(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載する実装領域と電極配線とを有した素子領域と、
複数の前記素子領域が配列された製品領域と、
前記製品領域を囲む外周領域と、
前記素子領域の周囲の各辺に沿って前記製品領域まで延伸して設けられるカットラインと、
前記外周領域に形成されて前記素子領域と前記外周領域とを封止するように配置される樹脂と係合する係合部と
を有し、前記カットライン上は前記係合部の非配置領域である配線基板。
【請求項２】
係合部は凹部または凸部である請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記複数の素子領域はＸＹ方向にマトリクス状に配列されており、前記係合部は、少なくとも、半導体素子の実装および樹脂封止の後にＸ方向のダイシングとＹ方向のダイシングとをこの順に行って前記素子領域ごとに分割する際の、Ｙ方向カットラインに沿った前記外周領域とＹ方向のダイシング時における下流側のＸ方向カットラインに沿った前記外周領域とに配置されている請求項１または請求項２のいずれかに記載の配線基板。
【請求項４】
前記係合部は、Ｘ方向およびＹ方向の前記各素子領域列の端部に対向して少なくとも１つずつ配置されている請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記係合部は、前記各素子領域の端辺に対応する領域内に配置されている請求項３記載の配線基板。
【請求項６】
前記係合部は、前記素子領域の端辺と交わる方向に複数段に配列されている請求項３記載の配線基板。
【請求項７】
前記係合部は、前記素子領域の端辺に沿って千鳥配置されている請求項３記載の配線基板。
【請求項８】
前記係合部は、前記外周領域とそのさらに外周側の領域とにわたって形成されている請求項３記載の配線基板。
【請求項９】
前記凸部はレジストを用いて形成されている請求項２記載の配線基板。
【請求項１０】
前記凸部はレジストで金属パターンを被覆して形成されている請求項２記載の配線基板。
【請求項１１】
前記金属パターンは電極配線を構成している金属層と同一の金属層より形成されている請求項１０記載の配線基板。
【請求項１２】
複数の素子領域が配列された製品領域を備え、前記製品領域を囲む外周領域に樹脂と係合する係合部を有し、前記素子領域の周囲の各辺に沿って前記製品領域まで延伸して設けられるカットライン上は前記係合部の非配置領域である配線基板を準備する工程と、
前記配線基板の前記複数の素子領域の各々に半導体素子を実装する工程と、
前記半導体素子が実装された前記複数の素子領域と前記外周領域とを樹脂で封止する工程と、
前記樹脂により封止され前記樹脂が前記係合部と係合している樹脂封止体を前記カットラインでダイシングして、前記素子領域に対応する半導体装置に個片化する工程とを有する
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法およびそのための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法に、複数の半導体素子を配線基板に搭載して一括に樹脂封止し、ダイシングにより１または複数の半導体素子ごとに個片化する方法がある。
【０００３】
図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）は母材となる配線基板の平面図および断面図である。この配線基板１は、半導体素子を搭載するための実装領域２と製品回路となる電極配線２１（配線３、ビアホール４等の内層配線、電極端子５など）とを有する素子領域６をマトリクス状に配列し、その素子領域６のマトリクス（製品領域７と呼ぶ）とそれを囲む外周領域８とを一括封止する封止領域９として設定している。またかかる製品領域７と外周領域８とよりなる封止領域９を所定の間隔で配置し、封止領域９どうしを分離する方向のスリット１０を形成している。
【０００４】
図１５は半導体装置の製造工程を示す。図１５（ａ）に示すように、配線基板１の各製品領域７の素子領域６の実装領域２に半導体素子１１を搭載し、半導体素子１１と電極配線２１とを金属細線１２などで電気的に接続し、製品領域７よりも一回り大きい封止領域９を一括成型法にて樹脂１３で封止する。そして形成された樹脂封止体１４を必要に応じてスリット１０の箇所で分割する。
【０００５】
その後に、図１５（ｂ）〜（ｄ）に示すように、樹脂封止体１４をその樹脂面をダイシングテープ１５に貼付けて固定したうえで、基板裏面側からダイシングブレード１６をあててダイシングして、各素子領域６に対応する半導体装置に個片化する。その際には、一定方向のカットラインＬａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄに沿って順にカットし、その後にそれと垂直な方向のカットラインＬｅ、Ｌｆ、Ｌｇ、Ｌｈに沿って順にカットする。つまり細長い樹脂封止体片に分割した後に個々の半導体装置へと分割する。
【特許文献１】特開２００２−２４６３３６公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記したように樹脂封止体１４をダイシングする工程において、樹脂封止体片を個々の半導体装置へと分割する際には、切シロ部分（製品領域７の外側）も個片に分割される（図１５（ｄ）参照）。このときに、ダイシングブレード１６の回転速度が速いと、もしくはダイシングブレード１６の送り速度が速いと、切シロ部分と素子領域６との間をカットし終わる直前に、切シロ部分の樹脂１３が、固定されているダイシングテープ１５から剥がれ、弾き飛ぶ現象が起きる。
【０００７】
切シロ部分と素子領域６との間を若干カットし残した状態では、基板は樹脂よりも軟らかいためダイシングブレード１６の回転から来るブレや応力を吸収するが、樹脂はブレや応力をまともに受ける。そして、切シロ部分と素子領域６との繋がりが短くなるにつれ、それによりせん断力が小さくなるにつれ、切シロ部分の樹脂は応力に耐えきれなくなり、ダイシングテープ１５から脱落することとなり、それに伴い個片化される切シロ部分全体が弾き飛んでしまうのである。切シロ部分は、樹脂部分よりも基板部分が突出していて、ダイシングテープ１５に対する結合が不安定であることも要因である（図１５（ｂ）参照）。
【０００８】
結果的に、カット完了直前に弾き飛ぶ切シロ部分の樹脂に引っ張られて、素子領域６上の樹脂の角部分も一緒に飛ばされ、得られる半導体装置の角部分に樹脂カケが発生する。弾き飛んだ切シロ部分や、それより剥がれた樹脂片がダイシングブレード１６に当たり、ダイシングブレード１６の破損を引き起こすこともある。図１５（ｄ）に斜線を付した部分が弾き飛び易い箇所である。
【０００９】
そのため従来は、ダイシングブレード１６の回転速度や送り速度を遅くすることで、切シロ部分の樹脂１３の脱落を抑制し、半導体装置の角部分の樹脂カケやダイシングブレード１６の破損の防止を図ってきたのであるが、このことが、生産性を高められない原因となっている。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑み、ダイシングの際に切シロ部分の樹脂が脱落するのを抑制し、それにより、半導体装置の樹脂カケやダイシングブレードの破損を防止するとともに、生産性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、半導体素子を搭載する実装領域と電極配線とを有した素子領域と、複数の前記素子領域が配列された製品領域と、前記製品領域を囲む外周領域と、前記素子領域の周囲の各辺に沿って前記製品領域まで延伸して設けられるカットラインと、前記外周領域に形成されて前記素子領域と前記外周領域とを封止するように配置される樹脂と係合する係合部とを有し、前記カットライン上は前記係合部の非配置領域であることを特徴とする。
【００１２】
係合部は凹部または凸部であってよい。これら凹部および凸部は各々、円形、長円形、多角形、または十字形であってよい。
複数の素子領域がＸＹ方向にマトリクス状に配列されているときは、係合部は、少なくとも、半導体素子の実装および樹脂封止の後にＸ方向のダイシングとＹ方向のダイシングとをこの順に行って素子領域ごとに分割する際の、Ｙ方向カットラインに沿った外周領域とＹ方向のダイシング時における下流側のＸ方向カットラインに沿った外周領域とに配置される。
【００１３】
係合部は、Ｘ方向およびＹ方向の各素子領域列の端部に対向して少なくとも１つずつ配置されるのが好ましい。また係合部は、各素子領域の端辺に対応する領域内に配置されること、言い換えるとカットライン上に配置されないことが好ましい。
【００１４】
樹脂を基板に強固に結合するためには、係合部は、素子領域の端辺と交わる方向に複数段に配列されること、素子領域の端辺に沿って千鳥配置されること、外周領域とそのさらに外周側の領域とにわたって形成されることがより好ましい。
【００１５】
凸部はレジストを用いて形成されていてもよいし、レジストで金属パターンを被覆して形成されていてもよい。金属パターンは電極配線を構成している金属層と同一の金属層より形成されるのが都合よい。凹部は貫通孔であってもよいし、ザグリ穴であってもよい。
【００１６】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、複数の素子領域が配列された製品領域を備え、前記製品領域を囲む外周領域に樹脂と係合する係合部を有し、前記素子領域の周囲の各辺に沿って前記製品領域まで延伸して設けられるカットライン上は前記係合部の非配置領域である配線基板を準備する工程と、前記配線基板の前記複数の素子領域の各々に半導体素子を実装する工程と、前記半導体素子が実装された前記複数の素子領域と前記外周領域とを樹脂で封止する工程と、前記樹脂により封止され前記樹脂が前記係合部と係合している樹脂封止体を前記カットラインでダイシングして、前記素子領域に対応する半導体装置に個片化する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
樹脂で被覆するときに、素子領域よりもそれを囲む外周領域の樹脂を薄くするのが好ましい。ダイシング時の樹脂の応力を弱めることができるからである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線基板は、配列した素子領域を囲む外周領域に、つまり切シロ部分に、樹脂と係合する係合部を形成したことにより、基板に対する樹脂の固定力をアンカー効果および密着面積の増大によって向上させることができ、ダイシング時の応力を基板側で効果的に吸収して樹脂の脱落を防止することが可能となる。
【００１９】
よって、ダイシングブレードの回転速度や送り速度を従来より大きくしても、切シロ部分の樹脂のダイシングテープ１５からの脱落を防止し、個片化される切シロ部分や樹脂片の弾き飛び、それによる製品の樹脂カケやダイシングブレードの破損を防止することができる。配線基板作成の際の工程を特に増やす必要がないこともあって、生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の第１実施形態の配線基板の構成を示す。（ａ）は同配線基板の素子搭載面、（ｂ）は素子搭載面に背反する電極端子面、（ｃ）（ｄ）はそれぞれ同配線基板のＡ−Ａ’ライン、Ｂ−Ｂ’ラインでの断面を示している。
【００２１】
図１において、配線基板１は、半導体素子を搭載するための実装領域２と製品回路となる電極配線２１とを有する素子領域６をマトリクス状に配列し、その素子領域６のマトリクス（製品領域７）とそれを囲む外周領域８とを一括封止する封止領域９として設定している。また、かかる製品領域７と外周領域８とよりなる封止領域９を所定の間隔で配置し、封止領域９どうしを分離する方向のスリット１０を形成している。
【００２２】
電極配線２１は、半導体素子と電気的導通をとるために実装領域２あるいはその周囲に配置された配線３と、配線３を基板裏面側に引き出すためのビアホール４などの内層配線と、基板裏面に形成された電極端子５とにより構成している。電極配線２１にはＣｕなどを用いる。配線基板１の基材にはガラスエポキシなどを用いる。
【００２３】
この配線基板１が先に図１４を用いて説明した従来のものと相違するのは、製品領域７を囲む外周領域８に、つまり分割の際に切シロとなる領域に、貫通孔１７を形成している点である。
【００２４】
貫通孔１７は、円形で、製品領域７の周囲にバランスよく配置している。詳細には、素子領域６が一定方向に並んだ列ごとに、列の両端部に配置している。より詳細には、素子領域６が横方向に並んだ列については列の右側と左側とに配置しており、素子領域６が縦方向に並んだ列については列の上側と下側とに配置している。各貫通孔１７は、素子領域６の端辺（列幅）に対応する領域内に、端辺よりも小さい寸法で、端辺の中央に相当する位置に形成している。かかる貫通孔１７は、スリット１０と同時に形成すればよいので、配線基板１作成の際の工程を特に増やす必要はない。
【００２５】
図２は半導体装置の製造工程を示す。図２（ａ）に示すように、配線基板１の各製品領域７の素子領域６の実装領域２に半導体素子１１をＡｇペーストなどの接着剤でダイボンディングし、半導体素子１１の回路面の電極と配線３の電極パッドとをＡｌやＡｕの金属細線１２で電気的に接続する。この接続法に代えて、半導体素子１１の回路面の電極にバンプ（はんだやＡｕなど）を形成しておき、半導体素子１１を回路面を下向きに、配線３の電極パッドに対して接続（フリップチップ接続）させてもよい。
【００２６】
次に、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、製品領域７よりも一回り大きい封止領域９を一括成型法にてエポキシ樹脂などの樹脂１３で封止して樹脂封止体１４を形成する。そのためには、加熱された成形金型のキャビティに封止領域９が配置されるように配線基板１をセットし、前記キャビティ内に溶融した樹脂１３を送り込み、硬化させる。
【００２７】
この際に上述の貫通孔１７にも樹脂１３が充填されることになる。この際の配線基板１の膨張収縮はスリット１０で吸収され、また貫通孔１７が上述のように製品領域７の周囲にバランスよく配置されているため膨張収縮が偏ることもないので、封止時の温度変化に起因する接続不良の発生は抑えられる。樹脂封止体１４の形成後に必要に応じて配線基板１をスリット１０の箇所で分割する。
【００２８】
その後に、図２（ｄ）に示すように、樹脂封止体１４をその樹脂面をダイシングテープ１５に貼付けて固定したうえで、基板裏面側からダイシングブレード１６をあててダイシングして、各素子領域６に対応する半導体装置に個片化する。その際には、図２（ｅ）に示すように、縦方向（Ｘ方向）のカットラインＬａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄに沿って順にカットし、その後に横方向（Ｙ方向）のカットラインＬｅ、Ｌｆ、Ｌｇ、Ｌｈに沿って順にカットする。つまり細長い樹脂封止体片に分割した後に個々の半導体装置へと分割する。
【００２９】
この際に、樹脂１３は上記したように外周領域８の貫通孔１７に充填されているため、貫通孔１７が存在しない場合に比べて、配線基板１に対して密着面積の増大とアンカー効果とによって強固に固着されている。しかも貫通孔１７は各列の素子領域６の両端部に配置されているため、いずれのカットラインに沿ってカットするときにも、個片化される各切シロ部分の樹脂１３は配線基板１に固着されている。また貫通孔１７は各素子領域６の端辺に対応する領域内に形成されているため、貫通孔１７内に充填された樹脂１３をダイシングブレード１６でカットすることもない。
【００３０】
このため、ダイシングブレード１６の回転速度や送り速度を従来より大きくしても、ダイシングブレード１６からの応力は基板側に効果的に吸収され、個片化される切シロ部分の樹脂１３のダイシングテープ１５からの脱落、それに伴う前記切シロ部分の弾き飛びは抑制される。したがって、切シロ部分の弾き飛びに起因する半導体装置の角部の樹脂カケやクラック、ダイシングブレード１６の破損を防止することが可能となる。上述したように配線基板作成の際の工程を特に増やす必要もないので、生産性を高めることができる。
【００３１】
図３に示すように、樹脂封止する際に、製品領域７の樹脂部よりも外周領域８の樹脂部を薄く成形することによっても、樹脂１３がダイシングブレード１６から受ける応力を弱めることができる。ここでは、外周領域８のコーナー部の樹脂部に、製品領域７の樹脂部とは段差をなす低位部１３ａを形成するとともに、製品領域７の樹脂部と低位部１３ａとの間、および、低位部１３ａの外周側に、樹脂厚が徐々に小さくなる傾斜部１３ｂ，１３ｃを形成している。
【００３２】
なお、貫通孔１７は、樹脂１３と配線基板１との固着力を向上させて切シロ部分やそれから剥がれた樹脂片の弾き飛びを防止できればよいのであって、上記した位置や形状に限られない。たとえば貫通孔１７は、図４に示すように十字形に形成してもよいし、図５に示すように長円形に形成してもよいし、図６に示すように四角形などの多角形に形成してもよい。樹脂１３とのひっかかりの多い十字形などが好ましいが、設計の制約などに従って適宜デザインを変更すればよい。
【００３３】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、貫通孔１７を、外周領域８とそのさらに外周側の非封止領域とにわたって形成してもよい。図示した貫通孔１７は、スリット１０を避けて、縦方向の素子領域６列の両端部に配置している。各貫通孔１７は、素子領域６の端辺に対応する領域内にあり、外周領域８と非封止領域との境界線を挟む１対の円形穴とこれらを連結するスリットとよりなる。いずれも、製品領域７にできるだけ近づけないように小さく形成している。このように外周領域８と非封止領域とにわたって形成することで、配線基板１に樹脂１３を固着するアンカー効果を高めることができる。
【００３４】
図８に示す貫通孔１７は、マトリクス状に並んだ素子領域６の内、最外側の素子領域６列（縦列および横列）の両端部に、すなわちコーナー部の素子領域６の両端辺に対向して、配置している。
【００３５】
図９に示す貫通孔１７は、マトリクス状に並んだ素子領域６の内、最外側の素子領域６列（縦列および横列）の端部に、すなわちコーナー部の素子領域６の端辺に対向して、配置している。ただし、上述したように縦方向（Ｘ方向）のダイシングと横方向（Ｙ方向）のダイシングとをこの順に行って素子領域６ごとに分割する際の、一方の最外側Ｙ方向カットライン（Ｌｙ）に沿った外周領域と、Ｙ方向のダイシング時における下流側のＸ方向カットライン（Ｌｘ）に沿った外周領域のみに配置している。
ダイシングテープとの接着面積の少ない切シロ部分（コーナー部）が特に弾き飛びやすいので、図８および図９に示すように隣接部分を手当することのみでも有効なのである。
【００３６】
図１０に示す貫通孔１７は、マトリクス状に並んだ素子領域６の内、隣り合う２列の素子領域６の端辺に対応する領域に配置している。貫通孔１７の個数を減らしながらも、各列の素子領域６から切り離される切りシロ部分の樹脂を基板に強固に固定できることとなる。貫通孔１７の個数を減らせることは、貫通孔１７をスリット１０と同時に形成できるとはいえ有利である。
【００３７】
配線基板１が両面配線基板であるときには、つまり基板が単層構造であって両面に配線あるいは電極端子が形成されているだけである場合は、これまで説明したような貫通孔１７を形成するのが都合よい。一方、図１１（ａ）に示すように、多層配線基板であるときには、つまり基板が多層構造（内部に配線層や絶縁層が形成されている）であって両面に配線あるいは電極端子が形成されている場合は、素子搭載面側の表層部のみに開口したザグリ穴１７’としてもよいし、レーザー加工などで全層を貫通する貫通孔としてもよい。図１１（ｂ）に示すように、素子搭載面側にレジスト２０を設ける場合は、レジスト２０にのみ開口したザグリ穴１７’としてもよい。
図１２は本発明の他の配線基板の構成を示す。（ａ）は同配線基板の素子搭載面、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、樹脂封止された状態での同配線基板のＤ−Ｄ’ラインの断面、Ｅ−Ｅ’ラインの断面を示している。
【００３８】
この配線基板１では、図１に示した貫通孔１７と同様の配置および寸法で円形の凸部１８を形成している。各凸部１８は、金属パターン１９をレジスト２０で被覆して形成している。このような凸部１８は、配線３を形成する際の金属層の一部とレジストとを用いて形成できるので、配線基板１作成の際の工程を特に増やす必要はない。
【００３９】
凸部１８を特に高くしたい場合は、図１２（ｃ）に示すように、ベースとなる金属パターン１９（配線３と同じ金属層であれば厚み数μｍ程度）の上にレジスト２０を複数回塗布すればよい。レジストは１回の塗布で数μｍ〜数＋μｍの厚みとすることが可能である。製品領域７はマスクして通常のレジスト厚みとすればよい。
【００４０】
凸部１８は、上述した貫通孔１７と同様に、長円形（図５参照）、四角形（図６参照）、十字形（図４参照）などであってよい。
また凸部１８は、上述した貫通孔１７（図７参照）と同様に、外周領域８とそのさらに外周側の非封止領域とにわたって形成してもよい。樹脂１３の最外周部まで凸部１８のアンカー効果が及ぶため、切シロ部からの微小な樹脂の弾き飛びも抑制される。凸部１８は上述したように金属パターン１９をレジスト２０で被覆して構成しているので、そしてレジスト２０は弾力性を有しているので、封止金型で凸部１８をクランプした時も上下の金型間に隙間はできず、樹脂漏れは発生しない。なおレジスト２０の材料には、感光することで硬化する感光性高分子材料が多用されている。たとえば、ポリビニル系シンナマート、エポキシ樹脂系シンナマート、ポリビニルベンザルアセトフェノンなどである。
【００４１】
このように外周領域８と非封止領域とにわたる貫通孔１７や凸部１８は、製造しようとする半導体装置の種類が異なっても（したがって必要な素子領域６や製品領域７のサイズ等が異なっても）、配線基板１の基板サイズや封止金型を共通化して有効利用しようとする場合に好都合である。封止領域９は封止金型に対応する一定サイズとなるため外周領域８が幅狭くなるときもあるが、外周領域８と非封止領域とにわたる貫通孔１７や凸部１８であれば、外周領域８内における非封止領域の近傍に一端を配置しても樹脂の外周部までアンカー効果が及ぶ。凸部１８を形成するためのマスクも外周領域８の幅に関わらず共用できることとなる。
【００４２】
図１３は本発明のさらに他の配線基板の構成を示す。（ａ）は同配線基板の素子搭載面、（ｂ）（ｃ）はそれぞれ、樹脂封止された状態での同配線基板のＦ−Ｆ’ラインの断面、Ｇ−Ｇ’ラインの断面を示している。
【００４３】
この配線基板１が図１２を用いて説明したものと相違するのは、多数の凸部１８を複数列の素子領域６の端辺に沿って、製品領域７の四方を囲むように、千鳥状に配置している点である。多数の凸部１８を配置することで、樹脂１３に対する密着面積が増大し、アンカー効果が高まり、樹脂１３の脱落が効果的に防止される。このように多数の凸部１８を配置する場合は、各々の凸部１８はあまり高くする必要はなく、レジスト２０のみで形成することも可能である。
【００４４】
千鳥配置のほか、多数の凸部１８を、複数列の素子領域６の端辺に沿って直線状に１列のみ配列してもよいし、複数列に（格子状に）配列してもよいし、ランダムに配列してもよい。いずれも、密着面積を増大し、アンカー効果を高めることができる。
【００４５】
以上、配線基板１に貫通孔１７あるいは凸部１８を形成することで樹脂１３の脱落を防止することを説明してきたが、上述の各貫通孔１７，凸部１８の形状や配置を組み合わせてもよい。また配線基板１と同様に用いられる母材に適用してもよい。かかる母材の一例に、ダイパッド部とリード部とを複数組配列した、いわゆるリードフレームがある。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明に係る配線基板は、複数の半導体素子を一括に樹脂封止した後、ダイシングにより１または複数の半導体素子ごとに個片化するタイプの樹脂封止型半導体装置の製造に広く有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態の配線基板の構成図
【図２】図１の配線基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する方法を説明する断面図
【図３】図１の配線基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際の封止樹脂の形状を示す図
【図４】本発明の第２の実施形態の配線基板の構成図
【図５】本発明の第３の実施形態の配線基板の構成図
【図６】本発明の第４の実施形態の配線基板の構成図
【図７】本発明の第５の実施形態の配線基板の構成図
【図８】本発明の第６の実施形態の配線基板の構成図
【図９】本発明の第７の実施形態の配線基板の構成図
【図１０】本発明の第８の実施形態の配線基板の構成図
【図１１】本発明の第９の実施形態の配線基板の構成図
【図１２】本発明の第１０の実施形態の配線基板の構成図
【図１３】本発明の第１１の実施形態の配線基板の構成図
【図１４】従来の配線基板の構成図
【図１５】図１４の配線基板を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する従来よりある方法を説明する断面図
【符号の説明】
【００４８】
１    配線基板
２    実装領域
３    配線
４    ビアホール
５    電極端子
６    素子領域
７    製品領域
８    外周領域
９    封止領域
11    半導体素子
13    樹脂
17    貫通孔（係合部）
18    凸部（係合部）
19    レジスト
20    金属パターン
21    電極配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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