(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜と、前記多層膜上に形成された中間層と、前記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、前記基板の他方の面に形成された導電膜とを有しており、前記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、前記アライメントマークが配置されているアライメント領域では前記基板の他方の面が露出している反射型マスクの回路パターンを検査する反射型マスクの検査方法であって、
前記回路パターンを検査するに際して、前記反射型マスクのアライメントマークにアライメント光を照射し、前記アライメントマークを透過する透過光を検出して、前記反射型マスクの位置調整を行うことを特徴とする反射型マスクの検査方法。
【請求項２】
前記反射型マスクにおいて、前記アライメントマークが前記吸収体と開口部とから構成され、前記アライメントマークの開口部が前記基板上に直に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの検査方法。
【請求項３】
前記反射型マスクにおいて、前記アライメントマークを構成する吸収体が前記中間層上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクの検査方法。
【請求項４】
前記反射型マスクにおいて、前記アライメントマークを構成する吸収体が前記基板上に直に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の反射型マスクの検査方法。
【請求項５】
前記反射型マスクにおいて、前記アライメントマークが前記中間層上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの検査方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載の反射型マスクの検査方法を行うことにより、反射型マスクを検査する検査工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極紫外線（Extreme Ultra Violet；ＥＵＶ）リソグラフィに用いられる反射型マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクの製造工程においては、回路パターンが正確に形成されていることを検査する検査工程が行われる。この検査工程においては、反射型マスクに検査光を照射し、反射型マスクからの反射光を検出することで検査が行われる。一般に、検査工程においては、吸収体の反射率と、吸収体の下地層（例えば、多層膜、キャッピング層、バッファー層など）の反射率との比、いわゆるコントラストが高いほうが欠陥を検出しやすくなる。
【０００３】
また、検査工程においては、回路パターンを検査するに際して、反射型マスクと検査装置との位置合わせが通常行われる。そのため、反射型マスクには、回路パターンの他に、アライメントマークが形成されているのが一般的である。
【０００４】
ＥＵＶリソグラフィでは、反射型マスクを露光装置の静電チャックに保持させるために、回路パターンおよびアライメントマークが形成されている基板面の反対面に、導電膜が通常形成されている。一般に、この導電膜にはクロム等の遮光性を有する材料が用いられ、導電膜は基板全面に形成される。そのため、上記位置合わせの際には、反射型マスクの回路パターンおよびアライメントマークが形成されている面に、アライメント光を照射し、反射型マスクのアライメントマークからの反射光を検出する必要があった。
【０００５】
しかしながら、一般にアライメントマークは比較的小さいものであるためにコントラストが低くなったり、アライメント光の波長によってはコントラストが著しく低くなったりする場合があり、位置合わせが困難であるという問題があった。
【０００６】
反射型マスクの回路パターンの検査に際しての反射型マスクと検査装置との位置合わせではないが、ＥＵＶリソグラフィに際しての反射型マスクと露光装置との位置合わせの方法として、回路パターンが形成されている基板面の反対面にアライメントマークおよび導電膜が形成されている反射型マスクを用い、アライメント光を照射してアライメントマークからの反射光を検出する方法が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、特許文献１に記載の方法は、基板面の反対面に形成したアライメントマークを検出する方法であり、反射型マスクの回路パターンの検査に際しての反射型マスクと検査装置との位置合わせに適用したとしても、基板面とその反対面のアライメントマークとの位置関係自体が正確であるとは言えず、位置合わせが困難となる。
【０００７】
また、ＥＵＶリソグラフィではなく、反射型マスクの回路パターンの検査に際しての反射型マスクと検査装置との位置合わせでもないが、Ｘ線投影露光に際しての反射型マスクと露光装置との位置合わせの方法として、反射型マスクの周辺部等の吸収体パターンが形成される領域以外に、遮光部と透過部とからなるアライメントマークが形成されている反射型マスクを用いて、アライメントマークを透過によって検出する方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２に記載の方法では、ＥＵＶリソグラフィを視野に入れておらず、回路パターンが形成されている基板面の反対面に導電膜を形成する場合には、アライメントマークを透過によって検出することができない。
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１１９１４号公報
【特許文献２】特開２０００−７７３０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記問題点を解決するためには、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクにおいて、アライメントマークを反射によって検出する場合に、アライメント光の波長を、コントラストが十分大きくなるような波長にすればよいとも考えられる。しかしながら、この場合には、検査装置の光学系の変更が必要となり、容易ではない。
そこで、アライメントマークを透過によって検出することが可能なＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクが求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクブランクスであって、この反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクにてアライメントマークが配置されるアライメント領域では、上記基板上に直に上記吸収層が形成され、上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクブランクスを提供する。
【００１１】
本発明によれば、アライメント領域では、基板上に直に吸収層が形成され、基板の他方の面が露出しており、アライメント領域に多層膜と中間層と導電膜とが形成されていないので、本発明の反射型マスクブランクスを用いて反射型マスクを作製した場合には、アライメントマークを透過によって検出することが可能な反射型マスクを得ることができる。このような反射型マスクでは、コントラスト良くアライメントマークを検出することができ、反射型マスクの回路パターンを検査する際や、反射型マスクの回路パターンを修正する際に、高精細な位置調整が可能である。
【００１２】
また、本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とする反射型マスクを提供する。
【００１３】
本発明によれば、アライメント領域では基板の他方の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないので、透過によってアライメントマークを検出することが可能である。
【００１４】
上記発明においては、上記アライメントマークが上記吸収体と開口部とから構成され、上記アライメントマークの開口部が上記基板上に直に形成されていることが好ましい。これにより、アライメントマークを検出する際のコントラストを高めることができるからである。
【００１５】
上記の場合、上記アライメントマークを構成する吸収体が上記中間層上に形成されていることが好ましい。これにより、アライメントマークを検出する際のコントラストを一層高めることができるからである。さらに、このような構成の反射型マスクは、多層膜および中間層が形成された基板上に吸収体をパターン状に形成した後に、アライメントマークの開口部に位置する多層膜および中間層のみを局所的に除去することにより得ることができ、容易に位置調整の困難性を改善することができるからである。
【００１６】
また、上記の場合、上記アライメントマークを構成する吸収体が上記基板上に直に形成されていてもよい。この場合、反射型マスクは、上述の反射型マスクブランクスを用いることにより得ることができ、容易に位置調整の困難性を改善することができるからである。
【００１７】
また、上記発明においては、上記アライメントマークが上記中間層上に形成されていてもよい。この場合、反射型マスクは、導電膜の一部を加工することにより得ることができ、容易に位置調整の困難性を改善することができるからである。
【００１８】
さらに、本発明は、上述の反射型マスクの回路パターンを検査する反射型マスクの検査方法であって、上記反射型マスクの回路パターンを検査するに際して、上記反射型マスクのアライメントマークにアライメント光を照射し、上記アライメントマークを透過する透過光を検出して、上記反射型マスクの位置調整を行うことを特徴とする反射型マスクの検査方法を提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述の反射型マスクを用いるので、アライメントマークをコントラスト良く検出することができ、位置調整を精度良くかつ迅速に行うことができる。
【００２０】
また、本発明は、上記反射型マスクの検査方法を行うことにより、反射型マスクを検査する検査工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、上述の反射型マスクの検査方法を適用するので、検査工程にて反射型マスクの回路パターンを検査する際には、アライメントマークの位置を高い精度で検出でき、反射型マスクの位置調整を正確かつ迅速に行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、透過によってコントラスト良くアライメントマークを検出することができ、反射型マスクの回路パターンを検査する際や、反射型マスクの回路パターンを修正する際に、高精細な位置調整が可能であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクの検査方法、および反射型マスクの製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．反射型マスクブランクス
本発明の反射型マスクブランクスは、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクブランクスであって、この反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクにてアライメントマークが配置されるアライメント領域では、上記基板上に直に上記吸収層が形成され、上記基板の他方の面が露出していることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の反射型マスクブランクスについて、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の反射型マスクブランクスの一例を示す模式図であり、図１(a)は図１(b)のＡ−Ａ線断面図である。図１(a)に例示するように、反射型マスクブランクス１においては、基板２上の所定の領域に多層膜３および中間層４がこの順に積層され、さらに多層膜３および中間層４を覆うように基板２の全面に吸収層５が形成され、基板２の多層膜３、中間層４および吸収層５が形成されている面の反対面の所定の領域に導電膜６が形成されている。
この反射型マスクブランクス１を用いて反射型マスクを作製した場合、基板の周辺部には、回路パターン（回路パターンは吸収層５をパターニングすることにより得られる。）を検査するに際しての反射型マスクの位置調整のためのアライメントマークが形成される。このアライメントマークが配置される領域をアライメント領域とすると、例えば図１(a)および(b)に示すように、基板２の周辺部には、上記アライメントマークが配置されるアライメント領域１０が設けられることになる。本発明の反射型マスクブランクスにおいては、このアライメント領域１０では、基板２上に直に吸収層５が形成され、基板２の導電膜６が形成されている側の面が露出していることを特徴とする。すなわち、アライメント領域１０に、多層膜３、中間層４および導電膜６がいずれも形成されていないことを特徴とする。
なお、図１(a)、(b)において、多層膜３、中間層４および導電膜６が形成されている領域は領域１１であり、図１(b)において、基板以外の構成は省略されている。
【００２６】
図１に例示する反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクの一例を図２に示す。図２に例示する反射型マスク２０においては、基板２上の所定の領域に多層膜３および中間層４がこの順に積層され、多層膜３および中間層４が形成された基板２上に吸収体５´がパターン状に形成され、基板２の多層膜３、中間層４および吸収体５´が形成されている面の反対面の所定の領域に導電膜６が形成されている。吸収体５´のパターンは、回路パターン１２およびアライメントマーク１３を構成しており、アライメントマーク１３が配置されているアライメント領域１０では、基板２上に直に吸収体５´が形成され、基板２の導電膜６が形成されている側の面が露出している。すなわち、アライメント領域１０には、多層膜３、中間層４および導電膜６のいずれも形成されていない。
【００２７】
図２に例示する反射型マスクにおいては、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないことから、アライメントマークを透過によって検出することが可能である。
図３に、透過型マスクアライメント機構の一例を示す。図３に例示する透過型マスクアライメント機構３０は、光源３１と、集光光学系３２と、ビームスプリッタ３３と、対物レンズ３４と、集光レンズ３５ａと、透過光検査用センサ３６と、反射光検査用センサ３７と、マスクステージ３８とを有している。この透過型マスクアライメント機構３０では、光源３１から射出したアライメント光４１ａを反射型マスク２０のアライメントマーク（図示なし）に照射し、その透過光４１ｂを透過光検査用センサ３６で検出する。
図２に例示する反射型マスクは、アライメントマークの開口部１５が基板２上に直接形成されているので、図３においてアライメント光４１ａがアライメントマークの開口部（図示なし）を透過でき、透過型マスクアライメント機構で位置調整が可能となる。
なお、図３において、反射光検査用センサ３７および集光レンズ３５ｂは、反射型マスクの回路パターンを検査する際に用いられるものであり、具体的には、反射型マスク２０の回路パターンに光源３１から射出した検査光を照射し、その反射光４２を検出する際に用いられる。
【００２８】
このように、本発明の反射型マスクブランクスを用いることにより、アライメントマークを透過によって検出することが可能な反射型マスクを得ることができる。このような反射型マスクでは、コントラスト良くアライメントマークを検出することができ、反射型マスクの回路パターンを検査する際や、反射型マスクの回路パターンを修正する際に、高精細な位置調整が可能である。
【００２９】
なお、本願明細書において、「吸収層」とは基板上に連続して形成された一つの層を意味し、「吸収体」とは基板上の所定の位置に形成され、吸収層をパターニングすることにより得られるものを意味するものとする。
また、「アライメント領域では、基板上に直に吸収層が形成され、基板の他方の面が露出している」とは、アライメント領域には、多層膜と中間層と導電膜とが形成されていないことをいう。
特に断りのない限り、「基板の一方の面」とは、基板の多層膜、中間層、および吸収層（吸収体）が形成されている側の面を意味し、「基板の他方の面」とは、基板の導電膜が形成されている側の面を意味する。
【００３０】
以下、本発明の反射型マスクブランクスにおける各構成について説明する。
【００３１】
１．導電膜
本発明に用いられる導電膜は、基板の他方の面、すなわち基板の多層膜、中間層および吸収層が形成されている面の反対面に形成されるものであり、アライメント領域には形成されないものである。また、この導電膜は、本発明の反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクを、露光装置の静電チャックに吸着させるために設けられるものである。
【００３２】
導電膜の材料としては、一般的に反射型マスクの導電膜に用いられるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、導電性を示すＣｒ、ＣｒＮ等の金属または金属化合物が用いられる。
また、導電膜の厚みとしては、例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度とすることができる。
【００３３】
導電膜はアライメント領域に形成されていなければよく、導電膜が設けられている領域と、多層膜および中間層が設けられている領域とは、同一であっても異なっていてもよい。
【００３４】
導電膜の成膜方法としては、スパッタリング法等を挙げることができる。また、導電膜をアライメント領域以外の領域に形成する方法としては、非形成部に物理的なマスクを介したスパッタリング法やフォトリソグラフィー法等を用いることができる。
【００３５】
２．多層膜
本発明に用いられる多層膜は、基板の一方の面に形成されるものであり、アライメント領域には形成されないものである。
【００３６】
多層膜の材料としては、一般的に反射型マスクの多層膜に使用されるものを用いることができ、中でも、ＥＵＶ光に対する反射率が極めて高い材料を用いることが好ましい。反射型マスク使用時においてコントラストを高めることができるからである。例えば、ＥＵＶ光を反射する多層膜としては、通常、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜が用いられる。また、特定の波長域で高い反射率が得られる多層膜として、例えば、Ｒｕ／Ｓｉの周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅの周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物の周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏの周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕの周期多層膜等も用いることができる。
【００３７】
多層膜を構成する各層の膜厚や、各層の積層数としては、使用する材料に応じて異なるものであり、適宜調整される。例えば、Ｍｏ／Ｓｉの周期多層膜としては、数ｎｍ程度の厚さのＭｏ膜とＳｉ膜とが４０層〜６０層ずつ積層された多層膜を用いることができる。
【００３８】
多層膜の厚みとしては、例えば２８０ｎｍ〜４２０ｎｍ程度とすることができる。
【００３９】
多層膜はアライメント領域に形成されていなければよく、上述したように、多層膜が設けられている領域と、導電膜が設けられている領域とは、同一であっても異なっていてもよい。
【００４０】
多層膜の成膜方法としては、例えば、イオンビームスパッタ法やマグネトロンスパッタ法などが用いられる。また、多層膜をアライメント領域以外の領域に形成する方法としては、非形成部に物理的なマスクを介した蒸着法やフォトリソグラフィー法を用いることができる。
【００４１】
３．中間層
本発明に用いられる中間層は、上記多層膜上に形成されるものであり、アライメント領域には形成されないものである。
【００４２】
中間層を構成する層としては、例えば、多層膜の酸化防止や、本発明の反射型マスクブランクスを用いて反射型マスクを作製する際のマスク洗浄時の保護のために設けられるキャッピング層、および、吸収層をドライエッチング等の方法でパターンエッチングする際や、回路パターンの欠陥修正をする際に多層膜に損傷を与えるのを防止するために設けられるバッファー層（エッチングストッパー層とも称する。）が挙げられる。
【００４３】
中間層は、キャッピング層であってもよく、バッファー層であってもよく、キャッピング層およびバッファー層が積層されたものであってもよい。中でも、中間層は、少なくともキャッピング層を有することが好ましい。すなわち、中間層は、キャッピング層であるか、キャッピング層およびバッファー層が積層されたものであることが好ましい。
キャッピング層およびバッファー層が積層されている場合は、通常、多層膜上にキャッピング層およびバッファー層の順に形成される。
以下、キャッピング層およびバッファー層についてそれぞれ説明する。
【００４４】
（１）キャッピング層
本発明に用いられるキャッピング層は、中間層を構成する層であり、多層膜上に多層膜の酸化防止や反射型マスク洗浄時の保護のために設けられるものである。キャッピング層が形成されていることにより、多層膜の最表面がＳｉ膜やＲｕ膜である場合には、Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されるのを防ぐことができる。Ｓｉ膜やＲｕ膜が酸化されると、多層膜の反射率が低下するおそれがある。
【００４５】
キャッピング層の材料としては、上記機能を発現するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ＳｉやＲｕ等が挙げられる。
【００４６】
また、キャッピング層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜１５ｎｍ程度とすることができる。
【００４７】
キャッピング層の成膜方法としては、スパッタリング法等を挙げることができる。また、キャッピング層をアライメント領域以外の領域に形成する方法としては、非形成部に物理的なマスクを介したスパッタリング法やフォトリソグラフィー法を用いることができる。
【００４８】
（２）バッファー層
本発明に用いられるバッファー層は、中間層を構成する層であり、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層をドライエッチング等の方法でパターンエッチングする際や、回路パターンの欠陥修正をする際に、下層の多層膜に損傷を与えるのを防止するために設けられるものである。バッファー層が形成されていることにより、吸収層をパターニングする際や、回路パターンの欠陥修正をする際に、多層膜がエッチングによるダメージを受けるのを防止することができる。
【００４９】
バッファー層の材料としては、耐エッチング性の高いものであれば特に限定されるものではないが、通常、吸収層とエッチング特性の異なる材料、すなわち吸収層とのエッチング選択比が大きい材料が用いられる。バッファー層および吸収層のエッチング選択比は５以上であることが好ましく、より好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である。さらに、バッファー層の材料としては、低応力で、平滑性に優れた材料であることが好ましい。特にバッファー層の平滑性は、０．３ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましい。このような観点から、バッファー層の材料は、微結晶またはアモルファス構造であることが好ましい。
このようなバッファー層の材料としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ、ＣｒＮ等が挙げられる。
【００５０】
また、バッファー層の厚みとしては、例えば２ｎｍ〜１５ｎｍ程度とすることができる。
【００５１】
バッファー層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法などが挙げられる。ＳｉＯ2を用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒガス雰囲気下で、多層膜上にＳｉＯ2を成膜するのが好ましい。また、バッファー層をアライメント領域以外の領域に形成する方法としては、非形成部に物理的なマスクを介した蒸着法やフォトリソグラフィー法を用いることができる。
【００５２】
４．アライメント領域
本発明におけるアライメント領域は、本発明の反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクにてアライメントマークが配置される領域である。
【００５３】
アライメント領域は、反射型マスクブランクスに、１箇所設けられていてもよく、２箇所以上設けられていてもよい。例えば図１(b)においては、アライメント領域１０は２箇所設けられている。
また、通常、アライメント領域は、図１(b)に例示するように、反射型マスクブランクスの周辺部に設けられる。
【００５４】
５．吸収層
本発明に用いられる吸収層は、上記中間層上に形成されるものであり、本発明の反射型マスクブランクスを用いて作製された反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにおいてＥＵＶ光を吸収するものである。
【００５５】
吸収層の材料としては、ＥＵＶ光を吸収可能なものであれば特に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料等が用いられる。さらに、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＷＮ、ＴｉＮ等も使用可能である。
【００５６】
吸収層の成膜方法としては、例えば、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などが用いられる。
【００５７】
６．基板
本発明に用いられる基板としては、本発明の反射型マスクブランクスを用いて作製される反射型マスクにて回路パターンを検査する際の位置調整時に使用されるアライメント光を透過するものであれば特に限定されるものではなく、一般的に反射型マスクの基板に使用されるものを用いることができ、例えば、ガラス基板や金属基板を使用することができる。中でも、ガラス基板が好ましく用いられる。ガラス基板は、良好な平滑性および平坦度が得られるので、特に反射型マスク用基板として好適である。ガラス基板の材料としては、例えば、石英ガラス、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、β石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。また、金属基板の材料としては、例えば、シリコン、Ｆｅ−Ｎｉ系のインバー合金等が挙げられる。
【００５８】
基板は、高反射率および転写精度を得るために、平滑性が０．２ｎｍＲｍｓ以下であることが好ましく、また平坦度が１００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、平滑性を示す単位Ｒｍｓは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。また、平坦度は、ＴＩＲ(Total Indicated Reading)で示される表面の反り（変形量）を示す値である。この値は、基板表面を元に最小二乗法で定められる平面を焦平面としたとき、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある最も低い位置の高低差の絶対値である。また、上記平滑性は１０μｍ角エリアでの平滑性であり、上記平坦度は１４２ｍｍ角エリアでの平坦度である。
【００５９】
また、基板の厚みとしては、例えば６ｍｍ〜７ｍｍ程度とすることができる。
【００６０】
７．用途
本発明の反射型マスクブランクスは、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクを作製するために好ましく用いられる。
【００６１】
Ｂ．反射型マスク
次に、本発明の反射型マスクについて説明する。
本発明の反射型マスクは、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出していることを特徴とするものである。
【００６２】
本発明によれば、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないので、アライメントマークを構成する吸収体がアライメント光を遮光し、アライメントマークの開口部はアライメント光を透過することになり、透過型マスクアライメント機構によってアライメントマークを検出することが可能である。
【００６３】
なお、「アライメント領域では基板の他方の面が露出している」とは、アライメント領域には導電膜が形成されていないことをいう。
【００６４】
本発明の反射型マスクは、アライメントマークの開口部および基板間の構成により、２つの実施態様に分けることができる。第１実施態様は、アライメントマークの開口部が基板上に直に形成されている場合、すなわちアライメントマークの開口部と基板との間に、多層膜および中間層が形成されていない場合である。また、第２実施態様は、アライメントマークが中間層上に形成されている場合、すなわちアライメントマークと基板との間に、多層膜および中間層が形成されている場合である。
以下、各実施態様に分けて説明する。
【００６５】
１．第１実施態様
本発明の反射型マスクの第１実施態様は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出しており、また、上記アライメントマークが上記吸収体と開口部とから構成され、上記アライメントマークの開口部が上記基板上に直に形成されていることを特徴とするものである。
【００６６】
本実施態様によれば、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されておらず、さらにアライメントマークの開口部が基板上に直に形成されており、アライメントマークの開口部と基板との間に多層膜および中間層が形成されていないので、アライメントマークを構成する吸収体がアライメント光を遮光し、アライメントマークの開口部はアライメント光を透過することになり、透過型マスクアライメント機構によって高いコントラストでアライメントマークを検出することができる。したがって、高精細で高速な位置調整が可能である。
【００６７】
本実施態様の反射型マスクは、アライメントマークを構成する吸収体および基板間の構成により、さらに２つの態様に分けることができる。第１態様は、アライメントマークを構成する吸収体が中間層上に形成されている場合、すなわちアライメントマークを構成する吸収体と基板との間に、多層膜および中間層が形成されている場合である。また、第２態様は、アライメントマークを構成する吸収体が基板上に直に形成されている場合、すなわちアライメントマークを構成する吸収体と基板との間に、多層膜および中間層が形成されていない場合である。
以下、各態様に分けて説明する。
【００６８】
なお、「アライメントマークの開口部が基板上に直に形成されている」とは、アライメントの開口部と基板との間に多層膜および中間層が形成されていないことをいう。
また、「アライメントマークを構成する吸収体が中間層上に形成されている」とは、アライメントを構成する吸収体と基板との間に多層膜および中間層が形成されていることをいう。一方、「アライメントマークを構成する吸収体が基板上に直に形成されている」とは、アライメントを構成する吸収体と基板との間に多層膜および中間層が形成されていないことをいう。
【００６９】
（１）第１態様
本態様の反射型マスクは、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出しており、また、上記アライメントマークが上記吸収体と開口部とから構成され、上記アライメントマークの開口部が上記基板上に直に形成され、上記アライメントマークを構成する吸収体が上記中間層上に形成されていることを特徴とするものである。
【００７０】
本態様の反射型マスクについて、図面を参照しながら説明する。
図４は、本態様の反射型マスクの一例を示す概略断面図である。図４に例示する反射型マスク２０においては、基板２上の所定の領域に多層膜３および中間層４がこの順に積層され、中間層４上に吸収体５´がパターン状に形成され、基板２の多層膜３、中間層４および吸収体５´が形成されている面の反対面の所定の領域に導電膜６が形成されている。吸収体５´のパターンは、回路パターン１２およびアライメントマーク１３を構成しており、アライメントマーク１３が配置されているアライメント領域１０では、基板２の導電膜６が形成されている側の面が露出している。すなわち、アライメント領域１０には導電膜６は形成されていない。また、アライメントマーク１３は、吸収体５´と開口部１５とから構成されており、基板２上に直接アライメントマークの開口部１５が形成されている。すなわち、アライメントマークの開口部１５と基板２との間には、多層膜３および中間層４が形成されていない。さらに、中間層４上にアライメントマーク１３を構成する吸収体５´が形成されている。すなわち、アライメントマーク１３を構成する吸収体５´と基板２との間には、多層膜３および中間層４が形成されている。
【００７１】
本態様によれば、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないことから、アライメントマークを透過によって検出することが可能である。
反射型マスクの位置調整の困難性を改善するには、反射型マスクアライメント機構を適用する場合には、反射型マスクアライメント機構の改造やアルゴリズムの変更が必要となる。これに対し、本態様においては、反射型マスクの加工によって透過型マスクアライメント機構で位置調整が可能となるため、容易に位置調整の困難性を改善することができる。本態様においては、反射型マスクの製造工程において、アライメントマークを透過によって読み込めるように、反射型マスクにおける多層膜、中間層、および導電膜の一部を加工するだけでよいのである。
【００７２】
また、本態様によれば、アライメントマークの開口部が基板上に直に形成されており、アライメントマークの開口部と基板との間に多層膜および中間層が形成されていないので、アライメントマークの開口部に位置する基板の透過率と、アライメントマークを構成する吸収体ならびに多層膜および中間層の透過率との比、いわゆるコントラストを高めることができる。
【００７３】
本発明においては、本態様の反射型マスクがもっとも好ましい。上述したように、コントラストを一層高めることができるからである。さらに、多層膜および中間層が形成された基板上に吸収体をパターン状に形成した後に、アライメントマークの開口部に位置する多層膜および中間層のみを局所的にエッチング等することにより、本態様の反射型マスクを得ることができ、容易に位置調整の困難性を改善することができるからである。
【００７４】
なお、基板、導電膜、およびアライメント領域については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、本態様の反射型マスクにおける他の構成について説明する。
【００７５】
（ｉ）吸収体
本態様における吸収体は、多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成され、中間層上に配置されるものである。回路パターンを構成する吸収体も、アライメントマークを構成する吸収体も、中間層上に配置される。
【００７６】
なお、吸収体の材料、膜厚等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載した吸収層の材料、膜厚と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００７７】
吸収体をパターン状に形成する方法としては、通常、フォトリソグラフィー法が用いられる。具体的には、多層膜および中間層が形成された基板上に吸収層を形成し、この吸収層上にレジスト層を形成し、レジスト層をパターニングし、レジストパターンをマスクとして吸収層をエッチングし、残存するレジストパターンを除去して、吸収体のパターンを形成する。フォトリソグラフィー法としては、一般的な方法を用いることができる。
【００７８】
吸収体のパターンは、回路パターンとアライメントマークとを構成するものである。以下、回路パターンおよびアライメントマークについて説明する。
【００７９】
（回路パターン）
本態様における回路パターンは、被転写面に転写するためのパターンである。
回路パターンのパターン形状としては、本態様の反射型マスクを用いたＥＵＶリソグラフィにより作製する部材に応じて、適宜選択される。
【００８０】
（アライメントマーク）
本態様におけるアライメントマークは、回路パターンを検査または修正するに際して、反射型マスクの位置調整を行うために設けられるものである。
アライメントマークは吸収体と開口部とから構成され、アライメントマークの開口部と基板との間には多層膜および中間層が形成されておらず、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間には多層膜および中間層が形成されている。
アライメントマークのパターン形状としては、十字形状等、一般的な形状とすることができる。
【００８１】
（ii）多層膜
本態様における多層膜は、基板の一方の面に形成されるものであり、アライメントマークの開口部と基板との間には形成されず、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間には形成されるものである。
【００８２】
なお、多層膜の材料、膜厚等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載した多層膜の材料、膜厚と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８３】
アライメントマークの開口部に位置する多層膜の部分を除去する方法としては、この部分のみを局所的に除去することができる方法であれば特に限定されるものではないが、中でも、エッチング法が好ましい。エッチング法としては、ドライエッチング法およびウェットエッチング法のいずれであってもよいが、ドライエッチング法が好ましい。
【００８４】
ドライエッチング法にて使用されるエネルギービームとしては、アライメントマークの開口部に位置する多層膜の部分のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではないが、集束イオンビームまたは電子ビームが好ましく用いられる。これらは、高度な微細加工が可能であり、微細な部分にも対応できるからである。
集束イオンビームのイオン源としては、集束することができるものであればよいが、通常はガリウム（Ｇａ）が用いられる。
【００８５】
（iii）中間層
本態様における中間層は、多層膜上に形成されるものであり、アライメントマークの開口部と基板との間には形成されず、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間には形成されるものである。
【００８６】
なお、中間層の構成については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載した中間層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、アライメントマークの開口部に位置する中間層の部分を除去する方法としては、上記のアライメントマークの開口部に位置する多層膜の部分を除去する方法と同様とすることができる。
【００８７】
（２）第２態様
本態様の反射型マスクは、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出しており、また、上記アライメントマークが上記吸収体と開口部とから構成され、上記アライメントマークの開口部が上記基板上に直に形成され、上記アライメントマークを構成する吸収体も上記基板上に直に形成されていることを特徴とするものである。
【００８８】
本態様の反射型マスクについて、図面を参照しながら説明する。
図２は、本態様の反射型マスクの一例を示す概略断面図である。図２に例示する反射型マスク２０においては、基板２上の所定の領域に多層膜３および中間層４がこの順に積層され、多層膜３および中間層４が形成された基板２上に吸収体５´がパターン状に形成され、基板２の多層膜３、中間層４および吸収体５´が形成されている面の反対面の所定の領域に導電膜６が形成されている。吸収体５´のパターンは、回路パターン１２およびアライメントマーク１３を構成しており、アライメントマーク１３が配置されているアライメント領域１０では、基板２の導電膜６が形成されている側の面が露出している。すなわち、アライメント領域１０には導電膜６は形成されていない。また、アライメントマーク１３は、吸収体５´と開口部１５とから構成されており、基板２上に直接アライメントマークの開口部１５が形成されている。すなわち、アライメントマークの開口部１５と基板２との間には、多層膜３および中間層４が形成されていない。さらに、基板２上に直接アライメントマークを構成する吸収体５´が形成されている。すなわち、アライメントマーク１３を構成する吸収体５´と基板２との間には、多層膜３および中間層４が形成されていない。
【００８９】
本態様によれば、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないことから、アライメントマークを透過によって検出することが可能である。
本態様においては、反射型マスクの加工によって透過型マスクアライメント機構で位置調整が可能となるため、容易に位置調整の困難性を改善することができる。反射型マスクの製造工程において、アライメントマークを透過によって読み込めるように、反射型マスクにおける多層膜、中間層、および導電膜の一部を加工するだけでよいのである。
【００９０】
また、本態様によれば、アライメントマークの開口部が基板上に直に形成されており、アライメントマークの開口部と基板との間に多層膜および中間層が形成されていないので、アライメントマークの開口部に位置する基板の透過率と、アライメントマークを構成する吸収体ならびに多層膜および中間層の透過率との比、いわゆるコントラストを高めることができる。
【００９１】
本態様の反射型マスクは、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」に記載の反射型マスクブランクスを用いて、吸収層をパターニングすることにより、得ることができる。
【００９２】
なお、基板、導電膜、およびアライメント領域については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、本態様の反射型マスクにおける他の構成について説明する。
【００９３】
（ｉ）吸収体
本態様における吸収体は、多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成され、中間層上および基板上に配置されるものである。回路パターンを構成する吸収体は中間層上に配置され、アライメントマークを構成する吸収体は基板上に配置される。
【００９４】
なお、吸収体の材料、膜厚等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載した吸収層の材料、膜厚と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、吸収体をパターン状に形成する方法については、上記第１態様と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９５】
吸収体のパターンは、回路パターンとアライメントマークとを構成するものである。
なお、回路パターンについては、上記第１態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９６】
本態様において、アライメントマークは基板上に直接形成されるものである。アライメントマークは吸収体と開口部とから構成され、アライメントマークの開口部と基板との間には多層膜および中間層が形成されておらず、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間にも多層膜および中間層が形成されていない。
なお、アライメントマークのその他の点については、上記第１態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９７】
（ii）多層膜
本態様における多層膜は、基板の一方の面に形成されるものであり、アライメントマークの開口部と基板との間にも、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間にも、形成されないものである。
なお、多層膜のその他の点については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の多層膜の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００９８】
（iii）中間層
本態様における中間層は、多層膜上に形成されるものであり、アライメントマークの開口部と基板との間にも、アライメントマークを構成する吸収体と基板との間にも、形成されないものである。
なお、中間層のその他の点については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の中間層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００９９】
２．第２実施態様
本発明の反射型マスクの第２実施態様は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成された吸収体と、上記基板の他方の面に形成された導電膜とを有する反射型マスクであって、上記吸収体のパターンが回路パターンとアライメントマークとを構成し、上記アライメントマークが配置されているアライメント領域では上記基板の他方の面が露出しており、また、上記アライメントマークが上記中間層上に形成されていることを特徴とするものである。
【０１００】
本態様の反射型マスクについて、図面を参照しながら説明する。
図５は、本態様の反射型マスクの一例を示す概略断面図である。図５に例示する反射型マスク２０においては、基板２上の多層膜３および中間層４がこの順に積層され、中間層４上に吸収体５´がパターン状に形成され、基板２の多層膜３、中間層４および吸収体５´が形成されている面の反対面の所定の領域に導電膜６が形成されている。吸収体５´のパターンは、回路パターン１２およびアライメントマーク１３を構成しており、アライメントマーク１３が配置されているアライメント領域１０では、基板２の導電膜６が形成されている側の面が露出している。すなわち、アライメント領域１０には導電膜６は形成されていない。また、アライメントマーク１３は、吸収体５´と開口部１５とから構成されており、中間層４上にアライメントマーク１３が形成されている。すなわち、アライメントマークを構成する吸収体５´および開口部１５と基板２との間には、多層膜３および中間層４が形成されている。
【０１０１】
本態様によれば、アライメント領域では基板の導電膜が形成されている側の面が露出しており、アライメント領域に導電膜が形成されていないことから、アライメントマークを透過によって検出することが可能である。
本態様においては、反射型マスクの加工によって透過型マスクアライメント機構で位置調整が可能となるため、容易に位置調整の困難性を改善することができる。反射型マスクの製造工程において、アライメントマークを透過によって読み込めるように、反射型マスクにおける導電膜の一部を加工するだけでよいのである。
【０１０２】
なお、「アライメントマークが中間層上に形成されている」とは、アライメントを構成する吸収体と基板との間に多層膜および中間層が形成され、アライメントマークの開口部と基板との間にも多層膜および中間層が形成されていることをいう。
【０１０３】
なお、基板、導電膜、およびアライメント領域については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、本態様の反射型マスクにおける他の構成について説明する。
【０１０４】
（ｉ）吸収体
本態様における吸収体は、多層膜および中間層が形成された基板上にパターン状に形成され、中間層上に配置されるものである。回路パターンを構成する吸収体も、アライメントマークを構成する吸収体も、中間層上に配置される。
【０１０５】
なお、吸収体の材料、膜厚等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の項に記載した吸収層の材料、膜厚と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、吸収体をパターン状に形成する方法としては、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０６】
吸収体のパターンは、回路パターンとアライメントマークとを構成するものである。
なお、回路パターンについては、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０７】
本態様において、アライメントマークは中間層上に形成されるものである。アライメントマークは吸収体と開口部とから構成され、アライメントマークを構成する吸収体および開口部と基板との間には多層膜および中間層が形成されている。
なお、アライメントマークのその他の点については、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０８】
（ii）多層膜
本態様における多層膜は、基板の一方の面に形成されるものである。通常、多層膜は、基板全面に形成される。
なお、多層膜の材料および成膜方法等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の多層膜の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１０９】
（iii）中間層
本態様における中間層は、多層膜上に形成されるものである。通常、中間層は、基板全面に形成される。
【０１１０】
なお、中間層の構成等については、上記「Ａ．反射型マスクブランクス」の中間層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１１１】
Ｃ．反射型マスクの検査方法
本発明の反射型マスクの検査方法は、上述の反射型マスクの回路パターンを検査する反射型マスクの検査方法であって、上記反射型マスクの回路パターンを検査するに際して、上記反射型マスクのアライメントマークにアライメント光を照射し、上記アライメントマークを透過する透過光を検出して、上記反射型マスクの位置調整を行うことを特徴とするものである。
【０１１２】
反射型マスクの回路パターンを検査する際には、例えば、パターン検査手段と透過型マスクアライメント機構とマスクステージとを有する検査装置が用いられる。
例えば、まず、マスクステージに反射型マスクを保持させ、透過型マスクアライメント機構によって、反射型マスクのアライメントマークにアライメント光を照射し、アライメントマークからの透過光を検出し、反射型マスクの位置を調整する。この際、図４に例示するような第１実施態様の第１態様の反射型マスクでは、アライメントマークを構成する吸収体ならびに中間層および多層膜の透過率と、アライメントマークの開口部に位置する基板の透過率とのコントラストを検出することになる。また、図２に例示するような第１実施態様の第２態様の反射型マスクでは、アライメントマークを構成する吸収体の透過率と、アライメントマークの開口部に位置する基板の透過率とのコントラストを検出することになる。さらに、図５に例示するような第２実施態様の反射型マスクでは、アライメントマークを構成する吸収体ならびに中間層および多層膜の透過率と、アライメントマークの開口部に位置する中間層および多層膜の透過率とのコントラストを検出することになる。
次に、パターン検査手段によって、反射型マスクの回路パターンに検査光を照射し、回路パターンからの反射光を検出し、回路パターンを検査する。この際、図２、図４および図５に例示するように、回路パターンを構成する吸収体の反射率と、回路パターンの開口部に位置する多層膜の反射率とのコントラストを検出することになる。
【０１１３】
本発明によれば、上述の反射型マスクを用いるので、アライメントマークを正確かつ迅速に検出することができ、位置調整を精度良くかつ迅速に行うことができる。
【０１１４】
なお、反射型マスクについては、上記「Ｂ．反射型マスク」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１１５】
アライメント光としては、アライメントマークを透過によって検出可能であれば特に限定されるものではなく、例えば、紫外線、可視光線、赤外線等を用いることができる。中でも、反射型マスクの基板や、アライメントマークおよび基板間の構成に応じて適宜選択することが好ましい。
例えば、反射型マスクの基板がガラス基板である場合には、ガラス基板が可視光線に対して比較的高い透過率を示し、高いコントラストが得られるため、アライメント光として可視光線を使用することが好ましい。また、反射型マスクの基板がシリコン基板である場合には、シリコン基板が赤外線に対して比較的高い透過率を示すため、アライメント光として赤外線を使用することが好ましい。
また例えば、図５に示すように、アライメントマークの開口部１５と基板２との間に多層膜３および中間層４が形成されている場合には、所望のコントラストが得られるように、アライメント光として波長の比較的長いものを用いることが好ましい。
【０１１６】
アライメント光の照射方向としては、基板のアライメントマークが形成されている面側、および、基板の導電膜が形成されている面側のいずれの方向からであってもよい。
【０１１７】
アライメントマークを透過する透過光を検出する手段としては、例えば、ＣＣＤ等が挙げられる。
【０１１８】
また、反射型マスクの回路パターンを検査する方法としては、通常、回路パターンに検査光を照射し、回路パターンからの反射光を検出する方法が用いられる。
検査光としては、回路パターンを反射によって検出可能であれば特に限定されるものではなく、例えば、電子線、Ｘ線、紫外線等を用いることができる。通常は、上記アライメント光よりも波長の短いものが使用される。
回路パターンからの反射光を検出する手段としては、例えば、ＣＣＤ等が挙げられる。
【０１１９】
Ｄ．反射型マスクの製造方法
本発明の反射型マスクの製造方法は、上記反射型マスクの検査方法を行うことにより、反射型マスクを検査する検査工程を有することを特徴とするものである。
【０１２０】
本発明によれば、上述の反射型マスクの検査方法を適用するので、検査工程にて反射型マスクの回路パターンを検査する際には、アライメントマークの位置を高い精度で検出でき、反射型マスクの位置調整を正確かつ迅速に行うことができる。
【０１２１】
本発明においては、上記「Ｂ．反射型マスク」の項に記載した反射型マスクを製造することが可能であれば、検査工程前に、基板上に多層膜を形成する多層膜形成工程、多層膜上に中間層を形成する中間層形成工程、中間層上に吸収層を形成する吸収層形成工程、吸収層をパターニングして吸収体をパターン状に形成する吸収層パターニング工程、アライメントマークの開口部に位置する多層膜および中間層を除去する多層膜・中間層パターニング工程、基板上に導電膜を形成する導電膜形成工程、アライメント領域に位置する導電膜を除去する導電膜パターニング工程等を行うことができる。
【０１２２】
なお、上記の各工程については、上記「Ｂ．反射型マスク」の項に反射型マスクにおける各構成の形成方法を記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１２３】
上記の導電膜パターニング工程は、多層膜形成工程、中間層形成工程、および吸収層形成工程のいずれかの前または後に行われてもよく、吸収層パターニング工程後に行われてもよく、多層膜・中間層パターニング工程後に行われてもよい。
【０１２４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１２５】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
図4は、本発明に係わる反射型マスクの一態様をあらわす断面図である。この反射型マスクでは、基板2上に反射部としての多層膜3が形成され、その多層膜3上に多層膜保護およびパターン形成補助を目的とした中間層4が形成され、その中間層4上に非反射部としての回路パターン12およびアライメントマーク13を構成する吸収体5’が形成されている。基板2の反対面にはアライメントマーク部分を除いて導電膜6が形成されている。図4ではアライメントマークの開口部15の部分は、FIB方式またはEB方式またはレジストプロセスを介したドライエッチングにより、中間層および多層膜が除去されている。これによりアライメントマークは、中間層上に形成された吸収体と基板上に直に形成された開口部とから構成されるものとなる。以下に回路パターン検査や修正時に透過光学系を使用したマスクアライメントの例を具体的に示す。
【０１２６】
通常のEUVマスクプロセスを経て、吸収層に半導体回路パターンとアライメントマークを製版した。アライメントマークの開口部となる部分にGaイオンをイオン源としたFIBを照射し、中間層および多層膜を除去した。半導体回路パターンの欠陥検査をするため、欠陥検査装置にて検査した。検査装置にて機械的なアライメント作業を行った後、波長190〜700nmからなる光学系を使用した高精度なアライメント作業を行った。上記反射型マスクのアライメントマークは、中間層上に形成された吸収体と基板上に直に形成された開口部とから構成され、基板上に多層膜、中間層および吸収体が積層されている部分と基板が露出している部分とからなるマークのため、アライメント画像として透過率のコントラストが0.8以上の高コントラスト画像が得られた。これにより透過光学系によるアライメントマークの検出が可能であり、フォトマスクとEUVマスクを同じ欠陥検査装置で欠陥検査が可能となった。
【０１２７】
［実施例２］
図2は、本発明に係る反射型マスクの一態様をあらわす断面図である。この反射型マスクでは、基板2上に反射部としての多層膜3が形成され、その多層膜3上に多層膜保護およびパターン形成補助を目的とした中間層4が形成され、その中間層4上に非反射部としての吸収体5’が形成されている。図2では、吸収体5’は半導体回路パターンおよびアライメントマークを構成するようにパターニングされている。基板2の反対面にはアライメントマーク部分を除いて導電膜6が形成されている。図2ではアライメントマーク13を形成する箇所は多層膜および中間層があらかじめ除去されている。これによりアライメントマークは、基板上に直に形成された吸収体と基板上に直に形成された開口部とから構成されるものとなる。以下に回路パターン検査や修正時に透過光学系を使用したマスクアライメントの例を具体的に示す。
【０１２８】
図2の断面構造を有するEUV露光用反射型マスクを製造した。半導体回路パターンの欠陥検査をするため、欠陥検査装置にて検査した。検査装置にて機械的なアライメント作業を行った後、波長190〜700nmからなる光学系を使用した高精度なアライメント作業を行った。上記反射型マスクのアライメントマークは、基板上に直に形成された吸収体と基板上に直に形成された開口部とから構成され、基板上に直に吸収体が形成されている部分と基板が露出している部分とからなるマークのため、アライメント画像として透過率のコントラストが0.8以上の高コントラスト画像が得られた。これにより透過光学系によるアライメントマークの検出が可能であり、フォトマスクとEUVマスクを同じ欠陥検査装置で欠陥検査が可能となった。
【０１２９】
［実施例３］
図5は、本発明に係る反射型マスクの一態様をあらわす断面図である。この反射型マスクでは、基板2上に反射部としての多層膜3が形成され、その多層膜3上に多層膜保護およびパターン形成補助を目的とした中間層4が形成され、その中間層4上に非反射部としての吸収体5’が形成されている。図5では、吸収体5’は半導体回路パターンおよびアライメントマークを構成するようにパターニングされている。基板2の反対面にはアライメントマーク部分を除いて導電膜6が形成されている。以下に回路パターン検査や修正時に透過光学系を使用したマスクアライメントの例を具体的に示す。
【０１３０】
図5の断面構造を有するEUV露光用反射型マスクを製造した。半導体回路パターンの欠陥検査をするため、欠陥検査装置にて検査した。検査装置にて機械的なアライメント作業を行った後、波長600〜700nmからなる光学系を使用した高精度なアライメント作業を行った。上記反射型マスクのアライメントマークは、中間層上に形成された吸収体と中間層上に形成された開口部とから構成され、基板上に多層膜、中間層および吸収体が積層されている部分と基板上に多層膜および中間層が積層されている部分とからなるマークのため、アライメント画像として透過率のコントラストが0.2以上の画像が得られた。これにより透過光学系によるアライメントマークの検出が可能であり、フォトマスクとEUVマスクを同じ欠陥検査装置で欠陥検査が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】本発明の反射型マスクブランクスの一例を示す模式図である。
【図２】本発明の反射型マスクの一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の反射型マスクの検査方法に用いられる透過型マスクアライメント機構の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の反射型マスクの他の例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の反射型マスクの他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１  …  反射型マスクブランクス
２  …  基板
３  …  多層膜
４  …  中間層
５  …  吸収層
５´  …  吸収体
６  …  導電膜
１０  …  アライメント領域
１２  …  回路パターン
１３  …  アライメントマーク
１５  …  アライメントマークの開口部
２０  …  反射型マスク
【図１】
0004663749.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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