(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧下で、結晶方位が<100>で傾き角0°±1°のシリコンウェハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、
前記シリコンウェハを９５０℃以上シリコンの融点未満の第１の温度で一定時間加熱するアニール工程と、
前記シリコンウェハを第２の温度に維持し原料ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）を導入してエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長工程とを含み、
前記第２の温度は第１の温度よりも低く、且つ、へイズレベルが極小となる９５０℃〜１０５０℃、且つ、ヘイズによる換算粒径が８０ｎｍ以下となる、温度であることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項２】
前記アニール工程はエピタキシャル成長炉内で、実行されるようにしたことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項３】
前記アニール工程は、水素ガス雰囲気下で前記シリコンウェハを加熱する工程であることを特徴とする請求項２記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル成長工程は、前記アニール工程終了と同時に、前記原料ガスを前記エピタキシャル成長炉内に導入することによりエピタキシャル成長層を形成する工程であることを特徴とする請求項３記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エピタキシャルウェハの製造方法に係り、特にヘイズレベルの小さいエピタキシャルウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、鏡面研磨したシリコンウェハの表面に、エピタキシャル成長法によって、単結晶シリコンのエピタキシャル膜を形成する、エピタキシャルウェハの製造方法が知られている。
【０００３】
近年、高集積化が進む中でデザインルールが0.18μm以下の半導体デバイスにおいては、EPウェハに対するさらなる平坦度向上と0.1μm以下のパーティクル低減も重要になる。そのためには、エピタキシャル成長時に生じるエピタキシャルウェハ表面の表面粗さを減少させる必要がある。また、エピタキシャルウェハ表面の0.1μm以下のパーティクルを検出可能にするためヘイズレベルを下げる必要もある。このヘイズは、ウェハ表面からの散乱光であり、光学式のパーティクルカウンタのノイズ成分として検出される。0.1μm以下の微小パーティクルの検出も困難にする。よって高集積化されたデバイスへ対応するため、エピタキシャルウェハのヘイズレベルを下げる必要がある。
【０００４】
従来からへイズレベルを下げるための、エピタキシャルウェハの製造方法が多く提案されており、例えば、特開平9-63956号公報に開示されたように、成長条件を減圧下でおこない低温成長することでヘイズレベルを低減する技術が示されている。同公報によれば、まず、鏡面加工が施されたシリコンウェハを反応室の内部に入れ、この反応室にアニールガスである水素ガス(H2)を所定の圧力だけ注入する。そして、この反応室を所定のアニール温度(1000℃以上)にー定時間保持して、アニール(熱処理)を行なう。その後、反応室の水素ガスを真空引きし、その反応室に例えば水素ガスとジクロロシラン(SiH2Cl2)とからなる反応ガスを、圧力が13.3kPa程度になるように注入して、反応室を成長温度T(＝900℃以下)で一定時間保持することによって、シリコンウェハ表面に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記特開平9-68956号公報に開示された従来技術には、次に述べるような問題点がある。
【０００６】
一般に、エピタキシャル成長には、その反応ガスの圧力を13.3ｋＰａ程度の低圧下で行なう方法(以下、低圧エピタキシャル成長と言う)と、101.3ｋＰａ程度の大気圧下で行なう方法(以下、大気圧エピタキシャル成長と言う)とがある。低圧エピタキシャル成長は、大気圧エピタキシャル成長法に比較して、生成されたエピタキシャル膜厚や膜内の比抵抗の制御精度が良いという長所があるが、エピタキシャル膜の成長速度が遅くなるので、エピタキシャルウェハの生産性が劣るという短所がある。また、減圧エピタキシャル成長では、ドーパントがホウ素や燐の場合、そのオートドーピング量が増大する傾向にもある。さらに、低圧エピタキシャル成長法は、反応室を真空引きする必要があるので、真空ポンプなどの追加設備が必要であり、大気圧エピタキシャルよりも製造装置の構成が複雑で高価という短所がある。
【０００７】
従って、前記同公報に開示された技術は、上述のように圧力を13.3ｋＰａ程度(実施形態では10.6ｋＰａ)で行なっているので、エピタキシャルウェハの生産性が低いという問題がある。これに対して、エピタキシャルウェハの生産性を上げるために大気圧エピタキシャル成長方法を用いてエピタキシャルウェハを製造する際にも、当然へイズレベルを下げる要求は存在するが、従来は大気圧エピタキシャル成長におけるヘイズレベル減少のための技術は充分であるとはいえない。
【０００８】
さらに、エピタキシャルウェハの表面には、装置内で発塵した微粒子やウェハのハンドリング際に付着した微細なゴミ、エピタキシャルウェハ表面の結晶欠陥などがパーティクルカウンタにより検出される。これらパーティクルのうち、以前まではあまり問題視されていなかった小さなパーティクル（粒径100nm以下）でも、今後半導体デバイスの微細化が進むにつれデバイスの歩留まり低下に大きな影響をあたえる。ついては、この微小なパーティクル数を所定の値以下に保証するためには、この数を測定しなければならない。ところが一般的に使用されている光学式パーティクルカウンタでは、粒径100nm以下のパーティクルにより反射される光信号は微小であり、パーティクルカウンタのノイズ、すなわちEPウェハのヘイズによる光信号に埋もれ隠れ、検出が困難になっている。このため、ヘイズレベルが高いほどパーティクルの数を正確に測定するのが困難となる。従って、パーティクルの数を保証することができなくなり、エピタキシャルウェハの品質保証が困難となる。
【０００９】
また、大気圧エピタキシャル成長方法は、高速でエピタキシャル成長を行うことが可能である反面、熱応力を受けやすく膜質の良好なエピタキシャル成長層を得ることができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記の問題点に着目してなされたものであり、大気圧下において、ヘイズレベルの低いエピタキシャルウェハを製造するための製造方法を提供することを目的としている。また、本発明では、熱応力の低減をはかり、膜質が良好で信頼性の高いエピタキシャル成長層を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第1の方法は、大気圧下で、結晶方位が<100>で傾き角0°±1°のシリコンウェハの表面にシリコン層をエピタキシャル成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、前記シリコンウェハを９５０℃以上シリコンの融点未満の第１の温度で一定時間加熱するアニール工程と、前記シリコンウェハを第２の温度に維持し原料ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）を導入してエピタキシャル成長層を形成するエピタキシャル成長工程とを含み、前記第２の温度は第１の温度よりも低く、且つ、へイズレベルが極小となる９５０℃〜１０５０℃、且つ、ヘイズによる換算粒径が８０ｎｍ以下となる、温度であることを特徴とする。
【００１２】
かかる方法によれば、種々の実験の結果、結晶方位<100>、傾き角0°±1°のシリコンウェハでは、大気圧におけるエピタキシャル成長の際の成長温度を、950℃〜1050℃としたとき（たとえばSiHCl3の場合950℃以上1050℃以下としたとき）、ヘイズレベルが極小値をとることを発見し、これに着目してなされたものである。これにより、ヘイズレベルが低くなるので、パーティクルカウンタの計測のS/N（精度）が向上し、製造したエピタキシャルウェハ上のパーティクル数を精度良く計測できるようにもなる。従って、製品としてのエピタキシャルウェハの成長に使用するエピタキシャル成長炉を使用して、かかる条件でエピタキシャル成長層を形成し、ヘイズレベルを低減して、パーティクルカウンタによってパーティクルを精度よく検出することにより、エピタキシャルウェハ表面及びプロセス環境を評価することができる。従って、この評価用のエピタキシャル成長層によって計測したパーティクルがプロセス環境の清浄度ひいてはこの炉を用いて製造したエピタキシャルウェハの評価につながるものとなる。その結果、当該エピタキシャル成長炉で形成するエピタキシャルウェハのパーティクル数を保証することが可能となり、製造したエピタキシャルウェハの品質の信頼性が向上し、品質の良いエピタキシャルウェハを得ることができる。（また、高温または減圧下でオートドープが減少するAs：砒素、Sb：アンチモン系のドーピングガスは、効果が得にくい。）
【００１３】
【表１】
0004726272.tif 000002
【００１４】
【００１５】
また、かかる方法によれば、エピタキシャル成長前のアニールを、アニール温度950℃以上シリコンの融点未満で行なっている。アニールを950℃以上で行なうことにより、エピタキシャル膜が多結晶化せずに、単結晶が形成される。これにより、エピタキシャルウェハの生産性が向上する。さらに、シリコンの融点未満でアニールを行なっているので、エピタキシャルウェハが融解することがない。
【００１６】
【００１７】
また、かかる方法によれば、低温下でエピタキシャル成長を行うようにしても、アニール温度を十分に高くすることにより、膜質の良好なエピタキシャル成長層を得ることが可能となる。また低温下でエピタキシャル成長を行うことによりヘイズレベルの低減を図ることが可能となる。
【００１８】
本発明の第２では、請求項１記載のエピタキシャルウェハの製造方法において、前記アニール工程はエピタキシャル成長炉内で、実行されるようにしたことを特徴とする。かかる構成によれば、ガスの切り替えのみで極めて容易にアニールおよびエピタキシャル成長を行うことが可能となる。
【００１９】
本発明の第３では、請求項２記載のエピタキシャルウェハの製造方法において、前記アニール工程は、水素ガス雰囲気下でシリコンウェハを加熱する工程であることを特徴とする。本発明の第４では、請求項３記載のエピタキシャルウェハの製造方法において、前記エピタキシャル成長工程は、前記アニール工程終了と同時に、前記原料ガスを前記エピタキシャル成長炉内に導入することによりエピタキシャル成長層を形成する工程であることを特徴とする。
【００２０】
かかる構成によれば、高温工程を最小限に抑えることができ、また、ガスの切り替えのみで、アニール、成長が連続的に実行可能であり、制御性よく、膜厚の制御も極めて容易であり、信頼性の高いエピタキシャル成長層を形成することが可能となる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる実施形態を、詳細に説明する。
【００３０】
図1は、本発明に係わるエピタキシャルウェハの基本的な製造方法を示す説明図であり、縦軸に反応室内の温度、横軸に時間の経過を示している。なお、ここでは各ステップ番号にSを付して表す。まず、S１で、表面を鏡面研磨したシリコンウェハを、反応室の内部に搬入する。このとき反応室の内部は、大気圧の水素ガス (アニールガス)で満たされ、800 ℃程度に保たれている。この搬入の際に、反応室に前室の充填ガスである窒素(N2)ガスが混入するため、反応室に水素ガスを所定時間だけ注入し、窒素ガスを追い出して反応室内の水素ガスの純度を上げる。
【００３１】
次にS2で、反応室を所定のアニール温度に一定時間保持し、アニールを行なう。このときのアニール温度は、950℃以上シリコンの融点未満とする。同図において、アニール温度の範囲を斜線で表し、一例としてアニール温度を1200℃としてこれを実線で表す。
【００３２】
そしてS3で、この反応室に、例えばトリクロロシラン(SiHC13)やジクロロシラン(SiH2Cl2)、或いは四塩化シラン(SiCl4)等のシラン系のガスを注入し、水素ガスとシラン系のガスとが所定の分圧になるようにする。このとき、反応室からはシラン系のガスと同じ体積の水素ガスが排出され、反応室内の圧力は大気圧に保たれている。そして、この反応室を所定の成長温度Tに一定時間保持して、エピタキシャル成長を行なわせる。このときの成長温度Tは、950℃以上1050℃以下の一定温度を保つようにする。同図において、成長温度Tの範囲を斜線で示し、一例として成長温度Tを1000℃としてこれを実線で表す。
【００３３】
最後にS4で、エピタキシャル成長が終了すると、反応室の温度を下げ、エピタキシャル成長を終えたエピタキシャルウェハを搬出する。このように、実施形態では、エピタキシャルウェハの成長温度Tを950℃以上1050℃以下としている。これにより、後述するように、大気圧でのエピタキシャルウェハ表面のへイズレベルが極小の範囲になるので、表面が平坦な品質の良いエピタキシャルウェハを得ることが可能である。
【００３４】
次に、本発明によるエピタキシャルウェハの製造方法に基づいて、本願出願人がエピタキシャルウェハを製造し、そのヘイズレベルを計測した際の具体的な実施例について説明する。
【００３５】
実施例として、エピタキシャルウェハを製造した際のテスト条件は、以下の通りである。
・炉内圧力:大気圧
・アニール温度:1200℃
・反応ガス:水素ガス+トリクロロシラン(SiHCl3)（分圧比 370:1）
・シリコンウェハ:結晶方位<100>、傾き角0°±1°
【００３６】
以上のテスト条件において、成長温度TをT1(=900℃)、T2(:950℃)、T3(=l000℃)、T4(=1050℃)、T5(=1100℃)、T6(=1130℃)と6通りに変化させた。このとき、成長温度T1(=900℃)で成長させたエピタキシャルウェハは、エピタキシャル膜のー部が多結晶化し、完全な単結晶のエピタキシャル膜を成長させることができなかった。そこで、成長温度T1(=900℃)を除く各々の成長温度T2 -T6に対して、エピタキシャル膜の厚さtをt1(=1ミクロン)、t2(=2ミクロン)、t3(=4ミクロン)とした15種類のエピタキシャルウェハを製造した。
【００３７】
図2に、各厚さtのエピタキシャルウェハにおける、成長温度Tとへイズレベルとの関係のグラフを示す。グラフは、横軸が成長温度Tであり、縦軸は、ヘイズレベルを示す。このヘイズレベルは、パーティクルカウンタからエピタキシャルウェハに照射したレーザ光のうち、ヘイズによって乱反射して所定のセンサに入った光の強度の割合によって評価されている。尚、計測には、KLA Tencor社製のパーティクルカウンタ、SFS(サーフスキャン)を使用した。同図に示すように、厚さtを変えても、前記成長温度Tが950℃以上1050℃以下において、ヘイズレベルがほぼ極小値を示した。即ち、大気圧エピタキシャルにおけるエピタキシャル成長時の成長温度Tを950℃以上1050℃以下にすることにより、エピタキシャルウェハのへイズは低減される。また、同図から、厚さtが厚くなるほどへイズレベルは下がっていることがわかる。
【００３８】
また、図3に、厚さt3(=4μm)のエピタキシャルウェハに対して、その表面に粒径8 7 nmのパーティクルを塗布し、表面をパーティクルカウンタで測定した測定結果を、各成長温度Tごとに示す。横軸は、パーティクルの粒径であり、縦軸は、パーティクルカウンクでカウントされたパーティクルの数である。尚、測定に使用したパーティクルカウンタは、KLA Tencor社製のパーティクルカウンタ、SP１である。同図に示すように、成長温度T3 -T6のエピタキシャルウェハにおけるパーティクルカウンタの出力には、2箇所のピークP1及びP2が現れている。エピタキシャルウェハの表面には粒径8 7 nmのパーティクル（標準サイズ粒子、材質：PSL=Poly Styrene Latex）が塗布されているので、粒径8 7 nmにおけるピークP1はパーティクルによるものであり、他の粒径におけるピークP2はヘイズと考えられる。このように、パーティクルカウンタは、ヘイズをある仮想的な粒径(以下、換算粒径Dと言う)のパーティクルであるとみなして、そのレベルをカウントしている。
【００３９】
ところで、前述したように、エピタキシャルウェハの品質保証要求項目として、粒径100 nm以下のパーティクルの数を、所定の値以下にしたいという要求がある。現在のパーティクルカウンタは、粒径8 0nm程度までのパーティクルしか測定できないため、粒径8 0nm以上100 nm以下のパーティクルの数をカウントして、その数を保証している。ところが、換算粒径Dが高いほど、真のパーティクルによるピークP１と、ヘイズによるピークP2とを判別することが困難となり、粒径の小さなパーティクルの数を測定することができなくなる。
【００４０】
一例として、同図における成長温度T5(=1100℃)における測定結果と成長温度T2(:950℃)における測定結果とを比較する。例えば、成長温度T5(;1100℃)のときは、グラフに示すように換算粒径Dが8 3 nm程度となり、塗布した粒径8 7nmのパーティクルによるピークP１と、ヘイズによるピークP2とを判別することができなくなっている。そのため、粒径8 7nm未満の真のパーティクルの数をカウントすることが難しくなり、数を保証できるパーティクルの粒径は8 7 nm以上100nm以下となる。逆に、成長温度Tが成長温度T2(=950℃)のように低くなると、換算粒径Dが80 nm以下と小さくなるので、粒径8 0nm以上100 nm以下の真のパーティクルの数をカウントして、同じエピタキシャル成長炉で製造したエピタキシャルウェハのパーティクル数を保証することが可能となる。このように、成長温度Tを下げるほど小さな粒径のパーティクルを計測できるので、パーティクルの数の計測精度を上げて、エピタキシャルウェハの品質の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
特に、図２からあきらかなように、結晶方位<100>、傾き角0°±1°のシリコンウェハでは、大気圧におけるエピタキシャル成長の際の成長温度を、950℃以上1050℃以下としたとき、ヘイズレベルが極小値をとることがわかる。これにより、ヘイズレベルを低くすることができるので、パーティクルカウンタの計測精度（S/N比）が向上し、製造したエピタキシャルウェハ上のパーティクル数を精度良く計測できるようになる。
【００４２】
従って、製品としてのエピタキシャルウェハの成長に使用するエピタキシャル成長炉を使用して、かかる条件で評価用のエピタキシャル成長層を形成し、ヘイズレベルを低減して、パーティクルカウンタによってパーティクルのみを精度よく測定することにより、エピタキシャル成長炉の汚染度を評価することができる。
【００４３】
従って、この評価用のエピタキシャル成長層によって計測したパーティクルがエピタキシャルプロセスの清浄度ひいてはこの炉を用いて製造したエピタキシャルウェハの評価につながるものとなる。その結果、当該エピタキシャル成長炉で形成するエピタキシャルウェハのパーティクル数を保証することが可能となり、製造したエピタキシャルウェハの品質の信頼性が向上し、品質の良いエピタキシャルウェハを得ることができる。
【００４４】
以上のように、大気圧エピタキシャルにおいて、ヘイズが少なく良好な品質の単結晶のエピタキシャル膜を成長させるためには、
1)エピタキシャル膜が多結晶化しない。
2)へイズレベルが小さい。
3)へイズの換算粒径Dが低い。
という条件を満たす必要がある。
【００４５】
そして、条件1)からは成長温度Tは950℃以上、2)からは成長温度Tは、950℃以上1050℃以下、3)からは成長温度Tは低いほどよいという結果が得られるので、成長温度Tを950℃以上1050℃以下にすることにより、ヘイズが少なく良好な品質のエピタキシャルウェハを製造することが可能となる。
【００４６】
このように、本実施例によれば、大気圧エピタキシャル成長法において成長温度Tを950℃以上1050℃以下にしてエピタキシャル成長を行なうことにより、ヘイズレベルが低く品質の良いウェハを得ることができる。さらに、これによってヘイズの前記換算粒径Dが小さくなるので、より粒径が小さいパーティクルまで、その数を測定することができる。さらに、エピタキシャルウェハ上のパーティクル数を、より精度良く計測できるので、製造したエピタキシャルウェハの品質を精度良く保証することが可能となり、エピタキシャルウェハの信頼性が向上する。
【００４７】
次に、アニール温度を変化させたときのエピタキシャル膜の成長について説明する。実施例として、アニール温度を900℃、950℃、1200℃でアニールを行なった。そして、それぞれのウェハに対して、成長温度Tを900℃及び950℃としてエピタキシャル成長を行なった。この結果を次の表2に示す。
【００４８】
【表２】
0004726272.tif 000003
【００４９】
同表に示すように、アニール温度が950℃及び1200℃の場合は、エピタキシャル温度950℃で、単結晶のエピタキシャル膜を成長させることができた。しかしながら、アニール温度が900℃で成長温度Tが900℃及び950℃の場合、及びアニール温度が950℃,1200℃で成長温度Tが900℃の場合は、エピタキシャル成長が阻害されてエピタキシャル膜のー部が多結晶化し、単結晶のエピタキシャル層を生成させることができなかった。この結果から、大気圧エピタキシャル成長におけるアニール時のアニール温度は、950℃以上シリコンの融点未満が望ましい。
【００５０】
尚、上記の実施例においては、アニールガスを水素ガス、エピタキシャル成長時の反応ガスをトリクロロシランとしたが、本発明はこれらのガスの種類に拘束されるものではなく、大気圧エピタキシャル成長全般に関して適用可能である。
【００５１】
また、使用した結晶方位<100>、傾き角0°±1°のタイプのシリコンウェハは、ヘイズが出にくいという特性がある。本発明によれば、このようなシリコンウェハにおいてはある温度範囲での成長条件をとったときヘイズレベルが極小値を取ることを発見し、これに着目し温度範囲を決定しており、本発明の方法によればヘイズレベルを減らすことができるので、このタイプのウェハに特に有効である。
【００５２】
次に、本発明の第2の実施例について説明する。図４は、本発明の第2の実施例のエピタキシャルウェハの製造工程を示すフロー図であり、縦軸に反応室内の温度、横軸に時間の経過を示している。なお、ここでは各ステップ番号にSを付して表す。まず、S１で、表面を鏡面研磨したシリコンウェハを、反応室の内部に搬入する。このとき反応室の内部は、大気圧の水素ガス (アニールガス)で満たされ、800℃程度に保たれている。この搬入の際に、反応室に前室の充填ガスである窒素(N2 )ガスが混入するため、ここでも反応室に水素ガスを所定時間だけ注入（パージ）し、窒素ガスを追い出して反応室内の水素ガスの純度を上げる。
【００５３】
次にエピタキシャル成長温度Tまで炉内温度を1000℃まで上昇させる昇温ステップSｉを経て、ステップＳ２で反応室をこの温度（アニール温度）にー定時間保持し、アニールを行なう。時間は45−220秒とする。そしてS３で、この反応室に、トリクロロシラン(SiHC13)を注入し、トリクロロシランの分圧が384Pa（=2.89Torr）となるように水素ガスとトリクロロシランとの混合ガス雰囲気を形成する。このとき、反応室からはトリクロロシランと同じ体積の水素ガスが排出され、反応室内の圧力は大気圧に保たれている。このようにして、この反応室をこのエピタキシャル成長温度Tに一定時間保持して、エピタキシャル成長を行なわせる。
【００５４】
最後に温度降下工程Ｓｄを経て、S4で、エピタキシャル成長が終了すると、反応室の温度を下げ、エピタキシャル成長を終えたエピタキシャルウェハを搬出する。このようにして形成されたエピタキシャルウェハは、ガスの切り替えのみで極めて容易にアニール及びエピタキシャル成長を行うことが可能となる。
【００５５】
また、エピタキシャル成長工程は、アニール工程終了と同時に、原料ガスを前記エピタキシャル成長炉内に流入することによりエピタキシャル成長層を形成するため、待ち時間がなく高温工程を最小限に抑えたことで、生産性も向上する。また、プロセスはガスの切り替えのみで、アニール、成長が連続的に実行可能であり、制御性よく、膜厚の制御も極めて容易であり、熱ストレスが少なく、信頼性の高いエピタキシャル成長層を形成することが可能となる。
【００５６】
さらにまたウェハはアニール工程でもエピタキシャル成長工程でも同一温度に維持されているため、温度変化が極めて少なく、熱ストレスの低減を図ることが可能となり、膜質が良好でかつ信頼性の高いエピタキシャルウェハを得ることが可能となる。
【００５７】
また上記温度では、アニールおよびエピタキシャル成長を行うようにしているため、ヘイズレベルの低減を図ることが可能となり、また膜質の良好なエピタキシャル成長層を得ることが可能となる。
【００５８】
尚、前記実施例では、アニールおよびエピタキシャル成長温度を1000℃としたが、950℃以上1050℃以下であれば、大気圧でのエピタキシャルウェハ表面のへイズレベルが極小の範囲になるので、表面が平坦な品質の良いエピタキシャルウェハを得ることが可能である。
【００５９】
また、ガス種を変化させることにより、最適温度も変化し、その条件は以上に示す範囲であることが確認されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のエピタキシャルウェハの製造方法を示す説明図。
【図2】成長温度とへイズレベルとの関係を示すグラフ。
【図3】各成長温度ごとの、粒径とカウント数との関係を示すグラフ。
【図４】本発明の第２の実施例のエピタキシャルウェハの製造方法を示す説明図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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