(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ記録層を有する少なくとも２つの情報層を含み、各記録層が光学的に検出可能な相変化を生じ得る情報記録媒体であって、光の入射側に近い方を情報層ａ、遠い方を情報層ｂとしたとき、前記情報層ａは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ａ、記録層ａ、誘電体層２ａ、反射層ａおよび高屈折率層ａをこの順に少なくとも有し、前記情報層ｂは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ｂ、記録層ｂ、誘電体層２ｂ、および反射層ｂをこの順に少なくとも有し、
前記誘電体層１ａおよび２ａは記録層ａと接しており、かつ前記誘電体層１ｂおよび２ｂは記録層ｂと接しており、
前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも１つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒから選択される少なくとも１つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａから選択される少なくとも１つの元素を含み、
前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂが、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素、および酸素原子を含み、
前記誘電体層１ａの組成が前記誘電体層１ｂの組成と同じであり、前記記録層ａの組成が前記記録層ｂの組成と同じであり、かつ前記誘電体層２ａの組成が前記誘電体層２ｂの組成と同じであり、
記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層１ａの屈折率をｎ１ａ、前記誘電体層２ａの屈折率をｎ２ａ、および前記高屈折率層の屈折率をｎ３ａとしたときに、ｎ１ａ＜ｎ３ａおよびｎ２ａ＜ｎ３ａを満たす、
情報記録媒体。
【請求項２】
前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆの酸化物、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒの窒化物、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａのフッ化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含み、前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂが、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆの酸化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含み、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記反射層ａの組成が前記反射層ｂの組成と同じである、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記反射層ａの厚さが、前記反射層ｂの厚さよりも小さい、請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記反射層ａおよび前記反射層ｂは、Ａｇ、ＡｌおよびＡｕから選ばれる少なくとも１つの元素を９０ａｔ％以上含む、請求項３または４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記誘電体層１ａと前記誘電体層１ｂとの組み合わせ、前記記録層ａと前記記録層ｂの組み合わせ、および前記誘電体層２ａと前記誘電体層２ｂとの組み合わせから選択される、少なくとも１つの組み合わせにおいて、層の厚さが互いに異なる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層ａの厚さが、前記記録層ｂの厚さよりも小さい、請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記誘電体層１ａの前記記録層ａと接する側とは反対の側に接している、誘電体層３ａ、および前記誘電体層１ｂの前記記録層ｂと接する側とは反対の側に接している、誘電体層３ｂをさらに含み、前記誘電体層３ａの組成が前記誘電体層３ｂの組成と同じである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記高屈折率層は、好ましくは、ＴｉおよびＮｂから選択される少なくとも１つの元素、ならびに酸素原子および窒素原子のいずれか一方または両方を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層ａおよび前記記録層ｂは、ＴｅおよびＧｅを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記記録層ａおよび前記記録層ｂは、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｓｂ、ＧａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素をさらに含む、請求項１０に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記記録層ａおよび前記記録層ｂが、下記の式（１１）
ＧｅａＢｉｂＴｅｄＭ”１００−ａ−ｂ−ｄ（at％）    （１１）
（式中、Ｍ”はＡｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも一つの元素を示し、ａ，ｂおよびｄは、２５≦ａ≦６０、０＜ｂ≦１８、３５≦ｄ≦５５、８２≦ａ＋ｂ＋ｄ＜１００を満たす）
で表わされる、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｍ”系材料を含む、請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
前記情報層の数が２である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
前記情報層ａおよび前記情報層ｂが連続している、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
それぞれ記録層を有する少なくとも２つの情報層を含み、各記録層が光学的に検出可能な相変化を生じ得る情報記録媒体であって、光の入射側に近い方を情報層ａ、遠い方を情報層ｂとしたとき、前記情報層ａは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ａ、記録層ａ、誘電体層２ａ、反射層ａおよび高屈折率層ａをこの順に少なくとも有し、前記情報層ｂは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ｂ、記録層ｂ、誘電体層２ｂ、および反射層ｂをこの順に少なくとも有し、前記誘電体層１ａおよび２ａは記録層ａと接しており、かつ前記誘電体層１ｂおよび２ｂは記録層ｂと接しており、前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも１つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒから選択される少なくとも１つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａから選択される少なくとも１つの元素を含み、前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂが、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素、および酸素原子を含み、前記誘電体層１ａの組成が前記誘電体層１ｂの組成と同じであり、前記記録層ａの組成が前記記録層ｂの組成と同じであり、かつ前記誘電体層２ａの組成が前記誘電体層２ｂの組成と同じであり、かつ記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層１ａの屈折率をｎ１ａ、前記誘電体層２ａの屈折率をｎ２ａ、および前記高屈折率層の屈折率をｎ３ａとしたときに、ｎ１ａ＜ｎ３ａおよびｎ２ａ＜ｎ３ａを満たす、情報記録媒体を製造する方法であって、
前記誘電体層１ａ、前記記録層ａおよび前記誘電体層２ａ、前記誘電体層１ｂ、前記記録層ｂおよび前記誘電体層２ｂ、および前記高屈折率層ａを、それぞれスパッタリング法、蒸着法およびＣＶＤ法から選択されるいずれか一つの方法で形成することを含み、
前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
前記記録層ａおよび前記記録層ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成する、
製造方法。
【請求項１６】
前記反射層ａおよび前記反射層ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成することをさらに含む、請求項１５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報を高速かつ高密度に記録および再生する情報記録媒体（以下、単に「記録媒体」とも呼ぶ）、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発明者は、レーザ光の照射により情報を記録再生する、ディスク形状の大容量相変化情報記録媒体（以下、「光ディスク」とも呼ぶ）として、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭ、および片面単層２５ＧＢ（１倍速）／Ｂｌｕ−ｒａｙディスクを開発した。これらは、データファイルや画像ファイルとして用いることができる。さらに、発明者は、光ディスクの記録容量を増加させることを目的として、ディスクの片面側に情報層を２層有する、片面２層５０ＧＢ（１倍速）／Ｂｌｕ−ｒａｙディスクを開発した。これらは既に商品化されている。
【０００３】
これらのＤＶＤ−ＲＡＭおよびＢｌｕ−ｒａｙディスクにおいては、記録方式として、相変化記録方式を採用している。この記録方式は、記録層がレーザ光線の照射によって、アモルファスと結晶との間で（あるいは結晶とさらに異なる構造の結晶との間）で可逆的に状態変化を起こす性質を利用する。より具体的には、情報の記録は、レーザ光照射により、薄膜である記録層の屈折率および消衰係数の少なくとも一方を変化させて、記録マークを形成して実施する。記録マークが形成されると、当該マークとそれ以外の部分では、照射された光の透過光または反射光の振幅に差が生じる。情報（信号）の再生は、そのような差を検出することにより実施される。
【０００４】
一般には、記録層の材料が結晶状態にあるときが未記録状態とされる。信号の記録は、レーザ光を照射して、記録層材料を溶融した後、急冷してアモルファス状態とすることにより実施する。また、信号の消去は、記録時よりも低いパワーのレーザ光を照射し、記録層を結晶状態とすることにより実施する。
【０００５】
相変化型の光ディスクは一般的に、基板上に、誘電体層、記録層、および反射層を有する構成を有する。そのディスク構成の一例としては、基板上に第一の誘電体層、記録層、第二の誘電体層、そして反射層を順に積層したものがある。以下に、各層の役割について述べる。誘電体層は、誘電材料を含む層であり、外部からの機械的なダメージから記録層を保護する役割、多重反射による干渉効果を利用して光学的変化を強調する役割、外気からの影響を遮断し、記録層の化学的な変化を防止する役割、および信号を繰り返し記録する場合に生じる基板表面の荒れ及び記録層の熱的ダメージを低減する役割等を有している。そのため、誘電体層は、保護層とよばれることもある。
【０００６】
誘電体層が二層構成を有する場合、記録層と接する誘電体層（この層は界面層ともよばれる）は、その組成が適宜選択されることにより、記録層が結晶―アモルファス間で状態変化する際、その状態変化のスピードを変化させ得る。よって、記録層と接する誘電体層は、結晶化速度を制御するという重要な役割も有している。
【０００７】
記録層は、先述のようにレーザ光を吸収して、相変化を起こす層であり、主にこの層に情報が記録されることとなる。反射層は、情報を記録消去する際には、レーザ光を吸収して高温となった記録層から、熱を吸収して、放熱する役割を有する。
【０００８】
各層の特性は、その材料組成だけでなく、その厚さによっても、変化する。即ち、材料組成が同じであっても、厚さが異なる層は、異なる特性を示す。例えば、反射層の厚さをより厚くすると、情報を記録する際に記録層が吸収した熱が効率的に放熱されることを可能にする。その結果、アモルファス部分がより容易に形成されて、信号品質が向上する。
【０００９】
前述の片面２層Ｂｌｕ−ｒａｙディスクのような片面２層光ディスクに代表される片面多層情報記録媒体は、図２に示すように、基板２０上に、第１の情報層２１、第２の情報層２２、第３の情報層２３、・・・・・第ｎの情報層ｎを有し、各情報層がＵＶ硬化樹脂等から成る透明な光学分離層により光学的に分離され、第ｎ情報層の上にＵＶ硬化樹脂等から成るカバー層２８（光透過層）が設けられた構成を有する。各情報層について、情報の記録再生は、カバー層２８側からレーザ光２９を入射して行う。
【００１０】
片面多層記録媒体に求められる特性は、レーザ光入射側に近い情報層が高い透過率を有していることである。例えば、片面２層記録媒体の場合、奥側（レーザ光（またはレーザ光源）からより遠い側）の情報層（これを「第１の情報層」と呼ぶ）について、情報の記録再生は、レーザ光入射側に近い情報層（これを「第２の情報層」と呼ぶ）を透過したレーザ光を用いて行う。そのため、第１の情報層に情報を記録する際に必要なレーザパワーは、第１の情報層が単独で設けられている記録媒体への情報の記録に必要なレーザパワーを、第２の情報層の透過率で除した値となる。すなわち、２層構成の媒体は、記録再生のために、より多くのレーザ光パワーを必要とする。また、２層構成の媒体においては、第２の情報層が、高透過率（例えば５０％）を有する必要がある。これに対し、第１の情報層は、高い反射率を有する必要がある。
【００１１】
我々は、レーザ光の入射側からみて、少なくとも記録層と反射層とをこの順に備えた情報層において、誘電体からなる透過率調整層を反射層のレーザ光入射側と反対側に接して設ける技術を検討した。さらに、我々は、前記透過率調整層と反射層の屈折率、および消衰係数を最適化した。その結果、第１の情報層の高透過率を実現した。さらに、高透過率を実現するためには、レーザ光を吸収する層（記録層、反射層）を薄膜化するというアプローチもある。
【００１２】
これまでに報告されている片面２層記録媒体の例を説明する。日本国特許公開特開２００１−２６６４０２号公報には、第１の情報層の構成が、膜を形成する基板（成膜装置に取り付けられる基板）に近い側から順に、ＡｌＣｒ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２／ＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２であり、第２の情報層の構成が、ＺｎＳ−ＳｉＯ２／ＩｎＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２である、片面２層の光ディスクが示されている。ここで、「／」は積層されていることを示し、「−」は混合されていることを示す。この文献に記載された記録媒体においては、それぞれの情報層の記録層組成が互いに異なる。
【００１３】
日本国特許公開特開２００２−２９８４３３号公報には、第１の情報層の構成が、ＳｉＣ（透明放熱層）／Ａｕ（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（誘電体層）／ＧｅＮ（結晶化促進層）／Ｇｅ５Ｓｂ７６Ｔｅ１９（記録層）／ＧｅＮ（結晶化促進層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（誘電体層）であり、第２の情報層の構成が、Ａｇ合金（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（誘電体層）／ＧｅＳｉＮ（結晶化促進層）／Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（記録層）／ＧｅＳｉＮ（結晶化促進層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（誘電体層）である、片面２層の光記録媒体が示されている。この文献に記載された記録媒体において、第１の情報層における反射層、記録層、および記録層と接する結晶化促進層の組成は、第２の情報層のそれらとは異なっている。
【００１４】
また、本出願人（米国における譲受人）が開発した片面２層の光ディスクの一形態が、International Symposium Optical Memory（ＩＳＯＭ２０００）  Technical Digest、pp１６−１７に開示されている。この片面２層の光ディスクにおいて、第１の情報層の構成は、Ａｌ合金（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）／ＧｅＮ（界面層）／ＧｅＳｂＴｅ（記録層）／ＧｅＮ（界面層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）であり、第２の情報層の構成は、Ａｇ合金（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）／ＧｅＮ（界面層）／ＧｅＳｂＴｅＳｎ（記録層）／ＧｅＮ（界面層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（界面層）である。この光ディスクにおいて、第１の情報層の記録層および反射層の組成は、第２の情報層のそれらとは異なっている。
【００１５】
上記の文献に記載された片面２層構成の記録媒体はいずれも、一方の情報層を構成する層のうち、１または複数の層の組成が、他の情報層の対応する層の組成と異なっている。これは、前述のとおり、第２の情報層と第１の情報層に要求される特性が異なることによる。
【００１６】
日本国特許公開特開２００５−１２２８７２号公報には、第１の情報層の構成が、Ａｌ−Ｔｉ（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ2（保護層）／Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２（記録層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）であり、第２の情報層が、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（熱拡散層）／Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ（反射層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）／Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２（記録層）／ＺｎＳ−ＳｉＯ２（保護層）／Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ（熱拡散層層）である、２層相変化型の情報記録媒体が開示されている（実施例１）。この文献に記載された記録媒体において、第１の情報層における記録層は第２の情報層のそれと同じであり、また、両方の情報層において、記録層はＺｎＳ−ＳｉＯ２で挟まれている。このディスクは、第１および第２の情報層の反射層の組成は互いに異なるものの、第１の情報層の記録層および保護層の組成は、第２の情報層のそれらと同じであり、その点で、上記３つの文献に開示された媒体とは異なる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
スパッタリングにより、情報記録媒体の記録層、反射層、誘電体層およびその他の薄膜（例えば、透過率調整層等）を形成する際、その量産性の良さから、枚葉式スパッタリング装置がしばしば用いられる。枚葉式スパッタリング装置を模式的に示す平面図を図３に示す。この装置において、スパッタリングは、成膜室３２−３８で実施され、１枚の基板が、成膜室３２−３８を一巡すると、７つの層が形成されることとなる。基板は、真空チャンバー内（メインチャンバー３１）に投入され、ロードロック室３０を介して、成膜室（成膜室３２または３８）に搬送される。各成膜室においては、１つの基板のスパッタリングが終了してこれが次の成膜室に入ると、別の基板が送られてくる。
【００１８】
枚葉式スパッタリング装置を用いて、片面２層構造の記録媒体を製造する場合、第１の情報層を複数の成膜室を一巡させて形成した後、第２の情報層を同じ成膜室をさらに一巡させて形成する方法がある。この場合、第２の情報層の形成の前に、第１の情報層とは異なる組成とすべき層を形成する成膜室のターゲットを交換する。３つ以上の情報層を有する媒体も同様の方法で、製造し得る。よって、記録層の組成が、第１の情報層と第２の情報層とで異なるときには、記録層を形成する成膜室のターゲットを取り替える必要がある。
【００１９】
この方法は、１台の比較的小型なスパッタリング装置で、片面多層構造の記録媒体の製造を可能にするという利点を有するが、ターゲット交換を必要とするために、下記のような問題を有する。
（１）ターゲット交換の間、生産がストップするため、生産稼働率が低下する。
（２）ターゲット交換に伴う成膜室の開放により、成膜室内に真空排気してもなかなか排気されない微量の水分が残存する。さらに、この水分が、ターゲット交換した成膜室だけでなく、メインチャンバーを介してつながっている他の成膜室にも、影響を及ぼす。成膜室中の残留水分は、僅かであっても、特に、記録再生特性を主に支配する記録層及びそれに接する誘電体層の膜質に大きく影響し、ひいては媒体の特性に悪影響を与え得る。また、残留水分の影響は、高倍速対応の媒体において、より大きくなる。
【００２０】
ターゲット交換を不要にすれば、かかる問題を回避し得る。具体的には、例えば、成膜室の数を増やして、１つの媒体においてスパッタリングにより形成すべき層を、別個の成膜室で形成することが考えられる。例えば、第１および第２の情報層がそれぞれ６層構成である場合には、１２個の成膜室を有するスパッタリング装置を使用すれば、上記問題は回避できる。あるいは、枚葉式スパッタリング装置を増やし、各情報層をそれぞれ別個の装置で形成してもよい。しかし、そのように装置を変更する又は増やすことは、装置を高額にし、および／または生産コストを上昇させる。
【００２１】
あるいは、各機能層（特に、記録層）がすべての情報層において共通した組成を有するように、媒体を設計すれば、ターゲット交換を不要にする又はその回数を減らすことができる。しかしながら、そのような媒体は、多くの文献において、提案されていない。それは、前述のように、例えば、片面２層構造の記録媒体においては、第１の情報層と第２の情報層は、有するべき特性が異なることによる。
【００２２】
日本国特許公開特開２００５−１２２８７２号公報に開示された媒体は、第１の情報層の記録層および保護層の組成が、第２の情報層のそれらと同じであるから、他の文献に開示された媒体と比較して、枚葉式スパッタリング装置を用いて、より効率的に製造されると予想される。しかし、発明者らの試験によれば、この文献に記載の媒体は、環境試験後の特性（ライフ特性）が良好でないことが判明した。
【００２３】
本発明は、すべての情報層において、記録層の組成が同じであり、かつそれに接する層の組成が同じであり、保存特性の良好な情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の情報記録媒体は、それぞれ記録層を有する少なくとも２つの情報層を含み、各記録層が光学的に検出可能な相変化を生じ得る情報記録媒体であって、光の入射側に近い方を情報層ａ、遠い方を情報層ｂとしたとき、前記情報層ａは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ａ、記録層ａ、誘電体層２ａ、反射層ａおよび高屈折率層ａをこの順に少なくとも有し、前記情報層ｂは、光が入射する側に近い方から、誘電体層１ｂ、記録層ｂ、誘電体層２ｂ、および反射層ｂをこの順に少なくとも有し、
前記誘電体層１ａおよび２ａは記録層ａと接しており、かつ前記誘電体層１ｂおよび２ｂは記録層ｂと接しており、
前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂが、酸素原子、窒素原子およびフッ素原子から選択される少なくとも１つの原子を含み、かつ、酸素原子を含むときには、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素を含み、窒素原子を含むときには、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒから選択される少なくとも１つの原子を含み、フッ素原子を含むときには、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａから選択される少なくとも１つの元素を含み、
前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂが、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆから選択される少なくとも１つの元素、および酸素原子を含み、
前記誘電体層１ａの組成が前記誘電体層１ｂの組成と同じであり、前記記録層ａの組成が前記記録層ｂの組成と同じであり、かつ前記誘電体層２ａの組成が前記誘電体層２ｂの組成と同じであり、
記録再生に使用する光の波長における、前記誘電体層１ａの屈折率をｎ１ａ、前記誘電体層２ａの屈折率をｎ２ａ、および前記高屈折率層の屈折率をｎ３ａとしたときに、ｎ１ａ＜ｎ３ａおよびｎ２ａ＜ｎ３ａを満たす、情報記録媒体を提供する。
【００２５】
本発明の情報記録媒体は、各情報層に含まれる記録層に接して設けられている誘電体層を特定の元素を含むように構成することによって、レーザ光が入射する側に近い方から、誘電体層１／記録層／誘電体層２の構成をそれぞれ有する２つの情報層ａおよびｂにおいて、これらの情報層の記録層ａおよびｂの組成を同じにし、誘電体層１ａと誘電体層１ｂの組成を同じにし、かつ誘電体層２ａと誘電体層２ｂの組成を同じにしても、情報の良好な記録再生を可能にし、また、良好なライフ特性を示す。よって、本発明は、２またはそれ以上の情報層を含む、記録再生特性およびライフ特性の良好な記録媒体を、スパッタリング法により、より効率的に製造することを可能にする。
【００２６】
本発明の情報記録媒体において、誘電体層１ａおよび誘電体層１ｂに含まれる酸素原子は、酸化物の形態として、窒素原子は、窒化物の形態として、フッ化物は、フッ化物の形態で、一般には存在し得る。したがって、本発明の情報記録媒体は、前記誘電体層１ａおよび前記誘電体層１ｂが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆの酸化物、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒの窒化物、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａのフッ化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含むものであり、前記誘電体層２ａおよび前記誘電体層２ｂが、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆの酸化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含むものであることが好ましい。
【００２７】
本発明の情報記録媒体においては、前記反射層ａの組成が前記反射層ｂの組成と実質的に同じであることが好ましい。２つの情報層の反射層の組成が同じであれば、より高い製造効率で、記録媒体を製造することが可能となる。
【００２８】
本発明の情報記録媒体において、誘電体層１ａと誘電体層１ｂとの組み合わせ、記録層ａと記録層ｂの組み合わせ、および誘電体層２ａと誘電体層２ｂとの組み合わせから選択される、少なくとも１つの組み合わせにおいて、層の厚さが互いに異なることが好ましい。層の厚さを変えることにより、組成が同じであっても、互いに異なる光学特性を有する情報層ａおよびｂを得ることができる。その場合、記録層１ａの厚さ＜記録層１ｂの厚さであることが好ましい。情報層ａにおける光の吸収を小さくするためである。
【００２９】
あるいは、本発明の情報記録媒体において、反射層ａと反射層ｂの組成が同じであるときに、２つの反射層の厚さが互いに異なるようにしてもよい。その場合、反射層ａの厚さ＜反射層ｂの厚さであることが好ましい。情報層ａにおける光の吸収を小さくするためである。
【００３０】
反射層ａと反射層ｂは、Ａｇ、ＡｌおよびＡｕから選ばれる少なくとも１つの元素を主成分（９０ａｔ％以上）として含むことが好ましい。
【００３１】
本発明の情報記録媒体は、誘電体層１ａの記録層ａと接する側とは反対の側に接している、誘電体層３ａ、および誘電体層１ｂの記録層ｂと接する側とは反対の側に接している、誘電体層３ｂをさらに含んでよい。その場合、誘電体層３ａの組成と誘電体層３ｂの組成は、同じであることが好ましい。誘電体層３ａおよび３ｂを有する記録媒体において、誘電体層１ａおよび１ｂは界面層と呼んでもよい。
【００３２】
本発明の情報記録媒体は、情報層ａが、高屈折率層ａをさらに有し、光が入射される側から、誘電体層２ａ、反射層ａおよび高屈折率層ａがこの順に位置し、且つ記録再生に使用する光の波長における、誘電体層１ａの屈折率をｎ１ａ、誘電体層２ａの屈折率をｎ２ａ、および高屈折率層の屈折率をｎ３ａとしたときに、ｎ１ａ＜ｎ３ａおよびｎ２ａ＜ｎ３ａを満たす。高屈折率層は、情報層ａの光の透過率を高くして、情報層ｂでの記録再生がより良好に実施されるようにする。
【００３３】
高屈折率層は、好ましくは、ＴｉおよびＮｂから選択される少なくとも１つの元素、酸素原子および窒素原子のいずれか一方または両方を含むことが好ましい。そのような高屈折率層において、ＴｉおよびＮｂは、一般に、酸化物および／または窒化物として存在し得る。
【００３４】
本発明の情報記録媒体において、記録層ａおよびｂは、ＴｅおよびＧｅを含むことが好ましい。そのような記録層は、前記特定の元素を含む２つの誘電体層１および誘電体層２とともに使用する場合に、誘電体層１ａおよび１ｂの組成が同じであり、記録層ａおよびｂの組成が同じであり、かつ誘電体層２ａおよび２ｂの組成が同じである記録媒体を、都合良く構成できる。記録層ａおよびｂは、より好ましくは、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｓｂ、ＧａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素をさらに含む。
【００３５】
本発明は、情報層の数が２つである情報記録媒体として、好ましく実現され得る。具体的には、情報層の数が２つである媒体は、ＤＶＤまたはＢＤ−ＲＥとして、実現され得る。
【００３６】
あるいは、本発明は、情報層の数によらず、情報層ａおよびｂが連続する、情報記録媒体として、好ましく実現され得る。特に、情報層ａおよびｂが連続する場合に、枚葉式スパッタリング装置を用いて、ターゲットの交換を必要とせずに又はその回数を減らして、効率よく情報記録媒体を製造することができる。
【００３７】
本発明はさらに、本発明の情報記録媒体の製造方法を提供する。本発明の記録媒体の製造方法は、情報層ａの誘電体層１ａ、記録層ａおよび誘電体層２ａ、および高屈折率層ａ、ならびに情報層ｂの誘電体層１ｂ、記録層ｂおよび誘電体層２ｂを、それぞれスパッタリング法、蒸着法およびＣＶＤ法から選択されるいずれか一つの方法で形成することを含み、
誘電体層１ａおよび１ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
記録層ａおよびｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成し、
誘電体層２ａおよび２ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成することを特徴とする。この製造方法によれば、例えば、１つの成膜室において、ターゲット交換をすることなく、誘電体層１ａおよび１ｂを形成することができ、別の共通する成膜室において、ターゲット交換をすることなく、記録層ａおよびｂを形成することができ、さらに別の共通する成膜室において、ターゲット交換をすることなく、誘電体層２ａおよび２ｂを形成することができ、製造効率を高くし得る。
【００３８】
本発明の製造方法においては、情報層ａの反射層ａと情報層ｂの反射層ｂを、同じ組成のターゲットを用いて形成することが好ましい。それにより、記録媒体の製造中のターゲットの交換をより少なくして、より効率的に、記録媒体を製造することが可能となる。
【００３９】
上記において、層に関して「同じ組成」という用語は、「実質的に同じ組成」の意味であり、完全に同じ組成に加えて、分析精度（誤差）および成膜中に混入する微量の不純物に起因して、僅かに異なる組成をも包含する意味で使用される。また、情報記録媒体を構成する各層は特に数十nm以下と極めて薄いために、分析精度は低くなる傾向にある。そのため、本明細書において、「層の組成が同じである」とは、薄膜の状態で測定されるときに、各成分の差が分析精度以内、特に、原子（at）％で表示される場合には、好ましくは各成分の差が０．７at％以内、ｍｏｌ％表示で表示される場合には、好ましくは各成分の差が４ｍｏｌ％以内であることを意味する。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の情報記録媒体は、誘電体層１／記録層／誘電体層２の積層構造を有する情報層を少なくとも２つ有し、これらの２つの情報層ａおよびｂにおいて、２つの誘電体層１ａおよび１ｂの組成が同じであり、２つの記録層ａおよびｂの組成が同じであり、かつ２つの誘電体層２ａおよび２ｂの組成が同じである。本発明の記録媒体は、そのように構成しても、優れた記録再生特性およびライフ特性を有する。よって、本発明は、生産性に優れた、片面多層情報記録媒体を実現することを可能にする。また、本発明の製造方法は、そのような記録媒体を、スパッタリング等の方法を用いて、ターゲットの交換を無くす又は減らして、効率的に製造することを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態は例示的なものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。
【００４２】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１として、レーザ光を用いて情報の記録および再生を実施する、ディスク形状の情報記録媒体（光ディスク）の一例を説明する。図４は、その情報記録媒体の一部断面を示す。
【００４３】
図４に示す情報記録媒体は、基板４０、ならびに基板４０の一方の表面に、情報層ｂとしての第１の情報層４１、光学分離層４２、情報層ａとしての第２の情報層４３、およびカバー層４４がこの順に形成された構成を有する。図４において、情報の記録および再生を行うレーザ光はカバー層４４側から入射される。
【００４４】
基板４０は、円盤状で、透明且つ表面が平滑なものを使用する。基板の材料としては、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のような樹脂、またはガラスを挙げることができる。成形性、価格、および機械強度を考慮すると、ポリカーボネートが好ましく使用される。図示した形態において、厚さ約１．１ｍｍおよび直径約１２０ｍｍの基板４０が好ましく用いられる。
【００４５】
基板４０の情報層等を形成する側の表面には、レーザ光を導くための凹凸の案内溝が形成されていてもよい。案内溝を基板４０に形成した場合、本明細書においては、レーザ光に近い側にある面を便宜的に「グルーブ面」と呼び、レーザ光から遠い側にある面を便宜的に「ランド面」と呼ぶ。たとえば、媒体をＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃとして使用する場合、グルーブ面とランド面の段差は、１０ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。また、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃでは、グルーブ面のみに記録を行い、グルーブ−グルーブ間の距離（グルーブ面中心からグルーブ面中心まで）は、約０．３２μｍである。
【００４６】
基板４０上には、まず、情報層ｂとしての第１の情報層４１を設ける。第１の情報層４１（情報層ｂ）は、少なくとも反射層４５、誘電体層４６、界面層４７、記録層ｂとしての記録層４８、界面層４９、および誘電体層５０を有する。図示するように、界面層４７および４９は、記録層４８に接しているから、誘電体層２ｂおよび２ａにそれぞれ相当する。誘電体層５０は、誘電体層２ｂとしての界面層４９の記録層４８と接する側とは反対の側に接して設けられているから、前述の誘電体層３ｂに相当する。誘電体層４６は、便宜的に、誘電体層４ｂと称してよい。
【００４７】
第１の情報層４１の上には、光学分離層４２が形成される。光学分離層４２は、第１の情報層４１と第２の情報層４３とを光学的に分離する機能を備える。光学分離層４２は、第１の情報層４１に信号を記録再生するために照射するレーザ光の波長に対して透明な材料で形成される。光学分離層４２は、例えば、アクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂のような紫外線硬化樹脂等から成る層をスピンコート法により形成する方法、または透明フィルムを粘着テープあるいは紫外線硬化樹脂等で接着する方法等により、形成される。光学分離層４２の表面にも、必要に応じて、第２の情報層４３のためのスパイラルまたは同心円状の案内溝等が形成される。光学分離層４２の厚さは、５μｍ〜４０μｍ程度であることが好ましい。
【００４８】
光学分離層４２の上には、情報層ａとしての第２の情報層４３が形成される。第２の情報層４３（情報層ａ）は、少なくとも反射層５２、誘電体層５３、界面層５４、記録層ａとしての記録層５５、界面層５６、および誘電体層５７を有する。この形態の記録媒体においては、さらに、高屈折率層５１が、第２の情報層４３に含まれる。図示するように、界面層５４および５６は、記録層５５に接しているから、誘電体層２ａおよび１ａにそれぞれ相当する。誘電体層５７は、誘電体層１ａとしての界面層５６の記録層５５と接する側とは反対の側に接して設けられているから、前述の誘電体層３ａに相当する。誘電体層５３は、便宜的に、誘電体層４ａと称してよい。
【００４９】
第２の光学情報層４３の上には、カバー層４４が形成される。カバー層４４は、スピンコート法によって、アクリル系樹脂またはエポキシ系樹脂のような紫外線硬化樹脂等から成る層として形成してもよく、または透明フィルムを、粘着テープまたは紫外線硬化樹脂等で、第２の情報層４３の上に接着する方法等によって形成してもよい。
【００５０】
以下に、各情報層を構成する層について説明する。誘電体層４ｂとしての誘電体層４６および誘電体層４ａとしての誘電体層５３は、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｇａ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｙ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＷおよびＺｒ等の酸化物、ＺｎＳ等の硫化物、Ａｌ、Ｂ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＴａ等の窒化物、ならびにＢｉ、Ｃｅ、Ｄｙ、Ｅｒ、ＥｕおよびＬａ等のフッ化物等から選択される、１または複数の化合物を含むことが好ましい。より好ましくは、誘電体層４６および５３は、これらの化合物から選択される１つまたは複数の化合物を３３．３mol％以上含む。
【００５１】
誘電体層４６および５３が、これらの化合物の混合物から形成される場合、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（例えば（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０）、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４等を用いてもよい。ＺｒＯ２を使用する場合、ＺｒＯ２として、３ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を含む部分安定化ＺｒＯ２（（ＺｒＯ２）９７（Ｙ２Ｏ３）３）、または８ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を含む安定化ＺｒＯ２（（ＺｒＯ２）９２（Ｙ２Ｏ３）８）を用いてもよい。
【００５２】
尤も、これらの層の組成を、Ｘ線マイクロアナライザーまたはエネルギー分散型Ｘ線分光分析装置で分析するときには、組成は元素組成として表示される。よって、前記特定の元素の酸化物を含む場合には、酸素原子と前記特定の元素が構成元素として検出され、窒化物を含む場合には、窒素原子と前記特定の元素が検出され、フッ化物を含む場合、フッ素原子と前記特定の元素が検出される。このことは、以下に説明する層についてもあてはまる。
【００５３】
誘電体層４６の厚さは、ディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは１０ｎｍ〜４０ｎｍであり、より好ましくは１５ｎｍ〜３０ｎｍである。誘電体層５３の厚さはディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜２２ｎｍである。誘電体層５３の厚さは、誘電体層４６のそれよりも薄いことが好ましい。
【００５４】
誘電体層３ｂとしての誘電体層５０、および誘電体層３ａとしての誘電体層５７の材料は、誘電体層４６および５３の材料として例示したものと同じであるから、ここではその詳細を省略する。誘電体層５０の厚さは、ディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは４０ｎｍ〜８０ｎｍであり、より好ましくは５５ｎｍ〜７５ｎｍである。誘電体層５７の厚さは、ディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは２５ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは３０ｎｍ〜４５ｎｍである。誘電体層５７の厚さは、誘電体層５０のそれよりも薄いことが好ましい。
【００５５】
誘電体層２ｂとしての界面層４７、および誘電体層２ａとしての界面層４９は、記録層４８と接し、誘電体層１ｂとしての界面層５４、および誘電体層１ａとしての界面層５６は、記録層５５と接している。記録層が相変化材料から成る場合、記録層自身の組成に加えて、記録層と接するこれらの誘電体層の組成は、記録層の結晶−アモルファス間の変化に大きな影響を及ぼす。界面層が記録層に与える影響は、例えば、記録媒体のアーカイバル（archival）特性およびアーカイバルオーバーライト（archival overwrite）特性等のライフ特性から知ることができる。これらの特性は、記録した信号を保存した後、即ち所定の環境試験に付した後に評価される。
【００５６】
アーカイバル特性が劣る記録媒体においては、初期の（アモルファス状態の）記録マーク（即ち、記録媒体が保存される前に形成された記録マーク）が、環境試験に付されている間に結晶化されやすい。そのため、この記録媒体は、保存後に良好な再生信号を与えにくくなる。アーカイバルオーバーライト特性が劣る記録媒体は、環境試験に付されている間に、初期の記録マークが、アモルファス化の進行により結晶化しにくくなる、または記録層自身の結晶化能が変化しやすい。そのため、そのような媒体において、保存後の信号に重ね書きした信号からは、良好な再生信号が得られにくくなる。
【００５７】
これらの特性の良好な記録媒体を得るためには、記録層の組成を考慮し、さらに記録層と隣接する誘電体層（界面層）がレーザ光が入射される側に近い方にあるか、遠い方にあるかを考慮して、誘電体層の組成を適切に選択して、記録媒体を設計する必要がある。本発明の記録媒体は、記録層と接する誘電体層の材料を、後述のように選択することによって、２つの情報層において、誘電体層２／記録層／誘電体層１の組成が共通する構成を有し、かつ良好なライフ特性を示すものとなる。
【００５８】
具体的には、レーザ光が入射される側により近い界面層４９および５６は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、およびＨｆの酸化物、Ａｌ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、およびＺｒの窒化物、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｃｅ、Ｂｉ、およびＬａのフッ化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。界面層４９および５６は、これらの化合物から選択される１つの化合物を、好ましくは３３．３mol％以上含み、より好ましくは５０．０mol％以上含む。界面層４９および５６は、最も好ましくはこれらの化合物から選択される１または複数の化合物のみから実質的に成る。ここで「実質的に」という用語は、５mol％以下の不純物を含んで良い意味である。あるいは、界面層４９および５６は、これらの化合物以外に、Ｄｙ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、ＹおよびＺｎの酸化物、ならびにＧｅおよびＣｒの窒化物から選択される、１または複数の化合物を含んでよい。
【００５９】
また、レーザ光が入射される側からより遠い界面層４７および５４は、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｇａ、およびＨｆの酸化物から選ばれる、少なくとも１つの化合物を含むことが好ましい。界面層４７および５４は、これらの化合物から選択される１つの化合物を、好ましくは３３．３mol％以上含み、より好ましくは５０．０mol％以上含む。界面層４７および５４は、最も好ましくはこれらの化合物から選択される１または複数の化合物のみから実質的に成る。ここで「実質的に」という用語の意味は、先に説明したとおりである。あるいは、界面層４７および５４は、これらの酸化物以外に、例えば、先に界面層４９および５６に関連して説明した、他の元素の酸化物、窒化物、およびフッ化物から選択される、１または複数の化合物を含んでよい。
【００６０】
界面層４７、４９、５４および５６が、上記化合物の混合物から形成される場合、例えば、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２、ＺｒＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３−ＬａＦ３、ＳｎＯ２−Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−ＳｉＯ２−Ｉｎ２Ｏ３、ＨｆＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２、ＨｆＯ２−ＳｉＯ２−Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２−Ｎｂ２Ｏ３、またはＳｎＯ２−Ｓｉ３Ｎ４等を用いてもよい。ＺｒＯ２を使用する場合、ＺｒＯ２として、３ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を含む部分安定化ＺｒＯ２（（ＺｒＯ２）９７（Ｙ２Ｏ３）３）、または８ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を含む安定化ＺｒＯ２（（ＺｒＯ２）９２（Ｙ２Ｏ３）８）を用いてもよい。
【００６１】
界面層４７の厚さは、ディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは３ｎｍ〜３０ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍである。界面層５４の厚さはディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは３ｎｍ〜３０ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍである。界面層５４の厚さは、界面層４７のそれよりも薄いことが好ましい。
【００６２】
界面層４９の厚さは、ディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは２ｎｍ〜１５ｎｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜１０ｎｍである。界面層５６の厚さはディスク反射率および記録感度の点から、好ましくは２ｎｍ〜１５ｎｍであり、より好ましくは３ｎｍ〜１０ｎｍである。界面層５６の厚さは、界面層４９のそれよりも薄いことが好ましい。
【００６３】
本発明の記録媒体は、記録層と誘電体層の間に界面層を有する（即ち、誘電体層を２層構造にする）必要はかならずしもない。図示した記録媒体においては、誘電体層３ｂおよび３ａを設けずに、界面層４９および５６を、それぞれ誘電体層１ｂおよび１ａとして形成してよい。そのような記録媒体は、界面層４９および５６を設けずに、誘電体層５０および５７を、誘電体層１ｂおよび１ａとして設けた構成を有するともいえる。あるいは、誘電体層４ｂおよび４ａを設けずに、界面層４７および５４を、それぞれ誘電体層２ｂおよび２ａとして形成してよい。そのような記録媒体は、界面層４７および５４を設けずに、誘電体層４６および５３を、誘電体層２ｂおよび２ａとして設けた構成を有するともいえる。これらの場合、誘電体層１ｂ、１ａ、２ｂおよび２ａとして形成される、界面層４９、５６、４７および５４の好ましい厚さは、それぞれ、誘電体層５０、５７、４６および５３に関連して先に説明したとおりである。
【００６４】
記録層と接する誘電体層１および２としての界面層は、例えば、下記のいずれかの式で示される、酸化物の混合物を含むことが好ましい。これらの混合物は、いずれの界面層（図４における誘電体層４７、５４、４９および５６）を構成するのにも適している。
（ＭＯ2）Ａ（Ｃｒ2Ｏ3）１００−Ａ（ｍｏｌ％）  （１）
（式中、ＭはＺｒおよびＨｆの一方または両方を示し、Ａは２０≦Ａ≦８０である）
（ＭＯ2）Ｂ（Ｃｒ2Ｏ3）Ｃ（ＳｉＯ2）100-Ｂ-Ｃ（ｍｏｌ％）  （２）
（式中、ＭはＺｒおよびＨｆの一方または両方を示し、ＢおよびＣはそれぞれ、２０≦Ｂ≦７０および２０≦Ｃ≦６０の範囲内にあり、且つ６０≦Ｂ＋Ｃ≦９０である）
【００６５】
誘電体層１としての界面層（図４における誘電体層４９および５６）は、例えば、下記のいずれかの式で示される混合物を含むことが好ましい。
（Ｄ）ｘ（ＳｉＯ2）ｙ（Ｃｒ2Ｏ3）ｚ（ＬａＦ3）100-ｘ-ｙ-ｚ（mol％）  （３）
（式中、ＤはＺｒＯ2、ＨｆＯ2およびＴａ2Ｏ5から選択される少なくとも１つの酸化物を示し、ｘ、ｙおよびｚは、２０≦ｘ≦７０、１０≦ｙ≦５０、１０≦ｚ≦６０、５０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦９０を満たす）
（Ｔａ２Ｏ５）H（ＳｉＯ２）100-H（ｍｏｌ％）  （４）
（式中、Ｈは、２０≦Ｈ≦８０である）
（Ｉｎ２Ｏ3）Ｉ（ＣｅＦ3）100-Ｉ（mol％）  （５）
（式中、Ｉは、２０≦Ｉ≦８０を満たす）
【００６６】
誘電体層２としての界面層（図４における誘電体層４７および５４）は、例えば、下記のいずれかの式で示される混合物を含むことが好ましい。
（ＭＯ2）Ｅ（ＳｉＯ2）Ｆ（Ｍ’Ｏ2）100-Ｅ-Ｆ（ｍｏｌ％）  （６）
（式中、ＭはＺｒおよびＨｆの一方または両方を示し、Ｍ’は、ＧａおよびＩｎのいずれか一方または両方を示し、ＥおよびＦはそれぞれ、１０≦Ｅ≦８０および１０≦Ｆ≦７０の範囲内にあり、且つ２０≦Ｅ＋Ｆ≦９０である）
（ＭＯ2）Ｊ（Ｍ’Ｏ2）Ｋ（Ｃｒ2Ｏ3）１００−Ｊ−Ｋ（ｍｏｌ％）  （７）
（式中、ＭはＺｒおよびＨｆの一方または両方を示し、Ｍ’は、ＧａおよびＩｎのいずれか一方または両方を示し、ＪおよびＫはそれぞれ、１０≦Ｊ≦８０および１０≦Ｋ≦７０の範囲内にあり、且つ２０≦Ｊ＋Ｋ≦９０である）
（ＭＯ2）Ｇ（Ｍ’2Ｏ3）１００−Ｇ（ｍｏｌ％）  （８）
（式中、ＭはＺｒおよびＨｆの一方または両方を示し、Ｍ’は、ＧａおよびＩｎのいずれか一方または両方を示し、Ｇは２０≦Ｇ≦８０である）
【００６７】
これらの式で示される混合物は、記録層との密着性が良好であり、かつ記録層と接したときに、物質移動が生じにくい。また、これらの混合物を使用すると、２つの情報層の記録層の組成が同じであっても、良好なアーカイバル特性およびアーカイバルオーバーライト特性を有する記録媒体を得ることができる。
【００６８】
上記例示した酸化物、窒化物、およびフッ化物から選択される化合物を２以上含む混合物を含む層は、後述する方法において、特にスパッタリング法で形成すれば、スパッタリングターゲットの組成と略同じ組成を有する。よって、これらの誘電体層の組成は、通常、スパッタリングターゲットの組成で表わされる。スパッタリングターゲットは、通常、化合物の割合を示して提供される。
【００６９】
記録層４８および５５は、光の照射により、結晶相と非晶質相との間で相変化を起こし、記録マークが形成される層である。相変化が可逆的であれば、消去や書き換えを行うことができる。可逆的相変化材料としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、およびＳｂから選択される１または複数の元素を含む材料を用いることが好ましい。具体的には、ＴｅＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｎ、ＴｅＧｅＳｎＡｕ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ、ＳｂＳｅＴｅ、ＩｎＴｅ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅＡｇ、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＩｎ、ＧｅＴｅＢｉ、またはＧｅＴｅＢｉＩｎ等を用いることが好ましい。特に、ＧｅおよびＴｅを含む材料が好ましく用いられる。ＧｅおよびＴｅを含む材料は、より好ましくは、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｓｂ、ＧａおよびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素を含む。
【００７０】
より具体的には、記録層は、下記の式：
ＧｅａＢｉｂＴｅｄＭ”１００−ａ−ｂ−ｄ（at％）    （１１）
（式中、Ｍ”はＡｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも一つの元素を示し、ａ，ｂおよびｄは、２５≦ａ≦６０、０＜ｂ≦１８、３５≦ｄ≦５５、８２≦ａ＋ｂ＋ｄ＜１００を満たす）
で表わされる、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ−Ｍ”系材料を含むことが好ましい。この材料を含む記録層は、特に、前記特定の化合物（または元素）を含む誘電体層１および２とともに、誘電体層１／記録層／誘電体層２の各層の組成を、情報層ａおよび情報層ｂにおいて共通させるのに適している。
【００７１】
上記の式で示される材料は、Ｇｅ、Ｍ”およびＢｉのテルル化物の混合物（または合金）として、下記の式によっても示され得る。
（ＧｅＴｅ）u［（Ｍ”２Ｔｅ３）v（Ｂｉ２Ｔｅ３）1-v］100-u（ｍｏｌ％）    （１２）
（式中、Ｍ”はＡｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも一つの元素を示し、ｕおよびｖは、８０≦ｕ＜１００、０＜ｖ≦０．９を満たす）
【００７２】
上記（１１）および（１２）の式で示される材料を含む記録層は、さらにＳｎを含み、下記の式（１３）および（１４）の式で示される材料を含んでよい。
ＧｅａＳｎｆＢｉｂＴｅｄＭ１００−ａ−ｂ−ｄ−ｆ（原子％）    （１３）
（式中、ＭはＡｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも一つの元素を示し、ａ、ｂ、ｄおよびｆは、２５≦ａ≦６０、０＜ｂ≦１８、３５≦ｄ≦５５、０＜ｆ≦１５、８２≦ａ＋ｂ＋ｄ＜１００、８２＜ａ＋ｂ＋ｄ＋ｆ＜１００を満たす）
［（ＳｎＴｅ）ｔ（ＧｅＴｅ）１−ｔ］ｕ［（Ｍ２Ｔｅ３）ｖ（Ｂｉ２Ｔｅ３）１−ｖ］１００−ｕ（ｍｏｌ％）    （１４）
（式中、ＭはＡｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも一つの元素を示し、ｕ、ｖおよびｔは、８０≦ｕ＜１００、０＜ｖ≦０．９、０＜ｔ≦０．３を満たす）
【００７３】
記録層４８の厚さは、反射率の点から８ｎｍ〜１８ｎｍであることが好ましい。また、記録層５５の厚さは、情報層ａの透過率を考慮すると、５ｎｍ〜１２ｎｍであることが好ましい。また、記録層４８の厚さ＞記録層５５の厚さの関係を満たすことが好ましい。情報層ａの透過率を高くする必要があることによる。
【００７４】
反射層４５および５２は、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌから選択される１または複数の金属元素を、主成分として、９０at％以上含むことが好ましい。これらの元素は、耐食性に優れ、かつ急冷機能を有する反射層を形成することから、好ましく用いられる。反射層４５および５２は、Ａｇ、ＡｕおよびＡｌから選択される１または複数の金属元素に加えて、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｄｙ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｖ、ＴｉおよびＬａ等から選択される、１または複数の元素を含んでよい。２以上の金属元素は、一般に、合金として、反射層を形成する。
【００７５】
反射層４５の厚さは、反射率等の点から５０ｎｍ〜１６０ｎｍであることが好ましく、６０ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましい。反射層５２は、情報層ａの透過率を考慮すると、６ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍであることがより好ましい。反射層の厚さが小さいと、記録層の熱が拡散しにくくなり、したがって記録層が非晶質化しにくくなり、記録層の厚さが大きすぎると、記録層の熱が拡散されすぎて、記録感度が低下することがある。
【００７６】
高屈折率層５１は、第２の情報層４３（情報層ａ）の透過率を調整するために設けられる。高屈折率層は、ＴiおよびＮｂの酸化物、ならびにＴｉおよびＮｂの窒化物から選択される１または複数の化合物を好ましくは含み、より好ましくは当該化合物を主成分として５０mol％以上含む。それらの化合物は、例えば、波長４００nm程度のレーザ光に対して、高い屈折率を有する。例えば、ＴｉＯ２は、波長４００nmで２．７の屈折率を有する。これに対し、誘電体層４６、５０、５３および５７の材料となり得るＺｎＳ−２０mol％ＳｉＯ２は２．３の屈折率を有し、界面層４７、４９、５４および５６の材料となり得るＺｒＯ２−５０mol％Ｉｎ２Ｏ３は２．２の屈折率を有する。
【００７７】
第２の情報層４３において、記録再生に使用する光の波長における、誘電体層５４、反射層５２および高屈折率層５１の屈折率をそれぞれ、ｎ１ａ、ｎ２ａ、およびｎ３ａとしたときに、ｎ１ａ＜ｎ３ａおよびｎ２ａ＜ｎ３ａを満たすことが好ましい。それにより、情報層ａの高透過率を実現できる。高屈折率層５１の厚さは、情報層ａの透過率を考慮すると、１５nm〜３０nmであることが好ましく、１８nm〜２５nmであることがより好ましい。
【００７８】
誘電体層、記録層、反射層、界面層および高屈折率層は、通常、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはレーザスパッタリング法等を適用して形成され、好ましくはスパッタリング法を適用して形成される。スパッタリングは、スパッタリングする材料に応じて、直流電源を用いるＤＣスパッタリングおよび高周波電源を用いるＲＦスパッタリングのいずれかを選択して実施する。一般的には、誘電体層（界面層を含む）はＲＦスパッタリングにより形成し、記録層および反射層はＤＣスパッタリングにより形成する。また、上記高屈折率層はＤＣスパッタリングで形成することが好ましい。スパッタリングに必要なスパッタガスとしては、Ａｒに代表される不活性ガスを用い、不活性ガスとともに酸素または窒素等を添加ガスとして用いてもよい。
【００７９】
スパッタリングにより、これらの層を形成する場合には、前述したように枚葉式スパッタリング装置を用いることが好ましい。本発明の記録媒体は、２つの情報層において、記録層およびこれに接する２つの誘電体層がそれぞれ、共通した組成を有する。したがって、枚葉式スパッタリング装置において、少なくともこれらの３つの層を形成する３つの成膜室においてターゲットを取り替えることなく、これらの各層はそれぞれ２回形成され得る。
【００８０】
枚葉式スパッタリング装置の概略は、先に、図３を参照して説明したとおりである。前述のように、従来の情報記録媒体においては、記録層および／またはそれに隣接する誘電体層の組成が、情報層毎に異なっているため、スパッタリング装置の各成膜室を二巡させて二つの情報層を形成するには、ターゲットを交換する必要がある。前述のように、ターゲットの交換の際に、水分が成膜室に入り、それが真空排気後も残存して、スパッタリングにより形成される層の膜質に影響を及ぼすことがある。そこで、安定した特性の媒体を製造するためには、ターゲット交換後、長時間の真空廃棄および長時間のプリスパッタリングを実施する必要がある。
【００８１】
一般に、真空排気およびプリスパッタリングは、ディスクの記録密度および倍速が高いほど、より長い時間実施する必要がある。記録密度および倍速が高いほど、膜質の要求水準が高くなり、僅かな残留水分が膜質の特性に大きく影響し、ひいては記録媒体の記録再生特性および／またはライフ特性に影響を及ぼすことによる。例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格に対応した２倍速ディスクを製造する場合、装置によっては、ターゲット交換に３０分、ターゲット交換後の成膜室の真空排気に３０分以上を要し、また、プリスパッタリングに１．５時間以上を要することがある。これらの時間は、生産ロスとなる。本発明によれば、ターゲット交換が不要となるので、これらの生産ロスを無くす、または少なくすることができる。
【００８２】
図４に示す形態の媒体においては、少なくとも界面層４７および５４、記録層４８および５５、ならびに界面層４９および５６は、それぞれ組成が同じであるから、これら３種類の層を形成するための３つの成膜室においては、ターゲット交換が必要とされない。よって、本発明の記録媒体は、ターゲット交換およびそれに伴う真空排気およびプリスパッタリングの時間を無くす又は短くして、効率良く製造できる。さらに、反射層４５および５２の組成が同じであると、それらの層もターゲット交換を伴わずに形成できるので、記録媒体をより効率良く製造できる。誘電体層４６および５３の組成が同じであるとき、および誘電体層５０および５７の組成が同じであるときも同様である。即ち、２つの情報層において、共通する組成を有する層の組み合わせの数が多いほど、製造効率は良くなる。
【００８３】
図４に示す形態の媒体は、波長が６５０ｎｍ〜６７０ｎｍのレーザ光で情報を記録再生する、ＤＶＤ規格に対応したディスクとして実現してよい。あるいは、この媒体は、波長が３９５ｎｍ〜４１５ｎｍのレーザ光で情報を記録再生する、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格に対応したディスクとして実現してよい。特に、この媒体は、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格に対応した、２倍速対応のディスクまたはそれよりも高い倍速に対応するディスクとして、好ましく実現される。そのような高密度および高倍速対応の光ディスクにおいては、残留水分による影響を受けやすいために、ターゲット交換無しで２つの情報層が形成されれば、その影響を無くす又は小さくすることができる。
【００８４】
図４に示す形態は、適宜変更してよい。例えば、界面層４７および５４を無くし、誘電体層４６および５３のみを誘電体層１ｂおよび１ａとして設けてよい。または、カバー層に代えて基板を使用し、当該基板の上に、図示した下側の層から順に形成して、第２の情報層および第１の情報層をこの順に形成してよい。
【００８５】
（実施の形態２）
本発明の情報記録媒体の別の形態を、その一部断面を示す図１を参照して説明する。図１に示す記録媒体も、図４に示す媒体と同様に、基板４、ならびに基板４の一方の表面に、情報層ｂとしての第１の情報層１、光学分離層９、情報層ａとしての第２の情報層２、およびカバー層１３がこの順に形成された構成を有する。図１において、情報の記録および再生を行うレーザ光３はカバー層１４側から入射される。第１の情報層１は、反射層５、誘電体層６、記録層７、および誘電体層８を有し、第２の情報層２は、反射層１０、誘電体層１１、記録層１２、および誘電体層１３を有する。
【００８６】
図１に示す記録媒体は、誘電体層４ｂおよび３ｂ、ならびに誘電体層４ａおよび３ａを有しない点、および高屈折率層を有しない点において、図４に示す記録媒体とは異なる。よって、この形態において、第１の情報層１は、誘電体層２ｂとしての誘電体層６、および誘電体層１ｂとしての誘電体層８を有し、第２の情報層２は、誘電体層２ａとしての誘電体層１１、および誘電体層１ａとしての誘電体層１３を有する。この形態においても、誘電体層６および１１の組成は同じであり、誘電体層８および１３の組成は同じであり、記録層７および１２の組成は同じである。
【００８７】
この形態において、誘電体層６および１１に含まれる好ましい化合物は、図４を参照して説明した界面層４７および５４に含まれる好ましい化合物と同じである。図１のように、誘電体層６と反射層５との間、および誘電体層１１と反射層１０との間に別の誘電体層が位置しない場合には、誘電体層６および１１は、好ましくは、前記式（１）、（２）、（６）、（７）または（８）で示される材料を含む。誘電体層６および誘電体層１１の厚さは、それぞれ４０ｎｍ〜８０ｎｍであることが好ましい。
【００８８】
誘電体層８および１３に含まれる好ましい化合物は、図４を参照して説明した界面層４９および５６に含まれる好ましい化合物と同じである。図１のように、誘電体層８と記録層７との間、および誘電体層１３と記録層１２との間に別の誘電体層が位置しない場合には、誘電体層８および１３は、好ましくは、上記式（１）、（２）、（３）、（４）または（５）で示される材料を含む。誘電体層８および誘電体層１３の厚さは、２５ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００８９】
その他の要素は、先に図４に関連して説明したとおりであるから、ここではその詳細を省略する。尤も、それらの要素は、誘電体層を一層とすることによって、または高屈折率層を設けないことによって、各情報層の光学特性が図４に示すものとは異なることに留意して、適切な材料を選択して、適切な厚さとなるように形成する必要がある。
【実施例１】
【００９０】
（試料１（比較））
図４に示す構成の記録媒体を製造した。基板４０として、表面に、ピッチ（グルーブ−グルーブ間の距離）が約０．３２μｍ、溝深さが２０ｎｍの凹凸の案内溝が形成された直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ１００ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ２５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、界面層４７として厚さ２ｎｍのＣの層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４３．５Ｓｂ７Ｔｅ４９．５の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。
【００９１】
続いて、第１の情報層４１の上に紫外線硬化樹脂（アクリル系樹脂）を塗布し、その表面にピッチ（グルーブ−グルーブ間の距離）が約０．３２μｍ、溝深さが２０ｎｍの凹凸の案内溝が形成された直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を貼り合わせた。紫外線を照射して、紫外線硬化性樹脂を硬化させた後、ポリカーボネート基板を剥離させて、表面に溝が転写された厚さ２５μｍの光学分離層を形成した。
【００９２】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１として厚さ２４ｎｍのＴｉＯ２の層を、反射層５２として第１の情報層の反射層４５と同じ組成を有する、厚さ１０ｎｍのＡｇ合金の層を、誘電体層５３として厚さ１３ｎｍのＺｒＯ２−３５ｍｏｌ％ＳｉＯ２―３０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、界面層５４として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４４Ｓｂ６Ｔｅ５０の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ３５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により厚さ０．１ｍｍのカバー層４４をアクリル系樹脂を用いて形成した。
【００９３】
第１の情報層４１および第２の情報層の各層は、図３に示す７つの成膜室を有する枚葉式スパッタリング装置を用いて形成した。２つの情報層の形成に使用したスパッタリング装置は１台であり、成膜室３２で誘電体層５０と５７を、成膜室３３で界面層４９と５６を、成膜室３４で記録層４８と５５を、成膜室３５で界面層４７と５４を、成膜室３６で誘電体層４６と５３を、成膜室３７で反射層４５と５２を、成膜室３８で高屈折率層５１を、スパッタリングにより形成した。
【００９４】
この試料においては、共通する成膜室で形成される、誘電体層４６と５３の組み合わせ、界面層４７と５４の組み合わせ、および記録層４８と５５の組み合わせにおいて、層の組成が互いに異なっていた。そのため、第１の情報層４１を形成した後、これらの層を形成する成膜室のターゲット交換を行い、それから第２の情報層４３を形成した。ターゲット交換に要した時間は３０分であった。その後、３０分間真空排気を行い、３０分間プリスパッタリングを実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分毎に行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表１に示す。
【００９５】
【表１】
0004834666.tif 000002
【００９６】
（試料２（比較））
図４に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板４０として、試料１の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ１００ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ２５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４５Ｓｂ４Ｔｅ５１の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第１の情報層４１の上に、試料１の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ２５μｍの光学分離層４２を形成した。
【００９７】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１としてＴｉＯ２から成る厚さ２４ｎｍの層を、反射層５２として第１の情報層の反射層４５と同じ組成を有する、厚さ１０ｎｍのＡｇ合金の層を、誘電体層５３として厚さ１８ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４６Ｓｂ３Ｔｅ５１の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ３５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により、厚さ０．１ｍｍのカバー層４４を、アクリル系樹脂を用いて形成した。この試料は、試料１と異なり、界面層４７および５４を有しておらず、誘電体層４６および５３を、２つの情報層ｂおよびａの誘電体層２ｂおよび２ａとして形成した。
【００９８】
第１の情報層および第２の情報層の各層は、試料１と同様、図３に示す７つの成膜室３２〜３８を有する枚葉式スパッタ装置を用いて形成した。この試料は界面層４７および５４を有しないため、成膜室５３は使用しなかった。
【００９９】
この試料の製造においては、同じ成膜室で形成される、記録層４８と５５の組成が異なるため、第１の情報層４１形成後、記録層を形成する成膜室のターゲット交換を行い、それから、第２の情報層４３を形成した。ターゲット交換に要する時間は３０分であった。その後、３０分間真空排気を行い、３０分間プリスパッタリングを実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分おきに行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表２に示す。
【０１００】
【表２】
0004834666.tif 000003
【０１０１】
（試料３（比較））
図４に示す構成の記録媒体を製造した。基板４０として、試料１の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ８０ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ１３ｎｍのＳｎＯ２−１５ｍｏｌ％ＳｉＣの層を、界面層４７として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−１５ｍｏｌ％ＳｉＯ２−７０ｍｏｌ％Ｇａ２Ｏ３の層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４０Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｓｎ５の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第１の情報層４１の上に、試料１の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ２５μｍの光学分離層４２を形成した。
【０１０２】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１として厚さ２３ｎｍのＴｉＯ２の層を、反射層５２として第１の情報層の反射層４５と同じ組成を有する、厚さ１０ｎｍのＡｇ合金の層を、誘電体層５３として厚さ６ｎｍのＺｒＯ２−２５ｍｏｌ％ＳｉＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、界面層５４として厚さ６ｎｍのＺｒＯ２−２５ｍｏｌ％ＳｉＯ２−５０ｍｏｌ％Ｇａ２Ｏ３の層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４５Ｂｉ４Ｔｅ５１の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ３５ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により、厚さ０．１ｍｍのカバー層４４を、アクリル系樹脂を用いて形成した。
【０１０３】
第１の情報層および第２の情報層の各層は、試料１と同様、図３に示す７つの成膜室を有する枚葉式スパッタ装置を用いて形成した。この試料においては、共通する成膜室で形成される、誘電体層４６と５３の組み合わせ、界面層４７と５４の組み合わせ、および記録層４８と５５の組み合わせにおいて、層の組成が互いに異なっていた。そのため、第１の情報層４１を形成した後、これらの層を形成する成膜室のターゲット交換を行い、それから第２の情報層４３を形成した。ターゲット交換に要した時間は３０分であった。その後、３０分間真空排気を行い、３０分間プリスパッタリングを実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分毎に行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表３に示す。
【０１０４】
【表３】
0004834666.tif 000004
【０１０５】
（試料４）
図４に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板４０として、試料１の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ８０ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ２３ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｉｎ２Ｏ３の層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第１の情報層４１の上に、試料１の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ２５μｍの光学分離層４２を形成した。
【０１０６】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１として厚さ２３ｎｍのＴｉＯ２の層を、反射層５２として第１の情報層の反射層４５と同じ組成を有する、厚さ１０ｎｍのＡｇ合金の層を、誘電体層５３として厚さ１８ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｉｎ２Ｏ３の層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ４０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により、厚さ０．１ｍｍのカバー層４４を、アクリル系樹脂を用いて形成した。この試料は、試料１と異なり、界面層４７および５４を有しておらず、誘電体層４６および誘電体層５３を、２つの情報層ｂおよびａの誘電体層２ｂおよび２ａとして形成した。
【０１０７】
第１の情報層および第２の情報層の各層は、試料１と同様、図３に示す７つの成膜室を有する枚葉式スパッタ装置を用いて形成した。第１の情報層を構成する層の組成は、高屈折率層５１を除いて、第２の情報層の対応する層の組成と同じであるため、各成膜室においてターゲット交換の必要がなかった。そのため、第１の情報層の形成から第２の情報層の形成に装置を切り替える時には、高屈折率層５１についてのみ、３０分間のプリスパッタリングを実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分毎に行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表４に示す。
【０１０８】
【表４】
0004834666.tif 000005
【０１０９】
（試料５）
図４に示す構成に類似する構成の記録媒体を製造した。基板４０として、試料１の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ１６０ｎｍのＡｌを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ２３ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｉｎ２Ｏ３の層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第１の情報層４１の上に、試料１と同様の手順に従って、厚さ２５μｍの光学分離層４２を形成した。
【０１１０】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１として厚さ２３ｎｍのＴｉＯ２の層を、反射層５２として厚さ１０ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層５３として厚さ１８ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｉｎ２Ｏ３の層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ４０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により、厚さ０．１ｍｍのカバー層４４を、アクリル系樹脂を用いて形成した。この試料は、試料１と異なり、界面層４７および５４を有しておらず、誘電体層４６および誘電体層５３を、２つの情報層ｂおよびａの誘電体層２ｂおよび２ａとして形成した。
【０１１１】
第１の情報層および第２の情報層の各層は、試料１と同様、図３に示す７つの成膜室を有する枚葉式スパッタ装置を用いて形成した。この試料の第１の情報層を構成する層の組成は、高屈折率層５１および反射層を除いて、第２の情報層の対応する層の組成と同じである。そのため、第１の情報層４１を形成した後、ターゲット交換は反射層４５および５２を形成する成膜室３７においてのみ必要であった。このターゲット交換に要する時間は３０分であった。その後、３０分間真空排気を行い、高屈折率層５１と反射層５２についてプリスパッタリングを３０分間実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分毎に行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表５に示す。
【０１１２】
【表５】
0004834666.tif 000006
【０１１３】
これら５種類の記録媒体につき、プリスパッタリング後３０分毎に取り出したサンプリングディスクの第２の情報層の記録パワーマージンを評価した。ここでは、スパッタリング装置を第１の情報層の形成から第２の情報層の形成へ切り替える時の時間的ロスを明確にするため、ターゲット交換後に形成する第２の情報層の特性が基準を満たすまでの時間を比較した。その判定基準は、記録パワーマージンであった。記録パワーマージンとは、１０回オーバーライト後の再生ジッタが８．０％以下となる記録パワーのマージンを指し、そのマージンが１５％ｐ−ｐ以上であれば基準を満たすと判断した。これらの媒体に信号を記録再生するのに用いたレーザ光の波長は４０５ｎｍであり、そのＮＡ（開口数）は０．８５であった。また、信号方式は（１−７ＰＰ）変調方式であり、信号は、線速９．８ｍ/ｓで基板のグルーブ部に記録した。そのように記録した信号を再生して、ジッタ測定を行った。
【０１１４】
試料１〜５の媒体について、第１の情報層の形成から第２の情報層の形成へスパッタリング装置の運転モードを切替え、所定の成膜室のターゲットを交換した後の時間と記録パワーマージンの推移を、表６に示す。なお、表６に示す時間の開始点（ゼロ）は、第１の情報層の形成が終了したときである。試料４のディスクについては、ターゲット交換の必要がないため、第１の情報層の形成後直ちに、第２の情報層を連続して形成できる。しかし、２つの情報層において同じ組成を有する層は厚さが異なり、また、高屈折率層５１を形成するため、念のため、第２の情報層の各層のスパッタリングを開始後、３０分間プリスパッタリングを実施した。そのため、試料４については、０．５時間後から記録パワーマージンのデータが記載されている。その他のディスクについては、ターゲット交換、真空排気、およびプリスパッタリングにそれぞれ３０分を要したため、１．５時間後から記録パワーマージンのデータを示している。
【０１１５】
【表６】
0004834666.tif 000007
【０１１６】
表６より、以下のことがわかる。
（１）第１の情報層（情報層ｂ）の誘電体層４ｂ、誘電体層２ｂおよび記録層ｂの組成が、第２の情報層（情報層ａ）の誘電体層４ａ、誘電体層２ａおよび記録層ａの組成とはそれぞれ異なり、３つのスパッタリングターゲットを交換して製造した試料１は、第１の情報層を形成した後、要求される基準を満たすまで時間を多く要した。具体的には、試料１の第１の情報層４１を形成してから、１．５時間後から３．５時間後までは、記録パワーマージンが１０％以下であり、基準を満たしていなかった。また、４時間後でも、試料１の記録パワーマージンは２０％に達しなかった。
【０１１７】
（２）２つの情報層の記録層の組成が互いに異なるためにターゲットを交換した試料２については、第１の情報層の形成終了後、１．５時間後から２．５時間後まではパワーマージンが１０％以下であり、基準を満たしていなかった。
【０１１８】
（３）第１の情報層（情報層ｂ）の誘電体層４ｂ、誘電体層２ｂおよび記録層ｂの組成が、第２の情報層（情報層ａ）の誘電体層４ａ、誘電体層２ａおよび記録層ａの組成とそれぞれ異なり、３つのスパッタリングターゲットを交換して製造した試料３については、第１の情報層４１を形成してから、１．５時間後から２時間後までは、パワーマージンが１０％以下であり、基準を満たしていなかった。
（４）ターゲット交換を行っていない試料４については、第１の情報層を形成してから、０．５時間後には、パワーマージンが２０％以上となり、良好な特性が得られた。
（５）２つの情報層の反射層の組成が互いに異なるためにターゲット交換した試料５については、第１の情報層を形成してから、１．５時間後にはパワーマージンが１５％以上となり、良好な特性が得られた。
【０１１９】
すなわち、ターゲット交換を行わないことにより、スパッタリング装置の運転条件を変更した後（即ち、形成する情報層の種類を変更した後）の生産ロス時間が、最大で３時間から３０分に短縮された。成膜タクト（１枚のディスクを成膜するために必要な時間）を１０秒とすると、生産枚数ロスが最大９００枚改善できたことになる。このように、ターゲット交換を行わずに、第１の情報層と第２の情報層が形成され得る記録媒体を構成することによって、生産ロスが大幅に改善される。
【０１２０】
また、試料５のように反射層を形成する成膜室のターゲットのみを交換した場合、サンプリング直後からパワーマージンが１５％となり、基準を満たした。これに対し、試料１は、パワーマージンが２０％を満たすまでに多くの時間を要した。このことから、反射層を形成する成膜室でターゲットを交換する場合、それに伴う残留ガスによる記録媒体の特性への影響は、記録層および記録層に接する誘電体層（界面層）を形成する成膜室でターゲット交換する場合と比較して、小さく、生産効率のロスも小さいことがわかる。なお、いずれの試料についても、パワーマージンが１５％以上となった後は、第１および第２の情報層は、Ｂｌｕ−ｒａｙ規格を満足する特性を有していた。
【０１２１】
試料４では、第１の情報層を構成する各層の組成を、第２の情報層の対応する各層の組成と同じにしたため、ターゲット交換が不要となり、それゆえ生産ロスが小さくなった。また、試料５は、第１の情報層の記録層とそれに隣接する誘電体層（界面層）の組成を、第２の情報層の対応する各層の組成と同じにしたため、ターゲット交換は必要であるものの、生産ロスを比較的小さくすることができた。これらの試料は、記録層に接する各誘電体層（誘電体層と記録層との間に界面層が存在する場合には、界面層）の組成を特定のものに限定したことによる。
【０１２２】
（試料６（比較））
図４に示す構成の媒体を製造した。基板４０として、試料１の製造に使用したものと同じポリカーボネート基板を用意した。その上に第１の情報層４１を形成した。具体的には、反射層４５として厚さ８０ｎｍのＡｇを９０ａｔ％以上含む合金の層を、誘電体層４６として厚さ２０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、界面層４７して厚さ５ｎｍのＧｅＮの層を、記録層４８として厚さ１２ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層４９として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５０として厚さ６０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、第１の情報層４１の上に、試料１の製造で採用した手順と同様の手順に従って、厚さ２５μｍの光学分離層４２を形成した。
【０１２３】
続いて、光学分離層の上に、第２の情報層４３を形成した。具体的には、高屈折率層５１としてＴｉＯ２から成る厚さ２３ｎｍの層を、反射層５２として第１の情報層の反射層４５と同じ組成を有する、厚さ１０ｎｍのＡｇ合金の層を、誘電体層５３として厚さ１３ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、界面層５４として厚さ５ｎｍのＧｅＮの層を、記録層５５として厚さ７ｎｍのＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｉｎ２の層を、界面層５６として厚さ５ｎｍのＺｒＯ２−５０ｍｏｌ％Ｃｒ２Ｏ３の層を、誘電体層５７として厚さ４０ｎｍのＺｎＳ−２０ｍｏｌ％ＳｉＯ２の層を、この順にマグネトロンスパッタ法で形成した。続いて、スピンコート法により、厚さ０．１ｍｍのカバー層４４を、アクリル系樹脂を用いて形成した。
【０１２４】
第１の情報層および第２の情報層の各層は、試料１と同様、図３に示す７つの成膜室を有する枚葉式スパッタ装置を用いて形成した。第１の情報層を構成する層の組成は、高屈折率層５１を除いて、第２の情報層の対応する層の組成と同じであるため、各成膜室においてターゲット交換の必要がなかった。そのため、第１の情報層の形成から第２の情報層の形成に装置を切り替える時には、高屈折率層５１についてのみ、３０分間のプリスパッタリングを実施した。その後、ディスクのサンプリングを３０分毎に行った。各情報層を構成する層と、各層の形成に使用した成膜室および電源、ならびに第２の情報層を形成する前のターゲットの交換の要否を、表７に示す。
【０１２５】
【表７】
0004834666.tif 000008
【０１２６】
この試料６の初期特性およびライフ特性を、試料４のそれらと比較した。初期特性は、記録パワーマージンとボトムジッタにより判断した。記録パワーマージンは、１０回オーバーライト後の再生ジッタが、第２の情報層については８．０％以下となる記録パワーのマージンを指し、第１の情報層については６．０％以下となる記録パワーマージンを指す。このマージンが１５％ｐ−ｐ以上である媒体は、実用上、必要な初期特性を有しているといえる。ボトムジッタは、１０回オーバーライト後の再生ジッタのボトム値とした。記録パワーマージンおよびボトムジッタを測定するために、波長４０５ｎｍおよびＮＡ（開口数）０．８５のレーザ光を用いた。信号方式は（１−７ＰＰ）変調方式であり、信号は基板のグルーブ部に記録した。初期特性は、信号を線速４．９ｍ／ｓおよび９．８ｍ／ｓで記録した場合について、それぞれ測定した。
【０１２７】
ライフ特性は、初期特性評価と同じ条件で、初期に記録しておいた信号の環境試験後（温度９０℃、相対湿度２０％、２４時間）、読み出し特性（アーカイバル特性）、およびその信号の上に重ねて記録した信号の読み出し特性（アーカイバルオーバーライト特性）を、第１の情報層および第２の情報層それぞれについて、測定した。また、ライフ特性は、信号を線速４．９ｍ／ｓおよび９．８ｍ／ｓで記録した場合について、それぞれ評価した。アーカイバル特性およびアーカイバルオーバーライト特性はいずれも、初期ジッタに対して、ジッタ値の増加が２％以下である場合を○、２％を越える場合を×とした。結果を表８に示す。
【０１２８】
【表８】
0004834666.tif 000009
【０１２９】
試料４および試料６ともに、各線速において、初期特性は良好であった。しかし、試料６は、試料４と比較してライフ特性の点で劣っており、特に低線速でのアーカイバル特性、および高線速でのアーカイバルオーバーライト特性が試料４よりも劣っていた。これは、試料６において、レーザ光が入射される側から遠い側の誘電体層１（界面層４７および５４）に用いた材料がＧｅＮであり、特定の元素の酸化物を含まないことによると考えられる。
【０１３０】
以上の実施例において、本発明の媒体に相当する試料４および５の誘電体層１ａおよび誘電体層１ｂは、ＺｒＯ２-50mol%Ｃｒ２Ｏ３から成る層として形成した。誘電体層１ａおよび１ｂは、それ以外の組成であってよく、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｍｏ―Ｏ、ＷＯ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ―Ｎ、Ｂ―Ｎ、Ｇｅ―Ｎ、Ｓｉ―Ｎ、Ｔｉ―Ｎ、Ｚｒ―Ｎ、ＤｙＦ３、ＥｒＦ３、ＥｕＦ３、ＣｅＦ３、ＢｉＦ３、およびＬａＦ３から選ばれる少なくとも１つの酸化物、窒化物またはフッ化物を含む組成を有してよい。具体的には、誘電体層１ａおよび１ｂが、Ｔａ２Ｏ５−５０mol%ＳｉＯ２、ＨｆＯ２−30mol%ＳｉＯ２−40mol%Ｃｒ２Ｏ３、ＡｌＮ−50mol%ＳｎＯ２、ＺｒＯ２−20mol%ＳｉＯ２−30mol%Ｃｒ２Ｏ３−20mol%ＬａＦ３、またはＣｅＦ３−80mol%Ｉｎ２Ｏ３等を含む場合にも、同様の結果が得られた。
【０１３１】
試料４および５の記録層ａおよび記録層ｂは、いずれもＧｅＢｉＴｅＩｎ材料から成る層として形成した。記録層ａおよび記録層ｂは、ＧｅおよびＴｅを主たる成分として含み（合わせて、好ましくは８２ａｔ％以上）、さらに、Ｓｎ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｇａ、Ａｌ、ＢｉおよびＩｎから選ばれる少なくとも１つの元素をさらに含む他の材料から成ってよい。具体的には、記録層ａおよび記録層ｂが、Ｇｅ４５Ｓｎ１Ｓｂ４Ｔｅ５０（ａｔ%）、またはＧｅ４３Ｂｉ４Ｔｅ５１Ｇａ２（ａｔ%）等を含む場合にも、同様の結果が得られた。
【０１３２】
試料４および５の誘電体層２ａおよび２ｂ（誘電体層４６および５３）は、いずれもＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３から成る層として形成した。誘電体層２ａおよび２ｂは、これ以外の組成であってよく、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２およびＩｎ２Ｏ３から選ばれる少なくとも１つの酸化物を含む組成であってよい。具体的には、界面層２ａおよび２ｂは、ＺｒＯ２−25mol%ＳｉＯ２−50mol%Ｉｎ２Ｏ３、ＺｒＯ２−50mol%Ｇａ２Ｏ３、ＺｒＯ２−30mol%Ｉｎ２Ｏ３−40mol%Ｃｒ２Ｏ３、またはＨｆＯ２−30mol%ＳｉＯ２−40mol%Ｃｒ２Ｏ３等を含む場合にも、同様の結果が得られた。
【０１３３】
試料４および５の反射層ａおよび反射層ｂは、いずれもＡｇ合金から成る層として形成した。反射層ａおよびｂは、これ以外の材料から成る層であってよい。具体的には、Ａｇ、ＡｌおよびＡｕから選ばれる少なくとも１つの元素を主成分（９０ａｔ％以上）として含む材料として、Ａｌ―Ｃｒ合金、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金を用いて、反射層ａおよびｂを形成した場合にも、同様の結果が得られた。
【０１３４】
試料４および５の高屈折率層は、Ｔｉの酸化物の層として形成した。高屈折率層は、これ以外の材料から成る層であってよい。具体的には、ＴｉＯ２およびＮｂ２Ｏ５から選ばれる少なくとも１つの酸化物を主成分として含む材料として、ＴｉＯ２−10mol%ＳｉＯ２、ＴｉＯ２−50mol%Ｎｂ２Ｏ５を用いて、高屈折率層を形成した場合にも、同様の結果が得られた。また、記録媒体の構成によっては、この高屈折率層のない構成であってよく、そのような記録媒体についても、同様の結果が得られた。
【０１３５】
試料４および５の２つの情報層は、界面層４９および界面層５６をそれぞれ有する層として形成した。これらの両方の界面層を形成せずに、誘電体層５０および５７を記録層に接する誘電体層１ｂおよび１ａとして形成してよい。具体的には、誘電体層１ｂおよび１ａが、上記界面層４９および界面層５６に関して列挙した、特定の酸化物、窒化物またはフッ化物を有する組成となるように形成した媒体についても、同様の結果が得られた。あるいは、界面層５６のみを設け、これの組成を誘電体層５０の組成と同じにしてよい。あるいは、界面層４９のみを設け、これの組成を誘電体層５７の組成と同じにしてよい。
【０１３６】
試料４および試料５の２つの情報層は、界面層４７および界面層５４が設けられず、誘電体層４６および誘電体層５３を記録層に接する誘電体層２ａおよび２ｂとして形成した。これらの界面層４７および界面層５４をそれぞれ誘電体層２ａおよび２ｂとして形成して、誘電体層４６および誘電体層５３を誘電体層３ａおよび３ｂとして形成する媒体についても、同様の結果が得られた。あるいは、界面層４７のみを設け、これの組成を誘電体層５３の組成と同じにしてもよい。あるいは、界面層５４のみを設け、これの組成を誘電体層４６の組成と同じにしてよもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
本発明の情報記録媒体およびその製造方法は、片面２層Blu-rayディスク（書き換え型、追記型）、片面４層ディスク（書き換え型、追記型）等の片面多層光ディスクの製造において、その生産性向上およびコストダウンの観点から有用である。さらに、本発明の情報記録媒体およびその製造方法は、片面２層DVD-RW、DVD+RW、およびDVD-RAMの製造においても有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の記録媒体（光ディスク）の一形態の構造を示す、部分断面図
【図２】本発明の記録媒体（光ディスク）の別の形態の構造を示す、部分断面図
【図３】本発明の記録媒体の製造装置の一例を模式的に示す平面図
【図４】本発明の記録媒体（光ディスク）のさらに別の構造を示す、部分断面図
【符号の説明】
【０１３９】
１...情報層ｂ、２...情報層ａ、３...レーザ光、４...基板、５...反射層ｂ、６...誘電体層２ｂ、７...記録層ｂ、８...誘電体層１ｂ、９...光学分離層、１０...反射層ａ、１１...誘電体層２ａ、１２...記録層ａ、１３...誘電体層１ａ、１４...カバー層、２０...基板、２１...第１の情報層、２２...第２の情報層、２３...第３の情報層、２４...光学分離層、２５...光学分離層、２６...光学分離層、２７...第ｎの情報層、２８...カバー層、２９...レーザ光、３０...ロードロック室、３１...メインチャンバー、３２...成膜室、３３...成膜室、３４...成膜室、３５...成膜室、３６...成膜室、３７...成膜室、３８...成膜室、４０...基板、４１...第１の情報層（情報層ｂ）、４２...光学分離層、４３...第２の情報層（情報層ａ）、４４...カバー層、４５...反射層、４６...誘電体層（誘電体層４ｂ）、４７...界面層（誘電体層２ｂ）、４８...記録層（記録層ｂ）、４９...界面層（誘電体層１ｂ）、５０...誘電体層（誘電体層３ｂ）、５１...高屈折率層、５２...反射層、５３...誘電体層（誘電体層４ａ）、５４...界面層（誘電体層２ａ）、５５...記録層（記録層ａ）、５６...界面層（誘電体層１ａ）、５７...誘電体層（誘電体層３ａ）、５８...レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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