(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態に排気可能な第１のチャンバと、前記第１のチャンバ内に配置され、被処理物の搬送路を形成する第１の回転搬送テーブルと、前記第１のチャンバ内に前記第１の回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記第１の回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に膜を堆積する少なくとも１個の第１の成膜室と前記被処理物の受け渡しポジションを備える第１の成膜処理部と、
前記第１のチャンバと真空空間を共通にもつ第２のチャンバと、前記第２のチャンバ内に配置され、被処理物の搬送路を形成する第２の回転搬送テーブルと、前記第２のチャンバ内に前記第２の回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記第２の回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に膜を堆積する少なくとも１個の第２の成膜室と前記被処理物の受け渡しポジションを備える第２の成膜処理部と、
前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部とを前記真空空間を共通にするように連結し、前記受け渡しポジション間に配置されて前記被処理物を入換える受け渡し機構を有しこの受け渡し機構は回転軸を備えこれを軸とする円周に沿って前記受け渡しポジションが位置するようにし前記第１と第２の成膜処理部で処理される被処理物を前記受け渡しポジション間で相互に同時に受渡す連結部と、
前記第１の成膜処理部、前記第２の成膜処理部および前記連結部のいずれかに設けられ、前記被処理物を前記チャンバの内外に真空状態を保持しつつ搬出入するロードロック機構と、
を具備してなることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記第１の成膜室と前記第２の成膜室の数が異なる請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
必要となる成膜処理室数に応じて、前記２つの成膜処理部を連結して一連の処理を行なったり、前記２つの成膜処理部で同じ処理を並行して制御を行なう請求項１または２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部はそれぞれの成膜室間に被処理物を冷却する冷却室を配置してなる請求項１記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記ロードロック機構が前記第１の成膜処理部に配置されており、前記ロードロック機構から前記第１のチャンバに搬入された被処理物は前記第１の回転テーブルにより搬送されて前記第１の成膜室で成膜され、前記連結部に移送され前記連結部より前記第２の成膜処理部の第２のチャンバの前記第２の回転テーブルにより搬送され前記第２の成膜室で成膜され、成膜された被処理物は前記連結部を経て前記第１の回転テーブルに搬送され前記第１の成膜室で成膜されて前記ロードロック機構から取り出されるように制御する稼動制御部をもつ請求項１記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記ロードロック機構が前記連結部に設けられ、前記連結部の前記受け渡し機構が前記ロードロック機構を兼ねている請求項１記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記連結部は前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部に被処理物を受渡すポジションを有し、少なくとも一方の受渡しポジションが冷却室を兼ねている請求項１記載の真空処理装置。
【請求項８】
前記第１の成膜処理部および前記第２の成膜処理部の少なくとも一方に、第３の成膜処理部が連結され、
前記第３の成膜処理部は、真空状態に排気可能な第３のチャンバと、前記第３のチャンバ内に配置され、被処理物の搬送路を形成する第３の回転搬送テーブルと、前記第３のチャンバ内に前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に膜を堆積する第３の成膜室とを備える請求項１記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記被処理物はマスク付基板でなり、このマスクと基板を一体で搬出入する請求項１または４記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクや光学部品などの基板に多層膜を連続的に堆積する真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＤ（コンパクト・ディスク）やＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）などの光ディスクが多様化して、読取り専用の情報媒体から、さらに記録可能な光情報媒体としての有用性が高まりつつある。ディスク基板の材料として成形収縮率や膨張係数の低い合成樹脂、代表的にはポリカーボネートが用いられており、読取り専用ディスクの場合は基板面に情報をピット列で形成し、記録可能なディスクの場合は、基板面にレーザ用トラックとなる案内溝を形成しその面上に記録層を含む多層膜を堆積して構成する。
【０００３】
図１１は記録可能な光ディスクの構造の一例を示しており、透明な０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板１０１の一方の面に光ヘッドのレーザ光を案内する案内溝１０１ａが形成され、この面上に順に第１誘電体層１０２、相変化記録層１０３、第２誘電体層１０４、反射層１０５が堆積され、さらにＵＶ硬化オーバーコート層１０６が塗布されている。さらに、この多層膜基板を貼り合わせ接着層１０７を介して他の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板１１０を貼り合わせることにより約１．２ｍｍ厚の光ディスクが得られる。
【０００４】
ディスクへ記録する情報量の増大から、記録情報の高密度化、読取り速度の高速化のための確実な読取りを可能にする膜構造が求められている（特許文献１）。このような要求に応えるために、多層膜の層数を増やしたり層厚を微細に調節するなど、膜を形成する装置に対して一層の性能向上をはかることが求められている。
【０００５】
例えば図１２は、ＤＶＤ−ＲＡＭ形の層構造を示しており、ディスク基板２０１のグルーブ２０１ａを形成した表面に、順に第１誘電体膜層２０２、第１界面層２０３、相変化記録層２０４、第２界面層２０５、第２誘電体膜層２０６、熱緩衝層２０７、反射層２０８、オーバーコート層２０９、接着層２１０およびカバーとなるポリカーボネートディスク基板２１１が積層形成されている。これらのうち第１保護層２０２から反射層２０８までが一つの真空処理装置の中で一括して堆積されるが、多層膜の層数の増加に応じて各層を堆積する成膜室数を増やさなければならない。
【０００６】
図１３は従来の多層膜形成用真空処理装置の一例を示すものである。真空に保持可能なチャンバ１２０にロードロック機構１２１が設けられ、さらにチャンバ内に円周に沿うように第１ないし第８成膜室１２２ａ〜１２２ｇがロードロック機構１２１を含めて円周の４５度間隔に位置するように配置されている。チャンバ１２０の中央に基板を搬送するアームをもつ回転テーブル１２３が配置され、排気口を備えた軸１２４により水平面で間歇的に回転する。ロードロック機構１２１から搬入されたディスク基板は第１成膜室１２２ａに移送され、スパッタリングにより、膜２０２が堆積される。続いて第２成膜室１２２ｂ以下、順次移送されて多層膜が堆積され、ロードロック機構１２１に戻りチャンバ１２０から外部に搬出される。搬出された多層膜形成基板にオーバーコート層２０９が塗布され、貼り合わせ接着層２１０を介して他の０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板２１１を貼り合わせることにより、光ディスクが得られる。以上において多層膜形成タクトは成膜に最も時間を要する成膜室に律速される。
【０００７】
一般的な真空処理装置はチャンバ内に配置した回転テーブル上に被処理物であるディスク基板を搭載し、円周上に間隔をおいて配置した成膜室に送り、成膜を重ねるものであるが、多層膜数が増えるに伴い成膜室を増やすので円周の半径が増大する。このため搬送テーブルを内蔵するチャンバの寸法が拡大し排気容量が著しく増え、真空に排気する排気系の容量も必要以上に増やさなくてはならず大型化する。同様に回転テーブル上の被処理物の搬送円周が広がり、タクトの短縮のためのテーブルの高速化時に被処理物にかかる遠心力が無視できなくなる。また、回転テーブルの間欠駆動制御が複雑になる。
【特許文献１】特開２００１−２０９９７４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の真空処理装置では真空搬送空間中で水平回転間欠搬送し、一連の成膜処理をする装置で成膜処理室を増やそうとすると、大型になる。また多様な膜構造に対処するために成膜数が少ない多層膜を作製する場合は無駄な処理室となってしまう。また、複数台の処理装置を並べて成膜することも考えられるが処理中に真空空間より大気中に出すことになるので製品品質を安定に得ることが難しいという問題がある。
【０００９】
本発明はさまざまな種類、厚さの膜を効率よくかつ信頼性高く積層することができ、さらに処理工程の増加、複雑化にともなう成膜室数の増加によって装置が大型になるのを抑えて製造装置の小型化をはかり、多様な生産工程に対応可能な真空処理装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、真空状態に排気可能な第１のチャンバと、前記第１のチャンバ内に配置され、被処理物を搭載する複数のサセプタを一定の角度間隔で備え前記被処理物の搬送路を形成する第１の回転搬送テーブルと、前記第１のチャンバ内に前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に多層に膜を堆積する複数の成膜室とを備える第１の成膜処理部と、
真空状態に排気可能な第２のチャンバと、前記第２のチャンバ内に配置され、被処理物を搭載する複数のサセプタを一定の角度間隔で備え前記被処理物の搬送路を形成する第２の回転搬送テーブルと、前記第２のチャンバ内に前記第２の回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記第２の回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に膜を堆積する少なくとも１つの成膜室とを備える第２の成膜処理部と、
前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部を連結し、これらの第１と第２の成膜処理部で処理される被処理物を相互に受け渡す連結部と、
前記第１の成膜処理部、前記第２の成膜処理部および前記連結部のいずれかに設けられ、前記被処理物を前記チャンバの内外に真空状態を保持しつつ搬出入するロードロック機構と、
を具備してなることを特徴とする真空処理装置にある。
【００１１】
さらに、前記第１の成膜室と前記第２の成膜室の数を異ならせることができる。
【００１２】
さらに、必要となる成膜処理室数に応じて、前記２つの成膜処理部を連結して一連の処理を行なったり、前記２つの成膜処理部で同じ処理を並行して制御を行なうことができる。
【００１３】
さらに、前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部はそれぞれの成膜室間に被処理物を冷却する冷却室を配置することができる。
【００１４】
また、前記ロードロック機構が前記第１の成膜処理部に配置されており、前記ロードロック機構から前記第１のチャンバに搬入された被処理物は前記第１の回転テーブルにより搬送されて前記第１の成膜室で成膜され、前記連結部に移送され前記連結部より前記第２の成膜処理部の第２のチャンバの前記第２の回転テーブルにより搬送され前記第２の成膜室で成膜され、成膜された被処理物は前記連結部を経て前記第１の回転テーブルに搬送され前記第１の成膜室で成膜されて前記ロードロック機構から取り出されるように制御する稼動制御部をもつことができる。
【００１５】
前記ロードロック機構が前記連結部に設けられ、前記連結部はマスク付基板の被処理物の受渡し機構を有しており、前記受渡し機構が前記ロードロック機構を兼ねることができる。
【００１６】
前記連結部は前記第１の成膜処理部と前記第２の成膜処理部に被処理物を受渡すポジションを有し、少なくとも一方の受渡しポジションが冷却室を兼ねることができる。さらに、前記第１の成膜処理部および前記第２の成膜処理部の少なくとも一方に、第３の成膜処理部が連結され、
前記第３の成膜処理部は、真空状態に排気可能な第３のチャンバと、前記第３のチャンバ内に配置され、被処理物を搭載する複数のサセプタを一定の角度間隔で備え前記被処理物の搬送路を形成する第３の回転搬送テーブルと、前記第３のチャンバ内に前記回転搬送テーブルの回転軸を中心とする円周に沿って配置され前記回転搬送テーブルにより搬送される前記被処理物に膜を堆積する第３の成膜室とができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明はさまざまな種類、厚さの膜を効率よくかつ信頼性高く積層することができるものである。さらに処理工程の増加、複雑化にともなう成膜室数の増加によって装置が大型になるのを抑えて製造装置の小型化をはかることができるものである。これにより多様な生産工程に対応可能な真空処理装置を得ることができる。
【００１８】
なお、本発明で真空とは大気よりも減圧された状態を意味し、真空処理とは減圧下でスパッタ成膜などの処理を行うことを意味している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下図面により本発明の実施形態を説明する。本発明は、真空状態に排気可能なチャンバ内に搬送テーブル、成膜室を備えた複数の成膜処理部を連結し、１つの被処理物をこれらの成膜処理部に搬送して連続工程で多層に成膜する真空処理装置であり、実施形態により詳細に説明する。
【００２０】
（実施形態１）
図１乃至図３は本発明の一実施形態を示すものである。図１に示すように真空に排気可能なメインチャンバ１は本体２と頂部蓋体３により水平方向に浅く延びるひょうたん形の真空室４を形成している。その一方の膨大部を構成する第１のチャンバ１１に第１成膜処理部１０を区画し、他の膨大部を構成する第２のチャンバ２１に第２の成膜処理部２０を区画し、ひょうたん形のネックの部分に第１の成膜処理部１０と第２の成膜処理部２０を連結し、第１と第２のチャンバ間を共通の真空空間に形成する連結部３０を区画する。真空度は成膜室の最適放電条件に合わせることが望ましく、例えば１０−１Ｐａ程度にする。
【００２１】
第１の成膜処理部１０は第１のチャンバ１１の中央付近を中心とする所定半径ｒ１の円周ｃ１上に４個の成膜室１２ａ、１２ｂ，１２ｃ，１２ｄがそれらの中心が位置するように備えられ、これらの成膜室間の４箇所を室間ポジションとする。このうち成膜室１２ａ，１２ｂ間に冷却室１３ａが配置され、成膜室１２ｃ，１２ｄ間に冷却室１３ｂが配置されている。さらに成膜室１２ｄ，１２ａ間にロードロック機構１４が配置され、成膜室１２ｂ，１２ｃ間に連結部３０の第１の受渡しポジション３１が配置されている。ロードロック機構のロードロック室１４ａと第１の受渡しポジション３１は第１のチャンバ１１の中心に対して対向する位置でメインチャンバ本体１を図示上下に分ける線対称の位置に配置されている。このロードロック室１４ａは冷却室を兼ねることができる。
【００２２】
図２に示すように、第１のチャンバ１１の中心に例えば矢印方向に回転する回転軸を有する搬送回転テーブル１５が設けられている。回転テーブルは上記成膜室、冷却室、ロードロック室および受渡しポジションに対応する円周を８等分する４５度間隔で円周ｃ１に中心がくるようにサセプタ１６を配置している。サセプタ１６はマスク５１、５２を含む被処理物であるディスク基板５０を搭載して各ポジションに搬送するとともに成膜室および冷却室の開口部を塞いで気密保持可能な蓋体として機能するもので、サセプタ基体１６ａとその上に被処理物を搭載するホルダー１６ｂをモータＭで自転できるように配置した構造である。
【００２３】
これらのサセプタ１６は、搬送回転テーブル１５のテーブル板１５ａの円周に沿って設けてあるサセプタ受け孔１５ｂに上下動可能に取り付けられる。第１のチャンバの各ポジションに対応するチャンバ底部２にプッシャ１７と呼ばれるサセプタ押し上げ機構が取り付けられ、プッシャピストン１７ａが図示矢印のように上方に駆動されるとその位置に到来したサセプタ１６が押し上げられて図２では成膜室１２ｂとロードロック室１４ａの開口を密封する。
【００２４】
実際の装置の稼動ではプッシャにより冷却室ポジションを含む全８個のサセプタが同期して同時に押し上げられる。タスク終了とともにプッシャが下がりサセプタ１６はばね１６ｃによりテーブル板１５ａ上に復帰しテーブルは４５度だけ間欠回転して次のポジションにサセプタを移動する。次のポジションで再びプッシャ１７が駆動されて処理がなされることになる。
【００２５】
チャンバの排気は搬送回転テーブルの回転軸１５ｃに形成された排気路１５ｄに連結された外部排気ポンプ（図示しない）より行われる。
【００２６】
図４に示すように、被処理物のディスク基板５０はＤＶＤディスクの場合は直径１２０φ、厚さ０．６ｍｍの合成樹脂すなわちポリカーボネートのディスクでできており、中央部に孔があり、中央部付近と周縁部は膜形成をしない。このため中央部にディスク状センターマスク５１、周縁部にリング状アウターマスク５２を取り付けた状態で一体で搬送され成膜される。両マスクは磁性体で形成され、センターマスクの下部は機械的ストッパ５３を有してディスク孔に挿入されディスクをこのストッパで保持している。したがってセンターマスクを電磁チャックで持ち上げるとディスクも同時に持ちあげられる。
【００２７】
成膜室１２（１２ａ〜１２ｄ）は搬入されたディスク基板上にスパッタにより被膜を堆積する。スパッタはターゲット１２１側の電極とディスク基板側近傍に配置した電極間に直流または交流の電圧を印加して、成膜室内にグロー放電を発生させ生成するイオンをターゲットに衝突させることにより微細なターゲット物質を飛出させディスク基板に堆積させて形成するものである。
【００２８】
冷却室１３（１３ａ、１３ｂ）は室内に冷却プレートを配置して搬入されるディスク基板と対峙させ、冷媒ガスを導入してディスク基板の熱を冷却プレート側に伝熱して冷却する構成を有している。前工程の成膜室のスパッタリングでディスク基板が加熱され昇温すると真空中では冷却が非常に難しい。このため真空連続処理の成膜工程間に真空冷却工程をとりいれることによって次工程の成膜を所望のディスク基板温度で実施できるようにしている。
【００２９】
ロードロック機構１４は大気中にあるディスク基板を真空チャンバ内に真空を破らずに搬出入する機構であり、回転可能なピックアンドプレースアーム１４ｂの両端部にロードロック上蓋１４ｃ１、１４ｃ２を設置して交互にロードロック室１４ａと外部コンベア間を搬送する。処理されるディスク基板５０を電磁チャック１４ｄで運んできたロードロック上蓋１４ｃ２はロードロックの外開口１４ａ１を気密に封止すると、プッシャ１７により押し上げられたサセプタ１６がロードロック内側開口１４ａ２を密封し同時にマスク付きディスク基板５０を受け取る。ロードロック室１４ａが付属排気系（図示しない）により排気されチャンバ内の真空度と同程度の真空度になると、プッシャが下がりロードロック室１４ａはチャンバ側に開き、未処理のディスク基板５０が搬送回転基板１５に乗せられる。
【００３０】
最終成膜室１２ｄで多層膜を堆積した処理済のディスク基板５０は、回転テーブルによりロードロック室１４ａポジションに搬送される。このポジションのプッシャ１７がディスク基板５０を搭載したサセプタ１６を押し上げサセプタをロードロック室の内側開口１４ａ２に気密密着させると、同時に上蓋１４ｃ２にマスク付きディスク基板が電磁チャックされる。この状態でロードロック室１４ａが付属排気系により大気圧になるまでリークされると、上蓋１４ｃ２が外れアーム１４ｂにより持ち上げられコンベヤ位置まで移送される。同時に他方の上蓋１４ｃ１がマスクを取り付けた新たな未処理ディスク５０をロードロック室１４ａに外側開口１４ａ１から運びロードロック室を大気から密封する。以下上述した工程で第１の成膜室１２ａに搬送される。
【００３１】
第２の成膜処理部２０は第１の成膜処理部１０とはロードロック室を持たない点を除き同様の構成を有している。円形膨大部に形成された第２のチャンバ２１のほぼ中央部を中心にした所定半径ｒ２の円周に沿って４個の成膜室２２ａ〜２２ｄと３個の冷却室２３ａ〜２３ｃを交互に配置し、第１成膜室２２ａと第４成膜室２２ｄ間の冷却ポジション位置に連結部３０の第２の受渡しポジション３２を配置した構造である。チャンバ内にチャンバ中央に回転軸を有する搬送回転テーブル２５（図３）を配置し、受渡しポジション３２に搬送されてきたディスク基板を各成膜室２２ａ〜２２ｄに搬送する。すなわち成膜室２２ａ、冷却室２３ａ，成膜室２２ｂ，冷却室２３ｂ，成膜室２２ｃ，冷却室２３ｃ，成膜室２２ｄと順次巡回して成膜した後、再び受渡しポジション３２に運び、連結部３０を介して第１の成膜処理部１０側の第１の受渡しポジションに戻す。
【００３２】
なおチャンバの排気は第１の成膜処理部の排気系と共同して搬送回転テーブルの回転軸（図示しない）に形成された排気路に連結された外部排気ポンプ（図示しない）より行われる。
【００３３】
連結部３０は第１のチャンバ１１と第２のチャンバ２１から連続するチャンバ壁３３で囲むチャンバの連結空間により両チャンバ１１，２１の真空空間を共通に連結する。連結部３０は第１の成膜処理部１０側に第１受渡しポジション３１と第２の成膜処理部側２０に第２の受渡しポジション３２を有してその間に受渡し機構３４（図３）が配置される。受渡し機構は中央部に回転軸３５を有するピックアンドプレースアーム３６とその両側に設けた電磁チャック３７からなり、回転軸に連結したモータ３８によりアーム３６を回転制御する。電磁チャック３７はセンターマスク用３７1とアウターマスク用３７２からなり、センターマスク位置が円周ｃ３となり、回転テーブル１５、２５の円周ｃ１，ｃ２に接している。
【００３４】
第１のチャンバ１１側の受渡しポジション３１に設置したプッシャ１７１を駆動し、第１回転テーブル１５側の一方のチャック３７Ａにマスク付きディスク基板５０１が吸着される。同時に第２のチャンバ２１側の第２の受渡しポジション３２のプッシャ１７２が作動し第２のチャンバ側のサセプタ２６が押し上げられてマスク付き基板５０２が他方の電磁チャック３７Ｂに吸着される。両基板がアーム３６側に吸着されると、両プッシャは下方に引き込みそれぞれのサセプタは回転テーブル上に戻る。続いてアーム３６が１８０度回転し基板５０１と５０２の配置されているポジション位置を入換える。再びプッシャ１７1、１７２が作動して上昇し各サセプタを押し上げて上記入換えたディスク基板に当接させ、一方、電磁チャックの作動を止めることによりそれぞれのディスク基板がサセプタに搭載される。この動作の繰り返しにより真空中で連続的に両チャンバ同士の基板の入換えが容易になされる。
【００３５】
以上のように本実施形態の真空処理装置は４成膜室、２冷却室、１ロードロック室をもつ第１の成膜処理部１０と４成膜室、３冷却室をもつ第２の成膜処理部２０をもち、両処理部を連結部で共通真空空間に連結した構成が得られる。
【００３６】
多層成膜を２個の成膜処理部で連続形成することにより、装置全体をコンパクト化することができる。回転テーブルを用いた真空連続膜形成において成膜ポジションや冷却ポジションを増やすと、回転テーブル半径はポジション数に伴って比例的に拡大し、チャンバ容積はその約二乗で増える。本実施形態は連結部の空間を若干増やすだけで真空空間を最小限に抑えることができ、排気効率を高めることができる。また搬送回転テーブルの径が小さく駆動モータや制御を容易にし、迅速な間欠回転を可能にしている。
【００３７】
次に図１２に示す多層膜をもつ光ディスクを製造する場合の本実施形態の装置の稼動について図５を用いて説明する。
【００３８】
多層膜は７層であるが、第１誘電体膜２０２はＺｎＳ−ＳｉＯ２などの絶縁物材料でしかも他の層に比べて厚さが必要なことから、２個の成膜室を用いて分担して成膜する。分担成膜によりタクトを短縮することができる。
【００３９】
真空処理装置の各成膜処理部および連結部は稼動制御部６０により、一括制御される。
【００４０】
（１）第１の成膜処理部１０
１−１  ロードロック機構１４――スタンパ機で成型されたグルーブ付きポリカーボネート基板をマスクを付けてロードロック室１４ａに搬入する。
【００４１】
１−２  第１の成膜室（１）１２ａ――搬入基板に第１誘電体膜の一部をスパッタ成膜する。
【００４２】
１−３  冷却室１３ａ――第１の成膜室（１）から取出された基板を冷却する。
【００４３】
１−４  第１の成膜室（２）１２ｂ――搬入基板に第１誘電体膜の残りの一部をスパッタし所定の厚みに成膜する。
【００４４】
１−５  第１の受渡しポジションに第１誘電体膜層が成膜された基板を移す。
【００４５】
１−６  第１の受渡しポジションに第２の成膜室（４）で第２誘電体膜層が成膜された多層基板を第１の成膜室（３）に搬送する。
【００４６】
１−７  第１の成膜室（３）１２ｃ――搬送された基板に熱緩衝層をスパッタ成膜する。
【００４７】
１−８  冷却室１３ｂ――第１の成膜室（３）から取出された基板を冷却する。
【００４８】
１−９  第１の成膜室（４）１２ｄ――搬送された基板に金属反射層をスパッタ成膜する。
【００４９】
１−１０  第１の成膜室（４）から取出された基板をロードロック室１４ａに運ぶ。
【００５０】
１−１１  ロードロック室１４ａから多層成膜された基板を取出す。
【００５１】
（２）連結部３０
２−１  第１の受渡しポジション３１に搬送された基板を第２の受渡しポジション３２に移し変える。
【００５２】
２−２  同時に第２の受渡しポジション３２に搬送された基板を第１の受渡しポジション３１に移し変える。
【００５３】
（３）第２の成膜処理部２０
３−１  第２受渡しポジションに搬入された基板を第２の成膜室（１）に搬送する。
【００５４】
３−２  第２の成膜室（１）２２ａ――搬送された基板に第１界面層をスパッタ成膜する。
【００５５】
３−３  冷却室２３ａ――第２成膜室（１）から取出された基板を冷却する。
【００５６】
３−４  第２の成膜室（２）２２ｂ――搬送された基板に記録層をスパッタ成膜する。
【００５７】
３−５  冷却室２３ｂ――第２成膜室（２）から取出された基板を冷却する。
【００５８】
３−６  第２の成膜室（３）２２ｃ――搬送された基板に第２界面層をスパッタ成膜する。
【００５９】
３−７  冷却室２３ｃ――第２成膜室（３）から取出された基板を冷却する。
【００６０】
３−８  第２の成膜室（４）２２ｄ――搬送された基板に第２誘電体膜層をスパッタ成膜する。
【００６１】
３−９  成膜された基板を第２の受渡しポジションに搬送する。
【００６２】
一枚のディスク基板の製造プロセスは、第１成膜処理部１０の工程１−６〜１−１１が第２成膜処理部２０の処理工程の後工程となる。
【００６３】
なお本実施形態において第１成膜処理部と第２成膜処理部の回転テーブルの回転方向を同方向としているが、各成膜処理部相互に自由であり、被処理物に応じて設定することができる。また各サセプタの動作も個別に制御して必要な処理を行なうことができる。
【００６４】
本実施形態によれば小型化された装置内に成膜室と冷却室の組合せなど多くのステップを組み込むことができるので、枚葉式に処理される多層膜基板を多様な条件で処理することができ、膜厚の均一性、膜質の均質性を高めて高品質の多層膜基板を得ることができる。
【００６５】
さらに本実施形態の構成によれば、多様な生産工程の変化に対応することができる。
【００６６】
図１１に示すＣＤ−R４層構成の多層膜の製造に対しては、第１の成膜処理部１０のみを稼動させて成膜することや第１及び第２の２つの成膜処理部で同じ成膜処理を並行して稼動させて成膜することもできる。また、多層膜の種類に応じて一方の成膜処理部を２順させることができる。
【００６７】
このように光ディスクの品種に対応して柔軟に工程の切り替えが可能になり、むだな成膜室もなく生産することができる。
【００６８】
（実施形態２）
本実施形態は図６に示すように、第１成膜処理部１０と第２成膜処理部２０の配置は実施形態１と同様であるが、第２実施形態２０の成膜室数が実施形態１と異なり３個（２２ａ〜２２ｃ）とし、冷却室を２個（２３ａ、２３ｂ）にしている。他の部分は同じであり、同一部分は同一符号を付し説明を省略する。光ディスクの多様な品種に対応して第１の成膜処理部１０に比べて第２の成膜処理部２０の成膜室数を減らすことにより、チャンバ容積を必要最小限に設定することができ、さらにコンパクト化、設置面積の縮小、制御の容易性を高めることができる。なお受渡しポジション３１、３２の少なくとも一方に冷却室を兼ねさせることもできる。
【００６９】
（実施形態３）
本実施形態は図７に示すように、第１成膜処理部１０と第２成膜処理部２０の配置は実施形態１と同様であるが、ロードロック機構１４Ａを実施形態１の冷却室１３ａの位置に配置し、実施形態１のロードロック室１４Aのポジションに冷却室１３cを設けた構成である。他の部分は同じであり、同一部分は同一符号を付し説明を省略する。本実施形態においても実施形態１と同様に動作させることができる。
【００７０】
（実施形態４）
本実施形態は図８に示すように、第１成膜処理部１０と第２成膜処理部２０の配置は実施形態１と同様であるが、ロードロック機構１４Ｂを実施形態１の第１の成膜室（２）１２ｂの位置に配置した構成である。実施形態１のロードロック室１４ａのポジションに冷却室１３ｃを設けることは実施形態３と同様である.他の部分は実施形態１と同じであり、同一部分は同一符号を付し説明を省略する。本実施形態においても実施形態１と同様に動作させることができる。
【００７１】
（実施形態５）
本実施形態は図９に示すように、ロードロック機構７０を連結部３０に設置した構成である。なお実施形態１と同一部分は同一符号を付し説明を省略する。ロードロック機構７０は本来のロードロック機能と第１成膜処理部と第２成膜処理部間の基板の受渡し機能を兼ねており、連結部に配置したロードロック室７１と、このロードロック室７１、第１成膜処理部１０側の第１の受渡しポジション３１および第２成膜処理部２０側の第２の受渡しポジション３２の３方に延び各１２０度間隔で配置された３本アームのピックアンドプレースアーム７２を有している。
【００７２】
各成膜処理部の搬送回転テーブルが鉛直方向に回転軸をもつ水平回転テーブル形式では、各サセプタに搭載される被処理物であるマスク付基板は上置き状態で搬送される。したがってピックアンドプレースアーム７２の各アームに取り付ける電磁チャックを下方に向けて備えており、各受け渡しポジションおよびロードロック室に到来した被処理物はアームの上下動に応じてサセプタ上方に吊り状態で固定され、アームの１２０度回転により、他のポジションに引き渡される。ロードロック室７１はチャンバの下方に開口し、下方から非処理基板を搬出入する。ピックアンドプレースアーム７２を図示矢印の方向に回転する場合は第２成膜処理部２０から成膜を開始し、連結部を経て第１成膜処理部１０で後半の成膜処理がなされる。成膜処理された基板はマスクを一体のまま再度、第１の受渡しポジション３１に搬送されロードロック室７１に運ばれ外部に搬出される。なお回転方向は各成膜処理部、連結機構においてそれぞれ任意の方向に選ぶことができる。
【００７３】
さらに成膜処理工程に応じて成膜処理部１０、２０の使い方を任意に設定することができる。すなわちロードロック機構７０の受渡し機構の回転によりポジションの受渡しを制御することにより、第１の成膜処理部１０と第２の成膜処理部２０の成膜稼動を独立して並行に行なうことができる。処理工程が少ない場合は、それぞれの処理部で同時に同じ処理を並行して行なうことができ、また一方の処理部だけを稼動させることができる。処理工程が多い場合には、前記したようにそれぞれの処理部を一連の処理部として連結して処理することができる。
【００７４】
本実施形態は第１、第２成膜処理部間にロードロック機構を配置しているので、成膜処理部の独立性を高めることができ、光ディスクの品種に対応する工程の切り替えがやり易くなる。
【００７５】
（実施形態６）
本実施形態は図１０に示すように、ロードロック機構１４Ｃを有する第１成膜処理部１０に第２成膜処理部２０のほか、第３成膜処理部８０を分岐して設けたものである。第３成膜処理部８０は搬送回転テーブル、成膜室をもち連結部８１により第１成膜処理部１０と連結されている。なお実施形態１と同一部分は同一符号を付し説明を省略する。本例では第１成膜処理部１０の第１の成膜室を４個（１２ａ〜１２ｄ）、冷却室１３ａを１個、第２成膜処理部２０の第２の成膜室数を３個（２２ａ〜２２ｃ）、第３成膜処理部８０の第３の成膜室数を２個（８２ａ、８２ｂ）としている。本実施形態により、積層する多層膜の種類に応じて成膜処理部を割り当てることにより、精密なスパッタ制御が可能になり、さらにタクトを合わせることが容易になり、またスパッタ物質のチャンバ内被着も限定的でクリーニングなどの保守も容易になる。
【００７６】
以上本発明を実施形態により説明したが、これらの実施形態に限定されるものでなく、本発明を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】実施形態１の平面略図。
【図２】図１をＡ−Ａ線に沿って切断した断面略図。
【図３】図１をＢ−Ｂ線に沿って切断した断面略図。
【図４】マスクを装着したディスク基板の断面略図。
【図５】実施形態１の稼動を説明する工程図。
【図６】実施形態２の平面略図。
【図７】実施形態３の平面略図。
【図８】実施形態４の平面略図。
【図９】実施形態５の平面略図。
【図１０】実施形態６の平面略図。
【図１１】光ディスクの多層膜構造を説明する断面略図。
【図１２】光ディスクの多層膜構造を説明する断面略図。
【図１３】従来装置の平面略図。
【符号の説明】
【００７８】
１：メインチャンバ
１０：第１成膜処理部
１１：第１のチャンバ
１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）：第１の成膜室
１３：冷却室
１４：ロードロック機構
１４ａ：ロードロック室
１５：第１の搬送回転テーブル
１６：サセプタ
１６ａ：サセプタ基体
１６ｂ：ホルダー
１７：プッシャ
１７ａ：プッシャピストン
２０：第２成膜処理部
２１：第２のチャンバ
２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ）：第２の成膜室
２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ）：冷却室
２５：第２の搬送回転テーブル
３０：連結部
３１：第１の受渡しポジション
３２：第２の受渡しポジション
３４：受渡し機構
３５：回転軸
３６：ピックアンドプレースアーム
３７（３７Ａ，３７Ｂ）：電磁チャック
５０：ディスク基板
５１：センターマスク
５２：アウターマスク
６０：稼動制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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