(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）の表側（１１）に成長するＳｉＣ体積単結晶（１５）の成長中に、坩堝の内部のＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）を保持するための種結晶ホルダが、
ＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）の裏側（１２）用に上載せ面（２９）を有する少なくとも１つの裏側部材（２８）と、
この裏側部材（２８）とＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）用の少なくとも１つの外周壁（３０）を含み、その際
この外周壁（３０）が、ＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）のその表側（１１）の縁の部分が載る少なくとも１つの突出部（３１）から成り、
前記突出部（３１）がＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）に面する側に第２の傾斜（３３）を有する
ことを特徴とする坩堝内のＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）を保持するＳｉＣ種結晶ホルダ。
【請求項２】
突出部（３１）がＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）に面していない側に第１の傾斜（３２）を有することを特徴とする請求項１記載の種結晶ホルダ。
【請求項３】
裏側部材（２８）と外周壁（３０）が、少なくとも大部分は黒鉛からなることを特徴とする請求項１又は２記載の種結晶ホルダ。
【請求項４】
少なくとも裏側部材（２８）に上載せ面（２９）を形成するタンタル、タングステン、ニオブ、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、ハフニウム及びジルコンの群の材料から成るか又はこの群の少なくとも１つの元素を含む材料から成る層（４０）を備えることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の種結晶ホルダ。
【請求項５】
外周壁（３０）に、タンタル、タングステン、ニオブ、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、ハフニウム及びジルコンの群から選んだ材料又はこの群の少なくとも１つの元素を含む材料から成る層（４０）を備えることを特徴とする請求１乃至４の１つに記載の種結晶ホルダ。
【請求項６】
裏側部材（２８）及びホルダで固定されるＳｉＣ種結晶（１０、１０ａ、１０ｂ、１６）が丸い断面を有することを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の種結晶ホルダ。
【請求項７】
外周壁（３０）が円筒状の形を有することを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の種結晶ホルダ。
【請求項８】
外周壁（３０）が２つのウェブ（３４、３５、３６、３７）を含むことを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の種結晶ホルダ。
【請求項９】
両方のウェブ（３４、３５）が、両者間に配置され、階段状に形成された表側（１１）を有する誤配向のＳｉＣ種結晶（１６）の段の主方向に沿って配置されることを特徴とする請求項８記載の種結晶ホルダ。
【請求項１０】
両方のウェブ（３６、３７）が、１つの鈍角を囲む作用線  （３６０、３７０）を持つことを特徴とする請求項８記載の種結晶ホルダ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ種結晶の表側に成長するＳｉＣ体積単結晶の成長中に、坩堝内の炭化珪素（ＳｉＣ）種結晶を保持するための種結晶ホルダに関する。
【０００２】
単結晶炭化珪素の昇華成長中に、従来その構造が本質的に異なる形態の２つの坩堝が使用されている。第１の実施形態では、昇華させるべき固体の炭化珪素から成る貯蔵物が上方の坩堝範囲内にあり、貯蔵物から昇華したＳｉＣが体積単結晶の形で成長するＳｉＣ種結晶は下方の坩堝範囲内にある。このような第１の坩堝の実施形態は、例えばドイツ特許第３２３０７２７号明細書から公知である。この場合、ＳｉＣ種結晶は単純に坩堝の底部に載っていればよいので、特に種結晶ホルダを設ける必要はない。しかしこの坩堝の実施形態では、固体のＳｉＣ粒子が、例えば貯蔵物から成長するＳｉＣ体積単結晶上に落下し、結晶の成長を妨げることになる。
【０００３】
それに対し、国際特許出願公開第９４／２３０９６Ａ１号明細書又は論文「材料科学及び工学（Materials  Science  and  Engineering）」の第Ｂ２９巻、１９９５年、第９０〜９３頁にも、ＳｉＣ種結晶を坩堝の上方範囲に配置し、ＳｉＣ貯蔵物を下方の坩堝範囲に配置することで、この欠点を回避する第２の坩堝の実施形態が記載されている。しかしＳｉＣ種結晶を坩堝の上方範囲にどのように垂下して固定するかについては詳述していない。
【０００４】
ＳｉＣ種結晶を垂下するもう１つの種結晶ホルダは、特開平２−３０６９９号公報に記載されている。
【０００５】
国際特許出願公開第９７／０７２６５号明細書には、ＳｉＣ種結晶の材料に対し、また貯蔵物の昇華したＳｉＣから形成されるＳｉＣ気相に対して化学的に安定なＳｉＣ種結晶用被覆が開示されている。更にこの被覆は成長中に遭遇する２０００℃以上の温度でも溶融も昇華もしない。その上、この被覆はＳｉＣ種結晶を垂下する装置にも適している。即ちこのＳｉＣ種結晶は、糖液により種結晶ホルダに接着される。しかしこのような糖液は、種結晶ホルダへの熱的結合性が相対的に劣っているため、この実施形態の場合、不所望な温度勾配がＳｉＣ種結晶の内部に形成され、そのため結果として結晶成長が妨げられる危険性がある。
【０００６】
米国特許第５６７９１５３号明細書では、ホルダ内にあるＳｉＣ基板を特に炭化珪素と純粋な珪素を含む溶融物中に上から浸漬する。この公知の方法は、ＳｉＣ体積単結晶を成長させる方法を対象とせず、むしろＳｉＣ基板上にエピタキシャルに単に薄いＳｉＣ層を形成させる液相エピタキシー成長（ＬＰＥ）法に関する。ＳｉＣ体積単結晶を製造する昇華プロセスの場合、このＳｉＣ種結晶を溶融物中に浸漬させるのではなく、更にまたＳｉＣ種結晶をホルダに熱的に結合することに関して基本的に別の要求が存在するため、この開示されたホルダはＳｉＣ体積単結晶を昇華プロセスにより製造するのに使用することはできない。
【０００７】
通常黒鉛から形成された坩堝の内部に垂下固定するのに、ＳｉＣ体積単結晶を挟み込むことも、３×１０-6Ｋ-1の極めて低いＳｉＣの熱膨張率の故に、場合によりこのような挟み込みで耐久的に設置するのを困難にする。即ち、この坩堝の黒鉛が比較的大きな膨張率を有するため、挟み込み式のＳｉＣ種結晶がホルダから外れて落下する可能性がある。しかもＳｉＣ種結晶が成長中に締付け式ホルダ内で僅かに滑って位置ずれした場合も、結晶成長が悪影響を蒙ることになる。
【０００８】
従って本発明の課題は、ＳｉＣ種結晶の確実な保持固定と、保持固定したＳｉＣ種結晶の良好な熱的結合を保証する、ＳｉＣ種結晶の表側に成長するＳｉＣ体積単結晶の成長中に、坩堝の内部にあるＳｉＣ種結晶を保持する種結晶ホルダを提供することにある。更にこの種結晶ホルダは欠陥の少ない、しかも高品質のＳｉＣ体積単結晶の成長に適さねばならない。特にこの種結晶ホルダは、ＳｉＣ種結晶の垂下固定にも適していなければならない。
【０００９】
この課題は、請求項１の特徴部に記載の種結晶ホルダにより解決される。
【００１０】
ＳｉＣ種結晶の表側に成長するＳｉＣ体積単結晶の成長中に、坩堝の内部のＳｉＣ種結晶を保持するこの種結晶ホルダは、
−ＳｉＣ種結晶の裏側用に上載せ面を有する少なくとも１つの裏側部材と、
−この裏側部材とＳｉＣ種結晶用の少なくとも１つの外周壁を含み、その際
−この外周壁がＳｉＣ種結晶に面している末端にＳｉＣ種結晶が載る突出部を有する。
【００１１】
本発明は、ＳｉＣ体積単結晶の成長に適した種結晶ホルダが、十分な機械的固定の他に、特に円板状ＳｉＣ種結晶の裏側への熱的結合も常に保証せねばならないという認識に基づく。この熱的結合は、ＳｉＣ種結晶の裏側と接触する裏側部材により行う。裏側部材は機械的保持機能を持たないので、ＳｉＣ種結晶の良好な熱的結合を目視で判断できる。特にこの裏側部材は放熱、即ちＳｉＣ種結晶とその上に成長するＳｉＣ体積単結晶から十分に熱を放散する役目をする。
【００１２】
それに対し機械的固定は外周壁を介して行われ、ＳｉＣ種結晶はその突出部に載っており、それにより坩堝の上方部分内に確実に固定できる。この外周壁と裏側部材の形状寸法は、裏側部材がＳｉＣ種結晶と接するように、固定すべきＳｉＣ種結晶に適合させる。この裏側部材は、例えば単にＳｉＣ種結晶上に載っていてもよいが、その形状寸法の適切な選択によりＳｉＣ種結晶と裏側部材との間に所定の接触圧を加えてもよい。いずれの場合も、ＳｉＣ種結晶の裏側部材への良好な熱的結合は保証される。
【００１３】
この壁の突出部は、ＳｉＣ種結晶を縁の範囲の表側に固定するか、ＳｉＣ種結晶内にカットした縁の中断部に固定するかのいずれかである。この外周壁は、主にＳｉＣ種結晶の厚さの方向に平行に延び、従って成長するＳｉＣ体積単結晶の成長方向に平行に延びている。
【００１４】
種結晶ホルダにＳｉＣ種結晶を取付けるべく、ホルダは特に分解・組立て可能であり、互いに機械的に独立した少なくとも２つの部品を含む。１実施形態では、裏側部材と外周壁を分離した部品として形成する。ＳｉＣ体積単結晶は、その表側の突出部により覆われた範囲を除いて使えるよう、まず外周壁内に置かれる。この覆われていない部分にＳｉＣ体積単結晶が成長する。次に裏側接触部をＳｉＣ種結晶の裏側に置き、外周壁を上方の坩堝壁に取付ける。
【００１５】
しかし種結晶ホルダは、別の実施形態でも、ＳｉＣ種結晶を収容する、組立て可能な少なくとも２つの半殻部材を含む。この実施形態では、分割された部材としてではなく単に相応する機能部材でも、外周壁と裏側接触部が存在する。
【００１６】
典型的には、成長するＳｉＣ体積単結晶は少なくとも１ｍｍ、特に５ｍｍの長さを有する。できるだけ大きなＳｉＣ体積単結晶を成長させると有利である。
【００１７】
この種結晶ホルダの特別な実施形態は、従属請求項に記載してある。
【００１８】
外周壁の突出部が、ＳｉＣ種結晶に面していない突出部側に第１の傾斜を有する実施形態は有利である。そのため突出部の壁厚は保持すべきＳｉＣ種結晶の中心に向かって減少していき鋭角をなす。このような第１の傾斜は、成長するＳｉＣ種結晶が突出部の材料と成長して粘着するのを阻止する。従ってこれは、特にＳｉＣ体積単結晶の切断面が通常成長期間につれて容易に拡大できるので極めて有利である。従ってこのＳｉＣ体積単結晶は、成長終了後、比較的容易に種結晶ホルダから外すことができる。
【００１９】
突出部が、ＳｉＣ種結晶に面する側に第２の傾斜を有するもう１つの実施例も有利である。ＳｉＣ種結晶を対応し、相補的に第３の傾斜により先を削るにしても、種結晶ホルダ内にＳｉＣ種結晶の特に良好な存在個所を獲得できる。ＳｉＣ種結晶の、ＳｉＣ体積単結晶が成長する表面が、外周壁の下縁から若干突出するようにＳｉＣ種結晶を削るのも有利である。これはＳｉＣ種結晶の対応する第３の傾斜又は縁の中断部によって達成される。
【００２０】
１実施形態では、黒鉛を主として外周壁及び裏側部材に使用する材料として設ける。黒鉛は高耐熱性の物質であり、従って単結晶炭化珪素の昇華成長中の高い処理温度で使用するのに極めて適する。特に黒鉛は、高純度の電気黒鉛の形を取ることもできる。
【００２１】
もう１つの有利な実施態様は、裏側部材にＳｉＣ種結晶を載せる耐熱性の層を備える点で優れる。この層は、特にＳｉＣ種結晶の材料及びＳｉＣ気相の成分に対し化学的に安定であり、かつ遭遇する処理温度で溶融せず、かつ昇華もしない材料で作る。従ってこの層はタンタル、タングステン、ニオブ、モリブデン、レニウム、イリジウム、ルテニウム、ハフニウム及びジルコンの群の材料から成るか又はこの群の少なくとも１つの物質を含んでいるとよい。特にこの層は、上記の高融点材料の炭化物の１つを含んでもよい。
【００２２】
特に、少なくとも裏側部材上のＳｉＣ種結晶の上載せ面の部分内にあるこの層は、その成長面に面さない裏側の熱分解（ＳｉＣ種結晶の劣化）を阻止する。このような熱的劣化は、元来ＳｉＣ種結晶の裏側のみに存在する欠陥が完成したＳｉＣ種結晶を貫通して、成長するＳｉＣ体積単結晶内に迄拡大し、そこで成長したＳｉＣ体積単結晶に得られる筈の品質に悪影響を及ぼす。この層は、特にＳｉＣ種結晶から珪素が種結晶ホルダ内に拡散するのを阻止し、かつＳｉＣ種結晶から珪素が種結晶ホルダの材料と化学反応するのを阻止する。この層は裏側部材に相応して、被覆として又は裏側部材とＳｉＣ種結晶との間に例えば箔の形の可動のインサートとして形成してもよい。
【００２３】
もう１つの有利な実施形態では、化学的に安定で、高融点の材料から成る層を裏側部材の上載せ面のみでなく、種結晶ホルダとＳｉＣ種結晶との全接触面、例えば外周壁にも設ける。従って接触面でＳｉＣ種結晶の熱的劣化が生ぜず、従って成長するＳｉＣ体積単結晶の品質も、この作用により低下することはない。
【００２４】
或いはまた、ＳｉＣ種結晶にもこのような層を設けることができる。その場合裏側部材及び外周壁を被覆する必要はない。
【００２５】
種結晶ホルダがほぼ丸い断面形状を有する実施形態は有利である。これは、特に裏側部材及び外周壁にも該当する。この形状は、ＳｉＣ種結晶の通常同様に丸い断面に基づくものである。この外周壁は、特にその内部空間にＳｉＣ種結晶と裏側部材を配置する円筒状の形を取る。従って、外周壁の下方端の突起は、環状ブラインドの形を有する。
【００２６】
しかし各々丸い断面を持つ裏側部材と円板状のＳｉＣ種結晶を、２つのウェブ状の外周壁で保持する別の実施形態もある。この形態では、突出部を両ウェブの下端で鈎形突起の形とし、この突起上にＳｉＣ種結晶を載せる。
【００２７】
もう１つの有利な実施形態は、誤配向されたＳｉＣ種結晶の保持に関する。即ち、このように設定した所定の誤配向により、ＳｉＣ種結晶の表面に、主に段の主方向とほぼ並列に配向した段が生ずる。
【００２８】
結晶成長の始めに、最初に成長する単結晶の炭化珪素が、まず誤配向された種結晶表面の段の喉部に堆積する。これらの段は動いたり、流れたりするように見える。このことを、実際上段の主たる方向に垂直に生ずる、所謂ステップフローとも呼ぶ。結晶成長中に生じる障害の大部分が、ホルダから出発し、従ってそこから主として段の流れの方向にＳｉＣ体積単結晶内に成長していくことが認められた。従って段の形に構造化した表側を有する誤配向のＳｉＣ種結晶を、両ウェブを介して、両ウェブ間の結合線がほぼ段の主方向に平行に、即ちほぼ段の流れ方向に垂直に延びるよう保持するとよい。両ウェブの作用線は、この実施形態では平行に延びる。ＳｉＣ体積単結晶内で横に障害が成長するのを、こうして著しく低減できる。
【００２９】
この種欠陥の発生を削減する他の方法は、別の有利な実施態様では、両ウェブの作用線が平行に延びず、１つの鈍角を囲むようにすることで達成される。その際、この作用線により形成される鈍角は１８０°未満、１００°以上である。
【００３０】
個々の段は、厳密には互いに並列に延びず、かつ各々同じ段の幅を持たない。しかしこれらの段の配向及びその幅の平均値を挙げることはできる。これらの平均値をここでは段の主方向もしくは段の主幅という。
【００３１】
本発明の実施例を図面の基づき以下に詳述する。明確化のため図面は実寸通りではなく、一定の特徴を概略的に示す。図１〜７の互いに対応する部分には同じ符号を付けてある。
【００３２】
図１は、ＳｉＣ体積単結晶１５の昇華成長の枠内で使用する第１の種結晶ホルダ２０の断面を示す。このホルダ２０は、ＳｉＣ種結晶１０を上方範囲に、特に成長坩堝の上方壁面に機械的に固定する（図示せず）役目をする。このＳｉＣ体積単結晶１５は、ＳｉＣ種結晶１０の表側１１に成長する。
【００３３】
ＳｉＣ種結晶１０の表側１１に面さない裏側１２に接して、黒鉛から成る裏側部材２８が配置されている。この裏側部材２８は、ＳｉＣ種結晶１０が坩堝（図示せず）に良好に熱的に結合するのを保証する。そのため成長する結晶の品質を劣化させる不所望な熱の低下はＳｉＣ種結晶１０内に生じない。
【００３４】
裏側部材２８とＳｉＣ種結晶１０も、外周壁３０により機械的に坩堝の上方壁面に固定される（図示せず）。その上、この壁３０はその下端に少なくとも１つの突出部３１を持ち、その上にＳｉＣ種結晶１０はその表側１１の縁の範囲で載っている。この壁３０も黒鉛製である。
【００３５】
ＳｉＣ種結晶１０の熱的劣化を回避するため、裏側部材２８の上載せ面２９並びに外周壁３０の側と、ＳｉＣ種結晶１０の側との間にタンタル製の層４０がある。この層４０は図１の実施例では厚さ約５０μmのルーズに装入されたタンタル箔である。この層は特にＳｉＣ種結晶１０から珪素が種結晶ホルダ２０の黒鉛に拡散するのを阻止する。即ちこの層４０のタンタルは腐食性のＳｉＣ気相に対し、またＳｉＣ種結晶の材料に対して化学的に安定であり、従って成長品質を不所望に劣化する化学反応を起こすことはない。
【００３６】
ＳｉＣ種結晶１０を、突出部３１を持つ外周壁３０を介して保持固定することで、成長坩堝の上方範囲への確実な固定する（図示せず）を保証する。従って高品質の結晶成長に対する前提条件は、ＳｉＣ種結晶１０を成長坩堝内に、好ましくは垂下配置することである。
【００３７】
図２はＳｉＣ種結晶１０ａを固定する別の種結晶ホルダ２１を示し、これは図１の種結晶ホルダ２０と、突出部３１の形だけが異なる。この突出部３１は、ＳｉＣ種結晶１０ａへの接触面に面していない側に第１の傾斜３２を持つ。この傾斜は、突出部３２の壁厚がＳｉＣ種結晶１０ａの中心と間隔が開くにつれて厚くなるよう形成されている。突出部３１は、この実施例では末端で鋭角をなす。
【００３８】
種結晶ホルダ２１により固定されたＳｉＣ種結晶１０ａも、図１のＳｉＣ種結晶１０と若干異なる。この種結晶１０ａは、突出部３１に設けた縁の踵部１３を持つ。ＳｉＣ種結晶１０ａの表側１１は、そのため外周壁３０の下縁から少しだけ飛び出している。従って第１の傾斜３２も縁の踵部１３も、ＳｉＣ体積単結晶１５が突出部３１の範囲内で外周壁３１に成長するのを阻止する。ＳｉＣ体積単結晶１５の断面積は成長中に若干大きくなるので、図２に示した第１の傾斜３２の形は、ＳｉＣ体積単結晶１５の増大を確実に阻止するのに特に有利である。
【００３９】
図３は、ＳｉＣ種結晶１０ｂを機械的に固定する種結晶ホルダ２２の第３の実施例を示す。外周壁３０の突出部３１もＳｉＣ種結晶１０ｂも、この実施例では互いに適合する第２及び第３の傾斜３３、１４を有する。それによりＳｉＣ種結晶１０ｂが、種結晶ホルダ２２内に特に良好な存在個所を得る。
【００４０】
図４は、図１〜３の種結晶ホルダ２０〜２２を下から見たものである。これら３つの全ての種結晶ホルダ２０、２１及び２２は特に円筒状をなす丸い断面形状を持つ。この丸い形状は、同様に固定されるＳｉＣ種結晶１０、１０ａ及び１０ｂの丸い円板の形に由来する。３つの全ての種結晶ホルダ２０、２１及び２２において、突出部３１は各々ＳｉＣ種結晶１０、１０ａ及び１０ｂ用の周りを環状に囲んで延びる上載せ面で環状の踵を形成する。
【００４１】
しかしこのような周りを環状に囲んでいる環状の踵は、特にその表面が階段状の構造を示す誤配向の種結晶の場合、成長するＳｉＣ体積単結晶１５に欠陥を形成する原因となり得る。
【００４２】
図５は誤配向されたＳｉＣ種結晶１６を示し、その表面法線１７ａは基礎とするα−ＳｉＣの結晶構造の＜０００１＞方向に対し約１０゜傾斜している。他の実施例の場合、３０゜迄であっても良いこの傾斜を誤配向と呼ぶ。この誤配向は表面１７に段１８を形成する役目をする。結晶成長の最初に、第１に成長するＳｉＣ小片１９は主に段１８ののどに堆積する。これはステップフローのように見え、その拡散方向を図５に矢印２５で示す。ホルダから始まる欠陥は、縁で特にＳｉＣ体積単結晶１５内のこのステップフロー方向へ成長するのが見られた。
【００４３】
図６に示す種結晶ホルダ２３の場合、この縁から始まる欠陥は外周壁３０の好適な形で十分に抑制できる。誤配向のＳｉＣ種結晶１６は、２つのウェブ３４、３５により囲まれる。両ウェブ３４、３５は、両者間を結ぶ線が実質的に段１８に平行に、即ちステップフローの拡散方向２５に実質的に垂直に向いている。それに伴い、ＳｉＣの結晶内に向かう欠陥の成長が始まる範囲に機械的な支持部はない。しかしその結果、このような形式の欠陥形成の主な前提条件はなくなり、その結果、著しく欠陥密度の低いＳｉＣ体積単結晶１５が成長する。
【００４４】
図７に示した別の種結晶ホルダ２４により、欠陥密度は更に低減可能である。保持は同様に２つのウェブ３６、３７を介して行われる。これら２つのウェブ３６及び３７の作用線は、図７の例では約１２０゜の鈍角をなす。
【００４５】
図示の種結晶２０〜２４は、任意のポリタイプのＳｉＣ体積単結晶１５に使用できる。例えば４Ｈ−ＳｉＣ６Ｈ−ＳｉＣ又は１５Ｒ−ＳｉＣ又は３Ｃ−ＳｉＣポリタイプの立体ＳｉＣのような、これ迄の全てのＳｉＣポリタイプを成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による第１の種結晶ホルダの断面図。
【図２】  本発明による第２の種結晶ホルダの断面図。
【図３】  本発明による第３の種結晶ホルダの断面図。
【図４】  図１〜３の種結晶ホルダを下から見た平面図。
【図５】  誤配向のＳｉＣ種結晶の断面図。
【図６】  誤配向のＳｉＣ種結晶の第１の種結晶ホルダの平面図。
【図７】  誤配向のＳｉＣ種結晶の第２の種結晶ホルダの平面図。
【符号の説明】
１０、１０ａ、１０ｂ、１６  ＳｉＣ種結晶
１１  ＳｉＣ種結晶の表側
１２  裏側
１３  縁の中断部
１４、３２、３３  傾斜
１５  ＳｉＣ体積単結晶
１７  ＳｉＣ種結晶の表面
１７ａ  表面の法線
１８  段
１９  ＳｉＣ小片
２０〜２４  ＳｉＣ種結晶ホルダ
２５  ステップフローの拡散方向
２８  裏側部材
２９  上載せ面
３０  外周壁
３１  突出部
３４〜３７  ウェブ
４０  層
３６０、３７０  ウェブを囲む作用線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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