(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を有し、前記投影光学系により原版のパターンを基板上に投影して前記基板を露光する露光装置において、
基準プレートを含み、前記基板を保持するステージと、
前記ステージを駆動させて前記投影光学系の光軸の方向における複数の位置それぞれに位置させた前記基準プレートを介して前記投影光学系の焦点位置を計測する計測手段と、
前記光軸の方向における前記基板の上面の位置の前記焦点位置からのずれを検出する検出系と、
大気圧及び前記装置内の気圧の少なくとも一方を計測する気圧計と、
前記計測手段の計測結果と前記複数の位置それぞれで前記基準プレートの位置を前記検出系に検出させた結果とに基づいて、前記検出系のキャリブレーションを実行するキャリブレーション手段と、を有し、
前記キャリブレーション手段は、前記キャリブレーションの実行中における前記気圧計の計測結果に基づいて、気圧変動に伴う前記投影光学系の焦点位置の変動分だけ前記検出系の検出結果の補正を行い、該補正のなされた検出結果に基づいて前記検出系のキャリブレーションを行う、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記基準プレートは、マークを含み、前記計測手段は、前記投影光学系および前記基準プレートを介した計測により得られたコントラスト値に基づいて前記焦点位置を計測する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記基準プレートは、マークを含み、前記計測手段は、前記投影光学系および前記基準プレートを介した計測により得られた光量値に基づいて前記焦点位置を計測する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子等の製造に用いられる投影露光装置は、マスクとしてのレチクル上に形成された回路パターンを感光基板としてのウエハまたはガラスプレート等の上のフォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）する事が求められている。
レチクルに対するウエハの焦点位置を合わせる手法としては、フォーカスキャリブレーションが良く知られている。
【０００３】
図１は、ＴＴＬ（Through The Lens）方式によるフォーカスキャリブレーション手段を有する投影露光装置の概略図である。同図において、１は露光用の光源である。レチクル２上の回路パターンをウエハ８上に転写露光する際には、露光装置制御系７０の指示が光源制御系３０に伝えられ、光源制御系３０の指示により露光光源１の動作が制御されている。
【０００４】
２は原版としてのレチクルであり、原版のステージであるレチクルステージ４に保持されている。また、３はレチクル基準プレートであり、レチクル基準プレート３は同図においてはレチクルステージ４に保持されているが、光学的にレチクル２と等価な位置に固定されている場合もある。
【０００５】
レチクルステージ４は、走査型露光装置では投影光学系５の光軸方向（ｚ）及びこの方向に直交する方向（ｘ，ｙ）に移動可能であり、光軸に対して回転させる事も可能である。
【０００６】
レチクルステージ４の駆動制御は、露光装置制御系７０の指示がレチクルステージ制御系４０に伝えられ、レチクルステージ制御系４０の指示によりレチクルステージ４は駆動制御されている。
【０００７】
レチクル基準プレート３上には、不図示ではあるが数種類の基準マークが設けられている。
【０００８】
投影光学系５は、複数のレンズで構成されており、露光時はレチクル２上の回路パターンをウエハ８上に投影光学系５の縮小倍率に対応した倍率で結像させている。なお、５０は後に説明する投影光学系制御系である。
【０００９】
６，７はオフアクシスのオートフォーカス光学系であり、光軸方向における基板の上面の位置を検出する検出系を形成している。該検出系は、後述のキャリブレーションのため、光軸方向におけるステージ基準プレートの上面の位置も検出する。６は投光光学系であり、投光光学系６より発せられた非露光光である光束は、ステージ基準プレート９上の点（またはウエハ８の上面）に集光し、反射される。反射された光束は、検出光学系７に入射する。不図示ではあるが、検出光学系７内には位置検出用受光素子が配置され、位置検出用受光素子とステージ基準プレート９上の光束の反射点が共役となるように構成されており、ステージ基準プレート９の投影光学系５の光軸方向の位置ズレは、検出光学系７内の位置検出用受光素子上での入射光束の位置ズレとして計測される。
【００１０】
検出光学系７により計測されたステージ基準プレート９の所定の基準面からの位置ズレは、ウエハステージ制御系６０に伝達される。
ウエハステージ制御系６０は、後述するフォーカスキャリブレーション計測時に、ステージ基準プレート９を所定の基準位置の近傍で投影光学系５の光軸方向（ｚ方向）に上下駆動の制御を行う。また、ウエハステージ制御系６０は露光時におけるウエハ８の位置制御も行っている。
【００１１】
次に、ウエハ８面のフォーカス状態を検知して、その信号に基づいてウエハステージ１０を駆動させてレチクル２に対するウエハ８の最適焦点位置を検出するための構成要素について説明する。
【００１２】
２０はフォーカスキャリブレーションの画像検出光学系であり、後述する要素２１，２２，２３，２４，２５を有している。ファイバ２１から出射した照明光束はハーフミラー２２を通過し、対物レンズ２３とミラー２４を介してレチクル基準プレート３（またはレチクル２）近傍に集光する。
【００１３】
レチクル基準プレート３近傍に集光した照明光束は、投影光学系５を介してステージ基準プレート９上に集光する。
ステージ基準プレート９面上には不図示ではあるが数種類の基準マークが設けられている。
ステージ基準プレート９からの反射光は元の光路を戻り、順に投影光学系５、レチクル基準プレート３、ミラー２４、対物レンズ２３を介し、ハーフミラー２２で反射して位置センサ２５に入射する。
【００１４】
このステージ基準プレート９はウエハ８と同様に基板のステージであるウエハステージ１０上に配置されており、ウエハ８とは等価なフォーカス面上に固定されている。
【００１５】
ウエハ８の上面とステージ基準プレート９の上面の各々の投影光学系５に対する焦点位置または両面間のフォーカスオフセット量は露光装置制御系７０により管理されている。
【００１６】
次に、ＴＴＬ方式のフォーカスキャリブレーションの具体的な動作について説明する。
図７はフォーカスキャリブレーションのシーケンスを示すフローチャートである。図１及び図７に示すように、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上のマーク）に検出光学系２０のフォーカスを粗調整する（ステップＳ７０１）。ステップＳ７０１の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対して検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
ここでは、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００１７】
次に、検出光学系２０でステージ基準プレート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準プレート９を駆動する（ステップＳ７０２）。
ステップＳ７０２での、ステージ基準マークの焦点位置は−１４３９ｎｍとなる。
【００１８】
以下の手順（ステップＳ７０３〜Ｓ７０５のループ）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値の計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記憶する。
（１）検出光学系２０で基準マークを計測する（ステップＳ７０３）
（２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ７０４）
ステップＳ７０３とステップＳ７０４の順番は逆でも良い。
（３）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変える（ステップＳ７０５）。具体的には、現在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆動する。
【００１９】
計測により得られた光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している（ステップＳ７０６）。
【００２０】
以下、気圧変化に伴う結像特性の変化を補正する方法に関して図１を用いて説明する。図１では、不図示ではあるが大気圧及び露光装置内環境気圧の少なくともいずれか一方を読み取る気圧計が配置されている。気圧計で読み取られた気圧値は露光装置制御系７０に送信されている。
【００２１】
露光装置制御系７０は、送信された気圧値より気圧変動量を算出し、気圧変動量が所定量を超えた場合に結像特性の補正を制御している。
【００２２】
可動ステージを投影光学系５の光軸方向へ駆動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けたウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１０に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を反映させた位置への駆動司令を与える事により補正を行っている。
【００２３】
投影光学系５の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた投影光学系制御系５０が、不図示の補正レンズに対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を反映させた位置への駆動司令を与える事により補正を行っている。
【００２４】
光源の波長を切り替える補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた光源制御系３０が、露光光源１に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を反映させた不図示の光源の波長への切り替え司令を与える事により補正を行っている。
【００２５】
レチクルステージ４の走査速度を変化させる補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けたレチクルステージ制御系４０が、レチクルステージ４に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量をウエハステージ１０との走査速度比に応じた走査速度に変換した走査駆動司令を与える事により補正を行っている。
【００２６】
ウエハステージ１０の走査速度を変化させる補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けたウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１０に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量をレチクルステージ４との走査速度比に応じた走査速度に変換した走査駆動司令を与える事によって補正を行っている。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
半導体素子の製造に用いられる投影露光装置においては、原版としてのマスクやレチクル上に形成された回路パターンを感光基板としてのウエハまたはガラスプレートなどの上のフォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）する事が求められている。
また、形成する回路パターンの線幅も、より微細化が進んでいるために、焦点深度も、より浅くなってきている。
【００２８】
従来はフォーカスキャリブレーション計測中等といった短期的な気圧変動に関しては補正を行っていなかった。
【００２９】
しかし、装置の焦点深度が浅くなっている事や、高いアライメント精度が要求されている現状を踏まえると、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分は無視する事が出来なくなってきている。
更に、ＡＳＩＣ等の少量多品種製品が主流となってきているため、投影露光装置においてはスループットの向上が求められている。
【００３０】
従来は、スループットや補正精度の観点から適切な補正時期を決定または補正方法を選択していなかったため、必ずしも装置にとって最適な気圧補正方法により補正していなかった。
【００３１】
本発明は、例えば、基板の上面の位置の焦点位置からのずれを検出する検出系のキャリブレーションに有利な露光装置を提供することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る露光装置は、投影光学系を有し、前記投影光学系により原版のパターンを基板上に投影して前記基板を露光する露光装置において、
基準プレートを含み、前記基板を保持するステージと、
前記ステージを駆動させて前記投影光学系の光軸の方向における複数の位置それぞれに位置させた前記基準プレートを介して前記投影光学系の焦点位置を計測する計測手段と、
前記光軸の方向における前記基板の上面の位置の前記焦点位置からのずれを検出する検出系と、
大気圧及び前記装置内の気圧の少なくとも一方を計測する気圧計と、
前記計測手段の計測結果と前記複数の位置それぞれで前記基準プレートの位置を前記検出系に検出させた結果とに基づいて、前記検出系のキャリブレーションを実行するキャリブレーション手段と、を有し、
前記キャリブレーション手段は、前記キャリブレーションの実行中における前記気圧計の計測結果に基づいて、気圧変動に伴う前記投影光学系の焦点位置の変動分だけ前記検出系の検出結果の補正を行い、該補正のなされた検出結果に基づいて前記検出系のキャリブレーションを行う、ことを特徴とする露光装置である。
【００４１】
【発明の実施の形態】
本発明の以下に述べる実施形態に係る気圧変動に伴う結像特性の変動に対する補正方法は、（１）フォーカスキャリブレーション計測中は、可動ステージを投影光学系の光軸方向に対して相対位置を変化させながら（複数の位置に移動させながら）、可動ステージ上のマークまたは基板表面を観察する時に、光量値またはコントラスト値を計測すると同時に、可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する焦点位置の計測と、現在の気圧値を読み込む。
【００４２】
一つの実施形態として、読み込んだ気圧値より気圧の変動分を投影光学系の光軸方向の焦点位置に換算し、換算した値を光量値またはコントラスト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光軸方向の焦点位置に加算する。可動ステージの実際の駆動量や計測に使用する光源の波長に反映させてもよい。
最適焦点位置は、光量値またはコントラスト値と光量値またはコントラスト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する相対位置より、近似計算または重心計算により算出する。
このため、算出される最適焦点位置には、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分が含まれる事になる。
【００４３】
（２）ショット露光時は、一定間隔で気圧値を読み込み、読み込んだ気圧値より気圧変動量を算出し、気圧変動量に基づき補正量を算出し且つ自動的に補正方法を切り替える補正制御手段により結像特性を補正する。
【００４４】
補正制御手段では、
・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、
・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、
・光源の波長を切り替える、
・可動ステージの走査速度を変化させる、
などの補正方法より、「スループット重視の場合」、「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御している。
ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウエハステージを指す。
【００４５】
（３）装置稼働中は、前回気圧変動に伴う結像特性の補正駆動を実施した時の気圧値と、現在気圧値の差分より、気圧の変動量に基づき補正値を算出し且つ自動的に補正方法を切り替える補正制御手段により結像特性を補正制御する。
【００４６】
補正制御手段では、
・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、
・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、
・光源の波長を切り替える、
・可動ステージの走査速度を変化させる、
などの補正方法より、「スループット重視の場合」、「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御している。
ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウエハステージを指す。
【００４７】
具体的に、一つの好ましい実施の形態は、光量値またはコントラスト値計測と同時に、可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する相対位置の計測と、現在の気圧値を読み込む。
【００４８】
読み込んだ現在気圧値より気圧変動分を算出し、算出した変動分を可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する相対位置に換算する。
【００４９】
換算した相対位置は光量値またはコントラスト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する相対位置に加算する。あるいは可動ステージの駆動量や計測用光源波長に反映する。
【００５０】
最適焦点位置の算出は、光量値またはコントラスト値と気圧変動分を含んだ可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する相対位置より近似計算または重心計算により実施する事ができる。
【００５１】
他の一つの発明の好ましい実施の形態は、気圧モニタリング手段により、ショット露光中の気圧値を一定間隔で読み込む。
【００５２】
自動的に補正方法を切り替える補正制御手段では、１ショット露光終了時の気圧値と次ショット露光直前までの気圧値を基に露光時の気圧を算出し、
・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正方法、
・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方法、
・光源の波長を切り替える補正方法、
・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、
などの補正方法より、「スループット重視の場合」、「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件に合った補正方法を自動的に選択し、且つ気圧変動量より補正値を算出し補正を制御する。
【００５３】
更に他の一つの発明の好ましい実施の形態は、装置稼働中の前回気圧変動に伴う結像特性の補正駆動を行った時の気圧値と、現在気圧値の差分を算出する。
【００５４】
自動的に補正方法を切り替える補正制御手段では、気圧の変動量に基づき、
・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正方法、
・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方法、
・光源の波長を切り替える補正方法、
・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、
などの補正方法より、「スループット重視の場合」、「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」の条件に合った補正方法を自動的に選択し、且つ補正値を算出し補正を制御する。
【００５５】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態における要部概略図であり、同図は後述の第２〜４の実施形態にも共通の図である。段落【０００３】から【００２６】の記載と重複する説明については省略する。
【００５６】
本発明の第１の実施形態について説明する。図２は本発明の第１の実施形態におけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンスを示すフローチャートである。同図及び図１に示すように、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォーカスを粗調整する（ステップＳ２０１）。この粗調整の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
【００５７】
本実施形態では、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００５８】
次に、画像検出光学系２０でステージ基準プレート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準プレート９を駆動する（ステップＳ２０２）。
ステップＳ２０２では、ステージ基準マークの焦点位置は−１４３９ｎｍとなる。
【００５９】
以下の手順（ステップＳ２０３〜Ｓ２０７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値を計測した時のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶する。
（１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ステップＳ２０３）。
（２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ２０４）。
ステップＳ２０３とステップＳ２０４の順番は逆でも良い。
（３）大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量から焦点位置への換算値を算出する（ステップＳ２０５）。
（４）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出光学系７）で計測した焦点位置に気圧変化による焦点位置の変動分を加算（換算）する（ステップＳ２０６）。
（５）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変える（ステップＳ２０７）。具体的には現在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆動する。
【００６０】
本実施形態では、計測により得られた光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している（ステップＳ２０８）。即ち本実施形態においては、気圧変動による影響をステージ基準プレート９の駆動目標位置には反映せず、気圧変動分の補正値を記録しておき、ベストフォーカス位置計算でこの補正値を計算上で使用する。
【００６１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。図３は本発明の第２の実施形態におけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンスを示すフローチャートである。同図及び図１に示すように、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォーカスを粗調整する（ステップＳ３０１）。この粗調整の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
【００６２】
本実施形態では、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００６３】
次に、現在の大気圧または装置内の環境気圧の変動量を求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆動量を算出する（ステップＳ３０２）。補正駆動量は＋１１．０１ｎｍ。
【００６４】
画像検出光学系２０でステージ基準プレート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準プレート９を駆動すると共に、ステップＳ３０２で算出した焦点位置補正量を反映した位置にウエハステージ１０を駆動する（ステップＳ３０３）。
ステップＳ３０３での焦点位置は−１４３９ｎｍ＋１１．０１ｎｍ＝−１４２７．９９ｎｍとなる。
【００６５】
以下の手順（ステップＳ３０４〜Ｓ３０７）をステージ基準マークの気圧補正前の焦点位置が＋３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値の計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記憶する。
（１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ステップＳ３０４）。
（２）現在の大気圧または装置内の環境気圧の変動量を求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆動量を算出する（ステップＳ３０５）。
（３）ステップＳ３０５で算出した焦点位置補正駆動量を反映させ、投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変える（ステップＳ３０６）。
具体的には現在のステージ基準プレート焦点位置をステップＳ３０５で求めた焦点位置補正駆動量＋１００ｎｍ駆動する。
【００６６】
ステップＳ３０８では、計測により得られた光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。このように第２実施形態では第１実施形態とは異なり、気圧変動分の補正値をステージ基準プレートの駆動目標位置に直接反映する形をとっている。
【００６７】
本発明の第１の実施形態及び第２の実施形態に基づきフォーカスキャリブレーション計測を気圧変動分の補正を行った場合と行わない場合に発生するオフセットに関して説明する。
【００６８】
表１は、フォーカスキャリブレーション計測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施時の気圧補正前のウエハステージ焦点位置との関係を示している数値表である。
【００６９】
【表１】
0004666747.tif 000002
【００７０】
表２は、フォーカスキャリブレーション計測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施時の気圧補正後のウエハステージ焦点位置との関係を示している数値表である。
【００７１】
【表２】
0004666747.tif 000003
【００７２】
表１のフォーカスキャリブレーション計測値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施した場合の気圧補正前の最適焦点位置は−６６２ｎｍとなる。
【００７３】
一方、表２のフォーカスキャリブレーション計測値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施した場合の気圧補正後の最適焦点位置は−６５３ｎｍとなる。
【００７４】
フォーカスキャリブレーション実行中の気圧変化分の補正を行わない場合は、焦点位置が９ｎｍのオフセットをもつ事となる。
【００７５】
フォーカスキャリブレーション実行中の気圧の変動が大きい場合には、このオフセット量が更に大きくなる。
【００７６】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について説明する。図４は本発明の第３の実施形態におけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンスを示すフローチャートである。同図及び図１に示すように、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォーカスを粗調整する（ステップＳ４０１）。この粗調整の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
【００７７】
本実施形態では、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００７８】
次に、現在の大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量を画像検出系光源の波長に換算し、換算した波長に切り替える（ステップＳ４０２）。
【００７９】
画像検出光学系２０でステージ基準プレート９上の基準マークが観察可能な位置にウエハステージ１０を駆動する（ステップＳ４０３）。
ステップＳ４０３では、ステージ基準マークの焦点位置は−１４３９ｎｍとなる。
【００８０】
以下の手順（ステップＳ４０４〜Ｓ４０７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値の計測時のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶する。
（１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ステップＳ４０４）。
（２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ４０５）。
ステップＳ４０４とステップＳ４０５の順番は逆でも良い。
（３）現在の大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量を画像検出系光源の波長に換算し、換算した波長に切り替える（ステップＳ４０６）。
（４）次の計測位置へステージ基準マークを駆動する（ステップＳ４０７）。具体的には、現在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆動する。
【００８１】
ステップＳ４０８では、計測により得られた光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。
【００８２】
本発明の第１から第３の実施形態によれば、フォーカスキャリブレーション実行中という短期的な気圧変化に伴う焦点位置の変動を補正する事が可能となる。
【００８３】
本発明の第１から第３の実施形態中の大気圧または装置内環境気圧の変動量は、前回気圧補正を行った時の気圧値からの変動量であっても良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値からの変動量であっても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値からの変動量であっても良い。
【００８４】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態について説明する。図５は本発明の第４の実施形態に係る露光処理のシーケンスを示したフローチャートである。同図及び図１に示すように、先ず、露光位置へのウエハステージ１０の駆動を開始する（ステップＳ５０１）。
【００８５】
次に、ウエハステージ１０を第１ショット露光位置へ駆動中に大気圧または装置内環境気圧の変動量を算出する。（ステップＳ５０２）。
大気圧または装置内環境気圧の変動量の算出は、気圧モニタリングにより一定期間（例えば前ショットの露光終了時から次ショットの露光位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込んでおき、読み込んだ全気圧値の平均値と、前回気圧補正を行った時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値との差分を変動量としても良い。
【００８６】
また、気圧モニタリングにより一定期間（例えば前ショットの露光終了時から次ショットの露光位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込んでおき、読み込んだ全気圧値の変動状況より次ショット露光時の気圧値を予測し、予測した気圧値と、前回気圧補正を行った時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値との差分を変動量としても良い。
【００８７】
算出された気圧の変動量に基づき、気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、補正方法を選択する（ステップＳ５０３）。
【００８８】
ここで、結像特性の補正方法の選択に関し説明する。
結像特性の補正方法としては、
１．可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、
２．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、
３．光源の波長を切り替える、
４．可動ステージの走査速度を変化させる、
の４つの方法が考えられる。ここで、「可動ステージ」とは、レチクルステージ４またはウエハステージ１０の事を指す。
【００８９】
表３は、前記４つの結像特性の補正方法を補正時間及び補正精度の観点に基づきまとめたものである。
【００９０】
【表３】
0004666747.tif 000004
【００９１】
表３に示す通り、「可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージの走査速度を切り替える」方法の場合、補正時間が短い。ただし、「可動ステージの走査速度を切り替える」方法は、走査型露光装置のみ実現可能な方法である。
【００９２】
これに対して、「投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り替える」方法の場合は、補正時間が長い。
【００９３】
補正精度は、「投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り替える」方法の場合が良好である。
【００９４】
特に、「光源の波長を切り替える」方法は、波長を切り替える事で、結像特性（フォーカス、倍率、歪み等）を最も効果的に補正する事が可能である。
【００９５】
これに対して「可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージの走査速度を切り替える」方法は、若干ではあるが補正精度が劣っている。
【００９６】
露光処理中の気圧変動に伴う結像特性の補正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の最適化を図る事が可能となる。
【００９７】
ステップＳ５０３で選択された補正方法に基づき気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する（ステップＳ５０４）。
【００９８】
補正方法の選択基準に関し、説明する。
例えば、コンタクトホールの露光工程等、露光時に焦点深度を確保する必要がある場合は、スループットを多少犠牲にしても補正精度を重視した補正方法を選択する。
ラフレイヤ露光工程等、露光時にある程度の焦点深度が確保されていれば良い場合は、補正精度を多少犠牲にしてもスループットを重視した補正方法を選択する。
【００９９】
ステップＳ５０４による結像特性の変化分の補正が終了後、ショットの露光処理を行う（ステップＳ５０５）。
【０１００】
ショットの露光終了後、全ウエハの露光が終了したか判断する（ステップＳ５０６）。全てのショットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了となる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ５０１に戻り次の露光ショット処理が開始される。
【０１０１】
本発明の第４の実施形態によれば、露光処理中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選択する事により、露光処理の最適化が図れる。
【０１０２】
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態について説明する。図６は第５の実施形態における装置稼働中のフローチャートを示している。同図に示すように、装置稼働中は、ジョブが開始されるとジョブで使用するレチクルをセットする（ステップＳ６０１）。
ステップＳ６０２でウエハを供給する。
ウエハ供給後に大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量より補正量及び補正方法を決定する（ステップＳ６０３）。
大気圧または装置内環境気圧の変動量の算出は、ウエハ供給後の気圧値を読み込み、読み込んだ気圧値と、前回気圧補正を行った時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値との差分を変動量としても良い。
【０１０３】
算出された気圧の変動量に基づき、気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、補正方法を選択する。
結像特性の補正方法としては、
１．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、
２．光源の波長を切り替える、
の２つの方法が考えられる。
【０１０４】
ステップＳ６０４では結像特性を補正する。ウエハ供給後の結像特性の補正方法としては、上記２つの選択肢のみであるため、表３より、補正時間及び補正精度の観点に基づき補正方法を決定すれば良い。
【０１０５】
補正精度はどちらの方法で補正を行っても変わらないため、補正時間に着目して補正方法を決定すれば良い。
【０１０６】
補正時間は、「投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する」、「光源の波長を切り替える」のいずれの方法も補正時間が長いが、このような場合はその後の処理（この場合はステップＳ６０５のアライメント処理）と並列処理で補正駆動が実施可能な方法を選択すれば良い。
補正量の算出は、決定された補正方法に合わせて求める。
【０１０７】
補正方法が「投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する」の場合に算出する補正量は、補正レンズの駆動量であるため、気圧変動量を補正レンズの駆動量に換算した値を補正量とする。
【０１０８】
補正方法が「光源の波長を切り替える」の場合に算出する補正量は、変更する波長値であるため、気圧変動量を光源の波長値に換算した値を補正値とする。
【０１０９】
ステップＳ６０３で決定された補正量及び補正方法で気圧変動に伴う結像特性の補正を行う（ステップＳ６０４）。
【０１１０】
ステップＳ６０５でアライメント計測を行う。
ステップＳ６０５のアライメント計測中では、前述の第１から第３の実施形態で述べたいずれかの方法により補正を行っても良い。
ステップＳ６０５でのアライメント計測中に、大気圧または装置内環境気圧が大きく変動した場合は、ステップＳ６０３及びステップＳ６０４の方法を用いて気圧変動に伴う結像特性の変化分の補正を行っても良い。
【０１１１】
その後、露光が行われる（ステップＳ６０６）。
ステップＳ６０６の露光処理中では、前述の第４の実施形態で述べた方法により補正を行っても良い。
ステップＳ６０６での露光処理中に、大気圧または装置内環境気圧が大きく変動した場合は、ステップＳ６０３及びステップＳ６０４の方法を用いて気圧変動に伴う結像特性の変化分の補正を行っても良い。
【０１１２】
ショットの露光終了後、全ウエハの露光が終了したか判断する（ステップＳ６０７）。全てのショットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了となる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ６０２に戻り次の露光ショット処理が開始される。
以上が装置稼動中の処理となっている。
【０１１３】
第５の実施形態中では、大気圧または装置内環境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正は、ステップＳ６０２のウエハ供給後、ステップＳ６０５のアライメント計測中及びステップＳ６０６の露光処理中に行っている。
【０１１４】
本実施形態中では、大気圧または装置内環境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正のタイミングを限定しているが、勿論任意のタイミング（例えば気圧値の変動が大きい時）に補正を行っても良い。
【０１１５】
露光処理中の気圧変動に伴う結像特性の補正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の最適化を図る事が可能となる。
【０１１６】
本発明の第５の実施形態によれば、装置稼動中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選択する事により、露光処理の最適化が図れる。
【０１１７】
（半導体生産システムの実施形態）
次に、本発明に係る装置または方法を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【０１１８】
図８は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【０１１９】
一方、１１０２〜１１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けられている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホスト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【０１２０】
さて、図９は本実施形態の全体システムを図８とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図９では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ラインの稼動管理がされている。
【０１２１】
一方、露光装置メーカ１２１０、レジスト処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０などベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネットワーク１２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【０１２２】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守データベースが提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【０１２３】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【０１２４】
図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【０１２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、例えば、基板の上面の位置の焦点位置からのずれを検出する検出系のキャリブレーションに有利な露光装置を提供することができる。
【０１２６】
これとは別の本発明によれば、気圧変動による結像特性の変化分の補正を行なうに際し、例えばスループット及び補正精度の観点等より補正方法を切り替える事により、装置の最適化を図る事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態及び従来例に係るＴＴＬ方式によるフォーカスキャリブレーション機能を有する投影露光装置の概略図である。
【図２】  本発明の第１の実施形態におけるフォーカスキャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートである。
【図３】  本発明の第２の実施形態におけるフォーカスキャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートである。
【図４】  本発明の第３の実施形態におけるフォーカスキャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートである。
【図５】  本発明の第４の実施形態における露光処理中に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートである。
【図６】  本発明の第５の実施形態における装置稼動中に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートである。
【図７】  従来例に係るフォーカスキャリブレーションのシーケンスを示すフローチャートである。
【図８】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】  本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】  ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】  デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１２】  ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１：露光光源、２：レチクル、３：レチクル基準プレート、４：レチクルステージ、５：投影光学系、６：投光光学系、７：検出光学系、８：ウエハ、９：ステージ基準プレート、１０：ウエハステージ、２０：画像検出光学系、２１：ファイバ、２２：ハーフミラー、２３：対物レンズ、２４：ミラー、２５：位置センサ、３０：光源制御系、４０：レチクルステージ制御系、５０：投影光学系制御系、６０：ウエハステージ制御系、７０：露光装置制御系、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，１１０３，１１０４：製造工場、１１０５：インターネット、１１０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管理システム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１２００：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザの製造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト処理装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場のホスト管理システム、１２０６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、１２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、１２３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の機種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブルの件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４０６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４１０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
【図１】
0004666747.tif 000005
【図２】
0004666747.tif 000006
【図３】
0004666747.tif 000007
【図４】
0004666747.tif 000008
【図５】
0004666747.tif 000009
【図６】
0004666747.tif 000010
【図７】
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【図８】
0004666747.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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