(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物のガスを、予めハイドロシリレーション作用を持つ白金族遷移金属触媒を担持してあるカーボン粉体と接触させ、カーボン粉体表面で上記有機ケイ素化合物を架橋させることを特徴とする表面がケイ素化合物で改質されたカーボン粉体の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法で製造されたカーボン粉体を、還元性ガス又は不活性ガス中１，３００℃以上の温度で焼成することを特徴とする表面が炭化ケイ素で改質されたカーボン粉体の製造方法。
【請求項３】
ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物が、ビニルシランであることを特徴とする請求項１又は２記載のカーボン粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面をケイ素化合物で改質することにより耐酸化性を高めたカーボン粉体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
カーボンブラックは、補強材料、充填材料等の構造材料、発熱材料、導電材料、着色材料等として広く使用されている。例えば、電池の電極として使用されるカーボンブラックには、導電性に優れたものが求められ、樹脂着色剤、印刷インキや塗料の着色剤として使用されるカーボンブラックには、黒度、分散性、光沢、着色力に優れたものが求められる。一方、自動車用タイヤの補強剤として使用されるカーボンブラックとしては、主として耐磨耗性や耐熱性に優れたものが求められる。このように、用途によって求められる性能が異なるため、カーボンブラックには、工業用粉末材料として、各種用途に応じた多くの品種がある。
【０００３】
こうした工業用粉末材料として用いられるカーボンブラックは、高温で酸素と反応して二酸化炭素ガスになるという共通の欠点を有しているため、この代替として、新しい様々な材料が検討され、その一つとして、ケイ素により耐酸化性を高めた炭化ケイ素粉末が作り出された。
【０００４】
炭化ケイ素粉末の製造方法としては、主に（１）シリカと炭素の還元炭化法、（２）金属ケイ素と炭素の直接反応法、（３）有機ケイ素化合物の熱分解法、（４）気相反応法が知られている。しかし、この中で（１）還元炭化法と（２）直接反応法で生成する炭化ケイ素は、主に粗大な粒子であり、この粉末を焼結用材料、研磨用途に用いる場合には、粉砕、分級工程に多大な労力を要するという問題点がある。また、（４）気相反応法においては、原料であるＳｉＨ4、ＳｉＣｌ4、ＣＨ4の価格が高く、かつ現状の技術では収率が悪いため、コストが高くなるという問題点があり、広く汎用的に使用される工業用粉末材料用途のカーボンブラックの製造には適していなかった。
【０００５】
一方、（３）有機ケイ素化合物の熱分解法による炭化ケイ素粉末製造法は、炭化ケイ素粉末の工業的製造法として有用であるとして種々検討されてきた。例えば、液状ケイ素化合物と、官能基を有し加熱により炭素を生成する液状有機化合物を原料とし、これを重合又は架橋反応して得られたＳｉ、Ｏ及びＣを含む前駆体物質を、非酸化性雰囲気で加熱して炭化ケイ素粉末を製造する方法（特公平１−４２８８６号公報）、液状ケイ素化合物及び官能基を有する有機化合物に、ケイ素質固体及び炭素質固体を加えて前駆体固体を生成し、これを炭化、焼成する炭化ケイ素粉末の製造方法（特開昭６１−６１１０号公報）、液状のケイ素化合物と、官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物を原料とし、これらに重合触媒又は架橋触媒を加え、重合又は架橋反応させ、得られた前駆体物質を非酸化性雰囲気下で二段焼成するβ型炭化ケイ素粉末の製造方法（特開平６−１８３７１８号公報）などが公知である。
【０００６】
しかしながら、こうした（３）の炭化ケイ素粉末合成法には、全て、収量の低さと煩雑さという問題があった。また、二酸化ケイ素で表面処理する工程を含むため、凝集等による二次粒子化による表面状態の大きな変化が起こっていた。このため、工業的に炭化ケイ素微粉末を製造するのに適した方法とは言えなかった。
【０００７】
例えば、特公平１−４２８８６号公報記載の方法では、官能基（具体的にはアルコキシ基のような加水分解性基）を有する有機ケイ素化合物と、炭素源としてカーボン、又は含炭素率の高いフェノール樹脂のような官能基を有する有機化合物を原料として使用し、これを加熱重合又は触媒反応によって重合した後に、非酸化性雰囲気下で加熱することにより炭化ケイ素粉末を製造するものである。
【０００８】
これは、基本的には二酸化ケイ素を経由する方法であるので、最も単純に、下記式のように二酸化ケイ素と炭素を反応させ、理想的に炭化ケイ素を製造したと仮定した場合でも、ＳｉＯ2とＣの合計に対する収量は、最大でも約４２重量％にすぎず、原料の有機ケイ素化合物に対する収量は、これよりはるかに低いことは明らかである。また、実際には下記式の如く反応が進行するため、蒸気圧の大きなＳｉＯ（ｇ）のロスが非常に多く、収量は更に少なくなる。
ＳｉＯ2（ｓ）＋Ｃ（ｓ）→ＳｉＯ（ｇ）＋ＣＯ（ｇ）
ＳｉＯ（ｇ）＋２Ｃ（ｓ）→ＳｉＣ（ｓ）＋ＣＯ（ｇ）
また、この方法では、重合プロセスと、炭化して炭化ケイ素にするための焼成プロセスの二段階が必須であり、工程が煩雑で高コストである。
【０００９】
特開昭６１−６１１０号公報記載の方法では、ケイ酸アルカリ水溶液の酸分解又は脱アルカリ反応によって得られる液状化合物、又は水酸基を有する有機化合物、例えばフェノール系樹脂とケイ酸とのエステル化物を経由する方法であり、更にこの液状化合物に、二酸化ケイ素と有機コークス粉を混合して固化、焼成するものである。従って、この方法も基本的には特公平１−４２８８６号公報記載の方法と同じく、収量の低さと、工程の煩雑さという問題があった。
【００１０】
特開平６−１８３７１８号公報記載の方法は、有機ケイ素化合物（例えばテトラエトキシシラン）と、還元剤としてフェノール樹脂のような有機樹脂の混合物を原料として、前駆体としてまずこれらの共縮合物を作るという点では、前述の方法と同様であり、原料として半導体用の高純度の有機ケイ素化合物（シラン）を使用し、更に焼成工程において塩化水素の如きハロゲン化物を添加することによって、高純度なものを得ることができるという方法であるが、やはり同様に製造の煩雑さ、収量の低さという問題があった。
【００１１】
更に、これら三つの方法は、いずれも液状のケイ素化合物を用いているため、得られた炭化ケイ素粉末は凝集を起こしやすい。そのためこれらの方法をカーボンブラックの表面処理に適用しようとしても、カーボンブラック自体の一次粒子が凝集を起こし、特性が全く変わってしまうため、カーボンブラックの表面処理としては適用できなかった［カーボンブラックは、一般に一次粒子径とその分布が、カーボンブラックの特性（導電性、黒度・着色力だけでなく、補強性、耐磨耗性等をも）を左右することが知られていて、一次粒子径やその分布を制御する方法も知られている］。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、安価かつ単純な工程を有し、高反応率でケイ素化合物により表面を改質することによって耐酸化性を向上させた改質カーボン粉体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、原料として用いたカーボンブラックの一次粒子径とその分布を変化させることなく、表面に緻密なケイ素化合物を形成することで、高耐酸化性を満足するカーボン粉体を製造する画期的な方法を見出すに至った。
【００１４】
即ち、ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物をカーボン粉体の表面でハイドロシリレーション反応によりケイ素−炭素結合を高密度に有する架橋構造にすることによって、ケイ素化合物を出発原料とする際の問題点であった、焼成時のケイ素成分の揮散を抑え込むことができるようになり、その結果、出発原料に対する収量が極めて高く、かつカーボン粉体を核として用い、その表面を高度に架橋された有機ケイ素化合物、或いは炭化ケイ素により改質し、耐酸化性状態にするという理想的な製造方法を確立し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
従って、本発明は、ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物のガスを、予めハイドロシリレーション作用を持つ白金族遷移金属触媒を担持してあるカーボン粉体と接触させ、カーボン粉体表面で上記有機ケイ素化合物を架橋させることを特徴とする表面がケイ素化合物で改質されたカーボン粉体の製造方法を提供する。
【００１６】
以下、本発明を更に詳しく説明する。
本発明では、まずビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物のガスを、予めハイドロシリレーション触媒を担持してあるカーボン粉体と接触させ、カーボン粉体表面に有機ケイ素化合物の架橋物を形成させる。
【００１７】
原料であるビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物としては、シラン化合物でもシロキサン化合物でもよいが、ビニルシラン化合物を好適に用い得る。このビニルシラン化合物は、下記一般式（１）で表されるガスである。
ＣＨ2＝ＣＨ−ＳｉＲ1Ｒ2（Ｈ）          （１）
（式中、Ｒ1は水素原子、又は置換もしくは非置換の一価炭化水素基、Ｒ2は水素原子、置換もしくは非置換の一価炭化水素基、アルコキシ基、ハロゲン原子、酸素原子、又は窒素原子を示す。）
【００１８】
なお、一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、フェニル基等のアリール基などの炭素数１〜８のものが挙げられ、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のものが挙げられる。
【００１９】
通常、ハイドロシリレーション反応により形成される有機ケイ素系高分子においては、ビニル基／ケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）＝１／１であることが理論的に必要であるが、水素−ケイ素結合（Ｓｉ−Ｈ基）は、特に高温での加熱によって容易に熱解裂を起こして分解する。これに対して、例えばハイドロシリレーション反応により形成されるケイ素−炭素結合は熱に対して強いものである。このようにケイ素−炭素結合によって高度に架橋させることにより、架橋した有機ケイ素化合物は揮散しにくいものとすることができ、また、焼成過程においても揮散することなく、カーボン表面で有効に炭化ケイ素化することができるとの理由で、用いる有機ケイ素化合物は、ケイ素原子に結合した水素原子がビニル基と同じ又はビニル基より多いことが好ましい。具体的には、ＣＨ2＝ＣＨ−ＳｉＨ3、（ＣＨ2＝ＣＨ）2−ＳｉＨ2、ＣＨ2＝ＣＨ−Ｓｉ（ＣＨ3）Ｈ2などが好ましく挙げられる。
【００２０】
本発明で使用するカーボン粉体としては、粒子径とその分布状態、比表面積、ＤＢＰ吸油量などで特徴づけられる多くの品種が利用でき、その種類としては、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、アセチレンブラック、バルカン、ＳＲＦカーボン、活性炭などが好ましく挙げられる。カーボンブラックの形状については特に限定されないが、球状のものが好ましく用いられる。
【００２１】
また、黒鉛、膨張黒鉛、鱗片状のグラファイト、繊維状の炭素繊維、中空状の炭素バルンなども使用可能である。炭素繊維としては、等方性ピッチ系、液晶ピッチ系とＰＡＮ系いずれも使用可能であり、例として、クレカ（呉羽化学製商品名）、ドナカーボ（ドナック製商品名）、ザイラス（日東紡製商品名）、フォルカ（東燃製商品名）等が挙げられる。
【００２２】
このカーボン粉体は、上記ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物と接触させる前に、ハイドロシリレーション触媒を表面に担持させる。触媒としては、白金族遷移金属触媒が好ましく用いられる。上記白金族遷移金属としては、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈの１種又は２種以上の混合物が挙げられ、特にＰｔが好ましい。
【００２３】
なお、上記触媒の担持量は、カーボン粉体中の被毒性不純物の量、価格、性能の関係から決まるが、１〜１０，０００ｐｐｍが望ましく、特に１０〜１，０００ｐｐｍが望ましい。
【００２４】
カーボン粉体に触媒を担持させる方法としては、白金族金属化合物を溶媒に溶解させた溶液中で、還元剤により金属コロイドを析出させる溶液法が好適に用いられる。この場合、白金族金属化合物としては、塩化白金酸、塩化イリジウム酸、塩化パラジウム酸、塩化ロジウム酸、特に塩化白金酸が好ましく用いられる。一方、還元剤は、カーボン粉体表面で、上記金属化合物から金属コロイドを析出させることができるものであればよく、ホルムアルデヒド、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸ナトリウム等が好ましく用いられる。
【００２５】
また、上記触媒を担持したカーボン粉体を得る方法としては、上記のように金属化合物溶液中に還元剤を添加して処理する方法でもよいが、カーボン粉体をポリシランのような還元性ケイ素系高分子化合物で処理し、カーボン粉体表面に該還元性ケイ素系高分子化合物層を形成した後、このカーボン粉体を凝集のない状態で分散させ、金属化合物を含む液で処理して、上記還元性ケイ素系高分子化合物層上に金属コロイドを析出させることにより、金属触媒担持カーボン粉体を得る方法を用いることもできる。
【００２６】
カーボン粉体を還元性ケイ素系高分子化合物で処理する方法としては、還元性ケイ素系高分子化合物溶液にカーボン粉体を分散させ、溶媒を留去し乾燥する方法が用いられる。還元性ケイ素系高分子化合物としては、フェニルメチルポリシラン、フェニルハイドロジェンポリシラン等のポリシランが好ましく用いられ、溶媒としてはトルエン、キシレン等が好ましく用いられる。
【００２７】
ポリシラン量は、形成させる層の厚さや還元する金属イオンの量にもよるが、カーボン粉体に対し、好ましくは０．０１〜１０重量％である。
【００２８】
上記のようにカーボン粉体を還元性ケイ素系高分子化合物で処理した後、触媒金属化合物で処理する場合、この触媒金属化合物をよく溶解させるが、上記還元性ケイ素系高分子化合物を溶解させにくい溶媒を用いた触媒金属化合物溶液を使用して処理を行うことが好ましい。このような溶媒としては、側鎖基の種類により溶解性が異なるため一概には言えないが、水、アセトン、メチルエチルケトンのようなケトン類、酢酸エチルのようなエステル類、メタノール、エタノールのようなアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドのような非プロトン性極性溶媒、ニトロメタン、アセトニトリル等が挙げられる。なお、これらは単独で用いても、２種以上の混合溶媒として用いてもよい。
【００２９】
特に、還元性ケイ素系高分子化合物としてフェニルメチルポリシランを用いる場合、水、或いは水を混合したアルコールやケトンのような親水性有機溶剤が好適に用い得る。
【００３０】
また、還元性ケイ素系高分子化合物により処理したカーボン粉体の表面は疎水性となっているため、金属化合物を溶解させる溶媒との親和性が低いと、液中に分散しないことがあり、そのため金属還元反応の効率が低下することがある。このことによって起こる金属還元反応の効率の低下は、界面活性剤を添加して向上させることができる。界面活性剤としては、発泡を起こさず表面張力のみを下げるものが望ましく、サーフィノール１０４、４２０、５０４（日信化学工業（株）製）等の非イオン性界面活性剤を好適に用いることができる。また必要に応じて５０〜６０℃の温度で熱処理することにより、これらカーボン粉体表面での金属触媒の担持が促進される。
【００３１】
次に、本発明においては、白金族金属触媒を担持したカーボン粉体に、上記ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物のガスを気相で接触させ、ハイドロシリレーション（付加）反応によって高分子化させて、カーボン粉体表面で高度な架橋物とする。
【００３２】
製造方式については特に限定されず、連続法、回分法での製造が可能であり、具体的には流動層反応炉、回転炉、竪型移動層反応炉、トンネル炉、バッチ炉等をその目的によって適宜使用することができる。
【００３３】
本発明のカーボン粉体の製造で好ましく用いられる装置の一例の概略図を図１に示す。
ここで、１はビニルシラン化合物、２は雰囲気ガス、３は混合器、４は加熱炉、５はカーボンブラック等のカーボン粉体、６は石英管、７は後トラップ、８は分配器、９はパージ口、１０は前トラップを示す。
【００３４】
また、必要に応じて加熱することで、ハイドロシリレーション反応による架橋高分子の生成を促進することができる。加熱温度は、通常室温〜９０℃で１分〜１０時間、常圧又は減圧で行うのが好ましい。なお、有機ケイ素化合物として、特にビニルシランを用いる場合、この発火点は９４℃であるから、９０℃を超えた温度に上げるのは安全上好ましくない。
【００３５】
また、必要に応じて雰囲気ガスを使用することができる。このガスは、有機ケイ素化合物と反応しないようなものであれば特に限定はされず、アルゴン、窒素等の不活性ガスが好適に用いられる。
【００３６】
カーボン粉体を接触させる有機ケイ素化合物のガス流速は、０．１ｃｍ／ｓｅｃから１５ｍ／ｓｅｃの広い範囲が適用でき、雰囲気ガスによる希釈量や温度との関係で適宜選択すればよい。
【００３７】
有機ケイ素化合物ガスを接触させた後は、雰囲気を不活性ガスに変え、好ましくは温度１００〜７００℃で１分〜１０時間、常圧又は減圧で加熱を行うことで、更に高度な架橋物とすることができる。
【００３８】
更に、上記操作で得られた架橋物を水素等の還元性ガス、又はアルゴン、窒素等の不活性ガスの雰囲気下で、好ましくは１，３００℃以上、特に好ましくは１，４００℃以上、更に好ましくは１，５００℃以上で焼成することで、カーボン粉体の表面の架橋物を炭化ケイ素に変化させ、表面が炭化ケイ素により改質されたカーボン粉体を得ることができる。反応温度が１，３００℃未満では、この炭化ケイ素への熱転移反応がほとんど進行しないため好ましくない。なお、上記の加熱温度は、加熱炉として使用している石英ガラスの融点以下で行うことが好ましいなどの理由から１，６５０℃以下、特に１，６００℃以下であることが好ましい。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
なお、触媒担持カーボンブラックの製造は下記の方法にて実施した。
【００４０】
触媒担持カーボンブラックの製造
（１）カーボンブラックの白金処理
カーボンブラックとしては、市販のアセチレンブラックを用いた。これをカーボンＣとした。この物性は、以下の通りである、
一次粒子平均径：２９ｎｍ、粗粒分（２０μｍ以上）：２０ｐｐｍ以下、電気抵抗率：０．２１Ωｃｍ、かさ比重：０．０４、ＢＥＴ比表面積：６７ｍ2／ｇ、ＤＢＰ吸油量：１７５ｍｌ／１００ｇ、ｐＨ：９．６、炭素分：９９．９３％、ケイ素含有量：１ｐｐｍ以下
このカーボンＣ１０ｇを、サーフィノール５０４（日信化学工業（株）製界面活性剤）の０．５％水溶液２００ｇに投入し、超音波を使った攪拌で水中に分散させた。
【００４１】
白金処理は、上記カーボンブラック−水分散液２１０ｇに対し０．４％Ｈ2ＰｔＣｌ6水溶液５０ｇ（塩化白金酸として０．２ｇ、白金として０．１ｇ）を添加して３０分撹拌後、１０％ホルマリン水溶液５０ｇを加え、更に４５℃で１時間撹拌後、濾過、水洗した。これを濾過により単離し、空気中、５０℃で１時間加熱して、表面に白金コロイドが担持されたカーボンブラックが得られた。これをカーボンＡとした。
【００４２】
（２）カーボンブラックのポリシラン−白金処理
フェニルハイドロジェンポリシラン（信越化学工業（株）製、以下、ＰＰＨＳと略記する。）０．５ｇをトルエン２００ｇに溶解させ、この溶液をカーボンＣ１００ｇに加え１時間撹拌した。次にロータリーエバポレーターにて、６０℃の温度、４５ｍｍＨｇの圧力で、トルエンを留去させ乾燥させ、ポリシラン処理されたカーボンブラックが得られた。
【００４３】
このポリシラン処理されたカーボンブラック１０ｇを、サーフィノール５０４の０．５％水溶液２００ｇに投入し、超音波を使った撹拌で水中に分散させた。
次に、上記カーボンブラック−水分散液２１０ｇに対し０．４％Ｈ2ＰｔＣｌ6水溶液５０ｇ（塩化白金酸として０．２ｇ、白金として０．１ｇ）を添加して、３０分撹拌後、濾過、水洗した。これを濾過により単離し、空気中、５０℃で１時間加熱して、カーボンブラック上にポリシラン層を形成し、表面に白金コロイドが担持されたカーボンブラックが得られた。これをカーボンＢとした。
【００４４】
［実施例１］
カーボンＡ１５ｇを、図１に示す製造装置の中に入れ、最初に雰囲気をアルゴンで置換した後、４５℃に保持し、ビニルシランガスを５ｃｃ／ｓｅｃの速度で３０分通気し、カーボンＡの表面で、ビニルシランを架橋させる処理を行った。次に、ビニルシランの導入を停止した後、温度を８５℃まで上げ、１時間加熱することで反応を完結させた後、アルゴン雰囲気にもどし、３５０℃で３時間加熱した。これにより、１６ｇの黒色を呈する生成物を得た［対原料カーボンブラック重量で１０６％の収量］。この生成物の組成分析結果を表１に示した。Ｘ線回折及び固体ＮＭＲ分析より、表面はポリカルボシランが主成分であることが確認された。またＳＥＭ写真から平均粒径を測定した結果、平均粒径３５ｎｍの細かい粒子であった。
【００４５】
［比較例１］
カーボンＡの代わりに、カーボンＣを用いた以外は実施例１と同様な処理を行った。これにより黒色を呈する生成物が得られた。この生成物の組成分析結果を表１に示した。これにより得られた生成物は、炭素が主成分であり、ケイ素は殆ど含まれておらず、原料カーボンが回収されたものであった。
【００４６】
［比較例２］
ビニルシランの代わりに、ビニルトリメチルシランを用いた以外は実施例１と同様な処理を行った。これにより黒色を呈する生成物が得られた。この生成物の分析結果を表１に示した。これにより得られた生成物は、炭素が主成分であり、ケイ素は殆ど含まれておらず、原料カーボンが回収されたものであった。
【００４７】
［比較例３］
ビニルシランの代わりに、トリメトキシシランを用いた以外は実施例１と同様な処理を行った。これにより黒色を呈する生成物が得られた。この生成物の組成分析結果を表１に示した。これにより得られた生成物は、炭素が主成分であり、ケイ素は殆ど含まれておらず、原料カーボンが回収されたものであった。
【００４８】
［実施例２］
実施例１で得られた生成物１６ｇを、アルゴン雰囲気下、１，５００℃で３時間焼成を行った。これにより１５．５ｇの黒色を呈する生成物を得た［対原料カーボンブラック重量で１０３％の収量］。
この生成物の組成分析結果を表１に示した。Ｘ線回折及び固体ＮＭＲ分析より、表面はβＳｉＣが主成分であることが確認された。また、ＳＥＭ写真から平均粒径を測定した結果、平均粒径３０ｎｍの細かい粒子であった。
【００４９】
［実施例３］
カーボンＡの代わりに、カーボンＢを用いた以外は実施例１と同様な処理を行うことにより得た生成物を用い、アルゴン雰囲気下、１，５００℃で３時間焼成を行った。これにより、１６ｇの黒色を呈する生成物を得た［対原料カーボンブラック重量で１０６％の収量］。この生成物の組成分析結果を表１に示した。Ｘ線回折及び固体ＮＭＲ分析より、表面はβＳｉＣが主成分であることが確認された。また、ＳＥＭ写真から平均粒径を測定した結果、平均粒径３１ｎｍの細かい粒子であった。
【００５０】
【表１】
0004656273.tif 000002
処理温度＝ビニルシラン導入時の温度
後処理温度＝ビニルシラン処理後の加熱時の温度
焼成温度＝後処理の後の焼成温度
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、ビニル基とＳｉ−Ｈ基とを有する有機ケイ素化合物のガスを、予めハイドロシリレーション触媒を担持してあるカーボン粉体と接触させることにより、表面がケイ素化合物で改質された耐酸化性に優れたカーボン粉体を、また、上記方法で製造されたカーボン粉体を、還元性ガス又は不活性ガス中１，３００℃以上の温度で焼成することにより、表面が炭化ケイ素で改質された耐酸化性に優れたカーボン粉体を、安価で単純な工程で、かつ高生産性で製造することができる。
【００５２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の改質カーボン粉体の製造で好ましく用いられる装置の一例の概略図である。
【符号の説明】
１  ビニルシラン化合物
２  雰囲気ガス
３  混合器
４  加熱炉
５  カーボンブラック
６  石英管
７  後トラップ
８  分配器
９  パージ口
１０  前トラップ
【図１】
0004656273.tif 000003