(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
公称パルス幅を有する放射パルスを備えるパルス状放射ビームを受け、それに応じた電流を生成するように配置構成された放射感応性検出器と、前記放射感応性検出器に接続され、抵抗コンポーネントを有するＲＣネットワークと同等の回路と、前記回路の前記抵抗コンポーネントに接続され１を前記公称パルス幅で割った値より大きいサンプリングレートで前記抵抗コンポーネントの前後の電圧を測定するデジタルサンプルを出力するアナログ−デジタル変換器と、を有するセンサシステムと、
デジタルサンプルを受けるためにアナログ−デジタル変換器に接続され、そこから前記放射ビームの前記パルス到着時間の測定を計算するように構成されたデジタル信号プロセッサと、
前記センサの位置を測定するように構成され、かつ、クロックと、前記放射ビームの前記パルス到着時間の前記測定に基づいて前記クロックをリセットするように構成されたリセット回路とを有する位置測定システムと、を備える、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記サンプリングレートが５を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サンプリングレートが１０を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記サンプリングレートが２０を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記サンプリングレートが５０を前記公称パルス幅で割った値より大きい、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記放射感応性検出器が等価抵抗Ｒsおよび等価キャパシタンスＣpを有し、前記サンプリングレートｆが以下の不等式を満足し、
ｆ＞ｎ（１／（ＲｓＣｐ））
ここでｎが１より大きい正の実数である、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
ｎが５０より大きい、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記回路が等価抵抗Ｒiおよび等価キャパシタンスＣiを有し、前記サンプリングレートｆが以下の不等式を満足し、
ｆ＞ｐ（１／（ＲｉＣｉ））
ここでｐが１より大きい正の実数である、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
ｐが５０より大きい、
請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記デジタルサンプルを受けるためにアナログ−デジタル変換器に接続され、そこから前記放射ビームのパルスの前記エネルギの測定値を計算するように構成配置されたデジタル信号プロセッサを備える、
請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
放射ビームが、約３６５ｎｍ以下の波長を有する電磁放射である、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記放射感応性検出器が透過像センサシステムの一部である、
請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記放射感応性検出器が干渉計収差センサの一部である、
請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法、およびエネルギセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される網の目状の互いに近接したターゲット部分を含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法では、正確な量のエネルギ（線量）が基板に確実に送出されることが重要である。線量が正確でないと、線幅の変動および他の結像エラーを引き起こす。逆に、線幅または限界寸法の微調整に、往々にして線量レベルの制御を使用することができる。線量制御を可能にするには、放射源のパワー出力を、理想的には可能な限り基板の近くで測定することが望ましい。これは、エキシマレーザなどのパルス状光源を使用する場合に、特に重要である。というのは、入力と光源との関係が複雑であり、履歴および直接制御されない要素に依存することがあるからである。多くのリソグラフィ装置は、例えば部分的に銀被覆したミラーを使用して、照明システムの投影ビームのうち知られている部分をエネルギセンサに誘導する。したがって、これは露光中に、エネルギセンサの上流側の放射源のパワー出力および照明システムの効果を測定する。下流側の効果は、露光していない場合に基板レベルでエネルギセンサを使用して得た校正測定値に基づき、予測することができる。
【０００４】
[0004]  線量制御ばかりでなく、リソグラフィ装置内で実行される様々な測定および計測プロセスは、放射線源のパワーを測定する必要がある。例えば、基板テーブルをマスクに位置合わせするプロセスでは、透過像センサ（ＴＩＳ）として知られ、格子で覆われた光ダイオードを備え、基板テーブルに装着されたセンサを、マスク上の対応する格子パターンの空間像を通してスキャンする。センサの出力は周期的に変動する信号であり、これは位置信号とともに使用して、基板テーブルとマスクパターンとの位置関係を高い精度で求めることができる。パルス状放射源を使用する場合は、パルス毎の放射源出力の変動の影響を除去することが望ましい。追加のセンサをＴＩＳの隣に設けて、パルスエネルギを測定する。追加のセンサは、レーザに点火した後に固定した時間遅延でサンプリングされるＲＣネットワーク、または等価物に接続された光ダイオードを備える。その結果の電圧測定値を使用して、ＴＩＳからの信号を正規化し、源の変動を除去する。しかし、本発明の発明者は、この配置構成が常にパルスのエネルギを正確に測定するとは限らないと判断した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]  したがって、パルス状放射ビームのパルスエネルギを測定するために改善された方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によると、公称パルス幅を有する放射パルスを備えるパルス状放射ビームを受け、それに応じた電流を生成するように構成された放射感応性検出器と、放射感応性検出器の前後に接続され、抵抗コンポーネントを有するＲＣネットワークと等価な回路と、回路の抵抗コンポーネントの前後に接続され、１を公称パルス幅で割った値より大きいサンプリングレートで抵抗コンポーネントの前後の電圧を測定するデジタルサンプルを出力するアナログ−デジタル変換器とを備える、センサシステムを有するリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の一態様によると、公称パルス幅を有する放射パルスを備えるパルス状放射ビームを受け、それに応じた電流を生成するように構成された放射感応性検出器を有し、ＲＣネットワークと等価で、抵抗コンポーネントを有する回路に接続されたリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法が提供され、この方法は、１を公称パルス幅で割った値より大きいサンプリングレートで回路の抵抗コンポーネント前後の電圧をデジタル式にサンプリングすることを含む。
【０００８】
[0008]  本発明の一態様によると、公称パルス幅を有する放射パルスを備えるパルス状放射ビームを受け、それに応じた電流を生成するように構成された放射感応性検出器と、放射感応性検出器の前後に接続され、抵抗コンポーネントを有するＲＣネットワークと等価な回路と、回路の抵抗コンポーネントの前後に接続され、１を公称パルス幅で割った値より大きいサンプリングレートで抵抗コンポーネントの前後の電圧を測定するデジタルサンプルを出力するアナログ−デジタル変換器とを備えるエネルギセンサが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[0014]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１０】
[0015]  照明システムは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１１】
[0016]  支持構造体は、パターニングデバイスを支持、つまりその重量を支えている。該マスク支持構造体は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造体は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体は、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１２】
[0017]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１３】
[0018]  パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフトマスク、減衰型位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１４】
[0019]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１５】
[0020]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
【００１６】
[0021]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１７】
[0022]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折レートを有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００１８】
[0023]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0024]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２０】
[0025]  放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット位置を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２１】
[0026]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に利用できる。
【００２２】
[0027]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００２３】
[0028]   リソグラフィ装置は位置合わせセンサＡＳも備え、これはデュアルステージ装置の測定ステーションに装着することができ、基板Ｗ上に印刷された位置合わせマーカ、および基板テーブルに設けられた固定マーカ（基準）も検出するために使用される。これは図２で見ることができ、これは基板に印刷された４つの位置合わせマーカＰ１〜Ｐ４、および基板テーブルＷＴに設けられた２つの固定マーカＴＩＳ１およびＴＩＳ２を示す。基板テーブルは自身上に、投影システムの例えば収差などの特性を測定する干渉計システム用のセンサＩＡ、および投影システムＰＬによって投影される像の特性の検出に関わる他のシステム用のセンサも有してよい。変位測定システムＩＦを使用してその動作を追跡し続けながら、位置合わせセンサＡＳで基板テーブルＷＴをスキャンすることにより、点線の矢印で示した固定マーカＴＩＳ１、ＴＩＳ２に対する基板マーカＰ１〜Ｐ４の位置を求めることができる。このようなプロセスに使用可能な軸外し位置合わせシステムのさらなる詳細は、欧州特許第ＥＰ０９０６５９０Ａで与えられ、その文書は参照により全体が本明細書に組み込まれる。
【００２４】
[0029]  固定マーカＴＩＳ１およびＴＩＳ２は、自身に組み込まれた像センサを有し、この像センサは空間像を通して像センサをスキャンすることによってマスクマーカの像の位置を求めるために使用できる。したがって、マスクマーカと固定マーカの像の相対的位置を求めることができ、以前に取得した基板マーカの相対的位置から、投影された像に対して任意の所望の位置に基板を非常に正確に位置決めすることができる。
【００２５】
[0030]  像センサが図３に図示されている。各像センサは７つの感光性検出器１１から１７を備える。３つの感光性検出器１１〜１３は、Ｘ方向に延在する線をもつ格子をエッチングしたクロムなどの不透明な層で覆われ、他の３つの感光性検出器１５〜１７は同様であるが、格子の線がＹ方向に延在する。残りの感応性検出器１４には覆いがなく、以下で検討するように捕捉および／または正規化に使用される。感光性検出器は、検出器に設けられたものに対応する格子の空間像を通してスキャンされるので、検出器の出力は、空間像の明るい部分および不透明な層にエッチングされた格子の開口が見当合わせされ、見当合わせからずれるにつれ変動する。周知の信号処理技術を使用して、マーカの中心がいつ空間像の中心と位置合わせされるか求めることができる。Ｚ軸に沿って異なる位置でマーカを通してセンサを走査することにより、検出器の出力の変動が最大の振幅を有するレベルを検出して、最適焦点の面を検出することができる。覆われていない中心の検出器１４は、周知の捕捉手順で空間像内の格子の大雑把な位置を探すために使用することができ、例えば放射源のパワー変動による照明システムＩＬの出力の変化による変動を除去するために、格子検出器からの信号を正規化するためにも使用することができる。
【００２６】
[0031]  様々な感光性検出器１１〜１７は光ダイオード、または変換層に覆われた他の感光性コンポーネントを備えてよい。変換層は入射放射を吸収し、それに応じて、より長い波長の放射を放出する。この方法で、可視光に反応するコンポーネントを使用して、より短い波長の放射を検出することができ、それと同時により短い波長の放射のより高エネルギの光子による損傷から保護することができる。
【００２７】
[0032]  上述したように、従来は中心の検出器１４をＲＣネットワークまたは等価物に接続し、これは放射源ＳＯを点火した後に所定の時間Ｔsampleでサンプリングされる。この時間は、図４に示すようにエネルギパルスのピークに可能な限り近く対応するように決定され、結果の測定電圧Ｖsampleがパルスの総エネルギに関連すると仮定されている。しかし、本発明の発明者は、測定電圧Ｖsampleが十分確実にパルスエネルギに関連しないと判断した。レーザエネルギ放出プロフィールの変動、レーザ点火のジッターおよびサンプリング回路のタイミングのジッターが、Ｖsampleとパルス総エネルギとの関係に影響することがある。
【００２８】
[0033]  本発明の一実施形態によると、放射源の１パルスの間に複数の異なる時間に感光性検出器の出力をサンプリングし、パルスエネルギをさらに正確に測定する。出力は、１パルスの間に少なくとも５回、好ましくは少なくとも１０回、好ましくは少なくとも２０回サンプリングすることが好ましい。あるいは、サンプリング頻度は、パルス繰り返し周波数の少なくとも５倍、少なくとも１０倍、少なくとも２０倍、または少なくとも５０倍である。
【００２９】
[0034]  図５に示すように、これは、例えば固有キャパシタンスＣpおよび抵抗Ｒsを有する光ダイオードとすることができる感光性検出器１４を、図ではキャパシタンスＣiおよび抵抗Ｒiで表されるＲＣネットワークと等価な回路に接続することによって構成することができる。抵抗Ｒiの抵抗を、アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）２０でサンプリングし、これは適切な周波数ｆ、例えば少なくとも２０ＭＨｚ、少なくとも３０ＭＨｚ、少なくとも５０ＭＨｚ、少なくとも１００ＭＨｚでクロック２１によってクロック制御する。サンプリング周波数ｆは以下の不等式を満足することが望ましい。
ｆ＞ｎ（１／（ＲｓＣｐ））    （１）
ｆ＞ｐ（１／（ＲｉＣｉ））    （２）
ここでｎおよびｐは１より大きい、好ましくは５より大きい、１０より大きい、２０より大きい、または５０より大きい正の実数である。
【００３０】
[0035]  それによって、放射源の各パルス中に複数のポイントでＲＣネットワークの電圧をサンプリングする。サンプリングされた電圧は、光ダイオード内で生成された電荷対の数に、したがって所定の期間に光検出器上に落下する光子の数および放射ビームの瞬間的強度に比例する。パルスの総エネルギは、例えば数値積分法によって、ＡＤＣ２０によって出力されたサンプルのデジタル処理によって得られる。これは、専用の積分回路であることができるデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）２２によって実行されることができる。このようにして、理想的積分器によって生成されるものと同等の測定値（センサに到達する光子の総数に関連する合計累積電荷）を提供することが可能であるが、各パルスが到達する前にリセットする必要があるなどの積分器の問題を回避する。
【００３１】
[0036]  精度をさらに上げるために、放射源がパルスとパルスの間でオフのとき、または放射源が露光と露光の間などのこれより長い期間にわたってオフであるときに、ＲＣネットワークの電圧をサンプリングすることができ、それで、光検出器の熱電流を求め、それをパルスエネルギの測定値から引くことが可能である。放射源のパルス繰り返しレートおよび振幅が、ＲsＣpおよびＲiＣiと比較して特に高く、したがって１パルス中に生成された電荷が次のパルスの前に完全にドレインされていない場合、これは予測されることであり、パルスエネルギへの予測された効果をデジタル式に引くことができる。
【００３２】
[0037]  本明細書では、透過像センサシステムの一部を検出する正規化検出器に適用される本発明について説明してきたが、本発明は任意の他のセンサ、または例えばリソグラフィ装置の照明システム内のエネルギセンサ、干渉計収差センサ、迷光センサ、スリット均一性センサ、比分極センサ、アポディゼーションセンサ、絶対分極センサ、像品質センサ、または波面収差センサのように、パルスのエネルギを測定するために使用されるセンサシステムに使用できることが認識される。
【００３３】
[0038]  また、本発明は、パルスエネルギを測定する代わりに、またはそれに加えて、センサでのパルス到着時間を測定するために使用することができる。本発明によって提供される複数のサンプルは、パルスプロフィールの再構築を可能にし、そこからパルスの中間点、ピーク強度の時間、または初期強度上昇時間と定義できるパルス到着時間を求めることができる。位置に関係する測定に使用する場合は、正確なパルス到着時間を求め、それをセンサまたはセンサを担持するテーブルの位置の測定に関連させると、測定の精度を改善することができる。特に、センサ測定と位置測定を確実に同期させるように、位置センサＩＦのような位置測定システムのクロックをリセットするために、パルス到着時間を使用することができる。
【００３４】
[0039]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００３５】
[0040]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組み合わせにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００３６】
[0041]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００３７】
[0042]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはその組み合わせを指す。
【００３８】
[0043]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００３９】
[0044]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0009]  図１のリソグラフィ装置の基板ステージを示す図である。
【図３】[0010]  透過像センサを示す図である。
【図４】[0011]  １時点でサンプリングしたＲＣネットワークからの電圧出力を示す図である。
【図５】[0012]  本発明の実施形態によるセンサを示す図である。
【図６】[0013]  複数の時点でサンプリングしたＲＣネットワークからの電圧出力を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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