(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープを拡張するテープ拡張手段と、を具備し、
該テープ拡張手段は、該環状のフレームの内径より小さく該環状のフレームに装着された該保護テープに貼着されているウエーハの外径より大きい外径を有する拡張部材と、該拡張部材と該フレーム保持手段とを相対移動する拡張移動手段と、冷却流体を噴射して該接着フィルムを冷却する冷却ノズルとを具備し、
該拡張移動手段は、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープと該拡張部材とを離隔した離隔位置と、該拡張部材を該保護テープに作用せしめて該保護テープを拡張する拡張位置とに選択的に位置付け可能に構成されており、
該離隔位置から該拡張位置に作動する際には、該環状のフレームに装着された保護テープに貼着されかつウエーハの裏面に装着された接着フィルムが該冷却ノズルによって冷却され、該拡張部材と該保護テープとが当接するときに所定の移動速度で相対移動することによって、該接着フィルムに放射状の引っ張り力が急激に作用するように該拡張部材と該フレーム保持手段とを相対移動する、
ことを特徴とするウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置。
【請求項２】
該接着フィルムを冷却する冷却ノズルは冷却流体によって１０℃以下に接着フィルムを冷却し、該拡張部材と該保護テープとが当接するときの所定の相対移動速度が５０ｍｍ／秒以上である、請求項１に記載の接着フィルムの破断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルムを破断する破断装着に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割された半導体チップは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハを保護テープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムとともに切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
しかるに、特開２０００−１８２９９５号公報に開示された方法によると、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々の半導体チップに分割する際に、半導体チップの裏面に欠けが生じたり、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
【０００５】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって製作された半導体チップをダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体チップとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００７】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去するようにした半導体チップの製造方法、および上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分に、半導体チップの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体チップの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【０００８】
一方、近年半導体ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、半導体ウエーハの裏面から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを分割するものである。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特許第３４０８８０５号公報
【０００９】
上記レーザー加工方法を用いた分割方法によってウエーハを個々のチップに分割する場合においても、個々のチップの裏面に接着フィルムを装着する際には上述した方法を用いることになる。
【００１０】
しかしながら、特開２００２−１１８０８１号公報に開示された技術は、個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着した後に、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去する工程、或いはレーザー光線を照射して接着フィルムを破断する工程が必要であり、生産性が悪いという問題がある。
【００１１】
上記問題を解消するために、本出願人は、格子状に形成されたストリートに沿って個々のチップに分割されたウエーハの裏面に接着フィルムを装着し、この接着フィルム側を保護テープに貼着した後、接着フィルムを冷却して保護テープを拡張することにより、接着フィルムをチップ毎に破断する接着フィルムの破断方法を特願２００４−２２８８０９として提案した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
而して、接着フィルムは非常に柔軟な糊状物質によって形成されているため、接着フィルム側が貼着された保護テープを拡張すると接着フィルムも伸びて確実に破断することが困難である。即ち、保護テープを拡張するテープ拡張手段は、保護テープを拡張する際に拡張速度を徐々に上昇する構成となるため、接着フィルムに作用する拡張速度が緩やかに上昇するので、柔軟な接着フィルムは伸びて確実に破断することが困難となる。
【００１３】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されたダイボンディング用の接着フィルムを効率よく且つ確実に破断することができる接着フィルムの破断装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断装置において、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープを拡張するテープ拡張手段と、を具備し、
該テープ拡張手段は、該環状のフレームの内径より小さく該環状のフレームに装着された該保護テープに貼着されているウエーハの外径より大きい外径を有する拡張部材と、該拡張部材と該フレーム保持手段とを相対移動する拡張移動手段と、冷却流体を噴射して該接着フィルムを冷却する冷却ノズルとを具備し、
該拡張移動手段は、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープと該拡張部材とを離隔した離隔位置と、該拡張部材を該保護テープに作用せしめて該保護テープを拡張する拡張位置とに選択的に位置付け可能に構成されており、該離隔位置から該拡張位置に作動する際には、該環状のフレームに装着された保護テープに貼着されかつウエーハの裏面に装着された接着フィルムが該冷却ノズルによって冷却され、該拡張部材と該保護テープとが当接するときに所定の移動速度で相対移動することによって、該接着フィルムに放射状の引っ張り力が急激に作用するように該拡張部材と該フレーム保持手段とを相対移動する、
ことを特徴とするウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置が提供される。
【００１５】
上記接着フィルムを冷却する冷却ノズルは冷却流体によって１０℃以下に接着フィルムを冷却し、該拡張部材と該保護テープとが当接するときの所定の相対移動速度が５０ｍｍ／秒以上である、ことが望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による接着フィルムの破断装置においては、拡張ドラムとフレーム保持手段を離隔位置から拡張位置に作動する際には拡張部材と保護テープとが当接するときに所定の移動速度になるように構成されているので、保護テープに貼着されているウエーハの裏面に装着された接着フィルムには、放射状に引張力が急激に作用する。このようにウエーハの裏面に貼着された接着フィルムに放射状に引張力が急激に作用すると、接着フィルムは柔軟性があっても伸びる前に個々のチップの外周縁に沿って確実に破断される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に従って構成されたウエーハに装着された接着フィルムの破断装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
ここで、本発明に従って構成された接着フィルムの破断装置を説明する前に、裏面に接着フィルムが装着されたウエーハの形態について説明する。
図１には、先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着された状態が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々のチップに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝２３を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝２３が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護部材を装着し、半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２３を裏面２ｂに表出させて個々の半導体チップ２００に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３が装着される。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着する。
【００１９】
図２には、レーザー加工によりストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハ２０の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着された状態が示されている。図２に示す半導体ウエーハ２０も図１に示す半導体ウエーハと同様に表面２０ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ２には、裏面２０bから内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射することにより、内部にストリート２１に沿って変質層２４が連続的に形成されている。このようにストリート２１に沿って変質層２４が形成された半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂにダイボンディング用の接着フィルム３が装着される。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。
【００２０】
上述した半導体ウエーハ２の裏面に装着したダイボンディング用の接着フィルム３および半導体ウエーハ２０の裏面に装着したダイボンディング用の接着フィルム３をストリート２１に沿って破断するには、図３および図４に示すように環状のフレーム４の内側開口部を覆うように外周部が装着された保護テープ５の表面に半導体ウエーハ２の接着フィルム３側および半導体ウエーハ２０の接着フィルム３側を貼着する。なお、上記保護テープ５は、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートからなっている。なお、この保護テープ５は、伸長可能な材料によって形成する。
【００２１】
次に、上述したように環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持された半導体ウエーハ２の裏面に装着した接着フィルム３および半導体ウエーハ２０の裏面に装着した接着フィルム３をストリート２１に沿って破断する接着フィルム破断装置の一実施形態について、図５乃至図７を参照して説明する。
図５乃至図７に示す接着フィルム破断装置６は、基台６０と、該基台６０の上方に配置され上記環状のフレーム４を保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５を拡張するテープ拡張手段６２を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての４個のクランプ機構６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレーム４を載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレーム４が載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレーム４は、クランプ機構６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に移動可能に支持されている。
【００２２】
テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側において基台６０の上面に配設される拡張部材としての拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、上記環状のフレーム４の内径より小さく該環状のフレーム４に装着された保護テープ５に貼着される半導体ウエーハ２または２０の外径より大きい内径および外径を有している。図６に示すように、拡張ドラム６２１の下端には取付けフランジ６２２が設けられており、取付けフランジ６２２が基台６０に締結ボルト等の固着手段によって取付けられている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向（軸方向）に移動可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており、そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、図６および図７の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図７の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端から図において上方に所定量離隔した離隔位置と、図７の(c)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、拡張ドラム６２１とフレーム保持部材６１１とを上下方向（軸方向）に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００２３】
図５乃至図７に示す接着フィルム破断装置６は以上のように構成されており、この接着フィルム破断装置６を用いて上記環状のフレーム４に保護テープ５を介して保持された半導体ウエーハ２の裏面に装着した接着フィルム３をストリート２１（分割溝２３）に沿って破断する接着フィルム破断工程について、図７を参照して説明する。
上記図３に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体ウエーハ２を保護テープ５を介して支持した環状のフレーム４を、図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ機構６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。
【００２４】
図７の（ａ）に示すように基準位置に位置付けられているフレーム保持部材６１１に、裏面に接着フィルム３が装着された半導体ウエーハ２を保護テープ５を介して支持した環状のフレーム４を固定したならば、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して、環状のフレーム保持部材６１１を図７の（ｂ）に示す離隔位置に上昇せしめる（離隔位置位置付け工程）。
【００２５】
次に、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して、環状のフレーム保持部材６１１を図７の（c）に示す拡張位置まで一気に下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレーム４も下降するため、図７の（c）に示すように環状のフレーム４に装着された保護テープ５は拡張ドラム６２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。このとき、環状のフレーム保持部材６１１即ち環状のフレーム４に装着された支持テープ５は図７の（ｂ）に示す離隔位置から下降するので、拡張ドラム６２１の上端縁に当接する際には所定の移動速度に達している。なお、保護テープ５が拡張ドラム６２１の上端縁に当接する際の所定の移動速度は、５０mm／秒以上であることが望ましい。この結果、保護テープ５に貼着されている半導体ウエーハ２の裏面に貼着された接着フィルム３には、放射状に引張力が急激に作用する。このように半導体ウエーハ２の裏面に装着された接着フィルム３に放射状に引張力が急激に作用すると、半導体ウエーハ２はストリート２１（分割溝２３）に沿って個々の半導体チップ２００に分割されているので、個々の半導体チップ２００間が急激に広がる。このため、接着フィルム３には引張力が急激に作用するため、接着フィルムは柔軟性があっても伸びる前にストリート２１（分割溝２３）即ち個々の半導体チップ２００の外周縁に沿って確実に破断される。なお、半導体ウエーハ２は個々の半導体チップ２００に分割されるが、半導体ウエーハ２は破断された接着フィルム３を介して保護テープ５に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。
【００２６】
このようにして、半導体ウエーハ２の裏面に貼着された接着フィルム３がストリート２１（分割溝２３）に沿って破断されたら、次工程であるピックアップ工程において半導体チップ２００を保護テープ５から剥離することにより、図８に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体チップ２００をピックアップすることができる。
【００２７】
次に、図５乃至図７に示す接着フィルム破断装置６を用いて上記環状のフレーム４に保護テープ５を介して保持された半導体ウエーハ２０の裏面に装着した接着フィルム３をストリート２１（変質層２４）に沿って破断する接着フィルム破断工程について、図９を参照して説明する。
図９に示す接着フィルム破断工程も上述した図７に示す接着フィルム破断工程と同様に図９の（ａ）に示すフレーム保持工程と、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して環状のフレーム保持部材６１１を図９の（ｂ）に示す離隔位置に上昇せしめる離隔位置位置付け工程を実施するとともに、図９の(c)にテープ拡張工程を実施する。このテープ拡張工程において、保護テープ５に貼着されている半導体ウエーハ２０の裏面に装着された接着フィルム３に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２０にも同様に放射状に引張力が作用する。この結果、半導体ウエーハ２０のストリート２１に沿って形成された変質層２４は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ２０は変質層２４に沿って破断され個々の半導体チップ２００に分割される。このように半導体ウエーハ２０が変質層２４に沿って破断されると同時に、半導体ウエーハ２０の裏面に装着されている接着フィルム３も変質層２４に沿って破断される。このとき、上述したように、接着フィルム３には引張力が急激に作用するため、接着フィルムは柔軟性があっても伸びる前にストリート２１（変質層２４）即ち個々の半導体チップ２００の外周縁に沿って確実に破断される。
【００２８】
このようにして、半導体ウエーハ２０の裏面に貼着された接着フィルム３が変質層２４に沿って破断されたら、次工程であるピックアップ工程において半導体チップ２００を保護テープ５から剥離することにより、上記図８に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体チップ２００をピックアップすることができる。
なお、上述した図９に示す接着フィルム破断工程においては、接着フィルム破断装置６を用いてストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２０の裏面に接着フィルム３を装着し、この半導体ウエーハ２０を変質層２４に沿って分割するとともに接着フィルム３を破断する例を示したが、接着フィルム破断装置６を用いて半導体ウエーハの表面にストリートに沿ってレーザー加工溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを装着し、半導体ウエーハをレーザー加工溝に沿って分割するとともに接着フィルムを破断することもできる。
【００２９】
次に、接着フィルム破断装置６の他の実施形態について、図１０を参照して説明する。
図１０に示す接着フィルム破断装置６は、上述した図５乃至図７に示す接着フィルム破断装置６に、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持されたウエーハの裏面に装着されている接着フィルム３を冷却する冷却手段を付設したものである。従って、図１０に示す接着フィルム破断装置６については、冷却手段以外の構成は上述した図５乃至図７に示す接着フィルム破断装置６の構成と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付して、その説明を省略する。
図１０に示す接着フィルム破断装置６は、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持されたウエーハの裏面に装着されている接着フィルム３を冷却する冷却手段６５を具備している。この冷却手段６５は、拡張ドラム６２１の上方に配置された冷却流体噴射ノズル６５１と、該冷却流体噴射ノズル６５１を基台６０に支持する支持部材６５２とからなっている。冷却流体噴射ノズル６５１は、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。このように構成された冷却手段６５は、図示しない冷却流体供給手段を作動することにより、冷却流体噴射ノズル６５１からフレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持された半導体ウエーハ２または２０に例えば１０℃以下の冷却流体（エアー）を噴射する。この結果、半導体ウエーハ２または２０が冷却するため、該半導体ウエーハ２または２０の裏面に貼着している接着フィルム３が冷却せしめられる。従って、接着フィルム３は１０℃以下に冷却され伸縮性が低下せしめられるので、上述したープ拡張工程において引張力が作用することにより、個々の半導体チップ２００の外周縁に沿ってより確実に破断される。
【００３０】
次に、接着フィルム破断装置６の更に他の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１に示す接着フィルム破断装置６は、図１０に示す接着フィルム破断装置６における冷却手段６５を拡張ドラム６２１内に配設したものである。即ち、基台６０上に配設された支持部材６５２の上端に装着された冷却流体噴射ノズル６５１を、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５における接着フィルム３が貼着されている領域に対向して配置した構成である。なお、冷却流体噴射ノズル６５１は、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。
【００３１】
以上本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明に趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては拡張部材として拡張ドラムを用いた例を示したが、拡張部材は円形の拡張テーブルであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した状態を示す斜視図。
【図２】レーザー加工によりストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した状態を示す斜視図。
【図３】図１に示す半導体ウエーハを環状にフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図４】図２に示す半導体ウエーハを環状にフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図５】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の一実施形態を示す斜視図。
【図６】図５に示す接着フィルム破断装置の一部を破断して示す正面図。
【図７】図５に示す接着フィルム破断装置を用いて図１に示す半導体ウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを破断する工程を示す説明図。
【図８】図７に示す接着フィルム破断工程によって破断された接着フィルムが裏面に貼着された半導体チップの斜視図。
【図９】図５に示す接着フィルム破断装置を用いて図２に示す半導体ウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを破断する工程を示す説明図。
【図１０】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の他の実施形態の一部を破断して示す正面図。
【図１１】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の更に他の実施形態の一部を破断して示す正面図。
【符号の説明】
【００３３】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体ウエーハ
２００：半導体チップ
２１：ストリート
２２：デバイス
２３：分割溝
２４：変質層
３：接着フィルム
４：環状のフレーム
５：保護テープ
６：接着フィルム破断装置
６０：基台
６１：フレーム保持手段
６１１：フレーム保持部材 
６１２：クランプ機構 
６２：テープ拡張手段 
６２１：拡張ドラム 
６３：支持手段 
６３１：エアシリンダ
６３２：ピストンロッド 
６５：冷却手段
６５１：冷却流体噴射ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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