(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を加熱する加熱コイルと、
スイッチング素子を有し前記加熱コイルに交流電流を供給するインバータと、
入力電圧を一定の電圧に昇圧して前記インバータに供給する昇圧回路と、
前記スイッチング素子を駆動制御する制御部と、
被加熱物の種類を検出して検出結果を前記制御部に出力する負荷検知部と、
を備え、
前記インバータは、
２つの前記スイッチング素子を直列に接続したアームを少なくとも２つ有し、
前記負荷検知部は、
被加熱物が磁性材質のものであるか、非磁性材質のものであるかを検出し、
前記制御部は、
被加熱物が磁性材質のものである旨を前記負荷検知部が検出した際は、
被加熱物が非磁性材質である場合より低い駆動周波数で、
前記２つのアームの相互間の前記スイッチング素子の駆動位相差を可変することで入力電力を制御し、
被加熱物が非磁性材質のものである旨を前記負荷検知部が検出した際は、
被加熱物が磁性材質である場合より高い駆動周波数で、
前記スイッチング素子のオンデューティ比を可変することで入力電力を制御する
ことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項２】
被加熱物を加熱する加熱コイルと、
スイッチング素子を有し前記加熱コイルに交流電流を供給するインバータと、
入力電圧を一定の電圧に昇圧して前記インバータに供給する昇圧回路と、
前記スイッチング素子を駆動制御する制御部と、
を備え、
前記インバータは、
２つの前記スイッチング素子を直列に接続したアームを少なくとも２つ有し、
前記制御部は、
前記加熱コイルに供給される電力が所定値より小さいときは、
前記２つのアームの相互間の前記スイッチング素子の駆動位相差を可変することで入力電力を制御し、
前記加熱コイルに供給される電力が前記所定値以上のときは、
前記スイッチング素子のオンデューティ比を可変することで入力電力を制御する
ことを特徴とする誘導加熱調理器。
【請求項３】
前記加熱コイルは、
内コイルと外コイルの２つのコイルからなり、
前記インバータは、
２つの前記スイッチング素子を直列に接続したアームを３つ有し、
１のアームを共用アームとして、
他の２つのアームと前記共用アームにより２つのインバータを構成し、
その２つのインバータが前記内コイルと外コイルに交流電流を供給する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の誘導加熱調理器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導加熱調理器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、誘導加熱装置に関し、『加熱停止時の平滑手段の電圧を速やかに低下させ、再起動までの時間を短縮する。』ことを目的とした技術として、『制御手段３０が、加熱停止前に、インバータ２１停止直後の平滑手段２２の電圧を所定の電圧以下にすべく、昇圧手段３５の出力を低下させた後、加熱停止する誘導加熱装置。』というものが提案されている（特許文献１）。
【０００３】
また、『フィルタの小型化、低コスト化を図り、さらに製品自体および周囲の機器に対する動作信頼性を向上すること。』を目的とした技術として、『交流電源１を整流して直流電源に変換する整流回路３と、前記直流電源をスイッチング素子８により高周波電流に変換して加熱コイル５および共振コンデンサ４から成る共振回路６に供給し、近傍に配置された負荷７を加熱するインバータ９と、前記スイッチング素子８のオンオフのデューティを設定して加熱電力を可変する電力設定手段１２と、前記スイッチング素子８のオンオフの周波数を決定する発振手段１４とを備えた誘導加熱調理器において、前記発振手段１４の発振周波数を変更制御する周波数変更手段１３を備え、この周波数変更手段１３は前記発振手段１４の発振周波数を基本周波数（ｆ０）を中心として上下に小変化させた周波数（ｆ０±Δｆ）の範囲でほぼ周期的に変更制御する。』というものが提案されている（特許文献２）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７１９３４号公報（要約）
【特許文献２】特開２００４−５５３１２号公報（要約）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１のような従来の誘導加熱装置では、入力電力を制御する際に、商用電源電圧を昇圧回路（上記特許文献１では、昇圧手段３５）で昇圧してインバータに供給する場合がある。
したがって、必要とする入力電力に応じて昇圧回路の出力電圧を可変するよう制御する必要があり、昇圧回路の出力制御に係る回路構成、制御手順などが複雑になる。
【０００６】
また、上記特許文献２に記載の技術では、スイッチング素子のデューティ制御により電力制御を行うため、鉄鍋加熱時のような低周波数運転時において、低投入電力時にスイッチング損失が増加する課題がある。
【０００７】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、昇圧回路の出力電圧を一定にして回路構成の簡易化を図りつつ、スイッチング損失を低減し、昇圧回路の出力電圧を可変することなく所望の入力電力を得ることのできる誘導加熱調理器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る誘導加熱調理器は、被加熱物を加熱する加熱コイルと、スイッチング素子を有し前記加熱コイルに交流電流を供給するインバータと、入力電圧を一定の電圧に昇圧して前記インバータに供給する昇圧回路と、前記スイッチング素子を駆動制御する制御部と、被加熱物の種類を検出して検出結果を前記制御部に出力する負荷検知部と、を備え、前記インバータは、２つの前記スイッチング素子を直列に接続したアームを少なくとも２つ有し、前記負荷検知部は、被加熱物が磁性材質のものであるか、非磁性材質のものであるかを検出し、前記制御部は、被加熱物が磁性材質のものである旨を前記負荷検知部が検出した際は、被加熱物が非磁性材質である場合より低い駆動周波数で、前記２つのアームの相互間の前記スイッチング素子の駆動位相差を可変することで入力電力を制御し、被加熱物が非磁性材質のものである旨を前記負荷検知部が検出した際は、被加熱物が磁性材質である場合より高い駆動周波数で、前記スイッチング素子のオンデューティ比を可変することで入力電力を制御するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る誘導加熱調理器によれば、昇圧回路の出力電圧を一定に構成して回路構成の簡易化を図りつつ、スイッチング素子の駆動制御方式を切り替えることにより、被加熱物の種類に応じて必要な入力電力を得ることができる。
また、負荷検知部の検出結果に応じてスイッチング素子の駆動制御方式を切り替えることにより、鉄鍋加熱時のような低周波数運転時において、スイッチング損失の小さい制御方式を用い、スイッチング損失を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る誘導加熱調理器の回路図である。
図１の誘導加熱調理器は、昇圧回路２０、制御回路８１、操作部８２、表示部８３、負荷検知部８４、高周波電源モジュール１００を備える。
また、交流電源１１は、商用交流電源等の、誘導加熱調理器の外部から供給される電源である。ここでは記載の便宜上、図１の回路図内に併せて表示した。
【００１１】
昇圧回路２０は、交流電源１１から交流電圧の供給を受け、一定の電圧に昇圧して高周波電源モジュール１００に供給する。なお、図１では記載を省略したが、交流電源１１が供給する交流電力を直流に整流する整流回路を備える。
整流回路は、昇圧回路２０とは別に構成してもよいが、ここでは説明の簡易の観点から一体的に説明した。
【００１２】
高周波電源モジュール１００は、直列に接続された２つのスイッチング素子からなるアーム３０、４０を有する。
アーム３０はスイッチング素子３１と３２、アーム４０はスイッチング素子４１と４２をそれぞれ備える。アーム３０と４０は、フルブリッジインバータ回路を構成する。
上記フルブリッジ回路は、後述の加熱コイル７１に交流電流を供給する。
【００１３】
アーム３０と４０の間には、加熱コイル７１と共振コンデンサ６１が接続されている。共振コンデンサ６１を、容量可変に構成してもよい。
加熱コイル７１と、共振コンデンサ６１は、共振回路を構成する。
【００１４】
制御回路８１は、スイッチング素子３１、３２、４１、４２の駆動制御、負荷検知部８４の検知結果の受け取り、操作部８２や表示部８３との信号の送受信、を行う。
制御回路８１は、ＣＰＵやマイコン等の演算装置とその動作を規定するソフトウェア、およびスイッチング素子の駆動回路などで構成することができる。
なお、図１では、制御回路８１と各デバイスの接続は記載を省略した。
【００１５】
操作部８２は、ユーザの操作を制御回路８１に伝える操作パネル等からなる。
表示部８３は、制御回路８１の指示に基づき、誘導加熱装置の稼動状態を表示する。
負荷検知部８４は、公知の手法を用いて被加熱体の大きさや種類（磁性材質か、非磁性材質かなど）を検知し、その結果を制御回路８１に出力する。被加熱体の大きさ等の判定は、負荷検知部８４自身が行ってもよいし、電流等の検知結果のみを制御回路８１に出力して、制御回路８１が判定するようにしてもよい。
【００１６】
なお、スイッチング素子３２、４２とそれぞれ並列にスナバコンデンサを設け、各スイッチング素子のターンオフ時の出力電圧変動を遅延させ、各スイッチング素子のターンオフ損失を低減するように構成してもよい。
【００１７】
図２は、昇圧回路２０の回路構成例である。
昇圧回路２０は、コイル２１、スイッチング素子２２、ダイオード２３、コンデンサ２４を備える。
コイル２１は、整流回路が出力する直流電圧の供給を受ける。
スイッチング素子２２は、制御回路８１の指示に基づきＯＮ／ＯＦＦ駆動される。
ダイオード２３は、コンデンサ２４に蓄積された電荷がスイッチング素子２２を通じて放電するのを防ぐ。
コンデンサ２４は、昇圧回路２０に供給される電圧の供給を受け、電荷を蓄積する。
【００１８】
次に、図２の昇圧回路２０の動作を簡単に説明する。
スイッチング素子２２をＯＮすると、コイル２１−＞スイッチング素子２２の順に電流が流れ、コイル２１に電磁エネルギーが蓄積される。
スイッチング素子２２をＯＦＦすると、コイル２１に蓄積された電磁エネルギーが直流電圧に加算されてコンデンサ２４と出力端に流れる。このとき出力される電圧は、昇圧回路２０に印加された直流電圧よりも昇圧されている。
スイッチング素子２２のＯＮ／ＯＦＦ間隔を制御することにより、昇圧回路２０の出力電圧を可変することができる。
【００１９】
一般に、アルミニウムや銅等の比抵抗の小さい非磁性材質の被加熱体は、鉄等の磁性材質の被加熱体と比較して抵抗値が小さくジュール熱が発生しにくいため、加熱コイルの電流を増加させる必要がある。加熱コイルの電流を増加するには、リレーを用いたコンデンサ切り替え回路等の既知の手段で共振コンデンサ６１の容量を低減して負荷回路のインピーダンスを低減し、かつ、昇圧回路２０の出力電圧を上昇させてインバータの入力電圧を上昇させる必要がある。
一方、鉄鍋等の磁性材質の被加熱体を誘導加熱する場合は、被加熱体の抵抗値が大きいため加熱コイルの電流を低減することができるため、昇圧回路２０の出力電圧を低減させることによりインバータの入力電圧を低減させることができる。
また、操作部８２に設けられた調理火力設定手段により、大火力が設定された場合は昇圧回路２０の出力電圧を上昇させ、低火力が設定された場合は昇圧回路２０の出力電圧を低下させて、インバータの入力電力を増減させることができる。
【００２０】
しかし、このように被加熱物の種類に応じて昇圧回路２０の出力電圧を制御するとなると、高周波電源モジュール１００の各スイッチング素子の駆動制御に加え、昇圧回路２０の出力制御も行わなければならず、制御対象が増えることになるので、制御回路８１の構成や制御手順が複雑になる。
そこで、本発明では、昇圧回路２０の出力電圧を一定とし、高周波電源モジュール１００の各スイッチング素子の駆動制御のみで、必要な加熱出力を得るように制御する。
【００２１】
ただし、周波数領域によってスイッチング損失の特性が異なるため、被加熱物の種類に応じてスイッチング素子の駆動周波数を可変するとともに、スイッチング損失の特性に適した駆動制御方式を用いることとする。
ここでいう駆動制御方式は、スイッチング素子の位相制御とデューティ制御の２種類がある。以下、これらの駆動制御方式の概略を図３〜図４で説明し、その後、本発明における適用について説明する。
【００２２】
図３は、デューティ制御における電流の変化と、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦタイムチャートとを示すものである。タイムチャートにおける（１）〜（４）がインバータ回路の一周期に相当する。以下、図３の各区間について説明する。
なお、図３では、スイッチング素子３２に並列に接続されているスナバコンデンサ９１と、スイッチング素子４２に並列に接続されているスナバコンデンサ９２とを設けた回路構成を示した。また、制御回路８１などの記載を省略した。
【００２３】
（１）制御回路８１は、スイッチング素子３１と４２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３１を介して、加熱コイル７１に電流が供給される。
（２）制御回路８１は、スイッチング素子３１をＯＦＦし、スイッチング素子３２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３２と４２で閉回路が構成され、この間で電流が流れる。
【００２４】
（３）制御回路８１は、スイッチング素子４２をＯＦＦし、スイッチング素子４１をＯＮする。この区間では、スイッチング素子４１を介して、加熱コイル７１に電流が供給される。
（４）制御回路８１は、スイッチング素子４１をＯＦＦし、スイッチング素子４２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３２と４２で閉回路が構成され、この間で電流が流れる。
【００２５】
以上説明したように、区間（１）〜（２）と区間（３）〜（４）では電流の向きが反転し、加熱コイル７１に交流電流が供給される。
上側のスイッチング素子３１および４１と、下側のスイッチング素子３２および４２のオン時間比率を可変することにより、加熱コイル７１の通電時間が変化するため、これにより加熱コイル７１に供給する交流電力を制御することができる。
このような、スイッチング素子のオン時間比率（オンデューティ比）を制御することで電力を制御する方式を、デューティ制御と呼ぶ。
【００２６】
図４は、位相制御における電流の変化と、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦタイムチャートとを示すものである。タイムチャートにおける（１）〜（４）がインバータ回路の一周期に相当する。以下、図４の各区間について説明する。なお、回路構成は図３と同じものを記載した。
【００２７】
（１）制御回路８１は、スイッチング素子３１と４２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３１を介して、加熱コイル７１に電流が供給される。
（２）制御回路８１は、スイッチング素子４２をＯＦＦし、スイッチング素子４１をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３１と４１で閉回路が構成され、この間で電流が流れる。
【００２８】
（３）制御回路８１は、スイッチング素子３１をＯＦＦし、スイッチング素子３２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子４１を介して、加熱コイル７１に電流が供給される。
（４）制御回路８１は、スイッチング素子４１をＯＦＦし、スイッチング素子４２をＯＮする。この区間では、スイッチング素子３２と４２で閉回路が構成され、この間で電流が流れる。
【００２９】
以上説明したように、区間（１）〜（２）と区間（３）〜（４）では電流の向きが反転し、加熱コイル７１に交流電流が供給される。
スイッチング素子３１と４１の位相差が開けば、図４の区間（１）（３）の時間が広がって加熱コイル７１の通電時間が増えることで投入電力が増え、位相差が縮まれば、（１）（３）の時間が短くなって加熱コイル７１に投入される電力は小さくなる。
このような、スイッチング素子の位相を制御することで電力を制御する方式を、位相制御と呼ぶ。なお、位相制御では、スイッチング素子のオン時間比率は常時５０％に固定した状態で制御する。
【００３０】
以上、図３〜図４で、デューティ制御と位相制御の概略を説明した。
次に、これらの制御方式の使い分けについて、被加熱物の種類の観点から説明する。
【００３１】
被加熱物が低抵抗金属であるアルミニウムや銅などの場合は、インバータアーム（３０、４０）の駆動周波数を高周波化し、表皮効果により抵抗を大きくすることで低抵抗金属を加熱することができる。
また、被加熱物が鉄のような高抵抗金属の場合は、低抵抗金属を加熱する駆動周波数よりも低い周波数でインバータアーム（３０、４０）を駆動することで、ロスを小さくするといったことが可能となる。
【００３２】
スイッチング損失の特性は周波数領域によって異なるため、上記のように被加熱物の種類に応じてスイッチング素子の駆動周波数を可変する場合、周波数領域に応じてスイッチング損失が変化する。
そこで、各周波数領域において、スイッチング損失を効果的に低減できる駆動制御方式を用いることを考える。
【００３３】
図５は、スイッチング素子を駆動周波数２３ｋＨｚで駆動した場合における、電力制御方式とスイッチング素子損失の関係を示す一例である。なお、駆動周波数２３ｋＨｚは、鉄鍋などの磁性材質の被加熱物を加熱する時の駆動周波数に相当する。
【００３４】
図５において、デューティ制御と位相制御を比較した場合、上側スイッチング素子（３１、４１）と下側スイッチング素子（３２、４２）のオンデューティ比を５０％に固定した状態で制御できる位相制御の方が、低投入電力時のスナバコンデンサ９１及び９２への突入電流が少ないため、デューティ制御と比較して低投入電力時における損失が少ない。
鉄鍋などの加熱時は、投入電力は比較的小さくてすむため、低投入電力にて位相制御を用いる方が好ましい。
【００３５】
図６は、スイッチング素子を駆動周波数７０ｋＨｚで駆動した場合における、電力制御方式とスイッチング素子の関係を示す一例である。なお，駆動周波数７０ｋＨｚはアルミ鍋などの低抵抗非磁性材質の被加熱物を加熱する時の駆動周波数に相当する。
【００３６】
図６において、デューティ制御と位相制御を比較した場合、周波数２３ｋＨｚ駆動状態と同様に、低投入電力時はスナバコンデンサ９１及び９２への突入電流が少ないため、位相制御の方がデューティ制御と比較して低投入電力時における損失が小さい。
しかし、高投入電力状態においては、デューティ制御と比較して、位相制御ではスイッチング素子損失が大きい。
これは、図４のタイムチャートにおける（２）の区間において，スイッチング素子３１〜４１の閉回路間に過大な電流が流れるため、投入電力の増加に伴いスイッチング素子損失が加速度的に増加することによる。特にアルミ鍋などの加熱時は、大電流を投入するため、この傾向がより顕著に現れる。
したがって、アルミ鍋などの加熱時は、デューティ制御を用いる方が好ましい。
【００３７】
以上より、制御回路８１は、負荷検知部８４の検知結果に応じて、以下のようにスイッチング素子の駆動制御方式を切り替える。
（１）被加熱物が磁性材質のものである旨を負荷検知部８４が検出した際は、スイッチング素子の駆動制御方式を、位相制御に切り替える。
（２）被加熱物が非磁性材質のものである旨を負荷検知部８４が検出した際は、スイッチング素子の駆動制御方式を、デューティ制御に切り替える。
【００３８】
以上のように、本実施の形態１に係る誘導加熱調理器では、高精度な火力制御が要求される鉄鍋加熱時は、位相制御による電力制御を行うことで、低火力時のスイッチング素子損失を抑制し、低火力側の出力範囲を拡大する。
これにより、煮こみ調理、保温調理等における利便性の向上を図る。
【００３９】
一方、アルミ鍋加熱時は、デューティ制御による電力制御を行うことで、高入力状態におけるスイッチング素子損失を抑制し、高火力側の出力範囲を拡大することで、アルミ鍋使用時の湯沸し調理等の利便性を図る。
【００４０】
このように、鍋種類により電力制御方式を切り替えることで、スイッチング素子の許容損失の定格を上昇させる必要がなく、スイッチング損失に起因するスイッチング素子の発熱量を抑制し、冷却構造を簡易化してコスト低減を図ることができる。
【００４１】
なお、先に説明したように、アルミ鍋等の非磁性材質の被加熱体を加熱するときは大電流が必要となり、鉄鍋等の磁性材質の被加熱体を加熱するときは少ない電流で済む。
そのため、鍋種類によって所要の電力値が異なるので、鍋種類により電力制御方式を切り替えることに代えて、加熱コイルに供給される電力値を基準として電力制御方式を切り替えることでも、同様の効果を発揮することができる。
具体的には、入力電力や負荷電力を検出する手段を適宜設け、その電力が閾値より小さい場合は位相制御、閾値以上である場合はデューティ制御により電力制御を行う、などとすればよい。
【００４２】
実施の形態２．
図７は、本発明の実施の形態２に係る誘導加熱調理器の回路図である。
図７の回路構成は、実施の形態１の図１で説明した構成に加え、高周波電源モジュール１００内に新たにアーム５０を備える。
アーム５０は、スイッチング素子５１と５２を備える。
アーム３０とアーム４０、およびアーム４０とアーム５０は、それぞれがフルブリッジインバータ回路を構成する。アーム４０は、双方のフルブリッジ回路に共用される。
各フルブリッジ回路は、後に説明するように、各々独立して駆動制御される。
【００４３】
アーム３０と４０の間には、大径の外加熱コイル７１と共振コンデンサ６１ａが接続されている。また、共振コンデンサ６１ａに並列に、共振コンデンサ６１ｂが接続されている。
スイッチ６２は、例えばリレーで構成されており、共振コンデンサ６１ｂの接続を切り替える。スイッチ６２が閉状態になると、共振コンデンサ６１ａと６１ｂが並列に接続され、開状態になると共振コンデンサ６１ｂは回路から切断される。
外加熱コイル７１と、共振コンデンサ６１ａ〜６１ｂは、共振回路を構成する。
【００４４】
アーム４０と５０の間には、小径の内加熱コイル７２と共振コンデンサ６３ａが接続されている。また、共振コンデンサ６３ａに並列に、共振コンデンサ６３ｂが接続されている。
スイッチ６４は、例えばリレーで構成されており、共振コンデンサ６３ｂの接続を切り替える。スイッチ６４が閉状態になると、共振コンデンサ６３ａと６３ｂが並列に接続され、開状態になると共振コンデンサ６３ｂは回路から切断される。
内加熱コイル７２と、共振コンデンサ６３ａ〜６３ｂは、共振回路を構成する。
【００４５】
制御回路８１は、スイッチング素子３１、３２、４１、４２、５１、５２の駆動制御、スイッチ６２と６４の動作制御、負荷鍋検知部８４の検知結果の受け取り、操作部８２や表示部８３との信号の送受信、を行う。
スイッチ６２と６４の動作制御により、被加熱物の種類に応じて共振回路の共振周波数を切り替え、これに応じた周波数で各スイッチング素子を駆動制御する。
【００４６】
図７のような回路構成においても、実施の形態１で説明したものと同様に、被加熱物の種類に応じてスイッチング素子の駆動制御方式を切り替えることにより、スイッチング損失を効果的に抑制することができる。
【００４７】
特に、図７の回路構成では、図１の回路構成と比較してスイッチング素子の数が多いので、スイッチング損失によるスイッチング素子の発熱もその分増大する。
そのため、実施の形態１で説明したような制御方式の切り替えによるスイッチング損失の抑制が効果的である。
【００４８】
なお、図１や図７の回路構成に限らず、その他の回路構成においても、実施の形態１で説明したような制御方式の切り替えを行うことにより、同様の効果を発揮できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施の形態１に係る誘導加熱調理器の回路図である。
【図２】昇圧回路２０の回路構成例である。
【図３】デューティ制御における電流の変化と、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦタイムチャートとを示すものである。
【図４】位相制御における電流の変化と、スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦタイムチャートとを示すものである。
【図５】スイッチング素子を駆動周波数２３ｋＨｚで駆動した場合における、電力制御方式とスイッチング素子損失の関係を示す一例である。
【図６】スイッチング素子を駆動周波数７０ｋＨｚで駆動した場合における、電力制御方式とスイッチング素子の関係を示す一例である。
【図７】実施の形態２に係る誘導加熱調理器の回路図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１  交流電源、２０  昇圧回路、２１  コイル、２２  スイッチング素子、２３  ダイオード、２４  コンデンサ、３０  アーム、３１〜３２  スイッチング素子、４０  アーム、４１〜４２  スイッチング素子、５０  アーム、５１〜５２  スイッチング素子、６１ａ〜６１ｂ  共振コンデンサ、６２  スイッチ、６３ａ〜６３ｂ  共振コンデンサ、６４  スイッチ、７１〜７２  加熱コイル、８１  制御回路、８２  操作部、８３  表示部、８４  負荷検知部、１００  高周波電源モジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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