(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを内部に発生させる設計のプラズマ誘起手段が設けられた第一室、発生したプラズマが拡散して被処理加工物に作用するための第二室、及び前記プラズマ誘起手段と独立に制御可能な磁界発生手段を備え、前記磁界発生手段を前記両室中の少なくとも第一室に関連させて位置決めし且つ前記第二室内へ拡散し加工物に接近するイオン群の一部分を何れかの室の損失面へ向けることにより該イオン群を減衰させる如き構造とし、前記第一室を環状とし、該環状の内側及び外側に沿って個別に配置した永久磁石群、電磁石群、又はソレノイド群により環状の磁界発生手段を形成してなるプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１の装置において、前記磁界発生手段に、前記第一室の側壁の周りに設置した永久磁石群又は電磁石群を含めてなるプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２の装置において、前記第一室に沿う前記磁界発生手段を出力可変のソレノイドとしてなるプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の装置において、前記第二室の上方領域に付加的プラズマ誘起手段を設けてなるプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４の装置において、前記第二室の上方領域の前記付加的プラズマ誘起手段の周りに、永久磁石群、電磁石群又はソレノイドを付加的磁界発生手段として設置してなるプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一項に記載の装置において、前記磁界発生手段に前記両室の結合部分に形成した磁気的構造物を含め、該部分にダイポール磁界を形成してなるプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の装置において、前記第一室の頂部へのガス供給入口に加えて、前記第二室内における前記両室の結合点下方部位に環状ガス供給口を含めてなるプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１から７の何れか一項に記載の装置において、前記第二室に対する出力可変のソレノイドを所要位置に設け、前記第二室の加工物の高さ部位に磁界を発生させて加工物へ向かうイオン群の舵取りをしてなるプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１から８の何れか一項に記載の装置において、前記第二室の室壁に沿う磁石列によって該第二室に磁気バケツを設けてなるプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか一項に記載の装置において、前記第一室の幾何学的形状を、円筒、段階付き円筒、錐、切頭錐、又は半球、又はそれれらの組合せにより形成してなるプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか一項に記載の装置において、前記第一室に、環状プラズマ源泉と円筒形プラズマ源泉との組み合わせを設けてなるプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１から１０の何れかの装置において、減衰磁界発生手段対群とプラズマ誘起手段とを有する第一室の環状部群が相互に同心的に配置されてなるプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１から１２の何れか一項に記載の装置において、前記プラズマ誘起手段を、前記第一室内に無線周波電源との誘導結合によりプラズマを発生させる設計としてなるプラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項１から１３の何れか一項に記載の装置において、前記第一室に、熱伝導度が酸化アルミニウムより十分大きな窒化アルミニウム又は炭化シリコン又は他の誘電性材料で形成した誘電性プラズマ管を設けることにより、誘電性材料内に損傷原因となり得る高度の熱傾斜を生じさせないような大電力運転を許容してなるプラズマ処理装置。
【請求項１５】
請求項１から１４の何れか一項に記載の装置において、前記第二室の頂部を横切って複数個の前記第一室を設けてなるプラズマ処理装置。
【請求項１６】
加工物へのプラズマの伝送を制御する方法において、プラズマをプラズマ誘起手段により第一室内で発生させ、該プラズマが被処理加工物に作用するため第二室へ拡散するのを許容し、次いで前記両室中の少なくとも第一室に関連して位置決めされ且つ前記プラズマ誘起手段と独立に制御可能な磁界発生手段をして前記第二室内へ拡散し加工物に接近するイオン群の一部分を何れかの室の損失面へ向けることにより該イオン群を減衰させる如く作用させ、前記第一室を環状とし、該環状の内側及び外側に沿って個別に配置した永久磁石群、電磁石群、又はソレノイド群により環状の磁界発生手段を形成してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項１７】
請求項１６の方法において、前記第一室の頂部ヘのガス供給入口に加えて、前記両室の結合部の下方における前記第二室内のリングガス供給口へガスを供給してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項１８】
請求項１７の方法において、前記ガス供給入口と前記リングガス供給口とへ異なるガスを供給してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８の方法において、前記ガス供給入口と前記リングガス供給口とへの入口ガス流を個別質量流量計によって制御してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項２０】
請求項１７から１９の何れか一項に記載の方法において、処理室圧力を異なる処理段階のそれぞれに対し異なるレベルに設定してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項２１】
請求項１６から２０の何れか一項に記載の方法において、前記プラズマ誘起手段を、処理操作中にプラズマがパルス状にオン・オフするように操作してなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項２２】
請求項１６から２１の何れか一項に記載の方法において、前記第二室内に該室の周りの磁石列が生成する磁気バケツによって磁気的閉じ込めを設けてなるプラズマの伝送制御方法。
【請求項２３】
請求項２１又は２２の方法において、前記減衰磁界の発生のために設けた一つ電磁石の磁界強度を時間の関数として変化させてなるプラズマの伝送制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ処理装置又は方法に関し、とくにプラズマを第一室で発生させ、生成イオン及び遊離基の第二室への拡散を許容しその第二室でシリコン・ウェーハ又は他の加工物に対するエッチング又は蒸着を行うプラズマ処理装置又は方法に関する。プラズマ源泉と処理室とを分離する概念のものである。
【背景技術】
【０００２】
高密度のプラズマを発生させ、所要のエッチング又は蒸着の化学処理を高速化に利用できる遊離基の数を増やすことがしばしば有利になる。しかし、一般に高密度プラズマを発生させる時には、多数の遊離基に加えて多数のイオンが生じ、それがウェーハ又は他の加工物に対する損傷等の不所望効果を招く。
【特許文献１】米国特許第５５０１８９３号明細書
【特許文献２】米国特許第６０５１５０３号明細書
【特許文献３】国際公開第００／０３６６３１号パンフレット
【非特許文献１】Boswell and Porteous, "Etching in a pulsed plasma", Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, (October 15, 1987), Volume 62, Issue 8, pp. 3123-3129
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の一目的は、加工物に到達するイオンの比率を減少させるように遊離基とイオンとの比を制御できる装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一面によると、プラズマを内部に発生させる設計のプラズマ誘起手段が設けられた第一室、発生したプラズマが拡散して被処理加工物に作用するための第二室、及びプラズマ誘起手段と独立に制御可能な磁界発生手段を備え、その磁界発生手段を前記両室中の少なくとも第一室に関連させて位置決めし且つ第二室内へ拡散し加工物に接近するイオン群の一部分を何れかの室の損失面へ向けることにより該イオン群を減衰させる如き構造とし、前記第一室を環状とし、該環状の内側及び外側に沿って個別に配置した永久磁石群、電磁石群、又はソレノイド群により環状の磁界発生手段を形成してなるプラズマ処理装置が提供される。
【０００５】
磁界発生手段により装置に組み込まれる制御手段が、第二室へ進入しウェーハに到達すべきイオンと遊離基との数を相対的に調節する。従って、適当に方向性をもたせた磁界の使用により、中性の遊離基の拡散に影響することなくイオン拡散に影響を与えることができる。
【０００６】
好ましくは、前記磁界発生手段に、前記第一室の側壁の周りに設置した永久磁石群又は電磁石群を含める。前記第一室に沿う前記磁界発生手段を出力可変のソレノイドとしてもよい。
【０００７】
前記装置には、その第二室の上方領域に付加的なプラズマ誘起手段を設けてもよい。その場合には、永久磁石群、電磁石群又はソレノイドを前記第二室の上方領域の前記付加的プラズマ誘起手段の周りに付加的磁界発生手段として設置してもよい。
【０００８】
前記磁界発生手段には、前記両室の結合部分に形成した磁気的構造物を含め、該部分にダイポール磁界を形成することができる。
【０００９】
前記装置には、前記第一室の頂部へのガス供給入口に加えて、更に前記第二室内における前記両室の結合点下方部位に環状ガス供給口を含めてもよい。
【００１０】
前記装置は、前記第二室に対する出力可変のソレノイドを所要位置に設け、前記第二室の加工物の高さ部位に磁界を発生させて加工物へ向かうイオン群の舵取りをすることができる。
【００１１】
前記第一室に、環状プラズマ源泉と円筒形プラズマ源泉との組み合わせを設けてもよい。
【００１２】
前記第一室を径が異なり上下配置の２個以上の誘電性筒状区域によって形成し、各区域に個別プラズマ誘起手段を設けることができる。
【００１３】
前記第二室の室壁に沿う磁石列によって該第二室に磁気バケツを設けることができる。
【００１４】
前記第一室の幾何学的形状を、円筒、段階付き円筒、錐、切頭錐、又は半球、又はそれら幾何学的形状の組合せにより形成することができる。
【００１５】
本発明の他の面によると、無線周波電源との誘導結合によりプラズマを発生させる設計のプラズマ誘起手段が室内に設けられた第一室、及び発生したプラズマが拡散して被処理加工物に作用するための第二室を備えてなり、前記第一室を径が異なり上下配置の２個以上の誘電性筒状区域によって形成し、各区域に無線周波電源との誘導結合によりプラズマを発生させる設計の個別プラズマ誘起手段を設けてなるプラズマ処理装置が提供される。
【００１６】
前記第一室の個別の前記区域を結合する部分は、理想的には金属又は誘電性材料により形成され、当該区域群と直交又は傾斜交差するように位置決めされる。
【００１７】
前記多重区域の第一室に二つ以上の前記区域と関連付けられた磁界発生手段を設け、それぞれの磁界発生手段を、第二室へ拡散して加工物へ接近するイオン流を減衰させる如き構造とすることができる。
【００１８】
更に、広い面積での処理の実施を可能にするため、相互に同心配置した減衰用磁界発生手段対付き環状の第一室を設けることができる。
【００１９】
理想的には、前記第一室に、熱伝導度が酸化アルミニウムより十分大きな窒化アルミニウム又は炭化シリコン又は他の誘電性材料で形成した誘電性プラズマ管を設けることにより、誘電性材料内に損傷原因となり得る高度の熱傾斜を生じさせない大電力運転を許容することができる。
【００２０】
活性ある処理の面積を増大させるため、本発明による複数個の前記第一室を、前記第二室の頂部を横切って設けることができる。
【００２１】
本発明の他の実施例によれば、プラズマを発生させる設計のプラズマ誘起手段が室内に設けられた第一室、及び発生したプラズマが拡散して被処理加工物に作用するための第二室を備え、前記第一室に、熱伝導度が酸化アルミニウムより十分大きな窒化アルミニウム又は炭化シリコン又は他の誘電性材料で形成した誘電性プラズマ管を設けることにより、誘電性材料内に損傷原因となり得る高度の熱傾斜を生じさせない大電力運転を許容してなるプラズマ処理装置を用い、前記プラズマ誘起手段を誘電性材料内に損傷原因となり得る高度の熱傾斜を生じさせないように運転してなるプラズマ処理方法が提供される。
【００２２】
時間又は他のパラメータに依存する関数関係を介してエッチング又は蒸着段階の特定面と関連する制御手段が必要になる。例えば、エッチングされる表面へ到達するイオンの数を表面層が一旦除去された後は減少させる必要があるが、該表面へ到達する遊離基の数は一定値に維持してもよい。表面層の除去に要した時間の経過後は、遊離基対イオン比の新所要値への移行のために制御量のレベルを再調整することができる。制御量には距離の関数を含めることができ、遊離基数に対するイオン数の相対的な比率をウェーハ位置の関数として変化させることができる。
【００２３】
シリコン又は他の適当な材料の中に深い溝をエッチングするには、切換式処理（ロバート・ボッシュGmbHの米国特許第5501893号（特許文献１）又はサーフェイス・テクノロジーの米国特許第6051503号（特許文献２）参照）を使うことができる。このような工法では、材料のエッチングと蒸着との段階が交互に行われ、その結果ウェーハ内へ異方性エッチングにより構造が形成される。更に詳しくは、蒸着ステップにおいて、溝又は他の構造の側壁及び底部の両者の上にポリマーが蒸着される。後続のエッチングステップにおいて、指向性イオン衝撃によって溝の底部からポリマーが優先的に除去され、次いで露出されたシリコンに対する化学的エッチングが行われる。化学的エッチングは基本的に等方性であるが、エッチング工法全体は異方性であり、その理由はポリマーの除去が溝の底からのみ行われ、且つ、各エッチングステップでのシリコンのエッチング深さが浅いからである。エッチングすべき構造表面の幾何学的形状を定義するため、エッチングステップの開始前に、例えばフォトレジスト製の適当なパターンマスクをウェーハに貼り付ける。溝の底部からのポリマー除去を目的とするイオン衝撃が、所要エッチング深さ到達前にマスクを侵食しないようにすることが、この工法全体の中の重要な一面であり、こうしないと構造の正確性が害われる。
【００２４】
本出願人は、国際特許出願PCT/GB99/04168（特許文献３の「プラズマ処理装置」参照）において、ウェーハへの到達が許容される遊離基及びイオンの相対的な数の制御のために、永久磁石及び電磁石の配列の多数の例を記載した。切換式エッチング処理では、電磁石によって作る磁界を、エッチング段階に対してあるレベルとし、蒸着段階に対しては異なるレベルとする。ある状況の下では、エッチング及び蒸着ステップの何れか一方又は双方において磁界強度を変えるのが有利である。例えば、エッチング段階においてその初期部分で磁界強度を低く保ち高レベルのイオン流束をウェーハに到達させ、溝の底に蒸着したポリマーを除去してもよい。ポリマー除去の終了時に、磁界強度を上げて、ウェーハに到達するイオン流束を減少させ、マスクのエッチング速度を低減することができる。これに加えて、磁界強度をあるエッチング段階から次のエッチング段階へと、及び／又はある蒸着段階から次の蒸着段階へと調節するすることにより溝エッチングの進行に応じ遊離基に対するイオンの相対数を徐々に調節することができる。
【００２５】
本出願は、プラズマ処理装置において、ウェーハ横断のエッチング速度の良好な一様性を保ちつつ高速エッチングを可能にし、且つ、エッチングする構造の形状の高精度な制御を可能にする諸特徴を詳細に記載する。本出願の記載は、特に上記切換式エッチング処理によって実施されるエッチングに関する。このことは、本出願から連続的エッチング処理又は連続的蒸着処理（ここに、「連続的」とは、処理速度又は他の処理面が時間に関して一定であることの暗示よりも寧ろ、処理が「エッチング段階と蒸着段階との間で切換えられないこと」を意味する。）を除外することを意図するものではない。
【００２６】
プラズマ処理装置は、二つ以上の室からなり、通常は第二室がより大きく、ウェーハ又は他の加工物が適当な支持台の上に載せられる。この支持台は、処理中又はその前若しくは後にウェーハを冷却又は加熱する機構を含むことができる。支持台はまた、連続的又はパルス化した無線周波又は直流の電圧が室からウェーハに印加されるのを許容し、ウェーハへ向かうイオンの加速を可能にする。支持台の中に、ウェーハの挿入又は引抜の遠隔操作のできる機構を含めることができる。通常はこの室の壁に、圧力計及び他の診断手段用の開口を設け、また室内を所要圧に保つために使われる真空ポンプ装置へのガス流出用の一つ以上の比較的大きな開口を穿つ。
【００２７】
典型的には、一つ以上の第一室の容積が、ウェーハが取付けられる第二室に比して小さい。この第一室内でプラズマが創り出され且つ維持され、イオン及び遊離基が第二室内へ拡散する。磁気減衰器のような制御手段を使って、第二室内へ向かうイオンと遊離基との流束を限定することができる。一つの第一室への言及は、プラズマ形成用の複数の室の使用、及びウェーハが取付けられる第二室へ向うイオンと遊離基との流束を制御する複数の制御手段の併用を除外するものではない。複数の第一室でプラズマが形成される時、全ての室を同時に動作させるか、供給ガスを同一とするか、又は各プラズマへの入力レベルを同一とするか等について何らの制限をも意味しない。
【００２８】
本発明の他の面によれば、加工物へのプラズマの伝送を制御する方法において、プラズマをプラズマ誘起手段により第一室内で発生させ、該プラズマが被処理加工物に作用するため第二室へ拡散するのを許容し、次いで前記両室中の少なくとも第一室に関連して位置決めされされ且つ前記プラズマ誘起手段と独立に制御可能な磁界発生手段をして前記第二室内へ拡散し加工物に接近するイオン群の一部分を何れかの室の損失面へ向けることにより該イオン群を減衰させる如く作用させ、前記第一室を環状とし、該環状の内側及び外側に沿って個別に配置した永久磁石群、電磁石群、又はソレノイド群により環状の磁界発生手段を形成してなるプラズマの伝送制御方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明は各種態様で実施可能であるが、添付図を参照して以下に好ましい実施例を説明する。
【００３０】
図１に図式的に示す装置の単一の第一室Ａにおいて、プラズマが生成され且つウェーハの配置されるべき第二室への該プラズマの流出が許容される。ウェーハ１は、下方室Ｂのウェーハ支持台２の上に置かれる。ウェーハ用機械的クランプ2A、又は静電的クランプ、又はこの状況に適する他の適当な手段によってウェーハと支持台の温度制御された部分との間に良好な熱的接触を維持する。ウェーハ裏面と支持台２の表面との二つの表面の間の熱伝導を改善するため、入口３を介してヘリウム等の加圧ガスを注入し、二面の間の狭い間隙に薄層として充填する。支持台の適当な部分を、適当なインピーダンスマッチング装置５を介して、無線周波又は直流の連続的又はパルス状電源例えば無線周波電源４に接続し、ウェーハ上に形成されシース（sheath）に制御電位差を加え、それによってウェーハに衝突するイオンのエネルギーを制御する。室内の通常の処理高さ位置を記号６で示す。ガスはポンピングポート７を介して排出される。
【００３１】
永久磁石21gの群（図２参照）を室Ｂの周囲壁に（必要ならば室Ａの周囲壁にも）柱状に配置して「磁気バケツ」を形成する。「多重尖端」又は「杭棚」配列が、イオン及び遊離基の室壁への拡散を低減する作用を持つ。歴史的には「磁気バケツ」が室内のプラズマ密度増大のために使われてきたが、その理由は「磁気バケツ」がない場合に比し室の内部での所与のイオン・遊離基生成率に対する壁への損失率が低下することにあった。もし室Ａに対し磁気的閉じ込め（magnetic confinement）を施す場合には、それは主としてこの目的及び中性遊離基が高密度である高密度プラズマの形成に資するためである。
【００３２】
ウェーハに到達するイオンの数を遊離基の数に比して減少させる必要ある場合に、室Ｂに磁気的閉じ込めを加えることは一見非論理的に見えるが、それは「磁気バケツ」がない場合に比して，室Ｂ中へ拡散するイオンをより効果的に閉じ込め得るであろうからである。しかし室Ｂに対しては、磁気的閉じ込め使用の目的が、主としてウェーハに到達するイオン流束の均一性（uniformity）を増大させることにある。室Ｂの周囲に磁気的閉じ込めが無い場合には、室Ａから室Ｂ内へ下降するプラズマの拡散時に、ウェーハ位置への到達前に室Ｂの壁へのイオンと電子との損失が生じる。室Ａからウェーハへの距離の増大と共にプラズマ密度が減少し、更に非均一性が増大し、密度が室の軸線部で最大となる。室Ｂの周囲の磁気的閉じ込めは、壁へのプラズマ損失を減らすので、ウェーハ位置でのプラズマ均一性のかなりの増大を確実にする。室Ｂの周りに磁気的閉じ込めを設ける提案は、室Ｂの周りに磁気的閉じ込めを持たない装置の使用の排除を意図しない。即ち、「磁気バケツ」の使用に有利性がある時にのみ、それを使用する。
【００３３】
ウェーハ位置でイオンの数を少なくして中性遊離基の数を増大させると共に高度のイオンの空間均一性を保つには、室Ｂ内に良好なイオン閉じ込めを設けるだけでなく同時に室Ａから外へ拡散するイオンの数を遊離基の数に比して著しく少なくする必要がある。所要の結果を得るために、室Ａと一体又は両室の中間に配置する磁気的プラズマ減衰器を、室Ｂのプラズマ閉じ込めと併用することができる。この目的のため、永久磁石又は電磁石により双極磁気プラズマ減衰器を形成することができる。
【００３４】
ウェーハを処理する高さレベルに好ましくは、室Ｂ内に電磁石９によってソレノイド磁界を形成し、その電磁石９を室外（図示例）又は室内に設ける。磁界強度を制御して、切換式処理の異なる段階に対して異なる磁界強度値をとるようにし、更に処理の進行に伴い処理段階が何れであるかに応じ磁界強度値が上向き又は下向きに傾斜変化するようにしてもよい。この磁界の目的は、ウェーハ表面に到達するイオンの方向性の制御、及びウェーハ表面上におけるイオン流束の均一性の支援にある。
【００３５】
処理プラズマは、上方の室Ａ内で形成される。本明細書の以下の記載において、無線周波電源との誘導結合により生成され維持されるプラズマに言及する。しかし、このことは他のプラズマ生成手段、例えばマイクロ波（エレクトロン・サイクロトロン共鳴形式を含む。）、ヘリコン（helicon）波、電子源としての加熱フィラメント付き又は無しの直流手段等の使用を排除するものでないことはもちろんである。図１に示すアンテナ10は、誘電性材料製の筒状管11の周りに位置し、そのアンテナを介して（電源点21からの）無線周波電力が前記管内で形成されるプラズマへ誘導結合される。その管の幾何学的形状は、図示以外のもの、例えば断面が５角形又は他の形状でもよい。その幾何学的形状は、上記に代えて円錐形11A、切頭円錐形11B、半球形11C、又はそれらの組合せ（図３参照）のものとしてもよい。多くの場合、一つのアンテナ10を使って電力をプラズマに結合する。しかし、エッチング処理又は蒸着処理の均一性の向上を、２個以上のアンテナ10A、10Bの使用、とくに誘電性管11の異径部分（図３（Ｂ）参照）への取付け使用により達成できる。
【００３６】
管11を形成するめの誘電性材料は、処理用ガスと相性が良い適当な材料としてのアルミナ、水晶、その他適当な材料である。炭化シリコン等の材料を使うのが有利であるが、それはアルミナより高い熱伝導率をもち、従ってプラズマに接する内側壁面から外側の冷却手段への熱伝達をより良好にするからである。炭化シリコンは、その高い導電率のゆえに、無線周波電源の誘導的結合が望ましいモードである場合に室内への静電容量的結合の低下を助ける。窒化アルミニウムは他の利用可能な材料であり、高い熱伝導率と低い導電率とを併せ持ち、良好な熱伝達を許すが、外部アンテナ10からプラズマへの無線周波電力結合に対する影響は小さい。プラズマ密度が高い場合には、窒化アルミニウム又は炭化シリコンの高い熱伝導率が特に有利である。これは、管の内外間の温度傾斜が、アルミナ等の熱伝導率が比較的低くない材料の場合に比して低減されるからである。誘電性管におけるかなりの膨張差は、亀裂の発生と伝播の原因及び真空度維持の喪失の原因となり得る。
【００３７】
場合によっては、ウェーハ処理の均一性の面から、室Ａを径が異なる二つ以上の円筒状誘電性区域11X、11Y（図５参照）によって形成する幾何学的形状を使うのが有利になる。その場合には、プラズマへの無線周波電源の結合を、それぞれ各筒状区域の周りに設けた二つ以上の個別アンテナ10A、10Bによって行える。これを単一の誘電性材料構造とするか、又は導電性又は非導電性のインタフェース・フランジ部分12及び適当な真空封止手段付きの二つ以上の区域11X、11Yによって構成してもよい。円筒状区域について説明したが、これは方形又は六角形断面等の他の幾何学形状を排除するものではない。二つ以上の個別アンテナは、個別インピーダンス整合ユニットと、個別無線周波電源又は分割出力付き単一電源を使用する。図５を参照するに、アンテナ10Aを介してプラズマに結合された電力はウェーハ中心部に到達するイオン及び遊離基の流束に対する影響をより強く持ち、他方のアンテナ10Bを介してプラズマに結合された電力はウェーハの外周部に到達するイオン及び遊離基の流束に対する影響をより強く持つ。イオン及び遊離基の横方向拡散は前記効果が画然としたものでないことを意味するが、上方室Ａとウェーハとの間の距離が大きくない限り、前記効果は真である。二つ以上のアンテナへ供給される無線周波電力の相対レベルを調節することにより、この室内のプラズマ断面及びウェーハ上へのプラズマの効果が調節可能になる。処理のエッチング段階と蒸着段階との何れが進行中であるかに応じて、相対的電力レベルを異なる値に調節する。
【００３８】
図１を参照するに、上方室Ａは、側壁を形成する誘電性円筒管11、並びに頂部を閉鎖するプレート13及び円筒に対する適当な真空封止手段によって形成される。頂部プレートは金属製が通常であり、室内ヘの処理ガスの供給を許容する適当な接続手段14を有する。室内でのガス分布が一様となるように適当な手段を組み込む。例えば図４又は図５に記号15で示す窓を頂部プレートに設け、処理の最終点での測定目的等のプラズマ又はウェーハの観察を許容する。この誘電性円筒管の下端は、直接に又は通常金属製である中間的な短管区域を介して、下方室Ｂの蓋17へのインタフェースとなり、その短管区域は接地されるか、電気的にフロートとされるか、又は選ばれた電位にバイアスされる。
【００３９】
以上の説明は上方室Ａの蓋を介する処理ガスの供給を含むが、付加的に又は代替的に、下方室Ｂの内部の下方室蓋17に近い部位に設けたガスリング16から上向きに室Ａへガス供給するのが望ましい場合もあり得る。場合によっては、上方室Ａの蓋を介して一つのガスを供給し、異なるガスを下方室Ｂ内に設けられたガスリング16から供給する。上方室Ａの幾何学的形状が半球若しくは円錐であり総て誘電性材料のみからなる場合には、上方室Ａの頂部へガスを供給するのが可能でなく、下方室内のガスリング16が不可欠である。
【００４０】
切換式処理（switched process）の場合には、実施されているのが処理のエッチング段階か又は不動態化（passivation）段階かに応じて適正な処理ガスを、上方室Ａの蓋の供給口、又は下方処理室Ｂ内のガス供給リング16から供給することに、それぞれ利点があり得る。そうではなく、ある処理段階では両ルートを介するガス供給が望ましく、他の処理段階では一方のルートのみを介するのが望ましい場合もあり得る。両処理段階の各々において、装置内への処理ガス供給にどのルートを使う時にも、ガス流入口の適正な制御を質量流量制御器によって行うことができる。処理室から真空ポンプへのガス流コンダクタンス（conductance）の制御には自動圧力制御（APC）を使うことができ、これは処理室圧力の制御を可能にする。
【００４１】
ある状況の下では、切換式処理の二段階の各々に対し、相当に異なる処理室内圧力を使うことが望ましい。例えば、エッチング段階では高圧、不動態化段階で低圧である。このことは、処理室へのガス供給に係る質量流量制御器及び処理室・真空ポンプ間のガスコンダクタンス制御用の圧力制御弁に対する適当な高速制御によって達成できる。
【００４２】
上方室Ａ内でプラズマを形成するため、上方室を取巻くアンテナ10に無線周波電力を供給すると共に関連入口手段を介して所要の処理ガスを導入する必要がある。プラズマからの活動的電子が中性ガスに衝突することにより中性遊離基が形成され、従って上方室Ａ内にはイオン、電子、遊離基及び未分離の供給ガスが混在するであろう。これらの種は全て下方室Ｂへ拡散するが、その数は容積内及び壁面での再結合により減少する。イオンと電子とは室の壁において容易に再結合するが、遊離基は多数回の衝突後も生残るであろう。下方室Ｂ内に磁気閉込めが存在する場合には、この室の壁面へのイオン及び電子の損失は著しく低減される。
【００４３】
上方室Ａが取付けられるべき下方室Ｂの蓋17の開口、又は存在する場合の中間短管区域の内径の大きさの制限は、上方室と下方室との間においてより高い圧力差を許容する。これは処理効率を向上させるが、その理由は、上方室におけるより高い圧力が衝突を増加させるのでイオン及び遊離基の形成に有利に働くことにあり、また下方室における圧力の低減はその容積内での再結合の発生を減少させる。この処置は、明らかにガス供給が上方室内へ向けられる場合にのみ使用可能であり、上記制限によりイオン又は遊離基の損失が増大する場合には好ましくない結果を生じ得る。可変開口度の自動圧力制御（APC）機構をこの位置に含めることができる。しかしAPC機構の物理的設計によってはイオン流、とくにウェーハに達するそれの一様性が低下する。
【００４４】
必要に応じ、永久磁石８又は電磁石を使って形成されたダイポール磁界を、上方室Ａの下端を横切って（又は、存在する場合の中間短管領域を横切って）印加して磁気プラズマ減衰器を形成してもよい。その磁界発生のために使われる永久磁石又は電磁石は、一般に前記室の外に位置決めされるが、その一部又は全部をその室内に設けてもよい。この磁界の作用は、電子と次いでイオンとをそれらが失われるべき壁（損失面）へ偏向させるにあり、従って、下方室内へ進行するイオンの数の制御を可能にするが、半径方向の流束は低下させない。
【００４５】
磁石構造が前記室の中にある場合には、その幾何学的構造に従って、遊離基に対する局部損失面積をわずかながら増大させると予想される。下方室内へ移行する遊離基に対するイオンの相対的な数の制御は、処理全体のより大きな制御を可能にする。とくに切換式制御に対して電磁石又は永久磁石・電磁石混合を用いた場合には、遊離基に対するイオンの相対的数を、処理の前記二段階の各々に対し異なった適正比率値とする制御が実施可能となる。
【００４６】
上方室Ａ内のプラズマに向かう無線周波電力の制御は、形成されるべきイオン及び遊離基の数を定めるが、一般に両者は入力電力の増加に応じて増大する。処理ガスの流束と圧力もまた影響する。高いエッチング速度を生じさせる要求も強まっており、そのための化学反応は極めて多数の遊離基を必要とし、他方イオンの数はエッチング後の構造やマスクに対する不所望の損傷低減のために制限する必要がある。多数のイオン及び遊離基を発生させるためのプラズマ密度制御と、ウェーハに到達するイオン成分を低下させる「磁気プラズマ減衰器」との組合せは、圧倒的に化学的な高速エッチングをイオン関連の不所望効果の低減と共に達成することを可能にする。ウェーハへの大イオン流に関連した不所望効果には、高速マスクエッチング及びエッチング後の構造の側壁断面制御の問題が含まれる。
【００４７】
「磁気プラズマ減衰器」のダイポール形状は、上方室を横切る磁界の印加がイオン及び遊離基の直角方向への偏向を誘起する欠点を有し、プラズマ発生領域からウェーハへ下降する間におけるイオン流の円筒状対称性の低下等を伴う。このため、ウェーハに加える処理の一様性の低下が起こり得る。
【００４８】
図４に示すコイル18が上方室Ａに沿って発生するソレノイド磁場は、上記ダイポール磁場に対する「磁気プラズマ減衰器」としての利点を有する。磁界強度の慎重な調節により円筒状の対称性が維持されると共に、管11内のアンテナ10と隣接する部位に形成される高密度プラズマ領域19が磁場線（field lines）20により閉込められる。磁場線は、蓋13で又はその近傍で上方室Ａの壁面と交差し、且つ、上方室Ａの基部近傍又は下方室Ｂの蓋17若しくはその側壁上部と交差する。（ダイポール磁界発生用）磁石８の除外は、プラズマの非一様性の原因となり得るものを取り除く。かなりの数の遊離基が上方室Ａ内で発生可能であり、それらが下方室へ拡散する。しかし、関連のイオン流は磁場線と壁との交差部分での損失により減少し、そのためにウェーハに到達するイオン数と遊離基数との比の所要態様の減少が確保される。図５に示すように、二つの円筒状管11X、11Yの夫々に対して個別のソレノイドコイル18A、18Bを設け、プラズマ制御の高度化を図ってもよい。二つのアンテナにより、二つの個別高密度プラズマ領域19A、19Bが形成される。
【００４９】
磁気閉じ込めが下方室Ｂ内に施された場合には、上方室Ａの周りのソレノイド・コイル18からの磁場線に閉じ込められた電子の一部分は、下方室Ｂの壁面における強い磁界と出会う。これによって局部的な電子反射（mirroring of the electrons）が発生し、それら電子は生残ってガス分子と更なる励起及びイオン化衝突に加わる。従って、上方室Ａの周りのソレノイドからの磁場強度がウェーハ１ヘ向かうイオンの流束を著しく低下させ、同時に励起及びイオン化衝突を増大させるに十分であるような事態が起こり得る。この機構による遊離基の生成率の上昇は、ウェーハの化学的エッチング速度を増加させる可能性を持つ。
【実施例１】
【００５０】
既に説明した特徴の幾つかを含むプラズマ源泉と処理室との分離に関する実験的運転を試みた。その構成を図６に示す。プラズマ発生用の上方室Ａに、その中央近傍位置に適当な支持手段で保持された無線周波アンテナ10付きの誘電性管11を設けた。無線周波電源21からの無線周波電力をマッチング装置22経由でアンテナ10へ供給し、マッチング装置22はプラズマインピーダンスを電源の50オームインピーダンスに整合させた。プラズマ室Ａの周りに電磁ソレノイド18を配置し、その付勢時に代表的磁界線20に示す磁界パターンを発生させた。この電磁ソレノイド18は、プラズマ源泉・処理室分離型の装置に組み込んだ唯一の磁気イオン減衰手段であった。プラズマ源泉と処理室との間には、いかなる形式のダイポール磁気イオン減衰器をも設けなかった。
【００５１】
処理室Ｂには、プラズマ閉込めを改良するため、小磁石の群を周囲に沿って配置して（図２と同様な）「磁気バケツ」を設けたが、処理室の周りのウェーハ処理高さ６又はその近傍には電磁石を設けなかった。
【００５２】
プラズマが形成される室Ａの周りの電磁ソレノイド18が形成するソレノイド型磁界が、処理室Ｂに取り付けたウェーハ１へ到達するイオン流束を減衰させる上での有効性を測定する特定の実験を行った。この実験作業では、シリコン・ウェーハを加工物として使ったが、他の材料性のウェーハ又はプラズマ誘起処理の対象に供される代替の対象物も同様に加工物になり得ることを理解すべきである。
【００５３】
小さなラングミュア探針23を、処理室Ｂの壁の入口を介して差込み、該室に装填された試験ウェーハの表面直径上で該室の直径に沿って移動できるようにした。そのラングミュア探針23を使ってウェーハ直上のイオンの流束を該室の直径上の位置の関数として測定した。
【００５４】
処理室の直径上の位置の関数として測定したイオン流束の実験結果を図７に示す。複数のカーブは夫々、プラズマが形成される室Ａの周りの電磁ソレノイドに流れる電流の異なる値に対するものである。磁界の強さは、ソレノイドを流れる電流の増加に従って増大する。グラフから、磁界強度の増大に伴ってウェーハ処理高さまで到達するイオン流束が減少すること、及び処理室の直径上の主要部分におけるイオン流束の大きさの一様性がある程度まで増えることは明らかである。
【００５５】
ラングミュア探針によるイオン流束の実験的測定を、更なる実験によって補強した。即ち、室Ａの周囲に電磁ソレノイドを使用することにより、処理中のウェーハに対するイオン関連効果を低減させると共に高い化学的エッチング速度を実現した。
【００５６】
電磁的イオン減衰器の使用は、ウェーハに到達する中性遊離基の流束を高く保ちつつ、ウェーハに到達するイオンの流束を低下させるために有効である。この手法は、エッチング過程が主として化学的であって遊離基の流束で駆動されるが、マスクの侵食が主としてそこへ到達するイオンの流束によってなされる場合に明らかに有用である。
【００５７】
ある場合は、ウェーハに到達する中性遊離基の数に比して同様なイオンの数を、磁気的減衰器のみによって得られるよりも低いレベルまで低下させることが望ましい。他の場合には、高い磁界強度の下で磁気的減衰器を作動させることが望ましい理由が存在する。特定の処理に対する所要の結果を得る一つの方法は、室Ａで形成されるプラズマを、磁気的減衰器を操作すると同じ態様でパルス的にオン・オフするものである。
【００５８】
シリコンをSF6ガスでエッチングする特定の場合には、シリコンのエッチングが主としてプラズマ内で形成されるフッ素の遊離基の化学反応によることが理解されている。また、一定の条件下では、プラズマにより形成されたフッ素の遊離基がプラズマ消滅後もかなり長い時間存続できることが知られている。しかしイオン密度は、プラズマの遮断（switch off）の後、極めて高速度で低下するのが通常である。プラズマを適当な速度及び適切なマークスペース比（mark space ratio）のパルスでオン・オフすれば、これら二つの種が有する存続時間の差を有利に利用できる。ボズウェル及びポルテオス（Boswell and Porteous [J. Appl. Phys.62(8), American Insti. Of Phys. 1987]、非特許文献１参照）は、２ミリ秒のパルス群に対し周期10ミリ秒とし、シリコンの平均エッチング速度を連続的プラズマに対する速度と基本的に等しくしたSF6プラズマのパルス操作を記載する。荷電種の存続時間は１ミリ秒以下であると見出されたが、これはこの種の低圧放電で典型的なものである。パルス操作されたプラズマ（pulsed plasma、パルス操作プラズマ）のみについて、ボズウェル及びポルテオスの結果は、イオン流束対遊離基流束の時間平均比が、連続的プラズマにおける当該比の0.3倍以下に低減可能であることを示す。従って、パルス操作プラズマと磁気減衰器との組合せ概念は、ウェーハへ到達するイオン流束対遊離基流束の比を、何れか一方の技術単独の場合よりも低い値にできる可能性をもつ。
【００５９】
図１又は図６に示すようなプラズマ源泉とウェーハ処理室との分離方式の使用は、一定サイズのウェーハに対する特定な処理に対して大きな効果を奏する。一般に、プラズマ源泉で生成した中性遊離基はウェーハまで拡散降下し、そこでウェーハ表面と化学反応する。ウェーハ表面に到達するイオン流束は、磁気減衰器の使用及び必要な場合のプラズマ源泉におけるパルス操作によって制御できる。プラズマ源泉の周囲における電磁ソレノイド・イオン減衰器18の使用は、ウェーハへ到達するイオン流束を低減するように働き、一定限度内でウェーハ直径方向のイオン流束の一様化を助けるが、単純なプラズマ源泉分離には、その幾何学的形状による一定の限界がある。
【００６０】
印加された無線周波電力が許容可能なレベル以下であるときに、プラズマ源泉室内で高密度プラズマを効率的に形成するには、その容積を合理的に小さくすべきである。その源泉周囲の電磁ソレノイドもまた、その電流責務を低くすることにより合理的に小さくできる。プラズマ源泉で生成した中性遊離基はウェーハまで拡散降下してウェーハに到達し、その半径の関数としての遊離基の流束は、一部分ではプラズマ室の幾何学的形状により、他の部分では処理室の真空ポンプ装置及び他の調節装置により定まる。
【００６１】
ウェーハ表面におけるイオン流束の大きさ及び一様性は、磁気的減衰器によって定まり、またプラズマ源泉室の幾何学的形状及びプラズマ閉じ込め促進用の磁石が処理室Ｂの周縁に位置しているか否かによっても定まる。ウェーハの直径に比して小さなプラズマ源泉の場合には、ウェーハの中心から周縁までに亘りほぼ一様なイオン流束を維持するのは困難であろう。ウェーハと同軸で単一の分離型プラズマ源泉の場合におけるウェーハに到るイオン流束密度は、中心部から周縁部に向けて減少し易い。
【実施例２】
【００６２】
多くの場合、ウェーハの中心と周縁との間のイオン流束密度の傾斜は感知可能な問題を何ら生じさせず、特に処理が圧倒的に化学的に駆動される時にそうである。処理が、イオンにより駆動されるか、又は処理の少なくとも一部分においてウェーハ表面と直角にウェーハへ衝突するイオン流束の正確な定義に依存する場合には、以上に説明した処理装置の幾何学的構成ではイオン流束の十分な一様性及び指向性が得られないであろう。このような場合には、ウェーハに到達するイオン流束の一様性を改善するために更なる手段を講じる必要があろう。
【００６３】
上記問題点の軽減に資すように設計されたプラズマ処理装置の特定構成の一例を図８に示す。この構成は、本書の上記に説明したものと類似形状の分離型プラズマ源泉の使用に基礎をおく。プラズマは、同様なプラズマ源泉室Ａ内で中性遊離基と共に形成され、中性遊離基はウェーハが支持される処理室Ｂ内へ拡散・下降する。プラズマからのイオンも同様に処理室内へ拡散・下降するが、磁気イオン減衰器18がイオン流束に対し所要の削減を加えるように作動する。ウェーハへ向かうイオン流束の一様性を改善するため、処理室Ｂの壁の一部分上における磁気プラズマ閉じ込めを利用する。
【００６４】
分離型処理装置の代替構成が先に説明したものと異なる点は、処理室Ｂの上方区域の周囲のアンテナ24により内部結合された無線周波電力の使用によって処理室内に形成される二次プラズマにある。無線周波電力の二次プラズマへの誘導結合に関するこの説明は、例示として与えるものであり、他の手段、例えばミクロ波電力使用による処理室内の二次プラズマ生成を排除するものではない。
【００６５】
処理室Ｂの上方区域の周囲のアンテナは、その室内に環状プラズマを形成し、それが次いでその室の容積全体に拡散する。一般に、このアンテナに供給される電力は、より小さなプラズマ源泉室Ａの周囲のアンテナ10へ供給されるそれに比し著しく少ない。この二次プラズマを形成する第一の目的はプラズマ室の周縁付近に付加的にイオンを作り、それによってウェーハ周縁部に向かうイオン流束を増大させるにある。この二次プラズマに供給される電力の注意深い調節により、プラズマ源泉室Ａから磁気的イオン減衰器18を介してウェーハの周縁部に到達するイオン流束における不足分を上記付加的イオンによって補充することができる。殆どの場合、二次プラズマはウェーハ周縁部に向かうイオン流束を増加させるために使われ、発生する余剰遊離基の重要性は小さいが、これら余剰遊離基が進行中の処理にとって有益な場合もある。必要な場合には、処理室Ｂのアンテナ24が位置する部位の処理室Ｂの領域の周囲にソレノイド型の磁気イオン減衰器を設けることが可能であり、処理室の主要容積内へ進入するイオンの数と遊離基の数との比を制御することができる。
【００６６】
プラズマ源泉分離型のプラズマ処理装置の上記代替的構成に対しては、一般に処理ガスがプラズマ室Ａの蓋の中にある入口14を介して供給される。しかし、その代わりに処理室Ｂ内でその蓋の近傍に位置するガスリング16を介して供給することもできる。状況によっては、処理ガスを入口14及びガスリング16の双方から同時に供給するか、又は各ルートから違うガスを供給する。
【００６７】
切換式処理を実施する時は、何れの処理段階が実施されているかに応じて入口14及び16のどちらか一方又は双方へガスが供給される。例えば、エッチング段階を実施する場合には、ガスが主として入口14を介してプラズマ室Ａの頂部へ供給され、そこでガスは高密度プラズマに曝され極めて多数のエッチング遊離基を発生する。不働態化段階を実施する場合には、ガスが主としてガスリング16を介して供給され、処理室Ｂの上方区域の周囲のアンテナ24を使ってプラズマを形成し、室Ａではプラズマが形成されないか又は弱いプラズマが形成される。この例は、一つの可能なシナリオを記載するが、切換式処理の何れかの段階に対するガス供給ルート又はプラズマ発生領域の選択肢を何らかの態様で制限することを意図するものではない。
【００６８】
基本的な分離源泉型の装置について以上説明したように、処理室Ｂ内の圧力は切換式処理の二つの段階の各々において著しく相違するように制御される。
【００６９】
以上の説明は、処理室Ｂの上方部分の外側周囲にあって電力を二次プラズマに結合するアンテナ24に対するものであったが、これは適当に絶縁した上で処理室内部に支持したアンテナの使用を排除するものではない。外側に取付けたアンテナと同じ目的を果たすため、このような内側取付けアンテナは、一般に処理室周縁の近傍における大直径上に位置決めされる。内側取付けアンテナは、処理室の壁の一部における適当な貫通給電用の接続手段を必要とし、それにより無線周波電力を接続し且つ可能な場合に中空アンテナを介して冷却媒体を循環させる。
【実施例３】
【００７０】
磁気イオン減衰器付き分離源泉型のプラズマ処理装置の他の実施例を図９に示す。この構成における処理室は、基本的に図１又は図６に示されるものであるがプラズマ源泉室は相違する。この場合、プラズマ源泉室は環状であり、外側誘電性円筒111の半径方向外側に位置する一つのアンテナ101と、内側誘電性円筒112の半径方向内側に位置する第二のアンテナ102とを使用する。これら二つのアンテナには、二つの個別電源又は適当な電力分岐手段付きの一つの電源から無線周波の電力が供給される。ある条件下ではプラズマ特性の微調整のために各アンテナに供給される相対的電力を調節するのが有利であるが、大多数の場合において二つのアンテナは一つの固定電力比で共同駆動される。
【００７１】
二つの電磁ソレノイドが構造に組み込まれており、一方のソレノイド181は外側アンテナ101の半径方向外側に位置し、他方のソレノイド182は内側アンテナ102の半径方向内側に位置する。これらソレノイドの各々に流れる電流を適当に調節することにより、環状プラズマ源泉に対する電磁イオン減衰器を形成できる。留意すべきことに、図９に示される磁界線パターン20（該パターンはウェーハに到達するイオン流束を減衰させる上で有効である。）を形成するため、二つのソレノイド181及び182に流れる電流は各ソレノイドの内部に反対向きの磁界を生じさせるようなものでなければならない。二つのソレノイド電磁石の各々から所要の磁界強度を得るために夫々を個別の電流源から駆動してもよい。しかし、多くの場合において、両ソレノイドの間に一定比率で電流を分割する手段と共に単一電流源を使うのが望ましい。
【００７２】
大きなウェーハを処理する場合には、分離源泉型プラズマ処理装置に対して、単純な小型円筒形プラズマ室よりも、環状プラズマ源泉を使うのが有利となる可能性がある。その理由は、この幾何学的形状がプラズマ室からの遊離基及びイオンがより大きな直径で処理室へ進入するのを確実にし、且つ、ウェーハ処理高さを適正に選ぶことにより、異なる拡散特性を有利に使えることにある。ウェーハ表面に達する一様なイオン流束を実現するためには、このことは特に重要である。
【００７３】
上記構造を、円筒型の環形状の場合について説明したが、これは方形、六角形又は他の多辺形環状形態を有する同様な構造の排除を意図するものではない。
【００７４】
当業者にとって、大きな処理室内へイオン及び遊離基を供給することが必要な場合に、図９の環状プラズマ源泉泉構造を一つ以上の平面内の二つ以上の直径で反復することを考慮するのは不合理ではない。適当な直径の環状プラズマ源泉と単純な円筒形プラズマ源泉とを対称軸上で組合わせることは、ある環境下で用途を有し得る。
【００７５】
環状プラズマ室を使う場合には、処理室Ｂの上方区域周囲に付加的なアンテナを設けることが必要となる可能性は少ないと考慮されるが、必要な場合にはこの選択肢をもなお考慮することができる。
【００７６】
本発明の装置内で処理を実施するため装置を操作する時は，使用される一つ以上の電磁石の磁界強度により、時間の関数として変化する減衰磁界、従ってイオン減衰の時間可変性（time variability）を作ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明によるプラズマ源泉と処理室との分離形式の説明図である。
【図２】図１の処理室の水平断面図である。
【図３】図１のシステムの第一室の幾何学的形状の諸代替案を示す図である。
【図４】図１のシステムの第一室の更に異なる形状をその内部に形成される磁界と共に示す図である。
【図５】図１のシステムの他の実施例を内部に形成される磁界と共に示す図である。
【図６】図１記載の装置の他の実施例を示す図である。
【図７】図６の装置を用いて行った実験結果の分析を示す図である。
【図８】図１記載の装置の他の実施例を示す図である。
【図９】図１記載の装置の他の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１…ウェーハ            ２…支持台
３…入口                ４…電源
５…マッチング・ユニット
６…通常処理の高さ      ７…ポンピングポート
８…下方室              ９…電磁石
10…アンテナ            11…円筒管
12…フランジ            13…プレート
14…処理ガスの接続手段  15…窓
16…ガスリング          17…蓋
18…ソレノイド・コイル  19…高密度プラズマ領域
20…磁界線              21…電源
21g…永久磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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