(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い半導体ストリップ（３５２）を半導体材料のウェハ（３１０）から切り離す方法であって、
互いに対して実質的に平行な形でウェハ（３１０、４６０）中に形成された複数の細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を供給するステップであり、
前記ウェハ（３１０、４６０）が、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角の厚さ寸法と、前記半導体ストリップ（３５２、４５２）の対向する末端部に位置し前記ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）に接続するフレーム部分とを有し、
前記半導体ストリップ（３５２、４５２）がそれぞれ、ウェハ厚さと少なくとも実質的に等しい幅と、前記幅よりも小さい、前記ストリップ（３５２、４５２）の厚さ寸法とを有し、
少なくとも１つの細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面が、前記ウェハ（３１０、４６０）の縁部（３９０）を縦方向に形成するか、または前記複数の細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）のうち前記縁部（３９０）に最も近く隣接するものであるステップ（１１００）、を含む方法であって、
前記半導体ストリップ（３５２、４５２）の前記縁部（３９０）を形成する面または前記縁部（３９０）に隣接する面を真空吸着するステップ（１１２０）、および
前記ウェハ（３１０、４６０）と前記真空吸着の真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを互いに対して所定の距離だけ移動させ、真空吸着された前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から切り離すステップ（１１３０）
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）に適用した真空吸着の真空を少なくとも緩和するステップと、
前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを移動させるステップ（８１０）と
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記真空を少なくとも緩和するステップが、前記真空吸着を終了させるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）が、前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）と接近するように、前記ウェハ（３１０、４６０）を移動させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と接近するように、前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）を移動させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記真空吸着し、前記ウェハ（３１０、４６０）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを互いに対して移動させ、前記真空を少なくとも緩和し、前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを移動させる前記ステップが、２以上の前記複数の細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から切り離すために繰り返し実施される、請求項２または３に記載の方法。
【請求項７】
前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面に前記真空吸着を提供するための少なくとも１つの空洞がその中に形成された本体を有しており、
前記空洞が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の前記面に隣接し、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面の寸法より小さいサイズであるか、または実質的に同じである、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から容易に切り離すために、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の対向する末端部に隣接して、前記ウェハ（３１０、４６０）の一部分に弱いポイントを形成するステップをさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ウェハ（３１０、４６０）が、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンである、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を半導体材料のウェハ（３１０、４６０）から切り離すための装置であって、
前記ウェハ（３１０、４６０）が、互いに対して実質的に平行な形で前記ウェハ（３１０、４６０）中に形成された複数の細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を有し、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角の厚さ寸法と、前記半導体ストリップ（３５２、４５２）の対向する末端部に位置し前記ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）に接続するフレーム部分とを有し、
前記半導体ストリップ（３５２、４５２）がそれぞれ、ウェハ厚さと少なくとも実質的に等しい幅と、前記幅よりも小さい、前記ストリップ（３５２、４５２）の厚さ寸法とを有し、
少なくとも１つの細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面が、前記ウェハ（３１０、４６０）の縁部（３９０）を縦方向に形成するか、または前記複数の細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）のうち前記縁部（３９０）に最も近く隣接するものであり、
前記ウェハ（３１０、４６０）を保持する手段（１３００、１４１０）を有する装置であって、
前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の前記縁部（３９０）を形成する面または前記縁部（３９０）に隣接する面を真空吸着する真空源（５００、３５００、３６００、４１００）、および
前記ウェハ（３１０、４６０）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを互いに対して所定の距離だけ移動させ、前記真空吸着された前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から切り離す手段
を含むことを特徴とする、装置。
【請求項１１】
前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）に適用した真空吸着の真空が少なくとも緩和され、
前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを移動させる手段（８１０）をさらに含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記真空を少なくとも緩和することが、前記真空吸着を終了することを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）が前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）と接近するように、前記ウェハ（３１０、４６０）を移動するための手段をさらに含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と接近するように、前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）を移動させる手段をさらに含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
少なくとも前記保持する手段と、前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）と、前記移動させる手段との動作を制御するための手段をさらに含み、前記真空吸着し、前記ウェハ（３１０、４６０）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを互いに対して移動させ、前記真空を少なくとも緩和し、前記ウェハ（３１０、４６０）に対して前記切り離された細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）と前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）とを移動させる動作が、２以上の前記複数の前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から切り離す動作を繰り返し実施する、請求項１１または１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記真空源（５００、３５００、３６００、４１００）が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面に前記真空吸着を提供するための少なくとも１つの空洞がその中に形成された本体を有しており、
前記空洞が、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の前記面に隣接し、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の面の寸法よりも小さいサイズであるか、または実質的に同じである、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）を前記ウェハ（３１０、４６０）から容易に切り離すために、前記細長い半導体ストリップ（３５２、４５２）の対向する末端部に隣接して、前記ウェハ（３１０、４６０）の一部分に弱いポイントを形成する手段をさらに含む、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記ウェハ（３１０、４６０）が、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンである、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、概略的には半導体処理に関し、詳しくは半導体ストリップのアレイの組み立てに関する。
【０００２】
（背景）  
光起電力の太陽電池産業は、太陽電池によって発生する電圧効率および太陽電池を製造するコストに関して、非常にコストに敏感である。太陽電池の厚さ全体の低いパーセンテージだけを使用して電圧を発生するため、太陽電池の厚さを最小とし、一片のシリコンからより多くの太陽電池を産出することの重要性がますます高まっている。
【０００３】
２００２年６月６日に公開された「使用可能な平面の表面面積を増加するための半導体ウェハ処理」（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｏ  Ｉｎｃｒｅａｓｅ  ｔｈｅ  Ｕｓａｂｌｅ  Ｐｌａｎａｒ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｒｅａ）と題する国際公開第０２／４５１４３号（ＰＣＴ／ＡＵ０１／０１５４６）に、「銀」太陽電池、および半導体ウェハの使用可能な表面面積を増加するために、そのような銀太陽電池を製造する方法が記載されている。ウェハは、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角に厚さ寸法とを有し、代表的には単結晶シリコンまたは多結晶シリコンである。
【０００４】
国際公開第０２／４５１４３号の方法では、ウェハをいくつかのストリップまたは銀片に分割するために、ストリップまたは銀片の厚さが選択される。次いで、実質的に平面の表面に対してある角度でウェハをストリップの形に切断するための技術が選択され、そこではストリップ厚さと切断によって除去されたウェハの幅との合計は、ウェハの厚さよりも小さい。選択した技術を使用することによって、ウェハはストリップに切断され、そのストリップは互いに切り離される。ウェハの表面に対して予めある角度をなしていたストリップの面は、ウェハを切断しストリップを互いから切り離した結果、剥き出しのストリップの面になる。
【０００５】
図１（ａ）に、標準の結晶成長およびウェハ製造技術によって形成されたシリコンウェハ３を示す。ウェハ３は、厚さが、少なくとも０．５ｍｍ、通常約１ｍｍとすることができ、単結晶または多結晶のウェハとすることができる。国際公開第０２／４５１４３号の方法では、一連の平行のチャネルまたはスロット２がウェハ３中に形成される。スロットは、幅が通常０．０５ｍｍであり、スロットのピッチが通常０．１ｍｍである。このようにして、シリコンの薄い平行のストリップ１が形成され、その幅は０．０５ｍｍである。スロット２は、ウェハ３の縁部まですべてに延在しないため、切断されていないシリコンのフレーム５がストリップ１を所定の位置に保持する。フレーム５は両側にあり、その幅は通常５ｍｍである。スロット２は、国際公開第０２／４５１４３号で参照されている技術を含めて、多数の技術のいずれかを使用して形成することも可能である。
【０００６】
図１（ｂ）は、ストリップ１およびスペース２の断面を示す、ラインＡ−Ａに沿ってウェハ３を切断して拡大した垂直断面図である。
【０００７】
図２に、平行の接続部と太陽電池間のギャップとを有した太陽電池２０として製造された、ストリップまたは銀片の配列を示す。電池２０は、この図に示すように基板２１上に配置される。導電性トラック１６は、たとえば、ｐ極性コンタクト３２がすべて、電池の一方の末端部で互いに電気的に接続され、一方ｎ極性コンタクト３３が、電池の他方の末端部で互いに電気的に接続されるように、形成することができる。
【０００８】
半導体のストリップまたは銀片は、容易にゆがみ曲がるが、同時に極めてもろく、銀片は、ウェハから切り離されたとき、不都合にも砕けるかまたは損傷することがある。さらに、すべての銀片の面は、図２の電池２０として示すように、同じ面によって構成しなければならず、そうでなければ極性が異なることになる恐れがある。そのうえさらに、銀片は、不都合にも互いにくっつく場合がある。
【０００９】
したがって、半導体材料のストリップまたは銀片をウェハから切り離し、これらの切り離されたストリップまたは銀片を組み立てる必要がある。
【００１０】
（要約）  
本発明の態様によれば、細長い半導体ストリップを半導体材料のウェハから切り離す方法が提供される。互いに対して実質的に平行の形でウェハ中に形成された、複数の細長い半導体ストリップが設けられる。ウェハは、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角に厚さ寸法とを有する。ウェハは、半導体ストリップの対向する末端部であってストリップをウェハに接続したフレーム部分も有する。半導体ストリップは、それぞれ、ウェハの幅と少なくとも実質的に等しい幅と、その幅よりも小さいストリップの厚さを有する。少なくとも１つの細長い半導体ストリップは、ウェハの縁部を縦方向に形成するか、またはその縁部に最も近く隣接する。縁部を形成するか、またはその縁部に隣接する細長い半導体ストリップを真空吸着する。この細長い半導体ストリップは、真空源に引き降ろされる。ウェハは、真空源から移動して離れ、細長い半導体ストリップは、ウェハから離されても依然として真空源上に拘束される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、上述の動作が、同時に複数のウェハについて実施され、そのことによって複数の細長い半導体ストリップを同時に切り離すことが可能になる。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、半導体材料のウェハから切り離された複数の細長い半導体ストリップを、ストリップのアレイの形に組み立てる方法が提供される。１つの細長い半導体ストリップが、少なくとも１つのベルトの所定の位置で、そのベルトを横切って縦方向で受け取られる。ベルトは、所与の方向に細長い半導体ストリップの幅よりも大きい所定の距離だけ移動される。受け取りステップおよび移動ステップは、細長い半導体ストリップのすべてが処理されるまで繰り返される。
【００１３】
本発明の他の態様によれば、細長い半導体ストリップのアレイを基板上に組み立てる方法が提供される。接着材料が所定の方法で基板上に塗布される。細長い半導体ストリップのそれぞれを真空吸着して、ストリップをアレイの形で保持する。そのアレイは、あらかじめ定義されたストリップの配列である。細長い半導体ストリップのアレイは、基板に移され、各細長い半導体ストリップの面は、接着材料の部分に接触される。各細長い半導体ストリップに適用した真空吸着の真空を緩和または停止して、細長い半導体ストリップのアレイをそのままの位置に置き、基板に接着させる。
【００１４】
本発明の他の態様によれば、細長い半導体ストリップのアレイを基板上に組み立てる方法が提供される。細長い半導体ストリップは、互いに対して実質的に平行な形でウェハ中に形成される。ウェハは、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角に厚さ寸法とを有する。ウェハは、半導体ストリップの対向する末端部に位置しストリップをウェハに接続するフレーム部分を有する。細長い半導体ストリップは、ウェハの縁部を形成するか、またはその縁部に隣接する細長い半導体ストリップに適用される真空吸着を使用して、ウェハから切り離される。ウェハは、所定の距離だけ相対的に真空源から移動される。細長い半導体ストリップは、少なくとも１つの第１のベルト上に、ベルトを横切って縦方向で受け取られる。その少なくとも１つの第１のベルトは、所与の方向に細長い半導体ストリップの幅よりも大きい所定の距離だけ移動される。上述の各ステップは、細長い半導体ストリップのすべてが処理されるまで繰り返される。
【００１５】
本発明の他の態様では、基板と、細長い半導体ストリップのアレイと、接着材料と、導電性材料とを含むデバイスが提供される。細長い半導体ストリップは、半導体材料のウェハから切り離され、それぞれは、ウェハの厚さと実質的に等しい幅と、その幅よりも小さいストリップの厚さ寸法を有する。接着材料は、基板と各細長い半導体ストリップの面との間に塗布されて、基板と各細長い半導体ストリップとを互いに接着する。その面は、その寸法の１つとして細長い半導体ストリップの幅を有する。導電性材料は、基板上に堆積されて、少なくとも２つの細長い半導体ストリップを互いに接続する。
【００１６】
本発明の他の態様によれば、前述した本発明の態様による方法を実施するための装置およびシステムが提供される。本発明のこれらおよび他の態様は、本明細書に以下に述べる。  
本発明の実施形態は、添付の図面を参照して述べられるがそれらは単なる例示である。
【００１７】
（詳細な説明）  
細長い半導体ストリップを半導体材料のウェハから切り離すための方法および装置が開示される。さらに、半導体材料のウェハから切り離された複数の細長い半導体ストリップをストリップのアレイの形に組み立てるための方法および装置が開示される。さらに、細長い半導体ストリップのアレイを基板上に組み立てるための方法および装置が開示される。以下の説明では、半導体ストリップまたは銀片の寸法、ベルトの数、ベルトの城郭構造間の間隔およびその他を含め、多数の具体的な細部が述べられる。しかし、この開示から、変更および／または置き換えが、本発明の範囲および精神から逸脱せずに実施できるということは、当業者に明らかなはずである。他の状況下では、具体的な細部は、本発明を分かりにくくしないように省略することがある。
【００１８】
本発明の実施形態は、シリコンの塊当たり、より大きい電池表面面積の産出を探求するものである。
【００１９】
（概要）  
図１１は、本発明の実施形態による、半導体材料のウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセス１１００を示すフロー図である。ストリップは、細長い形状である。好ましくは、ウェハが単結晶または多結晶（ｍｕｌｔｉ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）〔または多結晶（ｐｏｌｙ−ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）〕シリコンである。しかし、本発明の範囲および精神を逸脱せずに、他の半導体材料を使用することができる。ステップ１１１０では、互いに対して実質的に平行な形でウェハ中に形成された、いくつかの細長い半導体ストリップを供給する。ウェハは、実質的に平面の表面と、その実質的に平面の表面に対して直角に厚さ寸法とを有する。ウェハは、半導体ストリップの対向する末端部に位置しストリップをウェハに接続する、１つまたは複数のフレーム部分も有する。半導体ストリップそれぞれは、ウェハ厚さと少なくとも実質的に等しい幅と、その幅よりも小さい、ストリップの厚さ寸法を有する。少なくとも１つの細長い半導体ストリップの面が、ウェハの縁部を縦に形成するか、またはその縁部に最も近く隣接する。細長い半導体ストリップの面が、真空源に密に接近するように、ウェハを移動することができる。ステップ１１２０では、縁部を形成するか、またはその縁部に隣接する細長い半導体ストリップの面を真空吸着する。ステップ１１３０では、ウェハおよび真空源を互いに対して所定の距離だけ移動し、真空吸着された細長い半導体ストリップをウェハから切り離す。
【００２０】
切り離された細長い半導体ストリップを吸着した真空吸着の真空を緩和し、好ましくは終了（すなわち、真空吸着は停止）して、切り離された細長い半導体ストリップおよび真空源を互いに移動させる。
【００２１】
このステップの変形形態では、ストリップがウェハに対して移動されている間、移動手段とともに密着させて細長い半導体ストリップを保持するために、真空状態を継続して細長い半導体ストリップを真空吸着してもよい。この真空状態による拘束は、細長い半導体ストリップが、少なくとも１つのルーフバーなどの他の保持手段の下に来るまで維持してもよい。
【００２２】
この方法のステップは、２つ以上の細長い半導体ストリップをウェハから切り離すために繰り返し実行される。真空源は、真空吸着するために、少なくとも１つの空洞がその中に形成された本体を有する。細長い半導体ストリップの面に隣接する空洞は、サイズが、実質的に面の寸法と同じであるかまたはそれよりも小さい。真空源または真空ブロックの具体的な実施形態は、本明細書に以降に述べる。
【００２３】
細長い半導体ストリップは、ウェハから好ましいように切断されるポイントを設けて、形成することができる。これらは、細長い半導体ストリップの対向する末端部に隣接するウェハ部分中の、弱いポイントとすることができる。弱いポイントによって、ウェハから細長い半導体ストリップが、容易に切り離される。より好ましくは、弱いポイントは、のこ引きやエッチングを含め多数の公知技術のいずれかを使用して、ウェハ中に形成された溝である。そのような弱いポイントを形成する他の方法は、本発明の範囲および精神から逸脱せずに実施することができる。
【００２４】
そのような弱いポイントで、細長い半導体ストリップがウェハから離脱するとき、切断の仕方を制御することが望ましい。切断の仕方を規定するためのメカニズムは、結晶破砕面の配向を制御することである。
【００２５】
細長い半導体ストリップを使用して、「銀」光起電力太陽電池を形成することが好ましい。しかし、同様に構成された半導体銀片またはストリップを使用して、他のデバイスおよび回路を形成してもよい。
【００２６】
以下の説明では、城郭構造を有したペアのベルトを使用する本発明の実施形態が、詳細に開示される。しかし、方法、装置およびシステムは、他のベルト数および構成を用いて実施することができる。たとえば、方法、装置およびシステムは、以下に詳細に述べるように、ベルトのペア毎に単一のベルトを使用して実施することができる。さらに、ベルトは、城郭構造を有するものではなく、その中に溝を形成したものであってもよい。たとえば、各ベルトは、多孔性とし、それを通して真空吸着動作を可能にしてもよく、あるいはベルトは、真空源を用いた使用を可能にするために、開口部や打ち抜き穴を有してもよく、編んでもよくまたはその他のものでもよい。他の変形形態では、「ベルト」は、最終的なソーラーパネルのアセンブリの一部分として使用される担体ストリップとすることができる。他の変形形態は、本発明の範囲および精神から逸脱せず、実施することができる。
【００２７】
そうでなければ、細長い半導体ストリップの照合をバッチベースで実施してもよく、その場合、城郭構造は、１つまたは複数の担体バー上にある。
【００２８】
（銀片を有するウェハ）  
図３（ａ）、３（ｂ）は、ウェハ中に形成されたストリップまたは銀片の少なくとも１つの領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。本明細書では以降、ウェハ中に切り込まれたそのような半導体ストリップを、記述の容易さのため「銀片」という。図３（ａ）には、いくつかの銀片の部分３１２、３１４および３１６を有した半導体ウェハ３１０の第１の構成３００が示してある。図３（ａ）から分かるように、部分３１４は、領域３１２および３１６の銀片よりもかなり長い銀片を有する。別々のプロセスを実施して異なる長さの銀片を処理することができるが、基本的に同じステップおよび装置が使用される。
【００２９】
記述を容易にするため、図３（ｂ）には他の構成３５０が示してある。銀片のより大きい単一部分３５２が、このウェハ３６０を特徴付けている（そうでなければ、図３（ａ）のウェハ３１０と同じになる）。ウェハ３６０の部分３７０は、多数の公知技術のいずれかを使用して、ウェハ３６０から破線３８０に沿って除去される。少なくとも１つの細長い半導体ストリップの面が、ウェハの縁部を縦方向に形成する、またはその縁部に最も近く隣接する。図３（ｃ）には平坦なまたは一直線の縁部３９０を有するウェハ３６０の構成が示してある。切断されていないウェハ材料のフレームが銀片部分３５２を取り囲んでいる。１つの銀片（すなわち、細長い半導体ストリップ）の面が、ウェハ３６０の縁部３９０を縦方向に形成するか、または縁部３９０に最も近く隣接する。後者の場合は、銀片が、縁部３９０から段々と外れた場合になるはずである。図３（ｄ）は、１つの銀片３５２（対角線のハッチングで示す）が縁部３９０の部分を形成するか、またはそれに隣接するウェハ３６０の厚さを示す正面図である。破線の円７００によって、ウェハ３６０のフレーム部分に銀片３５２を接続したウェハ部分を示し、そのウェハ部分は、図７に拡大図で示す。
【００３０】
図３（ｃ）に、ウェハの平面の表面に対して実質的に直角に、銀片が形成されている場合について示してあるが、そのようにする必要はない。たとえば、銀片は、９０°とは異なる角度で形成して（たとえば、エッチングで）、ウェハの厚さよりも広い銀片を形成してもよい。このように、銀片の幅は、ウェハの厚さと少なくとも実質的に等しくしてもよい。このようにして、幅がウェハの厚さよりもわずかに小さい、その厚さに等しい、またはウェハの厚さよりも大きい場合をカバーする。
【００３１】
図７に示すように、円７００に、拡大したウェハ３６０の部分を示す。弱体化された部分７１０が、銀片３５２（対角線のハッチング）とフレーム（白の塗りつぶし）との間の領域中に形成される。弱体化された部分７１０は、のこ引きによって形成された溝であることが好ましく、銀片３５２の面の幅の５０％でもよく、それより大きくてもよい（たとえば、６０％）。そのような弱体化された部分７１０は、フレームと接続された、銀片の対向する末端部の位置に形成することができる。エッチングを含め他の技術を使用して弱体化された部分を形成してもよい。
【００３２】
図３（ａ）から３（ｄ）に示す銀片３５２は、実質的に直線または平坦なものとして示してきたが、銀片間に形成されたギャップは、しばしば銀片の撓みまたは歪みを生じる場合がある。たとえば、いくつかの銀片が、歪んで縦方向にＳ字形になることがある。銀片が、互いにくっつく場合もあり、または銀片の部分が、ウェハから切れることがある。図４は、銀片の柔軟性のために、ウェハ４６０中で不均等に隔置されたかまたは歪んだ銀片４７０および４８０を含む、銀片の領域４５２を有する半導体ウェハ４６０の構成４００を示す概略図である。位置ずれまたは歪み４７０および４８０、銀片の厚さ、ならびに銀片間の間隔は、この図面中で説明のため誇張してある。図１２は、銀片がそれぞれのウェハ中に形成された、６枚の実際のウェハ１２１０、１２２０、１２３０、１２４０、１２５０、および１２６０を示すイメージであり、そのウェハを用いて本発明の実施形態を実施することができる。ウェハ１２３０は、規則正しく隔置された銀片の部分を有する。ウェハ１２４０および１２６０は、ウェハの一部分が除去されて、縁部を形成し、銀片がその縁部に隣接している。ウェハ１２４０のいくつかの銀片１２４２が、処理時にウェハ１２４０から寸断されて、銀片の脆弱性と脆さが示されている。ウェハ１２２０では、図４に示すように、歪んだまたは撓んだ（すなわち、ギャップが不規則で波状の形となる）、ウェハ１２２０中に形成された多数の銀片が、明瞭に示されている。ウェハは、銀片の対向する末端部に隣接するウェハの一部分に形成された弱いポイントを有し、それによってウェハから銀片が、容易に切り離される。これは、のこ引き、エッチングや多数の他の技術のいずれかを使用して行うことができる。やはり、ウェハは、単一結晶シリコンまたは多結晶シリコンであることが好ましいが、他のタイプの半導体でもよい。
【００３３】
（真空源）  
図１１のプロセス１１００では、銀片を真空吸着し、ウェハからその銀片を切り離すために好都合にも真空源が使用される。ステップ１１２０および１１３０では、真空吸着が使用される。図５は、真空源５００の一般的な描画である。真空源５００は、形が長方形でもよい固体の本体５１０を含む。本体５１０は、本体５１０を貫通して形成される１つまたは複数のチャネル５２０を有する。チャネル５２０は、形が、円筒形または柱状（破線で示す）でもよく、真空源５００の上部の表面中に円形または実質的に円形の開口部を有する。より好ましくは、真空源が、成形真空ブロックであることである。そのうえさらに、チャネル５２０は、形が円筒形で、円形の開口部を有しているが、ブロックおよびチャネルの他の構成も本発明の範囲および精神から逸脱せずに使用することができることを、当業者は理解するはずである。たとえば、ブロックは、長方形ではなく円形の形状としてもよい。そのうえさらに、チャネル５２０は、たとえば、円形の開口部を有する円筒形ではなくて、四角い開口部を有する長方形の形状であってもよい。真空源５００によって吸着された銀片をウェハから切り離すために、十分な真空状態を発生するという条件で、多数の変更を実施することができる。矢印５３０で示すように、真空状態にして銀片を真空源５００の方に引き付ける。これは、ブロック５１０の底部面を吸気することによって実施される。真空源およびその等価物のさらに細部はさらに以下に述べる。
【００３４】
図３５は、実施することができる他の真空ブロック３５００のブロック図である。このブロック３５００は、Ｔ字型に形作られ、第１のブロック３５１０と、第１のブロック３５１０に対して横に配向された第２のブロック３５１２とを含むことができる。ブロック３５００は、一体でもよく、または２つ以上の別々の構成要素を含んでもよい。第１のブロック３５１０からコンベヤーによって銀片を移動する間、第２のブロック３５１２は、本体３５１２を貫通して形成された２つ以上のチャネル３５２０を経由して、連続的に真空状態を提供する。同様なチャネルがブロック３５１０中に存在する。チャネル３５２０の直線状の配列について、ブロック３５１０および３５１２それぞれ中に存在している場合が示されているが、他の配列を実施してもよい。たとえば、平面図でみて、チャネル３５２０がＥ字型またはＵ字型にみえるように、チャネル３５２０を配列してもよい。さらに、Ｅ字型またはＵ字型の配列は、銀片を転送する際に効果的に連続した真空状態を保つように千鳥状にしてもよい。図３６に、Ｕ字型に配列されたチャネル３６２０が、本体３６１０中に形成され、隣接するＵ字型のチャネルの配列間のピッチが、わずかに千鳥状である真空ブロック３６００の一部分を示す。
【００３５】
他の変形形態では、図４１に示す真空ブロック４１００などの真空センサを真空ブロックに設けることができる。真空ブロックは、真空発生器４１２０および真空センサ４１３０に接続された１つまたは複数のチャネル４１１０を有し、真空センサ４１３０は、銀片がチャネル４１１０の開口部と接触状態にされたときに発生する真空状態を検知する。所定の真空レベルに達したとき、真空センサ４１３０は、ウェハを保持した引き込みアームを起動して、次にベルトを前進させる。引き込みアームを起動する真空レベルは、可変のプリセット値（たとえば、０．５〜０．７ｂａｒ、負圧）に設定することができる。必要な真空レベルは、真空ブロック中での穴サイズ、穴の数、および穴の間隔の関数である。所定の真空ブロックのいかなる構成においても、ウェハを引き付けている間、銀片をブロック上に保持するが、前進するコンベヤーベルトによってブロックから離れて銀片が、移動するとき、銀片をあまりにもしっかりと保持して破損しないように、真空レベルは、調節される。これは、図３７を参照することによって、よく理解することができる。構成３７００は、ウェハ３７１０を含み、そのウェハは銀片３７２０を含む。最下部の銀片３７２０は、センサ３７４０を有する真空ブロック３７３０と接近状態にされる。
【００３６】
図４０に示すように、センサ３７４０、４０１２は、プログラム可能なロジック制御器（ＰＬＣ）４０５０または同様な制御器に結合することができ、次いでその制御器によって、ウェハ４００２を保持した引き込みアーム（図示せず）およびコンベヤーベルト４０４０の動作を制御する。この実施形態では、真空源４０１０は、常にオンでもよい。任意選択で、真空センサ４０１２は、破損した銀片の断片が真空ブロック４０１０上に取り残されていないかどうかを検出し、その断片を除去するように警報を発してもよい。銀片４０２０は、ベルト４０４０中の城郭構造（castellation）間に配置される。一度、図３７の銀片３７２０を真空吸着すると、コンベヤーベルト（図３７に図示していないので、図４０を参照）が、１ピッチだけ進められる。ウェハ３７１０をブロック３７３０に向けて下げたときに、ＰＬＣは、切り離したストリップの数を計数し、ウェハを半段階だけ進め、その後に真空レベルがセンサによって検出されたとき、ウェハ３７１０を引き込むことができる。真空ドラム４０７０は、転送ドラムであり、銀片の存在を確認するためのセンサを含むことができる。固定して取り付けられた真空源および真空センサは、ともに真空ドラム４０７０に接続され、この真空ドラムは、当業者に公知のロータリーコネクタメカニズムによって、回転する。構成４０００は、試験機モジュール（図３９参照）および不合格銀片を処理するためのメカニズムを含むこともできる。
【００３７】
図３８に、城郭構造間に銀片３８２０を有した、城郭構造付きのコンベヤーベルト３８５０間に位置した真空ブロック３８３０を示す。図を簡単化するため、縦方向の形で方向付けられた銀片３８２０は、ウェハ中にある同じ銀片を表すが、ウェハは示していない。スキッドまたはルーフ３８４０が、ベルト３８５０間に配置されて、銀片３８２０がひっくり返るかまたは回転しないことが保証される。
【００３８】
図３５に示した真空源３５００の他の変形形態では、第１のブロック３５１０は、ウェハから銀片を除去するためにオン／オフする方法で動作してもよく、一方、第２のブロック３５１２は常時オンとしてもよい。
【００３９】
ねじを使用して、ウェハから銀片が切断されて生じた、ウェハ中の垂れ下がった先端部を除去することができる。
【００４０】
（真空源を使用したウェハからの銀片の切り離し）  
図６（ａ）から６（ｄ）は、図４の半導体ウェハ４６０から銀片を切り離すプロセスを表す概略図である。やはり、銀片の部分４５２が、多数の歪んだまたは撓んだ銀片を含む。これらの図面中には示していないが、銀片は、ウェハ４６０から部分的または完全に切断されていることもある。真空源５００（チャネル５２０を有した本体５１０）は、ウェハ４００の縁部を形成した銀片６３０に対して所定の距離だけ、最初に位置がずれている。
【００４１】
図６（ｂ）に示す一実施形態では、ウェハ４００が、矢印６１０で示すように、真空源５００に向けて移動され、ウェハの縁部が、真空源５００に当接するか、またはそれに密に接近する。代替の実施形態では、真空源５００が、ウェハ４００に当接する、またはそれに隣接するように、ウェハ４００を移動するのではなく、真空源５００を移動してもよい。次に、真空状態にして、開口部を有した真空源の面によって、銀片６３０を固定する。センサを使用してこの動作を確認することができる。次に、所定の距離だけウェハ４００および真空源５００が移動され、そのことによって図７の弱点化されたポイント７１０がポキッと折れるかまたは破壊され、銀片６３０がウェハ４００から切り離される。図６（ｃ）に示すように、その銀片は、真空源５００の面との接触状態が継続される。真空ブロックからの各銀片の切り離しについては、このプロセスが、連続した銀片の最も縁部に近い銀片毎に繰り返し実行される。図６（ｄ）では、ウェハ４００が、銀片の厚さ、または互いに関連する距離だけ、真空源５００に向けて徐々に移動され、そして真空源５００によって、ウェハ４００から内側に位置した銀片４５２がどのように切り離されるかを示す。
【００４２】
他の実施形態では、真空は、常時オンである。ウェハが、真空ブロックに向けて移動されるとき、およびそれと密に接近して、最も近い銀片が、真空状態の開口部に引き付けられたとき、センサは、この銀片の存在を検出し、ウェハの運動を反転させ、それによって銀片をポキッと折って真空ブロック上にその銀片を拘束したままにする。一度、この銀片が切り離されると、ウェハは真空ブロックに向けて移動され、再び次のサイクルが開始される。
【００４３】
図６に示すように、真空源５００は、ウェハの面内の銀片を引き離す。しかし、そのようにする必要はない。銀片は、ウェハの面に対して他の角度で引き離すか、または摘出してもよい。
【００４４】
デバイスまたは装置は、半導体材料のウェハから銀片を切り離すための上述の方法を使用して、容易に実現することができる。本明細書に以降に極めて詳細に述べるように、ヨークまたは冶具を使用して、銀片を有するウェハを保持する。ロボット機械のレバーまたはアームにヨークを結合することが好ましい。レバーまたはアームは、真空源５００に接近して銀片を位置決めし、次いでウェハおよび真空源５００を互いに対して所定の距離だけ移動させ、それによって真空吸着された細長い半導体ストリップをウェハから切り離すことができる。
【００４５】
（ベルトを使用したアレイへの銀片の組み立て）  
図３２に示すように、本発明の他の実施形態によって、半導体材料のウェハから切り離された銀片をアレイの形に組み立てる方法３２００が提供される。ステップ３２１０では、１つの細長い半導体ストリップまたは銀片が、少なくとも１つのベルトの所定の位置で、ベルトを横切って縦方向で受け取られる。ステップ３２２０では、ベルトは、所与の方向に細長い半導体ストリップの幅よりも大きい所定の距離だけ移動される。決定ステップ３２３０では、細長い半導体ストリップのすべてが処理されたかどうかを判定するために、チェックされる。ステップ３２３０でノー（ＮＯ）が返された場合、ステップ３２１０における処理が継続される。このようにして、細長い半導体ストリップのすべてが処理されるまで、受け取るステップおよび移動するステップが繰り返される。ステップ３２３０でイエス（ＹＥＳ）が返された場合、処理は終了する。このプロセスのさらに細部については、図８を参照して本明細書に以降に述べる。たとえば、少なくとも１つのベルトは、多孔性とし、それを貫通して真空動作を可能にしてもよく、またはベルトは、開口部、打ち抜き穴、織物やその他を有するものとし、真空源を用いた使用を可能にしてもよい。
【００４６】
ベルトの第１のセットとベルトの第２のセットとの間で銀片を試験し、欠陥のあるまたは破損した銀片が、すべて、はねられる。これらの機能を果たすために、使用することができる公知のメカニズムが、実施形態中で本明細書に以降に述べられる。
【００４７】
縦に配向された銀片が、図８に全体的に示したように、好ましくは平行のベルトのペアであり、平行のベルトの所定の位置で、そのベルトを横切って受け取られる。この図では、ベルト８１０および真空源５００の構成８００を示す。ベルト８１０は、好ましくは城郭構造を有するものであり、上方に突出した城郭構造または歯を有する。いくつかの銀片６３０が、それぞれ各ベルト上の城郭構造の隣接するペア間で横たわっているのが示されている。所定の間隔８２０だけ、隣接する城郭構造が離れている。真空源５００が、銀片６３０の面を真空吸着し、その真空源を使用して所定の位置に銀片を配送する。ベルト８１０は、所与の方向に銀片の幅よりも大きい所定の距離だけ同期して移動する。所定の距離は、真空源５００に対する距離であることが好ましい。このようにして、銀片６３０は、図８に示すように、前方に送られる。やはり、銀片６３０のすべてが処理されるまで、上述の受け取る動作および移動の動作が繰り返される。
【００４８】
ベルト８１０が、城郭構造付きのタイミングベルトとして示されているが、本発明の代替実施形態では、ベルトは、テープ状の繊維から製造してもよく、銀片６３０を受け取るその表面上に接着剤を有していてもよい。さらに、ベルトは、マイラーから製造してもよい。これによって、所望の長さの銀片を組み立てたベルトを容易に製造し、所望の長さに切断するか、または所定の長さで設けることが可能になるはずである。
【００４９】
真空ブロックが１つだけの銀片を拘束する場合について示されているが、他の実装形態では、ウェハから切り離された銀片だけでなく、前方のインデックス位置にあるいくつかの銀片についても拘束する広い真空ブロックを使用してもよい。これは、インデックスを付ける間、銀片の保持制御を持続するように働く。これを超える場合、銀片の上に配置されたルーフレールは、インデックス用ベルト上の銀片自体の位置から飛び跳ねないように、銀片を束縛する他のメカニズムであり、銀片がルーフレールの下に来るまで真空による引き付けを継続すべきである。
【００５０】
図８に示すように、城郭構造付きのベルトは、隣接する城郭構造間の間隔が、実質的に銀片の幅よりも広い。これによって、銀片６３０がひっくり返り、それによって他の銀片に相対してその方向を変えることなく、各ベルトの城郭構造間に銀片６３０を容易に配置することが可能となる。
【００５１】
（銀片の切り離しおよび組み立てのための装置）  
本発明の他の実施形態によって、半導体材料のウェハから細長い半導体ストリップを切り離すための装置が提供される。この装置は、図１４に示すロボット装置１４００のように実装されることが好ましい。ロボット装置１４００は、互いに対して実質的に平行な形で銀片がその中に形成されたウェハ（図示せず）を保持するためのメカニズムを有する。この保持機能は、図１３（ａ）から１３（ｃ）に示すような、ウェハを固定するためのヨーク１３００または実質的にＵ字型のクランプを使用して実施される。図１３（ａ）では、組み立てられた形のヨーク１３００のイメージを示し、図１３（ｂ）および１３（ｃ）では、分解されたヨーク１３００を示す。ヨーク１３００は、プレート１３２０と１３３０との間でウェハ１３４０を挟むことができる２つのＵ字型のヨークプレート１３２０、１３３０を含み、それらのプレートは、ファスナー、すなわち２個のねじ１３３０によって結合される。ヨークプレート１３１０および１３２０は、穴を有し、その穴とウェハ１３４０中の位置合わせ穴（図示せず）を使用して、ウェハ１３４０とヨークプレート１３１０、１３２０の位置を合わせることができる。
【００５２】
図１４には全体的に、および図１５には極めて詳細に、ロボット装置１４００のアーム１４１０を示す。アーム１４１０は、その一方の末端部に隔置され、ヨーク１３００の形状に相補的な形状を形成する他に依存する（depending）細長い部材と、ヨーク１３００との位置を合わせるために使用できる位置合わせピンとを有する。ヨーク１３００は、アーム１４１０に磁気的に接続されることが好ましい。図１６は、半導体ウェハ１６００を保持し、アームまたはレバー１４１０に接続されたヨーク１３００を示すイメージである。保持機能は、アーム１４１０を、すなわち、図１４のアセンブリ１４３０中の真空源（図示せず）に対してウェハ１６００を上昇降下させることができる図１４に示す昇降メカニズム１４２０をさらに有する。そのようにして、ロボット装置１４００が、アーム１４１０を移動することによって、ウェハ１６００および真空源の位置を移動させることが好ましい。これは、銀片の面が、真空源１７１０に密に接近するように、ウェハを移動する機能を果たす。あるいは、この機能は、所定の位置に固定して保持されたウェハに対して真空源を移動し、したがって真空源を銀片の面に密に接近させることによって達成してもよい。真空源に対してウェハを移動させることを、本発明の範囲および精神から逸脱せず、他の方法で実現できるということは、当業者に明らかなはずである。移動は、ウェハから銀片を切り離すための所定の距離であって、ウェハから銀片が切り取られるとき、銀片がウェハ全体にわたって内側に徐々に切り取られるように、プログラムによって調節することができる。
【００５３】
上述のウェハのクランプについての代替実施形態は、複数のウェハを取り付け、その結果、複数の銀片を同時に切り離すことができるように設計することができる。
【００５４】
図１７、１８、１９および２７は、図１４のアセンブリ１４３０中の真空源１７１０（または、真空ブロック）を示すイメージである。真空源１７１０は、（図２７のチャネル開口部１７１２の直接その上に示した、図２７の下側の銀片２７００などの）銀片の面を真空吸着する。真空源１７１０の本体は、金属から製造することが好ましいが、本発明の範囲および精神から逸脱せず、他の材料を使用してもよい。真空源１７１０は、真空状態を発生するために、少なくとも１つの空洞がその中に形成された本体を有する。空洞または複数の空洞は、銀片の面と隣接して配置することができる本体の表面に配列される。開口部は、サイズが、実質的に面の寸法と同じであるかまたはそれよりも小さい。５個の円形の開口部１７１２が、図１８および２７に示してあるが、開口部の様々な数および形状を本発明の範囲および精神から逸脱せずに使用することができることは、当業者に理解されるはずである。本明細書で以降に述べるように、ウェハから切り離した後に、銀片を吸着する真空状態を緩和するかまたは終了して、真空源１７１０から銀片を開放してもよい。しかし、示した実施形態では、真空源は、基本的に同じレベルの真空状態で連続的に動作してもよい。
【００５５】
アセンブリ１４３０は、城郭構造付きのベルト１７００のペアを有し、各ベルトは、真空源１７１０の対向する末端部に位置し、各ベルト中の城郭構造のペア間のスペースが、真空源１７１０の上部表面に縦に配列された開口部と位置合わせされるように、真空源はベルト１７００間に位置決めされる。ベルト１７００は、柔軟であって、ゴム、プラスチック、エラストマー、およびいかなる他の適切な材料から製造してもよい。モータ１７２０を使用して、アーム１４１０および真空源１７１０の動作と調和して、ステップで（すなわち、プログラムまたは規則的な形で）ベルト１７００を回転する。ベルト１７００の移動によって、切り離された銀片および真空源１７１０が、互いに対して移動される。ドラム１７６０は、ベルトを移動するために１７２０に対して反対側のベルト末端部に設けられる。本明細書に以降に極めて詳細に述べるように、ドラム１７６０は、真空源をも有することが好ましい。
【００５６】
プログラム可能なロジック制御器（ＰＬＣ）を使用してアーム１４１０および昇降メカニズム１４２０、真空源１７１０、およびベルト１７００の動作を制御しおよび同期して、１つまたは複数の銀片をウェハから切り離す動作を繰り返し実施することができる。ＰＬＣは、図面には示していないが、当業者にはよく理解されるはずである。これらの制御および同期の機能を実現するために、他の多数のプロセッサおよび制御器を実装することができる。
【００５７】
図１７から２１および２７には、ペアのベルト１７００上にあり、それと平行のペアのレール１７３０についても示してある。そのレールは、銀片が、ひっくり返ったり、ベルト１７００中のペアの城郭構造間のスペースから飛び出したりすることを防ぐために、配置される。レールは、長方形の形状を有し、この実施形態では金属から製造されるが、やはり他の構造および材料を使用してこの機能を達成してもよい。
【００５８】
アセンブリ１４３０は、各銀片が試験メカニズムを通過するか、またはそれに隣接するときに、ベルト上に位置する間、銀片の電気的特性を試験するための試験装置を設けて構成することができる。試験装置は、図面には示していないが、図２０のイメージ中の矢印１７４０で全体的に示された位置で、アセンブリ１７３０に位置してもよい。たとえば、銀片は、光源から光を銀片に当て（たとえば、１ｓｕｎ）、その結果、銀片によって発生した電圧を測定することによって、試験することができる。そのような試験結果は、制御器または他の適切なメカニズムに通報され、ベルトから欠陥のある銀片を取り除き、その結果生じた、ベルト１７００の空の位置の情報を保有することができる。図１７および２０に示すように、真空源１７５０が、アセンブリ１７３０に配置され、試験後、その試験結果に対応して、欠陥のある銀片が除去される。好ましくは、欠陥のある銀片を除去するための真空源１７５０が、ベルト１７００の上に、試験メカニズムの位置の後であるがドラム１７６０の前に配置される。ベルトからのそのような欠陥のある銀片の除去は、ベルトを使用するさらなる処理の目的のために監視される。
【００５９】
図２７の突出部１７７０が、ベルト１７００の外側で対向する両側に配置される。この図では、突出部は調整ねじによって実現される。これらの突出部を使用して、銀片が折られた後の、ウェハフレームの内側縁部からの垂れ下がり部を除去する。他の技術およびデバイスを本発明の範囲および精神から逸脱せずに使用することができる。
【００６０】
そのような技術は、第１のセットの弱いポイントの外側に、しかし、より強い、第２のセットの弱いポイントを生成し、突出手段を使用して、上述の垂れ下がり部を含むウェハのより大きな塊を除去することを含む。
【００６１】
図３９に、本発明の他の実施形態による銀片試験機３９００を示す。銀片３９３０は、城郭構造３９４０間に位置し、スキッドが、ひっくり返るかまたは回転しないように銀片を保持する。銀片の幅が１ｍｍである場合、スキッドとベルト３９４０との間のギャップは０．５ｍｍであってよい。光源３９１０が、銀片３９３０Ｂを照射し、そこで「あまい留め金具」試験機が、サーボモータおよびカムを使用して上に移動して、銀片３９３０Ｂの対向する側面の縁部と接触する。カムは、カムが回転したときに、隔置された電極を銀片３９３０Ｂと接触状態にする、対向する平坦な表面を有する。試験機は、銀片３９３０Ｂ中に発生した電圧を測定する。それに続いて、カムを再び回転させて、電極による銀片の保持を解除し、次いで電極を引き込む。
【００６２】
銀片試験は、直接的または間接的に実施してもよく、それは照明を必要とするかまたは必要としない、あるいは銀片との物理的接触さえも必要とするかまたは必要としないことがある。銀片試験の機能を果たす代替方法は、当業者に公知である。
【００６３】
（ベルトの第２のペアを使用する銀片間の隔置の精緻化）  
図３３は、ベルトの第２のペアを使用した銀片間の隔置を精緻化する方法３３００を示すフロー図である。ステップ３３１０では、各細長い半導体ストリップが、少なくとも１つのベルトから、それに隣接して配置された少なくとも１つの別のベルトに転送される。転送ステップは、別のベルトの移動中、各細長い半導体ストリップを真空吸着するステップを含むことが好ましい。別のベルトは、隣接する城郭構造間の間隔が、細長い半導体ストリップの幅よりも大きいが、細長い半導体ストリップを受け取った少なくとも１つのベルトの、隣接する城郭構造よりも実質的に小さい城郭構造を有する。ステップ３２３０では、少なくとも１つの別のベルトが所与の方向に所定の距離だけ移動される。この距離は、細長い半導体ストリップの幅よりも大きい。決定ステップ３３３０では、アレイを形成した細長い半導体ストリップの少なくとも一部分またはすべてが、処理されたかどうかをチェックする。ステップ３３３０でノー（ＮＯ）が返された場合、ステップ３３１０における処理が継続される。このようにして、ストリップの部分が処理されるまで、転送ステップおよび移動ステップが繰り返される。あるいは、ステップ３３３０でイエス（ＹＥＳ）が返された場合、処理は終了する。この処理のさらに細部については、本明細書に以降に図９を参照して述べる。
【００６４】
銀片間の間隔は、図９のメカニズム９００を使用して減少することができる。具体的には、図９に、図８のベルト８１０の第１のペア、１つまたは複数の開口部９２０を介して銀片を真空吸着するように構成されたドラム１０、およびベルト９４０の第２のペアを示す。城郭構造は、図面を簡単にするために図９には示していないが、第２のペアのベルト９４０の銀片の間隔９５０は、図８および９の第１のペアのベルトの間隔８２０よりもかなり小さいことが図面からみて容易に分かるはずである。ドラムまたはローラ９１０は、ベルト８１０中の城郭構造間の間隔と位置を合わせた開口部を有し、このドラムを使用して、銀片の面を真空吸着し、銀片がドラム９１０の周りで回転し、それによって第２のペアのベルト９４０のより短く隔置された城郭構造９５０（図示せず）中に、銀片を転送することができる。各銀片が、第１のペアのベルト８１０から、それに近接して位置した第２のペアのベルト９４０へ転送される。間隔９５０は、銀片の幅よりも大きいが、間隔８２０よりも実質的に小さい。第２のペアのベルト９４０は、所与の方向に銀片の幅よりも大きい所定の距離だけ移動する。上述のステップは、少なくともストリップの部分が処理され、それによってストリップのアレイを形成するまで繰り返される。
【００６５】
上述のような方法で、ベルトの２つのペアを使用することは、城郭構造が広く隔置されたベルトの第１のペアを使用して、ウェハから銀片を受け取る点で有利である。次いで、銀片を試験し、欠陥のある銀片を除去することができ、その後で、第２のベルトのより密に隔置された城郭構造に残された銀片を、制御された形で転送する。密に隔置された城郭構造を有するベルトの第２のペアにウェハから直接銀片を転送する試みは、不都合にも、多数の銀片がひっくり返ることになり、そのため銀片が、一度ウェハから切り離されると、すべて同じ方向に面を向けることができなくなる。銀太陽電池などのデバイス中で銀片を使用する場合、これは、たとえば、直列で発生する電圧が、反対の極性となるはずである。これによって、太陽モジュールまたはアレイの効率が悪くなる。
【００６６】
銀片を除去した／取り損ねたことによる第１のベルト中のギャップは監視され、およびその結果得られるアレイ中に故意でないギャップが存在することなく、確実に第２のベルトが適切に占められるように考慮される。
【００６７】
任意選択で、第１のベルト中の城郭構造間の１つおきのギャップは、ベルトの空の部分が追跡記録されるという条件で、空のままにしておいてもよい。
【００６８】
（銀片間の間隔の取り方を精緻化するための方法）  
図２０から２２に、図９の上側のベルトアセンブリを実装したアセンブリ１４３０の一部分を示す。これは、半導体材料のウェハから切り離された銀片を、銀片のアレイの形へと組み立てるための装置の一部分である。２つの平行のベルト１７００は、所定の位置で、ベルトを横切って縦に配向した１つの銀片を受け取る。図１７のモータ１７２０は、所与の方向に銀片の幅よりも大きい所定の距離だけベルト１７００を移動させる。銀片のすべてが処理されるまで、モータに結合された制御器（図示せず）は受け取る動作および移動する動作を繰り返す。装置は、２つのベルト１７００に隣接しその下に位置する、少なくとも２つの別のベルト（図２０、２１、および２２には図示していないが、図９に概略的に示す）も有する。
【００６９】
ベルト１７００と相まってドラム１７６０が、２つのベルト１７００から２つの別のベルトに銀片を転送する機能を果たす。ドラム１７６０は、ベルト１７００が、ドラム１７６０の周りを回転したときに、各ベルト１７００の隣接する城郭構造１７０２間のスペースと位置合わせされた、真空チャネルの開口部１７６２の配列を有する。２つの別のベルトはそれぞれ、隣接する城郭構造間の間隔が銀片の幅よりも大きいが、銀片を受け取った２つのベルトの隣接する城郭構造よりも実質的に小さい城郭構造を有する。ドラム１７６０は、２つの別のベルトが移動する間、各ストリップを真空吸着し、各銀片の転送を達成するために真空吸着を停止する第２の真空源を含む。モータは、所与の方向に細長い半導体ストリップの幅よりも大きい所定の距離だけ、２つの別のベルトを移動させる。やはり、少なくとも一部の細長い半導体ストリップが処理されて、ストリップのアレイを形成するまで、制御器は転送する動作および移動する動作を繰り返す。
【００７０】
本発明の実施形態は、往復運動する真空ブロックを使用して、銀片を拘束してその上側ベルト位置から銀片を取り外し、その銀片を下側ベルトの位置に降ろす。これによって、上側と下側のベルトの間で落ちないように、銀片を連続的に実効的な拘束状態下に置くことが可能になる。
【００７１】
図１０は、銀片の間隔を調整するためのリフター／リファレンサー１０００の概略図である。具体的には、リフター／リファレンサー１０００は、アレイ中の個々の銀片に必要とされる間隔／位置決めからのずれを取り除く。そのために、リフター／リファレンサー１０００は、銀片の間隔を互いに対して変化させる。リフター／リファレンサー１０００は、外側のセットの城郭構造１０３０が、リフター／リファレンサーの両側上で、スライド部材１０４０の内側にあるセットの城郭構造１０５０毎に配置される。リフター／リファレンサー１０００は、第２のペアのベルト９４０中の隣接する城郭構造間の間隔よりも小さい所定の間隔１０２０で、銀片６３０を互いに密に隔置する。好ましくは、リフター／リファレンサー１０００は、ベルト９４０間に配置されて、細かい間隔を調節することである。
【００７２】
図２３、２４は、図１０のリフター／リファレンサー１０００の原理を利用したリフター／リファレンサー２３００のイメージである。図２４から明らかに分かるように、リフター／リファレンサー２３００の対向する外側上の外側の城郭構造２３１０は、銀片の幅に近いわずかな間隔で離れており、内側のセットの城郭構造２３３０は、外側の城郭構造２３１０に対してわずかに位置がずれている。内側の城郭構造は、スライド部材２３２０に接続される。内側および外側の城郭構造２３１０、２３３０は、互いに対して位置がずれて、アレイ中の銀片の位置を細かく調節することができる。
【００７３】
（基板上への銀片のアレイの組み立て）  
図３４に、細長い半導体ストリップのアレイを基板上に組み立てる方法３４００を示す。ステップ３４１０では、接着材料を所定の方法で基板上に塗布する。ステップ３４２０では、細長い半導体ストリップ各自に真空吸着を適用し、ストリップをアレイの形に保持する。アレイは、あらかじめ定義されたストリップの配列である。ステップ３４３０では、細長い半導体ストリップのアレイを基板に転送し、各細長い半導体ストリップの面を接着材料の部分に接触させる。ステップ３４４０では、各細長い半導体ストリップに適用した真空吸着を停止して、アレイの細長い半導体ストリップを基板上にそのままの位置に置き、基板に接着させる。
【００７４】
図２８は、この方法３４００を使用して、基板２８１０上に組み立てられた銀片のアレイ２８２０の配列を示すイメージである。
【００７５】
図２５および２６は、隔置用ベルトおよび／またはリフター／リファレンサー中に、銀片またはストリップを銀片のアレイの形で真空吸着し、そのアレイを基板へ転送するように構成された転送メカニズム２５００のイメージである。転送メカニズム２５００は、上下逆に示して、城郭構造および真空チャネルの開口部２５１０を示す。転送メカニズム２５００の城郭構造は、リフター／リファレンサーと位置合わせするように隔置される。銀片のアレイを真空吸着して、リフター／リファレンサーからそれらを持ち上げ、次いで転送メカニズムを使用してそれらを移動することができ、その転送メカニズムは、銀片のアレイを基板に転送するために、ロボットアームとともに実装されることが好ましい。ロボットアームは、基板上にアレイを配置するために、回転運動を実施することができ、かつ／または様々な配向を使用することができる。本発明の範囲および精神から逸脱せずに多数の変形形態が可能である。
【００７６】
ここで、銀片のアレイの組み立てについて、図２９から３１を参照して述べる。単に容易に説明するために、最初の構成２９００では、基板上に形成された導電性材料の多数のパッドを有した基板２９１０を示す。パッドは、基板上に施されたかまたは印刷されたエポキシとすることができる。基板上に配置された導電性材料を使用して、２以上の細長い半導体ストリップを電気的に接続する。図３０に、後に、パッド２９２０間に配置された、好ましくはストリップ２９３０のように基板上に接着材料を塗布または施した構成３０００を示す。接着材料を基板上にスタンプしてもよい。あるいは、導電性材料の前に接着性ストリップを基板上に載せてもよい。図２９、３０に示したプロセスは、たとえば、基板が、たとえば導電性材料であらかじめ印刷されている場合に実施してもよい。さらに、接着材料は、導電性材料の前にまたは後で塗布してもよく、その逆も同じである。
【００７７】
図３１に、転送メカニズム２５００を使用して基板へ転送された銀片２９３０が、基板に接着され、多数の方法のいずれかで電気的に相互接続されてストリップになった、最終の構成３１００を示す。
【００７８】
図３１に示すデバイスは、基板２９１０と、細長い半導体ストリップ２９４０のアレイと、接着材料２９３０と、導電性材料２９２０とを含む。やはり、ストリップ２９４０は、半導体材料のウェハから切り離され、それぞれは、幅が、ウェハの厚さに実質的に等しく、ストリップ２９４０の厚さ寸法が、その幅よりも小さい。接着材料２９３０は、基板２９１０と各細長い半導体ストリップ２９４０の間に堆積されて、基板２９１０と各細長い半導体ストリップ２９４０を互いに接着する。面は、その寸法の１つとして、細長い半導体ストリップ２９４０の幅を有する。導電性材料２９２０は、基板２９１０上に堆積され、少なくとも２つの細長い半導体ストリップ２９４０を互いに接続する。各細長い半導体ストリップ２９４０は、銀太陽電池を含むことができる。そのうえさらに、デバイスは、太陽電池モジュールである。
【００７９】
基板は、アレイ中のストリップ間に入射した光を、アレイ中の銀片の底面に少なくとも部分的に反射するように、一方側上に反射面を有するガラスとすることができる。そのうえさらに、基板は、ランベルト反射器としてもよい。銀片と基板との間に光学的接着剤を使用することが好ましい。一度、ストリップ間に導電性接続部が形成されると、カプセル化材料をアレイの上に塗布することができる。あるいは金属接続部を使用して、導電性接続部を実現してもよい。次いで、透明ガラスプレートまたは他の適切な材料を、たとえば接着剤を使用してこのカプセル化材料の上に接着し、内部に銀片のアレイを配置したサンドイッチ状の構造を形成することができる。少なくとも１つの第２のベルトの間隔に依存して、細長い半導体ストリップは、おおよそ１倍、２倍や３倍のストリップの幅で、引き離されることがある。
【００８０】
銀片のアレイを基板上に組み立てるための装置は、基板上に接着材料をストリップ状で塗布するためのメカニズムを利用する。これは、たとえば接着材料を施すかまたはスタンプすることによって実施してもよい。転送メカニズム２５００は、各銀片毎に真空吸着し、ストリップをアレイの形に保持する真空源を有し、そのアレイは、ストリップのあらかじめ定義された配列である。さらに、転送メカニズムを使用して、アレイを基板２９１０へ転送し、各銀片の面を接着材料２９３０に接触させる。次に、真空源２５１０は、各銀片の真空吸着を停止し、アレイの銀片を基板上にそのまま位置させて基板に接着させる。
【００８１】
図３４の方法の態様は、この装置によって実行することができる。
【００８２】
（基板上への銀片のアレイの組み立て）  
本発明の他の実施形態によれば、銀片のアレイを基板上に組み立てる方法が提供される。ウェハの縁部を形成するか、またはその縁部に隣接する銀片の面に適用される真空吸着を使用して、銀片がウェハから切り離される。ウェハは、相対的に所定の距離だけ真空源から移動される。銀片は、第１のペアの平行のベルト上に、ベルトを横切って縦方向で受け取られる。ベルトは、所与の方向に銀片の幅よりも大きい所定の距離だけ移動される。銀片のすべてが処理されるまで、これらの動作は繰り返し実行される。第１のペアのベルトは、城郭構造を有するものであり、隣接する城郭構造間の間隔が銀片の幅よりも実質的に広い。各銀片は、真空吸着を使用してベルトの第１のペアからベルトの第２のペアに転送される。第２のペアのベルトは、隣接する城郭構造間の間隔が、銀片の幅よりも大きいが、第１のペアのベルトに隣接する城郭構造よりも実質的に小さい城郭構造をそれぞれ有する。第２のペアのベルトは、所与の方向に銀片の幅よりも大きい所定の距離だけ、移動される。これは、第１のペアのベルトと同期して実施される。これらの動作は、銀片の少なくとも一部が処理されてストリップのアレイを形成するまで実行される。
【００８３】
銀片のアレイが、真空吸着または他の公知の拘束メカニズムを使用して、ベルトの第２のペアから、接着材料をその表面上に塗布された基板へ転送され、各銀片の面が接着剤の部分に接触される。好ましくは、接着剤は、光学的接着剤であって、基板上にストリップ状にスタンプしてもよい。各銀片は、真空状態を停止することによって開放され、アレイの銀片を基板上にそのまま位置させて、基板に接着させる。次に、接着剤を硬化させる。これは、紫外線（ＵＶ）で接着材料を硬化させることによって行ってもよい。導電性材料を塗布して、基板に接着したアレイ中の２つ以上の銀片を電気的に接続する。
【００８４】
上述の本発明の実施形態は、たとえば幅が１ｍｍであって、長さが約１１０ｍｍである銀片を用いて実施することができる。他の実施形態では、銀片は、長さが７０ｍｍまたは１２０ｍｍとしてもよい。銀片を使用して太陽電池を実現してもよい。銀片は、８０μｍ〜１００μｍのギャップで互いに離れていてもよい。第１のペアのベルトでは、城郭構造間の間隔は、銀片の幅が１ｍｍの場合、３ｍｍとしてもよい。さらに、銀片は、ベルト上で、空のスペースで１０ｍｍまで離される。第２のペアのベルトは、隣接する城郭構造が３ｍｍだけ離されてもよい。そのピッチは、銀片の寸法の変動または他の処理要求と一致するように変化させることができる。リフター／リファレンサーは、隣接する城郭構造間の間隔を１．４ｍｍとしてもよく、それを使用して銀片の位置を約０．０１ｍｍまたはそのあたりの公差内で互いについて調節することができる。銀片、ベルト、および他のアセンブリについて具体的な寸法を開示してきたが、本発明の範囲および精神から逸脱せずに、寸法の調節および変化を応用できることは当業者に理解されるはずである。
【００８５】
銀片を電気的に接続するために、銀片を基板に接着するのに先立ち基板上にパッドを形成する方法に加えて、多数の他の技術のいずれをも適用することができる。さらに、図２９から３１に示す実施形態では、犬用の骨の形をしたパッドを使用して基板上の銀片の列またはブロックを相互接続することができる。
【００８６】
本発明の実施形態は、有利にも、ウェハから銀片をポキッと折るために真空吸着を利用する。真空吸着の概念は、ウェハ上の銀片を拘束し、脆弱な銀片を損傷させずにウェハから銀片を折るのによく適している。銀片は、ウェハ上で一貫せずにバラバラであってもよく、すなわち、あるものは凸状であり、あるものは凹状であり、あるものはＳ字型形状を有し、あるものは破損し、他には次の銀片と互いにくっ付いていることがある。
【００８７】
銀片を切り離すための方法は、以下によって、特徴付けられる。  
１．比較的大きくより容易に底面をみつけることによって、銀片を拘束すること。  
２．銀片間の、小さくて位置が変化するギャップの検出を試行するなどの、正確な位置決めに依存しないこと。  
３．十分な深さの拘束場を有すること。すなわち、銀片が、たとえば１ｍｍだけ縦方向に位置がずれている場合にも銀片を拘束する。  
４．底部にある銀片が、その上にある銀片と接合されているかどうかに依存しないこと。
５．底部にある銀片が、既に破損しているかどうかに依存しないこと。  
６．真空吸着は、製造環境下でロバストであること。
【００８８】
銀片を真空吸着する代替メカニズムを以下に示す。  
ａ．ウェハがそれに対して上下に往復する角度割り出し真空ドラムを使用し、真空ドラム上に銀片を拘束した後に、真空ドラムおよび銀片はたとえば１０°回転して、次の銀片を拘束するために備える。銀片を１２時の角度で拘束し、たとえば６時の角度で開放することができる。この概念は、剛体の角度割り出しドラムである利点、すなわち複数の位置（たとえば、銀片を複数の等級に選別するために４時、６時、および８時）で開放する機能を有するが、銀片の試験機能を実装するためのスペースを限定する恐れがある。  
ｂ．往復する真空カップまたはパッドのセットを使用して、固定の（または大項目索引する）ウェハ上の銀片を拘束する。これは、対のタイミングベルトまたは真空ドラム概念のいずれかと連携するが、サイクル時間が、より遅くなる恐れがある。  
ｃ．マニピュレータ（またはロボット）上のカップまたはパッドを使用し、各銀片を取り上げて、その銀片を、直接組み立て基板上、試験ステーション上、あるいはマガジンまたは一時的保管ステーション中のいずれかに置く。ウェハは、上昇する「Ｕ」クランプに方向を合わせることができる。この方法は、遅くなる恐れがあるが、複数のピックアップヘッドまたはロボットを使用することができる。
【００８９】
他の代替形態として、粘着性担体ストリップを使用するものがあり、ウェハがその上に往復し、そのたびにそのストリップ上に銀片を取り残す。銀片が、まっすぐでなく平坦ではない場合、各銀片の底面の位置が変わり得るので、粘着性ストリップは、いくらかの上下の対応性が必要である。
【００９０】
本発明の実施形態は、基板上へのアレイの組み立てまで関連した処理全体にわたって、都合よくウェハから切り離されたときの銀片の方向を維持する。
【００９１】
太陽電池の用途では、本実施形態は、有利にも、発生する出力ワット当たりの半導体（シリコン）を削減する。
【００９２】
図４２は、銀片４２４０のアレイを平坦でない表面の基板４２２０上へ転送するための、枢動するロボット構成４２００を示すブロック図である。基板４２２０は、平坦でない（たとえば、波状の）表面である恐れがある。さらに、基板４２２０がその上に配置された表面（たとえば、金属シート）４２１０が、平坦でないこともあり、銀片４２４０を表面へ転送する問題をより悪くする。高さセンサ４２７０が、基板表面の変化を測定し、それを使用してロボットアーム４２６０を回転して、柔軟な対応する転送ヘッド４２５０を回転し、それによって転送ヘッド４２５０が、基板の表面に対してより良好に配向される。たとえば、センサ４２７０は、基板に触れてその高さを測定し、次いでヘッドを調節してもよい。このようにして、銀片４２４０は、接着剤４２３０に対して、より良好に配向することができる。
【００９３】
他の実施形態では、真空吸着（または機械的や接着性テープなど）を使用して、銀片を１つのベルトから別のベルトへ（ここで議論したドラムではなく）、または１つのベルトからコンテナへ転送することができる（真空転送ベルトという）。同じ方法によって、銀片をコンテナから移動し、それに続いて処理することが可能になり、したがって銀片は、容器中に収納することができ、製造シーケンスが、２つの部門で実施される。さらに、ウェハフレームから取り外された銀片が、上述の方法を使用してベルト（または他の装置）へ転送される方法を実施することができる。
【００９４】
前述したように、細長い半導体ストリップを半導体材料のウェハから切り離し、半導体材料から切り離された複数の細長い半導体ストリップをストリップのアレイの形で組み立て、細長い半導体ストリップのアレイを基板上に組み立てるための、多数の方法、装置、およびシステムが、開示されてきた。少数の実施形態だけが開示されてきたが、この開示を踏まえて、多数の変更および置き換えが、本発明の範囲および精神から逸脱せず、実施できることは、当業者に明らかなはずである。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】図１（ａ）および１（ｂ）は、スロット形成後の、半導体ウェハの上面および断面を示す概略図である。
【図２】半導体ストリップまたは銀片の配列およびその電気的相互接続部を示す概略図である。
【図３（ａ）】ウェハ中に形成されたストリップまたは銀片の１つまたは複数の領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。
【図３（ｂ）】ウェハ中に形成されたストリップまたは銀片の１つまたは複数の領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。
【図３（ｃ）】ウェハ中に形成されたストリップまたは銀片の１つまたは複数の領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。
【図３（ｄ）】ウェハ中に形成されたストリップまたは銀片の１つまたは複数の領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。
【図４】ストリップまたは銀片が柔軟性であるため、ウェハ中で不均等に隔置されたか、または歪んだストリップまたは銀片の領域を有する半導体ウェハを示す概略図である。
【図５】本発明の実施形態を実施することができる真空源のブロック図である。
【図６（ａ）】図４の半導体ウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセスを示す概略図である。
【図６（ｂ）】図４の半導体ウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセスを示す概略図である。
【図６（ｃ）】図４の半導体ウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセスを示す概略図である。
【図６（ｄ）】図４の半導体ウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセスを示す概略図である。
【図７】図３（ｄ）に示すウェハの弱体化させた領域を示す概略図である。
【図８】真空源と、真空源によってウェハから切り離された銀片またはストリップを受け取るための城郭構造を付けたベルトの第１のペアとの構成を示す概略図である。
【図９】図８のベルトの第１のペアと、銀片またはストリップを真空吸着するように構成されたドラムと、ベルトの第２のペアとを示す概略図である。
【図１０】図９の第２のペアのベルト中に配置された、銀片の位置を合わせ調節するための基準を示す概略図である。
【図１１】半導体材料のウェハからストリップまたは銀片を切り離すプロセスを示すフロー図である。
【図１２】銀片がそれぞれ中に形成された６枚のウェハを示すイメージ図である。
【図１３（ａ）】銀片またはストリップがその中に形成されたウェハを保持するためのヨークを示すイメージ図である。
【図１３（ｂ）】銀片またはストリップがその中に形成されたウェハを保持するためのヨークを示すイメージ図である。
【図１３（ｃ）】銀片またはストリップがその中に形成されたウェハを保持するためのヨークを示すイメージ図である。
【図１４】半導体材料のウェハからストリップまたは銀片を切り離すためのロボット装置のイメージ図である。
【図１５】ウェハを保持したヨークを保持するための、図１４のロボット装置のアームのイメージ図である。
【図１６】図１５のアームに接続されたヨークのイメージ図である。
【図１７】ベルトの第１のペアと、銀片またはストリップを試験し、そのベルトから欠陥のある銀片またはストリップを除去するためのメカニズムとの間に配置された真空源またはブロックを含む、図１４のロボット装置中のアセンブリのより詳細なイメージ図である。
【図１８】ベルトの第１のペアと、銀片またはストリップを試験し、そのベルトから欠陥のある銀片またはストリップを除去するためのメカニズムとの間に配置された真空源またはブロックを含んだ、図１４のロボット装置中のアセンブリのより詳細なイメージ図である。
【図１９】ベルトの第１のペアと、銀片またはストリップを試験し、そのベルトから欠陥のある銀片またはストリップを除去するためのメカニズムとの間に配置された真空源またはブロックを含んだ、図１４のロボット装置中のアセンブリのより詳細なイメージ図である。
【図２０】ベルトから欠陥のある銀片またはストリップを除去するための、図１７のメカニズムのより詳細なイメージ図である。
【図２１】ベルト中に配置された銀片を真空吸着するように構成された、ベルトアセンブリ中のドラムのイメージ図である。
【図２２】ベルト中に配置された銀片を真空吸着するように構成された、ベルトアセンブリ中のドラムのイメージ図である。
【図２３】銀片またはストリップの位置合わせを調節し、それらを隔置するためのリフター／リファレンサーのイメージ図である。
【図２４】銀片またはストリップの位置合わせを調節し、それらを隔置するためのリフター／リファレンサーのイメージ図である。
【図２５】隔置用ベルトおよび／またはリフター／リファレンサーから、銀片のアレイ中の銀片またはストリップを真空吸着し、かつそのアレイを基板に転送するように構成された転送メカニズムのイメージ図である。
【図２６】隔置用ベルトおよび／またはリフター／リファレンサーから、銀片のアレイ中の銀片またはストリップを真空吸着し、かつそのアレイを基板に転送するように構成された転送メカニズムのイメージ図である。
【図２７】図１７〜図１９の真空ブロックおよびベルトのより詳細なイメージ図である。
【図２８】基板上に組み立てられた銀片またはストリップのアレイのイメージ図である。
【図２９】導電性材料および接着材料を基板上に堆積するプロセスを含む、基板上に銀片のアレイを組み立てるプロセスを示す概略図である。
【図３０】導電性材料および接着材料を基板上に堆積するプロセスを含む、基板上に銀片のアレイを組み立てるプロセスを示す概略図である。
【図３１】導電性材料および接着材料を基板上に堆積するプロセスを含む、基板上に銀片のアレイを組み立てるプロセスを示す概略図である。
【図３２】ウェハから切り離されたいくつかの銀片を銀片のアレイの形で組み立てる方法を示すフロー図である。
【図３３】ベルトの第２のペアを使用して、銀片間の隔置を精緻化する方法を示すフロー図である。
【図３４】銀片のアレイを基板上に組み立てる方法を示すフロー図である。
【図３５】本発明の実施形態を実施することができる真空源のブロック図である。
【図３６】Ｕ字型配列で形成されたチャネルを有する真空源のブロック図である。
【図３７】真空センサを有する真空ブロックを使用して、銀片がウェハから切り離されることを示すブロック図である。
【図３８】図３７の真空ブロックを使用して、城郭構造を付けたコンベヤーベルト上への銀片の配置を示すブロック図である。
【図３９】サーボモータおよびカムを有する「あまい留め金具」試験機のブロック図である。
【図４０】本発明の他の実施形態による、真空源、城郭構造付きベルト、試験機および真空ドラムの構成を示す図である。
【図４１】真空センサのブロック図である。
【図４２】銀片の配列を平坦でない表面上に展開するために、回転することができるロボットアームを示す図である。
【図１】
0004813351.tif 000002
【図２】
0004813351.tif 000003
【図３（Ａ）】
0004813351.tif 000004
【図３（Ｂ）】
0004813351.tif 000005
【図３（Ｃ）】
0004813351.tif 000006
【図３（Ｄ）】
0004813351.tif 000007
【図４】
0004813351.tif 000008
【図５】
0004813351.tif 000009
【図６（Ａ）】
0004813351.tif 000010
【図６（Ｂ）】
0004813351.tif 000011
【図６（Ｃ）】
0004813351.tif 000012
【図６（Ｄ）】
0004813351.tif 000013
【図７】
0004813351.tif 000014
【図８】
0004813351.tif 000015
【図９】
0004813351.tif 000016
【図１０】
0004813351.tif 000017
【図１１】
0004813351.tif 000018
【図１２】
0004813351.tif 000019
【図１３ａ】
0004813351.tif 000020
【図１３ｂ】
0004813351.tif 000021
【図１３ｃ】
0004813351.tif 000022
【図１４】
0004813351.tif 000023
【図１５】
0004813351.tif 000024
【図１６】
0004813351.tif 000025
【図１７】
0004813351.tif 000026
【図１８】
0004813351.tif 000027
【図１９】
0004813351.tif 000028
【図２０】
0004813351.tif 000029
【図２１】
0004813351.tif 000030
【図２２】
0004813351.tif 000031
【図２３】
0004813351.tif 000032
【図２４】
0004813351.tif 000033
【図２５】
0004813351.tif 000034
【図２６】
0004813351.tif 000035
【図２７】
0004813351.tif 000036
【図２８】
0004813351.tif 000037
【図２９】
0004813351.tif 000038
【図３０】
0004813351.tif 000039
【図３１】
0004813351.tif 000040
【図３２】
0004813351.tif 000041
【図３３】
0004813351.tif 000042
【図３４】
0004813351.tif 000043
【図３５】
0004813351.tif 000044
【図３６】
0004813351.tif 000045
【図３７】
0004813351.tif 000046
【図３８】
0004813351.tif 000047
【図３９】
0004813351.tif 000048
【図４０】
0004813351.tif 000049
【図４１】
0004813351.tif 000050
【図４２】
0004813351.tif 000051