(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機物が付着した被処理体を反応室に収容し、該反応室を所定の温度に加熱するとともに処理ガスを供給して、前記有機物を前記被処理体から除去する被処理体の処理方法であって、
前記処理ガスは酸化性ガスと還元性ガスとを含み、前記反応室の温度を３５０〜４００℃に加熱して、前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを活性化させ、活性化した酸化性ガス及び還元性ガスにより前記被処理体に付着した有機物を除去する、ことを特徴とする被処理体の処理方法。
【請求項２】
前記酸化性ガスはＮ２Ｏ、ＮＯよりなる群から選択される少なくとも１つのガスを含み、前記還元性ガスはＮＨ３、ＣＨ４よりなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の被処理体の処理方法。
【請求項３】
前記反応室には前記有機物が付着した被処理体が複数枚収容され、前記反応室内に前記処理ガスを供給することにより、前記複数枚の被処理体に付着した有機物を除去する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の被処理体の処理方法。
【請求項４】
所定の温度に設定可能な加熱部を有し、被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内に酸化性ガスと還元性ガスとを含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記加熱部を制御して前記反応室の温度を３５０〜４００℃に加熱して、前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを活性化させ、活性化した酸化性ガス及び還元性ガスにより前記被処理体に付着した有機物を除去する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする被処理体の処理装置。
【請求項５】
前記酸化性ガスはＮ２Ｏ、ＮＯよりなる群から選択される少なくとも１つのガスを含み、前記還元性ガスはＮＨ３、ＣＨ４よりなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、ことを特徴とする請求項４に記載の被処理体の処理装置。
【請求項６】
前記反応室は前記被処理体を複数枚収容可能な被処理体収容部を備え、
前記制御手段は前記処理ガスを前記被処理体収容部に供給させ、前記複数枚の被処理体に付着した有機物を除去する、ことを特徴とする請求項４または５に記載の被処理体の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体の処理方法及び処理装置に関する。詳しくは被処理体に付着した有機物を除去する被処理体の処理方法及び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の処理によって、被処理体、例えば半導体ウエハにポリシリコン膜、シリコン酸化膜等の薄膜を形成することが広く行われている。
【０００３】
このような薄膜を形成する工程は、半導体ウエハに汚染物質が付着するのを防止するために、一般にクリーンルーム内で行われている。しかし、クリーンルームであっても汚染物質を完全に除去するのは困難なため、微量の有機物（汚染物質）が含まれており、このような有機物が半導体ウエハに付着してしまう場合がある。このような有機物が付着した状態で半導体ウエハ上に薄膜を形成すると、半導体装置の特性が悪化し、歩留まりが悪くなるという問題が発生してしまう。このため、半導体ウエハ上に薄膜を形成する前には、半導体ウエハに付着した有機物を除去する半導体ウエハのクリーニングが行われている。
【０００４】
半導体ウエハのクリーニングは、例えば、図５に示すような処理装置を用いて行われる。まず、処理装置５１内の載置部５２上に半導体ウエハ５３を載置する。次に、載置部５２内に配設されたヒータ５４により処理装置５１内（半導体ウエハ５３）を所定の温度に加熱する。続いて、導入ポート５５から処理装置５１内に、処理ガス、例えば、オゾンガスを供給する。供給されたオゾンガスは、処理装置５１内（半導体ウエハ５３近傍）で活性化されて酸素原子ラジカル（Ｏ＊）を生成し、半導体ウエハ５３の表面に付着した有機物を分解する。そして、この分解された有機物を排気ポート５６を介して処理装置５１外に排出することにより、半導体ウエハ５３がクリーニングされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記クリーニング方法では、処理装置５１に供給するオゾンを発生させるために、処理装置５１に紫外線照射装置やプラズマ発生器等を配設しなければならず、処理装置５１の構造が複雑になってしまう。
【０００６】
また、オゾンガスを活性化して、酸素原子ラジカルを生成するためには、処理装置５１内（半導体ウエハ５３）を、例えば、６００℃のような高温に加熱しなければならない。
【０００７】
さらに、上記クリーニング方法では、半導体ウエハ５３を１枚ずつクリーニングしているので、多数の半導体ウエハ５３をクリーニングする場合には、クリーニングに要する時間が長くなってしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、簡易な装置を用いて被処理体に付着した有機物を除去することができる被処理体の処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明は、低温下で、被処理体に付着した有機物を除去することができる被処理体の処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
さらに、本発明は、短時間で複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することができる被処理体の処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点にかかる被処理体の処理方法は、有機物が付着した被処理体を反応室に収容し、該反応室を所定の温度に加熱するとともに処理ガスを供給して、前記有機物を前記被処理体から除去する被処理体の処理方法であって、前記処理ガスは酸化性ガスと還元性ガスとを含み、前記反応室の温度を３５０〜４００℃に加熱して、前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを活性化させ、活性化した酸化性ガス及び還元性ガスにより前記被処理体に付着した有機物を除去する、ことを特徴とする。
【００１３】
前記酸化性ガスには、例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＯよりなる群から選択される少なくとも１つのガスが含まれる。また、前記還元性ガスには、例えば、ＮＨ３、ＣＨ４よりなる群から選択される少なくとも１つのガスが含まれる。
【００１６】
前記反応室には前記有機物が付着した被処理体が複数枚収容され、前記反応室内に前記処理ガスを供給することにより、前記複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することが好ましい。この場合、一度の処理により複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することができ、有機物の除去に要する時間を短くすることができる。
【００１７】
この発明の第２の観点にかかる被処理体の処理装置は、所定の温度に設定可能な加熱部を有し、被処理体を収容する反応室と、前記反応室内に酸化性ガスと還元性ガスとを含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記反応室内のガスを排気する排気手段と、前記加熱部を制御して前記反応室の温度を３５０〜４００℃に加熱して、前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを活性化させ、活性化した酸化性ガス及び還元性ガスにより前記被処理体に付着した有機物を除去する制御手段とを備える、ことを特徴とする。
【００１９】
前記酸化性ガスには、例えば、Ｎ２Ｏ、ＮＯよりなる群から選択される少なくとも１つのガスが含まれる。また、前記還元性ガスには、例えば、ＮＨ３、ＣＨ４よりなる群から選択される少なくとも１つのガスが含まれる。
【００２２】
前記反応室は前記被処理体を複数枚収容可能な被処理体収容部を備え、前記制御手段は前記処理ガスを前記被処理体収容部に供給させ、前記複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することが好ましい。この場合、一度の処理により複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することができ、有機物の除去に要する時間を短くすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態にかかる被処理体の処理方法及び処理装置について説明する。本実施の形態では、被処理体の処理方法及び処理装置を、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を用いて、半導体ウエハ（被処理体）上に付着した有機物を分解、除去（クリーニング）する場合を例に説明する。
【００２４】
図１に示すように、熱処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備えている。反応管２は、内部に成膜領域を構成する内管３と、内管３を覆うと共に内管３と一定の間隔を有するように形成された有天井の外管４とから構成された二重管構造を有する。内管３及び外管４は、耐熱材料、例えば石英により形成されている。
【００２５】
外管４の下方には、筒状に形成されたステンレス鋼（ＳＵＳ）からなるマニホールド５が配置されている。マニホールド５は、外管４の下端と気密に接続されている。また、内管３は、マニホールド５の内壁から突出すると共に、マニホールド５と一体に形成された支持リング６に支持されている。
【００２６】
マニホールド５の下方には蓋体７が配置され、ボートエレベータ８により蓋体７は上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータ８により蓋体７が上昇すると、マニホールド５の下方側が閉鎖される。
【００２７】
蓋体７には、例えば石英からなるウエハボート９が載置されている。ウエハボート９には、被処理体、例えば半導体ウエハ１０が垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容されている。
【００２８】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように断熱体１１が設けられ、その内壁面には、例えば抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ１２が設けられている。そして、昇温用ヒータ１２を駆動することにより、反応管２内が所定の温度に設定される。
【００２９】
マニホールド５の側面には、複数のガス導入管が挿通されている。本実施の形態では、第１ガス導入管１３と第２ガス導入管１４との２つのガス導入管がマニホールド５の側面に挿通されている。
【００３０】
第１ガス導入管１３は内管３内を臨むように配設されている。図１に示すように、支持リング６より下方（内管３の下方）のマニホールド５の側面から第１ガス導入管１３が挿通されている。そして、第１ガス導入管１３から、例えば、酸素ガス（Ｏ２）のような酸化性ガスが内管３内に導入される。
【００３１】
第２ガス導入管１４は内管３内を臨むように配設され、第１ガス導入管１３と同様に、支持リング６より下方（内管３の下方）のマニホールド５の側面に挿通されている。そして、第２ガス導入管１４から、例えば水素ガス（Ｈ２）のような還元性ガスが内管３内に導入される。
【００３２】
マニホールド５の側面には排出口１５が設けられている。排出口１５は支持リング６より上方に設けられており、反応管２内の内管３と外管４との間に形成された空間に連通する。そして、第１ガス導入管１３から酸素ガス、第２ガス導入管１４から水素ガスが内管３内に供給されてクリーニングが行われ、クリーニングによって分解された有機物が内管３と外管４との間を通って排出口１５に排出される。また、マニホールド５側面の排出口１５の下方には、パージガスとしての窒素ガスを供給するパージガス供給管１６が挿通されている。
【００３３】
排出口１５には排気管１７が気密に接続されている。排気管１７には、バルブ１８と真空ポンプ１９とが介設されている。バルブ１８は、排気管１７の開度を調整して、反応管２内の圧力を所定の圧力に制御する。真空ポンプ１９は、排気管１７を介して反応管２内のガスを排気するとともに反応管２内の圧力を調整する。
【００３４】
ボートエレベータ８、昇温用ヒータ１２、第１ガス導入管１３、第２ガス導入管１４、パージガス供給管１６、バルブ１８、真空ポンプ１９には、制御部２０が接続されている。制御部２０は、マイクロプロセッサ、プロセスコントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温度、圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部に制御信号等を出力して、熱処理装置１の各部を制御する。
【００３５】
次に、以上のように構成された熱処理装置１を用い、半導体ウエハ１０上に付着した有機物を、酸素ガスと水素ガスとを含む処理ガスによりクリーニングする処理方法について、図２に示すレシピ（タイムシーケンス）を参照して説明する。なお、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、制御部２０によりコントロールされている。
【００３６】
まず、蓋体７が下げられた状態で、有機物が付着した半導体ウエハ１０が収容されたウエハボート９を蓋体７上に載置する。また、昇温用ヒータ１２により反応管２内を所定のローディング温度に設定する。
【００３７】
次に、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、ウエハボート９（半導体ウエハ１０）を反応管２の内管３内にロードする。これにより、半導体ウエハ１０を反応管２内に収容するとともに、反応管２を密閉する。また、パージガス供給管１６から反応管２内に窒素ガスを所定量供給し、反応管２内に混入した有機物等の汚染物質を排出する（ロード工程）。
【００３８】
続いて、反応管２内の減圧を開始する。具体的には、パージガス供給管１６から反応管２内に所定量の窒素ガスを供給するとともに、バルブ１８の開度を制御しつつ、真空ポンプ１９を駆動させて、反応管２内のガスを排出する。反応管２内のガスの排出は、反応管２内の圧力が常圧から所定の圧力、例えば１３３Ｐａ〜３９９Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）になるまで行う。
【００３９】
また、昇温用ヒータ１２により反応管２内を酸化性ガス（酸素ガス）及び還元性ガス（水素ガス）が活性化可能な温度である３５０℃以上に加熱する。反応管２の温度を３５０℃より低くすると、酸素ガス及び水素ガスが活性化されないためである。ただし、反応管２の温度を高くしすぎると半導体ウエハ１０の表面が酸化されてしまうことから、反応管２の温度を、好ましくは３５０℃〜６００℃、さらに好ましくは３５０℃〜４００℃に加熱する。そして、この減圧及び加熱操作を、反応管２内が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
【００４０】
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１６からの窒素ガスの供給を停止する。そして、第１ガス導入管１３から酸素ガスを所定量、例えば、１．８リットル／ｍｉｎ供給するとともに、第２ガス導入管１４から水素ガスを所定量、例えば、０．９リットル／ｍｉｎを反応管２の内管３内に供給する。
【００４１】
反応管２内は酸素ガス及び水素ガスが供給されると、酸素ガス及び水素ガスが活性化されて、内管３で以下のような水素の燃焼反応が進行する。
Ｈ２＋Ｏ２   →  Ｈ＊＋ＨＯ２
Ｈ２＋ＯＨ＊ →  Ｈ＊＋Ｈ２Ｏ
Ｏ２＋Ｈ＊   →  ＯＨ＊＋Ｏ＊
Ｈ２＋Ｏ＊   →  Ｈ＊＋ＯＨ＊
【００４２】
このように、水素の燃焼反応過程中において、Ｏ＊（酸素活性種）とＯＨ＊（水酸基活性種）とが発生し、これらにより半導体ウエハ１０上に付着した有機物が分解されて、半導体ウエハ１０から有機物が除去される（クリーニング工程）。なお、除去された有機物は、排気口１５を介して排気管１７に吸引され、反応管２外に排気される。
【００４３】
ここで、反応管２内の圧力が１３３Ｐａ〜３９９Ｐａ（１Ｔｏｒｒ〜３Ｔｏｒｒ）のような低圧に維持されているので、ウエハボート９に収容されたすべての半導体ウエハ１０に、Ｏ＊、ＯＨ＊を、均一に供給することができる。
【００４４】
半導体ウエハ１０から有機物が除去されると、第１ガス導入管１３及び第２ガス導入管１４からの処理ガス（酸素ガス、水素ガス）の供給を停止する。そして、バルブ１８の開度を制御しつつ、真空ポンプ１９を駆動させて、反応管２内のガスを排出した後、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。
【００４５】
最後に、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内を常圧（７６０Ｔｏｒｒ）に戻し、ウエハボート９（半導体ウエハ１０）を反応管２からアンロードする（アンロード工程）。
【００４６】
次に、本実施の形態の効果を確認するため、有機物を付着させた半導体ウエハ１０のサンプルを、種々の条件下でクリーニングを行った。サンプルは、半導体ウエハ１０に１０００オングストロームの厚さの酸化膜を形成し、この酸化膜の表面を希釈フッ化水素酸（ＤＨＦ）で１分間洗浄した後、クリーンルーム内に所定時間放置して、有機物の付着した半導体ウエハ１０を作成した。
【００４７】
また、有機物の付着量は接触角法を用いて測定を行った。接触角法は、半導体ウエハ１０上に純水を滴下し、この純水の玉（滴）の接触角を測定する方法であり、半導体ウエハ１０に有機物が付着しているほど疎水性が高くなり接触角が大きくなる。逆に、有機物の付着量が減少すると親水性が高くなり接触角が小さくなる。
【００４８】
本実施の形態では、半導体ウエハ１０上の５点で接触角を測定し、この平均値を求めた。作成されたサンプルの接触角は５７°であった。なお、有機物が完全に除去された半導体ウエハ１０上に純水を落としても、純水の玉の接触角は０°にはならず、また低角度での厳密な測定は困難であることから、接触角が２°以下の半導体ウエハ１０では、ほぼ完全に有機物が除去されているものと考えられる。
【００４９】
図３にクリーニングの条件を示す。図３に示すように、クリーニングは、反応管２の温度（実施例１、実施例２、比較例１、比較例２）、反応管２の圧力（実施例３〜５）、クリーニング時間（実施例６、７）等を変化させ、これらの関係について検討を行った。また、本例では、実験を簡便に行うために、ウエハボート９の上部、中央部、下部の３カ所に半導体ウエハ１０を１枚ずつ（合計３枚）収容した場合について検討を行い、これらの平均値を各実施例の接触角とした。なお、ウエハボート９内の半導体ウエハ１０の枚数の影響については、実施例８で別に検討している。この結果を図３及び図４に示す。図４では各実施例について、クリーニング後の接触角を棒グラフで示している。また、参考のため、クリーニング処理をしない場合についても、その結果を図３及び図４に示す。
【００５０】
図３及び図４の実施例１、実施例２に示すように、反応管２の温度が３５０℃、４００℃では、半導体ウエハ１０に付着した有機物がほぼ完全に除去されていることが確認できた。また、図３及び図４の比較例１、比較例２に示すように、反応管２の温度が３００℃、３３０℃では、半導体ウエハ１０に付着した有機物が除去されない。これは、反応管２の温度が３５０℃より低いと、酸素ガス及び水素ガスが活性化されないために、Ｏ＊、ＯＨ＊が生成されないため、有機物を分解できないからである。なお、反応管２の温度を３５０℃より高くしても、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することが可能であるが、反応管２の温度を高くしすぎると半導体ウエハ１０の表面が酸化されてしまう。このため、反応管２の温度を３５０℃〜６００℃にすることが好ましく、３５０℃〜４００℃にすることがさらに好ましい。
【００５１】
図３及び図４の実施例１、実施例３〜実施例５に示すように、反応管２の圧力が１３３Ｐａ〜３９９Ｐａでは、半導体ウエハ１０に付着した有機物がほぼ完全に除去されていることが確認できた。また、反応管２の圧力が３９９Ｐａを越えると、ウエハボート９に収容されたすべての半導体ウエハ１０に、Ｏ＊、ＯＨ＊を、均一に供給できないおそれがあることから、反応管２の圧力は１３３Ｐａ〜３９９Ｐａにすることが好ましい。
【００５２】
図３及び図４の実施例１、実施例６、実施例７に示すように、クリーニング時間が１分〜３０分では、半導体ウエハ１０に付着した有機物がほぼ完全に除去されていることが確認できた。クリーニング時間が１分より短いと、半導体ウエハ１０に付着した有機物をほぼ完全には除去できなくなるおそれがあり、クリーニング時間が３０分より長いと、半導体ウエハ１０のクリーニングを効率的に行うことができなくなってしまう。このため、クリーニング時間は１分〜３０分にすることが好ましい。ただし、半導体ウエハ１０に付着する有機物の付着量によっては、この時間をさらに長くしたり、短くしたりすることは可能である。
【００５３】
図３及び図４の実施例１、実施例８に示すように、ウエハボート９内の半導体ウエハ１０の枚数を３枚から１００枚にしても、半導体ウエハ１０に付着した有機物の除去に影響を与えないことが確認できた。これは、反応管２内を低圧に維持しているためである。このため、ウエハボート９内の半導体ウエハ１０の枚数が、例えば１００枚のように増えても、反応管２の圧力、クリーニング時間は同様の傾向を示す。
【００５４】
なお、接触角法は、一般に、純水を滴下する平面（半導体ウエハ１０）の表面状態に影響を受けやすく、クリーニングによって半導体ウエハ１０の表面形状が変化すると、有機物の付着量を正確に測定することができなくなってしまうと考えられる。このため、クリーニング前後での半導体ウエハ１０の表面形状を確認した。この結果、半導体ウエハ１０の表面形状はクリーニング前後でほとんど変化していないことが確認できた。
【００５５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第１ガス導入管１３から酸素ガス、第２ガス導入管１４から水素ガスを、３５０℃以上に加熱された反応管２内に供給することにより、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。このため、熱処理装置１に、従来のクリーニング方法のような紫外線照射装置やプラズマ発生器等が不要になり、熱処理装置１の構造を簡単にすることができる。また、簡易な装置で、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。さらに、従来のクリーニング方法に比べ、低温下で半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。
【００５６】
本実施の形態によれば、一度のクリーニングにより、ウエハボート９内に収容された複数枚の半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。このため、多数の半導体ウエハ１０をクリーニングする場合にもクリーニングに要する時間を短くすることができる。
【００５７】
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な上記の実施の形態の変形態様について、説明する。
【００５８】
上記実施の形態では、酸化性ガスとして酸素ガスを用い、還元性ガスとして水素ガスを用いた場合を例に本発明を説明したが、酸化性ガスとして、例えば、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯよりなる群から選択される少なくとも１つのガスを用いてもよく、また還元性ガスとして、例えば、Ｈ２、ＮＨ３、ＣＨ４よりなる群から選択される少なくとも１つのガスを用いてもよい。このような場合にも、前述したような還元性ガスの燃焼過程において生じる酸素活性種と水酸基活性種とを生成し、簡易な装置で、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。また、低温下で半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。なお、酸化性ガス及び還元性ガスに、酸素ガスや水素ガス以外の上記ガスを用いた場合にも、酸素ガス及び水素ガスを用いた場合と同様の反応管２の温度、反応管２内の圧力等のクリーニング条件とすることにより、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。
【００５９】
上記実施の形態では、内管３と外管４とからなる二重管構造の反応管２を有する熱処理装置１を用いて半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去する場合を例に本発明を説明したが、例えば、図１に示す熱処理装置１から内管３及び支持リング６を取り除いたような、単管構造の熱処理装置であってもよい。この場合、熱処理装置の構造を簡単にすることができ、さらに簡易な装置で、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。
【００６０】
上記実施の形態では、バッチ式縦型の熱処理装置１を用いて半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去する場合を例に本発明を説明したが、例えば、枚葉式の熱処理装置を用いてもよい。この場合にも、簡易な装置で、半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。また、低温下で半導体ウエハ１０に付着した有機物を除去することができる。
【００６１】
第１ガス導入管１３及び第２ガス導入管１４の数は一つに限らず、複数であってもよい。また、被処理体は半導体ウエハ１０に限らず、例えばガラス基板であってもよい。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、簡易な装置を用いて被処理体に付着した有機物を除去することができる。また、本発明によれば、低温下で、被処理体に付着した有機物を除去することができる。さらに、本発明によれば、短時間で複数枚の被処理体に付着した有機物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態のクリーニング手順を説明するためのレシピを示した図である。
【図３】本発明の実施の形態のクリーニング条件を示した表である。
【図４】図３のクリーニング条件での有機物の付着量（接触角）を示したグラフである。
【図５】従来の熱処理装置の概略図である。
【符号の説明】
１  熱処理装置
２  反応管
９  ウエハボート
１０  半導体ウエハ
１２  昇温用ヒータ
１３  第１ガス導入管
１４  第２ガス導入管
１５  排気口
１７  排気管
１８  バルブ
１９  真空ポンプ
２０  制御部
【図１】
0004607347.tif 000002
【図２】
0004607347.tif 000003
【図３】
0004607347.tif 000004
【図４】
0004607347.tif 000005
【図５】
0004607347.tif 000006