(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
自身の表面に酸化物層が形成されているＴｉ基材の表面に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔからなる群より選択される少なくとも１種類以上のＡｕより易酸化性の貴金属からなる第１成分を直接スパッタ成膜した後、Ａｕをスパッタ成膜してなり、
前記Ｔｉ基材の表面に、前記第１成分とＡｕとの合金層、又はＡｕ単独層が形成され、
前記合金層又は前記Ａｕ単独層と前記Ｔｉ基材との間に、Ti、O、及び前記第１成分を含む中間層が存在する含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【請求項２】
前記中間層は、Ti、Oがそれぞれ10wt％以上でかつ前記第１成分が20 wt.%以上含まれる１ｎｍ以上の層として存在する請求項１に記載の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【請求項３】
前記合金層中のＡｕの割合が下層側から上層側に向かって増加する請求項１又は２に記載の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【請求項４】
前記合金層の表面にＡｕ単独層が形成されている請求項１〜３のいずれかに記載の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【請求項５】
前記合金層と前記中間層との間に、前記貴金属から主としてなる層が形成されている請求項１〜４のいずれかに記載の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【請求項６】
前記第１成分とＡｕとの合金層は、前記貴金属のうち前記第１成分と異なる元素からなる第２成分をさらに含む請求項１〜５のいずれかに記載の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にＡｕ又はＡｕ合金（Ａｕを含む層）が形成された表面処理Ｔｉ材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チタン基材に金を成膜する技術として、湿式金めっきが知られている。又、Ｔｉ表面にＡｕ，Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔ等から選ばれる貴金属とＡｕとの合金をスパッタ成膜する技術が知られている（特許文献１）。さらに、特許文献１には、Ｔｉ表面に上記貴金属の酸化物を成膜することが記載されている。
一方、Ｔｉ基材の酸化被膜の上に、Ｔｉ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等からなる中間層を介してＡｕ膜を形成する技術が知られている（特許文献２）。この中間層は、基材酸化膜との密着性、すなわちＯ（酸素原子）との結合性が良いとともに、金属または半金属のためにＡｕ膜との密着性、結合性が良いとされている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９７７７７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８５９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した特許文献１記載の技術の場合、密着性の良いＡｕ合金膜を得るためには、チタン基材表面の酸化皮膜を取り除く処理が必要であり、酸化被膜の除去が不充分な場合は貴金属膜の密着性が低下するという問題がある。
又、特許文献２記載のチタン材を腐食性環境で使用すると、中間層である（半）金属の耐食性が問題となる場合があり、特にＡｕ膜が薄くなると（半）金属の溶出が生じることがある。
一方、湿式の金めっきの場合、金めっきの電着形状が粒状であり、金めっきの付着量が少ないと、チタン基材表面の一部に非めっき部分となる部分が生じる。そのため、チタン基材表面全体を均一に金めっきするためには、Ａｕの付着量を多くする必要がある。
【０００５】
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、チタン基材表面にＡｕを含む層を高い密着性で形成可能な含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは種々検討した結果、Ｔｉ基材の表面にTi、O及び所定の貴金属とを含む中間層を形成させ、中間層の上にＡｕ合金層又はＡｕ単独層を形成させることで、Ａｕ（合金）層をＴｉ上に強固かつ均一に形成可能であることを見出した。
上記の目的を達成するために、本発明の含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料は、自身の表面に酸化物層が形成されているＴｉ基材の表面に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔからなる群より選択される少なくとも１種類以上のＡｕより易酸化性の貴金属からなる第１成分を直接スパッタ成膜した後、Ａｕをスパッタ成膜してなり、前記Ｔｉ基材の表面に、前記第１成分とＡｕとの合金層、又はＡｕ単独層が形成され、前記合金層又は前記Ａｕ単独層と前記Ｔｉ基材との間に、Ti、O、及び前記第１成分を含む中間層が存在する。
【０００７】
前記中間層は、Ti、Oがそれぞれ10wt％以上でかつ前記第１成分が20 wt.%以上含まれる１ｎｍ以上の層として存在することが好ましい。
前記合金層中のＡｕの割合が下層側から上層側に向かって増加することが好ましい。前記合金層の表面にＡｕ単独層が形成されていると、含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料を腐食性環境で使用する場合に好ましい。前記合金層と前記中間層との間に、前記貴金属から主としてなる層が形成されていると、中間層と合金層の密着性が向上するので好ましい。前記第１成分とＡｕとの合金層は、前記貴金属のうち前記第１成分と異なる元素からなる第２成分をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、Ｔｉ基材の表面にTi、O及び所定の貴金属とを含む中間層を形成させ、中間層の上にＡｕ合金層又はＡｕ単独層を形成させることで、Ａｕ層又はＡｕを含む層をＴｉ上に強固かつ均一に形成させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料について説明する。なお、本発明において％とは、特に断らない限り、質量％(wt%)を示すものとする。
<第１の実施形態>
以下、本発明の第１の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料について説明する。図１に示すように、第１の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料は、Ｔｉ基材２の表面に中間層２ａが形成され、中間層２ａの上に合金層６が形成されてなる。
【００１０】
<Ｔｉ基材>
Ｔｉ基材２の材質は特に制限されない。又、Ｔｉ基材２の形状も特に制限されず、第１成分及び金をスパッタできる形状であればよい。例えば、板状の場合、チタン材の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましい。
中間層２ａは、Ｔｉ基材２を空気中に放置することにより自然に形成されるが、酸化雰囲気で積極的に形成してもよい。
【００１１】
<合金層>
Ｔｉ基材２上に、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔからなる群より選択される少なくとも１種類以上のＡｕより易酸化性の貴金属からなる第１成分とＡｕとの合金層６が形成される。このＡｕ合金層は、Ｔｉ基材にＡｕの特性（耐食性、導電性、装飾性等）を付与するためのものである。上記貴金属は、電位-pH図からAuより易酸化性であり、この特性を利用し、上記第１成分を以下の中間層の構成元素として用いる。第１成分は単一の元素から成っていてもよく、複数の元素から成っていてもよいが、コストが低く酸化物を形成し易いPdが好ましい。
合金層は、後述するＳＴＥＭ分析により確認することができ、ＳＴＥＭ分析によりＡｕの濃度が20％wt以上の部分を合金層とする。合金層の厚みは１〜１００ｎｍであることが好ましい。合金層の厚みが１ｎｍ未満であると、Ｔｉ基材上にＡｕの特性を充分に付与することができない場合があり、合金層の厚みが１００ｎｍを超えると省金化が図られずコストアップとなる場合がある。
なお、合金層６の代わりにＡｕ単独層が形成されていてもよい。Ａｕ層は、ＳＴＥＭ分析によりＡｕの濃度がほぼ100％wtの部分である。
【００１２】
<中間層>
合金層（又はＡｕ単独層）６とＴｉ基材２との間に、Ti、Oがそれぞれ10wt％以上でかつ前記第１成分がそれぞれ20 wt.%以上含まれる１ｎｍ以上の中間層２ａが存在する。
通常、Ｔｉ基材は表面に酸化層を有しており、酸化され難いＡｕ（含有）層をＴｉ表面に直接形成させるのは難しい。一方、上記貴金属はＡｕに比べて酸化され易く、Ｔｉ基材の表面でＴｉ酸化物中のＯ原子と酸化物を形成し、Ｔｉ基材表面に強固に結合するものと考えられる。
又、上記貴金属は耐食性が他の金属と比べ高い。これらの点で、従来、中間層に用いられてきた元素であるＴｉ，Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等に比べ、第１成分は耐食性の高い中間層を形成する。
なお、中間層にＡｕが含まれていてもよいが、密着性を向上させる観点からは、Ａｕを含まない方が好ましい。
【００１３】
含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の断面をＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）で分析したとき、Ti、Oがそれぞれ10wt％以上でかつ前記第１成分が20 wt.%以上含まれる領域を中間層とみなし、この層が厚み方向に１ｎｍ以上存在することを必要とする。
ここでＳＴＥＭ分析は、ＳＴＥＭ装置に付属しているＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectrometer）分析器を用いて、分析したい部分（ライン）及び元素を指定し、各部分における指定元素の濃度をEDSにより検出するものである。指定する元素は、Ａｕ、第１成分、Ｏ、Ｔｉであり、後述する第２成分を用いた場合は第２成分を指定に加える。
【００１４】
Ti、Oの下限をそれぞれ10wt％とし、前記第１成分の下限を20wt.%とした理由は、前記第１成分が20 wt.%未満である部分はTi基材の表面に近く、Tiが10 wt.%未満である部分は合金層に近くなるためであり、又、Oが10 wt.%未満である部分は第１成分とTiがＯ原子と充分な酸化物を形成しておらず、中間層として機能しないと考えられるからである。又、Ti、Oはそれぞれ10wt％から急激に減少するので、測定上から10wt％を下限とする。
なお、ＳＴＥＭ分析で厚み方向に１ｎｍの距離とは、走査距離の実寸である。
【００１５】
合金層中のＡｕの割合が下層側から上層側に向かって増加する傾斜組成になっていることが好ましい。ここで、Ａｕの割合(wt%)は、上記したＳＴＥＭ分析で求めることができる。
合金層を傾斜組成とすると、合金層の下層側ではＡｕより易酸化性の第１成分の割合が多くなり、Ｔｉ基材表面との結合が強固になる一方、合金層の上層側ではＡｕの特性が強くなるので、密着性が向上する。
【００１６】
図２は、第１の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の断面の実際のＦＥ−ＴＥＭ（電解放射型透過電子顕微鏡）像を示す。
PdとAuとからなる合金層６が均一な層（図の黒い画像部分）を形成していることがわかる。又、図２における合金層６の位置C（白抜き）における組成はEDX（エネルギー分散型蛍光X線分析）からPd:43wt%,Au:57wt%であり、合金層６の位置Dにおける組成はPd:32wt%,Au:68wt%であった。つまり、合金層のＡｕ濃度は下層側から上層側に向かって増加したものとなった。なお、位置Aの組成はTiを示し、位置Bの組成はTi基材表面のTi酸化被膜層（EDX でTiとOを検出）を示す。但し、この酸化被膜層が第１成分(Pd)を含むか否かはEDXでは判定できない。
【００１７】
<含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の製造>
含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の中間層の形成方法としては、Ti基材の表面Ti酸化膜を除去せずに、この基材に第１の成分をターゲットとしてスパッタ成膜することにより、表面Ti酸化膜中のＯに第１の成分が結合し、中間層を形成することができる。又、Ti基材２の表面Ti酸化膜を除去後、第１の成分の酸化物をターゲットとしてスパッタ成膜することや、Ti基材２の表面Ti酸化膜を除去後、第１の成分をターゲットとし酸化雰囲気でスパッタ成膜することによっても中間層を形成することができる。
なお、スパッタの際、Ti基材の表面Ti酸化膜を適度に除去し、基材表面のクリーニングを目的として逆スパッタ（イオンエッチング）を行ってもよい。逆スパッタは、例えばＲＦ１００Ｗ程度の出力で、アルゴン圧力０．２Ｐａ程度としてアルゴンガスを基材に照射して行うことができる。
【００１８】
合金層の形成方法としては、例えば上記したスパッタによりＴｉ基材上に第１成分を成膜した後、第１成分膜の上にＡｕをスパッタ成膜することができる。この場合、スパッタ粒子は高エネルギーを持つため、第１成分膜のみがTi基材表面に成膜されていても、そこにAuをスパッタすることにより、第１成分膜にAuが入り込み、合金層となる。又、この場合、合金層中のＡｕの割合が下層側から上層側に向かって増加する傾斜組成となる。
又、第１成分とＡｕとからなる合金をターゲットとし、Ti基材の表面にスパッタ成膜することにより、中間層と合金層を一度に形成してもよく、この場合は、合金層の厚み方向のAu濃度はほぼ一定となる。
Ti基材表面に最初に第１成分とAuのうちAu濃度が低いターゲットを用いてスパッタ成膜し、その後、第１成分とAuのうちAu濃度が高いターゲットを用いてスパッタ成膜してもよい。
【００１９】
<第２の実施形態>
次に、本発明の第２の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料について説明する。図４に示すように、第２の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料は、Ｔｉ基材２の表面に中間層２ａを介して貴金属層４が形成され、貴金属層４の表面に合金層６が形成されている。Ｔｉ基材２及び合金層６は、第１の実施形態と同一であるので説明を省略する。
貴金属層４は上記貴金属（好ましくは中間層の第１成分と同一）から主として成り、第１成分がＡｕより酸化され易いため、酸化物層である中間層２ａとの結合性が高く、貴金属層４がない場合に比べ、合金層６とＴｉ基材２（中間層）との密着性が向上する。
貴金属層４は、スパッタ条件（スパッタ時間、出力）等を変えることにより、適宜形成することができる。
なお、貴金属層４中の貴金属と、合金層６中の第１成分とは同一の元素であってもよく、異なる元素であってもよいが、同一元素とすると、製造が簡易となる。
【００２０】
<第３の実施形態>
次に、本発明の第３の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料について説明する。図５に示すように、第３の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料は、Ｔｉ基材２の表面に中間層２ａを介して合金層６が形成され、合金層６の表面にAu単独層８が形成されている。Ｔｉ基材２及び合金層６は、第１の実施形態と同一であるので説明を省略する。
Au単独層８は、スパッタ条件（スパッタ時間、出力）等を変えることにより、適宜形成することができる。
【００２１】
なお、第２及び第３の実施形態の層構成を組み合わせ、Ｔｉ基材２の表面に、中間層２ａを介して貴金属層４、合金層６、Au単独層８をこの順に形成した層構造としてもよい。
【００２２】
Ａｕに代えて、前記貴金属のうち前記第１成分と異なる元素からなる第２成分とＡｕとのＡｕ合金を用いてもよい。この場合、中間層はTi,O及び第１成分からなるが、合金層は第１成分、第２成分及びＡｕからなる。
【００２３】
本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料によれば、Ａｕ（合金）層をＴｉ上に強固かつ均一に形成させることができ、この層中のAuが高導電率、低抵抗を示すので、装飾品の他、各種電極材料や電子部品等に応用することができる。又、本発明の実施形態によれば、Ａｕ（合金）層をスパッタ成膜すればこの層が均一な層となるので、湿式の金めっきに比べて表面が平滑となり、Ａｕを無駄に使用しなくて済むという利点がある。
又、本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料を用いて燃料電池用セパレータを製造すると、高導電率、低抵抗かつ耐食性に優れたセパレータが得られる。セパレータの形状は特に限定されない。
【実施例】
【００２４】
<試料の作製>
Ｔｉ基材として、厚み１００μｍの工業用純チタン材（ＪＩＳ１種）を用い、ＦＩＢ（集束イオンビーム加工）による前処理をした。Ｔｉ基材の表面には予め約６ｎｍのチタン酸化物層が形成されていたのをＦＥ−ＴＥＭ（電解放射型透過電子顕微鏡）を用い、エネルギー分散型蛍光X線分析（ＥＤＸ）によって確認した。
次に、Ｔｉ基材のチタン酸化物層の表面に、スパッタ法を用いて目標厚み１ｎｍとなるようにＰｄ（貴金属膜）を成膜した。ターゲットには純Ｐｄを用いた。次に、スパッタ法を用いて目標厚み１ｎｍとなるようにＡｕを成膜した。ターゲットには純Ａｕを用いた。
目標厚みは以下のように定めた。まず、予めチタン基材にスパッタで対象物（例えばＰｄ）を成膜し、蛍光Ｘ線膜厚計（Seiko Instruments製SEA5100、コリメータ0.1mmΦ）で実際の厚みを測定し、このスパッタ条件におけるスパッタレート（ｎｍ/min）を把握した。そして、スパッタレートに基づき、厚み１ｎｍとなるスパッタ時間を計算し、この条件でスパッタを行った。
Ｐｄ及びＡｕのスパッタは、株式会社アルバック製のスパッタ装置を用い、出力ＤＣ５０W  アルゴン圧力０．２Ｐａの条件で行った。
【００２５】
<層構造の測定>
得られた試料の断面の実際のＦＥ−ＴＥＭ（電解放射型透過電子顕微鏡）像を観察し、像の中でＥＤＸ分析したい位置を指定し、その部分のＥＤＸ分析を行うことで、試料中の各層の組成を分析した。
ＦＥ−ＴＥＭ装置としては、日立製作所製のHF-2000 FE-TEMを用い、加速電圧200ｋＶ、倍率１０万倍、７０万倍で観察した。又、ＥＤＸ装置は、上記ＦＥ−ＴＥＭ装置に附属したEDAX社製Genesisシリーズを用い、分析エリア１ｎｍで分析した。
図２は、試料の断面ＦＥ−ＴＥＭを示す。PdとAuとからなる合金層６が均一な層を形成していることがわかる。又、図２における合金層６の位置Cにおける組成はEDXからPd:43wt%,Au:57wt%であり、合金層６の位置Dにおける組成はPd:32wt%,Au:68wt%であった。つまり、合金層のＡｕ濃度は下層側から上層側に向かって増加したものとなった。なお、位置Aの組成はTiを示し、位置Bの組成はTi基材表面のTi酸化被膜層（又は中間層）を示した。
図６は位置AにおけるEDX分析チャートを示し、図７は位置CにおけるEDX分析チャート及び組成解析結果を示す。
【００２６】
又、試料のTi基材表面近傍の断面をＳＴＥＭ（走査透過電子顕微鏡）で分析し、Ti、O及びPdの濃度を検出した。ＳＴＥＭとしては、日立製作所製のＨＤ−２０００ＳＴＥＭを用い、加速電圧２００ｋＶ、倍率９０万倍、ｎ数３視野として測定した。
なお、ＳＴＥＭによる濃度検出は、検出元素からカーボンを除外し、指定元素の合計100wt%として、各元素の濃度(wt%)を分析した。又、ＳＴＥＭ分析で厚み方向に１ｎｍの距離とは、ＳＴＥＭ分析によるチャート（図3）の横軸の距離である。
同様にして、試料の最表面側の断面をＳＴＥＭで分析した。
【００２７】
図３は、試料断面の実際のＳＴＥＭ像を示す。
Ti基材２の表面に、Ti、Oがそれぞれ10 wt.%以上含まれ、かつPdが20 wt.%以上含まれる中間層２ａが１ｎｍ以上存在することがわかる。中間層２ａの上にはAuが20 wt.%以上含まれるAu-Pd合金層６が形成されている。又、中間層２ａと合金層６の間には、Pd、Ti及びOを主に含む貴金属層４が形成されている。貴金属層４中のTi、O濃度はそれぞれ10 wt.%未満であり、Au濃度は20 wt.%であり、Pdを主成分とする。
なお、本発明においては、中間層を定義するためTi、O濃度を規定している。従って、中間層の境界は便宜上Ti、O濃度によって決められるため、中間層とその上下の層（例えばTi基材２）との間に、中間層ともTi基材とも異なる層が介在する場合もある。
【００２８】
<他の試料の作製>
スパッタ時のＰｄ膜及びＡｕ膜の目標厚みを種々変更し実施例１〜１０の試料を作製した。なお、実施例６〜８に試料については、Ｐｄ膜及びＡｕ膜を別個にスパッタする代わりに、Ｐｄ−Ａｕ合金（Pd20wt%以上）を用いて成膜した。
比較例１１として、スパッタの代わりに、湿式めっきにより、Ti基材表面にＡｕ層を５０ｎｍ形成した。湿式めっきは、基材の浸漬脱脂、水洗、酸洗、水洗、活性化処理、水洗を順に行った後、金めっきし、さらに水洗、熱処理を行った。
比較例１２として、スパッタ時にＡｕ膜のみ成膜した。比較例１３として、スパッタ時のＰｄ膜の目標厚みを0.5ｎｍに低減して成膜した。比較例１４として、Ｐｄ膜及びＡｕ膜を別個にスパッタする代わりに、Ｐｄ−Ａｕ合金（Pd10wt%,Au90wt%）を用いて成膜した。
【００２９】
<評価>
各試料について以下の評価を行った。
Ａ．密着性
各試料の最表層の合金層に１ｍｍ間隔で碁盤の目を罫書いた後、粘着性テープをはり付け、さらに各試験片を１８０°曲げて元の状態に戻し、曲げ部のテープを急速にかつ強く引き剥がす剥離試験を行った。
剥離が全くない場合を○とし、一部でも剥離があると目視で認められた場合を×とした。
Ｂ．成膜形状
各試料の断面のFE-TEM像を撮影し、表面に数ｎｍから数百ｎｍの粒子が集まった凹凸構造が観察された場合を粒状とし、粒状に比べて表面が平滑な場合を層状とした。
【００３０】
表１に結果を示す。なお、表１において、中間層の厚み、最表層の組成と厚みは、いずれもＳＴＥＭ分析を３箇所について行った値の平均値とした。
【００３１】
【表１】
0004761576.tif 000002
【００３２】
表１から明らかなように、合金層とＴｉ基材との間に、Ti、Oがそれぞれ10 wt.%以上含まれ、かつPdが20 wt.%以上含まれる中間層が１ｎｍ以上存在する実施例１〜１０の場合、各層の密着性に優れ、又、スパッタにより成膜した合金層又はＡｕ層（最表層）は平滑な層状となった。
Ａｕ層を湿式めっきで形成した比較例１１の場合、最表層が粒状となった。
Ａｕのみをスパッタした比較例１２の場合、中間層が形成されずに密着性が劣化した。
Ｐｄ膜の目標厚みを低減してスパッタした比較例１３の場合、中間層の厚みが１ｎｍ未満となり、密着性が劣化した。
Ｐｄ-Ａｕ合金(Pd10wt%)をターゲットとしてスパッタした比較例１４の場合、被膜中のPd濃度は10wt%で一定であり、20wt%以上にならなかったため、中間層の厚みが１ｎｍ未満となり、密着性が劣化した。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の断面ＦＥ−ＴＥＭ像を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の断面のＳＴＥＭ分析結果を示す図である。
【図４】本発明の別の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の構成を示す模式図である。
【図５】本発明のさらに別の実施形態に係る含Ａｕ表面処理Ｔｉ材料の構成を示す模式図である。
【図６】図２の合金層の位置AにおけるEDX分析チャートを示す図である。
【図７】図２の合金層の位置CにおけるEDX分析チャートを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
２                    Ｔｉ基材
２ａ                  中間層
４                    貴金属層
６                    合金層
８                    Au単独層
【図１】
0004761576.tif 000003
【図３】
0004761576.tif 000004
【図４】
0004761576.tif 000005
【図５】
0004761576.tif 000006
【図２】
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【図６】
0004761576.tif 000008
【図７】
0004761576.tif 000009