(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを有するウェハの表面のダイシングライン上で、前記半導体チップの外周部を囲むように、前記半導体チップの表面より高い凸状の領域を形成する工程と、
前記複数の半導体チップを電気測定し、その結果、規格を満たさないと判定された半導体チップの表面にインクを付着して、不良マークを形成する工程と、
を含み、
前記凸状の領域を、前記半導体チップの側面と接触するように形成し、
前記半導体チップの側面の端部には、前記凸状の領域を形成しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記凸状の領域が設けられていない部分に接するように、前記ウェハの表面に前記半導体チップの表面より低い凹状の領域を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体チップを有するウェハの表面のダイシングライン上で、前記半導体チップの外周部を囲むように、前記半導体チップの表面より高い凸状の領域、又は、前記半導体チップの表面より低い凹状の領域を形成する工程と、
前記複数の半導体チップを電気測定し、その結果、規格を満たさないと判定された半導体チップの表面にインクを付着して、不良マークを形成する工程と、
を含み、
前記半導体チップの表面上で、前記半導体チップの外周部よりも内側の領域を囲むように、凹状の領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその不良マーク形成方法に関し、特に、電気特性測定後に不良マークを形成する半導体装置、およびその不良マーク形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、ウェハ上での加工が終了した後には、ウェハはチップ状に分離され、組み立て工程が行われる。ウェハがチップ状に分離される前には、個々のチップの電気測定が行われる。この電気測定はウェハテスタにより行われ、規格を満たさないチップの表面には、不良マークが形成される。
【０００３】
上記不良マークは、ウェハテスタに付帯されたインカーにより形成される。不良マークを形成する際には、インカー内部に設けられた中芯を上下にストローク動作させる。中芯が最下端に達すると、その先端部にインク玉が形成され、これが不良チップの表面に付着する。このようにして、不良マークが形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−９４５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記不良マークの大きさは、ウェハテスタのステージ高さのばらつき、ウェハ厚さばらつき、インカー装置の各種パラメータ、インカーのインク残量、インクの乾燥時間等に依存する。このため、不良マークを長時間再現性良く形成することは、容易ではない。
【０００６】
上述した不良マーク形成において、不良チップの表面には、過剰な量のインクが供給されることがある。すると、そのチップ表面からインクが溢れ出して、隣接するチップに流出することが起こり得る。そうすると、良品チップと不良品チップを区別する視認性が劣化するという問題があった。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、ウェハの電気測定後の不良マーク形成において、良品チップと不良品チップを区別するための視認性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップを有するウェハの表面のダイシングライン上で、前記半導体チップの外周部を囲むように、前記半導体チップの表面より高い凸状の領域を形成する工程と、前記複数の半導体チップを電気測定し、その結果、規格を満たさないと判定された半導体チップの表面にインクを付着して、不良マークを形成する工程とを含み、凸状の領域を、半導体チップの側面と接触するように形成し、半導体チップの側面の端部には、凸状の領域を形成しない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウェハの電気測定後の不良マーク形成において、良品チップと不良品チップを区別するための視認性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において同一または相当する部分には同一符号を付して、その説明を簡略化ないし省略する。
【００１２】
実施の形態１．
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。ここで説明する半導体装置は、ウェハ上での加工が終了し、ウェハ上に複数の半導体チップが形成されたものである。このウェハ表面の斜視図を図１に示す。ウェハ１の表面上に、半導体チップ２が形成されている。これと隣接して、複数の半導体チップが形成されている。それぞれの半導体チップには、回路素子が設けられている（ここでは、主に半導体チップ２について説明し、これに隣接するチップは、説明および図示を簡略化する）。
隣接する半導体チップの間には、幅が数１０μｍのダイシングライン３が設けられている。ダイシングライン３上に沿って、その中央部に、幅が数μｍ、高さが数μｍのメッキフレーム４が設けられている。メッキフレーム４の表面は、半導体チップ２の表面よりも高くなっている。
つまり、ウェハ１の表面のダイシングライン３上で、半導体チップ２の外周部を囲むように、半導体チップ２の表面より高い凸状の領域が設けられている。この領域は、ウェハ上での加工が終了した後に、形成されたものである。
【００１３】
次に、本実施の形態に係る半導体装置の不良マーク形成方法について説明する。
半導体装置のウェハ上での加工が終了した後には、ウェハ状態で電気測定が行われる。ウェハは、ウェハテスタ（図示しない）のステージ上に載置され、各チップの電気測定が行われる。その結果、規格を満たす半導体チップは良品チップであると判定され、規格を満たさない半導体チップは、不良チップであると判定される。ここでは、図１に示した半導体チップ２が、不良チップと判定されたとする。
【００１４】
次に、上述した電気測定の後に、不良チップの表面に不良マークを形成する。これは、ウェハテスタに付帯したインカーにより行われる。図２（ａ）に、インカーの概略図を示す。インカーは、インカー本体５（点線で示した部分）と、これに接続されたインクツボ６、インカーノズル７等により構成されている。インクツボ６の中に、不良マークを形成するためのインクが蓄えられている。インクツボ６の下部には、インカーノズル７が設けられている。その先端部には、インクを放出する開口部が設けられている。
図２（ｂ）に、インクツボ６の下部付近の拡大図を示す。インクツボ６の内部を貫通し、インカーノズル７の先端部に向かって、中芯８が設けられている。不良マークを形成する際には、不良チップの表面上で、インカーノズル７に沿って、中芯８をストローク動作させる。中芯８が最下端に達すると、中芯８の先端部にインク玉９が形成される。これを半導体チップ２の表面に付着させて、不良マークを形成する。
【００１５】
この結果、図３に示すように、半導体チップ２の表面に不良マーク１０が形成される。
前述したように、半導体チップ２の外周部を囲むように、半導体チップ２の表面より高い凸状のメッキフレーム４が設けられている。このため、半導体チップ２の表面に多量のインクが供給された場合であっても、インクはチップの表面全体に広がる。これにより、半導体チップ２の隣接チップに、インクが流出することを防止できる。従って、良品チップと不良品チップを区別するための視認性を向上させることができる。
また、チップの表面全体にインクが広がることにより、インクが付着していないチップとのコントラストが強くなる。これにより、良品チップと不良チップとの視認性を向上させることができる。
【００１６】
さらに、上記メッキフレーム４は、ダイシングライン３の中央部に設けられている。このため、ダイシングを行う際に、メッキフレーム４は除去される。これにより、半導体チップをパッケージに組み立てる際に、ワイヤー配線がメッキフレームと接触して短絡不良を起こすのを防止できる。
【００１７】
実施の形態２．
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。ここでは、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
図４は、本実施の形態に係る半導体装置の斜視図である。ダイシングライン３上に沿って、半導体チップ２の側面と接触するように、メッキフレーム４ａが設けられている。つまり、ウェハ１の表面で、半導体チップ２の側面と接触するように、凸状の領域が設けられている。これは、ウェハ上での加工が終了した後に形成されたものである。
上記構造とすることにより、不良マーク１０を形成する際に、半導体チップ２の表面に多量のインクが供給された場合であっても、メッキフレーム４ａの外側にインクが流出するのを抑制することができる。
【００１８】
また、このメッキフレームは、半導体チップ２の側面に接触するように設けられている。このため、ウェハ１をダイシングした後においても、メッキフレーム４ａは、半導体チップ２の側面に接続されている。これにより、チップ状に分離された後の機械的強度を向上させることができる。すなわち、メッキフレーム４ａは、ダイシング後のチップ割れ防止の強化フレームとして用いることができる。
【００１９】
さらに、メッキフレーム４ａは、半導体チップ２の四隅の部分がカットされた構造となっている。つまり、半導体チップ２の端部には、凸状の領域が設けられていない。
上記構造とすることにより、半導体チップの組み立て工程において、チップ反りによる変形・クラック等を抑制することができる。
【００２０】
さらに、半導体チップ２の端部に接するように、深さ数μｍの凹状領域１１が、ダイシングライン３の上に設けられている。つまり、メッキフレーム４ａが設けられていない部分に接するように、ウェハ１の表面に凹状の領域１１が設けられている。
上記構造とすることにより、不良マーク形成において、半導体チップ２の端部からインクが流出した場合であっても、凹状の領域１１がインクの受け皿となる。これにより、隣接チップにインクが流出することを効果的に抑制できる。
その他の構成、不良マークの形成方法については、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００２１】
実施の形態３．
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。ここでは、実施の形態１、２と異なる点を中心に説明する。
図５は、本実施の形態に係る半導体装置の斜視図である。半導体チップ２の表面で、その外周部の端部付近に、第１の溝１２が設けられている。この溝は、半導体チップ２の外周部よりも内側の領域を囲むように設けられている。
また、ダイシングライン３は、表面の高さが半導体チップ２の表面よりも低くなるように設けられている。ダイシングライン３上に沿って、その中央部に、幅が数μｍ、深さが数μｍの第２の溝１３が設けられている。つまり、複数の半導体チップを有するウェハ１の表面で、半導体チップ２を囲むように、半導体チップ２の表面より低い凹状の領域が設けられている。このとき、半導体チップ２の表面が最も高く、次に、第１の溝１２の底面、ダイシングライン３の表面、第２の溝１３の底面、の順に高くなるように形成されている。また、第１の溝１２、第２の溝１３は、ウェハ上での加工が終了した後に形成されたものである。
【００２２】
上記構造とすることにより、不良マークの形成において、不良チップの表面に多量のインクが供給された場合は、インクが第１の溝１２に流れ込む。これにより、半導体チップ２の隣接チップに、インクが流出することを防止できる。
【００２３】
また、不良チップの表面にさらに多量のインクが供給された場合に、第１の溝１２からインクが溢れても、インクはダイシングライン３の表面に流れ、さらに、第２の溝１３に流れ込む。これにより、隣接チップにインクが流出することを、実施の形態１、２の場合よりも効果的に抑制することができる。
【００２４】
なお、本実施の形態３では半導体チップ２の表面よりも低くなるように、ダイシングライン３および第２の溝１３を設けるようにした。しかし、実施の形態１に示したように、ダイシングライン３上に沿って、半導体チップ２の表面よりも高いメッキフレームを形成するようにしても良い。
このような構造であっても、第１の溝１２からインクが溢れた場合、隣接チップにインクが流出することを防止できる。
その他の構成、不良マークの形成方法については、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【００２５】
実施の形態４．
本実施の形態に係る半導体装置について説明する。ここでは、実施の形態１〜３と異なる点を中心に説明する。
図６は、本実施の形態に係る半導体装置の斜視図である。ここでは、半導体チップ２のみを示し、これと隣接する半導体チップ、ダイシングラインの図示を省略する。
半導体チップ２の表面に、親水性領域１４が設けられている。この領域の表面には、親水性の高い材質がコーティングされている。半導体チップ２の表面で、親水性領域１４を囲むように、撥水性領域１５が設けられている。この領域の表面には、撥水性の高い材質がコーティングされている。
つまり、半導体チップ２の表面の内側の領域に親水性領域１４を設け、その領域を囲むように、半導体チップ２の表面の外周部に、親水性領域１４よりも撥水性が相対的に高い領域（撥水性領域１５）を設けるようにした。これらの領域は、ウェハ上での加工が終了した後に形成されたものである。
【００２６】
上記構造とすることにより、不良マークを形成する際に、半導体チップ２の表面に多量のインクが供給された場合であっても、ある程度のインクは親水性領域１４で吸収される。これにより、インクが隣接チップに広がることを抑制することができる。さらに、インクが撥水性領域１５に広がっても、インクはこの領域で弾かれて親水性領域１４に戻される。従って、半導体チップ２の隣接チップにインクが流出することを防止できる。
その他の構成、不良マークの形成方法については、実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置を示す図。
【図２】インカーの構造を示す図。
【図３】実施の形態１に係る半導体装置を示す図。
【図４】実施の形態２に係る半導体装置を示す図。
【図５】実施の形態３に係る半導体装置を示す図。
【図６】実施の形態４に係る半導体装置を示す図。
【符号の説明】
【００２８】
１  ウェハ、２  半導体チップ、３  ダイシングライン、４、４ａ  メッキフレーム、５  インカー本体、６  インクツボ、７  インカーノズル、８  中芯、１０  不良マーク、１１  凹状領域、１２  第１の溝、１３  第２の溝、１４  親水性領域、１５  撥水性領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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