(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を保持するホットプレートの複数の領域に内蔵された複数のヒータのそれぞれにより互いに異なるエネルギー分布にて前記半導体基板に補助的な加熱を伴う処理を行った後に前記半導体基板に対してフラッシュランプからの光照射による加熱を行う際に、前記複数のヒータから出力されるエネルギー量を決定する基板加熱時の出力の決定方法であって、
ａ）  前記複数のヒータから基準となる複数のエネルギー量をそれぞれ出力して半導体基板に補助的な加熱を伴う処理を行った後、前記半導体基板に対して前記フラッシュランプからの光照射による加熱を行う工程と、
ｂ）  １以上のヒータから出力されるエネルギー量を基準となるエネルギー量から変更しつつ、前記複数のヒータの数と等しい数の複数の半導体基板のそれぞれに補助的な加熱を伴う処理を行った後、前記複数の半導体基板のそれぞれに対して前記フラッシュランプからの光照射による加熱を行う工程と、
ｃ）  前記ａ）工程において処理された前記半導体基板上の前記複数のヒータの数以上の個数の複数の計測点においてシート抵抗を計測して前記シート抵抗の基準ベクトルを取得し、さらに、前記ｂ）工程において処理された複数の半導体基板上の前記複数の計測点において前記シート抵抗を計測する工程と、
ｄ）  前記ｂ）工程において処理された各半導体基板の各計測点の前記シート抵抗が、各ヒータおける基準となるエネルギー量からの変更に対して独立かつ線形に変化すると仮定し、前記各ヒータについて、出力されるエネルギー量の基準となるエネルギー量からの変更量に対する前記複数の計測点における前記シート抵抗の変化量の割合を示す係数ベクトルを求める工程と、
ｅ）  半導体基板上の前記複数の計測点における前記シート抵抗を示す物理量ベクトルを、前記係数ベクトルと対応するヒータから出力されるエネルギー量の変更量との積を全てのヒータについて求めて加算し、さらに、前記基準ベクトルを加えたものとして表し、前記物理量ベクトルの要素のばらつきを示す評価関数を用いて前記ばらつきが最小となるときの前記複数のヒータのそれぞれから出力されるエネルギー量を決定する工程と、
を備えることを特徴とする基板加熱時の出力の決定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、
前記ｅ）工程において、前記基準ベクトルおよび前記係数ベクトルのそれぞれが、要素の平均が０となるように修正されることを特徴とする基板加熱時の出力の決定方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、
前記評価関数が、前記物理量ベクトルのノルムであることを特徴とする基板加熱時の出力の決定方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、
前記ｅ）工程において、最小二乗法により前記複数のヒータのそれぞれのエネルギー量が決定されることを特徴とする基板加熱時の出力の決定方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、
前記複数の領域が、
前記半導体基板と対向する領域の中央部と、
前記中央部の周囲の略円環状の領域を分割した複数の周辺部と、
を備えることを特徴とする基板加熱時の出力の決定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を加熱する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板や表示装置用のガラス基板等（以下、単に「基板」という。）の製造の様々な段階において基板に対する加熱を伴う処理（以下、「熱処理」という。）が行われており、熱処理方法の１つとして急速加熱工程（Rapid Thermal Process、以下、「ＲＴＰ」という。）が利用されている。ＲＴＰでは、処理室内の基板をハロゲンランプ等で加熱して短時間で所定の温度まで昇温することにより、酸化膜等の絶縁膜の薄膜化、イオン注入法により添加した不純物の活性化工程における不純物の再拡散抑制等、従来の電気炉による長時間の熱処理では困難であった処理を実現することができる。
【０００３】
このような熱処理を行う熱処理装置では、基板に対する処理の均一性を向上するために、熱処理時の基板の温度分布を均一化する技術が提案されている。例えば、特許文献１では、複数のヒータにより基板を加熱する際に、基準ヒータの温度を基準にして他のヒータの温度を制御することにより、基板の温度分布を常に均一にする技術が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２では、複数の部分に分割された熱板により基板を加熱する際に、熱板の各部分の温度を個別に制御して熱板全体の温度を均一にして基板を均一に加熱することにより加熱時の基板の変形を抑制する技術が開示されている。さらには、熱板の各部分を実験等により予め求めた温度まで個別に加熱することにより基板を均等に加熱し、これにより加熱時の基板の変形を抑制する技術も開示されている。
【特許文献１】特許第３３５４９９６号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、処理室内において基板に熱処理を行うこれらの熱処理装置では、チャンバ内に供給される処理ガスの流れ等の影響により、基板を均一に加熱しても熱処理の質が不均一になってしまうことがある。
【０００６】
また、近年、基板の加熱源としてフラッシュランプを用いてさらに短時間で基板を加熱する技術が提案されており、このようなフラッシュランプを用いる熱処理装置では、ホットプレート等により基板を補助的に加熱した後にフラッシュランプからの閃光により更なる加熱が行われるが、フラッシュランプから照射される光エネルギーの分布の不均一性も、処理ガスの流れの影響と共に熱処理の質の均一性向上を困難にする一因となっている。
【０００７】
しかしながら、フラッシュランプからの光は極めて短時間だけ基板に照射されるため、フラッシュランプから照射される光エネルギーの分布を制御することは極めて困難である。そこで、補助的な加熱を行うホットプレートの複数の領域の温度を個別に制御してホットプレートの温度分布に意図的な不均一性を持たせることにより、処理ガスの流れやフラッシュランプからの光エネルギーの分布の不均一性を緩和し、熱処理の質の均一性の向上を実現することが考えられる。
【０００８】
ところで、熱処理の質の均一性の向上を実現するホットプレートの温度分布は、フラッシュランプから照射される光エネルギーの分布や熱処理される基板の種類といった条件により異なり、これらの条件が変更された場合には、ホットプレートの複数の領域の温度を調整する必要がある。このような調整は作業者による試行錯誤により行われることが多く、多大な作業時間が必要となる。また、作業者の熟練度によって調整結果の精度が異なることもあり、安定した調整結果を得ることが困難である。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板加熱時に複数の熱源からそれぞれ出力されるエネルギー量を短時間で精度良く、かつ、容易に決定することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、半導体基板を保持するホットプレートの複数の領域に内蔵された複数のヒータのそれぞれにより互いに異なるエネルギー分布にて前記半導体基板に補助的な加熱を伴う処理を行った後に前記半導体基板に対してフラッシュランプからの光照射による加熱を行う際に、前記複数のヒータから出力されるエネルギー量を決定する基板加熱時の出力の決定方法であって、ａ）  前記複数のヒータから基準となる複数のエネルギー量をそれぞれ出力して半導体基板に補助的な加熱を伴う処理を行った後、前記半導体基板に対して前記フラッシュランプからの光照射による加熱を行う工程と、ｂ）  １以上のヒータから出力されるエネルギー量を基準となるエネルギー量から変更しつつ、前記複数のヒータの数と等しい数の複数の半導体基板のそれぞれに補助的な加熱を伴う処理を行った後、前記複数の半導体基板のそれぞれに対して前記フラッシュランプからの光照射による加熱を行う工程と、ｃ）  前記ａ）工程において処理された前記半導体基板上の前記複数のヒータの数以上の個数の複数の計測点においてシート抵抗を計測して前記シート抵抗の基準ベクトルを取得し、さらに、前記ｂ）工程において処理された複数の半導体基板上の前記複数の計測点において前記シート抵抗を計測する工程と、ｄ）  前記ｂ）工程において処理された各半導体基板の各計測点の前記シート抵抗が、各ヒータおける基準となるエネルギー量からの変更に対して独立かつ線形に変化すると仮定し、前記各ヒータについて、出力されるエネルギー量の基準となるエネルギー量からの変更量に対する前記複数の計測点における前記シート抵抗の変化量の割合を示す係数ベクトルを求める工程と、ｅ）  半導体基板上の前記複数の計測点における前記シート抵抗を示す物理量ベクトルを、前記係数ベクトルと対応するヒータから出力されるエネルギー量の変更量との積を全てのヒータについて求めて加算し、さらに、前記基準ベクトルを加えたものとして表し、前記物理量ベクトルの要素のばらつきを示す評価関数を用いて前記ばらつきが最小となるときの前記複数のヒータのそれぞれから出力されるエネルギー量を決定する工程とを備える。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、前記ｅ）工程において、前記基準ベクトルおよび前記係数ベクトルのそれぞれが、要素の平均が０となるように修正される。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、前記評価関数が、前記物理量ベクトルのノルムである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、前記ｅ）工程において、最小二乗法により前記複数のヒータのそれぞれのエネルギー量が決定される。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板加熱時の出力の決定方法であって、前記複数の領域が、前記半導体基板と対向する領域の中央部と、前記中央部の周囲の略円環状の領域を分割した複数の周辺部とを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、加熱を伴う処理を行った後の基板のシート抵抗の分布の均一性が向上するように、複数の熱源のそれぞれから出力されるエネルギー量を短時間で精度良く、かつ、容易に決定することができる。その結果、ホットプレートを補助的に用いつつフラッシュランプにより行われる加熱を伴う処理において基板に対する熱処理の質を均一化することができる。また、請求項２の発明では、演算が簡素化される。
【００２０】
請求項５の発明では、熱処理の質の均一性をより効率的に向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の一の実施の形態に係る熱処理装置１の構成を示す図である。熱処理装置１は半導体基板９（以下、「基板９」という。）に光を照射して加熱を伴う処理である熱処理を行う装置である。
【００２３】
熱処理装置１は、略円筒状の内壁を有するチャンバ側部６３、および、チャンバ側部６３の下部を覆うチャンバ底部６２を備え、これらにより基板９を熱処理する空間（以下、「チャンバ」という。）６５を形成するとともに上部に開口（以下、「上部開口」という。）６０が形成されたチャンバ本体６が構成される。
【００２４】
また、熱処理装置１は、上部開口６０に装着されて上部開口６０を閉塞する閉塞部材である透光板６１、チャンバ本体６の内部において基板９を保持しつつ補助的に加熱する略円板状の保持部７、保持部７をチャンバ本体６の底面であるチャンバ底部６２に対して昇降する保持部昇降機構４、保持部７に保持される基板９に透光板６１を介して光を照射することにより基板９を加熱する光照射部５、および、これらの構成を制御して熱処理を行う制御部３を備える。
【００２５】
透光板６１は、例えば、石英等により形成され、光照射部５からの光を透過してチャンバ６５に導くチャンバ窓として機能する。チャンバ底部６２およびチャンバ側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバ側部６３の内側面の上部のリング６３１は、光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。
【００２６】
チャンバ底部６２には、保持部７を貫通して基板９をその下面（光照射部５からの光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバ本体６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。
【００２７】
チャンバ側部６３は、基板９の搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ６６３により開閉可能とされる。チャンバ側部６３の搬送開口部６６とは反対側の部位にはチャンバ６５に処理ガス（例えば、窒素（Ｎ２）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素（Ｏ２）ガス等）を導入する導入路８１が形成され、片方の端は弁８２を介して図示省略の給気機構に接続され、もう一方の端はチャンバ側部６３の内部に形成されるガス導入チャンネル８３に接続される。また、搬送開口部６６にはチャンバ内の気体を排出する排出路８６が形成され、弁８７を介して図示省略の排気機構に接続される。
【００２８】
図２は、チャンバ本体６をガス導入チャンネル８３の位置でＺ方向に垂直な面で切断した断面図である。図２に示すように、ガス導入チャンネル８３は、図１に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバ側部６３の全周の約１／３に亘って形成されており、導入路８１を介してガス導入チャンネル８３に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔８４からチャンバ６５内へと供給される。
【００２９】
図１に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される。）、固定板４４、ボールねじ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバ本体６の下部であるチャンバ底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の開口（以下、「下部開口」という。）６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、開口６４に挿入され、保持部７（のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。
【００３０】
移動板４２にはボールねじ４５が挿入されたナット４６が固定されており、移動板４２は、チャンバ底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。
【００３１】
モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールねじ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールねじ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って移動する。この結果、シャフト４１が図１中のＺ方向に移動し、シャフト４１に接続された保持部７が、基板９の熱処理時にチャンバ本体６の内部にて滑らかに昇降する。
【００３２】
移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールねじ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇したとしても、メカストッパ４５１の上端がボールねじ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７は透光板６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７と透光板６１との衝突が防止される。
【００３３】
また、保持部昇降機構４は、チャンバ本体６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールねじ４５を回転して保持部７の昇降が行われる。
【００３４】
チャンバ底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバ底部６２の下面に接続される。ベローズ４７のもう一方の端にはベローズ下端板４７１が取り付けられ、ベローズ下端板４７１はシャフト４１に取り付けられる鍔状部材４１１にねじ止めされてチャンバ６５を気密状態に保つ。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバ底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７は収縮され、下降する際にはベローズ４７が伸張される。
【００３５】
保持部７は、基板９を補助加熱（いわゆる、アシスト加熱）するホットプレート７１、および、ホットプレート７１の上面（保持部７が基板９を保持する側の面）に設置されるサセプタ７２を有し、保持部７（ホットプレート７１）の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。サセプタ７２は石英（窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等であってもよい。）により形成され、上面には基板９の位置ずれを防止するピン７５が設けられる。サセプタ７２は、下面をホットプレート７１の上面に面接触させてホットプレート７１上に載置されることにより、ホットプレート７１からの熱エネルギーを拡散するとともに、メンテナンス時にはホットプレート７１から取り外して洗浄可能とされる。
【００３６】
図３は、保持部７およびシャフト４１を示す断面図である。ホットプレート７１は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４を有し、上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。
【００３７】
図４は、ホットプレート７１を示す平面図である。図４に示すように、ホットプレート７１は、保持される基板９と対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１１，７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿入される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１の外周上に１２０°毎に設けられる。
【００３８】
ゾーン７１１〜７１６にはそれぞれ独立する抵抗加熱線７６が周回するように配設されてヒータが形成されており、各ゾーンに内蔵されたこれら複数のヒータにより各ゾーンが個別に加熱され、基板９の各ゾーンに対向する異なる箇所がそれぞれ、主に各ゾーンに内蔵されたヒータにより加熱される。すなわち、基板９は複数のヒータのそれぞれにより、互いに異なるエネルギー分布にて加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられ、センサ７１０は略円筒状のシャフト４１（図３参照）の内部を通り制御部３に接続される。
【００３９】
ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測されるゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め決定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ（Proportional，Integral，Differential）制御により行われる。ホットプレート７１では、基板９の熱処理（複数の基板９を連続的に処理する場合は、全ての基板９の熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。
【００４０】
ゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通り電力供給源（図示省略）に接続され、電力供給源から各ゾーンまでの間、電力供給源からの２本の抵抗加熱線７６は、図５の断面図に示すように、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体７６２を充填したステンレスチューブ７６３の内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト４１の内部は大気開放されている。
【００４１】
図１に示す光照射部５は、複数（本実施の形態においては３０本）のキセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」という。）５１、リフレクタ５２および光拡散板５３を有する。複数のフラッシュランプ５１は、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向（図１中のＹ方向）が保持部７に保持される基板９の主面に沿って互いに平行となるように平面状に配列されている。リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプ５１の上方にそれら全体を覆うように設けられ、その表面はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。また、光拡散板５３は、表面に光拡散加工を施した石英ガラスにより形成され、透光板６１との間に所定の間隙を設けて光照射部５の下面に設置される。熱処理装置１では、メンテナンス時に光照射部５をチャンバ本体６に対して相対的に上昇させて（＋Ｘ）方向へと移動する照射部移動機構５５がさらに設けられる。
【００４２】
熱処理装置１では、基板９の熱処理時にフラッシュランプ５１およびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバ本体６および光照射部５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造（図示省略）を備えている。例えば、チャンバ本体６のチャンバ側部６３およびチャンバ底部６２には水冷管が設けられており、光照射部５は内部に気体を供給する供給管とサイレンサ付きの排気管が設けられて空冷構造とされている。また、透光板６１と光照射部５（の光拡散板５３）との間隙には圧縮空気が供給され、光照射部５および透光板６１を冷却するとともに、間隙に存在する有機物等を排除して熱処理時における光拡散板５３および透光板６１への付着を抑制する。
【００４３】
図６は、基板９を熱処理する際の熱処理装置１の動作の流れを示す図である。本実施の形態では、基板９はイオン注入法により不純物が添加された半導体基板であり、熱処理装置１による熱処理により添加された不純物の活性化が行われる。以下、図６および他の図を適宜参照しながら基板９を熱処理する工程について説明し、その後、基板９の熱処理工程におけるホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６の温度の決定方法について説明する。
【００４４】
熱処理装置１により基板９が熱処理される際には、まず、保持部７が図１に示すようにチャンバ底部６２に近接した位置に配置される。以下、図１における保持部７のチャンバ６５内における位置を「受渡位置」という。保持部７が受渡位置にあるとき、支持ピン７０の先端は、保持部７を貫通して保持部７の上方に位置する。次に、弁８２および８７が開かれてチャンバ６５内に常温の窒素ガスが導入される（ステップＳ１１）。続いて、搬送開口部６６が開放され、制御部３により制御される搬送ロボット（図示省略）により搬送開口部６６を介して基板９がチャンバ６５内に搬入され（ステップＳ１２）、複数の支持ピン７０上に載置される。
【００４５】
図７は、図２に示すチャンバ本体６を抽象的に示す図である。基板９の搬入時におけるチャンバ６５への窒素ガスのパージ量は約４０リットル／分とされ、供給された窒素ガスはチャンバ６５内において図７中に示す矢印８５の方向へと流れ、図１に示す排出路８６および弁８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバ６５に供給された窒素ガスの一部は、ベローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバ６５には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスのパージ量は基板９の処理工程に合わせて様々に変更される。
【００４６】
基板９がチャンバ６５内に搬入されると、図１に示すゲートバルブ６６３により搬送開口部６６が閉鎖され（ステップＳ１３）、保持部昇降機構４により保持部７がチャンバ６５の上下方向（図１中のＺ方向）の中央部近傍の位置（以下、「中間位置」という。）まで上昇する（ステップＳ１４）。このとき、基板９は支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２に保持される。ホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６は、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に配設された抵抗加熱線７６により、熱処理後の基板９のシート抵抗（基板９に注入されたイオンの活性化の度合い、すなわち、熱処理の程度を示す物理量の１つ）の均一性が向上するように、後述する方法により各ゾーンに対して予め決定されている所定の温度まで加熱されており、基板９は保持部７と接触することにより補助加熱され（ステップＳ１５）、基板９の温度が次第に上昇する。
【００４７】
中間位置において約１秒間の補助加熱が行われた後、図８に示すように保持部７が透光板６１に近接した位置（以下、「処理位置」という。）まで保持部昇降機構４により上昇し（ステップＳ１６）、この位置でさらに約６０秒間の補助加熱が行われ、基板９の温度（平均温度）が設定された補助加熱温度まで上昇する（ステップＳ１７）。補助加熱温度は、基板９に添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし６００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。また、保持部７と透光板６１との間の距離は、保持部昇降機構４のモータ４０の回転量を制御することにより任意に調整することが可能とされている。
【００４８】
その後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御により光照射部５から基板９へ向けてフラッシュ光が照射される（ステップＳ１８）。このとき、光照射部５のフラッシュランプ５１から放射される光の一部は光拡散板５３および透光板６１を透過して直接チャンバ６５内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてから光拡散板５３および透光板６１を透過してチャンバ６５内へと向かい、これらの光の照射により基板９の加熱（以下、補助加熱と区別するため、基板９の表面温度を処理温度まで上昇させる加熱を「主加熱」という。）が行われる。主加熱が光の照射により行われることによって、基板９の表面温度を短時間で昇降することができる。
【００４９】
光照射部５、すなわち、フラッシュランプ５１から照射される光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光であり、フラッシュランプ５１からの光により主加熱される基板９の表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度まで上昇し、基板９に添加された不純物が活性化された後、急速に下降する。このように、熱処理装置１では、基板９の表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、基板９に添加された不純物の熱による拡散（この拡散現象を、基板９中の不純物のプロファイルがなまる、ともいう。）を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。
【００５０】
また、主加熱の前に保持部７により基板９を補助加熱しておくことにより、フラッシュランプ５１からの光の照射によって基板９の表面温度を処理温度まで速やかに上昇させることができる。
【００５１】
主加熱が終了し、処理位置における約１０秒間の待機の後、保持部７が保持部昇降機構４により再び図１に示す受渡位置まで下降し（ステップＳ１９）、基板９が保持部７から支持ピン７０へと渡される。続いて、ゲートバルブ６６３により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され（ステップＳ２０）、支持ピン７０上に載置された基板９は搬送ロボットにより搬出され（ステップＳ２１）、熱処理装置１による基板９に対する一連の熱処理動作が完了する。
【００５２】
既述のように、熱処理装置１による基板９の熱処理時には窒素ガスがチャンバ６５に継続的に供給されており、そのパージ量は、保持部７が処理位置に位置するとき（すなわち、中間位置での約１秒間の補助加熱後に処理位置に移動してから、光の照射後の約１０秒間の待機が終了するまでの間）には３０リットル／分とされ、保持部７が処理位置以外の位置に位置するときには４０リットル／分とされる。
【００５３】
熱処理装置１では、新たな基板９に対して同じ内容の熱処理を行う場合には、基板９をチャンバ６５内に搬入して光の照射を行った後に基板９をチャンバ６５内から搬出する動作（ステップＳ１２〜Ｓ２１）が繰り返される。また、新たな基板９に対して異なる熱処理を行う場合には、新たな熱処理に合わせて各種設定（窒素ガスのパージ量等）を行う間、保持部７は処理位置まで上昇して待機する。このように、透光板６１の温度を熱処理が継続的に行われているときとほぼ同じ温度に維持することにより、新たな熱処理時においても基板９に対する熱処理の質（基板９の処理品質）を維持することができる。
【００５４】
図９は、熱処理装置１による基板９の熱処理において、ホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータを用いて基板９に補助加熱を行う（図６：ステップＳ１５，Ｓ１７）際のゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度（すなわち、各ゾーンに内蔵されるヒータから出力される熱エネルギーにより決定される温度）を決定する動作の流れを示す図である。以下に説明する各ゾーンに設定されるべき目標温度の決定は、熱処理後の基板９のシート抵抗の均一性を向上するように、熱処理装置１による製品用の多数の基板に対する熱処理に先立って行われる。
【００５５】
ゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度を決定する際には、まず、制御部３により各ゾーンが基準となる温度（以下、「基準温度」という。）まで加熱される。このとき、各ゾーンの基準温度は互いに等しくされる。続いて、図６のステップＳ１２〜Ｓ１８において説明した動作と同様の動作により、基板９がチャンバ６５内に搬入され、熱処理（ホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータによる基準温度への補助加熱、および、その後のフラッシュランプ５１からの光照射による主加熱）が行われる（ステップＳ３１）。熱処理が終了すると、図６のステップＳ１９〜Ｓ２１に示す動作により、基板（以下、「基準処理基板」という。）がチャンバ６５から搬出される（ステップＳ３２）。
【００５６】
次に、基準温度と異なる温度（例えば、基準温度より１０℃高い温度であり、基準温度からの変化量を、以下、「オフセット値」という。）が、ゾーン７１１の設定温度として図１に示す入力部３１から作業者により制御部３に入力され、ゾーン７１１の温度が基準温度から設定温度に変更（オフセット）される。この状態で、目標温度の決定に利用される他の基板９が、チャンバ６５内に搬入され、ゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより補助加熱された後に光が照射されることにより熱処理が行われる（ステップＳ３３）。続いて、熱処理された基板（以下、「オフセット処理基板」という。）がチャンバ６５から搬出され、オフセットされたゾーン７１１の温度が制御部３により基準温度に戻される（ステップＳ３４）。
【００５７】
熱処理装置１では、ゾーン７１２〜７１６についても、それぞれ、ゾーンの温度をオフセットして新たな基板をチャンバ６５内に搬入し、補助加熱した後に光を照射することにより熱処理を行い、オフセット処理基板をチャンバ６５から搬出してオフセットしたゾーンの温度を基準温度に戻す動作（ステップＳ３３，３４）が行われる。最終的に、ホットプレート７１のゾーンの数と等しい６つの基板に対して熱処理が行われる（ステップＳ３５）。
【００５８】
次に、基準処理基板およびオフセット処理基板のそれぞれについて、基板上の複数（ゾーンの数以上の数であって、本実施の形態では１４９箇所とする。）の計測点において、所定の計測装置のプローブを基板の上面（光が照射された面）に接触あるいは刺してシート抵抗が計測される（ステップＳ３６）。各計測点は、基準処理基板およびオフセット処理基板上の所定の位置に設けられており、各計測点において計測されたシート抵抗は、計測装置に取り付けられたメモリに記憶される。
【００５９】
各基板の各計測点におけるシート抵抗の計測値をｘｉｊ（添字ｉ（０〜６）は各基板を表し、「０」は基準処理基板を、また、「１〜６」はそれぞれ、ゾーン７１１〜７１６の温度をオフセットして熱処理が行われた６つのオフセット処理基板を表す。添字ｊ（１〜１４９）は各計測点を表す。）とすると、基準処理基板およびオフセット処理基板のシート抵抗の計測値の分布ベクトルｙｉ（ｉ：０〜６）は数１のように表される。
【００６０】
【数１】
0004623705.tif 000002
【００６１】
計測装置では、基準処理基板のシート抵抗の分布を示すベクトル（シート抵抗を要素として有するベクトルであり、以下、「基準分布ベクトル」という。）ｙ０、および、各オフセット処理基板のシート抵抗の分布を示すベクトル（以下、単に「分布ベクトル」という。）ｙｉ（ｉ：１〜６）が取得され、メモリに記憶される。続いて、操作者により計測装置のメモリ（例えば、メモリカード）から分布ベクトルｙ０，ｙｉ（ｉ：１〜６）が制御部３へと転送され、これらの分布ベクトルが制御部３内の演算部により処理される。なお、制御部３による演算処理は、別途準備されたコンピュータにより行われてもよい。
【００６２】
制御部３の演算部では、まず、オフセット処理基板の分布ベクトルｙｉと基準分布ベクトルｙ０との差が演算部２３により算出されて、それぞれ分布変化ベクトルΔｙｉ（ｉ：１〜６）として所定の記憶部に記憶される。また、記憶部では、ゾーン７１１〜７１６の温度のオフセット値（オフセットさせたゾーンの温度の基準温度からの変更量）が、それぞれΔｐｉ（ｉ：１〜６）として予め記憶されている。
【００６３】
次に、各オフセット処理基板の分布ベクトルｙｉが、ゾーン７１１〜７１６の温度のオフセット値Δｐｉに対して独立かつ線形に変化する（すなわち、１つのゾーンの温度のみをオフセットさせた場合、各計測点におけるシート抵抗ｘｉｊがオフセット値Δｐｉに比例して変化し、また、２以上のゾーンの温度を１度にオフセットさせた場合、各計測点におけるシート抵抗ｘｉｊの基準処理基板のシート抵抗ｘ０ｊからの変化が、それぞれのゾーンの温度を個別にオフセットした場合の変化の合計になる）と仮定して、各ゾーンについて、オフセット値Δｐｉに対する各計測点におけるシート抵抗の変化量（分布変化ベクトルΔｙｉ）の割合を示す係数ベクトルｚｉ（ｉ：１〜６）が数２に示す演算によりに求められる（ステップＳ３７）。
【００６４】
【数２】
0004623705.tif 000003
【００６５】
次に、制御部３の演算部では、係数ベクトルｚｉおよび基準分布ベクトルｙ０を用いてゾーン７１１〜７１６の温度を決定する演算が行われるが、ここで、各ゾーンの温度を決定する演算の原理について説明する。
【００６６】
ゾーン７１１〜７１６の温度をそれぞれ未知数であるオフセット値θｉ（ｉ：１〜６）だけオフセットした状態で基板９に対して熱処理を行った場合、基板９上の複数の計測点におけるシート抵抗の分布ベクトルｙは、基準分布ベクトルｙ０に各オフセット値θｉの影響を加算したもの、すなわち、係数ベクトルｚｉとオフセット値θｉとの積をゾーン７１１〜７１６について求めて加算し、さらに、基準分布ベクトルｙ０を加えたものとして数３のように表される。
【００６７】
【数３】
0004623705.tif 000004
【００６８】
さらに、ゾーン７１１〜７１６の温度のオフセット値θ１〜θ６を要素とするオフセット値ベクトルθ、および、係数ベクトルｚ１〜ｚ６を配列した係数行列Ｚをそれぞれ、数４および数５のように表すと、数３に示す分布ベクトルｙは数６にて表すことができ、未知のオフセット値ベクトルθが決定されると、基板９のシート抵抗の分布ベクトルｙも決定されることとなる。
【００６９】
【数４】
0004623705.tif 000005
【００７０】
【数５】
0004623705.tif 000006
【００７１】
【数６】
0004623705.tif 000007
【００７２】
ここで、以降の演算を簡素化するために、次の処理を行う。まず、基準分布ベクトルｙ０の各要素（シート抵抗）ｘ０ｊ（ｊ：１〜１４９）から、全要素（ｘ０１〜ｘ０１４９）の平均値をそれぞれ引いたベクトルが、新たな基準分布ベクトルｙｎ０とされる。全ての要素がｙ０の全要素の平均値であるベクトルをｙ０ａｖｅとして、基準分布ベクトルｙｎ０は数７のように表され、各要素の平均は０となる。
【００７３】
【数７】
0004623705.tif 000008
【００７４】
係数ベクトルｚｉについても各要素（各計測点における係数）から、ｚｉの全要素の平均値をそれぞれ引いた値を要素とするベクトルが、新たな係数ベクトルｚｎｉとされる。１４９個の要素が全てｚｉの全要素の平均値であるベクトルをｚｉａｖｅとして、係数ベクトルｚｎｉは数８のように表される。このとき、係数ベクトルｚｎｉの各要素の平均は０となる。また、係数ベクトルｚｎ１〜ｚｎ６を配列した係数行列Ｚｎは数９にて表される。
【００７５】
【数８】
0004623705.tif 000009
【００７６】
【数９】
0004623705.tif 000010
【００７７】
さらに、分布ベクトルｙの各要素（シート抵抗）から、ｙの全要素の平均値をそれぞれ引いた値を要素とするベクトルを新たな分布ベクトルｙｎとすると、ｙｎは数３に準じつつ数６〜数９を用いて数１０のように表される。
【００７８】
【数１０】
0004623705.tif 000011
【００７９】
前述のように、基準分布ベクトルｙｎ０および係数ベクトルｚｎｉの各要素の合計はそれぞれ０であるため、分布ベクトルｙｎの各要素（シート抵抗）の平均も、未知のオフセット値ベクトルθの各要素θ１〜θ６の値に関わらず、０となる。
【００８０】
次に、基板９の分布ベクトルｙの要素（すなわち、シート抵抗）のばらつき（ここでは、分布ベクトルｙの分散を指すものとする。）を示す評価関数Ｊを、分布ベクトルｙｎを示す数１０を用いて数１１のように表すと、この評価関数Ｊが最小となるときのオフセット値ベクトルθを最小二乗法により求めてゾーン７１１〜７１６の温度を決定することにより、基板９のシート抵抗の均一性を最大とすることができる。
【００８１】
【数１１】
0004623705.tif 000012
【００８２】
ここで、評価関数Ｊが最小値をとるためには、∂Ｊ／∂θ＝０であることが必要であるため、数１１から数１２を導いて、さらにθについて整理することにより、オフセット値ベクトルθが数１３から求られることとなる。
【００８３】
【数１２】
0004623705.tif 000013
【００８４】
【数１３】
0004623705.tif 000014
【００８５】
以上の原理に基づいて、制御部３の演算部では、計測により取得された基準分布ベクトルｙ０および係数ベクトルｚｉから新たな基準分布ベクトルｙｎ０および係数ベクトルｚｎｉ（すなわち、係数行列Ｚｎ）が求められ、これらが数１３に代入されることにより、評価関数Ｊを最小とするオフセット値ベクトルθが算出される（ステップＳ３８）。以下、評価関数Ｊを最小とするオフセット値ベクトルθの各要素である、ゾーン７１１〜７１６の温度のオフセット値を「目標オフセット値」という。
【００８６】
制御部３では、ホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６のそれぞれの目標温度が、基準温度からそれぞれの目標オフセット値だけ変更された温度として決定される。熱処理装置１では、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が目標温度に変更された後に量産用の基板９がチャンバ６５内に順次搬入され、ゾーン７１１〜７１６により補助加熱された後に光が照射されて熱処理が行われる。
【００８７】
なお、目標温度の決定後に多数の基板９に対する連続的な熱処理が行われる前に、新たな目標温度が適正であるか確認するために１つまたは複数の基板９に対して熱処理が行われ、シート抵抗が計測されてもよい。ここで、計測結果から算出される評価関数Ｊの値が、各ゾーンの温度のオフセット値を数１１に代入した理論値と大きく異なる（誤差の許容範囲外である）場合には、現在の各ゾーンの目標温度を基準温度として、再度、図９に示すステップＳ３１〜Ｓ３８が繰り返されて、現在の基準温度に対する新たなオフセット値ベクトルθが算出される。これにより、目標温度がさらに修正され、より適正な目標温度を設定することが可能となる。
【００８８】
以上に説明したように、ホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６の温度の決定に際しては、熱処理装置１により基準処理基板およびオフセット処理基板に対して熱処理が行われた後に、シート抵抗が計測されてゾーン７１１〜７１６の目標オフセット値が算出され、目標温度が決定される。
【００８９】
このように、上記決定方法では、ホットプレート７１のゾーン数より１つだけ多い基板に対する熱処理とシート抵抗計測を行うだけでよく、また、分布変化ベクトルΔｙｉ（各計測点におけるシート抵抗の変化量）がオフセット値Δｐｉ（各ゾーンにおける温度の基準温度からの変更量）に対して独立かつ線形の関係を有すると仮定して、基板９のシート抵抗の分布の均一性が向上するように、制御部３の演算部によりゾーン７１１〜７１６の目標オフセット値が自動的に算出されるため、ゾーン７１１〜７１６の目標オフセット値（すなわち、目標温度）を短時間で精度良く、かつ、容易に決定することができる。
【００９０】
そして、求められた目標温度を用いて（必要に応じて）基板９が不均一に補助加熱されることにより、基板９の表面温度を極短時間で昇降するフラッシュランプ５１を用いた熱処理装置１において、調整が困難なフラッシュランプ５１からの光の照射エネルギーの分布の不均一性、チャンバ６５内における処理ガスの流れの影響の不均一性等を緩和し、基板９のシート抵抗の分布（すなわち、基板９に対する熱処理の質）の均一性を容易に向上することができる。
【００９１】
また、基板９に対する熱処理の質の評価に用いられる物理量の１つであるシート抵抗のばらつきである分散を示す評価関数Ｊを用いることにより、基板９に対する熱処理の質の均一性を直接的に評価しつつ目標温度を決定することができる。さらに、基準分布ベクトルｙ０および係数ベクトルｚｉのそれぞれの要素の平均値が０となるよう修正した基準分布ベクトルｙｎ０および係数ベクトルｚｎｉを用いて評価関数Ｊを表すことにより、演算が簡素化される。
【００９２】
熱処理装置１では、円板状のホットプレート７１が、中央部の同心円状のゾーン７１１，７１２の周囲に略円弧状の４つのゾーン７１３〜７１６を備えるため、ホットプレート７１の半径方向（すなわち、円板の中心から離れる方向）における温度分布のみならず、円周方向（すなわち、円板の外周に沿う方向）における温度分布も調整することができる。このため、チャンバ６５内の処理ガスの流れの影響によりガス供給孔８４側や搬送開口部６６側等において基板９のシート抵抗が高くなることを抑制し、基板９に対する熱処理の質の均一性をより効率的に向上することができる。
【００９３】
図１０は、本発明に関連する技術に係る熱処理装置１ａの構成を示す図である。熱処理装置１ａは、チャンバ６５内に保持された基板９に対して、複数のハロゲンランプ７１ａから光を照射することにより、基板９に熱処理を行う装置であり、熱処理装置１ａでは、例えば、上記実施の形態と同様に、イオン注入法により基板９に添加された不純物の活性化が行われる。
【００９４】
熱処理装置１ａでは、基板９の異なる箇所を中心として加熱する、すなわち、互いに異なるエネルギー分布にて基板９を加熱する複数の熱源であるハロゲンランプ７１ａのそれぞれから出力されるエネルギー量、すなわち、各ハロゲンランプ７１ａから照射される光エネルギーの量が、上記実施の形態にて説明した決定方法（図９参照）により決定される。まず、各ハロゲンランプ７１ａから照射される光エネルギーの量（実際には、各ハロゲンランプ７１ａに供給される電力）が基準出力となるよう制御されて基準処理基板が取得され、各ハロゲンランプ７１ａの出力を順次オフセットしつつハロゲンランプ７１ａの数と等しい数のオフセット処理基板が取得される（ステップＳ３１〜Ｓ３５）。
【００９５】
次に、基準処理基板および各オフセット処理基板上の複数の計測点においてシート抵抗が計測され、各計測点のシート抵抗が各ハロゲンランプ７１ａの光エネルギーの基準出力からの変化（オフセット値）に対して独立かつ線形に変化すると仮定して、各ハロゲンランプ７１ａについて、オフセット値に対する各計測点におけるシート抵抗の変化量の割合を示す係数ベクトルが求められる。その後、シート抵抗の分布のばらつきが最小となるときの各ハロゲンランプ７１ａのオフセット値が最小二乗法により求められ、各ハロゲンランプ７１ａから照射される光エネルギーの量が決定される（ステップＳ３６〜Ｓ３８）。
【００９６】
このように、熱処理装置１ａにおいても、基板９のシート抵抗の分布の均一性が向上するように、各ハロゲンランプ７１ａから照射される光エネルギーの量を短時間で精度良く、かつ、容易に決定することができる。
【００９７】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００９８】
例えば、上記実施の形態に示す熱処理装置１では、基準処理基板を取得する際の熱処理においてホットプレート７１のゾーン７１１〜７１６の基準温度は互いに異なっていてもよい。
【００９９】
上記実施の形態では、図９のステップＳ３３〜Ｓ３５に示すように、ホットプレート７１の１つのゾーンの温度をオフセットして１つのオフセット処理基板を取得する熱処理が行われるが、１つのゾーンの温度をオフセットして複数の基板に熱処理が行われてもよく、この場合、例えば、複数のオフセット処理基板のシート抵抗の分布の平均値が分布ベクトルｙｉとして用いられる。すなわち、いずれか１つのゾーンをオフセットして行われる熱処理は、実質的にゾーン数と等しい回数だけ行われることにより、上記演算処理が可能とされる。また、同様に、基準温度にて処理された複数の基板の計測結果に基づいて基準分布ベクトルｙ０が求められてもよい。
【０１００】
さらには、１つのオフセット処理基板を取得する際に、複数のゾーンの温度がオフセットされてもよい。この場合であっても、複数のオフセット処理基板を取得する際のオフセット値を要素とする複数のベクトルを互いに１次独立とすることにより、分布変化ベクトルΔｙｉがオフセット値Δｐｉに対して独立かつ線形の関係を有すると仮定しつつ係数ベクトルｚｉを求めることができる。
【０１０１】
基板９のシート抵抗を評価する評価関数としては、適切かつ容易に求めることができるという点で分布ベクトルｙの各要素と全要素の平均値との差の二乗和や、あるいは、分布ベクトルｙのユークリッドノルムが用いられることが好ましいが、計測する物理量の種類や計測値の分布状態等に合わせて、例えば、１−ノルムや無限大ノルム等の上記以外の分布ベクトルｙのノルムが用いられてもよい。また、評価関数Ｊの値を最小とするオフセット値ベクトルθの算出方法は、最小二乗法には限定されず、例えば、最急降下法やニュートン法、共役勾配法等でもよい。
【０１０３】
図１１および図１２は、熱処理装置１におけるホットプレート７１の他の配置を示す平面図である。ホットプレート７１では、貫通孔７７が円周方向に１２０°毎に設けられているため、３つの支持ピン７０が３つの貫通孔７７に挿入できるように、ホットプレート７１を図４に示す状態から１／３回転だけ回動させ、図１１または図１２に示す状態でチャンバ６５内に配置することができる。この場合、ゾーン７１３〜７１６が円周方向に９０°毎に配置されているため、図１１および図１２に示すように、ゾーン７１３〜７１６のチャンバ６５に対する相対位置が図４に示す状態とは異なる配置となる。熱処理装置１では、ホットプレート７１を図４、図１１および図１２に示す配置として上記ヒータ出力を決定する処理が行われてもよく、これにより、熱処理の質の均一性をさらに向上することができる。
【０１０５】
熱処理装置では、基板９に対する不純物の活性化処理以外に、半導体基板に対して
、酸化、アニール、ＣＶＤ等の様々な加熱を伴う処理が行われてよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】一の実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す図である。
【図２】ガス路を示す断面図である。
【図３】保持部およびシャフトを示す断面図である。
【図４】ホットプレートを示す平面図である。
【図５】抵抗加熱線を示す断面図である。
【図６】処理時の熱処理装置の動作の流れを示す図である。
【図７】ガスの流れを示す図である。
【図８】熱処理装置の構成を示す図である。
【図９】各ゾーンの温度を決定する動作の流れを示す図である。
【図１０】関連技術に係る熱処理装置の構成を示す図である。
【図１１】ホットプレートを示す平面図である。
【図１２】ホットプレートを示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
９    基板
５１    フラッシュランプ
７１    ホットプレート
７１ａ    ハロゲンランプ
７１１〜７１６    ゾーン
Ｓ１１〜Ｓ２１，Ｓ３１〜Ｓ３９    ステップ
【図１】
0004623705.tif 000015
【図２】
0004623705.tif 000016
【図３】
0004623705.tif 000017
【図４】
0004623705.tif 000018
【図５】
0004623705.tif 000019
【図６】
0004623705.tif 000020
【図７】
0004623705.tif 000021
【図８】
0004623705.tif 000022
【図９】
0004623705.tif 000023
【図１０】
0004623705.tif 000024
【図１１】
0004623705.tif 000025
【図１２】
0004623705.tif 000026