(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とした保持部と、絶縁性樹脂にヒータが埋設され、前記絶縁性樹脂の表面に凹部を有し、該凹部を埋めるように前記絶縁性樹脂と異なる組成の、熱伝導率が前記絶縁性樹脂の０．８〜１．２倍の範囲内であるエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を充填したヒータ部と、導電性ベース部とを備え、前記保持部と前記導電性ベース部との間に前記ヒータ部を狭着したことを特徴とするウェハ支持部材。
【請求項２】
前記板状体の内部或いは他方の主面に吸着電極を備えたことを特徴とする請求項１に記載のウェハ支持部材。
【請求項３】
前記絶縁性樹脂がポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ支持部材。
【請求項４】
前記ヒータ部の樹脂の平均厚みが０．０１〜１ｍｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のウェハ支持部材。
【請求項５】
上記保持部の載置面と平行な方向の熱伝導率が５０〜４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のウェハ支持部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置やエッチング装置などの加工装置において、半導体ウェハ等のウェハを所定の温度に加熱するウェハ支持部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程において、半導体ウェハ（以下、単にウェハＷとする）を加熱処理する場合にはヒータを備えたウェハ支持部材が用いられている。
【０００３】
特許文献１や２には図４に示すウェハ支持部材１０１が示されている。このウェハ支持部材１０１はアルミニウム等の金属製の基板１１０上に、熱融着型ポリイミドフィルム１０５を設けると共に、この上に、所定のヒータパターンを有する金属箔からなるヒータ１０７を貼着し、その上にホットプレス等で熱融着型ポリイミドフィルム１０５を加熱圧着し重合させている。このような耐熱性高分子層自体の接着効果を利用し、ポリイミド層内に真空密封された金属箔を基板１１０に固着させてウェハ支持部材１０１としたものが開示されている。
【０００４】
また、板状体の一方の主面を、ウェハＷを載せる載置面とし、該載置面側から静電吸着用電極及びヒータとなる電極を異なる深さに埋設し、上記板状体の載置面と反対側に、冷却媒体を通過させて冷却する冷却機能を備えた導電性ベース部を基体として接合したウェハ支持部材が開示されている。（特許文献３参照）
そして、このウェハ支持部材を用いてウェハＷにエッチング加工を施すには、まず、載置面にウェハＷを載せ、ウェハＷと静電吸着用電極との間に電圧を印加して静電気力を発生させることにより、ウェハＷを載置面に吸着固定させる。次に、ヒータ電極に通電して載置面を加熱し、載置面に吸着保持したウェハＷを加熱するとともに、ベース部とウェハ支持部材の上方に配置される不図示のプラズマ電極との間に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、この状態でエチッチングガスを供給することにより、ウェハＷに対してエッチング加工を施すようになっていた。
【特許文献１】特開２００１−１２６８５１号公報
【特許文献２】特開２００１−４３９６１号公報
【特許文献３】特開２００３−２５８０６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、冷却媒体を導電性ベース部１１０に流して冷却するとともにヒータ１０７によりウェハＷを加熱する機能を備えたウェハ支持部材１０１は、プラズマ等によりウェハＷが急速に加熱されても熱を逃がすことができるとともに、ヒータ１０７からの熱を導電性ベース部１１０に流しながら載置面１０５ａ上のウェハＷを加熱する必要があり、ウェハＷの温度を室温から１００℃の範囲内で一定の温度に精度良く均一に加熱することが困難であった。
【０００６】
従来のウェハ支持部材１０１は、ポリイミドフィルム面がヒータ１０７に沿って凹凸が生じるため、凹凸面側が載置面１０５ａとなる場合や、凹凸面側に導電性ベース部１１０が接着固定される場合に、凹凸によりヒータ部１０５で発生した熱のウェハＷへの伝わり方に差異が生じ、結果的にウェハＷの面内の温度バラツキが大きくなり、ウェハＷのエッチング精度等に悪影響を与えるといった課題があった。
【０００７】
即ち、ポリイミドフィルム１０５の凹凸面側にウェハＷを載せると、ヒータ１０７の熱はポリイミドフィルム１０５面の凹凸により、ヒータ１０７上の凸部ではヒータで発生した熱は直ちにウェハＷに伝わり温度が高くなるが、ヒータ１０７の間に対応する凹部１０８では熱がウェハＷに伝わり難いため、ポリイミドフィルム１０５の凸部に対応するウェハＷ面に比べ温度が低くなり、ヒータ１０７の形状に対応してウェハＷ面内の温度差が大きいとの課題があった。
【０００８】
また、ポリイミドフィルム１０５の凹凸面側に導電性ベース部１１０を接着固定する場合には、ヒータ１０７の上の凸部ではヒータで発生した熱は導電性ベース部材１１０へ逃げやすく、またヒータ１０７の間の凹部では熱が逃げにくいため、載置面１０５ａ上のウェハＷ表面はヒータ１０７の形状に対応して温度バラツキが発生するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のウェハ支持部材は、板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とした保持部と、絶縁性樹脂にヒータが埋設され、前記絶縁性樹脂の表面に凹部を有し、該凹部を埋めるように前記絶縁性樹脂と異なる組成の、熱伝導率が前記絶縁性樹脂の０．８〜１．２倍の範囲内であるエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を充填したヒータ部と、導電性ベース部とを備え、前記保持部と前記導電性ベース部との間に前記ヒータ部を狭着したことを特徴とする。
【００１０】
また、前記板状体の内部或いは他方の主面に吸着電極を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また、前記絶縁性樹脂がポリイミド樹脂であることを特徴とする。
【００１４】
また、前記ヒータ部の樹脂の平均厚みが０．０１〜１ｍｍであることを特徴とする。
【００１５】
また、上記保持部の載置面と平行な方向の熱伝導率が５０〜４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とした保持部と、絶縁性樹脂にヒータが埋設され、前記絶縁性樹脂の表面に凹部を有し、該凹部を埋めるように前記絶縁性樹脂と異なる組成の、熱伝導率が前記絶縁性樹脂の０．８〜１．２倍の範囲内であるエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を充填したヒータ部と、導電性ベース部とを備え、前記保持部と前記導電性ベース部との間に前記ヒータ部を狭着することで、導電性ベース部から冷却媒体を介して熱を外部に放出して、プラズマ等によるウェハＷの過熱を防止するとともに、室温から１００℃程の低温領域でウェハＷの面内温度差を小さく制御するウェハ保持部材を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
図１に本発明のウェハ支持部材１の一つの例を示す。
【００１９】
このウェハ支持部材１は、円盤状をした板状体２の一方の主面を、ウェハＷを載せる載置面３とし、上記板状体２の上記載置面３側に一対の静電吸着用電極４を埋設した保持部２０と、ヒータ７を絶縁性樹脂６に埋設し、該絶縁性樹脂６の凹部を異なる組成の樹脂９で充填したヒータ部５を備え、前記保持部２０と導電性ベース部１０との間に前記ヒータ部２０を狭持した構造となっている。
【００２０】
導電性ベース部１０は、アルミニウムや超鋼合金等の金属材料、あるいは上記金属材料とセラミック材料との複合材料など導電性を有する材料からなり、プラズマを発生させるための電極として機能することもある。また、導電性ベース部１０の内部には通路１１を形成してあり、この通路１１に冷却ガスや冷却水等の冷却媒体を流すことにより、保持部２０の上に載せられたウェハＷの温度が所定の温度となるように調整することができる。
【００２１】
一方、保持部を形成する板状体２は、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、イットリウム−アルミニウム−ガーネット質焼結体（以下、ＹＡＧ質焼結体という）、単結晶アルミナ（サファイア）を用いることができ、これらの中でも窒化アルミニウム質焼結体の熱伝導率は５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、更に大きなものは１００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上を有し、熱伝導率が大きくウェハＷ面内の温度差を小さくする上で好ましい。
【００２２】
本発明のウェハ支持部材１は、ヒータ７を金属箔や金属ワイヤで形成し、その上下を絶縁性樹脂６にて挟み込み熱圧着等で真空密封させることができる。そして、ヒータ部５の絶縁性樹脂６の上下面にはヒータ７の形状に沿ってヒータ７の厚みの分だけ凹凸が形成されることから、該凹凸の凹部８を埋めるように前記絶縁性樹脂６とは異なる組成の樹脂９を充填してヒータ部５を形成できる。
【００２３】
具体的には、樹脂９は接着剤のような熱硬化型樹脂が好ましく、該凹部８を埋めるように樹脂９を流し込み、気泡が残存しないように十分脱泡を施し加熱硬化した後、前記樹脂の表面をロータリー研削盤や平面研削盤等を用い樹脂平面を研削加工して樹脂９の表面を平滑な面としたヒータ部５を得ることができる。
【００２４】
そして、ヒータ部５の上面と保持部２０下面及びヒータ部５の下面と導電性ベース部１０の上面とを均一に面接触させることができ、前記ヒータ７に電力を通電させることで金属箔からなるヒータ７が発熱し、発生した熱を保持部２０の全面に均等に伝えることができる。
【００２５】
また、凹部８が導電性ベース部１０側にある場合で説明したが、凹部８が保持部２０側にあり、凹部８を埋めるように絶縁性樹脂６とは異なる組成の樹脂９を充填し平坦化することで同様の効果を得ることができることは言うまでもない。
【００２６】
また、前記保持部２０を形成する板状体２の内部に備えた前記静電吸着用電極４に通電させることで、静電吸着力を発現させウェハＷを載置面３に吸着固定させ載置面３とウェハＷの間の熱伝導率を高めることでウェハＷを効率よく加熱することができる。
【００２７】
また、ヒータ７を絶縁性樹脂６に埋設したヒータ部５において、前記絶縁性樹脂６はポリイミド樹脂であることが望ましい。ポリイミド樹脂は耐熱性に優れさらに電気絶縁性にも優れているため厚みが小さくできることから好ましい。また、熱圧着により容易にヒータ７を絶縁性樹脂６内に埋設することができるため好適である。ポリイミド樹脂でヒータ７を埋設したものの厚みは０．０５〜０．５ｍｍ程であり、厚みを小さくすることができることからポリイミド樹脂の熱伝導率が比較的小さくてもウェハＷの均熱性を高めることができる。
【００２８】
さらに、ヒータ７で発熱した熱を均等にウェハＷに伝えるために絶縁性樹脂６と絶縁性樹脂６の表面の凹部を充填する組成の異なる樹脂９の熱伝導率を同等にすることが好ましい。尚、本発明における同等とは絶縁性樹脂６の熱伝導率が樹脂９の熱伝導率の０．８〜１．２倍の範囲内であることを示す。
【００２９】
樹脂９の熱伝導率が絶縁性樹脂６の熱伝導率より１．２倍を超えて大きい場合、ヒータ７上で発生した熱はより早く熱が伝わり樹脂９の厚い部分の温度が高くなり好ましくない。また、逆に該ヒータ表面の凹部８を充填する樹脂９の熱伝導率が絶縁性樹脂６の熱伝導率より０．８倍を超えて小さい場合、ヒータ７の間の熱の伝わりが遅くなるため、結果的に保持部２０の載置面３での温度バラツキが大きくなり好ましくない。より好ましくは樹脂９の熱伝導率は絶縁性樹脂６の熱伝導率の０．９から１．１倍である。
【００３０】
樹脂９の熱伝導率を調整する方法としては、樹脂９に金属粉末やセラミック粉末等を０．１〜１０質量％程度添加して熱伝導率を調整し、絶縁性樹脂６の熱伝導率と同等とすることができる。
【００３１】
このとき、凹部８を充填する樹脂９はエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂で充填することが好ましい。これらの樹脂からなる接着剤は粘性が小さく、ヒータ表面の凹部８に塗布し脱泡処理をすることで、ヒータ表面の凹部８に空気を巻き込むことなく緻密に充填することができる。
【００３２】
特に、エポキシ樹脂からなる接着剤は、加熱硬化することで十分な硬さを得ることができるので、ロータリー加工機や万能研削盤等を用いて樹脂９の表面を研削加工して、容易にヒータ部５の厚み寸法を調整することができると共に、平滑な面に仕上げ加工することができるので、保持部２０や導電性ベース部１０との接着時に各部材の全面で接合され精度良く組み上げることができる。
【００３３】
また、ヒータ部５の樹脂の平均厚みが０．０１〜１ｍｍであることが好ましい。上記平均厚みが０．０１ｍｍを下回ると、ヒータ７と導電性ベース部が電気的に短絡し絶縁破壊する虞があるからであり、上記平均厚みが１ｍｍを超えるとヒータ７から発生した熱が保持部２０や導電性ベース部１０に迅速に伝わらないことから、ウェハＷを急速に冷却したり均一に加熱したりすることが困難となり好ましくない。より好ましくは０．１〜０．５ｍｍである。
【００３４】
尚、上記の平均厚みとは、ヒータ部５のヒータ７上面からヒータ部の外面までの距離で５点を測定した平均値で表すことができる。
【００３５】
また、図２に示すように、前記板状体２の下面に板状体２の熱伝導率よりも大きいセラミックス材料等の板状体１２を挟み込んで一体化し保持部２０とすることができる。このような構造とすることにより、板状体２または板状体１２の載置面３と平行な方向の熱伝導率を部分的ではあるが５０〜４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）とすることができることから、ウェハＷの面内の温度差を小さく均熱性を高めることができる。
【００３６】
従って、上記板状体２または板状体１２の載置面３と平行な方向の熱伝導率は５０〜４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であることが望ましい。これは上記板状体２または板状体１２の載置面３と平行な方向の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満であると、ヒータ７で発生した熱が載置面３に伝わるまでの間に載置面３に平行な方向で温度が一定となるまでの時間を要しウェハＷ面内の温度バラツキが大きくなるとともに、ウェハＷ温度の変更等による処理時間が長くなり、生産性が低下するおそれがあるからである。
【００３７】
逆に、上記板状体２または板状体１２の載置面３と平行な方向の熱伝導率が４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超えると熱伝導率が大きな銀等を使うことができないことから工業的に安価に使用する材料を得ることは困難であった。
【００３８】
また、板状体２にセラミックス焼結体を使い、載置面の耐食性や耐摩耗性を優れたものにすることができる。この場合、板状体１２は板状体２を成すセラミックス焼結体の熱膨張係数と近づけることで昇温時の載置面の変形が小さくなり好ましい。このような板状体としては熱伝導率の大きな銅や銀、アルミニウムと熱膨張係数の小さなタングステンやモリブデン等の高融点金属からなる複合部材が好ましい。
【００３９】
次に、本発明のウェハ保持部材１の製法とその他の構成について説明する。
【００４０】
板状体２を形成する際にあらかじめセラミックグリーンシートに吸着用電極４を印刷して、その上に他のセラミックグリーンシートを積層して吸着用電極４を埋設した成形体を作製し、脱指後に焼成して吸着電極を埋設した保持部２０を得ることができる。そして、上記の吸着用電極４を構成する材料としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の周期律表第６ａ族やＴｉ等の周期律表第４ａ族の高融点金属、或いはこれらの合金、さらにはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮ等の導電性セラミックを用いることができる。
【００４１】
また、図３に示すように、板状体２のウェハを載せる載置面３の他方の主面にイオンプレーティング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、メッキ法等の膜形状手段により静電吸着用電極４を形成しその上に接着層１３を形成して保持部２０とすることもできる。吸着電極４の材質としてはＴｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｉ等の金属やその炭化物等により形成することができる。
【００４２】
そして、導電性ベース部１０と保持部２０、ヒータ部５を接着剤等により締結一体化することで、保持部２０の載置面３にウェハＷを載せ、静電吸着させ、ヒータ部５に通電することでウェハＷを均一に加熱することができる。
【００４３】
このとき、該導電性ベース部１０と保持部２０、ヒータ部５の接着面には、加熱による熱応力や熱膨張差による力を緩和するために、また、各部材間の電気絶縁性を保持するために、絶縁性のシリコーン等のゴム状接着剤を用いることが好ましい。また、ヒータ部５で発生した熱を効率よく均一に各部へ伝えるために、上記接着剤からなる接着層の厚みバラツキは５〜５０μｍ以内で均一にすることが望ましい。具体的には、接着剤をスクリーン印刷により塗布し、均等に加重を負荷して接着することで上記接着層の厚みバラツキを小さく均一にすることができる。
【００４４】
以上、本実施形態ではヒータ部５を保持部２０及び導電性ベース部１０に接着固定する例をとって説明したが、保持部２０としてアルミニウム等の金属板を使い、この保持部２０に加熱圧着によってヒータ部５を一体化した後、導電性ベース部１０としてアルミニウム等の金属板に接着固定したウェハ支持部材１にも適応できる。
【００４５】
また、本発明は前述した実施形態だけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、改良や変更したものでも良いことは言う迄もない。
【実施例１】
【００４６】
ここで、本発明のウェハ支持部材として、絶縁性樹脂の表面の凹部にエポキシ樹脂を充填したウェハ支持部材(試料Ｎｏ．１)と、前記の凹部に樹脂を充填しないウェハ支持部材（試料Ｎｏ．２）を用意し、各ヒータを発熱させた時のウェハ載置面のウェハＷの温度のバラツキを評価した。
【００４７】
本発明のウェハ支持部材は、外径が２００ｍｍ、厚みが１ｍｍの円盤状をした酸化アルミニウム質焼結体からなる板状体を用意し、この板状体の一方の主面に研磨加工を施して平面度１０μｍ、表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍに仕上げて載置面を形成した。
【００４８】
一方、金属ニッケルからなるヒータパターンを、厚みが０．４１ｍｍのポリイミドフィルムと、厚みが０．２ｍｍの他のポリイミドフィルムとで挟み込み、別に用意したアルミニウム製の導電性ベース部に熱圧着して一体化した。そして、ポリイミドフィルム面に生じた凹部を埋めるようにエポキシ接着剤を充填し、２．６ｋＰａ以下の減圧下で接着剤の脱泡処理を施し、次いで接着剤を加熱硬化させた。
【００４９】
さらに、上記接着剤からなるエポキシ樹脂の表面をロータリー加工機にて研削加工し、接着剤表面の平面度が１０μｍ以下になるような平滑な面を形成した。
【００５０】
ここで、ポリイミドフィルムの熱伝導率は０．３４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、エポキシ樹脂の熱伝導率は金属フィラーを添加し、ポリイミドフィルムと同等になるように調整した。
【００５１】
しかる後、前述したエポキシ樹脂面にシリコーン接着剤を塗布し、この上に前述の板状体を載せ、２．６ｋＰａ以下の減圧下で接着剤の脱泡処理を施した後、接着剤を硬化させることにより製作した。
【００５２】
一方、別のウェハ支持部材は、導電性ベース部と対向するポリイミドフィルム面に生じた凹部にエポキシ接着剤を充填することなくシリコーン接着剤を塗布し、この上に前述した板状体を載せ、２．６ｋＰａ以下の減圧下で接着剤の脱泡処理を施した後、接着剤を硬化させることにより製作した。
【００５３】
そして、各ウェハ支持部材の導電性ベース部の冷却通路に温度を３０℃に制御した冷却水を流し、載置面にウェハＷを載せサーモビュアーにてウェハＷ表面の測温しながら、ヒータに電圧を印加して載置面の平均温度を６０℃にコントロールした後、ウェハ面内の温度バラツキを測定した。この温度バラツキとは、サーモビュアーによるウェハ面内の最高温度から最低温度を差し引いた値で表すことができる。
【００５４】
その結果を表１に示す。
【表１】
0004666903.tif 000002
【００５５】
この結果、試料Ｎｏ．２の従来のウェハ支持部材は、６０℃での温度バラツキは１４．３℃もあったのに対して、試料Ｎｏ．１の本発明のウェハ支持部材は、６０℃での温度バラツキは５．８℃と小さく、ウェハＷの面内温度差を小さくすることができることが判った。
【実施例２】
【００５６】
次に、図１に示す本発明のウェハ支持部材において、保持部を形成する板状体の熱伝導率αを変えて、外径が２００ｍｍ、厚みが１ｍｍの円盤状をしたセラミックス焼結体からなる板状体を用意し、この板状体の一方の主面に研磨加工を施して平面度１０μｍ、表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍに仕上げて載置面を形成した。
【００５７】
次に、板状体の他方の主面にメッキ法を用いて膜厚が１０μｍの半円状をしたＮｉ層を円を構成するように被着して一対の吸着用電極を形成した。そして、絶縁性樹脂の表面の凹部を充填する樹脂の熱伝導率を変えてヒータ部を作製し、実施例１と同様に保持部とヒータ部と導電性ベース部を接着した。尚、絶縁性樹脂は熱伝導率αが０．３４Ｗ／（ｍ・Ｋ）のポリイミド樹脂とした。また、絶縁性樹脂表面の凹部を充填する樹脂は、エポキシ接着剤を用い、この熱伝導率αの調整は金属フィラーを添加して行った。そして、実施例１と同様の評価を行った。
【００５８】
結果は表２に示す。
【表２】
0004666903.tif 000003
【００５９】
この結果、いずれの場合も６０℃での温度バラツキが５．８℃以下と小さくすることができたが、ヒータを埋設する絶縁性樹脂６の熱伝導率とヒータ部の表面の凹部を充填する樹脂９の熱伝導率が同等である試料Ｎｏ．２２〜２６は、６０℃での温度バラツキが４．８℃以下と小さくなり、ウェハＷ面内の温度差を小さく均熱性を改善できることが判った。
【００６０】
更に、樹脂９の熱伝導率と絶縁性樹脂６の熱伝導率の比が−１０〜＋１０％以内である試料Ｎｏ．２３〜２５は温度バラツキが３．９℃以下と更に小さく好ましいことが分かった。
【００６１】
また、このことは、樹脂９がシリコーン樹脂からなる接着剤でも同様な結果が得られることは言うまでもない。
【実施例３】
【００６２】
次に、図１に示す本発明のウェハ支持部材において、ヒータ部の樹脂の平均厚みを０．００５〜１．５ｍｍの間で変えて作製し、実施例１と同様の評価を行った。また、ヒータに電圧を印加してから載置面の平均温度が６０℃に達するまでの時間を測定した。
【００６３】
ヒータ部の絶縁性樹脂の表面の凹部を充填する樹脂はエポキシ樹脂とし、上記のヒータ部の樹脂の平均厚みはヒータの上面からポリイミド樹脂からなる絶縁性樹脂の厚みと樹脂９の厚みとを加えたヒータ部の表面までの厚みであり、該厚みを５箇所測定しその平均値を樹脂の平均厚みとした。
【００６４】
その結果は表３に示す。
【表３】
0004666903.tif 000004
【００６５】
この結果、いずれも６０℃での温度バラツキが５．５℃以下と小さくできたが、試料Ｎｏ．３１〜３５は樹脂の平均厚みが０．０１〜１ｍｍであり、温度バラツキが４．５℃以下と小さく、しかも６０℃に達するまでの時間が１４．７秒以下と小さくより好ましいことが分かった。
【００６６】
一方、試料Ｎｏ．３６のように、厚みが１．５ｍｍと大きい場合には、温度バラツキが５．５℃と大きく、温度が６０℃に達するまでの時間が１７．６秒と大きい。
【００６７】
また、樹脂の平均厚みが０．００５ｍｍの試料は、ヒータ部の厚み加工時にヒータ部のポリイミド樹脂からなる絶縁性樹脂を砥石で傷つけてしまい平坦に加工することも評価することもできなかった。
【実施例４】
【００６８】
次に、図１または図２に示す本発明のウェハ支持部材において、保持部を形成する板状体の熱伝導率αを変えて作製した。外径が２００ｍｍ、厚みが１ｍｍの円盤状をしたセラミックス焼結体からなる板状体を用意し、この板状体の一方の主面に研磨加工を施して平面度１０μｍ、表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．５μｍに仕上げて載置面を形成した。
【００６９】
次に、板状体の他方の主面にメッキ法を用いて膜厚が１０μｍの半円状をしたＮｉ層を円を構成するように被着して一対の吸着用電極を形成した。そして、実施例１の本発明のウェハ保持部材と同様にヒータ部と導電性ベース部を接着し試料Ｎｏ．４１、４２のウェハ支持部材とした。
【００７０】
また、上記吸着用電極を形成した板状体の下面に更に板状体１２を取り付け、上記同様のヒータ部と導電性ベース部を接着し試料Ｎｏ．４３、４４のウェハ支持部材とした。
【００７１】
そして、各ウェハ支持部材に備える導電性ベース部の冷却通路に温度を３０℃に制御した冷却水を流し、ヒータパターンに電圧を印加して載置面を６０℃にコントロールした後、サーモビュアーにて測温し、各温度のバラツキを確認した。このとき、保持部を形成する材質は、熱伝導率αが２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるアルミナ質焼結体、熱伝導率αが１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である窒化アルミニウム質焼結体、熱伝導率αが１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である銅とタングステンの複合部材、熱伝導率αが４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）である銀板を用いて行った。結果は表４に示す。
【表４】
0004666903.tif 000005
【００７２】
この結果、熱伝導率αが５０〜４１９Ｗ／（ｍ・Ｋ）であるとき、６０℃での温度バラツキは５．７℃以下と小さくできた。
【００７３】
また、保持部の載置面と平行な方向の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の時、温度バラツキが３．８℃以下となり、載置面の均熱性を改善できることが判った。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上のように、本発明によれば、板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とした保持部と、ヒータを絶縁性樹脂に埋設したヒータ部と、導電性ベース部とを備え、前記ヒータ部の表面に凹部を有し、前記凹部を埋めるように前記絶縁性樹脂と異なる組成の、熱伝導率が前記絶縁性樹脂の０．８〜１．２倍の範囲内であるエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂を充填し、前記保持部と前記ヒータ部と前記導電性ベース部を接着したことから、載置面の温度バラツキを極めて小さくすることが可能なウェハ支持部材とすることができる。
【００７５】
板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とした保持部の板状体の内部或いは載置面の他方の主面に吸着電極を備えたことで、吸着電極に通電することで静電気力を発現させ、ウェハを載置面に吸着固定することができるウェハ支持部材とすることができる。
【００７６】
また、保持部の板状体の載置面と平行な方向の熱伝導率を２５〜２３０Ｗ／ｍ・Ｋとすることで、載置面の温度バラツキを極めて小さくすることが可能なウェハ支持部材とすることができる。
【００７７】
ヒータ部において、ヒータを埋設する絶縁性樹脂をポリイミド樹脂とすることで、ヒータに通電することでヒータを発熱させ、保持部の板状体の載置面を加熱するとき、耐熱性に優れさらに電気絶縁性にも優れているため、また熱圧着により容易にヒータを樹脂内に埋設することができるため好適である。
【００８０】
さらに、ヒータ部の表面の凹部を充填する樹脂の最小厚みが０．０１〜１ｍｍとすることで、載置面の温度バラツキを極めて小さくすることができるとともに、板状体の載置面に熱を伝える時間を短くすることができ、加工処理のスループットも高めることができるウェハ支持体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明のウェハ支持体の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明のウェハ支持体の他の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明のウェハ支持体の他の実施形態を示す断面図である。
【図４】従来のウェハ支持体の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１、１０１：ウェハ支持部材
２：板状体
３、１０５ａ：載置面
４：吸着用電極
５、１０５：ヒータ部
６、１０６：絶縁性樹脂
７、１０７：ヒータ
８、１０８：凹部
９：絶縁性樹脂と異なる組成の樹脂
１０、１１０：導電性ベース部
１１、１１１：通路
１２：板状体
１３：接着剤層
【図１】
0004666903.tif 000006
【図２】
0004666903.tif 000007
【図３】
0004666903.tif 000008
【図４】
0004666903.tif 000009