(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、
前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、
前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有し、
前記第３の導電層は前記第２の導電層に接しており、
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の界面において、結晶粒界の位置が不連続となっていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記下地層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａのうち何れかを主成分とする膜であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第３の導電層は、反射電極として用いられることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、
前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有し、
前記第３の導電層は前記第２の導電層に接しており、
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の界面において、結晶粒界の位置が不連続となっていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記第３の導電層は、反射電極として用いられることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、
前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、
前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層の形成後に、連続して前記第２の導電層と同じ成膜室で形成され、
前記第３の導電層を形成した後に、アルカリの現像液を用いてホトリソグラフィー工程を行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の界面において、結晶粒界の位置が不連続となっていることを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記下地層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａのうち何れかを主成分とする膜であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、
前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有する表示装置の製造方法であって、
前記第３の導電層は、前記第２の導電層の形成後に、連続して前記第２の導電層と同じ成膜室で形成され、
前記第３の導電層を形成した後に、アルカリの現像液を用いてホトリソグラフィー工程を行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の界面において、結晶粒界の位置が不連続となっていることを特徴とする請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に係り、特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置等の表示装置に用いられる電極（配線を含む。）構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の分野では、他金属と比べて比較的安価であり、ＳｉＮx 等の膜との密着性が良いため、配線材料として、Ａｌがよく使用される。
また、液晶表示装置の分野では、透明電極の材料として、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの酸化インジウムを主成分とする膜が良く使用される。
そして、従来の液晶表示装置において、例えば、部分透過型の液晶表示装置の反射電極、あるいは、液晶表示装置の接続端子電極として、Ａｌ膜／ＩＴＯ膜の２層の電極構造が採用される場合があった。
しかしながら、Ａｌを主成分とする膜（Ａｌ膜またはＡｌ合金膜）と、ＩＴＯ膜とを電気的に接触させた状態で、アルカリ性現像液に晒すと、酸化還元電位の関係から電池反応を生じ、Ａｌがアルカリ性現像液に溶け出し、それと同様にＩＴＯ膜の酸化インジウムと酸化スズが還元され、ＩＴＯ膜が溶解するという問題点があった。
即ち、例えば、Ａｌ膜／ＩＴＯ膜の２層の電極構造が、部分透過型の液晶表示装置の反射電極であれば、ＩＴＯ膜の溶解により、液晶表示パネルに輝点不良が生じ、歩留りを低下させることになる。
この問題点を解決するための手法として、下記特許文献１〜３に開示されている方法が知られている。
【０００３】
前述の特許文献１では、ＩＴＯ膜全体を覆う様に保護金属膜（Ｍｏ系又はＴｉ系）を形成し、その後、１層のＡｌ膜を成膜することにより、電極構造を、Ａｌ膜／保護金属膜（Ｍｏ系又はＴｉ系）／ＩＴＯ膜の３層構造となし、この保護金属膜により、Ａｌ成膜後のホトリソ工程において、現像液がＡｌのピンホール等を通してＩＴＯ膜を溶解させる現象を抑制することが開示されている。
また、前述の特許文献２では、ＩＴＯ膜の上に、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からなる保護層、Ａｌ膜を順次積層することにより、電極構造を、Ａｌ膜／保護層（Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金）／ＩＴＯ膜の３層構造となし、この保護層により、Ａｌ成膜後のホトリソ工程において、現像液がＡｌのピンホール等を通してＩＴＯ膜を溶解させる現象を抑制することが開示されている。
さらに、前述の特許文献３では、ＩＴＯ膜の上に、Ａｌ膜、ＡｌＯｘ膜を順次積層することにより、電極構造を、ＡｌＯｘ膜／Ａｌ膜／ＩＴＯ膜の３層構造となし、表面のＡｌＯｘ膜により、ＡｌＯｘ成膜後のホトリソ工程において、現像液がＡｌのピンホール等を通してＩＴＯ膜を溶解させる現象を抑制することが開示されている。
さらに、成膜の方法として、以下の２種類の手法を開示している。
（Ａ）Ａｌをターゲットとしてスパッタリング法によりＡｌ膜を形成し、その後、酸素元素を含むＡｌをターゲットとしてスパッタリング法によりＡｌＯｘ膜を形成する。
（Ｂ）Ａｌをターゲットとして、処理雰囲気中のＡｒガスに酸素を徐々に添加しつつスパッタリング法によってＡｌ膜とＡｌＯｘ膜を形成する。
【０００４】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開平１１−２８１９９３号公報
【特許文献２】特開２０００−１８０８８２号公報
【特許文献３】特開２０００−２１６１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述の特許文献１には保護金属膜を形成することにより現像液がＩＴＯ膜に達するのを抑制できると記載されているが、本願の発明者は、実験により、前述の特許文献１に記載の方法では、その抑制効果が不十分であることを見いだした。
また、前述の特許文献２に記載の方法では、材料の異なる２層のＡｌ層（即ち、Ａｌ合金層とＡｌ層）を形成するために、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からなる保護層を形成する成膜室と、Ａｌ層を形成する成膜室の２つの成膜室が必要となり、成膜装置のコスト増加に繋がるという問題点がある。
また、前述の特許文献３に記載の（Ａ）の方法では、ターゲット（材料）の異なる２層のＡｌ層（即ち、Ａｌ膜とＡｌＯｘ膜）を形成するため、前述の特許文献２に記載の方法と同様に成膜室が２つ必要となり、成膜装置のコスト増加に繋がるという問題点がある。
さらに、前述の特許文献３に記載の（Ｂ）の方法では、処理雰囲気中に酸素を添加することで、処理回数を重ねるごとにターゲットであるＡｌが徐々に酸化されてしまい、Ａｌ膜が形成できなくなるため、量産に用いることができないという問題点がある。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、成膜装置のコストを増加させることなく、透明導電膜の電池反応による劣化を防止することが可能な表示装置および表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
前述の目的を達成するために、本発明の表示装置は、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層と、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層とを有することを特徴とする。
また、本発明は、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にＡｌを主成分とする膜で形成された第２の導電層とを有する表示装置の製造方法であって、前記第２の導電層の上に前記第２の導電層と同一の材料で形成された第３の導電層を形成した後にアルカリの現像液を用いてホトリソグラフィー工程を行うことを特徴とする。
また、本発明は、前記第２の導電層と前記第３の導電層との間の界面において、結晶粒界の位置が不連続となっていることを特徴とする。
また、本発明において、前記下地層は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａのうち何れかを主成分とする膜であることが好ましい。
さらに、本発明の一形態において、前記第３の導電層は、反射電極として用いられる。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の表示装置および表示装置の製造方法によれば、成膜装置のコストを増加させることなく、透明導電膜の電池反応による劣化を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を部分透過型の液晶表示装置の反射電極に適用した実施例を図面を参照して詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１は、本発明の実施例の液晶表示装置の要部断面構造を示す断面図である。
同図において、１はガラス基板、２は下地層、３はポリシリコン層、４はゲート絶縁膜、５はゲート電極、６、８は絶縁膜、７はソース・ドレイン電極、９は透明電極（ＩＴＯ膜）、１０はオーバーコート層（有機絶縁膜）、１１は第１層目の反射電極、１２は第２層目の反射電極、１３は第３層目の反射電極である。また、同図、あるいは後述する図７，図８、図１１において、Ａはアクティブ素子部、Ｂが画素部である。
本実施例の液晶表示装置は、アクティブ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を使用するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、薄膜トランジスタのチャネル層は、ポリシリコンで構成される。
前述したように、本実施例の液晶表示装置は部分透過型であるため、ＩＴＯ膜で構成される透明電極９と、この透明電極９と電気的に接続される反射電極を有する。
本実施例では、この反射電極が、Ｍｏ合金膜から成る第１層目の反射電極１１と、Ａｌ合金膜からなる第２層目の反射電極１２と、第２層目の反射電極１２と同一材料（ここでは、Ａｌ合金膜）からなる第３層目の反射電極１３とで構成される。
即ち、本発明は、電極構造として、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１３／第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１２／第１層目の反射電極（Ｍｏ合金膜）１１／透明電極（ＩＴＯ膜）９の４層構造としたことを特徴とする。
これにより、本実施例では、第２層目の反射電極１２と第３層目の反射電極１３との間の界面に、不連続な結晶粒界が形成され、後述するホトリソ工程にてアルカリの現像液の浸入を防止することができ、下側の透明電極９であるＩＴＯ膜の溶解を防止することができる。
【０００９】
以下、本実施例の液晶表示装置の製造プロセスについて説明する。
ガラス基板１上に、ガラスからのＮａ汚染を防御する為に、下地層２を形成し、さらにその上に、アモルファスシリコン膜２０を成膜する（図２（ａ）参照）。
ここで、下地層２は、１層目がシリコンナイトライド膜、２層目がシリコン酸化膜の２層構造とされる。
次に、エキシマレーザアニール（ＥＬＡ）装置により、アモルファスシリコン膜２０をポリシリコン層３に結晶化させる（図２（ｂ）参照）。
次に、ホト・エッチングにより、ポリシリコン層３を島状に加工し（図２（ｃ）参照）、その上にゲート絶縁膜４を成膜する（図２（ｄ）参照）。
次に、自己整合ＬＤＤ層形成プロセスとして、ゲート電極膜２１を成膜後（図２（ｅ）参照）、ホトリソ・エッチングによりゲート電極５を形成する。このとき、レジスト膜を残したまま１μｍ程度サイドエッチする。
この状態で、Ｎインプラを実施することで、ポリシリコン層３にソース・ドレイン領域を形成し、レジスト膜除去後（図３（ｆ）参照）、サイドエッチの入ったゲート電極５を介してＮＭインプラすることにより、ソース・ドレイン領域よりも低濃度のＬＤＤ（Lightly Doped Drain）層が形成される。
さらに、層間絶縁膜６を成膜し（図３（ｇ）参照）、その後、ソース・ドレイン領域へのスルーホール１５をホトリソ・エッチングにて加工する（図３（ｈ）参照）。
【００１０】
次に、ソース・ドレイン電極膜２２を成膜し（図４（ｉ）参照）、その後、ホトリソ・エッチングによりソース・ドレイン電極７を形成する（図４（ｊ）参照）。このとき、図示しない映像信号線も同時に形成する。
ソース・ドレイン電極７を形成後、保護絶縁膜８を成膜し（図４（ｋ））、透明電極とのコンタクトを行う為のスルーホール１６を形成し（図５（ｌ）参照）、その後、透明電極９となるＩＴＯ膜の成膜及び加工を行う（図５（ｍ）参照）。この透明電極９は画素電極となる。
次に、透明電極（ＩＴＯ膜）９の上層に、光学特性向上を目的として、オーバーコート層（有機平坦化膜）１０を形成する（図５（ｎ）参照）。このオーバーコート層１０には、透明電極９の一部が露出する開口部が形成される。
その後、第１層目の反射電極１１となるＭｏ合金膜２３、第２層目の反射電極１２となるＡｌ合金膜２４、第３層目の反射電極１３となるＡｌ合金膜２５を成膜する（図６（ｏ）参照）。
反射電極の成膜後、ホトリソ・エッチングにより反射電極パターンを形成する。
即ち、反射電極の成膜後、全面にホトレジスト膜１４を成膜し、露光した後（図６（ｐ）、（ｑ）参照）、アルカリの現像液で現像し（図７（ｒ）参照）、ホトレジスト膜１４をマスクにして、１層目のＭｏ合金膜２３、２層目のＡｌ合金膜２４、３層目のＡｌ合金膜２５をエッチングして、第１層目の反射電極１１、第２層目の反射電極１２、および第３層目の反射電極１３を形成する（図７（ｓ）参照）。
その後、ホトレジスト膜１４を除去して（図７（ｔ）参照）、本実施例の液晶表示装置が完成する。
【００１１】
図８は、本実施例における各反射電極間に形成される結晶粒界を説明するための図であり、図８（ａ）は、図７（ｒ）に示すホトレジスト膜１４の現像工程を示し、図８（ｂ）は、図８（ａ）の丸で囲った部分を拡大して示す図である。
図８（ｂ）に示すように、本実施例では、Ａｌ合金膜による反射電極を分割して成膜し、３層構造としたことにより、第１層目の反射電極１１となるＭｏ合金膜２３、第２層目の反射電極１２となるＡｌ合金膜２４、および、第３層目の反射電極１３となるＡｌ合金膜２５に結晶粒界が形成される。
この場合に、第２層目の反射電極１２となるＡｌ合金膜２４の上層と、第３層目の反射電極１３となるＡｌ合金膜２５の下層の界面に不連続な結晶粒界が形成され、ホトリソ工程において、この不連続な結晶粒界が、アルカリの現像液の浸入を防止する為、下層の透明電極９であるＩＴＯ膜の溶解を防止することが出来る。
以下、この点について、図９を用いて説明する。
本実施例では、第１層目の反射電極（Ｍｏ合金）１１（２３）、第２層目の反射電極（Ａｌ合金層）１２（２４）、および第３層目の反射電極（Ａｌ合金層）１３（２５）を連続成膜後、パターニングを行う為、塗布現像装置にてホトレジスト膜１４を塗布し、露光によって感光させた後、アルカリの現像液により電極パターンを作製する。
【００１２】
この場合に、図９（ａ）に示すように、図７（ｒ）に示すホトレジスト膜１４の現像工程において、アルカリの現像液により、ホトレジスト膜１４の露光されていない部分３５が除去される。
その時に、図９（ｂ）の矢印Ｃ１に示すように、第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１２（２４）の上層と、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１３（２５）の下層の界面に形成される不連続な結晶粒界が、アルカリの現像液が下層の透明電極９であるＩＴＯ膜まで浸入するのを防止する。これにより、透明電極９であるＩＴＯ膜の溶解を防止することができる。
さらに、第２層目の反射電極１２（２４）と、第３層目の反射電極１３（２５）とを同一の材料で形成することにより、同じ成膜室で成膜できるので、第２層目の反射電極１２（２４）と、第３層目の反射電極１３（２５）とを形成するようにしても成膜装置のコスト増となることはない。
図１０に、本実施例において、第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１２（２４）と、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１３（２５）とに形成される結晶粒界の顕微鏡写真を示し、図１０の矢印Ｄ１に示す太線で囲った部分に、不連続な結晶粒界が形成されていることが分かる。
【００１３】
図１１は、前述の特許文献１に記載されている保護金属膜と反射電極間とに形成される結晶粒界を説明するための図である。
図１１（ａ）は、本実施例の図７（ｒ）に相当するホトレジスト膜１４の現像工程を示し、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の丸で囲った部分を拡大して示す図である。
図１１（ｂ）に示すように、前述の特許文献１に記載されている方法では、保護金属膜（Ｍｏ合金膜）３１の上に、１層の反射電極（Ａｌ合金膜）１２（２４）を成膜する。
これにより、保護金属膜３１と、反射電極１２（２４）に結晶粒界が形成されるが、保護金属膜３１であるＭｏ合金膜は、反射電極１２であるＡｌ合金膜２４より小さい結晶であるため、Ａｌ合金膜の１つの結晶粒界に対して、複数のＭｏ合金膜の結晶粒界が存在するので、現像液の浸入を阻止する効果が不十分である。
以下、この点について、図１２を用いて説明する。
図１２（ａ）に示すように、図７（ｒ）に相当するホトレジスト膜１４の現像工程において、アルカリの現像液により、ホトレジスト膜１４の露光されていない部分３５が除去される。
しかしながら、図１２（ｂ）の矢印Ｃ２に示すように、アルカリの現像液が、反射電極（Ａｌ合金膜）１２（２４）に形成された結晶粒界の隙間と、保護金属膜（Ｍｏ合金膜）３１に形成された結晶粒界の隙間を通り、下層の透明電極９であるＩＴＯ膜まで浸入し、図１２（ｂ）の矢印Ｃ３に示すように、ＩＴＯ膜を溶解する。
このように、前述の特許文献１に記載されている方法では、透明導電膜の電池反応による劣化を防止することができない。
図１３に、前述の特許文献１に記載されている反射電極（Ａｌ合金膜）１２に形成される結晶粒界の写真を示し、図１０の矢印Ｄ２に示す太線で囲った部分に、結晶粒界が形成されていることが分かる。
【００１４】
以上説明したように、本実施例によれば、反射電極を、第１層目の反射電極（Ｍｏ合金膜）１１と、第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１２と、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１３との３層に分割して形成し、３層構造とすることにより、第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１２の上層と、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）１３の下層の界面に、不連続な結晶粒界が形成される。
この不連続な結晶粒界により、アルカリの現像液が下層の透明電極９であるＩＴＯ膜まで浸入するのを防止でき、これにより、透明電極９であるＩＴＯ膜の溶解を防止し、歩留を向上させることが可能となる。
また、第２層目の反射電極１２と、第３層目の反射電極１３とを同一の材料で形成することにより、同じ成膜室で成膜できるので、前述の特許文献２，３に記載の方法のように、第２層目の反射電極１２と、第３層目の反射電極１３とを形成するようにしても成膜装置のコスト増に繋がることはない。
その上、前述の各特許文献には、本発明の特徴とする電極構造、即ち、第３層目の反射電極（Ａｌ合金膜）／第２層目の反射電極（Ａｌ合金膜）／第１層目の反射電極（Ｍｏ合金膜）／透明電極（ＩＴＯ膜）の４層構造とした電極構造については何ら開示されていない。
【００１５】
なお、前述の説明では、第１層目の反射電極１１として、導電性の下地層であるＭｏ合金膜を使用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第１層目の反射電極１１は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａのうち何れかを主成分とする膜（例えば、Ｍｏ膜、Ｔｉ膜、Ｔａ膜、Ｍｏ合金膜、Ｔｉ合金膜、Ｔａ合金膜）であれば同様な効果を得ることが可能である。これにより、ＩＴＯ膜とＡｌ合金膜の間のコンタクトが良好となる。
さらに、この第１層目の反射電極１１は、省略することも可能である。
同様に、前述の説明では、第２層目および第３層目の反射電極（１２，１３）として、Ａｌ合金膜を使用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、第２層目および第３層目の反射電極（１２，１３）は、Ａｌ膜などＡｌを主成分とする膜であれば同様な効果を得ることが可能である。
また、透明電極９も、ＩＴＯ膜に限定されるものではなく、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜であればよい。
【００１６】
また、前述の説明では、本発明を、部分透過型の液晶表示装置の反射電極に適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の上に、Ａｌを主成分とする膜を成膜後、パターニングを行う為、塗布現像装置にてホトレジスト膜を塗布し、露光によって感光させた後、アルカリの現像液により電極パターンを作製する電極構造（あるいは配線構造）にも適用可能であることは明白である。
したがって、本発明は、前述した電極構造（あるいは配線構造）を持つ他の表示装置（例えば、有機ＥＬ表示装置など）にも適用可能である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例の液晶表示装置の要部断面構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図３】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図４】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図５】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図６】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図７】本発明の実施例の液晶表示装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図８】本発明の実施例の液晶表示装置における各反射電極に形成される結晶粒界を説明するための図である。
【図９】本発明の実施例の液晶表示装置の反射電極上に形成されるホトレジスト膜の現像工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施例の液晶表示装置における各反射電極に形成される結晶粒界を示す写真である。
【図１１】前述の特許文献１に記載されている保護金属膜と反射電極間に形成される結晶粒界を説明するための図である。
【図１２】前述の特許文献１に記載されている反射電極上に形成されるホトレジスト膜の現像工程を説明するための図である。
【図１３】従来の液晶表示装置の反射電極間に形成される結晶粒界を示す写真である。
【符号の説明】
【００１８】
１  ガラス基板
２  下地層
３  ポリシリコン層
４  ゲート絶縁膜
５  ゲート電極
６，８  絶縁膜
７  ソース・ドレイン電極
９  透明電極（ＩＴＯ膜）
１０  オーバーコート層（有機絶縁膜）
１１  第１層目の反射電極
１２  第２層目の反射電極
１３  第３層目の反射電極
１４  ホトレジスト膜
１５，１６  スルーホール
２０  アモルファスシリコン膜
２１  ゲート電極膜
２２  ソース・ドレイン電極膜
２３  Ｍｏ合金膜
２４，２５  Ａｌ合金膜
３１  保護金属膜
【図１】
0004761425.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004761425.tif 000014