(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、
上記原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の太陽光のみを光学フィルターにより透過させ、
上記光学フィルターの透過光を上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングすること
を特徴とする光学素子の表面平滑化方法。
【請求項２】
塩素系ガスからなる原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、
上記光学フィルターにより上記塩素系ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上のみ透過させること
を特徴とする請求項１記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項３】
光の回折限界以下のピッチで上記凹凸が形成された光学素子を上記原料ガス雰囲気中に配置すること
を特徴とする請求項１又は２記載の光学素子の表面平滑化方法。
【請求項４】
請求項１〜３のうち何れか１項に記載の光学素子の表面平滑化方法の工程を有すること
を特徴とする光学素子の作製方法。
【請求項５】
原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、
太陽光を上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングすること
を特徴とする光学素子の表面平滑化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングすることにより平滑化する際に好適な光学素子の表面平滑化方法並びにこれを用いた光学素子の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、合成石英、ＢＫ７（ホウケイ酸塩クラウンガラス）等を用いたレンズ、反射鏡、窓板、偏光素子等の光学素子の表面平滑化方法としては、例えば、特許文献１に示すような光学素子の研削・研磨加工方法が提案されている。この研削・研磨加工方法においては、固定砥粒工具とレンズホルダーとを少なくとも有する加工装置を用いており、このレンズホルダーに光学素子であるレンズを保持して固定砥粒工具の加工面に当接させたまま、固定砥粒工具を回転モーターによって所定の回転数をもって回転駆動させる。そして、レンズを固定砥粒工具の加工面上を円弧状に揺動させながら、レンズ表面の研磨を行う。かかる場合において、レンズと固定砥粒工具との間には、ダイヤモンド等を初めとした砥粒を含む研磨液が接触された状態にある。
【特許文献１】特開２００１−１９８７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上述した特許文献１に示す光学素子の研削・研磨加工方法では、レンズ表面を固定砥粒工具や研磨液等を用いて物理的に研磨することによってその表面を平滑化しているため、固定砥粒の物理的な寸法より小さな凹凸まで研磨することができないという問題点があった。また、上述のような研磨液を用いた物理的な研磨では、研磨工程の進行に伴い、研磨液が凝集、固体化等されてしまい粗大粒子を形成し、これによって光学素子表面に引っ掻き疵（スクラッチ）を形成し、微細な凹凸が光学素子表面に残存してしまうという問題点があった。また、上述した特許文献１に示す光学素子の研削・研磨加工方法では、研磨の対象となる光学素子を構成する材質や厚みに応じて最適な研磨条件を調整する必要があるが、光の回折限界以下のナノオーダのレベルで表面凹凸が最小となる条件を見つけ出すことは現実的に困難であった。
【０００４】
また、従来提案されてきた、光学素子の表面平滑化方法では、光学素子の表面形状によっては研磨を施すこと自体が困難な場合もあった。このため、光学素子の表面形状に支配されることなく、その表面をナノオーダで平滑化可能なプロセスに対する要望が強かった。
【０００５】
さらに、従来における光学素子の研削・研磨加工方法は、物理的な研磨を行う上で長時間を要し、しかもシステム全体が大掛かりになることから製造コストが過大となる欠点もあった。また、研磨の対象となる光学素子の数が増加するにつれて、プロセスを実行する上で必要な電力が大きくなり、より環境に配慮した方法を提案する必要もあった。
【０００６】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されてものであり、その目的とするところは、光学素子の表面形状に依存することなく、しかも低コスト、小電力でしかも短時間で、光学素子表面に形成されたナノオーダの凹凸をエッチングすることにより平滑化することが可能な表面平滑化方法並びにこれを用いた光学素子の作製方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法は、上述した課題を解決するために、原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、上記原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の太陽光のみを光学フィルターにより透過させ、上記光学フィルターの透過光を上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングすることを特徴とする。
【０００８】
本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法は、上述した課題を解決するために、原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、太陽光を上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上述した構成からなる本発明では、特に光学素子における先鋭化部分を初めとした局所的な部分において近接場光を発生させ、かかる近接場光による非断熱光化学反応に基づいて当該部分のみについて原料ガス分子を選択的に解離させ、生成したラジカルに基づいて先鋭化部分を選択的にエッチングすることが可能となる。特に、この近接場光は、回折限界以下のサイズからなる先鋭化部分であっても選択的に発生させることができることから、表面平滑化処理そのものをナノオーダで実現することができる。
【００１０】
また本発明は、光学素子の表面形状がいかなるものであっても、その微細な表面凹凸の局所領域に近接場光を発生させることができ、処理対象としての光学素子の表面形状の自由度に幅を持たせることで汎用性を向上させることができる。
【００１１】
さらに本発明では、太陽光を光学フィルターを介して取り入れるのみで処理を行うことが可能となることから、物理的な研磨を行う場合と比較して短時間で済み、しかも製造コストを低減させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明では、太陽光を利用することにより、別途光源を配設する必要もなくなることから、プロセスを実行する上で必要な電力を低減でき、より環境に配慮したプロセスとすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１４】
図１は、本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システム１である。
【００１５】
この表面平滑化処理システム１は、太陽光を利用して光学素子２の表面を平滑化するものであって、チャンバ１１内に、ステージ１３を配設して構成され、またこのチャンバ１１内の気体は、ポンプ１６を介して吸引可能とされ、更に圧力センサ１７によりチャンバ１１内の圧力を検出し、これに基づいてバタフライバルブ１８を自動的に開閉することにより内圧の自動制御を実現可能としている。また、このチャンバ１１に対して原料ガスを供給するための供給管２３が接続されて構成されている。また、このチャンバ１１における少なくとも一の面には、光学フィルター１５が形成され、チャンバ１１の外側から太陽光の一部がこの光学フィルター１５を透過してチャンバ１１内へと入射されることになる。
【００１６】
ステージ１３は、光学素子２を載置するための図示しない載置部や、光学素子２を加熱するための図示しない加熱機構等が設けられていてもよく、これらを制御することにより、光学素子２を原料ガスに基づいて表面平滑化処理を施す際において反応速度をコントロールすることが可能となる。なお、ステージ１３は、光学素子２の位置を高精度に調整するための図示しない高精度ステージ機構等が設けられていてもよい。
【００１７】
チャンバ１１内に対して供給管２３を介して供給される原料ガスとしては、例えば塩素系ガスと不活性ガスとを混合してなる混合ガスである。この混合ガスは、所定の圧力となるように調整された上で随時供給される。塩素系ガスは、表面に凹凸を有する光学素子をナノオーダまで平滑化させるためにチャンバ１１内に導入されるものであり、例えば、Ｃｌ２（塩素）、ＢＣｌ３（三塩化ホウ素）、ＣＣｌ４（四塩化炭素）等によって具体化される。また、不活性ガスは、Ｎ２，Ｈｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等の何れか一種または二種以上を混合してなる塩素系ガスによって具体化される。
【００１８】
光学フィルター１５は、入射される光のうち、所定の波長以上の光のみ透過させ、それ以外の波長の光を反射させる、いわゆるロングパスフィルタ素子である。また、この光学フィルター１５は、所定の波長のみを選択的に透過させるバンドパスフィルタで構成されていてもよい。光学フィルター１５は、ガラス等のような基板材料に光を吸収可能なＣｄＳ等の半導体微粒子を分散させ、当該半導体微粒子による光の吸収を通じて透過する光の波長選択性を持たせている。光学フィルター１５は、少なくともチャンバ１１に対して太陽光が入射可能な面において設けられている。即ち、このチャンバ１１内に入射する何れの太陽光は、必ずこの光学フィルター１５を透過することを必須の構成としている。
【００１９】
なお、図２に、本発明を適用した表面平滑化処理システム１による処理対象としての光学素子２の例を示す。光学素子２は、例えば、レンズ、ミラー、プリズム、基板、ビームスプリッター、偏光素子として用いられるものである。光学素子２ａは、図２(a)、(b)に示されるように、その表面３１、裏面３２ともに平坦な形状から構成される、いわゆる平行平面基板とよばれる光学素子である。光学素子２ｂ、２ｃは、図２(c)〜(f)に示すように、その表面に凹曲面３３や凸曲面３４を有するレンズであり、裏面３２は平坦な形状から構成される。このように、光学素子２は、その表面が平坦な形状からなる光学素子２ａや、その表面が所定の曲率をもって湾曲してなる光学素子２ｂ、２ｃ等が含まれるものであるが、図示される形状に限定されるものではない。また、光学素子２は、その大きさに限定されるものではない。
【００２０】
光学素子２の材質は、例えば、ＢＫ７等のクラウンガラス、Ｆ２等のフリントガラスのような光学ガラスであったり、合成石英、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、岩塩（ＮａＣｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、サファイヤ、ジンクセレン（ＺｎＳｅ）等のような光学結晶等によって具体化される。
【００２１】
このような光学素子２は、表面平滑化処理システム１による処理前において、図３(a)に示すように、表面に微細な凹凸が形成されている。この凹凸のピッチは、数ｎｍのオーダから数μｍまでのオーダまで様々であるが、本発明では特に１ｎｍ程度のピッチで構成されている凹凸をエッチングする場合においても適用可能である。以下この光学素子２の表面が内側に凹んでいる凹部４１と、外側に先鋭化された凸部４２で形成されているものとし、更に、この凸部４２の先端を先鋭化部分４３という。なお、表面粗さが極度に大きい場合等には、予め物理研磨を施しておき、その後の仕上げ加工として、本発明を適用するようにしてもよい。
【００２２】
次に、上述した構成からなる表面平滑化処理システム１により、実際に光学素子２の表面を平滑化させるプロセスについて説明をする。
【００２３】
先ず、表面処理を施すべき光学素子２をステージ１３上に載置する。そしてチャンバ１１内を密閉状態に保持し、所定圧力、所定温度に制御する。次に、供給管２３を介してチャンバ１１内に原料ガスを供給する。因みに以下では、原料ガスとして吸収端波長４００ｎｍの塩素系ガスを使用する場合を例にとる。その結果、この光学素子２は、原料ガスとしての塩素系ガス雰囲気中において配置されている状態を作り出すことが可能となる。
【００２４】
次に、太陽光をチャンバ１１内に入射させる。このとき、図１に示すように、太陽光はフィルター１５を透過してくることから、所定の帯域の光のみがこのチャンバ１１内に入射されることになる。このチャンバ１１内に入射された光は光学素子２に照射されることになる。
【００２５】
図４(a)は、一般的な太陽光のスペクトルを示している。この太陽光のスペクトルは紫外線から赤外線まで幅広く分布する。ここでフィルター１５が波長５００ｎｍ以上のみを透過させるロングパスフィルタで構成されている場合、フィルター１５を透過した太陽光は、図４(b)に示すように波長５００ｎｍ未満の波長がカットされたスペクトル分布となり、波長５００ｎｍ以上のスペクトルを有する光が光学素子２に照射されることになる。特にこの太陽光における波長５００ｎｍ以上のスペクトルは、通常のレーザーダイオードと比較して非常に広帯域に亘って分布していることから、トータルの光エネルギーを大きくすることが可能となり、エッチングの効率を向上させることが可能となる。なお、本発明においては、この吸収端の波長を４００ｎｍ以上で構成されていれば所期の作用効果を奏する。
【００２６】
図５は、チャンバ１１内に導入された塩素系ガスのガス分子の原子核間距離に対するポテンシャルエネルギーの関係について示している。通常、チャンバ１１内に導入された塩素系ガスのガス分子に対して、基底準位と励起準位とのエネルギー差Ｅａ以上の光エネルギーをもつ光、即ち、ガス分子の吸収端波長よりも短波長からなる光（以下、この光を共鳴光という。）を照射すると、このガス分子は、励起準位へ直接励起される。この励起準位は、解離エネルギーＥｂを超えているため、矢印で示される方向へガス分子を光解離させて塩素ラジカルが生成される。これは、伝搬光を使った通常の光解離のメカニズムに基づくものであるが、伝搬光の電場強度が分子サイズの空間内において均一な分布であるため、ガス分子を構成する原子核や電子のうち軽い電子のみが光に対して反応するものの、原子核間距離を変化させることができない。即ち、伝搬光による光解離過程は断熱近似となることから、基底状態から解離軌道へ遷移させるためには、励起準位軌道のポテンシャルエネルギーよりも高い光エネルギーを持つ光を照射する必要がある。ちなみに、塩素系ガスの吸収端波長以上の非共鳴光を伝搬光として照射した場合、ガス分子は励起準位へ励起されない。非共鳴光は、図６における光エネルギーＳ１、Ｓ２等のように励起準位軌道のポテンシャルエネルギーよりも低いため、伝搬光を単に照射させたのみでは、ガス分子を光解離させて活性種としてのラジカルを生成させることはできない。
【００２７】
これに対して本発明では、塩素系ガスの吸収端波長以上の光（以下、この光を非共鳴光という。）を利用するが、光学素子２の表面凹凸をエッチングする上で、光学フィルター１５を透過してきた非共鳴光としての伝搬光を直接的に利用するものではなく、この照射された伝搬光に基づいて光学素子２の局所領域に発生させた近接場光に基づいて、表面の凹凸をエッチングする。
【００２８】
ここでいう近接場光とは、約１μｍ以下の大きさからなる物体の表面に伝搬光を照射した場合に、その物体の表面にまとわりついて局在する非伝搬光のことをいう。この近接場光は、非常に強い電場成分を有しているが、物体の表面から遠ざかるにつれてその電場成分が急激に減少する性質をもっている。この非常に強い電場成分が見られる物体表面からの厚みは、その物体の寸法に依存しており、その物体の寸法と同程度の厚みからなる。
【００２９】
近接場光の電場強度は、局所領域においても急激に減少するという特質を有する。このため、この近接場光を塩素系ガスの分子と反応させた場合において、その電場は分子にとって不均一な空間分布となり、塩素系ガス分子中の原子核も、かかる近接場光の電場勾配により引力を受けることになる。即ち、近接場光をガス分子と反応させることにより、当該ガス分子を構成する比較的軽い電子のみならず、原子核をも近接場光に対して応答させることができる。その結果、近接場光により、原子核間距離を周期的に変化させることが可能となり、分子の振動準位への直接的な励起を生じさせる、いわゆる非断熱光化学反応を起こさせることが可能となる。
【００３０】
塩素系ガスの吸収端波長以上の非共鳴光を近接場光としてガス分子に反応させた場合には、かかる非断熱光化学反応により、ガス分子をラジカルへと解離させることが可能となる。この非断熱光化学反応は、図５に示すような過程Ｔ１〜Ｔ３に分類することができる。過程Ｔ１は、ガス分子が複数の分子振動準位を介して励起され（多段階遷移）、その結果、励起準位にまで励起された後に、活性種等に解離される過程のことをいう。また、過程Ｔ２は、ガス分子の解離エネルギーＥｂ以上の光エネルギーをもつ光を照射した場合に、ガス分子が解離エネルギーＥｂ以上のエネルギー準位の分子振動準位にまで励起され、その結果、活性種等に直接的に解離される過程のことをいう。また、過程Ｔ３は、ガス分子のＥｂ以下の光エネルギーを持つ光を照射した場合に、ガス分子が複数の分子軌道準位を介して多段階遷移し、Ｅａ未満Ｅｂ以上のエネルギー準位まで励起された後に、活性種等に解離される過程のことをいう。
【００３１】
このように、非共鳴光を近接場光としてガス分子と反応させた場合に、非断熱光化学反応における過程Ｔ１〜Ｔ３により、当該ガス分子を分子振動準位にまで直接的に遷移させることが可能となる。
【００３２】
ここで伝搬光を光学素子２に照射することにより、近接場光が発生する角部とは、図３(b)に示すように凸部４２の先端に相当する先鋭化部分４３である。この先鋭化部分４３において近接場光が選択的に発生すると、当該発生した近接場光により原料ガス分子５１が解離されてラジカル５２が生成される。このラジカル５２は、近接場光が発生した先鋭化部分４３近傍のみにおいて選択的に生成される。そして、この生成されたラジカル５２は、これに最も近接する先鋭化部分４３のみと選択的に反応することになる。その結果、図３(c)に示すように、先鋭化部分４３がラジカル５２の活性によりエッチングされることになる。そして先鋭化部分４３がエッチングされると、この凸部４２において更に先鋭化部分４３’が形成されるが、これに対しても近接場光が選択的に発生し、原料ガス分子５１を解離させてラジカル５２を先鋭化部分４３’近傍において選択的に形成されることができる。その結果、この先鋭化部分４３’は、ラジカル５２と反応することによりエッチングされることになる。
【００３３】
また、近接場光が発生する角部は、かかる先鋭化部分のみならず、凹部４１、凸部４２を構成するいかなる角部分をも含む。凹部４１もここでいう角部に含まれ、図４(b)に示すように近接場光が発生し、この発生した近接場光に基づいて発生させたラジカル５２により当該凹部４１が平滑化されることになる。
【００３４】
上述したように、光学素子２の局所領域における近接場光の発生と、原料ガス分子５１の解離によるラジカル活性、先鋭化部分４３の反応が繰り返し実行されることにより、最終的には図３(d)に示すように、角部をエッチングすることにより表面を平滑化させ、表面粗さを低減させることが可能となる。
【００３５】
このように、本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法では、特に光学素子２における先鋭化部分４３を初めとした局所的な部分において近接場光を発生させ、かかる近接場光による非断熱光化学反応に基づいて当該部分のみについて原料ガス分子５１を選択的に解離させ、生成したラジカル５２に基づいて角部を選択的にエッチングすることが可能となる。特に、この近接場光は、１ｎｍオーダの角部であっても選択的に発生させることができることから、表面平滑化処理そのものをナノオーダで実現することができる。このため、本発明では、従来の光学素子の研磨方法と比較して、ナノオーダの光の回折限界以下のピッチで凹凸を無くすことにより、光学素子２の表面をより平滑化させることが可能となる。
【００３６】
また本発明は、光学素子２の表面形状がいかなるものであっても、その微細な表面凹凸の局所領域に近接場光を発生させることができることから、光学素子２の表面形状により処理の制約を受けることが無くなり、処理対象としての光学素子２の表面形状の自由度に幅を持たせることで汎用性を向上させることができる。従って、従来において物理研磨を精度よく施すことが困難であった、光学素子２ｂ、２ｃのような、表面が湾曲した形状の凹曲面３３や凸曲面３４に対しても、塩素系ガス雰囲気中でこれら曲面等に光学フィルター１５を介して太陽光を照射するのみ、特別の制御することなく平滑化が可能となる。
【００３７】
さらに本発明では、太陽光を光学フィルター１５を介して取り入れるのみで処理を行うことが可能となることから、物理的な研磨を行う場合と比較して短時間で済み、しかも製造コストを低減させることが可能となる。特に本発明では、ステージ１３上に多くの光学素子２を並べて同時に平滑化処理を行うことが可能となるため、処理効率を向上させることが可能となる。
【００３８】
また、本発明では、太陽光を利用することにより、別途光源を配設する必要もなくなることから、プロセスを実行する上で必要な電力を低減でき、より環境に配慮したプロセスとすることが可能となる。
【００３９】
また、本発明では、光学フィルター１５により原料ガスの吸収端波長未満の光をカットすることができるため、通常の伝搬光によるエッチングの進行を抑えることも可能となる。
【００４０】
因みに、上述した実施の形態においては、原料ガスとして塩素系ガスを使用する場合を例にとり説明をしたが、塩素系ガス以外を使用する場合も同様の技術思想が適用される。即ち、使用する原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上のみを光学フィルター１５で透過させることにより、上述したような近接場光を利用した非断熱光化学反応に基づいてガス分子を解離させることが可能となる。
【００４１】
なお本発明において、光学フィルター１５により制限すべき透過帯域としては１０μｍ以下とするのが好ましい。この光の波長が１０μｍ超であると、ガス分子の振動準位への直接的な励起が生じにくく、近接場光によるエッチングレートが低減するためである。
【００４２】
また、本発明において、チャンバ１１内に導入される塩素系ガスのガス分子の分圧は、少なくとも１×１０−５Ｐａ以上とするのが望ましい。チャンバ１１内の塩素系ガスのガス分子の分圧が１×１０−５Ｐａ未満であると、光学素子２表面の凸部５１近傍の空間内に、エッチング反応を起こすために必要となる塩素系ガスのガス分子が行き届かず、これによって、凸部５１に近接場光が発生したとしてもエッチング反応が進行しにくくなるためである。なお、チャンバ１１内に導入される塩素系ガスのガス分子の分圧は、あまりに低すぎるとエッチングレートが低くなり、プロセスが完了するまでに多大な時間を要することになるので、１００Ｐａ以上とするのが一層望ましい。これによって、光学素子２表面に形成された先鋭化部分４３近傍の空間に、エッチング反応を起こすために必要となる塩素系ガスのガス分子を十分行き渡らせることが可能となり、平滑化処理プロセスを短時間で完了させることが可能となる。
【００４３】
因みに本発明は、上述したプロセスからなる光学素子の表面平滑化方法の工程を有すること光学素子の作製方法として具体化されていてもよい。
【００４４】
また、チャンバ１１内に対して供給管２３を介して供給される原料ガスは、塩素系ガスに限定されるものではなく、例えば、ＳｉＨ４（モノシラン）、Ｓｉ２Ｈ６（ジシラン）等のシラン系ガスや、Ｃｒ(η5-Ｃ５Ｈ５)２（クロモセン）、Ｃｒ（ＣＯ６）（ヘキサカルボニルクロム）等であってもよい。またこれ以外にも、例えば、ＳＦ６（六フッ化硫黄）、ＣＨＦ３（トリフルオロメタン）、ＣＦ４（四フッ化炭素）、Ｃ３Ｆ８（オクタフルオロプロパン）等のフッ素系ガス等であってもよい。
【００４５】
なお、本発明においては、あくまで光学フィルター１５を用いて、原料ガスを構成するガス分子の吸収端波長以上の太陽光のみを透過させ、その透過光を光学素子に照射することを構成要件として説明をしてきたが、これに限定されるものではない。この光学フィルター１５を透過させなくても、上述した本発明所期がある程度生じることが考えられる。その理由として、太陽光のスペクトルが上述した吸収端以上まで広がっているため、これらに基づいて非断熱光化学反応が生じえるためである。
【００４６】
このため、本発明は、例えば、原料ガス雰囲気中に光学素子を配置し、太陽光を上記光学素子に照射することにより、上記光学素子表面に形成された凹凸における少なくとも角部に発生させた近接場光に基づいて上記原料ガスを解離させてエッチングするようにしてもよいことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法を実現するための表面平滑化処理システムを示す図である。
【図２】本発明を適用した表面平滑化処理システムによる処理対象としての光学素子の例を示す図である。
【図３】本発明を適用した光学素子の表面平滑化方法について説明するための図である。
【図４】(a)は、太陽光のスペクトル分布図であり、(b)は、光学フィルターにより帯域制限された透過光のスペクトル分布である。
【図５】チャンバ内に導入された塩素系ガスのガス分子の原子核間距離に対するポテンシャルエネルギーの関係図である。
【図６】共鳴光照射モードについて説明するための図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  表面平滑化処理システム
２  光学素子
１１  チャンバ
１３  ステージ
１５  光学フィルター
１６  ポンプ
１７  圧力センサ
１８  バタフライバルブ
２３  供給管
４１  凹部
４２  凸部
４３  先鋭化部分
【図１】
0004700711.tif 000002
【図２】
0004700711.tif 000003
【図３】
0004700711.tif 000004
【図４】
0004700711.tif 000005
【図５】
0004700711.tif 000006
【図６】
0004700711.tif 000007