(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
前記液体供給システムの該空間への供給流路の上流における前記浸漬液に第１の電位を印加して、前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子を移動させるための電源と、
を有するリソグラフィ装置。
【請求項２】
第１の対象物が前記液体供給システムの該空間への供給流路の上流に配置されており、前記電源が前記第１の電位を前記第１の対象物に印加することにより、前記浸漬液へ前記第１の電位を印加する、請求項１記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１の対象物は、前記浸漬液に接触している、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１の対象物は、対向する２つの電極を有し、前記電極の一方に前記第１の電位が印加され、前記電極の他方に前記第１の電位とは反対の極性の第２の電位が印加される、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記電極付近の浸漬液は、前記空間に供給される前に除去される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
除去された浸漬液は、前記液体供給システムにおいて再利用される前に気泡除去処理にかけられる、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記第１の電位は、前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子の表面のゼータ電位と同じ極性のものである、請求項１〜６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１の電位は、前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子の表面のゼータ電位と異なる極性のものである、請求項１〜６のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の前記空間の境界の少なくとも一部に沿って延びるバリア部材をさらに有する、
請求項１〜８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
投影システムを用いて、パターンが形成された放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影し、
液体供給システムから前記投影システムと前記基板の間の空間に浸漬液を提供し、
前記液体供給システムの該空間への供給流路の上流における前記浸漬液に第１の電位を印加して、前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子を移動させる、
ことを含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分の上に所望されるパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。そのような場合、マスクなどのパターン形成手段を用いてＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することが可能であり、このパターンを、放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば、１つ又は複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に結像させることができる。一般に、単一の基板は連続的に露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分の上に１回で露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームによって所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同時にこの方向に対して平行又は逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。
【０００３】
リソグラフィ投影装置内の基板を、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に浸して、投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすことが提唱されている。液体中では露光放射の波長がより短くなるため、これによってより小さいフィーチャの結像が可能になる。（液体の効果を、システムの有効ＮＡを高め、且つ焦点深度をも高めるものと考えることもできる。）
【０００４】
しかし、基板、又は基板と基板テーブルを液体槽に浸すこと（例えば米国特許第４５０９８５２号参照。その全体を参照によって本明細書に援用する）は、走査露光中に加速させなければならない大量の液体が存在することを意味する。このため、追加のモータ若しくはより強力なモータが必要となり、また液体の乱れによって望ましくない予測できない影響をまねく恐れがある。
【０００５】
提唱されている解決策の１つは、液体閉じ込めシステムを用いて、液体供給システムが基板の局部領域上のみ、並びに投影システムの最終要素と基板の間に液体を供給することである（基板は一般に、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。このように構成することを提唱している１つの方法がＷＯ９９／４９５０４に開示されており、その全体を参照によって本明細書に援用する。図２及び図３に示すように、液体は少なくとも１つの注入口ＩＮによって、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って基板Ｗ上に供給され、投影システムＰＬの下を通過した後、少なくとも１つの流出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板が最終要素の下を−Ｘ方向に走査されると、液体は最終要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り出される。図２は、液体が注入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された流出口ＯＵＴによって要素の反対側で取り出される配置を概略的に示している。図２の例では、液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されているが、このようにする必要はない。最終要素の周りに配置する注入口及び流出口は、様々な向き及び数とすることが可能である。両側に流出口を備えた４組の注入口を最終要素の周りに規則正しいパターンで設けた一例を図３に示す。
【０００６】
提唱されている他の解決策は、液体供給システムに、投影システムの最終要素と基板テーブルの間の空間の少なくとも一部の境界に沿って延びるシール部材を設けることである。シール部材は、ＸＹ平面内では投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはある程度の相対移動があってもよい。シール部材と基板表面の間にシールが形成される。このシールは、ガス・シールなど非接触式シールであることが好ましい。こうしたシステムが欧州特許出願ＥＰ−Ａ−１４２０２９８に開示されており、その全体を参照によって本明細書に援用する。
【０００７】
注入口と流出口の異なる配置を有するもの、及び非対称であるものも含めて、他のタイプのシール部材も実施可能であることは明らかである。
【０００８】
浸漬リソグラフィの難しさは浸漬液中の気泡の存在にあることが分かっている。こうした気泡はどんな大きさのものもあり得るが、数μｍ程度の気泡が特定の問題を引き起こしている。これは特に、μｍの気泡が結像される基板の表面又はセンサ上にある場合であり、それは、気泡がこの位置で投影ビームに対して最も憂慮すべき影響を及ぼすためである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、浸漬リソグラフィの結像品質に対する浸漬液中の気泡の影響を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
放射の投影ビームを提供するための照明システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、パターン形成手段が投影ビームの断面にパターンを与える支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間の空間の少なくとも一部分を浸漬液で満たすための液体供給システムと、
前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子を移動させるのに有効な第１の電位を第１の対象物に印加するための電源と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
このようにすると、漬液中の気泡に対して、第１の対象物へ向かう方向にもそれから遠ざかる方向にも力を加えることが可能になる。これは、浸漬液中の気泡が、気泡の表面と液体の大部分で完全に解離したイオンの濃度の間の電位差である自然のゼータ電位を有するためである。したがって、第１の電位を気泡のゼータ電位に対して同一又は反対の極性となるように選択することにより、気泡が第１の対象物へ向かって移動するか、又はそれから遠ざかるように移動するかを決めることができる。したがって、このシステムを用いて、浸漬液中の気泡を装置の結像品質への影響が最小限に抑えられる場所に移動させることができる。本発明は、小さい粒子についても気泡の場合と同様に機能する。
【００１２】
空間内で浸漬液中の気泡の位置を制御することができるように、第１の対象物が空間に対する境界を形成することが好ましい。或いは、第１の対象物を空間の供給流路上流で浸漬液と接触させてもよい。このようにすると、空間内のセンサにとって有害となる恐れがある空間内での過度の電位場の発生を回避することが可能になる、或いは投影システムの下では対象物に対する空間が限られているため、構成されにくくなる可能性がある。
【００１３】
浸漬液と接触している第２の対象物に第２の電位を印加するための第２の手段を有していると有利である。このようにすると、第１の電位は気泡をはじくのに有効にされ、第２の電位は気泡を引き寄せるのに有効にされ、或いはその逆も可能であるため、気泡への力を増大させることが可能になる。
【００１４】
一実施例では、気泡が基板自体からはじかれるように、基板を第１の対象物としてもよい。他の実施例では、第２の対象物を投影システムの最終要素として、気泡を最終要素の方に引き寄せ、それによって基板から遠ざけるようにすることができる。もちろん、第１及び第２の対象物が逆でもよい。
【００１５】
他の実施例では、第１の対象物はやはり空間の境界を形成するが、装置の光軸から遠くに配置される。このようにすると、気泡を装置の光軸から遠ざけるように移動させることが可能になり、その結果、実際にはそれを通して結像が行われている液体は実質的に気泡がない状態になる。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、
投影システムを用いて、パターンが形成された放射ビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
前記投影システムの最終要素と前記基板の間に浸漬液を提供するステップと、
前記浸漬液に接触している対象物に電荷を印加することにより、前記浸漬液中の気泡及び／又は粒子に力を加えるステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１７】
本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及するが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが、当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を施し、露光されたレジストを現像するツール）や計測又は検査ツールで処理することができる。該当する場合には、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作成するために、基板を２回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、複数の処理が施された層を既に含む基板を指すこともある。
【００１８】
本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含している。
【００１９】
本明細書で使用する「パターン形成手段」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなど、投影ビームの断面にパターンを与えるために用いることができる手段を指すものとして広く解釈すべきである。投影ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応している。
【００２０】
パターン形成手段は、透過式でも反射式でもよい。パターン形成手段の例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク及び減衰位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの一例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。このようにして、反射ビームにパターンが形成される。パターン形成手段の各例では、支持構造を、例えばフレーム又はテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもでき、またパターン形成手段が、例えば投影システムに対して、所望される位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成手段」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
【００２１】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、適宜、例えば使用される露光放射用、又は浸漬液の使用や真空の使用など他の要素用の屈折光学システム、反射光学システム及び反射屈折光学システムを含めて様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
【００２２】
照明システムも、放射の投影ビームの方向付け、成形又は制御のための屈折式、反射式及び反射屈折式の光学要素を含めて様々なタイプの光学要素を包含することができ、こうした構成要素も以下では一括して、又は単独で「レンズ」と呼ぶことがある。
【００２３】
リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）又は３以上の基板テーブル（及び／又は２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、或いは１つ又は複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に１つ又は複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。
【００２４】
次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中、同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。
【００２５】
図１は、本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
（１）放射の投影ビーム（例えばＵＶ放射）ＰＢを提供するための照明システム（照明器）ＩＬと、
（２）パターン形成手段（例えばマスク）ＭＡを支持するための第１の支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴであって、部材ＰＬに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の支持構造ＭＴと、
（３）基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するための基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴであって、部材ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブルＷＴと、
（４）パターン形成手段ＭＡによって投影ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃの上に結像させるための投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬと
を備えている。
【００２６】
本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを使用する）透過タイプのものである。或いは、この装置は（例えば、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用する）反射タイプのものでもよい。
【００２７】
照明器ＩＬは放射源ＬＡから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマ・レーザである場合、放射源とリソグラフィ装置を別々の構成要素とすることができる。そうした場合には、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な方向付けミラー及び／又はビーム・エキスパンダを有するビーム送達システムＥｘを用いて、放射源ＬＡから照明器ＩＬへ伝えられる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプである場合には、放射源を装置の一部とすることができる。放射源ＬＡ及び照明器ＩＬを、必要であればビーム送達システムＥｘと共に、放射システムと呼ぶことがある。
【００２８】
照明器ＩＬは、ビームの角強度分布を調整するための調整手段ＡＭを有していてもよい。一般に、照明器の瞳面内における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ、σ−インナと呼ばれる）を調整することができる。さらに照明器ＩＬは、一般には積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含む。照明器は、投影ビームＰＢと呼ばれ、その断面内に所望される均一性及び強度分布を有する調節された放射ビームを提供する。
【００２９】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを通過した投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に収束させるレンズＰＬを通過する。第２の位置決め手段ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉測定装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭ及び（図１には明示されていない）他の位置センサを用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又は走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、対象物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め手段ＰＭ及びＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を用いて位置を調整することができる。
【００３０】
図示した装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃの上に投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保つ（すなわち、ただ１回の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃの上に投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査する（すなわち、ただ１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高さが決定される。
（３）他のモードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃの上に投影する間、プログラム可能なパターン形成手段を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルＷＴの移動又は走査を行う。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成手段を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
【００３１】
上述の使用モードの組合せ及び／又は変形形態、或いはまったく異なる使用モードを採用することもできる。
【００３２】
本発明はどんなタイプの液体供給システムにも適用することができる。供給システムは、どんなタイプの浸漬液を供給するためのものでもよく、また投影システムＰＬと基板Ｗの間に浸漬液を閉じ込めるためにどんなタイプのシステムを用いてもよい。
【００３３】
図４は液体閉じ込めシステムの一タイプを示しているが、本発明はこの実施例に限定されない。例えば、本発明を図２及び図３の液体供給システムに適用することができる。
【００３４】
図４の液体供給システムは、投影システムＰＬの最終要素２０の下にそれを囲んで配置されたバリア部材１０を有している。液体は投影システム下のバリア部材１０内部の空間５へ導入される。バリア部材１０は、投影システムＰＬの最終要素より少し上に延びていることが好ましい。任意選択で、バリア部材１０の底部と基板Ｗの間にシール手段を設けてもよい。このシール手段は、例えばガス・シール又は液圧シールとすることができる。バリア部材１０は、投影レンズＰＬや装置のベース・フレームにより、或いは基板Ｗ上にその自重を支えることを含めた他の任意の方法で支持されうる。
【００３５】
浸漬液は、導管３０を通して投影システムＰＬと基板Ｗの間の空間に供給される。次いで、浸漬液はその空間から除去される。この液体の除去については図示していないが、例えば低圧源など任意の方法で行うことができる。
【００３６】
浸漬液中には微小な気泡及び小粒子が存在している可能性があり、これらが結像中に基板Ｗの表面の近くにある場合、投影される像の品質、及びその結果得られる製品を悪化させる恐れがある。本発明は、液体中で小さい固体粒子を気泡表面に付着させるという鉱工業でなされた発見を利用してこの問題に対処するものである。ミクロン・サイズの気泡と固体粒子の間の電気的な力が付着に重要な役割を果たすことが見出された。また、液体中の気泡はその表面に、気泡表面と液体の大部分で完全に解離したイオンの濃度の間の電位差をもたらすゼータ電位を有することが見出された。これは小粒子にもあてはまる。
【００３７】
本発明では、電源又は電圧供給Ｖ（或いは電荷、電圧、電場、又は電位差発生装置若しくは供給）を用いて、浸漬装置の１つ又は複数の対象物に電位を印加する。その動作原理は、反発が必要である場合には、液体の完全に解離したイオンの濃度と対象物の間に、液体の大部分で完全に解離したイオンの濃度と気泡表面の間の電位差と同じ極性の電位差を発生させることにある。対象物と気泡の間に引きつけが必要である場合には、電位差は異なる極性を有するべきである。このようにして、気泡に対して、浸漬液に接触している対象物（電極）に向かう方向にもそれから遠ざかる方向にも力を発生させることができる。
【００３８】
図４では、複数の異なる対象物が、それらに対して印加された電位又は電荷を有している。本発明は、ただ１つのこうした対象物と共に、また対象物の任意の組合せと共に機能するものであり、実際には他の対象物から図示していないものまで、同様に或いは別法で使用することができる。
【００３９】
１９３ｎｍの投影ビーム波長で浸漬液として使用するのに最も有望な候補である純水の中では、μｍの気泡のゼータ電位は約−５０ｍＶであることが分かっている。この電位は気泡のサイズ、また浸漬液のタイプによっても変わる。しかし、本明細書で記載したのと同じ原理を他の浸漬液及び気泡のサイズにも用いることができ、本発明はこれらに対して十分に適用可能である。ゼータ電位の効果を変化させるために、浸漬液に添加剤を加えてもよい。ＣａＣｌ２及びＮａＣｌが、この目的に適切な候補の添加物である。
【００４０】
図４には、電位又は電圧又は電荷を印加することができる６つの異なる対象物が示してある。対象物は浸漬液と接触していることが好ましいが、原則としてこれは必要ではない。これらの対象物の１つは基板Ｗであり、これを気泡表面の電位と同じ極性の電位に帯電させることが好ましい。このようにすると、気泡はそれ自体に直接力を有して基板Ｗから遠ざかるようになり、その結果、投影された像に対する気泡の影響が最小限に抑えられる。基板Ｗ上の負の電位と組み合わせて、或いはそれ自体で、投影システムの最終要素又は投影システムＰＬの最終要素２０に近い対象物を、気泡表面の電位と極性が反対の電位に帯電させることができる。これは、気泡を投影システムＰＬの最終要素２０の方へ引き寄せ、それによって基板Ｗから遠ざける効果を有する。投影システムＰＬの最終要素２０に近い対象物（例えば電極）の形は、どんな形でもよい。投影ビームＰＢが対象物の中心を通過するように、それをプレート状又は環状とすることができる。
【００４１】
或いは、帯電させる又は電圧を印加する対象物を、バリア部材１０の表面に取り付けることができる。図４では、これらの対象物がバリア部材１０の内側表面に取り付けられている。図示したように、２つの電極１２、１４はそれぞれバリア部材の反対側にあり、反対の電位に帯電している。このようにすると、気泡を電極１２、１４の一方又は他方、或いは浸漬液の流出口の方向に引き寄せることが可能になる。或いは、１つ又は複数の対象物を（浸漬液と接触している）シール部材１０の内側の周りに設けてもよく、これ（これら）を気泡表面の電位極性と異なる極性を有する電位に帯電させる。このようにして、投影システムＰＬの最終要素２０と基板Ｗの間の空間５で、浸漬液中の気泡を装置の光軸から遠ざけるように引き寄せ、それによって基板Ｗへの投影ビームＰＢの経路を実質的に気泡による妨害を受けない状態にする。
【００４２】
液体供給システム内で本発明を使用する他の場所は、投影システムＰＬの最終要素２０と基板Ｗの間の空間５の上流である。この場合、浸漬液が導管３０に沿ってハウジング４０を通過するとき、浸漬液が空間５内にあると、反対に帯電した対向するプレート（例えば電極）４２、４４は気泡に対して、空間５の上流で電場を印加しない場合よりも気泡を基板Ｗからさらに遠くに移動させるのに有効な力を発生させる。気泡の濃度が高い、すなわち電極４４付近の浸漬液さえ除去し、空間５に供給されないようにすることもできる。除去された液体を、液体供給システム内で再利用する前に、気泡を除去する処理にかけることができる。
【００４３】
上述の実施例ではすべて、電圧発生装置Ｖによって高い電圧を印加するほど、気泡への力が大きくなる。対象物への電位は、浸漬液の解離を引き起こすほど高くすべきではないが、本発明が有効となるような力を気泡に与えるのに十分な高さとすべきである。主に水からなる浸漬液の場合、対象物に印加される一般的な電位差は５ｍＶ〜５Ｖ、好ましくは１０ｍＶ〜５００ｍＶである。電位の印加による５ｍＶ／ｍｍ〜５００ｍＶ／ｍｍの電場が好ましい。
【００４４】
図５では、第２の電源／電圧供給／電荷／電圧／電場又は電位差発生装置若しくは供給Ｖ２が設けられている。この第２の電源Ｖ２は、電源Ｖによって供給又は生成される電位と極性が反対である第２の電位を供給又は生成する。第２の電位は、浸漬液中の気泡及び／又は粒子の表面のゼータ電位と同じ極性を有するものとすることができる。電源Ｖを対象物１２、２０、４２、４４に電位を印加するものとして示し、第２の電源Ｖ２を対象物Ｗ、１４に第２の電位を印加するものとして示しているが、第１及び第２の電源Ｖ、Ｖ２は、任意の組合せの対象物に電位を印加することができることを理解すべきである。
【００４５】
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。上記説明は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による液体供給システムの断面図である。
【図３】図２の液体供給システムの平面図である。
【図４】本発明の一実施例を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例を示す図である。
【図１】
0004834055.tif 000002
【図２】
0004834055.tif 000003
【図３】
0004834055.tif 000004
【図４】
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【図５】
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