(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを粗研磨する１次研磨工程と、該１次研磨されたウェーハを仕上げ研磨する仕上げ研磨工程と、該仕上げ研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程とを有し、該洗浄工程において、オゾン洗浄に続いて、機械的な力を印加して洗浄する機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行い、前記機械的洗浄が、２種類以上の流体を混合してウェーハを洗浄する２流体洗浄であり、前記化学的洗浄がアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液による洗浄であることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを粗研磨する１次研磨工程と、該１次研磨されたウェーハを仕上げ研磨する仕上げ研磨工程と、該仕上げ研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程とを有し、該洗浄工程において、オゾン洗浄に続いて、機械的な力を印加して洗浄する機械的洗浄と同時に第１の化学的洗浄を行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとし、前記機械的洗浄が、２種類以上の流体を混合してウェーハを洗浄する２流体洗浄であり、前記化学的洗浄がアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液による洗浄であることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記オゾン洗浄におけるオゾン水の温度を５０℃以上とすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヘイズレベルが改善された半導体ウェーハの製造方法、特にその洗浄工程に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体シリコンウェーハの製造においては、単結晶製造装置によって製造されたシリコン単結晶棒をスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程で得られたウェーハの割れや欠けを防ぐためにその外周エッジ部を面取りする面取り工程と、面取りされたウェーハをラッピングしてこれを平坦化するラッピング工程と、面取りおよびラッピングされたウェーハの表面に残留する加工歪を除去するエッチング工程と、エッチングされたウェーハの表面を研磨布に摺接させて平坦度の調整を主目的とする粗研磨を行う１次研磨工程と、１次研磨されたウェーハの該表面の数〜数十ｎｍの波長を有する表面粗さ（いわゆるへイズ）を改善することを主目的とする仕上げ研磨工程と、仕上げ研磨されたウェーハを洗浄してウェーハに付着した研磨剤や異物を除去する最終洗浄工程が行われる。
その他必要に応じ、熱処理や平面研削工程が行われたり、工程の追加、省略、入れ替え、繰り返し等が目的に従って行われる。【０００３】
ここで、更に詳しく１次研磨工程を説明すると、粗研磨として行われる１次研磨はエッチング工程や平面研削工程後のウェーハ表面の平坦度を上げるために行う研磨で、形状の修正をするために行われる。粗研磨に用いられる研磨布には、一般的に、例えば、ポリエステルフェルト（組織はランダムな構造）にポリウレタンを含浸させたアスカーＣ硬度（スプリング硬さ試験機の一種であるアスカーゴム硬度計Ｃ型により測定した値）で８０程度の比較的硬質なものが用いられる。回転可能な定盤の上に研磨布を貼り付け、アルカリべースの水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を使用し、ウェーハと研磨布間に研磨剤を供給しながらウェーハを研磨布に擦り付けることにより研磨が行われる。このような１次研磨などの粗研磨で用いられている条件では研磨布が硬質なため、スクラッチと呼ばれるウェーハ表面の微小なキズが発生することがある。【０００４】
一方、仕上げ研磨はウェーハ研磨加工の最終工程で、へイズといわれる数〜数十ｎｍレべルの凹凸を低減して鏡面を得ると共に、粗研磨で発生したスクラッチを除去することを目的とした工程である。仕上げ研磨は、回転可能な定盤の上に軟質な発泡ウレタンよりなるスエード調の人工皮革を貼り付け、その上にアルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを擦り付けることによりなされる。【０００５】
ここで、仕上げ研磨に使用される研磨装置を図２に示す。図２において、研磨装置は、回転定盤２とウェーハホルダー３と研磨剤供給装置５からなっている。回転定盤２は回転定盤本体を有し、その上面には研磨布４が貼付してある。回転定盤２は回転軸により所定の回転速度で回転される。ウェーハホルダー３は真空吸着等によりその下面にウェーハ１を保持し、回転シャフトにより回転されると同時に所定の荷重で研磨布４にウェーハ１を押しつける。研磨剤供給装置５は研磨剤供給タンク（不図示）より所定の流量で研磨剤を研磨布上に供給し、この研磨剤がウェーハ１と研磨布４の間に供給されることによりウェーハ１が研磨される。【０００６】
仕上げ研磨に用いられる研磨布は、粗研磨に用いられる研磨布よりも一般的に軟質なため、スクラッチは発生しにくいが、それでも研磨圧力を高くするとスクラッチが発生しやすくなる為、仕上げ研磨は一般的に比較的低い研磨圧力で実施されている。【０００７】
次に洗浄工程について説明すると、薬品による表面の異物除去、純水によるリンスの組合せからなるＲＣＡ洗浄等の洗浄プロセスが多く用いられている。【０００８】
かかるＲＣＡ洗浄プロセスの代表的な工程手順を下記に示す。
１）ＳＣ−１洗浄（アンモニア：過酸化水素水：水＝１：１：５〜７）
２）純水リンス
３）フッ酸洗浄
４）純水リンス
５）ＳＣ−２洗浄（塩酸：過酸化水素水：水＝１：１〜２：６〜８）
６）純水リンス
７）スピンドライ
前記純水リンス工程は複数回繰り返す場合もある。
また、薬液を使わない洗浄も行われており、ブラシ洗浄や２流体ノズルを用いた洗浄方法も提案されている（例えば、特開２００３―２２９９３号公報参照）。【０００９】
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、回路自体の最小線幅は０．１３μｍ以下のレベルとなり、ウェーハ表面に付着するパーティクルの問題とされるサイズも４７ｎｍ以上のレベルとなってきている。【００１０】
一方、前記の製造方法で製造された半導体シリコンウェーハの表面には仕上げ研磨・洗浄を経てもヘイズと呼ばれる数〜数十ｎｍの波長を有する表面粗さが残存している。このようにウェーハ表面にヘイズが残存していると、パーティクル数を計測するパーティクルカウンタがヘイズをパーティクルと認識してしまう。この傾向は測定しようとするパーティクルサイズが小さくなるほど大きくなる。例えば４７ｎｍ以上のサイズを持つパーティクルの数を、従来の方法で製造したウェーハ表面で測定しようとした場合、ヘイズの影響により実際のパーティクル数を計測することは困難であった。
【発明の開示】
【００１１】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、ウェーハ表面に付着した例えば４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルを確実に計測できる程度にヘイズレベルが改善された半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハを提供することを目的としたものである。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、原料ウェーハを粗研磨する１次研磨工程と、該１次研磨されたウェーハを仕上げ研磨する仕上げ研磨工程と、該仕上げ研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程とを有し、該洗浄工程においてエッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【００１３】
このように仕上げ研磨工程後のウェーハを洗浄する洗浄工程において、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、ウェーハのヘイズレベルの悪化を最小限に抑えることができ、ウェーハ表面に付着した４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルを確実に計測できる半導体ウェーハを製造することができる。
【００１４】
この場合、前記洗浄工程において、機械的な力を印加して洗浄する機械的洗浄を行った後に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことが好ましい。
【００１５】
このように機械的洗浄を行った後に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、ウェーハ表面のパーティクルを低減することができる。
【００１６】
また、前記洗浄工程において、機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことが好ましい。
【００１７】
このように機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、より一層ウェーハ表面のパーティクルを低減することができる。
【００１８】
また、前記洗浄工程において、機械的洗浄と同時に第１の化学的洗浄を行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとすることができる。
【００１９】
このように、機械的洗浄と同時に第１の化学的洗浄を行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとしてもよい。
【００２０】
また、前記洗浄工程において、オゾン水によりウェーハを洗浄するオゾン洗浄に続いて機械的洗浄を行った後に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことが好ましい。
【００２１】
このように、オゾン洗浄に続いて機械的洗浄を行った後に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、ウェーハに付着した有機物も容易に剥離することができる。
【００２２】
また、前記洗浄工程において、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことができる。
【００２３】
このように、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、より一層ウェーハ表面のパーティクルを低減することができる。
【００２４】
また、前記洗浄工程において、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と第１の化学的洗浄を同時に行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとすることができる。
【００２５】
このように、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と第１の化学的洗浄を同時に行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとしてもよい。
【００２６】
また、前記化学的洗浄がアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液による洗浄であることが好ましい。
【００２７】
このように、化学的洗浄をアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液による洗浄とすることで、所望エッチング代に確実にすることができるし、更にウェーハ表面のパーティクルを低減することができる。
【００２８】
また、前記機械的洗浄が、２種類以上の流体を混合してウェーハを洗浄する２流体洗浄であることが好ましい。
【００２９】
このように、機械的洗浄を２流体洗浄とすることで、一層ウェーハ表面のパーティクルを低減することができる。
【００３０】
また、前記オゾン洗浄におけるオゾン水の温度を５０℃以上とすることが好ましい。
【００３１】
このように、前記オゾン洗浄におけるオゾン水の温度を５０℃以上とすることで、洗浄力を向上させて、有機物やウェーハ表面のパーティクルを一層低減することができる。
【００３２】
また、本発明は、鏡面研磨された半導体ウェーハであって、ヘイズが５ｐｐｂ以下で、４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルが０．１５個/ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体ウェーハを提供する。
【００３３】
このような半導体ウェーハであれば、ヘイズと微小のパーティクルが少ない従来にない高品質の半導体ウェーハとなる。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェーハ表面に付着した例えば４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルを確実に計測できる程度にヘイズレベルを改善した半導体ウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の半導体ウェーハの製造方法の一例を概略的に説明するフロー図である。
【図２】半導体ウェーハの製造方法で用いられる仕上げ研磨装置の一例である。
【図３】本発明の半導体ウェーハの製造方法で用いることができる洗浄装置の一例である。
【図４】(a)は、本発明の半導体ウェーハの製造方法の一例を概略的に説明するフロー図であり、(b)は、本発明の半導体ウェーハの製造方法の他の例を概略的に説明するフロー図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
従来の製造方法で製造された半導体シリコンウェーハの表面には、仕上げ研磨・洗浄を経てもヘイズと呼ばれる数〜数十ｎｍの波長を有する表面粗さが残存していた。このヘイズを、パーティクルカウンタがパーティクルとして認識してしまうため、たとえば近年要求される４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルの数を計測しようとしても信頼性のある計測ができなかった。これは従来の仕上げ研磨後の洗浄でＲＣＡ洗浄が行われ、４ｎｍ程度以上の取代でウェーハがエッチングされることにより、仕上げ研磨でも残留したヘイズレベルが３０ｐｐｂ程度以上に更に悪化するものであると判明した。そこで本発明者らは検討を重ねた結果、洗浄工程におけるエッチング代を従来より小さく０．２〜１．０ｎｍとすることで、ウェーハのヘイズレベルの悪化を最小限に抑えることができ、ウェーハ表面に付着したパーティクル数を計測できるようになることを見出し、本発明を完成させた。【００３７】
このような本発明に係る半導体ウェーハの製造方法を、シリコンウェーハを製造する場合を例として図１を参照して以下に説明する。【００３８】
まず、不図示の単結晶引上装置によって引き上げられたシリコン単結晶インゴットが棒軸方向に対して直角あるいはある角度をもってスライスされて複数の薄円板状のウェーハが得られる（スライス工程）。上記スライス工程によって得られたウェーハは、割れや欠けを防ぐために、その外周エッジ部を面取りする（面取り工程）。続いて、スライス工程での切断加工によってウェーハ表層に誘起された加工変質層を除去するとともにウェーハを平坦化するために、ウェーハを機械研削（ラッピング）する（ラッピング工程）。さらに、上記の工程でウェーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウェーハをエッチングする（エッチング工程）。【００３９】
続いて、前記エッチングされたウェーハの表面をさらに平坦化するために、粗研磨を行う（１次研磨工程）。なお、この粗研磨（１次研磨）は２段あるいは３段以上で構成されてよい。たとえば、１段目で粗い研磨剤を用い、２段目以降ではよりきめ細かい研磨剤を用いて研磨することができる。
さらに、図２に示すような研磨装置を用いてウェーハの表面を研磨して、へイズといわれるレべルの凹凸を低減した鏡面を得ると共に、１次研磨で発生したスクラッチを除去する（仕上げ研磨工程）。【００４０】
仕上げ研磨を終えた半導体シリコンウェーハは、研磨剤等を除去するため洗浄がなされる（洗浄工程）。本発明は、この仕上げ研磨後の洗浄工程において、エッチング代を０.２〜１.０ｎｍとする化学的洗浄を行うことで、ヘイズレベルの悪化を防止するとともに、ウェーハ表面の４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルを測定できるようにすることに特徴を有する。この場合、化学的洗浄の前に機械的洗浄を行うことでよりパーティクルの低減を図ることができる。また、オゾン洗浄も組み合わせれば、有機物の除去にも効果的であり、一層高品質の半導体ウェーハを得ることができる。以下に本発明で行われる洗浄工程について、オゾン洗浄・機械的洗浄・化学的洗浄の順に行う場合を例として詳細に説明する。【００４１】
図３に洗浄工程で用いられる洗浄装置の一例を示す。
まずオゾン洗浄を行う。オゾン洗浄では、例えば５〜１００ｐｐｍのオゾンを含んだ純水８をノズル１０から回転するウェーハ１に向かって噴射する。このときノズル１０はウェーハの半径方向にスキャンさせる。このようにオゾン洗浄を行うことで、ウェーハ表面に付着した有機物等の汚染物を効果的に除去することができる。また、このときオゾン水の温度を５０℃以上とすると、洗浄力が向上してより汚染物を除去できるので好ましい。【００４２】
次に機械的洗浄を行う。機械的洗浄とは、機械的・物理的な力をウェーハ表面に付着している不純物（パーティクル等）に印加して除去することをいい、例えばブラシ洗浄や２流体洗浄等がこれに該当する。この２流体洗浄では、２種以上の流体を混合して、その混合流体をウェーハ表面に噴射して不純物の除去を行う。たとえば、二酸化炭素（ＣＯ２）が添加された超純水７と、窒素ガス（Ｎ2）６を２流体洗浄ノズル９で混合し、ノズルをウェーハの半径方向にスキャンさせながら、回転するウェーハ１の表面に噴射する。このように二酸化炭素が添加された超純水を洗浄液として使用すれば、半導体ウェーハの処理面と洗浄液との摩擦により発生する静電気を抑制することができる。また、気体として用いるガスとしては不活性ガスである窒素（Ｎ2）が好適であるが、その他、空気やアルゴン（Ａｒ）等も用いることができる。【００４３】
次に化学的洗浄を行う。化学的洗浄とは、ウェーハ表面に付着しているパーティクル・有機物・研磨剤・金属不純物等を化学的に溶解・分解除去することをいう。
ここでは、化学的洗浄の一例として低濃度のアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液を用いる洗浄を行う。
洗浄溶液は、ＲＣＡ洗浄で用いられる通常のＳＣ-1洗浄がアンモニア水：過酸化水素水：水の組成比率が１：１：５のものを用いるのに対して、１：１：１０〜２００のものを使用する。
この洗浄溶液を満たした洗浄溶液槽にウェーハを浸漬させることにより、低濃度のアンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液を用いた洗浄を行う。このとき、エッチング代が０.２〜１.０ｎｍになるように洗浄時間を調整する。エッチング代を０．２ｎｍより少なくした場合には、研磨剤等を完全に除去することができずにパーティクルレベルが悪化する。また、エッチング代を１．０ｎｍより大きくした場合には、ヘイズレベルが悪化しパーティクルの測定に支障をきたすことになる。そこで、このようにエッチング代を０.２〜１.０ｎｍとして化学的洗浄を行い、ウェーハのヘイズレベルを改善して、ウェーハ表面に付着した例えば４７ｎｍ以上のサイズを持つパーティクルの数を確実に計測できるようにする。
また、化学的洗浄の他の例として、希釈ＫＯＨ（たとえば０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％）、希釈ＮａＯＨ（たとえば０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％）等のアルカリ溶液を用いて化学的洗浄を行うこともできる。【００４４】
最後に、ウェーハの乾燥を行う。乾燥方法は特に限定されないが、例えば空洞部と開口部を有する溝が形成された載置台の上にウェーハを載置して、前記空洞部を減圧してウェーハ表面に付着した水分を開口部から強制的に取ることにより乾燥させるいわゆる吸引乾燥あるいは、遠心力を利用してウェーハから水を振り切って乾燥させるスピン乾燥等を行うことができる。以上のようにして半導体シリコンウェーハを得る。【００４５】
また、上記洗浄工程では、機械的洗浄と化学的洗浄を別々に行う場合について説明したが、機械的洗浄と化学的洗浄を同時に行ってもよい。たとえば、図４(a)に示すように、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と同時に、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとする化学的洗浄を行ってもよい。あるいは、図４(b)に示すように、オゾン洗浄に続いて、機械的洗浄と第１の化学的洗浄を同時に行い、その後更に第２の化学的洗浄を行って、第１および第２の化学的洗浄による総エッチング代を０．２〜１．０ｎｍとするようにしてもよい。【００４６】
このように機械的洗浄と化学的洗浄を同時に行う場合は、たとえば上記２流体洗浄において超純水の代わりに、アンモニア水と過酸化水素水および水の混合水溶液を用いてこれにガスを混合して機械的洗浄と同時にエッチング作用のある化学的洗浄を行うことができる。【００４７】
また、これら機械的洗浄と化学的洗浄を同時に行う場合においても、図４(a)および 図４(b)に示したようにオゾン洗浄も組み合わせれば、有機物の除去にも効果的であり、一層高品質の半導体ウェーハを得ることができる。しかし、このオゾン洗浄を省略することも可能である。【００４８】
以上のような方法で得られた半導体ウェーハであれば、ヘイズが５ｐｐｂ以下で、４７ｎｍ以上のサイズのパーティクルが０．１５個/ｃｍ２以下（直径３００ｍｍウェーハで１００ヶ/wafer以下）という、パーティクルの少ない高品質な半導体ウェーハとすることができる。
【００４９】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
チョクラルスキー法により直径３００ｍｍ、方位｛１００｝の単結晶を引き上げ、これをスライスして面取りおよびラッピングを行い、シリコンウェーハを用意した。
このシリコンウェーハを常法によりエッチングして、エッチドウェーハを得た。【００５０】
次に、研磨装置の研磨布にコロイダルシリカ系研磨剤を含む研磨液を供給しながら、研磨布にエッチドウェーハを摺接させて１次研磨した。
さらに、回転可能な定盤の上に軟質な発泡ウレタンよりなるスエード調の人工皮革を貼り付け、その上にアルカリべース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウェーハを摺接させて仕上げ研磨した。【００５１】
次に、洗浄工程を、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に行った。オゾン洗浄と２流体洗浄については、図３に示す洗浄装置を用いた。
まずオゾン洗浄では、ノズル１０から２０ｐｐｍのオゾンを含んだ常温の純水を流量１.２Ｌ/minで、６０rpmで回転するウェーハ１に向かって噴射した。このときノズル１０とウェーハ１の距離は３０mmとし、ノズル１０の角度は７５°とした。また、ノズル１０はウェーハの半径方向に１往復が３０秒になるようにスキャンさせた。【００５２】
続く２流体洗浄では、二酸化炭素（ＣＯ２）が添加された超純水を０.２Ｌ/min・０.５ＭＰaで、窒素（Ｎ2）を２３５Ｌ/mim・０.４ＭＰaで、ノズル９に供給して混合し、この混合した流体を１８００rpmで回転するウェーハ１に向かって噴射した。このときノズル９とウェーハ１の距離は２０mmとし、ノズル９の角度は９０°とした。また、ノズル９はウェーハの半径方向に１往復が３０秒になるようにスキャンさせた。【００５３】
次の化学的洗浄は、浄水槽にアンモニア水：過酸化水素水：水の組成比率が１：１：１００である洗浄溶液を満たして、これにウェーハを浸漬させることにより行った。このとき、エッチング代は０．２ｎｍとなるように調整した。
続いて、スピン乾燥により、ウェーハの乾燥を行い、半導体ウェーハを得た。
【００５４】
（実施例２）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、化学的洗浄のエッチング代を０．５ｎｍとした以外は実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００５５】
（実施例３）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、
ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、化学的洗浄のエッチング代を１．０ｎｍとした以外は実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００５６】
（実施例４）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、オゾン洗浄のオゾン水の温度を４０℃とした以外は実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００５７】
（実施例５）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、オゾン洗浄のオゾン水の温度を５０℃とした以外は実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００５８】
（実施例６）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、洗浄工程として実施例１と同条件の化学的洗浄のみ行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００５９】
（実施例７）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、1次研磨・仕上げ研磨を行った。このウェーハについて実施例１と同様のオゾン洗浄を施した後、２流体洗浄を行った。この２流体洗浄では、実施例１の超純水の代わりにアンモニア水：過酸化水素水：水の組成比率が１：１：１００である洗浄溶液を使用し、機械的洗浄と同時に化学的洗浄を行った。このときエッチング代は０．２ｎｍとなるように調整した。続いて、スピン乾燥により、ウェーハの乾燥を行い、半導体ウェーハを得た。
【００６０】
（実施例８）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、1次研磨・仕上げ研磨を行った。このウェーハについて化学的洗浄のエッチング代を１．０ｎｍとした以外は実施例７と同条件でオゾン洗浄を施した後、２流体洗浄（機械的洗浄と同時に化学的洗浄）を行った。続いて、スピン乾燥により、ウェーハの乾燥を行い、半導体ウェーハを得た。
【００６１】
（実施例９）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、1次研磨・仕上げ研磨を行った。このウェーハについて実施例１と同様のオゾン洗浄を施した後、２流体洗浄を行った。この２流体洗浄では、実施例１の超純水の代わりにアンモニア水：過酸化水素水：水の組成比率が１：１：１００である洗浄溶液を使用し、機械的洗浄と同時に第１の化学的洗浄を行った。更に、第２の化学的洗浄は、浄水槽にアンモニア水：過酸化水素水：水の組成比率が１：１：１００である洗浄溶液を満たして、これにウェーハを浸漬させることにより行った。このとき第１および第２の化学的洗浄の総エッチング代は０．２ｎｍとなるように調整した。続いて、スピン乾燥により、ウェーハの乾燥を行い、半導体ウェーハを得た。
【００６２】
（実施例１０）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、1次研磨・仕上げ研磨を行った。このウェーハについて第１および第２の化学的洗浄の総エッチング代を１．０ｎｍとなるように調整した以外は実施例９と同条件でオゾン洗浄を施した後、２流体洗浄（機械的洗浄と同時に第１の化学的洗浄）を行い、その後、第２の化学的洗浄を行った。続いて、スピン乾燥により、ウェーハの乾燥を行い、半導体ウェーハを得た。
【００６３】
（比較例１）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、従来のＲＣＡ洗浄工程を行った。ＲＣＡ洗浄は、ＳＣ-1洗浄・フッ酸洗浄・ＳＣ−２洗浄の順に、洗浄溶液を満たした洗浄溶液槽にウェーハを浸漬させることにより行った。ＳＣ−１洗浄に用いた洗浄溶液の混合比率は、アンモニア：過酸化水素水：水＝１：１：５とし、ＳＣ-２洗浄に用いた洗浄溶液の混合比率は、塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：６とした。なお、ＳＣ−１洗浄のエッチング代は４ｎｍになるよう調整した。
続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００６４】
（比較例２）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、化学的洗浄を行うことなく実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００６５】
（比較例３）
実施例１と同様のシリコン単結晶をスライスして得たシリコンウェーハを、面取りし、ラッピングし、エッチングし、１次研磨・仕上げ研磨を行った。さらにこのウェーハについて、化学的洗浄のエッチング代を１．５ｎｍとした以外は実施例１と同条件で、オゾン洗浄・２流体洗浄・化学的洗浄の順に洗浄工程を行った。続いて、ウェーハの乾燥を行い半導体ウェーハを得た。
【００６６】
（評価方法）
以上の実施例および比較例で得た半導体ウェーハのヘイズレベルおよびパーティクル数について、KLA  TENCOR社製の表面検査装置(商品名：SP1)のＤＷＯモードで測定した。得られた結果を表１に示す。
【表１】
0004683233.tif 000002
【００６７】
実施例１〜１０と比較例１の結果を比較すると、従来のＲＣＡ洗浄を用いて製造したウェーハに比べて、本発明に従う洗浄工程を用いて製造したウェーハは、ヘイズが大幅に改善されている。したがって本発明の製造方法が、ウェーハのヘイズを改善し、ウェーハ表面に付着した微小なパーティクルの数を測定する上で有効であることが確認できた。【００６８】
また、実施例１〜３と比較例１、３を比較すると、化学的洗浄におけるエッチング代が０．２〜１．０ｎｍとした実施例１〜３と比較して、４ｎｍおよび１．５ｎｍとした比較例１、３のヘイズレベルは非常に悪い。したがって、エッチング代を０．２〜１．０ｎｍに限定することがウェーハのヘイズレベルの改善に高い効果をもたらすことが確認できた。
また、実施例４と実施例５を比較すると、オゾン洗浄のオゾン水の温度を５０℃以上とした実施例５において、パーティクル数がかなり改善されており、オゾン水の温度を５０℃以上とすることがパーティクル数の低減に高い効果をもたらすことが確認できた。
また、実施例１と実施例６を比較すると、オゾン洗浄および２流体洗浄がパーティクルの低減に貢献することが確認できた。
また、実施例１と実施例７および９を比較すると、機械的洗浄と同時に化学的洗浄を行うことで、パーティクルが低減していることが確認できた。
同様に、実施例３と実施例８および１０を比較しても、機械的洗浄と同時に化学的洗浄を行うことで、パーティクルが低減していることが確認できた。
また、比較例２のように、化学的洗浄を行わないと、パーティクルの除去ができない。
【００６９】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
たとえば、本発明が適用できる半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハに限られず、化合物半導体等のウェーハにも適用可能である。
【図１】
0004683233.tif 000003
【図２】
0004683233.tif 000004
【図３】
0004683233.tif 000005
【図４】
0004683233.tif 000006