(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の基板にホールが加工された後に実行される露光方法であり、
露光によってマスク上のパターンを前記ホールの上層に転写し、配線溝を形成する露光工程を有し、
前記ホール直上の配線溝または前記ホール近傍の配線溝のレジストパターンを形成する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝のレジストパターンを形成する露光量よりも多い露光方法。
【請求項２】
請求項１において、前記露光工程では、前記配線溝を露光するパターンに露光量を調整する補助パターンが付加されたマスクが用いられる露光方法。
【請求項３】
請求項２において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口である露光方法。
【請求項４】
請求項２において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンからの突起である露光方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれかにおいて、前記ホールの密度が所定値より低い粗ホール領域で前記ホール直上の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口、または、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンからの突起である、露光方法。
【請求項６】
請求項２において、前記補助パターンは、前記配線溝を露光するパターン内部に設けられ、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の多角形である露光方法。
【請求項７】
請求項１において、前記露光工程では、前記ホール直上の配線溝またはその近傍の配線
溝を露光する被転写パターン部分の光透過率が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率よりも高い露光用マスクが用いられる露光方法。
【請求項８】
請求項１において、前記露光工程では、一の露光箇所を２度繰り返して露光する２重露光工程を含む露光方法。
【請求項９】
請求項１において、前記ホール直上の配線溝またはその近傍領域の露光量は、その配線溝または近傍領域下層のビアホールの密度に応じて設定され、前記密度が第１の密度より高い領域での露光量は、前記密度が前記第１の密度よりも低い領域での露光量よりも大きい露光方法。
【請求項１０】
半導体装置の基板にホールが加工された後に化学増幅型のレジストにレジストパターンを形成する露光量で配線溝のパターンを露光する工程と、
摂氏１００度から２００度の温度で前記基板を加熱する工程と、
前記ホールの直上で配線溝のレジストパターンを形成する露光量で露光されたレジスト部分をさらに加熱する工程を有するレジストパターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、特に、フォトリソグラフィ加工して製造される半導体装置、フォトリソグラフィ工程で用いられる露光用マスクおよびそのパターンの補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高速化，高密度化の要求に答えるため，半導体基板上に非常に小さいサイズのデバイスパターンの形成が必要とされている。
【０００３】
半導体デバイスの微細化は、光リソグラフィに用いられる露光装置の光源波長を短波長化することにより実現されている。現在では、半導体デバイスの設計ルールは１００ｎｍ以下レベルにまで達している。この値は、光リソグラフィの工程でのマスクパターン転写に必要な露光装置の光源波長よりも短い。例えば、光源として使用されるフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザの波長は１９３ｎｍである。
【０００４】
この場合には、光リソグラフィによりマスク上のパターンを基板上に転写する際に、転写されるパターン寸法が解像限界を超えている。このために回折等による光近接効果の影響が大きくなり、基板に形成されたパターンの形状が変化し、マスクパターンから転写されるべきパターンの寸法と基板上に実際に転写されたパターンの寸法とに差が生じていた。そこで、この差を補正する手段として、光近接効果の補正方法（ＯＰＣ  ＝  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）が提案されている。
【０００５】
ＯＰＣとは、マスクパターンを基板上に転写した際に生じるパターンの変形（パターンが細くまたは太くなる）とは逆に、予めマスクパターンを部分的に変更し（太く、または、細くしておく）、あるいはダミーパターンを配する等の方法により、基板上に転写したパターンの形状や寸法の変化を補正するパターン転写技術である。
【０００６】
図１Ａ、１Ｂ、２Ａ、および２Ｂにより、ＯＰＣの例を説明する。図１Ａ、２Ａは、それぞれレチクル（Ｒ１、Ｒ２）上のマスクパターンを示している。また、図１Ｂ、２Ｂは、それぞれレチクルＲ１、Ｒ２上のマスクパターンを半導体基板（Ｗ１、Ｗ２）に転写したパターンを示している。なお、半導体基板をウェーハともいう。
【０００７】
例えば、図１Ａには、配列したマスクパターン１が示され、図１Ｂには、マスクパターン１を用いて基板上に転写したパターン２が示されている。この例では、マスクパターン１は、多数の矩形の配列である。
【０００８】
図１Ａのマスクパターン１においては、斜線部分が遮光部、白抜きは透過部である。透過部を通過する光により基板上のレジストに転写パターン２が形成される。マスクパターン１を構成する矩形配列のうち、配列内部（配列外周部から中央方向に進入した位置）のパターン３と配列外周部のパターン４では光近接効果が異なるため、それぞれの転写パターン５、６の寸法が異なるという問題がある。この差を補正するために、ＯＰＣが適用される。
【０００９】
例えば、寸法差をなくすために、矩形配列の周辺部付近のパターンを図２Ａのパターン７に示すように、図１Ａのパターン４よりも大きくしていた。その結果、基板上に転写された転写パターンの寸法差をなくしていた（図２Ｂの８）。このように、ＯＰＣでは、マスクパターンサイズを変えることにより、透過部の光量を調節することで、基板上の転写パターンサイズを制御している。
【００１０】
一方、高密度化した半導体基板の高速化を図るために、配線の層間絶縁膜にいわゆるｌｏｗ−Ｋ膜を呼ばれる低誘電率材料が使用されている。その目的は、低誘電率材料を使用することで配線容量を低減し、結果として配線を高速化することである。
【００１１】
低誘電率材料としては、従来から、ＳｉＯＣ等が知られている。また、最近では、さらに誘電率を下げるために、ポーラスシリカ（多孔性のシリカ（珪素酸化物））と呼ばれる多孔質の絶縁膜が使用されている。このような絶縁膜は転写パターンの形成に用いられるレジストとのエッチング選択比が少ないため、シリコン窒化膜といった膜をエッチングマスクとして使用し、エッチングが行われる。
【００１２】
このような窒素含有絶縁膜は、レジスト除去工程（アッシング工程）でｌｏｗ−Ｋ膜がアッシングガスにさらされると誘電率が上昇するという問題を回避するために使用されることもある。その他にも、デュアルダマシン構造を形成するための中間エッチングストッパ層として、あるいは、ＣＭＰ（化学的機械的研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）工程でのキャップ層としても、窒素含有絶縁膜が使用される。なお、デュアルダマシン構造は、溝部およびホール双方を含むダマシン構造という意味である。また、ダマシン構造は、配線が溝に埋め込まれた構造をいう。
【００１３】
Ｃｕ等を配線材料として使用する際に、デュアルダマシン構造が使用されている。デュアルダマシン構造では、配線パターンとそれを上下で結ぶホールパターンとが同時に形成される。デュアルダマシン構造ではＣｕを埋め込むホールパターン層と配線パターン層を同時に形成した後に、さらにＣｕをメッキ法で埋め込んだ後、ＣＭＰ法により、Ｃｕを平坦化することを特徴としている。なお、以上の技術に関連して、以下の特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００５−６４２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
デュアルダマシン構造においては、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程でホール層を形成後に、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程でパターン配線層を形成する。そして、ホール層と配線層に、同時にＣｕ等を埋め込む。しかしながらその際に、ＯＰＣにより補正されたマスクを用いて、所望寸法のパターンを転写したとしても、密に配列したホールパターンの外周部に繋がる配線パターンや、孤立ホールに繋がる配線パターンでレジストの寸法変動、あるいは、溶解不良が発生するという問題がある。
【００１５】
本発明は、このような従来の問題点を解決するためになされた。すなわち、本発明の目的は、ホール層形成後のパターン形成において、パターン寸法の変動、およびレジストパターンの溶解不良を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。すなわち、本発明は、半導体装置の基板にホールが加工された後に実行される露光方法であり、露光によってマスク上のパターンを前記ホールの上層に転写し、配線溝を形成する露光工程を有し、前記ホール直上の配線溝または前記ホール近傍の配線溝を露光する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する露光量よりも多い露光方法である。
【００１７】
本発明によれば、下層にホールがある場合のパターン形成において、そのホール密度に応じて露光量を制御することによって、ホール密度に起因したパターンの変動およびレジ
ストパターンの溶解不良を抑制できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ホール層形成後のパターン形成において、パターン寸法の変動、およびレジストパターンの溶解不良を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）に係る露光用マスクおよびそのマスクを用いた半導体装置の製造方法について説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本発明は実施形態の構成に限定されない。
【００２０】
＜発明の骨子＞
従来方法でダマシン構造による配線構造を形成する一連のプロセスを図３Ａ−３Ｊを用いて以下に説明する。
（１）半導体基板１０１上にエッチングストッパ１２１を挟むようにポーラスシリカ膜でできた層間膜１０２を５００ｎｍ形成する。なお、層間膜１０２は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
【００２１】
次に、層間膜１０２の上にエッチング時にマスクとなる薄膜（一般的にハードマスクと称する。ここでは、マスク薄膜と呼ぶ。）１０３をシリコン窒化膜で１５０ｎｍ形成する（図３Ａ）。なお、ハードマスク層であるマスク薄膜１０３は、少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜で形成すればよい。
（２）ノボラック樹脂等からなる有機系の反射防止膜１０４を８０ｎｍと有機系のポジ型化学増幅型のレジスト１０５を２５０ｎｍ塗布する（図３Ｂ）。
（３）ホールパターンを露光・現像し、レジストパターン１０６が形成される（図３Ｃ）。図３Ｃは、図２Ｂのホールパターン８上を通る線分Ａ０−Ａ１を半導体基板に投影した位置において基板に垂直な方向に切断し、図２Ｂの矢印方向に対応する方向から見た断面を表している。
（４）レジストパターン１０６をマスクにして、フルオロカーボンのエッチングガス（図示せず）を用いて反射防止膜１０４をエッチングする（図３Ｄ）。
（５）さらに、フルオロカーボンに酸素を添加したエッチングガス（図示せず）を用いてマスク薄膜１０３をエッチングする（図３Ｅ）。
（６）窒素あるいはアルゴンを用いたアッシングによりレジスト１０５および反射防止膜１０４を除去する（図３Ｆ）。
（７）こうしてマスク薄膜１０３に形成されたパターンをマスクとして、フルオロカーボンに酸素、一酸化炭素を添加したエッチングガス（図示せず）を用いて層間膜１０２をエッチングする（図３Ｇ）。エッチングストッパ１２１までエッチングし、ホール層１０７が形成される。
（８）ノボラック樹脂等からなる有機系の反射防止膜１０４を８０ｎｍと有機系のポジ型化学増幅型のレジスト１０５を２５０ｎｍ塗布する（図３Ｈ）。
（９）配線パターン（図示せず）を露光・現像してレジストパターン１０９を形成する。しかし、その際に本来溶解すべきレジスト１０５のうち、レジストパターン１０９の部分が残存して、開口不良１１０が生じることがある（図３Ｉ参照）。この開口不良１１０はレジストポイゾニングと呼ばれ、これが発生するとエッチングで所望の配線パターンが形成できなくなる。レジストポイゾニングが生じると、半導体装置の歩留まり低下や信頼性低下を生じるという問題がある。
【００２２】
レジストポイゾニングを防ぐための手段として、反射防止膜（バークともいう）の下部に埋め込み層を塗布することが行われているが、この方法では工程数が増加するため、プロセスの複雑化やコスト増を生じるといった問題点がある。あるいは、半導体基板上の孤
立したパターン（ビア）近傍にダミーパターンを形成する方法が知られている。しかし、この方法では、個々の半導体基板上に実際にダミーパターンを生成する必要があり、かつ、密に配列したパターンで発生するレジストポゾニングを防ぐことができない。
【００２３】
上記問題点の解決に当たり、レジスポイゾニングの発生メカニズムを図３Ｊを参照して説明する。配線パターン（図示せず）を露光すると、レジスト１０５において光が当たった部分に潜像１１１ができる。レジスト１０５は化学増幅型であるため、潜像１１１のところに酸発生剤によりプロトン（Ｈ＋）（図示せず）が発生している。ついで該レジスト１０５を加熱すると、プロトン（Ｈ＋）がレジスト中に含まれる溶解抑止剤を分解する。これにより、レジスト１０５がアルカリ性の現像液に可溶となり、パターンが形成される。
【００２４】
ところが、層間絶縁膜１０２にポーラスシリカ等が使用されていると、そのポーラス部分のホール層（１０７）をエッチングした際のガスあるいは反応生成物が塩基性物質（図示せず。例えばアミン系の物質である）として取り込まれていることがある。その塩基性物質は滲出してプロトン（Ｈ＋）と反応して、プロトン（Ｈ＋）を消失させる。そのため、潜像１１１にあるプロトン（Ｈ＋）の存在量が減少し、レジストの溶解が不十分となる。その結果、図３Ｉに示した開口不良１１０が発生する。
【００２５】
また、エッチング用のマスク薄膜１０３として使用している窒化膜をエッチングした際は、窒化膜中のＮの存在により、塩基性の反応生成物が窒化膜中および窒化膜に近い層に多量に発生して残存する。このため、その塩基性の反応生成物がＨ＋と反応して、開口不良１１０を引き起こす。また、エッチングストッパ１２１にＮが含まれていた場合も、開口不良１１０を引き起こす。
【００２６】
密に配列したパターンの外周部や孤立パターンでは、塩基性物質が集まりやすいので、密に配列したパターンの外周部や孤立パターンで特に開口不良が発生しやすい。図３Ｈ−図３Ｉでは、レジスト１０５の下に反射防止膜１０４が形成されている。しかし、反射防止膜１０４もレジスト１０５同様に有機膜であるため、発生した塩基性物質を容易に通過させる。
【００２７】
本実施形態では、開口不良の発生しやすいパターン部でのプロトン（Ｈ＋）発生量を増加させ、塩基性物質が発生してもレジストポイゾニングを防ぎ、開口不良の発生を抑止する露光工程を説明する。
【００２８】
プロトン（Ｈ＋）の発生量は光量および露光後の過熱に依存する。そこで、開口不良の発生しやすいパターン部の光量を増やすためにフォトリソグラフィ工程で使用するマスクパターンに対し、ＯＰＣ以外の補正を加える。あるいは、露光後に局所的に加熱してもよい。なお、露光後に特定部分を局所的に加熱すると、プロトン（Ｈ＋）の発生について実効的には、その部分の露光量を多くしたのと同様の効果がある。
【００２９】
＜ホールが密に配列した場合の実施例＞
本発明にしたがい、デュアルダマシン構造を作製する工程を以下に示す。
露光装置として開口率；０．８０のレンズを有したＡｒＦエキシマレーザ（波長；１９３ｎｍ）を光源とする、縮小率１／４倍（マスクパターン寸法：転写した結像面上パターン寸法＝４：１）の縮小投影系を使用した。ここでは、１００ｎｍサイズのパターン形成結果を例示する。本実施形態で提示する寸法は結像面上パターン寸法である。また、波長は、１９３ｎｍに限定されるものではない。例えば、波長が２５０ｎｍよりも短い紫外線による露光において、本実施形態の工程を適用できる。
【００３０】
図４に、ホールマスク９の構成を示す。図５に配線マスク１０の構成を示す。図６に、デュアルダマシン構造の例を示す。ここでは、図４のホールマスク９および図５の配線マスク１０を用いて図６のデュアルダマシン構造を作製する実施例を示す。
【００３１】
なお、図４、図５では、理解の容易のため、前述したＯＰＣによるマスクパターンサイズの変更分は、省略して表示されている。図６は図４の線分Ｂ０−Ｂ１および図５の線分Ｃ０−Ｃ１が半導体基板に投影された位置で、基板に垂直な方向に切断し、矢印方向に対応する方向から見た断面図である。線分Ｂ０−Ｂ１と線分Ｃ０−Ｃ１は重なり合う関係にある。
【００３２】
図６において、１１２は半導体基板、１１３は層間膜、１１４はホールマスク９を用いて転写・エッチングして形成されたホール層、１１５は反射防止膜、１１６はレジスト、１１７は該配線マスク１０を転写して形成された配線パターン、１１８はレジストポイゾニングで発生した開口不良を示す。なお、エッチングマスクおよびエッチングストッパの図示は、省略されている。
【００３３】
すでに、従来例で示したように、従来のホールマスク９、従来の配線マスク１０を使用してデュアルダマシン構造を形成すると、図６の配線パターン１１７部分のうち、ホール層１１４が下部に存在する領域に開口不良１１８が発生している。そこで、図５に示された配線マスク１０に対し、本発明にしたがい配線マスクとして以下のように改良したマスクを使用し、開口不良１１８の発生を防ぐ。
【００３４】
図７は、本実施例で使用する改良マスクの例である。図７の改良マスクでは、ホールが存在する部分の配線パターンサイズを大きくして、露光量が補正されている（符号１１の配線パターン参照）。なお、ホールが存在しない部分の配線パターンは、符号１１Ａで示されている。このように、図７のマスクでは、ホール直上の配線パターン１１または前記ホール近傍の配線パターンを露光する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線パターン１１Ａを露光する露光量よりも多い。
【００３５】
このような補正は、ＯＰＣによって寸法を変更する前のパターンに適用してもよい。また、図７の補正は、ＯＰＣによって寸法を変更した後のパターンに適用してもよい。サイズの変更量は所望の転写パターン寸法の１〜３０％が望ましい。
【００３６】
図８に示すように、ホールが密に配列している場合は、ホール配列の外側部分に位置する配線パターンのサイズのみ変更（露光量を増加）してもよい（符号１２の配線パターン参照）。なお、ホールが存在しない部分の配線パターンは、符号１２Ａで示されている。また、ホール配列の内側部分に位置する配線パターンは、符号１２Ｂで示されている。このように、ホール配列の外側部分の配線パターン１２は、配線パターン１２Ａおよび１２Ｂよりも太く形成されている。
【００３７】
図９に示すように、配線の片側下層のみにホールがある場合は、サイズの変更箇所を限定してもよい（符号１３の配線パターン参照）。すなわち、配線パターン１３のうち、ホールが存在する部分（配線１３の左側部分）が太く形成され、ホールが存在しない部分（配線１３の右側部分）が細く形成されている。
【００３８】
図１０では、ホールが存在する部分の配線の近傍、離間した位置にレジストが解像しない程度の補助パターン１４（開口）が形成されている。また、補助パターンの形状は、多角形、例えば、矩形でよい。図１０の例では、補助パターンは、配線パターンに略平行する配線パターンよりも幅の狭い細線である。該補助パターンサイズ（線幅）はウェー上で７０ｎｍ以下が望ましい。図１０のマスクでは、このような補助パターン１４によって、
ホールが存在する部分近傍を露光する際の露光量を増加させている。
【００３９】
図１１では、ホールが存在しない部分の配線の内部にレジストが解像しない程度の寸法の補助パターン１５が形成されている。補助パターンサイズは半導体基板上で７０ｎｍ以下が望ましい。また、補助パターンの形状は、多角形、例えば、矩形でよい。このような補助パターン１５によって、ホールが存在しない部分近傍を露光する際の露光量を減少させている。
【００４０】
図１２では、ホールが存在しない部分の配線パターン近傍の遮光部１６の透過率Ｔ１６とホールが存在する部分の配線パターン近傍の遮光部１７の透過率Ｔ１７を変えている。したがって、図１２のマスクは、配線パターンである透過部と、２種類の透過率の遮光部とを含み、トリトーンマスクを形成している。
【００４１】
透過率Ｔ１６は４〜１０％が望ましく、透過率Ｔ１７は６〜１２％が望ましい。透過率Ｔ１６は０％とし、透過率Ｔ１７は４〜１２％としてももちろん構わない。
【００４２】
図１５では、ホール直上部２０１の紫外線透過率Ｔ２０１が他の箇所の紫外線透過率Ｔ２００よりも高く設定されている。例えば、ホール直上部２０１の紫外線透過率Ｔ２０１は、１００％、一方、他の箇所の紫外線透過率Ｔ２００は、９０−９９％が望ましい。したがって、図１５のマスクは、２種類の透過率の配線パターン（透過部）と、遮光部とを含み、トリトーンマスクを形成している。
【００４３】
図１６は、ホール直上部の露光量を増やすためのパターン２０２を有するマスクを用いて、２重露光する際のマスクを示している。２重露光工程では、配線パターンを露光する被転写パターンを有する第１のマスクと、少なくともホール直上部分の配線溝を露光するパターン近傍に、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の開口を有する第２のマスクを使用する。図１６は、その第２のマスクの例である。パターン２０２の寸法は、所望のホールの寸法の５０％以下が望ましい。パターン２０２の形状は、矩形等の多角形である。
【００４４】
なお、第１マスク、あるいは、第２のマスクとして、１００％遮光するパターン（例えば、クロム層）と、透過部とを有するマスクに代えて、１００パーセント未満の遮光特性を有するハーフトーンマスクを使用してもよい。
【００４５】
図７−図１２に示された配線マスクを使用することで、図１３に示すように、開口不良のない、配線パターン１１９を転写・形成することができた。図１３は図７−図１２の線分Ｄ０−Ｄ１が投影される位置で半導体基板を表面方向から下層方向に切断し、矢印に対応する方向から見た断面図である。図１３では、半導体基板１１２上に、エッチングストッパ１２１と、エッチングストッパ１２１に至るまでホールが貫通された低誘電率の層間膜１１３（例えば、ポーラスシリカ）と、ホールを形成するためのハードマスク層であるマスク薄膜１０３と、反射防止膜１１５上に形成されたレジストの配線パターン１１９が示されている。
【００４６】
ついで、エッチングを行い、Ｃｕ等の金属（ハッチング部分１２０）を埋め込んで、デュアルダマシン構造を形成することができた（図１４）。図１４の構造では、デュアルダマシン構造１２０中のホールは、図３Ｇ−３Ｊと同様、ポーラスシリカ等の低誘電率膜である層間膜と、少なくとも、ハードマスク、エッチングストッパ層を貫通する。
【００４７】
以上のような本実施形態のハードマスク層（マスク薄膜１０３）は、少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜で形成すればよい。また、層間膜１１３
は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
【００４８】
もちろん上記方法を２つ以上組み合わせて使用しても構わない。すなわち、
（１）図７に示したホールが存在する部分の配線パターンサイズを大きくしたマスクパターン、
（２）図８に示したホール配列の外側部分に位置する配線パターンのサイズのみ変更したマスクパターン、
（３）図９に示したようなサイズの変更箇所を配線の片側（ホール存在箇所）に限定したマスクパターン、
（４）図１０に示したような解像しない程度の補助パターン１４が形成されているマスクパターン、
（５）図１１に示したようなホールが存在しない配線の内部にレジストが解像しない程度の補助パターン１５が形成されたマスクパターン、
（６）図１２に示したようなホールが存在しない部分の配線パターン近傍の遮光部１６の透過率Ｔ１６とホールが存在する部分の配線パターン近傍の遮光部１７の透過率Ｔ１７を変えたマスクパターン、
（７）図１６に示すような２重露光用のマスクパターン、のうち２以上のパターンの組合せ、あるいは、２重露光を適用してパターンを形成すればよい。このようにして、ホールから離間した位置での配線パターンの露光量に比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンの露光量を相対的に増加させることができる。したがって、ホールの形成時に下地に取り込まれた塩基性物質によって化学増幅型レジスト中のプロトン（Ｈ＋）が消失される現象を抑制でき、パターンサイズの変動、あるいは、パターンの開口不良を低減できる。
【００４９】
以上の工程において、マスクとして、１００％遮光するパターン（例えば、クロム層）と、透過部とを有するマスクに代えて、１００パーセント未満の遮光特性を有するハーフトーンマスクを使用してもよい。
【００５０】
＜孤立ホールの場合の実施例＞
図１７−２７に孤立ホールが存在する場合に、本発明を適用した実施例を示す。図１７は、ホール層を露光するマスク９を示している。マスク９は、ホールパターンの箇所以外は、遮光層（ハッチング箇所、例えば、クロムである）で被覆されている。図１８は、図１７のマスク９によって形成されるホール層の上層に形成されるべき配線層を露光するマスク１０を示している。マスク１０は、配線パターンの箇所以外は、遮光層（ハッチング箇所、例えば、クロムである）で被覆されている。
【００５１】
図１９は、孤立パターンの場合のレジストポイゾニングの例を示している。図１９は、マスク９およびマスク１０によってパターン形成した半導体基板の断面図である。この断面図は、図１７の線分Ｅ０−Ｅ１および図１８の線分Ｆ０−Ｆ１が半導体基板に投影された位置で切った断面である。図４、５の場合と同様、線分Ｅ０−Ｅ１と線分Ｆ０−Ｆ１は重なり合う関係にある。
【００５２】
図１９では、マスク９で露光、現像およびエッチングによって、層間膜１１４にホール１１４Ａを形成した後、反射防止膜１１５およびポジ型化学増幅型のレジスト１１６を塗付し、マスク１０による露光、および現像した状態を示している。図１７に示したようなマスクによって、孤立のホールパターンが半導体基板上に形成されている場合、その上層のポジ型化学増幅型のレジスト１１６を現像すると、ホール１１４Ａの直上で本来溶解すべきレジストのうちレジスト１１６の部分１１８が残存する場合がある。
【００５３】
図２０は、本実施例で使用する改良マスクの例である。図２０の改良マスクでは、孤立
ホールが存在する部分（ホール直上付近）の配線パターンサイズを大きくして、露光量が補正されている（符号３１の配線箇パターン参照）。すなわち、図２０の改良マスクでは、孤立ホール直上を露光する部分に、配線パターンよりも線幅の大きい矩形パターンが付加され、突起形状が付加されている。これにより、孤立ホール直上の配線パターン露光時の露光量が増加する。
【００５４】
このような補正は、ＯＰＣによって寸法を変更する前のパターンに適用してもよい。また、図２０の補正は、ＯＰＣによって寸法を変更した後のパターンに適用してもよい。
【００５５】
図２１では、孤立ホールが存在する部分の配線の近傍にレジストが解像しない程度の補助パターン３４が形成され、露光量が補正されている。
【００５６】
図２２では、孤立ホールが存在しない部分（孤立ホール直上以外の部分）の配線の内部にレジストが解像しない程度の補助パターン３５が形成され、露光量が低減されている。一方、孤立ホールが存在する部分の配線内部には、補助パターン３５が形成されていない。このような構成によって、配線パターンのうち、ホールが存在しない部分の露光量よりも、ホールが存在する部分の露光量を相対的に増加させ、露光量が調整されている。
【００５７】
図２３では、孤立ホールが存在しない部分の配線パターン近傍の遮光部３６の透過率Ｔ３６と孤立ホールが存在する部分の配線パターン近傍の遮光部３７の透過率Ｔ３７を変えている。孤立ホールが存在しない部分の透過率Ｔ３６よりも、孤立ホールが存在する部分の透過率Ｔ３７を高くすることで、露光量が調整される。したがって、図２３のマスクは、配線パターンである透過部と、２種類の透過率の遮光部とを含み、トリトーンマスクを形成している。
【００５８】
図２４では、孤立ホール直上部２３１の紫外線透過率Ｔ２３１が他の箇所の紫外線透過率Ｔ２００よりも高く設定されている。したがって、図２４のマスクは、２種類の透過率の配線パターン（透過部）と、遮光部とを含み、トリトーンマスクを形成している。
【００５９】
図２５は、孤立ホール直上部の露光量を増やすためのパターン２０２を有するマスクを用いて、２重露光する際のマスクを示している。パターン２０２の形状は、矩形等の多角形である。
【００６０】
なお、本実施例において、エッチングマスクやエッチングストッパは必ずしも必要ではなく、プロセス条件の最適化により、それらを省いたデュアルダマシン構造に適用しても構わない。
【００６１】
図２６に、図２０から図２５のマスクによって得られるポジ型化学増幅型のレジスト１１６のパターン形状を示す。図２０−図２５に示された配線マスクを使用することで、図２６に示すように、開口不良のない、配線パターンを転写することができた。図２６は、図２０−図２５の線分Ｄ０−Ｄ１が投影される位置で半導体基板を表面方向から下層方向に切断し、図２０−図２５の矢印に対応する方向から見た断面図である。
【００６２】
ついで、エッチングを行い、Ｃｕ等の金属（ハッチング部分１２０）を埋め込んで、デュアルダマシン構造を形成することができた（図２７）。本実施形態のデュアルダマシン構造１２０中のホールは、図１３と同様、ポーラスシリカ等の低誘電率膜である層間膜と、少なくとも、ハードマスク層、エッチングストッパとを貫通する（図２７では、ハードマスク層およびエッチングストッパは省略されている）。
【００６３】
なお、図１３、１４の場合と同様、ハードマスク層は、少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、Ｓ
ｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜で形成すればよい。また、層間膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
【００６４】
もちろん上記方法を２つ以上組み合わせて使用しても構わない。
【００６５】
＜加熱によるプロトン発生量の制御＞
上記手順では、ホール直上またはその近傍の配線部分の露光量が大きくなるように、マスク上の配線のパターンサイズ（線幅）を変更した。また、ホール配列の外側部分上層の配線部分の露光量が大きくなるように、マスク上の配線のパターンサイズ（線幅）を変更した。また、配線パターンの近傍に補助パターンを設けて露光量を制御した。あるいは、マスクの配線部分、あるいはマスクの遮光部分の光の透過量を変更した。
【００６６】
このような手順に代えて、あるいは、このような露光量の制御とともに、配線マスク１０による露光後に、例えば、レーザー等を用いて、ホール層１１４の存在する領域（図５の１８の点線で囲まれた領域）のみを加熱してもよい。化学増幅型のレジストでは、加熱することによって、露光量を増加した場合と同様の効果があるからである。
【００６７】
図２８に、加熱によってプロトンの発生を制御する半導体装置製造プロセスを示す。このプロセスでは、ホール層の上層に配線パターンを形成する際のプロトン（Ｈ＋）の生成量を制御する。したがって、この工程では、まず、半導体基板上にホールパターンが形成されることを前提とする（Ｓ１）。
【００６８】
次に、半導体基板上に、化学増幅型のレジストを塗付し、マスク１０（図５参照）によって配線層を露光する（Ｓ２）。
【００６９】
次に、半導体基板を加熱する（Ｓ３）。半導体基板の加熱は、化学増幅型のレジストにおける露光量の不足を補うためである。この加熱は、例えば、半導体基板をホットプレート上に搭載して加熱することによる。加熱は、例えば摂氏１００度から２００度の範囲で、半導体基板全体を加熱する。
【００７０】
次に、ホール直上部分およびその近傍を放射線によって加熱する。加熱は、波長が例えば２５０ｎｍより長い光による。このような加熱では、ホール直上部分およびその近傍にだけ放射線を投影するマスクを使用すればよい。
【００７１】
次に、レジストを現像する（Ｓ５）。そして、レジストをマスクとしてエッチングし半導体基板上の配線層パターンを形成する（Ｓ６）。さらに、レジストを除去する（Ｓ７）。さらに、ホールおよび配線層に金属（Ｃｕ等）を埋め込むことによってデュアルダマシン構造が形成される。この場合に、デュアルダマシン構造中のホールは、図１３と同様、ポーラスシリカ等の低誘電率膜である層間膜と、少なくとも、ハードマスク層、エッチングストッパとを貫通する。
【００７２】
また、図１３、図１４の場合と同様、ハードマスク層は、少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜で形成すればよい。また、層間膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
【００７３】
なお、以上の工程を図７−２７に示した工程と組み合わせてもよい。
【００７４】
＜放射線による溶解抑止剤の分解＞
図２８の半導体装置製造プロセスでは、露光後に、例えば、レーザー等を用いて、ホール層１１４の存在する領域（図５の１８）のみを加熱した。このような手順に代えて、あ
るいは、上記局所的な加熱とともに、ホールパターン形成後に、化学増幅型レジスト中のプロトン（Ｈ＋）の発生を抑止する物質（以下、溶解阻止物質（例えば、アミン等の塩基性物質）を放射線照射により分解してもよい。すなわち、レジスト塗付前に、事前に化学増幅型レジストの溶解抑止物質を除去しておけばよい。
【００７５】
図２９に、放射線による溶解抑止物質の分解工程を含む半導体装置の製造プロセスを示す。この製造プロセスでは、半導体基板上にホールパターンの形成後（Ｓ１）、基板に放射線を照射する（Ｓ１Ａ）。放射線は、波長が２５０ｎｍより短い紫外線であることが望ましい。アミン系の塩基性物質を分解するためである。このような紫外線は、例えば、水素を含むプラズマから放出させることができる。
【００７６】
その後の工程は、通常の半導体プロセスと同様である。すなわち、化学増幅型レジストの塗付・露光（Ｓ２）、基板全体の加熱（Ｓ３）、レジストの現像（Ｓ５）、エッチング（Ｓ６）、およびレジストの除去（Ｓ７）が実施される。さらに、ホールおよび配線層に金属（Ｃｕ等）を埋め込むことによってデュアルダマシン構造が形成される。この場合に、デュアルダマシン構造中のホールは、図１３、あるいは、図２８で示した工程と同様、ポーラスシリカ等の低誘電率膜である層間膜と、少なくとも、ハードマスク層、エッチングストッパとを貫通する。
【００７７】
また、図１３、図１４の場合と同様、ハードマスク層は、少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜で形成すればよい。また、層間膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンであってもよい。
【００７８】
また、このような工程と上記図７−２８のような露光量制御あるいは加熱制御とを組み合わせて実施してもよい。
【００７９】
＜実施形態の効果＞
以上の通り、本発明に係る実施形態による工程では、ホールから離間した位置での配線パターンの露光量に比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンの露光量を相対的に増加させることができる。また、ホールから離間した位置での配線パターンに比べて、ホール直上またはその近傍の配線パターンを加熱させることができる。また、ホールの形成時に下地に取り込まれた塩基性物質を分解できる。その結果、本工程では、レジストポゾニングを防ぎ、開口不良のないデュアルダマシン構造を精度よく形成できる。
【００８０】
孤立ホールのみならず、密ホール配列の周辺部分で、レジストポイゾニング対策がされる。本実施形態の手順では、解像限界以下の補助パターンを利用するため、実際には、ダミーホールが形成されない。
【００８１】
また、本実施形態の工程およびその工程で使用するマスクは、従来のＯＰＣの設計手法を適用し、その後、ポゾニング対策の補正パターンのみを加えればよいため、新たな設計の負担は小さい。２重露光を適用する場合には、マスクを１枚余分に準備する必要があるが、単純なパターンで対応することができる。
【００８２】
＜その他＞
本実施形態は、以下の態様（付記と呼ぶ）を開示する。これらの態様の２以上を組み合わせて構成してもよい。
（付記１）
半導体装置の基板にホールが加工された後に実行される露光方法であり、
露光によってマスク上のパターンを前記ホールの上層に転写し、配線溝を形成する露光工程を有し、
前記ホール直上の配線溝または前記ホール近傍の配線溝を露光する露光量が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する露光量よりも多い露光方法。（１）
（付記２）
付記１において、前記露光工程では、前記配線溝を露光するパターンに露光量を調整する補助パターンが付加されたマスクが用いられる露光方法。（２）
（付記３）
付記２において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口である露光方法。（３）
（付記４）
付記２において、前記ホールの密度が所定値より高い密ホール領域上層の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の、前記配線溝を露光するパターンからの突起である露光方法。（４）
（付記５）
付記２から４のいずれかにおいて、前記ホールの密度が所定値より低い粗ホール領域で前記ホール直上の配線溝に付加される補助パターンは、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンと分離された開口、または、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法で、かつ、前記配線溝を露光するパターンからの突起である、露光方法。（５）
（付記６）
付記２において、前記補助パターンは、前記配線溝を露光するパターン内部に設けられ、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の多角形である露光方法。（６）
（付記７）
付記１から６のいずれかにおいて、前記露光工程で用いられるマスクはハーフトーンマスクである露光方法。
（付記８）
付記１において、前記露光工程では、前記ホール直上の配線溝またはその近傍の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率が、前記ホール直上から離間した位置の配線溝を露光する被転写パターン部分の光透過率よりも高い露光用マスクが用いられる露光方法。（７）
（付記９）
付記８において、前記露光工程で用いられるマスクはトリトーンマスクである露光方法。
（付記１０）
付記１において、前記露光工程では、一の露光箇所を２度繰り返して露光する２重露光工程を含む露光方法。（８）
（付記１１）
付記１０において、前記２重露光工程は、前記配線溝を露光する被転写パターンを有する第１のマスクと、少なくともホール直上部分の配線溝を露光するパターン近傍に、露光した際に前記基板上に転写パターンが形成されない寸法の開口を有する第２のマスクを用いる露光方法。
（付記１２）
付記１１において、露光マスクはハーフトーンマスクである露光方法。
（付記１３）
付記１において、前記ホール直上の配線溝またはその近傍領域の露光量は、その配線溝または近傍領域下層のビアホールの密度に応じて設定され、前記密度が第１の密度より高い領域での露光量は、前記密度が前記第１の密度よりも低い領域での露光量よりも大きい露光方法。（９）
（付記１４）
付記１において、露光用光源波長は約２５０ｎｍよりも短い露光方法。
（付記１５）
付記１において、前記ホールは、空孔の存在によって誘電率が低下した絶縁膜と、少なくともハードマスク層、エッチングストッパ層とを貫通する露光方法。
（付記１６）
付記１５において、絶縁膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンである露光方法。（付記１７）
付記１５において、ハードマスク層は少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜からなる露光方法。
（付記１８）
半導体装置の基板にホールが加工された後に化学増幅型のレジストに配線溝のパターンを露光する工程と、
摂氏１００度から２００度の温度で前記基板を加熱する工程と、
前記ホールの直上で配線溝のパターンが露光されたレジスト部分をさらに加熱する工程を有するレジストパターンの形成方法。（１０）
（付記１９）
付記１８において、少なくともホール直上部分の加熱は、波長が約２５０ｎｍよりも長い光によるレジストパターンの形成方法。
（付記２０）
ホールを含む半導体装置の製造方法であり、
半導体装置の基板にホールが加工された後に放射線を照射する工程と、
放射線の照射後に化学増幅型のレジストを塗付する工程とを有する半導体装置の製造方法。
（付記２１）
付記２０において、放射線は、波長が約２５０ｎｍよりも短い紫外線である半導体装置の製造方法。
（付記２２）
付記２０において、放射線は、水素を含むガスのプラズマから放射される半導体装置の製造方法。
（付記２３）
ホールを含む半導体装置の製造方法であり、
半導体装置の基板にホールが加工された後に前記基板を摂氏１００度から４００度にて加熱するとともに放射線を照射する工程と、
前記加熱および放射線の照射後に化学増幅型のレジストを塗付する工程とを有する半導体装置の製造方法。
（付記２４）
付記２０または２３において、前記ホールは、空孔の存在によって誘電率が低下した絶縁膜と、少なくともハードマスク層、エッチングストッパ層とを貫通している半導体装置の製造方法。
（付記２５）
付記２４において、絶縁膜は、無機シロキサンまたは有機シロキサンである半導体装置の製造方法。
（付記２６）
付記２４において、ハードマスク層は少なくともＳｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮまたはＳｉＮ膜からなる半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１Ａ】元図となるマスクパターンを示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａのマスクパターンを転写したパターンを示す図である。
【図２Ａ】従来の方法で補正したマスクパターンを示す図である。
【図２Ｂ】図２Ａのマスクパターンを転写したパターンを示す図である。
【図３Ａ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｂ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｃ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｄ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｅ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｆ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｇ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｈ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｉ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図３Ｊ】従来のデュアルダマシン構造の作製方法を示した図（その１）である。
【図４】実施例で使用するホールのマスクパターンを示した図である。
【図５】実施例で使用する従来の配線のマスクパターンを示した図である。
【図６】図４、図５のマスクパターンを使用して得られるデュアルダマシン構造を示した図である。
【図７】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図８】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図９】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１０】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１１】は本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１２】は本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１３】は本発明によるマスクパターンを使用して得られる配線パターンを示した図である。
【図１４】本発明によるマスクパターンを使用して得られるデュアルダマシン構造を示した図である。
【図１５】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１６】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図１７】実施例で使用するホールのマスクパターンを示した図である。
【図１８】実施例で使用する従来の配線のマスクパターンを示した図である。
【図１９】図１７、図１８のマスクパターンを使用して得られるデュアルダマシン構造を示した図である。
【図２０】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２１】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２２】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２３】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２４】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２５】本発明による配線のマスクパターン補正方法を示した図である。
【図２６】本発明によるマスクパターンを使用して得られるレジストのパターン形状を示した図である。
【図２７】は本発明によるマスクパターンを使用して得られるデュアルダマシン構造を示した図である。
【図２８】加熱によってプロトンの発生を制御する半導体装置製造プロセスを示す図である。
【図２９】放射線による溶解抑止物質の分解工程を含む半導体装置の製造プロセスを示す図である。
【符号の説明】
【００８４】
９、１０        マスク  （マスクパターン）
１１、１２、１３  配線パターン
１４、１５        補助パターン
１０１              半導体基板
１０２              層間膜
１０３              マスク薄膜（ハードマスク層）
１２１              エッチングストッパ
１１６              レジスト
１１７              配線パターン
１１８              開口不良
１１９              配線パターン
【図１Ａ】
0004825060.tif 000002
【図１Ｂ】
0004825060.tif 000003
【図２Ａ】
0004825060.tif 000004
【図２Ｂ】
0004825060.tif 000005
【図３Ａ】
0004825060.tif 000006
【図３Ｂ】
0004825060.tif 000007
【図３Ｃ】
0004825060.tif 000008
【図３Ｄ】
0004825060.tif 000009
【図３Ｅ】
0004825060.tif 000010
【図３Ｆ】
0004825060.tif 000011
【図３Ｇ】
0004825060.tif 000012
【図３Ｈ】
0004825060.tif 000013
【図３Ｉ】
0004825060.tif 000014
【図３Ｊ】
0004825060.tif 000015
【図４】
0004825060.tif 000016
【図５】
0004825060.tif 000017
【図６】
0004825060.tif 000018
【図７】
0004825060.tif 000019
【図８】
0004825060.tif 000020
【図９】
0004825060.tif 000021
【図１０】
0004825060.tif 000022
【図１１】
0004825060.tif 000023
【図１２】
0004825060.tif 000024
【図１３】
0004825060.tif 000025
【図１４】
0004825060.tif 000026
【図１５】
0004825060.tif 000027
【図１６】
0004825060.tif 000028
【図１７】
0004825060.tif 000029
【図１８】
0004825060.tif 000030
【図１９】
0004825060.tif 000031
【図２０】
0004825060.tif 000032
【図２１】
0004825060.tif 000033
【図２２】
0004825060.tif 000034
【図２３】
0004825060.tif 000035
【図２４】
0004825060.tif 000036
【図２５】
0004825060.tif 000037
【図２６】
0004825060.tif 000038
【図２７】
0004825060.tif 000039
【図２８】
0004825060.tif 000040
【図２９】
0004825060.tif 000041