(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第１の処理ユニットと、
前記露光装置による露光処理前でかつ前記第１の処理ユニットによる前記感光性膜の形成後であって熱処理後の基板の端部を液浸法による露光処理に用いられる液体によりブラシを用いて洗浄する第２の処理ユニットとを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記第１の処理ユニットにより形成された前記感光性膜上に当該感光性膜を保護する保護膜を形成する第３の処理ユニットをさらに含み、
前記第２の処理ユニットは、前記露光処理前でかつ前記第３の処理ユニットによる前記保護膜の形成後の基板の端部において露出した前記感光性膜を前記液体により前記ブラシを用いて洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記第１の処理ユニットによる前記感光性膜の形成前に、基板上に反射防止膜を形成する第４の処理ユニットをさらに含み、
前記第２の処理ユニットは、前記露光処理前の基板の端部において露出した前記反射防止膜および前記感光性膜の一方または両方を前記液体により前記ブラシを用いて洗浄することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記液体は、純水、グリセロールおよび高屈折率の微粒子と純水とを混合した混合液の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記高屈折率の微粒子は、アルミニウム酸化物を含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、
前記搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
前記露光処理前の基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
前記露光処理後の基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の保持手段は、前記第１の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記露光処理後に前記保護膜を除去する第５の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理部は、基板の現像処理を行う第６の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェースブロックにより構成される。インターフェースブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェースブロックを介して露光装置へと搬送される。
【０００５】
露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェースブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００６】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００７】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の基板処理装置では、液浸法による露光処理において、基板の端部または端部付近の反射防止膜またはレジスト膜等に含まれる成分が液浸液内に析出または溶出する場合がある。その結果、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００９】
本発明の目的は、露光装置内の汚染を防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する第１の処理ユニットと、露光装置による露光処理前でかつ第１の処理ユニットによる感光性膜の形成後であって熱処理後の基板の端部を液浸法による露光処理に用いられる液体によりブラシを用いて洗浄する第２の処理ユニットとを含むものである。
【００１１】
本発明に係る基板処理装置においては、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが受け渡し部により行われる。基板上に感光性材料からなる感光性膜が第１の処理ユニットにより形成される。
【００１２】
また、第２の処理ユニットにおいて露光装置による露光処理前でかつ第１の処理ユニットによる感光性膜の形成後であって熱処理後の基板の端部が液浸法による露光処理に用いられる液体によりブラシを用いて洗浄される。それにより、露光処理中に感光性膜から溶出または析出する成分が予め第２の処理ユニットにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、上記液体中に感光性膜の成分が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。
【００１３】
ここで、露光処理の際に上記液体中に溶出または析出する可能性がある成分は感光性膜中に含まれる成分に限られるものではなく、本発明に係る基板処理装置外に設けられた外部装置により基板上に形成された半導体膜、金属膜、絶縁膜または有機膜等に含まれる成分もある。これらの膜に含まれる成分も予め第２の処理ユニットにおいて溶出または析出させることができる。
【００１４】
さらに、１つの基板処理装置内において、基板の端部の洗浄を行うとともに、基板上に感光性膜を形成することができるので、フットプリントを低減することができる。
【００１５】
処理部は、第１の処理ユニットにより形成された感光性膜上に当該感光性膜を保護する保護膜を形成する第３の処理ユニットをさらに含み、第２の処理ユニットは、露光処理前でかつ第３の処理ユニットによる保護膜の形成後の基板の端部において露出した感光性膜を液体によりブラシを用いて洗浄してもよい。
【００１６】
この場合、基板上に形成された感光性膜が保護膜により保護される。また、基板の端部において保護膜により被覆されずに露出した状態の感光性膜がある場合においても、第２の処理ユニットにおいて露光処理前でかつ第３の処理ユニットによる保護膜の形成後の当該端部が液浸法による露光処理に用いられる液体によりブラシを用いて洗浄される。それにより、露光処理中に露出した状態の感光性膜から溶出または析出する成分が予め第２の処理ユニットにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、上記液体中に感光性膜の成分が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。
【００１７】
処理部は、第１の処理ユニットによる感光性膜の形成前に、基板上に反射防止膜を形成する第４の処理ユニットをさらに含み、第２の処理ユニットは、露光処理前の基板の端部において露出した反射防止膜および感光性膜の一方または両方を液体によりブラシを用いて洗浄してもよい。
【００１８】
この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。また、第２の処理ユニットにおいて露光装置による露光処理前の基板の端部が液浸法による露光処理に用いられる液体によりブラシを用いて洗浄される。それにより、露光処理中に反射防止膜および感光性膜の一方または両方から溶出または析出する成分が予め第２の処理ユニットにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、上記液体中に反射防止膜および感光性膜の一方または両方の成分が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。
【００１９】
液体は、純水、グリセロールおよび高屈折率の微粒子と純水とを混合した混合液の少なくとも１種を含んでもよい。この場合、これらの液体により液浸法による露光処理を良好に行えるとともに、第２の処理ユニットにおいて基板の端部を良好に洗浄することができる。
【００２０】
高屈折率の微粒子は、アルミニウム酸化物を含んでもよい。この場合、アルミニウム酸化物を含む液体により液浸法による露光処理をさらに良好に行えるとともに、第２の処理ユニットにおいて基板の端部をさらに良好に洗浄することができる。
【００２１】
受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を含み、搬送手段は、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、露光処理前の基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、露光処理後の基板を搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。
【００２２】
この場合、露光処理時に液体が付着した基板の搬送には第２の保持手段が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板の搬送には第１の保持手段が用いられる。したがって、第１の保持手段に液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板に液体が付着することを防止することができる。これにより、露光処理前の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
【００２３】
第２の保持手段は、第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段およびこれが保持する基板から液体が落下しても、第１の保持手段およびこれが保持する基板に液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
【００２４】
処理部は、露光処理後に保護膜を除去する第５の処理ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。
【００２５】
処理部は、基板の現像処理を行う第６の処理ユニットをさらに含んでもよい。この場合、第６の処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。このように、１つの基板処理装置内において、基板の端部の洗浄を行うとともに、基板の現像処理を行うことができるので、フットプリントを低減することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に係る基板処理装置によれば、露光装置内の汚染を防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいい、基板は珪素（Ｓｉ）を含む。
【００３４】
また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３５】
（１）  基板処理装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【００３７】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。
【００３８】
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
【００３９】
インデクサブロック９は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１、複数のキャリア載置台９２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
【００４０】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４１】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４２】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。
【００４３】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４４】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４５】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。現像処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４８】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４９】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００５０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００５１】
洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
【００５２】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。
【００５３】
インターフェースブロック１６は、第８のセンターロボットＣＲ８、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
【００５４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【００５５】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
【００５６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
【００５７】
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００５９】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００６０】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６１】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、１個の端部洗浄ユニットＥＣおよび２個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤがこの順で積層配置される。端部洗浄ユニットＥＣおよび洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細については後述する。
【００６２】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６３】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
【００６４】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６８】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。
【００６９】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７０】
なお、端部洗浄ユニットＥＣ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。
【００７１】
（２）  基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
【００７２】
インデクサブロック９のキャリア載置台９２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７３】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７４】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７６】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７７】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７９】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００８２】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。
【００８５】
ここで、本実施の形態では、露光装置１７による露光処理前に、基板Ｗに対し後述の端部洗浄処理を施す。第７のセンターロボットＣＲ７は、受け取った基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣに搬入する。端部洗浄ユニットＥＣ内に搬入された基板Ｗには端部洗浄処理が施される。
【００８６】
次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、端部洗浄ユニットＥＣから端部洗浄処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００８８】
次に、第８のセンターロボットＣＲ８は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。
【００９０】
なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
【００９１】
露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の露光装置１７ｂ（図１参照）から取り出し、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。詳細は後述する。
【００９２】
洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。インターフェースブロック１６におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作の詳細は後述する。
【００９３】
なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
【００９５】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。
【００９６】
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
【００９８】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【０１０１】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。
【０１０２】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１０３】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
【０１０６】
（３）  端部洗浄ユニットについて
ここで、上記端部洗浄ユニットＥＣについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する端部洗浄ユニットＥＣの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
【０１０７】
（３−ａ）  端部洗浄ユニットの構成
図４は、端部洗浄ユニットＥＣの構成を説明するための図である。図４に示すように、端部洗浄ユニットＥＣは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。
【０１０８】
スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１０９】
スピンチャック２０１の側方でかつ端部洗浄ユニットＥＣ内の上部には、端部洗浄装置移動機構２３０が設けられている。端部洗浄装置移動機構２３０には、下方に延びる棒状の支持部材２２０が取り付けられている。支持部材２２０は、端部洗浄装置移動機構２３０により水平方向（図４矢印Ｍ参照）に移動する。
【０１１０】
支持部材２２０の下端部には、略円筒形状を有する端部洗浄装置２１０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により支持部材２２０とともに移動する。
【０１１１】
端部洗浄装置２１０は、スピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置する。これにより、端部洗浄装置２１０の一端が基板Ｗの端部Ｒと対向する。以下の説明においては、端部洗浄装置２１０の基板Ｗの端部Ｒと対向する一端を正面とする。
【０１１２】
ここで、基板Ｗの上記端部Ｒの定義について次の図面を参照しながら説明する。
【０１１３】
図５は、基板Ｗの端部Ｒを説明するための概略的模式図である。図５に示すように、基板Ｗ上には、上述した反射防止膜、レジスト膜（共に図示せず）およびレジストカバー膜が形成される。
【０１１４】
基板Ｗは端面を有し、この端面を概略的に図示すれば図５のようになる。この端面を、一般的にベベル部と呼ぶ。また、レジストカバー膜が形成される基板Ｗの面の端から内側へ距離ｄ（図５）までの領域を、一般的に周縁部と呼ぶ。本実施の形態では、上記のベベル部と周縁部とを総称して端部Ｒと呼ぶ。なお、上記距離ｄは例えば２〜３ｍｍである。
【０１１５】
通常、レジストカバー膜は、基板Ｗ上の上記周縁部を覆うように形成されていない場合が多い。すなわち、基板Ｗ上の周縁部に形成された反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方は露出した状態となっている。
【０１１６】
本実施の形態では、後工程である露光装置１７による露光処理前において、洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣにより基板Ｗに対し端部洗浄処理を施す。端部洗浄処理とは、基板Ｗの端部Ｒ（ベベル部および周縁部）を露光装置１７で用いられる液浸液を用いて洗浄することにより、露出した状態となっている反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方を予め溶出または析出させる処理である。それにより、露光装置１７による露光処理の際に、液浸液中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方が溶出または析出することが防止される。なお、端部洗浄処理の際に用いる上記液浸液の具体例については後述する。
【０１１７】
図４に戻り、基板Ｗの端部洗浄処理開始時において、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により基板Ｗの端部Ｒ付近の位置に移動する。また、基板Ｗの端部洗浄処理終了時において、端部洗浄装置２１０は、端部洗浄装置移動機構２３０により基板Ｗの端部Ｒから離れるように移動する。
【０１１８】
端部洗浄装置２１０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室２１１）。端部洗浄装置２１０には、洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、バルブ２４２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ２４２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管２４１を通じて端部洗浄装置２１０の内部空間に供給される。
【０１１９】
また、排気管２４４は、排気部２４５に接続されている。排気部２４５は、端部洗浄装置２１０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管２４４を通じて排気する。
【０１２０】
次に、端部洗浄装置２１０の詳細を説明する。図６は、図４の端部洗浄ユニットＥＣの端部洗浄装置２１０の構造を説明するための図である。図６（ａ）に端部洗浄装置２１０の縦断面図が示され、図６（ｂ）に端部洗浄装置２１０の正面図が示されている。
【０１２１】
図６（ａ）に示すように、端部洗浄装置２１０の略円筒形状のハウジング２１０ａの内部には、洗浄室２１１が形成されている。
【０１２２】
また、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、ハウジング２１０ａの正面側には、洗浄室２１１と外部とを連通させる開口２１２が形成されている。開口２１２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗの端部洗浄処理時には、開口２１２にスピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗの端部Ｒが挿入される。
【０１２３】
洗浄室２１１内には、略円筒形状を有するブラシ２１３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ２１３は鉛直方向に延びる回転軸２１４に取り付けられている。回転軸２１４の上端および下端は、洗浄室３１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ２１３は、洗浄室２１１および回転軸２１４により回転可能に支持されている。
【０１２４】
基板Ｗの端部洗浄処理時には、回転する基板Ｗの端部Ｒとブラシ２１３とが接触する。これにより、基板Ｗの端部Ｒがブラシ２１３により洗浄される。
【０１２５】
ここで、図４の端部洗浄ユニットＥＣにおいて、ブラシ２１３が取り付けられた回転軸２１４は、スピンチャック２０１が固定される回転軸２０３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ２１３が回転する基板Ｗの端部Ｒに確実に接触した状態で回転する。
【０１２６】
端部洗浄装置２１０の上部には、上述の洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、ハウジング２１０ａ内に形成された洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂに接続されている。図６（ａ）に示すように、洗浄液供給路２４１ａは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路２４１ｂは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の下部内面まで延びている。図６（ａ）には、洗浄液供給管２４１ｂの一部のみが示されている。
【０１２７】
このような構成により、基板Ｗの端部洗浄処理時には、端部洗浄装置２１０に供給される洗浄液が、洗浄室２１１内でブラシ２１３と接触する基板Ｗの端部Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが効率よく洗浄される。
【０１２８】
排気管２４４は、ハウジング２１０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室２１１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室２１１内の雰囲気が図４の排気部２４５により吸引され、排気管２４４を通じて排気される。
【０１２９】
このように、洗浄室２１１においては、その内部雰囲気が排気部２４５により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。
【０１３０】
なお、基板Ｗの端部洗浄処理に用いられる液浸液の例としては、純水、高屈折率を有するグリセロール、高屈折率の微粒子（例えば、アルミニウム酸化物）と純水とを混合した混合液および有機系の液体等が挙げられる。
【０１３１】
また、液浸液の他の例としては、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液、炭酸水、水素水、電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水等が挙げられる。
【０１３２】
（３−ｂ）  端部洗浄ユニットの第１の参考例
図７は端部洗浄ユニットＥＣの第１の参考例を説明するための図である。図７の端部洗浄ユニットＥＣについて、図４の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。
【０１３３】
図７に示すように、スピンチャック２０１の外方には、モータ３０１が設けられている。モータ３０１には、回動軸３０２が接続されている。また、回動軸３０２には、アーム３０３が水平方向に延びるように連結され、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０が設けられている。この二流体ノズル３１０は、気体および液体からなる混合流体を吐出する。詳細は後述する。
【０１３４】
なお、アーム３０３の先端部において、二流体ノズル３１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して基板Ｗの外側に傾斜して取り付けられている。
【０１３５】
基板Ｗの端部洗浄処理開始時には、モータ３０１により回動軸３０２が回転するとともにアーム３０３が回動する。これにより、二流体ノズル３１０がスピンチャック２０１により保持された基板Ｗの端部Ｒの上方に移動する。その結果、二流体ノズル３１０の混合流体の吐出部３１０ａが、基板Ｗの端部Ｒに対向する。
【０１３６】
モータ３０１、回動軸３０２およびアーム３０３の内部を通るように洗浄液供給管３３１が設けられている。洗浄液供給管３３１は、一端が二流体ノズル３１０に接続されるとともに、他端がバルブ３３２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ３３２を開くことにより、洗浄液として液浸液が洗浄液供給管３３１を通じて二流体ノズル３１０に供給される。
【０１３７】
また、二流体ノズル３１０には、洗浄液供給管３３１とともに、気体供給管３４１の一端が接続されている。気体供給管３４１の他端は、バルブ３４２を介して図示しない気体供給系に接続されている。バルブ３４２を開くことにより気体が二流体ノズル３１０に供給される。なお、本例では、二流体ノズル３１０に供給される気体として窒素ガス（Ｎ2 ）を用いるが、窒素ガス（Ｎ2 ）の代わりにアルゴンガスまたはヘリウムガス等の他の不活性ガスを用いることもできる。
【０１３８】
基板Ｗの端部洗浄処理時には、洗浄液および気体が二流体ノズル３１０に供給される。これにより、回転する基板Ｗの端部Ｒに二流体ノズル３１０から混合流体が吐出される。それにより、基板Ｗの端部Ｒが良好に洗浄される。
【０１３９】
一方、本実施の形態では、端部洗浄ユニットＥＣ内に、上記二流体ノズル３１０と同じ構成および機能を持つ二流体ノズル３１０ｂが設けられる。この二流体ノズル３１０ｂは、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの裏面に対向するように基板Ｗの外側に傾斜して取り付けられている。なお、二流体ノズル３１０ｂは、混合流体を吐出する吐出部３１０ｃを備え、図示しないアームに取り付けられている。
【０１４０】
このように、基板Ｗの表面および裏面にそれぞれ対向するように二流体ノズル３１０，３１０ｂを設けることにより、基板Ｗの端部Ｒを確実に洗浄することが可能となる。なお、二流体ノズル３１０ｂの洗浄液および気体の各供給系は、二流体ノズル３１０と同様であるので説明を省略する。
【０１４１】
続いて、二流体ノズル３１０の内部構造の一例を説明する。なお、二流体ノズル３１０ｂの内部構造は二流体ノズル３１０の内部構造と同様であるので説明を省略する。
【０１４２】
図８は、端部洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の一例を示す縦断面図である。
【０１４３】
図８に示される二流体ノズル３１０は外部混合型と呼ばれる。図８に示す外部混合型の二流体ノズル３１０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。
【０１４４】
内部本体部３１１の中心軸に沿って純水導入部３１１ｂが形成されている。純水導入部３１１ｂには図７の洗浄液供給管３３１が取り付けられる。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が純水導入部３１１ｂに導入される。
【０１４５】
内部本体部３１１の下端には、純水導入部３１１ｂに連通する純水吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。
【０１４６】
内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図７の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給される窒素ガス（Ｎ2 ）が気体通過部３１２ｂに導入される。
【０１４７】
気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガス（Ｎ2 ）の流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。
【０１４８】
この二流体ノズル３１０では、純水吐出口３１１ａから吐出された純水と気体吐出口３１２ａから吐出された窒素ガス（Ｎ2 ）とが二流体ノズル３１０の下端付近の外部で混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。
【０１４９】
上述のように、基板Ｗの端部洗浄処理時においては、霧状の混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、基板Ｗの端部Ｒの洗浄が行われる。
【０１５０】
なお、図７の端部洗浄ユニットＥＣにおいては、図８の二流体ノズル３１０に代えて、混合流体Ｎの生成をノズル本体の内部で行う内部混合型の二流体ノズル３１０を用いてもよい。二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を説明する。
【０１５１】
図９は、端部洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を示す縦断面図である。図９に示される二流体ノズル３１０は内部混合型と呼ばれる。
【０１５２】
図９に示される内部混合型の二流体ノズル３１０は、気体導入管３３３および本体部３３４により構成される。本体部３３４は、例えば石英からなり、気体導入管３３３は、例えばＰＴＦＥからなる。
【０１５３】
気体導入管３３３には、上端から下端まで連通する気体導入部３３３ａが形成されている。また、気体導入管３３３の上端には、図７の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給されるＮ2 ガスが気体導入部３３３ａに導入される。
【０１５４】
本体部３３４は、径大な上部筒３３４ａ、テーパ部３３４ｂおよび径小な下部筒３３４ｃからなる。
【０１５５】
上部筒３３４ａのテーパ部３３４ｂ内に混合室３３４ｄが形成され、下部筒３３４ｃ内に直流部３３４ｅが形成されている。下部筒３３４ｃの下端には、直流部３３４ｅに連通する混合流体吐出口３３４ｆが形成されている。
【０１５６】
本体部３３４の上部筒３３４ａには、混合室３３４ｄに連通するように図７の洗浄液供給管３３１が取り付けられている。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が混合室３３４ｄに導入される。気体導入管３３３の下端部は、本体部３３４の上部筒３３４ａの混合室３３４ｄ内に挿入されている。
【０１５７】
図９の内部混合型の二流体ノズル３１０では、気体導入部３３３ａから加圧された窒素ガス（Ｎ2 ）が供給され、洗浄液供給管３３１から純水が供給されると、混合室３３４ｄで窒素ガス（Ｎ2 ）と純水とが混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。
【０１５８】
混合室３３４ｄで生成された混合流体Ｎは、テーパ部３３４ｂに沿って直流部３３４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体Ｎは、混合流体吐出口３３４ｆから基板Ｗの端部Ｒに吐出される。それにより、基板Ｗの端部Ｒの洗浄が行われる。
【０１５９】
（３−ｃ）  端部洗浄ユニットの第２の参考例
図１０は、端部洗浄ユニットＥＣの第２の参考例を説明するための図である。図１０の端部洗浄ユニットＥＣについて、図７の端部洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。
【０１６０】
図１０に示すように、本例の端部洗浄ユニットＥＣにおいては、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０に代えて超音波ノズル４１０が設けられている。
【０１６１】
なお、本例においても、超音波ノズル４１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの表面に対して基板Ｗの外側に傾斜してアーム３０３の先端部に取り付けられている。
【０１６２】
超音波ノズル４１０には、洗浄液供給管３３１が接続されている。これにより、図７の例と同様に、バルブ３３２を開くことにより、洗浄液として液浸液が洗浄液供給管３３１を通じて超音波ノズル４１０に供給される。
【０１６３】
超音波ノズル４１０内には、高周波振動子４１１が内蔵されている。この高周波振動子４１１は、高周波発生装置４２０と電気的に接続されている。
【０１６４】
基板Ｗの端部洗浄処理時においては、純水が超音波ノズル４１０から基板Ｗの端部Ｒに向かって吐出される。ここで、超音波ノズル４１０から純水が吐出される際には、高周波発生装置４２０から高周波振動子４１１に高周波電流が供給される。
【０１６５】
それにより、高周波振動子４１１が超音波振動し、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。その結果、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。
【０１６６】
なお、本例においても、端部洗浄ユニットＥＣ内に、上記超音波ノズル４１０と同じ構成および機能を持つ超音波ノズル４１０ａが設けられる。この超音波ノズル４１０ａは、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの裏面に対向するように基板Ｗの中心に対し外側に傾斜して取り付けられている。なお、超音波ノズル４１０ａ内には高周波振動子４１１ａが内蔵されており、超音波ノズル４１０ａは図示しないアームに取り付けられている。
【０１６７】
このように、基板Ｗの表面および裏面にそれぞれ対向するように超音波ノズル４１０，４１０ａを設けることにより、基板Ｗの端部Ｒを確実に洗浄することが可能となる。なお、超音波ノズル４１０ａの洗浄液および高周波電流の各供給系は、超音波ノズル４１０と同様であるので説明を省略する。
【０１６８】
（４）  洗浄／乾燥処理ユニットについて
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて説明する。
【０１６９】
（４−ａ）  洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図１１は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。
【０１７０】
図１１に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０１７１】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１７２】
スピンチャック６２１の外方には、第１のモータ６６０が設けられている。第１のモータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
【０１７３】
第１のモータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１７４】
第１のモータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図１１の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
【０１７５】
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。
【０１７６】
スピンチャック６２１の外方には、第２のモータ６７１が設けられている。第２のモータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
【０１７７】
第２のモータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１７８】
第２のモータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
【０１７９】
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）が用いられる。
【０１８０】
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
【０１８１】
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
【０１８２】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０１８３】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０１８４】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０１８５】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０１８６】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端部に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図１１に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０１８７】
（４−ｂ）  洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）９１により制御される。
【０１８８】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０１８９】
次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０１９０】
なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。
【０１９１】
この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、図８に示すような二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０１９２】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
【０１９３】
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図１２（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
【０１９４】
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０１９５】
次に、回転軸６２５（図１１参照）の回転数が上昇するとともに、図１２（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０１９６】
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１９７】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
【０１９８】
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
【０１９９】
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。
【０２００】
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。
【０２０１】
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。
【０２０２】
（５）  インターフェースブロックのインターフェース用搬送機構について
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図１３はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
【０２０３】
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台１８１は螺軸１８２に螺合される。螺軸１８２は、Ｘ方向に延びるように支持台１８３によって回転可能に支持される。螺軸１８２の一端部にはモータＭ２が設けられ、このモータＭ２により螺軸１８２が回転し、可動台１８１が±Ｘ方向に水平移動する。
【０２０４】
また、可動台１８１にはハンド支持台１８４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１８４は、回転軸１８５を介して可動台１８１内のモータＭ３に連結しており、このモータＭ３によりハンド支持台１８４が回転する。ハンド支持台１８４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１，Ｈ２が進退可能に上下に設けられる。
【０２０５】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ（制御部）９１により制御される。
【０２０６】
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図１３の位置Ａにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１５においてハンドＨ１が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５から後退させ、ハンド支持台１８４を−Ｚ方向に下降させる。
【０２０７】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ１を露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１７ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板搬入部１７ａから後退させる。
【０２０８】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは下側のハンドＨ２を露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１７ｂにおいてハンドＨ２が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ２を基板搬出部１７ｂから後退させる。
【０２０９】
その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいて、ハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ２を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０２１０】
続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは上側のハンドＨ１を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを受け取る。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを上側の基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【０２１１】
なお、上述のように露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて一時的に洗浄および乾燥処理ができない場合は、露光処理後の基板Ｗはインターフェースブロック１５の戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。
【０２１２】
本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７への搬送、露光装置１７から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【０２１３】
（６）  本実施の形態における効果
（６−ａ）  端部洗浄処理による効果
以上のように、洗浄／乾燥処理部８０の端部洗浄ユニットＥＣにおいて露光装置１７による露光処理前の基板Ｗの端部Ｒが液浸液により洗浄される。それにより、液浸法による露光処理中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方から溶出または析出する成分が予め端部洗浄ユニットＥＣにおいて溶出または析出し、溶出物または析出物が洗い流される。したがって、露光処理の際に、液浸液中に反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方が溶出または析出することが防止される。これにより、露光装置１７（露光装置１７のレンズ）が汚染されることが防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することが防止される。
【０２１４】
なお、露光処理の際に液浸液中に溶出または析出する可能性がある成分は上記反射防止膜およびレジスト膜中に含まれる成分に限られるものではなく、本実施の形態に係る基板処理装置５００外に設けられた外部装置により基板Ｗ上に形成された半導体膜、金属膜、絶縁膜または有機膜等に含まれる成分もある。これらの膜に含まれる成分も予め端部洗浄ユニットＥＣにおいて溶出または析出させることができる。
【０２１５】
（６―ｂ）  ブラシを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいてブラシ２１３により基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、基板Ｗの端部Ｒに直接ブラシ２１３が接触し洗浄されるので、基板Ｗの端部Ｒの反射防止膜およびレジスト膜の一方または両方からの溶出物または析出物を確実に除去することができる。
【０２１６】
（６−ｃ）  二流体ノズルを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいて、二流体ノズル３１０を用いて基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。このように、混合流体Ｎを用いることにより高い洗浄効果を得ることができる。
【０２１７】
また、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端部Ｒに吐出されることにより、非接触で基板Ｗの端部Ｒが洗浄されるので、洗浄時における基板Ｗの端部Ｒの損傷が防止される。さらに、混合流体Ｎの吐出圧および混合流体Ｎにおける気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの端部Ｒの洗浄条件を容易に制御することも可能である。
【０２１８】
また、二流体ノズル３１０によれば、均一な混合流体Ｎを基板Ｗの端部Ｒに吐出することができるので、洗浄ムラが発生しない。
【０２１９】
（６−ｄ）  超音波ノズルを用いた端部洗浄処理の効果
端部洗浄ユニットＥＣにおいて、超音波ノズル４１０を用いて基板Ｗの端部洗浄処理を行う場合には、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。
【０２２０】
これにより、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端部Ｒに吐出され、基板Ｗの端部Ｒが洗浄される。この場合、純水に印加される高周波出力を基板Ｗの種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能となる。
【０２２１】
（６−ｅ）  露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０２２２】
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
【０２２３】
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０２２４】
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
【０２２５】
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第２〜第８のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ８に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
【０２２６】
なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。
【０２２７】
（６−ｆ）  露光処理後の基板の乾燥処理の効果
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。
【０２２８】
（６−ｇ）  洗浄／乾燥処理ブロックの効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に洗浄／乾燥処理ブロック１５を追加した構成を有するので、低コストで、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
【０２２９】
（６−ｈ）  インターフェース用搬送機構のハンドについての効果
インターフェースブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７の基板搬入部１７ａへ露光処理前の基板Ｗを搬送する際、および洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１７の基板搬入部１７ｂから洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
【０２３０】
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
【０２３１】
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０２３２】
（６−ｉ）  レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
【０２３３】
（６−ｊ）  洗浄／乾燥処理ユニットの効果
上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
【０２３４】
それにより、洗浄／乾燥処理部８０から現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
【０２３５】
（６−ｋ）  ロボットのハンドについての効果
第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６およびインデクサロボットＩＲにおいては、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。
【０２３６】
（７）  他の実施の形態およびその効果
（７−ａ）  端部洗浄処理に用いる洗浄ノズルの他の例について
上記実施の形態では、基板Ｗの端部洗浄処理を行う際に、洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂ、二流体ノズル３１０，３１０ｂおよび超音波ノズル４１０，４１０ａを用いたが、これに限定されるものではなく、径小な針状の吐出部を備える洗浄ノズルを用いてもよい。この場合、基板Ｗの領域の小さな端部Ｒを精度高く洗浄することができる。
【０２３７】
（７−ｂ）  端部洗浄ユニットＥＣの他の配置例
上記実施の形態では、基板Ｗの端部洗浄処理を洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０における端部洗浄ユニットＥＣで行うが、これに限定されるものではなく、洗浄／乾燥処理部８０以外の場所（例えば、レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０における塗布ユニットＣＯＶ）で行ってもよい。この場合、レジストカバー膜形成後の端部洗浄ユニットＥＣまでの搬送工程を削減することができ、スループットを向上することができる。
【０２３８】
（７―ｃ）  他の配置例について
上記の実施の形態において、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂを含むが、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの一方に代えて、基板Ｗに熱処理を行う熱処理部を含んでもよい。この場合、複数の基板Ｗに対する熱処理が効率的に行われるので、スループットが向上する。
【０２３９】
（７−ｄ）  洗浄／乾燥処理ユニットの他の例について
図１１に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１４に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
【０２４０】
また、図１１に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１５に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。
【０２４１】
図１５の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１５の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
【０２４２】
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０２４３】
図１６は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。
【０２４４】
まず、図１２で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１６（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
【０２４５】
次に、回転軸６２５（図１１参照）の回転数が上昇するとともに、図１６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図１１の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
【０２４６】
また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１７に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１７の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１７の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１５の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。
【０２４７】
また、図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１８に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。
【０２４８】
図１８に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。
【０２４９】
図１８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【０２５０】
支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガスが供給される。
【０２５１】
アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
【０２５２】
図１８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１９に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
【０２５３】
（８）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が処理部に相当し、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当する。
【０２５４】
また、上記実施の形態においては、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳが第１の処理ユニットに相当し、端部洗浄処理部９０の端部洗浄ユニットＥＣが第２の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが第３の処理ユニットに相当し、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣが第４の処理ユニットに相当し、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭが第５の処理ユニットに相当し、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶが第６の処理ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送手段に相当し、ハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ第１および第２の保持手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０２５５】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２５６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。
【図４】端部洗浄ユニットの構成を説明するための図である。
【図５】基板の端部を説明するための概略的模式図である。
【図６】図４の端部洗浄ユニットの端部洗浄装置の構造を説明するための図である。
【図７】端部洗浄ユニットの第１の参考例を説明するための図である。
【図８】端部洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。
【図９】端部洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の他の例を示す縦断面図である。
【図１０】端部洗浄ユニットの第２の参考例を説明するための図である。
【図１１】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図１２】洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。
【図１３】インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。
【図１４】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１５】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１６】図１５の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【図１７】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１８】洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。
【図１９】図１８の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２５７】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  洗浄／乾燥処理ブロック
１６  インターフェースブロック
１７  露光装置
３０  反射防止膜用塗布処理部
４０  レジスト膜用塗布処理部
５０  現像処理部
６０  レジストカバー膜用塗布処理部
７０ａ，７０ｂ  レジストカバー膜除去用処理部
８０  洗浄／乾燥処理部
３１０，３１０ｂ  二流体ノズル
４１０，４１０ａ  超音波ノズル
５００  基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ  塗布ユニット
ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７，ＣＲ８  センターロボット
ＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２，Ｈ１，Ｈ２  ハンド
ＥＣ  端部洗浄ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＩＦＲ  インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ８１  基板載置部
ＲＥＭ  除去ユニット
ＳＤ  洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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