(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線波長範囲の光子（２）による画像（１１）の撮影に用いられる検出器（３）と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニット（８）とを備え、
評価ユニット（８）は、画像処理プロセス（１７，１８，２２，２６）において使用可能な補正画像の作成と関連してシステムパラメータ（１９，２３）の現在値を検出し、このシステムパラメータ（１９，２３）の時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像（１７，１８，２６）の新たな作成を要求し、
評価ユニット（８）は、較正（１６）の実行と関連して基準システムデータ（１９）を検出し、その後に現在の比較システムデータ（２０）を取得し、比較システムデータ（２０）が基準システムデータ（１９）から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正（１６）を要求する画像撮影装置において、
検出器（３）は、シンチレータ（４）と、このシンチレータ（４）内に発生された光を吸収するホトダイオード（６）の領域を有する能動マトリックス（５）とを有する平面形画像検出器（３）であり、
画像撮影装置は光波長範囲の光子（１５）のための光源（１４）を有し、評価ユニット（８）はこの光源（１４）および能動マトリックス（５）を用いて撮影された前記光波長範囲の光子（１５）による画像を基準システムデータ（１９）および比較システムデータ（２０）として使用することを特徴とする画像撮影装置。
【請求項２】
評価ユニット（８）は基準システムデータ（１９）および比較システムデータ（２０）から商画像を算出することを特徴とする請求項１記載の画像撮影装置。
【請求項３】
評価ユニット（８）は、商画像の値の平均値が予め定められた限界値を上回る場合に新たな較正（１６）を要求することを特徴とする請求項２記載の画像撮影装置。
【請求項４】
評価ユニット（８）は、商画像内のノイズが予め定められた基準を上回る場合に新たな較正（１６）を要求することを特徴とする請求項２記載の画像撮影装置。
【請求項５】
評価ユニット（８）は、商画像の１つ又は複数の予め定めた領域における値の平均値が予め定められた基準だけ異なる場合に新たな較正（１６）を要求することを特徴とする請求項２記載の画像撮影装置。
【請求項６】
評価ユニット（８）は、較正（１６）と関連して基準欠陥画像（１９）を検出し、その後に現在の比較欠陥画像（２０）を取得し、比較欠陥画像（２０）の欠陥の数が基準欠陥画像（１９）の欠陥の数に比較して予め定められた基準より大きい場合に新たな較正（１６）を要求することを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の画像撮影装置。
【請求項７】
評価ユニット（８）は、較正（１６）と関連して検出器（３）の基準温度（１９）を検出し、その後に検出器（３）の現在の比較温度（２０）を取得し、現在の比較温度（２０）が基準温度（１９）から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正（１６）を要求することを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の画像撮影装置。
【請求項８】
評価ユニット（８）は、オフセット画像（２２，２６）の撮影と関連して基準システムデータ（２３）を検出し、その後に現在の比較システムデータ（２５）が基準システムデータ（２３）から予め定められた基準だけずれている場合に新たなオフセット画像（２２，２６）の撮影を指示することを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の画像撮影装置。
【請求項９】
基準システムデータ（２３）および比較システムデータ（２５）は検出器（３）の温度値であることを特徴とする請求項８記載の画像撮影装置。
【請求項１０】
基準システムデータ（２３）および比較システムデータ（２５）は画像撮影装置のシステム時間の値であることを特徴とする請求項８記載の画像撮影装置。
【請求項１１】
比較システムデータ（２５）はＸ線波長範囲の光子（２）による画像（１１）の暗基準区域におけるオフセット補正された画像の値であることを特徴とする請求項８記載の画像撮影装置。
【請求項１２】
画像処理ユニットはＸ線波長範囲の光子（２）による画像（１１）の補正のためにオフセット画像（２２，２６）の線形結合を使用することを特徴とする請求項８乃至１１の１つに記載の画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高エネルギー光子による高エネルギー画像（Ｘ線波長範囲の光子による画像）の撮影に用いられる検出器と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニットとを有する画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の画像撮影装置はＸ線装置の形態で一般的に知られている。現在、ディジタルＸ線画像化のためのＸ線装置は開発段階にある。ディジタルＸ線画像化のための新式のＸ線装置はとりわけいわゆる平面形画像検出器を使用する。この平面形画像検出器は、直接変換式の平面形画像検出器と間接変換式の平面形画像検出器とに分類される。
【０００３】
間接変換式の平面形画像検出器はアモルファスシリコンからなる読取マトリックスを覆う平面状に広がるシンチレータを有する。シンチレータには種々の材料が使用される。通常の材料はＣｓＩまたはＧｄ2Ｏ2Ｓを基にして形成されている。読取マトリックスは、シンチレータにおいてＸ線入射時に発生した光を電荷に変換する多数のホトダイオードを含む。電荷はそれぞれ個々のホトダイオードに付設された静電容量に蓄えられ、撮影過程の終了後に能動スイッチング素子によって読み取られ、アナログディジタル変換器によりディジタルデータに変換される。
【０００４】
直接変換式の平面形画像検出器の場合、入射するＸ線が、標準的にはアモルファスセレンからなる光導電層において電荷に変換され、光導電層に隣接する電極に蓄えられ、引続いて能動スイッチング素子により電極から読み取られる。
【０００５】
新式の平面形画像検出器により発生されたディジタルデータは生の状態では診断目的には利用できない。なぜならば、平面形画像検出器の個々の検出器要素いわゆるピクセルの光学的および電気的特性が激しく変化するからである。例えば個々のホトダイオード、スイッチングトランジスタおよびスイッチングダイオードは種々の感度および電気的特性、とりわけ種々の漏れ電流を有する。更に、製造時から既に抵抗値および静電容量値が行ごとに、列ごとに、あるいはピクセルごとに相異する。ホトダイオードまたは電極の読み取りに使用される増幅器チップの個々の入力も異なる特性を有する。
【０００６】
多数の隣接配置された個々の部分マトリックスからなる平面形画像検出器の場合には相違が特に大きい。なぜならば個々の部分マトリックスの光学的および電気的特性は激しく変化し得るからである。これらの部分マトリックスは、それぞれ別々に作られたアモルファスシリコン板であってもよいし、あるいは異なる検出器範囲を読取・駆動電子回路の異なるチップに割り当てることによって読取マトリックスの回路技術的な区分によって生じてもよい。
【０００７】
この理由およびその他の理由から、規則的な間隔で較正およびオフセット取得を行なうことが必要である。
【０００８】
オフセット画像を得るためのオフセット取得では、標準的にはミリ秒間隔〜分間隔で暗像が撮影される。なぜならばオフセットは主に、検出器温度に強く依存する漏れ電流によって決まるからである。漏れ電流は急速なオフセット変動をもたらし得る。なぜならば検出器温度自体は周囲温度と発生した電力損失に基づいて運転時に発生する温度変化とに依存するからである。
【０００９】
オフセット取得の他の理由はゴースト画像アーチファクトの補正の可能性である。平形画面検出器においてＸ線画像は一般に指数関数的に減衰する画像記憶を残す。このような画像記憶は標準的には約１０〜３０秒後に消える。しかしながら、約３０ミリ秒毎にＸ線画像が撮影されなければならない医療用途が存在する。これに関する例は、種々のエネルギー範囲のＸ線光子による撮影法、個々のＸ線画像が合成される全身撮影、あるいは簡単な胸部撮影である。
【００１０】
オフセット取得と違って、較正は日間隔、週間隔あるいは月間隔でさえも行なわれる。というのはその際に得られるデータはこれらの時間間隔に基づくほかに画像撮影装置の現在の状態を十分な精度で再現するからである。
【００１１】
較正の実施は種々の露出条件下で多数のＸ線画像の撮影を必要とする。次に、生データからオフセットが除去され、個々のピクセルの感度が決定されることによって、Ｘ線画像はいわゆるゲイン画像およびいわゆる欠陥画像に加工される。ゲイン画像は個々の検出器要素の感度を再現し、欠陥画像は完全に故障している検出器要素または標準的に動作しない検出器要素を示す。較正の実施は標準的には約１時間かかり、一般に人の存在を必要とする。
【００１２】
較正およびオフセット取得の実施は以下では補正画像の作成とも呼ぶ。較正時またはオフセット取得時に作成された補正画像は、その後、画像処理ユニットにおいて、ディジタル生データからアーチファクトのない診断に適したＸ線画像を作成するために使用される。
【００１３】
基本的には、補正画像が画像撮影装置の現在の状態を記述することを保証するために、補正画像はできるだけ頻繁に作成されるべきである。他方では補正画像の撮影は時間がかかり動作経過の妨げとなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
この従来技術に基づいて、本発明の課題は、撮像すべき対象から高品質の高エネルギー画像を供給し、画像撮影装置の動作が補正画像の作成によってできるだけ中断されない画像撮影装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この課題は、本発明によれば、Ｘ線波長範囲の光子による画像の撮影に用いられる検出器と、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する評価ユニットとを備え、評価ユニットは、画像処理プロセスにおいて使用可能な補正画像の作成と関連してシステムパラメータの現在値を検出し、このシステムパラメータの時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像の新たな作成を要求し、評価ユニットは、較正の実行と関連して基準システムデータを検出し、その後に現在の比較システムデータを取得し、比較システムデータが基準システムデータから予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正を要求する画像撮影装置において、
検出器は、シンチレータと、このシンチレータ内に発生された光を吸収するホトダイオードの領域を有する能動マトリックスとを有する平面形画像検出器であり、
画像撮影装置は光波長範囲の光子のための光源を有し、評価ユニットはこの光源および能動マトリックスを用いて撮影された前記光波長範囲の光子による画像を基準システムデータおよび比較システムデータとして使用することによって解決される。
【００１６】
画像撮影装置において、評価ユニットが、補正画像作成との関係で、画像撮影装置の状態を記述するシステムパラメータを検出する。更に、画像撮影装置はこのシステムパラメータの時間的動向を監視し、予め定められた限界値を上回る場合に補正画像の新たな作成を要求する。従って、補正画像は、監視されたシステムパラメータの値が最後の補正画像を作成した時間でのシステムパラメータの値に比べて著しく変化している場合にのみ作成される。従って、補正画像は、監視されたシステムパラメータの激しい変化に基づいて、新たな補正画像が作成されなければならないことが推測される場合にのみ作成される。従って、補正画像の作成は必要に応じて制御されて行なわれる。これによって補正画像の作成に必要な時間だけが使用される。結局、動作経過もできる限り僅かにしか妨げられない。
【００１７】
有利な実施態様では、画像撮影装置は、間接変換式の検出器を含み、さらにその検出器に当てられる低エネルギー光子（光波長範囲の光子）のための光源を備えている。低エネルギー光子により、較正の実行と関連して他の低エネルギー画像が撮影される。低エネルギー画像の撮影は較正終了後に短い時間間隔で繰り返される。相次いで撮影された低エネルギー画像の評価によって検出器の状態を推定することができる。なぜならば、低エネルギー画像は読取マトリックスおよびその後に接続された読取電子回路の状態を示すからである。シンチレータにおける高エネルギー放射の低エネルギー光子への変換だけは検出されない。新たな較正の実行が必要であるという評価が得られたならば、評価ユニットは、新たな補正画像を撮影することを信号化する。
【００１８】
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、較正の実行と関連して暗画像の形で欠陥画像を検出し、その後に欠陥の個数を監視する。
【００１９】
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、較正の実行と関連して検出器の温度を検出する。後に続く監視において、検出器の温度が予め定められた限界値を上回ったことが示された場合、評価ユニットは較正の新たな実行を要求する。検出器の温度は検出器の画素の増幅率への著しい影響を有するので、このようにして画像アーチファクトの確実に補償を達成することができる。
【００２０】
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、オフセット取得と関連してオフセット補正された高エネルギー画像の暗基準区域を監視する。暗基準区域においては高エネルギー画像の値がオフセット画像の値と等しくあるべきであるので、オフセット補正された高エネルギー画像はもっぱら０の値を示すべきである。実際の値が予め与えられた閾値を上回る場合、評価ユニットは、補正画像の新たな作成、この場合にはオフセット画像の撮影を指示する。
【００２１】
他の有利な実施態様では、評価ユニットは、オフセット取得の実施と関連して検出器の温度を検出する。後に続く監視において、検出器の温度が予め定められた限界値を上回ったことが示された場合、評価ユニットはオフセット画像の新たな撮影を要求する。検出器の温度は検出器の画素のオフセットへの著しい影響を有するので、このようにして画像アーチファクトの確実な補償を達成することができる。
更に、最後のオフセット取得から経過した時間を監視することは有意義である。このようにして、長い時間の間、欠陥のあるオフセット画像が使用されないことが保証されている。
【００２２】
なお、本発明の有利な実施態様は次のように列記される。
（１）評価ユニットは基準システムデータおよび比較システムデータから商画像を算出する（請求項２）。
・評価ユニットは、商画像の値の平均値が予め定められた限界値を上回る場合に新たな較正を要求する（請求項３）。
・評価ユニットは、商画像内のノイズが予め定められた基準を上回る場合に新たな較正を要求する（請求項４）。
・評価ユニットは、商画像の複数の予め定めた領域における値の平均値が互いに予め定められた基準だけ異なる場合に新たな較正を要求する（請求項５）。
（２）評価ユニットは、較正と関連して基準欠陥画像を検出し、その後に現在の比較欠陥画像を取得し、比較欠陥画像の欠陥の数が基準欠陥画像の欠陥の数に比較して予め定められた基準より大きい場合に新たな較正を要求する（請求項６）。
（３）評価ユニットは、較正と関連して検出器の基準温度を検出し、その後に検出器の現在の比較温度を取得し、現在の比較温度が基準温度から予め定められた基準だけずれている場合に新たな較正を要求する（請求項７）。
（４）評価ユニットは、オフセット画像の撮影と関連して基準システムデータを検出し、その後に現在の比較システムデータが基準システムデータから予め定められた基準だけずれている場合に新たなオフセット画像の撮影を指示する（請求項８）。
・基準システムデータおよび比較システムデータは検出器の温度値である（請求項９）。
・基準システムデータおよび比較システムデータは画像撮影装置のシステム時間の値である（請求項１０）。
・比較システムデータはＸ線波長範囲の光子による画像の暗基準区域におけるオフセット補正された画像の値である（請求項１１）。
・画像処理ユニットはＸ線波長範囲の光子による画像の補正のためにオフセット画像の線形結合を使用する（請求項１２）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施例が添付図面に基づいて詳細に説明されている以下の記載から、本発明の他の詳細および利点を明らかにする。
図１は部分的に破断された間接変換式の平面形画像検出器を有する画像撮影装置の斜視図、
図２は図１の画像撮影装置の横断面図、
図３は平面形画像検出器の較正の監視の際に行なわれる動作ステップを示す流れ図、
図４はオフセット取得の監視時に行なわれる動作ステップを示す流れ図である。
【００２４】
図１は、Ｘ線２を発生するための図１に示されていないＸ線源を含むＸ線装置の一部である画像撮影装置１を示す。Ｘ線２はＸ線透視すべき対象を透過後に平面形画像検出器３に入射する。標準的には平面形画像検出器３は約３０×３０ｃｍの寸法を有する。平面形画像検出器３は例えばＣｓＩから作られたシンチレータ４を含む。シンチレータ４の下には、一般にアモルファスシリコンを基礎にして作られた能動マトリックス５がある。能動マトリックス５にはホトダイオード６の領域が形成されている。ホトダイオード６においては、それぞれのホトダイオード６上のシンチレータ４内で発生された光が吸収される。吸収の際に電子−正孔対が発生され、これらはそれぞれのホトダイオード６の陽極および陰極へそれぞれ運ばれる。このようにして発生した電荷量は、ホトダイオード６が能動スイッチング素子７により読み取られるまでの間、それぞれのホトダイオード６内に蓄えられる。能動スイッチング素子７は評価ユニット８によって行ごとにアドレス線９を介して作動させられる。ホトダイオード６内に蓄えられた電荷は列ごとにデータ線１０を介して読み取られる。
【００２５】
評価ユニット８の概念は機能的に解すべきである。評価ユニット８は、単独の半導体デバイスで実現されなければならないというわけではない。むしろ評価ユニット８は１つまたは複数の基板上における多数の半導体デバイスを含むことができる。評価ユニット８は機能グループとして種々の機器内に含ませることができる。評価ユニット８は平面形画像検出器３の制御および監視を行なう役目を有する。更に、評価ユニット８の役目は、ディジタル生データから診断目的に適したディジタルＸ線画像１１を作成して、これを図１に示されていない表示ユニットに出力することである。
【００２６】
図２は図１の画像撮影装置１の機械的構造の横断面図を示す。ハウジング１２内にはシンチレータ４があり、シンチレータ４は能動マトリックス５上に配置されている。能動マトリックス５はアドレス線９およびデータ線１０を介してプリント回路基板１３に接続されている。プリント回路基板１３上には評価ユニット８の機能アセンブリが配置されている。プリント回路基板１３と能動マトリックス５との間には、光波長範囲の光１５を能動マトリックス５の方向へ放出するリセット光源１４が存在する。リセット光源１４は、能動マトリックス５のホトダイオード６内に連続的に電子−正孔対を発生させ、この電子−正孔対によって深いところにあるトラップいわゆる「深いトラップ（ｄｅｅｐ  ｔｒａｐｓ）」を飽和状態に保たせるために使用される。それによって暗電流は平面形画像検出器の、Ｘ線２を照射された範囲だけに特にはっきり現れることはない。寧ろ、暗電流は平面形画像検出器３にわたって均一化される。この措置によって画像記憶すなわちゴースト画像障害が著しく低減される。なぜならば、深いトラップの崩壊によって発生された暗電流が平面形画像検出器３内に一様に発生し、平面形画像検出器３の、Ｘ線２を照射された範囲だけに発生するのではないからである。
【００２７】
平面形画像検出器は個々の検出器要素の感度いわゆる「ゲイン」に関して較正されなければならない。なぜならば、後段に接続された電子回路のそれぞれの能動スイッチング素子７のホトダイオード６の感度が異なることがあるからである。その相異は、平面形画像検出器３が多数の部分マトリックスから構成された能動マトリックス５を有する場合には特に大きい。更に、シンチレータ４の厚みおよび材料状態が変化することがあり、これがＸ線２を光へ変換する際に異なる効率を生じる。従って、平面形画像検出器３の検出器要素はホトダイオード６の寸法によって定められ、異なる感度を有する。従って、較正によって検出器要素の相対感度を相互に定め、完成されたＸ線画像へのディジタル生データの変換の際に考慮することが必要である。
【００２８】
更に、個々の検出器要素が完全に故障するか又は標準的に動作しないことが起こり得る。欠陥のあるまたは標準的に動作しない検出器要素は欠陥画像において検出される。この欠陥画像は、同様に完成されたＸ線画像へのディジタル生データの変換の際に考慮される。
【００２９】
欠陥画像の作成およびゲイン画像のための個々の検出器要素の相対感度の決定は以下において較正と呼ばれる。
【００３０】
図３は評価ユニット８によって行なわれる平面形画像検出器３の監視の流れ図を示し、この監視によって新たな較正の時点が定められる。図３に示された流れ図によれば、まず現在の較正１６が実行される。その際に得られた本来の較正データはゲイン画像１７および欠陥画像１８を含む。更に、現在の較正１６において、後で詳しく説明する以後の経過において基準として用いられる基準システムデータ１９が記録される。基準システムデータ１９の取得はゲイン画像１７および欠陥画像１８の作成時点のできるだけ近くで行なわれる。
【００３１】
画像撮影装置１の更なる動作期間中に現在の比較システムデータ２０が獲得され、演算ユニット２１において基準システムデータ１９と比較される。演算ユニット２１は、予め与えられた限界値に基づいて、新たな較正１６が必要であるかどうか、あるいは監視が現在のシステムデータ２０の新たな取得による較正１６なしに定められた時間の経過後に継続されるかどうかを決定する。
【００３２】
基準システムデータ１９および比較システムデータ２０として種々のデータが考慮の対象となる。
【００３３】
とりわけ、このためにいわゆるリセット光画像が適している。リセット光画像は、能動マトリックス５がリセット光源１４によって照明される画像である。リセット光画像は、能動マトリックス５から読み出された生データから現在のオフセット画像を除去することによって作成される。
【００３４】
リセット光画像は均一な照射によるＸ線画像に似ている。なぜならば、シンチレータ４においてＸ線２を光へ変換することを除いて、ホトダイオード６において光子を電荷へ変換することから増幅、多重化およびディジタル変換の以後の方法ステップまでの全変換系が生じるからである。従って、リセット光画像はＸ線２により作成されたゲイン画像に十分対応し、従ってゲイン画像が更新されるべきか否かを決定するための良好な根拠となる。
【００３５】
リセット光画像は欠陥状況も良好に再現するが、シンチレータ４と関係する欠陥だけは検出されない。
【００３６】
場合によっては、平面形画像検出器３を種々のダイナミックレンジで監視するために、リセット光画像を異なる露光条件で作成することもできる。
【００３７】
リセット光画像は演算ユニット２１において解析される。例えば基準リセット光画像および比較リセット光画像から商を算出し、商画像の値が平均で値１から予め定められたパーセント値（例えば２パーセント）だけずれている場合、あるいは商画像のノイズが予め定めた値を上回っている場合、または商画像における１つまたは複数の予め定めた領域における値が平均で互いに或るパーセント値だけずれている場合、常に新しいゲイン画像の作成を開始することができる。
【００３８】
基準システムデータ１９および比較システムデータ２０として欠陥画像も考慮の対象となる。例えば入射するＸ線２なしにバックグラウンドにおいて、比較システムデータ２０として使用可能である欠陥画像を作成することができる。この比較システムデータ２０は、平面形画像検出器３の較正と関係してＸ線２なしに撮影され基準システムデータ１９をなす欠陥画像と比較される。演算ユニット２１は、両欠陥画像の欠陥の個数の差が予め定められたパーセント値、例えば２％を上回るか、あるいは絶対値、例えば５個の欠陥よりも大きい場合には常に新たな較正が要求されるように調整されるとよい。
【００３９】
基準システムデータ１９として、較正に関係して検出された平面形画像検出器３の温度値を用いることもできる。例えば涼しい季節から暑い季節への移行により平面形画像検出器３の現在温度が基準温度から予め定められた温度差（例えば５℃）以上ずれた場合、演算ユニット２１は新たな較正を要求することができる。
【００４０】
一部変更された実施形態では、演算ユニット２１が新たな較正１６を開始させたり、あるいは人に新たな較正の必要性を指示したりすることができるだけでなく、メンテナンス技術者を要求することもできる。これは、例えば、比較システムデータ２０が基準システムデータ１９からあまりにも大きくずれ、どうも故障が画像撮影装置１に存在しているらしくこの画像撮影装置１をもはや較正できない場合に必要である。メンテナンス技術者の要求は例えば使用者に監視モニタで指示されるかまたは自動的に、例えばＥメールによるデータネットを介して行なうこともできる。
【００４１】
図１乃至図３に基づいて説明した画像撮影装置１は、最初の基準システムデータ１９が標準的でない値（例えば０）にセットされ、それにより自動的に現在の比較システムデータ２０に対して著しい偏差を有するならば、新設後の最初の場合も支援する。この場合に使用開始後すぐに較正が要求される。
【００４２】
画像撮影装置１は、比較システムデータ２０を常にバックグラウンドにＸ線２なしに作成できる利点を有する。従って、比較システムデータ２０は、規則的に画像撮影装置１の休止時間に、例えば夜間にまたは２人の患者の間に作成することができる。
【００４３】
更に、図４による画像撮影装置１はオフセット取得も必要時に制御して行なうことができる。図４によれば、オフセット画像２２の撮影時点近くで基準システムデータ２３が取得される。基準システムデータ２３は演算ユニット２４において現在の比較システムデータ２５と比較される。平面形画像検出器３の個々の検出器要素のオフセットは、例えばＸ線ウィンドウ長、画像周波数の如き動作パラメータや、あるいは先行のＸ線撮影の画像記憶に関係するので、平面形画像検出器３の検出器要素のオフセット検査は、Ｘ線画像の撮影とほぼ同じ周波数で行なわなければならない。
【００４４】
基準システムデータ２３および比較システムデータ２５としては種々のデータが考慮される。
【００４５】
実施例において、例えば１秒間に１回だけ平面形画像検出器３の現在温度が読み取られる。この温度は、最後のオフセット画像２２の取得直前に測定された温度と比較される。現在温度が定められた限界値（例えば１℃）だけ基準温度の上または下にある場合、現在のオフセット画像２６の取得が開始される。画像撮影装置１がそのための状態になればすぐに、新たなオフセット画像２６の撮影が行なわれ、この時点からは後続のオフセット補正に使用される。
【００４６】
一部変更された実施例では、現在のオフセット画像２６と先行のオフセット画像２２との線形結合（一次結合とも呼ばれる）がオフセットの補正に使用される。この措置によって、両オフセット画像２２，２６間の時間に撮影されるＸ線画像のオフセット補正を改善することができる。
【００４７】
他の一部変更された実施形態では、新たなオフセット画像２６が取得されるべきかどうかの決定に、平面形画像検出器３の温度のほかに、最後のオフセット画像２２の撮影から経過した時間も加えられる。例えば２つのオフセット画像の取得の間における最大許容時間に対して上記限界値が定められる。例えば、両オフセット画像２２，２６の撮影の間に最大５分が経過してもよいことを要求することができる。この関係においても、オフセット補正のために、両オフセット画像２２，２６の線形結合を使用することもできる。
【００４８】
他の実施形態においては、演算ユニット２４はオフセット補正されたＸ線画像１１を画像解析することができる。Ｘ線画像１１は、例えば、全くＸ線２が当たらず従ってＸ線信号が全く発生されないいわゆる暗基準区域を有する。暗基準区域においてはディジタル生データがオフセット画像のデータに等しい。なぜならば、漏れ電流および類似の影響のみが検出され、Ｘ線によって惹き起こされた信号は検出されないからである。従って、暗基準区域においては、オフセット補正されたＸ線画像１１のディジタル値は０に等しくなければならないはずである。それゆえ、演算ユニット２４は、暗基準区域におけるＸ線画像１１の値が予め定められた値を上回るか又は下回る場合にのみ新たなオフセット画像２６の撮影が開始されるように調整されるとよい。
【００４９】
他の一部変更された実施形態では、ここに説明したシステムパラメータのうち２つまたは３つが、新たなオフセット画像２６の取得を開始するために使用される。例えば、３つの比較過程のうちの１つが新たなオフセット画像２６の取得を必要とする場合には常に新たなオフセット画像の取得を開始することができる。他のケースにおいて、新たなオフセット画像２６の取得は、３つの比較過程のうち２つまたは３つがこれを要求する場合には常に行なわれる。
【００５０】
ここに説明したオフセット画像２２，２６の取得は、この取得が必要である場合にのみ行なわれる利点をもたらす。それによって動作経過は必要程度にしか妨げられない。これは高速の画像列が取得されるべき場合には特に有利である。
【００５１】
ここに説明したシステムパラメータのほかに他のシステムパラメータも、較正またはオフセット画像取得が行なわれるべきかどうかの決定に利用することができる。画像撮影装置１の較正およびオフセット特性に影響を及ぼす全てのシステムパラメータが考慮の対象となる。
【００５２】
更に、その都度の現在のシステムパラメータが比較される限界値は全ての動作様式にとって同じである必要はない。むしろ動作様式に応じて異なる限界値を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】部分的に破断された間接変換式の平面形画像検出器を有する画像撮影装置の斜視図
【図２】図１の画像撮影装置を横断面図
【図３】平面形画像検出器の較正の監視の際に行なわれた動作ステップを示す流れ図
【図４】オフセット撮影の監視時に行なわれた動作ステップを示す流れ図
【符号の説明】
【００５４】
１        画像撮影装置
２        Ｘ線
３        平面形画像検出器
４        シンチレータ
５        能動マトリックス
６        ホトダイオード
７        能動スイッチング素子
８        評価ユニット
９        アドレス線
１０        データ線
１１        Ｘ線画像
１２        ハウジング
１３        プリント回路基板
１４        リセット光源
１５        光
１６        現在の較正
１７        ゲイン画像
１８        欠陥画像
１９        基準システムデータ
２０        比較システムデータ
２１        演算ユニット
２２        オフセット画像
２３        基準システムデータ
２４        演算ユニット
２５        比較システムデータ
２６        オフセット画像
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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