(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電子回路が形成された複数のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画されてなるウエーハから、裏面に接着フィルムが設けられた前記デバイスを個々に分割して得る接着フィルム付きデバイスの製造方法であって、
前記ウエーハの表面に、得ようとする前記デバイスの厚さに相当する深さの分割溝を前記分割予定ラインに沿って形成する分割溝形成工程と、
前記分割溝が形成された前記ウエーハの表面に保護部材を被覆する保護部材被覆工程と、
表面に前記分割溝が形成され、かつ、前記保護部材が被覆された前記ウエーハの裏面を、前記分割溝が表出するまで研削して、ウエーハを個々の前記デバイスに分割する裏面研削工程と、
この裏面研削工程を経ることにより個々のデバイスに分割され、かつ、前記保護部材で各デバイスが連結状態となっているウエーハの裏面に、両面が接着面とされた接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
前記接着フィルムに、環状の粘着層が形成され、該粘着層の内側が前記ウェーハよりも大きな非粘着層とされたピックアップフィルムを、該非粘着層を前記ウエーハに対応させて貼着するピックアップフィルム貼着工程と、
前記ピックアップフィルムが貼着された前記ウエーハの表面から前記保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、
前記保護部材が表面から剥離された前記ウエーハの表面側から、前記接着フィルムに吸収されるレーザ光線を、前記分割溝に通して該接着フィルムに照射し、該接着フィルムを分割溝に沿って切断する接着フィルム切断工程と
を備えることを特徴とする接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記接着フィルム切断工程の後に、前記接着フィルムを前記ピックアップフィルムから剥離して、裏面に接着フィルムが貼着された各デバイスを個々にピックアップするピックアップ工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記ピックアップフィルムは、前記非粘着層の周囲に粘着層を有し、この粘着層にフレームが貼着されていることを特徴とする請求項１または２に記載の接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ピックアップフィルムは伸延性を有し、前記接着フィルム切断工程においては、該ピックアップフィルムを伸延性を利用して拡張することにより前記分割溝を広げ、この広がった分割溝に前記レーザ光線を通すことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記接着フィルムと前記ピックアップフィルムが一体化されており、前記接着フィルム貼着工程と前記ピックアップフィルム貼着工程とが一括して行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記保護部材剥離工程で前記保護部材を剥離したときに前記接着フィルムが前記ピックアップフィルムから剥離すること、および、前記ピックアップ工程で接着フィルムがピックアップフィルムに固着して前記デバイスがピックアップ不能になることのいずれの事態も回避するように、前記保護部材剥離工程の前に前記接着フィルムを加熱して該接着フィルムの接着力を調整することを特徴とする請求項２に記載の接着フィルム付きデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ等のデバイスに係る技術であって、裏面にダイボンディング用などの接着フィルムが貼り付けられたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体デバイス技術においては、ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）やＳｉＰ（システム・イン・パッケージ）といった複数の半導体チップを積層した積層型パッケージが、高密度化や小型化を達成する上で有効に利用されている。このような技術に対応する半導体チップは、裏面にＤＡＦ（Die Attach Film）と呼ばれるダイボンディング用の接着フィルムが貼られており、この接着フィルムで半導体チップの積層状態を保持することが行われている。
【０００３】
このような接着フィルム付き半導体チップは、従来、裏面を研削して薄化した半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼り、格子状の分割予定ラインを切断して複数の半導体チップに分割するとともに接着フィルムを切断するといった方法で製造されていた。また、近年では、先ダイシング法といって、半導体ウエーハの表面側に、得るべき半導体チップの厚さに相当する分割溝を分割予定ラインに沿って先に形成し、分割溝を形成した表面に保護部材を貼ってから、半導体ウエーハの裏面側を分割溝に至るまで研削する方法も採用されている。この先ダイシング法では、裏面研削によって半導体ウエーハは半導体チップに分割され、これら半導体チップは保護部材で連結された状態となっており、接着フィルムは、この状態の半導体ウエーハの裏面に貼着され、さらにこの接着フィルムにダイシングテープが貼られ、最後に接着フィルムのみを切断して、接着フィルム付きの半導体チップを得ている（特許文献１参照）。
【０００４】
接着フィルムを切断する方法は、特許文献１では、化学的エッチングやレーザ光線の照射などが記載されており、レーザ光線の場合は、半導体ウエーハの表面側から分割溝を通して接着フィルムに照射している。先ダイシング法によって半導体チップを分割し、その裏面に貼った接着フィルムをレーザ光線の照射によって切断する方法は、特許文献２にも記載されている。同文献では、先ダイシング法で分割された半導体ウエーハの裏面に接着フィルムとダイシングテープを貼っており、レーザ光線はダイシングテープ側すなわち裏面側から接着フィルムに照射している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１１８０８１号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記いずれの文献に記載の方法では、レーザ光線照射によって接着フィルムを切断した後に、裏面に接着フィルムが付着するデバイスをダイシングテープから離すピックアップの際に、接着フィルムがダイシングテープに固着してピックアップされない事態が起こっていた。これは、ダイシングテープが貼り付けられた接着フィルムにレーザ光線が照射されるため、そのレーザ光線照射により、ダイシングテープ側の粘着層が溶融して接着フィルム側に固着してしまうからと推測される。
【０００７】
また、特許文献２に記載の方法では、接着フィルムへのレーザ光線照射時に、分割された半導体チップの間の空間すなわち分割溝が、保護部材とダイシングテープとにより密閉されている。厳密には、分割溝は半導体ウエーハの周面に開放しているが、分割溝はきわめて狭いため、密閉されているといってよい。このため、レーザ光線で加熱されて蒸散する接着フィルムの成分が半導体チップの側面に付着して、隣接する半導体チップどうしをブリッジ状に連結することが起こっていた。このように半導体チップどうしが連結されると、半導体チップのピックアップ不良を招くことになる。
【０００８】
よって本発明は、先ダイシング法で複数のデバイスにウエーハを分割し、そのウエーハの裏面に貼着した接着フィルムをレーザ光線照射で切断した際、接着フィルムの固着あるいはデバイスどうしの固着が起こらず、その結果、デバイスのピックアップ不良が起こらないデバイスの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、表面に電子回路が形成された複数のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画されてなるウエーハから、裏面に接着フィルムが設けられたデバイスを個々に分割して得る接着フィルム付きデバイスの製造方法であって、ウエーハの表面に、得ようとするデバイスの厚さに相当する深さの分割溝を分割予定ラインに沿って形成する分割溝形成工程と、分割溝が形成されたウエーハの表面に保護部材を被覆する保護部材被覆工程と、表面に分割溝が形成され、かつ、保護部材が被覆されたウエーハの裏面を、分割溝が表出するまで研削して、ウエーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、この裏面研削工程を経ることにより個々のデバイスに分割され、かつ、保護部材で各デバイスが連結状態となっているウエーハの裏面に、両面が接着面とされた接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルムに、環状の粘着層が形成され、該粘着層の内側がウェーハよりも大きな非粘着層とされたピックアップフィルムを、該非粘着層をウエーハに対応させて貼着するピックアップフィルム貼着工程と、ピックアップフィルムが貼着されたウエーハの表面から保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、保護部材が表面から剥離されたウエーハの表面側から、接着フィルムに吸収されるレーザ光線を、分割溝に通して該接着フィルムに照射し、該接着フィルムを分割溝に沿って切断する接着フィルム切断工程とを備えることを特徴としている。
【００１０】
本発明は、非粘着層を有するピックアップフィルムを、その非粘着層をウエーハに対応させて接着フィルムに貼着し、ウエーハの表面側から接着フィルムにレーザ光線を照射して接着フィルムを切断することをポイントとしている。接着フィルムと、この接着フィルムに貼着されるピックアップフィルムとの界面には、ピックアップフィルムの粘着層が存在していないため、ピックアップフィルムの粘着層がレーザ光線で溶融し接着フィルムに固着するといったことが起こらない。また、レーザ光線はウエーハの表面側から分割溝を通して接着フィルムに照射され、このとき保護部材はウエーハの表面から剥離されているので、分割溝は表面側に開放し密閉されてはいない。したがって、接着フィルムが溶融して蒸散する成分は分割溝に溜まることなく放散し、隣接するデバイスどうしが接着フィルムの蒸散成分でブリッジ状に連結することも起こらない。これらの結果、ピックアップフィルムから接着フィルムを剥離してデバイスをピックアップするとき、接着フィルムとともにデバイスを円滑にピックアップすることができ、ピックアップ不良が起こらない。
【００１１】
本発明では、接着フィルム切断工程の後に、接着フィルムをピックアップフィルムから剥離して、裏面に接着フィルムが貼着された各デバイスを個々にピックアップするピックアップ工程が行われる。このピックアップ工程において、上記のように接着フィルムとともにデバイスはピックアップフィルムから円滑にピックアップされる。
【００１２】
本発明のピックアップフィルムは、非粘着層の周囲に粘着層を有し、この粘着層にフレームが貼着されている形態を含む。このようにピックアップフィルムにフレームを取り付けると、フレームを介して、ピックアップフィルムが貼着されたウエーハを容易に取り扱うことができるとともに、フレームを支持することにより各工程を円滑に実施することができる。
【００１３】
ピックアップフィルムが伸延性を有していると、接着フィルム切断工程においては、そのピックアップフィルムを伸延性を利用して拡張することにより分割溝を広げることができる。このように分割溝が広がれば、分割溝を通してレーザ光線を接着フィルムに照射しやすくなって生産性の向上が図られる。
【００１４】
本発明では、接着フィルムとピックアップフィルムとが別個のものである構成に代えて、両者が一体化された構成を採用することができる。その場合には、接着フィルム貼着工程とピックアップフィルム貼着工程とが一括して行われることになる。
【００１５】
本発明では、保護部材剥離工程で保護部材を剥離したときに接着フィルムがピックアップフィルムから剥離すること、および、ピックアップ工程で接着フィルムがピックアップフィルムに固着してデバイスがピックアップ不能になることのいずれの事態も回避するように、保護部材剥離工程の前に接着フィルムを加熱して該接着フィルムの接着力を調整する方法を付加することができる。このように保護部材剥離工程の前に接着フィルムを適度に加熱すると、保護部材剥離工程で保護部材を剥離したときに保護部材がウエーハの表面から剥離されるのみでデバイスは接着フィルムを介してピックアップフィルムに付着しており、保護部材とともにデバイスがピックアップフィルムから剥離されてしまうことが回避される。また、接着フィルムを切断した後にデバイスをピックアップするときには、接着フィルムが付着したデバイスがピックアップフィルムから円滑に剥離してピックアップ不良が起こらない。
【００１６】
この方法における接着フィルムの加熱温度は、接着フィルムの材質にもよるが、概ね４０〜１００℃程度とされ、６０℃前後がより好ましい。加熱温度が低すぎるとピックアップフィルムに対するデバイスの粘着力が弱くなり、保護部材を剥離するときにデバイスが保護部材に付着してピックアップフィルムから剥離してしまう。また、加熱温度が高すぎるとデバイスがピックアップフィルムに固着し、デバイスをピックアップするときにデバイスがピックアップフィルムに固着してピックアップしにくくなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ピックアップフィルムの非粘着層をウエーハに対応させて接着フィルムに貼着し、ウエーハの表面側から接着フィルムにレーザ光線を照射して接着フィルムを切断するため、レーザ光線照射によって接着フィルムとピックアップフィルムの固着あるいはデバイスどうしの固着が起こらず、その結果、デバイスのピックアップ不良を防止することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明に係る一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１は、シリコンウエーハ等からなる円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称）を示している。このウエーハ１は、厚さが例えば６００〜７００μｍ程度であり、その表面には、格子状の分割予定ライン２によって多数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されている。これら半導体チップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が形成されている。
【００１９】
本実施形態は、ウエーハ１を、得ようとする半導体チップ３の厚さまで薄化するとともに多数の半導体チップ３に分割し、かつ、それら半導体チップ３の裏面にＤＡＦ等の接着フィルムが貼着されたものを製造する方法であり、以下に、その製造方法を工程順に説明する。なお、説明の中でウエーハ１や半導体チップ３における“表面”は電子回路が形成された側の面、“裏面”は表面とは反対側の電子回路が形成されていない側の面と定義する。
【００２０】
［２］半導体チップの製造方法
（１）分割溝形成工程
図２に示すように、ウエーハ１を、表面を上に向けた状態としてチャックテーブル１０上に保持する。チャックテーブル１０は真空チャック式で、空気吸引によって上面に載置されたウエーハ１を吸着して保持する。チャックテーブル１０は回転自在であって、図示せぬ駆動モータ等によって回転させられる。このチャックテーブル１０上に保持したウエーハ１の表面に、ダイシング装置の切削ブレード１１を切り込ませて、得ようとする半導体チップ３の厚さよりもやや深い分割溝４を、分割予定ライン２に沿って格子状に形成する。図３は、全ての分割予定ラインに分割溝４が形成されたウエーハ１を示している。
【００２１】
（２）保護部材被覆工程
上記のようにして表面に分割予定ライン２に沿った分割溝４が形成されたウエーハ１の表面全面に、図４（ａ）に示すように保護テープ（保護部材）５を貼り付け、表面をこの保護テープ５で被覆する。保護テープ５をウエーハ１に貼着する方法としては、保護テープ５をウエーハ１の表面にローラで押し付けたり、真空チャンバ内で差圧を利用してウエーハ１の表面に密着させ、さらにローラを押し付けたりするなどの方法が採られる。保護テープ５は、紫外線照射によって粘着力が低下するタイプを使用することが望ましいが、それに限定されるものではない。保護テープ５により、ウエーハ１の表面の電子回路が保護される。
【００２２】
（３）裏面研削工程
次に、ウエーハ１の裏面を分割溝４に達するまで研削して、ウエーハ１を多数の半導体チップ３に分割する裏面研削工程を実施する。それには図５に示すように、ウエーハ１を、裏面側を上に向け、表面に貼った保護テープ５を、研削装置のチャックテーブル２０上に密着させて保持する。そして、露出するウエーハ１の裏面全面を、分割溝４が表出するまで、高速回転するカップホイール２１に取り付けられた砥石２２によって研削する。カップホイール２１はフランジ２３を介してスピンドル２４に固定されており、スピンドル２４は、ハウジング２５内に収容された図示せぬモータで回転させられる。
【００２３】
ウエーハ１の裏面の研削は、粗研削の次に仕上げ研削を行う方法が採られる。カップホイール２１の回転数は、粗研削と仕上げ研削とで異なってくるが、ウエーハ１の直径とカップホイール２１の外径（砥石２２の回転軌跡の外径）が同じか近い場合は、概ね３０００〜６０００ｒｐｍとされる。粗研削では砥石２２の砥粒径が５０μｍ程度のカップホイール２１が使用され、仕上げ研削では砥石２２の砥粒径が５μｍ程度のカップホイール２１が使用される。また、ウエーハ１の裏面研削時には、チャックテーブル２０がカップホイール２１と同方向に回転させられ、その回転速度は１００〜３００ｒｐｍとされる。裏面研削により、ウエーハ１は、図４（ｂ）に示すように多数の半導体チップ３に分割される。しかしながら半導体チップ３は保護テープ５で互いに連結された状態となっているため、バラバラにはならない。
【００２４】
（４）接着フィルム貼着工程
裏面を研削して多数の半導体チップ３に分割したウエーハ１を、水洗浄して乾燥させ、この後、図６（ａ）に示すように、真空チャック式のチャックテーブル３０上に、研削した裏面を上にし、下側の保護テープ５を密着させて保持する。次いでこの裏面に、図６（ｂ）に示すように、接着フィルム６を貼り付ける。接着フィルム６は、それ自体が接着性を有する接着材料であり、その接着材料としては、例えば、ガラス転移温度（Ｔｇ）が９０℃以下の熱可塑性ポリイミド樹脂とエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂の混合物を主体とし、これに適宜無機フィラー等の添加剤が混合されたものなどが好適に用いられる。接着フィルム６は、常温で接着力を有するものや、加熱することによって接着力を発揮するものなど、温度条件によって接着力が異なる種類があるので、選択した種類に応じて適宜に加圧したり加熱したりすることにより、ウエーハ１の裏面に接合する。
【００２５】
（５）ピックアップフィルム貼着工程
次に、図６（ｃ）に示すように、ウエーハ１の裏面に貼り付けた接着フィルム６に、リングフレーム７の内側に張られて支持されているピックアップフィルム８を貼り付ける。ピックアップフィルム８は、伸延性を有する樹脂製フィルムが用いられ、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルなどが好適な材料として挙げられる。ピックアップフィルム８は接着フィルム６よりも大径の円形にカットされたもので、図７に示すように、片面の周縁部には、厚さ５μｍ程度の粘着層９が環状に形成されている。粘着層９は、例えばアクリル樹脂系の粘着剤が塗布されて形成されており、この粘着層９にリングフレーム７が貼着されている。
【００２６】
粘着層９の内側は、樹脂製フィルムのままで粘着層９が形成されていない非粘着層８Ａとなっており、この非粘着層８Ａは、ウエーハ１の直径よりもやや大きい円形である。ピックアップフィルム８は、接着フィルム６に対し同心状に配され、かつ、リングフレーム７がチャックテーブル３０側である下側に配された状態で、非粘着層８Ａが接着フィルム６に貼り付けられる。すなわち、ピックアップフィルム８は非粘着層８Ａをウエーハ１に対応させて接着フィルム６に貼着される。
【００２７】
なお、このようなウエーハ１の裏面に対する接着フィルム６およびピックアップフィルム８の貼り付けは、ピックアップフィルム８に接着フィルム６が一体に形成されたような２層構造のフィルムを貼り付けることでも達成され得る。その場合、上記接着フィルム貼着工程とピックアップフィルム貼着工程とは一括して行われることになる。
【００２８】
（６）保護部材剥離工程
続いて、保護テープ５をウエーハ１から剥離する。保護テープ５は、例えば強粘着力テープを保護テープ５に貼ってウエーハ１から離れる方向に引っ張り、強粘着力テープに保護テープ５を粘着させて引き剥がすなどの方法で剥離することができる。
【００２９】
（７）接着フィルム切断工程
表面から保護テープ５が剥離され、裏面に接着フィルム６およびリングフレーム７が付いているピックアップフィルム８が貼着されたウエーハ１を、図８（ａ）に示すように、真空チャック式のチャックテーブル４０上に、表面を上にしてピックアップフィルム８を密着させて保持する。そして、半導体チップ３間の接着フィルム６を切断してウエーハ１を実質的に分割する接着フィルム切断工程を実施する。なお、ウエーハ１の運搬は、リングフレーム７を把持することによってウエーハ１を損傷させることなく容易に果たすことができる。
【００３０】
ここでのチャックテーブル４０は、ウエーハ１が載置されて真空チャックが作用するチャック部４１が中央に設けられており、このチャック部４１の周囲は、外周縁に向かうにつれてなだらかに下がる環状の傾斜部４２となっている。ピックアップフィルム８のウエーハ１の周囲部分は傾斜部４２に載置される。また、図８（ｂ）に示すように、チャックテーブルの外周縁には、ピックアップフィルム８を外周側に放射状に引っ張って拡張する複数のクランプ４３が配設されている。これらクランプ４３はチャックテーブル４０の周方向に等間隔をおいて配置されており、チャックテーブル４３の外周面に、ロータリーシリンダ４４を介して、図８（ｂ）の矢印Ｆ−Ｒ方向に回動するように設けられている。ロータリーシリンダ４４の回動軸はチャックテーブル４０の接線方向に延びており、クランプ４３はチャックテーブル４０の傾斜部４２に対して近付いたり離れたりするように回動する。
【００３１】
接着フィルム６を切断するには、まず、クランプ４３を図８（ｂ）のＦ方向に回動させて、このクランプ４３でリングフレーム７をチャックテーブル４０の傾斜部４２に押さえ付ける。これによってピックアップフィルム８が外周側に放射状に若干引っ張られ、分割溝４の幅が僅かに広がる。この状態を保持して、図８（ａ）に示すように、チャックテーブル４０上に具備させたレーザ光線照射装置５０から、接着フィルム６に吸収されるパルスレーザ光線等のレーザ光線Ｌを分割溝４に通して接着フィルム６に照射し、このレーザ光線Ｌを分割溝４に沿って移動させることにより、接着フィルム６を分割溝４に沿って切断する。
【００３２】
レーザ光線Ｌは接着フィルム６のみを溶融して切断するように作用するものが用いられ、例えば接着フィルム６の主たる材質がエポキシの場合は、波長が３５５ｎｍのパルスレーザ光線が好適である。レーザ光線Ｌの種類や波長等の条件は、接着フィルム６やピックアップフィルム８の材質に応じて適宜設定される。全ての分割溝４にレーザ光線Ｌを通して接着フィルム６を切断することにより、ウエーハ１は多数の半導体チップ３に分割され、それら半導体チップ３は、裏面に接着フィルム６が貼着されたものとなる。
【００３３】
（８）ピックアップ工程
次に、リングフレーム７を利用して、まだ各半導体チップ３が接着フィルム６によって付着しているピックアップフィルム８を所定のピックアップ装置に運搬する。そして、各半導体チップ３をピックアップフィルム８の裏側からピックアップニードル等で突き上げることにより、接着フィルム６が裏面に付いた半導体チップ３をピックアップフィルム８から離し、各半導体チップ３をピックアップして得る。
【００３４】
以上が本実施形態の半導体チップの製造方法であり、この方法によれば、ピックアップフィルム８が接着フィルム６に貼り付けられる部分は粘着層９のない非粘着層８Ａであり、換言すると、接着フィルム６とピックアップフィルム８との界面には、ピックアップフィルム８の粘着層９が存在していない。このため、接着フィルム６をレーザ光線Ｌで切断する際に、ピックアップフィルム８の粘着層９がレーザ光線Ｌで溶融し接着フィルム６に固着するといったことが起こらない。また、レーザ光線Ｌはウエーハ１の表面側から分割溝４を通して接着フィルム６に照射され、このとき保護テープ５はウエーハ１の表面から剥離されているので、分割溝４は表面側に開放し密閉されてはいない。したがって、接着フィルム６が溶融して蒸散する成分は分割溝４に溜まることなく放散する。このため、隣接する半導体チップ３どうしが接着フィルム６の蒸散成分でブリッジ状に連結することも起こらない。
【００３５】
これらの結果、ピックアップフィルム８から接着フィルム６を剥離して半導体チップ３をピックアップするとき、接着フィルム６がピックアップフィルム８から離れなかったり、隣接する半導体チップ３どうしが付着したりといったピックアップ不良は起こらない。その結果、ピックアップ工程においては、接着フィルム６が裏面に付いた半導体チップ３を円滑にピックアップすることができる。
【００３６】
なお、保護部材剥離工程で保護テープ５が円滑に剥離され、また、ピックアップ工程で接着フィルム６が付いた半導体チップ３が円滑にピックアップされるように、保護部材剥離工程の前に接着フィルム６を適宜な温度で加熱することが好適に実施される。その加熱温度は、保護部材剥離工程で保護テープ５を剥離したときに接着フィルム６がピックアップフィルム８から剥離し、かつ、ピックアップ工程で接着フィルム６がピックアップフィルム８に固着してピックアップ不能となることが回避される程度とされる。具体的には、接着フィルム６の材質にもよるが、概ね４０〜１００℃程度とされ、６０℃前後がより好ましい。
【００３７】
このように保護部材剥離工程の前に接着フィルム６を加熱すると、保護部材剥離工程で保護テープ５を剥離したときに保護テープ５がウエーハ１の表面から剥離されるのみで半導体チップ３は接着フィルム６を介してピックアップフィルム８に付着しており、保護テープ５とともにウエーハ１がピックアップフィルム８から剥離されてしまうことが回避される。また、接着フィルム６をレーザ光線Ｌで切断した後に半導体チップ３をピックアップするときには、接着フィルム６が付着した半導体チップ３がピックアップフィルム８から円滑に剥離してピックアップ不良が起こらない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】半導体チップに分割される半導体ウエーハの全体斜視図であり、拡大部分は半導体チップを示す。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体チップの製造方法の分割溝形成工程を示す側面図である。
【図３】分割溝が形成された半導体ウエーハの表面側の斜視図である。
【図４】（ａ）裏面研削工程に先立って表面に保護シールが貼り付けられた半導体ウエーハの裏面側の斜視図、（ｂ）裏面研削工程後の半導体ウエーハの裏面側の斜視図である。
【図５】裏面研削工程を示す側面図である。
【図６】（ａ）裏面に接着フィルムが貼着されるウエーハをチャックテーブル上に保持した状態の側面図、（ｂ）接着フィルム貼着工程を経たウエーハの側面図、（ｃ）ピックアップフィルム貼着工程を経たウエーハの側面図である。
【図７】ピックアップフィルムの（ａ）粘着層が形成された側の平面図、（ｂ）ピックアップフィルムの断面図である。
【図８】レーザ光線による接着フィルム切断工程を示す図であって、（ａ）レーザ光線照射装置で接着フィルムにレーザ光線を照射する状態の斜視図、（ｂ）接着フィルム切断工程を行う接着フィルムをチャックテーブル上に保持した状態を示す側面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…半導体ウエーハ
２…分割予定ライン
３…半導体チップ（デバイス）
４…分割溝
５…保護テープ（保護部材）
６…接着フィルム
７…リングフレーム
８…ピックアップフィルム
８Ａ…ピックアップフィルムの非粘着層
９…ピックアップフィルムの粘着層
５０…レーザ光線照射装置
Ｌ…レーザ光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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