(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリであって、
前記調整システムが、調整流体を被調整領域に供給する流体排出路を備え、
前記オブジェクトの少なくとも一部が前記被調整領域の中および／または前記被調整領域の外へ移動可能であり、前記調整システムが前記オブジェクトの位置に応じて前記流体排出路から前記調整流体の流出を調整するよう構成され、
前記オブジェクトは、該オブジェクトと前記調整システムとがスリットを規定する位置に移動可能であり、
前記スリットは、該スリットに隣接する前記流体排出路からの流体の流出に対する流動抵抗をもたらすよう構成されており、
前記調整システムが、前記スリットによりもたらされる前記流動抵抗の影響を受けて前記スリットに隣接する前記流体排出路からの流出を実質的に減少させるよう構成されている、アセンブリ。
【請求項２】
調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリであって、
前記調整システムが、調整流体を被調整領域に供給する流体排出路を備え、
前記オブジェクトの少なくとも一部が前記被調整領域の中および／または前記被調整領域の外へ移動可能であり、前記調整システムが前記オブジェクトの位置に応じて前記流体排出路から前記調整流体の流出を調整するよう構成され、
前記オブジェクトが非接触シャッタとなるように構成され、少なくとも複数の前記流体排出路の排出側に対向する位置に移動可能であり、これにより前記排出側と機械的に接触することなくこれらの流体排出路の流体の流れを制限するシャッタ側面を備える、アセンブリ。
【請求項３】
調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリであって、
前記調整システムが、調整流体を被調整領域に供給する流体排出路を備え、
前記オブジェクトの少なくとも一部が前記被調整領域の中および／または前記被調整領域の外へ移動可能であり、前記調整システムが前記オブジェクトの位置に応じて前記流体排出路から前記調整流体の流出を調整するよう構成され、
前記オブジェクトと前記流体排出路の排出側との最短距離が５ｍｍ未満である、アセンブリ。
【請求項４】
前記オブジェクトおよび前記調整システムが、互いに協働して一定数の前記流体排出路からの前記調整流体の流出を調整するよう構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記調整システムは、使用時に、前記各流体排出路の上流の注入口の圧力が、前記各流体排出路の下流の排出側の圧力よりも最大で約５０Ｐａ上回るように構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記調整システムは、使用時に、前記各流体排出路の上流の注入口の圧力が、前記各流体排出路の下流の排出側の圧力よりも最大で約１０Ｐａ上回るように構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記調整システムは、前記各流体排出路中を流れる流体のレイノルズ数が約１５０未満となるように構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記調整システムは、前記各流体排出路中を流れる流体のレイノルズ数が約２０未満となるように構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記各流体排出路の長さが少なくとも前記各流体排出路の直径の１０倍から３０倍である、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記流体排出路が蜂の巣状の断面を有する、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記調整システムが、第１の流体分配チャンバと、第２の流体分配チャンバと、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ流体を均一に分配するよう構成されている流量レギュレータと、を備え、前記流体排出路が前記第２のチャンバの下流部分を構成する、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記調整システムが、前記第２のチャンバに対して比較的高い超過圧力に前記第１のチャンバを維持するよう構成されている、請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
前記流体流量レギュレータが、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に延在する、多数の流体路、クロス層またはその両方によって設けられる、請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
前記オブジェクトが基板を保持または支持するよう構成されている、請求項１乃至３の何れかに記載のアセンブリ。
【請求項１５】
調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリであって、
前記調整システムが、調整流体を被調整領域に供給する流体排出路を備え、
前記オブジェクトの少なくとも一部が前記被調整領域の中および／または前記被調整領域の外へ移動可能であり、前記調整システムが前記オブジェクトの位置に応じて前記流体排出路から前記調整流体の流出を調整するよう構成され、
前記調整システムが、第１の流体分配チャンバと、第２の流体分配チャンバと、前記第１のチャンバから前記第２のチャンバへ流体を均一に分配するよう構成されている流量レギュレータと、を備え、前記流体排出路が前記第２のチャンバの下流部分を構成し、
前記調整システムが、前記第２のチャンバに対して比較的高い超過圧力に前記第１のチャンバを維持するよう構成され、
前記各流体排出路の長さは、前記被調整領域の一時的な圧力パルスが、未調整の流体を前記各流体排出路を介して前記第２のチャンバに導くことを実質的に生じさせないように選択される、アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリ、調整システム、リソグラフィ装置、領域の調整方法ならびにリソグラフィデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与するものである。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイス（patterning device）を用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分の回路網(ネットワークnetwork)を含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の照射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  調整システムおよび少なくとも１つのオブジェクトを備えるアセンブリが先行技術により公知である。欧州特許（ＥＰ）第０４９８４９９号は、図１８において、リソグラフィ装置の一部を開示している。このリソグラフィ装置は、可動式の基板テーブルの近くに、干渉計システムと、それぞれの干渉計ビームが伝播する空間とを含んでいる。一定かつ望ましくは層状の気体（たとえば、空気）の流れがこの空間を通り抜けることにより、干渉計システムの精度が高くなる。たとえば、干渉計ビームが気体ボリューム（空気など）を通して伝播するために、該気体ボリュームは極限の純度を有し、温度が均一で伝播するビームについてほぼ一定の気体屈折指数をもたらすものでなければならない。気体屈折指数が僅かに変化しても許容できない干渉計の誤差が生じる可能性がある。供給される気体の純度と温度の両方を制御することができる。空気の場合、空気は、たとえば、純度クラス１のものであり、その温度は安定しており、たとえば、０．１０℃の範囲内またはこれより良好な範囲内である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  アセンブリを改良し、調整システムが各領域を良好に調整することができるようにすることが望ましい。また、改良された調整システムおよび方法を提供することが望ましい。さらに、改良されたリソグラフィ装置および方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の一実施形態によると、調整システムおよびオブジェクトを備えるアセンブリであって、該調整システムが、調整流体を被調整領域に供給する流体排出路を備え、該オブジェクトの少なくとも一部が被調整領域の中および／または該被調整領域の外へ移動可能であり、調整システムがオブジェクトの位置に応じて流体排出路から調整流体の流出を調整するよう構成されている、アセンブリが提供される。
【０００６】
[0006]  本発明の別の実施形態によると、第１の流体分配チャンバと、その下流部分に複数の流体排出路を備える第２の流体分配チャンバであって、該流体排出路は、使用時に、各流体排出路中を流れる流体のレイノルズ数が約１５０未満となるように構成されている第２の流体分配チャンバと、を備え、第１の分配チャンバが、第１のチャンバから第２のチャンバに流体を均一に分配することにより、使用時に、各流体排出路の第２のチャンバの上流の注入口の平均圧力が、それぞれの流体排出路の下流の排出側の圧力よりも最大で約５０Ｐａ上回るよう構成されている流体流量レギュレータを備える、調整システムが提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によると、本発明の一実施形態によるアセンブリおよび／または本発明の一実施形態による調整システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の別の実施形態によると、領域を調整する方法であって、調整システムの複数の流体排出路を使用して被調整領域に調整流体を供給すること、および、被調整領域の中および／または該被調整領域の外へ少なくとも部分的に移動可能なオブジェクトの位置に応じて流体排出路からの調整流体の流出を調整すること、を含む方法が提供される。
【０００９】
[0009]  本発明の別の実施形態によると、基板支持体によって保持されている基板のターゲット部分にパターンの付いた投影ビームを照射すること、基板支持体の近傍にある領域を、該領域に調整流体を供給する流動排出路を備える調整システムを用いて調整すること、該被調整領域の中および／または該領域外へ基板支持体を少なくとも部分的に移動させること、および、基板支持体の位置に応じて一定数の流体排出路からの調整流体の流出を変化させること、を含むリソグラフィデバイス製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
[0010]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【００１１】
[0017]  図１はリソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す。このリソグラフィ装置は以下のものを備える。
【００１２】
[0018]  放射ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射またはその他の放射）を調整するよう構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
【００１３】
[0019]  パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するよう構成され、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置づけするよう構成された第１の位置決め装置に接続された支持構造体（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ。
【００１４】
[0020]基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置づけするよう構成された第２の位置決め装置に接続された基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴ。
【００１５】
[0021]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイ）に投影するよう構成された投影システム（たとえば、屈折型投影レンズシステム）ＰＳ。
【００１６】
[0022]  照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１７】
[0023]  支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造体は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造体は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えてよい。
【００１８】
[0024]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特性(phase-shifting features)またはいわゆるアシスト特徴(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１９】
[0025]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、Alternating位相シフト(alternating phase-shift)、および減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)などのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２０】
[0026]  本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含するものと広く解釈されるべきである。本明細書において使用される用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。また、本明細書において使用される「光学システム」は、光学素子または制御動作に必要なあらゆる手段を使用して制御されるあらゆるタイプまたは波長の電磁エネルギーを包含するものと広く解釈すべきである。
【００２１】
[0027]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２２】
[0028]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２３】
[0029]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、たとえば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の、たとえば、マスクと投影システムとの間の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術を使えば、投影システムの開口度を増加させることができる。本明細書において使われているような用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、照射中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２４】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受ける。放射ソースおよびリソグラフィ装置は、たとえば、放射ソースがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射ソースは、たとえば、放射ソースが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２５】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節することができるように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２６】
[0032]  放射ビームＢは、支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束させる。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、けがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment mark)として公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
【００２７】
[0033]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。
【００２８】
[0034]  １．ステップモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２９】
[0035]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３０】
[0036]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、支持構造体ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすまたはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射ソースが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは全く異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３２】
[0038]  一実施形態において、図１に示すとおり、リソグラフィ装置は、１つ以上の測定システムＩＦ、たとえば、干渉計システムＩＦとともに、たとえば、気体または気体混合物などの実質的に層流の流体を前述の測定システムＩＦの光学経路ＯＰの少なくとも一部へ供給するよう構成された１つ以上の調整システム１０、１１０を備えることができる。これは図２Ａ、図２Ｂ、図３にも示されている。これらの図は、図１のリソグラフィ装置の細部を示すものである。当業者には明らかであるように、本発明において、調整される経路ＯＰは多様な長さを有してよく、たとえば、３００ｍｍウェーハリソグラフィスキャナにおいて約３５０ｍｍ超の長さであり、最大で約４５０ｍｍの長さ、および／または、異なる長さを有してもよい。
【００３３】
[0039]  一実施形態において、調整システム１０、１１０は、リソグラフィ装置の１つ以上の光学経路ＯＰを光学的に調整するために使用することができる。この調整は、たとえば、当該光学経路の熱的変化を防止するため、特に、安定した屈折率を有する環境を与えるための光学的調整を伴うものであってよい。光学経路は、たとえば、測定システムＩＦの干渉計ビームのものであり、図において符号ＯＰで示されている。これらの光学経路ＯＰは、リソグラフィ装置の様々な部分間に延在してよい。たとえば、それぞれの干渉計ビームを使用して、使用時に、たとえば、直交するＸ、Ｙおよび／またはＺ方向（図１も参照。）に、投影システムＰＳの投影素子ＰＬに対して基板支持体ＷＴを正確に配置することができる。図２および図３に示す実施形態において、調整システム１０、１１０によって調整される光学経路ＯＰは、一方の側にある干渉計システムＩＦの一部と他方の側にある基板支持体ＷＴとの間に延在している。それぞれの調整システム１０、１００は、使用時に、これらの光学経路ＯＰを調整することができるものであり、一方の側にある干渉計システムＩＦの該一部と他方の側にある基板支持体ＷＴおよび投影素子ＰＬとの間に延在することができる。本実施形態では、調整システム１０、１１０は、基板支持体ＷＴまたは投影素子ＰＬの、干渉計システムＩＦの該一部から見て外方に向いている面には延在していない。したがって、本実施形態において、調整システム１０、１１０は、実質的に投影システムＰＬの１つの側面に延在している。しかしながら、こうした１つ以上の調整システムは異なる態様で設けられてもよく、たとえば、リソグラフィ装置の様々な位置に設けてもよく、さらに／あるいは、リソグラフィ装置の他の領域を調整することもできる。
【００３４】
[0040]  たとえば、調整システム１０、１１０は、被調整領域に様々な種類の気体、たとえば、１種類以上の不活性気体、窒素、気体混合物または他の種類の気体を供給するよう構成することができる。一実施形態において、この気体は空気であり、たとえば、純度クラス１の非常にクリーンな空気である。この気体の温度は比較的安定しうるものであり、たとえば、０．１℃の範囲内で安定しており、特に、０．００１℃の範囲内で安定しうる。熱的に安定した気体を供給する方法は先行技術により公知である。あるいは、たとえば、調整流体は、液体または気体／液体混合物を備えることができる。
【００３５】
[0041]  図２および図３もまた、たとえば、上述の光学経路ＯＰに対して直交し基板支持体ＷＴに向かって延在する他の光学経路ＯＰ’を示す。たとえば、これら他の光学経路ＯＰ’は調整システム１０、１１０によって直接的に調整されるのではない。これらの他の光学経路ＯＰ’を特定的に調整するために１つ以上の他の調整システム（図示しない）を設けられる。
【００３６】
[0042]  図２Ａおよび図２Ｂは、調整システム１１０および可動基板支持体ＷＴを備えるアセンブリを概略的に示す。特に、基板支持体ＷＴは、少なくとも、調整システム１１０の下流の流体排出側と実質的に平行な方向に移動可能である。調整システムは、ガスシャワー１１０を備えており、このガスシャワーは、気体分配チャンバ１２０、気体注入口１３０および気体排出口１４０を備える。気体注入口１３０は１つ以上の適切な流体ポンプ、リザーバおよび／または他の手段７０に結合されており、流体をシステム１０、１１０に供給する。
【００３７】
[0043]  図２Ａおよび図２Ｂのシステムの使用時に、ガスシャワー１１０は、調整されるそれぞれの光学経路ＯＰに清浄な気体を、気体排出口１４０を介して多量に供給する。この目的のため、気体分配チャンバ１２０の圧力は、気体排出口１４０に流体を通すために比較的高い状態に維持されており、また、気体排出口１４０は、たとえば、流体の均一な分配を行うための気体分配膜を備えることができる。ガスシャワーからの調整気体の流れは矢印ＣＡで概略的に示されている。たとえば、図２において、気体分配チャンバ１２０の外側の圧力は実質的に大気圧であるか、これより低い圧力または高い圧力であってよく、気体分配チャンバ１２０内の圧力は、該チャンバ１２０の外側の圧力よりも少なくとも２００Ｐａ高くてもよい。
【００３８】
[0044]  図２Ａおよび図２Ｂに示すとおり、基板テーブルＷＴは、たとえば、図２および図３に示されない基板と組み合わせて、被調整領域の中および外へ部分的に移動することができる。図２Ａにおいて、基板支持体ＷＴは、測定システムＩＦから一定距離離れて第１の位置に移動しており、これにより支持体ＷＴが調整システム１１０の排出側の向かい側に延在していない。その場合、調整により気体が基板支持体ＷＴに実質的に向けられることはない。
【００３９】
[0045]  図２Ｂにおいて、基板支持体ＷＴは、測定システムＩＦに向かって、第２の位置までの距離を移動しており、これにより基板支持体ＷＴは（同図において）その一部が調整システム１１０の下に延在している。この場合、調整システム１１０は、気体ＣＡを基板支持体ＷＴ上に向け、基板支持体ＷＴと調整システム１１０の気体排出口との間に延在するスリットＳに気体を送り込む。従って、多量の調整気体ＣＡをスリットＳに送り込み、また、基板支持体ＷＴ（および／または基板が基板支持体ＷＴによって保持されている場合には基板）上に向けることができる。この気体は、光学経路の調整により消耗され、測定システムＩＦの光学経路ＯＰおよび他の近隣の光学経路ＯＰ’の調整に対する摂動力として機能する。追加または別の選択として、スリットＳに送り込まれた多量の調整気体ＣＡは、スリットＳから熱、および／または、水などの混在物を除去することができ、その後、これらの熱および／または混在物を光学経路ＯＰ、ＯＰ’に移送することができる（これは図２Ｂにおいて矢印ＨＣで示されている）。追加または別の選択として、基板支持体が第２の位置にあるとき（図２Ｂ）、スリットＳにより高速の調整気体の不要な噴出が基板支持体ＷＴの近くで発生しうる。
【００４０】
[0046]  図３および図４は、調整システム１０、たとえば、ガスシャワーと、リソグラフィ装置の基板支持体ＷＴとを備えるアセンブリの実施形態を示す。図３および図４の実施形態において、調整システム１０は、流体排出路４０に対する基板支持体ＷＴの位置に応じて、各流体排出路４０からの調整流体の流出を受動的に調整するよう構成されている。別の選択として、調整システム１０は、流体排出路を能動的に制御して調整流体の流出を調整するよう構成することができる。本発明において、基板支持体ＷＴおよび調整システム１０は、たとえば、これらの間に延在するスリットＳを介して互いに協働して、一定数の流体排出路４０からの調整流体の流出を調整するよう構成されている。
【００４１】
[0047]  図２および図３の実施形態の調整システム１０は、上流の第１の流体分配チャンバ２０Ａと下流の第２の流体分配チャンバ２０Ｂと備える。比較的薄い流体流量レギュレータまたは流体プレコンディショナ２５が第１および第２のチャンバ２０Ａ、２０Ｂの間に配置されている。流体流量レギュレータ２５は、第１のチャンバ２０Ａからの調整流体を受け取り、第２のチャンバに流体を均一に分配するよう構成されている。図３を参照すればわかるとおり、第２のチャンバ２０Ｂの下流側には調整システム１０の多数の流体排出路４０が設けられている。限定されない例として、少なくとも１００または少なくとも１０００の流体排出路４０を設けることができる。図４は、横断面の例における多数の流体排出路４０を示す。調整システム１０は、第１のチャンバ２０Ａに流体を供給する適切な流体供給口３０をさらに備えることができる。このシステムはまた、第１のチャンバ２０Ａに所望の量の調整流体を流体供給口３０を介して供給し、第１のチャンバ２０Ａを所望の圧力に保つための１つ以上のポンプ、リザーバおよび／または他の手段を備えてもよい。これらのポンプ、リザーバおよび／またはその他の手段は、図１に符号７０として概略的に示されており、そのようなものとして先行技術により公知であるため詳述しない。
【００４２】
[0048]  図３の実施形態を使用する際、第２のチャンバ２０Ｂの各流体排出路４０の上流の注入口の平均圧力がそれぞれの流体排出路の下流の流体排出側の圧力よりも最大で約５０Ｐａ上回ってよい。流体排出路は、使用時に、各流体排出路中を流れる流体のレイノルズ数Ｒｅが約１５０未満になるように構成してよい。さらなる実施形態では、調整システム１０は、第２のチャンバ２０Ｂの圧力に対して比較的高い超過圧力、たとえば、少なくとも１００Ｐａに第１のチャンバの内部を維持するよう構成することができる。たとえば、使用時に、第１のチャンバ２０Ａの平均圧力は、下流の第２のチャンバ２０Ｂの平均圧力を約１５０〜２００Ｐａまたはこれより高い圧力値分を上回ってよい。当業者には明らかであるとおり、１つ以上の適切な流体ポンプ、リザーバおよび／または他の手段は、第１のチャンバ２０Ａの前述の圧力をもたらすように構成しかつ制御することができる。
【００４３】
[0049]  追加または別の選択として、調整システム１０は、使用時に、第２のチャンバ２０Ｂの各排出路の上流の注入口の圧力がそれぞれの流体排出路の下流の排出側の平均圧力を最大で約１０Ｐａ、たとえば、約５Ｐａ上回るように構成することができる（これにより、流体排出路４０中の圧力低下は最大で約１０Ｐａとなる）。
【００４４】
[0050]  流体流量レギュレータ２５は様々な態様に構成することができる。たとえば、流体流量レギュレータ２５は、第１のチャンバ２０Ａの底面および第２のチャンバ２０Ｂの上面であってよい。該レギュレータ２５は、たとえば、多数の流体排出路および／もしくはクロス層（cloth layer）によってモノフィラメントクロスを備えることができ、さらに／あるいは、適切かつ微細な気体流路を有するシートを備えることができる。一実施形態において、流体流量レギュレータ２５は、上流の第１のチャンバ２０Ａの上述の比較的高い圧力である流体から、比較的均質かつ均一な流体の流れを第２のチャンバ２０Ｂに供給するよう設計されている。従って、流体流量レギュレータ２５は、該レギュレータ２５中の比較的大幅な圧力低下、たとえば、少なくとも１００〜２００Ｐａの圧力差またはそれより大きな圧力の低下で動作している。一実施形態において、流体流量レギュレータ２５は、粒子フィルターおよび／または粒子ろ過媒体を備えてよい。
【００４５】
[0051]  流体排出路４０は「浄化流体偏光子」の一種であるかこれをもたらすことができる。この浄化流体偏光子は、一定のレイノルズ数の直径を有する多数の比較的長い管４０を備えている。調整流体（たとえば、気体）は、これらの調整管４０中を層状に流れており、調整管の長さは、当業者には明らかであるように、すべての非軸の気体速度流れベクトルを特定的に弱めるように設計することができる。また、上述の長い管または流体排出路４０は、各流体排出路４０に対して大幅な圧力差を付加する必要なしに、調整流体を特定的に被調整領域に向けることができる。
【００４６】
[0052]  さらなる実施形態において、調整システムは、使用時に、各流体排出路の上流の注入口の圧力が、それぞれの流体排出路の下流の排出側の平均圧力を最大で約１０Ｐａ上回るように構成することができる。調整システム１０は、各流体排出路４０の上流の注入口の静的圧力が、それぞれの流体排出路４０の下流の排出側の平均動的圧力とほぼ同じになるように好適に構成することができる。調整システムを、使用時に、各流体排出路４０中を流れる流体のレイノルズ数Ｒｅが約２０未満となるように構成すれば良好な結果が得られる。よって、調整システム１０と可動基板支持体ＷＴとの良好かつ効率的な協働を達成することができ、これにより、基板支持体ＷＴは、一定数の流体排出路４０の非接触の外部流量制限デバイスとして機能することができる。
【００４７】
[0053]  流体分配チャンバ２０Ａ、２０Ｂは、様々な形状および大きさであってよい。たとえば、図３の実施形態において、第１のチャンバ２０Ａおよび第２のチャンバ２０Ｂは先細りの部分または端部を含み、これらの部分または端部が、たとえば、投影システムの終端光学素子といった投影システムＰＳの構成要素ＰＬの近傍に延在している。この場合において、第１のチャンバ２０Ａと第２のチャンバ２０Ｂはそれぞれ、流体排出路４０の流体排出方向に実質的に平行な方向に沿って測定された（すなわち、図におけるＺ方向に測定された）横方向変断面を有する部分を備える。図５は、調整システムの別の実施形態を示す。この実施形態は、図３および図４のものと類似したものである。図５において、調整システムは、実施的に長方形かつ比較的平坦な第１および第２のチャンバ２０Ａ、２０Ｂを備える。
【００４８】
[0054]  また、図３〜図５の本実施形態において、流体分配チャンバ２０Ａ、２０Ｂの長さＫ１（同図におけるＸ方向に測定される）は、調整されるそれぞれの光学経路ＯＰまたは被調整領域の最大の長さと実質的に同じであるかまたは幾分長いものとしてよい。たとえば、上述の長さＫ１は約２０〜５０ｃｍの範囲または他の長さであってよい。流体分配チャンバ２０Ａ，２０Ｂの幅Ｋ２（同図においてＹ方向に測定される）は、長さＫ１よりも実質的に短い。幅Ｋ２は、たとえば、約４〜１５ｃｍの範囲または他の長さであってよい。流体分配チャンバ２０Ａ、２０Ｂの全体の高さ（同図においてＺ方向に測定される）は、幅Ｋ２よりも実質的に短くてよい。全体の高さＫ３は、たとえば、約５ｃｍまたは他の高さであってよい。たとえば、流体分配チャンバ２０Ａ、２０Ｂはそれぞれ、比較的長いかまたは細長いチャンバであってよく、これらのチャンバは横方向、特に、調整される光学経路ＯＰまたは浄化される領域に垂直な高さ方向の断面が比較的小さくてよい。また、一実施形態において、第２のチャンバ２０Ｂの高さＬ３は、当該システムの横断面から見て、第１のチャンバ２０Ａの高さよりも低い。一例として、第２のチャンバ２０Ｂの最大の高さ（流体排出路４０の高さを含まない）は、約１ｃｍまたは他の値であってよい。また、一実施形態において、第２のチャンバ２０Ｂの内部容積は、上流の第１のチャンバ２０Ａの内部容積とほぼ同じであるかまたはこれより小さくてよい。流体分配チャンバ２０Ａ、２０Ｂを異なる形状および大きさにしてもよいことは当業者には明らかである。
【００４９】
[0055]  図２および図３の実施形態では、基板支持体ＷＴは、調整システムの流体排出路の少なくとも一部の可動のシャッタまたは可動の流量リストリクタとして機能することができる。基板支持体ＷＴは非接触のシャッタを提供することができ、該シャッタは、図３に示すとおり、調整システム１０の流体排出路４０の少なくとも一部の排出側に対向する位置に移動させ、排出路４０の排出側に機械的に接触することなく、これらの排出側からの流体の流量を制限することができる。すなわち、基板支持体ＷＴ（および、たとえば、その上の保持されている基板）は、調整システム１０の第１の数の排出路４０の下流の排出側に向かって、また、これらか遠ざかるように移動することができる。調整システム１０は、基板支持体ＷＴがそれぞれの排出路４０の排出側から遠ざかり、上述の第１の位置（上記および図２Ａを参照。）に移動したとき、調整システムの第１の数の流出路４０が、被調整領域に一定（第１の）量の調整流体を排出することができるように構成することができる。基板支持体ＷＴは、その一部がそれぞれの排出路４０の排出側の向かい側に延在するように第２の位置（図２Ｂおよび図３を参照。）に移動された場合、調整システム１０の第１の数の排出路４０からの流体の流れを実質的に制限することができる。
【００５０】
[0056]  一実施形態において、基板支持体ＷＴと流体排出路４０の排出側との間の最短距離Ｌ１は比較的短い。図３に示すとおり、最短距離Ｌ１は、基板支持体ＷＴと排出路４０の排出側との間に延在するスリットＳの高さである。たとえば、本実施形態において、スリットＳの高さＬ１は約５ｍｍ未満、約３ｍｍ未満または約２．２５ｍｍ未満もしくはこれより小さくてもよい。このような比較的小さいスリットＳは、たとえば、第２のチャンバ２０Ｂの圧力が上述の比較的低い値に維持される場合に、付近の排出路４０からの流出に対する良好な流動抵抗をもたらすことできる。
【００５１】
[0057]  図のＹＺ面で実質的に平行な面において測定される第２のチャンバ２０Ｂの内部断面は、同じ面上で測定される上述のスリットＳの最も小さい断面よりも大きくてよい。スリットＳは第２のチャンバ２０Ｂと可動の基板支持体ＷＴとの間に延在することができる。たとえば、一実施形態において、図のＹＺ面で実質的に平行な面において測定される第２のチャンバ２０Ｂの最も小さい内部断面は、同じ面上で測定される上述のスリットＳの最も小さい断面と少なくとも同じであるかまたは大きくてよい。これに限定されない１つの例として、スリットＳは２．５ｍｍの高さＬ１と１０ｃｍの幅Ｋ２を有し、スリットＳの最小の断面は２５０ｍｍ２であってよい。その場合、上述の面で測定される第２のチャンバの２０Ｂの最も小さい内部断面は、少なくとも２５０ｍｍ２以上としてよい。しかしながら、第２のチャンバ２０Ｂが先細りの形状（図３を参照。）である場合、当該チャンバの１つ以上の部分にスリットＳよりも小さい断面、たとえば、第２のチャンバ２０Ｂの先端部分があってもよい。
【００５２】
[0058]  調整システムの流体排出路４０は様々な態様で構成することができる。一実施形態において、排出路４０は共に、積層管アセンブリを構成し、このアセンブリが層状で実質的に均一な調整流体ＣＡ（たとえば、クリーンな空気）を光学経路ＯＰに上述の圧力で供給することができる。たとえば、図４に示すとおり、排出路４０は実質的に蜂の巣状の断面を有することができ、これにより良好な結果を得ることができる。別の選択または追加として、１つ以上の排出路４０の断面は、円状、長方形状および／またはその他の形状といった異なった形状であってよい。さらに、排出路４０は様々な大きさであってよい。各排出路４０の長さＬ２は各排出路の直径Ｄの少なくとも１０〜３０倍であってよい。たとえば、流出路４０は、約０．１ｍｍ〜５ｍｍの範囲の直径Ｄを有してよい。各流出路４０の長さは、たとえば、約１〜６ｃｍの範囲、特に、約１ｃｍとしてよい。さらに、一実施形態において、排出路４０は実質的に同じ直径Ｄを有し、実質的に互いに平行であってよい。また、たとえば、排出路４０は、たとえば、第２のチャンバ２０Ｂまたはこれらの排出路４０中の上述の圧力降下で、約１ｍ/ｓ以上の速度または約０．４〜２．９ｍ／ｓの範囲の速度あるいは別の速度の（図のＺ方向の）実質的に均一な層状の下降流をもたらすように設計することができる。
【００５３】
[0059]  一実施形態において、たとえば、各排出路４０の長さＬ２は、第２のチャンバ２０Ｂ内の一定の動作圧力で、使用時に、排出路中の流れの逆流（被調整領域から排出路を経由して第２のチャンバ２０Ｂに入り込むこと）が実質的に防止されるように選択することができる。一実施形態において、たとえば、各排出路４０の長さＬ２は、使用時に、たとえば、排出路４０の排出口近くの領域における一時的な圧力のピークまたは圧力の変化により、排出路中の流れに一時的な僅かな逆流が（第２のチャンバ２０Ｂ内の一定の動作圧力で）生じる長さであってよい。この排出路中の流れの僅かな逆流によって、被調整領域からの流体および／または粒子が第２のチャンバ２０Ｂに移動することはない。
【００５４】
[0060]  本実施形態において、流体排出路４０はそれぞれ、調整される経路ＯＰに対して実質的に直角（図のＺ方向）に延在する。別の選択として、排出路４０は光学経路に対して傾斜していてもよい。また、排出経路４０は異なる形状および大きさであってもよい。排出経路４０は、多数の管、レーザドリルで開けられた穴などのスルーホールまたはボアを有するシートおよび／または異なる態様で得られる、たとえば、１つ以上のキャピラリの束を備えることができる。
【００５５】
[0061]  図３に示すアセンブリは、たとえば、デバイス製造方法において使用することができる。上記によると（図１も参照。）、この方法は、基板支持体ＷＴによって保持されている基板のターゲット部分をパターンの付いたビームで照射することと、基板支持体ＷＴの近傍の領域を調整することとを備えることができる。使用時に、被調整領域の中および外へ、基板支持体ＷＴを少なくとも部分的に移動させることができる。
【００５６】
[0062]  光学経路ＯＰの調整を実現するために、たとえば、清浄な空気といった調整流体が、流体供給口３０を介して、かつ１つ以上の適切な流体ポンプ、リザーバおよび／またはその他の手段７０を使用して第１のチャンバ２０Ａに供給することができる。この流体ポンプ、リザーバおよび／またはその他の手段７０には注入口３０が連結される。調整流体は、第１のチャンバ２０Ａにおいて流体流量レギュレータ２５が第２のチャンバ２０Ｂに流体を均一かつ等分に分配することができる圧力に保持される（図３の矢印Ｈで示す）。たとえば、第１のチャンバ２０Ｂの圧力は、上述のとおり、第２のチャンバ２０Ｂの圧力よりも少なくとも約１００Ｐａ以上または約２００Ｐａ以上高くてよい。
【００５７】
[0063]  一実施形態において、第２のチャンバ２０Ｂの圧力は、上述のとおり、使用時に比較的低いものであってよい。たとえば、各流体排出路４０の上流の注入口の圧力は、それぞれの排出路４０の下流の排出側の平均圧力よりも最大で約４０Ｐａ高く維持されてよい。一例として、後者の圧力は、被調整領域の平均圧力とほぼ同じであってよい。この領域は、本実施形態の測定システムのビームが通過する。また、各流体排出路４０の上流の注入口の静的圧力がそれぞれの排出路４０の下流の排出側の平均の動的圧力とほぼ同じ値であるかまたはこれより僅かに高い圧力に保持される。
【００５８】
[0064]  一実施形態において、たとえば、被調整領域の一時的な圧力パルス時に、各流体排出路４０の上流の注入口の静的圧力が、それぞれの排出路４０の下流の排出側の瞬間的な動的圧力を一時的に下回ってよい。これにより、当該排出路中に僅かに一時的な逆流が生じる可能性があり、被調整領域からの調整されていない可能性のある流体が１つ以上の排出路４０に入るようになるが、この被調整領域からの調整されていない可能性のある流体が、排出路４０を介して第２のチャンバに実質的に達することもない。たとえば、一実施形態において、基板支持体ＷＴが排出路４０に向かって移動することにより、使用時に、このような一時的な圧力パルスが生じる可能性がある。
【００５９】
[0065]  たとえば、下流の第２のチャンバ２０Ｂの圧力は、たとえば、被調整領域における一時的な圧力パルスまたは変化により、排出路４０中の流れが逆流する可能性を防止する圧力とすることができる。従って、被調整領域からの調整されていない可能性のある流体が排出路４０を介して第２のチャンバ２０Ｂに進入することを防ぐことができる一方、光学経路ＯＰを良好に調整することができる。特に、第２チャンバ２０Ｂ内の比較的低い圧力と排出路４０の一定の長さＬ２の両方を、動作中に、排出路４０中の流れの逆流が実質的に防止される程度のもの、または少なくとも、被調整領域に存在しうる、調整されていない可能性のある流体が排出路４０を介して第２のチャンバ２０Ｂに実質的に達することのない程度のものであってよい。
【００６０】
[0066]  一実施形態において、使用時の各流体排出路４０の上流の注入口の（動作）圧力は、排出路４０の各下流の排出側の圧力より最大で１０Ｐａ高くなっている。たとえば、第２のチャンバ２０Ｂの圧力全体が、被調整領域の平均圧力より最大で１０Ｐａ高くしてよい。調整システムの各流体排出路４０中を流れる流体のレイノルズ数は、約１５０未満（Ｒｅ＜１５０）でよく、また、２０未満（Ｒｅ＜２０）であってもよい。当業者には、たとえば、使用する調整流体によってこのようなレイノルズ数が得られることは明らかである。
【００６１】
[0067]  従って、流体排出路４０から光学経路ＯＰに向かう実質的に均一かつ実質的に層状の調整流体ＣＡの流れが得られる。また、排出路４０に対する調整流体の分配の受動的な制御が行われている場合、流体排出路４０からの調整流体ＣＡの流出量は基板支持体ＷＴの位置によって決まりうる。
【００６２】
[0068]  一実施形態において、流体流量レギュレータ２５は高圧降下層を提供することができ、流体排出路４０は低圧降下層を提供することができる。調整システム１０と基板支持体ＷＴとは協働して、少なくとも一定数の流体排出路４０からの流体ＣＡの流れを、該流体排出路４０に対するオブジェクトの位置に応じて変化させることができる。特に、基板支持体ＷＴは上述の第２の位置に移動されたとき、基板支持体ＷＴが一定数の排出路４０の下流の端部から少し離れて延在しており（図３を参照）、これにより排出路４０からの流体の流れが基板支持体ＷＴによって実質的に減少されるかまたは遮断される。基板支持体ＷＴは、これら流体路４０の非接触のシャッタまたは流量を減らすものとして機能することができる。基板支持体ＷＴが第２の位置にあるとき（図３を参照）、流体排出路４０の向かい側には基板支持体ＷＴが延在している。本明細書において、基板支持体ＷＴ（およびこれに支持されうる基板）は調整システムの対向する流体排出路４０とともに小さなスリットＳを画成する。流体排出路４０はスリットＳに向かって延在する。スリットＳは、これらの排出路４０からの流出に対する流動抵抗をもたらすことができ、従って、このような流出を減少させることができる。第２のチャンバ２０Ｂが低圧であることにより、調整システムは、スリットＳによりもたらされた流動抵抗の影響下で、受動的に、また、実質的に、流体排出路４０からの流出を減少させることができる。実質的に遮断された排出路４０に向けられた第２のチャンバ２０Ｂ内の流体の流れが、第２のチャンバ内で、他の排出路４０に向かうよう方向転換されることにより、光学経路ＯＰを調整することができる。このような方向転換は図３では矢印Ｑで示されている。
【００６３】
[0069]  この態様で、調整流体ＣＡの大部分が基板支持体ＷＴ（および／または基板[基板が基板支持体ＷＴによって保持されている場合]）に向けられることはなくなる。従って、基板支持体ＷＴから熱および混在物が除去されることを比較的良好に防止することができ、基板支持体ＷＴ近くの高速の調整流体の不要な噴流を防止または実質的になくすことができる。従って、本実施形態において、光学経路ＯＰを良好に光学的に調整することができ、光学経路ＯＰにおける熱的変化を減少させることができる。追加または別の選択として、たとえば、基板支持体ＷＴまたはスリットＳから他の光学経路ＯＰ’への熱および／または混在物の移動をこの態様で防止することができる。追加または別の選択として、本発明の調整システム１０は、調整流体の消費に関してより経済的かつ効率的であってよい。さらに、調整システムは、比較的小型に構成することができ、特に、（図のＺ方向に）全体的な高さを比較的低いものとすることできる。
【００６４】
[0070]  本明細書において記載した調整システムは様々な態様で応用することができる。たとえば、この調整システムを使用して１つ以上の光学経路ＯＰおよび／または他の領域を調整することができる。この調整システムは、たとえば、ウェーハステージ、ウェーハ操作システムにおいて、および／または、干渉法による測定時に、気体のカーテンを提供することができる。調整システムは、リソグラフィ装置および／または方法、または、他のタイプの装置および／または方法、たとえば、１つ以上の領域が熱的および／または光学的に調整される装置および／または方法に適用することができる。一例として、三次元測定装置、干渉法測定装置、切り替え圧力チャンバおよび／または他のデバイスに、本明細書に記載の調整システムを設けることができる。
【００６５】
[0071]  上述のこれらに限定されない実施形態において、調整システム１０は、調整流体の流出を受動的に変化させるよう構成することができる。別の選択または追加として、調整システムは、排出路４０を能動的に制御することにより、調整流体の流出を調整するように構成することができる。たとえば、基板支持体が排出路４０と向かい合う位置に移動された場合に排出路４０を閉鎖させるバルブを各排出路４０に設けることができる。このようなバルブを、たとえば、排出路４０の注入口または下流の排出口、あるいは、排出口４０内に配置することができる。別の選択または追加として、たとえば、調整システムに、可動のシャッタ装置を設け、排出路４０に対する基板支持体ＷＴの位置に応じて、複数の流体排出路４０を閉鎖することができる。調整システムはその他の態様で構成することもできる。
【００６６】
[0072]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することは、明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００６７】
[0073]  光学リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に創出されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００６８】
[0074]  本明細書で使われている用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）などのあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを包含している。
【００６９】
[0075]  用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学コンポーネントを含むさまざまな種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００７０】
[0076]  本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、記載される以外の態様で実施されうる。たとえば、本発明は、上記に開示されている方法を記載する機械読取可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取りうる。
【００７１】
[0077]  上記の説明は、限定ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【００７２】
[0078]  本出願において、「備える（comprising）」という用語は、他の構成要素またはステップを排除しないものと理解される。また、「ａ」および「ａｎ」という用語はそれぞれ、複数を排除しない。また、単一のプロセッサまたは他の装置は、請求項に記載されるいくつかの手段の機能を達成することができる。請求項に含まれる符号は、請求項の範囲を限定するものと解釈されないものとする。
【００７３】
[0079]  たとえば、被調整領域に関する「領域(area)」という用語は広義に解釈されるべきであり、ボリューム、ボリュームスペース(volume space)、区域(region)および／または他の類似の用語を包含してよい。同様に、たとえば、調整される空間に関する「空間」という用語は広義に解釈されるべきであり、ボリューム、ボリュームスペース(volume space)、区域(region)および／または他の類似の用語を包含してよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】[0011]  リソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す。
【図２Ａ】[0012]  図１に示す装置の一部の断面を概略的に示す。図中、構造支持体は第１の位置にある。
【図２Ｂ】[0013]  図２Ａに類似する図を示す。図中、構造支持体は、第２の位置にある。
【図３】[0014]  図２Ｂに類似する図であって、本発明の一実施形態を示す。
【図４】[0015]  図３に示す実施形態における多数流体排出口通路の断面を示す。
【図５】[0016]  本発明の一実施形態の斜視図を概略的に示す。
【図１】
0004621705.tif 000002
【図２Ａ】
0004621705.tif 000003
【図２Ｂ】
0004621705.tif 000004
【図３】
0004621705.tif 000005
【図４】
0004621705.tif 000006
【図５】
0004621705.tif 000007