(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面側に画素電極を備えた電極基板と、この電極基板に対向して配置され内面側に対向電極を備えた対向基板と、上記電極基板と上記対向基板に挟持されたカイラルネマチック液晶とを備え、上記画素電極及び上記対向電極上に形成された配向膜が互いに略反平行方向に配向処理され、上記画素電極と上記対向電極との間の電界であって、上記画素電極の一端付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界と、上記対向電極の上記画素電極の一端と対角に位置する端部付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界によって、上記カイラルネマチック液晶中の液晶分子の配向方向を制御することにより単位画素内の上記カイラルネマチック液晶が少なくとも２つのベンド配向領域に分割されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
斜め電界が、画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に設けた突起により形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
斜め電界が、画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に設けたスリットにより形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は液晶表示装置に関するものであり、特に視野角特性の対称性に優れた液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどの表示方式によるアクティブマトリクス形液晶表示装置が量産されている。これらの液晶表示装置が、テレビ、マルチメディアモニターなど動画表示主体の用途へとその適用範囲を拡大するにつれて、応答速度の改善が重要な課題となっている。
高速応答を実現する表示方式として、ベンド配向あるいはそれに類似した配向（以下、ベンド配向とする）を用いるＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モードが提案されている。ベンド配向は、応答に際して液晶層内にバックフローが発生しないため、原理的に高速応答特性を有することが明らかにされている。
【０００３】
ＯＣＢモードは、初期配向状態によって２つに大別される。１つは初期配向がスプレイ配向の場合で、もう１つはツイスト配向の場合である。図８は従来のＯＣＢモードの液晶層の配向状態を説明する図であり、その（ａ）はベンド配向、その（ｂ）はスプレイ配向の場合の初期配向、その（ｃ）はツイスト配向の場合の初期配向を説明する図である。図８において、１は液晶分子、２は電極基板側配向膜、３は対向基板側配向膜、４は電極基板側配向膜の配向処理方向、５は対向基板側配向膜の配向処理方向である。初期配向がスプレイ配向、ツイスト配向のいずれの場合においても、電極基板側と対向基板側の配向処理方向は略平行となるように配向処理が施される。
【０００４】
初期配向がスプレイ配向の場合には、駆動電圧を大幅に超える数１０Ｖの高電圧の印加によって液晶表示装置全ての画素をベンド配向に転移させる必要がある。そのためには高電圧印加用の駆動回路や、画素内にベンド転移のための転移核発生構造を付加することが必要となり、製造コストの増加を招く。また、低温下ではベンド転移しにくいために一部の画素が転移せず、適正な表示ができないといった課題もある。
【０００５】
一方、初期配向がツイスト配向の場合には、電圧印加によりツイスト配向からベンド配向へ連続的に変化するため、ベンド転移のための特別な回路や構造は必要ない。しかしながら、初期配向をツイスト配向とするためには、カイラル液晶の適用が不可避であり、その結果、装置駆動電圧域においてツイスト配向成分の残ったベンド配向となるために視野角特性の非対称性を引き起こす。
【０００６】
初期配向がツイスト配向の場合の非対称な視野角特性の改善を目的として、特開平１１−１０９３５７号公報、特開２０００−３５６７７３号公報には、マルチドメイン化法が提案されている。本方法によれば、１つの画素内に互いに反対方向となる２つの配向処理領域を形成し、ツイスト配向の主視野角方向が１８０°異なる２つのドメインを作ることによって、非対称な視野角特性が改善される。しかしながら、本方法ではマスクラビング、フォトリソグラフィ、光配向などの高コストでかつ信頼性が不充分なプロセスを適用する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
初期配向がツイスト配向であるＯＣＢモードの液晶表示装置は、ベンド転移処理が不要であるという利点を有するものの、視野角特性が非対称であるという課題がある。既に提案されているマルチドメイン化法は、視野角特性の改善には有効であるが、製造コストが増加するという課題がある。
【０００８】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、ベンド配向による高速応答特性に加え、対称性に優れた視野角特性を有する液晶表示装置を安価に提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る液晶表示装置は、内面側に画素電極を備えた電極基板と、この電極基板に対向して配置され内面側に対向電極を備えた対向基板と、電極基板と対向基板に挟持されたカイラルネマチック液晶とを備え、画素電極及び対向電極上に形成された配向膜が互いに略反平行方向に配向処理され、画素電極と対向電極との間の電界であって、画素電極の一端付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界と、対向電極の画素電極の一端と対角に位置する端部付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界によって、カイラルネマチック液晶中の液晶分子の配向方向を制御することにより単位画素内のカイラルネマチック液晶が少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるものである。
【００１２】
また、斜め電界が、画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に設けた突起により形成されるものである。
【００１３】
また、斜め電界が、画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に設けたスリットにより形成されるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態１を図１を用いて説明する。
図１は本発明の実施の形態１の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。図１において、１１は電極基板、１２は対向基板、１３は画素電極、１４は対向電極、１５は配向膜、１６はカイラルネマチック液晶からなる液晶分子、１７は光学補償フィルム、１８及び１９は偏光板、２０はバックライト、２１及び２２は導電性材料からなる導電性突起である。
【００１６】
図１の液晶表示装置の構成及びその製造方法について説明する。
画素電極１３及び対向電極１４の一端付近の表面にはそれぞれ導電性突起２１、２２が形成される。画素電極１３及び導電性突起２１が形成された電極基板１１、対向電極１４及び導電性突起２２が形成された対向基板１２の表面には、配向膜１５が形成され、それぞれ導電性突起が形成された側を起点とするように一方向にラビングによる配向処理が施される。図１において、矢印Ａは電極基板１１上の配向膜１５の配向処理方向、矢印Ｂは対向基板１２上の配向膜１５の配向処理方向である。
なお、画素電極１３は画素の周辺領域を除いた内側の領域に形成されるのに対し、対向電極１４は画素領域全面に形成される。
【００１７】
次に、配向膜１５が形成された面が互いに内側になるようにし、電極基板１１と対向基板１２との間隙が一定になるようにスペーサ（図示せず）を配置した後、電極基板１１と対向基板１２とを平行に対向させ、表示エリア外に形成したシール剤（図示せず）により貼り合せる。このとき、電極基板１１と対向電極１２のラビングによる配向処理方向が互いに略反平行方向となるように貼り合せる。これにより、画素電極１３の一端に設けられた導電性突起２１と対向電極１４の一端に設けられた導電性突起２２が画素内で対角に位置するようになる。
【００１８】
次に、電極基板１１と対向基板１２との間隙にはカイラルネマチック液晶（液晶分子１６）を封入する。その後対向基板１２の裏面に光学補償フィルム１７を貼り付け、電極基板１１及び対向電極１２側の光学補償フィルム１７の裏面に偏光板１８，１９を貼り付ける。電極基板１１側の偏光板１８の裏面側には、電極基板１１の裏面側に向けて光を放射するバックライト２０を設ける。
【００１９】
図２は、図１における電極基板の平面構造の一例を示す図である。図２において、２３はトランジスタ、２４は信号線、２５はゲート線である。図２の例は、隣接する画素用のゲート線に沿って画素電極１３の一端に導電性突起２１を設けるものである。
図２のように、各単位画素にはトランジスタ２３が設けられ、信号線２４、ゲート線２５によりトランジスタ２３をオン／オフすることにより、画素電極１３の電圧をオン／オフすることができる。
【００２０】
図１を用いて、電圧非印加時及び電圧印加時の液晶の配向状態について説明する。
電極基板１１と対向基板１２の間に封入された液晶は、電圧非印加時には、図１（ａ）のように、電極基板１１及び対向基板１２との界面付近の液晶分子は配向処理方向に沿って僅かに立ち上がり、カイラルネマチック液晶を用いるので、スプレイ配向を含んだ１８０°ツイスト配向となる。
【００２１】
電圧印加時には、画素電極１３と対向電極１４との間に生じる電界により液晶分子が立ち上がる。図１（ｂ）のように、画素電極１３上に設けられた導電性突起２１の近傍では、導電性突起２１によって斜め電界３１が生じ、この斜め電界３１と液晶分子１６の長軸が平行となるように、電極基板１１側から液晶分子１６が立ち上がり、電極基板１１側を起点としてベンド配向となる。なお、このとき、対向基板１２近傍ではスプレイ配向を含むので厳密にはベンド配向とは言えないが、本明細書においては、このような一部スプレイ配向を含んだベンド配向に類似する配向もベンド配向に含める。
一方、対向電極１４上に設けられた導電性突起２２近傍では、導電性突起２２によって生じる斜め電界３２によって、この斜め電界３２と液晶分子１６の長軸が平行となるように対向基板１２側から液晶分子１６が立ち上がり、対向基板１２側を起点としてベンド配向となる。なお、この場合も同様に、一部スプレイ配向を含んだベンド配向である。
【００２２】
このように、画素の中央より左側の領域では電極基板１１側から液晶分子１６が立ち上がり、画素の中央より右側の領域では対向基板１２側から液晶分子１６が立ち上がることにより、転傾線４５を境界として、画素内にツイスト配向の主視野角方向が１８０°異なる２つのベンド配向領域４１，４２（ドメイン）が形成される。
【００２３】
このように、単位画素内で、主視野角方向が１８０°異なる２つの配向領域４１、４２に分割されることにより、対称性に優れた輝度分布を有する液晶表示装置が実現できる。その結果、ベンド配向による高速応答特性に加え、視野角特性に優れた液晶表示装置が実現できる効果がある。
【００２４】
なお、導電性突起を設けない場合にも、電極基板１１側から液晶分子１６が立ち上がる領域と、対向基板１２側から液晶分子１６が立ち上がる領域ができ、画素内にツイスト配向の主視野角方向が１８０°異なる複数の配向領域が形成されるが、確実にドメイン分割するためには、上述のように、電極基板及び対抗基板の近傍で斜め電界が生じる画素構造とすることが望ましい。
【００２５】
以下、実施の形態１の液晶表示装置を作製した例を詳細に説明する。
実施の形態１では、配向膜１５にＪＳＲ製の可溶性ポリイミドＡＬ３０４６を使用し、画素電極１２および対向電極１３上に形成された配向膜１５の配向処理方向が互いに略反平行方向になるように、電極基板１１側の配向膜１５にはパネルに向かって上方向（図１及び２において矢印Ａの方向）に、対向基板１２側の配向膜１５には下方向（図１において矢印Ｂの方向）に、ラビングによる配向処理を行なった。その後、６μｍの樹脂製球状スペーサ（積水ファインケミカル製ミクロパールＳＰ−ＡＤ、垂直配向表面処理品）を用いて、パネルギャップ（即ち、液晶層の厚み）を６μｍに調整した。液晶にはカイラル剤を添加したカイラルネマチック液晶を用いた。その物性値を表１に示す。
【００２６】
【表１】
0004759884.tif 000002
【００２７】
なお、液晶のカイラルピッチｐは１５μｍとしたが、初期配向をツイスト配向とするためには、カイラルピッチｐは下記式（１）で表される範囲であればよい。
【００２８】
４ｄ／３＜ｐ＜４ｄ…（１）
ここで、ｄ［μｍ］はパネルギャップである。
なお、配向処理方向が反平行方向からずれて、ねじれ角Φが１８０°からずれる場合には、カイラルピッチｐは下記式（２）で表される範囲であればよい。
４πｄ／（２Φ＋π）＜ｐ＜４πｄ／（２Φ−π）…（２）
ここで、Φはねじれ角である。
【００２９】
カイラルピッチｐは好ましくは下記式（３）の範囲が良い。
２ｄ＜ｐ＜３ｄ…（３）
【００３０】
カイラルピッチｐが上記式（１）あるいは上記式（２）の範囲内であれば、初期配向はツイスト配向になるが、カイラルピッチが短いほどツイスト配向が安定になるため、液晶分子が立ち上がりにくくなり、駆動電圧が増加する。逆にカイラルピッチが上限に近すぎると、セルギャップの不均一や、画素内の凹凸構造によって、初期配向がスプレイ配向になる。またカイラルピッチが上限に近い場合、初期配向がツイスト配向となっても、電圧印加時にスプレイ配向に配向転移し、適正な表示ができなくなる。
【００３１】
なお、カイラル液晶のカイラルの方向は左カイラルとしたが、もちろん右カイラルであっても構わない。
【００３２】
駆動電圧はオフ電圧を２．５Ｖ、オン電圧を６．５Ｖとし、低電圧側が白表示となるノーマリーホワイトモードを用いた。
【００３３】
電極基板１１と対向基板１２の外側面には、光学補償フィルム１７、及び偏光板１８、１９を貼付けた。光学補償フィルム１７には負のｃプレートとａプレートを使用した。光学補償フィルム１７には、２軸フィルムを用いてもよい。なお、光学補償フィルム１７は電極基板１１の外側に設けてもよく、対向基板１２、電極基板１１の両基板の外側に設けてもよい。
【００３４】
上記手順で作製された液晶表示装置に電圧を印加し、画素の配向の様子を顕微鏡で観察したところ、単位画素内に２つのドメインが形成されていることが確認された。
【００３５】
図３は、この発明の実施の形態１の方法により作製した液晶表示装置の白表示時（オフ電圧２．５Ｖ印加時）の左右方向輝度分布の測定結果を示す図である。測定には大塚電子製液晶評価装置ＬＣＤ５０００を使用した。図３に示されるように、左右対称な輝度分布が実現できた。
【００３６】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２の液晶表示装置の単位画素の断面の構成を模式的に示す図である。なお、電圧非印加時と電圧印加時の液晶分子の配向状態は図１とほぼ同様であり、その図示は省略する。
実施の形態２が実施の形態１と異なるのは、実施の形態１では画素電極１３と対向電極１４の両方に導電性突起２１、２２を設けたが、実施の形態２では画素電極１３にのみ導電性突起２１を設ける点である。この点を除けば、実施の形態１と同じである。
【００３７】
画素電極１３上に設けられた導電性突起２１の近傍では、導電性突起２１によって斜め電界３３が生じ、この斜め電界３３と液晶分子の長軸が平行となるように、電極基板１１側から液晶分子の立ち上がり、電極基板１１側を起点としてベンド配向となる。この点は実施の形態１と同じである。
【００３８】
図４に示される画素構造においては、対向電極１４は、画素全面に形成され、画素電極１３は、画素の内側領域に形成され、画素の右側領域の対向基板１２側の画素端部付近では斜め電界３４が生じる。この斜め電界３４と液晶分子の長軸が平行になるように対向基板１２側から液晶分子が立ち上がり、対向基板１２側を起点としてベンド配向となる。
したがって、画素の左側領域では、電極基板１１側から液晶分子が立ち上がり、画素の右側領域では、対向基板１２側から液晶分子が立ち上がるので、画素内に２つのベンド配向領域が形成される。
このように、画素電極１３にのみ導電性突起２１を設ける場合にも２ドメイン化は可能であり、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００３９】
図４に示される画素構造の液晶表示装置を作製し、その液晶表示装置に電圧を印加し、画素の配向の様子を顕微鏡で観察したところ、画素内に２つのドメインが形成されていることが確認された。
【００４０】
実施の形態３．
図５は、この発明の実施の形態３の液晶表示装置の単位画素の断面の構成を模式的に示す図である。なお、電圧非印加時と電圧印加時の液晶分子の配向状態の図示は省略する。
実施の形態３が実施の形態１と異なるのは、実施の形態１では画素電極１３と対向電極１４の両方に、配向処理方向の起点側に導電性突起２１，２２を設けたが、実施の形態３では画素電極１３と対向電極１４の両方に配向処理方向の終点側に誘電体突起５１、５２を設ける点である。この点を除けば、実施の形態１と同じである。
【００４１】
実施の形態３の液晶表示装置においては、画素電極１３上に設けられた誘電体突起５１の近傍では、誘電体突起５１によって斜め電界３５が生じ、この斜め電界３５と液晶分子の長軸が平行となるように、電極基板１１側から液晶分子の立ち上がり、電極基板１１側を起点としてベンド配向となる。一方、対向電極１４上に設けられた誘電体突起５２の近傍では、誘電体突起５２によって斜め電界３６が生じ、この斜め電界３６と液晶分子の長軸が平行となるように、対向基板１２側から液晶分子の立ち上がり、対向基板１２側を起点としてベンド配向となる。
【００４２】
このように、画素電極１３と対向電極１４に誘電体突起５１、５２を設ける場合にも２ドメイン化は可能であり、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００４３】
図５に示される画素構造の液晶表示装置を作製し、その液晶表示装置に電圧を印加し、画素の配向の様子を顕微鏡で観察したところ、画素内に２つのドメインが形成されていることが確認された。
【００４４】
実施の形態４．
図６は、この発明の実施の形態４の液晶表示装置の単位画素の断面の構成を模式的に示す図である。なお、電圧非印加時と電圧印加時の液晶分子の配向状態は図１とほぼ同様であり、その図示は省略する。
実施の形態４が実施の形態１と異なるのは、実施の形態１では画素電極と対向電極の両方に導電性突起を設けたが、実施の形態４では画素電極と対向電極の何れにも導電性突起を設けずに、配向処理方向の終点側の端部に、画素電極１３の端部より内側になるようにスリット６１（対向電極非形成領域）を設けた対向電極６４を用いる点である。この点を除けば、実施の形態１と同じである。
【００４５】
図６に示される画素構造においては、画素の左側領域では、対向電極６４の端部が画素電極１３の端部より内側になるようにスリット６１を設けるので、画素の左側領域の電極基板１１側の画素端部付近では斜め電界３７が生じる。この斜め電界３７と液晶分子の長軸が平行になるように電極基板１１側から液晶分子が立ち上がり、電極基板１１側を起点としてベンド配向となる。
一方、画素の右側領域では、対向電極６４は、画素の端部まで形成され、画素電極１３は、画素の内側領域に形成されるので、画素の右側領域の対向基板１２側の画素端部付近では斜め電界３８が生じる。この斜め電界３８と液晶分子の長軸が平行になるように対向基板１２側から液晶分子が立ち上がり、対向基板１２側を起点としてベンド配向となる。
【００４６】
このように、スリット６１を設けた対向電極６４を用いる場合にも２ドメイン化は可能であり、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００４７】
図６に示される画素構造の液晶表示装置を作製し、その液晶表示装置に電圧を印加し、画素の配向の様子を顕微鏡で観察したところ、画素内に２つのドメインが形成されていることが確認された。
【００４８】
なお、電極基板及び対抗基板の近傍で斜め電界が生じる画素構造として、実施の形態１から４に示したものに限られるものではなく、画素電極の一端付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界と、対向電極の上記画素電極の一端と対角に位置する端部付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界とが生じるような画素構造であればよい。このような斜め電界は、例えば、上述のように、導電性突起や誘電体突起を設けたり、画素電極と対向電極の端部の位置関係を利用して得ることができる。
【００４９】
参考の形態．図７は、この発明の参考の形態の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。参考の形態が実施の形態１と異なるのは、実施の形態１では画素電極１３と対向電極１４の両方に導電性突起２１、２２を設けたが、参考の形態では画素電極と対向電極の何れにも導電性突起を設けずに、配向処理方向の終点側の表面を粗面化した画素電極７３及び対向電極を７４用いる点である。この点を除けば、実施の形態１と同じである。
【００５０】
図７において、画素電極７３の粗面部７１、対向電極７４の粗面部７１は、画素電極及び対向電極の表面を塩酸／硝酸混合溶液に曝すことにより形成する。
【００５１】
上述した実施の形態１から４は、電極基板及び対向基板近傍での斜め電界を利用して配向制御するものであるが、参考の形態は、配向膜の表面粗度による液晶分子のプレチルト角（基板面に対する液晶分子の長軸の傾き角）の違いを利用して配向制御するものである。すなわち、表面形状が粗い場合には同じラビング条件でもプレチルト角が小さくなるために、画素内にプレチルト角が大きい領域と小さい領域が形成され、電極印加時にプレチルト角が大きい電極側から液晶分子が立ち上がることを利用するものである。
【００５２】
図７においては、画素の左側の領域では、対向電極７４の粗面部７２上に形成した配向膜１５の表面が粗面化するので、プレチルト角は電極基板１１側の方が大きく、電圧印加時には、電極基板１１側から液晶分子が立ち上がりベンド配向となる。画素の右側の領域では、逆に、画素電極７３の粗面部７１上に形成した配向膜１５の表面が粗面化しているので、プレチルト角は対向基板１２側の方が大きく、電圧印加時には、対向基板１２側から液晶分子が立ち上がりベンド配向となる。
【００５３】
このように、電極の表面粗度の違いを利用する方法でも液晶分子が立ち上る方向を制御でき、画素の中央より左側の領域では電極基板１１側から液晶分子が立ち上がり、画素の中央より右側の領域では対向基板１２側から液晶分子が立ち上がることにより、転傾線４６を境界として、画素内にツイスト配向の主視野角方向が１８０°異なる２つのベンド配向領域４３，４４（ドメイン）が形成される。
【００５４】
このように、電極の表面粗度の違いを利用する方法でも２ドメイン化は可能であり、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００５５】
図７に示される画素構造の液晶表示装置を作製し、その液晶表示装置に電圧を印加し、画素の配向の様子を顕微鏡で観察したところ、画素内に２つのドメインが形成されていることが確認された。
【００５６】
なお、配向膜の表面を粗面化する方法として、画素電極及び対向電極の表面をするものについて説明したが、これに限らず、他の方法により配向膜の表面を粗面化してもよい。
【００５７】
比較例．
図９は、比較例の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。
比較例が実施の形態１と異なるのは、実施の形態１では画素電極１３と対向電極１４の両方に導電性突起２１、２２を設け、電極基板１１側の配向膜１５の配向処理方向と対向基板１２側の配向膜１５の配向処理方向を反平行方向としたが、比較例では画素電極１３と対向電極１４の両方に導電性突起を設けずに、且つ、電極基板１１側の配向膜１５の配向処理方向（図９中の矢印Ａ）と対向基板１２側の配向膜１５の配向処理方向（図９中の矢印Ａ）を同じ方向（平行方向）とする点である。この点を除けば、実施の形態１と同じである。
【００５８】
比較例の場合には、図９のように、電圧非印加時には、図８（ｃ）と同様のツイスト配向となり、電圧印加時には、ツイスト配向からベンド配向に連続的に変化する（図９（ｂ））。しかし、２つのドメインは形成されずに、１つのドメインのみとなる。
【００５９】
図１０は、比較例の方法により作製した液晶表示装置の白表示時（オフ電圧２．５Ｖ印加時）の左右方向輝度分布の測定結果を示す図である。測定条件は実施の形態１と同じである。図１０に示されるように、左方向の輝度が大きく、左右非対称な輝度分布となった。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、本発明の液晶表示装置は、画素電極及び対向電極上に形成された配向膜を互いに略反平行方向となるように配向処理して、画素電極と対向電極との間の電界であって、画素電極の一端付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界と、対向電極の画素電極の一端と対角に位置する端部付近で配向処理方向に対し鋭角方向に生じる斜め電界によって、カイラルネマチック液晶中の液晶分子の配向方向を制御することにより、単位画素内のカイラルネマチック液晶が少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるようにするので、対称性に優れた輝度分布を有する液晶表示装置が実現できる。その結果、ベンド配向による高速応答特性に加え、視野角特性に優れた液晶表示装置が実現できる効果がある。
【００６３】
また、画素電極及び対向電極の少なくとも一方の電極に突起またはスリットを設けることにより、斜め電界を確実に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。
【図２】 図１における電極基板の平面構造の一例を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態１の液晶表示装置の白表示時の左右方向輝度分布の測定結果を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態３の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態４の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図である。
【図７】 この発明の参考の形態の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。
【図８】 従来のＯＣＢモードの液晶層の配向状態を説明する図であり、その（ａ）はベンド配向、その（ｂ）はスプレイ配向の場合の初期配向、その（ｃ）はツイスト配向の場合の初期配向を説明する図である。
【図９】 比較例の液晶表示装置の単位画素内の断面の構成を模式的に示す図であり、その（ａ）は電圧非印加時、その（ｂ）は電圧印加時（装置駆動時）の状態を示す図である。
【図１０】 比較例の方法により作製した液晶表示装置の白表示時の左右方向輝度分布の測定結果を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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