(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な複数のエレメントのアレイと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイからの変調ビームを基板の目標部分に投射する投影システムと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを設定するパターン・コントローラとを備え、
基板に生成されるべきパターンは、放射強度が比較的大きい領域によって画定されるパターン・フィーチャを含み、
複数の所定のパターン特性は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上の単一ポイントに重畳させることができるパターン・フィーチャ部分の複数の例であり、
複数の所定のパターン特性の各々は、基板に生成されるべきパターンの部分であって単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される基板上の露光と同じサイズを有する部分であり、
複数の所定のパターン特性は、パターン・フィーチャの境界が配置されている部分を含み、
前記パターン・コントローラは、基板に生成されるべきパターンを前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する部分に分割し、その部分毎に、複数の所定のパターン特性のなかからその部分のパターンに対応するパターン特性を決定し、
パターン特性の各々は、対応する前記変調ビームの強度に関連付けられ、
前記パターン・コントローラは、基板に生成されるべきパターンの少なくとも一部のサイズまたは位置もしくはその両方の調整が必要な場合に、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整を決定するパターン・アジャスタを含み、
前記パターン・アジャスタは、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整に対応する、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性の位置調整を決定し、
前記パターン・コントローラは、行われうるパターン特性の位置調整の各々に対して、パターン特性毎に必要な個々に制御可能なエレメントの設定を提供するルックアップ・テーブルを有し、
前記パターン・コントローラは、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性およびそのパターン特性の位置調整に基づき前記ルックアップ・テーブルを参照して前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々を設定する、リソグラフィ装置。
【請求項２】
リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な複数のエレメントのアレイと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイからの変調ビームを基板の目標部分に投射する投影システムと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを設定するパターン・コントローラとを備え、
基板に生成されるべきパターンは、放射強度が比較的大きい領域によって画定されるパターン・フィーチャを含み、
複数の所定のパターン特性は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上の単一ポイントに重畳させることができるパターン・フィーチャ部分の複数の例であり、
複数の所定のパターン特性の各々は、基板に生成されるべきパターンの部分であって単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される基板上の露光と同じサイズを有する部分であり、
複数の所定のパターン特性は、パターン・フィーチャの境界が配置されている部分を含み、
前記パターン・コントローラは、基板に生成されるべきパターンを前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する部分に分割し、その部分毎に、複数の所定のパターン特性のなかからその部分のパターンに対応するパターン特性を決定し、
パターン特性の各々は、対応する前記変調ビームの強度に関連付けられ、
前記パターン・コントローラは、基板に生成されるべきパターンの少なくとも一部のサイズまたは位置もしくはその両方の調整が必要な場合に、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整を決定するパターン・アジャスタを含み、
前記パターン・アジャスタは、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整に対応する、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性の位置調整を決定し、
前記パターン・コントローラは、決定されたパターン特性の位置調整を使用して、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する新しいパターン特性を決定し、
前記パターン・コントローラは、パターン特性の各々に対して必要な個々に制御可能なエレメントの設定を提供するルックアップ・テーブルを有し、
前記パターン・コントローラは、決定された新しいパターン特性に基づき前記ルックアップ・テーブルを参照して前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々を設定する、リソグラフィ装置。
【請求項３】
デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な複数のエレメントのアレイからの変調ビームを基板の目標部分に投射するステップと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを設定するステップと、を含み、
基板に生成されるべきパターンは、放射強度が比較的大きい領域によって画定されるパターン・フィーチャを含み、
複数の所定のパターン特性は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上の単一ポイントに重畳させることができるパターン・フィーチャ部分の複数の例であり、
複数の所定のパターン特性の各々は、基板に生成されるべきパターンの部分であって単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される基板上の露光と同じサイズを有する部分であり、
複数の所定のパターン特性は、パターン・フィーチャの境界が配置されている部分を含み、
当該デバイス製造方法はさらに、
基板に生成されるべきパターンを前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する部分に分割し、その部分毎に、複数の所定のパターン特性のなかからその部分のパターンに対応するパターン特性を決定するステップと、
パターン特性の各々を、対応する前記変調ビームの強度に関連付けるステップと、
基板に生成されるべきパターンの少なくとも一部のサイズまたは位置もしくはその両方の調整が必要な場合に、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整を決定するステップと、
基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整に対応する、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性の位置調整を決定するステップと、
行われうるパターン特性の位置調整の各々に対して、パターン特性毎に必要な個々に制御可能なエレメントの設定を提供するルックアップ・テーブルを生成するステップと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性およびそのパターン特性の位置調整に基づき前記ルックアップ・テーブルを参照して前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々を設定するステップと、を含むデバイス製造方法。
【請求項４】
デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な複数のエレメントのアレイからの変調ビームを基板の目標部分に投射するステップと、
前記個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを設定するステップと、を含み、
基板に生成されるべきパターンは、放射強度が比較的大きい領域によって画定されるパターン・フィーチャを含み、
複数の所定のパターン特性は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上の単一ポイントに重畳させることができるパターン・フィーチャ部分の複数の例であり、
複数の所定のパターン特性の各々は、基板に生成されるべきパターンの部分であって単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される基板上の露光と同じサイズを有する部分であり、
複数の所定のパターン特性は、パターン・フィーチャの境界が配置されている部分を含み、
当該デバイス製造方法はさらに、
基板に生成されるべきパターンを前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する部分に分割し、その部分毎に、複数の所定のパターン特性のなかからその部分のパターンに対応するパターン特性を決定するステップと、
パターン特性の各々を、対応する前記変調ビームの強度に関連付けるステップと、
基板に生成されるべきパターンの少なくとも一部のサイズまたは位置もしくはその両方の調整が必要な場合に、基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整を決定するステップと、
基板に生成されるべきパターンのパターン・フィーチャの境界位置の調整に対応する、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応するパターン特性の位置調整を決定するステップと、
決定されたパターン特性の位置調整を使用して、前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々に対応する新しいパターン特性を決定するステップと、
パターン特性の各々に対して必要な個々に制御可能なエレメントの設定を提供するルックアップ・テーブルを生成するステップと、
決定された新しいパターン特性に基づき前記ルックアップ・テーブルを参照して前記個々に制御可能な複数のエレメントの各々を設定するステップと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている２００５年３月２５日出願の米国出願第１１／０８９，５３９号の継続出願である。
【０００２】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、例えばフラット・パネル・ディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）及び微細構造を必要とする他のデバイスの製造に使用することができる。従来の装置では、マスク或いはレチクルとも呼ばれているコントラスト・デバイス即ちパターン化デバイスを使用して、フラット・パネル・ディスプレイ若しくは他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンが生成され、生成されたパターンが基板（例えばガラス板）上の目標部分（例えば部分的に１つ又は複数のダイからなっている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施されている。
【０００４】
パターン化デバイスを使用して、回路パターンではなく、例えばカラー・フィルタ・パターン即ちドットのマトリックスなどの他のパターンを生成することも可能である。パターン化デバイスには、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを備えたパターン化アレイをマスクの代わりに使用することも可能である。マスクをベースとするシステムと比較した場合、このようなシステムの利点は、より速やかにパターンを変更することができ、且つ、より低コストであることである。
【０００５】
通常、フラット・パネル・ディスプレイ基板の形状は長方形である。このタイプの基板を露光するために設計された知られているリソグラフィ装置は、通常、長方形基板の幅全体をカバーする露光領域、或いは基板の幅の一部（例えば基板の幅の約半分）をカバーする露光領域を提供している。基板は、マスク即ちレチクルがビームで同期走査されている間、露光領域の真下の部分が走査され、この方法によって基板にパターンが転送される。露光領域が基板の幅全体をカバーしている場合、露光は単一走査で完了する。露光領域が例えば基板の幅の半分をカバーしている場合、第１の走査が終了した後、基板の残りの部分を露光するべく基板が横方向に移動し、第２の走査が実行される。
【０００６】
画像化するためのもう１つの方法には、スポットを連続的に露光することによってパターンが実現されるピクセル格子画像化が含まれている。
【０００７】
基板にパターンを生成する場合、パターンが基板上で正確に重畳することを保証しなければならない。後続する、リソグラフィを必要とする複数のプロセスによって形成されるデバイスを形成する場合、とりわけこの正確なパターンの重畳を保証しなければならない。このような場合、ある１つのプロセスで形成されるパターンと、後続するプロセスで形成されるパターンが適切に重畳することを保証することが肝要であり、この正確な重畳が保証されない場合、形成されるデバイスが誤動作することになる。
【０００８】
同様に、複数のプロセスの場合、複数回に渡るパターン露光を使用して基板にパターンが生成されることになる。このような場合、形成すべき総合パターンを要求許容差に合致させるためには、第１の露光ステップの間に生成されるパターンと第２の露光ステップで形成されるパターンが正確に重畳することが肝要である。
【０００９】
また、リソグラフィ装置の中には、複数のいわゆる「光エンジン」を使用して基板にパターンを生成している装置もある。このような光エンジンは、個々に変調された放射のビームを基板に同時に投射するため、基板に生成されるパターンは、すべての光エンジンの複合露光である。したがって、パターンを要求画像品質許容差内で形成するためには、個々の光エンジンによって生成されるパターンを互いに正確に整列させなければならない。
【００１０】
基板に生成されるパターンの正確な整列を保証するためには、基板に対する変調放射ビームの位置を調整することができ（基板の表面に平行の平面内で）、且つ、例えば基板の熱膨張を補償するためにパターンの倍率を調整することができなければならない。基板に対する変調放射ビームの位置を調整するためには、アクチュエータ・システムを使用して、基板を保持している基板テーブル及び／又は投影システムを移動させることができる。したがって、投影システムに対する基板テーブルの位置、延いては変調放射ビームの位置を調整することができる。
【００１１】
パターンの倍率を調整するためには、可変光学倍率コントロールを投影システムに設けることができる。
【００１２】
上で説明した、基板に生成されるパターンの位置及び倍率を調整する問題を解決するためには、リソグラフィ装置のコストが増加することになる複雑な機械システム及び／又は光−機械システムが必要であり、大量の較正が必要であり、さらには高額の保全経費が必要である。また、このようなシステムの場合、露光視野内で調整することは不可能であり、例えば、基板の一部を投影システムに対して移動させる場合、投影システムに対する基板の他の部分の移動を伴うことなく移動させることは不可能である。同様に、投影システムの倍率は、露光視野全体に渡って一様に調整しなければならず、したがって、基板内における局部変形を考慮することは不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、基板に生成される１つ又は複数のパターン領域の倍率及び位置を基板に対して容易に調整することができるシステム及び方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一実施例によれば、照明システムと、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイと、パターン・コントローラとを備えたリソグラフィ装置が提供される。照明システムによって放射ビームが条件付けされ、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイによって放射ビームが変調される。また、所望のパターンを基板に生成するために、放射ビームを変調するための制御信号がパターン・コントローラによって個々に制御可能な複数のエレメントのアレイに提供される。パターン・コントローラは、基板に生成されるパターンの少なくとも一部のサイズ及び位置の少なくともいずれか一方を、変調ビームの少なくとも一部の放射強度を調整することによって基板に対して調整するパターン・アジャスタを備えている。
【００１５】
本発明の一実施例によれば、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイによって変調された放射のビームを基板に投射するステップと、所望のパターンを基板に生成するために、放射ビームを変調するための制御信号を個々に制御可能な複数のエレメントのアレイに提供するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。基板に生成されるパターンの少なくとも一部のサイズ及び位置の少なくともいずれか一方が、変調放射ビームの少なくとも一部の強度を調整することによって基板に対して調整される。
【００１６】
以下、本発明の他の実施例、特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作について、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
本明細書に組み込まれ、且つ、本明細書の一部を形成している添付の図面は、本発明の１つ又は複数の実施例を示したもので、以下の説明と共に本発明の１つ又は複数の実施例の原理をより良く説明し、且つ、当業者による本発明の１つ又は複数の実施例の構築及び使用を可能にする役割を果している。
【００１８】
以下、本発明について、添付の図面を参照して説明する。図において、同様の参照番号は、全く同じ構成要素若しくは機能的に類似した構成要素を表している。
【実施例】
【００１９】
本発明の一実施例では、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ（例えばコントラスト・デバイス）のセクション中にブレージング部分が提供される。ブレージング部分のすべてのエレメントは、ブレージング部分を形成している同じ角度で配置された個々に制御可能な複数のエレメントを有している。一実施例では、これは、スーパ・ピクセルを使用することによって達成することができる。ブレージング部分を使用することにより、アレイによって変調されたビームである第１の回折次数の光強度が大きくなる。これは、典型的な正の第１の回折次数変調ビームと比較した場合に、事実上、正の第１の回折次数変調ビームが約２倍以上の強度を有するよう、負の第１の回折次数変調ビームを実質的に除去することによって達成される。例えばλ／４チップ偏向を使用する場合、実質的にすべての入射光が第１の回折次数で反射する。
【００２０】
他の実施例では、第１の回折次数の代わりに、より大きいチップ偏向によってより高い回折次数を使用することができる。例えばλ／２チップ偏向の場合、すべての光が第２の回折次数で集中する。ｎ倍のλ／４チップ偏向の場合、すべての光が第ｎの回折次数で集中することを理解されたい。
【００２１】
他の実施例では、光を重要な回折次数（投影部分で使用される回折次数）でアレイに導くことによって垂直投影が達成されており、投射光がコントラスト・デバイスから垂直に射出するよう、アレイのブレージング部分にも光を衝突させることができる。
【００２２】
したがって、一実施例では、ブレージング部分を使用することにより、重要な次数（例えば回折次数）の実質的にすべての回折エネルギーを基板に向けて集中させることができる。
【００２３】
他の実施例では、「部分干渉性画像化」モードを使用することができ、このモードの間、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイが基板に画像化されるが、スーパ・ピクセルは使用されていない。
【００２４】
概要及び用語
「対象」、「基板」、「ワーク・ピース」等の使用は、本出願においては交換可能であり、それらに限定されないが、ワーク・ピース、基板（例えばフラット・パネル・ディスプレイ・ガラス基板）、ウェハ（例えば集積回路を製造するための半導体ウェハ）、プリント・ヘッド、ミクロ若しくはナノ流体装置、投写型ディスプレイ・システムのディスプレイ・パネル等であっても良い。
【００２５】
本明細書に使用されている「コントラスト・デバイス」、「パターン化デバイス」、「パターン化アレイ」或いは「個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ」という用語は、放射ビームの断面を変調し、それにより基板（例えば対象）の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、例えばそのパターンが移相フィーチャ若しくはいわゆる補助フィーチャを備えている場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。同様に、基板に最終的に生成されるパターンは、任意の瞬間に個々に制御可能な複数のエレメントのアレイに形成されるパターンに必ずしも対応している必要はない。これは、基板の個々の部分に最終的に形成されるパターンが、所与の時間周期若しくは所与の露光回数で積み上げられ、その間に、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ上のパターン及び／又は基板の相対位置が変更される構造の場合がそうである。基板の目標部分に生成されるパターンは、通常、目標部分に生成される、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。このコンテキストの中では、「光バルブ」及び「空間光変調器」（ＳＬＭ）という用語を使用することも可能である。このようなパターン化デバイスの実施例のいくつかを以下に示しておく。
【００２６】
プログラム可能ミラー・アレイ：プログラム可能ミラー・アレイは、粘弾性（例えば粘性及び弾性特性を有する）制御層及び反射表面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面を備えることができる。このような装置の基礎をなしている基本原理は、例えば、反射表面のアドレス指定領域が入射光を回折光として反射し、一方、非アドレス指定領域が入射光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用することにより、非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、基板に到達する回折光のみを残すことができるため、この方法により、アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従ってビームがパターン化される。
【００２７】
別法として、フィルタを使用して回折光をフィルタ除去し、基板に到達する非回折光を残すことができることは理解されよう。
【００２８】
複数の回折型光ＭＥＭＳデバイス（超小型電気機械システム）のアレイを対応する方法で使用することも可能である。回折型光ＭＥＭＳデバイスの各々は、互いに変形して入射光を回折光として反射する回折格子を形成することができる複数の反射型リボンからなっている。
【００２９】
プログラム可能ミラー・アレイの他の代替実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、或いは圧電駆動手段を使用することによって１つの軸の周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、ミラーの各々は、入射する放射ビームを反射する方向がアドレス指定されたミラーと非アドレス指定ミラーとでそれぞれ異なるよう、マトリックス・アドレス指定することができる。この方法によれば、マトリックス・アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子手段を使用して実行することができる。例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている米国特許第５，２９６，８９１号及び第５，５２３，１９３号、並びにＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号及びＷＯ９８／３３０９６号にミラー・アレイが記載されている。
【００３０】
リソグラフィ装置は、１つ又は複数のパターン化アレイを備えることができる。例えば、リソグラフィ装置は、互いに独立して制御される、個々に制御可能な複数のエレメントの複数のアレイを有することができる。このような構造の場合、個々に制御可能な複数のエレメントの複数のアレイの一部若しくはすべてのアレイは、共通照明システム（若しくは照明システムの一部）、個々に制御可能な複数のエレメントの複数のアレイのための共通支持構造、及び共通投影システム（若しくは投影システムの一部）のうちの少なくとも１つを有することができる。
【００３１】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系、若しくはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００３２】
投影システムは、基板にパターンが干渉的に形成されるよう、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイにパターンを画像化することができる。別法としては、投影システムは、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイのエレメントがシャッタとして作用する二次ソースを画像化することも可能である。この点に関して、投影システムは、例えば二次ソースを形成し、且つ、基板にスポットを画像化するための複数の集束エレメントのアレイ、例えば微小レンズ・アレイ（ＭＬＡとして知られている）或いはフレネル・レンズ・アレイなどを備えることができる。このような構造の場合、複数の集束レンズのアレイ内の集束エレメントの各々を、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ内の個々に制御可能な複数のエレメントのうちの１つに結合することができる。別法としては、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ内の個々に制御可能な複数のエレメントのうちの複数のエレメントから入射する放射が、複数の集束エレメントのアレイ内の複数の集束エレメントのうちの１つに向かって導かれ、且つ、該集束エレメントから基板へ導かれるように投影システムを構成することも可能である。
【００３３】
添付の図に示すように、このリソグラフィ装置は反射型の装置（例えば個々に制御可能な複数のエレメントの反射型アレイを使用した装置）である。別法としては、このリソグラフィ装置は透過型の装置（例えば個々に制御可能な複数のエレメントの透過型アレイを使用した装置）であっても良い。
【００３４】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（例えば二重ステージ）以上の（例えば多重ステージ）基板テーブルを有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００３５】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい「液浸液」、例えば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばコントラスト・デバイスと投影システムの間の空間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野では、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が充填されることを意味しているにすぎない。
【００３６】
本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明されているリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の範囲内と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジストの層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール及び／又は検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３７】
また、本発明による実施例の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照されているが、本発明は、他のアプリケーション、例えば転写リソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターン化デバイスのトポグラフィによって画定される。パターン化デバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力若しくはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターン化デバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。
【００３８】
他の実施例では、本発明は、上で開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、或いはこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスク若しくは光ディスク）の形態を取ることができる。
【００３９】
例示的環境
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置１００を略図で示したものである。装置１００は、少なくとも放射システム１０２、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４（例えばコントラスト・デバイス即ちパターン化デバイス）、対物テーブル１０６（例えば基板テーブル）及び投影システム（「レンズ」）１０８を備えている。
【００４０】
放射システム１０２を使用して、放射（例えば２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍのＵＶ放射、及び例えば１０〜１３ｎｍのＥＵＶ放射）のビーム１１０を供給することができる。この特定の実施例では、放射システム１０２は、さらに、放射源１１２を備えている。
【００４１】
個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４（例えばプログラム可能ミラー・アレイ）を使用してビーム１１０にパターンを適用することができる。通常、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４の位置は、投影システム１０８に対して固定することができるが、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４を投影システム１０８に対して正確に配置するために、代替構造では、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４を位置決めデバイス（図示せず）に接続することができる。図に示すように、個々に制御可能な複数のエレメント１０４は、反射型のエレメントである（例えば個々に制御可能な複数のエレメントの反射型アレイを有している）。
【００４２】
対物テーブル１０６は、基板１１４（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ若しくはガラス基板）を保持するための基板ホルダ（図には特に示されていない）を備えることができる。また、対物テーブル１０６は、基板１１４を投影システム１０８に対して位置決めするための位置決めデバイス１１６に接続することができる。
【００４３】
投影システム１０８（例えば水晶及び／又はＣａＦ２レンズ系、若しくはこのような材料から構築されたレンズ・エレメントを備えたカタディオプトリック系、或いはミラー系）を使用して、誘導デバイス１１８（例えばビーム・スプリッタ）から受け取ったパターン化ビームを投射することができる。
【００４４】
光は、誘導デバイス１１８から基板１１４の目標部分１２０（例えば１つ又は複数のダイ）へ導かれる。投影システム１０８は、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４の画像を基板１１４に投影することができる。
【００４５】
イルミネータ１２４は、ビーム１２２の強度分布の外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）を設定するための調整デバイス１２８を備えることができる。また、イルミネータ１２４は、通常、他の様々なコンポーネントを備えている。この実施例では、上で考察した実施例と比較した場合、エレメント１３０はインテグレータ１３０であり、また、エレメント１３２はコンデンサ１３２である。この方法によれば、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４に衝突するビーム１１０は、所望する一様な強度分布をその断面に有することになる。
【００４６】
図１に関して、放射源１１２をリソグラフィ投影装置１００のハウジング内に配置することができることに留意されたい。代替実施例では、放射源１１２は、リソグラフィ投影装置１００から離して配置することができる。放射源１１２をリソグラフィ投影装置１００から離して配置する場合、放射ビーム１２２が装置１００に導かれることになる（例えば適切な誘導ミラーを使用して）。本発明の範囲には、これらのシナリオの両方が意図されていることを理解されたい。
【００４７】
ビーム１１０は、次に、誘導デバイス１１８を使用して導かれた後、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４によって遮断される。個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４で反射したビーム１１０は、ビーム１１０を基板１１４の目標部分１２０に集束させる投影システム１０８を通過する。
【００４８】
基板テーブル１０６は、位置決めデバイス１１６（及びビーム・スプリッタ１４０を介して干渉ビーム１３８を受け取る、ベース・プレート１３６上の任意選択の干渉測定デバイス１３４）を使用して移動させることができ、それにより異なる目標部分１２０をビーム１１０の光路内に配置することができる。使用されている場合、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４のための位置決めデバイス（図示せず）を使用して、例えば走査中に、ビーム１１０の光路に対する個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４の位置を修正することができる。通常、対物テーブル１０６の移動は、図１には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現される。また、同様のシステムを使用して、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４を位置決めすることも可能である。別法／追加として、ビーム１１０を移動可能にし、一方、対物テーブル１０６及び／又は個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４に固定位置を持たせ、それにより必要な相対移動を提供することも可能であることは理解されよう。
【００４９】
この実施例の代替構成では、基板テーブル１０６を固定し、基板１１４を基板テーブル１０６上で移動させることができる。このような場合、基板テーブル１０６の一番上の平らな表面に多数の開口が設けられ、その開口を通してガスが供給され、それにより基板１１４を支持することができるガス・クッションが提供される。これは、従来、空気軸受構造と呼ばれている。基板テーブル１０６上の基板１１４の移動は、基板１１４をビーム１１０の光路に対して位置決めすることができる１つ又は複数のアクチュエータ（図示せず）を使用して実施される。別法としては、開口を通るガスの通過を選択的に開始及び停止することによって基板１１４を基板テーブル１０６上で移動させることも可能である。
【００５０】
本明細書においては、本発明によるリソグラフィ装置１００は、基板上のレジストを露光するための装置として記述されているが、本発明はこのような使用に限定されないこと、また、装置１００を使用して、パターン化されたビーム１１０をレジストレス・リソグラフィに使用するべく投射することができることは理解されよう。
【００５１】
図に示す装置１００は、複数のモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４上のパターン全体が目標部分１２０に１回の露光で投影される（即ち単一「フラッシュ」）。次に、基板テーブル１０６がｘ及び／又はｙ方向を異なる位置に移動し、異なる目標部分１２０がパターン化されたビーム１１０によって照射される。
２．走査モード：所与の目標部分１２０が単一「フラッシュ」で露光されない点を除き、ステップ・モードと同様である。走査モードでは、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４を速度ｖで所与の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に移動させることができるため、パターン化されたビーム１１０を使用して個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４が走査される。同時に、基板テーブル１０６が速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向若しくは反対方向へ移動する。Ｍは投影システム１０８の倍率である。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分１２０を露光することができる。
３．パルス・モード：個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４が基本的に静止状態に維持され、パルス放射システム１０２を使用してパターン全体が基板１１４の目標部分１２０に投影される。パターン化されたビーム１１０を使用して基板１１４の両端間のラインを走査することができるよう、基本的に一定の速度で基板テーブル１０６が移動する。個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４上のパターンは、必要に応じて放射システム１０２のパルスとパルスの間に更新され、パルスは、連続する目標部分１２０が基板１１４上の必要な位置で露光されるように計時されている。したがって、パターン化されたビーム１１０は、細長い基板１１４の完全なパターンを露光するべく基板１１４の両端間を走査することができる。このプロセスは、基板１１４全体がライン毎に露光されるまで繰り返される。
４．連続走査モード：パルス・モードと同様であるが、実質的に一定の放射システム１０２が使用され、パターン化されたビーム１１０が基板１１４の両端間を走査して基板１１４を露光すると、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４上のパターンが更新される点が異なっている。
【００５２】
これらの最初の４つの例示的モードでは、集積回路を形成する場合、通常、「部分干渉性画像化」が実行される。この画像化を使用することにより、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ内の個々のエレメントが固有の傾斜を有することになる。このアレイは物体平面に配置され、基板は、画像化投影光学系の像平面に配置される。環状モード、従来型モード、四極子モード、二極子モードなどの様々な照明モードを適用することができる。また、位相ステップ・ミラー、より大きい傾斜の適用、ミラーの整形（バタフライ、Ｈ形）など、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ内のエレメント毎に異なる構成を使用して「ネガティブ・ブラック」の値を大きくすることができる。
【００５３】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００５４】
図２は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置２００を示したものである。例えば装置２００は、以下で考察するピクセル格子画像化モードを使用したフラット・パネル・ディスプレイの製造にとりわけ有用である。
【００５５】
投影システム２０８は、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ２０４のエレメントがシャッタとして作用する二次ソースの画像を投影することができる。
【００５６】
また、画像化格子アレイの実施例では、投影システム２０８は、二次ソースを形成し、且つ、マイクロスポットを基板２１４に投影するための微小レンズ・アレイ（ＭＬＡ）を備えることができる。
【００５７】
放射源２１２（例えばピクセル格子画像化モードでは周波数三倍Ｎｄ：ＹＡＧレーザであり、他のモードではエキシマ・レーザ）は、放射のビーム２２２を生成することができる。ビーム２２２は、照明システム（例えばイルミネータ）２２４に直接供給されるか、或いは例えばビーム・エキスパンダなどの条件付けデバイス２２６を介して供給される。
【００５８】
一実施例では、装置２００を以下で考察するピクセル格子画像化モードで動作させる場合、イルミネータ２２４は、ズームを設定してビーム２２２のスポット・サイズを調整するための調整デバイスを備えることができる。また、イルミネータ２２４は、通常、スポット発生器及びコンデンサなどの他の様々なコンポーネントを備えている。例えば、それらに限定されないが、屈折格子若しくは回折格子、セグメンテッド反射鏡アレイ、導波路などをスポット発生器に使用することができる。この方法によれば、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ２０４に衝突するビーム２１０は、所望のズーム、スポット・サイズ、一様性及び強度分布をその断面に有することになる。
【００５９】
図２に示すように、投影システム２０８は、２つのレンズ２５０及び２５２を備えたビーム・エキスパンダを備えている。第１のレンズ２５０は、変調放射ビーム２１０を受け取り、且つ、開口絞り２５４の開口を通して放射ビーム２１０を集束させるようになされている。一実施例では、開口内にレンズ２５６が配置されている。放射ビーム２１０は、開口絞り２５４の開口を通して集束した後、発散して第２のレンズ２５２（例えば視野レンズ）によって集束する。
【００６０】
投影システム２０８は、さらに、広がった変調放射２１０を受け取るようになされた複数のレンズのアレイ２５８（例えば微小レンズ・アレイ（ＭＬＡ））を備えている。パターン化デバイス即ちコントラスト・デバイス２０４の個々に制御可能な複数のエレメントのうちの１つ又は複数のエレメントに対応している変調放射ビーム２１０の異なる部分が、ＭＬＡ２５８の対応するレンズ２６０を通過する。個々のレンズ２６０は、変調放射ビーム２１０の対応する部分を基板２１４上の一点に集束させている。この方法によれば、複数の放射スポット２６２のアレイが基板２１４に露光される。図には８つのレンズ２６０しか示されていないが、ＭＬＡ２５８は数千個のレンズを備えることができる。これは、パターン化デバイス即ちコントラスト・デバイス２０４として使用される個々に制御可能な複数のエレメントのアレイの個々に制御可能な複数のエレメントの数についても同様である。
【００６１】
図２に示すシステムは、もう１つの動作モードであるピクセル格子画像化モードを可能にしている。この動作モードでは、基板２１４に形成されるパターンは、アレイ２０４へ導かれる、スポット発生器１３０によって形成されるスポットを連続的に露光することによって実現される。露光されるスポットは実質的に同じ形状を有している。スポットは、実質的に格子の形で基板２１４に印刷される。一実施例では、スポットのサイズは、印刷されるピクセル格子のピッチより大きく、且つ、露光スポット格子よりはるかに小さくなっている。印刷されるスポットの強度を変化させることによってパターンが実現される。露光フラッシュと露光フラッシュの間に、スポット全体の強度分布が変更される。
【００６２】
一実施例では、フラット・パネル・ディスプレイの形成に一般的に使用されているこのモードを使用して、個々に制御可能な複数のエレメントをスーパ・ピクセルにグループ化することができる。１つのスーパ・ピクセルによって基板上の１つのスポットの光が変調される。このスーパ・ピクセルは、印刷される個々のスポットの出口ひとみのＭＬＡの入口に画像化される。イルミネータのスポット画定エレメント（例えばスポット発生器）、ブレージング関数のズームなどを使用することによってスポットの形状に影響を及ぼすことができる。
【００６３】
図３は、本発明の一実施例による、基板３１４にパターンを生成する方法を略図で示したものである。この実施例は、例えば上で考察したピクセル格子画像化モードを使用して実行することができる。
【００６４】
塗りつぶされた円３６２は、投影システム、例えば図２に示す投影システムのＭＬＡによって最後に基板３１４に投影されたスポットを表している。基板３１４は、一連の露光が基板３１４に露光される際に、投影システムに対してＹ方向に移動する。
【００６５】
空白の円３６４は、基板３１４に既に露光済みのスポットを表している。図に示すように、投影システムの複数のレンズのアレイを使用して基板３１４に投影されたスポット３６２の各々は、スポット露光３６２／３６４の列３６６を基板３１４に露光している。基板３１４に対する完全なパターンは、複数のスポット３６２の各々によって露光されたスポット露光３６４のすべての列３６６を合わせることによって生成される。このような構造は、一般に、上で考察した「ピクセル格子画像化」と呼ばれている。
【００６６】
複数の放射スポット３６２のアレイは、基板３１４に対して角度θで配置されることが分かる（つまり、基板３１４の縁がＸ及びＹ方向に平行に位置している場合）。これは、基板３１４が走査方向（例えばＹ方向）に移動する際に、個々の放射スポット３６２が基板３１４の異なる領域を通過し、それにより複数の放射スポットのアレイによって基板全体がカバーされるようにするためである。分かり易くするために図３では角度θが誇張されていることは理解されよう。
【００６７】
ＭＬＡの隣接する２つのスポットとスポットの間に５×５個のスポットが示されているが、一実施例では最大約１００×１００個のスポットを使用することができることを理解されたい。
【００６８】
一実施例では、基板のスポット格子は、印刷すべき最小線幅の約半分（例えば約０．１ミクロンから最大数ミクロンまで）であり、一方、ＭＬＡのスポット・ピッチは、約１００マイクロメートルから最大約数百マイクロメートルである。
【００６９】
図４は、本発明の一実施例による、フラット・パネル・ディスプレイ基板４１４全体が、複数の光学エンジンを使用して単一走査で露光される様子を略図で示したものである。複数の放射スポットの一方のアレイの縁と、複数の放射スポットの隣接するアレイの縁がわずかに重畳する（例えば走査方向であるＹ方向に重畳する）よう、「チェス盤」構成で２列４７０及び４７２に配置された８つの光学エンジン（図示せず）によって複数の放射スポットの８つのアレイ４６８が生成されている。この実施例では、放射の帯が基板４１４の幅全体に広がっており、単一走査による基板全体の露光を可能にしている。適切な任意の数の光学エンジンを使用することができることは理解されよう。
【００７０】
一実施例では、光学エンジンの各々が、上で説明した照明システム、パターン化デバイス及び／又は投影システムを個々に備えることができるが、照明システム、パターン化デバイス及び投影システムのうちの１つ若しくは複数の少なくとも一部を複数の光学エンジンが共有することも可能であることを理解されたい。
【００７１】
光学エンジンの各々は、上で説明した照明システムＩＬ、パターン化デバイスＰＤ及び投影システムＰＳを個々に備えることができるが、照明システム、パターン化デバイス及び投影システムのうちの１つ若しくは複数の少なくとも一部を複数の光学エンジンが共有することも可能であることを理解されたい。
【００７２】
リソグラフィ・プロセスを使用して製品を製造するために、基板の表面にレジストが一様に塗布される。次に、レジスト上の一部の領域が比較的大量の放射線量を受け取り、一方、レジストの他の領域が比較的少量の放射線量を受け取るように放射のパターンがレジストに露光される。所与の放射線量閾値を超えるレジストが反応し、その安定性が変化する。露光プロセスが完了すると、基板に他の処理操作が施され、未反応のレジストが除去される。したがって、所与の閾値を超える放射線量を受け取った領域のレジストが基板上に残留し、閾値未満の放射線量を受け取った領域のレジストが除去されて基板が露光する。したがって、比較的大量の放射線量を受け取る領域のレジストが基板上に残留し、比較的少量の放射線量を受け取る領域のレジストが基板から除去される。したがって、基板を露光する放射ビームに適切なパターンを適用することにより、基板が露出した必要なパターン領域とレジストで覆われた領域とを備えた基板を生成することができる。次に、後続する処理ステップが実行され、必要なデバイスの一部が基板上に形成される。例えば、レジストに先立って金属層を基板に適用する場合、パターン化されたレジスト層で保護されていない金属層をエッチ除去することができる。したがって、レジストが除去されると、レジストのパターン即ち放射ビームのパターンに従ってパターン化された金属層を備えた基板が得られる。
【００７３】
本発明のようなリソグラフィ・システムは、上で説明した実施例に限定されないことは理解されよう。例えば、いわゆる「ネガ型レジスト」を使用することも可能である。ネガ型レジストを使用する場合、レジストを放射で露光することによって安定性が悪くなるため、露光後の処理で除去されるレジストが所与のレベルを超える放射線量を受け取ることになる。したがって、基板上に残留するレジストのパターンは、所与の閾値未満の放射線量を受け取る基板領域に対応している。基板上のこのレジスト・パターンは、同じく様々な目的に使用することができ、例えば露光済みの基板領域（つまりレジストの層で保護されていない領域）にイオン注入などの処理を施すことができる。
【００７４】
図５ａ、５ｂ及び５ｃは、本発明の一実施例による、基板にパターン・フィーチャを形成する場合の様々な態様を示したものである。
【００７５】
図５ａは、パターン化された放射のビームで基板が露光され、且つ、上で考察したように処理された後の基板Ｗに必要な単純なレジスト・パターンを示したものである。図に示すように、レジスト１０の層は、基板Ｗの第１の領域１１を覆っている。基板Ｗの第２の領域１２では、基板Ｗはレジストの層で覆われていない。図に示すように、レジスト１０の層は、基板Ｗ上の第１の領域１１と第２の領域１２の間の境界１３で終端している。
【００７６】
図５ｂは、図５ａに示すレジスト・パターンを生成するために使用することができる基板Ｗの両端間の放射線量Ｄをプロット１４したものである。図に示すように、基板Ｗの第１の領域１１の放射線量は、必要な閾値１５を超えている。基板Ｗの第２の領域１２では、受け取る放射線量は閾値１５未満である。レジスト１０が基板Ｗ上に残留する領域の間の境界１３は、放射線量のプロットと閾値線量１５が交差するポイント１６に対応している。
【００７７】
一実施例では、図５ｂに示す必要な放射線量プロファイルを生成するために、基板に露光される放射ビームの強度が変調される。放射は、例えば上で考察した個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１０４若しくは２０４を使用して変調される。個々に制御可能なエレメントの各々を使用して、基板の対応する部分に投射される放射の強度が制御される。
【００７８】
図５ｃは、図５ｂに示す線量プロファイルを提供するために、複数の個々に制御可能な複数のエレメント２１及び２２が生成するべく設定される放射強度を示したものである。図に示すように、基板Ｗの第１の領域１１に向けて導かれる放射を制御している個々に制御可能な複数のエレメント２１は、比較的大きい放射強度ＲＩを有するように設定されている。基板の第２の領域１２と結合している個々に制御可能な複数のエレメント２２は、比較的小さい放射強度ＲＩを提供するように設定されている。このような設定により、図５ｂに示す線量プロファイル１４が生成される。図５ｂに示すロール・オフは、回折効果によってもたらし得ることは理解されよう。
【００７９】
一実施例では、基板の隣接する部分の露光放射強度を設定するために使用される個々に制御可能な複数のエレメント自体を隣接させることができ、且つ、同時に露光することができる。他の実施例では、上で説明したように、リソグラフィ装置はピクセル格子画像化技法を使用することができる。ピクセル格子画像化技法を使用する場合、基板上で隣接している、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する領域は、異なる時間に露光することができる。同様に、基板上の隣接領域の放射強度を制御するために使用される個々に制御可能な複数のエレメントは、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ上の全く別の位置に配置することができる。
【００８０】
さらに他の実施例では、ただ１つの個々に制御可能なエレメントによって制御される放射を使用して、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数の隣接するポイントを露光することができる。隣接する複数のポイントは、例えば連続露光で露光することができる。また、基板上の所与のポイントが受け取る放射線量は、複数回に渡る露光の組合せによるものであることを認識されたい。例えば、１回若しくは複数回に渡るこれらの露光の強度を制御することにより、受け取る放射線量の制御に影響を及ぼすことができる。
【００８１】
図６ａ、６ｂ及び６ｃは、本発明の一実施例による、基板に形成されるパターン・フィーチャの境界位置を調整する場合の様々な態様を示したもので、基板Ｗ上のフィーチャの境界位置を制御する方法が示されている。実線は、レジスト・フィーチャ１０が第１の位置２５にその境界を有することになる第１の状況を示している。破線は、レジスト・フィーチャの境界が第２の位置２６に位置する第２の状況を示している。図に示すように、第１の境界位置２５と第２の境界位置２６の間の分離ｄ１は、単一の個々に制御可能なエレメントによって放射の強度が制御される基板上の領域のサイズｄ２より小さい（例えば基板に露光されるスポットのピッチより小さい）。したがって、この実施例では、基板に露光される複数のスポットのアレイと同じピッチを有する格子上にパターンを単純に画定する場合に可能な精度より高い精度でレジスト１０のフィーチャの境界位置を制御することができる。
【００８２】
図６ｃに示すように、一実施例では、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイント２６の第１のグループは、比較的大きい放射強度に設定されている。単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイント２７の第２のグループは、比較的小さい放射強度に設定されている。複数のポイント２６の第１のグループと複数のポイント２７の第２のグループの間に存在している、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応するポイント２８は、中間の放射強度に設定されている。放射強度を図６ｃに示すように設定することにより、図６ｂに示すように、線量プロファイル３０の放射が基板に露光される。図に示すように、放射線量プロファイル３０は、ポイント３１でレジスト閾値１５と交差し、フィーチャ境界位置２５を画定している。
【００８３】
図６ｃに示すもう１つの実施例では、第１の状況と比較すると、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイント２８の強度設定が小さくなっている。同様に、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される隣接する露光に対応する基板上の隣接するポイントの強度設定も、第１の状況における放射強度ＲＩより小さい放射強度ＲＩに設定されている。したがって、図６ｂに示す放射線量プロファイル３２が生成されている。図６ｂに示すように、第１の状況の放射線量プロファイル３０と比較すると、放射線量プロファイルとレジスト閾値１５が交差するポイント３３が若干シフトしている。したがってレジスト１０のフィーチャの境界２６も同じく若干シフトしており、そのためにフィーチャ境界の移動ｄ１が比較的小さくなっている。
【００８４】
図７ａ及び７ｂは、本発明の一実施例による、基板上のフィーチャの位置を調整する場合の様々な態様を示したものである。図７ａには、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイント４０のレイアウトが示されている。また、図７ａには、生成することが望ましいフィーチャに対応する陰の領域４１が示されている。図に示すように、フィーチャの境界と、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイント４０の境界は整列していない。図７ｂには、図７ａに示す複数のポイントの１つの列４５の単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントに必要な放射強度設定が示されている。図７ｂの実線は、図７ａに示す陰の領域に位置しているフィーチャ４１の放射強度設定を表している。図に示すように、フィーチャの境界４２及び４３では、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントは、中間強度レベルに設定されている。
【００８５】
一実施例では、図６ａ、６ｂ及び６ｃに関連して上で説明したように、フィーチャの境界の位置を移動させることができる。図７ａ及び７ｂに示す実施例の場合、フィーチャの両方の境界を調整することによってフィーチャ全体の位置を調整することができる。図７ａの破線は、必要なフィーチャ４１の修正位置を表している。図７ｂに示すように、この位置シフトを達成するために必要なことは、フィーチャの境界部分に位置している単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの放射強度設定を調整することだけである。図７ｂの破線は、調整後の強度設定を表しており、境界４２’及び４３’を有するよう、フィーチャ４１が横方向に移動している。
【００８６】
図８ａ及び８ｂは、本発明の一実施例による、基板に形成されるフィーチャのサイズを調整する場合の様々な態様を示したものである。図８ａ及び８ｂは、図７ａ及び７ｂと同様の図であり、基板に形成されるフィーチャ４１のサイズを調整する方法が示されている。これは、基板に露光される画像の倍率の調整に対応している。この実施例では、フィーチャ４１の境界４６及び４７に位置している単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの強度設定が調整されている。この実施例では、フィーチャ４１の境界４６及び４７の強度設定を大きくすることによって新しい境界４６’及び４７’を得ている。
【００８７】
一実施例では、境界の位置を中心フィーチャ自体に向かって移動させるために（例えば上で考察した実施例の場合、大きい放射強度の領域に向かって移動させるために）、フィーチャの境界に沿って位置している、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの強度設定を小さくしている。他の実施例では、フィーチャの境界の位置をフィーチャ自体から遠ざかる方向に移動させるために（例えば上で考察した実施例の場合、比較的小さい放射強度の領域に向かって移動させるために）、フィーチャの境界に位置している、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの放射強度設定を大きくしている。フィーチャの境界の位置を調整することにより、フィーチャ全体の位置を調整することができ、且つ／又はフィーチャのサイズ、例えば画像の倍率を調整することができる。
【００８８】
一実施例では、基板に生成される画像の位置及び倍率のすべての調整が電子的に実行される。例えば、形成すべきパターンを記述したパターン・データを個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを制御する制御信号に変換するデータ経路内で調整が実行される。これは、コストのかかる機械コンポーネント或いは光−機械コンポーネントが実質的に不要であり、装置のコストが低減されることを意味している。また、装置の較正及び必要な装置の保全に対する要求事項が軽減される。また、この実施例の場合、電子的に調整することができるため、画像の位置及び倍率の両方を画像視野の様々な位置で個別に調整することができる。さらには、パターンの個々のフィーチャ若しくは個々のフィーチャの一部の位置及び／又は倍率を全く個別に調整することも可能である。したがって、例えば投影システムによって基板に投影される放射のパターンに導入される可能性のあるひずみを補償することができるため、この個別調整は有利である。したがって、基板上のパターンのオーバレイ精度を基板上の個々の領域毎に個別に改善することが可能になる。また、パターン・フィーチャの位置調整を伴うことなくそれらの倍率を局部的に調整することも可能である。したがってフィーチャの臨界寸法のサイズを基板上の個々の領域毎に個別に調整することが可能になる。したがって、形成されるデバイスの臨界寸法一様性（一般に「ＣＤＵ」と呼ばれている）を改善することができる。
【００８９】
図９は、本発明の一実施例による、リソグラフィ装置のための制御システムを示したものである。公称放射強度コントローラ５１は、基板に生成すべき、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応するパターンを表すパターン・データ５０から、基板上の個々のポイントに生成すべき必要な公称を決定している。基板に生成すべきパターンの位置及び／又は倍率の必要な調整を表すデータ５２は、パターンのフィーチャの各々若しくはフィーチャの一部に必要な調整と、その調整に伴うフィーチャ境界の必要な調整を決定する境界アナライザ５３によって解析される。一実施例では、データ５２は、リソグラフィ装置の固有の不正確性に対応するデータ（例えば投影システムの倍率誤差若しくは他のひずみを補償するためのデータ）、基板テーブルのアライメント誤差に対応するデータ、基板の変形を表すデータ、及び／又は基板に既に形成済みのフィーチャと基板のアライメントを表すデータを含むことができる。他の実施例では、データ５２は、大域データ、例えば基板若しくは露光視野のすべての領域に適用されるデータを含むことができ、且つ／又は局部データ即ち所与の領域に特化されたデータを含むことができる。パターン調整コントローラ５４は、引き続いて、境界アナライザ５３によって決定されたフィーチャの境界位置を調整するべく、公称放射強度コントローラ５１によって決定された強度設定を調整している。このパターン調整コントローラは、強度を設定するための他の調整を実行することも可能であり、例えばピクセル格子画像化を使用している場合、スポットとスポットの間の変化を補償することができる。
【００９０】
フィーチャ境界の位置に所望の調整を施すための、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの強度設定の調整は、次の式によって決定することができる。
ｐ１’＝ｐ１＋０．５＊ｄ２＊（ｐ０＋ｐ２−２＊ｐ１）＋０．５＊ｄ＊（ｐ２−ｐ０）
上式で、それぞれ、
ｐ１は、設定されている、変調ビームの個々に制御可能なエレメントと結合している部分の公称強度
ｐ１’は、フィーチャの境界位置の調整を含めるために設定する必要のある、変調ビームの個々に制御可能なエレメントと結合している部分の強度
ｄは、変調ビームの隣接する個々に制御可能な複数のエレメントと結合している部分の分離に比例するフィーチャ境界の局部シフトのサイズ
ｐ０は、境界フィーチャのシフト方向に設定される、個々に制御可能なエレメントに隣接する個々に制御可能なエレメントと結合している変調ビームの公称強度
ｐ２は、フィーチャ境界のシフト方向とは逆の方向に設定される、個々に制御可能なエレメントに隣接する個々に制御可能なエレメントと結合している変調ビームの公称強度
である。
【００９１】
この式が単なる例示的なものにすぎないこと、また、本発明はこの式の使用に限定されないことは理解されよう。例えば、任意の形式の二次補間或いは重みつき平均を使用して、フィーチャの境界位置の調整に必要な強度設定の変化を決定することができる。
【００９２】
他の実施例では、双一次補間などの単純な形式の補間を使用することができる。このような補間技法はその実行がより単純であるが、誤差が生じることがある。しかしながら、制御システムが、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを使用してパターンを生成することができる解像度より高い解像度でパターンの修正を計算する一実施例では、この誤差は何ら重大な制限ではない。例えば、制御システムは、基板上の複数の仮想ポイントに所望のパターンを生成するために必要な放射強度レベルを決定することができる。優れた解像度を提供するために、パターンの所与の領域の仮想ポイントの数が、パターンのその領域を生成するために使用される個々に制御可能な複数のエレメントの数より多くなっている。複数の仮想ポイントの放射強度レベルが決定されると、パターン・コントローラは、放射ビームのその部分に対応する複数の仮想ポイントに必要な放射強度レベルに基づいて、放射ビームの個々に制御可能なエレメントに対応する個々の部分の放射強度レベルを決定する。例えば、放射ビームの個々に制御可能なエレメントに対応する部分に必要な放射強度レベルは、放射ビームのその部分に対応する複数の仮想ポイントに対して決定された放射強度レベルの平均であっても良い。
【００９３】
一実施例では、印刷すべきパターンの修正、例えばパターンの一部の倍率及び／又は位置の変更などの修正は、パターンが複数の仮想ポイントによって画定されている間に実施される。したがって、必要な放射強度レベルが個々に制御可能なエレメント毎に決定されると、単純な補間技法を使用することによって導入される可能性のある微小な誤差が平均化される。通常、複数の仮想ポイントの解像度が高くなるほど、生成されるパターンの精度がさらに改善される。一実施例では、制御システムは、個々に制御可能な複数のエレメントの解像度の約２倍の仮想ポイント解像度を有している。したがって、２×２のアレイの４つの仮想ポイントを使用して、放射ビームの個々に制御可能なエレメントの各々に対応する部分に必要な放射強度が決定される。
【００９４】
フィーチャの境界位置の調整に必要な修正強度設定を決定するための計算は、例えば１つ又は複数のルックアップ・テーブルによって実行することができる。
【００９５】
上で説明したように、パターン・フィーチャの境界は、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの縁と必ずしも整列していなくても良い（例えば図７ａ及び８ａ参照）。
【００９６】
図１０ａないし１０ｌは、本発明の一実施例による制御システムの特性を示したものである。図１０ａないし１０ｌには、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上の単一ポイントに重畳させることができるパターン・フィーチャ部分の例が示されている。これらは、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される基板上の露光と同じサイズのパターン部分である。以下、これらをパターン特性と呼ぶ。
【００９７】
パターン・フィーチャの境界の位置は、単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上の複数のポイントの縁に必ずしも整列させる必要はないが、基板に生成することができるパターンは、フィーチャの最小サイズ、例えば対向する境界と境界の間の距離を所与のサイズ未満にすることはできない点で制限されている。このサイズは、一般に臨界寸法即ちＣＤと呼ばれている。実際には、この臨界寸法は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイントのサイズより大きくすることができる。したがって、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイントのサイズのパターンの一部は、フィーチャの対向する２つの境界を含んでいなくても良い。実施例では、フィーチャ境界の許容可能な配向及び個々の配向に対する領域内のフィーチャ境界の可能位置の数が制限されている場合、領域内のフィーチャ境界の可能配置の数、例えば必要なパターン特性の数が比較的少なくなる。
【００９８】
図１０ａないし１０ｆは、パターン特性の様々な実施例を示したものである。図に示すように、図１０ａでは、垂直（ページに対して）の境界が存在しており、図の左側にパターン・フィーチャが位置している。図１０ｂは、対応するパターン特性を示したもので、図の右側にパターン・フィーチャが位置している。図１０ｃ及び１０ｄは、対応する相補パターン特性を示したもので、ページに対して水平にパターン境界が配置されている。図１０ｅは、２つのパターン・フィーチャの境界と境界の間のコーナが、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する領域のコーナに位置するパターン特性を示したものである。パターン特性は、パターン特性の４つのコーナのうちの任意のコーナに配置されるパターン・フィーチャのコーナのために存在させることも可能であることは理解されよう。図１０ｆは、図１０ｅに示すパターン特性の逆特性、つまりパターン特性の１つのコーナのみがパターン・フィーチャの一部ではないパターン特性を示したものである。この場合も、このようなパターン特性は、パターン特性の４つのすべてのコーナのための対応する配置と共に存在させることができることは理解されよう。
【００９９】
図１０ａないし１０ｆに示すパターン特性は、すべて、パターン・フィーチャの境界が垂直若しくは水平（ページに対して）の場合に使用することができるパターン特性を示したものである。システムが例えば４５°の境界を有するパターン・フィーチャを取り扱う必要がある場合は、追加パターン特性が必要になる場合がある。使用することができるパターン特性の数が多いほど制御システムのコストが増加するが、パターン設計者に提供される自由が増え、且つ／又はパターン表現の精度が向上する。
【０１００】
また、図１０ａないし１０ｆに示すパターン特性とは別に、所望する精度でパターンを画定するために必要な数のステップで図１０ａないし１０ｆに示すパターン境界が水平方向及び／又は垂直方向（ページに対して）に移動するパターン特性に対応するパターン特性が存在している。
【０１０１】
図１０ｇないし１０ｌは、例えば、図１０ａないし１０ｆに示すパターン特性の相補パターン特性を示したもので、パターン境界がページに対して水平方向にシフトしている。パターン境界が特定の方向へシフトしてもパターン特性が変化しないことは明らかであろう。例えばパターン・フィーチャの境界に対して平行に移動させても、パターン特性を追加する必要はない。したがって、いずれの場合もパターン・フィーチャの境界とその移動方向が平行であるため、図１０ｃは図１０ｉと同じパターン特性を示し、また、図１０ｄは図１０ｊと同じパターン特性を示している。
【０１０２】
パターン特性の各々は、単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイントに必要な特定の強度設定と結合することができる。したがって、生成されるパターンをパターン特性によって画定することができるリソグラフィ装置の制御システムは、露光すべき基板上のポイント毎に、露光すべきパターンの関連部分に対応するパターン特性を決定することができる。次に、対応する個々に制御可能なエレメントを設定し、そのパターン特性に対応する強度レベルを提供することができる。これは、ルックアップ・テーブルによって実行することができる。
【０１０３】
フィーチャの境界位置を調整するために、このようなパターン特性を使用しているリソグラフィ装置の制御システムは、最初に、上で決定された公称パターン特性に基づいて、フィーチャ境界のシフト及びフィーチャ境界に必要なシフトのサイズを考慮することなく、露光すべきポイント毎に新しいパターン特性を決定することができる。例えば、図１０ａに示すパターン特性は、フィーチャ境界の所与の横方向のシフトによって図１０ｇに示すパターン特性になる。この移動は、境界フィーチャの可能シフトの各々に対するパターン特性毎のルックアップ・テーブルによって達成することができる。制御システムは、次に、修正パターン特性に基づいて、個々に制御可能なエレメントに必要な強度設定を調査する。例えばフィーチャ境界が水平方向に移動することによってパターン特性がパターン・フィーチャのコーナを含むことになるため、新しいパターン特性を決定するためには、重要なパターン特性だけではなく、隣接するパターン特性を考慮する必要があることは理解されよう。
【０１０４】
上で説明した制御システムの代替として、制御システムは、非修正パターンに基づいて、露光すべきポイント毎に公称パターン特性を単純に決定することができ、また、パターン・フィーチャ境界の可能な必要シフトの各々に対するパターン特性毎に必要な強度設定を提供するルックアップ・テーブルを使用することができる。この代替によれば、ルックアップ・テーブルは複雑になるが、パターン・フィーチャ境界のシフトに基づいて修正パターン特性を決定する必要が排除される。
【０１０５】
結論
以上、本発明の様々な実施例について説明したが、以上の説明は単なる実施例を示したものにすぎず、本発明を何ら限定するものではないことを理解されたい。本発明の精神及び範囲を逸脱することなく、本発明の形態及び細部に様々な変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。したがって、本発明の見解及び範囲は、上で説明した例示的実施例によっては一切限定されず、唯一、特許請求の範囲の各請求項及びそれらの均等物によってのみ定義されるものとする。
【０１０６】
特許請求の範囲の解釈に際しては、「発明の開示」及び「書類名」要約書の節ではなく、「実施例」の節を使用するべく意図されていることを理解されたい。「発明の開示」及び「書類名」要約書の節には、１人又は複数の発明者が意図している本発明の１つ又は複数の例示的実施例が示されているが、すべての例示的実施例が示されているわけではない。したがって「発明の開示」及び「書類名」要約書の節には、本発明及び特許請求の範囲を限定することは一切意図されていない。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による、例えばフラット・パネル・ディスプレイの製造に使用することができるリソグラフィ装置を示す図である。
【図３】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置を使用して基板にパターンを転送するモードを示す図である。
【図４】本発明の一実施例による、例えばフラット・パネル・ディスプレイの製造に使用される基板にパターンを露光するための光学エンジンの配置を示す図である。
【図５ａ】本発明の一実施例による、基板にパターン・フィーチャを形成する場合の一態様を示す図である。
【図５ｂ】本発明の一実施例による、基板にパターン・フィーチャを形成する場合の他の態様を示す図である。
【図５ｃ】本発明の一実施例による、基板にパターン・フィーチャを形成する場合の他の態様を示す図である。
【図６ａ】本発明の一実施例による、基板に形成されるパターン・フィーチャの境界位置を調整する場合の一態様を示す図である。
【図６ｂ】本発明の一実施例による、基板に形成されるパターン・フィーチャの境界位置を調整する場合の他の態様を示す図である。
【図６ｃ】本発明の一実施例による、基板に形成されるパターン・フィーチャの境界位置を調整する場合の他の態様を示す図である。
【図７ａ】本発明の一実施例による、基板上のフィーチャの位置を調整する場合の一態様を示す図である。
【図７ｂ】本発明の一実施例による、基板上のフィーチャの位置を調整する場合の他の態様を示す図である。
【図８ａ】本発明の一実施例による、基板に形成されるフィーチャのサイズを調整する場合の一態様を示す図である。
【図８ｂ】本発明の一実施例による、基板に形成されるフィーチャのサイズを調整する場合の他の態様を示す図である。
【図９】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置のための制御システムを示す図である。
【図１０ａ】本発明の一実施例による制御システムの特性を示す図である。
【図１０ｂ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｃ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｄ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｅ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｆ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｇ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｈ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｉ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｊ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｋ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【図１０ｌ】本発明の一実施例による制御システムの他の特性を示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０  レジスト（レジスト・フィーチャ）
１１  基板の第１の領域
１２  基板の第２の領域
１３  基板上の第１の領域と第２の領域の間の境界
１４  基板の両端間の放射線量（線量プロファイル）
１５  必要な放射線量の閾値
１６  放射線量のプロットと閾値線量が交差するポイント
２１、２２  個々に制御可能な複数のエレメント
２５  レジスト・フィーチャの第１の境界位置
２６  レジスト・フィーチャの第２の境界位置
２６、２７、４０  単一の個々に制御可能な複数のエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイント
２８  単一の個々に制御可能なエレメントによって制御される露光に対応する基板上のポイント
３０、３２  放射線量プロファイル
３１、３３  放射線量プロファイルとレジスト閾値が交差するポイント
４１  生成することが望ましいフィーチャに対応する領域（基板に形成されるフィーチャ）
４２、４２’、４３、４３’、４６、４６’、４７、４７’  フィーチャの境界
４５  ポイントの列
５０  パターン・データ
５１  公称放射強度コントローラ
５２  基板に生成すべきパターンの位置及び／又は倍率の必要な調整を表すデータ
５３  境界アナライザ
５４  パターン調整コントローラ
１００  リソグラフィ投影装置
１０２  放射システム（パルス放射システム）
１０４、２０４  個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ（個々に制御可能な複数のエレメント、パターン化デバイス、コントラスト・デバイス）
１０６  対物テーブル（基板テーブル）
１０８、２０８  投影システム（レンズ）
１１０、２２２  放射のビーム
１１２、２１２  放射源
１１４、２１４、３１４、Ｗ  基板
１１６  位置決めデバイス
１１８  誘導デバイス
１２０  基板の目標部分
１２２、２１０  ビーム（放射ビーム、変調放射ビーム）
１２４、２２４  イルミネータ（照明システム）
１２８  ビームの強度分布の外部及び／又は内部ラジアル・エクステントを設定するための調整デバイス
１３０  インテグレータ（スポット発生器）
１３２  コンデンサ
１３４  干渉測定デバイス
１３６  ベース・プレート
１３８  干渉ビーム
１４０  ビーム・スプリッタ
２００  リソグラフィ装置
２２６  条件付けデバイス
２５０、２５２、２５６、２６０  レンズ
２５４  開口絞り
２５８  複数のレンズのアレイ（ＭＬＡ）
２６２  放射スポット
３６２  最後に基板に投影されたスポット
３６４  基板に既に露光済みのスポット
３６６  スポット露光の列
４１４  フラット・パネル・ディスプレイ基板
４６８  複数の放射スポットのアレイ
４７０、４７２  光学エンジンの列
Ｄ  放射線量
ｄ１  レジスト・フィーチャの第１の境界位置と第２の境界位置の間の分離
ＲＩ  放射強度
【図１】
0004813941.tif 000002
【図２】
0004813941.tif 000003
【図３】
0004813941.tif 000004
【図４】
0004813941.tif 000005
【図５ａ】
0004813941.tif 000006
【図５ｂ】
0004813941.tif 000007
【図５ｃ】
0004813941.tif 000008
【図６ａ】
0004813941.tif 000009
【図６ｂ】
0004813941.tif 000010
【図６ｃ】
0004813941.tif 000011
【図７ａ】
0004813941.tif 000012
【図７ｂ】
0004813941.tif 000013
【図８ａ】
0004813941.tif 000014
【図８ｂ】
0004813941.tif 000015
【図９】
0004813941.tif 000016
【図１０ａ】
0004813941.tif 000017
【図１０ｂ】
0004813941.tif 000018
【図１０ｃ】
0004813941.tif 000019
【図１０ｄ】
0004813941.tif 000020
【図１０ｅ】
0004813941.tif 000021
【図１０ｆ】
0004813941.tif 000022
【図１０ｇ】
0004813941.tif 000023
【図１０ｈ】
0004813941.tif 000024
【図１０ｉ】
0004813941.tif 000025
【図１０ｊ】
0004813941.tif 000026
【図１０ｋ】
0004813941.tif 000027
【図１０ｌ】
0004813941.tif 000028