(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤としてアゾ化合物又はアジド化合物を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップのうち、ピックアップ工程においてピックアップしようとする半導体チップにのみ光を照射して、該半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを有する半導体チップの製造方法であって、
前記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫外線を照射することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
テープ貼付工程において、ダイシング用粘着テープを半導体ウエハの回路が形成されている側の面に貼付することを特徴とする請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
剥離工程において、吸引手段を用いて半導体チップを吸引する直前に、又は、吸引手段を用いて半導体チップを吸引した状態で光を照射することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
剥離工程において、光は、光源から発した光を個々の半導体チップに貼付されたダイシング用粘着テープまで導光されていることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
半導体チップの全面に照射される光は、照射強度の変動幅が平均照射強度の２０％以内であることを特徴とする請求項４記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
半導体チップに照射される光は、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に広げた接着部分の面積が半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部における照射強度の平均値が、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対して４０〜７０％の強度であることを特徴とする請求項４記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
半導体チップに照射される光は、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に広げた接着部分の面積が半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部における照射強度の平均値が、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対して１５０〜２５０％の強度であることを特徴とする請求項４記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
剥離工程を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
ピックアップ工程において、ダイシング用粘着テープをエクスパンドすることなくピックアップすることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体
チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスし
て半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パタ
ーンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを１００〜３００
μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されてい
る。
【０００３】
従来から、ダイシングの際には、半導体ウエハ裏面側にダイシング用粘着テープを貼付し
て、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体
チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突
き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許
文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウエハの裏面側より、
少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの
砥石軸で半導体ウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行う半導体ウエハの研削
加工方法が開示されているが、このような方法にあっても半導体ウエハの位置ずれ等を防
止する目的でダイシング用粘着テープが用いられている。
【０００４】
ダイシングの際に半導体ウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、半導体ウエハを
固定するダイシング用粘着テープに高い粘着力が求められる。しかしながら、ダイシング
用粘着テープの粘着力を高く設定すると、ダイシング用粘着テープから得られた半導体チ
ップを剥離するのが困難になり、ニードル等で突き上げてピックアップする際に半導体ウ
エハが損傷してしまうことがあるという問題があった。
【０００５】
これに対して、ダイシング用粘着テープの粘着剤として硬化型粘着剤を用いる方法が行わ
れていた。この方法によれば、比較的高い粘着力で半導体ウエハを固定してダイシングを
行った後、粘着剤を硬化してその粘着力を低下させた後、得られた半導体チップをダイシ
ング用粘着テープから剥離することができる。しかしながら、硬化型粘着剤を用いたとし
ても、その粘着力の変化の幅は小さいものであることから、ダイシング時の半導体ウエハ
の位置ずれ等を充分に防止できる程度に高い粘着力を付与した場合には、硬化後の粘着力
もあまり低下しないことから、やはりニードル等で突き上げてピックアップする際に半導
体チップを損傷することなく取り上げることは困難であった。
【０００６】
また、半導体ウエハの表面に形成された回路パターンが極めて微細であったり、破損しや
すいものである場合には、ダイシングの際に砥石があたったりダイシングにより生じた切
粉により回路パターンが破損してしまうことがあった。このような場合には、ダイシング
用粘着テープを半導体ウエハ表面側に貼付し、半導体ウエハ裏面側からダイシングを行う
裏ダイシング法が行われる。しかしながら、裏ダイシング法により得られた半導体ウエハ
をピックアップする際には、半導体ウエハの表面側、即ち、回路パターンが形成された側
をニードル等で突き上げることになり、このときに回路パターンが破損してしまうことが
あるという問題があった。
【０００７】
更に、近年ではコスト削減等の要請から高い生産性で半導体チップを生産することが要求
されており、各工程においても極限の効率化が求められている。なかでもダイシング後の
半導体チップをニードル等で突き上げてピックアップする工程は、ピックアップの速度を
上げようとすると破損する半導体チップの数が増加してしまい歩留りに影響することから
、生産性向上のための問題点の１つとなっていた。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−７８７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記現状に鑑み、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得るこ
とができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気
体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程
と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チ
ップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップに光を照射して、
半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、
前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを
有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１１】
本発明の半導体チップの製造方法は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射するこ
とにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープ
を貼付するテープ貼付工程を有する。このようなダイシング用粘着テープを貼付すること
により、後述するダイシング工程において半導体ウエハが位置ずれ等を起こすことを防止
することができると同時に、従来のニードルピックアップ法のように半導体チップを損傷
することのないニードルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる
。
【００１２】
上記回路が形成された半導体ウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用
いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジ
ストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられ
る。
上記半導体ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の１００〜３００μｍ程度のもの
から、５０μｍ以下のものでも用いることができる。本発明の半導体チップの製造方法は
、特に厚さが５０μｍ以下の半導体ウエハから半導体チップを高い生産性で製造するのに
適している。
【００１３】
上記ダイシング用粘着テープは、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含
有する粘着剤層を有する。このような粘着剤層を有することにより、ダイシング工程にお
いて半導体ウエハが位置ずれ等を起こさない程度に充分な粘着力を有する場合であっても
、剥離時に光を照射すれば、気体発生剤から発生した気体が粘着剤層と半導体ウエハとの
界面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導
体ウエハからダイシング用粘着テープを剥離することができ、半導体チップを損傷するこ
とのないニードルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる。
【００１４】
上記光照射により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ
化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチ
ルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチル
プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）
、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２
，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス
（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−エチル−２
−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（
ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス
｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−
アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−
アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビ
ス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、
２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライ
ド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイト
ジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミ
ジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（
２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド
、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２’−アゾ
ビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−
アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシア
シル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カ
ルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンア
ミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル
２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシ
ッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビ
ス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
これらのアゾ化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の紫外線を照射することにより
窒素ガスを発生する。
【００１５】
上記アゾ化合物は、１０時間半減期温度が８０℃以上であることが好ましい。１０時間半
減期温度が８０℃未満であると、本発明の粘着テープは、キャストにより粘着剤層を形成
して乾燥する際に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリー
ドアウトしてしまったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを
生じさせてしまったりすることがある。１０時間半減期温度が８０℃以上であれば、耐熱
性に優れていることから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
【００１６】
１０時間半減期温度が８０℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式（１）で表され
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとする
ことができる。
【００１７】
【化１】
0004804719.tif 000002
式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ低級アルキル基を表し、Ｒ３は、炭素数２以上の
飽和アルキル基を表す。なお、Ｒ１とＲ２は、同一であっても、異なっていてもよい。
【００１８】
上記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（
Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−
メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−
２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−
メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２
’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオン
アミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プ
ロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオ
ンアミド］等が挙げられる。なかでも、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピ
オンアミド］は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
【００１９】
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフ
タルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の
紫外線を照射することにより窒素ガスを発生する。
【００２０】
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解
して窒素ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという問題がある。更に、上記
アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出し
その制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷すること
があるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが
、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
【００２１】
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生するこ
ともないため被着体を損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断でき
ることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記
気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
【００２２】
上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に粒子として存在しないことが好ましい。なお、本明
細書において、気体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記粘着剤層
を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記粘着剤層中
に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに
粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性
が悪くなったりすることがある。
【００２３】
上記気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、上記粘着剤層を構成する
粘着剤に溶解する気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場
合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気
体発生剤を微分散させる。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤
は、できるだけ微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分
散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、
電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状
態まで分散させることがより好ましい。
【００２４】
上記ダイシング用粘着テープでは、上記気体発生剤から発生した気体は粘着剤層の外へ放
出されることが好ましい。これにより、上記ダイシング用粘着テープを半導体チップに貼
付した接着面に光を照射すると気体発生剤から発生した気体が半導体チップから接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に剥離することができる。この際
、気体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤層の外へ放出されることが好ましい。上
記気体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤層の外へ放出されないと、粘着剤層が気
体発生剤から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充
分に得ることができず、半導体チップ上に糊残りを生じさせてしまうことがある。なお、
半導体チップ上に糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一
部が粘着剤層中に溶け込んでいたり、気泡として粘着剤層中に存在していたりしてもかま
わない。
【００２５】
上記粘着剤層を構成する粘着剤は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであること
が好ましい。このような粘着剤を用いれば、剥離時に刺激を与えて弾性率を上昇させるこ
とにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。更に、剥離の際に気体
を発生させるのに先立って架橋させれば粘着剤層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇し
た硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出
され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤層の接着面の少なくとも一部を剥がし
接着力を低下させる。
上記粘着剤を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。刺激が異なる場合には、剥離の際、気体発生剤から気
体を発生させる刺激を与える前に架橋成分を架橋させる刺激を与える。
【００２６】
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなる
アクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて
光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有
してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重
合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重
合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００２７】
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、
光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するた
め、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率
の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外
部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を
剥がし接着力を低下させる。
【００２８】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（
以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上
記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官
能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００２９】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、
一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である
。
【００３０】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
【００３１】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
【００３２】
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるよう
に、その分子量が５，０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜
２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、
例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１
，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様
のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で
用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３３】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することによ
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止す
るために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
【００３４】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生す
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されても
よい。
【００３５】
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
【００３６】
上記粘着剤は、帯電防止処理が施されていてもよい。上記ダイシング用粘着テープが静電
気等で帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることが
できなくなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を
与えたりすることがある。上記粘着剤に帯電防止処理を施す方法としては特に限定されな
いが、例えば、イオン型の界面活性剤や金属微粒子等を粘着剤中に配合する方法等が挙げ
られる。なかでも、金属微粒子や高分子型のイオン型界面活性剤を配合することが、粘着
力に悪影響を及ぼさないことから好ましい。
【００３７】
光照射前の上記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力の好ましい下限は０．５Ｎ／２５
ｍｍ、好ましい上限は１０Ｎ／２５ｍｍである。０．５Ｎ／２５ｍｍ未満であると、粘着
力が不充分でダイシング時に半導体ウエハが動いてしまうことがあり、１０Ｎ／２５ｍｍ
を超えると、光を照射してもピックアップ可能な程度にまで粘着力が低減しないことがあ
る。
【００３８】
光照射前の上記粘着剤層の２３℃における剪断弾性率の好ましい下限は５×１０４Ｐａで
ある。５×１０４Ｐａ未満であると、半導体ウエハを正確にダイシングできないことがあ
る。
【００３９】
上記粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限
は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発
生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好
に剥離することができないことがある。
【００４０】
上記ダイシング用粘着テープは、基材の片面に粘着剤層が形成された片面粘着テープであ
ることが好ましい。
上記基材としては光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアク
リル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート
、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
【００４１】
上記基材は、後述する剥離工程やピックアップ工程にあわせて種々の態様を選択すること
ができる。
例えば、後述するピックアップ工程において上記ダイシング用粘着テープをエクスパンド
する場合には、上記基材としては、フィルム厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が２５
Ｎ／２５ｍｍ以下である柔軟層を有することが好ましい。このような柔軟層を有すること
により、上記ダイシング用粘着テープを容易にエクスパンドすることができる。柔軟層の
２０％伸び荷重が２５Ｎ／２５ｍｍを超えると、上記ダイシング用粘着テープをエクスパ
ンドするために強い張力をかけることが必要となり装置が大型化したり、張力が不均一と
なり半導体チップが位置ずれを起こしたりすることがある。
【００４２】
また、上記基材が上記柔軟層を有する場合には、上記基材は光照射による自己剥離を更に
高めるために、粘着剤層と柔軟層の間に更に高剛性層を有してもよい。上記高剛性層とし
ては、フィルム厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が１００Ｎ／２５ｍｍ以上であるこ
とが好ましい。上記高剛性層の２０％伸び荷重に上限は特に限定されないが、ダイシング
ソーにより切断できる程度であることが必要である。そのためには、上記高剛性層の厚さ
の好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は３０μｍである。
また、粘着剤側と反対の面に、剛性の高い補強板を設けて上記柔軟層を支持しても同様な
効果を得ることができる。上記補強板としては、光が透過又は通過できるものであれば特
に限定されず、例えばガラス板やアクリル板、ＰＥＴ板等が挙げられる。この支持板は上
記柔軟層と接触していればよく、特に接着していてもなくともよい。
更に、例えば、後述する剥離工程において高強度紫外線照射して半導体チップを自己剥離
させる場合には、ピックアップ工程において上記ダイシング用粘着テープをエクスパンド
しなくても良いことから、上記基材としてはウエハの変形を防止する性能の高い、補強板
といえる程度の剛性の高いものを基材として用いてもよい。このような基材としては、自
己剥離性能が向上することから、厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が１００Ｎ／２５
ｍｍ以上のものが好ましい。このような剛性の高い基材を用いることにより、５０μｍ以
下の薄い半導体ウエハを取り扱う場合に、半導体ウエハを支持して破損するのを防止する
こともできる。
【００４３】
上記基材としては、帯電防止処理が施されたものが好ましい。上記基材が静電気等により
帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることができな
くなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を与えた
りすることがある。上記帯電防止処理をする方法としては特に限定されないが、例えば、
基材に帯電防止処理剤を含有させる方法や、基材表面に帯電防止処理剤を塗布する方法等
が挙げられる。上記帯電防止処理剤としては特に限定されず、例えば、透明な導電可塑剤
、界面活性剤、金属微粒子等が挙げられる。
【００４４】
上記基材の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は
２００μｍである。３０μｍ未満であると、上記ダイシング用粘着テープの自立性が不足
しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、上記ダイシング用粘着
テープを剥離する際に不具合が生じることがある。
【００４５】
上記ダイシング用粘着テープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、上記基材
の表面に、上記気体発生剤等を含有する粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を
用いて塗工する方法等が挙げられる。
【００４６】
上記テープ貼付工程においては、通常は、回路が形成された半導体ウエハの回路が形成さ
れていない側の面に上記ダイシング用粘着テープを貼付する。ただし、形成された回路が
特に破損しやすいものである場合には、回路が形成されている側の面に上記ダイシング用
粘着テープを貼付してもよい。この場合には、いわゆる裏ダイシングを行うことになるが
、本発明の半導体チップの製造方法の製造方法においては、後述するように得られた半導
体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げることから、従来の方法のように
ピックアップの際に回路を損傷することもない。
【００４７】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハを
ダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程を有する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断
分離する方法等を用いることができる。
【００４８】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記分割された個々の半導体チップに貼付されたダ
イシング用粘着テープに光を照射して、半導体チップからダイシング用粘着テープの少な
くとも一部を剥離する剥離工程を有する。
上述のように上記ダイシング用粘着テープは上記気体発生剤を含有することから、光を照
射することにより、発生した気体が粘着剤層と半導体チップとの界面に放出され接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導体チップを剥離することが
できる。
【００４９】
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記剥離工程における光照射の方法を工夫することによ
り、後述するピックアップ工程においてニードルを用いないニードルレスピックアップ法
により半導体チップを容易に取り上げることが可能となり、ピックアップ時の衝撃により
半導体チップが破損したり、カケが生じたりするのを防ぐことができることを見出し、本
発明を完成するに至った。
即ち、上記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２以
上である光を照射するか、又は、吸引手段を用いて半導体チップを吸引する直前に、若し
くは、吸引手段を用いて半導体チップを吸引した状態で光を照射することにより、ニード
ルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる。
なお、本明細書においてニードルレスピックアップ法とは、ニードルを用いて半導体チッ
プを突き上げてピックアップを行う方法以外の方法を意味し、例えば、吸引パッド等の吸
引手段や水等の液体を付着させた吸着治具による吸着手段、緩衝機構を有したピンセット
等によりチップを挟み込んで取り上げる手段等が挙げられる。
【００５０】
波長３６５ｎｍにおける照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫外線を照射した場合
には、気体が短時間に大量に発生することから剥離圧力が高まり、半導体チップを粘着剤
層から自発的に剥離させ、剥離した半導体チップが粘着剤層からあたかも浮いたような状
態にすることが可能である（以下、これを自己剥離ともいう）。このように自己剥離した
場合には、ニードルを用いないニードルレスピックアップ法により容易に取り上げること
が可能となり、ピックアップ時の衝撃により半導体チップが破損したり、カケが生じたり
するのを防ぐことができる。波長３６５ｎｍにおける照射強度が１０００ｍＷ／ｃｍ２以
上である紫外線を照射する場合には、より確実に自己剥離させることができることから好
ましい。
【００５１】
このような高強度の紫外線は、紫外線ランプ等の通常の光源から照射してもよいが、通常
、これほどの高強度の実現は困難である。この場合には、光源から発した紫外線を集光す
る方法により高強度紫外線を得ることができる。上記集光する手段としては、例えば、集
光ミラーや集光レンズを用いる方法等が挙げられる。
【００５２】
吸引手段を用いて半導体チップを吸引する直前に、又は、吸引手段を用いて半導体チップ
を吸引した状態で光を照射した場合には、上記ダイシング用粘着テープから気体が発生す
る際にも一定の剥離力がかかっていることから、半導体チップとダイシング用粘着テープ
とが不規則な剥離をして未剥離部分が生じるのを防止することができ、その結果、ニード
ルを用いないニードルレスピックアップ法により取り上げることが可能となる。
【００５３】
また、更に生産速度を向上させるためには、ピックアップの速度を上げる必要がある。例
えば、吸引パッドで半導体チップを吸着させる直前に光照射をすることにより、光照射に
必要な時間とピックアップに必要な時間とをオーバーラップさせることが可能であり、こ
のようにすれば更に生産速度を向上させることができる。この場合、光照射から吸引手段
を用いて半導体チップを吸引するまでに時間がかかると、不規則な剥離をして未剥離部分
が生じることがあることから、吸引前１．０秒以内に光照射することが好ましい。
【００５４】
上記剥離工程において、分割された複数の半導体チップの全体に一斉に光を照射しても良
いが、個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行うことが好ましい。一斉に光を照
射すると、全ての半導体チップが少なくとも一部を自己剥離するので、個々のチップを順
次ピックアップする為に、半導体チップ全体を動かすと、個々のチップがバラバラに剥離
してしまい、ピックアップ不良の原因となり、かえって生産性が低下することがある。
個々の半導体チップごとに光照射、剥離及びピックアップを連続して行うことにより、こ
のようなピックアップ不良による生産性低下を抑えることができる。
この場合、隣接する半導体チップに光照射されない範囲で半導体チップ全面に光が照射さ
れるように照射面積を調整して光を照射することが好ましい。即ち、光はダイシングによ
って生じた溝の外郭より内側に照射されるようにする。
【００５５】
個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行う方法としては特に限定されないが、例
えば、光は、光源より発した光を個々の半導体チップに貼付されたダイシング用粘着テー
プまで導光されていることが好適である。上記導光方法としては、上述の集光した光を用
いる方法や単数又は複数の束になった光ファイバーを用いる方法が挙げられる。
【００５６】
個々の半導体チップに光を照射する場合、剥離工程の態様に応じて、その照射方法を選択
することが好ましい。
半導体チップの全面に照射される光が、照射強度の変動幅が平均照射強度の２０％以内で
ある場合には、気体の発生が均一となり、特に自己剥離させたい場合に有効である。また
、自己剥離させたい場合には、光は、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に
広げた接着部分の面積が半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部にお
ける照射強度の平均値が、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対し
て４０〜７０％の強度であることも好適である。このように半導体チップの接着面内側部
における照射強度を高くすることにより、中心部からの気体発生が先行し、周辺部が先に
剥離してそこからガス抜けが起こって剥離不良が発生することを防ぐことができる。
また、光を、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に広げた接着部分の面積が
半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部における照射強度の平均値が
、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対して１５０〜２５０％の強
度であるようにして照射した場合には、半導体チップの中心部からの気体発生が遅れるこ
とから、剥離時に半導体チップが位置ずれするのを防止することができる。
【００５７】
上記剥離工程は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活
性ガス雰囲気下で剥離工程を行うことにより、上記粘着剤層を構成する粘着剤の酸素によ
る硬化阻害を抑制することができ、特にチップ面積に対して、酸素阻害を受ける面積の比
率が大きい微小チップの剥離に有効である。
【００５８】
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体チップをニードルレスピックアップ法により
取り上げるピックアップ工程を有する。ニードルレスピックアップ法とはニードルを用い
ないピックアップ方法であり、このようなニードルレスピックアップ法によれば、半導体
チップに衝撃を与えず安全にピックアップすることができる。また、ニードルレスピック
アップ法によれば、ピックアップ速度を速めても半導体チップを損傷してしまうことがな
いことから、大幅な生産性の向上が可能となる。
【００５９】
上記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照度が５００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫
外線を照射した場合には、半導体チップはダイシング用粘着テープから自己剥離している
ことから、従来の方法のようにニードルで突き上げなくとも吸引パッド等の吸引手段を用
いて吸引するだけで容易に半導体チップを取り上げることができる。
また、上記剥離工程において、吸引手段を用いて半導体チップを吸引した状態で光を照射
した場合には、そのままピックアップ工程に移行でき、従来の方法のようにニードルで突
き上げなくとも吸引パッド等の吸引手段を用いて吸引するだけで容易に半導体チップを取
り上げることができる。
【００６０】
上記ピックアップ工程においては、必要に応じて、ダイシング用粘着テープをエクスパン
ドしてもよいし、しなくてもよい。例えば、個々の半導体チップ間隔が非常に狭いか又は
間隔が無い場合には、エクスパンドすることにより個々の半導体チップ間隔が広がり、隣
接する半導体チップに触れたりすることなく容易にピックアップすることができる。また
、ダイシング後に充分な半導体チップ間隔がある場合には、エクスパンドしなくとも半導
体チップに触れたりすることなく容易にピックアップすることができる。
【００６１】
本発明の半導体チップの製造方法によれば、位置ずれ等を起こすことなく正確にダイシン
グを行うことができ、また、ダイシングされた半導体チップを、従来の方法のようにニー
ドルで突き上げることのないニードルレスピックアップ法により取り上げることから、半
導体チップに衝撃を与えず安全にピックアップすることができる。また、ピックアップ速
度を速めても半導体チップを損傷してしまうことがないことから、大幅な生産性の向上が
可能となる。更に、特に破損しやすい回路が形成された半導体チップを製造する場合には
、回路が形成されている側の面にダイシング用粘着テープを貼付して裏ダイシングを行う
ことにより、回路を損傷することなく半導体チップを得ることができる。
【発明の効果】
【００６２】
本発明によれば、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる
半導体チップの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
【００６４】
（実施例１）
（粘着剤の調製）
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７
０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２
−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重
量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部
を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート                ７９重量部
エチルアクリレート                １５重量部
アクリル酸                          １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート    ５重量部
光重合開始剤                    ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン          ０．０１重量部
【００６５】
また、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−ア
ゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエ
チルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製
した。
【００６６】
（ダイシング用粘着テープの作製）
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるよう
にドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理が施され
たＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシング用
粘着テープを得た。
【００６７】
（半導体チップの製造）
得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハの
回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを５
mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射
には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（ス
ポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射により、半導体チップはダイ
シング用粘着テープから自己剥離した。
次いで、自己剥離してダイシング用粘着テープ上に浮いている半導体チップを吸引パッド
で吸着して取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
【００６８】
（実施例２）
波長３６５ｎｍにおける照度が１０００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を０．５
秒間照射した以外は実施例１と同様の方法により、半導体チップの製造を行った。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
【００６９】
（実施例３）
実施例１で作成したダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つの半導体チップを吸引パッドで吸着した状態で、ダイシング用粘着
テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６００ｍＷ／ｃｍ２となるように紫外線を１
．０秒間照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から紫外線が点状に出光
する紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射によ
り、半導体チップはダイシング用粘着テープから剥離し、そのまま取り上げることができ
た。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
【００７０】
（実施例４）
実施例１で作成したダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、吸引パッドで吸引する０．５秒前に、ダイシング用粘着テープ側より紫外線
を照射した。そのとき、紫外線照射強度を波長３６５ｎｍで６００ｍＷ／ｃｍ２、照射時
間を１．０秒間とした。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から紫外線が点状に
出光する紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射
により、半導体チップはダイシング用粘着テープから剥離し、そのまま取り上げることが
できた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
【００７１】
（比較例１）
光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシング用粘着テープ（日東電工社製
、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウ
エハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエ
ハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から強度１００ｍＷの紫外線を５秒間
照射した。
この紫外線照射によっては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げら
れなかったので、紫外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップ
を取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００７２】
（比較例２）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が３
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。この紫外線照射によ
っては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げられなかったので、紫
外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００７３】
（比較例３）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシングテープ用粘着テープ側より、波長３６５ｎｍにおける
照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２となる高照度紫外線を中心部から直径３ｍｍの領域に照射
し、同時にその周辺部に照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となる紫外線を、それぞれ１．０
秒間照射した。
この紫外線照射により、中心部以外の周辺部が自己剥離することはなく、吸引パットで吸
引しても取り上げることが困難であったので、ニードルを用いたピックアップ方法により
、半導体チップを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００７４】
（比較例４）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシングテープ用粘着テープ側より、波長３６５ｎｍにおける
照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となる紫外線を中心部から直径３ｍｍの領域に照射し、同
時にその周辺部に照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２となる高照度紫外線を、それぞれ１．０
秒間照射した。
この紫外線照射により、中心部は自己剥離することはなく、吸引パットで吸引しても取り
上げることが困難であったので、ニードルを用いたピックアップ方法により、半導体チッ
プを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
【００７５】
【表１】
0004804719.tif 000003
（実施例５）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されている側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウ
エハを回路が形成されていない側から５mm×５mmにダイシング（裏ダイシング）して半導
体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射
には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（ス
ポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射により、半導体チップはダイ
シング用粘着テープから自己剥離した。
次いで、自己剥離してダイシング用粘着テープ上に浮いている半導体チップを吸引パッド
で吸着して取り上げた。
２０枚の半導体チップについて同様の操作を行い、得られた半導体チップ表面の回路を顕
微鏡で観察したところ、全ての半導体チップで回路の破損は認められなかった。
【００７６】
（比較例５）
光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシング用粘着テープ（日東電工社製
、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウ
エハの回路が形成されている側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハ
を回路が形成されていない側から５mm×５mmにダイシング（裏ダイシング）して半導体チ
ップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から強度１００ｍＷの紫外線を５秒間
照射した。
この紫外線照射によっては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げら
れなかったので、紫外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップ
を取り上げた。
２０枚の半導体チップについて同様の操作を行い、得られた半導体チップ表面の回路を顕
微鏡で観察したところ、全ての半導体チップの回路にニードルで突き上げた際に付いたと
思われる傷が認められた。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明によれば、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる
半導体チップの製造方法を提供することができる。