(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を読み出す読み出し回路とを備え、その読み出し回路で読み出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷情報の読み出しの動作は、第１読み出し動作と周期がそれよりも長い第２読み出し動作とからなり、前記第１および第２読み出し動作以外の動作は、読み出し空白動作からなり、(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順に移行するように設定する動作設定手段を備え、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除いて前記(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順を繰り返して行い、光または放射線の照射時における前記第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて撮影用データを取得し、非照射時における前記第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて当該撮影用データのオフセット補正を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前まで前記第１読み出し動作のみを繰り返して行うことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
検出された光または放射線に基づいて撮像を行う撮像装置は、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。Ｘ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層（半導体層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
被検体にＸ線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、２次元状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間（『蓄積時間』とも呼ばれる）分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。
【０００４】
このようなＸ線検出器の周辺には、薄膜トランジスタのスイッチングのＯＮ／ＯＦＦの切り換えを行うゲートドライバ回路や、キャリアを読み出すためのアンプアレイ回路といった周辺回路が配設されている。駆動回路はＸ線検出器に駆動信号を与えてＸ線検出器を駆動させ、キャリアの読み出しに関連する読み出し信号に基づいて、読み出されたキャリアをアンプアレイ回路が受け取る。これらの回路とＸ線検出器とを含めて撮像センサを構成している。
【０００５】
かかるアンプアレイ回路の概略ブロック図を図４に示す。アンプアレイ回路は、図４に示すように、初段の電荷感応型アンプ（CSA: Charge Sensitive Amplifier）ＣＳＡと、後段の電荷感応型メインアンプ（MA: Main Amplifier）ＭＡと、最終段のサンプリングホールドＳＨとを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
アンプアレイ回路の動作シーケンスの一例について、図５を参照して説明する。図５は、アンプアレイ回路の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。図５中の『ＣＳＡ』は初段の電荷感応型アンプＣＳＡのスイッチＳCSAのＯＮまたはＯＦＦを示す。図５中の『ＭＡ』は後段の電荷感応型メインアンプＭＡのスイッチＳMAのＯＮまたはＯＦＦを示す。図５中の『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』は薄膜トランジスタのゲートのＯＮまたはＯＦＦを示す。図５中の『ＳＨ』はサンプリングホールドＳＨのＯＮまたはＯＦＦを示す。なお、『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮから次回の『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮまでの期間が、１本のデータ線の１ライン分の読み出し周期となり（図５中の読み出し周期ＴLを参照）、『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』のＯＮ／ＯＦＦの切り換えの１回分で、実際の１本のデータ線の１ライン分の読み出し期間となる。
【０００７】
なお、図９のシーケンスは、１フレームごとに関するもので、図５で述べた読み出し周期ＴLは、１フレームから見ると図９においては図示した関係になる。また、各ラインの読み出し以外を『ブランキング期間』としたときに、１フレーム内では、実際に読み出される読み出し期間とブランキング期間とに区分けされる。つまり、１フレーム分の周期は、読み出し期間およびブランキング期間からなる。このブランキング期間はＸ線照射可能な時間でもあって、ブランキング期間でＸ線を照射して得られたキャリアを読み出し期間で読み出す。
【０００８】
実際にＸ線を照射する場合には、Ｘ線照射可能なブランキング期間でＸ線パルスを照射して行う。また、Ｘ線の照射開始前の非照射時においても、非照射時におけるキャリアの残留分に基づいてオフセット補正を行うために、通常は、図９に示すように、読み出し期間とブランキング期間とに区分けされて、非照射時における読み出し期間で読み出されたキャリアをオフセット補正用データとして用いる。
【０００９】
照射開始前の非照射時では、Ｘ線照射の準備に移行するために、例えばハンドスイッチ（図示省略）に『Ｒｅａｄｙ』および『曝射』の２段スイッチを設け、『Ｒｅａｄｙ』スイッチを押下することで準備に移行して、さらに『曝射』スイッチを押下することでＸ線照射を開始する。具体的には、『Ｒｅａｄｙ』スイッチを押下すると、図９に示すように、照射予告信号がＯＮ状態に移行し、『曝射』スイッチを押下すると照射開始信号もＯＮ状態に移行する。そして、照射開始信号がＯＮになった後の最初のフレームにおけるＸ線照射可能なブランキング期間でＸ線パルスが出力される。つまり、照射開始信号がＯＮになるとＯＮ時点でのフレームが終了してから、Ｘ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。この照射開始信号がＯＮになってからＸ線パルスを出力するまでの時間を『照射待ち時間』とする。
【００１０】
そしてＸ線パルスの出力が終了した後に、『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下でＯＮ状態に移行した照射予告信号、および『曝射』スイッチの押下でＯＮ状態に移行した照射開始信号もＯＦＦにする。なお、準備移行を行わずに非照射から照射に直接的に移行する場合には、『Ｒｅａｄｙ』スイッチに代表される準備移行の操作入力を行う入力手段は必ずしも必要でない。
【特許文献１】特開２００４−２３７５０号公報（第７−９頁、図１）
【非特許文献１】W. Zhao, et al. , "A flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium," Proc. SPIE Vol. 2708, pp. 523 - 531, 1996.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
かかるスイッチの押下は手動で行われるので、スイッチの押下によってＯＮに出力される照射予告信号や照射開始信号は、読み出し期間とブランキング期間とに区分されるフレームに同期しない。したがって、例えば、図１０（ａ）に示すように、フレームＦ６の直前で照射開始信号がＯＮになったときには、ＯＮ時点でのフレームＦ５が終了してから、次なるフレームＦ６においてＸ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。これに対して、図１０（ｂ）に示すように、フレームＦ６の直後で照射開始信号がＯＮになったときには、ＯＮ時点でのフレームＦ６が終了してから、次なるフレームＦ７においてＸ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。なお、図１０では照射予告信号については図示を省略している。この、図１０に示すように照射待ち時間は最大でフレームレートＴの変動がある。したがって、被検体が患者の場合において、患者の呼吸タイミングに合わせたＸ線照射を行う場合に、呼吸タイミングに合わせたＸ線照射が行い難いという問題が生じる。
【００１２】
そこで、出願人は、照射待ち時間の変動を少なくするために、特願２００５−１４９１８７号を先に出願している。図１１は、特願２００５−１４９１８７号（以下、「先の出願」とする）において照射開始信号がＯＮになったときの前後の各信号のタイミングチャートである。照射時のフレームレートＴ1よりも準備移行である照射予告信号（先の出願ではＸ線照射準備信号）がＯＮ状態に移行してから照射開始前までのフレームレートＴ2が短くなるように設定する。より具体的には、照射予告信号（先の出願ではＸ線照射準備信号）がＯＮ状態に移行すればＸ線照射のための準備に移行し、その準備移行から照射開始前まではフレームレートＴ2に短く設定し、照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮ状態に移行すれば、ＯＮ時点でのフレームが終了してから、Ｘ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力することでＸ線照射を行い、照射時のフレームレートＴ1に設定する。なお、フレームレートＴ1＞フレームレートＴ2を満たす。
【００１３】
準備移行は非照射時でもあるのでＸ線を照射する必要がない。そこで、先の出願では、Ｘ線照射可能時間を短く、あるいはＸ線照射可能時間自体をなくして、そのＸ線照射可能時間の低減分でフレームレートＴ1＞フレームレートＴ2となる。例えば、図１１（ａ）に示すように、フレームＦ６の直前で照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮになったときには、ＯＮ時点でのフレームＦ５が終了してから、次なるフレームＦ６においてＸ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。これに対して、図１１（ｂ）に示すように、フレームＦ６の直後で照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮになったときには、ＯＮ時点でのフレームＦ６が終了してから、次なるフレームＦ７においてＸ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。この、図１１に示すように照射待ち時間は最大でフレームレートＴ2の変動がある。
【００１４】
これは、図１１（ａ）に示すようにフレームＦ６の直前で照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮにならずに、図１１（ｂ）に示すようにフレームＦ６の直後で照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮになってずれたとしても、図１１（ａ）ではフレームＦ６までがフレームレートＴ2でフレームＦ７以降がフレームレートＴ1に対して、図１１（ｂ）ではフレームＦ７までがフレームレートＴ2にずれ込むからである。したがって、照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）のＯＮのタイミングに関わらず、照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）がＯＮに移行した直後のフレームレートは常にＴ2となる。
【００１５】
このように先の出願（特願２００５−１４９１８７号）によれば、Ｘ線の照射時のフレームレートＴ1よりも準備移行である照射予告信号（先の出願ではＸ線照射準備信号）がＯＮ状態に移行してから照射開始前までのフレームレートＴ2が短くなるように設定すると、照射待ち時間の起点となるタイミング（ここでは照射開始信号がＯＮ状態に移行）は、フレームレートＴ2が短い準備移行から照射開始前までの間で行われる。したがって、照射待ち時間の起点となるタイミングである照射開始信号（先の出願ではＸ線照射信号）のＯＮのタイミングが変動したとしても、短いフレームレートＴ2の間でのみ変動するので、従来よりも照射待ち時間の変動を少なくすることができる。
【００１６】
しかしながら、このような先の出願（特願２００５−１４９１８７号）のように、準備移行時の短いフレームレートＴ2（すなわち高速撮影モード）から照射時の長いフレームレートＴ1（すなわち低速撮影モード）に切り換えると、薄膜トランジスタのスイッチングのＯＮ／ＯＦＦ（図１１中の『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』のＯＮおよびＯＦＦを参照）時間比（以下、この比を「デューティー比」と呼ぶ）が各撮影モード間で異なってしまう。そのために、非照射時である準備移行時で読み出されたキャリアに基づく電荷信号であるＸ線検出信号も、照射時に対してズレが生じてしまい、その結果、オフセット補正がずれてしまうという問題が発生する。また、オフセット補正ズレによるアーティファクト（偽像）が発生する。このように、照射時と準備移行時などに代表される非照射時とでフレームレートが互いに異なると、読み出されたキャリア（電荷情報）を用いる際にも支障が生じる。
【００１７】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、読み出された電荷情報を用いる際に生じる支障を防止することができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を読み出す読み出し回路とを備え、その読み出し回路で読み出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷情報の読み出しの動作は、第１読み出し動作と周期がそれよりも長い第２読み出し動作とからなり、前記第１および第２読み出し動作以外の動作は、読み出し空白動作からなり、(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順に移行するように設定する動作設定手段を備え、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除いて(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順を繰り返して行い、光または放射線の照射時における前記第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて撮影用データを取得し、非照射時における前記第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて当該撮影用データのオフセット補正を行うことを特徴とするものである。
【００１９】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、電荷情報の読み出しの動作は、第１読み出し動作と周期がそれよりも長い第２読み出し動作とからなり、第１および第２読み出し動作以外の動作は、読み出し空白動作からなり、(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順に移行するように設定する動作設定手段を備えている。そして、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除いて前記(1)前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順を繰り返して行い、光または放射線の照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて撮影用データを取得し、非照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて当該撮影用データのオフセット補正を行う。それにより、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除けば、上述した動作が定常状態となるので、各フレーム間で各第１読み出し動作または各第２読み出し動作が互いに同じになる（例えばデューティー比などが同じ）。したがって、各読み出し動作で読み出された電荷情報についてズレが生じることもない。また、照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて撮影用データを取得し、非照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて当該撮影用データのオフセット補正を行う。それにより、オフセット補正ズレによるアーティファクト（偽像）を低減させることができる。
【００２１】
上述した発明において、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前まで第１読み出し動作のみを繰り返して行うのが好ましい（請求項２に記載の発明）。このように第１読み出し動作のみを繰り返して行えば、照射待ち時間の起点となるタイミングは、周期が短い準備移行から照射開始前までの間（すなわち第１読み出し動作の間）で行われる。したがって、照射待ち時間の起点となるタイミングが変動したとしても、短い周期を有する第１読み出し動作の間でのみ変動するので、従来よりも照射待ち時間の変動を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明に係る撮像装置によれば、光または放射線の照射のための所定の準備移行から照射開始前までの期間を除けば、前記第１読み出し動作、前記読み出し空白動作、前記第２読み出し動作の順に移行する動作が定常状態となるので、各フレーム間で各第１読み出し動作または各第２読み出し動作が互いに同じになる（例えばデューティー比などが同じ）。したがって、各読み出し動作で読み出された電荷情報についてズレが生じることもない。また、照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて撮影用データを取得し、非照射時における第２読み出し動作で読み出された電荷情報に基づいて当該撮影用データのオフセット補正を行う。それにより、オフセット補正ズレによるアーティファクト（偽像）を低減させることができる。
【実施例】
【００２５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図３は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図４は、フラットパネル型Ｘ線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。本実施例では、光または放射線検出器としてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採るとともに、撮像装置としてＸ線透視撮影装置を例に採って説明する。
【００２６】
本実施例に係るＸ線透視撮影装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。
【００２７】
Ｘ線透視撮影装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器８や、Ａ／Ｄ変換器８から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部９や、これらの各構成部を統括するコントローラ１０や、処理された画像などを記憶するメモリ部１１や、オペレータが入力設定を行う入力部１２や、処理された画像などを表示するモニタ１３などを備えている。
【００２８】
天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させるによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
【００２９】
コントローラ１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１１は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線透視撮影装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいて画像処理部９で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。
【００３０】
また、本実施例では、コントローラ１０は、後述する第１読み出し期間の動作、ブランキング期間の動作、第２読み出し期間の動作の順に移行するように設定する機能をも備えている。コントローラ１０は、この発明における動作設定手段に相当する。
【００３１】
また、メモリ部１１は、Ｘ線検出信号や処理された画像などの書き込みにはＲＡＭが用いられ、例えば制御シーケンスに関するプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ１０に実行させる場合には、制御シーケンスに関するプログラムの読み出し専用にはＲＯＭが用いられる。本実施例では、照射予告信号がＯＮ状態に移行すればＸ線照射のための準備に移行し、その準備移行から照射開始前まで第１読み出し期間の動作のみを繰り返して行い（図６の『Ｂrepeat』を参照）、その準備移行から照射開始前までの期間を除いて第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にして繰り返して行う（図６の『Ａrepeat』を参照）ように設定する制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部１１に記憶させ、そのプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ１０に実行させる。
【００３２】
また、本実施例では、入力部１２は、ハンドスイッチ（図示省略）を備え、そのハンドスイッチに『Ｒｅａｄｙ』および『曝射』の２段スイッチを設け、『Ｒｅａｄｙ』スイッチを押下することで準備に移行して、さらに『曝射』スイッチを押下することでＸ線照射を開始する機能を備える。具体的には、『Ｒｅａｄｙ』スイッチを押下すると、図６に示すように、照射予告信号がＯＮ状態に移行し、『曝射』スイッチを押下すると照射開始信号もＯＮ状態に移行する。
【００３３】
ＦＰＤ３は、図２に示すように、Ｘ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。本実施例では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜３１は、この発明における変換層に相当する。
【００３４】
この他に、本実施例では、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５が絶縁基板３６の上に積層されて構成されている。
【００３５】
図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個や4096×4096個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４はアンプアレイ回路３７に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ回路３８に接続されている。なお、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子ＤＵが１個のみの形態であってもよい。
【００３６】
検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。
【００３７】
また、ＦＰＤ３の検出素子ＤＵ周辺を作成する場合には、絶縁基板３６の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線３４およびゲート線３５を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極３３，半導体厚膜３１，電圧印加電極３２などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜３１を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。
【００３８】
アンプアレイ回路３７は、ＦＰＤ３外のＡ／Ｄ変換器８を含めて、キャリアを受け取る機能を備えている。つまり、Ａ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７は、半導体厚膜３１で変換されたキャリアを、ＦＰＤ３の検出素子ＤＵを介して読み出すことになる。Ａ／Ｄ変換器８およびアンプアレイ回路３７は、この発明における読み出し回路に相当する。なお、Ａ／Ｄ変換器８については、ＦＰＤ３の構成内に備えてもよい。これらのゲートドライバ回路３８やアンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８は、ＦＰＤ３の周辺回路である。
【００３９】
この他に、ＦＰＤ３は電源３９を備えている。本実施例では、電源３９は、アンプアレイ回路３７やＡ／Ｄ変換器８などの読み出し回路に電力を供給する。ＦＰＤ３やＦＰＤ制御部５やＡ／Ｄ変換器８で、図３の撮像センサを構成する。
【００４０】
上述したアンプアレイ回路３７は、図４に示すように、２段の増幅回路４１，４２およびサンプリングホールドＳＨからなり、キャリアの読み出し方向から見て上流側、すなわち初段の増幅回路４１は、初段の電荷感応型アンプ（CSA: Charge Sensitive Amplifier）ＣＳＡ用の回路であって、下流側すなわち後段の増幅回路４２は、後段の電荷感応型メインアンプ（MA: Main Amplifier）ＭＡ用の回路である。そして、キャリアの読み出し方向から見て上流側から順に、増幅回路４１，４２および最終段のサンプリングホールドＳＨを電気的に接続している。
【００４１】
初段の電荷感応型アンプＣＳＡおよび後段の電荷感応型メインアンプＭＡは、キャリアを電圧に変換して出力する。また、両アンプＣＳＡ，ＭＡの間には、初段の電荷感応型アンプＣＳＡの出力電圧ＶOUTをキャリアに変換するコンデンサＣiを介在させ、コンデンサＣiによって変換された電荷を後段の電荷感応型メインアンプＭＡが再度に電圧に変換する。なお、両アンプＣＳＡ，ＭＡの入出力間で各アンプＣＳＡ，ＭＡに対して並列に電気的に接続されたコンデンサＣf，ＣFをそれぞれ備えている。コンデンサＣFと後段の電荷感応型メインアンプＭＡとによって後段の増幅回路４２を構成する。
【００４２】
両アンプＣＳＡ，ＭＡは演算増幅器で構成されている。そして、正電源ＶDDと負電源ＶSSとによって給電され、演算増幅器の正転入力には基準電圧ＶREFが入力されている。通常では、基準電圧ＶREFは、正電源ＶDDと負電源ＶSSとの中間レベルに設定される。例えば、正電源ＶDD＝５．０Ｖ、負電源ＶSS＝−５．０Ｖならば、基準電圧ＶREF＝０Ｖとなり、正電源ＶDD＝５．０Ｖ、負電源ＶSS＝０Ｖならば、基準電圧ＶREF＝２．５Ｖとなる。
【００４３】
初段の電荷感応型アンプＣＳＡの場合には、アンプＣＳＡに入力されるキャリアをＱINとしたときには、アンプＣＳＡのアンプ出力は以下のような挙動を示す。すなわち、キャリアＱINがゼロの場合には、アンプ出力である出力電圧ＶOUTは基準電圧ＶREFと等しくなる。そして、キャリアＱINが正（ＱIN＞０）の場合には、基準電圧ＶREFを基準にして負電源ＶSSに向かう方向（負の方向）に、キャリアＱINが負（ＱIN＜０）の場合には、基準電圧ＶREFを基準にして正電源ＶDDに向かう方向（正の方向）にその出力がそれぞれ振れる。
【００４４】
また、両アンプＣＳＡ，ＭＡには、各アンプＣＳＡ，ＭＡに対して並列に電気的に接続されたコンデンサＣf，ＣFと同様に並列に電気的に接続された切り換えスイッチＳCSA，ＳMAをそれぞれ有している。各切り換えスイッチＳCSA，ＳMAをＯＮにすることで、コンデンサＣf，ＣFにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、各切り換えスイッチＳCSA，ＳMAをＯＦＦにすることでＯＦＦ移行後においてコンデンサＣf，ＣFにキャリアをそれぞれ蓄積する。
【００４５】
ＦＰＤ制御部５は、上述したＦＰＤ３の走査を制御する他に、後述する図５のアンプアレイ回路３７の動作シーケンスにおける各信号のタイミングをも制御する。例えば、上述した切り換えスイッチＳCSA，ＳMAのＯＮ／ＯＦＦ（図５では『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮ／ＯＦＦに相当）のタイミングをＦＰＤ制御部５は制御する。
【００４６】
続いて、本実施例に係るＸ線透視撮影装置およびフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶAを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧ＶAの印加の制御についてもＦＰＤ制御部５から行う。
【００４７】
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ回路３８の信号取り出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。
【００４８】
また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号（ゲート線３５の場合にはゲート駆動信号、データ線３４の場合にはアンプ駆動信号）に基づいて行われる。アンプアレイ回路３７やゲートドライバ回路３８に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路３８から縦（Ｙ）方向の走査信号（ゲート駆動信号）に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号（アンプ駆動信号）に従ってアンプアレイ回路３７が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介してアンプアレイ回路３７に送り出される。そして、アンプアレイ回路３７で増幅されて、Ｘ線検出信号としてアンプアレイ回路３７から出力されてＡ／Ｄ変換器８に送り込まれる。なお、アンプアレイ回路３７の各アンプＣＳＡ，ＭＡによって、キャリアの形態から電圧の形態として変換されてＸ線検出信号は出力される。
【００４９】
上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例に係るＦＰＤ３を備えた撮像センサＳを用いた場合、データ線３４を介して外部に読み出された電荷情報（Ｘ線検出信号）がアンプアレイ回路３７で電圧として増幅された状態で画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。
【００５０】
次に、アンプアレイ回路３７の動作シーケンスの一例について、図５を参照して説明する。図５は、実施例に係るアンプアレイ回路３７の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。図５中の『ＣＳＡ』は初段の電荷感応型アンプＣＳＡに対して電気的に接続されたスイッチＳCSAのＯＮ（キャリア放電）またはＯＦＦ（キャリア蓄積）を示す。図５中の『ＭＡ』は後段の電荷感応型メインアンプＭＡに対して電気的に接続されたスイッチＳMAのＯＮ（キャリア放電）またはＯＦＦ（キャリア蓄積）を示す。図５中の『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』は薄膜トランジスタＴｒのゲートのＯＮまたはＯＦＦを示す。図５中の『ＳＨ』はサンプリングホールドＳＨのＯＮまたはＯＦＦを示す。なお、『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮから次回の『ＣＳＡ』や『ＭＡ』のＯＮまでの期間が、１本のデータ線３４の１ライン分の読み出し周期となり（図５中の読み出し周期ＴLを参照）、『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』のＯＮ／ＯＦＦの切り換えの１回分で、実際の１本のデータ線３４の１ライン分の読み出し期間となる。
【００５１】
ＦＰＤ制御部５が各切り換えスイッチＳCSA，ＳMAをＯＮ（図５中の『ＣＳＡ』、『ＭＡ』のＯＮを参照）にすると、コンデンサＣf，ＣFにそれぞれ蓄積されたキャリアを放電して、前回に蓄積されたキャリアについてリセットする。切り換えスイッチＳCSAを先にＯＦＦ（図５中の『ＣＳＡ』のＯＦＦを参照）にして、続いて切り換えスイッチＳMAをＯＦＦ（図５中の『ＭＡ』のＯＦＦを参照）にする。このＯＦＦへの移行で、ＯＦＦ移行後におけるコンデンサＣf，ＣFへのキャリアの蓄積のための準備段階となる。
【００５２】
ＦＰＤ制御部５が薄膜トランジスタＴｒのゲートをＯＮ（図５中の『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』のＯＮを参照）にしている間に、１本のデータ線３４の１ライン分のキャリアを読み出して、アンプアレイ回路３７に送り込む。
【００５３】
ＦＰＤ制御部５が薄膜トランジスタＴｒのゲートをＯＦＦ（図５中の『ＴＦＴ  Ｇａｔｅ』のＯＦＦを参照）にすると、基準電圧ＶREFを基準にして初段の電荷感応型アンプＣＳＡの出力電圧ＶOUTが振れる。
【００５４】
そして、得られたアンプＣＳＡの出力電圧ＶOUTをコンデンサＣiはキャリアに変換し、その変換されたキャリアを後段の電荷感応型メインアンプＭＡは再度に電圧に変換する。このアンプＭＡはＸ線検出信号のデータとして出力電圧を出力する。ＦＰＤ制御部５がサンプリングホールドＳＨをＯＮ（図５中の『ＳＨ』のＯＮを参照）にすると、後段の電荷感応型メインアンプＭＡから出力されたデータをサンプリングして保持する。
【００５５】
なお、図６のシーケンスは、１フレームごとに関するもので、図５で述べた読み出し周期ＴLは、１フレームから見ると図６においては図示した関係になる。また、各ラインの読み出し以外を『ブランキング期間』としたときに、１フレーム内では、実際に読み出される読み出し期間とブランキング期間とに区分けされる。つまり、１フレーム分の周期は、読み出し期間およびブランキング期間からなる。このブランキング期間はＸ線照射可能な時間でもあって、ブランキング期間でＸ線を照射して得られたキャリアを読み出し期間で読み出す。
【００５６】
本実施例では、読み出し期間の動作は、第１読み出し期間の動作と第２読み出し期間の動作とからなる。図６に示すように、第１読み出し期間の周期をＴfirstとするとともに、第２読み出し期間の周期をＴsecondとし、ブランキング期間の周期をＴblankとする。このとき、Ｔfirst＜Ｔsecondを満たし、第２読み出し期間の周期Ｔsecondは第１読み出し期間の周期Ｔfirstよりも長い。第１読み出し期間の動作は、この発明における第１読み出し動作に相当し、第２読み出し期間の動作は、この発明における第２読み出し動作に相当し、ブランキング期間の動作は、この発明における読み出し空白動作に相当する。
【００５７】
第１読み出し期間の動作は高速撮影モードであって、第２読み出し期間の動作は低速撮影モードである。高速撮影モードは、所定の領域のみを部分的に読み出して撮影を行う部分読み出しモードや、ゲート線３５を複数本にわたって一括してＯＮにしてリセットを行うリセットモードや、ゲート線３５を１つずつ高速に切り換えて撮影を行う（高速の）全体読み出しモードなどがある。また、低速撮影モードは実際の撮像動作で用いられるモードであって、ゲート線３５を１つずつ切り換えて選択して撮影を行う全体読み出しモードなどがある。
【００５８】
本実施例では、図６に示すように、高速撮影モードとしてリセットモードを例に採って説明するとともに、低速撮影モードとして全体読み出しモードを例に採って説明する。また、本実施例におけるリセットモードでは、偶数番目のゲート線３５に接続された薄膜トランジスタＴｒのゲートを一括してＯＮにすることで偶数のゲート線３５をＯＮにして、奇数番目のゲート線３５に接続された薄膜トランジスタＴｒのゲートを一括してＯＮにすることで奇数のゲート線３５をＯＮにする。全体読み出しモードと区別するために、図６では右斜線のハッチングで示す。すると、図６中の右斜線のハッチングで示すように、第１読み出し期間の周期Ｔfirstの間で偶数のゲート線３５の読み出しおよび奇数のゲート線３５の読み出しでの合計２ライン分の読み出しが行われる。なお、リセットモードでは、複数ライン（例えば４ライン）ごとに一括してＯＮにしてもよいし、複数ライン分だけ離れた各ラインを１つのグループとして、各グループごとに順にＯＮにしてもよい。
【００５９】
照射開始前の非照射時では、Ｘ線照射の準備に移行するために、『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下で照射予告信号がＯＮ状態に移行し、『曝射』スイッチの押下で照射開始信号もＯＮ状態に移行する。これらの信号を用いてタイミングチャートについて、より具体的に説明すると、照射予告信号がＯＮ状態に移行すればＸ線照射のための準備に移行し、その準備移行から照射開始前まで第１読み出し期間の動作のみを繰り返して行う。図６に示すように、この準備移行から照射開始前までの繰り返しをＢrepeatとすると、照射開始信号がＯＮ状態に移行するまで第１読み出し期間の動作のみの繰り返しが行われる。本実施例では、上述したように第１読み出し期間の周期Ｔfirstの間で合計２ライン分の読み出しが行われる。そして、図６では、第１読み出し期間の動作が２回分行われている途中で、『曝射』スイッチが押下されて照射開始信号がＯＮ状態に移行するとする。
【００６０】
そして、照射開始信号がＯＮになるとＯＮ時点の第１読み出し期間の動作（図６では２回目の第１読み出し期間の動作）が終了してから、Ｘ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。また、このとき、照射開始信号がＯＮになることで、準備移行から照射開始前までの期間が終了するので、その準備移行から照射開始前までの期間を除いて第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にして繰り返して行う。図６に示すように、準備移行から照射開始前までの期間を除いた第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にした繰り返しをＡrepeatとする。この第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にした繰り返しは、次の『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下まで引き続き行われる。
【００６１】
なお、図６の紙面からみて左側の箇所に相当する『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下前も、準備移行から照射開始前までの期間を除いた期間であるので、図６に示すように、第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にして繰り返す。このとき、ブランキング期間中に『Ｒｅａｄｙ』スイッチが押下された場合には、対の最後である第２読み出し期間の動作を行わずにブランキング期間の動作をも中断して、照射予告信号をＯＮにして、準備移行から照射開始前までの第１読み出し期間の動作のみを繰り返して行うのが好ましい。
【００６２】
かかるスイッチの押下は手動で行われるので、スイッチの押下によってＯＮに出力される照射予告信号や照射開始信号は、読み出し期間とブランキング期間とに区分されるフレームに同期しない。したがって、例えば、図６や図７（ａ）に示すように、第１読み出し期間の動作が２回分行われている途中で照射開始信号がＯＮになったときには、ＯＮ時点での２回目の第１読み出し期間の動作が終了してから、Ｘ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。これに対して、図７（ｂ）に示すように、第１読み出し期間の動作が３回分行われている途中で照射開始信号がＯＮになったときには、ＯＮ時点での３回目の第１読み出し期間の動作が終了してから、Ｘ線照射可能なブランキング期間に移行した時点でＸ線パルスを出力する。この、図７に示すように照射待ち時間は最大で第１読み出し期間の周期Ｔｆｉｒｓｔの変動がある。
【００６３】
これは、図７（ａ）に示すように第１読み出し期間の動作が２回分行われている途中で照射開始信号がＯＮにならずに、図７（ｂ）に示すように第１読み出し期間の動作が３回分行われている途中で照射開始信号がＯＮになってずれたとしても、図７（ａ）で２回目の第１読み出し期間の動作までが周期Ｔｆｉｒｓｔ（Ｂｒｅｐｅａｔを参照）で３回目以降が第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にした繰り返し（Ａｒｅｐｅａｔを参照）に対して、図７（ｂ）では３回目の第１読み出し期間の動作までが周期Ｔｆｉｒｓｔにずれ込むからである。したがって、照射開始信号のＯＮのタイミングに関わらず、照射開始信号がＯＮに移行した直後の動作は第１読み出し期間に関する動作であってその周期は常にＴｆｉｒｓｔとなる。
【００６４】
本実施例では、オフセット補正として、第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアを用いているとともに、Ｘ線検出信号などの撮像用データとして、照射時において第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアを用いている。オフセット補正が、非照射時におけるキャリアの残留分に基づく補正の場合には、非照射時で、かつ第２読み出し期間で読み出されたキャリアをオフセット補正として用いる。なお、数フレーム分のキャリアを読み出して取得してからそれらの平均によって、オフセット補正用データを求めてもよい。
【００６５】
上述した本実施例に係るＸ線撮影装置によれば、キャリア（電荷情報）の読み出しの動作は、第１読み出し期間の動作と周期がそれよりも長い第２読み出し期間の動作とからなり、第１および第２読み出し期間の動作以外の動作は、ブランキング期間の動作からなり、第１読み出し期間の動作、ブランキング期間の動作、第２読み出し期間の動作の順に移行するようにコントローラ１０は設定する。このように、短い方の周期Ｔfirstを有する第１読み出し期間の動作と長い方の周期Ｔsecondを有する第２読み出し期間の動作とをそれぞれ設定して両方用意することで、第１読み出し期間の動作で読み出されたキャリア、第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアのいずれかを選択して用いることができ、用いられるキャリアの選択が拡がる。したがって、読み出されたキャリアを用いる際に生じる支障を防止することができる。
【００６６】
本実施例では、照射のための所定の準備移行（本実施例では照射予告信号がＯＮに移行）から照射開始前までの期間を除いて第１読み出し期間の動作とブランキング期間の動作と第２読み出し期間の動作とをそれぞれ対にして繰り返して行っている（図６、図７中のＡｒｅｐｅａｔを参照）。このようにして行うことで、準備移行から照射開始前までの期間を除いて、第１読み出し期間の動作、ブランキング期間の動作、第２読み出し期間の動作の順に移行する対で繰り返して行うことになる。また、準備移行から照射開始前までの期間を除けば、上述した動作が定常状態となるので、各フレーム間で各第１読み出し動作または各第２読み出し動作が互いに同じになる。例えば、オフセット補正および撮像用データとして、第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアをともに用いているが、第１読み出し期間の動作、ブランキング期間の動作、第２読み出し期間の動作の順に移行する対で繰り返して行っているので、薄膜トランジスタＴｒのスイッチングのＯＮ／ＯＦＦ時間比であるデューティー比が同じである。したがって、各読み出し動作で読み出されたキャリアについてズレが生じることもない。
【００６７】
また、本実施例では、準備移行から照射開始前まで第１読み出し期間の動作のみを繰り返して行っている（図６、図７中のＢrepeatを参照）。このように第１読み出し期間の動作のみを繰り返して行えば、照射待ち時間の起点となるタイミングは、第１読み出し期間の周期がＴfirstと短い準備移行から照射開始前までの間で行われる。したがって、照射待ち時間の起点となるタイミングが変動したとしても、短い周期Ｔfirstを有する第１読み出し期間でのみ変動するので、従来よりも照射待ち時間の変動を少なくすることができる。
【００６８】
また、本実施例では、オフセット補正として、第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアを用いている。この場合には、長い方の周期Ｔsecondを有する第２読み出し期間の動作（本実施例では撮像に適した低速撮影モード）では実際の撮像動作に近い状態で行われるので、オフセット補正ズレによるアーティファクト（偽像）を低減させることができる。
【００６９】
また、本実施例では、Ｘ線検出信号などの撮像用データとして、照射時において第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアを用いている。この場合には、オフセット補正のときでも述べたように、長い方の周期Ｔsecondを有する第２読み出し期間の動作では実際の撮像動作に近い状態で行われるので、第２読み出し期間の動作で読み出されたキャリアを利用して撮像を行うことができる。
【００７０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００７１】
（１）上述した実施例では、図１に示すようなＸ線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。
【００７２】
（２）上述した実施例では、入射した放射線を半導体厚膜３１（半導体層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、フォトダイオードで形成してもよい。
【００７３】
（３）上述した実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７４】
（４）上述した実施例では、Ｘ線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、光を検出する光検出器にも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００７５】
（５）上述した実施例では、所定の準備移行から照射開始前までの期間を除いて第１読み出し動作と第２読み出し動作と読み出し空白動作（実施例ではブランキング期間の動作）とをそれぞれ対にして繰り返して行ったが、所定の準備移行から照射開始前までの期間でも第１読み出し動作と第２読み出し動作と読み出し空白動作とをそれぞれ対にして繰り返してもよい。
【００７６】
（６）上述した実施例では、所定の準備移行から照射開始前まで第１読み出し動作のみを繰り返して行ったが、上述した変形例（５）でも述べたように、所定の準備移行から照射開始前まで第１読み出し動作と第２読み出し動作と読み出し空白動作（実施例ではブランキング期間の動作）とをそれぞれ対にして繰り返してもよい。
【００７７】
（７）上述した実施例では、オフセット補正および撮像用データとして、第２読み出し動作で読み出されたキャリアをともに用いたが、オフセット補正および撮像用データのいずれか少なくとも一方に対して、第１読み出し動作で読み出されたキャリアを用いてもよい。ただ、デューティー比を考慮すれば、オフセット補正および撮像用データとしては、同じ周期で読み出されたキャリアをともに用いるのが好ましいので、オフセット補正および撮像用データとして、上述した実施例のように第２読み出し動作で読み出されたキャリアをともに用いたり、第１読み出し動作で読み出されたキャリアをともに用いるのが好ましい。
【００７８】
（８）上述した実施例では、第１読み出し期間の動作は高速撮影モードであって、高速撮影モードとして、ゲート線３５を複数本にわたって一括してＯＮにしてリセットを行うリセットモードを例に採って説明したが、第１読み出し期間の動作として、上述したような所定の領域のみを部分的に読み出して撮影を行う部分読み出しモードや、ゲート線３５を１つずつ高速に切り換えて撮影を行う（高速の）全体読み出しモードを適用してもよい。この場合には、図６のタイミングチャートは例えば図８のようなタイミングチャートのように変形実施することができる。
【００７９】
（９）上述した実施例では、所定の準備移行に相当する照射予告信号のＯＮ状態への移行は、装置の操作タイミングである『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下に基づいて行われたが、装置の操作タイミングは『Ｒｅａｄｙ』スイッチの押下に限定されない。マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイス、あるいはボタンやスイッチやレバーなどの入力手段への操作（ボタンやスイッチの押下、マウスのクリックなど）であれば、その操作のタイミングに基づいて照射のための準備に移行すればよい。
【００８０】
（１０）上述した実施例では、所定の準備移行は、装置の操作タイミングに基づいて行われたが、このような操作タイミングに限定されず、信号の出力に基づいて行われてもよい。例えば、Ｘ線照射の終了を検知する照射終了信号があって、Ｘ線照射がその照射終了信号の出力に基づいて終了して、照射時から非照射時へと移行するときに、その非照射時への移行を準備移行としてもよい。この場合には、所定の準備移行は、照射終了信号の出力に基づいて行われる。このように、実施例では非照射時のうち照射開始前の直前のときのみ照射のための準備だったのに対して、この変形例では非照射時の全てを照射のための準備とすることができる。なお、照射終了信号の出力は、実施例の『Ｒｅａｄｙ』や『曝射』スイッチの押下などに代表される装置の操作タイミングによって行われてもよいし、照射開始から照射終了までのフレーム数を予め設定しておき、そのフレーム数に達したときに照射終了信号が自動的に出力される制御シーケンスをコントローラ１０に実行させてもよい。
【００８１】
（１１）上述した実施例では、第１読み出し動作、読み出し空白動作（実施例ではブランキング期間の動作）、第２読み出し動作の順に移行するように設定したが、第２読み出し動作、読み出し空白動作、第１読み出し動作の順に移行するように設定してもよい。また、この変形例（１１）は、上述した変形例（１）〜（１０）に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】実施例に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。
【図２】Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図３】平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図４】フラットパネル型Ｘ線検出器中のアンプアレイ回路のブロック図である。
【図５】アンプアレイ回路の動作シーケンスを示すタイミングチャートである。
【図６】フレームレート全体で見たときの各信号のタイミングチャートである。
【図７】（ａ），（ｂ）は、図６のタイミングチャートにおいて照射開始信号がＯＮになったときの前後の各信号のタイミングチャートである。
【図８】変形例に係るフレームレート全体で見たときの各信号のタイミングチャートである。
【図９】従来のフレームレート全体で見たときの各信号のタイミングチャートである。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、図９のタイミングチャートにおいて照射開始信号がＯＮになったときの前後の各信号のタイミングチャートである。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、特願２００５−１４９１８７号において照射開始信号がＯＮになったときの前後の各信号のタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００８３】
８  …  Ａ／Ｄ変換器
１０  …  コントローラ
３７  …  アンプアレイ回路
３１  …  半導体厚膜
Ｔfirst  …  第１読み出し期間の周期
Ｔsecond  …  第２読み出し期間の周期
【図１】
0004618091.tif 000002
【図２】
0004618091.tif 000003
【図３】
0004618091.tif 000004
【図４】
0004618091.tif 000005
【図５】
0004618091.tif 000006
【図６】
0004618091.tif 000007
【図７】
0004618091.tif 000008
【図８】
0004618091.tif 000009
【図９】
0004618091.tif 000010
【図１０】
0004618091.tif 000011
【図１１】
0004618091.tif 000012