(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、Ｍｇ：０．１５〜０．４％、Ｐ：０．１〜０．３％、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、かつ下記（１）式を満たす組成をもち、Ｃｕマトリクス中に平均粒径２００ｎｍ以下のＭｇ−Ｐ系化合物が分散し、引張強さ４５０Ｎ／ｍｍ2以上で導電率が８０％ＩＡＣＳを超え、長さ１５０ｍｍの試験片に両端支持式で表面最大応力３００Ｎ／ｍｍ2となるようにアーチ曲げによるたわみ変位を与えた状態で大気中１５０℃で５００時間保持したときの応力緩和率が２０％以下であり、優れた耐マイグレーション性を有する銅合金。
−０．０８≦Ｍｇ−１．２Ｐ≦＋０．１７  ……  （１）
【請求項２】
質量％で、Ｍｇ：０．１５〜０．４％、Ｐ：０．１〜０．３％、Ｓｎ：０．０１〜０．４％、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓｎ以外の元素の合計含有量が０．３％未満であって、かつ下記（１）式を満たす組成をもち、Ｃｕマトリクス中に平均粒径２００ｎｍ以下のＭｇ−Ｐ系化合物が分散し、引張強さ４５０Ｎ／ｍｍ2以上で導電率が８０％ＩＡＣＳを超え、長さ１５０ｍｍの試験片に両端支持式で表面最大応力３００Ｎ／ｍｍ2となるようにアーチ曲げによるたわみ変位を与えた状態で大気中１５０℃で５００時間保持したときの応力緩和率が２０％以下であり、優れた耐マイグレーション性を有する銅合金。
−０．０８≦Ｍｇ−１．２Ｐ≦＋０．１７  ……  （１）
【請求項３】
鋳片を７５０〜９３０℃で保持したのち抽出して加工率４０％以上で熱間圧延し、その後、冷間圧延と焼鈍を組み合わせた工程において、４００〜６００℃で保持する時効処理を少なくとも１回、中間焼鈍として行うことによりＣｕマトリクス中に平均粒径２００ｎｍ以下のＭｇ−Ｐ系化合物を分散析出させる請求項１または２に記載の銅合金の製造法。
【請求項４】
最終冷間圧延後に２７５〜８００℃で歪取り焼鈍を行う請求項３に記載の銅合金の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車用コネクタ端子、バスバーや、電気・電子部品の端子等に用いられる通電用の銅または銅合金であって、特に高い電気伝導度(導電率)と優れた耐マイグレーション性が求められる銅合金に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車用ジャンクションボックス（以下Ｊ／Ｂ）等、極間の狭いバスバーには、耐マイグレーション性が良好であることから、黄銅が使用されてきた。しかし、Ｊ／Ｂの小型化・高密度化に伴いバスバー通電部も細線化されるようになり、導電率が低い（導電率約２８％ＩＡＣＳ）ことによるジュール熱の発生等、諸問題が発生した。このため、導電率が４５〜６５％ＩＡＣＳ程度と比較的良好であり、かつ耐マイグレーション性にも優れた銅合金として、例えば、Ｃｕ−１Ｎｉ−０.５Ｓｎ−０.０５Ｐ、Ｃｕ−０.７Ｍｇ−０.００５Ｐ、Ｃｕ−２.３Ｆｅ−２Ｚｎ−０.０３Ｐ等が開発され、使用されている。ところが最近では、自動車の軽量化、電装品の回路数の増加といった傾向はますます強くなっており、７５％ＩＡＣＳ以上の高い導電率を有した上で優れた耐マイグレーション性を呈する材料が要望されている。この要望に対しては上記の銅合金でも導電率の面で対応できなくなってきている。さらに８０％ＩＡＣＳを超えるような極めて高い導電率と、優れた耐マイグレーション性を具備した材料の出現も望まれている。また同時に耐応力緩和特性にも優れることが要求される。
【０００３】
【特許文献１】特開平１−１６８８３０号公報
【特許文献２】特開平１−１６８８３１号公報
【特許文献３】特開平１−２１２７３８号公報
【特許文献４】特開平１−２２２０３１号公報
【特許文献５】特開平１−２２５７３５号公報
【特許文献６】特開平２−１１８０３８号公報
【特許文献７】特開平３−９７８１６号公報
【特許文献８】特開平５−１９５１７３号公報
【特許文献９】特開昭６２−１４６２３１号公報
【特許文献１０】特開昭６４−５２０３４号公報
【特許文献１１】特開平１−２６３２３８号公報
【特許文献１２】特開平４−２３１４３３号公報
【特許文献１３】特開平６−７３４７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜８には耐マイグレーション性を改善した各種銅合金が開示されているが、通電材料に課せられた今後の厳しいニーズに対応していくには、いずれも導電率の面で十分とはいえない。特許文献９〜１３には一部の例として高い導電率を呈するものも示されているが、耐マイグレーション性が不十分であったり、あるいは多成分系の組成に頼っていたりと、性能やコストの面でさらなる改善が望まれるところである。
【０００５】
本発明はこのような現状に鑑み、高い導電率（具体的には導電率７５％ＩＡＣＳ以上、好ましくは７５％ＩＡＣＳ超え、あるいはさらに８０％ＩＡＣＳ超え）と、優れた耐マイグレーション性、耐応力緩和特性を具備する銅合金を、コスト・製造性の観点から３元系あるいは４元系といった少ない元素系からなる組成において実現しようというものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者らは種々検討の結果、所定量のＰを、Ｍｇと共に複合添加したとき、Ｐ添加による耐マイグレーション性の向上作用が現れることを見出した。従来、Ｍｇは単独添加で耐マイグレーション性を改善するとされていたが、Ｐに耐マイグレーション性の向上作用があることは知られていなかった。ところが、Ｐは、Ｍｇと共に積極添加した場合、耐マイグレーション性の顕著な改善をもたらすのである。本発明はこのような知見に基づいて完成された。
【０００７】
すなわち、上記目的は、質量％で、Ｍｇ：０.１〜０.４％、Ｐ：０.０８〜０.３５％、あるいはさらにＳｎ：０.４％以下、残部実質的にＣｕ、かつ下記（１）式を満たす組成をもち、導電率が７５％ＩＡＣＳ以上の銅合金によって達成される。
−０.１４≦Ｍｇ−１.２Ｐ≦０．１８  ……（１）
ここで、（１）式の元素記号の箇所には質量％で表された当該元素の含有量の値が代入される。導電率が８０％ＩＡＣＳを超えるものが好適な対象となる。
【０００８】
本発明で提供する銅合金はＣｕ、Ｍｇ、Ｐの３元系、またはこれらにＳｎを加えた４元系を基本組成とするが、これら以外の元素であっても本発明の効果を阻害しない限り含有が許容される。銅合金のスクラップから通常混入される元素を少量含有しても、本発明に従えば７５％ＩＡＣＳ以上、好ましくは８０％ＩＡＣＳを超える導電率を維持することが可能であり、この場合でもＭｇとＰの複合添加による耐マイグレーション性改善作用を享受することができる。なるべく下記（２）式を満たすように原料を管理することが好ましい。
Ｃｕ＋Ｍｇ＋Ｐ＋Ｓｎ≧９９.７  ……（２）
なお、「残部実質的にＣｕ」には「残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる」ものが含まれる。
【０００９】
また耐応力緩和特性に優れたものとして、上記合金において特に、長さ１５０ｍｍの試験片に両端支持式で表面最大応力３００Ｎ／ｍｍ2となるようにアーチ曲げによるたわみ変位を与えた状態で、大気中１５０℃で５００時間保持したときの応力緩和率が２０％以下である銅合金が提供される。この応力緩和率は日本電子材料工業会標準規格ＥＭＡＳ−１０１１（平成３年１２月）に準拠した方法によって求めることができる。
【００１０】
また本発明では、上記の銅合金の製造法として、鋳片を７５０〜９３０℃で保持したのち抽出して熱間圧延し、その後、冷間圧延と焼鈍を組み合わせた工程において、４００〜６００℃で保持する時効処理を少なくとも１回、中間焼鈍として行うことによりＭｇ−Ｐ系化合物を析出させる製造法を提供する。
ここで、「中間焼鈍」は冷間圧延の途中で行われる焼鈍であり、最終冷間圧延後に行われる焼鈍とは区別される。最終冷間圧延後には２７５〜８００℃で歪取り焼鈍を施すことが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐの３元系、またはこれらにＳｎを加えた４元系を基本とするシンプルな合金系において、７５％ＩＡＣＳ以上、あるいはさらに８０％ＩＡＣＳを超える高い導電率と、優れた耐マイグレーション性、あるいはさらに優れた耐応力緩和特性を同時に実現することが可能になった。強度レベルも高く維持される。したがって本発明は、Ｊ／Ｂに代表される自動車用バスバー材や、狭ピッチ化が進む端子等の通電部品に好適な低コストの銅合金材料を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明では、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐの３元系、またはこれらにＳｎを加えた４元系を基本とする銅合金において、以下のように合金元素の含有量を規定する。
【００１３】
Ｍｇは、銅合金の強度向上、耐マイグレーション性の向上および耐応力緩和特性の向上に寄与することが知られており、これらの作用を十分に発揮させるには一般に０.４質量％を超える含有量が必要であるとされる。しかしながら、Ｍｇ量が０.４質量％を超えると導電率の大幅な低下が避けられない。また鋳造時に特別な雰囲気制御が必要となるなど製造コストの面でも不利となる。この点、本発明では後述のようにＰをＭｇと複合添加したときに生じる顕著な耐マイグレーション性向上作用を利用する。したがってＭｇ含有量を０.４質量％以下に抑えながら従来と同等以上の耐マイグレーション性が実現される。Ｐによる強度向上作用も発揮されるため強度レベルも高く維持される。そして、Ｍｇ含有量を抑制することにより導電率が向上するとともに、製造コストの上昇も抑えられるのである。このような効果を十分に引き出すには、０.１質量％以上のＭｇ含有量を確保する必要がある。このため本発明ではＭｇ含有量を０.１〜０.４質量％に規定する。０.１５〜０.４質量％とすることが一層好ましい。
【００１４】
Ｐは、一般的に製造時の溶湯の脱酸に寄与し、またＭｇ−Ｐ系化合物を析出させることによって強度や導電性の向上に寄与する元素として知られている。通常、このようなＭｇ−Ｐ系化合物による強化作用は、Ｍｇを含有する銅合金において０.０５質量％以下のＰ添加によって十分に発揮される。このため、Ｍｇ含有銅合金においてＰを例えば０.０５質量％を超えて多量に添加することに特段の意義は見出されていなかった。ところが、発明者らの詳細な研究によれば、Ｍｇ含有銅合金においてＰを０.０８質量％以上添加したとき、耐マイグレーション性が顕著に向上することが明らかになった。Ｐは、Ｍｇを含まない銅合金においては単体で耐マイグレーション性の向上に寄与しないが、ＭｇとＰの相互作用により耐マイグレーション性の向上作用を示すのである。そのような作用を得るには、Ｐは０.０８質量％以上の含有が必要であるが、０.１質量％を超えるＰ含有量を確保することが一層効果的である。ただし、Ｐ含有量が０.３５質量％を超えると熱間加工性が低下して製造性が悪くなる。したがって本発明では、Ｐ含有量を０.０８〜０.３５質量％に規定する。０.１超え〜０.３５質量％のＰ含有量とすることが特に好ましい。またＰ含有量の上限は０.３質量％に制限することが一層好ましい。
【００１５】
Ｍｇと共にＰを積極的に添加したときに耐マイグレーション性が大幅に改善されるメカニズムについては、現時点では未解明なところが多いが、陽極側から溶け出したＭｇ、Ｐの各成分がある所定の量・比になったときに陰極側に析出するＣｕ系物質の生成が抑制されるか、あるいは析出するＣｕ系物質の組成、形態、固有抵抗値等が変化することにより、結果的にリーク電流が低減する現象が生じるのではないかと推察される。
【００１６】
本発明では、耐マイグレーション性の向上と同時に、高導電率を狙うことも重要な課題としている。そのためには、ＭｇおよびＰの含有量をそれぞれ上記の範囲に規定した上で、さらにこれらの元素の含有量を下記（１）式を満たすように厳密にコントロールする必要がある。
−０.１４≦Ｍｇ−１.２Ｐ≦０.１８  ……（１）
Ｍｇ−Ｐ系析出物は、導電率の挙動からＭｇ3Ｐ2主体のものとなっている可能性が高く、Ｍｇ／Ｐ比（質量比）が１.２近傍で高い導電率を示す。「Ｍｇ−１.２Ｐ」の値が正になるとＭｇの固溶量が増加し、負になるとＰの固溶量が増加するため、導電率を高く維持するためには「Ｍｇ−１.２Ｐ」の値が０近傍であることが望ましい。発明者らの検討によれば、７５％ＩＡＣＳ以上の導電率を得るには「Ｍｇ−１.２Ｐ」の値を−０.１４〜＋０.１８の範囲にコントロールする必要がある。また、８０％ＩＡＣＳを超える高導電率を得るには「Ｍｇ−１.２Ｐ」の値を−０.０８〜＋０.１７にコントロールすることが望ましい。
【００１７】
Ｓｎは、Ｃｕマトリクス中に固溶することにより強度向上に寄与する。また、端子やバスバーはＳｎめっきして使用される場合が多く、リサイクル性の観点からもＳｎを含有した成分系を採用することは好ましい。ただし、Ｓｎ含有量が０.４質量％を超えると導電率の低下が大きくなるため好ましくない。したがってＳｎを含有させる場合は０.４質量％以下の範囲で行う必要があり、０.０１〜０.４質量％のＳｎ含有量を確保することが好ましい。８０％ＩＡＣＳを超えるような高い導電率を求める場合はＳｎ含有量の上限を０.２質量％に規制することが望ましい。
【００１８】
Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓｎ以外の元素（不純物元素を含む）は合計含有量が０.３質量％未満となるようにすることが好ましい。すなわち、下記（２）式を満たすように組成調整することが好ましい。
Ｃｕ＋Ｍｇ＋Ｐ＋Ｓｎ≧９９.７  ……（２）
Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓｎ以外の元素の合計含有量が０.３質量％未満の範囲であれば、７５％ＩＡＣＳ以上あるいは８０％ＩＡＣＳ以上を満たす限りにおいて種々の元素の含有が許容される。例えば少量のＦｅを添加するなど、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓｎ以外の元素の合計含有量が０.３質量％未満であれば、耐マイグレーション性の向上作用は十分に得られる。８０％ＩＡＣＳ以上の高い導電率を求める場合には下記（２）’式を満たすように成分調整することが望ましく、下記（２）’’式を満たすようにすることが一層好ましい。
Ｃｕ＋Ｍｇ＋Ｐ＋Ｓｎ≧９９.８  ……（２）’
Ｃｕ＋Ｍｇ＋Ｐ＋Ｓｎ≧９９.９５  ……（２）’’
【００１９】
以上のように組成調整した本発明の銅合金は、通電材料を構成する段階で、Ｃｕマトリクス中に平均粒径２００ｎｍ以下のＭｇ−Ｐ系化合物が分散している組織状態を有していることが好ましい。この場合の「粒径」は粒子の長径を意味する。Ｍｇ−Ｐ系化合物はＭｇとＰを主体とする（ＭｇとＰの合計含有量が概ね５０質量％以上である）化合物であり、例えばＭｇ3Ｐ2が挙げられる。
【００２０】
本発明の銅合金材料は、熱間圧延、およびその後の冷間圧延、焼鈍の工程を以下のような条件で行うことによって製造することができる。
〔熱間圧延〕
熱間圧延前の加熱では、鋳造組織を壊し、均質な組成・組織に改変するために、鋳片を７５０℃以上に加熱することが望ましい。ただし、加熱温度が９３０℃を超えると熱間圧延時に割れが発生する恐れがある。８００〜９００℃程度に制御することが一層好ましい。鋳片の加熱保持時間は１０ｍｉｎ〜２４ｈの範囲とすることが望ましい。１０ｍｉｎ未満では均質化が不十分となりやすく、２４ｈを超える長時間加熱は経済性を損なう。熱間圧延の加工率は、動的再結晶を起こさせるためにも４０％以上とすることが望ましい。
【００２１】
〔冷間圧延および焼鈍〕
熱間圧延後には、「冷間圧延＋焼鈍」の工程を２回以上実施することにより所定の板厚の銅合金材料とする。冷間圧延前には酸化スケールを除去するために通常の機械的または化学的な手法で適宜表面の手入れを行う。ここで、本発明の前記所望の組織状態を得るためには、いずれかの冷間圧延の前に行われる焼鈍（すなわち中間焼鈍）のうち、少なくとも１回以上の焼鈍工程で、時効処理を兼ねた焼鈍を行う必要がある。その時効処理を兼ねた中間焼鈍は、４００〜６００℃で１０ｍｉｎ〜２４ｈの加熱を行うことが望ましい。４００℃未満の加熱温度または１０ｍｉｎ未満の加熱時間ではＭｇ−Ｐ系化合物の析出が不十分であり、６００℃を超えるとその化合物が再固溶してしまうため好ましくない。また、２４ｈを超えるような長時間加熱は経済性を損なうので好ましくない。なお、最終の冷間圧延後には、２７５〜８００℃好ましくは３００〜６００℃の歪取り焼鈍を行うことが望ましい。これにより歪みが除去され、ばね性、耐応力緩和特性および導電性が向上する。歪取り焼鈍の時間は５ｓｅｃ〜８ｈの範囲で調整する。
【実施例１】
【００２２】
表１に示す組成の銅合金を、高周波溶解炉またはシリコニット炉を用いて溶解し、カーボン鋳型中へ鋳込んでインゴットを作製した。高周波溶解炉はＡｒガス雰囲気、シリコニット炉はカーボン被覆を行った。次いで、インゴットから切り出した厚さ２０ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ４０ｍｍの鋳片を、７５０〜９００℃の温度で０.５ｈ保持した後に、加工率６３％で熱間圧延し、水中浸漬して冷却した。冷却後、表面の酸化物を除去した後に加工率６６％で冷間圧延し、４００℃〜６００℃で１〜５ｈの時効焼鈍を行った。さらに加工率７４％の冷間圧延を行い、２８０〜４００℃で１ｈ歪取り焼鈍を実施して板厚０.６４ｍｍの供試材とした。なお、Ｎｏ.１３、１４はそれぞれ市販の無酸素銅（Ｃ１０２０）と黄銅（Ｃ２６００）を用いた。
【００２３】
【表１】
0004756197.tif 000002
【００２４】
各供試材について、引張強さ、導電率、耐マイグレーション性を調べた。
引張強さは、試験片の長手方向を圧延方向に平行方向とし、ＪＩＳ Ｚ２２４１に基づいて測定した。導電率は、ＪＩＳ Ｈ０５０５に基づいて測定した。
【００２５】
耐マイグレーション性は次のようにして調べた。まず、供試材を幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切断し、２枚１組の試験片とした。図１に試験片のセッティング状態を模式的に示す。２枚の試験片１はそれぞれＬ字型に折り曲げられ、長さ６０ｍｍにわたって１ｍｍの間隔で隣接するようにアクリル板２の上に配置してある。この隣接している６０ｍｍの部分を平行部と呼ぶ。２枚の試験片１は、平行部において一方が陽極、他方が陰極となるように電極を構成する。図２には、耐マイグレーション性試験の回路構成を模式的に示す。１組の試験片１はクリップ３によってアクリル板２に取り付けられている。これを６００ｍＬ試験液４の中に浸漬し、定電圧直流電源５、シャント抵抗６、および２枚の試験片１からなる電極を直列につないで回路を形成した。そして、２枚の試験片１の間に１４Ｖの直流電圧を印加して、シャント抵抗６に付加される電圧の経時変化を記録計７に記録し、その電圧を電流値に換算してリーク電流をモニターした。試験液４は、純水に亜硫酸ナトリウムを加えて伝導度を８５μＳ／ｃｍに調整した水溶液である。初期液温は２５℃で行った。耐マイグレーション性は、最大８ｈまでリーク電流をモニターした場合の最大リーク電流値によって評価した。この試験において最大リーク電流が４Ａ以下のものは優れた耐マイグレーション性を有すると判断される。
これらの試験結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
0004756197.tif 000003
【００２７】
表２にから判るように、本発明例であるＮｏ.１〜１２は、所定量のＭｇ、ＰあるいはさらにＳｎを含有することにより、優れた耐マイグレーション性を呈した。また、Ｃｕマトリクス中には平均粒径２００ｎｍ以下のＭｇ−Ｐ系化合物が分散しており、優れた引張強さおよび導電率を有するものであった。
【００２８】
これに対し、比較例Ｎｏ.１３は純銅であり、強度、耐マイグレーション性に劣った。Ｎｏ.１４は黄銅であり、Ｚｎを多量に含有していることにより耐マイグレーション性には優れるものの、導電率が低かった。Ｎｏ.１５、１６はＭｇまたはＰを単独で含有するものであり、耐マイグレーション性に劣った。Ｎｏ.１６においては、固溶したＰの影響で導電率も低くなった。Ｎｏ.１７はＭｇ、Ｐを含有するものの含有量が十分ではなく、耐マイグレーション性の改善が見られない。Ｎｏ.１８、１９は「Ｍｇ−１.２Ｐ」の値が（１）式を外れており、ＭｇまたはＰの固溶量が多くなって導電率が不十分であった。Ｎｏ.２０はＰ含有量が多く、熱間圧延で割れが発生したため試験を中止した。Ｎｏ.２１はＳｎ含有量が多く、導電率が低くなった。
【実施例２】
【００２９】
表１の本発明例Ｎｏ.１に相当する組成（良好な耐マイグレーション性が得られる組成）のインゴットから厚さ２０ｍｍ、幅４０ｍｍ、長さ４０ｍｍの鋳片を切り出し、それぞれ表３に示す条件で熱間圧延、冷間圧延１、時効焼鈍、冷間圧延２、歪取り焼鈍を施して板厚０.６４ｍｍの供試材とした。なお、本発明例Ｎｏ.Ａは実施例１のＮｏ.１と同じ条件を採用したものである。
【００３０】
得られた供試材について、実施例１と同様の方法により、導電率および引張強さを測定した。
また、応力緩和試験により応力緩和率の測定も行った。応力緩和率は日本電子材料工業会標準規格ＥＭＡＳ−１０１１（平成３年１２月）に準拠した方法で、以下のようにして求めた。すなわち、供試材から幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍの試験片（その長手方向が圧延方向に相当）を切り出し、試験片中央部の表面応力（表面最大応力）が３００Ｎ／ｍｍ2となるようにアーチ曲げした状態で固定し、大気中１５０℃で５００時間保持した後の曲げ癖を応力緩和率として次式により算出した。
応力緩和率（％）＝（ｈ1／ｈ0）×１００
ただし、ｈ1：試験経過後の応力除荷時における試験片の永久たわみ変位（ｍｍ）
ｈ0：上記応力を得るのに必要な試験片の初期たわみ変位（ｍｍ）
この試験方法において応力緩和率が２０％以下のものは、特に優れた耐応力緩和特性を有すると判断される。
結果を表４に示す。
【００３１】
【表３】
0004756197.tif 000004
【００３２】
【表４】
0004756197.tif 000005
【００３３】
表４に示すように、本発明例のものは８０％ＩＡＣＳを超える高い導電率と、４００Ｎ／ｍｍ2以上の引張強さを有している。一方、比較例であるＮｏ.Ｄは熱間圧延の抽出温度が高いことに起因して熱間圧延で割れが発生したため試験を中止した。Ｎｏ.Ｅは熱間圧延の抽出温度が低かったため熱間圧延後も鋳造組織が残っており、均質性に欠けることから試験を中止した。Ｎｏ.Ｆは時効焼鈍保持温度が低かったためＭｇ−Ｐ系化合物の析出が不十分となり、導電率が低かった。Ｎｏ.Ｇは時効焼鈍保持温度が高かったためＭｇ、Ｐの固溶量が多くなり、導電率が低かった。なお、Ｎｏ.Ｈは歪取り焼鈍温度が低かったため、他の本発明例より応力緩和率が高かった。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】耐マイグレーション性試験に用いた試験片のセッティング状態を模式的に示す斜視図。
【図２】耐マイグレーション性試験の回路構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００３５】
１    試験片
２    アクリル板
３    クリップ
４    試験液
５    定電圧直流電源
６    シャント抵抗
７    記録計
【図１】
0004756197.tif 000006
【図２】
0004756197.tif 000007