(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の透明基板の第一主面上に自発光素子群が形成され、前記透明基板の第二主面上にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を形成したＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の製造方法であって、
前記透明基板の第一主面上に第一の電極のパターンを形成する第一電極形成工程と、
前記第一電極形成工程後に、前記第二主面上に前記圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、
前記圧電素子形成工程後に、前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に自発光素子群を形成する自発光素子形成工程と、
を順次実行し、
前記自発光素子形成工程後に、封止部材により前記自発光素子群を封止する封止工程と、前記第一主面および前記第二主面上に吸振部材を形成する吸振部材形成工程とをさらに実行することで、ＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置を得ることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記自発光素子形成工程として、
前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に逆等脚台形状の陰極隔壁を形成する陰極隔壁形成工程と、
前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層形成工程後に、前記有機層上に第二の電極のパターンを形成する第二電極形成工程と、
を実行することで、前記自発光素子群を形成することを特徴とする請求項１に記載された製造方法。
【請求項３】
前記封止工程後に前記吸振部材形成工程が実行されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された製造方法。
【請求項４】
前記吸振部材形成工程後に前記封止工程が実行されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、透明基板の一方の面に自発光素子群を形成し、前記透明基板の他方の面にＳＡＷ（表面弾性波）方式タッチセンサとして機能する圧電素子を形成してなるＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機や携帯型情報端末機（ＰＤＡ）などの普及によって、高精細な画像表示機能を有し、薄型かつ低消費電力化を実現することができる表示パネルの需要が増大しており、従来より液晶表示パネルがその要求を満たすものとして前記した各製品を含む様々な製品に採用されてきた。【０００３】
一方、昨今においては自発光型素子であるという特質を生かした有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光画素とした表示パネルが実用化され、これが従来の液晶表示パネルに代わる次世代の表示パネルとして注目されている。これは、素子の発光層に良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。【０００４】
前記した表示パネルに加えて、この表示パネルに表示される表示情報に対応して、当該表示情報の表示面を指先やタッチペン等を利用してタッチすることで、各種の指令等を入力することができるタッチセンシング機能を備えた携帯型端末装置も提案されており、これは前記したＰＤＡなどに好適に採用することができる。【０００５】
従来の前記したタッチセンシング機能を備えた表示装置は、タッチセンシング機能を備えたタッチパネルと、ＥＬ表示パネルとを個々の部品として個別に製造し、前記表示パネルの表面に前記タッチパネルを貼り合わせることで一体化していた。これは次に示す特許文献１に示されている。
【特許文献１】特開２００２−１５６９２０号公報
【０００６】
ところで、前記特許文献１に示されたように表示パネルとタッチパネルとを貼り合わせることで一体化することは、パネル全体の厚さが厚くなるという問題を抱えることになり、薄型化および小型化の要請が強い特に前記したような携帯型端末機器に対しては、その要請に応えることができなくなる。【０００７】
また、前記特許文献１に示されたようにフィルム状の抵抗膜式タッチパネルを利用する場合においては、透明電極（ＩＴＯ膜）をパネル面に形成させるために表示パネルからの光の透過率が低下し、さらにタッチパネル面に前記透明電極による色味が付いて、表示画像に色のシフト（偏り）が生ずるという問題が発生する。【０００８】
そこで、前記した問題点を解消するために、前記特許文献１に示されたようなタッチセンシング機能のための透明電極をパネル面に形成させる必要のないＳＡＷ方式のタッチセンシング機能を採用し、かつ前記したように表示パネルにタッチパネルを貼り合わせる構成を避けて、有機ＥＬ素子を成膜する透明基板の他の面に前記したＳＡＷ方式のタッチセンシング機能を形成させた構成が提案されている。これは次に示す特許文献２、特許文献３などに開示されている。
【特許文献２】特開２００２−３６６３０３号公報
【特許文献３】特開２００３−０３６１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、前記特許文献２、特許文献３に示されたタッチパネル一体型の表示装置を形成する場合、共用する透明基板の一面に先にタッチセンサとして機能する圧電素子を形成した後、前記透明基板の他面に有機ＥＬ素子に代表される自発光素子群を形成しようとすると、自発光素子群の形成時における例えば透明電極のパターニング工程で使用されるエッチング液により、すでに形成済みの前記圧電素子がダメージを受けるという問題が発生する。【００１０】
この様な問題を避けるために、共用する透明基板の一面に先に有機ＥＬ素子に代表される前記自発光素子群を形成した後、前記透明基板の他面に前記圧電素子を形成しようとすると、有機材料からなる自発光素子群が圧電素子の形成時に加えられる温度に耐えられずにダメージを受けるという問題が発生する。【００１１】
この発明は前記したように透明基板を共用して、その一面に自発光素子群を形成し他面にＳＡＷ方式のタッチセンシング機能を形成させる表示装置の製造に際し、前記したようなエッチング液および温度により、いずれかの面に形成された素子にダメージを与えるという問題を解消することができる製造方法を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる製造方法は、単一の透明基板の第一主面上に自発光素子群が形成され、前記透明基板の第二主面上にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を形成したＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の製造方法であって、前記透明基板の第一主面上に第一の電極のパターンを形成する第一電極形成工程と、前記第一電極形成工程後に、前記第二主面上に前記圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、前記圧電素子形成工程後に、前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に自発光素子群を形成する自発光素子形成工程とを順次実行し、前記自発光素子形成工程後に、封止部材により前記自発光素子群を封止する封止工程と、前記第一主面および前記第二主面上に吸振部材を形成する吸振部材形成工程とをさらに実行する点に特徴を有する。
【００１３】
また、この発明にかかる製造方法は、前記した製造方法における自発光素子形成工程において、前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に逆等脚台形状の陰極隔壁を形成する陰極隔壁形成工程と、前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に有機層を形成する有機層形成工程と、前記有機層形成工程後に、前記有機層上に第二の電極のパターンを形成する第二電極形成工程が実行される点に特徴を有する。
加えて、この発明にかかる製造方法においては、前記封止工程後に前記吸振部材形成工程が実行される場合もあり、また前記吸振部材形成工程後に前記封止工程が実行される場合もある。
【発明の効果】
【００１４】
前記したＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の製造方法によると、まず透明基板の第一主面上に自発光素子群の一方の電極として機能する第一の電極をパターニングし、この後に前記透明基板の第二主面上にＳＡＷ方式のタッチセンシング機能を果たす圧電素子を形成する工程が実行される。したがって、先に自発光素子群の一方の電極として機能する第一の電極のパターニングにおいて、エッチング液を使用するものの、この後において前記圧電素子が形成されるので、この圧電素子が前記エッチング液による影響を受けることはない。【００１５】
また、前記透明基板の第二主面上に圧電素子を形成した後に、前記第一の電極がパターニングされた前記第一主面上に自発光素子群を形成する工程が実行されるので、自発光素子群が前記圧電素子の形成時における熱の影響を受けるのを回避することができる。これにより、透明基板のそれぞれの面に形成される各素子にダメージを与えることのないＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置を得ることができる。【００１６】
さらに、前記した自発光素子群の形成工程において、すでにパターニングされている第一の電極上に有機層を形成し、この有機層上に第二の電極のパターンを形成する工程を採用することで、発光素子として有機ＥＬ素子を用いたタッチパネル一体型の表示装置を得ることができる。そして、透明基板を共用してその各面に、有機ＥＬ素子による自発光素子群、およびＳＡＷ方式のタッチセンシング機能を果たす圧電素子がそれぞれ形成されるので、表示装置の薄型化に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置を模式的に示した断面図である。
【図２】図１に示す表示装置を構成するガラス基板上に形成されたタッチセンサの機能を説明する模式図である。
【図３】図２に示すタッチセンサによるタッチ位置の検出作用を説明する信号波形図である。
【図４】この発明にかかるＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の第１の製造プロセスを説明する工程図である。
【図５Ａ】図４に示す工程図に沿って実行されるガラス基板への各機能層の積層順序を説明する模式図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く各機能層の積層順序を説明する模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く各機能層の積層順序を説明する模式図である。
【図６】この発明にかかるＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の第２の製造プロセスを説明する工程図である。
【図７】図６に示す製造プロセスにおける一部の積層順序を説明する模式図である。
【図８Ａ】図４および図６に示した自発光素子の形成工程においてなされるより好ましい成膜プロセスを説明する模式図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く成膜プロセスを説明する模式図である。
【図９】自発光素子群とタッチセンサ機能を果たす圧電素子をフレキシブル配線基板に接続する場合の好ましい第１の例を説明する模式図である。
【図１０】同じく第２の例を説明する模式図である。
【図１１】同じく第３の例を説明する模式図である。
【図１２】ＳＡＷ方式タッチセンサの他の好ましい構成例を示した正面図である。
【図１３】表示パネルとその駆動回路の構成例を示した回路構成図である。
【図１４】タッチセンサと表示装置の好ましい駆動方法を説明するタイミング図である。
【図１５】同じく他の好ましい駆動方法を説明するタイミング図である。
【図１６】表示装置のフレーム周波数と圧電素子の検知可能周波数帯域との関係を説明する周波数スペクトラムである。
【符号の説明】
【００１８】
１          透明基板（ガラス基板）
２          第一の電極
３          有機層（有機ＥＬ素子）
３ａ        有機正孔輸送層
３ｂ        有機発光層
３ｃ        有機電子輸送層
４          第二の電極
５          圧電素子
５Ａ，５Ｂ  駆動側トランスデューサ
５Ｃ，５Ｄ  検出側トランスデューサ
５ａ        下地電極
５ｂ        圧電薄膜
５ｃ        上部電極
５ｄ        保護膜
６          封止部材
７          接着剤
８ａ，８ｂ  吸振部材
１１        絶縁層
１２        陰極隔壁
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、この発明にかかるＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の製造プロセスについて説明するが、これに先立ってこの発明を利用して製造される前記表示装置の基本構成について説明する。図１は有機ＥＬ素子を発光素子として利用したＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置を模式的な断面図で示したものである。【００２０】
図１に示す符号１は、単一の透明基板（この例においてはガラス基板）を示しており、このガラス基板１の第一の面（図１における下面）には自発光素子群としての多数の有機ＥＬ素子が例えばマトリクス状に形成されている。この有機ＥＬ素子は、基本的にはガラス基板１上に形成された第一の電極２と、この第一の電極上に形成された有機層３と、この有機層上に形成された第二の電極４とにより構成されている。【００２１】
前記第一の電極２は、例えばＩＴＯによる透明電極がガラス基板１の前記第一の面にストライプ状にパターニングされて形成されている。そして、図１に示す構成においては有機層３は、第一の電極２上に積層された有機正孔輸送層３ａと、この有機正孔輸送層上に積層された有機発光層３ｂと、この有機発光層上に積層された有機電子輸送層３ｃにより構成されている。また、前記電子輸送層３ｃの上には、さらに前記した第二の電極４が前記第一の電極２の配列方向に直交するようにしてストライプ状に形成されている。【００２２】
したがって、それぞれにストライプ状に形成された前記第一と第二の電極２，４の交差位置における前記有機層３が個々の有機ＥＬ素子として構成される。それ故、前記第一電極２と第二電極４との間に選択的に駆動電圧が印加されることで、各電極の交差位置に形成された前記有機ＥＬ素子が発光駆動される。これにより発光される光は、図１に示すように透明電極２およびガラス基板１を透過して放射され、表示画像として認識することができる。【００２３】
一方、前記ガラス基板１の第二の面（図１における上面）には、ＳＡＷ方式のタッチセンサとして機能する圧電素子５が形成されている。図２は前記ガラス基板１を上面から視た状態の前記ＳＡＷ方式タッチセンサの機能を模式的に示すものである。前記圧電素子５は、図２に示したようにガラス基板１の中央の表示面を避けて、矩形状に形成された前記基板１の四辺に沿ってそれぞれ形成されている。【００２４】
前記圧電素子５は、電気信号をＳＡＷに変換して発信するトランスジューサとしての機能と、ＳＡＷを受信して電気信号に変換するトランスジューサとしての機能をそれぞれ果たす。このうち図２に示す対向する二辺のトランスジューサ５Ａ，５Ｂは、電気信号をＳＡＷに変換して発信する駆動側を構成し、ガラス基板１の表面にＳＡＷを伝搬させるように動作する。【００２５】
また他の対向する二辺のトランスジューサ５Ｃ，５Ｄは、伝搬してきたＳＡＷを受信し、電気信号に変換する検出側を構成している。この構成において、前記ガラス基板１の表面の任意の部分をタッチすると、そのタッチ部分でＳＡＷの伝搬が途切れるように作用する。【００２６】
図２に示す構成においては、特に小型化に適するようにガラス基板１の対角線に平行な方向に矢印で示したようにＳＡＷが伝搬するように構成されており、図３に示すように駆動側から発信されたＳＡＷのバースト波（駆動信号）は、検出側では出力信号が時間軸方向に引き伸ばされた波形になる。【００２７】
そして、指先などによりガラス基板１の上面にタッチした結果、ＳＡＷが遮断されれば、遮断位置に応じた時刻の受信信号が減衰するので、この減衰部分の時間情報によりガラス基板１上のタッチ位置を検出することができる。【００２８】
図４は、前記した構成のＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の第１の製造プロセスを説明する工程図であり、図５Ａ〜図５Ｃは図４に示す工程に沿って実行される前記ガラス基板１への各機能層の積層順序を説明するものである。なお、図４にＡ〜Ｊで示した各工程は、図５Ａ〜図５ＣにＡ〜Ｊに別けて模式的に示した各機能層の形成工程にそれぞれ対応するものである。また図５Ａ〜図５Ｃに示される同一の機能層は、それぞれ同一の符号で示しているが、図示が繁雑になるのを避けるため符号の表記は適宜省略している。【００２９】
この第１の製造プロセスにおいては、図４の左側に示した表示素子の形成プロセスと、図４の右側に示したＳＡＷタッチデバイス、すなわち前記した圧電素子５の形成プロセスに別けてそれぞれの機能層の形成工程が実行される。【００３０】
図４に示されたように、まず前記ガラス基板１の第一の面に対して、第一電極の形成工程が実行される。これは前記第一の面に対して、透明電極をストライプ状にパターニングする工程を含む。この様子は図５Ａの（Ａ）に示されおり、符号１は前記したガラス基板１を示し、符号２はガラス基板１の第一の面に対して形成された透明電極（第一電極）を示している。【００３１】
前記透明電極２の形成にあたっては、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）のスパッタリングと、これに続くフォトレジストの塗布、露光および現像によるレジストのパターニングが実行される。そして、例えば第二塩化鉄と塩酸系のエッチャントによるＩＴＯ膜のウェットエッチングにより、透明電極がストライプ状にパターニングされる。続いて、浸食法による残ったレジストの剥離等の工程を経て、第一電極２が形成される。【００３２】
この第一電極の形成工程に続いて、図４に示す圧電素子の形成工程が実行される。この圧電素子の形成工程においては、図５Ａの（Ｂ）に示すように前記ガラス基板１の第二の面に対して、下地電極の成膜およびパターニングが実行される。これにより、図５Ａに符号５ａで示すようにガラス基板１の第二の面の各辺に沿って下地電極が形成される。【００３３】
この下地電極５ａは例えばアルミ素材により形成され、ガラス基板１の各辺に対して所定の角度をもって櫛形状にパターニングされる。このパターニングにおいても、前記した第一電極の形成工程と同様に、好ましくはフォトリソグラフィ技術が用いられる。【００３４】
続いて、図４および図５Ａに（Ｃ）として示すように、前記下地電極５ａを覆うようにして、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）等による圧電薄膜５ｂが形成される。この圧電薄膜５ｂは、好ましくはスパッタ技術が用いられ、更には成膜中に基板を加熱しながら行うことが望ましい。【００３５】
続いて、図４および図５Ａに（Ｄ）として示すように、前記圧電薄膜５ｂの上面に対して、前記した下地電極５ａに対峙する位置に、上部電極５ｃが形成される。この上部電極５ｃもアルミ素材により形成され、ガラス基板１の各辺に対して所定の角度をもって櫛形状にパターニングされる。このパターニングにおいても、前記した下地電極５ａと同様に、好ましくはフォトリソグラフィ技術が用いられる。【００３６】
そして、図４および図５Ｂの（Ｅ）に示すように、先に成膜された圧電薄膜５ｂのパターニングが実行される。このパターニングにあたっては、図５Ｂに破線５ｅで示すように前記した下地電極５ａ、上部電極５ｃの層間に形成された圧電薄膜５ｂ部分を残して、それ以外の圧電薄膜を例えばエッチングにより除去する処理が実行される。【００３７】
そして、圧電素子の形成工程の最後に、図４および図５Ｂの（Ｆ）に示すように、保護膜５ｄを形成する工程が実行される。この保護膜５ｄは、前記した圧電薄膜５ｂのパターニングによって残された圧電薄膜５ｂと、その上部にパターニングされた上部電極５ｃを覆うようにして成膜される。【００３８】
前記した圧電素子の形成工程の後に、図４に示した自発光素子の形成工程が実行される。この第１の製造プロセスにおいては、前記自発光素子の形成工程において、図４および図５Ｂの（Ｇ）に示すように、先に形成された第一電極（透明電極）２の上に、有機層３を成膜する工程が実行される。【００３９】
なお、図５Ｂにおける（Ｇ）においては、前記有機層３として一つの層が示されているが、これは例えば図１に示したように有機層３として、有機正孔輸送層３ａ、有機発光層３ｂ、有機電子輸送層３ｃの三層構造にされる場合、さらには前記三層構造の適切な層間に、電子もしくは正孔の注入層を挿入した構成が採用される場合もある。有機層３として前記したような多層構造が採用される場合であっても、各層を構成する有機ＥＬ材料は、例えば抵抗加熱蒸着法によって順に成膜される。【００４０】
そして前記有機層３の成膜工程の後に、図４および図５Ｂの（Ｈ）に示すように、第二電極の形成工程が実行される。この工程において形成される第二電極４としては、好ましくはアルミ素材が用いられ、この素材は例えば抵抗加熱蒸着法により有機層３の上に成膜される。この場合、前記蒸着の際に例えばマスクを利用することで、第二電極４をストライプ状に形成させることができる。これにより、前記した第一電極２と第二電極４の交差位置に、自発光素子群としての多数の有機ＥＬ素子を形成させることができる。【００４１】
ところで、前記した積層体からなる有機層３および第二電極４などは、大気に含まれる湿気（水分）により酸化され、発光特性を劣化させるという問題を抱えている。このために、封止部材により有機層３および第二電極４などを封止する封止工程が実行される。すなわち、図４および図５Ｃの（Ｉ）に示すように、有機層３および第二電極４などを含む自発光素子群を覆うことができる封止部材６が、接着剤７を介してガラス基板１との間で接着され、これにより自発光素子群は封止される。【００４２】
続いて、図４および図５Ｃの（Ｊ）に示すように、吸振部材の形成工程が実行される。この吸振部材はガラス基板１の前記第二の面に形成された圧電素子５の外側に沿って、符号８ａで示すように第１の吸振部材が形成されると共に、基板１を介した裏側、すなわち基板１の前記第一の面における圧電素子５に対峙する位置に沿って、符号８ｂで示すように第２の吸振部材が形成される。【００４３】
なお、前記した吸振部材８ａ，８ｂは、次のような問題に対処することができる。すなわち、圧電素子からガラス基板１の端部方向に伝搬する前記ＳＡＷがガラス基板１の端面で反射し、タッチする面に伝搬する前記ＳＡＷに悪影響を与えるという問題を招来させる。【００４４】
また、基板１の厚さが薄い場合においては、圧電素子５は前記した有機ＥＬ素子による自発光素子群を駆動する電気信号に基づく機械的な振動ノイズの影響を受けやすくなり、ＳＡＷ方式タッチセンサに誤検出を発生させるという問題も発生し得る。そこで、前記したように吸振部材８ａ，８ｂを施すことにより、前記した基板１の振動を抑え、またＳＡＷ方式タッチセンサの誤検出を効果的に防止することが可能となる。【００４５】
以上の工程をもって、ＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置を得ることができるが、前記した製造プロセスによると、先に単一の透明基板の第一主面上に自発光素子群の一部を構成する第一電極をパターンニングする工程を実行し、この後に透明基板の第二主面上にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を形成する工程を実行するので、特に第一電極をパターンニングする工程において実行されるウェットエッチング等により圧電素子がダメージを受けるのを避けることができる。【００４６】
さらに、前記した製造プロセスによると、前記圧電素子の形成後において、第一主面上に既にパターンニングされている前記第一電極上に自発光素子群を形成する工程を実行するようになされるので、自発光素子を構成する前記有機層が前記圧電素子の形成工程における特に圧電薄膜の形成時において付与される熱によりダメージを受けるのを避けることができる。【００４７】
次に図６は、ＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の第２の製造プロセスを説明する工程図である。この第２の製造プロセスにおいては、図４に示した第１の製造プロセスに比較して、符号Ｉで示す吸振部材の形成工程と、符号Ｊで示す封止工程とが前後に入れ替えられた製造プロセスにされている。【００４８】
図７に示す模式図（Ｉ）および（Ｊ）は、その様子を示すものである。すなわち、この第２の製造プロセスは、すでに説明した図５Ａと図５Ｂに示す模式図（Ａ）〜（Ｈ）に示す各工程に続き、図７に示す模式図（Ｉ）および（Ｊ）で示す工程が実行される。なお図７においては、すでに説明した図５Ｃに示す各部に相当する部分を同一符号で示している。【００４９】
この第２の製造プロセスにおける吸振部材の形成工程においては、図７に（Ｉ）として示すようにガラス基板１の前記第二の面に形成された圧電素子５の外側に沿って、第１の吸振部材８ａが形成される。さらに、基板１の前記第一の面に形成された自発光素子群の上面から、前記圧電素子５の形成位置における基板１の裏側にわたるようにして第２の吸振部材８ｂが形成される。【００５０】
続いて、図７に（Ｊ）として示すように封止工程が実行される。この封止工程においては、自発光素子群および第２の吸振部材８ｂを覆うことができる封止部材６が、接着剤７を介してガラス基板１との間で接着され、これにより自発光素子群は封止される。【００５１】
前記図７に示した構成の吸振部材８ａ，８ｂを形成することによっても、圧電素子からガラス基板１の端部方向に伝搬する前記ＳＡＷがガラス基板１の端面で反射し、タッチする面に伝搬する前記ＳＡＷに悪影響を与えるのを効果的に抑えることができる。また、自発光素子群を駆動する電気信号に基づく機械的な振動ノイズの影響を受けて、ＳＡＷ方式タッチセンサに誤検出が生ずるのを効果的に防止させることもできる。そして、図６および図７に基づいて説明した第２の製造プロセスによっても、前記した第１製造プロセスと同様の作用効果を得ることができる。【００５２】
図８Ａおよび図８Ｂは、図４および図６に示した自発光素子の形成工程においてなされるより好ましい成膜プロセスを説明するものである。すなわち図８Ａおよび図８Ｂは、図４および図６に示した自発光素子の形成工程における鎖線で囲まれた符号ａ１，ａ２と、これに続くＧおよびＨで示す各工程を模式的に示したものである。【００５３】
自発光素子の形成工程においては、図８Ａに（ａ１）として示したように、先に形成された第一電極（透明電極）２の上に、絶縁層１１が形成される。この絶縁層１１は、ストライプ状にパターニングされている前記第一電極２に直交する方向に、同様にストライプ状に形成される。この絶縁層１１の形成手段においても、好ましくはフォトリソグラフィ技術が用いられる。【００５４】
前記絶縁層１１を構成する材料としては例えばポリイミドを用いることができ、このポリイミドは第一電極２が形成された基板１上に、所定の膜厚となるようにスピンコーティングされた後にプリベークされる。続いて、これにフォトレジストが塗布され、光透過スリットを備えたマスクを利用して露光および現像することでレジストのパターニングが実行される。そして、残ったレジストを剥離することで、絶縁層１１がストライプ状に形成される。【００５５】
続いて、図８Ａに（ａ２）として示したように、絶縁層１１上に陰極隔壁１２が形成される。ここで、一般的には前記した第一電極２が陽極を構成し、第二電極４が陰極を構成する。そして、陰極隔壁１２は陰極としての第二電極を電気的にセパレートするように機能するので、前記した名称で称呼される。【００５６】
前記陰極隔壁１２を形成するには、故意にＵＶ光の透過性を低くしたリフトオフ用ネガ形フォトレジストをスピンコーティングし、プリベークする。そして、光透過スリットを備えた例えばハードクロムマスクを介してＵＶ光を照射し露光する。この際、前記したフォトレジストはＵＶ光の透過率が低いために、深さ方向で現像液に対する溶解性の差が生ずる。【００５７】
したがって、基板にアルカリ現像液をスプレーシャワーすることにより現像の進行性の差によって、逆等脚台形状の陰極隔壁１２が前記した絶縁層１１上に突出して形成される。【００５８】
このように、各陰極隔壁１２の長手方向に直交する断面形状がほぼ逆等脚台形を形成した構成とすることにより、後述する第二電極４を成膜する場合において、陰極隔壁１２により隣接する各陰極線間が分断されて十分な電気絶縁性を確保することができる。【００５９】
続いて、前記した陰極隔壁１２の形成後において、図８Ａに（Ｇ）として示したように、有機層３を成膜する工程が実行される。なお、この図においても有機層３として一つの層が示されているが、この有機層３はすでに説明したとおり、例えば図１に示したような三層構造もしくはさらに多層の構造になされる場合がある。これらは例えば抵抗加熱蒸着法によって順に成膜される。この場合、有機層３は隔壁１２の間に成膜されると共に、前記隔壁１２の上部にも成膜される。  【００６０】
さらに、図８Ｂに（Ｈ）として示したように、符号４で示すアルミ合金層が、例えば抵抗加熱蒸着法によって成膜される。なお、このアルミ合金層４は、第二電極を構成するものであり、これは前記陰極隔壁１２の間に成膜された前記有機層３の上に成膜されると共に、前記した隔壁１２の上部に成膜された有機層３の上にも成膜される。しかしながら、隔壁１２の上部に成膜される有機層３は表示装置としての発光作用には寄与しない。【００６１】
前記したアルミ合金層４の成膜によって、陰極隔壁１２に挟まれた領域にそれぞれ第二電極（同じく符号４で示す）が、陰極隔壁１２によって互いに分離されて形成され、これがストライプ状にセパレートされた各陰極線となる。また、有機層３は、互いに交差する第一電極（陽極線）２と、第二電極（陰極線）４との間においてマトリクス状に配列された構成にされる。【００６２】
前記図８Ｂに（Ｈ）として示した第二電極４の形成工程の後に、すでに説明した図５Ｃに（Ｉ）および（Ｊ）で示す封止工程および吸振部材の形成工程が順に実行される。また、図８Ｂに（Ｈ）として示した第二電極４の形成工程の後に、すでに説明した図７に（Ｉ）および（Ｊ）で示す吸振部材の形成工程および封止工程が順に実行される場合もある。【００６３】
次に、以上説明した製造プロセスによって製造されるＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置の好ましい構成例について以下に説明する。図９〜図１１は単一の透明基板としての前記ガラス基板の第一の面に自発光素子群が形成され、前記ガラス基板の第二の面にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を備えた構成において、前記自発光素子群に接続されている引出配線２１（これを第一引出配線という。）と前記圧電素子に接続されている引出配線２２（これを第二引出配線という。）とをフレキシブル配線基板に接続する場合の好適な例について説明するものである。【００６４】
なお、図９〜図１１に示す各例においては、図示の繁雑さを避けるためにガラス基板１のそれぞれの面に形成された自発光素子群や圧電素子等については省略して示している。【００６５】
図９はその第１の好ましい形態を示すものであり、（Ａ）は前記自発光素子群が形成された透明基板（ガラス基板１）の第一の面に向かって視た状態を示しており、（Ｂ）は（Ａ）に鎖線で示す切断線より矢印Ａ１−Ａ１方向に視た状態の拡大断面図で示している。【００６６】
図９に示す構成においては、前記透明基板（ガラス基板１）の第一の面と第二の面とを電気的に接続する貫通導電孔２３が備えられている。そして、前記第一引出配線２１もしくは第二引出配線２２は、前記貫通導電孔２３を介して透明基板の同一の面に引き出され、この同一の面でフレキシブル配線基板に接続されて、前記透明基板外に引き出された構成にされている。【００６７】
すなわち、図９に示す実施の形態においては、前記自発光素子群に接続されている多数の第一引出配線２１に電気的に接続される第一のフレキシブル配線基板２５と、前記圧電素子に接続されている第二引出配線２２に電気的に接続される第二のフレキシブル配線基板２６とが、前記自発光素子群が形成されているガラス基板１の第一の面に配置されている。【００６８】
前記自発光素子群からの多数の第一引出配線２１は、第一のフレキシブル配線基板２５を介してガラス基板１外に引き出され、図示せぬＣＰＵ等を搭載した発光制御回路に接続されている。また、前記圧電素子に接続されている第二引出配線２２は、前記ガラス基板１に形成された貫通導電孔２３に接続されている。【００６９】
そして、前記貫通導電孔２３を介してガラス基板１の第一の面、すなわち前記自発光素子群が形成されている面に導出されて、第二のフレキシブル配線基板２６に接続され、この第二のフレキシブル配線基板２６を介して、図示せぬＳＡＷ方式タッチセンサの制御回路に接続されている。【００７０】
前記したフレキシブル配線基板への接続構成によると、第一および第二のフレキシブル配線基板２５，２６とを、自発光素子群が形成されているガラス基板１の第一の面に配置することができるので、各制御回路との接続を簡素化させることに寄与できる。【００７１】
図１０は、前記第一および第二の引出配線をフレキシブル配線基板に接続する場合の第２の好ましい形態を示すものであり、（Ａ）は前記自発光素子群が形成された透明基板（ガラス基板１）の第一の面に向かって視た状態を示しており、（Ｂ）は（Ａ）に鎖線で示す切断線より矢印Ａ２−Ａ２方向に視た状態の拡大断面図で示している。なお、図１０においては、すでに説明した図９に示す各部と同一の機能を果たす部分を同一の符号で示している。【００７２】
この図１０に示す構成においては、第一および第二の引出配線２１，２２は、第一および第二の個々のフレキシブル配線基板２５，２６に接続され、透明基板（ガラス基板１）の同一辺から、前記透明基板外に引き出された構成に特徴を有する。【００７３】
すなわち、図１０に示す実施の形態においても、前記自発光素子群に接続されている多数の第一引出配線２１に電気的に接続される第一のフレキシブル配線基板２５と、前記圧電素子に接続されている第二引出配線２２に電気的に接続される第二のフレキシブル配線基板２６とが、前記自発光素子群が形成されているガラス基板１の第一の面に配置されている。【００７４】
また、前記圧電素子に接続されている第二引出配線２２も、前記ガラス基板１に形成された貫通導電孔２３に接続され、この貫通導電孔２３を介してガラス基板１の第一の面、すなわち前記自発光素子群が形成されている面に導出されて第二のフレキシブル配線基板２６に接続されている。【００７５】
前記第一と第二のフレキシブル配線基板２５，２６は、図１０（Ａ）に示されているように、ガラス基板１の第一の面において、矩形状の基板１における同一辺に配置され、これら各フレキシブル配線基板２５，２６を介して、ガラス基板１外に引き出すように構成されている。したがって、この構成によるとガラス基板１の一つの辺から、自発光素子群および圧電素子からのそれぞれの引出配線２１，２２を、それぞれフレキシブル配線基板２５，２６を介して引き出すことができるので、各制御回路との接続をより簡素化させることに寄与できる。【００７６】
図１１は、前記第一および第二の引出配線をフレキシブル配線基板に接続する場合の第３の好ましい形態を示すものであり、（Ａ）は前記自発光素子群が形成された透明基板（ガラス基板１）の第一の面に向かって視た状態を示しており、（Ｂ）は（Ａ）に鎖線で示す切断線より矢印Ａ３−Ａ３方向に視た状態の拡大断面図で示している。なお、図１１においても、すでに説明した図９に示す各部と同一の機能を果たす部分を同一の符号で示している。【００７７】
この図１１に示す構成においては、第一および第二の引出配線２１，２２は、同一のフレキシブル配線基板に接続され、前記透明基板（ガラス基板１）の同一辺から、前記透明基板外に引き出された構成に特徴を有する。【００７８】
すなわち、図１１に示す実施の形態においては、自発光素子群に接続されている多数の第一引出配線２１に電気的に接続されるフレキシブル配線基板と、圧電素子に接続されている第二引出配線２２に電気的に接続されるフレキシブル配線基板とは共通のフレキシブル配線基板２５により構成され、このフレキシブル配線基板２５はガラス基板１の第一の面において、一つの辺に沿って配置されている。【００７９】
この図１１に示す構成においても、圧電素子に接続されている第二引出配線２２は、前記ガラス基板１に形成された貫通導電孔２３に接続され、この貫通導電孔２３を介してガラス基板１の第一の面、すなわち前記自発光素子群が形成されている面に導出されて前記共通のフレキシブル配線基板２５に接続されている。  【００８０】
したがって、この構成によるとガラス基板１の一つの辺から、自発光素子群および圧電素子からのそれぞれの引出配線を、共通のフレキシブル配線基板を介して電気的に引き出すことができるので、各制御回路との接続をより簡素化させることに寄与できる。【００８１】
次に図１２は前記した圧電素子により構成されるＳＡＷ方式タッチセンサの他の好ましい実施の形態を示すものである。この図１２に示す例は、単一の透明基板としての前記ガラス基板１の第一の面に自発光素子群が形成され、前記ガラス基板の第二の面にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を備えた構成において、基板の第二の面にはタッチセンサとして機能する複数のタッチ検出領域が備えられた構成にされている。【００８２】
すなわち、図１２に示す例においては、前記ガラス基板１における表示領域を上下左右においてほぼ均等に四分割して、それぞれが独立してタッチ検出領域として機能するように構成されている。図２に基づいて説明した例と同様に、その左上のタッチ検出領域に符号５Ａ〜５Ｄで示したとおり、それぞれのタッチ検出領域は電気信号をＳＡＷに変換して発信する駆動側のトランスジューサ５Ａ，５Ｂと、伝搬してきたＳＡＷを受信し、電気信号に変換する検出側のトランスジューサ５Ｃ，５Ｄの組み合わせにより構成されている。【００８３】
前記した構成によると、基板１の上下左右方向に四つに区画された各タッチ検出領域において、独立してタッチ位置を検出することができるので、各タッチ検出領域において、それぞれ同時にタッチされた状態を感知することができる。したがって、前記した構成によると、より複雑な指令（同時タッチによる指令）を入力することが可能となる。【００８４】
図１３〜図１５は、前記したＳＡＷ方式タッチセンサを備えた表示装置において好適に採用されるタッチセンサおよび表示装置の駆動方法を説明するものである。前記した駆動方法を説明するにあたって、まず前記した表示装置をドライブする回路構成の一例について説明する。【００８５】
図１３は、パッシブマトリクス型表示パネルと、その駆動回路の構成例を示したものであり、これは陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。すなわち、ｍ本のデータ線（以下、これを陽極線とも言う。）Ａ１〜Ａｍが縦方向に配列され、ｎ本の走査線（以下、これを陰極線とも言う。）Ｋ１〜Ｋｎが横方向に配列され、各々の交差した部分（計ｍ×ｎ箇所）に、ダイオードのシンボルマークで示した自発光素子としての有機ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎが配置されて、表示パネル３１を構成している。【００８６】
そして、画素を構成する各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎは、縦方向に沿う陽極線Ａ１〜Ａｍと横方向に沿う陰極線Ｋ１〜Ｋｎとの各交点位置に対応して、一端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるアノード端子）が陽極線に、他端（ＥＬ素子の等価ダイオードにおけるカソード端子）が陰極線に接続されている。さらに、各陽極線Ａ１〜Ａｍはデータドライバとしての陽極線ドライブ回路３２に接続され、各陰極線Ｋ１〜Ｋｎは走査ドライバとしての陰極線走査回路３３に接続されてそれぞれ駆動される。【００８７】
前記陽極線ドライブ回路３２には、駆動電圧源ＶＨからの駆動電圧を利用して動作する点灯駆動電源としての定電流源Ｉ１〜Ｉｍ、およびドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍが備えられており、ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍが前記定電流源Ｉ１〜Ｉｍ側に接続されることにより、定電流源Ｉ１〜Ｉｍからの電流が、走査される陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎに対して点灯駆動電流として供給されるように作用する。【００８８】
また、前記ドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍは、非点灯駆動電源としての回路の基準電位であるグランド（ＧＮＤ）電位が、前記陰極線に対応して配置された個々のＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎに対して供給することができるように構成されている。【００８９】
一方、前記陰極線走査回路３３には、各陰極線Ｋ１〜Ｋｎに対応して走査スイッチＳｋ１〜Ｓｋｎが備えられ、非走査選択電位として機能する主にクロストーク発光を防止するために用いられる逆バイアス電圧源ＶＭからの逆バイアス電圧、もしくは走査選択電位としてのグランド（ＧＮＤ）電位のうちのいずれか一方を、対応する陰極線に供給することができるように構成されている。【００９０】
そして、前記した陽極線ドライブ回路３２および陰極線走査回路３３には、ＣＰＵ等を含む発光制御回路３４よりコントロールバスを介してそれぞれに制御信号が供給され、表示すべき映像信号に基づいて、前記走査スイッチＳｋ１〜ＳｋｎおよびドライブスイッチＳａ１〜Ｓａｍの切り換え操作が実行される。【００９１】
これにより、映像信号に基づいて陰極線（走査線）を所定の周期で順次グランド電位に設定しながら所望の陽極線に対して定電流源Ｉ１〜Ｉｍが接続される動作が繰り返され、前記各ＥＬ素子Ｅ１１〜Ｅｍｎは、あたかも連続発光しているようにして表示パネル３１上に前記映像信号に基づく画像が表示される。【００９２】
ところで、前記した表示パネルの駆動装置によると、各ＥＬ素子は電流駆動型素子であるために、例えば各走査線の走査の立上がり時と立下がり時において特にノイズを発生し、これが前記したＳＡＷ方式タッチセンサに妨害を与えて誤検出を招来させるという問題が発生する。【００９３】
そこで、前記したタッチセンサの誤検出を防止し得る対策として、図１４および図１５に示したタッチセンサおよび表示装置の駆動方法を好適に採用することができる。【００９４】
この図１４および図１５に示した駆動方法は、単一の透明基板としての前記ガラス基板の第一の面に、複数の走査線とデータ線と、これら走査線とデータ線の交差位置に配置された自発光素子を備え、ガラス基板の第二の面に圧電素子とこの圧電素子に囲まれたタッチ領域とを備えたＳＡＷタッチセンサを備えた表示装置であって、１フレーム期間に前記各走査線ごとに走査を行う複数の走査期間と、前記タッチ領域への接触を検出するタッチ検出期間とを有し、前記タッチ検出期間は、前記走査期間の立上がりタイミングと立下がりタイミング以外の期間に設定される点に特徴を有する。【００９５】
特に次に説明する図１４に示された駆動方法は、前記タッチ検出期間が、複数の前記走査期間とは異なる期間に設定されている点に特徴を有する。またその後に説明する図１５に示された駆動方法は、前記タッチ検出期間が、各々前記走査期間に同期して設定されている点に特徴を有する。【００９６】
図１４に示す駆動方法は、１フレーム期間を走査期間とタッチ検出期間とに別けて駆動するように制御される。すなわち、この図１４に示す例においては１フレーム期間の初めからその期間の大部分を占める期間に走査期間が設定され、その後の残りの期間がタッチ検出期間に設定されている。そして、前記走査期間においてはｎ本の走査線を順に走査選択電位に設定することで１フレームの走査が実行される。【００９７】
続くタッチ検出期間は、第ｎの走査線の走査の終了以降において、タッチ検出動作が実行されるように設定されており、このタッチ検出動作は、次のフレームにおける第１の走査線の走査の開始以前において終了するように設定される。【００９８】
図１４に示した駆動動作によると、１フレーム期間を、第１〜第ｎの走査線を連続的に走査する走査期間と、ＳＡＷ方式タッチセンサによるタッチ検出期間とをそれぞれ別けて駆動動作するようになされるので、表示装置の点灯駆動に伴う前記した走査により発生するノイズが、タッチセンサ回路に妨害を与えて誤検出を発生させるという問題を解消することができる。【００９９】
次に、図１５に示す駆動方法は、１フレーム期間において第１〜第ｎの走査線が連続的に走査されると共に、各走査線の走査の立上がりと立下がりの間における期間において、それぞれＳＡＷ方式タッチセンサによるタッチ検出期間が設定されるように動作する。すなわち各タッチ検出期間は、第１〜第ｎの走査線の各々の走査期間に同期して設定されると共に、各走査線における走査の立上がりタイミングと立下がりタイミングに重複しないように設定されている。【０１００】
図１５に示した駆動動作によると、各走査線の走査の立上がりと立下がりの間における期間において、それぞれタッチセンサによるタッチ検出が実行されるように動作するので、特に走査の立上がりと立下がり時に発生するノイズが、タッチセンサ回路に妨害を与えて誤検出を発生させるという問題を解消することができる。【０１０１】
次に図１６は、同じくＳＡＷ方式タッチセンサによるタッチ検出動作が表示駆動動作に基づいて発生するノイズにより誤検出されるのを防止させる他の好ましい動作例を説明するものである。【０１０２】
この図１６に示した駆動方法は、単一の透明基板の第一主面上に自発光素子群を備え、第二主面上にＳＡＷ方式タッチセンサとして機能させる圧電素子を備えた表示装置であって、前記自発光素子群を点灯駆動させる際のフレーム周波数と、圧電素子の検知可能周波数帯域とは異なるように設定される点に特徴を有する。これに加えて、前記圧電素子の検知可能周波数帯域は、前記フレーム周波数のＮ倍（Ｎは正の整数）と異なるように設定されていることが望ましい。【０１０３】
図１６は、前記した好ましい関係の一例を説明するものであり、自発光素子群を点灯駆動させる際のフレーム周波数Ｆｄとしては、好ましくは５０〜１５０Ｈｚに設定され、自発光素子群を点灯駆動させる駆動回路のクロック周波数は好ましくは３０Ｋ〜３０ＭＨｚに設定される。また、タッチセンサの駆動信号周波数Ｆｐとしては、１０〜４０ＭＨｚに設定される。この場合、前記圧電素子５の検知可能周波数帯域Ｆｗが、前記駆動信号周波数Ｆｐから外れるように、前記周波数Ｆｐのチューニングがとられる。【０１０４】
したがって、前記した例に示す各周波数の関係に設定することで、圧電素子５の検知可能周波数帯域Ｆｗを、前記フレーム周波数ＦｄのＮ倍と異なるように設定することができる。これにより、ＳＡＷ方式タッチセンサによるタッチ検出動作が表示駆動動作に基づいて発生するノイズにより誤検出されるのを効果的に防止させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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