(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表・裏面を有する絶縁性の配線基板本体と、この配線基板本体に設けた貫通孔または凹部と、かかる貫通孔または凹部内に内蔵され且つ樹脂を介して固着される電子部品と、上記配線基板本体の表面および裏面の少なくとも一方の上に形成される絶縁層およびハンダよりも高融点の材料からなる配線層と、を含み、
上記電子部品は、上記貫通孔または凹部内で上記樹脂に包囲され、
上記配線層は、上記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に露出する上記電子部品の電極の端部と接続されると共に、
上記配線基板本体、樹脂、電子部品、および、絶縁層の熱膨張率α１，α２，α３，α５が数式１の関係にある、ことを特徴とする配線基板。
【数１】
α３＜α１≦α２≦α５
【請求項２】
前記配線基板本体の表面上方に搭載され且つ前記電子部品と導通される半導体素子を更に含むと共に、
上記配線基板本体、樹脂、電子部品、および、半導体素子の熱膨張率α１，α２，α３，α４が数式２の関係にある、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【数２】
α４≦α３＜α１≦α２
【請求項３】
前記樹脂の熱膨張率α２が、４０ｐｐｍ／℃よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板本体の内部に電子部品を内蔵した配線基板、およびかかる配線基板の表面上方にＩＣチップ等の半導体素子を搭載した配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年における配線基板の小型化および配線基板内における配線の高密度化に対応するため、配線基板の第１主面上にＩＣチップなどの電子部品を搭載するだけでなく、コア基板の内部に電子部品を内蔵する配線基板が提案されている。
例えば、図５（Ａ）に示す配線基板５０は、絶縁基板５１に明けた貫通孔５２にチップコンデンサ５３を挿入し、その両端の電極５４，５４をハンダ５８を介して、絶縁基板５１および隣接する絶縁層５６の間に形成したランド５７と接続している。貫通孔５２内に樹脂５９を充填することで、上記コンデンサ５３を固着して内臓する。かかるコンデンサ５３内には内部電極５５が内設されている。
【０００３】
また、図５(Ｂ)に示す配線基板６０は、絶縁基板６１に明けた貫通孔６２の一方の開口部を、予め図示しない粘着性の仮固定膜により塞ぎ、この仮固定膜に内部電極６５を有するチップコンデンサ６３を貼り付けた状態で、貫通孔６２内に樹脂６９を充填し固化させた後、上記仮固定膜を除去したものである。
上記配線基板６０は、図５(Ｂ)に示すように、上記コンデンサ６３の両端に位置する電極６４，６４を、予め上記絶縁基板６１とこれに隣接する絶縁層６６との間に設けたランド６７，６７にハンダ６８を介して接続している。
【０００４】
【発明が解決すべき課題】
しかしながら、以上の配線基板５０，６０では、絶縁基板５１，６１とその貫通孔５２，６２に充填される樹脂５９，６９との間、および、樹脂５９，６９とこれに埋設されるコンデンサ(電子部品)５３，６３との間、の少なくとも何れかにおいて、製造過程での加熱時に熱膨張率の差により境界付近で絶縁基板５１，６１や樹脂５９，６９に割れが生じることがある。このため、前記ハンダ５８，６８が割れたり剥離するため、電子部品５３，６３と配線基板５０，６０内部の配線層との導通が不安定になったり断線したりする、という問題があった。
本発明は、以上に説明した従来の技術における問題点を解決し、配線基板本体に樹脂を介して電子部品を内蔵する配線基板において、かかる樹脂や配線基板本体が割れたり破損せず、上記電子部品と内部の配線層などとの導通を確実且つ安定して取り得る配線基板を、提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するため、配線基板本体、樹脂、および埋設される電子部品などの熱膨張率の関係に着目することにより、成されたものである。
即ち、本発明の配線基板(請求項１)は、表・裏面を有する絶縁性の配線基板本体と、この配線基板本体に設けた貫通孔または凹部と、かかる貫通孔または凹部内に内蔵され且つ樹脂を介して固着される電子部品と、上記配線基板本体の表面および裏面の少なくとも一方の上に形成される絶縁層およびハンダよりも高融点の材料からなる配線層と、を含み、上記電子部品は、上記貫通孔または凹部内で上記樹脂に包囲され、上記配線層は、上記樹脂の表面および裏面の少なくとも一方に露出する上記電子部品の電極の端部と接続されると共に、上記配線基板本体、樹脂、電子部品、および、絶縁層の熱膨張率α１，α２，α３，α５が数式３の関係にある、ことを特徴とする配線基板。
【０００６】
【数３】
α３＜α１≦α２≦α５
【０００７】
これによれば、配線基板本体の熱膨張率α１は、電子部品の熱膨張率α３よりも大きく、且つ上記電子部品が埋設される樹脂の熱膨張率α２と等しいかまたはそれより小さいと共に、絶縁層の熱膨張率α５は、上記樹脂の熱膨張率α２と同じかそれ以上の関係にある。
このため、溶けた上記樹脂を固化させる際や別途の位置での加熱に際し、上記電子部品、配線基板本体、および樹脂が膨張しても、絶縁層は更に大きく膨張する。この結果、かかる配線基板本体の貫通孔または凹部、あるいは上記電子部品を包囲する樹脂が大きくなっても、これらを絶縁層の膨張が吸収できる。従って、樹脂や配線基板本体が割れたり破損する事態を防止できるので、電子部品と内部の配線層との間における導通を安定して確実に取ることが可能となる。
【０００８】
尚、本明細書において、熱膨張率とは、対象物の縦・横(Ｘ−Ｙ、配線基板の厚み方向に対する直角方向)方向における熱膨張率を言う。
【０００９】
また、本発明には、前記配線基板本体の表面上方に搭載され且つ前記電子部品と導通される半導体素子を更に含むと共に、上記配線基板本体、樹脂、電子部品、および、半導体素子の熱膨張率α１，α２，α３，α４(即ち、配線基板本体の熱膨張率：α１、樹脂の熱膨張率：α２、電子部品の熱膨張率：α３、半導体素子の熱膨張率：α４とする)が数式４の関係にある、配線基板(請求項２）も含まれる。
【００１０】
【数４】
α４≦α３＜α１≦α２
【００１１】
これによれば、前記数式３の関係に加え、半導体素子の熱膨張率α４は内蔵される電子部品の熱膨張率α３と同じかそれ以下の関係にある。このため、例えば配線基板の第１主面上に半導体素子を搭載する際のハンダ付け時において、半導体素子が熱膨しても電子部品と同じかそれ以下となり、配線基板本体や電子部品を埋設する樹脂に影響しなくなる。従って、第１主面上などに搭載した半導体素子と電子部品とを直にまたは内部の配線層を介して確実且つ安定して導通できると共に、かかる配線基板を効率良く製造することも可能となる。
【００１３】
更に、本発明には、前記樹脂の熱膨張率α２が、４０ｐｐｍ／℃よりも小さい、配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記樹脂や配線基板本体が割れたり破損する事態を防止したり、半導体素子の膨張による配線基板本体などへの影響を一層確実に防ぐことが可能となる。尚、上記熱膨張率α２は、３５ｐｐｍ／℃以下(望ましくは３０ｐｐｍ／℃以下、より望ましくは２５ｐｐｍ／℃以下、更に望ましくは２０ｐｐｍ／℃以下、但し下限値は１０ｐｐｍ／℃以上)が一層望ましい。
【００１４】
尚、上記何れかの配線基板本体には、内部配線を有する絶縁基板や、複数の絶縁板と配線とを積層した基板などの多層基板も含まれる。且つ、これらの配線基板本体は、ガラスクロスやガラスフィラ入りの配線基板本体としても良い。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下において本発明の実施に好適な形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明による１形態の配線基板１における主要部の断面を示す。
配線基板１は、配線基板本体(以下コア基板という)２と、その表・裏面３，４上に複数の絶縁層２２，２３，２８，２９，３４，３５と、配線層２０，２１，２６，２７，３２，３３とを有する。コア基板２の表面３の上方の配線層２０，２６，３２および絶縁層２２，２８，３４は、ビルドアップ層ＢＵ１を構成し、裏面４の下方の配線層２１，２７，３３および絶縁層２３，２９，３５は、ビルドアップ層ＢＵ２を構成する。
上記コア基板２は、ガラスクロス−エポキシ樹脂の複合材からなり平面視で矩形を呈する絶縁性の板材で、ほぼ中央に平面視がほぼ正方形で表・裏面３，４間を貫通する貫通孔６を有する。かかる貫通孔６内には、箱形状の電子部品ユニット１０がエポキシ樹脂を主成分とする樹脂１１を介して固着され埋設・内蔵されている。尚、本実施形態では、上記樹脂１１には、熱膨張率α２が３２ｐｐｍ／℃の樹脂を用いられている。
【００１６】
上記電子部品ユニット１０は、図２に示すように、同じ形状の８個のチップコンデンサ(電子部品)１２をエポキシ樹脂からなるモールド樹脂１８により予め一体に固着したものである。尚、かかるモールド樹脂１８には、樹脂１１と同じ熱膨張率α２の３２ｐｐｍ／℃の樹脂を用いる。
各チップコンデンサ１２の上面には、図２で前後方向にＣｕからなる一対ずつの電極１４が形成され、各チップコンデンサ１２の底面にも図示しない電極１６が同じ位置に形成されている。これら電極１４，１６の上端は、上記モールド樹脂１８の表・裏面から約数１０μｍ程度突出している。各コンデンサ１２には、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電体層とＮｉを主成分とする電極層とを交互に積層したセラミックコンデンサが用いられる。
【００１７】
図１に示すように、コア基板２の貫通孔６の左右には、スルーホール７が穿孔され、それらの内部に円筒状のスルーホール導体８および充填樹脂９が形成されている。コア基板２の表・裏面３，４および樹脂１１の表・裏面上には、公知のビルドアップ工程(サブトラクティブ法、フルアディティブ法、セミアディティブ法等)により、所定パターンを有する銅製の配線層２０，２１がＣｕメッキにより形成されている。配線層２０，２１は、前記電子部品１２の各電極１４,１６の上・下端と接続されている。
また、配線層２０，２１上には、エポキシ樹脂を主成分とし且つシリカなどの無機フィラを含む絶縁層２２，２３とその上の配線層２６，２７が形成され、且つ上下の配線層２０，２６間や、配線層２１，２７間を接続するフィルドビア導体２４，２５が、銅メッキにより絶縁層２２，２３を貫通して形成されている。
尚、上記ビア導体２４などが形成される前のビアホールの形成は、フォトリソグラフィ技術、またはレーザ(ＹＡＧ、ＣＯ２、エキシマなど)照射により行われる。また、前記各コンデンサ１２の電極１４,１６は、その真上で左右方向に連続する転換層を兼ねる配線層２６,２７を介して互いに接続される。このため、８個のコンデンサ１２は、並列に接続され静電容量の大きな合成コンデンサを形成する。
【００１８】
同様にして、配線層２６，２７上には、絶縁層２８，２９と配線層３２，３３およびフィルドビア導体３０，３１が形成される。更に、絶縁層２８および配線層３２の上に形成したソルダーレジスト層(絶縁層)３４には、配線層３２上に位置し且つ上端が第１主面３４ａよりも高く突出するハンダ製のフリップチップバンプ３６が、複数個貫通する。各バンプ３６には、第１主面３４ａ上に搭載されるＩＣチップ(半導体素子)３８の底面における接続端子３９が個別に接続され、且つこれらの周囲にエポキシ樹脂を主成分するアンダーフィル材３９ａが厚さ約６０μｍにして充填される。
一方、絶縁層２９および配線層３３の下にはソルダーレジスト(絶縁層)層３５が形成され、第２主面３５ａに向けて開口した複数の開口部３５ｂ内には、上記配線層３３内の配線３７が露出し、その表面に薄いＮｉおよびＡｕメッキを被覆され、図示しないマザーボードなどと接続するための接続端子を形成している。かかる接続端子となる配線３７には、ピン(コバール、Ｆｅ−４２wt％Ｎｉ合金、銅など)がハンダ付けされていても良い。
【００１９】
ここで、上記配線基板１の製造方法の主要な工程を図３により説明する。
図３(Ａ)は、平面視が正方形で一辺が３１ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのガラスクロス入りのコア基板２の所定位置(中央)に穿孔した一辺が１２ｍｍの正方形を呈する貫通孔６内に、一辺が９ｍｍの正方形で厚さが０．７５ｍｍの電子部品ユニット１０を挿入する状態を示す。
貫通孔６における裏面４側の開口部は、図３(Ａ)に示すように、粘着面５ａを上向きにしたテープ５により、予め閉塞されている。貫通孔６内に挿入された電子部品ユニット１０は、その裏面側に突出する各チップコンデンサ１２の複数の電極１６がテープ５の粘着面５ａに接着することにより、位置決めされる。
【００２０】
上記ユニット１０が位置決めされた状態で、貫通孔６内に表面３側からエポキシ樹脂を主成分とする溶けた樹脂１１を注入した後、キュア処理を施して固化する。この結果、図３(Ｂ)に示すように、電子部品ユニット１０は貫通孔６内で固化した樹脂１１に固着し且つ内蔵される。上記電子部品ユニット１０のモールド樹脂１８は、キュア処理後に樹脂１１と一体化して、電子部品１２，１２を固着し且つ内蔵する樹脂１１となる(即ち、モールド樹脂１８と樹脂１１とは、同一の熱膨張率を有するため、実質的に同一物となる)。
更に、テープ５を剥離するとこれに倣った樹脂１１の平坦な裏面１１ｂには、前記各電極１６の下端面が露出する。
次いで、図３(Ｂ)に示す樹脂１１の盛り上がった表面１１ａを、例えばバフ研磨により平坦に整面する。この結果、図３(Ｃ)に示すように、樹脂１１の新たな表面１１ｃには、前記複数の電極１４の上端面が露出する。
【００２１】
これ以降は、前述した方法によって絶縁層２２，２３などおよび配線層２０，２１，２６，２７などからなるビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２、ビア導体２４，２５など、および前記バンプ３６や接続端子用の配線３７が形成される。
尚、樹脂１１の裏面１１ｂも上記と同様に整面すると、一層望ましくなる。また、上記製造方法では、複数の電子部品１２を予め一体化した前記ユニット１０を用いたが、各電子部品１２毎にチップマウンタなどを用いて貫通孔６内に個別に内蔵した後、樹脂１１を充填してキュア処理を行うこともできる。
ところで、コア基板２、樹脂１１、電子部品たるチップコンデンサ１２、および、ビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２を形成する絶縁層２２，２３などの各熱膨張率α１，α２，α３，α５は、数式５の関係になるように予め設定されている。
【００２２】
【数５】
α３＜α１≦α２≦α５
【００２３】
本実施形態では、α１：１５ｐｐｍ／℃、α２：３２ｐｐｍ／℃、α３：１０ｐｐｍ／℃とした。これにより、前記樹脂１１のキュア処理時の加熱や第１主面３４ａ上にＩＣチップ３８を搭載する際の前記バンプ３６の加熱時において、各コンデンサ１２が膨張してもコア基板２や樹脂１１は更に大きく膨張し、コア基板２の貫通孔６および各コンデンサ１２を包囲する樹脂１１自体が大きくなる。
従って、樹脂１１やコア基板２が割れたり破損する事態を防止できるので、各コンデンサ１２と内部の配線層２０，２１などとの間における導通を安定した状態で確実に取ることが可能となる。尚、前記電子部品ユニット１０に用いるモールド樹脂１８の熱膨張率は、樹脂１１の熱膨張率α２とほぼ同じ値である。
また、前記コア基板２、樹脂１１、電子部品であるチップコンデンサ１２の熱膨張率α１〜α３に更にＩＣチップ(半導体素子)３８の熱膨張率α４を加えると、数式６の関係になる。
【００２４】
【数６】
α４≦α３＜α１≦α２
【００２５】
本実施形態では、α４：４ｐｐｍ／℃とした。このため、例えば第１主面３４ａ上にＩＣチップ３８を搭載する際の前記バンプ３６の加熱時にて、ＩＣチップ３８が熱膨してもその熱膨張率α４は各コンデンサ(電子部品)１２と同じかそれ以下であるため、コア基板２やコンデンサ１２を埋設する樹脂１１に影響しなくなる。従って、搭載したＩＣチップ３８と各コンデンサ１２とを、配線層２０などを介して確実且つ安定して導通させることができる。
【００２７】
本実施形態では、α５：６０ｐｐｍ／℃とした。このため、前記数式５のように、絶縁層２２，２３などの熱膨張率α５は、樹脂の熱膨張率α２と同じかそれ以上の関係となる。この結果、樹脂１１を固化させる際や別途の位置での加熱に際し、上記各コンデンサ(電子部品)１２、配線基板本体２、および樹脂１１が膨張しても、絶縁層２２，２３などはこれらよりも更に大きく膨張するので、樹脂１１などの膨張を吸収できる。従って、樹脂１１や配線基板本体２が割れたり破損する事態を防止できるため、各コンデンサ１２と絶縁層２２，２３，２８，２９間などの配線層２６，２７などとの間における導通を安定して確実に取ることが可能となる。
【００２８】
以上のような配線基板１によれば、コア基板(配線基板本体)２の貫通孔６に、樹脂１１を介して内臓される電子部品ユニット１０中の各チップコンデンサ１２における電極１４，１６と配線層２０，２１との接続部分も断線しにくくなり、その導通が安定する。
尚、各コンデンサ１２の電極１４，１６およびこれらに接続する配線層２０，２１には、上記Ｃｕ同士のような同じ材料で且つハンダよりも高融点の材料が適用される。これによりＩＣチップ３８を搭載する際のハンダ製の前記バンプ３６の加熱時にも断線を防止できる。
【００２９】
このため、各コンデンサ１２と第１主面３４ａ上に搭載したＩＣチップ３８との間も比較的短い配線で安定した導通を得ることができる。また、各コンデンサ１２の電極１６と第２主面３５側の配線(接続端子)３７との間も比較的短い配線で安定した導通が得られ、且つ配線基板１自体を搭載するマザーボードなどとの導通も確実となる。従って、小型化し且つ配線が高密度する配線基板１において、そのコア基板２に内蔵する電子部品たるコンデンサ１２を安定して活用することができ、且つそれらの耐久性に優れたものとすることができる。
尚、配線層２０，２１は、各コンデンサ１２とは別にスルーホール導体８を介して互いに導通される。また、ビア導体２４,２５,３０,３１は、前記図１で示したフィルドビアとし且つ厚さ方向に直線状に積み上がるスタックドビアにすることが望ましい。これにより、各コンデンサ１２と第１主面３４ａ上に搭載するＩＣチップ３８との間を最短距離で接続できるため、電気的特性が向上すると共に、各コンデンサ１２とマザーボードとの間も短い距離で接続することができる。
【００３０】
【実施例】
ここで本発明の配線基板の具体的な実施例を比較例と共に説明する。
前記と同じサイズのコア基板２を複数個用意し、それらの貫通孔６内に前記電子部品ユニット１０を、熱膨張率α２が互いに異なる樹脂１１を用い同じ条件にて、前記図３(Ｃ)に示すように固着して内蔵した。これらのうち、樹脂１１の熱膨張率α２が１５ｐｐｍ／℃、３２ｐｐｍ／℃のものを実施例１，２とし、熱膨張率α２が４５ｐｐｍ／℃のものを比較例１とした。
実施例１，２および比較例１の一部を、前記図１のような配線基板１に形成すると共に、その第１主面３４ａ上に熱膨張率が３０ｐｐｍ／℃以下のアンダーフィル材３９ａを介して、熱膨張率α４が４ｐｐｍ／℃のＩＣチップ３８を搭載した。このうち実施例１，２の前記コア基板２などを用いたものを実施例３，４、比較例１のコア基板２などを用いたものを比較例２とした。
尚、実施例１，２および比較例１は、絶縁層の熱膨張率を除いた前記数式５を、実施例３，４および比較例２、は前記数式６をそれぞれ満たしている。
各例について３個ずつ用意したものに対して、＋１２５℃と−５５℃との間を１０００回(サイクル)ずつ加熱・冷却する信頼性(熱衝撃)テストを行った。かかるテストにおいて、各例の樹脂１１に割れが生じたか否かを、１０００回終了後においてそれぞれ観察した。それらの結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
0004685979.tif 000002
【００３２】
表１の結果によれば、実施例１〜４では、何れも樹脂１１に割れが生じていなかったのに対し、比較例１，２では、３個全てが樹脂１１に割れが生じていた。
かかる結果から、コア基板２、樹脂１１、チップコンデンサ１２、およびＩＣチップ３８の熱膨張率α１，α２，α３，α４が前記数式５の関係と、数式６を満たすと共に、樹脂１１の熱膨張率α２を４０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは３５ｐｐｍ／℃以下にすることが肝要であることが理解される。これにより、本発明の配線基板の効果が裏付けられたことも容易に理解されよう。
【００３３】
図４は異なる形態の配線基板における製造方法の主要な工程に関する。尚、以下において、前記形態と同じ部分や要素には前記と共通する符号を用いる。
図４(Ａ)は、ガラスクロス入りのコア基板(配線基板本体)４０の表面４１側に開口する凹部４４内に前記と同じ電子部品ユニット１０を挿入する状態を示す。
尚、上記凹部４４を有するコア基板４０は、貫通孔を有する図示しない厚肉の絶縁板と薄肉で平板の絶縁板とを、予め接着シートを介して積層し加熱および圧着することにより形成されるが、凹部４４を単一の絶縁板からルータなどを用いて座ぐり加工により形成したものを用いても良い。
図４(Ａ)に示すように、凹部４４の底面４５とコア基板４０の裏面４２との間には、複数のスルーホール４６が貫通し、各ホール４６内には円筒形のスルーホール導体４８および充填樹脂４７が貫通して形成されている。
【００３４】
図４(Ｂ)に示すように、各スルーホール導体４８の上端部と、挿入された電子部品ユニット１０の各コンデンサ１２の底面における電極１６とを、Ｓｎ−Ａｇ系合金からなるロウ材(低融点合金)４９を介して個別に予め接続しておく。かかる状態で、凹部４４内に溶けた樹脂１１を注入した後、キュア処理を施す。その結果、図４(Ｂ)に示すように、凹部４４内において電子部品ユニット１０は、固化した樹脂１１に固着および埋設され且つ凹部４４に内蔵される。
更に、樹脂１１の盛り上がった表面１１ａを研磨して平坦に整面することにより、図４(Ｃ)に示すように、新たに形成される樹脂１１の表面１１ｃには、上記ユニット１０中における各コンデンサ１２の電極１４の上端面が露出する。
【００３５】
以降は、前記図１に示したように、コア基板４０の表・裏面４１，４２上に前記図１で示した絶縁層２２，２３など、配線層２０，２１などからなるビルドアップ層ＢＵ１，ＢＵ２、およびフィルドビア導体２４，２５などが形成される。
この際、各電極１４は前記配線層２０と接続され、上記スルーホール導体４８の下端は前記配線層２１／２７と接続される。また、図１と同様にコア基板４０の表・裏面４１，４２間を貫通するスルーホール導体８(図示せず)が形成されると共に、第１・第２主面３４ａ,３５ａ側に前記バンプ３６や配線(接続端子)３７が形成される。これにより、凹部４４に複数のチップコンデンサ１２を有する電子部品ユニット１０を内蔵したコア基板４０を備える配線基板が得られる。
【００３６】
尚、上記コア基板(配線基板本体)４０、樹脂１１、チップコンデンサ(電子部品)１２の熱膨張率α１，α２，α３は、前記数式５の関係下に設定されている。
また、ＩＣチップ(半導体素子)３８および絶縁層２２などの熱膨張率α４，α５は、前記数式５の関係下に設定されている。本実施形態では、配線基板本体(コア基板)４０の熱膨張率α１：１６ｐｐｍ／℃、樹脂１１の熱膨張率α２：２３ｐｐｍ／℃、チップコンデンサ(電子部品)１２の熱膨張率α３：８ｐｐｍ／℃、ＩＣチップ(半導体素子)３８の熱膨張率α４：４ｐｐｍ／℃、絶縁層２２などの熱膨張率α５：６０ｐｐｍ／℃、とした。
【００３７】
本発明は、以上において説明した各形態や実施例に限定されるものではない。
例えば、前記電子部品には、インダクタ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、ローノイズアンプ(ＬＮＡ)、メモリ、半導体素子、ＦＥＴ、またはトランジスタなどの能動部品、あるいは、ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、ダイプレクサなどや、これらをチップ状にしたもの、更には、これらのうち異種のもの同士を同じ貫通孔や凹部内に内蔵しても良い。
また、電子部品は、一つのみを配線基板本体(コア基板)の貫通孔や凹部内に内蔵しても良い。この場合、電子部品の電極をハンダ付けにより、配線層やこれに接続するランドに接続することも可能である。
【００３８】
更に、配線基板本体(コア基板)には、複数の貫通孔または凹部を形成しても良く、あるいは、かかる貫通孔と凹部とを隣接して併設することも可能である。
また、配線基板本体(コア基板)２，４０の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂複合材料の他、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなどの３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることも可能である。
【００３９】
更に、絶縁層２２，２３などの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするものの他、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あるいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料などを用いることもできる。
また、配線層２０，２１などの材質は、前記銅メッキの他、Ｎｉや、Ｎｉ−Ａｕなどにしても良く、あるいは、金属メッキを用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法によって形成することも可能である。
更に、ＩＣチップ３８との接続端子には、前記フリップチップバンプ３６の他、フリップチップパッド、ワイヤボンディングパッド、あるいはＴＡＢ接続用パッドを形成したものなどを用いても良い。
【００４０】
また、前記電子部品１２のコンデンサでは、ＢａＴｉＯ３を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、ＰｂＴｉＯ３，ＰｂＺｒＯ３，ＴｉＯ２，ＳｒＴｉＯ３，ＣａＴｉＯ３，ＭｇＴｉＯ３，ＫＮｂＯ３，ＮａＴｉＯ３，ＫＴａＯ３，ＰｂＴａＯ３，(Ｎａ１／２Ｂｉ１／２)ＴｉＯ３，Ｐｂ(Ｍｇ１／２Ｗ１／２)Ｏ３，(Ｋ１／２Ｂｉ１／２)ＴｉＯ３などを主成分とするものを用いても良い。
更に、前記電子部品１２の電極１４，１６の材質は、Ｃｕを主成分としたが、電子部品１２との適合性を有するＰｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉなどを用いることができる。
加えて、前記電子部品のコンデンサ１２は、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＡｇ−Ｐｄなどからなる電極層と、樹脂やＣｕメッキ、Ｎｉメッキなどからなるビア導体や配線層とを複合させたコンデンサとしたものとしても良い。尚、本発明の配線基板には、前記コア基板２，４０の表面３，４１と裏面４，４２上に配線層２０，２１と絶縁層２２，２３のみを有する形態も含まれる。
【００４１】
【発明の効果】
以上において説明した本発明の配線基板(請求項１)によれば、配線基板本体の熱膨張率α１は、電子部品の熱膨張率α３よりも大きく、且つ上記電子部品が埋設される樹脂の熱膨張率α２と等しいかまたはそれより小さいと共に、絶縁層の熱膨張率α５は、上記樹脂の熱膨張率α２と同じかそれ以上の関係にある。
このため、溶けた上記樹脂を固化させる際や別途の位置での加熱に際し、上記電子部品、配線基板本体、および樹脂が膨張しても、絶縁層は更に大きく膨張する。その結果、かかる配線基板本体の貫通孔または凹部、あるいは上記電子部品を包囲し内蔵する樹脂が大きくなっても、これらを絶縁層の膨張が吸収できる。従って、樹脂や配線基板本体が割れたり破損する事態を防止できるので、電子部品と内部の配線層との間における導通を安定して確実に取ることが可能となる。
【００４２】
また、請求項２の配線基板によれば、上記に加えて、半導体素子の熱膨張率が内臓される電子部品の熱膨張率と同じかそれ以下の関係になるため、例えば第１主面上などに半導体素子を搭載する際のハンダ付け時において、半導体素子が熱膨してもその熱膨張率は電子部品と同じかそれ以下となる。このため、配線基板本体や電子部品を埋設する樹脂に影響しなくなる。従って、搭載した半導体素子と電子部品とを直に、または内部の配線層を介して確実且つ安定して導通できると共に、かかる配線基板を効率良く製造することも可能となる。
【００４３】
更に、請求項３の配線基板によれば、前記樹脂や配線基板本体が割れたり破損する事態を防止したり、半導体素子の膨張による配線基板本体などへの影響を一層確実に阻止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による１形態の配線基板における主要部を示す断面図。
【図２】図１の配線基板に内蔵する電子部品ユニットの斜視図。
【図３】  (Ａ)乃至(Ｃ)は図１の配線基板の製造方法における主要な工程を示す概略図。
【図４】  (Ａ)乃至(Ｃ)は、異なる形態の配線基板の製造方法における主要な工程を示す概略図。
【図５】  (Ａ)および(Ｂ)は、従来の配線基板を示す概略図。
【符号の説明】
１………………………………………配線基板
２，４０………………………………配線基板本体(コア基板)
３，４１………………………………表面
４，４２………………………………裏面
６………………………………………貫通孔
１２……………………………………チップコンデンサ(電子部品)
１１……………………………………樹脂
２２,２３,２８，２９,３４,３５…絶縁層
３４ａ…………………………………第１主面(配線基板本体の表面上方)
３８……………………………………ＩＣチップ(半導体素子)
４４……………………………………凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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