(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスを保持するよう構成され、移動ラインに沿って移動可能なパターン支持体と、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定し、測定信号を発生するよう構成された少なくとも２つの位置センサと、
パターニングデバイスに入力された測定信号に基づいてパターン支持体の位置を制御するよう構成された位置決め装置とを備え、
前記位置決め装置は、移動ラインに沿ってスキャン両方向に前記パターン支持体を移動している間、前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置が、前記移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた前記少なくとも２つの位置センサにおいて測定され、前記パターン支持体の後続の移動の間、前記パターン支持体の位置を制御する、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記パターン支持体の移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた２つの位置センサを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
少なくとも２つの位置センサが、容量センサ、誘導センサ、光学センサおよび圧電センサからなる位置センサのグループから選択される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
パターニングデバイスを保持するよう構成され、移動ラインに沿って移動可能なパターン支持体であって、該パターニングデバイスが、放射線の断面にパターンを付けて、パターンの付いた放射線ビームを形成するよう構成されている、パターン支持体と、
基板を保持するよう構成されている基板支持体であって、該基板のターゲット部分にパターンの付いた放射線ビームが投影される基板支持体と、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定し、測定信号を発生するよう構成されている少なくとも２つの位置センサと、
位置決め装置であって、該位置決め装置に入力された測定信号に基づいて、パターン支持体と基板支持体のうちの少なくとも１つの位置を制御するよう構成されている位置決め装置とを備え、
前記位置決め装置は、移動ラインに沿ってスキャン両方向に前記パターン支持体または前記基板支持体を移動している間、前記パターン支持体または前記基板支持体に対する前記パターニングデバイスまたは前記基板の位置が、前記移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた前記少なくとも２つの位置センサにおいて測定され、前記パターン支持体または前記基板支持体の後続の移動の間、前記パターン支持体または前記基板支持体の位置を制御する、リソグラフィ装置。
【請求項５】
パターン支持体を設けること、
パターン支持体上にパターニングデバイスを保持すること、
移動ラインに沿ってパターン支持体を移動させること、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を少なくとも２つの位置センサを用いて測定すること、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置の測定に基づいてパターン支持体の位置を制御することを含み、
移動ラインに沿ってスキャン両方向に前記パターン支持体を移動している間、前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置が、前記移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた前記少なくとも２つの位置センサにおいて測定され、前記パターン支持体の後続の移動の間、前記パターン支持体の位置を制御する、デバイス製造方法。
【請求項６】
前記パターン支持体の位置を制御することが前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスのスリップを補正することを含む、請求項５に記載のデイバス製造方法。
【請求項７】
前記パターン支持体の後続の移動が該１つの方向である、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置が、前記パターン支持体の移動のうちの一定速度部分の間に測定される、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置が、異なる自由度を得るために２つ以上の箇所で測定される、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置が、前記パターン支持体の移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた２つの位置センサにおいて測定され、前記パターン支持体の位置が、前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置についての前記２つの位置センサでの測定の差に基づいて制御される、請求項５に記載のデイバス製造方法。
【請求項１１】
前記パターン支持体の位置の制御が、前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの回転を補正することを含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記パターン支持体に対する前記パターニングデバイスの位置を測定する前に、少なくとも１回、前記パターン支持体を前記移動ラインにおける両方向に移動させる、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
パターン支持体を設けること、
基板支持体を設けること、
放射線の断面にパターンを付けて、パターンの付いた放射線ビームを形成するよう構成されているパターニングデバイスをパターン支持体上に保持すること、
基板支持体上に基板を保持すること、
移動ラインに沿って、パターン支持体と基板支持体とを移動させること、
放射線ビームを発生させること、
基板のターゲット部分にパターンの付いた放射線ビームを投影すること、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を少なくとも２つの位置センサを用いて測定すること、
パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置の測定に基づいてパターン支持体および基板支持体の少なくとも一方の位置を制御することを含み、
移動ラインに沿ってスキャン両方向に前記パターン支持体または基板支持体を移動している間、前記パターン支持体または前記基板支持体に対する前記パターニングデバイスまたは前記基板の位置が、前記移動ラインに実質的に垂直な方向に間隔をあけて設けられた前記少なくとも２つの位置センサにおいて測定され、前記パターン支持体または前記基板支持体の後続の移動の間、前記パターン支持体または前記基板支持体の位置を制御する、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデイバス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機器機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つまたはいくつかのダイあるいはダイの一部を含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放出線感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網(ネットワークnetwork)を含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の照射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
スキャンタイプのリソグラフィ装置において、レチクル（パターニングデバイス）は、レチクルステージに連結されている。レチクルステージは、基板のターゲット部分にパターンを形成すると同時に、移動ラインに沿ってスキャン動作を行い、スキャン方向は、２つの連続的なスキャン動作の間で交互に切り替わる。このような方向転換を行うためには、これらの連続的なスキャン動作の間においてレチクルステージを減速および加速させることが望ましい。また、特定の方向への各スキャン動作の前後でレチクルステージを減速および加速させることが望ましい。従来、スキャン動作は一定速度で行われるが、少なくとも部分的に可変速度で行われてもよく、たとえば、減速位相および/または加速位相の少なくとも一部を含むものであってよい。
【０００４】
レチクルステージは、レチクルを支持する、即ち、レチクルの重みを支えるものである。レチクルステージは、レチクルの配向、当該リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、レチクルが真空環境内で保持されているか否かなど、その他の条件に応じた態様でレチクルを保持する。レチクルステージは、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができる架台またはテーブルを備えてよい。
【０００５】
レチクルは、カップリングによってレチクルステージに連結される。従来、レチクルは、レチクルステージに設けられた１つ以上の真空パッドとして行われる真空カップリングによってレチクルステージに連結され、レチクルの周辺領域の少なくとも一部はこの真空パッド上で保持される。そのため、レチクルとレチクルステージのそれぞれの隣接面の間には垂直抗力が生じ、その結果、レチクルとレチクルステージの接触面の間で摩擦が生じる。真空パッドは、ガス排出供給システムに連結された、１つ以上の開口部を備える。ガス排出の際、レチクルの該周辺領域の部分はレチクルステージに保持され、ガス供給の際、レチクルは、たとえば、交換のために、レチクルステージから切り離される。レチクルとレチクルステージとの真空カップリングの代わりに、静電式または機械式クランプ技術といったレチクルとレチクルステージとの間の摩擦によるその他のカップリングの形態を使用してレチクルをレチクルステージに保持することも考えられる。
【０００６】
現行の開発においては、リソグラフィ装置のスループットに関する要件を高めると、スキャン速度を高めることになる。結果として、レチクルステージの減速度および加速度が高まる。減速位相および加速位相では、レチクルステージおよびレチクルのそれぞれに対して作用する慣性力が高くなる。
【０００７】
レチクルステージとレチクルに対して作用する慣性力によりこれらが互いにスリップを起こすおそれがあることは知られている。このスリップは、通常、ナノメートル単位のものである。減速度および加速度の程度が比較的小さい場合は、生じるスリップの程度も小さく、各減速／加速位相においてその方向が変わっているが、長い時間でみると、ほぼ一定に見える。このような状況において、スリップは、十分に小さいものであれば、無視してよく、また、レチクルステージおよび／または基板ステージの位置（したがって、移動）を制御する位置決め装置を適切に調整することにより補正してもよい。
【０００８】
しかしながら、減速度および加速度が大きくなると、レチクルとレチクルステージとの間で生じるスリップも大きくなり、また、変化しやすく、予測できないものとなる。スリップの量に影響を与える要因には、係合するレチクルとレチクルステージの表面の平坦さと粗さ、レチクルとレチクルステージが操作される雰囲気の湿度、レチクルまたはレチクルステージの汚染、および、レチクルが真空パッドによりレチクル上に保持される場合の真空度が含まれてもよい。従って、位置決め装置を調整することで、慣性力が高い環境下で、レチクルステージおよび／または基板ステージの正確な位置決めができるわけではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
減速度および加速度が大きいことから生じるレチクルとレチクルステージとの間のスリップが原因となるレチクルの位置誤差を修正することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によると、パターニングデバイスを保持するよう構成され、移動ラインに沿って移動可能なパターン支持体と、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定し、測定信号を発生するよう構成された少なくとも１つの位置センサと、パターニングデバイスに入力された測定信号に基づいてパターン支持体の位置を制御するよう構成された位置決め装置と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１１】
本発明の一実施形態によると、パターニングデバイスを保持するよう構成され、移動ラインに沿って移動可能なパターン支持体であって、該パターニングデバイスが、放射線の断面にパターンを付けて、パターンの付いた放射線ビームを形成することができる、パターン支持体と、基板を保持するよう構成されている基板支持体であって、該基板のターゲット部分にパターンの付いた放射線ビームが投影される基板支持体と、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定し、測定信号を発生するよう構成されている少なくとも１つの位置センサと、位置決め装置であって、該位置決め装置に入力された測定信号に基づいて、パターン支持体と基板支持体のうちの少なくとも１つの位置を制御するよう構成されている位置決め装置と、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
本発明の一実施形態によると、パターン支持体を設けること、パターン支持体上にパターニングデバイスを保持すること、移動ラインに沿ってパターン支持体を移動させること、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定すること、および、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置の測定に基づいてパターン支持体の位置を制御すること、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の一実施形態によると、パターン支持体を設けること、基板支持体を設けること、放射線の断面にパターンを付けて、パターンの付いた放射線ビームを形成することができるパターニングデバイスをパターン支持体上に保持すること、基板支持体上に基板を保持すること、移動ラインに沿って、パターン支持体と基板支持体とを移動させること、放射線ビームを発生させること、基板のターゲット部分にパターンの付いた放射線ビームを投影すること、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定すること、および、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置の測定に基づいてパターン支持体および基板支持体の少なくとも一方の位置を制御すること、を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の一実施形態によると、上記装置を使用して製造されたデバイスが提供される。
【００１５】
本発明の一実施形態によると、上記方法に従って製造されたデバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、同じ参照符号によって対応部分を示す添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射線ビームＢ（たとえばＵＶ放射線または他の適切な放射線）を調整することができるように構成された照明システム（illumination system）（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けることができるように構成された第１位置決め装置ＰＭに連結されたマスク支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴとを含む。またリソグラフィ装置は、基板（たとえばレジスト塗布ウェーハ）Ｗを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第２位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴまたは「基板支持体」も含む。リソグラフィ装置は、またパターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影することができるように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳも含む。
【００１８】
照明システムとしては、放射線を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他の型の光学部品、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまな型の光学部品を含むことができる。
【００１９】
本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射線ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特性(phase-shift features)またはいわゆるアシスト特性(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射線ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２０】
パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、alternating位相シフト(alternating phase-shift)、および減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)などのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射線ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射線ビームにパターンを付ける。
【００２１】
本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射線にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００２２】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルまたは「基板支持体」（および／または２つ以上のマスクテーブルまたは「マスク支持体」）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルまたは支持体を並行して使うことができ、予備工程を１つ以上のテーブルまたは支持体上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルまたは支持体を露光用に使うこともできる。
【００２４】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、たとえば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の、たとえば、マスクと投影システムとの間の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術を使えば、投影システムの開口数を増大させることができる。本明細書において使われているような用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２５】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射線源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射線ビームは、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射線源は、たとえば、放射線源が水銀灯である場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射線システムと呼んでもよい。
【００２６】
イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節することができるように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側径方向範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射線ビームを調整すれば、放射線ビームの断面に任意の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２７】
放射線ビームＢは、マスク支持構造体（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射線ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射線ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射線ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。第１位置決め装置ＰＭおよび位置センサの特徴は添付の図面において詳細に示している。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」の移動も第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、けがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment mark)として公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
【００２８】
例示の装置は、以下のモードで使うことができると考えられる。
【００２９】
スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」、および基板テーブルＷＴまたは「基板支持体」を同期的にスキャンする一方で、放射線ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴまたは「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３０】
また、全く異なるモードを使用することもできる。
【００３１】
リソグラフィ装置をスキャンモードで動作させているときに、マスクテーブルＭＴは、スキャン移動を実行する。スキャン方向は２つの連続したスキャン移動の間において変更される。１つのスキャン方向から反対のスキャン方向に変更するためには、マスクテーブルＭＴを該１つのスキャン方向に移動させている間に減速させ、停止させてから、反対の方向に加速させる。この減速と加速により大きな慣性力が生じ、マスクＭＴとマスクテーブルＭＴとの間にスリップが生じる。スリップの量は多くの条件に左右されるため予測不可能であることが実験により証明されている。しかしながら、所定の条件下における所定のマスクテーブルＭＴおよび所定のマスクの組み合わせについては、スリップは実質的に再現可能である。
【００３２】
図２は、マスクＭＡを保持するマスクテーブルＭＴを示す。マスクテーブルＭＴは、図２におけるＹ方向（座標軸ＸおよびＹを参照。）の双方向の矢印ＳＤに示されるスキャン方向（「上（方向）」および「下（方向）」ともいう。）に移動することができる。マスクテーブルＭＴは、マスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡのＹ方向上の位置を判定するためにＸ方向に間隔をあけて置かれた２つの位置センサＳＥ１、ＳＥ２を含む。位置センサＳＥ１、ＳＥ２は、たとえば、容量センサ、誘導センサまたは光学センサ、あるいはその他の非接触位置センサなど様々な態様で実施してよい。位置センサＳＥ１、ＳＥ２は、マスクＭＡと接触状態にある場合は、たとえば、圧電センサを使用してもよい。２つの位置センサＳＥ１、ＳＥ２（またはＸ方向のさらなる位置センサ）を使用することにより、スキャン方向ＳＤにおける、マスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡの直線状の位置ずれ、即ち、スリップ、および、図２の面に直交する軸（Ｘ軸）を中心とするマスクＭＡの回転（ＲＺ）を測定することができる。２つの位置センサＳＥ１、ＳＥ２の代わりに、単一の位置センサを使用してもよく、その場合、マスクＭＡにおける該単一の位置センサに対向する側の中央に位置してもよい。あるいは、３つ以上の位置センサを使用してもよい。
【００３３】
図２、図３ａおよび図３ｂを参照すると、マスクＭＡの両側部領域は、マスクテーブルの２つの側部支持体ＭＴＳＳによってマスクテーブルＭＴ上で支持されている。マスクＭＡとマスクテーブルＭＴが係合する領域において、マスクテーブルＭＴは、マスクテーブル側部支持体ＭＴＳＳの上面に設けられた、側部支持体ＭＴＳＳに対してマスクＭＡを固定するための真空パッドを有する。図３ａと図３ｂは、さらに、マスクＭＡがペリクル（pellicle）ＰＥを有するペリクルフレームを備えていることを示している。
【００３４】
ここで、マスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡのＸ方向の位置ずれ、即ち、スリップを測定するために、図２に示す位置センサＳＥ１、ＳＥ２に加え、１つ以上の位置センサＳＥ３を設けてもよい。
【００３５】
さらなる位置センサを設けることにより、加速力および減速力によるマスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡのねじれ、たとえば、ＲＸ方向のねじれを測定し、このねじれを補正してマスクＭＡのねじれから生じうる焦点ぼけを軽減あるいは解消するようにしてもよい。
【００３６】
図４は、位置センサＳＥ１、ＳＥ２からそれぞれ測定信号Ｓ１、Ｓ２を受信する入力を有する位置決め装置を示す。
【００３７】
さらなる入力は、基準信号ＲＥＦを受信することができる。測定された信号は１つ以上の位置決め信号ＰＯＳを与えるよう処理することができ、これらの位置決め信号ＰＯＳは、入力信号Ｓ１、Ｓ２およびＲＥＦに基づいてマスクテーブルＭＴおよび基板支持体ＭＴの少なくとも一つを、場合によっては異なる自由度で制御する。信号Ｓ１および信号Ｓ２との差は、マスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡの回転を示すことができる。たとえば、マスクＭＡのＸまたはＺ位置を測定する位置センサからの信号も同様に処理することができる。
【００３８】
図５を参照すると、マスクテーブルＭＴにクランプされているマスクＭＡを両方向ＳＤに移動させ（加速位相、一定速度位相、減速位相を含む方向への移動）、図２に示す構成で、位置センサＳＥ１、ＳＥ２を使用してマスクテーブルＭＡに対するマスクＭＡの位置を測定して（それぞれセンサ１、センサ２として図５に示す）実験が行われている。図５は、位置センサＳＥ１、ＳＥ２から得た測定信号を示す。各移動方向における（８６ｍｓ−２に選択された）加速と、それに続く減速との間で、マスクテーブルＭＴに対するマスクＭＡの位置を測定する（ＰｕｐおよびＰｄｏｗｎ）。レベルＰｕｐは、センサ２により測定された上方向に加速した後のマスクＭＡの（安定）位置であり、Ｐｄｏｗｎは、センサ２により測定された下方向に加速した後の（安定）位置である。この実験において、位置Ｐｕｐと位置Ｐｄｏｗｎとの差は８ｎｍである。ここで、マスクテーブルＭＴは、上方向に整定する時間がなく、これがこの方向に安定位置がないことの原因となっている。しかし、位置Ｐｕｐおよび位置Ｐｄｏｗｎは、移動方向を何度か変更した後もほぼ同じ位置にとどまる。この効果は、パターン支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定する前に、少なくとも一度、パターニングデバイスを備えたパターン支持体を両方向(opposite directions)に移動させることにより、リソグラフィプロセスにおいてマスクＭＡを実際に使用する前にマスクＭＡとマスクテーブルＭＴとの間のクランピングを準備または調整するために用いることができる。
【００３９】
さらなる実験を行うことにより、加速／減速が増えるにつれて、ＰｕｐとＰｄｏｗｎとの差が増大するものと思われる。
【００４０】
本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することは、明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを形成するために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４１】
光学リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に創出されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４２】
本明細書で使われている用語「放射線」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射線（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）放射線（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含している。
【００４３】
用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学部品を含むさまざまな種類の光学系のどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００４４】
必要に応じて、本発明の詳細な実施形態を開示しているが、当然のことながら、開示されている実施形態は、本発明の典型的な例であり、本発明は、様々な形態で具体化することができる。よって、記載の発明について、以下の記載される請求項の範囲から逸脱することなく、変形がなされうることは、当業者には明らかである。本明細書に開示される具体的な構造上および機能上の詳細は限定するものではなく、単に、請求項の根拠として、また、適切に詳説された事実上あらゆる構造において様々な態様で本発明を採用することを当業者に教示する代表的な根拠として解釈されるものである。さらに、本明細書において使用されている用語および語句は、限定を意図するものではなく、むしろ、本発明を分かりやすく説明するためのものである。
【００４５】
本明細書において使用される「１つ（aまたはan）」という用語は、１つ以上と定義される。本明細書において使用される「複数の（plurality）」という用語は、２つ以上と定義される。本明細書において使用される「別の、もう１つの（another）」という用語は、少なくとも２つめ以上と定義される。本明細書において使用される「含む」および／または「有する」という用語は、「備える（comprising）」（すなわち、オープンエンド形式の語句）として定義される。本明細書において使用される「連結され（てい）る（coupled）」は、「接続され（てい）る（connected）」と定義されるが、必ずしも、直接接続あるいは機械的接続と定義されるものではない。
【００４６】
本発明は、少なくとも部分的に、上記に開示されている方法を記載する機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取りうる。本明細書において使用される「プログラム」、「ソフトウエアアプリケーション」等の用語は、コンピュータシステム上の実行のため一連の指示として定義される。プログラム、コンピュータプログラムまたはソフトウエアプログラムは、サブルーチン、機能、手続き、対象の方法、対象の実行、実行可能なアプリケーション、アプレット、サーブレット、ソースコード、オブジェクトコード、共有ライブラリ／ダイナミックロードライブラリ、および／または、コンピュータシステム上の実行のための指示のその他のシーケンスを含むこともある。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】パターニングデバイスを保持するパターンステージの平面図を概略的に示す。
【図３ａ】図２のパターニングデバイスを保持するパターンステージの、線ＩＩＩＡ-ＩＩＩＡに沿った断面図を概略的に示す。
【図３ｂ】図２のパターニングデバイスを保持するパターンステージの、線ＩＩＩＢ-ＩＩＩＢに沿った断面図を概略的に示す。
【図４】位置決め装置の略ブロック図を示す。
【図５】パターニングデバイスおよびパターン支持体の移動中に生じる、パターン支持体に対するパターニングデバイスのスリップを表すグラフを示す。
【図１】
0004621647.tif 000002
【図２】
0004621647.tif 000003
【図３ａ】
0004621647.tif 000004
【図３ｂ】
0004621647.tif 000005
【図４】
0004621647.tif 000006
【図５】
0004621647.tif 000007