(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウム及びジ−ｎ−ブチルスズジアセテートを含有する透明導電膜形成材料を用いて、化学的熱分解法により成膜した、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜の製造方法。
【請求項２】
スズ化合物が、質量比で、インジウム化合物１に対して０．００１〜０．５含有されていることを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項３】
化学的熱分解法が、パイロゾルプロセス法であることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項４】
トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウム及びジ−ｎ−ブチルスズジアセテートを含有し、化学的熱分解法により成膜した場合、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜を形成することができることを特徴とする透明導電膜形成材料。
【請求項５】
スズ化合物が、質量比で、インジウム化合物１に対して０．００１〜０．５含有されていることを特徴とする請求項４に記載の透明導電膜形成材料。
【請求項６】
化学的熱分解法が、パイロゾルプロセス法であることを特徴とする請求項４又は５に記載の透明導電膜形成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜、及び透明導電膜形成材料に関し、より詳細には、インジウム化合物を含有する透明導電膜形成材料を用いて、化学的熱分解法により成膜した、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜は、透明な導電性材料として有用であり、その優れた透明性と導電性を利用して、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱体、タッチパネル電極、太陽電池等に広く利用されている。
【０００３】
透明導電膜は、このように広い分野で利用されるものであるため、使用目的によって種々のシート抵抗値、比抵抗値及び透明度を有するものが要求される。例えば、フラットパネルディスプレイ用の透明導電膜の場合、低抵抗かつ高透過率の膜であることが要求される。
【０００４】
上記のような所望の抵抗値を有する透明導電膜を形成する方法としては、例えば、スズがドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）を形成する場合に、パイロゾルプロセス法を用いると膜中のスズとインジウムの元素比がほぼ一定で、均一に分散した透明導電膜を得ることができることが知られている（特許文献１〜３）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１８９１３号
【特許文献２】特開２００４−２２３８８号
【特許文献３】特開２００４−２６５５４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これまで開示されているパイロゾルプロセス法により得られたＩＴＯ膜は、スパッタ法により得られたＩＴＯ膜に比べて、膜中元素の均一性には優れるものの、比抵抗値が劣るため、より導電性に優れた透明導電膜を得るためには劣っていた。また、パイロゾルプロセス法により成膜する場合は、成膜に長時間を要していた。本発明の課題は、透明性、膜中元素の均一性、低比抵抗、及び成膜性に優れた透明導電膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、化学的熱分解法により得られる透明導電膜の低比抵抗化、及び成膜速度の改善を目指して検討した結果、従来透明導電膜を形成する際に用いていた透明導電膜形成材料中の主成分であるトリス（アセチルアセトナート）インジウムの代わりに、トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムを用いると、驚くべきことに、従来化学的熱分解法により得られていた透明導電膜とは結晶の配向性が異なる透明導電膜、すなわち、Ｘ線回折パターンにおいて、（４００）面ではなく、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜が得られることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち本発明は、
（１）インジウム化合物を含有する透明導電膜形成材料を用いて、化学的熱分解法により成膜した、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有することを特徴とする透明導電膜や、
（２）インジウム化合物が、式（Ｉ）
【０００９】
【化５】
0004683525.tif 000002
【００１０】
［式中、Ｒ1は、エチル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基を表し、Ｒ2は、炭素数１〜１０のアルキル基、又はフェニル基を表す。］で表されるインジウム化合物であることを特徴とする（１）記載の透明導電膜や、
（３）式（Ｉ）で表されるインジウム化合物が、トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムであることを特徴とする（２）記載の透明導電膜や、
（４）インジウム化合物を含有する透明導電膜形成材料が、さらにスズ化合物を含有する透明導電膜形成材料であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか記載の透明導電膜や、
（５）スズ化合物が、式（II）
【００１１】
【化６】
0004683525.tif 000003
【００１２】
［式中、Ｒ3は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ4は、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数１〜１０のアシル基を表す。］で表されるスズ化合物であることを特徴とする（４）記載の透明導電膜や、
（６）式（II）で表されるスズ化合物が、ジ−ｎ−ブチルスズジアセテートであることを特徴とする（５）記載の透明導電膜や、
（７）スズ化合物が、質量比で、インジウム化合物１に対して０．００１〜０．５含有されていることを特徴とする（４）〜（６）のいずれか記載の透明導電膜や、
（８）化学的熱分解法が、パイロゾルプロセス法であることを特徴とする（１）〜（７）いずれか記載の透明導電膜に関する。
【００１３】
また、本発明は、
（９）インジウム化合物を含有し、化学的熱分解法により成膜した場合、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜を形成することができることを特徴とする透明導電膜形成材料や、
（１０）インジウム化合物が、式（Ｉ）
【００１４】
【化７】
0004683525.tif 000004
【００１５】
［式中、Ｒ1は、エチル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基を表し、Ｒ2は、炭素数１〜１０のアルキル基、又はフェニル基を表す。］で表されるインジウム化合物を含有することを特徴とする（９）記載の透明導電膜形成材料や、
（１１）式（Ｉ）で表されるインジウム化合物が、トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムであることを特徴とする（１０）記載の透明導電膜形成材料や、
（１２）透明導電膜形成材料が、さらにスズ化合物を含有する透明導電膜形成材料であることを特徴とする（９）〜（１１）のいずれか記載の透明導電膜形成材料や、
（１３）スズ化合物が、式（II）
【００１６】
【化８】
0004683525.tif 000005
【００１７】
［式中、Ｒ3は、炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ4は、炭素数１〜１０のアルキル基、又は炭素数１〜１０のアシル基を表す。］で表されるスズ化合物であることを特徴とする（１２）記載の透明導電膜形成材料や、
（１４）式（II）で表されるスズ化合物が、ジ−ｎ−ブチルスズジアセテートであることを特徴とする（１３）記載の透明導電膜形成材料や、
（１５）スズ化合物が、質量比で、インジウム化合物１に対して０．００１〜０．５含有されていることを特徴とする（１２）〜（１４）のいずれか記載の透明導電膜形成材料や、
（１６）化学的熱分解法が、パイロゾルプロセス法であることを特徴とする（９）〜（１５）のいずれか記載の透明導電膜形成材料に関する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の化学的熱分解法により成膜した、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜は、従来化学的熱分解法により得られていた、Ｘ線回折パターンにおいて、（４００）面に主配向を有する透明導電膜と比較して、低比抵抗であり、かつ結晶性に非常に優れているので、高導電率化及び成膜時間を大幅に短縮することができる優れた透明導電膜である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の透明導電膜は、インジウム化合物を含有する透明導電膜形成材料を用いて、化学的熱分解法により成膜した透明導電膜であって、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜であれば特に制限されるものではなく、また、本発明の透明導電膜形成材料としては、インジウム化合物を含有し、化学的熱分解法により成膜した場合、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜を形成することができるものであればどのようなものでもよく、ここで、（２２２）面に主配向を有するとは、その他の配向、例えば（４００）、（２１１）、（４４０）等に配向を有してもよいが、θ／２θ法によるＸ線回折の一番強いピーク強度が（２２２）面にあることをいい、（２２２）／（４００）比が１．５以上であることが好ましい。
【００２０】
上記インジウム化合物としては、インジウムを分子内に有する化合物であれば特に制限されないが、熱分解して酸化インジウムとなるものが好ましく、前記式（Ｉ）で表されるインジウム化合物であることがより好ましい。前記式（Ｉ）中、Ｒ1は、エチル基、イソプロピル基、又はｔ−ブチル基を表し、Ｒ2は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１０のアルキル基；又はフェニル基を表す。前記式（Ｉ）で表されるインジウム化合物のうち、特にトリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム、又はトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムが好ましい。
【００２１】
また、本発明の透明導電膜は、インジウム化合物を主成分として含有する透明導電膜であるが、化学的熱分解法により成膜した、Ｘ線回折パターンにおいて、（２２２）面に主配向を有する透明導電膜であれば、インジウム化合物の他に第２成分として、スズ化合物を含有したＩＴＯ膜、亜鉛化合物を含有したＩＺＯ膜等であってもよい。これらの中でも、成膜した際の透明導電膜の比抵抗値が低くなり、導電率が高い透明導電膜が得られる観点からスズ化合物を含有したＩＴＯ膜が好ましい。従って、本発明の透明導電膜形成材料は、インジウム化合物の他にスズ化合物を含有する透明導電膜形成材料であることが好ましい。
【００２２】
スズ化合物としては、特に制限はないが、熱分解して酸化第２スズとなるものが好ましく、例えば、前記式（II）で表されるスズ化合物、塩化第２スズ、ジメチルスズジクロライド、ジブチルスズジクロライド、テトラブチルスズ、スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ7Ｈ15）2）、ジブチルスズマレエート、ジブチルスズビスアセチルアセトナート、ジブチルスズジアセテート等を例示することができる。これらのうち、前記式（II）で表されるスズ化合物であるのが好ましい。式（II）中、Ｒ3は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ4は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜１０のアルキル基；アセチル基、プロピオニル基等の炭素数１〜１０のアシル基を表す。前記式（II）で表されるスズ化合物のうち、特にジ−ｎ−ブチルスズジアセトナートであるのが好ましい。
【００２３】
また、透明導電膜形成材料中のインジウム化合物とスズ化合物の配合割合は、通常、スズ化合物が、質量比で、インジウム化合物１に対して０．００１〜０．５であり、好ましくは、０．０１〜０．４、より好ましくは、０．０２〜０．３の割合である。
【００２４】
また、インジウム化合物とスズ化合物とを含有する透明導電膜形成材料を用いる場合は、成膜した際の透明導電膜中のインジウムとスズが均一に拡散されているほうが、均一な導電性及び透明性を保有できる点で好ましい。このような透明導電膜を形成するためには、透明導電膜形成材料に含有されるインジウム化合物とスズ化合物の熱分解温度がより近い方が、両者が均一に拡散して均一な膜質を形成することができると考えられる。
【００２５】
また、透明導電膜形成材料において、スズ化合物を含有する場合は、さらに第３成分として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の周期律表第２族元素、Ｓｃ、Ｙ等の第３族元素、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ等のランタノイド、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の第４族元素、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等の第５族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の第６族元素、Ｍｎ等の第７族元素、Ｃｏ等の第９族元素、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ等の第１０族元素、Ｃｕ、Ａｇ等の第１１族元素、Ｚｎ、Ｃｄ等の第１２族元素、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ等の第１３族元素、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の第１４族元素、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等の第１５族元素、Ｓｅ、Ｔｅ等の第１６族元素等からなる単体若しくはこれらの化合物を含有することも好ましい。これらの元素の添加割合は、インジウムに対して、０．０５〜２０原子％程度が好ましく、添加元素によって添加割合は異なり、目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選定することができる。
【００２６】
上記透明導電膜形成材料は、必要に応じて有機溶媒に溶解させた透明導電膜形成液として用いることもできる。かかる有機溶媒としては、アセチルアセトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオン、ジピバロイルメタン等のケトン系溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、メチルセルソルブ、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類などを挙げることができる。
【００２７】
これらの有機溶媒の種類及び添加量は、透明導電膜のシート抵抗値の設定値等に依存し、透明導電膜の種類、透明導電膜の膜厚、用いる有機溶媒の種類、加熱温度、加熱時間等により適宜定めることができる。例えば、他の条件を同一にして、より熱分解しやすい有機溶媒を多量に添加することにより、シート抵抗値をより低くすることができる。以上のようにして、用いる有機溶媒の種類、添加量及び加熱温度を適宜選択・設定することにより、所望のシート抵抗値を有する透明導電膜を得ることができる。
【００２８】
上記化学的熱分解法としては、透明導電膜形成材料に含有されるインジウム化合物等を、熱により分解させて基体又は中間膜上に堆積させる方法や、透明導電膜形成材料をコーティングした後、インジウム化合物等を熱により分解させて基体又は中間膜上に固定する方法を挙げることができ、例えば、スプレー法、ディップコーティング法、スピンコート法、ＬＢ法、ゾル−ゲル法、液相エピタキシー法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、パイロゾルプロセス法（超音波霧化による常圧ＣＶＤ法）、ＳＰＤ法、Ｃａｔ−ＣＶＤ法等のＣＶＤ法（chemical vapor deposition）等が挙げられ、これらの中でもパイロゾルプロセス法を用いることが特に好ましい。パイロゾルプロセス法を用いることにより、より均一な膜質を有する透明導電膜を製造することができる。
【００２９】
本発明の透明導電膜は、通常、基体上に成膜するが、このような基体としては、シート状（基板）、ハニカム状、ファイバー状、ビーズ状、発泡状やそれらが集積したもの等であってもよく、透明導電膜形成材料の成分が熱分解を起こす温度で耐熱性を有するものであれば特に制限されるものではないが、例えば、ガラス基板、セラミックス基板、金属基板等を挙げることができる。これらのうち、本発明の透明導電膜を成膜する基体は、ガラス基板を用いるのが好ましい。ガラス基板としては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等を挙げることができる。
【００３０】
また、本発明の透明導電膜を基体上に成膜する際に、基体上に中間膜を設けて、中間膜上に本発明の透明導電膜を成膜してもよい。このような中間膜は、一層の膜であってもよく、二層以上の膜であってもよい。かかる中間膜としては、例えば、酸化シリコン膜、有機ポリシラン化合物から形成されるポリシラン膜、ＭｇＦ2膜、ＣａＦ2膜、ＳｉＯ2とＴｉＯ2の複合酸化物膜等を挙げることができる。これらの中間膜は、例えば、基板としてソーダーガラスを用いる場合のＮａイオンの拡散防止の為に形成される。また、透明導電膜と異なる屈折率、好ましくは低屈折率の下地膜を形成することによって、反射防止或いは透明性を向上させることもできる。これらの膜は、一般に知られている成膜方法、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法、スプレー法、ディップ法等により形成することができ、膜厚としては、特に制限されるものではないが、通常２０〜２００ｎｍ程度である。
【００３１】
また、本発明の透明導電膜を成膜する際に、前記パイロゾルプロセス法を用いる場合には、インジウム化合物等を、有機溶媒に溶解させた透明導電膜形成液を超音波によるアトマイジング法を利用して、粒状の比較的そろった微小な小液滴からなるエアゾルにし、インジウム化合物等が、熱分解を起こして酸化インジウム等を形成し得る温度、例えば、３００〜８００℃の均一な温度に管理した加熱炉内の基体上に供給して、インジウム化合物等を、加熱炉内で気化させ気相状態から基体上で反応させて透明導電膜を形成する。
【００３２】
また、本発明の透明導電膜を還元的雰囲気下で処理することで、さらに低抵抗な透明導電膜を得ることができる。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの例示に限定されるものではない。
【００３４】
［実施例１］
トリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオネート）インジウム（インジウム化合物）をトルエン（有機溶媒）にモル濃度で０．１ｍｏｌ／Ｌになるように溶解して透明溶液を得た。この溶液にＳｎ／Ｉｎ＝１２質量％となるようにスズ化合物としてジ−ｎ−ブチルスズジアセテートを加えたＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。このＩＴＯ膜形成液を用いてパイロゾルプロセス法により、ＩＴＯ膜形成液の霧化により、ガラス基板上に５１５℃（成膜温度）で５分間成膜し、無色透明のＩＴＯ膜を有するＩＴＯ膜付ガラス基板（透明導電膜膜付基体）を得た。得られたＩＴＯ膜について、日本電子社製（ＪＤＸ−８０２０、Ｘ−ＲＡＹ  ＤＩＦＦＲＡＣＴＯＭＥＴＥＲ）を用いて、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。測定条件として、ターゲット：Ｃｕ、管電圧：４０ｋＶ、管電流：２０ｍＡで、ステップ角度：０．０２０°、測定時間：０．２０ｓｅｃとした。結果を図１に示す。図１から明らかなように、（２２２）面の配向を示す３０°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は４５５、（４００）面の回折強度は検出されなかった。
【００３５】
［実施例２］
実施例１で成膜温度を４８０℃に代えた以外は、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。その後、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜について、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。結果を図２に示す。図２から明らかなように、（２２２）面の配向を示す３５°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は９０、（４００）面の回折強度は５８、（２２２）／（４００）面の回折強度比は１．５５であった。
【００３６】
［実施例３］
実施例１でインジウム化合物としてトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムに代えた以外は、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。その後、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜について、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。結果を図３に示す。図３から明らかなように、（２２２）面の配向を示す３５°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は１５１、（４００）面の回折強度は３１、（２２２）／（４００）面の回折強度比は４．８７であった。
【００３７】
［実施例４］
実施例２でインジウム化合物としてトリス（ジピバロイルメタナート）インジウムに代えた以外は、実施例２と同様にしてＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。その後、実施例２と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜について、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。結果を図４に示す。図４から明らかなように、（２２２）面の配向を示す３５°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は１４３、（４００）面の回折強度は３１、（２２２）／（４００）面の回折強度比は４．６１であった。
【００３８】
［比較例１］
実施例１でインジウム化合物としてトリス（アセチルアセトナート）インジウムに、有機溶媒としてアセチルアセトンに代えた以外は、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。その後、実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜について、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。結果を図５に示す。図５から明らかなように、（４００）面の配向を示す３５°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は３８、（４００）面の回折強度は８４、（２２２）／（４００）面の回折強度比は０．４５であった。
【００３９】
［比較例２］
比較例１で成膜温度を４８０℃に代えた以外は、比較例１と同様にしてＩＴＯ膜形成液（透明導電膜形成液）を調製した。その後、比較例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し、得られたＩＴＯ膜について、θ／２θ法によりＸ線回折測定を行った。結果を図６に示す。図６から明らかなように、（４００）面の配向を示す３５°付近に強いピークが観測された。また、得られた（２２２）面の回折強度は検出されず、（４００）面の回折強度は３８であった。
【００４０】
［試験例１］
実施例１〜４及び比較例１、２に係るＩＴＯ膜付ガラス基板の比抵抗値をロレスタ（三菱化学社製）を用いて測定し、シート抵抗値を算出した。なお、シート抵抗値は、比抵抗／導電膜の膜厚で求められる値である。その結果を表１に示す。表１から明らかなように、成膜時間が同じ場合に、本発明の実施例１〜４の透明導電膜は、比較例１、２の透明導電膜よりもシート抵抗値及び抵抗値が低い透明導電膜であり、かつ膜厚も厚く成膜できることから成膜性に優れた透明導電膜である。
【００４１】
【表１】
0004683525.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施例１のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図２】実施例２のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図３】実施例３のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図４】実施例４のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図５】比較例１のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図６】比較例２のＩＴＯ膜について、θ／２θ法によるＸ線回折測定の結果を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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