(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂材料は、予め封止用樹脂投入装置に於いて、当該封止用樹脂投入装置に於ける蓋部材の自重により加圧処理が、及び当該封止用樹脂投入装置に振動を与えて分散処理が、なされた後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【請求項２】
前記封止用樹脂投入装置に於いて加圧処理、分散処理がなされた封止用樹脂は、当該封止用樹脂投入装置内から落下して、下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする請求項１記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項３】
前記蓋部材には、前記基板に搭載された電子部品の搭載位置に対応して、当該電子部品の体積に対応する体積を有する突起が配設されてなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項４】
前記蓋部材には、前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設されてなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の樹脂封止方法。
【請求項５】
上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂材料は、前記基板に搭載された電子部品の搭載位置に対応し且つ当該電子部品の体積に対応する容積を有する凹部が配設されて固化された後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【請求項６】
上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設された下金型のキャビティ部に、樹脂材料を収容して溶融し、
当該溶融樹脂中への前記電子部品の浸漬に対応させて、前記突起の突出量を減少させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関し、より具体的には、半導体素子及び当該半導体素子の外部接続端子などの電極に接続されたボンディングワイヤを樹脂封止する樹脂封止工程を有する電子部品の樹脂封止方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化並びに小型化に伴い、この電子機器に搭載される半導体装置に対してより高機能化、高集積化が要求されている。
【０００３】
この為、当該半導体装置に於ける半導体素子、特に大規模半導体集積回路素子（ＬＳＩ）に於いては、複数の機能回路ブロックを収容し、且つ当該機能回路ブロックを構成するトランジスタ等の能動素子、抵抗素子等の受動素子並びに配線などの微細化・高集積化がなされつつある。
【０００４】
当該半導体素子は、複数の機能ブロックを含むことから、多数の外部接続端子を必要とする。従って、当該外部接続端子は、その相互間隔並びにピッチについて更なる縮小化が図られている。この為、当該半導体素子の外部接続用端子に接続されるボンディングワイヤも、より小さな直径のものが適用される。
【０００５】
更に、前記配線基板などの支持体上の電極端子にあっても、より小形化、高密度化が求められている。しかしながら、小形化、高密度化には限度があり、半導体素子に対してより近い位置に配設することが困難となりつつある。この為、前記半導体素子の外部接続端子と支持体上の電極端子とを接続する前記ボンディングワイヤの長さが長くなる傾向にある。
【０００６】
一方、前記半導体素子をボンディングワイヤ等と共に気密封止して半導体装置を形成する際には、封止方法の一つとして樹脂封止法が採られているが、その樹脂封止法としては従来所謂トランスファーモールド法が用いられている。
【０００７】
当該トランスファーモールド法は、配線基板或いはリードフレーム等の支持体、当該支持体上に搭載された半導体素子、及び当該半導体素子の外部接続端子と前記配線基板上の電極端子或いはリードフレームとを接続するボンディングワイヤ等を金型内に配置し、当該金型内に封止用樹脂を圧入（注入）して樹脂封止を行うものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、かかるトランスファーモールド法では、金型内へ封止用樹脂を高圧をもって注入するため、ボンディングワイヤの径が小である場合或いはボンディングワイヤ長が長い場合、封止用樹脂の流れに因り当該ボンディングワイヤの変形及び／或いは断線を生じ、更に他のボンディングワイヤとの短絡を生じてしまう恐れが大である。
【０００９】
このため、トランスファーモールド法に代えて、コンプレッションモールド（圧縮成型）法が注目されている。
【００１０】
かかるコンプレッションモールド法にあっては、配線基板或いはリードフレーム等の支持体、当該支持体上に搭載された半導体素子、及び当該半導体素子の外部接続端子と前記配線体上の電極端子或いはリードフレームとを接続するボンディングワイヤ等を含む被樹脂封止体を上金型に装着し、一方下金型に設けられたキャビティ内に粉末又は顆粒状の封止用樹脂を収容し、当該封止用樹脂を加熱溶融した状態に於いて、上金型及び下金型を型閉めすることにより、被樹脂封止物を溶融樹脂に浸漬して樹脂封止する。
【００１１】
このようなコンプレッションモールド法によれば、金型内への封止用樹脂の圧入が行われないため、封止用樹脂の流れに因るボンディングワイヤの変形及び／或いは断線等を生ずる恐れがより少ない。
【００１２】
この他、ホッパ内に供給された顆粒物が供給される計量部の計量孔に、棒状の調整部材が押し込み自在に組み込まれ、計量孔への調整部材の押し込み量の制御により、顆粒物の供給量を調整することができる構造（例えば、特許文献２参照）、或いは金型の型開き時に於いて、加圧手段にて顆粒樹脂を均一に加圧した状態で、樹脂材料供給機構の開閉部が水平方向にスライドして開き、均一に加圧された顆粒樹脂が金型キャビティ部に供給される方法（例えば、特許文献３参照）等が提案されている。
【特許文献１】特開平５−２４３３０１号公報
【特許文献２】特開２００２−１３７２５０号公報
【特許文献３】特開２００４−２１６５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、前記コンプレッションモールド法にあっては、下金型に設けられたキャビティ内に於ける封止用樹脂の分布に因り、封止用樹脂が溶融した際に当該封止用樹脂の流れを生じ、これによりボンディングワイヤの変形及び／或いは断線等を生ずる恐れがある。
【００１４】
この点について、図１乃至図７を参照して説明する。
【００１５】
従来のコンプレッションモールド法に於いて用いられているところの、封止用樹脂投入装置１を図１に示し、図２は、図１に於ける線Ａ−Ａ’に沿った断面を示す。
【００１６】
図１及び図２を参照するに、封止用樹脂投入装置１は、その上面の略中央に壁部２により四方を囲まれた封止用樹脂収容部３が設けられている。また、封止用樹脂収容部３の下部には、水平方向に往復動作することにより開閉可能な底板４−１及び４−２が設けられている。
【００１７】
そして、封止用樹脂収容部３には、所定の量に計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂５が全体にほぼ均一な厚さとなるように収容される。かかる封止用樹脂投入装置１は、図３に示すように下金型７の上方に配置される。
【００１８】
当該下金型７の上面の中央部には、バネ１１によって弾性支持された枠部８によって四方が囲まれたキャビティ部１０が形成されている。そして当該キャビティ部１０の底面から前記枠部８表面はリリースフィルム９により被覆されている。
【００１９】
図３に於いて矢印Ｓ１で示すように、封止用樹脂収容部３に設けられた底板４−１を左方向へ、また底板４−２を右方向に摺動することにより、封止用樹脂収容部３に収容されていた封止用樹脂５は、下金型７のキャビティ部１０に落下する。当該下金型７は例えば１７５℃程に加熱されている。この為、キャビティ部１０に収容された封止用樹脂５は溶融状態に移行する。
【００２０】
モールド金型に対するこの様な封止用樹脂５の供給方法によれば、封止用樹脂収容部３の底面を、底板４−１及び底板４−２を摺動することにより開放するため、下金型７のキャビティ部１０に落下した封止用樹脂５は、図４に示すように、キャビティ部１０内にあって、枠部８に近い領域により多く堆積し、キャビティ部１０内に於ける封止用樹脂５の分布が不均一となってしまう傾向が大である。
【００２１】
下金型７のキャビティ部１０内に封止用樹脂５が供給されると、前記封止用樹脂投入装置１は下金型７上から排除され、当該下金型７は図４に於いて矢印Ｓ２で示す方向に速やかに移動（上昇）して、当該下金型７と上金型１５が型閉めされる。
【００２２】
尚、上金型１５内には、予め、一枚の配線基板２１の表面（一方の主面）に複数個の半導体素子２２が搭載・固着され、当該半導体素子２２の外部接続端子と前記配線基板２１上の電極端子とがボンディングワイヤ２３により接続されてなるところの被樹脂封止体が、クランプ部１６により保持され、且つ真空吸着孔１７を介して真空吸引されて、当該配線基板２１は上金型１５に装着・保持されている。
【００２３】
かかる型閉めの際には、下金型７のキャビティ部１０内に於いては、図５に於いて矢印Ｓ３で示すように、封止用樹脂５が枠部８の近傍から中央部に向けて流動しつつある。この為、当該封止用樹脂５中に上金型１５に保持された半導体素子２２並びにボンディングワイヤ２３等が浸漬されると、当該封止用樹脂５の流れにより当該ボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線等が生じ得る。
【００２４】
尚、図５にあっては、封止用樹脂５の流動を説明するために、上金型１５と下金型７とを分離した状態を示している。
【００２５】
また、キャビティ部１０内に於いて封止用樹脂５が均一の厚さに分布した後に、下金型７を図６に於いて矢印Ｓ２で示す方向に移動し、上金型１５と下金型７とを型閉めして、上金型１５に保持された被樹脂封止体を封止用樹脂５中に浸漬する際に、半導体素子２２が封止用樹脂５を押し分ける作用に因り、当該封止用樹脂５には図６に於いて矢印Ｓ４で示す方向への流れが発生し得る。
【００２６】
この様な封止用樹脂５の流動によっても、ボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線等を生じ得る。
【００２７】
また、前記被樹脂封止体にあっては、図７に示すように、配線基板２１の一部に半導体素子２２が搭載されない場合がある。
【００２８】
この結果、キャビティ部１０内に於いて半導体素子２２の配置が不均一である場合には、矢印Ｓ５で示すように、半導体素子２２が配置されていない空間部への封止用樹脂５の流動を生じ得る。この様な場合にも、ボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線等を生じ得る。
【００２９】
本発明は、このような従来のコンプレッションモールド技術に於ける問題点に鑑みてなされたものであって、封止用樹脂の流れに因りボンディングワイヤに変形及び／或いは断線を生じ、更には他のボンディングワイヤとの接触が生ずることを防止することができる電子部品の樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明の一観点によれば、上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、前記樹脂材料は、予め封止用樹脂投入装置に於いて、当該封止用樹脂投入装置に於ける蓋部材の自重により加圧処理が、及び当該封止用樹脂投入装置に振動を与えて分散処理が、なされた後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法が提供される。
【００３１】
本発明の別の観点によれば、上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、前記樹脂材料は、前記基板に搭載された電子部品の搭載位置に対応し且つ当該電子部品の体積に対応する容積を有する凹部が配設されて固化された後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法が提供される。
【００３２】
本発明の更に別の観点によれば、上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設された下金型のキャビティ部に、樹脂材料を収容して溶融し、当該溶融樹脂中への前記電子部品の浸漬に対応させて、前記突起の突出量を減少させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法が提供される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、封止用樹脂の流れに因り、ボンディングワイヤに変形及び／或いは断線を生じ、更には他のボンディングワイヤに接触してしまうことを防止することができる電子部品の樹脂封止方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の電子部品の樹脂封止方法の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３５】
なお、電子部品の一例として、配線基板に搭載・固着された半導体素子及び当該半導体素子の外部接続端子と配線基板上に配設された電極パッドとを接続するボンディングワイヤを具備する半導体装置を掲げて説明する。
【００３６】
[第１の実施の形態]
まず、本発明の電子部品の樹脂封止方法の第１の実施の形態について図８乃至図１５を参照して説明する。
【００３７】
本発明の電子部品の樹脂封止方法の第１の実施の形態に於ける封止用樹脂投入装置３０の外観を図８に示し、当該図８に於ける線Ａ−Ａ’に沿った断面を図９に示す。
【００３８】
当該封止用樹脂投入装置３０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）など比較的軽量の金属体から構成される。
【００３９】
板状のアルミニウムからなる基板３１の中央部には開口３２が設けられ、当該基板３１の一方の主面（上面）側には前記開口３２の周囲に対応して壁部３３が配設され、また当該基板３１の他方の主面（下面）側には、前記開口３２を開閉する底板３４−１及び底板３４−２が摺動（スライド）可能に配設されている。
【００４０】
更に、前記壁部３３により画定された領域を覆って蓋部材３５が嵌装可能に配置されている。
【００４１】
かかる構成に於いては、図９に示されるように、壁部３３並びに底板３４−１及び底板３４−２により形成される空間が、封止用樹脂収容部３６を形成する。
【００４２】
ここで、前記開口３２の平面形状・寸法は、後述する樹脂封止装置の下金型のキャビティ部の形状・寸法に対応して設定されている。
【００４３】
また、前記底板３４−１及び底板３４−２それぞれは、その外方端部近傍に配設されたガイドピン３４ｇを用いて基板３１に設けられた案内孔３１ｇに沿って移動可能とされている。また、当該底板３４−１及び底板３４−２の幅方向（スライドする方向とは直角の方向）の両端部には、基板３１の他方の主面（下面）端部にコ字状部３１ｈが設けられ、前記底板３４−１及び底板３４−２は当該コ字状部３１ｈに支持されてスライド可能とされている。
【００４４】
更に、前記基板３１の他方の主面（下面）には、開口３２に対応して、底板３４−１及び底板３４−２の支持・案内部３１ｉが配設されている。当該支持・案内部３１ｉは、樹脂封止装置の下金型のキャビティ部の形状・寸法に対応して連続する壁状とされ、底板３４−１及び底板３４−２のスライドを支持すると共に、キャビティ部に封止用樹脂を供給する際には案内部を構成する。底板３４−１及び底板３４−２の支持・スライドを可能にする為に、当該底板の厚さに対応した開口（スリット）が設けられている。
【００４５】
また、前記蓋部材３５は、封止用樹脂収容部３６に収容された封止用樹脂に対し加圧するものであって、大なる厚さを有して自重が大とされ、且つ前記壁部３３の内側面に沿って容易に上下動可能な様に外形寸法が設定される。尚、その下面（封止用樹脂収容部３６への対向面）は一様な平面を有し、また側面上部に設けられた庇状支持部３５ａにより、壁部３３の上面に支持されて、開口３２内への落下は阻止される。
【００４６】
そして、前記封止用樹脂収容部３６には、樹脂計量装置（図示せず）にて計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂３７が収容される。
【００４７】
封止用樹脂収容部３６に封止用樹脂３７を収容し、蓋部材３５を装着した状態を、図１０に示す。
【００４８】
同図に示されるように、封止用樹脂収容部３６内にあって、封止用樹脂３７は均一な厚さを有せず、開口３２に対して一様な分布をなしていない。
【００４９】
本実施の形態にあっては、封止用樹脂投入装置３０に於ける封止用樹脂３７の分布を一様なものとすべく、蓋部材３５の自重を利用して封止用樹脂３７に荷重を加えると共に、当該封止用樹脂投入装置３０に横方向（水平方向）の振動を与える。
【００５０】
封止用樹脂投入装置３０に対して、水平方向の振動を与える機構について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００５１】
封止用樹脂投入装置３０に対し、水平方向の振動を与える機構の概略を図１１に示す。
【００５２】
ここで、封止用樹脂投入装置３０は、上面にＸ方向移動ステージ用レール１４０が２本並行して設けられたＸ方向移動ステージ１４１上に支持されている。
【００５３】
また、当該Ｘ方向移動ステージ１４１は、上面にＹ方向移動ステージ用レール１５０が２本並行して設けられたＹ方向移動ステージ１５１上に配設されている。
【００５４】
かかる配置構成により、封止用樹脂投入装置３０はＸ方向移動ステージ用モータ１４２の駆動によりＸ１−Ｘ２方向に移動可能とされ、また当該封止用樹脂投入装置３０を支持するＸ方向移動ステージ１４１はＹ方向移動ステージ用モータ１５２の駆動によりＹ１−Ｙ２方向に移動可能とされている。
【００５５】
尚、同図に於いて、３５ｂは、蓋部材３５に設けられ、封止用樹脂収容部３６内の空気を逃がす貫通孔である。
【００５６】
Ｘ方向移動ステージ用モータ１４２及びＹ方向移動ステージ用モータ１５２の駆動と、封止用樹脂投入装置３０及びＸ方向移動ステージ１４１の移動との関係を、図１２を用いて説明する。
【００５７】
Ｘ方向移動ステージ用モータ１４２の回転軸１４２−１には偏心カム１４３が装着されており、当該偏心カム１４３は、封止用樹脂投入装置３０に当接している。一方、Ｙ方向移動ステージ用モータ１５２の回転軸１５２−１には、偏心カム１５３が装着されており、当該偏心カム１５３は、Ｘ方向移動ステージ１４１に当接している。
【００５８】
図示されてはいないが、Ｘ方向移動ステージ１４１には、封止用樹脂投入装置３０をＸ方向移動ステージ用モータ１４２の回転軸方向に、一方、Ｙ方向移動ステージ１５１には、Ｘ方向移動ステージ１４１をＹ方向移動ステージ用モータ１５２の回転軸方向に押圧する加圧手段がそれぞれ配設されている。
【００５９】
従って、図１２−（Ａ）に示す状態から、Ｘ方向移動ステージ用モータ１４２が駆動して回転軸１４２−１が回転すると、偏心カム１４３により、封止用樹脂投入装置３０は図１２−（Ｂ）に於いて矢印Ｓ６で示す方向に移動する。同様に、Ｙ方向移動ステージ用モータ１５２が駆動して回転軸１５２−１が回転すると、偏心カム１５３により、Ｘ方向移動ステージ１４１は図１２−（Ｂ）に於いて矢印Ｓ６で示す方向に移動する。
【００６０】
この状態から更に軸部１４２−１（或いは１５２−１）が回転すると、封止用樹脂投入装置３０（或いはＸ方向移動ステージ１４１）は図１２−（Ｂ）に於いて矢印Ｓ６で示す方向とは逆の方向に移動し、図１２−（Ａ）に示す状態となる。
【００６１】
このように、Ｘ方向移動ステージ用モータ１４２の駆動により、封止用樹脂投入装置３０が同一平面内に於いてＸ１−Ｘ２方向に移動し、またＹ方向移動ステージ用モータ１５２の駆動により、Ｘ方向移動ステージ１４１が同一平面内に於いてＹ１−Ｙ２方向に移動することにより、前記封止用樹脂投入装置３０に対してＸ方向及びＹ方向の振動が与えられる。
【００６２】
このような水平方向の振動の付与工程を経た封止用樹脂投入装置３０に於ける、封止用樹脂３７の状態を図１３に示す。
【００６３】
上方からは蓋部材３５の自重による荷重が印加され、且つ封止用樹脂投入装置３０に対して前述の如き水平方向の振動が印加されることにより、当該封止用樹脂３７は封止用樹脂収容部３６内に均一に分散される。
【００６４】
蓋部材３５による加重の印加の際、壁部３３に案内されることにより、蓋部材３５は封止用樹脂３７に対して傾斜することなく接し均等に押圧する。この時、蓋部材３５に設けられた孔３５ｂ（図１１に示す）を介して封止用樹脂収容部３６内の空気が排出されることにより、封止用樹脂３７への加重が速やかになされる。
【００６５】
このように収容した封止用樹脂３７の分布が均一化された封止用樹脂投入装置３０は、図１４に示すように、加熱機構（図示せず）により１７５℃程に加熱された下金型７上に配置される。
【００６６】
当該下金型７の上面の中央部には、バネ１１によって弾性支持された枠部８により周囲が囲まれてキャビティ部１０が形成されている。
【００６７】
また、当該キャビティ部１０の底部から前記枠部８表面には、フッ素系樹脂などからなるリリースフィルム９が被覆されている。
【００６８】
そして、前記封止用樹脂投入装置３０の支持・案内部３１ｉの下端が、前記枠部８の上面に当接されて、封止用樹脂投入装置３０が下金型７上に配置される。
【００６９】
これにより、封止用樹脂投入装置３０の開口３２は、下金型７のキャビティ部１０の開口面に対応して位置する。
【００７０】
しかる後、図１４に於いて矢印Ｓ１に示すように、封止用樹脂投入装置３０の封止用樹脂収容部３６の底板３４−１及び底板３４−２を摺動すると、封止用樹脂収容部３６に収容されていた封止用樹脂３７は、下金型７のキャビティ部１０内に落下する。この時、前記支持・案内部３１ｉ及び枠部８により、封止用樹脂３７のキャビティ部１０外への飛散が防止される。
【００７１】
上述の如く、封止用樹脂３７は封止用樹脂収容部３６内部に於いて予め均一に分散され、且つ上方から蓋部材３５により荷重が印加されている。従って、前記底板３４−１及び底板３４−２が中央から左右方向に摺動されても、下金型７のキャビティ部１０に落下する封止用樹脂３７は、均一な分布を保ったまま当該キャビティ部１０内に収容される。
【００７２】
但し、封止用樹脂３７は、加熱されている下金型７上に落下した時から溶融し始めるため、落下した封止用樹脂３７の溶融粘度を均一に安定させることができるように、可能な限り封止用樹脂投入装置３０を下金型７に近づけ、且つ底板３４−１及び底板３４−２をより高速で開放することが望ましい。
【００７３】
次いで、封止用樹脂投入装置３０を排除し、下金型７を図１５に於いて矢印Ｓ２で示す方向に移動（上昇）し、上金型１５と下金型７を型閉めする。
【００７４】
尚、上金型１５内には、予め、一枚の配線基板２１の表面（一方の主面）に複数個の半導体素子２２が搭載・固着され、当該半導体素子２２の外部接続端子と前記配線基板２１上の電極端子とがボンディングワイヤ２３により接続されてなる被処理体が、クランプ部１６により保持され、且つ真空吸着口１７を介して真空吸引されて、上金型１５に装着・保持されている。
【００７５】
上金型１５と下金型７とを型閉めし、下金型７を矢印Ｓ２で示す方向に更に上昇せしめて、上金型１５に保持された配線基板２１上に於ける半導体素子２２及びボンディングワイヤ２３を、下金型７に於けるキャビティ部１０内の封止用樹脂３７中に浸漬して樹脂封止する。
【００７６】
この時、封止用樹脂３７は下金型７のキャビティ部１０内に於いて予め均一に分布しているため、当該封止用樹脂３７の流動は大きく抑制され、かかる流動に基づくボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線、更にはボンディングワイヤ間の短絡等が防止される。
【００７７】
ボンディングワイヤ２３の直径が、２０乃至２５μｍの場合には、本実施の形態を適用することが望ましい。
【００７８】
尚、本実施の形態は、最低溶融粘度が３００ｐｏｉｓｅの特性を有する封止用樹脂を用いて電子部品を樹脂封止する場合に適するが、これらの樹脂は加熱されてから約３乃至５秒後に溶融粘度が低くなるため、図１５に示す型閉め工程は当該溶融粘度に到る時間までに完了させる必要がある。
【００７９】
また、図１５に示す型閉め工程では、上金型１５に対して下金型７を上昇させる場合を示しているが、下金型７に対して上金型１５を下降させても良いことは勿論である。
【００８０】
[第２の実施の形態]
次に、本発明の電子部品の樹脂封止方法の第２の実施の形態について図１６乃至図２０を参照して説明する。なお、前記第１の実施の形態で説明した部位に対応する部位については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８１】
前記第１の実施の形態は、ボンディングワイヤ２３の直径が２０乃至２５μｍの場合に適用することができる。
【００８２】
ところが、前記第１の実施の形態による樹脂封止方法を適用して、下金型７のキャビティ部１０内に封止用樹脂３７をその分布が均一になるように収容しても、半導体素子２２がより大きな体積を有する場合には、封止用樹脂３７を押圧し、当該半導体素子２２の周囲に於いて封止用樹脂３７の流動が発生し得る。
【００８３】
この為、ボンディングワイヤ２３の直径が２０μｍよりも小である場合には、かかる封止用樹脂３７の流動に因り、ボンディングワイヤ２３に変形及び／或いは断線を生ずる可能性がある。
【００８４】
本第２の実施の形態は、より直径の小なるボンディングワイヤが適用される電子部品の樹脂封止を可能とするものである。
【００８５】
本実施の態様にあっては、蓋部材４１の下面、即ち蓋部材４１が封止用樹脂収容部３６に収容された封止用樹脂３７と接する面にあって、処理される配線基板２１に装着された半導体素子２２の位置に対応する位置に、所定の大きさの突起を配設することにより、上述の問題に対応する。
【００８６】
本第２の実施の形態に於ける封止用樹脂投入装置４０の構造を図１６に示す。
【００８７】
ここでは、上金型１５及び下金型７の構成部品と封止用樹脂投入装置４０の構成部品との位置関係をも併せて表示している。
【００８８】
かかる封止用樹脂投入装置４０は、前記第１の実施の態様に於ける封止用樹脂投入装置３０の構成と同様の構成を有する。
【００８９】
封止用樹脂投入装置４０に於ける封止用樹脂収容部３６の開口は、下金型７のキャビティ部１０の開口に対応した形状・寸法とされている。
【００９０】
本実施の形態に於ける特徴的構成として、蓋部材４１の下面即ち封止用樹脂収容部３６への対向面に、被樹脂封止体である配線基板２１に装着される半導体素子２２の大きさ並びに位置に対応して複数個の突起部４２が配設される。
【００９１】
当該突起部４２は、封止用樹脂へ対向する面積が半導体素子２２の主面の面積と略等しく設定され、またその高さ（図１６に於いて上下方向の長さ）は配線基板表面からの半導体素子２２の高さと略一致する高さとされる。即ち、当該突起部４２の体積が対応する半導体素子２２の体積と同等とされる。
【００９２】
当該突起部４２の体積が半導体素子２２に比して大であると、金型の型閉めの際に、半導体素子２２部に対して封止用樹脂３７の流れ込みが生じてしまう。一方当該突起部４２の体積が半導体素子２２に比して小であると、半導体素子２２部から周囲の半導体素子２２部に向かう封止用樹脂３７の流動を生じてしまう。
【００９３】
従って、当該突起部４２の面積と高さの積、即ち体積は、半導体素子２２の体積と同等のものとされる必要がある。
【００９４】
封止用樹脂投入装置４０の封止用樹脂収容部３６に封止用樹脂３７を収容し、本実施の態様にかかる蓋部材４１を装着した状態を図１７に示す。
【００９５】
当該封止用樹脂投入装置４０の封止用樹脂収容部３６の底面に設けられた底板３４−１及び底板３４−２を閉めた状態で、当該封止用樹脂収容部３６には所定の量に計量された粉末又は顆粒状の封止用樹脂３７が収容される。
【００９６】
同図に示されるように、収容時直後にあっては、封止用樹脂収容部３６内に於いて、封止用樹脂３７は均一の厚さを有せず、一様な分布をなしていない。
【００９７】
従って、これを一様な分布とするべく、蓋部材４１による加重を利用して封止用樹脂３７に荷重を加えると共に、封止用樹脂投入装置４０全体に横方向（水平方向）の振動を与える。
【００９８】
即ち、本実施の態様にあっては、複数の突起部４２を具備した蓋部材４１を封止用樹脂収容部３６に嵌装して封止用樹脂を加重しつつ、封止用樹脂投入装置４０に対し水平方向の振動を与える。
【００９９】
この結果、封止用樹脂３７は、図１８に示すように、封止用樹脂収容部３６内に於いて均一に分散される。
【０１００】
しかる後、図１９に示すように、封止用樹脂投入装置４０を、加熱機構（図示せず）により略１７５℃加熱された下金型７の上方に配置する。
【０１０１】
ここで、封止用樹脂投入装置４０の封止用樹脂収容部３６の底板３４−１及び底板３４−２を矢印Ｓ１に示す方向に摺動すると、封止用樹脂収容部３６に収容されていた封止用樹脂３７は、下金型７のキャビティ部１０内に落下する。
【０１０２】
上述の如く、封止用樹脂３７は封止用樹脂収容部３６内部に於いて均一に分散されており、且つ上方からは半導体素子に対応する突起を備えた蓋部材４１により荷重が印加されている。
【０１０３】
従って、底板３４−１及び底板３４−２が中央から左右方向に摺動されても、下金型７のキャビティ部１０に落下する封止用樹脂３７は、均一な密度分布を保ちつつ、前記突起４２に対応する凹部３７ａを有してキャビティ部１０内に収容される。
【０１０４】
封止用樹脂３７は、加熱されている下金型７に落下した時から溶融し始めるため、落下した封止用樹脂３７の溶融粘度を均一に安定させることができるように、封止用樹脂投入装置４０を下金型７に近づけ、且つ底板３４−１及び底板３４−２を高速で開放することが望ましい。
【０１０５】
次いで、当該封止用樹脂投入装置４０を排除し、下金型７を図２０に於いて矢印Ｓ２で示す方向に移動（上昇）させ、上金型１５と下金型７を型閉めする。
【０１０６】
尚、上金型１５には、一枚の配線基板２１の表面（一方の主面）に複数個の半導体素子２２が搭載・固着され、当該半導体素子２２の電極と前記配線基板２１上の電極端子とがボンディングワイヤ２３により接続されてなるところの被処理体が、予めクランプ部１６により保持され、且つ真空吸着口１７を介して真空吸引されて、上金型１５に装着・保持されている。
【０１０７】
上金型１５と下金型７とを型閉めし、下金型７を矢印Ｓ２で示す方向に更に上昇せしめて、上金型１５に保持された配線基板２１上に於ける半導体素子２２及びボンディングワイヤ２３を、下金型７のキャビティ部１０内に収容されている封止用樹脂３７中に浸漬して樹脂封止する。
【０１０８】
本実施の形態にあっては、封止用樹脂３７に荷重を与える蓋部材４１に、封止する半導体素子２２に対応する突起部４２を配設することにより、封止用樹脂投入装置４０内に於いて、半導体素子２２に対応する部位に凹部３７ａを形成して封止用樹脂３７の量を減じておく。そして、かかる分布状態のまま、当該封止用樹脂３７を下金型７のキャビティ部１０に収容する。
【０１０９】
従って、樹脂封止の際、半導体素子２２が封止用樹脂３７を押圧することが殆ど生ぜず、半導体素子２２の周囲に於いて封止用樹脂３７の流動が生じない。この為、かかる封止用樹脂３７の流動に因るボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線の発生、更にはボンディングワイヤ間の短絡等が防止される。
【０１１０】
このように、本実施の態様によれば、半導体素子など電子部品の存在の有無に基づく封止用樹脂の流動を低下させ得ることから、ボンディングワイヤ２３の直径が２０μｍよりも小である場合に、本実施の形態の適用は有用である。
【０１１１】
なお、本実施の形態は、最低溶融粘度が３００ｐｏｉｓｅの特性を有する封止用樹脂を用いて電子部品を樹脂封止する場合に適する。
【０１１２】
また、図２０に示す型閉め工程では、上金型１５に対して下金型７を上昇させる場合を示しているが、下金型７に対して上金型１５を下降させてもよいことは勿論である。
【０１１３】
更に、前記突起部４２は、通常蓋部材４１と一体に形成されるが、当該蓋部材とは別個に形成し、嵌装、接着、吸着或いは螺子込みなどの手段により、蓋部材と一体化する構成とすることも可能である。
【０１１４】
突起部を蓋部材とは別個に形成することにより、異なる体積を有する半導体素子への対応の容易性を高めることができ、また当該蓋部材、突起部を製造する費用の低減化を図ることができる。
【０１１５】
[第３の実施の形態]
次に、本発明の電子部品の樹脂封止方法の第３の実施の形態について図２１乃至図２７を参照して説明する。なお、前記第１、第２の実施の形態で説明した部位と同じ部位については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１６】
前述の如く、１枚の配線基板上に複数個の半導体素子を搭載し、当該半導体素子の外部接続端子と配線基板上の電極端子とをボンディングワイヤにて接続した後、これらを一括して樹脂封止し、しかる後、半導体素子毎に対応させて配線基板、封止樹脂部を切断・分離して小片化された半導体装置を形成する方法が採られる場合がある。
【０１１７】
かかる製造方法に於いては、前記配線基板上の配線形態等に不良箇所があった場合、当該不良箇所には半導体素子を搭載しないまま、樹脂封止を行う手法が執られることがある。
【０１１８】
このような場合、前記第２の実施の形態の如く、半導体素子に対応する突起部を設けた蓋部材を適用した封止用樹脂投入装置を用いて封止用樹脂を下金型に収容すると、上金型と下金型の型閉めの際に、配線基板に於いて半導体素子が搭載されていない箇所に於いて封止用樹脂の流れを生じてしまう。
【０１１９】
これは、半導体素子のすべてが搭載されることを前提として突起部が配設された蓋部材を適用した結果、封止用樹脂には対応する半導体素子が無い凹部が形成され、樹脂封止時には当該凹部が空間を形成し、かかる空間を埋める樹脂の流れを生じてしまうことによる。
【０１２０】
かかる封止用樹脂の流動に因り、半導体素子が搭載されていない領域の近傍に位置して搭載された半導体素子に接続されているボンディングワイヤに於いて、変形及び／或いは断線を生じてしまう可能性がある。
【０１２１】
本第３の実施の形態は、この様に半導体素子が搭載されていない領域を含む配線基板を対象とする樹脂封止に於いて、封止用樹脂の不要な流動を抑制・防止する方法を提供するものである。
【０１２２】
本実施の形態にあっては、封止用樹脂投入装置の蓋部材に、上下動可能な突起部を配設し、配線基板に搭載される半導体素子の有無に対応して、当該突起部を突出させることにより上述の問題に対応する。
【０１２３】
本実施の形態に於いて用いられる封止用樹脂投入装置の構造について、図２１を参照して説明する。
【０１２４】
封止用樹脂投入装置５０の蓋部材５１には、当該蓋部材５１の下面即ち封止用樹脂収容部３６に対向する面に、半導体素子の体積に対応する体積を有して突出する突起部５２が、配線基板に搭載された半導体素子の位置に対応して配設されている。
【０１２５】
個々の突起部５２は、それぞれ蓋部材５１から封止用樹脂収容部３６方向に突出するよう移動可能とされている。
【０１２６】
当該突起部５２は、蓋部材５１内に配設された、エアシリンダ５３及び当該エアシリンダ５３に取り付けられたピストン５４に接続されている。
【０１２７】
エアシリンダ５３には空気流入管５５が接続されており、空気流入管５５の他端は電磁弁（図示せず）を介して圧縮空気源（図示せず）に接続されている。
【０１２８】
電磁弁を開くことにより、空気流入管５５を介して圧縮空気がエアシリンダ５３に流入する。これにより当該エアシリンダ５３に取り付けられたピストン５４が下方に移動し、当該ピストン５４に接続された突起部５２は、蓋部材５１内を移動して当該蓋部材５１の下面から封止用樹脂収容部３６方向に突出する。
【０１２９】
なお、エアシリンダ５３内の下方であって前記突起部５２の周囲には、バネ５６が配設されており、圧縮空気が空気流入管５５を介してエアシリンダ５３に流入されない状態にあっては、当該バネ５６により、突起部５２はエアシリンダ側に押圧され、蓋部材５１の下面から突出しない状態とされる。
【０１３０】
かかる構造を備えた蓋部材５１を有する封止用樹脂投入装置５０を用いた樹脂封止方法について、図２２を参照して説明する。図２２は、封止用樹脂投入装置５０を用いた樹脂封止処理の流れを示すフローチャートである。
【０１３１】
まず基板収納カセットから樹脂封止処理対象の配線基板を取り出し（ステップＳ１）、当該配線基板の画像認識処理を行う（ステップＳ２）。
【０１３２】
当該配線基板には、複数個の半導体素子が搭載され、各半導体素子の外部接続端子と配線基板上の電極端子との間はボンディングワイヤにて接続されている。
【０１３３】
かかる配線基板の画像認識処理について、図２３を参照して説明する。
【０１３４】
画像認識処理は、画像認識装置（図示せず）により行われる。当該画像認識装置のデータベース７０には、配線基板のレイアウト情報、即ち、配線基板に搭載されるべき半導体素子が全て搭載された場合の当該半導体素子の数量及びその配置される位置・方向（レイアウト）、並びに一つの半導体素子の体積に相当する封止用樹脂の重量についての情報などが事前に登録されている（登録情報）。
【０１３５】
一方、前記基板収納カセットから取り出され樹脂封止処理が施される被処理配線基板２１に於ける半導体素子２２の存在の有無が、カメラ等の撮像手段７１を介して認識される。
例えば図２３に示す例にあっては、３番及び１２番と番号が付けされた箇所に半導体素子２２が搭載されていないことが認識される（位置情報）。
【０１３６】
当該位置情報と前記登録情報とが比較され、配線基板に搭載されていない半導体素子の体積に相当する量の封止用樹脂の重量、即ち配線基板に搭載されていない半導体素子の数量に半導体素子１個の体積に相当する量の封止用樹脂の重量を乗じた値のデータが、樹脂計量装置８０（図２４参照）に送られる。
【０１３７】
図２３に示す例では、半導体素子２個分の体積に相当する量の封止用樹脂の重量のデータが、樹脂計量装置８０に送られる。
【０１３８】
かかる封止用樹脂計量装置８０にあっては、配線基板に搭載されるべき半導体素子が全て搭載された場合に封止用樹脂投入装置５０に投入すべき封止用樹脂量に、配線基板に搭載されていない半導体素子分の体積に相当する量の封止用樹脂量を加算して、封止用樹脂投入装置５０に投入すべき封止用樹脂量を計量し（ステップＳ２−１１）、これを図２４に示すように封止用樹脂投入装置５０の封止用樹脂収容部３６に供給する（ステップＳ２−１２）。
【０１３９】
また、撮像手段７１により認識された、配線基板に於ける半導体素子の有無に関する位置情報は、封止用樹脂投入装置５０に送られる。
【０１４０】
封止用樹脂投入装置５０の蓋部材５１には、前述の如く、配線基板上の半導体素子の配列に対応した位置に、蓋部材５１から突出可能な突起部５２が配設されている。
【０１４１】
封止用樹脂投入装置５０は、封止用樹脂計量装置８０から受信した位置情報に基づき、蓋部材５１に於いて各半導体素子と対応した位置に設けられている突起部５２を、対応する半導体素子が配線基板上に存在する箇所に対応して突出させ、一方対応する半導体素子が配線基板上に無い場合には突出させない（ステップＳ２−２）。
【０１４２】
即ち、前記配線基板に於ける半導体素子の位置情報は、封止用樹脂投入装置５０の電磁弁の制御信号に関連付けされ、対応する電磁弁を制御することにより蓋部材の突起部５２の出し入れが制御される。  配線基板の半導体素子が搭載されている箇所に対応する電磁弁を開放して圧縮空気をエアシリンダ５３に流入せしめ、ピストン５４を下方に移動させて、ピストン５４に接続されている突起部５２を蓋部材５１の下面から蓋部材５１の外側、封止用樹脂収容部３６方向に突出せしめる。
【０１４３】
一方、半導体素子が搭載されていない箇所に対応する電磁弁は開かず、圧縮空気をエアシリンダ５３に流入させない。この結果、当該箇所に対応する突起部５２は蓋部材５１の下面から蓋部材５１の外側に突出せず、その表面は蓋部材５１の下面（封止用樹脂収容部３６への対向面）と同一の平面を形成する。
【０１４４】
図２４に示す例では、３つある突起部５２のうち、右側にある突起部が、半導体素子が搭載さていない箇所に対応する突起部であり、蓋部材５１の下面からは突出されない。
【０１４５】
次いで、図２５−（Ａ）に示すように、半導体素子２２の有無に対応させて突起部５２が配設された蓋部材５１を、封止用樹脂収容部３６上に嵌装し、封止用樹脂３７に対し蓋部材５１の自重により上方から荷重をかけ、更に封止用樹脂投入装置５０を前記実施の態様と同様な手段により水平方向に振動させる。
【０１４６】
この結果、図２５−（Ｂ）に示すように、封止用樹脂３７は、封止用樹脂収容部３６内に於いて均等に分散される（ステップＳ２−３）。即ち、配線基板上に半導体素子が存在しない領域に対応する領域には、空洞などを生ずることなく封止用樹脂が収容される。
【０１４７】
一方、樹脂封止用金型の上金型１５内には、一枚の配線基板２１の表面（一方の主面）に複数個の半導体素子２２が搭載・固着され、当該半導体素子２２の電極と前記配線基板２１上の電極端子とがボンディングワイヤ２３により接続されてなる被樹脂封止体が、クランプ部１６により保持され、且つ真空吸着口１７を介して真空吸引されて、上金型１５に装着・保持される（ステップＳ３−１）。
【０１４８】
また、樹脂封止用金型の下金型７の上面の中央部には、バネ１１によって弾性支持された枠部８により周囲（四方）が囲まれたキャビティ部１０が形成されている。
【０１４９】
当該キャビティ部１０の底部から前記枠部８表面には、フッ素系樹脂などからなるリリースフィルム９が被覆されている（ステップＳ３−２１）。
【０１５０】
当該下金型７が加熱機構（図示せず）により１７５℃程の温度に加熱されている状態に於いて、図２６に示すように、封止用樹脂が収容された前記封止用樹脂投入装置５０が、その支持・案内部３１ｉの下端を前記枠部８の上面部に接して下金型７上に載置される。
【０１５１】
この時、封止用樹脂投入装置５０はその開口３２が、下金型７のキャビティ部１０の開口面に対応するよう載置される。
【０１５２】
そして、封止用樹脂投入装置５０の封止用樹脂収容部３６の底板３４−１及び底板３４−２が矢印Ｓ１方向に摺動されて、封止用樹脂収容部３６から下金型７のキャビティ部１０内へ、封止用樹脂３７が落下・供給される（ステップＳ３−２２）。
【０１５３】
即ち、封止用樹脂投入装置５０の封止用樹脂収容部３６の底板３４−１及び底板３４−２を矢印Ｓ１方向に摺動することにより、封止用樹脂収容部３６に収容されていた封止用樹脂３７は、下金型７のキャビティ部１０内に落下する。
【０１５４】
前述の如く、封止用樹脂３７は封止用樹脂収容部３６内部に於いて、前記突起部５２の突出に対応し且つ均一に分散されており、また上方からは当該突起を備えた蓋部材５１により荷重が印加されている。
【０１５５】
従って、底板３４−１及び底板３４−２が中央から左右方向に摺動されても、キャビティ部１０内に落下した封止用樹脂３７は、均一な密度分布を保ち且つ前記突起部５２の突出に対応する凹部３７ａを有しつつ当該キャビティ部１０内に収容される。
【０１５６】
この結果、下金型７のキャビティ部１０に落下した封止用樹脂３７は、封止用樹脂投入装置５０の封止用樹脂収容部３６内での分布と略同一の分布を有する。即ち、下金型７のキャビティ部１０に収容された封止用樹脂３７にあっては、配線基板２１に装着された半導体素子２２の位置に対応する位置に、前記突起部５２に対応して凹部３７ａが形成される。
【０１５７】
一方、配線基板２１にあって半導体素子２２が存在していない位置に対応する箇所には、前記突起部５２が突出されていなかったことから、凹部３７ａは形成されない。
【０１５８】
次いで、下金型７と上金型１５を合わせて、型閉めがなされる（ステップＳ４）。
【０１５９】
上金型１５に保持された配線基板２１に搭載・固着された半導体素子２２及びボンディングワイヤ２３を、下金型７に形成されたキャビティ部１０内に於いて溶融状態にある封止用樹脂３７中に浸漬し、半導体素子２２が封止用樹脂３７の凹部３７ａに受容されるように、上金型１５と下金型７は型閉めされる。
【０１６０】
この場合、図２７に示すように、上金型１５と下金型７との間に存在する空気により封止用樹脂３７中に気泡（ボイド）が発生することを防止すべく、型閉めの直前に上金型１５と下金型７との間の空間を真空状態にすることが望ましい。
【０１６１】
この為、図２７に示す例では、上金型１５の縁部近傍と下金型７の縁部近傍との間に、ゴム等の弾力性のあるパッキン１００を配置し、当該パッキン１００と上金型１５及び下金型７とにより閉空間を形成する。
【０１６２】
そして、型閉めの直前に、下金型７に於いて前記パッキン１００よりも内側に設けられた排気孔１０１を介して当該閉空間内の空気を排除し、所定の真空状態とする。
【０１６３】
なお、かかる気密・真空化手段は、前記第１及び第２の実施の形態に於いても適用することができる。
【０１６４】
樹脂封止が完了すると上金型１５と下金型７を離型する（ステップＳ５）。
【０１６５】
このように、本実施の形態では、樹脂封止される配線基板に搭載される半導体素子の有無に対応させて、封止処理に使用する封止用樹脂量を決定し、更に、封止用樹脂投入装置の蓋部材には選択的に突出可能な突起部を配設して、配線基板上の半導体素子の存在の有無に対応して当該突起部を突出させることにより、封止用樹脂の分布の最適化を図ることが出来る。
【０１６６】
従って、半導体素子が搭載されている箇所と搭載されていない箇所とを含む配線基板であっても、樹脂封止時、半導体素子が搭載されていない領域への封止用樹脂の流れの発生を防止することができ、当該領域に近接する半導体素子の電極に接続されているボンディングワイヤの変形及び／或いは断線、更にはボンディングワイヤ間の短絡等が防止される。
【０１６７】
尚、本実施の形態は、最低溶融粘度が３００ｐｏｉｓｅの特性を有する封止用樹脂を用いて電子部品を樹脂封止する場合に適する。
【０１６８】
尚、前記第１乃至第３の実施の態様に於いて、前記封止用樹脂投入装置（３０，４０，５０）は、支持・案内部３１ｉの下端部が下金型７の枠部８の上面部に当接されて下金型７上に載置されているが、当該支持・案内部３１ｉを設けず、壁部３３の周囲に於ける基板部分、例えばコ字状部３１ｈの下面に、当該封止用樹脂投入装置の機械的支持及び下金型７との位置決めの為の、柱状脚部或いは壁状脚部を配設しても良い。
【０１６９】
底板３４−１及び底板３４−２の摺動を制限する箇所でなければ、柱状脚部或いは壁状脚部の配設位置はこれに限定されない。
【０１７０】
当該柱状脚部或いは壁状脚部は、封止用樹脂投入装置下面と下金型７の枠部８の上面とが並行となり、且つその間隔ができるだけ小となるように、配設位置、高さが選択される。
【０１７１】
この場合、下金型には、当該柱状脚部或いは壁状脚部を受容して位置決めをなす孔或いは溝が設けられる。
【０１７２】
[第４の実施の形態]
次に、本発明の電子部品の樹脂封止方法の第４の実施の形態について図２８乃至図３０を参照して説明する。なお、前記第３の実施の形態で説明した部位に対応する部位については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１７３】
前記第１乃至第３の各実施の形態は、粉末又は顆粒状の封止用樹脂を、封止用樹脂投入装置から下金型のキャビティ部１０内へ供給するものである。
【０１７４】
本実施の形態にあっては、粉末又は顆粒状の封止用樹脂を、封止する配線基板に載置・搭載された半導体素子の有無に対応させた形状に予め整形・固化した後、当該固化された封止用樹脂を下金型へ配置する。
【０１７５】
本実施の形態に於いて用いられる封止用樹脂固化装置の構造について、図２８を参照して説明する。
【０１７６】
当該封止用樹脂固化装置２００は、雄金型２１０と雌金型２５０とを具備する。
【０１７７】
雌金型２５０は、封止用樹脂受容部２５５を略中央に備える。当該封止用樹脂受容部２５５は、樹脂封止する際に使用される下金型７に形成されるキャビティ部１０の容積・形状と略同一の容積・形状を有する。
【０１７８】
また、雌金型２５０内であって、封止用樹脂受容部２５５の下方には、ヒータ２５７が配設される。当該ヒータ２５７は、封止用樹脂受容部２５５に収容される封止用樹脂３７を、その硬化反応が促進されない温度である約２５乃至５０℃程に加熱する。
【０１７９】
一方、雄金型２１０には、前記第３の実施の形態に於ける突起部５２と同様に、配線基板に搭載される半導体素子の体積と略同一の体積を有する突起部２１２が、当該雄金型２１０の下方であって、前記配線基板に搭載される半導体素子の位置に対応する夫々の位置に、鉛直方向に出し入れ可能に配設されている。
【０１８０】
当該突起部２１２は、雄金型２１０内を上下動可能に貫通して配設された螺子部２１３に接続されている。かかる螺子部２１３はフレキシブルケーブル２１４の一方の端部に接続されており、当該フレキシブルケーブル２１４の他端はモータ（図示せず）に接続されている。フレキシブルケーブル２１４は、モータの回転動作を螺子部２１３に伝達する。
【０１８１】
モータが駆動され、その回転動作がフレキシブルケーブル２１４を介して螺子部２１３に伝達されると、螺子部２１３は回転しながら下方に移動する。当該螺子部２１３に接続されている突起部２１２は、雄金型２１０内を移動して雄金型２１０の下面から雄金型２１０の外側に突出する。
【０１８２】
また、前記突起部２１２の周囲にはバネ２１６が配設され、前記モータが駆動されない状態にあっては、当該バネ２１６により突起部２１２は螺子部２１３に押圧され、雄金型２１０の下面から雄金型２１０の外側に突出しない状態とされる。
【０１８３】
また、雄金型２１０の下方には、ヒータ２１５が配設されている。
【０１８４】
次に、かかる封止用樹脂固化装置２００を用いた樹脂封止方法について、図２８及び図２９を参照して説明する。
【０１８５】
本実施の形態にあっては、当該封止用樹脂固化装置２００を用いて、粉末又は顆粒状の封止用樹脂を、封止する配線基板に載置される半導体素子の有無に対応した形状に固化する。
【０１８６】
前記第３の実施の形態に於いて説明した如く、樹脂封止対象の配線基板に対する画像認識処理が行なわれ、画像認識装置により位置情報と登録情報とを比較して、配線基板に搭載されていない半導体素子分の体積に相当する量の封止用樹脂の重量データが加算されて樹脂計量装置８０に送られる。
【０１８７】
当該データに基づき、封止用樹脂固化装置２００に投入すべき封止用樹脂の重量が計量され、計量された封止用樹脂は、封止用樹脂固化装置２００の雌金型２５０の封止用樹脂収容部２５５に投入される。
【０１８８】
一方、雄金型２１０にあっては、撮像手段により認識された位置情報が、封止用樹脂固化装置２００に送られ、かかる位置情報に基づき、各半導体素子と対応した位置に設けられている突起部２１２は、対応する半導体素子が存在する場合は突出し、対応する半導体素子が存在しない場合には突出しない。
【０１８９】
即ち、前記配線基板に於ける半導体素子の位置情報は、封止用樹脂投入装置５０のモータの制御信号に関連付けされ、対応するモータを制御することにより雄金型２１０の突起部２１２の出し入れが制御される。  配線基板の半導体素子が搭載されている箇所に対応する突起部２１２に対応するモータを駆動して、その回転動作を螺子部２１３に伝え、螺子部２１３に接続されている突起部２１２を雄金型２１０の下面から外側に突出せしめる。
【０１９０】
一方、半導体素子が搭載されていない箇所に対応する突起部２１２に対応するモータは駆動せず、螺子部２１３を回転させない。この場合、突起部２１２は雄金型２１０の下面から外側に突出せず、その表面は雄金型２１０の下面（封止用樹脂収容部２５５への対向面）と同一の平面を形成する。
【０１９１】
図２８に示す例では、３つある突起部２１２のうち、一番右側にある突起部が、半導体素子が搭載されていない配線基板領域に対応する突起部であり、雄金型２１０下面より突出していない。
【０１９２】
次に、図２９に示すように、雄金型２１０を雌金型２５０上に載置し（図２９−（Ａ）参照）、両金型２１０、２５０を振動させ、雌金型２５０の封止用樹脂受容部２５５内に受容されている封止用樹脂３７を分散させる（図２９−（Ｂ）参照）。
【０１９３】
この時、雌金型２５０は、ヒータ２５７により加熱され、封止用樹脂受容部２５５内に収容されている封止用樹脂３７の温度は、約２５乃至５０℃程の硬化反応が促進されない温度とされており、当該封止用樹脂３７は溶融状態に至らず、軟化状態にある。
【０１９４】
更にこの時、雄金型２１０の上方から圧力を加える（図２９−（Ｃ）参照）。
【０１９５】
前記封止用樹脂３７は軟化状態にあるため、かかる加圧により容易に固化する。図２９−（Ｃ）に、固化された封止用樹脂３７Ｈを黒色で示す。
【０１９６】
しかる後、図３０に示すように、固化した封止用樹脂３７Ｈを、吸着アーム等の吸着手段（図示せず）により吸着して雌金型２５０の封止用樹脂受容部２５５から取り出し、下金型７のキャビティ部１０へ収容する。
【０１９７】
ここで、雌金型２５０の封止用樹脂受容部２５５は、前記下金型７に形成されたキャビティ部１０の体積・形状と略同一の体積・形状を有するため、雌金型２５０の封止用樹脂受容部２５５から取り出された封止用樹脂３７Ｈは、そのままの状態で下金型７のキャビティ部１０へ収容される。
【０１９８】
キャビティ部１０に収容された封止用樹脂３７Ｈに於いては、配線基板２１に装着された半導体素子２２の位置に対応する位置に、雄金型２１０に於ける突起部２１２により凹部３７ｂが形成されており、一方半導体素子２０が配設されていない位置に対応する箇所には、凹部３７ｂは形成されていない。
【０１９９】
次いで、配線基板２１が装着された上金型１５と、略１７５℃で一定温度になるように加熱された下金型７とを合わせて型閉めをして、樹脂封止を行う。
【０２００】
このように、本実施の形態にあっては、粉末又は顆粒状の封止用樹脂を、封止する配線基板に載置された半導体素子の有無に対応するよう予め成形・固化した後、これを下金型へ供給している。
【０２０１】
従って、下金型のキャビティ部に於ける封止用樹脂を、封止する半導体素子の有無に対応させて精度よく配置・分布させることができ、封止用樹脂の流動をより確実に抑制することができる。
【０２０２】
これにより、かかる封止用樹脂の流動に基づくボンディングワイヤの変形及び／或いは断線、更にはボンディングワイヤ間の短絡等をより効果的に防止することができる。
【０２０３】
なお、本実施の形態に於いて用いられる封止用樹脂は、最低溶融粘度が２００ｐｏｉｓｅの特性を有する樹脂であることが望ましい。
【０２０４】
かかる最低溶融粘度を有する樹脂であれば、封止用樹脂固化装置で固化した封止用樹脂を、１７５℃程に加熱された下金型のキャビティ部に配設しても、当該封止用樹脂が溶融して流動し、凹部が変形することを防止することができる。
【０２０５】
[第５の実施の形態]
次に、本発明の電子部品の樹脂封止方法の第５の実施の形態について図３１乃至図３４を参照して説明する。なお、前記実施の形態にて説明した部位と同じ部位については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０２０６】
前記第４の実施の形態にあっては、最低溶融粘度が２００ｐｏｉｓｅの特性を有する封止用樹脂を用いるのが望ましい。
【０２０７】
しかしながら、最低溶融粘度が５０ｐｏｉｓｅ以下のような高い流動特性を有する封止用樹脂の場合は、粉末又は顆粒状の封止用樹脂を封止する半導体素子の有無に対応させた形状となるように封止用樹脂固化装置で予め固化し、固化された封止用樹脂を下金型へ収容する手法を採ることが難しい。
【０２０８】
即ち、当該封止用樹脂を予め加熱されている下金型のキャビティ部に収容すれば、それと同時に当該封止用樹脂の溶融・流動を生じ、当該封止用樹脂の流動に基づくボンディングワイヤの変形・断線を招く恐れが大きい。
【０２０９】
本実施の形態に於いては、下金型のキャビティ部底面の、前記配線基板に搭載される半導体素子の位置に対応する位置に、キャビティ部に出し入れ可能な突起部を設けて、上記の問題に対応する。
【０２１０】
本実施の形態に於いて用いられる下金型の構造について、図３１を参照して説明する。
【０２１１】
下金型３００の上面の中央部には、バネ１１によって弾性支持された枠部８により四方を囲まれて、キャビティ部１０が形成されている。また、当該キャビティ部１０の底部から前記枠部８表面には、フッ素系樹脂などからなるリリースフィルム９が被覆されている。
【０２１２】
枠部８の外側には、下金型３００の支持枠体３２０を貫通して、支持枠体３２０内を上下方向に移動可能に案内棒３０２が配設されている。当該案内棒３０２の上端は、支持枠体３２０から突出し、前記枠部８の上端部よりも僅かに下方に位置している。
【０２１３】
また案内棒３０２の下端は支持枠体３２０の内部に設けられた受台３０４に支持されている。当該受台３０４は、端部に於いてバネ３０６を介して支持枠体３２０の底部に支持されている。
【０２１４】
また、当該支持枠体３２０には、上金型１５と下金型３００とが、弾性体からなるパッキン１００を介して接触した際に、上金型１５と下金型３００との間であって、当該上金型１５、下金型３００及びパッキン１００により形成される閉空間内を排気する排気孔１０１が配設されている。図示する実施の態様にあっては、当該排気孔１０１は案内棒３０２の外側に位置して配設されている。
【０２１５】
また、前記キャビティ部１０の下部には、キャビティ部１０の支持部３３０が配設されている。
【０２１６】
当該キャビティ部１０の支持部３３０の内部には、前記配線基板２１に搭載される半導体素子２２の位置に対応する位置に突起部３０８が配設されている。当該突起部３０８は、キャビティ部支持部３３０を貫通して設けられ、キャビティ部１０内へリリースフィルム９を押し上げて突出可能とされている。
【０２１７】
また、当該突起部３０８の下端は、受台３０４に取り付けられたエアシリンダ３１０内にバネ３１２を介して装着されたピストン３１４に接続されている。ピストン３１４は、受台３０４を貫通して上下動可能とされている。
【０２１８】
前記エアシリンダ３１０には空気流入管３１６が接続されており、当該空気流入管３１６の他端は電磁弁（図示せず）に接続されている。当該電磁弁を開放することにより、空気流入管３１６を介して圧縮空気がエアシリンダ３１０に流入する。この結果、エアシリンダ３１０内に設けられたピストン３１４は上方に移動し、ピストン３１４に接続された突起部３０８は、キャビティ部支持部３３０内を移動してキャビティ部１０の下面からリリースフィルム９を押し上げてキャビティ部１０内へ突出する。
【０２１９】
圧縮空気が空気流入管３１６を介してエアシリンダ３１０に流入されない状態にあっては、突起部３０８はバネ３１２によりエアシリンダ３１０側に押圧され、キャビティ部１０の下面からリリースフィルム９を押し上げてキャビティ部１０内へ突出することはない。
【０２２０】
前記電磁弁が閉じられている場合には、圧縮空気はエアシリンダ３１０に流入せず、従ってピストン３１４はエアシリンダ３１０内を移動ぜず、突起部３０８はキャビティ部１０内へ突出しない。
【０２２１】
かかる構造を備えた下金型３００を用いた樹脂封止方法について、図３２を参照して説明する。図３２は、当該下金型３００を用いた樹脂封止の処理の流れを示すフローチャートである。
【０２２２】
前記第３の実施の形態に於いて説明したように、まず画像認識装置（図示せず）により、樹脂封止処理の対象である配線基板の画像認識処理を行う。
【０２２３】
そして、キャビティ部１０の支持部３３０に於いては、撮像手段（カメラ７１）により認識された位置情報に基づき、配線基板に搭載される半導体素子と対応する位置に配置された突起部３０８について、対応する半導体素子が存在する場合にはキャビティ部１０の下面からキャビティ部１０内へリリースフィルム９を押し上げて突出せしめ、対応する半導体素子が存在しない場合には突出させない（ステップＳ１）。
【０２２４】
即ち、前記配線基板に於ける半導体素子の位置情報は、前記電磁弁の制御信号に関連付けされ、対応する電磁弁を制御することによりエアシリンダ３１０を介して突起部３０８の出し入れが制御される。  配線基板の半導体素子が搭載・固着されている箇所に対応する電磁弁を開放して圧縮空気をエアシリンダ３１０に流入し、ピストン３１４を上方に移動させて、ピストン３１４に接続されている突起部３０８をキャビティ部１０の底面からリリースフィルム９を押し上げてキャビティ部１０内に突出させる。
【０２２５】
一方、半導体素子が搭載されていない箇所に対応する電磁弁は閉じ、圧縮空気をエアシリンダ３１０に流入させない。この場合、突起部３０８はキャビティ部１０の底面からキャビティ部１０内に突出せず、その表面はキャビティ部１０の底面（封止用樹脂収容部３６の底面）と同一の平面を形成する。
【０２２６】
図３１ならびに図３３に示す例にあっては、３個の突起部３０８のうち、右側にある突起部が、配線基板に搭載されていない半導体素子に対応する突起部であり、キャビティ部１０の底面からリリースフィルム９を押し上げて当該キャビティ部１０内へ突出していない。
【０２２７】
一方、位置情報と登録情報とを比較し、配線基板に搭載されていない半導体素子分の体積に相当する量の封止用樹脂量のデータが樹脂計量装置（図示せず）に送られる。当該データに基づき下金型３００に投入すべき封止用樹脂量が加算計量されて、下金型３００のキャビティ部１０に供給される（ステップＳ２）。
【０２２８】
ステップ２の工程が完了したときの状態を、前記図３１に示す。同図に示されるように、本実施の形態では、溶融粘度が低く、最低溶融粘度が５０ｐｏｉｓｅ程度以下のような高い流動特性を有する封止用樹脂が用いられる場合、封止用樹脂を下金型３００のキャビティ部１０に供給すると、当該封止用樹脂は突起部３０８の外側へも容易に流動し、その表面は平坦となる。
【０２２９】
次に、下金型３００を上昇させて上金型１５に近接させ、型閉めを開始する（ステップＳ３）。
【０２３０】
先ず、上金型１５下面に配設されたリング状パッキン１００が下金型３００の上面に接して、上金型１５、下金型３００及びパッキン１００により閉空間が形成される。かかる段階で排気孔１０１を通して当該閉空間内を排気し、樹脂封止に必要とされる真空度とする。即ち、樹脂封止部に気泡（ボイド）を生じないよう、キャビティ部１０を含む樹脂封止用空間が所定の真空度とされる。
【０２３１】
次いで、下金型３００の枠部８が上金型１５に接触し、枠部８は樹脂封止される領域を画定する（ステップＳ４）。
【０２３２】
更に下金型３００を上昇すると、枠部８は当該枠部８の底部に設けられたバネ１１に抗して降下する。なお、枠部８は、型閉めが完了するまで下方に沈む。
【０２３３】
そして配線基板２１に搭載・固着された半導体素子２２が封止用樹脂３７の表面に接触し、また下金型３００に於ける案内棒３０２が上金型１５と接触する（ステップＳ５）。この状態を図３３に示す。
【０２３４】
更に下金型３００を上昇させて、型閉めによる圧縮成形を進行させる（ステップＳ６）。すると、前記案内棒３０２は受台３０４を介してバネ３０６によって弾性支持されているため、上金型１５に押圧された当該案内棒３０２は受台３０４と共に降下する。
【０２３５】
当該受台３０４の降下に伴い、当該受台３０４に支持された突起部３０８も降下する。かかる突起部３０８の降下に伴い、キャビティ部１０内にあって当該突起部３０８上に位置していた封止用樹脂３７も降下する。
【０２３６】
この結果、前記半導体素子２２が位置する部分に対応する封止用樹脂３７は、当該半導体素子２２の上面に圧接することなく当該半導体素子２２に接して、当該半導体素子２２を受容しつつ、その表面及び側面部を被覆する。
【０２３７】
従って、当該半導体素子２２が封止用樹脂３７中に圧入されるような状態は生ぜず、当該封止用樹脂３７の流動の発生を防止することができる。これにより、封止用樹脂３７の流動に基づく、ボンディングワイヤ２３の変形及び／或いは断線を防止することができる。
【０２３８】
突起部３０８が更に下方に沈み、図３４に示すように、突起部３０８の上面とキャビティ部１０の底面とが同一面となってキャビティ部１０の底面が平坦になると、型閉め成形が完了する（ステップＳ７）。しかる後、下金型３００を下降せしめる。
【０２３９】
このように、本実施の形態にあっては、最低溶融粘度が５０ｐｏｉｓｅ程度以下のような高い流動特性を有する封止用樹脂を樹脂封止に用いる場合であっても、下金型のキャビティ部に、樹脂封止される配線基板に載置された半導体素子の位置に対応して突起部を配設し、型閉め開始前にキャビティ部内へ当該突起部を突出せしめておき、上金型と下金型との型閉めに連動させて当該突起部を引き込み、封止用樹脂中に半導体素子を受容する。
【０２４０】
従って、高い流動特性を有する封止用樹脂を適用する場合であっても、当該封止用樹脂に不要な流動を生ぜず、当該封止用樹脂の流動によるボンディングワイヤの変形及び／或いは断線、更にはボンディングワイヤ間の短絡等が防止される。
【０２４１】
[半導体装置の製造]
次に、本発明の樹脂封止方法を用いた半導体装置の製造方法の例について、図３５を参照して説明する。
【０２４２】
此処に示す製造工程にあっては、大形の配線基板を適用し、当該配線基板に複数個の半導体装置を搭載し、樹脂封止後、個々の半導体装置に分離する工程を示している。
【０２４３】
図３５にあっては、大形の配線基板に３個の半導体装置を形成する状態を例示している。
【０２４４】
まず、図３５−（Ａ）に示すように、背面（電子回路素子・電子回路などの非形成面）にダイボンディングフィルム２０１が貼り付けられた半導体素子２００を、当該ダイボンディングフィルム２０１を介して配線基板２０２上に搭載・固着する。
【０２４５】
次に、図３５−（Ｂ）に示すように、前記半導体素子２００の外部接続端子と配線基板２０２上の電極端子（図示せず）とを、ボンディングワイヤ２０３を用いて接続する。
【０２４６】
次いで、図３５−（Ｃ）に示すように、本発明による樹脂封止方法を適用して、配線基板２０２上に搭載・固着された半導体素子２００、ボンディングワイヤ２０３を封止用樹脂２０５により一括して樹脂封止する。
【０２４７】
この時、前記本発明による樹脂封止方法を用いることにより、封止用樹脂２０５の流れに因るボンディングワイヤ２０３に変形及び／或いは断線、更には他のボンディングワイヤ２０３との短絡等が防止される。
【０２４８】
次いで、図３５−（Ｄ）に示すように、配線基板２０２の他方の主面に、半田ボールからなる外部接続端子２０６を複数個配設する。
【０２４９】
しかる後、図３５−（Ｅ）に示すように、配線基板２０２、当該配線基板２０２の一方の主面にあって封止用樹脂２０５により樹脂封止された半導体素子２００並びに当該半導体素子２００から導出されたボンディングワイヤ２０３を１つの単位として、ダイシングソーを用いたダイシング等により個片化し、個々の半導体装置２１０を形成する。
【０２５０】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内に於いて、種々の変形及び変更が可能である。
【０２５１】
なお、特許請求の範囲に於ける「樹脂材料」の一例が上述の封止用樹脂であり、「樹脂材料投入装置」の一例が上述の封止用樹脂投入装置であり、「樹脂材料収容部」の一例が上述の封止用樹脂収容部であり、「加圧手段」の一例が上述の蓋部材であり、「登録部」の一例が上述のデータベースである。
【０２５２】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）  上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂材料は、予め封止用樹脂投入装置に於いて加圧処理、及び分散処理がなされた後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記２）  前記封止用樹脂投入装置に於ける樹脂材料に対する加圧処理は、当該封止用樹脂投入装置に於ける蓋部材を用いて行うことを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記３）  前記封止用樹脂投入装置に於ける樹脂材料に対する分散処理は、当該封止用樹脂投入装置に振動を与えてなされることを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記４）  前記封止用樹脂投入装置に於いて加圧処理、分散処理がなされた封止用樹脂は、当該封止用樹脂投入装置内から落下して、下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記５）  前記蓋部材には、前記基板に搭載された電子部品の搭載位置に対応して、当該電子部品の体積に対応する体積を有する突起が配設されてなることを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記６）  前記蓋部材には、前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設されてなることを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記７）  前記基板に装着される前記電子部品が有る箇所に対しては、前記突起部を突出させ、
前記基板に装着される前記電子部品が無い箇所に対しては、前記突起部を突出させないことを特徴とする付記６記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記８）  前記樹脂材料は、前記基板に搭載されるべき電子部品が全数搭載されている場合に適用される樹脂材料量に、前記基板に装着されていない電子部品の体積に相当する樹脂材料量が加えられて、前記樹脂材料収容部に収容されることを特徴とする付記１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記９）  登録部に登録されている前記電子部品１個分の体積に相当する前記樹脂材料の重量についての情報と、
実際に前記基板に装着されていない電子部品の数についての情報と、に基づいて、
実際に前記基板に装着されていない前記電子部品の体積に相当する量の樹脂材料の重量を算出することを特徴とする付記８記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記１０）  上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記樹脂材料は、前記基板に搭載された電子部品の搭載位置に対応し且つ当該電子部品の体積に対応する容積を有する凹部が配設されて固化された後、前記下金型のキャビティ部に収容されることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
（付記１１）  前記樹脂材料を固化するために用いられる金型部材には、前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設されてなることを特徴とする付記１０記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記１２）  前記基板に装着される前記電子部品が有る箇所に対しては、前記突起部を突出させ、
前記基板に装着される前記電子部品が無い箇所に対しては、前記突起部を突出させないことを特徴とする付記１１記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記１３）  前記樹脂材料は、前記基板に搭載されるべき電子部品が全数搭載されている場合に適用される樹脂材料量に、前記基板に装着されていない電子部品の体積に相当する樹脂材料量が加えられて、前記樹脂材料収容部に収容されることを特徴とする付記１０記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記１４）  登録部に登録されている前記電子部品１個分の体積に相当する前記樹脂材料の重量についての情報と、
実際に前記基板に装着されていない電子部品の数についての情報と、に基づいて、
実際に前記基板に装着されていない前記電子部品の体積に相当する量の樹脂材料の重量を算出することを特徴とする付記１３記載の電子部品の樹脂封止方法。
（付記１５）
上金型に複数個の電子部品が搭載された基板を装着し、下金型のキャビティ部に収容された樹脂材料を溶融し、前記上金型に保持された電子部品を前記溶融された樹脂に浸漬して樹脂封止する電子部品の樹脂封止方法であって、
前記基板に搭載された電子部品の体積に対応する体積を有する突起が、当該電子部品の有無に対応して選択的に突出可能に配設された下金型のキャビティ部に、樹脂材料を収容して溶融し、
当該溶融樹脂中への前記電子部品の浸漬に対応させて、前記突起の突出量を減少させることを特徴とする電子部品の樹脂封止方法。
【図面の簡単な説明】
【０２５３】
【図１】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その１）である。
【図２】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その２）である。
【図３】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その３）である。
【図４】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その４）である。
【図５】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その５）である。
【図６】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その６）である。
【図７】従来のコンプレッションモールド法の問題点を説明するための図（その７）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に於ける封止用樹脂投入装置の概略構造を示した斜視図である。
【図９】図８における線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態における封止用樹脂投入装置の断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態における封止用樹脂投入装置を振動させるための機構を説明するための図である。
【図１２】Ｘ方向移動ステージ用モータ（Ｙ方向移動ステージ用モータ）の駆動による封止用樹脂投入装置（Ｘ方向移動ステージ）の移動関係を示した概略図である。
【図１３】振動させた後の状態の封止用樹脂投入装置の状態を示す図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態における封止用樹脂投入装置を下金型の上方に設置した状態を示す図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態における上金型と下金型を型閉した状態を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態における封止用樹脂投入装置の構造を示すための図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態における封止用樹脂投入装置の断面図である。
【図１８】封止用樹脂を封止用樹脂収容部内部に於いて均一に分散させた状態を示す図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態における封止用樹脂投入装置を下金型の上方に設置した状態を示す図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態における上金型と下金型を型閉する状態を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態における封止用樹脂投入装置の構造を示すための図である。
【図２２】図２１に示した封止用樹脂投入装置を用いた樹脂封止の処理の流れを示したフローチャートである。
【図２３】配線基板の画像認識処理を説明するための図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態における封止用樹脂投入装置の作用を示す図（その１）である。
【図２５】本発明の第３の実施の形態における封止用樹脂投入装置の作用を示す図（その２）である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態における封止用樹脂投入装置を下金型の上方に設置した状態を示す図である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態における上金型と下金型を型閉する状態を示す図である。
【図２８】本発明の第４の実施の形態における封止用樹脂固化装置の構造を示すための図である。
【図２９】本発明の第４の実施の形態における封止用樹脂固化装置の作用を示すための図である。
【図３０】本発明の第４の実施の形態における封止用樹脂固化装置により固化された封止用樹脂を下金型への運搬を示す図である。
【図３１】本発明の第５の実施の形態における下金型の構造を示す図である。
【図３２】図３１に示した下金型を用いた樹脂封止の処理の流れを示したフローチャートである。
【図３３】本発明の第５の実施の形態における下金型の作用を示す図（その１）である。
【図３４】本発明の第５の実施の形態における下金型の作用を示す図（その２）である。
【図３５】本発明の樹脂封止方法を用いた半導体装置の製造方法の例を示す図である。
【符号の説明】
【０２５４】
７  下金型
１０  キャビティ部
１５  上金型
２１  配線基板
２２  半導体素子
２３  ボンディングワイヤ
３０、４０、５０、２００  封止用樹脂投入装置
３３、２５５  封止用樹脂収容部
３５  封止用樹脂
４２、５２、２１２  突起部
４５  凹部
７０  データベース
２１０  雄金型
２５０  雌金型
【図１】
0004741383.tif 000002
【図２】
0004741383.tif 000003
【図３】
0004741383.tif 000004
【図４】
0004741383.tif 000005
【図５】
0004741383.tif 000006
【図６】
0004741383.tif 000007
【図７】
0004741383.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004741383.tif 000011
【図１１】
0004741383.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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