(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温端としての第１の基板と、前記第１の基板上に形成された複数個の第１の電極と、低温端としての第２の基板と、前記第２の基板上に形成された複数個の第２の電極と、複数個のｐ型熱電素子と、複数個のｎ型熱電素子と、を有し、各前記第１の電極に夫々１対の前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子が接合され、隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が１個の前記第２の電極に接合されて前記複数個のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が交互に直列接続された熱電モジュールにおいて、
前記複数個のｐ型熱電素子及び前記複数個のｎ型熱電素子は、高さが等しく、
前記第１の基板の対角長さの熱膨張量を前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の高さの３乗で割った数値Ｒが０．０３９以上であり、
前記第１の基板の中央部は前記Ｒの値が０．０３９未満であって、前記第１の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とがはんだ付けによって接合され、
前記中央部以外の部分は前記Ｒの値が０．０３９以上であって、前記第１の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とが、熱電モジュールの動作時における前記第１の基板の温度において液体である液体金属によって電気的に接続され、
前記第２の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とが全てはんだ付けによって接合されており、
前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の前記第１の電極及び前記第２の電極と接合される面にＡｕＳｎめっき又はＳｎＳｂめっきが施されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
前記液体金属は、２５乃至２５０℃において液体であることを特徴とする請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項３】
第１の電極に１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が接合され、隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が１個の第２の電極に接合されて複数個のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が交互に直列接続された熱電モジュールの製造方法において、
前記第１の電極及び前記第２の電極と接合される面にＡｕＳｎめっき又はＳｎＳｂめっきが施された高さが等しいｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を使用し、
前記第１の電極が設けられ、対角長さの熱膨張量を前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の高さの３乗で割った数値Ｒが０．０３９以上である基板を高温端としての第１の基板として使用し、この第１の基板の中央部は前記Ｒの値が０．０３９未満であって、この中央部の前記第１の電極に夫々１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を配置してはんだ付けによって接合する工程と、
前記第１の基板の中央部以外の部分は前記Ｒの値が０．０３９以上であって、この中央部以外の部分の前記第１の電極に夫々１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を配置して熱電モジュールの動作時における前記第１の基板の温度において液体である液体金属によって電気的に接続する工程と、
前記第２の電極が設けられた基板を低温端としての第２の基板として使用し、この第２の基板に設けられた前記第２の電極によって隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を１個の前記第２の電極にはんだ付けによって接合する工程と、
を有することを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記液体金属は、２５乃至２５０℃において液体であることを特徴とする請求項３に記載の熱電モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱電モジュールに関し、特に耐熱応力に優れ、信頼性の高い熱電モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
熱電モジュールは、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも２種の元素を含むｐ型半導体とｎ型半導体の微小チップ（熱電素子）を、電極をパターニングしたセラミクス基板で上下に挟んで接合し、接点に温度差が生じると起電力が発生するゼーベック効果を利用し、熱を電力に変換するか又は通電により温度差を生じさせるペルチェ効果を利用し、温度調節を行うものである。
【０００３】
図４は従来の熱電モジュールを示す模式的正面図である。熱電素子２１及び２２と電極２４及び２８との接合は通常Ｐｂ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｓｂ又はＡｕ−Ｓｎ等のはんだ合金によるはんだ付けによって行われるが、熱電素子２１及び２２と電極２４及び２８との間にはんだ２５が介在することで、このはんだ２５が熱抵抗になり熱伝達及び熱伝導を妨げ、また電気抵抗を上昇させるため、熱電モジュール２０の発電効率を妨げる要因の一つになる。また、図５に示すように、熱電モジュール２０を駆動させた際、上下の基板の温度差により上下の基板の熱膨張差に起因する熱応力が発生し、この熱応力が熱電素子２１及び熱電素子２２と電極２４及び２８とのはんだ接合部に掛かるため、接合部等において破壊の虞があり、熱電モジュール２０の信頼性が低いという問題点がある。
【０００４】
この問題点を解決すべく、特許文献１に開示されている技術は、高温端側の電極３４を緩やかな凸状の曲面を有するよう形成し、熱電素子３１及び３２と高温端側の電極３４及び低温端側の電極３８との接合をはんだ付けではなく熱電素子３１及び３２と電極３４及び３８との双方にＨｇ、Ｇａ、Ｉｎ又はこれらの合金からなる液体金属はんだを塗布することによって行っている。図６に特許文献１に開示された熱電モジュール３０を示す模式的正面図を示す。高温端の電極３４が緩やかな凸状の曲面を有しているため、接合の際、この電極３４の凸部によって接合を受け持つ液体金属３６が熱電素子３１及び３２の側部に押しやられ、熱電素子３１及び３２と電極３４との接合面は極めて薄い液体金属面になる。これにより、熱抵抗及び電気抵抗の上昇を防ぎ、また、熱電素子３１及び３２と電極３４及び３８とを液体金属３６によって接合しているため、接合部が上下の基板の熱膨張差に起因する熱応力の影響を受けないというものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３７３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術は全ての熱電素子３１及び３２と電極３４及び３８との接合を液体金属３６によって行っているため、熱電モジュール３０をハンドリングする際に熱電素子３１及び３２が動き、接触不良又はショートを起こすことがあるという問題点がある。また、熱電素子３１及び３２の表面には無電解めっき等によりのニッケルがめっきされているが、このニッケル面に液体金属３６を塗布すると濡れ性が悪く、これにより接触抵抗が上昇し、熱電モジュール３０を発電素子として使用する場合には発電効率が低下したり、また、温度調節素子として使用する場合には吸熱効率が低下したりするという問題点もある。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、耐熱応力に優れ、ハンドリング性が良好であり、発電効率が高く、信頼性の高い熱電モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る熱電モジュールは、高温端としての第１の基板と、前記第１の基板上に形成された複数個の第１の電極と、低温端としての第２の基板と、前記第２の基板上に形成された複数個の第２の電極と、複数個のｐ型熱電素子と、複数個のｎ型熱電素子と、を有し、各前記第１の電極に夫々１対の前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子が接合され、隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が１個の前記第２の電極に接合されて前記複数個のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が交互に直列接続された熱電モジュールにおいて、前記複数個のｐ型熱電素子及び前記複数個のｎ型熱電素子は、高さが等しく、前記第１の基板の対角長さの熱膨張量を前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の高さの３乗で割った数値Ｒが０．０３９以上であり、前記第１の基板の中央部は前記Ｒの値が０．０３９未満であって、前記第１の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とがはんだ付けによって接合され、前記中央部以外の部分は前記Ｒの値が０．０３９以上であって、前記第１の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とが、熱電モジュールの動作時における前記第１の基板の温度において液体である液体金属によって電気的に接続され、前記第２の電極と前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子とが全てはんだ付けによって接合されており、前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の前記第１の電極及び前記第２の電極と接合される面にＡｕＳｎめっき又はＳｎＳｂめっきが施されていることを特徴とする。
【０００９】
上記熱電モジュールにおいて、例えば前記液体金属は、２５乃至２５０℃において液体である。
【００１２】
本発明に係る熱電モジュールの製造方法は、第１の電極に１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が接合され、隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が１個の第２の電極に接合されて複数個のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子が交互に直列接続された熱電モジュールの製造方法において、前記第１の電極及び前記第２の電極と接合される面にＡｕＳｎめっき又はＳｎＳｂめっきが施された高さが等しいｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を使用し、前記第１の電極が設けられ、対角長さの熱膨張量を前記ｐ型熱電素子及び前記ｎ型熱電素子の高さの３乗で割った数値Ｒが０．０３９以上である基板を高温端としての第１の基板として使用し、この第１の基板の中央部は前記Ｒの値が０．０３９未満であって、この中央部の前記第１の電極に夫々１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を配置してはんだ付けによって接合する工程と、前記第１の基板の中央部以外の部分は前記Ｒの値が０．０３９以上であって、この中央部以外の部分の前記第１の電極に夫々１対のｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を配置して熱電モジュールの動作時における前記第１の基板の温度において液体である液体金属によって電気的に接続する工程と、前記第２の電極が設けられた基板を低温端としての第２の基板として使用し、この第２の基板に設けられた前記第２の電極によって隣接する１対の前記第１の電極に接合されたｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子のうち隣接するｐ型熱電素子及びｎ型熱電素子を１個の前記第２の電極にはんだ付けによって接合する工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
上記熱電モジュールの製造方法において、例えば前記液体金属は、２５乃至２５０℃において液体である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の熱膨張が小さい低温端において、電極と熱電素子とがはんだ付けによって接合され、一方、基板の熱膨張が大きい高温端において、熱膨張の影響が少ない基板中央近傍で電極と熱電素子とがはんだ付けによって接合され、熱膨張によって大きく変位する基板中央近傍以外で電極と熱電素子とが液体金属によって接合されているため、熱電素子及び熱電素子と電極とのはんだ接合部が高温端と低温端との熱膨張差に起因する熱応力の影響を受けず、接合部等で破壊する虞がなく信頼性が高い熱電モジュールを得ることができる。また、高温端の基板中央近傍及び低温端において電極と熱電素子とがはんだ付けによって接合されているためハンドリング性が良好であり、また、高温端において基板中央近傍以外で電極と熱電素子とが液体金属によって接合されているため接触抵抗を抑えることができ、発電効率が高い熱電モジュールを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る熱電モジュールを示す模式的正面図である。ｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の上下表面（接合される面）には異種材料間の拡散による組成変化を防ぐ拡散防止バリア層（図示せず）が形成され、更にこの上に液体金属の濡れ性を改善するためのＳｎ等の金属層（図示せず）が形成されている。
【００１６】
高温端（第１の基板）としての下基板３の上にパターン形成された第１の電極としての下部電極４上に、端部においては１個の熱電素子が配置され、端部以外においては１個の下部電極４上に１個のｐ型熱電素子１と１個のｎ型熱電素子２とが配置されている。そして、下基板３の中央部近傍においては下部電極４とｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２とがはんだ付けによって接合され、下基板３の中央部近傍以外においては下部電極４とｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２とが液体金属６によって接合されている。これにより、隣接するｐ型熱電素子１とｎ型熱電素子２とが電気的に接続されている。
【００１７】
また、これらのｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の上に、低温端（第２の基板）として下面に上部電極８（第２の電極）が形成された上基板７が、隣接する２個の下部電極４における一方の下部電極４上のｎ型熱電素子２と他方の下部電極４上のｐ型熱電素子１とが、１個の上部電極８に接合されるように配置され、上部電極８とｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２とがはんだ付けによって接合されている。これにより、上部電極８及び下部電極４により、ｐ型熱電素子１とｎ型熱電素子２とが交互に直列に接続された熱電モジュール１０が形成されている。
【００１８】
図２に示すように、熱電モジュール１０の熱応力による信頼性は下記に示す数式１に依存し、Ｒ≧０．０３９で熱電モジュール１０が破損することが判明した。ここでＪは熱電モジュールの高温端における基板対角長さの熱膨張量、Ｈは熱電素子の高さ（チップ高さ）である。
【００１９】
【数１】
0004826310.tif 000002
【００２０】
よって、上述の下基板３の中央部近傍として熱電モジュール１０の基板中央から中央部熱電素子の最外周部が上記に示す数式１においてＲ＜０．０３９を満たす領域において、下部電極４とｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２とがはんだ付けによって接合され、下基板３の中央部近傍以外として熱電モジュール１０の基板中央から中央部熱電素子の最外周部が上記に示す数式１においてＲ≧０．０３９を満たす領域において、下部電極４とｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２とが液体金属６によって接合されていることが好ましい。
【００２１】
ｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の上下表面（上部電極８及び下部電極４と接合される面）には拡散防止バリア層（図示せず）が形成され、更にこの上に液体金属６の濡れ性を改善するためにＡｕＳｎめっき又はＳｎＳｂめっき等によってＳｎ等の金属層（図示せず）が形成されていることにより、ｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２において異種材料間の拡散による組成変化が防止でき、また良好な液体金属の濡れ性が得られるため熱電素子と電極との接触抵抗の上昇を防ぐことができる。
【００２２】
また、低温端（上基板７）において電極と熱電素子との接合をはんだ付けによって行い、基板の熱膨張が大きい高温端（下基板３）においては熱膨張の影響が少ない熱電モジュールの基板中央近傍（上記数式１においてＲ＜０．０３９を満たす領域）で電極と熱電素子との接合をはんだ付けによって行い、熱電モジュールの基板中央近傍以外（上記数式１においてＲ≧０．０３９を満たす領域）では電極と熱電素子との接合を液体金属によって行うことにより、ハンドリング性が良好で且つ耐熱応力に優れる熱電モジュールを得ることができる。
【００２３】
次に、上述の如く構成された本実施形態の熱電モジュール１０の動作について説明する。熱電モジュール１０の低温端（上基板７）と高温端（下基板３）との間に温度差を発生させ、熱電モジュール１０を駆動する。このとき低温端（上基板７）よりも高温端（下基板３）の方が温度が高いため、高温端（下基板３）の方が低温端（上基板７）よりも大きく熱膨張し、高温端（下基板３）と低温端（上基板７）との熱膨張差に起因する熱応力が、熱電素子及び熱電素子と電極とのはんだ接合部に掛かる。
【００２４】
基板の熱膨張が小さい低温端（上基板７）において、電極と熱電素子とがはんだ５によって接合されており、一方、基板の熱膨張が大きい高温端（下基板３）において、熱膨張の影響が少ない基板中央近傍で電極と熱電素子とがはんだ５によって接合されており、熱膨張によって大きく変位する基板中央近傍以外で電極と熱電素子とが液体金属６によって接合されているため、熱電素子及び熱電素子と電極とのはんだ接合部が高温端（下基板３）と低温端（上基板７）との熱膨張差に起因する熱応力の影響を受けず、接合部等で破壊する虞がない。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明の効果を実証するための実施例について、本発明の範囲から外れる比較例と比較して説明する。熱電モジュールとして光通信用ＬＤ（Laser Diode）の温調向け小型ペルチェモジュール、汎用冷却用大型ペルチェモジュール、及び発電用大型ゼーベックモジュールについて評価を行った。
【００２６】
比較例としては、第１実施形態に係る熱電モジュール１０と異なり、電極と熱電素子との接合を全てはんだ付けによって行ったもの、電極と熱電素子との接合を全て液体金属６によって行ったもの、及び図３に示すように、熱電モジュール１１を駆動させたときに熱膨張が大きい高温端（下基板３）において電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合し、低温端（上基板７）において電極と熱電素子とを全てはんだ付けによって接合したものを作成した。図３において図１と同一構成物には同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００２７】
作成した各熱電モジュールの良否を判定する項目として、組み立てに使用した熱電素子の電気抵抗から計算される熱電モジュール抵抗と実際に作製された熱電モジュールの交流抵抗との差分（ΔＡＣＲ）を評価した。ΔＡＣＲ分は、電極及びはんだ接合部等、熱電素子以外によって付加される抵抗であり、これらはジュール熱を発生するため熱電モジュールの性能を低下させる。一般に、ΔＡＣＲが５％を超えると、このジュール熱分が無視できなくなり望ましくない。
【００２８】
また、熱電モジュールの信頼性試験は、実際に使用される環境を想定し、光通信用ＬＤの温調向け小型ペルチェモジュールについてはパワーサイクル試験（高温端８５℃、低温端２５℃での断続通電を５００サイクル）及び衝撃試験（低温端に５ｇの錘を付与して落下試験）を行った。
【００２９】
汎用冷却用大型ペルチェモジュールについてはパワーサイクル試験（高温端２５℃、低温端−４５℃での断続通電を５００サイクル）及び衝撃試験（低温端に１００ｇの錘を付与して落下試験）を行った。
【００３０】
発電用大型ゼーベックモジュールについては連続発電試験（高温端２５０℃、低温端５０℃での５００時間の発電試験）及び衝撃試験（低温端に１００ｇの錘を付与して落下試験）を行った。
【００３１】
上述のように、ΔＡＣＲが５％を超えると、このジュール熱分が無視できなるため、熱電モジュールの信頼性試験験前後でＡＣＲの変化分が５％を超えたものを×とした。ここでチップ高さとはｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の高さＨ、チップ断面とはｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の電極との接合面の断面、対数とはｐ型熱電素子１とｎ型熱電素子２とを１対としたときの各熱電モジュールに存在する熱電素子対の数、素子接合とはｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２と電極との接合に使用した金属、素子メッキ処理とはｐ型熱電素子１及びｎ型熱電素子２の電極との接合に施したメッキ処理の種類である。
【００３２】
下記表１は光通信用ＬＤの温調向け小型ペルチェモジュールの評価結果を示す。実施例１乃至３と比較例４及び５とから分かるように、電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例４）及び高温端（下基板３）において電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例５）は、低温端（上基板７）及び高温端（下基板３）の基板中央近傍において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、高温端（下基板３）の基板中央近傍以外で電極と熱電素子とを液体金属によって接合したもの（実施例１乃至３）よりも衝撃試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。また、熱電モジュールが上記数式１で示すＲ≧０．０３９の範囲であるとき、電極と熱電素子とを全てはんだ付けによって接合したもの（比較例３）は、パワーサイクル試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。
【００３３】
【表１】
0004826310.tif 000003
【００３４】
下記表２は汎用冷却用大型ペルチェモジュールの評価結果を示す。実施例７と比較例８とから分かるように、熱電モジュールが上記数式１で示すＲ≧０．０３９の範囲であるとき、電極と熱電素子とを全てはんだ付けによって接合したもの（比較例８）は、低温端（上基板７）及び高温端（下基板３）の基板中央近傍において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、高温端（下基板３）の基板中央近傍以外で電極と熱電素子とを液体金属によって接合したもの（実施例７）よりもパワーサイクル試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。
【００３５】
また、実施例７と比較例９及び１０とから分かるように、電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例９）及び高温端（下基板３）において電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例１０）は、低温端（上基板７）及び高温端（下基板３）の基板中央近傍において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、高温端（下基板３）の基板中央近傍以外で電極と熱電素子とを液体金属によって接合したもの（実施例７）よりも衝撃試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。
【００３６】
【表２】
0004826310.tif 000004
【００３７】
下記表３は発電用大型ゼーベックモジュールの評価結果を示す。実施例８と比較例１１とから分かるように、熱電モジュールが上記数式１で示すＲ≧０．０３９の範囲であるとき、電極と熱電素子とを全てはんだ付けによって接合したもの（比較例１１）は、低温端（上基板７）及び高温端（下基板３）の基板中央近傍において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、高温端（下基板３）の基板中央近傍以外で電極と熱電素子とを液体金属によって接合したもの（実施例８）よりもパワーサイクル試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。
【００３８】
また、実施例８と比較例１２及び１３とから分かるように、電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例１２）及び高温端（下基板３）において電極と熱電素子とを全て液体金属６によって接合したもの（比較例１３）は、低温端（上基板７）及び高温端（下基板３）の基板中央近傍において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、高温端（下基板３）の基板中央近傍以外で電極と熱電素子とを液体金属によって接合したもの（実施例８）よりも衝撃試験前後のＡＣＲの変化分が大きく、５％を超えた。
【００３９】
【表３】
0004826310.tif 000005
【００４０】
これにより、熱電モジュールが上記数式１で示すＲ≧０．０３９の範囲であるとき、基板の熱膨張が小さい低温端（上基板７）において電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、一方、基板の熱膨張が大きい高温端（下基板３）において熱膨張の影響が少ない基板中央近傍（上記数式で示すＲ＜０．０３９を満たす領域）で電極と熱電素子とをはんだ付けによって接合し、熱膨張によって大きく変位する基板中央近傍以外（上記数式で示すＲ≧０．０３９を満たす領域）で電極と熱電素子とを液体金属６によって接合することにより、パワーサイクル試験及び衝撃試験においてＡＣＲの変化分を５％に抑えることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱電モジュールを示す模式的正面図である。
【図２】Ｈ３とＲ（＝Ｊ／Ｈ３）との関係を表すグラフである。
【図３】比較例の熱電モジュールを示す模式的正面図である。
【図４】従来の熱電モジュールを示す模式的正面図である。
【図５】図４に示す熱電モジュールを駆動させたときの様子を示す模式的正面図である。
【図６】従来の熱電モジュールを示す模式的正面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１；ｐ型熱電素子、２；ｎ型熱電素子、３；下基板（高温端）、４；下部電極、５；はんだ、６；液体金属、７；上基板（低温端）、８；上部電極、１０；熱電モジュール、２０；熱電モジュール、２１；ｐ型熱電素子、２２；ｎ型熱電素子、２３；下基板（高温端）、２４；下部電極、２５；はんだ、２７；上基板（低温端）、２８；上部電極、３０；熱電モジュール、３１；ｐ型熱電素子、３２；ｎ型熱電素子、３３；下基板（高温端）、３４；下部電極、３６；液体金属、３７；上基板（低温端）、３８；上部電極
【図１】
0004826310.tif 000006
【図２】
0004826310.tif 000007
【図３】
0004826310.tif 000008
【図４】
0004826310.tif 000009
【図５】
0004826310.tif 000010
【図６】
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