(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田パッドが配設されたプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とする半田バンプの形成方法：
（ａ）基板に配設されたソルダーレジスト層の表面全体にフラックスを塗布する工程；
（ｂ）球状に形成された半田を直接前記ソルダーレジスト層上に転がすことにより、前記ソルダーレジスト層に設けられた半田パッドに前記球状に形成された半田を載置し、前記半田パッドに載置されている前記球状に形成された半田をプレスする工程；
（ｃ）リフローを行うことで半田バンプを成形する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層プリント配線板にＩＣチップを載置する際に、両者の端子接続を行う半田バンプの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣチップ等を実装するためのパッケージ基板は、半田バンプ等を形成する際、これら半田バンプを互いに融着させないためにソルダーレジスト層を施してある。このソルダーレジスト層には、半田パッドと相対した開口を設けてある。
ソルダーレジスト層に半田バンプを形成する際には、半田ペーストのマスク印刷が行われる。マスク印刷に用いられるマスクには、ソルダーレジスト層の開口に相対したパターンを配設させてある。マスク印刷を行う際は、このマスクを、このマスクのパターンとソルダーレジスト層の開口とを対応させて載置させる。そして、このマスクを介して、半田ペーストを半田パッドの開口部に印刷する。その後、半田ペーストをリフローして、半田パッドに半田バンプを形成させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
現在、ＩＣチップの高集積化に伴い、ＩＣチップのバンプが小型化されている。この小型化によって、狭ピッチに半田バンプを形成することが要求されている。狭ピッチの半田バンプを形成する際、マスク印刷を行うと、半田パッドの開口部で半田ペーストの未充填や充填不足を起こしやすい。これにより、半田バンプを均一な大きさに形成させることができなくなるため、マスク印刷は適用できなくなる。
【０００４】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半田バンプを適正に形成できる方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１の半田バンプの形成方法では、半田パッドが配設されたプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする。：
（ａ）基板に配設されたソルダーレジスト層の表面全体にチクソ性が高く、粘着性の低いフラックスを塗布する工程；
（ｂ）球状に形成された半田を直接前記ソルダーレジスト層上に転がすことにより、前記ソルダーレジスト層に設けられた半田パッドに前記球状に形成された半田を載置し、前記半田パッドに載置されている前記球状に形成された半田をプレスする工程；
（ｃ）リフローを行うことで半田バンプを成形する工程。
【０００６】
請求項１の半田バンプの形成方法により、スキージを用いてフラックスをソルダーレジスト層の全面に塗布する。そして、予め球状に形成された半田を転がすことにより、この球状に形成された半田を、ソルダーレジスト層の開口に配設された半田パッドに載置させる。その後、この球状に形成された半田をリフローさせることで、半田バンプを形成させる。
つまり、フラックスをソルダーレジスト層の全面に均一に塗布するため、半田パッドにおける半田ぬれ性を良くして、リフローにより溶かされた半田とこの半田パッドとの接続を確実に行うことが可能になる。また、半田バンプを形成するために用いる半田は、予め球状に形成されたものが載置される。この半田は、少量で均一な大きさに形成されているため、小さな半田バンプを均一な大きさに形成することができる。したがって、狭ピッチの半田バンプを適正に形成することが可能になる。
【０００８】
請求項１の発明では、球状に形成された半田を、ソルダーレジスト層に配設された半田パッドに載置させた後、プレスする。このプレスにより、球状に形成された半田と半田パッドとの接続信頼性を高めることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の構成について、図８を参照して説明する。図８は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面図を示している。
【００１０】
プリント配線板１０は、コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。コア基板３０には、スルーホール３６が形成され、コア基板３０の両面には、導体回路３４が形成されている。また、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、導体回路５８（バイアホール６０を含む）が形成された層間樹脂絶縁層５０と、導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）が形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層１５０上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０には、導体回路１５８の開口部７１ａ及び、半田パッド７５ａが形成され、半田パッド７５ａ上には半田バンプ７８が配設されている。
【００１１】
引き続き、図８を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図８を参照して説明する。
【００１２】
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形成し、さらに、銅箔３２を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４を形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００１３】
（２）下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４α、３６αを形成する（図１（Ｃ）参照）。ここで、エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。また、無電解めっきや酸化―還元処理などで粗化面を形成しても良い。
【００１４】
（３）熱硬化性樹脂であるエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤４０を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０が下層導体回路３４の間あるいはスルーホール３６内に充填される（図１（Ｄ）参照）。
【００１５】
（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させる（図２（Ａ）参照）。
【００１６】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３４上面の粗化層３４αを除去して基板３０両面を平滑化し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４とが粗化面３４αを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化面３６αを介して強固に密着した配線基板を得る。
【００１７】
（５）次に、上記（４）の処理を終えた基板３０の両面に、上記（２）で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００１８】
（６）次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図２（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００１９】
（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件でエポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口５１を設ける（図２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行ってもよい。層間樹脂絶縁層５０のぬれ性を改善させるためには最適である。
【００２０】
（８）クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設けた。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設けた。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる（図３（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施してもよい。
【００２１】
（９）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５３を設けた。金属層５３は、無電解めっきによって形成させた。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５３を設けた。その一例として、
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピルジル          １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）      ０．１０  ｇ／ｌ
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。それ以外にも上記プラズマ処理を同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５３を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層５３の厚さは０．２μｍである（図３（Ｂ）参照）。
【００２２】
（１０）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４のパターンを形成する（図３（Ｃ）参照）。
【００２３】
（１１）次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図３（Ｄ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００２４】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                      １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００２５】
（１２）ついで、めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下に存在していた金属層５３を硝酸および硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５３及び電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００２６】
（１３）次に、上記（５）の工程と同様にエッチングを導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面に行うことにより、導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面に粗化面５８αを形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００２７】
（１４）続いて、上記（６）〜（１３）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１５０を形成する。そして、層間樹脂絶縁層１５０上に導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図４（Ｃ）参照）。
【００２８】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００２９】
（１６）次に、基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部７１ａのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、１５０μｍの直径の開口部７１ａ（導体回路１５８の半田パッド用）を形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層７０を硬化させ、開口部７１ａを有する、厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成する（図５（Ａ）参照）。また、市販のソルダーレジストＬＰＳＲを用いてもよい。
【００３０】
（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１ａに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する。これにより開口部７１ａ内に、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４からなる半田パッド７５ａを形成する。なお、半田パッド７５ａは表面が平坦な導体回路１５８上に形成された半田パッドである（図５（Ｂ）参照）。
【００３１】
（１８）本実施形態の半田バンプとなる半田ボールを形成する。表面が平坦なセラミック板９９を用意する（図６（Ａ）参照）。セラミック板９９の材料としては、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミックを用いるのが好ましい。耐熱性と熱収縮などを起こしにくいからである。このセラミック板９９に開口９６ａの形成されたマスク９６を載置する。その後、マスク９６を介して、半田ペースト７６を印刷する（図６（Ｂ）参照）。次いで、セラミック板９９上のマスク９６を取り除く（図６（Ｃ）参照）。そして、セラミック板９９をリフローすることにより、セラミック板９９上に直径１５０μｍの球状の半田ボール７７を形成する（図６（Ｄ）参照）。ここで、リフローは不活性ガス雰囲気中で行うことが望ましい。また、市販の半田ボールを用いてもよい。
【００３２】
（１９）ソルダーレジスト層７０の表面全体に、スキージを用いてフラックス９４を均一に塗布する（図７（Ａ）参照）。フラックス９４を塗布することによって、半田パッド７５ａにおける半田ぬれ性を良好にして、後述する半田バンプ７８と半田パッド７５ａとの接続性を向上させる。ここで、フラックスは、チクソ性（チクソ性とは、物質の形状を柔らかくしようとする力に反発して、その物質の形状を戻そうとする力の度合いを意味する）が高く、粘着性が低いものを用いることが望ましい。
【００３３】
（２０）続いて、上記工程（１９）にて形成された直径１５０μｍの半田ボール７７をソルダーレジスト層７０上で転がして、半田パッド７５ａに載置する（図７（Ｂ）参照）。半田パッド７５ａは、直径１５０μｍの開口部７１ａ内に配設されているため、半田ボール７７を転がすだけで、半田パッド７５ａに載置することができる。続いて、プレス装置９８を用いて、半田ボール７７をプレスすることにより、半田パッド７５ａと半田ボール７７との接着性を向上させる（図７（Ｃ）参照）。なお、プレスする工程は、省略してもよい。
【００３４】
（２１）開口部７１ａに載置された半田ボール７７をリフローして半田バンプ７８を形成する。また、図示しないが基板の反対側の面に関しても、上記（１９）、（２０）と同様の工程を行う。その後、フラックス９４の洗浄を行う。ここでは、クロロセンなどの有機溶剤をソルダーレジスト層７０の表面に流し込みフラックスを除去する。
【００３５】
（２２）上記工程を経て、半田パッド７５ａに半田バンプ７８が形成されたプリント配線板１０を製造することができる（図８参照）。
【００３６】
上記工程によって、予め球状に形成した直径１５０μｍの半田ボール７７を半田パッド７５ａに載置するため、均一な大きさの半田バンプ７８を形成させることができる。したがって、狭ピッチの半田バンプの形成を可能にさせる。更に、フラックスをソルダーレジスト層７０の全面に均一に塗布させるため、半田パッド７５ａにおける半田ぬれ性を良好にして、半田パッド７５ａと半田バンプ７８との接続性を向上させる。また、半田ボール７７は、半田パッド７５ａに載置された後プレスされるため、半田ボール７７と半田パッド７５ａとの接着性を向上させる。
【００３７】
上述した熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００３８】
本発明の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３９】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４０】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００４１】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００４２】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００４３】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００４４】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４５】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４６】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４７】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００４８】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００４９】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００５０】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５１】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００５２】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００５３】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００５４】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５５】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００５６】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００５７】
半田バンプ７８の反対面には、ＴピンもしくはＢＧＡが配設されていて、ＩＣチップは、フリップチップ実装によって半田バンプ７８を介して接続されている。
【００５８】
【発明の効果】
本願発明の半田バンプの形成方法により、予め球状に形成した半田ボールを半田パッドに載置するため、均一な大きさの半田バンプを形成させることができ、狭ピッチ（ここで、ピッチとは隣接する半田バンプの中心から中心の距離を意味する）の半田バンプの形成を可能にさせる。更に、フラックスをソルダーレジスト層の全面に均一に塗布させるため、半田パッドにおける半田ぬれ性を良好にして、半田パッドと半田バンプとの接続性を向上させる。また、半田ボールは、半田パッドに載置された後プレスされるため、半田ボールと半田パッドとの接着性を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る半田ボールの製造工程図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  下層導体回路
３６  スルーホール
４０  樹脂充填剤
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１ａ  開口部（半田パッド用）
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７５ａ  半田パッド（導体回路上）
７６  転写用半田ペースト
７７  半田ボール
７８  半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ  ビルドアップ配線層
９４  フラックス
９６  マスク
９６ａ  開口（マスク）
９８  プレス装置
９９  セラミック板
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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