(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、該絶縁層上に並列に配置された第１および第２の信号線路から成る差動伝送線路と、前記第１および第２の信号線路のそれぞれに接続される第１および第２の終端抵抗体とを備え、前記第１および第２の終端抵抗体が、差動伝送線路の上面および下面の異なる面に接続されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記終端抵抗体の側面と前記絶縁層の表面とが成す角度が９０度以下であることを特徴とした請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
第１の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成する工程と、
前記第１の終端抵抗パターンが形成された前記第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、
前記第２の終端抵抗パターンが形成された前記第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第１および前記第２のセラミックグリーンシートから前記第１および前記第２の支持体を除去する工程と、
前記第１または前記第２のセラミックグリーンシート上に、前記第１の終端抵抗パターンおよび前記第２の終端抵抗パターンに接続されるように差動伝送線路パターンを形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記第１の終端抵抗パターンが形成された面と前記第２のセラミックグリーンシートの前記第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて前記第１および第２の終端抵抗パターンが、前記差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、
前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
第１の支持体上に第１および第２の信号線路パターンからなる差動伝送線路パターンを形成する工程と、
前記第１の信号線路パターンに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成する工程と、
第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、
前記第１の終端抵抗パターンが形成された前記第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第２の終端抵抗パターンが形成された前記第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第１および前記第２のセラミックグリーンシートから前記第１および前記第２の支持体を除去する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記第１の終端抵抗パターンが形成された面と前記第２のセラミックグリーンシートの前記第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて前記第１および第２の終端抵抗パターンが、前記差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、
前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
第１の支持体上および第２の支持体上に差動伝送線路となる信号線路パターンを形成する工程と、
前記信号線路パターンが形成された前記第１および第２の支持体上に前記信号線路パターンに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１および第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、
前記第１および前記第２の終端抵抗パターンが形成された前記第１および前記第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１および第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第１および前記第２のセラミックグリーンシートから前記第１および前記第２の支持体を除去する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記第１の終端抵抗パターンが形成された面と前記第２のセラミックグリーンシートの前記第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて前記第１および第２の終端抵抗パターンが、前記差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、
前記セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージや回路基板、電子回路モジュール等に使用される多層配線基板に関するものであり、特に終端抵抗に接続された差動伝送線路を有する多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロプロセッサやＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等に代表される半導体素子をはじめとする電子部品が搭載され、電子回路基板等に使用される多層配線基板においては、情報処理能力の向上の要求が高まる中で、半導体素子の動作速度の高速化が進んでいる。このような多層配線基板では、内部配線のうちの信号配線には、特性インピーダンスの整合や信号配線間のクロストークノイズの低減等の電気特性の向上が求められてきた。
【０００３】
そこで、このような要求に対応するために信号配線の配線構造はストリップ線路構造とされ、信号配線の上下に絶縁層を介して広面積の電源配線層もしくは接地（グランド）配線層を形成していた。また、高速な信号を伝送するため、信号配線端部に信号の反射を抑える目的で終端抵抗が形成される。通常、この終端抵抗にはチップ部品が使われており、配線基板表面で信号配線と接地配線に接続されている。
【０００４】
一方、近年のデバイスのさらなる高速化に対応するため、従来の単一の信号配線による信号伝送方式に代わり、２本の信号配線を１対として信号を伝送する差動伝送方式が採用されるようになってきた。この差動伝送方式では、２本の信号配線に非反転信号と反転信号の２相信号をそれぞれに入力し、それぞれの差分を取って一つの信号と見なすためノイズは相殺され、歪みの少ない信号を伝送することができ高速化が可能となる。このような差動伝送線路にも終端抵抗が接続される（特許文献１参照）。
【０００５】
このような差動伝送線路はその途中で２本の信号配線の間隔を広げてしまうとその部分で２本の信号配線間の電磁結合が弱くなり、歪みの少ない信号を伝送することが困難となってしまうので、終端抵抗を接続する端部まで同じ間隔にしておく必要がある。そのため、差動伝送線路の端部にチップ部品の終端抵抗を接続しようとすると、差動伝送線路の２本の信号配線間の間隔は狭いことから、半田ブリッジ等により２本の信号線路が短絡しやすくなるなどの問題があり困難であった。
【０００６】
また、チップ部品の実装間隔に合わせて差動伝送路の２本の信号配線の間隔をすべて広いものとした場合には、２本の信号配線間の電磁結合が弱くなるので高速の信号を伝送することが困難となるばかりか、高密度の配線展開ができないので配線基板が大型化してしまい、近年の電子装置に要求される小型化や低背化ができないという問題もあった。
【０００７】
そこで、配線基板上にチップ部品を実装せずに配線基板内に厚膜法や薄膜法を用いて抵抗体を形成することが考えられる（特許文献２参照）。配線基板の配線の製造方法と同様の厚膜法や薄膜法により抵抗体を形成することから、抵抗体の間隔を狭くでき、差動伝送路の間隔を広げることなく接続できるので差動伝送線路が終端抵抗にて終端される直前まで差動インピーダンスを制御することが可能となり、高速な信号の伝送が可能となる。
【特許文献１】特開２００４−３５６７１４号公報
【特許文献２】特開平８−１５３６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年のデバイスの高速化、高密度化により、デバイスが実装される多層配線基板の信号配線に伝送される信号の周波数も上がり、且つデバイスの接続端子の狭ピッチ化に対応して差動伝送線路の間隔が極めて狭くなってきている。それに伴って終端抵抗間の間隔も狭くなると、終端抵抗間の寄生容量が増大することとなり、特に高周波帯域において終端抵抗のインピーダンスが所望の値よりも顕著にずれてしまうこととなるので、高周波帯域の信号の反射を抑えることができず、高速の信号を伝送することができないという問題があった。
【０００９】
一方、このような狭ピッチの差動伝送線路の終端抵抗を、従来周知のセラミック多層配線基板の製造方法で形成する場合、セラミックグリーンシート上に抵抗体パターンを形成して、セラミックグリーンシート積層体を作製する際に、セラミックグリーンシートの表面から突出した抵抗体パターンの形状が積層圧力により変形してしまい、精度の良い抵抗体パターンを形成することが困難であった。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題点を解決するために完成されたものであり、その目的は、多層配線基板に内層した差動伝送線路の終端抵抗間に発生する寄生容量を抑え、高周波帯域においても正常に信号の反射を抑えることが可能な多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の多層配線基板は、絶縁層と、該絶縁層上に並列に配置された第１および第２の信号線路から成る差動伝送線路と、第１および第２の信号線路のそれぞれに接続される第１および第２の終端抵抗体とを備え、第１および第２の終端抵抗体が、差動伝送線路の上面および下面の異なる面に接続されていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の多層配線基板は好ましくは、終端抵抗体の側面と絶縁層の表面とが成す角度が９０度以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の多層配線基板の製造方法は、第１の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成する工程と、第１の終端抵抗パターンが形成された第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、第２の終端抵抗パターンが形成された第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第１および第２のセラミックグリーンシートから第１および第２の支持体を除去する工程と、第１または第２のセラミックグリーンシート上に、第１の終端抵抗パターンおよび第２の終端抵抗パターンに接続されるように差動伝送線路パターンを形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートの第１の終端抵抗パターンが形成された面と第２のセラミックグリーンシートの第２の終端抵抗
パターンが形成された面とを重ね合わせて第１および第２の終端抵抗パターンが、差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の多層配線基板の製造方法は、第１の支持体上に第１および第２の信号線路パターンからなる差動伝送線路パターンを形成する工程と、第１の信号線路パターンに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成する工程と、第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、第１の終端抵抗パターンが形成された第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第２の終端抵抗パターンが形成された第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第１および第２のセラミックグリーンシートから第１および第２の支持体を除去する工程と、第１のセラミックグリーンシートの第１の終端抵抗パターンが形成された面と第２のセラミックグリーンシートの第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて第１および第２の終端抵抗パターンが、差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の多層配線基板の製造方法は、第１の支持体上および第２の支持体上に差動伝送線路となる信号線路パターンを形成する工程と、信号線路パターンが形成された第１および第２の支持体上に信号線路パターンに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１および第２の終端抵抗パターンを形成する工程と、第１および第２の終端抵抗パターンが形成された第１および第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１および第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第１および第２のセラミックグリーンシートから第１および第２の支持体を除去する工程と、第１のセラミックグリーンシートの第１の終端抵抗パターンが形成された面と第２のセラミックグリーンシートの第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて第１および第２の終端抵抗パターンが、差動伝送線路パターンの上面および下面の異なる面に接続されるように積層しセラミックグリーンシート積層体を形成する工程と、セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多層配線基板によれば、絶縁層上に並列に配置された第１および第２の信号線路から成る差動伝送線路のそれぞれの信号線路に接続される第１および第２の終端抵抗体が、差動伝送線路の上面および下面の異なる面に接続されていることから、信号線路の間隔が狭い差動伝送線路においても、終端抵抗体が同一面上に隣接して並列に配置されないので、隣接する信号線路に接続される終端抵抗体の側面同士が狭い間隔で対向することがなく終端抵抗体間の距離が長くなるので終端抵抗体間の寄生容量を低減することができ、高周波帯域においても正常に信号の反射を抑え、高速信号を伝送することができる。
【００１７】
本発明の多層配線基板によれば、上記構成において好ましくは、終端抵抗体の側面と絶縁層の表面とが成す角度が９０度以下であることから、隣接する信号線路に接続される終端抵抗体間において、寄生容量値を左右する平均距離がより大きく、対向する面積がより小さくなるので、終端抵抗体間に発生する寄生容量値を一層低減することが可能となり、高周波帯域における信号の反射をより一層抑え、高速信号をより良好に伝送することができる。
【００１８】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、第１のセラミックグリーンシートの第１の終端抵抗パターンが形成された面と第２のセラミックグリーンシートの第２の終端抵抗パターンが形成された面とを重ね合わせて積層しセラミックグリーンシート積層体を形成したことから、終端抵抗体が差動伝送線路の信号線路の上面または下面に接続され、かつ隣接する信号線路に接続される終端抵抗体がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となる。そして、第１の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成し、第１の終端抵抗パターンが形成された前記第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成するとともに、第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成し、第２の終端抵抗パターンが形成された前記第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成したことから、終端抵抗パターンはセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体を形成する工程において積層する際の圧力により終端抵抗パターンの形状が変形しにくくなり、精度の良い抵抗体を形成することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、同様に隣接する信号線路に接続される終端抵抗体がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となり、また、第１の支持体上に第１および第２の信号線路からなる差動伝送線路パターンを形成し、第１の信号線路に接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターンを形成するとともに、第２の支持体上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターンを形成した後、第１の終端抵抗パターンが形成された前記第１の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシートを形成するとともに、第２の終端抵抗パターンが形成された前記第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシートを形成したことから、同様に終端抵抗パターンの形状が変形することなく、精度の良い抵抗体を形成することが可能となるとともに、差動伝送線路パターンもセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体を形成する工程において差動伝送線路パターンの２つの信号線路パターン間に空隙および空隙に起因するセラミックグリーンシート積層体のデラミネーションが発生することがなく、また積層する際の圧力による差動伝送線路パターンの変形および差動伝送線路パターンが終端抵抗パターンに埋没することによる終端抵抗パターンの変形が発生することなく、さらに精度の良い抵抗体を形成することが可能となる。
【００２０】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、同様に隣接する信号線路に接続される終端抵抗体がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となり、また、第１の支持体上および第２の支持体上に差動伝送線路となる信号線路パターンを形成し、信号線路パターンが形成された第１および第２の支持体上に信号線路パターンに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１および第２の終端抵抗パターンを形成し、第１および第２の終端抵抗パターンが形成された第１および第２の支持体上にセラミックスラリーを塗布して第１および第２のセラミックグリーンシートを形成したことから、終端抵抗パターンはセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体を形成する工程において積層する際の圧力により終端抵抗パターンの形状が変形することなく、精度の良い抵抗体を形成することが可能となるとともに、差動伝送線路パターンもセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体を形成する工程において差動伝送線路パターンの２つの信号線路パターン間に空隙および空隙に起因するセラミックグリーンシート積層体のデラミネーションが発生することがなく、また積層する際の圧力による差動伝送線路パターンの変形および差動伝送線路パターンが終端抵抗パターンに埋没することによる終端抵抗パターンの変形が発生することなく、より精度の良い抵抗体を形成することが可能となり、さらには差動伝送線路の信号線路と終端抵抗体との接続形態が終端抵抗体に信号線路が埋め込まれて接続された形態に統一されるので、終端抵抗体の抵抗値を等しくすることが容易となり、且つ抵抗値のばらつきも抑えることが容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の多層配線基板について以下に詳細に説明する。図１は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す図であり、図１（ａ）は本発明の多層配線基板の断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）における要部を上面から透視した拡大図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’線で切断した断面図である。図１において１は絶縁層、２は差動伝送線路、３は終端抵抗体、４は多層配線基板、５は接地導体、６は接地配線層または電源配線層、７および８は貫通導体、９は半導体素子接続用電極、１０は外部接続用電極、１１は信号配線である。
【００２２】
この例の多層配線基板４においては、絶縁層１は複数の絶縁層１ａ〜１ｅから成り、これらは基本的に同じ比誘電率を有する絶縁材料で形成されている。絶縁層１および各種配線層をさらに多層に積層したものであってもよい。
【００２３】
多層配線基板４の内部には複数の信号配線１１、接地配線層６ａ、電源配線層６ｂおよび貫通導体７，８を有し、多層配線基板４の上面には、半導体素子を接続するための半導体素子接続用電極９が形成され、下面には半導体素子が搭載された多層配線基板４を外部の配線板に接続するための外部接続用電極１０を有している。
【００２４】
図１（ａ）においては、絶縁層１ｄ上に信号配線１１が多数形成され、絶縁層１ｃ及び１ｅ上には信号配線１１に対向する広面積の接地配線層６ａもしくは電源配線層６ｂが形成されており、各信号配線１１はストリップ線路構造を有している。また、各信号配線１１の配線幅、信号配線１１と接地配線層６ａおよび電源配線層６ｂとの間に介在する絶縁層１ｃおよび１ｄの厚みを適宜設定して、信号配線１１の特性インピーダンスを任意の値に設定することにより良好な伝送特性を有する信号配線１１を形成することが可能となる。信号配線１１の特性インピーダンスは、一般的な５０Ωに設定される。なお、複数の信号配線１１はそれぞれ異なる電気信号を伝送するものとしてもよい。
【００２５】
そして、本発明の多層配線基板４は、一対の信号線路から成る差動伝送線路２を絶縁層１ｂの上面に有し、差動伝送線路２は外部から入力された電気信号を終端するため、終端抵抗体３を介して接地導体５に電気的に接続されている。また、差動伝送線路２は貫通導体７を介して半導体素子接続用電極９と電気的に接続され、貫通導体８を介して外部接続用電極１０と電気的に接続されている。
【００２６】
この差動伝送線路２と終端抵抗体３の接続部について図１（ｂ）および図１（ｃ）を用いて詳細に説明する。図１（ｂ）は図１（ａ）における絶縁層１ｂの上面の終端抵抗体３の周囲を上面から透視したものであり、図１（ｃ）は図１（ｂ）においてＡ−Ａ’線で切断した、絶縁層１ｂの下面から絶縁層１ａの上面までの部分を示す断面図である。
【００２７】
差動伝送線路２は絶縁層１ｂ上に並列に配置された第１の信号線路２ａおよび第２の信号線路２ｂから成り、第１の信号線路２ａおよび第２の信号線路２ｂのそれぞれに接続される第１の終端抵抗体３ａおよび第２の終端抵抗体３ｂは、差動伝送線路２の上面および下面の異なる面に接続されている。また、差動伝送線路２は、接地配線層６ａとでマイクロストリップ線路構造が形成されており、第１の信号線路２ａおよび第２の信号線路２ｂの線路幅、線路間隔、線路厚み、および第１の信号線路２ａおよび第２の信号線路２ｂと接地配線層６ａとの間に介在する絶縁層１ｂの厚みを適宜設定して、差動インピーダンスを任意の値に設定することにより、良好な伝送特性を有する差動伝送線路２を形成することが可能となる。差動伝送線路２の差動インピーダンスは、一般的な１００Ωに設定される。
【００２８】
終端抵抗体３が差動伝送線路２の上面または下面の異なる面に接続されていることから、第１の信号線路２ａと第２の信号線路２ｂとの間隔が狭い差動伝送線路２においても、終端抵抗体３が同一面上に隣接して並列に配置されないので、隣接する信号線路２ａ，２ｂに接続される終端抵抗体３ａ，３ｂの側面同士が狭い間隔で対向することがなく終端抵抗体３ａ，３ｂ間の距離が長くなるので終端抵抗体３ａ，３ｂ間の寄生容量を低減することができ、高周波帯域においても正常に信号の反射を抑え、高速信号を伝送することができる。
【００２９】
図１に示すように複数の差動伝送線路２が並べて形成されている場合は、隣り合う差動伝送線路２間においても終端抵抗体３は差動伝送線路２の上面または下面の異なる面に接続されるようにし、隣り合う差動伝送線路２に接続される終端抵抗体３間の寄生容量を低減するようにする。
【００３０】
また、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、終端抵抗体３の側面と絶縁層１ｂの表面とが成す角度が９０度以下であることが好ましい。図２（ａ）は、図１（ｃ）と同様に図１（ｂ）においてＡ−Ａ’線で切断した、絶縁層１ｂの下面から絶縁層１ａの上面までの部分を示す断面図の他の例であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の終端抵抗体３の拡大図である。終端抵抗体３の側面と絶縁層１ｂの表面とが成す角度、即ち図２（ｂ）における角度Ａが９０度以下であることから、隣接する信号線路２ａ，２ｂに接続される終端抵抗体３ａ，３ｂ間において、寄生容量値を左右する平均距離がより大きく、対向する面積がより小さくなるので、終端抵抗体３ａ，３ｂ間に発生する寄生容量値を一層低減することが可能となり、高周波帯域における信号の反射をより一層抑え、高速信号をより良好に伝送することができる。
【００３１】
また、図１（ｃ）および図２（ａ）に示される終端抵抗体３の断面形状は、正方形状や長方形状や台形形状の他に、三角形状、略半円形状等の形状であってもよい。
【００３２】
なお、接地配線層６ａおよび電源配線層６ｂは、多層配線基板４の仕様に応じて入れ換えて配置されることもある。また、信号配線１１の構造は、図１（ａ）に示すようなストリップ線路構造に限らず、信号配線１１の下に位置する電源配線層もしくは接地配線層６ｂを有さないマイクロストリップ線路構造や、絶縁層１ｄ上に信号配線１１と絶縁されて挟むように電源配線層もしくは接地配線層を形成したコプレーナ線路構造であってもよく、多層配線基板４に要求される仕様等に応じて適宜選択して用いることができる。差動伝送線路２の構造も同様に、図１（ａ）に示すようなマイクロストリップ線路構造に限らず、絶縁層１ａと１ｂとの間にさらに絶縁層を設け、この絶縁層上に電源配線層もしくは接地配線層を形成することによりストリップ線路構造としてもよく、コプレーナ線路構造としてもよい。
【００３３】
また、多層配線基板４の上面には、半導体素子を接続するための半導体素子接続用電極９だけでなく、コイルインダクタ・クロスインダクタ・チップコンデンサまたは電解コンデンサ等の受動部品を取着して電子回路モジュールを構成するための部品接続用電極を形成してもよい。
【００３４】
そして、このような本発明の多層配線基板４は、半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや電子部品搭載用基板、多数の半導体素子が搭載されるいわゆるマルチチップモジュールやマルチチップパッケージ、あるいはマザーボード等として使用される。
【００３５】
本発明の多層配線基板４において、絶縁層１はガラスセラミックス等の低温焼結セラミックスから成る絶縁材料である。
【００３６】
差動伝送線路２、接地導体５、接地配線層または電源配線層６、貫通導体７および８、半導体素子接続用電極９、外部接続用電極１０、および信号配線１１は、例えばＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）等の金属粉末を絶縁層1との同時焼成により焼結させたメタライズ金属からなるものである。
【００３７】
終端抵抗体３は、ＳｎＯ２、ＲｕＯ２、Ｒｕ系複合酸化物等の酸化物、ＬａＢ６等のホウ素化合物、Ｐｔ、Ｃｕ−Ｎｉ合金や、Ａｇ−Ｐｄ合金等の金属、あるいはこれらの混合物と絶縁性のガラスとを絶縁層１やメタライズ金属層と同時焼成することにより焼結させた焼結体からなるものである。
【００３８】
このような第１および第２の終端抵抗体３が、差動伝送線路２の上面および下面の異なる面に接続されている多層配線基板４は、図３〜図６に示すような製造方法により作製することができる。図３〜図６は本発明の多層配線基板４の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図であり、２０ａは第１の支持体、２０ｂは第２の支持体、２１ａは第１のセラミックグリーンシート、２１ｂは第２のセラミックグリーンシート、２２は差動伝送線路パターン（２２ａは第１の信号線路パターン、２２ｂは第２の信号線路パターン）、２３は終端抵抗パターン（２３ａは第１の終端抵抗パターン、２３ｂは第２の終端抵抗パターン）、２４はセラミックグリーンシート積層体である。
【００３９】
図３に示す本発明の多層配線基板４の製造方法は、第１の支持体２０ａ上に抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターン２３ａを形成する工程（ａ）と、第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された第１の支持体２０a上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシート２１ａを形成する工程（ｂ）と、第２の支持体２０ｂ上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターン２３ｂを形成する工程（ｃ）と、第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された第２の支持体２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシート２１ｂを形成する工程（ｄ）と、第１および第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂから第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂを除去する工程（ｅ）と、第１または第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂ上に、第１の終端抵抗パターン２３ａおよび第２の終端抵抗パターン２３ｂに接続されるように差動伝送線路パターン２２を形成する工程（ｆ）と、第１のセラミックグリーンシート２１ａの第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された面と第２のセラミックグリーンシート２１ｂの第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された面とを重ね合わせて積層しセラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程（ｇ）と、セラミックグリーンシート積層体２４を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００４０】
このような製造方法とすることで、終端抵抗体３が差動伝送線路２の信号線路の上面または下面に接続され、かつ隣接する信号線路に接続される終端抵抗体３がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となる。そして、第１の支持体２０ａ上に抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターン２３ａを形成し、第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された前記第１の支持体２０ａ上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシート２１ａを形成するとともに、第２の支持体２０ｂ上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターン２３ｂを形成し、第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された前記第２の支持体２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシート２１ｂを形成したことから、終端抵抗パターン２３はセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程において積層する際の圧力により終端抵抗パターン２３の形状が変形しにくくなり、精度の良い終端抵抗体３を形成することが可能となる。
【００４１】
図４に示す本発明の多層配線基板４の製造方法は、第１の支持体２０ａ上に第１および第２の信号線路パターン２２a・２２ｂからなる差動伝送線路パターン２２を形成する工程（ａ）と、第１の信号線路パターン２２ａに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターン２３ａを形成する工程（ｂ）と、第２の支持体２０ｂ上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターン２３ｂを形成する工程（ｃ）と、第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された第１の支持体２０ａ上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシート２１ａを形成する工程（ｄ）と、第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された第２の支持体２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシート２１ｂを形成する工程（ｅ）と、第１および第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂから第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂを除去する工程（ｆ）と、第１のセラミックグリーンシート２１ａの第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された面と第２のセラミックグリーンシート２１ｂの第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された面とを重ね合わせて積層しセラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程（ｇ）と、セラミックグリーンシート積層体を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。
【００４２】
このような製造方法とすることで、終端抵抗体３が差動伝送線路２の信号線路の上面または下面に接続され、かつ隣接する信号線路に接続される終端抵抗体３がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となる。そして、第１の支持体２０ａ上に第１および第２の信号線路２２ａ・２２ｂからなる差動伝送線路パターン２２を形成し、第１の信号線路２２ａに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１の終端抵抗パターン２３ａを形成するとともに、第２の支持体２０ｂ上に抵抗体ペーストを塗布して第２の終端抵抗パターン２３ｂを形成した後、第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された前記第１の支持体２０ａ上にセラミックスラリーを塗布して第１のセラミックグリーンシート２１ａを形成するとともに、第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された前記第２の支持体２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第２のセラミックグリーンシート２１ｂを形成したことから、同様に終端抵抗パターン２３の形状が変形することなく、精度の良い抵抗体を形成することが可能となるとともに、差動伝送線路パターン２２もセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシート２１の表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程において差動伝送線路パターンの２つの信号線路パターン２２ａ・２２ｂ間に空隙および空隙に起因するセラミックグリーンシート積層体のデラミネーションが発生することがなく、また積層する際の圧力による差動伝送線路パターン２２の変形および差動伝送線路パターン２２が終端抵抗パターンに埋没することによる終端抵抗パターン２３の変形が発生することなく、さらに精度の良い抵抗体３を形成することが可能となる。
【００４３】
図５に示す本発明の多層配線基板４の製造方法は、第１の支持体２０ａ上および第２の支持体２０ｂ上に差動伝送線路２となる信号線路パターン２２ａ・２２ｂを形成する工程（ａ）と、信号線路パターン２２ａ・２２ｂが形成された第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂ上に信号線路パターン２２ａ・２２ｂに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１および第２の終端抵抗パターン２３ａ・２３ｂを形成する工程（ｂ）と、第１および第２の終端抵抗パターン２３ａ・２３ｂが形成された第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第１および第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂを形成する工程（ｃ）と、第１および第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂから第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂを除去する工程（ｄ）と、第１のセラミックグリーンシート２１ａの第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された面と第２のセラミックグリーンシート２１ｂの第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された面とを重ね合わせて積層しセラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程（ｅ）と、前記セラミックグリーンシート積層体２４を焼成する工程とを有することを特徴とするものである。このような製造方法とすることで、終端抵抗体３が差動伝送線路２の信号線路の上面または下面に接続され、かつ隣接する信号線路に接続される終端抵抗体３がそれぞれ上下で異なる面に接続された構造とすることが容易に可能となる。そして、第１の支持体２０ａ上および第２の支持体２０ｂ上に差動伝送線路２となる信号線路パターン２２ａ・２２ｂを形成し、信号線路パターン２２ａ・２２ｂが形成された第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂ上に信号線路パターン２２ａ・２２ｂに接続されるように抵抗体ペーストを塗布して第１および第２の終端抵抗パターン２３ａ・２３ｂを形成し、第１および第２の終端抵抗パターン２３ａ・２３ｂが形成された第１および第２の支持体２０ａ・２０ｂ上にセラミックスラリーを塗布して第１および第２のセラミックグリーンシート２１ａ・２１ｂを形成したことから、終端抵抗パターン２３ａ・２３ｂはセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程において積層する際の圧力により終端抵抗パターン２３の形状が変形することなく、精度の良い抵抗体３を形成することが可能となるとともに、差動伝送線路パターン２２もセラミックグリーンシートに埋没してセラミックグリーンシートの表面から突出していないので、セラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程において差動伝送線路パターン２２の２つの信号線路パターン２２ａ・２２ｂ間に空隙および空隙に起因するセラミックグリーンシート積層体のデラミネーションが発生することがなく、また積層する際の圧力による差動伝送線路パターン２２の変形および差動伝送線路パターン２２が終端抵抗パターン２３に埋没することによる終端抵抗パターン２３の変形が発生することなく、より精度の良い抵抗体３を形成することが可能となり、さらには差動伝送線路２の信号線路と終端抵抗体３との接続形態が終端抵抗体３に信号線路が埋め込まれて接続された形態に統一されるので、終端抵抗体３の抵抗値を等しくすることが容易となり、且つ抵抗値のばらつきも抑えることが容易となる。
【００４４】
図６に示す本発明の多層配線基板４の製造方法は、図５に示す製造方法において第１及び第２の支持体２０ａ・２０ｂ上の双方に差動伝送線路２となる第１及び第２の信号線路パターン２２ａ・２２ｂの双方を形成したものである。このことから、第１のセラミックグリーンシート２１ａの第１の終端抵抗パターン２３ａが形成された面と第２のセラミックグリーンシート２１ｂの第２の終端抵抗パターン２３ｂが形成された面とを重ね合わせて積層しセラミックグリーンシート積層体２４を形成することで、信号線路パターンが上下に重なり、信号線路パターンの厚みを厚くするとこができ、抵抗の低い差動伝送パターン２２を形成できる。また、差動伝送線路２を形成する２本の信号配線の対向する面積が増えるため、２本の信号配線間の電磁結合がより強固になり、より高速な信号の伝搬に適している。
【００４５】
本発明の製造方法のうち、特徴的な差動伝送線路２と終端抵抗３およびその上下の絶縁層１ａ、１ｂ部分の製造方法を説明したが、以下にその他の部分の製造方法および本発明の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【００４６】
支持体２０はポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリイミド系、塩化ビニル系等の樹脂成形体であり、厚さ１５乃至１００μｍのフィルム状のものである。支持体の少なくともセラミックスラリーが塗布される表面には離型層が形成される。離型剤の種類としては、大別してシリコーン系と、フッ素系、長鎖アルキル基含有系、アルキッド樹脂系、ポリオレフィン樹脂系などを用いることができる。耐熱性、剥離性及びコストの観点から、シリコーン系が望ましい。
【００４７】
抵抗体ペーストは抵抗体粉末に有機バインダと溶剤と必要に応じて分散剤等を加えて混合したものをボールミル、三本ロールミル、プラネタリーミキサー等の混練手段により均質に分散することにより作製される。
【００４８】
抵抗体ペーストに用いる抵抗体粉末は、ＳｎＯ２、ＲｕＯ２、Ｒｕ系複合酸化物等の酸化物粉末、ＬａＢ６等ホウ素化合物粉末、Ｐｔ、Ｃｕ−Ｎｉ合金や、Ａｇ−Ｐｄ合金等の金属粉末、あるいはこれらの混合物および絶縁性のガラス粉末からなる。用いられる抵抗体やガラスの種類、およびそれらの混合割合は終端抵抗体３に要求される抵抗値やＴＣＲ（Temperature Coefficient of Resistance：抵抗値の温度係数）等の電気的特性や、同時焼成されるセラミックグリーンシート２１ａ，２１ｂの焼成温度により適宜選択される。
【００４９】
Ｒｕ系複合酸化物としては、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３およびＢｉ２Ｒｕ２Ｏ７が挙げられる。
【００５０】
金属粉末がＡｇ−Ｐｄ合金のような合金粉末の場合、Ａｇ−Ｐｄ合金を用いてもよいし、焼成により合金化するように、Ａｇ粉末とＰｄ粉末とを所定の割合で混合したもの、めっきや蒸着等により一方の金属粉末に他方の金属膜を被覆して一体となった粉末を用いてもよい。
【００５１】
また、酸化物等の非金属と金属とを含む場合は、金属粉末を非金属で被覆したものを用いることで、金属と非金属とを均一に分散させ、終端抵抗体３の抵抗値を安定させるようにするとよい。例えば、Ｐｔ粉末へのＳｎＯ２被覆層を形成する場合は、Ｐｔ粉末の表面にめっきや蒸着によりＳｎの被覆層を形成した後に大気中にて１００〜１５０℃の熱処理を行なうことでＳｎを酸化してＳｎＯ２とすることで行なうことができる。
【００５２】
絶縁性のガラス材料は、ホウ素系、ビスマス系、亜鉛系、鉛系等特にその組成は制限を受けるものではないが、セラミックグリーンシート２１ａ，２１ｂの焼成温度以下の軟化温度を有するものが用いられる。
【００５３】
また、終端抵抗体３に要求されるＴＣＲに応じてＴＣＲ調整剤が添加される。一般的には金属酸化物がよく用いられ、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯ３、ＴｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ４Ｏ７、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ５が挙げられ、抵抗体粉末の種類や要求されるＴＣＲに応じて選択される。その添加量としては、抵抗体粉末に対して外添加で１乃至１０質量％程度である。
【００５４】
抵抗体ペーストに用いる抵抗体粉末やＴＣＲ調整剤粉末は、粒径が均一で球形状に近い粒が望ましい。これは均一な焼結状態の抵抗体を得るためのものである。
【００５５】
抵抗体ペーストに用いる有機バインダは、従来より抵抗体ペーストに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００５６】
有機バインダの選定に当たっては、焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系、アルキド系の有機バインダがより好ましい。また、有機バインダの添加量としては、抵抗体粉末により異なるが、焼成時に分解・除去されやすく、かつ抵抗体粒子を分散できる量であればよく、抵抗体粉末に対して５乃至２０質量％程度が好ましい。
【００５７】
抵抗体ペーストに用いる溶剤は、抵抗体粉末と有機バインダとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオールやブチルカルビトールアセテート及びフタル酸等などが使用可能である。
【００５８】
溶剤は抵抗体粉末に対して４乃至１５質量％加えることにより、抵抗体ペーストが印刷により終端抵抗パターン２３を形成でき、かつ終端抵抗パターン２３を形成した後に抵抗体ペーストの滲みが発生しない程度の粘度、３００００ｃｐｓ乃至４０００ｐｓに調整されるのが好ましい。抵抗体ペーストの塗布後の形成性、乾燥性を考慮し、低沸点溶剤を用いることが好ましく、塗布の作業性を考慮すると溶剤の沸点は作業時の温度（室温）より高い方が好ましい。さらに、乾燥時の温度による支持体２０の寸法変動を抑制するためには、支持体２０のガラス転移点より低いことが好ましい。これらを考慮すると、抵抗体ペーストに使用する溶剤の沸点は４０℃から支持体２０のガラス転移点の範囲であるのがより好ましい。このようなものとしては、例えば支持体２０としてガラス転移点７０℃のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を用いた場合は、沸点が５７℃の酢酸メチル等の溶剤が挙げられる。
【００５９】
抵抗体ペーストを塗布する方法は、従来より用いられているスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を用いることができる。
【００６０】
抵抗体ペーストや導体ペーストを塗布した後に、従来より用いられている温風乾燥機や遠赤外線乾燥機等のような輻射熱や伝熱を利用するものの他、溶剤の蒸気圧を低下させ揮発させる真空乾燥機等の乾燥機を用いて乾燥するのが好ましい。これにより、後のセラミックスラリーの塗布の際にセラミックスラリーと抵抗体ペーストや導体ペーストとが混ざり合ってしまうことを抑えられる。乾燥温度は抵抗体ペーストに含まれる溶剤の沸点以上で支持体のガラス転移点より低い温度で行なうのが好ましい。乾燥方法は自然乾燥でもよい。乾燥させずにセラミックスラリーの塗布を行なってもよいが、この場合はセラミックスラリーと抵抗体ペーストや導体ペーストとが混ざり合わないように、それぞれに含まれる溶剤や有機バインダの溶解度パラメータ（Solubility  Parameter：ＳＰ値）が異なるものを用いるなどすると良い。
【００６１】
セラミックスラリーは、上記のセラミックの粉末に有機バインダおよび溶剤を加え、ボールミルやビーズミル等の混合装置を用いてセラミック粉末を解砕しながら混合することにより作製される。セラミック粉末の分散性やセラミックグリーンシート２１の硬度や強度を調整するために分散剤や可塑剤を添加してしてもよい。
【００６２】
セラミックスラリーに用いる有機バインダとしては、従来よりグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。有機バインダの選定に当たっては、溶解度パラメータの他、焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系バインダがより好ましい。また、有機バインダの添加量はセラミック粉末により異なるが、焼成時に分解・除去されやすく、かつセラミック粉末が分散され、グリーンシートのハンドリング性や加工性が良好な量であればよく、セラミック粉末に対して１０乃至２０質量％程度が望ましい。
【００６３】
セラミックスラリーに用いる溶剤はセラミック粉末に対して、３０乃至１００質量％加えることにより、セラミックスラリーを良好に支持体２０上に塗布することができるような粘度、３ｃｐｓ乃至１００ｃｐｓ程度となるようにすることが望ましい。
【００６４】
セラミックスラリーを塗布する方法としては、ドクターブレード法，リップコーター法，ダイコーター法等が挙げられる。特にダイコーター法やスロットコーター法、カーテンコーター法等の押し出し式の方法を用いると、これらは非接触式の塗布方法なので、先に支持体２０上に形成された終端抵抗パターン２３ａや差動伝送線路パターン２２を物理的な力でセラミックスラリーに混合させてしまうことないのでよい。また、セラミックグリーンシート２１の厚さは、終端抵抗パターン２３ａや差動伝送線路パターン２２の厚みより厚くなるように形成される。
【００６５】
支持体２０上に塗布したセラミックスラリーを乾燥することによりセラミックグリーンシート２１となるが、この乾燥は、抵抗体ペーストや導体ペーストの乾燥方法と同様に、従来より用いられている温風乾燥機や遠赤外線乾燥機等のような輻射熱や伝熱を利用するものの他、溶剤の蒸気圧を低下させ揮発させる真空乾燥機等の乾燥機を用いることにより行なわれる。
【００６６】
差動伝送線路パターン２２の形成は、抵抗体ペーストを塗布するのと同様の方法で所定のパターン形状に導体ペーストを塗布することにより行なわれる。
【００６７】
導体体ペーストは導体粉末に有機バインダと溶剤と必要に応じて分散剤等を加えて混合したものを導体ペーストの作製と同様の混練手段により均質に分散することにより作製される。
【００６８】
導体粉末は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の１種または２種以上が挙げられ、導体材料が２種以上の場合は２種類以上の粉末を混合してもよいし、合金、コーティング等により２種以上の材料が一体となった粉末であってもよい。
【００６９】
導体ペーストに用いる有機バインダおよび溶剤は、導体ペーストに用いるものと同様のものが用いられ、導体ペーストを塗布（および乾燥）する方法も同様の方法を用いることができる。
【００７０】
絶縁層１ｃ〜１ｄとなるセラミックグリーンシート２１および差動伝送線路２以外の接地導体５、接地配線層または電源配線層６、半導体素子接続用電極９、外部接続用電極１０、信号配線１１となる配線パターンも上記のセラミックグリーンシート２１ａ、２１ｂおよび差動伝送線路パターン２２と同様にして形成される。すなわち、配線パターンを支持体２０上に形成した後に上記と同じセラミックスラリーを塗布してセラミックグリーンシート２１を形成しても良いし、セラミックグリーンシート２１を支持体２０上に形成した後にその上に配線パターンを形成しても良い。また、配線パターンの形成には、差動伝送線路パターン２２を形成するための導体ペーストと同じものを用いて、同じ方法で塗布すればよい。表層の半導体素子接続用電極９や外部接続用電極１０となる配線パターンの形成には、配線の絶縁層１との接合強度を向上させるためにガラスやセラミックスの粉末を添加した導体ペーストを用いてもよい。
【００７１】
また、絶縁層１間を貫通して絶縁層１の上下の配線を電気的に接続する貫通導体７、８の形成は、セラミックグリーンシート２１に金型によるパンチング加工やレーザ加工等により貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷やプレス充填等の埋め込み手段により貫通導体用導体ペーストを充填しておくことで形成される。図３に示した製造方法のような場合は、セラミックグリーンシート２１上に差動伝送線路パターン２２を形成する前に貫通孔の形成および充填を行なっておく。貫通孔加工は、セラミックグリーンシート２１が厚い場合、パンチング加工がセラミックグリーンシート２１の表裏で貫通孔の径に差異がなく形成されるので好ましく、また、ギャング金型による多数個の貫通孔の一括形成が可能であり好ましい。また、貫通孔を加工する際、セラミックグリーンシート２１を支持体２０から剥がして行なってもよいが、支持体２０上に保持したまま行なうとセラミックグリーンシート２０の変形を防止できるのでより好ましい。貫通導体用導体ペーストは上記の導体ペーストと同様にして作製され、溶剤や有機バインダの量により充填しやすいように１５０００ｃｐｓ乃至４００００ｃｐｓ程度の粘度に調整される。
【００７２】
セラミックグリーンシート積層体２４を形成する工程は、図３〜図６に示した第１のセラミックグリーンシート２１ａと第２のセラミックグリーンシート２１ｂだけでなく絶縁層１ｃ〜１ｄとなるセラミックグリーンシート２１も位置合わして積層し、互いを接着することにより行われる。接着する方法としては、例えば有機溶剤と有機バインダや可塑剤を混合した接着剤を用いる方法、加熱によりセラミックグリーンシート２１中の有機バインダに接着性を持たせる方法、加圧力により圧着する方法、またはこれらの方法を組み合わせることにより行う方法等が挙げられる。加熱や加圧の条件は用いるセラミックグリーンシート２１に含まれる有機バインダ等の種類や量、上記方法の組み合わせにより異なるが、概ね３０〜１００℃、２〜２０ＭＰａである。
【００７３】
セラミックグリーンシート積層体２４を焼成する工程は、有機成分の除去とセラミック粉末の焼結とから成る。有機成分の除去は、１００〜８００℃の温度範囲でセラミックグリーンシート積層体２４を加熱することによって行い、有機成分を分解、揮発させるものである。また、焼成温度はセラミック組成により異なり、約８００〜１０００℃の範囲内で行なう。焼成雰囲気は、セラミック粉末や導体材料により異なり、大気中、還元雰囲気中、非酸化性雰囲気中等などで行われ、有機成分の除去を効果的に行うために水蒸気を含ませてもよい。
【００７４】
また、セラミックグリーンシート積層体２４の上下面にさらに拘束グリーンシートを積層して焼成し、焼成後に拘束シートを除去するようにすれば、より高寸法精度の多層配線基板４を得ることが可能となる。拘束グリーンシートは、Ａｌ２Ｏ３等のセラミックグリーンシート積層体２４の焼成温度では焼結収縮しない難焼結性無機材料を主成分とするグリーンシートであり、焼成時に収縮しないものである。この拘束グリーンシートが積層された積層体は、収縮しない拘束グリーンシートにより積層平面方向（ｘｙ平面方向）の収縮が抑制され、積層方向（ｚ方向）にのみ収縮するので、焼成収縮に伴う寸法ばらつきが抑制される。
【００７５】
また、拘束グリーンシートには難焼結性無機成分に加えて、焼成温度以下の軟化点を有するガラス成分、例えばセラミックグリーンシート２１中のガラスと同じガラスを含有させるとよい。焼成中にこのガラスが軟化してセラミックグリーンシート２１と結合することにより、セラミックグリーンシート２１と拘束グリーンシートとの結合が強固となり、より確実な拘束力が得られる。このときのガラス量は、難焼結性無機成分とガラス成分を合わせた無機成分に対して外添加で、０．５乃至１５質量％とするとよく、拘束力が向上し、かつ拘束グリーンシートの焼成収縮が０．５％以下に抑えられる。
【００７６】
焼成後の拘束グリーンシートの除去方法としては、例えば研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト（砥粒と水とを空気圧により噴射させる方法）等が挙げられる。
【００７７】
焼成して得られた多層配線基板４の表面に露出するメタライズ金属上には、メタライズ金属の腐食防止、半導体素子や外部の配線板と接続するための接合材（Ａｕ細線や半田等）の接続性向上のために、Ｎｉめっき層やＡｕめっき層を被着させるのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】（ａ）は本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、（ｂ）は差動伝送線路と終端抵抗体との接続部を部分的に拡大し、上面から透視した要部拡大図であり、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ’線で切断した要部拡大断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板における実施の形態の一例を示す、差動伝送線路と終端抵抗体との接続部を部分的に拡大した要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は本発明の多層配線基板の製造方法の実施の形態の一例を示す工程毎の断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１・・・・・・絶縁層
２・・・・・・差動伝送線路
３・・・・・・終端抵抗体
４・・・・・・多層配線基板
２０ａ・・・・第１の支持体
２０ｂ・・・・第２の支持体
２１ａ・・・・第１のセラミックグリーンシート
２１ｂ・・・・第２のセラミックグリーンシート
２２・・・・・差動伝送線路パターン
２２ａ・・・・第１の信号線路パターン
２２ｂ・・・・第２の信号線路パターン
２３ａ・・・・第１の終端抵抗パターン
２３ｂ・・・・第２の終端抵抗パターン
２４・・・・・セラミックグリーンシート積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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