(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の積層された誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成されたＮｉを導電成分とする複数の内部電極とを含み、前記誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、前記内部電極は、少なくともＳｉを成分元素として含む、積層体を備えるとともに、
前記積層体の相対向する各端部上にそれぞれ形成された外部電極を備え、
複数の前記内部電極は、いずれかの前記外部電極に電気的に接続されるように、各々のいずれか一方の端縁が前記積層体の端面にまで届く状態でそれぞれ形成されている、積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層は、断面研磨面における欠陥部の発生面積率が１％以下であり、前記誘電体セラミック層と前記内部電極との間に、前記誘電体セラミック層の成分と前記内部電極の成分とを含有するＢａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇの酸化物を主成分とする界面層が形成されている、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
複数の積層された誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成されたＮｉを導電成分とする複数の内部電極とを含み、前記誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、前記内部電極は、少なくともＡｌを成分元素として含む、積層体を備えるとともに、
前記積層体の相対向する各端部上にそれぞれ形成された外部電極を備え、
複数の前記内部電極は、いずれかの前記外部電極に電気的に接続されるように、各々のいずれか一方の端縁が前記積層体の端面にまで届く状態でそれぞれ形成されている、積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層は、断面研磨面における欠陥部の発生面積率が１％以下であり、前記誘電体セラミック層と前記内部電極との間に、前記誘電体セラミック層の成分と前記内部電極の成分とを含有するＢａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｎｉの酸化物を主成分とする界面層が形成されている、積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
複数の積層された誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成されたＮｉを導電成分とする複数の内部電極とを含み、前記誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、前記内部電極は、少なくともＡｌおよびＭｇを成分元素として含む、積層体を備えるとともに、
前記積層体の相対向する各端部上にそれぞれ形成された外部電極を備え、
複数の前記内部電極は、いずれかの前記外部電極に電気的に接続されるように、各々のいずれか一方の端縁が前記積層体の端面にまで届く状態でそれぞれ形成されている、積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体セラミック層は、断面研磨面における欠陥部の発生面積率が１％以下であり、前記誘電体セラミック層と前記内部電極との間に、前記誘電体セラミック層の成分と前記内部電極の成分とを含有するＭｇＡｌ2Ｏ4−ＮｉＡｌ2Ｏ4のスピネル構造の酸化物を含む界面層が形成されている、積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記界面層の発生率は、断面研磨面における前記内部電極の長さに対する当該界面層の長さの比で５％以上かつ９５％以下である、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、ニッケル（Ｎｉ）を含む内部電極を備える積層セラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体セラミック材料を積層セラミックコンデンサに用いた場合、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成すると、誘電体セラミック材料が還元されて半導体化するという問題がある。
【０００３】
したがって、積層セラミックコンデンサに備える内部電極の材料としては、誘電体セラミック材料の焼結する温度下でも溶融することがないばかりでなく、誘電体セラミック材料を半導体化させない高酸素分圧下で焼成しても酸化することのない、たとえば、パラジウム、白金等の貴金属を用いる必要があり、積層セラミックコンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっている。
【０００４】
上述の問題を解決するため、たとえばニッケル等の安価な卑金属を内部電極の材料として使用できることが望まれている。しかし、このような卑金属を内部電極の材料として用い、上述したような条件下で焼成すると、卑金属が酸化されてしまい、内部電極の機能が損なわれてしまう。
【０００５】
そのため、このような卑金属を内部電極の材料として用いるためには、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、かつ優れた誘電特性を有する誘電体セラミック材料が望まれる。
【０００６】
上述の条件を満たす誘電体セラミック材料の組成として、たとえば、特開昭６２−２５６４２２号公報に記載されるＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成、特開昭６３−１０３８６１号公報に記載されるＢａＴｉＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ−希土類酸化物系の組成、特公昭６１−１４６１０号公報に記載されるＢａＴｉＯ3 −（Ｍｇ，Ｚｒ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯ（ＭＯ：ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ）系の組成、あるいは、特開平３−２６３７０８号公報に記載される（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃｅ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3 系の組成が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような卑金属を含む内部電極を有する積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層が薄層化されたり、多層化されたりすると、焼成時の内部電極と誘電体セラミック層との間の収縮の差や熱膨張率の差が大きく影響し、内部電極と誘電体セラミック層との界面に残留応力が生じ、これによって、耐熱衝撃性が悪くなるという問題がある。
【０００８】
また、耐熱衝撃性や高温・高湿下における信頼性（いわゆる耐湿負荷特性）は、誘電体セラミック層を薄層化したり（たとえば厚み３μｍ以下）、多層化したり（たとえば１００層以上）した場合には、誘電体セラミック層の欠陥部（たとえばポア）の影響によって、悪くなるという問題がある。
【０００９】
これらの問題に関連して、特公平７−５６８５０号公報には、アルミノシリケート層によって、Ｎｉを含む内部電極と誘電体セラミック層とが接合された積層セラミックコンデンサが記載されている。しかし、この積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層における欠陥部の影響や、耐熱衝撃性、界面層であるアルミノシリケート層による誘電特性の劣化を考慮したものではない。
【００１０】
他方、特開平３−１３３１１４号公報には、内部電極の周囲に誘電体セラミック層とは異なる組成の酸化物層を形成し、積層セラミックコンデンサの高温負荷試験における信頼性の向上を目的として、低酸素濃度化で焼成した後に熱処理を行なうことが記載されている。しかし、このようにして得られた積層セラミックコンデンサは、耐熱衝撃性や耐湿負荷特性に対しては実質的な効果を発揮し得ない。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、Ｎｉを含む内部電極を有する積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層の欠陥、ならびに界面層の組成および構造を改良することにより、耐熱衝撃性、耐湿負荷特性および誘電特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、複数の積層された誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成されたＮｉを導電成分とする複数の内部電極とを含む、積層体を備えるとともに、この積層体の相対向する各端部上にそれぞれ形成された外部電極を備え、複数の内部電極は、いずれかの外部電極に電気的に接続されるように、各々のいずれか一方の端縁が積層体の端面にまで届く状態でそれぞれ形成されている、積層セラミックコンデンサに向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１３】
すなわち、誘電体セラミック層は、断面研磨面における欠陥部の発生面積率が１％以下であり、誘電体セラミック層と内部電極との間に、誘電体セラミック層の成分と内部電極の成分とを含有する界面層が形成されていることを特徴としている。
【００１４】
この発明の特徴となる界面層の組成に関して、次のような３つの実施態様がある。
【００１５】
第１の実施態様では、誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極は、少なくともＳｉを成分元素として含み、界面層は、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇの酸化物を主成分としている。
【００１６】
第２の実施態様では、誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極は、少なくともＡｌを成分元素として含み、界面層は、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｎｉの酸化物を主成分としている。
【００１７】
第３の実施態様では、誘電体セラミック層は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極は、少なくともＡｌおよびＭｇを成分元素として含み、界面層は、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 −ＮｉＡｌ2 Ｏ4 のスピネル構造の酸化物を含んでいる。
【００１８】
この発明において、界面層の発生率は、断面研磨面における内部電極の長さに対する当該界面層の長さの比で５％以上かつ９５％以下であることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、複数の積層された誘電体セラミック層２と、誘電体セラミック層２間の特定の界面に沿って形成されたＮｉを導電成分とする複数の内部電極３とを含む、積層体４を備えている。
【００２１】
積層体４は、相対向する端面５を有し、これら端面５をそれぞれ含む積層体４の相対向する各端部上には、外部電極６が形成されている。外部電極６上には、必要に応じて、ニッケルまたは銅などからなる第１のめっき層７、その上に、半田または錫などからなる第２のめっき層８がそれぞれ形成される。
【００２２】
複数の内部電極３は、いずれかの外部電極６に電気的に接続されるように、各々のいずれか一方の端縁が積層体４の端面５にまで届く状態でそれぞれ形成されている。この実施形態では、一方の外部電極６に電気的に接続される内部電極３と、他方の外部電極６に電気的に接続される内部電極３とが、積層方向に関して、交互に配置されている。
【００２３】
この積層セラミックコンデンサ１は、たとえば、次のようにして製造される。
【００２４】
まず、誘電体セラミック層２となる複数のセラミックグリーンシートが用意される。セラミックグリーンシートは、たとえば、ＢａＴｉＯ3 、またはＢａ1-x Ｃａx ＴｉＯ3 を主成分とし、必要に応じて、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｉ（ガラス）等の添加成分を含む、非還元性の誘電体セラミック材料粉末をスラリー化し、これをシート状に成形することによって作製される。
【００２５】
次に、特定のセラミックグリーンシート上には、Ｎｉを導電成分として含む導電性ペーストを付与することによって、内部電極３となるペースト膜が形成される。
【００２６】
次に、ペースト膜が形成された複数のセラミックグリーンシートが積層されるとともに、これを挟むように、ペースト膜が形成されていない適当数のセラミックグリーンシートが積層され、次いで、積層方向にプレスされることによって、グリーンシート積層体が得られる。
【００２７】
次に、グリーンシート積層体は、必要に応じてカットされ、その後、還元性雰囲気中で焼成される。これによって、図１に示した積層体４が得られる。
【００２８】
次に、積層体４の相対向する各端部上に、外部電極６がそれぞれ形成される。外部電極６の材料としては、内部電極３と同じ材料を用いることができる。また、外部電極６の材料としては、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金、銅なども使用可能であり、また、これらの金属粉末に、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスなどからなるガラスフリットを添加したものも使用可能である。
【００２９】
なお、外部電極６は、上述したような金属粉末を導電成分として含む導電性ペーストを、焼結後の積層体４上に付与し、焼き付けることによって形成されるのが通常であるが、焼成前の生の積層体上に導電性ペーストを付与し、この生の積層体の焼成と同時に導電性ペーストの焼き付けを行なうようにして形成されてもよい。
【００３０】
次に、外部電極６上に、たとえばニッケルまたは銅などのめっきを施し、第１のめっき層７を形成し、その後、この第１のめっき層７上に、たとえば半田または錫などのめっきを施し、第２のめっき層８を形成することによって、積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００３１】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層２は、断面研磨面における欠陥部（たとえばポア）の発生面積率が１％以下であり、したがって、誘電体セラミック層２は極めて緻密な構造を有している。
【００３２】
また、誘電体セラミック層２と内部電極３との間には、界面層９が形成されている。界面層９は、内部電極３の図による上側に生じるものと図による下側に生じるものとがあるが、いずれも、誘電体セラミック層２の成分と内部電極３の成分とを含有する組成をもって構成されている。
【００３３】
このような界面層９が形成されていると、界面層が形成されない場合に比べて、誘電体セラミック層２と内部電極３との間でより強い接合状態を得ることができ、耐熱衝撃性および耐湿負荷特性を改善することができる。
【００３４】
上述した界面層９の組成は、誘電体セラミック層２の組成および内部電極３の組成に影響される。
【００３５】
誘電体セラミック層２が、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極３が、少なくともＳｉを成分元素として含むとき、誘電体セラミック層２の成分としてのＢａ、ＴｉおよびＭｇの各酸化物と、内部電極３および誘電体セラミック層２の双方に含まれるＳｉ成分とが反応して、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇの酸化物を主成分とする界面層９が形成される。このような界面層９の組成は、ＴＥＭ／ＥＤＸ分析によって確認できている。
【００３６】
また、界面層９は、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｎｉの酸化物を主成分としていてもよい。この場合、誘電体セラミック層２は、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極３は、少なくともＡｌを成分元素として含み、誘電体セラミック層２の成分としてのＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇの各酸化物と、内部電極３の成分としてのＮｉおよびＡｌの各酸化物が反応して、上述のようなＢａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｎｉの酸化物を主成分とする界面層９が形成される。この界面層９の組成も、ＴＥＭ／ＥＤＸ分析により確認できている。
【００３７】
また、界面層９は、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 −ＮｉＡｌ2 Ｏ4 のスピネル構造の酸化物を含んでいてもよい。このようなＭｇＡｌ2 Ｏ4 −ＮｉＡｌ2 Ｏ4 のスピネル構造の酸化物は、誘電体セラミック層２が、少なくともＢａ、Ｔｉ、ＳｉおよびＭｇを成分元素として含み、内部電極３が、少なくともＡｌおよびＭｇを成分元素として含む場合に生成される。
【００３８】
スピネル構造とは、化学式ＡＢ2 Ｘ4 （ＡおよびＢは陽性元素、Ｘは陰性元素）で示される化合物がとり得る結晶構造の一形式であり、Ｘはほぼ立方最密充填配列をし、その四面体空隙をＡが、また、八面体空隙をＢがそれぞれ占める。このスピネル化合物を含む界面層９によれば、内部電極３と誘電セラミック層２との結合がより強くなり、積層セラミックコンデンサ２の耐熱衝撃性および耐湿負荷特性をより優れたものとすることができる。
【００３９】
界面層９の発生率は、断面研磨面における内部電極３の長さに対する当該界面層９の長さの比で５％以上かつ９５％以下であることが好ましい。界面層９の発生率が５％未満では、内部電極３と誘電体セラミック層２との間において、十分な結合力を得ることができない。他方、界面層９の発生率が９５％を超える場合には、界面層９の影響によって、積層セラミックコンデンサ１の静電容量等の誘電特性が大きく低下する。
【００４０】
なお、上述のように界面層９の発生率が高くなると、積層セラミックコンデンサ１の静電容量が低下する理由としては、界面層９の比誘電率が誘電体セラミック層２の比誘電率に比べて低いこと、および、誘電体セラミック層２中の有効添加成分が偏析層としての界面層９中に多量に取り込まれて組成のずれが大きくなることが考えられる。
【００４１】
次に、この発明を、より具体的な実験例に基づいて、以下に詳細に説明する。
【００４２】
【実験例１】
１．内部電極用導電性ペーストの準備
粒径０．２μｍのＮｉ粉末を用意し、このＮｉ粉末１００重量部に対して、表１に示すような重量部をもって、いくつかの種類のコーティングを施した。
【００４３】
【表１】
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【００４４】
すなわち、表１に示すように、種類Ａでは、Ｓｉの金属アルコキシドのテトラエチルオルソシリケートを加水分解処理によってコーティングし、種類Ｂでは、Ａｌの金属アルコキシドのトリイソプロポキシアルミニウムを加水分解処理によってコーティングし、種類Ｃでは、上述のＡｌの金属アルコキシドと酢酸マグネシウムとをそれぞれ加水分解処理によってコーティングした。また、種類Ｄでは、コーティングを施さなかった。
【００４５】
次に、これら種類Ａ〜Ｄの各々に係るＮｉ粉末４２重量％と、エチルセルロース系バインダ６重量％をテルピネオール９４重量％に溶解して作製した有機ビヒクル４４重量％と、テルピネオール１４重量％とを混合し、３本ロールミルによって分散混練し、内部電極用導電性ペーストを作製した。
【００４６】
２．誘電体セラミック層用誘電体セラミック材料の準備
表２に示すような組成を有する、種類ａ〜ｃの各々に係る誘電体セラミック材料を用意した。
【００４７】
【表２】
0004691807.tif 000003
【００４８】
表２において、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）粉末は、粒径０．２μｍの加水分解法によって製造されたものであり、各添加成分は、酸化物粉末または炭酸化物粉末の形態で、チタン酸バリウム粉末に混合する方法によって添加した。
【００４９】
表２において、ＢａＴｉＯ3 、Ｄｙ、ＭｇおよびＭｎの各含有量は、それぞれ、これらの間でのモル比で示し、Ｓｉの含有量は、得られた誘電体セラミック材料における重量％で示している。
【００５０】
３．積層セラミックコンデンサの作製
上述した誘電体セラミック材料粉末に、バインダおよび有機溶剤を加えて、スラリーを作製し、このスラリーをシート状に成形することによって、セラミックグリーンシートを得た。
【００５１】
次に、セラミックグリーンシート上に、前述の導電性ペーストを、蛍光Ｘ線膜厚計によるＮｉ厚が０．６μｍとなるようにスクリーン印刷し、内部電極となる導電性ペースト膜を形成した。
【００５２】
次いで、複数のセラミックグリーンシートを、上述の導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いとなるように積層し、熱プレスして一体化した。
【００５３】
次いで、一体化された積層体を、所定の寸法にカットし、生の積層体チップを得た。
【００５４】
次に、この生の積層体チップを、窒素雰囲気中において３００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中において最高焼成温度１３００℃で２時間保持しながら、昇温速度と降温速度とをともに２００℃／時間とする、プロファイルをもって焼成した。
【００５５】
次いで、焼成後の積層体チップの両端部に銀を導電成分として含む導電性ペーストを塗布し、窒素雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、前述の導電性ペースト膜によって与えられた内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。そして、この外部電極上に、ニッケルめっき膜を形成し、さらにその上に、半田めっき膜を形成した。
【００５６】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が１．６ｍｍ、長さが３．２ｍｍ、厚さが０．８ｍｍであり、内部電極間に介在するセラミック層の厚みは３μｍであり、有効誘電体セラミック層の数は１５０であった。
【００５７】
４．評価
得られた積層セラミックコンデンサの各試料に対して、表３に示すように、誘電体セラミック層の断面研磨面における欠陥部（ポア）の発生面積率（表３において「セラミック欠陥率」）、界面層の有無および組成ならびに発生率、誘電特性としての比誘電率および誘電体損失、ならびに、信頼性としての耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験の各々についての評価を実施した。
【００５８】
セラミック欠陥率については、試料となる積層セラミックコンデンサを断面研磨し、研磨面におけるポアの面積を画像解析処理に基づいて定量化することによって求めた。
【００５９】
界面層の組成については、ＴＥＭ／ＥＤＸ分析に基づいて組成分析することによって求めた。
【００６０】
界面層の有無およびその発生率については、積層セラミックコンデンサを断面研磨し、ＳＥＭ観察により評価したもので、特に、界面層の発生率については、ＳＥＭ観察に基づき、研磨面における内部電極側の界面層の長さと内部電極の長さ（１００μｍ）とをそれぞれ定量化することによって求めた。
【００６１】
また、静電容量（Ｃ）および誘電体損失（ｔａｎδ）を、自動ブリッジ式測定器を用いてＪＩＳ規格５１０２に従って測定し、得られた静電容量から比誘電率（εr ）を算出した。
【００６２】
耐熱衝撃試験については、各試料を５０個ずつ、３２５℃に設定した半田槽に３秒間浸漬することによって行なった。耐熱衝撃試験後の各試料を樹脂で固めた後に研磨し、顕微鏡によってクラックの発生の有無を検査し、クラックの発生した試料を不良と判断した。
【００６３】
耐湿負荷試験については、各試料を７２個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２１℃の条件下で、１６Ｖの直流電圧を印加した場合において、２５０時間経過するまでに、絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω以下になった試料を不良と判断した。
【００６４】
以上の評価結果が表３に示されている。表３において、試料番号の左の欄外に「＊」が付されたものは、この発明の範囲から逸脱したものである。
【００６５】
【表３】
0004691807.tif 000004
【００６６】
表３を参照して、まず、試料１〜３の間で比較する。
【００６７】
試料１〜３は、「セラミック種類」の欄に、それぞれ、「ａ」、「ｂ」および「ｃ」（表２参照）と記載されているように、誘電体セラミック材料に含まれるガラス（Ｓｉ）の添加量を変え、それによって、誘電体セラミックの焼結状態を変えたものである。
【００６８】
内部電極のための導電性ペーストには、「ペースト種類」の欄に記載されるように、いずれも、「Ａ」（表１参照）を使用している。
【００６９】
このような状況の下、試料１〜３のすべてにおいて、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇの酸化物を含有する界面層（表３において、この界面層の組成を「▲１▼」で示す。）の発生が認められた。
【００７０】
しかしながら、試料１では、適正量の界面層が形成されているにもかかわらず、セラミック欠陥率（ポアの発生率）が２．３％というように１％を超え、耐熱衝撃試験で８／５０個の不良、耐湿負荷試験で１２／７２個の不良が確認された。
【００７１】
これに対して、試料２および３では、セラミック欠陥率が１％以下であり、かつ界面層の発生率も適正値であるため、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験のいずれにおいても不良は発生しなかった。
【００７２】
次に、試料４では、「ペースト種類」が「Ｄ」（表１参照）であり、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 およびＭｇＯのいずれによってもコーティングされていないＮｉ粉末を用いている。
【００７３】
この場合、セラミック欠陥率については１％以下であるが、界面層が発生しておらず、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験といった信頼性試験での不良の発生が著しかった。
【００７４】
次に、試料５〜７の間で比較する。
【００７５】
試料５〜７は、「セラミック種類」の欄に、それぞれ、「ａ」、「ｂ」および「ｃ」と記載されているように、誘電体セラミック材料へのガラス（Ｓｉ）添加量を変え、それによって、誘電体セラミックの焼結状態を変えたものである。
【００７６】
内部電極のための導電性ペーストには、「ペースト種類」に記載されように「Ｂ」（表１参照）を用いている。
【００７７】
このような状況の下、試料５〜７において、いずれも、Ｂａ−Ｔｉ−Ｓｉ−Ｍｇ−Ａｌ−Ｎｉの酸化物を含有する界面層（表３において、この界面層の組成を「▲２▼」で示す。）の発生が認められた。
【００７８】
しかしながら、試料５では、適正量の界面層が形成されているにもかかわらず、セラミック欠陥率が２．１％と１％を超えており、耐熱衝撃試験で６／５０個の不良、耐湿負荷試験で１１／７２個の不良が確認された。
【００７９】
これに対して、試料６および７では、セラミック欠陥率が１％以下であり、かつ界面層の発生率も適正値であるため、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験のいずれにおいても不良は発生しなかった。
【００８０】
次に、試料８〜１０の間で比較する。
【００８１】
試料８〜１０は、「セラミック種類」の欄に、それぞれ、「ａ」、「ｂ」および「ｃ」と記載されているように、誘電体セラミック材料へのガラス（Ｓｉ）添加量を変え、それによって誘電体セラミックの焼結状態を変えたものである。
【００８２】
内部電極のための導電性ペーストには、「ペースト種類」の欄に記載されるように、「Ｃ」（表１参照）のＮｉ粉末を用いている。
【００８３】
このような状況の下、試料８〜１０のすべてにおいて、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 −Ｎｉ2 Ｏ4 のスピネル構造の酸化物を含む界面層（表３において、この界面層の組成を「▲３▼」で示す。）の発生が認められた。
【００８４】
しかしながら、試料８では、適正量の界面層が形成されているにもかかわらず、セラミック欠陥率が２．２％と１％を越えており、耐熱衝撃試験で４／５０個の不良、耐湿負荷試験で８／７２個の不良が確認された。
【００８５】
これに対して、試料９および１０では、セラミック欠陥率が１％以下であり、かつ界面層の発生率も適正値であるため、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験のいずれにおいても不良は発生しなかった。
【００８６】
【実験例２】
この実験例２では、誘電体セラミック層のための誘電体セラミック材料については、表２の「ｃ」の組成のものを用いた。
【００８７】
他方、内部電極のための導電性ペーストに含まれるＮｉ粉末については、表４に示すような種々のコーティングを施したＮｉ粉末を用いた。表４は、表１に相当するもので、コーティングにあたっては、実験例１と同様の方法を用いた。なお、表４において、種類「Ａ２」、「Ｂ２」および「Ｃ２」は、それぞれ、表１における種類「Ａ」、「Ｂ」および「Ｃ」と同様である。
【００８８】
【表４】
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【００８９】
試料となる積層セラミックコンデンサを作製するにあたっては、表５に示すように、セラミックグリーンシート上に形成された内部電極のための導電性ペースト膜の蛍光Ｘ線膜厚計による厚みを、０．３μｍ、０．６μｍ、０．９μｍおよび１．２μｍと変えた各試料を作製したことを除いて、実験例１の場合と同様の方法によって、積層セラミックコンデンサを作製した。
【００９０】
また、試料となる積層セラミックコンデンサの評価方法についても、実験例１の場合と同様の方法を用いた。
【００９１】
【表５】
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【００９２】
表５において、試料番号の左の欄外に「＊」が付されたものは、この発明の好ましい範囲から逸脱するものである。また、表５において、試料１４、２２および３０は、それぞれ、表３の試料３、７および１０と同様である。
【００９３】
まず、セラミック欠陥率については、表５には示していないが、試料１１〜３４のいずれにおいても、０．１％以下となり、良好な焼結状態が得られた。
【００９４】
また、表５で示すように、試料１１〜３４のいずれの場合にも、「ペースト種類」（Ａ、Ｂ、Ｃ）に対応した組成（▲１▼、▲２▼、▲３▼）の界面層が発生した。
【００９５】
表５を参照して、試料１１〜１８の間で比較する。
【００９６】
試料１１〜１８は、「ペースト種類」として、「Ａ１」、「Ａ２」または「Ａ３」というように、いずれも、ＳｉＯ2 をコートしたＮｉ粉末を含むものを使用しており、導電性ペーストの塗布厚を変えることによって、界面層の発生率を変えたものである。
【００９７】
試料１１および１２では、界面層の発生率が５％未満であり、この場合、誘電特性は良好であるが、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験で不良がいくつか発生した。
【００９８】
他方、試料１８では、界面層の発生率が９５％を超えており、この場合には、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験は、いずれも、良好な結果を示したが、比誘電率の低下が生じた。
【００９９】
これらに対して、試料１３〜１７では、界面層の発生率が５％以上かつ９５％以下であり、良好な誘電特性を示すとともに、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験といった信頼性試験においても良好な結果を示した。
【０１００】
次に、試料１９〜２６の間で比較する。
【０１０１】
試料１９〜２６では、「ペースト種類」として、「Ｂ１」、「Ｂ２」または「Ｂ３」というように、いずれも、Ａｌ2 Ｏ3 をコートしたＮｉ粉末を含むものを使用しており、導電性ペーストの塗布厚を変えることによって、界面層の発生率を変えたものである。
【０１０２】
試料１９では、界面層の発生率が５％未満であり、この場合には、誘電特性は良好であったが、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験においていくつかの不良が発生した。
【０１０３】
他方、試料２５および２６では、界面層の発生率が９５％を超えており、この場合には、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験は、いずれも、良好な結果を示したが、比誘電率の低下が生じた。
【０１０４】
これらに対して、試料２０〜２４では、界面層の発生率が５％以上かつ９５％以下であり、良好な誘電特性を示すとともに、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験といった信頼性試験においても良好な結果を示した。
【０１０５】
次に、試料２７〜３４の間で比較する。
【０１０６】
試料２７〜３４では、「ペースト種類」として、「Ｃ１」、「Ｃ２」または「Ｃ３」というように、いずれも、Ａｌ2 Ｏ3 およびＭｇＯをコートしたＮｉ粉末を含むものを使用しており、導電性ペーストの塗布厚を変えることによって、界面層の発生率を変えたものである。
【０１０７】
試料２７では、界面層の発生率が５％未満であり、この場合には、誘電特性は良好であったが、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験においていくつかの不良が発生した。
【０１０８】
他方、試料３３および３４では、界面層の発生率が９５％を越えており、この場合には、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験は良好な結果を示したが、比誘電率の低下が生じた。
【０１０９】
これらに対して、試料２８〜３２では、界面層の発生率が５％以上かつ９５％以下であり、良好な誘電特性を示すとともに、耐熱衝撃試験および耐湿負荷試験といった信頼性試験においても良好な結果を示した。
【０１１０】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、誘電体セラミック層の断面研磨面における欠陥部の発生面積率が１％以下であり、この誘電体セラミック層とＮｉを導電成分とする内部電極との間に、誘電体セラミック層の成分と内部電極の成分とを含有する界面層が形成されているので、誘電体セラミック層と内部電極とが強固に接合され、そのため、優れた耐熱衝撃性および耐湿負荷特性を示す積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【０１１１】
このことから、この発明は、内部電極間の誘電体セラミック層の厚みが３μｍ以下で、内部電極の積層数が１００以上といった積層セラミックコンデンサに特に有利に適用されることができる。
【０１１２】
なお、前述の誘電体セラミック層の断面研磨面における欠陥部の発生面積率は、たとえば、誘電体セラミック層のための誘電体セラミック材料に添加するＳｉの添加量を変えることによって制御することができる。
【０１１３】
この発明において、界面層の発生率を、断面研磨面における内部電極の長さに対する界面層の長さに比で５％以上かつ９５％以下に制御すれば、誘電体セラミック層と内部電極との間で強固な接合状態を確実に得ることができるとともに、界面層の存在による静電容量等の誘電特性の深刻な劣化を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  積層セラミックコンデンサ
２  誘電体セラミック層
３  内部電極
４  積層体
５  端面
６  外部電極
９  界面層
【図１】
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