(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主結晶相として二珪酸リチウムを含むガラスセラミックスからなる基板であって、更に、α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる１種または２種以上を含み、アルカリ溶出試験における基板表面からのアルカリ溶出量が０．０１６μｇ／ｃｍ2 未満であることを特徴とするガラスセラミック基板。
【請求項２】
ガラスセラミックスからなる基板であって、１００〜５００℃の範囲内に４〜５０時間保持することにより得られることを特徴とする請求項１に記載のガラスセラミック基板。
【請求項３】
ガラスセラミックスからなる基板であって、原ガラスを結晶化処理した後、引き続いて５００〜１００℃の範囲内で６〜５０時間保持することにより得られることを特徴とする請求項１または2に記載のガラスセラミック基板。
【請求項４】
ガラスセラミックスからなる基板であって、ガラスセラミックス基板の研磨工程において、酸により表面を処理して得られることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラスセラミック基板。
【請求項５】
該ガラスセラミックスは、主結晶相として二珪酸リチウムを含むことを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載のガラスセラミック基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体。
【請求項７】
原ガラスを４００℃〜６００℃で１〜７時間熱処理して核形成し、６５０℃〜７８０℃で１〜７時間熱処理して結晶成長させた後、更に、１００〜５００℃の温度範囲内に４〜５０時間保持することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板の製造方法。
【請求項８】
板状の原ガラスを結晶化熱処理した後、研磨工程を有するガラスセラミックス基板の製造方法であって、該研磨工程中、０．１〜５％の無機酸溶液により表面処理することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報記憶装置等に用いられる基板であり、基板からのアルカリ溶出を原因とする、磁気媒体の磁気特性低下またはアルカリコロージョンの影響を最小限に抑え、超平滑な基板表面を維持し機械的特性も良好な、特にニアコンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方式に好適なガラスセラミックス基板、及び磁気情報記憶媒体に関するものである。尚、本明細書において「情報記憶媒体」とは、モバイル用（ＡＰＳカメラ、携帯電話、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カードドライブ）、デスクトップＰＣ用（ハードディスク）、サーバー用（ハードディスクドライブ）、新規高記録密度媒体用（垂直磁気記憶媒体、アイランド磁気記憶媒体、半導体メモリー用記憶媒体、）等に用いられる記憶媒体を意味する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パーソナルコンピュータのマルチメディア化やデジタルビデオカメラ、デジタルカメラ等の普及によって、動画や音声等の大きなデータが扱われるようになり、高記憶密度化の情報記憶装置の需要が大きく伸びてきている。そのため情報記憶媒体は、記録密度を大きくするために、ビットおよびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮小化する必要がある。そしてヘッドは、ビットセルの縮小化に伴って、情報記憶媒体表面により近接した状態で作動するようになる。このようにヘッドが情報記憶媒体基板に対し、低浮上状態（ニアコンタクト）または接触状態（コンタクト）にて作動する場合、基板表面は超平滑性が重要となる。さらに大容量化に伴い転送速度の高速化が求められており基板回転数の高速化が重要となっている。また、モバイル用としての用途が広まりつつあり基板は機械的強度についても重要な要素となる。
【０００３】
しかもこれら情報記憶媒体においては高密度化における表面平滑度の他に、基板からのアルカリ溶出を原因とする、「記憶媒体の磁気特性低下（アルカリ成分が記憶媒体中に拡散し、媒体の磁気特性を低下させる）」「基板表面へのディフェクトの付着（溶出したアルカリ成分が記録媒体表面にまで拡散しこれが化合物となり、異物として表面に付着した状態となる）」「記録とびの問題」等の基本的な問題をクリアしていなければならない。
【０００４】
前記の現象について更に詳しく述べる。まず、アルカリ溶出現象についてであるが、結晶相の構成成分としてアルカリ成分を必要とするガラスセラミックスを製造する場合、原ガラスのアルカリ成分の濃度は、結晶相に必要とされる化学量論的な量よりも多く必要であり、結晶化後は、ガラスマトリックス相に消費されなかったこれらアルカリ成分が残留している。これが（１）成膜の際に記録媒体へ熱拡散し、記録媒体の成分と化合物（例えばＣｒとの化合物等）を生成し、記録媒体の磁気特性を低下させてしまったり、（２）記録媒体表面へ経時的に拡散し、表面で水分や炭酸ガスと化合して水酸化物や炭酸化物を生成し、この化合物が表面の異物となって、表面欠陥や記録飛びの原因となる。
【０００５】
以上のように、記録密度が飛躍的に向上している昨今においては、前記問題点が記録密度向上の妨げの要因の一つとなりつつあり、したがって、よりアルカリ溶出の少ない基板が強く求められている。
【０００６】
磁気記録媒体用基板としては、アルミニウム合金等が従来使用されてきたが、近年、急速な高密度化傾向に伴って、アルミニウム合金に代わり、強度の点で有利で高密度化に適した磁気ディスク基板材料として、化学強化処理を施したアルミノシリケートガラス（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ）や各種ガラスセラミックスが用いられている。アルミノシリケートガラスの場合、「研磨は化学強化後に行なわれ、ディスクの薄板化における強化層の不安定要素が高い。」「ガラス中にＮａ2Ｏ成分を必須成分として含有するため、成膜特性が悪化し、Ｎａ2Ｏ溶出防止のためのエッチング処理や全面バリアコート処理が必要となり、基板の微少うねり等の問題等、製品の低コスト安定生産性が難しい欠点がある。」「化学強化を施すため、基板自身の組成としてのアルカリ含有率が大きくなり、アルカリコロージョンの問題が起き易い。」という欠点を有している。
【０００７】
これに対し、アルカリ溶出の少ない基板材料としてガラスセラミックスが挙げられる。例えば、特開平６−３２９４４０号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ−ＭｇＯ−Ｐ2Ｏ5系ガラスセラミックスは、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）およびα−クォーツ（α−ＳｉＯ2）を有し、α−クォーツ（α−ＳｉＯ2）の球状粒子サイズをコントロールする事で、従来のメカニカルテクスチャ、ケミカルテクスチャを不用とし、研磨して成る表面粗度（Ｒａ）を１５〜５０Åの範囲で制御を可能とした、基板表面全面テクスチャ材として非常に優れた材料であり、特開平１０−４５４２９６号公報記載のＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ−Ｋ2Ｏ―ＭｇＯ−ＺｎＯ―Ｐ2Ｏ5―Ａｌ2Ｏ3系または、ＳｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ−Ｋ2Ｏ―ＭｇＯ−ＺｎＯ―Ｐ2Ｏ5―Ａｌ2Ｏ3―ＺｒＯ2系ガラスセラミックスは、主結晶相として二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）、二珪酸リチウム及びα−クォーツ（α−ＳｉＯ2）の混晶、または二珪酸リチウム及びα−クリストバライト（α−ＳｉＯ2）の混晶の少なくとも一種以上であることを特徴とした、レーザーテクスチャー用ガラスセラミックスであり、特開平９−３５２３４号公報には、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ系ガラスにおいて、主結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2Ｏ・２ＳｉＯ2）とβ−スポジューメン（Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・４ＳｉＯ2）からなる磁気ディスク用基板であり、国際公開番号ＷＯ９７／０１１６４には、上記特開平９−３５２３４号公報を含み、新たに上記組成系の結晶化熱処理を低温化（６８０〜７７０℃）し、β−ユークリプタイト（Ｌｉ2Ｏ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）を析出させるものである。
【０００８】
しかし、これらガラスセラミックス基板は、化学強化されたアモルファスガラスと比較してアルカリ溶出が少ないものの、それでもアルカリ溶出を発生し、近年における著しい記録媒体の高密度化傾向においては、例えこれらのガラスセラミックス基板であっても、アルカリ溶出に起因する「記憶媒体の磁気特性低下」「基板表面へのディフェクトの付着」「記録とびの問題」等が問題となりつつある。しかし、これらガラスセラミックス基板については、アルカリ溶出に対する改善についての言及が一切なされていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、特にアルカリ溶出削減の改善を施したものである。すなわちアルカリ溶出に起因する記録媒体の磁気特性低下やアルカリコロージョンによるディフェクトを無くして、情報記憶媒体の記憶容量の増大と磁気ヘッドの低浮上化あるいは接触状態による基板の超平滑化を図り、更に情報転送速度の高速回転化およびモバイル用途への高機械的強度化を兼ね備えた、情報記憶媒体用ガラスセラミック基板およびこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解消するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、「（１）ガラスセラミックス基板のアルカリ溶出量を特定の値以下とすることで、前記課題が解消される」こと、「（２）ガラスセラミックス基板を、熱処理することによってガラスセラミックスの安定化が図られ、特にアルカリ溶出が改善される」ことを見いだした。また、「（３）研磨工程中に表面の酸処理を施すことによっても同等の効果が得られること」を見出し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、請求項１に記載の発明は、主結晶相として二珪酸リチウムを含むガラスセラミックスからなる基板であって、更に、α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる１種または２種以上を含み、アルカリ溶出試験における基板表面からのアルカリ溶出量が０．０１６μｇ／ｃｍ2未満であることを特徴とするガラスセラミック基板でありであり、請求項２に記載の発明は、ガラスセラミックスからなる基板であって、１００〜５００℃の範囲内に４〜５０時間保持することにより得られることを特徴とするガラスセラミック基板であり、請求項３に記載の発明は、ガラスセラミックスからなる基板であって、原ガラスを結晶化処理した後、引き続いて５００〜１００℃の範囲内で６〜５０時間保持することにより得られることを特徴とするガラスセラミック基板であり、請求項４に記載の発明は、ガラスセラミックスからなる基板であって、ガラスセラミックス基板の研磨工程において、酸により表面を処理して得られることを特徴とするガラスセラミック基板であり、請求項５に記載の発明は、該ガラスセラミックスは、主結晶相として二珪酸リチウムを含むことを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載のガラスセラミック基板であり、請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる磁気情報記憶媒体であり、請求項７に記載の発明は、原ガラスを４００℃〜６００℃で１〜７時間熱処理して核形成し、６５０℃〜７８０℃で１〜７時間熱処理して結晶成長させた後、更に、１００〜５００℃の温度範囲内に４〜５０時間保持することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板の製造方法であり、請求項８に記載の発明は、板状の原ガラスを結晶化熱処理した後、研磨工程を有するガラスセラミックス基板の製造方法であって、該研磨工程中、０．１〜５％の無機酸溶液により表面処理することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のガラスセラミックス基板の製造方法である。
【００１２】
本発明によるガラスセラミック基板のアルカリ溶出量、結晶系、およびアルカリ溶出防止処理としての、再加熱処理、結晶化処理後の温度保持、酸処理を上記に限定した理由は以下の通りである。
【００１３】
まず、アルカリ溶出量を限定した理由についてであるが、前記のように結晶化ガラスは化学強化したアモルファスガラスよりアルカリ溶出量は少ないものの、高密度化傾向の著しい昨今においては、更にアルカリ溶出量を低減しなければならない。本発明者が鋭意試験研究したところ、２．５インチの基板において、所定のアルカリ溶出試験における基板表面からのアルカリ溶出量が０．０１６μｇ／ｃｍ2以上となると、記録媒体成膜時のアルカリ拡散による磁気特性の低下や記録媒体表面にまで拡散したアルカリ成分によるアルカリ化合物の生成により、例えば１００００ｒｐｍ以上の高速回転を要求される磁気ディスク基板では読み取りエラーやヘッドクラッシュを生じてしまう。尚、このアルカリ溶出量が０．０１１μｇ／ｃｍ2以下であることがより好ましく、０．００８μｇ／ｃｍ2以下であることが最も好ましい。
【００１４】
次いで、アルカリ溶出防止処理を実施する事が好ましいガラスセラミックス基板としては、主結晶相として二珪酸リチウムを含むものが挙げられる。ガラスセラミックスからのアルカリ溶出はガラス相中に含まれるアルカリ成分が主として起因しているが、主結晶相として二珪酸リチウムを含むガラスセラミックスにおいては、この主結晶相を析出させるために主結晶相を構成するに必要な化学量論的な量よりも多めにＬｉ2Ｏ成分を配合しなければならず、この結晶相を構成していない余分なＬｉ2Ｏがガラス相中に存在しているためである。もちろん、主結晶相を構成する成分としてＬｉ2Ｏを必要とする他の結晶相（例えばＳｐｏｄｕｍｅｎｅ、Ｅｕｃｒｙｐｔｉｔｅ、Ｐｅｔａｌｉｔｅ等の結晶相）を有するものでも、本願のアルカリ溶出防止方法は有効である。同様に主結晶相を構成成分としてＮａ2Ｏ、Ｋ2Ｏを必要とする結晶相（例えば、Ｎｅｐｈｅｌｉｎｅ、Ｊａｄｅｉｔｅ、Ａｌｂｅｉｔｅ、Ａｎａｌｃｉｔｅ、Ｓｅｒｉｃｉｔｅ、Ｏｒｔｈｏｅｌａｓｅ、Ｌｅｕｃｉｔｅ、Ｋａｌｉｏｐｈｉｌｉｔｅ、Ａｃｍｉｔｅ、Ａｌｕｎｉｔｅ等の結晶相）を有するものでも、同様に本願のアルカリ溶出防止は有効である。
【００１５】
特に、主結晶相として二珪酸リチウムを含み、更に、α−クォーツ、α−クォーツ固溶体、α−クリストバライト、α−クリストバライト固溶体の中から選ばれる１種または２種以上を含有するガラスセラミックス基板は、情報磁気記憶媒体として、その物理的特性から非常に有用であり、本願によるアルカリ溶出防止の効果が著しく現れるものであるため、特に好ましい。
【００１６】
中でもガラスセラミックスの組成範囲としては重量百分率で、
ＳｉＯ2                              ７０    〜７７％
Ｌｉ2Ｏ                                ８    〜１２％
Ｋ2Ｏ                                  １    〜  ３％
ＭｇＯ                                 ０    〜  ２％
ＺｎＯ                                 ０    〜  ２％
但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ                   ０．３〜  ４％
Ｐ2Ｏ5                                 １．５〜  ３％
ＺｒＯ2                                ２．０〜  ７％
Ａｌ2Ｏ3                               ３    〜  ９％
Ｓｂ2Ｏ3＋Ａｓ2Ｏ3                     ０    〜  ２％
の範囲の各成分を含有する情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板は、本願のアルカリ溶出防止処理に対して非常に効果的であり、好適なガラスセラミックス基板材料である。
【００１７】
次いで再加熱処理についてであるが、これによりアルカリ溶出が減少する理由として以下のような理由が考えられる。すなわち、再加熱処理を行うことによって、ガラスマトリックス中のガラスフォーマーのネットワーク構造がより安定し、ガラスマトリックス中に自由イオンで存在するアルカリ成分を固定する、またはガラスマトリックス中のアルカリ成分が再加熱処理によって析出結晶相の中に固溶するものと思われる。更に、これらは単独ではなく、両方の効果が原因でアルカリ溶出が減少するものとも思われる。いずれにせよ、再加熱処理がアルカリ溶出防止に効果的であることは、本発明者の試験・研究によってはじめて明らかになったものである。
【００１８】
尚、前記再加熱処理とはガラスセラミックス基板を１００〜５００℃の範囲内で熱処理すればよいということであり、再加熱処理中の温度スケジュールがどの様なものであっても構わない。すなわち温度の上下変動があっても何ら差し支えなく、１００〜５００℃の温度範囲で有れば本願の目的を満足するものである。
【００１９】
この再加熱処理において、温度範囲を１００〜５００℃とした理由は、１００℃未満では十分な熱処理とならず、アルカリ溶出防止効果が発揮できない。また５００℃を超えると、ガラス中に新たな結晶核の生成または結晶成長が起こる可能性が高くなり、ガラスセラミックス基板の物理特性が著しく変化してしまうからである。尚、再加熱処理の温度範囲を２００〜５００℃とすることかより好ましい。
【００２０】
次いで前記温度範囲内に保持する時間についてであるが、４時間未満では熱処理が不十分であり、５０時間を超えると生産性が著しく低下し、更に温度によっては析出結晶の成長や新たな結晶の析出を生じる可能性が高くなる。好ましくは６〜５０時間であり、更に好ましくは８〜４５時間である。
【００２１】
前記処理については、１００〜５００℃の範囲内に１〜５０時間保持することとしているが、この温度範囲内に保持する時間を、より好ましい状態とするためには、１００〜５００℃の範囲内で処理する時の温度と時間の関係を特定すると、より好ましい。すなわち温度区間が１００〜５００℃において、処理温度を時間で積分した値が６００〜２５０００（℃・ｈ）とすることが熱処理の効果と生産性の両面において好ましい。より好ましくは１２００〜２４０００（℃・ｈ）であり、更に好ましくは２０００〜２３０００（℃・ｈ）である。
【００２２】
また、この１００〜５００℃の範囲内での再加熱処理において、降温速度は５〜５０℃／ｈが好ましい。これは降温速度が小さすぎると生産性が著しく低下し実用的でなくなり、逆に降温速度が大きすぎると得られるガラスの残留熱応力の面で問題（クラックや割れの発生）を生じるためである。尚、より好ましくは１０〜４５℃／ｈであり、更に好ましくは、１０〜３０℃／ｈの範囲である。
【００２３】
前記のようにガラスセラミックス基板の再加熱処理を行わず、結晶化工程後に室温まで冷却することなく引き続いて５００〜１００℃の範囲内に６〜５０時間保持することによっても、同様の効果を得ることができる。この間の温度は５００〜１００℃の範囲内にあれば、その間の温度のスケジュールはどの様なものであっても構わず、例えば一定温度において一定時間保持したり、温度保持を行わず降温速度の調整を行ったり、途中に昇温工程が介在しても構わない。すなわち温度の上下変動があっても何ら差し支えない。
【００２４】
また、こちらの方法でも、再加熱処理の時と同様に理由により、前記温度範囲に保持する時間を、より好ましい状態とするためには、５００〜１００℃の範囲内で処理する時の温度と時間の関係を特定すると、より好ましい。すなわち温度区間が５００〜１００℃において、温度を時間で積分した値が６００〜２５０００（℃・ｈ）とすることが熱処理の効果と生産性の両面において好ましく、より好ましくは１２００〜２４０００（℃・ｈ）であり、更に好ましくは２０００〜２３０００（℃・ｈ）である。
【００２５】
更に降温速度についても前記理由により、降温速度は５℃／ｈ〜２００℃／ｈ未満が好ましく、より好ましくは１０〜１００℃／ｈであり、更に好ましくは、１０〜５０℃／ｈの範囲である。
【００２６】
アルカリ溶出を防止する別の方法として、研磨中の表面を酸処理する事により、溶出の原因となる表面層のアルカリ成分を除去し、物理的、化学的に安定な表面を露出させて、アルカリ溶出を防止させる方法も、再加熱処理と同様に有効な方法である。この場合、用いる酸はアルカリ成分を処理できるものであれば何でも良いが、好ましくは無機強酸希釈溶液であり、特に０．１〜５％の濃度のものがより好ましい。
【００２７】
本発明のガラスセラミックス基板は、アルカリ溶出量が少ないとの特徴は、基板の表面が平滑な場合に特にその効果が発揮される。したがって、基板の表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）としては、１５Å未満が好ましく、１０Åが未満がより好ましく、３Å未満が特に好ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施例について説明する。使用したガラスセラミックス基板の組成は、全て以下の組成である。
ＳｉＯ2＝７５．３％、Ｌｉ2Ｏ＝９．９％、Ｐ2Ｏ5＝２．０％、ＺｒＯ2＝２．３％、Ａｌ2Ｏ3＝７．０％、ＭｇＯ＝０．８％、ＺｎＯ＝０．５％、Ｋ2Ｏ＝２．０％、Ｓｂ2Ｏ3＝０．２％
【００２９】
再加熱処理を行ったガラスセラミックス基板は、以下のようにして製造されたものを用いた。
原ガラスが前記の組成を有するように各原料（炭酸塩、硝酸塩、酸化物等いずれも可）を調合・混合後、１４８０℃で溶解・所定の形状に成形（熱間成形、冷間加工のいずれも可）し、次いで核形成を目的として５４０℃で５時間および核成長を目的として７４０℃で３時間の熱処理を行い、冷却（空冷）した。得られたガラスセラミックス基板の原板は、主結晶相として二珪酸リチウムおよびα−クォーツを有するものであった。これを精密洗浄後、所定の再加熱処理を行った。
【００３０】
次いで、得られたガラスセラミックスを常法によりラッピングおよびポリッシングを行った。このガラスセラミックス基板の外形寸法は、外径６５ｍｍφ、内径２０ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍ、チャンファー加工：４５°で０．１ｍｍ、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．２Å、ヤング率＝１１４ＧＰａ、比重＝２．３８、曲げ強度＝７００ＭＰａであった。
【００３１】
前記のようにガラスセラミックス基板を再加熱処理行わず、結晶化工程後、引き続き５００〜１００℃の範囲内に８〜５０時間保持することによって得られるガラスセラミックス基板は、以下のようにして得られたものである。
【００３２】
前記ガラスセラミックスの組成となるように各原料（炭酸塩、硝酸塩、酸化物等いずれも可）を調合・混合後、１４８０℃で溶解・所定の形状に成形（熱間成形、冷間加工のいずれも可）し、次いで核形成を目的として５４０℃で５時間および核成長を目的として７４０℃で３時間の熱処理を行い、更にこの結晶化工程後、引き続き５００〜１００℃の範囲内となる時間が６〜５０時間の間となるように温度スケジュールを調整し、この工程が完了後冷却（空冷）した。得られたガラスセラミックス基板は、主結晶相として二珪酸リチウムおよびα−クォーツを有するものであった。
【００３３】
得られたガラスセラミックスを常法によりラッピングおよびポリッシングを行った。このガラスセラミックス基板の外形寸法は、外径６５ｍｍφ、内径２０ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍ、チャンファー加工：４５°で０．１ｍｍ、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．２Åであった。
【００３４】
最後に、酸処理を行うことによってアルカリ溶出を防止したガラスセラミックス基板は以下のようにして得られたものである。
再加熱処理前のガラスセラミックス基板または再加熱処理後のガラスセラミックス基板を、常法によりラッピングし、次いで所定の強酸希釈溶液を用いること以外は常法と同様の方法によりポリッシングを行った。尚、研磨時の酸としては、所定の濃度の無機強酸希釈溶液を用いて実験を行った。この用にして得られたガラスセラミックス基板の外形寸法は、外径６５ｍｍφ、内径２０ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍ、チャンファー加工：４５°で０．１ｍｍ、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．１Åであった。
【００３５】
比較例１は再加熱処理を行わなかったガラスセラミックス基板を、常法によりラッピングおよびポリッシングを行った。このガラスセラミックス基板の外形寸法は、外径６５ｍｍφ、内径２０ｍｍφ、厚さ０．６３５ｍｍ、チャンファー加工：４５°で０．１ｍｍ、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．２Åであった。比較例２、３は本願の請求範囲から外れる条件での再加熱処理を行った後、常法によりラッピングおよびポリッシングを行ったものであり、外形寸法は比較例１と同様、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．２Åであった。比較例４は本願の請求範囲から外れる条件での結晶化後の降温工程における処理を行った後、常法によりラッピングおよびポリッシングを行ったものであり、外形寸法は比較例１と同様、表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）＝１．１Åであった。
【００３６】
表１〜８は前記の情報記憶媒体ディスク用ガラスセラミック基板に本願のアルカリ溶出防止処理を施したもの（実施例１〜３２）のアルカリ溶出成分の測定結果、表９は比較例としてアルカリ溶出防止処理を行わなかったガラスセラミックス基板および本願の範囲外となる再加熱処理を行ったガラスセラミックス基板のアルカリ溶出成分の測定結果を示す。アルカリ溶出量の合計については、基板１枚あたりの溶出量、および基板の単位面積あたりの溶出量を記載した。
【００３７】
尚、表１〜８において、実施例１〜１２は本願の再加熱処理によってアルカリ溶出防止を行ったものである。実施例１３〜２４は結晶化処理を行った後、引き続き本願による所定の温度保持を行ったガラスセラミックス基板である。実施例２５〜３２は結晶化処理まで行ったガラスセラミックス基板および結晶化処理後引き続き本願発明による所定の温度保持を行ったものガラスセラミックス基板に、本願発明の酸処理を行ったものである。
【００３８】
アルカリ溶出成分の測定はイオンクロマトグラフィを用いて測定を行った。試験条件は、３０℃の純水、８０ｍｌに、前記よって得られた各ガラスセラミックス基板１枚を３時間浸漬し、純水中に溶出したアルカリ濃度から、基板のアルカリ溶出量を計算にて求めた。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
【表２】
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【００４１】
【表３】
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【００４２】
【表４】
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【００４３】
【表５】
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【００４４】
【表６】
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【００４５】
【表７】
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【００４６】
【表８】
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【００４７】
【表９】
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【００４８】
熱処理未処理品と比較して熱処理品はアルカリの溶出量が大きく減少していることが解る。また、研磨時に酸処理を行った試験についても同様にアルカリの減少の効果が得られた。尚、Ｎａについては組成成分としては含有させておらず、使用原料不純物からの影響と思われる。
【００４９】
上記の実施例よって得られたガラスセラミックス基板に、ＤＣスパッタ法によりＣｒ中間層（８０ｎｍ）、Ｃｏ−Ｃｒ磁性層（５０ｎｍ）、ＳｉＣ保護膜（１０ｎｍ）を成膜した。次いでパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（５ｎｍ）を塗布して情報磁気記憶媒体を得た。これによって得られた情報磁気記憶媒体は、良好な平滑度を有し、アルカリ溶出に起因する記憶媒体の磁気特性低下もなく、１１０００ｒｐｍという高速回転下で、長時間（３００時間）の入出力テストにおいても基板が破損することなく、表面にアルカリ化合物を生成しないため、ヘッド破損・媒体破損を生じることはなかった。これに対し、比較例のガラスセラミックス基板を同様の方法で成膜した後、実施例と同様な入出力テストを行ったところ、２３０時間前後でアルカリ化合物による突起によるヘッド破損・媒体破損を生じ、以降は信号の入出力を行うことができなくなった。
【００５０】
このように、ガラスセラミック基板材を熱処理することにより、アルカリ成分を安定化する事ができ、また研磨時の熱処理においても基板最表面の不安定部分を除去する事ができ、これにより、アルカリ溶出防止に優れた、良好なガラスセラミックス基板材が得られる。