(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、
前記スタックビア構造を有するバイアホールは、めっきからなるフィールドビアであり、
前記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なり、
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きいことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
前記スタックビア構造を有するバイアホールは、めっきからなるフィールドビアであり、
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なり、
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きいことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項３】
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
前記スタックビア構造を有するバイアホールは、めっきからなるフィールドビアであり、
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なり、
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きいことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項４】
前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホール用開口の表面に形成された無電解めっきによる薄膜導体層と、前記薄膜導体層上に形成され、前記バイアホール用開口に充填された電解めっきとからなる請求項１〜３のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記スタックビア構造を有するバイアホールのうち、最外層のバイアホール上には、半田バンプが形成されている請求項１〜４のいずれか１に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、その粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
これを繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめっき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、ＩＣチップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード側にも半田バンプを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
また、近年、ＩＣチップの高周波数化に伴い、多層プリント配線板の高速化、高密度化が要求されており、これに対応した多層プリント配線板として、スタックビア構造（バイアホールの直上にバイアホールが形成された構造）のバイアホールを有する多層プリント配線板が提案されている（図１９参照）。
しかしながら、このようなスタックビア構造のバイアホールを有する多層プリント配線板では、バイアホールの近傍の層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあった。特に、多層プリント配線板をヒートサイクル条件下で一定時間放置した際に、クラックが発生することが多く、さらには、このクラックに起因して、バイアホール周辺の導体回路に剥離や断線が発生することがあった。
【０００６】
これは、スタックビア構造のバイアホールを有する従来の多層プリント配線板６００（図１９（ａ）および（ｂ）参照）では、通常、バイアホール１０７１〜１０７３のランド径が略同一であり、最外層のバイアホール１０７１とこれに隣接する導体回路１０５ａとの間の導体回路非形成部の下方領域（図１９中、Ａ領域）には、導体回路は存在せず、層間樹脂絶縁層１０２のみで形成されており、加えて、層間樹脂絶縁層には、ガラス繊維等の補強材も配合されていないため、このＡ領域の機械的強度が充分でなく、そのため、クラック等が発生しやすいものと考えられる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは鋭意検討し、スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つのバイアホールのランド径を、他のランド径と異なるものとすることにより、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層にクラック等が発生する問題を解消することができること見い出し、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に到達した。
【０００８】
即ち、第一の本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、
上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
【０００９】
また、第二の本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
上記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
【００１０】
また、第三の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
上記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
【００１１】
また、第一〜第三の多層プリント配線板において、上記バイアホールのうちの少なくとも１つは、その形状がフィールドビア形状であることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
第一の本発明のプリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は、スタックビア構造となるように形成されるとともに、
上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
【００１３】
第一の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造となるように形成されている。
このように、スタックビア構造となるようにバイアホールが形成されている場合、配線距離が短くなるため、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
【００１４】
また、上記多層プリント配線板において、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なる。
バイアホールがこのような構成を有する場合、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくい。
これについて、以下に図面を参照しながら説明する。
図１〜図３は、それぞれ、（ａ）が、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）が（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールをのみを模式的に示した斜視図である。
【００１５】
第一の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なっている。具体的には、例えば、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、内層のバイアホール１０７２のランド径が最外層のバイアホール１０７１のランド径よりも大きくなるように構成されている。この場合、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であり、かつ、同心円状となるように形成されている。
また、例えば、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、最下層のバイアホール１０７３のランド径が最外層のバイアホール１０７１のランド径よりも大きくなるように構成されていてもよい。この場合も、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であり、かつ、同心円状となるように形成されている。
【００１６】
さらには、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、内層のバイアホール１０７２のランド径および最下層のバイアホール１０７３のランド径の一部が、それぞれ最外層のバイアホール１０７１とこれに隣接する導体回路１０５ａとの間の導体回路非形成部の下方領域（図中、Ａ領域）の異なる部分で最外層のバイアホール１０７１のランド径よりも大きくなるように構成されていもよい。この場合、各階層のそれぞれのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であるが、その中心は異なる位置、即ち、内層のバイアホールの中心と最下層のバイアホールの中心とが、最外層のバイアホールの中心を挟んだ反対側の位置に形成されている。なお、バイアホールを平面視した際の内層のバイアホールの中心および最下層のバイアホールの中心は、最外層のバイアホールの中心を挟んだ反対側の位置以外の位置にあってもよい。
【００１７】
このような構成のスタックビア構造を有するバイアホールを形成した場合、最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成部の下方領域（Ａ領域）の一部に、層間樹脂絶縁層１０２だけでなく、バイアホールのランド部分１０７２ａ、１０７３ａが存在することとなる。この場合、ランド部分が層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすため、Ａ領域の機械的強度が向上し、クラックの発生や、導体回路やバイアホールと層間樹脂絶縁層との間での剥離の発生を防止することができる。
なお、図１〜３において、１０１は基板、１１４はソルダーレジスト層、１１７は半田バンプである。
【００１８】
また、バイアホールの形状は、図１〜３に示した形状に限定されるわけではなく、図示していないが、例えば、内層のバイアホール１０７２のランド径と最下層のバイアホール１０７３のランド径とが、ともに最外層のバイアホールのランド径よりも大きくなるように構成されていてもよい。
また、各階層のバイアホールのランド径はそれぞれが互いに異なっていてもよい。
また、上述した例では、各階層のバイアホールを平面視した際の形状は、円形状であったが、バイアホールを平面視した際の形状は、これに限定されず、例えば、楕円形状や矩形状等であってもよい。
【００１９】
また、第一の本発明の多層プリント配線板において、スタックビア構造を有するバイアホールの層数は、２層以上であれば特に限定されず、図示した多層プリント配線板のように３層であってもよいし、２層や４層以上であってもよい。
なお、本明細書において、バイアホールのランド径とは、バイアホール用開口の外縁からバイアホールの外縁までの距離をいい、例えば、図１（ａ）中に示す距離Ｌをいう。
【００２０】
また、上記バイアホールのランド径は、少なくともＡ領域のバイアホール側の半分の領域に、少なくとも一つのランド部分が存在するような長さであることが望ましく、Ａ領域を貫通するような少なくとも１つのランド部分が存在するような長さであることがより望ましい。
【００２１】
また、上述したように、上記多層プリント配線板では、バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造を有するように形成されている。
従って、より信頼性に優れるバイアホールとするために、下層バイアホール（その直上に別のバイアホールが形成されているバイアホール）の形状は、フィールドビア形状であることが望ましい。フィールドビア形状である場合、バイアホールの上面が略平坦であるため、直上にバイアホールを積層形成するのに適しているからである。
【００２２】
また、バイアホールは、通常、後述するようにめっき処理を用いて形成するが、このバイアホールをフィールドビア形状とする場合、めっき処理によりフィールドビア形状に形成してもよいし、一旦、上面に窪みを有する形状のバイアホールを形成した後、その窪みを導電性ペースト等で充填してフィールドビア形状としてもよい。
なお、めっき処理によりフィールドビア形状のバイアホールを形成する場合に用いるめっき液については後に詳述する。
また、バイアホールをフィールドビア形状とせず、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、この窪みに樹脂充填材等を充填し、その後、樹脂充填材を覆う蓋めっき層を形成することにより、バイアホールの上面を平坦にしてもよい。上記バイアホールにおいて、その形状をフィールドビア形状としたり、バイアホール上に蓋めっき層を形成した場合、その上面の平均粗度Ｒａは、５μｍ以下であることが望ましい。
スタックビア構造のバイアホールを形成するのに適しており、また、形成したスタックビア構造のバイアホールの接続信頼性に優れるからである。
【００２３】
次に、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について工程順に説明する。
（１）まず、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）基板、フッ素樹脂基板等の樹脂基板、銅張積層板等を出発材料とし、基板上に導体回路を形成する。
具体的には、例えば、基板の両面に無電解めっき処理等を施すことによりベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パターンに対応したエッチングレジストを形成し、その後、エッチングを行うことにより形成すればよい。
また、銅張積層板をベタの導体層が形成された基板として用いてもよい。
【００２４】
また、上記無電解めっき処理を施す際には、予め、この絶縁性基板に貫通孔を形成しておき、該貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続するスルーホールとする。
また、スルーホールを形成した後には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。このとき、導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填することが望ましい。
上記樹脂充填材としては、例えば、エポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が挙げられる。
【００２５】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む混合溶液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いることができる。
【００２６】
（３）次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【００２７】
上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹脂を塗布した後、加熱処理を施す。
上記加熱処理を施すことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができる。
なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口を形成した後に行ってもよい。
【００２８】
このような樹脂層の形成において使用する熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００２９】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００３０】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【００３１】
また、上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
【００３２】
上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３３】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述するバイアホール用開口を形成する工程において、露光現像処理により開口を形成することができるからである。
【００３４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これらの熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましく、さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００３５】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３６】
上記可溶性の物質としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３７】
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物；炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物；炭酸カリウム等のカリウム化合物；マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物；シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【００３８】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
なお、上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【００３９】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４０】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【００４１】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【００４２】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイアホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【００４３】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【００４４】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【００４５】
また、上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、５〜５０μｍが望ましい。また、バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。
【００４６】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
【００４７】
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、粗化面を形成した後には、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂絶縁層の表面を中和することが望ましい。
次工程に、酸や酸化剤の影響を与えないようにすることができるからである。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【００４８】
（６）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ましい。
なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与しておく。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙げられる。
【００４９】
上記薄膜導体層の厚さは特に限定されないが、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合には、０．６〜１．２μｍが望ましく、スパッタリングにより形成した場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
また、上記薄膜導体層の材質としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ等が挙げられる。これらのなかでは、ＣｕやＮｉが望ましい。
【００５０】
（７）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
ここでは、所望のランド径を有するバイアホールを形成することができるようにめっきレジストを形成する。即ち、この階層において、ランド径の大きなバイアホールを形成するのであれば、めっきレジスト非形成部の幅を大きくしておけばよい。
【００５１】
また、この工程では、バイアホール用開口を電解めっきで充填してフィールドビア構造としてもよく、一旦、その上面に窪みを有するバイアホールを形成し、その後、この窪みに導電性ペーストを充填してフィールドビア構造としてもよい。また、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成して上面が平坦なバイアホールとしてもよい。
【００５２】
フィルードビア構造のバイアホールを電解めっき時に形成する場合は、例えば、下記の組成からなる電解めっき液を用いて、電解めっき処理を行えばよい。
即ち、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する電解めっき液を用いて、電解めっき処理を行えばよい。
【００５３】
このような組成の電解めっき液では、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、層間樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィールドビア構造のバイアホールを形成することができる。
加えて、この電解めっき液は、銅イオンを高濃度で含有しているため、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化につながる。
【００５４】
また、上記電解めっき液は、１００〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する組成であることが望ましい。
【００５５】
また、上記電解めっき液において、上記添加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるものであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
ここで、上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、ゼラチン、これらの誘導体等が挙げられる。
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄やその関連化合物、硫化水素やその関連化合物、その他の硫黄化合物等が挙げられる。
【００５６】
また、上記レベリング剤の配合量は、１〜１０００ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率は、２：１〜１０：１が望ましい。
【００５７】
（８）次に、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。エッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として上述した第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いてもよい。
【００５８】
また、上記（７）および（８）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路を形成してもよい。
【００５９】
（９）この後、上記（３）〜（８）の工程を１回または２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製する。なお、上記（３）〜（８）の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。
ここでは、バイアホールがスタックビア構造となるように、バイアホールの直上にバイアホールを形成する。また、バイアホールのランド径の調整は、上述したように、めっきレジストを形成する際にめっきレジスト非形成部の大きさを調整することにより行うことができる。
【００６０】
（１０）次に、最上層の導体回路を含む基板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成する。
具体的には、未硬化のソルダーレジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等により塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層を形成する。
【００６１】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる
【００６２】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていてもよい。
また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソルダーレジスト組成物を使用してもよい。
【００６３】
また、上記半田バンプ形成用開口を形成する際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
【００６４】
次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッドを形成する。
上記半田パッドは、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表面を被覆することにより形成することができる。
具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成することが望ましい。
また、上記半田パッドは、例えば、めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【００６５】
（１１）次に、上記半田バンプ形成用開口に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらにリフロー処理を施したりすることにより半田バンプやＢＧＡ(Ball Grid Array) 、ＰＧＡ（Pin Grid Array) を形成する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより第一の本発明の多層プリント配線板を製造することができる。
【００６６】
次に、第二の本発明の多層プリント配線板について説明する。
第二の本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
上記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
従って、第二の本発明の多層プリント配線板は、スルーホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されている点で、第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異にする。
【００６７】
図４は、第二の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
多層プリント配線板４００では、基板を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホール１０９が形成されており、スルーホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホール１０７１〜１０７３が形成されている。また、スタックビア構造のバイアホールを形成するために、スルーホール１０９上には、蓋めっき層１１８が形成されている。また、スルーホール１０９内には、樹脂充填材層１１０が形成されている。
【００６８】
このような構成の多層プリント配線板では、スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されているため、基板を挟んだ導体回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
【００６９】
また、第二の本発明の多層プリント配線板において、スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なる。具体的には、例えば、第一の本発明の多層プリント配線板と同様の構成等であればよい。即ち、図４に示す多層プリント配線板４００のように、内層のバイアホール１０７２のランド径が最外層のバイアホール１０７１のランド径よりも大きく、Ａ領域にバイアホール１０７２のランド部分１０７２ａが存在する構成や、最下層のバイアホールのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きく、Ａ領域にバイアホールのランド部分が存在する構成、内層のバイアホールのランド径および最外層のバイアホールのランド径の一部が、それぞれＡ領域の異なる部分で最外層のバイアホールのランド径よりも大きい構成等であればよい。
また、内層のバイアホールのランド径と最下層のバイアホールのランド径とがともに、最外層のバイアホールのランド径より大きい構成であってもよい。
なお、上記Ａ領域とは、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層のみで構成される領域であるが、第二の本発明では、1)最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の下方領域、または、2)最外層のバイアホールに隣接する導体回路をスルーホールと同一階層まで平行移動したと仮定した場合の、該導体回路とスルーホールとの間の上方領域、のいずれか狭い領域を意味し、図４に例示した多層プリント配線板では、上記2)の領域がＡ領域となる。
【００７０】
バイアホールがこのような構成を有する場合には、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくくなる。これは、最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成部の下方領域（図４中、Ａ領域）の一部にバイアホールのランド部分が存在することとなり、この部分が層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなるからである。また、第二の本発明の多層プリント配線板においても、スタックビア構造を有するバイアホールの層数は、２層以上であれば特に限定されず、図示した多層プリント配線板のように３層であってもよいし、２層や４層以上であってもよい。
また、上記バイアホールのランド径は、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、少なくともＡ領域のバイアホール側の半分の領域に、少なくとも一つのランド部分が存在するような長さであることが望ましく、Ａ領域を貫通するような少なくとも１つのランド部分が存在するような長さであることがより望ましい。
【００７１】
また、第二の本発明の多層プリント配線板においても、バイアホールはスタックビア構造を有するように形成されているため、下層バイアホールの形状は、フィールドビア形状であることが望ましい。
【００７２】
また、第二の本発明の多層プリント配線板では、スルーホールの直上にスタックビア構造のバイアホールが形成されており、より接続信頼性に優れる多層プリント配線板とするために、スルーホールには蓋めっき層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層は、その表面が平坦であるため、バイアホールを形成するのに適しているからである。また、上記蓋めっき層は、１層からなるものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。
また、スルーホール内には、樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。
樹脂充填材でスルーホール内を充填することが上記蓋めっき層を形成するのに適しているからである。
【００７３】
次に、第二の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について説明する。
第二の本発明の多層プリント配線板は、上述したように、スルーホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されている点で、第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異にする。
従って、第二の本発明の多層プリント配線板は、スルーホールの直上にバイアホールを形成する以外は、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法で製造することができる。
【００７４】
具体的には、例えば、第一の本発明の多層プリント配線板を製造方法の（１）および（２）の工程において、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成し、さらに、必要に応じて、樹脂充填材層の形成と、導体回路表面の粗化処理とを行った後、スルーホール上に蓋めっき層を形成し、第一の本発明の多層プリント配線板を製造方法の（４）の工程において、バイアホール用開口を形成する際に、該バイアホール用開口を上記蓋めっき層上に形成する以外は、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法で製造することができる。
【００７５】
なお、上記蓋めっき層は、例えば、下記（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより形成することができる。
即ち、（ａ）基板にスルーホールを形成し、該スルーホール内に樹脂充填材層を形成した後、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に、無電解めっき処理やスパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電解めっき処理を用いる場合には、被めっき表面に予め触媒を付与しておく。
（ｂ）次に、スルーホール（樹脂充填材層を含む）上以外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。
（ｃ）ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより薄膜導体層と電解めっき層との２層からなる蓋めっき層を形成することができる。
なお、触媒の付与から薄膜導体層の除去に至る、この（ａ）〜（ｃ）の工程は、第一の本発明の多層プリント配線板の（６）〜（８）と同様の方法等を用いて行うことができる。
【００７６】
また、１層からなる蓋めっき層を形成する場合には、例えば、樹脂充填材層の露出面を含む基板の表面に触媒を付与した後、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成し、その後、無電解めっき処理と、めっきレジストの除去を行えばよい。
【００７７】
次に、第三の本発明の多層プリント配線板について説明する。
第三の本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されるとともに、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されるとともに、
上記スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも１つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴とする。
従って、第三の本発明の多層プリント配線板は、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されている点で、第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異にする。
【００７８】
図５は、第三の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
多層プリント配線板５００では、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホール１０９が形成されており、スルーホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホール１０７１〜１０７２が形成されている。また、スタックビア構造のバイアホールを形成するために、スルーホール１０９上には、蓋めっき層１１８が形成されている。また、スルーホール１０９内には、樹脂充填材層１１０が形成されている。
【００７９】
このような構成の多層プリント配線板では、スルーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成されているため、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易くなる。
【００８０】
また、第三の本発明の多層プリント配線板において、スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なる。具体的には、例えば、図５に示す多層プリント配線板５００のように、内層のバイアホール１０７２のランド径が最外層のバイアホール１０７１のランド径よりも大きく、Ａ領域にバイアホール１０７２のランド部分１０７２ａが存在する構成等が挙げられる。
【００８１】
また、図５に示す多層プリント配線板５００では、２層のバイアホールが形成されているが、第三の本発明の多層プリント配線板は、３層以上のバイアホールがスタックビア構造に形成されていてもよく、３層のバイアホールがスタックビア構造に形成されている場合の構成は、例えば、第一の本発明の多層プリント配線板と同様の構成等であればよい。即ち、内層のバイアホールのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きく、Ａ領域にバイアホールのランド部分が存在する構成や、最下層のバイアホールのランド径が最外層のバイアホールのランド径よりも大きい構成、内層のバイアホールのランド径および最外層のバイアホールのランド径の一部が、それぞれＡ領域の異なる部分で最外層のバイアホールのランド径よりも大きい構成等であればよい。
また、内層のバイアホールのランド径と最下層のバイアホールのランド径とがともに、最外層のバイアホールのランド径より大きい構成であってもよい。
なお、上記Ａ領域は、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層のみで構成される領域であり、その意味は、第二の本発明の多層プリント配線板におけるＡ領域と同様である。
【００８２】
バイアホールがこのような構成を有する場合には、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でクラックが発生しにくくなる。これは、最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成部の下方領域（図５中、Ａ領域）の一部にバイアホールのランド部分が存在することとなり、この部分が層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすこととなるからである。
また、第三の本発明の多層プリント配線板においても、スタックビア構造を有するバイアホールの層数は、２層以上であれば特に限定されず、図示した多層プリント配線板のように２層であってもよいし、３層以上であってもよい。
また、上記バイアホールのランド径は、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、少なくともＡ領域のバイアホール側の半分の領域に、少なくとも一つのランド部分が存在するような長さであることが望ましく、Ａ領域を貫通するような少なくとも１つのランド部分が存在するような長さであることがより望ましい。
【００８３】
また、第三の本発明の多層プリント配線板においても、バイアホールはスタックビア構造を有するように形成されているため、下層バイアホールの形状は、フィールドビア形状であることが望ましい。
【００８４】
また、第三の本発明の多層プリント配線板では、スルーホールの直上にスタックビア構造のバイアホールが形成されており、より接続信頼性に優れる多層プリント配線板とするために、スルーホールには蓋めっき層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層は、その表面が平坦であるため、バイアホールを形成するのに適しているからである。
また、スルーホール内には、樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。
樹脂充填材でスルーホール内を充填することが上記蓋めっき層を形成するのに適しているからである。
【００８５】
次に、第三の本発明の多層プリント配線板を製造する方法について工程順に説明する。
（１）まず、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（１）の工程と同様にして、基板上に導体回路を形成する。
また、第三の本発明の多層プリント配線板は、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホールが形成されているため、第一の本発明の多層プリント配線板を製造する方法とは異なり、この工程では、スルーホールを形成する必要はない。
しかしながら、第三の本発明の多層プリント配線板は、基板のみを挟んだ導体回路間をスルーホールで接続することを排除するものではないから、この工程で、必要に応じて基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続するスルーホールを形成してもよい。
また、導体回路を形成した後、必要に応じて、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（２）の工程と同様の方法を用いて導体回路の表面に粗化面を形成してもよい。
【００８６】
（２）次に、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（３）および（４）の工程と同様の方法を用いて、導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層や、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成し、さらに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。
さらに、層間樹脂絶縁層を形成した後、該層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔を形成する。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等を用いて形成することができる。
【００８７】
（３）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面と貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
なお、この粗化面は、層間樹脂絶縁層と後工程で形成する薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
なお、上記酸や酸化剤としては、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（５）の工程で用いたものと同様のものを用いることができる。
【００８８】
（４）次に、バイアホール用開口を設けた層間樹脂絶縁層の表面と貫通孔の内壁面とに薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層の形成は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（６）の工程で用いた方法と同様の方法、即ち、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の方法を用いて形成することができる。
また、貫通孔内にも薄膜導体層を形成し、スルーホールとした後、スルーホール内を樹充填材で充填することが望ましく、さらに、この後、スルーホール上に樹脂充填材を覆う蓋めっき層を形成することが望ましい。
蓋めっき層を形成することが、その直上に、スタックビア構造を有するバイアホールを形成するのに適しているからである。
【００８９】
また、この工程を経て形成するスルーホールは、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接続するのは勿論のこと、この２層の導体回路と基板の両面に形成された２層の導体回路との計４層の導体回路間を接続するものであってもよい。
【００９０】
（５）次に、上記薄膜導体層上の一部にドライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。
ここでは、貫通孔壁面に形成した薄膜導体層上にも電解めっき層を形成し、スルーホールの厚さを厚くしてもよい。
【００９１】
（６）電解めっき層を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。
エッチング液としては、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（８）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いることができる。
また、ここで形成した導体回路において、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間はスルーホールにより接続されている。
【００９２】
また、上記（５）および（６）に記載した方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路を形成してもよい。
即ち、上記薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にドライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層および薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エッチングレジストを剥離することにより独立した導体回路を形成してもよい。
【００９３】
また、上述したように、導体回路を形成した後には、スルーホール内に樹脂充填材を充填し、その後、スルーホール（樹脂充填材層を含む）上に蓋めっき層を形成することが望ましい。
なお、上記蓋めっき層は、例えば、下記（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることにより形成することができる。
即ち、（ａ）基板と層間樹脂絶縁層とを貫通するスルーホールを形成し、該スルーホール内に樹脂充填材層を形成した後、樹脂充填材層の露出面を含む配線板の表面に、無電解めっき処理やスパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電解めっき処理を用いる場合は、被めっき表面に予め触媒を付与しておく。
（ｂ）次に、スルーホール（樹脂充填材層を含む）上以外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。
（ｃ）ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより薄膜導体層と電解めっき層との２層からなる蓋めっき層を形成することができる。
なお、触媒の付与から薄膜導体層の除去に至る、この（ａ）〜（ｃ）の工程は、第一の本発明の多層プリント配線板の（６）〜（８）と同様の方法を用いて行うことができる。
また、上記蓋めっき層は、第二の本発明の多層プリント配線板と同様、１層からなるものであってもよい。
【００９４】
（７）この後、上記（２）〜（６）の工程を１回または２回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製する。また、上記（２）〜（６）の工程を何回繰り返すかは、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すればよい。
ここで、めっきレジストを形成する際には、スルーホールの直上にバイアホールを形成することができるように、めっきレジストを形成する。また、所望のランド径を有するバイアホールを形成することができるようにめっきレジストを形成する。即ち、この階層において、ランド径の大きなバイアホールを形成するのであれば、めっきレジスト非形成部の幅を大きくしておけばよい。
【００９５】
また、バイアホールを形成する際に、そのバイアホールをフィールドビア構造とすることが望ましい。具体的には、バイアホール用開口を電解めっきで充填してフィールドビア構造としてもよく、一旦、その上面に窪みを有するバイアホールを形成し、その後、この窪みに導電性ペーストを充填してフィールドビア構造としてもよい。
また、上面に窪みを有するバイアホールを形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成して上面が平坦なバイアホールとしてもよい。
【００９６】
フィルードビア構造のバイアホールを電解めっき時に形成する場合は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（７）の工程で用いる電解めっき液と同様の電解めっきを用いることが望ましい。
【００９７】
（８）次に、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（１０）および（１１）の工程と同様の方法を用いて、ソルダーレジスト層を形成し、さらに、半田バンプやＢＧＡ、ＰＧＡ等を形成して多層プリント配線板とする。
【００９８】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００９９】
Ｂ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）７２重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２５±１℃で３０〜８０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１００】
Ｃ．プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図６（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９とを形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１０１】
（２）スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１０２】
（３）次に、上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の導体回路非形成部と下層導体回路４の外縁部とに樹脂充填材の層１０′を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の層１０′形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図６（ｃ）参照）。
【０１０３】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材層１０を形成した。
【０１０４】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材層１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材層１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図６（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填材層１０の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。
【０１０５】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１０６】
（６）次に、基板の両面に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて張り付け、その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁層２を形成した（図６（ｅ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６７Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着して張り付け、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０１０７】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形成した（図７（ａ）参照）。
【０１０８】
（８）さらに、バイアホール用開口６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面（図示せず）とした。
【０１０９】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１１０】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層１２を形成した（図７（ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１１１】
（１１）次に、市販の感光性ドライフィルムを薄膜導体層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト３を設けた。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径Ｌ1 が１５０μｍである（図７（ｃ）参照）。
【０１１２】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっき層１３を形成した（図７（ｄ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ            ２１０ｇ／ｌ
硫酸                            １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                            ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール        ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド              １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                      １．０Ａ／ｄｍ2
時間                          ６０  分
温度                          ２５  ℃
【０１１３】
（１３）続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間の加熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導体回路とフィルードビア形状のバイアホールとを形成した（図８（ａ）参照）。なお、ここで、形成したバイアホールのランド径は３５μｍである。
【０１１４】
（１４）上記（５）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と薄膜導体層１２とを形成し、その後、薄膜導体層１２上にめっきレジスト３を設けた。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径Ｌ2 が２５０μｍである（図８（ｂ）参照）。
【０１１５】
（１５）次に、上記（１２）および（１３）の工程と同様にして、電解銅めっき処理、ならびに、めっきレジストの剥離除去、および、薄膜導体層のエッチングを行い、独立した導体回路とフィルードビア形状のバイアホールとを形成した（図８（ｃ）〜（図９（ａ）参照）。なお、ここで形成したバイアホールのランド径は８５μｍである。
【０１１６】
（１６）さらに、上記（５）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２と薄膜導体層１２とを形成し、その後、薄膜導体層１２上にめっきレジスト３を設けた。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍである。続いて、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト３非形成部に、電解銅めっき膜１３を形成した（図９（ｂ）〜（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０１１７】
（１７）次に、上記（１３）の工程と同様にして、めっきレジスト３を剥離除去、および、薄膜導体層のエッチングを行い、独立した導体回路とバイアホールとを形成した。なお、この工程で形成したバイアホールは、ランド径が３５μｍで、その上面が窪んだ形状を有している。また、この工程で形成したバイアホールと隣接する導体回路との距離は５０μｍである（図１０（ａ）参照）。
【０１１８】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３．０重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加え、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１１９】
（１９）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、直径８０μｍの開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。
【０１２０】
（２０）次に、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液中にソルダーレジスト層１４が形成された基板を１分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度（Ｒａ）が１μｍ以下の粗化面（図示せず）を形成した。
さらに、この基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成し、半田パッドとした。
【０１２１】
（２１）この後、ソルダーレジスト層１４上に、マスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用いて、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷した。その後、半田ペーストを２５０℃でリフローし、さらに、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図１０（ｂ）参照）。
【０１２２】
（実施例２）
実施例（１）〜（４）の工程を経た後、スルーホール（樹脂充填材層を含む）上に以下の方法を用いて蓋めっき層を形成し、（７）の工程において蓋めっき層上にバイアホール用開口を形成した以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１２３】
〔蓋めっき層の形成〕
スルーホール内および導体回路非形成部に樹脂充填材層を形成し、導体回路（スルーホールのランド部分を含む）表面と樹脂充填材層の表面とを同一平面にした後、まず、基板の表面にパラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、導体回路表面および樹脂充填材層の表面に触媒核を付着させた。
【０１２４】
次に、実施例１の（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、表面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層を形成した。
【０１２５】
次に、市販の感光性ドライフィルムを用いて、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成した。
さらに，基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、スルーホール上に電解銅めっき層を形成した。
〔電解めっき液〕
硫酸          ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅        ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤        １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度            １  Ａ／ｄｍ2
時間              ６５  分
温度            ２２＋２  ℃
【０１２６】
さらに、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジストを剥離除去し、その後、硫酸−過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、蓋めっき層とした。
【０１２７】
（実施例３）
実施例１の（６）および（７）の工程において、以下の方法を用いて、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成した以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
即ち、実施例１の（１）〜（５）の工程を経た後、感光性樹脂組成物Ｂ（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行った。次いで、感光性樹脂組成物Ａ（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分間の乾燥（プリベーク）を行い、２層からなる半硬化状態の樹脂層を形成した。
【０１２８】
次に、半硬化状態の樹脂層を形成した基板の両面に、直径８０μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 の強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８０μｍのバイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成した。
【０１２９】
なお、感光性樹脂組成物ＡおよびＢは下記の方法により調製した。
〔感光性樹脂組成物Ａの調製〕
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１３０】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１３１】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物を得た。
【０１３２】
〔感光性樹脂組成物Ｂの調製〕
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１３３】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１３４】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物を得た。
【０１３５】
（実施例４）
Ａ．実施例１と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製、および、樹脂充填材の調製を行った。
【０１３６】
Ｂ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１１（ａ）参照）。まず、この銅張積層板を下層導体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路２４を形成した（図１１（ｂ）参照）。
【０１３７】
（２）下層導体回路２４を形成した基板２１を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１３８】
（３）次に、上記Ａで作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら、０．５ＭＰａで真空圧着ラミネートして貼り付け、層間樹脂絶縁層２２を形成した（図１１（ｃ）参照）。
さらに、層間樹脂絶縁層２２を形成した基板２１に、ドリル加工により直径３００μｍの貫通孔３９を形成した。
【０１３９】
（４）次に、層間樹脂絶縁層２２に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図１１（ｄ）参照）。
【０１４０】
（５）次に、バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、貫通孔３９の壁面にデスミア処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０１４１】
（６）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔３９の壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１４２】
（７）次に、３４℃の無電解銅めっき水溶液中に基板を４０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）、および、貫通孔３９の壁面に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層３２を形成した（図１１（ｅ）参照）。なお、無電解銅めっき水溶液としては、実施例１の（１０）の工程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用いた。
【０１４３】
（８）次に、薄膜導体層３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっきレジスト２３を設けた（図１２（ａ）参照）。
【０１４４】
（９）次いで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、実施例１の（１２）の工程と同様の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図１２（ｂ）参照）。
【０１４５】
（１０）さらに、めっきレジスト２３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素とを含むエッチング液を用いてエッチングし、スルーホール２９、および、導体回路２５（バイアホール２７を含む）とした。
【０１４６】
（１１）次に、スルーホール２９等を形成した基板３０をエッチング液に浸漬し、スルーホール２９、および、導体回路２５（バイアホール２７を含む）の表面に粗化面（図示せず）を形成した。なお、エッチング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使用した。
【０１４７】
（１２）次に、上記Ａに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール２９内、および、層間樹脂絶縁層２２上の導体回路非形成部と導体回路２５の外縁部とに樹脂充填材の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクとスキージとを用い、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。
【０１４８】
続いて、実施例１の（４）の工程と同様にして、スルーホール２９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材層３０の表層部および導体回路２５の表面を平坦化し、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２５の表面とを同一平面とした（図１２（ｃ）参照）。
【０１４９】
（１３）次に、層間樹脂絶縁層２２の表面、および、樹脂充填材層３０の露出面に、上記（６）と同様の処理を行いてパラジウム触媒（図示せず）を付与した。次に、上記（７）と同様の条件で無電解めっき処理を施し、樹脂充填材層３０の露出面および導体回路２５の上面に薄膜導体層３２を形成した。
【０１５０】
（１４）次に、上記（８）と同様の方法を用いて、薄膜導体層３２上に、めっきレジスト２３を設けた（図１２（ｄ）参照）。続いて、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、電解銅めっき膜３３を形成した（図１３（ａ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸          ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅        ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤        １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度            １  Ａ／ｄｍ2
時間              ６５  分
温度            ２２＋２  ℃
【０１５１】
（１５）次に、めっきレジスト３３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３３下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、蓋めっき層３１とした（図１３（ｂ）参照）。
（１６）次に、蓋めっき層３１の表面にエッチング液（メックエッチボンド）を用いて粗化面（図示せず）を形成した。
【０１５２】
（１７）次に、上記（３）〜（１１）の工程を２回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２２と導体回路２５（バイアホール２７を含む）とを形成した（図１３（ｃ）〜図１６（ａ）参照）。なお、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
なお、ここで形成しためっきレジストにおいて、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が２５０μｍである。また、形成したバイアホールは、そのランド径が８５μｍであり、その形状がフィールドビア形状である。
【０１５３】
（１８）さらに、電解めっきを下記の条件でおこなった以外は、再度、上記（３）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層２２、導体回路２５（バイアホール２７を含む）とを形成し、多層配線板を得た（図１６（ｂ）参照）。なお、この工程では、スルーホールを形成しなかった。
【０１５４】
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０１５５】
なお、ここで形成しためっきレジストにおいて、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍである。また、形成したバイアホールは、そのランド径が３５μｍであり、その形状は上面に窪みを有する形状である。また、ここで形成したバイアホールと隣接する導体回路との距離は５０μｍである。
【０１５６】
（１９）次に、実施例１の（１８）〜（２１）の工程と同様にして、半田バンプを備えた多層プリント配線板を得た（図１７参照）。
【０１５７】
（実施例５）
実施例４の（１７）の工程において、（３）〜（１１）の工程を２回繰り返す際の２回目の繰り返し工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状を、平面視形状が円形で、その直径が１５０μｍである形状とした以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。その結果、スタックビア構造に形成されたバイアホールのうちの最下層のバイアホールのランド径が８５μｍで、内層と最外層とのバイアホールのランド径が３５μｍの多層プリント配線板（図１８（ａ）参照）を得た。
【０１５８】
（実施例６）
実施例４の（１７）の工程の（３）〜（１１）の工程を２回繰り返す際の１回目の繰り返し工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分を、平面視形状が直径２００μｍの円形で、バイアホールの最大ランド径が８５μｍとなるような形状に形成し、２回目の繰り返し工程において、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形成部分を、平面視形状が直径２００μｍの円形で、バイアホールの最大ランド径が８５μｍで、かつ、最大ランド径を有する方向が、１回目の繰り返し工程で形成した最大ランド径を有する方向と反対方向ととなるような形状に形成した以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１５９】
その結果、スタックビア構造に形成されたバイアホールのうちの最下層と内層とのバイアホールランド径が、最大ランド径８５μｍで、最小ランド径３５μｍで、かつ、最大ランド径を有する方向が、最下層のバイアホールと内層のバイアホールとで互いに反対方向である多層プリント配線板（図１８（ｂ）参照）を得た。
【０１６０】
（比較例１）
スタックビア構造を有するバイアホールにおいて、そのランド径が全て３５μｍとなるようにした以外は、実施例２と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６１】
（比較例２）
スタックビア構造を有するバイアホールにおいて、そのランド径が全て３５μｍとなるようにした以外は、実施例４と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６２】
実施例１〜６および比較例１、２で得られた多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験前後のスタックビア構造を有するバイアホールの断面の形状観察、および、導通試験を行った。
【０１６３】
評価方法
（１）ヒートサイクル試験
−６５℃で３分間および１３０℃で３分間放置するサイクルを１０００サイクル繰り返した。
（２）導通試験
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後にチェッカを用いて導通試験を行い、モニターに表示された結果から導通状態を評価した。
【０１６４】
（３）形状観察
多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル試験前後に、スタックビア構造を有するバイアホールを通るように多層プリント配線板を切断し、その断面を倍率１００〜４００倍の光学顕微鏡を用いて観察した。
【０１６５】
その結果、実施例１〜６の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験前後で、短絡や断線は発生しておらず、導通状態は良好であった。また、断面の形状観察においては、層間樹脂絶縁層でのクラックの発生や、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離の発生は観察されなかった。
【０１６６】
一方、比較例１および２の多層プリント配線板では、ヒートサイクル試験後に、短絡や断線に起因する導通不良が発生していた。
断面の形状観察においては、ヒートサイクル試験後に、最外層のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成領域の下方領域にクラックが発生しており、また、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間で剥離が発生していた。
【０１６７】
【発明の効果】
以上説明したように、第一〜第三の本発明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造となるように形成されているため、導体回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易い。
また、上記多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なるため、ランド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上し、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でのクラックの発生を回避することができる。
また、第二および第三の多層プリント配線板では、スルーホール上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成されているため、より一層、信号電送時間を短縮することができるともに、高密度配線により対応し易い。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図３】（ａ）は、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【図４】第二の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図５】第三の本発明の多層プリント配線板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】（ａ）は、本発明の多層プリント配線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図である。
【図１９】（ａ）は、従来の多層プリント配線板の一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
１、２１  基板
８、２８  銅箔
４、２４  下層導体回路
９、２９  スルーホール
６、２６  バイアホール用開口
１２、３２  薄膜導体層
３、２３  めっきレジスト
１３、３３  電解めっき膜
２、２２  層間樹脂絶縁層
１０、３０  樹脂充填材
３１  蓋めっき層
１４、３０  ソルダーレジスト層
１７、３７  半田バンプ
【図１】
0004817516.tif 000002
【図２】
0004817516.tif 000003
【図３】
0004817516.tif 000004
【図４】
0004817516.tif 000005
【図５】
0004817516.tif 000006
【図６】
0004817516.tif 000007
【図７】
0004817516.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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