(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室を画成する真空チャンバと、
前記処理室に設置された受電端子部と、
前記真空チャンバの外部に設置された外部電源に接続され前記真空チャンバの内部に臨む給電端子部と、
前記給電端子部と前記受電端子部との間に挟持される導電性の中間材と、
前記給電端子部に対して着脱自在に取り付けられ、前記給電端子部を収容する収容空間を含む中空部を有し、前記収容空間が前記中間材で遮蔽されている絶縁材料製の筒体とを備えたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記筒体の中空部は、前記中間材によって前記給電端子部の収容空間と前記受電端子部の収容空間とに区画されている請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記筒体の中空部は、前記給電端子部の収容空間よりも前記受電端子部の収容空間の方が内径が大なる段付孔で形成され、当該段付孔の段部に前記中間材の周縁が支持されている請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記段付孔の段部は粗面化されている請求項３に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記中間材は、グラファイトからなる請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記中間材の中央部には貫通孔が形成されており、前記給電端子部および前記受電端子部の少なくとも一方は、端子面が凸状に形成されている請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項７】
処理室を画成する真空チャンバと、前記処理室に設置され被処理基板を支持し加熱するホットプレート又は前記被処理基板を支持する静電チャックと、前記真空チャンバの外部から前記ホットプレート又は前記静電チャックへ電流を供給する電流供給端子とを備えた真空処理装置において、
前記電流供給端子は、前記真空チャンバの外部に設置された電源に接続され前記真空チャンバの内部に臨む給電端子部と、この給電端子部に対して着脱自在に取り付けられ前記給電端子部を収容する中空部が形成された絶縁材料製の筒体と、前記給電端子部と前記ホットプレート又は前記静電チャックの受電端子部との間に挟持される導電性の中間材とを備え、
前記筒体の中空部であって前記給電端子部の収容空間が、前記中間材で遮蔽されていることを特徴とする真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、真空チャンバ外部に配置された電源から真空チャンバ内部に配置されたホットプレートに電流を供給するための電流導入端子およびこれを備えた真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置のひとつであるエッチング装置やスパッタ装置は、図７に模式的に示すように、真空チャンバ１の内部に所定の真空度にまで減圧される処理室２を有している。そして、この種の真空処理装置においては、処理室２の内部にウェーハＷを支持すると共にウェーハＷを所定温度に加熱するホットプレート４を備えたものがある。
【０００３】
ホットプレート４は、加熱ヒーター３による抵抗加熱作用で加熱される。加熱ヒーター３は窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素を主成分とするセラミック材料にて構成されている。真空チャンバ１の外部には加熱用電源５が設置されており、加熱ヒーター３側の受電端子部７と加熱用電源５側の給電端子部８とが接合されることにより、加熱ヒーター３が発熱可能となる。
【０００４】
給電端子部８は電気配線９を介して加熱用電源５に接続されている。給電端子部８は、ホットプレート４を支持し真空チャンバ１の外壁の一部を構成する台座６の必要箇所に一対（正極、負極）取り付けられている。受電端子部７は加熱用ヒーター３に一体的に取り付けられており、台座６に対してホットプレート４を着脱する際、受電端子部７と給電端子部８とが互いに接触あるいは分離されるようになっている。
【０００５】
ホットプレート４は、ウェーハＷと直接接触する部材であるため、ホットプレート４の表面の摩耗は避けられず、摩耗によって発生するパーティクル、ウェーハ裏面への金属汚染転写等が懸念される。このため近年、ホットプレート４そのものがメンテナンス対象部材と考えられるようになっており、ホットプレート４の着脱を容易に行うため、給電端子部８に対する加熱ヒーター３の受電端子部７と給電端子部８との電気的接合部を真空チャンバ１の内部に設置している。
【０００６】
ホットプレート４の定期メンテナンスにより、給電端子部８と受電端子部７との接合部の取り付け及び取り外しが頻繁に行われることになる。両端子間の接合が不適切である場合、端子間における接触抵抗が増大し、焼損に至る場合がある。
【０００７】
これを防ぐため、図８に示すように、ホットプレート４を台座６に対して固定するネジ部材１０の締め付け力を利用して給電端子部８を受電端子部７に接合する構成が知られている（特許文献１参照）。図示の例において、給電端子部８は、加熱用電源に接続された軸部材１１の上端に螺合されるネジ孔を備えた銅筒で構成され、その周囲には切込み８ａが螺旋状に形成されており、ネジ部材１０の締め付け力に応じて給電端子部８が引っ張られて軸方向に伸長可能となっている。ネジ部材１０の締め付け反力は、軸部材１１及び固定部材１２を介して台座６が受けるように構成されている。
【０００８】
図８の構成によれば、ネジ部材１０の締め付け力で給電端子部８が伸長し、ホットプレート４の下面に臨む受電端子部７と接合される。これにより、ネジ部材１０の締め付け力で受電端子部７と給電端子部８との間の接触圧を調整でき、両端子間の低接触抵抗での電気的接合が確保される。ところが、ネジ部材１０の締め付け力に起因して両端子部の接合界面が融着するおそれがある。端子部接合界面の融着が発生すると両端子部の分離が困難になり、ホットプレート４の取り外し作業に支障を来すことになる。
【０００９】
このような問題を解決するため、図９に模式的に示すように、給電端子部８と受電端子部７との間に、これらの端子部界面における接触抵抗の低減と端子部間の融着の抑制を目的として、金属製あるいはカーボン製の中間材１３を配置させる構成が有効とされている（例えば特許文献２参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−５０４２５号公報
【特許文献２】特開２００２−１５１３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
さて、ホットプレートが定期メンテナンスの対象部品である場合、台座に対するホットプレートの着脱作業性およびメンテナンス作業性が、装置のダウンタイムを大きく左右する。しかしながら、給電端子部と受電端子部との間に中間材を配置すると、ホットプレートの取り外し時に上記中間材が電源側の給電端子部に残存する場合がある。この場合、別途この中間材を除去する作業が必要となる結果、メンテナンス作業性が損なわれるという問題がある。
【００１２】
また、加熱用電源の給電端子部と加熱ヒーターの受電端子部との間の接合部を真空チャンバの内部に設置した場合、これらの接合部は、処理室に導入されるプロセスガスに曝されることになる。特に、反応性スパッタリングや反応性ガスを使用するエッチング、ＣＶＤ等においては、プロセスガスとしてＨ2、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｆ2、ＢＣｌ3等のハロゲン系ガスが用いられる。これらの反応性ガスにより、給電端子部を構成している部材（アルミニウム、銅、ニッケル等）が変質を起こし、その結果、端子部の交換を必要として装置のダウンタイムが長くなるという不具合を引き起こす。
【００１３】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、給電側および受電側端子部間の融着を防止しながらホットプレートのメンテナンス作業性を高められ、更に、給電端子部のプロセスガスによる影響を少なくできる電流導入端子および真空処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の電流導入端子は、外部電源に接続された給電端子部と、この給電端子部に対して着脱自在に取り付けられ給電端子部を収容する中空部が形成された絶縁材料製の筒体と、給電端子部と相手側の受電端子部との間に挟持される導電性の中間材とを備え、上記筒体の中空部であって給電端子部の収容空間が、上記中間材で遮蔽されていることを特徴とする。
【００１５】
上記構成の電流導入端子は、処理室を画成する真空チャンバの外部から、上記処理室に設置され被処理基板を支持し加熱するホットプレートへ電流を供給する電流導入端子に適用することができる。
【００１６】
このように構成された真空処理装置においては、ホットプレートのメンテナンス時に、給電端子部を収容する筒体を給電端子部から取り外すだけで、給電端子部の端子面を覆う中間材を同時に取り出すことが可能となる。これにより、給電端子部の表面から当該中間材を剥ぎ取る作業が不要となり、ホットプレートのメンテナンス性が改善され、装置のダウンタイムを低減することができる。
【００１７】
また、上記中間材が、筒体の中空部であって給電端子部の収容空間を遮蔽するように配置されているので、基板処理中にプロセスガスが筒体内部へ侵入し難くなり、プロセスガスとの接触よる給電端子部の劣化を抑制することができる。
【００１８】
ここで、給電端子部を収容する筒体は、その中空部において給電端子部と受電端子部とを収容できる長さに形成することができる。この場合、筒体の中空部は上記中間材によって給電端子部の収容空間と受電端子部の収容空間とに区画される。この構成により、ホットプレートの取り付け時に、筒体を受電端子部を給電端子部へ適正に接合させるガイドとして機能させることができる。
【００１９】
また、筒体の中空部は、給電端子部の収容空間よりも受電端子部の収容空間の方が内径が大なる段付孔で形成され、当該段付孔の段部に上記中間材の周縁が支持される構造とする。これにより、筒体の取出し時に中間材が段付孔の段部に係合して、筒体と一体的に中間材を取り出せるようになる。また、この段付孔の段部を粗面化することで、中間材の周縁部との密着性を高め、給電端子部の収容空間の密閉性を向上させることができる。
【００２０】
中間材は、給電端子部と受電端子部との間に挟持されることで、両端子部間における接触抵抗を低減するとともに両端子部間の融着を抑制する。中間材を構成する材料としてはグラファイト箔が好適である。グラファイトは、低抵抗で耐熱性があり、化学的にも非常に安定な材料だからである。
【発明の効果】
【００２１】
以上述べたように、本発明によれば、給電端子部と受電端子部との間に挟持される中間材によって両端子部間における融着を防ぐことができるとともに、メンテナンス作業時における中間材の取出し性を高めることができ、更に、基板処理中においてプロセスガスによる給電端子部の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
［第１の実施の形態］
図１は本発明の実施の形態による真空処理装置１５の概略構成を示す断面図である。真空処理装置１５は、真空チャンバ２１と、真空チャンバ２１の内部に画成され所定の真空度に減圧可能な処理室２２と、処理室２２の内部に設置されたホットプレート２４とを備えている。なお、図示せずとも処理室２２には、反応性ガスの導入機構や成膜材料のターゲット、プラズマ生成手段など、プロセスに応じて必要な装備が設置されているものとする。
【００２４】
ホットプレート２４は、被処理基板としての半導体ウェーハやガラス基板（以下、単に「基板」という）Ｗを支持する基板支持台として構成されているとともに、内部に抵抗加熱作用で発熱する加熱ヒーター２３が設置されることで基板Ｗを所定温度にまで加熱可能に構成されている。ホットプレート２４は、真空チャンバ２１の底壁に固定された台座２６に対して、例えば複数本のネジ部材（図示略）を介して着脱自在に取り付けられている。
【００２５】
台座２６はステンレス等の金属製で、真空チャンバ２１の底壁に対して密封部材３１を介して取り付けられている。台座２６の中央部には、真空チャンバ２１の外部に設置された加熱用電源（図示略）から加熱ヒーター２３へ必要電流を供給する電流導入端子２５を設置するための空間部２６ａが形成されている。なお図示せずとも、台座２６の空間部２６ａは２箇所形成され、その各々に同様な構成の電流導入端子２５が正極用および負極用として配置されているものとする。
【００２６】
電流導入端子２５は、加熱用電源に接続された給電端子部２８と、ホットプレート２４に内蔵された加熱ヒーター２３の受電端子部２７との間を電気的に接合するソケット構造を有する。電流導入端子２５は、給電端子部２８と、この給電端子部２８を収容する中空部３８が形成された絶縁材料製の筒体３４と、給電端子部２８と受電端子部２７との間に挟持される導電性の中間材３３とを備えている。
【００２７】
給電端子部２８は、真空チャンバ２１の内部に臨むようにして、台座２６の空間部２６ａを下方から閉塞する支持台３５の上に設置されている。この支持台３５はセラミック等の絶縁性材料で構成され、台座２６の下面に対して密封部材３２を介して取り付けられている。支持台３５の中央部には、外部の加熱用電源に対し電気配線２９を介して接続された軸状部３６が突設されており、この軸状部３６に螺合されたバネ受け部材３７と給電端子部２８との間にコイルバネ状のバネ部材３０が固定されている。
【００２８】
軸状部３６、バネ受け部材３７およびバネ部材３０は何れも導電性材料で構成されており、加熱用電源からの供給電流がこれら各部材を介して給電端子部２８に印加されるとともに、この給電端子部２８から中間材３３を介して受電端子部２７へ供給される。なお、バネ部材３０のバネ力は、軸状部３６に対するバネ受け部材３７の回動操作で調整が可能となっている。
【００２９】
筒体３４は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料で形成された円筒体で、給電端子部２８と台座２６との間を電気的に絶縁する。本実施の形態において、筒体３４は、図１に示したように、給電端子部２８と受電端子部２７の双方を収容できる長さに形成されている。
【００３０】
筒体３４の中空部３８は、給電端子部２８と受電端子部２７との間に挟持された中間材３３によって、給電端子部２８の収容空間と受電端子部２７の収容空間とに区画されている。本実施の形態では、筒体３４の中空部３８は、図２に示すように、給電端子部２８の収容空間の内径Ａよりも受電端子部２７の収容空間の内径Ｂの方が大なる段付孔で形成され、この段付孔の段部３８ａに中間材３３の周縁が支持されている。つまり、中間材３３の外径は、内径Ａより大きく内径Ｂよりも小さい。
【００３１】
中間材３３の周縁が筒体３４の中空部３８の段部３８ａに係合することで、給電端子部２８の収容空間が中間材３３で遮蔽される。台座２６に対するホットプレート２４の取付け前は、給電端子部２８はバネ部材３０の付勢力を受けて筒体３４の中空部３８の段部３８ａよりも上方側へ突出している。そこで、台座２６に対するホットプレート２４の取付け時、ホットプレート２４の自重で受電端子部２７が中間材３３を介して給電端子部２８を下方へ押し込み、ホットプレート２４の下面が台座２６の上面に接触したときに中間材３３が筒体３４の段部３８ａに密着する高さ位置で受電端子部２７が給電端子部２８と対向するように構成される。
【００３２】
中間材３３は円形状に形成され、バネ部材３０の付勢力を受けて給電端子部２８と受電端子部２７との間に挟持される。中間材３３は、給電端子部２８と受電端子部２７との間で挟持されることで、両端子部間における接触抵抗を低減するとともに両端子部間の融着を抑制する。
【００３３】
中間材３３を構成する材料としては、以下の理由によりグラファイト箔が好適である。  電気伝導性に関して、グラファイトの比抵抗は７００μΩｃｍ（２０℃）であり、この値は金属材料とほぼ等しい（銅：２μΩｃｍ、アルミニウム：５μΩｃｍ）。よって、ヒーター定格を例えば３〜４ｋＶＡに設定した場合の使用環境下における電気抵抗に換算した場合においても問題ない値であり、接触抵抗による損失（発熱）も発生しない。
また、安定性に関しては、カーボンの化学結合は非常に強固で安定した材料である。耐熱性に関しても８００℃を上限使用温度と設定した場合、グラファイトの耐熱温度以下である。
物性に関してもグラファイトは加工し易く（ＮＣ等の加工機を必要としない）、かつセラミックスの表面凹凸（Ｒａ：１μｍ程度）に密着する粗さを有している。
【００３４】
以上のようにグラファイトは各種真空処理条件に対して耐久性を有している。従って、反応性ガスを主体とする特殊ガスを用いて基板Ｗの真空処理（成膜あるいはエッチング）が行われる場合には、当該グラファイト製の中間材３３で筒体３４の給電端子部収容空間を遮蔽することで、中間材３３の劣化を防ぎながら、給電端子部２８の収容空間への反応性ガスの侵入を抑止し、給電端子部２８の変質を抑えることが可能となる。
【００３５】
一方、グラファイト製の中間材３３は、圧縮応力に対して優れた強度を有するものの、曲げ・せん断応力に対しては非常に脆いという欠点を有している。従って、使用中に中間材３３の曲げ変形等が原因で形状が崩れると、これに伴って処理室２２内にダストを発生させるおそれがある。
【００３６】
本実施の形態では、このような中間材３３の不適切な曲げ等に起因したダストの発生を抑制するために、中間材３３の中央部に貫通孔３３ａを形成している。貫通孔３３ａの大きさは中間材３３の外径に応じて設定され、例えば外径８ｍｍの中間材において貫通孔３３ａの内径は２．５ｍｍ程度に設定される。そして、この中間材３３を挟む給電端子部２８および受電端子部２７のうち一方（本実施の形態では給電端子部２８）の端子面２８ａを凸状に形成している。
【００３７】
これにより、中間材３３において円面応力が最も集中する円弧先端箇所（外周縁）での皺やねじれの発生を避けることが可能となる。また、図３に示すように給電端子部２８と受電端子部２７との間で中間材３３を挟み込んだ際の中間材３３の変形を最小限に抑えられ、パーティクルの発生要因を抑制することが可能となる。
【００３８】
なお、中間材３３は、支持台３５の上に筒体３４を配置した後、この筒体３４の中空部３８に組み入れられる。このとき、中間材３３の厚みが大きいと、段部３８ａ上における組込姿勢が不適切になるおそれがある。これを防止するため、中間材３３の厚みは小さい方が望ましく、例えば０．８ｍｍ程度が好ましい。
【００３９】
また、本実施の形態では、中間材３３による筒体中空部３８の給電端子部収容空間の密閉性を向上させるために、中空部３８の段部３８ａを粗面化している。これにより、図４に模式的に示すように、中空部３８の段部３８ａの表面凹凸にならって中間材３３の表面が押し潰され、アンカー効果と同様な原理で両者間の接触面積を増大させ密着性を高めることができる。段部３８ａの粗面化処理法は公知の手法を採用でき、例えばブラスト処理法が用いられる。
【００４０】
以上のように構成される本実施の形態の真空処理装置１５においては、図１に示したように、ホットプレート２４に内蔵された加熱ヒーター２３の受電端子部２７は、電流導入端子２５においてグラファイト製の中間材３３を介して給電端子部２８に接合される。受電端子部２７と給電端子部２８の接触圧は、バネ部材３０のバネ力によって最適な接触圧に設定されている。これにより、中間材３３によって受電端子部２７と給電端子部２８との間の接触抵抗が低減され、両端子部間の融着を発生させることなく、加熱用電源から供給されるヒーター駆動電流を効率良く加熱ヒーター２３へ供給し基板Ｗを加熱することができる。
【００４１】
また、処理室２２内にプロセスガスとしてＨ2、ＮＦ3、ＨＢｒ、Ｆ2、ＢＣｌ3等のハロゲン系ガスを主体とした反応性ガスを導入して基板Ｗに所定の真空処理（成膜あるいはエッチング）を行う際、導入された反応性ガスは、ホットプレート２４と台座２６との間、ホットプレート２４と筒体３４との間を介して、筒体３４の中空部３８へ侵入する。このとき、筒体３４の中空部３８であって給電端子部２８の収容空間は、中空部段部３８ａに周縁が密着する中間材３３によって遮蔽されているので、反応性ガスが当該給電端子部収容空間へ侵入することが効果的に抑えられる。これにより、給電端子部２８やバネ部材３０、バネ受け部材３７および軸状部３６等といった部品が反応性ガスに曝されることで、反応による変質あるいは劣化を抑えて耐久性の向上を図ることができる。
【００４２】
一方、ホットプレート２４のメンテナンス時、処理室２２は大気に開放される。ホットプレート２４は台座２６から取り外され、これに伴って加熱ヒーター２３の受電端子部２７が筒体３４から抜き出される。その後、筒体３４が支持台３５から取り出されて給電端子部２８が外部に露出される。
【００４３】
本実施の形態によれば、筒体３４の中空部３８の段部３８ａで中間材３３の周縁を支持する構成であるので、筒体３４に伴って中間材３３を給電端子部２８の端子面が除去することが可能となる。これにより、給電端子部２８から中間材３３を別途剥ぎ取る作業が不要となるので、ホットプレート２４のメンテナンス作業性を高めることができる。また、装置のダウンタイムを低減できるので、生産性向上を図ることができる。
【００４４】
更に、メンテナンス時において真空チャンバ２１の大気開放に先立ち、処理室２２の窒素ガスによる置換が通常行われる。このとき、電流導入端子２５の内部、特に筒体３４の中空部に侵入した反応性ガスは置換されにくい。そこで本実施の形態のように、筒体３４の中空部３８を中間材３３で部分的に遮蔽する構造を採用することで、中空部３８に残存する反応性ガスの量を従来よりも大幅に低減することができる。これにより、大気開放時における残存反応性ガスのクリーンルーム内への漏出を抑制することができる。
【００４５】
［第２の実施の形態］
図５は本発明の第２の実施の形態による真空処理装置１６の概略構成図である。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００４６】
本実施の形態の真空処理装置１６は、電流導入端子４５の構成が上述の第１の実施の形態と異なっている。すなわち、本実施の形態の電流導入端子４５は、台座２６の空間部２６ａに配置される絶縁材料製の筒体４６の中空部が段付孔形状ではなく、ホットプレート２４の取付け位置で受電端子部２７に押圧される中間材３３の周縁を支持する環状の爪部４６ａが内壁面から突出した円筒部材で形成されている。
【００４７】
本実施の形態によっても、上述の第１の実施の形態と同様に、中間材３３によって筒体４６の給電端子部収容空間を遮蔽して当該空間内へのプロセスガスの侵入を抑えることができ、給電端子部２８等の変質、劣化を回避することができる。また、メンテナンス時において、筒体４６と同時に中間材３３を給電端子部２８の端子面から除去することができる。
【００４８】
［第３の実施の形態］
図６は本発明の第３の実施の形態による真空処理装置１７の概略構成図である。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００４９】
本実施の形態の真空処理装置１７は、電流導入端子４８の構成が上述の第１の実施の形態と異なっている。すなわち、本実施の形態の電流導入端子４８は、台座２６の空間部２６ａに配置される筒体４９は、中間材３３の外径よりも小さな内径の中空部を備えるとともに、当該中空部は給電端子部２８のみを収容できる大きさに形成されている。そして、筒体４９の上端部４９ａで中間材３３の周縁を支持する構成となっている。
【００５０】
本実施の形態によっても、上述の第１の実施の形態と同様に、中間材３３によって筒体４９の給電端子部収容空間を遮蔽して当該空間内へのプロセスガスの侵入を抑えることができ、給電端子部２８等の変質、劣化を回避することができる。また、メンテナンス時において、筒体４９と同時に中間材３３を給電端子部２８の端子面から除去することができる。
【００５１】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５２】
例えば以上の実施の形態では、例えば以上の各実施の形態では、ホットプレート２４の加熱ヒーター２３と外部の加熱用電源との間を電気的に接続する電流導入端子を例に挙げて説明したが、これに代えて、当該電流導入端子を基板Ｗを支持するステージに内蔵された静電チャック機能の電極部と外部電源との間を電気的に接続する端子接合構造にも本発明は適用可能である。
【００５３】
また、以上の各実施の形態では、ホットプレート２４の加熱電源は直流電流源に限らず、交流電流源であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による真空処理装置１５の概略断面図である。
【図２】上記真空処理装置１５における電流導入端子の筒体３４の構成を示す平面図及び側断面図である。
【図３】上記真空処理装置１５における給電端子部２８、受電端子部２７及びこれら両端子部間に配置された中間材３３との関係を示す説明図である。
【図４】筒体３４の段部３４ａと中間材３３との接触界面の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態による真空処理装置１６の概略断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態による真空処理装置１７の概略断面図である。
【図７】従来の真空処理装置の概略構成図である。
【図８】従来の電流導入端子の構成を示す要部断面図である。
【図９】従来の端子部接合界面を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１５，１６，１７  真空処理装置
２１  真空チャンバ
２２  処理室
２３  加熱ヒーター
２４  ホットプレート
２５，４５，４８  電流導入端子
２６  台座
２７  受電端子部
２８  給電端子部
２８ａ  端子面
３３  中間材
３３ａ  貫通孔
３４，４６，４９  筒体
３８  中空部
３８ａ  段部
Ｗ  基板
【図１】
0004748578.tif 000002
【図２】
0004748578.tif 000003
【図３】
0004748578.tif 000004
【図４】
0004748578.tif 000005
【図５】
0004748578.tif 000006
【図６】
0004748578.tif 000007
【図７】
0004748578.tif 000008
【図８】
0004748578.tif 000009
【図９】
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