(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
公称位置に対する放射ビームの偏向角を測定するシステムであって、
放射ビームを生成するよう構成された照明系と、
グレーティングセンサへ方向づけられた入射ビームを生成するために、少なくとも一部の前記放射ビームが通過する開口を含む光学システムであって、前記グレーティングセンサが、前記放射ビームの適切な波長範囲で表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）効果を生成するよう構成されている光学システムと、
一連の検出素子であって、各検出素子が前記グレーティングセンサからそれぞれの回折ビームの一部を受け取り、各回折ビームは回折次数に対応している検出素子と、
参照エネルギーセンサにより測定された参照ビーム強度に対して各回折次数の測定強度データを正規化する、前記一連の検出素子に接続されたトランスデューサと、
ＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失が検出されたかどうかを決定し、且つ各回折次数の正規化強度データを解析することにより前記放射ビームの偏向角を定量化するために適切な較正アルゴリズムを採用する、前記トランスデューサに接続されたプロセッサと、
リソグラフィツールの監視および較正を促進するために出力を伝える、前記プロセッサに接続された出力表示器であって、前記出力が前記較正アルゴリズムにより生成された計算偏向角データに基づいて生成される出力表示器と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
Ｎ個の開口ホールおよびＮ個のグレーティングセンサを備え、各開口ホールは、それぞれのグレーティングセンサに方向づけられた入射ビームを生成することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記Ｎ個のグレーティングセンサの各々は、対応するＰ個の検出素子に方向づけられたＭ個の回折ビームを生成することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記Ｎ個のグレーティングセンサに対応する合計Ｐ×Ｎ個の検出素子から正規化された強度データを受け取ることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
Ｎは偶数であり、Ｎ／２のグレーティングセンサペアが用いられることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
第１のグレーティングセンサペアは、前記第１のグレーティングセンサペアから中心点まわりに（３６０／Ｎ）°回転された相補的な第２のグレーティングセンサペアを有することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記出力表示器からの出力を受け取り、該出力からのデータを用いて前記放射ビームの偏向角を補正するビーム位置制御部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記グレーティングセンサは、反射型のグレーティングを備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記グレーティングセンサは、透過型のグレーティングを備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記グレーティングセンサは、円錐台を備え、該円錐台の各円周方向のスライスの周囲には同心のグレーティングラインが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記一連の検出素子は、前記円錐台を取り囲む検出素子のリングを備え、前記円錐台および前記検出素子のリングは、共通の中心軸を共有していることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記開口は、環状孔を備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記グレーティングセンサは、前記入射ビームを受け取るグレーティングセンサの表面上に基板およびフィルムを備え、前記基板およびフィルムの組み合わせは、ＳＰＲ効果を生成するよう構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記基板は、誘電体であることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記誘電体は、二酸化ケイ素であることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記フィルムは、金属であることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記金属は、金であることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記金属は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
公称位置に対する放射ビームの偏向角を測定する方法であって、
放射ビームを生成するステップと、
前記ビームの光路に開口およびグレーティングセンサを位置付けて、少なくとも前記放射ビームの一部が前記開口を通過するときに前記グレーティングセンサに方向づけられるようにするステップであって、前記グレーティングセンサが、前記放射ビームの適切な波長範囲で表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）効果を生成するよう構成されているステップと、
各検出素子が前記グレーティングセンサからそれぞれの回折ビームを受け取るよう一連の検出素子を位置付けるステップであって、各回折ビームは回折次数に対応しているステップと、
測定参照ビーム強度に対して各回折次数の測定強度データを正規化するステップと、
各回折次数の正規化強度データを期待されるＳＰＲ応答と比較して、ＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失が検出されたかどうかを決定するステップと、
前記放射ビームの偏向角を定量化するデータを生成するために適切な較正アルゴリズムを採用するステップと、
リソグラフィツールの監視および較正を促進するために出力を伝えるステップであって、前記出力が計算偏向角データに基づいて生成されるステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記偏向角データに基づいて前記放射ビームの位置を補正するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記較正アルゴリズムの採用ステップは、
ＳＰＲ効果が検出されたとき単一の回折次数からの強度データを用いるステップと、
ＳＰＲ効果が検出されなかったときの一連の回折次数全体からの強度データを用いるステップと、
を備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して放射ビーム偏向を測定するシステムおよび方法に関し、特にリソグラフィ装置におけるシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は、たとえばフラットパネルディスプレイや集積回路（ＩＣ）、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。
【０００３】
あるリソグラフィ装置では、マスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイスを使用して、基板の各層に形成すべき回路パターンを形成する。このパターンは、基板（たとえば半導体ウエハ）上の目標部分（たとえば一つ以上のダイの一部からなる）に転写される。リソグラフィ装置は、マスクを照明する照明系と、像形成により基板に設けられた放射線感応材料（フォトレジスト）層へマスクパターンを転写する投影系（投影レンズとも称される）とを備える。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされた隣接する目標部分のネットワークを含む。
【０００４】
あるリソグラフィ装置では、パターニングデバイスは、マスクに代えて、１つまたは複数の個別に制御可能である素子の配列（以下「個別制御可能素子アレイ」という場合もある）を備えるパターニングアレイとすることができる。マスクレスシステムでは、マスクを使用する方式に比べてより効率的にパターンを変更することができる場合がある。このようなタイプの装置は、光マスクレスリソグラフィ（ＯＭＬ）装置と称される。
【０００５】
周知のリソグラフィ装置は、所謂ステッパまたはステップアンドリピート装置、および所謂スキャナまたはステップアンドスキャン装置を含む。ステッパにおいては、各目標部分は、目標部分に一度に全体のパターンを露光することにより照射され、ウエハは、続く露光のために次の位置に所定量だけ動かされる。スキャナにおいては、各目標部分は、パターンを放射ビームで所定の方向（「スキャニング」方向）にスキャンすることにより照射される。この照射は、基板をこの方向に対して平行または非平行に同期的にスキャンする間に行われ、次にウエハは、続く露光のために次の位置に動かされる。
【０００６】
マスクを用いた装置またはＯＭＬ装置の最適な性能を達成するために、照明ビームの適切な位置決めおよびポインティングが重要である。従来より、その所望の位置およびポインティングからのビームの偏向を測定するために、大型の光学システム（レンズおよびミラーを含む）および検出器が用いられている。一般的に、ビームが何らかの理由により許容範囲外にずれた場合、ビームステアリングミラーおよびその他の機構が、位置およびポインティングの許容範囲値内に戻ってくるようにビームを調整する。このような従来の大型の光学システムの１つは、ビーム測定ユニット（ＢＭＵ）として知られている。ＢＭＵは、サイズが大きいだけではなく、さらに波長依存性の制限も有している。特に特定の化学線波長用に設計されたＢＭＵは、他の特定の化学線波長または波長範囲には適さない可能性がある。例えば、２４８ｎｍの化学線波長用に設計されたＢＭＵは、実用上の利点のために、非化学線の測定および較正に６３３ｎｍの波長の赤色レーザを使用する。これは、６３３ｎｍは可視であり（２４８ｎｍは不可視）、それほど安全対策を必要としないからである。しかしながら、ＢＭＵ内のレンズの屈折率が波長依存性を有するために、同じ測定および較正データを波長が１９３ｎｍの化学線に用いることはできない。従って、１９３ｎｍの化学線波長に有効に働くＢＭＵのためには、大きな設計変更が必要とされる。
【０００７】
従来のビーム偏向測定システムには、さらに制限がある。通常、ビーム偏向を測定するために照明器内に角変位センサが配置されている。照明器内の角変位センサの位置に応じて、パルスの偏光状態の影響、検出器の角度ずれ、レーザパルスのエネルギーおよび波長の変動が、計算されたビームの偏向角の正確性および精度に大きく影響を与える可能性がある。これらの影響は、従来のビーム偏向測定システムにとってより重要となる。これらのシステムは、その大きな寸法のために、最適な位置に位置決めされない可能性があるからである。さらに、従来型の検出器の測定範囲は、必要な範囲全体の一部に限定されている。従来型の検出器の多くは、大きな偏向に対しては良好に動作するが、小さな偏向に対しては精度がない。一方、最小の偏向に対して良好に動作する高感度検出器は、大きな偏向に対してゼロまたは最小の感度しか有さない。これは、公称偏向の周囲での偏向角の広がりの変動が、視準のあった入力を前提とする高感度検出器を混乱させるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
リソグラフィ装置内に過度のスペースを取らずに、広範囲の照明ビーム偏向を高精度で測定する多目的システムおよび方法が必要とされている。本発明の実施形態は、ビーム偏向を測定するために、リソグラフィ装置にグレーティング（回折格子）基づくセンサを採用する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態において、光学システムは、グレーティングセンサへ方向づけられた入射ビームを生成するために、少なくとも一部の放射ビームが通過する開口を含み、グレーティングセンサは、放射ビームの適切な波長範囲で表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）効果を生成するよう構成されている。また、このシステムは、一連の検出素子を含み、各素子は、グレーティングセンサからそれぞれの回折ビームの一部を受け取り、各回折ビームは、回折次数に対応している。一連の検出素子に接続されたトランスデューサは、参照エネルギーセンサにより測定された参照ビーム強度に対して各回折次数の測定強度データを正規化する。トランスデューサに接続されたプロセッサは、ＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失が検出されたかどうかを決定し、且つ各回折次数の正規化強度データを解析することにより放射ビームの偏向角を定量化するために適切な較正アルゴリズムを採用する。プロセッサに接続された出力表示器は、照明ビームの監視および較正を促進するための出力を伝える。
【００１０】
本発明の実施形態は、拡大された連続的な角度範囲に対して照明ビームの偏向角を高精度で測定することを可能とする。この測定システムおよび方法は、マスクを用いたリソグラフィツールおよびマスクレスリソグラフィツールの両方に適用可能である。加えて、本発明の実施形態は、化学線波長におけるビーム偏向測定を可能とする。
【００１１】
本発明のさらなる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
添付の図面は、ここに組み込まれ、本明細書の一部を構成しているが、明細書と共に本発明の一つ以上の実施形態を説明し、さらに、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を利用するのに役立つものである。
【００１３】
【図１】グレーティングセンサを含む一般的な光学システムを示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係るグレーティングセンサの３つの異なる構成を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係るグレーティングセンサの３つの異なる構成を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態に係るグレーティングセンサの３つの異なる構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係るマスクを用いたリソグラフィ装置を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る光マスクレスリソグラフィ装置を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に従って実行される方法ステップの例を記載したフローチャートを示す図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に従って実行される方法ステップの例を記載したフローチャートを示す図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態に従って実行される方法ステップの例を記載したフローチャートを示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る、特定の検出器で測定された非偏向（公称）ビームに対する「小さい」ビーム偏向角のモデル強度を示す図である。
【図８】表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）の影響を受けたレジームの詳細を示す図７のデータ領域を拡大した図である。
【図９】図８のＳＰＲの影響を受けた次数のデータの数値フィッティングを示す図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る、特定の検出器で測定された非偏向ビームに対する「大きい」ビーム偏向角のモデル強度を示す図である。
【図１１】代表的な回折次数の詳細を示す図１０のデータ領域を拡大した図である。
【図１２】図１１の代表的な次数ののデータの数値フィッティングを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の１つ以上の実施形態は、添付の図面を参照して説明される。図面では、類似の参照番号は、同一または機能的に類似の要素を示す。さらに、符号の一番左の数字は、その符号が最初に表れる図面を特定することができる。
【００１５】
上述したように、照明ビームの偏向の測定、並びに照明ビームの位置決めの較正および補正は、リソグラフィ装置の全体的性能を評価するために重要である。本明細書は、大小両方の偏向角範囲に対してビーム偏向を高精度で測定するために、リソグラフィ装置にグレーティング（回折格子）に基づいたセンサを採用する１つまたは複数の実施形態を開示する。
【００１６】
開示された実施形態は、単に本発明の例示に過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限られない。本発明は、この文書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
本明細書において「一実施形態」、「実施形態の一実施例」とは、説明した実施形態が特定のフィーチャ、構造、または特徴を含んでいてもよいことを表すが、すべての実施形態がその特定のフィーチャ、構造、または特徴を必ずしも含んでいるわけではない。さらにまた、上記のフレーズは必ずしも同じ実施形態を指すものではない。さらに、特定のフィーチャ、構造、または特徴を一実施形態に関して説明するとき、明示的に説明しようがしまいが、他の実施形態に関してそのような特定のフィーチャ、構造、または特徴を作用させることは、当業者の知識の範囲内であるとして理解すべきである。
【００１８】
本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせで実現されてもよい。本発明の実施形態は、また、一つ以上のプロセッサにより読み込まれ、実行されるコンピュータ読み取り可能媒体に記憶されたインストラクションとして実現されてもよい。コンピュータ読み取り可能媒体は、機械により読み取り可能な形式の情報を記憶または伝送するメカニズムを含んでもよい（たとえば、コンピュータデバイス）。たとえば、コンピュータ読み取り可能媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）；ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）；磁気ディスク記憶媒体；光記憶媒体；フラッシュメモリ装置；電気的、光学的、音響的またはその他の形式の伝搬信号などである。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションは、特定の動作を実行できるものとして、ここで説明されてもよい。しかしながら、このような説明は、単に便宜上のためだけであり、このような動作は、実際は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、インストラクションなどを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、その他のデバイスによって生じるものであると理解すべきである。
【００１９】
以下の章においては、図１、図３および図４および関連する記載は、ビーム偏向を測定するために本発明の実施形態を用いることができる様々な光学システムについて説明している。図１は、ビーム偏向測定設備を備えた一般的な光学システムを示している。図３は、本発明の一実施形態を用いることができるレチクルまたはマスクを用いたリソグラフィ（ＭＢＬ）装置を示している。図４は、本発明の別の実施形態を用いることができるＯＭＬ装置を示している。
【００２０】
１．一般的な光学システムにおけるグレーティングセンサ
図１の光学システム１００は、ビーム偏向測定のためのグレーティングセンサの配置の２つの実施例を示す。このセンサは、グレーティング表面プラズモンポインティングセンサ（ＧＳＰＰＳ）と称される。ＧＳＰＰＳセンサは、ビーム偏向を計算するために、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）効果を用いるよう構成されている。しかしながら、ＧＳＰＰＳセンサは、ＳＰＲの使用のみに限定されない。ＧＳＰＰＳセンサは、さらに、選択的な較正アルゴリズムに基づいてビーム偏向を計算するよう構成されている。例えば、回折ビーム強度の位置および傾斜測定は、ＳＰＲに依存しない較正アルゴリズムに基づいてもよい。同様に、他のタイプのグレーティングに基づいたセンサを採用することもできる。
【００２１】
一般的な光学システム１００は、少なくとも２つの光学サブシステム、ＯＳＳ１とＯＳＳ２を備える。ＯＳＳ１は、入力放射ビームを受け取る。ＯＳＳ１は、光路に沿って、例示のレンズＬ１、Ｌ２、およびＬ３などの１つまたは複数のビームを整形および方向づける素子を備える。ＯＳＳ２もまた、光路に沿って、例示のレンズＬ４およびＬ５などの１つまたは複数のビーム整形および方向づける素子を備える。光学システム１００は、イントラ・サブシステムおよび／またはインター・サブシステムのグレーティングセンサを含んでもよい。例えば、ＧＳＰＰＳ１と示される第１ＧＳＰＰＳは、サブシステムＯＳＳ１およびＯＳＳ２の間において、ビームの一部を調べる。ＧＳＰＰＳ２と示されるもう一つのＧＳＰＰＳは、ＯＳＳ２内においてビームの一部を調べる。ＧＳＰＰＳ１およびＧＳＰＰＳ２は、それぞれの制御システムＣＳＡ１およびＣＳＡ２に、それぞれ通信リンクＣＬ１１およびＣＬ２２によって接続されている。ＣＳＡ１およびＣＳＡ２は、別のリンクＣＬ１２におり相互接続されていてもよい。サブシステム全体またはサブシステム内の個別の素子を移動させる駆動アクチュエータにより、出力ビームが所望の位置およびポインティングを有するようイントラ・サブシステムおよびインター・サブシステムの偏向角にそれぞれ修正を加えるために、制御システム（ＣＳＡ１およびＣＳＡ２）によりＧＳＰＰＳ測定が用いられる。
【００２２】
ＧＳＰＰＳの詳細な構成が、図２Ａ〜図２Ｃを参照して下記に説明される。
【００２３】
１．１  マスクを用いたリソグラフィ装置におけるグレーティングセンサ
図３は、本発明の実施形態に係る、照明器内に配置されたＧＳＰＰＳを備えるマスクを用いたリソグラフィ装置３００を示す。マスクを用いたリソグラフィ装置３００は、以下の構成要素を備える。
【００２４】
−放射ビームＢ（たとえば、水銀灯により供給されるような紫外線（ＵＶ）放射ビームや、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）エキシマレーザ、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザにより生成される遠紫外線放射ビーム、または同種のもの）を調整するよう構成された照明系ＩＬ。
【００２５】
−マスクパターンＭＰを有するパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するよう構成された支持構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴ。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスをあるパラメータに従って正確に位置決めするよう構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されている。
【００２６】
−基板（たとえばレジストコートウエハ）Ｗを支持するよう構成された基板テーブル（たとえばウエハテーブル）ＷＴ。基板デーブルＷＴは、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成された第２位置決め装置ＰＷに接続されている。
【００２７】
−放射ビームＢに付与されたパターンを、パターニングデバイスＭＡのパターンＭＰにより基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば一つ以上のダイからなる）上に投影するよう構成された投影系（たとえば屈折投影レンズ系）ＰＳ。
【００２８】
照明系は、放射ビームを方向付け、成形し、あるいは制御するために、屈折光学素子、反射光学素子、あるいはこれらの任意の組み合わせなどの様々な種類の光学素子を含んでもよい。
【００２９】
支持構造は、パターニングデバイスを支持、すなわち、パターニングデバイスの重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。支持構造は、たとえば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスをたとえば投影系に対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語とみなすことができる。
【００３０】
本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンＭＰが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含んでいる場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００３１】
本明細書に使用されている「投影系」という用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、またはそれらの任意の組合せを含む任意の種類の投影系が包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影系」という用語の同義語とみなすことができる。
【００３２】
本明細書に示されるように、本装置は透過型（たとえば透過マスクを用いる）である。あるいはまた、本装置は反射型（たとえば、上述した種類のプログラマブルミラーアレイを用いた、あるいは反射マスクを用いた）であってもよい。
【００３３】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水で覆われ、それにより投影系と基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。液浸技術は、当分野では、投影系の開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すべきであることを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影系と基板の間に液体が置かれることを意味しているにすぎない。
【００３４】
図３を参照すると、照明系ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源ＳＯは、たとえばｇ線またはｉ線の紫外線放射を供給する水銀灯、あるいは、２７０ｎｍ未満の波長、たとえば２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、１３．５ｎｍ、および１１ｎｍなどの波長のＤＵＶ放射を供給するエキシマレーザなどである。たとえば放射源がエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビーム搬送系ＢＤを使用して放射源ＳＯから照明系へ受け渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯおよび照明系ＩＬは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と称される。
【００３５】
照明系ＩＬは、マスクレベルにおける放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、アジャスタＡＤにより、照明系の瞳ＩＰＵにおける強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて、照明系ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明系は、マスクレベルでのビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００３６】
ＧＳＰＰＳは、照明系ＩＬ内の、ビーム搬送系ＢＤとビームアジャスタＡＤの間に配置されている。ＧＳＰＰＳは、ビームの一部を調べる。ＧＳＰＰＳの位置は、図３に示す位置に限定されず、ＧＳＰＰＳは、照明器内のその他の位置に配置されてもよいことを留意されたい。ＧＳＰＰＳからの強度データは、制御システムＣＳＡに向かう。ＣＳＡは、ビーム偏向を計算し、ビーム搬送系を制御して、ビームＢがその意図された公称のまたは非偏向の位置に戻るようにする。また、照明系ＩＬには、エネルギーセンサＥＳが含まれている。ＥＳは、参照ビームの強度を測定する。ＥＳからのデータは、ＧＳＰＰＳの強度データを正規化するために用いられる。信号経路は、ＥＳからＣＳＡへ向かうか、またはＥＳからＧＳＰＰＳへと向かってもよい。
【００３７】
放射ビームＢは、支持構造（たとえばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイスＰＤ（たとえば、マスクＭＡ）に入射して、当該パターニングデバイスによりパターンＭＰに従ってパターンを付与される。マスクＭＡを透過した後、放射ビームＢは、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。
【００３８】
投影系は、照明系の瞳ＩＰＵと共役の瞳ＰＰＵを有する。ここでは、照明系の瞳ＩＰＵでの強度分布から放出され、マスクパターンでの回折に影響されることなくマスクパターンを横断した放射の一部が、照明系の瞳ＩＰＵでの強度分布の像を形成する。
【００３９】
第２位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（たとえば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、たとえば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。同じように、第１位置決め装置ＰＭともう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を用いて、たとえばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗い位置決め用）およびショートストロークモジュール（精細な位置決め用）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続され、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図では、基板アライメントマークは、には専用の目標部分を占有しているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分間のスペースに配置されてもよい（このような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられる場合、ダイ間にマスクアライメントマークが配置されてもよい。
【００４０】
基板テーブルＷＴは、スポットセンサＳＳを含んでもよい。スポットセンサＳＳは、エネルギーセンサＥＳからのデータを用いて露光ドーズを正規化する。
【００４１】
図示の装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００４２】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００４３】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００４４】
１．その他のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくマスクテーブルＭＴは、実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルス間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４５】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
【００４６】
１．２  マスクレスリソグラフィ装置におけるグレーティングセンサ
図４は、本発明の別の実施形態を用いることができるＯＭＬ装置４００を示す。図４の装置は、照明系ＩＬ、パターニングデバイスＰＤ、基板テーブルＷＴ、及び投影系ＰＳを備える。照明系（照明器）ＩＬは、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射）を調整するよう構成されている。
【００４７】
基板テーブルＷＴは、基板（たとえばレジストコート基板）Ｗを支持するよう構成されており、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めする位置決め装置ＰＷに接続されている。
【００４８】
投影系（たとえば屈折投影レンズ光学系）ＰＳは、１つ又は複数の個別制御可能素子アレイにより変調された放射ビームを基板Ｗの（たとえば１つ又は複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている。本明細書で「投影系」という用語は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系にはたとえば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」という用語と同義に用いられ得る。
【００４９】
照明系は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せを含み、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００５０】
パターニングデバイスＰＤは、ビームを変調する１つまたは複数の個別制御可能素子アレイである。
【００５１】
個別制御可能素子アレイは、空間光変調器またはＳＬＭとしても知られている。１つのリソグラフィ装置に２つ以上のＳＬＭがあってもよい。たとえば、ＯＭＬ装置の実施形態においては、１４個のＳＬＭが２列配置で用いられている。通常、ＳＬＭの位置は投影系ＰＳに対して固定されている。しかしながら、その代わりに、あるパラメータに従ってＳＬＭを正確に位置決めするよう構成された位置決め装置に接続されてもよい。
【００５２】
電子的手段（たとえばコンピュータ）によりパターンをプログラム可能であるパターニングデバイスは、たとえば複数のプログラム可能な素子を含むパターニングデバイス（たとえば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。パターニングデバイスは少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラム可能な素子を備えてもよい。
【００５３】
リソグラフィ装置は、１つ以上のコントラストデバイスを備えてもよい。たとえば、リソグラフィ装置は、複数のＳＬＭを有し、各素子が互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、ＳＬＭのいくつかまたは全てが少なくとも１つの照明系（または照明系の一部）を共有していてもよい。斯かるＳＬＭは、当該ＳＬＭ用の支持構造及び／または投影系（または投影系の一部）を共有していてもよい。
【００５４】
一実施例では、基板Ｗはウエハであり、たとえば半導体ウエハである。基板は、露光前または露光後においてたとえばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例では、レジスト層が基板に設けられる。
【００５５】
投影系は、ＳＬＭにおけるパターンが基板上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて、投影系は二次光源の像を形成してもよく、この場合、ＳＬＭの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系は、たとえば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、たとえばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ  ｌｅｎｓ  ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。合焦用素子のアレイ（たとえばＭＬＡ）は少なくとも１０個、少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個の合焦用素子を備えてもよい。
【００５６】
パターニングデバイスにおけるＳＬＭの数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニングデバイスにおけるＳＬＭの数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。合焦用素子のアレイにおける１つ以上（たとえばたいていは各アレイにつき１０００以上）の合焦用素子は、１つ以上の個別制御可能ＳＬＭ素子と光学的に連関していてもよい。または、２つ以上、または３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上の個別制御可能ＳＬＭ素子に光学的に連関していてもよい。
【００５７】
ＭＬＡは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向に、（たとえば１以上のアクチュエータを用いて）移動可能であってもよい。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができる場合には、基板を動かすことなくたとえば焦点合わせをすることが可能となる。
【００５８】
図４に示されるように、本装置は反射型（たとえば反射型のＳＬＭを用いる）である。透過型（たとえば透過型のＳＬＭを用いる）の装置を代替的に用いてもよい。
【００５９】
リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有するたとえば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、たとえばパターニングデバイスと投影系との間などのリソグラフィ装置の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という用語は、基板等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系と基板との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００６０】
図４に示されるように、照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源により、少なくとも５ｎｍ、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも１１−１３ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射が供される。あるいは、放射源ＳＯにより供される放射は、長くても４５０ｎｍ、長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍ、または長くても１７５ｎｍの波長を有する。この放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／または１２６ｎｍの波長、またはさらに短いの波長を含んでもよい。
【００６１】
たとえば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯから照明器ＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤはたとえば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯと照明器ＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００６２】
照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般にはアジャスタＡＤにより、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器ＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。照明器はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。照明器ＩＬ及び追加の関連構成要素は、放射ビームを複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。たとえば、各分割ビームが、１つまたは複数の個別制御可能ＳＬＭ素子に対応するように構成してもよい。放射ビームを分割ビームに分割するのに、たとえば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射のビーム」および「放射ビーム」という用語は、ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含するが、これに限定されないものとする。
【００６３】
照明系ＩＬは、ＧＳＰＰＳおよびエネルギーセンサＥＳを含む。図４において、ＧＳＰＰＳは、ＩＬ内の代表的な位置に図示されている。ＧＳＰＰＳは、潜在的にはＣＯの直後で、ビームの一部、または選択的に、ＩＬ内に形成された一連のサブビームを調べる。ＧＳＰＰＳは、システムの他の場所に配置されてもよいことを留意されたい。
【００６４】
ＧＳＰＰＳに接続された制御システムＣＳＡは、ビーム偏向を計算し、ビーム搬送系ＢＤまたは照明系ＩＬ内のいくつかの光学素子、またはその両方を調整して、ビームが公称位置に戻るようにする。
【００６５】
放射ビームＢは、パターニングデバイスＰＤ（たとえば、１つ以上のＳＬＭ）に入射して、当該パターニングデバイスにより変調される。放射ビームは、パターニングデバイスＰＤにより反射され、投影系ＰＳを通過する。投影系ＰＳは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦させる。位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（たとえば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴは正確に移動され、たとえば放射ビームＢの経路に異なる複数の目標部分Ｃをそれぞれ位置決めするように移動される。また、ＳＬＭ用の位置決め手段が設けられ、たとえば走査中にビームＢの経路に対してパターニングデバイスＰＤの位置を正確に補正するために用いられてもよい。
【００６６】
一実施例においては、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により基板テーブルＷＴの移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図４には明示されていない。一実施例では、基板テーブルＷＴを移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。ＳＬＭを位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／またはＳＬＭの位置を固定する一方、放射ビームＢを代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は、装置の大きさを小さくするのに役立ち得る。たとえばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投影系ＰＳを固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように構成してもよい。たとえば基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度で基板Ｗを走査させるための機構を備えてもよい。基板テーブルＷＴは、スポットセンサＳＳを含んでもよい。スポットセンサＳＳは、エネルギーセンサＥＳからのデータを用いて、露光ドーズを正規化する。
【００６７】
図４に示されるように、放射ビームＢは、ビームスプリッタＢＳによりパターニングデバイスＰＤに向けられるようにしてもよい。このビームスプリッタＢＳは、放射ビームがまずビームスプリッタＢＳにより反射されてパターニングデバイスＰＤに入射するように構成される。ビームスプリッタを使わずに放射ビームをパターニングデバイスに入射させるようにすることもできる。放射ビームは０度から９０度の間の角度でパターニングデバイスに入射する。または、たとえば５度から８５度の間、１５度から７５度の間、２５度から６５度の間、または３５度から５５度の間の角度であってもよい（図４には９０度の例が示されている）。パターニングデバイスＰＤは、放射ビームＢを変調し、再度ビームスプリッタＢＳに向かって戻るように放射ビームＢを反射する。ビームスプリッタＢＳは、変調されたビームを投影系ＰＳへと伝達する。しかしながら、放射ビームＢをパターニングデバイスＰＤに入射させ、そのまま更に投影系ＰＳに入射させるという代替的な構成も可能であることも理解されよう。特に透過型のパターニングデバイスが用いられる場合には図４に示される構成は必要とはされない。
【００６８】
図４に示す装置はいくつかのモードで使用することができる。
【００６９】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射で目標部分Ｃに投影される間、ＳＬＭ及び基板は実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で結像される目標部分Ｃの寸法が制限されることになる。
【００７０】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、ＳＬＭ及び基板は同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。ＳＬＭに対する基板の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性または像ミラー特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが１回の動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００７１】
３．パルスモードにおいては、ＳＬＭは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板Ｗの目標部分Ｃにパターンの全体が投影される。基板テーブルＷＴが実質的に一定の速度で移動して、ビームＢは基板上を線状に走査させられる。ＳＬＭ上のパターンは、放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数の目標部分Ｃが連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の１つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームＢにより基板Wが走査されることになる。この短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Ｗは完全に露光される。
【００７２】
４．連続スキャンモードは、基本的にパルスモードと同様である。異なるのは、変調された放射ビームＢに対して基板Ｗが実質的に等速で走査され、ビームＢが基板Ｗ上を走査し露光しているときにＳＬＭ上のパターンが更新されることである。ＳＬＭのパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。
【００７３】
５．ピクセルグリッド結像モード（図示せず）では、基板Ｗに形成されるパターンはスポット状の露光を連続的に行うことにより実現される。このスポット状の露光は、スポット発生器により形成され、スポット発生器は、パターニングデバイスＰＤに適切に方向付けられて配置されている。スポット状の露光は、それぞれ実質的に同形状である。基板Ｗ上には露光スポットにより最終的に実質的に格子が描かれる。一実施例では、このスポットの寸法は最終的に基板上に描かれる格子のピッチよりも大きいが、毎回の露光時に露光スポットが形成する格子の大きさよりもかなり小さい。転写されるスポットの強度を変化させることによりパターンが形成される。露光照射の合間に各スポットの強度分布が変更される。
【００７４】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
【００７５】
リソグラフィでは、基板上のレジスト層にパターンが露光される。そしてレジストが現像される。続いて追加の処理工程が基板に施される。基板の各部分へのこれらの追加の処理工程の作用は、レジストへの露光の程度によって異なる。特にこの処理は、所与の線量閾値を超える照射量を受けた基板の部位が示す反応と、その閾値以下の照射量を受けた部位が示す反応とが異なるように調整されている。たとえば、エッチング工程においては上記の閾値を超える照射量を受けた基板上の区域は、レジスト層が現像されることによりエッチングから保護される。一方、この閾値以下の照射量を受けたレジストは露光後の現像工程で除去され、基板のその区域はエッチングから保護されない。このため、所望のパターンにエッチングがなされる。特に、パターニングデバイス内のＳＬＭ素子は、パターン図形内部となる基板上の区域での露光中の照射量が線量閾値を超えるように実質的に高強度であるように設定される。基板の他の領域は、ゼロまたはかなり低い放射強度を受けるように対応のＳＬＭ素子が設定されることにより、線量閾値以下の放射を受ける。
【００７６】
一実施例では、個別プログラム可能素子アレイの瞳面用の位置決め装置（図示せず）を用いて、例えばスキャン中に、ビームＢの経路に対して個別プログラム可能素子アレイの瞳面の位置を正確に補正することができる。反射デバイスＰＤもまた個別プログラム可能素子アレイ（個別制御可能素子アレイの対物面）を備える一実施形態においては、第２位置決め装置（図示せず）を用いて、ビームＢの経路に対して個別プログラム可能素子アレイの対物面の位置を正確に補正することができる。
【００７７】
別の実施例では、基板テーブルＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）およびショートストロークモジュール（精細な位置決め用）を用いて実現される。これは図４には明確に示されていない。類似のシステムが用いて個別プログラム可能素子アレイおよび／またはパターニングデバイスＰＤの瞳面を位置決めしてもよい。代えて／加えて、ビームＢが移動可能としてもよく、一方、基板テーブルＷＴおよび／または個別プログラム可能素子アレイの瞳面および／または個別プログラム可能素子アレイＰＤの対物面（適用可能な場合）が必要な相対運動を提供するために定位置であってもよいことを理解されたい。
【００７８】
本説明においては本発明の実施形態の用途をマスクを用いた光リソグラフィまたはマスクレスの光リソグラフィとしているが、本発明は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。例えば、本発明の実施形態は、液浸リソグラフィをサポートするよう構成された、マスクを用いたリソグラフィ装置またはマスクレスリソグラフィ装置にも同様に適用可能である。
【００７９】
上述の説明は、説明に役立つことを目的としており、限定するものではない。従って、下記に提示する請求項の範囲から逸脱することなしに、説明された本発明に改良が加えられてもよいことをは当業者にとって明らかである。ある光学システムに対して、システム内の様々な位置に配置された複数のＧＳＰＰＳセンサが有効であるかもしれない。たとえば、図３のマスクを用いたリソグラフィ装置において、ＧＳＰＰＳの可能な位置は、ＳＯとＢＤの間、ＢＤ内、ＢＤとＩＬの間、またはＩＬ内の任意の位置である。上記の一連の位置の任意の組み合わせもまた、適切であるかもしれない。ＭＢＬとＯＭＬツールの両方に対して、ＩＬの各サブモジュールのアライメント、ＩＬおよびＢＤを含んだ他のモジュールのアライメント、およびビーム偏向角（angular beam deviation）に関する各モジュールの関連するトレランスが、要求されるＧＳＰＰＳの数およびそれらの位置を決定してもよい。この点において、いずれにしても、ＢＤ内の一連のＧＳＰＰＳ、ＩＬ内の一連のＧＳＰＰＳ、および潜在的に、ツール内の他の場所の一連のＧＳＰＰＳが要求されるかもしれない。一般的に、ＧＳＰＰＳは、各／任意の光学素子の後ろに配置されてもよい。
【００８０】
２．グレーティングセンサの構成
グレーティングセンサは、開口の１つまたは複数のホールによりぼかされた（vignetted）照明光線を受光する。開口のホールから出てくる光線は、ビームの一部を各グレーティングに対応する一連の検出素子上に回折する１つまたは複数のグレーティングに入射する。ある実施形態においては、離散的な数のグレーティングが用いられる。例えば、Ｎ個の開口ホールがＮ個の光線をＮ個のグレーティングへ導く。Ｎ個のグレーティングの各々は、対応する検出器を有している。各検出器は、一連のＰ個の検出素子を備えている。従って、Ｎ個のグレーティングを備える全ＧＳＰＰＳシステムは、合計Ｐ×Ｎ個の検出素子を有する。図２Ａおよび図２Ｂは、Ｎ＝４である２つの典型的なＧＳＰＰＳ構成を示す。Ｎはその他の数が可能である。
【００８１】
代替的な実施形態において、連続的なグレーティングおよび連続的な検出器が用いられてもよい。この場合、Ｎは無限に近づく。図２Ｃは、このような構成を示す。
【００８２】
図２Ａは、４グレーティングＧＳＰＰＳ構成２００Ａを示す。グレーティングＧ１〜Ｇ４は、反射型グレーティングである。４個の反射型グレーティングのうち２個のみからの回折ビームが明確にするために図示されている。４個の光チャネル（開口ホール、レンズ、グレーティング、検出器、および制御システムへの通信リンクを備える）の各々の構成要素は、図の左側からチャネル１で始まりチャネル４で終わる番号が付されている。チャネル４の構成要素は、チャネル２の構成要素の背後にある。明確にするために、チャネル４の構成要素は、一点鎖線で描かれている。
【００８３】
グレーティングＧ１〜Ｇ４は、先端を切り取った三角形状（ピラミッド形状）を有しているが、本発明は、先端が切り取られた三角形状のグレーティングに限定されない。加えて、Ｇ１〜Ｇ４は、互いに全く同じである必要はない。
【００８４】
図２Ａにおいて、照明ビーム（ＩＢ）は、開口プレートＡＰを通過する。開口プレートＡＰは、４個の開口ホールＡ１〜Ａ４を備え、一連の４つの開口ビームＡＢ１〜ＡＢ４が生成される。選択的に、一連の４つの開口およびレンズビームＡＬＢ１〜ＡＬＢ４を形成するために、一連のレンズＬ１〜Ｌ４が開口プレートＡＰの後ろに配置されてもよい。ＡＬＢ１〜ＡＬＢ４は、開口ビームセットＡＢ１〜ＡＢ４が縮小、拡大、コリメートおよび／または屈折等の改良をされたものである。ＡＬＢ１〜ＡＬＢ４は、それぞれ各自のグレーティング（Ｇ１〜Ｇ４）へ向かって伝搬する。各グレーティングからのＭ次回折を表す一連のＭ次回折ビームが、各一連の検出器Ｄ１〜Ｄ４に入射する。Ｄ１〜Ｄ４の各々は、Ｐ個の検出素子を有し、Ｐ＞Ｍである。各回折次数が多くの検出素子により分解されるように、典型的にはＰ＞＞Ｍである。図面において一連のＭ次回折ビームは特に符号が付されていないこと、および、Ｇ２およびＧ４から出てくる回折次数ビームは明確性のために図示されていないことを留意されたい。
【００８５】
検出器Ｄ１〜Ｄ４は、化学光の波長に感度のあるＣＣＤに基づいた検出素子、または他のタイプの検出素子を有してもよい。検出器Ｄ１〜Ｄ４は、各グレーディングＧ１〜Ｇ４から全ての回折次数を集めるよう平面に配置されている。検出器Ｄ１〜Ｄ４からの信号は、トランスデューサにより参照ビーム強度に対して正規化され、通信リンク（ＣＬ１〜ＣＬ４）を介して制御システムＣＳＡに転送される。制御システムＣＳＡは、各回折次数に対して正規化された強度データを解析することにより放射ビームの偏向角を定量化するために、適切な較正アルゴリズムを用いるプロセッサを含んでもよい。また、ＣＳＡは、ビーム位置決め制御部（図示せず）に接続されてもよい。
【００８６】
図２Ｂは、４グレーティングＧＳＰＰＳ較正２００Ｂを示す。グレーティングＧ１〜Ｇ４は透過型グレーティングである。図２Ｂに対して、グレーティングが透過型であり、回折次数の異なる伝搬方向のために検出器Ｄ１〜Ｄ４の位置が変更されていることを除いて、図２Ａと同じ考察が適用される。検出器Ｄ１〜Ｄ４は、図２Ｂに示されるように、照明ビームＩＢに対して実質的に異なる傾斜を有する。
【００８７】
図２Ｃは、分離したグレーティングの使用に代えて、連続的な反射型グレーティングの実施形態２００Ｃを示す。図２Ｃにおいて、開口プレートＡＰは、環状ビームＡＢを形成する環状開口Ａを備える。図２Ａ、図２Ｂにおける４つ選択的なレンズは、修正された環状レンズビームを形成する選択的なレンズのリングアレイＬＲにより置換される。グレーティングＧは、円錐台形状であり、該円錐台の各円周方向のスライスの周囲には同心のグレーティングラインが形成されている。グレーティングＧと同心の検出器リングＤＲは、回折次数ビームを集めるために用いられる。単一の通信リンクＣＬは、制御システムＣＳＡを検出器リングＤＲと接続する。
【００８８】
当業者に明らかなように、図２Ｃにおいて、回折次数ビームは、あらゆる方向からＤＲに衝突する（すなわち、全周に渡る検出器リング）が、明確にするために、右方向および左要項に向かい回折次数のみが図示されている。
【００８９】
２．１  グレーティングセンサにおける表面プラズモン共鳴
前述したように、ＧＳＰＰＳセンサは、較正および補正を目的としてビーム偏向を測定するためにＳＰＲ効果を利用するよう構成されている。ＳＰＲは、表面プラズモン（ＳＰ）励起による光の共鳴吸収のためにグレーティング表面から反射または伝達された強度の損失により、特徴付けられる。ＳＰ励起は、金属および誘電体に適した波長のインターフェースを備えるグレーティング上への入射角θｓｐにおいて、発生する。入射角θｓｐは、下記の式１により与えられる。
【００９０】
【数１】
0004814301.tif 000002
【００９１】
ここで、各記号の意味は以下の通りである。
【００９２】
ｋｘは、入射レーザパルスの伝搬定数のｘ成分である。
【００９３】
ｋｓｐは、インターフェースに沿ったＳＰの伝搬定数である。
【００９４】
λａは、レーザの化学線波長である。
【００９５】
εｄは、λａでの誘電関数の値である。
【００９６】
θｓｐは、表面プラズモン結合角である。
【００９７】
ｍは、一連のグレーティング回折次数である。
【００９８】
Λは、グレーティング間隔である。
【００９９】
λａでのＳＰ励起を引き起こす金属および誘電体の関係は、式２により与えられる。
【０１００】
【数２】
0004814301.tif 000003
【０１０１】
ここで、εｍは、誘電体関数の実部、すなわち
0004814301.tif 000004
である。ｎおよびｋは、λａにおける金属の屈折率のそれぞれ実部と虚部の値である。
【０１０２】
式１と式２の左辺を等しくすることが、グレーティングパラメータ（格子パラメータ）、材料特性および入射角の間の基本的関係をもたらす。
【０１０３】
【数３】
0004814301.tif 000005
【０１０４】
本発明の実施形態において、より小さいビーム偏向角が強度解析により得られる。例えば、θ＝θｓｐでの単一レーザパルス入射は、ＳＰへの結合による共鳴吸収のために、最小強度で回折開口像を形成する。θｓｐ周辺の偏向角は、相対的により高い強度で回折開口像を形成する。最小分解偏向は、主に検出器特性、特にノイズにより制限される。
【０１０５】
ＳＰＲ効果を完全に取り除く大きなビーム偏向角（例えば（｜θ−θｓｐ｜≧０．００１°）は、より高い回折次数の位置における大きなシフトを解析することにより得られる。
【０１０６】
多くの異なる金属が、１９３ｎｍを含む照明の化学線波長でのＳＰ励起に用いられ得る。他の金属と比べてその相対的に高レベルの耐酸化性のため、金が用いられてもよい。しかしながら、多くの実施形態において、アルミニウムが用いられてもよい。同様に、グレーティングの基板材料として多くの異なる誘電体が用いられてもよい。一部の誘電体の例は、二酸化ケイ素およびフッ化物材料である。多くの異なる金属と誘電体の組み合わせが用いられてもよい。一実施形態は、金属としてアルミニウムを用い、誘電体としてシリコンケイ素を用いてもよいが、本発明は、任意の特定の金属および誘電体の組み合わせには限定されない。
【０１０７】
金属の例は、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）および亜鉛（Ｚ）を含む。誘電体の例は、石英ガラス、石英結晶、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）およびゼロデュアー（Ｚｅｒｏｄｕｒ）を含む。
【０１０８】
２．２  偏光の考慮
上述したように、ビーム偏向測定システムは、Ｎ個の分離したグレーティングを含んでもよい。Ｎは任意の数であってもよいが、偶数のグレーティング、すなわちＮ／２のグレーティングペアを用いることにある利点がある。Ｎ／２のグレーティングペアが用いられるとき、グレーティングの各ペアは、中心点回りに自身から（３６０／Ｎ）°回転された相補的な第２のグレーティングペアを有する。例えば、Ｎ＝４のとき、すなわち２つのグレーティングペアが用いられるとき（図２Ａおよび図２Ｂに示すように）、１つのグレーティングペアが中心点に関してそれぞれ反対方向に傾斜され、相補的なグレーティングペアが第１ペアから９０°の角度で回転されて設置される。
【０１０９】
特定の偏光モードに対して、少なくとも１ペア、または潜在的には、単一のグレーティングが、正確な情報を提供するであろう。また、偏光モードの変化の影響は、測定誤差を回避するために較正手順に組み込まれなければならない。一連のあり得る全ての偏光モードは、特定の光学システムにおいて、ＧＳＰＰＳの特定のアプリケーション用のＮの選択を決定する。
【０１１０】
３．  ビーム偏向測定の方法
図５、図６Ａおよび図６Ｂは、それぞれ、リソグラフィ装置においてビーム偏向測定を実行する方法のステップ例を備えたフローチャート５００、６００Ａ、および６００Ｂを示す。フローチャート５００、６００Ａ、および６００Ｂのステップは、説明に役立つことのみを目的としており、図示の順番で行われる必要はない。フローチャート５００、６００Ａ、および６００Ｂに示されていない追加的な中間ステップが存在してもよい。いくつかのステップは選択的、および／または特定の実施形態に特有であってもよい。
【０１１１】
図５のフローチャート５００は、本発明の実施形態に係るビーム偏向測定のメインステップを説明している。
【０１１２】
フローチャート５００は、ステップ５１０で始まり、ここでは放射ビームが生成される。
【０１１３】
ステップ５１５において、開口を備えるビームは光学システムを通過する。この開口は、ビームの一部をＳＰＲに感度のあるグレーティングセンサへと導く。グレーティングセンサに向かっていく入射光は、各々が回折次数を表す多数のビームに分割される。
【０１１４】
ステップ５２０において、回折次数ビーム（diffractive order beams）は、対応する検出器により集められる。
【０１１５】
ステップ５２５において、各回折次数の強度は参照強度に対して正規化される。参照強度は、図３および図４に示すエネルギーセンサＥＳにより測定される。正規化は、各パルス間隔の間になされる。ビームフットプリント内の偏光状態の変動を最小化するために、ＥＳ収集光学素子およびグレーティングセンサ収集光学素子を設けることは有利である。
【０１１６】
ステップ５３０において、ＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失が検出されたか否か判定するために、正規化された回折次数の強度データが解析される。上述したように、この強度損失は、ビーム偏向が小さい場合に観測される可能性がある。
【０１１７】
ステップ５３５において、ビーム偏向の大小に基づいて適切な較正アルゴリズムが採用される。通常、０．００１°より大きい偏向は、大きい偏向と考えられている。図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明するように、小さい偏向用の較正アルゴリズムは、予測された１次のＳＰＲ応答のシフトに基づいている。それに対して、大きい偏向用の較正アルゴリズムは、全ての回折次数のビーム強度の位置および傾斜のシフトに基づいている。
【０１１８】
ステップ５５０において、採用された較正プログラムに基づいて、一連の偏向角データが計算される。このアルゴリズムは、各時間周期の間に、各センサにおける各有効な検出器からの相対的な回折次数強度データを考慮している。ビームに対する角度調節値および／または測定補償を計算するために、ＧＳＰＰＳセンサは、ビームの公称位置に対して適切に位置合わせされなければならない。従って、ＧＳＰＰＳセンサのどのようなずれも修正またはプレキャリブレーションされるべきである。特にＯＭＬ照明器においては、このＧＳＰＰＳセンサのプレキャリブレーションは、レーザビームのポインティング制御、およびテレセントリック性の測定と組み合わせて、テレセントリック制御レンズの側方変位（lateral displacement）を利用してもよい。ここでは、公称の偏向していないビームの位置において為される任意の測定または調整を含むために、「プレキャリブレーション」という用語を用いていることを留意されたい。プレキャリブレーションステップは、実際のビーム偏向キャリブレーションの前に用いられる。測定されたテレセントリック性を最小化することにより、最良にＧＳＰＰＳ内に向かわせることができる。一連の最良のポインティング条件での較正測定およびそこから離れた較正測定におけるレーザパルス回折像の測定が、一連のビーム偏向較正データを決定するために解析されてもよい。ビーム偏向較正データは、本質的に、正規化された強度の関数としてパルス偏向角を検出するために一連のファクターを提供する。
【０１１９】
ステップ５５５において、ビーム偏向計算の出力がユーザまたは自動制御器に通信される。この出力は、リソグラフィ装置のビーム偏向を監視するために用いられる。選択的なステップ５６０に示されるように、必要に応じて、リソグラフィ装置の構成要素、構成、および操作パラメータが修正または調整されてもよい。例えば、ビームを公称位置に戻すためにビームステアリングミラーが調整されてもよい。
【０１２０】
３．１  小さい偏向角の測定
フローチャート６００Ａは、小さいビーム偏向角用の較正アルゴリズムのメインステップを説明している。上述したように、ＳＰＲに依存した較正アルゴリズムがこの場合に適切である。連続した図７、図８、および図９は、このアルゴリズムをフローチャート６００Ａに沿って説明している。
【０１２１】
このプロセスは、ステップ６３０Ａで始まり、ここではＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失が検出される。このプロセスは、その後、ステップ６３５Ａに進み、ここではＳＰＲに依存する較正アルゴリズムが採用される。
【０１２２】
ステップ６４０Ａにおいて、一連の有効な検出器と照明ビームの正確な偏光での潜在的なＳＰＲ感度データを同定するために、回折次数の強度データおよび偏光データが組み合わされる。他の検出器からのデータは考慮していない。それらは正確な偏光に関連していないからである。これは、プレキャリブレーションステップである。
【０１２３】
ステップ６４２Ａにおいて、公称ビーム位置で期待される特定の波長での修正されたＳＰＲ応答を見つけ出すために、回折次数の強度データおよび波長データが組み合わされる。このステップもまた、プリキャリブレーションの一部である。このプリキャリブレーションステップは、各有効な検出器に対して時間周期ごとに為される。
【０１２４】
ステップ６４４Ａにおいて、公称ビーム位置で期待される特定の照明条件での修正されたＳＰＲ応答を生成するために、回折次数の強度データおよび照明条件データが組み合わされる。このステップは、別のプレキャリブレーション手順であり、各有効な検出器に致対して時間周期ごとに実行される。
【０１２５】
ステップ６４６Ａにおいて、各ＳＰＲの影響を受けた回折次数に対して組み合わせ強度差データを生成するために、各有効な検出器に対して回折次数の強度シフトデータが計算され、個々の検出器データが組み合わされる。通常、１つだけのＳＰＲの影響を受けた回折次数が存在する。
【０１２６】
選択的なステップ６４８Ａにおいて、ビーム偏向が本当にＳＰＲの影響を受けた小偏向のレジーム（regime）内にあることを確認するために、ＳＰＲの影響を受けていない高い回折次数に対する組み合わせ強度差データが計算されてもよい。
【０１２７】
ステップ６５０Ａにおいて、ステップ６４６Ａの計算および選択的に含まれるステップ６４８Ａの計算に基づいて、一連の偏向角データが計算される。
【０１２８】
３．２  大きい偏向角の測定
図６Ｂのフローチャート６００Ｂは、大きいビーム偏向角用の較正アルゴリズムのメインステップを説明している。上述したように、ＳＰＲに依存する較正アルゴリズムはこの場合には適切ではない。
【０１２９】
このプロセスは、ステップ６３０Ｂで始まり、ここでは、ＳＰＲにより生じる特徴的な強度損失は検出されない。このプロセスは、その後、ステップ６３５Ａに進み、ここでは、ＳＰＲに依存しない較正アルゴリズムが採用される。図１０、図１１、および図１２は、このアルゴリズムを下記のこのアルゴリズムを説明している。
【０１３０】
このプロセスは、その後、正確な偏光と関係する強度データを供給しそうである有効な一連の検出器を特定するために、フローチャート６００Ａのステップ６４０Ａに類似する選択的なステップ６４０Ｂに進んでもよい。
【０１３１】
ステップ６４２Ｂにおいて、公称のビーム位置で期待される修正された回折次数の強度分散データを生成するために、回折次数の強度データおよび波長データが組み合わされる。このステップは、プレキャリブレーションの一部である。このプレキャリブレーションステップは、各有効な検出器に対して時間周期ごとに為される。
【０１３２】
ステップ６４４Ｂにおいて、公称のビーム位置で期待される特定の照明条件での回折次数の強度分散データの傾斜を修正するために、回折次数の強度データおよび照明条件データが組み合わされる。このステップは、さらにもう一つのプレキャリブレーション手順であり、各有効な検出器に対して時間周期ごとに実行される。
【０１３３】
ステップ６４８Ｂにおいて、強度分布曲線の各傾斜領域における回折次数のシフトが、各有効な検出器に対して時間周期ごとに計算される。個々の検出器データが組み合わされ、各ＳＰＲの影響を受けていない回折次数の位置および傾斜の変化に対する組み合わせデータが生成される。
【０１３４】
ステップ６５０Ｂにおいて、一連の偏向角データがステップ６４８Ａの計算に基づいて計算される。
【０１３５】
３．３  モデル化された較正データ
図７〜図１２は、１つのみのグレーティング（Ｎ＝１）を含む単純化モデルから得られる較正データを示す。この計算には、光学モデリングソフトのＺｅｍａｘが用いられている。
【０１３６】
図７は、検出器セットに含まれる単一の検出器により受光されたときの、一連の回折次数ビームの強度分布を示すグラフ７００を示す。検出器の応答がｙ軸に沿って任意単位でプロットされており、検出器のピクセル位置がｘ軸に沿ってプロットされている。ｘ軸にそったＸＸ’区間内における強度の急激な低下に見られるように、単一の回折次数のビームのみがＳＰＲ効果により影響を受けている。その他の回折次数のビームは、ＳＰＲ効果により影響を受けない。公称位置での非偏向ビームに関する強度分布がダイヤモンド形状のマーカを用いてプロットされており、公称位置から０．０００１°だけ偏向したビームに関する強度分布が四角形状のマーカを用いてプロットされている。ダイヤモンド形状と四角形状のマーカの差は、グラフ７００の他の場所では容易には認識できないが、ＳＰＲレジーム（regime）内（ＸＸ’内）における相対強度の差が図７において容易に見て取れる。
【０１３７】
図８は、図７のｘ軸に沿ったＸＸ’区間からのデータの拡大図８００を示す。図８は、ＳＰＲによるビーム偏向の影響の詳細を示している。偏向ビームは、高い強度を示している。言い換えると、ＳＰＲの影響を受けた回折次数に対して強度損失が低いことを示している。
【０１３８】
図９のプロット９００は、図８からのＳＰＲの影響を受けた次数のデータの数値フィッティングを示す。
【０１３９】
図１０は、検出器セットに含まれる単一の検出器によって受光されたときの、一連の回折次数のビームの強度分布を示すグラフ１０００を示す。検出器の応答がｙ軸に沿って任意単位でプロットされており、検出器のピクセル位置がｘ軸に沿ってプロットされている。図１０に示されるように、ビーム偏向が相対的に大きいとき、回折次数のビームの全てがある程度の影響を受けている。この場合、ＳＰＲ効果による強度の急激な低下は見て取れない。公称位置での非偏向ビームに関する強度分布が、ダイヤモンド形状のマーカでプロットされている。公称位置から０．０１°だけ偏向したビームに関する強度分布が、四角形状のマーカを用いてプロットされている。そして、公称位置から０．０２°だけ偏向したビームに関する強度分布が、三角形状のマーカを用いてプロットされている。
【０１４０】
図１１は、図１０のｘ軸に沿った代表的な区間（区間ＣＤとして示されている）からのデータの拡大図１１００を示す。ここでは、回折次数のビームの位置および傾斜は、見て取れるように、ビーム偏向に帰因して変化している。
【０１４１】
図１２のプロット１２００は、回折次数の上昇する傾斜の線形区間（ｘ軸に沿ったＥＦ区間）のデータの数値フィッティングを示す。ＳＰＲ効果が観察されないとき、回折次数のビームの位置および傾斜のシフトがビーム偏向の計算基準である。
【０１４２】
４．結語
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
【０１４３】
「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び添付の請求項をいかなる形にも限定するものではない。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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