(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長λの電磁波に対して、深さＬ（＝λ／６）の減衰溝を有し、前記減衰溝の開口部からＬ／４（＝λ／２４）の位置に比誘電率が略３の誘電体を配置した電磁波遮蔽装置。
【請求項２】
複数の前記減衰溝を少なくともＬ／４（＝λ／２４）離して配置した請求項１記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項３】
前記誘電体は、前記減衰溝の深さ方向に略２ｍｍの厚みを有する構成とした請求項１または２に記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項４】
前記減衰溝を構成する導体と前記誘電体の少なくとも一方に、前記減衰溝の長手方向に対して一定ピッチのスリットを有する構成とした請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項５】
ドアの開閉により食品を出し入れできる加熱室と、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成とした電子レンジ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽装置に関するものであり、またその中でも特に加熱室とドアの間から外部に伝搬しようとする電磁波を遮蔽するために電磁波遮蔽装置を用いた電子レンジに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の第１の方法は、電子レンジ用の電磁波遮蔽装置の最も基本的な考え方としてドアに減衰溝を形成するλ／４インピーダンス反転方法が用いられる。図１１は電子レンジ全体の図、図１２は図１１の加熱室１とドア２に関するＡ−Ａから見た断面図である。電子レンジ内部の電磁波は加熱室１とドア２の隙間３を通って図の右側から左側（ｚ方向）へと伝搬しようとするが、ドア２には導体４を折り曲げて構成した減衰溝５を有し、減衰溝５の深さＬを使用周波数における波長λの１／４（＝約３０ｍｍ）にすることで減衰溝５の中をみたインピーダンスＺｉｎを無限大にしてｚ方向への電磁波を減衰させるというものである。これは例えば特開昭５９−３７６９２号公報の従来の技術として記載されている。ただし電磁波はｚ方向を向いているとは限らず、ｘ、ｙ、ｚの方向成分からなる合成ベクトルと考えた時のｚ方向成分のみを減衰溝５で減衰させると考えてよい。隙間３は加熱室１本体とドア２とでｘ―ｚ平面を形成することになり、ｙ成分は隙間３のギャップＧが狭いので無視できるが、ｘ成分については十分に考慮しなければならない。図１３は図１２の減衰溝５をＢ方向から見た図であり、ｘ成分を減衰させるために幅ｓで深さＬのスリット６を切っている。このため、ピッチＰの周期構造により遅波回路を構成し、Ｐ、ｓ、Ｌ等を適切に選定することでｘ方向に対する電磁波の伝搬を遮断することができる。
【０００３】
次に従来の第２の方法は、λ／４インピーダンス反転方法において減衰溝５全体を誘電体で満たすもので、図１４のような構成である。この方法は、同じく特開昭５９−３７６９２号公報の従来の技術、あるいは特開昭５９−９８９７号公報に詳細に記載されている。電磁波の伝送線路を比誘電率εｒの誘電体７で満たすと、誘電体７内の波長λｅはλｅ＝λ／√εｒに圧縮され、減衰溝５の深さＬｅもＬｅ＝λｅ／４＝λ／４√εｒと浅くすることができる。たとえばεｒ＝３の誘電体の場合、Ｌｅ＝３０／√３≒１７［ｍｍ］である。
【０００４】
また従来の第３の方法は、前述の特開昭５９−３７６９２号公報に発明として示されたもので、溝の深さＬをλ／４よりも浅くする他の方法として、減衰溝５の開口部８側の特性インピーダンスと短絡部９側の特性インピーダンスを異ならせる構成を示している。図１５は誘電体７を開口部８側にのみ配置した構成、図１６は誘電体７の形状を開口部８側と短絡部９側で異ならせた構成、図１７は減衰溝５の幅ｂ１、ｂ２を異ならせた構成である。いずれも減衰溝５の深さ方向のほぼ中央部で開口部８側と短絡部９側とを区分するもので、開口部８側の深さをＬ１、短絡部９側の深さをＬ２とするとＬ１＋Ｌ２≒２０［ｍｍ］程度でλ／４よりも浅くなっている。
【０００５】
以上、近年の電子レンジでは、電磁波の遮蔽性能を維持したままで、深さを浅くしていかに小型化できるかという検討が進められてきた。そしてその中でも、誘電体を使わずに板金の折り曲げだけで小型化が実現できる図１７の構成が、現在の電子レンジでは最も一般的な構成となっている。なぜならば図１４から図１６に示したような誘電体による波長の圧縮を用いる方法では、誘電体の厚みとして図中のｂ（約７〜１０ｍｍ）程度必要となるからである。一般的に樹脂などの誘電体を成型する場合は厚みが厚いほどヒケが生じるので、原材料費の増加分に加えてヒケ対策や寸法管理のために余分なコストがかかってしまうことが知られており、７〜１０ｍｍでも随分なコストアップになるからである。一方、図１７の方法では減衰溝小型化のための誘電体は不要であるが、開口部８に食品カスやゴミが入るのをふさぐためのカバーとして誘電材料を用いている。これは減衰溝５を小型化する圧縮用の誘電体ではなく、開口部８をふさぐためのカバー１０であり、厚みｔが最大でも２ｍｍ以下であるため成型する場合にヒケは生じにくい。しかし図１７の方法では導体４の折り曲げ方が複雑であり、板金をプレスで抜くだけではつくれない。よって曲げ加工費が増えてしまうという欠点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来の構成では、減衰溝の深さをλ／４より浅くしようとすると、誘電体の厚みが厚くなるとか導体の曲げ方が複雑になり、作りにくいがゆえにコストが高くなってしまうものであった。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、減衰溝を浅くするために誘電体を用いても、作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置および電子レンジを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の電磁波遮蔽装置および電子レンジは、深さＬの減衰溝を有し前記減衰溝の開口部からＬ／４の位置に誘電体を配置する、または波長λの電磁波に対して減衰溝の開口部からλ／２４の位置に誘電体を配置する構成としている。
【０００９】
これによって、減衰溝の中で最も波長圧縮の効果の高い部位に誘電体を配置することになるので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることができる。その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができる。特に電子レンジの場合、電磁波遮蔽装置を加熱室とドアの対向面上に構成するので、加熱室あるいはドアが作りやすくなり低コスト化できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、波長λの電磁波に対して、深さＬ（＝λ／６）の減衰溝を有し、前記減衰溝の開口部からＬ／４（＝λ／２４）の位置に比誘電率が略３の誘電体を配置するので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることができ、また、一般的な低価格の材料が使用可能となり、その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、特に、請求項１に記載の電磁波遮蔽装置において、複数の前記減衰溝を少なくともＬ／４（＝λ／２４）離して配置するので、電磁波の遮蔽性能を向上することができ、より誘電体の厚みが薄くても減衰溝を浅くすることができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、波長λの電磁波に対して、減衰溝の開口部からλ／２４の位置に誘電体を配置するので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることが、その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、特に、請求項１に記載の電磁波遮蔽装置において、複数の減衰溝を少なくともλ／２４離して配置するので、電磁波の遮蔽性能を向上することができ、より誘電体の厚みが薄くても減衰溝を浅くすることができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、特に、請求項１ないし４に記載の電磁波遮蔽装置において、誘電体は、比誘電率が約３程度のものを用いるので、一般的な低価格の材料が使用可能となり、より低コスト化することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、特に、請求項１または２に記載の電磁波遮蔽装置において、誘電体は、減衰溝の深さ方向に約２ｍｍの厚みとしたので約７〜１０ｍｍのものと比べると成型する場合にヒケは生じにくく、ヒケ対策や寸法管理のための余分なコストが発生しないので、より低コスト化することができる。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、特に、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置において、前記減衰溝を構成する導体と前記誘電体の少なくとも一方に、前記減衰溝の長手方向に対して一定ピッチのスリットを有するので、周期構造により遅波回路を構成し、減衰溝の長手方向に対する電磁波の伝搬を遮断することができる。よって減衰溝が浅くても特に問題は無い。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、特に電子レンジにおいて、ドアの開閉により食品を出し入れできる加熱室と、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成としたので、加熱室あるいはドアが作りやすくなり低コスト化できる。
【００１８】
【実施例】
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施例１）
図１〜図８は、本発明の第１の実施例における電磁波遮蔽装置および電子レンジについて説明するものである。
【００２０】
まず、図１、図２により構成について説明する。電子レンジの概観は従来と同じ図１１であるとする。図１は図１１の加熱室１とドア２に関してＡ−Ａから見た断面図、図２は斜視図である。
【００２１】
電子レンジは、ドア２の開閉により食品を出し入れできる加熱室１と、加熱室１内に電磁波を供給して食品を加熱するための電源やマグネトロンや導波管からなる電磁波供給手段１１を有している。ドア２には導体４を折り曲げて構成した深さＬの二つの減衰溝５ａ、５ｂを構成し、二つの減衰溝５ａ、５ｂは導体４により一体に構成され、ｘ方向に一定ピッチＰで幅ｓのスリット６を切っている。二つの減衰溝５ａ、５ｂの内部には、波長の圧縮のために厚みｔの誘電体７をそのセンターが開口部８からαの位置になるように配置している。そして誘電体７は開口部８を覆うカバーを兼用するよう一体に成型されているが、カバーの部分はｔ以下の厚みで構成して良い。また２つの減衰溝５ａ、５ｂの幅はともにｂ3、２つの減衰溝５間の距離はβである。図２では見やすくするために誘電体７を上方にずらして記載している。また本実施例では、減衰溝５ａ、５ｂを形成する導体４と誘電体７とにより、電磁波遮蔽装置１２を構成している。
【００２２】
次に動作について説明する。電子レンジは使用者が食品を出し入れしやすいようにするために、ドア２を簡単に開けられる構成としている。このため加熱室１とドア２の対向面の間にはわずかながら隙間３があり、加熱室内の電磁波が外部に伝搬する可能性がある。隙間３の形状は、ｙ方向には狭く、ｘ、ｚ方向には広いので、電磁波をｘ、ｙ、ｚ方向への合成ベクトルと考えると、ｘ方向成分とｚ方向成分が大きくなりｙ方向成分は無視できる。よって外部への電磁波を遮蔽するためには、ｘ方向成分とｚ方向成分を遮蔽しなければならない。そこで本実施例では、スリット６を設けて形成したピッチＰの周期構造でｘ方向成分を遮蔽し、二つの減衰溝５ａ、５ｂでｚ方向成分を遮蔽している。
【００２３】
ｚ方向成分の遮蔽性能に関しては、図３〜図５により説明を加える。図３は導波管を用いた小信号の特性評価装置１３の構成図、図４〜図５は特性評価装置１３によって評価した遮蔽性能の特性図を示す。
【００２４】
特性評価装置１３は、導波管１４、１５の間に評価したい電磁波遮蔽ユニット１６を装着し、ネットワークアナライザを用いて伝送特性を示すＳ２１パラメータで評価するものである。具体的には、まず、導波管１４、１５、電磁波遮蔽ユニット１６の図３での奥行き方向の寸法を５２ｍｍ、送信アンテナ１７から放射する電磁波の周波数を３．７８３ＧＨｚとすることで管内波長が約１２２ｍｍのＴＥ１０モードを起こす構成である。参考までに、導波管内の管内波長λｇは、真空での波長λ、導波管の奥行き寸法ａを用いて
【００２５】
【数１】
0004759840.tif 000002
【００２６】
で表される。また光速ｖ＝３．０×１０8［ｍ／ｓｅｃ］、周波数Ｆ［Ｈｚ］により、λ＝ｖ／Ｆとも表せるので、結果的に導波管の奥行き寸法ａと周波数Ｆによって管内波長λｇが決定できる。ちなみに導波管ではλｇ＞λとなる。
【００２７】
実際に加熱室内から漏洩しようとする電磁波はＴＥＭモードであるが、ＴＥＭモードでｚ方向成分だけを取り出すということは困難である。一方、導波管のＴＥ１０モードでは、電磁波は奥行き方向には伝搬しないので、送受信の位置さえ決めておけば、ｚ方向成分だけを分離して評価できる効果がある。ただし使用周波数の入力信号をそのまま入れると、導波管内の波長が真空の波長より長くなり、実験結果から得られた寸法をそのまま使うことができない問題がある。よって本実施例では、ａ＝５２ｍｍ、Ｆ＝３．７８３ＧＨｚを使用することで、管内波長が電子レンジに用いる２．４５５ＧＨｚの真空の波長（１２２ｍｍ）になるようにしている。この結果、電磁波遮蔽ユニット１６の減衰溝の深さＬや二つの減衰溝５ａ、５ｂ間の距離βなどの寸法をそのまま電磁波遮蔽装置に用いることが可能となる。
【００２８】
さて、送信アンテナ１７からの送信電力のうち、電磁波遮蔽ユニット１６を通過して受信アンテナ１８で検出した電力量により、電磁波遮蔽ユニット１６の遮蔽性能を定量的に評価することが可能である。吸収体１９は、受信アンテナ１８を通過した電磁波が再度受信アンテナ１８側に反射しないようにするために、アクリル容器に水を満たして構成したものである。遮蔽性能を評価するための基準値（リファレンスレベル）は、電磁波遮蔽ユニット１６の代わりに減衰溝の無い導波管（ギャップＧ＝２ｍｍ一定）を装着したときの受信電力を０ｄＢとすることにした。参考までに、電磁波遮蔽ユニット１６として従来の図１７の構成を装着して測定すると−３２ｄＢとなった。
【００２９】
一方、電磁波遮蔽ユニット１６として図３のような減衰溝５ａ、５ｂのうち減衰溝５ａのみを一つだけ用いた場合で、寸法ｂ３を１０ｍｍ、減衰溝の深さＬを２０ｍｍ、誘電体７の材料をＰＥＴ＋ＰＢＴアロイとし、誘電体７の厚みｔと、誘電体７の開口部からの位置αを変化させた時の受信電力Ｐを測定すると、図４の特性が得られた。ＰＥＴ＋ＰＢＴアロイは、従来の図１７の構成のカバー１０の材質であり、比誘電率が約３である。
【００３０】
図４は横軸が誘電体７の開口部からの位置α［ｍｍ］、縦軸が受信電力Ｐ［ｄＢ］、パラメータが誘電体７の厚みｔ［ｍｍ］である。図４においては、Ｐの値が低い方が、送信アンテナ１７から受信アンテナ１８へ伝わらないということなので、電磁波の遮蔽性能が良いということを意味している。厚みｔが２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲では、いずれもα＝５の前後で受信電力Ｐに極小値が生じていることがわかる。
【００３１】
また図４のそれぞれの極小値をＰｍｉｎとし、横軸ｔ、縦軸Ｐｍｉｎとすると図５の特性となる。従来の図１７の構成での−３２ｄＢと比べると、厚み５〜６ｍｍで同等性能が得られることになる。よってｂ３＝１０ｍｍ、Ｌ＝２０ｍｍの減衰溝５ａ一つを用いた場合、厚み５〜６ｍｍのＰＥＴ＋ＰＢＴアロイからなる誘電体７を開口部からの位置α≒５に配置すれば、従来品同等の性能が得られるわけである。
【００３２】
しかし誘電体７を樹脂の注型によって成型する場合、厚みが増えるといわゆるヒケが生じてしまい、それを補うためにはさらなる加工費の増加が発生することが知られている。横軸に厚みｔ、縦軸に加工費をとると、図６のような特性を示す。よって従来品（厚み最大で２ｍｍ）より加工費を増やさないためには、厚み２ｍｍ以下で構成しなければならない。厚み２ｍｍでは、図４の特性より、αを最適化しても従来品より性能が悪くなる。
【００３３】
そこで減衰溝を２つにすることが考えられる。これが本発明の図１〜図３に示した構成であり、減衰溝５ａ、５ｂを距離βだけ離して配置するものである。図３の構成で、横軸に減衰溝間の距離β、縦軸に受信電力Ｐをとると、図７の特性が得られる。β＝５以上に選べば、従来品の−３２ｄＢを達成することができる。
【００３４】
本実施例の電磁波遮蔽装置１２は、図１、図２に示すように、ｂ３＝１０ｍｍ、Ｌ＝２０ｍｍなる二つの減衰溝５ａ、５ｂをβ＝５ｍｍだけ離して構成し、ＰＥＴ＋ＰＢＴアロイからなるｔ＝２ｍｍの誘電体７を、開口部８からの位置α＝５ｍｍに装着したものである。この構成により、従来品同等の電磁波遮蔽性能を達成するに際し、減衰溝５ａ、５ｂを浅くするために誘電体７を用いているが、従来のカバー１０と同じ材質と同じ厚みで加工費の上がらない作りやすい構成としていることと、減衰溝５ａ、５ｂが図１７より曲げやすい構成（導体４をプレスで容易に曲げられる構成）にしていることにより、低コストな電磁波遮蔽装置および電子レンジを実現することができる。
【００３５】
特に本実施例においては、減衰溝５ａ、５ｂの深さＬ（＝２０ｍｍ）を基準に考えると、減衰溝の開口部８からα＝Ｌ／４（＝５ｍｍ）の位置に誘電体７を配置しているので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることが、その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができたと考えられる。
【００３６】
また、複数の減衰溝５ａ、５ｂを少なくともβ＝Ｌ／４（＝５ｍｍ）離して配置するので、電磁波の遮蔽性能を向上することができ、より誘電体７の厚みが薄くても減衰溝を浅くすることができたと考えられる。
【００３７】
一方、波長λ（＝１２２ｍｍ）を基準に考えると、減衰溝の開口部からα＝λ／２４（＝５ｍｍ）の位置に誘電体を配置したので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることが、その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができたとも考えられる。
【００３８】
また、複数の減衰溝５ａ、５ｂを少なくともβ＝λ／２４（＝５ｍｍ）離して配置するので、電磁波の遮蔽性能を向上することができ、より誘電体の厚みが薄くても減衰溝を浅くすることができたとも考えられる。
【００３９】
また、誘電体７は、比誘電率が約３程度のものを用いるので、ＰＥＴ＋ＰＢＴアロイだけでなくＰＰやＰＥやＰＳやＰＰＳなど一般的な低価格の樹脂やエンプラが使用可能となり、より低コスト化することができる。
【００４０】
また、誘電体７は、減衰溝５ａ、５ｂの深さ方向に厚みｔ＝２ｍｍとしたので約７〜１０ｍｍのものと比べると成型する場合にヒケは生じにくく、ヒケ対策や寸法管理のための余分なコストが発生しないので、より低コスト化することができる。
【００４１】
なお本実施例においては、比誘電率が約３程度の低価格の誘電体７を用いたが、コストに余裕があるならば低価格のものに限定する必要は無く、セラミックやガラスやゴムでも良いし、いくつかを互いに混合したものでも良い。特に従来の図１４で述べたように、比誘電率が大きくなるほど減衰溝の深さの圧縮度合いを大きくできるので、比誘電率の大きな誘電体を用いることは有効である。たとえばＰＰＳ＋チタバリで比誘電率が１０以上のものがあるが、このような場合は減衰溝が一つしかなくても従来なみの遮蔽性能が得られる可能性がある。ちなみに図８には、横軸に比誘電率εｒ、縦軸に材料費の関係を示した。ＰＥＴ＋ＰＢＴアロイ（εｒ＝３）とＰＰＳ＋チタバリ（εｒ＝１２）では、現在の材料費として５倍程度の差が有る。
【００４２】
また本実施例では、図２のように、減衰溝５ｂの出口側の切片にのみ長手方向に対してピッチＰのスリット６を有するので、周期構造により遅波回路を構成し、減衰溝の長手方向に対する電磁波の伝搬を遮断することができる。
【００４３】
なおスリットに関しては、減衰溝５ｂの出口側の切片に限定されるものではなく、減衰溝５ａと減衰溝５ｂの間の導体部分に設けても良いし、減衰溝５ａの入口側に設ける場合も考えられる。また誘電体７を周期構造にすることも考えられる。導体、誘電体ともに周期構造とすることも可能である。周期構造に関しては、ｘ方向の遮蔽性能を上げるために最適な構成に変更すればよい。
【００４４】
また、本実施例の電子レンジにおいて、加熱室とドアとの対向面上のドア側に電磁波遮蔽装置を構成したので、従来と比較してドアが作りやすくなり低コスト化できる。なお、ドアに構成することに限定する必要は無く、加熱室側に構成しても良いし、たとえば減衰溝をドア側と加熱室側に一つずつ配置しても良い。
【００４５】
（実施例２）
図９、図１０は、本発明の第２の実施例における電磁波遮蔽装置および電子レンジを示すものである。本実施例では、導体４の内側に導体からなる仕切り板２０を装着し、仕切り板２０により減衰溝５ａ、５ｂを区分している。また仕切り板２０は上部にスリット６ａを有し、誘電体７をはめ込んだ時に開口部８からの位置αが所望の寸法になるように構成している。誘電体７は厚みｔであり、仕切り板２０にはめ込むためのスリット６ｂを有している。この場合スリット６ａ、６ｂともにピッチＰとなっている。また本実施例においては誘電体７とは別に、厚みの薄い誘電材料からなるカバー１０を別部品として用いている。
【００４６】
なお、上記各実施例の構成は互いに限定されることなく、各々を組み合わせても良い。
【００４７】
なお、上記実施例の電磁波遮蔽装置は、すべて電子レンジに応用した例として説明したが、これに限られるものではない。電磁波を用いた通信機器（携帯電話、無線ＬＡＮなど）や治療器や計測器や加熱機器やその他の機器の筐体に用いることで外部への電磁波の伝搬を遮蔽することができる。またこれらの機器とは関係の無い機器であっても、電子部品を用いているもので、電磁波による外来ノイズを防止したい場合のシールド装置として使用することも考えられる。さらに他の電磁波遮蔽装置としては、シールドルームなどの設備や建物、あるいは開口部とドアを有するもの全般への応用展開が考えられる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発明によれば、深さＬの減衰溝を有し前記減衰溝の開口部からＬ／４の位置に誘電体を配置する、または波長λの電磁波に対して減衰溝の開口部からλ／２４の位置に誘電体を配置するので、減衰溝の中で最も波長圧縮の効果の高い部位に誘電体を配置することになるので、誘電体の厚みが薄くても効果的に減衰溝を浅くすることができる。その結果作りやすい構成で、低コストな電磁波遮蔽装置を実現することができる。特に電子レンジの場合、電磁波遮蔽装置を加熱室とドアの対向面上に構成するので、加熱室あるいはドアが作りやすくなり低コスト化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における電磁波遮蔽装置と電子レンジの構成図
【図２】同、電磁波遮蔽装置の斜視構成図
【図３】同、特性評価装置の構成図
【図４】同、誘電体の開口部からの位置αによる遮蔽性能の特性図
【図５】同、誘電体の厚みｔによる遮蔽性能の特性図
【図６】同、誘電体の厚みｔによる加工費の特性図
【図７】同、減衰溝間の距離βによる遮蔽性能の特性図
【図８】同、比誘電率εｒによる材料費の特性図
【図９】本発明の実施例２における電磁波遮蔽装置と電子レンジの構成図
【図１０】同、電磁波遮蔽装置の斜視構成図
【図１１】従来の電子レンジの構成図
【図１２】同電子レンジの図１１のＡ―Ａ線の断面構成図
【図１３】同電子レンジの図１２のＢからみた構成図
【図１４】従来の他の電子レンジの構成図
【図１５】従来の他の電子レンジの構成図
【図１６】従来の他の電子レンジの構成図
【図１７】従来の他の電子レンジの構成図
【符号の説明】
１  加熱室
２  ドア
４  導体
５ａ、５ｂ  減衰溝
６、６ａ、６ｂ  スリット
７  誘電体
８  開口部
１１  電磁波供給手段
１２  電磁波遮蔽装置
Ｌ  減衰溝の深さ
Ｐ  ピッチ
ｔ  誘電体の厚み
α  誘電体の開口部からの位置
β  減衰溝間の距離
【図１】
0004759840.tif 000003
【図２】
0004759840.tif 000004
【図３】
0004759840.tif 000005
【図４】
0004759840.tif 000006
【図５】
0004759840.tif 000007
【図６】
0004759840.tif 000008
【図７】
0004759840.tif 000009
【図８】
0004759840.tif 000010
【図９】
0004759840.tif 000011
【図１０】
0004759840.tif 000012
【図１１】
0004759840.tif 000013
【図１２】
0004759840.tif 000014
【図１３】
0004759840.tif 000015
【図１４】
0004759840.tif 000016
【図１５】
0004759840.tif 000017
【図１６】
0004759840.tif 000018
【図１７】
0004759840.tif 000019