(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の変位方向を有して基板に対して浮動支持された第１可動部と、
前記変位方向を有して前記第１可動部に対して支持され、該変位方向に加速度が加えられることにより該変位方向に変位する第２可動部と、
前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を検出する第１検出手段と、
前記検出された第１可動部の変位に基づき該変位を抑制するように力を印加する印加手段と、
前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を検出する第２検出手段とを備え、
前記検出された第２可動部の変位に基づき加えられた加速度を検出することを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の加速度センサにおいて、
前記第１検出手段は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を、該基板上に固定された変位検出用固定電極と該第１可動部との間に形成される静電容量の変動に基づき検出することを特徴とする加速度センサ。
【請求項３】
請求項２に記載の加速度センサにおいて、
前記変位検出用固定電極は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを特徴とする加速度センサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の加速度センサにおいて、
前記第２検出手段は、前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を、該基板上に固定された加速度検出用固定電極と該第２可動部との間に形成される静電容量の変動に基づき検出することを特徴とする加速度センサ。
【請求項５】
請求項４に記載の加速度センサにおいて、
前記加速度検出用固定電極は、前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを特徴とする加速度センサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の加速度センサにおいて、
前記印加手段は、前記基板上に固定されたサーボ電極と前記第１可動部との間の静電引力に基づき該第１可動部の変位を抑制することを特徴とする加速度センサ。
【請求項７】
請求項６に記載の加速度センサにおいて、
前記サーボ電極は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを特徴とする加速度センサ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の加速度センサにおいて、
前記第１可動部は四角枠状に形成され、
前記第２可動部は前記第１可動部に取り囲まれて該第１可動部に支持されたことを特徴とする加速度センサ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の加速度センサにおいて、
前記第１可動部及び第２可動部は、前記変位方向に対して直交する面に対して対称となるように前記基板に支持されてなることを特徴とする加速度センサ。
【請求項１０】
基板に対して浮動支持され、該基板に平行な所定面内で変位可能な第１可動部と、
前記第１可動部に対して支持され、前記所定面内で変位可能であり、該所定面に沿って加速度が加えられることにより該所定面内で変位する第２可動部と、
前記第１可動部の前記基板に対する前記所定面内での変位を検出する第１検出手段と、
前記検出された第１可動部の変位に基づき該変位を抑制するように前記所定面に沿う少なくとも２方向の力を印加する印加手段と、
前記第２可動部の前記基板に対する前記所定面内での変位を検出する第２検出手段とを備え、
前記検出された第２可動部の変位に基づき前記所定面に沿って加えられた加速度を検出することを特徴とする加速度センサ。
【請求項１１】
請求項１１に記載の加速度センサにおいて、
前記第２検出手段により検出される前記第２可動部の前記所定面内での変位は、前記基板に平行な互いに直交する２方向の変位であり、
前記検出された第２可動部の２方向の変位に基づき該２方向に沿う加速度を検出することを特徴とする加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に浮動支持された可動部を備え、加速度に応じた可動部の変位に基づき加速度を検出する加速度センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の加速度センサとしては、例えば図８に示される構造のものが知られている。同図に示されるように、絶縁層を形成するシリコン基板９０には、例えば導電性とするために不純物の添加されたポリシリコン（以下、「導電性ポリシリコン」という）薄膜にて形成された可動部９１、加速度検出用の固定電極９２ａ，９２ｂ、調整電極９３ａ，９３ｂ及び浮動体アンカーａ９１，ａ９２，ａ９３，ａ９４が設けられている。なお、上記固定電極９２ａ，９２ｂ、調整電極９３ａ，９３ｂ及び浮動体アンカーａ９１〜ａ９４はシリコン基板９０上に接合されている。
【０００３】
上記可動部９１は長手方向であるｙ方向に所定間隔をおいてｘ方向一側及び他側（図８の右側及び左側）にそれぞれ伸びる加速度検出用の可動電極９４を有して略骨格状に形成されている。そして、ｙ方向に各隣接する可動電極９４間に上記固定電極９２ａ，９２ｂが平行配置されるようになっている。なお、ｙ方向は可動部９１の変位方向、すなわち加速度の検出方向となっており、ｘ方向はｙ方向（変位方向）と略直交し、且つ、シリコン基板９０と略平行な方向となっている。
【０００４】
この可動部９１の四隅は変位方向であるｙ方向に撓み性が高くなるようにｘ方向外側に延びる導電性ポリシリコンのばね梁９５を介して上記浮動体アンカーａ９１〜ａ９４にそれぞれ連続している。これら可動部９１及びばね梁９５は、例えばフォトリソグラフ及びエッチングによる半導体プロセス加工にて、上記シリコン基板９０から浮くように形成されており、同ばね梁９５は、互いに同等の幅及び長さを有している。
【０００５】
上記固定電極９２ａ，９２ｂは、上記可動部９１のｙ方向に各隣接する可動電極９４間の一側及び他側（図８の上側及び下側）において対向する可動電極９４に対して所定距離だけ離隔されてそれぞれ形成されている（ただし、静止状態において）。これら固定電極９２ａ，９２ｂは、上記可動部９１のｙ方向の変位に基づき同可動部９１（可動電極９４）との間の静電容量が変動することで、同可動部９１のシリコン基板９０に対するｙ方向の変位検出に供される。すなわち、可動部９１が一側（図８の上側）に移動したときには、同可動部９１（可動電極９４）と固定電極９２ａとの間の静電容量が減少するとともに、可動部９１（可動電極９４）と固定電極９２ｂとの間の静電容量が増加する。また、可動部９１が他側（図８の下側）に移動したときには、これらの関係は逆となる。すなわち、加速度の作用に応じて変位する可動部９１（可動電極９４）と上記固定電極９２ａ，９２ｂとの間の静電容量の変動は、互いに逆向きとなっている。
【０００６】
このような構造にあって、固定電極９２ａ，９２ｂに、それぞれ電極パッド９６ａ，９６ｂを介して互いに逆相となる交流電圧を印加する。そして、可動部９１（可動電極９４）及び固定電極９２ａ間の静電容量と、可動部９１（可動電極９４）及び固定電極９２ｂ間の静電容量との差を、例えば可動部９１に蓄えられた電荷としてばね梁９５及び浮動体アンカーａ９１，ａ９４を介して電極パッド９７から取り出す。この電荷を電荷−電圧変換することで上記静電容量の差、すなわち加速度による変位に応じた電圧値として検出する。この電圧値に基づきｙ方向の加速度が検出されるようになっている。
【０００７】
上記調整電極９３ａ，９３ｂは、可動部９１の一側及び他側（図８の上側及び下側）の外側に同可動部９１を挟みこむようにして、それぞれｘ方向に延びる態様で相補的に形成されている。可動部９１の静止状態において調整電極９３ａ，９３ｂは、同可動部９１からｙ方向に互いに同等の距離だけ離隔されている。そして、調整電極９３ａ，９３ｂには、それぞれ電極パッド９８ａ，９８ｂを介して個別に調整された直流電圧が印加されるようになっている。一般に、シリコン基板９０上に形成された加速度センサでは、シリコン基板９０と構造体（可動部９１等）との線膨張係数の差や、温度による基板固定部の応力の変動等により可動部９１に機械的応力が発生して同可動部９１を変位させ、センサ出力のオフセット及びその変動を誘起する。調整電極９３ａ，９３ｂは、個別に調整された直流電圧が印加されることで可動部９１との間の静電引力を調整し、このような動作環境によるオフセット及びその変動を補正する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記調整電極９３ａ，９３ｂによるオフセット及びその変動の吸収は、例えば感温素子を用いてその検出結果に応じて印加する直流電圧を調整する近似補正や、あるいはＲＯＭ（リードオンリーメモリ）に記憶された動作環境に応じたマップに基づき印加する直流電圧を調整する補正が一般的である。この場合、動作環境（温度）に対するオフセット及びその変動の傾向は各センサごとに異なるため、各センサごとに個別に直流電圧の調整値を設定する必要があって検査調整工数の増大を余儀なくされていた。
【０００９】
本発明の目的は、動作環境に応じたセンサ出力のオフセット及びその変動を簡易に吸収することができる加速度センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、所定の変位方向を有して基板に対して浮動支持された第１可動部と、前記変位方向を有して前記第１可動部に対して支持され、該変位方向に加速度が加えられることにより該変位方向に変位する第２可動部と、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を検出する第１検出手段と、前記検出された第１可動部の変位に基づき該変位を抑制するように力を印加する印加手段と、前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を検出する第２検出手段とを備え、前記検出された第２可動部の変位に基づき加えられた加速度を検出することを要旨とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の加速度センサにおいて、前記第１検出手段は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を、該基板上に固定された変位検出用固定電極と該第１可動部との間に形成される静電容量の変動に基づき検出することを要旨とする。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の加速度センサにおいて、前記変位検出用固定電極は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを要旨とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の加速度センサにおいて、前記第２検出手段は、前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向への変位を、該基板上に固定された加速度検出用固定電極と該第２可動部との間に形成される静電容量の変動に基づき検出することを要旨とする。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の加速度センサにおいて、前記加速度検出用固定電極は、前記第２可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを要旨とする。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の加速度センサにおいて、前記印加手段は、前記基板上に固定されたサーボ電極と前記第１可動部との間の静電引力に基づき該第１可動部の変位を抑制することを要旨とする。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の加速度センサにおいて、前記サーボ電極は、前記第１可動部の前記基板に対する前記変位方向と直交する方向に延びるように前記基板上に配された一対を有してなることを要旨とする。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の加速度センサにおいて、前記第１可動部は四角枠状に形成され、前記第２可動部は前記第１可動部に取り囲まれて該第１可動部に支持されたことを要旨とする。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれかに記載の加速度センサにおいて、前記第１可動部及び第２可動部は、前記変位方向に対して直交する面に対して対称となるように前記基板に支持されてなることを要旨とする。
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、基板に対して浮動支持され、該基板に平行な所定面内で変位可能な第１可動部と、前記第１可動部に対して支持され、前記所定面内で変位可能であり、該所定面に沿って加速度が加えられることにより該所定面内で変位する第２可動部と、前記第１可動部の前記基板に対する前記所定面内での変位を検出する第１検出手段と、前記検出された第１可動部の変位に基づき該変位を抑制するように前記所定面に沿う少なくとも２方向の力を印加する印加手段と、前記第２可動部の前記基板に対する前記所定面内での変位を検出する第２検出手段とを備え、前記検出された第２可動部の変位に基づき前記所定面に沿って加えられた加速度を検出することを要旨とする。
【００２０】
請求項１１に記載の発明は、請求項１１に記載の加速度センサにおいて、前記第２検出手段により検出される前記第２可動部の前記所定面内での変位は、前記基板に平行な互いに直交する２方向の変位であり、前記検出された第２可動部の２方向の変位に基づき該２方向に沿う加速度を検出することを要旨とする。
【００２１】
（作用）
請求項１〜６のいずれかに記載の発明によれば、印加手段により上記第１可動部には上記所定変位方向への基板に対する変位が抑制されるように力が印加される。このため、基板と構造体（第１可動部等）との線膨張係数の差や、温度による基板固定部の応力の変動等により構造体に発生する機械的応力の影響は、上記第１可動部を介して吸収される。第２可動部は、上記変位の抑制された第１可動部に対して支持されている。従って、このように支持された第２可動部の変位方向への変位に基づき検出される加速度も、上記動作環境（温度）に対するオフセット及びその変動の抑制されたものとなる。以上により、上記印加手段による力を印加する極めて簡易な手法にて、上記動作環境（温度）に対するセンサ出力のオフセット及びその変動が抑制される。
【００２２】
請求項７に記載の発明によれば、上記サーボ電極は、第１可動部の基板に対する変位方向と直交する方向に延びるように基板上に配された一対となっている。従って、２つ（一対）のサーボ電極と第１可動部との間の静電引力に基づき、第１可動部の変位を変位方向の双方向で抑制でき、その調整範囲は略倍増される。また、第１可動部の変位を変位方向の双方向で抑制（吸収）することが可能であるため、静止状態において第１可動部を両サーボ電極の略中央に支持するように形成すれば、第１可動部を常に変位（オフセット）の略ない状態で支持しておくことが可能となり、オフセット調整が少なくて済む。
【００２３】
請求項８に記載の発明によれば、第１可動部は四角枠状に形成されることでその剛性が向上され、第１可動部に対する第２可動部の変位（オフセット）及びその温度による変動が更に小さくなる。
【００２４】
請求項９に記載の発明によれば、上記第１可動部及び第２可動部は、上記変位方向に対して直交する面に対して対称となるように基板に支持される。従って、第１及び第２可動部の感度中心を略一致させることができ、第１可動部の変位方向の変位を調整することに対応して第２可動部の変位方向（検出方向）への変位（オフセット）が併せて吸収される。また、全体として第１可動部に対する第２可動部の変位方向への変位（オフセット）の動作環境（温度）による変動を相殺・抑制でき、センサとしての温度特性が向上される。
【００２５】
請求項１０に記載の発明によれば、印加手段により上記第１可動部には上記所定面内での基板に対する変位が抑制されるように力が印加される。このため、基板と構造体（第１可動部等）との線膨張係数の差や、温度による基板固定部の応力の変動等により構造体に発生する機械的応力の影響は、上記第１可動部を介して吸収される。第２可動部は、上記変位の抑制された第１可動部に対して支持されている。従って、このように支持された第２可動部の所定面内での変位に基づき検出される加速度も、上記動作環境（温度）に対するオフセット及びその変動の抑制されたものとなる。以上により、上記印加手段による力を印加する極めて簡易な手法にて、上記動作環境（温度）に対するセンサ出力のオフセット及びその変動が抑制される。また、特に１つのセンサのみで上記所定面により定義される２次元方向（２方向）の加速度が検出されるため、例えば各変位方向ごとに個別に加速度センサを設けた場合に比べ、全体としての小型化が可能となる。
【００２６】
請求項１１に記載の発明によれば、第２検出手段により検出される第２可動部の上記所定面内での変位は、基板に平行な互いに直交する２方向の変位であり、上記検出された第２可動部の２方向の変位に基づき同２方向に沿う加速度が検出される。換言すると、第２可動部の上記所定面内での２方向の変位は、検出される加速度の２方向と一致しているため、同検出にかかる構成（回路構成）が簡易化される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態について図１及び図２に従って説明する。
【００２８】
図１に示されるように、絶縁層を形成するシリコン基板１０には、例えば導電性とするために不純物の添加されたポリシリコン（以下、「導電性ポリシリコン」という）薄膜にて形成された第１可動部１１、第２可動部１２、第１ばね梁１７、第２ばね梁１９、サーボ電極１３、変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂ、加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂ及び浮動体アンカーａ１１，ａ１２，ａ１３，ａ１４が設けられている。なお、上記サーボ電極１３、変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂ、加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂ及び浮動体アンカーａ１１〜ａ１４はシリコン基板１０に接合されている。
【００２９】
上記第１可動部１１は一側（図１の下側）が開かれた略コの字の枠状に形成されており、シリコン基板１０と略平行な長手方向（ｙ方向）は略中間部において同方向と略直交する方向（ｘ方向）に伸びる橋絡部１１ａにて区画されている。そして、この橋絡部１１ａにて囲われた第１可動部１１の一側（図１の上側）は、ｘ方向に延びる変位検出用可動電極１６にてｙ方向に複数（図１では６つ）に均等に区画されている。そして、ｙ方向に各隣接する変位検出用可動電極１６間に上記変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂが平行配置されるようになっている。なお、ｙ方向は第１及び第２可動部１１，１２の変位方向、すなわち加速度の検出方向（感度軸）となっており、ｘ方向はｙ方向（変位方向）と略直交し、且つ、シリコン基板１０と略平行な方向となっている。
【００３０】
この第１可動部１１の四隅は変位方向（検出方向）であるｙ方向に撓み性が高くなるようにｘ方向外側に略Ｕ字状に折り返されて伸びる導電性ポリシリコン薄膜の第１ばね梁１７を介して上記浮動体アンカーａ１１〜ａ１４にそれぞれ連続している。これら第１可動部１１及び第１ばね梁１７は、例えばフォトリソグラフ及びエッチングによる半導体プロセス加工にて、上記シリコン基板１０から浮くように形成されており、同第１ばね梁１７は、互いに同等の幅及び長さを有している。
【００３１】
上記変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂは、上記第１可動部１１のｙ方向に各隣接する変位検出用可動電極１６間の一側及び他側（図１の上側及び下側）において対向する変位検出用可動電極１６に対して所定距離だけ離隔されてそれぞれ形成されている（ただし、変位が制御された状態において）。これら変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂは、上記第１可動部１１のｙ方向の変位に基づき同第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）との間の電極間距離が変動して静電容量が変動することで、同第１可動部１１のシリコン基板１０に対するｙ方向の変位検出に供される。すなわち、第１可動部１１が一側（図１の上側）に移動したときには、同第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）と変位検出用固定電極１４ａとの間の静電容量が減少するとともに、第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）と変位検出用固定電極１４ｂとの間の静電容量が増加する。また、第１可動部１１が他側（図１の下側）に移動したときには、これらの関係は逆となる。すなわち、第１可動部１１の変位による第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）と上記変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂとの間の静電容量の変動は、互いに逆向きとなっている。
【００３２】
上記サーボ電極１３は、第１可動部１１のｙ方向外側において同第１可動部１１に対向配置されるようにｘ方向に伸びている。このサーボ電極１３は、検出された第１可動部１１のシリコン基板１０（変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂ）に対する変位に応じて生成される後述のサーボ電圧が供給されることで第１可動部１１との間での電極間距離に応じたｙ方向（検出方向）の静電引力を変動させ、第１可動部１１の変位変動の吸収に供される。なお、本実施形態では、第１可動部１１の一側（図１の上側）に配置された１つのサーボ電極１３のみで第１可動部１１の変位変動を吸収するため、静止状態において第１可動部１１は他側（サーボ電極１３と反対側）よりに付勢されてシリコン基板１０上に支持されている。これは、第１可動部１１の一側（サーボ電極１３側）への変位変動を抑制するためである。また、加速度検出においては、このような静止状態での第１可動部１１の変位変動を吸収した状態で同第１可動部１１を支持しておくために、上記サーボ電極１３には第１可動部１１を一側（サーボ電極１３側）に引き戻すようなサーボ電圧が印加される。
【００３３】
上記第２可動部１２は、橋絡部１１ａに対して第１可動部１１の開放側（図１の下側）に配置されており、第１可動部１１よりも小さい幅及び長さを有して略四角枠状に形成されている。この第２可動部１２の内側は、ｘ方向に延びる加速度検出用可動電極１８にてｙ方向に複数（図１では８つ）に均等に区画されている。そして、ｙ方向に各隣接する加速度検出用可動電極１８間に上記加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂが平行配置されるようになっている。
【００３４】
また、この第２可動部１２のｙ方向一側及び他側（図１の上側及び下側）の外枠の略中間部には、それぞれｙ方向外側に突出する支持端１２ａが形成されている。そして、第２可動部１２は、変位方向（検出方向）であるｙ方向に撓み性が高くなるように上記支持端１２ａからｘ方向一側及び他側（図１の右側及び左側）にそれぞれ伸びる導電性ポリシリコン薄膜の第２ばね梁１９を介して上記第１可動部１１の内側に連続している。これら第２可動部１２及び第２ばね梁１９も、例えばフォトリソグラフ及びエッチングによる半導体プロセス加工にて、上記シリコン基板１０から浮くように形成されており、同第２ばね梁１９は、互いに同等の幅及び長さを有するように形成されている。
【００３５】
ここで、第２可動部１２は、第１及び第２ばね梁１７，１９に対して剛体とみなせる第１可動部１１に対して第２ばね梁１９を介して支持されている。従って、この第２ばね梁１９に加わる応力が低く抑えられていることから、第１可動部１１に対する第２可動部１２の変位（オフセット）が小さくされている。また、第１及び第２可動部１１，１２、第１及び第２ばね梁１７，１９は同一素材にて形成されて線膨張率が等しく設定されているため、第１可動部１１に対する第２可動部１２の変位（オフセット）の温度による変動も小さくされている。
【００３６】
上記加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂは、上記第２可動部１２のｙ方向に各隣接する加速度検出用可動電極１８間の一側及び他側（図１の上側及び下側）において対向する加速度検出用可動電極１８に対して所定距離だけ離隔されてそれぞれ形成されている（ただし、上記中立状態であって加速度の加わっていない状態において）。これら加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂは、上記第２可動部１２のｙ方向の変位に基づき同第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）との間の電極間距離が変動して静電容量が変動することで、同第２可動部１２のシリコン基板１０に対するｙ方向の変位検出に供される。すなわち、第２可動部１２が一側（図１の上側）に移動したときには、同第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）と加速度検出用固定電極１５ａとの間の静電容量が減少するとともに、第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）と加速度検出用固定電極１５ｂとの間の静電容量が増加する。また、第２可動部１２が他側（図１の下側）に移動したときには、これらの関係は逆となる。すなわち、第２可動部１２の変位による第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）と上記加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂとの間の静電容量の変動は、互いに逆向きとなっている。
【００３７】
なお、第１及び第２可動部１１，１２（変位検出用可動電極１６及び加速度検出用可動電極１８）等の構造体は、浮動体アンカーａ１３，ａ１４及び配線Ｗ１１を介して電極パッド２１と電気的に接続されている。また、サーボ電極１３は、配線Ｗ１２を介して電極パッド２２と電気的に接続されている。さらに、変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂは、それぞれ配線Ｗ１３，Ｗ１４を介して電極パッド２３ａ，２３ｂと電気的に接続されている。加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂは、それぞれ配線Ｗ１５，Ｗ１６を介して電極パッド２４ａ，２４ｂと電気的に接続されている。
【００３８】
次に、この加速度センサの加速度検出に係る電気的構成について説明する。
図２に示されるように、この加速度センサは第１周波数ｆ１を有する交流信号を生成可能な第１交流信号源３１と、第１周波数ｆ１と異なる第２周波数ｆ２を有する交流信号を生成可能な第２交流信号源３２とを備えている。なお、これら第１及び第２周波数ｆ１，ｆ２は、第１可動部１１と第１ばね梁１７とからなる変位方向（検出方向）の共振周波数、第１及び第２可動部１１，１２と第１及び第２ばね梁１７，１９とからなる変位方向（検出方向）の共振周波数よりも高く設定されている。これは、これら第１及び第２可動部１１，１２等の発振を防止するとともに、その振動状態を取得可能とするためである。
【００３９】
第１交流信号源３１からの交流信号は、電極パッド２３ａを介して変位検出用固定電極１４ａに、反転回路３３及び電極パッド２３ｂを介して変位検出用固定電極１４ｂにそれぞれ入力されている。すなわち、上記変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂには、第１周波数ｆ１を有する互いに逆相となる交流信号が入力されている。従って、第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）と全変位検出用固定電極１４ａとで形成される静電容量及び同第１可動部１１（変位検出用可動電極１６）と全変位検出用固定電極１４ｂとで形成される静電容量には、第１周波数ｆ１を有する互いに逆相となる交流信号が入力されている。
【００４０】
一方、第２交流信号源３２からの交流信号は、電極パッド２４ａを介して加速度検出用固定電極１５ａに、反転回路３４及び電極パッド２４ｂを介して加速度検出用固定電極１５ｂにそれぞれ入力されている。すなわち、上記加速度検出用固定電極１５ａ，１５ｂには、第２周波数ｆ２を有する互いに逆相となる交流信号が入力されている。従って、第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）と全加速度検出用固定電極１５ａとで形成される静電容量及び同第２可動部１２（加速度検出用可動電極１８）と全加速度検出用固定電極１５ｂとで形成される静電容量には、第２周波数ｆ２を有する互いに逆相となる交流信号が入力されている。
【００４１】
以上により、これら各静電容量を共通して形成する構造体（第１及び第２可動部１１，１２等）には、第１可動部１１と全変位検出用固定電極１４ａとで形成される静電容量及び同第１可動部１１と全変位検出用固定電極１４ｂとで形成される静電容量の容量偏差に略比例するとともに第１周波数ｆ１を有する第１交流信号源３１からの交流信号に略比例する電荷と、第２可動部１２と全加速度検出用固定電極１５ａとで形成される静電容量及び同第２可動部１２と全加速度検出用固定電極１５ｂとで形成される静電容量の容量偏差に略比例するとともに第２周波数ｆ２を有する第２交流信号源３２からの交流信号に略比例する電荷とを合計した電荷が蓄えられる。
【００４２】
構造体（第１及び第２可動部１１，１２等）に接続された電極パッド２１は、例えばチャージアンプ等の検出回路３５に接続されており、同検出回路３５を介して電荷−電圧変換されて上記合計した電荷に相当する電圧値を有する信号が検出されるようになっている。
【００４３】
上記検出回路３５からの出力信号は、同期検波回路３６に入力されている。この同期検波回路３６には、第１交流信号源３１からの交流信号が入力されており、この信号を基準タイミング信号として第１周波数ｆ１にて同期検波を行うことでシリコン基板１０に対する第１可動部１１の検出方向の変位が検出されるようになっている。
【００４４】
上記第１可動部１１の検出方向の変位に相当する同期検波回路３６からの信号はサーボ電圧生成回路３７に入力されており、サーボ電圧生成回路３７は同第１可動部１１の変位変動を抑制するように第３周波数ｆ３を有する低周波信号を生成する。なお、この第３周波数ｆ３は、例えばセンサとして要求される加速度に対応する応答速度相当の周波数よりも高く、第１及び第２周波数ｆ１，ｆ２よりも低い周波数となっている。換言すると、第１可動部１１の検出方向の変位は、センサとして要求される上記応答速度よりも速く抑制されるようになっている。このサーボ電圧生成回路３７からの低周波信号に所定のバイアス電圧を加算した信号（サーボ電圧）が、電極パッド２２を介して前記サーボ電極１３に入力されている。そして、このサーボ電極１３に入力する信号の上述の設定により、第１可動部１１等との間でのｙ方向（検出方向）の静電引力が調整されてシリコン基板１０に対する第１可動部１１の変位変動を略なくすように調整される。従って、加速度による第１可動部１１のｙ方向（検出方向）の変位変動、或いは動作環境（温度）による第１可動部１１のｙ方向（検出方向）の変位（オフセット）変動は抑制されている。そして、第２可動部１２はこのようにｙ方向（検出方向）の変位変動等の抑制された第１可動部１１に対して支持されるため、同第２可動部１２はその質量及び第２ばね梁１９のばね定数のみによって決定されるｙ方向、すなわち加速度に対する感度を有するようになる。従って、この第２可動部１２の変位を検出することで動作環境（温度）によるｙ方向（検出方向）の変位（オフセット）変動を吸収した加速度の検出が可能となる。換言すると、第１可動部１１を介した第２可動部１２の変位により検出されるセンサ出力は、動作環境（温度）に起因するオフセット変動の抑制されたものとなっている。
【００４５】
一方、上記検出回路３５からの出力信号は、同期検波回路３８にも入力されている。この同期検波回路３８には、第２交流信号源３２からの交流信号が入力されており、この信号を基準タイミング信号として第２周波数ｆ２にて同期検波を行うことでシリコン基板１０に対する第２可動部１２の検出方向の変位が検出されるようになっている。
【００４６】
上記第２可動部１２の検出方向の変位に相当する同期検波回路３８からの信号は増幅器３９を介して所要の増幅をされ、ＬＰＦ（ローパスフィルタ）４０を介して所要の周波数帯域の信号のみが取り出される。この信号は所定のオフセット調整を行った後に加速度に相当する出力電圧値（センサ出力）として、例えばコントローラに出力されるようになっている。
【００４７】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られるようになる。
（１）本実施形態では、サーボ電極１３にサーボ電圧を印加することで、第１可動部１１には上記検出方向（変位方向）へのシリコン基板１０に対する変位変動が抑制されるように力が印加される。このため、シリコン基板１０と構造体（第１可動部１１等）との線膨張係数の差や、温度による基板固定部の応力の変動等により構造体に発生する機械的応力の影響は、上記第１可動部１１を介して吸収できる。第２可動部１２は、上記変位変動の抑制された第１可動部１１に対して支持されている。従って、このように支持された第２可動部１２の変位方向への変位に基づき検出される加速度も、上記動作環境（温度）に対するオフセット変動の抑制されたものとなる。以上により、上記サーボ電極１３にサーボ電圧を印加する極めて簡易な手法にて、上記動作環境（温度）に対するセンサ出力のオフセット変動を抑制できる。
【００４８】
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態について図３及び図４に従って説明する。なお、説明の便宜上、前記第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を一部省略する。
【００４９】
図３に示されるように、本実施形態の第１可動部５１は、長手方向（ｙ方向）略中間部において２つに区画された略日の字の枠状に形成されており、第１実施形態に準じてシリコン基板１０に対して支持されている。そして、前記第２可動部１２は、第１可動部５１によって囲まれた一側（図３の下側）の枠内に第１実施形態に準じて支持されている。
【００５０】
また、第１可動部５１のｙ方向各外側には、サーボ電極５２ａ，５２ｂが同第１可動部５１に対向配置されるようにｘ方向に伸びている。これらサーボ電極５２ａ，５２ｂは、検出された第１可動部５１のシリコン基板１０（変位検出用固定電極１４ａ，１４ｂ）に対する変位に応じて生成される後述の各サーボ電圧が供給されることで第１可動部５１との間での電極間距離に応じたｙ方向（検出方向）の静電引力を変動させ、第１可動部５１の変位の吸収に供される。なお、サーボ電極５２ａは配線Ｗ５１を介して電極パッド５３ａと電気的に接続され、サーボ電極５２ｂは配線Ｗ５２を介して電極パッド５３ｂと電気的に接続されている。
【００５１】
次に、この加速度センサの加速度検出に係る電気的構成について説明する。
図４に示されるように、本実施形態では、サーボ電極５２ａ，５２ｂに対してサーボ電圧を供給しうる回路構成とされている。すなわち、前記サーボ電圧生成回路３７からの信号は、電極パッド５３ａを介してサーボ電極５２ａに、反転回路５４及び電極パッド５３ｂを介してサーボ電極５２ｂにそれぞれ入力されている。なお、反転回路５４に入力された信号には、所定のバイアス電圧が印加されて、反転の対称となる中心電圧が設定されている。従って、上記サーボ電極５２ａ，５２ｂには、第３周波数ｆ３を有する互いに逆相となる交流信号が入力されている。
【００５２】
そして、第１実施形態に準じて、これらサーボ電極５２ａ，５２ｂに入力する信号の上述の設定により、第１可動部５１等との間でのｙ方向（検出方向）の静電引力が調整されてシリコン基板１０に対する第１可動部５１の変位を略なくすように調整される。
【００５３】
以上詳述したように、本実施形態によれば、前記第１実施形態の効果に加えて以下に示す効果が得られるようになる。
（１）本実施形態では、第１可動部５１を開放部のない閉じた平面形状（略四角枠状）としたことで同第１可動部５１の剛性を向上し、第１可動部５１に対する第２可動部１２の変位（オフセット）及びその温度による変動を更に小さくできる。
【００５４】
（２）本実施形態では、２つのサーボ電極５２ａ，５２ｂへのサーボ電圧の供給により、第１可動部５１の変位を検出方向（加速度方向）の双方向で抑制することが可能となり、その調整範囲を略倍増することができる。また、第１可動部５１の変位を検出方向（加速度方向）の双方向で抑制（吸収）することが可能であるため、静止状態において第１可動部５１を両サーボ電極５２ａ，５２ｂの略中央に支持するように形成すればよい。従って、第１可動部５１を常に変位（オフセット）の略ない状態で支持しておくことが可能となり、オフセット調整が少なくて済む。
【００５５】
（第３実施形態）
以下、本発明を具体化した第３実施形態について図５に従って説明する。なお、説明の便宜上、前記第１及び第２実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を一部省略する。
【００５６】
図５に示されるように、本実施形態の第１可動部６１は略四角枠状に形成されており、第１実施形態に準じてシリコン基板１０に対して支持されている。この第１可動部６１のｙ方向に伸びる各辺からは、中央に向かって互いに略対称な四角枠状に突出する変位検出部６１ａが形成されている。そして、これら各変位検出部６１ａにて囲われた内部は、第１実施形態に準じた変位検出用可動電極６２にてｙ方向に複数（図５では１０つ）に均等に区画されている。そして、ｙ方向に各隣接する変位検出用可動電極６２間に、第１実施形態に準じた変位検出用固定電極６３ａ，６３ｂが平行配置されるようになっている。
【００５７】
この第１可動部６１の四隅は変位方向（検出方向）であるｙ方向に撓み性が高くなるようにｘ方向内側に略クランク状に折り返されて伸びる導電性ポリシリコン薄膜の第１ばね梁６４を介して前記第１実施形態に準じて浮動体アンカーａ１１〜ａ１４にそれぞれ連続している。そして、第１可動部１１のｙ方向一側及び他側の外側において、第２実施形態と同様にサーボ電極５２ａ，５２ｂが配設されている。
【００５８】
前記第２可動部１２は、上記第１可動部６１（変位検出部６１ａ）によって囲まれた同第１可動部６１の略中央部において、第１実施形態に準じて支持されている。
【００５９】
以上により、第１及び第２可動部６１，１２、第１及び第２ばね梁６４，１９からなる構造体は、検出方向と略直交する面に対して略対称となる形状となっている。
【００６０】
なお、この加速度センサの加速度検出に係る電気的構成は、第２実施形態（図４参照）と同様であるためその説明を割愛する。
以上詳述したように、本実施形態によれば、前記第１及び第２実施形態の効果に加えて以下に示す効果が得られるようになる。
【００６１】
（１）本実施形態では、第１及び第２可動部６１，１２、第１及び第２ばね梁６４，１９からなる構造体を、検出方向と略直交する面に対しても略対称となる形状にし、第１及び第２可動部６１，１２の感度中心を略一致させた。従って、第１可動部６１の検出方向の変位を調整することに対応して第２可動部１２の検出方向への変位（オフセット）を併せて吸収することができる。また、全体として第１可動部６１に対する第２可動部１２の検出方向への変位（オフセット）の動作環境（温度）による変動を相殺・抑制でき、センサとしての温度特性を向上することができる。
【００６２】
（第４実施形態）
以下、本発明を具体化した第４実施形態について図６に従って説明する。なお、第４実施形態の加速度センサは、互いに直交する２方向（ｘ方向及びｙ方向）をそれぞれ検出方向とするものであり、説明の便宜上、前記第１〜第３実施形態と同様の構成については同一の符号を付してその説明を一部省略する。なお、これら直交する２方向（ｘ方向及びｙ方向）によって加速度検出に係る所定面が定義される。
【００６３】
図６に示されるように、本実施形態の第１可動部７１は略正方形の四角枠状に形成されており、各辺は第１の加速度の検出方向であるｙ方向若しくは第２の加速度の検出方向であるｘ方向に略沿って伸びている。そして、上下方向（ｙ方向）に伸びる各辺からは、中央に向かって互いに略対称な四角枠状に突出する第１変位検出部７１ａが形成されている。そして、これら各第１変位検出部７１ａにて囲われた内部は、第３実施形態に準じた変位検出用可動電極７２にてｙ方向に複数（図６では１２つ）に均等に区画されている。そして、ｙ方向に各隣接する変位検出用可動電極７２間に、第３実施形態に準じた変位検出用固定電極７３ａ，７３ｂが平行配置されるようになっている。また、左右方向（ｘ方向）に伸びる各辺からも、中央に向かって互いに略対称な四角枠状に突出する第２変位検出部７１ｂが形成されている。そして、これら各第２変位検出部７１ｂにて囲われた内部は、第３実施形態に準じた変位検出用可動電極７４にてｘ方向に複数（図６では１２つ）に均等に区画されている。そして、ｘ方向に各隣接する変位検出用可動電極７４間に、第３実施形態に準じた変位検出用固定電極７５ａ，７５ｂが平行配置されるようになっている。
【００６４】
この第１可動部７１の四隅には、互いに略対称に中心に向かって突出する支持端７１ｃが形成されている。そして、支持端７１ｃにおいて第１可動部７１は、変位方向（検出方向）であるｘ，ｙ方向（所定面内）に撓み性が高くなるように互いに略対称に中心に向かって略四角枠状に形成された第１ばね梁７６を介して前記浮動体アンカーａ１１〜ａ１４にそれぞれ連続している。
【００６５】
また、第１可動部７１のｙ方向各外側には、第３実施形態に準じたサーボ電極７７ａ，７７ｂが同第１可動部７１に対向配置されるようにｘ方向に伸びている。これらサーボ電極７７ａ，７７ｂは、検出された第１可動部７１のシリコン基板１０（変位検出用固定電極７３ａ，７３ｂ）に対するｙ方向の変位に応じて生成される第２及び第３実施形態に準じた各サーボ電圧が供給されることで第１可動部７１との間での電極間距離に応じたｙ方向（検出方向）の静電引力を変動させ、第１可動部７１の変位の吸収に供される。
【００６６】
一方、第１可動部７１のｘ方向各外側にも、第３実施形態に準じたサーボ電極７８ａ，７８ｂが同第１可動部７１に対向配置されるようにｙ方向に伸びている。これらサーボ電極７８ａ，７８ｂは、検出された第１可動部７１のシリコン基板１０（変位検出用固定電極７５ａ，７５ｂ）に対するｘ方向の変位に応じて生成される第２及び第３実施形態に準じた各サーボ電圧が供給されることで第１可動部７１との間での電極間距離に応じたｘ方向（検出方向）の静電引力を変動させ、第１可動部７１の変位の吸収に供される。
【００６７】
本実施形態の第２可動部８１は、上記第１可動部７１（第１及び第２変位検出部７１ａ，７１ｂ）によって囲まれた同第１可動部７１の略中央部に配置されており、第１可動部７１よりも小さい幅及び長さを有して略四角枠状に形成されている。この第２可動部１２の内側は、対角線で区画されて４つに分割されている。そして、ｙ方向に対向配置された略三角形状の枠は第１加速度検出部８１ａとなっており、ｘ方向に対向配置された略三角形状の枠は第２加速度検出部８１ｂとなっている。
【００６８】
上記各第１加速度検出部８１ａの内側は、ｘ方向に延びる加速度検出用可動電極８２にてｙ方向に複数（図６では６つ）に均等に区画されている。そして、ｙ方向に各隣接する加速度検出用可動電極８２間に、第３実施形態に準じた加速度検出用固定電極８３ａ，８３ｂが平行配置されるようになっている。
【００６９】
一方、上記各第２加速度検出部８１ｂの内側は、ｙ方向に延びる加速度検出用可動電極８４にてｘ方向に複数（図６では６つ）に均等に区画されている。そして、ｘ方向に各隣接する加速度検出用可動電極８４間に、第３実施形態に準じた加速度検出用固定電極８５ａ，８５ｂが平行配置されるようになっている。
【００７０】
第２可動部８１の四隅は、変位方向（検出方向）であるｘ，ｙ方向（所定面内）に撓み性が高くなるように互いに略対称に対角方向外側に向かって略四角枠状に形成された第２ばね梁８６を介して前記支持端７１ｃにそれぞれ連続している。
【００７１】
なお、第１及び第２可動部７１，８１（変位検出用可動電極７２，７４及び加速度検出用可動電極８２，８４）等の構造体は、浮動体アンカーａ１３，ａ１４及び配線Ｗ１１を介して電極パッド２１と電気的に接続されている。
【００７２】
また、サーボ電極７７ａ，７７ｂはそれぞれ配線Ｗ７１，Ｗ７２を介して電極パッド５３ａ，５３ｂと電気的に接続されている。さらに、変位検出用固定電極７３ａ，７３ｂは、それぞれ配線Ｗ７３，Ｗ７４を介して電極パッド２３ａ，２３ｂと電気的に接続されている。加速度検出用固定電極８３ａ，８３ｂは、それぞれ配線Ｗ７５，Ｗ７６を介して電極パッド２４ａ，２４ｂと電気的に接続されている。一方、サーボ電極７８ａ，７８ｂはそれぞれ配線Ｗ７１’，Ｗ７２’を介して電極パッド５３ａ’，５３ｂ’と電気的に接続されている。さらに、変位検出用固定電極７３ａ，７３ｂは、それぞれ配線Ｗ７３’，Ｗ７４’を介して電極パッド２３ａ’，２３ｂ’と電気的に接続されている。加速度検出用固定電極８３ａ，８３ｂは、それぞれ配線Ｗ７５’，Ｗ７６’を介して電極パッド２４ａ’，２４ｂ’と電気的に接続されている。
【００７３】
なお、この加速度センサの加速度検出に係る電気的構成は、第２及び第３実施形態（図４参照）と同様であり、各検出方向（ｘ，ｙ方向）ごとにそれぞれ設けたこと、及び各検出方向ごとに同期検波を行うための異なる周波数（第１及び第２周波数ｆ１，ｆ２）の交流信号を、すなわち合計４つの異なる周波数の交流信号を供給することが異なる。
【００７４】
従って、電極パッド２１のみは、両方の検出回路３５に共通して接続されている。また、電極パッド５３ａ，５３ｂ，２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ及び電極パッド５３ａ’，５３ｂ’，２３ａ’，２３ｂ’，２４ａ’，２４ｂ’は、それぞれ一方及び他方の対応する回路と第２及び第３実施形態に準じて電気的に接続されている。
【００７５】
以上詳述したように、本実施形態によれば、前記第１〜第３実施形態の効果に加えて以下に示す効果が得られるようになる。
（１）本実施形態では、１組の第１及び第２可動部７１，８１にて略直交する２方向での加速度検出を行うことができる。従って、例えば各検出方向ごとに個別に加速度センサを設けた場合に比べ、全体としての小型化が可能となる。
【００７６】
（２）本実施形態では、検出される第２可動部８１の変位は、互いに略直交する２方向（ｘ，ｙ方向）の変位であり、これにより同２方向に略沿う加速度が検出される。換言すると、第２可動部８１の２方向（ｘ，ｙ方向）の変位は、検出される加速度の２方向と一致しているため、同検出にかかる構成（回路構成）を簡易化できる。
【００７７】
なお、本発明の実施の形態は上記実施形態に限定されるものではなく、次のように変更してもよい。
・前記第４実施形態においては、検出される第２可動部８１の２方向（ｘ，ｙ方向）の変位を、検出される加速度の２方向と一致させたが、例えば変位を分解して分力に基づき加速度を演算・検出するのであれば必ずしも一致させる必要はない。またこの場合、検出される第２可動部８１の変位方向若しくは加速度方向は、必ずしも直交する２方向である必要はない。
【００７８】
・前記各実施形態においては、図７（ａ）に示されるように、変位検出用固定電極１４ａ，６３ａ，７３ａ，７５ａ及び変位検出用固定電極１４ｂ，６３ｂ，７３ｂ，７５ｂと第１可動部１１，５１，６１，７１（変位検出用可動電極１６，６２，７２，７４）との間（平行平板間）の静電容量の変動を電極間距離の変動として検出するようにした。これに対して、図７（ｂ）に示されるように、シリコン基板１０に対して変位検出用固定電極１０１ａ，１０１ｂを平行配置で接合し、これら変位検出用固定電極１０１ａ，１０１ｂに跨って変位検出用可動電極１０２を浮動支持した形状であってもよい。そして、変位検出用固定電極１０１ａ，１０１ｂと第１可動部の変位検出用可動電極１０２との間（平行平板間）の静電容量の変動を電極の重畳面積の変動として検出してもよい。また、加速度検出用固定電極１５ａ，８３ａ，８５ａ及び加速度検出用固定電極１５ｂ，８３ｂ，８５ｂと第２可動部１２，８１（加速度検出用可動電極１８，８２，８４）との間（平行平板間）についても、同様の形状にて電極の重畳面積の変動として検出してもよい。さらに、第１可動部１１，５１，６１，７１とサーボ電極１３，５２ａ，５２ｂ，７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂとの間の静電引力の調整についても、上記に準じた電極の重畳面積の変動として調整するようにしてもよい。
【００７９】
・前記各実施形態においては、第１可動部１１，５１，６１，７１及び第２可動部１２，８１のシリコン基板１０に対する変位を静電容量の変動に基づき検出した。これに対して、例えば第１可動部１１，５１，６１，７１若しくは第２可動部１２，８１とシリコン基板１０との間に歪ゲージを設け、シリコン基板１０に対する変位を同変位に基づく歪度合いに応じて検出するようにしてもよい。
【００８０】
・前記各実施形態においては、第１可動部１１，５１，６１，７１とサーボ電極１３，５２ａ，５２ｂ，７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂとの間の静電引力の調整により同第１可動部１１，５１，６１，７１の変位を抑制するようにした。これに対して、例えば第１可動部１１，５１，６１，７１とサーボ電極１３，５２ａ，５２ｂ，７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂとの間のローレンツ力の調整により同第１可動部１１，５１，６１，７１の変位を抑制するようにしてもよい。
【００８１】
・前記各実施形態においては、構造体に蓄積された電荷をチャージアンプにて電荷−電圧変換して第１可動部１１，５１，６１，７１及び第２可動部１２，８１の各変位を検出するようにした。これに対して、構造体に蓄積された電荷の変動に基づく交流電流を、例えば帰還抵抗を有する反転増幅回路を介して電流−電圧変換して第１可動部１１，５１，６１，７１及び第２可動部１２，８１の各変位を検出するようにしてもよい。
【００８２】
・前記各実施形態において、加速度検出における同期検波回路３８からの信号の増幅（増幅器３９）、低域通過（ＬＰＦ４０）及びオフセット調整の順番は、適宜変更してもよい。
【００８３】
・前記各実施形態において、第１及び第２可動部１１，１２、電極１３，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ等を導電性ポリシリコン以外の単結晶シリコン、金属等の導電性材料にて形成してもよい。
【００８４】
・前記各実施形態におけるシリコン基板１０に代えて、例えば多結晶、単結晶、又は非晶質のＳｉ，Ｇｅ，ＳｉＣ，ＳｉｘＧｅ1-x ，ＳｉｘＧｅｙＣ1-x-y にて形成された基板としてもよい。
【００８５】
・前記各実施形態における加速度検出若しくはサーボ電圧の設定・供給に係る回路構成は一例であってその他の構成を採用してもよい。
・前記各実施形態における第１可動部１１，５１，６１，７１、第２可動部１２，８１、第１ばね梁１７，６４，７６及び第２ばね梁１９，８６等の構造体の形状は一例であってその他の形状を採用してもよい。
【００８６】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜６及び１０のいずれかに記載の発明によれば、動作環境に応じたセンサ出力のオフセット及びその変動を簡易に吸収することができる。
【００８７】
請求項７に記載の発明によれば、相補的に配された２つ（一対）のサーボ電極と第１可動部との間の静電引力に基づき、第１可動部の変位を変位方向の双方向で抑制でき、その調整範囲を略倍増できる。また、第１可動部の変位を変位方向の双方向で抑制（吸収）することが可能であるため、静止状態において第１可動部を両サーボ電極の略中央に支持するように形成すれば、第１可動部を常に変位（オフセット）の略ない状態で支持しておくことが可能となり、センサとしての温度特性を向上できる。
【００８８】
請求項８に記載の発明によれば、第１可動部は四角枠状に形成されることでその剛性を向上し、第１可動部に対する第２可動部の変位（オフセット）及びその温度による変動を更に小さくできる。
【００８９】
請求項９に記載の発明によれば、第１及び第２可動部の感度中心を略一致させることができ、第１可動部の変位方向の変位を調整することに対応して第２可動部の変位方向（検出方向）への変位（オフセット）を併せて吸収できる。また、全体として第１可動部に対する第２可動部の変位方向への変位（オフセット）の動作環境（温度）による変動を相殺・抑制でき、センサとしての温度特性を向上できる。
【００９０】
請求項１１に記載の発明によれば、第２可動部の所定面内での２方向の変位が、検出される加速度の２方向と一致しているため、同検出にかかる構成（回路構成）を簡易化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る加速度センサの第１実施形態を示す概略図。
【図２】同実施形態の電気的構成を示すブロック図。
【図３】本発明に係る加速度センサの第２実施形態を示す概略図。
【図４】同実施形態の電気的構成を示すブロック図。
【図５】本発明に係る加速度センサの第３実施形態を示す概略図。
【図６】本発明に係る加速度センサの第４実施形態を示す概略図。
【図７】本発明に係る加速度センサの別例を示す断面図。
【図８】従来の加速度センサを示す概略図。
【符号の説明】
１０  基板としてのシリコン基板
１１，５１，６１，７１  第１可動部
１２，８１  第２可動部
１３，５２ａ，５２ｂ，７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂ  サーボ電極
１４ａ，６３ａ，７３ａ，７５ａ，１０１ａ  変位検出用固定電極
１４ｂ，６３ｂ，７３ｂ，７５ｂ，１０１ｂ  変位検出用固定電極
１５ａ，８３ａ，８５ａ  加速度検出用固定電極
１５ｂ，８３ｂ，８５ｂ  加速度検出用固定電極
３５  検出回路
３７  サーボ電圧生成回路
【図１】
0004734756.tif 000002
【図２】
0004734756.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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