(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する一方、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出し、
前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式：ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）ｎで表わされる物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、ｎは整数を表す。）である
ことを特徴とする処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体以外のガスを含まない
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、不活性ガスとＮ２ガスの片方又は両方をさらに含む
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項４】
請求項３に記載のクリーニング方法であって、
前記クリーニングガスが、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体、前記不活性ガス、前記Ｎ２ガス以外のガスを含まない
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のクリーニング方法であって、
前記カルボン酸誘導体がＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）である
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のクリーニング方法であって、
前記処理装置が、成膜装置である
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のクリーニング方法であって、
前記電極又は配線を形成する金属が、銅である
ことを特徴とするクリーニング方法。
【請求項８】
被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する工程と、
前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程と、
を具備し、
前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式：ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）ｎで表わされる物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、ｎは整数を表す。）である
ことを特徴とする処理装置のクリーニング方法。
【請求項９】
請求項８に記載のクリーニング方法であって、
前記錯体化する工程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体化する工程と前記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれることを特徴とするクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は処理装置のクリーニング方法に係り、更に詳細には処理装置の処理チャンバ内壁に付着した金属等を除去するクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来よりＣＶＤなどの処理装置では、シリコンウエハ（以下「シリコンウエハ」を単に「ウエハ」と略す。）等の被処理基板を収容した処理チャンバ内を略真空状態に保ち、この処理チャンバ内に銅などのウエハ上に析出させたい各種金属を含んだ処理ガスを供給してウエハ上に金属を薄膜状に析出させる。この処理ガスが処理チャンバの内壁に付着すると処理チャンバの内壁上にも金属の薄膜が形成される。この処理チャンバ内壁に付着した金属薄膜をそのまま放置するとウエハの処理時にトラブルを引き起こす原因となるので定期的に処理チャンバ内をクリーニングして内壁に付着した金属薄膜を除去する必要がある。
【０００３】
ここで、銅はイオン化が難しくなかなか処理できないので、クリーニングする方法として、従来は銅などの金属薄膜が付着した処理チャンバ内に酸化剤を供給して銅の金属薄膜を酸化して酸化銅に変化させ、その後にこの酸化銅を除去することによりクリーニングを行っていた。
【０００４】
例えば、特開平１１−１４０６５２号公報には、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させて金属酸化物を形成し、しかる後にこの酸化物を錯化して金属錯体を形成し、次いで処理チャンバ内を真空引きしてこの金属錯体を昇華することにより処理チャンバ内壁に付着した金属膜を除去する処理装置のクリーニング方法が開示されている。
【０００５】
しかしこの方法では、酸化工程、錯化工程、及び昇華工程という３段階の工程を必要とするために処理全体の工数が多く煩雑であるという工程上の問題がある。
【０００６】
また、上記方法では錯化工程にβジケトンを用いているが、このβジケトンは高価であるため、クリーニングの材料コストが高くなるというコスト上の問題がある。
【０００７】
更に、上記方法では、最初の段階で酸化を行なっているため、処理チャンバ内に酸素が残留することがあり、この残留酸素による処理チャンバの劣化やウエハへの悪影響が懸念されるという処理装置へ与える影響の問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来の問題を解決するためになされた発明である。
【０００９】
即ち、本発明は、少ない工程数で効率よく処理装置をクリーニングすることができるクリーニング方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また本発明は、高価なクリーニング材料を用いることなく低コストで効率よく処理装置をクリーニングすることができるクリーニング方法を提供することを目的とする。
【００１１】
更に本発明は、クリーニング前後で処理装置の処理能力が低下したり、処理されたウエハの品質が変動することのないクリーニング方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のクリーニング方法は、被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する一方、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出し、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式：ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）ｎで表わされる物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、ｎは整数を表す。）であることを特徴とする。
【００１３】
上記クリーニング方法において、「電極又は配線に用いる金属」としては、例えば銅、アルミニウム、金、銀等の金属が挙げられ、特に銅の場合に有効である。
【００１４】
また「電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質」とは、酸化性ガスにより金属酸化物や金属塩の形成を経由することなく、直接前記金属と錯体を形成する物質をいう。この直接前記金属と錯体を形成する物質の例としては、例えばカルボン酸又はカルボン酸誘導体が挙げられる。
更に具体的には、例えば、ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）nで表される物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、ｎは整数を表す）があげられ、より具体的にはＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）が好ましい。
上記方法において、処理装置としては例えば、ＣＶＤ（化学的気相成長装置）、ＰＶＤ（物理的気相成長装置）、メッキ装置などの成膜装置が挙げられ、他にエッチング装置や、ＣＭＰ（化学機械研磨）装置といったものも挙げられる。
【００１５】
また本発明の他のクリーニング方法は、被処理基板を処理する処理装置の処理チャンバ内に、カルボン酸又はカルボン酸誘導体を含み酸化剤を含まないクリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した電極又は配線を形成するための金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程と、を具備し、前記カルボン酸又はカルボン酸誘導体が次式：ＲＣＯＯＨ、ＲＣＯＯＲ´、又はＲ（ＣＯＯＨ）ｎで表わされる物質（Ｒ、Ｒ´はハロゲン原子を含むことがある炭化水素基を表し、ｎは整数を表す。）であることを特徴とする。
【００１６】
上記方法において、前記錯体を形成する工程及び前記排出する工程はそれぞれ断続的に行なわれ、かつ、前記錯体を形成する工程と前記排出する工程とは繰り返し交互に行なわれても良い。
【００２３】
本発明によれば、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができる。
【００２４】
また、クリーニング剤としてＴＦＡＡのような有機カルボン酸等の安価な材料を用いることにより低コストでクリーニングできる。
【００２５】
更に、処理チャンバ内に付着した金属の酸化工程がないので、残留酸素による弊害を招く虞れがない。
【００２６】
また、前記金属を錯体化する工程と、減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを二つの段階に分けても良く、その場合には錯体化した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニングすることができる。
【００２７】
更に、前記錯体化工程と前記排出工程とをそれぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうすることにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よくクリーニングすることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施の形態に係るクリーニング方法、及び処理装置について以下に説明する。
【００３２】
図１は、本発明に係るクリーニング機構を備えたＣＶＤ処理装置の全体構成を示した垂直断面図である。
【００３３】
図１に示したように、この処理装置１０は、例えばアルミニウム等により略円筒形に形成された処理チャンバ１を備えている。
【００３４】
処理チャンバ１の天井部には、この中に処理ガスを供給するためのシャワーヘッド１３が設けられている。このシャワーヘッド１３は、処理ガス供給用配管１４を介して供給された処理ガスをシャワーヘッド１３内の拡散室１３ａ内で一旦拡散させた後、拡散室１３ａの底板に穿孔した複数の吐出孔１３ｂ，１３ｂ，…からサセプタ２上に載置されたウエハＷに向けて吐出するようになっている。
【００３５】
処理チャンバ１の内部には被処理基板としての例えばウエハＷを載置するためのグラファイト等で形成されたサセプタ２が、底部より支柱３を介して保持されている。このサセプタ２の材質としては、例えば、アモルファスカーボン、コンポジットカーボン、ＡｌＮなどを用いることができる。このサセプタ２の下方には、例えば図示しない昇降手段により上下移動可能に配設された石英ガラス製のリフタピン４が設けられており、サセプタ２に設けた貫通孔４Ａを挿通してウエハＷの搬出入時にこれを持ち上げるようになっている。
【００３６】
サセプタ２の内部には、ニクロム線等によりなる強力なヒータ（図示省略）が設けられており、このヒータからの熱により上記処理チャンバ１内のサセプタ２を加熱し、この熱でウエハＷを所定の温度、例えば１５０〜３００℃程度に間接的に加熱維持できるようになっている。
【００３７】
処理チャンバ１の側壁には、処理チャンバ１に対してウエハＷを搬入・搬出するときに開閉されるゲートバルブ１１が配設されており、処理チャンバ１の底部周縁部には、図示しない真空ポンプに接続された排気口１２が設けられ、処理チャンバ１内を真空引きできるようになっている。
【００３８】
図２は本実施形態に係る処理装置の配管系路を模式的に示した図である。
【００３９】
図２に示したように、処理チャンバ１内のシャワーヘッド１３に接続された処理ガス供給用の配管１４の上流側の先端側１４Ａは処理剤を収容した処理剤タンク１７に接続されている。
【００４０】
処理剤タンク１７の上部にはアルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管１８が開閉バルブ１９と共に配設されており、この配管１８を介してアルゴンなどの不活性ガスを処理剤タンク１７内に供給することにより処理剤の液面が押され、この力で処理剤タンク１７内の処理剤が配管１４内に供給されるようになっている。
【００４１】
この処理剤タンク１７内には配線又は電極を形成するのに用いられる金属、例えば銅の薄膜を形成する処理剤が収容されている。例えば銅を含む前駆体であり、更に詳細には下記の物質を挙げることができる。
【００４２】
即ち、Ｃｕ+1(ヘキサフルオロアセチルアセトネート)とシリロレフィン配位子を含み、前記シリロレフィン配位子は、トリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）、ジメトキシメチルビニルシラン（ＤＭＯＭＶＳ）、メトキシジメチルビニルシラン（ＭＯＤＭＶＳ）、トリメトキシビニルシラン（ＴＭＯＶＳ）、トリエトキシビニルシラン（ＴＥＯＶＳ）、エトキシメトキシメチルビニルシラン（ＥＯＭＯＭＶＳ）、ジエトキシメチルビニルシラン（ＤＥＯＭＶＳ）、ジエトキシメトキシビニルシラン（ＤＥＯＭＯＶＳ）、エトキシジメトキシビニルシラン（ＥＯＤＭＯＶＳ）、エトキシジエチルビニルシラン（ＥＯＤＥＶＳ）、ジエトキシエチルビニルシラン（ＤＥＯＥＶＳ）、ジメトキシエチルビニルシラン（ＤＭＯＥＶＳ）、エトキシジメチルビニルシラン（ＥＯＤＭＶＳ）、メトキシジエチルビニルシラン（ＭＯＤＥＶＳ）、
およびエチルメトキシメチルビニルシラン（ＥＭＯＭＶＳ）からなる群から選択される物質が挙げられる。
【００４３】
配管１４の途中には液体マスフローコントローラ１５Ｂが配設されており、処理剤タンク１７から汲み出された処理剤の流量を調節する。マスフローコントローラ１５Ｂの処理剤移動方向上流側には開閉バルブ１５Ａが配設され、マスフローコントローラ１５Ｂの処理剤移動方向下流側には開閉バルブ１５Ｃが配設されている。
【００４４】
マスフローコントローラ１５Ｂと開閉バルブ１５Ｃとを繋ぐ配管１４Ｂには途中でドレインとして機能する分岐配管１４Ｃが接続され、開閉バルブ１５Ｄが配設されている。開閉バルブ１５Ｃの更に下流側には気化器１６が配設され、処理剤がここで気化されるようになっている。気化器１６の更に下流側の配管１４Ｄは開閉バルブ１６Ｃを介してシャワーヘッド１３に接続されている。また配管１４Ｄには途中でドレインとして機能する分岐配管１４Ｅが接続され、開閉バルブ１６Ｅが配設されている。
【００４５】
気化器１６には配管１４とは別のクリーニング用の配管２０が配設されている。
【００４６】
図２に示したように、気化器１６に接続されたクリーニング用の配管２０の上流側の先端側２０Ａは例えばＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）などのクリーニング剤を収容したクリーニング剤タンク２１に接続されている。
【００４７】
クリーニング剤タンク２１の上部にはアルゴンなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給用の配管２２が開閉バルブ２３と共に配設されており、この配管２２を介してアルゴンなどの不活性ガスをクリーニング剤タンク２１内に供給することによりクリーニング剤の液面が押され、この力でクリーニング剤タンク２１内のクリーニング剤が配管２０内に供給されるようになっている。配管２０の途中にはマスフローコントローラ２５が配設されており、クリーニング剤タンク２１から汲み出されたクリーニング剤の流量を調節する。マスフローコントローラ２５のクリーニング剤移動方向上流側には開閉バルブ２４が配設され、マスフローコントローラ２５のクリーニング剤移動方向下流側には開閉バルブ２７が配設されている。
【００４８】
マスフローコントローラ２５と開閉バルブ２７とを繋ぐ配管２０Ｂには途中でドレインとして機能する分岐配管２０Ｃが接続され、開閉バルブ２６が配設されている。開閉バルブ２７の更に下流側には分岐配管２０Ｄが配設され、この分岐配管２０Ｄには開閉バルブ２８が配設されている。
【００４９】
気化器１６及びこの気化器１６より下流側の配管１４にはリボンヒータなどのヒータ３０が配設されており、気化器１６及びこの気化器１６より下流側の配管を所定の温度まで加熱することができるようになっている。
【００５０】
次に本発明のクリーニング方法を用いて処理装置のクリーニングを行う場合の手順について説明する。図３は本発明のクリーニング方法を実施する場合のフローを示したフローチャートである。
【００５１】
処理装置のクリーニングを行う場合には、まず開閉バルブ１９，１５Ａ，１５Ｃなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止する（ステップ１）。
【００５２】
次に、ヒータ３０の電源をオンにして気化器１６及びこの気化器１６より下流側の配管１４と処理チャンバ１を所定の温度、例えば３００℃まで加熱する（ステップ２）。
【００５３】
次いで、開閉バルブ２３，２４，２７，１６Ｃを開き、マスフローコントローラ２５をオンにしてクリーニング剤の供給を開始する（ステップ３）。
【００５４】
クリーニング剤タンク２１から配管２０を介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤は気化器１６の作用と熱とで気化され、気化器１６の内壁や配管１４の内壁、更に、処理チャンバ１の内壁に付着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金属と接触する。このとき、気化器１６、配管１４及び処理チャンバ１内は十分高い温度に加熱されているので、供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速やかに錯体を形成する。
【００５５】
一方、処理チャンバ１内は真空引きされて減圧状態に保たれているので、上記のようにして形成された金属錯体は昇華して処理チャンバ１外へ排出される。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いて処理装置のクリーニングを行うので、少ない工数で簡単且つ短時間にクリーニングすることができる。
【００５７】
また、上記実施形態で用いたようなＴＦＡＡ（トリフルオロ酢酸）などの廉価な物質を用いることによりクリーニングにかかる材料コストを低減化することができる。
【００５８】
更に、上記実施形態で示したような処理ガス供給配管の気化器にクリーニングガスを供給する機構を備えた処理装置を用いることにより、処理チャンバのみならず、処理ガス供給配管内に付着した銅などの金属をも簡単にクリーニングすることができる。
【００５９】
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６０】
上記実施の形態で説明したような処理装置を用いて、表面に厚さ５０００オングストロームの銅が成膜されたウエハＷをサセプタ２の上に設置した後、処理チャンバ１内の雰囲気を純窒素に置換した。サセプタ２を３００℃まで加熱し、処理チャンバ１内の圧力を１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）になるよう調節した。圧力を一定に保ちながら、供給配管１４を経由して、ＴＦＡＡ３５ｓｃｃｍ、希釈Ｎ2 を供給した。そのまま１０分間同じ状態を維持した後、ＴＦＡＡとＮ2 を供給した。
【００６１】
供給を停止し、処理チャンバ１内の残留ガスを排気した後、ウエハＷを払い出した。
【００６２】
走査型電子顕微鏡による観察結果から、ウエハＷ上の銅がドライクリーニングにより全て除去されたことが確認された。
【００６３】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、以下の実施形態について先行する実施形態と重複する内容については説明を省略する。
【００６４】
本実施形態では、処理チャンバ内に付着した金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引きにより昇華させて除去する工程との２段階に分かれた構成とした。
【００６５】
図４は本実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【００６６】
本実施形態に係るクリーニング方法を実施するには、まず図３のフローチャートに示したように、図２に示した処理装置において、開閉バルブ１９，１５Ａ，１５Ｃなどのバルブを閉じて処理剤の供給を停止する（ステップ１）。
【００６７】
次に、ヒータ３０の電源をオンにして気化器１６及びこの気化器１６より下流側の配管１４と処理チャンバ１を所定の温度、例えば３００℃まで加熱する（ステップ２）。
【００６８】
次いで、開閉バルブ２３，２４，２７，１６Ｃを開き、マスフローコントローラ２５をオンにしてクリーニング剤の供給を開始する（ステップ３）。
【００６９】
クリーニング剤タンク２１から配管２０を介してクリーニング剤が供給されると、クリーニング剤は気化器１６の作用と熱とで気化され、気化器１６の内壁や配管１４の内壁、更に、処理チャンバ１の内壁に付着した銅などの、半導体装置の電極や配線を形成する金属と接触する。このとき、気化器１６、配管１４及び処理チャンバ１内は十分高い温度に加熱されているので、供給されたクリーニング剤と前記金属とが接触すると速やかに錯体を形成する。
【００７０】
所定時間が経過して前記金属の錯体化が十分行なわれたら開閉バルブ２３、２４、２７を閉じてクリーニング剤の供給を停止する。
【００７１】
それと同時に真空ポンプを作動させて処理チャンバ１内を真空引きする（ステップ４）。
【００７２】
処理チャンバ１内を真空引きすることにより前記ステップ３で形成した前記金属の錯体を昇華させ、処理チャンバ１の外へ排出する。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを別々の工程に分けた２段階の構成としたので、錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの効率が向上するという特有の効果が得られる。
【００７４】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００７５】
本実施形態では、処理チャンバ内に付着した金属を錯体化する工程と、形成された錯体を真空引きにより昇華させて除去する工程との２段階の工程を断続的に繰り返し行なう構成とした。
【００７６】
図５は本実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【００７７】
本実施形態に係るクリーニング方法を実施するには、前記第２の実施形態と同様に、処理剤の供給停止（ステップ１）、気化器、配管、処理チャンバの加熱（ステップ２）、クリーニング剤の供給を開始する。（ステップ３）。
【００７８】
処理チャンバ内壁に付着した金属の表面が十分錯体化されたと思われる所定時間が経過したらクリーニング剤の供給を停止し（ステップ４）、処理チャンバの真空引きを開始する（ステップ５）。
【００７９】
ステップ３で形成された金属錯体が十分昇華されて処理チャンバ外へ排出されたと思われる所定時間経過後、真空引きを停止する（ステップ６）。
【００８０】
次いで処理チャンバ内壁に付着した金属の量を確認する（ステップ７）。この確認作業は直接処理チャンバの内壁の金属付着状態を確認してもよいし、モニタリング用ウエハの表面に形成した金属膜の残存量を確認することにより行なってもよい。
【００８１】
ステップ７の確認の結果、処理チャンバ内の金属付着量が十分低減された場合にはクリーニングを終了する。
【００８２】
反対にステップ７の確認の結果、処理チャンバ内の金属付着量が十分低減されていない場合にはステップ３〜７の操作を繰り返し行ない、最終的に付着金属がなくなるまでクリーニング操作を継続する。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態に係るクリーニング方法では、前記金属を錯体化する錯体化工程と、かくして形成した錯体を昇華する昇華工程とを２段階に分けると共に断続的に繰り返し行なっているので、錯体化と昇華とをそれぞれ完全に行なうことができ、クリーニングの効率が向上するという特有の効果が得られる。
【００８４】
なお、本発明は上記実施形態に記載された範囲に限定されない。例えば、上記実施形態では処理装置としてＣＶＤを例にして説明したが、ＣＶＤ以外の処理装置例えばＰＶＤ等にも適用できる。
【００８５】
また、上記実施形態では処理チャンバに処理剤を供給する配管の途中にＴＦＡＡ等のクリーニング剤を供給する構成としたが、処理チャンバ内に直接クリーニング剤を供給する配管を備えた処理装置にも本発明を適用することができる。
【００８６】
更に上記実施形態ではシリコンウエハの処理装置を例にして説明したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用ガラス基板を処理する処理装置にも適用できる。
【００８７】
【発明の効果】
本発明によれば、電極又は配線を形成する金属を直接錯体化する物質を含むクリーニングガスを用いてクリーニングするので、処理チャンバ内にクリーニングガスを供給するとチャンバ内壁に付着した金属が短時間で錯体化され、そのまま真空引きすることにより除去される。そのため、クリーニングを行なう際の工程数が少なく、短時間で簡単にクリーニングすることができる。
【００８８】
また、クリーニングガスに含まれる物質にはＴＦＡＡのような有機カルボン酸など、安価な材料を用いるのでクリーニングの材料コストが嵩まず、低コストでクリーニングできる。
【００８９】
更に、処理チャンバ内に付着した金属を酸化させる工程がないので、残留酸素による処理チャンバの破損や処理装置の処理能力が変動する虞れがない。
【００９０】
また本発明のクリーニング方法では、前記クリーニングガスを供給して前記処理チャンバ内に付着した前記金属を錯体化する工程と、前記処理チャンバ内を減圧して前記錯体を前記処理チャンバ外へ排出する工程とを二つの段階に分けても良い。その場合には錯体化した前記金属を順次排出するので効率よくクリーニングすることができる。
【００９１】
更に前記錯体化工程と前記排出工程とをそれぞれ断続的に行ない、かつ、前記錯体化工程と前記排出工程とを繰り返し交互に行なっても良い。こうすることにより錯体化と排出とが完全に行なわれるので効率よくクリーニングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置（ＣＶＤ）の全体構成を示した垂直断面図である。
【図２】本発明に係る処理装置の配管系路を模式的に示した図である。
【図３】第１の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【図４】第２の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【図５】第３の実施形態に係るクリーニング方法のフローチャートである。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（被処理基板）、
１…処理チャンバ、
２…サセプタ、
７…ヒータ、
１７…処理剤タンク（処理剤供給系）、
１６…気化器、
１４…配管、
２０…配管、
１５Ｂ…マスフローコントローラ（処理剤供給系）、
２１…クリーニング剤タンク、
３０…ヒータ。
【図１】
0004663059.tif 000002
【図２】
0004663059.tif 000003
【図３】
0004663059.tif 000004
【図４】
0004663059.tif 000005
【図５】
0004663059.tif 000006