(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部、及びこの本体部に設けられた複数の端子を有する半導体部品と、前記端子を接続するための配線パターンを有する回路基板とを備え、前記半導体部品の前記端子は、信号用端子と、接地用端子と、未使用端子を有すると共に、前記配線パターンは、前記信号用端子に対応して設けられた第１のランド部を有する信号用パターンと、前記接地用端子に対応して設けられた第２のランド部を有する接地用パターンと、前記未使用端子に対応して設けられた第３のランド部を有し、前記第３のランド部は、前記第１，又は、第２のランド部、或いは、前記配線パターンに接続パターンによって繋げられると共に、前記第３のランド部と前記未使用端子との間が絶縁膜によって絶縁された状態で、前記信号用端子と前記第１のランド部間、及び前記接地用端子と前記第２のランド部間が接続部材によって接続されたことを特徴とする半導体部品の配線構造。
【請求項２】
前記第３のランド部が前記接地用パターンに繋げられたことを特徴とする請求項１記載の半導体部品の配線構造。
【請求項３】
前記第３のランド部が隣り合う前記第２のランド部に繋げられたことを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体部品の配線構造。
【請求項４】
前記絶縁膜がレジスト膜、或いはシルク膜で形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体部品の配線構造。
【請求項５】
前記接地用パターンは、前記本体部の下面に対向して設けられると共に、前記本体部の下面に設けられた金属体が前記接地用パターンに接触したことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の半導体部品の配線構造。
【請求項６】
前記本体部の下面に位置する前記回路基板には、前記接地用パターンに接続されたサーマルビアが設けられたことを特徴とする請求項５記載の半導体部品の配線構造。
【請求項７】
前記接地用パターンが放熱用部品に接続されたことを特徴とする請求項５、又は６記載の半導体部品の配線構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビチューナ等の高周波電子ユニットに使用して好適な半導体部品の配線構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図５は従来の半導体部品の配線構造に係る半導体部品の平面図、図６は従来の半導体部品の配線構造に係る回路基板の要部の平面図であり、次に、従来の半導体部品の配線構造に係る構成を図５、図６に基づいて説明すると、半導体部品５１は、図５に示すように、本体部５２と、この本体部５２に設けられた複数の端子５３を有する。
【０００３】
そして、この端子５３は、多数の信号用端子５３ａと、複数の接地用端子５３ｂと、複数の未使用端子５３ｃを有し、この未使用端子５３ｃは、種々の高周波電子ユニットにおいて、その機種では不必要な電気回路用の端子に相当するものである。
【０００４】
回路基板５４は、図６に示すように、配線パターン５５が設けられ、この配線パターン５５は、信号用端子５３ａに対応して第１のランド部５６ａが設けられた信号用パターン５６と、接地用端子５３ｂに対応して第２のランド部５７ａが設けられた信号用パターン５７と、未使用端子５３ｃに対応して設けられた島状の第３ランド部５８ａを有する。
【０００５】
そして、半導体部品５１は、信号用端子５３ａ、接地用端子５３ｂ、及び未使用端子５３ｃのそれぞれが第１，第２，第３のランド部５６ａ、５７ａ、５８ａに載置された状態で、半田付けによって接続されて、従来の半導体部品の配線構造が形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このような従来の半導体部品の配線構造にあっては、半導体部品５１の電気回路が破壊した場合、半導体部品５１を取り付けた半田を加熱して、回路基板５４から破壊した半導体部品５１を剥がし、しかる後、新たな半導体部品５１を回路基板５４に半田付けして、半導体部品５１を交換するようになっている。
【特許文献１】特開２００１−１７７０４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の半導体部品の配線構造にあっては、交換のために半導体部品５１を剥がす際、未使用端子５３ｃが半田付けされた第３のランド部５８ａは、島状の小さい面積となっているため、第３のランド部５８ａが回路基板５４から容易に剥がれて、回路基板５４の不良品が多発するばかりか、この島状の第３のランド部５８ａを避けた状態で、信号用パターン５６や接地用パターン５７が配置されるため、スペースファクタが悪くなる上に、その線路の幅が小さくなって、特に高周波回路における電路強化が図れないという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、回路基板の不良品が無く、電路強化が図れる半導体部品の配線構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は、本体部、及びこの本体部に設けられた複数の端子を有する半導体部品と、端子を接続するための配線パターンを有する回路基板とを備え、半導体部品の端子は、信号用端子と、接地用端子と、未使用端子を有すると共に、配線パターンは、信号用端子に対応して設けられた第１のランド部を有する信号用パターンと、接地用端子に対応して設けられた第２のランド部を有する接地用パターンと、未使用端子に対応して設けられた第３のランド部を有し、第３のランド部は、第１，又は、第２のランド部、或いは、配線パターンに接続パターンによって繋げられると共に、第３のランド部と未使用端子との間が絶縁膜によって絶縁された状態で、信号用端子と第１のランド部間、及び接地用端子と第２のランド部間が接続部材によって接続されたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成した本発明は、未使用端子が絶縁膜を介して第３のランド部と絶縁されているため、未使用端子の接続部材（半田付）が不要となって、半導体部品の交換時における第３のランド部の剥がれが無く、回路基板の不良品を無くすることができ、また、未使用端子用の第３ランド部が他のランド部、或いは信号用や接地用パターンに接続パターンによって接続されて、第３のランド部がパターンの一部となっているため、スペースファクタの良い配線パターンが得られると共に、その線路の幅を広くできて、高周波回路における電路強化が図れる。
【００１１】
また、本発明は、上記発明において、第３のランド部が接地用パターンに繋げられたことを特徴としている。
【００１２】
このように構成した本発明は、第３のランド部が接続パターンによって接地用パターンに接続されたため、接地箇所が多くなると共に、接地用の線路の幅を広くできて、接地用の電路強化ができ、電気的シールドの強化が図れる。
【００１３】
また、本発明は、上記発明において、第３のランド部が隣り合う第２のランド部に繋げられたことを特徴としている。
【００１４】
このように構成した本発明は、第２，第３ランド部が接続パターンによって接続されたため、接地箇所が多くなると共に、接地用の線路の幅を広くできて、接地用の電路強化ができ、電気的シールドの強化が図れる。
【００１５】
また、本発明は、上記発明において、絶縁膜がレジスト膜、或いはシルク膜で形成されたことを特徴としている。
【００１６】
このように構成した本発明は、絶縁膜の形成が容易で、生産性の良好なものが得られる。
【００１７】
また、本発明は、上記発明において、接地用パターンは、本体部の下面に対向して設けられると共に、本体部の下面に設けられた金属体が接地用パターンに接触したことを特徴としている。
【００１８】
このように構成した本発明は、半導体部品の熱が金属体を介して接地用パターンに伝達できて、放熱効果の良好なものが得られる。
【００１９】
また、本発明は、上記発明において、本体部の下面に位置する回路基板には、接地用パターンに接続されたサーマルビアが設けられたことを特徴としている。
【００２０】
このように構成した本発明は、接地用パターンの熱がサーマルビアを介して放熱できて、放熱効果の良好なものが得られる。
【００２１】
また、本発明は、上記発明において、接地用パターンが放熱用部品に接続されたことを特徴としている。
【００２２】
このように構成した本発明は、接地用パターンの熱が放熱用部品を介して放熱できて、放熱効果の良好なものが得られる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、未使用端子が絶縁膜を介して第３のランド部と絶縁されているため、未使用端子の接続部材（半田付）が不要となって、半導体部品の交換時における第３のランド部の剥がれが無く、回路基板の不良品を無くすることができ、また、未使用端子用の第３ランド部が他のランド部、或いは信号用や接地用パターンに接続パターンによって接続されて、第３のランド部がパターンの一部となっているため、スペースファクタの良い配線パターンが得られると共に、その線路の幅を広くできて、高周波回路における電路強化が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の半導体部品の配線構造に係る要部の平面図、図２は本発明の半導体部品の配線構造に係る回路基板の要部の平面図、図３は本発明の半導体部品の配線構造に係る要部拡大断面図、図４は本発明の半導体部品の配線構造に係り、その放熱構成を示す要部拡大断面図である。
【００２５】
次に、本発明の半導体部品の配線構造に係る構成を図１〜図４に基づいて説明すると、半導体部品１は、本体部２と、この本体部２に設けられた複数の端子３と、本体部２の下面に設けられた金属体４を有する。
【００２６】
そして、この端子３は、多数の信号用端子３ａと、複数の接地用端子３ｂと、複数の未使用端子３ｃを有し、この未使用端子３ｃは、種々の高周波電子ユニットにおいて、その機種では不必要な電気回路用の端子に相当するものである。
【００２７】
回路基板５は、図２に示すように、配線パターン６が設けられ、この配線パターン６は、信号用端子３ａに対応して第１のランド部７ａが設けられた信号用パターン７と、接地用端子３ｂに対応して第２のランド部８ａが設けられた信号用パターン８と、未使用端子３ｃに対応して設けられた第３ランド部９ａと、この第３のランド部９ａを隣の第２のランド部８ａ、又は／及び接地用パターン８に繋ぐ接続パターン１０を有する。
【００２８】
なお、この実施例では、第３のランド部９ａが第２のランド部８ａや接地用パターン８に繋がれたもので説明したが、第３のランド部９ａが第１のランド部７ａや信号用パターン７に繋がれたものでも良い。
【００２９】
また、回路基板５は、第３のランド部９ａ上に設けられたレジストやシルク等からなる絶縁膜１１と、複数のサーマルビア１２と、このサーマルビア１２に接続された状態で、下面に設けられた導電パターン１３を有すると共に、サーマルビア１２は、本体部２の金属体４に対向して設けられた接地用パターン８に接続されている。
【００３０】
そして、半導体部品１の信号用端子３ａと接地用端子３ｂのそれぞれは、第１，第２のランド部７ａ、８ａ上に、また、未使用端子３ｃは、絶縁膜１１上に載置された状態で、信号用端子３ａと接地用端子３ｂが第１，第２のランド部７ａ、８ａに半田等からなる接続部材１４によって接続される。
【００３１】
半導体部品１が回路基板５に接続された際、未使用端子３ｃは、絶縁膜１１上に位置して、第２ランド部８ａや接地用パターン８と絶縁されると共に、本体部２の下面に位置する金属体４は、これと対向する位置にある接地用パターン８に接触するようになっている。
【００３２】
このように、半導体部品１が取り付けられた回路基板５は、図４に示すように、放熱用部品を兼ねる金属製の枠体１５内に収納して取り付けられ、回路基板５が取り付けられた際は、接地用パターン８が枠体１５に接続されると共に、サーマルビア１２と導電パターン１３が枠体１５に接触して、本発明の半導体部品の配線構造が形成されている。
【００３３】
また、ここでは図示しないが、回路基板５上には、半導体部品１以外に種々の電子部品が搭載されて、所望の高周波電気回路が形成されると共に、放熱用部品は、枠体１５の他に、放熱用フィンや放熱用金属板等を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の半導体部品の配線構造に係る要部の平面図である。
【図２】本発明の半導体部品の配線構造に係る回路基板の要部の平面図である。
【図３】本発明の半導体部品の配線構造に係る要部拡大断面図である。
【図４】本発明の半導体部品の配線構造に係り、その放熱構成を示す要部拡大断面図である。
【図５】従来の半導体部品の配線構造に係る半導体部品の平面図である。
【図６】従来の半導体部品の配線構造に係る回路基板の要部の平面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  半導体部品
２  本体部
３  端子
３ａ  信号用端子
３ｂ  接地用端子
３ｃ  未使用端子
４  金属体
５  回路基板
６  配線パターン
７  信号用パターン
７ａ  第１のランド部
８  接地用パターン
８ａ  第２のランド部
９ａ  第３のランド部
１０  接続パターン
１１  絶縁膜
１２  サーマルビア
１３  導電パターン
１４  接続部材
１５  枠体（放熱用部品）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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