(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸上に連続して設置された長い光源及び照明用コンバーチブルレンズから成る少なくとも１つの光点灯器と、
少なくとも１つの平行平板又は少なくとも１つの全反射プリズムで構成される１個又はＭ個の透明支持体と、
前記透明支持体と共に線要素を形成する少なくとも１つの線変調器と、
光軸上に連続して配置されたフーリエ対物レンズ及び絞りで構成され、光情報を像に変換する少なくとも１つの可視化器と、
電気信号によって伝達された画像の生成を可能にする認識装置と、
少なくとも１つの制御装置と
を光軸上に連続した配置で具備する電気光学変換器であって、
前記線変調器は、前記透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置された電極系と、該電極系を同一平面内で支持する電極支持体とで構成され、前記電極系は、対応する制御装置に電気的に接続されたi個の平行リボン制御電極及び接地電極から成り、
光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は電気光学変換器によって得られる像の線周波数と等しく；
リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続されて、それぞれ櫛型形状の電極を構成し、櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアの配置周期λteethは関係式：
λteeth  ≦ √2 λlight / αdiv
（ここでλlightは長い光源の波長であり、αdiv.（ラジアン単位）は櫛の歯に直交する光源の放射の発散である）
により計算される電気光学変換器。
【請求項２】
櫛の歯と平行な母線を有する少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズが前記照明用コンバーチブルレンズ内に挿入されている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項３】
前記可視化器が櫛の歯と平行な母線を有する少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズを具備している、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項４】
前記認識装置が、光軸上に連続して配置された投影レンズと、１又は複数の鏡と、線の垂直走査手段と、画面と、光源からの光を受けて前記垂直走査手段を制御する光検出器とを具備し、前記投影レンズ内に円筒状トロイダル対物レンズが挿入されている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項５】
前記制御装置が、電圧信号の電源のブロックと、同期装置と、ベース電圧電源と、レリーフ形成において電気信号を印加してからレリーフの振幅が最大値に達するまでの時間を補正する電気応答時間の補正電源と、バイアス電圧電源とを含み：
電圧信号の電源のブロックは、出力が前記制御電極のi個の入力と接続し、且つ、出力及び入力の両者で同期装置と接続し；
該同期装置はさらに、入力が前記光検出器に接続し、かつ、２つの出力をさらに具備して、一方の出力が光源に、他方の出力が線の垂直走査手段に接続し；
ベース電圧電源は、透明導電性層と接地電極との間に接続され；
バイアス電圧電源は、１つの出力が前記補正電源を経由して前記電圧信号の電源のブロックに接続し、他の出力が接地電極に接続し；
前記補正電源は、バイアス電圧電源と連続して挿入されて該同期装置と接続され、パルスシグナルが立ち上がる瞬間にさらなるパルスバイアス電圧を印加し、
予め定められた規則に従ってリボン制御電極及び接地電極上の信号の極性を切り替える整流子が、電圧信号の電源のブロックと同期装置とに接続されている、請求項４記載の電気光学変換器。
【請求項６】
前記平行リボン制御及び接地電極から成る電極系が、電極支持体に取り付けられて均一な厚さの誘電性薄層で覆われ、
長い光源と平行な櫛の制御歯及び接地歯が、リボン制御電極及び接地電極に対し垂直方向になるように前記誘電性薄層に取り付けられ、
制御歯及び接地歯は、それぞれ対応するリボン制御電極と接触子により電気的に接続され、
１つの画素の歯の根元は他の画素の歯の根元とギャップを挟んで向かい合い、該歯は調節可能な電気的パラメーターを有する防護誘電性薄層で覆われている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項７】
前記平行リボン制御及び接地電極から成る電極系が、電極支持体に取り付けられて均一な厚さの誘電性薄層で覆われ、
該誘電性薄層に櫛の接地歯が取り付けられ、該接地歯は、対応するリボン接地電極と接触子により電気的に接続されるとともに均一な厚さのさらなる防護誘電性薄層で覆われ、
該さらなる防護誘電性薄層に櫛の制御歯が取り付けられ、該制御歯は対応するリボン制御電極と接触子により電気的に接続されており、
それぞれの画素において歯の根元は隣り合う画素の根元の間の間隙と向かい合っている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項８】
前記認識装置が投影レンズ、１又は複数の鏡、及び線の垂直走査手段を具備し；
電気光学変換器は、赤、緑、青色光点灯器、及び、赤、緑、青色光点灯器に対応した３つの制御装置を具備し、該制御装置は、光源の赤、緑、青色を切り替え可能な整流子である色整流子と出力により接続されていて、該色整流子は１つの出力でそれぞれの線変調器と、３つの出力で色整流子により順次にスイッチが入る３つの光点灯器と、５つ目の出力で前記走査手段と接続されており、前記透明支持体が少なくとも１つの全反射三角プリズムであり、それぞれの線要素は３つの線変調器を具備して同時にスイッチが入り、それぞれの変調器は３色それぞれに対応する制御歯及び接地歯のペアの配置周期λteethを有し、３つの光点灯器は互いに平行に配置され、対応する色の光束は、より長い波長の光束がフーリエ対物レンズからより遠い距離にある線変調器に方向づけられるようにして対応する線変調器に垂直に落ち、不透明な絞りは３色全ての０次数の放射を遮断又は透過する、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項９】
赤、緑、青色光点灯器と、光源の赤、緑、青色を切り替え可能な整流子である色整流子と、前記赤、緑、青色光点灯器に対応して前記色整流子と出力により接続された制御装置とをさらに具備し、色整流子は１つの出力でそれぞれの線変調器と、３つの出力で色整流子により順次にスイッチが入る３つの光点灯器と、５つ目の出力によって走査手段と接続されており、それぞれの線要素は赤、緑、青色光点灯器の光の波長に対応した制御歯と接地歯のペアの空間的周期λR、λG、λBを有しており、適切な時期に順次スイッチが入る３つの線変調器は全てより大きな波長の線変調器ほどフーリエ対物レンズからより遠くに位置するように光軸上に設置されている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項１０】
それぞれの透明支持体が、斜辺に隣接する隣辺のうち長さが同一の隣辺面同士で順次光学的に結合されているＮ個の直角三角プリズムから成り、該プリズムの斜辺面のうちの全て又は一部に線変調器が設けられ；
光点灯器からの光が最初に出会うプリズムの隣辺面の１つは遮蔽されずに少なくとも１つの光点灯器に向けられ、最後に出会うプリズムの隣辺面の１つは遮蔽されずに少なくとも１つの可視化器に向けられ、これらの隣辺面は光軸に対し垂直であり、
光点灯器からの光は全ての斜辺面上に全反射角よりも大きい角度で落ち、
線変調器は、櫛の歯の空間周波数が同一又は異なっている、請求項１記載の電気光学変換器。
【請求項１１】
線形マトリックスの形態で編成されたＭ個の線要素と、各線要素に含まれる同数のプリズムから成る透明支持体とを具備し、
光点灯器からの光が最初に出会う前記遮蔽されていない隣辺面と、最後に出会う前記遮蔽されていない隣辺面とが、平行な又は同一の平面内に位置しており、それぞれ、Ｍ個の単色、３色又は多色光点灯器のマトリックス、及びＭ個の単色、３色又は多色可視化器のマトリックスに向けられている、請求項１０記載の電気光学変換器。
【請求項１２】
前記認識装置が、透明若しくは無光沢、又は感光性若しくは感熱性物質で形成され、光軸上で可視化器のマトリックスの後に配置されている、請求項１１記載の電気光学変換器。
【請求項１３】
前記長い光源が、１端が単色又は多色レーザー光源に接続され、もう１端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている１つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されており、それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の１個又は数個の画素と光学的に接続され、光伝達の過程で最後に出会うプリズムは１つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続されており、
不透明な絞りは０次の光回折を透過させる開口を有する１つの穴又は穴のマトリックスを具備し、該穴又は穴のマトリックスの後であって焦点距離よりも近い位置の光軸上に対物レンズが設置され、該対物レンズは出力光ファイバーに光を集め該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続しており、信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は３相若しくは多相で印加され、その電圧は位相変調の最適深度である4.82ラジアンを達成するのに十分な電圧であり、前記認識装置は光点灯器に電気的に接続されている、請求項１０記載の電気光学変換器。
【請求項１４】
前記長い光源が、１端が単色又は多色レーザー光源に接続され、もう１端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている１つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されており、それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の１個又は数個の画素と光学的に接続し、光伝達の過程で最後に出会うプリズムは１つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続されており、ここで不透明な絞りは画素電極によって制御された光回折の１次及び／又はより高次の放射を透過する開口を有する１つの穴又は穴のマトリックスを具備しており、それぞれの線変調器に対する可視化器は対物レンズが穴又は穴のマトリックスと向かい合って設置されるように設計され、該対物レンズは出力光ファイバーに光を集め該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続しており、信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は３相若しくは多相で印加され、その電圧は位相変調の最適深度である4.82ラジアンを達成するのに十分な電圧であり、光情報の位置合わせ装置が光点灯器に電気的に接続されている、請求項１０記載の電気光学変換器。
【請求項１５】
光伝達の過程で光点灯器からの光が最初に出会う線要素のプリズムの前記遮蔽されていない隣辺面に対し、前記光点灯器は９０度以下の角度で、前記認識装置は９０度の角度で配置され；
０次回折光を遮断する絞りの一部は鏡で覆われ、光伝達の過程で最後に出会う線要素のプリズムの前記遮蔽されていない隣辺面に平行に設置されており、該絞りのうち鏡で覆われていない部分にさらなる認識装置又は光吸収装置が設けられている、請求項１０記載の電気光学変換器。
【請求項１６】
線要素中の１個又は数個の線変調器の櫛の歯が、対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われ、線変調器が設けられていない１つ又は全てのプリズム斜辺面が鏡で覆われている、請求項１０記載の電気光学変換器。
【請求項１７】
光源からの光が最後に出会うプリズムの前記遮蔽されていない隣辺面が鏡で覆われている、請求項１５又は１６に記載の電気光学変換器。
【請求項１８】
光軸上に連続して設置された長い光源及び照明用コンバーチブルレンズからそれぞれ成る赤、緑、青色光点灯器と、
少なくとも１つの平行平板又は少なくとも１つの全反射プリズムで構成される透明支持体と、
前記透明支持体と共に線要素を形成する１つの線変調器と、
光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び絞りで構成され、光情報を像に変換する少なくとも１つの可視化器と、
電気信号により伝達された画像の生成を可能にする認識装置と、
赤、緑、青色光点灯器に対応する３つの制御装置と
を具備する電気光学変換器であって、
前記制御装置は、光源の赤、緑、青色を切り替え可能な整流子である色整流子と１つの出力で電気的に接続し、該色整流子は１つの出力で線変調器と、３つの出力で色整流子により順次スイッチが入る３つの光点灯器と、５つ目の出力で走査手段と接続しており、
前記線変調器は、透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置された、i個の平行リボン制御電極及び接地電極から成る電極系と、該電極系を同一平面内で支持する電極支持体とで構成され、
光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は電気光学変換器によって得られる像の線周波数と等しく；
同一直線上にある３色全ての放射束は適切な時間内で順次垂直に線要素上に落ち、リボン制御電極は制御歯の周期構造に電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造に電気的に接続されて、それぞれ櫛型形状の電極を構成し、櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアの配置周期λteethは関係式：
λteeth ≦√2 λlight min/αdiv max
（ここでαdiv maxは赤、緑、青色のうちで最も大きな放射発散であり、λlight minは光波長の最小値である）
によって決定され、不透明な絞りの大きさは３色全ての０次数の重複状況によって決定され、線変調器の制御電極上の電圧はそれぞれの色に対して必要なレリーフ深度を形成する電気光学変換器。
【請求項１９】
光軸上に連続して設置された長い光源及び照明用コンバーチブルレンズで構成される少なくとも１つの光点灯器と、
少なくとも１つの平行平板で構成される１個又はＭ個の透明支持体と、
前記透明支持体と共に線要素を形成する少なくとも１つの線変調器と、
光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び絞りで構成され、光情報を像に変換する少なくとも１つの可視化器と、
電気信号により伝達された画像の生成を可能にする認識装置と、
少なくとも１つの制御装置と
を具備する電気光学変換器であって、
前記線変調器は、透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置され、制御装置に電気的に接続されているi個の平行リボン制御電極及び接地電極から成る電極系と、該電極系を同一平面内で支持する電極支持体とで構成され；
光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しく；
前記光点灯器は、その放射が平行平板、透明導電性層、透明ゲル様層、及び空気ギャップの面に対し９０度以下の角度で向かうように配置されており、リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続されて、それぞれ櫛型形状の電極を構成し、櫛の歯は長い光源と平行に設置され且つ対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われ、制御歯と接地歯のペアの配置周期λteethは関係式：λteeth ≦√2 λlight/αdiv.によって決定され、ここでλlightは長い光源の波長、αdiv.（ラジアン単位）は櫛の歯に直交する光源の放射の発散である電気光学変換器。
【請求項２０】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層であって、
分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3を１００重量部；
架橋剤として、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3を１５〜２５質量部；
可塑剤として、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3を１５０〜３００質量部；及び
硬化触媒として塩化白金酸の0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体を０.３〜２質量部
の比率で混合して反応させて得られるゲル様層。
【請求項２１】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、次いで再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加え、反応組成物を混合して、混合終了後均一な厚さの層として透明導電性層に塗布することを含む、ゲル様層の調製方法。
【請求項２２】
前記反応組成物を混合終了後１〜２０分おいてから透明導電性層に塗布する請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
透明導電性層に反応組成物を塗布し、塗布した組成物を架橋させた後に冷却してゲル層を形成させ、次いで該ゲル層の上にさらに反応組成物を塗布することを含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加え、混合後、得られた反応組成物を透明導電性層に塗布し、次いで、透明導電性層との間にメインスペーサーを配置した状態で、光学的に平らな表面を有する板にて前記塗布した組成物の表面を覆い、これをオーブン内で２〜４時間７０〜９０℃で保った後に前記板を外し、次いで、防護誘電性層で覆われた電極系が取り付けられている電極支持体を、メインスペーサーよりも大きいスペーサーを透明導電性層との間に配置した状態でゲル様層の上部に配置することで、ゲル様層と電極系との間にギャップを設けることを含む、ゲル様層の調製方法。
【請求項２５】
透明導電性層に反応組成物を塗布し、塗布した組成物を架橋させた後に冷却してゲル層を形成させ、次いで該ゲル層の上にさらに反応組成物を塗布することを含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記板が癒着防止層で覆われている請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
前記癒着防止層が界面活性剤である請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記板がプラズマで処理される請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加え、混合後、得られた反応組成物を透明導電性層に塗布し、次いで、透明導電性層との間にメインスペーサーを配置した状態で、光学的に平らな表面を有する板にて前記塗布した組成物の表面を覆い、これをオーブン中に置いて１〜２時間７０〜９０℃の温度に保ち、周辺温度まで冷却した後、前記板を外して再度ゲル様層をオーブン内に置き、ゲルの架橋が完了するまで１〜３時間７０〜９０℃の温度に保つことを含む、ゲル様層の調製方法。
【請求項３０】
透明導電性層に反応組成物を塗布し、塗布した組成物を架橋させた後に冷却してゲル層を形成させ、次いで該ゲル層の上にさらに反応組成物を塗布することを含む、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
前記板が癒着防止層で覆われている請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
前記癒着防止層が界面活性剤である請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記板がプラズマで処理される請求項２９記載の方法。
【請求項３４】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加え、混合後、得られた反応組成物を透明導電性層に塗布し、次いで、透明導電性層との間にメインスペーサーを配置した状態で、光学的に平らな表面を有する板にて前記塗布した組成物の表面を覆い、これをオーブン内で２〜４時間７０〜９０℃で保った後に前記板を外し、次いで、防護誘電性層で覆われた電極系が取り付けられている電極支持体で得られたゲル様層を覆うことにより、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってゲル様層と電極系との間にギャップが設けられることを含む、ゲル様層の調製方法。
【請求項３５】
透明導電性層に反応組成物を塗布し、塗布した組成物を架橋させた後に冷却してゲル層を形成させ、次いで該ゲル層の上にさらに反応組成物を塗布することを含む、請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記板が癒着防止層で覆われている請求項３４記載の方法。
【請求項３７】
前記癒着防止層が界面活性剤である請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
前記付加的な板がプラズマで処理される請求項３４記載の方法。
【請求項３９】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加え、混合後、得られた反応組成物を透明導電性層に塗布し、次いで、透明導電性層との間にメインスペーサーを配置した状態で、光学的に平らな表面を有する板にて前記塗布した組成物の表面を覆い、これをオーブン内で１〜２時間７０〜９０℃の温度に保ち、周辺温度まで冷却した後、前記板を外して再度ゲル様層をオーブン内に置き、ゲルの架橋が完了するまで１〜３時間７０〜９０℃の温度に保つことにより、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってゲル様層と電極系との間にギャップが設けられることを含む、ゲル様層の調製方法。
【請求項４０】
透明導電性層に反応組成物を塗布し、塗布した組成物を架橋させた後に冷却してゲル層を形成させ、次いで該ゲル層の上にさらに反応組成物を塗布することを含む、請求項３４記載の方法。
【請求項４１】
前記板が癒着防止層で覆われている請求項３９記載の方法。
【請求項４２】
前記癒着防止層が界面活性剤である請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
前記板がプラズマで処理される請求項３９記載の方法。
【請求項４４】
請求項１記載の電気光学変換器のためのゲル様層の調製に用いられる組成物であって、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3を１００質量部、架橋剤として水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3を１５〜２５質量部、可塑剤として粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3を１５０〜３００質量部、硬化触媒として塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体を０.３〜２質量部含む組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規のレリーフォグラフィー（reliefography）変形可能層の創出と使用を伴う光束の強度及び位相特性の制御方法による、光変調に関する。本発明は、光学−機械的産業、テレビ、印刷、通信機器、光ファイバースイッチング及びフィルタ素子、ファストライン及びマトリクスプリンター、並びに他の技術分野において適用可能である。
【背景技術】
【０００２】
透明導電性層又は透明ゲル様層が連続して取り付けられている平行平板又は全反射プリズムの形態の透明支持体、並びに、第二の透明支持体に取り付けられギャップを挟んでゲル様層の上部に配置されている平行リボン制御及び接地電極系から成る、線のレリーフ記録を行う中間担体；制御電極に接続された電圧信号の電源ブロック；レリーフ情報の可視化と微光の機能化を行い、コンデンサー及びシリンドリカル対物レンズ−すなわちアナモルフォト（anamorphote）、可視化絞り、線の垂直走査のための手段、並びに画面で構成される光学系を具備する電気光学変換器が知られている（USSR Certificate of Authority 678519, Int.Cl. G11B 7/00, 1979. to Yury Guscho. Physics of reliefography. Moscow, NAUKA, 1999, p.526）[1]。
【０００３】
公知の装置の不利な点は、電気信号に対するレリーフ感度が非常に低くコントラストが低い微光は十分に品質の高い像を受像することができないので、微光を機能化する光学素子を用いる必要がある点である。公知の装置においては電圧信号の電源を具備する線の垂直走査手段の同期化が欠失しており、画面上の像の安定性が低下する、すなわちその品質が損なわれる。像の品質はまた、透明に作られた電極により生み出される位相ノイズによっても損なわれる。
【０００４】
他の公知の電気光学変換器は、透明導電性層又は透明ゲル様層が連続して取り付けられている平行平板又は最大内面反射プリズムの形態の透明支持体、並びに、第二の支持体に取り付けられギャップを挟んでゲル様層の上部に配置されている平行リボン制御及び接地電極系から成る、線のレリーフ記録を行う中間担体；制御電極に接続された電圧信号の電源ブロック、光フィルター、レリーフ情報の可視化を行う光学系、可視化絞り、電圧信号の電源に同期化される線の垂直走査手段、並びに画面を具備する(露国特許(11) 2031624 (13) C1) [2]。
【０００５】
この公知の装置の不利な点は、装置の解像能力が制限されるリボン制御電極と接地電極を使用する必要があり、それゆえに十分に高品質で高コントラストの像を受像することができない点である。他の不利な点は、リボン電極上の電位の階層を画面上の照度の階層に変換することが難しいために、半色調（semi-tone）情報が低品質である点である。
【０００６】
本発明と最も類似した発明は、透明導電性層又は透明ゲル様層が連続して取り付けられている平行平板又は全反射プリズムの形態の透明支持体、並びに第二の支持体に取り付けられギャップを挟んでゲル様層の上部に配置されている平行リボン制御及び接地電極系をそれぞれが具備している、線のレリーフ記録を行う３つの中間担体；線のレリーフ記録を行う３つの中間担体全ての制御電極に接続されている電圧信号の電源ブロック；それぞれが光源、シリンドリカル対物レンズ及び球面対物レンズから成る照明用コンバーチブルレンズ、全反射プリズム、並びにシリンドリカル対物レンズ及び球面対物レンズから成る投影用コンバーチブルレンズで構成される、レリーフ情報の可視化を行う３つの光学系；電気モーターのシャフト上に設置されたミラードラムから成る、２つのダイクロイックミラー、可視化絞り、線の垂直走査手段；画面；光検出器、及び、出力端子が電圧信号の電源ブロックに接続され、入力端子が光検出器に接続されている同期装置を具備する公知の電気光学変換器である(露国特許2080641 [3]; 国際PCT出願 WO 01/48531 A3; 05.07.2001, 発明者: Yury Guscho [4] )。
【０００７】
上記装置の不利な点は、リボン制御電極と接地電極を使用する必要があることであり、これらは装置の解像能力を制限し、それゆえに十分に高品質の像を得ることができない。他の不利な点は、光源に対する制御及び接地電極の配向が欠けているため、情報結像が低品質である点である。その上、絞りの後の対物レンズがないため、操作可能性と電気光学変換器の結像の品質が低下する。
【０００８】
その上、使われているゲル様層、それらの製造方法、及び線変調器の製造方法とデザインが近年の要求に合致していない。
【０００９】
本願組成物と類似している公知のゲル形成組成物は、塩基性化合物としてオルガノビニルポリシロキサンポリマーを１００質量部、架橋剤としてメチルヒドリドポリシロキサンを０.５質量部；癒着を増進する構成物としてシラン化合物を０.５質量部、白金触媒剤を０.０３質量部含む(米国特許第5,432,280; 11.07.1995; Hurogasu Harc, Masayuki Sheno) [5]。
【００１０】
公知のゲル形成組成物は、周辺温度から６０℃までの温度範囲において構成物を混合することにより調製される。しかしながら、この組成物は構造上の靭性の限界が低いという特徴がある。従って、該組成物は、高品質で長寿命のゲル様光変調媒質の調製には使用できない。
【００１１】
本発明と最も類似した組成物は、塩基性化合物α,ω‐ジヒドロキシポリジメチルシロキサンポリマー−１００質量部、架橋剤テトラエトキシシラン−７質量部、可塑剤ポリジメチルシロキサン液−６００質量部、及び触媒ジエチルジカプリル酸スズ（stannum diethyldicaprylate）−４質量部から成る、光変調媒質を得るための組成物である[5]。
【００１２】
しかしながら、公知の該組成物は、ゲルが入っている部分の気密封止をせずに十分な耐久性を有するゲル様光変調媒質を製造することはできない。
【００１３】
下記のゲル様層の製造方法は、原型組成物からゲル様光変調媒質を調製するために用いられる。はじめに、分子量(0.6-1)103 g/molのポリジメチルシロキサン液中に溶解した、分子量(1-2)104 g/molのα,ω‐ジヒドロキシポリジメチルシロキサンの１０〜３０％溶液を調製する。次いで、架橋剤として作用するテトラエトキシシランを、テトラエトキシシランとα,ω‐ジヒドロキシポリジメチルシロキサンの比が0.8:1から1.5:1になるように、この溶液に加える。次いで、該混合物を２０〜４０分間機械的に混合する。触媒と架橋剤が該混合物に加わると、ゲル化の工程が即座に開始する。引用発明によると、その工程は１〜３日間続行する。ゲル様媒質の支持体への塗布は次の方法で行われる：透明導電性層で覆われた透明支持体に、ゲル様層の支持体への癒着を増進する物質の溶液を注ぐ。次いで該透明支持体にゲル様組成物を注ぐ。支持体を次いでガラス板で覆う。公知の方法では、このガラス板をあらかじめゲル様層の癒着を低下させる物質の層で覆う。金属、例えばクロム、アルミニウム又はニッケルがこの被覆として用いられる。ガラス板へのゲル様層の癒着を低下させる層が存在することにより、層から板を外す際にガラス板からはがれる層の数を増やすことができるようになる[4]。
【００１４】
公知の方法においてポリマー架橋反応を一定速度にするために、ガラス板を外した後に構造化の化学反応を行なうこと及び１０℃から７０℃の温度範囲において±１.５℃以内の一定温度の区画室中で層を空気に曝露することが提案されている。最終的なポリマー分子網の形成のために、ゲル様層の表面への水分の接近が必要であり、そのためゲルは３〜５日間２０％以上の湿度の空気に曝露される。
【００１５】
上記方法の不利な点は、癒着防止被覆として金属を使うことである。２〜３回使用すると、金属は（その柔らかさゆえに）掻き落とされ、もはや高品質の層を得ることができなくなる。継続的な更新は技術的に手間となり、費用もかかる。
【００１６】
その上、架橋反応の温度状況及び特定の湿度の厳密な管理が必要なため、ゲル様媒質の調製工程が複雑になり、従って再現可能な特性を有するゲル様層の製造も複雑になる。
【００１７】
本発明の目的は、装置の適用可能範囲を拡張すること、光学信号の認識装置における結増品質を改良すること、並びに、ゲル様媒質の調製し線変調器における光学ゲル様層を形成する方法の改変法を提供することにより、継続的に活用しても安定なゲル様変形可能媒質を調製することである。
【発明の開示】
【００１８】
前記の目的は本発明によって達成される。
【００１９】
本発明によれば、電気光学変換器は、
光軸上に連続して設置された長い光源及び照明用コンバーチブルレンズから成る少なくとも１つの光点灯器と、
少なくとも１つの平行平板又は少なくとも１つの全反射プリズムで構成される１個又はＭ個の透明支持体と、
前記透明支持体と共に線要素を形成する少なくとも１つの線変調器と、
光軸上に連続して配置されたフーリエ対物レンズ（Fourier-objective）及び絞りで構成され、光情報を像に変換する少なくとも１つの可視化器と、
電気信号によって伝達された画像の生成を可能にする認識装置と、
少なくとも１つの制御装置と
を光軸上に連続した配置で具備し、ここで
前記線変調器は、前記透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置された電極系と、該電極系を同一平面内で支持する電極支持体とで構成され、前記電極系は、対応する制御装置に電気的に接続されたi個の平行リボン制御電極及び接地電極から成り；
光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は電気光学変換器によって得られる像の線周波数と等しく；
リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続され、それぞれ櫛型形状の電極を構成し、櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアの配置周期λteethは関係式：λteeth  ≦ √2 λlight / αdivより計算され、ここでλlightは長い光源の波長、αdiv.（ラジアン単位）は櫛の歯に直交する光源の放射の発散であり、
ゲル様層は分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み、粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに製造される。
【００２０】
母線が櫛の歯に対して平行である少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズは、照明用コンバーチブルレンズの中に挿入され得る。
【００２１】
可視化器は、母線が櫛の歯に対して平行である少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズを具備し得る。
【００２２】
認識装置は、投影レンズ、１又は複数の鏡、線の垂直走査手段、画面、走査手段の光検出器を具備し得る。円筒状トロイダル対物レンズが投影レンズに挿入され得る。
【００２３】
制御装置は、出力が電圧信号の電源ブロックに接続され、入力が走査手段の光検出器に接続されている同期装置；透明導電性層と接地電極との間に接続されているベース電圧電源；線変調器の制御電極のi個の入力に接続されている電圧信号の電源ブロック；レリーフ形成のタイムフロントの補正電源を経由して、１つの出力によって電圧信号の電源ブロックの同様な出力に接続され、他の出力によって接地電極に接続されるバイアス電圧電源から構成され得る；一方で同期装置は、１つは光源に接続されもう１つは線の走査手段に接続されている２つの出力、並びに電圧信号の電源ブロックからの入力もさらに具備し、一方でレリーフ形成のタイムフロントの補正電源は、バイアス電圧電源と共に連続して挿入され同期装置に接続されており、その電源はパルス信号を増強させる瞬間において時間決定された形態のさらなるパルスバイアス電圧を印加し、任意の時間−空間規則（time-space rule）に応じてリボン制御及び接地電極上の信号の極性を切り替える整流子は電圧信号の電源ブロックと同期装置とに接続されている。
【００２４】
平行リボン制御及び接地電極系は、第２の支持体（電極支持体）に取り付けられてもよく、また、均一な厚さの誘電性薄層で覆われていてもよい。該誘電性薄層には、長い光源に対し平行な櫛の制御歯及び接地歯が、リボン制御電極及び接地電極に対し垂直になるように取り付けられる。制御歯は接触子によって対応するリボン制御電極に電気的に接続され、接地歯は接触子によって対応するリボン制御電極に電気的に接続される。１つの画素の歯の根元は、他の画素の歯の根元とギャップを挟んで向かい合って設置される。歯は可変の電気的パラメーターを有する防護誘電性薄層で覆われる。
【００２５】
平行リボン制御及び接地電極から成る電極系は、第２の支持体(電極支持体）に取り付けられてもよく、また、櫛の接地歯が取り付けられている均一な厚さの誘電性薄層で覆われても良い。該接地歯は、接触子によって対応するリボン接地電極と電気的に接続されており、また、櫛の制御歯が取り付けられている均一な厚さの第２の防護誘電性薄層で覆われていても良い。該制御歯は、接触子によって対応するリボン制御電極に接続されている。それぞれの画素において、歯の根元は隣り合う画素の根元の間の間隙と向かい合って設置される。
【００２６】
認識装置は投影レンズ、１又は複数の鏡、線の垂直走査手段を具備し得る；本発明の電気光学変換器は、赤、緑、青色光点灯器、並びに、赤、緑、青色光点灯器に対応し出力によって色整流子と電気的に接続された３つの制御装置を具備する。該色整流子は、１つの出力によってそれぞれの線変調器と、３つの出力によって連続的にスイッチが入れられる３つの光点灯器と、そして５つ目の出力によって走査手段と接続されている。透明支持体は少なくとも１つの全反射三角プリズムの形態で形成される。各線要素は３つの線変調器を具備して同時にスイッチが入り、各変調器は制御歯と接地歯のペアの周期λteethを３色それぞれに対して有する。３つの光点灯器は互いに平行に配置され、対応する色の光束は対応する線変調器に対し垂直に落ちる。その際、より大きな波長の光束ほどフーリエ対物レンズからより離れた場所に位置する線変調器に方向づけられ、不透明な絞りは３色全てのゼロ次数の放射を遮断又は透過する。
【００２７】
本願特許請求の範囲に記載の電気光学変換器は、赤、緑、青色光点灯器、並びに、赤、緑、青色光点灯器に対応し出力によって色整流子と電気的に接続された３つの制御装置を具備し得る。該色整流子は、１つの出力によってそれぞれの線変調器と、３つの出力によって連続的にスイッチが入れられる３つの光点灯器と、そして５つ目の出力によって走査手段と接続されている。それぞれの線要素は、３つの異なる制御歯−接地歯ペアの空間的周期λR、λG、λBを赤、緑、青色光点灯器の光の波長に対応して有する３つの線変調器を具備し、一方で、適切な時期に順次にスイッチが入る３つの線変調器全てが、より大きな波長を受ける線変調器がフーリエ対物レンズからより離れた場所に位置するように、光軸上に設置される。
【００２８】
本願特許請求の範囲に記載の電気光学変換器において、それぞれの透明支持体は、長さが同一の隣辺（斜辺以外の辺）の面で順次光学的に結合されているＮ個の直角三角プリズムで構成され、全ての又は一部の斜辺面に線変調器が取り付けられる；最初のプリズムの隣辺面の１つは、表面が遮蔽されずに少なくとも１つの光点灯器に向けられ、最後のプリズムの隣辺面の１つは、表面が遮蔽されずに少なくとも１つの可視化器に向けられている。これらの面は光軸に対し垂直であり、光点灯器からの光は全ての斜辺面上に全反射角よりも大きい角度で落ちる。線変調器は、同一の又は異なる櫛の歯の空間周波数を有する。
【００２９】
該電気光学変換器はさらに、線形マトリックスの形態で配置されたＭ個の線要素を具備し得る。該線要素それぞれの透明支持体は同数のプリズムで構成される。線要素を構成するプリズムの遮蔽されていない最初と最後の隣辺面は、平行な又は同一の平面内に設けられ、最初の隣辺面はＭ個の単色、３色又は多色光点灯器のマトリックスに、最後の隣辺面はＭ個の単色、３色又は多色可視化器のマトリックスに向けられている。
【００３０】
認識装置は、透明若しくは無光沢、又は感光性、若しくは感熱性の物質で形成されてもよく、光軸上で可視化器のマトリックスの後に配置され得る。
【００３１】
長い光源は、１端が単色又は多色情報レーザー光源に接続され、もう１端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている１つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されても良い。それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の１個又は数個の画素と光学的に接続される。光伝達の過程で最後に出会うプリズムは、１つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続される。不透明な絞りは、０次の光回折を透過させる開口を有する１つの穴又は複数の穴のマトリックスを具備し、該穴又は穴のマトリックスの後で且つ焦点距離よりも近い位置の光軸上に対物レンズが設置される。該対物レンズは、出力光ファイバーに光を集め、該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続している。信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は３相時間モード若しくは多相時間モードで印加されて良く、その電圧は位相変調の最適深度である4.82ラジアンを達成するのに十分な電圧である。認識装置は光点灯器に電気的に接続されている。
【００３２】
長い光源は、１端が単色又は多色情報レーザー光源に接続され、もう１端が光伝達の過程で最初に出会うプリズムと光学的に接続されている１つの光ファイバーまたは複数の光ファイバーのマトリックスの形態で設計されても良い。それぞれの光ファイバーはそれぞれの線変調器の１個又は数個の画素と光学的に接続される。光伝達の過程で最後に出会うプリズムは、１つの可視化器又は複数の可視化器のマトリックスと接続される。不透明な絞りは、画素電極によって制御された光回折の１次及び／又はより高次の放射を透過する開口を有する１つの穴又は穴のマトリックスを具備しており、それぞれの線変調器に対する可視化器は対物レンズが穴又は穴のマトリックスと向かい合って設置されるように設計される。該対物レンズは、出力光ファイバーに光を集め、該出力光ファイバーの他方の端は光情報の認識装置に接続している。信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は３相時間モード若しくは多相時間モードで印加され、その電圧は位相変調の最適深度である4.82ラジアンを達成するのに十分な電圧である。認識装置は光点灯器に電気的に接続されている。
【００３３】
光伝達の過程で最初に出会う線要素のプリズムの隣辺面に対し、光点灯器は９０度以下の角度で、また認識装置は９０度の角度で配置されてよい。０次回折光を遮断する絞りの一部は鏡で覆われ、光伝達の過程で最後に出会う線要素のプリズムの隣辺面に平行に設置されており、一方で絞りの鏡に覆われていない部分には第二の認識装置又は光吸収装置が設置される。
【００３４】
線要素中の１個又は数個の線変調器の櫛の歯は、対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われても良く、線変調器を具備しない１つ又は全てのプリズム斜辺面（遮蔽されていない面）は鏡で覆われる。
【００３５】
線変調器のプリズムの遮蔽されていない最後の隣辺面は、鏡で覆われてもよい。
【００３６】
本発明の他の具体例において、電気光学変換器は、赤、緑及び青色光点灯器、少なくとも1つの平行平板又は少なくとも１つの全反射プリズムで構成される透明支持体、１つの線変調器、少なくとも１つの可視化器、認識装置、並びに赤、緑及び青色光点灯器に対応する３つの制御装置を具備する。制御装置は、１つの出力で色整流子と電気的に接続し、該色整流子は１つの出力で線変調器と、３つの出力で色整流子により順次スイッチが入る３つの光点灯器と、５つ目の出力で走査手段と接続する。一方、線変調器は、透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置された電極系と、該電極系を同一平面内で支持する第２の支持体（電極支持体）とで構成され、前記電極系は、i個の平行リボン制御電極及び接地電極から成る。線変調器は、透明支持体と共に線要素を形成する。それぞれの光点灯器は、光軸上に連続して設置された長い光源と照明用コンバーチブルレンズで構成される。光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。可視化器は、光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び絞りを具備する。同一直線上にある３色全ての放射束は、適切な時間内で順次垂直に線要素上に落ちる。リボン制御電極は制御歯の周期構造に電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造に電気的に接続されており、それぞれ櫛型形状の電極を構成する。櫛の歯は長い光源と平行に設置され、制御歯と接地歯のペアに対する周期λteethは関係式：
λteeth ≦√2 λlight min/αdiv max
（ここで、αdiv maxは赤、緑、青色のうちで最も大きな放射発散であり、λlight minは光波長の最小値である）
によって決定される。一方、不透明な絞りの大きさは、３色全ての０次数の重複状況に応じて決定される。線変調器の制御電極上の電圧は、それぞれの色に対して必要なレリーフ深度を形成する。ゲル様層は、分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み、粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに作製される。
【００３７】
本発明の他の具体例において、電気光学変換器は、少なくとも１つの光点灯器、それぞれ少なくとも１つの平行平板から成る１個若しくはＭ個の透明支持体、少なくとも１つの線変調器、少なくとも１つの可視化器、認識装置を具備し、さらに少なくとも１つの制御装置を具備する。ここで、それぞれの線変調器は、対応する透明支持体上に設けられた透明導電性層と、該導電性層を覆う透明ゲル様層と、該透明ゲル様層の上部にギャップを挟んで配置された電極系と、該電極系を同一平面内で支持する第２の支持体（電極支持体）とで構成され、前記電極系は、制御装置に電気的に接続されたi個の平行リボン制御電極及び接地電極から成る。それぞれの透明支持体は、対応する少なくとも１つの変調器と一緒に線要素を形成する。光点灯器は、光軸上に連続して設置された長い光源及び照明用コンバーチブルレンズで構成される。可視化器は、光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ及び絞りを具備する。光源はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。光点灯器は、その放射が平行平板、透明導電性層、透明ゲル様層、及び空気ギャップの面に対し９０度以下の角度で向かうように配置される。リボン制御電極は制御歯の周期構造と電気的に接続され、接地電極は接地歯の周期構造と電気的に接続され、それぞれ櫛型形状の電極を構成する。櫛の歯は、長い光源と平行に設置され、且つ、対応する波長の光を反射する連続した誘電性薄鏡で覆われる。制御歯と接地歯のペアに対する周期λteethは関係式：
λteeth ≦√2 λlight/αdiv
（ここでλlightは長い光源の波長であり、αdiv.（ラジアン単位）は櫛の歯に直交する光源の放射の発散である）
によって決定される。ゲル様層は、分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO [(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み、粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3をベースに作製される。
【００３８】
本発明の目的は、電気光学変換器のためのゲル様層によっても達成され得る。
【００３９】
電気光学変換器のためのゲル様層は、分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の0.1％有機溶媒溶液又はテトラビニルシランとのそれの錯体を、以下の比率（質量部）：ポリビニルシロキサン−１００、オリゴヒドリドシロキサン−１５〜２５、ポリメチルシロキサン液−１５０〜３００、塩化白金酸の0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体−０.３〜２で含有するゲル様組成物の構成成分の反応産物である。
【００４０】
発明の目的は、電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法によっても達成され得る。
【００４１】
本発明の電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、次いで再度混合した後、塩化白金酸0.1％有機溶媒溶液又はテトラビニルシランとのそれの錯体０.３〜２質量部を加え、反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことを含む。
【００４２】
本発明の好ましい具体例において、該組成物は、混合終了後１〜２０分おいてから透明導電性層上に施される。
【００４３】
得られた反応組成物は、混合終了後、以下の方法、すなわち、第１層を形成、架橋及び冷却し、次いで第１層又は先に架橋し冷却したゲル層の上に１以上のさらなるゲル層を施すことにより、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことができる。
【００４４】
本発明の好ましい具体例において、電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、以下の工程を含む。分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加える。次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層上に施し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する板で覆い、透明導電性層と板の間に配置したメインスペーサーによってゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約２〜４時間７０〜９０℃の温度に保ち、次いで板を外して、電極系（制御電極及び接地電極）が取り付けられた電極支持体で該ゲル様層を覆う。該電極系は防護誘電性薄層で覆われていて、メインスペーサーよりも大きいさらなるスペーサーによってギャップが付与される。
【００４５】
得られた反応組成物は、混合終了後、以下の方法、すなわち、第１層を形成、架橋及び冷却し、次いで第１層又は先に架橋し冷却したゲル層の上に１以上のさらなるゲル層を施すことにより、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことができる。
【００４６】
板は、好ましくは癒着防止層で覆われ、スルファノール−π（sulfanol-π）のような界面活性物質が癒着防止層として好ましく用いられ得る。
【００４７】
板は、好ましくはプラズマ又は他の洗浄照射で処理される。
【００４８】
本発明の他の具体例において、電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、以下の工程を含む。分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加える。次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として透明導電性層上に施し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する板で覆い、透明導電性層と板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約１〜２時間７０〜９０℃の温度に保ち、次いで周辺温度まで冷却し、その後板を外して、透明導電性層上に設けられたゲル様層を再びオーブン中に置き、ゲルの架橋が完了するまで約１〜３時間７０〜９０℃の温度に保つ。
【００４９】
得られた反応組成物は、混合終了後、以下の方法、すなわち、第１層を形成、架橋及び冷却し、次いで第１層又は先に架橋し冷却したゲル層の上に１以上のさらなるゲル層を施すことにより、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことができる。
【００５０】
板は癒着防止層で覆われ得る。
【００５１】
スルファノール−πのような界面活性物質が癒着防止層として用いられ得る。
【００５２】
板は、プラズマ又は他の洗浄照射で処理され得る。
【００５３】
本発明の他のさらなる具体例において、電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、以下の工程を含む。分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加える。次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として透明導電性層上に施し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する板で覆い、透明導電性層と板の間に配置したメインスペーサーによって透明ゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約２〜４時間７０〜９０℃の温度に保ち、その後板を外して、電極系（制御電極及び接地電極）が取り付けられた電極支持体で該ゲル様層を覆う。該電極系は防護誘電性薄層で覆われていて、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってギャップが付与される。
【００５４】
この具体例において、該反応組成物は、混合終了後、以下の方法、すなわち、第１層を形成、架橋及び冷却し、次いで第１層又は先に架橋し冷却したゲル層の上に１以上のさらなるゲル層を施すことにより、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことができる。
【００５５】
板は、好ましくは癒着防止層で覆われる。
【００５６】
より好ましい具体例において、スルファノール−πのような界面活性物質が癒着防止層として用いられ得る。
【００５７】
板は、プラズマ又は他の洗浄照射で処理され得る。
【００５８】
本発明の他の具体例において、電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、以下の工程を含む。分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部とを混合し、混合終了後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3の１５０〜３００質量部を加え、再度混合した後、塩化白金酸0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体０.３〜２質量部を加える。次いで反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として透明導電性層上に施し、その後得られた層を光学的に平らな表面を有する板で覆い、透明導電性層と板の間に配置されたメインスペーサーによってゲル様層の厚さを扁平にし、次いで得られた構築物をオーブン中に置いて約１〜２時間７０〜９０℃の温度に保ち、次いで周辺温度まで冷却して、その後板を外し、次いで透明導電性層上に設けられた該ゲル様層を再びオーブン中に置いて、ゲルの架橋が完了するまで約１〜３時間７０〜９０℃の温度に保つ。ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後にメインスペーサーによってギャップが付与される。
【００５９】
得られた反応組成物は、混合終了後、以下の方法、すなわち、第１層を形成、架橋及び冷却し、次いで第１層又は先に架橋し冷却したゲル層の上に１以上のさらなるゲル層を施すことにより、均一な厚さの層として透明導電性層上に施すことができる。
【００６０】
板は、好ましくは癒着防止層で覆われる。
【００６１】
より好ましい具体例において、スルファノール−πのような界面活性物質が癒着防止層として用いられ得る。
【００６２】
板は、プラズマ又は他の洗浄照射で処理され得る。
【００６３】
本発明の課題は、ゲル様層の調製方法を実現するための組成物によっても解決することができる。
【００６４】
電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法を実現するための本発明の組成物は、分子量１００００〜１６０００で粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の0.1％有機溶媒溶液又はテトラビニルシランとのそれの錯体を、以下の比率（質量部）：ポリビニルシロキサン−１００、オリゴヒドリドシロキサン−１５〜２５、ポリメチルシロキサン液−１５０〜３００、塩化白金酸の0.1％有機溶媒溶液又はそれとテトラビニルシランとの錯体−０.３〜２で含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
電気光学変換器（図１−１５）は、光軸上に連続して設置された：少なくとも１つの点灯器１、少なくとも１つの平行平板又は全反射プリズムの形態の透明支持体２、少なくとも１つの線変調器３、少なくとも１つの可視化器４、認識装置５を具備し、さらに少なくとも１つの制御装置６を具備する。ここで線変調器３は、透明支持体２に取り付けられ透明ゲル様層８で覆われた透明導電性層７、並びに、第２の支持体（電極支持体）１１に取り付けられ、透明ゲル様層８の上部にギャップ１２を挟んで設置され、制御装置６に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極９及び接地電極１０から成る電極系を具備する。少なくとも１つの線変調器３は、透明支持体２と共に線要素１３を形成する。一方、光点灯器１は、光軸上に連続して設置された長い光源１４及び照明用コンバーチブルレンズ１５で構成される。可視化器４は、光軸上に連続して設置されたフーリエ対物レンズ１６及び絞り１７を具備する。長い光源１４はパルス又は連続波であり、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。一方、リボン電極９及び１０は、電極支持体１１上の一平面内で平行に設置され、電圧信号の電源ブロックと接続されている。それぞれの線画素１８において、リボン制御電極９は制御歯１９の周期構造と電気的に接続され、接地電極１０は接地歯２０の周期構造と電気的に接続されている。歯１９及び２０は電極９及び１０とそれぞれ一緒になって２つの櫛型形状の電極を形成する。櫛の歯１９及び２０は長い光源１４に対し平行に設置されている。長い光源１４の各波長λlightと櫛の歯に直交するそれの発散αdiv.（ラジアン単位）に対する制御歯１９及び接地歯２０のペアの配置周期λteethは、関係式：λteeth ≦√2 λlight/αdivから計算される。
【００６６】
近年、長い光源は進歩しており、例えば、特に、光の全ての可視領域において、半導体レーザーは１ミクロンの発光ボディーを有し、その力は数十ワットに達する。発光ボディーに沿った方向の光の発散の「小ささ」と縦方向の発光ボディーの「点種焦点（point species focus）」のために、照明用対物レンズによって長い光源に対し垂直な平面内の発散角が非常に小さい光束を生成することが可能である。その上、照射範囲が非常に狭いビームを得ることができる。アナログの長い光源に対し垂直に方向づけられたリボン電極を使用することにより、光を大量に損失する。その上、電極のそのような方向づけにより、１.５倍大きい次元周波数が必要となる。線形画素、すなわちリボン電極がプリズム斜辺面上で長い光源に対し平行に配置されると、信号の線の一端が拡張しもう一端が圧縮するために、情報のゆがみが生じる。これらのゆがみは、１つの線中の画素数の増加に伴って増加する。櫛電極を適用することで、記録感度が増大し、長い光源に平行な光プラットホームの幅を減少させ、さらに画像の非線形ゆがみを減少させることもできるようになる。例えば、２５〜１２５ミクロンの光プラットフォームの幅を得るためには、画素櫛構造において、８０線／mmに２個から１０個の櫛の歯を対応して用いれば十分である。
【００６７】
他の具体例（図１）において、母線が櫛の歯１９，２０に平行である少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズ２１が照明用コンバーチブルレンズ１５中に挿入される。
【００６８】
他の具体例（図１）において、可視化器４は、母線が櫛の歯に平行である少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズを具備する。
【００６９】
他の具体例（図１）において、認識装置５は、投影レンズ２２、１又は複数の鏡２３、線の垂直走査手段２４、画面２５、走査手段の光検出器２６を具備し、一方、走査手段の軸はリボン電極に対し垂直で、円筒状トロイダル対物レンズが投影レンズ中に挿入され、ここで該円筒状対物レンズは櫛の歯に平行な母線を有する。
【００７０】
他のさらなる具体例（図１）において、制御装置は、出力が電圧信号の電源ブロック２８に接続され、入力が走査手段の光検出器２６に接続された同期装置２７；透明導電性層７と接地電極１０との間に接続するベース電圧電源２９；線変調器３の制御電極９のi個の入力に接続された電圧信号の電源ブロック２８；並びに１つの出力によってレリーフ形成のタイムフロントの補正電源３１を経由して電圧信号の電源ブロックの出力に接続され、他の出力によって接地電極１０に接続されるバイアス電圧電源で構成される。同期装置２７は２つの出力をさらに具備し、そのうちの１つは光源１４へ、もう１つは線の走査手段２４へ接続される。該同期装置２７は、電圧信号の電源ブロック２８からの入力もさらに具備する。一方、レリーフ形成のタイムフロントの補正電源３１は、バイアス電圧電源３０と共に連続して挿入され、パルス信号を増強させる瞬間において時間決定された形態のパルスバイアス電圧をさらに印加する同期装置２７に接続されており、任意の時間−空間規則に応じて制御及び接地電極上の信号の極性を切り替える整流子３２は、電圧信号の電源ブロック２８と同期装置２７とに接続されている。レリーフ形成のタイムフロントの補正電源３１により、フロント動作の周期のための電気パルスをさらに接続する場合における装置の動作速度を高めることができる。「任意の時間−空間規則に応じて」という語は、発明の具体的な適用に応じて、１つの電極から他へ電圧を変移させること又は１つの電極上で電圧を変化させることのいずれかが必要であり得るということを意味する。
【００７１】
その上、この分野において公知の通り、透明支持体は直角三角形の形状の土台を有する単一プリズムである。それにより、装置のデザインと動作性能並びにレリーフ記録制御の機能の拡張の可能性が制限される。
【００７２】
従って、本発明の具体例（図４−７）のうちの１つでは、長さが等しい隣辺面によって順次光学的に結合されている、Ｎ個の直角三角プリズム３３で透明支持体が形成されている。線変調器３は、全ての又は一部の斜辺面上に取り付けられている。最初のプリズムの隣辺面の１つは、遮蔽されずに少なくとも１つの光点灯器１に向けられ、最後のプリズムの隣辺面の１つは、遮蔽されずに少なくとも１つの可視化器４に向けられている。これらの面は光軸に対し垂直で、光点灯器１からの光は全反射角よりも大きい角度で全ての斜辺面に落ちる。線変調器３は等しい又は異なる櫛の歯の空間周波数を有する。
【００７３】
透明支持体のこのような構造により、電気信号に対する感度を同時にリアプロジェクション型電気光学変換器の感度の約３倍に高める直流光学素子の図式と類似した工学的解決に光学変換器を適合させることが可能となる。
【００７４】
本発明のさらなる他の具体例（図２）において、平行リボン制御電極９及び接地電極１０の電極系は、電極支持体１１に取り付けられ、均一な厚さの誘電性薄層３４で覆われる。該誘電性層には、長い光源１４に平行な櫛の制御歯１９と接地歯２０がリボン制御電極９及び接地電極１０に対し垂直方向になるように取り付けられており、制御歯１９は接触子３５によってリボン制御電極９と電気的に接続され、接地歯２０は接触子３６によってリボン制御電極１０と電気的に接続されている。１つの画素１８の歯の根元は隣り合う画素の歯の根元とギャップを挟んで向かい合って設置され、歯は調節可能な電気特性、すなわち電気伝導度又は誘電率を有する防護誘電性薄層３７で覆われる。
【００７５】
「薄層」という語は本発明が言及する工学分野において通常用いられるものであり、層の厚さがそれの長さ又は幅よりも極めて小さいということを意味する。
【００７６】
このような櫛型電極構造の変形例は、レリーフ記録の機能領域を本質的に増加させ、従って光学変換器の光出力を増加させる。隣接する画素間の接地櫛及び制御櫛の入れ替わりは、画素の相互影響を低下させ、機能領域を増加させる。調節可能な電気特性を有する防護誘電性層により、ベース電圧電源２９の電圧の上昇が可能となり、信号電圧が無い場合のギャップ１２における電解不均一性の低下に起因する信号電圧の減少を同時に伴う。
【００７７】
本発明の他の具体例（図３）では、平行リボン制御電極９及び接地電極１０の電極系が電極支持体に取り付けられ、均一な厚さの誘電性薄層３４で覆われる。該誘電性薄層上には、接触子３６によってリボン接地電極１０と電気的に接続され、均一な厚さの第２の誘電性薄層３８で覆われた櫛の接地歯２０が設置されている。第２の誘電性薄層３８上には、接触子３５によってリボン制御電極９と電気的に接続された櫛の制御歯１９が設置されている。それぞれの画素１８において、歯の根元は隣り合う画素の歯の根元の間の間隔と向かい合って設置されている。
【００７８】
第２の誘電性薄層３８を付加することにより、線変調器３の空間解像度が増大する。最大解像度すなわち単位長当たりの制御電極数の最大値は、プロトタイプにおいては、制御及び接地電極の幅並びにそれらの間の距離の最小可能値によって決定される。これらの値は技術的な実現性によって制限され、互いにほぼ等しい（プロトタイプにおいては、電極間の距離をある値よりも小さくした場合、電極の縁がいくつかの区画で接し合い、すなわち、装置のオペラビリティがない状態となる）。第２の誘電性薄層３８の付加により、櫛歯間の距離の最小値をほぼ２〜３倍減らすことができるようになる。第２の誘電性薄層３８の幅を電極の幅よりもかなり（５〜１０倍以上）小さくすると、記録感度は影響を受けないままとなる。上に開示した方法による最大解像度の上昇により、認識装置５上の像品質が改良される。
【００７９】
従来の分野において、プロトタイプも含め、消費電力が極めて小さい直視表示装置を創出することを可能とする構築物は知られていない。単一プリズム又は奇数個の光学的結合プリズムの使用によっては、そのような種類の表示装置を創出することができない。課題は、本発明の下記具体例（図４）において解決され、それには、Ｍ個の線要素１３と、線形マトリックスとして一平面内に配置される同数のプリズム３３から成る各線要素の透明支持体が存在する。ここで、平行な又は１つの平面内に位置する線要素の最初と最後の遮蔽されていない隣辺面はそれぞれ、Ｍ個の単一、３色又は多色光点灯器１のマトリックス及びＭ個の単一、３色又は多色可視化器４のマトリックスに向けられている。直視色表示装置を表すこの具体例において、同時に動作する３つの光源全ての力は完全に利用される。認識装置が、光軸上に連続して設置された、線形マトリックスの区画よりも大きい開口を有する投影レンズ、及び３色全てに対する単一の可視化器を具備する色遠隔投影機を得ることを可能とする画面を具備する場合、マトリックス線要素は伝送変調器のように見ることもできるが、しかしその感度はほぼ３倍高い。
【００８０】
さらなる他の具体例（図示なし）において、認識装置は透明若しくは無光沢、又は感光性、若しくは感熱性の物質で形成され、光軸上で可視化器のマトリックスの後に設置される。透明又は無光沢の物質を使用する場合の直視表示装置の発達の他に、本発明は、感光性又は感熱性担体上の情報記録のために適用され得る。この構築物には走査手段は不要である。認識装置が線形マトリックスの区画よりも大きい開口を有する投影レンズと、光軸上に順次設置された画面を具備する場合には、この具体例は投影装置に格上げされる。
【００８１】
さらなる他の具体例（図８a）では、装置は光軸上に連続して設置された：赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）光点灯器１、少なくとも１つの平行平板又は全反射プリズムから成る透明支持体２、１つの線変調器３、少なくとも１つの可視化器４、認識装置５、色整流子３９と出力によって電気的に接続された３つの制御装置６を具備する。該色整流子は、１つの出力によって線変調器３と、３つの出力によって順次スイッチが入る３つの光点灯器１と、そして５つ目の出力によって走査手段２４と接続される。線変調器３は、透明支持体２に取り付けられ透明ゲル様層８で覆われた透明導電性層７、及び、電極支持体に取り付けられ、透明ゲル様層８の上部にギャップを挟んで設置され、制御装置６に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極９及び接地電極１０の電極系を具備しており、少なくとも１つの線変調器３が透明支持体２と共に線要素１３を形成する。光点灯器１は、光軸上に連続して設置された長い光源１４及び照明用コンバーチブルレンズ１５で構成される。可視化器４は、光軸上に連続的に設置されたフーリエ対物レンズ１６及び絞り１７を具備する。光源１４はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。また、光軸上に連続して：赤色（Ｒ）光点灯器と、光軸及び緑色光点灯器（Ｇ）に対し４５度に配置され赤色光は透過して緑色光は反射する第一のダイクロイックミラー２３と、光軸及び青色光点灯器（Ｂ）に対し４５度に配置され赤色光と緑色光は透過して青色光は反射する第二のダイクロイックミラー２３が設置される。３色全ての一直線上の放射束は、適切な時期に線要素１３上へ順次垂直に落ちる。リボン電極９と１０は、電極支持体１１上の一平面内に設置されて電圧信号の電源ブロック２８へ接続される。それぞれの線画素１８に対し、リボン制御電極９は制御歯１９の周期構造と電気的に接続され、接地電極１０は接地歯２０の周期構造と電気的に接続されている。歯１９及び２０はそれぞれ電極９及び１０と一緒になって２つの櫛型形状の電極を形成する。櫛の歯１９及び２０は長い光源１４に平行に設置される。線変調器３は、光波長の最小値に対して以下の関係式：
λteeth ≦√2 λlight min/αdiv max
（ここでαdiv maxは赤、緑、青色のうちで最も大きな放射の発散である）
によって決定される、制御歯と接地歯のペアに対する周期λteethを有する。不透明な絞り１７の大きさは３色全てのゼロ次数の重複の状況に応じて決定され、線変調器３の制御電極９上の電圧は、各色に対するレリーフの必要な深度を形成する。
【００８２】
これにより、連続的な色の配合を有する小型のカラー電気光学変換器を得ることができ、変換器のコストと大きさも本質的に低下させる。
【００８３】
本発明のさらなる他の具体例（図８b）では、３つの線変調器３は連続的に３色を処理する。この具体例では、これらの変調器が光軸上でフーリエ対物レンズ１６から異なる距離に設置されているので、３色全てに対してほとんど同じタイプの変調器を用いることができる。それぞれの線要素１３が、色整流子３９に電気的に接続された赤、緑、青色光点灯器それぞれに対して、３つの別個の制御歯１９−接地歯２０ペアの空間的周期λR、λG、λBを有する３つの線変調器を具備するように、前記変調器が構築される。適切な時期に順次スイッチが入る３つの線変調器３は、より大きな波長を有する線変調器３ほどフーリエ対物レンズ１６から離れたところに位置するように、光軸上に設置される。図８cは、ダイクロイックミラーを用いた画面上における色の配合の、公知の光学模式図を示す。
【００８４】
図８dは、本発明のさらなる他の具体例を示しており、該具体例では、透明支持体２は少なくとも１つの全反射三角プリズム３３で形成される。それぞれの線要素１３は３つの線変調器３を具備して、同時にスイッチが入り、１若しくは数個の斜辺面に３つの色区画として取り付けられる。各線変調器３は、各色について対応する制御歯と接地歯のペアの周期λteethを有する。３つの光点灯器１は互いに平行に配置され、対応する色の光束は対応する線変調器３の色区画に垂直に落ち、一方でより大きな波長を有する光束ほどフーリエ対物レンズ１６からより遠い場所に設置された区画に方向づけられ、不透明な絞り１７は３色全てのゼロ次数の放射を遮断又は透過する。３つの制御装置６は、赤、緑及び青色光点灯器１並びに対応する線変調器３の色区画と共に、線走査手段２４に電気的に接続される。このような構造によって、１つだけの可視化器４と投影レンズ２２を使用する可能性を残しながら、光源の力を完全に利用することができるようになる。固有の色に対応する線変調器３のそれぞれの区画が光学的に結合した３つ以上のプリズム３３から成る透明支持体の別々の斜辺面に取り付けられている具体例においては、等しい又は近似の次元周波数を有する線変調器３を用いることができる。それぞれの色に対する線変調器を統一することで、装置のコストを低下できるだけでなく、変調器のレリーフの制御の機能性を拡張することもできるようになる、なぜなら、好適な記録担体の化学組成物を用いること、並びに線変調器の幾何学的、電気的、機械的及び光学的パラメーターを至適化することが可能になるからである。
【００８５】
さらなる他の具体例（図６a）では、電気光学変換器は、光軸上に連続して設置された：少なくとも１つの光点灯器１、少なくとも１つの平行平板から成る透明支持体２、少なくとも１つの線変調器３、少なくとも１つの可視化器４、認識装置５を具備し、さらに少なくとも１つの制御装置６を具備する。線変調器３は、透明支持体２に取り付けられ透明ゲル様層８で覆われた透明導電性層７、並びに、電極支持体１１に取り付けられ、透明ゲル様層８の上部にギャップ１２を挟んで設置され、制御装置６に電気的に接続された、i個の平行リボン制御電極９及び接地電極１０の電極系を具備する。少なくとも１つの線変調器３は透明支持体２と共に線要素１３を形成する。光点灯器１は、光軸上に連続して設置された長い光源１４及び照明用コンバーチブルレンズ１５から成る。可視化器４は、光軸上に連続的に設置されたフーリエ対物レンズ１６及び絞り１７を具備する。光源１４はパルス又は連続波であって、パルスの場合、光パルス繰り返し周波数は像の線周波数と等しい。光点灯器からの放射が平行平板４１、透明導電性層７、透明ゲル様層８、及び空気ギャップ１２の面に対し９０度以下の角度で向けられるように光点灯器が設置される。リボン電極９及び１０は、電極支持体１１上の一平面内に設置され、電圧信号の電源ブロック２８に接続される。それぞれの線画素に対し、リボン制御電極９は制御歯１９の周期構造に電気的に接続され、接地電極１０は接地歯２０の周期構造に電気的に接続されており、歯は電極と一緒になってそれぞれ櫛型形状の電極を形成する。櫛の歯は、長い光源１４に平行に設置される。また、該櫛の歯は、線変調器３において対応する波長の光を反射する連続した薄い誘電性鏡４０で覆われる。制御歯と接地歯のペアの周期λteethは、長い光源の各波長λlightと櫛の歯に対し直交するそれの発散αdiv.（ラジアン単位）に対して、関係式：λteeth ≦2 λlight/αdiv.から決定される。
【００８６】
この場合、レリーフ像の光軸に対する偏角は消去され、線走査手段２４を適用する必要はない。極めて小さい発光ボディーを有する長い光源を使用することにより、高い効率を有する効果的な投影光学素子の創出が可能となる。
【００８７】
他の具体例（図９）では、極めて高いコントラストを有するマトリックス光ファイバースイッチが用いられる。このコントラストは、光伝達の過程で順次スイッチが入る数個の線変調器３及び透過後のゼロ次数の電力部分を使用することによってもたらされ、例えば、３つの格子は３つの次数によって減少し、４つの格子は４つの次数によって減少する。本発明のこの具体例の他の利点は、格子の開閉のための多重フェーズ方法を実現できる可能性があることである。この場合において、電極間空間中又はゲル様変形可能層中の荷電運動の結果として起こる静的レリーフ揺らぎは、線変調器の動作の動的モードのために最小値まで減少する、なぜなら変調器のスイッチング周波数が５００kHに達し得るからである（図１０）。これらの問題を解決するため、長い光源１４は、一方の端が情報の単色若しくは多色レーザー光源４３に接続され、もう一方の端がコリメーター４４に光学的に接続された、光ファイバー４２又は光ファイバーのマトリックスの形態で設計される。コリメーター４４は光伝達の過程で最初に出会うプリズム３３と光学的に接続される。光ファイバー４２のそれぞれは、線変調器３の１個又は数個の画素１８に電気的に接続される。光伝達の過程で最後に出会うプリズム３３は、１つの可視化器又は可視化器のマトリックス４に接続される。不透明な絞り１７は、画素１８の電極によって制御される０次の光回折を透過させる開口を有する１つの穴又は穴のマトリックス４５を具備する。対物レンズ４６は、その穴の後であって且つ焦点距離よりも近い位置の光軸上に設置される。該対物レンズは、出力光ファイバー４７上に光を集め、該出力光ファイバーの他方の端は光情報の位置合わせ装置４８に接続される。信号電圧は全ての線変調器に同期的に又は３相時間モード若しくは多相時間モードで印加され、その電圧は位相変調の最適深度である4.82ラジアンを達成するのに十分な電圧である。光情報の位置合わせ装置４８は、光点灯器１に電気的に接続される。それぞれのレリーフ格子は光位相の進行が４.８２ラジアンに達するように制御されている。正弦レリーフの場合、この状況下ではフーリエ対物レンズの位相面内において１００％の光束が０次から遠ざかるということが知られている。微弱な残存光は後続の格子上で反復した変調を受け抑制される。このように、いかなる場合でも、残存光は必要とされる最小値に調整され得る。
【００８８】
本発明のもう１つの具体例では、光学フィルターの創出のアイデアが実施されている。光の各波長に対する最も高い回折次数が位相面上の場所の異なる点に設置されているため、提供される変調は、光のフィルタリングのために、あるいは５００ｋＨに達する動作速度を有する光学整流子として用いられ得る。この具体例（図９）においては、前記のものと対照的に、不透明な絞り１７は、光回折のプラス−マイナス１次及び／又は他のより高次の放射を透過させる穴マトリックス４５を具備し、それぞれの線変調器３に対する可視化器４は、対物レンズ４６がそれぞれの穴と向かい合って設置されるように設計され、該対物レンズが出力光ファイバー４７上に光を集める。
【００８９】
次の具体例（図６d）によると、特別に備え付けられた又は天然の（例えば太陽）強い外部光を光点灯器１として用いることが可能である。それは下記の構造により達成される。光伝達の過程で最初に出会う線要素１３のプリズム３３の隣辺面に対し、光点灯器１は９０度以下の角度で、認識装置５は９０度の角度で設置される。０次の回折光を遮断する絞り１７の一部は鏡（図面には無し）で覆われ、光伝達の過程で最後に出会う線要素のプリズム３３の隣辺面と平行に設置されている。絞り１７の鏡で覆われていない部分には、さらなる認識装置（第２の認識装置）５又は光吸収装置４９が設置されている。このように、レリーフが存在しない場合には、全ての光が鏡絞りから反射され、画面上の全ての画素が明るいままとなる。レリーフの記録の上では、光は絞り穴を通って落ち、光吸収装置４９によって吸収される。この場合には、画面２５上の画素１８は暗くなる。
【００９０】
線要素１３中の１個又は数個の線変調器３の櫛の歯１９、２０は、対応する波長の光を反射する連続した薄い誘電性鏡４０で覆われており、線変調器を具備していないプリズムの１つ又は全ての斜辺面は鏡で覆われてもよい。線変調器内及び線要素を形成するプリズムの遮蔽されていない斜辺面上に鏡を適用することで、全反射角よりも小さい角度でプリズム面上に落ちる光を使用することができるようになる。この場合、線要素のコントラストと効率が向上する。
【００９１】
さらに、線要素３のプリズム３３の最後の遮蔽されていない隣辺面は、鏡５０で覆われてもよい。プリズムの最後の隣辺面を覆う鏡５０を適用することで、光が各線変調器３のレリーフを２回通り抜けることとなるため、線要素１３の感度とコントラストを２倍に高めることができる。
【００９２】
提案される電気光学変換器は、下記の動作原理を有する。例えば、記録された情報に対応する振幅を有する方形電圧パルスＵｉ（図１、iは制御電極の数）の形態の電気信号は、電圧信号の電源ブロック２８から制御電極９と接地電極１０に向けられる。その結果、透明ゲル様層８と空気ギャップ１２の誘電率の違いのために、ゲル様層−空気ギャップの界面にポンデロモーティブ力（ponderomotive forces）が生じる。これらの力は、櫛の歯１９、２０に平行なレリーフラスターの形態の制御電極９上の信号に応じて、透明ゲル様層８の自由表面のひずみ（すなわちレリーフ）を引き起こす。１つの画素１８が２つのリボン電極９と１０のみによって表されるプロトタイプとは対照的に、本発明では各画素は莫大な数の櫛の歯１９及び２０を有する格子である。言い換えれば、線中のそれぞれの画素１８は、本質的に記録の品質を改良し画素の相互影響を減少させる回折格子である。さらに、プロトタイプと比較して、９０度に対する画素の櫛の回転は、光学放射によって解読する際に櫛の空間周波数を１.４倍増大する。
【００９３】
その上、画素の櫛のそのような位置において、隣接する画素の相互影響をさらに減少させるため、各隣接画素の回折格子を半周期動かすことが本発明において提案されている。
【００９４】
長い光源１４に平行な回折格子の形態の、ゲル様層８表面に記録された幾何学的レリーフは、像線として画面２５上に次の通り再構築される（図１）。それぞれの光源１４は対応する照明用コンバーチブルレンズ１５と共に、細い縞状である線レリーフ記録の対応する中間担体のゲル様層８の表面を照射する。その縞はリボン電極に垂直であって、且つ櫛の歯１９及び２０に沿って設けられるレリーフの食丘に平行である（図１参照）。全反射プリズム（支持体２）とゲル様層８との屈折係数は互いにほぼ等しくなるように選ばれる。従って、光束はゲル様層８のレリーフ表面から全反射角（約４５度）で反射され、少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズを具備するフーリエ対物レンズ１６に方向付けられる。透明ゲル様層８の自由表面のひずみが無い場合には、フーリエ対物レンズ１６は不透明な絞り１７上へ全光束を集め、ひずみが生じる場合には、フーリエ対物レンズが焦点をあわせるゲル様層８の表面は画面２５上となる。画面２５上の灯線は透明ゲル様層８のレリーフの振幅に応じそれの強度によって変調される。照明用コンバーチブルレンズ１５の一部であるシリンドリカル対物レンズ２１とフーリエ対物レンズ１６は、画面２５の平面上で光束を線へと構築する。照明用コンバーチブルレンズ１５は透明ゲル様層８の表面上に細い光線を形成する。投影レンズ２２は走査手段２４の前若しくは後に設けられ、例えば、円筒状トロイダル投影レンズの形態で形成されることができ、それにより灯線の幅がさらに決定され、レンズ２２の開口内の線の走査が可能となって、像の品質低下を最小限にできる。画面上で線の垂直走査を実現する走査手段２４又はドラムは、第一の線の位置を制御する同期装置２７及び光検出器２６によって制御される。
【００９５】
他の具体例において、少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズ２１が照明用コンバーチブルレンズ１５内に挿入され、シリンドリカル対物レンズ２１の母線は櫛の歯１９及び２０と平行である。シリンドリカル対物レンズ２１の助けを借りた長い光源１４からの放射は細い縞の形態のレリーフを照射し、該レリーフは櫛の歯１９及び２０に信号電圧Uiを給電する時に与えられる。レリーフの周期構造もまた櫛の歯に平行であり、従って放射はレリーフ上で櫛の歯に対し垂直に回折する。正確にこの方向においては長い光源１４の発散は小さく、結果的に像品質はプロトタイプのものよりもかなり向上する。
【００９６】
他の具体例において、可視化器４は、母線が櫛の歯１９及び２０に平行である少なくとも１つのシリンドリカル対物レンズを具備する。従って、該シリンドリカル対物レンズによって、長い光源からの放射はレリーフ上で回折し、０、１、２次などの回折の空間における線形分布として位相面上に落ちる。画面上の振幅輝度グラデーションへの光の位相侵入の可視化は、絞りにより０次数の重複が起こるために生じる（図１１）。
【００９７】
他の具体例において、円筒状トロイダル対物レンズが投影レンズ２２内に挿入される。該円筒状対物レンズは櫛の歯１９及び２０に平行な母線を有し、従って灯線の幅をさらに決定する。その上、該円筒状対物レンズにより、フーリエ対物レンズ１６の焦点距離を変えることなく投影機から画面２５までの距離を変えることができるようになる。
【００９８】
他の具体例において、制御装置は次のように動作する。各フレーム及び像線の初期に、電圧信号の電源ブロック２８から同期装置２７へタイミング信号が来る。さらに、鏡ドラム又は他の走査手段２４の側面が変化する瞬間に光検出器２６から同期装置２７へインパルスが進行する。同期装置２７は、これらの信号により鏡の走査周波数とフレーム周波数を比較し、鏡走査の周波数が変化するフレーム周波数に連続的に従動するように、走査手段２４の駆動機構へ信号を印加する。走査手段の鏡の側面が変化する瞬間における光検出器２６からの次の信号を受け取った後、同期装置２７は電圧信号の電源ブロック２８へ指令を送る。この指令により、像のフレームの線は線変調器３のリボン制御電極９へ継続して与えられる。このとき、次の像フレームは電圧信号の電源ブロック２８などに記憶される。さらに、同期装置２７から電気応答時間補正電源３１及び整流子３２に制御パルスが印加される。信号インパルスのスイッチを入れる瞬間の電気応答時間を補正する電源３１は、時間周期内で任意の形状のパルス電圧をさらに発し、該パルス電圧によってレリーフ形成の時間を減じることが可能となり、結果として装置の有効性と像品質を向上させることが可能となる。整流子３２は、任意の時間−空間規則に応じて制御電極９及び接地電極１０上の信号の極性を切り替えるために設けられている。それにより、レリーフ消去の時間を減少でき、結果として像品質の向上と光学ノイズの低下が可能となる。電気応答時間補正源及び整流子３２の両方により、レリーフ形成の時間が減少する、すなわち、信号のクロック周波数の増加が可能となる。さらに、動的状態にあるゲル上におけるレリーフ形成の行程の安定化と消去を可能にする「進行（running）」又は「定在（standing）」波を得ることができる。投影機の単色又は黒白変化のための１又は複数の鏡２３は、必須ではない構成要素として用いられている。有色像の場合には、色の配合のために１又は複数の鏡２３中に２つのダイクロイックミラーが具備される（図８a、８b、８c）。ダイクロイックミラーのうちの１つは赤色を透過して緑色を反射し、もう１つは赤色及び緑色を透過して青色を反射する。ダイクロイックミラーの使用を必要としない光学図式が公知である[３]。
【００９９】
他の具体例において、像のコントラストを向上する数個の線変調器３が、数個の三角プリズム３３から成る透明支持体２に取り付けられる（図４−７）。光点灯器１からの光（例えば図６eを参照）は１番目の線変調器３上に落ち、線変調器の櫛の歯１９と２０に信号電圧が印加される。透明ゲル様層８のレリーフ上での回折のために、偏向された光の大部分は２番目の線変調器３上に落ち、回折を繰り返した後、０次光を遮断する不透明な絞り１７から出る（図１１f）。１番目の線変調器３を通り抜けた０次の残留光は、２番目の線変調器３上で回折し不透明な絞り１７から出る。従って、１つの変調器のみ通過した０次の光電力と比較して、２つの変調器３を通過した後の０次の電力部分はその２乗で、３つの変調器３を通過した後は比例的にその３乗で減少する。例えば、１つの変調器を通過した０次の光電力が５％である場合、２つの変調器を通過した光電力は０.２５％、３つの変調器を通過した後は０.０１２５％になる。このように、画面のコントラストは本願明細書によって指定されたレベルまで増加することができる。
【０１００】
コントラストの改良と信頼性の増大に加えて、この具体例により、回折光の出力電力を最大値にまで近づけながらも３つの変調器全ての制御電圧を減少することが可能となる。例えば、１つの変調器の位相侵入がレリーフの完全な範囲で４.８２ラジアンに等しい場合、はじめの３つの次数の光の出力電力は９９％に等しくなる。
【０１０１】
位相侵入が３.８６ラジアンに等しい場合（理想値４.８２の８０％）、１つの変調器の回折のはじめの３つの次数の電力は９２.２％に等しくなる。２つ又は３つの変調器３のスイッチを入れることにより、０次の電力がそれぞれ０.４６％又は０.０３１％まで低下する。このように、２つまたは３つの変調器を使用することにより、信号電圧が低下した場合においても必要なコントラストを得られるばかりでなく、回折光の出力電力を一様にすることも可能となる。
【０１０２】
他の具体例では、誘電性層３４を適用するため、電極９及び１０が櫛の歯１９及び２０の面の下部に配置される（図２）。それにより、有用なレリーフの領域を増やすことが可能となる。
【０１０３】
図３は、櫛の歯１９のみが透明ゲル様層８に面している櫛構造の構成を示している。これらの櫛の歯１９は電極９と接続されており、相互影響を避けるために各画素１８に対し半周期だけシフトされている。それは２つの誘電性層３４及び３８を装置に導入することにより達成されている。機械的に防護し、且つ、画素１８の櫛構造の電気的パラメーターを安定化するために、防護誘電性薄層３７を採用することができる。図３に示す櫛構造の構成により、隣接する電極間の最小距離を３倍に減少しながら、この構造の解像能力を２倍に向上させることがさらに可能となる。制御歯１９と接地歯２０の格子のような空間配置により、画素の相互影響がさらに除去される。
【０１０４】
他の具体例（図４、５）では、本発明の装置はマトリックス直視表示又はフレーム記録の装置を実現する機能をする。投影レンズ２２及び画面２５を採用する場合、装置は遠隔投影機として働く。それぞれが同数のプリズム３３から成るＭ個の線要素１３は、線形マトリックスの形態で一平面内に設置され、一方で平行平板中または一平面内に配置された線要素１３の最初と最後の遮蔽されていない隣辺面はそれぞれ、Ｍ個の単色、３色又は多色光点灯器１のマトリックス、並びにＭ個の単色、３色又は多色可視化器４のマトリックスに向けられる。このように、マトリックスは透明光変調器として働く。しかしながら、それの感度はプリズムの要素に起因してほぼ数倍増加する。それにより、電圧は対応して数倍減少し得る。Ｍ個の線要素１３は、線が線変調器３のi個の画素１８から成りカラムがＭ個の線要素１３から成るマトリックスを形成する。この場合、例えばマットガラスを適用することにより、像はフーリエ平面において可視化される。制御電極９上の電圧が印加されれば、観察者には画素１８が最も高次の回折によって形成された明るい光点として見える。中間担体上に情報を蓄積して同時に若しくは一線ずつ、又はリアルタイムで情報を移送するために、画素１８のスイッチが入り得ることが知られている。この具体例の直視表示としての適用の他、指向性又は分散性、リアプロジェクション式又は反射式画面などの公知の投影光学を用いた画面上に像を可視化することが可能である。
【０１０５】
他の具体例において、認識装置５は、例えば、透明若しくは無光沢、又は感光性、若しくは感熱性の物質の形態で形成され、光軸上の可視化器４のマトリックスの後に設置される。可視化器４を通過して、光は例えば感光性物質上に落ちる。光電力はそれ故に印画紙の暗色化のグラデーションへと変換され、又は光電力の表現の他の形態へと変換され、記録担体上の像へと変換される。
【０１０６】
さらなる他の具体例では、１つの線変調器３及び３つの多色光点灯器１を具備する装置が下記の通り機能する。この場合（図１及び８a）、３つの制御装置６は、色整流子３９の助けにより、１つの線変調器３、１つの光点灯器１及び走査手段（スキャナー）２４のスイッチを入れる。色の選択を行った後、任意の色に対応する制御装置６中の全ての電子装置及び光学装置は、本発明の好ましい具体例として上記されたように機能する。
【０１０７】
本発明の具体例では、３つの線変調器３及び３つの多色光点灯器１を具備する装置（図１及び８b）において、画面上の像の記録はそれぞれの色チャネルによって順次に遂行される。発明のこの具体例では、それぞれの変調器からフーリエ対物レンズ１６までの距離を調節することにより、３つの線変調器３全ての次元周波数を等しくするか又は少なくともパラメーターを極めて近い値にすることが可能である。
【０１０８】
三角プリズム３３の１つの面又は異なる面に施された３つの線変調器３と３つの多色光点灯器１とを具備する装置（図１及び８d）において、画面上への像の記録はそれぞれの色チャネルによって同時に遂行される。発明のこの具体例では、前記のものと同様に、それぞれの変調器からフーリエ対物レンズ１６までの距離を調節することにより、３つの線変調器３全ての次元周波数を等しくするか又は少なくともパラメーターを極めて近い値にすることが可能である。それぞれの線変調器３はプリズム３３の斜辺面の３分の１を占める。コントラストを改良し制御電極９上の電圧を減少させるため、それぞれの色に対し同一で且つ同時にスイッチが入れられる２つ又は３つの線変調器３を利用することができる。
【０１０９】
櫛の歯１９及び２０が連続した誘電性鏡４０で覆われている他の具体例（図１及び６a）では、装置は下記の通り機能する。光点灯器１からの放射は、透明平行平板４１上に設置された線変調器３に対し９０度以下の角度で方向づけられる。光点灯器１からの放射は透明導電性層７、ゲル様層８、空気ギャップ１２を通過し、その後誘電性鏡３７から反射され、再び透明ゲル様層８、透明導電性層７、及び透明平行平板４１を通過する。ゲル様層８上にレリーフが無い場合、可視化器４中の光は絞り１７によって遮断される。櫛の歯１９及び２０に電圧が印加されると、位相（幾何学的）レリーフとしての回折格子が透明ゲル様層８の表面上に形成され、絞り１７を免れた回折光は、上記のとおり機能する認識装置５中へ落ちる。この具体例の装置の感度は、光が透明ゲル様層８を２回透過するため、従来の公知のプロトタイプの透過形変形例よりも２倍高い。この具体例の線形又はマトリックス形変形例において、画素１８は公知の方法によって同時に又は順次にスイッチが入り得る。
【０１１０】
他の具体例（図９）において、装置は下記の通り機能する。透明ゲル様層８を具備する線変調器３は５００ｋＨに達する信号切換の周波数で作動できること及び２つ以上の線変調器３の適用により１：１０００のコントラストを達成し得ることを考慮に入れると、該装置はファイバー光学スイッチとして使用するのに都合がよい。情報の単色又は多色レーザー光源４３からの単色又は多色レーザー放射は入力光ファイバー４２中へ進行し、次いでコリメーター４４によって平行に調整される。さらに、プリズム３３の全ての斜辺面から反射される放射の平行な光線は、絞り１７の１つの穴又は穴のマトリックス４５中に光を集めるシリンドリカルフーリエ対物レンズ１６上に来る。対物レンズ４６が焦点距離よりも穴４５の方に近くなるように設置されているので、この対物レンズを通過した光は出力光ファイバー４７上に落ち、信号に公称値からの揺らぎがある場合に情報源４３へ信号を給電する働きをする情報装置４８の位置合わせによって合わせられる。制御装置６が線変調器３の制御電極９へ電圧を印加すると、回折された光線は絞り１７によって遮断され、光は出力光ファイバー４７には入らない。４.８２ラジアンに等しい位相侵入における正弦位相格子は０次からの光の１００％を除去することが知られている。１番目の線変調器３を通った光の伝達後に形成される不可避的なノイズは、上記の通り２番目及び３番目の変調器３によって０次から除去される。このようにして、光学スイッチの高いコントラストが達成される。電極９に入ってくる電圧を調整する場合において、該装置は見かけ上光束の減衰器として働く
【０１１１】
他の具体例（図９）において、装置は下記の通り機能する。具体例の前記の変形例において、不透明な絞り１７は、プラス−マイナス１次及び／又は他のより高次の回折の放射を透過させる穴のマトリックス４５を具備し、それぞれの線変調器３に対する可視化器４は、出力光ファイバー４７上に光を集める対物レンズ４６がそれぞれの穴マトリックス４５と向かい合って位置するように形成される。従って、該装置は光周波数のフィルターとして機能する。これは、絞り１７上の最高次回折の位置は異なる光周波数に対して異なってくるという事実の結果である。それぞれの穴４５と向かい合って配置されている認識装置５は異なる光周波数の位置を合わせる。
【０１１２】
本発明の他の具体例（図６d）において、装置は下記の通り機能する。光点灯器１からの光は、線要素１３のプリズム３３の１個又は数個の辺面を９０度以下の角度で通る。線変調器３上にレリーフが無い場合、光はフーリエ対物レンズ１６上に落ち、０次の回折光を遮断する絞り１７上に集められる。鏡で覆われた絞り１７は線変調器３のプリズム３３の遮蔽されていない面と平行に設置され、数回反射した後の、最初の光軸からの変位を有する光は、最終的に線要素１３のプリズム３３の最初の遮蔽されていない隣辺面に垂直に落ち、その後認識装置５中に落ちる。１つ又は数個の変調器３のスイッチが入ると、０次からの光の一部又は全部が絞り１７の平面内に位置する位相面上の最高次数中に移され、光吸収装置４９上又は第二の認識装置５上に落ちる。この場合における第一の認識装置５は照射されない。従って、第一の認識装置５中の暗領域及び第二の認識装置５中の明領域は線変調器３中のレリーフ記録に対応する。線変調器３が切られると、第一の認識装置５が集中照射され、第二の認識装置５は集中照射されない。この装置は明るい陽光下で２面パネル又は直視表示として、また上記した長光点灯器１の使用の場合においても機能することができる。
【０１１３】
他の具体例において、装置は下記の通り機能する。線要素１３中の線変調器３のコントラストと有効性を向上させるために、全反射に不具合がある場合に透明ゲル様層８上に落ちる光が透明ゲル様層を通過し、連続的な誘電性鏡４０から反射し、再び透明ゲル様層８を通過するように、櫛の歯１９及び２０は連続的な誘電性鏡４０で覆われる。プリズム３３の斜辺面上に変調器３が無い場合、該斜辺面は共通の鏡で覆われる。この場合、全反射角よりも小さい角度で面上に落ちる光は可視化器４中に落ちる。
【０１１４】
他の具体例において装置は下記の通り機能する（図６f）。光点灯器１からの光は、鏡絞り１７から反射され、フーリエ対物レンズ１６上に落ちる。その後、線変調器３によって変調された光は、線変調器３のプリズム３３の最後の遮蔽されていない隣辺面に達する。この隣辺面は共通の鏡５０で覆われているので、レリーフが無い場合は光は逆の順序で光点灯器１へ通過する。少なくとも１つの線変調器上にレリーフ記録がある場合は、最高次の回折は鏡絞り１７のスリットを通って投影レンズ２２上に落ちる。従って、１つの線変調器３上の光は２回回折し、線要素１３の感度とコントラストを向上させる。図６fで表される例では、光は４回回折し、画像のほぼ理想的なコントラストをもたらす。
【０１１５】
本発明の電気光学変換器のためのゲル様層は、ゲル様組成物の構成成分の反応産物であり、該ゲル様組成物は、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体を、次の比率（質量部）で含有する：ポリビニルシロキサン−１００、オリゴヒドリドシロキサン−１５〜２５、ポリメチルシロキサン液−１５０〜３００、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体−０.３〜２。このゲル様層はゲル形成の間に湿気の存在を必要とせず、操作中湿気から気密密閉された封じ込めをも必要としない。
【０１１６】
電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法は、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部を混合することを含む。混合後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3を１５０〜３００質量部加える。再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体を０.３〜２質量部加える。次いで、反応組成物を混合し、好ましくは混合終了後１〜２０分おいてから均一な厚さの層として導電性透明層上に施す。
【０１１７】
電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法の他の具体例は、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部を混合することを含む。混合後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3を１５０〜３００質量部加える。再度混合した後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体を０.３〜２質量部加える。次いで、反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層７上に施す。次いで、得られた構造物を光学的に平らな表面を有する板５１で覆い、透明導電性層７と板５１との間に配置したメインスペーサー５２によって透明ゲル様層８の厚さを扁平にする（図１３、１４）。その後、得られた構造物をオーブン中に置き、およそ２〜４時間７０℃〜９０℃の温度に保つ。次いで板５１を外し、制御電極９及び接地電極１０を具備し該電極が防護誘電性薄層３７で覆われている電極支持体１１でゲル様層を覆い、一方でメインスペーサー５２よりも大きい付加的なスペーサー５３によって空気ギャップ１２が割り当てられる。板５１は好ましくはガラス製である。
【０１１８】
電気光学変換器のためのゲル様層の他の調製方法は、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3の１００質量部と、水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3の１５〜２５質量部を混合することを含む。混合後、粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3を１５０〜３００質量部加える。二度目の混合の後、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体を０.３〜２質量部加える。次いで、反応組成物を混合し、混合終了後、均一な厚さの層として導電性透明層７上に施す。次いで、得られた構造物を光学的に平らな表面を有する板５１で覆い、透明導電性層７と板５１との間に配置したメインスペーサー５２によって透明ゲル様層８の厚さを扁平にする。その後、得られた構造物をおよそ１〜２時間７０〜９０℃のオーブン中に置く。その後板５１を外す。次いで、透明導電性層７上に設けられたゲル様層８を再びオーブン中に置き、ゲルの架橋が完了するまで約１〜３時間７０〜９０℃の温度に保つ（図１３、１４）。
【０１１９】
他の具体例では、層の設置は、最初に又は先に架橋し冷却したゲル層上に１以上のさらなるゲル層を逐次施す（流し込む）ことによって遂行される。
【０１２０】
他の具体例では、ゲルの架橋、収縮及び周辺温度までの冷却が完了した後に、メインスペーサー５２によってギャップが定められる（図１５）。
【０１２１】
他の具体例では、板５１は癒着防止層で覆われる。好ましくは、スルファノール−πのような界面活性物質が癒着防止層として用いられる。はじめに、アセトン又は水で希釈したスルファノール−π希釈溶液を調製する。次いで、該溶液を２回濾過して溶解度の低い粒子を除去する。板５１に施された溶液が蒸発する間に、その表面上に薄い癒着防止層が残る。さらに、該癒着防止層を４０℃で１時間加熱する。癒着防止層の使用により、１００％の品質の層を得ることが可能となる。
【０１２２】
さらに、板は好ましくは公知の方法によりプラズマ又は他の洗浄照射処理される。
【０１２３】
電気光学変換器のためのゲル様層の調製方法を実現するための組成物は、分子量１００００〜１６０００、粘度８００〜１０００センチストークスのポリビニルシロキサン(CH2=CH)3SiO[(CH3)2SiO]mSi(CH=CH2)3、架橋剤として水素化ケイ素基を１０〜１５％含み粘度５０〜１００センチストークスのオリゴヒドリドシロキサン(CH3)3SiO{[(CH3)2SiO][CH3SiO(H)]}Si(CH3)3、可塑剤として粘度５〜２０センチストークスのポリメチルシロキサン液(CH3)3SiO[(CH3)2SiO]Si(CH3)3、硬化触媒として塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体を含有する。混合物の構成成分の比率は次の通り（質量部）：ポリビニルシロキサン−１００、オリゴヒドリドシロキサン−１５〜２５、ポリメチルシロキサン液−１５０〜３００、塩化白金酸の０.１％有機溶媒溶液又はそれのテトラビニルシランとの錯体−０.３〜２。
【実施例】
【０１２４】
実施例１
ポリビニルシロキサン（１００質量部）及び架橋剤オリゴヒドリドシロキサン（２０質量部）を混合する。予備混合後、１５０質量部のポリメチルシロキサン液を加え、該組成物を再び十分に混合する。次いで１質量部の０.１％塩化白金酸有機溶媒（イソプロピルアルコール）溶液を加える。該組成物を５分間以内で十分に混合し、混合終了後１０分間おいてから導電性透明層上に施す。
【０１２５】
本発明の装置は下記の通りに製造できる。プリズム３３（又は透明平行平板４１）及び電極支持体１１はガラスで、透明導電性層７は酸化インジウムで、透明ゲル様層８はポリオルガノシロキサンゲルで作製できる。電極９及び１０、櫛の歯１９及び２０、並びに接触子３５及び３６はアルミニウム、クロム、モリブデンで作製できる。誘電性層３４、３７及び３８は窒化ケイ素で作製できる。標準的なユニット及びブロックはこれ以外の要素及びブロックとして用いることができる。光の波長は個々の用途に応じて決定され、例えば、スペクトルの可視範囲内で選択され得る。空気ギャップ１２は例えば５μｍ、透明ゲル様層の幅は例えば３０μｍを選択することが可能である。上記の電極９及び１０、櫛の歯１９及び２０は約０.１μｍから０.０１μｍの範囲で変わり得る。変調器３中で用いられる電気的パラメーターは、例えば下記のように選択できる：バイアス電圧は５０ボルト、信号電圧は１５ボルト、修正動作のインパルスは５ボルト、信号列の周期は１０μ秒。
【０１２６】
図１０aは、持続時間が１マイクロ秒である電気インパルスUiの作用に依存した透明ゲル様層８上のレリーフ深度A(t)（相対ユニット）の変化の典型的な時間のオシログラムを示す。図１０bは、電気インパルスUiの持続時間が２マイクロ秒である場合の、レリーフ深度A(t)の時間変化のオシログラムを示す。いずれの場合も、ギャップ１２は３ミクロン、歯１９及び２０の幅は２ミクロンである。
【０１２７】
例えば、ガスレーザー及び熱光源と同様に、半導体レーザー又は銅蒸気レーザー、金蒸気レーザー、あるいはストロンチウム蒸気レーザーを光源１４として用いることができる。
【０１２８】
構成成分の光学的パラメーターは、通常の方法によって算出される。２つのプリズム３３を具備する単色線要素１３（実施例２）及び４つのプリズム３３を具備する３色線要素１３（実施例３）に対する２通りの基本的な計算結果が下記に示されている。シリンドリカル対物レンズの配置は異なって選択されている。
【０１２９】
実施例２
計算のための入力パラメーター（図１１）は下記の通り。直角二等辺三角形の形態の底辺を有する三角プリズム３３の隣辺面のエッジの大きさをｐとする。空気中の放射の発散角をθとする。媒質の屈折率をｎとする。空気中の光の波長をλlとする。用いられる回折次数の最大値をＮ（±１、・・・、±Ｎ）とする。ここでｄ１＝ｄ２＝ｄ／２と仮定する（図１１）。
【０１３０】
計算を実行するため、一般式を提起する。
【０１３１】
絞り１７の大きさは隣り合う回折次数の（特に０次及び１次の）間の直線距離に等しく、
h=p/(2N+1)          （１）
媒質中の放射発散角はθ/nに等しい。
媒質中の波長はλl/nである。
距離はd=hn/θ-p= p(n/((2N+1)θ)-1)          （２）
隣り合う回折次数の間の発散角は
α＝(λl/n)/λm          （３）
隣り合う回折次数の重複を避けるためには
α=h/(d1+p)=2h/(d+2p)          （４）
（２）、（３）及び（４）を考慮に入れると、減少するマイクロレリーフの周期は
λm=λl (d+2p)/(2nh)= λl (1/θ+(2N+1)/n)/2          （５）
マイクロレリーフの物理的な周期は
Λm = λm√2 = λ (1/θ +(2N+1)/n)/√2          （６）
媒質中のレンズの焦点距離は
fp= d+p= pn/((2N+1)θ)          （７）
空気中のレンズの焦点距離はf= fp/n、
f= fp/n= p/((2N+1)θ)          （８）
下記のパラメーターを用いた計算実行の具体的な例を示す：
θ = 0.05, λl = 0.56 μｍ, p=0.4 mm, n=1.59, N=2
（２）より、距離d=hn/θ-p= p(n/((2N+1)θ)-1)=2.14 mm,
（１）より、絞りの大きさはh= p/(2N+1)=80 ミクロン,
（６）より、プリズムの側面上の物理的なマイクロレリーフ周期は
Λm≒0.707 λl (1/θ +(2N+1)/n)= 9.16 ミクロン (109 mm-1 )
【０１３２】
実施例３
４つのプリズム３３を具備する３色線要素１３の計算のもう１つの例を記載する（図１２）。
【０１３３】
計算のための入力パラメーターは下記の通り。レンズは点Ｂに設置される。入力平行光束は面Ｌを通過する。全ての光路ＡＢＣＤＥＦＬは屈折率ｎの媒質で形成される。プリズムの反射面（Ｅ，Ｆ，Ｄ，Ｃ）は４５度の角度で配置されている。異なるレリーフ周期を有する３つの線変調器３は面Ｄ，Ｅ，Ｆ上に設置される。空気中の光の波長をλ1（それぞれλD，λE，λF）とする。異なる色の放射の発散角をそれぞれθD、θE、θFとする。発散角の最大値をθ=max{θD, θE, θF}とする。減少した格子周期（光線の垂直断面上の格子投影周期）をλm（異なる光波長に対してそれぞれλmD、λmE、λmF）とする。プリズム側面上の物理的なマイクロレリーフ周期はΛm= λm√2（異なる光波長に対してそれぞれΛmD, ΛmE, ΛmF）とする。絞り（０次数の焦点）から格子までの距離はs1（異なる光波長に対してそれぞれsD, sE, sF）である。使用される回折次数の最大値はＮ（任意）である。
【０１３４】
プリズムの垂直面の大きさ（図１２参照）は
t=(AB)=p/3          (9)
画素の全高は
d=2t+w=2p/3+w          (10)
絞りから入力面（ABCDEFL）までの完全な光路は
s=5t+w=5p/3+w          (11)
絞りの大きさは隣り合う回折次数の間（特に０番目と１番目の間）の直線距離に等しく、
h=p/(2N+1)          (12)
媒質中の放射発散角はθ/nに等しい。
媒質中の波長はλl/nである。
発散で決定される光路の最大値は
s=h/(θ/n)= hn/θ = pn/((2N+1)θ)          (13)
【０１３５】
(11)を考慮に入れると5p/3+w= pn/((2N+1)θ)、すなわちwの最大値は
w=p(n/((2N+1)θ)-5/3)          (14)
(10)より、対応する画素の全大きさは
d= 2p/3+w= p(n/((2N+1)θ)-1)          (14a)
(14)を考慮に入れると、λDに対し格子Ｄから絞りまでの距離（ABCD）は
sD=2t+t/2+w=5t/2+w=5p/6+w= p(n/((2N+1)θ)-5/6)          (15D)
(14)を考慮に入れると、λEに対し格子Eから絞りまでの距離（ABCDE）は
sE=3t+t/2+w =7t/2+w =7p/6+w= p(n/((2N+1)θ)-3/6)          (15E)
(14)を考慮に入れると、λFに対し格子Fから絞りまでの距離（ABCDEF）は
sF=4t+t/2+w=9t/2+w=9p/6+w=3p/2+w= p(n/((2N+1)θ)-1/6)          (15F)
【０１３６】
隣り合う回折次数の間の角度は
α= (λl/n)/λm          (16)
隣り合う回折次数の重複を避けるため
α=h/s1          (17)
(16)及び(17)より、減少するマイクロレリーフ周期は
λm = s1 λl /(n h)          (18)
(12)を考慮に入れると、減少するマイクロレリーフ周期は
λm= s1 λl (2N+1)/(n p)          (19)
(15)を考慮に入れると、異なる格子に対し（対応して異なる波長に対し）減少するマイクロレリーフ周期は
λmD= sD λD (2N+1)/(n p) = λD (1/θ-(5/6)(2N+1)/n)          (19D)
λmE= sE λE (2N+1)/(n p) = λE (1/θ-(3/6)(2N+1)/n)          (19E)
λmF= sF λF (2N+1)/(n p) = λF (1/θ-(1/6)(2N+1)/n)          (19F)
【０１３７】
櫛の歯１９及び２０解像度を減少させるため、光の最大波長（赤）に対して線変調器３を点Ｄに、最小波長（青）に対しては点Ｆに配置するとよい。
【０１３８】
プリズム面上の物理的なマイクロレリーフ周期は
Λm= λm√2          (20)
又は異なる波長に対し(19)を考慮すると
ΛmD= λmD√2= λD√2(1/θ-(5/6)(2N+1)/n)          (21D)
ΛmE= λmE√2 = λE √2(1/θ-(3/6)(2N+1)/n)          (21E)
ΛmF= λmF√2 =λF √2(1/θ-(1/6)(2N+1)/n)          (21F)
(14)を考慮すると、可塑性のあるレンズ焦点距離は
fp= t+w = p/3+p(n/((2N+1)θ)-5/3)= p(n/((2N+1)θ)-4/3)          (22)
空気中のレンズ焦点距離はf = f= fp/n
f= fp/n= p(1/((2N+1)θ)-4/(3n))          (23)
θ = 0.05, λD= 0.60μｍ, λE= 0.45μｍ, λF= 0.40μｍ, p=0.4 mm, n=1.59, N=3のとき、プリズムの直交面は(9)によるとt=p/3=0.133である。
【０１３９】
(14A)によると、画素の全高は
d= 2p/3+w=p(n/((2N+1)θ)-1)=1.417 mm
(12)によると、絞りの大きさはh=p/(2N+1)= 80μｍ
(21)によると、プリズム面上の物理的なマイクロレリーフ周期は
Λm = λ1(28.28-[5,3,1]*1.0377);
ΛmD = λD√2(1/θ-(5/6)(2N+1)/n) =  13.85μｍ  ( 72.2 mm-1) (赤),
ΛmE = λE √2(1/θ-(3/6)(2N+1)/n) =   11.33μｍ  (88.3 mm-1) (緑),
ΛmF = λF √2(1/θ-(1/6)(2N+1)/n) =   10.89μｍ  (91.5 mm-1) (青)
(22)によると、可塑性のあるレンズ焦点距離は
fp= p(n/((2N+1)θ)-4/3) = 1.28 mm
【０１４０】
式(21)及び実施例によると、任意の線要素の構造において、格子周期は主に光の発散角と波長によって決定されることが明らかである。
【０１４１】
このように、本願特許請求の範囲に記載の電気光学変換器において、出力信号を認識する装置上のこの信号の品質はプロトタイプよりも高い。従って、現代の技術水準の下では、電気光学変換器の一連の独特な特徴により、テレビジョン情報結像のための装置、感光性担体を具備する記録装置、情報の光学的処理、さらには光束の制御のための異なる光ファイバー装置をも提供することが可能となる。
【０１４２】
その上、本願特許請求の範囲に記載の電気光学変換器の機能上、コスト、及び操作上の経費は、プロトタイプのものよりも低い。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】電気光学変換器の1つの通信路の詳細な模式図である。
【図２】２つの投影図で示した、歯並びに制御及び接地電極の２層型デザインである。
【図３】２つの投影図で示した、歯並びに制御及び接地電極の３層型デザインである。
【図４】それぞれの要素が平行な面内に位置する遮蔽されていない２つの隣辺面を有する２個のプリズムから成っている、Ｍ個の線要素を具備するマトリックスの断片の２通りの例を示す。図４aに示す１つ目の断片において、光点灯器は絞り上に集光するレンズラスターを具備する。図４bに示す２つ目の断片において、レンズラスターが可視化器中に挿入され、光点灯器は最初の遮蔽されていない隣辺面上に落ちる平行な光束を発する。
【図５】それぞれの要素が同一平面上に位置する遮蔽されていない２つの隣辺面を有する４個のプリズムから成っている、Ｍ個の線要素を具備するマトリックスの２つの断片の例である。図５aに示す１つ目の断片において、光点灯器及び可視化器は共同して絞り上に集光するレンズラスターを具備する。図５ｂに示す２つ目の断片において、光点灯器のレンズラスターは絞り上に集光する。
【図６】光点灯器、変調器、認識装置及び制御装置の間の光学図式と電気的接続の６つの例である。図６aは誘電性鏡を具備する変調器を用いた光学図式を示す。図６bは１個のプリズムを、図６c及び６dは２個のプリズムを、図６eは４個のプリズムを具備する光学図式を示す。図６fは線変調器のプリズムの最後の遮蔽されていない隣辺面に鏡を取り付けた光学図式の実行例を示す。
【図７】線変調器の３通りの具体例である。図７aは遮蔽されていない隣辺面を同一平面内に具備している線要素を示す。図７b及び図７cは最初と最後の遮蔽されていない隣辺面が互いに垂直であって、それぞれの線要素が斜辺面上に設置された３つの線変調器を具備している例を示す。
【図８】線走査を伴う色投影機の４つの例である。図８a及び８bはそれぞれ、１つ及び３つの線変調器の助けを借りた連続的な色の配合の図式を示す。図８cはダイクロイックミラーを用いた画面上での色の配合の公知の光学図式を示す。図８dはダイクロイックミラーを用いずに平行な色の配合を行う本発明の具体例の１つを示す。
【図９】３つの線変調器を具備した光ファイバースイッチの一般的なデザインである。
【図１０】電気パルスUiの動作の際の、レリーフの創出及び消去のオシログラフA(t)の２つの典型的な例である。電気パルス幅は１μs（図１０a）及び２μs（図１０b）である。
【図１１】２個のプリズムを具備する単色線要素の計算のための光学図式である。
【図１２】４個のプリズムを具備し連続的な色の配合を行う３色線要素のための計算図式である。
【図１３】メインスペーサーを用いたゲル様層の形成方法である。
【図１４】さらなるスペーサーを用いた線要素の組み立て方法である。
【図１５】架橋後のゲル様層の収縮を応用した、メインスペーサーを用いた線変調器の組み立て方法である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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