(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
副画素ごとに発光素子に対して駆動電流を供給することによって当該発光素子を駆動する駆動トランジスタが形成された基板上に、青色光を発光する発光素子を含む複数色の発光素子が画素ごとに形成され、当該複数色の副画素を単位として構成される複数の画素が行列状に配置され、
青色光を発光する発光素子の面発光部は、二つの長辺と二つの短辺とを有する略長方形であり、
青色光を発光する発光素子の面発光部の二つの短辺の中点を通る線であって、二つの長辺と平行な線を、青色光を発光する発光素子の面発光部の中心線とするとき、
前記各発光色の副画素の駆動トランジスタは、青色光を発光する発光素子の面発光部の中心線上の、各発光色の副画素の駆動トランジスタの各々から最短距離となる発光ポイントから均等の距離になるように配置されており、
各駆動トランジスタはいずれも、二つの長辺のうちの一方と対向する位置にある
表示装置。
【請求項２】
前記複数色の副画素を単位として構成される１つの画素の画素形成領域内において、
青色光以外の発光色の発光素子の発光部は、前記画素形成領域の列方向の一方側に並んで配置され、
青色光を発光する発光素子の発光部は、前記画素形成領域の列方向の他方側に、青色光以外の発光色のすべての発光素子の発光部の幅に亘って配置されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
副画素ごとに発光素子に対して駆動電流を供給することによって当該発光素子を駆動する駆動トランジスタが形成された基板上に、青色光を発光する発光素子を含む複数色の発光素子が画素ごとに形成され、当該複数色の副画素を単位として構成される複数の画素が行列状に配置され、
青色光を発光する発光素子の面発光部は、二つの長辺と二つの短辺とを有する略長方形であり、
青色光を発光する発光素子の面発光部の二つの短辺の中点を通る線であって、二つの長辺と平行な線を、青色光を発光する発光素子の面発光部の中心線とするとき、
前記各発光色の副画素の駆動トランジスタは、青色光を発光する発光素子の面発光部の中心線上の、各発光色の副画素の駆動トランジスタの各々から最短距離となる発光ポイントから均等の距離になるように配置されており、
各駆動トランジスタはいずれも、二つの長辺のうちの一方と対向する位置にある
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、画素が行列状（マトリクス状）に２次元配置された平面型の表示装置および当該表示装置を有する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素（画素回路）が行列状に配置されてなる平面型（フラットパネル型）の表示装置が急速に普及している。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化するいわゆる電流駆動型の電気光学素子を画素の発光素子として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子が知られている。
【０００３】
画素の電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために低消費電力である。有機ＥＬ素子は、自発光素子であるために、画素ごとに液晶にて光源からの光強度を制御することによって画像を表示する液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかもバックライト等の照明部材を必要としないために軽量化および薄型化が容易である。さらに、有機ＥＬ素子の応答速度が数μｓｅｃ程度と非常に高速であるために動画表示時の残像が発生しない。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様に、その駆動方式として単純（パッシブ）マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とを採ることができる。ただし、単純マトリクス方式の表示装置は、構造が簡単であるものの、電気光学素子の発光期間が走査線（即ち、画素数）の増加によって減少するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が難しいなどの問題がある。
【０００５】
そのため、近年、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置の開発が盛んに行われている。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、一般には、ＴＦＴ(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)が用いられる。アクティブマトリクス方式の表示装置は、電気光学素子が１フレームの期間に亘って発光を持続するために、大型でかつ高精細な表示装置の実現が容易である。
【０００６】
ところで、一般的に、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、時間が経過すると劣化（いわゆる、経時劣化）することが知られている。有機ＥＬ素子を電流駆動するトランジスタ（以下、「駆動トランジスタ」と記述する）として特にＮチャネル型のＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが変化する。その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化する。これは、駆動トランジスタのソース電極側に有機ＥＬ素子が接続されることに起因する。
【０００７】
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点で決まる。そして、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Ｖｇｓが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機ＥＬ素子に流れる電流値も変化するために、有機ＥＬ素子の発光輝度が変化することになる。
【０００８】
また、特にポリシリコンＴＦＴを用いた画素回路では、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタのトランジスタ特性が経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによってトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする。すなわち、画素個々に駆動トランジスタのトランジスタ特性にばらつきがある。トランジスタ特性としては、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μ（以下、単に「駆動トランジスタの移動度μ」と記述する）等が挙げられる。
【０００９】
駆動トランジスタのトランジスタ特性が画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機ＥＬ素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じる。その結果、画面のユニフォーミティ（一様性）が損なわれる。
【００１０】
そこで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化等の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に維持するために、各種の補正（補償）機能を画素回路に持たせている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
補正機能としては、有機ＥＬ素子の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正機能、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正機能などが挙げられる。以下、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの変動に対する補正を「閾値補正」と呼び、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正を「移動度補正」と呼ぶこととする。
【００１２】
このように、画素回路の各々に、各種の補正機能を持たせることで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化の影響を受けることなく、有機ＥＬ素子の発光輝度を一定に保つことができる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質を向上できる。
【００１３】
【特許文献１】特開２００６−１３３５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、画素回路を構成するトランジスタ（以下、「画素トランジスタ」と記述する場合もある）、例えば駆動トランジスタの特性は、ストレス印加時間、即ち発光時間の経過とともに変動する。すると、パネル電流値、具体的には有機ＥＬ素子に流れる電流値が変化し、その結果、有機ＥＬ素子の発光輝度が変動する。図２１に、赤色光の有機ＥＬ素子の発光時間に対する初期電流値との電流比を示す。
【００１５】
カラー表示用の表示装置では、１つの画素は、赤色光（Ｒ）を発光する副画素、緑色光（Ｇ）を発光する副画素、青色光（Ｂ）を発光する副画素の３つの副画素を単位として構成される。一方、有機ＥＬ素子は、画素トランジスタなどが形成された基板上に平坦化膜を介して形成されるデバイス構造となっている（その詳細については後述する）。
【００１６】
このようなデバイス構造において、単位となるＲＧＢの３つの副画素は互いに隣接して設けられる。したがって、ある色の有機ＥＬ素子で発光された光の一部（いわゆる、漏れ光）が、隣接する他の色の画素の画素トランジスタを照射することになる。ここで、ＲＧＢの各発光光のうち、青色光が最もエネルギーが高い。したがって、主に青色光のＲＧの画素トランジスタに対する影響が強い。
【００１７】
そのために、Ｂの有機ＥＬ素子で発光された青色光の一部が、例えば隣接するＲの画素の画素トランジスタに照射されたときは、照射されないときに比べてＲの画素トランジスタの特性が大きく変動する。この画素トランジスタの特性の変動により、図２１に示すように、赤色光を発光する有機ＥＬ素子の青色光発光時の電流比は青色光非発光時に比べて低下する。
【００１８】
ここでは、赤色光を発光する画素におけるＢ画素からの漏れ光の影響による画素トランジスタの特性変動について述べたが、緑色光を発光する画素についても同様のことが言える。また、Ｂの画素においても、自身の有機ＥＬ素子の発光光によって画素トランジスタが照射される。その結果、画素トランジスタの特性変動には色ごとにばらつきが生じることになる。
【００１９】
このように、隣接画素からの漏れ光の影響により画素トランジスタの特性が変動し、色ごとに特性変動にばらつきが生じると、発光時間に対する初期電流値との電流比が色ごとにばらつくために、表示画像によってホワイトバランス（ＲＧＢの発光光のバランス）が崩れるなどの問題が発生する。
【００２０】
なお、隣接画素の発光光の影響を受けないようにするには、リブなどを使った漏れ光防止構造を採る方策などが考えられる。しかしながら、漏れ光防止構造を設けるとデバイス構造の複雑化を招く。
【００２１】
そこで、本発明は、隣接画素からの漏れ光の影響による画素トランジスタの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できるようにする表示装置および当該表示装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明は、
副画素ごとにトランジスタが形成された基板上に、青色光を発光する発光素子を含む複数色の発光素子が画素ごとに形成され、当該複数色の副画素を単位として構成される複数の画素が行列状に配置されてなる表示装置において、
青色光を含む各発光色の副画素のトランジスタと、前記青色光を発光する発光素子の発光部との相対的な位置関係を、両者間の距離が各色で均等になるようにレイアウトする。
【００２３】
１つの画素は、青色光を発光する発光素子（電気光学素子）を含む副画素と、他の色の光を発光する発光素子を含む複数の副画素、例えば赤色光を発光する発光素子を含む副画素と、緑色光を発光する発光素子を含む副画素の３つの副画素を単位として構成される。これら３色の発光光の中で青色光が最もエネルギーが高い。そこで、青色光を含む各発光色の副画素のトランジスタと、青色光を発光する発光素子の発光部との間の距離が各色で均等になるようにレイアウトする。
【００２４】
具体的には、青色光を発光する発光素子の発光部を基準として、当該発光部から均等の距離になるように各発光色の副画素のトランジスタを配置する。この配置は、青色光を含む各発光色の副画素のトランジスタから均等の距離となる位置に青色光を発光する発光素子を配置することとも言える。このような配置構造により、青色の画素の発光光が、３つの副画素内のトランジスタに対して均等に照射される。換言すれば、青色の画素の発光光が、３つの副画素内のトランジスタに対して均等に照射されるように、青色光を含む各発光色の副画素のトランジスタと青色光を発光する発光素子の発光部とをレイアウトする。このレイアウト構造を採ることにより、隣接画素からの漏れ光の影響による画素トランジスタの特性の変動が一様になり、当該特性変動の色ごとのばらつきを軽減できる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、隣接画素からの漏れ光の影響による画素トランジスタの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できることにより、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、表示品質の良好な表示画像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
［システム］
図１は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子を画素（画素回路）の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
【００２８】
図１に示すように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０は、発光素子を含む複数の画素２０と、当該画素２０が行列状に２次元配置された画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置された駆動部とを有する構成となっている。駆動部は、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。この駆動部として、例えば、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および信号出力回路６０が設けられている。
【００２９】
ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応となっており、１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）を単位として構成され、個々の副画素が画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示用の表示装置では、先述したように、１つの画素は、赤色光を発光する副画素、緑色光を発光する副画素、青色光を発光する副画素の３つの副画素を単位として構成される。
【００３０】
ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色光（Ｗ）を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００３１】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って走査線３１−１〜３１−ｍと電源供給線３２−１〜３２−ｍとが画素行ごとに配線されている。さらに、列方向（画素列の画素の配列方向）に沿って信号線３３−１〜３３−ｎが画素列ごとに配線されている。
【００３２】
走査線３１−１〜３１−ｍは、書込み走査回路４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。電源供給線３２−１〜３２−ｍは、電源供給走査回路５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３−１〜３３−ｎは、信号出力回路６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００３３】
画素アレイ部３０は、通常、ガラス基板などの透明絶縁基板上に形成されている。これにより、有機ＥＬ表示装置１０は、平面型（フラット型）のパネル構造となっている。画素アレイ部３０の各画素２０の駆動回路は、アモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴを用いて形成することができる。低温ポリシリコンＴＦＴを用いる場合には、書込み走査回路４０、電源供給走査回路５０および信号出力回路６０についても、画素アレイ部３０を形成する表示パネル（基板）７０上に実装することができる。
【００３４】
書込み走査回路４０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成されている。この書込み走査回路４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の書込みに際して、走査線３１−１〜３１−ｍに順次書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ１〜ＷＳｍ）を供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査（線順次走査）する。
【００３５】
電源供給走査回路５０は、クロックパルスｃｋに同期してスタートパルスｓｐを順にシフトするシフトレジスタ等によって構成されている。この電源供給走査回路５０は、書込み走査回路４０による線順次走査に同期して、第１電源電位Ｖｃｃｐと当該第１電源電位Ｖｃｃｐよりも低い第２電源電位Ｖｉｎｉで切り替わる電源電位ＤＳ（ＤＳ１〜ＤＳｍ）を電源供給線３２−１〜３２−ｍに供給する。この電源電位ＤＳのＶｃｃｐ／Ｖｉｎｉの切替えにより、画素２０の発光／非発光の制御が行なわれる。
【００３６】
信号出力回路６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖｓｉｇと基準電位Ｖｏｆｓのいずれか一方を適宜選択して出力する。信号出力回路６０から出力される信号電圧Ｖｓｉｇ／基準電位Ｖｏｆｓは、信号線３３−１〜３３−ｎを介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して行単位で書き込まれる。すなわち、信号出力回路６０は、信号電圧Ｖｓｉｇを行（ライン）単位で書き込む線順次書き込みの駆動形態を採っている。
【００３７】
（画素回路）
図２は、画素（画素回路）２０の回路構成の一例を示す回路図である。
【００３８】
図２に示すように、画素２０は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機ＥＬ素子２１と、当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線（いわゆる、ベタ配線）された共通電源供給線３４にカソード電極が接続されている。
【００３９】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３、保持容量２４および補助容量２５を有する構成となっている。ここでは、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いている。ただし、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の導電型の組み合わせは一例に過ぎず、これらの組み合わせに限られるものではない。
【００４０】
なお、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３としてＮチャネル型のＴＦＴを用いると、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）プロセスを用いることができる。ａ−Ｓｉプロセスを用いることで、ＴＦＴを作成する基板の低コスト化、ひいては本有機ＥＬ表示装置１０の低コスト化を図ることが可能になる。また、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３を同じ導電型の組み合わせにすると、両トランジスタ２２，２３を同じプロセスで作成することができるため低コスト化に寄与できる。
【００４１】
駆動トランジスタ２２は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）に接続されている。
【００４２】
書込みトランジスタ２３は、一方の電極（ソース／ドレイン電極）が信号線３３（３３−１〜３３−ｎ）に接続され、他方の電極（ドレイン／ソース電極）が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続されている。また、書込みトランジスタ２３のゲート電極は、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）に接続されている。
【００４３】
駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３において、一方の電極とは、ソース／ドレイン領域に電気的に接続された金属配線を言い、他方の電極とは、ドレイン／ソース領域に電気的に接続された金属配線を言う。また、一方の電極と他方の電極との電位関係によって一方の電極がソース電極ともなればドレイン電極ともなり、他方の電極がドレイン電極ともなればソース電極ともなる。
【００４４】
保持容量２４は、一方の電極が駆動トランジスタ２２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ２２の他方の電極および有機ＥＬ素子２１のアノード電極に接続されている。
【００４５】
補助容量２５は、一方の電極が有機ＥＬ素子２１のアノード電極に、他方の電極が共通電源供給線３４にそれぞれ接続されている。この補助容量２５は、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるために、必要に応じて設けられるものである。すなわち、補助容量２５は必須の構成要素ではなく、有機ＥＬ素子２１の等価容量が十分に大きい場合は省略可能である。
【００４６】
ここでは、補助容量２５の他方の電極を共通電源供給線３４に接続するとしたが、他方の電極の接続先としては、共通電源供給線３４に限られるものではなく、固定電位のノードであればよい。補助容量２５の他方の電極を固定電位に接続することで、有機ＥＬ素子２１の容量不足分を補い、保持容量２４に対する映像信号の書込みゲインを高めるという所期の目的を達成することができる。
【００４７】
上記構成の画素２０において、書込みトランジスタ２３は、書込み走査回路４０から走査線３１を通してゲート電極に印加されるＨｉｇｈアクティブの書込み走査信号ＷＳに応答して導通状態となる。これにより、書込みトランジスタ２３は、信号線３３を通して信号出力回路６０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓをサンプリングして画素２０内に書き込む。この書き込まれた信号電圧Ｖｓｉｇまたは基準電位Ｖｏｆｓは、駆動トランジスタ２２のゲート電極に印加されるとともに保持容量２４に保持される。
【００４８】
駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐにあるときには、一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極となって飽和領域で動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、電源供給線３２から電流の供給を受けて有機ＥＬ素子２１を電流駆動にて発光駆動する。より具体的には、駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作することにより、保持容量２４に保持された信号電圧Ｖｓｉｇの電圧値に応じた電流値の駆動電流を有機ＥＬ素子２１に供給し、当該有機ＥＬ素子２１を電流駆動することによって発光させる。
【００４９】
駆動トランジスタ２２はさらに、電源電位ＤＳが第１電源電位Ｖｃｃｐから第２電源電位Ｖｉｎｉに切り替わったときには、一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極となってスイッチングトランジスタとして動作する。これにより、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１への駆動電流の供給を停止し、有機ＥＬ素子２１を非発光状態にする。すなわち、駆動トランジスタ２２は、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御するトランジスタとしての機能をも併せ持っている。
【００５０】
この駆動トランジスタ２２のスイッチング動作により、有機ＥＬ素子２１が非発光状態となる期間（非発光期間）を設け、有機ＥＬ素子２１の発光期間と非発光期間の割合（デューティ）を制御する。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って画素が発光することに伴う残像ボケを低減できるために、特に動画の画品位をより優れたものとすることができる。
【００５１】
ここで、信号出力回路６０から信号線３３を通して選択的に供給される基準電位Ｖｏｆｓは、輝度情報に応じた映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇの基準となる電位（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電位）である。
【００５２】
電源供給走査回路５０から電源供給線３２を通して選択的に供給される第１，第２電源電位Ｖｃｃｐ，Ｖｉｎｉのうち、第１電源電位Ｖｃｃｐは有機ＥＬ素子２１を発光駆動する駆動電流を駆動トランジスタ２２に供給するための電源電位である。また、第２電源電位Ｖｉｎｉは、有機ＥＬ素子２１に対して逆バイアスを掛けるための電源電位である。この第２電源電位Ｖｉｎｉは、基準電位Ｖｏｆｓよりも低い電位、例えば、駆動トランジスタ２２の閾値電圧をＶｔｈとするときＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも低い電位、好ましくはＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い電位に設定される。
【００５３】
以上の説明から明らかなように、本適用例に係る有機ＥＬ表示装置１０における画素２０は、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の２つのトランジスタからなる回路構成を基本構成としている。ただし、画素２０の基本構成は、２つのトランジスタからなる２Ｔｒの回路構成に限られるものではない。
【００５４】
（有機ＥＬ表示装置の回路動作）
次に、上記構成の画素２０が行列状に２次元配置されてなる有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図３のタイミング波形図を基に図４および図５の動作説明図を用いて説明する。なお、図４および図５の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ２３をスイッチのシンボルで図示している。
【００５５】
図３のタイミング波形図には、走査線３１（３１−１〜３１−ｍ）の電位（書込み走査信号）ＷＳの変化、電源供給線３２（３２−１〜３２−ｍ）の電位（電源電位）ＤＳの変化、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの変化を示している。また、ゲート電位Ｖｇの波形を一点鎖線で示し、ソース電位Ｖｓの波形を点線で示すことで、両者を識別できるようにしている。
【００５６】
＜前フレームの発光期間＞
図３のタイミング波形図において、時刻ｔ１以前は、前のフレーム（フィールド）における有機ＥＬ素子２１の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線３２の電位ＤＳが第１電源電位（以下、「高電位」と記述する）Ｖｃｃｐにあり、また、書込みトランジスタ２３が非導通状態にある。
【００５７】
このとき、駆動トランジスタ２２は飽和領域で動作するように設計されている。これにより、図４（Ａ）に示すように、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流（ドレイン−ソース間電流）Ｉｄｓが、電源供給線３２から駆動トランジスタ２２を通して有機ＥＬ素子２１に供給される。よって、有機ＥＬ素子２１が駆動電流Ｉｄｓの電流値に応じた輝度で発光する。
【００５８】
＜閾値補正準備期間＞
時刻ｔ１になると、線順次走査の新しいフレーム（現フレーム）に入る。そして、図４（Ｂ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが高電位Ｖｃｃｐから、信号線３３の基準電位Ｖｏｆｓに対してＶｏｆｓ−Ｖｔｈよりも十分に低い第２電源電位（以下、「低電位」と記述する）Ｖｉｎｉに切り替わる。
【００５９】
ここで、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧をＶｔｈｅｌ、共通電源供給線３４の電位（カソード電位）をＶｃａｔｈとする。このとき、低電位ＶｉｎｉをＶｉｎｉ＜Ｖｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが低電位Ｖｉｎｉにほぼ等しくなるために、有機ＥＬ素子２１は逆バイアス状態となって消光する。
【００６０】
次に、時刻ｔ２で走査線３１の電位ＷＳが低電位側から高電位側に遷移することで、図４（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態となる。このとき、信号出力回路６０から信号線３３に対して基準電位Ｖｏｆｓが供給されているために、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが基準電位Ｖｏｆｓになる。また、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓは、基準電位Ｖｏｆｓよりも十分に低い電位Ｖｉｎｉにある。
【００６１】
このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｏｆｓ−Ｖｉｎｉとなる。ここで、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈよりも大きくないと、後述する閾値補正処理を行うことができないために、Ｖｏｆｓ−Ｖｉｎｉ＞Ｖｔｈなる電位関係に設定する必要がある。
【００６２】
このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに、ソース電位Ｖｓを低電位Ｖｉｎｉにそれぞれ固定して（確定させて）初期化する処理が、後述する閾値補正処理を行う前の準備（閾値補正準備）の処理である。したがって、基準電位Ｖｏｆｓおよび低電位Ｖｉｎｉが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓの各初期化電位となる。
【００６３】
＜閾値補正期間＞
次に、時刻ｔ３で、図４（Ｄ）に示すように、電源供給線３２の電位ＤＳが低電位Ｖｉｎｉから高電位Ｖｃｃｐに切り替わると、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Ｖｇから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇を開始する。
【００６４】
ここでは、便宜上、駆動トランジスタ２２のゲート電極の初期化電位Ｖｏｆｓを基準として、当該初期化電位Ｖｏｆｓから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈを減じた電位に向けてソース電位Ｖｓを変化させる処理を閾値補正処理と呼んでいる。この閾値補正処理が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに収束する。この閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧は保持容量２４に保持される。
【００６５】
なお、閾値補正処理を行う期間（閾値補正期間）において、電流が専ら保持容量２４側に流れ、有機ＥＬ素子２１側には流れないようにするために、有機ＥＬ素子２１がカットオフ状態となるように共通電源供給線３４の電位Ｖｃａｔｈを設定しておくこととする。
【００６６】
次に、時刻ｔ４で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ａ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電極が信号線３３から電気的に切り離されることによってフローティング状態になる。しかし、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに等しいために、当該駆動トランジスタ２２はカットオフ状態にある。したがって、駆動トランジスタ２２にドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは流れない。
【００６７】
＜信号書込み＆移動度補正期間＞
次に、時刻ｔ５で、図５（Ｂ）に示すように、信号線３３の電位が基準電位Ｖｏｆｓから映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに切り替わる。続いて、時刻ｔ６で、走査線３１の電位ＷＳが高電位側に遷移することで、図５（Ｃ）に示すように、書込みトランジスタ２３が導通状態になって映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇをサンプリングして画素２０内に書き込む。
【００６８】
この書込みトランジスタ２３による信号電圧Ｖｓｉｇの書き込みにより、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇが信号電圧Ｖｓｉｇとなる。そして、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが保持容量２４に保持された閾値電圧Ｖｔｈに相当する電圧と相殺される。この閾値キャンセルの原理の詳細については後述する。
【００６９】
このとき、有機ＥＬ素子２１はカットオフ状態（ハイインピーダンス状態）にある。したがって、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに応じて電源供給線３２から駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）は補助容量２５に流れ込む。よって、補助容量２５の充電が開始される。
【００７０】
この補助容量２５の充電により、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが時間の経過と共に上昇していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。
【００７１】
ここで、映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇに対する保持容量２４の保持電圧Ｖｇｓの比率、即ち書込みゲインが１（理想値）であると仮定する。すると、駆動トランジスタ２２のソース電位ＶｓがＶｏｆｓ−Ｖｔｈ＋ΔＶの電位まで上昇することで、駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶとなる。
【００７２】
すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは、保持容量２４に保持された電圧（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ）から差し引かれるように、換言すれば、保持容量２４の充電電荷を放電するように作用し、負帰還がかけられたことになる。したがって、ソース電位Ｖｓの上昇分ΔＶは負帰還の帰還量となる。
【００７３】
このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート‐ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す処理が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素ごとのばらつきを補正する移動度補正処理である。
【００７４】
より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）が高いほどドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなるために、負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなる。したがって、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。
【００７５】
また、映像信号の信号振幅Ｖｉｎを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量ΔＶの絶対値も大きくなるために、画素ごとの移動度μのばらつきを取り除くことができる。したがって、負帰還の帰還量ΔＶは移動度補正の補正量とも言える。移動度補正の原理の詳細については後述する。
【００７６】
＜発光期間＞
次に、時刻ｔ７で走査線３１の電位ＷＳが低電位側に遷移することで、図５（Ｄ）に示すように、書込みトランジスタ２３が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート電極は、信号線３３から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
【００７７】
ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２４が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの変動に連動してゲート電位Ｖｇも変動する。このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇがソース電位Ｖｓの変動に連動して変動する動作が、保持容量２４によるブートストラップ動作である。
【００７８】
駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態になり、それと同時に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉｄｓに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位が上昇する。
【００７９】
そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位がＶｔｈｅｌ＋Ｖｃａｔｈを越えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。また、有機ＥＬ素子２１のアノード電位の上昇は、即ち駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓの上昇に他ならない。駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが上昇すると、保持容量２４のブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖｇも連動して上昇する。
【００８０】
このとき、ブートストラップゲインが１（理想値）であると仮定した場合、ゲート電位Ｖｇの上昇量はソース電位Ｖｓの上昇量に等しくなる。故に、発光期間中駆動トランジスタ２２のゲート‐ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶで一定に保持される。そして、時刻ｔ８で信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇから基準電位Ｖｏｆｓに切り替わる。
【００８１】
以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖｓｉｇの書込み（信号書込み）および移動度補正の各処理動作は、１水平走査期間（１Ｈ）において実行される。また、信号書込みおよび移動度補正の各処理動作は、時刻ｔ６−ｔ７の期間において並行して実行される。
【００８２】
（閾値キャンセルの原理）
ここで、駆動トランジスタ２２の閾値キャンセル（即ち、閾値補正）の原理について説明する。駆動トランジスタ２２は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機ＥＬ素子２１には駆動トランジスタ２２から、次式（１）で与えられる一定のドレイン−ソース間電流（駆動電流）Ｉｄｓが供給される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）2     ……（１）
ここで、Ｗは駆動トランジスタ２２のチャネル幅、Ｌはチャネル長、Ｃｏｘは単位面積当たりのゲート容量である。
【００８３】
図６に、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ対ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの特性を示す。
【００８４】
この特性図に示すように、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの画素ごとのばらつきに対するキャンセル処理を行わないと、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ１のとき、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ１になる。
【００８５】
これに対して、閾値電圧ＶｔｈがＶｔｈ２（Ｖｔｈ２＞Ｖｔｈ１）のとき、同じゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応するドレイン−ソース間電流ＩｄｓがＩｄｓ２（Ｉｄｓ２＜Ｉｄｓ）になる。すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが変動すると、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが一定であってもドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動する。
【００８６】
一方、上記構成の画素（画素回路）２０では、先述したように、発光時の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧ＶｇｓはＶｓｉｇ−Ｖｏｆｓ＋Ｖｔｈ−ΔＶである。したがって、これを式（１）に代入すると、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、次式（２）で表される。
Ｉｄｓ＝（１／２）・μ（Ｗ／Ｌ）Ｃｏｘ（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ−ΔＶ）2 
……（２）
【００８７】
すなわち、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈの項がキャンセルされており、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に供給されるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈに依存しない。その結果、駆動トランジスタ２２の製造プロセスのばらつきや経時変化により、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖｔｈが画素ごとに変動したとしても、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが変動しないために、有機ＥＬ素子２１の発光輝度を一定に保つことができる。
【００８８】
（移動度補正の原理）
次に、駆動トランジスタ２２の移動度補正の原理について説明する。図７に、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に大きい画素Ａと、駆動トランジスタ２２の移動度μが相対的に小さい画素Ｂとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ２２をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Ａや画素Ｂのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
【００８９】
画素Ａと画素Ｂで移動度μにばらつきがある状態で、駆動トランジスタ２２のゲート電極に例えば両画素Ａ，Ｂに同レベルの信号振幅Ｖｉｎ（＝Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）を書き込んだ場合を考える。この場合、何ら移動度μの補正を行わないと、移動度μの大きい画素Ａに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１′と移動度μの小さい画素Ｂに流れるドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２′との間には大きな差が生じてしまう。このように、移動度μの画素ごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素間で大きな差が生じると、画面のユニフォーミティが損なわれる。
【００９０】
ここで、先述した式（１）のトランジスタ特性式から明らかなように、移動度μが大きいとドレイン−ソース間電流Ｉｄｓが大きくなる。したがって、負帰還における帰還量ΔＶは移動度μが大きくなるほど大きくなる。図７に示すように、移動度μの大きな画素Ａの帰還量ΔＶ１は、移動度の小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きい。
【００９１】
そこで、移動度補正処理によって駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶでゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることにより、移動度μが大きいほど負帰還が大きくかかることになる。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを抑制することができる。
【００９２】
具体的には、移動度μの大きな画素Ａで帰還量ΔＶ１の補正をかけると、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ１′からＩｄｓ１まで大きく下降する。一方、移動度μの小さな画素Ｂの帰還量ΔＶ２は小さいために、ドレイン−ソース間電流ＩｄｓはＩｄｓ２′からＩｄｓ２までの下降となり、それ程大きく下降しない。結果的に、画素Ａのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ１と画素Ｂのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ２とはほぼ等しくなるために、移動度μの画素ごとのばらつきが補正される。
【００９３】
以上をまとめると、移動度μの異なる画素Ａと画素Ｂがあった場合、移動度μの大きい画素Ａの帰還量ΔＶ１は移動度μの小さい画素Ｂの帰還量ΔＶ２に比べて大きくなる。つまり、移動度μが大きい画素ほど帰還量ΔＶが大きく、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの減少量が大きくなる。
【００９４】
したがって、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに応じた帰還量ΔＶで、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかけることで、移動度μの異なる画素のドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの電流値が均一化される。その結果、移動度μの画素ごとのばらつきを補正することができる。すなわち、駆動トランジスタ２２に流れる電流（ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓ）に応じた帰還量ΔＶで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに負帰還をかける処理が移動度補正処理となる。
【００９５】
ここで、図２に示した画素（画素回路）２０において、閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタ２２のドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係について図８を用いて説明する。
【００９６】
図８において、（Ａ）は閾値補正および移動度補正を共に行わない場合、（Ｂ）は移動度補正を行わず、閾値補正のみを行った場合、（Ｃ）は閾値補正および移動度補正を共に行った場合をそれぞれ示している。図８（Ａ）に示すように、閾値補正および移動度補正を共に行わない場合には、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因してドレイン−ソース間電流Ｉｄｓに画素Ａ，Ｂ間で大きな差が生じることになる。
【００９７】
これに対し、閾値補正のみを行った場合は、図８（Ｂ）に示すように、ドレイン−ソース間電流Ｉｄｓのばらつきをある程度低減できるものの、移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差は残る。そして、閾値補正および移動度補正を共に行うことで、図８（Ｃ）に示すように、閾値電圧Ｖｔｈおよび移動度μの画素Ａ，Ｂごとのばらつきに起因する画素Ａ，Ｂ間でのドレイン−ソース間電流Ｉｄｓの差をほぼ無くすことができる。したがって、どの階調においても有機ＥＬ素子２１の輝度ばらつきは発生せず、良好な画質の表示画像を得ることができる。
【００９８】
また、図２に示した画素２０は、閾値補正および移動度補正の各補正機能に加えて、先述した保持容量２４によるブートストラップ動作の機能を備えていることで、次のような作用効果を得ることができる。
【００９９】
すなわち、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性の経時変化に伴って駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖｓが変化したとしても、保持容量２４によるブートストラップ動作により、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に維持することができる。したがって、有機ＥＬ素子２１に流れる電流は変化せず一定となる。その結果、有機ＥＬ素子２１の発光輝度も一定に保たれるために、有機ＥＬ素子２１のＩ−Ｖ特性が経時変化したとしても、それに伴う輝度劣化のない画像表示を実現できる。
【０１００】
（画素の基本的な断面構造）
ここで、画素（副画素）２０の基本的な断面構造について説明する。図９は、画素２０の基本的な断面構造を示す断面図である。
【０１０１】
図９に示すように、ガラス基板２０１上には、駆動トランジスタ２２等の画素トランジスタ２２０を含む駆動回路が形成されている。ここでは、駆動回路の各構成素子のうち、駆動トランジスタ２２のみを図示し、他の構成素子については省略している。この駆動回路が形成されたガラス基板２０１上には、絶縁膜２０２を介して各種の配線２０３が形成され、その上に平坦化膜（樹脂膜）２０４が形成されている。平坦化膜２０４上には、金属等からなるアノード電極２０５が形成されている。このアノード電極２０５は、所定の配線２０３とコンタクトがとられている。
【０１０２】
アノード電極２０５上にはウインド絶縁膜２０６が形成され、当該ウインド絶縁膜２０６の凹部２０６ＡにＲＧＢの有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが設けられている。これにより、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが設けられた凹部２０６Ａの開口がウインド（ＷＩＮＤＯＷ）となり、このウインドを通して各色の光が発せられる。すなわち、ウインド絶縁膜２０６のウインドは、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの発光部とも言える。ウインド絶縁膜２０６の上には、透明導電膜等からなるカソード電極２０７が全画素共通に形成されている。
【０１０３】
有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、その詳細については図示を省略するが、アノード電極２０５とカソード電極２０７によって有機層が挟まれた構成となっている。有機層は、アノード電極２０５上にホール輸送層/ホール注入層、発光層、電子輸送層および電子注入層が順次堆積されることによって形成される。そして、図２の駆動トランジスタ２２による電流駆動の下に、駆動トランジスタ２２からアノード電極２０５を通して有機層に電流が流れることで、当該有機層内の発光層において電子と正孔が再結合する際に発光するようになっている。
【０１０４】
画素トランジスタ２２０は、ゲート電極２２１と、半導体層２２２の両端部側に設けられたソース／ドレイン領域２２３，２２４と、半導体層２２２のゲート電極２２１と対向する部分のチャネル形成領域２２５とから構成されている。ソース／ドレイン領域２２３は、コンタクトホールを介して有機ＥＬ素子２１のアノード電極２０５と電気的に接続される。
【０１０５】
ガラス基板２０１上に、絶縁膜２０２、平坦化膜２０４およびウインド絶縁膜２０６を介して有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが画素単位で形成された後は、ＳｉＮ等の無機封止膜２０８を介して接着剤２０９によって封止基板２１０が接合される。この封止基板２１０によって有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが封止されることによって表示パネル７０が形成される。
【０１０６】
上述したように、画素トランジスタ２２０を含む画素回路が形成されたガラス基板２０１上に平坦化膜２０４を介して形成される画素２０のデバイス構造において、単位となるＲＧＢの３つの画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは互いに隣接して設けられる。ここで、有機ＥＬ素子が例えば面光源であるとした場合、ある色の有機ＥＬ素子から発せられる光が、図１０に示すように、周囲に一様な分布をもって照射される。その結果、ある色の有機ＥＬ素子で発光された光の一部（漏れ光）が、隣接する他の色の画素トランジスタを照射することになる。このとき、特に最もエネルギーが高い青色光がＲ，Ｇの画素トランジスタに及ぼす影響が強い。
【０１０７】
図１０から明らかなように、Ｂの画素においても、自身の有機ＥＬ素子２１Ｂの発光光によって画素トランジスタが照射される。前にも述べたように、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部がＲＧＢの各画素トランジスタに照射されると、照射されないときに比べて画素トランジスタの特性が大きく変動する（図２１参照）。そして、色ごとに画素トランジスタの特性変動にばらつきが生じると、発光時間に対する初期電流値との電流比が色ごとにばらつくために、表示画像によってホワイトバランスが崩れる。
【０１０８】
［本実施形態の特徴部分］
そこで、本実施形態では、青色光を含む各発光色の画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの画素トランジスタと、青色光を発光する有機ＥＬ素子２１Ｂの発光部との相対的な位置関係を、両者間の距離が各色で均等になるようにするレイアウトする構造を採る。ここで、有機ＥＬ素子２１の発光部とは、先述したウインド絶縁膜２０６のウインドを通して光が発せられる部分のことを言う。以下に、当該レイアウト構造の具体的な実施例について説明する。
【０１０９】
（実施例１）
図１１は、実施例１に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図である。図１１に示すように、ＲＧＢの有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、１つの画素を形成する領域である例えば正方形の画素形成領域２３０内に互いに隣接して配置されている。
【０１１０】
具体的には、画素形成領域２３０の列方向（画素列の画素の配列方向）の一方側（本例では、下側）にＲＧの有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇの各ウインド（発光部）２３１Ｒ，２３１Ｇが正方形に近い形状で並んで形成される。また、画素形成領域２３０の列方向の他方側（本例では、上側）にＢの有機ＥＬ素子２１Ｂのウインド２３Ｂが、ウインド２３１Ｒ，２３１Ｇの幅に亘って長方形の形状で形成されている。
【０１１１】
また、画素形成領域２３０内には、ＲＧＢの画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各画素トランジスタ（例えば、図２の駆動トランジスタ２２）２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂが、有機ＥＬ素子２１Ｂのウインド２３Ｂから一定距離だけ離れた位置に、当該ウインド２３Ｂの長手方向に沿ってレイアウトされている。ここで、青色光を発光する有機ＥＬ素子２１Ｂは面光源であるとする。Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂが面光源である場合、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに対する有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントは、ウインド２３Ｂの中心線Ｏ上の画素トランジスタと最短距離となる３ポイントＰｒ，Ｐｇ，Ｐｂと考えることができる。
【０１１２】
その結果、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂを面光源とした場合、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂと、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰｒ，Ｐｇ，Ｐｂとの間の距離が各色で均等になる。なお、ここで言う均等は、多少の誤差や、微調整による若干の距離差を含むものとする。このようなレイアウト構造により、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部が、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに均等に照射される。
【０１１３】
これにより、Ｂの画素２０Ｂからの漏れ光が照射された際に、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのトランジスタ特性が一様に変動するために、特性変動の色ごとのばらつきを軽減できる。その結果、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、表示品質の良好な表示画像を得ることができる。
【０１１４】
（実施例２）
図１２は、実施例２に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図であり、図中、図１１と同等部分には同一符号を付して示している。図１２から明らかなように、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの各ウインド（発光部）２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂの形状および配置関係については実施例１の場合と同じになっている。
【０１１５】
一方、実施例１では、青色光を発光する有機ＥＬ素子２１Ｂとして面光源を用いているのに対して、本実施例２では、当該有機ＥＬ素子２１Ｂとして点光源を用いている。有機ＥＬ素子２１Ｂが点光源であることで、有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰは、有機ＥＬ素子２１Ｂのウインド２３１Ｂの中心と考えることができる。
【０１１６】
有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰをウインド２３１Ｂの中心とした場合に、実施例１の画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのレイアウトだと、発光ポイントＰに対して画素トランジスタ２２０Ｂの位置が一番近い距離となる。そこで、本実施例２では、画素トランジスタ２２０Ｂを他の画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇに比べて発光ポイントＰから離れた位置に配置し、発光ポイントＰからの距離が各色で均等になるようにしている。
【０１１７】
このように、有機ＥＬ素子２１Ｂが点光源であるとき、当該有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰからの距離が各色で均等になるように画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂを配置することにより、実施例１の場合と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部が、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに均等に照射され、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂの特性が一様に変動するため、特性変動の色ごとのばらつきを軽減できる。その結果、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、表示品質の良好な表示画像を得ることができる。
【０１１８】
（実施例３）
図１３は、実施例３に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図であり、図中、図１１と同等部分には同一符号を付して示している。
【０１１９】
本実施例３では、ＲＧＢの画素（副画素）２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが、行方向（画素行の画素の配列方向）に沿って繰り返して配置された画素配列において、Ｂの画素２０Ｂを真ん中にした３画素２０Ｇ，２０Ｂ，２０Ｒを１つの画素の単位とする。有機ＥＬ素子２１Ｂとしては、面光源であっても点光源であってもよい。
【０１２０】
ここでは、有機ＥＬ素子２１Ｂとして点光源を用いる場合について説明する。有機ＥＬ素子２１Ｂが点光源の場合には、有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰは、有機ＥＬ素子２１Ｂのウインド２３１Ｂの中心と考えることができる。そして、有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰから発せられた青色光は、当該発光ポイントＰを中心として周囲に均等な分布を持って照射されると考えられる。
【０１２１】
ここで、Ｇ，Ｒの画素２０Ｇ，２０Ｒの各画素トランジスタ２２０Ｇ，２２０Ｒを、例えば発光ポイントＰを通る中心線Ｏ上に配置するとする。このとき、Ｂの画素２０Ｂの画素トランジスタ２２０Ｂについては、中心線Ｏから離れた位置に配置し、発光ポイントＰからの距離が各色で均等になるようにしている。
【０１２２】
有機ＥＬ素子２１Ｂの発光ポイントＰからの距離が各色で均等になるように画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂを配置することにより、実施例１の場合と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部が、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに均等に照射されるようになるため、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂの特性変動の色ごとのばらつきを軽減できる。その結果、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、表示品質の良好な表示画像を得ることができる。
【０１２３】
なお、本実施例３では、有機ＥＬ素子２１Ｂとして点光源を用いることを前提として説明したが、有機ＥＬ素子２１Ｂとして面光源を用いる場合にも同様である。要は、有機ＥＬ素子２１Ｂの発光部と画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂとが、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部が、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに均等に照射されるようなレイアウト関係であればよい。
【０１２４】
（実施例４）
図１４は、実施例４に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図であり、図中、図１１と同等部分には同一符号を付して示している。
【０１２５】
本実施例４では、ＲＧＢの画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが、行方向に沿って繰り返して配置された画素配列において、有機ＥＬ素子２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの発光部、即ちウインド２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂを傾斜させて形成した構成を採っている。すなわち、ウインド２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂは、列方向（画素列の画素の配列方向）に対して所定の角度傾いた状態で形成されている。一方、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２０Ｂは、例えばウインド２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂの中心を通る中心線Ｏ上に配置されている。
【０１２６】
Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂとしては、例えば面光源を用いるものとする。有機ＥＬ素子２１Ｂが面光源であると、当該有機ＥＬ素子２１Ｂから発せられた青色光は、図１４に示すように、ウインド２３１Ｇからその周囲に一様な分布を持って照射される。このとき、ウインド２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂが傾斜していることで、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光による隣接画素２０Ｒ，２０Ｇへの照射量が増える。これにより、青色光によって隣接画素２０Ｒ，２０Ｇの画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇが照射される量を、画素２０Ｂの画素トランジスタ２２０Ｂが照射される量に近づけることができる。
【０１２７】
このようにして、Ｂの有機ＥＬ素子２１Ｂで発光された青色光の一部が、画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに照射される量を近づけることで、特性変動の色ごとのばらつきを軽減できる。その結果、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、表示品質の良好な表示画像を得ることができる。
【０１２８】
なお、本実施例４では、画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの各画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇ，２０Ｂを、ウインド２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂの中心を通る中心線Ｏ上に配置するとしたが、このレイアウトに限られるものではない。例えば、図１４に示す青色光の照射分布に対して、画素トランジスタ２２０Ｇを図の下方向に、画素トランジスタ２２０Ｒを図の上方向に位置をずらすようにする。このようにすることで、青色光によって隣接画素２０Ｒ，２０Ｇの画素トランジスタ２２０Ｒ，２２０Ｇが照射される量を、画素２０Ｂの画素トランジスタ２２０Ｂが照射される量により近づけることができる。
【０１２９】
［変形例］
上記実施形態では、有機ＥＬ素子２１の駆動回路が、図２に示すように、駆動トランジスタ２２および書込みトランジスタ２３の２つのトランジスタからなる２Ｔｒの回路構成を基本構成とした場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの回路構成への適用に限られるものではない。
【０１３０】
一例として、図１５に示すように、駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３に加えて、発光制御トランジスタ２８および２つのスイッチングトランジスタ２９，３０を有する５つのトランジスタからなる５Ｔｒの回路構成を基本構成とする画素２０´が知られている（例えば、特開２００５−３４５７２２号公報参照）。ここでは、発光制御トランジスタ２８としてＰｃｈトランジスタ、スイッチングトランジスタ２９，３０としてＮｃｈを用いているが、これらの導電型の組み合わせは任意である。
【０１３１】
発光制御トランジスタ２８は、駆動トランジスタ２２に対して直列に接続され、駆動トランジスタ２２への高電位Ｖｃｃｐの供給を選択的に行うことで、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光の制御を行なう。スイッチングトランジスタ２９は、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電位Ｖｏｆｓを選択的に与えることで、そのゲート電位Ｖｇを基準電位Ｖｏｆｓに初期化する。スイッチングトランジスタ３０は、駆動トランジスタ２２のソース電極に低電位ｉｎｉを選択的に与えることで、そのソース電位Ｖｓを低電位ｉｎｉに初期化する。
【０１３２】
ここでは、他の画素構成として、５Ｔｒの回路構成を例に挙げたが、例えば、信号線３３を通して基準電位Ｖｏｆｓを供給し、当該基準電位Ｖｏｆｓを書込みトランジスタ２３によって書き込むようにすることでスイッチングトランジスタ２７を省略するなど、種々の画素構成のものが考えられる。
【０１３３】
また、上記実施形態では、画素２０の電気光学素子として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。具体的には、本発明は、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子など、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子（発光素子）を用いた表示装置全般に対して適用可能である。
【０１３４】
［適用例］
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図１６〜図２０に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
【０１３５】
このように、あらゆる分野の電子機器の表示装置として本発明による表示装置を用いることにより、各種の電子機器において高品位な画像表示を行うことができる。すなわち、先述した実施形態の説明から明らかなように、本発明による表示装置は、画素トランジスタの特性変動の色ごとのばらつきを軽減し、表示画像によらずホワイトバランスを維持できるために、高品位な表示画像を得ることができる。
【０１３６】
本発明による表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。例えば、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。この透明な対向部には、カラーフィルタ、保護膜等、更には、上記した遮光膜が設けられてもよい。なお、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等が設けられていてもよい。
【０１３７】
以下に、本発明が適用される電子機器の具体例について説明する。
【０１３８】
図１６は、本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。本適用例に係るテレビジョンセットは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明による表示装置を用いることにより作成される。
【０１３９】
図１７は、本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４０】
図１８は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４１】
図１９は、本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明による表示装置を用いることにより作製される。
【０１４２】
図２０は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含んでいる。そして、ディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明による表示装置を用いることにより本適用例に係る携帯電話機が作製される。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】画素の回路構成の一例を示す回路図である。
【図３】画素が２Ｔｒの回路構成を基本構成とする本適用例に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明に供するタイミング波形図である。
【図４】本適用例に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その１）である。
【図５】本適用例に係る有機ＥＬ表示装置の回路動作の説明図（その２）である。
【図６】駆動トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図７】駆動トランジスタの移動度μのばらつきに起因する課題の説明に供する特性図である。
【図８】閾値補正、移動度補正の有無による映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇと駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流Ｉｄｓとの関係の説明に供する特性図である。
【図９】画素の基本的な断面構造を示す断面図である。
【図１０】ある色の有機ＥＬ素子で発光された光の一部が、隣接する他の色の画素トランジスタに影響を及ぼす様子を示す図である。
【図１１】実施例１に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図である。
【図１２】実施例２に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図である。
【図１３】実施例３に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図である。
【図１４】実施例４に係るレイアウト構造を概念的に示す平面図である。
【図１５】他の構成の画素の回路構成の一例を示す回路図である。
【図１６】本発明が適用されるテレビジョンセットの外観を示す斜視図である。
【図１７】本発明が適用されるデジタルカメラの外観を示す斜視図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。
【図１８】本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を示す斜視図である。
【図１９】本発明が適用されるビデオカメラの外観を示す斜視図である。
【図２０】本発明が適用される携帯電話機を示す外観図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図２１】赤色光の有機ＥＬ素子の発光時間に対する初期電流値との電流比を示す図である。
【符号の説明】
【０１４４】
１０…有機ＥＬ表示装置、２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）…画素（画素回路）、２１（２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ）…有機ＥＬ素子、２２…駆動トランジスタ、２３…書込みトランジスタ、２４…保持容量、２５…補助容量、３０…画素アレイ部、３１（３１−１〜３１−ｍ）…走査線、３２（３２−１〜３２−ｍ）…電源供給線、３３（３３−１〜３３−ｎ）…信号線、３４…共通電源供給線、４０…書込み走査回路、５０…電源供給走査回路、６０…信号出力回路、７０…表示パネル、２２０（２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ）…画素トランジスタ、２３０…画素形成領域、２３１Ｒ，２３１Ｇ，２３１Ｂ…ウインド（発光部）、Ｐ，Ｐｒ，Ｐｇ，Ｐｂ…発光ポイント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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