(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセンス素子が形成されてその素子面の裏面が表示面となる透明素子基板の前記素子面と該素子面を封止する封止基板とを光によって硬化するシール樹脂を用いて貼り合わせるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記透明素子基板の表示領域外に、トランジスタから成り、前記各エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動回路を形成し、
前記トランジスタは、チャネル領域と前記封止基板の間にゲート電極を有する構造とし、
前記シール樹脂を前記駆動回路と前記封止基板との間に塗布し、
前記封止基板として前記光を透過可能な部材を用いるとともに、該封止基板を介して前記シール樹脂に前記光を照射することで前記封止基板と前記透明素子基板の素子面とを貼り合わせることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記貼り合わせに際しては、前記封止基板側を固定し、該固定した封止基板側方向に対して前記透明基板側を押圧することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止基板の下方から前記光を照射することを特徴とする請求項１又は２記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記貼り合わせに先立って、前記透明素子基板の表示領域を囲繞するように、前記封止基板に前記シール樹脂を塗布することを特徴とする請求項３記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記貼り合わせに先立って、前記透明素子基板の素子面に対向する前記封止基板面に乾燥剤充填用の凹部を形成するとともに該凹部に乾燥剤を予め塗布しておくことを特徴とする請求項３又は４記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程から透明素子基板及び封止基板を封止する工程まで、前記透明素子基板のうちの前記封止基板により封止される面を鉛直下方にして行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記エレクトロルミネッセンス表示装置が、前記透明基板の表示領域に各エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動素子を備えるとともに該表示領域外にそれら駆動素子を駆動する駆動回路を備えるアクティブマトリクス方式にて駆動される装置であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記光として紫外光を用い、前記封止基板としてガラス基板又は透明樹脂基板を用いることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に係り、詳しくはエレクトロルミネッセンス素子の形成された基板を封止基板によって封止するエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子を用いた表示装置が注目されている。
【０００３】
このＥＬ素子は、例えば、ガラスなどからなる透明基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極からなる陽極、ホール輸送層、発光層、陰極が順次積層形成されたものである。こうしたＥＬ素子においては、陽極から注入されたホールと、陰極から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。そして、この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極から上記透明基板を介して外部へ放出される。
【０００４】
ところで、このようなＥＬ素子を用いた表示装置は通常、上記ＥＬ素子の水分による特性劣化を回避するために、同ＥＬ素子の形成された透明基板を封止する封止基板を備えている。すなわち、この表示装置では、上記ＥＬ素子の形成された透明基板の素子面に例えば金属からなる封止基板を貼り合わせることで、上記透明電極上に形成されたＥＬ素子の水分による特性劣化を回避するようにしている。また、この貼り合わせに際しては、上記ＥＬ素子の形成された透明基板及び封止基板間の間隙を規定すべく、例えばビーズ状のガラス繊維（スペーサ）を混入したシール樹脂を用いる。ただし、上記ＥＬ素子材料は通常、その耐熱温度が低いために、これら透明基板と封止基板との貼り合わせに際して、高温での加熱処理を必要とするシール樹脂を用いる場合には、ＥＬ表示装置としての品質を良好に保つことができなくなる。
【０００５】
そこで従来は、上記透明基板及び封止基板間に紫外線（Ultra  Violet  ray）等によって硬化するシール樹脂を塗布し、このシール樹脂に上記透明基板を介して紫外線を照射することでこれら透明基板と封止基板とを貼り合わせるようにしている。このように、紫外線等によって硬化するシール樹脂を用いることで、ＥＬ素子を高温にさらすことなく上記透明基板と封止基板とを貼り合わせることができ、ひいてはＥＬ表示装置としての品質を保持することができるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記貼り合わせに際しては、シール樹脂のみならず、ＥＬ素子等にも紫外線が照射されることがある。そして、このようにＥＬ素子等に紫外線が照射されるようなことがあると、その貼り合わせに際して、ＥＬ素子を高温にさらすことによるＥＬ素子の特性劣化を回避することはできるものの、紫外線によるＥＬ素子等の特性劣化が避けられないものとなる。
【０００７】
本発明はこうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置としての品質を良好に保ちつつＥＬ素子の形成された基板を的確に封止することのできるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、エレクトロルミネッセンス素子が形成されてその素子面の裏面が表示面となる透明素子基板の前記素子面と該素子面を封止する封止基板とを光によって硬化するシール樹脂を用いて貼り合わせるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記封止基板として前記光を透過可能な部材を用いるとともに、該封止基板を介して前記シール樹脂に前記光を照射することで前記封止基板と前記透明素子基板の素子面とを貼り合わせることをその要旨とする。
【０００９】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記貼り合わせに際しては、前記封止基板側を固定し、該固定した封止基板側方向に対して前記透明基板側を押圧することをその要旨とする。
【００１０】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記封止基板の下方から前記光を照射することをその要旨とする。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記貼り合わせに先立って、前記透明素子基板の表示領域を囲繞するように、前記封止基板に前記シール樹脂を塗布することをその要旨とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、請求項３又は４記載の発明において、前記貼り合わせに先立って、前記透明素子基板の素子面に対向する前記封止基板面に乾燥剤充填用の凹部を形成するとともに該凹部に乾燥剤を予め塗布しておくことをその要旨とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、前記エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程から透明素子基板及び封止基板を封止する工程まで、前記透明素子基板のうちの前記封止基板により封止される面を鉛直下方にして行うことをその要旨とする。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記エレクトロルミネッセンス表示装置が、前記透明素子基板の表示領域外に各エレクトロルミネッセンス素子を直接駆動する駆動回路を備える単純マトリクス方式の表示装置であることをその要旨とする。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記エレクトロルミネッセンス表示装置が、前記透明基板の表示領域に各エレクトロルミネッセンス素子を駆動する駆動素子を備えるとともに該表示領域外にそれら駆動素子を駆動する駆動回路を備えるアクティブマトリクス方式にて駆動される装置であることをその要旨とする。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の発明において、前記駆動回路を構成するトランジスタとして、トップゲート構造のものを用いることをその要旨とする。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、請求項１〜９のいずれかに記載の発明において、前記光として紫外光を用い、前記封止基板としてガラス基板又は透明樹脂基板を用いることをその要旨とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を、アクティブマトリクス方式のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に具体化した一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態の製造対象となるＥＬ表示装置のＥＬ素子（本実施形態では有機ＥＬ素子：図中ＥＬと表記）とその周辺部についての平面図である。同図１に示されるように、このＥＬ表示装置は、大きくは、ＥＬ素子によって形成される表示ドットと、これら表示ドットの各々に対して設けられる能動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを備えている。
【００１９】
具体的には、図１に示されるように、ＥＬ素子の駆動制御を行なうための信号線として、ゲート信号線ＧＬ及びドレイン信号線ＤＬがマトリクス状に形成されている。そして、これら各信号線の交差部に対応してＥＬ素子（表示ドット）が形成されている。なお、このＥＬ表示装置においては、カラー画像表示を可能とすべく、各表示ドットが各原色Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかに対応して形成されている。
【００２０】
また、これら各ＥＬ素子の駆動制御を各別に行なうための素子として、次のものが形成されている。まず、上記各信号線の交差部付近に、ゲート信号線ＧＬと接続され、同ゲート信号線ＧＬの活性により能動とされるスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ａが形成されている。このＴＦＴａのソースＳａは、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる容量電極ＣＥと接続されており、同ＴＦＴａが能動とされることで容量電極ＣＥにドレイン信号線ＤＬからの電圧が印加される。
【００２１】
この容量電極ＣＥは、ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ｂのゲートＧｂに接続されている。また、ＴＦＴｂのソースＳ２はＥＬ素子の陽極である透明電極１１に接続され、同ＴＦＴｂのドレインＤｂは、ＥＬ素子に電流を供給する電流源となる駆動電源線ＩＬと接続されている。これにより、上記容量電極ＣＥからゲートＧｂへの電圧の印加によって、駆動電源線ＩＬからの電流がＥＬ素子に供給されるようになる。
【００２２】
一方、上記容量電極ＣＥとの間で電荷を蓄積すべく、保持容量電極線ＣＬが形成されている。この保持容量電極線ＣＬ及び容量電極ＣＥ間の保持容量により、上記ＴＦＴｂのゲートＧｂに印加される電圧が保持される。
【００２３】
図２は、図１の一部断面図である。特に、図２（ａ）はＤ−Ｄ線に沿った断面を、また図２（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った断面をそれぞれ示している。同図２に示されるように、上記ＥＬ表示装置は、ガラス基板１上に、薄膜トランジスタ、ＥＬ素子を順次積層形成したものである。
【００２４】
ここで、上記容量電極ＣＥへの充電制御を行なうスイッチングトランジスタとしてのＴＦＴａは、図２（ａ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上にポリシリコン層２が形成されている。同ポリシリコン層２には、上記ソースＳａ及びドレインＤａの他、チャネルＣａや、チャネルＣａの両側に形成された低濃度領域（Lightly Doped Drain）ＬＤＤ、更には上記保持容量電極ＣＥが形成されている。そして、これらポリシリコン層２及び保持容量電極ＣＥ上には、ゲート絶縁膜３及び、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる上記ゲート信号線ＧＬやゲート電極Ｇａ、保持容量電極線ＣＬが形成されている。そして、これらの上面に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の順に積層された層間絶縁膜４が形成されている。更に、同層間絶縁膜４は上記ドレインＤａに対応して開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤａが上記ドレイン信号線ＤＬと電気的にコンタクトがとられている。更に、これらドレイン信号線ＤＬや上記層間絶縁膜４上には、例えば有機樹脂からなり、表面を平坦にする平坦化絶縁膜５が形成されている。
【００２５】
一方、ＥＬ素子を駆動する上記ＴＦＴｂは、図２（ｂ）に示されるような態様にて形成されている。すなわち、上記ガラス基板１上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のポリシリコン層２が形成されている。このポリシリコン層２には、ＴＦＴｂのチャネルＣｂやソースＳ２、ドレインＤｂが形成されている。そして、このポリシリコン層２上には、先の図２（ａ）に示したものと同等のゲート絶縁膜３が形成されているとともに、同ゲート絶縁膜３のうちチャネルＣｂ上方には、クロム（Ｃｒ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなるゲートＧｂが形成されている。これらゲートＧｂ及びゲート絶縁膜３上には、先の図２（ａ）に示したものと同等の層間絶縁膜４、平坦化絶縁膜５が順次積層形成されている。なお、層間絶縁膜４のうち、上記ドレインＤｂに対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ドレインＤｂと上記駆動電源線ＩＬとの電気的なコンタクトがとられている。また、層間絶縁膜４及び平坦化絶縁膜５のうち、上記ソースＳ２に対応した部分が開口され、同開口部にアルミニウム等の導電物が充填されることで、同ソースＳ２とＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極１１の電気的なコンタクトがとられている。この透明電極１１は、ＥＬ素子の陽極をなすものである。
【００２６】
上記ＥＬ素子は、次のものが順次積層形成されてなる。
ａ．透明電極１１
ｂ．ホール輸送層１２：ＮＢＰからなる
ｃ．発光層１３：レッド（Ｒ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に赤色のドーパント（ＤＣＪＴＢ）をドープしたもの。
【００２７】
グリーン（Ｇ）…ホスト材料（Ａｌｑ3）に緑色のドーパント（Ｃｏｕｍａｒｉｎ  ６）をドープしたもの。
ブルー（Ｂ）…ホスト材料（ＢＡｌｑ）に青色のドーパント（Perylene）をドープしたもの。
ｄ．電子輸送層１４：Ａｌｑ3からなる
ｅ．電子注入層１５：フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる
ｆ．電極（陰極）１６：アルミニウム（Ａｌ）からなる
なお、ここで、上記略称にて記載した材料の正式名称は以下のとおりである。
・「ＮＢＰ」…Ｎ，Ｎ‘−Ｄi（(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine）
・「Ａｌｑ3」…Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum
・「ＤＣＪＴＢ」…(2-(1,1-Dimethylethyl)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile。
【００２８】
・「Ｃｏｕｍａｒｉｎ  ６」…3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin。
・「ＢＡｌｑ」…(1,1'-Bisphenyl-4-Olato)bis(2-methyl-8-quinolinplate-N1,08)Aluminum。
【００２９】
これらホール輸送層１２や、電子輸送層１４、電子注入層１５、電極１６は、図２（ａ）に示した領域においても共通して形成されている。ただし、発光層１３については、透明電極１１に対応して島状に形成されているために、図２（ａ）に示す領域には形成されていない。なお、図２において平坦化絶縁膜５上には、絶縁膜１０が形成されている。
【００３０】
更に、ガラス基板１上に形成されたＥＬ素子が水分にふれるのを回避すべく、同ガラス基板１のＥＬ素子の形成面（素子面）は、ガラスよりなる封止基板３０にて封止されているとともに、同封止基板３０と陰極１６との間には例えば酸化カルシウム（ＣａＯｘ）や酸化バリウム（ＢａＯｘ）からなる乾燥剤３１が備えられている。
【００３１】
図３は、上記ガラス基板１をその上面（封止基板３０にて封止されている側の面）から見た図である。同図３に示されるように、ガラス基板１には、上記ＥＬ素子及びＴＦＴの形成された表示領域ＤＰと、同表示領域ＤＰ内のＴＦＴを駆動するドライバＤｖ及びドライバＤｈが形成されている。
【００３２】
そして、表示領域ＤＰ内に形成されたＥＬ素子が水分にふれないように同表示領域ＤＰは封止基板３０によって封止されている。詳しくは、これらガラス基板１及び封止基板３０は、表示領域ＤＰを囲繞するように塗布されたシール樹脂４０にて貼り合わされている。実際には、このシール樹脂４０には、ガラス基板１及び封止基板３０間の間隙を設定すべく例えばビーズ状のガラス繊維（図示略）が含まれている。なお、この封止基板３０の上記表示領域ＤＰに対応した領域には図示しない凹部が形成されているとともに、同凹部には上記乾燥剤３１が充填されている。
【００３３】
次に、本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
図４に本実施形態にかかるＥＬ表示装置の製造手順を示す。
本実施形態においては、複数のＥＬ表示装置を同時に形成すべく、先の図３に示した表示領域ＤＰやドライバＤｖ、Ｄｈを一枚の大型ガラス基板に複数形成する。具体的には、本実施形態においては、図５に示すように、ガラス基板１Ｌ上に１６枚の表示領域ＤＰや図示しないドライバＤｖ、Ｄｈを形成する。
【００３４】
そして、図４に示すように、ガラス基板１Ｌの表示領域ＤＰに先の図２に示す態様にて上記ＴＦＴ及び透明電極１１等を形成する（ステップ１００）。この際、ガラス基板１Ｌのうち上記表示領域ＤＰ以外の領域に、上記ドライバＤｖやＤｈを形成する。次に、ＥＬ素子を構成するホール輸送層１２を形成する（ステップ１１０）。
【００３５】
こうしてホール輸送層１２が形成されたガラス基板１Ｌに対して、真空蒸着法にて上記発光層１３の形成が行われる（ステップ１２０）。すなわち、まず、上記ガラス基板１Ｌに形成された上記透明電極１１に対応して開口されたマスクが配置された真空容器内にガラス基板１Ｌを同マスクの上方から挿入する。そして、これらガラス基板１Ｌとマスクとの位置合わせを行った後、上記発光層１３の材料を加熱蒸発させることで、マスクの開口部を介してガラス基板１Ｌ上に発光層１３を形成する。なお、実際にはこの発光層１３の蒸着形成は、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）の各原色毎に各別のマスク及び真空容器を用いて行う。
【００３６】
こうして発光層１３が形成されたガラス基板１Ｌは、真空容器内から取り出される。そして、発光層１３の形成された面を鉛直下方とした状態で、上記電子輸送層１４や電子注入層１５、陰極１６を形成する（ステップ１３０）。
【００３７】
一方、上記封止基板３０には、まず上記乾燥剤３１を充填する凹部を形成する（ステップ２００）。具体的には、この凹部は、上記ガラス基板１Ｌと貼り合わせるべく、図６に示すように、ガラス基板１Ｌに対応して１６枚の上記封止基板３０を同時に形成する封止基板３０Ｌ上に１６個形成される。この凹部３０ｈは、封止基板３０Ｌのうち、上記ガラス基板１Ｌの表示領域ＤＰに対応した領域に形成される。
【００３８】
そして、封止基板３０Ｌに凹部３０ｈを形成すると、図６（ｂ）に示すように、同凹部３０ｈに乾燥剤３１を塗布する（図４、ステップ２１０）。このように乾燥剤３１の塗布形成がなされると、この封止基板３０Ｌ上の上記凹部３０ｈの外周を囲うようにして上記シール樹脂４０が塗布される（図４、ステップ２２０）。このシール樹脂４０には、上述したようにガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌ間の間隙を確保すべく、ガラス繊維が含まれている。
【００３９】
このように、ガラス基板１Ｌ上に陰極１６が形成される工程が終了し、封止基板３０Ｌにシール樹脂４０の塗布される工程が終了した後に、これらガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとが貼り合わされる（図４，ステップ３００）。
【００４０】
ところで、ＥＬ素子の耐熱温度が低いために、上記シール樹脂として熱硬化性の樹脂を用いるとＥＬ素子の劣化を招くおそれがあるため、本実施形態では、上記シール樹脂４０として、紫外線の照射により硬化する例えばカチオン重合を有するエポキシ系の樹脂を用いる。このように紫外線の照射によりシール樹脂４０を硬化させることで、ＥＬ素子を高温にさらすことに起因した特性劣化を回避しつつガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの貼り合わせを行うことができる。
【００４１】
ただし、ガラス基板１Ｌを介して紫外線をシール樹脂４０に照射すると、上記ホール輸送層１２や、発光層１３、電子輸送層１４、電子注入層１５等、ＥＬ素子のうち紫外線の照射によって特性劣化を招く部分にも同紫外線が照射されるおそれがあることについては上述したとおりである。
【００４２】
そこで、本実施形態では、封止基板３０Ｌとして紫外線を透過させることのできる基板を用いるとともに、その封止基板３０Ｌを介してシール樹脂４０に紫外線を照射するようにする。このように封止基板３０Ｌ側から紫外線を照射することで、上記ホール輸送層１２や、発光層１３、電子輸送層１４、電子注入層１５等、ＥＬ素子のうち紫外線の照射によって特性劣化を招く部分に紫外線が照射されることは、先の図１に示した陰極１６によって回避される。なお、本実施形態においては、上記紫外線を透過可能な部材としてガラスを用いる。
【００４３】
更に、本実施形態では、同封止基板３０Ｌ側から紫外線を照射させるに際し、先の図３に示したドライバＤｖ、Ｄｈを形成するトランジスタとして、トップゲート構造のものを採用するとともに、そのゲート材料として、金属等、紫外線を照射しない材料を採用する。
【００４４】
すなわち、トランジスタのチャネル領域に紫外線が照射されるとそのトランジスタの劣化を招く。特に、上記ドライバＤｖ、Ｄｈの上方（封止基板３０Ｌ側）にはシール樹脂が塗布されているため、紫外線の照射に際してそのドライバＤｖ、Ｄｈの上方をマスクすることはできない。一方、これらドライバＤｖ、Ｄｈをシール樹脂の塗布された領域以外の領域に対応させて形成するとともに紫外線の照射時にこれをマスクする場合には、ＥＬ表示装置としての大型化を招くことに加えて、紫外線照射のためにマスクを用いることから製造工数の増大を招くことともなる。
【００４５】
これに対し、本実施形態では、ドライバＤｖ、Ｄｈ内のトランジスタをトップゲート構造のものを用いて構成することで、紫外線がチャネル領域に照射されることによるトランジスタの劣化を回避することができる。
【００４６】
更に、本実施形態では、ガラス基板１Ｌのうち、ＥＬ素子等の形成された面を鉛直下方とし、封止基板３０Ｌのうち上記乾燥剤３１等の塗布された面を鉛直上方として、これらガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの貼り合わせを行う。すなわち、先の図４に示したように、この貼り合わせに先立つ工程においては、ガラス基板１Ｌは、主として真空蒸着法による上記発光層１３の形成に起因してＥＬ素子の形成された面を鉛直下方にして配置されている。一方、封止基板３０Ｌは、主として乾燥剤３１の塗布に起因してその乾燥剤３１の塗布された面を鉛直上方にして配置されている。こうした状況下、本実施形態によれば、貼り合わせに先立ち、ガラス基板１Ｌ面や封止基板３０Ｌ面を反転させる等の余分な工程を設けずに簡易に貼り合わせの工程に移行することができる。
【００４７】
また、上記貼り合わせに際して、封止基板３０Ｌを紫外線を透過する透明な支持台に載置するとともに、ガラス基板１Ｌの上面（ＥＬ素子の形成されていない側の面）を押圧する。これにより、封止基板３０Ｌを介しての紫外線の照射も容易に行うことができる。すなわち、ガラス基板１Ｌ側から押圧することで、同押圧する部材と紫外線との干渉等の新たな制約が生じることなく、簡易に貼り合わせを行うことができる。
【００４８】
図７に、本実施形態におけるガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの貼り合わせ工程を模式的に示す。
同図７（ａ）に示すように、紫外線を透過する例えば石英ガラスからなる支持台５０上には、封止基板３０Ｌが載置されている。この上方には、ガラス基板１Ｌが例えば真空吸着などにより支持台５１によって支持されている。そして、ガラス基板１Ｌに形成されている先の図５に示すアラインメントマーク１ａ及び封止基板３０Ｌに形成されている先の図６（ａ）に示すアラインメントマーク３０ａを用いて、これらガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの位置合わせが行われる。すなわち、図７に示すＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラ５２等により、アラインメントマーク１ａ及びアラインメントマーク３０ａの各位置をモニタしつつ、それらアラインメントマーク１ａ及びアラインメントマーク３０ａが合致するように、ガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの位置合わせが行われる。
【００４９】
そして、ガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの位置合わせがなされると、ガラス基板１Ｌと封止基板３０Ｌとの貼り合わせが行われる。すなわち、まず、ガラス基板１Ｌをその上方から押圧し、ガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌ間の間隙をシール樹脂４０内に混入されているガラス繊維４０ｓによって規定される大きさとする。これは例えば、ガラス基板１Ｌに加える圧力が所定以上となることで確認する。こうしてガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌ間の間隙を所定の間隙とした後、封止基板３０Ｌを介してシール樹脂４０に紫外線（図中、ＵＶ）を照射する。
【００５０】
図７（ｂ）に、表示領域ＤＰ内への紫外線の照射態様を示す。同図７（ｂ）に示すように、紫外線（図中、破線にて表記）は、陰極１６にて遮られるため表示領域ＤＰ内のＥＬ素子及びトランジスタには照射されない。更に、図７（ｃ）に、上記ドライバＤｖ、Ｄｈ内のトランジスタへの紫外線の照射態様を示す。この図７（ｂ）に例示するトップゲート構造を有するトランジスタにおいては、チャネル領域６０ｃへの紫外線（図中、破線にて表記）の照射はゲート電極６０ｇによって回避される。
【００５１】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
（１）封止基板３０Ｌ側から紫外線を照射してシール樹脂４０を硬化させ、ガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌを貼り合わせた。これにより、同紫外線の照射に際して表示領域ＤＰ内のＥＬ素子やトランジスタへの紫外線の照射を遮断することができる。
【００５２】
（２）ドライバＤｖ、Ｄｈのトランジスタとしてトップゲート構造のものを用いた。これにより、ドライバＤｖ、Ｄｈ内のトランジスタのチャネル領域への紫外線の照射をゲート電極にて遮断することができる。
【００５３】
（３）貼り合わせに際しガラス基板１Ｌ側を押圧することとすることで、紫外線の照射が妨げられないように押圧する等の制約が生じない。したがって、貼り合わせを簡易に行うことができる。
【００５４】
（４）ＥＬ素子の形成されたガラス基板１Ｌ面を鉛直下方に、また、乾燥剤３１の塗布された封止基板３０Ｌ面を鉛直上方にそれぞれ向けて貼り合わせを行った。これにより、同貼り合わせに先立ち、ガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌの面を反転させることなく、同貼り合わせの前工程から速やかに貼り合わせ工程に移行することができる。
【００５５】
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・ガラス基板１Ｌや封止基板３０Ｌに関しては、上記実施形態で例示したように１６枚の表示パネルを同時に形成するものに限らず、任意の複数又は単数の表示パネルを形成するものであればよい。
【００５６】
・表示領域ＤＰ内に形成されるＥＬ素子駆動用のトランジスタは、図１に例示したようにトップゲート構造のものに限らず、ボトムゲート構造のもの等でもよい。すなわち、上記ガラス基板１Ｌの表示領域ＤＰ内については、その最上層（封止基板３０Ｌ側）が上述したように上記陰極１６で覆われているために、この陰極１６によって紫外線の照射が回避される。このため、同表示領域ＤＰ内のトランジスタについては、そのチャネル領域に紫外線が照射されることはない。ただし、陰極１６を例えば透明電極１１に対応して形成する等する場合には、表示領域ＤＰ内の上記トランジスタについてもこれをトップゲート構造のものとし、これらゲート材料を紫外線を遮断することのできる部材とすることが望ましい。
【００５７】
・ＥＬ表示装置としては、上記のものに限らず、例えばトランジスタのソースが陽極に接続された構造の代わりに、ソースに陰極が接続されていてもよい。更に、アクティブマトリクス方式のものに限らない。例えば、単純マトリクス方式のものにおいても、ガラス基板に形成されるＥＬ素子の電極のうち封止基板側の電極が紫外線を遮断する部材であれば、封止基板側を介してシール樹脂に紫外線を照射することで貼り合わせを行う本発明の適用は有効である。
【００５８】
・貼り合わせに際して、ガラス基板１Ｌ及び封止基板３０Ｌの面を水平方向に一致させ且つ封止基板３０Ｌの上方にガラス基板１Ｌを配置せずとも、封止基板３０Ｌを固定した状態でガラス基板１Ｌを封止基板３０Ｌ側に押圧するなら、紫外線の照射を妨げない態様にて押圧するという制約を回避することができ、貼り合わせを簡易に行うことはできる。
【００５９】
・ガラス基板１ｌと封止基板３０Ｌとの貼り合わせに先立つ工程は、必ずしも上記実施形態において図４に例示した一連の工程１００〜１３０及び２００〜２２０には限らない。例えば、シール樹脂をガラス基板側へ塗布する等、適宜変更してよい。また、真空蒸着法によるマスクを用いたＥＬ材料の形成は発光層に限らず、例えばホール輸送層１２や電子輸送層１４、電子輸送層１５を各原色毎に異なる膜厚にて形成する場合には、これらも発光層と同様の手法によって形成するようにしてもよい。
【００６０】
・封止基板３０Ｌの材料としては、ガラスに限らず、透明樹脂基板等、紫外線を透過させることができればよい。
・上記実施形態及びその変形例では、シール樹脂として紫外線で硬化する性質のものを用いたがこれに限らない。その照射によりＥＬ素子等を高温とすることのない適宜の光で硬化する樹脂をシール樹脂として用いるとともに、同光を透過させることのできる封止基板を介してシール樹脂に光を照射するようにしてもよい。この際、上記実施形態及びその各変形例におけるゲートや電極等、紫外線を遮断する機能を有する部材については、これに代えて上記光を遮断するものを用いる。
【００６１】
・その他、ＥＬ素子材料は、上記実施形態において例示したものに限らず、ＥＬ表示装置として実現可能な任意のＥＬ素子材料を用いることができる。
【００６２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明では、封止基板を介してシール樹脂に光を照射することで、同封止基板を透明素子基板に貼り合わせる。このため、光は、透明素子基板側に形成されたＥＬ素子の電極によって遮断され、同ＥＬ素子の発光層等、光の照射によって劣化する部分への照射は回避される。したがって、表示装置としての品質を良好に保ちつつＥＬ素子の形成された基板を封止することができるようになる。
【００６３】
請求項２記載の発明では、貼り合わせに際し、封止基板を固定するとともに透明素子基板を封止基板側方向へ押圧する。これにより、光の照射が妨げられることのないように押圧する等の制約が生じることなく、簡易に貼り合わせを行うことができる。
【００６４】
請求項３記載の発明によれば、封止基板の下方から光を照射することで、例えば下記請求項４〜６の各発明のように、貼り合わせの工程への移行を速やかに行なうことができる。
【００６５】
請求項４記載の発明では、貼り合わせに先立ち、封止基板側にシール樹脂を塗布する。この工程は、透明基板と対向する側の面を鉛直上方にして行うことで容易に行うことができる。しかもこの場合、貼り合わせ時には封止基板は支持台に載置されるため、貼り合わせに際し、封止基板面を反転させる等の工程を必要とせず、速やかに貼り合わせ工程に移行することができる。
【００６６】
請求項５記載の発明では、貼り合わせに先立ち、封止基板側に凹部を形成するとともに同凹部に乾燥剤を塗布する。この工程は、透明基板と対向する側の面を鉛直上方にして行うことで容易に行うことができる。しかもこの場合、貼り合わせ時には封止基板は支持台に載置されるため、貼り合わせに際し、封止基板面を反転させる等の工程を必要とせず、速やかに貼り合わせ工程に移行することができる。
【００６７】
請求項６記載の発明では、ＥＬ素子を形成する工程から透明素子基板及び封止基板を封止する工程までを、透明素子基板のうち封止基板にて封止される側を鉛直下方にして行う。このため、封止基板を支持台に載置するとともに同封止基板の上方から透明基板を配置することで貼り合わせを行う場合、貼り合わせに際し、透明基板面を反転させる等の工程を必要とせず、速やかに貼り合わせ工程に移行することができる。
【００６８】
請求項９記載の発明では、駆動回路を構成するトランジスタとしてトップゲート構造のものが用いられる。これにより、同駆動回路を構成するトランジスタのゲートによって光が遮断され、そのチャネル領域への光の照射が回避される。これにより、同駆動回路を構成するトランジスタについて、この特性劣化を好適に抑制することができ、ひいては、表示装置としての品質を良好に保ちつつＥＬ素子の形成された基板を的確に封止することができるようになる。
【００６９】
請求項１０記載の発明によれば、貼り合わせに際して紫外線を用いるとともに、封止基板としてガラス又は透明樹脂基板を用いることで、貼り合わせに用いる樹脂や封止基板を容易に取得することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置を上方から見た平面図。
【図２】アクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置についてその一部断面構造を示す断面図。
【図３】同ＥＬ表示装置を上面から見た平面図。
【図４】本発明にかかるＥＬ表示装置の製造方法の一実施形態における製造手順を示すフローチャート。
【図５】同実施形態におけるガラス基板の平面図。
【図６】同実施形態における封止基板の平面図。
【図７】同実施形態におけるガラス基板と封止基板との貼り合わせ態様を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
１…基板、１ａ…アラインメントマーク、２…ポリシリコン層、Ｃａ，Ｃｂ…チャネル、Ｄａ、Ｄｂ…ドレイン、Ｓａ，Ｓｂ…ソース、３…ゲート絶縁膜、Ｇａ、Ｇｂ…ゲート電極、４…層間絶縁膜、５…平坦化絶縁膜、１１…透明電極（透明電極）、１２…ホール輸送層、１３…発光層、１４…電子輸送層、１５…電子注入層、１６…陰極、３０、３０Ｌ…封止基板、３０ｈ…凹部、３１…乾燥剤、４０…シール樹脂、５０、５１…支持台、５２…ＣＣＤカメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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