(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面および第２主面を有する板形状をなし、電子部品本体及び該電子部品本体と外部との導通を行う外部接続部を備えた電子部品を収容可能な収容部を有するとともに、前記両主面側の少なくとも一方に表面導体層を有する配線基板本体に対し、その収容部に前記電子部品を配置する配置工程と、
前記電子部品が収容された前記収容部内に充填樹脂を充填し硬化させることにより、該電子部品を該収容部内に固定する固定工程と、
該固定工程にて硬化された充填樹脂を研磨することにより、前記第１主面側に前記電子部品の外部接続部を露出させる研磨工程と、
前記第１主面側に露出された前記外部接続部に接続する配線を、該第１主面の上方に形成する配線形成工程と、
を有する配線基板の製造方法であって、
前記電子部品の外部接続部を、前記電子部品本体の表面に印刷及び焼付けにより形成した外部電極層と、メッキにより該外部電極層を覆うように形成した外部接続層とにより構成し、
前記配置工程では、前記外部接続部の上端が前記第１主面よりも上側に位置すると共に、前記電子部品本体の上端が該第１主面よりも下側に位置するよう、該電子部品を前記収容部に配置し、
前記研磨工程では、前記表面導体層の表面と前記充填樹脂の表面との高さを前記研磨によって揃え、
前記配線形成工程では、層間絶縁層と導体層とを交互に形成するとともに、前記層間絶縁層上に形成された導体層と前記外部接続部とをビアを介して電気的に接続することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配置工程では、前記外部接続部が前記電子部品本体から３０μｍ以上１００μｍ以下高く形成された電子部品を、前記収容部内に配置することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨工程では、＃３２０以上の研磨布紙にて、前記充填樹脂を研磨することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨工程では、＃３２０以上＃６００以下の研磨布紙にて、前記充填樹脂を研磨することを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子部品を内蔵した配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、集積回路素子（以下、「ＩＣチップ」という）が搭載される配線基板には、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や動作電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ素子を配設することが行われている。しかしコンデンサ素子を配線基板に設ける場合、ＩＣチップとコンデンサ素子との間の配線長が長くなるほど配線のインダクタンス成分が増加して、上記目的を十分には図ることが難しくなることから、コンデンサ素子はなるべくＩＣチップの近傍に設けるほうが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、発明者らは、配線基板の骨格となる配線基板本体にコンデンサ素子を内蔵することを考えている。具体的には、配線基板本体にコンデンサ素子の収容部（貫通孔或いは凹部）を設け、その中にコンデンサ素子を入れて、充填樹脂で充填するのである。このとき、コンデンサ素子の外部接続部（コンデンサ素子を配線に電気的に接続するための導体部）も充填樹脂に埋もれてしまうことが考えられるが、その場合には、外部接続部を充填樹脂外部に露出させればよい。
【０００４】
外部接続部を充填樹脂外部に露出させるには、硬化後の充填樹脂にレーザやドリルで孔開けする方法も考えられる。しかし、配線基板本体に内蔵可能な電子部品は小さいことから、その外部接続部の位置（即ち、レーザにより孔を開けるべき位置）を探すのは容易でない。
【０００５】
なお、以上の問題は、コンデンサ素子に限らず、各種の電子部品を配線基板に内蔵する際においても同様である。
本発明は、こうした問題に鑑みて為されたものであり、配線基板本体内に充填樹脂で固定された状態で収容される電子部品の外部接続部を、容易に、充填樹脂外部に露出できるようにすることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記課題を解決するためになされた請求項１記載の配線基板の製造方法は、
第１主面および第２主面を有する板形状をなし、電子部品本体及び該電子部品本体と外部との導通を行う外部接続部を備えた電子部品を収容可能な収容部を有するとともに、前記両主面側の少なくとも一方に表面導体層を有する配線基板本体に対し、その収容部に前記電子部品を配置する配置工程と、
前記電子部品が収容された前記収容部内に充填樹脂を充填し硬化させることにより、該電子部品を該収容部内に固定する固定工程と、
該固定工程にて硬化された充填樹脂を研磨することにより、前記第１主面側に前記電子部品の外部接続部を露出させる研磨工程と、
前記第１主面側に露出された前記外部接続部に接続する配線を、該第１主面の上方に形成する配線形成工程と、
を有する配線基板の製造方法であって、
前記電子部品の外部接続部を、前記電子部品本体の表面に印刷及び焼付けにより形成した外部電極層と、メッキにより該外部電極層を覆うように形成した外部接続層とにより構成し、
前記配置工程では、前記外部接続部の上端が前記第１主面よりも上側に位置すると共に、前記電子部品本体の上端が該第１主面よりも下側に位置するよう、該電子部品を前記収容部に配置し、
前記研磨工程では、前記表面導体層の表面と前記充填樹脂の表面との高さを前記研磨によって揃え、
前記配線形成工程では、層間絶縁層と導体層とを交互に形成するとともに、前記層間絶縁層上に形成された導体層と前記外部接続部とをビアを介して電気的に接続することを特徴とする。
【００１８】
この様な請求項１記載の配線基板の製造方法によれば、外部接続部の上端が第１主面よりも上側となるように電子部品を配設することから、充填樹脂内に外部接続部の上端が埋まってしまっても、充填樹脂を研磨することにより、第１主面側に容易に外部接続部を露出させることができる。また、電子部品本体の上端は、第１主面よりも下側にあるので、第１主面側において充填樹脂を研磨する際に、電子部品本体が削られて損傷する畏れが少ない。
なお、ここで「上側」とは、配線基板における主面の外側方向を示し、「下側」とは、外側方向とは反対方向の配線基板の内部側の方向を示している。
【００１９】
ここで、外部接続部の上端と電子部品本体の上端との高低差が少ないと、電子部品本体の保護が不完全となる可能性もある。
そこで、収容部内に配置する電子部品としては、請求項２の様に、外部接続部が電子部品本体から３０μｍ以上１００μｍ以下、高く形成された電子部品を用いると良い。そうすれば、後述の実験からも分かるように、電子部品本体が誤って削られたり、電子部品本体を覆う充填樹脂の剥離や割れが発生することを防止できる。また、配置工程において、外部接続部の上端が第１主面よりも上側に位置すると共に、電子部品本体の上端が第１主面よりも下側に位置するように電子部品を配置することが容易となる。
【００２０】
次に請求項３記載の配線基板の製造方法においては、前記研磨工程では、＃３２０以上の研磨布紙（ＪＩＳ  Ｒ６００４に規定）にて、前記充填樹脂を研磨することを特徴とする。
即ち、＃３２０以上の番手（目の細かさ。番手が高いほど目が細かくなる（ＪＩＳ  Ｒ６００１に規定））の研磨布紙を用いて充填樹脂を研磨することとすれば、後述の様に、配線基板本体の表面（第１主面に予め表面導体層が形成されている場合に、表面導体層の表面）にキズが付きにくい。そのため、配線形成（例えばビルドアップ法による配線形成など）を支障なく行うことができる。
【００２１】
次に請求項４記載の配線基板の製造方法においては、前記研磨工程では、＃３２０以上＃６００以下の研磨布紙にて、前記充填樹脂を研磨することを特徴とする。
即ち、＃３２０以上＃６００以下の番手の研磨布紙を用いて充填樹脂を研磨することとすれば、請求項１の発明による効果に加え、後述の様に、配線基板本体の表面（第１主面）に予め表面導体層が形成されている場合に、表面導体層の剥離を生じさせる可能性が少ない。
【００２２】
なお、充填樹脂には、充填樹脂よりも熱膨張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ2等）を混合（樹脂を含む複合材料となる。）しておくと好ましい。こうすることにより、充填樹脂とフィラーとの複合体としての熱膨張係数を精度良くコントロールすることが可能となる。その結果、例えば、Ｃｕ等にて形成される配線（導体層）やＳｉ等にて形成されるＩＣチップと配線基板との間で、熱膨張係数の整合をとり易くなり、配線基板上に構成される配線パターンの剥がれ等を防止でき、熱に対する信頼性を向上させることができる。
【００２３】
また特に、充填樹脂には、酸化剤に溶解し難い成分として無機フィラーを含有させるとよい。充填樹脂の表面は、配線パターンや電子部品との密着性を高めるために、酸化剤により粗化処理をすることがある。そこで、酸化剤に溶解し難い成分として無機フィラーを含有させると、熱膨張係数の調整をすることができるほか、充填樹脂の硬化後において無機フィラーが骨材として機能することによって、粗化処理後における充填樹脂の形状が必要以上に崩れることを防止できる。
【００２４】
酸化剤に実質的に溶解しない無機フィラーとしては、特に制限はないが、結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、窒化ケイ素等がよく、充填樹脂の熱膨張係数を効果的に下げることができる。これらの無機フィラーを充填材として高い充填率になるように添加し、充填樹脂の熱膨張係数を４０ｐｐｍ／℃以下（好ましくは３０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは２５ｐｐｍ／℃以下、更に好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下。尚、下限値としては、１０ｐｐｍ／℃以上である。）にすることで、埋め込まれた電子部品と実装された半導体素子との熱膨張係数の差に起因する応力集中を少なくすることができる。
【００２５】
無機フィラーの形状は、充填樹脂の流動性と充填率とを高くするために、略球状であるとよい。特にシリカ系の無機フィラーは、容易に球状のものが得られるため、好ましい。充填樹脂の低粘度、高充填率化をさらに向上達成するためには、粒子の形状の異なる無機フィラーを２種類以上添加するとよい。
【００２６】
無機フィラーのフィラー径は、充填樹脂が電子部品の電極間の隙間にも容易に流れ込む必要があるため、粗径５０μｍ以下のフィラーを使用するとよい。この粒径の好ましい範囲は、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更には１０μｍ以下である。５０μｍを越えると、電子部品の電極間の隙間にフィラーが詰まりやすくなり、充填樹脂の充填不良により局所的に熱膨張係数の極端に異なる部分が発生する。また、表面を平坦化するために研磨する際に、フィラーが脱粒して大きな凹部が発生し、その後のメッキによる微細配線の形成を妨げる。フィラー径の下限値としては、０．１μｍ以上がよい。これよりも細かいと、充填樹脂の流動性が確保しにくくなる。好ましくは０．３μｍ以上、更に好ましくは０．５μｍ以上がよい。充填樹脂の低粘度、高充填化を達成するためには、粒度分布を広くするとよい。
【００２７】
無機フィラーの表面は、必要に応じてカップリング剤にて表面処理するとよい。無機フィラーの樹脂成分との濡れ性が良好になり、充填樹脂の流動性を良好にできるからである。カップリング剤の種類としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が用いられる。
【００２８】
酸化剤に実質的に溶解しない成分としては、他に硬化促進剤、シリコンオイル、反応性シリコンゲル、反応性希釈剤、消泡剤等、改質剤等を用いることができる。
充填樹脂に熱硬化性樹脂を含む場合は、硬化剤の添加が必要である。硬化剤の種類に特に制限はないが、イミダゾール系、アミン系、酸無水物系、ノボラック樹脂系等を用いると良い。特に熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合は、イミダゾール系、アミン系や酸無水物系等の液状硬化剤を用いると、充填樹脂の低粘度化が容易なため、無機フィラー等の充填材を添加する際に有効でよい。
【００２９】
さて充填樹脂は、少なくとも配線との接触界面において粗化されているとよい。粗化面の細かい凹凸が、無電解メッキにより形成される配線との密着性を高めるアンカー効果を奏するからである。粗化面は、表面粗度Ｒｚが０．１〜１５μｍになるように調整するのがよい。好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜８μｍ、更に好ましくは３〜７μｍ、特には５〜７μｍである．配線は、この粗化面の細かい凹凸に実質的に食い込んでいるのがよい。配線が凹凸に実質的に食い込んでいないような徹細な隙間や密着不良部があると、信頼性試験において配線フクレが発生しやすくなるからである。
【００３０】
無機フィラーを充填樹脂に含有させることは、充填樹脂に対する粗化後の表面形状（凹凸）を調整する上でも意義がある。即ち、充填樹脂は、少なくとも一種類の無機フィラーを含むものであり、且つ、その無機フィラーの含有量が３５〜６５体積％の範囲（好ましくは４０〜６０体積％、より好ましくは４０〜５０体積％）であるとよい。充填樹脂と配線層との界面が形成する凹凸の十点平均粗さＲｚが所定の範囲となる様に調製するとともに、無機フィラーの含有量を所定の範囲に規定することで、配線層の密着性を得るために必要なアンカー効果がより効果的に得られるとともに、粗化処理後の充填樹脂の形状保持を図って、配線層の下部に過大な大きさの空孔等の潜在的欠陥の発生を抑制できる利点がある。
【００３１】
そして特に、熱硬化性樹脂とその硬化剤と少なくとも一種類の無機フィラーとを含む充填樹脂であって、その熱硬化性樹脂がビスフェノールエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック樹脂から選ばれる少なくとも一種であり、その無機フィラーの含有量が３５〜６５体積％であり、その硬化剤が酸無水物系の硬化剤である充填樹脂を用いるとよい。配線層の充填樹脂に対する密着力を向上できるとともに、耐熱衝撃試験、耐水性試験などの信頼性試験において高い信頼性が得られるからである。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面と共に説明する。
図１（ａ）は、実施例の方法により製造される配線基板１の内部構成を説明する図である。なお、本実施例の配線基板１は、分割により複数の回路基板（縦横約４０ｍｍ×４０ｍｍ）となる多数個取りの配線基板（縦横約３３０ｍｍ×３３０ｍｍ）である。
【００３９】
図１（ａ）に示すように、この配線基板１においては、厚さ０．８ｍｍ程の、ガラス−エポキシ樹脂複合材料製の絶縁性基板である配線基板本体３の表裏の両面（第１主面３ａ及び第２主面３ｂ）には、厚さ約２５μｍ程度の第１導体層（表面導体層）５ａ，５ｂが形成されている。
【００４０】
配線基板本体３には、両主面３ａ，３ｂの一方から他方に貫通する貫通孔９の内壁にメッキが施された直径約２５０μｍ程度のスルーホール１１が形成されている。このスルーホール１１により、第１主面３ａ上の第１導体層５ａと第２主面３ｂ上の第１導体層５ｂとは相互に接続されている。なお、スルーホール１１の内部には樹脂が充填されている。
【００４１】
また、配線基板本体３には電子部品を配置する「収容部」としての貫通孔２１（縦横約１２ｍｍ×１２ｍｍ）が形成されており、その内部には電子部品として複数のコンデンサ素子１３（約３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．７ｍｍ）が設けられている。コンデンサ素子１３は、ＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックから成る素子本体（電子部品本体）１５と、Ｃｕからなる外部接続部１４と、Ｎｉからなる内部電極層（図１では図示しない）から構成されている。
【００４２】
貫通孔２１の内部において、コンデンサ素子１３は、硬化した充填樹脂４により固定されている。コンデンサ素子１３は、配線基板１に設けられることとなるＩＣチップ１６にて発生されるスイッチングノイズの抑制や、またＩＣチップ１６に供給すべき動作電源電圧の安定化などを図るためのものである。
【００４３】
そして第１導体層５ａ，５ｂの上には、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂ（厚さ約３０μｍ程度）が積層され、更に、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂの上には、第２導体層１０５ａ，１０５ｂ（厚さ約１５μｍ程度。幅約２５μｍ程度）が形成されている。即ち、この第１導体層５ａ（５ｂ）と第２導体層１０５ａ（１０５ｂ）とは、第１層間絶縁層１０３ａ（１０３ｂ）を間に挟んで積層されている。また第１導体層５ａ（５ｂ）と第２導体層１０５ａ（１０５ｂ）とは、第１層間絶縁層１０３ａ（１０３ｂ）に形成された開口径約５０μｍ程度のフィルドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１１５ａ（１１５ｂ）により接続されている。このフィルドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１１５ａ（１１５ｂ）は、請求項の「バイアホール導体」に相当する。
【００４４】
そして第２導体層１０５ａ，１０５ｂの上には更に第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂが積層されている。この内、第１主面３ａ側の第２層間絶縁層１０７ａの上には、破線で示すＩＣチップ１６と配線基板１の配線とを接続するためフリップチップパッド１１１が多数形成され、各フリップチップパッド１１１上には、高温はんだから成る略半球状のフリップチップバンプ１１２が形成されている。なお第１主面３ａ側の第２層間絶縁層１０７ａ上において、フリップチップパッド１１１の周囲には、フリップチップバンプ１１２の形成時に、フリップチップパッド１１１の周囲に半田が流れ出すのを防ぐためのソルダレジスト層１０９ａ（厚さ約２０μｍ程度）が形成されている。
【００４５】
一方、第２主面側の第２層間絶縁層１０７ｂの上には、マザーボードなどの他の配線基板の配線と、当該配線基板１の配線と接続するためのＬＧＡパッド１１３が多数形成されている。そして、第２主面３ｂ側の第２層間絶縁層１０７ｂ上において、ＬＧＡパッド１１３の周囲にもソルダレジスト層１０９ｂが形成されている。
【００４６】
なお、第１主面３ａ側において第２導体層１０５ａとフリップチップパッド１１１とは、第２層間絶縁層１０７ａに形成されたフィルドビア１１７ａにより互いに接続されている。そして、第２主面３ｂ側において、第２導体層１０５ｂとＬＧＡパッド１１３とは、第２層間絶縁層１０７ｂに形成されたフィルドビア１１７ｂを介して互いに接続されている。この様に層間接続にフィルドビアを用いることで、コンデンサ素子の外部接続部１４とフリップチップパッド１１１を一直線で結ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成できる）。そのため、ＩＣチップ１６とコンデンサ素子１３とを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向上を図ることが可能となる。
【００４７】
配線基板１は後述の各工程を経た後、タイシング加工等により分割され、複数の回路基板となる。
さて、本実施例においては、外部接続部１４は、素子本体１５の一部表面にＣｕにて形成された外部電極層３０と、この外部電極層３０を覆うようにＣｕにて形成された外部接続層３１との２層の導体層から構成されている。即ち、外部接続層３１が、外部接続部１４を構成する導体層のうちの最外層を構成している。そして、外部接続層３１が、外部接続部１４の上端部１４ａおよび下端部１４ｂを構成している。
【００４８】
また、第１導体層５ａもＣｕにより形成されている。この様に電子部品（コンデンサ素子１３）の外部接続部１４（外部電極層３０および外部接続層３１）と配線基板１の配線とを同一材料（即ちＣｕ）により形成されることで、ＩＣチップの半田リフロー時などに発生し易い熱応力を緩和でき、断線が生じる可能性を低くすることができる。
【００４９】
外部接続部１４は、その上端（図１（ｂ）中、Ａ１で示す）が素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）から５０μｍ程度高く突出するよう形成されている。そして、外部接続部１４の上端（Ａ１）は、配線基板本体３の第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として上側に位置していると共に、素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として下側に位置している。
【００５０】
また、外部接続部１４は、その下端（図１（ｂ）中、Ａ２で示す）部分についても、素子本体１５の下端（Ｃ２で示す）から４５μｍ程度高く突出するよう形成されている。そして外部接続部１４の下端（Ａ２）は、第２主面３ｂを基準面（Ｂ２で示す）として下側に位置していると共に、素子本体１５の下端（Ｃ２で示す）は、第２主面３ｂを基準面（Ｂ２）として上側に位置している。
【００５１】
この外部接続部１４は、図２のようにして形成される。
図２（ａ）は、公知のコンデンサ素子を示す図であり、素子本体１５の内部には、Ｎｉを主成分とする内部電極３３が設けられている。具体的には、２つの外部電極層３０の内、一の外部電極層３０に接続された内部電極３３群と、他の外部電極層３０に接続された内部電極３３群が、ＢａＴｉＯ3の高誘電体セラミックを間に介して互い違いに積層されている。
【００５２】
この様なコンデンサ素子は、高誘電体セラミックグリーンシート上にＮｉを印刷したものを多数積み重ねてプレス圧着し、これを焼成した後、外部電極層３０を印刷し焼き付けることにより、構成される。
この様に内部電極３３に接続された外部電極層３０は、そのまま外部の配線に接続することも可能であるが、その厚さは薄い（本実施例では約１０μｍ）。そのため、外部接続部１４を外部電極層３０のみで構成すると、その上端（Ａ１）を第１主面３ａの上端面（Ｂ１）より高くするとともに、素子本体１５の上端（Ｃ１）を第１主面３ａの上端面（Ｂ１）より低くすることが困難である。
【００５３】
そこで、本実施例では、図２（ｂ）に示す様に、外部電極層３０の上に、更に導体層としての外部接続層３１を形成する。
外部接続層３１は、バレルメッキにより、外部電極層３０の表面に形成する。具体的には、図２（ａ）に示したコンデンサ素子（外部電極層３０を含む）の表面を、室温（約２０℃）にて約６０秒間酸活性化し、２回の水洗を施した後、これを室温（約２０℃）にて約１５秒間酸浸漬し、さらに２回の水洗を施す。その後、所定条件（２５℃、２Ａ／ｄｍ2、４時間）の下、電解メッキ（硫酸銅メッキ）によって、外部電極層３０の表面に、厚さ約７０μｍのＣｕ層（即ち、外部接続層３１）を形成し、２回の水洗を行った後、８０℃にて約１時間乾燥させる。
【００５４】
こうして、Ｃｕからなる外部接続層３１が形成されるが、その結果、外部接続部１４は、その上端１４ａおよび下端１４ｂにおいて、素子本体１５から５０μｍ程度突出した状態とされる。
なお電解メッキにおいては、メディアとしてＦｅ球を使用したが、表面にＣｕメッキを施した樹脂ボールを使用するなど様々な方法をもちいることができる。
【００５５】
さて、以上の構成のコンデンサ素子１３を内蔵した配線基板１を、どの様に製造するか、その方法について、図３を参照しながら説明する。図３は、１つの貫通孔２１の近傍を拡大して示している。
図３（ａ）に示す様に、配線基板本体３としては、予め銅張積層板の一部として構成されたものを使用すると好ましい。銅張積層板は、樹脂製の絶縁性基板の両面に銅箔を載せ、加熱および加圧により、絶縁性基板に銅からなる導体層２０ａ，２０ｂを積層したものである。なお、配線基板本体３として、こうした導体層２０ａ，２０ｂが積層されていない絶縁性基板を使用しても良い。
【００５６】
そして、この配線基板本体３に、スルーホール１１を構成するための貫通孔９を多数個形成（例えばドリルにより）すると共に、コンデンサ素子１３を配置するための貫通孔２１を形成（例えばパンチングにより）する。貫通孔９や、貫通孔２１は、レーザ（ＣＯ2、ＹＡＧ、エキシマ等）で穿孔することとすれば、径を小さくすることも可能である。なお、図１（ａ）に示す他、配線基板１には、多数の貫通孔２１が形成される。
【００５７】
次に図３（ｂ）に示す様に、電子部品配設用の貫通孔２１の開口部の一方（第２主面３ｂ側の開口部２１ａ）を、片面にシリコン系の粘着剤２４を有するポリイミドからなるシート材２３で覆う。その際、粘着剤２４を有する面２３ａが配線基板本体３側に向けられ、シート材２３は配線基板本体３に張り付けられる。
【００５８】
このとき、粘着剤２４は、貫通孔２１の内側に露出する。また、配線基板１には多数の貫通孔２１が形成されているが、これらの開口部２１ａを１枚のシート材２３で覆う。
シート材２３で貫通孔２１を塞いだ後、図３（ｃ）に示す様に、コンデンサ素子１３を、粘着剤２４を介してシート材２３に粘着するよう、貫通孔２１の内部に配置する。なお、これが、請求項の「配置工程」に相当する。
【００５９】
この際、コンデンサ素子１３は、その外部接続部１４の部分にてシート材２３に粘着すると共に、その素子本体１５とシート材２３との間には充填樹脂４が流入可能な隙間が形成されるよう配置される。また、外部接続部１４は互いに反対方向に向いている端部１４ａ，１４ｂを備えており、各端部１４ａ，１４ｂが夫々第１主面３ａ側、第２主面３ｂ側に向けられる。ここでは、第１主面３ａ方向に向けられる端部が上端部１４ａであり、第２主面３ｂ側に向けられる端部が下端部１４ｂである。
【００６０】
また、コンデンサ素子１３を貫通孔２１内に配置する際、コンデンサ素子１３の位置は、次の様に調整される。
即ち、外部接続部１４の上端（図３（ｃ）中、Ａ１で示す）が第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として上側に位置し、素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として下側に位置し、そして、外部接続部１４の下端（Ａ２で示す）が第２主面３ｂを基準面（Ｂ２で示す）として下側に位置し、更に、素子本体１５の下端（Ｃ２で示す）が第２主面３ｂを基準面（Ｂ２）として上側に位置する。このような位置関係が形成されるようコンデンサ素子１３を配設するのである。
【００６１】
以上の様にして貫通孔２１の内部にコンデンサ素子１３を配置した状態とした上で、図３（ｄ）の様に、貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填樹脂４を硬化させる。これは、請求項の「固定工程」に相当する。
これにより、配線基板本体３の内部に電子部品としてのコンデンサ素子１３が埋設されることとなる。また、コンデンサ素子１３の素子本体１５とシート材２３との間にも、充填樹脂４が充填される。充填樹脂４を貫通孔２１に注入した後、硬化させる前には、充填樹脂４から真空脱泡により気泡を抜く。
【００６２】
充填樹脂４を硬化させるには、充填樹脂４の種類に応じて様々な方法が考えられる。本実施例では充填樹脂４として熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用しており、加熱および乾燥により硬化（所謂キュア）させる。具体的には、貫通孔２１に充填した充填樹脂４を、１時間〜３時間程、１００℃〜１２０℃の温度に保つことによってキュアを行う。
【００６３】
なお、充填樹脂４には、充填樹脂４よりも熱膨張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ２  等）を混合しておくと好ましい。こうすることにより、充填樹脂４とフィラーとの複合体としての熱膨張係数を精度良くコントロールすることが可能となる。その結果、例えば、Ｃｕ等にて形成される配線（導体層）やＳｉ等にて形成されるＩＣチップ１６と配線基板１との間で、熱膨張係数の整合をとり易くなり、配線基板１上に構成される配線の、熱に対する信頼性を向上させることができることになる。
【００６４】
また、シート材２３の表面においてコンデンサ素子１３を正確な位置に載置しても、その後注入される充填樹脂４に押されることにより、その位置がずれたり、傾いたりする可能性がある。そうすると、コンデンサ素子１３の外部接続部１４と配線パターンとの接続が困難となることも考えられる。
【００６５】
そこでコンデンサ素子１３の位置の精度を上げるには、シート材２３の粘着力を高くした方が好ましい。シート材２３として８．８３Ｎ／２５ｍｍの粘着力を有するものを使用したところ、７．１％のピース（１ピースあたりコンデンサ素子１３が８個）において、シート材からの剥がれが確認された。このことから、シート材２３として、その粘着力が８．０Ｎ／２５ｍｍ以上であるものを用いることが望ましいと考えられる。この粘着力は、１８０°引きはがし法（ＪＩＳ  Ｚ０２３７）により測定されるものである。また、この単位［Ｎ／２５ｍｍ］は、幅２５ｍｍのシート材を試料として測定された力を意味する（以下同様）。
【００６６】
この様にシート材２３の粘着力が高ければ、コンデンサ素子１３が配置された貫通孔２１に充填樹脂４を注入する際も、コンデンサ素子１３が動きにくくなり、その位置の精度を高めることができる。
また、シート材２３は、機械的強度の高いものである方が好ましい。シート材２３の強度が低すぎると、その表面にコンデンサ素子１３を載置する際にシート材２３が変形しコンデンサ素子１３の位置ずれが生じるなどの不具合が生じるからである。具体的には、シート材２３としては、その引張強さ（ＪＩＳ  Ｚ０２３７）が１００Ｎ／２５ｍｍ以上であるもの（より好ましくは１５０Ｎ／２５ｍｍ以上）を用いるとよい。
【００６７】
素子本体１５（即ち電子部品本体）とシート材２３との間に充填樹脂４が流入可能な隙間が形成される様にするには、シート材２３として、シート材２３の表面の粘着剤２４の厚みが、電極の高さ（後述する）よりも小さいものを用いた方がよい。たとえば、コンデンサ素子１３（即ち電子部品）として、「電極の高さ」が３０μｍ〜７０μｍであるものを内蔵させる場合には、粘着剤２４の厚さは７０μｍ未満であることが必要である。粘着剤２４の厚みが７０μｍ以上になると、外部接続部１４が粘着剤２４に埋まった場合に、充填樹脂４が流入できる隙間を素子本体１５とシート材２３との間に確保することが難しくなるためである。
【００６８】
また、シート材２３の表面の粘着剤２４の厚みが小さいと、所定の粘着力が得られ難くなる。そのため、所定の粘着力を確保するためには、粘着剤２４の厚みは１５μｍ以上であることが望ましい。つまり、シート材２３としては、粘着剤２４の厚さが１５μｍ以上７０μｍ未満であるものを用いるとよい。
【００６９】
さて充填樹脂４を硬化させた後、次に、シート材２３を、コンデンサ素子１３の外部接続部１４、充填樹脂４および配線基板本体３（詳しくは、導体層２０ａ）から除去し、その後、充填樹脂４および配線基板本体３の各主面３ａ，３ｂを、ベルトサンダーにより研磨する（図３（ｅ））。これは、請求項の「研磨工程」に相当する。
【００７０】
第１主面３ａ側における充填樹脂４の研磨によって、外部接続部１４の上端部１４ａが、第１主面３ａ側から充填樹脂４の外部に露出される。第２主面３ｂ側からは、シート材２３の除去によって、外部接続部１４の下端部１４ｂが、充填樹脂４の外部に露出される。また、コンデンサ素子１３の素子本体１５は、充填樹脂４の中に埋没した状態となっている。
【００７１】
また、各主面３ａ，３ｂの研磨の際には、コンデンサ素子１３の周囲に形成した充填樹脂４が平坦化されると共に、導体層２０ａ，２０ｂの表面と充填樹脂４の表面との高さが揃えられる。即ち、第１主面３ａ側において、導体層２０ａと充填樹脂４とが同一平面をなすと共に、第２主面３ｂ側においても導体層２０ｂと充填樹脂４とが同一平面をなすこととなる。その結果、両主面３ａ，３ｂ上には、周知のビルドアップ法により、平坦な導体層および層間絶縁層を形成することが可能となる。
【００７２】
また配線基板本体３として、導体層２０ａ，２０ｂが積層されていない絶縁性基板を使用した場合には、研磨の結果、第１主面３ａおよび第２主面３ｂの表面と充填樹脂４の表面との高さが揃えられる。即ち、第１主面３ａと充填樹脂４とが同一平面をなすと共に、第２主面３ｂと充填樹脂４とが同一平面をなすこととなる。
【００７３】
なお、充填樹脂４の研磨に使用する研磨布紙は、目の細かさが＃４００のものを使用したが、好ましくは＃３２０又は＃３２０よりも目の細かい研磨布紙を使用すればよく、特に＃３２０以上＃６００以下の研磨布紙を用いると更に好ましい。理由は次の如くである。
【００７４】
即ち表１に示す様に、＃１２０、＃２４０の研磨布紙にて充填樹脂４の研削を行ったところ、導体層２０ａ、２０ｂが剥げたり、導体層２０ａ、２０ｂの表面にキズが見られた。また、＃８００の研磨布紙を用いたところ、導体層２０ａ、２０ｂにはキズが見られなかったが、一部に剥げが生じたためである。これは、研磨布紙の目が細かくなると、樹脂が削れ難くなるにもかかわらず、その分、金属部分（本実施例では、Ｃｕ）が相対的に削れ易くなり、導体層に剥離が生じてしまうと考えられる。
【００７５】
【表１】
0004685251.tif 000002
【００７６】
尚、表１において、○は良好、×は不良を示す。
また本実施例では、シート材２３の粘着剤２４としてシリコン系のものを使用したが、これは、次のような実験に基づいている。表２は、シート材（基材）と粘着剤との種々の組み合わせについて、硬化した充填樹脂４からの剥がし易さ、およびシート材の耐熱性（２００℃の環境における変形、変質の有無）について調べた結果を示している。この実験において、充填樹脂４としてはエポキシ樹脂を使用し、これにシリカフィラーを混入したものを用いた。
【００７７】
【表２】
0004685251.tif 000003
【００７８】
尚、表２において、○は良好、×は不良、−は未確認であることを示す。
表２に示す様に、基材がポリエステルまたはポリイミドであると、シート材２３は耐熱性に優れたものとなり変形や変質がなく、また、粘着剤がシリコン系である場合には、充填樹脂の硬化後に剥がし易いことがわかる。
【００７９】
本実施例では、シート材２３の基材としてポリイミドを用い、かつシリコン系の粘着剤２４を用いているので、充填樹脂４を熱硬化させる際にシート材２３に変形がなく、そのためシート材２３上に配置した電子部品（コンデンサ素子１３）の位置ずれが少なく、高い位置精度で電子部品を配線基板本体３内に設けることができる。また硬化した充填樹脂４からシート材２３を剥がしやすいため、シート材２３の一部が残渣となって後のビルドアップ工程に支障をきたすことを防ぐことができる。
【００８０】
さて、以上の様に各主面３ａ，３ｂ側を研磨した後、次に図３（ｆ）に示す様に、スルーホール１１の形成、及び、各主面３ａ，３ｂ上への第１導体層５ａ，５ｂの形成を行う。
第１導体層５ａ，５ｂの形成は、次の様にして行われる。即ち、貫通孔２１内にコンデンサ素子１３を内蔵した配線基板本体３全体に、Ｃｕにて無電解メッキを施した後、更にＣｕにて電解メッキを施すことにより、配線基板本体３全体にパネルめっきを行う。そして、エッチングによって導体層の不要部分を除去することにより、第１導体層５ａ，５ｂを形成する。
【００８１】
なお、パネルめっきの際には、コンデンサ素子１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが形成される。即ち、外部接続部１４は、メッキにより、配線基板１の配線（ここでは、第１導体層５ａ，５ｂ）と接続されることになる。しかも、その接続は、配線の形成と同時に実現される。
【００８２】
この様にコンデンサ素子１３の外部接続部１４と導体層との接続をメッキにより行うため、以下の効果がある。即ち、半田によりコンデンサ素子１３を実装するときには、半田実装のための受けランドを形成するために所定の面積（例えば４６０μｍ×９００μｍ）を必要とし、コンデンサ素子１３の実装密度を高くする上での制限となる。これに対して、コンデンサ素子１３の外部接続部１４と導体層との接続をメッキにより行うと、受けランドを形成する必要がなく、しかも外部接続部１４のうち導体層との接続に必要な面積は小さいので（例えば３００μｍ×１００μｍ）、コンデンサ素子１３を高密度に実装できる。
【００８３】
また、メッキにより配線形成と同時にコンデンサ素子１３の外部接続部１４と導体層との接続を図ることができ、半田印刷という工程を省略できるため、安価に実装可能である。また、半田リフローによるコンデンサ素子１３のダメージをなくすことができる。
【００８４】
また、上記のパネルめっきの際には、貫通孔９の内周面にもメッキ層を形成し、その後貫通孔９内部に樹脂を充填し硬化させることにより、スルーホール１１を形成する（図３（ｆ））。なお、配線基板本体３に貫通孔９を形成し、内周面にメッキ層を形成し、樹脂を充填した後、貫通孔を形成し、同様にコンデンサ素子１３を内蔵しても良い。
【００８５】
以上の様な第１導体層５ａ，５ｂの形成後、第１主面３ａ側及び第２主面３ｂ側において、充填樹脂４、第１導体層５ａ，５ｂ並びに上端部１４ａ及び下端部１４ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光性樹脂を露光・現像することにより、上端部１４ａ及び下端部１４ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂを形成する。なお、ビアホールは、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂを感光性のない樹脂で形成した後、レーザなどを用いて穿設しても良い。
【００８６】
さらに、Ｃｕにて無電解メッキおよび電解メッキを施し、第１層間絶縁層１０３ａ、１０３ｂに形成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメッキを行ってメッキ層を形成する。このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチングにより除去する。これにより、第２導体層１０５ａ、１０５ｂから成る配線が形成される。なお、導体層の形成には、周知のサブトラクティブ法の他、フルアディティブ法やセミアディティブ法を用いてもよい。
【００８７】
以降は、同様にして第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂ、フィルドビア１１７ａ，１１７ｂ、フリップチップパッド１１１（ＬＧＡパッド１１３）を順に形成し、その後ソルダレジスト層１０９ａ，１０９ｂを形成する。そして、ソルダレジスト層１０９ａから露出したフリップチップパッド１１１の上には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、更にハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプ１１２を形成する。以上、第１導体層５ａ，５ｂ、第２導体層１０５ａ、１０５ｂなどを形成する工程が、請求項の「配線形成工程」に相当する。なお、フィルドビア１１７ａ，１１７ｂの一部は、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂ等の直上に形成される。
【００８８】
以上の様にして、図１に示す構造の配線基板１が完成されるが、ＬＧＡパッド１１３の表面には、酸化防止のためにＮｉ−Ａｕメッキ層を形成すると良い。
なお、本実施例において、外部接続部１４の上端１４ａおよび下端１４ｂにおいて、素子本体１５から５０μｍ程度突出するように形成されるものとして説明したが、これは発明者らによる試験結果に基づいている。即ち、外部接続部１４の上端１４ａおよび下端１４ｂにおける、素子本体１５からの突出の高さ（以下「電極の高さ」という）を変え、上記の工程により配線基板の製造を行ったところ、表３に示す結果が得られた。
【００８９】
【表３】
0004685251.tif 000004
【００９０】
表３は、「電極の高さ」が夫々１０μｍ，１５μｍ，３０μｍ，６０μｍ，１００μｍ，１２０μｍとされた試料（コンデンサ素子１３）を用いた場合において、研磨工程後における不具合の発生状況と、第１導体層５ａ，５ｂを形成するためのメッキ工程後における不具合の発生状況を示している。
【００９１】
研磨工程後における不具合とは、例えば、素子本体１５が充填樹脂４の外部に露出したり、誤って研磨されるといったものであるとか、また素子本体１５を覆っている充填樹脂４が割れるといったものである。また、メッキ工程後における不具合とは、例えば素子本体１５を覆っている充填樹脂４の浮き、脱落が発生したり、或いは電極間の短絡（同じコンデンサ素子１３の外部接続部１４の間における短絡、又は異なるコンデンサ素子１３の外部接続部１４の間における短絡）が発生したりするといったものである。
【００９２】
表３に示す様に、「電極の高さ」が１０μｍである場合、研磨工程により８８％の割合で不具合が生じた。また、「電極の高さ」が１５μｍである場合は、研磨工程により６２％の割合で不具合が生じ、そして、研磨工程後には問題がなかった物のうちの６％が、メッキ工程後に不具合を生じた。
【００９３】
また「電極の高さ」が１２０μｍである場合、メッキ工程後に電極間（特に同じコンデンサ素子１３の外部接続部１４の間）が短絡するという不具合が発生しやすくなった。
これらの結果に対して、「電極の高さ」が３０μｍ，６０μｍ，１００μｍである試料については、上記の様な不具合は、研磨工程後においても、メッキ工程後においても見られなかった。こうしたことから、「電極の高さ」を、本実施例では５０μｍとしたのである。
【００９４】
以上説明した本実施例の製造方法によれば、以下の効果（１）〜（９）を奏する。
（１）外部接続部１４の上端（即ち上端部１４ａ）は、第１主面３ａよりも上側にあることから、充填樹脂４内に外部接続部１４の上端が埋まり難い。仮に埋まってしまっても、充填樹脂４を研磨することにより、第１主面３ａ側に容易に外部接続部１４を露出させることができる。また、素子本体１５の上端は、第１主面３ａよりも下側にあるので、第１主面３ａ側において充填樹脂４を研磨する際に、素子本体１５が削られる畏れが少ない。
【００９５】
（２）外部接続部１４の直上に、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂ（バイアホール導体）が形成されていることから、ＩＣチップなど配線基板表面に設けられる素子と、当該内蔵した電子部品との接続経路が短くなり、ノイズの侵入を抑制するなど、電気的特性が向上する。また、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂの更に直上にフィルドビア１１７ａ，１１７ｂ（バイアホール導体）が形成されているから、電気的特性が更に向上する。
【００９６】
（３）外部接続部１４の下端（即ち下端部１４ｂ）は、第２主面３ｂよりも下側にあることから、充填樹脂４内に外部接続部１４の上端が埋まり難い。仮に埋まってしまっても、充填樹脂４を研磨することにより、第１主面３ａ側に容易に外部接続部１４を露出させることができる。そして、素子本体１５の上端は、第１主面３ａを基準として上側にあることから、充填樹脂４の第２主面３ｂ側を研磨する際に、素子本体１５が削られ損傷する畏れも少ない。
【００９７】
（４）＃４００の研磨布紙を用いて充填樹脂４を研磨したので、配線基板本体３の表面や導体層２０ａ、２０ｂにキズが付きにくい。そのため、例えばビルドアップ法などの、配線形成を支障なく行うことができる。
（５）＃４００の研磨布紙を用いて充填樹脂４を研磨したので、導体層２０ａ、２０ｂの剥離を生じさせる可能性が少ない。
【００９８】
（６）外部接続部１４を複数層（本実施例では２層）の導体層、即ち外部電極層３０および外部接続層３１で形成するので、容易に、コンデンサ素子本体１５からの外部接続部１４の高さを稼ぐことができる。
（７）外部接続層３１（最外層）をメッキにて形成することとしていることから、その厚さの調整が容易である。
【００９９】
（８）外部電極層３０および外部接続層３１を同一の材料（Ｃｕ）で形成し、しかも、その材料を第１配線層５ａ，５ｂ、フィルドビア１０５ａ、１０５ｂ…などの、配線基板１の内部配線と同一としていることから、熱応力の発生による断線を抑制できる。
【０１００】
（９）「電極の高さ」を充分に大きくとったため、素子本体１５が研磨されて損傷したり、充填樹脂４のうち素子本体１５を覆う部分に割れや剥がれが生じたりすることがない。また、電子部品１３をシート材２３の上に配置した際、素子本体１５とシート材２３との間には、充填樹脂４が流入するための隙間を充分大きく形成できることとなり、素子本体１５の表面に充填樹脂４にて覆われない部分が生じることを防止できる。この様に、素子本体１５の保護を確実に図ることができ、電子部品１３の電気的特性の信頼性を高めることができる。
【０１０１】
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定される物ではなく、例えば、以下の様な種々の態様も本発明の技術的範囲に属する。
例えば、上記実施例では、各貫通孔２１にコンデンサ素子１３を複数内蔵するものとして図示して説明したが、これに限らず単数のコンデンサ素子１３を内蔵してもよい。
【０１０２】
また、上記実施例では、収容部として、貫通孔２１を例にとって説明したが、これに限られるものではなく、凹部に電子部品を収容する場合にも本発明を適用できる。
また、上記実施例では、コンデンサ素子１３において、その外部接続部１４を、外部電極層３０と外部接続層３１の２層により形成するものとして説明したが、これに限られるものではない。
【０１０３】
例えば、図４（ａ）に示す様な構成のものでも良く、これは次のようにして構成することができる。まず、素子本体２１５の側面に外部電極層２３０をＣｕペーストの印刷により形成する。但し、そのとき、素子本体２１５の側面においては厚く形成できるが、配線基板１の配線（例えば第１導体層５ａなど）と接続すべき部位（図４では上端）においては十分な厚さ（即ち、素子本体２１５からの高さ）が得られない場合がある。そうした場合には、図４（ｂ）の様に、当該部位に、例えばＣｕペースト２３２を更に付着させ、盛り上げるようにして、十分な厚みを得るようにする。その後、図２と共に上述した如く、Ｎｉメッキを施し、外部接続層２３１（例えば２μｍ程度）を形成する。これにより、外部接続部２１４の上端部２１４ａを、素子本体２１５から６０μｍ程度突出して形成する。
【０１０４】
Ｃｕペーストを付着させる部位は、上下両端である必要はなく、図４（ｃ）の様に、片側のみでもよい。即ち、上記実施例では、外部接続部１４は、その上端１４ａおよび下端１４ｂにおいて素子本体１５から充分高く突出するよう形成されたものとして説明したが、これに限られるものではない。
【０１０５】
こうしたコンデンサ素子２１３の場合、これを配線基板１に内蔵するには、図６に示す工程を採用すればよい。
使用する配線基板本体３は、図３（ａ）に示したものと同様のものである。そして、図３（ａ）と共に説明した様に、配線基板本体３に、スルーホール１１を構成するための貫通孔９を多数個形成（例えばドリルにより）すると共に、コンデンサ素子１３を配置するための貫通孔２１を形成（例えばパンチングにより）する。
【０１０６】
そして図６（ａ）に示すように、電子部品配設用の貫通孔２１の開口部の一方を、片面にシリコン系の粘着剤２４を有するポリイミドからなるシート材２３で覆う。なお、この図では、配線基板本体３を裏表反転させ、第１主面３ａ側の開口部をシート材２３で塞ぐ。また、その際、上記と同様に、粘着剤２４を有する面２３ａが配線基板本体３側に向けられ、シート材２３は配線基板本体３（詳しくは、導体層２０ａ）に張り付けられる。
【０１０７】
この様にシート材２３で貫通孔２１を塞いだ後、図６（ａ）に示す様に、コンデンサ素子２１３を、粘着剤２４を介してシート材２３に粘着するよう、貫通孔２１の内部に配置する。
この際、コンデンサ素子２１３の上下を逆にして、その外部接続部２１４の上端２１４ａにてシート材２３に粘着すると共に、その素子本体２１５とシート材２３との間には充填樹脂４が流入可能な隙間が形成されるよう配置する。しかも、外部接続部１４の上端（図６（ａ）中、Ａ１で示す）が第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として下側に位置し、素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として上側に位置するように、コンデンサ素子２１３を配置する。
【０１０８】
以上の様にして貫通孔２１の内部にコンデンサ素子２１３を配置した状態とした上で、図６（ｂ）の様に、貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填樹脂４を硬化させる。これにより、配線基板本体３の内部に電子部品としてのコンデンサ素子１３が埋設されることとなる。また、コンデンサ素子２１３の素子本体２１５とシート材２３との間にも、充填樹脂４が充填される。そして充填樹脂４を貫通孔２１に注入した後、上記実施例と同様にして、充填樹脂４から真空脱泡により気泡を抜き、充填樹脂４を硬化させる。また、充填樹脂４には、上記実施例と同様のものを用いればよい。
【０１０９】
充填樹脂４を硬化させた後、次に、シート材２３を、コンデンサ素子２１３の外部接続部２１４、充填樹脂４および配線基板本体３（詳しくは、導体層２０ａ）から除去し、その後、充填樹脂４および配線基板本体３の各主面３ａ，３ｂを、ベルトサンダーにより研磨する（図６（ｃ））。
【０１１０】
シート材２３の除去によって、第１主面３ａ側からは、外部接続部２１４の上端部２１４ａが、充填樹脂４の外部に露出される。また、コンデンサ素子２１３の素子本体２１５は、充填樹脂４の中に埋没した状態となっている。
なお、このコンデンサ素子２１５の外部接続部２１４は、配線基板本体３の厚みよりも短いため、図６（ｃ）に示す様に、研磨工程後においても第２主面３ｂ側から外部接続部２１４ｂが露出しない。
【０１１１】
そこで、次に図６（ｄ）に示す様に、第２主面３ｂ側からレーザを照射することにより充填樹脂４に穴２０４（バイアを形成するための穴）を穿設して、外部接続部２１４の下端部２１４ｂを充填樹脂４の外部に露出させる。
そして、図６（ｅ）に示す様に、各主面３ａ，３ｂ上への第１導体層５ａ，５ｂの形成、およびスルーホール１１の形成を行う。これについては、上記実施例と同様であり、パネルめっきの際には、コンデンサ素子２１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが形成されるが、同時に、上記穴２０４にはメッキが充填される。
【０１１２】
第１導体層５ａ，５ｂの形成後の工程については、上記実施例と同様であるので説明を省略するが、以上の様にして、図５に示す構成の配線基板を得ることができる。
なお、図７に示す様に、例えば、ＩＣチップ１６の搭載面側に向く側の端部（図７では上端）においてのみ、素子本体２１５から突出するものとして外部接続部１４を構成しても良い。この構造の配線基板は、図６と共に説明した製造工程から「第２主面３ｂ側におけるレーザによる穴開け」を除いた工程により得ることができる。
【０１１３】
また、上記実施例では、電子部品として、コンデンサ素子１３を配線基板に内蔵するものとして説明したが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダクタ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、カプラ、ダイプレクサ、アンテナスイッチモジュール等の受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）、ＦＥＴ等の能動部品など、各種の電子部品を内蔵させてもよい。また、これらのうちで異種の電子部品同士を同じ貫通孔内に内蔵してもよい。
【０１１４】
また、上記実施例の説明においては、図３（ｄ）に示す様に、第１主面３ａ側（即ち、シート材２３で貫通孔２１を塞がない開口部の側）から、貫通孔２１内に充填樹脂４を注入するものとして説明した。しかし、充填樹脂４の粘性と貫通孔２１内の隙間との関係によっては、貫通孔２１内において、充填樹脂４が第２主面３ｂ側にまで十分行き渡らない可能性がある。貫通孔２１内における隙間とは、コンデンサ素子１３同士の間、或いはコンデンサ素子１３と貫通孔２１の内壁との間、コンデンサ素子１３の素子本体１５と、シート材２３との間などである。そこで、シート材２３を剥がした後、開口部２１ａ側からも、充填樹脂４を貫通孔２１内に注入するとよい。そうすれば、隙間なく、確実に貫通孔２１に充填樹脂４を充填することができる。
【０１１５】
また、上記実施例では、配線基板本体３の材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、これに限られることなく、耐熱性、機械強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。従って、例えばガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂複合材料を用いることができる。また、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【０１１６】
また、配線基板本体としては、導体層（導体パターン）が内蔵されている多層基板を用いてもよい。例えば、図８に示す配線基板の配線基板本体３０３の内部には、導体層３０５ａ，３０５ｂが形成されている。この配線基板本体３０３は、例えば図９の様な手順により得ることができる。
【０１１７】
まず、図９（ａ）に示す様な銅張積層板を用意する。これは、例えば、ＢＴ樹脂、ＦＲ−４、ＦＲ−５などからなる絶縁基板３０６の両面に銅を積層して導体層３０５ａ、３０５ｂを形成したものである。この絶縁基板３０６の両面に形成された銅製の導体層３０５ａ、３０５ｂをエッチングすることにより、所要のパターンを形成する（図９（ｂ）参照）。
【０１１８】
次に銅張積層板の両面を粗化し、図９（ｃ）に示す様に、両面に絶縁材３０７ａ，３０７ｂをラミネートする。絶縁材３０７ａ、３０７ｂは、上記の絶縁基板３０６を構成する樹脂とは異なる材料であっても同じ材料であってもよく、例えばエポキシ樹脂など、種々の樹脂のものを使用できる。この様にして、内部に導体層３０５ａ，３０５ｂを有する配線基板本体３０３を得ることができる。
【０１１９】
次に、図９（ｄ）に示す様に、ビアを形成するための穴部３０８を絶縁材３０７ａ，３０７ｂにレーザで形成したり、スルーホールを形成するためのスルーホール貫通孔３０９をレーザやドリルにより形成する。
次に図９（ｅ）に示す様に、パネルめっきを施すことにより、絶縁材３０７ａ，３０７ｂの表面、穴部３０８の内面およびスルーホール貫通孔３０９の内周面に、Ｃｕからなるメッキ層３１２を形成し、そして、図９（ｆ）に示すように、スルーホール貫通孔３０９の内部には、シリカフィラーを含有するエポキシ樹脂などの穴埋樹脂３１４を充填し、硬化させる。この穴埋樹脂３１４は、絶縁材３０７ａ，３０７ｂの表面のメッキ層３１２と略同一面を形成するように研磨する。
【０１２０】
電子部品を内蔵するためには、図９（ｇ）に示す様に、電子部品配置用貫通孔３２１を形成し、この電子部品配置用貫通孔３２１の開口部をシート材２３で塞ぐ。そして図５と共に説明した手順によって、電子部品を配線基板本体３０３に内蔵でき、更にビルドアップ層を形成することができる。
【０１２１】
また、例えば図１０に示す様に、予め内部に導体層４０５ａ，４０５ｂを有する配線基板本体４０３を用いてもよい。これを用いて図８と略同様な配線基板を得るには、まず図１０（ａ）に示す配線基板本体４０３に、スルーホール貫通孔４０７やビア形成用の穴部（図示せず）などを形成する（図１０（ｂ））。次にパネルめっきにより配線基板本体４０３の両面およびスルーホール貫通孔４０７の内周面にメッキ層４０９を積層し（図１０（ｃ））、そしてスルーホール貫通孔４０７の内部に穴埋樹脂４１１を充填する（図１０（ｄ））。そして更に、電子部品配置用貫通孔４２１を形成する（図１０（ｅ））。この後、電子部品配置用貫通孔３２１の開口部をシート材で塞ぎ、図５と共に説明した手順によって、電子部品を配線基板本体４０３に内蔵でき、更にビルドアップ層を形成することができる。
【０１２２】
以上の様に、配線基板本体として、導体層が内蔵されているものを用いると、配線基板本体の上に積層すべき導体層の数を減らすことができる。例えば、図１では、配線基板本体の両主面の上に導体層を３層ずつ積層したものを示したが、これに対し、配線基板本体として導体層を内蔵したものを用いた場合には、図８に示す様に、両主面の上に積層すべき導体層の数が２層ずつに減少している。
【０１２３】
そのため、電子部品とＩＣチップとの間の導通経路を短くすることができ、ループインダクタンス、スイッチングノイズ、クロストークノイズなどの低減、即ち、配線基板の電気的特性の向上を図ることが可能となる。
また、スルーホール貫通孔が配線基板本体を貫通し、配線基板本体の両主面の上に積層すべき導体層の数が２層ずつになっていることから、スタックトビア（積み上げビア）を形成する必要がなくなる。そして、スタックトビアが不要となるため、フィルドビア（導体で完全に充填されたビア）を形成する必要がなくなり、コンフォーマルビア（導体で完全には充填されないビア）で足りることになるので、ビアの形成にかかるコストを抑制することができる。
【０１２４】
なお、図８では、配線基板本体３０３の両主面上に２層の導体層を積層するものとして示したが、その層数はこれに限定されない。また、配線基板本体３０３の内部には２層の導体層３０５ａ，３０５ｂを有するものとして説明したが、その層数はこれに限定されるものではない。
【０１２５】
さて、上記実施例では、研磨布紙で充填樹脂４を研磨するものとして説明したが、研磨布紙以外の手段を用いても良いことは明らかである。
また、上記実施例では、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂ、第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂとしてエポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【０１２６】
また、上記実施例では、第１導体層５ａ，５ｂ、第２導体層１０５ａ，１０５ｂ等を無電解Ｃｕメッキ及び電解メッキによって形成したが、他の材質、例えばＮｉ，Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布するなどの手法によって形成しても良い。
【０１２７】
また、上記実施例では、ＩＣチップ１６との接続のために、配線基板上面にフリップチップパッド１１１やフリップチップバンプ１１２を多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続するＩＣチップに形成された端子に応じて、適切な形態のものを使用すれば良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリップチップパッドのみのもの、或いはワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが挙げられる。また、フリップチップバンプの半田には、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｚｎ系等の半田を使用できる。
【０１２８】
また、上記実施例では、コンデンサ素子１３の素子本体１５にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、この材質に限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、ＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＫＮｂＯ3、ＮａＴｉＯ3、ＫＴａＯ3、ＲｂＴａＯ3、（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3、（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
【０１２９】
また、外部接続部１４には、Ｃｕを使用したが、素子本体１５の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ等が挙げられる。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層や Ａｇ−Ｐｄ等から成る電極層と、樹脂やＣｕメッキ、Ｎｉメッキ等から成るビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとして構成したものを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例の配線基板の構成を示す説明図である。
【図２】  コンデンサ素子の構成を示す説明図である。
【図３】  配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図４】  コンデンサ素子の他の構成例を示す説明図である。
【図５】  本発明の他の実施例の配線基板の構成を示す図である。
【図６】  図５の構成を有する配線基板の製造方法を示す説明図である。
【図７】  本発明の他の実施例の配線基板の構成を示す図である。
【図８】  配線基板本体の変形例を説明する図である。
【図９】  変形例の配線基板本体の製造方法を示す図である。
【図１０】  配線基板本体の別の変形例を示す図である。
【符号の説明】
１…配線基板
３，３０３，４０３…配線基板本体
３ａ…第１主面  ３ｂ…第２主面  ４…充填樹脂
５ａ，５ｂ…第１導体層（配線）
１３，２１３…コンデンサ素子（電子部品）
１４，２１４…外部接続部
１５，２１５…素子本体（電子部品本体）
２１，３２１，４２１…貫通孔
２１ａ…開口部
２３…シート材  ２４…粘着剤
３０，２３０…外部電極層
３１，２３１…外部接続層
１０５ａ，１０５ｂ…第２導体層（配線）
１１１…フリップチップパッド（配線）
１１５，１１７…フィルドビア（配線）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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