(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配列された画素配列領域を有するアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板の画素配列領域に対向するように配設される対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙に配設される表示媒体とを備えた表示装置において、
前記アクティブマトリクス基板の画素配列領域には、複数の電極配線と、複数のアクティブ素子と、前記複数の電極配線および複数のアクティブ素子の上層に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配設されており、
前記アクティブマトリクス基板における前記画素配列領域の周囲に存在する周辺領域に配設される環境センサと、
前記環境センサの上層に設けられた表面保護膜とを備え、
前記表面保護膜が、前記画素配列領域における層間絶縁膜と同一材料で形成された透明絶縁層と、前記透明絶縁層の上層に前記画素電極と同一材料で形成され紫外線透過率を減衰する効果を有する透明導電層とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記環境センサは、少なくとも一部の構成部材が前記アクティブ素子の構成部材と同一プロセスで製造される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記環境センサは、前記アクティブマトリクス基板の主面上にモノリシックに形成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記層間絶縁膜と前記透明絶縁層が同一プロセスで形成され、前記画素電極と前記透明導電層が同一プロセスで形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記アクティブ素子が薄膜トランジスタであり、前記環境センサがラテラル構造を有するフォトダイオードである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記透明導電層が、外光に含まれる紫外線の透過率を５０％以下に減衰する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記透明導電層がインジウムスズ酸化物であり、かつ、その層厚が１４０ｎｍ以上である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記透明導電層が前記画素電極と電気的に絶縁され、かつ、所定の固定電位に接続されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の表示装置を備えた電子機器であって、
前記環境センサが光センサであり、
前記光センサによって検出された外光の明るさ情報に応じて表示輝度を制御する制御回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
複数の画素が配列された画素配列領域を有するアクティブマトリクス基板であって、
前記画素配列領域に、複数の電極配線と、複数のアクティブ素子と、前記複数の電極配線および複数のアクティブ素子の上層に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とを備え、
前記アクティブマトリクス基板における前記画素配列領域の周囲に存在する周辺領域に配設される環境センサと、
前記環境センサの上層に設けられた表面保護膜とを備え、
前記表面保護膜が、前記画素配列領域における層間絶縁膜と同一材料で形成された透明絶縁層と、前記透明絶縁層の上層に前記画素電極と同一材料で形成され紫外線透過率を減衰する効果を有する透明導電層とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、液晶表示装置やＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのフラットパネル型の表示装置に関し、特に、周囲環境の明るさを検出する光センサ等の環境センサをアクティブマトリクス基板上に備えた表示装置に関する。また、このような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】  液晶表示装置に代表されるフラットパネル型の表示装置は、薄型軽量、低消費電力といった特徴を有し、さらに、カラー化、高精細化、動画対応といった表示性能の向上に向けた技術開発が進んでいることから、現在では、携帯電話、ＰＤＡ、ＤＶＤプレイヤー、モバイルゲーム機器、ノートＰＣ、ＰＣモニター、ＴＶ等、幅広い情報機器、ＴＶ機器、アミューズメント機器に組み込まれている。【０００３】  このような背景の中、表示装置の更なる視認性向上や低消費電力化を目的として、使用環境、特に外光の明るさに応じて表示装置の輝度を自動的に制御する自動調光機能付きの表示システムが提案されている。【０００４】  例えば、特開平４−１７４８１９号公報や特開平５−２４１５１２号公報では、表示装置の近傍にディスクリート部品である光センサを配設し、該光センサで検知した使用環境照度を基に、表示装置の輝度を自動的に制御する方法が開示されている。この結果、昼間や屋外など明るい環境下では表示輝度を高くし、夜間や室内など比較的暗い環境下では表示輝度を下げるといったように、周囲環境の明るさに応じて自動的に輝度調整（調光）を行うことができる。この場合、表示装置の観察者が暗い環境下で画面をまぶしく感じることがなくなり、視認性の向上を図ることができる。また、使用環境の明／暗にかかわらず、表示輝度を常に高く保つ使用方法に比べると、表示装置の低消費電力化や長寿命化を実現することができる。さらに、光センサの検知情報を基に自動的に輝度調整（調光）を行うために、使用者の手を煩わせることもない。【０００５】  このように、自動調光機能を備えた表示システムは、使用環境の明るさの変化に対して良好な視認性と低消費電力化を両立することができることから、屋外に持ち出して使用する機会が多くバッテリー駆動を必要とするモバイル機器（携帯電話、ＰＤＡ、モバイルゲーム機器等）に対して特に有用である。【０００６】  一方、特開２００２−６２８５６号公報には、ディスクリート部品である光センサを、表示装置内に組み込む構造が開示されている。図７は、特開２００２−６２８５６号公報に開示されている液晶表示装置の全体構成図であり、図８は、その光センサ実装部の断面図である。この液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのアクティブ素子が形成される基板（アクティブマトリクス基板）９０１と対向基板９０２が貼り合わされ、両者の間隙において、枠状のシール材９２５に囲まれた領域に、液晶層９０３が挟持された構造となっている。ここで、アクティブマトリクス基板９０１の周辺部、すなわち対向基板が存在しない周辺領域Ｓ（額縁領域）に、ディスクリート部品である光センサ９０７が配設されている。光センサ９０７への光の入射は筐体９１５に設けられた開孔９１６から入射する仕組みになっている。【０００７】  このように、光センサ９０７を上記周辺領域Ｓに配設する構造は、以下の特徴を備えている。すなわち、液晶表示装置の表示モードが透過型や半透過型の場合には、アクティブマトリクス基板９０１の裏面にバックライトシステム９１４を備える必要があるが、光センサ９０７が上記の周辺領域Ｓに配設されているので、バックライトシステム９１４から発せられる光が直接光センサ９０７に到達することがなく、バックライトシステム９１４から発せられる光に起因する光センサ９０７の誤動作を最小限に留めることが可能である。また、通常の液晶表示装置では、対向基板９０２の表側には偏光板（図示せず）が貼られているが、光センサ９０７が上記の周辺領域Ｓに配設されているので、光センサ９０７に入射する外光が対向基板９０２上の偏光板によって遮られることが無く、十分な光量の外光を光センサに導くことが可能である。この結果、光センサ９０７は、高いＳ／Ｎを得ることが可能である。【０００８】  さらに、近年、表示装置の製造技術が急速に進展し、従来はディスクリート部品として表示装置の周辺部に実装していたＩＣチップや各種回路素子を、表示装置の構成回路・素子の形成時に、表示装置内（具体的には表示装置を構成するガラス基板上）に同一プロセスでモノリシックに形成する技術が確立されてきている。【０００９】  例えば、特開２００２−１７５０２６号公報では、基板上に表示領域部を形成する際、表示領域部の周辺の領域に、垂直駆動回路、水平駆動回路、電圧変換回路、タイミング発生回路、光センサ回路などを、同一プロセスでモノリシックに形成する例が開示されている。このようなディスクリート部品の表示装置内へのモノリシック形成は、部品点数や部品実装プロセスの削減を可能にし、表示装置を組み込んだ電子機器の小型化とコストダウンを実現することができる。もちろん、上述した表示装置の輝度調節（調光）に用いる光センサや、光センサ用の専用回路（光量検出回路）などを、表示装置内にモノリシックに形成することも可能である。また、上記の特開２００２−６２８５６号公報においても、ディスクリート部品の光センサの代わりに、表示装置の構成基板上に周辺回路と光センサを同一プロセスでモノリシックに形成する実施形態が開示されている。【００１０】  ところで、アクティブマトリクス型の表示装置に使用されるアクティブ素子としては、非晶質Ｓｉ膜や多結晶Ｓｉ膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が一般的である。上述のようにアクティブ素子と各種回路素子を同一基板上にモノリシックに形成する場合は、主として多結晶Ｓｉ膜を利用したＴＦＴが用いられる。【００１１】  そこで、図９を参照しながら、画素配列領域（表示領域）の各画素に形成される、多結晶Ｓｉ膜を半導体層として備えるＴＦＴの構造を説明する。ここで説明するＴＦＴの構造は、「トップゲート構造」、または「正スタガ構造」と呼ばれるもので、チャネルとなる半導体膜（多結晶Ｓｉ膜）の上層にゲート電極を備えるものである。【００１２】  ＴＦＴ５００は、ガラス基板５１０上に形成された多結晶Ｓｉ膜５１１と、多結晶Ｓｉ膜を覆うように形成されたゲート絶縁膜５１２と、ゲート絶縁膜５１２上に形成されたゲート電極５１３と、ゲート電極５１３を覆うように形成された第１層間絶縁膜５１４とを有している。第１層間絶縁膜５１４上に形成されているソース電極５１７は、第１層間絶縁膜５１４およびゲート絶縁膜５１２を貫通するコンタクトホールを介して半導体膜のソース領域５１１ｃに電気的に接続されている。同様に、第１層間絶縁膜５１４上に形成されているドレイン電極５１５は、第��層間絶縁膜５１４およびゲート絶縁膜５１２を貫通するコンタクトホールを介して半導体膜のドレイン領域５１１ｂに電気的に接続されている。さらに、これらを覆うように第２層間絶縁膜５１８が形成されている。【００１３】  このような構造において、ゲート電極５１３と対向する半導体膜の領域がチャネル領域５１１ａとして機能する。また、半導体膜のチャネル領域５１１ａ以外の領域は、不純物が高濃度にドープされており、ソース領域５１１ｃおよびドレイン領域５１１ｂとして機能する。【００１４】  なお、ここでは図示しないが、ホットキャリアによる電気特性の劣化を防ぐために、ソース領域５１１ｃのチャネル領域側およびドレイン領域５１１ｂのチャネル領域側に、不純物が低濃度にドープされたＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されている。【００１５】  さらに、第２層間絶縁膜５１８の上層には、駆動される表示媒体に電気信号を供給するための画素電極５１９が形成される。画素電極５１９は、第２層間絶縁膜５１８に設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極５１５に電気的に接続される。この画素電極５１９は、一般に平坦性が求められることが多く、画素電極５１９の下層に存在する第２層間絶縁膜５１８は平坦化膜としての機能が要求される。このため第２層間絶縁膜には、アクリル樹脂などの有機膜（厚み２〜３μｍ）を用いることが好ましい。また、ＴＦＴ５００におけるコンタクトホールの形成や、周辺領域での電極取り出しのために、第２層間絶縁膜５１８はパターニング性能が求められ、通常、感光性を有する有機膜を用いることが多い。【００１６】  一方、表示領域に上述の構造を有するＴＦＴを備えた表示装置において、外光の明るさを検知するための光センサを、表示装置の周辺領域にモノリシックに形成しようとした場合、製造プロセスの増加を最小限に抑えようとすると、光センサの素子構造が限定されることになる。【００１７】  図１０は、これらの条件を満たす光センサ４００の素子構造断面を示す図である。ガラス基板４１０上に、光センサを構成する半導体膜４１１が形成され、該半導体膜４１１のドーピング領域（ｐ領域４１１ｃ又はｎ領域４１１ｂ）が、ノンドーピング領域（ｉ領域４１１ａ）に対して縦方向（積層方向）ではなく横方向（面方向）に形成される。一般に、形成面に対して横方向（面方向）にＰＩＮ接合を有する構造は、ラテラル構造のＰＩＮ型光ダイオードと呼ばれている。【００１８】  光センサ４００を構成する各部材は、図９のＴＦＴを構成する各部材と、同じプロセスで形成されている。例えば、半道体膜４１１の上層には、ゲート絶縁膜５１２と同材料・同プロセスで形成される絶縁膜４１２が形成され、第１層間絶縁膜４１４の上層には、ソース電極５１７と同材料・同プロセスで形成されるｐ側電極４１７と、ドレイン電極５１５と同材料・同プロセスで形成されるｎ側電極４１５が形成される。【００１９】  さらにその上層には、第２層間絶縁膜５１８と同材料・同プロセスで形成される表面保護膜４１８が形成される。この場合、第２層間絶縁膜５１８は、画素配列領域（表示領域）においては、ＴＦＴ５００形成層と画素電極５１９形成層の層間を電気的に絶縁するとともに、画素電極５１９の形成面の平坦性を向上させる役割を果たし、画素配列領域外（表示領域外）の周辺領域（額縁領域）では、アクティブマトリクス基板の表面保護膜４１８として光センサ４００や光センサ４００に接続される電極を外気から保護する役割を果たす。このように、第２層間絶縁膜５１８は、表面保護膜４１８を兼ねて、表示領域から周辺領域に渡って略全面に形成されることが一般的である。【００２０】  このような図１０に示した光センサ４００は、図７に示した従来の表示装置の光センサ９０７（周辺領域に設けられたディスクリート部品）の代わりに使用することができ、かつ、図７に示した表示装置を電子機器に組み込む際に、部品点数の削減や部品実装プロセスの削減を可能にする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】  しかしながら、上述した図１０に示す光センサを、アクティブマトリクス基板上の周辺領域に形成して表示装置を実現しようとすると、以下の問題が生じることが明らかになった。【００２２】  表示装置を構成するアクティブマトリクス基板は、表示領域（図８に示すＨ）と周辺領域（額縁領域）（図８に示すＳ）に大別されるが、後者の周辺領域（Ｓ）は、さらに筐体で遮光された遮光領域（Ｓ１）と、筐体に設けられた開孔（例えば図８の開孔９１６に相当）部に位置し外光の入射を受ける非遮光領域（Ｓ２）に分けることができる。上述した光センサは、外光を受光する必要があることから、当然、アクティブマトリクス基板上の非遮光領域（Ｓ２）に配置される必要がある。【００２３】  第２層間絶縁膜は、表示領域から周辺領域に渡って略全面に形成される旨を前段で説明したが、この第２層間絶縁膜に到達する外光（屋外太陽光下での使用を想定）について考えてみると、以下のようになる。【００２４】  表示領域（Ｈ）：対向基板に備えられた偏光板（図示せず）やカラーフィルタによって、外光の一部が吸収されるため、アクティブマトリクス基板上の第２層間絶縁膜に到達する外光は、特定の波長領域の光に限定される。特に偏光板やカラーフィルタで紫外線は略１００％吸収されるために、第２層間絶縁膜に到達する紫外線は皆無である。【００２５】  遮光領域（Ｓ１）：筐体によって外光が全て遮光される。もちろん、アクティブマトリクス基板上の第２層間絶縁膜に到達する紫外線は皆無である。【００２６】  非遮光領域（Ｓ２）：外光が直接入射するため、アクティブマトリクス基板上の第２層間絶縁膜に、外光に含まれる全波長の光（紫外線含む）が到達する。【００２７】  つまり、表示装置を屋外で使用する場合を考えると、太陽光に含まれる紫外線は、周辺領域の非遮光領域（Ｓ２）のみにおいて、アクティブマトリクス基板上の第２層間絶縁膜に到達し得ることになる。【００２８】  前述したように、第２層間絶縁膜は、アクリル樹脂などの感光性を有する有機膜によって形成されているが、ここで用いる有機膜は、紫外線露光によってパターニングできるように紫外線を吸収する感光基を含有しており、かつ、紫外線露光によって高分子の重合反応や崩壊反応が生じやすいように材料設計されている。このため、通常の樹脂材料に比べて紫外線を吸収しやすく、かつ劣化しやすいといった特性を備えている。このように、ここで用いる有機膜は、紫外線に対する耐性は考慮されていなかった。【００２９】  そこで、非遮光領域（Ｓ２）に位置する第２層間絶縁膜の耐光試験を実施してみると、長期間の紫外線照射によって膜が劣化する現象、すなわち当初透明であった膜が茶褐色化又は白濁化し、さらには剥離する現象が生じることが判明した。さらに、この結果、第２層間絶縁膜の透明性が損なわれ、その下に位置する光センサに到達する外光が減少して、光センサの感度不良および特性の経時変化をもたらす、さらには保護膜の剥離が生じることが判明した。この現象は光センサを備えた表示装置の信頼性に関わる問題であり、解決を図る必要がある。【００３０】  このような問題を解決する方法としては、第２層間絶縁膜の耐紫外線を高めることが有効である���しかしながら、大面積塗布性能、パターニング性、平坦化性、プロセス温度に対する耐熱性など、他の要求仕様に対して既に最適化されている既存の第２層間絶縁膜の樹脂材料を更に改良することは、性能のトレードオフの発生が懸念される。したがって、現状の第２層間絶縁膜の使用を前提としつつ、他の方法による対策が望まれている。【００３１】  一方、上述した図１０に示す光センサを、アクティブマトリクス基板上の周辺領域に形成して表示装置を実現すると、光センサの各電極および周辺回路の配線部材等が薄い絶縁膜だけで大気にさらされることになるため、電磁ノイズに対し弱く、また、光センサは一般的にｐＡ〜ｎＡオーダーの微弱な電流を扱うために、特に電磁ノイズの影響が無視できないという課題を有している。【００３２】  そこで本発明は、アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサ（例えば光センサ）を備えた表示装置において、画素配列領域の層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）と同一材料の層を環境センサの表面保護膜として利用しつつ、かつ該表面保護膜の変質を防ぐとともに、電磁ノイズに対して強いアクティブマトリクス基板および表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】  上記の目的を達成するために、本発明にかかる表示装置は、複数の画素が配列された画素配列領域を有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板の画素配列領域に対向するように配設される対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の間隙に配設される表示媒体とを備えた表示装置において、前記アクティブマトリクス基板の画素配列領域には、複数の電極配線と、複数のアクティブ素子と、前記複数の電極配線および複数のアクティブ素子の上層に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とが配設されており、前記アクティブマトリクス基板における前記画素配列領域の周囲に存在する周辺領域に配設される環境センサと、前記環境センサの上層に設けられた表面保護膜とを備え、前記表面保護膜が、前記画素配列領域における層間絶縁膜と同一材料で形成された透明絶縁層と、前記透明絶縁層の上層に前記画素電極と同一材料で形成された透明導電層とを有することを特徴とする。【００３４】  この構成では、環境センサの上層に配置される表面保護膜が、層間絶縁膜と同一材料で形成された透明絶縁層と、その上層に形成される透明導電層とを備えている。なお、前記層間絶縁膜は、画素配列領域において、電極配線および複数のアクティブ素子と、それらの上層に設けられた画素電極との間を絶縁するための膜である。本発明の表示装置は、環境センサの上層の表面保護膜の一部として透明導電層を備えたことにより、環境センサに対する電磁ノイズの影響を抑制することができる。また、外光に含まれる紫外線により、画素配列領域における層間絶縁膜と同一材料で形成された透明絶縁層が変質する現象を回避することができる。これにより、感度が良く、特性の経時変化の小さい環境センサを実現することができる。この結果、信頼性の高い表示装置を提供することができる。【００３５】  上記の表示装置において、前記環境センサは、少なくとも一部の構成部材が前記アクティブ素子の構成部材と同一プロセスで製造されることが好ましい。製造プロセスが簡略化され、コストを削減できるからである。【００３６】  上記の表示装置において、前記環境センサは、前記アクティブマトリクス基板の主面上にモノリシックに形成されることが好ましい。なお、ここで、環境センサがアクティブマトリクス基板に「モノリシックに形成される」とは、環境センサがディスクリート部品としてアクティブマトリクス基板に実装されることは含まない。より具体的には、アクティブマトリクス基板に環境センサが「モノリシックに形成される」とは、成膜処理やエッチング処理等の物理的及び／又は化学的プロセスが当該アクティブマトリクス基板に対して直接に施される工程を経て、当該アクティブマトリクス基板の主面上に環境センサが形成されることを意味する。【００３７】  上記の表示装置において、前記層間絶縁膜と前記透明絶縁層が同一プロセスで形成され、前記画素電極と前記透明導電層が同一プロセスで形成されていることが好ましい。製造工程の工数を増やさずに済み、表示装置の製造コストを抑制できるからである。【００３８】  上記の表示装置において、前記アクティブ素子としては、例えば薄膜トランジスタを用いることができ、前記環境センサとしては、ラテラル構造を有するフォトダイオードを用いることができる。【００３９】  上記の表示装置において、前記透明導電層が、外光に含まれる紫外線の透過率を５０％以下に減衰することが好ましい。透明絶縁層の紫外線による経時変化を効果的に抑制できるからである。例えば、前記透明導電層がインジウムスズ酸化物である場合は、その層厚が１４０ｎｍ以上であれば、紫外線の透過率をおよそ５０％以下にまで減衰することができる。【００４０】  上記の表示装置において、前記透明導電層が前記画素電極と電気的に絶縁され、かつ、所定の固定電位に接続されていることが好ましい。透明導電層が環境センサの電磁波シールドとして作用するため、環境センサの電磁ノイズに対する耐性とＳ／Ｎ比が向上し、より高精度なセンシングを行うことができ、ひいては周辺回路の誤動作も防ぐことができるからである。【００４１】  また、上記の目的を達成するために、本発明にかかる電子機器は、上述したいずれかの構成にかかる本発明の表示装置を備え、前記環境センサが光センサであり、前記光センサによって検出された外光の明るさ情報に応じて表示輝度を制御する制御回路を備えたことを特徴とする。表示輝度の制御は、例えばバックライトシステムを備えた表示装置であれば、前記制御回路がバックライトシステムの輝度を制御することにより実現できる。また、表示装置が自発光素子の場合は、前記制御回路が発光輝度を制御することにより実現できる。このように、周囲の明るさに応じて必要十分な輝度になるよう表示輝度を制御することにより、消費電力を低減し、かつ、見易い表示を実現する電子機器を提供できる。なお、この電子機器は、使用環境の明るさの変化に対して良好な視認性と低消費電力化を両立できることから、屋外に持ち出して使用する機会が多くバッテリー駆動を必要とするモバイル機器として特に有用である。なお、このようなモバイル機器としては、本発明の用途をこれらに限定するものではないが、例えば、携帯電話、ＰＤＡ等の情報端末、モバイルゲーム機器、携帯型音楽プレイヤー、デジタルカメラ、ビデオカメラ等がある。【００４２】  また、上記の目的を達成するために、本発明にかかるアクティブマトリクス基板は、複数の画素が配列された画素配列領域を有するアクティブマトリクス基板であって、前記画素配列領域に、複数の電極配線と、複数のアクティブ素子と、前記複数の電極配線および複数のアクティブ素子の上層に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とを備え、前記アクティブマトリクス基板における前記画素配列領域の周囲に存在する周辺領域に配設される環境センサと、前記環境センサの上層に設けられた表面保護膜とを備え、前記表面保護膜が、前記画素配列領域における層間絶縁膜と同一材料で形成され紫外線透過率を減衰する効果を有する透明絶縁層と、前記透明絶縁層の上層に前記画素電極と同一材料で形成された透明導電層とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００４３】  以上のとおり、本発明によれば、アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサ（例えば光センサ）を備えた表示装置において、画素配列領域の層間絶縁膜（第２層間絶縁膜）と同一材料の層を環境センサの表面保護膜として利用しつつ、かつ該表面保護膜の変質を防ぐとともに、電磁ノイズに対して強い表示装置と電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態にかかる表示装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、第１の実施形態にかかる表示装置を筐体に組み込んだ状態を示す断面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態にかかる表示装置の画素配列領域（表示領域）の画素当たりの構造を示す断面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態にかかる表示装置の光センサ部の構造の一例を示す断面図である。
【図５】図５は、ＩＴＯの膜厚と分光透過率との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態にかかる電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図７】図７は、特開２００２−６２８５６号公報に開示されている従来の液晶表示装置の全体構成図である。
【図８】図８は、特開２００２−６２８５６号公報に開示されている光センサ実装部の断面図である。
【図９】図９は、アクティブマトリクス基板の画素配列領域に形成される従来のＴＦＴの断面構造図である。
【図１０】図１０は、従来の光センサの素子構造断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】  以下、図面を参照し、本発明の実施形態にかかる表示装置について説明する。なお、本実施形態では、表示装置の一例として液晶表示装置をあげるが、本発明は液晶表示装置以外の表示装置にも適用可能である。【００４６】  ［第１の実施形態］
図１は、本発明の一実施形態にかかる表示装置１の全体構成図である。この表示装置１は、多数の画素がマトリクス状に配列されたアクティブマトリクス基板２と、これに対向するように配置される対向基板３を備えており、さらに両者の間隙には表示媒体４である液晶が挟持された構造をなしている。アクティブマトリクス基板２と対向基板３は、対向基板３の外周に沿った枠状のシール樹脂（図示せず）によって接着されている。【００４７】  アクティブマトリクス基板２の各画素５には、表示媒体４を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６や画素電極７が形成されている。対向基板３には、対向電極（図示せず）やカラーフィルタ（図示せず）が形成されている。【００４８】  アクティブマトリクス基板２は、画素５が配列された領域（画素配列領域）８と、画素配列領域に近接する周辺領域９を有し、対向基板３は画素配列領域８を覆い、周辺領域９の一部が露出するように配設されている。【００４９】  また、アクティブマトリクス基板２の周辺領域９には、表示装置に外部の駆動回路を接続するためのＦＰＣ１０が端子３８（図２参照）を介して実装され、さらに、環境センサとして、外光の明るさを検出するための光センサ１１が配設されている。また、その他に周辺回路（画素配列領域８のＴＦＴ６を駆動するための駆動回路（図示せず）、光センサ１１や駆動回路に接続される配線（図示せず）、画素配列領域８からの引き出し配線（図示せず）など）も配設されている。【００５０】  画素配列領域８に形成されるＴＦＴ６と周辺領域９に形成される光センサ１１は、アクティブマトリクス基板２上に、ほぼ同一のプロセスによってモノリシックに形成されている。つまり、光センサ１１の一部の構成部材は、ＴＦＴ６の一部の構成部材と同時に形成される。【００５１】  なお、図１では、表示装置１の周辺領域９に１個の光センサ１１が配置され、ＦＰＣ１０が光センサ１１の横に配置された例を示した。しかし、光センサ１１の配置位置および個数、並びにＦＰＣ１０の配置位置は、図１に示した例に限定されない。例えば、光センサ１１を、周辺領域９に複数個備えた構造としても良い。【００５２】  そして、図１に示す表示装置１は、図２に示すように、従来例の図８に示した表示装置と同様に、開孔付き筐体３５に組み込まれる。筐体３５の開孔部３７は所定の位置に設けられており、その開孔部３７を介して外光が上記光センサ１１に到達する仕組みになっている。なお、図２における３９は回路基板である。【００５３】  なお、表示装置が透過光を利用する表示モードの場合には、筐体３５内のアクティブマトリクス基板２の裏面側にバックライトシステム１２を備える必要がある。もちろん、外光の反射を利用する反射表示モードを利用した液晶を使用する場合や、表示媒体としてＥＬなどの自発光素子を用いる場合には、バックライトシステムは不要である。【００５４】  また、光センサ１１は、外光を検知することを目的としているため、バックライトシステム１２の光が光センサ１１に入射すると、光センサ１１が誤動作するといった問題が生じる。したがって、アクティブマトリクス基板２の光センサ配設部の下側にバックライトシステム１２が配置されないように��るか、アクティブマトリクス基板２の光センサ配設部の裏面にアルミテープなどの遮光部材（図示せず）を具備するといった配慮が必要である。【００５５】  上述した本実施形態の表示装置１は、光センサ１１を用いて外光の照度を検出し、それに合わせて表示輝度を自動的に制御する自動調光機能付きの表示システムに適用することができる。つまり、上記アクティブマトリクス基板２の周辺領域９に設けられた光センサ１１が出力する外光の明るさ情報を基に、バックライトシステム１２の輝度、又は表示信号の輝度信号を制御する制御回路を備えておくことで、表示装置１の表示輝度を自動的に制御することが可能になる。この結果、屋外など明るい環境下では表示輝度を高くし、夜間や室内など比較的暗い環境下では表示輝度を下げるように輝度調整（調光）を自動的に行うことができ、表示装置の低消費電力化や長寿命化を実現することができる。【００５６】  次に、本実施形態の表示装置１の詳細な構造について、図１、図３、図４を用いて説明する。図３は、図１の表示装置１における画素配列領域（表示領域）８の画素当たりの断面構造図である。アクティブマトリクス基板２と対向基板３の間隙に表示媒体（液晶）４が挟持されている。アクティブマトリクス基板２には、表示媒体を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６や画素電極７が形成されている。【００５７】  以下、図１および図３を参照しながら、本実施形態で用いる多結晶Ｓｉ膜を用いたＴＦＴ６と、このＴＦＴ６を含む画素５の構造について説明する。ここで使用するＴＦＴ６の構造は、「トップゲート構造」または「正スタガ構造」と呼ばれるもので、チャネルとなる半導体膜（多結晶Ｓｉ膜）１３の上層にゲート電極を備えるものである。【００５８】  ベース基材となるガラス基板１４には、無アルカリのバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどが使用される。ＴＦＴ６は、ガラス基板１４上に形成された多結晶Ｓｉ膜１３と、多結晶Ｓｉ膜１３を覆うように形成されたゲート絶縁膜１５（酸化シリコン膜や窒化シリコン膜など）と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極１６（Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの合金など）と、ゲート電極を覆うように形成された第１層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜や窒化シリコン膜）とを有している。【００５９】  ここで、多結晶Ｓｉ膜１３において、ゲート絶縁膜１５を介してゲート電極１６と対向する領域は、チャネル領域１３ａとして機能する。また、多結晶Ｓｉ膜１３のチャネル領域以外の領域は、不純物が高濃度にドープされたｎ＋層であり、ソース領域１３ｂおよびドレイン領域１３ｃとして機能する。また、ここでは図示しないが、ホットキャリアによる電気特性の劣化を防ぐために、ソース領域１３ｂのチャネル領域側およびドレイン領域１３ｃのチャネル領域側に、不純物が低濃度にドープされたＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されている。【００６０】  なお、ガラス基板の表面（多結晶Ｓｉ膜１３の下）に、ベースコート膜（例えば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などが使用できる）を備えても良い。また、多結晶Ｓｉ膜１３は、非晶質構造を有する半導体膜（非結晶Ｓｉ膜）を、レーザーアニールや���ＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）などの熱処理により結晶化することで得ることができる。【００６１】  第１層間絶縁膜１７上に形成されているソース電極１８（例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの合金が使用できる）は、第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを介して多結晶Ｓｉ膜１３のソース領域１３ｂに電気的に接続されている。同様に、第１層間絶縁膜１７上に形成されているドレイン電極１９（例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの合金が使用できる）は、第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを介して、多結晶Ｓｉ膜１３のドレイン領域１３ｃに電気的に接続されている。【００６２】  以上が、ここで使用するＴＦＴ６の基本的な構造である。画素配列領域（表示領域）８においては、ＴＦＴ６を覆うように、さらに第２層間絶縁膜２０が形成されている。ここで、第２層間絶縁膜２０としては、層間の絶縁性に加えて下層の凹凸を平坦化する役割が要求されるので、塗布や印刷によって形成が可能な有機膜（例えば、アクリル、ポリイミドなどの有機絶縁膜）が主に使用される。【００６３】  さらに、第２層間絶縁膜２０の上層には、画素電極７（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）など）が形成される。画素電極７は、第２層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールを介して、ドレイン電極１９に電気的に接続されている。第２層間絶縁膜２０として、感光性を有する有機絶縁膜を用いることが好ましく、マスク露光と現像処理によって、簡便に第２層間絶縁膜２０にコンタクトホールを形成することができる。このように感光性を有する有機絶縁膜としては、例えば、アクリル、ポリイミド、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ−Ｃｙｃｌｏ−Ｂｕｔｅｎｅ）などがあげられる。【００６４】  なお、図３において、３０は対向基板３のベース基板であるガラス基板であり、３１はカラーフィルタであり、３２は対向基板３の全面に形成された対向電極である。【００６５】  図４は、周辺領域９に形成されている光センサ１１の断面構造図である。【００６６】  以下、図４を参照しながら、光センサ１１の構造について説明する。ここで使用する光センサ１１の構造は、「ラテラル構造の光ダイオード」と呼ばれるものであり、半導体のＰＩＮ接合が基板の面方向（横方向）に形成されたダイオードを備えるものである。【００６７】  図４に示す光センサ１１では、ベース基材となるガラス基板１４（ＴＦＴが形成されている基板と共通の基板）上に、多結晶Ｓｉ膜２１によるＰＩＮダイオードが形成されている。この光センサ１１の多結晶Ｓｉ膜２１は、画素配列領域８（表示領域）のＴＦＴ６の多結晶Ｓｉ膜１３（図３参照）と同一プロセスで同時に形成されるものである。ゆえに、多結晶Ｓｉ膜１３と多結晶Ｓｉ膜２１は、同じ膜厚を有する。【００６８】  ＰＩＮ接合は、不純物が高濃度にドープされたｐ＋層（領域２１ｂ）とｎ＋層（領域２１ｃ）、及び不純物がドープされないｉ層（領域２１ａ）によって形成されている。なお、ｉ層の代わりに、低濃度にドープされたｐ−層やｎ−層を単独、又は併設して用いることも可��である。【００６９】  さらに、ＰＩＮ接合を有する多結晶Ｓｉ膜２１を覆うように、ゲート絶縁膜１５（酸化シリコン膜や窒化シリコン膜など）と第１層間絶縁膜１７（酸化シリコン膜や窒化シリコン膜）が形成される。図４に示すゲート絶縁膜１５および第１層間絶縁膜１７は、画素配列領域８におけるＴＦＴ６のゲート絶縁膜１５および第１層間絶縁膜１７（図３参照）が、周辺領域９まで延在したものである。【００７０】  第１層間絶縁膜１７上に形成されているｐ側電極３３（例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの合金が使用できる）は、第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを介して多結晶Ｓｉ膜２１のｐ＋領域２１ｂに電気的に接続されている。同様に、第１層間絶縁膜１７上に形成されているｎ側電極３４（例えばＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉまたはそれらの合金が使用できる）は、第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５を貫通するコンタクトホールを介して多結晶Ｓｉ膜２１のｎ＋領域２１ｃに電気的に接続されている。ｐ側電極３３およびｎ側電極３４において第１層間絶縁膜１７の表面に露出している部分が、光センサ１１の電極部である。【００７１】  なお、周辺領域９における第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５へのコンタクトホールの形成は、画素配列領域８における第１層間絶縁膜１７およびゲート絶縁膜１５へのコンタクトホールの形成と同一プロセスにより同時に行われる。また、ｐ側電極３３およびｎ側電極３４の形成は、ＴＦＴ６のソース電極１８およびドレイン電極１９の形成と同一プロセスにより同時に行われる。【００７２】  以上が、基本的な光センサ１１の構造である。光センサ１１の構成部材は、前述の画素配列領域のＴＦＴ６の構成部材と基本的に同じであり、製造プロセスも共通である。このように、アクティブマトリクス基板２は、画素配列領域８のＴＦＴ６と周辺領域９の光センサ１１がモノリシックに形成されている。【００７３】  なお、周辺領域９には、上記光センサ１１の他に、周辺回路（画素配列領域８のＴＦＴ６を駆動するための駆動回路（図示せず）、光センサ１１や駆動回路に接続される配線３６、画素配列領域８からの引き出し配線（図示せず）など）も形成されている。【００７４】  そして、図４に示すように、周辺領域９の光センサ１１と上記の駆動回路および各種配線の上層に、画素配列領域８における第２層間絶縁膜２０が延在している。言い換えれば、画素配列領域８における第２層間絶縁膜２０と同一材料からなる透明絶縁層２０ａが、光センサ１１などの上層に設けられている。すなわち透明絶縁層２０ａは、周辺領域９においては、下記の透明導電層７ａと共に、光センサ１１などの表面保護膜２４としての役割を果たす。なお、図４の構成では、ｐ側電極３３およびｎ側電極３４のそれぞれの頭頂部に、透明絶縁層２０ａとの密着性を高めるための凹部３３ａ，３４ａが形成されているが、これらは必須ではない。【００７５】  さらに、この透明絶縁層２０ａの上層には、透明導電層７ａが形成されている。この透明導電層７ａは、外光に含まれる光に含有される紫外線の透過率を減衰する作用を有しながら、可視域を透過する導電性部材であればよい。透明導電層７ａは、これらにのみ限定されないが、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２などの酸化導電膜またはこれらの微粒子を分散させた塗布型電極材料を用いて形成することができる。また、透明導電層７ａとして、金属薄膜（例えばハーフミラー）を使用することもできる。なお、透明導電層７ａは、外光に含まれる光に含有される紫外線の透過率を少なくとも５０％未満に減衰する作用を有することが好ましい。紫外線の透過率を１０％未満に減衰する作用を有するものであれば、さらに好ましい。【００７６】  また、透明導電層７ａを、画素配列領域８の画素電極７と同一材料で形成すれば、透明導電層７ａを画素配列領域８と同一工程で形成することができ、プロセスが増加しない点において特に有用である。【００７７】  ここで、画素電極７および透明導電層７ａの材料の一例であるＩＴＯ膜について、その一般的な分光透過率を図５に示す。一般に、１５０ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ膜は、３８０ｎｍ以下の領域の紫外線を５０％以上吸収する。図５に示すように、１５０ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ膜は、透過率の良い中心波長が５５０ｎｍ付近にあり、可視域の分光特性も視感度に近くてよい。従って、画素電極７および透明導電層７ａの材料としてＩＴＯを用いる場合、ＩＴＯの膜厚は１４０ｎｍ以上であることが好ましい。ただし、透明絶縁層２０ａの耐紫外線特性に応じて、透明絶縁層２０ａの耐紫外線特性が低いほど、透明導電層７ａとしてのＩＴＯ膜の膜厚を大きくすると良い。なお、画素電極７および透明導電層７ａの材料としてＩＴＯ以外の材料を用いる場合、膜厚１４０ｎｍ以上のＩＴＯ膜に相当する分光透過率が得られるような膜厚にすることが好ましい。【００７８】  さらに、画素電極７の材料（例えばＩＴＯ膜）を画素配列領域８に成膜した後に画素電極７のパターニングを行う際に、同時に、画素配列領域８の画素電極７と周辺領域９の透明導電層７ａとが電気的に絶縁され、かつ、周辺領域９の透明導電層７ａが固定電位（例えば０Ｖ）に接続されるよう、パターニングを行うとよい。そうすることにより、透明絶縁層２０ａで覆われた光センサ１１および周辺回路に対して、透明導電層７ａが電磁シールドの役目を果たす。この結果、光センサ１１の電磁ノイズに対する耐性とＳ／Ｎ比が向上し、より高精度な光センシングを行うことができ、ひいては周辺回路の誤動作も防ぐことができる。【００７９】  以上のとおり、本実施形態の表示装置１は、アクティブマトリクス基板２が画素配列領域８（表示領域）と周辺領域９を備えている点、周辺領域９に外光の明るさを検出する光センサ１１が形成されている点、画素配列領域８の第２層間絶縁膜２０と同一材料からなる透明絶縁層２０ａが周辺領域９の光センサ１１の上層にも形成されている点、前記透明絶縁層２０ａの上層に画素電極７と同一材料からなり紫外線の透過率を減衰する効果を有する透明導電層７ａが形成されている点、透明導電層７ａが画素配列領域８の画素電極７と電気的に絶縁されている点、周辺領域９の透明導電層７ａが固定電位に接続されている点、を主な特徴とする。なお、本実施形態にかかるこれらの特徴は、本発明を限定するものではない。【００８０】  上述のように、本実施形態の表示装置によれば、光センサ��１上に設けられた透明絶縁層２０ａの上層に、紫外線の透過率を減衰する効果のある透明導電層７ａをさらに備えているので、外光に紫外線が含まれていたとしても、紫外線に起因する透明絶縁層２０ａの変色を軽減する（又は皆無にする）ことができる。さらに、透明導電層７ａが、画素配列領域８の画素電極７とは電気的に絶縁され、かつ、固定電位に接続されていることにより、電磁シールドとして作用する。したがって、光センサ１１に対する電磁波ノイズの影響が軽減され、長時間にわたり安定して外光の明るさ変化を高精度かつ正確に検出することができる。また、従来のように、光センサの上層を第２層間絶縁膜のみで保護した場合は、紫外線による第２層間絶縁膜の劣化（透過率の低下）を見越して、光センサを過剰スペックで設計しておく必要があったが、本実施形態では、第２層間絶縁膜２０の透過率の低下を懸念する必要がなく、光センサ１１を最適設計することが可能になる。このため、光センサ１１を従来より小さくすることが可能になる。この結果、光センサ１１が配置される周辺領域９の面積を最小限にすることができ、表示装置の狭額縁化に寄与する。さらに、表示装置を電子機器に搭載する際に、電磁シールド効果を筐体に持たせる必要が無く、電子機器全体を小型化することが可能である。【００８１】  なお、本実施形態の表示装置において、前記アクティブマトリクス基板２の周辺領域９にモノリシックに形成された駆動回路（例えばゲートドライバ、ソースドライバ等）類の上層にも、透明絶縁層２０ａおよび透明導電層７ａが及んでいることが好ましい。これらのドライバは、一般的に、アクティブマトリクス基板２の周辺領域９における対向基板３の下方（すなわち光センサ１１が設けられている箇所よりも画素配列領域８に近い箇所）に形成されている。これらのドライバの上層も、第２層間絶縁膜２０および画素電極７とそれぞれ同一材料からなる透明絶縁層２０ａおよび透明導電層７ａで覆うことにより、これらのドライバについても、防湿・防塵効果および電磁シールド効果が得られるという利点がある。【００８２】  上述の実施形態では、多結晶Ｓｉ膜を用いてＴＦＴ６と光センサ１１を形成した例を示したが、両者を非結晶Ｓｉ膜で形成することも可能である。また、トップゲート構造（正スタガ構造）のＴＦＴに限らず、ボトムゲート構造（逆スタガ構造）のＴＦＴを用いても構わない。また、ＴＦＴ６の代わりに、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）などの他のアクティブ素子を使用することも可能である。【００８３】  さらに、光センサは、ＰＩＮ接合を利用したものだけでなく、ショットキー接合やＭＩＳ型接合を有する光ダイオードを利用することもできる。例えば、非結晶Ｓｉ膜を用いたボトムゲート構造（逆スタガ構造）のＴＦＴと、ＭＩＳ型接合を有する光ダイオードを同一基板上にモノリシックに形成する方法は、例えば特開平６−１８８４００号公報等に開示されているとおり公知であり、当業者であれば自明であるため、ここでは詳細な説明は省略する。【００８４】  なお、本発明は、アクティブ素子を備えたフラットパネル型表示装置に広く適用することができ、液晶表示装置に以外にも、ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置などの各種表示装置などに適用することができる。【００８５】  また、上述の各実施形態では、環境センサの代表として光センサを周辺領域９に形成した表示装置について説明したが、光センサの代わりに、温度センサ、湿度センサ、バックライトの色センサや明るさセンサなどを環境センサとして採用することができ、同様の効果が得られる。【００８６】  ［第２の実施形態］
本発明の一実施形態にかかる電子機器の概略構成を図６に示す。図６に示すように、本実施形態にかかる電子機器６０は、第１の実施形態にかかる表示装置１と、この表示装置１の光センサ１１によって検出された外光の明るさ情報に応じて、表示装置１の表示輝度を制御する制御回路６１とを備えている。なお、図６では、表示装置１および電子機器６０における機能ブロックの図示を簡略化している。制御回路６１は、表示輝度の制御以外に、電子機器６０の任意の動作を制御する機能を有していても良い。また、電子機器６０は、その用途等に応じて、図６に示した以外の任意の機能ブロックを有し得る。【００８７】  制御回路６１は、光センサ１１によって検出された外光の明るさ情報（センサ出力）に応じてバックライトシステム１２の輝度を調整することにより、表示装置１の表示輝度を制御する。例えば、屋外など明るい環境下では表示輝度を高くし、夜間や室内など比較的暗い環境下では表示輝度を下げるように輝度調整（調光）を自動的に行えば、表示装置の低消費電力化や長寿命化を実現できる。また、透過表示モードと反射表示モードを併用した半透過型表示モードの表示装置の場合は、屋外など明るい環境下ではバックライトシステムの輝度を低くしたり、消したりすることが可能になり、さらに、表示装置の低消費電力化や長寿命化を実現できる。なお、表示装置１は液晶表示装置であるためバックライトシステムの輝度を制御することによって表示輝度の調整が可能であるが、ＥＬ素子等の自発光素子を表示装置として用いる場合は、制御回路６１は、自発光素子の発光輝度を制御するよう構成される。【００８８】  以上のように、周囲の明るさに応じて必要十分な輝度になるよう表示輝度を制御することにより、消費電力を低減し、かつ、見易い表示を実現する電子機器を提供できる。本実施形態の電子機器は、使用環境の明るさの変化に対して良好な視認性と低消費電力化を両立できることから、屋外に持ち出して使用する機会が多くバッテリー駆動を必要とするモバイル機器として特に有用である。このようなモバイル機器の具体例としては、本発明の用途をこれらに限定するものではないが、例えば、携帯電話、ＰＤＡ等の情報端末、モバイルゲーム機器、携帯型音楽プレイヤー、デジタルカメラ、ビデオカメラ等がある。【００８９】  なお、本実施形態では、表示装置の表示輝度を制御するための制御回路６１が表示装置の外部に設けられた構成を例示したが、制御回路が表示装置の一部として設けられた構成としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９０】  本発明は、環境センサを備えたフラットパネル型表示装置およびこれを備えた電子機器に適用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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