(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段は、アンモニア（ＮＨ３）とハロゲンラジカルとを反応させてＮＨ２を生成する機能を有していることを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項２】
基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸの中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段は、アンモニア（ＮＨ３）とハロゲンラジカルとを反応させてＮＨ２を生成する機能を有していることを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項３】
基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段には、前駆体ＡｌＸ３の状況に応じてＮＨ２の量を調整する機能が備えられ、
前記制御手段には、ＮＨ２の量を所望状態に調整して基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させる機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項４】
基板が収容されるチャンバと、
基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、
チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、
チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、
基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸの中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段と
を備え、
前記生成手段には、前駆体ＡｌＸ３の状況に応じてＮＨ２の量を調整する機能が備えられ、
前記制御手段には、ＮＨ２の量を所望状態に調整して基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させる機能が備えられている
ことを特徴とする薄膜作製装置。
【請求項５】
ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成し、前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、ＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させることを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項６】
ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成し、前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸの中間体生成する一方、前記ＮＨ２と前記ＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させることを特徴とする薄膜作製方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の薄膜作製方法において、
前駆体ＡｌＸ３の状況に応じてＮＨ２の量を調整して基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させて薄膜を作製することを特徴とする薄膜作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡｌＮ成分を成膜することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体等の製造においては、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を用いた成膜が知られている。プラズマＣＶＤ装置とは、チャンバ内に導入した膜の材料となる有機金属錯体等のガスを、高周波アンテナから入射する高周波によりプラズマ状態にし、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化学的な反応を促進して金属薄膜等を成膜する装置である。
【０００３】
これに対し、本発明者等は、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバに設置し、ハロゲンガスをプラズマ化して前記被エッチング部材をハロゲンのラジカルによりエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体を生成させるとともに、前駆体の金属成分のみを基板上に成膜するプラズマＣＶＤ装置（以下、新方式のプラズマＣＶＤ装置という）および成膜方法を開発した（例えば、下記特許文献１参照）。
【０００４】
上記新方式のプラズマＣＶＤ装置では、所定の低圧力下（例えば、０．１Ｔｏｒｒ〜０．２Ｔｏｒｒ）で、成膜される金属源となる被エッチング部材の温度に対して基板の温度が低くなるように制御して基板に当該金属膜を成膜している。例えば、被エッチング部材の金属をＭ、ハロゲンガスをＣｌ２とした場合、被エッチング部材を高温（例えば３００℃〜７００℃）に、また基板を低温（例えば２００℃程度）に制御することにより、前記基板にＭ薄膜を形成することができる。これは、次のような反応によるものと考えられる。
【０００５】
(1)プラズマの解離反応；Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
(2)エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ＊→ＭＣｌ（ｇ）
(3)基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
(4)成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊ →Ｍ＋Ｃｌ２↑
ここで、Ｃｌ＊はＣｌのラジカルであることを、（ｇ）はガス状態であることを、（ａｄ）は吸着状態であることをそれぞれ表している。
【０００６】
前述した新方式のＣＶＤ装置においては、ＭＣｌとＣｌ＊との割合を適正に保つことで、成膜反応が適切に行われる。即ち、成膜条件として、Ｃｌ２ガスの流量、圧力、パワー、基板及び被エッチング部材の温度、基板と被エッチング部材との距離等を適正に設定することで、ＭＣｌとＣｌ＊との割合をほぼ等しく制御することができ、成膜速度を低下させることなく、しかも、基板に対してＣｌ＊によるエッチング過多が生じることなくＭが析出される。
【０００７】
上述した新方式のＣＶＤ装置において、半導体材料等として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の薄膜を作成することが考えられている。被エッチング部材としてＡｌを用いた場合、反応式中のＭＣｌはＡｌＸ３となるが、ＡｌＸ３は安定なものでＣｌ＊によるエッチング（還元）反応が生じ難いのが現状である。このため、窒素の原料との適合性等の関係もあり、新方式のＣＶＤ装置においてはＡｌＮの薄膜を確実に作製する技術は確立されていないのが実情であった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−１４７５３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、新方式のＣＶＤ装置を用いてＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための第１の発明による薄膜作製装置は、基板が収容されるチャンバと、基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
上記発明では、流体の滞留時間を制御することでＡｌＸ２の中間体を生成し、ＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させるので、ハロゲンラジカルによる還元が容易になり低温でＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる。
【００１２】
上記目的を達成するための第２の発明による薄膜作製装置は、基板が収容されるチャンバと、基板が対向する位置におけるチャンバに設けられるＡｌ製の被エッチング部材と、チャンバの内部にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して、作用ガスプラズマを発生させてハロゲンラジカルを生成し、流体の滞留時間を制御してハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成するプラズマ発生手段と、チャンバの内部に窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成する生成手段と、基板側の温度を被エッチング部材の温度よりも低くすると共に流体の滞留時間の制御により前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸの中間体生成する一方、生成手段で生成されたＮＨ２とＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させる制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
上記発明では、流体の滞留時間を制御することでＡｌＸの中間体を生成し、ＮＨ２とＡｌＸの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させるので、ハロゲンラジカルによる還元が容易になり低温でＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる。
【００１４】
そして、上記第１又は第２の発明の薄膜作製装置において、生成手段は、アンモニア（ＮＨ３）とハロゲンラジカルとを反応させてＮＨ２を生成する機能を有していてもよい。
【００１５】
これにより、アンモニア（ＮＨ３）を用いてＮＨ２を生成することができる。
【００１６】
また、上記第１又は第２の発明の薄膜作製装置において、生成手段は、プラズマ中でアンモニア（ＮＨ３）をＮＨ２とＨラジカルにすることでＮＨ２を生成する機能を有していてもよい。
【００１７】
これにより、アンモニア（ＮＨ３）を用いてＮＨ２を生成することができる。
【００１８】
また、上記第１又は第２の薄膜作製装置において、生成手段は、水素と窒素を解離反応させることでＮＨ２を生成する機能を有していてもよい。
【００１９】
これにより、水素及び窒素を用いてＮＨ２を生成することができる。
【００２０】
また、上記いずれかの薄膜作製装置において、生成手段には、前駆体ＡｌＸ３の状況に応じてＮＨ２の量を調整する機能が備えられ、制御手段には、ＮＨ２の量を所望状態に調整して基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させる機能が備えられていてもよい。
【００２１】
これにより、ＮＨ２の量を所望状態に調整することにより基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させて薄膜を作製することができる。
【００２２】
ここで、制御手段における、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を混在させる機能は、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を交互に積層させる機能であってもよい。
【００２３】
またさらに、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を交互に積層させて薄膜を作製することができる。
【００２４】
また、上記いずれかの薄膜作製装置において、滞留時間は、チャンバの容積を、作用ガスの流量と雰囲気温度とチャンバ内の圧力との積で除した値で導出され、プラズマ発生手段及び制御手段では、チャンバ内の圧力を高くすることで滞留時間を制御するようにしてもよい。
【００２５】
これにより、チャンバ内の圧力を高くしてＡｌＮ成分を基板側に成膜させることができる。
【００２６】
また、上記いずれかの薄膜作製装置において、作用ガスに含有されるハロゲンを塩素としてもよい。
【００２７】
これにより、安価な塩素を用いることができる。
【００２８】
上記目的を達成するための第３の発明による薄膜作製方法は、ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成し、前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、ＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させることを特徴とする。
【００２９】
上記第３の発明では、流体の滞留時間を制御することでＡｌＸ２の中間体を生成し、ＮＨ２とＡｌＸ２の反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させるので、ハロゲンラジカルによる還元が容易になり低温でＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる。
【００３０】
上記目的を達成するための第４の発明による薄膜作製方法は、ハロゲンを含有する作用ガスをチャンバ内に供給すると共に、窒素と水素の化合物であるＮＨ２を生成し、流体の滞留時間を制御して、ハロゲンラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＸとからなる前駆体ＡｌＸ３を生成し、前駆体ＡｌＸ３からＡｌＸ２の中間体生成する一方、ＮＨ２とＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させることを特徴とする。
【００３１】
上記第４の発明では、流体の滞留時間を制御することでＡｌＸの中間体を生成し、ＮＨ２とＡｌＸとハロゲンラジカルとの反応により生じたＡｌＮ成分を基板側に成膜させるので、ハロゲンラジカルによる還元が容易になり低温でＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる。
【００３２】
そして、アンモニア（ＮＨ３）を用いてＡｌＮの薄膜を作製することができる。
【００３３】
また、上記第３又は第４の発明の薄膜作製方法において、ＮＨ２は、アンモニア（ＮＨ３）とハロゲンラジカルとを反応させて生成してもよい。
【００３４】
これにより、アンモニア（ＮＨ３）を用いてＡｌＮの薄膜を作製することができる。
【００３５】
また、上記第３又は第４の発明の薄膜作製方法において、ＮＨ２は、プラズマ中でアンモニア（ＮＨ３）をＮＨ２とＨラジカルにすることで生成してもよい。
【００３６】
これにより、アンモニア（ＮＨ３）を用いてＡｌＮの薄膜を作製することができる。
【００３７】
また、上記第３又は第４の発明の薄膜作製方法において、ＮＨ２は、水素と窒素を解離反応させることで生成してもよい。
【００３８】
これにより、水素と窒素を用いてＡｌＮの薄膜を作製することができる。
【００３９】
また、上記いずれかの薄膜作製方法において、前駆体ＡｌＸ３の状況に応じてＮＨ２の量を調整して基板にＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させて薄膜を作製してもよい。
【００４０】
これにより、ＮＨ２の量を調整することでＡｌ成分とＡｌＮ成分を混在させた薄膜を基板に作製することができる。
【００４１】
ここで、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を混在させることにより、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を交互に積層させた薄膜を作製してもよい。
【００４２】
またさらに、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を交互に積層させた薄膜を作製することができる。
【００４３】
また、Ａｌ成分とＡｌＮ成分を混在させることにより、Ａｌ２Ｏ３の薄膜が作製された基板にＡｌＮ成分とＡｌ成分とを積層させた薄膜を作製してもよい。
【００４４】
ここで、Ａｌ２Ｏ３の薄膜が作製された基板にＡｌＮ成分とＡｌ成分とを積層させた薄膜を作製することができ、高誘電率のゲートメタルとすることができる。
【００４５】
また、上記いずれかの薄膜作製方法において、作用ガスに含有されるハロゲンを塩素としてもよい。
【００４６】
これにより、安価な塩素を用いることができる。
【発明の効果】
【００４７】
本発明の薄膜作製装置は、新方式のＣＶＤ装置を用いてＡｌＮの薄膜を低温の環境下で確実に作製することができる薄膜作製装置となる。
【００４８】
また、本発明の薄膜作製方法は、新方式のＣＶＤ装置を用いてＡｌＮの薄膜を低温の環境下で確実に作製することができる薄膜作製方法となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００５０】
図１には本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略側面、図２にはプラズマの発光状況を表すグラフを示してある。
【００５１】
図１に示すように、円筒状に形成された、例えば、セラミックス製（絶縁材製）のチャンバ１の底部近傍には支持台２が設けられ、支持台２には基板３が載置される。支持台２にはヒータ４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６が設けられ、支持台２は温度制御手段６により所定温度（例えば、基板３が１００℃から３００℃に維持される温度）に制御される。尚、チャンバの形状は円筒状に限らず、例えば、矩形状のチャンバを適用することも可能である。
【００５２】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料製（例えば、セラミックス製）の板状の天井板７によって塞がれている。天井板７の上方にはチャンバ１の内部をプラズマ化するためのプラズマアンテナ８が設けられ、プラズマアンテナ８は天井板７の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ８には整合器９及び電源１０が接続されて高周波が供給される。プラズマアンテナ８、整合器９及び電源１０により誘導プラズマを発生させるプラズマ発生手段が構成されている。
【００５３】
チャンバ１には、アルミニウム製（Ａｌ製）の被エッチング部材１１が保持され、被エッチング部材１１はプラズマアンテナ８の電気の流れに対して基板３と天井板７の間に不連続状態で配置されている。例えば、被エッチング部材１１は、格子状に形成されてプラズマアンテナ８の電気の流れ方向である周方向に対して構造的に不連続な状態とされている。
【００５４】
尚、プラズマアンテナ８の電気の流れに対して不連続状態にする構成としては、被エッチング部材を網目状に構成したり、リングの内周側に複数の長尺突起を形成する等の構成とすることも可能である。
【００５５】
被エッチング部材１１の上方におけるチャンバ１の筒部にはチャンバ１の内部にハロゲンとしての塩素を含有する作用ガス（Ｈｅにより所定の濃度に希釈されたガス：Ｃｌ２ガス）１７を供給するガスノズル１４が１本設けられている。ガスノズル１４はチャンバ１の中心部まで延び、先端が上方に向けられてガス噴出口１５とされている。ＨｅとＣｌ２ガスは流量制御器１６に個別に制御されて送られ、ガスノズル１４には流量及び圧力が制御される流量制御器１６を介してＨｅで希釈されたＣｌ２作用ガス１７が送られる（作用ガス供給手段）。
【００５６】
尚、ガスノズル１４の形状及び配置は、例えば、チャンバ１の周方向に等間隔で複数（例えば８箇所）接続する等、図示の例に限られるものではない。また、作用ガスに含有されるハロゲンとしては、フッ素、臭素及びヨウ素等を適用することが可能である。ハロゲンとして塩素を用いたことにより、安価な塩素ガスを用いて薄膜を作製することができる。
【００５７】
また、チャンバ１の筒部にはアンモニア（ＮＨ３）を供給するノズル２１が設けられ、ノズル２１からは流量制御器２３を介してＮＨ３がチャンバ１内に供給される。チャンバ内に供給されたＮＨ３は、詳細は後述するが、プラズマによりＮＨ２と水素ラジカルＨ＊に解離されてＮＨ２が生成される（生成手段）。または、塩素ラジカルＣｌ＊との反応によりＮＨ２とＨＣｌとされてＮＨ２が生成される（生成手段）。
【００５８】
成膜に関与しないガス等は排気口１８から排気される。天井板７によって塞がれたチャンバ１の内部は真空装置１９によって所定の圧力に維持される。真空装置１９の図示しないバルブは制御手段２０により制御され、バルブの調整によりチャンバ内が所望の圧力に制御される。一方、制御手段２０により電源１０の出力が適宜調整され、ＲＦパワーが制御可能とされている。
【００５９】
また、チャンバ１の筒部にはプラズマの発光状況（例えば、波長に対する発光強度）を検出するプラズマ分光器２５が設けられ、分光データに基づいて後述する塩素ラジカルＣｌ＊、ＡｌＸ３、ＡｌＸ２、ＡｌＸの状況（分光データ）を求めて分光データを制御手段２０に送る。制御手段２０では、送られた分光データに基づいて作用ガス１７の流量、ＮＨ３の流量が適宜制御される。
【００６０】
上述した薄膜作製装置では、塩素を含有する作用ガス１７をチャンバ１内に供給し、流体の滞留時間を制御して（長くして）、即ち、チャンバ１内の圧力を高くして、塩素ラジカルによりＡｌ製の被エッチング部材１１をエッチングして被エッチング部材に含まれるＡｌ成分とハロゲンＣｌとからなる前駆体ＡｌＣｌ３を生成すると共に中間体であるＡｌＣｌ２及び（または）ＡｌＣｌと生成する。また、ノズル２１からＮＨ３をチャンバ１内に供給し、プラズマにより、または、塩素ラジカルＣｌ＊との反応によりＮＨ２を生成する。そして、ＡｌＣｌ２（ＡｌＣｌ）とＮＨ２（及び塩素ラジカルＣｌ＊）との反応によりＡｌＮ成分を基板３側に成膜させる。
【００６１】
流体の滞留時間を長くすることでＡｌＣｌ２（ＡｌＣｌ）の中間体が生成され、中間体をＮＨ２（及び塩素ラジカルＣｌ＊）と反応させて前駆体ＡｌＸ３のＡｌ成分がＡｌＮとして基板３側に成膜されるので、Ｃｌラジカルによる還元が容易になりＡｌＮの薄膜を確実に作製することができる。
【００６２】
ここで、流体の滞留時間の制御はチャンバ１内の圧力を高くすることで行われる。流体の滞留時間ｔは、
ｔ＝Ｖ／ＱＴＰ
で表すことができる。
【００６３】
ここで、Ｑはガスの流量、Ｔは雰囲気の温度、Ｐは圧力｛７６０（Ｔｏｒｒ）／Ｐ（Ｔｏｔａｌ）｝、Ｖは反応雰囲気の容積である。このため、流体の滞留時間を長くしてＡｌＣｌ２及びＡｌＣｌの中間体を生成するためには、圧力Ｐ（Ｔｏｔａｌ：Ｔｏｒｒ）を高くしてＰを小さい値にする、流量を減らす、温度を低くする、容積を大きくする、のいずれかにより達成することができる。本実施形態例では、制御性等を考慮して圧力Ｐ（Ｔｏｔａｌ：Ｔｏｒｒ）を高くすることで滞留時間を長くするようにしている。
【００６４】
通常、新方式のＣＶＤ装置を用いて金属薄膜を作製する場合、圧力Ｐ（Ｔｏｔａｌ：Ｔｏｒｒ）は０．１〜０．２（Ｔｏｒｒ）の範囲に設定されるが、本実施形態例では、例えば、圧力Ｐ（Ｔｏｔａｌ：Ｔｏｒｒ）を０．５〜１．０（Ｔｏｒｒ）の範囲に設定し、滞留時間を１．５倍程度に設定している。圧力Ｐの設定は真空装置１９の図示しないバルブの制御により行われている。
【００６５】
具体的な成膜の状況を以下に説明する。
【００６６】
０．５〜１．０（Ｔｏｒｒ）に制御されたチャンバ１の内部にガスノズル１４からＣｌ２ノズル２１を供給する。プラズマアンテナ８から電磁波をチャンバ１の内部に入射することで、Ｃｌ２ノズル２１をイオン化してＣｌ２ガスプラズマを発生させ、Ｃｌラジカルを生成する。プラズマは、ガスプラズマ１２で図示する領域に発生する。この時の反応は、次式で表すことができる。
Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
ここで、Ｃｌ＊は塩素ラジカルを表す。
【００６７】
ガスプラズマ１２がＡｌ製の被エッチング部材１１に作用することにより、被エッチング部材１１が加熱されると共に、Ａｌにエッチング反応が生じる。この時の反応は、例えば、次式で表される。
ＡｌＣｌ３→ＡｌＣｌ２→ＡｌＣｌ
ＡｌＣｌ３に塩素ラジカルＣｌ＊が作用することにより、  
ＡｌＣｌ３＋Ｃｌ＊→ＡｌＣｌ２＋Ｃｌ２↑の反応が生じてＡｌＣｌ２となる（制御手段）。
また、ＡｌＣｌ２に塩素ラジカルＣｌ＊が作用することにより、            
ＡｌＣｌ２＋Ｃｌ＊→ＡｌＣｌ＋Ｃｌ２↑の反応が生じてＡｌＣｌとなる（制御手段）。
【００６８】
また、ノズル２１からアンモニア（ＮＨ３）をチャンバ１の内部に供給する。
ＮＨ３はガスプラズマ１２により、
ＮＨ３→ＮＨ２＋Ｈ＊
の反応が生じて、即ち、ＮＨ２と水素ラジカルＨ＊に解離されてＮＨ２が生成される。
【００６９】
また、  ＮＨ３は塩素ラジカルＣｌ＊により、
ＮＨ３＋Ｃｌ＊→ＮＨ２＋ＨＣｌ↑
の反応が生じて、即ち、塩素ラジカルＣｌ＊との反応によりＮＨ２とＨＣｌとされてＮＨ２が生成される。
【００７０】
そして、生成されたＮＨ２とＡｌＣｌ２により、
ＡｌＣｌ２＋ＮＨ２→ＡｌＮ＋２ＨＣｌ↑
の反応が生じてＡｌＮ成分が基板３に成膜される。
【００７１】
また、ＡｌＣｌ２と生成されたＮＨ２とＡｌＣｌ及び塩素ラジカルＣｌ＊により、
ＡｌＣｌ＋ＮＨ２＋Ｃｌ＊→ＡｌＮ＋２ＨＣｌ↑
の反応が生じてＡｌＮ成分が基板３に成膜される。
【００７２】
このようにして、還元し易い（不安定な）中間体を介して前駆体ＡｌＸ３のＡｌ成分をＮＨ２と反応させて基板３側にＡｌＮを成膜するので、ＡｌＮの薄膜を低温で確実に作製することができる。
【００７３】
尚、上述した実施形態例では、チャンバ１の内部にアンモニア（ＮＨ３）を供給してＡｌＮの薄膜を作製するようにしたが、Ｈ２及びＮ２を独立して供給し、ＡｌＮの薄膜を作製することも可能である。この場合、温度条件等を最適に設定することが必要である。
【００７４】
上述したＡｌの薄膜の作製に際し、成膜中はプラズマ分光器２５によりプラズマの発光状況（例えば、波長に対する発光強度）を検出している。即ち、図２に示すように、ＡｌＣｌ３、ＡｌＣｌ２、ＡｌＣｌ、塩素ラジカルＣｌ＊、Ａｌの発光強度は波長により異なるため、発光強度を検出することによりＡｌＣｌ３、ＡｌＣｌ２、ＡｌＣｌ、塩素ラジカルＣｌ＊、Ａｌの状況を検出することができる。
【００７５】
プラズマ分光器２５での検出データは制御手段２０に送られ、前述した反応の過程において、ＡｌＣｌ３、ＡｌＣｌ２、ＡｌＣｌ、塩素ラジカルＣｌ＊、Ａｌが所望状態に生成されているかをモニタする。モニタの結果、所望の生成物が得られていない場合（予め記憶された発光強度の状況と一致していない場合）、制御手段２０の指令により、真空装置１９の図示しないバルブの調整が行われてＡｌＣｌ３、ＡｌＣｌ２、ＡｌＣｌ、塩素ラジカルＣｌ＊、Ａｌが所望状態に生成されるように圧力が制御される。
【００７６】
また、モニタの結果に基づいて、ＡｌＣｌ２、ＡｌＣｌの状況に合ったアンモニア（ＮＨ３）の流量が決定され、流量制御器２３に流量調整の指令が出されてアンモニア（ＮＨ３）の流量が制御される。
【００７７】
上述したＡｌＣｌは、塩素ラジカルＣｌ＊により
ＡｌＣｌ＋Ｃｌ＊→Ａｌ＋Ｃｌ２↑の反応が生じてＡｌ成分となる。
また、ＡｌＣｌ２はプラズマ中で
ＡｌＣｌ２＋ＡｌＣｌ２→２Ａｌ↓＋Ｃｌ２↑の反応が生じてＡｌ成分となる。
プラズマ分光器２５での検出データに基づいてアンモニア（ＮＨ３）の供給と停止を繰り返すことにより、上記反応とＡｌＮの生成反応とを交互に行い、ＡｌとＡｌＮの積層膜を基板３に作製することができる。
【００７８】
この時、アンモニア（ＮＨ３）の流量を制御することで、ＡｌとＡｌＮの組成が傾斜した状態の薄膜を基板３に作製することもできる。更に、予めＡｌ２Ｏ３が作製された基板３にＡｌとＡｌＮの積層膜を作製することもできる。この場合、高誘電率のゲートメタルとして適用することができる。
【００７９】
ところで、圧力を高くすると、塩素ラジカルＣｌ＊が減少してＡｌＣｌｘとのバランスが不均衡になる虞がある。塩素ラジカルＣｌ＊及びＡｌＣｌｘはプラズマ密度を高くすると増加するので、圧力を高くする動作に連動して制御手段２０により電源１０の出力を適宜調整してＲＦパワーを上げてプラズマ密度を高くすることができる。これにより、塩素ラジカルＣｌ＊が増加し、圧力を高くしても塩素ラジカルＣｌ＊が減少する虞がなくなり、ＡｌＣｌｘとのバランスを維持することが可能になる。
【００８０】
尚、塩素ラジカルＣｌ＊を増加させる構成としては、ＲＦパワーを上げること以外に別途塩素ラジカルＣｌ＊を供給する構成としてもよい。
【００８１】
また、ＡｌＮの薄膜が作製された後基板３側の温度が高いままだと、塩素ラジカルＣｌ＊により薄膜がエッチングされることが考えられる。これを抑制するため、成膜が終了した後、Ａｒガスをチャンバ１内に供給してプラズマを発生させることにより、基板３の近傍の電子温度を低下させて基板表面の輻射エネルギーを減少させることができる。
【００８２】
更に、プラズマを停止させた後に残留するＣｌラジカルＣｌ＊によりＡｌＮの薄膜が影響を受けることが考えられる。これを抑制するため、プラズマを停止させた後にＨｅを流し続け、ＨｅをＣｌラジカルＣｌ＊と反応させてＣｌ２ガスとして排出することができる。これにより、成膜されたＡｌＮの薄膜が残留するＣｌラジカルＣｌ＊によって影響を受けることがなくなる。
【００８３】
従って、新方式のＣＶＤ装置を用いてＡｌＮの薄膜を低温の環境下で確実に作製することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、ＡｌＮの薄膜を成膜することができる薄膜作製装置及び薄膜作製方法の産業分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態例に係る薄膜作製装置の概略側面図である。
【図２】プラズマの発光状況を表すグラフである。
【符号の説明】
【００８６】
１  チャンバ
２  支持台
３  基板
４  ヒータ
５  冷媒流通手段
６  温度制御手段
７  天井板
８  プラズマアンテナ
９  整合器
１０  電源
１１  被エッチング部材
１２  ガスプラズマ
１４  ガスノズル
１５  流量制御器
１７  作用ガス
１８  排出口
１９  真空装置
２０  圧力制御手段
２１  ノズル
２２  アンモニア（ＮＨ３）
２５  プラズマ分光器
【図１】
0004845455.tif 000002
【図２】
0004845455.tif 000003