(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックグリーンシートに電子部品の導電パターンに対応する導電膜を形成し、その後セラミックグリーンシートと導電膜とを焼結してセラミック電子部品を製造する方法であって、フォトレジストと離型フィルムとから成るドライフィルムの前記フォトレジストに電子部品の導体パターンに対応してパターニングした後、前記パターンニングされたフォトレジストに導電ペーストを塗布した後、前記導電ペーストを乾燥し、次いで、前記ドライフィルムのフォトレジストから前記離型フィルムを剥がし、前記離型フィルムを剥がされたドライフィルムのフォトレジストを前記セラミックグリーンシートに接着し、その後前記セラミックグリーンシートから前記ドライフィルムのフォトレジストを剥がして前記セラミックグリーンシートに導電膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
セラミックグリーンシートに電子部品の導電パターンに対応する導電膜を形成し、その後前記セラミックグリーンシートと導電膜とを焼結してセラミック電子部品を製造する方法であって、フォトレジストと離型フィルムとから成るドライフィルムのフォトレジストに電子部品の導体パターンに対応してパターニングした後、前記フォトレジストから前記離型フィルムを剥がし、前記離型フィルムが剥がされたドライフィルムのフォトレジストを前記セラミックグリーンシートに接着した後、前記ドライフィルムのフォトレジストに導電ペーストを塗布し、前記導電ペーストを乾燥し、その後前記セラミックグリーンシートから前記ドライフィルムのフォトレジストを剥がして前記セラミックグリーンシートに導電ペースト膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、前記ドライフィルムのフォトレジストの厚みは、５μｍ乃至１００μｍであることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法であって、前記導電ペーストの粘度は、前記導電ペーストをドクターブレードで塗布する場合には、０．１〜１０Ｐａ・ｓであり、前記導電ペーストをスクリーンで塗布する場合には、１〜１００Ｐａ・ｓであることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法であって、前記導電ペーストの粘度は、前記導電ペーストをドクターブレードで塗布する場合には、０．５〜１Ｐａ・ｓであり、前記導電ペーストをスクリーンで塗布する場合には、１０〜５０Ｐａ・ｓであることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、プリント回路基板、コンデンサ、抵抗、インダクタンスの如きセラミック電子部品を製造する方法に関し、更に詳細に述べると、セラミックグリーンシートに厚膜法によって電子部品の配線、電極等の導体パターンに対応する導電膜を形成するセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来技術においては、セッラミックグリーンシートに厚膜法によって電子部品の導体パターンに対応する導電ペースト膜を形成するためにスクリーン印刷法が利用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この従来技術によってセッラミックグリーンシートに厚膜法によって電子部品の導体パターンに対応する導電ペースト膜を形成する方法が図４に示されており、以下図４を参照しながらこの方法を詳細に説明する。
【０００４】
この従来技術では、図４（ａ）に示すように、導体パターンに対応してパターニングされたメッシュ状のスクリーン６２をセラミックグリーンシート６１に重ね、図４（ｂ）のように、スキージ６４により導電ペースト６３をスクリーン６２に塗布する。なお、図４（ａ）において、符号６２１は、スクリーン６２の非開口部、符号６２２は、スクリーン６２の開口部を示し、また図４（ｂ）において符号６３１は、スクリーン６２の開口部６２２に充填して形成された導電ペースト膜を示す。
【０００５】
導電ペースト６３を塗布した後、図４（ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート６１からスクリーン６２を外し、セラミックグリーンシート６１上に導電ペースト膜６３１が残る。このセラミックグリーンシート６１と導電ペースト膜６３１とは、乾燥後焼結してセラミック電子部品を作成する。
【０００６】
この従来技術の電子部品の製造方法は、スクリーン６２としてメッシュを使用しているので、メッシュの線径の関係から導電膜の幅を小さくすることが困難であり、また図４（ｃ）から解かるように、セラミックグリーンシート６１からスクリーン６２を外したとき、未乾燥層で固化されていない導電ペースト膜６３１がだれて裾が広がり、このため、導電ペースト膜６３１は、幅が広くなる上に、図４（ｃ）に示すように、断面が丸みを帯びて長方形が崩れる傾向がある。
【０００７】
最近、セラミック電子部品の導体パターンの高精細、高密度化の要求が大きくなっており、またセラミック部品の多層化が進んでいるが、従来の厚膜法によるセラミック電子部品の製造方法では、これらの要求に応えることができない欠点があった。
【０００８】
一方、半導体ＩＣ等の導電膜は、蒸着法やスパッタリング法等の如き薄膜形成法の一つであるリフトオフ法によって形成されている（例えば特許文献２参照）。
【０００９】
従来技術のリフトオフ法により薄膜の導電膜を形成する方法が図５に示されており、以下に図５を参照しながらこの方法を説明すると、図５（ａ）に示すように、基板７１にフォトレジスト７２を塗布した後、このフォトレジスト７２をフォトリソグラフィ法により導体パターンに対応してパターニングし、開口部７２１、非開口部７２２を形成する。
【００１０】
その後、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、矢印方向から基板７１へ導電材料の蒸発粒子やイオン化粒子を照射する。導電材料の粒子は、図５（ｂ）に示すように、照射時のエネルギーによって基板７１に密着し堆積して導電膜７３を形成する。導電膜７３の内、フォトレジスト７２の開口部７２１に堆積した部分の導電膜は、符号７３１で示され、非開口部７２２に堆積した部分の導電膜は、符号７３３で示され、また非開口部７２２の側面に堆積した部分の導電膜は、符号７３３で示されている。
【００１１】
次に導電膜７３を軽くエッチングして、図５（ｃ）に示すように、非開口部７２２の側面に堆積した導電膜７３３を除去し、導電膜７３１と導電膜７３２を分離する。最後に、基板７１からフォトレジスト７２とその上の導電膜７３２とを剥がして、図５（ｄ）に示すように、基板７１上に導電膜７３１のみを残す。
【００１２】
このリフトオフ法による導電膜を形成する方法は、導電膜を薄膜で形成することができるため、導体パターンを高精細、高密度に形成することができるが、蒸着法等により導電材料の蒸発粒子やイオン化粒子を基板に密着させ堆積して導電膜を形成するので、厚膜の導電膜を形成することができないし、リフトオフ法は、導電膜を有する多数の基板を積層して多層構造の電子部品を作成することができない欠点があった。またリフトオフ法は、蒸着法等により導電膜を形成するので、導電膜の形成工程や装置が複雑になる欠点があった。
【００１３】
【特許文献１】
特開平８−１１８４６７号公報
【特許文献２】
特開平５−６２９４８号公報
【発明の開示】
【００１４】
本発明の目的は、導体パターンを高精細、高密度化することができる上に多層化することができるセラミック電子部品を製造する方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の第１の形態では、セラミックグリーンシートに電子部品の導電パターンに対応する導電膜を形成し、その後セラミックグリーンシートと導電膜とを焼結してセラミック電子部品を製造する方法において、フォトレジストと離型フィルムから成るドライフィルムのフォトレジストを電子部品の導体パターンに対応してパターニングし、このパターニングされたフォトレジストに導電ペーストを塗布した後、この導電ペーストを乾燥し、次いで、ドライフィルムのフォトレジストから離型フィルムを剥がし、この離型フィルムが剥がされたドライフィルムのフォトレジストをセラミックグリーンシートに接着し、その後セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥がしてセラミックグリーンシートに導電膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第２の形態では、セラミックグリーンシートに電子部品の導電パターンに対応する導電膜を形成し、その後セラミックグリーンシートと導電膜とを焼結してセラミック電子部品を製造する方法であって、フォトレジストと離型フィルムとから成るドライフィルムのフォトレジストを電子部品の導体パターンに対応してパターニングし、このパターニングされたフォトレジストから離型フィルムを剥がし、この離型フィルムが剥がされたドライフィルムのフォトレジストをセラミックグリーンシートに接着した後、ドライフィルムのフォトレジストに導電ペーストを塗布し、この導電ペーストを乾燥し、その後セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥がしてセラミックグリーンシートに導電ペースト膜を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法が提供される。
【００１７】
［発明の効果]
本発明によれば、セラミックグリーンシートに導電膜を形成するために、従来技術の導電膜を形成するのに用いられているスクリーンに代えてドライフィルムを用いているので、スクリーン印刷法と同様に厚膜の導電膜を形成することができる上に、リフトオフ法に近い高精細、高密度の導電膜を形成することができ、従って高精細で高密度の厚膜の導電膜を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１８】
また、本発明によれば、導電ペーストをドライフィルムに塗布し、乾燥して、セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥がすだけの簡単な作業でセラミックグリーンシートに高精細、高密度の導電膜を形成できるので、厚膜の導電膜の形成工程や装置が簡単になる。
【００１９】
本発明によれば、ドライフィルムの膜厚を変えることにより、導電膜の膜厚を変えることができるので、導電膜の膜厚を容易に設定することができる。
【００２０】
本発明によれば、ドライフィルムに塗布した導電ペーストを乾燥する際、ドライフィルムのフォトレジストの開口部に充填されて形成された導電膜部分は、嵩が目減りして、ドライフィルムのフォトレジストの非開口部上に形成された導電膜部分との境界部分で薄くなるため、この境界部分の両側の導電膜部分は、この薄くなった部分で容易に分離することができる。
【００２１】
また、ドライフィルムのフォトレジストの開口部に充填された導電ペーストが乾燥し固化した後、セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥がすので、導電膜の断面の形状が崩れることなく所定の断面形状を保つことができる。
【００２２】
本発明によれば、ドライフィルムをセラミックグリーンシートに接着する前、即ちセラミックグリーンシートと別体のドライフィルムをパターニングするので、パターニング作業を連続的に容易に行うことができる。また、セラミックグリーンシートとは別体のドライフィルムに導電ペーストを塗布するので、その塗布作業を連続的に簡単に行うことができ、また導電ペーストの塗布に失敗しても、セラミックグリーンシートが無駄になることはない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本願発明の第１の実施の形態によってセラミック電子部品を製造するためにグリーンシートに導電膜を形成する工程順に示す断面図である。
【図２】本願発明の第２の実施の形態によってセラミック電子部品を製造するためにグリーンシートに導電膜を形成する工程順に示す断面図である。
【図３】図１又は図２の方法でドライフィルムに充填し乾燥固化されて形成された導電膜が目減りされている状態を示す断面図である。
【図４】従来のスクリーン印刷法によってセラミックグリーンシートに導電膜を形成する方法を工程順に示す断面図である。
【図５】従来のリフトオフ法によって基板に薄膜の導電膜を形成する方法を工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明のセラミック電子部品の製造方法の第１及び第２の実施の形態が図１及び図２に示されており、これらの実施の形態のいずれにおいても、セラミックグリーンシート４１に電子部品の導電パターンに対応する導電膜４２を形成し、その後セラミックグリーンシート４１と導電膜４２とを焼結してセラミック電子部品を製造するが（図１（ｆ）及び図２（ｆ）参照）、導電膜４２は、離型フィルム（キャリヤフィルム）１２とその上に設けられたフォトレジスト１１とから成るドライフィルム１０のフォトレジスト１１を電子部品の導電パターンに対応してパターニングしてこのパターンニングされたフォトレジスト１１に導電ペースト２１を塗布して形成される点で共通している。
【００２５】
セラミックグリーンシート４１は、アルミナ骨材にガラス粉体を混合しブチラール系のバインダーで結合しテープ状に成形して低温で焼成して形成されたものが用いられるが、それ以外に、コンデンサ等に用いられるチタン酸バリウム、インダクタに用いられるフェライト、高周波回路に用いられる高周波誘電体を含有するものが用いられる。
【００２６】
ドライフィルム１０は、一般に市販されているアクリル系感光シートを用いることができる。また、このドライフィルム１０に塗布される導電ペースト２１は、粒径が０．０５〜１０μｍ、好ましくは、０．１〜２μｍの銀、銅、ニッケルの如き導電性粒子をポリビニールブチラール（ＰＶＢ）、エチルセルロース、アクリル樹脂等のバインダーで結合して形成される。導電性粒子とバインダーとの配合割合は、重量比で導電性粒子１００に対してバインダー３〜１０、好ましくは、５〜７である。また、導電ペーストの粘度は、ドクターブレードで塗布する場合には、０．１〜１０Ｐａ・ｓ、好ましくは、０．５〜１Ｐａ・ｓであり、スクリーンで塗布する場合には、１〜１００Ｐａ・ｓ、好ましくは、１０〜５０Ｐａ・ｓである。導電ペーストの粘度が０．１Ｐａ・ｓ（ドクターブレード塗布）又は１Ｐａ・ｓ（スクリーン塗布）よりも低いと、離型フィルム（ＰＥＴフィルム）１２とドライフィルム１０との界面（後に述べる第１の実施の形態参照）又はドライフィルム１０とセラミックグリーンシート４１との界面（後に述べる第２の実施の形態参照）ににじみが生じたり、ドライフィルム１０の剥離時に導電パターンが変形したりし、また導電ペーストの粘度が１０Ｐａ・ｓ（ドクターブレード塗布）又は１００Ｐａ・ｓ（スクリーン塗布）よりも高いと、導電ペーストの充填が進まないで導電パターンが薄くなったり、途切れたりする不具合が生ずる。
【００２７】
以下に本発明の幾つかの実施の形態の詳細を図１及び図２をそれぞれ参照して述べる。
【００２８】
第１の実施の形態では、図１（ａ）に示すように、ドライフィルム１０のフォトレジスト１１を電子部品の導電パターンに対応してパターニングして、開口部１１１と非開口部１１２を形成する。フォトレジスト１１の開口部１１１と非開口部１１２のパターンは、電子部品の配線、電極等の導体パターンに対応して形成されている図示しないフォトマスクを用いて、フォトレジスト１１を、露光、現像して形成される。
【００２９】
その後、図１（ｂ）に示すように、ドライフィルム１０にドクターブレード３１を用いて導電ペースト２１を塗布する。図１（ｂ）において、ドライフィルム１０のフォトレジスト１１の開口部１１１に充填された導電ペーストは、符号２１１で示され、フォトレジスト１１の非開口部１１２の表面に塗布された導電ペーストは、符号２１２で示されている。
【００３０】
ドライフィルム１０に導電ペースト２１を塗布した後、この導電ペースト２１を乾燥する。この乾燥は、例えば、導電ペースト２１をホットプレート上で塗布に引き続いて行うことができ、この場合には、このホットプレートを４０〜７０℃、好ましくは５０〜６０℃の温度に維持し、塗布後乾燥するまでこの温度を維持する。この場合の乾燥までの所要時間は、約２０分である。なお、導電ペースト２１が塗布されたドライフィルム１０を５０〜８０℃に維持された乾燥機の中に収容して乾燥することもできるが、この場合の乾燥時間は、約２０〜６０分である。
【００３１】
このようにして、ドライフィルム１０に塗布された導電ペースト２１を乾燥すると、導電膜が形成されるが、この乾燥の際に、導電ペースト２１１に相応する導電膜部分２１１Ｆの嵩（レベル）は、図１（ｃ）に示すように、中央部分が幾分低くなって落ち着く。即ち、導電ペースト２１１は、フォトレジスト１１の開口部１１１に充填された当初、開口部１１１に満たされているが、開口部１１１にはその中に残っている空気等によって微小な隙間が存在し、この隙間は、時間とともに消散するためと乾燥とによって、導電ペースト２１１に相応する導電膜部分２１１Ｆは、嵩が幾分目減りして落ち着く。その結果、導電ペースト２１１に相応する導電膜部分２１１Ｆは、図１（ｃ）に示すように、中央部分が幾分低くなる。
【００３２】
このようにして導電ペースト２１を乾燥した後、図１（ｄ）に示すように、ドライフィルム１０から離型フィルム１２を剥がす。離型フィルム１２が剥されたドライフィルム１０は、図１（ｅ）に示すように、セラミックグリーンシート４１に圧着して接着する。
【００３３】
この圧着は、例えば、一軸の油圧又は空気圧プレス、静水圧を利用した冷間当方圧プレスの如き加圧手段によって行われる。この場合、圧着時に、加熱や溶剤を使用しなくても、圧力を上げることによって粘着性を回復してドライフィルム１０を導電膜部分２１１Ｆ（導電ペースト２１１に相応する部分）と共にセラミックグリーンシート４１に接着することができるが、加熱及び／又は溶剤を併用して導電膜を含むドライフィルム１０の粘着性を回復しドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着するのが好ましい。加熱温度は、５０〜８０℃、好ましくは、６０〜７０℃であり、圧力は、２００〜１０００ｋｇ／ｃｍ２、好ましくは、４００〜５００ｋｇ／ｃｍ２である。また、併用する溶剤は、トルエン、キシレン又はこれらの混合液を用いることができる。
【００３４】
このようにして、導電膜を有するドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着した後、セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０のフォトレジスト１１を剥がすと（除去すると）、フォトレジスト１１の非開口部１２の表面に付着した導電ペースト２１２に相応する導電膜も剥がれ、図１（ｆ）に示すように、導電ペースト２１１に相応して導電膜４２がセラミックグリーンシート４１上に形成される。
【００３５】
既に述べたように、導電ペースト２１１に相応する導電膜部分２１１Ｆは、図１（ｅ）に示すように、目減りして、フォトレジスト１１の非開口部１１２の角部（肩部）に近い部分は、薄くなっているため、セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０のフォトレジスト１１を剥がすとき、導電ペースト２１２に相応する部分から容易に分離できる。
【００３６】
セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０のフォトレジスト１１を剥がすために、ドライフィルム１０とセラミックグリーンシート４１とを１％の炭酸ナトリウム溶液又は水酸化ナトリウム溶液に浸漬することによってフォトレジスト１１を溶解してフォトレジスト１１を容易に剥離することができる。
【００３７】
このようにして導電膜４２が形成されたセラミックリーンシート４１を焼結してセラミック電子部品を完成する。多層プリント回路基板等のように多層構造のセラミック電子部品が要求される場合には、図１（ｆ）のセラミックグリーンシート４１を複数個積層した後、この積層体を焼結することによってこの多層構造のセラミック電子部品を得ることができる。この場合、各層（各セラミックグリーンシート４１）の導体パターンは、同じパターンであってもよいし、異なるパターンであってもよい。
【００３８】
図１（ｆ）の導電膜４２の膜厚は、相応する導電ペースト２１１の膜厚で決まるが、導電ペースト２１１の膜厚は、ドライフィルム１０のフォトレジスト１１の膜厚によって定められるので、ドライフィルム１０の膜厚を変えることにより、導電膜４２の膜厚を変えることができる。しかし、このフォトレジスト１１の膜厚は、５μｍから１００μｍの範囲で使用されるのが好ましい。フォトレジスト１１の膜厚が５μｍより小さいと、フォトレジスト１１の強度が不足し、また１００μｍよりも大きいと、セラミックグリーンシート４１からフォトレジストを剥離することができなくなる。
【００３９】
導電ペースト２１を塗布するために、ドクターブレードの他、無パターンのスクリーンとスキージを用いてもよく、この場合、スクリーンをドライフィルム上にセットし、スキージにより導電ペーストを塗布する。
【００４０】
この第１の実施形態において、導電ペースト２１１は、乾燥後、嵩が目減りするので、図３（ａ）に示すように、導電ペースト２１１に相応する導電膜部分２１１Ｆと導電ペースト２１２に相応する導電膜部分２１２Ｆとの連結部分（フォトレジスト１１の非開口部１１２の角部（肩部）１１３に隣接する部分）は、導電膜部分２１２Ｆよりも薄くなる。従って、セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０のフォトレジスト１１を剥がすとき、導電膜部分２１１Ｆと導電膜部分２１２Ｆとは、その薄くなった部分で容易に分離することができる。
【００４１】
また、セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０のフォトレジスト１１を剥がして形成される導電膜４２（導電膜部分２１１Ｆに相応する膜）は、既に乾燥し固化しているので、その断面は、図３（ｂ）に示すように、崩れることなく長方形或いは正方形を保っている。
【００４２】
更に、導電膜４２を形成するために、フォトマスクを用いてパターニングしたドライフィルム１０を用いるので、導電膜のパターニングを高精細、高密度で行うことができる。従って、このドライフィルム１０に導電ペースト２１を塗布し、導電ペースト２１の乾燥後、このドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着し、セラミックグリーンシート４１からドライフィルム１０を剥がすことによって、セラミックグリーンシート４１上に高精細、高密度の導電膜を形成することができる。このように、第１の実施の形態では、パターニング化されたドライフィルムをセラミックグリーンシートに接着することによってスクリーン印刷法等の厚膜技術と半導体ＩＣ等の薄膜技術の高精細、高密度化技術との両方の特徴を備えることができる。
【００４３】
即ち、本発明の第１の実施の形態では、ドライフィルムを用いることにより、厚膜法とは全く異なる技術分野の薄膜形成法に使われているリフトオフ法と同等の方法を厚膜法に適用することを可能にするので、スクリーン印刷法等の厚膜法と同様の簡便さで、リフトオフ法に近い高精細、高密度で、厚膜の導電ペースト膜をセラミックグリーンシートに形成することができ、またこの厚膜の導電膜の形成工程及び装置が簡単になる。
【００４４】
また、第１の実施の形態は、セラミックグリーンシート４１に接着する前のドライフィルム１０にパターニングするので、パターニング作業が容易になり、またパターニングを連続して行うことができる。更に、セラミックグリーンシート４１に接着する前のドライフィルム１０に導電ペースト２１を連続して塗布することができるので、従来のスクリーン印刷法のように、セラミックグリーンシート１枚毎にスクリーンを載置したり、外したりする必要がない。また、事前に導電ペーストを塗布したドライフィルム１０を作成しておいて、この事前に作成しておいたドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着すればよいので、導電膜を簡単な作業で形成することができる。また導電ペーストを塗布したドライフィルムは、セラミックグリーンシートと別箇に作成するので、仮に導電ペーストの塗布に失敗しても、セラミックグリーンシートが無駄になることがない。
【００４５】
本発明の第２の実施の形態が図２に示されており、この実施の形態は、セラミックグリーンシート４１に厚膜の導電膜４２を形成するのに好適に用いられる。
【００４６】
この第２の実施の形態では、ドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着してから、ドライフィルム１０に導電ペースト２１を塗布しており、この点で導電ペースト２１を塗布してからドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着する第１の実施の形態と異なり、このドライフィルムの接着の順序を除いては、第１の実施の形態と同じである。以下、図２を参照しながら第２の実施の形態を述べる。
【００４７】
まず、図２（ａ）に示すように、ドライフィルム１０のフォトレジスト１１をパターニングし、開口部１１１と非開口部１１２を形成する。これは、第１の実施の形態の図１と同じ方法で行われる。
【００４８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ドライフィルム１０の離型フィルム１２を剥がし、その後、図２（ｃ）に示すように、このドライフィルム１０のフォトレジスト１１をセラミックグリーンシート４１に圧着によって接着した後、図２（ｄ）に示すように、ドクターブレード３１を用いてフォトレジスト１１に導電ペースト２１を塗布する。
【００４９】
導電ペースト２１を塗布した後、図２（ｅ）に示すように、この導電ペースト２１を乾燥する。この乾燥によって、第１の実施の形態と同様に、フォトレジスト１１の開口部１１１に充填された導電ペースト２１１に相応する部分は、嵩（レベル）が目減りして落ち着く。
【００５０】
導電ペースト２１を乾燥した後、ドライフィルム１０のフォトレジスト１１をセラミックグリーンシート４１から剥がすと（除去すると）、フォトレジスト１１の非開口部１１２の表面に付着している導電ペースト２１２に相応する導電膜部分も剥がれ、図１（ｆ）に示すように、導電ペースト２１１に相応する導電膜４２がセラミックグリーンシート４１上に形成される。
【００５１】
ドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に圧着する工程、導電ペースト２１を乾燥する工程及びドライフィルム１０のフォトレジスト１１を除去する工程は、第１の実施の形態と同様の方法で行うことができる。
【００５２】
この第２の実施の形態でも、第１の実施の形態と同様の効果を有するが、第１の実施の形態とは異なって導電ペースト２１を塗布する前に、ドライフィルム１０をセラミックグリーンシート４１に接着するので、ドライフィルム１０の接着作業が容易になる。
【実施例】
【００５３】
本発明の具体的な幾つかの実施例を以下に説明する。
【００５４】
（実施例１）
この実施例では、図１の第１の実施の形態によってセラミック電子部品を製造した。導電ペースト２１は、粒径１．０６μｍの銀粒子とポリビニールブチラール（ＰＶＢ）とトルエンとから成り、銀粒子とポリビニールブチラールとの配合比は、重量比で１００対７であり、粘度０．７Ｐａ・ｓに調製した。ドライフィルム４１には、膜厚５０μｍの市販のアクリル系感光シートを用いた。この実施例で形成された導電膜４２の幅と間隔は、それぞれ１００μｍであり、膜厚（乾燥後の最も薄い部分の厚み）が４０μｍであった。
【００５５】
（実施例２）
この実施例では、図２の第２の実施の形態によってセラミック電子部品を製造した。この実施例では、導電ペースト２１としては、実施例１と同様の導電ペーストを用い、ドライフィルム４１には、膜厚２５μｍの市販のアクリル系シートを用いた。この実施例で形成された導電膜４２の幅と間隔は、それぞれ３０μｍであり、膜厚（乾燥後の最も薄い部分の厚み）が２０μｍであった。
【００５６】
（実施例１、２の評価）
実施例１及び２のいずれも、ドライフィルムを用いて形成された４０μｍ、２０μｍと比較的膜厚が大きな導電膜を得ることができたが、その幅及び間隔は、１００μｍ、３０μｍであるので、導電膜を高密度で繊細に形成することができた。シリコン半導体を形成する際に使用されているリフトオフ法では、シリコン半導体の厚みの限度は、概ね１μｍであるので、この方法を使用して厚膜のセラミック電子部品の導電膜を形成しようとしても、数十μｍのものを形成することができない。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、ドライフィルムのパターニング化されたフォトレジストをセラミックグリーンシートに接着する前又は後にドライフィルムに導電ペーストを塗布し乾燥してセラミックグリーンシート上に導電膜を形成するので、高精細、高密度の厚膜の導電膜を有するセラミック電子部品を製造することができ、産業上の利用性が向上する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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