(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた複数の端子部を介して入力された信号に対応して、表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、
前記複数の端子部は、
各端子部の幅が等しく形成されると共に前記基板の一辺に沿って配列され、
クロック信号を供給する第１端子部と、ビデオ信号を供給する複数の第２端子部と、前記第１端子部と前記第２端子部との間に配置された異なる直流電位を供給する第３端子部及び第４端子部と、前記第３端子部と前記第４端子部との間に配置され電気的に未接続な第５端子部と、を含み、
前記第３端子部と前記第４端子部との間に前記第５端子部が少なくとも一つ配置されることで、前記複数の端子部のうち、前記第３端子部と前記第４端子部との間隔が、前記複数の第２端子部における隣り合う端子部同士の間隔よりも広く形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記複数の端子部における隣り合う端子部の間隔が一定に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記第４端子部と隣り合う前記第２端子部との間隔が、前記複数の第２端子部における隣り合う端子部同士の間隔よりも広く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とす
る電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置等の表示装置として、マトリクス状に配置された多数の画素を、画素毎に駆動するために、各画素に薄膜半導体装置である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を設けたアクティブマトリクス型の表示装置が知られている。
例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置へ信号を入出力する外部回路との接続にＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いる場合、この液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の縁辺に沿って配列された複数のパッド（端子部）と、ＦＰＣとの間に導電性粒子としてＡｕや、Ｎｉ粒子を有する異方性導電膜（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いて電気的に接続する方法が用いられている。
【０００３】
また、上述の液晶装置、ＥＬ装置などの表示装置の高精細化（高解像度化、小型化）が進展している。そのため、表示装置に設けられるパッド数の増加と、パッドの設置面積の縮小とが同時に進み、パッドピッチが小さくなっている。パッドの幅については、その接続強度を確保するため、可能な限り大きくとる必要がある。これらのことから、パッドの間隔は狭くなってきている。
【０００４】
上記パッドとＦＰＣとの接続にＡＣＦを用いる場合、パッドとＦＰＣとの間には隙間が生じるため、水分が接続領域に入り込んでしまっていた。この際、パッドの間隔が狭いと、パッド間の電界強度が強く、入り込んだ水分により、電子の媒介による電気分解反応が進み、隣接するパッドがショートする恐れがあった。
この隣接するパッドのショートを防止するために、さまざまな技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平７−３１６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１においては、ＡＣＦに含まれる導電性粒子の材料に、パッドを形成する材料の酸化電位よりも還元電位の低い材料を用いることで、パッドの腐食やショートなどを防止している。
しかしながら、このような材料の変更には、プロセスの変更など多大な労力が必要となり、上述の課題の解決が容易でないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、端子部の配置数を増やし、かつ配置面積を狭くすることができるとともに、端子部における電気的接続の不具合を容易に防止することができる電気光学装置用基板、電気光学装置、半導体装置および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された電位信号に対応して、表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間隔は、他の電位を供給する端子部の間隔よりも広く形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第１の半導体装置は、基板内の回路に電位を供給する複数の端子部を有し、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間隔が、他の電位を供給する端子部の間隔よりも広く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
隣接する端子部の間隔が同じであっても、隣接する端子部に異なる直流電位が供給された場合にはショートが発生し、隣接する端子部に他の電位、例えば交流電位を供給する場合にはショートが発生しないことを、発明者は実験により見出した。これは、異なる直流電位が供給される端子の間に形成される電界が、時間的に一定であるのに対し、交流電位が供給される端子の間に形成される電界は、時間的に変動していることに起因していると考えられる。つまり、電界が時間的に一定であることが、変動していることよりも、電子の媒介による電気分解反応を起こしやすく（ショートしやすく）していると考えられる。そこで、発明者は、隣接しかつ異なる直流電位が供給される端子部の間隔のみを広くしてショートの発生を防止し、他の電位が供給される端子部の間隔はそれよりも狭くする構成に思い至った。
【００１０】
通常、直流電位が供給される端子部の数は、他の電位が供給される端子部よりもはるかに少ないので、隣接する端子部の間隔であって、異なる直流電位が供給される端子部間隔のみを広くし、他の電位が供給される端子部間隔を狭くする構成により、全体として端子部の配置数を増やしかつその配置面積を狭くすることができる。さらに、ショートしやすい、異なる直流電位が供給される端子部間隔を広くしているので、端子部の間でのショートの発生を防止することができる。また、端子部の配置間隔の変更だけなので、プロセスの変更などの多大な労力を伴う作業が必要とされず、容易に実施することができる。
【００１１】
本発明の第２の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された電位信号に対応して、表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間には、交流電位を供給する端子部が少なくとも一つ配置されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の半導体装置は、基板内の回路に電位を供給する複数の端子部を有し、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間には、交流電位を供給する端子部が少なくとも一つ配置されていることを特徴とする。
【００１３】
すなわち、本発明の第２の電気光学装置用基板および本発明の第２の半導体装置では、隣接する端子部の一方に直流電位を供給する端子部が配置されている場合には、他方に交流電位を供給する端子部を配置している。上述した隣接配置の端子部の間に形成される電界は、他方の端子部に交流電位が供給されているため、時間的に変動する。そのため、異なる直流電位が供給される端子が隣接した構成よりも、隣接する端子部のショートの発生を防止しやすくすることができる。
また、直流電位が供給される端子部と交流電位が供給される端子部との間隔を、交流電位が供給される端子部同士の間隔よりも広くする必要がないため、端子部を配置する面積をより狭くすることができる。
【００１４】
上記の構成を実現するために、より具体的には、直流電位を供給する端子部と交流電位を供給する端子部との間隔が、交流電位を供給する端子部同士の間隔よりも広く形成されていてもよい。
この構成によれば、直流電位を供給する端子部と交流電位を供給する端子部との間隔を広くすることにより、上記端子部の間に形成される電界の強度が弱くなり、上記構成の隣接する端子部間のショートの発生をより確実に防止することができる。
【００１５】
上記の構成を実現するために、より具体的には、直流電位を供給する端子部と交流電位を供給する端子部との間には、電気的に未接続な端子部が少なくとも一つ配置されていてもよい。
この構成によれば、直流電位を供給する端子部と交流電位を供給する端子部との間に、電気的に未接続な端子部を配置するため、隣接する端子部間のショートをより確実に防止することができる。
この電気的に未接続な端子部とは、文字通り電気的に孤立しているため、特定の電位に固定されていない端子部のことである。そのため、電気的に未接続な端子部と直流電位が供給される端子部との間には、異なる直流電位が供給される端子部同士の間よりも、弱い電界が形成される。そのため、異なる直流電位が供給される端子同士が隣接した構成よりも、隣接する端子部のショートの発生を防止しやすくすることができる。
【００１６】
本発明の第３の電気光学装置用基板は、基板上に設けられた端子部を介して入力された電位信号に対応して、表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間には、電気的に未接続な端子部が少なくとも一つ配置されていることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第３の半導体装置は、基板内の回路に電位を供給する複数の端子部を有し、隣接する端子部の間隔のうち、異なる直流電位を供給する端子部の間には、電気的に未接続な端子部が少なくとも一つ配置されていることを特徴とする。
【００１８】
すなわち、本発明の第３の電気光学装置用基板および本発明の第３の半導体装置では、隣接する端子部の一方に直流電位を供給する端子部が配置されている場合には、他方に電気的に未接続な端子部を配置している。この電気的に未接続な端子部とは、文字通り電気的に孤立しているため、特定の電位に固定されていない端子部のことである。上述した隣接配置の端子部の間に形成される電界は、他方の端子部が特定の電位に固定されていないため、異なる直流電位が供給される端子同士が隣接した構成よりも、端子部間に形成される電界の強度が弱くなる。そのため、異なる直流電位が供給される端子同士が隣接した構成よりも、隣接する端子部のショートの発生を防止しやすくすることができる。
また、直流電位が供給される端子部と電気的に未接続な端子部との間隔を、交流電位が供給される端子部同士の間隔よりも広くする必要がないため、端子部を配置する面積をより狭くすることができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板上に設けられた複数の端子部を介して入力された信号に対応して、表示部にて画像を表示する電気光学装置用基板であって、前記複数の端子部は、各端子部の幅が等しく形成されると共に前記基板の一辺に沿って配列され、クロック信号を供給する第１端子部と、ビデオ信号を供給する複数の第２端子部と、前記第１端子部と前記第２端子部との間に配置された異なる直流電位を供給する第３端子部及び第４端子部と、前記第３端子部と前記第４端子部との間に配置され電気的に未接続な第５端子部と、を含み、前記第３端子部と前記第４端子部との間に前記第５端子部が少なくとも一つ配置されることで、前記複数の端子部のうち、前記第３端子部と前記第４端子部との間隔が、前記複数の第２端子部における隣り合う端子部同士の間隔よりも広く形成されていることを特徴とする。
本発明の電気光学装置は、上記本発明の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする。
【００２０】
すなわち、本発明の電気光学装置は、上記本発明の電気光学装置用基板を備えているため、端子部の配置数を増やすことができるとともに、その配置面積を狭くすることができる。そのため、電気光学装置が表示装置（例えば、液晶装置）の場合、表示装置の高解像度化、小型化を図ることができる。
また、端子部における電気的接続の不具合を容易に防止することができるため、電気光学装置の不具合発生を防止することができるとともに、電気光学装置の製造コストを低減することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２２】
すなわち、本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えているため、電気光学装置が表示装置（例えば、液晶装置）の場合、高解像度で小型の表示装置を備えた電子機器を実現することができる。
また、不具合が発生しにくく、製造コストの低い電気光学装置を備えるため、電子機器の不具合の発生を防止することができ、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
〔第１の実施の形態〕
［電気光学装置］
以下、本発明における第１の実施の形態について図１から図７を参照して説明する。
本実施の形態においては、電気光学物質として液晶を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を例に採り説明する。
図１は本実施の形態における液晶表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、この液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板、半導体装置）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路（図示せず）及びパッド（端子部）２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路（回路）２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２５】
この液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、各画素１００ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ここで、データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、同時に供給してもよいし、デマルチプレクサを設けて時分割で共通にしてもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２６】
また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。また、画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込むようになっている。
このようにして、画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００２７】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０は、石英などの光透過性の絶縁基板からなるガラス基板（基板）１０Ａと、その液晶層５０側表面上に形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる画素電極９ａと、表示領域に設けられた画素スイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）３０および非表示領域に設けられた駆動回路用ＴＦＴ（スイッチング素子）（図示せず）と、ポリイミド膜等の有機膜から形成され、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６とを主体として構成されている。
【００２８】
他方、対向基板２０は、透明なガラスや石英などの光透過性基板からなる基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面上に形成された対向電極２１と、配向膜２２と、金属などからなり、各画素部の開口領域以外の領域に設けられた遮光膜２３、および、遮光膜２３と同じかあるいは異なる材料からなる額縁としての遮光膜５３とを主体として構成されている。
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対向するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。
【００２９】
また、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面上において、各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置には、遮光層１１ａが設けられている。また、遮光層１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを遮光層１１ａから電気的に絶縁するために設けられるものである。
【００３０】
図４に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ ）構造を有しており、走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域（ソース領域）１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅ（ドレイン領域）を備えている。
【００３１】
ここで、ゲート絶縁膜２は、その厚さが例えば６０〜８０ｎｍ程度とされているのが好ましい。これは、特に画素スイッチング用ＴＦＴ３０や駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）の駆動電圧を１０〜１５Ｖ程度に設定した場合に、前記範囲の厚さが絶縁耐圧を確保するうえで必要となるからである。
【００３２】
また、この液晶パネルにおいては、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、さらにこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。容量線３ｂおよび走査線３ａは、同一のポリシリコン膜、または、ポリシリコン膜と、金属単体、合金、金属シリサイド等の積層構造からなり、蓄積容量７０の誘電体膜と画素スイッチング用ＴＦＴ３０および駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のゲート絶縁膜２とは、同一の熱酸化膜、高温酸化膜の２層構造からなっている。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅと、駆動回路用ＴＦＴ（図示せず）のチャネル領域、ソース領域、ドレイン領域と、第１蓄積容量電極とは、同一の半導体層１ａからなっている。
【００３３】
また、図４に示すように、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には第２層間絶縁膜４が形成されており、この第２層間絶縁膜４には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８がそれぞれ形成されている。さらに、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には第３層間絶縁膜（絶縁膜）７が形成されており、この第３層間絶縁膜７には画素スイッチング用ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成されている。また、画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。
【００３４】
図５は、本実施の形態におけるパッドの平面図であり、図６は、図５におけるＪ−Ｊ′線矢視断面図である。
一方、パッド（端子部）２０２は、図５に示すように、ガラス基板１０Ａ上におけるパッド形成領域における、表示部側の端部を含む領域を除いた領域に、一直線上に配列して形成されている。
パッド２０２は、供給される電位によって、電源として利用される直流電位が供給される電源用パッド（端子部）２０２ｓ、２０２ｄと、クロック信号として利用される交流電位が供給されるクロック信号用パッド（端子部）２０２Ｃと、画素信号（ビデオ信号）として利用される交流電位が供給される画素信号用パッド（端子部）２０２Ｖ１、２０２Ｖ２、２０２Ｖ３等と、に分類される。
なお、上述したパッド２０２に供給される電位の種類は、一例を挙げたものであって、それ以外の目的に用いられる電位があってもよいし、上述した目的に用いられない電位があってもよい。
【００３５】
電源用パッド２０２ｓおよび電源用パッド２０２ｄに供給される直流電位は、液晶表示装置１００のＴＦＴがｎ型の場合には、それぞれＴＦＴにおけるＬｏ信号およびＨｉ信号（ｏｆｆ信号およびｏｎ信号）として用いられる。そのため、電源用パッド２０２ｓおよび電源用パッド２０２ｄは、走査線３ａに電気的に接続されている。また、クロック信号用パッド２０２Ｃに供給される交流電位は、データ線６ａに画素信号を書き込むタイミングの同調をとるためのクロック信号などとして用いられる。
例えば、電源用パッド２０２ｓには０Ｖの直流電位が供給され、電源用パッド２０２ｄには１５Ｖの直流電位が供給されている。クロック信号用パッド２０２Ｃ、画素信号用パッド２０２Ｖ１、２０２Ｖ２、２０２Ｖ３は、０Ｖ〜１５Ｖの間で変動する交流電位が供給されている。
なお、上述のように液晶表示装置１００のＴＦＴがｎ型の場合には、電源用パッド２０２ｓに供給される０Ｖがｏｆｆ信号、電源用パッド２０２ｄに供給される１５Ｖがｏｎ信号として用いられるが、ＴＦＴがｐ型の場合には、０Ｖがｏｎ信号、１５Ｖがｏｆｆ信号として用いられる。
【００３６】
パッド２０２は、例えば図５に示すように、左側からクロック信号用パッド２０２Ｃ、電源用パッド２０２ｓ、電源用パッド２０２ｄ、画素信号用パッド２０２Ｖ１、画素信号用パッド２０２Ｖ２、画素信号用パッド２０２Ｖ３の順に配列されている。各パッド間の間隔は、電源用パッド２０２ｓと電源用パッド２０２ｄとの間隔をＬ１、電源用パッド２０２ｓとクロック信号用パッド２０２Ｃとの間隔および電源用パッド２０２ｄと画素信号用パッド２０２Ｖ１との間隔をＬ２、画素信号用パッド２０２Ｖ１と画素信号用パッド２０２Ｖ２との間隔および画素信号用パッド２０２Ｖ２と画素信号用パッド２０２Ｖ３との間隔をＬ３とすると、Ｌ１＞Ｌ２≧Ｌ３の関係となるように形成されている。
間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の値としては、例えば、Ｌ１が４０μｍ、Ｌ２が２０μｍ以上４０μｍ未満のうちの所定値、Ｌ３が１０μｍ以上２０μｍ以下のうちの所定値を挙げることができる。
【００３７】
なお、間隔Ｌ２、Ｌ３は上述のように大きさを異ならせていてもよいし、間隔Ｌ２が間隔Ｌ３同じ値となるように形成されていてもよい。この場合、間隔Ｌ２が狭くなることにより、パッド２０２の配置面積をさらに狭くすることができる。なお、間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の値は上述した値に限定されるものではなく、供給される直流電位の値などさまざまなパラメータにより適宜変更することができる。
【００３８】
また、パッド２０２は、図６に示すように、第２層間絶縁膜４上に形成された金属層３０１と、金属層３０１上の第３層間絶縁膜７に形成された開口部３０３とから構成されている。
開口部３０３は、金属層３０１から離れる方向に向かってその面積が広がるように形成されるとともに、金属層３０１に第３層間絶縁膜７が被さるように形成されている。
【００３９】
金属層３０１は、データ線６ａ、すなわちＴＦＴ３０のソース配線に電気的に接続されるものであり、導電性の良い金属、例えばＡｌで形成されている。なお、金属層３０１を形成する材料としては、特に限定されないが、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、およびこれらの合金などを用いることができる。
第１層間絶縁膜１２の材料としては、酸化シリコンや、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス等を例示することができる。
第２層間絶縁膜４および第３層間絶縁膜７の材料としては、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜を例示することができる。
【００４０】
次に、上記の構成からなる液晶表示装置におけるパッドの接続について説明する。
図７は、本実施の形態におけるパッドの接続を示す図である。
液晶表示装置のパッド２０２には、図７に示すように、フレキシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下、ＦＰＣと略記する ）３５０が接続され、外部の機器からの信号が入力される。ＦＰＣ３５０には導電性を有するバンプ３５１が形成されており、このバンプ３５１が開口部３０３に挿入されて異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：以下、ＡＣＦと略記する）３５２を介して金属層３０１と電気的に接触する。
【００４１】
ＡＣＦ３５２はＡｕやＮｉなどの導電性金属からなる導電性微粒子３５３と接着剤３５４とから構成され、絶縁性を有する接着剤３５４中に導電性微粒子３５３が分散され厚み方向（接続方向）に導電性を有し、面方向（横方向）に絶縁性を有するものである。このＡＣＦ３５２を介して接続するときは、基本的に加熱圧着される。まず、パッド２０２を覆うようにＡＣＦ３５２を貼り付け、そしてＦＰＣ３５０を装着して加熱圧着する。圧着することにより、ＡＣＦ３５２の導電性微粒子３５３を介してバンプ３５１と金属層３０１とが導通することになる。
【００４２】
上記の構成によれば、隣接しかつ直流電位が供給される電源用パッド２０２ｓ、２０２ｄの間隔Ｌ１を広くしているので、電源用パッド２０２ｓ、２０２ｄの間の電界強度を低減することができ、電源用パッド２０２ｓ、２０２ｄの間でのショートの発生を防止することができる。
【００４３】
電源用パッド２０２ｓ、２０２ｄのような直流電位が供給されるパッド数は、パッド２０２０Ｃ、画素信号用パッド２０２Ｖ１、２０２Ｖ２のような交流電位が供給されるパッドよりもはるかに少ないので、間隔Ｌ１および間隔Ｌ２のみを広くし、間隔Ｌ３を狭くする構成とすることで、液晶表示装置１００としてパッド２０２の配置数を増やしかつその配置面積を狭くすることができる。その結果、液晶表示装置１００の高解像度化、小型化を図ることができる。
また、パッド２０２の配置間隔を変更するだけなので、ＡＣＦ３５２の導電性微粒子３５３の材料を変更するなどの多大な労力を伴う作業が必要とされず、容易に実施することができる。
【００４４】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明における第２の実施形態について図８を参照して説明する。
本実施の形態における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺部が異なっている。よって、本実施の形態においては、図８を用いてパッド周辺部のみを説明し、ＴＦＴ等の説明を省略する。
図８は、本実施の形態におけるパッドの平面図である。
【００４５】
パッド２０２は、供給される電位によって、電源として利用される直流電位が供給される電源用パッド２０２ｓ、２０２ｄと、クロック信号として利用される交流電位が供給されるクロック信号用パッド２０２Ｃと、画素信号（ビデオ信号）として利用される交流電位が供給される画素信号用パッド２０２Ｖ１、２０２Ｖ２等と、電位が供給されないダミーパッド（端子部）２０２Ｄと、に分類される。
ダミーパッド２０２Ｄは、液晶表示装置の内部回路を構成する配線とは電気的に接続されていないとともに、外部の機器からも電気的に接続されていない。そのため、ダミーパッド２０２Ｄの金属層３０１Ｄは、図８に示すように、ダミーパッド２０２Ｄの領域にしか形成されず、他の配線とは接続されていない。
【００４６】
パッド２０２は、例えば図８に示すように、左側からクロック信号用パッド２０２Ｃ、電源用パッド２０２ｓ、ダミーパッド２０２Ｄ、電源用パッド２０２ｄ、画素信号用パッド２０２Ｖ１、画素信号用パッド２０２Ｖ２の順に配列されている。各パッド間の間隔は、クロック信号用パッド２０２Ｃと電源用パッド２０２ｓとの間隔および電源用パッド２０２ｄと画素信号用パッド２０２Ｖ１との間隔がＬ２、電源用パッド２０２ｓとダミーパッド２０２Ｄとの間隔、ダミーパッド２０２Ｄと電源用パッド２０２ｄとの間隔および画素信号用パッド２０２Ｖ１と画素信号用パッド２０２Ｖ２との間隔がＬ３となるように形成されている。
【００４７】
なお、間隔Ｌ２、Ｌ３は上述のように大きさを異ならせていてもよいし、間隔Ｌ２が間隔Ｌ３同じ値となるように形成されていてもよい。この場合、間隔Ｌ２が狭くなることにより、パッド２０２の配置面積をさらに狭くすることができる。さらに、パッド２０２の間隔が全て等しくなるため、パッド２０２のピッチが共通となる。そのため、パッド２０２と接続するＦＰＣの配線ピッチも全て共通となり、ＦＰＣの設計が容易となる。また、ＴＦＴアレイ基板１０の形成時に、第３層間絶縁膜７表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理にて平坦化する際にも、金属層３０１、３０１Ｄの配置ピッチが共通であるので、パッド２０２上の第３層間絶縁膜７厚さのばらつきを小さくすることができる。なお、間隔Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の値は上述した値に限定されるものではなく、供給される直流電位の値などさまざまなパラメータにより適宜変更することができる。
【００４８】
上記の構成によれば、直流電位が供給される電源用パッド２０２ｓまたは電源用パッド２０２ｄに隣接する位置には、電気的に未接続なダミーパッド２０２Ｄを配置しているため、この隣接するパッド２０２の間に形成される電界は、ダミーパッド２０２Ｄが特定の電位に固定されていないため、電源用パッド２０２ｓおよび電源用パッド２０２ｄが隣接した構成よりも、パッド２０２間に形成される電界の強度が弱くなる。そのため、電源用パッド２０２ｓおよび電源用パッド２０２ｄが隣接した構成よりも、隣接するパッド２０２のショートの発生を防止しやすくすることができる。
【００４９】
〔第２の実施の形態の変形例〕
次に、本発明における第２の実施形態の変形例について図９を参照して説明する。
本実施の形態の変形例における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺部が異なっている。よって、本実施の形態の変形例においては、図９を用いてパッド周辺部のみを説明し、ＴＦＴ等の説明を省略する。
図９は、本実施の形態の変形例におけるパッドの平面図である。
パッド２０２は、例えば図９に示すように、左側からクロック信号用パッド２０２Ｃ、ダミーパッド２０２Ｄ、電源用パッド２０２ｓ、ダミーパッド２０２Ｄ、電源用パッド２０２ｄ、ダミーパッド２０２Ｄ、画素信号用パッド２０２Ｖ１の順に配列されている。各パッド間の間隔は、全てＬ３となるように形成されている。
【００５０】
上記の構成によれば、パッド２０２の間隔が全て等しくなるため、パッド２０２のピッチが共通となる。そのため、パッド２０２と接続するＦＰＣの配線ピッチも全て共通となり、ＦＰＣの設計が容易となる。また、ＴＦＴアレイ基板１０の形成時に、第３層間絶縁膜７表面をＣＭＰ処理にて平坦化する際にも、金属層３０１、３０１Ｄの配置ピッチが共通であるので、パッド２０２上の第３層間絶縁膜７厚さのばらつきを小さくすることができる。
【００５１】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明における第３の実施形態の変形例について図１０を参照して説明する。
本実施の形態の変形例における液晶表示装置の基本構成は、第１の実施の形態と同様であるが、第１の実施の形態とは、パッド周辺部が異なっている。よって、本実施の形態の変形例においては、図１０を用いてパッド周辺部のみを説明し、ＴＦＴ等の説明を省略する。
図１０は、本実施の形態の変形例におけるパッドの平面図である。
【００５２】
パッド２０２は、例えば図１０に示すように、左側から電源用パッド２０２ｓ、２０２Ｃ、電源用パッド２０２ｄ、画素信号用パッド２０２Ｖ１、画素信号用パッド２０２Ｖ２、画素信号用パッド２０２Ｖ３の順に配列されている。各パッド間の間隔は、電源用パッド２０２ｓとクロック信号用パッド２０２Ｃとの間隔、クロック信号用パッド２０２Ｃと電源用パッド２０２ｄとの間隔および電源用パッド２０２ｄと画素信号用パッド２０２Ｖ１との間隔がＬ２、画素信号用パッド２０２Ｖ１と画素信号用パッド２０２Ｖ２との間隔および画素信号用パッド２０２Ｖ２と画素信号用パッド２０２Ｖ３との間隔がＬ３となるように形成されている。なお、間隔Ｌ２、Ｌ３は上述のように大きさを異ならせていてもよいし、間隔Ｌ２が間隔Ｌ３同じ値となるように形成されていてもよい。
【００５３】
上記の構成によれば、電源用パッド２０２ｓまたは電源用パッド２０２ｄに隣接する位置には、クロック信号用パッド２０２Ｃや、画素信号用パッド２０２Ｖ１を配置しているので、電源用パッド２０２ｓまたは電源用パッド２０２ｄの両脇に形成される電界は、クロック信号用パッド２０２Ｃや、画素信号用パッド２０２Ｖ１が隣接しているため、時間的に変動する。そのため、電源用パッド２０２ｓおよび電源用パッド２０２ｄが隣接した構成よりも、隣接するパッド２０２におけるショートの発生を防止しやすくすることができる。
【００５４】
［電子機器］
上記の実施形態のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の第１から６のいずれかの実施形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００５５】
図１１に示す電子機器は、上記の第１から３のいずれかの実施形態の液晶表示装置を備えているため、パッドにおけるショート等の不具合が生じる恐れがなくなる。また、パッドにおける絶縁性が良好に保持されるので、金属配線の信頼性を向上させることができる。したがって、電気的接続の安定性及び信頼性を向上させることができ、その結果、液晶表示部の動作及び接続の安定性及び信頼性を向上させることができる。また他の電子機器の例としては、上記の実施の形態の液晶表示装置をライトバルブとして用いた投射型カラー表示装置は高信頼で好適である。
【００５６】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施形態では、ＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、その他、ＴＦＤをスイッチング素子としたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置、あるいは一対の基板の各々に走査電極、データ電極を備えたパッシブマトリクス方式の液晶表示装置に本発明を適用することができる。さらに、液晶表示装置のみならず、有機ＥＬ装置などの他の電気光学装置にも本発明を適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同、液晶表示装置の画像表示領域の等価回路図である。
【図４】同、液晶表示装置の画像表示領域の画素の構造を示す拡大断面図である。
【図５】同、液晶表示装置のパッドを示す平面図である。
【図６】図５のＪ−Ｊ′線に沿う断面図である。
【図７】同、液晶表示装置のパッドの接続を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置のパッドを示す平面図である。
【図９】同、変形例の液晶表示装置のパッドを示す平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態の液晶表示装置のパッドを示す平面図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０・・・ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板、半導体装置）、  １０Ａ・・・ガラス基板（基板）、  １００・・・液晶表示装置（電気光学装置）、  ２０２・・・パッド（端子部）、  ２０２ｓ、２０２ｄ・・・電源用パッド（端子部）、  ２０２Ｃ・・・クロック信号用パッド（端子部）、  ２０２Ｖ１、２０２Ｖ２、２０２Ｖ３・・・画素信号用パッド（端子部）、  ２０２Ｄ・・・ダミーパッド（端子部）、  ２０４・・・走査線駆動回路（回路）
【図１】
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【図２】
0004788100.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004788100.tif 000011
【図１１】
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