(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェノール及びカルボニル化合物を原料とする反応工程を経てジフェニルカーボネートを製造するジフェニルカーボネート製造工程、
フェノール及びアセトンを原料とし、酸触媒の存在下での合成反応工程、晶析・分離工程を経てビスフェノールＡを製造するビスフェノールＡ製造工程、
及び、上記のジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡを原料として重合させる重合工程を経て芳香族ポリカーボネートを製造する芳香族ポリカーボネート製造工程を含む、芳香族ポリカーボネートの製造方法において、
上記芳香族ポリカーボネート製造工程で副生するフェノールのうち、５０〜９５重量％を上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用し、かつ、５０〜５重量％を上記ビスフェノールＡ製造工程の原料の少なくとも一部として使用することを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項２】
上記芳香族ポリカーボネート製造工程で副生するフェノールのうち、５０〜７０重量％を上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用し、かつ、５０〜３０重量％を上記ビスフェノールＡ製造工程の原料の少なくとも一部として使用することを特徴とする請求項１に記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項３】
フェノール及びカルボニル化合物を原料とする反応工程を経てジフェニルカーボネートを製造するジフェニルカーボネート製造工程、
フェノール及びアセトンを原料とし、酸触媒の存在下での合成反応工程、晶析・分離工程を経てビスフェノールＡを製造するビスフェノールＡ製造工程、
及び、上記のジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡを原料として重合させる重合工程を経て芳香族ポリカーボネートを製造する芳香族ポリカーボネート製造工程を含む、芳香族ポリカーボネートの製造方法において、
上記芳香族ポリカーボネート製造工程における重合工程は、少なくとも３槽の重合槽から構成され、上記重合槽のうち、第１槽、又は第１槽及び第２槽から回収される副生フェノールを上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用し、かつ、上記重合槽のうち、第２槽以降、又は第３槽以降の重合槽から回収される副生フェノールを上記ビスフェノールＡ製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用することを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項４】
上記芳香族ポリカーボネート製造工程における重合工程は、少なくとも３槽の重合槽から構成され、上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用されるフェノールの少なくとも一部は、上記重合槽のうち、第１槽、又は第１槽及び第２槽から回収される副生フェノールであり、かつ、上記ビスフェノールＡ製造工程で使用されるフェノールの少なくとも一部は、上記重合槽のうち、第２槽以降、又は第３槽以降の重合槽から回収される副生フェノールであることを特徴とする請求項１又は２に記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項５】
上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用される副生フェノールは、ジフェニルカーボネートより高沸点を有する高沸点化合物を１．０重量％以下含有する請求項１乃至４のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項６】
上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用される副生フェノールが得られる上記重合槽は、蒸発成分を還流する還流装置を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項７】
上記ビスフェノールＡ製造工程で使用される副生フェノールは、ジフェニルカーボネートより低沸点を有する低沸点化合物を１００重量ｐｐｍ以下含有する請求項１乃至６のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【請求項８】
上記カルボニル化合物がジアルキルカーボネート及び／又はアルキルアリールカーボネートであり、上記芳香族ポリカーボネート製造工程で副生するフェノールを上記ビスフェノールＡ製造工程の原料の一部として使用するとき、上記の原料として用いられるフェノールには、ジアルキルカーボネート及び／又はアルキルアリールカーボネート、並びにジアルキルカーボネート及び／又はアルキルアリールカーボネートから得られるアルキルアルコールを２０重量ｐｐｍ以下含有する請求項１乃至７のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、芳香族ポリカーボネートの製造方法に関し、詳しくは、芳香族ポリカーボネート製造工程で副生するフェノールを所定の基準にしたがって、ジフェニルカーボネート製造工程及びビスフェノールＡ製造工程で使用することにより、使用するフェノールの精製処理を省力化させる芳香族ポリカーボネートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡから芳香族ポリカーボネートを製造する方法において、フェノールは、ジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡの両方の製造原料である。また、ジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡから芳香族ポリカーボネートを製造する際に生じる留出成分は、フェノールを主成分とする。
【０００３】
そして、ジフェニルカーボネート製造に使用されるフェノール量、ビスフェノールＡ製造に使用されるフェノール量、及び上記の芳香族ポリカーボネート重合工程で生じる副生フェノールを主成分とする留出成分中のフェノールの量は、理論的にいずれも同量となる。このため、上記の芳香族ポリカーボネート重合工程で生じる副生フェノールを主成分とする留出成分は、ジフェニルカーボネート製造用及びビスフェノールＡ製造用のいずれか一方又は両方に使用することができ、不足分は、新規なフェノール、例えば市販フェノールが使用されることとなる（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−２４１３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記芳香族ポリカーボネート重合工程で生じる副生フェノールには、ジフェニルカーボネートに含有されるカルボニル化合物から副生するアルコール、カルボニル化合物、ジフェニルカーボネート、ビスフェノールＡ、ジフェニルカーボネートとビスフェノールＡから得られるオリゴマー等の不純物が含まれる。
【０００６】
これらの副生物には、ジフェニルカーボネート製造工程に送られても問題ないが、ビスフェノールＡ製造工程に送られると問題となる不純物や、これと逆の場合の不純物が含まれる。
【０００７】
そこでこの発明は、芳香族ポリカーボネート重合工程で生じる副生フェノールに含まれる不純物にあわせて、ジフェニルカーボネート製造工程又はビスフェノールＡ製造工程に送ることにより、副生フェノールの精製処理を省力化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、下記する＜１＞〜＜３＞のそれぞれの製造工程を含む、芳香族ポリカーボネートの製造方法において、上記芳香族ポリカーボネート製造工程における重合工程は、少なくとも３槽の重合槽から構成され、上記重合槽のうち、第１槽、又は第１槽及び第２槽から回収される副生フェノールを上記ジフェニルカーボネート製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用し、かつ、上記重合槽のうち、第２槽以降、又は第３槽以降の重合槽から回収される副生フェノールを上記ビスフェノールＡ製造工程で使用するフェノールの少なくとも一部として使用することにより、上記課題を解決したのである。
【０００９】
＜１＞フェノール及びカルボニル化合物を原料とする反応工程を経てジフェニルカーボネートを製造するジフェニルカーボネート製造工程。
＜２＞フェノール及びアセトンを原料とし、酸触媒の存在下での合成反応工程、晶析・分離工程を経てビスフェノールＡを製造するビスフェノールＡ製造工程。
＜３＞上記のジフェニルカーボネート及びビスフェノールＡを原料とし、重合工程を経て芳香族ポリカーボネートを製造する芳香族ポリカーボネート製造工程。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によると、芳香族ポリカーボネート製造工程で使用される重合槽が少なくとも３槽有り、このうち、第１槽、又は第１槽及び第２槽から回収される副生フェノールに含まれる不純物は、ジフェニルカーボネートに含有されるカルボニル化合物から副生するアルコール等のフェノールより沸点の低い不純物がほとんどであり、フェノールより沸点の高い不純物は、カルボニル化合物やジフェニルカーボネートくらいである。これらの不純物は、ジフェニルカーボネート製造工程における原料及び生成物であるので、これらの不純物を含む副生フェノールは、精製することなく、ジフェニルカーボネート製造工程に使用されるフェノールの少なくとも一部として使用することができる。
【００１１】
また、上記以外の重合槽から回収される副生フェノールに含まれる不純物は、ジフェニルカーボネート、ビスフェノールＡ、ジフェニルカーボネートとビスフェノールＡから得られるオリゴマー等のフェノールより沸点の高い不純物がほとんどであり、フェノールより沸点の低い不純物は、ほとんど含まれない。これらの各不純物は、ビスフェノールＡ製造工程で加水分解され、この製造工程での原料及び生成物となり、かつ、この副生フェノールには、ビスフェノールＡ製造工程での触媒活性低下原因となるアルコール類等がほとんど含まれないので、これらの不純物を含む副生フェノールは、精製することなく、ビスフェノールＡ製造工程に使用されるフェノールの少なくとも一部として使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の実施形態について詳細に説明する。
この発明にかかる芳香族ポリカーボネートの製造方法は、下記のジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）及び芳香族ポリカーボネート（ＰＣ）のそれぞれの製造工程において、芳香族ポリカーボネート（ＰＣ）製造工程で副生するフェノールの使用方法を特定した製造方法である。以下において、まず、芳香族ポリカーボネート製造工程について説明し、そして、ジフェニルカーボネート製造工程、ビスフェノールＡ製造工程について順に説明する。
【００１３】
［芳香族ポリカーボネート製造工程］
上記芳香族ポリカーボネートの製造工程は、図１に示すプロセスから構成される。すなわち、原料として、上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程及びビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程で製造されたジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）及びビスフェノールＡ（ＢＰＡ）を用い、これとアルカリ水溶液等の塩基性触媒（Ｃ２）とを混合槽４１に導入して混合し、次いで重合槽に送って重合工程を行う。上記重合槽は、重合で副生するフェノールを留出させながら縮重合が行うことができるものであれば、特に制限はなく、縦型槽、横型槽、塔形式の槽の何れの槽であってもよい。
【００１４】
さらに、上記重合槽の数は、特に限定されないが、重合反応が、フェノール（ＰＬ）を留出させながらの縮重合であるので、重合度に併せて重合条件をかえることを可能とするため、複数の重合槽を用いるのが好ましく、少なくとも３つ用いるのがより好ましい。図１においては、縦型重合槽を３つ（第１重合槽４２，第２重合槽４３，第３重合槽４４）、及び横型重合槽を１つ（第４重合槽４５）を直列に連結した重合槽群を示した。この場合の重合条件としては、例えば、第１重合槽４２において、２００〜２５０℃で５０〜２００Ｔｏｒｒ、第２重合槽４３において、２３０〜２８０℃で１０〜５０Ｔｏｒｒ、第３重合槽４４において、２５０〜３００℃で０．２〜５Ｔｏｒｒ、第４重合槽４５において、２６０〜３２０℃で０．０５〜２Ｔｏｒｒとすることができる。このようにすると、重合が進行するにつれて副生フェノール（ｄ−ＰＬ）が留去され、所望の重合度の芳香族ポリカーボネートを得ることができる。
【００１５】
上記重合工程において生じた副生フェノール（ｄ−ＰＬ）は、熱交換器４６，４７やコンデンサ４８によって液化され、第１回収タンク４９ａ又は第２回収タンク４９ｂに送られる。そして、残りの排ガス（Ｄ５）は、処理工程（図示せず）に送られる。
【００１６】
上記重合槽のうち、第１槽４２、又は第１槽４２及び第２槽４３から回収される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）は、図１に示すように、第１回収タンク４９ａに送られる。この第１回収タンク４９ａに回収される第１副生フェノール（ｄ−ＰＬ１）には、カルボニル化合物から生成するアルコール等のフェノール（ＰＬ）より沸点の低い不純物が含まれ、また、少量のカルボニル化合物、ジフェニルカーボネートも含まれる。この不純物は、上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程における原料及び生成物であるので、上記第１副生フェノール（ｄ−ＰＬ１）は、精製することなく、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程に使用されるフェノール（ＰＬ）の一部として使用することができる。
【００１７】
また、上記重合槽のうち、第２重合槽４３以降の重合槽、又は第３重合槽４４以降の重合槽から回収される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）は、図１に示すように、第２回収タンク４９ｂに送られる。この第２回収タンク４９ｂに回収される第２副生フェノール（ｄ−ＰＬ２）には、ジフェニルカーボネート、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）、ジフェニルカーボネートとビスフェノールＡ（ＢＰＡ）から得られるオリゴマー等のフェノール（ＰＬ）より沸点の高い不純物が含まれ、フェノール（ＰＬ）より沸点の低い不純物は、ほとんど含まれない。これらの不純物は、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程で加水分解され、この製造工程での原料及び生成物となり、かつ、この第２副生フェノール（ｄ−ＰＬ２）には、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程での触媒活性低下原因となるアルコール類等がほとんど含まれないので、これらの不純物を含む第２副生フェノール（ｄ−ＰＬ２）は、精製することなく、または、低純度の精製により、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程に使用されるフェノール（ＰＬ）の一部として使用することができる。
【００１８】
上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程で使用される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）、すなわち、第１副生フェノール（ｄ−ＰＬ１）が得られる上記重合槽、すなわち、第１重合槽４２、又は第１重合槽４２及び第２重合槽４３には、蒸発成分を一部液化し、還流する還流装置５３ａ、５３ｂを設けるのが好ましい。この還流装置５３ａ、５３ｂを設けることにより、第１重合槽４２、又は第１重合槽４２及び第２重合槽４３から留出する成分のうち、フェノール（ＰＬ）より高沸点の成分を各重合槽に戻すことができ、得られる第１副生フェノール中に含まれるフェノール（ＰＬ）より高沸点の成分をより減少させることができる。
【００１９】
ところで、上記の第２重合槽４３から回収される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）は、上記したように、第１回収タンク４９ａ又は第２回収タンク４９ｂのいずれかに送られる。この回収タンクの選択は、いずれか一方に限定して配管を設けてもよく、図１に示すように、両方の回収タンクにつながる配管を設けると共に、それぞれの配管に弁５４ａ、５４ｂを設け、適宜、切り替えるようにしてもよい。これは、上記の第２重合槽４３から回収される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）に含まれる不純物は、相対的に少なく、第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）として用いることもでき、また、第２回収フェノール（ｄ−ＰＬ２）として用いることもできるからである。
【００２０】
上記第２重合槽４３からの留出する副生フェノール（ｄ−ＰＬ）を第１回収タンク４９ａに送る量、又は第２回収タンク４９ｂに送る量は、他の各重合槽からの副生フェノール（ｄ−ＰＬ）量、及びこの副生フェノール（ｄ−ＰＬ）に含まれる不純物含量によって、調整される。
【００２１】
上記副生フェノール（ｄ−ＰＬ）のうち、上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程に送られ、原料のフェノール（ＰＬ）の一部として使用される量、すなわち、第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）の量は、上記副生フェノール（ｄ−ＰＬ）の合計量、すなわち、第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）と第２回収フェノール（ｄ−ＰＬ２）の合計量に対して、５０〜９５重量％がよく、５０〜７０重量％が好ましい。
【００２２】
また、上記第２回収フェノール（ｄ−ＰＬ２）の量は、上記副生フェノール（ｄ−ＰＬ）の合計量に対して、上記第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）の残量である、５０〜５重量％がよく、５０〜３０重量％が好ましい。
【００２３】
上記第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）の量が、５０重量％より少ないと、ジフェニルカーボネートより低沸点である不純物、特にアルコール等が第２回収フェノール（ｄ−ＰＬ２）に混入し、そのままビスフェノールＡ製造原料として使用すると、反応活性が低下する傾向があり、好ましくない。一方、９５重量%より多いと、ジフェニルカーボネートより高沸点であるビスフェノールＡやオリゴマーが第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）に混入し、ジフェニルカーボネート製造時の配管閉塞をまねくおそれがある。
【００２４】
また、上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程で使用される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）、すなわち、上記第１回収フェノール（ｄ−ＰＬ１）に含まれる、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）や上記ジフェニルカーボネートとビスフェノールＡ（ＢＰＡ）とから得られるオリゴマー等のジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）より高沸点を有する高沸点化合物の含有量は、１．０重量％以下が好ましく、０．１重量％以下がより好ましい。１．０重量％より多いと、ジフェニルカーボネート製造時の配管閉塞をまねくおそれがある。
【００２５】
さらに、上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程で使用される副生フェノール（ｄ−ＰＬ）、すなわち、上記第２回収フェノール（ｄ−ＰＬ２）に含まれるジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）より低沸点を有する低沸点化合物、具体的には、カルボニル化合物、カルボニル化合物から副生するアルコール等の含有量は、１００重量ｐｐｍ以下が好ましく、５０重量ｐｐｍ以下がより好ましい。なお、上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程で、原料として使用されるフェノールは、上記再生フェノール以外に、不足分としての市販フェノール、さらには、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程を循環するフェノールを含む。そのため、上記の原料として使用されるフェノール中の上記低沸点化合物の含有量は、副生フェノール中の上記低沸点化合物の含有量より少なく、通常、２０重量ｐｐｍ以下、好ましくは５重量ｐｐｍ以下である。２０重量ｐｐｍより多いと、ビスフェノールＡ製造時の触媒活性を低下させ、生産性の低下をまねくおそれがある。
【００２６】
なお、上記カルボニル化合物がジアルキルカーボネート及び／又はアルキルアリールカーボネートの場合、上記のカルボニル化合物から副生するアルコールは、ジアルキルカーボネート及び／又はアルキルアリールカーボネートから得られるアルキルアルコールとなる。
【００２７】
ところで、図１において、第４重合槽４５には、留出分の回収装置を設けていないが、これは、第４重合槽４５では、ほとんど留出分が発生しないものとして、プロセスが組まれているためであり、第１重合槽４２〜第３重合槽４４の条件によっては、第４重合槽４５に留出分を回収する装置を設ける場合がある。
【００２８】
次に、上記重合工程で製造された芳香族ポリカーボネートは、押出機５２に送られる。ここで、含有する揮発分を排ガス（Ｄ５）として除去すると共に、酸Ｉや各種添加剤Ｊを加えて、触媒の中和等が行われる。そして、ペレット化等の処理（図示せず）が行われ、製品としての芳香族ポリカーボネートが得られる。
【００２９】
［ジフェニルカーボネート製造工程］
ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）は、フェノール（ＰＬ）及びカルボニル化合物を原料として製造される。このカルボニル化合物は、ジフェニルカーボネートのカルボニル基を形成することができれば、制限なく用いることができる。このようなカルボニル化合物の例としては、ホスゲン（ＣＤＣ）、一酸化炭素、炭酸ジアルキル、アルキルアリールカーボネート等があげられる。具体的には、炭酸ジアルキル、アルキルアリールカーボネートとして、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、メチルフェニルカーボネート、エチルフェニルカーボネート等があげられる。以下において、カルボニル化合物としてホスゲン（ＣＤＣ）を用い、反応後に洗浄工程及び蒸留工程を経て、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）を製造する工程について説明する。
【００３０】
上記ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）の製造工程は、図２に示すプロセスから構成される。すなわち、原料として、フェノール（ＰＬ）、ホスゲン（ＣＤＣ）を用い、これと塩基性化合物触媒（Ｃ１）とをＤＰＣ反応器１に導入する反応工程を行う。このときの反応条件は特に限定されないが、フェノール（ＰＬ）が溶融状態にある５０〜１８０℃、常圧下が好ましい。また、フェノール（ＰＬ）とホスゲン（ＣＤＣ）の混合比（モル比）は、ホスゲン（ＣＤＣ）の完全消費の観点から、フェノール（ＰＬ）１モルに対して、０．４０〜０．４９モルが好ましい。
【００３１】
このとき原料として使用されるフェノール（ＰＬ）には、上記第１副生フェノール（ｄ−ＰＬ１）がその一部として含まれる。
【００３２】
上記反応工程で製造されたジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）含有反応液ａは、脱塩酸塔２に送られ、脱塩酸工程が行われる。反応器１及び脱塩酸塔２で生じた塩酸ガス（Ｄ１）は、回収され、塩酸処理工程（図示せず）に送られる。
【００３３】
次いで、得られた脱塩酸処理液ｂは、混合槽３に送られ、後述するジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）含有回収液ｄと混合される。そして、アルカリ中和槽４に送られ、アルカリ性水溶液（Ｅ１）で上記脱塩酸塔で除去しきれなかった塩酸を中和する中和工程が行われる。
そして、得られた中和処理液ｅは、水洗槽５に送られ、水（Ｗ）で水洗する水洗工程が行われる。
【００３４】
水洗工程で得られた水洗処理液ｆは、蒸留塔に送られ、蒸留工程が行われる。図２においては、２つの蒸留塔が用いられるが、これに限られるものではない。２つの蒸留塔を用いる場合、低沸分除去のための第１の蒸留塔６で水、塩基性化合物触媒及びフェノール（ＰＬ）を含有する混合ガス（Ｆ）を回収し、反応原料の一部として再使用することができる。
【００３５】
そして、上記第１ＤＰＣ蒸留塔６の第１蒸留残渣ｇ１を、高沸分除去のための第２ＤＰＣ蒸留塔７で再度蒸留し、製品である精製されたジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）を蒸留分として回収する。そして、蒸留残渣ｇ２が蒸留釜残側から回収される。
【００３６】
上記第１ＤＰＣ蒸留塔６での蒸留条件としては、水、塩基性化合物触媒、フェノール（ＰＬ）が蒸留され、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）が残留する条件であれば特に限定されるものではなく、１．３〜１３ｋＰａが好ましい。温度はその圧力下での沸点となる。また、上記第２ＤＰＣ蒸留塔７での蒸留条件としては、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）が蒸留され、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）より高沸の不純物が残留する条件であれば特に限定されるものではなく、１．３〜６．５ｋＰａで、１５０〜２２０℃が好ましい。
【００３７】
ところで、第２ＤＰＣ蒸留塔７での蒸留残渣ｇ２には、フェノール含有不純物であるメチルフェノールが反応したジフェニルカーボネートのメチル置換体、ホスゲン（ＣＤＣ）中の残留臭素が反応したジフェニルカーボネートの臭素置換体を中心とする不純物が含有するが、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）も含有する。このため、この蒸留残渣ｇ２を再び蒸留し、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）を回収してもよい。すなわち、図２に示すように、第２ＤＰＣ蒸留塔７での蒸留残渣ｇ２をＤＰＣ回収蒸留塔８を用いて、回収蒸留工程にかける。これにより、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）含有回収液ｄを蒸留回収することができる。これを上記の通り、混合槽３に送ることにより、洗浄・蒸留工程に再投入することができ、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）の回収効率をより向上させることができる。そして、上記のジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）のメチル置換体や臭素置換体が濃縮された回収蒸留残渣（Ｘ１）が蒸留釜残側から回収される。
【００３８】
上記回収蒸留塔８での蒸留条件としては、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）が蒸留され、ジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）より高沸の不純物が残留する条件であれば特に限定されるものではなく、１．３〜６．５ｋＰａ、１５０〜２２０℃が好ましい。
【００３９】
［ビスフェノールＡ製造工程］
ビスフェノールＡの製造工程は、図３で示されるプロセスから構成される。すなわち、原料としてフェノール（ＰＬ）及びアセトン（Ａ）を用い、合成反応工程（工程（ａ））、低沸除去工程（工程（ｂ））、晶析・分離工程（工程（ｃ））、加熱溶融工程（工程（ｄ））、フェノール（ＰＬ）除去工程（工程（ｅ））、造粒工程（工程（ｆ））を経由してビスフェノールＡ（ＢＰＡ）が製造される。
【００４０】
次に、各工程についてそれぞれ説明する。
上記工程（ａ）は、フェノール（ＰＬ）とアセトン（Ａ）とを酸性触媒の存在下で、縮合反応させてビスフェノールＡを生成させる工程である。ここで用いる原料のフェノール（ＰＬ）及びアセトン（Ａ）は、化学量論量よりもフェノール（ＰＬ）が過剰な条件で反応させる。フェノール（ＰＬ）とアセトン（Ａ）とのモル比は、フェノール（ＰＬ）／アセトン（Ａ）の比として３〜３０、好ましくは５〜２０の範囲である。反応温度は通常３０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃、反応圧力は、一般に常圧〜５ｋｇ／ｃｍ2・Ｇで行われる。
【００４１】
上記の原料として使用されるフェノール（ＰＬ）には、上記第２副生フェノール（ｄ−ＰＬ２）がその一部として含まれる。
【００４２】
上記酸性触媒としては、塩酸等の無機酸や有機酸、イオン交換樹脂等を用いることができる。上記酸性触媒としてイオン交換樹脂を用いる場合、ゲル型で架橋度が１〜８％、好ましくは２〜６％のスルホン酸型陽イオン交換樹脂が適しているが、特に限定されるものではない。
【００４３】
上記スルホン酸陽イオン交換樹脂は、そのままでも用いられるが、必要に応じて、変性させたスルホン酸陽イオン交換樹脂を用いることができる。上記変性に要される化合物としては、メルカプト基を有する化合物等があげられる。
【００４４】
上記メルカプト基を有する化合物としては、２−アミノエタンチオール等のアミノアルカンチオール、２−（４−ピリジル）エタンチオール等のω−ピリジルアルカンチオール、加水分解等により容易にメルカプト基を発現する２，２−ジメチルチアゾリジン等のチアゾリジン類等、従来からこの用途に用い得ることが知られている任意のものを用いることができる。
【００４５】
上記工程（ａ）で生成する反応混合物中には、一般にビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の他に、未反応フェノール（ＰＬ）、未反応アセトン（Ａ）、触媒、反応生成水（Ｗ）及び着色物質等の副生物が含まれる。
【００４６】
上記工程（ｂ）は、上記工程（ａ）で得られる反応混合液から低沸点成分と触媒とを除去する工程である。ここでいう低沸点成分とは、反応生成水（Ｗ）、未反応アセトン（Ａ）、及びこれらと沸点が近いものである。この工程では、上記反応混合物からこれらの低沸点成分を例えば減圧蒸留等により除去し、また触媒等の固体成分は濾過等によって除かれる。なお、固定床触媒反応器を用いる場合は脱触媒の必要は特にない。減圧蒸留は圧力５０〜３００ｍｍＨｇ、温度７０〜１３０℃の範囲を用いるのが好ましく、未反応フェノール（ＰＬ）が共沸してその一部が系外へ除かれることもある。
【００４７】
上記工程（ｃ）は、上記工程（ｂ）で得られた混合液を冷却し、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）とフェノール（ＰＬ）との付加物結晶を析出させて分離する工程である。この工程（ｃ）に先立って、上記工程（ｂ）で得られた混合液中のビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の濃度を、フェノールを留去又は追加することにより、ビスフェノールＡの濃度を１０〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％に調整しておくと、上記付加物の収率を高め、かつスラリー状の混合液の見掛けの粘度を調節して、作業性を改良する上で好ましい。
【００４８】
上記工程（ｃ）における冷却は、一般に４５〜６０℃の温度まで行われ、これによって、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）とフェノール（ＰＬ）との付加物の結晶が析出し、系はスラリー状になる。この冷却は、外部に設けた熱交換器や晶析機に加えられる水の蒸発潜熱による除熱によって行われる。次に、このスラリー状の液を、ろ過、遠心分離等により付加物結晶と反応副生物を含む母液とに分離し、付加物結晶を次工程に供する。分離された母液の一部又は全部は、後述する母液処理工程（ｇ）を経由して、工程（ａ）にリサイクルして、原料として使用されるフェノールの一部又は全部として用い、更に反応収率の向上を図る。
【００４９】
上記工程（ｄ）は、上記工程（ｃ）で得られた付加物の結晶を加熱溶融する工程である。この付加物結晶の組成は、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）が４５〜７０重量％、フェノール（ＰＬ）が５５〜３０％の範囲にあるのが一般的である。この結晶を１００〜１６０℃に加熱することにより溶融して次工程に供する。
【００５０】
上記工程（ｅ）は、上記工程（ｄ）で得られた溶融液からフェノール（ＰＬ）を除去して溶融ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）を得る工程である。工程（ｅ）で得られた溶融液から、減圧蒸留等の方法によってフェノール（ＰＬ）を除去することにより付加物を解離させて、高純度のビスフェノールＡが回収できる。この減圧蒸留は、圧力１０〜１００ｍｍＨｇ、温度１５０〜２２０℃の範囲で、かつ系内に存在するビスフェノールＡ（ＢＰＡ）とフェノール（ＰＬ）との混合液の融点より少なくとも１０℃高い温度で行うのが好ましい。減圧蒸留に加えてスチームストリッピングを行って、残存するフェノール（ＰＬ）を除去する方法も提案されている。
【００５１】
上記工程（ｆ）は、上記工程（ｅ）で得られた溶融状態のビスフェノールＡ（ＢＰＡ）を冷却・固化し、造粒して粒状の製品を得る工程である。溶融状態のビスフェノールＡは、例えばスプレードライヤー等の造粒装置により液滴にされ、冷却固化されて製品となる。この液滴は、噴霧、滴下、散布等により調製され、冷却は通常窒素あるいは空気等によって行われる。
【００５２】
このビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の製造工程、特に、上記工程（ａ）において、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）以外に、ビスフェノールＡの２，４−異性体等の副生物（以下、「ＢＰＡ副生物」と称する。）も同時に合成される。そして、このＢＰＡ副生物は、主として、上記工程（ｃ）の母液に含有され、上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の製造工程を循環する。このため、上記ＢＰＡ副生物がこの循環系内で蓄積する傾向にあり、ある程度以上の蓄積が生じると、上記工程（ｃ）での分離が不十分となり、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）側に付随してしまい、結果として、製品ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の品質を低下させる傾向がある。このため、上記工程（ｃ）の母液の一部又は全部を、母液処理工程（工程（ｇ））にかけることにより、上記母液中の上記ＢＰＡ副生物を分離・除去し、製品ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の品質を保持する。
【００５３】
上記工程（ｇ）は、蒸留によりフェノール（ＰＬ）を回収する方法、又は、母液を塩基性物質の存在下で加熱してこの母液中のビスフェノールＡ（ＢＰＡ）副生物を分解して、フェノール及びフェノール誘導体を生じさせ、次いで、これを、酸触媒を用いて反応させてビスフェノールＡ（ＢＰＡ）を製造し、これを回収する方法である。
【００５４】
具体的には、図４に示すように、まず、上記母液の一部又は全部をフェノール蒸発器３２に導入し、同時に水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基性物質Ｈを導入する。次いで、フェノール（ＰＬ）の沸点以上に加熱して蒸発させ、フェノール（ＰＬ）をフェノール蒸発器３２の上部から抜き出す。そして、フェノール蒸発器３２の下部から上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）及びＢＰＡ副生物を主成分とする蒸発残渣を残渣反応器３３に送り、１８０〜３００℃の熱をかけることにより、上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）及びＢＰＡ副生物に分解反応を生じさせ、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の反応中間体であるイソプロペニルフェノール等の分解物を得、これを塔頂から蒸留留去させる。また、この残渣反応器３３で生じた釜残分は、有機分を大量に含む排液として、焼却処理等の排液処理工程（図示せず）に送られる。
【００５５】
上記ＢＰＡ副生物の分解物であるフェノール（ＰＬ）及びフェノール誘導体は、残渣反応器３３の上部より留去されて再生反応器３４に送られるが、残渣反応器３３の上部より取り出す際、上記フェノール蒸発器３２の上部から抜き出されたフェノール（ＰＬ）と混合させる。これにより、フェノール誘導体の濃度が希釈されて、好ましくない副反応が生じるのを抑えることができる。
【００５６】
次いで、再生反応器３４において、上記ＢＰＡ副生物の分解物であるフェノール（ＰＬ）及びフェノール誘導体を、酸触媒を用いて、再度、反応させることにより、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）等を生成させる。これは、未反応のフェノール（ＰＬ）と共に、上記原料として使用されるフェノール（ＰＬ）に混合されて、工程（ａ）に送られる。上記ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）は、そのまま、工程（ｃ）を経て回収され、フェノール（ＰＬ）は、原料として使用されるので、ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）の製造効率を高めることができる。
【実施例】
【００５７】
以下、この発明を、実験例を用いて説明する。
〔ジフェニルカーボネートの製造例（１）〕
市販フェノールとホスゲンからジフェニルカーボネートを製造する例を以下に示す。
【００５８】
＜反応工程＞
溶融した市販フェノールとピリジン触媒を反応器へ連続供給しながら、１５０℃の混合下、ホスゲンガスを連続供給した。ホスゲン化反応に伴って副生される塩化水素ガスは１０℃まで冷却し、凝縮液は反応器に戻され、未凝縮ガスはアルカリ水溶液で中和後排出した。一方、反応器からはジフェニルカーボネートが約９１重量％含有する反応液を連続的に抜き出した。反応工程でのホスゲンの反応率はほぼ１００％であった。
【００５９】
＜洗浄工程＞
上記反応液と約５重量％の水酸化ナトリウム水溶液を、それぞれテフロンライニング製の中和混合槽に供給し、８０℃下で約１０分間混合し、ｐＨ８．５に調整した。中和後の有機相は静置分離後、水洗混合槽に移送した。水洗混合槽では有機相に対して約３０重量％に相当する温水で洗浄され、水相を分離して、粗製ジフェニルカーボネート（水１重量％、ピリジン２重量％、フェノール８重量％、ジフェニルカーボネート８９重量％含有）を得た。
【００６０】
＜低沸蒸留工程＞
次に、上記粗製ジフェニルカーボネートを約３０ｋｇ／ｈｒで低沸蒸留塔の中段に連続供給した。低沸蒸留塔は内径１５０ｍｍ、高さ４．０ｍで、上部に還流装置、中央に原料供給部があり、濃縮部および回収部にスルザーパッキング（住友重機械工業（株）製）を充填した、理論段数８段の連続蒸留塔を使用した。真空度２０ｔｏｒｒ、熱媒オイル温度約２２０℃、トップ温度８０〜１００℃、塔中段温度１６０℃、還流比１の条件で蒸留してジフェニルカーボネートより低沸点物質である水、ピリジン、フェノールを蒸留留去した。塔底からは、約２６ｋｇ／ｈｒでジフェニルカーボネート（水１０重量ｐｐｍ以下、ピリジン１重量ｐｐｍ以下、フェノール５０重量ｐｐｍ）が連続的に抜き出された。
【００６１】
＜高沸蒸留工程＞
更に、このジフェニルカーボネート（低沸蒸留塔の缶出液）を高沸蒸留塔に連続供給した。高沸蒸留塔は内径２００ｍｍ、高さ４．０ｍで、上部に還流装置、中央に原料供給部があり、濃縮部および回収部にスルザーパッキング（住友重機械工業（株）製）を充填した、理論段数８段の連続蒸留塔を使用した。真空度２０ｔｏｒｒ、熱媒オイル温度約２４０℃、トップ温度約１８０℃、還流比０．５の条件で蒸留して、トップより精製ジフェニルカーボネートが約２３．５ｋｇ／ｈｒで得られ、塔底より高沸物（ジフェニルカーボネートのアルキル置換体とブロム置換体がそれぞれ約３５０重量ｐｐｍと約４０重量ｐｐｍ含有するジフェニルカーボネート）が約２．５ｋｇ／ｈｒでパージされた。精製ジフェニルカーボネートは、フェノールを８０重量ｐｐｍ含有する高純度品であった。
【００６２】
〔ジフェニルカーボネートの製造例（２）〕
市販のフェノールとジメチルカーボネートからジフェニルカーボネートを製造する例を以下に記す。
【００６３】
＜反応工程＞
内径５０ｍｍ、高さ５ｍの実段数５０段のトレイ式蒸留塔（第１反応蒸留塔）の上から１０段目に市販のフェノール、ジメチルカーボネート及び触媒としてテトラフェノキシチタンを含む原料液を６００ｇ／ｈｒ（ジメチルカーボネート３９０ｇ／ｈｒ、フェノール２００ｇ／ｈｒ、テトラフェノキシチタン０.５ｇ／ｈｒ）の流量でフィードした。塔底をマントルヒーターで加熱して反応蒸留を行い、塔頂からメタノールを含むジメチルカーボネート溶液を還留比１２で還留させながら抜き出した。生成したメチルフェニルカーボネート及び少量のジフェニルカーボネートを含む塔底液は、塔底から抜き出して、内径８０ｍｍ、高さ４ｍの実段数５０段のトレイ式蒸留塔（第２反応蒸留塔）の上から１０段目にフィードした。第２反応蒸留塔では、更に反応が進行して生成したジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネートを含む液が、塔底から抜き出された。そして、大部分の未反応ジメチルカーボネートと一部の未反応フェノールは、第２反応蒸留塔の塔頂より留去して第１反応蒸留塔へリサイクルした。
【００６４】
＜リサイクル工程＞
内径３２ｍｍ、高さ２.５ｍの実段数３０段の蒸留塔（共沸蒸留塔）の中段に第１反応蒸留塔から留出させたメタノールを含むジメチルカーボネートの溶液をフィードして、還留比５で蒸留した。塔頂よりほぼ共沸組成に近いメタノールとジメチルカーボネートの混合液を抜き出し、次いで抽出蒸留塔にフィードした。抽出蒸留塔では、メタノールとジメチルカーボネートを分離し、メタノールは系外にパージされ、ジメチルカーボネートは第１反応蒸留塔へリサイクルした。また、前記の共沸蒸留塔の塔底液は微量のフェノールを含むジメチルカーボネートであり、これは第１反応蒸留塔へ循環した。
【００６５】
＜精製工程＞
第２反応蒸留塔の塔底から連続的に抜き出された触媒及びジフェニルカーボネートを含む高沸点反応混合物は蒸発缶へ導入され、そこで触媒を含む蒸発凝縮液がパージされた。一方、蒸発缶で形成されたジフェニルカーボネートを多量に含む蒸発物はジフェニルカーボネート精製塔に供給された。精製塔の塔頂圧力は２０Ｔｏｒｒ、塔底温度は１９０℃に制御され、塔頂からフェノール及びメチルフェニルカーボネートを含む低沸点混合物を留出し、一部は還流し、残りは前記の第２反応蒸留塔へリサイクルした。一方、ジフェニルカーボネート精製塔の塔底からは高沸不純物をパージし、塔中段からジフェニルカーボネートを得た。
【００６６】
以上のような操作を連続で行い、各工程が定常状態になるまで継続した。定常状態においてサンプリングして高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、得られたジフェニルカーボネートにはメチルフェニルカーボネートが３００重量ｐｐｍ検出された。また、ジフェニルカーボネートの収率は、フェノール基準で約９５％であった。
【００６７】
〔ビスフェノールＡの製造例〕
市販のフェノールとアセトンからビスフェノールＡを製造する例を以下に記す。
温度調節器を有する流通式合成反応器に、４−ピリジンエタンチオールでスルホン酸基の１５％を中和した、スルホン酸型酸性陽イオン交換樹脂（三菱化成株式会社製、商品名ダイヤイオンＳＫ−１０４）を６０Ｌ充填した。この合成反応器に、フェノール：アセトンのモル比が１０：１の混合液を温度８０℃、６８．２ｋｇ／ｈｒの流量で装入し、反応させた。アセトンの転化率は８０％であった。反応混合物は、低沸点物（未反応アセトン、水、フェノールの一部）を５．１ｋｇ／ｈの流量でパージしたのち、５０℃に冷却して付加物の結晶を析出させた。これを濾過して、付加物の結晶と母液とに分離した。流量はそれぞれ１６．５ｋｇ／ｈと４６．５ｋｇ／ｈであった。この母液の１０ｗｔ％を母液処理工程に供給し、他の母液は合成反応器に装入する原料の一部として循環させた。
【００６８】
ここで得られた付加物結晶を、再度２７．２ｋｇ／ｈの流量のフェノールに溶解させたのち、５０℃に冷却して結晶を析出させ、濾過して付加物の結晶（１１．３ｋｇ／ｈ）と母液（３２．５ｋｇ／ｈ）とに分離した。分離された結晶は、０．３ｍｍＨｇの減圧下、１８０℃に加熱してフェノールを除去し、純度９９．９５％以上のビスフェノールＡを７．７ｋｇ／ｈの流量で得た。
【００６９】
一方、母液処理工程に供給した母液は、フェノールの一部を留去し濃縮した。次に、水酸化ナトリウムを０．１重量％含ませ、５０ｍｍＨｇの減圧下、２１０℃にコントロールした分解蒸留塔の塔底に装入した。塔底の液レベルは一定の条件で運転し（滞留時間  １ｈｒ）、分解蒸留塔の塔底液は０．５ｋｇ／ｈの流量で系外にパージした。さらに、分解蒸留塔の塔頂からの流出液と前述のフェノールとを混ぜ、スルホン酸型酸性陽イオン交換樹脂（三菱化成株式会社製、商品名ダイヤイオンＳＫ−１０４）を４Ｌ充填した、流通式反応器に４．２ｋｇ／ｈの流量で装入し、８０℃の条件で、反応させた。得られた反応液は最初の合成反応器に循環した。
【００７０】
前述の合成反応器へは、系外へパージされた量及び得られたビスフェノールＡの量に対応する量の市販のフェノール（１８．５ｋｇ／ｈ）とアセトン（３．６ｋｇ／ｈ）を補給し、合成反応を連続的に行い、上記の系全体としてビスフェノールＡを連続的に製造した。
【００７１】
〔芳香族ポリカーボネートの製造例（１）〕
上記ジフェニルカーボネートの製造例（１）で得られたジフェニルカーボネートと、上記ビスフェノールＡの製造例から得られたビスフェノールＡから芳香族ポリカーボネートを製造する例を以下に記す。
【００７２】
＜重合工程＞
上記ジフェニルカーボネートとビスフェノールＡを窒素ガス雰囲気下、０．９７７重量比で溶融混合し、窒素雰囲気下、２１０℃、１００Ｔｏｒｒに制御した第１縦型攪拌重合槽内に連続供給し、平均滞留時間が６０分になるように槽底部のポリマー排出ラインに設けられたバルブ開度を制御しつつ液面レベルを一定に保った。また、上記原料混合物の供給を開始すると同時に、触媒として水溶液とした炭酸セシウムをビスフェノールＡ１モルに対し、０．５×１０-6モルの流量で連続供給した。槽底より排出された重合液は、引き続き第２、３の縦型重合槽並びに第４の横型重合槽に逐次連続供給された。反応の間、各槽の平均滞留時間が６０分になるように液面レベルを制御し、また同時に副生するフェノールの留去も行った。第１、２重合槽より蒸発するガスは、それぞれ多段凝縮器で凝縮液化され、一部を各重合槽に還流し、残りを副生フェノールタンクに回収した。一方、第３，４重合槽より蒸発するガスは、それぞれ、並列２基ある片方のフリーズコンデンサーで固化され、他方のフリーズコンデンサーとの切替運転により固化分を溶融し、副生フェノールタンクに回収された。その際、第１重合槽より留出されるフェノールは全て副生フェノールタンク−１に、第２〜４重合槽より留出されるフェノールは副生フェノールタンク−２にそれぞれ貯蔵した。
各反応槽の重合条件は、第１重合槽（２１０℃、１００Ｔｏｒｒ）、第２重合槽（２４０℃、１５Ｔｏｒｒ）、第３重合槽（２６０℃、０．５Ｔｏｒｒ）、第４重合槽（２８０℃、０．５Ｔｏｒｒ）であった。
【００７３】
上記得られたポリマーを溶融状態のまま、２軸押出機（神戸製鋼所（株）製、スクリュー径０．０４６ｍ、Ｌ／Ｄ＝４０．２）に導入し、ポリカーボネート当たり５重量ｐｐｍ相当のｐ−トルエンスルホン酸ブチルを連続的に添加しながら、ペレット化した。こうして得られたポリカーボネートのＭｖは２１，０００であり、初期ＹＩは１．７であった。
【００７４】
・分子量（Ｍｖ）の測定：
ポリカーボネートの濃度（Ｃ）が０．６ｇ／ｄｌの塩化メチレン溶液を用いて、ウベローデ型粘度計により温度２０℃で測定した比粘度（ηｓｐ）から、下記の両式を用いて、分子量（Ｍｖ）を算出した。
ηｓｐ／Ｃ＝［η］（１＋０．２８ηｓｐ）
［η］＝１．２３×１０-4（Ｍｖ）0.83
【００７５】
・初期色相（ＹＩ）の測定：
ポリカーボネート樹脂を窒素雰囲気下、１２０℃で６時間乾燥した後、（株）日本製鋼所製Ｊ−１００射出成形機で３ｍｍ厚の射出成形片を３６０℃で製作し、スガ試験機（株）製ＳＣ−１によりＹＩ値を測定した（このＹＩ値が大きいほど着色していることを示す）。
【００７６】
＜副生フェノール＞
上記重合工程より回収された副生フェノールの量ならびに組成を測定した結果、以下の通りであった。
・副生フェノールタンク−１
回収されたフェノール量は、重合工程で留出したフェノール全体量に対して、約６０％であった。フェノール以外にはジフェニルカーボネートが１．１重量％検出され、ビスフェノールＡおよびオリゴマー成分は未検出であった。
・副生フェノールタンク−２
回収されたフェノール量は、重合工程で留出したフェノール全体量に対して、約４０％であり、フェノール以外にジフェニルカーボネートが６．０重量％検出され、ビスフェノールＡおよびオリゴマー成分がそれぞれ１．２重量％、０．３重量％検出された。
【００７７】
〔芳香族ポリカーボネートの製造例（２）〕
上記ジフェニルカーボネートの製造例（２）で得られたジフェニルカーボネートと、上記ビスフェノールＡの製造例から得られたフェノールＡから芳香族ポリカーボネートを製造する例を以下に記す。
【００７８】
＜重合工程＞
ジフェニルカーボネートとして、前述したジフェニルカーボネートの製造例（２）で得られたジフェニルカーボネートを使用した以外は、前記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）と同様の操作を実施した。得られたポリカーボネートは、Ｍｖ＝２１，０００、初期ＹＩ＝１．７であり、前記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）のそれと同等品質であった。
【００７９】
＜副生フェノール＞
上記重合工程より回収された副生フェノールの量ならびに組成を測定した結果、以下の通りであった。
・副生フェノールタンク−１
回収されたフェノール量は、重合工程で留出したフェノール全体量に対して、約６０％であった。フェノール以外にはジフェニルカーボネートが１．１重量％、メタノールが９５重量ｐｐｍ検出され、ビスフェノールＡおよびオリゴマー成分は未検出であった。
・副生フェノールタンク−２
回収されたフェノール量は、重合工程で留出したフェノール全体量に対して、約４０％であり、フェノール以外にジフェニルカーボネートが６．０重量％検出され、ビスフェノールＡおよびオリゴマー成分がそれぞれ１．２重量％、０．３重量％検出された。メタノールは未検出（５重量ｐｐｍ以下）であった。
【００８０】
（実施例１）
上記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）で得られた副生フェノールを用いて、ジフェニルカーボネートおよびビスフェノールＡを製造した。
＜ジフェニルカーボネートの製造＞
前述したジフェニルカーボネートの製造例（１）で使用した市販フェノールの６０％に相当する分を、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）で回収された副生フェノールタンク−１の内容物に変えた以外は、前述したジフェニルカーボネートの製造例（１）と同様の操作を行い、ジフェニルカーボネートを製造した。結果、反応工程でのホスゲン反応率、及び、得られたジフェニルカーボネートの品質は何ら変わりなく問題なかった。
【００８１】
＜ビスフェノールＡの製造＞
前述したビスフェノールＡの製造例において、合成反応器に連続的に補給される市販フェノールの４０％に相当する分を、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）で回収された副生フェノールタンク−２の内容物に変えた以外は、前述したビスフェノールＡの製造例と同様の操作を行い、ビスフェノールＡを製造した。結果、アセトンの転化率、ビスフェノールＡの品質に問題はなかった。
【００８２】
（実施例２）
上記芳香族ポリカーボネートの製造例（２）で得られた副生フェノールを用いて、ジフェニルカーボネートおよびビスフェノールＡを製造した。
＜ジフェニルカーボネートの製造＞
前述したジフェニルカーボネートの製造例（２）で使用した市販フェノールの６０％に相当する分を、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（２）で回収された副生フェノールタンク−１の内容物に変えた以外は、前述したジフェニルカーボネートの製造例（２）と同様の操作を行い、ジフェニルカーボネートを製造した。結果、同等品質のジフェニルカーボネートを得ることができ、メチルフェニルカーボネート由来のメタノールが混入しても問題ないことが確認できた。
【００８３】
＜ビスフェノールＡの製造＞
前述したビスフェノールＡの製造例において、合成反応器に連続的に補給される市販フェノールの４０％に相当する分を、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（２）で回収された副生フェノールタンク−２の内容物に変えた以外は、前述したビスフェノールＡの製造例と同様の操作を行い、ビスフェノールＡを製造した。結果、アセトンの転化率、ビスフェノールＡの品質に問題はなかった。また、反応原料中のメタノール濃度は未検出であった。
【００８４】
（比較例１）
上記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）で回収された副生フェノールタンク−２の内容物を使用してジフェニルカーボネートを製造した。
＜ジフェニルカーボネートの製造＞
前述したジフェニルカーボネートの製造例（１）で使用した市販フェノールを全て、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（１）で回収された副生フェノールタンク−２の内容物に変えた以外は、前述したジフェニルカーボネートの製造例（１）と同様の操作を行い、ジフェニルカーボネートを製造した。結果、反応液を洗浄工程に移送する配管内で閉塞を生じ、運転を継続することができなかった。
【００８５】
（比較例２）
上記芳香族ポリカーボネートの製造例（２）で回収された副生フェノールタンク−１の内容物を使用してビスフェノールＡを製造した。
＜ビスフェノールＡの製造＞
前述したビスフェノールＡの製造例において、合成反応器に連続的に補給される市販フェノールを全て、上記芳香族ポリカーボネートの製造例（２）で回収された副生フェノールタンク−１の内容物（メタノール９５重量ｐｐｍ含有）に変えた以外は、前述したビスフェノールＡの製造例に従ってビスフェノールＡを連続的に製造した。結果、アセトンの転化率が５５．０％まで大幅に低下し、含有するメタノールにより触媒性能が低下したと考えられる。また、合成反応時の原料フェノール中のメタノール濃度は、循環する母液にて希釈され、約３０重量ｐｐｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】この発明に係る芳香族ポリカーボネート（ＰＣ）製造工程のスキームを示す工程図
【図２】この発明に係るジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）製造工程のスキームを示す工程図
【図３】この発明に係るビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程のスキームを示す工程図
【図４】この発明に係るビスフェノールＡ（ＢＰＡ）製造工程の母液処理工程（工程（ｇ））のスキームを示す工程図
【符号の説明】
【００８７】
１  ＤＰＣ反応器
２  脱塩酸塔
３  混合槽
４  アルカリ中和槽
５  水洗槽
６  第１ＤＰＣ蒸留塔
７  第２ＤＰＣ蒸留塔
８  ＤＰＣ回収蒸留塔
３２  フェノール蒸発器
３３  残渣反応器
３４  再生反応器
４１  混合槽
４２  第１重合槽
４３  第２重合槽
４４  第３重合槽
４５  第４重合槽
４６  熱交換器
４７  熱交換器
４８  コンデンサ
４９ａ  第１回収タンク
４９ｂ  第２回収タンク
５２  押出機
５３ａ，５３ｂ  還流装置
５４ａ，５４ｂ  弁
【００８８】
Ａ  アセトン
ＢＰＡ  ビスフェノールＡ
Ｃ１  アルカリ系触媒
Ｃ２  塩基性触媒
ＣＤＣ  ホスゲン
Ｄ１  塩酸ガス
Ｄ２  中和排水
Ｄ３  水系排水
Ｄ４  高沸分
Ｄ５  排ガス
ＤＰＣ  ジフェニルカーボネート
Ｅ１  アルカリ性水溶液
Ｆ  混合ガス
Ｈ  塩基性物質
Ｉ  酸
Ｊ  添加剤
ＰＬ  フェノール
ｄ−ＰＬ  副生フェノール
ｄ−ＰＬ１  第１副生フェノール
ｄ−ＰＬ２  第２副生フェノール
Ｗ  水
Ｘ１  回収蒸留残渣
【００８９】
ａ  ＤＰＣ含有反応液
ｂ  脱塩酸処理液
ｄ  ＤＰＣ含有回収液
ｅ  中和処理液
ｆ  水洗処理液
ｇ１  第１蒸留残渣
ｇ２  第２蒸留残渣
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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