(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体を構成する磁気記録層上に設けたカーボン或いはカーボンを主体とする表面保護膜の主表面を硝酸溶液に接触させ、前記表面保護膜と基板との間に介在する層から溶出する金属元素を検出して前記表面保護膜の膜質を定量的に評価することを特徴とする表面保護膜の膜質評価方法。
【請求項２】
上記磁気記録媒体の側端面及び中央穴部からの上記表面保護膜と基板との間に介在する層を構成する金属元素の溶出を防止した状態で、前記金属元素の溶出を行うことを特徴とする請求項１に記載の表面保護膜の膜質評価方法。
【請求項３】
上記金属元素を、上記磁気記録媒体の表面の複数箇所から検出し、上記表面保護膜の膜質の面内分布を定量的に評価することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表面保護膜の膜質評価方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表面保護膜の膜質評価方法を用いて、表面保護膜の製造パラメータを決定することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表面保護膜の膜質評価方法及び磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、特に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いる表面保護膜の膜質の評価のための表面保護膜の膜質評価方法及び磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、外部記憶装置等に用いるハードディスク装置は、ＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ  Ｓｔａｒｔ  Ｓｔｏｐ）方式に代表されるように起動時には磁気ディスク媒体と磁気ヘッドとが接触しており、起動後も外部からの振動等により磁気ヘッドと磁気ディスク媒体との間欠的な接触がある。
【０００３】
この様な磁気記録装置に用いる磁気ディスク媒体を構成する磁性層自体は潤滑性を有さず、或いは、潤滑性が極めて低いため長時間の接触が起こると、磁気ヘッド或いは磁気ディスク媒体の磁性膜が摩耗して、所謂ヘッド目詰まり或いはヘッドクラッシュが生ずるという問題がある。
【０００４】
そこで、一般には、磁気ディスク媒体等の磁気記録媒体を構成する磁性層を保護するために、磁性層上に保護潤滑層として、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法を用いて厚さが５〜５０ｎｍ程度のアモルファス状態のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜等を成膜して表面保護層とし、次いで、表面保護層上に１０〜９０Å程度の極めて薄い潤滑剤層を形成している。
【０００５】
この表面保護層は磁性層からなる記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める効果を発揮しているが、表面保護層を設けただけでは磁気記録媒体の耐久性が劣るために、上述のように、表面保護層の表面に厚さが１０〜９０Å程度の潤滑剤を塗布して保護層の耐久性を改善する方法が広く採用されている。
【０００６】
この様な潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水素系潤滑剤が知られており、この様な潤滑剤の主な役割は、保護層の表面に吸着して磁気ヘッドスライダが保護層と直接接触するのを防止するとともに、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドスライダの摩擦力を著しく低減させることにある。
【０００７】
ここで、図１１を参照して、従来の磁気記録媒体を簡単に説明するが、図１１（ａ）は磁気記録媒体４１の概略的平面図であり、また、図１１（ｂ）は図１１（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った概略的断面図である。
図１１（ａ）及び（ｂ）参照
まず、例えば、２．５インチ（≒６．３５ｃｍ）のガラス基板４２の両面に設けたＮｉＰ層４３を介して、スパッタリング方法を用いて、ＣｒＭｏ下地層４４、及び、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層４５を設け、次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層４５上に厚さが、１０ｎｍ以下、例えば、６ｎｍのＤＬＣ保護膜４６を堆積させる。
【０００８】
次いで、この磁気ディスク４１を、例えば、フッ素系の潤滑剤であるピペロニル基を末端に持つパーフルオロポリエーテル、具体的は、Ｆｏｍｂｌｉｎ（商標名）ＡＭ３００１（アウジモント社製商品名）を、溶媒であるフロリナート（商標名）ＦＣ７７（住友３Ｍ社製商品名）に溶解させた潤滑剤塗布溶液に浸漬したのち、ゆっくり、例えば、１．０ｍｍ／秒の引上げ速度で引き上げることによって、ＤＬＣ保護膜４６の表面に残った溶媒を蒸発させて、厚さが、例えば、５〜５０Å、例えば１０Åの潤滑剤層４７でＤＬＣ保護膜４６の表面をコートすることによって磁気ディスク４１の基本構成が完成する。
【０００９】
この場合、ＨＤＤの動作時は、磁気ヘッドが磁気ディスク上を浮上している形で情報の記録再生が行われるが、近年の高記録密度化の要請に応えるために磁気ヘッドを構成する磁気センサ素子と磁気ディスクを構成する磁気記録層との間隙、即ち、浮上高さが低減が必須となる。
【００１０】
そのため、情報が記録される磁気ディスクを構成する磁気記録層上に設けられたＤＬＣ膜等の表面保護膜を薄膜化することによって、磁気ヘッドの浮上高さは小さくなる傾向にあり、現在では、例えば、表面保護膜の膜厚、或いは、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隙である浮上量の最低保証量は共に１０ｎｍ程度に狭小化している。
【００１１】
この様な表面保護膜の信頼性を安定化するためには、表面保護膜を定量的に評価する手段が必要であり、現在では、一般に、ラマン分光法により膜質に応じたカーボン膜特有のピークを定性的に比較する方法や、磁気ディスクを蟻酸等の腐食性ガス中に暴露し、その耐腐食性を評価する方法が用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前者のラマン分光法の場合には、適当な標準試料がないため、カーボン膜特有のピークの強度比による比較になり、膜質の良否を判断する定量的な評価方法としては不十分であった。
【００１３】
また、最近では、スパッタリング法の代わりにステップカヴァレッジに優れるＣＶＤ法を用いて成膜するなど、表面保護膜を高密度化するために成膜方法が変化してきており、ラマン分光法におけるピーク解析に専門的な知識が必要とされるため、簡易的な評価方法とは言い難いものである。
【００１４】
さらに、今後は、上述のように、表面保護膜の膜厚は１０ｎｍ以下になるため、従来法によっては十分な測定感度が得られないという問題がある。
【００１５】
一方、後者の耐腐食試験においては、蟻酸等の腐食性ガス中に試料を７０時間以上放置する必要があり、その腐食ガスの混合や設置には、使用するガスに耐え得る特殊な装置が必要になり、簡便性及び迅速な評価方法としては、不向きであった。
【００１６】
したがって、本発明は、簡便な方法によって、表面保護膜の膜質を定量的に評価することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号６は、潤滑剤層である。
図１（ａ）参照
上記の目的を達成するために、本発明は、表面保護膜５の膜質評価方法において、磁気記録媒体１を構成する磁気記録層４上に設けたカーボン或いはカーボンを主体とする表面保護膜５の主表面を硝酸溶液７に接触させ、表面保護膜５と基板２との間に介在する層から溶出する金属元素８，９を検出して表面保護膜５の膜質を定量的に評価することを特徴とする。
なお、カーボンを主体にした膜とは、製法起因の水素等を含んだカーボン膜を意味する。
【００１８】
図１（ｂ）及び（ｃ）参照
表面保護膜５の表面に硝酸溶液７に接触させた場合、表面保護膜５と基板２との間に介在する層、例えば、磁気記録層４及び非磁性下地層３から溶出する金属元素８，９の溶出量は、表面保護膜５の膜質、例えば、密度、表面粗さ、成膜方法等に依存してほぼ比例関係にあるので、この溶出した金属元素８，９の量を検出することによって、表面保護膜５の膜質を定量的に評価することが可能になる。
【００１９】
即ち、本発明は、本発明者の鋭意研究の結果、表面保護膜５の表面に磁気記録層４及び非磁性下地層３に対して腐食性を有する硝酸溶液７を接触させることによって、表面保護膜５の直下の磁気記録層４より金属元素８，９が溶出してくる現象を発見したことに基づくものであり、金属元素８，９の溶出は表面保護膜５を通した拡散によるので、表面保護膜５の膜質によって金属元素８，９の溶出量が異なることになる。
【００２０】
図に示すように、例えば、密度が低かったり、表面粗さＲa が大きい等の欠陥の多い表面保護膜５の場合には、金属元素８，９の拡散速度が大きくなり溶出量は大きくなるが、密度が高かったり、表面粗さＲa が小さい等の欠陥の少ない表面保護膜５の場合には、金属元素８，９の拡散速度が小さくなり溶出量は少なくなる。
【００２１】
この場合、抽出液７中に、測定対象元素以外で、且つ、外部からの汚染の少ない元素、例えば、Ｙ（イットリウム）等を内標準元素として添加することが望ましく、回収した抽出液７中における内標準元素の量を測定することによって抽出液７の回収率を適正に評価することができるので、金属元素８，９の量を精度良く評価することができる。
【００２３】
また、試験に際しては、磁気記録媒体１の側端面及び中央穴部からの磁気記録層４及び非磁性下地層３を構成する金属元素８，９の溶出を防止した状態で金属元素８，９の検出を行うことが望ましく、それによって、磁気記録媒体１の表面保護膜５に覆われていない側端面及び中央穴部から金属元素８，９の過剰な溶出を防止し、精度の高い膜質評価が可能になる。
【００２４】
このような磁気記録媒体１の表面保護膜５に覆われていない側端面及び中央穴部から金属元素８，９の過剰な溶出を防止するためには、磁気記録媒体１の側端面及び中央穴部を、硝酸溶液７に対する耐蝕性を有する被覆部材で被覆すれば良く、例えば、耐蝕性樹脂を塗布或いは耐蝕性粘着テープを貼付すれば良く、それによって、磁気記録媒体１全体を抽出液７中に浸漬したりすることができる。
【００２５】
或いは、磁気記録媒体１の側端面と中央穴部との間に、硝酸溶液７の漏れ出しを防止するＯリング等の堰部材を設け、堰部材の作る内空間に硝酸溶液７を滴下して内空間を抽出液７で満すようにしても良い。
【００２６】
或いは、磁気記録媒体１の側端面と中央穴部との間の領域に、硝酸溶液７を部分的に滴下し、滴下した領域において金属元素８，９の検出を行っても良い。
この場合、滴下した硝酸溶液７を回収したのち、回収した硝酸溶液７を他の領域に再び滴下する工程を少なくとも１回以上繰り返すことによって、硝酸溶液７内に溶出した金属元素８，９の濃度を高めることができる。
【００２７】
また、金属元素８，９の検出を磁気記録媒体１の表面の複数箇所で行っても良いものであり、それによって、表面保護膜５の膜質の面内分布を定量的に評価することが可能になる。
【００２８】
また、上記の膜質評価方法を用いることによって、表面保護膜５の製造パラメータを適正な範囲に決定することができ、或いは、抜取検査等による磁気記録媒体１の品質管理を精度良く行うことが可能になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
ここで、本発明の各実施の形態の測定方法を説明するが、基本的には、磁気ディスクの表面に硝酸溶液を接触させることによって、磁気記録層乃至ＮｉＰ層より拡散の原理でＣｏ等の金属構成元素を溶出させるものである。
【００３０】
まず、図２を参照して測定に用いる磁気ディスクの構造を説明する。
図２（ａ）及び（ｂ）参照
図２（ａ）は磁気ディスク１１の概略的斜視図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における一点鎖線で囲んだ領域の概略的断面図であり、従来と同様に、例えば、２．５インチ（≒６．３５ｃｍ）のガラス基板１４の両面にＮｉＰ層１５、ＣｒＭｏ下地層１６、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７、厚さが１０ｎｍ以下、例えば、６ｎｍのＤＬＣ保護膜１８、及び、厚さが、例えば、０．５〜３ｎｍ、例えば１１ｎｍの潤滑剤層１９を順次積層させたものである。
【００３１】
図２（ｃ）参照
図２（ｃ）は図２（ａ）における破線で囲んだ領域の模式的平面図であり、磁気ディスク１１の外周の側端面１２においては、ＤＬＣ保護膜１８は膜状にはならず、被覆性が著しく悪く、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７等が露出した状態になっている。
また、図示を省略するが、磁気ディスク１１の中央の中空部１３の内側の端面においても事情は同様である。
【００３２】
したがって、この状態で抽出液に接触させた場合、ＤＬＣ保護膜１８に覆われていない、側端面１２及び中空部１３からのＣｏの溶出が顕著になり、ＤＬＣ保護膜１８の膜質を適性に評価することができなくなるので、側端面１２及び中空部１３からのＣｏの溶出を防止するための何等かの手立てが必要になる。
【００３３】
以下において、側端面１２及び中空部１３からのＣｏの溶出を防止する手段に特徴のある本発明の各実施の形態を順次説明するが、まず、図３を参照して、本発明の第１の実施の形態の測定方法を説明する。
図３（ａ）参照
まず、図２に示した磁気ディスク１１の側端面１２に、スキージ２１を用いてアクリル系接着剤２２を塗布し、側端面１２をアクリル系接着剤２２で被覆する。
【００３４】
図３（ｂ）参照
次いで、磁気ディスク１１の中空部１３に対しても同様の工程を行うことによって、中空部１３をアクリル系接着剤２２で被覆する。
【００３５】
図３（ｃ）参照
次いで、アクリル系接着剤２２で側端面１２及び中空部１３を被覆した磁気ディスク１１を、容器２３に収容した抽出液、例えば、３％の硝酸溶液２４中に、常温において、１０〜６０分浸漬することによって、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７を構成するＣｏを硝酸溶液２４中に溶出させる。
【００３６】
この場合の溶出原理は、ＤＬＣ保護膜１８を通して浸透した硝酸がＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７と反応し、遊離したＣｏイオンがＤＬＣ保護膜１８を拡散して硝酸溶液２４中に溶出することになる。
【００３７】
したがって、ＤＬＣ保護膜１８の膜質が、低密度或いは凹凸が多い等の低品質な場合、ＣｏイオンのＤＬＣ保護膜１８中における拡散速度が大きくなるので、硝酸溶液２４中への溶出量は多くなる。
【００３８】
一方、ＤＬＣ保護膜１８の膜質が、高密度或いは凹凸が少ない等の高品質な場合、ＣｏイオンのＤＬＣ保護膜１８中における拡散速度が小さくなるので、硝酸溶液２４中への溶出量は少なくる。
この様な現象を利用することによって、ＤＬＣ保護膜１８の膜質の評価を、専門的知識を要することなく定量的に評価することが可能になる。
【００３９】
次に、溶出したＣｏイオンの測定方法を説明すると、Ｃｏイオンの溶出した硝酸溶液２４を回収し、回収したＣｏ溶出硝酸溶液を高精度な元素濃度測定装置を用いて分析することによってＣｏイオン濃度を測定する。
【００４０】
この場合のＣｏイオン濃度測定方法として、高周波プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＣ）、原子吸光光度法（ＡＡＳ）、及び、高周波プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＡＥＳ）を用いる。
この内、最も感度の高いのが高周波プラズマ質量分析法であり、最も精度が低いのが高周波プラズマ発光分光分析法であるので、予測されるＣｏイオン濃度に応じて使い分けるものであり、通常は、高周波プラズマ質量分析法を用いた。
【００４１】
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態の測定方法を説明する。
図４（ａ）参照
まず、図２に示した磁気ディスク１１の表面に、例えば、互いに径の異なる  シリコーンゴム製のＯリング２５，２６を同心円状に載置する。
【００４２】
図４（ｂ）参照
次いで、Ｏリング２５とＯリング２６との間の領域に、例えば、スポイト２７を利用して抽出液、例えば、３％の硝酸溶液２４を滴下する。
なお、符号２８は硝酸溶液２４の液滴である。
【００４３】
図４（ｃ）参照
次いで、Ｏリング２５とＯリング２６との間の領域を硝酸溶液２４で完全に満たした状態で、常温において、１０〜６０分放置することによって、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７を構成するＣｏを硝酸溶液２４中に溶出させる。
この場合の溶出原理及びＣｏイオン濃度の測定方法は、上記の第１の実施の形態と全く同様である。
【００４４】
なお、磁気ディスク１１の表面は撥水性があるので、Ｏリング２５，２６は単位載置しただけの状態でも、Ｏリング２５とＯリング２６との間の領域に注入した硝酸溶液２４がＯリング２５，２６の外側へ漏れ出すことはない。
【００４５】
この第２の実施の形態においては、Ｏリング２５，２６を単に磁気ディスク１１上に載置するだけであるので、工程が簡素化され、且つ、Ｏリング２５，２６は繰り返し再使用されるので低コスト化が可能である。
【００４６】
次に、図５を参照して、本発明の第３の実施の形態の測定方法を説明する。
図５（ａ）参照
まず、図２に示した磁気ディスク１１の表面の所定領域に、例えば、スポイト２７を利用して抽出液、例えば、３％の硝酸溶液２４を滴下する。
なお、符号２８は硝酸溶液２４の液滴である。
【００４７】
図５（ｂ）参照
この場合、磁気ディスク１１の表面は撥水性があるので、滴下された硝酸溶液２４は表面張力によって一定の接触面積を保持し、この状態で常温において、１０〜６０分放置することによって、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７を構成するＣｏを硝酸溶液２４中に溶出させる。
【００４８】
次いで、Ｃｏイオンが溶出した硝酸溶液をスポイト等によって回収し、回収したＣｏ溶出硝酸溶液を用いて上記の第１の実施の形態と全く同様の方法でＣｏイオン濃度を測定する。
【００４９】
図５（ｃ）参照
なお、磁気ディスク１１の表面の撥水性が安定していない場合には、硝酸溶液２４の上に、たとえば、テフロン（登録商標）製のメンブレンフィルム２９を載置することによって、接触面積を一定にすることができる。
【００５０】
この第３の実施の形態の場合には、部分的な溶出が可能であるので、ＤＬＣ保護膜１８の膜質の面内分布の測定も行うことができ、さらには、傷等の不良箇所の測定も行うことができる。
【００５１】
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態の変形例である本発明の第４の実施の形態の測定方法を説明する。
図６（ａ）参照
まず、上記の第３の実施の形態と同様に、図２に示した磁気ディスク１１の表面に、例えば、スポイト２７を利用して抽出液、例えば、３％の硝酸溶液２４を滴下し、この状態で常温において、１０〜６０分放置することによって、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７を構成するＣｏを硝酸溶液２４中に溶出させる。
なお、符号２８は硝酸溶液２４の液滴である。
【００５２】
図６（ｂ）参照
次いで、Ｃｏイオンが溶出したＣｏ溶出硝酸溶液３０をスポイト２７によって回収する。
【００５３】
図６（ｃ）参照
次いで、回収したＣｏ溶出硝酸溶液３０を再びスポイト２７を用いて同じ磁気ディスク１１の表面の別の領域に滴下し、再び、この状態で常温において、１０〜６０分放置することによって、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１７を構成するＣｏをＣｏ溶出硝酸溶液３０中にさらに溶出させる。
なお、符号３１はＣｏ溶出硝酸溶液３０の液滴である。
【００５４】
この工程を同じ磁気ディスク１１の表面の複数箇所、例えば、５ヶ所において行ったのち、即ち、滴下工程としては合計６回行ったのち、Ｃｏイオン濃度の高まったＣｏ溶出硝酸溶液３０を回収し、回収したＣｏ溶出硝酸溶液３０を用いて上記の第１の実施の形態と全く同様の方法でＣｏイオン濃度を測定する。
【００５５】
この第４の実施の形態においては、Ｃｏイオン濃度を濃縮させたと同じ効果があるため、ＤＬＣ保護膜１８の膜質が向上してＣｏ溶出量が少なくなった場合の測定に好適となる。
【００６０】
次に、上記の各実施の形態の測定方法の測定結果を説明する。
図７参照
図７は、各測定方法によるＣｏ溶出量の測定値の説明図であり、図においてＡで示す何らの手段の講じない状態の場合には、６０ｃｐｓ／ｃｍ2 以上のＣｏイオンが測定されるのに対して、Ｂで示す第１の実施の形態、Ｃで示す第２の実施の形態、及び、Ｄで示す第３の実施の形態の場合には、１／５以下の値となり、且つ、３つの磁気ディスクにおける測定値のバラツキも少なかった。
なお、この場合のＣｏ濃度測定方法としては、高周波プラズマ質量分析法を用いた。
【００６１】
したがって、本発明の各実施の形態の測定方法を用いて、磁気ディスクの側端部及び中空部からの寄与を排除することによって、ＤＬＣ保護膜の膜質にのみ依存したＣｏ溶出量を精度良く測定することが可能になり、それによって、ＤＬＣ保護膜の精度の良い膜質評価が可能になる。
【００６２】
図８参照
図８は、上記の第３の実施の形態の測定方法を用いて測定したＣｏ溶出量の成膜方法依存性の説明図であり、スパッタ法に比べて、ステップカヴァレッジに優れるＣＶＤ法によるＤＬＣ保護膜の場合に、同じ膜厚に対するＣｏ溶出量は約１／１０に低減していることが理解される。
これは、成膜したＤＬＣ保護膜の表面凹凸とともに、密度も関連していると考えられる。
【００６３】
図９参照
図９は、磁気ディスク１１のガラス基板１４上に設けたＮｉＰ層１５に対して程度の異なるテクスチャ加工を施し、同じ成膜条件で同じ膜厚のＤＬＣ保護膜１８を成膜した場合のＣｏ溶出量の表面粗さＲa 依存性の説明図である。
【００６４】
図から明らかなように、Ｃｏ溶出量は、表面粗さＲa に対してほぼリニアーに変化することが理解される。
この表面粗さＲa が大きい場合には、膜厚に薄い部分ができ、同じ膜質でもこの部分の耐蝕性が低下するとともに、浮上特性にも悪影響を与えることになる。
なお、この場合の表面粗さＲa は、ＪＩＳ規格Ｂ０６０１−１９９４規定における算術平均粗さであり、具体的にはＡＦＭ（原子間力顕微鏡）によって測定した値である。
【００６７】
以上、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１乃至第４の実施の形態においては、抽出液として３％の硝酸溶液を用いているが、硝酸濃度は３％に限られるものではなく、ＤＬＣ保護膜の膜厚、成膜方法、或いは、磁気記録層の組成等に応じて適宜変更されるものである。
さらに、抽出液は、硝酸溶液に限られるものではなく、塩酸、硫酸、フッ酸等の他の酸性溶液を用いても良いものである。
【００６８】
また、この抽出液中に、Ｃｏ等の測定対象元素以外で、且つ、外部からの汚染の少ない元素、例えば、Ｙを内標準元素として、微量、例えば、０．５ｐｐｍ程度添加することが望ましい。
この内標準元素を添加することによって、回収したＣｏ溶出抽出液の回収率を精度良く算出することができ、それによって、Ｃｏ溶出量を精度良く測定することが可能になる。
【００７０】
また、上記の第１の実施の形態においては、被覆部材としてアクリル系接着剤を用いているが、アクリル系接着剤に限られるものではなく、使用する抽出液に対して耐性があるものであれば良い。
【００７１】
また、被覆手段は、塗布に限られるものではなく、シリコーン樹脂等からなるシーリングテープ等を用いて磁気ディスクの側端面及び中空部を被覆しても良いものである。
【００７２】
また、上記の第２の実施の形態においては、抽出液漏れ出し防止手段としてシリコーンゴム製のＯリングを用いているが、シリコーンゴム製に限られるものではなく、使用する抽出液に対して耐性があるものであれば良く、また、Ｏリングに限られるものではなく、他のリング状部材を用いても良いものである。
【００７３】
また、上記の第３の実施の形態においては、板状部材を用いる場合に、メンブレンフィルムを用いているが、メンブレンフィルムに限られるものではなく、アクリル板を用いても良いものであり、いずれにしても、使用する抽出液に対して耐性があり且つ抽出液の接触面積を保つ程度の重さの薄い膜状部材を用いれば良いものである。
【００７６】
また、上記の各実施の形態においては、表面保護膜の膜質評価方法として説明しているが、この様な膜質評価方法に基づいて生産工程におけるＤＬＣ膜の製造パラメータを適正な範囲に設定することによって、製造歩留りを向上することが可能になる。
【００７７】
また、このような膜質評価方法を生産工程における品質管理手段として用いることによって、生産ラインを簡単な手法を管理することができ、それによって、トラブルが発生した場合の原因解明や製造歩留りの向上が可能になる。
【００７８】
ここで、再び、図１（ａ）を参照して、本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１（ａ）参照
（付記１）  磁気記録媒体１を構成する磁気記録層４上に設けたカーボン或いはカーボンを主体とする表面保護膜５の主表面を硝酸溶液７に接触させ、前記表面保護膜５と基板２との間に介在する層から溶出する金属元素８，９を検出して前記表面保護膜５の膜質を定量的に評価することを特徴とする表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記２）上記抽出液７中に、内標準元素を添加することを特徴とする付記１記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記３）  上記磁気記録媒体１の側端面及び中央穴部からの上記表面保護膜５と基板２との間に介在する層を構成する金属元素８，９の溶出を防止した状態で、前記金属元素８，９の溶出を行うことを特徴とする付記１または付記２に記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記４）上記磁気記録媒体１の側端面及び中央穴部を、硝酸溶液７に対する耐蝕性を有する被覆部材で被覆した状態で、上記金属元素８，９の溶出を行うことを特徴とする付記３記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記５）上記被覆部材で被覆する工程が、耐蝕性接着剤を塗布する工程、或いは、耐蝕性粘着テープを貼り付ける工程のいずれかであることを特徴とする付記４記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記６）上記磁気記録媒体１の側端面と中央穴部との間に、上記硝酸溶液７の漏れ出しを防止する堰部材を設け、前記堰部材の作る内空間に前記硝酸溶液７を滴下し、前記内空間が前記硝酸溶液７で満たされた状態で、上記金属元素８，９の溶出を行うことを特徴とする付記３記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記７）上記磁気記録媒体１の側端面と中央穴部との間の領域に、上記硝酸溶液７を部分的に滴下し、滴下した領域において上記金属元素８，９の溶出を行うことを特徴とする付記３記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記８）上記滴下した硝酸溶液７を回収したのち、回収した硝酸溶液７を、上記磁気記録媒体１の側端面と中央穴部との間の他の領域に再び滴下する工程を少なくとも１回以上繰り返したのち、最後に滴下した硝酸溶液７を回収して上記金属元素８，９の検出を行うことを特徴とする付記７記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記９）  上記金属元素８，９を、上記磁気記録媒体１の表面の複数箇所から検出し、上記表面保護膜５の膜質の面内分布を定量的に評価することを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載の表面保護膜５の膜質評価方法。
（付記１０）  付記１乃至９のいずれか１に記載の表面保護膜５の膜質評価方法を用いて、表面保護膜５の製造パラメータを決定することを特徴とする磁気記録媒体１の製造方法。
（付記１１）  付記１乃至９のいずれか１に記載の表面保護膜５の膜質評価方法を用いて、磁気記録媒体１の製造工程の品質管理を行うことを特徴とする磁気記録媒体１の品質管理方法。
【００７９】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気記録媒体の側端面及び中央の中空部からの影響を避けた状態で磁気記録媒体の表面に腐食性媒体を接触させて金属元素の溶出現象を利用して表面保護膜の膜質を評価しているので、特別な専門的知識を要することなく短時間で精度の高い膜質評価が可能になり、高記録密度化に対応した磁気記録媒体の生産性の向上及び高度な品質管理に寄与するところが大きく、ひいては、高精度の磁気記録装置の普及に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】磁気ディスクの構造説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の測定方法の説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の測定方法の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の測定方法の説明図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態の測定方法の説明図である。
【図７】本発明の第１乃至第３の実施の形態の測定方法によるＣｏ溶出量の測定値の説明図である。
【図８】Ｃｏ溶出量の成膜方法依存性の説明図である。
【図９】Ｃｏ溶出量の表面粗さＲa 依存性の説明図である。
【図１０】  磁気ディスクの構造説明図である。
【符号の説明】
１  磁気記録媒体
２  基板
３  非磁性下地層
４  磁気記録層
５  表面保護膜
６  潤滑剤層
７  硝酸溶液
８  金属元素
９  金属元素
１１  磁気ディスク
１２  側端面
１３  中空部
１４  ガラス基板
１５  ＮｉＰ層
１６  ＣｒＭｏ下地層
１７  ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層
１８  ＤＬＣ保護膜
１９  潤滑剤層
２１  スキージ
２２  アクリル系接着剤
２３  容器
２４  硝酸溶液
２５  Ｏリング
２６  Ｏリング
２７  スポイト
２８  液滴
２９  メンブレンフィルム
３０  Ｃｏ溶出硝酸溶液
３１  液滴
４１  磁気ディスク
４２  ガラス基板
４３  ＮｉＰ層
４４  ＣｒＭｏ下地層
４５  ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層
４６  ＤＬＣ保護膜
４７  潤滑剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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