(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リン酸と１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、
前記１級アミンは、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、イソプロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジンから選択され、
前記２級アミンは、ジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−モノメチルトルイジン（ピラジン）から選択され、
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、１−メチルイミダゾール、Ｎ−ジエチルトルイジンから選択され、
前記４級アミンは、テトラメチルアンモニウム、テトラ−Ｎ−ブチルアンモニウム、コリンから選択され、
ｐＨが０．５〜１３（但し０．５〜６．０を除く）の範囲の水溶液であり、
前記リン酸を０．５〜３０質量％、
前記アミンを総計１〜６０質量％
含有し、
半導体デバイス製造プロセスまたは液晶デバイス製造プロセスにおいて発生するドライエッチング残渣を除去するレジスト残渣除去剤。
【請求項２】
リン酸と１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、
前記リン酸は、縮合リン酸とオルトリン酸との混合物であり、
前記１級アミンは、モノエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、イソプロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジンから選択され、
前記２級アミンは、ジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−モノメチルトルイジン（ピラジン）から選択され、
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、１−メチルイミダゾール、Ｎ−ジエチルトルイジンから選択され、
前記４級アミンは、テトラメチルアンモニウム、テトラ−Ｎ−ブチルアンモニウム、コリンから選択され、
ｐＨが０．５〜１３（但し０．５〜６．０を除く）の範囲の水溶液であり、
前記リン酸を０．５〜３０質量％、
前記アミンを総計１〜６０質量％
含有し、
半導体デバイス製造プロセスまたは液晶デバイス製造プロセスにおいて発生するドライエッチング残渣を除去するレジスト残渣除去剤。
【請求項３】
前記半導体デバイスまたは液晶デバイスは、Ａｌ配線を有し、ｐＨ２〜１２（２〜６．０を除く）、アミン濃度が１０％未満である請求項１または２のレジスト残渣除去剤。
【請求項４】
前記半導体デバイスまたは液晶デバイスは、絶縁膜をドライエッチすることによって得られたビアホールを有し、ｐＨ９以上、アミン濃度２０％以上である請求項１または２のレジスト残渣除去剤。
【請求項５】
前記半導体デバイスまたは液晶デバイスは、Ｗ配線またはＣｕを底面に有するビアホールを有し、アミン濃度５〜２０％である請求項１または２のレジスト残渣除去剤。
【請求項６】
前記半導体デバイスまたは液晶デバイスは、ライン巾０．１μm 以上１μm 未満の金属層を有し、リン酸濃度が０．１〜５質量％である請求項１または２のレジスト残渣除去剤。
【請求項７】
前記アミンは、１〜４級アミンの少なくとも２種以上を有する請求項１または２のレジスト残渣除去剤。
【請求項８】
さらに界面活性剤および／またはキレート剤を含有する請求項１〜７のいずれかのレジスト残渣除去剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおいて発生するドライエッチング残渣を除去するレジスト残渣除去剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンおよびＧａＡｓ等の化合物の半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス（ＬＣＤ）製造プロセスにおけるドライエッチング残渣の除去においては、塩酸、硫酸、硝酸等の強酸；過酸化水素；アンモニア；フッ酸、フッ化アンモニウム、等のフッ化物；ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、モノエタノールアミン、等のアミンないしヒドラジン類を主剤とし、有機溶媒等と混合した組成物が使用されている。
【０００３】
これらの組成物はいずれも劇物であるか、または多量の有機溶剤などの危険物を含むため半導体製造プロセスでの安全対策や廃水処理などの自然環境面での過大な対策が必要である。
【０００４】
すなわち、フッ化アモニウムを主剤とした除去剤組成物では主剤自体が劇物であり、また危険物であるＮ−メチルピロリドンやジメチルホルムアミドなどの有機溶媒で希釈して使用される。また、ヒドロキシアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン等はそれ自体が有機物であるか、あるいは、さらに他の有機物との組成物として使用される。
【０００５】
このように劇物や危険物である有機物を多量に含む組成物を使用する半導体製造プロセスでは作業安全や環境面での過大な対策が必要である。
【０００６】
また、多くの有機物を含む組成物ではレジスト残渣除去工程の後にリンス工程を必要とし、この工程はイソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性の有機溶媒で洗浄する必要がある。この有機溶媒は危険物であり安全面や環境面での対策が必要になる。
【０００７】
一方、ゲート構造にはタングステン、チタン等の金属が使用されるようになり、これに伴い、レジスト残渣の除去に使用されている硫酸過酸化水素水溶液（ＳＰＭ）やアンモニア過酸化水素水溶液（ＡＰＭ）が金属を腐食してゲート構造が破壊されるので使用できない問題がある。また、リン、砒素およびホウ素などのイオンを注入した後のレジスト残渣はアミン類を主剤とした除去剤では除去が困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおけるドライエッチング残渣、すなわちドライエッチングによって生成する金属成分を含む残渣や注入イオンを含むレジストを、配線やゲート金属を腐食することなく除去可能なレジスト残渣除去剤を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は下記の事項により達成される。
（１）リン酸と１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、
前記１級アミンは、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、イソプロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジンから選択され、
前記２級アミンは、ジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−モノメチルトルイジン（ピラジン）から選択され、
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、１−メチルイミダゾール、Ｎ−ジエチルトルイジンから選択され、
前記４級アミンは、テトラメチルアンモニウム、テトラ−Ｎ−ブチルアンモニウム、コリンから選択され、
ｐＨが０．５〜１３（但し０．５〜６．０を除く）の範囲の水溶液であり、
前記リン酸を０．５〜３０質量％、
前記アミンを総計１〜６０質量％
含有し、
半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおいて発生するドライエッチング残渣を除去するレジスト残渣除去剤。
（２）リン酸と１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、
前記リン酸は、縮合リン酸とオルトリン酸との混合物であり、
前記１級アミンは、モノエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、イソプロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジンから選択され、
前記２級アミンは、ジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−モノメチルトルイジン（ピラジン）から選択され、
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、１−メチルイミダゾール、Ｎ−ジエチルトルイジンから選択され、
前記４級アミンは、テトラメチルアンモニウム、テトラ−Ｎ−ブチルアンモニウム、コリンから選択され、
ｐＨが０．５〜１３（但し０．５〜６．０を除く）の範囲の水溶液であり、
前記リン酸を０．５〜３０質量％、
前記アミンを総計１〜６０質量％
含有し、
半導体デバイス製造プロセスまたは液晶デバイス製造プロセスにおいて発生するドライエッチング残渣を除去するレジスト残渣除去剤。
（３）前記半導体デバイスは、Ａｌ配線を有し、ｐＨ２〜１２（２〜６．０を除く）、アミン濃度が１０％未満である上記（１）または（２）のレジスト残渣除去剤。
（４）前記半導体デバイスは、絶縁膜をドライエッチすることによって得られたビアホールを有し、ｐＨ９以上、アミン濃度２０％以上である上記（１）または（２）のレジスト残渣除去剤。
（５）前記半導体デバイスは、Ｗ配線またはＣｕを底面に有するビアホールを有し、アミン濃度５〜２０％である上記（１）または（２）のレジスト残渣除去剤。
（６）前記半導体デバイスは、ライン巾０．１μm 以上１μm 未満の金属層を有し、リン酸濃度が０．１〜５質量％である上記（１）または（２）のレジスト残渣除去剤。
（７）前記アミンは、１〜４級アミンの少なくとも２種以上を有する上記（１）または（２）のレジスト残渣除去剤。
（８）さらに界面活性剤および／またはキレート剤を含有する上記（１）〜（７）のいずれかのレジスト残渣除去剤。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のレジスト残渣除去剤は、リン酸と１〜４級アミンから選択される１種または２種以上のアミンとを含有し、ｐＨが０．５〜１３の範囲の水溶液であり、リン酸を０．５〜３０質量％、アミンを総計１〜６０質量％含有するものである。
【００１１】
イオン注入やドライエッチングによって生成するドライエッチング残渣は、有機レジスト膜に無機的な性質が付加される。また、レジスト除去のための酸素プラズマ灰化処理等によって酸化物を含む物質に変質する。これらポリマーと称されるものを含めてレジスト残渣に包含される。
【００１２】
本発明の除去剤は、リン酸と１〜４級アミンを含む水溶液であり、劇物や毒物を含まず、また危険物にも属さないことから危険性がなく、このため、作業環境、作業安全面で好ましい。また、有機物の含有量が比較的少ないので、廃液の処理も単純化が可能になる。
【００１３】
また、本発明の除去剤は、複雑な工程を経ることなく、単に被処理体に接触させるのみですみ、かつ後処理工程を水洗のみとできるので、処理操作が容易である。さらには、金属等をはじめとする被処理体に残留して腐食等を生じさせる問題もない。
【００１４】
本発明の除去剤に用いられるリン酸は、オルトリン酸（Ｈ3ＰＯ4）、または縮合リン酸である。
【００１５】
縮合リン酸は、Ｈn+2ＰnＯ3n+1 で表されるポリリン酸、（ＨＰＯ3）n で表されるメタリン酸のいずれであってもよく、場合によってはウルトラリン酸と称されるものが含まれていてもよい。これらのリン酸塩は一部酸性塩となっていてもよい。
【００１６】
本発明の除去剤において、縮合リン酸塩は、上述のようなリン酸塩の混合物であり、さらにはオルトリン酸塩も含まれているのが一般的である。上記において、ｎで表される重合度は、ポリリン酸塩の場合ｎ＝２〜１２のもの、メタリン酸塩の場合ｎ＝３〜１４のものが存在していると考えられ、このなかでレジスト残渣除去工程上好ましいのは、ポリリン酸塩の場合ｎ＝２〜５程度、メタリン酸塩の場合ｎ＝３〜５程度のものであると考えられる。
【００１７】
このような除去剤におけるオルトリン酸をはじめとする上記リン酸系化合物の濃度は、リン酸（Ｈ3ＰＯ4 ）に換算して０．５〜３０質量％、好ましくは２０質量％以下、特に０．１〜１０質量％であることが好ましい。
【００１８】
また、このような除去剤において、縮合リン酸を用いるとき、オルトリン酸塩以外の、上記の除去工程上好ましいと考えられるポリリン酸塩（ｎ＝２〜５）やメタリン酸塩（ｎ＝３〜５）のリン酸系化合物全体に占める割合は、リン（Ｐ）濃度で表して６０質量％以下であることが好ましく、通常０．１〜６０質量％であることが好ましい。このような濃度とすることによって、十分なレジスト残渣の除去能が得られる。上述のような縮合リン酸塩の使用により、被処理体の腐食が抑制される。また、腐食に対するｐＨの許容度が大きくなる。
【００１９】
本発明で、リン酸と混合されるアミンは１〜４級のアミンである。ＲＮＨ2 で表される１級アミンとしては、モノエタノールアミン、ジグリコールアミン（ＤＧＡ）、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、イソプロパノールアミン、シクロヘキシルアミン、アニリン、トルイジン等が挙げられ、特にモノエタノールアミン、ＤＧＡ等が好ましい。Ｒ’ＲＮＨで表される２級アミンとしては、ジエタノールアミン、モルホリン、Ｎ−モノメチルトルイジン（ピラジン）等が挙げられ、特にジエタノールアミン等が好ましい。Ｒ”Ｒ’ＲＮで表される３級アミンとしては、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、１−メチルイミダゾール、Ｎ−ジエチルトルイジン等が挙げられる。Ｒ'''Ｒ”Ｒ’ＲＮで表される４級アミンとしては、テトラメチルアンモニウム、テトラ−Ｎ−ブチルアンモニウム、コリン等が挙げられ、特にテトラメチルアンモニウム等が好ましい。
【００２０】
これらのアミンのなかでも、特にモノエタノールアミン、ＤＧＡ、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド（ＴＭＡＨ）等が好ましい。これらのアミンは、窒素濃度の総計で１〜１０質量％、好ましくは１〜５質量％含有する。
【００２１】
本発明の除去剤は、pH０．５〜１３、特にpH２〜１２の範囲で用いることができ、目的等によって選択すればよい。pHの調整には、オルトリン酸や縮合リン酸、あるいはアミンが用いられる。これらを用いてpHを調整することにより、レジスト残渣の種類に応じた除去能力の向上を図ることができるとともに、金属腐食の軽減や除去工程の温度および時間の制御を行うことができる。一般にｐＨが低い方がレジスト残渣の除去能が向上する。
【００２２】
具体的には、Ａｌ配線に対しては、Ａｌの腐食性の観点からｐＨ２〜１２が望ましく、濃度はアミン濃度で１０％未満が望ましい。また、接触方法としては、温度４５℃以下が好ましいが、界面活性剤やキレート剤の添加により７０℃程度まで上昇させることができる。
【００２３】
一方、絶縁膜をドライエッチすることによって得られたビアホールに対しては、アミン濃度２０％以上が除去性の観点から好ましく、ｐＨは９以上、または２以下が望ましい。接触条件に関しては、５５℃以上が好ましいが、残渣の状態によっては３５℃程度も除去可能となる。
【００２４】
この他、Ｗ配線やＣｕを底面に有するビアホールでは、アミン濃度５〜２０％が好ましく、処理条件は５５℃以上が好ましい。
【００２５】
なお、例えばＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ等の金属層を有する基板に対しては、上記リン酸系化合物の濃度をリン酸濃度で表して、０．１〜５質量％とすることが好ましい。これにより金属腐食の問題が軽減され、廃液処理等の環境面においても好ましい。また、このような量では、特にライン巾がサブミクロン程度、例えば０．１μm 以上１μm 未満となったときの金属層のクワレが有効に防止される。
【００２６】
シリコンウェハーやガラス基板等であって金属層を持たず、レジスト残渣除去剤の金属に対する影響の少ない基板や膜に対しては、上記リン酸系化合物の濃度をリン酸濃度で表して、１〜１０質量％とすることが好ましい。
【００２７】
本発明の除去剤には、界面活性剤やキレート剤を添加してもよい。特に界面活性剤の添加は好ましい。界面活性剤としてはノニオン性、カチオン性、アニオン性、両性のいずれであってもよく、市販品等を用いることができる。例えばノニオン性としてはポリオキシエチレン系、アミンオキシド系等が、カチオン性としてはアルキルトリメチルアンモニウム塩系等が、アニオン性としてはアルキルカルボン酸系が、両性としてはベタイン系等が挙げられ、フッ化アルキルの化合物を用いてもよい。また、異なる界面活性剤を混合して用いてもよい。
【００２８】
また、キレート剤としてはカテコール、ベンゾトリアゾール、ジホスホン酸等が挙げられる。この場合、異なるキレート剤を混合して使用してもよく、界面活性剤とキレート剤を併用してもよい。
【００２９】
Ａｌ、Ｃｕ等の金属の腐食が問題となりやすいような場合には、界面活性剤、キレート剤の添加は有効である。界面活性剤の添加量は０．００２〜１質量％が好ましく、キレート剤の添加量は０．０１〜５質量％が好ましい。
【００３０】
また、本発明の除去剤には、レジスト残渣の種類に応じた除去能力の向上を図るために、適宜、酸化剤や還元剤を含有させてもよい。酸化剤としては過酸化水素等が挙げられ、還元剤としてはアスコルビン酸、システイン等が挙げられる。酸化剤を用いるときの添加量は０．５〜５．５質量％、還元剤を用いるときの添加量は１〜１０質量％が好ましい。
【００３１】
本発明におけるレジストはポジ型であってもネガ型であってもよいが、特にノボラック樹脂材質のポジ型が好ましい。
【００３２】
また、半導体、液晶分野のレジスト残渣除去には、不純物、特に鉄、ナトリウム、カリウム等がデバイス特性に影響を及ぼすことから、本発明の除去剤は、適用分野に応じ、不純物を規定レベル以下まで低下させた品質とすることもできる。例えば電気透析等により本発明の除去剤から不純物を除去することができる。
【００３３】
本発明の除去剤によるレジスト残渣除去は、除去剤と被処理体とを接触させることによって行われる。この場合の接触は、除去剤を被処理体の被処理部分にスプレーするなどの方法によってもよいが、好ましくは本発明の除去剤を満たしたタンクに被処理体を浸漬する。このようなタンク内の処理では攪拌ないし揺動することが好ましい。
【００３４】
除去剤との接触温度、時間等は、除去剤のｐＨ、処理対象物の性質、被処理体の材質などによるが、２３℃〜９０℃の温度で１分〜６０分程度接触させればよく、比較的低温で短時間の処理ですむ。
【００３５】
タンク内処理の場合、レジスト残渣除去効果を一定に保持するため、バッチ処理の場合は一定処理毎にタンク内液を全量入れ替えることもできるし、連続処理の場合は、蒸発分を補うために、新液（補充液）を補充するようにしてもよい。なお、処理タンクのタンク容量は２０〜３００リットル程度である。
【００３６】
本発明の除去剤による処理ののちの被処理体は、さらに水洗することが好ましく、後処理工程としては水洗のみですみ、その後乾燥すればよい。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
＜実施例１＞
図１に示すように、Ｓｉ基板（１）上にＴＥＯＳ（２）／ＴｉＮ（３）／Ｗ（４）／Ｓｉ3Ｎ4 （５）を２００nm／１０nm／２００nm／２００nmにて積層し、これをノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布後、リソグラフィー・現像処理および四フッ化メタンガスを含む混合ガスによるリアクティブイオンエッチングによりＴｉＮ／ＴＥＯＳの界面までエッチングされたパターンを形成した。この積層基板を酸素を含むプラズマ中に暴露することで、余分なフォトレジストを除去し、被処理体Ａを得た。この被処理体Ａには図に示すような残渣（９）が付着していた。
【００３８】
（薬液の調製）
電子工業グレード  ８５％リン酸と電子工業グレード  テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）  ２０％水溶液、あるいはモノエタノールアミン（ＭＥＡ）を混合し、pH９および１２．５（モノエタノールアミンでは調製できない）、アミン濃度  ５重量％の薬液を調製した。これにＳｉ防食剤として、コール酸を１０００ppm となるように添加し、処理液１を調製した。各処理液１のpHおよび使用アミンは以下の通りである。
処理液        アミン        pH
１−１        ＴＭＡＨ    １２．５
１−２        ＴＭＡＨ      ９
１−３        ＭＥＡ        ９
１−４（比較）アンモニア    ９
【００３９】
上記、披処理体Ａを処理液１によって、７０℃で種々の時間処理した結果、表１に示す結果を得た。
【００４０】
【表１】
0004614415.tif 000002
【００４１】
その結果、pH１２．５の薬液（１−１）が最も除去力が高く。続いて、pH９のテトラメチルアンモニウム塩（１−２）が良好な結果を示していることが判る。また、この際ＷやＴＥＯＳといった基材に対する腐食は確認されず良好なプロファイルを示した。なお、比較サンプルであるアンモニア（処理液１−４）は、２０分経過後も除去できなかった。
【００４２】
＜実施例２＞
Ｓｉ基板上にＷ／ＴｉＮ／ＴＥＯＳを２００nm／１０nm／４００nmにて積層し、これをノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布後、リソグラフィー・現像処理および四フッ化メタンガスを含む混合ガスによるリアクティブイオンエッチングによりＴｉＮ／Ｗ界面までエッチングされたホールパターンを形成した。この積層基板を酸素を含むプラズマ中に暴露することで、余分なフォトレジストを除去し、被処理体Ｂを得た。
【００４３】
上記、被処理体Ｂを処理液１によって、７０℃で種々の時間処理した結果、表２に示す結果を得た。
【００４４】
【表２】
0004614415.tif 000003
【００４５】
その結果、被処理体Ａと同様、pH１２．５の薬液（１−１）が最も除去力が高く。続いて、pH９のテトラメチルアンモニウム塩（１−２）が良好な結果を示していることが判る。また、この際ＷやＴＥＯＳといった基材に対する腐食は確認されず良好なプロファイルを示した。また、比較サンプルであるアンモニア（処理液１−４）は、１５分経過後から除去効果が確認されたものの、ＷやＴＥＯＳといった構造物も同時に腐食し、処理対Ａの洗浄液として不向きであることがわかった。
【００４６】
＜実施例３＞
Ｓｉ基板上にＴＥＯＳ／ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮを２００nm／１０nm／１０nm／２００nm／１０nmにて積層し、これをノボラック系ポジ型フォトレジストを塗布後、リソグラフィー・現像処理および四塩化炭素を含む混合ガスによるリアクティブイオンエッチングによりＴｉＮ／ＴＥＯＳ界面までエッチングされたパターンを形成した。この積層基板を酸素を含むプラズマ中に暴露することで、余分なフォトレジストを除去し、被処理体Ｃを得た。
【００４７】
（薬液の調製）
電子工業グレード  ８５％リン酸とモノエタノールアミン（２−１）あるいはトリエタノールアミン（２−２）を混合し、pH２．５、アミン濃度  ２重量％の薬液を調製し、処理液２を得た。
【００４８】
上記、被処理体Ｃを処理液２によって、３５℃で種々の時間処理した結果、表３に示す結果を得た。
【００４９】
【表３】
0004614415.tif 000004
【００５０】
その結果、１級アミンであるモノエタノールアミンにてpHを調製した処理液２−１の方がトリエタノールアミンでpHを調整した処理液２−２よりも高い除去力を示したことが明らかであった。但し、どちらの処理液でもＡｌ腐食を生じることなく残渣を除去しきれる領域が存在することも同時に判った。
【００５１】
＜実施例４＞
２．５％リン酸水溶液にテトラメチルアンモニウム水溶液・トリエタノールアミン・ジエタノールアミン・モノエタノールアミンの水溶液を添加し、pH２．５とした各種処理液を調製した。（各薬液の番号は３−１・３−２・３−３・３−４）
【００５２】
以上で調製した薬液  ２０．ＯｇをＰＥ製ボトルに封入し、これに純度  ９９％以上の１０×１０×１mmのＡｌテストピースを浸漬、６５℃、１時間処理した。処理後の薬液中のＡｌ濃度をフレームレス原子吸光法により定量し、Ａｌのエッチレートを計算した結果を表４に示す。
【００５３】
【表４】
0004614415.tif 000005
【００５４】
エッチレートは３級アミンのトリエタノールアミンで調整したもののみ低くなっており、３級アミンにある程度Ａｌ防食能があることが証明された。
【００５５】
＜実施例５＞
１ mol／ｌに調製したテトラメチルアンモニウム水溶液・トリエタノールアミン・ジエタノールアミン・モノエタノールアミンの水溶液に８５％リン酸を添加し、pH９とした各種処理液を調製した。（各薬液の番号は４−１・４−２・４−３・４−４）
【００５６】
以上で調製した薬液  ２０．ＯｇをＰＥ製ボトルに封入し、これに純度  ９９％以上の１０×１０×１mmのＣｕテストピースを浸漬、７５℃、１時間処理した。処理後の薬液中のＣｕ濃度をフレームレス原子吸光法により定量し、Ｃｕのエッチレートを計算した結果を表５に示す。
【００５７】
【表５】
0004614415.tif 000006
【００５８】
エッチレートは４級アミンのテトラメチルアンモニウムで調整したもののみ低くなっており、Ｃｕ腐食がアミンの孤立電子対による配位によるものであると予想できた。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、レジスト残渣の除去を、腐食などの問題を生じることなく、かつ安全に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の被処理体Ａの構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１    Ｓｉ基板
２    ＴＥＯＳ
３    ＴｉＮ
４    Ｗ
５    Ｓｉ3Ｎ4
９    残渣
【図１】
0004614415.tif 000007