(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
上面が平坦な熱処理プレートと、
耐熱性を有する樹脂で形成され、前記熱処理プレートの上面に設けられて基板を当接支持する支持手段と、
前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
を備え、
前記支持手段は、凸部が形成されたシート状物であることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、
上面が平坦な熱処理プレートと、
耐熱性を有する樹脂で形成され、前記熱処理プレートの上面に設けられて基板を当接支持する支持手段と、
前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、
前記空間内の気体を排出するための排出孔と、
を備え、
前記支持手段は、
粒状物と、
前記粒状物を覆う被覆膜と、
を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板熱処理装置において、
前記支持手段は、多孔質部材であることを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）の基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置に係り、特に、熱処理プレートから微小空間を隔てて載置される基板を吸引した状態で熱処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板に形成されるパターンの線幅寸法の微細化に伴い、求められる線幅の均一性の要求値が厳しくなり、フォトリソグラフィのベーク熱処理、特に露光後のベーク(PEB:Post Exposure Bake)において温度均一性の要求が高まっている。しかし、基板の大口径化により半導体製造過程で発生する基板の反りも大きくなり、基板を熱処理プレートから微小空間を隔てて載置したのみで熱処理するプロキシミティ加熱方式では温度均一性の要求を満足させることが困難となっている。
【０００３】
そこで、反りが生じている基板に対しても均一な熱処理が行えるように、吸着ベーク方式が提案されている。この種の装置としては、ヒータが付設されている熱処理プレートと、熱処理プレートの上面に設けられる支持部材およびシール部と、熱処理プレートの上面に形成される排出孔とを備えたものが挙げられる（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
ここで、支持部材は、熱処理プレートの上面を加工して形成された凹凸部で構成され（特許文献１）、あるいは、樹脂でコーティングされた金属の突起部を熱処理プレートの上面に設けて構成されている（特許文献２）。また、シール部はリング状であり、基板の周縁端に当接する位置に配置されている。これらの装置によれば、支持部材により支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される空間の側方をシール部によって密閉し、この空間から排出孔を通じて気体を排出することで基板を吸着する。これにより、基板の反りを矯正することができるので、基板を均一な温度に加熱することができる。
【特許文献１】特開平２−２９００１３号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
特許文献１では、凹凸部は熱処理プレートと同一素材であり、空気に比べて非常に熱伝導率が高い。このため、直接接触している凸部と基板との間の熱抵抗は、空間が介在し直接接触していない凹部と基板との間の熱抵抗に比べて非常に小さい。したがって、熱処理を行う際、凸部と接触している基板の部位（接触部位）には、接触していない基板の部位（非接触部位）に比べて、熱が速やかに伝達される。このため、特許文献１によれば、接触部位と非接触部位との間で温度の上昇速度が大きく異なり、基板面内にわたって熱履歴が大きくばらついてしまう。この結果、均一な線幅寸法のパターンを基板に形成することができない。
【０００６】
また、特許文献２では、突起部の表面を樹脂でコーティングしているのは金属汚染を防止するためであり、その内部を熱伝導率の高い金属として、突起部と接触している基板の部位（接触部位）へ積極的に熱を伝達することができる構成である。この結果、気体層から、突起部が接触していない基板の部位（非接触部位）への熱伝達は相対的に僅かである。このため、特許文献２によっても、接触部位と非接触部位との間で温度の上昇速度が大きく異なり、基板面内にわたって熱履歴が大きくばらついてしまうという不都合が生じる。
【０００７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板面内において、支持手段と接触している接触部位と支持手段に接触していない非接触部位との間で熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、上面が平坦な熱処理プレートと、耐熱性を有する樹脂で形成され、前記熱処理プレートの上面に設けられて基板を当接支持する支持手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、を備え、前記支持手段は、凸部が形成されたシート状物であることを特徴とするものである。
【０００９】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、支持手段により支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される気密な空間から気体を排出することで、基板を吸着して保持することができる。このため、基板と熱処理プレートとの離隔距離を均一にすることができる。さらに、支持手段を樹脂で形成し、この支持手段が設けられる熱処理プレートの上面を平坦とすることで、基板面内において、支持手段が接触している接触部位と支持手段が接触していない非接触部位との間で、熱の伝達速度との差を低減することができる。このため、基板面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。また、支持手段を簡易な構造とすることができる。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、基板に対して熱処理を行う基板熱処理装置において、上面が平坦な熱処理プレートと、耐熱性を有する樹脂で形成され、前記熱処理プレートの上面に設けられて基板を当接支持する支持手段と、前記熱処理プレートの上面にリング状に設けられ、基板の周縁側と当接することで基板と前記熱処理プレートとの間に形成される空間を気密にするシール手段と、前記空間内の気体を排出するための排出孔と、を備え、前記支持手段は、粒状物と、前記粒状物を覆う被覆膜と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
［作用・効果］請求項２に記載の発明によれば、支持手段により支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される気密な空間から気体を排出することで、基板を吸着して保持することができる。このため、基板と熱処理プレートとの離隔距離を均一にすることができる。さらに、支持手段を樹脂で形成し、この支持手段が設けられる熱処理プレートの上面を平坦とすることで、基板面内において、支持手段が接触している接触部位と支持手段が接触していない非接触部位との間で、熱の伝達速度との差を低減することができる。このため、基板面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。また、支持手段を簡易な構造とすることができる。
【００１２】
本発明において、前記支持手段は、多孔質部材であることが好ましい（請求項３）。支持手段を多孔質部材とすることで、接触部位と非接触部位との間で、熱の伝達速度との差をさらに低減することができる。
【００１３】
なお、本明細書は、次のような基板熱処理装置に係る発明も開示している。
【００１４】
（１）請求項１から請求項４に記載の基板熱処理装置において、前記支持手段と前記シール手段とが一体であることを特徴とする基板熱処理装置。
【００１５】
前記（１）に記載の発明によれば、支持手段とシール手段とを簡易な構造とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明に係る基板熱処理装置によれば、支持手段により支持された基板と熱処理プレートとの間に形成される気密な空間から気体を排出することで、基板を吸着して保持することができる。このため、基板と熱処理プレートとの離隔距離を均一にすることができる。さらに、支持手段を樹脂で形成し、この支持手段が設けられる熱処理プレートの上面を平坦とすることで、基板面内において、支持手段が接触している接触部位と支持手段が接触していない非接触部位との間で、熱の伝達速度との差を低減することができる。このため、基板面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。
【実施例１】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
図１は、実施例に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は、熱処理プレートの平面図である。
【００１８】
処理対象である基板Ｗを載置する熱処理プレート１は、平面視基板Ｗよりやや大径の円形を呈し、その上面は平坦である。熱処理プレート１の材質としては熱伝導率の高い銅やアルミニウム等の金属が例示される。この熱処理プレート１には、マイカヒータなどの発熱体３が付設されている。発熱体３と熱処理プレート１の上面との間にあたる伝熱部５には、図示しないヒートパイプが複数本埋設されている。また、図示しない複数本のヒートパイプの間には、図示しない冷却溝が形成され、冷却用の流体が流通される。
【００１９】
この熱処理プレート１の上面には、基板Ｗの下面を当接支持する複数個（図２では５５個）の支持部材１１が設けられている。支持部材１１は、耐熱性のある樹脂で形成されている。この樹脂は、耐薬性があることが好ましい。さらに、ポーラス化された多孔質部材であることが好ましい。具体的には、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、または耐熱性ゴム材料が例示される。なお、支持部材１１の熱伝導率については、ポリイミドは０．１２Ｗ／ｍ・Ｋであり、ＰＴＦＥは０．２５Ｗ／ｍ・Ｋであり、銅（３７２Ｗ／ｍ・Ｋ）やアルミニウム（１８３Ｗ／ｍ・Ｋ）に比べて非常に小さく、空気（０．０２６Ｗ／ｍ・Ｋ）により近い。
【００２０】
各支持部材１１は円柱形状を呈し、基板Ｗと接触する上部から下部にかけて径が大きくなる。支持部材１１の高さは４０μｍから１２０μｍが好ましく、その径は０．１ｍｍから２ｍｍが好ましい。このような支持部材１１は、熱処理プレート１の上面に規則的に連続して並べられた正三角形を仮想し（図２において各正三角形を一点鎖線で示す）、各正三角形の各頂点の位置に接着、または熱溶着により取り付けられている。このとき、支持部材１１の１つが熱処理プレート１の中心点Ｐとなるように配置されている。支持部材１１は、この発明における支持手段に相当する。
【００２１】
また、熱処理プレート１の上面には、平面視、基板Ｗの外径よりやや小径の内径を有するリング形状のシール部１５が設けられている。シール部１５の材質としては、耐熱性及び弾性を有するポリイミド樹脂が好ましい。また、その他に、フッ素樹脂が利用可能である。なお、シール部１５の材質は、支持部１１の材質と同じである必要はない。そして、シール部１５の通常時の高さは、基板を吸着しているときのつぶししろの分だけ、支持部材１１の高さに比べて高くすることが好ましい。これにより、基板Ｗの周縁側がこのシール部１５に当接することで支持部材１１と同じ高さまで収縮して、支持部材１１に支持される基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される微小空間（プロキシミティギャップともいう）ｍｓを気密にする。なお、シール部１５は、この発明におけるシール手段に相当する。
【００２２】
さらに、熱処理プレート１の上面には、微小空間ｍｓ内の気体を排出する排出孔１７が形成されている。排出孔１７は４個であり、それぞれ周方向に等間隔に設けられている。各排出孔１７は熱処理プレート１の下端側へ貫通している。これら排出孔１７には排出配管２１の一端側が共通して連通接続され、その他端側に真空吸引源２３が連通接続されている。この真空吸引源２３は、例えば、クリーンルームに設けられたバキュームのユーティリティである。排出配管２１には、微小空間ｍｓ内の圧力（負圧）を調整する圧力調整弁２５と、圧力を計測する圧力計２７とが設けられている。なお、さらに、真空破壊弁を備えた開閉弁を備えるように構成してもよい。排出配管２１と真空吸引源２３とは、排出手段として機能する。
【００２３】
さらに、熱処理プレート１には、図示しない搬送手段との間で基板Ｗの受け渡しを行う受け渡し部材３１が設けられている。受け渡し部材３１の形状は棒状体であり、材質としてはセラミック等が例示される。本実施例では、平面視熱処理プレート１の中心点Ｐを重心とする正三角形の各頂点であって支持部材１１を避けた位置に、３個の貫通孔３３が熱処理プレート１を上下に貫くように形成されており、各貫通孔３３にそれぞれ受け渡し部材３１が挿通されている。各受け渡し部材３１の下端は、単一の支持ベース３５に共通して接続されている。支持ベース３５は、エアシリンダ３７の作動軸に連結されている。エアシリンダ３７は、支持ベース３５を上下に昇降駆動する。これら受け渡し部材３１と支持ベース３５とエアシリンダ３７とは、基板受け渡し部として機能している。
【００２４】
制御部４１は、上述した発熱体３の出力と、圧力調整弁２５の開閉と、真空吸引源２３の駆動と、エアシリンダ３７の駆動を統括的に操作する。これらの操作は、予め記憶されているレシピに基づいて行われる。さらに、圧力調整弁２５の開閉操作は、圧力計２７の検出結果に基づいて行われる。制御部４１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００２５】
次に、上記のように構成されている基板熱処理装置の動作について図３を参照して説明する。図３は、基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。なお、発熱体３の温度制御等はレシピに応じて既に行われているものとし、以下の説明においては省略する。
【００２６】
＜ステップＳ１＞  基板Ｗを搬入する
図示しない搬送手段によって水平姿勢の基板Ｗが搬入されると、制御部４１はエアシリンダ３７を駆動して支持ベース３５を上昇させる。受け渡し部材３１は、熱処理プレート１の上面から上方へ突出して基板Ｗを受け取る。その後、エアシリンダ３７を逆向きに駆動して、受け渡し部材３１を下降させる。基板Ｗは支持部材１１に支持され、基板Ｗと熱処理プレート１との間に微小空間ｍｓが形成される。また、基板Ｗはその周縁部においてシール部１５に支持される。
【００２７】
＜ステップＳ２＞  基板Ｗを吸着する
制御部４１は、真空吸引源２３を駆動するとともに圧力調整弁２５を操作する。これにより、微小空間ｍｓ内の気体（空気や窒素）は、排出孔１７及び排出配管２１を介して排出され、微小空間ｍｓ内の圧力は負圧に調整される。これにより、基板Ｗは熱処理プレート１側に吸引される。したがって、反りが生じている基板Ｗであっても、支持部材１１とシール部１５に沿うように矯正される。
【００２８】
図４および図５を参照して具体的に説明する。基板Ｗの反りとしては、図４（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が上方に突出するように反ったもの（山型反り）と、図５（ａ）に示すように基板Ｗの中央部が下方に突出するように反ったもの（谷型反り）がある。
【００２９】
中央部が上方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点で既に基板Ｗとシール部１５が当接して微小空間ｍｓは気密になっているので、吸引により基板Ｗの中央部が熱処理プレート１側に、各支持部材１１に当接するまで引き寄せられる。これにより、基板Ｗの反りは、図４（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。一方、中央部が下方に突出した基板Ｗでは、基板Ｗを載置した時点ではシール部１５は基板Ｗに当接しないので、微小空間ｍｓの側方は開放されている。しかし、この状態で吸引することにより、周囲から基板Ｗとシール部１５との間を通じて微小空間ｍｓ内に気体が流入してベルヌーイ効果が生じ、基板Ｗの周縁部が下方に引き寄せられる（図５(ａ)において空気の流れを二点鎖線で示す）。やがて、シール部１５が基板Ｗの周縁部に当接することで、微小空間ｍｓは気密になり、基板Ｗの反りは、図５（ｂ）に示すように略平坦に矯正される。
【００３０】
＜ステップＳ３＞  基板Ｗを熱処理する
吸着支持されている基板Ｗに対して、予め決められた時間だけこの状態を保持することにより、基板Ｗに対して所定の熱処理を施す。このとき、基板Ｗ面内において、支持部材１１が接触している接触部位Ｃには支持部材１１から熱が伝達される。また、支持部材１１が接触していない非接触部位Ｄには、熱処理プレート１によって加熱された微小空間ｍｓの気体から熱伝導によって伝達される。
【００３１】
＜ステップＳ４＞  基板Ｗを搬出する
所定時間の熱処理を終えると、制御部４１は、真空吸引源２３を停止させるとともに圧力調整弁２５を閉止して、微小空間ｍｓ内の排気を停止して、微小空間ｍｓ内の圧力を大気圧にする。これにより、基板Ｗの吸引が解除される。次いで、エアシリンダ３７を駆動して受け渡し部材３１を上昇させ、基板Ｗを上方へ持ち上げる。この状態で、図示しない搬送手段により基板Ｗを搬出する。
【００３２】
このように、本基板熱処理装置によれば、微小空間ｍｓから気体を排出することで、基板Ｗを吸着して保持できる。このため、基板Ｗと熱処理プレート１との離隔距離を均一にできる。また、支持部材１１を樹脂で形成して支持部材１１自体の熱伝導率を空気の熱伝導率に近づけたことで、金属を材料とする支持部材を用いた場合に比べて基板Ｗ面内において接触部位Ｃと非接触部位Ｄとの間で熱の伝達速度との差を低減できる。さらに、熱処理プレート１の上面を平坦としたことで、凹凸部が形成された熱処理プレートを用いた場合に比べて基板Ｗ面内において接触部位Ｃと非接触部位Ｄとの間で熱の伝達速度との差を低減できる。よって、熱処理の際、基板Ｗにおいて接触部位Ｃと非接触部位Ｄとの温度の上昇速度の差を小さくすることができる。したがって、基板Ｗ面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。この結果、均一な線幅寸法のパターンを基板に形成することができる。
【００３３】
また、支持部材１１は点接触によって基板Ｗを支持するので、基板Ｗとの接触面積を低減できるので、基板Ｗ面内において熱履歴のばらつきをさらに抑制できる。また、パーティクルの発生も防止できる。また、支持部材１１の上部から下部にかけて径を大きくしているため、基板Ｗを吸着しているときに支持部材１１が座屈することを防ぐことができる。また、支持部材１１の上部の端縁が欠ける等の損傷を受けにくい。また、支持部材１１の樹脂を多孔質部材とすることで、基板Ｗ面内において接触部位の熱の伝達速度を、非接触部位の熱の伝達速度にさらに近づけることができる。
【実施例２】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号をふすことで詳細な説明を省略する。図６は、熱処理プレートの平面図である。
【００３５】
実施例２は、実施例１に比べて支持部材１２を備えた点が異なる。すなわち、支持部材１２は複数（４個）であり、それぞれ異なる径を有する円環形状を呈し、互いに同心となるように中心点Ｐを中心として熱処理プレート１の上面に配置されている。また、各支持部材１２の各所には通気孔として機能する溝１８が形成されている。これにより、支持部材１２が基板Ｗと当接しているときであっても各支持部材１２の内周側と外周側とは連通されている。なお、支持部材１２の材質や高さは、実施例１で説明した支持部材１１と同様である。支持部材１２は、この発明における支持手段に相当する。
【００３６】
このような実施例２にかかる基板熱処理装置において、基板Ｗを吸着する際の動作について説明する。
【００３７】
基板Ｗと熱処理プレート１との間には、支持部材１２ごとに分断されることなく、溝１８によって連通する単一の微小空間ｍｓが形成されている。制御部４１が真空吸引源２３および圧力調整弁２５を操作して、微小空間ｍｓ内の圧力は負圧に調整する。基板Ｗは、熱処理プレート１側に吸引され、支持部材１２とシール部１５に沿うように矯正される。
【００３８】
このように、実施例２に係る基板熱処理装置によっても、基板Ｗと熱処理プレート１との離隔距離を均一にして保持できる。また、支持部材１２を樹脂で形成し、熱処理プレート１の上面を平坦とすることで、基板Ｗ面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。
【実施例３】
【００３９】
以下、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１と同じ構成については図示を省略し、または、同符号をふすことで詳細な説明を省略する。図７は、熱処理プレートの要部の断面図である。実施例３は、実施例１に比べて支持部材１１とシール部１５とに変えて支持シール部材１３を備えた点が異なる。すなわち、支持シール部材１３は熱処理プレート１の全面を覆うシート状の基材１３ａに複数の凸部１３ｂと、基板Ｗの外径よりやや小径の内径を有するリング形状の畝部１３ｃが設けられている。凸部１３ｂは基板Ｗを当接支持し、畝部１３ｃは微小空間ｍｓを気密にする。この凸部１３ｂの配置は実施例１の支持部材１１の配置と同様である。なお、支持シール部材１３には、排出孔１７および貫通孔３３に対向する位置に開口が形成されている。
【００４０】
各凸部１３ｂは円柱形状を呈し、基板Ｗと接触する上部から下部にかけて径が大きくなる。この高さは基材１３ａの厚みを含めて７０μｍから２５０μｍが好ましく、また基材１３ａの厚みを除くと（基材１３ａの上面からの突出高さは）４０μｍから１２０μｍが好ましい。また、畝部１３ｃの高さは凸部１３ｂの高さと等しい。また、凸部１３ｂの径は０．１ｍｍから２ｍｍが好ましく、畝部１３ｃの幅としては０．０１ｍｍから２ｍｍである。また、支持シール部材１３の材質は、実施例１で説明した支持部材１１と同様である。このような支持シール部材１３は、樹脂シート（樹脂膜、または樹脂フィルム）をエッチング処理することにより得られる。ただし、支持シール部材１３の製作方法はこれに限られるものではなく、基材１３ａ上に凸部１３ｂと畝部１３ｃをそれぞれ熱溶着により設けてもよい。また、支持シール部材１３を一体に成形してもよいし、樹脂シートの打ち抜きやレーザー加工によっても作ることができる。
【００４１】
支持シール部材１３は、熱処理プレート１の端部においてボルト５１等によって機械的に固定されている。なお、支持シール部材１３を熱処理プレート１の上面に耐熱性接着材等により接着してもよい。支持シール部材１３は、この発明における支持手段およびシール手段に相当する。
【００４２】
このような実施例３にかかる基板熱処理装置において、基板Ｗを熱処理する際の動作について説明する。
【００４３】
基板Ｗを熱処理するとき、基板Ｗ面内において、支持シール部材１３の凸部１３ｂが接触している接触部位Ｅには支持シール部材１３から熱が伝達される。また、凸部１３ａが接触していない非接触部位Ｆには、支持シール部材１３の基材１３ａを介して熱処理プレート１によって加熱された微小空間ｍｓの気体から熱伝導によって伝達される。
【００４４】
このように、実施例３に係る基板熱処理装置によっても、基板Ｗと熱処理プレート１との離隔距離を均一にして保持できる。また、支持シール部材１３を樹脂で形成し、熱処理プレート１の上面を平坦とすることで、基板Ｗ面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板を好適に熱処理することができる。
【００４５】
また、微小空間ｍｓの気体は基材１３ａを介して熱処理プレート１によって加熱されるので、熱処理プレート１の温度分布に僅かなばらつき（たとえば±０．２度）があっても、そのばらつきが吸収されて微小空間ｍｓの気体は均一に加熱される。よって、微小空間ｍｓの気体から基板Ｗへの熱伝導を均一にすることができる。
【００４６】
また、支持シール部材１３は凸部１３ｂと畝部１３ｃとを備えるので、簡易な構造とすることができる。さらに、畝部１３ｃは基材１３ａおよび凸部１３ｂと一体であるので、実施例１で示したシール部１５のように支持部材１１と分離して取り付ける場合に比べて熱処理プレート１からの剥がれや脱落を防止することができる。
【実施例４】
【００４７】
以下、図面を参照して本発明の実施例４を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号をふすことで詳細な説明を省略する。図８は、熱処理プレートの要部の断面図である。実施例３は、実施例１に比べて支持部材１１に変えて支持部材１４を備えた点が異なる。すなわち、支持部材１４は、粒状物１４ａと、この粒状物１４ａを覆う被覆膜１４ｂとを備えている。さらに、支持部材１４の下層には、熱処理プレート１の上面をコーティングする樹脂層１４ｃとを備えている。
【００４８】
樹脂層１４ｃは、熱処理プレート１のシール部１５より内側に塗布形成される。粒状物１４ａはこの樹脂層１４ｃの上に配置され、被覆膜１４ｂはこの粒状物１４ａを覆うように形成される。粒状物１４ａが配置された支持部材１４の位置は、配置されていない部分に比べて隆起しており、この隆起している箇所で基板Ｗを当接支持する。なお、支持部材１４の材質は、実施例１の支持部材１１と同様である。ただし、粒状物１４ａと被覆膜１４ｂと樹脂層１４ｃとが同一の素材でなくてもよい。支持部材１４は、この発明における支持手段に相当する。
【００４９】
このように、実施例４に係る基板熱処理装置によっても、基板Ｗと熱処理プレート１との離隔距離を均一にして保持できる。また、支持部材１４を樹脂で形成し、熱処理プレート１の上面を平坦とすることで、基板Ｗ面内において熱履歴のばらつきを抑制しつつ、基板Ｗを好適に熱処理することができる。
【００５０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５１】
（１）上述した実施例１では、支持部材１１の配置を例示したが、この配置は適宜に選択変更することができる。
【００５２】
（２）上述した実施例１、３では、支持部材１１および凸部１３ｂは、その上部から下部にかけて径を大きくしていたが、特にこの形状に限られるものではなく、上部から下部にわたって同じ径としてもよい。
【００５３】
（３）上述した実施例２では、各支持部材１２には溝１８が形成されていたが、これに限られない。各支持部材１２の内周側と外周側とで連通することができれば、適宜に変更することができる。たとえば、各支持部材１２に溝１８を形成せずに、熱処理プレート１に溝または貫通孔を形成するようにしてもよい。
【００５４】
（４）上述した実施例３では、凸部１３ｂの配置は実施例１の支持部材１１の配置と同様としたが、これに限られるものではない。たとえば、実施例２の支持部材１２と同様に同心円状に配置された円形環状に沿うように凸部を連ねて構成してもよい。
【００５５】
（５）上述した実施例４では、支持部材１４は、粒状物１４ａと被覆膜１４ｂと樹脂層１４ｃとを備えていたが、樹脂層１４ｃを省略して直接粒状物１４ａを熱処理プレート１の上面に配置するように構成してもよい。
【００５６】
（６）上述した各実施例では、基板Ｗが円形である場合であったが、これに限られず、矩形状等の基板を処理対象としてもよい。この場合は、基板の形状に合わせてシール部１５の形状を円環形状から適宜に変更することができる。
【００５７】
（７）上述した各実施例では、伝熱部５にヒートパイプを埋設した構成を例に採って説明したが、ヒートパイプを用いていない基板熱処理装置であっても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】実施例１に係る基板熱処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】実施例１に係る熱処理プレートの平面図である。
【図３】基板熱処理装置による処理手順を示すフローチャートである。
【図４】中央部が熱処理プレートと反対側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。
【図５】中央部が熱処理プレート側に突出して反った基板の処理を示す説明図である。
【図６】実施例２に係る熱処理プレートの平面図である。
【図７】実施例３に係る熱処理プレートの要部の断面図である。
【図８】実施例４に係る熱処理プレートの要部の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  …熱処理プレート
１１、１２  …支持部材
１３  …支持シール部材
１３ｂ  …凸部
１３ｃ  …畝部
１４  …支持部材
１４ａ  …粒状物
１４ｂ  …被覆膜
１５  …シール部
１７  …排出孔
２１  …排出配管
２３  …真空吸引源
２５  …圧力調整弁
２７  …圧力計
４１  …制御部
Ｗ  …基板
ｍｓ  …微小空間
Ｃ、Ｅ  …接触部位
Ｄ、Ｆ  …非接触部位
【図１】
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【図２】
0004666496.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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