(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）画素領域と非画素領域とに分けられた第１基板の前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子を形成する段階と、
（ｂ）前記非画素領域と対応する第２基板の周辺部に沿ってガラスフリットを形成する段階と、
（ｃ）前記画素領域及び非画素領域の一部と重畳されるように前記第２基板を前記第１基板の上部に配置する段階と、
（ｄ）前記第２基板の背面にレーザビームを前記ガラスフリット幅以上に照射して、該ガラスフリット内の中央を硬化させてソリッドラインを形成し、前記第１基板と前記第２基板とを接着させる段階と、を含み、
前記ソリッドラインの幅は、前記フリット幅の５０〜８０％の割合を持つ幅で形成される
ことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記段階（ｄ）で前記非画素領域の前記第１基板上に形成された金属ラインと交差される部分の前記ガラスフリットには、前記レーザビームを照射しないことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ガラスフリットは、前記レーザビームによって溶融され、前記第１基板に接着されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ガラスフリットは、１４〜５０μｍの高さ及び０．６〜１．５ｍｍの幅で塗布することを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記レーザビーム幅は、前記ガラスフリット幅の０．６〜１．５ｍｍ以上になるようにパワーを調節して照射することを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）段階において、前記ガラスフリットは、前記非画素領域と対応する前記第２基板の周辺部に沿って塗布する段階と、
前記塗布されたガラスフリットを硬化させる段階と、を通じて形成されることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
画素領域と非画素領域とに分けられて前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子が形成された第１基板と、
該第１基板の前記画素領域及び非画素領域の一部と対応するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間の非画素領域の周辺部に沿って所定幅で形成されたガラスフリットと、を含み、
前記ガラスフリットは、レーザビームを該ガラスフリットの幅以上に照射することにより、該ガラスフリット内にソリッドラインが形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記ガラスフリットは、前記第１基板または第２基板の一面から照射されるレーザビームによって溶融されて接着されることを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記ガラスフリットは、１４〜５０μｍの高さ及び０．６〜１．５ｍｍの幅に形成されることを特徴とする請求項７記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
（ａ）画素領域と非画素領域とに分けられた第１基板の前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子を形成する段階と、
（ｂ）前記非画素領域と対応する第２基板の周辺部に沿って所定幅でガラスフリットを形成する段階と、
（ｃ）前記画素領域及び非画素領域の一部と重畳されるように前記第２基板を前記第１基板の上部に配置する段階と、
（ｄ）前記第２基板の背面に、前記ガラスフリットの幅以上のレーザビームを照射することにより、該ガラスフリット内の中央を硬化させてソリッドラインを形成し、前記第１基板と前記第２基板とを接着させる段階と、を含み、
前記ソリッドラインの幅は、前記フリット幅の５０〜８０％の割合を持つ幅で形成される
ことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ガラスフリットは、１４〜５０μｍの高さ及び０．６〜１．５ｍｍの幅で塗布されることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｂ）段階において、前記ガラスフリットは、前記非画素領域と対応する前記第２基板の周辺部に沿って塗布する段階と、
前記塗布されたガラスフリットを硬化させる段階と、を通じて形成されることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法に関するもので、詳しくは、レーザパワーを調節してレーザビームの幅をフリット幅以上に照射してフリットが充分に溶融され得る有機電界発光表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光表示装置は、画素領域と非画素領域を提供する基板と、密封のために基板と対向するように配置され、エポキシのようなシーラントによって基板に合着される容器または基板から構成される。
【０００３】
基板の画素領域には、走査ラインとデータラインとの間にマトリックス方式で連結された多数の発光素子が形成され、発光素子は、アノード電極及びカソード電極と、アノード電極及びカソード電極の間に形成され、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜層から構成される。
【０００４】
ところで、前記のように構成される発光素子は、有機物を含むため、水素及び酸素に脆弱であり、カソード電極が金属材料で形成されるため、空気中の水分によって容易に酸化され、電気的な特性及び発光特性が劣化される。したがって、これを防止するために金属材質の缶やコップ形態に製作された容器や、ガラス、プラスチックなどの基板に吸湿剤をパウダー形態に搭載させるか、またはフィルム形態に接着して外部から浸透される水分、酸素及び水素が除去されるようにする。
【０００５】
しかし、吸湿剤をパウダー形態に搭載させる方法は、工程が複雑になって材料及び工程単価が上昇し、表示装置の厚さが増加し、全面の発光には適用が難しい。また、吸湿剤をフィルム形態に接着する方法は、水分を除去するのに限界があって耐久性と信頼性が低くて量産には適用が難しい。
【０００６】
したがって、このような問題点を解決するために、フリットで側壁を形成して発光素子を密封させる方法が利用された。
【０００７】
国際特許出願ＰＣＴ／ＫＲ２００２／０００９９４号（２００２.５.２４）には、ガラスフリットで側壁が形成されたカプセル化容器及びその製造方法について記載されている。
【０００８】
大韓民国特許公開特２００１−００８４３８０号（２００１.９.６）には、レーザを利用したフリットフレーム密封方法について記載されている。
【０００９】
大韓民国特許公開特２００２−００５１１５３号（２００２.６.２８）には、レーザを利用してフリット層で上部基板と下部基板を封着させるパッケージング方法について記載されている。
【００１０】
フリットで発光素子を密封させる方法を利用する場合、フリットが塗布された封止基板を発光素子が形成された基板に合着させた後、封止基板の背面にレーザを照射してフリットが基板に溶融接着されるようにする。
【００１１】
しかし、この時、レーザが封止基板とフリットを通じて基板に照射されるため、フリットと直接的に接触される基板の温度が封止基板の温度より低く維持される。例えば、レーザが照射される時に封止基板の温度は１０００℃程度になるが、基板の温度は６００℃程度になる。したがって、フリットが完全に溶融されなかった状態で基板に接着されるため、フリットと基板との界面接着力が弱くて表示装置に若干の衝撃が加えられるか、または基板や封止基板の中で何れか一方に力が加えられる場合に容易に分離されることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、従来のようなレーザを利用してフリットを下板に封着させる方法において、フリットに沿ってレーザビームを照射するようになるが、照射されるレーザビームが前記フリットの幅の中心部に照射されるため、該中心部から所定距離の外にある区間は、レーザのパワーが弱くてフリットの硬化が弱く行われるという問題点があった。
【００１３】
本発明は、レーザパワーを調節してレーザビームの幅をフリット幅以上に照射してフリットが充分に溶融され得る有機電界発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
本発明は、レーザビームを調節してフリット幅の所定割合を持つソリッドラインが形成されるように照射してフリットが充分に溶融され得る有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
本発明の他の目的は、フリットと基板との接着力が強化され得るようにした有機電界発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、画素領域と非画素領域とに分けられた第１基板の前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子を形成する段階と、前記非画素領域と対応する第２基板の周辺部に沿ってフリットを形成する段階と、前記画素領域及び非画素領域の一部と重畳されるように前記第２基板を前記第１基板の上部に配置する段階と、前記第１基板または前記第２基板の何れか一方面にレーザビームを前記フリット幅以上に照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着させる段階と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る有機電界発光表示装置は、画素領域と非画素領域とに分けられて前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子が形成された第１基板と、該第１基板の前記画素領域及び非画素領域の一部と対応するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の非画素領域の周辺部に沿って所定幅に形成されたフリットと、を含み、該フリットは、レーザビームを照射して前記フリットの所定幅に対して所定の割合を持つソリッドラインが形成されることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、画素領域と非画素領域とに分けられた第１基板の前記画素領域に第１電極、有機薄膜層及び第２電極から成る有機電界発光素子を形成する段階と、前記非画素領域と対応する第２基板の周辺部に沿って所定幅でフリットを形成する段階と、前記画素領域及び非画素領域の一部と重畳されるように前記第２基板を前記第１基板の上部に配置する段階と、前記第２基板の背面にレーザビームを前記フリット幅の所定の割合を持つソリッドラインが形成されるように照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着させる段階と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
レーザビーム幅（Ａ’）をフリット幅（Ｂ’）以上に照射することで、レーザビームの中心部から所定距離の外にある区間にもレーザビームが均一に照射され、ソリッドライン５２０が該フリット５２０の所定割合で形成されることで、全体的に硬化がよく行われるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付された図面を用いて本発明の好ましい実施形態について詳しく説明する。以下の実施形態は、この技術分野で通常的な知識を持つ者に本発明が充分に理解されるように提供されるもので、さまざまな形態に変形し得るし、本発明の範囲が次に記述される実施形態に限定されるのではない。
【００２１】
図１（ａ）、図２（ａ）及び図３（ａ)は、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための平面図で、図１（ｂ）、図２（ｂ）及び図３（ｂ)は断面図である。
【００２２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したように、画素領域２１０と、該画素領域２１０を取り囲む非画素領域２２０が定義された基板２００を準備する。前記画素領域２１０の基板２００には、走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃの間にマトリックス方式で連結された多数の有機電界発光素子１００を形成して、非画素領域２２０の基板２００には、前記画素領域２１０の走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃから延長された走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃ、有機電界発光素子１００の動作のための電源供給ライン（図示せず）、そしてパッド（１０４ｃ及び１０６ｄ）を通じて外部から提供された信号を処理して前記走査ライン１０４ｂ及びデータライン１０６ｃに供給する走査駆動部４１０及びデータ駆動部４２０を形成する。
【００２３】
前記有機電界発光素子１００は、アノード電極１０８及びカソード電極１１１と、該アノード電極１０８及びカソード電極１１１の間に形成された有機薄膜層１１０から成る。該有機薄膜層１１０は、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造に形成され、正孔注入層と電子注入層が更に含まれることができる。また、前記有機電界発光素子１００の動作を制御するためのスイッチングトランジスタと信号を維持させるためのキャパシタが更に含まれることができる。
【００２４】
ここで、前記有機電界発光素子１００の製造過程について図１（ｂ）を用いて詳しく説明する。
【００２５】
まず、前記画素領域２１０及び非画素領域２２０の基板２００上にバッファ層１０１を形成する。該バッファ層１０１は、熱による前記基板２００の被害を防止し、該基板２００からイオンが外部に拡散されることを遮断するためのもので、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）のような絶縁膜で形成する。
【００２６】
前記画素領域２１０のバッファ層１０１上に活性層を提供する半導体層１０２を形成した後、該半導体層１０２を含む画素領域２１０の全体の上部面にゲート絶縁膜１０３を形成する。
【００２７】
前記半導体層１０２の上部のゲート絶縁膜１０３上にゲート電極１０４aを形成する。この時、前記画素領域２１０には、前記ゲート電極１０４aと連結される走査ライン１０４ｂが形成され、前記非画素領域２２０には、前記画素領域２１０の走査ライン１０４ｂから延長される走査ライン１０４ｂ及び外部から信号の提供を受けるためのパッド１０４ｃが形成されるようにする。前記ゲート電極１０４ａ、走査ライン１０４ｂ及びパッド１０４ｃは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはこれら金属の合金や積層構造から形成する。
【００２８】
前記ゲート電極１０４aを含む画素領域２１０の全体の上部面に層間絶縁膜１０５を形成する。そして、層間絶縁膜１０５とゲート絶縁膜１０３をパターニングして前記半導体層１０２の所定部分が露出するようにコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを通じて前記半導体層１０２と連結されるようにソース及びドレイン電極（１０６ａ及び１０６ｂ）を形成する。この時、前記画素領域２１０には、前記ソース及びドレイン電極（１０６ａ及び１０６ｂ）と連結されるデータライン１０６ｃが形成され、前記非画素領域２２０には、前記画素領域２１０のデータライン１０６ｃから延長されるデータライン１０６ｃ及び外部から信号の提供を受けるためのパッド１０６ｄが形成されるようにする。前記ソース及びドレイン電極（１０６ａ及び１０６ｂ）、データライン１０６ｃ及びパッド１０６ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属、またはこれら金属の合金や積層構造で形成する。
【００２９】
前記画素領域２１０の全体の上部面に平坦化層１０７を形成して表面を平坦化させる。そして、前記平坦化層１０７をパターニングしてソースまたはドレイン電極（１０６ａまたは１０６ｂ）の所定部分が露出するようにビアホールを形成し、該ビアホールを通じてソースまたはドレイン電極（１０６ａまたは１０６ｂ）と連結されるアノード電極１０８を形成する。
【００３０】
該アノード電極１０８の一部領域が露出するように前記平坦化層１０７上に画素定義膜１０９を形成した後、露出された前記アノード電極１０８上に有機薄膜層１１０を形成し、該有機薄膜層１１０を含む画素定義膜１０９上にカソード電極１１１を形成する。
【００３１】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示したように、前記画素領域２１０及び非画素領域２２０の一部と重畳される大きさの封止基板３００を準備する。該封止基板３００としてはガラスのように透明な物質から成る基板を使用することもできるし、好ましくは、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）から成る基板を使用する。
【００３２】
前記非画素領域２２０と対応する封止基板３００の周辺部に沿って密封のためのフリット３２０を形成する。該フリット３２０は、前記画素領域２１０を密封させて水素及び酸素や水分の浸透を防止するためのもので、前記画素領域２１０を含む前記非画素領域２２０の一部を取り囲むように形成する。ここで、前記フリット３２０が形成された外郭領域に補強吸湿剤を更に形成することができる。
【００３３】
フリットは、一般に、パウダー形態のガラス原料を意味するが、本発明においては、レーザ吸収剤、有機バインダー、熱膨脹係数を減少させるためのフィラーなどが含まれたペースト状態のフリットがレーザや赤外線によって溶融された状態を意味することができる。
【００３４】
例えば、スクリーンプリンティングまたはディスペンシング方法で少なくとも一種類の遷移金属がドーピングされたペースト状態のガラスフリットを１４〜５０μｍの高さ及び０．６〜１．５ｍｍの幅に塗布した後、水分や有機バインダーが除去されて硬化されるように塑性させる。
【００３５】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、前記画素領域２１０及び非画素領域２２０の一部と重畳されるように封止基板３００を図１（ａ）及び図１（ｂ）のように有機電界発光素子１００が形成された基板２００の上部に配置する。そして、前記封止基板３００の背面でフリット３２０に沿ってレーザを照射して該フリット３２０が溶融され、前記基板２００に接着されるようにする。
【００３６】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本発明の第１実施形態のレーザビーム幅をフリット幅に調節して照射することを図示した図面である。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示したように、前記第２基板の背面にレーザビーム（Ａ）を前記フリット幅（Ｂ）以上に照射して前記第１基板と前記第２基板とを接着させるようになる。
【００３７】
更に詳しく説明すると、前記レーザビーム幅（Ａ）は、前記フリット幅（Ｂ）の０．６〜１．５ｍｍ以上になるようにパワーを調節して照射するようになる。この時、前記レーザは、３６ないし３８Ｗ程度のパワーで調節して照射し、一定の溶融温度及び接着力が維持されるように前記フリット３２０に沿って一定の速度、例えば、１０ないし４０ｍｍ／ｓｅｃ、好ましくは、２０ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で移動させる。
【００３８】
したがって、以上、説明したように、前記レーザビーム幅（Ａ）を前記フリット幅（Ｂ）以上に照射することで、レーザビームの中心部から所定距離の外にある区間にもレーザビームが均一に照射され、前記フリットの硬化が全体的によく行われるようになる。
【００３９】
また、本発明の効果を極大化させるためには、表示装置を設計する時、前記フリット３２０と一致する前記非画素領域２２０の基板２００上に金属ラインなどのようなパターンに照射されないようにすることが好ましい。
【００４０】
一方、本実施形態においては、前記フリット３２０が画素領域２１０のみを密封させるように形成された場合について説明したが、これに限定されることなく、前記走査駆動部４１０を含むように形成することができる。この場合、前記封止基板３００の大きさも変更されなければならない。また、前記フリット３２０を前記封止基板３００に形成した場合について説明したが、これに限定されることなく、前記基板２００に形成することもできるし、前記フリット３２０を前記基板２００に溶融接着させるためにレーザを使用したが、赤外線のような他の光源を使用することもできる。
【００４１】
また、図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の第２実施形態によるレーザビーム幅を調節してフリット幅の所定割合を持つソリッドラインが形成されるように照射されることを図示した図面である。一方、第２実施形態に対する詳しい説明は、前記第１実施形態を参照して省略する。
【００４２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示したように、前記第２基板の背面にレーザビーム（Ａ’）を前記フリット幅（Ｂ’）以上に照射して前記第１基板５００と前記第２基板６００とを接着させるようになる。
【００４３】
更に詳しくは、前記レーザビーム幅（Ａ’）は、前記フリット幅（Ｂ’）の０．６〜１．５ｍｍ以上になるようにパワーを調節して照射するようになる。この時、前記レーザは、３６ないし３８Ｗ程度のパワーで調節して照射し、一定の溶融温度及び接着力が維持されるようにフリット５２０に沿って一定の速度、例えば、１０ないし４０ｍｍ／ｓｅｃ、好ましくは、２０ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で移動させる。
【００４４】
この時、前記レーザビームを前記フリット５２０に照射するようになると、レーザビームの中心部によって実質的に前記フリット５２０が硬化される幅が決定される。すなわち、前記フリット５２０は、中央が硬化されるソリッドライン５２１が形成される。
【００４５】
前記フリット５２０のソリッドライン５２１の幅（Ｃ’）は、前記フリット幅の５０〜８０％の割合を持つ幅で形成されることが好ましい。そして、前記レーザビーム幅は、前記ソリッドライン５２１の幅（Ｃ’）が前記フリット幅（Ｂ’）の所定の割合を持つようにパワーを調節して照射するようになる。
【００４６】
以上、説明した内容を通じて当業者なら本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かるであろう。したがって、本発明の技術的な範囲は、明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって決定されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図１ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図２ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図３ｂ】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ａ】本発明の第１実施形態によるレーザビーム幅をフリット幅に調節して照射することを図示した図面である。
【図４ｂ】本発明の第１実施形態によるレーザビーム幅をフリット幅に調節して照射することを図示した図面である。
【図５ａ】本発明の第２実施形態によるレーザビーム幅を調節してフリット幅の所定割合を持つソリッドラインが形成されるように照射されることを図示した図面である。
【図５ｂ】本発明の第２実施形態によるレーザビーム幅を調節してフリット幅の所定割合を持つソリッドラインが形成されるように照射されることを図示した図面である。
【符号の説明】
【００４８】
２１０  画素領域
２２０  非画素領域
２００  基板
２１０  画素領域
１０４ｂ  走査ライン
１０６ｃ  データライン
１０４ｃ、１０６ｄ  パッド
４１０  走査駆動部
４２０  データ駆動部
【図１ａ】
0004633674.tif 000002
【図１ｂ】
0004633674.tif 000003
【図２ａ】
0004633674.tif 000004
【図２ｂ】
0004633674.tif 000005
【図３ａ】
0004633674.tif 000006
【図３ｂ】
0004633674.tif 000007
【図４ａ】
0004633674.tif 000008
【図４ｂ】
0004633674.tif 000009
【図５ａ】
0004633674.tif 000010
【図５ｂ】
0004633674.tif 000011