(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘電率２．８以下、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率２から１５ＧＰａ、硬さ０．２から２ＧＰａ、凝集強度１．７から４．５Ｊ／ｍ２、水中亀裂発達速度が１．１から２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の誘電体材料を生成する方法において、
（１）ＰＥＣＶＤツール内のウェハー・チャックを１００℃乃至４２５℃に加熱し、
（２）前記ウェハ・チャック上に基板を配置し、
（３）希ガスとＳｉＣＯＨ前駆物質の混合体の圧力を０．１乃至１０トルに維持し、前記前駆物質は、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）またはオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）、ジエチルメトキシシラン （ＤＥＤＭＯＳ）、ならびに関連環状および非環状シラン、シロキサンのいずれか１つを含み、
（４）前記前駆物質の流量を５０乃至３５００ｍｇ／分に維持し、
（５）前記ＰＥＣＶＤツールのガス導入プレートに周波数０．２６、０．３５、０．４５若しくは１３．６ＭＨｚ、電力２００乃至４５０Ｗの高周波エネルギを印加して誘電体材料を前記基板に付着させ、
（６）前記誘電体付着後の処理として、熱エネルギー及び化学作用、電子ビーム、マイクロ波またはプラズマ・エネルギー源の少なくとも１つの第２のエネルギ源からの放射を印加する、前記方法。
【請求項２】
前記誘電体材料が、共有結合３次元ネットワーク構造を有する、請求項１に記載の生成方法。
【請求項３】
前記共有結合３次元ネットワーク構造がさらに、付着後の処理を用いて、ネットワークＳｉ−Ｏ強度に対するケージＳｉ−Ｏ強度の比が低下するＦＴＩＲ吸光度スペクトルを生み出すＳｉ−Ｏ結合を含む、請求項２に記載の生成方法。
【請求項４】
前記誘電体材料の水との接触角が７０°超である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体材料がナノメートル・サイズの多数の細孔を含む、請求項１に記載の方法。    
【請求項６】
第２の前駆物質をさらに含み、前記第２の前駆物質が、環構造を有する分子と、炭化水素環に結合した枝分れ第三級ブチル基またはイソプロピル基を含む分子とからなるグループから選択された炭化水素分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の前駆物質が酸素を含む炭化水素分子である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の前駆物質が酸化シクロペンタン酸化物である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第３の前駆物質をさらに含み、前記第３の前駆物質がゲルマニウム水素化物またはＧｅ源を含む他の反応物である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応装置に酸化剤を供給するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記前駆物質の流量が５０乃至３５００ｍｇ／分に維持される、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、低い誘電率（dielectric constant）（ｋ）を有する、Ｃドープ酸化
物（Cdoped oxide：ＣＤＯ）または有機ケイ酸塩ガラス（organosilicate glass：ＯＳＧ
）とも呼ばれるＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子（ＳｉＣＯＨ）を含む誘電体材料の種類（clas
s）、この材料から膜を製造する方法、およびこのような膜を含む電子デバイスに関する
。詳細には本発明は、超大規模集積（ＵＬＳＩ）の後工程（ＢＥＯＬ：back-end-of-the-
line）配線構造における層内（intralevel）または層間（interlevel）誘電体膜、誘電体
キャップあるいはハード・マスク／研磨止めとしてこのような誘電体材料を使用すること
、このような膜を含む電子デバイス構造、ならびにこのような膜および構造の製造方法に
関する。
【背景技術】
【０００２】
ＵＬＳＩ回路内で利用される電子デバイスの寸法の近年の絶え間ない縮小の結果、ＢＥ
ＯＬメタライゼーションの抵抗ならびに層内および層間絶縁膜の静電容量は増大した。こ
の両方の効果によってＵＬＳＩ電子デバイス内の信号遅延は増大する。将来のＵＬＳＩ回
路のスイッチング性能を向上させるため、静電容量を低減させる低誘電率（低ｋ）絶縁体
、特に酸化シリコンよりもかなり低いｋを有する低ｋ絶縁体が求められている。低いｋ値
を有する誘電体材料（すなわち誘電体）は市販されている。例えばそのような材料の１つ
が、ｋ値２．０を有するポリテトラフルオロエチレン（「ＰＴＦＥ」）である。しかしこ
れらの誘電体材料は、３００〜３５０℃を超える温度に暴露したときに熱的に不安定であ
る。これらの誘電体をＵＬＳＩチップに組み込むためには少なくとも４００℃での熱安定
性が必要である。したがって、組込みの間にこれらの誘電体は役に立たないものになる。
【０００３】
ＵＬＳＩデバイスへの応用が検討された低ｋ材料には、メチルシロキサン、メチルシル
セスキオキサン、他の有機および無機ポリマー（polymer）などのＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨ
元素を含むポリマー（重合体）が含まれる。例えば、論文（エヌ・ハッカー（N. Hacker
）他「酸化シリコン・ベースの新しい低誘電率スピンオン誘電体の特性（Propertiesof n
ew low dielectric constant spin-on silicon oxide based dielectrics）」、Mat.Res.
Soc. Symp. Proc. 476 (1997): 25）には、この熱安定性の要件を満たすように見える材
料が記載されている。しかしこれらの材料の一部は、スピンオン法によって膜を準備する
と、相互接続構造に組み込むために必要な厚さに達したときに、亀裂を容易に伝播させる
。さらに、前駆（precursor）物質は高価であり、大量生産で使用するにはコストがかか
りすぎる。これとは対照的に、超大規模集積回路（「ＶＬＳＩ」）チップおよびＵＬＳＩ
チップの製造ステップの大部分は、プラズマ強化化学的気相堆積法または物理的気相堆積
法によって実施される。容易に使用可能な処理装置を使用したプラズマ強化化学的気相堆
積法（「ＰＥＣＶＤ」）によって低ｋ材料を製造できることによって、製造プロセスへの
材料の組込みが単純化され、製造原価が低減し、有害廃棄物が減る。
【０００４】
したがって、設置済みの使用可能な処理装置を使用したプラズマ強化化学的気相堆積法
（「ＰＥＣＶＤ」）によって低ｋ材料を製造できると、製造プロセスへの材料の組込みが
単純化され、製造原価が低減し、有害廃棄物が減る。米国特許第６，１４７，００９号お
よび第６，４９７，９６３号には、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ元素からなり、３．６以下の誘
電率を有し、非常に小さい亀裂伝播速度を示す低誘電率材料が記載されている。
【０００５】
米国特許第６，３１２，７９３号、第６，４４１，４９１号および第６，４７９，１１
０Ｂ２号には、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ元素から構成された基質（matrix）からなり、１つ
の相（phase）が主にＣとＨからなり、３．２以下の誘電率を有する多相低ｋ誘電体材料
が記載されている。
【０００６】
当技術分野では、２．７未満（好ましくは２．３未満）の誘電率を有する超低ｋ膜も知
られている。従来技術の超低ｋ膜の大きな問題は、ＵＬＳＩデバイスにこのような膜を組
み込んだときに、組み込まれた膜が、不良な機械特性（引張応力、弾性率、硬さ、凝集強
度（cohesive strength）および水中亀裂速度（crack velocity in water））を示すこと
である。
【０００７】
従来技術の低ｋおよび超低ｋ膜の上記の欠点を考慮すれば、約２．８以下の誘電率の値
を有し、その誘電膜をＵＬＳＩデバイス内で使用することができる特定の機械特性を有す
る、安定したＳｉＣＯＨ誘電体の種類を開発する必要がある。
【特許文献１】米国特許第６，１４７，００９号
【特許文献２】米国特許第６，３１２，７９３号
【特許文献３】米国特許第６，４４１，４９１号
【特許文献４】米国特許第６，４３７，４４３号
【特許文献５】米国特許第６，４４１，４９１号
【特許文献６】米国特許第６，５４１，３９８号
【特許文献７】米国特許第６，４７９，１１０Ｂ２号
【特許文献８】米国特許第６，４９７，９６３号
【特許文献９】米国特許第６，７６８，２００号
【特許文献１０】米国特許第６，７７０，５７３号
【特許文献１１】米国特許出願第１０／３９０，８０１号
【非特許文献１】エヌ・ハッカー（N. Hacker）他、Mat. Res. Soc.Symp. Proc. 476 (1997): 25
【非特許文献２】エム・ダブリュー・レーン（M. W. Lane）、Annu. Rev.Mater. Res. 2003、33、29〜54ページ
【非特許文献３】アール・エフ・クック（R. F. Cook）およびイー・ジー・ライナイジャ（E.G. Liniger）、Mat. Res. Soc. Symp. Proc.、511巻、1998、171
【非特許文献４】アール・エフ・クック（R. F. Cook）およびイー・ジー・ライナイジャ（E.G. Liniger）、E.C.S. Proc.、98-3巻、1998、129
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
幅広いＳｉＣＯＨ材料類（クラス）中で、本発明の出願人は、水蒸気または集積化処理
によって劣化せず、ダイシングおよびパッケージングの機械および熱応力に耐えた完成集
積回路チップを与える安定した誘電体膜が得られる特定の機械特性（引張応力、弾性率、
硬さ、凝集強度および水中亀裂速度）値を求めた。対照的に、同じ機械特性の他の望まし
くない値は、周囲の湿気および集積化処理によって劣化する不安定なＳｉＣＯＨ膜を与え
る。望ましくない他の機械特性は、ダイシングおよびパッケージングの間に亀裂を形成す
るチップを与える。本出願の出願人はさらに、本出願のＳｉＣＯＨ誘電体をＢＥＯＬ相互
接続誘電体として使用して信頼性の高い正常な半導体集積回路（ＩＣ）デバイスを作るの
に必要な他の膜特性（疎水性および細孔のサイズ）を確認した。
【０００９】
本発明の１つの目的は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ元素（以下「ＳｉＣＯＨ」）を含み、２
．８以下の誘電率を有し、特定の望ましい機械特性の組合せを有する、低ｋまたは超低ｋ
誘電率の材料を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｈ、Ｃ−ＨおよびＣ−Ｃ共有結合を
含む共有結合３次元（tri-dimensional）ネットワーク構造（network structure）を有す
るＳｉＣＯＨ誘電体材料を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、２．８以下の誘電率を有し、水中での亀裂形成に対する耐性を含
めてＨ２Ｏ蒸気（湿度）への暴露に対して非常に安定である、ＳｉＣＯＨ誘電体材料を提
供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、本発明の安定したＳｉＣＯＨ材料をＢＥＯＬ配線構造中の層内ま
たは層間誘電体として含む、電子デバイス構造を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、本発明の機械特性と安定性の組合せを有するＳｉＣＯＨ誘電体材
料を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
広義には、本発明は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘電率約２．８以下、引張応力４
５ＭＰａ未満、弾性率約２から約１５ＧＰａ、硬さ約０．２から約２ＧＰａの安定した低
ｋまたは超低ｋ誘電体材料を提供する。本発明の安定した低ｋまたは超低ｋ誘電体材料は
さらに、約１．７から約４．５Ｊ／ｍ２の凝集強度（cohesive strength）、および約１
．１から約２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度
（crackdevelopment velocity）を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第１の実施形態では、誘電率２．７、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約９か
ら約１５ＧＰａ、硬さ約０．５から約２ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体材料
が提供される。さらに、本発明の第１の実施形態のＳｉＣＯＨ誘電体材料は約４．０から
約４．５Ｊ／ｍ２の凝集強度、および２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／
秒以下の水中亀裂発達速度を有する。
【００１６】
本発明の第２の実施形態では、誘電率２．６、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約８か
ら約１３ＧＰａ、硬さ約０．４から約１．９ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体
材料が提供される。本発明の第２の実施形態のＳｉＣＯＨ誘電体材料はさらに、約４．０
から約４．５Ｊ／ｍ２の凝集強度、および２．７ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０
ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度を有する。
【００１７】
本発明の第３の実施形態では、誘電率２．５、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約７か
ら約１２ＧＰａ、硬さ約０．３５から約１．８ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電
体材料が提供される。本発明の第３の実施形態の誘電体材料はさらに、約２．５から約３
．９Ｊ／ｍ２の凝集強度、および２．５ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以
下の水中亀裂発達速度を有することを特徴とすることができる。
【００１８】
本発明の第４の実施形態では、誘電率２．４、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約６か
ら約１１ＧＰａ、硬さ約０．３から約１．７ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体
材料が提供される。本発明の第４の実施形態の誘電体材料によって、約２．４から約３．
８Ｊ／ｍ２の凝集強度、および２．３ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下
の水中亀裂発達速度が提供される。
【００１９】
本発明の第５の実施形態では、誘電率２．３、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約５か
ら約１０ＧＰａ、硬さ約０．２５から約１．６ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電
体材料が提供される。本発明の第５の実施形態の誘電体材料は、約２．２から約３．７Ｊ
／ｍ２の凝集強度を有し、１．９ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水
中亀裂発達速度が提供される。
【００２０】
本発明の第６の実施形態では、誘電率２．２、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約４か
ら約９ＧＰａ、硬さ約０．２から約１．５ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体材
料が提供される。第６の実施形態のＳｉＣＯＨ誘電体材料は、この実施形態の誘電体材料
は約２．０から約３．５Ｊ／ｍ２の凝集強度、および１．５ミクロンの膜厚に対して１×
１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度を有する。
【００２１】
本発明の第７の実施形態では、誘電率２．１、引張応力約２０から約３５ＭＰａ、弾性
率約３から約８ＧＰａ、硬さ約０．２から約１．４ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ
誘電体材料が提供される。本発明のこの実施形態ではＳｉＣＯＨ誘電体材料が、約１．８
から約３．４Ｊ／ｍ２の凝集強度、および１．３ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０
ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度を有する。
【００２２】
本発明の第８の実施形態では、誘電率２．０、引張応力約２０から約３５ＭＰａ、弾性
率約２から約７ＧＰａ、硬さ０．２ＧＰａの安定した超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体材料が提
供される。本発明の第８の実施形態のＳｉＣＯＨ誘電体材料では、約１．７から約３．３
Ｊ／ｍ２の凝集強度、および１．１ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の
水中亀裂発達速度が観察される。
【００２３】
以上の特性に加えて、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は疎水性であり、７０°超、より
好ましくは８０°超の水との接触角を有する。
【００２４】
本発明はさらに、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘電率約２．８以下、引張応力４５Ｍ
Ｐａ未満、弾性率約２から約１５ＧＰａ、硬さ約０．２から約２ＧＰａの少なくとも１つ
の安定した低ｋまたは超低ｋ誘電体材料を相互接続構造の誘電体として含む電子デバイス
構造に関する。
【００２５】
本発明の誘電体材料は、電子デバイス構造中の層間または層内誘電体、キャップ層、お
よび／またはハード・マスク／研磨ストップ層として使用することができる。
【００２６】
具体的には、本発明の電子デバイス構造は前処理された半導体基板を含み、この基板が
、ａ）第１の絶縁材料層の中に埋め込まれた第１の金属領域と、ｂ）第２の絶縁材料層の
中に埋め込まれた第１の導体領域であって、第２の絶縁材料層が第１の絶縁材料層と密に
接触し、第１の導体領域が第１の金属領域と電気的に連結する第１の導電領域と、ｃ）第
１の導体領域と電気的に連結し第３の絶縁材料層の中に埋め込まれた第２の導体領域とを
有し、第３の絶縁材料層が第２の絶縁材料層と密に接触している。
【００２７】
上記構造では、それぞれの絶縁層が、本発明の低ｋまたは超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体材
料を含むことができる。
【００２８】
この電子デバイス構造はさらに、第１の絶縁材料層と第２の絶縁材料層の間に位置する
誘電体キャップ層を含むことができ、さらに、第２の絶縁材料層と第３の絶縁材料層の間
に位置する誘電体キャップ層を含むことができる。この電子デバイス構造はさらに、第２
の絶縁材料層と第３の絶縁材料層の間の第１の誘電体キャップ層、および第３の絶縁材料
層の上の第２の誘電体キャップ層を含むことができる。
【００２９】
誘電体キャップ材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭窒化シリコ
ン（ＳｉＣＮ）、高融点金属窒化シリコン（高融点金属はＴａ、Ｚｒ、ＨｆまたはＷ）、
炭化シリコン、炭化酸化シリコン（silicon carbo-oxide）、炭素ドープ酸化物、および
これらの水素化物または窒化物の中から選択することができる。いくつかの実施形態では
、誘電体キャップ自体、本発明の低ｋまたは超低ｋのＳｉＣＯＨ誘電体材料を含み得る。
第１および第２の誘電体キャップ層は、同じグループの誘電体材料から選択することがで
きる。第１の絶縁材料層は、酸化シリコンまたは窒化シリコン、あるいはＰＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのドープされた酸化シリコンまたはドープされた窒化シリコンとすることができる
。
【００３０】
この電子デバイス構造はさらに、第２の絶縁材料層と第３の絶縁材料層のうちの少なく
とも一方の上に付着させた誘電体材料からなる拡散バリア（diffusion barrier）層を含
むことができる。この電子デバイス構造はさらに、ＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ
層として使用する第２の絶縁材料層の上の誘電体層、および誘電体ＲＩＥハード・マスク
／研磨ストップ層の上の誘電体拡散バリア層を含むことができる。この電子デバイス構造
はさらに、第２の絶縁材料層の上の第１の誘電体ＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層
と、第１の誘電体研磨ストップ層の上の第１の誘電体ＲＩＥ拡散バリア層と、第３の絶縁
材料層の上の第２の誘電体ＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層と、第２の誘電体研磨
ストップ層の上の第２の誘電体拡散バリア層を含むことができる。誘電体ＲＩＥハード・
マスク／研磨ストップ層を、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料で構成することもできる。
【００３１】
本発明はさらに、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘電率約２．８以下、引張応力４５Ｍ
Ｐａ未満、弾性率約２から約１５ＧＰａ、硬さ約０．２から約２ＧＰａの安定した低ｋま
たは超低ｋ誘電体材料を製造する様々な方法に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
先に述べたとおり、本発明は、共有結合３次元ネットワーク中にＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨ
元素を含む水素化酸化シリコン炭素材料（hydrogenated oxidized silicon carbon）（Ｓ
ｉＣＯＨ）のマトリックス（matrix：基質）を含み、約２．８以下の誘電率を有する（多
孔質または非多孔質の）新しい誘電体材料の種類（class：類）を提供する。用語「３次
元ネットワーク」は本出願の全体を通じて、ｘ、ｙおよびｚ方向に相互接続しかつ相互に
関係づけられたシリコン、炭素、酸素および水素を含むＳｉＣＯＨ誘電体材料を示す目的
に使用される。本発明の誘電体材料は重合体（ポリマー）材料ではなく、その代わりに、
共有結合したネットワークを含むランダムな３次元構造を備えていることに留意されたい
。この共有結合ネットワークはＳｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｃ、Ｓｉ−Ｈ、Ｃ−ＨまたはＣ−Ｃ結合
を含むことができる。
【００３３】
本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は、約５から約４０原子百分率、より好ましくは約１０
から約２０原子百分率のＳｉ、約５から約４５原子百分率、より好ましくは約１０から約
３０原子百分率のＣ、約０から約５０原子百分率、より好ましくは約１０から約３５原子
百分率のＯ、および約１０から約５５原子百分率、より好ましくは約２０から約４５原子
百分率のＨを含む。
【００３４】
いくつかの実施形態では、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料がさらにＦおよびＮを含むこ
とができる。本発明の他の実施形態では、ＳｉＣＯＨ誘電体材料が任意選択で、Ｇｅ原子
によって部分的に置換されたＳｉ原子を有することができる。本発明の誘電体材料中に存
在してもよいこれらの任意選択の元素の量は、これらの任意選択の元素を含み、付着時に
使用される前駆物質の量によって決まる。
【００３５】
本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は、直径約０．３から約５０ナノメートル、最も好まし
くは直径約０．４から約５ナノメートルの分子スケールの空隙（すなわちナノメータ・サ
イズの細孔）を含むことが好ましい。これらの空隙はＳｉＣＯＨ誘電体材料の誘電率をさ
らに低下させる。このナノメータ・サイズの細孔（pore）の体積は材料の体積の約０．５
％から約５０％を占める。
【００３６】
本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は、少なくともＳｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含み、水蒸気ま
たは集積化処理によっても劣化しない安定した低ｋまたは超低ｋ膜を与える特定の特性群
（引張応力、弾性率、硬さ、凝集強度および水中亀裂速度）を有する、誘電体材料である
。具体的には、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は少なくとも３５０℃の温度に対して安定
である。
【００３７】
広義には、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は、約２．８以下の誘電率、４５Ｍｐａ未満
の引張応力または圧縮応力、約２から約１５ＧＰａの弾性率、約０．２から約２ＧＰａの
硬さを有する。本発明の誘電体材料はさらに、約１．７から約４．５Ｊ／ｍ２の凝集強度
を有し、約１．１から約２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中
亀裂発達速度を有することを特徴とすることができる。
【００３８】
本発明では、引張応力を、Ｓｉウェハ全体の曲率（curvature）を測定することによっ
て（Ｆｌｅｘｕｓツールまたは当技術分野で周知の他のツールを使用）、または静電容量
測定を使用して小さなＳｉストリップ（strip）の曲率を測定してＳｉストリップの偏向
（deflection）を観察することによって測定する。当技術分野で知られているとおり、従
来の引張応力は正の符号（＞０）を、圧縮応力は負の符号を有し、そのため、４５ＭＰａ
未満の引張応力と指定されたときには圧縮応力（＜０）も含まれる。したがって「４５Ｍ
Ｐａ未満の引張応力」という表現には圧縮応力も含まれることに留意されたい。弾性率お
よび硬さは、当技術分野で知られているナノインデンテーション（nanoindentation）に
よって測定する。凝集強度は、４点ベンド装置（4point bend apparatus）およびエム・
ダブリュー・レーン（M. W. Lane）、「界面破損（Interface Fracture）」、Annu.Rev.
Mater. Res. 2003、33、29〜54ページに記載されている発表された文献の手順を使用して
測定する。亀裂速度は、アール・エフ・クック（R.F. Cook）およびイー・ジー・ライナ
イジャ（E. G. Liniger）、Mat. Res. Soc. Symp. Proc.、511巻、1998、171およびアー
ル・エフ・クック（R.F. Cook）およびイー・ジー・ライナイジャ（E. G. Liniger）、E.
C.S. Proc.、98-3巻、1998、129に記載の方法によって求める。
【００３９】
本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料はさらに、図１〜５に示すようなＦＴＩＲスペクトルを
有するという特徴を有する（図１〜５に示したＦＴＩＲスペクトルの詳細な説明は後記）
。本発明では、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料の共有結合３次元ネットワーク構造が、付
着後に処理するとネットワークＳｉ−Ｏピーク強度に対するケージ（cage）Ｓｉ−Ｏピー
ク強度の比が、他のＳｉＣＯＨ材料（例えば熱によって硬化させたＳｉＣＯＨ）に比べて
低下するＦＴＩＲ吸光度スペクトルを生み出すことができるＳｉ−Ｏ結合を有する。
【００４０】
本発明の第１の実施形態では、誘電率２．７、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約９か
ら約１５ＧＰａ、硬さ約０．５から約２ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料
が提供される。本発明の第１の実施形態のＳｉＣＯＨ誘電体は約４．０から約４．５Ｊ／
ｍ２の凝集強度を有し、２．８ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中
亀裂発達速度が提供される。
【００４１】
本発明の第２の実施形態では、誘電率２．６、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約８か
ら約１３ＧＰａ、硬さ約０．４から約１．９ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体
材料が提供される。この実施形態では、約４．０から約４．５Ｊ／ｍ２の凝集強度、およ
び２．７ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度が提供さ
れる。
【００４２】
本発明の第３の実施形態では、誘電率２．５、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約７か
ら約１２ＧＰａ、硬さ約０．３５から約１．８ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電
体材料が提供される。第３の実施形態の誘電体材料は約２．５から約３．９Ｊ／ｍ２の凝
集強度を有し、２．５ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達
速度が提供される。
【００４３】
本発明の第４の実施形態では、誘電率２．４、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約６か
ら約１１ＧＰａ、硬さ約０．３から約１．７ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体
材料が提供される。本発明のこの実施形態のＳｉＣＯＨを使用すると、約２．４から約３
．８Ｊ／ｍ２の凝集強度、および２．３ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以
下の水中亀裂発達速度が提供される。
【００４４】
本発明の第５の実施形態では、誘電率２．３、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約５か
ら約１０ＧＰａ、硬さ約０．２５から約１．６ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電
体材料が提供される。この実施形態の誘電体材料は約２．２から約３．７Ｊ／ｍ２の凝集
強度を有し、１．９ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速
度が提供される。
【００４５】
本発明の第６の実施形態では、誘電率２．２、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約４か
ら約９ＧＰａ、硬さ約０．２から約１．５ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材
料が提供される。この実施形態の誘電体材料は約２．０から約３．５Ｊ／ｍ２の凝集強度
を有し、１．５ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度が
提供される。
【００４６】
本発明の第７の実施形態では、誘電率２．１、引張応力約２０から約３５ＭＰａ、弾性
率約３から約８ＧＰａ、硬さ約０．２から約１．４ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ
誘電体材料が提供される。上記の特性を有する膜は、約１．８から約３．４Ｊ／ｍ２の凝
集強度、および１．３ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達
速度を提供する。
【００４７】
本発明の第８の実施形態では、誘電率２．０、引張応力約２０から約３５ＭＰａ、弾性
率約２から約７ＧＰａ、硬さ０．２ＧＰａの安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料が提
供される。本発明のこの実施形態では、約１．７から約３．３Ｊ／ｍ２の凝集強度、およ
び１．１ミクロンの膜厚に対して１×１０−１０ｍ／秒以下の水中亀裂発達速度が提供さ
れる。
【００４８】
下表１に、本発明の様々な実施形態の一覧を示す。
【００４９】
【表１】
0004833268.tif 000002
【００５０】
上記の特性に加え、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料は疎水性であり、水との接触角が７
０°超、より好ましくは８０°超である。
【００５１】
本発明の安定したＳｉＣＯＨ誘電体材料は一般に、プラズマ強化化学的気相堆積法（Ｐ
ＥＣＶＤ）を使用して付着（堆積）させる。ＰＥＣＶＤの他に本発明はさらに、化学的気
相堆積法（ＣＶＤ）、高密度プラズマ（ＨＤＰ）、パルスＰＥＣＶＤ、スピンオン塗布ま
たは他の関連方法を利用して、この安定したＳｉＣＯＨ誘電体材料を形成できることを企
図する。
【００５２】
この付着プロセスではＳｉＣＯＨ誘電体材料を、少なくともＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子
を含む第１の前駆物質（precursor）（液体、気体または蒸気）とＨｅ、Ａｒなどの不活
性キャリヤとを、反応装置（reactor）、好ましくはＰＥＣＶＤ反応装置内に供給し、次
いで前記第１の前駆物質から生じる膜を適当な基板に、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料の
形成に有効な条件を利用して付着させることによって形成する。本発明はさらに、第１の
前駆物質をＯ２、ＣＯ２またはこれらの組合せなどの酸化剤（oxidizingagent）と混合し
、それによって反応装置内の反応物を安定させ、基板に付着した誘電体膜の均一性を向上
させることを含む。
【００５３】
第１の前駆物質に加えて、ＣおよびＨ原子ならびに任意選択でＯ、ＦおよびＮ原子を含
む第２の前駆物質（気体、液体または蒸気）を使用することができる。任意選択で、Ｇｅ
を含む第３の前駆物質（気体、液体または気体）を使用することもできる。
【００５４】
第１の前駆物質は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（「ＴＭＣ
ＴＳ」または「Ｃ４Ｈ１６Ｏ４Ｓｉ４」）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭ
ＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭ
ＯＳ）、ジエチルメトキシシラン（ＤＥＤＭＯＳ）、ならびに関連環状（cyclic）および
非環状（non-cyclic）シラン、シロキサンなど、ＳｉＣＯＨ成分を含む環構造（ring str
ucture）を有する有機分子の中から選択することが好ましい。
【００５５】
使用できる第２の前駆物質は炭化水素分子である。任意の炭化水素分子を使用すること
ができるが、第２の前駆物質は、環構造を有する炭化水素分子からなるグループ、好まし
くは分子中に２つ以上の環を有する炭化水素分子、または環に結合した枝分れ鎖（branch
ed chain）を有する炭化水素分子から選択することが好ましい。縮合環（fused ring）を
含み、そのうちの少なくとも１つの環がヘテロ原子、好ましくは酸素を含む種（species
）が特に有用である。これらの種のうち最も適当なのは、環にかなりのひずみを与えるサ
イズの環を含む種、すなわち３もしくは４員環、または７員環以上、あるいはその両方で
ある。特に興味深いのは、酸化シクロペンテン（「ＣＰＯ」または「Ｃ５Ｈ８Ｏ」）など
のオキサ二環式化合物（oxabicyclics）として知られている化合物類の化合物である。炭
化水素環に結合した枝分れ第三級ブチル（ｔ−ブチル）基およびイソプロピル（ｉ−プロ
ピル）基を含む分子も有用である。この環は飽和環でもまたは（Ｃ＝Ｃ二重結合を含む）
不飽和環でもよい。第３の前駆物質は、ゲルマニウム水素化物（germanehydride）から、
またはＧｅ源を含む他の任意の反応物から構成することができる。
【００５６】
本発明の方法はさらに、約８５ｃｍ２から約７５０ｃｍ２の基板チャックの導電性領域
、および基板と上部電極の間の約１ｃｍから約１２ｃｍの間隔を有する平行平板型反応装
置を準備するステップを含むことができる。一方の電極に、周波数約０．４５Ｍｚから約
２００Ｍｚの高周波ＲＦ電力を印加する。任意選択で、一方の電極に追加の低周波電力を
印加することもできる。
【００５７】
付着ステップで使用する条件は、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料の所望の最終誘電率に
応じて様々に変更することができる。大まかに言うと、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ元素を含む、誘
電率２．８、引張応力４５ＭＰａ未満、弾性率約２から約１５ＧＰａ、硬さ約０．２から
約２ＧＰａの安定した誘電体材料を得るために使用する条件には、基板温度を約３００℃
から約４２５℃にセットすること、高周波ＲＦ電力密度を約０．１Ｗ／ｃｍ２から約１．
５Ｗ／ｃｍ２にセットすること、第１の液体前駆物質の流量を約１００ｍｇ／分から約５
０００ｍｇ／分にセットすること、任意選択で、第２の液体前駆物質の流量を約５０ｍｇ
／分から約１０，０００ｍｇ／分にセットすること、任意選択で、第３の液体前駆物質の
流量を約２５ｍｇ／分から約４０００ｍｇ／分にセットすること、任意選択で、ヘリウム
（またはアルゴン、あるいはその両方）などの不活性キャリヤ・ガスの流量を約５０ｓｃ
ｃｍから約５０００ｓｃｃｍにセットすること、反応装置圧力を約１０００ミリトルから
約７０００ミリトルにセットすること、および高周波ＲＦ電力を約７５Ｗから約１０００
Ｗにセットすることが含まれる。任意選択で、約３０Ｗから約４００Ｗの超低周波電力を
プラズマに加えることができる。基板チャックの導電性領域をＸ倍にするときには、基板
チャックに印加するＲＦ電力もＸ倍にする。
【００５８】
本発明で酸化剤を使用するときには、約１０ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍの流量で
ＰＥＣＶＤ反応装置内に流入させる。
【００５９】
上記の例では液体前駆物質を使用するが、当技術分野では（トリメチルシランなどの）
有機シリコン気相前駆物質を付着に使用できることが知られている。
【００６０】
上記のプロセスによって得られた膜を本明細書では「付着膜（as depositedfilm）」と
呼ぶ。表１のＳｉＣＯＨ誘電体を得るための条件については、後の実施例の項で詳細に説
明する。
【００６１】
付着に続いて、任意選択で、エネルギー源を使用してこの「付着膜」を処理して、膜を
安定させ、その（電気、機械、接着）特性を向上させて、最適な最終的な膜を得る。適当
なエネルギー源には、熱、化学作用、紫外（ＵＶ）光、電子ビーム（ｅビーム）、マイク
ロ波およびプラズマ源が含まれる。本発明では上記のエネルギー源の組合せを使用するこ
ともできる。本発明で使用するエネルギー源を利用して、「付着ＳｉＣＯＨ誘電体」のＳ
ｉ−Ｏ結合ネットワークを変更（modify）し、材料中の他の結合を変更し、より多くのＳ
ｉ−Ｏ架橋（cross-linking）を生じさせ、いくつかのケースでは炭化水素相（phase）を
除去する。上記の変更はすべて、より高い弾性率、より高い硬さまたはより低い内部応力
を与え、あるいはこれらの特性の組合せを達成する。より高い弾性率によっても、または
より低い内部応力によっても亀裂伝播速度は小さくなり、このエネルギー処理の好ましい
結果は、より高い弾性率とより低い内部応力の組合せである。
【００６２】
熱エネルギー源には、付着させた誘電体材料を約３００℃から約５００℃の温度まで加
熱することができる任意の源、例えば発熱体またはランプが含まれる。熱エネルギー源が
、付着させた誘電体材料を約３５０℃から約４３０℃の温度まで加熱することができるこ
とがより好ましい。この熱処理プロセスは様々な時間で実施することができるが、一般に
約１分から約３００分である。この熱処理ステップは一般に、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガ
スの存在下で実行される。この熱処理ステップをアニール・ステップと呼ぶことができ、
このステップでは、急（rapid）熱アニール、炉アニール、レーザ・アニールまたはスパ
イク・アニール条件が使用される。
【００６３】
ＵＶ光処理ステップは、波長約５００から約１５０ｎｍの光を発して基板を照射するこ
とができる源を利用して実行し、このときウェハ温度は２５℃から５００℃、好ましくは
３００℃から４５０℃に維持する。重要な結合を解離させ活性化させるには＞３７０ｎｍ
の放射光エネルギーは不十分であり、そのため、好ましい波長範囲は１５０〜３７０ｎｍ
である。文献データおよび「付着膜」で測定した吸光度スペクトル（absorbance spectru
m）を使用して、本発明の発明者は、ＳｉＣＯＨ膜が劣化するため＜１７０ｎｍの放射光
は好都合でない可能性があることを見い出した。さらに、エネルギー範囲３１０〜３７０
ｎｍは、光子あたりのエネルギーが相対的に低いため、範囲１５０〜３１０ｎｍほど有効
ではない。１５０〜３１０ｎｍ範囲では、任意選択で、「付着膜」の吸光度スペクトルと
（疎水性などの）膜特性の最小劣化の最適なオーバーラップを使用して、ＳｉＣＯＨ特性
を変更するのに最も有効なＵＶスペクトル領域を選択することができる。
【００６４】
電子ビーム処理ステップは、ウェハ一面に均一な電子束（electron flux）を生み出す
ことができる、エネルギー０．５から２５ｋｅＶ、電流密度０．１から１００マイクロア
ンペア／ｃｍ２（好ましくは１から５マイクロアンペア／ｃｍ２）の源を利用して実行し
、このときウェハ温度は２５℃から５００℃、好ましくは３００℃から４５０℃に維持す
る。電子ビーム処理ステップで使用する好ましい電子照射量（dose）は、５０から５００
マイクロクーロン／ｃｍ２、好ましくは１００から３００マイクロクーロン／ｃｍ２であ
る。
【００６５】
プラズマ処理ステップは、原子水素（Ｈ）および任意選択でＣＨ３または他の炭化水素
ラジカルを生成することができる源を利用して実行する。直接プラズマ暴露よりもダウン
ストリーム・プラズマ源（downstream plasma source）のほうが好ましい。プラズマ処理
の間、ウェハ温度は２５℃から５００℃、好ましくは３００℃から４５０℃に維持する。
【００６６】
プラズマ処理ステップは、プラズマを発生させることができるガスを反応装置に導入す
ることによって実行し、その後にこのガスをプラズマに変化させる。プラズマ処理に使用
できるガスにはＡｒ、Ｎ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｋｒなどの不活性ガス（Ｈｅガスが好ましい）、
水素またはその他の原子水素源、メタン、メチルシラン、その他のＣＨ３基源、およびこ
れらの混合物が含まれる。プラズマ処理ガスの流量は、使用している反応装置系に応じて
様々に変更することができる。チャンバ圧は０．０５から２０トルとすることができるが
、好ましい圧力操作範囲は１から１０トルである。プラズマ処理ステップは一般に約１／
２分から約１０分実施する。しかし本発明ではより長い時間を使用することもできる。
【００６７】
上記プラズマの発生には一般にＲＦまたはマイクロ波電力源を使用する。ＲＦ電力源は
、高周波範囲（約１００Ｗ以上）または低周波範囲（２５０Ｗ未満）、あるいはこれらを
組み合わせて用いることができる。高周波電力密度は０．１から２．０Ｗ／ｃｍ２とする
ことができるが、好ましい動作範囲は０．２から１．０Ｗ／ｃｍ２である。低周波電力密
度は０．１から１．０Ｗ／ｃｍ２とすることができるが、好ましい動作範囲は０．２から
０．５Ｗ／ｃｍ２である。露出した誘電体表面の著しいスパッタ・エッチングを防ぐ（除
去を＜５ナノメートルにする）ため、選択する電力レベルは十分に低くなければならない
。
【００６８】
本発明によれば、本発明の安定したＳｉＣＯＨ誘電体材料の製造には以下に挙げるいく
つかのステップを組み合わせる必要がある場合がある。
【００６９】
第１のステップでは、本明細書に記載した特定の値範囲の付着ツール・パラメータを使
用して、基板に材料を付着させ、「付着膜」を形成する。
【００７０】
熱、ＵＶ光、電子ビーム照射またはこれらの組合せを使用して材料を硬化（cure）させ
、または処理して、本明細書に記載した所望の機械特性および他の特性を有する最終的な
膜を形成する。
【００７１】
当技術分野で周知のとおり、本発明のこの２つのプロセス・ステップは、単一のプロセ
ス・ツール上にクラスタ化された別個の２つのプロセス室内で実行される。あるいはこれ
らの２つのプロセス室を別個のプロセス・ツールに配置することもできる（「クラスタ分
離化」）。多孔質ＳｉＣＯＨ膜を得るため、硬化ステップは、誘電体材料と一緒に付着さ
せた犠牲炭化水素（ポロゲン（porogen））成分の除去を含むことができる。本発明で使
用できる適当な犠牲炭化水素成分には先に述べた第２の前駆物質が含まれる。ただしこれ
に限定されるわけではない。前記第２の前駆物質については実施例３に記載されている。
【実施例１】
【００７２】
ｋ＝２．７の実施例
好ましい１つのプロセス実施形態では、ＰＥＣＶＤツールの中の３００℃〜４２５℃、
好ましくは３５０℃に加熱されたウェハ・チャック上に３００ｍｍ基板を配置する。本発
明では任意のＰＥＣＶＤ付着反応装置を使用することができる。次いで、気体および液体
前駆物質の流量を安定させて圧力が６トルに達するようにする。ただし１〜１０トルの圧
力を使用することができる。
【００７３】
ガスの組成は、ＨｅまたはＡｒ、ＳｉＣＯＨ前駆物質、および任意選択のＯ２またはＣ
Ｏ２からなる。ＳｉＣＯＨ前駆物質は元素Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含み、好ましい前駆物
質には、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）またはオクタメチルシクロ
テトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジメチルジメ
トキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）、ジエチルメトキシシラン（ＤＥＤＭＯＳ）、ならびに関
連環状および非環状シラン、シロキサンなどが含まれる。好ましいプロセスでは、液体流
量２０００〜３５００ｍｇ／分（好ましくは２８００±３００ｍｇ／分）のオクタメチル
シクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、および流量１００〜２００ｓｃｃｍのＯ２を使
用する。ただし流量５０から３００ｓｃｃｍのＯ２を使用することもできる。好ましいＨ
ｅ流量は５００〜２０００ｓｃｃｍである。
【００７４】
好ましいプロセスでは、ガス導入プレート（「シャワーヘッド」）に、周波数１３．６
ＭＨｚ、電力約３５０Ｗ（２００〜４５０Ｗを使用することができる）の高周波エネルギ
ーを印加し、ウェハ・チャックに、周波数１３．６ＭＨｚ、電力約１００Ｗ（５０〜２０
０Ｗを使用することができる）の高周波エネルギーを印加する。当技術分野では周知のと
おり、本発明では異なるＲＦ周波数（０．２６、０．３５、０．４５ＭＨｚ）を使用する
こともできる。
【００７５】
付着後には任意選択で、（熱エネルギー源と第２のエネルギー源の両方を使用した）Ｓ
ｉＣＯＨ膜の処理を実行して、膜を安定させ、表１に示した特性を得る。第２のエネルギ
ー源は放射性源（ＵＶまたは電子ビーム）、または（プラズマ中に形成された水素原子ま
たは他の反応性ガスを使用する）化学作用源とすることができる。
【００７６】
熱エネルギーと第２のエネルギー源の両方を使用した処理によって、ＳｉＣＯＨ膜のＦ
ＴＩＲスペクトルのネットワークＳｉ−Ｏ吸光度とケージＳｉ−Ｏ吸光度の比が変化し、
具体的には、ネットワークＳｉ−Ｏ吸光度に対するケージＳｉ−Ｏ吸光度の比が低下する
。結果を図１および２に示す。図１では、曲線１が３５０℃で処理した後、曲線２が４１
０℃で処理した後である。図２では、すべての曲線が４１０℃で処理した後のものであり
、曲線５、６および７は、ネットワークＳｉ−Ｏ強度に対するケージＳｉ−Ｏ強度の比が
処理時間が長くなるにつれて低下することを示している。
【００７７】
好ましい一処理では、（上記のプロセスに従って付着させた膜を含む）基板を、制御さ
れた環境（真空または極めて高純度の不活性ガス。Ｏ２およびＨ２Ｏ濃度は＜１００パー
ツ・パー・ミリオン「ｐｐｍ」、好ましくは＜１０ｐｐｍ）を有する紫外（ＵＶ）処理ツ
ールの中に入れる。
【００７８】
本発明では、ＵＶ処理ツールを付着ツールに結合し（「クラスタ化」）、またはＵＶ処
理ツールを別個のツールとすることができる。ＵＶ処理ツールの中の３００℃から４５０
℃、好ましくは３５０℃から４００℃の高温のチャック上にサンプルを配置する。同時熱
アニール／ＵＶ放射処理を３０秒から１，０００秒、好ましくは１００秒から６００秒、
サンプルに行う。本発明のＵＶ処理では、１５０ｎｍから３７０ｎｍの波長範囲を使用す
ることができるが、エネルギー範囲２９０〜３７０ｎｍは、光子あたりのエネルギーが相
対的に低いため、範囲１５０〜２９０ｎｍほど有効ではない。１５０〜３７０ｎｍ範囲で
は、任意選択で、「付着膜」の吸光度スペクトルと（疎水性などの）膜特性の最小劣化の
最適なオーバーラップを使用して、ＳｉＣＯＨ特性を変更し、特性を向上させるのに最も
有効なＵＶスペクトル領域を選択することができる。電力は一般に１〜１０キロワット、
好ましくは２〜５キロワットである。
【００７９】
代替実施形態では、先に示した温度までランプで基板を加熱する。さらに代替実施形態
では、第２のエネルギー源に化学作用、電子ビーム、マイクロ波またはプラズマ・エネル
ギー源が含まれる。ただしこれらに限定されるわけではない。
【００８０】
この処理の結果は、前表１の１列（行）目に示した特性を有するＳｉＣＯＨ材料である
。
【実施例２】
【００８１】
ｋ＝２．５〜２．６の実施例
ｋ＝２．５〜２．６の本発明のＳｉＣＯＨ材料を製造するためには、小さな変更を加え
た第１の実施例と同様のプロセスを使用する。具体的には、圧力を６トルよりも高くし、
ＳｉＣＯＨ  ＯＭＣＴＳ前駆物質の流量を約１５００〜３０００ｍｇ／分まで下げ、シャ
ワーヘッドのＲＦ電力をわずかに低くする（１０〜２０％減）。ウェハ・チャックのＲＦ
電力を２０〜５０％引き下げることが重要である。
【実施例３】
【００８２】
ｋ＝２．４〜２．２の実施例
好ましい１つのプロセス実施形態では、ＰＥＣＶＤツールの中の１００℃〜４００℃、
好ましくは２００℃〜３５０℃に加熱されたウェハ・チャック上に３００ｍｍ基板を配置
する。一般に、アプライド・マテリアルズ（Applied Materials）社製のプロデューサ（P
roducer）（Ｒ）、ノーベラス・システムズ（NovellusSystems）社製のベクタ（Vector）
（Ｒ）などのツールを使用するが、本発明では任意のＰＥＣＶＤ付着反応装置を使用する
ことができる。
【００８３】
次いで、気体および液体前駆物質の流量を安定させて圧力が１トルから６トルに達する
ようにする。ただし０．１〜１０トルの圧力を使用することができる。ガスの組成は、Ｓ
ｉＣＯＨ前駆物質、炭化水素ベースの第２の前駆物質およびＨｅまたはＡｒからなる。任
意選択でＯ２またはＣＯ２も使用する。ＳｉＣＯＨ前駆物質は元素Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ
を含み、好ましい前駆物質には、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）ま
たはオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（Ｄ
ＥＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）、ジエチルメトキシシラン（ＤＥ
ＤＭＯＳ）、ならびに関連環状および非環状シラン、シロキサンなどが含まれる。
【００８４】
米国特許第６，１４７，００９号、第６，３１２，７９３号、第６，４４１，４９１号
、第６，４３７，４４３号、第６，４４１，４９１号、第６，５４１，３９８号、第６，
４７９，１１０Ｂ２号および第６，４９７，９６３号に記載のプロセスを使用することが
できる。
【００８５】
第２の炭化水素前駆物質は有機分子、好ましくは環構造を有する分子からなるグループ
から選択された有機分子とすることができる。好ましい１つの前駆物質類（クラス）は、
縮合環を含み、そのうちの少なくとも１つの環がヘテロ原子、好ましくは酸素を含む種で
ある。これらの種のうち最も適当なのは、環にかなりのひずみを与えるサイズの環を含む
種、すなわち３もしくは４員環、または７員環以上、あるいはその両方である。特に興味
深いのは、酸化シクロペンテン（「ＣＰＯ」または「Ｃ５Ｈ８Ｏ」）などのオキサ二環式
化合物として知られている化合物類の化合物である。
【００８６】
好ましい前駆物質は環を含むことができ、第三級ブチル基、イソプロピル基などの基が
分子中に存在してもよい。好ましい３番目の前駆物質類は、少なくとも１つのＣ＝Ｃ二重
結合を含む。非常に好ましい４番目の前駆物質類は少なくとも１つの環と少なくとも１つ
のＣ＝Ｃ二重結合とを含む。
【００８７】
好ましいプロセスは、液体流量５０〜３０００ｍｇ／分（好ましくは２８００±３００
ｍｇ／分）のＯＭＣＴＳ、ＴＭＣＴＳまたはＤＥＭＳ、および流量１０〜１０，０００ｍ
ｇ／分の第２の炭化水素前駆物質を使用する。第２の炭化水素前駆物質とＳｉＣＯＨ前駆
物質の比は約１対１００である。好ましいＨｅ流量は１００〜１０００ｓｃｃｍであり、
流量５から１０００ｓｃｃｍのＯ２またはＣＯ２を使用することもできる。
【００８８】
好ましいプロセスでは、ガス導入プレート（「シャワーヘッド」）に、周波数１３．６
ＭＨｚ、電力約３００Ｗ（２００〜４５０Ｗを使用することができる）の高周波エネルギ
ーを印加し、ウェハ・チャックに、周波数１３．６ＭＨｚ以下、電力約５０Ｗ（０〜２０
０Ｗを使用することができる）の高周波エネルギーを印加する。本発明のＳｉＣＯＨ膜は
、４００〜４，０００オングストローム／分、好ましくは約６００〜１，０００オングス
トローム／分の速度で付着させる。時間は、所望の厚さの膜が付着するように調節する。
この膜は少なくとも第１のＳｉＣＯＨ相と第２の炭化水素相とを含む。
【００８９】
第２の炭化水素相は主にＣとＨからなり、ＯまたはＳｉを含んでいてもよく、一般に、
（単一の種ではなしに）ある範囲の異なる分子、分子断片（fragment）または有機鎖（or
ganic chain）を有する。この相（phase）は、炭化水素分子の形態、または重合体に似た
小さな有機鎖の形態をとることができ、具体的には種の一部が、先に述べた第２の炭化水
素前駆物質の分子をそれぞれ２つまたは３つ含む「二量体（dimer）または三量体（trime
r）」であることができる。これらの分子または分子鎖はＳｉＣＯＨ骨格（framework）に
共有結合していてもよく、または結合していなくともよい。
【００９０】
付着後には任意選択で、（熱エネルギー源と第２のエネルギー源の両方を使用した）Ｓ
ｉＣＯＨ膜の処理を実行して、膜を安定させ、すべての、または大部分の第２の炭化水素
相を除去し、非常に小さな特性寸法の空間（open space）からなる第３の相を生み出し、
表１に示した特性を向上させる。第３の相は、０．１〜５ｎｍ程度、好ましくは１〜２ｎ
ｍ程度の寸法を有する。
【００９１】
第２のエネルギー源は放射性源（ＵＶまたは電子ビーム）、または（プラズマ中に形成
された水素原子または他の反応性ガスを使用する）化学作用源とすることができる。
【００９２】
好ましい一処理では、（上記のプロセスに従って付着させた膜を含む）基板を、制御さ
れた環境（真空または極めて高純度の不活性ガス。Ｏ２およびＨ２Ｏ濃度は＜１００ｐｐ
ｍ、好ましくは＜１０ｐｐｍ）を有する紫外（ＵＶ）処理ツールの中に入れる。
【００９３】
本発明では、ＵＶ処理ツールを付着ツールに結合し（「クラスタ化」）、またはＵＶ処
理ツールを別個のツールとすることができる。ＵＶ処理ツールの中の３００℃から４５０
℃、好ましくは３５０℃から４３０℃、最も好ましくは３７０℃〜４２０℃の高温のチャ
ック上にサンプルを配置する。
【００９４】
同時熱アニール／ＵＶ放射処理を３０秒から１，０００秒、好ましくは１００秒から６
００秒、サンプルに行う。
【００９５】
波長範囲３７０から１５０ｎｍの放射光を発する任意のＵＶ放射源を使用することがで
き、好ましい波長範囲は１９０〜３７０ｎｍである。範囲１９０〜２９０ｕｍが非常に好
ましく、１９０〜２９０ｎｍ範囲では、任意選択で、「付着膜」の吸光度スペクトルの最
適なオーバーラップを使用して、ＳｉＣＯＨ特性を変更するのに最も有効なＵＶスペクト
ル領域を選択することができる。
【００９６】
光源と基板の間の石英成分に吸収される便利さから、波長２９０から１９０または１８
０ｎｍのスペクトル領域を選択することができる。電力は一般に１〜１０キロワット、好
ましくは２〜５キロワットである。
【００９７】
好ましい代替実施形態では、ＳｉＣＯＨ骨格を活性化する相対的に高いエネルギーのＵ
Ｖ（２１０から１５０ｎｍ）と、第２の炭化水素相を活性化し除去する相対的に低いエネ
ルギー（３００〜２００ｎｍ）とを組み合わせることが好ましい。
【００９８】
任意選択で、ＳｉＣＯＨ骨格を活性化する相対的に高いエネルギーのＵＶ（２１０から
１５０ｎｍ）を第１のＵＶステップで照射し、第２の炭化水素相を活性化し除去する相対
的に低いエネルギー（３００〜２００ｎｍ）を第２のＵＶステップで照射することができ
る。
【００９９】
代替実施形態では、第２の炭化水素相を活性化し除去する相対的に低いエネルギー（３
００〜２００ｎｍ）を第１のＵＶステップで照射し、ＳｉＣＯＨ骨格を活性化する相対的
に高いエネルギーのＵＶ（２１０から１５０ｎｍ）を第２のＵＶステップで照射すること
ができる。
【０１００】
代替実施形態ではさらに、先に示した温度までランプで基板を加熱する。さらに代替実
施形態では、第２のエネルギー源に化学作用、電子ビーム、マイクロ波またはプラズマ・
エネルギー源が含まれる。ただしこれらに限定されるわけではない。
【０１０１】
熱エネルギーと第２のエネルギー源の両方を使用した処理によって、ＳｉＣＯＨ膜のＦ
ＴＩＲスペクトルのネットワークＳｉ−Ｏ吸光度とケージＳｉ−Ｏ吸光度の比が変化し、
具体的には、ケージＳｉ−Ｏ吸光度に対するネットワークＳｉ−Ｏ吸光度の比が増大する
。結果を図３に示す。曲線１１は、熱（アニール）処理後の多孔質ＳｉＣＯＨ膜のＦＴＩ
Ｒ吸光度、曲線１２は好ましいｅビーム処理後のＦＴＩＲ吸光度、曲線１３は好ましいＵ
Ｖ処理後のＦＴＩＲ吸光度である。曲線１１と比較すると、ｅビーム処理（１２）および
ＵＶ処理（１３）ではともに、ケージＳｉ−Ｏピークに対するネットワークＳｉ−Ｏピー
クの比が大きくなっている。このより大きな比はより高い弾性率と相関する。図３に示す
ように、この処理によってＣ−Ｈ伸長モード（stretching mode）のＦＴＩＲ吸光度が変
化する。次に図４を参照すると、同じ多孔質ＳｉＣＯＨ膜の弾性率が、４３０℃での好ま
しいｅビーム処理中の照射（ドーズ）量に対してプロットされている。弾性率は照射量の
増大とともに単調に増大する。この弾性率の増大は、図３に見られるネットワーク／ケー
ジＳｉ−Ｏ比の増大による。
【０１０２】
ＵＶ処理時間の効果を図５に示す。本発明に従って製造された多孔質ＳｉＣＯＨ膜のＦ
ＴＩＲ吸光度を図５に示す。曲線２１は「付着膜」のＦＴＩＲ吸光度、曲線２２は、４３
０℃、４時間の熱（アニール）処理後の多孔質ＳｉＣＯＨ膜のＦＴＩＲ吸光度、曲線２３
は、４００℃、２分のＵＶ処理後の多孔質ＳｉＣＯＨ膜のＦＴＩＲ吸光度、曲線２４は、
４００℃、５分のＵＶ処理後の多孔質ＳｉＣＯＨ膜のＦＴＩＲ吸光度である。ケージＳｉ
−Ｏピークに対するネットワークＳｉ−Ｏピークの比は、ＵＶ処理時間の増大ともに増大
することが分かる。
【実施例４】
【０１０３】
ｋ＝２．２〜２．５の実施例
ｋ＝２．２〜２．５の本発明のＳｉＣＯＨ材料を製造するためには、小さな変更を加え
た第３の実施例と同様のプロセスを使用する。具体的には、第１のＳｉＣＯＨ前駆物質に
対する第２の炭化水素前駆物質の比をより小さくする。
【実施例５】
【０１０４】
ｋ＝２．０〜２．１の実施例
ｋ＝２．０〜２．１の本発明のＳｉＣＯＨ材料を製造するためには、第３の実施例と同
様のプロセスを使用する。ｋ＜２．１である材料の多孔率は３０％超であり、より高いポ
ロゲン／ＳｉＣＯＨ比を使用する。
【０１０５】
本発明の新規の方法によって形成した電子デバイスを図６〜９に示す。図６〜９に示し
たデバイスは本発明の例にすぎず、本発明の新規な方法によってこれらの他にも無数のデ
バイスを形成できることに留意されたい。
【０１０６】
図６には、シリコン基板３２上に構築された電子デバイス３０が示されている。シリコ
ン基板３２の上にはまず最初に絶縁材料層３４が形成されており、その中には第１の金属
領域３６が埋め込まれている。第１の金属領域３６の表面に対してＣＭＰプロセスを実施
した後、第１の絶縁材料層３４および第１の金属領域３６の上に、本発明のＳｉＣＯＨ誘
電体膜３８を付着させる。第１の絶縁材料層３４は、酸化シリコン、窒化シリコン、ドー
プされた酸化シリコン、ドープされた窒化シリコンまたは他の適当な絶縁材料から適当に
形成することができる。次いでＳｉＣＯＨ誘電体膜３８をフォトリソグラフィ・プロセス
でパターン形成し、これをエッチングし、その上に導体層４０を付着させる。第１の導体
層４０の表面に対してＣＭＰプロセスを実施した後、第１のＳｉＣＯＨ誘電体膜３８およ
び第１の導体層４０の上に、プラズマ化学的気相堆積法プロセスによって本発明のＳｉＣ
ＯＨ膜からなる第２の層４４を付着させる。導体層４０は、金属材料または非金属導電材
料を付着させることによって形成することができる。例えば、アルミニウムまたは銅金属
材料、あるいは窒化物またはポリシリコン非金属材料を付着させることができる。第１の
導体層４０は第１の金属領域３６と電気的に連結している。
【０１０７】
次いで、ＳｉＣＯＨ誘電体膜４４の表面にフォトリソグラフィック・プロセスを実施し
た後に、この膜をエッチングし、第２の導体材料を付着させることによって、第２の導体
領域５０を形成する。第２の導体領域５０は、第１の導体層４０の付着に使用されるもの
と同様の金属材料または非金属材料の付着によって形成することができる。第２の導体領
域５０は第１の導体領域４０と電気的に連結しており、第２のＳｉＣＯＨ誘電体膜層４４
の中に埋め込まれている。第２のＳｉＣＯＨ誘電体膜層は第１のＳｉＣＯＨ誘電体材料層
３８と密に接触している。この実施例では、第１のＳｉＣＯＨ誘電体材料層３８が層（レ
ベル）内誘電体材料であり、第２のＳｉＣＯＨ誘電体膜層４４が層内および層間誘電体で
ある。本発明のＳｉＣＯＨ誘電体膜の低い誘電率を基に、第１の絶縁層３８および第２の
絶縁層４４によって優れた絶縁特性を達成することができる。
【０１０８】
図７に本発明の電子デバイス６０を示す。このデバイスは図６に示した電子デバイス３
０に似ているが、第１の絶縁材料層３８と第２の絶縁材料層４４の間に追加の誘電体キャ
ップ層６２が付着されている点が異なる。誘電体キャップ層６２は、酸化シリコン、窒化
シリコン、酸窒化シリコン、高融点金属窒化シリコン（高融点金属はＴａ、Ｚｒ、Ｈｆま
たはＷ）、炭化シリコン、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）、炭化酸化シリコン（ＳｉＣＯ）
およびこれらの水素化物などの材料から適当に形成することができる。追加の誘電体キャ
ップ層６２は、第２の絶縁材料層４４またはその下位層、特に層３４および３２に第１の
導体層４０が拡散することを防ぐ拡散バリア層の働きをする。
【０１０９】
本発明の電子デバイスの他の代替実施形態７０を図８に示す。電子デバイス７０には、
ＲＩＥマスクおよびＣＭＰ（化学機械的研磨）研磨ストップ層の働きをする２つの追加の
誘電体キャップ層７２および７４が使用されている。第１の誘電体キャップ層７２は第１
の超低ｋ絶縁材料層３８の上に付着されており、ＲＩＥマスクおよびＣＭＰストップ層と
して使用される。そのため、ＣＭＰ後の第１の導体層４０と層７２はほぼ共面（同平面；
co-planar）にある。第２の誘電体層７４の機能は層７２のそれと同様だが、層７４は、
第２の導体層５０の平坦化の際に利用される。研磨ストップ層７４は、酸化シリコン、窒
化シリコン、酸窒化シリコン、高融点金属窒化シリコン（高融点金属はＴａ、Ｚｒ、Ｈｆ
またはＷである）、炭化シリコン、炭化酸化シリコン（ＳｉＣＯ）およびこれらの水素化
物などの適当な誘電体材料を付着させることによって形成することができる。研磨ストッ
プ層７２または７４の好ましい組成はＳｉＣＨまたはＳｉＣＯＨである。第２の誘電体層
７４は、第２のＳｉＣＯＨ誘電体膜４４の上に同じ目的で追加することができる。
【０１１０】
本発明の電子デバイスの他の代替実施形態８０を図９に示す。この代替実施形態では、
追加の誘電体材料層８２が付着されており、この層が、第２の絶縁材料層４４を別個の２
つの層８４と８６に分割している。したがって、本発明の超低ｋ材料から形成された図６
に示された層間および層内誘電体層４４は、ビア９２と相互接続９４の境界で、層間絶縁
膜層８４と層内誘電体層８６に分割されている。上側誘電体層７４の上にはさらに追加の
拡散バリア層９６が付着されている。この代替実施形態の電子デバイス構造８０によって
得られる追加の利点は、誘電体層８２がＲＩＥエッチング・ストップ層として働き、相互
接続の深さの優れた制御が得られることである。したがって、層８２の組成は、層８６が
選択的にエッチングされるように選択する。
【０１１１】
他の代替実施形態には、前処理された半導体基板を含む配線構造中の層内または層間誘
電体として絶縁材料層を有する電子デバイス構造であって、前記半導体基板は、ａ）第１
の絶縁材料層の中に埋め込まれた第１の金属領域と、ｂ）第２の絶縁材料層の中に埋め込
まれた第１の導体領域であって、第２の絶縁材料層が第１の絶縁材料層と密に接触し、第
１の導体領域が第１の金属領域と電気的に連結する第１の導体領域と、ｃ）第１の導体領
域と電気的に連結し、第３の絶縁材料層の中に埋め込まれた第２の導体領域であって、第
３の絶縁材料層が第２の絶縁材料層と密に接触する第２の導体領域と、ｄ）第２の絶縁材
料層と第３の絶縁材料層の間の第１の誘電体キャップ層と、ｅ）第３の絶縁材料層の上の
第２の誘電体キャップ層とを有し、第１および第２の誘電体キャップ層がＳｉ、Ｃ、Ｏお
よびＨの原子を含む材料、好ましくは本発明のＳｉＣＯＨ誘電体膜から形成された電子デ
バイス構造が含まれる。
【０１１２】
本発明の他の代替実施形態には、前処理された半導体基板を含む配線構造中の層内また
は層間誘電体としての絶縁材料層を有する電子デバイス構造であって、前記半導体基板は
、ａ）第１の絶縁材料層の中に埋め込まれた第１の金属領域と、ｂ）第２の絶縁材料層の
中に埋め込まれた第１の導体領域であって、第２の絶縁材料層が第１の絶縁材料層と密に
接触し、第１の導体領域が第１の金属領域と電気的に連結する第１の導体領域と、ｃ）第
１の導体領域と電気的に連結し、第３の絶縁材料層の中に埋め込まれた第２の導体領域で
あって、第３の絶縁材料層が第２の絶縁材料層と密に接触する第２の導体領域と、ｄ）第
２の絶縁材料層と第３の絶縁材料層のうちの少なくとも一方の上に付着させた本発明の多
相超低ｋ膜から形成された拡散バリア層と、を含む電子デバイス構造が含まれる。
【０１１３】
他の代替実施形態には、前処理された半導体基板を含む配線構造中の層内または層間誘
電体として絶縁材料層を有する電子デバイス構造であって、前記半導体基板は、ａ）第１
の絶縁材料層の中に埋め込まれた第１の金属領域と、ｂ）第２の絶縁材料層の中に埋め込
まれた第１の導体領域であって、第２の絶縁材料層が第１の絶縁材料層と密に接触し、第
１の導体領域が第１の金属領域と電気的に連結する第１の導体領域と、ｃ）第１の導体領
域と電気的に連結し、第３の絶縁材料層の中に埋め込まれた第２の導体領域であって、第
３の絶縁材料層が第２の絶縁材料層と密に接触する第２の導体領域と、ｄ）第２の絶縁材
料層の上の反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）ハード・マスク／研磨ストップ層と、ｅ
）ＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層の上の拡散バリア層と、を有し、ＲＩＥハード
・マスク／研磨ストップ層および拡散バリア層が本発明のＳｉＣＯＨ誘電体膜から形成さ
れた電子デバイス構造が含まれる。
【０１１４】
他の代替実施形態には、前処理された半導体基板を含む配線構造中の層内または層間誘
電体として絶縁材料層を有する電子デバイス構造であって、前記半導体基板は、ａ）第１
の絶縁材料層の中に埋め込まれた第１の金属領域と、ｂ）第２の絶縁材料層の中に埋め込
まれた第１の導体領域であって、第２の絶縁材料層が第１の絶縁材料層と密に接触し、第
１の導体領域が第１の金属領域と電気的に連結する第１の導体領域と、ｃ）第１の導体領
域と電気的に連結し、第３の絶縁材料層の中に埋め込まれた第２の導体領域であって、第
３の絶縁材料層が第２の絶縁材料層と密に接触する第２の導体領域と、ｄ）第２の絶縁材
料層の上の第１のＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層と、ｅ）第１のＲＩＥハード・
マスク／研磨ストップ層の上の第１の拡散バリア層と、ｆ）第３の絶縁材料層の上の第２
のＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層と、ｇ）第２のＲＩＥハード・マスク／研磨ス
トップ層の上の第２の拡散バリア層とを有し、ＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ層お
よび拡散バリア層が本発明のＳｉＣＯＨ誘電体膜から形成された電子デバイス構造が含ま
れる。
【０１１５】
本発明の他の代替実施形態には、配線構造中の層内または層間誘電体として絶縁材料層
を有する、すぐ上の段落に記載した電子デバイス構造と同様の電子デバイス構造であって
、本発明のＳｉＣＯＨ誘電体材料から形成された、層間誘電体層と層内誘電体層の間に位
置する誘電体キャップ層をさらに含む電子デバイス構造が含まれる。
【０１１６】
本発明を例示的に説明してきたが、使用した用語は説明のためのものであって、限定を
意図したものではないことを理解されたい。さらに、好ましい実施形態およびいくつかの
代替実施形態に関して本発明を説明したが、当業者なら、これらの教示を本発明の他の可
能な変形形態に容易に適用できることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】誘電率２．８、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約９から約１５ＧＰａ、硬さ約０．５から約２ＧＰａの本発明の安定した低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料のＦＴＩＲスペクトラムのＳｉ−Ｏ伸長領域（stretching region）を示す図である。
【図２】誘電率２．８、引張応力４０ＭＰａ未満、弾性率約９から約１５ＧＰａ、硬さ約０．５から約２ＧＰａの本発明の安定した低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料のＦＴＩＲスペクトラムのＳｉ−Ｏ伸長領域を示す図である。
【図３】実施例３に基づく本発明の安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料のＦＴＩＲスペクトラムのＳｉ−Ｏ伸長領域を示す図である。
【図４】図３と同じ材料の弾性率をｅビーム照射量に対してプロットした図である。
【図５】実施例３に基づく本発明の安定した超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料のＦＴＩＲスペクトラムのＳｉ−Ｏ伸長領域を示す図であって、ＦＴＩＲスペクトルに対するＵＶ処理時間の効果を示す図である。
【図６】本発明の安定した低ｋまたは超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料から形成された層内誘電体層および層間誘電体層を有する本発明の電子デバイスの拡大断面図である。
【図７】本発明の低ｋまたは超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料の上に付着させた追加の拡散バリア誘電体キャップ層を有する、図６の本発明の電子デバイス構造の拡大断面図である。
【図８】追加のＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ誘電体キャップ層、および研磨ストップ層の上に付着させた誘電体キャップ拡散バリア層を有する、図７の本発明の電子デバイス構造の拡大断面図である。
【図９】本発明の安定した低ｋまたは超低ｋ  ＳｉＣＯＨ誘電体材料の上に付着させた追加のＲＩＥハード・マスク／研磨ストップ誘電体層を有する、図８の本発明の電子デバイス構造の拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
３０  電子デバイス
３２  シリコン基板
３４  第１の絶縁材料層
３６  第１の金属領域
３８  第１のＳｉＣＯＨ誘電膜層
４０  第１の導体層
４４  第２のＳｉＣＯＨ誘電膜層
５０  第２の導体層
６０  電子デバイス
６２  誘電体キャップ層
７０  電子デバイス
７２  誘電体キャップ層（研磨ストップ層）
７４  誘電体キャップ層（研磨ストップ層）
８０  電子デバイス
８２  誘電体材料層
８４  層間絶縁膜層
８６  層内誘電体層
９２  ビア
９４  相互接続
９６  拡散バリア層
【図１】
0004833268.tif 000003
【図２】
0004833268.tif 000004
【図３】
0004833268.tif 000005
【図４】
0004833268.tif 000006
【図５】
0004833268.tif 000007
【図６】
0004833268.tif 000008
【図７】
0004833268.tif 000009
【図８】
0004833268.tif 000010
【図９】
0004833268.tif 000011