(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードが貫通する絶縁ガラスを小判または円筒状金属枠体の内側に配置して気密封着したステム部材と、前記リードの一端側に設けた接合材により前記ステム部材にはんだ付けした電子部品と、前記金属枠体の外面側に設けた接合材により前記電子部品の収容空間を形成して気密封止した小判または円筒状金属キャップ部材とを具備する電子部品用パッケージにおいて、前記リードおよび前記金属枠体に設けた接合材は２〜１０μｍのＣｕの下地めっき層、５〜２０μｍのＳｎＣｕ合金の第１中間めっき層、０．０５〜０．５μｍのＡｇの第２中間めっき層、および０．１〜２μｍのＡｕまたはＡｕＳｎ合金の単層あるいはＡｕおよびＳｎの多層からなる仕上めっき層からなり、それぞれ所定の範囲内の厚さで積層形成したことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
リードが貫通する絶縁ガラスを小判または円筒状金属枠体の内側に配置して気密封着するステム部材と、前記リードの一端側に設けた接合材により前記ステム部材にはんだ付けする電子部品と、前記金属枠体の外面側に設けた接合材により前記電子部品の収容空間を形成して気密封止する小判または円筒状金属キャップ部材とを具備する電子部品用パッケージの製造方法において、前記リード表面に４〜１０μｍのＣｕ下地めっき層、１０〜２０μｍのＳｎＣｕ合金第１中間めっき層、０．１〜０．５μｍのＡｇ第２中間めっき層、および０．３〜２μｍのＡｕを含む仕上めっき層を順次所定のめっき厚さで積層形成する多層めっき工程と、前記金属枠体の外表面に２〜５μｍのＣｕ下地めっき層、５〜１０μｍのＳｎＣｕ合金第１中間めっき層、０．０５〜０．３μｍのＡｇ第２中間めっき層、および０．１〜１μｍのＡｕを含む仕上めっき層を順次所定のめっき厚さで積層形成する多層めっき工程とを含むことを特徴とする電子部品用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス対金属封着構造（以下ＧＴＭＳとも呼ぶ）の気密端子をステム部材に用い、これに筒状金属キャップのリッド部材を気密封止して電子部品を気密空間に収容したパッケージおよびその製造方法、特に、小判または円筒状気密端子のステム部材と小判または円筒状金属キャップ部材の圧入による水晶振動子に好適な電子部品用パッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に水晶振動子を気密封止したパッケージ内に実装する水晶振動子用パッケージはセラミックベースとその開口をカバーする金属リッドまたはキャップとを具備し、特に、高い気密性と信頼性を要求される場合には円筒型気密端子と円筒型金属キャップとで構成される。通常、円筒型気密端子や円筒型金属キャップには接合材としてはんだめっきが施され、パッケージ化に対する気密端子と金属キャップの接合に利用されている。特許文献１は環境上有害なＳｎ−Ｐｂ共晶はんだに替えてＳｎ−Ａｇ系合金またはＳｎ−Ｂｉ系合金のはんだめっきを使用して円筒型気密端子の金属枠体やリードの表面に形成して接合材としている。また、リフローはんだ耐熱性を有し安価で信頼性の高いＰｂフリーはんだを使用する気密端子を提供するものとしてＢｉの非共晶組成Ａｇ−Ｂｉ材を金属表面に成膜したものが特許文献２に開示され、さらに、水晶振動子用パッケージとして高い気密性と信頼性の円筒型気密端子構造であるガラス対金属封着構造（ＧＴＭＳ）型気密端子と円筒型金属キャップ部材のパッケージが特許文献３に開示されている。一方、水晶振動子用円筒型気密端子の金属外環とリード部材の表面に高純度のビスマス（Ｂｉ）めっき層を形成することが特許文献４で開示されている。
【特許文献１】特開２００１−６８１９４号公報
【特許文献２】特開２００２−１６００８９号公報
【特許文献３】特開２００３−１５２１２９号公報
【特許文献４】特開２００４−６３３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、従来の接合材に使用されているＰｂフリーはんだめっき層ではＰｂの有害性を回避するが、めっき層のはんだ付け性、密着性や耐熱性、化学的安定性を欠くことが多く、こうした特性上の改良が望まれていた。たとえば、ＳｎＣｕ合金のはんだめっきではリフロー工程後のアウトガスの発生が抑止できない欠点があった。また、このＳｎＣｕ合金で組成を変えると液相線温度を変化させることができるが、２２７℃の固相線（共晶線）温度は一定なのでこれを超える温度でのリフローでは液相が出現してガスが発生するという問題があった。
【０００４】
したがって、本発明の目的は、上記欠点を解消するために提案されたものであり、金属ベースとなるステム部材に対して金属リッドとなるキャップ部材を確実かつ容易に気密封止する新規かつ改良された接合材を用いる電子部品用パッケージおよびその製造方法を提供することにある。特に、接合部材を多層めっき層により形成する場合に、めっき層の組合せとめっき厚さを特定することで所望する特性を発揮するようにした円筒状ステム部材のリードと電子部品のはんだ付け、および金属枠体と円筒状金属キャップとの圧入による気密封止に好適な電子部品用パッケージおよびその製造方法の提案を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、リードが貫通する絶縁ガラスを小判または円筒状金属枠体の内側に配置して気密封着したステム部材と、前記リードの一端側に設けた接合材により前記ステム部材にはんだ付けした電子部品と、前記金属枠体の外面側に設けた接合材により前記電子部品の収容空間を形成して気密封止した小判または円筒状金属キャップ部材とを具備する電子部品用パッケージにおいて、前記リードおよび前記金属枠体に設けた接合材をＣｕの下地めっき層、ＳｎＣｕ合金の第１中間めっき層、Ａｇの第２中間めっき層、およびＡｕを含む仕上めっき層により形成したことを特徴とする電子部品用パッケージが開示される。ここで、接合材の厚さは下地めっき層が２〜１０μｍ、第１中間めっき層が５〜２０μｍ、第２中間めっき層が０．０５〜０．５μｍ、および仕上めっき層が０．１〜２μｍの範囲内に設定したことを特徴とし、それにより、下地めっきで金属母材とのめっき密着性を確保し、第１中間めっき層によりリードのはんだ付け機能および金属枠体の気密封止機能を確実にし、第２中間めっき層によりバリア機能を発揮させ、仕上めっき層により耐熱性を確保する。
【０００６】
本発明の別の観点によれば、リードが貫通する絶縁ガラスを金属枠体の内側に配置して気密封着するステム部材と、前記リードの表面に形成する多層めっき層からなる接合材を利用して前記ステム部材にはんだ付けする電子部品と、前記金属枠体の外表面に形成する多層めっき層からなる接合材により前記ステム部材に圧入して気密封止する金属キャップ部材とを備え、前記電子部品を気密空間に収容する電子部品用パッケージの製造方法であって、前記多層めっき層をＣｕの下地めっき層、ＳｎＣｕ合金の第１中間めっき層、Ａｇの第２中間めっき層、およびＡｕ、ＡｕＳｎ合金の単層またはＡｕ＋Ｓｎの２層の仕上めっき層を施す工程を含む電子部品用パッケージの製造方法が提案される。この場合、リードの表面に形成する多層めっき層は下地めっき層が４〜１０μｍ、第１中間めっき層が１０〜２０μｍ、第２中間めっき層が０．１〜０．５μｍ、および仕上めっき層が０．３〜２μｍの範囲内のめっき厚さで順次積層形成し、金属枠体の外表面に形成する多層めっき層は下地めっき層が２〜５μｍ、第１中間めっき層が５〜１０μｍ、第２中間めっき層が０．０５〜０．３μｍ、および仕上めっき層が０．１〜１μｍの範囲内のめっき厚さで順次積層形成することを特徴とする電子部品用パッケージの製造方法である。ここで、下地めっきは母材の金属とめっきの密着性を確保する上で必要とする厚みでＣｕめっきが施され、第１中間めっきはリードのはんだ材とし、第２中間めっきは耐熱性を付与するバリアとし、仕上めっきは銀バリアの硫化や酸化を防止して耐熱性に寄与するために施される。また、それぞれのめっき層を所定の範囲にすることにより、密着性の確保、シール性の向上、リフロー工程に対する耐熱性の向上、および難酸化性等の耐化学変化対応性を有する電子部品用金属パッケージが提供される。なお、金属キャップ部材にはその内周面にＮｉめっき層を形成することで金属枠体の外表面に施した多層めっき層と作用して効果的なシール性を発揮し、圧入結合などの適用を容易にするなど実用的効果を奏する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明による金属パッケージは、ガラス対金属封止構造の気密端子をステム部材に用いるので機械的強度の強化に加え気密封着に関する気密性と信頼性が確保される。また、接合材として多層めっき層からなるＰｂフリーのめっき材をろう材に利用するので環境問題がなく、安全性を有する。特に、はんだ付け性と気密封止性を得るのにＳｎＣｕ合金のめっき層を比較的厚くしているのでシール性および耐熱性を得ることができる。また、ＳｎＣｕ合金として、液相線温度が高いので融け難く、リフロー処理に対して耐熱性を発揮するなどの利点を有する。さらに、金属キャップの装着を含め作業が容易で作業効率を高める。したがって、作業上でのトラブルが減少でき不良率を低減し、かつ気密精度の向上が図れ、量産化と低コスト化に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明による実施の形態は、小判または円筒状金属枠体の内側に貫通配置したリードを絶縁性ガラス材の介在により気密封着した気密端子構造のステム部材と、リードの一端側にＰｂフリー接合材により電気的機械的に結合してステム部材にはんだ付け装着した電子部品と、金属枠体の外面側で接合材により気密封止して電子部品を収容するの気密空間を形成する小判または円筒状金属キャップ部材とを具備した電子部品用パッケージである。Ｐｂフリー接合材は金属枠体およびリードの表面に設けた多層めっき層であり、Ｃｕ下地めっき、ＳｎＣｕ合金はんだめっき、ＡｇバリアめっきおよびＡｕ仕上めっきの多層めっき層で形成する。このうち、仕上めっきはＡｕＳｎ合金の単層めっき、またはＡｕめっきとＳｎめっきの二層めっきとしても良い。それぞれのめっきは、所定の範囲内の厚みにして設けられる。下地めっきは金属母材と中間めっき層との密着性を確保するためで、２〜１０μｍの厚みに設定される。第１中間めっき層のはんだめっきは５〜２０μｍ、第２中間めっき層のバリアめっきが０．０５〜０．５μｍ、および最上層の仕上めっき層は０．１〜２μｍの範囲内にそれぞれ設定される。すなわち、金属パッケージの構成において、気密端子構造のステム部材に金属キャップ部材を被せて気密封止したパッケージであって、気密端子のステム部材と金属キャップ部材との気密封止、およびステム部材と電子部品とのはんだ付けとをＳｎＣｕ合金めっきを含む多層めっき層からなる接合材を用いるものである。ここで、金属キャップ部材はその内周面に１μｍ以下のＮｉめっき層を形成することで金属枠体の外面側に形成した多層めっきとの効果的なシール性が一層強調できる。
【０００９】
具体的には、多層めっき層はステム部材を構成する金属枠体の外面側に最下層として２〜５μｍのＣｕ下地めっき層を形成する。この層は本発明が特徴とするＳｎＣｕ合金めっき層が金属枠体の素材であるコバールと化学的反応を阻止するために形成するものであり、反応阻止のために少なくとも２μｍ以上の厚みとするが、リードに対しては比較的厚くして密着確保の仲介材とし１０μｍあれば十分である。次いで、第１中間めっきは金属枠体では気密性確保の観点から、またリードでははんだ付け性確保のために、５〜２０μｍと比較的厚く形成して、シール性およびはんだ付性を確保する。下限は下地めっき層の上限と同等以上であり、上限は作業性からの制限である。第２中間めっき層はバリアめっきとして耐熱性の良いＡｇめっきであり、０．０５〜０．５μｍの範囲でリフロー最高温度の２６０℃に対応する耐熱層を形成する。ＳｎＣｕ合金めっきの一部液相が出現可能と考えられるためにアウトガスの発生や位置ずれなどの液相による不具合防止のために形成するもので、厚み範囲は効果が認められる０．０５μｍ以上であり、コスト面からの制約で上限の０．５μｍが設定される。最上部めっき層としての仕上めっき層はバリアめっきのＡｇが硫化または酸化しないことと耐熱性確保の観点から０．１〜１μｍであり、ＡｕめっきによりＡｇめっき層を化学的変化から保護するが、貴金属として高価であるので厚みも保護効果の現れる０．１μｍ以上とするが上限は１μｍで設定される。なお、ＡｕＳｎ合金の単層めっき、またはＡｕめっきの上にＳｎめっきを施して２層めっきとしてもよい。最上層は大気との接触を遮断することを目的にするものでもあり、硫化や酸化防止機能を得るものである。かくして、それぞれの機能を有するめっき層の多層化により金属枠体およびリードは、密着性の確保、シール性の向上、リフロー工程に対する耐熱性の向上、および難酸化性等の耐化学変化対応性のある金属パッケージが提供できる。また、金属枠体とリードを絶縁ガラスで封着したステム部材１０と、金属キャップ２０部材とをＰｂレス化接合材の介在で封止したパッケージ３５は、パッケージ空間内にリードに設けた多層めっき層を利用して電子部品の水晶片３０が実装されて水晶振動子用パッケージ３５が得られる。なお、Ｐｂフリー接合材の気密封止には圧入のほかに電子ビーム装置やシーム溶接装置を利用する金属融解により接合封止する場合もある。
【００１０】
本発明の別の実施態様は、リードが貫通する絶縁ガラスを金属枠体の内側に配置して気密封着する工程によりステム部材を用意し、このステム部材にリードの表面に形成する多層めっき層からなる接合材を利用して電子部品をはんだ付けし、金属キャップ部材を金属枠体の外表面に形成する多層めっき層からなる接合材を利用してステム部材に圧入して気密封止することで電子部品を気密空間に収容した電子部品用パッケージの製造方法である。ここで、多層めっき層はＣｕの下地めっき層、ＳｎＣｕ合金の第１中間めっき層、Ａｇの第２中間めっき層、およびＡｕ、ＡｕＳｎ合金またはＡｕ＋ＳｎのＡｕを含む仕上めっき層を施す工程により形成する。この場合、リードの表面に形成する多層めっき層は下地めっき層が４〜１０μｍ、第１中間めっき層が１０〜２０μｍ、第２中間めっき層が０．１〜０．５μｍ、および仕上めっき層が０．３〜２μｍの範囲内のめっき厚さで順次積層形成する。また、金属枠体の外表面に形成する多層めっき層は下地めっき層が２〜５μｍ、第１中間めっき層が５〜１０μｍ、第２中間めっき層が０．０５〜０．３μｍ、および仕上めっき層が０．１〜１μｍの範囲内のめっき厚さで順次積層形成する。それぞれのめっき層はそれぞれの機能を発揮するように所定範囲内の厚さでめっき処理される。下地めっきは母材の金属とめっきの密着性を確保する上で必要とする厚みでＣｕめっきが施され、第１中間めっきはリードのはんだ材とし、第２中間めっきは耐熱性を付与するバリアとし、仕上めっきは銀バリアの硫化や酸化を防止して耐熱性に寄与するために施される。それにより、密着性の確保、シール性の向上、リフロー工程に対する耐熱性の向上、および難酸化性等の耐化学変化対応性を有する電子部品用金属パッケージが提供される。なお、金属キャップ部材にはその内周面にＮｉめっき層を形成することで金属枠体の外表面に施した多層めっき層と作用して効果的なシール性を発揮し、圧入結合などの適用を容易にするなど実用的効果を奏する。
【実施例】
【００１１】
以下、本発明に係る実施例について図面を参照しつつ詳述する。図１（ａ）および図１（ｂ）に示す水晶振動子は本発明の電子部品用パッケージ３５である。このパッケージ３５は、直径１．２ｍｍの円筒状であり、気密端子構造のステム部材１０と、円筒状金属キャップ２０と、ステム部材１０上でリードの多層めっき層からなる接合材を利用してはんだ付けされた電子部品の水晶片３０とを具備する。ステム部材１０は、図２に示すように、円筒状金属枠体１２、この金属枠体１２の内側に貫通配置した一対のリード１４、およびリードを金属枠体１２から絶縁して気密封着する絶縁ガラス材１６からなるガラス対金属封着構造である。ステム部材１０は周知の方法で予め加熱用組立治具に金属枠体とリードと共にガラスタブレットのガラス材を組み込み、加熱炉を通炉することによりガラス材を軟化・溶融して気密封着される。金属枠体１２および一対のリード導体１４はお互いに絶縁ガラス材１６と熱膨張率が近似する材料が選択されて使用され、金属材料はコバール材であり、他にＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの合金が利用され、その表面には本発明の特徴とする多層めっき層の接合材が設けられる。ステム部材１０のリード１４の表面部分が図３の拡大断面図に示され、リードの金属母材４１とその表面に設けた多層めっき層４０が拡大して示される。この多層めっき層４０は、後述するように、それぞれの層でめっき金属とめっき厚さが特定され、所望する作用効果を満足させるように選定される。すなわち、図１（ａ）に示すステム部材１０のリード１４に水晶片３０を３５０℃〜４００℃のはんだ付け工程で接合するに好都合な多層めっき層４０が設けられている。このステム部材１０はパッケージの金属ベースとなって、これに電子部品の水晶片３０がはんだ付けにより装着される。そして、水晶片３０が装着されたステム部材１０には金属キャップ部材２０が被せられて金属枠体の外面側に設けられた同様の多層めっき層の接合材（図示せず）を介して気密封止される。なお、金属キャップ部材２０は洋白材から成り、その内周面にＮｉめっき層を１μｍ以内の厚さで形成する。このＮｉめっきは金属枠体の外表面に形成した接合材と効果的なシール性を発揮し、圧入結合などの適用を容易にするなど実用的効果を奏する。
【００１２】
リードの接合材である多層めっき層４０は、図３に示すように、金属母材４１の表面に７μｍのＣｕ下地めっき層４２が形成される。この下地めっき層の上に第１中間めっき層として、１５μｍのＳｎＣｕ合金はんだめっき層４４が形成される。さらに、この上に、第２中間めっき層として０．３μｍのＡｇバリヤめっき層４６が形成される。最上層には０．７μｍのＡｕ仕上めっき層４８が形成される。それぞれの積層めっき層はそれぞれの機能を発揮するに満足な厚さを有する。たとえば、下地めっき層４２は金属母材と中間めっき層との密着性確保をするための厚さである。これが４μｍより薄いと上層のＳｎＣｕ合金めっき層と拡散してしまうので４μｍ以上の厚さに選ばれる。ＳｎＣｕ合金めっき層４４ははんだ付けの主役となるろう材としての機能を発揮するように比較的厚く設定される。すなわち、水晶片とのはんだ付けではろう材としての接合強度を確保するものであり、めっき厚さはマウント部のろう肉として充分な量を確保すべく１０〜２０μｍの範囲で選ばれ、ＳｎＣｕ合金のＣｕ濃度を２〜７ｗｔ％でめっき層を形成する。Ａｇのバリアめっき層４６はパッケージの基板等への実装におけるリフローはんだ処理に耐える耐熱効果を発揮させるもので、ＳｎＣｕ合金めっき層の一部液相の出現に伴なう不具合の発生を阻止する。したがって、リフロー工程においてはリフロー最高温度の２６０℃で不具合を生じないようにバリアめっき層４６の厚みを０．１〜０．５μｍの範囲である０．３μｍとした。この厚さであると、はんだ付け工程において上下のめっき層と合金化して全て液相になるはんだ付け性が良好であり、拡散合金化によってはんだめっき層のＳｎ濃度を下げリフロー時に発生する液相の比率を小さくする耐熱効果を得る。また、最上層であるＡｕ仕上めっき層ははんだ付け時、呼び水的にはんだ流れを促進すると共にバリヤのＡｇを溶かし込み溶融消失させるためであり、はんだ付け性と耐熱性を得ることを条件として設定された。この仕上めっき層は、上述のＡｕ単層のほかにＡｕＳｎ合金の単層またはＡｕ＋Ｓｎの２層としても同様な効果を発揮し、それぞれの厚さは下限を０．３μｍで、上限を１μｍとしてコスト上昇を制限する。
【００１３】
次に、図示されないがリードと同様にして、金属枠体の外表面の接合材である多層めっき層について説明する。金属母材は絶縁ガラス材との膨張係数を考慮してコバールであり、その外表面には２〜５μｍのＣｕ下地めっき層が形成される。この下地めっき層の上に第１中間めっき層として、５〜１０μｍのＳｎＣｕ合金めっき層で気密封止材としての機能を発揮するような軟金属の封止性と加熱時に全て液相にならない耐熱性を備えるめっき層として形成される。この第１中間層はリードの多層めっき層と同様にＣｕ濃度を２〜７ｗｔ％として形成される。さらに、この上に、第２中間めっき層として０．０５〜０．３μｍのＡｇバリヤめっき層が形成される。このバリヤめっき層はリフロー処理ではんだめっき層に液相が出現しても形状を維持してアウトガスの発生を防ぎ、外部と液相の接触を遮断する。したがって、リフロー時における耐熱性確保と封止作業が容易になるような封止性が得られるように設定された。最上層には０．１〜０．５μｍのＡｕ仕上めっき層が形成される。それぞれの積層めっき層はそれぞれの機能を発揮できるように上述する所定の範囲内で設定しためっき厚を有する。ここで、下地めっき層は金属母材と中間めっき層との密着性を確保する。薄すぎると上層のＳｎＣｕ合金めっき層と拡散してしまうのでこれを避けるように下限が選ばれる。ＳｎＣｕ合金めっき層は金属枠体と金属キャップとの接合シール材としての封止用充填材となるものである。Ａｇのバリアめっき層はリードの場合と同様にパッケージの基板等への実装におけるリフローはんだ処理に耐える耐熱効果を発揮させると同時に封止作業を容易にするものである。最上層であるＡｕ仕上めっき層は下層のＡｇめっき層の化学的変質を阻止するために設けられ、大気との遮断により酸化防止と硫化防止として機能発揮させる。この仕上めっき層の厚さ範囲は比較的薄くても効果が発揮できるので下限が０．１μｍでも効果が得られる。このように多層めっき層は電子部品用パッケージにおいて、密着性の確保、シール性の向上、リフロー工程に対する耐熱性の向上、および硫化や酸化等を防止する耐化学変化対応性を奏することで接合材としての機能を発揮する。
【００１４】
図４は上述する多層めっき層からなる接合材の別の実施例を示す。この実施例は図３に示す実施例に対して、最上層にＳｎめっき層５２を設けたものであり、同一部分には同一符号を使用して説明を省略する。この多層めっき層５０は金属母材４１の表面に上述と同様に下地めっき層であるＣｕめっき層４２、第１中間めっき層のＳｎＣｕ合金めっき層４４、バリヤめっき層であるＡｇめっき層４６、仕上めっき層のＡｕめっき層４８が順次積層して形成され、さらに仕上めっき層として最上層にＳｎめっき層５２が厚さ０．３〜１μｍの範囲内でほどこされる。すなわち、仕上めっき層がＡｕ＋Ｓｎの２層のめっき層で形成されたものである。このＳｎめっき層５２はろう材の流れ性を向上させると同時に酸化防止にも役立つ。このようにして、本発明は特定の金属材で多層めっき層を形成して接合材とするものでＰｂフリー化を図りつつ、従来の表面実装作業でのリフロー処理温度２６０℃に耐える高性能の電子部品用パッケージを実現した。特に、Ｐｂフリーはんだ材料として、表面実装作業温度より低い固相線温度を有するＳｎＣｕ合金を使用することで、水晶振動子のような電子部品の特性と信頼性を損なうことなくかつリフロー温度に影響されない電子部品用パッケージとその製造方法を開示する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例を示す電子部品用パッケージであり、図１（ａ）はその分解斜視図、図１（ｂ）はその組立後の要部を示す部分切欠き斜視図である。
【図２】図１に示す電子部品用パッケージに使用するステム部材の拡大断面図である。
【図３】同じく図２に示すステム部材のリード表面に設けた接合材の部分拡大断面図である。
【図４】同じく図３に示す別の実施例であり、ステム部材のリード表面の接合材の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
【００１６】
１０…ステム部材、  １２…金属枠体、  １４…リード、  １６…絶縁ガラス材、
２０…金属キャップ部材、  ３０…水晶振動子、  ３５…パッケージ、
４０、５０…多層めっき層、  ４１…金属母材、  ４２…下地めっき層（Ｃｕめっき層）、
４４…第１中間めっき層（ＳｎＣｕ合金はんだめっき層）、
４６…第２中間めっき層（Ａｇバリヤめっき層）、  ４８…仕上めっき層（Ａｕめっき層）、
５２…仕上めっき層（Ｓｎめっき層）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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