(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を、合計で１〜１５質量％含むＡｇ基合金スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットのスパッタリング面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍ以上で、かつ最大高さ（Ｒｚ）が２０μｍ以上であることを特徴とするＡｇ基合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
粉末焼結法により製造されたものである請求項１に記載のＡｇ基合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
粉末焼結および機械加工の後に、濃度が５〜３０ｍｏｌ％の希硝酸および／または濃度が５〜３０ｍｏｌ％の過酸化水素水を用いてウェットエッチングを行ったものである請求項２に記載のＡｇ基合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
読み出し専用の光記録媒体における反射層の形成に用いられる請求項１〜３のいずれかに記載のＡｇ基合金スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｇ基合金スパッタリングターゲットに関するものであり、特に、スパッタリングに用いるときにプリスパッタの回数を低減してプリスパッタ時間を短縮することのできるＡｇ基合金スパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ａｇ（銀）合金からなる薄膜（Ａｇ基合金薄膜）は、高反射率や低電気抵抗率、高熱伝導率といった特性を有しているため、光学記録媒体の反射膜や、反射型液晶ディスプレイの電極・反射膜等に適用されている。特に、次世代光ディスクで用いられる青紫色レーザーに対する高反射率、追記型／書き換え型のディスクに求められる高熱伝導率を有していることから、光学記録媒体の反射膜や半透過反射膜に好適に用いられている。
【０００３】
上記反射膜等として用いられるＡｇ基合金薄膜の形成には、スパッタリング法が適している。スパッタリング法とは、Ａｒを導入した真空中において、基板とスパッタリングターゲット（以後、ターゲットと称する場合がある）との間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化したＡｒを上記ターゲットに衝突させて、該ターゲットの原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法である。イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法、真空蒸着法で形成された薄膜よりも成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を形成できる、というメリットを有するため、集積回路の配線材料である金属薄膜の形成や、絶縁のための誘電体層等の薄膜形成、また上述した様な光学記録媒体（光ディスク）やＬＥＤ素子等における光の反射・吸収のための薄膜形成に広く用いられている。
【０００４】
上記スパッタリング法で用いられるターゲットは、溶解・鋳造法により所望の成分組成の金属材を得て製造されることが一般的である。しかしＡｇ基合金薄膜の形成に用いられるＡｇ基合金ターゲットの場合、溶解時に、Ａｇよりも高融点成分であるその他の合金成分とＡｇが十分に混合しない、といった問題がある。例えばＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲットの場合、Ｔａの融点（２９７７℃）がＡｇの融点（９６１℃）やＣｕの融点（１０８３．４℃）と比較して非常に高いため、Ｔａが溶けにくく均一な成分組成のターゲットを製造することが難しい。したがって、Ａｇと融点が大きく異なる元素とＡｇとで構成されるＡｇ基合金ターゲットや、溶融しても液相でＡｇと分離する元素とＡｇとで構成されるＡｇ基合金ターゲットを製造する場合には、各元素の粉末を原料とした粉末焼結法により製造することが推奨される。
【０００５】
上記粉末焼結法で金属混合体を作製した後、ターゲット形状に機械加工して得られたターゲットがスパッタリングに用いられる。そしてスパッタリングの初期には、プリスパッタとよばれる作業が一般に行われる。このプリスパッタは、ターゲット使用初期にはターゲット表面の汚れ等に起因してスパッタリングが安定せず、結果として形成される薄膜の特性も安定しないため、汚れ等を除去する等の目的でスパッタリングを行うものである。
【０００６】
ところが、粉末焼結法で製造したＡｇ基合金ターゲットの場合、機械加工を施したままのターゲットをスパッタリングに用いると、上記プリスパッタの回数が非常に多くなり、生産性の向上を阻害するという問題がある。
【０００７】
これは、
（ａ）粉末焼結法で製造されたターゲットの場合、機械加工により加工面に形成される加工変質層の合金元素の分布状態と、ターゲット内部の合金元素の分布状態が、溶解・鋳造法で製造された場合よりも大きく相違すること、および
（ｂ）ターゲットにおける合金元素のスパッタ率がＡｇよりも小さいこと
に起因するものと考えられる。
【０００８】
プリスパッタの回数を低減するための方法としては、例えば次の様な技術がこれまでに提案されている。
【０００９】
特許文献１には、ターゲット表面を予め処理して、ターゲット使用時におけるターゲット表面の汚染物質及び／又は不純物の除去処理時間を短縮することが記載されている。そしてターゲット表面処理の具体的方法として、化学研磨等が規定されている（特許請求の範囲の請求項６）が、その具体的手段については示されていない。
【００１０】
特許文献２には、高融点金属を含むターゲットであって、スパッタされる面の表面層が電解研摩されたものが示されている。具体的には、この様な高融点金属を含むターゲットの場合、ターゲット形状に研削加工する際には加工面に加工欠陥層が形成されること、該加工欠陥層が全面に存在するターゲットを用いてスパッタリングを行うと、プラズマ中のイオンの衝突により、上記加工欠陥部を起点として微細な粒子がターゲット表面から剥離離脱し、これがパーティクルとなって薄膜中に混入するといった問題があること、そして該加工欠陥層を迅速かつ効果的に除去する方法として、スパッタされる面の表面層を電解研摩処理することが「課題を解決するための手段と作用」に記載されている。
【００１１】
特許文献３には、ドライエッチングにてターゲット表面をエッチングすることが記載されており（特許請求の範囲）、また特許文献４には、仕上げ加工中に発生したターゲット表面の酸化や、加工歪みの残存する層（加工層または加工変質層）を除去すべく、湿式研磨または化学研磨を行うことがよい旨記載されている（特許請求の範囲の請求項４）が、その詳細については明らかにされていない。
【００１２】
特許文献５には、ウェットエッチングにてターゲット表面をエッチングすることが記載されており（特許請求の範囲）、実施例には、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏターゲット表面を硝酸液に１分間浸したり、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏターゲット表面をフッ酸とフッ化アンモニウム混合の緩衝フッ酸液に３分間浸すことが示されている。
【特許文献１】特表２００２−５１１１１５号公報
【特許文献２】特許第２８１８２０６号公報
【特許文献３】特開平１−２１５９７４号公報
【特許文献４】特開２０００−１６９９６０号公報
【特許文献５】特開平１−２１５９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記特許文献１〜５のいずれの技術も、プリスパッタの回数を低減することを課題とするものであるが、Ａｇとスパッタ率の大きく異なる元素を合金元素として添加した場合の問題を解決したものではなく、本発明のターゲットに適用したとしても、プリスパッタの回数低減および時間短縮は難しいものと考えられる。本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、スパッタリングに用いる場合にプリスパッタの回数を低減してプリスパッタ時間を短縮することのできるＡｇ基合金スパッタリングターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係るＡｇ基合金スパッタリングターゲット（以下、「本発明のターゲット」または単に「ターゲット」と称することがある）とは、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を、合計で１〜１５質量％含むＡｇ基合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットのスパッタリング面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２μｍ以上であり、かつ最大高さ（Ｒｚ）が２０μｍ以上であるところに特徴を有する。
【００１５】
尚、上記算術平均粗さ（Ｒａ）および最大高さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳＢ ０６０１（２００１年）で定義されているものである。
【００１６】
前記ターゲットとしては、粉末焼結法により製造されたものが、成分組成の均一なものとなり易いので好ましい。
【００１７】
また、スパッタリング面が上記表面性状のターゲットとして、粉末焼結および機械加工の後に、濃度が５〜３０ｍｏｌ％の希硝酸および／または濃度が５〜３０ｍｏｌ％の過酸化水素水（以下「酸液」と総称することがある）を用いてウェットエッチングを行ったものが挙げられる。
【００１８】
本発明のターゲットは、読み出し専用の光記録媒体における反射層の形成に好適に用いられる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スパッタリングによる薄膜形成に先んじて行われるプリスパッタの回数を低減して時間を短縮することができ、例えば光情報記録媒体用反射膜あるいは半透過反射膜等として、合金組成と合金元素分布と膜厚の膜面内均一性に優れたＡｇ基合金薄膜を、実用レベルの所要時間で形成することができる。特に、本発明のＡｇ基合金スパッタリングターゲットにより製造されるＡｇ基合金薄膜は、高反射率・高熱伝導率・高耐久性を有しているため、読み出し専用の光記録媒体における反射層として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
粉末焼結法で製造したＡｇ基合金ターゲットの場合、スパッタリングに用いる場合にプリスパッタの回数が非常に多くなる原因として、上述の通り、
（ａ）機械加工により加工面に形成される加工変質層の合金元素の分布状態と、ターゲット内部の合金元素の分布状態が、溶解・鋳造法で製造された場合よりも大きく相違すること、および、
（ｂ）ターゲットにおける合金元素のスパッタ率がＡｇよりも小さいこと、
が考えられる。本発明者らは、プリスパッタの回数が増えることと上記原因（ａ）（ｂ）との因果関係について更に追求したところ、次のような現象が生じていることがわかった。
【００２１】
スパッタ前のターゲット表面には、合金元素の分布状態がターゲット内部と異なる加工変質層が形成されているが、プリスパッタにより上記加工変質層が除去されるので、プリスパッタ初期〜中期には、ターゲット表面の成分組成が原料である各粉末の混合比率とほぼ一致するようになる。しかし本発明のターゲットの場合、この段階ではまだスパッタリングが安定しない。
【００２２】
本発明のターゲットは、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を含むものであるが、これらの合金成分（Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉ）は、Ａｇよりもスパッタ率が小さく、母材であるＡｇのスパッタが優先的に進むため、形成される薄膜の組成は、母材であるＡｇにほぼ近いものとなってしまう。スパッタリングが更に進んでスパッタ率の小さい合金成分粒が露出し、該合金成分のスパッタリングの頻度が高まることによってはじめて、ターゲット成分組成と一致する組成の薄膜が得られ、スパッタリングが安定する、ということがわかった。
【００２３】
つまり、本発明のターゲットの場合、上記原因（ｂ）がプリスパッタの回数が増える主な原因となっているため、スパッタリングの安定は、機械加工により形成される加工変質層を除去するだけでは不十分であり、ターゲットの表面が、スパッタ率の小さい合金成分粒の露出した状態となってはじめてスパッタリングが安定すると考えられる。
【００２４】
本発明者らは、これらの事情に鑑みて、ターゲット表面がスパッタリングの安定する形態にまで予め処理されたものをスパッタリングに供するのがよい、との着想のもとで具体的方法について検討した。
【００２５】
まず、スパッタ率がＡｇよりも小さい合金成分粒をどの程度露出させたものが、プリスパッタの回数を低減できてプリスパッタ時間を短縮できるかについて検討すべく、ターゲットのスパッタリング面における粒子の突出の程度とスパッタリングが安定するまでのスパッタリングの回数（ショット数）との関係を調べた。その結果、後述する実施例に示す通り、ターゲットのスパッタリング面の粗さを、算術平均粗さ（Ｒａ）：２μｍ以上、かつ最大高さ（Ｒｚ）：２０μｍ以上とすれば、プリスパッタの回数を従来よりも大幅に低減できるとの結論を得た。尚、上記最大高さが高すぎると、合金成分粒が必要以上に突出した状態となり、形成される薄膜中の合金成分量が多くなるので、上記最大高さの上限は、使用する粉末の粒径にもよるが８０μｍ程度とするのがよい。また、上記算術平均粗さの値が大きすぎる場合には、合金成分粒が必要以上に突出した形態となり、形成される薄膜中の合金成分量が多くなるのに加えて、薄膜形成速度が安定するまでのプリスパッタ回数が多くなるため、上記算術平均粗さは１０μｍ以下とするのがよい。
【００２６】
また本発明者らは、上記の様に算術平均粗さ（Ｒａ）：２μｍ以上、かつ最大高さ（Ｒｚ）：２０μｍ以上とすれば、ターゲットのスパッタリング面を光学顕微鏡で観察したときに、面積が１００μｍ２以上である合金成分粒が、上記スパッタリング面０．２５ｍｍ２当たりに合計で５個以上存在することも確認した。この様な表面形態とすることで、スパッタ率の小さい合金成分粒がスパッタされ易くなり、プリスパッタの回数が低減できるものと考えられる。
【００２７】
スパッタリング面が上記規定の表面粗さであるターゲットを得るには、粉末焼結法で金属混合体を形成し、ターゲット形状に機械加工してターゲット材を得た後、ウェットエッチングを施して、該ターゲット材の少なくともスパッタリング面におけるＡｇを優先的に溶解させるのがよい。例えばＡｇ−Ｔａ−Ｃｕターゲットの場合、Ａｇに比べてＴａ、Ｃｕのスパッタ率が小さいため、Ａｇを選択的に除去し、ターゲット表面におけるＴａ粒やＣｕ粒を突出させてこれらの成分の表面積を大きくするのがよい。
【００２８】
上記Ａｇを優先的に溶解させるには、酸液として、希硝酸および／または過酸化水素水を用いてウェットエッチングを行うのがよい。この様に酸化力の強い酸を用いるのがよく、塩酸や硫酸を用いた場合では、Ａｇが溶解せずにその他の合金成分が溶解し、本発明で規定するターゲット表面形態とすることが困難である。
【００２９】
上記希硝酸としては、その濃度が５〜３０ｍｏｌ％のものがよい。また、上記過酸化水素水としては、その濃度が５〜３０ｍｏｌ％のものを用いるのがよい。いずれも５ｍｏｌ％未満では、規定の算術平均粗さおよび最大高さとするためのエッチング時間が長くなり生産性に劣るので好ましくない。より好ましくは８ｍｏｌ％以上である。一方、いずれも３０ｍｏｌ％を超えると、エッチング速度が速くなりすぎて、規定の算術平均粗さおよび最大高さとするための制御が困難となるため好ましくない。より好ましくは１５ｍｏｌ％以下である。
【００３０】
上記酸液にターゲット材を浸漬するが、この際の浸漬時間は、規定の算術平均粗さおよび最大高さとするため３０秒以上（より好ましくは６０秒以上）とするのがよい。一方、浸漬時間が長すぎると、ターゲットの形状が溶解により変化するため、５分以下とするのがよい。
【００３１】
上記酸液の液温は、例えば約２５℃とすることが挙げられる。液温が低い場合には、エッチング速度が遅くなるため浸漬時間を適宜長くすることが好ましい。
【００３２】
ところで、ターゲットに含まれる合金成分のうちＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌはＡｇに比べて卑な金属であるため、上記酸液に浸漬させたときにＡｇよりも先に溶解しやすい。従って、ターゲット材が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種の合金成分を含む場合には、ウェットエッチング時に該合金成分の消失を抑制するため、これらの合金成分の溶解を防止するインヒビター（溶解防止用インヒビター）を使用して、Ａｇのみを溶解させるようにするのがよい。
【００３３】
上記インヒビターを使用する場合には、上記希硝酸および／または過酸化水素水（好ましくは過酸化水素水）に添加して用いるのがよい。
【００３４】
具体的に上記インヒビターとして、ＦｅやＣｏ、Ｎｉを含むターゲット材に対しては、クロム酸塩や亜硝酸塩、モリブデン酸塩、チオ尿素、プロピルサルファイド、ジアシルアミンを用いることが有効であり、Ａｌを含むターゲット材に対しては、塩化セリウムを用いることが有効である。また、Ｃｕを含むターゲット材に対しては、ベンゾトリアゾールやモノクロロ酢酸、グルコース、フルクトースを用いることが有効であり、市販の添加剤としてメルテックス社のアグリップ９４０等を用いてもよい。
【００３５】
尚、本発明のＡｇ基合金ターゲットは、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を合計で１〜１５質量％含むものである。１質量％以上含有させることで、光学記録媒体の反射膜や、反射型液晶ディスプレイの電極・反射膜等に求められる高反射率や低電気抵抗率、高熱伝導率といった特性を十分に具備する薄膜を形成することができる。一方、これらの合金成分が多過ぎても、上記高反射率等を確保した薄膜を得ることが困難となるため、１５質量％以下とする。
【００３６】
この中でも、Ａｇ−Ｘ−Ｃｕ合金（Ｘは、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒの少なくとも一種）であって、Ｘが１〜１０質量％、Ｃｕが１〜１０質量％であるターゲットが光記録媒体における反射層として有用である。その中でも特に、Ｔａを３〜１０質量％、及びＣｕを１〜５質量％含むＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲットが、高反射率・高熱伝導率・高耐久性といった特性に加え、コピープロテクト等の目的で、反射膜にレーザーで孔を開けるかまたは変形させるＩＤマーキングが行われる際のレーザーマーキング特性にも優れた薄膜を形成できるので好ましい。
【００３７】
本発明に用いられるＡｇ基合金ターゲットは、上記のように、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｌおよびＳｉよりなる群から選択される少なくとも１種を合計で１〜１５質量％含み、残部が、Ａｇおよび不可避不純物のものである。不可避不純物としては、製造過程などで不可避的に混入する元素（例えば炭素、窒素、酸素）などが挙げられる。
【００３８】
本発明では、上述の通り、均一な成分組成のターゲットを得るべく粉末焼結法により製造するのがよく、具体的には、例えば粉末混合→カプセル充填→カプセル脱気→熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）→カプセル除去→皮削り→輪切り切断→機械加工を行うことにより製造することができる。上記製造工程の具体的条件まで規定するものではないが、粉末混合およびＨＩＰを下記条件で行うことが推奨される。
【００３９】
（粉末混合工程）
まず、原料粉末として、Ａｇ粉末と合金成分の粉末は同じサイズ（粒度分布）のものを用意するのがよい。粒度分布が均一な粉末を原料として用いることにより、混合時の偏析を防止でき、均一に原料を混合することができる。具体的には、体積５０％粒子径が１０μｍ以上５０μｍ以下のものを用いるのがよい。上記「体積５０％粒子径」とは、粉末の全体積を１００％とし、篩い分け法によって粉末の粒径と累積体積比率の関係曲線を求めたとき、累積体積比率が５０％の位置の粒子径を意味する。
【００４０】
そして上記の各粉末を含む原料を３０〜９０分間混合する。混合時間が３０分未満と短い場合、合金粉末同士を均一に充分混合できない。一方、混合時間が９０分を超えて長くなると、均一に混合した原料粉末が分離した状態になるため好ましくない。より好ましい混合時間は４０分以上７０分以下である。
【００４１】
（ＨＩＰ工程）
次に、上記のようにして得られた混合粉末を用いてＨＩＰを行うときは、５００〜６００℃の温度で１〜３時間行うのがよい。ＨＩＰの温度が低すぎたり、またはＨＩＰの時間が短すぎると、焼結が不十分となるため好ましくない。一方、ＨＩＰの温度が高すぎたり、またはＨＩＰの時間が長すぎる場合は、Ａｇと合金元素の界面に合金相が生成し、この合金相を起点にスパッタリング時にアーキング等の異常放電が生じて薄膜を形成できなくなるため好ましくない。より好ましいＨＩＰの温度は、５２０℃以上５８０℃以下である。また、ＨＩＰのより好ましい時間は１．５時間以上２．５時間以下である。
【００４２】
上記粉末焼結法により得られた金属体は、旋盤、フライス盤等の機械加工によってターゲット形状に加工される。
【００４３】
本発明のターゲットは、例えばＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法にも適用でき、約２０〜５０００ÅのＡｇ基合金薄膜を形成するのに有効である。
【００４４】
尚、Ａｇ基合金ターゲットの厚さは特に限定されず、所望とする薄膜の形成に適したターゲットが得られるよう、おおむね１〜５０ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更して実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００４６】
それぞれ体積５０％粒子径が１５〜３０μｍのＡｇ粉末、Ｔａ粉末、およびＣｕ粉末を、質量比で８５：１０：５の割合で混合機に導入し、６０分間混合を行なった。
【００４７】
尚、本発明では、粉末焼結法によるターゲット作製にあたり、混合粉末の粒径が大きくばらついていると、混合時に偏析が生じる可能性があるため、混合粉末の粒径を揃えるべく、入手可能な体積５０％粒子径が１５〜３０のＡｇ粉末、Ｔａ粉末およびＣｕ粉末を用いた。
【００４８】
次に、上記の混合粉末を円柱形状のカプセルに充填し、４００℃で９時間加熱保持した。その後、カプセル内部が真空状態となるように脱気した。
【００４９】
次いで、脱気した上記カプセルに対し、ＨＩＰを行った。具体的には、ＨＩＰ温度：５５０℃、ＨＩＰ時間：２時間の条件でＨＩＰを行なった。
【００５０】
上記ＨＩＰを行った後、カプセルを除去し、円柱形状のＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金材料を取り出した。次に、上記Ａｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金材料の表面を皮削りした後、輪切り切断を行ない、円板形状のＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金材料を得た。
【００５１】
このようにして得られた円板形状のＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金材料を機械加工（旋盤加工）し、直径約２１０ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円板形状のＡｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲット材に仕上げた。そして、該Ａｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲット材ままの試料を比較例とした。
【００５２】
また、上記Ａｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲット材を１０ｍｏｌ％の希硝酸に３分間浸漬するウェットエッチングを施して、ターゲット表面のＡｇおよびＣｕを選択的に溶解した試料を実施例１とした。
【００５３】
更に、上記Ａｇ−Ｔａ−Ｃｕ合金ターゲット材を、１０ｍｏｌ％の希硝酸に３分間浸漬後、濃度が３０質量％の過酸化水素水（濃度が約１５ｍｏｌ％の過酸化水素水）にアグリップ９４０（メルテックス株式会社製）を混合した溶液（体積割合は、過酸化水素水：水：アグリップ９４０＝５：４：１）に９０秒間浸漬し、ターゲット表面のＡｇのみを選択的に溶解した試料を実施例２とした。
【００５４】
そしてこれらの試料を用いて、光学顕微鏡による表面観察、並びに表面粗さ計による算術平均粗さ（Ｒａ）および最大高さ（Ｒｚ）の測定を行った。また、該試料を用いてスパッタリングを行い、放電電圧（スパッタリング電圧）が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）を測定した。
【００５５】
ターゲットまたはターゲット材におけるスパッタリング面の上記光学顕微鏡による観察写真を、比較例については図１、実施例１については図２、実施例２については図３に示す。尚、図１における横線は機械加工の痕である。また図２および図３における黒い粒はＴａ単体であり、灰色（カラー写真では赤色）の粒はＣｕ単体であり、その他の部分（残部）はＡｇ単体であることを蛍光X線分析法により確認した。
【００５６】
上記算術平均粗さ（Ｒａ）および最大高さ（Ｒｚ）［以下、これらを表面粗さと総称することがある］の測定は、ミツトヨ製表面粗さ測定器  ＳＪ−３０１を使用して測定した。評価長さは４ｍｍとした。尚、比較例の試料の測定では、機械加工痕の長手方向に対し９０度の角度の方向において、上記算術平均粗さ（Ｒａ）および最大高さ（Ｒｚ）を測定した。これらの測定結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
0004833942.tif 000002
【００５８】
放電電圧（スパッタリング電圧）が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）の測定は下記の条件で行った。
＜測定条件＞
・ＤＣマグネトロンスパッタリング法
・スパッタリングパワー：２０Ｗ／ｃｍ２
・Ａｒガス圧：１Ｐａ以下
・１回のスパッタリング時間：１秒間
・１回の成膜膜厚：約４０ｎｍ
・基板：ポリカーボネート
尚、上記スパッタリングでは、１回のスパッタリングで成膜される膜厚が約４０ｎｍとなるようスパッタリングパワーとスパッタリング時間を調整した。放電電圧（スパッタリング電圧）が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）を示したグラフを、比較例については図４、実施例１については図５、実施例２については図６に示す。
【００５９】
これらの結果から、以下のように考察できる。即ち、比較例の試料は、表面粗さが本発明の規定を満たしていないため（表１）、図４に示す通り放電電圧が安定するまでのショット数が７００回と非常に多い。またこの比較例の試料のスパッタリング面を光学顕微鏡で観察した写真（図１）から、スパッタリング面は加工変質層で覆われており、Ｔａ粒やＣｕ粒が表面に存在していないことがわかる。スパッタリング面がこの様な状態であるため、Ｔａ粒やＣｕ粒が突出した表面形態となるまでショット数が多くなったものと思われる。
【００６０】
これに対し、実施例１の試料は、表面粗さが本発明の規定を満たすものであるため（表１）、図５に示す通り、放電電圧が安定するまでのショット数が３００回と比較例と比べて半数以下にまで低減している。また光学顕微鏡で観察した写真（図２）から、この実施例１の試料のスパッタリング面は、Ｔａ粒が突出した形態となっており、１００〜４００μｍ２の面積を有するＴａ粒がスパッタリング面０．２５ｍｍ２当たりに合計で３０個存在していることがわかる。この様に、スパッタリング面において、スパッタ率の小さいＴａがスパッタリングされ易い状態にあるため、少ないプリスパッタ回数でスパッタリングが安定したものと思われる。
【００６１】
また、実施例２の試料も表面粗さが本発明の規定を満たすものであるため（表１）、図６に示す通り、放電電圧が安定するまでのショット数が１５０回と比較例と比べて非常に少なくなっている。この実施例２では、ウェットエッチング時に、Ｃｕの溶解防止用インヒビターを使用したため、実施例２の試料のスパッタリング面を光学顕微鏡で観察した写真（図３）では、ターゲット表面に、Ｔａ粒に加えてＣｕ粒も突出していることがわかる。またこの写真から、１００〜４００μｍ２の面積を有するＴａ粒やＣｕ粒が、スパッタリング面０．２５ｍｍ２当たりに合計で３６個存在していることがわかる。この実施例２では実施例１よりも合金成分の粒が多く存在していることから、スパッタ率の小さいＴａおよびＣｕがスパッタリングされ易い状態となっており、更に少ないプリスパッタ回数でスパッタリングが安定したものと思われる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】比較例における試料（ターゲット材）のスパッタリング面を撮影した光学顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図２】実施例１における試料（ターゲット）のスパッタリング面を撮影した光学顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図３】実施例２における試料（ターゲット）のスパッタリング面を撮影した光学顕微鏡写真（倍率１００倍）である。
【図４】比較例における放電電圧が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）を示すグラフである。
【図５】実施例１における放電電圧が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）を示すグラフである。
【図６】実施例２における放電電圧が安定するまでのショット数（プリスパッタの回数）を示すグラフである。
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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