(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており前記透過部と前記反射部とで互いに異なる基準電圧が印加されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
前記各サブピクセル内において、前記透過部あるいは前記反射部のうち一方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも高い電位で、前記透過部あるいは前記反射部のうち他方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも低い電位であることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており前記透過部と前記反射部とで互いに異なる基準電圧が印加されており、
前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有することを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており前記透過部と前記反射部とで互いに異なる基準電圧が印加されており、
前記対向電極は、１表示ライン毎にそれぞれ独立して駆動されることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極と、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極には、互いに異なる基準電圧が印加され、
前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極には、同一の基準電圧が印加されることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項６】
一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し一体に形成されており、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極と、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極には、互いに異なる基準電圧が印加され、
前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極には、同一の基準電圧が印加され、
前記対向電極は、１表示ライン毎にそれぞれ独立して駆動されることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項７】
前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記透過部の前記対向電極とは共通の電極であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項８】
前記透過部の画素電極と、前記反射部の画素電極とは、電極の間隔が異なっていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射部の前記画素電極は、反射率が７０％以下の金属で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１０】
前記反射部の前記画素電極は、透明電極であり、前記反射部は反射膜を有し、前記反射膜は、前記反射部の前記画素電極と重畳する位置に、スリットを有することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１１】
前記一対の基板のうち他方の基板は、前記反射部の前記画素電極に対向する位置に遮光膜を有することを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１２】
前記対向電極は、帯状の電極であり、
前記帯状の対向電極上に形成される層間絶縁膜を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１３】
ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、前記ｎ番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極と、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１４】
ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、前記ｎ番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極と、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１５】
ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極と、（ｎ＋２）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項１６】
ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極と、（ｎ＋２）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に係り、特に、ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
１サブピクセル内に、透過部と反射部を有する半透過型液晶表示装置が携帯機器用のディスプレイとして使用されている。
これらの半透過型液晶表示装置においては、一対の基板間に狭持される液晶に対して、一対の基板の基板平面に垂直な方向に電界を印加して、液晶を駆動する縦電界方式が用いられている。また、透過部と反射部との特性を合せるために、透過部と反射部とで段差を設け、さらに偏光板と液晶層の間に位相差板を設置している。
液晶表示装置として、ＩＰＳ方式の液晶表示装置が知られており、このＩＰＳ方式の液晶表示装置では、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とを同じ基板上に形成し、その間に電界を印加させ液晶を基板平面内で回転させることにより、明暗のコントロールを行っている。そのため、斜めから画面を見た際に表示像の濃淡が反転しないという特徴を有する。
この特徴を活かすために、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成することが、例えば、下記特許文献１などで提案されている。
また、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の駆動方法として、対向電極を表示ライン毎に駆動することが、例えば、下記特許文献２、３に記載されている。
【０００３】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００３−３４４８３７号公報
【特許文献２】特開２００１−１９４６８５号公報
【特許文献３】特開平１０−３１４６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述の特許文献１にも記載されているように、ＩＰＳ方式の液晶表示装置を用いて、半透過型液晶表示装置を構成した場合に、例えば、透過部がノーマリブラック場合、反射部がノーマリホワイトとなり、透過部と反射部で明暗が逆転するという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、透過部と反射部で明暗が逆転しない、ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立している。
（２）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
前記各サブピクセル内において、前記透過部あるいは前記反射部のうち一方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも高い電位で、前記透過部あるいは前記反射部のうち他方の前記対向電極に印加される電位は、前記画素電極に印加される電位よりも低い電位である。
【０００６】
（３）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
前記透過部は、電圧を印加しない状態で黒表示となるノーマリブラック特性を有し、前記反射部は、電圧を印加しない状態で白表示となるノーマリホワイト特性を有する。
（４）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
前記対向電極は、１表示ライン毎にそれぞれ独立して駆動される。
【０００７】
（５）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極と、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極には、互いに異なる基準電圧が印加され、
前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極には、同一の基準電圧が印加される。
（６）一対の基板と、前記一対の基板間に狭持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、
前記液晶表示パネルは、透過部と反射部とを有する複数のサブピクセルを有し、
前記複数のサブピクセルの各サブピクセルは、前記一対の基板のうち一方の基板上に形成された画素電極と、前記一方の基板上に形成された対向電極とを有し、
前記画素電極と前記対向電極とによって電界を発生させて前記液晶を駆動する半透過型液晶表示装置であって、
前記各サブピクセルは、前記画素電極が、前記透過部と前記反射部とで共通し、前記対向電極が、前記透過部と前記反射部とでそれぞれ独立しており、
隣接する２つの表示ラインを、一方の表示ラインと他方の表示ラインとするとき、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極と、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極には、互いに異なる基準電圧が印加され、
前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルの前記透過部の前記対向電極には、同一の基準電圧が印加され、
前記対向電極は、１表示ライン毎にそれぞれ独立して駆動される。
【０００８】
（７）（５）または（６）において、前記一方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記反射部の前記対向電極と、前記他方の表示ラインの前記各サブピクセルにおける前記透過部の前記対向電極とは共通の電極である。
（８）（１）から（７）の何れかにおいて、前記透過部の画素電極と、前記反射部の画素電極とは、電極の間隔が異なっている。
（９）（１）から（８）の何れかにおいて、前記反射部の前記画素電極は、反射率が７０％以下の金属で構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の半透過型液晶表示装置。
（１０）（１）から（８）の何れかにおいて、前記反射部の前記画素電極は、透明電極であり、前記反射膜は、前記反射部の前記画素電極と重畳する位置に、スリットを有する。
（１１）（１）から（８）の何れかにおいて、前記一対の基板のうち他方の基板は、前記反射部の前記画素電極に対向する位置に遮光膜を有する。
（１２）（１）から（１１）の何れかにおいて、前記対向電極は、帯状の電極であり、
前記帯状の対向電極上に形成される層間絶縁膜を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜上に形成される。
（１３）（１）から（１２）の何れかにおいて、ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、前記ｎ番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極と、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加する。
（１４）（１）から（１２）の何れかにおいて、ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、前記ｎ番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極と、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加する。
（１５）（１）から（１２）の何れかにおいて、ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極と、（ｎ＋２）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加する。
（１６）（１）から（１２）の何れかにおいて、ｎを１以上の整数とするとき、ｎ番目の表示ラインの前記画素電極に対する映像電圧の書き込みに同期して、（ｎ＋１）番目の表示ラインの前記透過部の前記対向電極と、（ｎ＋２）番目の表示ラインの前記反射部の前記対向電極に同一の基準電圧を印加する。
尚、（１）から（１６）に記載した構成はあくまで一例であり、これに限定されるものではない。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、透過部と反射部で明暗が逆転しない、ＩＰＳ方式の半透過型液晶表示装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
［実施例１］
図１は、本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。また、図２は、本実施例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。尚、図１は、図２のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
以下、図１、図２を用いて、本実施例の半透過型液晶表示装置について説明する。
図１に示すように、本実施例では、液晶層（ＬＣ）を挟んで、一対のガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）が設けられる。
一方のガラス基板（ＳＵＢ１）には、例えば、Ａｌからなる反射層（ＭＥＴ）と、反射層（ＭＥＴ）上に形成される層間絶縁膜（ＩＮＳ）と、層間絶縁膜（ＩＮＳ）上に形成される画素電極（ＰＸ）および対向電極（ＣＴ）と、画素電極（ＰＸ）および対向電極（ＣＴ）上に形成される配向膜（ＡＬ１）とが形成される。尚、層間絶縁膜（ＩＮＳ）は２層以上であってもよい。
また、他方のガラス基板（ＳＵＢ２）には、段差形成層（ＭＲ）と、段差形成層（ＭＲ）上に形成される配向膜（ＡＬ２）とを有する。
さらに、ガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）の外側には、偏光板（ＰＬ１，ＰＬ２）が配置される。なお、図１において、ＴＭは透過部の光、ＲＭは反射部の光である。
ここで、反射層（ＭＥＴ）と段差形成層（ＭＲ）とが形成される領域が反射部１１を、それ以外の領域は透過部１０を構成する。
また、図２に示すように、画素電極（ＰＸ）および対向電極（ＣＴ）は、それぞれ櫛歯状に形成され、画素電極（ＰＸ）および対向電極（ＣＴ）の各櫛歯部分は、所定のピッチで形成され、かつ、相互に噛み合うように形成される。なお、図２において、Ａ，Ｂの点線枠で示す部分がそれぞれ１サブピクセルを示す。
尚、図１、図２、並びに、その他の対応する図では、複数の走査線と、複数の走査線に交差する複数の映像線と、各サブピクセルに対応して形成されたアクティブ素子（例えば、薄膜トランジスタ）とによってアクティブマトリクスを構成しているが、図示を省略している。また、必要に応じてコンタクトホールやカラーフィルタが形成されるが、これらについても図示を省略している。また、対向電極（ＣＴ）は、図示しない隣りの列のサブピクセルの対向電極（ＣＴ）と電気的に接続されているが、その接続構造についても図示を省略している。
【００１１】
図１１は、従来の半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。また、図１２は、従来の半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの電極構造を示す平面図である。尚、図１１は、図１２のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
図１１、図１２に示すように、従来の半透過型液晶表示装置も、本実施例の反射型液晶表示装置と同様な構成を有する。
図１３は、従来の半透過型液晶表示装置の透過部１０と、反射部１１の電圧−輝度特性を示すグラフである。なお、この図１３において、電圧Ｖは、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差を、Ｂは明るさを示す。
このグラフから分かるように、反射部１１はノーマリホワイト、即ち、液晶層（ＬＣ）に電圧を印加しない状態（Ｖ＝０、すなわち、対向電極（ＣＴ）と画素電極（ＰＸ）の電位が等しい場合）で白表示（明るく発光する状態）であるのに対して、透過部１０はノーマリブラック、即ち、液晶層（ＬＣ）に電圧を印加しない状態（Ｖ＝０）で黒表示である。
そして、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差を大きくすると、透過部１０は明るくなり、反射部１１は暗くなる。このように、この従来の半透過型液晶表示装置では、透過部１０と反射部１１で明暗が逆転するという問題点があった。
【００１２】
しかしながら、図２と、図１２とを比較すると、よく分かるように、本実施例では、１サブピクセル内で、画素電極（ＰＸ）は共通であるが、対向電極（ＣＴ）が、透過部１０と、反射部１１とでそれぞれ独立している。即ち、本実施例では、対向電極（ＣＴ）が、透過部用と、反射部用に２分割される。
なお、図２では、隣接する２つの表示ラインの、一方の表示ライン（図２のＡで示すサブピクセルを有する表示ライン）における反射部１１の対向電極（ＣＴ）と、他方の表示ライン（図２のＢで示すサブピクセルを有する表示ライン）における透過部１０の対向電極（ＣＴ）とを共通の電極で構成した場合を図示している。また、図２の矢印Ｃが走査方向を示す。
そして、図３に示すように、本実施例では、１サブピクセル内で、透過部１０の対向電極（ＣＴ）と、反射部１１の対向電極（ＣＴ）には異なる基準電圧が印加される。
例えば、図２のＡで示すサブピクセルでは、透過部１０の対向電極（ＣＴ）には、Ｈｉｇｈレベル（以下、Ｈレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加され、反射部１１の対向電極（ＣＴ）には、Ｌｏｗレベル（以下、Ｌレベル）の基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加される。また、この図２のＡで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＸ）に、透過部１０で見た場合には負極性で、反射部１１で見た場合には正極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。尚、ここでいう負極性とは、画素電極（ＰＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも低いことを意味しており、画素電極（ＰＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。同様に、ここでいう正極性とは、画素電極（ＰＸ）の電位が対向電極（ＣＴ）の電位よりも高いことを意味しており、画素電極（ＰＸ）の電位が０Ｖよりも大きいか小さいかは問わない。
同様に、図２のＢで示すサブピクセルでは、透過部１０の対向電極（ＣＴ）には、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）が印加され、反射部１１の対向電極（ＣＴ）には、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）が印加される。また、この図２のＢで示すサブピクセルでは、画素電極（ＰＸ）に、透過部１０で見た場合には正極性で、反射部１１で見た場合には負極性の映像電圧（Ｖ−ＰＸ）が印加されている。
【００１３】
ここで、画素電極（ＰＸ）に印加される映像電圧（Ｖ−ＰＸ）は、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）と、Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）との間の電位である。
したがって、図２のＡ、Ｂで示すサブピクセルにおいては、透過部１０では、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図３のＶａ）が大きくなり、反射部１１では、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差（図３のＶｂ）が小さくなる。
そのため、図３に示した電位が印加されている場合は、透過部１０では、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａが大きいので明るくなる。このとき、反射部１１では、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが小さいので、同様に明るくなる。
そして、透過部１０において、画素電極（ＰＸ）の電位（映像信号の電位）を図３とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａをさらに大きくすると、反射部１１において、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂがさらに小さくなるので、透過部１０および反射部１１は、ともに、より明るくなる。
逆に、透過部１０において、画素電極（ＰＸ）の電位（映像信号の電位）を図３とは異なる電位に変化させ、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖａを小さくすると、反射部１１において、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）との間の電位差Ｖｂが大きくなるので、透過部１０および反射部１１は、ともに暗くなる。
図４に、本実施例の反射型液晶表示装置の透過部１０と、反射部１１の電圧−輝度特性を示すグラフである。なお、この図４において、電圧Ｖは、透過部１０における画素電極（ＰＸ）と透過部１０における対向電極（ＣＴ）との間の電位差を、Ｂは明るさを示す。図４に示した透過部１０の特性は、横軸が電圧Ｖで、縦軸が透過部１０の明るさＢを示している。尚、反射部１１の特性については、横軸が透過部１０の電圧Ｖで、縦軸が反射部１１の明るさＢを示している。
図４の透過部１０の特性は、図１３の透過部１０の特性のＶが０からＶ１までに対応する。図４の反射部１１の特性は、図１３の反射部１１の特性のＶが０からＶ１までの部分について、左右反転したものに対応する。
【００１４】
このように、本実施例では、１サブピクセル内で、対向電極（ＣＴ）を、透過部用と、反射部用に２分割し、透過部１０の対向電極（ＣＴ）と、反射部１１の対向電極（ＣＴ）とに、それぞれ逆極性の基準電圧（尚、ここでいう逆極性とは、一方がＨレベルの時に他方がＬレベルとなることを意味している。）を印加するようにしたので、透過部１０と反射部１１で明暗が逆転するのを防止することができる。すなわち、本発明では、透過部１０がノーマリブラックで、反射部１１がノーマリホワイトであるにもかかわらず、反射部１１の対向電極（ＣＴ）に印加される電圧を工夫することにより、明暗逆転の問題を解決している。
なお、液晶の交流化駆動を行うため、所定のフレーム毎（例えば、１フレーム毎）に、対向電極（ＣＴ）に印加されている電位の極性を反転させる（Ｈレベルが印加されている場合はＬレベルに、Ｌレベルが印加されている場合はＨレベルにする）ことが望ましい。このとき、画素電極（ＰＸ）の電位も所定の明るさが得られるように適宜変更する。
なお、シミュレーションの結果、本実施例において十分な明暗の差を得るためには、反射部１１の液晶層（ＬＣ）のリタデーション（Δｎｄ）は、１００ｎｍ≦Δｎｄ≦２００ｎｍであることが望ましい。
また、ＩＰＳ方式の場合、画素電極（ＰＸ）の上は液晶に電界を印加しにくいため、本実施例のように反射部１１をノーマリホワイトにしている場合は、反射部１１における画素電極（ＰＸ）の部分が常に白表示になってしまい、コントラストが低下するという問題が考えられる。また、反射部１１における対向電極（ＣＴ）の上でも同様の問題が発生することが考えられる。
そこで、反射部１１のコントラスト比を向上するためには、次のような構成を採用することが好ましい。
（１）反射部１１の画素電極（ＰＸ）および反射部１１の対向電極（ＣＴ）のうち少なくとも一方の、好ましくは両方の、櫛歯部分を、反射率の低い金属で構成する。反射率７０％以下であることが望ましい。例えば、Ｃｒを用いることができる。尚、反射率の低い金属で構成する代わりに、電極の上の絶縁膜の膜厚を調整することにより、干渉を利用して、反射率を低下させても良い。電極を多層膜にして、上層を透明電極で構成し、透明電極の膜厚を調整することで、干渉を利用して、反射率を低下させても良い。
（２）反射部１１の画素電極（ＰＸ）および反射部１１の対向電極（ＣＴ）のうち少なくとも一方の、好ましくは両方の、櫛歯部分を透明電極で構成し、それに重なる部分には反射層（ＭＥＴ）を置かない構造とする。例えば、反射層（ＭＥＴ）は、反射部１１の電極と重畳する位置に、スリットを有する構造とする。
（３）他方の基板（ＳＵＢ２）における、反射部１１の画素電極（ＰＸ）および反射部１１の対向電極（ＣＴ）のうち少なくとも一方の、好ましくは両方の、櫛歯部分と対応する位置に遮光膜を設置する。
また、図５に示すように、反射部１１の画素電極（ＰＸ）および反射部１１の対向電極（ＣＴ）の櫛歯の間隔を、透過部１０の櫛歯の間隔に対して狭くする、あるいは、広くすることにより、透過部１０と反射部１１のガンマ特性を近づけることができる。
なお、図５は、本発明の実施例の変形例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【００１５】
［実施例２］
図６は、本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。また、図７は、本実施例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。尚、図６は、図７のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
前述の実施例１では、画素電極（ＰＸ）と、透過部１０および反射部１１の対向電極（ＣＴ）とが、一方の基板（ＳＵＢ１）の同一層に形成されている。そして、両者が重畳しないようになっている。
これに対して、本実施例は、画素電極（ＰＸ）と、透過部１０および反射部１１の対向電極（ＣＴ）とが、一方の基板（ＳＵＢ１）の異なる層に形成されている点で、前述の実施例と相違する。
本実施例では、透過部１０および反射部１１の対向電極（ＣＴ）上に、層間絶縁膜（ＩＮＳ）が形成され、さらに、この層間絶縁膜（ＩＮＳ）上に画素電極（ＰＸ）が形成される。また、反射層（ＭＥＴ）は、反射部１１の対向電極（ＣＴ）上に形成される。
また、本実施例では、透過部１０および反射部１１の対向電極（ＣＴ）は面状に形成されている。画素電極（ＰＸ）は、閉じた形状のスリット３０を内部に有する矩形形状とされる。但し、矩形形状に限定されず、任意の形状でも良い。
なお、画素電極（ＰＸ）は、前述の実施例と同様、一部が開放した形状のスリットを有する櫛歯形状であってもよい。また、本実施例および前述の実施例において、画素電極（ＰＸ）は線状部分を有する構造となっている。
また、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）とが、層間絶縁膜（ＩＮＳ）を介して重畳しており、これによって保持容量を形成している。尚、層間絶縁膜（ＩＮＳ）は、１層に限定されず、２層以上であっても良い。
【００１６】
本実施例でも、１サブピクセル内で、面状の対向電極（ＣＴ）を、透過部用と、反射部用に２分割し、透過部１０の対向電極（ＣＴ）と、反射部１１の対向電極（ＣＴ）とに、それぞれ逆極性の基準電圧（尚、ここでいう逆極性とは、一方がＨレベルの時に他方がＬレベルとなることを意味している。）を印加することにより、透過部１０と反射部１１で明暗が逆転するのを防止することができる。
この場合に、シミュレーションの結果、本実施例でも、十分な明暗の差を得るためには、反射部１１の液晶層（ＬＣ）のリタデーション（Δｎｄ）は、１００ｎｍ≦Δｎｄ≦２００ｎｍであることが望ましい。
また、図８に示すように、反射部１１の画素電極（ＰＸ）の櫛歯の間隔を、透過部１０の櫛歯の間隔に対して狭くする、あるいは、広くすることにより、透過部１０と反射部１１のガンマ特性を近づけることができる。
なお、図８は、本発明の実施例の変形例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
また、本実施例および前述の実施例のどちらの場合においても、画素電極（ＰＸ）および対向電極（ＣＴ）の櫛歯部分を９０°回転させても良い。あるいは、マルチドメイン化するために、屈曲した構造としても良い。
また、反射部１１のコントラスト比を向上するために、実施例１で説明した（１）〜（３）の構造を採用することが好ましい。但し、本実施例の場合は、対向電極（ＣＴ）は櫛歯状ではないので、画素電極（ＰＸ）について実施例１で説明した（１）〜（３）の構造を採用すればよい。
【００１７】
以下、前述の各実施例の対向電極（ＣＴ）の駆動方法について説明する。
図９は、本発明の各実施例の半透過型液晶表示装置の駆動方法の一例を説明するための図ある。なお、図９において、ＳＲはシフトレジスタ、Ｇn-1,Ｇn,Ｇn+1は走査線（ゲート線）、ＶＰＸn-1,ＶＰＸn,ＶＰＸn+1は映像線（ドレイン線またはソース線）、ＣＴn-1,ＣＴn,ＣＴn+1は対向電極、ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢは電源線、ＴＦＴは薄膜トランジスタ、ＣLCは液晶容量、Ｃstは保持容量である。
図９に示す例では、（ｎ−１）番目の表示ラインの走査線（Ｇn-1）に走査信号を印加し、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲートをオンして、各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像線（ＶＰＸn-1,ＶＰＸn,ＶＰＸn+1）を介して映像電圧を書き込む。このとき、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの反射部１１の対向電極（ＣＴn）と、次の行であるｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの透過部１０の対向電極（ＣＴn）に、電源線（ＣＯＭＢ）から、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）、あるいは、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）を印加する。
次に、ｎ番目の表示ラインの走査線（Ｇn）に走査信号を印加し、ｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲートをオンして、各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像線（ＶＰＸn-1,ＶＰＸn,ＶＰＸn+1）を介して映像電圧を書き込む。このとき、ｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの反射部１１の対向電極（ＣＴn+1）と、次の行である（ｎ＋１）番目の表示ラインの各サブピクセルの透過部１０の対向電極（ＣＴn+1）に、電源線（ＣＯＭＡ）から、１行前の対向電極（ＣＴn）とは逆極性の基準電位である、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）、あるいは、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）を印加する。
これにより、各表示ラインの各サブピクセルの対向電極（ＣＴ）の基準電圧を決定する。
したがって、ｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像電圧が書き込まれる時には、常にｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）近傍の２本の対向電極（ＣＴn、ＣＴn+1）の電位は固定されるため、安定した書き込みが行われる。
なお、走査方向が、図２の矢印Ｃと反対側の方向の場合には、図９において、画素電極（ＰＸ）の上側が反射部１１となり、下側が透過部１０となると考えればよい。そして、（ｎ−１）番目の表示ラインの走査線（Ｇn-1）に走査信号を印加し、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲートをオンして、各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像線（ＶＰＸn-1,ＶＰＸn,ＶＰＸn+1）を介して映像電圧を書き込む。このとき、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの透過部１０の対向電極（ＣＴn）と、次の行であるｎ番目の表示ラインの各サブピクセルの反射部１１の対向電極（ＣＴn）に、電源線（ＣＯＭＢ）から、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）、あるいは、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）を印加する。
【００１８】
図１０は、本発明の各実施例の半透過型液晶表示装置の駆動方法の他の例を説明するための図ある。なお、図１０において、ＳＲはシフトレジスタ、Ｇn-2,Ｇn-1,Ｇn,Ｇn+1は走査線（ゲート線）、ＶＰＸn-1,ＶＰＸn,ＶＰＸn+1は映像線（ドレイン線またはソース線）、ＣＴn-1,ＣＴn,ＣＴn+1は対向電極、ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢは電源線、ＴＦＴは薄膜トランジスタ、ＣLCは液晶容量、Ｃstは保持容量である。
図９においては、ｎ番目の表示ラインの走査線（Ｇn）に印加される走査信号に同期して、ｎ番目の表示ラインのサブピクセルと（ｎ＋１）番目の表示ラインのサブピクセルとで共有している対向電極（ＣＴn）に基準電圧を書き込んでいた。これに対して、図１０では、ｎ番目の表示ラインの走査線（Ｇn）に印加される走査信号に同期して、（ｎ＋１）番目の表示ラインのサブピクセルと（ｎ＋２）番目の表示ラインのサブピクセルとで共有している対向電極（ＣＴn+1）に基準電圧を書き込む点で図９とは相違している。
図１０に示す例では、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲートをオンして、各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像電圧を書き込む。このとき、次の行であるｎ番目の表示ラインの反射部１１の対向電極（ＣＴn+1）と、次の次の行である（ｎ＋１）番目の表示ラインの各サブピクセルの透過部１０の対向電極（ＣＴn+1）に、電源線（ＣＯＭＡ）から、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）、あるいは、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）を印加する。これにより、各表示ラインの各サブピクセルの対向電極（ＣＴ）の基準電圧を決定する。
したがって、図１０に示す例でも、画素電極（ＰＸ）に映像電圧が書き込まれる時には、常に画素電極（ＰＸ）近傍の２本の対向電極（ＣＴ）の電位は固定されるため、安定した書き込みが行われる。
なお、走査方向が、図２の矢印Ｃと反対側の方向の場合には、図１０において、画素電極（ＰＸ）の上側が反射部１１となり、下側が透過部１０となると考えればよい。そして、（ｎ−１）番目の表示ラインの各サブピクセルの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲートをオンして、各サブピクセルの画素電極（ＰＸ）に映像電圧を書き込むときに、次の行であるｎ番目の表示ラインの透過部１０の対向電極（ＣＴn+1）と、次の次の行である（ｎ＋１）番目の表示ラインの各サブピクセルの反射部１１の対向電極（ＣＴn+1）に、電源線（ＣＯＭＡ）から、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）、あるいは、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）を印加する。
【００１９】
図９、図１０の電源線（ＣＯＭＡ）に供給される電圧を、図９、図１０の下側の波形（Ａ）に、また、図９、図１０の電源線（ＣＯＭＢ）に供給される電圧を、図９、図１０の下側の波形（Ｂ）に示す。
これらの電圧波形から分かるように、電源線（ＣＯＭＡ）に供給される電圧と、電源線（ＣＯＭＢ）に供給される電圧は、Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ）、あるいは、Ｌベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ）であり、これらの電圧は、各フレーム毎に反転される。
なお、本実施例では、交流化駆動方式として、１表示ライン毎反転駆動方法を採用しているため、ｎ番目の表示ラインにおいて、画素電極（ＰＸ）に印加される映像電圧が透過部１０において正極性の場合には、透過部１０の対向電極（ＣＴ）に印加される基準電圧は負極性（Ｌレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｌ））となり、次の、（ｎ＋１）番目の表示ラインでは、画素電極（ＰＸ）に印加される映像電圧が透過部１０において負極性となり、透過部１０の対向電極（ＣＴ）に印加される基準電圧は正極性（Ｈレベルの基準電圧（Ｖ−ＣＴ−Ｈ））となる。
なお、この１表示ライン毎反転駆動方法の詳細は、前述の特許文献２、３を参照されたい。
実施例１においては、画素電極（ＰＸ）と対向電極（ＣＴ）を同層に配置しているが、絶縁膜を介して異なる層に配置しても良い。
本発明の液晶表示パネルの背面にバックライトを配置しても良い。
また、従来は、図１３に示した明暗逆転の特性を改善する手段として、λ／４波長板やλ／２波長板のような位相差板を用いるという方法があるが、本発明では、位相差板を用いなくても明暗逆転の問題を解決することが可能である。もちろん、本発明に対して、色付きなどを補償するために位相差板を用いても良い。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。
【図２】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図３】本発明の実施例１の半透過型液晶表示装置において、サブピクセル内で、透過部の対向電極（ＣＴ）と、反射部の対向電極（ＣＴ）に印加する基準電圧を示す図である。
【図４】本発明の実施例１の反射型液晶表示装置の透過部と、反射部の電圧−輝度特性を示すグラフである。
【図５】本発明の実施例１の変形例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。
【図７】本発明の実施例２の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図８】本発明の実施例２の変形例の半透過型液晶表示装置のサブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図９】本発明の各実施例の半透過型液晶表示装置の駆動方法の一例を説明するための図ある。
【図１０】本発明の各実施例の半透過型液晶表示装置の駆動方法の他の例を説明するための図ある。
【図１１】従来の半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの概略構成を示す要部断面図である。
【図１２】従来の半透過型液晶表示装置の１サブピクセルの電極構造を示す平面図である。
【図１３】従来の半透過型液晶表示装置の透過部１０と、反射部１１の電圧−輝度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００２１】
１０  透過部
１１  反射部
３０  スリット
ＴＭ  透過部の光
ＲＭ  反射部の光
ＳＵＢ１，ＳＵＢ２  ガラス基板
ＡＬ１，ＡＬ２  配向膜
ＰＬ１，ＰＬ２  偏光板
ＬＣ  液晶
ＰＸ  画素電極
ＣＴ  対向電極
ＭＥＴ  反射層
ＩＮＳ  層間絶縁膜
ＭＲ  段差形成層
ＳＲ  シフトレジスタ
Ｇ  走査線（ゲート線）、
ＶＰＸ  映像線（ドレイン線またはソース線）
ＣＯＭＡ，ＣＯＭＢ  電源線
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ＣLC  液晶容量
Ｃst  保持容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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