(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信アンテナで受信した受信信号が入力されて当該受信信号に重畳されるパルス性ノイズを除去して出力するノイズキャンセラにおいて、
前記受信信号に重畳される前記パルス性ノイズを検出するパルス性ノイズ検出部と、
前記受信信号の電界強度を検出するＳメータと、
前記パルス性ノイズ検出部における前記パルス性ノイズの検出を契機として、前記出力の前段階処理として前記受信信号のレベルをレベルホールドするレベルホールド部と、
前記レベルホールド部において前記レベルホールドするレベルホールド期間を、前記Ｓメータにおいて検出された前記受信信号の電界強度が高くなるに従って短縮させ、前記受信信号の電界強度が低くなるに従って拡大させるレベルホールド期間設定部と、
を有し、
前記レベルホールド期間設定部は、
容量素子と、
前記パルス性ノイズの検出の有無に応じて前記容量素子の充電と放電とを切り替える充電制御部と、
前記受信信号の電界強度が高くなるに従って大きくなる、前記容量素子の充電または放電の何れか一方を行うための電流を供給する電流供給部と、
前記容量素子の充電電圧と基準電圧とを比較して、前記レベルホールド期間を設定するための矩形波状の期間設定信号を出力するコンパレータと、
を有することを特徴とするノイズキャンセラ。
【請求項２】
前記充電制御部は、前記パルス性ノイズが検出されない場合には前記容量素子を放電させ、前記パルス性ノイズが検出された場合には前記容量素子を充電させる制御を行い、
前記電流供給部は、前記受信信号の電界強度が高くなるに従って大きくなる、前記容量素子を放電させるための電流を供給し、
前記コンパレータは、前記容量素子の充電電圧が前記基準電圧より高レベルである期間を前記レベルホールド期間として設定する前記期間設定信号を出力すること、
を特徴とする請求項１に記載のノイズキャンセラ。
【請求項３】
前記受信信号の電界強度が基準レベルを超えない場合には、前記レベルホールド部における前記レベルホールドを有効とさせ、前記受信信号の電界強度が前記基準レベルを超える場合には、前記レベルホールド部における前記レベルホールドを無効とさせる制御を行うレベルホールドイネーブル部をさらに有すること、
を特徴とする請求項２に記載のノイズキャンセラ。
【請求項４】
前記充電制御部は、前記容量素子を充電させるための電流の供給と停止とを切り替えるスイッチ回路を有し、
前記レベルホールドイネーブル部は、前記パルス性ノイズが検出され、かつ、前記受信信号の電界強度が前記基準レベルを超えない場合にのみ、前記充電制御部から前記容量素子を充電させるための電流が供給されるよう、前記スイッチ回路を制御するイネーブル信号を出力すること、
を特徴とする請求項３に記載のノイズキャンセラ。
【請求項５】
前記レベルホールド部は、
前記パルス性ノイズが検出されない場合には前記受信信号を通過させ、前記パルス性ノイズが検出された場合には前記受信信号を遮断させるためのスイッチと、
前記スイッチを通過させた前記受信信号によって充電がなされる容量素子と、
を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れかに記載のノイズキャンセラ。
【請求項６】
受信アンテナで受信したＡＭ変調信号を中間周波信号へと周波数変換して当該中間周波信号をＡＭ検波して出力するＡＭ受信装置において、
前記中間周波信号に重畳される前記パルス性ノイズを検出するパルス性ノイズ検出部と、
前記中間周波信号の電界強度を検出するＳメータと、
前記パルス性ノイズ検出部における前記パルス性ノイズの検出を契機として、前記出力の前段階処理として前記中間周波信号のレベルをレベルホールドするレベルホールド部と、
前記レベルホールド部において前記レベルホールドするレベルホールド期間を、前記Ｓメータにおいて検出された前記中間周波信号の電界強度が高くなるに従って短縮させ、前記中間周波信号の電界強度が低くなるに従って拡大させるレベルホールド期間設定部と、
を有し、
前記レベルホールド期間設定部は、
容量素子と、
前記パルス性ノイズの検出の有無に応じて前記容量素子の充電と放電とを切り替える充電制御部と、
前記中間周波信号の電界強度が高くなるに従って大きくなる、前記容量素子の充電または放電の何れか一方を行うための電流を供給する電流供給部と、
前記容量素子の充電電圧と基準電圧とを比較して、前記レベルホールド期間を設定するための矩形波状の期間設定信号を出力するコンパレータと、
を有することを特徴とするＡＭ受信装置。
【請求項７】
前記充電制御部は、前記パルス性ノイズが検出されない場合には前記容量素子を放電させ、前記パルス性ノイズが検出された場合には前記容量素子を充電させる制御を行い、
前記電流供給部は、前記中間周波信号の電界強度が高くなるに従って大きくなる、前記容量素子を放電させるための電流を供給し、
前記コンパレータは、前記容量素子の充電電圧が前記基準電圧より高レベルである期間を前記レベルホールド期間として設定する前記期間設定信号を出力すること、
を特徴とする請求項６に記載のＡＭ受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズキャンセラ及びそれを用いたＡＭ受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
受信アンテナで受信された受信信号Ｓにパルス性ノイズＰが重畳された場合（図８（ａ）参照）、受信信号Ｓからパルス性ノイズＰを検出するとともに、その検出されたパルス性ノイズＰをピークホールドし、そのピークホールド値が所定の閾値以上となったとき、受信信号Ｓのレベルを所定のレベルホールド期間Ｔの間レベルホールドする制御信号Ｈを生成する（図８（ｂ）参照）。そして、この制御信号Ｈに基づいて受信信号Ｓのレベルをレベルホールド期間Ｔの間レベルホールドすることで（図８（ｃ）参照）、受信信号Ｓからパルス性ノイズＰを除去するためのノイズキャンセラが提案されている（例えば、以下に示す特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平６−１１２８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、受信アンテナで受信した受信信号Ｓのレベルに応じて、受信信号Ｓに重畳され得るパルス性ノイズＰのパルス幅は変動することになる。例えば、受信アンテナで受信した受信信号Ｓのレベルが大きくなると、パルス性ノイズＰと受信信号Ｓとの相対的なレベル差が縮小する結果、受信信号Ｓの中にパルス性ノイズＰが埋もれてしまうような波形となるので、この場合、検出されるパルス性ノイズＰのパルス幅は短くなる。一方、受信アンテナで受信した受信信号Ｓのレベルが小さくなると、パルス性ノイズＰと受信信号Ｓとの相対的なレベル差が拡大する結果、受信信号Ｓに対してパルス性ノイズＰが顕著に現れる波形となるので、この場合、検出されるパルス性ノイズＰのパルス幅は長くなる。
【０００４】
このように、以上のような現象が起こり得るが、従来のノイズキャンセラでは、受信信号Ｓのレベル（電界強度）の大小に関わらず、一回毎のパルス性ノイズＰに対するレベルホールド期間Ｔは固定されていた。従って、このパルス幅の変動に対してレベルホールド期間Ｔが追従せず、レベルホールド期間Ｔがパルス性ノイズＰのパルス幅に対して長すぎる場合や短すぎる場合が起こり得ていた。
【０００５】
ここで、レベルホールド期間Ｔがパルス性ノイズＰのパルス幅に対して長すぎる場合には、パルス性ノイズＰの除去が確実に行えるものの、受信信号Ｓの波形の歪率がその分悪化してしまい、再生時の音質の低下を引き起こしてしまう。一方、レベルホールド期間Ｔがパルス性ノイズＰの幅に対して短すぎる場合には、パルス性ノイズＰを除去するという本来のノイズキャンセラを設けた目的に反することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明のうちの主たる発明は、受信アンテナで受信した受信信号が入力されて当該受信信号に重畳されるパルス性ノイズを除去して出力するノイズキャンセラにおいて、前記受信信号に重畳される前記パルス性ノイズを検出するパルス性ノイズ検出部と、前記受信信号の電界強度を検出するＳメータと、前記パルス性ノイズ検出部における前記パルス性ノイズの検出を契機として、前記出力の前段階処理として前記受信信号のレベルをレベルホールドするレベルホールド部と、前記レベルホールド部において前記レベルホールドするレベルホールド期間を、前記Ｓメータにおいて検出された前記受信信号の電界強度が高くなるに従って短縮させ、前記受信信号の電界強度が低くなるに従って拡大させるレベルホールド期間設定部と、を有し、前記レベルホールド期間設定部は、容量素子と、前記パルス性ノイズの検出の有無に応じて前記容量素子の充電と放電とを切り替える充電制御部と、前記受信信号の電界強度が高くなるに従って大きくなる、前記容量素子の充電または放電の何れか一方を行うための電流を供給する電流供給部と、前記容量素子の充電電圧と基準電圧とを比較して、前記レベルホールド期間を設定するための矩形波状の期間設定信号を出力するコンパレータと、を有することとする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、受信信号のレベルに応じてパルス性ノイズを適切に除去することが可能なノイズキャンセラ及びそれを用いたＡＭ受信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
＜＜＜  ＡＭ受信装置の全体構成    ＞＞＞
図１は、本発明の実施形態に係るノイズキャンセラ１００を搭載したＡＭ受信装置の全体構成を示す図である。なお、本発明に係るＡＭ受信装置は、例えば、自動車等の車載用オーディオ装置として利用され得るものである。この場合、受信アンテナ１０において受信したＡＭ変調信号には、マルチパスノイズや、イグニッションノイズ、その他自然発生的な白色雑音等、多種多様なパルス性ノイズが重畳され得る環境下にあると言えるので、パルス性ノイズを除去するためのノイズキャンセラ１００を設ける意義が大きい。
【０００９】
＝＝＝  ノイズキャンセラ以外の構成  ＝＝＝
図１を参照しつつ、ＡＭ受信装置におけるノイズキャンセラ１００以外の構成について説明する。
【００１０】
受信アンテナ１０は、ＡＭ局より送信されたＡＭ変調信号ＲＦを受信するためのアンテナである。  
高周波増幅１１は、受信アンテナ１０において受信する信号の中から、不図示の同調回路によって予め設定された受信周波数ｆ１（例えば、１０００ｋＨｚ）のＡＭ変調信号（ＲＦ信号）を選択した上で、そのＡＭ変調信号を高周波増幅したＲＦ’信号を出力する増幅器である。
【００１１】
局部発振器１２、混合回路１３、ＢＰＦ（Band Pass Filter）１４は、受信アンテナ１０で受信したＡＭ変調信号をＩＦ信号（中間周波信号）へと変換する周波数変換回路を構成するものである。  
局部発振器１２は、受信周波数ｆ１とは異なる発振周波数ｆ２（例えば、１４５５ｋＨｚ）の発振信号を生成する発振器である。  
混合回路１３は、高周波増幅１１から出力されたＲＦ’信号と局部発振器１２からの発振信号とを混合させて、ｆ２−ｆ１（例えば、４５５ｋＨｚ）及びｆ２＋ｆ１（例えば、２４４５ｋＨｚ）の周波数成分を有した混合信号Ｍを生じさせる回路である。  
ＢＰＦ１４は、混合回路１３より出力された混合信号Ｍから、（ｆ２−ｆ１）又は（ｆ２＋ｆ１）のいずれか一方の周波数成分（例えば、４５５ｋＨｚ）を有した信号、すなわちＩＦ信号（中間周波信号）を抽出する。
【００１２】
中間周波増幅器１５は、ＩＦ信号をＡＭ検波可能なレベルまで中間周波増幅したＩＦ’信号を出力する可変利得増幅器である。  
ＡＭ検波器１６は、中間周波増幅器１５から出力されるＩＦ’信号の周波数変化を振幅変化に変換する等してＡＭ検波がなされた検波信号Ｄを出力する検波器である。
【００１３】
デコーダ１７は、ＡＭ検波器１６より出力された検波信号Ｄから、和（Ｌ＋Ｒ）信号並びに差（Ｌ−Ｒ）信号を復調した上で、左（Ｌ）信号並びに右（Ｒ）信号を復調して出力する。なお、左（Ｌ）信号及び右（Ｒ）信号のことを、以下ではＡＦ信号（低周波信号）と呼ぶ。
【００１４】
低周波増幅器１８は、デコーダ１７より出力されたＡＦ信号を低周波増幅したＡＦ’信号を出力する増幅器である。低周波増幅器１８より出力されたＡＦ’信号は、不図示の音質・音量調整回路を介してスピーカー１９から音声出力される。
【００１５】
Ｓメータ２０は、ＩＦ’信号のレベルを平滑化した電界強度Ｅを検出するとともに、その検出された電界強度Ｅについての所定の表示を行う計器である。なお、Ｓメータ２０は、本実施形態におけるＩＦ’信号以外にも、ＩＦ信号や検波信号Ｄの電界強度を検出するようにしてもよいが、少なくともノイズキャンセラ１００の前段側の信号の電界強度を検出する必要がある。
【００１６】
ここで、本発明に係るノイズキャンセラ１００において、受信信号（例えば、ＩＦ’信号）のレベルの検出を行う『受信レベル検出部』に関しては、ＡＭ受信装置において一般的に設けられるＳメータ２０を流用することとしたが、その他、サンプルホールド回路等を用いてもよい。
【００１７】
＝＝＝ノイズキャンセラの構成＝＝＝
図１、図２を参照しつつ、ＡＭ受信装置におけるノイズキャンセラ１００の構成について説明する。なお、図２は、ノイズキャンセラ１００の動作を説明するための主要信号の波形図である。
【００１８】
ノイズキャンセラ１００は、レベルホールド部１０５、ＨＰＦ(High Pass Filter)１１０、ノイズアンプ１２０、ノイズＡＧＣ（Automatic Gain Control）１３０、コンパレータ１４０、レベルホールドイネーブル部１５０、レベルホールド期間設定部１６０、Ｓメータ２０を有する。なお、本実施形態のノイズキャンセラ１００は、高速性を補償するためにハードウェアロジック構成としたが、そのハードウェアロジックの一部をＤＳＰ（Digital Signal Processor）等でソフトウェア的に実現してもよい。
【００１９】
ＨＰＦ１１０、ノイズアンプ１２０、ノイズＡＧＣ１３０、コンパレータ１４０は、ＩＦ信号に重畳されるパルス性ノイズＰを検出する本発明に係る『パルス性ノイズ検出部』を構成するものである。
【００２０】
ＨＰＦ１１０は、受信アンテナ１０で受信したＲＦ信号（図２（ａ）参照）を周波数変換したＩＦ信号（図２（ｂ）参照）に重畳され得るパルス性ノイズＰが、ＩＦ信号に対比して高周波成分であることに着眼し、ＢＰＦ１４より出力されたＩＦ信号を高域通過させることで、パルス性ノイズＰ（図２（ｆ）参照）を抽出する高域通過フィルタである。
【００２１】
ノイズアンプ１２０並びにノイズＡＧＣ１３０は、ＨＰＦ１１０より出力されたパルス性ノイズＰを、後段の処理が適切になされるレベルにまで帰還増幅するものである。
【００２２】
コンパレータ１４０は、ノイズＡＧＣ１３０より出力されたパルス性ノイズＰを、所定の閾値と比較した上で、パルス性ノイズＰがその閾値を超える場合にＨレベルを出力する。この結果、レベルの高低に関わらずパルス性ノイズＰの検出が頻繁に行われることを防止することができる。
【００２３】
なお、コンパレータ１４０は、ノイズＡＧＣ１５０より出力されたパルス性ノイズＰ（図２（ｆ）参照）を論理反転させたパルス性ノイズＰ’（図２（ｇ）参照）を出力する。すなわち、コンパレータ１４０より出力されるパルス性ノイズＰ’は、Ｈレベルの中、ノイズ発生区間の間はＬレベルとなるパルスを示す場合とする。
【００２４】
レベルホールド部１５０は、コンパレータ１４０によってＬレベルのパルス性ノイズＰ’が検出されたことを契機として、ＡＭ検波器１６から出力された検波信号Ｄ（図２（ｃ）参照）のレベルをレベルホールドした検波信号Ｄ’（図２（ｄ）参照）をデコーダ１７へと出力する。なお、レベルホールド部１５０は、検波信号Ｄのレベルホールドを行う以外にも、ＡＭ検波前のＩＦ’信号又はＩＦ信号のレベルホールドを行うようにしてもよいが、少なくとも、最終的にスピーカー１９より音声出力される前段階の処理として、受信信号の電界強度Ｅの検出並びにパルス性ノイズＰの検出よりも後段側で行う必要がある。
【００２５】
レベルホールド期間設定部１６０は、レベルホールド部１５０において検波信号Ｄのレベルホールドを行うレベルホールド期間Ｔを、Ｓメータ２０において検出されたＩＦ’信号の電界強度に応じて設定するための期間設定信号Ｈ（図２（ｅ）参照）を出力する。なお、本実施形態では、期間設定信号Ｈは、Ｈレベルの中、レベルホールド期間Ｔの間Ｌレベルを示す場合とする。
【００２６】
レベルホールドイネーブル部１７０は、Ｓメータ２０において検出されたＩＦ’信号の電界強度Ｅが、所定の基準レベルＶｂを超えない場合には、レベルホールド部１５０における検波信号Ｄのレベルホールドを有効とさせ、基準レベルＶｂを超える場合には、レベルホールド部１５０における検波信号Ｄのレベルホールドを無効とさせる制御を行う。
【００２７】
この結果、受信信号のレベルが必要以上に高くなる場合には、受信信号とパルス性ノイズＰの相対的なレベル差が縮小し、受信信号の中にパルス性ノイズＰが埋もれるような波形となるので、受信信号をレベルホールドさせてパルス性ノイズを除去するよりも、そのままの受信信号の波形によって音質を確保する必要性の方が高い。そこで、レベルホールドイネーブル部１７０は、レベルホールド部１５０の機能を無効とさせて、検波信号Ｄをレベルホールドさせない状態でデコーダ１７へと供給させることとする。
【００２８】
＜＜＜  ノイズキャンセラの詳細構成  ＞＞＞
＝＝＝レベルホールド部＝＝＝
図３を参照しつつ、本発明の実施形態に係るレベルホールド部１５０の構成・動作について説明する。なお、図３は、本発明に係るノイズキャンセラ１００の構成を示す図である。
【００２９】
レベルホールド部１５０は、パルス性ノイズＰが検出されない場合には検波信号Ｄを通過させ、パルス性ノイズＰが検出された場合には検波信号Ｄの通過を遮断させるためのスイッチ１５１と、スイッチ１５１を通過した検波信号Ｄによって充電がなされる容量素子Ｃ２と、によって主に構成される。
【００３０】
スイッチ１５１は、ベース電極に検波信号Ｄが入力されるエミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタＢ３０のエミッタ電極と、エミッタ電極側から検波信号Ｄ’が出力されるエミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタＢ３１のベース電極との間に設けられ、コンパレータ１６３から供給される期間設定信号Ｈに基づいて開閉する。なお、スイッチ１５１は、期間設定信号ＨがＨレベルのときには閉じており、期間設定信号Ｈがレベルホールド期間Ｔを示すＬレベルのときには開く場合とする。
【００３１】
ここで、スイッチ１５１が、Ｈレベルの期間設定信号Ｈに基づいて常時閉じている状態においては、検波信号Ｄのレベルに応じてＮＰＮ型トランジスタＢ３０に流れる電流が定まり、さらに、スイッチ１５１を介して容量素子Ｃ２が充電されるとともにＮＰＮ型トランジスタＢ３１に流れる電流が定まる。この結果、ＮＰＮ型トランジスタＢ３１のエミッタ側から出力される検波信号Ｄ’は、ＮＰＮ型トランジスタＢ３０のベース電極に入力された検波信号Ｄのレベルに応じた波形となる。
【００３２】
一方、Ｌレベルの期間設定信号Ｈに基づいてスイッチ１５１が開いている状態では、期間設定信号ＨがＬレベルの期間、スイッチ１５１が開く直前の容量素子Ｃ２に充電された電圧に応じて、ＮＰＮ型トランジスタＢ３１に流れる電流が固定される。すなわち、検波信号Ｄ’は、期間設定信号ＨがＬレベルの期間、スイッチ１５１が開く直前の検波信号Ｄのレベルに保持される。
【００３３】
＝＝＝レベルホールド期間設定部＝＝＝
図３乃至図６を参照しつつ、本発明に係るレベルホールド期間設定部１６０の構成・動作について説明する。
【００３４】
図４、図５は、本発明に係るレベルホールド期間設定部１６０の動作を説明するための主要信号の波形図である。なお、図５（ｂ）〜（ｃ）は、受信レベルが高レベルの場合における図５（ａ）に示すパルス性ノイズＰ’に応じた充電電圧ＶＣ並びに期間設定信号Ｈの波形であり、図５（ｄ）〜（ｅ）は、受信レベルが低レベルの場合における図５（ａ）に示すパルス性ノイズＰ’に応じた充電電圧ＶＣ並びに期間設定信号Ｈの波形を示す。
【００３５】
図６は、受信レベルとレベルホールド期間Ｔとの関係を示す図である。なお、図６（ａ）〜（ｃ）は受信レベルが低レベルの場合におけるレベルホールド前後の検波信号Ｄ、Ｄ’と期間設定信号Ｈの波形、図６（ｄ）〜（ｆ）は受信レベルが中レベルの場合におけるレベルホールド前後の検波信号Ｄ、Ｄ’と期間設定信号Ｈの波形、図６（ｇ）〜（ｉ）は受信レベルが高レベルの場合におけるレベルホールド前後の検波信号Ｄ、Ｄ’と期間設定信号Ｈの波形を示す。
【００３６】
レベルホールド期間設定部１６０は、容量素子Ｃ１と、パルス性ノイズＰが検出されない場合には容量素子Ｃ１を放電させ、パルス性ノイズＰが検出された場合には容量素子Ｃ１を充電させる制御を行う充電制御部１６１と、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅに応じて容量素子Ｃ１への充電時間の制御を行う充電時間制御部１６２と、容量素子Ｃ１の充電電圧ＶＣと基準電圧Ｖａとを比較して、レベルホールド期間Ｔ（Ｌレベルの期間）を設定するための矩形波状の期間設定信号Ｈを出力するコンパレータ１６３と、によって主に構成される。
【００３７】
充電制御部１６１は、電源電圧ＶＣＣから接地電圧ＶＳＳの間に設けるＮＰＮ型トランジスタＢ８、Ｂ７の直列接続体で主に構成される。なお、ＮＰＮ型トランジスタＢ８、Ｂ７の接続部には、充電対象の容量素子Ｃ１が接続される。また、ＮＰＮ型トランジスタＢ７は、ダイオード接続されたＮＰＮ型トランジスタＢ６と、ベース電極同士を共通接続させており、いわゆるカレントミラー回路を構成する。
【００３８】
ここで、レベルホールドイネーブル部１７０からＮＰＮ型トランジスタＢ８のベース電極に供給されるイネーブル信号ＥＮは、詳細は後述するが、コンパレータ１４０より出力されるパルス性ノイズＰ’を反転させたような波形となる。従って、パルス性ノイズＰ’がＨレベルの場合にはイネーブル信号ＥＮはＬレベルとなり、パルス性ノイズＰ’がＬレベルの場合にはイネーブル信号ＥＮはＨレベルとなる。
【００３９】
従って、イネーブル信号ＥＮがＨレベルの場合には、ＮＰＮ型トランジスタＢ８が導通する方向へと働き、電源電圧ＶＣＣからＮＰＮ型トランジスタＢ８を介して容量素子Ｃ１へと至る充電経路が形成される。すなわち、この場合、容量素子Ｃ１が電源電圧ＶＣＣをもとに充電される。一方、イネーブル信号ＥＮがＬレベルの場合には、ＮＰＮ型トランジスタＢ８が導通しない方向へと働き、ＮＰＮ型トランジスタＢ８のエミッタ電圧が低下するので、そのエミッタ電圧の低下に応じて、容量素子Ｃ１の充電電圧ＶＣもまた低下する。
【００４０】
このように、容量素子Ｃ１の充電電圧ＶＣは、イネーブル信号ＥＮがＨレベルの場合には高レベルとなり、イネーブル信号ＥＮがＬレベルの場合には低レベルとなる特性を有する（図５（ａ）、（ｂ）、（ｄ）参照）。かかる充電電圧ＶＣは、コンパレータ１６３の反転入力端子へと印加される。一方、コンパレータ１６３の非反転入力端子には、充電電圧ＶＣの中間レベル付近に設定された基準電圧Ｖａが印加される。
【００４１】
この結果、コンパレータ１６３は、充電電圧ＶＣが基準電圧Ｖａより低レベルであればＨレベルを出力し、充電電圧ＶＣが基準電圧Ｖａより高レベルであればＬレベルを出力する（図５（ｂ）〜（ｅ）参照）。なお、コンパレータ１６３がＬレベルを出力する期間が、スイッチ１５１を開くレベルホールド期間Ｔに対応する場合とする。
【００４２】
充電時間制御部１６２は、エミッタ電極同士が共通接続されるとともに定電流源Ｉへと接続される差動トランジスタ対（Ｂ２、Ｂ３）が設けられる。差動トランジスタ対（Ｂ２、Ｂ３）のうち、一方のＮＰＮ型トランジスタＢ２のベース電極には、基準電圧Ｖｃがベース電極に印加されるＮＰＮ型トランジスタＢ１０のエミッタ電流が供給され、他方のＮＰＮ型トランジスタＢ３のベース電極には、基準電圧Ｖｃがベース電極に印加されるＮＰＮ型トランジスタＢ９のエミッタ電流が供給される。ここで、通常状態においては、ＮＰＮ型トランジスタＢ９、Ｂ１０のそれぞれのエミッタ電流は平衡しており、ひいては、差動トランジスタ対（Ｂ２、Ｂ３）を構成するＮＰＮ型トランジスタＢ２、Ｂ３に流れる電流Ｉ１、Ｉ２も平衡している場合とする。
【００４３】
ところで、ＮＰＮ型トランジスタＢ９は、電源電圧ＶＣＣと接地電圧ＶＳＳとの間に、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅがベース電極に印加されるＮＰＮ型トランジスタＢ１と直列接続させて設けられる。なお、Ｓメータ２０において検出される電界強度Ｅは、受信アンテナ１０において受信されたＲＦ信号を平滑化させた直流電圧であり、ＲＦ信号のレベルに追従した波形となる（図４（ａ）参照）
すなわち、ＮＰＮ型トランジスタＢ９のエミッタ電流は、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが高くなるに従って、ＮＰＮ型トランジスタＢ３のベース電極の方よりも、ＮＰＮ型トランジスタＢ１のコレクタ電極の方へと多く流れることになる。この結果、差動トランジスタ対（Ｂ２、Ｂ３）を構成するＮＰＮ型トランジスタＢ２、Ｂ３に流れる電流Ｉ１、Ｉ２の平衡が崩れて、電流Ｉ１が電流Ｉ２よりも多く流れることになる。
【００４４】
ＮＰＮ型トランジスタＢ２のコレクタ電極側には、ＰＮＰ型トランジスタＢ４とともにカレントミラー回路を構成するＰＮＰ型トランジスタＢ５のコレクタ電極と接続される。また、ＰＮＰ型トランジスタＢ４のコレクタ電極には、ＮＰＮ型トランジスタＢ７とともにカレントミラー回路を構成するＮＰＮ型トランジスタＢ６のコレクタ電極と接続される。さらに、ＮＰＮ型トランジスタＢ７のコレクタ電極側には、前述したとおり、ＮＰＮ型トランジスタＢ８のエミッタ電極と、容量素子Ｃ１が接続される。
【００４５】
前述したとおり、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが高くなるに従って、ＮＰＮ型トランジスタＢ２、Ｂ３に流れる電流Ｉ１、Ｉ２の平衡が崩れて、電流Ｉ１が電流Ｉ２よりも多く流れることになる。この場合、ＮＰＮ型トランジスタＢ４、Ｂ６に流れる電流Ｉ３、ひいては、ＮＰＮ型トランジスタＢ８、Ｂ７に流れる電流Ｉａが大きくなる（図４（ｂ）参照）。そして、電流Ｉａが大きくなる分、容量素子Ｃ１への充電能力が大きくなるので、容量素子Ｃ１の充電電圧ＶＣが高くなる（図４（ｃ）参照）。従って、コンパレータ１６３より出力される期間設定信号ＨがＬレベルの期間、すなわちスイッチ１５１を開くレベルホールド期間Ｔは、短縮する（図４（ｄ）参照）。
【００４６】
このように、レベルホールド期間設定部１６０は、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが大きい場合には、スイッチ１５１を開くレベルホールド期間Ｔを短縮させ（図５（ｄ）、（ｅ）参照）、一方、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが小さい場合には、スイッチ１５１を開くレベルオールド期間Ｔを拡大させる（図５（ｂ）、（ｃ）参照）。
【００４７】
この結果、受信信号のレベルに応じて図６（ａ）〜（ｃ）（受信信号のレベルが低レベル）、図６（ｄ）〜（ｆ）（受信信号のレベルが中レベル）、図６（ｇ）〜（ｉ）（受信信号のレベルが高レベル）と場合分けをして示したように、受信アンテナ１０において受信した受信信号のレベル（例えば、電界強度）に応じて、期間設定信号ＨがＬレベルの期間、すなわちレベルホールド期間Ｔの長さが適切に調整されることになり、受信信号に重畳され得るパルス性ノイズＰを適切に除去することが可能となる。
【００４８】
＝＝＝レベルホールドイネーブル部＝＝＝
図３、図７を参照しつつ、本発明に係るレベルホールドイネーブル部１７０の構成・動作について説明する。なお、図７は、本発明に係るレベルホールドイネーブル部１７０の動作を説明するための主要信号の波形図である。
【００４９】
レベルホールドイネーブル部１７０は、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが基準レベルＶｂを超えない旨を示す場合には、充電制御部１６１におけるパルス性ノイズＰの検出の有無に基づく制御を有効とし、Ｓメータ２０において検出された電界強度Ｅが基準レベルＶｂを超える旨を示す場合には、前述した充電制御部１６１におけるパルス性ノイズＰの検出の有無に基づく制御を無効とする。
【００５０】
なお、パルス性ノイズＰの検出の有無に基づく制御を有効とする場合とは、充電制御部１６１が、イネーブル信号ＥＮに基づいて充電電圧ＶＣのレベルを変化させる制御を通常どおり行う場合である。一方、パルス性ノイズＰの検出の有無に基づく制御を無効とする場合とは、充電制御部１６１が、イネーブル信号ＥＮに基づいて充電電圧ＶＣのレベルを変化させる制御を無効とする場合である。具体的には、パルス性ノイズＰ’のレベルに関わらず、ＮＰＮ型トランジスタＢ８のベース電極に供給されるイネーブル信号ＥＮのレベルをＬレベルへと固定化させる。この結果、コンパレータ１６３において充電電圧ＶＣが基準電圧Ｖａよりも常時低レベルとなるように固定化させ、ひいては、期間設定信号ＨのレベルがＨレベルへと固定化させる。
【００５１】
詳述すると、レベルホールドイネーブル部１７０は、パルス性ノイズＰ’がベース電極に供給されるＮＰＮ型トランジスタＢ２０と、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１と多段接続されるＮＰＮ型トランジスタＢ２１と、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１と直列接続されるダイオード接続されたＰＮＰ型トランジスタＢ２２と、ＰＮＰ型トランジスタＢ２２とともにカレントミラー回路を構成するＰＮＰ型トランジスタＢ２３と、を有する。なお、ＰＮＰ型トランジスタＢ２３のコレクタ電極側より、イネーブル信号ＥＮが出力される。
【００５２】
ここで、パルス性ノイズＰ’がＨレベルの場合、ＮＰＮ型トランジスタＢ２０が導通状態となる方向へ働き、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１のベース電位は、基準電圧ＶｄからＮＰＮ型トランジスタＢ２０のコレクタ・エミッタ路を介して接地電圧ＶＳＳの方へと引っ張られるので、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１は非導通状態となる方向へと働く。このとき、カレントミラー回路を構成するＰＮＰ型トランジスタＢ２２、Ｂ２３は、非導通状態となる方向へと働くので、ＰＮＰ型トランジスタＢ２３のコレクタ電極側より出力されるイネーブル信号ＥＮのレベルは、接地電位ＶＳＳとなる（この状態をＬレベルとする。）。
【００５３】
一方、パルス性ノイズＰ’がＬレベルの場合、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１が非導通となる方向へと働き、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１のベース電極には基準電圧Ｖｄが印加されるので、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１は導通状態となる方向へと働く。このとき、カレントミラー回路を構成するＰＮＰ型トランジスタＢ２２、Ｂ２３は、導通状態となる方向へと働くので、ＰＮＰ型トランジスタＢ２３のコレクタ電極側より出力されるイネーブル信号ＥＮのレベルは、電源電圧ＶＣＣをＰＮＰ型トランジスタＢ２３のオン抵抗等によって分圧した電圧となる（この状態をＨレベルとする。）。
【００５４】
このように、ＰＮＰ型トランジスタＢ２３のコレクタ電極側より出力されるイネーブル信号ＥＮは、ＮＰＮ型トランジスタＢ２０のベース電極に供給されるパルス性ノイズＰ’を反転させたような波形となる。
【００５５】
ところで、ＮＰＮ型トランジスタＢ２０、Ｂ２１の多段接続間に、エミッタ接地のＮＰＮ型トランジスタＢ２６が接続される。なお、ＮＰＮ型トランジスタＢ２６のベース電極には、コンパレータ１７１より出力される切替信号ＳＷが供給される。ここで、コンパレータ１７１は、非反転入力端子にＳメータ２０において検出された電界強度Ｅが印加され、反転入力端子に基準電圧Ｖｂが印加される。
【００５６】
ここで、コンパレータ１７１より出力される切替信号ＳＷは、通常状態では、電界強度Ｅが基準電圧Ｖｂを超えないように設定されるので、Ｌレベルを示し（図７（ａ）参照）、ＮＰＮ型トランジスタＢ２６は非導通状態となる。従って、ＮＰＮ型トランジスタＢ２６が影響を与えず、前述したとおり、パルス性ノイズＰ’のレベルに応じたイネーブル信号ＥＮが出力される（図７（ｂ）、（ｃ）参照）。
【００５７】
一方、電界強度Ｅが基準電圧Ｖｂを超えた場合、コンパレータ１７１より出力される切替信号ＳＷは、Ｈレベルを示し（図７（ａ）参照）、ＮＰＮ型トランジスタＢ２６は導通状態となる。この場合、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１のベース電位は、ＮＰＮ型トランジスタＢ２６のコレクタ・エミッタ路を経由して接地電圧ＶＳＳ側へと引っ張られる。従って、この場合、パルス性ノイズＰ’がＨレベルかＬレベルかに関わらず、ＮＰＮ型トランジスタＢ２１は非導通状態となる方向へと働くので、イネーブル信号ＥＮはＬレベルへと固定化されることになる（図７（ｂ）、（ｃ）参照）。この結果、充電電圧ＶＣはＬレベルへと固定化され、コンパレータ１６３は、基準電圧Ｖａの方が充電電圧ＶＣよりも高レベルとなることを維持するので、Ｈレベルの期間設定信号Ｈを出力し続けることになる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態に係るノイズキャンセラを搭載したＡＭ受信装置の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係るノイズキャンセラの動作を説明するための主要信号の波形図である。
【図３】本発明の実施形態に係るノイズキャンセラの構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係るレベルホールド期間設定部の動作を説明するための主要信号の波形図である。
【図５】本発明の実施形態に係るレベルホールド期間設定部の動作を説明するための主要信号の波形図である。
【図６】本発明の実施形態に係る受信レベルとレベルホールド期間との関係を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係るレベルホールドイネーブル部の動作を説明するための主要信号の波形図である。
【図８】ノイズキャンセラの動作を説明するための主要信号の波形図である。
【符号の説明】
【００５９】
１０  受信アンテナ、１１  高周波増幅器、１２  局部発振器、１３  混合回路、
１４  ＢＰＦ、１５  中間周波増幅器、１６  ＡＭ検波器、１７  デコーダ、
１８  低周波増幅器、１９  スピーカー、２０  Ｓメータ、
１００  ノイズキャンセラ、１１０  ＨＰＦ、１２０  ノイズアンプ、
１３０  ノイズＡＧＣ、１４０  コンパレータ、１５０  レベルホールド部、
１５１  スイッチ、１６０  レベルホールド期間設定部、１６１  充電制御部、
１６２  充電時間制御部、１６３  コンパレータ、
１７０  レベルホールドイネーブル部、１７１  コンパレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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