(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が設置されたベース基板と、
前記ベース基板上に設けられ前記半導体素子を覆い、前記ベース基板側の端部に開口部を有する覆い部材と、
第１表面及び前記第１表面の反対面である第２表面を有し、前記第２表面を前記ベース基板に向けて前記開口部を塞ぐように前記ベース基板上に設けられ、前記第１表面における前記覆い部材の内部に位置する領域に第１高周波信号線を有し、前記第２表面に前記第１高周波信号線に電気的に接続する第２高周波信号線を有する接栓基板と、
前記第２高周波信号線と前記ベース基板との間に空間を形成して前記ベース基板を前記第２高周波信号線から離間させるように、前記ベース基板に形成された凹部と、
を備え、
前記第１高周波信号線と前記ベース基板は第１マイクロストリップ線路部を構成し、
前記第２高周波信号線と前記ベース基板は第２マイクロストリップ線路部を構成し、
前記第１マイクロストリップ線路部のインピーダンスと前記第２マイクロストリップ線路部のインピーダンスは同じであることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体素子が設置された表面及び前記表面の反対面を有するベース基板と、
前記ベース基板の前記表面上に設けられ前記半導体素子を覆い、前記ベース基板側の端部に開口部を有する覆い部材と、
第１表面及び前記第１表面の反対面である第２表面を有し、前記第２表面を前記ベース基板に向けて前記開口部を塞ぐように前記ベース基板上に設けられ、前記第１表面における前記覆い部材の内部に位置する領域に第１高周波信号線を有し、前記第２表面に前記第１高周波信号線に電気的に接続する第２高周波信号線を有する接栓基板と、
前記ベース基板の前記反対面を含む仮想面と前記第２高周波信号線との間に空間を形成して前記ベース基板を前記第２高周波信号線から離間させるように、前記ベース基板に形成された切欠部と、
を備え、
前記第１高周波信号線と前記ベース基板は第１マイクロストリップ線路部を構成し、
前記仮想面と前記第２高周波信号線が第２マイクロストリップ線路部を構成する場合、前記第１マイクロストリップ線路部のインピーダンスと前記第２マイクロストリップ線路部のインピーダンスが同じになるように前記第２高周波信号線の幅が設定されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第２高周波信号線の幅は前記第１高周波信号線の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第２マイクロストリップ線路部分のベース基板は前記第１マイクロストリップ線路部分のベース基板よりも薄いことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第１マイクロストリップ線路部分のベース基板の厚さは、前記第１マイクロストリップ線路部のインピーダンスと前記第２マイクロストリップ線路部のインピーダンスが同じになるように設定されていることを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージに関し、特に、半導体素子を気密封止する半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波半導体素子等の半導体素子を有する半導体パッケージは、様々な高周波機器に用いられている（例えば、特許文献１参照）。この半導体パッケージは、半導体素子が設置されたベース基板と、ベース基板上に設けられ半導体素子を囲む枠体と、枠体上に設けられた蓋体と、枠体に貫通させてベース基板上に設けられた接栓基板とを備えており、半導体素子を気密封止するパッケージ（気密封止パッケージ）である。
【０００３】
例えば、図７に示すように、接栓基板１０１はベース基板１０２上に設けられている。この接栓基板１０１は、誘電体により形成されており、枠体であるフレーム１０３に形成された開口部１０４を塞ぐ基板である。接栓基板１０１は、開口部１０４を塞ぐための凸部１０５を有しており、この接栓基板１０１の表面には、凸部１０５を貫通する高周波信号線１０６が設けられている。接栓基板１０１の周面には、Ｗペーストを塗布し焼結することにより形成された外枠１０１ａが設けられている。この外枠１０１ａとフレーム１０３とがＡｇを用いてろう付けされ、気密封止パッケージが形成されている。
【０００４】
高周波信号線１０６の貫通部分が三導体部（ストリップ線路部）１０６ａとして機能し、その他の部分がマイクロストリップ線路部として機能する。なお、高周波信号線１０６の三導体部１０６ａは、マイクロストリップ線路部とのインピーダンス整合を取るため、マイクロストリップ線路部に比べ細く形成されている（図７参照）。
【特許文献１】特開２００１−３５９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、現在、半導体パッケージの高電力化が進んでおり、高周波信号線１０６の幅が狭くなると、高周波信号の挿入損失が増加してしまい、さらに、その許容電流が低くなるため、高周波信号線１０６の三導体部１０６ａが溶融してしまうことがある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、高電力化による高周波信号線の溶融を抑え、高周波信号の挿入損失の増加を防止することができる半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体パッケージにおいて、半導体素子が設置されたベース基板と、前記ベース基板上に設けられ前記半導体素子を覆い、前記ベース基板側の端部に開口部を有する覆い部材と、第１表面及び前記第１表面の反対面である第２表面を有し、前記第２表面を前記ベース基板に向けて前記開口部を塞ぐように前記ベース基板上に設けられ、前記第１表面における前記覆い部材の内部に位置する領域に第１高周波信号線を有し、前記第２表面に前記第１高周波信号線に電気的に接続する第２高周波信号線を有する接栓基板と、前記第２高周波信号線と前記ベース基板との間に空間を形成して前記ベース基板を前記第２高周波信号線から離間させるように、前記ベース基板に形成された凹部と、を備え、前記第１高周波信号線と前記ベース基板は第１マイクロストリップ線路部を構成し、前記第２高周波信号線と前記ベース基板は第２マイクロストリップ線路部を構成し、前記第１マイクロストリップ線路部のインピーダンスと前記第２マイクロストリップ線路部のインピーダンスは同じであることである。
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体パッケージにおいて、半導体素子が設置された表面及び前記表面の反対面を有するベース基板と、前記ベース基板の前記表面上に設けられ前記半導体素子を覆い、前記ベース基板側の端部に開口部を有する覆い部材と、第１表面及び前記第１表面の反対面である第２表面を有し、前記第２表面を前記ベース基板に向けて前記開口部を塞ぐように前記ベース基板上に設けられ、前記第１表面における前記覆い部材の内部に位置する領域に第１高周波信号線を有し、前記第２表面に前記第１高周波信号線に電気的に接続する第２高周波信号線を有する接栓基板と、前記ベース基板の前記反対面を含む仮想面と前記第２高周波信号線との間に空間を形成して前記ベース基板を前記第２高周波信号線から離間させるように、前記ベース基板に形成された切欠部と、を備え、前記第１高周波信号線と前記ベース基板は第１マイクロストリップ線路部を構成し、前記仮想面と前記第２高周波信号線が第２マイクロストリップ線路部を構成する場合、前記第１マイクロストリップ線路部のインピーダンスと前記第２マイクロストリップ線路部のインピーダンスが同じになるように前記第２高周波信号線の幅が設定されていることである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高電力化による高周波信号線の溶融を抑え、高周波信号の挿入損失の増加を防止することができる半導体パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態について図１ないし図４を参照して説明する。
【００１０】
図１ないし図３に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージ１Ａは、ベース基板２と、そのベース基板２上に設けられ複数の半導体素子Ｓを有する半導体搭載部３と、ベース基板２に設けられ各半導体素子Ｓを覆い、ベース基板２側の端部に開口部４を有する覆い部材５と、開口部４を塞ぐようにベース基板２上に設けられ、第１表面６ａの覆い部材５の内部に位置する領域に第１高周波信号線７ａを有し、第１表面の反対面である第２表面６ｂ（図３参照）に第１高周波信号線７ａに電気的に接続する第２高周波信号線７ｂを有する接栓基板６とを備えている。
【００１１】
半導体搭載部３は、各半導体素子Ｓと、それらの半導体素子Ｓを支持するマウント部３ａと、そのマウント部３ａ上に各半導体素子Ｓの両側にそれぞれ位置付けられて設けられた２つの整合コンデンサ３ｂとから構成されている。これらの整合コンデンサ３ｂは、ワイヤボンディング等により各半導体素子Ｓに電気的に接続されている。
【００１２】
覆い部材５は、枠状に形成されベース基板２上に設けられた枠体であるフレーム５ａと、そのフレーム５ａ上に設けられた蓋体である蓋部材５ｂとから構成されている。この覆い部材５は、その内部に半導体搭載部３を収容して気密封止する。フレーム５ａには、２つの開口部４が対向させて設けられている。これらの開口部４はベース基板２側の端部に位置付けられている。
【００１３】
接栓基板６は、所定の誘電率を有する誘電体により板状に形成された基板であり、フレーム５ａの開口部４を塞ぐ部材として機能する。この接栓基板６の第１表面６ａには、第１高周波信号線７ａがフレーム５ａ内に位置付けられて設けられており、さらに、第３高周波信号線７ｃがフレーム５ａ外に位置付けられて設けられている。また、接栓基板６の第２表面６ｂ（図３参照）である裏面には、第２高周波信号線７ｂが設けられている。
【００１４】
第１高周波信号線７ａ、第２高周波信号線７ｂ及び第３高周波信号線７ｃは、高周波信号が通過する伝送線路である。これらの第１高周波信号線７ａ、第２高周波信号線７ｂ及び第３高周波信号線７ｃは、接栓基板６にそれぞれ設けられた複数のスルーホール配線８により接続されている。
【００１５】
第１高周波信号線７ａは、接栓基板６におけるフレーム５ａの内部の内端部から対向する外部の外端部に向かってフレーム５ａに接触しないようにその手前まで設けられている。この第１高周波信号線７ａは整合コンデンサ３ｂに電気的に接続されている。また、第３高周波信号線７ｃは、フレーム５ａの近傍から接栓基板６の外端部まで設けられている。第２高周波信号線７ｂは、各スルーホール配線８を介して第１高周波信号線７ａと第３高周波信号線７ｃとを電気的に接続している。これらの第１高周波信号線７ａ、第２高周波信号線７ｂ及び第３高周波信号線７ｃは、例えばＷ厚膜又はＣｕ厚膜、Ｎｉメッキ及びＡｕメッキ等により形成されている。また、各スルーホール配線８は、気密封止のためブラインドスルーホールとなるように形成されている。
【００１６】
第３高周波信号線７ｃには、第３高周波信号線７ｃを半導体パッケージ１Ａの外部に引き出すリード線９が設けられている。このリード線９は、第３高周波信号線７ｃに電気的に接続されている。
【００１７】
ベース基板２は、板状に形成された基板であり、接栓基板６の第２表面６ｂである裏面を支持している。このベース基板２は、例えば銅等の放熱性が高い材料により、第２高周波信号線７ｂから離間するように形成されている。すなわち、ベース基板２には、その第２高周波信号線７ｂに対向し第２高周波信号線７ｂから離間する凹部２ａが設けられている。これにより、接栓基板６がベース基板２上に設けられた場合、ベース基板２が第２高周波信号線７ｂに接触することが防止される。
【００１８】
凹部２ａは、第２高周波信号線７ｂに対向する領域を含み第２高周波信号線７ｂより大きい領域のベース基板２の一部分を取り除くように形成されている。この凹部２ａにより、第２高周波信号線７ｂとベース基板２との間には、空間が設けられている。この空間は空気により満たされており、空気層が形成されている。
【００１９】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態によれば、接栓基板６の第２表面６ｂに第２高周波信号線７ｂを設け、その第２表面６ｂ上の第２高周波信号線７ｂから離間するようにベース基板２を形成することにより、フレーム５ａの下方を通過する第２高周波信号線７ｂはマイクロストリップ線路部として機能する。このとき、第２高周波信号線７ｂの下方の空気層が誘電体となるので（ε１＞ε２）、第１高周波信号線７ａ及び第３高周波信号線７ｃと第２高周波信号線７ｂとのインピーダンス整合を取るためには、第２高周波信号線７ｂの幅Ｗ２を第１高周波信号線７ａ及び第３高周波信号線７ｃの幅Ｗ１に比べて広くする必要がある。これにより、第２高周波信号線７ｂの許容電流は増加することになり、高電力化による第２高周波信号線７ｂの溶融が抑えられるので、高周波信号の挿入損失の増加を防止することができる。
【００２０】
さらに、第２高周波信号線７ｂに対向する部分のベース基板２の厚さが薄くなるので、リード線９を通過する際の高周波信号の回り込みの発生を抑えることが可能になり、高周波特性を向上させることができる。このとき、ベース基板２は部分的に薄くなるだけであり、ベース基板２が全体的に薄くなることは防止されるので、ベース基板２の機械的な強度を維持することができる。
【００２１】
また、ベース基板２は、第２高周波信号線７ｂに対向し第２高周波信号線７ｂから離間する凹部２ａを有していることから、簡単な構成により、フレーム５ａの下方を通過する第２高周波信号線７ｂをマイクロストリップ線路部として構成することができ、さらに、ベース基板２を第２高周波信号線７ｂから離間するように容易に形成することができる。
【００２２】
ここで、図２に示すように、第１高周波信号線７ａの幅をＷ１とし、第２高周波信号線７ｂの幅をＷ２とし、凹部２ａの幅をＷ３とし、図３に示すように、接栓基板６の誘電率をε１とし、空気の誘電率をε２とし、接栓基板６の厚さをｔ１とし、凹部２ａの深さ、すなわち空気層の厚さをｔ２とした場合、特性インピーダンスを５０Ωに設定して半導体パッケージ１Ａを設計すると、図４に示す実施例のように、各種の設計値が求められる。なお、図４に示す比較例では、図７に示す従来の半導体パッケージを用いる。
【００２３】
図４に示すように、実施例では、高周波信号線（第２の高周波信号線７ｂ）の幅Ｗ２は０．６４４ｍｍであり、比較例では、高周波信号線（三導体部１０６ａ：図７参照）の幅は０．１４８ｍｍである。さらに、実施例では、地導体の幅は凹部２ａの幅Ｗ３となり、３．０ｍｍであり、比較例では、地導体の幅は無限大（ベース基板１０２の幅：図７参照）となる。このように半導体パッケージ１Ａによれば、ストリップ線路の線路幅より格段に幅広に高周波信号線を設計することが可能になるので、接栓部の許容電流を大きくすることができ、加えて、第３高周波信号線７ｃの幅がＷ１以上Ｗ２以下の範囲で設計可能になるので、リード線９の取付け強度を増加させることができる。さらに、空気層の厚さｔ２の分だけ地導体の幅を短くすることが可能になり、良好な高周波特性を得ることができる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図５及び図６を参照して説明する。
【００２５】
第２の実施の形態では、第１の実施の形態と異なる部分について説明する。なお、第１の実施の形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明は省略する。
【００２６】
図５及び図６に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージ１Ｂが備えるベース基板２には、第１の実施の形態に係る凹部２ａに代えて、第２高周波信号線７ｂから離間する切欠部２ｂが設けられている。これにより、接栓基板６がベース基板２上に設けられた場合、ベース基板２が第２高周波信号線７ｂに接触することが防止される。
【００２７】
切欠部２ｂは、第２高周波信号線７ｂに対向する領域を含み第２高周波信号線７ｂより大きい領域を有するベース基板２の一部分を切り欠くように形成されている。この切欠部２ｂにより、第２高周波信号線７ｂに対向する位置にベース基板２が存在しなくなる。
【００２８】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。さらに、切欠部２ｂをベース基板２に設けることによって、第２高周波信号線７ｂに対向する位置にベース基板２が存在しなくなるので、第１の実施の形態に比べ、リード線９を通過する際の高周波信号の回り込みの発生をより確実に抑えることができる。また、リード線９を第２高周波信号線７ｂに直接接続することも可能になり、この場合には、第３高周波信号線７ｃを不要とすることができる。
【００２９】
また、ベース基板２は、第２高周波信号線７ｂから離間する切欠部２ｂを有していることから、簡単な構成により、フレーム５ａの下方を通過する第２高周波信号線７ｂをマイクロストリップ線路部として構成することができ、さらに、ベース基板２を第２高周波信号線７ｂから離間するように容易に形成することができる。
【００３０】
（他の実施の形態）
なお、本発明は、前述の実施の形態に限るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【００３１】
例えば、前述の実施の形態においては、各種の数値を挙げているが、それらの数値は例示であり、限定されるものではない。
【００３２】
また、前述の実施の形態においては、スルーホール配線８により接栓基板６の第１表面６ａ上の第３高周波信号線７ｃに第２高周波信号線７ｂを電気的に接続し、第３高周波信号線７ｃにリード線９を接続しているが、これに限るものではなく、例えば、第３高周波信号線７ｃを設けずに、第２高周波信号線７ｂにリード線９を接続するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体パッケージの概略構成を分解して示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す半導体パッケージの一部を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】特性インピーダンスを５０Ωに設定した場合の半導体パッケージの各種設計値を示す説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体パッケージの概略構成を分解して示す分解斜視図である。
【図６】図４に示す半導体パッケージの一部を示す断面図である。
【図７】先行技術に係る半導体パッケージの一部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３４】
１Ａ，１Ｂ…半導体パッケージ、２…ベース基板、４…開口部、５…覆い部材、６…接栓基板、６ａ…第１表面、６ｂ…第２表面、７ａ…第１高周波信号線、７ｂ…第２高周波信号線、Ｓ…半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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