(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の配線パターンを形成する段階と、
前記配線パターンの表面及び前記基板の表面を覆うキャッピング絶縁層を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁層上に前記配線パターンの間のギャップ領域を充填する上部層間絶縁層を形成する段階と、
前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的にパターニングして前記配線パターンの間に第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記上部層間絶縁層を選択的に湿式エッチングすることにより前記第１コンタクトホールを拡張させて前記配線パターンの側壁上のキャッピング絶縁層を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第２コンタクトホールの側壁に酸化層スペーサを形成する段階と、
前記酸化層スペーサが形成された形成物の前記第２コンタクトホールの底に露出される前記キャッピング絶縁層の突出部を乾式エッチングして前記酸化層スペーサ下で前記キャッピング絶縁層の延長部を残存させる段階と、
前記酸化層スペーサにより取り囲まれた前記第２コンタクトホール内部を充填するコンタクトプラグを形成する段階とを含む自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２】
前記配線パターンを形成する段階前に
前記基板上に下部層間絶縁層を形成する段階と、
前記下部層間絶縁層をパターニングして前記基板の所定領域を露出させるパッドーコンタクトホールを形成する段階と、
前記パッドーコンタクトホール内にパッドープラグを形成する段階とを付加的に含み、前記第１コンタクトホールを形成する段階は前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的にパターニングして前記パッドープラグの一部分を露出させることを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３】
前記配線パターンを形成する段階は
前記基板上に絶縁層、導電層及び保護層を順次に形成する段階と、
前記保護層、前記導電層及び前記絶縁層を連続的にパターニングして前記基板の所定領域を露出させる段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項４】
前記導電層はドーピングされたポリシリコン層及び金属シリサイドー層を順次に積層させて形成することを特徴とする請求項３に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項５】
前記保護層はシリコン酸化層、シリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することを特徴とする請求項３に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項６】
前記キャッピング絶縁層はシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項７】
前記上部層間絶縁層はシリコン酸化層で形成することを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項８】
前記第１コンタクトホールを形成する段階は前記上部層間絶縁層上に前記上部層間絶縁層の所定領域を露出させる予備コンタクトホールを有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的に乾式エッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項９】
前記フォトレジストパターンを形成する段階後に前記フォトレジストパターンをフローさせて前記予備コンタクトホールの直径を縮める段階を付加的に含むことを特徴とする請求項８に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１０】
前記第１コンタクトホールを形成する段階は前記上部層間絶縁層上に前記上部層間絶縁層の所定領域を露出させる予備コンタクトホールを有するマスクパターンを形成する段階と、
前記予備コンタクトホールの内側壁上にマスクスペーサを形成する段階と、
前記マスクパターン及び前記マスクスペーサをエッチングマスクとして使用して前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的に乾式エッチングする段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記マスクパターン及び前記マスクスペーサはシリコン酸化層で形成することを特徴とする請求項１０に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１２】
前記酸化層スペーサは高温酸化層で形成することを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１３】
前記コンタクトプラグを形成する段階の前に前記酸化層スペーサの内側壁上にエッチング阻止スペーサを形成する段階を付加的に含むことを特徴とする請求項１に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１４】
前記エッチング阻止スペーサはシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することを特徴とする請求項１３に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１５】
半導体基板上に下部層間絶縁層を形成する段階と、
前記下部層間絶縁層の所定領域を貫通し、前記半導体基板の所定領域と接触するパッドープラグを形成する段階と、
前記パッドープラグが形成された形成物上に相互隣接した第１及び第２ビットラインパターンを形成する段階と、
前記パッドープラグの表面及び前記第１及び第２ビットラインパターンの表面を覆うキャッピング絶縁層を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁層上に前記第１及び第２ビットラインパターンの間のギャップ領域を充填する上部層間絶縁層を形成する段階と、
前記第１及び第２ビットラインパターンの間の前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的にパターニングして前記パッドープラグの第１部分を露出させる第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記上部層間絶縁層を選択的に湿式エッチングすることにより前記第１コンタクトホールを拡張させて前記第１及び第２ビットラインパターンの側壁上の前記キャッピング絶縁層を露出させる第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第２コンタクトホールの内側壁上に酸化層スペーサを形成する段階と、
前記酸化層スペーサにより取り囲まれた前記第２コンタクトホールの底に露出された前記キャッピング絶縁層の突出部を乾式エッチングして前記第１部分より広い前記パッドープラグの第２部分を露出させることと同時に前記酸化層スペーサ下で前記キャッピング絶縁層の延長部を残存させる段階とを含む自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１６】
前記下部層間絶縁層及び前記上部層間絶縁層はＢＰＳＧ層、ＰＳＧ層、アンドープ酸化層又は高温酸化層で形成することを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２ビットラインパターンを形成する段階は前記パッドープラグが形成された形成物の全面にシリコン酸化層、ドーピングされたポリシリコン層、タングステンシリサイドー層及び保護層を順次に形成する段階と、
前記保護層と、前記タングステンシリサイドー層と、前記ドーピングされたポリシリコン層及び前記シリコン酸化層を連続的にパターニングして前記パッドープラグの両側に順次に積層されたシリコン酸化層パターンと、ポリシリコンパターンと、タングステンシリサイドーパターン及び保護層パターンとを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１８】
前記保護層はシリコン窒化層、シリコン酸化窒化物層又はシリコン酸化層であることを特徴とする請求項１７に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項１９】
前記キャッピング絶縁層はシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２０】
前記第１コンタクトホールを形成する段階は前記上部層間絶縁層上に上部層間絶縁層の所定領域を露出させる予備コンタクトホールを有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的に乾式エッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２１】
前記フォトレジストパターンを形成する段階後に前記フォトレジストパターンをフローさせて前記予備コンタクトホールの直径を縮める段階を付加的に含むことを特徴とする請求項２０に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２２】
前記第１コンタクトホールを形成する段階は前記上部層間絶縁層上に前記上部層間絶縁層の所定領域を露出させる予備コンタクトホールを有するマスクパターンを形成する段階と、
前記予備コンタクトホールの内側壁上にマスクスペーサを形成する段階と、
前記マスクパターン及び前記マスクスペーサをエッチングマスクとして使用して前記上部層間絶縁層及び前記キャッピング絶縁層を連続的に乾式エッチングする段階とを含むことを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２３】
前記マスクパターン及び前記マスクスペーサは高温酸化層で形成することを特徴とする請求項２２に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２４】
前記上部層間絶縁層を選択的に湿式エッチングする工程はフッ酸溶液又は緩衝酸化膜エッチング溶液を使用して実施することを特徴とする請求項１６に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２５】
前記酸化層スペーサは高温酸化層で形成することを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２６】
前記酸化層スペーサを形成する段階及び前記キャッピング層の突出部を乾式エッチングする段階はインサイチュ工程を使用して実施することを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２７】
前記インサイチュ工程はＣＦ４ガス又はＣＨＦ３ガスをエッチングガスとして使用して実施することを特徴とする請求項２６に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２８】
前記キャッピング絶縁層の突出部を乾式エッチングする段階後に前記第２コンタクトホール内部を充填するコンタクトプラグを形成する段階を付加的に含むことを特徴とする請求項１５に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項２９】
前記コンタクトプラグを形成する段階前に前記酸化層スペーサの内側壁上にエッチング阻止スペーサを形成する段階を付加的に含むことを特徴とする請求項２８に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【請求項３０】
前記エッチング阻止スペーサはシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することを特徴とする請求項２９に記載の自己整列コンタクト構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路素子の製造方法に関するものであり、特に自己整列（自己整合）コンタクト構造体の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ電子集積回路の集積度を高めるための試図はパタ−ンの間の間隔が狭くなるほど微細な素子の製造に対する結果を招来した。これにより、これら素子のコンタクトホ−ルの位置をフォトリソグラフィ工程に限定するための従来の技術も改善されなければならなかった。そのような改善は全て整列余裕度に対する許容誤差を減少させるフォトリソグラフィ工程の開発を含んで進行された。他方、高集積素子を形成する時コンタクトホ−ルのサイズを縮めるための試図は望ましい技術に採択されないことである。これはコンタクトホ−ルのサイズが縮まるとコンタクト抵抗が増加するからである。
【０００３】
フォトリソグラフィ工程の整列許容誤差を減少させる技術はマイクロ電子素子のサイズを縮める比率に比例して減少しない。フォトリソグラフィ工程の整列と関連したこのような限界を克服するためにフォトリソグラフィ工程の精度に依存しない自己整列コンタクトホ−ル製造技術が開発されてきた。
【０００４】
米国特許第５，８９７，３７２号は自己整列コンタクトホ−ルを形成する方法を開示する。米国特許第５，８９７，３７２号によると、半導体基板上に上部保護層及び側壁スペ−サにより取り囲まれたゲ−ト電極を形成し、形成物全面に薄いシリコンリッチシリコン窒化層（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｒｉｃｈ  ｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）及び厚い層間絶縁層を順次に形成し、層間絶縁層及びシリコンリッチシリコン窒化層を順次に乾式エッチングしてゲ−ト電極の間の半導体基板を露出させる自己整列コンタクトホ−ルを形成する。ここで、自己整列コンタクトホ−ルは露出された半導体基板の面積を極大化させて整列余裕度を高めるためにゲ−ト電極上に形成された保護層の縁部を露出させる。この際、保護層及びスペ−サを酸化層に形成する場合には自己整列コンタクトホ−ルを形成するための乾式エッチング工程を実施する間オ−バ−エッチングに起因してゲ−ト電極が露出できる。これにより、保護層及びスペ−サを層間絶縁層に対してエッチング選択比を有するシリコン窒化層で形成するか、或いはシリコンリッチシリコン窒化層を厚く形成すると、ゲ−ト電極が露出される問題点が解決できる。しかし、シリコン窒化層又はシリコンリッチシリコン窒化層は層間絶縁層として広く使用されるシリコン酸化層に比べて高い誘電定数を示す。これにより、自己整列コンタクトホ−ルを充填する配線及びゲ−ト電極の間の寄生キャパシタンスが増加されて半導体素子の電気的な特性を劣化させる。
【０００５】
結果的に、このような自己整列コンタクトホ−ル製造技術は相対的に大きい整列誤差を有するフォトリソグラフィ工程が使用される時、やはり信頼性に対する問題点が存在する。従って、そのような自己整列技術にもかかわらず、高集積回路のコンタクトホ−ルを形成することにおいてさらに改善された方法が要求されている実情である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は相互隣接した二つの導電層の間寄生キャパシタンスを最小化して整列技術に対する信頼性を改善させ得る自己整列コンタクト構造体の形成方法を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的はコンタクト抵抗を最小化させ得る自己整列コンタクト構造体の形成方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的及び特徴は集積回路素子の自己整列コンタクト構造体の形成方法により提供できる。これら方法はコンタクトホ−ルが下部の集積回路素子の構造体に対して誤整列できる可能性を減少させることにより工程の信頼性を改善させる。本発明の一実施形態によると、自己整列コンタクト構造体の形成方法は基板上に複数の配線パタ−ンを形成する段階と、配線パタ−ンの表面及び基板の表面をキャッピング絶縁層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）で覆う段階とを含む。次に、キャッピング絶縁層上に配線パタ−ンの間のギャップ領域を充填する場合は上部層間絶縁層（ｕｐｐｅｒ  ｉｎｔｅｒ−ｌａｙｅｒｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を形成する。続いて、上部層間絶縁層及びキャッピング絶縁層を連続的に乾式エッチングして基板を露出させる第１コンタクトホ−ルを形成する。ここで、第１コンタクトホ−ルは配線パタ−ンを露出させないことが望ましい。この実施形態において、キャッピング絶縁層はシリコン窒化層で形成できる。キャッピング絶縁層をエッチング阻止層として使用して自己整列方式で第１コンタクトホ−ルを拡張させる。特に、キャッピング絶縁層より上部層間絶縁層をさらに早くエッチングするエッチング溶液を使用して第１コンタクトホ−ルの側壁を湿式エッチングすることによりキャッピング絶縁層が露出されるように第１コンタクトホ−ルを拡張させて第２コンタクトホ−ルを形成する。この方法で、誤整列に対する可能性を根本的に補償する自己整列コンタクトホ−ルが形成できて自己整列される湿式エッチング段階が第１コンタクトホ−ルを拡張させて拡張された第２コンタクトホ−ル内に低抵抗コンタクト（即ち、コンタクトプラグ）が提供できる。この拡張段階を実施する間、湿式エッチング溶液の選択比が高いので、配線パタ−ンが第２コンタクトホ−ルにより露出される可能性を減少させる。
【０００９】
本発明の他の態様によると、第２コンタクトホ−ルを形成する段階後に第２コンタクトホ−ルの側壁上に酸化層スペ−サ（ｏｘｉｄｅ  ｓｐａｃｅｒ）を形成する段階と、酸化層スペ−サをエッチングマスクとして使用して基板の反対側に延びたキャッピング絶縁層の突出部（ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）をエッチングする段階を実施することが望ましい。この後者の連続的な段階は第２コンタクトホ−ルにより露出される基板の面積を広めるために実施され、後続工程で形成されるコンタクトプラグ及び基板の間のコンタクト抵抗を減少させる。
【００１０】
本発明の他の実施形態によると、集積回路のメモリ素子を形成する望ましい方法は半導体基板上に下部層間絶縁層（ｌｏｗｅｒ  ｉｎｔｅｒ−ｌａｙｅｒ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を形成する段階と、下部層間絶縁層内にパッドコンタクトホ−ルを形成する段階とを含む。パッドコンタクトホ−ル内に通常の方法を使用してパッドプラグを形成する。続いて、下部層間絶縁層の上部表面上に相互隣る第１及び第２ビットラインパタ−ンを形成する。続けて、パッドプラグ及び第１及び第２ビットラインパタ−ンを覆うキャッピング絶縁層を形成する。キャッピング絶縁層上に上部層間絶縁層を形成する。上部層間絶縁層及びキャッピング絶縁層を連続的にエッチングしてパッドプラグの第１部分を露出させる第１コンタクトホ−ルを形成する。続いて、キャッピング絶縁層より上部層間絶縁層をさらに早くエッチングさせるエッチング溶液で第１コンタクトホ−ルの側壁を選択的にエッチングすることにより望ましい自己整列方式でビットラインパタ−ンの側壁上のキャッピング絶縁層を露出させる第２コンタクトホ−ルを形成する。次に、第２コンタクトホ−ルの側壁上に酸化層を露出させる第２コンタクトホ−ルを形成する。次に、第２コンタクトホ−ルの側壁上に酸化層スペ−サを形成する。酸化層スペ−サを形成した後にキャッピング絶縁層を再びエッチングして第１部分よりさらに大きいパッドプラグの第２部分を露出させる。この段階は酸化層スペ−サをエッチングマスクとして使用して実施するのが望ましい。他方、キャッピング絶縁層に対して低いエッチング選択比を示すエッチング工程を使用して酸化層スペ−サを形成することもできる。この場合に、酸化層スペ−サが形成されることと同時にキャッピング絶縁層がエッチングされる。従って、キャッピング絶縁層を追加にエッチングするための別途のエッチング工程が要求されない。続いて、第２コンタクトホ−ル内部にコンタクトプラグを形成する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限らず異なる形態で具体化することもできる。むしろここで紹介される実施形態は開示された内容が徹底して完全になり得るようにそして当業者に本発明の思想が十分に伝達できるようにするため提供されることである。図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張している。又、層が他の層又は基板“上”にあると言及される場合にそれは他の層又は基板上に直接形成できるか、或いはそれら間に第３の層が介在されることもできる。明細書全体にかけて同一な参照番号は同一な構成要素を示す。
【００１２】
図１は一般的なＤＲＡＭ素子のセルアレイ領域の一部分に対する平面図である。
【００１３】
図１を参照すると、Ｐ型の半導体基板の所定領域に活性領域２が限定され、活性領域を横切る一対のワ−ドライン４ａ，４ｂが配置される。活性領域２の周辺領域には素子分離膜が形成される。一対のワ−ドライン４ａ，４ｂの間の活性領域２はＮ型の不純物でド−ピングされた共通ドレ−ン領域６ｄに相当する。一対のワ−ドライン４ａ，４ｂの中第１ワ−ドライン４ａの両側活性領域中共通ドレ−ン領域６ｄと向き合う活性領域２はＮ型の不純物でド−ピングされた第１ソ−ス領域６ｓ′に相当する。又、第２ワ−ドライン４ｂの両側活性領域中共通ドレ−ン領域６ｄと向き合う活性領域２はＮ型の不純物にド−ピングされた第２ソ−ス領域６ｓ″に相当する。
【００１４】
第１ソ−ス領域６ｓ′上には第１ソ−ス領域６ｓ′と電気的に連結された第１ストレ−ジノ−ドパッド１０ａ、即ち第１パッドプラグが配置され、第２ソ−ス領域６ｓ″上には第２ソ−ス領域６ｓ″と電気的に連結された第２ストレ−ジノ−ドパッド１０ｂ、即ち第２パッドプラグが配置される。又、共通ドレ−ン領域６ｄ上には共通ドレ−ン領域６ｄと電気的に連結されたビットラインパッド１０ｄが配置される。ビットラインパッド１０ｄは共通ドレ−ン領域６ｄの一側に向いて延びた突出部を含む、一対のワ−ドライン４ａ，４ｂを横切って活性領域２の両側に各々第１及び第２ビットライン１９が配置される。第１ビットライン１９はビットラインパッド１０ｄの突出部を露出させるビットラインコンタクトホ−ル１４を通じてビットラインパッド１０ｄと電気的に連結される。これと同じく、第２ビットライン１９は他のビットラインパッド（図示せず）と電気的に連結される。
【００１５】
図２乃至図９は図１のＩ−Ｉに沿って本発明による自己整列コンタクト構造体の形成方法を説明するための断面図である。
【００１６】
図２を参照すると、自己整列コンタクトホ−ルを有する集積回路素子の望ましい製造方法はＰ型半導体基板１の所定領域に活性領域を限定する素子分離層２ａを形成する。活性領域を横切る一対のワ−ドライン（図１の４ａ及び４ｂ）を形成する。各ワ−ドラインの両側の活性領域にＮ型の不純物を注入してソ−ス／ドレ−ン領域（図１の６ｄ、６ｓ′及び６ｓ″）を形成する。ソ−ス／ドレ−ン領域が形成された形成物全面に下部層間絶縁層８を形成する。下部層間絶縁層８はＢＰＳＧ（Borophosphosilicate Glass）層、ＰＳＧ（Phospho Silicate Glass）層又はアンド−プ酸化層ＵＳＧ（Undoped Silicate Glass）で形成できる。通常のフォトリソグラフィ工程でマスキングを実施して下部層間絶縁層８内にパッドコンタクトホ−ル９を形成する。このパッドコンタクトホ−ル９はソ−ス／ドレ−ン領域を露出させる。下部層間絶縁層８の上部及びパッドコンタクトホ−ル９内にポリシリコン層を全面蒸着する。このポリシリコン層はＮ型不純物にド−ピングされた高い導電性のポリシリコン層であり得る。続いて、下部層間絶縁層８を平坦化阻止層として使用してポリシリコン層を平坦化させる。この平坦化段階は下部の第１ソ−ス領域６ｓ′、第２ソ−ス領域６ｓ″及び共通ドレ−ン領域６ｄに対して高導電性のコンタクト役割を果たすパッドプラグ（図１の１０ａ，１０ｂ及び１０ｄ）を形成する結果を招く。
【００１７】
図３を参照すると、示されたようにパッドプラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｄ及び下部層間絶縁層８上に絶縁層１２、望ましくは高温酸化層ＨＴＯ（High Temperature Oxide）のようなシリコン酸化層を形成する。絶縁層１２をパタ−ニングしてビットラインパッド（図１の１０ｄ）を露出させるビットラインコンタクトホ−ル（図１の１４）を形成する。ビットラインコンタクトホ−ルが形成された形成物全面に導電層１９及び保護層（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）２０を順次に形成する。導電層１９はポリシリコン層１６及び金属シリサイド層１８を順次に積層させて形成することが望ましく、保護層２０は高温酸化層ＨＴＯのようなシリコン酸化層で形成するのが望ましい。保護層２０はシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することもできる。金属シリサイド層１８はタングステンシリサイド層のような耐化性金属シリサイド層で形成する。タングステンシリサイド層はスパッタリング工程を使用して形成できる。
【００１８】
図４を参照すると、フォトリソグラフィ／エッチング工程で保護層２０、導電層１９及び絶縁層１２を連続的にパタ−ニングしてビットラインコンタクトホ−ルを覆う複数の配線パタ−ン、例えば、第１及び第２ビットラインパタ−ン２２を形成して下部層間絶縁層８及びパッドプラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｄを露出させる。これらビットラインパタ−ン２２は３次元的に延びて相互平行に形成される。各ビットラインパタ−ン２２は順次に積層された絶縁層パタ−ン１２ａ、ビットライン１９ａ及び保護層パタ−ン２０ａを含む。ここで、各ビットライン１９ａは順次に積層されたポリシリコンパタ−ン１６ａ及びタングステンシリサイドパタ−ン１８ａを含める。この分野の通常の知識を持つ者なら分かるようにビットライン物質としてタングステンシリサイドの使用は各ビットライン１９ａの電気的な抵抗を低下させる。
【００１９】
下部層間絶縁層８、パッドプラグ１０ａ，１０ｂ，１０ｄ及びビットラインパタ−ン２２の表面上に、示されたように、キャッピング絶縁層２４をコンフォ−マルに全面形成する。キャッピング絶縁層２４は５０乃至１００Åの厚さで形成することが望ましい。又、キャッピング絶縁層２４は後続工程で形成される上部層間絶縁層に対して湿式エッチング選択比を有する絶縁層、例えばシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成することが望ましい。キャッピング絶縁層２４上にビットラインパタ−ン２２の間のギャップ領域を十分に充填するために相対的に厚い上部層間絶縁層２６を形成する。上部層間絶縁層２６はアンド−プ酸化物ＵＳＧ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ及び高温酸化物ＨＴＯより成る一群から選択されたいずれか一つの物質を含める。
【００２０】
図５を参照すると、上部層間絶縁層２６上にフォトレジストパタ−ン２７を形成して第１及び第２パッドプラグ１０ａ，１０ｂの上部の上部層間絶縁層２６を選択的に露出させる。次に、フォトレジストパタ−ン２７をエッチングマスクとして使用して露出された上部層間絶縁層２６及びキャッピング絶縁層２４を連続的に望ましくは乾式エッチングして第１及び第２パッドプラグ１０ａ，１０ｂの第１部分を露出させる相対的に狭くて深い第１コンタクトホ−ル３２を形成する。この際、第１コンタクトホ−ル３２を形成するための乾式エッチング工程はシリコン窒化層に対して低いエッチング選択比を示す通常のシリコン酸化層エッチングレシピを使用して実施することが望ましい。より詳しく、第１コンタクトホ−ル３２を形成するための乾式エッチング工程はＣＦ4ガス又はＣＨＦ3ガスを使用するシリコン酸化層エッチングレシピで実施できる。
【００２１】
フォトレジストパタ−ン２７が誤整列された状態で乾式エッチング段階を実施する間下部のビットラインパタ−ン２２が露出されることを防止するために第１コンタクトホ−ル３２を狭く形成することが望ましい。ビットラインパタ−ン２２の露出は活性領域に形成されるＤＲＡＭ阻止の信頼性及び寿命を縮められる電気的なブリッジ及び異なる寄生的な欠陥を誘発させ得る。
【００２２】
図６は第１コンタクトホ−ル３２を狭く形成できる他の一つの方法を説明するための断面図である。
【００２３】
図６を参照すると、図５で説明したように上部層間絶縁層２６上にフォトレジストパタ−ン２７を形成する。フォトレジストパタ−ン２７を約１５０℃乃至２００℃の温度でフロ−させて傾斜した側壁を有するフォトレジストパタ−ン２７ａを形成する。これにより、フロ−されたフォトレジストパタ−ン２７ａにより露出される上部層間絶縁層２６の面積はフォトレジストパタ−ン２７により露出される上部層間絶縁層２６の面積より狭い。フロ−されたフォトレジストパタ−ン２７ａをエッチングマスクとして使用して露出された上部層間絶縁層２６及びキャッピング２４を連続的に乾式エッチングして相対的に狭い第１コンタクトホ−ル３２を形成する。
【００２４】
他方、図７を参照すると、第１コンタクトホ−ル３２を限定するために上部層間絶縁層２６上にハ−ドマスク層を形成する。ハ−ドマスク層は高温酸化層ＨＴＯのような密な（ｄｅｎｓｅ）シリコン酸化層に形成することが望ましい。マスク層を通常のフォトリソグラフィ／エッチング工程を使用してパタ−ニングして上部層間絶縁層２６の所定領域を露出させる予備コンタクトホ−ルを有するマスクパタ−ン２８を形成する。通常のスペ−サ技術を使用して予備コンタクトホ−ルの内側壁にマスクスペ−サ３０を形成する。マスクスペ−サ３０はマスク層と同一な物質層で形成することが望ましい。
【００２５】
マスクスペ−サ３０は予備コンタクトホ−ルの有効幅を狭くして第１及び第２パッドプラグ１０ａ，１０ｂを露出させるための後続のエッチング段階を実施する間、ビットラインパタ−ン２２を構成するビットライン１９ａが露出される可能性を減少させる。言い換えれば、マスクスペ−サ３０は第１コンタクトホ−ル３２のサイズを縮めることに有用に使用されてマスク層をパタ−ニングするためのフォトリソグラフィ工程時誤整列が発生する場合に工程信頼性を高める。続いて、マスクパタ−ン２８及びマスクスペ−サ３０をエッチングマスクとして使用して上部層間絶縁層２６及びキャッピング絶縁層２４を連続的にエッチングして第１及び第２パッドプラグ１０ａ，１０ｂの第１部分を露出させる第１コンタクトホ−ル３２を形成する。この際、マスクパタ−ン２８及びマスクスペ−サ３０もエッチングされる。従って、マスクパタ−ン２８及びマスクスペ−サ３０は第１コンタクトホ−ル３２を形成する間除去できる。
【００２６】
図８を参照すると、フォトレジストパタ−ン２７又はフロ−されたフォトレジストパタ−ン２７ａを除去した後、第１コンタクトホ−ル３２は湿式エッチング工程を使用して自己整列方式に拡張させて第１コンタクトホ−ル３２ａを形成する。この際、上部層間絶縁層２６は等方性エッチングされてその上部面が低くなる。これにより、縮まった上部層間絶縁層（ｓｈｒａｎｋ  ｕｐｐｅｒ  ｉｎｔｅｒ−ｌａｙｅｒ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）２６ａが形成される。湿式エッチング工程はビットラインパタ−ン２２の側壁上のキャッピング絶縁層２４が露出される時まで実施することが望ましい。特に、湿式エッチング工程はキャッピング絶縁層２４より上部層間絶縁層２６を選択的にずっとさらに早くエッチングするエッチング溶液を使用して実施することが望ましい。この際、キャッピング絶縁層２４及び上部層間絶縁層２６が各々シリコン窒化層及びシリコン酸化層で形成された場合に湿式エッチング工程のためのエッチング溶液にはフッ酸（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ  ａｃｉｄ；ＨＦ）又は緩衝酸化膜エッチング溶液（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈａｎｔ；ＢＯＥ）を使用することが望ましい。
【００２７】
湿式エッチング工程を実施する間、キャッピング絶縁層２４はエッチング阻止層、即ちビットラインパタ−ン２４の側壁に対する保護層役割を果たす。キャッピング絶縁層２４をエッチング阻止層として使用することにより、第１コンタクトホ−ル３２を形成するためのフォトリソグラフィ工程で誤整列が発生しても第２コンタクトホ−ル３２ａをビットラインパタ−ン２２に対して自己整列方式に形成できる。続けて、第２コンタクトホ−ル３２ａの側壁に通常の方法を使用して約５００Åの幅を有する酸化層スペ−サ３４を形成する。この際、第２コンタクトホ−ル３２ａの底にキャッピング絶縁層２４の一部分、即ちキャッピング絶縁層２４の突出部２４ａが露出できる。酸化層スペ−サ３４は高温酸化層ＨＴＯのような誘電定数を有するシリコン酸化層に形成することが望ましい。酸化層スペ−サ３４の幅は第２コンタクトホ−ル３２ａの幅により適切に調節できる。
【００２８】
図９を参照すると、キャッピング絶縁層２４の突出部２４ａを乾式エッチングして第１コンタクトホ−ル３２により露出されたパッドプラグ１０ａ，１０ｂの第１部分よりさらに広い第２部分を露出させる。ここで、酸化層スペ−サ３４を図５乃至図７で説明した第１コンタクトホ−ル３２を形成するための乾式エッチング工程と同一なレシピを使用して形成する場合にキャッピング絶縁層２４の突出部２４ａは別途のエッチング工程を使用せず容易に除去できる。従って、酸化層スペ−サ３４を形成する段階及び突出部２４ａをエッチングする段階は一つのエッチングレシピを使用してインサイチュ工程で実施できる。結果的に、酸化層スペ−サ３４の下ではキャッピング絶縁層２４の延長部２４ｂが残存する。
【００２９】
一方、本発明によると、第１コンタクトホ−ル３２を形成する間パッドプラグ１０ａ，１０ｂが露出されなくても、パッドプラグ１０ａ，１０ｂの第２部分を完全に露出させる第２コンタクトホ−ル３２ａが形成できる。これは、第２コンタクトホ−ル３２ａを形成するための湿式エッチング工程を実施する間第２コンタクトホ−ル３２ａの底にキャッピング絶縁層２４が完全に露出され、露出されたキャッピング絶縁層２４は酸化層スペ−サ３４を形成する間除去しやすいからである。結果的に、本発明によると、第１コンタクトホ−ル３２を形成するための乾式エッチング工程の余裕度が増加させ得る。
【００３０】
続けて、酸化層スペ−サ３４の内側壁上にエッチング阻止スペ−サ３６を追加に形成することもできる。より詳しく、キャッピング絶縁層２４の突出部２４ａが除去された形成物全面に５０Å乃至１００Åの薄いエッチング阻止層を形成し、エッチング阻止層を異方性エッチングして酸化層スペ−サ３４の内側壁上にエッチング阻止スペ−サ３４を形成する。エッチング阻止層は酸化物エッチング溶液に対して高いエッチング選択比を有する絶縁体膜、例えばシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化層に形成するのが望ましい。一方、キャッピング絶縁層２４の突出部２４ａはエッチング阻止スペ−サ３４を形成した後、連続的に除去することもできる。
【００３１】
エッチング阻止スペ−サ３６が形成された形成物全面に第２コンタクトホ−ル３２ａを充填するド−ピングされたポリシリコン層のような導電層を形成する。導電層を形成する前に第２コンタクトホ−ル３２ａにより露出されたパッドプラグ１０ａ，１０ｂの表面上の自然酸化層及び汚染物質を除去するために湿式洗浄工程を実施することもできる。湿式洗浄工程は一般的に水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）、過酸化水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）（Ｈ2Ｏ2）及び脱イオン水（ＤＩ（Ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ）  ｗａｔｅｒ）が混合された洗浄溶液と緩衝酸化物エッチング溶液（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈａｎｔ）（ＢＯＥ）を使用して実施する。この際、エッチング阻止スペ−サ３６は湿式洗浄液に対して高いエッチング選択比を示す。従って、酸化層スペ−サ３４がエッチングされる現象が防止できる。
【００３２】
続けて、縮まれた上部層間絶縁層２６ａの上部面が露出される時まで導電層をエッチバックして第２コンタクトホ−ル３２ａ内にコンタクトプラグ３８を形成する。
【００３３】
図９を再び参照すると、コンタクトプラグ３８及びビットラインパタ−ン２２の間にはキャッピング絶縁層２４，酸化層スペ−サ３４及びエッチング阻止スペ−サ３６が介在される。ここで、キャッピング絶縁層２４及びエッチング阻止スペ−サ３６が１００Å以下の非常に薄いシリコン窒化層又はシリコン酸化窒化物層で形成されてもビットラインパタ−ン２２にどのような損傷も与えることがなく自己整列コンタクトホ−ルが形成できる。これにより、キャッピング絶縁層２４及びエッチング阻止スペ−サ３６の間に適切な幅を有する酸化層スペ−サ３４を形成することによりコンタクトプラグ３８及びビットライン１９ａの間の寄生キャパシタンスを顕著に減少させ得ることは勿論、コンタクト抵抗を最小化させることが容易である。
【００３４】
【発明の効果】
前述したように本発明によると、高エッチング選択比を得られる湿式エッチング工程を使用して狭いコンタクトホ−ルを拡張させることにより誤整列に対する余裕度は勿論配線パタ−ンが露出される現象が防止できる。これにより、自己整列コンタクト技術の信頼性を向上させ得る。又、拡張されたコンタクトホ−ルの側壁に低誘電定数を有する酸化層スペ−サを形成することにより自己整列コンタクトホ−ルを充填するコンタクトプラグ及びコンタクトプラグの両側を過ぎる配線の間の寄生キャパシタンスを顕著に減少させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明及び従来技術に適用される一般的なＤＲＡＭセルアレイ領域の一部分を示す平面図である。
【図２】  図１のＩ−Ｉに沿って本発明による自己整列コンタクト構造体の形成方法を説明するための断面図であって、最初の工程を説明するための図である。
【図３】  図２の後の工程を説明するための断面図である。
【図４】  図３の後の工程を説明するための断面図である。
【図５】  図４の後の工程を説明するための断面図である。
【図６】  図５の後の工程を説明するための断面図である。
【図７】  図６の後の工程を説明するための断面図である。
【図８】  図７の後の工程を説明するための断面図である。
【図９】  図８の後の工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０ａ，１０ｂ  パッドプラグ
１９ａ  ビットライン
２２  ビットラインパタ−ン
２４  キャッピング絶縁層
２４ａ  突出部
２４ｂ  延長部
２６ａ  上部層間絶縁層
３２  第１コンタクトホ−ル
３２ａ  第２コンタクトホ−ル
３４  酸化層スペ−サ
３６  エッチング阻止スペ−サ
３８  コンタクトプラグ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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