(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波送信機能を有する電子機器に付設される電磁波対策部品であって、
前記電子機器の送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分をμ′、虚数成分をμ″としたとき、μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備し、
前記高周波高透磁率磁性膜は
一般式：（ＴｘＡ１００-ｘ）１００-ｙＤｙ
（式中、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも1種、ＡはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、ＧｅおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種、ＤはＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる粒界物質を示し、ｘおよびｙは５０≦ｘ≦１００（原子％）、０≦ｙ＜５０（原子％）を満足する数である）
で表される組成を有することを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項２】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は前記送信帯周波数におけるμ′が１５以上であることを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項３】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は前記送信帯周波数におけるμ′が３０以上であることを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項４】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の２倍以上であることを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項５】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は、非磁性絶縁層を介して複数の磁性層を積層した積層膜を有することを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項６】
請求項５記載の電磁波対策部品において、
前記複数の磁性層の単層としての膜厚はそれぞれ１μｍ以下であることを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項７】
請求項５記載の電磁波対策部品において、
前記複数の磁性層の単層膜厚の総和に相当する前記積層膜の磁性膜厚は１μｍより大きいことを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項８】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項９】
請求項１記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項１０】
請求項９記載の電磁波対策部品において、
前記高周波高透磁率磁性膜は、ストライプ幅が１０〜５００μｍの範囲で、ストライプ間隔が５〜１００μｍの範囲のストライプ形状を有する磁性膜を備えることを特徴とする電磁波対策部品。
【請求項１１】
電磁波送信部を有する電子機器本体と、
前記電磁波送信部から放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置された電磁波対策部品であって、前記電子機器本体の送信帯周波数における透磁率の実数成分をμ′、虚数成分をμ″としたとき、μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を備える電磁波対策部品と
を具備し、
前記高周波高透磁率磁性膜は
一般式：（ＴｘＡ１００-ｘ）１００-ｙＤｙ
（式中、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも1種、ＡはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、ＧｅおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種、ＤはＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる粒界物質を示し、ｘおよびｙは５０≦ｘ≦１００（原子％）、０≦ｙ＜５０（原子％）を満足する数である）
で表される組成を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１１記載の電子機器において、
携帯型通信機器であることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１１記載の電子機器において、
前記高周波高透磁率磁性膜は、非磁性絶縁層を介して複数の磁性層を積層した積層膜を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１３記載の電子機器において、
前記複数の磁性層の単層としての膜厚はそれぞれ１μｍ以下であることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１３記載の電子機器において、
前記複数の磁性層の単層膜厚の総和に相当する前記積層膜の磁性膜厚は１μｍより大きいことを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１１記載の電子機器において、
前記高周波高透磁率磁性膜は主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
請求項１１記載の電子機器において、
前記高周波高透磁率磁性膜は主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電磁波対策部品とそれを用いた携帯型通信機器等の電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型通信機器の発展には目覚ましいものがあり、とりわけ携帯電話機の小型軽量化や薄型化が急速に進められている。これらに伴って、携帯電話機等におけるアンテナの設置位置は、人体頭部や他のノイズに弱い電子機器により接近するようになってきている。このため、アンテナと人体頭部や他の電子機器との相互作用が問題視されている。【０００３】
携帯電話機において、アンテナから放射された電波はその一部が最も近接する人体頭部に吸収され、残りが空間に放射される。人体頭部による電磁エネルギーの吸収に基づいて、アンテナの放射効率や通信特性が低下するという問題が生じるおそれがある。携帯電話機の使用時にはアンテナが頭部に近接するため、頭部が局所的に強い電磁界に曝されることになり、電力局所吸収量の増加による人体への影響が懸念されている。そのため、携帯電話機を対象とした電波の局所吸収指針（単位体重当りの電力局所吸収量：ＳＡＲ（Specific Absorption Rate））が米国、欧州、日本で相次いで設定されている。【０００４】
こうした背景から、携帯電話機に代表される携帯型通信機器においては、人体による電磁エネルギーの吸収量（例えば人体頭部の電磁エネルギーの被爆量）を低減することが望まれている。アンテナと人体との距離を十分に離すことによって、電磁エネルギーの被爆量を低減することができるものの、携帯電話機を耳から十分に遠ざけて使用することはできないことから、現実的な解決策とはならない。【０００５】
アンテナ近傍で生じる電磁界レベルを低減する技術としては、携帯電話機のアンテナ基部等に軟磁性体粉末と有機結合剤や無機結合剤とを含む複合磁性体を電磁波吸収体として配置することが知られている（例えば特許文献１〜２参照）。ここでは、複合磁性体の複素透磁率μの虚数成分μ″がアンテナの送信周波数近傍で急瞬に立上ることを利用して、電磁波を熱ロスとして消費している。【０００６】
特許文献３にはＧＨｚ域での複素透磁率μの虚数成分μ″を高めた電磁波吸収膜として、強磁性微粒子とその周囲に配置された金属酸化物や金属窒化物等からなる粒界物質とを有するグラニュラー磁性膜が記載されている。特許文献４には１〜３ＧＨｚの高周波数領域における複素透磁率μの実数成分μ′と虚数成分μ″とがμ′＞μ″の関係を満たす電磁波吸収体が記載されている。【０００７】
これら電磁界レベルの低減技術のうち、磁性体の複素透磁率μの虚数成分μ″に基づいて電磁波を熱ロスとして消費する技術は、アンテナ近傍の電磁界レベルまで低減されてしまうため、発信信号自体の強度が低下してしまうという欠点を有する。特許文献１にはＳＡＲ抑制体の適用条件として、電磁波吸収体の複素透磁率μの虚数成分μ″の値を高くすると共に、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）の値を大きくすることが記載されている。【０００８】
複素透磁率μの虚数成分μ″が実数成分μ′より大きい従来の電磁波吸収体の場合、エネルギー吸収によるロスが無視できない。このため、エネルギーロスが最小になるように、つまりアンテナから放射される電磁波の出力低下が最小になるように、電磁波吸収体の貼付位置や面積等の最適値を実験的に見つけ出さなければならない。従って、ＳＡＲ抑制効果を向上させるための方針を述べているにすぎず、実用的なＳＡＲ対策を提供するまでには至っていない。【０００９】
特許文献４記載の電磁波吸収体は、電磁波を吸収、減衰する機能を有するμ″を、損失には寄与しないものの複素透磁率μの大きさに関わるμ′より小さくすることによって、電磁波の損失を抑えている。しかし、通常ノイズ周波数は信号周波数より高周波側にあるため、共鳴周波数を十分に大きくする必要がある。また、微粒子の場合には形状異方性は分散し、その集合体である電磁波吸収体の垂直方向にも磁束を通しやすくなる。このため、人体とアンテナの間に挿入した部品を通して、アンテナ−（対策部品）−人体と磁束が直接的に漏れてしまうおそれがある。
【特許文献１】特開２００２−１５８４８４公報
【特許文献２】特開２００２−１５８４８８公報
【特許文献３】特開２００２−１５８４８６公報
【特許文献４】特開２００４−１２８００１公報
【発明の開示】
【００１０】
本発明の目的は、携帯型通信機器等の電子機器から送信される信号強度の低下を抑制しつつ、放射される電磁波の不要方向に対する強度（電磁界強度）を効果的に低減することを可能にした電磁波対策部品とそれを用いた電子機器を提供することにある。
【００１１】
本発明の一態様に係る電磁波対策部品は、電磁波送信機能を有する電子機器に付設される電磁波対策部品であって、前記電子機器の送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分をμ′、虚数成分をμ″としたとき、μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備することを特徴としている。また、前記高周波高透磁率磁性膜は、下記一般式で表される組成を有することを特徴としている。
一般式：（ＴｘＡ１００-ｘ）１００-ｙＤｙ
（式中、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも1種、ＡはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、ＧｅおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種、ＤはＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる粒界物質を示し、ｘおよびｙは５０≦ｘ≦１００（原子％）、０≦ｙ＜５０（原子％）を満足する数である）
【００１２】
本発明の他の態様に係る電子機器は、電磁波送信部を有する電子機器本体と、前記電磁波送信部から放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置された電磁波対策部品であって、前記電子機器本体の送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分をμ′、虚数成分をμ″としたとき、μ ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数が前記送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を備える電磁波対策部品とを具備することを特徴としている。また、前記高周波高透磁率磁性膜は、下記一般式で表される組成を有することを特徴としている。
一般式：（ＴｘＡ１００-ｘ）１００-ｙＤｙ
（式中、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも1種、ＡはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、ＧｅおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種、ＤはＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる粒界物質を示し、ｘおよびｙは５０≦ｘ≦１００（原子％）、０≦ｙ＜５０（原子％）を満足する数である）
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は本発明の実施形態による携帯電話機の構成を示す正面図である。
【図２】図２は図１に示す携帯電話機の裏面図である。
【図３】図３は本発明の一実施形態による高周波高透磁率磁性膜の構造を示す断面図である。
【図４】図４は本発明の他の実施形態による高周波高透磁率磁性膜の構造を示す斜視図である。
【図５】図５は本発明の実施例１による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図６】図６は本発明の実施例２による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図７】図７は本発明の実施例３による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図８】図８は本発明の実施例６による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図９】図９は本発明の実施例７による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１０】図１０は本発明の実施例８による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１１】図１１は本発明の実施例１０による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１２】図１２は本発明の実施例１１による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１３】図１３は本発明の実施例１２による高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１４】図１４は比較例１による磁性膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【図１５】図１５は比較例２による磁率膜のμ′、μ″の周波数依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００１４】
１０…携帯電話機、１１…下筐体、１２…上筐体、１３…ヒンジ、１４…回路基板、１５…キーパッド、１６…アンテナ、１７…表示部、１８…高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品、２０，３０…高周波高透磁率磁性膜、２１，３１…非磁性絶縁基体、２２…非磁性絶縁層、２３…磁性層、２４…積層膜、３２…ストライプ状の磁性膜。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について説明する。まず、本発明の電子機器を携帯電話機に適用した実施形態について、図１および図２を参照して説明する。図１は本発明の実施形態による携帯電話機の概略構成を示す正面図、図２はその裏面図である。これらの図に示す折り畳みタイプの携帯電話機１０は、下筐体１１と上筐体１２とがヒンジ部１３を介して回転自在に連結された構造を有している。
【００１６】
下筐体１１は送信回路、受信回路、切替回路、制御回路等が搭載された回路基板１４を収納しており、その表面には入力用のキーパッド１５が配置されている。さらに、下筐体１１は電磁波送信部としてアンテナ１６を備えており、このアンテナ１６から音声データ、文字データ、画像データ等の各種データを含む無線信号（電磁波）が送受信される。アンテナ１６は回路基板１４に設けられたアンテナ配線を介して送信回路と受信回路に接続されている。上筐体１２は液晶表示装置等による表示部１７を有している。
【００１７】
電磁波送信部としてのアンテナ１６の近傍には、高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８が配置されている。電磁波対策部品１８はアンテナ１６や回路基板１４によるアンテナ配線から放射される電磁波の不要方向に対する強度、すなわち人体頭部方向に対する電磁界強度を選択的に低減するように配置されている。具体的には、アンテナ１６や回路基板１４によるアンテナ配線と下筐体１１の人体側に向けられる表面（キーパッド１５や図示を省略したマイク、スピーカ等を有する表面）との間に、高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８が配置されている。
【００１８】
人体頭部とアンテナ１６およびその近傍のアンテナ配線との間には、例えば下筐体１１に配置された電磁波対策部品１８が介在されている。この実施形態における電磁波対策部品１８は、携帯電話機１０の送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下で、かつ強磁性共鳴周波数ｆｒが送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備する。μ″は携帯電話機１０の送信帯周波数における複素透磁率μの虚数成分である。また、本発明で規定する複素透磁率μとは複素比透磁率（μｒ）のことである。
【００１９】
携帯型通信機器の送信周波数帯域は、表１に示すように多岐にわたっているが、人体に吸収される電磁波強度（ＳＡＲ）で特に問題となる送信周波数帯域は８２４ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚの範囲である。このような高周波数領域（例えば２ＧＨｚまでの領域）において、従来の電磁波対策部品は十分なμ′を有しておらず、送信周波数近傍で急瞬に立上るμ″を利用して電磁波を熱ロスとして消費している。従来の電磁波対策部品は磁性体のμ′ではなく、ＧＨｚ域における大きなμ″を利用している。すなわち、従来の電磁波対策部品は磁性体を電磁波吸収体として使用したものである。
【００２０】
【表１】
0004691103.tif 000002
【００２１】
この実施形態の電磁波対策部品１８は、磁性膜の異方性磁界を大きくして強磁性共鳴周波数ｆｒを高め、これによって低周波数領域における大きなμ′を高周波数領域においても実現している。高周波数領域で大きなμ′を示す磁性膜を電磁波対策部品１８として使用することによって、アンテナ１６やアンテナ配線から人体頭部側に向けて放射される電磁波を、高周波高透磁率磁性膜による磁気回路を介して上方もしくは下方に導くことができる。すなわち、人体頭部が配置される空間の電磁界強度を低減することが可能となる。
【００２２】
人体頭部側に向けて放射される電磁波の強度を高周波高透磁率磁性膜による磁気回路で選択的に低減する上で、高周波高透磁率磁性膜は送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分μ′が１０以上とされている。高周波高透磁率磁性膜のμ′が１０未満であると、電磁波を上方や下方に導く磁気回路としての機能を十分に得ることができない。ここで規定する高周波高透磁率磁性膜のμ′は、携帯電話機１０の送信帯周波数を基準とするものであるが、実用的には２ＧＨｚにおける複素透磁率μの実数成分μ′が１０以上であることが好ましい。高周波高透磁率磁性膜のμ′は１５以上であることがより好ましく、さらに好ましくは３０以上である。
【００２３】
上述したように、携帯電話機１０の送信帯周波数（例えば２ＧＨｚまでの領域）で大きなμ′を示す高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８を使用することによって、人体頭部側に向けて放射される不要な電磁波の強度を低減することができる。さらに、高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数ｆｒを高めることでμ″が小さくなるため、電磁波の熱ロスによる損失を低減することができる。このような電磁波の損失低減効果を得る上で、高周波高透磁率磁性膜は送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分μ′に対する虚数成分μ″の比（μ″／μ′＝ｔａｎδ）を０．１以下としている。
【００２４】
ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１を超えるということは、それだけ高周波高透磁率磁性膜の送信帯周波数における複素透磁率μの虚数成分μ″が大きいことを意味する。このような高周波高透磁率磁性膜では、従来の電磁波対策部品と同様に、電磁波の熱ロスによる消費量が増大するため、携帯電話機１０から送信される信号強度自体が低下してしまう。ここで規定する高周波高透磁率磁性膜のμ″は、携帯電話機１０の送信帯周波数を基準とするものであるが、実用的には２ＧＨｚにおける複素透磁率μの虚数成分μ″が上記した条件を満足することが好ましい。
【００２５】
さらに、電磁波対策部品１８を構成する高周波高透磁率磁性膜は、送信帯周波数における複素透磁率μの虚数成分μ″を小さくするために、強磁性共鳴周波数ｆｒを送信帯周波数の１．５倍以上としている。強磁性共鳴周波数ｆｒが送信帯周波数の１．５倍未満であると比較的低い周波数からμ″が立ち上るため、μ″のμ′に対する比（＝ｔａｎδ）を十分に小さくすることができない。高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数ｆｒは実用的には２ＧＨｚを基準とし、その１．５倍以上であることが好ましい。
【００２６】
高周波高透磁率磁性膜に起因する損失をさらに抑制するためには、μ″が実質的に立ち上がらない周波数領域で使用することが好ましい。これによって、携帯電話機１０の送信帯周波数におけるμ″がほとんど無視できるほど小さく抑えられるため、高周波高透磁率磁性膜で熱ロスとして消費される電磁波をより一層低減することが可能となる。このような点から、高周波高透磁率磁性膜の強磁性共鳴周波数ｆｒは送信帯周波数の２倍以上とすることがより好ましい。これによって、アンテナ効率はさらに向上し、かつ人体頭部等に向けて放射される電磁波の強度をより一層低減することが可能となる。
【００２７】
上述したように、携帯電話機１０の送信帯周波数における複素透磁率μの実数成分μ′が１０以上、ｔａｎδ（＝μ″／μ′）が０．１以下、強磁性共鳴周波数ｆｒが送信帯周波数の１．５倍以上の高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８を用いることによって、携帯電話機１０から送信される信号強度の低下を抑制しつつ、不要な方向に放射される電磁波の強度を効果的に低減することが可能となる。具体的には、人体頭部等が配置される空間の電磁界強度を効果的に低減することができる。そして、このような電磁波対策部品１８を用いることによって、信号特性の向上とＳＡＲ対策とを両立させた携帯電話機１０等の携帯型通信機器を提供することが可能となる。
【００２８】
電磁波対策部品１８を構成する高周波高透磁率磁性膜は、上述した特性を満足するものであれば組成や膜構造に限定されるものではない。μ′、μ″／μ′比、ｆｒ以外の磁気特性、例えば直流磁界測定で得られる保磁力等の特性には余り影響されないため、上述した特性を満足する各種組成や各種磁気構造を有する磁性膜を適用することができる。磁性膜の膜構造に関しては、アモルファス膜、ヘテロアモルファス膜、結晶膜、グラニュラー膜、ナノクリスタル膜等、特に限定されるものではない。高周波高透磁率磁性膜には、このような磁気構造並びに特性を有する各種の磁性膜を適用することができる。高周波高透磁率磁性膜のμ′、μ″／μ′比、ｆｒ等は、磁性膜の膜組成、膜構造、膜厚、膜形状（スライプ状等）、成膜条件、成膜後の熱処理条件等により調整することができる。
【００２９】
高周波高透磁率磁性膜としては、例えば
一般式：（ＴｘＡ100-ｘ）１００−ｙＤｙ    …（１）
（式中、ＴはＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる少なくとも1種、ＡはＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、ＧｅおよびＺｒから選ばれる少なくとも１種、ＤはＳｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる粒界物質を示し、ｘおよびｙは５０≦ｘ≦１００（原子％）、０≦ｙ＜５０（原子％）を満足する数である）
で表される組成を有する磁性膜が用いられる。
【００３０】
上記した（１）式において、元素Ｔは磁性を担う元素であり、要求される磁気特性に応じて組成比率を調整するものとする。元素Ａは磁気異方性、熱安定性、耐食性、結晶化温度の制御等のために添加される元素である。元素Ａの含有量は元素Ｔと元素Ａの合計量に対して５０原子％以下の範囲内で適宜に調整される。元素Ａの含有量が５０原子％を超えると相対的に元素Ｔの含有量が減少することで、十分な磁気特性が得られないおそれがある。磁性膜は元素Ｔと元素Ａのみで構成してもよいが、磁気異方性等を制御する上で化合物Ｄからなる粒界物質を含んでいてもよい。
【００３１】
粒界物質を構成する化合物Ｄは、Ｓｉ、Ａｌ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ１の酸化物、ないしはＳｉおよびＡｌから選ばれる少なくとも１種の元素Ｍ２の窒化物からなる絶縁物である。このような粒界物質を磁性膜中に存在させることによって、磁性膜の異方性磁界を高めることができる。粒界物質の含有量は化合物Ｄの原子比ｙが５０％以下となるように調整することが好ましい。化合物Ｄの原子比ｙが５０％を超えると、磁性膜としての特性を十分に得ることができないおそれがある。
【００３２】
高周波高透磁率磁性膜は、例えばスパッタ法や蒸着法等を適用して成膜される。化合物Ｄからなる粒界物質を有する磁性膜は、例えばＴｘＡ100-ｘ組成の合金ターゲットと化合物Ｄからなるターゲットとを用いた２元スパッタにより得ることができる。具体的なターゲット組成は要求特性に応じて適宜に調整され、例えばＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系ターゲット、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒ系ターゲット、Ｆｅ−Ｃｏ系ターゲット、Ｆｅ系ターゲット等、ＴｘＡ100-ｘ組成を満足する各種のターゲットを使用することができる。
【００３３】
このような２元スパッタにおいて、例えば各ターゲットへの投入パワーを変えることで組成や組織を調整し、これらにより各種磁気特性を制御することができる。また、化合物Ｄのからなるターゲットに代えてＭ１またはＭ２からなるターゲットを使用し、酸素雰囲気、窒素雰囲気、酸素とＡｒのような不活性ガスとの混合雰囲気、または窒素とＡｒのような不活性ガスとの混合雰囲気中で反応性スパッタして成膜してもよい。
【００３４】
高周波高透磁率磁性膜には、例えば（１）式の組成を満足する磁性層の単層膜および積層膜のいずれも適用可能である。特に、図３に示すような積層構造を有する磁性膜２０を適用することが好ましい。図３に示す高周波高透磁率磁性膜２０は、非磁性絶縁基体２１上に非磁性絶縁層２２を介して複数の磁性層２３を積層した積層膜２４を有している。図３は非磁性絶縁基体２１の両主面に積層膜２４を形成した高周波高透磁率磁性膜２０を示している。積層膜２４は非磁性絶縁基体２１の一方の主面上のみに形成してもよい。
【００３５】
磁性膜の高周波磁気特性は膜厚に影響され、膜厚が厚すぎると渦電流による表皮効果で磁気特性が低下する。特に、高周波数域における複素透磁率μの虚数成分μ″は磁性膜の膜厚の増加に伴って増大する。このため、非磁性絶縁層２２を介して磁性層２３を積層することによって、各磁性層２３の膜厚を小さく保つことが好ましい。各磁性層２３の単層としての膜厚は１μｍ以下とすることが好ましく、さらに好ましくは０．５μｍ以下である。なお、非磁性絶縁層２２の厚さは高周波高透磁率磁性膜２０の磁気特性を損なわない範囲内で適宜に調整可能である。
【００３６】
磁性層２３の積層数は高周波高透磁率磁性膜２０を電磁波対策部品１８として用いた場合の効果を考慮して設定することが好ましい。すなわち、電磁波対策部品１８による不要方向への電磁界強度の低減効果は、磁性膜全体としての総膜厚に影響される。高周波高透磁率磁性膜２０の磁性膜厚が薄すぎると、電磁波を所望の方向に導く磁気回路としての機能が低下する。各磁性層２３の単層膜厚の総和に相当する高周波高透磁率磁性膜２０の磁性膜厚（＝各磁性層２３の単層膜厚×積層数）は１μｍより大きく設定することが好ましく、さらに好ましくは２μｍ以上である。
【００３７】
高周波高透磁率磁性膜には、例えば誘導磁気異方性や形状磁気異方性に基づいて異方性磁界を高め、これによって一軸磁気異方性を付与した磁性膜が用いられる。高周波高透磁率磁性膜に主として誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を付与する場合、上述した（１）式のｙの値が１０〜５０原子％の範囲の組成を有するグラニュラー磁性膜を適用することが好ましい。このような磁性膜を磁場中で成膜したり、また成膜後に磁場中熱処理を施すことによって、誘導磁気異方性に基づく異方性磁界を再現性よく高めることができる。ただし、磁性膜の組成は磁場中成膜や磁場中熱処理で誘導磁気異方性を付与することが可能であればよく、上記した組成に限定されるものではない。
【００３８】
高周波高透磁率磁性膜に主として形状磁気異方性に基づく異方性磁界を付与する場合には、図４に示すように磁性膜をストライプ状にパターニングすることが好ましい。図４に示す高周波高透磁率磁性膜３０は、非磁性絶縁基体（支持基体）３１上に形成された磁性膜３２を備え、この磁性膜３２はストライプ形状を有している。
【００３９】
磁性膜３２に形状磁気異方性を誘起する上で、ストライプ幅Ｗは１０〜５００μｍの範囲、ストライプ間隔Ｓは５〜１００μｍの範囲、長さＬは１０ｍｍ以上とすることが好ましい。ストライプ形状の磁性膜３２の長さＬは、実用的には１０〜７０ｍｍの範囲とすることが好ましい。長さＬが１０ｍｍ未満であるとストライプ形状とした効果を十分に得ることができないおそれがある。一方、長さＬが７０ｍｍを超えると高周波高透磁率磁性膜の大型化を招き、携帯電話１０等への実装が困難となる。
【００４０】
高周波高透磁率磁性膜の異方性磁界は、誘導磁気異方性または形状磁気異方性のいずれか一方のみに限らず、誘導磁気異方性および形状磁気異方性の両方を利用してもよいことは言うまでもない。例えば、誘導磁気異方性が誘起しやすい組成を有する磁性膜をストライプ状にパターニングすることによって、異方性磁界をより一層高めることができる。また、誘導磁気異方性または形状磁気異方性のいずれを適用する場合においても、高周波高透磁率磁性膜は図３に示したような積層構造の磁性膜２０を有することが好ましい。各磁性層の単層膜厚や積層膜の総膜厚は上述した通りである。
【００４１】
上述した実施形態においては、人体頭部が配置される空間の電磁界強度を低減するように電磁波対策部品１８を配置した例について説明したが、電磁界強度を低減する空間はこれに限られるものではない。電磁波対策部品１８はノイズに弱い他の電子部品や電子機器（例えば携帯電話機であればカメラ部品等）が配置される空間の電磁界強度の低減に対しても有効に機能する。また、ここでは本発明の電子機器を携帯電話機に適用した例について説明したが、本発明の電子機器はこれに限られるものではない。本発明は携帯型通信機器に代表される電磁波送信機能を有する各種の電子機器に適用可能である。
【００４２】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。
【００４３】
実施例１
Ｆｅ５０Ｃｏ３５Ｂ１５組成を有する直径１２５ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板状合金ターゲットのエロージョンパターン上に、２０個のＳｉＯ２チップ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×２．３ｍｍ）を均等に置いたターゲットを用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により磁性膜を成膜した。この磁性膜の成膜時において、投入電力は３．３Ｗ／ｃｍ２、ターゲット−基板間距離は７５ｍｍ、アルゴン圧は３．２Ｐａ（５００ＳＣＣＭ）とした。成膜時に基板法線と垂直方向に１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加した。得られた磁性膜（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜）の組成は（Ｆｅ５０Ｃｏ３５Ｂ１５）７０（ＳｉＯ２）３０（原子％）であり、直径２００ｎｍ程度のＦｅ５０Ｃｏ３５Ｂ１５組成のアモルファス磁性粒子がＳｉＯ２の母相中に分散した構造を有していた。
【００４４】
高周波高透磁率磁性膜は、厚さ１００μｍのポリイミド基体の両面に、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ０．５μｍのＦｅＣｏＢＳｉＯ膜と、ＳｉＯ２ターゲットを用いて成膜した厚さ０．０５μｍのＳｉＯ２膜とを交互に積層することにより形成した。繰り返し積層数は両面とも２回とした。この高周波高透磁率磁性膜は誘導磁気異方性に基づいて一軸磁気異方性を付与したものである。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２］である。膜組成および膜構造を表２に示す。
【００４５】
上述した高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界Ｍsは１．４Ｔ、異方性磁界Ｈｋは３．０×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは３５００ＭＨｚであった。高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図５に示す。図５から明らかなように、この高周波高透磁率磁性膜はμ′が低周波領域のみならず高周波領域まで大きな値を示し、かつ高周波領域においてもμ″の値が小さいことが分かる。高周波高透磁率磁性膜の２ＧＨｚにおけるμ″／μ′比は０．０８である。膜特性を表３に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００４６】
実施例２
実施例１の磁性膜（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜）に対して、成膜後に４００ｋＡ／ｍの直流磁界中にて窒素雰囲気中で２７０℃に加熱して磁場中熱処理を施した。それ以外は実施例１と同一構造の高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造を表２に示す。この高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界Ｍsは１．４Ｔ、異方性磁界Ｈｋは４．０×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは３７００ＭＨｚであった。高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図６に示す。図６から明らかなように、高周波高透磁率は２ＧＨｚにおけるμ″の値がさらに小さい。２ＧＨｚにおけるμ″／μ′比は０．０４である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００４７】
実施例３
実施例１の磁性膜（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜）の単層膜厚を０．３μｍとする以外は、実施例１と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．３μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．３μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を図７に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００４８】
実施例４
実施例１の磁性膜（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜）の片側当たりの積層数を３回とする以外は、実施例１と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））３／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））３］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００４９】
実施例５
実施例１の磁性膜（ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜）を単層膜とする以外は、実施例１と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ）／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ）／ＦｅＣｏＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００５０】
実施例６
実施例１と同様にして形成した積層膜にイオンミリングを施して、図４に示したようにストライプ状にパターニングした。パターニング形状はストライプ幅Ｗ×ストライプ間隔Ｓ×長さＬ＝７５μｍ×２５μｍ×４０ｍｍとした。このようにして、磁性膜の組成や構造等に基づく誘導磁気異方性に加えて、ストライプ形状へのパターニングに基づく形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。
【００５１】
上述した誘導磁気異方性および形状磁気異方性を有する高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を、磁性膜の短軸方向（ストライプ幅方向）に磁場を印加した状態で測定した。その結果、飽和磁界Ｍｓは１．１Ｔ、異方性磁界Ｈｋは４．８×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは４０００ＭＨｚであった。また、μ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図８に示す。図８から明らかなように、この高周波高透磁磁性率は２ＧＨｚにおけるμ″の値がより小さいことが分かる。２ＧＨｚにおけるμ″／μ′比は０．０２である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００５２】
実施例７
Ｆｅ６８Ｃｏ１７Ｚｒ１５組成を有する直径１２５ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板状合金ターゲットのエロージョンパターン上に、２０個のＳｉＯ２チップ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×２．３ｍｍ）を均等に置いたターゲットを用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により磁性膜を成膜した。この磁性膜の成膜時において、投入電力は３．３Ｗ／ｃｍ２、ターゲット−基板間距離は７５ｍｍ、アルゴン圧は３．２Ｐａ（５００ＳＣＣＭ）とした。成膜時に基板法線と垂直方向に１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加した。得られた磁性膜（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜）の組成は（Ｆｅ６８Ｃｏ１７Ｚｒ１５）６９（ＳｉＯ２）３１（原子％）であり、直径２００ｎｍ程度のＦｅ６８Ｃｏ１７Ｚｒ１５組成のアモルファス磁性粒子がＳｉＯ２の母相中に分散した構造を有していた。
【００５３】
成膜は厚さ１００μｍのポリイミド基体の両面に実施し、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ０．５μｍのＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜と、ＳｉＯ２ターゲットを用いて成膜した厚さ０．０５μｍのＳｉＯ２膜とを交互に成膜した。繰り返し積層数は両面とも４回とした。積層膜（スパッタ膜）の構成は、［（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４］である。
【００５４】
このような積層膜にイオンミリングを施して、図４に示したようにストライプ状にパターニングした。パターニング形状はストライプ幅Ｗ×ストライプ間隔Ｓ×長さＬ＝１５μｍ×５μｍ×４０ｍｍとした。このようにして、ストライプ形状へのパターニングに基づいて形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を図９に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００５５】
実施例８
実施例７の磁性膜（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜）に対して、成膜後に４００ｋＡ／ｍの直流磁界中にて窒素雰囲気中で２５０℃に加熱して磁場中熱処理を施した。それ以外は実施例７と同一構造の高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造を表２に示す。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を図１０に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００５６】
実施例９
実施例７の磁性膜（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜）の片側当たりの積層数を２回とする以外は、実施例７と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＦｅＣｏＺｒＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））２］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００５７】
実施例１０
Ｆｅ８０Ｃｏ２０組成を有する直径１２５ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板状合金ターゲットとＳｉＯ２ターゲットを用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により成膜を行った。成膜は厚さ１００μｍのポリイミド基体の両面に実施し、厚さ０．５μｍのＦｅ８０Ｃｏ２０膜と厚さ０．０５μｍのＳｉＯ２膜とを交互に成膜した。磁性膜の成膜時における投入電力は３．３Ｗ／ｃｍ２、ターゲット−基板間距離は７５ｍｍ、アルゴン圧は１．６Ｐａ（５００ＳＣＣＭ）とした。なお、磁性膜の成膜時に磁界は印加していない。
【００５８】
上記した積層膜（スパッタ膜）の構造は、［（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４］である。この積層膜にイオンミリングを施して、図４に示したようにストライプ状にパターニングした。パターニング形状はストライプ幅Ｗ×ストライプ間隔Ｓ×長さＬ＝７５μｍ×２５μｍ×４０ｍｍとした。このようにして、ストライプ形状へのパターニングに基づいて形状磁気異方性を誘起した高周波高透磁率磁性膜を作製した。
【００５９】
この高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を、磁性膜の短軸方向に磁場を印加した状態で測定したところ、飽和磁界Ｍｓは１．７Ｔ、異方性磁界Ｈｋは２．８×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは３５００ＭＨｚであった。さらに、μ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図１１に示す。図１１から明らかなように、高周波高透磁率磁性膜のμ′は低周波領域のみならず高周波領域まで大きく、かつ高周波領域においてもμ″の値が小さいことが分かる。２ＧＨｚにおけるμ″／μ′比は０．０９である。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００６０】
実施例１１
実施例１０の磁性膜（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜）の単層膜厚を１μｍとする以外は、実施例１０と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。高周波高透磁率磁性膜の膜構成は、［（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（１μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（１μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を図１２に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００６１】
実施例１２
実施例１０の積層膜のパターニング形状をストライプ幅Ｗ×ストライプ間隔Ｓ×長さＬ＝２５μｍ×１０μｍ×４０ｍｍとする以外は、実施例１０と同様にして高周波高透磁率磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。さらに、高周波高透磁率磁性膜の磁気特性を測定した。測定結果は表３に示す通りである。また、高周波高透磁率磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を図１３に示す。このような高周波高透磁率磁性膜を後述する特性評価に供した。
【００６２】
比較例１
Ｃｏ５５Ｆｅ３０Ｂ１５組成を有する直径１２５ｍｍ×厚さ３ｍｍの円板状合金ターゲットのエロージョンパターン上に、１５個のＳｉＯ２チップ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×２．３ｍｍ）を均等に置いたターゲットを用いて、ＲＦマグネトロンスパッタ装置により成膜を行った。磁性膜の成膜時において、投入電力は３．３Ｗ／ｃｍ２、ターゲット−基板間距離は７５ｍｍ、アルゴン圧は３．２Ｐａ（５００ＳＣＣＭ）とした。成膜時に基板法線と垂直方向に１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加した。得られた磁性膜（ＣｏＦｅＢＳｉＯ膜）の組成は（Ｃｏ５５Ｆｅ３０Ｂ１５）７９（ＳｉＯ２）２１（原子％）であった。
【００６３】
成膜は厚さ１００μｍのポリイミド基体の両面に実施し、上記した複合ターゲットを用いて成膜した厚さ０．５μｍのＣｏＦｅＢＳｉＯ膜と、ＳｉＯ２ターゲットを用いて成膜した厚さ０．０５μｍのＳｉＯ２膜とを交互に成膜した。繰り返し積層数は両面とも４回とした。積層膜（スパッタ膜）の構成は、［（ＣｏＦｅＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（ＣｏＦｅＢＳｉＯ膜（０．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４］である。
【００６４】
上述した積層磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界Ｍｓは１．５Ｔ、異方性磁界Ｈｋは２．０×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは２２００ＭＨｚであった。さらに、磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図１４に示す。図１４から明らかなように、磁性膜のμ″は比較的低い周波数領域から立ち上がり、２ＧＨｚにおけるμ″/μ′比は０．１７であった。
【００６５】
比較例２
実施例１０の磁性膜（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜）の単層膜厚を１．５μｍとする以外は、実施例１０と同様にして積層磁性膜を作製した。積層磁性膜の膜構成は、［（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（１．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４／／ポリイミド基体（１００μｍ）／／（Ｆｅ８０Ｃｏ２０膜（１．５μｍ）／ＳｉＯ２膜（０．０５μｍ））４］である。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。
【００６６】
上述した磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界Ｍｓは１．７Ｔ、異方性磁界Ｈｋは６．９×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは５４００ＭＨｚであった。さらに、磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を測定した。その結果を図１５に示す。図１５から明らかなように、磁性膜のμ″は比較的低い周波数領域から立ち上がり、２ＧＨｚにおけるμ″/μ′比は０．２２であった。
【００６７】
比較例３
実施例１０の積層膜のパターニング形状をストライプ幅Ｗ×ストライプ間隔Ｓ×長さＬ＝２５μｍ×２５μｍ×４０ｍｍとする以外は、実施例１０と同様にして積層磁性膜を作製した。膜組成および膜構造は表２に示す通りである。この磁性膜の磁気特性を測定したところ、飽和磁界Ｍｓは１．１Ｔ、異方性磁界Ｈｋは１０．０×１０４Ａ／ｍ、強磁性共鳴周波数ｆｒは６６００ＭＨｚであった。さらに、磁性膜のμ′およびμ″の周波数依存性を測定したところ、磁性膜の２ＧＨｚにおけるμ′は９．２と低いものであった。
【００６８】
【表２】
0004691103.tif 000003
【００６９】
上述した実施例１〜１５による各高周波高透磁率磁性膜を具備する電磁波対策部品１８を、２０ｍｍ×５ｍｍの形状と４０ｍｍ×５ｍｍの形状に切断した。これらを図１および図２に示したように携帯電話機１０のアンテナ１６近傍のアンテナ配線上に、高周波高透磁率磁性膜の磁化容易軸方向が基板配線パターンと平行となるように貼り付けた。このような携帯電話機を用いて、ＳＡＲ強度の低減効果とアンテナ効率の向上効果を測定した。比較例１〜３による各積層磁性膜についても同様な測定を行った。
【００７０】
ＳＡＲ強度の低減効果については、ＳＡＭファントムを用いた均一模擬組織モデルの内部に励起される電界強度分布を、電界プローブを用いて測定した。アンテナ効率の向上効果（電磁強度の向上効果）については、同様に電界プローブを用いてＳＡＭファントム以外の空間の電界強度を測定した。送信周波数はいずれも２ＧＨｚとした。これらの測定結果を表３に示す。
【００７１】
【表３】
0004691103.tif 000004
【００７２】
表３から明らかなように、各実施例による高周波高透磁率磁性膜を用いた場合には、いずれもＳＡＭファントム内部の電界強度が低減されていると共に、ＳＡＭファントム以外の空間のアンテナ効率が向上していることが分かる。ＳＡＲ強度の低減効果やアンテナ効率の向上効果は誘導磁気異方性および形状磁気異方性のいずれを用いた場合においても得られている。さらに、高周波高透磁率磁性膜の送信帯周波数におけるμ′は１５以上、さらには３０以上とすることがより好ましく、強磁性共鳴周波数ｆｒは送信帯周波数の２倍以上とすることがより好ましいことが分かる。
【００７３】
例えば、実施例１ではＳＡＭファントム内部の電界強度が３．２ｄＢ低減されており、ＳＡＭファントム以外の空間のアンテナ効率が２．２ｄＢ向上している。実施例１に比べて磁性膜の総膜厚を薄くした実施例５は、実施例１に比べてＳＡＲ強度の低減効果やアンテナ効率の向上効果が多少劣っている。従って、磁性層の積層数等に基づいて磁性膜の総膜厚を厚くすることが好ましい。ただし、実施例１０と実施例１１と比較例２との比較から明らかなように、磁性層の単層膜厚を厚くしすぎるとμ″が大きくなるため、磁性層の単層膜厚は１μｍ以下とすることが好ましい。また、実施例１０と実施例１２と比較例３との比較から、ストライプ形状はストライプ幅Ｗやストライプ間隔Ｓを適切に調整することが好ましいことが分かる。
【００７４】
一方、比較例１の積層磁性膜を用いた場合には、ＳＡＭファントム内部の電界強度は２．８ｄＢ低減されていたものの、アンテナ効率はほとんど向上が見られなかった。これは、比較例１の積層磁性膜は２ＧＨｚにおけるμ″/μ′比が０．１７と大きいため、積層磁性膜による電磁波の熱ロスが大きくなるためである。比較例２の積層磁性膜も同様である。比較例３の積層磁性膜については、μ″/μ′比は小さいものの、２ＧＨｚにおけるμ′が９．２と小さいため、ＳＡＭファントム内部の電界強度は０．７ｄＢしか低減されていなかった。これでは実用的なＳＡＲ対策を実現することができない。
【００７５】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。上述した実施形態においては、本発明の電子機器を携帯電話機に適用した例について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、各種の携帯型通信機器に適用可能である。本発明は電磁波送信機能を有する各種の電子機器に適用可能である。さらに、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の態様に係る電磁波対策部品は、電磁波送信機能を有する各種電子機器の電磁波対策に有効に利用されるものである。本発明の態様に係る電磁波対策部品によれば、発信信号強度の低下を抑制しつつ、放射される電磁波の不要方向に対する電磁界強度を低減することができる。従って、そのような電磁波対策部品を用いた電子機器によれば、電磁波による通信特性等を良好に保った上で、例えば人体や他の電子部品や電子機器に対する電磁波の影響を低減することが可能となる。
【図１】
0004691103.tif 000005
【図２】
0004691103.tif 000006
【図３】
0004691103.tif 000007
【図４】
0004691103.tif 000008
【図５】
0004691103.tif 000009
【図６】
0004691103.tif 000010
【図７】
0004691103.tif 000011
【図８】
0004691103.tif 000012
【図９】
0004691103.tif 000013
【図１０】
0004691103.tif 000014
【図１１】
0004691103.tif 000015
【図１２】
0004691103.tif 000016
【図１３】
0004691103.tif 000017
【図１４】
0004691103.tif 000018
【図１５】
0004691103.tif 000019