(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な絶縁基板と、
前記絶縁基板上に並列に形成された複数の第１配線と、
前記絶縁基板上に並列に形成された前記複数の第１配線と交差する複数の第２配線と、
前記第１及び第２配線に電気的に接続され、前記絶縁基板上において前記複数の第１及び第２配線の各交差部に形成された複数の画素ユニットと、
前記絶縁基板上において前記複数の画素ユニットのうち少なくとも一つの内部に形成された光センサ回路と、
前記光センサ回路に電気的に接続され、前記絶縁基板上において前記複数の第１配線と平行に形成された第３配線と
を備え、
前記複数の第１配線のうち前記第３配線の両隣に位置する二つの第１配線と、前記第３配線との間にはそれぞれ、前記画素ユニットが配置され、
前記複数の画素ユニットのうち前記光センサ回路が形成された第１画素ユニットの面積が、前記光センサ回路が形成されない第２画素ユニットの面積より大きいことにより、前記第１画素ユニットの開口率と、前記第２画素ユニットの開口率とが略等しい
画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記光センサ回路は、前記複数の画素ユニットのうち隣接する少なくとも二つにまたがって形成された
画像表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記第１画素ユニットの前記第２配線の延在方向における寸法が、前記第２配線の延在方向において隣接する前記第２画素ユニットの前記第２配線の延在方向における寸法よりも大きく、
前記複数の画素ユニットには、前記第２配線の延在方向に隣接して配置された赤色、緑色、青色の各画素ユニットが含まれ、
前記赤色の画素ユニット、前記緑色の画素ユニットおよび前記青色の画素ユニットが一組となって、前記画像表示装置の表示領域における１ドットを構成し、
前記１ドット内の前記赤色の画素ユニット、前記緑色の画素ユニットおよび前記青色の画素ユニットのうち、少なくとも一つが前記第１画素ユニットであり、他の少なくとも一つが前記第２画素ユニットであって、
前記１ドットの前記第２配線の延在方向における寸法は、前記表示領域の前記第２配線の延在方向における寸法を、前記第２配線の延在方向における前記表示領域のドット数で除した値である
画像表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記第１画素ユニットの前記第１配線の延在方向における寸法が、前記第１配線の延在方向において隣接する前記第２画素ユニットの前記第１配線の延在方向における寸法よりも大きく、
隣接する前記第１及び第２画素ユニットの前記第１配線の延在方向における各寸法の和は、前記画像表示装置の表示領域の前記第１配線の延在方向における寸法を、前記第１配線の延在方向における前記表示領域のドット数で除した値の二倍である
画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光センサを用いたタッチセンサ内蔵型液晶ディスプレイ等の、光センサ内蔵型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ユーザが画面に触れたことを感知するタッチセンサを画素内に内蔵したアクティブマトリックス型液晶表示装置は、パネル外部にタッチセンサを装着せずに済む。そのため、モジュール全体の厚みを薄くできる等、多くの利点を有する。このタッチセンサとしては、例えば光センサが採用される。
【０００３】
下記非特許文献１の図２においては、Ｒ・Ｇ・Ｂ等の各画素のうち１つの画素の領域内に、Photo TFTとして光センサ用のフォトトランジスタが、および、Readout TFTとして光センサからの信号読み出し用のトランジスタが、ともに設けられたタッチセンサ内蔵型液晶ディスプレイが示されている。そして、この液晶ディスプレイでは、Readout TFTのソース（またはドレイン）に信号読み出し用配線がReadoutとして接続されている。信号読み出し用配線Readoutは、データ用配線Dataに隣接して設けられている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては非特許文献１以外に、次のものがある。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−９０６５５号公報
【非特許文献１】Willem den Boer et al.「56.3:Active Matrix LCD with Integrated Optical Touch Screen」SID 2003 DIGEST,pp.1494-1497
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記非特許文献１においては、信号読み出し用配線Readoutは、データ用配線Dataに隣接して並行に設けられている。よって、データ用配線における電位変動が信号読み出し用配線上の信号に影響しやすく、信号の検出感度を低下させやすい。すなわち、光センサの信号読み出し用配線がデータ用配線と隣接して平行に配置されているため、配線間の静電容量により、データ用配線からのノイズがセンサ感度低下の原因となっていた。
【０００７】
なお、上記特許文献１においても、その図２にて、表示用トランジスタ２７に接続する信号線３１と、光電変換素子用トランジスタ２８に接続する信号線３２とが、隣接して並行に設けられている。よって、データ用配線における電位変動の信号読み出し用配線上の信号への影響の問題は、上記非特許文献１の場合と同様に、起こりうる。
【０００８】
また、上記非特許文献１においては、光センサはＲ・Ｇ・Ｂ等の各画素のうち特定の１画素（例えばＢ画素）にのみ配置されていて、隣接する画素（例えばＲ画素およびＧ画素）には、光センサを構成するPhoto TFTおよび信号読み出し用のReadout TFTは形成されていない。このため、光センサを配置した画素（例えばＢ画素）の開口率は小さくなり、光センサを配置しない画素（例えばＲ画素およびＧ画素）の開口率は大きくなる。よって、光センサを配置した画素（例えばＢ画素）と光センサを配置しない画素（例えばＲ画素およびＧ画素）との間で、輝度の差が発生しやすい。画素間で輝度の差が存在すると、表示ムラを招きやすい。
【０００９】
この場合、輝度の差の発生を防止しようとすると、光センサを配置しない画素（例えばＲ画素およびＧ画素）の開口率を、光センサを配置した画素（例えばＢ画素）の開口率に一致させるほかない。しかし、その場合は、ディスプレイ全体の輝度が低下してしまう。
【００１０】
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、光センサからの信号の検出感度低下を抑制可能な光センサ内蔵型の画像表示装置を実現することを目的とする。また、画素間で輝度の差が発生しにくい画像表示装置の実現をも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、透明な絶縁基板と、前記絶縁基板上に並列に形成された複数の第１配線と、前記絶縁基板上に並列に形成された前記複数の第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１及び第２配線に電気的に接続され、前記絶縁基板上において前記複数の第１及び第２配線の各交差部に形成された複数の画素ユニットと、前記絶縁基板上において前記複数の画素ユニットのうち少なくとも一つの内部に形成された光センサ回路と、前記光センサ回路に電気的に接続され、前記絶縁基板上において前記複数の第１配線と平行に形成された第３配線とを備え、前記複数の第１配線のうち前記第３配線の両隣に位置する二つの第１配線と、前記第３配線との間にはそれぞれ、前記画素ユニットが配置され、前記複数の画素ユニットのうち前記光センサ回路が形成された第１画素ユニットの面積が、前記光センサ回路が形成されない第２画素ユニットの面積より大きいことにより、前記第１画素ユニットの開口率と、前記第２画素ユニットの開口率とが略等しい画像表示装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、複数の第１配線のうち第３配線の両隣に位置する二つの第１配線と、第３配線との間にはそれぞれ、画素ユニットが配置されている。よって、少なくとも画素ユニットの幅だけ第３配線とその両隣の第１配線との間の距離をとることができ、光センサ回路に電気的に接続された第３配線と、画素ユニットに電気的に接続された第１配線との間の静電容量値を抑制することができる。よって、第１配線上の電位変動の影響が当該静電容量を介して第３配線に伝達されにくく、光センサからの信号の検出感度低下を抑制可能な光センサ内蔵型の画像表示装置を実現することができる。また、複数の画素ユニットのうち光センサ回路が形成された第１画素ユニットの面積が、光センサ回路が形成されない第２画素ユニットの面積より大きいことにより、第１画素ユニットの開口率と、第２画素ユニットの開口率とが略等しい。よって、画素間で輝度の差がより発生しにくい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜実施の形態１＞
本実施の形態は、複数のデータ用配線のうち信号読み出し用配線の両隣に位置する二つのデータ用配線と、信号読み出し用配線との間にそれぞれ、画素ユニットを配置した画像表示装置である。このような構成を採用することで、少なくとも画素ユニットの幅だけ信号読み出し用配線とその両隣のデータ用配線との間の距離をとることができ、光センサ回路に電気的に接続された信号読み出し用配線と、画素ユニットに電気的に接続されたデータ用配線との間の静電容量値を抑制することができる。
【００１４】
図１は、本実施の形態に係る画像表示装置の一部の回路図である。また、図２は本実施の形態に係る画像表示装置の上面図、図３は図２中の切断線III−IIIにおける断面図である。なお、本実施の形態に係る画像表示装置は、タッチセンサたる光センサ回路を画素ユニット内に内蔵したアクティブマトリックス型の液晶表示装置である。
【００１５】
図１ないし図３に示すとおり、本実施の形態に係る画像表示装置は、透明な絶縁基板（例えばガラス基板）１１と、絶縁基板１１上に並列に形成された複数のデータ用配線２と、絶縁基板１１上に並列に形成され、データ用配線２と交差する複数のゲート電極配線１と、データ用配線２およびゲート電極配線１に電気的に接続され、絶縁基板１１上においてデータ用配線２およびゲート電極配線１の各交差部に形成された複数の画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ１，Ｐｂ１，Ｐｒ２，Ｐｇ２，Ｐｂ２と、絶縁基板１１上に並列に形成され、ゲート電極配線１に平行に形成された複数の蓄積容量配線３と、を備える。
【００１６】
このうち、画素ユニットＰｒ１，Ｐｒ２は赤色の画素ユニットであり、画素ユニットＰｇ１，Ｐｇ２は緑色の、画素ユニットＰｂ１，Ｐｂ２は青色の、各画素ユニットである。また、赤色、緑色、青色の各画素ユニットＰｒ１，Ｐｂ１，Ｐｇ１は一組として、カラー画像における１ドット（１絵素）となる。なお、各画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ１，Ｐｂ１，Ｐｒ２，Ｐｇ２，Ｐｂ２はいずれも、蓄積容量４、薄膜トランジスタ５および画素電極９を有する。薄膜トランジスタ５のソース／ドレインの一方は、蓄積容量４の一方電極および画素電極９に接続され、薄膜トランジスタ５のソース／ドレインの他方は、データ用配線２に接続される。また、薄膜トランジスタ５のゲートはゲート電極配線１に接続され、蓄積容量４の他方電極は蓄積容量配線３に接続される。
【００１７】
なお、本発明における画素ユニットとは、一つの画素を構成するのに必要な回路の構成単位を指す。また、赤色の画素ユニットＰｒ１、緑色の画素ユニットＰｇ１および青色の画素ユニットＰｂ１は、ゲート電極配線１の延在方向に隣接して配置され、それらが一組となって、画像表示装置の表示領域における１ドット（絵素）を構成する。画素ユニットＰｒ２，Ｐｇ２，Ｐｂ２も他の１ドットを構成し、図には現れていない他の画素ユニットについても同様である。
【００１８】
また、本実施の形態に係る画像表示装置は、絶縁基板１１上において画素ユニットＰｇ１内に形成された光センサ回路と、光センサ回路に電気的に接続され、絶縁基板１１上においてデータ用配線２と平行に形成された光センサ信号読み出し用配線１０と、を備える。
【００１９】
光センサ回路は、光センサとして機能する薄膜トランジスタ６、光センサ用蓄積容量７および信号読み出し用の薄膜トランジスタ８を有する。薄膜トランジスタ８のソース／ドレインの一方は、光センサ用蓄積容量７の一方電極および薄膜トランジスタ６のソース／ドレインの一方に接続され、薄膜トランジスタ８のソース／ドレインの他方は、光センサ信号読み出し用配線１０に接続される。また、薄膜トランジスタ８のゲートはゲート電極配線１に接続され、薄膜トランジスタ６のゲートおよびソース／ドレインの他方並びに光センサ用蓄積容量７の他方電極は蓄積容量配線３に接続される。光センサ回路は、例えばカラー画像における２ドットにつき一つ、設けられる。なお、上記においては、画素ユニットＰｇ１内に光センサ回路が形成されるとしたが、もちろん画素ユニットＰｇ１内に代わって、画素ユニットＰｒ１内に光センサ回路が形成されても、また、画素ユニットＰｒ１内に光センサ回路が形成されてもよい。
【００２０】
なお、図３に示すように、絶縁基板１１の表面には蓄積容量配線３が形成されている。また、図３には現れてはいないが、ゲート電極配線１も絶縁基板１１の表面に形成されている。そして、絶縁基板１１の表面と、ゲート電極配線１および蓄積容量配線３とを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成されている。
【００２１】
第１層間絶縁膜１２の表面には、データ用配線２および光センサ信号読み出し用配線１０が形成されている。そして、第１層間絶縁膜１２の表面と、データ用配線２および光センサ信号読み出し用配線１０とを覆うように第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３上には、画素電極９が形成されている。
【００２２】
光センサ回路を構成する薄膜トランジスタ６、光センサ用蓄積容量７および薄膜トランジスタ８と、画素ユニットを構成する蓄積容量４、薄膜トランジスタ５および画素電極９とは、いずれも共通する半導体製造プロセス（フォトリソグラフィ工程や、エッチング工程、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）工程等）によって、第１層間絶縁膜１２および第２層間絶縁膜１３の内部あるいはそれらの表面に、形成される。
【００２３】
本実施の形態においては、複数のデータ用配線２のうち光センサ信号読み出し用配線１０の両隣に位置する二つのデータ用配線２と、光センサ信号読み出し用配線１０との間にはそれぞれ、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１が配置されている。すなわち、本実施の形態においては、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の中央に、光センサ回路の信号読み出し用配線１０を配置し、この信号読み出し用配線１０に画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の各画素電極９を挟んで対称に、両隣にデータ用配線２を配置しているのである。
【００２４】
よって、本実施の形態に係る画像表示装置によれば、少なくとも画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の幅だけ光センサ信号読み出し用配線１０とその両隣のデータ用配線２との間の距離をとることができ、光センサ回路に電気的に接続された光センサ信号読み出し用配線１０と、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１に電気的に接続されたデータ用配線２との間の静電容量値を抑制することができる。よって、データ用配線２上の電位変動の影響が当該静電容量を介して光センサ信号読み出し用配線１０に伝達されにくく、光センサからの信号の検出感度低下を抑制可能な光センサ内蔵型の画像表示装置を実現することができる。
【００２５】
なお、本実施の形態においては、薄膜トランジスタ５を用いたアクティブマトリックス型の液晶表示装置を例に採り説明を行ったが、本発明の適用は、必ずしもこのような液晶表示装置に限られるものではない。例えば薄膜トランジスタの代わりにダイオードを用いたアクティブマトリックス型の液晶表示装置や、その他、パッシブマトリックス型の液晶表示装置に本発明を適用しても良い（ダイオードを用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置の場合は、薄膜トランジスタの代わりにダイオードが画素ユニットを構成し、パッシブマトリックス型液晶表示装置の場合は、縦方向電極と横方向電極との交差部の各電極配線が画素ユニットを構成する）。
【００２６】
また、液晶表示装置に限られるものでもなく、上記と同様のマトリックス状の信号配線と、光センサ回路およびその信号読み出し線とを有する画像表示装置（例えばプラズマディスプレイパネルや有機ＥＬパネル等）に本発明を適用しても良い。さらに、光センサ回路についても、薄膜トランジスタ６に代わってフォトダイオード等、その他の受光素子を採用しても良い。
【００２７】
＜実施の形態２＞
本実施の形態は、実施の形態１に係る画像表示装置の変形例であって、実施の形態１に係る画像表示装置において、光センサ回路を、複数の画素ユニットのうち隣接する少なくとも二つにまたがって形成するものである。
【００２８】
図４は、本実施の形態に係る画像表示装置の一部の回路図である。また、図５は本実施の形態に係る画像表示装置の上面図である。図４および図５においては、光センサ回路を構成する薄膜トランジスタ６，８および光センサ用蓄積容量７が、画素ユニットＰｇ１内にだけでなく、画素ユニットＰｇ１に隣接する画素ユニットＰｂ１内にもまたがって形成されている。
【００２９】
すなわち、本実施の形態では、薄膜トランジスタ６については実施の形態１の場合と同様、画素ユニットＰｇ１内に形成するが、薄膜トランジスタ８および光センサ用蓄積容量７については、画素ユニットＰｇ１に隣接する画素ユニットＰｂ１内に形成するのである。これに伴い、図５に示すように、薄膜トランジスタ６のソース／ドレインの一方と光センサ用蓄積容量７の一方電極および薄膜トランジスタ８のソース／ドレインの一方とを接続するための配線パターンが追加されている。
【００３０】
なお、薄膜トランジスタ８および光センサ用蓄積容量７が画素ユニットＰｂ１内に形成されている点以外の装置構成は、実施の形態１の場合と同じであるので、説明を省略する。
【００３１】
本実施の形態に係る画像表示装置によれば、光センサ回路は、複数の画素ユニットのうち隣接する少なくとも二つ（例えば画素ユニットＰｇ１およびＰｂ１）にまたがって形成されている。よって、光センサ回路が一つの画素ユニット内に形成される場合に比べ、画素ユニット一つ当たりに占める光センサ回路の面積を減少させることができる。その結果、光センサ回路を配置した画素ユニットの開口率の低下を抑制することができ、画素間で輝度の差が発生しにくい画像表示装置を実現することができる。
【００３２】
＜実施の形態３＞
本実施の形態は、実施の形態２に係る画像表示装置の変形例であって、実施の形態２に係る画像表示装置において、光センサ回路が形成された画素ユニットの面積を、光センサ回路が形成されない画素ユニットの面積よりも大きくすることにより、両画素ユニットの開口率を略等しくしたものである。
【００３３】
図６は、本実施の形態に係る画像表示装置の一部の回路図である。また、図７は本実施の形態に係る画像表示装置の上面図である。図６および図７においては、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１のゲート電極配線１の延在方向における寸法Ｘｇ，Ｘｂが、ゲート電極配線１の延在方向において隣接する画素ユニットＰｒ１のゲート電極配線１の延在方向における寸法Ｘｒよりも大きい。また、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ２が、データ用配線２の延在方向において隣接する画素ユニットＰｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ１よりも大きい。
【００３４】
これにより、光センサ回路が形成された画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積が、光センサ回路が形成されない画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の面積よりも大きい。このように、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積を、光センサ回路が形成されない画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の面積よりも大きくすることにより、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の開口率と、画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の開口率とが略等しくなるよう、図７における回路パターンを設計する。
【００３５】
なお、上記においては、寸法Ｘｇ，Ｘｂを寸法Ｘｒよりも大きくし、寸法Ｙ２を寸法Ｙ１よりも大きくすると述べたが、寸法Ｘｇ，Ｘｂは寸法Ｘｒと等しいまま寸法Ｙ２を寸法Ｙ１よりも大きくすることにより、あるいは、寸法Ｙ２は寸法Ｙ１と等しいまま寸法Ｘｇ，Ｘｂを寸法Ｘｒよりも大きくすることにより、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積を、画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の面積よりも大きくしてもよい。
【００３６】
赤色の画素ユニットＰｒ１、緑色の画素ユニットＰｇ１および青色の画素ユニットＰｂ１で構成される、画像表示装置の表示領域における１ドットのゲート電極配線１の延在方向における寸法（Ｘｒ＋Ｘｇ＋Ｘｂ）は、全表示領域のゲート電極配線１の延在方向における寸法を、ゲート電極配線１の延在方向における全表示領域のドット数で除した値となっている。すなわち、１ドットのゲート電極配線１の延在方向における寸法（Ｘｒ＋Ｘｇ＋Ｘｂ）は、ゲート電極配線１の延在方向におけるドットピッチに等しい。
【００３７】
また、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ２が、データ用配線２の延在方向において隣接する画素ユニットＰｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ１よりも大きく、隣接するそれら画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における各寸法の和（Ｙ１＋Ｙ２）は、全表示領域のデータ用配線２の延在方向における寸法を、データ用配線２の延在方向における全表示領域のドット数で除した値の二倍となっている。すなわち、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における寸法の和（Ｙ１＋Ｙ２）の１／２（平均値）は、データ用配線２の延在方向におけるドットピッチに等しい。
【００３８】
なお、開口率調整のために画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ１，Ｐｂ１，Ｐｒ２，Ｐｇ２，Ｐｂ２の平面形状を変更した点以外の装置構成は、実施の形態２の場合と同じであるので、説明を省略する。
【００３９】
本実施の形態に係る画像表示装置によれば、複数の画素ユニットのうち光センサ回路が形成された画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積が、光センサ回路が形成されない画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の面積より大きいことにより、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の開口率と、画素ユニットＰｒ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２の開口率とが略等しい。よって、画素間で輝度の差がより発生しにくい。
【００４０】
また、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１のゲート電極配線１の延在方向における寸法Ｘｇ，Ｘｂが、ゲート電極配線１の延在方向において隣接する画素ユニットＰｒ１のゲート電極配線１の延在方向における寸法Ｘｒよりも大きい。よって、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積を画素ユニットＰｒ１の面積より大きくすることができる。また、１ドット内の赤色の画素ユニットＰｒ１、緑色の画素ユニットＰｇ１および青色の画素ユニットＰｂ１のうち、少なくとも一つが光センサ回路が形成される画素ユニットであり、他の少なくとも一つが光センサ回路が形成されない画素ユニットである。よって、１ドットのゲート電極配線１の延在方向における寸法（Ｘｒ＋Ｘｇ＋Ｘｂ）を変更することなく、１ドット内の光センサ回路が形成された画素ユニットおよび光センサ回路が形成されない画素ユニットのゲート電極配線１の延在方向における寸法Ｘｒ，Ｘｇ，Ｘｂを調整することにより、光センサ回路が形成された画素ユニットおよび光センサ回路が形成されない画素ユニットの開口率を調整することができる。
【００４１】
また、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ２が、データ用配線２の延在方向において隣接する画素ユニットＰｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における寸法Ｙ１よりも大きい。よって、画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１の面積を画素ユニットＰｇ２，Ｐｂ２の面積より大きくすることができる。また、隣接する画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における各寸法の和（Ｙ１＋Ｙ２）は、画像表示装置の表示領域のデータ用配線２の延在方向における寸法を、データ用配線２の延在方向における表示領域のドット数で除した値の二倍である。よって、データ用配線２の延在方向における隣接２ドット分の寸法を変更することなく、隣接する画素ユニットＰｇ１，Ｐｂ１，Ｐｇ２，Ｐｂ２のデータ用配線２の延在方向における各寸法Ｙ１，Ｙ２を調整することにより、光センサ回路が形成された画素ユニットおよび光センサ回路が形成されない画素ユニットの開口率を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１に係る画像表示装置の回路図である。
【図２】実施の形態１に係る画像表示装置の上面図である。
【図３】実施の形態１に係る画像表示装置の断面図である。
【図４】実施の形態２に係る画像表示装置の回路図である。
【図５】実施の形態２に係る画像表示装置の上面図である。
【図６】実施の形態３に係る画像表示装置の回路図である。
【図７】実施の形態３に係る画像表示装置の上面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  ゲート電極線、２  データ用配線、３  蓄積容量配線、４  蓄積容量、５  薄膜トランジスタ、６  薄膜フォトトランジスタ、７  光センサ用蓄積容量、８  薄膜トランジスタ、９  画素電極、１０  光センサ信号読み出し用配線、１１  絶縁基板、Ｐｒ１，Ｐｇ１，Ｐｂ１，Ｐｒ２，Ｐｇ２，Ｐｂ２  画素ユニット。
【図１】
0004791108.tif 000002
【図２】
0004791108.tif 000003
【図３】
0004791108.tif 000004
【図４】
0004791108.tif 000005
【図５】
0004791108.tif 000006
【図６】
0004791108.tif 000007
【図７】
0004791108.tif 000008