(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の熱硬化性樹脂および第１の無機質粉末を含有する複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および内部に配線された配線回路層と、該配線回路層間を電気的に接続するためのビアホール導体とを具備する配線基板において、該配線基板の表面に、第２の熱硬化性樹脂、第２の無機質粉末および該第２の無機質粉末の粒径の１／２以下の粒径を有する強磁性体粉末を含むソルダーレジスト層が形成されており、
前記第１の無機質粉末および前記第２の無機質粉が同一の無機質からなり、且つ前記第１の無機質粉末の平均粒径が前記第２の無機質粉末の平均粒径よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジスト層が、前記第２の熱硬化性樹脂を２０乃至８０重量％と、前記第２の無機質粉末および前記強磁性体粉末を合計で２０乃至８０重量％との割合で含む請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記強磁性体粉末を前記第２の無機質粉末との合計量に対して３０乃至６０重量％の割合で含有すること特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記ソルダーレジスト層が、５〜１００μｍの厚みで形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層中の前記第２の熱硬化性樹脂が、前記絶縁層中の前記第１の熱硬化性樹脂と同一であることを特徴とする請求項１乃至請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
第１の熱硬化性樹脂および第１の無機質粉末を含有する未硬化の絶縁シートにビアホール導体および配線回路層を形成してなる複数の配線シートを積層して第１の積層物を作製した後、該第１の積層物の表面に、第２の熱硬化性樹脂、第２の無機質粉末および該第２の無機質粉末の粒径の１／２以下の粒径を有する強磁性体粉末を含む絶縁体からなり、且つ孔開け加工された未硬化のレジストシートを積層して第２の積層物を作製し、該第２の積層物を一括して硬化する配線基板の製造方法であって、
前記第１の無機質粉末および前記第２の無機質粉が同一の無機質からなり、且つ前記第１の無機質粉末の平均粒径が前記第２の無機質粉末の平均粒径よりも大きいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記レジストシートが、前記第２の熱硬化性樹脂を２０乃至８０重量％と、前記第２の無機質粉末および前記強磁性体粉末を合計で２０乃至８０重量％との割合で含むことを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記強磁性体粉末を前記第２の無機質粉末との合計量に対して３０乃至６０重量％の割合で含有すること特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記レジストシートの厚みが５〜１００μｍであることを特徴とする請求項６乃至請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レジストシート中の前記第２の熱硬化性樹脂が、前記絶縁シート中の前記第１の熱硬化性樹脂と同一であることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板等に用いられる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、多層プリント配線板は、有機樹脂を含む絶縁基板表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして微細な配線回路層を形成し、しかるのちにこの基板を積層して製造される。また、この多層配線基板の表面には、電子部品などを搭載する際に半田などによって実装するが、基板表面における半田流れを防止するためにソルダーレジスト層を形成する。
【０００３】
このようなソルダーレジスト層は、通常、加工性の良い光硬化型ソルダーレジスト層を用い、基板表面全面にレジストを塗布し、露光、現像することによって形成される。
【０００４】
また、近時、半導体素子は高速駆動が行なわれるようになってきており、これに伴い半導体素子を駆動するための駆動パルスもその周波数が高く、かつパルスの立ち上がり時間が極めて短いものとなってきているため、半導体素子の電源や信号には駆動パルスよりも高次の高調波ノイズが発生し易いものとなってきている。
【０００５】
このような高次の高調波ノイズは、半導体素子が搭載された配線基板の配線回路層を通じてこの配線基板が接続される外部電気回路基板に伝搬され、他の半導体装置に悪影響を及ぼすことがある。また、他の半導体装置がら発生した高調波ノイズが配線回路層を通じて配線基板に搭載される半導体素子に伝搬され、半導体素子に誤動作を生じさせる。
【０００６】
一方、半導体素子の高速駆動に対応するために配線基板の絶縁基板の材質には損失（ｔａｎδ）の小さい材料が求められており、上記の無機質粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る絶縁基板と金属粉末を熱硬化性樹脂で結合して成る配線回路層とから成る配線基板に対しても同様の要求があるが、その反面、絶縁基板の材質の損失（ｔａｎδ）が小さくなると、その絶縁基板内あるいは表面に被着形成された配線回路層からの不要輻射が大きくなって上記の高調波ノイズが発生し易くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光硬化型樹脂を用いたソルダーレジスト層加工法は、レジスト塗布、露光、現像などの工程が多く、時間やコストに大きく影響する。さらに、光硬化であるため絶縁基板との密着性や硬化特性が悪く信頼性に問題がある。また、ソルダーレジスト層として、熱硬化型樹脂を用いることも提案されているが、印刷性が悪く、微細な配線の場合に対応できないという問題がある。
【０００８】
一方、上記のノイズ対策としては、配線基板の内部や表面に、電磁シールド層を形成することも行われているが、通常の配線基板作製工程に加え、電磁シールド層を形成する工程が付加されるものであり、工程数が増え、コストが高くなるなどの問題があった。また、絶縁層中に強磁性体を含有せしめることも提案されているが、絶縁基板の特性が変化し本来の絶縁基板の特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００９】
従って、本発明は、かかる従来の欠点に鑑み案出されたものであり、その目的は、ソルダーレジスト層の加工性、密着性および硬化特性を改善するとともに、配線回路層からの不要輻射を抑制し、高調波ノイズを有効に除去して、外部電気回路基板に対してノイズを放出しにくいとともに搭載される半導体素子を正常かつ安定に高速駆動させることが可能な配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ソルダーレジスト層を配線基板における絶縁層中に含まれる熱硬化性樹脂と同一の樹脂を含み、且つ無機質粉末と強磁性体粉末との複合体によって形成することによって、ソルダーレジスト層の加工性、密着性および硬化特性を改善するとともに、ソルダーレジスト層にノイズ除去機能を具備させることによって、ノイズの放出を抑制し、また外部からのノイズの影響を抑制できることを見いだした。
【００１１】
即ち、本発明の配線基板は、第１の熱硬化性樹脂および第１の無機質粉末を含有する複数の絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および内部に配線された配線回路層と、該配線回路層間を電気的に接続するためのビアホール導体とを具備する配線基板において、該配線基板の表面に、第２の熱硬化性樹脂、第２の無機質粉末および該第２の無機質粉末の粒径の１／２以下の粒径を有する強磁性体粉末を含むソルダーレジスト層が形成されており、
前記第１の無機質粉末および前記第２の無機質粉が同一の無機質からなり、且つ前記第１の無機質粉末の平均粒径が前記第２の無機質粉末の平均粒径よりも大きいことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造方法は、第１の熱硬化性樹脂および第１の無機質粉末を含有する未硬化状態の絶縁シートにビアホール導体および配線回路層を形成してなる複数の配線シートを積層して第１の積層物を作製した後、該第１の積層物の表面に、第２の熱硬化性樹脂、第２の無機質粉末および該第２の無機質粉末の粒径の１／２以下の粒径を有する強磁性体粉末を含む絶縁体からなり、且つ孔開け加工された未硬化のレジストシートを積層して第２の積層物を作製し、該第２の積層物を一括して硬化する配線基板の製造方法であって、
前記第１の無機質粉末および前記第２の無機質粉が同一の無機質からなり、且つ前記第１の無機質粉末の平均粒径が前記第２の無機質粉末の平均粒径よりも大きいことを特徴とするものである。
【００１３】
なお、前記ソルダーレジスト層における組成は、前記第２の熱硬化性樹脂を２０乃至８０重量％と、前記第２の無機質粉末および前記強磁性体粉末を合計で２０乃至８０重量％との割合で含むのが適当である。
【００１４】
なお、上記の配線基板およびその製造方法においては、前記強磁性体粉末が前記第２の無機質粉末との合計量に対して３０乃至６０重量％の割合で含有されていることと、前記ソルダーレジスト層が５〜１００μｍの厚みで形成されていることとが、ソルダーの流れを防止するとともに、ノイズ除去効果を発揮する上で望ましい。
【００１５】
また、前記ソルダーレジスト層中の前記第２の熱硬化性樹脂が、前記絶縁層中の前記第１の熱硬化性樹脂と同一であることがソルダーレジスト層の密着性を高める上で好適である。
【００１６】
本発明によれば、ソルダーレジスト層中の有機樹脂として、熱硬化性樹脂を用いるため、従来の光硬化性樹脂と比較してガラス転移温度が高く設定出来、無機質粉末を添加することにより、熱膨脹係数を絶縁基板に容易に整合させることができるとともに、弾性率、耐水性、耐湿性も改善できる。特に、絶縁層と同じ樹脂を用いることによって密着性も向上する。
【００１７】
また、印刷方式によってソルダーレジスト層を形成する場合、印刷性、解像度が問題となるが、本発明の製造方法では、予めレジストシートを作製し、このシートに予め用意して穴開け加工等を行い、積層体に位置決めして積層した後、一括して熱硬化処理を行うことによって、印刷を行うことがないために、印刷性や印刷による解像度などの問題を解消できる。しかも、レジストシート中には無機質粉末を含むことから、加工性が良好で、パンチング等の穴開け加工が簡単に行うことができ、レーザー加工によっても任意の形状の穴開け加工が可能となる。
【００１８】
また、本発明の配線基板によれば、絶縁基板を無機質粉末および強磁性体粉末を熱硬化性樹脂により結合したものとしたことから、強磁性体粉末により配線回路層からの不要輻射を吸収して高調波ノイズを有効に除去することができ、外部電気回路基板に対するノイズの放出や外部電気回路基板からのノイズの伝搬を抑制することが可能であるとともに、無機質粉末により絶縁基板の誘電率を所望の小さい値に設定することができて搭載される半導体素子を正常かつ安定に高速駆動させることが可能な配線基板となる。
【００１９】
また本発明の配線基板の製造方法によれば、無機質粉末および強磁性体粉末と熱硬化性樹脂前駆体とを混合して成る前駆体シートを用いて上記構成の配線基板を製造することにより、搭載される半導体素子を正常かつ安定に高速駆動させることが可能な、優れた電気特性を有する配線基板を提供できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面に基づき、詳細に説明する。
図１は、本発明の配線基板の一例を説明するための概略断面図であって、１は絶縁基板、２は配線回路層、３はビアホール導体、４はソルダーレジスト層である。
【００２１】
本発明の配線基板によれば、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃを積層することによって絶縁基板１が形成されており、その各絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃには、配線回路層２が形成されている。また絶縁層１ａ，１ｂ、１ｃには、異なる層に形成された少なくと２つの配線回路層２を電気的に接続するために、貫通孔に導体成分を充填して形成されたビアホール導体３が形成されており、多層化された回路を形成している。また、この配線基板の表面には、ソルダーレジスト層４が設けられており、ソルダーレジスト層４より露出している配線回路層２には、半田などによって種々の電子部品などが実装される。
【００２２】
本発明における絶縁基板１は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミドアミド樹脂の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。また、この絶縁基板１には、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ゼオライトの群から選ばれる少なくとも１種の無機質粉末、および／またはガラス繊維、アラミド繊維等の織布、不織布の群から選ばれる少なくとも１種のフィラー成分を含むことが望ましい。
【００２３】
これらのフィラー成分の熱硬化性樹脂中への分散によって、絶縁基板１の強度を高めることができるために、配線基板同士の衝突による欠けや割れ、クラック等の発生を防止することができる。
【００２４】
また、前記絶縁基板１中に含有されるフィラー成分は、その含有量が２０重量％未満であると、フィラー成分の上記効果が充分に発揮されず、また絶縁基板１の熱膨張係数が大きくなる傾向にあり、また８０重量％を越えるとフィラー成分を熱硬化性樹脂で強固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前記絶縁基板１に含有されるフィラー成分の含有量は、２０〜８０重量％、特に４５〜６５重量％の範囲が好ましい。
【００２５】
また、配線回路層２は、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも１種の金属から形成されており、この配線回路層２は、これらの金属粉末にエポキシ樹脂等の有機樹脂を混合した導体ペーストを印刷したもの、または金属箔によって形成することができる。また、ビアホール導体３も、上記と同じ金属を充填したものであって、このビアホール導体３は、上記の導体ペーストを充填して形成される。
【００２６】
尚、前記導体ペーストにおける金属粉末は、その含有量が７０重量％未満では配線回路層２やビアホール導体３の導電性が悪くなる傾向にあり、また９５重量％を越えると金属粉末を有機樹脂で強固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前記配線回路層２やビアホール導体３を形成するペースト中の金属粉末の含有量は７０乃至９５重量％の範囲が好ましい。
【００２７】
また、配線回路層２は、その露出する表面に、Ｎｉ、Ａｕの群から選ばれる少なくとも１種の耐食性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により１．０乃至２０μｍの厚みに被着させておくと、配線回路層２の酸化腐食を有効に防止することができる。従って、通常、配線回路層２の露出する表面には、上記金属をによるメッキ層を１．０〜２０μｍの厚みで形成することが望ましい。
【００２８】
本発明におけるソルダーレジスト層４は、熱硬化性樹脂、無機質粉末および強磁性体粉末を含むことが重要である。無機質粉末としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、酸化チタン、ゼオライトの群から選ばれる少なくとも１種が選択される。
【００２９】
また強磁性体粉末としては、フェロ磁性体である鉄、ニッケル、コバルト、酸化クロムもしくはこれらの合金等の粉末、あるいはフェリ磁性体であるＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｂａフェライト、Ｍｇ−Ｍｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト等の各種のフェライト（ＭＯＦｅ2Ｏ3：Ｍは２価金属イオン）の群から選ばれる少なくとも１種の粉末が挙げられる。
【００３０】
さらに、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３１】
なお、このソルダーレジスト層４中において、無機質粉末および強磁性体粉末の合計の含有量が２０重量％未満であると、本発明の配線基板表面に半導体素子を実装した場合、シリコンやＧａＡｓなどの半導体素子との熱膨張差が大きくなるために、半導体素子の作動時に発生した熱によって、ソルダーレジスト層４が絶縁基板１から剥離したり、半導体素子との実装部に応力が発生し実装不良などを招く。また、上記含有量が８０重量％を超えると、無機質粉末および強磁性体粉末を熱硬化性樹脂で強固に結合することが困難となり、ソルダーレジスト層４を安定に形成することができない。
【００３２】
従って、ソルダーレジスト層４における無機質粉末および強磁性体粉末の含有量は２０〜８０重量％、特に４５〜６５重量％であることが必要である。また、無機質粉末と強磁性体粉末との合計量に対する強磁性体粉末の量は、強磁性体粉末の含有量が３０重量％未満となると配線回路層２からの不要輻射を吸収して高調波ノイズを有効に除去する効果が小さく、６０重量％を超えると、磁性体粉末と樹脂との結合が弱いために、ソルダーレジスト層４を形成するための未硬化のシートの強度が低くなり、製造上の取扱いが困難となる場合がある。従って、強磁性体粉末の含有量は、無機質粉末と強磁性体粉末との合計量に対して３０〜６０重量％、特に３５〜５０重量％の範囲とすることが望ましい。
【００３３】
なお、ソルダーレジスト層４中の無機質粉末の粒径としては、０．１μｍ未満では無機質粉末の比表面積が大きくなることから、レジストシートを形成する際に粘度が高くなり、シート体を安定して形成することが困難となる傾向がある。他方、２０μｍを超えるとレジストシートの表面粗さが粗くなるため、金属ペーストの印刷等によりその表面に均一な配線回路層を形成することが困難となる傾向がある。従って、無機質粉末の粒径は、０．１〜２０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００３４】
また、強磁性体粉末の粒径が、０．０５μｍ未満では強磁性体粉末の比表面積が大きくなることから、所定の量を充填するとレジストシートを形成する際に粘度が高くなりシート体を安定して形成することが困難となる傾向がある。他方、１０μｍを超えるとレジストシートの表面粗さが粗くなるため、金属ペーストの印刷等によりその表面に均一な配線回路層を形成することが困難となる傾向がある。従って、強磁性体粉末の粒径は、０．０５〜１０μｍの範囲とすることが好ましい。
【００３５】
さらに、強磁性体粉末の粒径と無機質粉末の粒径ならびに形状との関係については、強磁性体粉末を均一に分散させることにより強磁性体粉末の効果をより効率的に発揮させることとなることから、強磁性体粉末の粒径は無機質粉末の粒径の１／２以下とし、さらに強磁性体粉末の形状はアスペクト比が２以下の球状もしくは多面体状であることが好ましい。
【００３６】
本発明によれば、上記のようにソルダーレジスト層４が所定量の強磁性体粉末を有しているので、強磁性体粉末が不要輻射を熱エネルギーに変換吸収し、また高透磁率を有するため損失（ｔａｎδ）が大きくなって高調波ノイズに対して高インピーダンスとなる。従って、配線回路層２を伝搬する入出力信号から不要輻射が生じたり、あるいは配線基板に搭載される半導体素子より高調波ノイズを含んだ出力信号が配線回路層２を介して外部電気回路基板に伝搬されようとしたり、外部電気回路基板より高調波ノイズを含んだ入力信号が配線回路層２を介して半導体素子に伝搬されようとしても、不要輻射や入出力信号に含まれる高調波ノイズは強磁性体粉末により吸収除去されることとなり、その結果、不要輻射がノイズとして発生したり、高調波ノイズが半導体素子より外部電気回路基板に、あるいは外部電気回路基板より半導体素子に伝搬されることがなくなる。かかる効果を充分に発揮する上で、ソルダーレジスト層の厚みは５μｍ以上、特に２０μｍ以上が適当である。なお、ノイズ除去の点では、上限を定めるものではないが、厚すぎると、配線回路層２に施される半田量が大量に必要となり望ましくなく、１００μｍ以下が適当である。
【００３７】
次に、上述の本発明の配線基板の製造方法について図２に基づいて説明する。
【００３８】
先ず、図２（ａ）に示すように繊維または無機質粉末と熱硬化性樹脂との複合体からなる未硬化の絶縁シート１１ａ〜１１ｃを準備する。なお、この未硬化とは、硬化処理を行っていない、または半硬化状態を意味する。なお、この絶縁シート中には、例えば、フィラーとして、酸化珪素粉末やチタン酸カリウムウイスカーなどと、これを結合するビスフェノールＡ型エボキシ樹脂などの熱硬化性樹脂と、イミダゾール系硬化剤等の硬化剤等を含む。
【００３９】
この絶縁シート１１ａ〜１１ｃは、いずれも上記混合物をペースト化し、ドクターブレード法などのシート成形法によってシート状に成形することによって作製される。また、シート化後に、約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬化させてシートを取り扱いを容易にすることもできる。
【００４０】
次に図２（ｂ）に示すように、上記の各絶縁シート１１ａ〜１１ｃの所定箇所にそれぞれ周知のパンチング法、レーザー法を用いて貫通孔を形成し、その貫通孔に、金属粉末および有機樹脂を含む導体ペーストを充填してビアホール導体１２を形成する。
【００４１】
その後、図２（ｃ）に示すように、ビアホール導体１２を形成した絶縁シート１１ａ〜１１ｃの各表面に、配線回路層１３を形成する。この配線回路層１３は、ビアホール導体１２に充填したのと同様な導体ペーストを用いてスクリーン印刷によって所定の回路状に形成することができる。この導体ペーストを用いて印刷によって形成する場合には、上記のビアホール導体１２の形成と配線回路層１３との形成を同時に行うことができる。なお、導体ペーストによってビアホール導体や配線回路層形成後に、約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬化させることが望ましい。
【００４２】
また、配線回路層１３は、金属箔によって形成することもできる。金属箔によって形成する場合には、絶縁シート１１ａ〜１１ｃ表面に金属箔を接着した後、エッチング処理して回路状に形成するか、または所定の転写フィルム上で金属箔を用いて回路状に形成した後に、絶縁シート表面に転写して形成することもできる。この転写法によれば、絶縁シートの形成と配線回路層の形成を平行して行うことができる点で有効である。
【００４３】
尚、ビアホール導体１２や配線回路層１３となる金属ペーストは、例えば平均粒径が０．１〜２０μｍのＣｕなどの金属粉末に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合することによって製作される。また、この導体ペースト中には、錫−鉛半田等から成る低融点金属粉末を配合させ、硬化処理時に低融点金属粉末を溶融させ、この溶融した低融点金属により金属粉末を結合することによって配線回路層やビアホール導体の低抵抗化を図ることができる。
【００４４】
一方、平均粒径が０．１〜２０μｍの無機質粉末と、平均粒径が０．０５〜１０μｍの強磁性体粉末と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂の群から選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂およびアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤の群から選ばれる少なくとも１種の硬化剤を混合して得たペーストをドクターブレード法等のシート成形法によってシート化して、厚さ５〜１００μｍのレジストシート１４ａ、１４ｂを作製する。そして、適宜、約２５〜１３０℃の温度で半硬化させる。
【００４５】
そして、このレジストシート１４ａ、１４ｂに対して、所定箇所にパンチング法、レーザー法を用いて貫通孔１５を形成する。
【００４６】
そして、図２（ｄ）に示すように、ビアホール導体１２、配線回路層１３が形成された絶縁シート１１ａ〜１１ｃを積層するとともに、その積層体の上下面に、レジストシート１４ａ、１４ｂを積層した後、これを各シート中に含まれる熱硬化性樹脂が完全に硬化する温度、例えば２００〜３００℃の温度で、約１０秒〜２４時間加熱して、それらを完全に硬化することによって本発明の配線基板を作製することができる。
【００４７】
上記図２の例では、３枚の絶縁シート１１ａ〜１１ｃを積層することによって配線基板を製作したが、絶縁シートの層数は、４枚以上でも、また１枚であってもよい。
【００４８】
【実施例】
熱硬化性樹脂として熱硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂およびトリアリルイソシアヌレートの混合樹脂を３５重量％、平均粒径が５μｍの球状溶融ＳｉＯ2６５重量％との混合物に対して、溶媒としてトルエンを加え、さらに有機樹脂の硬化を促進させるための触媒を添加混合した後、スラリーをドクターブレード法により厚さ２００μｍの絶縁シートを作製した。そしてこの絶縁シートに対して、炭酸ガスレーザーで直径１００μｍのビアホールを形成し、そのホール内に銀をメッキした銅粉末とバインダーとしてエポキシ樹脂を含む導体ペーストを充填してビアホール導体を形成した。
【００４９】
一方、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の樹脂フィルム表面に、表面粗さ（Ｒａ）０．４μｍ、厚み１２μｍの電解銅箔をアクリル系の接着剤を介して接着した。そして、この銅箔の表面に感光性のレジストを塗布し、ガラスマスクを通して露光して回路パターンを形成した後、これを塩化第二鉄溶液中を噴霧して非パターン部を３５μｍ／ｍｉｎの速度でエッチング除去して鏡像の配線回路層を形成した。
【００５０】
そして、配線回路層が形成された樹脂フィルムをビアホール導体が形成された前記絶縁シートの表面に位置合わせして積層して、３０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で３０秒加圧した後、樹脂フィルムと接着層のみを剥離して絶縁シートに配線回路層を転写させた。なお、絶縁シートに転写された配線回路層は、絶縁シートの表面に完全に埋設され、絶縁シート表面と配線回路層の表面とは同一平面となっていることを確認した。
【００５１】
また、レジストシートとして、熱硬化型ポリフェニレンエーテルからなる熱硬化性樹脂を５５重量％と、平均粒径が２μｍの球状溶融ＳｉＯ2粉末を２５重量％と、平均粒径が１μｍのＭｎ−Ｚｎフェライトの強磁性体粉末を２０重量％の比率で混合したものに、溶媒としてトルエンを加え、さらに有機樹脂の硬化を促進させるための触媒を添加混合してスラリーを形成した後、このスラリーを用いてドクターブレード法によりシート加工した結果、厚さ４０μｍの良好なレジストシートを作製できた。そしてこのレジストシートに対して、炭酸ガスレーザーで加工を行ったところ、良好な貫通孔を形成することができた。
【００５２】
そして、前記と同様にして作製された配線回路層およびビアホール導体が形成された絶縁シート５層と、その最上面、最下面にレジストシートを積層して、これらを３０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、２００℃、２時間加熱処理して配線基板を作製した。
【００５３】
なお、上記の絶縁シートおよびレジストシートを熱硬化後に２５〜１８０℃の熱膨張係数を測定した結果、２２×１０-6／℃、２５×１０-6／℃と近似した特性を有していることを確認した。
【００５４】
また、作製した配線基板に対して、−５５〜１２５℃の温度サイクルを２０００サイクル行い、配線基板の内層や、絶縁基板とソルダーレジスト層との界面を観察した結果、温度サイクル試験においても層間剥離のない信頼性の高い配線基板を作製することができた。
【００５５】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、ソルダーレジスト層を熱硬化性樹脂、無機質粉末および強磁性体粉末を含む絶縁体によって形成することによって、ソルダーレジスト層に、ノイズ除去機能を具備することから、配線基板内の配線回路層からの外部への不要輻射を抑制し、高調波ノイズの有効に除去して、外部電気回路基板に対してノイズを放出しにくくすることができる。また、このソルダーレジスト層中に強磁性体粉末とともに無機質粉末を含有せしめることによって、ソルダーレジスト層の熱膨張係数を任意の値に調整することができ、配線基板の熱膨張特性に整合させることができ、ノイズ除去性を具備するソルダーレジスト層の配線基板との密着信頼性を高めることができる。
【００５６】
また、このソルダーレジスト層は、熱硬化性樹脂、無機質粉末および強磁性体粉末を含むレジストシートを積層して、配線基板の硬化とと同時に一括して硬化することによって、レジスト層の配線基板表面への形成や容易であり、加工も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の図１の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  配線回路層
３  ビアホール導体
４  ソルダーレジスト層
【図１】
0004845274.tif 000002
【図２】
0004845274.tif 000003