(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップを含み、
（ａ）基板の第一表面上にパターン化された第一金属層、第一絶縁層、パターン化された第二金属層、第二絶縁層を形成し、該第一金属層は第一絶縁層により覆われ、該第二金属層は該第一絶縁層上に位置し、しかも該第二絶縁層により覆われ、
（ｂ）該第二絶縁層上にポジティブフォトレジスト層を塗布し、
（ｃ）該基板の第二表面から露光を行い、
（ｄ）フォトマスクを利用し該第二金属層上のポジティブフォトレジスト層を遮蔽し、該第一表面から露光を行い、
（ｅ）露光したポジティブフォトレジスト層を除去し、
（ｆ）透明電極層を該第二絶縁層と該未除去のポジティブフォトレジスト層上に形成し、（ｇ）該未除去のポジティブフォトレジスト層を除去し、及び該未除去のポジティブフォトレジスト層上の該透明電極層を覆うことを特徴とする液晶ディスプレー下基板の製造方法。
【請求項２】
前記第一金属層と該第二金属層は不透光の金属であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法。
【請求項３】
前記第二絶縁層は平坦層であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ（ａ）の第一金属層はゲート極金属層或いはゲート極導電層であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｆ）の透明電極層はスパッタリングにより形成することを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の液晶ディスプレー下基板の製造方法に関する。特に一種の対置精度を高めることができる液晶ディスプレー下基板の製造方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレーの駆動方式は受動式（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，ＰＭＬＣＤ）と主動式（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ，ＡＭＬＣＤ）に分けられる。主動式駆動液晶ディスプレーとは、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）をスイッチ部品とするディスプレーである。該主動式駆動液晶ディスプレー中の単一画素の開口率は、バックライトモジュール中の表示区域を貫通可能な光線の多寡が直接関係している。電力消費量が相同であれば、該主動式駆動液晶ディスプレーの開口率が高くなればなるほど、それが示す輝度も高くなる。
【０００３】
一般の開口率が高い液晶ディスプレーの主要設計概念は、画素電極と信号線の積み重ねを利用し、不透光の信号線により液晶が散乱排列した漏光区域である画素外或いはエッジを遮蔽する。しかし、通常漏光区域の遮蔽に用いられる黒色遮光層（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）は、実際にはカラーフィルターとの対置精度がしばしば不十分であるため、上下或いは左右の対置偏移を招く結果、キャパシタの変化を生じ、画面表示の一致性に影響を及ぼしている。
【０００４】
同時に、一般の画素電極パターン化の過程において、ＩＴＯ層上にフォトレジストを塗布する場合、フォトマスクの部分遮蔽により露光を行う時、基板上に形成されるフォトレジストパターンは、露光過程中のエッジ光線の部分漏光により、露光精度（ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ）を低下させてしまう。これでは、画素電極パターンとゲート極信号線パターンエッジの部分が重なり位置が偏移してしまい、或いは画素電極パターンとソース極信号線パターンエッジの部分が重なり位置が偏移してしまう。
【０００５】
画素区域平面図である図１に示すように、開口率を高めるために、一般には透明画素電極１００は一部が信号線２００の区域上に重なるように設計されている。しかし、画素電極フォトマスク解析度、及び層と層の対置精度、アンダーカット量変化などの考慮により、該信号線２００の幅は狭くすることができない。さもなくば、該透明画素電極１００と該信号線２００の重なった位置の漏光問題が生じる。図１中のＡ−Ａ’線位置における断面図である図２に示すように、該透明画素電極１００と第二金属層３００の対置偏移時に、上下或いは左右の各材料間の対置がずれ、重なり部分の不一致を形成し、異なる値の寄生キャパシタ（Ｐａｒａｓｔｉｃ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）４００、４０１を生じる。これにより総寄生キャパシタ値は不安定になり、表示画面の一致性に影響を及ぼしてしまう。
【０００６】
特に、ステップ式露光機（ｓｔｅｐｐｅｒ  ｅｘｐｏｓｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を用いフォトレジストの連続露光を行う時には、一回の露光毎に生じる対置のずれが徐々に累積し、基板上の寄生キャパシタもこれに従い変化してする。
【０００７】
よって、開口率を向上させると同時に、寄生キャパシタ作用を減少させ、主動式駆動液晶ディスプレーの表示効果を向上させることが求められる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、本発明液晶ディスプレー下基板の製造方法は背面露光の方式を利用し、フォトマスクの使用を組み合わせ露光を行い、画素電極を形成し、本方法は透明画素電極と信号線の間の重なりにより固定値を保持し、層と層間の対置の問題に従い偏移が発生することはないため、表示の安定性を向上させることができる。
【０００９】
さらに本発明液晶ディスプレー下基板の製造方法は必要に応じて信号線の幅を調整可能で、透明電極層と信号線の対置精度、或いは透明電極層のフォトマスク解析度により決定されず、よって高い開口率を達成可能である。
【００１０】
本発明液晶ディスプレー下基板の製造方法は以下のステップを含み、
（ａ）基板の第一表面上にパターン化された第一金属層、第一絶縁層、パターン化された第二金属層、第二絶縁層を形成し、該第一金属層は第一絶縁層により覆われ、該第二金属層は該第一絶縁層上に位置し、しかも該第二絶縁層により覆われ、
（ｂ）該第二絶縁層上にポジティブフォトレジスト層を塗布し、
（ｃ）該基板の第二表面から露光を行い、
（ｄ）フォトマスクを利用し該第二金属層上のポジティブフォトレジスト層を遮蔽し、該第一表面から露光を行い、
（ｅ）露光したポジティブフォトレジスト層を除去し、
（ｆ）透明電極層を該第二絶縁層と該未除去のポジティブフォトレジスト層上に形成し、（ｇ）該未除去のポジティブフォトレジスト層を除去し、及び該未除去のポジティブフォトレジスト層上の該透明電極層を覆う。
【００１１】
上記方法においては同様に、ステップ（ａ）の第一金属層はゲート極金属層或いはゲート極導電層を形成可能であることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、以下のステップを含み、
（ａ）基板の第一表面上にパターン化された第一金属層、第一絶縁層、パターン化された第二金属層、第二絶縁層を形成し、該第一金属層は第一絶縁層により覆われ、該第二金属層は該第一絶縁層上に位置し、しかも該第二絶縁層により覆われ、
（ｂ）該第二絶縁層上にポジティブフォトレジスト層を塗布し、
（ｃ）該基板の第二表面から露光を行い、
（ｄ）フォトマスクを利用し該第二金属層上のポジティブフォトレジスト層を遮蔽し、該第一表面から露光を行い、
（ｅ）露光したポジティブフォトレジスト層を除去し、
（ｆ）透明電極層を該第二絶縁層と該未除去のポジティブフォトレジスト層上に形成し、（ｇ）該未除去のポジティブフォトレジスト層を除去し、及び該未除去のポジティブフォトレジスト層上の該透明電極層を覆うことを特徴とする液晶ディスプレー下基板の製造方法としている。
請求項２の発明は、前記第一金属層と該第二金属層は不透光の金属であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法としている。
請求項３の発明は、前記第二絶縁層は平坦層であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法としている。
請求項４の発明は、前記ステップ（ａ）の第一金属層はゲート極金属層或いはゲート極導電層であることを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法としている。
請求項５の発明は、前記ステップ（ｆ）の透明電極層はスパッタリングにより形成することを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレー下基板の製造方法としている。
【発明の効果】
【００１３】
上記のように、本発明液晶ディスプレー下基板の製造方法は背面露光の方式を利用し、フォトマスクの使用を組み合わせ露光を行い、画素電極を形成し、本方法は透明画素電極と信号線の間の重なりにより固定値を保持し、層と層間の対置の問題に従い偏移が発生することはないため、表示の安定性を向上させることができる。さらに本発明液晶ディスプレー下基板の製造方法は必要に応じて信号線の幅を調整可能で、透明電極層と信号線の対置精度、或いは透明電極層のフォトマスク解析度により決定されず、よって高い開口率を達成可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明方法は背面露光方式により対置精度を向上させるものだが、以下の問題に遭遇する可能性がある。それは、共同電極線に不透光材料を使用し、或いは画素電極区域が分割されるなどである。よって、本発明方法は数種の異なる実施方式を利用し、その異なる形態を説明する、以下の各断面図の位置は、図３平面表示図中のＢ−Ｂ‘線における断面である。
【００１５】
基板の製造工程は図４の通りである。図４に示すように、先ずガラス基板００を提供する。該基板００の正面にはパターン化された第一金属層１０、第一絶縁層２０、パターン化された第二金属層３０、第二絶縁層４０を順番に形成する。該第一金属層１０は第一絶縁層２０により覆われ、該第二金属層３０は該第一絶縁層２０上に位置し、しかも該第二絶縁層４０により覆われる。
【００１６】
該第二絶縁層４０は平坦層で、しかも該第一金属層１０はゲート極金属層或いはゲート極導電層を形成することができる。
【００１７】
続いて、該第二絶縁層４０上にポジティブフォトレジスト層６１を塗布する（図４（ａ）参照）。図４（ｂ）の矢印方向に示すように、該基板００の背面から露光を行い、同様に、本実施例中の不透光第二金属層３０と第一金属層１０のパターンを利用し、該ポジティブフォトレジスト層６１を露光のフォトマスクとする。
【００１８】
本実施例中ではポジティブフォトレジストを採用するため、光線が照射されるフォトレジスト部分はリソグラフ剤或いはフォトレジスト除去剤により除去される。しかし、該第一金属層１０上方のフォトレジストの一部は、光線の照射を受けないため、フォトレジストが保留され、次のステップの透明電極塗布の完全性に影響を及ぼす。よって、該第一金属層１０上方のポジティブフォトレジスト６１の一部を除去するため、次のステップを行い、該基板００の正面から直接露光を行う必要がある（図４（ｃ）参照）。この時組合せて使用されるフォトマスク７１は該第一金属層１０上方のフォトレジスト層６１の一部に光線を照射させ、しかも該第二金属層３０上方のフォトレジスト層６１のパターンを遮蔽する。
【００１９】
続いて、既に露光したポジティブフォトレジスト層６１を除去すると、該第二絶縁層４０上にパターン化されたポジティブフォトレジスト層６１が表れる（図４（ｄ）参照）。さらに該ポジティブフォトレジスト層６１パターン上及び露出した第二絶縁層４０上に、全面的に一層の透明電極層５０を塗布する（図４（ｅ）参照）。最後に、すべてのポジティブフォトレジスト層６１を除去すると、該ポジティブフォトレジスト層６１上に位置する透明電極層５０も一緒に除去され、透明電極のパターン化が完成する（図４（ｆ）参照）。
【００２０】
本実施例中の第一金属層はゲート極金属層或いはゲート極導電層である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】公知の画素区域の平面図である。
【図２】公知の画素区域の断面図である。
【図３】画素区域の平面表示図である。
【図４】本発明の製造プロセス断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
００  基板
１０  第一金属層
１１  第一導電層
１５  第一透明電極層
２０  第一絶縁層
３０、３００  第二金属層
４０  第二絶縁層
５０  透明電極層
６０  ネガティブフォトレジスト層
７０  フォトマスク
６１  ポジティブフォトレジスト層
１００  透明画素電極
２００  信号線
４００、４０１  寄生キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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