(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部から流入する自然光を反射するための反射窓と、基板の下部から入射する人工光を透過するための透過窓とを有する画素部を備える透明基板と、
前記基板上に形成され、前記画素部の外郭に形成されたゲート配線及びソース配線と、
前記基板上に位置して、前記反射窓と前記透過窓との境界部で厚さが漸次減少する有機絶縁層と、
前記透過窓に位置する画素電極と、
前記反射窓に対応する前記有機絶縁層の上部に位置して自然光を反射する反射板と、
前記反射窓と透過窓との境界部に位置して、前記境界面に前記人工光が入射することを防止する光遮断パターンと、
前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記画素電極と電気的に連結されたスイッチング部と、
を含み、
前記光遮断パターンは前記ソース配線の端と重なることを特徴とするアレー基板。
【請求項２】
前記反射板の上に位置して、液晶分子を一定のラビング方向に整列するための配向膜を更に含み、前記有機絶縁層は、前記ラビング方向に沿って前記反射窓から前記透過窓方向への第１境界面と、前記透過窓から前記反射窓方向への第２境界面とを含むことを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項３】
前記光遮断パターンは、前記第１境界面に位置することを特徴とする請求項２記載のアレー基板。
【請求項４】
前記光遮断パターンは、前記ゲート配線から前記ソース配線に沿って延長され、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記透過窓の側部より長い長さ、及び前記透過窓の側部と第１長さだけオーバーラップすることができる幅を備えることを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項５】
前記第１長さは、前記第１境界面に対する正射影の長さより長いか、同じであることを特徴とする請求項４記載のアレー基板。
【請求項６】
前記光遮断パターンは、ソース配線に沿って前記ゲート配線から一定間隔に離隔して位置し、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記透過窓の側部より長い長さ、及び前記透過窓の側部と第２長さだけオーバーラップすることができる幅を備えることを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項７】
前記第２長さは、前記第１境界面に対する正射影の長さより長いか、同じであることを特徴とする請求項６記載のアレー基板。
【請求項８】
前記第１境界面の傾きは、前記第２境界面の傾きより小さいことを特徴とする請求項３記載のアレー基板。
【請求項９】
前記光遮断パターンは、前記第１境界面及び第２境界面に位置することを特徴とする請求項２記載のアレー基板。
【請求項１０】
前記光遮断パターンは、前記ゲート配線から前記ソース配線に沿って延長され、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記透過窓の側部より長い長さを有し、前記ソース配線を中心に互いに隣接するように位置する２つの透過窓の側部に同時にオーバーラップすることを特徴とする請求項９記載のアレー基板。
【請求項１１】
前記光遮断パターンの第１側端部は、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記第１透過窓の側部と第１長さだけオーバーラップされ、幅方向に沿って前記第１側端部と対応して位置する前記光遮断パターンの第２側端部は、前記第２透過窓の側部と第２長さだけオーバーラップすることを特徴とする請求項１０記載のアレー基板。
【請求項１２】
前記第１長さは、前記第１境界面に対する正射影の長さ以上であり、前記第２長さは、前記第２境界面に対する正射影の長さ以上であることを特徴とする請求項１１記載のアレー基板。
【請求項１３】
前記光遮断パターンは、前記ソース配線に沿って前記ゲート配線から一定間隔で離間して位置し、前記ソース配線を中心に互いに隣接するように位置する第１透過窓及び第２透過窓の側部にそれぞれ個別的にオーバーラップし、前記第１透過窓及び第２透過窓の側部より長い長さを有する第１フローティング配線（ｌｉｎｅ）及び第２フローティング配線を含むことを特徴とする請求項９記載のアレー基板。
【請求項１４】
前記第１フローティング配線の第１側端部は、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記第１透過窓の側部と第１長さだけオーバーラップされ、幅方向に沿って前記第１側端部と対応して位置する前記第１フローティング配線の第２側端部は、前記ソース配線とオーバーラップし、前記第２フローティング配線の第１側端部は、前記ソース配線と隣接して平行に位置する前記第２透過窓の側部と第２長さだけオーバーラップし、幅方向に沿って前記第１側端部と対応して位置する前記第２フローティング配線の第１側端部は、前記ソース配線とオーバーラップすることを特徴とする請求項１３記載のアレー基板。
【請求項１５】
前記第１長さは、前記第１境界面に対する正射影の長さ以上であり、前記第２長さは、前記第２境界面に対する正射影の長さ以上であることを特徴とする請求項１４記載のアレー基板。
【請求項１６】
前記第１境界面の傾きは、前記第２境界面の傾きより小さいことを特徴とする請求項９記載のアレー基板。
【請求項１７】
前記透過窓に対応する前記有機絶縁層は、前記第１厚さより薄い第２厚さを有することを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項１８】
前記透過窓に対応する前記有機絶縁層を除去して前記透過窓に対応する前記基板の表面を露出したことを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項１９】
前記スイッチング部は、前記ゲートラインから延長されたゲート電極と、前記ソース配線から延長されたソース電極と、前記ソース電極から一定間隔で離間したドレーン電極と、を備える薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１記載のアレー基板。
【請求項２０】
前記反射窓に対応する透明基板上に位置し、前記ゲート配線と平行な第１ストレージ電極配線と、前記第１ストレージ電極配線上に形成された第２ストレージ電極配線とを備えるストレージキャパシタを更に含むことを特徴とする請求項９記載のアレー基板。
【請求項２１】
前記ゲート配線とソース配線は、前記透明基板の第１面に形成され、前記光遮断パターンは、前記第１面と対応する前記透明基板の第２面に、前記ソース配線の延長方向と同じ方向に延長されたことを特徴とする請求項９記載のアレー基板。
【請求項２２】
透明基板上に薄膜を蒸着する段階と、
前記薄膜をパターニングして選択信号を伝送するためのゲート配線、前記ゲート配線から延長されたゲート電極ライン、及び光の透過を遮断することができる光遮断パターンを形成する段階と、
前記透明基板上にゲート絶縁膜と半導体層を形成する段階と、
前記半導体層の全面に薄膜を蒸着する段階と、
前記薄膜をパターニングして前記ゲートラインとともに画素部の外郭を定義し、端が前記光遮断パターンと重なり、データ電圧を印加するためのソース配線、前記ソース配線から延長されたソース電極ライン、及び前記ソース電極ラインから一定間隔で離間したドレーン電極ラインを形成してスイッチング素子を形成する段階と、
前記ソース配線、ソース電極ライン、及びドレーン電極ラインを含む前記半導体層の全面に有機絶縁層をコーティングする段階と、
前記画素部に存在する前記有機絶縁層を選択的に除去して、前記ドレーン電極ラインが露出されたコンタクトホール、及び前記透明基板の一部が露出され、ソース配線と隣接する側部が光遮断パターンの上部に位置する透過窓を形成する段階と、
前記有機絶縁層及び露出された前記基板の表面に画素電極層を形成して、前記コンタクトホールを通じて前記ドレーン電極ラインと前記画素電極層を連結する段階と、
前記透過窓を除いた前記各画素の表面に光を反射することができる反射板を蒸着して反射窓を形成する段階と、
を含み、
前記有機絶縁層は前記反射窓と前記透過窓の境界部で厚さが段々減少することを特徴とするアレー基板の製造方法。
【請求項２３】
前記光遮断パターンは、前記ソース配線の延長方向と同じ方向に前記ゲート配線から延長されたことを特徴とする請求項２２記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２４】
液晶分子が整列する所定のラビング方向に沿って前記反射窓から透過窓に傾斜する第１境界面、及び前記透過窓から前記反射窓に傾斜する第２境界面を形成し、前記第１境界面は、前記光遮断パターンの上部に位置し、前記第１境界面が含まれる前記透過窓の第１側部の長さは、前記光遮断パターンの長さより短くなるように、前記有機絶縁層が除去されることを特徴とする請求項２３記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２５】
前記第２境界面は、前記光遮断パターンの上部に位置するように前記有機絶縁層が除去されることを特徴とする請求項２４記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２６】
前記有機絶縁層を除去する段階は、
前記コンタクトホールを形成する第１露光段階と、
前記第１境界面が第２境界面より大きな傾きを有するように形成するための第２露光段階と、
を含むことを特徴とする請求項２４記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２７】
前記第２露光段階は、前記反射窓と連結される前記第１境界面の上部に対して行われる部分露光、及び前記透過窓と連結される前記第１境界面の下部に対して行われるスリット露光と部分露光が並行して行われる複合露光を含むことを特徴とする請求項２６記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２８】
前記光遮断パターンは、前記ソース配線の延長方向と同じ方向に前記ゲート配線から一定間隔で離間したフローティングラインで形成されることを特徴とする請求項２２記載のアレー基板の製造方法。
【請求項２９】
液晶分子が整列される所定のラビング方向に沿って前記反射窓から透過窓に傾斜する第１境界面、及び前記透過窓から前記反射窓に傾斜する第２境界面を形成し、前記第１境界面は、前記フローティングラインの上部に位置し、前記第１境界面が含まれる前記透過窓の第１側部の長さは、前記フローティングラインの長さより短くなるように、前記有機絶縁層が除去されることを特徴とする請求項２８記載のアレー基板の製造方法。
【請求項３０】
前記第２境界面は、前記光遮断パターンの上部に位置するように前記有機絶縁層が除去されることを特徴とする請求項２９記載のアレー基板の製造方法。
【請求項３１】
前記光遮断パターンは、前記ソース配線に沿って対称をなし、互いに個別的に形成される一対の第１フローティングライン及び第２フローティングラインで形成されることを特徴とする請求項３０記載のアレー基板の製造方法。
【請求項３２】
前記ラビング方向に沿って前記反射窓から透過窓に傾斜する第１境界面、及び前記透過窓から前記反射窓に傾斜する第２境界面を形成し、前記第１境界面は、前記第１フローティングラインの上部に位置し、前記第２境界面は、前記第２フローティングラインの上部に位置し、前記第１境界面及び第２境界面が位置する前記透過窓の各側部の長さは、前記フローティングラインの長さより短くなるように前記有機絶縁層が除去されることを特徴とする請求項３１記載のアレー基板の製造方法。
【請求項３３】
カラーフィルターを備える上部基板と、
前記上部基板と対向して位置し、上部から流入する自然光を反射する反射窓、及び下部から入射する人工光を透過する透過窓を有する画素部と、前記反射窓に対応して所定の厚さを有して位置し、前記反射窓と透過窓の境界部で、所定の傾きを有する境界面を備える有機絶縁層と、前記反射窓に対応する前記有機絶縁層の上部に位置して自然光を反射する反射板と、前記反射窓と透過窓との境界部に対応するように位置して前記境界面に前記人工光が入射することを遮断して前記境界面から誘発される光漏洩現象を防止する光遮断パターンを備える下部基板と、
前記上部基板と下部基板との間に介在された液晶層と、
を含み、前記境界面は前記反射窓から前記透過窓に転移する第１境界面と前記透過窓から反射窓に転移する第２境界面を含み、前記第１境界面の傾きは前記第２境界面の傾きより小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】
前記下部基板は、
前記反射板上に位置し、前記液晶分子を一定のラビング方向に整列するための配向膜と、
を更に含み、前記第１及び第２境界面は、前記ラビング方向に沿って互いに対向することを特徴とする請求項３３記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記光遮断パターンは、前記第１境界面の下部に位置することを特徴とする請求項３４記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
前記光遮断パターンは、前記ソースラインの延長方向と同じ方向に前記ゲートラインから延長されたことを特徴とする請求項３５記載の液晶表示装置。
【請求項３７】
前記光遮断パターンは、前記ソースラインの延長方向と同じ方向に前記ゲートラインから一定間隔で離間したフローテイングラインであることを特徴とする請求項３５記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、より詳細には光漏洩を防止するための反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子や液晶表示装置の分野においては、特定機能を行う薄膜、例えば、酸化薄膜、金属薄膜、半導体薄膜等を所望する形状にパターニングするために、光と化学反応する感光物質（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）が用いられる。
【０００３】
一般に、液晶表示装置は、多数の薄膜トランジスタが形成されたアレー基板と、多数のカラーフィルターが形成されたカラーフィルター基板と、アレー基板とカラーフィルター基板と間に形成された液晶層を含んで形成される。
【０００４】
一方、液晶表示装置は、人工光源を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｙｐｅ  ＬＣＤ）と、自然光を用いる反射型液晶表示装置（Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ｔｙｐｅ  ＬＣＤ）と、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の長所を結合した反射−透過型液晶表示装置（Ｔｒａｎｓ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｔｙｐｅ  ＬＣＤ）と、に区分することができる。
【０００５】
図１は、一般的な反射−透過型液晶表示装置のアレー基板上に位置する液晶の配列を図示した概念図である。
【０００６】
図１に示すように、一般的な反射−透過型液晶表示装置に採用されるアレー基板は、透過基板１０、スイッチング素子（図示せず）に画像信号を伝達するデータライン２０、透明基板１０上に形成されて反射領域Ｒと透過領域Ｔとを区分する有機絶縁層３０、有機絶縁層３０上に形成されてスイッチング素子から提供される画像信号を伝達する画素電極４０、及び画素電極４０又は有機絶縁層３０上に形成されて自然光を反射する反射板５０を含む。有機絶縁層３０は、反射領域Ｒでは所定の厚さを有するように形成されるが、透過領域Ｔ上では形成されない。従って、アレー基板の下部から提供されるバックライト等による人工光は透過領域Ｔを通過し、アレー基板の上部から流入するた自然光は、反射領域Ｒの有機絶縁層３０の表面で反射される。画素電極４０及び反射膜５０の上部に液晶分子６０が位置する。
【０００７】
液晶表示装置の表示特性は、液晶分子の配列状態に依存し、これにより電気場等の外力に対する応答も異なることになる。従って、一般的な液晶表示装置の製造工程は、液晶分子を均一に整列させるための配向工程を含む。
【０００８】
配向工程は、基板の全面に一定の厚さの高分子薄膜である配向膜を塗布する塗布工程と、液晶分子が所定のプリチルト角（ｐｒｅｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）で整列するように、配向膜を一定の方向に摩擦するラビング工程で構成される。この際、ラビング工程が基板全体に対して均一に行われなければ、液晶分子の整列度が空間的に一定でないため、局所的に異なる光学特性を示す。前述したような液晶分子の整列不良は、有機絶縁膜による段差を具備する反射−透過型アレー基板で更に致命的な表示不良を発生させる。図１に示したように、所定の方向にラビング工程を行うと、液晶分子６０は、ラビング方向Ｒｄに沿って所定のプリチルト角で配列される。しかし、ラビング工程が均一に行われたとしても、有機絶縁層３０の傾斜部では、液晶分子６０のプリチルト角は均一に形成されない。即ち、透明基板１０の反射領域Ｒと透過領域Ｔに位置する液晶分子６０は、均一なプリチルト角を維持して配向されるが、反射領域Ｒと透過領域Ｔとの間の境界面（Ａ、Ｂ）に位置する液晶分子６０のプリチルト角は、境界面の傾きにより同一のプリチルト角を形成することができない。特に、ラビング方向Ｒｄに沿って反射領域Ｒから透過領域Ｔ方向への境界面Ａに位置する液晶分子の配向方向は、残りの領域に位置する液晶分子の配向方向と全く相違した方向に整列する。従って、Ａ境界面の光学特性は、アレー基板の残りの領域とは全く異なる光学特性に決定され、これは境界面での表示不良となる。
【０００９】
図２は、図１に図示した反射−透過型液晶表示装置のプリチルト角の異常による光漏洩を示す概念図である。図面でハッチングされていない四角形状部分は、液晶表示装置の透過窓を示し、ＣＮＴは、スイッチング素子のドレーンと画素電極とが連結されるコンタクトホールを示す。
【００１０】
前述したように、反射領域Ｒに対応して形成される液晶層と透過領域Ｔに対応して形成される液晶層の整列方向が互いに異なるため、図２に示したように、反射板と透過窓との間の境界面を通じて光が漏洩する。特に、ラビング方向Ｒｄに沿って反射窓から透過窓に進入する境界面Ｅで光漏洩現象が顕著に観察される。
【００１１】
特に、タッチスクリーンパネル（ＴＳＰ）として、反射−透過型アレー基板を用いる場合には、光漏洩現象による表示不良のみならず、湿気による不良も誘発することが知られている。即ち、ＴＳＰが押された場合には、外部圧力により境界面Ａに形成される電気場が不安定になり、これによって液晶分子の整列が容易に破壊されるので、致命的な光漏洩現象が発生する。従って、境界面Ａ部位には、持続的に残像が残ることとなり、ＴＳＰの表面に湿気が生ずる湿気不良の主原因として作用する。
【００１２】
従って、反射領域Ｒと透過領域Ｔとの境界面上の液晶層の整列異常による光漏洩現象は、表示装置の表示品質の向上や、ＴＳＰパネルの湿気不良を防止するために、必ず解決すべき問題点として指摘されている。
(先行技術文献)
(特許文献)
(特許文献１)  大韓民国特許出願公開第2003-0034855号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の技術的課題は、このような従来の問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、ラビング方向に沿って反射窓と透過窓の転移区域である境界領域で発生する光漏洩を遮断するための反射−透過型アレー基板を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の目的は、上述した反射−透過型アレー基板の製造方法を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の目的は、上述した反射−透過型アレー基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の目的を達成するための１つの特徴による反射−透過型アレー基板は、画素部を具備する基板、反射窓と透過窓とを区別するための有機絶縁層、液晶層に電気場を形成するための電極の１つである画素電極、光を反射する反射板、及び光の透過を防止することができる光遮断パターンを含む。画素部は、上部から流入する自然光を反射する反射窓と、下部から入射する人工光を透過する透過窓を有する。有機絶縁層は、反射窓に対応して位置し、反射窓と透過窓との境界部で所定の傾きを有する境界面を具備する。画素電極は、反射窓及び透過窓の上部に連続的に位置する。反射板は、反射窓に対応する有機絶縁層の上部に位置して自然光を反射し、光遮断パターンは、反射窓と透過窓との境界部に対応する基板上に位置して、境界面に人工光が入射することを防止する。
【００１７】
また、上述した本発明の目的を達成するための１つの特徴による反射−透過型アレー基板を製造するために、まず、絶縁性透明基板上に薄膜を蒸着する。薄膜をパターニングして選択信号を伝送するためのゲート配線、ゲート配線から延長されたゲート電極ライン、及び光の透過を遮断することができる光遮断パターンを形成する。透明基板上にゲート絶縁膜及び半導体層を形成した後、半導体層の全面に薄膜を蒸着する。薄膜をパターニングしてデータ電圧を印加するためのソース配線、ソース配線から延長されたソース電極ライン及びソース電極ラインから一定間隔で離間したドレーン電極ラインを形成する。これにより、画素電極に印加される電気信号を制御することができるスイッチング素子を形成する。ソース配線、ソース電極ライン、及びドレーン電極ラインを含む半導体層の全面に有機絶縁層をコーティングする。ゲート配線とソース配線によって定義される各画素から有機絶縁層を選択的に除去して、透明基板の一部が露出され光を透過することができる透過窓を形成する。この際、ソースラインと隣接する透過窓の側部は、光遮断パターンの下部に位置するように、有機絶縁層を除去する。有機絶縁層及び露出された基板の表面に画素電極層を形成し、ドレーン電極ラインと画素電極層を連結する。透過窓を除いた各画素の表面に光を反射することができる反射板を蒸着して反射窓を形成する。反射板上に液晶分子を所定のラビング方向に整列するための配向膜を形成する。
【００１８】
また、上述した本発明の目的を達成するための１つの特徴による反射−透過型液晶表示装置は、色画素を具備する上部基板、液晶分子を具備する液晶層、及び上部基板に対応する位置に配置されその間に液晶層を受容する下部基板を含む。
【００１９】
下部基板は、画素部、有機絶縁層、及び光遮断パターンを具備する。画素部は、上部から流入する自然光を反射する反射窓、及び下部から入射する人工窓を透過する透過窓を具備し、有機絶縁層は、反射窓に対応して所定の厚さを有し、下部基板上に位置する。この際、有機絶縁層は、反射窓と透過窓との境界部で所定の傾きを有する境界面を具備する。光遮断パターンは、反射窓と透過窓との境界部に対応するように位置して、境界面へ人工光が入射することを遮断する。従って、境界面から誘発される光漏洩現象を防止することができる。
【００２０】
このような反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置によると、反射窓と透過窓との境界部を通じて光が透過することを遮断することにより、境界部に位置する液晶分子の整列不良による光漏洩現象を防止して、液晶表示装置の表示不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２２】
図３は、本発明による反射−透過型アレー基板を概略的に示した断面図である。図３は、本発明による反射−透過型アレー基板の透過窓の周辺を図示するように垂直に切断した断面図である。
【００２３】
図３に示すように、本発明による反射−透過型アレー基板は、画素部とスイッチング部を具備する透明基板１１０、スイッチング部（図示せず）に画像信号を伝達するためのデータ配線１２０、反射領域Ｒと透過領域Ｔを定義するための有機絶縁層１３０、スイッチング部から提供される画像信号を伝達するための画素電極１４０、及び画素電極１４０または有機絶縁層１３０上に形成され自然光を反射する反射板１５０を含む。
【００２４】
画素部は、情報を表示するための最少単位として、基板の上部から流入される自然光ＮＩを反射する反射領域Ｒと、基板の下部から入射される人工光ＡＩを透過する透過領域Ｔを含む。スイッチング部は、画素部と隣接した基板上に位置して、後述する画素電極に印加される電気信号を制御する。透明基板１１０の一部には、光の透過を遮断することができる光遮断パターン１１２が形成され、光遮断パターン１１２と透明基板１１０は、基板絶縁膜１１４に被覆されている。
【００２５】
一実施例として、有機絶縁層１３０は、基板絶縁膜１１４の上部に所定の幅と高さを有する多数のカラム形状に形成され、互いに所定の間隔だけ離間して平行に位置する。有機絶縁層１３０の上部は、外部から流入する自然光ＮＩを反射してアレー基板と対向する上部基板に流入させることにより反射領域Ｒを形成する。また、アレー基板の下部から提供される人工光ＡＩは、有機絶縁層１３０の間で、透明基板１１０及び基板絶縁膜１１４を透過して上部基板に流入するので、透過領域Ｔを形成する。
【００２６】
反射領域Ｒと透過領域Ｔとの境界で有機絶縁膜１３０は、所定の傾きを有し形成された境界面を含む。従って、境界面は、配向工程のラビング方向Ｒｄに沿って反射領域Ｒから透過領域Ｔ方向への第１境界面Ａ及び透過領域Ｔから反射領域Ｒ方向への第２境界面Ｂを含む。
【００２７】
配向工程が完了すると、アレー基板上の液晶分子１６０は、所定のプリチルト角を有して、ラビング方向Ｒｄに沿って整列される。従って、第１境界面上の液晶分子１６２は、第１境界面Ａの傾斜方向によって左下向方向に整列され、第２境界面、反射領域Ｒ、及び透過領域Ｔ上の液晶分子は、右上向方向に整列される。但し、第２境界面Ｂ上の液晶分子は、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔ上の液晶分子より垂直に整列される。
【００２８】
有機絶縁層１３０の上部には、画素電極１４０が形成されて画像信号を伝達し、画素電極１４０または有機絶縁層１３０の上部に反射板１５０が形成され自然光ＮＩを反射する。
【００２９】
自然光は反射領域Ｒから反射されて液晶層を経由して上部基板に流入し、バックライト等のような光源により生成された人工光は、透過窓Ｒを透過して液晶層を経由して上部基板に流入する。
【００３０】
一実施例として、光遮断パターン１１２は、液晶分子の整列方向が全く異ならせて形成される第１境界面Ａの正射影面（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｎｇ  ｐｌａｎｅ）を含むように、透明基板１１０上に形成される。一実施例として、光遮断パターン１１２は、透過窓の一部まで延長され第１境界面Ａが光遮断パターン１１２の上部に位置するように形成する。従って、第１境界面を透過する人工光は、光遮断パターン１１２により遮断され、第１境界面Ａ上の液晶層１６２による光漏洩現象も防止することができる。
【００３１】
図示していないが、光遮断パターン１１２は、第２境界面Ｂの正射影面を含むように、第２境界面の下部に更に形成することができるのは自明である。これにより、第１境界面Ａ及び第２境界面Ｂ上に位置する液晶分子の整列不良による光漏洩現象を防止することができる。
【００３２】
ラビング方向が本実施例と反対方向である場合には、液晶分子が左下向に整列される第１境界面Ａ及び右上向にほぼ垂直に整列される第２境界面Ｂの位置を互いに入れ換えるようにすることは自明である。また、本実施例によると、反射領域に対応する有機絶縁層を第１厚さに形成し、透過領域に対応する位置に有機絶縁層が形成されていない基板を露出させることを開示しているが、反射領域に対応して第１厚さに有機絶縁層を形成し、透過領域に対応しては、第１厚さより薄い第２厚さに有機絶縁層を形成することもできる。
【００３３】
また、本実施例の第１境界面Ａ及び第２境界面Ｂは、９０°より小さい傾きを有しているが、垂直の境界面に対しても、光を遮断して透過領域Ｔと反射領域Ｒとの境界線に沿って発生する光漏洩現象も防止することができるのは自明である。
【００３４】
図４は、本発明の第１実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。一実施例として、図４に図示した液晶表示装置は、トップＩＴＯ構造を有する。図４は、反射−透過型液晶表示装置のアレー基板を中心に図示されている。
【００３５】
図４に示すように、本発明の第１実施例による液晶表示装置は、多数のゲート配線２０９、多数のソース配線２１７、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴ、ストレージキャパシタＣＳＴ、光遮断パターン２３０、画素電極２５０、そして反射領域の上部に位置して反射窓と透過窓を定義する反射板２６０を含む。
【００３６】
多数のゲート配線２０９は、透明基板上に横方向に延長され、縦方向に配列され、多数のソース配線２１７は、透明基板上に縦方向に延長され、横方向に配列される。従って、ゲート配線２０９とソース配線２１７が交差して１つの画素領域を形成する。
【００３７】
画素領域の内部には、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣＳＴを具備し、人工光が透過する透過窓２４５及び自然光を反射することができる反射窓（図５の２４６）に区分される。一実施例として、透過領域Ｔは、四角形状に形成され、ソース配線２１７と平行に位置し、反射領域Ｒから透過領域Ｔ方向への第１境界面Ａが位置する第１側部２４５ａ、第１側部と対向して位置し、透過領域Ｔから反射領域Ｒ方向への第２境界面Ｂが位置する第２側部２４５ｂ、ゲート配線２０９と隣接して平行に位置する第３側部２４５ｃ、及び第３側部と対向して位置する第４側部２４５ｄを含む。ＴＦＴは、ゲート配線２０９から延長されたゲート電極ライン２１０、ソース配線２１７から延長されたソース電極ライン２１８、及びソース電極ライン２１８から離間したドレーン電極ライン２１９を含む。
【００３８】
ストレージキャパシタＣＳＴは、ゲート配線２０９の形成時に形成された第１ストレージ電極ライン２２０と、ソース配線２１７の形成時に形成された第２ストレージ電極ライン２２２により定義される。
【００３９】
光遮断パターン２３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から延長されて形成され、透過窓２４５の第１側部２４５ａの長さより長い長さと、ソース配線２１７の幅より広い幅を有する。
【００４０】
画素電極２５０は、透明材質のＩＴＯ層またはＩＺＯ層からなり、互いに隣接するゲート配線及びソース配線により区画される画素領域のそれぞれに形成される。画素電極２５０は、コンタクトホール２４３を通じてドレーン電極ライン２１９と連結されてディスプレイのための画素電圧の印加を受ける。
【００４１】
反射板２６０は、画素電極２５０上に形成されて自然光を反射する反射領域または反射窓を形成し、アレー基板の下部でバックライトアセンブリ等の光源から提供される人工光を透過させる透過領域または透過窓２４５を定義する。人工光は、露出されたゲート絶縁膜を透過して進行し、上部には光の進行を妨害しないために、反射板が形成されていない。従って、反射板２６０が位置する領域は、反射領域または反射窓に定義され、人工光が透過する透過窓２４５は、反射板２６０が位置しない領域に定義される。透過窓２４５の第１側部２４５ａの下部には、光遮断パターン２３０の一部が露出され、透過窓の周辺部での光漏洩を遮断する。
【００４２】
一実施例として、アレー基板のラビング方向が図４に示したように、左側から右側方向である時、通常のアレー基板によると、透過窓２４５の第１側部２４５ａでは、強い光漏洩が誘発され、第２側部２４５ｂでは、弱い光漏洩が誘発されたが、本発明による光遮断パターン２３０により上述した光漏洩を遮断することができる。勿論、開口率を考慮して強い光漏洩のみを遮断しようとすると、透過窓２４５の第２側部２４５ｂには、光遮断パターン２３０を形成せず、第１側部２４５ａにのみ光遮断パターン２３０を形成することもできる。
【００４３】
また、図面上では、ラビング方向が左側から右側方向である時に形成される光遮断パターンを図示したが、ラビング方向が下側から上側方向である時には、光遮断パターンを透過窓の第４側部２４５ｄの下部に形成することもできる。
【００４４】
また、ラビング方向が上側から下側方向である時には、第３側部２４５ｃの下部までゲート配線２０９の幅を拡張させて光遮断パターンを形成することもできる。
【００４５】
また、ラビング方向が１時〜２時方向である時にも、透過窓の第４側部２４５ｄ及び第１側部２４５ａに拡張して、光遮断パターンを形成することもでき、ラビング方向が１０時〜１１時方向である時にも、透過窓の第４側部２４５ｄ及び第２側部２４５ｂに拡張して、光遮断パターンを形成することもできる。
【００４６】
上述した本発明の第１実施例では、有機絶縁層上にＩＴＯ層またはＩＺＯ層を形成して、画素電極を定義するトップＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を説明したが、当業者なら有機絶縁層下にＩＴＯ層を形成して画素電極を定義するボトムＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板にも容易に適用することができる。
【００４７】
また、画素電極上に反射板を形成する一例を説明したが、当業者なら反射板を形成した後、その上にＩＴＯ層又はＩＺＯ層等の画素電極を形成することもできる。
【００４８】
図５は、図４に図示された液晶表示装置をＡ−Ａ’に沿って切断した断面図である。図面符号２４５ｂは、第１側部２４５ａを具備する透過窓と隣接する透過窓の第２側部を示す。従って、第１実施例による光遮断パターンは、ゲートラインから拡張されて互いに隣接する透過窓の第１側部及び第２側部を同時にオーバーラップするように一体に形成されている。
【００４９】
図５を参照すると、本発明の第１実施例による反射−透過型液晶表示装置は、アレー基板、カラーフィルター基板２７０、及びアレー基板とカラーフィルター基板２７０との間に形成された液晶層２８０を含む。
【００５０】
アレー基板は、透明基板２０５上に形成されたゲート配線２０９から延長されたゲート電極２１０、ゲート電極２１０及び透明基板２０５上に形成されたゲート絶縁膜２１２、半導体層２１４、オームコンタクト層２１６、ソース電極２１８、及びドレーン電極２１９を含むスイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴと、ＴＦＴとは一定の間隔で離間して透明基板２０５上に形成された第１ストレージ電極ライン２２０、第１ストレージ電極ライン２２０上に形成された第２ストレージ電極ライン２２２を含むストレージキャパシタＣＳＴと、ＴＦＴ及びストレージキャパシタＣＳＴをカバーし、ドレーン電極２１９の一部を露出させ、基板の表面から所定の高さを有するように形成された有機絶縁層２４２を含む。一実施例として、有機絶縁層２４２の表面には、反射効率を高めるために多数の溝を形成することが好ましい。
【００５１】
また、アレー基板は、ゲート配線２０９から延長された光遮断パターン２３０と、光遮断パターン２３０上に形成されたソース配線２１７を含む。光遮断パターン２３０は、後に形成される透過窓の第１側部２４５ａの長さより長い長さと、ソース配線２１７の幅よりは広い幅を有するように形成する。
【００５２】
また、アレー基板は、有機絶縁層２４２の一部領域が開口されて形成されたコンタクトホール２４３を通じてドレーン電極２１９と連結される画素電極２５０、ＴＦＴ全体をカバーする層間絶縁膜２５２、及び層間絶縁膜２５２の上部に位置して流入した自然光を反射するための反射板２６０を含む。従って、有機絶縁層２４２及び反射板２６０が形成された領域は、外部から流入した光を反射してカラーフィルター基板２７０の方向に供給する反射領域または反射窓２４６を形成し、有機絶縁層２４２が形成されず、人工光がカラーフィルター基板２７０に透過する透過領域または透過窓２４５を形成する。従って、透過窓２４５には、基板の表面に形成された画素電極２５０と層間絶縁膜２５２のみが位置し、反射板２６０は位置しない。
【００５３】
光遮断パターン２３０の幅は、前述したように、ソース配線２１７の幅より広く形成して、互いに隣接する透過窓の第１側部２４５ａ及び第２側部２４５ｂと所定の長さＬだけオーバーラップするように形成する。従って、本実施例による光遮断パターン２３０は、透過窓２４５と反射窓２４６を区分する第１境界面Ａ及び第２境界面Ｂと同時にオーバーラップするように形成される。従って、光遮断パターン２３０は、第１境界面Ａ及び第２境界面Ｂを透過する光を遮断することにより、第１境界面及び第２境界面で光が漏洩することを遮断する。
【００５４】
画素電極２５０は、光を透過する一種の透過電極として、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やスズ酸化物（Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）が用いられる。
【００５５】
本実施例によると、反射板２６０と画素電極２５０が層間絶縁膜２５２により離間して電気的に絶縁されることを図示したが、層間絶縁膜２５２を除去して反射板２６０と画素電極２５０を連結することもできる。
【００５６】
一方、カラーフィルター基板２７０は、透明基板２７２にＲ、Ｇ、Ｂそれぞれの画素領域を定義するブラックマトリックス層（図示せず）と、ブラックマトリックス層により定義される領域に形成された色画素層２７４と、ブラックマトリックス層と色画素層２７４を保護するために塗布された表面保護層（図示せず）を含む。勿論、上述したブラックマトリックス層を形成しなくても、隣接する色画素層２７４を互いにオーバーラップする方式でブラックマトリックス機能を付与することもできる。また、表面保護層の上部、即ち、液晶層２８０に近接する面に図示していない共通電極層を更に形成することもできる。
【００５７】
一方、液晶層２８０は、アレー基板の画素電極２５０に印加される電源と、カラーフィルター基板２７０の共通電極層（図示せず）に印加される電源に応答してカラーフィルター基板２７０を経由する自然光を透過するか、透過窓を経由する人工光を透過する。
【００５８】
液晶層２８０は、反射領域２４６のうち、有機絶縁層２４２が一部除去され形成されたコンタクトホール２４３の領域に位置して第１セルギャップｄ１を維持する第１液晶層、反射窓２４６のうち、コンタクトホール２４３が形成されず、有機絶縁層２４２が除去されない領域に位置して第２セルギャップｄ２を維持する第２液晶層、及び透過領域２４５に位置して第３セルギャップｄ３を維持する第３液晶層に区分される。それぞれの液晶層は、互いに異なるセルギャップを維持することが好ましく、一実施例として各セルギャップは、ｄ２＜ｄ１≦ｄ３の条件を満足する。
【００５９】
従って、液晶分子の異方性屈折率をΔｎとし、セルギャップをｄとする時、第１液晶層は、有機絶縁層２４２が所定の厚さだけ除去され、Δｎｄ１の特性を有し、第２液晶層は、有機絶縁層が除去されないので、Δｎｄ２の特性を有し、第３液晶層は、有機絶縁層が形成されないのでΔｎｄ３の特性を有する。
【００６０】
一般に、液晶層の最適セルギャップは、液晶分子や液晶層２８０の上下両側に備えられる光学フィルムの条件によって異なるが、反射領域に対応する第２セルギャップｄ２は、１.７μｍより小さく、透過領域に対応する第３セルギャップｄ３は、３.３μｍより小さいことが好ましい。
【００６１】
一実施例として、液晶層は、液晶分子のツイスト角（ｔｗｉｓｔ  ａｎｇｌｅ）が０°になるように、ホモジーニアス配向処理する。従って、アレー基板とカラーフィルター基板２７０のラビング方向は、互いに反対方向を有するように、配向工程を処理する。一実施例として、図４に示したように、アレー基板のラビング方向が右側方向である場合には、光遮断パターン２３０は、最も顕著に光が漏洩する透過窓２４５の第１側部２４５ａと優先的にオーバーラップするようにゲートラインを分岐させて光遮断パターン２３０を形成する。
【００６２】
アレー基板のラビング方向が左側方向である場合、透過窓２４５の第２側部２４５ｂと優先的にオーバーラップするように光遮断パターン２３０を形成することができるのは自明である。
【００６３】
また、アレー基板のラビング方向が上側方向である場合、透過窓２４５の第３側部２４５ｃと優先的にオーバーラップするように、光遮断パターンを形成することもでき、下側方向である場合、透過窓の第４側部２４５ｄと優先的にオーバーラップするように光遮断パターンを形成することもできる。この際、光遮断パターンは、ゲートラインを分岐させることもできるが、ゲートラインの幅を第４側部２４５ｄの下部まで拡張して形成することもできる。また、２時や３時方向または１０時や１１時方向も透過窓の第１側部２４５ａ及び第４側部２４５ｄ、または第２側部２４５ｂ及び第４側部２４５ｄと優先的にオーバーラップするようにゲートラインを分岐させて光遮断パターン２３０を形成することもできる。
【００６４】
以上では、アレー基板に画素電極２５０を、カラーフィルター基板２７０に共通電極層（図示せず）を形成して液晶層２８０の両端間に電源を印加する方式を説明したが、カラーフィルター基板２７０に共通電極層を形成しなくても、アレー基板の同一平面上に互いに異なる電源を印加する方式を通じて自然光や人工光を透過することもできる。
【００６５】
図６〜図９は、図４に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００６６】
まず、図６に示すように、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板２０５上にタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着した後、蒸着された金属薄膜をパターニングして横方向に延長し、縦方向に配列されて選択信号を伝送する多数のゲート配線２０９と、ゲート配線から延長されたゲート電極ライン２１０と、ゲート配線２０９から延長されて光の透過を遮断することができる光遮断パターン２３０と、ゲート配線２０９の延長方向と平行な第１ストレージ電極ライン２２０を形成する。一実施例として、光遮断パターンは、ソース配線の延長方向と同じ方向にゲート配線から延長される。光遮断パターン２３０の幅は、後に形成されるソースラインの幅よりは広く形成することが好ましく、光遮断パターンの長さは、後に形成される透過窓の一辺のうち、ソースラインと平行に位置する側辺の長さより長く形成することが好ましい。
【００６７】
続いて、ゲート電極ライン２１０を含む基板の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着法で積層してゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜及びインシツ（ｉｎｓｉｔｕ）ドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン膜をパターニングして、ゲート絶縁膜のうち、下にゲート電極ライン２１０が位置した部分上に半導体層２１４及びオームコンタクト層２１６を順次形成する。ゲート絶縁膜は、基板の全面に形成することもでき、ゲート配線とゲート電極ラインをカバーするようにパターニングすることもできる。
【００６８】
その後、図７に示したように、半導体層２１４の全面にタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。その後、蒸着された金属薄膜をパターニングして縦方向に延長し、横方向に配列されてデータ電圧を印加するソース配線２１７と、ソース配線２１７から延長されたソース電極ライン２１８と、ソース電極ライン２１８から一定間隔で離間したドレーン電極ライン２１９と、第１ストレージ電極ライン２２０が形成された領域上に第２ストレージ電極ライン２２２を形成する。上述した第１ストレージ電極ライン２２０及び第２ストレージ電極ライン２２２はストレージキャパシタＣＳＴとして動作を行う。
【００６９】
その後、図８に示すように、ソース配線、ソース電極ライン、及びドレーン電極ラインを含む半導体層の全面にレジストをスピンコーティング方法で積層して所定の厚さを有する有機絶縁層２４２を形成する。その後、ゲート配線２０９とソース配線２１７により定義される画素から有機絶縁層２４２を選択的に除去して、ドレーン電極ライン２１９の一部領域を露出させてドレーン電極ライン２１９との電気的接触が可能なコンタクトホール２４３及び透明基板の一部を露出させて光が透過することができる透過窓２４５を形成する。この際、ソース配線と隣接する透過窓の側部は、光遮断パターンの上部に位置するように有機絶縁層を除去する。
【００７０】
その後、図９に示すように、画素電極を定義するために、ＩＴＯ層２５０を形成する。このＩＴＯ層２５０は既に形成されたコンタクトホール２４３を通じてドレーン電極ライン２１８と接続される。この際、ＩＴＯ層２５０は、全面塗布した後、画素領域に対応するＩＴＯ層のみが残るようにパターニングすることもでき、画素領域にのみ形成されるように、部分塗布することもできる。本実施例では、画素電極２５０とソース配線２１７は、一定間隔で離間しているが、最小化された幅でオーバーラップすることもできる。
【００７１】
その後、透過窓２４５を除いた各画素の表面に光を反射することができる反射板２６０を形成して反射窓を定義することにより、本発明の第１実施例による反射−透過型アレー基板を完成する。上述した反射板２６０上に所定のラビング方向に液晶分子を整列するための別の配向膜（図示せず）を更に形成することは自明である。
【００７２】
本実施例では、透過領域を除いた残りの領域に反射板を形成して反射領域を定義することを図示したが、画素別に区画された反射板を形成することもできる。即ち、ゲート配線の中央の一部領域とソース配線の中央の一部領域と透過領域を除いた残りの領域に反射板を形成することもできる。
【００７３】
また、本実施例による反射板の表面には、反射効率を高めるために、表面がエンボシング処理された有機絶縁層２４２の形状に対応する溝が形成されているが、上述したフラットタイプの有機絶縁層に対応するフラット形状に形成することもできる。
【００７４】
以上では、トップＩＴＯ構造の反射−透過型液晶表示装置を一例として説明したが、ボトムＩＴＯ構造の反射−透過型液晶表示装置にも類似に適用することができる。
【００７５】
図１０は、本発明の第２実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。図１０は、反射−透過型液晶表示装置のアレー基板を中心に図示されている。
【００７６】
図１０に示すように、本発明の第２実施例による液晶表示装置は、多数のゲート配線２０９、多数のソース配線３３４、スイッチング素子用薄膜トランジスタＴＦＴ、ストレージキャパシタＣＳＴ、第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２、画素電極２５０、そして反射窓の上部に位置して反射窓と透過窓を定義する反射板２６０を含む。図４と同じ構成要素に対しては、同じ図面符号を付与し、その説明は省略する。
【００７７】
第１光遮断パターン３３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間し、ソース配線と隣接して平行に位置する透過窓の一側辺の長さより長い長さを有するように形成される。第１光遮断パターン３３０の幅方向第１端部３３０ａは、透過領域３４５の下部に拡張され、透過窓３４５の第１側部３４５ａとオーバーラップし、第１端と対応する第２端は、ソース配線３３４の下部に拡張されてソース配線３３４とオーバーラップする。
【００７８】
第２光遮断パターン３３２は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間し、ソース配線と隣接して平行に位置する透過窓の一側辺の長さより長い長さを有するように形成される。第２光遮断パターン３３２の幅方向第１端３３２ａは、第１光遮断パターン３３０とオーバーラップする透過窓と隣接する透過窓３４５の下部に拡張されて、透過窓３４５の第２側部３４５ｂとオーバーラップし、第１端と対応する第２端は、ソース配線３３４の下部に拡張されソース配線３３４とオーバーラップする。従って、本実施例によると、透過窓３４５の第１側部３４５ａ及び第２側部３４５ｂに位置する光遮断パターンは、それぞれ別に形成される。
【００７９】
一実施例として、ラビング方向が図１０に示したように、左側から右側に形成された場合、強い光漏洩は第１光遮断パターン３３０により遮断され、弱い光漏洩は第２光遮断パターン３３２により遮断される。勿論、開口率を考慮して強い光漏洩のみを遮断しようとすると、第１光遮断パターン３３０のみを形成することもできる。
【００８０】
以上では、有機絶縁層上にＩＴＯ層を形成して、画素電極を定義するトップＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を説明したが、当業者なら有機絶縁層下にＩＴＯ層を形成して画素電極を定義するボトムＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板にも容易に適用することができるだろう。
【００８１】
図１１は、図１０に図示された液晶表示装置をＢ−Ｂ’に沿って切断した断面図である。図面符号３４５ｂは、第１側部３４５ａを具備する第１透過窓と隣接する第２透過窓の第２側部を示す。従って、図１１は、ゲートラインの形成時、互いに隣接する透過窓の第１側部及び第２側部の下部に個別的に形成したフローティングラインを光遮断パターンとして用いた例を図示する。
【００８２】
図１１に示すように、本発明の第２実施例による反射−透過型液晶表示装置は、カラーフィルター基板２７０及びアレー基板とカラーフィルタ基板２７０との間に形成された液晶層２８０を含む。図５と同じ構成要素に対しては同じ図面符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
【００８３】
アレー基板は、ゲート配線２０９の形成時に形成される第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２と、第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２上に形成されたソース配線３３４を含む。
【００８４】
一実施例として、第１光遮断パターン３３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔だけ離間して形成されて、第１透過窓３４５１の第１側部３４５ａより長い長さを有する。第１光遮断パターン３３０は、ゲート配線と平行に幅方向に沿って延長され第１透過窓３４５１の第１側部３４５ａと所定の長さＬ１だけオーバーラップする。また、第２光遮断パターン３３２もゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成され、第１透過窓３４５１と隣接する第２透過窓３４５２の第２側部３４５ｂより長い長さを有する。第２光遮断パターン３３２は、ゲート配線と平行に幅方向に沿って延長されて第２透過窓３４５１の第２側部３４５ｂと所定の長さＬ２だけオーバーラップする。従って、第１側部３４５ａに位置する有機絶縁層２４２の第１境界面Ａから発生する強い光漏洩現象を遮断し、第２側部３４５ｂに位置する有機絶縁層２４２の第１境界面Ｂから発生する弱い光漏洩現象も遮断することができる。
【００８５】
前述した本発明の第２実施例では、有機絶縁層上にＩＴＯ層又はＩＺＯ層を形成して画素電極を定義するトップＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を説明したが、当業者なら有機絶縁層の下にＩＴＯ層を形成して画素電極を定義するボトムＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板にも容易に適用することができるだろう。
【００８６】
また、画素電極上に反射板を形成する一例を説明したが、当業者なら反射板を形成した後、その上にＩＴＯ層又はＩＺＯ層等の画素電極を形成することもできる。
【００８７】
図１２〜図１５は、図１０に図示した液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【００８８】
まず、図１２に示すように、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板２０５上にタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着した後、蒸着された金属をパターニングして横方向に延長され、縦方向に配列される多数のゲート配線２０９と、ゲート配線２０９から延長されたゲート電極ライン２１０と、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成された第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２と、ゲート配線２０９の延長方向と平行な第１ストレージ電極ライン２２０を形成する。一実施例として、第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２は、ゲート配線２０９の形成時に個別的に形成され、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して、以後工程で形成される透過窓のゲート配線と垂直に位置する一側辺より長い長さを有する。その後、ゲート電極ライン２１０を含む基板の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着法で積層してゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜及びインシツ（ｉｎｓｉｔｕ）ドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜のうち、下にゲート電極ライン２１０が位置した部分上に半導体層２１４及びオームコンタクト側２１６を順次形成する。ゲート絶縁膜は、基板の全面に形成することもでき、ゲート配線とゲート電極ラインをカバーするようにパターニングすることもできる。
【００８９】
その後、図１３に示したように、透明基板２０５の全面にタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。その後、蒸着された金属をパターニングして縦方向に延長し、横方向に配列されるソース配線３３４、ソース配線３３４から延長されたソース電極ライン２１８、ソース電極ライン２１８から一定間隔で離間したドレーン電極ライン２１９、及び第１ストレージ電極ライン２２０が形成された領域上に、第２ストレージ電極ライン２２２を形成する。前述した第１ストレージ電極ライン２２０及び第２ストレージ電極ライン２２２は、ストレージキャパシタＣＳＴとして動作を行う。
【００９０】
その後、図１４に示したように、基板２０５上にレジストをスピンコーティング方法で積層して、所定の厚さを有する有機絶縁層２４２を形成する。その後、ゲート配線２０９とソース配線３３４により定義される画素から有機絶縁層２４２の一部を除去してドレーン電極ライン２１９の一部を露出させて電気的接触を許可するためのコンタクトホール２４３及びアレー基板の下部から提供される人工光を透過するための透過窓３４５を形成する。光の透過効率を高めるために、透過窓３４５は、露出された基板の表面に形成された溝を更に含むことができる。
【００９１】
図１５に示したように、画素電極を定義するためにＩＴＯ層２５０を形成する。このＩＴＯ層２５０は、既に形成されたコンタクトホール２４３を通じてドレーン電極ライン２１８と接続される。この際、ＩＴＯ層２５０は、全面塗布した後、画素領域に対応するＩＴＯ層のみが残るようにパターニングすることもでき、画素領域にのみ形成されるように部分塗布することもできる。図面上では、画素電極２５０とソース配線２１７は、観察者観点から一定間隔で離間したものを図示したが、最小化された幅にオーバーラップすることもできる。
【００９２】
最後に、反射効率を高めるための反射板２６０をＩＴＯ層の上部に蒸着して本発明の第２実施例による液晶表示装置のアレー基板を完成する。勿論、前記した反射板２６０上に液晶のラビングのための別の配向膜（図示せず）を更に形成することは自明である。
【００９３】
図１６は、本発明の第３実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。図１６は、反射−透過型液晶表示装置のアレー基板を中心に図示されている。
【００９４】
図１６に示すように、本発明の第３実施例による液晶表示装置は、多数のゲート配線２０９、多数のソース配線４３４、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴ、ストレージキャパシタＣＳＴ、光遮断パターン４３０、画素電極２５０、そして反射窓の上部に位置して反射領域と透過領域を定義する反射板２６０を具備する。図４と同じ構成要素に対しては同じ図面番号を付与し、その説明は省略する。
【００９５】
光遮断パターン４３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間し、ソース配線４３４と隣接して平行に位置する透過領域４４５の一側辺の長さより長い長さを有するように形成される。また、光遮断パターン４３０の幅方向第１端部４３０ａは、透過窓４４５の下部に拡張されて透過窓４４５の第１側部４４５ａとオーバーラップし、第１端部４３０ａと対応する第２端部は、ソース配線４３４の下部に拡張されてソース配線４３４とオーバーラップする。
【００９６】
従って、一実施例としてラビング方向が図１６に示したように、左側から右側に形成された場合、本発明による光遮断パターン４３０により強い光漏洩を遮断することができる。
【００９７】
また、図面上では、ラビング方向が左側から右側方向である時に形成される光遮断パターンを図示したが、ラビング方向が下側から上側方向である時には、光遮断パターンを透過窓の下部辺を通じて拡張することもできる。
【００９８】
また、ラビング方向が上側から下側方向である時には、ゲート配線２０９から一定間隔で離間させて光遮断パターンを形成することもできる。
【００９９】
また、ラビング方向が１時〜２時方向である時にも、透過窓の下部辺及び左側辺に拡張して光遮断パターンを形成することもでき、ラビング方向が１０時〜１１時方向である時にも、透過窓の下部辺及び右側辺に拡張して光遮断パターンを形成することもできる。
【０１００】
前記した本発明の第３実施例では、有機絶縁層上にＩＴＯ層またはＩＺＯ層を形成して画素電極を定義するトップＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を説明したが、当業者なら有機絶縁層下にＩＴＯ層を形成して画素電極を定義するボトムＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板にも容易に適用することができる。
【０１０１】
また、画素電極上に反射板を形成する一例を説明したが、当業者なら反射板を形成した後、その上にＩＴＯ層又はＩＺＯ層等の画素電極を形成することもできる。
【０１０２】
図１７は、図１６に図示された液晶表示装置をＣ−Ｃ’に沿って切断した断面図である。図１７は、ゲートラインの形成時に形成したフローティングラインを透過窓の第１側部の下部に形成して光遮断パターンとして用いた一例を図示する。
【０１０３】
図１７を参照すると、本発明の第３実施例による反射−透過型液晶表示装置は、アレー基板と、カラーフィルター基板２７０と、アレー基板及びカラーフィルター基板２７０間に形成された液晶層２８０を含む。図５と同じ構成要素に対しては、同じ図面符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
【０１０４】
アレー基板は、ゲート配線２０９の形成時に形成される光遮断パターン４３０と、光遮断パターン４３０上に形成されたソース配線４３４を含む。
【０１０５】
一実施例として、光遮断パターン４３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成され、透過領域４４５の第１側部４４５ａより長い長さを有する。光遮断パターン４３０は、ゲート配線２０９と平行に幅方向に沿って延長されて透過領域４４５の第１側部４４５ａと所定の長さＬだけオーバーラップする。従って、第１側部４４５ａに位置する有機絶縁層２４２の第１境界面Ａで発生する強い光漏洩現象を遮断することができる。
【０１０６】
図１８〜図２１は、図１６に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【０１０７】
まず、図１８に示すように、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板２０５上に、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着した後、蒸着された金属をパターニングして、横方向に延長されて縦方向に配列される多数のゲート配線２０９と、ゲート配線２０９から延長されたゲート電極ライン２１０と、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成された光遮断パターン４３０と、ゲート配線２０９の延長方向と平行な第１ストレージ電極ライン２２０を形成する。光遮断パターン４３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間し、以後工程で形成される透過窓のゲート配線と垂直に位置する一側辺より長い長さを有する。
【０１０８】
その後、ゲート電極ライン２１０を含む基板の全面に窒化シリコンをプラズマ化学気相蒸着法で積層してゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコン膜及びインシツ（ｉｎｓｉｔｕ）ドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン膜をパターニングしてゲート絶縁膜のうち、下にゲート電極ライン２１０が位置した部分上に半導体層２１４及びオームコンタクト層２１６を順次形成する。ゲート絶縁膜は、基板の全面に形成することもでき、ゲート配線とゲート電極ラインをカバーするようにパターニングすることもできる。
【０１０９】
その後、図１９に示したように、透明基板２０５の全面にタンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、またはタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。その後、蒸着された金属をパターニングして縦方向に延長されて横方向に配列されるソース配線４３４と、ソース配線４３４から延長されたソース電極ライン２１８と、ソース電極ライン２１８から一定間隔で離間したドレーン電極ライン２１９と、第１ストレージ電極ライン２２０が形成された領域上に第２ストレージ電極ライン２２２を形成する。前記した第１ストレージ電極ライン２２０及び第２ストレージ電極ライン２２２は、ストレージキャパシタＣＳＴとして動作を行う。
【０１１０】
その後、図２０に示したように、基板２０５上にレジストをスピンコーティング方法で積層して、所定の厚さを有する有機絶縁層２４２を形成する。次いで、ゲート配線２０９とソース配線３３４によって定義される画素から有機絶縁層２４２の一部を除去して、ドレーン電極ライン２１９の一部を露出させて電気的な接触を許容するためのコンタクトホール２４３及びアレー基板の下部から提供される人工光を透過させるための透過窓４４５を形成する。
【０１１１】
その後、図２１に示したように、画素電極を定義するために、ＩＴＯ層２５０を形成する。このＩＴＯ層２５０は、既に形成されたコンタクトホール２４３を介してドレーン電極ライン２１８と接続される。この際、ＩＴＯ層２５０は、全面塗布した後、画素領域に対応するＩＴＯ層のみが残るようにパターニングすることもでき、画素領域にのみ形成されるように部分塗布することもできる。図面上では、画素電極２５０とソース配線２１７は、観察者観点から一定間隔で離間したことを図示したが、最小化された幅でオーバーラップすることもできる。
【０１１２】
最後に、反射効率を高めるために、反射板２６０をＩＴＯ層の上部に蒸着して本発明の第３実施例による液晶表示装置のアレー基板を完成する。勿論、前述した反射板２６０上に液晶のラビングのために、別の配向膜（図示せず）を更に形成することは自明である。
【０１１３】
以上では、透過窓と反射領域との境界に該当する有機絶縁層の境界面領域に対応してゲート配線から延長されたパターン、または、ゲート配線の形成時、一定間隔で離間した別の光遮断パターンを形成することにより、液晶のプリチルト角の歪曲によって発生する光漏洩を遮断したことを説明した。しかし、前記したゲート配線外に別のフローティングメタルを通じて光遮断パターンを形成することもできる。
【０１１４】
例えば、一面を通じて多数のゲート配線やソース配線が形成される基板の他面に、前記した有機絶縁層の境界面領域に対応して別のフローティングラインを形成するか、ゲート配線を形成する前に別のフローティングラインを形成する等の方式を通じて前記した光遮断パターンを形成することができる。
【０１１５】
一方、有機絶縁層の第１境界面Ａ及び第２境界面Ｂでの光漏洩現象は、境界面の傾きによる液晶の整列不良が原因なので、境界面の傾きを減少することにより、光漏洩現象による表示不良を防止することができる。以下では、反射窓と透過窓との境界での有機絶縁層の傾きを減少することにより、境界面での光漏洩現象を緩和することができる反射−透過型アレー基板について説明する。
【０１１６】
図２２は、本発明の第４実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。図２２は、反射−透過型液晶表示装置のアレー基板を中心に図示されている。
【０１１７】
図２２に示すように、本発明の第４実施例による液晶表示装置は、多数のゲート配線２０９、多数のソース配線３３４、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴＦＴ、ストレージキャパシタＣＳＴ、第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２、画素電極２５０、そして反射窓の上部に位置して反射領域と透過領域を定義する反射板２６０を具備する。図１０と同じ構成要素に対しては同じ図面符号を付与し、その説明は省略する。
【０１１８】
反射板２６０は、有機絶縁層（図示せず）の表面に形成され自然光を反射する反射領域を形成し、アレー基板の下部からバックライトアセンブリ等の光源に提供される人工光を透過する透過窓５４５を定義する。
【０１１９】
人工光は、有機絶縁層が除去され露出されたゲート絶縁膜を透過して進行し、上部には光の進行を妨害しないために、反射板が形成されていない。従って、反射板が位置する領域は反射領域、または反射窓になり、人工光が透過する透過領域または透過窓は、有機絶縁層及び反射板が位置しない領域に定義される。
【０１２０】
この際、アレー基板のラビング方向に沿って反射窓から透過窓方向への有機絶縁層の第１境界面の傾きが、透過窓から反射窓方向への第２境界面の傾きより小さくなるように形成する。従って、液晶分子の整列不良が最も多く発生する第１境界面の傾きを低くすることにより、液晶分子の整列状態を反射窓での整列状態に、より近接させることができる。従って、第１境界面での強い光漏洩現象を減少することができる。
【０１２１】
一実施例として、アレー基板に対するラビング工程が図２２に図示されたようなラビング方向Ｒｄに沿って行われる場合、通常的に透過窓５４５の第１側部５４５ａでは、強い光漏洩が誘発され、第１側部５４５ａと対応する第２側部５４５ｂでは、弱い光漏洩が誘発されたが、本発明によると、第１側部５４５ａに対応する有機絶縁層の境界面を緩慢に形成することにより、強い光漏洩を減少することができ、また、第１光遮断パターン３３０により強い光漏洩を遮断することができる。
【０１２２】
また、第２側部５４５ｂに対応する有機絶縁層の下部に形成される第２光遮断パターン３３２により弱い光漏洩を遮断することができる。勿論、開口率を考慮して強い光漏洩のみを減少させて遮断しようとすると、第１側部５４５ａに対応する有機絶縁層の境界面を緩慢にすると共に、第１光遮断パターン３３０のみを形成することもできる。
【０１２３】
図２３は、図２２に図示された液晶表示装置をＤ−Ｄ’に沿って切断した断面図である。図面符号５４５ｂは、第１側部５４５ａを具備する第１透過窓と隣接する第２透過窓の第２側部を示す。従って、本実施例による光遮断パターンは、互いに隣接する透過窓の第１側部及び第２側部の下部に個別的に形成されるフローティングラインで形成される。
【０１２４】
図２３を参照すると、本発明の第４実施例による反射−透過型液晶表示装置は、アレー基板と、カラーフィルター基板２７０と、アレー基板及びカラーフィルター基板２７０の間に形成された液晶層２８０を含む。図１１と同じ構成要素に対しては同じ図面符号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【０１２５】
アレー基板は、ゲート配線２０９の形成時に形成される第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２と、第１光遮断パターン３３０及び第２光遮断パターン３３２上に形成されたソース配線３３４を含む。
【０１２６】
一実施例として、第１光遮断パターン３３０は、ゲート配線２０９の形成時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成され、第１透過窓５４５１の第１側部５４５ａより長い長さを有する。第１光遮断パターン３３０は、ゲート配線２０９と平行に幅方向に沿って延長され第１透過窓５４５１の第１側部５４５ａと所定の長さＩだけオーバーラップする。また、第２光遮断パターン３３２もゲート配線２０９の形成の時、ゲート配線２０９から一定間隔で離間して形成され、第１透過窓５４５１と隣接する第２透過窓５４５２の第２側部５４５ｂより長い長さを有する。第２光遮断パターン３３２は、ゲート配線２０９と平行に幅方向に沿って延長され、第２透過窓５４５２の第２側部５４５ｂと所定の長さだけオーバーラップする。従って、第１側部５４５ａに位置する有機絶縁層２４２の第１境界面Ａから発生する強い光漏洩現象を遮断し、第２側部５４５ｂに位置する有機絶縁層２４２の第２境界面から発生する弱い光漏洩現象も遮断することができる。
【０１２７】
また、第１境界面Ａの上部領域Ｉは部分露光して、下部領域ＩＩは部分露光とスリット露光を並行して行い、第１境界面Ａの傾きを第２境界面Ｂの傾きより小さく形成する。これにより、第１境界面Ａ上に位置する液晶の整列不良とプリチルト角の異常を緩和させることができ、これによる光漏洩現象を減少することができる。
【０１２８】
前記した本発明の第４実施例では、有機絶縁層上にＩＴＯ層またはＩＺＯ層を形成して画素電極を定義するトップＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板を説明したが、当業者なら有機絶縁層の下にＩＴＯ層を形成して画素電極を定義するボトムＩＴＯ構造を有する反射−透過型液晶表示装置用アレー基板にも容易に適用することができる。
【０１２９】
また、画素電極上に反射板を形成する一例を説明したが、当業者なら反射板を形成した後、その上にＩＴＯ層又はＩＺＯ層等の画素電極を形成することもできる。
【０１３０】
以上で説明したように、本発明によると、透過領域と反射領域の境界を形成する第１境界面及び第２境界面の下部にゲート配線から延長されたパターン、または、ゲート配線の形成時、一定間隔で離間した別の光遮断パターンを形成することにより、液晶の整列不良またはプリチルト角の異常により発生する光漏洩を遮断することができる。
【０１３１】
また、アレー基板のラビング方向に沿って反射窓から透過窓方向への第１境界面の傾きを、反射窓から透過窓方向への第２境界面の傾きより小さく形成することにより、表示不良が最も顕著に示す第１境界面上に位置する液晶の整列不良又はプリチルト角の異常を緩和することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】従来の反射−透過型液晶表示装置のアレー基板上に位置する液晶の配列を示した概念図である。
【図２】図１に図示された反射−透過型液晶表示装置のプリチルト角の異常による光漏洩を示した概念図である。
【図３】本発明による反射−透過型アレー基板を概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。
【図５】図４に図示された液晶表示装置をＡ−Ａ’に沿って切断して断面図である。
【図６】図４に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図４に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図４に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図４に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第２実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。
【図１１】図１０に図示された液晶表示装置をＢ−Ｂ’に沿って切断した断面図である。
【図１２】図１０に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１０に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１０に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１５】図１０に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の第３実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。
【図１７】図１６に図示された液晶表示装置をＣ−Ｃ’に沿って切断した断面図である。
【図１８】図１６に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１６に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２０】図１６に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２１】図１６に図示された液晶表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第４実施例による反射−透過型液晶表示装置を示した平面図である。
【図２３】図２２に図示された液晶表示装置をＤ−Ｄ’に沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０，１１０，２０５    透明基板
２０    データライン
３０，１３０，２４２    有機絶縁層
４０，１４０，２５０    画素電極
５０，１５０，２６０    反射板
６０    液晶分子
１１２，２３０    光遮断パターン
１１４    基板絶縁膜
１２０    データ配線
１６２，２８０    液晶層
２０９    ゲート配線
２１０    ゲート電極ライン
２１７    ソース配線
２１８    ソース電極ライン
２１９    ドレーン電極ライン
２２０    第１ストレージ電極ライン
２２２    第２ストレージ電極ライン
２４３    コンタクトホール
２４５    透過窓
２４６    反射窓
２５２    層間絶縁膜
２７０    カラーフィルター基板
２７４    色画素層
Ｒ    反射領域
Ｔ    透過領域
.
【図１】
0004700931.tif 000002
【図２】
0004700931.tif 000003
【図３】
0004700931.tif 000004
【図４】
0004700931.tif 000005
【図５】
0004700931.tif 000006
【図６】
0004700931.tif 000007
【図７】
0004700931.tif 000008
【図８】
0004700931.tif 000009
【図９】
0004700931.tif 000010
【図１０】
0004700931.tif 000011
【図１１】
0004700931.tif 000012
【図１２】
0004700931.tif 000013
【図１３】
0004700931.tif 000014
【図１４】
0004700931.tif 000015
【図１５】
0004700931.tif 000016
【図１６】
0004700931.tif 000017
【図１７】
0004700931.tif 000018
【図１８】
0004700931.tif 000019
【図１９】
0004700931.tif 000020
【図２０】
0004700931.tif 000021
【図２１】
0004700931.tif 000022
【図２２】
0004700931.tif 000023
【図２３】
0004700931.tif 000024