(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラスター型の中央搬送室と、当該中央搬送室の周囲に設けたロード室および複数の成膜室を備え、
前記複数の成膜室は、収納することができる基板トレイの個数を異にする成膜室を含み、
前記成膜室は、１つの基板トレイを収納することができる複数の第１の成膜室と、複数の基板トレイを収納することができる少なくとも１つの第２の成膜室を有し、
前記ロード室は、同一の搬送動作で複数枚の基板を中央搬送室に対して導入あるいは導出し、
前記中央搬送室は、前記複数の成膜室に基板トレイを搬送する搬送機構を有し、
当該搬送機構は、各成膜室に対し、当該成膜室が収納することができる基板トレイの個数に応じた基板トレイを選択的に搬送し、
前記搬送機構は、中央搬送室内に導入された複数個の基板トレイの内で、１つあるいは複数の基板トレイを選択的に搬送する複数の搬送系を有し、
前記複数の搬送系から選択した一つの搬送系により、前記複数の基板トレイから選択した１つの基板トレイを第１の成膜室に搬送し、
前記複数の搬送系から選択した複数の搬送系により、前記複数の基板トレイを第２の成膜室に搬送し、
前記複数の搬送系は、前記中央搬送室内において一体で回転自在であり、各搬送系は回転中心から径方向に偏芯した位置に設置することを特徴とする、クラスター型真空成膜装置。
【請求項２】
前記複数の第１の成膜室は、前記中央搬送室の周囲において、前記回転中心を通る径に対して偏芯した位置に配置され、
前記複数の搬送系は、当該搬送系の搬送位置において、搬送方向の延長上に第１の成膜室の配置位置があることを特徴とする、請求項１に記載のクラスター型真空成膜装置
【請求項３】
前記第１の成膜室が有する２つの成膜室は、前記中央搬送室を挟んで対向する位置に設置され、
前記当該搬送系の搬送位置において、前記複数の搬送系は、対向する位置に設置された第１の成膜室の２つの成膜室に対して、それぞれ逆方向に基板トレイを搬送することを特徴とする、請求項２に記載のクラスター型真空成膜装置。
【請求項４】
前記第１の成膜室は、対向配置される２枚の電極を有し、
前記第２の成膜室は、両面に電極を有する中央電極と、当該中央電極と対向する１枚の電極を有する２つの外電極を含む４枚の電極を有し、
前記搬送機構は、第１の成膜室に対して１つの基板トレイを搬送し、
第２の成膜室に対して２つの基板トレイを搬送することを特徴とする、請求項１から請求項３の何れかに記載のクラスター型真空成膜装置。
【請求項５】
前記１つの基板トレイは、１枚又は２枚の基板を載置することを特徴とする、請求項４に記載のクラスター型真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空成膜装置に関し、特に、中央に配置された搬送室の周囲の複数の成膜室を配置してなるクラスター型真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に成膜を行って薄膜等を製造する成膜装置として、中央に配置された搬送室の周囲の複数の成膜室を配置してなるクラスター型真空成膜装置が知られ、例えば、太陽電池用薄膜等の種々の半導体製造に使用されている。
【０００３】
従来、このようなクラスター型真空成膜装置では、１つの成膜室に対して１つの基板トレイを搬入するという、一対一の構成が一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
太陽電池の薄膜を製造する際には、基板上にＰ層、Ｉ層、およびＮ層の３層を成膜する。これら各層の膜厚には相違があり、Ｐ層およびＮ層と、Ｉ層とは膜厚が極端に異なる。例えば、Ｐ層およびＮ層は５０ｎｍであるのに対して、Ｉ層は２０００ｎｍである。そのため、膜厚が厚いＩ層の成膜には長時間を要することになる。
【０００５】
薄膜のスループットを高めるための一構成として、長い成膜時間を要するＩ層の成膜室の個数を増やすことが考えられる。この構成では、一つの中央搬送室の周囲に多数のＩ層の成膜室を配置することになる。図１３は、中央搬送室に多数のＩ層の成膜室を配置した構成例を示している。この構成では、中央搬送室のサイズや、ロード室は排気装置等の成膜室以外の機構の配置構成の制約から、一つの中央搬送室が備える成膜室の個数には制限があり、また、Ｐ層やＮ層の成膜室に対する基板トレイの搬送操作動作と、Ｉ層の成膜室に対する基板トレイの搬送操作動作とのバランスが極端となり、操作手順や操作時間等にも影響を与えるという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記課題を解決して、クラスター型真空成膜装置において、膜厚を異にする成膜処理を行う場合の成膜室の個数を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、多数枚の基板を成膜することができる成膜室を用いることで、処理能力を高め、１つの中央搬送室に設ける成膜室の個数を低減する。
【０００８】
この、多数枚の基板を成膜する成膜室内に基板トレイを導入しようとする場合、従来のように成膜室と基板トレイとが一対一の関係を有する構成では、中央搬送室およびロード室共に、各基板トレイをそれぞれ搬送する２系列の搬送機構が必要となる。しかしながら、一般に、中央搬送室内のスペースは限られており、各基板トレイに対して独立した系列を個別に備えた複数の搬送機構を設けることは困難である。
【０００９】
そこで、本発明のクラスター型真空成膜装置は、多数枚の基板を成膜する成膜室を備えると共に、中央搬送室内において、１つの搬送機構により各成膜室への基板トレイの搬送を行うことができる構成とする。
【００１０】
本発明のクラスター型真空成膜装置は、クラスター型の中央搬送室と、この中央搬送室の周囲に設けたロード室および複数の成膜室を備える。複数の成膜室は、収納することができる基板トレイの個数を異にする成膜室を含み、中央搬送室は、複数の成膜室に基板トレイを搬送する搬送機構を有する。この搬送機構は、各成膜室に対し、成膜室が収納することができる基板トレイの個数に応じた基板トレイを選択的に搬送する。
【００１１】
例えば、中央搬送室に、１つの基板トレイを搬入して成膜処理を行う成膜室と、２つの基板トレイを搬入して成膜処理を行う成膜室とを備える場合には、中央搬送室が備える搬送機構は、例えば、１つの基板トレイを搬入する成膜室に対しては、複数の基板トレイの中から１つの基板トレイを選択し、選択した基板トレイを成膜室内に搬送する。また、２つの基板トレイを搬入する成膜室に対しては、複数の基板トレイの中から２つの基板トレイを選択し、選択した基板トレイを成膜室内に搬送する。
【００１２】
本発明の搬送機構は、成膜室が収納することができる基板トレイの個数に応じた個数の基板トレイを選択的に搬送する構成とすることによって、１つの搬送機構によって、各成膜室への基板トレイの搬送を行うことができる。
【００１３】
本発明の成膜室は、１枚の基板トレイを収納することができる複数の第１の成膜室と、複数の基板トレイを収納することができる少なくとも１つの第２の成膜室を有する。また、本発明のロード室は、同一の搬送動作で複数枚の基板を中央搬送室に対して導入あるいは導出する。
【００１４】
本発明の搬送機構は、中央搬送室内に導入された複数の基板トレイの内で、１つあるいは複数の基板トレイを選択的に搬送する複数の搬送系を有する。
【００１５】
複数の搬送系の中から一つの搬送系を選択し、複数の基板トレイから選択した１つの基板トレイを第１の成膜室に搬送する。また。複数の搬送系の中から複数の搬送系を選択し、選択した複数の搬送系によって、複数の基板トレイを第２の成膜室に搬送する。
【００１６】
本発明の複数の搬送系を含む搬送機構は、中央搬送室内において一体で回転自在であり、各搬送系は回転中心から径方向に偏芯した位置に設置する。
【００１７】
この偏芯位置の設置において、複数の第１の成膜室は、中央搬送室の周囲において、回転中心を通る径に対して偏芯した位置に配置する。また、複数の搬送系は、搬送系の搬送位置において、搬送方向の延長上に第１の成膜室の配置位置とする。
【００１８】
また、第１の成膜室が有する２つの成膜室は、中央搬送室を挟んで対向する位置に設置する。この搬送系の搬送位置において、複数の搬送系は、対向する位置に設置された第１の成膜室の２つの成膜室に対して、それぞれ逆方向に基板を搬送する。
【００１９】
ここで、第１の成膜室は対向配置される２枚の電極を有し、第２の成膜室は両面に電極を有する中央電極と、この中央電極と対向する１枚の電極を有する２つの外電極を含む４枚の電極を有する。また、搬送機構は、第１の成膜室に対して１つの基板トレイを搬送し、第２の成膜室に対して２つの基板トレイを搬送する。基板は、基板トレイに載置された状態で搬送が行われる。基板トレイは、１枚又は２枚の基板を載置することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、クラスター型真空成膜装置において、膜厚を異にする成膜処理を行う場合の成膜室の個数を低減することができる。
【００２１】
本発明の態様によれば、多数枚の基板を成膜する成膜室を備えると共に、中央搬送室内において、１つの搬送機構により各成膜室への基板トレイの搬送を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明のクラスター型真空成膜装置を説明するための概略図である。図１において、クラスター型真空成膜装置１は、クラスター型の中央搬送室２と、この中央搬送室２の周囲に設けたロード室７と、複数の成膜室３〜６を備える。
【００２４】
ロード室７は、中央搬送室２と装置外部との間で基板１０の搬出入を行うチャンバである。中央搬送室２は、図示しない真空装置によって真空排気可能であって、周囲の成膜室３〜６を備え、ロード室７を通して搬送された基板１０を成膜室３〜６との間で導出入するチャンバであり、同一の搬送動作で複数枚の基板１０を中央搬送室２に対して導入あるいは導出する。
【００２５】
中央搬送室２において、内部に搬送機構８を備え、成膜室３〜６との間で行う基板１０の導出入を行う。なお、基板の搬送および導出入は、基板トレイに載置した状態で行う。
【００２６】
搬送機構８は、各成膜室３〜６に対し、その成膜室３〜６が収納することができる基板トレイの個数に応じた基板トレイを選択的に搬送する。
【００２７】
以下、太陽電池用の薄膜を成膜する場合について説明する。太陽電池用の薄膜は、Ｐ層、Ｎ層、およびＩ層の３層を備える。太陽電池用の薄膜を成膜するクラスター型真空成膜装置１は、このＰ層、Ｎ層、およびＩ層の３層の各層を生成するために、Ｐ層成膜室３、Ｎ層成膜室４、およびＩ層成膜室５，６を備える。ここで、Ｉ層の膜厚は、Ｐ層とＮ層の膜厚と比較して厚いため、装置規模の大型化を抑えると共に、処理のスループットを向上させるために、クラスター型真空成膜装置１は、Ｉ層成膜室５，６の個数をＰ層成膜室３およびＮ層成膜室４の個数よりも多く備える。
【００２８】
図１では、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室４をそれぞれ１つの成膜室とし、Ｉ層成膜室５，６を２個とする例を示している。
【００２９】
また、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室４は１つの基板トレイを収納することができ、１つの基板トレイに載置された基板を成膜する。一方、Ｉ層成膜室５，６は２つの基板トレイを収納することができ、２つの基板トレイに載置された基板を成膜する。なお、ここでは、Ｉ層成膜室５，６は２つの基板トレイを収納する構成例を示しているが、２つの基板トレイに限らず、さらに多数の基板トレイを収納可とする構成とすることもできる。なお、この個数は一例であって、個数および個数比率はこの例に限られるものではない。
【００３０】
搬送機構８は、中央搬送室２内に導入された複数個の基板トレイの内で、１つあるいは複数の基板トレイを選択的に搬送する複数の搬送系を有する。この複数の搬送系から選択した一つの搬送系は、複数の基板トレイから選択した１つの基板トレイをＰ層成膜室３およびＮ層成膜室４に搬送する。また、複数の搬送系から選択した複数の搬送系は、複数の基板トレイをＩ層成膜室５，６に搬送する。
【００３１】
以下、図２，図３を用いて、中央搬送室内の備える搬送機構の一例について説明する。図２はＰ層成膜室３およびＮ層成膜室４に対する基板トレイの搬送動作を説明するための図であり、図３はＮ層成膜室５，６に対する基板トレイの搬送動作を説明するための図である。
【００３２】
搬送機構８は複数の搬送系８Ａ，８Ｂを備え、中央搬送室２内に導入された複数個の基板トレイ１１の内で、１つあるいは複数の基板トレイを、成膜室３〜６から選択された一つの成膜室に対して選択的に搬送する。
【００３３】
図２，３において、搬送系８Ａ，８Ｂは、中央搬送室２内において、図示しない回転機構によって一体で回転自在とし、回転中心から径方向に偏芯した位置に設置する。図２，３では、搬送系８Ａ，８Ｂは並列配置すると共に、回転駆動の中心を通る径方向に対して偏芯させて配置する。一方、Ｐ層成膜室３とＮ層成膜室４は、中央搬送室２に対して対称の位置に配置し、搬送系８Ａ，８Ｂと同様に、回転駆動の中心を通る径方向に対して偏芯させて配置する。この搬送系８Ａ，８Ｂの偏芯と、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室４の偏芯とによって、Ｐ層成膜室３は搬送系８Ａの搬送方向の延長上に配置され、Ｎ層成膜室４は搬送系８Ｂの搬送方向の延長上に配置される。
【００３４】
この配置構成により、搬送系８Ａ，８Ｂは、中央搬送室２内に搬入された２つの基板トレイ１１を、それぞれＰ層成膜室３とＮ層成膜室４に選択的に導入する。
【００３５】
図２（ａ）は、基板トレイ１１を中央搬送室２内に搬入し、搬送系８Ａおよび搬送系８Ｂに載置した状態を示している。Ｐ層成膜室３とＮ層成膜室４は、中央搬送室２に対して１８０度の位置に配置されると共に、回転中心を通る径方向に対して偏芯しており、また、搬送系８Ａ，８Ｂについても回転中心を通る径方向に対して偏芯した状態で並列配置する構成としている。そのため、例えば、搬送系８ＡをＰ層成膜室３の方向の回転位置に停止させたときには、搬送系８ＢはＮ層成膜室４の方向の回転位置に停止し、同一の回転位置において、２つの基板トレイ１１をそれぞれ異なる成膜室との間で導出入を行うことができる。
【００３６】
また、搬送系８Ａおよび搬送系８Ｂと、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室４との関係は、対称であるため、一方の基板トレイに載置される基板に対してＰ層を成膜し、他方の基板トレイに載置される基板に対してＮ層を成膜した後、搬送機構８を１８０度回転させることによって搬送系と成膜室との関係を逆の関係とすることによって、一方の基板トレイに載置される基板に対してＮ層を成膜し、他方の基板トレイに載置される基板に対してＰ層を成膜することができる。図２（ｂ）は、この状態を示している。
【００３７】
また、図３は、Ｉ層成膜室５，６に対して搬送系８Ａおよび搬送系８Ｂを回転させて位置合わせすることによって、各成膜室に対してそれぞれ２つの基板トレイを同時に導入あるいは導出することができる。このとき、搬送系８Ａおよび搬送系８Ｂは、Ｉ層成膜室５あるいは成膜室６に対して、基板トレイを一体で搬送する。
【００３８】
なお、ここでは、Ｉ層成膜室５，６として、２つの基板トレイを導入する例を示しているが、電極数を増やすことによって導入する基板トレイの個数を増やすこともできる。図３（ａ）は、Ｉ層成膜室５に対する２つの基板トレイの導出入を行う状態を示し、図３（ｂ）は、Ｉ層成膜室６に対する２つの基板トレイの導出入を行う状態を示している。
【００３９】
図２，図３に示すように、搬送機構８が備える２つの搬送系８Ａ，８Ｂを偏芯させ、また、Ｐ層成膜室３とＮ層成膜室４を偏芯させる構成、および、２つの搬送系８Ａ，８Ｂを個別にあるいは一体で移動させる構成とすることによって、単に搬送機構８を回転させるだけで、中央搬送室２の周囲に配置した各成膜室に対して、基板トレイを選択的に導出入することができる。
【００４０】
ここで、図４，５を用いて、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室４が備える電極構成と、Ｉ層成膜室５，６が備える電極構成について説明する。
【００４１】
Ｐ層およびＮ層の膜厚は薄いため、Ｐ層成膜室３およびＮ層成膜室は２つの電極構成とし、Ｉ層の膜厚は厚いため、Ｉ層成膜室５，６は４つの電極構成とする。
【００４２】
図４に示す成膜室２０は、２つの電極２１ａ，２１ｂを備える。２つの電極２１ａ，２１ｂは、間に基板トレイ１１を挿入自在とする隙間を空けて対向配置する。図４（ａ）は基板トレイ１１を挿入前の状態を示し、図４（ｂ）は基板トレイ１１を挿入した状態を示している。基板トレイ１１は、２枚の基板１０を両側の支持面に載置する。
【００４３】
また、図５に示す成膜室３０は、４つの電極３１ａ〜３１ｄを備える。４つの電極３１ａ〜３１ｄの内、両側の電極３１ａ，３１ｄは外電極を構成し、内側の電極３１ｂ，３１ｃは中央電極を構成する。これら電極において、２つの電極３１ａ，３１ｂは、間に基板トレイ１１を挿入自在とする隙間を空けて対向配置し、また、２つの電極３１ｃ，３１ｄについても、間に基板トレイ１１を挿入自在とする隙間を空けて対向配置する。
【００４４】
図５（ａ）は基板トレイ１１を挿入前の状態を示し、図５（ｂ）は基板トレイ１１を挿入した状態を示している。２つの基板トレイ１１は、それぞれ２枚の基板１０を両側の支持面に載置し、合計４枚の基板を支持する。
【００４５】
この電極構成により、２つの基板トレイに載置した４枚の基板に対して成膜を行うことができる。
【００４６】
なお、図５では、２つの基板トレイに載置した４枚の基板を成膜する構成例と示しているが、中央電極の個数を増やすことによって、導入する基板トレイを増やし、成膜する基板の枚数を増やすことができる。
【００４７】
以下、図１に示す構成例において、２つの基板トレイからなる複数の組み（Ａ〜Ｃ）を成膜処理する手順例について図６〜図１２を用いて説明する。なお、以下に示す手順は一例であって、この手順に限られるものではなく別の手順としてもよい。
【００４８】
はじめに、２枚の基板を有する基板トレイ（Ａ）をロード室（L/U）に導入した後（図６（ａ），（ｂ））、中央搬送室内に導入する（図６（ｃ））。
【００４９】
次に、２枚の基板を有する基板トレイ（Ｂ）をロード室（L/U）に導入すると共に、基板トレイ（Ａ）を回転させて基板トレイ（Ａ）をＩ層成膜室に位置合わせし（図７（ｂ））、基板A1,A2をＩ層成膜室内に導入する。このとき、基板トレイ（Ｂ）を中央搬送室内に導入する（図７（ｃ））。
【００５０】
Ｉ層成膜室内において基板A1,A2にＩ層を成膜する間に、基板B1，B2にＰ層を成膜する。基板B1，B2上へのＰ層の成膜は以下の手順で行われる。搬送機構は基板トレイ（Ｂ）を回転させて基板B1をＰ層成膜室に位置合わせし（図７（ｄ））、基板B2を中央搬送室内に残し、基板B1をＰ層成膜室内に導入する（図７（ｅ））。Ｐ層成膜室内で基板B1にＰ層を成膜した後、基板B1を中央搬送室内に戻す（図７（ｆ））。中央搬送室内において、搬送機構は基板トレイ（Ｂ）を回転させて、基板B2をＰ層成膜室に位置合わせし（図７（ｇ））、基板B1を中央搬送室内に残し、基板B2をＰ層成膜室内に導入する（図７（ｈ））。Ｐ層成膜室内で基板B2にＰ層を成膜した後、基板B2を中央搬送室内に戻す（図８（ａ））。
【００５１】
次に、基板トレイ（Ｂ）を回転させて他のＩ層成膜室に位置合わせし（図８（ｂ））、基板B1,B2をＩ層成膜室内に導入する。このとき、Ｉ層成膜室内の基板A1，A2を中央搬送室内に戻す（図８（ｃ））。
【００５２】
Ｉ層成膜室内において基板B1,B2にＩ層を成膜する間に、基板A1，A2にＮ層を成膜する。基板A1，A2上へのＮ層の成膜は以下の手順で行われる。搬送機構は基板トレイ（Ａ）を回転させて基板A1をＮ層成膜室に位置合わせし（図８（ｄ））、基板A2を中央搬送室内に残し、基板A1をＮ層成膜室内に導入する（図８（ｅ））。Ｎ層成膜室内で基板A1にＮ層を成膜した後、基板A1を中央搬送室内に戻す（図８（ｆ））。中央搬送室内において、搬送機構は基板トレイ（Ａ）を回転させて、基板A2をＮ層成膜室に位置合わせし（図８（ｇ））、基板A1を中央搬送室内に残し、基板A2をＮ層成膜室内に導入する（図８（ｈ））。Ｎ層成膜室内で基板A2にＮ層を成膜した後、基板A2を中央搬送室内に戻す（図９（ａ））。
【００５３】
搬送機構は基板トレイ（Ａ）を回転させてロード室（L/U）に位置合わせし（図９（ｂ））、基板トレイ（Ａ）を中央搬送室からロード室（L/U）を介して導出する（（図９（ｃ））。
【００５４】
次に、２枚の基板を有する基板トレイ（Ｃ）をロード室（L/U）に導入し（図９（ｄ））、基板トレイ（Ｂ）を中央搬送室内に導入する（図９（ｅ））。
【００５５】
搬送機構はこの基板トレイ（Ｃ）を回転させて基板C1をＰ層成膜室に位置合わせし（図９（ｆ））、基板C2を中央搬送室内に残し、基板C1をＰ層成膜室内に導入する（図９（ｇ））。Ｐ層成膜室内で基板C1にＰ層を成膜した後、基板C1を中央搬送室内に戻す（図９（ｈ））。中央搬送室内において、搬送機構は基板トレイ（Ｃ）を回転させて、基板C2をＰ層成膜室に位置合わせし（図１０（ａ））、基板C1を中央搬送室内に残し、基板C2をＰ層成膜室内に導入する（図１０（ｂ））。Ｐ層成膜室内で基板C2にＰ層を成膜した後、基板C2を中央搬送室内に戻す（図１０（ｃ））。
【００５６】
次に、基板トレイ（Ｃ）を回転させてＩ層成膜室に位置合わせし（図１０（ｄ））、基板C1,C2をＩ層成膜室内に導入する。このとき、Ｉ層成膜室内の基板B1，B2を中央搬送室内に戻す（図１０（ｅ））。
【００５７】
Ｉ層成膜室内において基板C1,C2にＩ層を成膜する間に、基板B1，B2にＮ層を成膜する。基板B1，B2上へのＮ層の成膜は以下の手順で行われる。搬送機構は基板トレイ（Ｂ）を回転させて基板B1をＮ層成膜室に位置合わせし（図１０（ｆ））、基板B2を中央搬送室内に残し、基板B1をＮ層成膜室内に導入する（図１０（ｇ））。Ｎ層成膜室内で基板B1にＮ層を成膜した後、基板B1を中央搬送室内に戻す（図１０（ｈ））。中央搬送室内において、搬送機構は基板トレイ（Ｂ）を回転させて、基板B2をＮ層成膜室に位置合わせし（図１１（ａ））、基板B1を中央搬送室内に残し、基板B2をＮ層成膜室内に導入する（図１１（ｂ））。Ｎ層成膜室内で基板B2にＮ層を成膜した後、基板B2を中央搬送室内に戻す（図１１（ｃ））。
【００５８】
搬送機構は基板トレイ（Ｂ）を回転させてロード室（L/U）に位置合わせし（図１１（ｄ））、基板トレイ（Ｂ）を中央搬送室からロード室（L/U）を介して導出すると共に、Ｉ層成膜室内の基板C1，C2を中央搬送室内に戻す（図１１（ｅ））。
【００５９】
搬送機構は基板トレイ（Ｃ）を回転させて基板C1をＮ層成膜室に位置合わせし（図１１（ｆ））、基板C2を中央搬送室内に残し、基板C1をＮ層成膜室内に導入する（図１１（ｇ））。Ｎ層成膜室内で基板C1にＮ層を成膜した後、基板C1を中央搬送室内に戻す（図１１（ｈ））。中央搬送室内において、搬送機構は基板トレイ（Ｃ）を回転させて、基板C2をＮ層成膜室に位置合わせし（図１２（ａ））、基板C1を中央搬送室内に残し、基板C2をＮ層成膜室内に導入する（図１２（ｂ））。Ｎ層成膜室内で基板C2にＮ層を成膜した後、基板C2を中央搬送室内に戻す（図１２（ｃ））。搬送機構は基板トレイ（Ｃ）を回転させてロード室（L/U）に位置合わせし（図１２（ｄ））、基板トレイ（Ｃ）を中央搬送室からロード室（L/U）を介して導出する（図１２（ｅ））。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、太陽電池用薄膜に限らず、基板上に異なる膜厚を生成する成膜処理に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明のクラスター型真空成膜装置を説明するための概略図である。
【図２】Ｐ層成膜室およびＮ層成膜室に対する基板トレイの搬送動作を説明するための図である。
【図３】Ｎ層成膜室に対する基板トレイの搬送動作を説明するための図である。
【図４】Ｐ層成膜室およびＮ層成膜室が備える電極構成を説明するための図である。
【図５】Ｉ層成膜室が備える電極構成を説明するための図である。
【図６】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図７】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図８】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である
【図９】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図１０】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図１１】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図１２】本発明のクラスター型真空成膜装置による成膜処理の手順を説明するための図である。
【図１３】中央搬送室に多数のＩ層の成膜室を配置した構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…クラスター型真空成膜装置、２…中央搬送室、３…Ｐ層成膜室、４…Ｎ層成膜室、５…Ｉ層成膜室、６…Ｉ層成膜室、７…ロード室、８…搬送機構、８Ａ，８Ｂ…搬送系、１０…基板、１１…基板トレイ、２０…成膜室、２１ａ，２１ｂ…電極、３０…成膜室、３１ａ〜３１ｄ…電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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