(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板を貫通して一方の主面側で露出するように設けられた固定電極用突出部及び引き出し電極用突出部を有する第１シリコン基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に陽極接合されており、前記固定電極用突出部との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有する第２シリコン基板と、前記引き出し電極用突出部上に設けられた引き出し電極部と、を具備し、前記引き出し電極部は、前記引き出し電極用突出部上に形成されたコンタクトメタル層と、前記コンタクトメタル層上にメッキシード層を介して形成された電極パッドと、を有し、前記コンタクトメタル層がＴｉ層であり、前記電極パッドがメッキされたＡｕで構成されており、前記メッキシード層がＴｉ層及びＡｕ層を順次形成したもの又はＣｒ層及びＡｕ層を順次形成したものであり、前記コンタクトメタル層は、前記第１シリコン基板のシリコンと前記メッキシード層及び前記電極パッドのＡｕとの間の接触を遮断することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記メッキシード層は、前記コンタクトメタル層よりも小さいサイズを有することを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
不純物がドーピングされた第１シリコン基板をエッチングして、固定電極及び突出部を形成する工程と、
加熱状態下で、前記第１シリコン基板の前記固定電極及び前記突出部が形成された面をガラス基板に押圧して、前記第１シリコン基板と前記ガラス基板を接合する工程と、
前記ガラス基板の主面のうち、前記シリコン基板と接合した主面と反対側の主面側に研磨処理を施すことにより、前記第１シリコン基板の前記固定電極及び前記突出部を露出させる工程と、
前記突出部上にＴｉ層から構成されるコンタクトメタル層を形成する工程と、
前記コンタクトメタル層上にＴｉ層及びＡｕ層を順次形成したメッキシード層又はＣｒ層及びＡｕ層を順次形成したメッキシード層を形成する工程と、
前記メッキシード層上にＡｕ層から構成される電極パッドを形成する工程と、
第２シリコン基板を、前記固定電極と所定の間隔をおいて位置するように、前記ガラス基板に陽極接合させる工程と、を有することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力を検知する静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔（キャビティ）を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００３】
上記静電容量型圧力センサは、例えば、図５に示すように、支持基板３１上に固定電極３３を有するガラス基板３２が配置され、そのガラス基板３２上にダイヤフラム３４ａを有するシリコン基板３４が接合されて構成されている。このような静電容量型圧力センサにおいては、固定電極３３用の引き出し電極３５は、ガラス基板３２上にパターニングされているため、ガラス基板３２とシリコン基板３４との間の接合領域に設けられている。
【特許文献１】特開平８−７５５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構造においては、引き出し電極３５とダイヤフラム３４ａとが近接するため、ダイヤフラム３４ａと固定電極３３との間の静電容量以外の寄生容量が大きく、静電容量型圧力センサの感度が低下してしまう恐れがある。また、ガラス基板３２とシリコン基板３４との間の接合領域に引き出し電極３５が配置されるので、ダイヤフラム３４ａと固定電極３３との間のキャビティ内の気密性に劣るという問題もある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、センサ感度を向上すると共に、ダイヤフラムと固定電極との間のキャビティ内の気密性を向上させることができる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電容量型圧力センサは、一対の主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板を貫通して一方の主面側で露出するように設けられた固定電極用突出部及び引き出し電極用突出部を有する第１シリコン基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に陽極接合されており、前記固定電極用突出部との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有する第２シリコン基板と、前記引き出し電極用突出部上に設けられた引き出し電極部と、を具備し、前記引き出し電極部は、前記引き出し電極用突出部上に形成されたコンタクトメタル層と、前記コンタクトメタル層上にメッキシード層を介して形成された電極パッドと、を有し、前記コンタクトメタル層がＴｉ層であり、前記電極パッドがメッキされたＡｕで構成されており、前記メッキシード層がＴｉ層及びＡｕ層を順次形成したもの又はＣｒ層及びＡｕ層を順次形成したものであり、前記コンタクトメタル層は、前記第１シリコン基板のシリコンと前記メッキシード層及び前記電極パッドのＡｕとの間の接触を遮断することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、固定電極用突出部と引き出し電極用突出部とが一体に形成されている。したがって、固定電極用突出部と引き出し電極用突出部との間に別部材が介在していない。また、このような構造にすることにより、突出部を感圧ダイヤフラムと離すことができる。これにより、感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量以外の寄生容量を極力小さくすることができ、静電容量型圧力センサの感度を向上させることができる。また、ガラス基板と第２シリコン基板との間の接合領域に引き出し電極を形成しなくても良いので、キャビティ内の気密性を向上させることができる。
【０００８】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記メッキシード層は、前記コンタクトメタル層よりも小さいサイズを有することが好ましい。
【０００９】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記コンタクトメタル層がＴｉ層であり、前記電極パッドがＡｕで構成することにより、ガラス基板と第２シリコン基板とを陽極接合しても、Ａｕとシリコンとの間で共晶反応が起こらない。その結果、電極パッドには、ワイヤボンディングなど接合を行う際に十分なＡｕ量が得られて、外部デバイスとの間で良好な接合を行うことができる。また、引き出し電極部にこのような層構成を採用することにより、引き出し電極用突出部と電極パッドとの間のオーミックなコンタクトも維持することができる。
【００１０】
本発明の静電容量型圧力センサの製造方法は、不純物がドーピングされた第１シリコン基板をエッチングして、固定電極及び突出部を形成する工程と、加熱状態下で、前記第１シリコン基板の前記固定電極及び前記突出部が形成された面をガラス基板に押圧して、前記第１シリコン基板と前記ガラス基板を接合する工程と、前記ガラス基板の主面のうち、前記シリコン基板と接合した主面と反対側の主面側に研磨処理を施すことにより、前記第１シリコン基板の前記固定電極及び前記突出部を露出させる工程と、前記突出部上にＴｉ層から構成されるコンタクトメタル層を形成する工程と、前記コンタクトメタル層上にＴｉ層及びＡｕ層を順次形成したメッキシード層又はＣｒ層及びＡｕ層を順次形成したメッキシード層を形成する工程と、前記メッキシード層上にＡｕ層から構成される電極パッドを形成する工程と、第２シリコン基板を、前記固定電極と所定の間隔をおいて位置するように、前記ガラス基板に陽極接合させる工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサによれば、一対の主面を有するガラス基板と、前記ガラス基板を貫通して一方の主面側で露出するように設けられた固定電極用突出部及び引き出し電極用突出部を有する第１シリコン基板と、前記ガラス基板の一方の主面上に接合されており、前記固定電極用突出部との間でキャビティを形成するように対向して配置された可動電極を有する第２シリコン基板と、前記引き出し電極用突出部上に設けられた引き出し電極部と、を具備し、前記引き出し電極部は、前記引き出し電極用突出部上に形成されたコンタクトメタル層と、前記コンタクトメタル層上にシード層を介して形成された電極パッドとを有するので、センサ感度を向上すると共に、ダイヤフラムと固定電極との間のキャビティ内の気密性を向上させることができる。また、外部デバイスとの間で良好な接合を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【００１３】
図中１１はガラス基板を示す。ガラス基板１１は、相互に対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。ガラス基板１１の主面１１ｂ側には、第１シリコン基板１２が接合されている。第１シリコン基板１２は、固定電極１２ａと突出部１２ｂを有しており、ガラス基板１１に固定電極１２ａ及び突出部１２ｂが貫通して一方の主面１１ａ側で露出している。
【００１４】
ガラス基板１１ａ側には、後述するキャビティを構成するための凹部１１ｃが形成されている。この凹部１１ｃの深さは、キャビティ内で露出した固定電極１２ａが後述する感圧ダイヤフラムと接触しないような範囲で所定のキャビティ間隔を保持できるように設定する。また、凹部１１ｃの幅は、少なくとも固定電極１２ａの幅よりも大きく設定することが望ましい。
【００１５】
第１シリコン基板１２においては、固定電極１２ａの外側に突出部１２ｂが位置しており、固定電極１２ａと突出部１２ｂとで構成される溝部１２ｃ内にガラス基板１１が配置されている。すなわち、固定電極１２ａと突出部１２ｂとが一体に形成されており、固定電極１２ａと突出部１２ｂとの間に設けられた溝部１２ｃにガラス基板１１が配置されている。また、突出部１２ｂの上面には、固定電極１２ａ用の引き出し電極１３が形成されている。この引き出し電極１３は、ワイヤボンディングなどの接続手段により外部回路と電気的に接続するようになっている。
【００１６】
引き出し電極１３は、突出部１２ｂ上に形成されたコンタクトメタル層１３ａと、コンタクトメタル層１３ａ上に形成されたシード層１３ｂと、シード層１３ｂ上に形成された電極パッド１３ｃとで構成されている。ここでは、コンタクトメタル層１３ａがＴｉ層であり、シード層１３ｂがＴｉ／Ａｕ層であり、電極パッド１３ｃがＡｕで構成されている。
【００１７】
電極パッド１３ｃとしてＡｕパッドを用いる場合、通常メッキシード層としてＴｉ／Ａｕ層を設けた後に、メッキシード層上にＡｕメッキを施してＡｕパッドを形成する。本実施の形態のように、引き出し電極１３用の突出部１２ｂを第１シリコン基板１２に設け、突出部１２ｂ上に前述のようにしてＡｕパッドを形成する場合、第１シリコン基板１２の突出部１２ｂ上にメッキシード層としてＴｉ／Ａｕ層を形成した後に、Ａｕパッドを形成することになる。このような引き出し電極部構成を有した状態で、後述するようにガラス基板１１と第２シリコン基板１４とを陽極接合すると、陽極接合の際の温度によりメッキシード層であるＴｉ／Ａｕ層のＡｕ及びＡｕパッドのＡｕが突出部１２ｂを構成するシリコンと共晶反応を起こしてしまう。このため、Ａｕがシリコンとの間の共晶反応に使用されてしまい、ワイヤボンディングなど接合を行う際に十分なＡｕ量が得られないという問題がある。
【００１８】
そこで、本発明においては、突出部１２ｂ上にコンタクトメタル層１３ａを設け、その上にメッキシード層１３ｂを介して電極パッド１３ｃ設けている。すなわち、突出部１２ｂ上にコンタクトメタル層１３ａとしてＴｉ層が形成され、Ｔｉ層上にメッキシード層１３ｂとしてＴｉ／Ａｕ層が形成され、Ｔｉ／Ａｕ層上に電極パッド１３ｃとしてＡｕパッドが形成されている。これにより、突出部１２ｂを構成するシリコンとＡｕとの間の接触が遮断される。したがって、ガラス基板１１と第２シリコン基板１４とを陽極接合しても、Ａｕとシリコンとの間で共晶反応が起こらない。その結果、Ａｕパッドには、ワイヤボンディングなど接合を行う際に十分なＡｕ量が得られて、外部デバイスとの間で良好な接合を行うことができる。また、引き出し電極１３にこのような層構成を採用することにより、第２シリコン基板１２の突出部１２ｂとＡｕパッドとの間のオーミックなコンタクトも維持することができる。なお、本実施の形態においては、コンタクトメタル層１３ａとしてＴｉを用いる場合について説明しているが、電極パッドを介して外部デバイスとの間で良好な接合を行わせると共に、第２シリコン基板１２との間でオーミックなコンタクトを維持できる材料であればＴｉ以外の材料を用いても良い。
【００１９】
ここで、コンタクトメタル層１３ａであるＴｉ層の厚さは、約１００ｎｍ〜約２００ｎｍであることが好ましい。また、メッキシード層１３ｂの下層であるＴｉ層の厚さは、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍであることが好ましく、メッキシード層１３ｂの上層であるＡｕ層の厚さは、約４０ｎｍ〜約１００ｎｍであることが好ましい。また、メッキシード層１３ｂは、コンタクトメタル層１３ａよりも小さいサイズ（幅寸法で少なくとも５μｍ小さいサイズ）を有することが好ましく、メッキシード層１３ｂの端部が、全周にわたって、コンタクトメタル層１３ａの端部よりも内側の領域に存在していることが好ましい。これにより、Ａｕとシリコンとの間の接触をより確実に遮断することができる。
【００２０】
本実施の形態においては、メッキシード層として、Ｔｉ／Ａｕ層を用いた場合について説明しているが、メッキシード層として、Ｃｒ／Ａｕ層を用いても良い。また、電極パッドをメッキにより形成しない場合には、メッキシード層を設けなくても良い。本実施の形態においては、コンタクトメタル層を突出部とシード層との間に設けてＡｕとシリコンとの間の接触を遮断しているが、本発明においては、シリコン基板とガラス基板との間の陽極接合の際の温度で電極パッドやシード層の材料とシリコンとが反応しないのであれば、引き出し電極部の構造が他の構造であっても良い。
【００２１】
ガラス基板１１の主面１１ａの接合面（凹部１１ｃ以外の領域）１１ｄ上には、圧力センサの可動電極である感圧ダイヤフラム１４ａを有する第２シリコン基板１４が接合されている。これにより、ガラス基板１１の凹部１１ｃと第２シリコン基板１４との間でキャビティ１５が形成される。これにより、感圧ダイヤフラム１４ａ（可動電極）と固定電極１２ａとの間に静電容量が発生する。
【００２２】
ガラス基板１１と第２シリコン基板１４との間の界面（接合面１１ｄ）は、高い密着性を有することが好ましい。ガラス基板１１に第２シリコン基板１４を接合する場合には、ガラス基板１１の接合面１１ｄ上に第２シリコン基板１４を搭載し、陽極接合処理を施すことにより、両基板１１，１４の密着性を高くすることができる。このようにガラス基板１１と第２シリコン基板１４との界面で高い密着性を発揮することにより、感圧ダイヤフラム１４ａとガラス基板１１の凹部１１ｃとの間で構成するキャビティ１５内の気密性を高く保つことができる。
【００２３】
ガラス基板１１と第２シリコン基板１４との間の界面では共有結合ができている。この共有結合は、シリコンのＳｉ原子とガラスに含まれるＳｉ原子との間のＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合である。したがって、このＳｉ−Ｓｉ結合又はＳｉ−Ｏ結合により、シリコンとガラスとが強固に接合して、両者間の界面で非常に高い密着性を発揮する。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板１１のガラス材料としては、ナトリウムなどのアルカリ金属を含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２４】
また、ガラス基板１１と第１シリコン基板１２との間の界面も陽極接合されていることが好ましい。後述するように、これらの界面は、加熱下において第１シリコン基板１２をガラス基板１１に押し込むことにより形成される。このような方法により得られた界面でも高い密着性を発揮できるが、第１シリコン基板１２をガラス基板１１に押し込んだ後に、陽極接合処理を施すことにより、密着性をより高くすることができる。
【００２５】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム１４ａとガラス基板１１を貫通した固定電極１２ａとの間に所定の静電容量を有する。この圧力センサに圧力が加わると、感圧ダイヤフラム１４ａが圧力に応じて可動する。これにより、感圧ダイヤフラム１４ａが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム１４ａとガラス基板１１内の固定電極との間の静電容量が変化する。したがって、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることができる。
【００２６】
この静電容量型圧力センサにおいては、固定電極１２ａと突出部１２ｂとが一体に形成されている、すなわち固定電極１２ａと固定電極用の引き出し電極１３が形成される突出部１２ｂとの間が同一部材である接続部１２ｆで繋がっている。したがって、固定電極１２ａと突出部１２ｂ（引き出し電極１３）との間に別部材が介在していない。また、接続部１２ｆがガラス基板１１の下側に存在しているため、突出部１２ｂを感圧ダイヤフラム１４ａと離すことができる。これにより、感圧ダイヤフラム１４ａと固定電極１２ａとの間の静電容量以外の寄生容量を極力小さく（約１ｐＦ以下に）することが可能となる。その結果、静電容量型圧力センサの感度を向上させることができる。また、ガラス基板１１と第２シリコン基板１４との間の接合領域に引き出し電極１３が存在しないので、キャビティ１５内の気密性を向上させることができる。また、この静電容量型圧力センサにおいては、ガラス基板１１と第２シリコン基板１４とを陽極接合しても、Ａｕとシリコンとの間で共晶反応が起こらない。その結果、Ａｕパッドには、ワイヤボンディングなど接合を行う際に十分なＡｕ量が得られて、外部デバイスとの間で良好な接合を行うことができる。さらに、第２シリコン基板１２の突出部１２ｂとＡｕパッド１３ｃとの間のオーミックなコンタクトも維持することができる。
【００２７】
次に、本実施の形態の静電容量型圧力センサの製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｄ）及び図４（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【００２８】
まず、不純物をドーピングして低抵抗化した第１シリコン基板１２を準備する。不純物としては、ｎ型不純物でも良く、ｐ型不純物でも良い。抵抗率としては、例えば０．０１Ω・ｃｍ程度とする。そして、図２（ａ）に示すように、この第１シリコン基板１２の一方の主面をエッチングして、固定電極１２ａ、突出部１２ｂ及び接続部１２ｆを形成する。この場合、第１シリコン基板１２上にレジスト膜を形成し、固定電極１２ａ及び突出部１２ｂ形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして固定電極１２ａ及び突出部１２ｂを設ける。このように、一つの部材である第１シリコン基板１２にエッチングなどにより固定電極１２ａ及び突出部１２ｂを形成するので、固定電極１２ａと突出部１２ｂとの間の距離を自由に設定することが可能となり、寄生容量低減などの設計上の自由度を高めることができる。
【００２９】
次いで、固定電極１２ａ、突出部１２ｂ及び接続部１２ｆを形成した第１シリコン基板１２上にガラス基板１１を置く。さらに、真空下で、この第１シリコン基板１２及びガラス基板１１を加熱し、第１シリコン基板１２をガラス基板１１に押圧して固定電極１２ａ及び突出部１２ｂをガラス基板１１の主面１１ｂに押し込んで、第１シリコン基板１２とガラス基板１１とを接合する。このときの温度は、シリコンの融点以下であって、ガラスが変形可能である温度（例えば、ガラスの軟化点温度以下）が好ましい。例えば加熱温度は約８００℃である。
【００３０】
さらに、第１シリコン基板１２の固定電極１２ａ及び突出部１２ｂとガラス基板１１との界面での密着性をより高めるために、陽極接合処理をすることが好ましい。この場合、第１シリコン基板１２及びガラス基板１１にそれぞれ電極をつけて、約４００℃以下の加熱下で約３００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加することにより行う。これにより両者の界面での密着性がより高くなり、静電容量型圧力センサのキャビティ１５の気密性を向上させることができる。
【００３１】
次いで、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ａ側を研磨処理して、第１シリコン基板１２の固定電極１２ａ及び突出部１２ｂを露出させる。次いで、図２（ｃ）に示すように、ガラス基板１１及び固定電極１２ａを、例えばミリング加工して、キャビティ１５用の凹部１２ｄを形成する。次いで、図３（ａ）に示すように、固定電極１２ａの外側を、例えばミリング加工して、リセス１２ｅを形成する。このようにリセス１２ｅを形成することにより、キャビティ１５の容積を大きくすることができ、ガラス基板とシリコン基板との間の陽極接合の際に発生するガスを拡散させる領域を広くすることができる。なお、このリセス１２ｅは必要に応じて形成する。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１シリコン基板１２の突出部１２ｂ上に、固定電極１２ａ用の引き出し電極１３のためのコンタクトメタル層１３ａであるＴｉ層を形成する。この場合、まず、Ｔｉ層形成領域以外の領域にレジスト膜を形成し、その後全面にＴｉを被着し、レジスト膜を除去してリフトオフすることにより、Ｔｉ層形成領域にＴｉ層を形成する。
【００３３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、コンタクトメタル層１３ａに、メッキシード層１３ｂであるＴｉ層及びＡｕ層を順次形成する。このとき、メッキシード層１３ｂは、コンタクトメタル層１３ａよりも小さいサイズを有するように形成する。この場合、まず、Ｔｉ／Ａｕ層形成領域以外の領域にレジスト膜を形成し、その後全面にＴｉ及びＡｕをその順序で被着し、レジスト膜を除去してリフトオフすることにより、Ｔｉ／Ａｕ層形成領域にＴｉ／Ａｕ層を形成する。
【００３４】
次いで、図３（ｄ）に示すように、メッキシード層１３ｂ上に電極パッド１３ｃを形成する。この場合、電極パッド領域以外の領域をマスクして、Ａｕメッキを施すことによりＡｕパッドを形成する。次いで、図４（ａ）に示すように、不要な領域のコンタクトメタル層１３ａ及びメッキシード層１３ｂを除去する。
【００３５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、あらかじめエッチングなどにより数十μｍ程度の所定の厚さに形成した第２シリコン基板１４を、感圧ダイヤフラム１４ａが固定電極１２ａと所定の間隔をおいて位置するようにして、ガラス基板１１の接合面１１ｄ上に接合する。このとき、第２シリコン基板１４及びガラス基板１１に対して、約４００℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより陽極接合処理を行う。これにより第２シリコン基板１４とガラス基板１１との間の界面での密着性がより高くなり、キャビティ１５の気密性を向上させることができる。
【００３６】
次いで、図１に示すように、第２シリコン基板１４により覆われた引き出し電極１３やダイシングラインなどを露出するために、所定の第２シリコン基板１４を除去する。この場合、第２シリコン基板１４上にレジスト膜を形成し、残存させる第２シリコン基板１４上にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、そのレジスト膜をマスクとしてシリコンをエッチングし、その後残存したレジスト膜を除去する。このようにして静電容量型圧力センサを製造する。なお、必要に応じて、第１シリコン基板１２を研磨処理することにより静電容量型圧力センサを薄型化しても良い。
【００３７】
このようにして得られた静電容量型圧力センサは、固定電極１２ａが一体である突出部１２ｂを介して引き出し電極１３と電気的に接続され、感圧ダイヤフラム１４ａが引き出し電極（図示せず）と電気的に接続されている。したがって、感圧ダイヤフラム１４ａと固定電極との間で検知された静電容量の変化の信号は、両引き出し電極から取得することができる。この信号に基づいて測定圧力を算出することができる。
【００３８】
本実施の形態に係る静電容量型圧力センサによれば、固定電極１２ａと固定電極用の引き出し電極１３が形成される突出部１２ｂとの間が同一部材である、ガラス基板１１の下側に位置する接続部１２ｆで繋がっており、突出部１２ｂを感圧ダイヤフラム１４ａと離して設けているので、感圧ダイヤフラム１４ａと固定電極１２ａとの間の静電容量以外の寄生容量を極力小さくすることができ、これにより静電容量型圧力センサの感度が向上する。また、ガラス基板１１と第２シリコン基板１４との間の接合領域に引き出し電極１３が存在しないので、キャビティ１５内の気密性が向上する。また、この静電容量型圧力センサにおいては、ガラス基板１１と第２シリコン基板１４とを陽極接合しても、Ａｕとシリコンとの間で共晶反応が起こらない。その結果、Ａｕパッドには、ワイヤボンディングなど接合を行う際に十分なＡｕ量が得られて、外部デバイスとの間で良好な接合を行うことができる。さらに、第２シリコン基板１２の突出部１２ｂとＡｕパッド１３ｃとの間のオーミックなコンタクトも維持することができる。
【００３９】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態においては、ガラス基板１１の主面１１ａ側にキャビティ１５用の凹部１１ｃを設ける場合について説明しているが、固定電極及び可動電極の構造については制限されない。例えば、シリコン基板側にキャビティ用の凹部を設けた構造であっても良い。
【００４０】
また、上記実施の形態で説明した数値や材質については特に制限はない。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、例えば大気圧をモニタリングする気圧計やガス圧をモニタリングする静電容量型圧力センサに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力センサの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】従来の静電容量型圧力センサを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
１１  ガラス基板
１１ａ，１１ｂ  主面
１１ｃ，１２ｄ  凹部
１１ｄ  接合面
１２，１４  シリコン基板
１２ａ  固定電極
１２ｂ  突出部
１２ｃ  溝部
１２ｅ  リセス
１３  引き出し電極
１３ａ  コンタクトメタル
１３ｂ  メッキシード層
１３ｃ  電極パッド
１４ａ  感圧ダイヤフラム
１５  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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