(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(1)
【化１】
0004621918.tif 000015
［式中、Ｒ1は、Ｃ1-20アルキル基（該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はC1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基（該Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基及びＣ1-6アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。)で任意に置換されていてもよい。）又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）を意味し、Ｒ2は、Ｃ1-20アルキル基（該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）を意味する。］で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
【化２】
0004621918.tif 000016
[式中、Ｒ1及びＲ2は、前記と同じ意味を示す。]で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法であって、
前記触媒的不斉水素反応に使用される触媒が、[Ir(cod)Cl]2-MeO-BIPHEP-NaBARF（式中codは１，５-シクロオクタジエンを、MeO-BIPHEPは（６，６’-ジメトキシビフェニル-２，２’-ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）を、NaBARFはナトリウムテトラキス（３，５-ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートを意味する。）である光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項２】
反応系中にカルボン酸塩を加える請求項１記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項３】
酸が強酸である請求項１記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医・農薬の中間体として有用である光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体は、医・農薬等の生理活性物質をはじめとする、種々のファインケミカルで有用な化合物の重要な中間体である。
【０００３】
エリスロ型光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を製造する方法としては、アミノ基が無置換であるα-アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、ルテニウムまたはイリジウム-光学活性ホスフィン錯体を用いた触媒的不斉水素化反応により、アンチ選択的に光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を製造する方法が知られていた（例えば特許文献１、２、３並びに非特許文献１及び２参照。）。
【特許文献１】PCT WO 2005005371
【非特許文献１】J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, p.5784-5785.
【非特許文献２】Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, p.882-884.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
非特許文献１及び２並びに特許文献１、２、３に記載の方法は、光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を選択的に製造する方法としては優れているものである
【０００５】
しかし高圧水素条件や加温が必要であり、より緩和な条件下での光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、より緩和な条件下直接光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体のアンチ体を製造する方法について検討を重ねた結果、アミノ基が無置換であるα-アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、イリジウム-光学活性リン配位子-テトラアリールボレートまたはイリジウム-光学活性リン配位子-テトラアルコキシアルミニウムからなる錯体を作用させることにより，低圧水素圧下室温にてアンチ体の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体が選択的に得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
即ち、本発明は、
１．式（１）
【０００８】
【化１】
0004621918.tif 000002
【０００９】
[式中、Ｒ1は、Ｃ1-20アルキル基（該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は
、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基（該Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基及びＣ1-6アルキルカルボニルオキシ基は、Ｃ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子で任意に置換されていてもよい。）で任意に置換されていてもよい。）又はＣＯＮＲ4Ｒ5
（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）を意味し、Ｒ2は、Ｃ1-20アルキル基（該Ｃ1-20アルキル基はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5
（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基又はＣＯＮＲ4Ｒ5（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基、Ｃ1-6アルコキシカルボニル基、Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基又はＣＯＮＲ4Ｒ5 （式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ1-6アルキル基を意味する。）で任意に置換されていてもよい。）を意味する。]で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物を、酸の存在下、触媒的不斉水素化反応により水素化することを特徴とする、式（２）又は式（３）
【００１０】
【化２】
0004621918.tif 000003
【００１１】
[式中、Ｒ1及びＲ2は、前記と同じ意味を示す。]で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００１２】
２．触媒的不斉水素化反応に使用される触媒が、光学活性ホスフィン配位子とテトラアリールボレートからなる周期表第VIII族の遷移金属錯体である１．記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００１３】
３. ２．記載のテトラアリールボレートのかわりにテトラアルコキシアルミニウムを用いる周期表第VIII族の遷移金属錯体である１．記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００１４】
４．反応系中にカルボン酸塩を加える２．および３．記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００１５】
５．周期表第VIII族の遷移金属錯体がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（４）
【００１６】
【化３】
0004621918.tif 000004
【００１７】
（式中、Ｒ3は、水素原子、メチル基又は三級ブチル基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）である２.および３.記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００１８】
６. 周期表第VIII族の遷移金属錯体がイリジウムであり、光学活性２座ホスフィン配位子が式（５）
【００１９】
【化４】
0004621918.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｒ6は、フェニル基、ナフチル基（該フェニル基及びナフチル基はＣ1-6アルキル基又はＣ1-6アルコキシ基で任意に置換されていてもよい。）、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基を意味し、Ｒ7は、メチル基又はメトキシ基を意味し、Ｒ8は、水素原子、メチル基、メトキシ基又は塩素原子を意味し、Ｒ9は、水素原子、メチル基、メトキシ基、ジメチルアミノ基又ジエチルアミノ基を意味し、絶対配置はＳ又はＲのどちらかを意味する。）で表される化合物である２.および３.記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００２１】
７．テトラアリールボレートが式（６）
【化５】
0004621918.tif 000006
（式中、Ｒ10は、水素原子、トリフルオロメチル基、３，５-ジトリフルオロメチルフェニル基を意味する。）
または式（７）
【化６】
0004621918.tif 000007
である２.記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００２２】
８．テトラアルコキシアルミニウムが式（８） 
【化７】
0004621918.tif 000008
である請求項３記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
【００２３】
９．酸が強酸である請求項１〜８の何れかに記載の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法。
に関するものである。
【００２４】
以下、更に詳細に本発明を説明する。
【００２５】
尚、本発明中「n」はノルマルを「i」はイソを「s」はセカンダリーを「t」はターシャリーを「c」はシクロを「o」はオルトを「m」はメタを「p」はパラを意味する。
【００２６】
まず、置換基Ｒ1及びＲ2の各置換基における語句について説明する。
【００２７】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素が挙げられる。
【００２８】
Ｃ1-6アルキル基としては、直鎖、分枝及びＣ3-6シクロアルキル基を含んでいてもよく、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、c-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、c-ブチル、1-メチルc-プロピル、2-メチル-c-プロピル、n-ペンチル、1-メチル-n-ブチル、2-メチル-n-ブチル、3-メチルn-ブチル、1,1-ジメチル-n-プロピル、1,2-ジメチルn-プロピル、2,2-ジメチル-n-プロピル、1-エチル-n-プロピル、c-ペンチル、1-メチルc-ブチル、2-メチル-c-ブチル、3-メチル-c-ブチル、1,2-ジメチル-c-プロピル、2,3-ジメチル-c-プロピル、1-エチル-c-プロピル、2-エチル-c-プロピル、n-ヘキシル、1-メチル-n-ペンチル、2-メチル-n-ペンチル、3-メチル-n-ペンチル、4-メチル-n-ペンチル、1,1-ジメチル-n-ブチル、1,2-ジメチル-n-ブチル、1,3-ジメチル-n-ブチル、2,2-ジメチル-n-ブチル、2,3-ジメチルn-ブチル、3,3-ジメチル-n-ブチル、1-エチル-n-ブチル、2-エチル-n-ブチル、1,1,2-トリメチル-n-プロピル、1,2,2-トリメチル-n-プロピル、1-エチル-1-メチル-n-プロピル、1-エチル-2-メチル-n-プロピル、c-ヘキシル、1-メチル-c-ペンチル、2-メチル-c-ペンチル、3-メチル-c-ペンチル、1-エチル-c-ブチル、2-エチル-c-ブチル、3-エチル-c-ブチル、1,2-ジメチル-c-ブチル、1,3-ジメチル-c-ブチル、2,2-ジメチル-c-ブチル、2,3-ジメチル-c-ブチル、2,4-ジメチル-c-ブチル、3,3-ジメチル-c-ブチル、1-n-プロピル-c-プロピル、2-n-プロピル-c-プロピル、1-i-プロピル-c-プロピル、2-i-プロピル-c-プロピル、1,2,2-トリメチル-c-プロピル、1,2,3-トリメチル-c-プロピル、2,2,3-トリメチル-c-プロピル、1-エチル-2-メチル-c-プロピル、2-エチル-1-メチル-c-プロピル、2-エチル2-メチルc-プロピル及び2-エチル-3-メチルc-プロピル等が挙げられる。
【００２９】
Ｃ1-20アルキル基としては直鎖、分枝及びＣ3-20シクロアルキル基を含んでいてもよく、上記に加え、1-メチル1-エチルn-ペンチル、1-ヘプチル、2-ヘプチル、c-ヘプチル、1-エチル1,2-ジメチル-n-プロピル、1-エチル-2,2-ジメチルn-プロピル、1-オクチル、3-オクチル、c-オクチル、4-メチル-3-n-ヘプチル、6-メチル-2-n-ヘプチル、2-プロピル-1-n-ヘプチル、2,4,4-トリメチル-1-n-ペンチル、1-ノニル、2-ノニル、2,6-ジメチル-4-n-ヘプチル、3-エチル-2,2-ジメチル-3-n-ペンチル、3,5,5-トリメチル-1-n-ヘキシル、1-デシル、2-デシル、4-デシル、3,7-ジメチル-1-n-オクチル、3,7-ジメチル3-n-オクチル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ペンタデシル、n-ヘキサデシル、n-ヘプタデシル、n-オクタデシル、n-ノナデシル及びn-エイコシル等が挙げられる。
【００３０】
Ｃ1-6アルコキシ基としては、直鎖、分枝及びＣ3-6シクロアルコキシ基を含んでいてもよく、メトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、i-プロポキシ、c-プロポキシ、n-ブトキシ、i-ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシ、c-ブトキシ、1-メチルc-プロポキシ、2-メチル-c-プロポキシ、n-ペンチルオキシ、1-メチル-n-ブトキシ、2-メチルn-ブトキシ、3-メチル-n-ブトキシ、1,1-ジメチル-n-プロポキシ、1,2-ジメチル-n-プロポキシ、2,2-ジメチル-n-プロポキシ、1-エチル-n-プロポキシ、c-ペンチルオキシ、1-メチル-c-ブトキシ、2-メチル-c-ブトキシ、3-メチル-c-ブトキシ、1,2-ジメチル-c-プロポキシ、2,3-ジメチル-c-プロポキシ、1-エチル-c-プロポキシ、2-エチルc-プロポキシ、n-ヘキシルオキシ、1-メチル-n-ペンチルオキシ、2-メチルn-ペンチルオキシ、3-メチル-n-ペンチルオキシ、4-メチルn-ペンチルオキシ、1,1-ジメチル-n-ブトキシ、1,2-ジメチルn-ブトキシ、1,3-ジメチル-n-ブトキシ、2,2-ジメチル-n-ブトキシ、2,3-ジメチルn-ブトキシ、3,3-ジメチル-n-ブトキシ、1-エチル-n-ブトキシ、2-エチル-n-ブトキシ、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシ、1,2,2-トリメチル-n-プロポキシ、1-エチル-1-メチル-n-プロポキシ、1-エチル-2-メチルn-プロポキシ、c-ヘキシルオキシ、1-メチル-c-ペンチルオキシ、2-メチル-c-ペンチルオキシ、3-メチル-c-ペンチルオキシ、1-エチル-c-ブトキシ、2-エチル-c-ブトキシ、3-エチル-c-ブトキシ、1,2-ジメチル-c-ブトキシ、1,3-ジメチル-c-ブトキシ、2,2-ジメチル-c-ブトキシ、2,3-ジメチル-c-ブトキシ、2,4-ジメチル-c-ブトキシ、3,3-ジメチル-c-ブトキシ、1-n-プロピル-c-プロポキシ、2-n-プロピル-c-プロポキシ、1-i-プロピル-c-プロポキシ、2-i-プロピル-c-プロポキシ、1,2,2-トリメチル-c-プロポキシ、1,2,3-トリメチル-c-プロポキシ、2,2,3-トリメチル-c-プロポキシ、1-エチル-2-メチル-c-プロポキシ、2-エチル1-メチル-c-プロポキシ、2-エチル-2-メチルc-プロポキシ及び2-エチル-3-メチルc-プロポキシ等が挙げられる。
【００３１】
Ｃ1-6アルコキシカルボニル基としては、直鎖、分枝及びＣ3-6シクロアルコキシカルボニル基を含んでいてもよく、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、n-プロポキシカルボニル、i-プロポキシカルボニル、c-プロポキシカルボニル、n-ブトキシカルボニル、i-ブトキシカルボニル、s-ブトキシカルボニル、t-ブトキシカルボニル、c-ブトキシカルボニル、1-メチル-c-プロポキシカルボニル、2-メチル-c-プロポキシカルボニル、n-ペンチルオキシカルボニル、1-メチル-n-ブトキシカルボニル、2-メチル-n-ブトキシカルボニル、3-メチル-n-ブトキシカルボニル、1,1-ジメチル-n-プロポキシカルボニル、1,2-ジメチル-n-プロポキシカルボニル、2,2-ジメチル-n-プロポキシカルボニル、1-エチル-n-プロポキシカルボニル、c-ペンチルオキシカルボニル、1-メチル-c-ブトキシカルボニル、2-メチルc-ブトキシカルボニル、3-メチル-c-ブトキシカルボニル、1,2-ジメチル-c-プロポキシカルボニル、2,3-ジメチル-c-プロポキシカルボニル、1-エチル-c-プロポキシカルボニル、2-エチル-c-プロポキシカルボニル、n-ヘキシルオキシカルボニル、1-メチル-n-ぺンチルオキシカルボニル、2-メチルn-ペンチルオキシカルボニル、3-メチル-n-ペンチルオキシカルボニル、4-メチル-n-ペンチルオキシカルボニル、1,1-ジメチルn-ブトキシカルボニル、1,2-ジメチルn-ブトキシカルボニル、1,3-ジメチルn-ブトキシカルボニル、2,2-ジメチル-n-ブトキシカルボニル、2,3-ジメチル-n-ブトキシカルボニル、3,3-ジメチル-n-ブトキシカルボニル、1-エチル-n-ブトキシカルボニル、2-エチルn-ブトキシカルボニル、1,1,2-トリメチル-n-プロポキシカルボニル、1,2,2-トリメチルn-プロポキシカルボニル、1-エチル1-メチル-n-プロポキシカルボニル、1-エチル2-メチル-n-プロポキシカルボニル、c-ヘキシルオキシカルボニル、1-メチル-c-ペンチルオキシカルボニル、2-メチルc-ペンチルオキシカルボニル、3-メチルc-ペンチルオキシカルボニル、1-エチル-c-ブトキシカルボニル、2-エチルc-ブトキシカルボニル、3-エチル-c-ブトキシカルボニル、1,2-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、1,3-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、2,2-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、2,3-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、2,4-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、3,3-ジメチル-c-ブトキシカルボニル、1-n-ブロビル-c-プロポキシカルボニル、2-n-プロピル-c-プロポキシカルボニル、1-i-プロピルc-プロポキシカルボニル、2-i-プロピルc-プロポキシカルボニル、1,2,2-トリメチル-c-プロポキシカルボニル、1,2,3-トリメチル-c-プロポキシカルボニル、2,2,3-トリメチルc-プロポキシカルボニル、1-エチル2-メチルc-プロポキシカルボニル、2-エチル-1-メチル-c-プロポキシカルボニル、2-エチル2-メチルc-プロポキシカルボニル及び2-エチル-3-メチルC-プロポキシカルボニル等が挙げられる。
【００３２】
Ｃ1-6アルキルカルボニルオキシ基としては、直鎖、分枝及びＣ3-6シクロアルキルカルボニルオキシ基を含んでいてもよく、メチルカルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、n-プロピルカルボニルオキシ、i-プロピルカルボニルオキシ、c-プロピルカルボニルオキシ、n-ブチルカルボニルオキシ、i-ブチルカルボニルオキシ、s-ブチルカルボニルオキシ、t-ブチルカルボニルオキシ、c-ブチルカルボニルオキシ、1-メチルc-プロピルカルボニルオキシ、2-メチルc-プロピルカルボニルオキシ、n-ペンチルカルボニルオキシ、1-メチル-n-ブチルカルボニルオキシ、2-メチルn-ブチルカルボニルオキシ、3-メチル-n-ブチルカルボニルオキシ、1,1-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ、1,2-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ、2,2-ジメチル-n-プロピルカルボニルオキシ、1-エチル-n-プロピルカルボニルオキシ、c-ペンチルカルボニルオキシ、1-メチル-c-ブチルカルボニルオキシ、2-メチル-c-ブチルカルボニルオキシ、3-メチル-c-ブチルカルボニルオキシ、1,2-ジメチル-c-プロピルカルボニルオキシ、2,3-ジメチル-c-プロピルカルボニルオキシ、1-エチル-c-プロピルカルボニルオキシ、2-エチル-c-プロピルカルボニルオキシ、n-ヘキシルカルボニルオキシ、1-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ、2-メチルn-ペンチルカルボニルオキシ、3-メチル-n-ペンチルカルボニルオキシ、4-メチルn-ペンチルカルボニルオキシ、1,1-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ、1,2-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ、1,3-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ、2,2-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ、2,3-ジメチル-n-ブチルカルボニルオキシ、3,3-ジメチルn-ブチルカルボニルオキシ、1-エチルn-ブチルカルボニルオキシ、2-エチル-n-ブチルカルボニルオキシ、1,1,2-トリメチル-n-プロピルカルボニルオキシ、1,2,2-トリメチル-n-プロピルカルボニルオキシ、1-エチル-1-メチルn-プロピルカルボニルオキシ、1-エチル-2-メチル-n-プロピルカルボニルオキシ、c-ヘキシルカルボニルオキシ、1-メチル-c-ペンチルカルボニルオキシ、2-メチル-c-ペンチルカルボニルオキシ、3-メチルc-ペンチルカルボニルオキシ、1-エチル-c-ブチルカルボニルオキシ、2-エチル-c-ブチルカルボニルオキシ、3-エチル-c-ブチルカルボニルオキシ、1,2-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、1,3-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、2,2-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、2,3-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、2,4-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、3,3-ジメチル-c-ブチルカルボニルオキシ、1-n-プロピルc-プロピルカルボニルオキシ、2-n-プロピルc-プロピルカルボニルオキシ、1-i-プロピル-c-プロピルカルボニルオキシ、2-i-プロピルc-プロピルカルボニルオキシ、1,2,2-トリメチル-c-プロピルカルボニルオキシ、1,2,3-トリメチルc-プロピルカルボニルオキシ、2,2,3-トリメチル-c-プロピルカルボニルオキシ、1-エチル-2-メチルc-プロピルカルボニルオキシ、2-エチル-1-メチル-c-プロピルカルボニルオキシ、2-エチル-2-メチル-c-プロピルカルボニルオキシ及び2-エチル3-メチル-c-プロピルカルボニルオキシ等が挙げられる。
【００３３】
Ｃ4-12芳香族基としては、2-フリル、3-フリル、2-チエニル、3-チエニル、フェニル、α-ナフチル、β-ナフチル、o-ビフェニリル、m-ビフェニリル及びp-ビフェニル等が挙げられる。
【００３４】
次に、Ｒ1及びＲ2の各置換基における具体例について説明する。
【００３５】
Ｒ1の具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、c-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、c-ブチル、1-メチルc-プロピル、2-メチルc-プロピル、n-ペンチル、1-メチル-n-ブチル、2-メチルn-ブチル、3-メチル-n-ブチル、1,1-ジメチル-n-プロピル、1,2-ジメチル-n-プロピル、2,2-ジメチル-n-プロピル、1-エチル-n-プロピル、c-ペンチル、1-メチル-c-ブチル、2-メチル-c-ブチル、3-メチル-c-ブチル、1,2-ジメチル-c-プロピル、2,3-ジメチル-c-プロピル、1-エチル-c-プロピル、2-エチル-c-プロピル、n-ヘキシル、1-メチルn-ペンチル、2-メチル-n-ペンチル、3-メチル-n-ペンチル、4-メチル-n-ペンチル、1,1-ジメチルn-ブチル、1,2-ジメチル-n-ブチル、1,3-ジメチル-n-ブチル、2,2-ジメチル-n-ブチル、2,3-ジメチル-n-ブチル、3,3-ジメチル-n-ブチル、1-エチル-n-ブチル、2-エチル-n-ブチル、1,1,2-トリメチル-n-プロピル、1,2,2-トリメチル-n-プロピル、1-エチル-1-メチル-n-プロピル、1-エチル-2-メチル-n-プロピル、c-ヘキシル、1-メチル-c-ペンチル、2-メチル-c-ペンチル、3-メチル-c-ペンチル、1-エチル-c-ブチル、2-エチル-c-ブチル、3-エチル-c-ブチル、1,2-ジメチル-c-ブチル、1,3-ジメチルc-ブチル、2,2-ジメチル-c-ブチル、2,3-ジメチル-c-ブチル、2,4-ジメチルc-ブチル、3,3-ジメチルc-ブチル、1-n-プロピルc-プロピル、2-n-プロピルc-プロピル、1-i-プロピルc-プロピル、2-i-プロピルc-プロピル、1,2,2-トリメチルc-プロピル、1,2,3-トリメチル-c-プロピル、2,2,3-トリメチル-c-プロピル、1-エチル2-メチルc-プロピル、2-エチル-1-メチルc-プロピル、2-エチル2-メチル-c-プロピル、2-エチル-3-メチルc-プロピル、c-ヘプチル、c-オクチル、2-フリル、3-フリル、2-チエニル、3-チエニル、フェニル、o-メチルフェニル、m-メチルフェニル、p-メチルフェニル、o-メトキシフェニル、m-メトキシフェニル、p-メトキシフェニル、o-ベンジルオキシフェニル、m-ベンジルオキシフェニル、p-ベンジルオキシフェニル、o-クロロフェニル、m-クロロフェニル、p-クロロフェニル、o-ブロモフェニル、m-ブロモフェニル、p-ブロモフェニル、α-ナフチル、β-ナフチル及びベンジル等が挙げられ、又、n-プロピル、i-プロピル、t-ブチル、c-ペンチル、c-ヘキシル、c-ヘプチル、フェニル、p-ベンジルオキシフェニル、m-メチルフェニル、p-メチルフェニル、β-ナフチル、p-ブロモフェニル及び2-フリルが挙げられる。
【００３６】
Ｒ2の具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、c-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、c-ブチル、1-メチルc-プロピル、2-メチルc-プロピル、n-ペンチル、1-メチルn-ブチル、2-メチルn-ブチル、3-メチル-n-ブチル、1,1-ジメチル-n-プロピル、1,2-ジメチル-n-プロピル、2,2-ジメチル-n-プロピル、1-エチル-n-プロピル、c-ペンチル、1-メチル-c-ブチル、2-メチル-c-ブチル、3-メチル-c-ブチル、1,2-ジメチル-c-プロピル、2,3-ジメチルc-プロピル、1-エチル-c-プロピル、2-エチル-c-プロピル、n-ヘキシル、1-メチル-n-ペンチル、2-メチル-n-ペンチル、3-メチル-n-ペンチル、4-メチル-n-ペンチル、1,1-ジメチルn-ブチル、1,2-ジメチル-n-ブチル、1,3-ジメチル-n-ブチル、2,2-ジメチル-n-ブチル、2,3-ジメチル-n-ブチル、3,3-ジメチル-n-ブチル、1-エチル-n-ブチル、2-エチル-n-ブチル、1,1,2-トリメチル-n-プロピル、1,2,2-トリメチル-n-プロピル、1-エチル-1-メチル-n-プロピル、1-エチル-2-メチルn-プロピル、c-ヘキシル、1-メチル-c-ペンチル、2-メチルc-ペンチル、3-メチル-c-ペンチル、1-エチルc-ブチル、2-エチル-c-ブチル、3-エチルc-ブチル、1,2-ジメチル-c-ブチル、1,3-ジメチル-c-ブチル、2,2-ジメチル-c-ブチル、2,3-ジメチル-c-ブチル、2,4-ジメチル-c-ブチル、3,3-ジメチル-c-ブチル、1-n-プロピル-c-プロピル、2-n-プロピルc-プロピル、1-i-プロピル-c-プロピル、2-i-プロピル-c-プロピル、1,2,2-トリメチル-c-プロピル、1,2,3-トリメチル-c-プロピル、2,2,3-トリメチル-c-プロピル、1-エチル-2-メチルc-プロピル、2-エチル1-メチルc-プロピル、2-エチル-2-メチルc-プロピル、2-エチル-3-メチル-c-プロピル、c-ヘプチル、c-オクチル、フェニル及びベンジル等が挙げられる。
【００３７】
好ましい式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物としては、以下のものが挙げられる。
【００３８】
１）Ｒ1がＣ1-20アルキル基又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。)である式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００３９】
２）Ｒ2がＣ1-6アルキル基又はＣ4-12芳香族基で置換されたＣ1-6アルキル基である式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００４０】
３）Ｒ1がＣ1-20アルキル基又はＣ4-12芳香族基（該芳香族基は、ハロゲン原子、Ｃ1-6アルキル基、Ｃ1-6アルコキシ基又はベンジルオキシ基で任意に置換されていてもよい。）であり、Ｒ2がＣ1-6アルキル基又はＣ4-12芳香族基で置換されたＣ1-6アルキル基である式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００４１】
４）Ｒ1がn-プロピル、i-プロピル、t-ブチル、c-ペンチル、c-ヘキシル、c-ヘプチル、フェニル、p-ベンジルオキシフェニル、m-メチルフェニル、p-メチルフェニル、β-ナフチル、p-ブロモフェニル又は2-フリルである式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００４２】
５）Ｒ2がメチル又はベンジルである式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００４３】
６）Ｒ1がn-プロピル、i-プロピル、t-ブチル、c-ペンチル、c-ヘキシル、c-ヘプチル、フェニル、p-ベンジルオキシフェニル、m-メチルフェニル、p-メチルフェニル、β-ナフチル、P-ブロモフェニル又は2-フリルであり、R2がメチル又はベンジルである式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物。
【００４４】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒としては、通常の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を使用することができる。（I. Ojima ed. Catalytic Asymmetric Synthesis, 2nd ed.
(2000) Wi1ey-VCH, Inc参照。）
好ましい触媒としては、光学活性ホスフィン配位子とテトラアリールボレートからなる周期表第VIII族の遷移金属錯体が挙げられる。
【００４５】
周期表第VIII族の遷移金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム及び白金が挙げられるが、イリジウムが好ましい。
【００４６】
本発明に使用する光学活性ホスフィン配位子は全て光学活性体である。
【００４７】
光学活性ホスフィン配位子としては、光学活性2座ホスフィン配位子が好ましい。
【００４８】
光学活性2座ホスフィン配位子としては、BINAP、BIPHEMP、RROPHOS、DEGUPHOS、DIOP、DIPAMP、DuPHOS、NORPHOS、PNNP、SKEWPHOS、BPPFA、SEGPHOS、CHIRAPHOS、JOSIPHOS及びH8-BINAP等が挙げられる。
【００４９】
BINAPとしては、BINAPの誘導体も含まれ、具体例としては、2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-p-トリルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-p-第3級ブチルフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-m-トリルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-3,5-ジメチルフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-p-メトキシフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジシクロペンチルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2-ジ(β-ナフチル)ホスフィノ-2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフチル及び2-ジフェニルホスフィノ-2'-ジ(p-トリフルオロメチルフェニル)ホスフィノ-1,1'-ビナフチル等が挙げられ、好ましくは、2,2'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル、2,2'-ビス(ジ-p-トリルホスフィノ)-1,1'-ビナフチル及び2,2'-ビス(ジ-p-第3級ブチルフェニルホスフィノ)-1,1'-ビナフチルが挙げられる。
【００５０】
BIPHEMPとしては、BIPHEMPの誘導体も含まれ、具体例としては、2,2'-ジメチル6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2'-ジメチル6,6'-ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2'-ジメチル4,4'-ビス(ジメチルアミノ)-6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2',4,4'-テトラメチル6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2',3,3'-テトラメトキシ-6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2',4,4'-テトラメチル3,3'-ジメトキシ-6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2'-ジメチル-6,6'-ビス(ジ-p-トリルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル、2,2'-ジメチル6,6'-ビス(ジ-p-第3級ブチルフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニル及び2,2',4,4'-テトラメチル3,3'-ジメトキシ-6,6'-ビス(ジ-p-メトキシフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニルが挙げられ、好ましくは2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス(ジフェニルホスフィノ)-1,1'-ビフェニルが挙げられる。
【００５１】
その他の光学活性２座ホスフィン配位子及びその誘導体の例を以下に図示するが、これらに限定されるものではない。
【００５２】
【化８】
0004621918.tif 000009
【００５３】
本発明の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒は、遷移金属化合物及び光学活性ホスフィン配位子、テトラアリールボレートより調製することができるが、必要に応じて添加物を加えることもできる。
【００５４】
遷移金属化合物としては、ジ-μ-クロロテトラキス（シクロオクテン）2イリジウム、ジ-μ-クロロテトラキス（シクロオクテン）2ロジウム、ジ-μ-クロロビス（1,5-シクロオクタジエン）2ロジウム及び1,5-シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩等のロジウム化合物、ジ-μ-クロロテトラキス（シクロオクテン）2イリジウム、ジ-μ-クロロビス（1,5-シクロオクタジエン）2イリジウム、ジ-μ-クロロテトラキス（エチレン）2イリジウム及び1,5-シクロオクタジエンビス（アセトニトリル）イリジウムテトラフルオロホウ酸塩等のイリジウム化合物、テトラク-ロロ（η-ベンゼン）2ルテニウム及びテトラクロロ（η-（p-シメン））2ルテニウム等のルテニウム化合物等が挙げられる。
【００５５】
添加物としては、配位可能な化合物で有れぱ特に限定はしないが、例えぱ、イリジウム化合物を使用する場合は、N,N-ジメチルホルムアミド、Et3N、NaI, I2, CeCl3、MgCl2、CuCl2、CuCl、AlCl3、FeCl3、LaCl3、NbCl3、SmCl3、YbCl3、ZnCl2、SnCl4、TiCl4、HCl等が用いられる。
【００５６】
光学活性ホスフィン配位子の使用量は、光学活性２座ホスフィン配位子として、遷移金属化合物に対して１等量以上、好ましくは1〜2等量加えられ、より好ましくは、1.1〜1.5等量加えられる。
【００５７】
但し、遷移金属化合物と光学活性２座ホスフィン配位子が１：２の組成となる触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒においては、上述の２倍の使用量となる。
【００５８】
又、光学活性単座ホスフィン配位子を使用する場合は、価数の関係上、上述の２倍の使用量となる。
【００５９】
本発明に使用するテトラアリールボレートはイリジウム錯体のテトラアリールボレートが式（６）
【化９】
0004621918.tif 000010
【００６０】
（式中、Ｒ10は、水素原子、トリフルオロメチル基、3,5-ジトリフルオロメチルフェニル基を意味する。）または式（７）
【化１０】
0004621918.tif 000011
で代表されるものであるが，これらに限定されるものではない。
【００６１】
テトラアリールボレートの代わりに式（８） 
【化１１】
0004621918.tif 000012
に代表されるテトラアルコキシアルミニウムを用いることも可能であるが，これに限定されるものではない。
【００６２】
添加物を加える際の使用量としては、触媒の組成比により一概には決定できないが、通常遷移金属化合物の使用量に対して1〜100等量の範囲、好ましくは、1〜10等量の範囲である。
【００６３】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒を調製する際は、空気中でもかまわないが、通常アルゴン等の不活性ガスの存在下で行うことが好ましい。
【００６４】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒のうち、イリジウム触媒に付き更に詳細に説明する。
【００６５】
イリジウム-光学活性ホスフィン‐テトラアリールボレート錯体としては、イリジウム-MeO-BIPHEP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-BINAP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-BIPHEMP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-RROPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-DEGUPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-DIOP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-DIPAMP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-DuPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-NORPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-PNNP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-SKEWPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-BPPFA-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-SEGPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-CHIRAPHOS-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-H8-BINAP-テトラアリールボレート錯体、イリジウム-JOSIPHOS-テトラアリールボレート錯体等が挙げられる。
【００６６】
以下、イリジウム-MeO-BIPHEP-テトラアリールボレート錯体錯体について詳細を記載するが、同様に他の光学活性ホスフィン配位子を用いてもよい。
【００６７】
好ましいイリジウム-光学活性ホスフィン錯体としては、以下のものが挙げられる。
【００６８】
１）イリジウム-BINAP-テトラアリールボレート錯体又はイリジウム-BIPHEMP-テトラアリールボレート錯体。
【００６９】
２）イリジウム-BINAP-テトラアリールボレート錯体であり、BINAPが、BINAP,T-BINAP又はt-Bu-BINAPである１）記載のイリジウム-光学活性ホスフィン-テトラアリールボレート錯体。
【００７０】
３）イリジウム-BIPHEMP -テトラアリールボレート錯体であり、BIPHEMPが2,2'-ジメトキシ-6,6'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビフェニルである１）記載のイリジウム-光学活性ホスフィン-テトラアリールボレート錯体。
【００７１】
４）イリジウム-JOSIPHOS-テトラアリールボレート錯体
【００７２】
５）遷移金属化合物として[Ir（cod）C1]2（式中、codは、1,5-シクロオクタジエンを意味する。）を使用する１）〜４）何れかに記載のイリジウム-光学活性ホスフィン錯体。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７３】
本発明の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体の製造方法について説明する。
【００７４】
式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物の触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒及び酸の存在下、水素で還元することにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を製造することができる。
【００７５】
【化１２】
0004621918.tif 000013
【００７６】
通常、本反応は溶媒中で行われる。
【００７７】
溶媒の種類としては、反応に関与しない溶媒であれば特に限定はしないが、例えば酢酸、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン及び1,2-ジクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒、ジエチルテル、ジイソプロピルテル、テトラヒドロフラン等のエ-テル系溶媒、メタノ-ル、エタノ-ル、n-プロパノ-ル、i-プロパノ-ル、2-ブタノ-ル及びエチレングリコ-ル等のアルコ-ル系溶媒並びに上記の溶媒の任意の混合溶媒が挙げられる。
【００７８】
好ましい溶媒としては酢酸が挙げられる。
【００７９】
触媒的不斉水素化反応に用いられる触媒の使用量は、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、0.01〜100モル%の範囲であるが、反応効率及びコスト的な観点から好ましくは、0.01〜20モル%の範囲、又、0.1〜
10モル%の範囲、又、0.3〜5モル%の範囲が挙げられる。
【００８０】
式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物を酸の存在する溶液に加えてもよいが、あらかじめ、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加えることもできる。
【００８１】
α-アミノアシル酢酸エステル化合物の安定性の観点からは、あらかじめ、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製し、その塩を溶液に加える方が好ましい。
【００８２】
使用する酸としては、好ましくは、強酸が挙げられる。
【００８３】
強酸の具体例としては、HCl,HBr,H2SO4,HC1O4,CH3SO3H,PhSO3H,TsOH（Tsは、p-トルンスルホニルを意味する。）、CF3SO3H及びCF3CO2H等が挙げられ、好ましくは、HClが挙げられる。
【００８４】
酸の使用量は、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、0.8〜3モル等量の範囲であり、好ましくは、0.9〜2モル等量の範囲、又、0.9〜1.5モル等量の範囲が挙げられる。
【００８５】
尚、上記の酸の使用量は、あらかじめ、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物と酸よりなる塩を調製して加える場合は、その塩に含まれる酸の量を含んだ全量を意味する。
【００８６】
反応系中にカルボン酸塩を添加することが望ましい。
【００８７】
カルボン酸塩としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等の酢酸アルカリ金属及び酢酸アンモニウム等が挙げられ、好ましくは、酢酸アルカリ金属が挙げられ、又、酢酸ナトリウムが挙げられる。
【００８８】
カルボン酸塩を添加する場合の使用量としては、式（１）で表されるα-アミノアシル酢酸エステル化合物の使用量に対して、0.1〜5等量の範囲であり、好ましくは、0.8〜2等量の範囲である。
【００８９】
使用する水素は、通常水素ガスを使用する。
【００９０】
使用する水素の圧力は、通常1〜150気圧の範囲であるが、好ましくは1〜10気圧の範囲である。
【００９１】
反応温度としては、0℃から溶媒の沸点までの範囲で反応を行うことができ、より好ましくは10〜150℃の範囲であり、より好ましくは20〜30℃の範囲である。
【００９２】
反応時間は、反応温度および水素圧により変化するため一概に決定できないが、例えば反応温度が23℃、水素圧4.5気圧の場合、96時間以上行えば充分である。
【００９３】
反応終了後は、塩酸を加え、濃縮することにより、目的の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を塩として得ることができる。
【００９４】
又は、溶媒を濃縮することにより、目的の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を塩として得ることができる。
【００９５】
あるいは反応液を塩基性とし、適当な溶剤で抽出することにより目的の光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を得ることができる。
【００９６】
さらに、蒸留、再結晶及びシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行うことで、純度の高い純度の高い式（２）又は式（３）で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体を単離することができる。
【００９７】
本発明で得られる、式（２）又は式（３）で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-ア
ミノカルボン酸誘導体のジアステレオ選択性（de:シン体とアンチ体の選択性）及びエナンチオ選択性（ee）は、得られた光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体をベンゾイル化した後、機器分析を行うことにより決定できる。
【００９８】
即ち、式（２）又は式（３）で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン
酸誘導体又はその塩をテトラヒドロフラン中、安息香酸無水物、トリエチルアミンと処理することにより、式（２）又は式（３）で表される光学活性β-ヒドロキシ-α-アミノカルボン酸誘導体のベンゾイル化物を製造することができる。
【００９９】
得られたベンゾイル化物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製した後、1H-NMR等により、ジアステレオ選択性（de:シン体とアンチ体の選択性）を、又、光学活性ヵラムを用いたHPLC分析等により、エナンチオ選択性（ee）を決定することができる。
【０１００】
実施例 [Ir（cod）C1]2-（S)）-MeO-BIPHEP-NaBARF（式中、NaBARFはナトリウム  テトラキス（3,5-ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートを意味する。）を触媒とする製造法。
【０１０１】
【化１３】
0004621918.tif 000014
【０１０２】
[Ir（cod）C1]2
（1.5 mg, 0.0022 mmo1）、（S）-MeO-BIPHEP （3.3 mg, 0.0056 mmo1）及びNaBARF ・3H2O （4.1 mg, 0.0044 mmo1）を塩化メチレン（1.0 mL）に加えた溶液を室温で、１時間撹拌した。溶液を真空下乾燥し、茶色の触媒を得た。該触媒にα‐アミノ‐β-ケトエステル塩酸塩 （100 mg, 0.435 mmo1）、酢酸ナトリウム（35.7 mg, 0.435 mmo1）及び酢酸（2.2 mL）を加えた。混合溶液を室温下、水素圧4.5気圧で撹拝した。96時間撹拌した後、反応溶液に1mo1／L塩酸（3.0 mL）に加え、40 ℃以下で減圧下濃縮乾固した。残査にメタノールを加えて，再度40 ℃以下で減圧下濃縮乾固した。この操作を５回繰り返したのち、残査をテトラヒドロフラン（6 mL）に溶解し、安息香酸無水物（108 mg, 0.479 mmol）及びトリエチルアミン（0.18 mL, 1.31 mmo1）のテトラヒドロフラン（2 mL）溶液を0℃にて加えた。室温で12時間撹絆した後、反応液を酢酸エチル（10mL）で希釈し，1mo1／L塩酸、飽和重曹水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、沈殿物を濾去した後、減圧下濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：n-ヘキサン＝１：２）に付し、N-ベンゾイル体（130.2 mg, 0.435 mmo1, 100%, ＞99% de, 92% ee）を無色固体として得た。
なお、以下にNMR、FT-IR、FABMS、HPLCのデータを示しておく。
【０１０３】
1H-NMR
（400 MHz, CDC13)）δ； 3.79 （3H,s）, 4.56（1H, d, J ＝ 5.6Hz）, 5.24 （1H, dd, J ＝3.6,
6.8Hz）, 5.40 （1H, dd, J ＝
3.6, 5.6Hz), 6.87 （1H, m）, 7.2〜7.4 （5H, m,
Ar-H）, 7.4〜7.5 （2H, m, Ar-H）, 7.5〜7.6
（1H, m, Ar-H）, 7.7〜7.8 （2H, m, Ar-H）； 13C-NMR（100 MHz,CDC13）
δ；52.6, 59.4, 75.1, 125.9, 127.1, 128.0,
128.3, 128.6, 132.1, 133.0, 139.1； FT-IR （KBr）：3338, 1744, 1644, 1525, 1229, 1173,
693. FABMS （NBA)）m／z: 300 （M+1）； HPLC ana1ysis
using CHIRALCEL OD-H and hexane-iPrOH（85：15, 1.0 mL／min）,
Retention time for （2R,3R）：8.6
min, （2S,3S)）for 12.0 min
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明の製造方法によって得られる光学活性β‐ヒドロキシ‐α‐アミノカルボン酸誘導体は、医薬、農業等の中間体として有用である。