(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層と第２の絶縁層が接するように、前記第１の絶縁層上に、前記第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離し、
前記第１の基板、前記第１の絶縁層、前記剥離層、及び前記第２の絶縁層に対して、レーザ光を照射して、前記剥離層の一部が露出するような開口部を形成し、
前記第２の絶縁層上に、異方性導電層またはバンプと、アンテナとして機能する第２の導電層とが設けられた第３の基板を配置することにより、前記異方性導電層または前記バンプを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層が電気的に接続され、
前記第３の基板を用いて、前記第１の基板から前記トランジスタを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層と第２の絶縁層が接するように、前記第１の絶縁層上に、前記第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板を用いて、前記第１の基板と前記トランジスタを分離し、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離し、
前記第１の基板、前記第１の絶縁層、前記剥離層、及び前記第２の絶縁層に対して、レーザ光を照射して、前記剥離層の一部が露出するような開口部を形成し、
前記第２の絶縁層上に、異方性導電層またはバンプと、アンテナとして機能する第２の導電層とが設けられた第３の基板を配置することにより、前記異方性導電層または前記バンプを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の基板と前記第２の絶縁層と間に紫外線により接着力が弱くなる接着剤を有する層を設け、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離する前に、前記接着剤に対して紫外線を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の絶縁層の厚さは、１０μｍ乃至３００μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は、シリコーン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン、フェノール、ユリア、メラミン、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド又はポリウレタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。半導体装置とは、トランジスタを含むものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触でデータの送信と受信を行うことが可能な半導体装置の開発が進められている。このような半導体装置は、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）、ＲＦチップ、ＲＦタグ、ＩＣチップ、ＩＣタグ、ＩＣラベル、無線チップ、無線タグ、電子チップ、電子タグ、無線プロセッサ、無線メモリ等と呼ばれ（例えば、特許文献１参照）、既に一部の分野において、導入が開始されている。なお、非接触でデータの送信と受信を行うことが可能な半導体装置は、トランジスタとアンテナの両者が設けられた基板を用いる場合と、トランジスタが設けられた第１の基板とアンテナが設けられた第２の基板を用いる場合の２つに大別される。
【特許文献１】特開２００４−２８２０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、強度を向上させることにより、信頼性を向上させた半導体装置を提供することを課題とする。また、強度を向上させることにより、高付加価値化を実現した半導体装置を提供することを課題とする。また、本発明は、生産性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の半導体装置は、複数のトランジスタを含む積層体と、導電層が設けられた基板との間に、１０μｍ〜３００μｍの厚さの絶縁層（保護層、バッファ層ともいう）を設けることを特徴とする。上記特徴により、強度を向上させ、信頼性を向上させることができる。また、強度の向上により、信頼性の向上、高付加価値化を実現することができる。
【０００５】
本発明の半導体装置は、トランジスタと、トランジスタ上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース又はドレインに接続された第１の導電層と、第１の絶縁層と第１の導電層上に設けられた第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、第２の絶縁層と第２の導電層上に設けられた基板とを有する。第１の導電層は、第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、第２の導電層に電気的に接続されている。また、第２の絶縁層の厚さは、１０μｍ乃至３００μｍである。より好ましくは、５０μｍ乃至３００μｍである。
【０００６】
上記構成において、第１の導電層は、ソース配線又はドレイン配線に相当する。また、第２の導電層は、接続配線として機能する。また、第２の導電層は、アンテナとして機能する。また、第２の絶縁層（保護層、バッファ層ともいう）は、シリコーン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン、フェノール、ユリア、メラミン、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド又はポリウレタンである。
【０００７】
本発明の半導体装置の作製方法は、第１の基板上にトランジスタを形成する工程と、トランジスタ上に第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース又はドレインに接続された第１の導電層を形成する工程と、第１の絶縁層と第２の絶縁層が接着するように、第１の絶縁層上に第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置する工程と、第１の基板、第１の絶縁層、第１の導電層及び第２の絶縁層を基板から分離する工程と、第２の絶縁層上に、異方性導電層とアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた第３の基板を配置して、異方性導電層を介して第１の導電層と第２の導電層を電気的に接続させる工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体装置の作製方法は、第１の基板上にトランジスタを形成する工程と、トランジスタ上に第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース又はドレインに接続された第１の導電層を形成する工程と、第１の絶縁層と第２の絶縁層が接着するように、第１の絶縁層上に第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置する工程と、第１の基板、第１の絶縁層、第１の導電層及び第２の絶縁層を基板から分離する工程と、第２の絶縁層上に、突起電極、異方性導電層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた第３の基板を配置して、突起電極及び異方性導電層を介して第１の導電層と第２の導電層を電気的に接続させる工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
上記構成を有する本発明により、強度を向上させ、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。また、強度の向上により、高付加価値化を実現した半導体装置を提供することができる。また、上記構成を有する本発明により、生産性を向上させた半導体装置の作製方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下の説明において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００１１】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置とその作製方法について、図１、２の断面図と図３、４の上面図を参照して説明する。なお、図１（Ａ）は図３（Ａ）、図１（Ｂ）は図３（Ｂ）、図２（Ａ）は図３（Ｃ）、図２（Ｂ）は図４（Ｃ）の上面図の点Ａから点Ｂの断面図である。
【００１２】
まず、基板１０の一方の面上に、絶縁層１１を形成する（図１（Ａ）参照）。次に、絶縁層１１上に剥離層１２を形成する。続いて、剥離層１２上に絶縁層１３を形成する。
【００１３】
基板１０は、ガラス基板、プラスチック基板、シリコン基板、石英基板等である。好適には、基板１０として、ガラス基板又はプラスチック基板を用いるとよい。ガラス基板とプラスチック基板は、１辺が１メートル以上のものを作成することが容易であり、また、四角形状等の所望の形状のものを作成することが容易であるからである。これは、例えば、四角形状で、１辺が１メートル以上のガラス基板やプラスチック基板を用いると、生産性を大幅に向上させることができるからである。このような利点は、円形で、最大で直径が３０センチ程度のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【００１４】
絶縁層１１、１３は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素の酸化物、珪素の窒化物、窒素を含む珪素の酸化物、酸素を含む珪素の窒化物などを形成する。絶縁層１１は、基板１０からの不純物元素が上層に侵入してしまうことを防止する役目を担う。但し、絶縁層１１は、必要がなければ、形成しなくてもよい。
【００１５】
剥離層１２は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。剥離層１２として、珪素を含む層を形成する場合、この層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【００１６】
剥離層１２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物、タングステンの酸化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの窒化酸化物、モリブデンの酸化物、モリブデンの酸化窒化物、モリブデンの窒化酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物のいずれかを含む層を形成する。
【００１７】
剥離層１２が積層構造の場合、好ましくは、１層目として、タングステン、モリブデン、タングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステンの酸化物、モリブデンの酸化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステンの酸化窒化物、モリブデンの酸化窒化物、タングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物を形成する。
【００１８】
なお、剥離層１２として、タングステンとタングステンの酸化物の積層構造を形成する場合、まず、剥離層１２としてタングステンを含む層を形成し、その上層の絶縁層１３として、珪素の酸化物を含む層を形成することにより、タングステンを含む層と珪素の酸化物を含む層との間に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンの窒化物、タングステンの酸化窒化物、タングステンの酸化窒化物を含む層等を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に珪素の窒化物を含む層、酸素を含む窒化珪素層、窒素を含む酸化珪素層を形成するとよい。
【００１９】
次に、絶縁層１３上に複数のトランジスタ１４を形成する。この工程では、複数のトランジスタ１４として、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を形成する。
【００２０】
複数のトランジスタ１４の各々は、半導体層５０、ゲート絶縁層（単に絶縁層ともいう）５１、ゲート（ゲート電極ともいう）である導電層５２を有する。半導体層５０は、ソース又はドレインとして機能する不純物領域５３、５４、チャネル形成領域５５を有する。不純物領域５３、５４には、Ｎ型を付与する不純物元素（例えばリン（Ｐ）、砒素（Ａｓ））、又はＰ型を付与する不純物元素（例えばボロン（Ｂ））が添加されている。不純物領域５４は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域である。
【００２１】
なお、複数のトランジスタ１４の各々は、半導体層５０上にゲート絶縁層５１が設けられ、ゲート絶縁層５１上に導電層５２が設けられたトップゲート型、導電層５２上にゲート絶縁層５１が設けられ、ゲート絶縁層５１上に半導体層５０が設けられたボトムゲート型のどちらのタイプでもよい。また、複数のトランジスタ１４から選択された１つ又は複数のトランジスタは、ゲート電極が２つ以上、チャネル形成領域が２つ以上あるマルチゲート型のトランジスタでもよい。
【００２２】
また、図示する構成では、基板１０上に複数のトランジスタ１４のみを形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。基板１０上に設ける素子は、半導体装置の用途によって適宜調整するとよい。例えば、非接触でデータの送信と受信を行う機能を有する場合、基板１０上に複数のトランジスタのみ、又は基板１０上に複数のトランジスタとアンテナとして機能する導電層を形成するとよい。また、データを記憶する機能を有する場合、基板１０上に複数のトランジスタと記憶素子（例えば、トランジスタ、メモリトランジスタ等）を形成するとよい。また、回路を制御する機能や信号を生成する機能等を有する場合（例えば、ＣＰＵ、信号生成回路等）、基板１０上にトランジスタを形成するとよい。また、上記以外にも、必要に応じて、抵抗素子や容量素子などの他の素子を形成するとよい。
【００２３】
次に、複数のトランジスタ１４上に、絶縁層１５〜１７を形成する。絶縁層１５〜１７は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ（スピン  オン  グラス）法、液滴吐出法等を用いて、珪素の酸化物、珪素の窒化物、ポリイミド、アクリル、シリコーン、シロキサン等を用いて形成する。シロキサンは、例えば、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）、フルオロ基、又は少なくとも水素を含む有機基とフルオロ基を用いたものである。
【００２４】
なお、上記の構成では、複数のトランジスタ１４上に３層の絶縁層（絶縁層１５〜１７）を形成しているが、本発明はこの構成に制約されない。複数のトランジスタ１４上に設けられる絶縁層の数は制約されない。
【００２５】
次に、絶縁層１５〜１７に開口部を形成して、複数のトランジスタ１４の各々のソース（ソース領域、ソース電極ともいう）、又はドレイン（ドレイン領域、ドレイン電極ともいう）に接続された導電層１８〜２５を形成する（図１（Ａ）、図３（Ａ）参照）。導電層１８〜２５は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、めっき法等により、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。導電層１８〜２５は、ソース配線又はドレイン配線として機能する。
【００２６】
次に、絶縁層１７と導電層１８〜２５上に、絶縁層３２（保護層、バッファ層ともいう）を設ける（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）参照）。絶縁層３２は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＳＯＧ（スピン  オン  グラス）法、液滴吐出法等を用いて１０μｍ〜３００μｍ、好ましくは５０μｍ〜３００μｍ、より好ましくは１００〜３００μｍの厚さになるように、単層又は積層で形成する。なお、絶縁層３２には、開口部３３〜３６が設けられている。絶縁層３２は、シリコーン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂（アクリルニトリル、ブタジエン、スチレンの三つが重合した樹脂）、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド、ポリウレタン等の材料により形成する。
【００２７】
絶縁層３２の厚さは、半導体装置の用途、半導体装置の用途に必要な強度、半導体装置に必要な信頼性に応じて、適宜決定される。半導体装置の強度を向上するためには、絶縁層３２の厚さはより厚くするとよい。
【００２８】
なお、作製工程を連続的に行う場合、基板３１上の絶縁層３２を剥離し、剥離された絶縁層３２を、絶縁層１７と導電層１８〜２５上に設けるという手法で、絶縁層３２を形成するとよい。なお、基板３１上の絶縁層３２には、開口部３３〜３６が設けられているが、これらの開口部３３〜３６は、基板３１上の全面に絶縁層３２を形成し、その後、フォトリソグラフィ法により形成するとよい。または、スクリーン印刷法や液滴吐出法により、基板３１上に、開口部３３〜３６を含む絶縁層３２を設けるとよい。
【００２９】
また、基板３１上から絶縁層３２の剥離は、例えば、以下の方法で行うとよい。まず、あらかじめ基板３１と絶縁層３２の間に、加熱により接着力が弱くなる接着剤からなる層（接着層ともいう）を設けておく。次に、加熱処理を行って、基板３１と絶縁層３２との密着性を弱くして、基板３１から絶縁層３２を剥離するという方法である。また、上記の方法とは別の方法として、あらかじめ基板３１と絶縁層３２の間に、光学的作用（例えば、紫外光）により接着力が弱くなる接着剤からなる層を設けておく。次に、紫外光を照射し、基板３１と絶縁層３２との密着性を弱くして、基板３１から絶縁層３２を剥離するという方法である。
【００３０】
次に、少なくとも、剥離層１２の一部が露出するような開口部（穴ともいう）３７を形成する（図２（Ａ）、図３（Ｃ）参照）。この工程は、フォトリソグラフィ法やレーザービームの照射等により行う。但し、処理時間が短い点から、レーザービームの照射により行うとよい。レーザービームは、基板１０、絶縁層１１、剥離層１２、絶縁層１３、１５〜１７、３２に対して照射される。また、レーザービームは、絶縁層３２の表面から照射される。開口部３７は、少なくとも、剥離層１２の一部が露出するように形成される。そのため、少なくとも、絶縁層１３、１５〜１７、３２には、開口部３７が設けられる。図示する構成では、レーザービームが、基板１０にまで達し、絶縁層１１、剥離層１２、絶縁層１３、１５〜１７、３２に開口部３７を形成した場合を示す。
【００３１】
レーザーは、レーザー媒質、励起源、共振器により構成されている。レーザーは、媒質により分類すると、気体レーザー、液体レーザー、固体レーザーがあり、発振の特徴により分類すると、自由電子レーザー、半導体レーザー、Ｘ線レーザーがあるが、本発明では、いずれのレーザーを用いてもよい。なお、好ましくは、気体レーザー又は固体レーザーを用いるとよく、さらに好ましくは固体レーザーを用いるとよい。
【００３２】
なお、本発明に用いるレーザーには、連続発振型のレーザービームやパルス発振型のレーザービームを用いることができる。レーザービームの照射条件、例えば、周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等は、複数のトランジスタ１４を含む積層体の厚さなどを考慮して調整するとよい。
【００３３】
また、上記のレーザービームを照射する工程では、アブレーション加工を用いることを特徴としている。アブレーション加工とは、レーザービームを照射した部分、つまり、レーザービームを吸収した部分の分子結合が切断されて、光分解し、気化して蒸発する現象を用いた加工である。つまり、本発明では、レーザービームを照射して、基板１０、絶縁層１１、剥離層１２、絶縁層１３、１５〜１７、３２の一部の表面（ある部分）の分子結合を切断し、光分解し、気化して蒸発させることにより、開口部３７を形成している。
【００３４】
また、レーザーは、紫外領域である１〜３８０ｎｍの波長の固体レーザーを用いるとよい。好ましくは、１〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーを用いるとよい。その理由は、１〜３８０ｎｍの波長のＮｄ：ＹＶＯ４レーザーは、他の高波長側のレーザーに比べ、基板に光が吸収されやすく、アブレーション加工が容易であるという利点、また、加工部の周辺に影響を与えず、加工性がよいという利点があるからである。
【００３５】
次に、アンテナ（アンテナとして機能する導電層）２６と容量素子２７が設けられた基板３８を準備する（図４（Ａ）参照）。アンテナ２６、容量素子２７の各々は、スクリーン印刷法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて形成する。図２（Ｂ）には、アンテナ２６の導電層３９、４０の一部を図示する。
【００３６】
次に、アンテナ２６と基板３８上に、突起電極（バンプともいう）４１、４２と、異方性導電層４３を形成する。なお、突起電極４１、４２は、絶縁層３２の開口部３３〜３６を充填する厚さである必要がある。そのため、突起電極４１、４２は、１０μｍ〜３００μｍ、好ましくは５０μｍ〜３００μｍの厚さのものを用いる。突起電極４１、４２は、金、銀、銅、ニッケル、すず、鉛、はんだなどを用いて形成する。異方性導電層４３は、接着剤中に導電性フィラーが設けられた材料であり、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）ともよばれる。異方性導電層４３は、スクリーン印刷法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ法等を用いて、均一の厚さで形成する。なお、上記の構成では、突起電極４１、４２と異方性導電層４３の両方を設けているが、本発明はこの構成に制約されない。突起電極４１、４２と異方性導電層４３の一方のみを設けてもよい。
【００３７】
次に、突起電極４１、４２と異方性導電層４３を用いて、基板３８と複数のトランジスタ１４を含む積層体とを貼り合わせる。突起電極４１、４２と異方性導電層４３を設けることにより、導電層１８と導電層３９、導電層２１と導電層４０とを電気的に接続させることができる。この際、必要があれば、フリップチップボンダー、ダイボンダー、ＡＣＦ貼り付け機、圧着機等により、基板３８と複数のトランジスタ１４を含む積層体に対して、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。
【００３８】
次に、基板３８を用いて、基板１０から、複数のトランジスタ１４を含む積層体を分離する（図２（Ｂ）、図４（Ｃ）参照）。なお、基板１０からの、複数のトランジスタ１４を含む積層体の分離は、剥離層１２の内部又は剥離層１２と絶縁層１３を境界として行われる。図示する構成では、分離の工程は、剥離層１２と絶縁層１３の間を境界として行われた場合を示す。なお、この分離の工程では、基板３８を用いることを特徴としている。このように、基板３８を用いると、基板１０からの積層体の分離の工程を容易にかつ短時間で行うことができる。
【００３９】
次に、上記の複数の工程を連続的に行うことができる貼り合わせ装置（ラミネート装置、封止装置、ロールトウロール装置ともいう）の構成について、図５を参照して説明する。
【００４０】
貼り合わせ装置は、基板１０を搬送する搬送手段２０３と、基板３１の移動を制御するローラー２０６と、基板３１を回収するローラー２０７と、基板３８の移動を制御するローラー２１２を有する。また、貼り合わせ装置には、複数のトランジスタを含む層２０１が設けられた基板１０と、絶縁層３２が設けられた基板３１と、切断手段２０８とが用いられる。
【００４１】
搬送手段２０３は、複数のトランジスタを含む層２０１が設けられた基板１０を搬送するものであり、ローラー２０６が回転する速度に合わせて、所定の速度で、基板１０を搬送する。搬送手段２０３は、例えば、ベルトコンベア、複数のローラー、ロボットアームに相当する。搬送手段２０３がロボットアームに相当する場合、ロボットアームは、基板１０をそのまま搬送するか、又は基板１０が設置されたステージを搬送する。
【００４２】
ローラー２０６、２０７、２１２の各々は、円筒形のころがるものであり、例えば、表面の磨かれた円筒状の鋳造品等に相当する。ローラー２０６、２０７、２１２の各々は、所定の速度で回転する。ローラー２０６が回転することにより、基板３１が移動し、基板３１はローラー２０７の方向に流れていく。また、ローラー２０７が回転することにより、ローラー２０７自体に基板３１が巻き付けてられていく。つまり、ローラー２０７により、基板３１が回収される。また、ローラー２１２が回転することにより、基板３８が移動する。切断手段２０８は、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザー照射装置等に相当する。
【００４３】
ローラー２０６、２０７、２１２の各々は、例えば、表面に耐熱性のゴムが設けられた円筒形のものに相当する。このような耐熱性のゴムの耐熱温度は、２００〜２８０℃である。
【００４４】
次に、上記構成の貼り合わせ装置の動作について、説明する。まず、搬送手段２０３により、複数のトランジスタを含む層２０１が設けられた基板１０が搬送される（図１（Ａ）、図５参照）。複数の基板１０は、規則的に配列され、順次搬送される。
【００４５】
次に、複数のトランジスタを含む層２０１上に、絶縁層３２が設けられる（図１（Ａ）、図５参照）。この動作では、基板３１上に設けられた絶縁層３２を剥離し、剥離された絶縁層３２が、複数のトランジスタを含む層２０１上に設けられる。
【００４６】
このように、基板３１上の絶縁層３２を剥離（分離）し、剥離した絶縁層３２を用いると、複数のトランジスタを含む層２０１上に絶縁層３２を設ける工程を連続的に行うことができる。これは、版を必要とした技術（例えば、スクリーン印刷）を用いる場合と比較して、大きな利点である。その理由は、版は、その大きさに制限があるからである。
【００４７】
次に、切断手段２０８により、複数のトランジスタを含む層２０１が有する剥離層が露出するような開口部を形成する（図２（Ａ）、図５参照）。この工程では、切断手段２０８により、絶縁層３２、複数のトランジスタを含む層２０１及び基板１０を切断する。
【００４８】
次に、導電層３９、４０が設けられた基板３８を用いて、基板１０から、複数のトランジスタを含む層２０１の積層体を分離する（図２（Ｂ）、図５参照）。そうすると、基板３８と複数のトランジスタを含む半導体装置が完成する。なお、基板１０からの複数のトランジスタを含む層２０１の分離は、上述したように、剥離層の内部、又は剥離層とその上層の絶縁層との界面を境界として行われるが、図５では、剥離層の図示を省略している。
【００４９】
上記の貼り合わせ装置を用いて、複数の工程を連続的に行うことにより、作製時間を短縮させて、生産性を向上させることができる。また、生産性を向上させることにより、作製費用の低減を図ることができる。
【００５０】
（実施の形態２）
上記とは異なる本発明の半導体装置の作製方法について、図６、７の断面図と図３、８の上面図を参照して説明する。
【００５１】
まず、基板１０の一方の面上に、絶縁層１１を形成する（図６（Ａ）参照）。次に、絶縁層１１上に剥離層１２を形成する。続いて、剥離層１２上に絶縁層１３を形成する。次に、絶縁層１３上に複数のトランジスタ１４を形成する。次に、複数のトランジスタ１４上に、絶縁層１５〜１７を形成する。次に、絶縁層１５〜１７に開口部を形成して、複数のトランジスタ１４の各々のソース又はドレインに接続された導電層１８〜２５を形成する（図６（Ａ）、図３（Ａ）参照）。次に、絶縁層１７と導電層１８〜２５上に、絶縁層４６が設けられた基板４５を設ける（図６（Ａ）参照）。
【００５２】
次に、絶縁層４６が設けられた基板４５を用いて、基板１０から、複数のトランジスタ１４を含む積層体を分離する（図６（Ｂ）参照）。なお、基板１０からの複数のトランジスタ１４を含む積層体の分離は、剥離層１２の内部、又は剥離層１２と絶縁層１３を境界として行われる。図示する構成では、基板１０から、複数のトランジスタ１４を含む積層体の分離は、剥離層１２と絶縁層１３の間を境界として行われた場合を示す。また、絶縁層４６の表面には、接着剤を含む層（接着層）を設けておくとよい。そして、絶縁層４６と絶縁層１７とを接着させることにより、基板１０から、複数のトランジスタ１４を含む積層体を分離するとよい。
【００５３】
次に、基板４５と絶縁層４６とを分離すると共に、絶縁層１１の表面に基板６１を設ける（図７（Ａ）参照）。なお、基板４５と絶縁層４６を分離するため、基板４５と絶縁層４６との間には、加熱により接着力が弱くなる接着剤からなる層（接着層ともいう）を設けておくよい。その後、加熱処理を行って、基板４５と絶縁層４６との密着性を弱くして、基板４５から絶縁層４６を剥離するとよい。また、上記の方法とは別の方法として、基板４５と絶縁層４６の間に、光学的作用（例えば、紫外光）により接着力が弱くなる接着剤からなる層を設けておくよい。その後、紫外光を照射し、基板４５と絶縁層４６との密着性を弱くして、基板４５から絶縁層４６を剥離するとよい。
【００５４】
このように、基板４５上の絶縁層４６を分離し、分離した絶縁層４６を用いると、複数のトランジスタ１４を含む積層体上に絶縁層４６を設ける工程を連続的に行うことができる。これは、版を必要とした技術（例えば、スクリーン印刷）を用いる場合と比較して、大きな利点である。その理由は、版は、その大きさに制限があるからである。
【００５５】
次に、基板６１、絶縁層１３、１５〜１７、絶縁層４６に、開口部６２を形成する（図７（Ｂ）参照）。開口部６２の形成は、フォトリソグラフィ法やレーザービームの照射により行う。
【００５６】
次に、アンテナ６４が設けられた基板６８を準備する（図８（Ｂ）参照）。アンテナ６４は、スクリーン印刷法、液滴吐出法、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて形成する。続いて、アンテナ６４と基板６８上に、突起電極６６、６７と異方性導電層６５を形成する。
【００５７】
次に、異方性導電層６５を用いて、基板６３と複数のトランジスタ１４を含む積層体とを貼り合わせる（図８（Ａ）（Ｃ）参照）。必要があれば、フリップチップボンダー、ダイボンダー、ＡＣＦ貼り付け機、圧着機等により、基板６３と複数のトランジスタ１４を含む積層体に対して、加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行う。
【００５８】
次に、上記の複数の工程を連続的に行うことができる貼り合わせ装置の構成について、図９を参照して説明する。
【００５９】
貼り合わせ装置は、基板１０を搬送する搬送手段２０３と、基板４５の移動を制御するローラー２２３〜２２６と、基板４５を回収するローラー２２２と、基板６１の移動を制御するローラー２２７、２２８と、ローラー２２７、２２８に基板６１を供給するローラー２２１とを有する（図９（Ａ）（Ｂ）参照）。また、貼り合わせ装置には、複数のトランジスタを含む層２０１が設けられた基板１０と、絶縁層４６が設けられた基板４５と、切断手段２０８と、アンテナ６４が設けられた基板６８（図１０（Ｂ）参照）とが用いられる。
【００６０】
ローラー２１２、２２１〜２２８の各々は、所定の速度で回転する。ローラー２２３〜２２６が回転することにより、基板４５が移動する。また、ローラー２２２が回転することにより、基板４５が、ローラー２２２（ローラー２２２自体）に巻き付く。ローラー２２７、２２８が回転することにより、基板６１が移動する。ローラー２２１が回転することにより、基板６１がローラー２２７、２２８の方向に供給される。
【００６１】
次に、上記の貼り合わせ装置の動作について、以下に説明する。
【００６２】
まず、搬送手段２０３により、複数のトランジスタを含む層２０１が設けられた基板１０が搬送される（図６（Ａ）、図９（Ａ）参照）。複数の基板１０は、規則的に配列され、順次搬送される。
【００６３】
次に、複数のトランジスタを含む層２０１上に、基板４５を設ける。基板４５を用いて、基板１０から、複数のトランジスタを含む層２０１を分離する（図６（Ａ）（Ｂ）、図９（Ａ）参照）。なお、基板４５上には、絶縁層４６が設けられている。また、基板３８からの複数のトランジスタを含む層２０１の分離は、上述したように、剥離層の内部、又は剥離層とその上層の絶縁層との界面を境界として行われるが、図５では、剥離層の図示を省略している。
【００６４】
次に、複数のトランジスタを含む層２０１の表面に、基板６１を設けると共に、絶縁層４６と基板４５を分離する（図７（Ａ）、図９（Ｂ）参照）。次に、切断手段２０８により、基板６１、複数のトランジスタを含む層２０１及び絶縁層４６を切断する（図７（Ｂ）、図９（Ｂ）参照）。次に、アンテナ６４が設けられた基板６８と、複数のトランジスタを含む層２０１を有する積層体とを接着する（図８（Ａ）、図９（Ｂ）参照）。そうすると、基板３８と複数のトランジスタを含む半導体装置が完成する。
【００６５】
上記の貼り合わせ装置を用いて、複数の工程を連続的に行うことにより、作製時間を短縮させて、生産性を向上させることができる。また、生産性を向上させることにより、作製費用の低減を図ることができる。
【実施例１】
【００６６】
本発明の半導体装置に用いられる、導電層が設けられた基板の例について説明する。導電層が設けられた基板は、例えば、以下の２つのようなものがある。導電層は、アンテナや接続配線として機能する。
【００６７】
１つは、基板上に、導電層が設けられたものである。導電層は、銅、銀、金、アルミニウム、チタンなどにより形成されている。導電層の露出された部分は、酸化防止のため、金などによりメッキが施されている。
【００６８】
もう１つは、基板上に、導電層が設けられ、当該導電層上に保護層が設けられたものである。保護層は、基板と絶縁性の樹脂の一方又は両方が設けられている。絶縁性の樹脂とは、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、合成ゴム系樹脂である。保護層には、所望の箇所に穴（開口部）が設けられており、その穴を介して、導電層が露出されている。
【００６９】
なお、基板２３０上の導電層２３１をアンテナとして機能させる場合、導電層２３１の形状は制約されない（図１０（Ａ）〜（Ｄ）参照）。例えば、線状（ダイポールアンテナ等、図１０（Ａ）参照）、輪状（ループアンテナ）、らせん状（スパイラルアンテナ）、直方体で平坦なもの（パッチアンテナ等、図１０（Ｂ）参照）、リボン型のもの（図１０（Ｃ）参照）、曲線状のもの（図１０（Ｄ）参照）などがある。そして、導電層２３１が設けられた基板２３０上に、複数のトランジスタを含む積層体２３２を貼り付ければ、非接触でデータの送信と受信が可能な半導体装置が完成する。
【００７０】
また、導電層を形成する材料も制約されない。材料には、例えば、金、銀、銅等を用いればよく、そのうち、抵抗値が低い銀を用いるとよい。また、その作製方法も制約されず、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、液滴吐出法（例えばインクジェット法）、ディスペンサ法等を用いるとよい。
【００７１】
なお、アンテナを、直接、金属の表面に貼り付けると、金属の表面を通る磁束によって、金属にうず電流が発生する。このようなうず電流は、リーダ／ライタの磁界に対して、逆向きに発生してしまう。そこで、アンテナと導電層の間に、高い透磁率で高周波損失の少ないフェライトや金属薄膜シートを挟み、うず電流の発生を防止するとよい。
【００７２】
基板（基体、フィルム、テープとよぶこともできる）は、可撓性の性質を有することが好ましい。基板は、単層のものでもよいし、積層したものでもよい。また、その表面には、接着層が設けられていてもよい。接着層は、接着剤を含む層である。基板の表面は、二酸化珪素（シリカ）により、コーティングされていてもよい。コーティングにより、高温で高湿度の環境下においても防水性を保つことができる。また、その表面は、インジウム錫酸化物等の導電性材料によりコーティングされていてもよい。コーティングした材料が静電気をチャージし、複数のトランジスタ１４を含む積層体を静電気から保護することができる。また、その表面は、炭素を主成分とする材料（例えば、ダイヤモンドライクカーボン）によりコーティングされていてもよい。コーティングにより強度が増し、複数のトランジスタ１４を含む積層体の劣化や破壊を抑制することができる。また、基板は、基材の材料（例えば樹脂）と、二酸化珪素や導電性材料や炭素を主成分とする材料とを混合した材料により形成してもよい。
【実施例２】
【００７３】
本発明の半導体装置の構成について、図１１を参照して説明する。本発明の半導体装置１００は、演算処理回路１０１、記憶回路１０３、アンテナ１０４、電源回路１０９、復調回路１１０、変調回路１１１を有する。
【００７４】
演算処理回路１０１は、復調回路１１０から入力される信号に基づき、命令の解析、記憶回路１０３の制御、外部に送信するデータの変調回路１１１への出力などを行う。
【００７５】
記憶回路１０３は、記憶素子を含む回路と、データの書き込みやデータの読み出しを制御する制御回路を有する。記憶回路１０３には、少なくとも、半導体装置自体の識別番号が記憶されている。識別番号は、他の半導体装置と区別するために用いられる。また、記憶回路１０３は、有機メモリ、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリから選択された一種又は複数種を有する。有機メモリは、一対の導電層間に有機化合物を含む層が挟まれた構造を有する。有機メモリは、構造が単純であるため、作成工程を簡略化することができ、費用を削減することができる。また、構造が単純であるために、積層体の面積を小型化することが容易であり、大容量化を容易に実現することができる。また、不揮発性であり、電池を内蔵する必要がないという長所がある。従って、記憶回路１０３として、有機メモリを用いることが好ましい。
【００７６】
アンテナ１０４は、リーダ／ライタ１１２から供給された搬送波を、交流の電気信号に変換する。また、変調回路１１１により、負荷変調が加えられる。電源回路１０９は、アンテナ１０４が変換した交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、各回路に電源電圧を供給する。
【００７７】
復調回路１１０は、アンテナ１０４が変換した交流の電気信号を復調し、復調した信号を、演算処理回路１０１に供給する。変調回路１１１は、演算処理回路１０１から供給される信号に基づき、アンテナ１０４に負荷変調を加える。
【００７８】
リーダ／ライタ１１２は、アンテナ１０４に加えられた負荷変調を、搬送波として受信する。また、リーダ／ライタ１１２は、搬送波を半導体装置１００に送信する。なお、搬送波とは、リーダ／ライタ１１２が発する電磁波である。
【実施例３】
【００７９】
本発明の半導体装置１２５は、非接触でデータの送信と受信ができるという機能を活用することにより、様々な物品、様々なシステムに用いることができる。物品とは、例えば、鍵（図１２（Ａ）参照）、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等）、書籍類、容器類（シャーレ等、図１２（Ｂ）参照）、装身具（鞄や眼鏡等、図１２（Ｃ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１２（Ｄ）参照）、記録媒体（ディスクやビデオテープ等）、乗物類（自転車等）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器（液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置、携帯端末等）等である。本発明の半導体装置は、上記のような様々な形状の物品の表面に貼り付けたり、埋め込んだりして、固定される。
【００８０】
また、システムとは、物流・在庫管理システム、認証システム、流通システム、生産履歴システム、書籍管理システム等であり、本発明の半導体装置の非接触でデータの送信と受信ができるという機能を用いることにより、システムの高機能化、多機能化、高付加価値化を図ることができる。
【００８１】
具体例として、利便性の向上を目的としたシステムについて説明する。このシステムは、本発明の半導体装置、リーダ／ライタ、コンピュータを用いる。まず、本発明の半導体装置を身分証明証の内部に設けておく。また、建物の入り口等の認証機能が必要な箇所に、リーダ／ライタ１２１を設けておく（図１２（Ｅ）参照）。リーダ／ライタ１２１は、各人が所有する身分証明証内の認証番号を読み取り、その読み取った認証番号に関する情報を、コンピュータ１２２に供給する。コンピュータ１２２では、リーダ／ライタ１２１から供給された情報に基づき、入室又は退室を許可するか否かを判断する。このように、本発明の半導体装置の非接触でデータの送信と受信ができるという機能を用いることにより、利便性を向上させた入退室管理システムを提供することができる。
【実施例４】
【００８２】
本発明の半導体装置は、複数のトランジスタを有する。複数のトランジスタの各々は、半導体層、ゲート絶縁層及びゲート電極を有する。最初に、複数のトランジスタの各々が含む半導体層の作製方法の一例について説明する。
【００８３】
まず、スパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により非晶質半導体層を形成する。次に、非晶質半導体層を、レーザー結晶化法、ＲＴＡ法（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）、ファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザー結晶化法を組み合わせた方法などを用いて、結晶化し、結晶化された半導体層を形成する。次に、結晶化された半導体層を所望の形状に加工する。
【００８４】
なお、結晶化された半導体層を形成する上記の作製方法のうち、好ましくは、熱処理を伴った結晶化法と、連続発振レーザー又は１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを照射する結晶化法とを組み合わせた方法を用いるとよい。連続発振レーザー又は１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを照射することで、結晶化された半導体層の表面を平坦なものとすることができる。また、結晶化された半導体層の表面を平坦化することにより、当該半導体層の上層のゲート絶縁層を薄膜化することができる。また、ゲート絶縁層の耐圧を向上させることができる。
【００８５】
また、結晶化された半導体層を形成する上記の作製方法のうち、好ましくは、連続発振レーザー又は１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを用いるとよい。連続発振レーザー又は１０ＭＨｚ以上の周波数で発振するレーザービームを照射しながら、一方向に走査して結晶化させた半導体層は、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長方向（チャネル形成領域が形成されたときにキャリアが流れる方向）に合わせてトランジスタを配置し、なおかつ、ゲート絶縁層の作製方法に下記の方法を採用することにより、特性のばらつきが小さく、しかも電界効果移動度が高いトランジスタを得ることができる。
【００８６】
次に、複数のトランジスタの各々が含むゲート絶縁層の作製方法の一例について説明する。ゲート絶縁層は、半導体層に対し、プラズマ処理を行うことにより、表面を酸化又は窒化することで形成するとよい。例えば、希ガス（Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなど）と混合ガス（酸素、酸化窒素、アンモニア、窒素、水素など）を導入したプラズマ処理で形成する。この場合のプラズマの励起は、マイクロ波の導入により行うと、低電子温度で高密度のプラズマを生成することができる。このような高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）や窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体層の表面を酸化又は窒化することにより、５〜１０ｎｍの絶縁層が半導体層に形成される。この絶縁層をゲート絶縁層として用いるとよい。
【００８７】
なお、この場合の高密度プラズマを用いた処理による反応は、固相反応であるため、当該ゲート絶縁層と半導体層との界面準位密度はきわめて低くすることができる。このような高密度プラズマ処理は、半導体層（結晶性シリコン、或いは多結晶シリコン）を直接酸化（若しくは窒化）するため、形成されるゲート絶縁層の厚さのばらつきをきわめて小さくすることができる。また、結晶性シリコンの結晶粒界でも、強く酸化されることがないため、非常に好ましい状態となる。すなわち、ここで示す高密度プラズマ処理で、半導体層の表面を固相酸化することにより、結晶粒界において異常に酸化反応をさせることなく、均一性が良く、界面準位密度が低いゲート絶縁層を形成することができる。
【００８８】
なお、トランジスタが含むゲート絶縁層は、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁層のみを用いてもよいし、高密度プラズマ処理によって形成される絶縁層に加えて、プラズマや熱反応を利用したＣＶＤ法で酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁層を積層させて形成してもよい。いずれにしても、高密度プラズマで形成した絶縁層をゲート絶縁層の一部又は全部に含むトランジスタは、その特性のばらつきを小さくすることができる。
【００８９】
また、トランジスタが含む半導体層とゲート絶縁層や、その他の絶縁層は、プラズマ処理を用いて形成する場合がある。このようなプラズマ処理は、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であり、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下で行うことが好ましい。より詳しくは、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下で行うことが好ましい。
【００９０】
プラズマの電子密度が高密度であり、被処理物（例えば、トランジスタが含む半導体層、ゲート絶縁層等）付近での電子温度が低いと、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被処理物を酸化または窒化することよって形成される酸化物または窒化物は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により形成された薄膜と比較して、膜厚等が均一性に優れ、緻密な膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下と低いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して、低温度で酸化または窒化処理を行うことができる。例えば、ガラス基板の歪点よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても、被処理物を十分に酸化または窒化することによって、酸化物または窒化物を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図２】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図３】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図４】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図５】貼り合わせ装置について説明する図。
【図６】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図７】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図８】本発明の半導体装置及びその作製方法について説明する図。
【図９】貼り合わせ装置について説明する図。
【図１０】導電層が設けられた基板について説明する図。
【図１１】半導体装置について説明する図。
【図１２】半導体装置について説明する図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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