(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造式を有するイリジウム化合物であって、
【化１】
0004663326.tif 000025
式中の
Ｌ1及びＬ2はそれぞれ、２−フェニルピリジンであり、
Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ、同一もしくは異なった基であって、水素原子、炭素数が１または４つのアルキル基、フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントリル基、ナフチル基、フルオレニル基、チオフェニル基、カルバゾリル基、トリフルオリルメチル基、及びフッ素原子から選択される
ことを特徴とするイリジウム化合物。
【請求項２】
Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれメチルである
ことを特徴とする請求項１に記載のイリジウム化合物。
【請求項３】
請求項２に記載のイリジウム化合物の製造方法であって、
【化２】
0004663326.tif 000026
を反応させることを特徴とするイリジウム化合物の製造方法。
【請求項４】
前記反応は炭酸ナトリウムの存在下で行われる
ことを特徴とする請求項３に記載のイリジウム化合物の製造方法。
【請求項５】
前記反応は２−エトキシエタノール中で行われる
ことを特徴とする請求項３に記載のイリジウム化合物の製造方法。
【請求項６】
第１の電極と、第２の電極と、前記第1の電極と前記第２の電極との間にあるエレクトロルミネセント層とを備えるエレクトロルミネセントデバイスの形成方法であって、
基板に請求項１または２に記載のイリジウム化合物を真空蒸着させることにより、前記エレクトロルミネセント層を形成させる
ことを特徴とするエレクトロルミネセントデバイスの形成方法。
【請求項７】
基板に４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）と共に前記イリジウム化合物を真空蒸着して、前記イリジウム化合物と前記４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）とを混合させたエレクトロルミネセント層を形成する
ことを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネセントデバイスの形成方法。
【請求項８】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第1の電極と前記第２の電極との間にあるエレクトロルミネセント層とを備えるエレクトロルミネセントデバイスであって、
基板に蒸着させたイリジウム化合物を備え、該イリジウム化合物は、請求項１または２に記載のイリジウム化合物である
ことを特徴とするエレクトロルミネセントデバイス。
【請求項９】
前記エレクトロルミネセント層は、前記真空蒸着されたイリジウム化合物と真空蒸着された４，４−ビス（９−ジカルバゾイル）−ビフェニル（ＣＢＰ）とを備える
ことを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネセントデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス物質およびエレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電流が流れたときに発光する物質は公知であり、ディスプレイに広範囲で応用されている。液晶デバイスおよび、無機半導体システムに基づいたデバイスは、広範囲に用いられているが、これらは高いエネルギー消費、製造時の高コスト、低い量子効率およびフラットパネルディスプレイをつくることができないという見地に鑑みて不利である。
【０００３】
有機ポリマーはエレクトロルミネッセンスデバイスにおいて有用であるとの提案がなされてきたが、純色を得ることができず、製造コストが高く、また、比較的低い効率である。
【０００４】
別に提案された化合物としては、アルミニウムキノラート（aluminium quinolate）があるが、色の範囲を得るためには添加共存物質（ドーパント； dopants）が必要となり、また、比較的低い効率である。
【０００５】
特許出願 WO98/58037号は、改良された特性とよりよい結果を与えるエレクトロルミネッセンスデバイスにおいて用いることができるランタノイド錯体の範囲を開示している。特許出願 PCT/GB98/01773号、 PCT/GB99/03619号、 PCT/GB99/04030号、 PCT/GB99/04024号、 PCT/GB99/04028号、 PCT/GB00/00268号 において、希土類元素のキレートを用いたエレクトロルミネッセンス錯体、構造およびデバイスが開示されている。
【０００６】
米国特許 5128587号は、高い仕事関数の透明電極と、エレクトロルミネッセンス層と前記の高い仕事関数の透明電極との間に置かれた正孔伝導層、および、前記エレクトロルミネッセンス層と電子注入低仕事関数アノードとの間に置かれた電子伝導層、を有する低い仕事関数の第二電極との間に挟まれた、ランタノイド系列の希土類元素の有機金属錯体から成る、エレクトロルミネッセンスデバイスを開示している。前記正孔伝導層および前記電子伝導層は、前記デバイスのはたらきと効率を改善するために必要とされる。前記正孔伝導層は、正孔を伝送し、かつ電子を阻止するため、電子は前記電極内へ入ることができず、正孔と再結合することができない。これらキャリアーの再結合は、主に前記放射層（the emitter layer）で起こる。
【発明の開示】
【０００７】
われわれは、エレクトロルミネッセンス化合物と、それを含むエレクトロルミネッセンス構造とを考案した。
本発明において、以下の構造式のエレクトロルミネッセンスジイリジウム化合物が提供される。
【０００８】
【化３】
0004663326.tif 000002
ここで、式中の R1 、 R2 、 R3および R4 は、水素原子、ならびに、置換および非置換脂肪族基のような置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換芳香族基、複素環構造および多環構造、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基から選択する、同一であるかまたは異なる基であるか、あるいは、R1、 R2 および R3 は、置換および非置換縮合環芳香族基、複素環構造基および多環構造基を形成し、かつスチレンのようなモノマーと共重合できる。
【０００９】
R1 および／または R2 および／または R3 および／または R4 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、ならびに、置換もしくは非置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基、を含む。
【００１０】
好ましい有機配位子 L1 および L2 は、フェニルピリジン、および、置換フェニルピリジン類である。
本発明は、(i) 第一電極、(ii) 前記のジイリジウム錯体（Ａ）の層、および(iii) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
【００１１】
前記の第一電極はカソードとしてはたらくことができ、また、前記の第二電極はアノードとしてはたらくことができ、好ましくは、前記アノードと前記のエレクトロルミネッセンス化合物の層との間に、正孔伝送物質の層が存在する。
【００１２】
正孔伝送物質は、エレクトロルミネッセンスデバイスで用いられるあらゆる正孔伝送物質でありえる。
前記正孔伝送物質は、ポリ(ビニルカルバゾール)、N,N'-ジフェニル-N,N'-ビス(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン （ N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine ; TPD ）、アミノ基置換芳香族化合物の非置換もしくは置換ポリマー、ポリアニリン、置換ポリアニリン、ポリチオフェン類、置換ポリチオフェン類、ポリシラン類などといったアミン錯体とすることができる。ポリアニリン類の例としては、以下の構造式のポリマーがあり、
【００１３】
【化４】
0004663326.tif 000003
ここで式中の R は、オルト位もしくはメタ位に在る、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、アミノ基、クロロ基、ブロモ基、ヒドロキシ基（ hydroxy ）、もしくは、以下の構造式の基であって、
【００１４】
【化５】
0004663326.tif 000004
ここで、式中のRは、アルキル基もしくはアリール基であり、また、R' は、水素原子、または、上記の構造式(I)の少なくともひとつの他のモノマーをともなう炭素数1〜6のアルキル基もしくはアリール基である。また、前記正孔伝送物質は、ポリアニリンとすることができ、本発明で用いられるポリアニリン類は、以下の一般の構造式を有し、
【００１５】
【化６】
0004663326.tif 000005
ここで、式中の p は、1から10までの値であり、 n は、1から20までの値であり、Rは上述で定義したものであって、かつ、Xは、好ましくは、Cl、Br、SO4、BF4 、PF6 、H2PO3 、H2PO4、スルホン酸アリール（ arylsulphonate ）、アレーンジカルボキシラート（ arenedicarboxylate ）、ポリスチレンスルホナート、ポリアクリラートアルキルスルホナート（ polyacrylate alkysulphonate ）、スルホン酸ビニル、ビニルベンゼンスルホナート（ vinylbenzene sulphonate ）、スルホン酸セルロース（ cellulose sulphonate ）、スルホン酸ショウノウ（ camphor sulphonates ）、硫酸セルロース（ cellulose sulphate ）、もしくは、過フッ化ポリアニオン（ a perfluorinated polyanion ）から選ばれる、アニオンである。
【００１６】
スルホン酸アリール類の例としては、p-トルエンスルホナート（ p-toluenesulphonate ）、スルホン酸ベンゼン（ benzenesulphonate ）、 9,10-アントラキノン-スルホナート （ 9,10-anthraquinone-sulphonate ）、およびスルホン酸アントラセン（ anthracenesulphonate ）があり、また、アレーンジカルボキシラートの例は、フタラート（ phthalate ）であり、また、アレーンカルボキシラートの例は、ベンゾアート（ benzoate ）である。
【００１７】
われわれは、ポリアニリンのような、アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーの、プロトン化したポリマーが、蒸着困難もしくは蒸着不可能であることを見出した。しかしながら、アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーを脱プロトン化すると、容易に蒸着でき、すなわちその（ポリマーの）ポリマーも蒸着可能であるということを発見した。
【００１８】
アミノ基置換された芳香族化合物の、非置換もしくは置換ポリマーの、蒸着可能な脱プロトン化ポリマーを用いるのが好ましい。前記のアミノ基置換された芳香族化合物の、脱プロトン化された非置換もしくは置換ポリマーは、水酸化アンモニウム、または、水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウムのような水酸化アルカリ金属といったアルカリで処理することによって前記ポリマーを脱プロトン化して合成する。
【００１９】
プロトン化の程度は、プロトン化ポリアニリンの形成と脱プロトン化によって制御できる。ポリアニリンの処理方法は、文献 A. G. MacDiarmid and A. F. Epstein, Faraday Discussions, Chem Soc.88 P319 1989 に開示されている。
【００２０】
前記ポリアニリンの電気伝導度は、プロトン化の程度に依存し、電気伝導度が最大となるのは、プロトン化の程度が40％から60％の間であるときであり、例えば、約50％のときである。
【００２１】
前記ポリマーは、実質的にすべて脱プロトン化するのが好ましい。
ポリアニリンはオクタマー単位（p=4）をとることができ、例えば、以下の構造式となる。
【００２２】
【化７】
0004663326.tif 000006
前記ポリアニリンは、1x10-1 Siemen cm-1のオーダーか、さらにそれ以上の電気伝導度を持つことができる。
【００２３】
前記芳香環は、非置換であるか、もしくは、例えばエチル基のような炭素数が1〜20のアルキル基による置換をすることができる。
前記ポリアニリンは、アニリンのコポリマーとすることができ、また、好ましいコポリマーは、o-アニシジン（ o-anisidine ）、m-スルファニル酸（ m-sulphanilic acid ）、もしくは o-アミノフェノールとアニリンとのコポリマー、または、o-アミノフェノール、o-エチルアニリン、o-フェニレンジアミン、もしくは、アミノアントラセン類とo-トルイジン（ o-toluidine ）とのコポリマーである。
【００２４】
使用できるアミノ基置換芳香族化合物の他のポリマーは、置換もしくは非置換のポリアミノナフタレン類、ポリアミノアントラセン類、ポリアミノフェナントレン類など、および、他の任意の縮合ポリ芳香族化合物のポリマー、を含む。ポリアミノアントラセン類およびその合成方法は、米国特許 6,153,726号に開示されている。前記の芳香環は、非置換であるか、もしくは例えば上述で定義した基 Rによって置換することができる。
【００２５】
他の正孔伝送物質としては、共役ポリマー、および、米国特許 5807627号、PCT/WO90/13148 、PCT/WO92/03490 に開示もしくは参照されている任意の共役ポリマーを用いた共役ポリマー、がある。
【００２６】
好ましい共役ポリマーとしては、ポリ(p-フェニレンビニレン)-PPV （ poly(p-phenylenevinylene)-PPV ）および、PPVを含むコポリマーである。他の好ましいポリマーは、ポリ(2-メトキシ-5-(2-メトキシペンチルオキシ-1,4-フェニレンビニレン),ポリ(2-メトキシペンチルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン) （ poly(2-methoxy-5-(2-methoxypentyloxy-1,4-phenylene vinylene, poly(2-methoxypentyloxy)-1,4-phenylenevinylene) ）、ポリ(2-メトキシ-5-(2-ドデシルオキシ-1,4-フェニレンビニレン) （ poly(2-methoxy-5-(2-dodecyloxy-1,4-phenylenevinylene ）といったポリ(2,5ジアルコキシフェニレンビニレン) （ poly(2,5dialkoxyghenylene vinylene) ）、ならびに、アルコキシ基、ポリフルオレン類およびオリゴフルオレン類、ポリフェニレン類およびオリゴフェニレン類、ポリアントラセン類およびオリゴアントラセン類、ポリチオフェン類およびオリゴチオフェン類、に可溶である少なくともひとつの長鎖アルコキシ基を持つ、他のポリ(2,5ジアルコキシフェニレンビニレン) 、である
PPVにおいては、フェニレン環は、ひとつまたは複数の置換基、例えば、好ましくはメチル基であるアルキル基、好ましくはメトキシ基もしくはエトキシ基であるアルコキシ基から、それぞれ独立に選択される基、を任意に持つことができる。
【００２７】
置換された誘導体を含む、任意のポリ(アリーレンビニレン) （ poly(arylenevinylene) ）を使用することができ、また、ポリ(p-フェニレンビニレン)内のフェニレン環は、アントラセン環またはナフチレン環のような縮合環系に置き換えることができ、また、それぞれのポリフェニレンビニレン基中のビニレン基の数は、7またはそれ以上に増やすことができる。
【００２８】
前記の共役ポリマーは、米国特許 5807627号 、PCT/WO90/13148 、PCT/WO92/03490 に開示されている方法でつくることができる。
前記正孔伝送層の厚さは、好ましくは、20nm〜200nmである。
【００２９】
上記で言及したポリアニリンのようなアミノ基置換芳香族化合物のポリマーは、他の正孔伝送物質との共役にともなうもしくはその中における、バッファ層（buffer layer）として用いることができる。
【００３０】
他の正孔伝送物質層の構造式は、図12〜16に示しており、ここで、式中の R1、 R2 、および R3 は、水素原子、ならびに、置換および非置換脂肪族基のような置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換芳香族基、複素環構造および多環構造、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基から選択する、同一であるかまたは異なる基であるか、あるいは、R1、 R2 および R3 は、置換および非置換縮合環芳香族基、複素環構造基および多環構造基を形成し、かつスチレンのようなモノマーと共重合できる。Xは、Se、SもしくはOであり、Yは、水素原子、置換もしくは非置換芳香族基のような置換もしくは非置換ヒドロカルビル基、複素環構造基および多環構造基、フッ素原子、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基もしくはチオフェニル基もしくはニトリル基、とすることができる。
【００３１】
R1 および／または R2 および／または R3 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環のアルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、ならびに、置換もしくは非置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基、を含む。
【００３２】
本発明のある実施例においては、前記エレクトロルミネッセンス層内で、前記正孔伝送物質は、前記エレクトロルミネッセンス化合物と混合され、また、好ましいエレクトロルミネッセンス化合物は、図4bに示す構造式を有する CBP である。
【００３３】
前記アノードと前記正孔伝送層との間には、バッファ層を置くことができ、また、上述で列挙した任意の正孔伝送物質を用いることができる。
前記カソードと前記エレクトロルミネッセンス化合物との間に、電子注入物質の層を任意に加えることができる。前記電子注入物質は、例えばアルミニウムキノラート、リチウムキノラート、 Mx(DBM)n （式中の Mx は金属であり、 DBM はジベンゾイルメタンであり、 n は Mx の原子価であり、例えばMx はクロムである）、といった金属錯体を含み、電子注入物質中を電流が通過するときに電子を伝送する物質である。前記電子注入物質は、例えば9,10-ジシアノアントラセンのようなシアノアントラセン、シアノ基置換芳香族化合物、テトラシアノキニドジメタン（ tetracyanoquinidodimethane ）、ポリスチレンスルホナート（ a polystyrene sulphonate ）、または、図9もしくは図10に示した構造式においてフェニル環を上述で定めた置換基 R によって置換したもの、とすることもできる。層を分ける代わりに、前記電子注入物質と、エレクトロルミネッセンス物質を混合し、かつ共に析出させることができる。
【００３４】
前記正孔伝送物質と、エレクトロルミネッセンス物質を混合し、かつ共に析出させることも任意に可能である。
前記正孔伝送物質、前記エレクトロルミネッセンス物質および前記電子注入物質は、構造を簡単にするために、混合して単独の層をつくることができる。
【００３５】
アノードは、好ましくは、アノードとしてはたらく導電性ガラスもしくはプラスチック物質のような透明な基層である。好ましい基層は、錫ドープ酸化インジウム（indium tin oxide）被覆ガラスのような導電性ガラスであるが、導電性があるか、または金属もしくは導電性ポリマーのような導電性層を持つ任意のガラスを用いることができる。導電性ポリマーおよび、導電性ポリマー被覆ガラスもしくはプラスチック物質は、前記の基層にも用いることができる。
【００３６】
カソードは、好ましくは、例えばアルミニウム、カルシウム、リチウム、マグネシウム、および、銀／マグネシウム合金、希土類金属合金などといったそれらの合金である、低い仕事関数の金属であり、好ましい金属は、アルミニウムである。アルカリ金属、希土類金属、もしくはその合金のようなフッ化金属を前記の第二電極とすることができ、例えば、金属上にフッ化金属層をつくるように用いることができる。
【００３７】
前記ジイリジウム化合物(A)は、例えばユウロピウム錯体である他のエレクトロルミネッセンス化合物と混合することができ、また、本発明は、(i) 第一電極、(ii) イリジウム有機金属錯体もしくは有機錯体と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、および(iii) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
【００３８】
さらにエレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層が在るのが好ましく、本発明は、(i) 第一電極、(ii) エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、(iii) ジイリジウム化合物と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体の層、および(iv) 第二電極、を含むエレクトロルミネッセンスデバイスも提供する。
【００３９】
前記のエレクトロルミネッセンスユウロピウム有機金属錯体もしくは有機錯体は、好ましくは、構造式 (Lα)3Eu を持ち、ここで式中の Lα は有機錯体である。
本発明で用いられる、好ましいエレクトロルミネッセンス化合物は、以下の構造式を持ち、
【００４０】
【化８】
0004663326.tif 000007
ここで式中の Lα および Lp は有機配位子であって、 Lp は中性配位子である。複数の配位子 Lα は、同一もしくは異なったものとすることができ、また、同一もしくは異なったものである複数の配位子 Lp を置くことができる。
【００４１】
例として、 (L1)(L2)(L3)Eu(Lp) は、式中の (L1)(L2)(L3) は同一もしくは異なった有機錯体、 (Lp) は中性配位子であって、種々の基群 (L1)(L2)(L3) は同一もしくは異なったものとすることができる。
【００４２】
Lp は単座配位子、二座配位子もしくは多座配位子とすることができ、 配位子 Lp はひとつもしくは複数とすることができる。
本発明で用いることができる、さらなるエレクトロルミネッセンス化合物は、一般構造式(Lα)nEuM2 を有し、ここで式中の M2 は非希土類金属、 Lα は前述したもの、ならびに n は Eu および M2 の結合原子価状態である。前記錯体は、さらにひとつもしくは複数の中性配位子 Lp を含むことができ、このとき一般構造式は、 (Lα)nEuM2(Lp) となり、ここで式中の Lp は前述したものである。金属 M2 は、希土類、遷移金属、ランタノイドもしくはアクチノイドではない任意の金属である。使用できる金属の例は、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅(I)、銅(II)、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、錫(II)、錫(IV)、アンチモン(II)、アンチモン(IV)、鉛(II)、鉛(IV)、ならびに、種々の原子価状態の第一、第二および第三遷移金属、例えば、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム(II)、パラジウム(IV)、白金(II)、白金(IV)、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、を含む。
【００４３】
好ましくは、 Lα は、以下の構造式の化合物のようなβ-ジケトンから選択する。
【００４４】
【化９】
0004663326.tif 000008
ここで、式中の R1 、 R2 および R3は、同一もしくは異なった基であって、水素原子、ならびに、置換および非置換脂肪族基のような置換および非置換ヒドロカルビル基、置換および非置換芳香族基、複素環および多環構造、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基である。また、 R1、 R2 および R3 は、置換および非置換縮合芳香族環、複素環および多環構造をとることもでき、スチレンのようなモノマーと共重合することもできる。X は、Se、SもしくはOであり、Y は、水素原子、ならびに、置換および非置換芳香族基のような置換および非置換ヒドロカルビル基、複素環および多環構造、フッ素原子、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基もしくはニトリル基とすることができる。
【００４５】
R1 および／もしくは R2 および／もしくは R3 の例は、脂肪族基、芳香族基、ならびに、複素環アルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換および置換フェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、フェナントレン基（ phenanthrene ）、アントラセン基（ anthracene ）、ナフチル基およびフルオレン基（ fluorene ）、ならびに、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびに、カルバゾールのような複素環基を含む。
【００４６】
種々の基群 Lα のうちのいくつかは、同一もしくは異なった、カルボキシラート基のような荷電基とすることもでき、これによって、基 L1 は上述で定義したもの、基群 L2 、 L3、・・・ は以下の構造式のような荷電基とすることができ、
【００４７】
【化１０】
0004663326.tif 000009
ここで式中の R は、 上述で定義した R1 であるか、あるいは、基群 L1 、 L2 は上述で定義したもの、L3 、... などは、他の荷電基とすることができる。
【００４８】
R1 、 R2 、および R3は、XをO、S、Se もしくは NH とする以下の構造式の基とすることもできる。
【００４９】
【化１１】
0004663326.tif 000010
好ましい基 R1 は、トリフルオロメチル基 CF3であり、また、前記のジケトンの例は、ベンゾイルトリフルオロアセトン（ banzoyltrifluoroacetone ）、 p-クロロベンゾイルトリフルオロアセトン（ p-chlorobenzoyltrifluoroacetone ）、 p-ブロモトリフルオロアセトン（ p-bromotrifluoroacetone ）、 p-フェニルトリフルオロアセトン（ p-phenyltrifluoroacetone ）、 1-ナフトイルトリフルオロアセトン（ 1-naphthoyltrifluoroacetone ）、 2-ナフトイルトリフルオロアセトン（ 2-naphthoyltrifluoroacetone ）、 2-フェナントイルトリフルオロアセトン（ 2-phenathoyltrifluoroacetone ）、 3-フェナントイルトリフルオロアセトン（ 3-phenanthoyltrifluoroacetone ）、 9-アントロイルトリフルオロアセトントリフルオロアセトン（ 9-anthroyltrifluoroacetonetrifluoroacetone ）、 シンナモイルトリフルオロアセトン（ cinnamoyltrifluoroacetone ）、および 2-テノイルトリフルオロアセトン（ 2-thenoyltrifluoroacetone ）である。
【００５０】
種々の基群 Lα は、以下の構造式の同一もしくは異なった配位子とすることができ、
【００５１】
【化１２】
0004663326.tif 000011
ここで式中の X はO、SもしくはSeであり、R1 、 R2および R3 は上述したものである。
【００５２】
種々の基群 Lα は、以下の構造式で表わされる、同一もしくは異なったキノラート誘導体であって、
【００５３】
【化１３】
0004663326.tif 000012
ここで、式中のRは、ヒドロカルビル基、脂肪族基、芳香族基、または、例えば 8-ヒドロキシキノラート誘導体のような、複素環のカルボキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基もしくはアルコキシ基、または、以下の構造式の基である。
【００５４】
【化１４】
0004663326.tif 000013
ここで、式中のR、 R1 および R2 は上述したものであるか、または、水素原子もしくはフッ素原子であって、例えば、R1および R2 は、アルキル基もしくは以下の構造式のアルコキシ基である。
【００５５】
【化１５】
0004663326.tif 000014
上述したように、種々の基群 Lα は、同一もしくは異なった、例えば以下の構造式のようなカルボキシラート基とすることができ、
【００５６】
【化１６】
0004663326.tif 000015
ここで、式中の R5 は、置換もしくは非置換芳香族基、多環もしくは複素環ポリピリジル基であって、また、R5は、2-エチルヘキシル基とすることもでき、このとき Ln は、 ヘキサン酸2-エチルとなり、あるいは、R5 は、椅子構造とすることもでき、このとき Ln は、 シクロヘキサン酸2-アセチル （ 2-acetyl cyclohexanoate ）となり、あるいは、Lnは、以下の構造式とすることもでき、
【００５７】
【化１７】
0004663326.tif 000016
ここで、式中のRは上述したものであり、例えば、アルキル基、アレニル基（ allenyl ）、アミノ基、または、単環もしくは多環の縮合環である。
【００５８】
種々の基群Lαは、さらに、以下の構造式のものとすることができる。
【００５９】
【化１８】
0004663326.tif 000017
上述した構造式(A)の基群 Lp は、以下の構造式から選択することができ、
【００６０】
【化１９】
0004663326.tif 000018
ここで、式中のそれぞれの Ph は、同一もしくは異なった、フェニル基（OPNP）または置換フェニル基、他の置換もしくは非置換芳香族基、置換もしくは非置換複素環または多環基、ナフチル基、アントラセン基、フェナントレン基もしくはピレン基のような置換もしくは非置換縮合環芳香族基、とすることができる。前記置換基は、例えば、アルキル基、アラルキル基（aralkyl）、アルコキシ基、芳香族基、複素環基、多環基、フッ素原子のようなハロゲン基、シアノ基、アミノ基、置換アミノ基など、とすることができる。例を、図1および2に示した。ここで、 R 、 R1 、 R2 、 R3 および R4 は、同一もしくは異なった基であって、水素原子、ヒドロカルビル基、置換および非置換芳香族基、複素環および多環構造、トリフルオリルメチル基（ trifluoryl methyl groups ）のようなフルオロカーボン基、フッ素原子のようなハロゲン基、もしくはチオフェニル基から選択することができるか、あるいは、R 、 R1 、 R2 、 R3 および R4 は、置換もしくは非置換縮合環芳香族基、複素環および多環構造をとることもでき、スチレンのようなモノマーと共重合することもできる。 R 、 R1 、 R2 、 R3 および R4 は、ビニル基もしくは以下の構造式の基のような非飽和アルキレン基とすることもでき、
-C-CH2=CH2-R
ここで R は上述したものである。
【００６１】
Lp は、以下の構造式の化合物とすることもでき、
【００６２】
【化２０】
0004663326.tif 000019
ここで式中の R1 、 R2 および R3は、上述のものであり、例えば、図3に示したバソフェン（ bathophen ）は、式中の R は上述したもの、もしくは以下の構造式であって、
【００６３】
【化２１】
0004663326.tif 000020
ここで式中の R1 、 R2 および R3は、上述したものである。
【００６４】
Lp は、以下の構造式とすることもでき、
【００６５】
【化２２】
0004663326.tif 000021
ここで式中の Ph は上述したものである。
【００６６】
Lp キレートの他の例は、図4に示したもの、および、フルオレン、および、例えば図5に示したフルオレン誘導体、および、図6〜8に示した構造式の化合物である。
Lα および Lp の特定の例は、トリピリジル基およびTMHD、およびTMHD錯体、α,α',α''トリピリジル基 （ α,α',α'' tripyridyl ）、クラウンエーテル類、シクラン類（ cyclans ）、クリプタンスフタロシアナン類 （ cryptans phthalocyanans ）、ポルフォルイン類 （ porphoryins ）、エチレンジアミンテトラミン （ ethylene diamine tetramine; EDTA ）、DCTA、DTPAおよびTTHAである。ここでTMHD とは、 2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナート （ 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato ）であり、OPNP とは、ジフェニルホスホンイミドトリフェニルホスホラン （ diphenylphosphonimide triphenyl phosphorane ）である。前記ポリアミン類の構造式は図11に示した。
【００６７】
好ましいユウロピウム錯体は、 Eu(DBM)3OPNP である。
本発明のある実施形態では、(i) 第一電極、(ii) 正孔伝送層、(iii) イリジウム有機金属錯体もしくは有機錯体(A)と混合された、エレクトロルミネッセンスユウロピウム有機錯体もしくは有機錯体の層、(iv) 電子伝送層、および(v) 第二電極、を含む構造を提供し、また、好ましくは、前記層(iii)に隣接して、ユウロピウムエレクトロルミネッセンス有機金属錯体もしくは有機錯体のひとつもしくは複数の層が存在する。
【００６８】
正孔と電子が、前記エレクトロルミネッセンス層で結合するようにするため、および前記デバイスの全体的な性能を向上させるために、バッファ層となる他の層を任意に置くこともできる。
【発明を実施するための最良の態様】
【００６９】
前記ジイリジウム錯体、およびそれを組み込んだデバイスの合成の実例となる実施例において、本発明を図示する。
【実施例１】
【００７０】
3,4-ジアセチル-2,5-ヘキサンジオン(I)
【００７１】
【化２３】
0004663326.tif 000022
1リットルの三叉丸底フラスコに、不活性雰囲気（窒素）下で、ナトリウム=tert-ブトキシド （ sodium tert-butoxide ）（30.0g, 310mmol）および磁気攪拌子を入れた。Thf（Na/ベンゾフェノンで乾燥・蒸留したもの、 500mL）を導入し、温度を -78℃まで下げて、 Thf（Na/ベンゾフェノン（ Nalbenzophenone ）で乾燥・蒸留したもの、 100mL）に溶かしたペンタン-2,4-ジオン（30.0g, 300mmol）を30分間かけて加えた。前記の反応は、0℃近傍まで昇温してもよく、氷浴によって温度が5℃以下となるように保つ。Thf（Na/ベンゾフェノンで乾燥・蒸留したもの、 100mL）に溶かした沃素（38.0g, 150mmol）を滴下して加えた。前記の反応液を、氷浴下でさらに30分間攪拌し、その後に氷浴を除いてさらに1時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム溶液（生成物が中和されていたことを保証するために、pHを測定した）200mL中に注ぎ入れた前記反応液に、ジエチルエーテル（300mL）を加えた。有機層を 0.25M チオ硫酸ナトリウム溶液（2 x 200mL）で洗い、さらに塩水（200mL）で洗った。揮発成分を減圧除去し、生成物をエタノール（95%）から再結晶して、融点193〜194℃の無色結晶（19.3g, 65%）を得た。前記生成物は、さらなる精製をせずに用いた。
【実施例２】
【００７２】
テトラキス(2-フェニルピリジン-C2,N')(ジ-μ-クロロ)ジイリジウム(II)
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(di-μ-chloro)diiridium ）
【００７３】
【化２４】
0004663326.tif 000023
三塩化イリジウム水和物（0.388g）を、 2-フェニルピリジン（0.76g）と化合させ、2-エトキシエタノール（30mL, MgSO4 で乾燥・蒸留したもの）と水（10mL）の混合液に溶かし入れ、24時間還流した。前記溶液を、室温まで冷し、黄色／緑色の沈澱を焼結ガラス上に集めた。前記沈澱を、エタノール（60mL, 95%）、アセトン（60mL）で洗った後、ジクロロメタン（75mL）に溶かして濾過した。濾液にトルエン（25mL）およびヘキサン（10mL）を加え、減圧除去により体積を約50mLとした。冷却し、所望の生成物（0.43g, 72%）の結晶（黄色／緑色）を得た。これをさらなる精製をせずに用いた。
【実施例３】
【００７４】
テトラキス(2-フェニルピリジン-C2,N')(μ-3,4-ジアセチル-2,5-ヘキサンジオナート)ジイリジウム
（ Tetrakis(2-phenylpyridine-C2,N')(μ-3,4-diacetyl-2,5-hexanedionate)diiridium ）
【００７５】
【化２５】
0004663326.tif 000024
テトラキス(2-フェニルピリジン-C2,N')(ジ-μ-クロロ)ジイリジウム(II) （0.5g, 0.47mmol）、3,4-ジアセチル-2,5-ヘキサンジオン(I) （0.092g, 0.47mmol）、および炭酸ナトリウム（100℃で乾燥したもの、200mg, 1.9mmol）を、 2-エトキシエタノール（硫酸マグネシウムで乾燥・蒸留したもの、50mL）中で、不活性雰囲気（窒素）下で12時間還流した。室温まで冷して、黄色沈澱をシンター（空隙率3）上に集め、水（50mL）、ヘキサン（50mL）およびジエチルエーテル（50mL）で洗った。ジクロロメタンを溶出剤として用いて、ケイ素カラムで粗生成物のクロマトグラフィーを行った。前記ジクロロメタンは、約5mLに体積を減らした後、メタノール（100mL）を加えた。前記溶液を、約50mLまでもう一度体積を減らして、黄色生成物を濾過（シンター、空隙率3）し、さらにメタノール（100mL）で洗った。前記生成物を80℃で2時間真空乾燥した。収量0.30g、収率46%。
（デバイスの組立）
エレクトロルミネッセンスデバイスを、図17に示した。ここで、層1〜8は、(1)はITO、(2)は CuPc 、(3)は α-NPB 、(4)はエレクトロルミネッセンス混合物、(5)は BCP、(6)は Alq3 、(7)は LiF 、および(8)はAl である。前記デバイスをつくるために、プレエッチングITO被覆ガラス（a pre-etched ITO coated glass）片（10 x 10cm2）を用いた。前記デバイスは、ULVAC社（茅ヶ崎、日本）製の Solciet を使用した真空蒸着によって、前記ITO上に、連続的に層を形成して組み上げられた。各ピクセルの活性領域は 3mm x 3mm となった。構造は、 
ITO/CuPc(8nm)/α-NPB(40nm)/CBP + Ir2(diacac)2(dpp)2(12%) (20nm)/BCP(6nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.7mn)/Al 
であり、ここで式中の CBP は、図4bに示した構造式の R を H にした化合物であり、BCP はバソクプロイン （ bathocupron ）であり、 また、 Ir2(diacac)2(dpp)2は、実施例３で合成されたものである。
【００７６】
前記デバイス内に電流を通し、計測した放射された光の特性と結果を、図18〜20に示した。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
本文中に図面の簡単な説明の記載無し。
【図１】
0004663326.tif 000027
【図２ａ】
0004663326.tif 000028
【図２ｂ】
0004663326.tif 000029
【図３】
0004663326.tif 000030
【図４ａ】
0004663326.tif 000031
【図４ｂ】
0004663326.tif 000032
【図４ｃ】
0004663326.tif 000033
【図４ｄ】
0004663326.tif 000034
【図４ｅ】
0004663326.tif 000035
【図４ｆ】
0004663326.tif 000036
【図４ｇ】
0004663326.tif 000037
【図４ｈ】
0004663326.tif 000038
【図４ｉ】
0004663326.tif 000039
【図４ｊ】
0004663326.tif 000040
【図４ｋ】
0004663326.tif 000041
【図４ｌ】
0004663326.tif 000042
【図５ａ】
0004663326.tif 000043
【図５ｂ】
0004663326.tif 000044
【図５ｃ】
0004663326.tif 000045
【図５ｄ】
0004663326.tif 000046
【図５ｆ】
0004663326.tif 000047
【図５ｇ】
0004663326.tif 000048
【図６ａ】
0004663326.tif 000049
【図６ｂ】
0004663326.tif 000050
【図６ｃ】
0004663326.tif 000051
【図６ｄ】
0004663326.tif 000052
【図６ｅ】
0004663326.tif 000053
【図７ａ】
0004663326.tif 000054
【図７ｂ】
0004663326.tif 000055
【図７ｃ】
0004663326.tif 000056
【図７ｄ】
0004663326.tif 000057
【図７ｅ】
0004663326.tif 000058
【図７ｆ】
0004663326.tif 000059
【図８ａ】
0004663326.tif 000060
【図８ｂ】
0004663326.tif 000061
【図８ｃ】
0004663326.tif 000062
【図８ｄ】
0004663326.tif 000063
【図８ｅ】
0004663326.tif 000064
【図８ｆ】
0004663326.tif 000065
【図８ｇ】
0004663326.tif 000066
【図８ｈ】
0004663326.tif 000067
【図９】
0004663326.tif 000068
【図１０】
0004663326.tif 000069
【図１１】
0004663326.tif 000070
【図１２ａ】
0004663326.tif 000071
【図１２ｂ】
0004663326.tif 000072
【図１２ｃ】
0004663326.tif 000073
【図１２ｄ】
0004663326.tif 000074
【図１３ａ】
0004663326.tif 000075
【図１３ｂ】
0004663326.tif 000076
【図１３ｃ】
0004663326.tif 000077
【図１４ａ】
0004663326.tif 000078
【図１４ｂ】
0004663326.tif 000079
【図１４ｃ】
0004663326.tif 000080
【図１４ｄ】
0004663326.tif 000081
【図１５ａ】
0004663326.tif 000082
【図１５ｂ】
0004663326.tif 000083
【図１６ａ】
0004663326.tif 000084
【図１６ｂ】
0004663326.tif 000085
【図１６ｃ】
0004663326.tif 000086
【図１７】
0004663326.tif 000087
【図１８】
0004663326.tif 000088
【図１９】
0004663326.tif 000089
【図２０】
0004663326.tif 000090