(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂと、
前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの長手方向におけるそれぞれの一端を接続するために、該一端側において前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの間に設けられる接合部と、
前記前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの前記長手方向における他端側において前記対向する主面とは反対の主面に設けられる電極とを備え、
前記接合部は、少なくともＣｕ電極を含むことを特徴とするペルチェモジュール。
【請求項２】
前記Ｃｕ電極は、前記ｎ型ＩｎＳｂ及び前記ｐ型ＩｎＳｂのそれぞれに接合されており、前記接合部は、該２つのＣｕ電極を接合するための導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のペルチェモジュール。
【請求項３】
前記対向する主面における前記Ｃｕ電極が設けられていない部分には、絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のペルチェモジュール。
【請求項４】
前記ｎ型ＩｎＳｂと前記ｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの前記長手方向における他端側に設けられた電極は、導電性ペースト層を介して銅箔に接合されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のペルチェモジュール。
【請求項５】
その主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂを備えるペルチェモジュールを製造する方法であって、
前記ｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂとを準備し、電子ビーム蒸着により、それぞれの一主面の長手方向の概ね２／３の部分に絶縁材料を蒸着し、それぞれの残りの概ね１／３の部分にスパッタリング法によりＣｕを蒸着するとともに、それぞれの他方の主面における前記Ｃｕが蒸着された部分と対角側にＣｕを蒸着し、前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの前記一主面上のＣｕが対向するように、導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を介して前記主面上のＣｕを接合することを特徴とするペルチェモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペルチェ効果を利用したペルチェモジュール（加熱・冷却素子）及びその製造方法に関し、より詳細には、ｐ型及びｎ型半導体としてＩｎＳｂを利用し、その接合部に発生する冷却効果を利用可能なペルチェモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、冷却効果を奏する（発現させる）ペルチェ素子としては、Ｂｉ2Ｔｅ3（ビスマス−テルル）系の材料を用いたものが知られており（例えば、特許文献１等参照）、その他の材料については、理論的には冷却効果が発現するであろうと考えられるものの、実用可能なレベルには至っていない。
【０００３】
このようなペルチェ効果による冷却及び加熱は、ｐ型及びｎ型の２枚の導体又は半導体のプレートを接合部を介して接合し、これにそれぞれ逆向きの電流を流すことにより、接合部側端部とその他端側とにそれぞれ発現させるものである。
【特許文献１】特開平１０−３０８５３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ビスマス−テルル系の材料以外の材料を用いた場合には、いずれの向きに電流を流したとしても接合部側端部とその他端側の両方とも加熱状態となってしまい、ペルチェ効果による冷却状態を発現させることは困難であった。これは、ｎ型及びｐ型半導体を接合した際、その接合部分における電気抵抗の抵抗値が増大してしまうことに起因するものと考えられる。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、従来のビスマス−テルル系の材料以外の材料を用いた場合でも、ペルチェ効果、特に、冷却効果を発現させることができるペルチェモジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本出願の発明者は鋭意検討の結果、従来のビスマス−テルル系の材料以外の材料を用いた本発明のペルチェモジュールの構成及びその製造方法を見出した。すなわち、本発明のペルチェモジュールは、請求項１に記載の通り、
その主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂと、
前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの長手方向におけるそれぞれの一端を接続するために、該一端側において前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの間に設けられる接合部と、
前記前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの前記長手方向における他端側において前記対向する主面とは反対の主面に設けられる電極とを備え、
前記接合部は、少なくともＣｕ電極を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のペルチェモジュールにおいて、前記Ｃｕ電極は、前記ｎ型ＩｎＳｂ及び前記ｐ型ＩｎＳｂのそれぞれに接合されており、前記接合部は、該２つのＣｕ電極を接合するための導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を更に含むことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に記載の本発明は、請求項２に記載のペルチェモジュールにおいて、前記対向する主面における前記Ｃｕ電極が設けられていない部分には、絶縁層が設けられていることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４に記載の本発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載のペルチェモジュールにおいて、前記前記ｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの前記長手方向における他端側に設けられた電極は、導電性ペースト層を介して銅箔に接合されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のペルチェモジュールの製造方法は、請求項５に記載の通り、その主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂを備えるペルチェモジュールを製造する方法であって、
前記ｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂとを準備し、電子ビーム蒸着により、それぞれの一主面の長手方向の概ね２／３の部分に絶縁材料を蒸着し、それぞれの残りの概ね１／３の部分にスパッタリング法によりＣｕを蒸着するとともに、それぞれの他方の主面における前記Ｃｕが蒸着された部分と対角側にＣｕを蒸着し、前記ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの前記一主面上のＣｕが対向するように、導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を介して前記主面上のＣｕを接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ビスマス−テルル系の材料以外の材料を用いる場合においても、実用に足りる冷却効果を発現可能なペルチェモジュール及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の第１の実施の形態によるペルチェモジュールは、その主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂと、ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの長手方向におけるそれぞれの一端を接続するために、該一端側においてｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの間に設けられる接合部と、ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの前記長手方向における他端側において対向する主面とは反対の主面に設けられる電極とを備え、この接合部が少なくともＣｕ電極を含むものである。本実施の形態によれば、ビスマス−テルル（Ｂｉ2Ｔｅ3）系の材料以外の材料であるＩｎＳｂを用いる場合において、２枚のＩｎＳｂプレート（半導体プレート）を接合する接合部にＣｕ電極を含むことにより、モジュール全体としての電気抵抗を低減することができるので、実用に足りる冷却効果を発現可能なペルチェモジュールを提供することができる。
【００１３】
本発明の第２の実施の形態は、第１の実施の形態によるペルチェモジュールにおいて、Ｃｕ電極は、前記ｎ型ＩｎＳｂ及び前記ｐ型ＩｎＳｂのそれぞれに接合されており、前記接合部は、該２つのＣｕ電極を接合するための導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を更に含むものである。本実施の形態によれば、２つのＣｕ電極間を導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金により接合することにより、接合部における電気抵抗が高くなることを抑制しつつ、ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの各Ｃｕ電極を容易且つ確実に接合することができる。
【００１４】
本発明の第３の実施の形態は、第１の実施の形態によるペルチェモジュールにおいて、対向する主面におけるＣｕ電極が設けられていない部分には、絶縁層が設けられているものである。本実施の形態によれば、接合部以外の部分において、２枚のプレート状のｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂとを効果的に絶縁することができるので、ペルチェ効果、特に、冷却効果を効率的に取り出す（発現させる）ことができる（すなわち、ペルチェ効果を発現させるに際し、ｎ型及びｐ型ＩｎＳｂの長手方向の長さを有効に利用することができる）。
【００１５】
本発明の第４の実施の形態は、第１の実施の形態によるペルチェモジュールにおいて、ｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂのそれぞれの長手方向における他端側に設けられた電極は、導電性ペースト層を介して銅箔に接合されているものである。本実施の形態によれば、例えば、銅線や金線等を用いる場合よりも接合による電気抵抗を低減することができるので、より効果的にペルチェ効果による冷却効果を取り出す（発現させる）ことができる。
本発明の第５の実施の形態によるペルチェモジュールを製造する方法は、ｎ型ＩｎＳｂとｐ型ＩｎＳｂとを準備し、電子ビーム蒸着により、それぞれの一主面の長手方向の概ね２／３の部分に絶縁材料を蒸着し、それぞれの残りの概ね１／３の部分にスパッタリング法によりＣｕを蒸着するとともに、それぞれの他方の主面における上述のＣｕが蒸着された部分と対角側にＣｕを蒸着し、ｎ型ＩｎＳｂ及びｐ型ＩｎＳｂの一主面上のＣｕが対向するように、導電性ペースト層、金属Ｇａ層又は低融点合金を介して主面上のＣｕを接合するものである。本実施の形態によれば、実用に足りる冷却効果を発現可能なペルチェモジュールを容易に製造することができるペルチェモジュールの製造方法を提供することができる。
【実施例１】
【００１６】
以下、本発明の一実施例によるペルチェモジュール及びその製造方法について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。まず、本発明のペルチェモジュールの構成を説明する。図１及び図２は、それぞれ、本発明のペルチェモジュールの上面図及び側面図である。
【００１７】
図１及び図２に示すように、本発明のペルチェモジュール１は、その一主面が互いに対向するように配置されるプレート状のｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを備えている。また、ペルチェモジュール１は、このｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の長手方向におけるそれぞれの一端（図１に示す端部側、また、図２における上側端部）を接続するために、該一端側においてｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の間に設けられる接合部３０と、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０のそれぞれの長手方向における他端側において対向する一主面とは反対の主面（他方の主面）に設けられるＣｕ電極１３、２３とを備えている。
【００１８】
ここで、ｎ型ＩｎＳｂ１０では、その不純物濃度が１０15ｃｍ-3以下であることが好ましく、不純物を全くドープしないものであってもよい。不純物をドープする場合、ドープする不純物としては、ＴｅあるいはＳｉが望ましい。また、ｐ型ＩｎＳｂ２０では、その不純物濃度は、１０17ｃｍ-3以上であることが必要である。ドープする不純物としては、ＧｅもしくはＣが望ましい。本発明では、このような不純物濃度を有するｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを用いるとともに、後述するように、接合部３０内の電極の材料をＣｕとすることにより、ペルチェモジュール１全体としての電気抵抗を低減することができる。したがって、通電時の発熱を極力抑えることができるので、効率的にペルチェ効果による冷却状態を取り出すことができる。
【００１９】
接合部３０は、ｎ型ＩｎＳｂ１０側に設けられるＣｕ電極１２と、ｐ型ＩｎＳｂ２０側に設けられるＣｕ電極２２と、ｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを接合するために、これらのＣｕ電極１２、２２の間に設けられる導電性ペースト層３１とを含んでなる。このように、本発明のペルチェモジュール１では、Ｃｕ電極１２及び２２を含む接合部３０を介して、２枚の半導体プレートであるｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とをその長手方向の一端側において接合することができるので、ペルチェモジュール１全体としての電気抵抗を低減することができる。これにより、接合部３０付近における電気抵抗による発熱を極力抑えることができ、実用に足りる冷却効果を発現可能なペルチェモジュール１を提供することができる。
【００２０】
また、本実施例の接合部３０では、例えばドータイト（「ドータイト」は登録商標。以下同様）などの導電性ペースト層３１を介して、これらのＣｕ電極１２及び２２を接合しているので、接合部３０における電気抵抗が高くなることを抑制しつつ、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の各Ｃｕ電極１２、２２を容易且つ確実に接合することができる。なお、後述する本発明のペルチェモジュール１の製造方法において詳述するように、導電性ペースト層３１の代わりに、金属Ｇａ層又は低融点合金３２を用いてもよい。この場合においても、導電性ペースト層３１と同様の効果を奏することができる。
【００２１】
また、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の各一主面（すなわち、互いに対向する主面）には、Ｃｕ電極１２、２２が設けられていない部分に、絶縁層１１、２１が設けられている。このように、絶縁層１１及び２１によって、接合部３０以外の部分（すなわち、Ｃｕ電極１２、２２が存在しない部分）において、２枚のプレート状のｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを効果的に絶縁することができるので、一主面側のＣｕ電極１２、２２と他方の主面側のＣｕ電極１３、２３との間の距離、すなわち、各ＩｎＳｂ１０、２０の長手方向の長さ（対角線上の長さ）を有効に利用することができる。これにより、ペルチェ効果、特に、冷却効果を効率的に取り出す（発現させる）ことができる。
【００２２】
なお、図１及び図２では図示していないが、図５又は図６に示すように、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の他の主面側のＣｕ電極１３、２３には、導電性ペースト層４１、４２を介して銅箔４３、４３が接合されている。本実施例では、このように銅箔４３を用いているので、例えば、銅線や金線等を用いる場合よりも接合等に起因する電気抵抗を低減することができる。これにより、より効果的にペルチェ効果による冷却効果を取り出す（発現させる）ことができる。ここで、接合部３０の場合と同様に、銅箔４３をｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０に接合するために、導電性ペースト層４１、４２の代わりに、金属Ｇａ層を用いてもよい。
【００２３】
ここで、上記Ｃｕ電極１２、１３、２２及び２３の代わりに他の材料の電極を用いた場合におけるｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の電気抵抗値（実験値）を表１に示す。なお、各電極は、スパッタリング法により蒸着したものであり、表内の数値の単位はΩである。
【００２４】
【表１】
0004817243.tif 000002
【００２５】
通常、半導体プレート上に電極を作製（形成）する場合には、抵抗加熱蒸着法を用いている。この場合、半導体と電極材料とは物理吸着程度の接触であるため、系全体として電気抵抗値が高くなってしまう。この電気抵抗値を低減するために、５００℃前後でのアニールによる熱処理を行って、半導体材料と電極材料（金属材料）の合金化を施すのがよい。このように合金化を施した場合、接触性の再現性を取ること、すなわち、ある程度の範囲の電気抵抗値を有するペルチェモジュールを再現性よく作製することは簡単ではない。そこで、本出願の発明者は、抵抗加熱蒸着法ではなく、スパッタリング法を用いて半導体プレート上に各電極を形成（蒸着）した。
【００２６】
表１に示すように、各電極材料をｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０上に形成したときの抵抗値を実験により測定した結果、Ｃｕを電極材料とするのがｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０のいずれにおいても非常に低い電気抵抗値を示すことが分かった。また、スパッタリング法でＣｕ電極を作製（形成）する際には、バックグウランドの真空度を１０-4Ｐａ以下にする必要があることも分かっている。これよりもバックグラウンドの真空度が低くなると、蒸着したＣｕが酸化してしまい、急激に系全体の電気抵抗値が高くなってしまう。なお、表１からも分かるように、電極材料としてＩｎを用いた場合にも電気抵抗値が低くなるが、Ｉｎは常圧において酸化しやすく、その取り扱いが厄介である。したがって、本発明のペルチェモジュール１では、各電極１２、１３、２２及び２３の材料として、Ｃｕを用いることとしている。
【００２７】
次に、本発明の一実施例によるペルチェモジュールの製造方法について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、それぞれ１５ｍｍ×１５ｍｍの大きさを有するｎ型ＩｎＳｂ基板１００とｐ型ＩｎＳｂ基板２００とを準備する。そして、例えば、電子ビーム蒸着（ＥＢ）により、ｎ型ＩｎＳｂ基板１００とｐ型ＩｎＳｂ基板２００の一主面において長手方向の概ね２／３の部分にそれぞれ絶縁材料（本実施形態では、ＳｉＯ2）１１０、２１０を蒸着する（図３（ｂ）参照）。なお、本工程は、３００℃の雰囲気で行い、蒸着される絶縁材料１１０、２１０の膜厚は約１μｍである。この場合、当該絶縁材料１１０、２１０の層は、後の工程においてｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを絶縁するための絶縁層を構成するので、各ＩｎＳｂ基板１００及び２００の側面に絶縁材料が付着（蒸着）しても構わないが、そのＩｎＳｂ基板１００及び２００の一主面上の絶縁材料を蒸着した部分ではＩｎＳｂの肌が十分に隠れるように蒸着しなければならない。
【００２９】
次いで、このように絶縁材料を蒸着した各ＩｎＳｂ基板１００及び２００を均等に劈開する。このようにして、図３（ｃ）に示すように、ペルチェモジュール１のプレート状のｎ型及びｐ型ＩｎＳｂ１０、２０を２枚ずつ作製する。以降の工程では、各１枚のｎ型及びｐ型ＩｎＳｂ１０、２０のみを用いて説明する。
【００３０】
次いで、このように作製した図４（ａ）に示すｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０のそれぞれにおいて、上述の絶縁材料が蒸着されていない部分、すなわち、絶縁層１１、２１が設けられていない部分にスパッタリング法によりＣｕを蒸着（成膜）する。これにより、図４（ｂ）に示すように、各ＩｎＳｂ１０及び２０の一主面側にＣｕ電極１２、２２が形成される。ここで、蒸着されたＣｕ電極１２及び２２の膜厚は０．１μｍ程度である。なお、スパッタリングにより蒸着させたＣｕがｎ型ＩｎＳｂ１０又はｐ型ＩｎＳｂ２０の側面にはみ出した場合には、ヤスリ等により削ればよく、絶縁層１１、２１に多少覆い被さる程度にＣｕを蒸着するのがよい。
【００３１】
次いで、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０のそれぞれの他方の主面において、上述のＣｕが蒸着された部分と対角側の所定の位置にスパッタリング法によりＣｕを蒸着（成膜）する。これにより、図４（ｃ）に示すように、ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の他方の主面側にそれぞれＣｕ電極１３、２３が形成される。ここで、この他方の主面へのＣｕ電極１３、２３の形成工程において、一主面の絶縁層１１、２１やｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の側面にＣｕが回り込まないように、形成するＣｕ電極の大きさは各ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の短辺方向の長さよりも幾分小さめであるのがよい。
【００３２】
このように作製されたｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０を、その一主面上のＣｕ電極１２、２２が対向するように、導電性ペースト層３１を介して主面上のＣｕ電極１２、２２を接合する。これにより、図１及び図２に示すような本発明のペルチェモジュール１が完成する。
【００３３】
次いで、各ｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０の他方の主面側に設けられたＣｕ電極１３、２３に、それぞれドータイトなどの導電性ペースト層４１、４２を介して銅箔４３、４３を接合する。なお、上述のように、このような銅箔４３を用いることにより、例えば、銅線や金線等を用いる場合よりも接合等に起因する電気抵抗を低減することができ、これによって、より効果的にペルチェ効果による冷却効果を取り出す（発現させる）ことができる。
【００３４】
以上のような工程により、実用に足りる冷却効果を発現可能なペルチェモジュールを容易に製造することができる。
【００３５】
なお、本実施例では、図６に示すように、接合部３０において、導電性ペースト層３１の代わりに、金属Ｇａ層又は低融点合金３２を用いて、ｎ型ＩｎＳｂ１０とｐ型ＩｎＳｂ２０とを接合してもよい。このような場合であっても導電性ペースト層３１と同様の効果を奏することができる。また、同様に、導電性ペースト層４１、４２の代わりに、金属Ｇａ層又は低融点合金を用いてもよい。
【００３６】
次に、加熱時、常温時、冷却時における本発明のペルチェモジュールの上面の放射強度の一例を示す。図７は、本発明のペルチェモジュールの上面における放射強度の一例を示す図である。なお、このペルチェモジュール１の上面からの放射強度は、高解像度の赤外線カメラを用いて撮影したものである。また、図示のように、図７（ａ）〜（ｃ）の放射強度は、図１のペルチェモジュール１の配置に対応するようにして撮影されたものである。
【００３７】
このペルチェモジュール１の放射強度では、中心より僅かに左右側においてグレースケールが濃くなっている部分（カラー表示では青色で示され、概ね直角三角形状の部分等）が温度の低い箇所を示し、各図の左右の端部においてグレースケールが濃くなっている部分（特に、図７（ａ）参照。カラー表示では赤色で示される）が温度の高い箇所を示している。
【００３８】
接合部３０を介してｐ型ＩｎＳｂ２０からｎ型ＩｎＳｂ１０へ向かって（すなわち、図では右方向に向かって）１００ｍＡの電流を流した場合、ペルチェモジュール１の上面が加熱状態となり（図７（ａ）に示す状態）、逆に、接合部３０を介してｎ型ＩｎＳｂ１０からｐ型ＩｎＳｂ２０へ向かって（すなわち、図では左方向に向かって）１００ｍＡの電流を流した場合、ペルチェモジュール１の上面が冷却状態となる（図７（ｃ）に示す状態）。また、常温の状態、すなわち、図７（ｂ）に示す状態では、いずれの方向にも電流を流していない。なお、本実施例における加熱・冷却温度の実測値では、加熱状態と冷却状態における各ポイントでの温度差は５℃程度であり、実用に足る冷却状態を発現させることができた。
【００３９】
以上、本発明のペルチェモジュール１及びペルチェモジュール１の製造方法を図示の実施例に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。本発明のペルチェモジュール１を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、本発明のペルチェモジュール１に任意の構成物が付加されていてもよい。
【００４０】
また、本実施例では、その形状が概ね正方形状のプレートを２分割したｎ型ＩｎＳｂ１０及びｐ型ＩｎＳｂ２０を用いて説明したが、本発明のペルチェモジュール１及びペルチェモジュール１の製造方法はこれらに限定されず、ペルチェモジュール全体の電気抵抗値が高くなることなく、効率的にペルチェ効果、特に、冷却効果を取り出す（発現させる）ことができるものであれば、どのような形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明のペルチェモジュールの上面図
【図２】本発明のペルチェモジュールの側面図
【図３】本発明の一実施の形態におけるペルチェモジュールの製造方法の各工程を示す図
【図４】本発明の一実施の形態におけるペルチェモジュールの製造方法の各工程を示す図
【図５】本発明の一実施の形態におけるペルチェモジュールの製造方法の各工程を示す図
【図６】本発明の別の実施の形態におけるペルチェモジュールの製造方法の各工程を示す図
【図７】本発明のペルチェモジュールの上面における放射強度の一例を示す図
【符号の説明】
【００４２】
１  ペルチェモジュール
１０  ｎ型ＩｎＳｂ
２０  ｐ型ＩｎＳｂ
１１、２１  絶縁層
１２、２２  Ｃｕ電極（一端側）
１３、２３  Ｃｕ電極（他端側）
３０  接合部
３１  導電性ペースト層
３２  金属Ｇａ層又は低融点合金
４１、４２  導電性ペースト層
４３  銅箔
１００  ｎ型ＩｎＳｂ基板
２００  ｐ型ＩｎＳｂ基板
【図１】
0004817243.tif 000003
【図２】
0004817243.tif 000004
【図３】
0004817243.tif 000005
【図４】
0004817243.tif 000006
【図５】
0004817243.tif 000007
【図６】
0004817243.tif 000008
【図７】
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