(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、
前記コア基板内に形成された開口中に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサが収容され、
前記コア基板に樹脂絶縁層が積層され、該樹脂絶縁層上の導体回路と前記コンデンサの電極との間に、該樹脂絶縁層に設けられ、めっきによって形成されたバイアホールにより電気的接続が取られていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、
前記コア基板内に形成された開口中に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサが収容され、
前記コア基板に、前記開口を被覆するように樹脂絶縁層が積層され、該樹脂絶縁層上の導体回路と前記コンデンサの電極との間に、該樹脂絶縁層に設けられ、めっきによって形成されたバイアホールにより電気的接続が取られていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
前記複数枚の樹脂基板は、接着板を介在させて貼り合わせてあることを特徴とする請求項１又は請求項２のプリント配線板。
【請求項４】
前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項３のプリント配線板。
【請求項５】
前記樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記コンデンサは、複数個であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以上であることを特徴とする請求項７に記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記コア基板にコンデンサは絶縁性接着剤により接合され、絶縁性接着剤は、前記コア基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項１１】
前記コンデンサの電極の被覆層を少なくとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項１〜請求項９の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１４】
前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１５】
前記コア基板には樹脂絶縁層が被覆され、該コア基板及び該樹脂絶縁層を挿通するようにスルーホールが形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項１６】
少なくとも以下（ａ）〜（ｉ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程；
（ｂ）接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
（ｃ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｄ）前記コア基板に、凹部を形成する工程；
（ｅ）前記凹部に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサを収容する工程；
（ｆ）コア基板の上に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｇ）前記樹脂絶縁層を挿通し前記コンデンサの電極へ至る開口を形成する工程；
（ｈ）前記樹脂絶縁層上に導体回路を形成すると共に、前記開口にめっきによってバイアホールを形成し、前記導体回路と前記コンデンサの電極との間に電気的接続をとる工程；
（ｉ）前記樹脂絶縁層上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層する工程。
【請求項１７】
少なくとも以下（ａ）〜（ｉ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｂ）通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｃ）前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介して積層する工程；
（ｄ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｅ）前記通孔に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサを収容する工程；
（ｆ）コア基板の上に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｇ）前記樹脂絶縁層を挿通し前記コンデンサの電極へ至る開口を形成する工程；
（ｈ）前記樹脂絶縁層上に導体回路を形成すると共に、前記開口にめっきによってバイアホールを形成し、前記導体回路と前記コンデンサの電極との間に電気的接続をとる工程；
（ｉ）前記樹脂絶縁層上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
また、パッケージ基板として用いられる多層ビルドアップ配線板は、各層間樹脂絶縁層を以下の工程を経てビルドアップしていく。まず、ロールーコーターや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。
即ち、１層を形成する毎に上述した工程を繰り返すこと必要があり、層数が増大すると、工程数が増すと共に歩留まりが低下する。
【０００８】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明は、ループインダクタンスを低減でき、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減したプリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１の発明では、コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、
前記コア基板内に形成された開口中に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサが収容され、
前記コア基板に樹脂絶縁層が積層され、該樹脂絶縁層上の導体回路と前記コンデンサの電極との間に、該樹脂絶縁層に設けられ、めっきによって形成されたバイアホールにより電気的接続が取られていることを技術的特徴とする。
【００１１】
請求項２の発明では、コア基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、
前記コア基板内に形成された開口中に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサが収容され、
前記コア基板に、前記開口を被覆するように樹脂絶縁層が積層され、該樹脂絶縁層上の導体回路と前記コンデンサの電極との間に、前記樹脂絶縁層に設けられ、めっきによって形成されたバイアホールにより電気的接続が取られていることを技術的特徴とする。
【００１２】
請求項１および請求項２では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【００１３】
コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ法によって形成する回路を意味している。それらには、セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを用いることができる。
【００１４】
空隙には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
また、請求項１、２では、金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成するため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性を高めることができる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極とバイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じることがない。
コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００１５】
請求項３では、複数枚の樹脂基板を、接着板を介在させて貼り合わせるため、強固に接着させることができる。
【００１６】
請求項４では、接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。
【００１７】
請求項５では、樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせることができる。
【００１８】
請求項６では、コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００１９】
請求項７では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２０】
請求項８では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２１】
請求項９では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２４】
また、チップコンデンサの表面に粗化処理を施してもよい。これにより、セラミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる層間樹脂絶縁層との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。
【００２５】
請求項１０では、絶縁性接着剤の熱膨張率を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
【００２６】
請求項１１では、チップコンデンサの電極の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減することができるからである。
【００２７】
請求項１２では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２８】
請求項１３では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２９】
請求項１４では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００３０】
請求項１６のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｉ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）複数枚の樹脂基板に、導体回路を形成する工程；
（ｂ）接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
（ｃ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｄ）前記コア基板に、凹部を形成する工程；
（ｅ）前記凹部に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサを収容する工程；
（ｆ）コア基板の上に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｇ）前記樹脂絶縁層を挿通し前記コンデンサの電極へ至る開口を形成する工程；
（ｈ）前記樹脂絶縁層上に導体回路を形成すると共に、前記開口にめっきによってバイアホールを形成し、前記導体回路と前記コンデンサの電極との間に電気的接続をとる工程；
（ｉ）前記樹脂絶縁層上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層する工程。
【００３１】
請求項１７のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｉ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）通孔を備え、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｂ）通孔を備えず、表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
（ｃ）前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介して積層する工程；
（ｄ）前記樹脂基板同士を、前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
（ｅ）前記通孔に、めっきにより銅を主とする金属膜が電極に形成されたコンデンサを収容する工程；
（ｆ）コア基板の上に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｇ）前記樹脂絶縁層を挿通し前記コンデンサの電極へ至る開口を形成する工程；
（ｈ）前記樹脂絶縁層上に導体回路を形成すると共に、前記開口にめっきによってバイアホールを形成し、前記導体回路と前記コンデンサの電極との間に電気的接続をとる工程；
（ｉ）前記樹脂絶縁層上に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層する工程。
【００３２】
請求項１６および請求項１７では、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数枚積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状態を示している。
【００３４】
図７に示すように、プリント配線板１０は、チップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、スルーホール５６を介して接続されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層４０、１４０からなる。上側のビルドアップ配線層８０Ａ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８及びチップコンデンサ２０の第１電極２１と第２電極２２に接続されたバイアホール６０が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂ側の層間樹脂絶縁層４０には、導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１４０には、導体回路１５８及びバイアホール１６０が形成されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成されている。
【００３５】
チップコンデンサ２０は、図７に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。
【００３６】
図８に示すように、上側のビルドアップ配線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００３７】
図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパッド９２Ｓは、バンプ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール１６０−バンプ７６Ｄを介して、ドータボード９５の信号用のパッド９４Ｓに接続されている。
【００３８】
ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４Ｅは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されている。
【００３９】
ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、バンプ７６Ｕ−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４Ｐは、バンプ７６Ｄ−バイアホール１６０−スルーホール５６−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続されている。
【００４０】
図７に示すように、本実施形態のコア基板３０は、第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３３ａを介して接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層（接着板）３３ｂを介して接続された第３樹脂基板３０ｃとからなる。第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹脂基板３０ｃの両面には、導体回路３２が形成されている。また、コア基板３０にはザグリ加工によってチップコンデンサ２０を収容可能な凹部３４が形成され、凹部３４にはチップコンデンサ２０が収容されている。
【００４１】
これにより、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリント配線板１０のループインダクタンスを低減させれる。また、両面に導体回路３２が配設された第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを積層してコア基板３０を形成しているため、コア基板３０内での配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【００４２】
更に、第１実施形態では、図２（Ａ）に示すようにコア基板３０の通孔３４の下面とチップコンデンサ２０との間に接着剤３６を介在させ、通孔３７の側面とチップコンデンサ２０との間に樹脂充填剤３８を充填してある。ここで、接着剤３６及び樹脂充填剤３８の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板３０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止することも出来る。
【００４３】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００４４】
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図１（Ａ））。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂを、パターン状にエッチングすることにより、両面に導体回路３２を備える第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを形成する（図１（Ｂ））。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと第１樹脂基板３０ａとをプリプレグ３３ａを介して積層する（図１（Ｃ））。
【００４５】
なお、コア基板として、セラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
【００４６】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、コア基板３０を形成する（図１（Ｄ））。ここでは先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００４７】
（３）次に、コア基板３０に、ザグリ加工でチップコンデンサ２０収容用の凹部３４を形成する（図１（Ｅ））。ここでは、ザグリ加工によりコンデンサ収容用の凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成することも可能である。
【００４８】
（４）その後、凹部３４の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図２（Ａ））。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
次に、チップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図２（Ｂ））。
チップコンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００４９】
（５）その後、凹部３４内に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図２（Ｃ））。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３４内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３４の壁面との隙間を充填する。
【００５０】
（６）上記工程を経た基板３０に、後述する熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層４０を設ける（図２（Ｄ））。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００５１】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図２（Ｅ））。
【００５２】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図３（Ａ））。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００５３】
（９）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３０の全表面に粗化面４６を形成する（図３（Ｂ））。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００５４】
（１０）その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を層間樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３（Ｃ））。ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。
また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００５５】
（１１）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５０を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を介して電流を流し、レジスト５０非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｄ））。
【００５６】
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【００５７】
（１２）レジスト５０を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのレジスト５０下のＮｉ−Ｃｕ合金層４８を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層４８と電解めっき膜５２からなる厚さ１６μｍのスルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面をエッチングすることにより、スルーホール５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の全表面に粗化面６２を形成する（図４（Ａ））。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００５８】
（１３）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤６４を、スルーホール５６内に充填し、加熱乾燥を行う。（図４（Ｂ））。
【００５９】
（１４）その後、（６）の工程で用いた熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層１４０を設ける（図４（Ｃ））。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。ここでは、エポキシ系樹脂を用いるが、シクロオレフィン系樹脂フィルムを用いることも可能である。
【００６０】
（１５）次いで、層間樹脂絶縁層１４０にレーザによりバイアホール用開口１４２を形成する（図４（Ｄ））。
【００６１】
（１６）（９）の工程と同様に日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層１４０の全表面に粗化面１４６を形成する（図５（Ａ））。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００６２】
（１７）その後、（１０）〜（１２）の工程を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層１４０上に、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１４８と電解めっき膜１５２からなる厚さ１６μｍの導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）及び粗化面１６２を形成する（図５（Ｂ））。
【００６３】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００６４】
（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ））。
【００６５】
（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ））。
【００６６】
（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【００６７】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボード９５への取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ、９２Ｐ、９２Ｓが対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５のパッド９４Ｅ、９４Ｐ、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。
【００６８】
上述した層間樹脂絶縁層４０、１４０を形成する樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６９】
本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００７０】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７１】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００７２】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００７３】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００７４】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００７５】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００７６】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７７】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７８】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７９】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００８０】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００８１】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００８２】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００８３】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００８４】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００８５】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００８６】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８７】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００８８】
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１１０について、図１１を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡ（ボールグリッドアレー）を配設した。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、図１１に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００８９】
また、上述した第１実施形態では、コア基板３０にザグリ加工によりチップコンデンサ２０を収容する凹部３４を設け、チップコンデンサ２０を収容した。第２実施形態では、通孔３０Ａを設けた第１樹脂基板３０ａおよび通孔を設けない第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃとをプリプレグ（接着板）３３ａ、３３ｂを介して貼り合わせることで、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成し、凹部３５内に複数個のチップコンデンサ２０を収容する。
【００９０】
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程について、図９及び図１０を参照して説明する。
【００９１】
（１）厚さ０．３ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板３１ａの両面に銅箔３１ｂがラミネートされている銅張積層板３１Ｍを出発材料とする（図９（Ａ））。この銅貼積層板３１Ｍの銅箔３１ｂをパターン状にエッチングすることにより両面に導体回路３２を備える第２、第３樹脂基板３０ｂ、３０ｃを形成する。また、パターン状にエッチングすると共に、通孔３０Ａを形成することで導体回路３２を備える第１樹脂基板３０ａを形成する（図９（Ｂ））。そして、第３樹脂基板３０ｃと第２樹脂基板３０ｂとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着板）３３ｂを介して積層する。同様に、第２樹脂基板３０ｂと通孔３０Ａが形成された第１樹脂基板３０ａとを通孔３３Ａの形成されたプリプレグ（接着板）３３ａを介して積層する（図９（Ｃ））。
【００９２】
（２）そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化し、チップコンデンサ２０を収容する凹部３５を備えるコア基板３０を形成する（図９（Ｄ））。ここでは、先ず、加圧されることでプリプレグ３３ａ、３３ｂのエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃに密着させる。更に、加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３３ａ、３３ｂを接着板として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。
【００９３】
（３）その後、凹部３５の底面に、印刷機を用いて熱硬化系もしくはＵＶ硬化系の接着材料３６を塗布する（図９（Ｅ））。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
【００９４】
（４）次に、複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３６上に載置する（図１０参照）。コア基板に複数個のチップコンデンサ２０を収容することにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００９５】
（５）その後、凹部３５内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３８を形成する（図１０（Ｂ参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３５内のチップコンデンサ２０を固定し、チップコンデンサ２０と凹部３５の壁面との隙間を充填する。
【００９６】
（６）上記工程を経た基板３０に、熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０を設ける（図１０（Ｃ））。
【００９７】
（７）次いで、樹脂基板３０ａ側の層間樹脂絶縁層４０に、レーザにより、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至るバイアホール用開口４２を形成する（図１０（Ｄ））。
【００９８】
（８）そして、コア基板３０にドリル又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する（図１０（Ｅ））。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。
以降の工程は、上述した第１実施形態の（９）〜（２１）と同様であるため、説明を省略する。
【００９９】
引き続き、本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図１２を参照して説明する。改変例のプリント配線板は、上述した第２実施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ８６が実装されている。
【０１００】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１３を参照して説明する。
【０１０１】
図１３は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。
ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図１１を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図１２を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【０１０２】
また、第２実施形態の改変例では、チップコンデンサ２０が、図１４（Ａ）に示すように第１、第２電極２１，２２の被覆層（図示せず）を完全に剥離した後、銅めっき膜２９により被覆してある。そして、銅めっき膜２９で被覆した第１、第２電極２１，２２に銅めっきよりなるバイアホール６０で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、接続層４０に非貫通孔４３を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とバイアホール６０との接続不良が発生することがある。これに対して、改変例では、銅めっき膜２９によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆された層間樹脂絶縁層４０に非貫通孔４２を穿設した際に、樹脂残さが残らず、バイアホール６０を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【０１０３】
更に、銅めっき膜２９の形成された電極２１、２２に、めっきによりバイアホール６０を形成するため、電極２１、２２とバイアホール６０との接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極２１、２２とバイアホール６０との間で断線が生じることがない。マイグレーションの発生もなく、コンデンサのバイアホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。
【０１０４】
なお、上記銅めっき膜２９は、チップコンデンサの製造段階で金属層２６の表面に被覆されたニッケル／スズ層（被覆層）を、プリント配線板への搭載の段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコンデンサ２０の製造段階で、金属層２６の上に直接銅めっき膜２９を被覆することも可能である。即ち、改変例では、第１実施形態と同様に、レーザにて電極の銅めっき膜２９へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、バイアホールを銅めっきにより形成する。従って、銅めっき膜２９の表面に酸化膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、適正に接続を取ることができる。
【０１０５】
また、図１４（Ｂ）に示すようにチップコンデンサ２０の第１電極２１、第２電極２２の被覆層２８から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被覆層２８から露出した第１電極２１、第２電極２２に電気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層２８から露出した金属は、主成分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減することができるからである。
【０１０６】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からなる層間樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すこともできる。なお、改変例では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【０１０７】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について図１５を参照して説明する。
この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。
図１５は、チップコンデンサの平面図を示している。図１５（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図１５（Ｃ）は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第３実施形態のプリント配線板では、図１５（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。
【０１０８】
この第３実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
引き続き、第３実施形態の第１改変例に係るプリント配線板図１６を参照して説明する。
図１６は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。
【０１０９】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１１０】
図１７を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図１７（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図１７（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図１７（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。
【０１１１】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１１２】
上述した第３実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のループインダクタンスを低減できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数個積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
【０１１４】
また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がない。
そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】図７に示すプリント配線板にＩＣチップを搭載し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態の改変例に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図１３】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示すグラフである。
【図１４】本発明の第２実施形態の改変例のチップコンデンサを示す断面図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１６】第３実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図１７】第３実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０  チップコンデンサ
３０  コア基板
３０ａ  第１樹脂基板
３０ｂ  第２樹脂基板
３０ｃ  第３樹脂基板
３０Ａ  通孔
３２  導体回路
３３ａ、３３ｂ  接着用樹脂層（接着板）
３３Ａ  開口部
３４  凹部
３５  凹部
３６  接着材料
３８  樹脂充填剤
４０  層間樹脂絶縁層
５６  スルーホール
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口部
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ  半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ  ビルドアップ配線層
９０  ＩＣチップ
９２Ｅ  接地用半田パッド
９２Ｓ  信号用半田パッド
９２Ｐ  電源用半田パッド
９４Ｅ  接地用半田パッド
９４Ｓ、信号用半田パッド
９４Ｐ  電源用半田パッド
９５  ドータボード
９６  導電性接続ピン
１４０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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