(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱する抵抗体の流体による熱の授受で生じる抵抗値変化を利用して、前記流体の流量を測定するフローセンサにおいて、
第１、第２、第３の中空部がこの順に設けられ、前記第２の中空部上に抵抗体が配置された基板と、
第１、第２の凹部が形成され、この第１の凹部が前記抵抗体の一部と前記第１の中空部を覆い、前記第２の凹部が前記抵抗体の一部と前記第３の中空部を覆うように、前記基板に固定された流路チップと、
を具備し、前記第１の中空部、前記第１の凹部、前記第２の中空部、前記第２の凹部、前記第３の中空部で流体が流れる流路を構成するようにしたことを特徴とするフローセンサ。
【請求項２】
前記基板には、前記抵抗体に電圧を印加する電極および前記抵抗体の抵抗値変化に基づく信号を取り出す電極が形成され、これらの電極の少なくとも一部が前記流路チップの外部に配置されるように、前記流路チップを固定するようにしたことを特徴とする請求項１記載のフローセンサ。
【請求項３】
前記基板には、前記第１〜第３の中空部および前記抵抗体からなる組が少なくとも２組配置され、前記流路チップには、前記中空部と抵抗体からなる組と１対１に対応する、第１および第２の凹部からなる組が形成されて、これらの組において、第１の凹部が対応する組の前記抵抗体の一部と第１の中空部を覆い、第２の凹部が前記抵抗体の一部と第３の中空部を覆うように、前記流路チップを前記基板に固定するようにしたことを特徴とする請求項１若しくは請求項２記載のフローセンサ。
【請求項４】
発熱する抵抗体の流体による熱の授受で生じる抵抗値変化を利用して、前記流体の流量を測定するフローセンサにおいて、
中空部が設けられ、この中空部上に抵抗体が配置された基板と、
導入口を有する第１の凹部、および導出口を有する第２の凹部が形成され、前記第１の凹部と前記第２の凹部が前記抵抗体を覆うように、これら導入口、導出口の反対面が前記基板に固定された流路チップと、
を具備し、前記導入口、前記第１の凹部、前記中空部、前記第２の凹部、前記導出口で流体が流れる流路を構成するようにしたことを特徴とするフローセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱線式流量センサ及び赤外線ガス分析計の微小ガス流量を計測するフローセンサに関し、特にフローセンサの構造の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術における赤外線ガス分析計は、測定対象ガスの赤外線吸収によって生じる基準セルと試料セルの赤外線の光量差を、ガスセル吸収方式の検出器、即ち、干渉補償検出器の内部に発生する圧力差で発生する流量をフローセンサで検出して、測定対象ガスの濃度を測定するというものである。
【０００３】
図７は、従来の赤外線ガス分析計の一例を示す構成図である。
図７において、赤外線を出射させる赤外線光源１１１と、この赤外線光源１１１から発せられる赤外線光束を周期的に同時に、若しくは交互に断続させるモータ１２０で回転駆動される回転セクタ１２１と、回転セクタ１２１で断続されている赤外線光束を分配する分配セル１１２と、分配セル１１２の一方側に接続され測定光源として案内して測定光線路を形成する試料セル１１４と、分配セル１１２の他方側に接続され比較光源として案内して比較光線路を形成する基準セル１１３と、試料セル１１４及び基準セル１１３の出力側に配置され、両者の光線を受け入れる測定室１１７及び比較室１１６を持つ干渉補償検出器１１５と、測定室１１７及び比較室１１６の連通した流通路１１８に備えたガスの流通を検出するガス検出手段を形成するサーマルフローセンサ１１９と、このサーマルフローセンサ１１９で検出した信号を増幅して濃度信号を生成する交流電圧増幅器１２２と、から大略構成されている。
【０００４】
このような構成からなる赤外線ガス分析計において、先ず、赤外線光源１１１から発せられた赤外線が分配セル１１２により２つに分割され、それぞれ基準セル１１３、試料セル１１４に入射する。基準セル１１３には不活性ガスなど測定対象成分を含まないガスが充填されている。また、試料セル１１４には測定試料が流通する。分配セル１１２で２つに分けられた赤外線は試料セル１１４でのみ測定対象成分による吸収を受け干渉補償検出器１１５に到達する。
【０００５】
干渉補償検出器１１５は、基準セル１１３からの赤外光と試料セル１１４からの赤外光を受ける２室（比較室１１６、試料室１１７）からなっており、その２室が流通路１１８でつながる構造をしており、その流通路１１８にガスの行き来を検出するためのサーマルフローセンサ１１９が取り付けられている。干渉補償検出器１１５内には測定対象と同じ成分を含むガスが充填されており、基準セル１１３、試料セル１１４からの赤外線が照射されると測定対象成分ガスが赤外線を吸収することで、その中でガスが熱膨張する。
【０００６】
試料セル１１４内の測定試料に測定対象成分が多く含まれると、赤外線はそこで多くが吸収されるため、干渉補償検出器１１５では比較室１１６に多くの赤外線が照射され、よりガスが膨張する。赤外線は回転セクタ１２１で遮断、照射を繰り返しており、遮断されたときは比較室１１６、測定室１１７とも赤外線が照射されないのでガスは膨張せず、赤外線が照射されると干渉補償検出器１１５の測定室１１７には試料セル１１４内の測定対象成分濃度に応じた赤外線が照射され、測定室１１７には試料中の測定対象成分濃度に応じた赤外線が照射されるため、試料中の測定対象成分の濃度に応じて両室の間に差圧が生じ、両室間の間に設けられた流通器１１８をガスが行き来することとなる。そのガスの挙動をサーマルフローセンサ１１９で検出し、交流電圧増幅器１２２で交流電圧増幅し、濃度信号として出力する。
【０００７】
図８は、サーマルフローセンサにおける回路構成の一例を示した図である。
図７のサーマルフローセンサ１１９は、図８に示すように、熱線（抵抗体）式のもので、その構成はブリッジ回路を組込み、破線で示した流路に直交配置された熱線である抵抗体Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２を２個配置し、他の参照抵抗Ｒ１、Ｒ２を流路外に配置した構成である。
【０００８】
この構成において、ガスの熱拡散作用を用い、ガスの圧縮度合いにより伝播する熱量が変化するためセンサそのものが質量流量に比例した出力特性を持つ。ここでは流れに沿った２つ熱線（ヒータ兼温度センサ）が気体に対する熱の授受により抵抗値が変化するため、ブリッジ回路の出力電圧を測定することにより流量または流速測定を行う。
【０００９】
図９は、従来のフローセンサの一例を示す構成図である。
図（ａ），（ｂ）は従来の熱式のフローセンサ２３０の一例を示す平面図（ａ）および（ａ）図のＩ−Ｉ’断面図（ｂ）である。これらの図において、２２１はシリコン基板２２０の表面に形成された膜厚５００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。
【００１０】
２２２は酸化膜２２１の表面に形成されたＮｉ金属膜などからなる蛇行状の熱線（抵抗体）であり、このＮｉ金属膜２２２は酸化膜２２１上にスパッタ法などにより膜厚２μｍ程度に形成されている。
【００１１】
２２３はシリコン基板の裏面および酸化膜２２０をエッチングして形成された中空であり、抵抗体２２２は蛇行部の折り返し点のそれぞれの両端で支持され、途中は中空に浮いた状態になっている。２２２ｂは抵抗体の両端に接続して形成された電極である。
【００１２】
上述の構成において、電極２２２ｂ間に電圧を印加して熱線（抵抗体）２２２を加熱しておき、貫通孔２２３ａを介してガスを通過させると熱線２２２の温度が低下する。
その温度変化を検出してガス流量を計測する（例えば特許文献１参照。）。
【００１３】
【特許文献１】特開２００２−８１９８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
このようにして形成されたフローセンサ２３０は、実際には、図８の抵抗体Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２を２個配置するため、図９（ｂ）に示すように、シリコン基板を２枚重ねた状態の構成となる。ガス流路は、熱線２２２の並びに直交する方向である。
【００１５】
このようなシリコン基板などから形成された半導体プロセスにより作製されたフローセンサは、微細構造より熱容量が小さいため、計測範囲が熱式の中でもさらに広く、微小なガスの計測を可能にしている。
【００１６】
しかしながら、赤外線ガス分析計おけるフローセンサは極微小な流れを捕らえなくてはならない。従来では感度を得るために、流路の垂直断面全体にわたり幾本の熱線を横断させ、流れの全域にわたって熱線が寄与するように工夫されている。
【００１７】
そのため、熱線を設けた２つの基板の貫通穴を流路の一部として、流路に対して垂直に装填する必要がある。このため、電極の取り出しや組み立て構造が複雑となり組立に熟練を要し、性能、歩留り、コストなどに影響を与えるという問題がある。  
【００１８】
これに対して、図１０のフローセンサ３００は、ガスの流れに対して平行に基板を配置するために、電極の取り出しや組み立て構造が単純であり組立が容易である。
図１０は、従来のフローセンサの一例を示す他の構成図である。
しかしながら、図１０のフローセンサにおいては、流れの一部分に対して熱線３０１が寄与するのみであり、流路全体の情報は直接得られない。流体の境界層にも依存するため感度や線形性への影響が起こりうるという問題があった。
【００１９】
本発明は、このような従来のフローセンサが有していた問題を解決しようとするものであり、取り出しや組み立て構造を容易にできると共に、性能の劣化を抑え、また、拡張性にも優れたフローセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は次の通りの構成になったフローセンサである。
【００２１】
（１）発熱する抵抗体が流体によって冷却又は加熱されることで生じる抵抗値変化に基づいて前記流体の流量を測定するフローセンサにおいて、
第１、第２、第３の中空部がこの順に設けられ、前記第２の中空部上に抵抗体が配置された基板と、
第１、第２の凹部が形成され、この第１の凹部が前記抵抗体の一部と前記第１の中空部を覆い、前記第２の凹部が前記抵抗体の一部と前記第３の中空部を覆うように、前記基板に固定された流路チップと、
を具備し、前記第１の中空部、前記第１の凹部、前記第２の中空部、前記第２の凹部、前記第３の中空部で流体が流れる流路を構成するようにしたことを特徴とするフローセンサ。
【００２３】
（２）前記フローセンサチップは、前記抵抗体に電圧を印加する電極および前記抵抗値変化に基づく信号を取り出す電極を有し、これらの電極の少なくとも一部が前記流路チップの外部に配置されるように、前記流路チップを固定するようにしたことを特徴とする（１）に記載のフローセンサ。
【００２４】
（３）前記基板には、前記第１〜第３の中空部および前記抵抗体からなる組が少なくとも２組配置され、前記流路チップには、前記中空部と抵抗体からなる組と１対１に対応する、第１および第２の凹部からなる組が形成されて、これらの組において、第１の凹部が対応する組の前記抵抗体の一部と第１の中空部を覆い、第２の凹部が前記抵抗体の一部と第３の中空部を覆うように、前記流路チップを前記基板に固定するようにしたことを特徴とする（１）または（２）に記載のフローセンサ。
【００２５】
（４）発熱する抵抗体の流体による熱の授受で生じる抵抗値変化を利用して、前記流体の流量を測定するフローセンサにおいて、
中空部が設けられ、この中空部上に抵抗体が配置された基板と、
導入口を有する第１の凹部、および導出口を有する第２の凹部が形成され、前記第１の凹部と前記第２の凹部が前記抵抗体を覆うように、これら導入口、導出口の反対面が前記基板に固定された流路チップと、
を具備し、前記導入口、前記第１の凹部、前記中空部、前記第２の凹部、前記導出口で流体が流れる流路を構成するようにしたことを特徴とするフローセンサ。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、以下のような効果がある。
【００２８】
請求項１および４に記載の発明によれば、すべての流線は抵抗体を通過し、流路断面全体の平均的な流れの検出を可能とする。
このため、抵抗体は、流路に対してほぼ全域にわたり寄与するので、従来のフローセンサ同様の性能が得られる。
また、フローセンサの抵抗体を１つの基板に集約できる。
従って、取り出しや組み立て構造を容易にできると共に、性能の劣化を抑えることができる。
【００２９】
請求項２に記載の発明によれば、電極の取り出しや組み立て構造を容易にできる。
【００３０】
請求項３に記載の発明によれば、振動補償などのための流路の２次元的な形状の変更、抵抗体を増やすなどの拡張性にも優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
従来の熱線（抵抗体）の並びに直交する流路（図９（ｂ））を３次元流路、熱線の並びに平行する流路（図１０）を２次元流路とすると、本発明は、流路は横に並べた熱線を縫うように構成したので、２．５次元的流路といえる。
【００３２】
以下図面を用いて本発明を詳細に説明する。
図１から図３は本発明に係るフローセンサの一実施例を示す構成図であって、組立てた全体構成および各部構成について説明する。
【００３３】
図１は、本発明のフローセンサに係るフローセンサチップの一実施例を示す構成図である。
図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。
【００３４】
図１のフローセンサチップ４００は、例えば以下のような概略工程で製造する。
【００３５】
（Ｓ１）ＳＯＩ基板（単結晶シリコン基板）１の裏面に中空部８ａ，８ｂ，８ｃのエッチング工程で使用するマスク用の図示しないＳｉ（シリコン）酸化膜を成膜し、ＳＯＩ基板１のＳｉ活性層４に不純物（例えばボロン）をドープする。
【００３６】
（Ｓ２）ＳＯＩ基板１の裏側のＳｉ酸化膜をパターニングし、中間のＳｉ酸化膜３をエッチングストップ層として用い、ヒドラジン等のアルカリ溶液でＳｉ基板２に対する異方性エッチングを行って中空部８ａ，８ｂ，８ｃを形成していき、更に中空部８ａ，８ｂ，８ｃのＳｉ酸化膜３を弗酸系のエッチング液で除去する。これは、多層構造による応力の変形を避けるためでもある。
【００３７】
（Ｓ３）Ｓｉ活性層４の表面に電極用の金属（例えばＡｌ）を蒸着して電極６，７，９を形成する。その上からフォトレジストを塗布して、電極６，７，９や熱線（抵抗体）５ａ，５ｂをパターニングする。
【００３８】
（Ｓ４）レジスト膜での電極６，７，９や抵抗体５ａ，５ｂのパターンのフォトリソグラフィーを行い、これをマスクとして異方性ドライエッチングを行う。これにより、中空部８ａ，８ｃは完全な貫通孔となり、中空部８ｂには抵抗体５ａ，５ｂを残して貫通孔が形成される。
【００３９】
（Ｓ５）レジストアッシングを行って完成する。
【００４０】
このようなフローセンサチップ４００では、図１のように、中空部８ａ，８ｂ,８ｃは、ＸＹ平面上において、Ｙ方向の位置は変えずにＸ方向に対して所定の間隔で並べられ、電極６，７，９は、中空部８ａ，８ｂ，８ｃの図１では上部（Ｙ方向）位置し、Ｘ方向に対して所定間隔で並べられる。
【００４１】
熱線５ａ，５ｂは蛇行形状でパターニングされ、熱線５ａには、一端に電極６，他端に電極７が接続され、（図８における抵抗体Ｒｔｈ１に相当）、熱線５ｂには、一端に電極７，他端に電極９が接続され（図８における抵抗体Ｒｔｈ２に相当）、この２組の熱線は横方向（Ｘ方向）に所定の間隔をおいて並べられている。
【００４２】
また、電極６，９は参照抵抗との接続と出力信号用、電極７は共通電位点への接続用である。
【００４３】
図２は、本発明のフローセンサに係る流路チップの一実施例を示す構成図である。
図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）はＡ−Ａ’における断面図である。
【００４４】
図２の流路チップ５００は、例えば以下のような概略工程で製造する。
ＳＯＩ基板１１の裏面に凹部１２ａ，１２ｂのエッチング工程で使用するマスク用のＳｉ酸化膜１３を成膜し、Ｓｉ酸化膜１３をパターニングし、ヒドラジン等のアルカリ溶液でＳｉ基板１４に対する異方性エッチングを行って凹部１２ａ，１２ｂを形成する。アルカリ溶液によりエッチングすることにより、凹部１２ａ，１２ｂは、図２（ｂ）のような台形になる。
【００４５】
このような、流路チップ５００では、ＸＹ平面上で、Ｘ方向の寸法は、フローセンサチップ５００のＸ方向の寸法と同様の寸法であり、Ｙ方向の寸法は、フローセンサチップ４００より短くして、フローセンサチップ４００の電極６，７，９が流路チップ４００の外に配置されるようにしている。
【００４６】
凹部１２ａ，１２ｂは、Ｙ方向の位置は変えずにＸ方向に対して所定の間隔で並べられる。
また、凹部１２ａは中空部８ａおよび熱線５ａに被さり、凹部１２ｂは中空部８ｃおよび熱線５ｂに被さるように配置される。
各凹部の大きさは中空部と熱線を上から覆えるような大きさであり、凹部１２ａ，１２ｂの間の壁は、熱線５ａ，５ｂを仕切る壁となる。
【００４７】
図３は、本発明のフローセンサの一実施例を示す構成図である。図３は、図１のフローセンサチップ４００と図２の流路チップ５００とを接続した状態の断面図である。
【００４８】
上述したように、フローセンサチップ４００は、流体の入口２１と出口２２となる貫通孔（中空部８ａ，８ｃ）と２組の熱線５ａ，５ｂと、これらを中空に浮かすための孔(兼流路)（中空部８ｂ）を備えている。
また、流路チップ５００は、凹部１２ａ，１２ｂを備えている。
【００４９】
流路チップ５００をフローセンサチップ４００上に重ねて、中空部８ａ，８ｂ，８ｃおよび熱線５ａ，５ｂの上に凹部１２ａ，１２ｂが位置するように合わせる。
【００５０】
これにより、凹部１２ａ，１２ｂにより２組の熱線５ａ，５ｂ上に流路となる稜線が形成される。
【００５１】
従って、入口２１から入った流体は、中空部８ａを通過し、凹部１２ａがガイドとなり、一旦熱線５ａの取り付け面と平行に進み、凹部１２ａの稜線（壁）により、すべての流れが熱線５ａを上から下（Ｚ方向）へ通過する。熱線５ａを通過した流体は、センサ取り付け部２０がガイドとなり、中空部８ｂを熱線５ａ，５ｂの取り付け面と平行に進み、中空部８ｂの壁により、熱線５ｂを下から上（Ｚ方向）へ通過する。熱線５ｂを通過した流体は、凹部１２ｂがガイドとなり、熱戦５ｂの取り付け面と平行に進み、凹部１２ｂの稜線（壁）により、中空部８ｃを通過して出口２２から出て行く。センサ取り付け部２０は、例えば、アルミなどの筐体の一部であって、フローセンサチップ４００が、接着などにより取り付けられる。
【００５２】
なお、両チップは、位置合せの冶具や、アライナ（位置決め装置）等を使用し、接着または接合される。
【００５３】
本発明によれば、流路チップ５００はフローセンサチップ４００よりも小さく設計されているので、容易に電極を取り出すことができる。流体の流れは図３矢印のように拘束されるため、すべての流線は２組の熱線を通過し、流路断面全体の平均的な流れの検出を可能とする。
【００５４】
以上により、熱線は、流路に対してほぼ全域にわたり寄与するので、従来のフローセンサ同様の性能が得られる。
また、フローセンサの抵抗体を１つの基板に集約できる。
従って、取り出しや組み立て構造を容易にできると共に、性能の劣化を抑えることができる。
また、電極の取り出しや組み立て構造を容易にできる。
【００５５】
さらに、後述する振動補償などのための流路の２次元的な形状の変更、抵抗体を増やすなどの拡張性にも優れている。
【００５６】
なお、本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【００５７】
図４は本発明のフローセンサの応用である４線式フローセンサの一実施例を示す構成図である。
図４（ａ）は、４線式のフローセンサチップ６００の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のフローセンサチップに重ねる流路チップ７００の平面図である。
【００５８】
フローセンサチップ６００の製作工程は、図１に示したフローセンサチップ４００と同様であり、流路チップ７００の製作工程は、図２に示した流路チップ５００と同様である。
【００５９】
図４（ａ）において、３１から３６は電極、３７ａから３７ｄは熱線、３８ａから３８ｅは、中空部である。
４組の熱線３７ａから３７ｄは、図５に示すブリッジ回路を構成している。
【００６０】
図５は、４線式フローセンサのブリッジ回路の一例を示す図である。
図５において、熱線３７ａと熱線３７ｂが電極３２（図４）を介して直列接続され、熱線３７ｃと熱線３７ｄが電極３５（図４）を介して直接接続され、熱線３７ａと熱線，３７ｂ側（電極３２（図４））からブリッジ電圧が印加され、熱線３７ｃと熱線３７ｄ側（電極３５（図４））は共通電位点に接続される。そして熱線３７ｂと熱線３７ｃとの接続点（電極３３，３４（図４））、熱線３７ａと熱線３７ｄとの接続点（電極３１，３６（図４））からブリッジ出力を得る構成になっている。
【００６１】
図４（ｂ）の流路チップ７００をフローセンサチップ図４（ａ）の６００上に乗せて、中空部３８ａから３８ｅおよび熱線３７ａから３７ｄの上に凹部３９ａから３９ｄが位置するように合わせる。
凹部３９ａが中空部３８ａと熱線３７ａを覆い、凹部３９ｂが中空部３８ｃの一部と熱線３７ｂを覆い、凹部３９ｃが中空部３８ｃの他の一部と熱線３７ｃを覆い、凹部３９ｄが熱線３７ｄと中空部３８ｅを覆う。
【００６２】
これにより、４組の熱線３７ａから３７ｄ上に流路となる稜線が形成される。
【００６３】
従って、矢印で示すように、入口（中空部３８）から入った流体は、凹部３９ａがガイドとなり、すべての流れが熱線３７ａを上から下へ通過する。
【００６４】
熱線３７ａを通過した流体は、図示しないセンサ取り付け部がガイドとなり、熱線３７ｂを下から上へ通過し、凹部３９ｂがガイドとなり中空部３８ｃから成る流路へ移動し、凹部３９ｃがガイドとなり、すべての流れが熱線３７ｃを上から下へ通過する。
【００６５】
熱線３７ｃを通過した流体は、図示しないセンサ取り付け部がガイドとなり、熱線３７ｄを下から上へ通過し、凹部３９ｄがガイドとなり、出口（中空部３８ｅ）から出て行く。
【００６６】
図１から図３の実施例では、２組の熱線を設けたが、本実施例では４組の熱線を設けた構造である。本発明によれば、同一平面上に熱線、中空部、凹部などを設けるため、その数やレイアウトを変更するにも加工が容易である。
【００６７】
４線式のフローセンサの原理の概略は、図５のブリッジ回路において、熱線３７ａと熱線３７ｂのペア、熱線３７ｃと熱線３７ｄのペアはガスの流れに対し、それぞれ下流の抵抗体は冷やされ抵抗値が減少し、上流の抵抗体は加熱され抵抗値が増加する。
【００６８】
このような４線式フローセンサによれば、フローセンサの熱線と参照用抵抗の温度係数のちがいから発生する誤差を低減できる。
また、外部振動よって発生するガス慣性による熱線の抵抗変化率を相殺してノイズを低減できる。
【００６９】
さらに、本発明の他の実施例を示す。
図６は、ガス導入出口を上部に設けたフローセンサの一実施例を示した構成図（断面図）である。
【００７０】
図６において、流路チップ８００をＳｉ基板のDeep-RIE(Reactive Ion Etching)加工、ガラス基板を用いたサンドブラストやDeep-RIE加工を駆使することによって、ガス導入口５１およびガス導出口５２を上部に設けるなど、多くの応用が考えられる。その他フローセンサチップ９００や基板取り付け部５０は前出のものと同様の構成であって、これらを重ね合わせることで矢印のような流路を形成している。
【００７１】
加えて、これまで説明してきた各チップは、ウェハ単位で接合、切断も可能であり、量産対応も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のフローセンサに係るフローセンサチップの一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明のフローセンサに係る流路チップの一実施例を示す構成図である。
【図３】本発明のフローセンサの一実施例を示す構成図である。
【図４】本発明のフローセンサの応用である４線式フローセンサの一実施例を示す構成図である。
【図５】４線式フローセンサのブリッジ回路の一例を示す図である。
【図６】ガス導入出口を上部に設けたフローセンサの一実施例を示した構成図である。
【図７】従来の赤外線ガス分析計の一例を示す構成図である。
【図８】サーマルフローセンサにおける回路構成の一例を示した図である。
【図９】従来のフローセンサの一例を示す構成図である。
【図１０】従来のフローセンサの一例を示す他の構成図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  ＳＯＩ基板
２  Ｓｉ基板
３  Ｓｉ酸化膜
４  Ｓｉ活性層
５ａ、５ｂ  熱線
６、７、９  電極
８ａ〜８ｃ  中空部
１１  ＳＯＩ基板
１２ａ、１２ｂ  凹部
１３  Ｓｉ酸化膜
１４  Ｓｉ基板
２０  センサ取り付け部
２１  入口
２２  出口
３１〜３６  電極
３７ａ〜３７ｄ  熱線
３８ａ〜３８ｅ  中空部
３９ａ〜３９ｄ  凹部
５０  基板取り付け部
５１  ガス導入口
５２  ガス導出口
４００  フローセンサチップ
５００  流路チップ
６００  フローセンサチップ
７００  流路チップ
８００  流路チップ
９００  フローセンサチップ
【図１】
0004765458.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004765458.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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