャンバの側壁に平行な垂直面および前記第１の電極を囲む傾斜面を備えた、反応室。
【請求項２】
前記副電極が平行ストライプ状の電極により形成されることを特徴とする、請求項１に記載の反応室。
【請求項３】
前記第１の電極（１０）は副電極の２次元パターンに細分される、請求項１または２のいずれかに記載の反応室。
【請求項４】
前記第１の電極（１０）はフレーム状または環状の副電極に細分される、請求項１から３のいずれかに記載の反応室。
【請求項５】
前記第１の電極（１０）は、前記第１のグループ（ＡA）の副電極（１２）と前記第２のグループ（ＡB）の副電極（１２）とが、その配列された面方向に周期的に交互となるパターンで配置される、請求項１から４のいずれかに記載の反応室。
【請求項６】
前記第１の電極（１０）が、互いに電気的に分離され、同一面内において互いに平行に配列された複数の副電極（１２）によって構成される、請求項１から５のいずれかに記載の反応室。
【請求項７】
前記第１の電極（１０）が３つ以上のグループの副電極（Ａ，Ｂ，Ｃ）に細分されることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の反応室。
【請求項８】
前記第１および第２の入力（Ｖ11，Ｖ12）、前記ワークピースキャリア電極（２０）が、受動インピーダンスマッチボックス（５３）を介して基準電位に関して電気的に駆動される、請求項１から６のいずれかに記載の反応室。
【請求項９】
前記第１および前記第２の電極（１０、２０）のうちの少なくとも一方が導管（１１，２１）によって温度制御流体源に接続される、請求項１から８のいずれかに記載の反応室。
【請求項１０】
前記第１の電極の裏面において、かつ隣接する前記副電極間の気体供給を介して前記プラズマ反応空間と連通する気体分配パイプ（２８）を設けたことを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の反応室。
【請求項１１】
前記第１および第２の電極（１０，２０）の間で生成されるべきＲＦプラズマの暗空間距離は、隣接する副電極の中心間の距離（Ｐ）よりも大きい、請求項１から１０のいずれかに記載の反応室。
【請求項１２】
容量結合ＲＦプラズマ反応室によって平坦なプラズマ処理ワークピースを製造するための方法であって、
前記容量結合ＲＦプラズマ反応室は、
反応チャンバと、
前記反応チャンバにおいて相互に一定の間隔をあけて置かれ、前記チャンバのプラズマ反応空間を規定する延長された第１および第２の電極（１０，２０）とを含み、
前記第１の電極（１０）は電気的に相互に分離される副電極（１２）に細分されており、前記副電極の先端表面は、凸状の表面を有して前記第２の電極（２０）に向いており、前記第２の電極（２０）はワークピースキャリア電極であり、
前記副電極（１２）の第１のグループ（ＡA）は共通の第１の電気入力（Ｖ11）に接続されており、
前記副電極（１２）の第２のグループ（ＡB）は共通の第２の電気入力（Ｖ12）に接続されており、
前記第１の電気入力（Ｖ11）と前記第２の電気入力（Ｖ12）とは互いに独立しており、前記反応室はさらに
前記第１および第２の電極（１０，２０）に電気的に供給するＲＦ発生手段を含み、
前記方法は、
前記第２の電極（２０）上にワークピースを堆積して前記プラズマ反応空間にＲＦ放電を行なうステップと、
隣接する前記副電極同士の互いに対向する側面間のギャップ（２３）を通して、前記第１および第２の電極（１０，２０）の間の前記プラズマ反応空間の中へ気体（３１）を供給するステップと、
前記ＲＦ発生手段の１つのＲＦ発生器によってＲＦ供給信号を発生し、該ＲＦ供給信号から前記第１の電気入力（Ｖ11）への第１の供給信号と前記第２の電気入力（Ｖ12）への第２の供給信号とを生成して、前記第１および第２の供給信号を互いに対して相対的に相互に調整することにより、前記ワークピースの上面に沿うイオン衝撃を制御するステップとを含み、
さらに、前記第１の電極（１０）を囲とともに、前記第２の電極から離れた位置において前記反応チャンバの側壁に対向して、前記反応チャンバの側壁に平行な垂直面および前記第１の電極を囲む傾斜面を備えたボーダー電極（５０）によって、ボーダー効果に対応することを特徴とする、方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容量結合ＲＦプラズマ反応室、および、それによって平坦なプラズマ処理ワークピースを製造するための方法に関するものでる。
【０００２】
【従来の技術】
従来の容量結合ＲＦプラズマ反応室は、付随してプラズマ反応体積を制限する第１および第２の相互に間隔のおかれた電極を含む。この２つの電極、すなわちこれらの電極導電表面以外には、プラズマ反応体積内へ外部から印加される電位に対して第３の電極として作用するさらなる導電部分はない。このため、典型的な容量結合ＲＦプラズマ反応室は「ダイオードタイプ」の反応室とも称される。ＲＦ電位において相互に駆動される２つの電極の間にプラズマ反応体積を制限することは、通常、２つの電極の縁部において間隔を設けることによってなされ、この間隔はＤＣに関して電気分離に十分であるが２つの電極により制限される空間の外にプラズマ放電が広がることを防ぐ。これはたとえば、２つの電極をその周縁部において、それぞれ対応の動作条件における暗空間距離（dark space distance）より小さい距離だけ間隔をあけることにより達成してもよい。
【０００３】
このような容量結合ＲＦプラズマ反応室は長年の間、プラズマ処理の分野において、特にシリコンウェハなどの平坦な基板を処理するために用いられてきた。
【０００４】
このような反応室の最も一般的な応用はプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）およびプラズマドライエッチングである。プラズマドライエッチングは、イオン衝撃を用いて異方性エッチングを促進させる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）と、イオン衝撃が避けられるプラズマエッチング（ＰＥ）とに分類できる。
【０００５】
プラズマ洗浄、ポリマーレジストの除去（アッシング）またはワークピースのプラズマ誘導表面活性もまた、容量結合ＲＦプラズマ反応室内で行なうことができる。そのような反応室のほとんどは平面電極を用いて考案されている。
【０００６】
これらの応用において、産業上の応用において最も一般的には１３．５６ＭＨｚの周波数における駆動ＲＦ電圧によりプラズマが生成される。
【０００７】
ＲＦ駆動のプラズマにより、プラズマと、上に述べたように電極表面であるプラズマ反応体積を囲む壁との間に大きい自己バイアス電圧が発達する。これは、プラズマ放電または反応体積に向かう、電極表面の各々に隣接する暗空間に応じたプラズマシースによるプラズマシースにわたってのＲＦ電圧の整流効果によるものである。この結果、従来の容量結合ＲＦ反応室において、ワークピースまたは基板のイオン衝撃は、プラズマ放電と接触している２つの電極表面領域の間の比により支配される。イオン衝撃を促進するプラズマ自己バイアスのほとんどは、より小さい電極領域の電極表面近くに生じ、このことに応じて、面積がより大きい電極に隣接するシースまたは暗空間にわたっての電位差もより小さい。この効果は基板上のイオン衝撃を目的に合せて作るためにプラズマプロセス設計者により好都合に用いられる。たとえば、ＲＩＥでは、プラズマに結合される面積がより小さい電極近く、またはその上にワークピースまたは基板が置かれ、結果としてより大きいイオン衝撃が生じる。逆に、ＰＥでは、イオン衝撃がより小さい面積がより大きい電極近く、またはその上にワークピースが置かれる。
【０００８】
今日、たとえば表面の大きいガラスプレートなどの表面の大きいワークピースのプラズマ処理の必要がある。たとえば、平面ディスプレイ産業は現在、約１ｍ2のこうしたプレートを製造することを検討している。このようなガラスプレート上にピクセル関連の電子回路を作るのに行なうべきプロセスの種類はマイクロエレクトロニクスにおいて用いられるプロセスと同じ性質のものであるが、表面がかなり大きいワークピースに対して行なわれなければならない。
【０００９】
容量結合ＲＦプラズマ反応室によって、かつシリコンウェハを処理する際に用いられるのと同様のプロセス条件において面積の大きい基板を処理するとすれば、励起された種の所望の衝突数を達成するためにはプラズマギャップ（たとえば平面容量性反応室の２つの電極の間の距離）は予め定められた値に保たれなければならない。すなわち、プラズマギャップの典型的な値は１ｃｍから１０ｃｍの間である（両極限値が含まれる）。
【００１０】
表面の大きいワークピースおよびこのようなプラズマギャップでは、反応室の電極は非常に広範なアスペクト比をとり、電極表面積比は１に近くなる。このことは、容量結合ＲＦプラズマ反応室において表面の大きいワークピースに対してはイオン衝撃の制御がほとんどできないことを意味する。イオン衝撃は双方の電極表面においてほぼ等しく生じる。公知の容量結合ＲＦプラズマプロセスはマイクロエレクトロニクス産業のために開発されたものであるため、このような状況は公知の容量結合ＲＦプラズマプロセスによる大型ワークピースおよび特に大型基板の処理をかなり制限する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的の１つは、所望の低いレベルであろうと、所望の高いレベルであろうと、それぞれの電極表面およびよって隣接するワークピースに対する正確に制御されたイオン衝撃によって大きいワークピース表面の処理を可能にする容量結合ＲＦプラズマ反応室を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
これはこの発明では、
相互に間隔がおかれプラズマ反応体積を制限する第１および第２の電極を含み、
電気的に相互に分離された副電極を含む少なくとも１つの電極と、
第１のグループの副電極が第１の電気入力に共通に接続され、
第２のグループの副電極が第２の電気入力に共通に接続される、
容量結合ＲＦプラズマ反応室により達成される。
【００１３】
このように、この新規の容量結合ＲＦプラズマ反応室の概念は、２つの従来用いられている反応室電極のうちの少なくとも１つを副電極のアレイで置き換えており、これはその対応の第１および第２の電気入力により、必ずそうであるわけではないが大抵の場合はＲＦ電圧を用いて、個別に、よって異なった態様で電気的に動作させられる。
【００１４】
最も好ましい実施例では、１つのグループの副電極と第２のグループの副電極とは周期的に交互になっており、すなわち、細分された電極に沿って少なくともある方向に沿って考慮すると、たとえば一方の後に他方がある。好ましい実施のモードにおいて、異なった電気入力、特にＲＦ入力にそれぞれ接続される少なくとも２つの副電極グループの副電極が周期的に交互になっている場合、あるＲＦ入力に接続されるある副電極から、同じＲＦ入力に接続される次のそのような電極までの距離、すなわちその電気供給に関する副電極のパターンの局部的周期性は、２つの相互に面する電極の間のプラズマギャップの範囲のオーダであるか、またはこれより小さくなければならない。このことで処理すべきワークピース表面がプラズマ放電の「平均化」効果を確実に受けるようにする。
【００１５】
簡単に考慮すると、この発明の反応室により、局部並列性において生成され、かつ選択可能な、よって相互に異なるＲＦ信号振幅および／または位相同期および／または周波数および／または電圧の形状において動作するが、それにもかかわらずプラズマ反応体積と相互作用して前記「平均化」効果を生じる多数の異なった副ＲＦプラズマ放電に処理すべきワークピース表面がさらされるといえる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
この発明による反応室の挙動を説明する前に、図１に概略的に示される従来の容量結合ＲＦ反応室の電気平衡を再び計算することにより方法および表記法を紹介したい。このような反応室は上にも述べたように、２つの電極１、２を含み、これらはそれぞれ対応の電極表面Ａ1、Ａ2を備え、これらはともに、それぞれ対応のシースを介してプラズマ反応体積内のプラズマ３に容量結合される。駆動ＲＦ電圧はそれぞれの電位Ｖ1およびＶ2の間で発生し、大抵の場合、これらの電位のうちの一方、たとえばＶ2は基準電位、通常は接地電位である。プラズマ電位Ｖpは独自のものであり、これはプラズマが導体であり考慮される駆動周波数に対して金属のように導電性があるとみなすことができるためであり、この駆動周波数はプラズマ周波数よりかなり低い。１つの電極とプラズマとの間での容量性ＲＦ結合はシースの厚さに依存する。このため、シースを真空キャパシタとみなすことができ、その厚さはＲＦ電圧またはシースにわたっての電位下落に合せて変動する。最も一般的に適用されるアプローチはシースの厚さを局部電圧、すなわち電位差、の電力法則として説明することであり、
【００１７】
【数１】
ｅ1＝ｅ2｜Ｖ1−Ｖp｜α、ｅ2＝ｅ0｜Ｖ2−Ｖp｜α  （１）
【００１８】
ここでｅ1およびｅ2はそれぞれ対応のシース等価厚さであり、αはプラズマ条件の範囲および用いられるプラズマ化学のタイプに依存する係数である。
【００１９】
Ｖ1、Ｖ2およびＶpの間の関係は、２つのシースが容量を分割するものとして作用することを考慮すれば容易に導き出すことができる。
【００２０】
【数２】
（Ｖ1−Ｖp）／（Ｖp−Ｖ2）＝（Ａ2／ｅ2）／（Ａ1／ｅ1）  （２）
これにより
｜Ｖ1−Ｖp｜／｜Ｖp−Ｖ2｜＝（Ａ2／Ａ1）nここでｎ＝１／（１／α）  （３）
【００２１】
ここで、最初にケニーグ（Koenig）他（H. H. KoenigおよびL. I. Maissel, IBM J. Res. Dev. １４，１６８（１９７０））により導き出された周知の電力法則が再び得られる。この最初の導出において、ｎは約４であると推定された（すなわちα＝０．７５）。実際には、ほとんどの電子プロセス条件はどちらかといえばｎ＝１．５から２（α＝０．３から０．５）に対応している。いずれにせよ、正味の結果は、ＲＦ電圧のほとんどがより小さい電極表面の正面にあるということである。この計算の結果は図６に示されており、図６ではシースＲＦ電圧はプラズマにわたっての全ＲＦ電圧の割合として表わされる。この計算は正方形の基板についてであり、プラズマギャップ（３ｃｍ）およびエッジ距離（４．５ｃｍ）に関してある程度道理に合った態様で仮定している。基板のサイズが４０ｃｍを超えると従来の反応室では１つの電極上に６０％より大きいＲＦ電圧を発生させることが不可能であるようである。また、より大きい電極上のＲＦ電圧が全電圧の４０％より小さくなることを避けることは不可能である。
【００２２】
ＲＦシースにわたって発生するＤＣ電圧は局部ＲＦ電圧振幅とほぼ等しいため、より大きい基板が所望の際に大きなエネルギのイオン衝撃を任意に強いることは難しく、また、このような衝撃が望ましくないところでもある程度のイオン衝撃を避けることは難しい。このように、ＲＩＥは基板の大きい容量結合ＲＦ反応室において実現するのが難しいが、これは潜在的な自己バイアスの半分しか基板の正面に存在しないからである。このファクタを回復することは、ほぼ２だけＲＦ電圧を増加して、これによりＲＦ電力を３から４のオーダのファクタにより増加することを意味する。一方で、プラズマにより引き起こされる損傷が生じ得るプロセスではイオン衝撃を避けることが必要である。これは電極表面比により低減することができないため、プロセス時間がより長くなるという犠牲を払ってＲＦ振幅を低減することによって低減しなければならない。
【００２３】
図２から図５において、容量結合ＲＦ反応室の２つの電極に対する駆動ＲＦ電圧の異なった印加が示され、ワークピースはイオン衝撃を低減するためにより大きい電極の上に配置される（図２および図３）か、またはイオン衝撃を利用するためにより小さい電極の上に配置されている（図４および図５）。
【００２４】
図７の助けを借りて、この発明による原理を以下に説明する。ここでも、反応室のプラズマ反応体積３は主に図１に示される反応室に従った、本発明の第１および第２の電極としての２つの電極１０および２０により制限される。これに対向して、２つの電極のうちの少なくとも１つ、図７によればそれらのうちの１つ、が副電極１２に細分される。電極１０を電気的かつ相互に分離される副電極１２に細分することは、電極１０に沿った１つの方向ｘのみにおいて実現することにより副電極１２がバー状の形になるようにしてもよく、または２つの方向ｘおよびｙにおいて実現することで副電極１２が二次元パターンを形成するようにしてもよい。
【００２５】
これにより、副電極１２を図７のグループＡ、Ｂ、Ｃにより示されるようにグループ分けして、これらのグループの各々に異なった電位、特に包括的に振幅および／または位相同期および／または周波数および／または形状が異なる電位、よって特にそのようなＲＦ電位を印加することが可能となる。このような異なった、好ましくは相互に調整可能な駆動信号は図７においてＶ11からＶ13で示される。
【００２６】
この発明の概念に関するいくつかの一般的な考慮点は以下のとおりである。
−電極１０および２０の双方がたとえばＲＦ電位で駆動され、いずれもたとえば接地電位などの基準電位に連結されていない場合、電極１０および２０の双方を副電極に細分し、かつ第２の電極の副電極をそれぞれ異なった電位（図示せず）において駆動することは全く可能である。
【００２７】
−基準電位で駆動される電極２０のような、電極のうちの１つの最も好ましい実施例において、ワークピースは構造を持たない、基準電位により駆動される電極の近く、すなわち図７の電極２０の近く、またはその上に置かれる。
【００２８】
−新規の反応室構造の可能な所望の効果のすべてを利用するために、現在提案される最も好ましい実施例において異なる周波数における異なる駆動電圧を選択することは全く可能であるが、印加される電圧は振幅および／または相互の位相同期において異なる。
【００２９】
−図７に示されるように、副電極１２のグループ分けは好ましくは、方向ｘにおいて考慮する際にグループＡ、Ｂ、Ｃに属する副電極が周期的に交互になるように配置されるという点で周期的に実現される。これは最も好ましい実施例であるが、この周期性を省いてもよく、または所望であれば局部的に中断してもよいことは明らかである。
【００３０】
−図７では、３つのそれぞれＲＦ駆動されるグループに副電極をグループ分けすることが示される。所望であれば、より多くのこのようなグループを実現してもよいが、今日の好ましいモードにおいては副電極は異なった態様で、かつさらに好ましくは調整可能な態様でＲＦ駆動される２つのグループにグループ分けされる。
【００３１】
以下の説明では、副電極１２が２つのグループ、たとえばＡおよびＢに周期的にグループ分けされる、図７によるケースに言及する。
【００３２】
ここで、その周期性、すなわち同じグループに属する２つの後続の副電極の間の距離、は図７の距離ＰＧによるプラズマギャップの範囲のオーダであるか、またはそれよりも小さくなければならない。このことから、図７のそれぞれの副電極と電極２０との間で動作されるいくつかの「プラズマ柱」の「平均化」効果にワークピースがさらされることにつながる。
【００３３】
それぞれの副電極グループにおいて、および分割されていない１つの対向電極の場合には図７によるその対向電極２０に対して、存在する電気信号Ｖ11、Ｖ12などおよびＶ20に関して最も一般的に公式化すると以下のように書くことができる。
【００３４】
【数３】
Ｖ11＝Ｓ1(t)
Ｖ12＝Ｓ2(t)
Ｖ20＝Ｓ20(t)
【００３５】
ここで、Ｓ1、Ｓ2およびＳ20は信号のスペクトル表示を表わし、そのスペクトルは時間とともに変動し得る。最も重要なスペクトル振幅の１つはゼロ周波数において存在するものであり、よってそれぞれの電極においてＤＣバイアス電位を表わしているものであることを指摘すべきであろう。図８に概略的に示されるように、それぞれ対応のマッチングボックスＭＢ1、ＭＢ2およびＭＢ20ならびに、場合によっては、所望のスペクトルを備え所望の態様で時間とともに変動する出力信号を発生し、変調された信号発生器Ｇ11、Ｇ12およびＧ20により、この発明の電極を動作させてプラズマ生成に関して大規模の異なった効果を達成してもよい。そこで、さらに、３つの発生器のうちのいずれかを省いてもよく、それぞれの電極をそれぞれ対応のマッチボックスを介して基準電位に接続してもよく、またはさらにそのマッチボックスを省くことにより、そのような電極を基準電位に直接接続してもよい。
【００３６】
さらに、示される発生器のうちの２つまたは３つを、それぞれの電極の異なったマッチボックスを介して接続される単一の発生器として実現してもよい。当薬著は、図８に示されるような最小数の電極に対する、およびｍ個の副電極グループを備えた副電極セット１２と、ｎ個の副電極グループに同様に細分される電極２０との一般化された電極に対する、電気信号Ｖnmの莫大な数の制御可能性に気付くであろう。
【００３７】
受動インピーダンスネットワークであるか、または能動源を含むこともあるマッチボックスは、それぞれの電極におけるＤＣバイアスの形成にかなり寄与する。すなわち、スペクトル振幅はゼロ周波数においてである。
【００３８】
図９において、図７の例から離れて、この発明による反応室の今日の実施例の好ましい構造が概略的に示される。この好ましい構造を以下の分析の根拠とする。ここで、電極１０は並列副電極バー１２に細分され、並列副電極バー１２は２つのグループＡおよびＢにグループ分けされ、これらはそれぞれ、電極２０に印加される接地電位に関してＲＦ電圧Ｖ11およびＶ12により駆動される。副電極１２のグループ分けは周期的であり、これは図９から明らかであろう。それぞれのグループに属する副電極１２は供給バス７Aおよび７Bによりそれぞれ対応の入力に相互接続される。
【００３９】
グループＡの副電極はプラズマ結合表面ＡAを規定し、グループＢの副電極はそのような表面ＡBを規定する。電極２０は表面Ａ20を介してプラズマ反応体積に結合される。副電極グループの双方はそれぞれのシースを介してプラズマに容量結合される。
【００４０】
同じ振幅を有するが相互に２φの位相のずれを有する２つの電圧である、２つの副電極グループの駆動ＲＦ電圧に対して、
【００４１】
【数４】
Ｖ11＝Ｖ0ｅｘｐ（ｉφ）、Ｖ12＝Ｖ0ｅｘｐ（−ｉφ）  （４）
【００４２】
であると仮定する。位相φおよび／または振幅Ｖ0は調整可能であってもよく、または変調可能であってもよい。示されるように、図７による、より一般的には図８による、たとえば図９に従って実現されるこのような反応室では、特に平面のジオメトリにおいてワークピースまたは基板のサイズにかかわらずイオン衝撃を制御できる。むろん、図７から図９による設計は処理すべきワークピースの範囲に従って延長することができる。
【００４３】
図９からもわかるように、副電極はさらに電極１０の全体の結合表面ＡA,Bを拡大するように作られる。図９によればθ＝４５°の、屋根の形状の副電極バー１２の勾配θにより、表面は以下のとおりとなる。
【００４４】
【数５】
ＡA＝ＡB＝Ａ20／２ｃｏｓ（θ）  （５）
【００４５】
図９による反応室構造の拡大された部分を表わす図１０に示されるように、ＲＦ結合表面は周期的構造の１ユニット上の反応室の中央部分において評価されることに注意されたい。ワークピース４、よって反応室そのものが非常に大きい場合、ボーダー効果はこの計算においてむろん無視することができる。そのようなボーダー効果さえも正確に制御することに関しては、図２５および図２６から図２８、ならびに以下のそれぞれ対応の説明を参照されたい。
【００４６】
図１０において、プレートＳ11、Ｓ12、Ｓ20が容量性プレートとして作用する電極表面のそれぞれ対応の部分を表わすことに注意されたい。
【００４７】
ＲＦ電流の連続性は以下の等式を意味する。
【００４８】
【数６】
（Ｖ0ｅｘｐ（＋ｉφ）−Ｖp）Ｃ11＋（Ｖ0ｅｘｐ（−ｉφ）−Ｖp）Ｃ22＝ＶpＣ20  （６）
【００４９】
ＡA＝ＡBおよび／Ｖ11／＝／Ｖ12／であるため、Ｖpは実数であり、Ｖ11とＶ12との間に中心付けられる位相を有する。この結果は比較的複雑な形で表わされる。
【００５０】
【数７】
ｔｇ2（φ）＝（（Ｘ／ｃｏｓθ）2/α−Ｘ2）／（１＋Ｘ）2  （７）
ここで        Ｘ＝ｃｏｓφ（Ｖ0／Ｖp）−１
【００５１】
この関係はα＝０．５（ｎ＝２）に対して計算されたものであり、その結果は図１１に示される。図１１には、基板４が置かれる底部電極２０に面するシースの境界に存在する駆動ＲＦ電圧振幅の割合が示される。この計算は４つのタイプの鋸歯プロファイルに対して行なわれ、すなわち４つの値の角度θに対して行なわれた。位相のずれがゼロ、言い換えればすべての電極グループが同じＲＦ電圧で駆動される場合には、等式（３）に表わされる予想される結果が得られる。２つの平坦な電極が互いに面している場合（θ＝０°）、ＲＦ電圧は等しく分けられる。電極が鋸歯構造により波形にされる場合、表面が最も小さい電極は底部電極２０であり、ワークピース４に面しワークピース４に近いところにますます大きい部分のＲＦ電圧が生じる。基板を担持する底部電極２０の正面のＲＦ電圧を減少するのに位相のずれがいかに有効であるかということは非常に印象深い。２つの駆動電圧の位相が逆である場合、ワークピースを担持する底部電極２０の正面のＲＦ電圧は０となる。
【００５２】
Ｖ11およびＶ12による２つの電極グループＡおよびＢのための駆動電圧の間の単なる位相のずれを考えるのは好都合であるが、図８に関する一般化された考慮点とともに説明したように、アレイの副電極グループの双方に対する電圧が同じ振幅のものである必要はなく、１つの周波数においては１つ、またはいくつかのスペクトル周波数においては複数であるこのような振幅でも時間とともに変動し得る。このように、振幅変調、周波数変調または位相変調を用いてもよい。変動する位相同期に加えて、またはこの代わりに、たとえば駆動ＲＦ電圧の振幅比を変動させることも可能である。図８による構成の好ましい実施例の１つである、図９および図１０に示される二重周期的アレイでは、依然として位相のずれが２φであると、１つの周波数振幅を変動させることは以下のように表わすことができる。
【００５３】
【数８】
Ｖ11＝Ｖ0ｅｘｐ（ｉφ）、Ｖ12＝ａＶ0ｅｘｐ（−ｉφ）  （８）
【００５４】
ここで「ａ」は０から１の間の実係数である。
一例として、位相のずれφはないが（等式（８）においてφ＝０）グループＢに対するＲＦ入力におけるＲＦ電圧Ｖ12の振幅の変動のみを伴う二重周期的アレイの場合を考える。計算は上の場合と同じ態様で行なうことができる。例示のため、図１２はθ＝４５°およびｎ＝２での鋸歯二重アレイに関する結果を示す。図１２は、（８）の「ａ」に従ってＶ12における電圧の振幅が変動させられる際の主電圧振幅Ｖ0の振幅に関連して、基板上のプラズマＲＦ電圧の変動を示す。電圧Ｖ12の振幅ａＶ0が変動させられるとプラズマ電圧が１５％から６７％まで変動し得ることがわかった。さらに印象的なのは、主電極の自己バイアスの変動である。自己バイアスは、プラズマシースがＲＦ電圧を完全に整流すると仮定して計算される。Ｖ12の電圧振幅が変動させられると自己バイアスの符号が変わることがわかった。
【００５５】
いくつかの実験の結果を報告する前に、この発明による反応室の好ましい実現の形態を図１３の助けを借りて説明する。
【００５６】
グループＡの副電極１２としてのバーは共通のバスバー７Aに接続され、グループＢのバーは共通のバスバー７Bに接続される。バスバー７はそれぞれＲＦ電力入力８Aおよび８Bに接続される。スプリアスプラズマ点火（spurious plasma ignition）を避けるために、副電極アレイの後部と副電極バー１２への電気接続の間の間隔とはスペーサシールド９により遮蔽される。基板４は、好ましくは接地される対向する電極２０上に置かれる。この実施例におけるすべての電極は循環する流体によって冷却されるか、または温度が調節される。流体は電極１０の副電極バー１２における導管１１内および底部電極２０における導管２１内を循環する。プラズマ１３は電極１０と電極２０との間のプラズマギャップを埋めており、ギャップＧＰは２つの隣接する副電極１２の中心間の距離Ｐより幾分大きい。
【００５７】
図１３による好ましい実施例において既に述べたように、またさらに図７から図１０によれば、２つの副電極グループは面積が等しいが、副電極グループの表面の釣り合いがとれていない場合を考えることも可能である。図９および図１０にも示されるように、副電極に細分された電極１０の表面はプラズマ１３に面する側において任意に波形にされる。この目的は、プラズマと電極１０との間の接触の表面を増大することである。プラズマが結果生じる波形に貫通するのに幾何学的特徴が十分広ければ、副電極１２のプロファイルは接触面を増大するのに有効であることに注意されたい。図１３による実施例でも、副電極バーはθ＝４５°である。このため、電極１０とプラズマ１３との間の接触の表面は、平坦な底部電極２０と比較して√２のファクタだけ増加する。
【００５８】
さらなる好ましい実施例では、底部電極２０は処理すべきガラスプレートなどの平坦なワークピース４を吸引によって保持するためのチャックとして考案してもよい。このようなチャックを実現するために、電極２０内には（図１３には図示せず）、電極２０の上部表面における多数の吸引孔において当接し、処理の間ワークピース４をぴったりと保持する吸引チャネルのシステムが実現されるか、または静電チャックが設けられる。
【００５９】
図１３に示されるように考案される反応室に対して実験を行なった。ＲＦ駆動に関しての両極端の場合、すなわち電気入力８Aおよび８Bの双方がともに駆動され、すなわちＶ11＝Ｖ12（図９参照）の場合と、入力８Bまたは８Aの一方が接地され、すなわち（８）によるａ＝０を実現した場合とが行なわれた。自己バイアス電位およびＲＦ駆動振幅を測定した。表１に示されるように、その結果は質的には非常に良好であった。特に、ある副電極グループに印加するＲＦ電圧を公称から０に変動させる際に電極等価接触面が２のファクタで減少する際の自己バイアスの符号の目ざましい変化が観察された。ＲＦ自己バイアスの絶対値は理論的評価に一致しない。これは主に、測定が５００×５００ｍｍ2の比較的小さい反応室で実行されたためである。図１２に示されるような無限反応室に関する計算は、反応室エッジのＲＦ結合への寄与を考慮に入れて修正しなければならない。これは表１において近似の態様で行なった。しかしながら、ＤＣバイアスの激しい変動は驚くべきものであった。ワークピースの正面における処理するプラズマのＲＦバイアスは、副電極グループに対するＲＦ入力電圧の相対変動によって大きく変化させることができる。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
表１：４５°鋸歯での二重アレイに対する比較実験理論
修正値は上記のような計算から得られるが、比較的小さい反応室においては無視できないほどのエッジ効果を大まかにしか説明していない。
【００６２】
図９、図１０および図１３による副電極設計は非常に単純である。これは周期的構造としては最も単純なものである。これは底部から見ると図１４に示されるような平行ストライプのようであり、２つのＲＦ入力へ交互に接続されている。
【００６３】
このような周期的設計はまた、図７のｘ／ｙなどの２次元において周期的にすることもできる。そのような一例は正方形をした副電極１２に関して図１５に概略的に示される。
【００６４】
同様に、図１６に概略的に示されるように、二重アレイの三角形副電極１２を作ることができる。さらに洗練されたアプローチは図１７に示され、この図では３つのＲＦ入力および３つのグループＡ、Ｂ、Ｃの副電極を備えた三重アレイが実現される。ここでも、３つの対応する駆動ＲＦ電圧またはより包括的な信号スペクトルは位相外れであってもよく、および／または異なる振幅のものであってもよく、異なる周波数および／または電圧の形状のものであることもあり、この信号は異なるスペクトルを有していてもよい。
【００６５】
副電極アレイの周期的構造は、既に述べた歯パターンがそうであるように、電極表面に関して特徴をもたらしてもよい。図１８に示されるような菱形では、各副電極のＲＦ容量結合表面が増大し、たとえば図１５から図１７に示されるような異なった副電極構造に適用してもよい。また、副電極プロファイルは図１９の断面図に示されるように丸まったものであってもよい。電極アレイ構造の設計ルールの限られた制限の１つは、副電極ユニットを形づくる際に、孔、溝またはスロットなどのプラズマ反応体積に対して開かれた体積または中空の体積がシース厚さの２倍より広くなるようにし、それによってプラズマがそのようなくぼみに深く貫通するようにすることである。典型的なプラズマプロセスでは、暗空間距離は数ｍｍであるため、電極１０の表面上のいかなる中空の押込も、そのような押込がこのような電極の活性結合表面に加えられるようにするには、約１ｃｍよりも狭くてはならないと仮定するのは道理に適っているであろう。
【００６６】
図８に最も一般的に示される、この発明による反応室について考えると、ワークピースを底部水平方向電極２０上に平坦に置くことは最も好都合なアプローチであるが、適当なワークピースおよび特に基板の保持が実現できるのであれば、同じ設計を垂直方向において、または基板および電極２０が頂部にあるように実現することも可能であると言うべきであろう。このような異なった幾何学的構成は粒子制御の観点から考慮できる。
【００６７】
いくつかの好ましいさらなる特徴を、副電極アレイの拡大断面図を示す図２０を参照して説明する。たとえば２つの副電極グループの副電極間の容量結合を制限するために、隣接する副電極間のギャップ２３にスペーサ２４を設けてもよい。これらのスペーサはセラミックなどの絶縁材料または金属から作ってもよく、フローティング電位、または隣接する副電極に印加される電位の中間の規定された電位であってもよい。同様に、副電極の上のシールド２６は、副電極間および／または副電極からパッキング接地プレート２５への容量結合を低減する。このシールド２６は連続したものであってもよいが、その場合はセラミックなどの絶縁材料で作るようにし、または金属製である場合は、図２０に示されるように中断させるようにする。いくつかの遮蔽層を介在させて容量の分断性を改善してもよい。図２０では、第２のシールド２７が副電極アレイとパッキング接地プレート２５との間での減結合を改善しているのが示される。シールド２７は実際にはグリッドであり、気体がそこを通って流れられるようにする。
【００６８】
このことから副電極アレイの別の利点がもたらされる。副電極間の間隔またはギャップ２３を利用して気体３１が副電極間を流れて反応体積の中へ流れ込むようにしてもよい。このために、プロセスガス３１がパイプ２８を通って副電極アレイの後ろの領域へ導入される。たとえばグリッドシールド２７により実現されるように、入ってくる気体３１を気体出口２３に均一に分配するための手段を設けてもよい。
【００６９】
ＲＦ供給システムに対してのいくつかのさらなる考慮点は以下のとおりである。
【００７０】
もたらされる副電極グループから、少なくとも１つの副電極を備える少なくとも１つのグループはＲＦ電圧駆動のものとする。
【００７１】
ＲＦ電圧に対する副電極のグループへの入力は図２１に示されるように真空フィードスルー（vacuum feed-through）４１を介して実現される。これにより、ＲＦ供給では慣例であるように、上述のとおり、狭帯域または広帯域信号スペクトルを発生する振幅および／または位相調整可能または変調可能ＲＦ発生器４３および４４の出力を整合させるマッチングボックス４２が設けられる。すなわち、１つの発生器４４はたとえば、その出力ＲＦ信号のその唯一の振幅において調整可能であり、第２の発生器４３は単一のスペクトル周波数において位相において調整可能であってもよい。２つ以上のグループの副電極アレイに入力される２つのＲＦ信号の位相のずれもマッチングボックス４２内で行なってもよい。当業者には、図８に示されるような、この発明による反応室へのＲＦ駆動を実現するためのさまざまなやり方がある。
【００７２】
現在好まれる技術の１つは図２２に概略的に示される。１つのＲＦ発振器４７が設けられ、その１つの周波数ＲＦ出力は調整可能な位相シフタユニット４８を介して電力増幅器４９へ導かれ、さらに直接、第２の電極増幅器５０の入力に導かれる。好ましくは、増幅器４９および５０は大きな反射された電力を受けるように作られ、単純受動整合回路を介して反応室のＲＦ入力に結合され、これによりプラズマインピーダンスを発生器インピーダンスに大まかに整合させる。別の好ましい設計は図２３に示され、この図では２つの増幅器出力段５５および５６が同じ―１つの周波数の―ＲＦ発振器により駆動されるが、出力ＲＦ電圧の振幅および／または位相同期の別々の調整をもたらす。増幅器段５５の出力はあるマッチボックスを介して変圧器の一次巻線５１に結合される。変圧器の二次巻線６０はこの発明による副電極グループへのグループ入力間でＲＦ電圧差をもたらす。二次巻線５２の中心点はマッチボックス５４を介して第２の増幅器出力段５６の出力に接続される。位相制御および／または振幅制御は好ましくは増幅器段５６および／または増幅器段５５において行なわれる。
【００７３】
このように、この発明による反応室の最も一般的な局面は少なくとも１つのセクションの電極をもたらすことである。説明した好ましい例に関わらず、たとえば均一処理分布に関する一般的なエッチングの問題を解決するために副電極を均一の間隔で配置しないことも興味深いかもしれない。環状またはフレーム状の副電極を中心軸の周りに配置してもよい。副電極のこのような中心のグループ分けは図２４に概略的に示される。
【００７４】
さらに、一方のまたは他方の、または１つ以上の副電極グループをたとえばＤＣなどの予め定められた非ＲＦ電位において動作させることも全く可能であることを指摘すべきであろう。さらに、位相および振幅調整を備え、さらに周波数調整さえも備えることのあるＲＦ発生器構成をデジタル的に実現して電力増幅器出力段を設けて副電極グループ入力に供給してもよいことは明らかである。また、この発明の概念では別個の独立した入力が可能となるため、異なった副電極グループを異なった信号スペクトルによる異なった形状の電圧により駆動するのに非常に適している。簡潔に言うと、副電極グループを所望のいかなる電気信号においても、相互に独立して動作させる完全な自由がある。
【００７５】
さらに、たとえばＲＩＥ応用において、波形の表面の拡大された副電極を備えた、この発明による反応室はすべての副電極グループが同じＲＦ電圧で動作させられてもよく、ここで、構造を持たされた電極の電極表面が拡大されたという事実だけで、図７の電極２０による対向電極上に置かれる基板のイオン衝撃が向上することを指摘すべきであろう。ＲＩＥ応用に置いて、図１３に示される反応室を利用して、すべての副電極グループに同じＲＦ電圧を供給すると、３７０×３７０ｍｍの範囲のガラス基板を炭素堆積によって処理することが可能となり、その被覆均一性は所望の厚さから５％の最大偏差に応じるものであった。処理の後に、反応室を酸素プラズマ洗浄した。
【００７６】
処理すべき基板の冷却および加熱についてさらに考慮すべきである。すなわち、図１３の電極２０によれば、冷却／加熱は好ましくは正確に制御され、それによって基板がこの発明の反応室において化学気相成長によって被覆されるか、またはエッチングされるかに応じて異なった基板の温度に到達するようにする。基板、特にフォトラッカー層が設けられる基板をエッチングするためには、基板温度は好ましくはフォトラッカーの融解温度より低く保つべきである。このため、このような動作では、基板、たとえば図１３の電極２０は、導管２１を含む冷却システムによって４０℃から８０℃の範囲の温度に冷却される。
【００７７】
プラズマ気相成長を行なうためなど、基板上の層堆積に反応室が用いられる場合、基板は好ましくはたとえば約２００℃に加熱される。このことで、層は応力が低減されて堆積されるという点で堆積される層の品質をかなり改善し、さらに熱処理を必要としない。このため、ＰＥＣＶＤの間にこのような比較的高い温度に基板を加熱することは通常行なわれることではない。
【００７８】
図７を再び参照して、Ｖ11、Ｖ12、Ｖ13…について
・少なくとも１つは有効ＲＦスペクトルを含む。
・片側電極（基板または基板を含まない電極）における信号はすべて同じであってもよい。
・重ね合せることから生じるＤＣ、ＡＣ、脈動傾斜（pulsating ramp）およびあらゆる種類の信号を、ＤＣ＋ＡＣ＋傾斜のように、印加してもよい。
【００７９】
特に図９による実施例において、副電極グループは１つの共通の信号において駆動されてもよく、このような場合、副電極は導通する態様で連結され波形の電極領域を形成して、これによって表面積を拡大するようにしてもよい。図１４から図１９に示される構造についても同じことが言える。
【００８０】
ここまで、基板処理の均一性に関してボーダー効果に対応するためのこの発明の反応室の特徴について何も説明していない。図２５では、図９による、図８に関連して説明したように包括的に電気的に駆動されるこの発明の反応室が示されており、Ｖ11、Ｖ12において駆動される２つのグループの副電極以外に、示されるようにたとえば三角形の断面形状を備えたボーダー電極５０が設けられている。このボーダー電極５０はマッチボックスＭＢBおよび発生器ＧBを介して包括的に電気的に動作される。ここでも、発生器ＧBは、周波数、位相または振幅が変調されていてもよい、予め定められたスペクトルの信号を発生し、よって単一の周波数の信号を発生してもよく、またはこのような発生器ＧBは単に省略されてもよく、ただ接地電位に接続されるマッチボックスを保っていてもよい。ここでも、マッチボックスはボーダー電極５０において存在する信号ＶB0のゼロスペクトル周波数振幅によるＤＣバイアスにかなり寄与する。
【００８１】
好ましくはマッチボックスを介して基準電位に受動的に接続されるか、またはさらなる発生器により能動的に駆動される、好ましくは細分された電極１０を囲むボーダー電極５０により、処理均一性に関して、かつ特に基板におけるエッチング均一性に関してのかなりの改善が達成される。そこで、ボーダー電極５０はフローティング電位において残されていてもよい。とはいえ、ボーダー電極５０の好ましい動作は基準電位に接続されるマッチングボックスを介してであり、さらに発生器ＧBを備えていても備えていなくてもよい。
【００８２】
図２５による反応室は以下のように動作された。
Ｖ11：    ＲＦ；１３．５６ＭＨｚ、０Ｖ  ＤＣバイアス、１ｋＶ  ＲＦ電力
Ｖ20：    受動調整可能マッチボックスを介して接地電位に連結される
ＶB0：    受動調整可能マッチボックスＭＢBを介して接地電位に接続される
ＣＦ4／ＳＦ6  ａ−Ｓｉ：Ｈ雰囲気において、５×１０-2ｍバールで、４００ｍｍ×４００ｍｍの基板に対するエッチング効果の分布をテストした。
【００８３】
図２６に示される分布は
Ｖ20のＤＣバイアス：    −２１５Ｖ
ＶB0のＤＣバイアス：    ＋１０７Ｖ
Ｖ11、Ｖ12のＤＣバイアス：    ０Ｖ
においてである。
【００８４】
図２７に示される分布は
Ｖ20のＤＣバイアス：    −３２０Ｖ
ＶB0のＤＣバイアス：    −８３Ｖ
Ｖ11、Ｖ12のＤＣバイアス：    ０Ｖ
においてである。
【００８５】
図２８に示される分布は
Ｖ20のＤＣバイアス：    −３１２Ｖ
ＶB0のＤＣバイアス：    ＋３Ｖ
Ｖ11、Ｖ12のＤＣバイアス：    ０Ｖ
においてである。
【００８６】
このことから、ワークピースに沿ってのプロセス効果の分布は電極のいずれかに印加されるそれぞれ対応のＤＣバイアス信号を適当に選択することにより正確に調整できることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】先行技術の容量結合ＲＦプラズマ反応室を概略的に示ず図である。
【図２】図１による反応室へのＲＦ供給と処理すべきワークピースの表面に対する所望のイオン衝撃に応じてワークピースをより大きい電極またはより小さい電極に関して配置することとの１つの可能性を示す図である。
【図３】図１による反応室へのＲＦ供給と処理すべきワークピースの表面に対する所望のイオン衝撃に応じてワークピースをより大きい電極またはより小さい電極に関して配置することとの他の異なった可能性を示す図である。
【図４】図１による反応室へのＲＦ供給と処理すべきワークピースの表面に対する所望のイオン衝撃に応じてワークピースをより大きい電極またはより小さい電極に関して配置することとのさらに他の異なった可能性を示す図である。
【図５】図１による反応室へのＲＦ供給と処理すべきワークピースの表面に対する所望のイオン衝撃に応じてワークピースをより大きい電極またはより小さい電極に関して配置することとのさらに他の異なった可能性を示す図である。
【図６】基板またはワークピースが図１から図５に示される先行技術の反応室におけるプラズマ反応体積を制限する電極のより小さい領域に堆積されるか、またはより大きい領域に堆積されるかに応じた、および基板のサイズからの１つの電極におけるプラズマシースにわたってのＲＦ電圧の割合の依存性を示す図である。
【図７】この発明による反応室の一般的な電極を概略的に表わした図である。
【図８】異なった電極への電気供給のさまざまな可能性を説明するための、この発明による反応室に一般的な電極を概略的に表わした図である。
【図９】図７または図８に示されるアプローチから離れて、好ましい形状の副電極を備えた、この発明による反応室の電極を概略的に示す図である。
【図１０】図９による反応室の拡大図である。
【図１１】この発明の反応室において副電極グループに印加されるＲＦ電圧の間の位相のずれの関数として、かつ副電極の形状の関数として、基板を担持する電極のプラズマシースにおけるＲＦ電圧の結果生じる計算された割合を示す図である。
【図１２】この発明により提供される２つのグループの副電極に印加されるＲＦ電圧の振幅比の関数としての、および基板を担持する電極におけるプラズマシースにわたってのＲＦ電圧の割合を示す図である。
【図１３】この発明による反応室の好ましい構造を概略的に示す図である。
【図１４】この発明による反応室におけるバー状の副電極に細分される電極の概略底面図を示す図である。
【図１５】図１３による図において、二次元アレイの副電極の正方形による副電極パターンを示す図である。
【図１６】図１４または図１５による図において、設けられた三角形の副電極を示す図である。
【図１７】図１４から図１６のうちのいずれかによる図において、設けられるハニカムパターンの副電極のグループを示す図である。
【図１８】図１８は、図１５による副電極パターンから離れて、表面の拡大した凸状屋根の形状を有する副電極の底面図（ａ）および断面図（ｂ）を示す図である。
【図１９】湾曲した表面を備えたさらなる副電極実施例の形状を断面図で示す図である。
【図２０】さらなる好ましい特徴を備えた、図１３による、かつこの発明による反応室の一部の拡大図である。
【図２１】この発明による反応室のＲＦ供給を概略的に示す図である。
【図２２】図２１によるＲＦ供給の第１の好ましい実現モードを概略的に示す図である。
【図２３】図２１によるＲＦ供給の第２の好ましいモードを概略的に示す図である。
【図２４】中心円形パターンによる副電極のさらなる構造を概略底面図で示す図である。
【図２５】図９による概略図において、ボーダー電極を備えたこの発明のプラズマ反応室のさらなる好ましい実施例を示す図である。
【図２６】図２６から図２８は、４００ｍｍ×４００ｍｍの基板に対する、ＤＣバイアス印加に依存する、処理効果の１つの分布を示す。
【図２７】図２６から図２８は、４００ｍｍ×４００ｍｍの基板に対する、ＤＣバイアス印加に依存する、処理効果の他の異なる分布を示す。
【図２８】４００ｍｍ×４００ｍｍの基板に対する、ＤＣバイアス印加に依存する、処理効果のさらに他の異なる分布を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図２１】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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