(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、該帯電した電子写真感光体に露光して静電潜像を形成する露光手段、該電子写真感光体に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段及び該トナー像が転写された感光体をクリーニングするクリーニング手段からなる群より選択される一種以上の手段とを有し、
該電子写真感光体は、導電性支持体上に感光層が形成されており、
該感光層は、電荷輸送物質を含有し、
該電荷輸送物質は、化学式
【化１】
0004741404.tif 000028
で表される化合物、化学式
【化２】
0004741404.tif 000029
で表される化合物、化学式
【化３】
0004741404.tif 000030
で表される化合物、化学式
【化４】
0004741404.tif 000031
で表される化合物、化学式
【化５】
0004741404.tif 000032
で表される化合物、化学式
【化６】
0004741404.tif 000033
で表される化合物又は化学式
【化７】
0004741404.tif 000034
で表される化合物であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項２】
前記感光層は、フタロシアニンを含有することを特徴とする請求項１に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項３】
前記フタロシアニンがチタニルフタロシアニンであることを特徴とする請求項２に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項４】
前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、２７．２゜に最大のピークを有することを特徴とする請求項３に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項５】
前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、９．４゜、９．６゜、２４．０゜にピークをさらに有し、７．３゜に最も低角側のピークをさらに有し、該７．３°のピークと該９．４゜のピークの間にピークを有さず、２６．３°にピークを有さないことを特徴とする請求項４に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項６】
前記チタニルフタロシアニンは、平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項７】
前記帯電手段は、コロナ放電方式、前記電子写真感光体と帯電部材を接触させる接触帯電方式又は前記電子写真感光体と帯電部材とが２００μｍ以下の空隙を有するように配置されている近接配置方式であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプロセスカートリッジを有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロセスカートリッジ及びレーザープリンタ、複写機、ファクシミリ等の画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロセスカートリッジ着脱方式の画像形成装置は、画像形成のための全工程機器のうち特定の機器、例えば像担持体（電子写真感光体・静電記録誘電体等）、帯電装置、現像装置、クリーニング装置等について、それら全体を一括して画像形成装置本体に対して着脱自在なユニット体として、共通のハウジングに所定の相互位置関係をもってまとめて組み付けた構成となっている。
【０００３】
画像形成装置を上記のようなカートリッジ着脱方式とすることにより、画像形成装置の保守性、サービス性等が向上する。例えば、現像色等機能を異にする複数のカートリッジを準備しておき、所望機能のカートリッジを画像形成装置本体に取り替え的に装着使用することにより、画像形成装置を多機能的に利用することが可能になる等の利点がある。
【０００４】
一方、画像形成装置に用いる像担持体としては、電荷発生物質及び電荷輸送物質を含有している有機電子写真感光体（ＯＰＣ）が、無公害、低コスト等の理由より広く実用化されている。電荷輸送物質としては、正孔輸送物質、電子輸送物質等が知られているが、正孔輸送物質を用いた場合は、負帯電プロセスが不可欠となり、オゾンの発生等により感光体を劣化させるという問題があり、電子輸送物質を用いた場合は、正孔輸送物質と比較してキャリア移動度が低いという問題が残っていた。係る電子輸送物質の問題を解決するために、特定の電子輸送物質を用いることが提案されている（例えば、特許文献１、または特許文献２参照）が、バインダー樹脂との相溶性という問題が残っている。電子輸送物質の多くはキャリア移動度が低く、一方キャリア移動度がやや高い化合物は、バインダー樹脂との相溶性が良くないために、電子輸送層の膜質が悪くなり、電子写真特性に問題があった。
【特許文献１】特開平１−２０６３４９号公報
【特許文献２】特開平５−１４２８１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明は上述に鑑みてなされたものであり、画像形成装置の保守性、サービス性等が良好であり、得られる画像が高品質であり、高耐久なプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するために、下記構成を有する。
（１）電子写真感光体並びに帯電手段、露光手段、現像手段及びクリーニング手段から選ばれる1つ以上の手段が一体なるプロセスカートリッジであって、
該電子写真感光体に下記式（１）で表される電荷輸送物質を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【０００７】
【化４】
0004741404.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。
（２）電子写真感光体並びに帯電手段、露光手段、現像手段及びクリーニング手段から選ばれる1つ以上の手段が一体となるプロセスカートリッジであって、
該電子写真感光体に下記式（A）で表される電荷輸送物質を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【０００８】
【化５】
0004741404.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。）
（３）前記電子写真感光体の感光層に含有される電荷発生物質がフタロシアニンであることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のプロセスカートリッジ。
（４）前記フタロシアニンがチタニルフタロシアニンであることを特徴とする上記（３）記載のプロセスカートリッジ。
（５）前記感光層に含有される電荷発生物質が、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンであることを特徴とする上記（１）乃至（４）のいずれか一つに記載のプロセスカートリッジ。
（６）前記感光層に含有される電荷発生物質が、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であることを特徴とする上記（１）乃至（５）のいずれか一つに記載のプロセスカートリッジ。
（７）前記チタニルフタロシアニンの平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であることを特徴とする上記（６）に記載のプロセスカートリッジ。
（８）前記電子写真感光体の感光層中に更に下記式（B）で表される電荷輸送物質を含有することを特徴とする上記（１）乃至（７）のいずれか一つに記載のプロセスカートリッジ。
【０００９】
【化６】
0004741404.tif 000004
（式中、Ｒ１5、Ｒ16は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。）
（９）電子写真感光体に、少なくとも帯電、画像露光、現像、転写を繰り返し行なう電子
写真方法であって、上記（１）乃至（８）のいずれか一つに記載のプロセスカートリッジ
に用いられる画像形成方法。
（１０）帯電手段が、コロナ放電方式、感光体と接触させる接触帯電方式、または感光体と帯電部材とが２００μｍ以下の空隙を有するように近接配置された近接配置方式であることを特徴とする上記（９）に記載の画像形成方法。
（１１）上記（１）乃至（８）記載のプロセスカートリッジが搭載されたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００１０】
したがって、本発明のプロセスカートリッジは、画像形成装置に脱着可能であり、本発明に用いる感光体が繰返しの使用にわたっても残留電位上昇せず、加えて本発明のプロセスカートリッジを装着した画像形成装置は繰返しの使用にわたっても画像ボケ等の異常画像が発生しにくいという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明に用いる電子写真感光体とは、導電性支持体に、少なくとも感光層を有し、係る感光層に、下記式（１）又は式（A）で表される電荷輸送物質を有する電子写真感光体である。
【００１３】
【化７】
0004741404.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。）
【００１４】
【化８】
0004741404.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。）
本発明に用いる導電性支持体としては、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄等の金属、酸化スズ、酸化インジウム等の酸化物を蒸着又はスパッタリングによりフィルム状又は円筒状のプラスチック又は紙等に被覆したもの等が例示でき、更に詳しくはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板又はそれらをＤｒａｗｉｎｇ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｉｍｐａｃｔ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｄｒａｗｉｎｇ法、切削法等の工法により素管化後、切削、超仕上げ、研磨等により表面処理した管等を使用することが例示できる。
【００１５】
本発明に用いられる電子写真感光体には、接着性が優れる、モワレの防止性が優れる、感光層を含む上層の塗工性が優れる、残留電位の低減性が優れる、導電性支持体からの電荷注入の防止性が優れる等の点で導電性支持体と感光層との間に下引き層を設けることが好ましい。
【００１６】
該下引き層は一般に樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に溶剤を用いて感光層を塗布することを考慮すると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが好ましく、具体的には、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が例示できる。また、下引き層には、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等の金属酸化物、又は金属硫化物、金属窒化物等の微粉末を含有させることも例示できる。該下引き層は、前述の感光層と同様の塗工法及び溶媒を用いて塗工することが例示できる。
【００１７】
該下引き層の膜厚は０．１乃至１０μｍが適当であり、更に好ましくは１乃至５μｍである。
【００１８】
更に該下引き層としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用して、ゾル−ゲル法等により形成した金属酸化物層も有用であることが例示できる。更に、アルミナを陽極酸化により設けた層、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物、酸化ケイ素、酸化スズ、酸化チタン、ＩＴＯ、セリア等の無機物を真空薄膜作製法にて設けた層も良好に使用できることが例示できる。
【００１９】
本発明に用いる電子写真感光体の感光層としては、単一の層中に電荷発生物質及び電荷輸送物質を含有する単層型感光層、電荷発生物質を含有する電荷発生層及び電荷輸送物質を含有する電荷輸送層をこの順に積層させた積層型感光層を例示することができる。
【００２０】
該積層型感光層の各層構成の例について以下に詳述する。
【００２１】
電荷発生層とは電荷発生物質を含有する層であり、必要に応じてバインダー樹脂を用いることが例示できる。
【００２２】
本発明に用いられる電荷発生物質としては、特に限定されるものではないが特開平９−１６０２６９号に記載されているアゾ系顔料、フタロシアニン系顔料が例示でき、その中でもフタロシアニン系顔料が本件発明に必要な諸特性の面から特に好ましく、中心金属としてチタンを有するチタニルフタロシアニンは感度が高い感光層とすることができ、電子写真装置として小型化と高速化をはかることが可能となる点でより好ましく、更に好ましくは各種の結晶形のうち、ブラッグ角２θの２７．２°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが特に優れた感度特性を示し、良好に使用される。特に、特開２００１−１９８７１号公報に記載されている２７．２°に最大回析ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回析ピークとして７．３°にピークを有し、該７．３゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンを用いることで、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができる。
【００２３】
更に、平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であるチタニルフタロシアニン結晶であることによって、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低下を生じない安定な電子写真感光体を得ることができ、更に地肌汚れ特性が著しく改善できることが例示できる。
【００２４】
該電荷発生層に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート（ピスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型等）、ポリアリレート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド等が例示できる。これらのバインダー樹脂は、単独でも２種以上の混合物として用いることも例示できる。
【００２５】
更に、必要に応じて電荷輸送物質を添加することも例示できる。
【００２６】
該電荷発生層を形成する方法としては、溶液分散系からのキャスティング法が好ましい。キャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した電荷発生物質を、必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布すればよい。塗布は、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法等により行うことが例示できる。
【００２７】
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、通常は０．０１μｍ乃至５μｍ、好ましくは０．１μｍ乃至２μｍであることが例示できる。
【００２８】
本発明に用いる電荷輸送層としては、後述する式（１）又は式（A）で表される電荷輸送物質とバインダー樹脂の混合物を適当な溶剤に溶解又は分散し、これを塗布、乾燥することにより形成することが例示できる。
【００２９】
該電荷輸送層のバインダー樹脂として用いることのできる高分子化合物としては、ポリスチレン、スチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型）、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性樹脂が例示できる。電荷輸送層が最外層となる層構成を用いる場合、耐磨耗性の点でポリカーボネート（ビスフェノールＺ型）が好ましい。
【００３０】
該バインダー樹脂は、単独若しくは２種以上の混合物として、又はそれらの原料モノマー２種以上からなる共重合体として、更に電荷輸送物質と共重合化して用いることが例示できる。
【００３１】
更に、電荷輸送層の環境変動に対する安定性確保させる目的として、電気的に不活性な高分子化合物を用いる場合には、例えばポリエステル、ポリカーボネート（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型等）、アクリル樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、フッ素樹脂、ポリアクリロニトリル、アクリロニトリル／スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／アクリロニトリル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体等が好ましい。該電気的に不活性な高分子化合物とは、トリアリールアミン構造のような光導電性を示す化学構造を含まない高分子化合物を例示できる。該高分子化合物を添加剤としてバインダー樹脂と併用する場合、光減衰感度の制約から、その添加量は５０ｗｔ％以下とすることが好ましい。
【００３２】
本発明においては電荷輸送物質としては、前述の式（１）又は式（A）で表される電荷輸送物質を用いることが必須であるが、これに加えて公知の電荷輸送物質、即ち電子輸送物質（アクセプター）、正孔輸送物質（ドナー）を併用することも例示できる。
【００３３】
該電子輸送物質としては、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド等の電子受容性物質が例示できる。該電子輸送物質は、単独でも２種以上の混合物として用いることが例示できる。
【００３４】
該正孔輸送物質としては、電子供与性物質が好ましく用いられ、具体的にはオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリルアントラセン）、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体等が例示できる。該正孔輸送物質は、単独でも２種以上の混合物として用いることが例示できる。
【００３５】
該電荷輸送物質の添加量は樹脂成分１００重量部に対して４０乃至２００重量部、好ましくは感度が高い感光体が得られるという点で７０乃至１５０重量部であることが例示できる。
【００３６】
該電荷輸送層の膜厚は、１５乃至４０μｍ程度が適当であり、好ましくは１５乃至３０μm程度、解像力が要求される場合、２５μｍ以下が好ましい。
【００３７】
該電荷輸送層の塗工方法としては浸漬法、スプレー塗工法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が例示できる。
【００３８】
該塗工方法に用いる電荷輸送層塗工液を調製する際に使用できる分散溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳香族類、クロロベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等を例示できる。該分散溶媒は単独として又は混合して用いることが例示できる。更に、必要により、電荷輸送層中に後述する酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤等の低分子化合物及びレベリング剤を添加することも例示できる。該低分子化合物は単独又は２種以上の混合物として用いることが例示できる。該低分子化合物の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．１乃至５０重量部、好ましくは０．１乃至２０重量部、レベリング剤の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．００１乃至５重量部程度が好ましい。
【００３９】
更に、本発明の目的を損なわない範囲で、耐久性向上等の目的により公知の酸化防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤を添加することができる。
【００４０】
また本発明において、感光層中に式（B）で表される電荷輸送物質を加えることにより、感光層を緻密にすることができるため、ガスバリアー性が向上し、帯電器などで発生する酸化性ガスによる感光体劣化を防ぐことができる。また成膜時における収縮が緩和されるため、アルミ蒸着したPETシートやニッケルベルトなどのフレキシブルなシートを支持体とした場合、一般にカールと称される反りを減少させることが可能となり、クラックなどの感光体欠陥の発生を防ぐことができる。
【００４１】
これは、式（B）で表される電荷輸送物質が低分子であるため、感光層中で可塑剤のような働きをするためであるが、式（B）で表される電荷輸送物質は電子輸送能を持ち、また式（１）及び式（A）で表される電荷輸送物質のモノマーであるため、残留電位などの副作用もほとんど生じずにガスバリアー性の向上及びカールを減少させることができる。
【００４２】
式（B）で表される電荷輸送物質は、式（１）及び式（A）で表される電荷輸送物質に対して１〜５０重量％が適当である。少なすぎると所望の効果が得られず、また、式（B）で表される電荷輸送物質は式（１）及び式（A）で表される電荷輸送物質に比べ電子輸送能が劣るため、多すぎる場合には感度が低下してしまう。
【００４３】
次に上述した単一の層中に電荷発生物質と電荷輸送物質を含有する単層型感光層の例について以下に詳述する。
【００４４】
本発明に用いる、該単層型感光層は、導電性支持体の上に少なくとも電荷発生物質と、前記式１で表される電荷輸物質を含有する感光層を例示できる。
【００４５】
該単層型感光層に用いることが出来る電荷発生物質は特に限定されるものではないが、特開平９−１６０２６９号に記載されているアゾ系顔料、フタロシアニン系顔料が例示でき、その中でもフタロシアニン系顔料が本件発明に必要な諸特性の面から特に好ましく、中心金属としてチタンを有するチタニルフタロシアニンが感度が高い感光層とすることができ、電子写真装置として小型化と高速化をよりいっそうはかることが可能となるという点でより好ましく、さら好ましくは各種の結晶形のうち、ブラッグ角２θの２７．２°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが特に優れた感度特性を示し、良好に使用される。特に、特開２００１−１９８７１号公報に記載されている２７．２°に最大回析ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回析ピークとして７．３°にピークを有し、該７．３゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンを用いることで、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができる。
【００４６】
更に、平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であるチタニルフタロシアニン結晶であることによって、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低下を生じない安定な電子写真感光体を得ることができ、更に地肌汚れ特性が著しく改善できることが例示できる。
【００４７】
これらの顔料は予めテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミル等により分散しておくことが好ましい。また分散時には必要に応じてバインダー樹脂と共に分散することも例示できる。
【００４８】
該単層型感光層においても電荷輸送物質に用いる電子輸送物質としては、後述する式（１）又は式（A）で表される電荷輸送物質を用いることが必須であるが、これに加えて前述のような公知の電荷輸送物質、即ち電子輸送物質（アクセプター）、正孔輸送物質（ドナー）を本発明の目的を損なわない範囲で併用することも例示できる。
【００４９】
該電荷輸送物質の添加量はバインダー樹脂成分１００重量部に対して４０乃至２００重量部、好ましくは感度が高い感光体が得られるという点で７０乃至１５０重量部であることが例示できる。
【００５０】
該単層型感光層の膜厚は、１５乃至４０μｍ程度が適当であり、好ましくは１５乃至３０μm程度、解像力が要求される場合、２５μｍ以下が好ましい。
【００５１】
該単層型感光層の塗工方法としては浸漬法、スプレー塗工法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が例示できる。
【００５２】
該塗工方法に用いる電荷輸送層塗工液を調製する際に使用できる分散溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ等のエーテル類、トルエン、キシレン等の芳香族類、クロロベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等を例示できる。該分散溶媒は単独として又は混合して用いることが例示できる。更に、必要により、後述する酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤等の低分子化合物及びレベリング剤を添加することも例示できる。該低分子化合物は単独又は２種以上の混合物として用いることが例示できる。該低分子化合物の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．１乃至５０重量部、好ましくは０．１乃至２０重量部、レベリング剤の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．００１乃至５重量部程度が好ましい。
【００５３】
単層構成時においても、感光層中に式（B）で表される電荷輸送物質を加えることにより、感光層を緻密にすることができるため、ガスバリアー性が向上し、帯電器などで発生する酸化性ガスによる感光体劣化を防ぐことができる。また成膜時における収縮が緩和されるため、アルミ蒸着したPETシートやニッケルベルトなどのフレキシブルなシートを支持体とした場合、一般にカールと称される反りを減少させることが可能となり、クラックなどの感光体欠陥の発生を防ぐことができる。
【００５４】
単層構成の感光層において、式（B）で表される電荷輸送物質は、式（１）及び式（A）で表される電荷輸送物質に対して１〜５０重量％が適当である。少なすぎると所望の効果が得られず、また、式（B）で表される電荷輸送物質は式（１）及び式（A）で表される電荷輸送物質に比べ電子輸送能が劣るため、多すぎる場合には感度が低下してしまう。
【００５５】
本発明に用いる式（１）、式（A）、式（B）で表される電荷輸送物質は、下記に示す構造骨格を有する。
【００５６】
【化９】
0004741404.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。）
【００５７】
【化１０】
0004741404.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。）
【００５８】
【化１１】
0004741404.tif 000009
（式中、Ｒ１5、Ｒ16は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。）
該置換又は未置換のアルキル基としては、炭素数１乃至２５、好ましくは炭素数１乃至１０の炭素原子を有するアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基といった直鎖状のもの、ｉ―プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メチルプロピル基、ジメチルプロピル基、エチルプロピル基、ジエチルプロピル基、メチルブチル基、ジメチルブチル基、メチルペンチル基、ジメチルペンチル基、メチルヘキシル基、ジメチルヘキシル基等の分岐状のもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルキルカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基で置換されたアルキル基、シアノ基で置換されたアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は未置換のアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたアルキル基に含まれる。
【００５９】
該置換又は未置換のシクロアルキル基としては、炭素数３乃至２５、好ましくは炭素数３乃至１０の炭素原子を有するシクロアルキル環、具体的には、シクロプロパンからシクロデカンまでの同属環、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、テトラメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン等のアルキル置換基を有するもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等で置換されたシクロアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は未置換のシクロアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたシクロアルキル基に含まれる。
【００６０】
置換または無置換のアラルキル基としては、上述の置換または無置換のアルキル基に芳香族環が置換した基が挙げられ、炭素数６乃至１４のアラルキル基が好ましい。より具体的には、ベンジル基、ペルフルオロフェニルエチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、ターフェニルエチル基、ジメチルフェニルエチル基、ジエチルフェニルエチル基、ｔ−ブチルフェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、４−フェニルブチル基、５−フェニルペンチル基、６−フェニルヘキシル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などが例示できる。
【００６１】
該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００６２】
式（１）で表される電荷輸送物質としては具体的に下記式（２）乃至式（８）で表される電荷輸送物質が、挙げられる。
なお、式中Ｍｅはメチル基を示す。
【００６３】
【化１２】
0004741404.tif 000010
【００６４】
【化１３】
0004741404.tif 000011
【００６５】
【化１４】
0004741404.tif 000012
【００６６】
【化１５】
0004741404.tif 000013
【００６７】
【化１６】
0004741404.tif 000014
【００６８】
【化１７】
0004741404.tif 000015
【００６９】
【化１８】
0004741404.tif 000016
該式（１）で表される電荷輸送物質の製造方法としては、下記の方法が例示できる。
【００７０】
ナフタレンカルボン酸は公知の合成方法（例えば、米国特許６７９４１０２号公報、Industrial Organic Pigments 2nd edition, VCH, 485  (1997)  など）に従い、下記反応式より合成される。
【００７１】
【化１９】
0004741404.tif 000017
（式中、ＲｎはＲ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８を表し、ＲｍはＲ５、Ｒ６、Ｒ９、Ｒ１０を表す。）
本発明に用いる式（１）で表される電荷輸送物質は、上記のナフタレンカルボン酸若しくはその無水物をアミン類と反応させ、モノイミド化する方法、ナフタレンカルボン酸若しくはその無水物を緩衝液によりpＨ調整してジアミン類と反応させる方法等により得られる。モノイミド化は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限はないが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等原料や生成物と反応せず５０℃乃至２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。pH調整には水酸化リチウム、水酸化カリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸との混合により作製した緩衝液を用いる。カルボン酸とアミン類やジアミン類とを反応させて得られたカルボン酸誘導体脱水反応は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限は無いがベンゼン、トルエン、クロロナフタレン、ブロモナフタレン、無水酢酸等原料や生成物と反応せず５０℃乃至２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。いずれの反応も、無触媒若しくは触媒存在下でおこなってよく、特に限定されないが例えばモレキュラーシーブスやベンゼンスルホン酸やp-トルエンスルホン酸等を脱水剤として用いることが例示できる。
【００７２】
式（A）で表される電荷輸送物質は主に以下の２通りの合成方法によって合成される。
【００７３】
【化２０】
0004741404.tif 000018
式（A）で表される電子輸送材料の繰り返し単位ｎは１から１００の整数である。
【００７４】
繰り返し単位ｎは、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められる。すなわち化合物は分子量に分布をもった状態で存在する。ｎが１００をこえると化合物の分子量が大きくなり、各種溶媒に対する溶解性が落ちるため、１００以下が好ましい。
【００７５】
一方例えばｎが１の場合はナフタレンカルボン酸の三量体であるが、Ｒ１、Ｒ２の置換基を適切に選択することにより、オリゴマーでも優れた電子移動特性が得られる。このように繰り返し単位ｎの数により、オリゴマーからポリマーまで幅広い範囲のナフタレンカルボン酸誘導体が合成される。
【００７６】
オリゴマー領域の分子量が小さい範囲では、段階的に合成することで、単分散の化合物を得ることができる。分子量が大きい化合物の場合は、分子量に分布をもった化合物が得られる。
【００７７】
式（A）で表される電荷輸送物質としては具体的に以下のものが例示できる
【００７８】
【化２１】
0004741404.tif 000019
【００７９】
【化２２】
0004741404.tif 000020
【００８０】
【化２３】
0004741404.tif 000021
本発明の目的を損なわない範囲で、耐環境性の改善、感度低下、残留電位の上昇を防止する目的で、単層型感光層、電荷発生層、電荷輸送層、下引き層、保護層、中間層等の各層に酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤を添加することが例示できる。
【００８１】
該各層に添加できる酸化防止剤としては、上記目的より下記のものが好ましい。
（ａ）フェノ−ル系化合物
２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、ｎ−オクタデシル−３−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス−（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、ビス［３，３’−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアッシド］グリコールエステル、トコフェロール類。
（ｂ）パラフェニレンジアミン類
Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン。
（ｃ）ハイドロキノン類
２，５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２，６−ジドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オクタデセニル）−５−メチルハイドロキノン。
（ｄ）有機硫黄化合物類
ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−３，３’−チオジプロピオネート。
（ｅ）有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ）ホスフィン。
【００８２】
該各層に添加できる可塑剤として、上記目的より下記のものが好ましい。
（ａ）リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−２−エチルヘキシル、リン酸トリフェニル。
（ｂ）フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−ｎ−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチル。
（ｃ）芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−ｎ−オクチル、オキシ安息香酸オクチル。
（ｄ）脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−ｎ−ヘキシル、アジピン酸ジ−２−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−ｎ−オクチル、アジピン酸−ｎ−オクチル−ｎ−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−ｎ−オクチル、セバシン酸ジ−２−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−２−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−ｎ−オクチル。
（ｅ）脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリン。
（ｆ）オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチル。
（ｇ）エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシル。
（ｈ）二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−２−エチルブチラート。
（ｉ）含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチル。
（ｊ）ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステル。
（ｋ）スルホン酸誘導体
ｐ−トルエンスルホンアミド、ｏ−トルエンスルホンアミド、ｐ−トルエンスルホンエチルアミド、ｏ−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−Ｎ−エチルアミド、ｐ−トルエンスルホン−Ｎ−シクロヘキシルアミド。
（ｌ）クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−２−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−ｎ−オクチルデシル。
（ｍ）その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、２−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチル。
【００８３】
該各層に添加できる滑剤としては、上記目的より下記のものが好ましい。
（ａ）炭化水素系化合物 
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレン。
（ｂ）脂肪酸系化合物 
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸。
（ｃ）脂肪酸アミド系化合物 
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミド。
（ｄ）エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル。
（ｅ）アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロール。
（ｆ）金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウム。
（ｇ）天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウ。
（ｈ）その他
シリコーン化合物、フッ素化合物。
【００８４】
該各層に添加できる紫外線吸収剤として、上記目的より下記のものが好ましい。
（ａ）ベンゾフェノン系
２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ４−メトキシベンゾフェノン。
（ｂ）サルシレート系
フェニルサルシレート、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエート。
（ｃ）ベンゾトリアゾール系
（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、（２’−ヒドロキシ３’−ターシャリブチル５’−メチルフェニル）５−クロロベンゾトリアゾール。
（ｄ）シアノアクリレート系
エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、メチル２−カルボメトキシ３（パラメトキシ）アクリレート。
（ｅ）クエンチャー（金属錯塩系）
ニッケル（２，２’チオビス（４−ｔ−オクチル）フェノレート）ノルマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェート。
（ｆ）ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン）
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕エチル］−４−〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ〕−２，２，６，６−テトラメチルピリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４，５〕ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン。
【００８５】
次に、本発明のプロセスカートリッジを以下に詳述する。
【００８６】
本発明のプロセスカートリッジは、上述した本発明に用いる電子写真感光体並びに帯電手段、露光手段、現像手段及びクリーニング手段から選ばれる1つ以上の手段が一体となるプロセスカートリッジである。
【００８７】
本発明に用いる帯電手段としては、公知の帯電手段が例示でき、スコロトロンに代表されるコロナ放電方式、帯電ローラや帯電ブラシを感光体に接触させることによる接触帯電方式、画像形成領域において感光体と帯電部材とが２００μｍ以下の空隙（ギャップ）を有するようにした近接配置方式が好適に用いられる。
【００８８】
本発明に用いる露光手段としては、公知の露光手段が例示でき、画像露光部には、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の高輝度を確保できる光源を使用することが例示できる。除電ランプ等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）等の発光物全般を用いることが例示できる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルター等の各種フィルターを用いることも例示できる。かかる光源等は、他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光等の工程を設けることにより、電子写真感光体に光が照射される。
【００８９】
本発明に用いられる現像手段は公知の現像手段が例示できる。電子写真感光体に正（負）帯電を施し、画像露光を行なうと、感光体表面上には正（負）の静電潜像が形成される。これを負（正）極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られ、また正（負）極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。また、除電手段にも公知の方法が用いられることが例示できる。
【００９０】
本発明に用いられるクリーニング手段は公知のクリーニング手段が例示でき、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものを用いることが例示できる。現像ユニットにより感光体上に現像されたトナーは、転写紙に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ及びブレードにより、感光体より除去されることが例示できる。
【００９１】
更に、本発明のプロセスカートリッジの１例を図に基づいて詳細に説明する。
【００９２】
図１に本発明のプロセスカートリッジの外観を、図２にプロセスカートリッジの概略断面を示す。
【００９３】
図２において、本発明に用いるドラム状の電子写真感光体１に負帯電が施される場合は、先ず、除電光により除電され、表面電位が特定の０乃至−１５０Ｖの基準電位に平均化される。次に、該電子写真感光体１は、帯電ユニット２の帯電ローラ２ａにより帯電され、表面電位が−８００Ｖ前後になる。この感光体ドラム１は、露光手段１５で露光されることにより、その光の照射された部分（画像部）の表面電位が０乃至−２９０Ｖとなり、この画像部分（静電潜像）に、−６００Ｖ前後のバイアスのかけられた現像ユニット３の現像スリーブ３ａ上のトナーが付着して、静電潜像がトナー像化される。
【００９４】
次いで、トナー像の形成された電子写真感光体１が回転移動し、この間に図示しない給紙部より給紙された転写紙１３が、転写紙先端部と画像先端部が転写分離ユニット５の転写ローラ５ａ部で一致するようなタイミングでレジストローラ１４により搬送されることによって、この転写ローラ部で感光体ドラム１上のトナー像が転写紙１３上に転写される。
【００９５】
トナー像の転写された転写紙１３は、図示しない定着部へ送られ、定着手段による加熱・加圧により転写紙１３上にトナー像が溶融定着された後、機外の排紙トレイ上にコピーとして排出される。
【００９６】
一方、電子写真感光体１上に残留した残留トナーは、クリーニングユニット６のクリーニングブレード６ａにより掻き落され、これにより初期化された電子写真感光体１は、再び次の作像工程へ移る。
【００９７】
ここで、上述の電子写真感光体１、帯電ユニット２、現像ユニット３、及び、クリーニングユニット６は、電子写真感光体１の周囲を取り囲むように一体的に形成されたプロセスカートリッジのカートリッジケース１１内にそれぞれ納められている。このカートリッジケース１１は、図１に示すように、上部カートリッジケース１１ａと、下部カートリッジケース１１ｂとで構成されており、クリーニングユニット６で回収された残留トナーが、トナー搬送コイル６ｂにより、カートリッジケース１１の手前側に形成されているリサイクルトナー搬送部１１ｃへ送られ、このリサイクルトナー搬送部１１ｃに配設されたリサイクルベルトにより、カートリッジケース１１の現像撹拌部１１ｄに送られて、トナーがリサイクルされる仕組になっている。
【００９８】
一方、本発明に用いるドラム状の電子写真感光体１に正帯電が施される場合は、先ず、除電光により除電され、表面電位が特定の０乃至１５０Ｖの基準電位に平均化される。次に、該電子写真感光体１は、帯電ユニット２の帯電ローラ２ａにより帯電され、表面電位が６００Ｖ前後になる。この感光体ドラム１は、露光手段１５で露光されることにより、その光の照射された部分（画像部）の表面電位が０乃至２００Ｖとなり、この画像部分（静電潜像）に、４５０Ｖ前後のバイアスのかけられた現像ユニット３の現像スリーブ３ａ上のトナーが付着して、静電潜像がトナー像化される。その後は、負帯電用の電子写真感光体の例と同様である。
【実施例】
【００９９】
以下本発明を実施例によって説明する。尚、これによって本発明の範囲は限定されるわけではない。部は全て重量部である。
【０１００】
（実施例１）
感光体の作製
下記の組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液及び電荷輸送層用塗工液をそれぞれ作製した。
【０１０１】
（下引き層用塗工液）
下記に示す樹脂等をボールミル装置（メディアとしてφ10mmのアルミナボールを使用）にて５日間ボールミルをおこない混合し下引き層用塗工液とした。
アルキッド樹脂  １０重量部
（ベッコゾール  M-6401-50，大日本インキ化学工業製）
メラミン樹脂  ７重量部
（スーパーベッカミン  Ｌ−121-60，大日本インキ化学工業製）  
酸化チタン  ４８重量部
（ＣＲ−ＥＬ  石原産業社製）
メチルエチルケトン １５５重量部
（電荷発生層用塗工液）
下記に示す樹脂等をビーズミル分散機（メディアとしてφ０．５mmのＰＳＺボールを使用）４０分間ボールミルをおこない混合し電荷発生層用塗工液とした。
無金属フタロシアンン顔料  １４重量部
（大日本インキ工業株式会社：Fastogen Blue8120B）
ポリビニルブチラール   ９重量部
（積水化学製：BX-1）
シクロヘキサノン   ２７０重量部
（電荷輸送層用塗工液）
下記に示す樹脂等を撹拌、溶解せしめ電荷輸送層用塗工液とした。
【０１０２】
上述の式（２）で表される電荷輸送物質  ９重量部
ポリカーボネート樹脂    １０重量部
(Zポリカ、粘度平均分子量；4.0万、帝人化成社製)
テトラヒドロフラン    １２０重量部
１％シリコーンオイルテトラヒドロフラン溶液          １重量部
（KF50-100CS信越化学工業社製）
次いで、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウムドラム上に、前記組成の下引き層用塗工液、電荷発生層用塗工液及び電荷輸送層用塗工液の各塗工液を順次、浸漬塗工法にて塗工し成膜して、それぞれ１３５℃で２０分、８０℃で１５分、１２０℃で２０分乾燥した。なお下引き層は４．５μｍの厚さとなるような、電荷発生層は０．１５μｍとなるように、また、電荷輸送層は２２．１μｍとなるような昇降速度条件で作製した。
【０１０３】
以上のように作製した電子写真感光体を図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、正帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１０４】
尚、上述の式（２）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１０５】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン2.14ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ａ 2.14ｇ（収率31.5％）を得た。
【０１０６】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ａ 2.0ｇ（5.47ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物0.137ｇ（2.73ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（２）で表される電荷輸送物質 0.668ｇ（収率33.7％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７２６のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．４１％、水素５．２７％、窒素７．７１％に対し、実測値で炭素６９．５２％、水素５．０９％、窒素７．９３％あった。
【０１０７】
（実施例２）
実施例１において電荷発生物質をFastogen Blue8120Bに代えて下記示す合成方法に従って作製したチタニルフタロシアニンを用いた以外は実施例１と全く同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を作製した。
【０１０８】
（実施例２に用いるチタニルフタロシアニン）
特開２００１−１９８７１号公報に準じて、顔料を作製した。すなわち、１，３−ジイミノイソインドリン２９．２ｇとスルホラン２００ｍｌを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０．４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃乃至１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷した後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、更に８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返し（洗浄後のイオン交換水のｐＨ値は６．８であった）、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキ（水ペースト）を得た。得られたこのウェットケーキ（水ペースト）４０ｇをテトラヒドロフラン２００ｇに投入し、４時間攪拌を行なった後、濾過を行い、乾燥して、チタニルフタロシアニン粉末を得た。
【０１０９】
上記ウェットケーキの固形分濃度は、１５ｗｔ％であった。結晶変換溶媒のウェットケーキに対する重量比は３３倍である。
【０１１０】
得られたチタニルフタロシアニン粉末を、下記の条件によりＸ線回折スペクトル測定したところ、Ｃｕ−Ｋαの特性Ｘ線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θが２７．２±０．２°に最大ピークと最低角７．３±０．２°にピークを有し、更に９．４±０．２°、９．６±０．２°、２４．０±０．２°に主要なピークを有し、かつ７．３°のピークと９．４°のピークの間にピークを有さず、かつ２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン粉末を得られた。
【０１１１】
（Ｘ線回折スペクトル測定条件）
Ｘ線管球：Ｃｕ
電圧：５０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
走査速度：２°／分
走査範囲：３°乃至４０°
時定数：２秒
なおこのチタニルフタロシアニンを用いた電荷発生層用塗工液中での平均粒子サイズを堀場製作所製CAPA-700で測定したところ０．２９μｍであった。
【０１１２】
（実施例３）
実施例３で用いる電子写真感光体を以下のように作製した。
【０１１３】
電荷発生材料として無金属フタロシアニン顔料（大日本インキ工業株式会社：Fastogen Blue8120B）を３０重量部、シクロヘキサンノン９７０重量とともにボールミル装置にて２時間分散せしめ、電荷発生物質分散液とした。これとは別にテトラヒドロフラン３４０重量部に、ポリカーボネート樹脂(Zポリカ、粘度平均分子量；4.0万、帝人化成社製)４９重量部、前述の式（２）で表される電荷輸送物質２０重量部、下記式（１０）で表される電荷輸送物質２９．５重量部、及びシリコーンオイル（KF50-100CS信越化学工業社製）０．１重量部を溶解せしめ、これに前述の電荷発生物質分散液６６．６重量部を添加し撹拌して感光層塗工液とした。
【０１１４】
【化２４】
0004741404.tif 000022
直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウムドラム上に、前記感光層塗工液を用いて浸漬塗工をおこない成膜して、乾燥１２０℃で１５分乾燥した。なお感光層は２５．６μｍの厚さとなるような昇降速度条件で作製した。
【０１１５】
以上のように作製した電子写真感光体を図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、正帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nm の半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１１６】
（実施例４）
実施例３において無金属フタロシアニン顔料（大日本インキ工業株式会社：Fastogen Blue8120B）に代えて、実施例２で用いたチタニルフタロシアニンを用いた以外は実施例３と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１１７】
（実施例５）
実施例４において式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（３）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１１８】
尚、上述の式（３）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１１９】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物10ｇ（37.3ｍｍｏｌ）とヒドラジン一水和物0.931ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸２０ｍｇ、トルエン１００ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、二量体Ｃ 2.84g（収率28.7％）を得た。
【０１２０】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、二両体Ｃ 2.5g（4.67ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ３０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン0.278ｇ（4.67ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｃ 0.556ｇ（収率38.5％）を得た。
【０１２１】
第三工程
５０ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｃ 0.50ｇ（1.62ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン0.186ｇ（1.62ｍｍｏｌ）とＤＭＦ５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、上記式（３）で表される電荷輸送物質0.243ｇ（収率22.4％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６７０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６８．０５％、水素４．５１％、窒素８．３５％に対し、実測値で炭素６８．２９％、水素４．７２％、窒素８．３３％あった。
【０１２２】
（実施例６）
実施例４において上述の式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（４）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１２３】
尚、上述の式（４）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１２４】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン1.10ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ｂ 2.08ｇ（収率36.1％）を得た。
【０１２５】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｂ 2.0ｇ（6.47ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物0.162ｇ（3.23ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（４）で表される電荷輸送物質 0.810ｇ（収率37.4％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６１４のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６６．４５％、水素３．６１％、窒素９．１２％に対し、実測値で炭素６６．２８％、水素３．４５％、窒素９．３３％あった。
【０１２６】
（実施例７）
実施例４において式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（５）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１２７】
尚、上述の式（５）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１２８】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、上述した二量体Ｃ 5.0g（9.39ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン  1.08ｇ（9.39ｍｍｏｌ）ＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｄ  1.66ｇ（収率28.1％）を得た。
【０１２９】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｄ 1.5ｇ（2.38ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノオクタン0.308ｇ（2.38ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、式（５）で表される電荷輸送物質  0.328ｇ（収率18.6％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７４０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．７２％、水素５．４４％、窒素７．５６％に対し、実測値で炭素６９．５５％、水素５．２６％、窒素７．３３％あった。
【０１３０】
（実施例８）
実施例４において式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（６）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１３１】
尚、上述の式（６）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１３２】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、上述した二量体Ｃ 5.0g（9.39ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン  1.08ｇ（9.39ｍｍｏｌ）ＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｄ  1.66ｇ（収率28.1％）を得た。
【０１３３】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｄ 1.5ｇ（2.38ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、6−アミノウンデカン0.408ｇ（2.38ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、上述した式（６）で表される電荷輸送物質  0.276ｇ（収率14.8％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７８２のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素７０．５７％、水素５．９２％、窒素７．１６％に対し、実測値で炭素７０．７７％、水素６．１１％、窒素７．０２％あった。
【０１３４】
（参考例９）
実施例２において式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（Ａ−１）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例２と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１３５】
尚、上述の式（A-1）で表される電荷輸送物質は、下記の方法により製造した。
【０１３６】
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノペンタン1.62ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体E 3.49ｇ（収率45.8％）を得た。
【０１３７】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体E 3.0ｇ（7.33ｍｍｏｌ）と、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物0.983ｇ（3.66ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物0.368ｇ（7.33ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて2回精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（A-１）で表される電荷輸送物質を0.939ｇ（収率13.7％）得た。質量分析（FD-MS）において、M/z＝934のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素66.81％、水素3.67％、窒素8.99％に対し、実測値で炭素66.92％、水素3.74％、窒素9.05％であった。
【０１３８】
（参考例１０）
実施例４において式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上述した式（Ａ−１）で表される電荷輸送物質を用いた以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１３９】
（実施例１１）
実施例２において式（２）で表される電荷輸送物質：９重量部を「式（２）で表される電荷輸送物質：７重量部、下記式（B-1）で表される電荷輸送物質：２重量部」に変更した以外は実施例２と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１４０】
【化２５】
0004741404.tif 000023
（実施例１２）
実施例４において式（２）で表される電荷輸送物質：２０重量部を「式（２）で表される電荷輸送物質：１５重量部、上記式（B-1）で表される電荷輸送物質：５重量部」に変更した以外は実施例４と同様にして電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置を作製した。
【０１４１】
（比較例１）
実施例１において、式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、下記式（１１）で表される電荷輸送物質を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を作製した。
【０１４２】
【化２６】
0004741404.tif 000024
（比較例２）
実施例３において、式（２）で表される電荷輸送物質に代えて、上記の式（１１）で表される電荷輸送物質を用いた以外は、実施例３と同様にして、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を作製した。
【０１４３】
上記実施例１乃至８、１１、１２、参考例９、１０及び比較例により作製した画像形成装置を下記の方法により評価した。その結果を表１及び表２に示す。
【０１４４】
連続して１万枚の印刷を行い、その際初期画像及び１万枚印刷後の暗部電位、明部電位、画像品質について評価を行った。暗部電位、明部電位、画像品質については以下のようにして評価した。
【０１４５】
暗部電位：一次帯電の後、現像部位置まで移動した際の感光体表面電位とし、初期において+800Vとするように帯電器の印加電圧を調整し、その後は試験終了後まで一定の印加電圧とした。
【０１４６】
明部電位：一時帯電の後、画像露光（全面露光）を受け、現像部位置まで移動した際の感光体表面電位。
【０１４７】
画像品質：出力画像の画像濃度、細線再現性、文字かすれ、解像度、地肌汚れの５項目の評価を行なった。
【０１４８】
加えて、連続して１万枚印刷後、用いた感光体をオゾン濃度５ｐｐｍ、窒素酸化物濃度５ｐｐｍの混合ガスの環境に１０日間放置し、その後、再び用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置に装着し上記と同様に暗部電位、明部電位、画像品質について評価を行なった。
【０１４９】
なお異常画像等を発生した場合は以降の評価を中止した。
【０１５０】
【表１】
0004741404.tif 000025
【０１５１】
【表２】
0004741404.tif 000026
表１、表２の評価結果より、長期の繰返し使用後においても実施例及び参考例の感光体は暗部電位、明部電位ともに変化が少なく優れた静電安定性を示し、活性ガスに対しても優れた化学的安定性を示し、安定して高画質な画像が得られることが明確である。
【０１５２】
（実施例１３）
実施例３で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５３】
（実施例１４）
実施例４で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５４】
（実施例１５）
実施例５で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５５】
（実施例１６）
実施例６で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５６】
（実施例１７）
実施例７で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５７】
（実施例１８）
実施例８で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５８】
（参考例１９）
参考例１０で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本参考例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１５９】
（実施例２０）
実施例１２で用いられた電子写真感光体を、図２に示したプロセスカートリッジに装着した。尚、本実施例で用いるプロセスカートリッジは、負帯電を施す使用となっている。更に、このプロセスカートリッジを画像露光光源が７８０nmの半導体レーザーを用いたリコー製レーザープリンタ改造機に装着した。
【０１６０】
上記実施例１３乃至１８、２０、参考例１９により作製した画像形成装置を下記の方法により評価した。その結果を表３に示す。
【０１６１】
画像露光光源を７８０ｎｍの半導体レーザー（ポリゴン・ミラーによる画像書き込み）、帯電部材としてスコロトロン帯電器、転写部材として転写ベルトを用い、除電光源として６５５ｎｍＬＥＤを用いた。試験前のプロセス条件が感光体帯電電位（未露光部電位）：−９００Ｖ、現像バイアス：−６５０Ｖ、現像部位における露光部表面電位：−１２０Ｖとなるように帯電部材への印加バイアス、半導体レーザーの光量を設定し、書き込み率６％のチャート（Ａ４全面に対して、画像面積として６％相当の文字が平均的に書かれている）を用い、連続１万枚印刷を行った。
【０１６２】
１万枚の画像印刷前後における感光体未露光部電位を測定した。測定方法としては、図２に示す現像部位置に、表面電位計を搭載し、電子写真感光体１が初期状態で−９００Ｖに帯電される印加バイアスに固定し、現像部位における未露光部表面電位を測定した。この際、感光体１周目と２周目について評価を行ない、ΔＶＤとして、（２周目未露光部電位−１周目未露光部電位）を求めた。
【０１６３】
画像品質として出力画像の画像濃度、細線再現性、文字かすれ、解像度、地肌汚れの５項目の評価を行なった。
【０１６４】
加えて、連続して１万枚印刷後、用いた感光体をオゾン濃度５ｐｐｍ、窒素酸化物濃度５ｐｐｍの混合ガスの環境に１０日間放置し、その後、再び用いたプロセスカートリッジ及び画像形成装置に装着し上記と同様に評価をおこなった。
【０１６５】
【表３】
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表３の評価結果より、長期の繰返し使用後においても実施例及び参考例の感光体は暗部電位、明部電位ともに変化が少なく優れた静電安定性を示し、活性ガスに対しても優れた化学的安定性を示し、安定して高画質な画像が得られることが明確である。
【０１６６】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明のプロセスカートリッジの外観を示す斜視図である。
【図２】本発明のプロセスカートリッジの構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１  感光体ドラム
２  帯電ユニット
３  現像ユニット
３ａ  現像スリーブ
４  トナー補給ユニット
５  転写分離ユニット
６  クリーニングユニット
９  現像剤プリセット部
１０  仕切板
１１  カートリッジケース
１１ａ  上部カートリッジケース
１１ｂ  下部カートリッジケース
１１ｃ  リサイクルトナー搬送部
１１ｄ  現像剤撹拌部
１２  トナーリサイクルベルト
１３  転写紙
１４  レジストローラ
１５  露光手段
【図１】
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【図２】
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