(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真用感光体と、該電子写真感光体に接触配置される帯電部材に電圧を印加することにより該電子写真感光体を注入帯電させる帯電手段と、該注入帯電した電子写真感光体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、該電子写真感光体に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段と、該電子写真感光体に形成されたトナー像を転写部材に転写する転写手段を有する画像形成装置であって、
該電子写真用感光体は、導電性支持体上に感光層及び表面保護層が順次積層されており、
該表面保護層は、導電性金属酸化物を含有し、
該感光層及び／又は該表面保護層が電荷輸送材料を含有し、
該電荷輸送材料は、化学式
【化１】
0004741412.tif 000035
で表される化合物、化学式
【化２】
0004741412.tif 000036
で表される化合物、化学式
【化３】
0004741412.tif 000037
で表される化合物、化学式
【化４】
0004741412.tif 000038
で表される化合物、化学式
【化５】
0004741412.tif 000039
で表される化合物又は化学式
【化６】
0004741412.tif 000040
で表される化合物であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記帯電手段は、前記帯電部材に正の直流電圧を印加することにより前記電子写真感光体を注入帯電させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記導電性金属酸化物が酸化チタン系金属酸化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記帯電部材が磁性粒子からなる磁気ブラシであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記感光層が電荷発生層及び電荷輸送層からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記表面保護層は、体積抵抗が１×１０９Ω・ｃｍ乃至１×１０１２Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記感光層がチタニルフタロシアニンを含有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、２７．２゜に最大のピークを有することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、９．４゜、９．６゜、２４．０゜にピークをさらに有し、７．３゜に最も低角側のピークをさらに有し、該７．３°のピークと該９．４゜のピークの間にピークを有さず、２６．３°にピークを有さないことを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記チタニルフタロシアニンは、平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記現像手段が反転現像方式であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の画像形成装置。
【請求項１２】
画像形成装置の本体に対して着脱可能であり、電子写真用感光体と、該電子写真感光体に接触配置される帯電部材に電圧を印加することにより該電子写真感光体を注入帯電させる帯電手段を有するプロセスカートリッジであって、
該電子写真用感光体は、導電性支持体上に感光層及び表面保護層が順次積層されており、
該表面保護層は、導電性金属酸化物を含有し、
該感光層及び／又は該表面保護層が電荷輸送材料を含有し、
該電荷輸送材料は、化学式
【化７】
0004741412.tif 000041
で表される化合物、化学式
【化８】
0004741412.tif 000042
で表される化合物、化学式
【化９】
0004741412.tif 000043
で表される化合物、化学式
【化１０】
0004741412.tif 000044
で表される化合物、化学式
【化１１】
0004741412.tif 000045
で表される化合物又は化学式
【化１２】
0004741412.tif 000046
で表される化合物であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関する。より詳細には、感光層及び表面保護層を順次積層した構成の電子写真用感光体に接触配置された帯電部材に電圧を印加することにより電子写真感光体を注入帯電する画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電子写真感光体における電子輸送材料として好適な式(２)の新規ナフタレンカルボン酸誘導体と、それを用いた、高感度の電子写真感光体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【化４】
0004741412.tif 000002
[式中、Ｘ、Ｚは、それぞれ独立に水素原子、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換のシクロアルキル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置換のアリール基からなる群より選ばれる基であって、Ｙは、置換または未置換のアルキレン基もしくは置換または未置換のシクロアルキレン基を表す。]
しかしながら、この電子写真感光体は、従来品よりも高感度としているが、感度に関する記載がなく、また５０００枚程度の耐久性を評価しているだけである。
【０００４】
また、光が透過する導電基体上に電荷注入層を有する感光層を設け、感光体に対向して感光体との間に現像ニップを形成するとともに現像ニップにて帯電、現像を行う磁気ブラシローラと、感光層を背面側から露光する露光手段とを備えた画像形成装置において、磁気ブラシローラに直流電圧と交流電圧とを重畳した電圧を印加して感光ドラム上の非画像部のトナーを現像スリーブに引き戻す画像形成装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
しかし、この画像形成装置は、ＯＰＣ感光体負帯電型で注入帯電には−２００Ｖの直流電圧と、周波数１８００Ｈｚ、ピーク間電圧２ｋＶの正弦波の交流電圧を重畳して用いる必要があり、正帯電は行なえない。
【０００６】
また、表面に１０９乃至１０１４Ω・ｃｍの電荷注入層を備えた被帯電体に接触する磁性粒子の磁気ブラシを備え、被帯電体を帯電する磁気ブラシ帯電器と、磁気ブラシ帯電器に電圧を印加する電圧印加手段、被帯電体を備える帯電回路中に接続された抵抗体と、を有する帯電装置において、磁性粒子の抵抗は１０６乃至１０９Ωｃｍであり、抵抗体は、磁気ブラシ帯電器単体の抵抗の０．５倍以上であって、かつ帯電回路の抵抗が１０７Ω以下となるような抵抗を備え、１５゜C、１０％から３３゜C、９０％の温湿度環境の変動に対して、抵抗体の抵抗変動は磁気ブラシ帯電器単体の抵抗変動よりも小さいことにより良好な環境安定性を具備させることで、磁気ブラシ部からの導電性磁性粒子の離脱を防止あるいは低減化して導電性磁性粒子の離脱による帯電性能の劣化を防止する帯電装置が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
しかし、この帯電装置は、表面に電荷注入層を設けたＯＰＣ感光体に対しては−７００Ｖの直流電圧での注入帯電の実施例のみだけであり、正帯電の実施例が無い。
【０００８】
また、電子写真感光体、接触帯電部材、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、電子写真感光体の表面層が、反応性アクリル基またはメタクリル基を有する硬化型アクリル系モノマーまたはオリゴマーが重合することにより形成される樹脂及び導電性粉体を含有し、かつ該導電性粉体が反応性アクリル基またはメタクリル基を有するカップリング剤により表面処理されており、かつ該帯電が注入帯電であることにより良好な注入帯電を行うことができ、優れた画像を得ることができ、かつ感光体の耐久寿命の十分長い電子写真装置が開示されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００９】
しかし、この電子写真装置は、帯電バイアス電源から−７００ＶのＤＣ電圧が印加され−６８０Vに注入帯電の実施例のみだけであり、正帯電の実施例が無い。
【００１０】
また、感光層の外側に電荷注入層を有する感光体ドラムに磁気ブラシを介して接触させた状態で低い電圧を印加して注入帯電するカラー画像形成装置において感光体ドラム上のトナー像を転写した後に残る転写残トナーは、各色のトナーごとにそれらに対応する現像装置で回収し、トナーのリサイクルを図るカラー画像形成装置が開示されている（例えば、特許文献５参照）。
【００１１】
しかし、このカラー画像形成装置は、表面保護層が水素を含有するダイヤモンド炭素構造もしくは非晶質カーボン構造であることにより高温高湿下での繰返使用時画像ボケが発生しやすく、また電荷注入帯電により−５００Ｖに帯電するため、オゾンが発生しやすい。
【００１２】
また、下記式（３）で示されるジフェノキノン化合物からなることを特徴とする電子写真感光体用電荷輸送剤が開示されている。
【００１３】
【化５】
0004741412.tif 000003
（式中、R1乃至R8は、水素原子，炭素数１乃至20のアルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アミノ基及びアルコキシ基から選ばれる１種又は２種以上であり、ただしR1乃至R8の全てが水素原子である場合を除く。）
しかし、この電子写真感光体用電荷輸送剤は、積層型電子写真用感光体の感度を正帯電で測定しているが感度が遅いなどの問題がある。
【特許文献１】特開２００５−１５４４０９号公報
【特許文献２】特開平６−２０２４１２号公報
【特許文献３】特許第３４９５８３９号
【特許文献４】特開平１１−９５４７４号公報
【特許文献５】特開２００１−１２５３７５号公報
【特許文献６】特許第２７１８０４８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
したがって、本発明は、上述した問題点を解決する画像形成装置を提供することを目的とする。より詳細には、感光層及び表面保護層を順次積層した構成の電子写真感光体に接触配置された帯電部材に電圧を印加することにより電子写真感光体を注入帯電する画像形成装置において、正帯電においても注入帯電可能で高感度、低残留電位の電子写真感光体を有する画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載の発明は、電子写真用感光体と、該電子写真感光体に接触配置される帯電部材に電圧を印加することにより該電子写真感光体を注入帯電させる帯電手段と、該注入帯電した電子写真感光体を露光して静電潜像を形成する露光手段と、該電子写真感光体に形成された静電潜像をトナーで現像してトナー像を形成する現像手段と、該電子写真感光体に形成されたトナー像を転写部材に転写する転写手段を有する画像形成装置であって、該電子写真用感光体は、導電性支持体上に感光層及び表面保護層が順次積層されており、該表面保護層は、導電性金属酸化物を含有し、該感光層及び／又は該表面保護層が電荷輸送材料を含有し、該電荷輸送材料は、化学式
【化１】
0004741412.tif 000004
で表される化合物、化学式
【化２】
0004741412.tif 000005
で表される化合物、化学式
【化３】
0004741412.tif 000006
で表される化合物、化学式
【化４】
0004741412.tif 000007
で表される化合物、化学式
【化５】
0004741412.tif 000008
で表される化合物又は化学式
【化６】
0004741412.tif 000009
で表される化合物であることを特徴とする。
【００１６】
請求項１に記載の発明によれば、正帯電においても注入帯電可能で高感度、低残留電位の電子写真感光体を有する画像形成装置を提供することができる。
【００２１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の画像形成装置において、前記帯電手段は、前記帯電部材に正の直流電圧を印加することにより前記電子写真感光体を注入帯電させることを特徴とする。
【００２２】
請求項２に記載の発明によれば、直流電圧のみで正に注入帯電可能な電子写真感光体を有する画像形成装置を提供することができる。
【００２３】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の画像形成装置において、前記導電性金属酸化物が酸化チタン系金属酸化物であることを特徴とする。
【００２４】
請求項３に記載の発明によれば、繰返使用において注入層表面の傷、画像ボケ、フィルミングの防止が可能な画像形成装置を提供することができる。
【００２５】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記帯電部材が磁性粒子からなる磁気ブラシであることを特徴とする。
【００２６】
請求項４に記載の発明によれば、クリーナーレスの画像形成装置を提供することができる。
【００２７】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記感光層が電荷発生層及び電荷輸送層からなることを特徴とする。
【００２８】
請求項５に記載の発明によれば、正帯電での繰返使用時、安定性に優れた電子写真感光体を有する画像形成装置を提供することができる。
【００２９】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記表面保護層は、体積抵抗が１×１０９Ω・ｃｍ乃至１×１０１２Ω・ｃｍであることを特徴とする。
【００３０】
請求項６に記載の発明によれば、画像ボケを防ぎ、帯電時電荷の注入不良による白ポチ画像の発生を防ぐことができる。
【００３１】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記感光層がチタニルフタロシアニンを含有することを特徴とする。
【００３２】
請求項７に記載の発明によれば、感度が高い感光層とすることができ、電子写真装置として小型化と高速化をより一層図ることができる。
【００３３】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の画像形成装置において、前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、２７．２゜に最大のピークを有することを特徴とする。
【００３４】
請求項８に記載の発明によれば、特に優れた感度特性を示すことができる。
【００３５】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の画像形成装置において、前記チタニルフタロシアニンは、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、９．４゜、９．６゜、２４．０゜にピークをさらに有し、７．３゜に最も低角側のピークをさらに有し、該７．３°のピークと該９．４゜のピークの間にピークを有さず、２６．３°にピークを有さないことを特徴とする。
【００３６】
請求項９に記載の発明によれば、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を有する画像形成装置を得ることができる。
【００３７】
請求項１０に記載の発明は、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記チタニルフタロシアニンは、平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であることを特徴とする。
【００３８】
請求項１０に記載の発明によれば、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができ、さらに地肌汚れ特性が著しく改善できる画像形成装置を得ることができる。
【００３９】
請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の画像形成装置において、前記現像手段が反転現像方式であることを特徴とする。
【００４０】
請求項１１に記載の発明によれば、地肌汚れの少ない画像形成装置を提供することができる。
【００４１】
請求項１２に記載の発明は、画像形成装置の本体に対して着脱可能であり、電子写真用感光体と、該電子写真感光体に接触配置される帯電部材に電圧を印加することにより該電子写真感光体を注入帯電させる帯電手段を有するプロセスカートリッジであって、該電子写真用感光体は、導電性支持体上に感光層及び表面保護層が順次積層されており、該表面保護層は、導電性金属酸化物を含有し、該感光層及び／又は該表面保護層が電荷輸送材料を含有し、該電荷輸送材料は、化学式
【化７】
0004741412.tif 000010
で表される化合物、化学式
【化８】
0004741412.tif 000011
で表される化合物、化学式
【化９】
0004741412.tif 000012
で表される化合物、化学式
【化１０】
0004741412.tif 000013
で表される化合物、化学式
【化１１】
0004741412.tif 000014
で表される化合物又は化学式
【化１２】
0004741412.tif 000015
で表される化合物であることを特徴とする。
【００４２】
請求項１２に記載の発明によれば、ユニットの小型化、取り付け、取り外しなどを簡便とすることが可能な画像形成装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば、感光層及び表面保護層を順次積層した構成の電子写真感光体に接触配置された帯電部材電圧を印加することにより電子写真感光体を注入帯電する画像形成装置において、電子写真感光体の表面保護層が、導電性金属酸化物を含有し、且つ感光層又は表面保護層が式（１）のナフタレンカルボン酸誘導体、もしくは式（１−２）のナフタレンカルボン酸誘導体を含有することによって、正帯電においても注入帯電可能で高感度、低残留電位の電子写真感光体を有する画像形成装置を提供することができる。さらにまた、感光層又は表面保護層が式（１）、もしくは式（１−２）のナフタレンカルボン酸誘導体に加えて、式（１−３）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体を含有することにより、さらに耐ガス性、耐摩耗性を有する画像形成装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、いわゆる当業者は特許請求の範囲内における本発明を変更・修正をして他の実施形態をなすことは容易であり、これらの変更・修正はこの特許請求の範囲に含まれるものであり、以下の説明はこの発明の最良の形態の例であって、この特許請求の範囲を限定するものではない。
【００４５】
以下、実施例により本発明を更に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４６】
本発明は、
（１）感光層及び表面保護層を順次積層した構成の電子写真感光体に接触配置された帯電部材電圧を印加することにより電子写真感光体を注入帯電する画像形成装置において、電子写真感光体の表面保護層が、導電性金属酸化物を含有し、且つ感光層又は表面保護層が式（１）のナフタレンカルボン酸誘導体を含有すること、
【００４７】
【化９】
0004741412.tif 000016
「式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。」
（２）導電性支持体上に少なくとも感光層及び表面保護層を順次積層した構成を持つ電子写真用感光体と、該電子写真感光体に接触配置される帯電部材とを有し、該帯電部材に電圧を印加することにより該電子写真感光体を注入帯電する画像形成装置において、該電子写真感光体の表面保護層が、導電性金属酸化物を含有し、且つ感光層又は表面保護層が式（１−２）のナフタレンカルボン酸誘導体を含有すること、
【００４８】
【化１０】
0004741412.tif 000017
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。）
（３）前記ナフタレンカルボン酸誘導体に加えて、さらに式（１−３）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体を含有すること、
【００４９】
【化１１】
0004741412.tif 000018
（式中、Ｒ１5、Ｒ16は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。）
（４）電子写真感光体を正の直流電圧のみで注入帯電させること、
（５）導電性金属酸化物が酸化チタン系金属酸化物であること、
（６）帯電部材が磁性粒子からなる磁気ブラシを備えた磁気ブラシ帯電器であること、
（７）感光層が電荷発生層、電荷輸送層からなる積層型電子写真感光体であること、
（８）電子写真感光体の表面保護層の体積抵抗が１０９乃至１０１２Ω・ｃｍであること、
（９）感光層に含有される電荷発生物質がチタニルフタロシアニンであること、
（１０）感光層に含有される電荷発生物質が、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンであること、
（１１）チタニルフタロシアニンが、ＣｕＫαの特性Ｘ線に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として少なくとも２７．２゜に最大回折ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、最も低角側の回折ピークとして７．３゜にピークを有し、該７．３°のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さず、更に２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン結晶であること、
（１２）チタニルフタロシアニンの平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であること、
（１３）現像手段が反転現像方式であること、
（１４）電子写真感光体、帯電手段、現像手段、クリーニング手段が一体に支持され装置本体に着脱自在できるプロセスカートリッジであること、
によって構成される。
【００５０】
以下、図面に沿って本発明を説明する。
【００５１】
図１は、本発明の電子写真装置の模式断面図である。
【００５２】
図中１１は本発明に用いる電子写真用感光体である。まず帯電装置１２により、感光体１１は、注入帯電する。感光体が帯電された後、イメージ露光１３を受け、露光された部分で、電荷が発生し、感光体表面に静電潜像が形成される。感光体表面に静電潜像を形成した後、現像ローラー１４を介して現像剤と接触し、トナー像を形成する。感光体表面に形成されたトナー像は、転写ローラー１６により紙などの転写部材１５へ転写され、定着ユニット１９を通過してハードコピーとなる。電子写真用感光体１１上の残留トナーはクリーニングユニット１７により除去され、残留電荷は除電ランプ１８で除かれて、次の電子写真サイクルに移る。本発明の電子写真装置は帯電部、現像部、クリーニング部等のユニットが、一体構成となっているプロセスカートリッジを構成していても良い。プロセスカートリッジにすることにより取り付け、取り外しなどが、簡便となる。
【００５３】
本画像形成方法及び感光体を用いる電子写真プロセスは、上記一例に限定されるものではなく、少なくとも、帯電及び露光により、静電潜像を形成するプロセスであれば、どのようなものであってもかまわない。特にこの画像形成方法では、トナーの転写効率を上げ、転写後残留するトナーを、クリーニングユニットを用いずに、帯電装置や現像装置で回収するクリーナーレスである方が、感光体に対し、機械的負荷が小さいため、望ましい。
【００５４】
次に本発明における帯電方法について、説明する。本発明の帯電方法は、放電現象を伴わない接触帯電方法である。つまり、接触帯電装置への印加電圧に対応した電位で感光体を帯電出来る電荷注入帯電方法である。この方法は、放電を伴わないために、オゾンや窒素酸化物発生が少なく、また感光体を帯電させるための印加電圧も、従来の接触帯電方法を用いたプロセスよりも更に低いため、省エネルギーである。
【００５５】
使用される感光体には、前述した最表層に電荷注入層の機能を有する表面保護層が設けられる。電荷注入層は、いわゆるコンデンサーの電極的役割を果たす。この電極に対して、導電性の接触帯電部材を当接させ、電圧を印加すると、電荷を注入することが可能となる。このような電荷注入層がない場合、感光体表面には、電極となりうるものがなく、十分な電荷注入が出来ない。
【００５６】
電荷注入層を感光層表面に設けることにより、電荷注入層下の感光層面に均一なチャージシートを形成することが可能となる。電荷注入層には接触帯電装置により印加された電荷を速やかに感光層表層に移動させ、均一なチャージシートを形成する特性が要求される。
【００５７】
均一なチャージシートを形成させるためには電荷注入層及び接触帯電装置双方に均一な接触性、ニップ、接触抵抗、部材の体積固有抵抗等の特性が必要であり、それらの特性を好適な範囲に設定する必要がある。
【００５８】
接触帯電方法としては図２に示すような方式例がある。
【００５９】
図２（Ｉ）は磁気ブラシ帯電方法、図２（ＩＩ）は(導電性)ブラシ帯電方法、図２（ＩＩＩ）は導電性のソフトローラーを使用したローラー帯電方法、図２（ＩＶ）は固定式（ブレード式）の帯電方法、図２（Ｖ）は２本のローラーを使用し導電性ベルトを使用したベルト式帯電方法である。
【００６０】
感光体を均一に放電を伴わずに帯電するためには、適正な印加電圧で感光体との必要なニップを確保し、感光体と帯電器の空隙を出来るだけ減らし、接触を出来る限り密にする必要がある。
【００６１】
図２（Ｉ）の磁気ブラシ帯電方法ではＳ、Ｎ極の磁石を交互に配置したマグネットローラーにアルミニウムやベークライトなどの非磁性材のスリーブを被覆し構成された磁性ローラーに２０乃至１５０μｍ程度の球形もしくはほぼ球形のフェライト、酸化マンガン、γ酸化第ＩＩ鉄などの磁性微粒子、もしくはそれらにポリエステル樹脂やフッ素樹脂などの流動性改善、保護層等を目的として被覆された磁性微粒子を１から５mm程度の厚さに吸引し、層形成されたものが使用される。
【００６２】
磁性微粒子の抵抗値は通常１０５Ω・ｃｍ乃至１０１０Ω・ｃｍの範囲のもので、抵抗の低い方が電荷注入性は良好である。１０６Ω・ｃｍ乃至１０９Ω・ｃｍが特に好ましい。磁気ブラシを使用することによって、クリーニングレスのプロセスを形成することも可能である。磁性微粒子の抵抗値が１０５Ω・ｃｍ未満では高温高湿下での画像流れ、１０１０Ω・ｃｍを超えると低温低湿下での白抜けが発生しやすい。
【００６３】
図２（ＩＩ）の導電性ブラシ帯電法はレーヨン、アクリル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアクリルニトリル等の繊維をカーボンや硫化銅等で導電処理したり、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタンなどの導電性フィラーを練り込んだ繊維と紡糸したり、さらには金属糸を編み込んだりした部材を用いブラシ状化される。
【００６４】
また、繊維を不活性ガス雰囲気中で焼成した炭素繊維や活性炭素繊維等も使用できる。
【００６５】
接触帯電装置の部材の抵抗は１０２Ω・cm乃至１０１０Ω・ｃｍの範囲のものが好ましい。
【００６６】
炭素繊維や活性炭素繊維は焼成温度で堆積固有抵抗を自由に変化させることが可能である。炭素成分が９０％以上にも成ると、抵抗が１０２Ω・cm程度と極めて低くなる。したがって、感光体にピンホールがある場合には放電破壊の危険性があるが、低い電圧で使用する場合には問題ない。通常は１００ＫΩ乃至５ＭΩ程度の保護抵抗を電圧供給源との間に直列に挿入して使用する。
【００６７】
図２（ＩＩＩ）の（ソフト）ローラー帯電法は感光体とのニップを稼ぐのと、感光体との密着性を良好にする為に好適である。ソフトローラーの材質は軟質性のゴムやソフトフォーム（ウレタン系のスポンジやフォームなど）等が使用され、表層もしくは層全体に導電処理が施される。導電処理材としてはＳｎＯ２やＴｉＯ２、ＺｎＯ２、カーボンブラックなどの導電性フィラー、炭素繊維、活性炭素繊維などの導電性繊維などがある。
【００６８】
図２（ＩＶ）の固定式（ブレード式）の帯電方法は感光体を摺擦するような形式で帯電する方法で、前述した部材は殆ど使用可能である。
【００６９】
構成としては、例えば、スポンジやフォームのような弾性部材に帯電部材として織り目の細かい炭素繊維や活性炭素繊維（ユニチカ、東邦レーヨン、同ベスロン等で制作、東邦レーヨンの例ではＦＷ２１０や同３１０など）を被覆するような形として、感光体に当接させ帯電を行なう。
【００７０】
図２（Ｖ）のベルト式帯電装置は感光体とのニップを稼ぐのに良好な手段である。使用できる材料は、導電性ブラシ帯電方法、ローラー帯電方法で説明したような部材が使用できる。
【００７１】
感光体との接触に必要なニップは幅広いほど好ましいが、通常は３ｍｍ乃至１０ｍｍ程度以上あれば良く、感光体に均等に、均一に接触するようにするのが望ましい。
【００７２】
以上述べた各種部材を帯電部材として使用した場合の体積固有抵抗は１０２Ω・ｃｍ乃至１０１０Ω・ｃｍが望ましく、好ましくは１０８Ω・ｃｍ以下がよい。抵抗が高い程、電荷注入性が低下する。低すぎる場合には、電荷注入性は問題ないが、感光体にピンホールが有った場合に、電源ブレークや画像上に横黒筋が発生する危険性がある。通常は感光体の帯電々位は５００乃至９００Ｖ程度であるため、放電破壊に対する危険性は小さく、オゾンが発生したとしても極めて少ないため、実用上の影響は小さい。
【００７３】
本発明の感光体は、電荷注入帯電方法を含む一般的な電子写真プロセスに用いることが出来る。
【００７４】
次に本発明の電子写真用感光体の詳細を説明する。
図３乃至図５は本発明の電子写真用感光体の模式断面図であり、図３は導電性基体上に感光層、表面保護層を設けた構成のもの、図４、５は各々本発明のおける他の電子写真用感光体の構成例を示すものであり、図４は感光層が電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）より構成される機能分離型タイプのもの、図５は導電性基体と機能分離型タイプの感光層のＣＧＬ、ＣＴＬの間に下引き層を入れたものである。なお、導電性支持体上に感光層と表面保護層を少なくとも有していれば、上記のその他の層、及び感光層のタイプは任意に組み合わされていても構わない。
【００７５】
表面保護層は、酸化スズ、酸化チタン、TiO、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アンチモン、表面を導電処理した酸化チタン等の導電性金属酸化物とポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリアクリルアミド等の熱可塑性樹脂、又はフェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アルキッド樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラ−ル、ポリビニルホルマ−ル、ポリアクリレ−ト、フェノキシ樹脂等の熱硬化性樹脂及び式（１）のナフタレンカルボン酸誘導体、もしくは式（１−２）のナフタレンカルボン酸誘導体から構成される。導電性金属酸化物の粒径は、０．３μｍ乃至１μｍが好ましい。透光性の観点から０．３μｍ以下が好ましいが、トナーフィルミング、画像流れが発生しやすい。１μｍ以上では電荷注入としての均一性が得られず、画像のガサツキが生ずる。表面を導電処理した酸化チタンとしては酸化スズ系導電層を処理した白色導電性酸化チタン(ET-500W;石原産業製)、また、酸化スズ、酸化アンチモンで導電処理した酸化スズ(SN-100;石原産業製)が挙げられる。
【００７６】
【化１２】
0004741412.tif 000019
「式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表す。」
式（１）において置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数１乃至２５、好ましくは炭素数１乃至１０の炭素原子を有するアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基といった直鎖状のもの、ｉ―プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メチルプロピル基、ジメチルプロピル基、エチルプロピル基、ジエチルプロピル基、メチルブチル基、ジメチルブチル基、メチルペンチル基、ジメチルペンチル基、メチルヘキシル基、ジメチルヘキシル基等の分岐状のもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルキルカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基で置換されたアルキル基、シアノ基で置換されたアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたアルキル基に含まれる。
【００７７】
置換又は無置換のシクロアルキル基としては、炭素数３乃至２５、好ましくは炭素数３乃至１０の炭素原子を有するシクロアルキル環、具体的には、シクロプロパンからシクロデカンまでの同属環、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、テトラメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン等のアルキル置換基を有するもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等で置換されたシクロアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のシクロアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたシクロアルキル基に含まれる。
【００７８】
置換または無置換のアラルキル基としては、上述の置換または無置換のアルキル基に芳香族環が置換した基が挙げられ、炭素数６乃至１４のアラルキル基が好ましい。より具体的には、ベンジル基、ペルフルオロフェニルエチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、ターフェニルエチル基、ジメチルフェニルエチル基、ジエチルフェニルエチル基、ｔ−ブチルフェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、４−フェニルブチル基、５−フェニルペンチル基、６−フェニルヘキシル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などが例示できる。
【００７９】
式（１）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体の製造方法としては、以下の方法が例示できる。
【００８０】
ナフタレンカルボン酸若しくはその無水物をアミン類と反応させ、モノイミド化する方法、ナフタレンカルボン酸若しくはその無水物を緩衝液によりpＨ調整してジアミン類と反応させる方法等により得られる。モノイミド化は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限はないが、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロナフタレン、酢酸、ピリジン、メチルピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルエチレンウレア、ジメチルスルホキサイド等原料や生成物と反応せず５０℃乃至２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。pH調整には水酸化リチウム、水酸化カリウム等の塩基性水溶液をリン酸等の酸との混合により作製した緩衝液を用いる。カルボン酸とアミン類やジアミン類とを反応させて得られたカルボン酸誘導体脱水反応は無溶媒、若しくは溶媒存在下でおこなう。溶媒としては特に制限は無いがベンゼン、トルエン、クロロナフタレン、ブロモナフタレン、無水酢酸等原料や生成物と反応せず５０℃乃至２５０℃の温度で反応させられるものを用いるとよい。いずれの反応も、無触媒若しくは触媒存在下でおこなってよく、特に限定されないが例えばモレキュラーシーブスやベンゼンスルホン酸やp-トルエンスルホン酸等を脱水剤として用いることが例示できる。
【００８１】
更に具体的には、式（４）乃至式（９）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体が、画像が高品質である点で好ましい。
【００８２】
【化１３】
0004741412.tif 000020
【００８３】
【化１４】
0004741412.tif 000021
【００８４】
【化１５】
0004741412.tif 000022
【００８５】
【化１６】
0004741412.tif 000023
【００８６】
【化１７】
0004741412.tif 000024
【００８７】
【化１８】
0004741412.tif 000025
なお、式（４）乃至（９）中、Ｍｅはメチル基を示す。
【００８８】
【化１９】
0004741412.tif 000026
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、水酸基、置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のシクロアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基からなる群より選ばれる基を表し、ｎは繰り返し単位であり、１から１００までの整数を表す。）
該置換又は無置換のアルキル基としては、炭素数１〜２５、好ましくは炭素数１〜１０の炭素原子を有するアルキル基、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基といった直鎖状のもの、ｉ―プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メチルプロピル基、ジメチルプロピル基、エチルプロピル基、ジエチルプロピル基、メチルブチル基、ジメチルブチル基、メチルペンチル基、ジメチルペンチル基、メチルヘキシル基、ジメチルヘキシル基等の分岐状のもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルキルカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、エステル化されていてもよいカルボキシル基で置換されたアルキル基、シアノ基で置換されたアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたアルキル基に含まれる。
【００８９】
該置換又は無置換のシクロアルキル基としては、炭素数３〜２５、好ましくは炭素数３〜１０の炭素原子を有するシクロアルキル環、具体的には、シクロプロパンからシクロデカンまでの同属環、メチルシクロペンタン、ジメチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、テトラメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサン等のアルキル置換基を有するもの、アルコキシアルキル基、モノアルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、カルボキシアルキル基、アルカノイルオキシアルキル基、アミノアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、エステル化されていてもよいカルボキシル基、シアノ基等で置換されたシクロアルキル基等が例示できる。なお、これらの置換基の置換位置については特に限定されず、上記置換又は無置換のシクロアルキル基の炭素原子の一部がヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）に置換された基も置換されたシクロアルキル基に含まれる。
【００９０】
該置換または無置換のアラルキル基としては、上述の置換または無置換のアルキル基に芳香族環が置換した基が挙げられ、炭素数６〜１４のアラルキル基が好ましい。より具体的には、ベンジル基、ペルフルオロフェニルエチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、ターフェニルエチル基、ジメチルフェニルエチル基、ジエチルフェニルエチル基、ｔ−ブチルフェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、４−フェニルブチル基、５−フェニルペンチル基、６−フェニルヘキシル基、ベンズヒドリル基、トリチル基などが例示できる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
【００９１】
式（１−２）で表わされるナフタレンカルボン酸誘導体（電荷輸送物質）の製造方法としては、下記の２通りの合成方法によって例示できる。
【００９２】
【化２０】
0004741412.tif 000027
一般式（１−２）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体（電荷輸送物質）の繰り返し単位ｎは１から１００の整数である。
【００９３】
繰り返し単位ｎは、重量平均分子量（Ｍｗ）から求められる。すなわち化合物は分子量に分布をもった状態で存在する。ｎが１００をこえると化合物の分子量が大きくなり、各種溶媒に対する溶解性が落ちるため、１００以下が好ましい。
【００９４】
一方例えばｎが１の場合はナフタレンカルボン酸の三量体であるが、Ｒ１、Ｒ２の置換基を適切に選択することにより、オリゴマーでも優れた電子移動特性が得られる。このように繰り返し単位ｎの数により、オリゴマーからポリマーまで幅広い範囲のナフタレンカルボン酸誘導体が合成される。
【００９５】
オリゴマー領域の分子量が小さい範囲では、段階的に合成することで、単分散の化合物を得ることができる。分子量が大きい化合物の場合は、分子量に分布をもった化合物が得られる。
【００９６】
更に具体的には式（１−２）で表される電荷輸送物質としては具体的に以下の化合物が例示できる。
【００９７】
【化２１】
0004741412.tif 000028
【００９８】
【化２２】
0004741412.tif 000029
【００９９】
【化２３】
0004741412.tif 000030
（ただし、いずれも式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
本発明の表面保護層の体積抵抗は、１０９乃至１０１２Ω・ｃｍであることが望ましい。１０９Ω・ｃｍ以下では画像ボケ、１０１２Ω・ｃｍ以上では帯電持電荷の注入不良による白ポチ画像が発生する。導電性微粒子の含有量は、１０乃至８０重量％の範囲が好ましい。電荷注入層においては、導電性微粒子の分散性向上、接着性あるいは平滑性の向上を目的として、種々の添加剤を加えることができる。特に、分散性の向上に関して、カップリング剤の添加あるいはレベリング剤により導電性微粒子の表面処理を行なうことが非常に有効である。また同様に、分散性の向上の点よりバインダー樹脂として硬化型樹脂を用いると更に特性が向上する。硬化型樹脂を電荷注入層に用いる場合には、導電性微粒子を硬化型モノマーまたはオリゴマーの溶液中に分散した塗工液を感光層上に塗布、成膜後、熱または光照射によって該塗布膜を硬化させて電荷注入層とする。表面保護層の膜厚は、０．５乃至１０μｍであることが望ましい。
【０１００】
感光層が電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）より構成される機能分離型の場合、電荷輸送層は電荷輸送材料として、式（１）、もしくは式（１−２）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体からなる電荷輸送成分とバインダー成分を主成分とする混合物又は共重合体を適当な溶剤に溶解又は分散し、これを塗布、乾燥することにより形成する。
【０１０１】
また本発明では式（１−３）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体を、前記式（１）、もしくは式（１−２）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体に併用して添加することもできる。
【０１０２】
式（１−３）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体は具体的に以下の化合物が例示できる。
【０１０３】
【化２４】
0004741412.tif 000031
（ただし、式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
【０１０４】
【化２５】
0004741412.tif 000032
（ただし、式中、両端の末端基はＭｅ（メチル基）を表す。）
これらの電荷輸送物質の添加量としては特に限定されるものではないが、好ましくは電荷輸送物質全体量に対して１％から５０％程度であり、より好ましくは５％〜３０％である。添加量が１％未満であると膜質改善が軽微で明確な効果が見られず、５０％以上となると電荷輸送能がやや低下する傾向がみられる場合があるからである。
【０１０５】
本発明では、前記式（１−３）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体以外にも、公知の電荷輸送材料、即ち電子輸送材料（アクセプター）、正孔輸送材料（ドナー）を式（１）、もしくは式（１−２）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体に併用することもできる。併用できる電荷輸送物質には電子輸送物質と正孔輸送物質とがある。電子輸送物質としては、例えばクロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ〔１，２−ｂ〕チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げられる。  これらの電子輸送物質は、単独でも２種以上の混合物として用いてもよい。
【０１０６】
電荷輸送層のバインダー成分として用いることのできる高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、ポリエチレン、スチレン／アクリロニトリル共重合体、スチレン／ブタジエン共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重合体、、エチレン／酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
これらの高分子化合物は、単独又は２種以上の混合物として、或いはそれらの原料モノマー２種以上からなる共重合体として、更には、電荷輸送物質と共重合化して用いることができる。
電荷輸送物質の添加量は樹脂成分１００重量部に対して４０乃至２００重量部、好ましくは７０乃至１５０重量部程度が適当である。
【０１０８】
高感度化を満足させるには、電荷輸送成分の配合量を、樹脂成分１００重量部に対して７０重量部以上とすることが好ましい。
【０１０９】
電荷輸送層塗工液を調製する際に使用できる分散溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類等を挙げることができる。これらの溶媒は単独としてまたは混合して用いることができる。
【０１１０】
また、必要により、電荷輸送層中に後述する酸化防止剤、可塑剤、滑剤、紫外線吸収剤などの低分子化合物およびレベリング剤を添加することもできる。これらの化合物は単独または２種以上の混合物として用いることができる。低分子化合物の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．１乃至５０重量部、好ましくは、０．１乃至２０重量部、レベリング剤の使用量は、高分子化合物１００重量部に対して０．００１乃至５重量部程度が適当である。
【０１１１】
レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル等のシリコーンオイル類や、測鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用される。塗工方法としては浸漬法、スプレー塗工法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が採用される。特に、塗工時におけるフィラーの凝集を防止することが容易であるスプレー塗工が好適である。
【０１１２】
電荷輸送層の膜厚は、１５乃至５０μｍ程度が適当であり、好ましくは１５乃至３５μm程度、解像力が要求される場合、２５μｍ以下が適当である。
【０１１３】
電荷発生層は電荷発生物質を主成分とする層で、必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。本発明に用いられる電荷発生物質としては、特に限定されるものではないがフタロシアニン系の顔料が本件発明に必要な諸特性の面から特に好ましい。
【０１１４】
その中でも前述のように特に中心金属としてチタンを有するチタニルフタロシアニンであることによって、特に感度が高い感光層とすることが出来、電子写真装置として小型化と高速化をよりいっそうはかることが可能となる。さらに各種の結晶形のうち、ブラッグ角２θの２７．２°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニンが特に優れた感度特性を示し、良好に使用される。特に、特開２００１−１９８７１号公報に記載されている２７．２°に最大回析ピークを有し、更に９．４゜、９．６゜、２４．０゜に主要なピークを有し、かつ最も低角側の回析ピークとして７．３°にピークを有し、該７．３゜のピークと９．４゜のピークの間にピークを有さないチタニルフタロシアニンを用いることで、高感度を失うことなく、繰り返し使用しても帯電性の低下を生じない安定した電子写真感光体を得ることができる。
【０１１５】
加えて平均粒子サイズが０．６０μｍ以下であるチタニルフタロシアニン結晶であることによって、高感度を失うことなく繰り返し使用によっても帯電性の低下を生じない安定な電子写真感光体を得ることができ、さらに地肌汚れ特性が著しく改善できる。
【０１１６】
電荷発生層に必要に応じて用いられるバインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、ポリアリレート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げられる。
【０１１７】
これらのバインダー樹脂は、単独でも２種以上の混合物として用いてもよい。
【０１１８】
また、電荷発生層のバインダー樹脂として、高分子電荷輸送物質を用いることが出来る。更に、必要に応じて電荷輸送物質、シリコーンオイル等のレベリング剤を添加してもよい。
【０１１９】
電荷発生層を形成する方法としては、溶液分散系からのキャスティング法が好ましい。キャスティング法によって電荷発生層を設けるには、上述した電荷発生物質を、必要ならばバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ブタノンなどの溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して塗布すればよい。塗布は、浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法などにより行うことが出来る。
【０１２０】
以上のようにして設けられる電荷発生層の膜厚は、通常は０．０１μｍ乃至５μｍ、好ましくは０．１μｍ乃至２μｍである。
【０１２１】
下引層は支持体側からの電荷注入防止、接着性を向上する、モアレなどを防止する、上層の塗工性を改良する、残留電位を低減するなどの目的で設けられる。下引き層は樹脂を主成分とし、必要に応じて酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物、あるいは金属硫化物、金属窒化物などの微粉末を単独もしくは二種類以上を適宜選択して加える。特に高純度の酸化チタンが好ましい。
【０１２２】
また、必要に応じて電子輸送材、正孔輸送材を添加しても良い。下引層に用いる樹脂としてはその上の感光層が溶剤を用いて塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶解性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリアミド、ポリエステル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等の熱可塑性樹脂があり、また熱硬化性樹脂、例えば、活性水素（−ＯＨ基、−ＮＨ2基、−ＮＨ基等の水素）を複数個含有する化合物とイソシアネート基を複数個含有する化合物及び／またはエポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させた熱硬化性樹脂等も使用できる。活性水素を複数個含有する化合物としては、例えばポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ヒドロキシエチルメタアクリレート基等の活性水素を含有するアクリル系樹脂等が挙げられる。イソシアネート基を複数個含有する化合物としては、例えばトリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等とこれらのプレポリマー等が挙げられ、エポキシ基を複数有する化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１２３】
また、オイルフリーアルキド樹脂とアミノ樹脂例えばブチル化メラミン樹脂等を熱重合させた熱硬化性樹脂、さらにまた不飽和結合を有するポリウレタン、不飽和ポリエステル等の不飽和結合を有する樹脂と、チオキサントン系化合物、メチルベンジルフォルメート等の光重合開始剤との組合せ等の光硬化性樹脂も結着剤樹脂として使用できる。これらの樹脂は単独または２種類以上混合して用いられる。又、これらの樹脂は適当な溶剤に溶解して用いられる。金属酸化粉末を用いる時は、溶剤と結着剤樹脂と共に常法により、例えば、ボールミル、サンドミル、アトライター等により分散して用いることができる。導電性基体上への下引き層の形成は、ロールコート法、浸漬塗工法、スプレーコート法、ノズルコート法、ブレード塗工法等により成膜される。塗布後は乾燥や加熱、光等の硬化処理により乾燥あるいは硬化される。下引き層の膜厚さは０．１乃至３０μｍ、好ましくは０．２乃至１０μｍとするのが適当である。また、下引き層に金属酸化物を加える時は結着剤樹脂に対して容量比で０．５／１乃至３／１の範囲が好ましい。
【０１２４】
本発明の電子写真用感光体に使用される導電性支持体としては、体積抵抗１０１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金、鉄などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの酸化物を、蒸着又はスパッタリングによりフィルム状又は円筒状のプラスチック、紙などに被覆したもの、或いはアルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレスなどの板、及び、それらを、Ｄｒａｗｉｎｇ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｉｍｐａｃｔ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｉｒｏｎｉｎｇ法、Ｅｘｔｒｕｄｅｄ  Ｄｒａｗｉｎｇ法、切削法等の工法により素管化後、切削、超仕上げ、研磨などにより表面処理した管などを使用することが出来る。
【０１２５】
感光層が単層型の場合、電荷輸送物質に用いる電子輸送物質としては、式（１）、もしくは式（１−２）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体を電荷輸送材料として用いることが必須であるが、これに加えて前述のような公知の電子輸送物質（アクセプター）、正孔輸送物質（ドナー）を本発明の目的を損なわない範囲で併用することも例示できる。
【０１２６】
電荷輸送物質の添加量はバインダー樹脂成分１００重量部に対して４０乃至２００重量部、好ましくは感度が高い感光体が得られるという点で７０乃至１５０重量部であることが例示できる。
【０１２７】
単層型感光層の膜厚は、１５乃至４０μｍ程度が適当であり、好ましくは１５乃至３０μm程度、解像力が要求される場合、２５μｍ以下が好ましい。
【０１２８】
単層型感光層の塗工方法としては浸漬法、スプレー塗工法、リングコート法、ロールコータ法、グラビア塗工法、ノズルコート法、スクリーン印刷法等が例示でき、特に、塗工時におけるフィラーの凝集を防止することが容易であるスプレー塗工が好ましい。
【実施例】
【０１２９】
以下に合成例、実施例を示す。
【０１３０】
（合成例１）式（４）のナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン2.14ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ａ 2.14ｇ（収率31.5％）を得た。
【０１３１】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ａ 2.0ｇ（5.47ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物0.137ｇ（2.73ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（４）で表される化合物 0.668ｇ（収率33.7％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７２６のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．４１％、水素５．２７％、窒素７．７１％に対し、実測値で炭素６９．５２％、水素５．０９％、窒素７．９３％あった。
【０１３２】
（合成例２）式（５）のナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物10ｇ（37.3ｍｍｏｌ）とヒドラジン一水和物0.931ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸２０ｍｇ、トルエン１００ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、二量体Ｃ 2.84g（収率28.7％）を得た。
【０１３３】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、二両体Ｃ 2.5g（4.67ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ３０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン0.278ｇ（4.67ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｃ 0.556ｇ（収率38.5％）を得た。
【０１３４】
第三工程
５０ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｃ 0.50ｇ（1.62ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン0.186ｇ（1.62ｍｍｏｌ）とＤＭＦ５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、上記式（５）で表される化合物0.243ｇ（収率22.4％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６７０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６８．０５％、水素４．５１％、窒素８．３５％に対し、実測値で炭素６８．２９％、水素４．７２％、窒素８．３３％あった。
【０１３５】
（合成例３）式（６）のナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノプロパン1.10ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体Ｂ 2.08ｇ（収率36.1％）を得た。
【０１３６】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｂ 2.0ｇ（6.47ｍｍｏｌ）と、ヒドラジン一水和物0.162ｇ（3.23ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（６）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体0.810ｇ（収率37.4％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝６１４のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６６．４５％、水素３．６１％、窒素９．１２％に対し、実測値で炭素６６．２８％、水素３．４５％、窒素９．３３％あった。
【０１３７】
（合成例４）式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、上述した二量体Ｃ 5.0g（9.39ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン  1.08ｇ（9.39ｍｍｏｌ）ＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｄ  1.66ｇ（収率28.1％）を得た。
【０１３８】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｄ 1.5ｇ（2.38ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノオクタン0.308ｇ（2.38ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、式（７）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体0.328ｇ（収率18.6％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７４０のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素６９．７２％、水素５．４４％、窒素７．５６％に対し、実測値で炭素６９．５５％、水素５．２６％、窒素７．３３％あった。
【０１３９】
（合成例５）式（８）のナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、上述した二量体Ｃ 5.0g（9.39ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノヘプタン  1.08ｇ（9.39ｍｍｏｌ）ＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、モノイミド体Ｄ  1.66ｇ（収率28.1％）を得た。
【０１４０】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体Ｄ 1.5ｇ（2.38ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、6−アミノウンデカン0.408ｇ（2.38ｍｍｏｌ）とＤＭＦ１０ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、反応容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、上述した式（８）で表される電子輸送物質  0.276ｇ（収率14.8％）を得た。質量分析（ＦＤ−ＭＳ）において、Ｍ／ｚ＝７８２のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素７０．５７％、水素５．９２％、窒素７．１６％に対し、実測値で炭素７０．７７％、水素６．１１％、窒素７．０２％あった。
【０１４１】
（合成例６） 式（１−２Ａ）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体
第一工程
２００ｍｌ４つ口フラスコに、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.0ｇ（18.6ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ５０ｍｌを入れ、加熱還流させた。これに、2−アミノペンタン1.62ｇ（18.6ｍｍｏｌ）とＤＭＦ２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣にトルエンを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に回収品をトルエン／ヘキサンにより再結晶し、モノイミド体E 3.49ｇ（収率45.8％）を得た。
【０１４２】
第二工程
１００ｍｌ４つ口フラスコに、モノイミド体E 3.0ｇ（7.33ｍｍｏｌ）と、1,4,5,8―ナフタレンテトラカルボン酸二無水物0.983ｇ（3.66ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物0.368ｇ（7.33ｍｍｏｌ）、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇ、トルエン５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて2回精製した。更に回収品をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、式（１−２Ａ）で表される化合物 0.939ｇ（収率13.7％）を得た。
【０１４３】
質量分析（FD-MS）において、M/z＝934のピークが観測されたことにより目的物であると同定した。元素分析は計算値、炭素66.81％、水素3.67％、窒素8.99％に対し、実測値で炭素66.92％、水素3.74％、窒素9.05％であった。
【０１４４】
（実施例１）
下記組成の混合物をボールミルポットに取りφ10mmアルミナボールを使用し１２０時間ボールミリングした。
酸化チタン（CR-60：石原産業製）                                                500g
アルキッド樹脂（ベッコライトM6401-50大日本インキ化学工業製；固形分50wt%）    150g
メラミン樹脂（スーパーベッカミンL-121-60大日本インキ化学工業製；固形分60wt%） 83g
メチルエチルケトン（関東化学製）                                              317g
この塗布液をφ３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍのアルミニウムドラム上に浸漬塗布し、135゜Cで20分間乾燥して、膜厚4.5μmの下引き層を形成した。
【０１４５】
続いて、
無金属フタロシアンン顔料（大日本インキ工業株式会社：Fastogen Blue8120B）  １４0g
ポリビニルブチラール（積水化学製：BX-1）                                    ９0g
シクロヘキサノン                                                           2700g
これらをビーズミル分散機（メディアとしてφ０．５mmのＰＳＺボールを使用）にて４０分間分散して電荷発生層用塗工液を調整した。この塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、130℃で20分間乾燥し、厚さ0.15μmの電荷発生層を形成した。
【０１４６】
次に下記組成の電荷輸送層塗工液を調整し、この塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、120℃で20分間乾燥し、厚さ22μmの電荷輸送層を形成した。
電荷輸送材料として式（７）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体（リコー製）  90g
ポリカーボネート樹脂(Zポリカ、粘度平均分子量；4.0万、帝人化成社製)       100g
シリコーンオイル（KF−50、信越化学製）                                   0.02g
テトラヒドロフラン（関東化学製）                                         1200g
さらに、
白色導電化酸化チタン（ET-500W；石原産業製）        18.2g
電荷輸送材料として式（７）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体（リコー製）  3g
ポリビニルブチーラール樹脂（XYHL；UCC製）          7.8g
シクロヘキサノン（関東化学製）                    122.2g
からなる混合物をボールミルポットに取りφ10mmSUSボールを使用し48時間ボールミリングした後、ミリング液を取り出しトルエン-2,4-ジイソシアネートの１０％シクロヘキサノン溶液10.2g、シクロヘキサノン（関東化学製）171.1g、メエチルエチルケトン（関東化学製）114.1gを加え混合攪拌して表面保護層塗布液を調整した。この塗布液を前記電荷輸送層上にスプレー塗布し130℃で15分間乾燥し、厚さ2μmの表面保護層を形成して電子写真感光体を作製した。
【０１４７】
（実施例2）
実施例１において電荷発生材料をＸ型無金属フタロシアニン(Fastogen Blue8120B)に代えて下記顔料合成例１に従って作製したチタニルフタロシアニンを用いた以外は実施例１と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１４８】
（顔料合成例１）
特開２００１−１９８７１号公報に準じて、顔料を作製した。すなわち、１，３−ジイミノイソインドリン２９．２ｇとスルホラン２００ｍｌを混合し、窒素気流下でチタニウムテトラブトキシド２０．４ｇを滴下する。滴下終了後、徐々に１８０℃まで昇温し、反応温度を１７０℃乃至１８０℃の間に保ちながら５時間撹拌して反応を行なった。反応終了後、放冷した後析出物を濾過し、クロロホルムで粉体が青色になるまで洗浄し、つぎにメタノールで数回洗浄し、さらに８０℃の熱水で数回洗浄した後乾燥し、粗チタニルフタロシアニンを得た。粗チタニルフタロシアニンを２０倍量の濃硫酸に溶解し、１００倍量の氷水に撹拌しながら滴下し、析出した結晶を濾過、ついで洗浄液が中性になるまで水洗いを繰り返し（洗浄後のイオン交換水のｐＨ値は６．８であった）、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキ（水ペースト）を得た。得られたこのウェットケーキ（水ペースト）４０ｇをテトラヒドロフラン２００ｇに投入し、４時間攪拌を行なった後、濾過を行ない、乾燥して、チタニルフタロシアニン粉末を得た。これを顔料１とする。
【０１４９】
上記ウェットケーキの固形分濃度は、１５ｗｔ％であった。結晶変換溶媒のウェットケーキに対する重量比は３３倍である。尚、合成例１の原材料には、ハロゲン化物を使用していない。
【０１５０】
得られたチタニルフタロシアニン粉末を、下記の条件によりＸ線回折スペクトル測定したところ、Ｃｕ−Ｋαの特性Ｘ線（波長１．５４２Å）に対するブラッグ角２θが２７．２±０．２°に最大ピークと最低角７．３±０．２°にピークを有し、かつ７．３°のピークと９．４°のピークの間にピークを有さず、かつ２６．３°にピークを有さないチタニルフタロシアニン粉末を得られた。その結果を図６に示す。
【０１５１】
（Ｘ線回折スペクトル測定条件）
Ｘ線管球：Ｃｕ
電圧：５０ｋＶ
電流：３０ｍＡ
走査速度：２°／分
走査範囲：３°乃至４０°
時定数：２秒
なお、このチタニルフタロシアニンを用いた電荷発生層用塗工液中での平均粒子サイズを堀場製作所製CAPA-700で測定したところ０．３１μｍであった。
【０１５２】
（実施例3）
実施例２において電荷輸送層、表面保護層に電荷輸送材料として用いた式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体を式（４）のナフタレンカルボン酸誘導体(リコー製)に変えた以外は実施例２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
（実施例4）
実施例２において表面保護層の調整に用いた酸化チタンを酸化スズ（SN-100；石原産業製）に変えた以外は実施例２と全く同様にして表面保護層塗布液を調整した。この塗布液を前記電荷輸送層上にスプレー塗布し130℃で15分間乾燥し、厚さ3.0μmの表面保護層を形成して電子写真感光体を作製した。
【０１５３】
（実施例５）
実施例２において表面保護層に電荷輸送材料として用いた式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体を除いた以外は実施例２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５４】
（参考例６）
実施例２において電荷輸送層、表面保護層に電荷輸送材料として用いた式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体を式（１−２Ａ）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体に変えた以外は実施例２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５５】
（実施例７）
実施例２において電荷輸送層に電荷輸送材料として用いた式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体を90ｇから71.8ｇに変更し、式（１−３Ａ）であらわされるナフタレンカルボン酸誘導体を18.2g加え、さらに表面保護層に電荷輸送材料として用いた式（７）のナフタレンカルボン酸誘導体を3gから2.4ｇに変更し、式（１−３Ａ）で表されるナフタレンカルボン酸誘導体を0.6g加えた以外は実施例２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５６】
（比較例1）
実施例２において電荷輸送層、表面保護層に用いた電荷輸送物質式(７)を下記式（１０）の電荷輸送物質(リコー製)に変えた以外は実施例２と全く同様にして電子写真感光体を作製した。
【０１５７】
【化２６】
0004741412.tif 000033
このようにして作成した実施例1の電子写真感光体をソフトローラー帯電の反転現像方式デジタル複写機イマジオＭＦ２５０（リコー製；高圧電源をプラス帯電用に改造）に取り付け約２万枚のコピー（画像密度５％）を行い、画像濃度、画像ボケ、地肌汚れ等の画像品質、及び感光体表面の傷、フィルミング等を目視で評価した。高圧電源は表面電位が＋５００Ｖとなるように印加電圧を設定し、試験終了に至るまでこの帯電条件で試験を実施した。また、現像バイアスは＋３５０Ｖに設定し、トナーは極性制御材を変更して正帯電トナーとした。
【０１５８】
実施例２乃至５、７、参考例６、比較例１の電子写真感光体は帯電ローラーを図２（Ｉ）に示す磁気ブラシ帯電部材に変更した以外実施例１と全く同様にして約２万枚のコピー（画像密度５％）、感光体への注入帯電性の評価を行った。
【０１５９】
これらの結果を表１に示す。
【０１６０】
【表１】
0004741412.tif 000034
以上、本発明の実施例を具体的に説明してきたが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではなく、これら本発明の実施例を、本発明の主旨及び範囲を逸脱することなく、変更又は変形することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の電子写真装置の模式断面図である。
【図２】図２（Ｉ）は磁気ブラシ帯電方法、図２（ＩＩ）は(導電性)ブラシ帯電方法、図２（ＩＩＩ）は導電性のソフトローラーを使用したローラー帯電方法、図２（ＩＶ）は固定式（ブレード式）の帯電方法、図２（Ｖ）は２本のローラーを使用し導電性ベルトを使用したベルト式帯電方法を示す図である。
【図３】導電性基体上に感光層、表面保護層を設けた構成の本発明の電子写真用感光体の模式断面図である。
【図４】感光層が電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷輸送層（ＣＴＬ）より構成される機能分離型タイプの本発明の電子写真用感光体の模式断面図である。
【図５】導電性基体と機能分離型タイプの感光層のＣＧＬ、ＣＴＬの間に下引き層を入れた、本発明の電子写真用感光体の模式断面図である。
【図６】顔料合成例１のチタニルフタロシアニンのＸ線回折スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【０１６２】
１１  電子写真用感光体
１２  帯電装置
１３  イメージ露光
１４  現像ローラー
１５  給紙ローラー
１６  転写ローラー
１７  クリーニングブレード
１８  除電ランプ
１９  定着ユニット
【図１】
0004741412.tif 000047
【図２】
0004741412.tif 000048
【図３】
0004741412.tif 000049
【図４】
0004741412.tif 000050
【図５】
0004741412.tif 000051
【図６】
0004741412.tif 000052