(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極部と陰極部とが形成されたコンデンサ素子と、
一方面に、前記陽極部に接続される陽極電極パターンと前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、前記陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、前記陰極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、
前記第１の導通路は、前記陽極電極パターンの前記陰極電極パターン側の縁領域に偏在しており、且つ、前記第２の導通路は、前記陰極電極パターンの前記陽極電極パターン側の縁領域に偏在し、
前記陽極電極パターンには複数の前記第１の導通路が形成され、且つ、前記陰極電極パターンには前記第１の導通路と同数の前記第２の導通路が形成されており、
対応する前記第１の導通路と前記第２の導通路とは、前記陽極電極パターンと前記陰極電極パターンとが隣り合う方向に沿って並んでいる、電解コンデンサ。
【請求項２】
前記第１及び第２の導通路の断面形状は一方向に延びた形状であり、対応する前記第１及び第２の導通路は平行に延在している、請求項１に記載の電解コンデンサ。
【請求項３】
陽極部と陰極部とが形成されたコンデンサ素子と、
一方面に、前記陽極部に接続される陽極電極パターンと前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、前記陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、前記陰極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、
前記第１の導通路は、前記陽極電極パターンの前記陰極電極パターン側の縁領域に偏在しており、且つ、前記第２の導通路は、前記陰極電極パターンの前記陽極電極パターン側の縁領域に偏在し、
前記第１及び第２の導通路の断面形状は一方向に延びた形状であり、対応する前記第１及び第２の導通路は平行に延在している、電解コンデンサ。
【請求項４】
基体に形成された複数の陽極部と、これら陽極部を除いた前記基体の外周面に形成された陰極部とを有するコンデンサ素子と、
一方面に、前記各陽極部に接続される複数の陽極電極パターンと前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、前記各陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、前記陰極電極パターンから厚さ方向に沿って前記他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、
前記第１の導通路は、前記各陽極電極パターンの前記陰極電極パターンが位置する側の縁領域に偏在しており、且つ、前記第２の導通路は、前記陰極電極パターンの前記各陽極電極パターンが位置する複数の縁領域それぞれに偏在し、
前記陰極電極パターンには、隣り合う前記陽極電極パターンの間に介在するように突出する陰極凸パターン部が形成されており、
前記陰極凸パターン部の、隣り合う前記陽極電極パターンそれぞれが位置する側の２つの縁領域に、前記第２の導通路が偏在し、
隣り合う前記陽極電極パターンと前記陰極凸パターン部において、互いに対向する側の縁領域には、複数の前記第１の導通路及び前記第１の導通路と同数の前記第２の導通路が形成されており、
対応する前記第１の導通路と前記第２の導通路とは、前記陽極電極パターンと前記陰極凸パターン部とが並ぶ方向に沿って並んでいる、電解コンデンサ。
【請求項５】
基体に形成された複数の陽極部と、これら陽極部を除いた前記基体の外周面に形成された陰極部とを有するコンデンサ素子と、
一方面に、前記各陽極部に接続される複数の陽極電極パターンと前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、前記各陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、前記陰極電極パターンから厚さ方向に沿って前記他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、
前記第１の導通路は、前記各陽極電極パターンの前記陰極電極パターンが位置する側の縁領域に偏在しており、且つ、前記第２の導通路は、前記陰極電極パターンの前記各陽極電極パターンが位置する複数の縁領域それぞれに偏在し、
前記陰極電極パターンには、前記陽極電極パターンを挟むように突出する複数の陰極凸パターン部が形成されており、
前記陰極凸パターン部に挟まれた前記陽極電極パターンの、前記陰極凸パターン部が位置する側の２つの縁領域に、前記第１の導通路が偏在し、
隣り合う前記陽極電極パターンと前記陰極凸パターン部において、互いに対向する側の縁領域には、複数の前記第１の導通路及び前記第１の導通路と同数の前記第２の導通路が形成されており、
対応する前記第１の導通路と前記第２の導通路とは、前記陽極電極パターンと前記陰極凸パターン部とが並ぶ方向に沿って並んでいる、電解コンデンサ。
【請求項６】
基体に形成された複数の陽極部と、これら陽極部を除いた前記基体の外周面に形成された陰極部とを有するコンデンサ素子と、
一方面に、前記各陽極部に接続される複数の陽極電極パターンと前記陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、前記各陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、前記陰極電極パターンから厚さ方向に沿って前記他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、
前記第１の導通路は、前記各陽極電極パターンの前記陰極電極パターンが位置する側の縁領域に偏在しており、且つ、前記第２の導通路は、前記陰極電極パターンの前記各陽極電極パターンが位置する複数の縁領域それぞれに偏在し、
前記第１及び第２の導通路の断面形状は一方向に延びた形状であり、対応する前記第１及び第２の導通路は平行に延在している、電解コンデンサ。
【請求項７】
前記陰極電極パターンには、隣り合う前記陽極電極パターンの間に介在するように突出する陰極凸パターン部が形成されており、
前記陰極凸パターン部の、隣り合う前記陽極電極パターンそれぞれが位置する側の２つの縁領域に、前記第２の導通路が偏在している、請求項６に記載の電解コンデンサ。
【請求項８】
前記陰極電極パターンには、前記陽極電極パターンを挟むように突出する複数の陰極凸パターン部が形成されており、
前記陰極凸パターン部に挟まれた前記陽極電極パターンの、前記陰極凸パターン部が位置する側の２つの縁領域に、前記第１の導通路が偏在している、請求項６に記載の電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電解コンデンサに用いられるコンデンサ素子は、絶縁性酸化皮膜形成能力を有するアルミニウム、チタン、タンタルなどの金属（いわゆる弁金属）を陽極に用い、この弁金属の表面を陽極酸化して、絶縁性酸化皮膜を形成した後、実質的に陰極として機能する有機化合物等からなる固体電解質層を形成し、さらに、グラファイトや銀などの導電層を陰極として設けることによって作製される。
【０００３】
このような電解コンデンサの低インピーダンス化を図るには、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の低減や等価直列抵抗（ＥＳＲ）の低減といった方法がある。そして、ＥＳＲの低減のためにリードフレームを省略した電解コンデンサが、下記特許文献１に開示されている。この公報に開示された電解コンデンサは、基板の一方面に一対の電極対を有する２端子型のコンデンサ素子が搭載された電解コンデンサであり、基板の素子搭載面の電極とその裏面の電極とはスルーホールを介して接続されている。
【特許文献１】特開２００１−１０２２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した従来の電解コンデンサには、次のような課題が存在している。すなわち、素子搭載面に形成されている陽極電極と陰極電極との離間距離が大きいため、その陽極電極及び陰極電極から基板厚さ方向に延びる一対のスルーホールの離間距離が長かった。そのため、従来の電解コンデンサにおいては、これらのスルーホール内を流れる電流に起因するＥＳＬが高く、十分な低インピーダンス化が図られていないという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、インピーダンスの更なる低減が図られた電解コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電解コンデンサは、陽極部と陰極部とが形成されたコンデンサ素子と、一方面に、陽極部に接続される陽極電極パターンと陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、陰極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、第１の導通路は、陽極電極パターンの陰極電極パターン側の縁領域に偏在しており、且つ、第２の導通路は、陰極電極パターンの陽極電極パターン側の縁領域に偏在している。
【０００７】
この電解コンデンサにおいて、基板の厚さ方向に沿って延びる第１の導通路と第２の導通路とには、互いに逆方向の電流が流れる。そして、第１の導通路は、陽極電極パターンに隣り合う陰極電極パターン側の縁領域に偏在しているため、その陰極電極パターンに形成された第２の導通路に有意に接近している。一方、陰極電極パターンに形成された第２の導通路も、陽極電極パターン側の縁領域に偏在しているため、第１の導通路に有意に接近している。このように第１及び第２の導通路が互いに接近して形成されているため、この電解コンデンサにおいては低ＥＳＬ化が実現されており、それにより従来の電解コンデンサに比べてインピーダンスが低減している。
【０００８】
また、陽極電極パターンには複数の第１の導通路が形成され、且つ、陰極電極パターンには第１の導通路と同数の第２の導通路が形成されており、対応する第１の導通路と第２の導通路とは、陽極電極パターンと陰極電極パターンとが隣り合う方向に沿って並んでいることが好ましい。この場合、対応する第１の導通路と第２の導通路との対それぞれが、低ＥＳＬ化に寄与するため、より効果的にＥＳＬを低減することができる。
【０００９】
また、第１及び第２の導通路の断面形状は一方向に延びた形状であり、対応する第１及び第２の導通路は平行に延在していることが好ましい。この場合、第１及び第２の導通路が広範囲にわたって低ＥＬＳ化に寄与するため、より効果的にＥＳＬを低減することができる。
【００１０】
本発明に係る電解コンデンサは、基体に形成された複数の陽極部と、これら陽極部を除いた基体の外周面に形成された陰極部とを有するコンデンサ素子と、一方面に、各陽極部に接続される複数の陽極電極パターンと陰極部に接続される陰極電極パターンとが隣り合うように形成され、且つ、各陽極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第１の導通路と、陰極電極パターンから厚さ方向に沿って他方面まで延びる第２の導通路とが形成された基板とを備え、第１の導通路は、各陽極電極パターンの陰極電極パターンが位置する側の縁領域に偏在しており、且つ、第２の導通路は、陰極電極パターンの各陽極電極パターンが位置する複数の縁領域それぞれに偏在している。
【００１１】
この電解コンデンサにおいて、基板の厚さ方向に沿って延びる第１の導通路と第２の導通路とには、互いに逆方向の電流が流れる。そして、各陽極電極パターンに形成された第１の導通路は、各陽極電極パターンの陰極電極パターンが位置する側の縁領域に偏在しているため、陰極電極パターンに形成された第２の導通路に有意に接近している。一方、陰極電極パターンに形成された第２の導通路も、各陽極電極パターンが位置する複数の縁領域それぞれに偏在しているため、第２の導通路も第１の導通路に有意に接近している。このように第１及び第２の導通路が互いに接近して形成されているため、この電解コンデンサにおいては低ＥＳＬ化が実現されており、それにより従来の電解コンデンサに比べてインピーダンスが低減している。
【００１２】
また、陰極電極パターンには、隣り合う陽極電極パターンの間に介在するように突出する陰極凸パターン部が形成されており、陰極凸パターン部の、隣り合う陽極電極パターンそれぞれが位置する側の２つの縁領域に、第２の導通路が偏在していることが好ましい。
【００１３】
また、陰極電極パターンには、陽極電極パターンを挟むように突出する複数の陰極凸パターン部が形成されており、陰極凸パターン部に挟まれた陽極電極パターンの、陰極凸パターン部が位置する側の２つの縁領域に、第１の導通路が偏在していることが好ましい。
【００１４】
また、隣り合う陽極電極パターンと陰極凸パターン部において、互いに対向する側の縁領域には、複数の第１の導通路及び第１の導通路と同数の第２の導通路が形成されており、対応する第１の導通路と第２の導通路とは、陽極電極パターンと陰極凸パターン部とが並ぶ方向に沿って並んでいることが好ましい。この場合、陽極電極パターンと陰極凸パターン部とが並ぶ方向に沿って並んだ第１の導通路と第２の導通路との対それぞれが、低ＥＳＬ化に寄与するため、より効果的にＥＳＬを低減することができる。
【００１５】
また、第１及び第２の導通路の断面形状は一方向に延びた形状であり、対応する第１及び第２の導通路は平行に延在していることが好ましい。この場合、第１及び第２の導通路が広範囲にわたって低ＥＬＳ化に寄与するため、より効果的にＥＳＬを低減することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、インピーダンスの更なる低減が図られた電解コンデンサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して本発明に係る電解コンデンサを実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
（第１実施形態）
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電解コンデンサを示す斜視図である。図１に示すように、電解コンデンサ１０は、コンデンサ素子１２と、コンデンサ素子１２が載置される方形薄片状の基板１４と、コンデンサ素子１２及び基板１４をモールドする樹脂モールド１６とを備えている。
【００１９】
コンデンサ素子１２は、表面が粗面化（拡面化）されると共に化成処理が施された箔状のアルミニウム基体（弁金属基体）上の一部の領域（後述）に、固体高分子電解質層及び導電体層が順次積層されたものである。図２を参照しつつ、より具体的に説明する。図２は、図１に示した電解コンデンサ１０の要部を示す模式断面図である。図２に示すように、エッチングによって粗面化されたアルミニウム基体１８は、化成処理、すなわち陽極酸化によって、その表面１８ａに絶縁性の酸化アルミニウム皮膜２０が成膜されている。そして、導電性高分子化合物を含む固体高分子電解質層２１が、拡面化されたアルミニウム基体１８の凹部に含浸している。なお、固体高分子電解質層２１は、モノマーの状態でアルミニウム基体１８の凹部に含浸させ、その後、化学酸化重合又は電解酸化重合して形成される。
【００２０】
この固体高分子電解質層２１上には、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３（導電体層）がスクリーン印刷法、浸漬法（ディップ法）及びスプレー塗布法のいずれかによって順次形成されている。そして、これらの固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３によってコンデンサ素子１２の陰極電極が構成されている。
【００２１】
図１で示したとおり、コンデンサ素子１２は、長方形薄片状の形状を有し、長辺方向の一方の端部である陽極部２４と、陽極部２４の残余部分である蓄電部２６とで構成されている。以下、説明の便宜上、コンデンサ素子１２の長辺方向及び短辺方向をそれぞれＸ方向及びＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向をＺ方向として説明する。
【００２２】
陽極部２４は、図２で示したように、酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８で構成されている。一方、蓄電部２６は、誘電体として機能する酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８の外周面を、固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３からなる陰極部２８が覆う構造を有している。なお、陽極部２４と蓄電部２６との境界の帯状領域には、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる絶縁性樹脂層２７が形成されている。
【００２３】
上述した形状のコンデンサ素子１２は、表面が粗面化され、且つ化成処理が施されたアルミニウム箔を打抜き加工することにより成形される。そのため、成形後のアルミニウム箔を化成液に浸漬することにより、アルミニウムが露出した箔の端面に酸化アルミニウム皮膜を形成している。化成液は、例えば、濃度３％のアジピン酸アンモニウム水溶液等が好ましい。
【００２４】
ここで、コンデンサ素子１２となるアルミニウム箔に施す処理について、図３を参照しつつ説明する。図３は、コンデンサ素子となるアルミニウム箔３０に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。まず始めに、アルミニウム箔３０の陽極部２４となるべき部分２４Ａの表面領域のうち、蓄電部２６となるべき部分２６Ａ側の帯状縁領域に絶縁樹脂層２７を形成する。このように所定領域に絶縁樹脂層２７を形成することで、後段において形成される陽極部２４と陰極部２８との絶縁と分離が確実に図られる。
【００２５】
そして、陽極部２４となるべき部分２４Ａでアルミニウム箔を支持して、ステンレスビーカ３４中に収容されたアジピン酸アンモニウム水溶液よりなる化成溶液３６中に、アルミニウム箔３０を浸漬する。そして、支持されたアルミニウム箔部分２４Ａをプラス、ステンレスビーカ３４をマイナスにして電圧を印加する。印加電圧の値は、形成する酸化アルミニウム皮膜２０の膜厚に応じて適宜決定することができ、１０ｎｍ〜１μｍの膜厚を有する酸化アルミニウム皮膜２０を形成する場合には、通常、数ボルト〜２０ボルト程度である。
【００２６】
電圧印加により陽極酸化が開始されると、毛細管現象により、化成溶液３６は、表面が粗面化されたアルミニウム箔３０の表面を通って液面から上昇する。従って、端面を含む表面が粗面化されているアルミニウム箔３０の全表面に酸化アルミニウム皮膜２０が形成される。こうして作製されたアルミニウム箔３０に、公知の方法で陰極部２８を形成することで、上述したコンデンサ素子１２の作製が完了する。
【００２７】
次に、コンデンサ素子１２が搭載される基板１４について、図４を参照しつつ説明する。ここで図４（ａ）は基板１４の素子搭載面１４ａを示した図であり、図４（ｂ）は基板１４の素子搭載面１４ａの裏面１４ｂを示した図である。
【００２８】
基板１４は、両面１４ａ，１４ｂに所定形状の銅箔パターンがエッチング成形されたＦＲ４材（エポキシ樹脂材）製のプリント基板である。基板１４のコンデンサ素子１２が搭載される素子搭載面１４ａは、図４（ａ）に示すように、２つの長方形状の電極パターン３８Ａ，３８ＢがＸ方向に沿って並設されており、隣り合う電極パターン３８Ａ，３８Ｂの互いに近接する側の縁はいずれもＹ方向に沿って延在している。そして、電極パターン３８Ａと電極パターン３８Ｂとは、わずかな距離だけ離間して近接されていると共に、基板表面１４ａの略全域を覆っている。
【００２９】
そして、コンデンサ素子１２の陽極部２４は、一対の電極パターン３８Ａ，３８Ｂのうち、幅が狭い方の電極パターン３８Ａに抵抗溶接又はＹＡＧレーザスポット等の金属溶接によって接続される。一方、コンデンサ素子１２の蓄電部２６表面の陰極部２８は、幅が広い方の電極パターン３８Ｂに導電性接着剤４０（図１参照）で接続される。以下、説明の便宜上、コンデンサ素子１２の陽極部２４に接続される電極パターン３８Ａを陽極電極パターン、コンデンサ素子１２の陰極部２８に接続される電極パターン３８Ｂを陰極電極パターンと称す。また、基板１４の素子搭載面１４ａの裏面１４ｂには、上述した陽極電極パターン３８Ａ及び陰極電極パターンの形状に対応した陽極ランドパターン４２Ａ及び陰極ランドパターン４２Ｂが形成されている。
【００３０】
陽極電極パターン３８Ａが形成された領域のうち、陰極電極パターン３８Ｂ側の縁領域４２Ａには、陽極電極パターン３８Ａの長辺方向であるＹ方向に沿って等間隔に８個の陽極ビア（第１の導通路）４４が形成されている。この陽極ビア４４は、陽極電極パターン３８Ａと接続されていると共に、基板１４の厚さ方向（Ｚ方向）に延びている。そして、これらの陽極ビア４４は裏面の陽極ランドパターン４０Ａまで達し、陽極ランドパターン４０Ａが形成された領域のうち、陰極ランドパターン４０Ｂ側の縁領域４６Ａにおいて陽極ランドパターン４０Ａと接続されている。
【００３１】
また、陰極電極パターン３８Ｂが形成された領域のうち、陽極電極パターン３８Ａ側の縁領域４２Ｂには、陰極電極パターン３８Ｂの短辺方向であるＹ方向に沿って陽極ビア４４と同じ間隔で８個の陰極ビア（第２の導通路）４８が形成されている。この陰極ビア４８は、陰極電極パターン３８Ｂと接続されていると共に、陽極ビア４４同様、基板１４の厚さ方向（Ｚ方向）に延びている。そして、これらの陰極ビア４８は裏面の陰極ランドパターン４０Ｂまで達し、陰極ランドパターン４０Ｂが形成された領域のうち、陽極ランドパターン４０Ａ側の縁領域４６Ｂにおいて陰極ランドパターン４０Ｂと接続されている。なお、陽極ビア４４と陰極ビア４８の対応するビア同士はＸ方向に沿って並んでいる。また、陽極ビア４４及び陰極ビア４８はいずれも、円形断面を有しており、基板１４にドリル加工で形成した円形貫通孔に無電解銅メッキがメッキ処理により埋められたものである。
【００３２】
すなわち、陽極ビア４４と陰極ビア４８とは、隣り合う陽極電極パターン３８Ａと陰極電極パターン３８Ｂのそれぞれの縁領域４２Ａ，４２Ｂに形成されているため、その離間距離は有意に低減されている。また、対応する陽極ビア４４と陰極ビア４８との対も、陽極電極パターン３８Ａと陰極電極パターン３８Ｂとの隣接方向であるＸ方向に沿って並んでいるため、その離間距離が最も小さくなっている。
【００３３】
なお、基板１４の素子搭載面１４ａには、上述した縁領域４２Ａ及び縁領域４２Ｂを一体的に覆う絶縁性樹脂層５０が形成されている。この絶縁性樹脂層５０は、電極パターン３８Ａと電極パターン３８Ｂとを分離及び絶縁するものであり、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の材料を適用でき、数十ミクロンの厚さで塗布形成されている。一方、基板１４の素子搭載面１４ａの裏面１４ｂにも、陽極ランドパターン４０Ａの縁領域４６Ａ及び陰極ランドパターン４０Ｂの縁領域４６Ｂを一体的に覆う絶縁性樹脂層５２が形成されており、それぞれの縁領域４６Ａ，４６Ｂに対向する縁領域５０Ａ，５０Ｂのランドパターン４０Ａ，４０Ｂだけが露出している。この絶縁性樹脂層５２は、ランドパターン４０Ａとランドパターン４０Ｂとを分離及び絶縁するためのものであり、絶縁性樹脂層５０同様、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の材料を適用でき、数十ミクロンの厚さで塗布形成されている。
【００３４】
次に、電解コンデンサ１０を実装基板へ搭載する態様について、図５を参照しつつ説明する。ここで図５は、電解コンデンサ１０が実装基板に搭載された状態を示した図であり、図４（ａ）のＶ−Ｖ線において切断した断面図である。電解コンデンサ１０は、基板１４の面１４ｂ側が実装基板５６側となり、絶縁性樹脂層５２から露出したランドパターン４０Ａ，４０Ｂの縁領域５４Ａ，５４Ｂと実装基板５６上の電極対５８Ａ，５８Ｂとが接触するように、実装基板５６に搭載される。実装基板５６の電極対５８Ａ，５８Ｂは図示しない電源（及び、その他の電子部品）に接続されており、この電極対５８Ａ，５８Ｂによって電解コンデンサ１０に電圧が印加される。
【００３５】
そして、電解コンデンサ１０に電圧が印加されて誘電体部（酸化アルミニウム皮膜）２０に電荷が蓄えられる際、及び、蓄えられた電荷が放電される際、陽極ビア４４及び陰極ビア４８には電流が流れる。なお、陽極ビア４４と陰極ビア４８に流れる電流の方向はＺ方向であり、その向きは逆向きである。そのため、陽極ビア４４内を流れる電流に起因して発生する磁界と、陰極ビア４８内を流れる電流に起因して発生する磁界とは互いに打ち消しあい、それにより電解コンデンサ１０のＥＳＬが低減する。特に、電解コンデンサ１０のように、陽極ビア４４と陰極ビア４８との間隔が有意に低減されている場合には、より効果的に上述の磁界同士が互いに打ち消しあうため、更なるＥＳＬの低下が実現される。
【００３６】
以上で詳細に説明したように、電解コンデンサ１０においては、陽極ビア４４は、陽極電極パターン３８Ａの縁領域４２Ａに偏在しており、陽極電極パターン３８Ａのその他の領域には陽極ビア４４は形成されていない。一方、陰極ビア４８は、陰極電極パターン３８Ｂの縁領域４２Ｂに偏在しており、陰極電極パターン３８Ｂのその他の領域には陰極ビア４８は形成されていない。そのため、互いに逆向きの電流が流れる陽極ビア４４と陰極ビア４８とが有意に接近し、ＥＳＬの低減が実現されている。そして、このＥＳＬの低下により、電解コンデンサ１０は、従来の電解コンデンサに比べて有意にインピーダンスが低減されている。
【００３７】
また、陽極ビア４４と陰極ビア４８との対が、縁の延在方向（Ｙ方向）と直交するＸ方向に並んでいるため、ビア同士の離間距離が有意に短縮され、より効果的に電解コンデンサ１０のＥＳＬが低減されている。
【００３８】
なお、上述した８対の陽極ビア４４及び陰極ビア４８に代えて、図６に示した形態のビアを採用してもよい。ここで図６は、第１実施形態に係る電解コンデンサ１０における異なる態様の陽極ビア及び陰極ビアを示した図である。すなわち、陽極ビア６０及び陰極ビア６２は、それぞれ、縁領域４２Ａに沿ってＹ方向に延びる長穴６０ａ及び縁領域４２Ｂに沿って延びる長穴６２ａに、導電性材料（すなわち、金属材料や導電性樹脂など）を埋めることにより形成されたものである。このような陽極ビア６０及び陰極ビア６２は、縁領域に沿って延びていない陽極ビア及び陰極ビアに比べて、より広範囲にわたって低ＥＳＬ化に寄与するためＥＳＬの低減に有効である。
（第２実施形態）
【００３９】
次に、本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサについて説明する。図７は、本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサを示す斜視図である。図７に示すように、電解コンデンサ１１０は、コンデンサ素子１１２と、コンデンサ素子１１２が載置される方形薄片状の基板１１４と、コンデンサ素子１１２及び基板１１４をモールドする樹脂モールド１６とを備えている。
【００４０】
図７に示すように、コンデンサ素子１１２は、長方形薄片状の蓄電部１２６と、蓄電部１２６の長辺の側面から外方に突出する、薄片状の偶数対（例えば、２対）の陽極部１２４とで構成されている。以下、説明の便宜上、蓄電部１２６の長辺方向をＸ方向、蓄電部１２６の短辺方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向をＺ方向として説明する。
【００４１】
各陽極部１２４は、図２で示したように、酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８で構成されている。一方、蓄電部１２６は、誘電体として機能する酸化アルミニウム皮膜２０が形成されたアルミニウム基体１８の両面及びＸ方向の端面の略全域（図７のドットハッチ部分）が、固体高分子電解質層２１、グラファイトペースト層２２及び銀ペースト層２３からなる陰極部１２８で覆われている。
【００４２】
陽極部１２４は、蓄電部１２６の各長辺の側面に１対ずつ形成されており、いずれの陽極部１２４もＹ方向に延在している。４つの陽極部１２４の位置は、蓄電部１２６の重心点を中心として点対称の位置関係を有している。なお重心点は、蓄電部１２６において対角線が交差した蓄電部１２６表面上の一点として定義される。
【００４３】
蓄電部１２６の表面領域のうち、陽極部１２４が設けられた側の縁領域には、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂からなる絶縁性樹脂層１２７が設けられている。この絶縁性樹脂層１２７により、蓄電部１２６に設けられている陰極部１２８と陽極部１２４との絶縁がより確実に図られている。
【００４４】
なお、上述した形状のコンデンサ素子１１２は、表面が粗面化され、且つ化成処理が施されたアルミニウム箔を打抜き加工することにより成形される。そのため、成形後のアルミニウム箔を化成液に浸漬することにより、アルミニウムが露出した箔の端面に酸化アルミニウム皮膜を形成している。化成液は、例えば、濃度３％のアジピン酸アンモニウム水溶液等が好ましい。
【００４５】
ここで、コンデンサ素子１１２となるアルミニウム箔に施す処理について、図８を参照しつつ説明する。図８は、コンデンサ素子１１２となるアルミニウム箔１３０に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。まず始めに、コンデンサ素子１１２の蓄電部１２６となるべき部分１２６Ａの表面領域のうち、陽極部１２４となるべき部分１２４Ａが設けられた側の縁領域に絶縁樹脂層１２７を形成する。このように所定領域に絶縁樹脂層１２７を形成することで、後段において形成される陽極部１２４と陰極部１２８との絶縁と分離が確実に図られる。そして、アルミニウム箔１３０の一端部側の部分１２４Ａを、熱硬化型絶縁性樹脂層１２９によってマスクする。そして、他端部側の部分１２４Ａを支持して、アルミニウム箔１３０を、ステンレスビーカ３４中に収容された化成溶液３６中に浸漬する。そして、支持されたアルミニウム箔部分１２４Ａをプラス、ステンレスビーカ３４をマイナスにして電圧を印加する。
【００４６】
電圧印加により陽極酸化が開始されると、毛細管現象により、化成溶液３６は、表面が粗面化されたアルミニウム箔１３０の表面を通って液面から上昇する。従って、端面を含む表面が粗面化されているアルミニウム箔１３０の全表面に酸化アルミニウム皮膜２０が形成される。こうして作製されたアルミニウム箔１３０に、公知の方法で陰極部１２８を形成すると共に、絶縁性樹脂層１２９を除去して、上述したコンデンサ素子１１２の作製が完了する。
【００４７】
次に、コンデンサ素子１１２が搭載される基板１１４について、図９を参照しつつ説明する。ここで図９（ａ）は基板１１４の素子搭載面１１４ａを示した図であり、図９（ｂ）は基板１１４の素子搭載面１１４ａの裏面１１４ｂを示した図である。
【００４８】
基板１１４は、電解コンデンサ１０の基板１４と同様に、両面１１４ａ，１１４ｂに所定形状の銅箔パターンがエッチング成形されたＦＲ４材製のプリント基板である。基板１１４のコンデンサ素子１１２が搭載される素子搭載面１１４ａの裏面には、図９（ｂ）に示すように、四角形状のランドパターン１４０が、基板１１４の対向する端部１１４ｃ，１１４ｄの縁に沿って一列に並ぶように形成されている。これらのランドパターン１４０は、各端部１１４ｃ，１１４ｄに４つずつ、近接するようにわずかな距離だけ離間させて配置されている。なお、これらランドパターン１４０は、コンデンサ素子１１２の陽極部１２４に接続される陽極ランドパターン１４０Ａと陰極部１２８に接続される陰極ランドパターン１４０Ｂとが交互に並んでいる。そして、陽極ランドパターン１４０Ａに対応する位置の素子搭載面１１４ａには、陽極ランドパターン１４０Ａと同じ形状を有し、コンデンサ素子１１２の陽極部１２４と抵抗溶接又はＹＡＧレーザスポット等の金属溶接によって接続される陽極電極パターン１３８Ａが形成されている。
【００４９】
また、陰極ランドパターン１４０Ｂに対応する位置の素子搭載面１１４ａには、陰極ランドパターン１４０Ｂと同じ形状の四角形パターン部（陰極凸パターン部）１００を含み、導電性接着剤４０を介してコンデンサ素子１１２の陰極部１２８に接続される陰極電極パターン１３８Ｂが形成されている。４つの四角形パターン部１００は、これらの四角形パターン部１００と素子搭載面１１４ａの中央領域とを一体的に含む陰極電極パターン１３８Ｂによって互いに接続されている。つまり、４つの四角形パターン部１００のうちの２つの四角形パターン部１００は、陰極電極パターン１３８Ｂに３方向から囲まれた配置関係であり、残りの２つの四角形パターン部１００は、陰極電極パターン１３８Ｂに２方向から囲まれた配置関係である。なお、陽極電極パターン１３８Ａと陰極電極パターン１３８Ｂとが単に隣り合う場合だけでなく、陽極電極パターン１３８Ａと陰極電極パターン１３８Ｂとが以上のような配置関係を有している場合でも、陽極電極パターン１３８Ａと陰極電極パターン１３８Ｂとが隣り合っている状態であるとみなすこととする。
【００５０】
つまり、基板１１４の端部１１４ｃ，１１４ｄのそれぞれには、Ｘ方向に交互に並ぶ一対の陽極電極パターン１３８Ａと一対の四角形パターン部１００が設けられており、隣り合う陽極電極パターン１３８Ａ及び四角形パターン部１００の互いに近接する側の縁はいずれもＹ方向に沿って延在している。つまり、一部の陽極電極パターン１３８Ａは陰極凸パターン部１００の間に介在しており、陰極電極パターン１３８Ｂに形成された一部の陰極凸パターン部１００は、陽極電極パターン１３８Ａの間に介在している。
【００５１】
陽極電極パターン１３８Ａと陽極ランドパターン１４０Ａとは、基板１１４の厚さ方向（Ｚ方向）に延びる陽極ビア１４４によって接続されており、陰極電極パターン１３８Ｂの四角形パターン部１００と陰極ランドパターン１４０Ｂとは、基板１１４の厚さ方向に延びる陰極ビア１４８によって接続されている。陽極ビア１４４は、陽極電極パターン１３８Ａが形成された領域のうち、四角形パターン部１００側の縁領域１４２Ａに、Ｙ方向に沿って等間隔に３個形成されている。また、陰極ビア１４８は、四角形パターン部１００が形成された領域のうち、陽極電極パターン１３８Ａ側の縁領域１４２Ｂに、Ｙ方向に沿って陽極ビア１４４と同じ間隔に３個形成されている。そして、陽極ビア１４４と陰極ビア１４８の対応するビア同士はＸ方向に沿って並んでいる。
【００５２】
ここで、隣り合う陽極電極パターン１３８Ａの間に介在する四角形パターン部１００においては、対向する２つの縁領域１４２Ｂそれぞれに３個の陰極ビア１４８が形成されている。一方、隣り合う四角形パターン部１００の間に介在する陽極電極パターン１３８Ａにおいては、対向する２つの縁領域１４２Ａそれぞれに３個の陽極ビア１４４が形成されている。なお、陽極ビア１４４及び陰極ビア１４８はいずれも、円形断面を有しており、基板１１４にドリル加工で形成した円形貫通孔に、無電解銅メッキがメッキ処理により埋められたものである。
【００５３】
すなわち、陽極ビア１４４と陰極ビア１４８とは、近接する陽極電極パターン１３８Ａと四角形パターン部１００のそれぞれの１つ又は２つの縁領域１４２Ａ，１４２Ｂに形成されているため、その離間距離は有意に低減されている。また、対応する陽極ビア１４４と陰極ビア１４８との対も、陽極電極パターン１３８Ａと四角形パターン部１００とが隣接している方向であるＸ方向に沿って並んでいるため、その離間距離が最も小さくなっている。
【００５４】
以上で詳細に説明したように、電解コンデンサ１１０においては、陽極ビア１４４は、陽極電極パターン１３８Ａの縁領域１４２Ａに偏在しており、陽極電極パターン１３８Ａのその他の領域には陽極ビア１４４は形成されていない。一方、陰極ビア１４８は、陰極電極パターン１３８Ｂの四角形パターン部１００の縁領域１４２Ｂに偏在しており、四角形パターン部１００のその他の領域には陰極ビア１４８は形成されていない。そのため、互いに逆向きの電流が流れる陽極ビア１４４と陰極ビア１４８とが有意に接近し、ＥＳＬの低減が実現されている。そして、このＥＳＬの低下により、電解コンデンサ１１０は、従来の電解コンデンサに比べて有意にインピーダンスが低減されている。
【００５５】
また、四角形パターン部１００の間に介在する陽極電極パターン１３８Ａ及び陽極電極パターン１３８Ａの間に介在する四角形パターン部１００においては、対向する２つの縁領域それぞれに陽極ビア１４４又は陰極ビア１４８が形成されているため、陽極電極パターン１３８Ａと陰極電極パターン１３８Ｂの一部とが一列に並んでいても、全ての陽極ビア１４４と陰極ビア１４８とが互いに近接する。それにより、電解コンデンサ１１０のＥＳＬが有意に低減している。
【００５６】
なお、上述した陽極ビア１４４及び陰極ビア１４８に代えて、図１０に示した形態のビアを採用してもよい。図１０は、第２実施形態に係る電解コンデンサ１０における異なる態様の陽極ビア及び陰極ビアを示した図である。すなわち、各陽極ビア１６０及び各陰極ビア６２は、対応する縁領域１４２Ａに沿ってＹ方向に延びる長穴１６０ａ及び対応する縁領域１４２Ｂに沿って延びる長穴１６２ａに、導電性材料（すなわち、金属材料や導電性樹脂など）を埋めることにより形成されたものである。このような陽極ビア１６０及び陰極ビア１６２は、縁領域に沿って延びていない陽極ビア及び陰極ビアに比べて、より広範囲にわたって低ＥＳＬ化に寄与するためＥＳＬの低減に有効である。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、陽極ビア及び陰極ビアの断面形状は、円形や扁平した円形に限らず、四角形状などであってもよい。また、縁領域に形成されるビアの数は、８個や３個に限らず、適宜増減してもよい。またビアは、必要に応じて中央部が貫通しているビアホールに変更することが可能である。
【００５８】
さらに、上記第２実施形態においては、２つの陽極電極パターンの間に介在するように突出する四角形パターン部を有する陰極電極パターン１３８Ｂを示したが、陰極電極パターンの形状はこのような形状に限定されず、例えば、陰極凸パターン部のない形状（すなわち、長方形状）であってもよい。この場合にも、陰極電極パターンの陽極電極パターンが位置する側の縁領域に陰極ビアを偏在させると共に、陽極電極パターンの陰極電極パターン側の縁領域に陽極ビアを偏在させることで、電解コンデンサのインピーダンスを有意に低減することができる。
【００５９】
以下、本発明の効果をより一層明らかなものとするため、実施例及び比較例を掲げて説明する。
（実施例１）
【００６０】
図１に示した電解コンデンサ１０と同様の電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【００６１】
まず、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ１００μｍで、２７０μＦ／ｃｍ２の静電容量が得られるアルミニウム箔シートから、アルミニウム陽極電極体を、図３に示したアルミニウム箔３０と同一の形状で、陽極部に対応する部分（図３の符号２４Ａに対応）を除いた部分のサイズが４．７ｍｍ×３．５ｍｍ（面積：０．１６５ｃｍ2）となるように打抜き加工により作製した。そして、打抜き加工した電極体において、絶縁性樹脂層が形成される領域（図３の符号２７に対応する領域）における粗面化構造を押圧処理により破壊した。こうして作製された電極体において、押圧処理を施した領域（図３の符号２７に対応する領域）の表面のみにエポキシ樹脂を塗布して、コーティングした。
【００６２】
さらに、このようにして得られた電極体を、酸化アルミニウム皮膜が形成され、粗面化処理が施されているアルミニウム箔が完全に浸漬されるように、３重量％の濃度で、６．０のｐＨに調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中にセットした。この際、電極体は、エポキシ樹脂がコーティングされた領域の一部までアジピン酸アンモニウム水溶液に浸された。
【００６３】
次いで、上記水溶液中に浸漬されている電極体を、陽極部に対応する、エポキシ樹脂がコーティングされていない部分（図３の符号２４Ａに対応）を陽極として、化成電流密度５０〜１００ｍＡ／ｃｍ2、化成電圧１２Ｖの条件下で酸化させ、電極体の切断部端面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。
【００６４】
その後、電極体を上記水溶液から引き上げ、粗面化処理が施されているアルミニウム箔の表面上に、化学酸化重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質層を形成した。より具体的に説明すると、ポリピロールからなる固体高分子電解質層は、上記電極体を、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム箔部分（図３の符号２６Ａに対応）のみに含浸するように、精製した０．１ｍｏｌ／ｌのピロールモノマー、０．１ｍｏｌ／ｌのアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び０．０５ｍｏｌ／ｌの硫酸鉄（ＩＩＩ）を含むエタノール水混合溶液セル中にセットし、３０分間にわたって攪拌して化学酸化重合を進行させ、同じ操作を３回にわたって繰り返すことにより生成した。その結果、最大厚さが約５０μｍの固体高分子電解質層が形成された。
【００６５】
このようにして積層された固体高分子電解質層の表面に、カーボンペースト及び銀ペーストを順次塗布して、図１に示したコンデンサ素子１２の陰極部２８と同様の陰極部を形成した。
【００６６】
上述のようにして作製したコンデンサ素子を２個用意した。そして、２つのコンデンサ素子を、対応する陽極部（図１の符号２４に対応）が互いに重なり合うように揃えて積層し、コンデンサ素子の積層体（コンデンサ積層体）を作製した。なお、各コンデンサ素子の陰極部（図１の符号２８に対応）同士は、導電性接着剤で接着して一体化した。
【００６７】
以上のような工程を経てコンデンサ積層体を用意した。
【００６８】
表裏面に、図４（ａ）（素子搭載面）及び図４（ｂ）（素子搭載面の裏面）のような銅箔電極パターンが形成された電解コンデンサ実装基板（７．３ｍｍ×４．３ｍｍ）を下記の手法により準備した。なお、この電解コンデンサ実装基板は、ガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板（ＦＲ４基板）であり、基板厚さは０．５ｍｍ、銅箔パターンの厚さは３６μｍである。
【００６９】
まず、寸法が１００ｍｍ×１００ｍｍである上述のガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板を準備し、この基板の一方面（表面）に、紫外線硬化型レジストを、７．３ｍｍ×４．３ｍｍの寸法領域内に収まる所定のパターン（図４（ａ）に示した電極パターンと同一形状）にパターニングした。このようなレジストパターンを基板の表面に７７個形成した。同様にして、基板の他方面（裏面）にも、紫外線硬化型レジストを、先に形成した表面のレジストパターンの位置と対応するように、所定のパターン（図４（ｂ）に示した電極パターンと同一形状）にパターニングした。
【００７０】
その後、既知の手法を用いて、銅箔の不要部分を化学的にエッチング除去すると共にレジストを剥離して、所定の電極パターンを形成した。
【００７１】
以下、電解コンデンサ実装基板の７．３ｍｍ×４．３ｍｍの素子寸法領域内の処理について説明する。
【００７２】
電極パターンが完成した電解コンデンサ実装基板の表面の７．３ｍｍ×４．３ｍｍの一領域内に形成された電極パターン（陽極電極パターン、図４（ａ）の陽極電極パターン３８Ａに対応）及び電極パターン（陰極電極パターン、図４（ａ）の陰極電極パターン３８Ｂに対応）の所定の位置（図４（ａ）の縁領域４２Ａ，４２Ｂに対応）と、基板裏面の電極パターン（陽極ランドパターン、図４（ｂ）の陽極ランドパターン４０Ａに対応）及び電極パターン（陰極ランドパターン、図４（ｂ）の陰極ランドパターン４０Ｂに対応）の所定の位置（図４（ｂ）の縁領域４６Ａ，４６Ｂに対応）とを連結するように、１６個（８対）の貫通孔（０．２ｍｍ径）を形成した。
【００７３】
なお、陽極電極パターンに設けられた貫通孔と陰極電極パターンに設けられた貫通孔とは対をなしており、貫通孔の対のそれぞれは、その間隔（中心間距離）が１ｍｍであり、縁領域が対向する方向（図４（ａ）及び図４（ｂ）におけるＸ方向）に並んでいる。
【００７４】
その後、無電解メッキによって、貫通孔内壁、基板表面の電極パターン表面、及び基板裏面の電極パターン表面に３μｍのニッケルメッキを施した。さらに、そのニッケルメッキ上に、０．０８μｍの金メッキを施した。さらに上述した全ての貫通孔が埋まるように銅メッキを施し、ビアを形成した。
【００７５】
ビアを形成した後、絶縁性樹脂層を所定領域（図４（ａ）の符号５０の領域と図４（ｂ）の符号５２の領域に対応）に形成するため、厚さ５０μｍのエポキシ樹脂をスクリーン印刷法でコーティングした。その際、表面の全てのビアの端部は幅２ｍｍのエポキシ樹脂で覆い、一方、裏面の全てのビアの端部はランドパターン４０Ａ，４０Ｂの所定領域（縁領域５０Ａ，５０Ｂ）のみが露出するようにエポキシ樹脂で覆った。
【００７６】
上記コンデンサ積層体を、その最下面の陰極部が基板表面の陰極電極パターンに重なるように、銀系の導電性接着剤を用いて基板表面に搭載した。なお、コンデンサ積層体の陽極部は、ＮＥＣ製ＹＡＧレーザスポット溶接機で基板表面の陽極電極パターンと溶接接合した。
【００７７】
コンデンサ実装基板の表面上にコンデンサ積層体を固定した後、真空印刷方法により、エポキシ樹脂で基板と積層体とを一体的にモールドした。
【００７８】
モールド後、切断処理をおこなって、７．３ｍｍ×４．３ｍｍの寸法を有する、図１に示したような２端子構造のディスクリートタイプ固体電解コンデンサ＃１を得た。その後、既知の方法にて、固体電解コンデンサに一定の電圧を印加して、エージング処理をおこない、漏れ電流を十分に低減させて、完成させた。
【００７９】
このようにして得られた固体電解コンデンサ＃１について、その電気的特性を評価した。具体的には、固体電解コンデンサ＃１を所定の評価用基板に搭載し、アジレントテクノロジー社製インピーダンスアナライザー４１９４Ａ、ネットワークアナライザー８７５３Ｄを用いて、静電容量およびＳ21特性を測定した。また、得られたＳ21特性に基づいて等価回路シミュレーションをおこない、ＥＳＲ値及びＥＳＬ値を求めた。
（実施例２）
【００８０】
図７に示した電解コンデンサと同様の電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【００８１】
まず、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ１００μｍで、２７０μＦ／ｃｍ２の静電容量が得られるアルミニウム箔シートから、アルミニウム陽極電極体を、図８に示したアルミニウム箔１３０と同一の形状で、４つの突起部分（符号１２４Ａ部分）を除いた部分のサイズが６．５ｍｍ×３．０ｍｍ（面積：０．１９５ｃｍ2）となるように打抜き加工により作製した。そして、打抜き加工した電極体において、絶縁性樹脂層が形成される領域（図８の符号１２７に対応する領域）における粗面化構造を押圧処理により破壊した。こうして作製された電極体において、押圧処理を施した領域（図８の符号１２７に対応する領域）の表面のみにエポキシ樹脂を塗布して、コーティングした。
【００８２】
その後、図８に示した形状のアルミニウム箔の陽極部に対応する４つの突起部分のうち、一側（４つの陽極部のうちの２つ）の突起部分１２４Ａにのみ、紫外線硬化型レジストを塗布してコーティングした。
【００８３】
さらに、このようにして得られた電極体を、酸化アルミニウム皮膜が形成され、粗面化処理が施されているアルミニウム箔が完全に浸漬されるように、３重量％の濃度で、６．０のｐＨに調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中にセットした。この際、電極体は、エポキシ樹脂がコーティングされた領域の一部までアジピン酸アンモニウム水溶液に浸された。
【００８４】
次いで、上記水溶液中に浸漬されている電極体を、コーティング処理されていない２つの突起部分１２４Ａを陽極として、化成電流密度５０〜１００ｍＡ／ｃｍ2、化成電圧１２Ｖの条件下で酸化させ、電極体の切断部端面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。
【００８５】
その後、電極体を上記水溶液から引き上げ、粗面化処理が施されているアルミニウム箔の表面上に、化学酸化重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質層を形成した。より具体的に説明すると、ポリピロールからなる固体高分子電解質層は、上記電極体を、粗面化処理が施され、酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム箔部分（図８の符号１２６Ａに対応）のみに含浸するように、精製した０．１ｍｏｌ／ｌのピロールモノマー、０．１ｍｏｌ／ｌのアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び０．０５ｍｏｌ／ｌの硫酸鉄（ＩＩＩ）を含むエタノール水混合溶液セル中にセットし、３０分間にわたって攪拌して化学酸化重合を進行させ、同じ操作を３回にわたって繰り返すことにより生成した。その結果、最大厚さが、約５０μｍの固体高分子電解質層が形成された。
【００８６】
このようにして積層された固体高分子電解質層の表面に、カーボンペースト及び銀ペーストを順次塗布して、図７に示したコンデンサ素子１１２の陰極部１２８と同様の陰極部を形成した。ペースト層が形成した後、塗布されている紫外線硬化型レジストを有機溶媒にて溶解して除去し、粗面化処理が施されていない２つの陽極部を露出させた。以上の処理によって、コンデンサ素子（図７の素子１１２に対応）を作製した。
【００８７】
上述のようにして作製したコンデンサ素子を２個用意した。そして、２つのコンデンサ素子を、対応する陽極部（図７の符号１２４に対応）が互いに重なり合うように揃えて積層し、コンデンサ素子の積層体（コンデンサ積層体）を作製した。なお、各コンデンサ素子の陰極部（図７の符号１２８に対応）同士は、導電性接着剤で接着して一体化した。
【００８８】
以上のような工程を経てコンデンサ積層体を用意した。
【００８９】
表裏面に、図９（ａ）（素子搭載面）及び図９（ｂ）（素子搭載面の裏面）のような銅箔電極パターンが形成された電解コンデンサ実装基板（７．３ｍｍ×４．３ｍｍ）を下記の手法により準備した。なお、この電解コンデンサ実装基板は、実施例１と同様、ガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板（ＦＲ４基板）であり、基板厚さは０．５ｍｍ、銅箔パターンの厚さは３６μｍである。
【００９０】
まず、寸法が１００ｍｍ×１００ｍｍである上述のガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板を準備し、この基板の一方面（表面）に、紫外線硬化型レジストを、７．３ｍｍ×４．３ｍｍの寸法領域内に収まる所定のパターン（図９（ａ）に示した電極パターンと同一形状）にパターニングした。このようなレジストパターンを基板の表面に７７個形成した。同様にして、基板の他方面（裏面）にも、紫外線硬化型レジストを、先にレジスト形成した表面のレジストパターンの位置と対応するように、所定のパターン（図９（ｂ）に示した電極パターンと同一形状）にパターニングした。
【００９１】
その後、既知の手法を用いて、銅箔の不要部分を化学的にエッチング除去すると共にレジストを剥離して、所定の電極パターンを形成した。
【００９２】
以下、電解コンデンサ実装基板の７．３ｍｍ×４．３ｍｍの素子寸法領域内の処理について説明する。
【００９３】
電極パターンが完成した電解コンデンサ実装基板の表面の７．３ｍｍ×４．３ｍｍの一領域内に形成された４個の電極パターン（陽極電極パターン、図９（ａ）の陽極電極パターン１３８Ａに対応）の縁領域１４２Ａ及び４個の電極パターン（陰極凸パターン部、図９（ａ）のパターン部１００に対応）の縁領域１４２Ｂと、裏面上の４個の電極パターン（陽極ランドパターン、図９（ｂ）の陽極ランドパターン１４０Ａに対応）及び４個の電極パターン（陰極ランドパターン、図９（ｂ）の陰極ランドパターン１４０Ｂに対応）の所定の位置とを連結するように、それぞれ４つの貫通孔（０．２ｍｍ径）を形成した。
【００９４】
なお、陽極ランドパターンに設けられた貫通孔と陰極ランドパターンに設けられた貫通孔とは対をなしており、貫通孔の対のそれぞれは、その間隔（中心間距離）が１ｍｍであり、縁領域が対向する方向（図９（ａ）及び図９（ｂ）におけるＸ方向）に並んでいる。
【００９５】
その後、無電解メッキによって、貫通孔内壁、基板表面の電極パターン表面、及び基板裏面の電極パターン表面に３μｍのニッケルメッキを施した。さらに、そのニッケルメッキ上に、０．０８μｍの金メッキを施した。さらに上述した全ての貫通孔が埋設されるように銅メッキを施し、ビアを形成した。
【００９６】
上記コンデンサ積層体を、その最下面の陰極部が基板表面の陰極電極パターンに重なるように、銀系の導電性接着剤を用いて基板表面に搭載した。なお、コンデンサ積層体の陽極部は、それぞれＮＥＣ製ＹＡＧレーザスポット溶接機で基板表面の陽極電極パターンと溶接接合した。
【００９７】
コンデンサ実装基板の表面側上にコンデンサ積層体を固定した後、真空印刷方法により、エポキシ樹脂で基板と積層体とを一体的にモールドした。
【００９８】
モールド後、切断処理をおこなって、７．３ｍｍ×４．３ｍｍの寸法を有する、図７に示したような８端子構造のディスクリートタイプ固体電解コンデンサ＃２を得た。その後、既知の方法にて、固体電解コンデンサに一定の電圧を印加して、エージング処理をおこない、漏れ電流を十分に低減させて、完成させた。
【００９９】
このようにして得られた固体電解コンデンサ＃２について、その電気的特性を評価した。具体的には、固体電解コンデンサ＃２を所定の評価用基板に搭載し、アジレントテクノロジー社製インピーダンスアナライザー４１９４Ａ、ネットワークアナライザー８７５３Ｄを用いて、静電容量およびＳ21特性を測定した。また、得られたＳ21特性に基づいて等価回路シミュレーションをおこない、ＥＳＲ値及びＥＳＬ値を求めた。
（比較例１）
【０１００】
上記実施例１に係る電解コンデンサと比較するために比較用電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【０１０１】
図１１に示すような電極パターンが形成されたコンデンサ実装基板に、１６個のビア（０．２ｍｍ径）を形成した。このとき、対応する陽極電極パターンに形成されたビアと陰極電極パターンに形成されたビアとの対の間隔（中心間距離）は４ｍｍとした。そして、上記実施例１と同様の製法により、この基板を備える電解コンデンサ＃３を作製した。また、電解コンデンサ＃３と同様の電解コンデンサであって、対応する陽極電極パターンに形成されたビアと陰極電極パターンに形成されたビアと対の間隔が５ｍｍである電解コンデンサ＃４を作製した。そして、このようにして作製された電解コンデンサ＃３及び電解コンデンサ＃４の電気的特性を、実施例１と同様の手法で評価した。
（比較例２）
【０１０２】
上記実施例２に係る電解コンデンサと比較するために比較用電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【０１０３】
上記実施例２に係る電極パターンと同様のパターンが形成されたコンデンサ実装基板に複数のビア（０．２ｍｍ径）を形成した。これらのビアは、図１２に示すように、基板表面１１４ａの陽極電極パターン１３８Ａ及び四角形パターン部１００それぞれに、Ｘ方向に沿って４つずつ並設されている。そして、この基板を用いて電解コンデンサコンデンサ＃５を作製し、その電気的特性を実施例２と同様の手法で評価した。
【０１０４】
下記表1に、上述した固体電解コンデンサ＃１〜＃５の電気的特性をまとめた。
【表１】
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【０１０５】
実施例１で示した電解コンデンサ＃１と、比較例１で示した電解コンデンサ＃３、＃４とは、電極の作製方法、絶縁性酸化皮膜の形成方法、使用する固体高分子化合物の種類、及び部品のサイズは同一である。異なる点は、コンデンサ実装基板に形成した貫通孔（又はビア）の中心間距離である。従って、特性比較の点において、実施例１の電解コンデンサ＃１に比べて比較例１の電解コンデンサ＃３,＃４のＥＳＬ特性が劣っていることから、電解コンデンサ＃１のＥＳＬが有意に低減していることが確認できた。
【０１０６】
実施例２で示した電解コンデンサ＃２と、比較例２に示した電解コンデンサ＃５とは、電極の作製方法、絶縁性酸化皮膜の形成方法、使用する固体高分子化合物の種類、及び部品のサイズは同一である。異なる点は、コンデンサ実装基板に使用した貫通孔（又はビア）の配列パターンである。従って、特性比較の点において、実施例２の電解コンデンサ＃２に比べて比較例２の電解コンデンサ＃５のＥＳＬ特性が劣っていることから、電解コンデンサ＃２のＥＳＬが有意に低減していることが確認できた。
【０１０７】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電解コンデンサを示す斜視図である。
【図２】図１に示した電解コンデンサの要部を示す模式断面図である。
【図３】コンデンサ素子となるアルミニウム箔に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。
【図４】図４（ａ）は基板の素子搭載面を示した図であり、図４（ｂ）は基板の素子搭載面の裏面を示した図である。
【図５】電解コンデンサが実装基板に搭載された状態を示した図であり、図４（ａ）のＶ−Ｖ線において切断した断面図である。
【図６】第１実施形態に係る電解コンデンサにおける異なる態様の陽極ビア及び陰極ビアを示した図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る電解コンデンサを示す斜視図である。
【図８】コンデンサ素子となるアルミニウム箔に陽極酸化処理を施している状態を示す図である。
【図９】図９（ａ）は基板の素子搭載面を示した図であり、図９（ｂ）は基板の素子搭載面の裏面を示した図である。
【図１０】第２実施形態に係る電解コンデンサにおける異なる態様の陽極ビア及び陰極ビアを示した図である。
【図１１】図１１（ａ）は比較用基板の素子搭載面を示した図であり、図１１（ｂ）は比較用基板の素子搭載面の裏面を示した図である。
【図１２】図１２（ａ）は比較用基板の素子搭載面を示した図であり、図１２（ｂ）は比較用基板の素子搭載面の裏面を示した図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０，１１０…電解コンデンサ、１２，１１２…コンデンサ素子、１４，１１４…基板、２４，１２４…陽極部、２８，１２８…陰極部、３８Ａ，１３８Ａ…陽極電極パターン、３８Ｂ，１３８Ｂ…陰極電極パターン、４２Ａ，１４０Ａ…陽極ランドパターン、４２Ｂ，１４０Ｂ…陰極ランドパターン、４４，１４４…陽極ビア、４８，１４８…陰極ビア、１００…陰極凸パターン部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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