(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部電極を有するセラミクス基板であって、
セラミクス基板に形成される外部電極は、ＡｇもしくはＣｕを主体とする下地層の表面にＮｉを主体とする被膜としてＮｉ−Ｐ被膜又はＮｉ−Ｂ被膜と、前記Ｎｉを主体とする被膜の表面にＰｄを主体とする被膜として純Ｐｄ被膜又はＰｄ−Ｐ被膜と、表層として前記Ｐｄを主体とする被膜の表面にＡｕ−Ｐｄ皮膜とを有し、
前記Ａｕ−Ｐｄ皮膜は前記Ｐｄを主体とする被膜の一部と前記Ａｕ−Ｐｄ皮膜の表面に形成されたＡｕを主体とする被膜との相互の熱拡散により形成されたことを特徴とするセラミクス基板。
【請求項２】
前記Ａｕ−Ｐｄ皮膜の表面には水酸化ニッケルを有さないことを特徴とする請求項１に記載のセラミクス基板。
【請求項３】
Ａｕ−Ｐｄ皮膜は、ＡｕとＰｄの元素濃度比で１：１５〜１０：１の均一な皮膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミクス基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミクス基板に搭載された実装素子と前記外部電極とを１００μｍ以下のＡｕ線で結線したことを特徴とする電子部品。
【請求項５】
複数の外部電極を有するセラミクス基板の製造方法であって、
セラミクス基板に形成される外部電極は、ＡｇもしくはＣｕを主体とする下地層の表面にＮｉを主体とする被膜としてＮｉ−Ｐ被膜又はＮｉ−Ｂ被膜を１〜１５μｍの膜厚で形成する第１工程と、
前記Ｎｉを主体とする膜の表面に、Ｐｄを主体とする膜として純Ｐｄ被膜又はＰｄ−Ｐ被膜を０．０５〜２μｍの膜厚で形成する第２工程と、
前記Ｐｄを主体とする被膜の表面に、その厚みよりも薄くＡｕ被膜を０．０２〜０．１μｍの膜厚で形成する第３工程と、
第３工程を経たセラミクス基板を２５０〜４００℃で加熱して、Ｐｄを主体とする皮膜と、Ａｕを主体とする皮膜との相互拡散によって、表層をＡｕ−Ｐｄ皮膜とし、その下層を、Ｐｄを主体とする皮膜とする第４工程により形成されることを特徴とするセラミクス基板の製造方法。
【請求項６】
第４工程にて、前記外部電極の表層をＡｕとＰｄの元素濃度比で１：１５〜１０：１の均一な皮膜とすることを特徴とする請求項５に記載のセラミクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミクス基板やフェライト積層基板に代表されるセラミクス基板において、基板上に半導体素子を搭載するためのセラミクス基板と、これを用いた電子部品及びセラミクス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体セラミクス基板やフェライト積層基板に代表させるセラミクス基板は、高密度化、集積化が進んでおり、基板上に半導体素子を搭載するケースが急増している。基板上に半導体体素子などを固定するには、Ｓｎを主体とする半田を基板上に塗布し、素子を搭載後に熱履歴をかけ、半田を溶融、冷却（はんだ付け）することにより行われる。
近年、配線の高密度化に伴い、セラミクス基板と半導体素子との電気的接合に、ワイヤボンディングが用いられるようになってきた。多数の配線が要求される高密度なワイヤボンディングでは、１００μｍ以下の金線を、加熱した基板上のワイヤボンディング用端子に、超音波振動を与えながら摺動させることにより接合が取られる。
【０００３】
ワイヤボンディング用端子部には非特許文献１に開示されるように、銀（Ａｇ）もしくは銅（Ｃｕ）などからなる端子上に、ニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜、置換金（Ａｕ）めっき皮膜、還元金（Ａｕ）めっき皮膜を順次、形成し得ること一般的である。このような、端子構造ではニッケル皮膜は、下地層である銀や銅を半田から保護するバリヤー層として機能し、金皮膜は金ワイヤーとの接続を容易とするために付与される。還元金めっきは、任意の膜厚の金皮膜を得ることができる利点があるものの、めっき液がＮｉ不純物に弱く、下地層として、置換金めっき膜が必要とされる。
【０００４】
【非特許文献１】社団法人プリント回路学会誌「サーキットテクノロジー」（１９９３年Ｖｏｌ．８  Ｎｏ．５  ３６８〜３７２頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、置換金めっきはＮｉめっきを腐食するという性質を持つために腐食部分が還元金めっき後もピンホールとして残存し、基板に熱が加わると、体積膨張したニッケルが水酸化物として金表面を汚染し、ワイヤボンディング性を著しく妨げるという問題もあった。このため、高価な還元金めっき皮膜を０．２〜０．７μｍの厚さで形成し、ピンホールを塞ぐ必要があり、結果として多大なコストがかかる。また、厚金めっき（還元金めっき）を施してもピンホールが埋まりきらず、ボンディング強度が熱処理で劣化するという問題があった。            
このような問題に対して、金めっき厚を０．１μｍ以下の置換金のみとし、ワイヤボンディング前に、プラズマ処理により金皮膜表面の水酸化ニッケルのクリーニングを行う方法が提案されている。しかしながら、置換金めっきのみの皮膜は多くのピンホールを有し、熱処理時に金表面に多く拡散したニッケルはプラズマ処理によっても除去することは難しく、ボンディングの信頼性が乏しく、信頼性を求められる電子部品では用いられていないのが現状であった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明は、複数の外部電極を有するセラミクス基板であって、セラミクス基板に形成される外部電極は、ＡｇもしくはＣｕを主体とする下地層の表面にＮｉを主体とする被膜としてＮｉ−Ｐ被膜又はＮｉ−Ｂ被膜と、前記Ｎｉを主体とする被膜の表面にＰｄを主体とする被膜として純Ｐｄ被膜又はＰｄ−Ｐ被膜と、表層として前記Ｐｄを主体とする被膜の表面にＡｕ−Ｐｄ皮膜とを有し、前記Ａｕ−Ｐｄ皮膜は前記Ｐｄを主体とする被膜の一部と前記Ａｕ−Ｐｄ皮膜の表面に形成されたＡｕを主体とする被膜との相互の熱拡散により形成され、その表面には水酸化ニッケルを有さないことを特徴とするセラミクス基板である。
【０００７】
第２の発明は、複数の外部電極を有するセラミクス基板の製造方法であって、セラミクス基板に形成される外部電極は、ＡｇもしくはＣｕを主体とする下地層の表面にＮｉを主体とする被膜としてＮｉ−Ｐ被膜又はＮｉ−Ｂ被膜を１〜１５μｍの膜厚で形成する第１工程と、前記Ｎｉを主体とする膜の表面に、Ｐｄを主体とする膜として純Ｐｄ被膜又はＰｄ−Ｐ被膜を０．０５〜２μｍの膜厚で形成する第２工程と、前記Ｐｄを主体とする被膜の表面に、その厚みよりも薄くＡｕ被膜を０．０２〜０．１μｍの膜厚で形成する第３工程と、第３工程を経たセラミクス基板を２５０〜４００℃で加熱して、Ｐｄを主体とする皮膜と、Ａｕを主体とする皮膜との相互拡散によって、表層をＡｕ−Ｐｄ皮膜とし、その下層を、Ｐｄを主体とする皮膜とする第４工程により形成されることを特徴とするセラミクス基板の製造方法である。
【０００８】
Ｎｉを主体とする膜の表面にＰｄ層を設けることにより、置換金のＮｉへの腐食、ピンホールを抑えることができる。パラジュームめっきは還元法によってＮｉを主体とする膜に析出されるため、ニッケルを主体とする層を腐食しない。腐食によるピンホールが少ないため、金層を薄くしても、最表面が水酸化ニッケルで汚染されることが無くなる。
Ａｕを主体とする皮膜は膜厚を０．０２〜０．１μｍとするのが望ましい。金膜が０．０２μｍ以下の膜厚であると、Ｐｄを主体とする皮膜との相互拡散によりＡｕ−Ｐｄ皮膜とした場合にボンディングの際に金線とのなじみが悪く、十分な強度がでない。また、半田づけの際に半田への拡散が悪く、半田濡れ性が良くない。金膜が０．１μｍ以上の膜厚であると、金は高価な金属であるため、製造コストの増加を招く。
Ｐｄ膜は、はんだへの拡散速度が遅く半田濡れが悪いため、電子部品をプリント基板等に実装する際にはんだ接合不良の不具合を起こすリスクが大きくなる。そこで最表層金属膜を均一なＡｕ−Ｐｄ合金膜とすることにより、速やかに半田中に拡散し、強固な接着強度が得られる。ボンディングの際にも、薄いＡｕ膜は金線とのなじみが悪く、十分な接着強度が得られない場合もあるが、均一なＡｕ−Ｐｄ合金では、金線と強い接着強度をもたらす。
金とパラジュウムの合金は、元素濃度比で１：１５〜１０：１が望ましい。金の元素濃度がＰｄの１５分の１以下であると半田への拡散速度が遅く、十分な半田接合性が得られない上に、金線とのなじみが悪く、十分なボンディング接合強度が得られない。金の元素濃度がパラジュームの１０倍以上であると、製造コストの増加を招く。
【０００９】
第３の発明は、前記セラミクス基板に搭載された実装素子と前記外部電極とを１００μｍ以下のＡｕ線で結線したことを特徴とする電子部品である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、安価でボンディング性、半田濡れ性に優れたセラミクス基板、電子部品とセラミクス基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のセラミクス基板および電子部品の製造工程について説明する。まず、アルミナ、シリカなどを主成分とするセラミクスグリーンシートを形成したのち、ＡｇもしくはＣｕ等を主成分とする電極用ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、内部電極および端子電極を形成する。パターンの異なる内部印刷がされたシートおよび端子電極が印刷されたセラミクスグリーンシートを数枚積層し圧着し、積層体ブロックとした後、焼成する。焼成することにより、積層ブロックは複数の電極を有したセラミクス基板となる。  
【００１２】
次に、端子電極にめっき法によりＮｉを主体とする膜を形成する。めっきは電解めっき法、無電界めっき法のいずれを用いてもよい。無電界めっき法を用いるときは、ジメチルアミンボランを還元剤とし、Ｎｉ−Ｂ皮膜としてもよいし、ジアリン酸ナトリームを還元剤としてＮｉ−Ｐ皮膜としてもよい。Ｎｉを主体とする膜は１〜１５μｍの膜厚であることが望ましい。
膜厚が１μｍ以下であると、半田接合の際に下地層が半田中に拡散するのを防ぐことができない。１５μｍ以上であると、めっき膜の応力により、割れが入ったり、密着力が低下したりする。
【００１３】
次いで、Ｎｉを主体とする層の上にＰｄを主体とする膜を無電界めっき法により形成する。この時、ギ酸等と還元剤とし、純パラジュームの膜としても良いし、亜リン酸ナトリームや次亜リン酸ナトリームを還元剤としてＰｄ−Ｐ皮膜としてもよい。Ｐｄを主体として膜は０．０５〜２μｍの膜厚であることが望ましい。０．０５μｍ以下であると、ニッケル膜を覆いきれず、金液による腐食を受け、半田濡れ性、ボンディング接着強度が十分では無くなる。２μｍ以上であると、製造コスト的に不利である。
【００１４】
次いで、Ａｕ被膜を無電界めっき法により形成する。無電界めっき液はシアンタイプでも良いしノーシアンタイプでも良い。また、置換タイプのめっき液を用いてもよいし、還元タイプのめっき液やそれらを併用したタイプのめっき液を用いても良い。
【００１５】
このようにしてできあがった基板に部品を実装して電子部品とする工程について説明する。
セラミクス基板の所定の端子に、Ｓｎを主体とする半田ペーストを塗布し、ついで、半導体素子、容量素子、抵抗素子等を実装する。実装した後、基板を所定の温度に加熱し、半田ペーストを溶解、凝固させ実装部品を固定する。この時の加熱温度は、半田の融点によるが、２５０〜４００℃が望ましい。２５０℃以下では半田の溶融が十分では無く接触不良を起こし、４００℃以上に加熱すると半田食われなどの不具合を起こす可能性が高くなる。加熱にはリフロー炉などを用いて基板を均一に加熱することが望ましい。
また、この加熱によりワイヤボンディング端子および外部接続端子においては、Ｐｄ被膜とＡｕ被膜が相互に拡散し、均一なＡｕ−Ｐｄ皮膜が形成される。
【００１６】
次に半導体素子の端子と基板上のワイヤボンディング端子とを金線で、ワイヤボンディングにより接続する。ボンディングワイヤは信頼性および実装の高密度化を考えると１００μｍ以下の金線が望ましい。
【実施例】
【００１７】
（実施例１）
本発明について一実施例を示して説明する。
まず、アルミナを主成分とするセラミクスグリーンシートを作成した。そして、このセラミクスグリーンシートの表面に、主に銀を主成分とする電極用ペーストをスクリーン印刷法により印刷して内部電極を形成した。印刷パターンの異なる内部電極を形成したセラミクスグリーンシートを複数枚数積層して、圧着し、積層ブロック体を得た。さらに、積層ブロック体表面に銀を主体とするペーストを印刷し、端子電極を形成した。この積層ブロックを９００℃にて１時間焼成して、セラミクス基板とした。
次に、この基板を硫酸にて表面を洗浄した後、塩化パラジュームを主成分とする水溶液に浸漬し触媒を電極表面に付与した。イオン交換水で余分なパラジューム溶液を洗浄した後、過熱したジアリン酸ナトリームを還元剤とした無電界Ｎｉ−Ｐめっき液に所定時間浸漬し、Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した。ついで、これをイオン交換水で洗浄した後、加熱したギ酸を還元剤とした無電界パラジュームめっき液に所定時間、浸漬しＰｄ皮膜を形成した。さらに、これをイオン交換水で洗浄した後、加熱したノーシアン置換型めっき液に所定時間、浸漬したのちイオン交換水で洗浄し、乾燥し、セラミクス基板試料とした。
【００１８】
このようにして得られた、基板試料の端子電極の一つにＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを主成分とする半田ペーストを塗布し、半導体素子を搭載し、ピーク温度３４０℃に設定されたリフロー炉を通路し、固定した。次に、半導体素子上のパッドと基板上の端子電極を２５μｍの金線で超音波ボンダーを用いて結線した。
次に、接続したボンディングワイヤに対して引っ張り試験を行い、ボンディングワイヤの接続強度、および破壊モードを測定した。また、２３５℃に加熱した、Ｓｎ−Ｐｂ半田に２秒浸漬した後、外部接続用の端子電極が半田で覆われている面積を計測し半田濡れ性評価とした。さらに、ＡＥＳ分析により端子の最外層膜の組成について調べた。また、表層からＰｄ膜までを薬剤で剥離しＮｉ−Ｐ膜の状態を観察した。
【００１９】
（比較例１）
実施例１と同様の方法でセラミクス基板試料を作成した。
次に、この基板を硫酸にて表面を洗浄した後、塩化パラジュームを主成分とする水溶液に浸漬し触媒を電極表面に付与した。イオン交換水で余分なパラジューム溶液を洗浄した後、過熱したジアリン酸ナトリームを還元剤とした無電界Ｎｉ−Ｐめっき液に所定時間浸漬し、Ｎｉ−Ｐ皮膜を形成した。さらに、これをイオン交換水で洗浄した後、加熱したノーシアン置換型めっき液に所定時間、浸漬したのちイオン交換水で洗浄し、乾燥し、セラミクス基板試料とした。
このようにして得られた、基板試料の端子電極の一つにＳｎ−Ａｇ−Ｃｕを主成分とする半田ペーストを塗布し、半導体素子を搭載し、ピーク温度３４０℃に設定されたリフロー炉を通路し、固定した。次に、半導体素子上のパッドと基板上の端子電極を２５μｍの金線で超音波ボンダーを用いて結線した。
【００２０】
次に、接続したボンディングワイヤに対して引っ張り試験を行い、ボンディングワイヤの接続強度、および破壊モードを測定した。また、２３５℃に加熱した、Ｓｎ−Ｐｂ半田に２秒浸漬した後、外部接続用の端子電極が半田で覆われている面積を計測し半田濡れ性評価とした。さらに、ＡＥＳ分析により端子の最外層膜の組成について調べた。また、表層からＰｄ皮膜までを薬剤で剥離しＮｉ−Ｐ膜の状態を観察した。
【００２１】
（比較例２）
実施例１と同様の方法でセラミクス基板試料を作成し、めっき膜を形成した。
基板試料の端子電極の一つに、半導体素子を導電性接着剤で固着した。次に、半導体素子上のパッドと基板上の端子電極を２５μｍの金線で超音波ボンダーを用いて結線した。
次に、接続したボンディングワイヤに対して引っ張り試験を行い、ボンディングワイヤの接続強度、および破壊モードを測定した。また、２３５℃に加熱した、Ｓｎ−Ｐｂ半田に２秒浸漬した後、外部接続用の端子電極が半田で覆われている面積を計測し半田濡れ性評価とした。さらに、ＡＥＳ分析により端子の最外層膜の組成について調べた。
【００２２】
【表１】
0004817043.tif 000002
【００２３】
図１および図２はオージェ分析により、実施例１および比較例１の熱処理前後のめっき表面の元素を調べたものである。これにより、本発明ではボンディングを著しく阻害する水酸化ニッケルがめっき表面に出ることを防いでいることが分かる。  
図３および図４はオージェ分析器機により、めっきの深さ方向の元素を調べたものである。実施例のように熱履歴を受けると最表層膜は均一なＡｕ−Ｐｄ合金を形成することが分かり、表１よりその均一な合金が形成されることにより、ボンディング性および半田濡れ性が向上することが確認された。
図５および図６は実施例１および比較例１で作成された試料のＰｄ皮膜までを薬剤により除去した後に、Ｎｉ−Ｐめっき膜表面を電子顕微鏡にて観察した写真である。本発明によれば、Ｎｉ−Ｐ被膜の腐食を防ぐことができることが分かる。これにより、水酸化ニッケルがピンホールからめっき表面まで上がってくることが無く、ボンディング性および半田濡れ性に優れたセラミクス基板とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明によれば、安価でボンディング性、半田濡れ性に優れたセラミクス基板、電子部品とセラミクス基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施例１で得られたセラミクス基板電極表面の端子電極表面の元素を示したオージェ分析結果である。
【図２】比較例１で得られたセラミクス基板電極表面の端子電極表面の元素を示したオージェ分析結果である。
【図３】実施例１で得られたセラミクス基板電極表面の端子電極表面のめっき深さ方向の元素を示したオージェ分析結果である。
【図４】比較例２で得られたセラミクス基板電極表面の端子電極表面のめっき深さ方向の元素を示したオージェ分析結果である。
【図５】実施例１で得られたセラミクス基板のＮｉ−Ｐめっき膜表面の電子顕微鏡像である。
【図６】比較例１で得られたセラミクス基板のＮｉ−Ｐめっき膜表面の電子顕微鏡像である。
【図１】
0004817043.tif 000003
【図２】
0004817043.tif 000004
【図３】
0004817043.tif 000005
【図４】
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【図５】
0004817043.tif 000007
【図６】
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