(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
面発光型半導体レーザウェハの製造方法であって、
前記面発光型半導体レーザウェハは、
ウェハと、
前記ウェハ上に形成された複数のメサ構造体とを備え、
前記複数のメサ構造体の各々は、
活性層に注入する電流を制限する電流狭窄部と、
前記活性層へ電流を注入する電流注入部とを含み、
前記製造方法は、
メササイズを同一にして複数の面発光レーザ素子をウェハに作製する第１のステップと、
ウェハ面内の電流狭窄寸法を計測し、寸法のバラツキを示すマップを作製し、補正係数を求める第２のステップと、
前記補正係数に基づいて、狭窄寸法のバラツキが少なくなるようにメサ寸法を変えたフォトマスクを作製する第３のステップと、
前記電流狭窄部および前記電流注入部を形成するための選択酸化層を含む積層体を前記ウェハ上に形成する第４のステップと、
前記フォトマスクを用いて、前記積層体をメサ形状にエッチングして前記複数のメサ構造体を前記ウェハ上に形成する第５のステップと、
前記選択酸化層を選択酸化して前記電流狭窄部および前記電流注入部を形成する第６のステップとを備える面発光型半導体レーザウェハの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の面発光型半導体レーザウェハの製造方法からなる半導体レーザアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面発光型半導体レーザウェハの製造方法及び半導体レーザアレイの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、端面発光型半導体レーザに比べて、製造コストが低く、アレイ化による集積化が容易であるなどの多くの利点を有していることから、光通信、光インターコネクション、光記録などの多くの分野で用いられることが期待されている。
【０００３】
面発光型半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型半導体多層膜反射鏡、下部スペーサー層、多重量子井戸活性層、上部スペーサー層、およびｐ型半導体多層膜反射鏡を順次積層した半導体積層体を垂直方向にエッチングして複数のメサを形成し、メサ側壁と周辺を絶縁体で被覆した後、ポリイミドで平坦化され、メサの上表面に開口した発光面からレーザ光を出射する構成となる。上部電極は、メサの上表面のコンタクト領域からポリイミド上を配線され電極パッドに接続されている。また、面発光レーザアレイは、メサ構造のレーザ発振部を２次元に集積化したものである。
【０００４】
面発光型半導体レーザの中で、しきい電流値、消費電力等の、レーザ特性の観点から最も有望視されるものに、選択酸化型の面発光レーザと呼ばれるものがある。これは、結晶成長の際に、ＡｌＡｓ層（あるいはＡｌ組成が極めて１に近いＡｌＧａＡｓ層）を分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）の一部として成長し、このＡｌＡｓ層を選択酸化することで電流狭窄構造を面発光レーザの構造中に作り込んだものである。
【０００５】
電流狭窄部の狭窄寸法は、レーザ特性に大きく影響を与えており、電流狭窄寸法がばらつくとレーザ発振出力のばらつきやしきい電流値のばらつきなどが発生するため、電流狭窄寸法を均一に形成することが望まれている。
【０００６】
電流狭窄寸法のばらつきは、様々な要因で発生しており、被酸化層の膜厚面内分布およびＡｌ組成分布、エッチングで作製されるメサ寸法およびメサ側壁の形状ばらつき、酸化時の装置に起因する面内分布等が挙げられ、これらは、電流狭窄寸法のウェハ面内分布として現れる。
【０００７】
また、面発光レーザアレイの場合には、アレイ内のばらつきとして現れるものもあり、主に、エッチングプロセスに起因したもので、反応性イオンエッチング時の各素子の不均一性が生じ、アレイ状のメサは、中央部にあるメサよりも周辺部のメサのエッチングレートが速くなる。
【０００８】
特許文献１では、面発光レーザアレイの周辺に、実際にはレーザとして使用しないダミーメサをレーザ発振するメサの周囲に配置することでプロセスの安定化を実現しており、各面発光レーザ素子が均一な形状と均一なレーザ特性を実現できるとしている。
【０００９】
また、特許文献２では、水蒸気酸化装置が開示されており、再現性の良い酸化装置及び酸化方法が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−１１４６５６号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１，２においては、ウェハの面内分布について考慮されていないため、従来の方法では、ウェハ内で電流狭窄部の寸法を均一化させることは困難である。
【００１３】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハの製造方法を提供することである。
【００１４】
また、この発明の別の目的は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハを用いた半導体レーザアレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明によれば、面発光型半導体レーザウェハの製造方法は、ウェハと、ウェハ上に形成された複数のメサ構造体とを備え、複数のメサ構造体の各々は、活性層に注入する電流を制限する電流狭窄部と、活性層へ電流を注入する電流注入部とを含む面発光型半導体レーザウェハの製造方法であって、メササイズを同一にして複数の面発光レーザ素子をウェハに作製する第１のステップと、ウェハ面内の電流狭窄寸法を計測し、寸法のバラツキを示すマップを作製し、補正係数を求める第２のステップと、前記補正係数に基づいて、狭窄寸法のバラツキが少なくなるようにメサ寸法を変えたフォトマスクを作製する第３のステップと、電流狭窄部および電流注入部を形成するための選択酸化層を含む積層体をウェハ上に形成する第４のステップと、前記フォトマスクを用いて、積層体をメサ形状にエッチングして複数のメサ構造体をウェハ上に形成する第５のステップと、選択酸化層を選択酸化して電流狭窄部および電流注入部を形成する第６のステップとを備える。
【００２５】
さらに、この発明によれば、半導体レーザアレイの製造方法は、請求項１に記載の面発光型半導体レーザウェハの製造方法からなる半導体レーザアレイの製造方法である。
【発明の効果】
【００２６】
この発明においては、ウェハの面内方向における複数のメサ構造体の寸法は、複数のメサ構造体における複数の電流注入部の面内方向の寸法分布が基準値以内になる複数の寸法に設定される。その結果、複数のメサ構造体に含まれる複数の選択酸化層を選択酸化すると、複数のメサ構造体における複数の非酸化領域、即ち、複数の電流注入部の寸法分布が基準値以内になる。
【００２７】
したがって、この発明によれば、面発光型半導体レーザウェハにおいて、複数の電流注入部の寸法を均一化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００２９】
図１は、この発明の実施の形態による面発光型半導体レーザウェハの平面図である。図１を参照して、この発明の実施の形態による面発光型半導体レーザウェハ１００は、ウェハ１１０と、面発光レーザ素子１１１〜１２１とを備える。
【００３０】
複数の領域Ｅ１〜Ｅ１１は、ウェハ１１０上に同心円状に分布する。そして、複数の領域Ｅ１〜Ｅ１１は、ウェハ１１０上に同一寸法を有する複数のメサ構造体を形成し、各メサ構造体に含まれる選択酸化層を選択酸化して複数のメサ構造体において複数の電流狭窄層を形成した場合に、電流狭窄層の寸法が複数の電流狭窄層間で０．１μｍ毎にばらつく領域を表す。
【００３１】
図２は、図１に示すＡ領域の拡大図である。図２を参照して、領域Ｅ１〜Ｅ４の各々には、複数の面発光レーザアレイ１０が形成される。なお、領域Ｅ５〜Ｅ１１においても、複数の面発光レーザアレイ１０が形成される。そして、１個の面発光レーザアレイ１０は、複数の面発光レーザ素子からなる。
【００３２】
従って、図１に示す領域Ｅ１〜Ｅ１１の各々においては、実際には、複数の面発光レーザ素子が格子状に配列されているが、領域Ｅ１〜Ｅ１１に形成される面発光レーザ素子は、後述するように相互に異なるメサ寸法を有するので、領域Ｅ１〜Ｅ１１に形成される面発光レーザ素子は、相互に異なるメサ寸法を有することを理解し易くするために、図１においては、領域Ｅ１〜Ｅ１１にそれぞれ１個の面発光レーザ素子１１１〜１２１を記載している。
【００３３】
例えば、領域Ｅ１には、複数の面発光レーザ素子１１１が格子状に配列されているが、図面を見易くするために、領域Ｅ１には、１個の面発光レーザ素子１１１が記載されている。領域Ｅ２〜領域Ｅ１１についても同様である。
【００３４】
図３は、図１に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩ間における面発光型半導体レーザウェハ１００の断面図である。図３を参照して、面発光レーザ素子１１１は、ウェハ１１０と、反射層２と、共振器スペーサー層３と、メサ構造体２１と、絶縁性樹脂９と、ｐ側電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。
【００３５】
ウェハ１１０は、（１００）の面方位を有するｎ型ガリウム砒素（ｎ−ＧａＡｓ）からなる。反射層２は、ウェハ１１０の一主面上に形成される。共振器スペーサー層３は、ＧａＡｓからなり、反射層２上に形成される。メサ構造体２１は、共振器スペーサー層３上に形成される。絶縁性樹脂９は、メサ構造体２１の側面を覆うように共振器スペーサー層３上に形成される。ｐ側電極１１は、メサ構造体２１の一部および絶縁性樹脂９上に形成される。ｎ側電極１２は、ウェハ１１０の裏面に形成される。
【００３６】
メサ構造体２１は、活性層４と、共振器スペーサー層５と、反射層６と、選択酸化層７と、コンタクト層８とを含む。活性層４は、ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓの対を一周期とした場合、３周期の［ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ］からなる多重量子井戸構造を有し、共振器スペーサー層３上に形成される。そして、ＧａＩｎＮＡｓは、８ｎｍの膜厚を有し、ＧａＡｓは、１８ｎｍの膜厚を有する。
【００３７】
共振器スペーサー層５は、ＧａＡｓからなり、活性層４上に形成される。反射層６は、共振器スペーサー層５上に形成される。
【００３８】
選択酸化層７は、３０ｎｍのｐ−ＡｌＡｓからなり、反射層６中に形成される。そして、選択酸化層７は、非酸化領域７ａと、酸化領域７ｂとからなる。コンタクト層８は、ｐ−ＧａＡｓからなり、反射層６上に形成される。
【００３９】
その結果、メサ構造体２１を構成する活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、絶縁性樹脂９によって覆われる。
【００４０】
面発光レーザ素子１１８は、ウェハ１１０と、反射層２と、共振器スペーサー層３と、メサ構造体２８と、絶縁性樹脂９と、ｐ側電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。また、面発光レーザ素子１２１は、ウェハ１１０と、反射層２と、共振器スペーサー層３と、メサ構造体３１と、絶縁性樹脂９と、ｐ側電極１１と、ｎ側電極１２とを備える。
【００４１】
したがって、面発光レーザ素子１１１，１１８，１２１は、ウェハ１１０、反射層２、共振器スペーサー層３およびｎ側電極１２を共通に備える。
【００４２】
メサ構造体２８，３１の各々は、メサ構造体２１と同じ構造からなる。その結果、面発光レーザ素子１１１，１１８，１２１は、同じ構造からなる。
【００４３】
なお、図１に示す面発光レーザ素子１１２〜１１７，１１９，１２０も、ウェハ１１０、反射層２、共振器スペーサー層３およびｎ側電極１２を共通に備え、メサ構造体２１と同じ構造からなるメサ構造２２〜２７，２９，３０（図示せず）を備える。その結果、図１に示す面発光レーザ素子１１１〜１２１は、同じ構造からなる。
【００４４】
図４は、図３に示す２つの反射層２，６の断面図である。反射層２は、低屈折率層２Ａおよび高屈折率層２Ｂの対を一周期とした場合、３５．５周期の［低屈折率層２Ａ／高屈折率層２Ｂ］からなる。そして、低屈折率層２Ａは、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなり、高屈折率層２Ｂは、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる。また、面発光レーザ素子１１１〜１２１の発振波長をλ１とした場合、低屈折率層２Ａおよび高屈折率層２Ｂの各々は、λ１／４ｎ（ｎは各半導体層の屈折率）の膜厚を有する。
【００４５】
反射層６は、低屈折率層６Ａおよび高屈折率層６Ｂの対を一周期とした場合、２８周期の［低屈折率層６Ａ／高屈折率層６Ｂ］からなる。そして、低屈折率層６Ａは、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなり、高屈折率層６Ｂは、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる。また、低屈折率層６Ａおよび高屈折率層６Ｂの各々は、λ１／４ｎ（ｎは各半導体層の屈折率）の膜厚を有する。
【００４６】
反射層２，６の各々は、活性層４で発振した発振光をブラッグの多重反射により反射して活性層４に閉じ込める半導体分布ブラッグ反射器を構成する。
【００４７】
また、選択酸化層７の酸化領域７ｂは、アルミ酸化物（Ａｌ２Ｏ３）からなり、ｐ側電極１１および反射層６を介して注入された電流の活性層４への注入経路を非酸化領域７ａに制限する。これによって、活性層４に注入される電流は、面発光レーザ素子１１１〜１２１の面内方向に広がることがなく、面発光レーザ素子１１１〜１２１は、低閾値の電流で発振することができる。なお、酸化領域７ｂは、「電流狭窄部」を構成し、非酸化領域７ａは、「電流注入部」を構成する。
【００４８】
図１に示す領域Ｅ１〜Ｅ１１におけるメサ構造体の具体的な寸法について説明する。ウェハ１１０の全面において同じ寸法のメサ構造体を形成した場合、領域Ｅ１〜Ｅ１１における非酸化領域７ａの実測寸法の分布は、次のようになる。
【００４９】
領域Ｅ１：非酸化領域７ａの寸法＝３．６μｍ角
領域Ｅ２：非酸化領域７ａの寸法＝３．５μｍ角
領域Ｅ３：非酸化領域７ａの寸法＝３．４μｍ角
領域Ｅ４：非酸化領域７ａの寸法＝３．３μｍ角
領域Ｅ５：非酸化領域７ａの寸法＝３．２μｍ角
領域Ｅ６：非酸化領域７ａの寸法＝３．１μｍ角
領域Ｅ７：非酸化領域７ａの寸法＝３．０μｍ角
領域Ｅ８：非酸化領域７ａの寸法＝２．９μｍ角
領域Ｅ９：非酸化領域７ａの寸法＝２．８μｍ角
領域Ｅ１０：非酸化領域７ａの寸法＝２．９μｍ角
領域Ｅ１１：非酸化領域７ａの寸法＝３．０μｍ角
このように、非酸化領域７ａの実測寸法は、領域Ｅ１１から領域Ｅ９へ向かうに従って小さくなり、領域Ｅ９から領域Ｅ１へ向かうに従って大きくなる。すなわち、非酸化領域７ａの実測寸法は、ウェハ１１０の内周から外周に向かって一旦小さくなり、その後、大きくなる。
【００５０】
したがって、この酸化速度の違いによる非酸化領域７ａの実測寸法の分布を補正するための補正係数は、非酸化領域７ａの設計値から非酸化領域７ａの実測値を減算すれば求められる。そこで、各領域Ｅ１〜Ｅ１１における補正係数を求めると、次のようになる。
【００５１】
領域Ｅ１における補正係数：３．０−３．６＝−０．６μｍ
領域Ｅ２における補正係数：３．０−３．５＝−０．５μｍ
領域Ｅ３における補正係数：３．０−３．４＝−０．４μｍ
領域Ｅ４における補正係数：３．０−３．０＝−０．３μｍ
領域Ｅ５における補正係数：３．０−３．２＝−０．２μｍ
領域Ｅ６における補正係数：３．０−３．１＝−０．１μｍ
領域Ｅ７における補正係数：３．０−３．０＝０．０μｍ
領域Ｅ８における補正係数：３．０−２．９＝＋０．１μｍ
領域Ｅ９における補正係数：３．０−２．８＝＋０．２μｍ
領域Ｅ１０における補正係数：３．０−２．９＝＋０．１μｍ
領域Ｅ１１における補正係数：３．０−３．０＝０．０μｍ
なお、領域Ｅ１〜Ｅ１１における補正係数において、“−”は、酸化領域７ｂの寸法が小さいことを表し、メサ構造体の寸法を補正係数の分だけ小さくすることを意味する。また、“＋”は、酸化領域７ｂの寸法が大きいことを表し、メサ構造体の寸法を補正係数の分だけ大きくすることを意味する。
【００５２】
そこで、メサ構造体の寸法の標準を２０μｍ角に設定し、面発光レーザ素子１１１〜１２１の非酸化領域７ａの寸法の設計値を３μｍ角に設定し、この２０μｍ角の寸法を各領域１〜Ｅ１１における補正係数で補正すると、領域Ｅ１〜Ｅ１１におけるメサ構造体２１〜３１の寸法は、次のように設定される。
【００５３】
領域Ｅ１：メサ構造体２１の寸法＝１９．４μｍ角
領域Ｅ２：メサ構造体２２の寸法＝１９．５μｍ角
領域Ｅ３：メサ構造体２３の寸法＝１９．６μｍ角
領域Ｅ４：メサ構造体２４の寸法＝１９．７μｍ角
領域Ｅ５：メサ構造体２５の寸法＝１９．８μｍ角
領域Ｅ６：メサ構造体２６の寸法＝１９．９μｍ角
領域Ｅ７：メサ構造体２７の寸法＝２０．０μｍ角
領域Ｅ８：メサ構造体２８の寸法＝２１．１μｍ角
領域Ｅ９：メサ構造体２９の寸法＝２１．２μｍ角
領域Ｅ１０：メサ構造体３０の寸法＝２１．１μｍ角
領域Ｅ１１：メサ構造体３１の寸法＝２０．０μｍ角
上記の説明からも明らかなように、このメサ構造体２１〜３１の寸法は、ウェハ１１０の全面において同じ寸法のメサ構造体を形成し、選択酸化層７を選択酸化したときの領域Ｅ１〜Ｅ１１における非酸化領域７ａの実測寸法の分布を補正するように決定された寸法である。即ち、メサ構造体２１〜３１の寸法は、メサ構造体２１〜３１における非酸化領域７ａ（＝電流注入部）の設計値と実測値との寸法差を補正する寸法である。
【００５４】
図５は、ウェハ１１０上に複数のメサ構造体を形成するときのマスクの平面図である。メサ構造２１〜３１をウェハ１１０上に形成する場合、ウェハ１１０に反射層２、共振器スペーサー層３、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８を順次積層し、その積層体上にレジストを塗布し、さらに、その塗布したレジストをマスクを用いて露光して所定のレジストパターンにパターンニングし、その所定のレジストパターンをマスクとして積層体をエッチングする。
【００５５】
したがって、この発明においては、図５に示すマスク２００を用いてレジストを露光する。図５を参照して、マスク２００は、遮光部２０１〜２１１を有する。遮光部２０１〜２１１は、それぞれ、ウェハ１１０の領域Ｅ１〜Ｅ１１に対応する位置に同心円状に形成される。そして、遮光部２０１〜２１１は、それぞれ、上述したメサ構造体２１〜３１と同じ寸法を有する。
【００５６】
なお、図５においては、遮光部２０１〜２１１は、それぞれ、領域Ｅ１〜Ｅ１１に対応して１個のみが示されているが、実際には、領域Ｅ１〜Ｅ１１に対応して複数の遮光部２０１、複数の遮光部２０２、・・・、複数の遮光部２１１が同心円状に形成されている。即ち、領域Ｅ１に対応して複数の遮光部２０１が格子状に配列され、領域Ｅ２に対応して複数の遮光部２０２が格子状に配列され、以下、同様にして領域Ｅ３〜Ｅ１１に対して、それぞれ、複数の遮光部２０３〜２１１が格子状に配列されている。
【００５７】
図６および図７は、それぞれ、図１に示す面発光型半導体レーザウェハ１００の製造方法を示す第１および第２の工程図である。図６を参照して、一連の動作が開始されると、ＭＯＣＶＤ法を用いて、反射層２、共振器スペーサー層３、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８をウェハ１１０上に順次積層する（図６の工程（ａ）参照）。
【００５８】
この場合、選択酸化層７は、反射層６の一周期目の低屈折率層２Ａおよび高屈折率層２Ｂを共振器スペーサー層５上に積層した後に、高屈折率層２Ｂ上に形成される。
【００５９】
また、反射層２のｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓおよびｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）およびセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を原料として形成する。
【００６０】
また、共振器スペーサー層３のＧａＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアルシン（ＡｓＨ３）を原料として形成し、活性層４のＧａＩｎＮＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、アンモニア（ＮＨ３）およびアルシン（ＡｓＨ３）を原料として形成し、活性層４のＧａＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアルシン（ＡｓＨ３）を原料として形成する。
【００６１】
さらに、共振器スペーサー層５のＧａＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアルシン（ＡｓＨ３）を原料として形成する。
【００６２】
さらに、反射層６のｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓおよびｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成する。
【００６３】
さらに、選択酸化層７のｐ−ＡｌＡｓをトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成し、コンタクト層８のｐ−ＧａＡｓをトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）および四臭化炭素（ＣＢｒ４）を原料として形成する。
【００６４】
その後、コンタクト層８の上にレジスト１３０を塗布し、その塗布したレジスト１３０をマスク２００を用いてパターンニングする（図６の（ｂ）参照）。そして、コンタクト層８上にｎ（ｎは２以上の整数）個のレジストパターン１３１，・・・，１３ｍ，・・・，１３ｎ（ｍは、１＜ｍ≦ｎを満たす整数）を形成する（図６の工程（ｃ）参照）。この場合、レジストパターン３１，・・・，３ｍ，・・・，３ｎの各々は、ウェハ１１０の各領域Ｅ１〜Ｅ１１に対応して、上述したメサ構造体２１〜３１の寸法と同じ寸法を有する。
【００６５】
次に、図７を参照して、レジストパターン１３１，・・・，１３ｍ，・・・，１３ｎが形成されると、その形成されたレジストパターン１３１，・・・，１３ｍ，・・・，１３ｎをマスクとして用いて、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８の周辺部を塩素ガス（Ｃｌ２）を用いたＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）法によりドライエッチングして除去し、さらに、レジストパターン１３１，・・・，１３ｍ，・・・，１３ｎを除去する（図７の工程（ｄ）参照）。これにより、反射層２および共振器スペーサー層３を共通にしたメサ構造体２１〜３１がウェハ１１０上に形成され、メサ構造体２１〜３１の各々において、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８が露出する。
【００６６】
その後、ウェハ１１０上のメサ構造体２１〜３１に含まれる複数の選択酸化層７の周囲を外周部から中央部に向けて酸化し、各選択酸化層７中に非酸化領域７ａと酸化領域７ｂとを形成する（図７の（ｅ）参照）。
【００６７】
その後、試料の全体に絶縁性樹脂９をスピンコートにより塗布し、光出射部となる領域上の絶縁性樹脂９を除去する。そして、絶縁性樹脂９を形成した後、光出射部となる領域上にレジストパターンを形成し、試料の全面にｐ側電極材料を蒸着により形成し、レジストパターン上のｐ側電極材料をリフトオフにより除去してｐ側電極１１を形成する。さらに、ウェハ１１０の裏面を研磨し、ウェハ１１０の裏面にｎ側電極１２を形成し、さらに、アニールしてｐ側電極１１およびｎ側電極１２のオーミック導通を取る（図７の工程（ｆ）参照）。これによって、ウェハ１１０上に複数のメサ構造体２１〜３１が形成された面発光型半導体レーザウェハ１００が作製される。
【００６８】
図８は、電流狭窄寸法と、ウェハ１１０の面内位置との関係を示す図である。図８において、縦軸は、電流狭窄寸法、すなわち、非酸化領域７ａの寸法を表し、横軸は、ウェハ１１０の面内位置を表す。また、曲線ｋ１は、メサ構造体の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において変化させて作製した場合の非酸化領域７ａの寸法を示し、曲線ｋ２は、メサ構造体の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において同じ寸法に設定して作製した場合の非酸化領域７ａの寸法を示す。曲線ｋ２において、実線は、ウェハ１１０のＸ方向における非酸化領域７ａの寸法の分布を示し、点線は、ウェハ１１０のＹ方向における非酸化領域７ａの寸法の分布を示す。
【００６９】
図８に示す結果から、メサ構造体２１〜３１の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において変化させて作製することにより、非酸化領域７ａの寸法分布は、±０．０５μｍ以内に収まっており（曲線ｋ１参照）、ウェハ１１０上の領域Ｅ１〜Ｅ１１における複数の非酸化領域７ａの寸法をほぼ均一にできることが解った。
【００７０】
一方、メサ構造体の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において同じ寸法に設定して作製すると、ウェハ１１０上の領域Ｅ１〜Ｅ１１における複数の非酸化領域７ａの寸法は、Ｗ型に分布していることが解る。
【００７１】
メサ構造体の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において同じ寸法に設定して作製した場合、非酸化領域７ａの寸法は、２．８μｍ〜３．６μｍの範囲でばらついており、非酸化領域７ａの面積は、７．８４μｍ２〜１２．９４μｍ２の範囲でばらつき、最大の面積は、最小の面積の約１．６倍になる。その結果、面発光レーザ素子のしきい値では、領域Ｅ１〜Ｅ１１間で約１．２倍の差があり、光出力は、領域Ｅ１〜Ｅ１１間で約２倍もばらつく。
【００７２】
一方、メサ構造体２１〜３１の寸法を領域Ｅ１〜Ｅ１１において変化させて作製した場合には、このようなばらつきはなく、均一なしきい値および光出力を有する複数の面発光レーザ素子をウェハ１１０上で作製することができる。
【００７３】
図９は、メサ構造体のエッチングの概念図である。図９を参照して、１チップ、即ち、１個の面発光レーザアレイの外周部に位置するメサ構造体２１を基板２０上に形成する場合、エッチング速度は、相対的に速く、面発光レーザアレイの内周部に位置するメサ構造体２２を基板２０上に形成する場合、エッチング速度は、相対的に遅い。
【００７４】
その結果、メサ構造体２２の選択酸化層７の長さは、メサ構造体２１の選択酸化層７よりも長さｄ分だけ長くなる。
【００７５】
そこで、エッチングによる選択酸化層７の長さの分布を吸収して１チップ内において均一な非酸化領域７ａを形成するために、１チップ内のメサ構造体の寸法を補正する。
【００７６】
図１０は、この発明による半導体レーザアレイの平面図である。図１０を参照して、この発明による半導体レーザアレイ３００は、基板３１０と、面発光レーザ素子３１１〜３２６とを備える。
【００７７】
面発光レーザ素子３１１〜３２６は、たとえば、Ｘ方向およびＹ方向に４個配置される。すなわち、面発光レーザ素子３１１〜３２６は、二次元に配置される。そして、面発光レーザ素子３１１〜３２６の各々は、図３に示す面発光レーザ素子１１１，１１８，１２１と同じ断面構造を有する。したがって、面発光レーザ素子３１１〜３２６の各々は、メサ構造体２１と同じ構造のメサ構造体を有する。
【００７８】
図１１は、図１０に示す複数の面発光レーザ素子３１１〜３２６のメサ構造体の平面図である。図１１を参照して、メサ構造体Ｍ１は、面発光レーザ素子３１１のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ２は、面発光レーザ素子３１２，３１３のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ３は、面発光レーザ素子３１４のメサ構造体である。
【００７９】
また、メサ構造体Ｍ４は、面発光レーザ素子３１５，３１９のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ５は、面発光レーザ素子３１６，３１７，３２０，３２１のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ６は、面発光レーザ素子３１８，３２２のメサ構造体である。
【００８０】
さらに、メサ構造体Ｍ７は、面発光レーザ素子３２３のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ８は、面発光レーザ素子３２４，３２５のメサ構造体であり、メサ構造体Ｍ９は、面発光レーザ素子３２６のメサ構造体である。
【００８１】
なお、図１１におけるメサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９の点線は、メサ構造体Ｍ５の寸法を表す。
【００８２】
メサ構造体Ｍ５は、Ｘ方向およびＹ方向の両方において、同じ寸法を有する略正方形の平面形状を有する。メサ構造体Ｍ１は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の負方向およびＹ軸の正方向へ大きくした寸法を有する。メサ構造体２は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＹ軸の正方向のみに大きくした寸法を有する。
【００８３】
メサ構造体３は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の正方向およびＹ軸の正方向へ大きくした寸法を有する。メサ構造体４は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の負方向のみに大きくした寸法を有する。
【００８４】
メサ構造体６は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の正方向のみに大きくした寸法を有する。メサ構造体７は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の負方向およびＹ軸の負方向へ大きくした寸法を有する。メサ構造体８は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＹ軸の負方向のみに大きくした寸法を有する。メサ構造体９は、メサ構造体Ｍ５の寸法をＸ軸の正方向およびＹ軸の負方向へ大きくした寸法を有する。
【００８５】
すなわち、メサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９は、メサ構造体Ｍ５の寸法を他のメサ構造体が存在しない方向へ大きくした寸法を有する。
【００８６】
メサ構造体Ｍ５の寸法が２０μｍ×２０μｍに設定された場合、メサ構造体Ｍ１，Ｍ３，Ｍ７，Ｍ９の寸法は、２０．２μｍ×２０．２μｍに設定され、メサ構造体Ｍ２，Ｍ８の寸法は、２０μｍ×２０．２μｍ角に設定され、メサ構造体Ｍ４，Ｍ６の寸法は、２０．２μｍ×２０．０μｍに設定される。
【００８７】
各メサ構造体Ｍ１〜Ｍ９の寸法がこのように設定されるのは、半導体レーザアレイ３００においては、メサ構造体Ｍ５は、図９に示すメサ構造体２２に相当し、メサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９は、図９に示すメサ構造体２１に相当するので、メサ構造体Ｍ５のエッチング速度がメサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９のエッチング速度よりも遅くなり、メサ構造体Ｍ５とメサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９との間では、図９に示すように選択酸化層７の長さが異なるので、メサ構造体Ｍ１〜Ｍ９における選択酸化層７の長さのばらつきを基準値以内に設定するためである。
【００８８】
このように、１チップ内におけるメサ構造体の寸法分布を基準値以内に設定するために、外周部におけるメサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９の寸法を内周部におけるメサ構造体Ｍ５の寸法よりも大きくする。
【００８９】
なお、上述したメサ構造体Ｍ１〜Ｍ９の寸法は、実測寸法の分布に基づいて、実測寸法の分布を補正するように決定された寸法である。
【００９０】
図１２は、図１０に示す基板３１０上に複数のメサ構造体を形成するときのマスクの平面図である。複数のメサ構造体を基板３１０上に形成するには、図６の（ｂ）に示すように、積層体（＝反射層２、共振器スペーサー層３、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８）上にマスクを用いてレジストパターンを形成する必要がある。
【００９１】
そこで、半導体レーザアレイ３００を作製する場合、マスク４００を用いて露光し、複数のレジストパターンを積層体（＝反射層２、共振器スペーサー層３、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８）上に形成する。
【００９２】
図１２を参照して、マスク４００は、遮光部４０１〜４１６を有する。遮光部４０１は、メサ構造体Ｍ１と同じ寸法を有し、遮光部４０２，４０３は、メサ構造体２と同じ寸法を有し、遮光部４０４は、メサ構造体Ｍ３と同じ寸法を有する。
【００９３】
また、遮光部４０５，４０９は、メサ構造体Ｍ４と同じ寸法を有し、遮光部４０６，４０７，４１０，４１１は、メサ構造体Ｍ５と同じ寸法を有し、遮光部４０８，４１２は、メサ構造体Ｍ６と同じ寸法を有する。
【００９４】
さらに、遮光部４１３は、メサ構造体Ｍ７と同じ寸法を有し、遮光部４１４，４１５は、メサ構造体Ｍ８と同じ寸法を有し、遮光部４１６は、メサ構造体Ｍ９と同じ寸法を有する。
【００９５】
半導体レーザアレイ３００は、図６および図７に示す工程（ａ）〜（ｆ）と同じ工程に従って作製され、工程（ｂ）においては、マスク２００に代えてマスク４００が用いられる。
【００９６】
そして、工程（ａ）〜（ｆ）に従って作製した半導体レーザアレイ３００において、面発光レーザ素子３１１〜３２６の非選択領域７ａの寸法を実測した結果、非選択領域７ａの実測寸法の面内分布は、±０．０５μｍ以内に収まった。
【００９７】
上述したように、複数の面発光レーザ素子が二次元に配置される半導体レーザアレイ３００を作製する場合、１個のチップである半導体レーザアレイ３００の内周部と外周部とにおけるエッチング速度のばらつきに起因して非酸化領域７ａの寸法がばらつくが、上述したように、１個のチップである半導体レーザアレイ３００の外周部におけるメサ構造体Ｍ１〜Ｍ４，Ｍ６〜Ｍ９の寸法を内周部におけるメサ構造体Ｍ５の寸法よりも大きくすることによって、非酸化領域７ａの長さのばらつきが±０．０５μｍ以内である面発光レーザ素子３１１〜３２６を備える半導体レーザアレイ３００を作製できる。
【００９８】
即ち、１個のチップを作製する場合に、１チップ内の外周部に配置される面発光レーザ素子のメサ構造体の寸法を１チップ内の内周部に配置される面発光レーザ素子のメサ構造体の寸法よりも長くすることにより、メサ構造体を形成するときの１チップ内におけるエッチング速度のばらつきに起因するメサ構造体の寸法ばらつきを抑制して１チップ内におけるメサ構造体の寸法分布を基準値以内に設定できる。
【００９９】
上述したように、この発明においては、ウェハ１１０の全面に面発光レーザ素子を形成した場合の電流狭窄寸法のばらつきを補正するために、ウェハ１１０の外周部と内周部とで遮光部の寸法を変化させたマスク２００を用いて露光する。これにより、ウェハ１１０内における狭窄寸法のばたつきを低減できる。
【０１００】
また、この発明においては、１チップの面発光レーザアレイ３００を作製する場合の１チップ内におけるメサ寸法のばらつきを補正するために、１チップ内の外周部と内周部とで遮光部の寸法を変化させたマスク４００を用いて露光する。これにより、１チップ内における狭窄寸法のばらつきを低減できる。
【０１０１】
さらに、この発明においては、これらの２つのマスク２００，４００を組合わせて露光する。これにより、ウェハ１１０内における狭窄寸法のばらつきと１チップ内における狭窄寸法のばらつきとを同時に低減できる。
【０１０２】
ウェハ１１０内の面発光レーザ素子１１１〜１２１および／または半導体レーザアレイ３００の面発光レーザ素子３１１〜３２６間における非酸化領域７ａの長さの分布は、メサ構造体を形成する際の露光量を変化させることによっても所定値以内に抑制される。
【０１０３】
図１３は、線幅とフォトマスクとの差と、露光量との関係を示す図である。図１３において、縦軸は、線幅とフォトマスクとの差を表し、横軸は、露光量を表す。図１３を参照して、露光量が多くなると、線幅とフォトマスクとの差は、プラスからマイナスへ変化する。
【０１０４】
すなわち、露光量が相対的に少ないとき、線幅とフォトマスクとの差は、プラスになり、線幅は、フォトマスクの遮光部の幅よりも太くなる。一方、露光量が相対的に多くなると、線幅とフォトマスクとの差は、マイナスになり、線幅は、フォトマスクの遮光部の幅よりも細くなる。
【０１０５】
したがって、露光量が相対的に少なくなると、線幅は、相対的に太くなり、露光量が相対的に多くなると、線幅は、相対的に細くなる（直線ｋ３参照）。
【０１０６】
上述したように、補正しない場合、ウェハ１１０上においては、非酸化領域７ａの寸法は、同心円状に分布し、外周部の方が内周部よりも大きくなる。また、補正しない場合、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内においては、非酸化領域７ａの寸法は、内周部の方が外周部よりも長くなる。
【０１０７】
そこで、このような非酸化領域７ａの寸法分布を補正するために、ウェハ１１０の領域Ｅ１１においては、８０ｍｊ／ｃｍ２の露光量になるように露光時間を調整し、領域Ｅ１１内でステッパーにより露光することで、メサ構造体３１の寸法は、２０μｍ角になる。
【０１０８】
領域Ｅ１０では、非酸化領域７ａの寸法は、領域Ｅ１１の非酸化領域７ａの寸法に対して−０．１μｍとなっているため、メサ構造体３０の寸法をメサ構造体３１の寸法よりも０．１μｍだけ大きくすればよい。したがって、領域Ｅ１０では、露光量は、７６ｍｊ／ｃｍ２になる。以下、同様にして領域Ｅ９〜Ｅ１における露光量を決定する。このように、各領域Ｅ１〜Ｅ１１に対応して決定される複数の露光量の各々は、メサ構造体２１〜３１における非酸化領域７ａ（＝電流注入部）の設計値と実測値との寸法差を補正する露光量である。
【０１０９】
また、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部と内周部とでメサ構造体３１１〜３２６の寸法ばらつきを補正するために、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部を露光するときの露光量は、相対的に少ない露光量に決定され、内周部を露光するときの露光量は、相対的に多い露光量に決定される。１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部および内周部に対応して決定される露光量も、メサ構造体３１１〜３２６における非酸化領域７ａ（＝電流注入部）の設計値と実測値との寸法差を補正する露光量である。
【０１１０】
図１４は、露光装置の概略図である。図１４を参照して、露光手段５００は、制御手段５０１と、光源５０２と、レティクル５０３と、レンズ５０４とを備える。制御手段５０１は、ウェハ１１０の領域Ｅ１〜Ｅ１１における露光量を変える場合、各領域Ｅ１〜Ｅ１１において決定された露光量になるように光源５０２を制御する。また、制御手段５０１は、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内における露光量を変える場合、外周部および内周部でそれぞれ決定された露光量になるように光源５０２を制御する。
【０１１１】
光源５０２は、制御手段５０１からの制御に従って所定のパワーの光をレティクル５０３へ照射する。レティクル５０３は、光源５０２からの光の一部を遮光してレンズ５０４に導く。レンズ５０４は、レティクル５０３からの光を集光してウェハ１１０に照射する。
【０１１２】
図１５は、図１４に示すレティクル５０３の例を示す平面図である。図１５を参照して、レティクル５０３は、６個の区切り５０３Ａ〜５０３Ｆからなるアイパターンを有する。区切り５０３Ａ〜５０３Ｆの各々には、例えば、４×１０個の面発光レーザ素子からなる面発光レーザアレイが形成されるメサパターンが形成されている。そして、各区切り５０３Ａ〜５０３Ｆの各々に形成されるメサパターンは、実際に形成するメサ構造体の寸法よりも大きいサイズ（たとえば、５倍のサイズ）を有する。したがって、２０μｍのメサ構造体を形成する場合、レティクル５０３には、１００μｍのメサパターンが形成されている。
【０１１３】
なお、図１５においては、６チップ分のパターンが描かれているが、レティクル５０３に描かれるパターンは、６チップ以外であってもよい。
【０１１４】
再び、図１４を参照して、ウェハ１１０上にステッパー露光する場合、制御手段５０１は、領域Ｅ１において決定された露光量になるように光源５０２を制御し、光源５０２は、制御手段５０１からの制御に従って所定のパワーの光をレティクル５０３に照射し、レティクル５０３は、光源５０２からの光の一部を遮光してレンズ５０４に導く。そうすると、レンズ５０４は、レティクル５０３に描かれたメサパターンの寸法が１／５になるようにウェハ１１０上の領域１１０Ａを１ショットで縮小露光する。その後、ウェハ１１０を矢印の方向に移動させ、同様にして１ショットで領域１１０Ｂを縮小露光する。これを繰り返し行ない、領域Ｅ１内を露光する。
【０１１５】
その後、領域Ｅ２〜Ｅ１１においてそれぞれ決定された露光量を用いて、上述した方法と同じ方法によって露光し、ウェハ１１０の全面を露光する。
【０１１６】
上述した方法によって決定した露光量になるように、露光装置５００を用いて各領域Ｅ１〜Ｅ１１において露光を行ない、面発光型半導体レーザウェハ１００を作製した。その結果、ウェハ１１０内における非酸化領域７ａの寸法の面内分布は、±０．０５μｍ以内に抑制された。
【０１１７】
また、図１５に示す各区切り５０３Ａ〜５０３Ｆは、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）を形成するためのメサパターンが描画されているので、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部と内周部とにおけるメサ構造体の寸法ばらつきを基準値以内に設定する場合には、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部と内周部とで露光量を変えながら露光装置５００によって露光する。
【０１１８】
そして、この発明においては、ウェハ１１０の領域Ｅ１〜Ｅ１１間で露光量を変えること、１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内の外周部と内周部とで露光量を変えることのいずれか一方または両方を用いて面発光型半導体レーザウェハ１００を作製してもよい。
【０１１９】
このように、メサ構造体を形成するときの露光量を調整することによっても、ウェハ１１０内および／または１チップ（＝面発光レーザアレイ３００）内における非酸化領域７ａの寸法の面内分布を抑制できる。
【０１２０】
上記においては、複数のメサ構造体をウェハ１１０および基板２０，３１０上に形成する場合のマスク２００，４００の遮光部の寸法を制御すること、または複数のメサ構造体をウェハ１１０および基板２０，３１０上に形成する場合の露光量を制御することにより、複数のメサ構造体に含まれる複数の非酸化領域７ａの寸法分布を±０．０５μｍ以内に収めることを説明した。
【０１２１】
したがって、この発明においては、一般的には、図１６に示すフローチャートに従って複数のメサ構造体をウェハ上に形成する。図１６は、複数のメサ構造体の形成方法を説明するためのフローチャートである。
【０１２２】
図１６を参照して、一連の動作が開始されると、メササイズを同一にして複数の面発光レーザ素子をウェハに作製する（ステップＳ１）。そして、ウェハ面内の電流狭窄寸法を計測し、寸法のバラツキを示すマップを作製し、補正係数を求める（ステップＳ２）。
【０１２３】
その後、補正係数に基づいて、狭窄寸法のバラツキが少なくなるようにメサ寸法を変えたフォトマスクを作製する（ステップＳ３）。
【０１２４】
引き続いて、反射層２、共振器スペーサー層３、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８からなる積層体をウェハ１１０上に形成する。すなわち、選択酸化層７を含む積層体をウェハ１１０上に形成する（ステップＳ４）。
【０１２５】
その後、作製したフォトマスクを用いて複数のメサ構造体をウェハ上に形成し（ステップＳ５）、選択酸化層７を選択酸化して電流狭窄部（酸化領域７ｂ）および電流注入部（＝非酸化領域７ａ）を形成する（ステップＳ６）。これによって、複数のメサ構造体がウェハ１１０上に形成される。
【０１２６】
なお、ステップＳ５は、複数のメサ構造体における複数の電流注入部の前記ウェハの面内方向の寸法分布が基準値以内になるように補正する補正手段を用いて複数のメサ構造体を形成するステップを構成する。 
【０１２７】
図１６に示す複数のメサ構造体の形成方法は、面発光型半導体レーザウェハ１００および半導体レーザアレイ３００を作製する場合に用いられる。したがって、ステップＳ１〜ステップＳ６を備える面発光型半導体レーザウェハ１００の製造方法は、この発明による面発光型半導体レーザウェハの製造方法を構成する。また、ステップＳ１〜ステップＳ６を備える半導体レーザアレイ３００の製造方法は、この発明による半導体レーザアレイの製造方法を構成する。
【０１２８】
上述した電流狭窄寸法のウェハ１１０内または１チップ内の分布は、ある製造装置を用いた場合の例であり、製造装置によっては、電流狭窄寸法は、上述した分布と異なる分布になる。したがって、この発明においては、使用する製造装置におけるウェハおよび／または１チップ内における電流狭窄寸法のばらつきを実測し、その実測結果に基づいて、電流狭窄寸法のばらつきを補正するように遮光部の寸法を変えたマスク、または電流狭窄寸法のばらつきを補正するように露光量を変えた露光手段を用いて面発光型半導体レーザウェハ１００を作製する。
【０１２９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
この発明は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハに適用される。また、この発明は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハを用いて作製された半導体レーザアレイに適用される。さらに、この発明は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハの製造方法に適用される。さらに、この発明は、ウェハ内において均一化された電流注入部を有する面発光型半導体レーザウェハを用いた半導体レーザアレイの製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】この発明の実施の形態による面発光型半導体レーザウェハの平面図である。
【図２】図１に示すＡ領域の拡大図である。
【図３】図１に示す線ＩＩＩ−ＩＩＩ間における面発光型半導体レーザウェハの断面図である。
【図４】図３に示す２つの反射層の断面図である。
【図５】ウェハ上に複数のメサ構造体を形成するときのマスクの平面図である。
【図６】図１に示す面発光型半導体レーザウェハの製造方法を示す第１の工程図である。
【図７】図１に示す面発光型半導体レーザウェハの製造方法を示す第２の工程図である。
【図８】電流狭窄寸法と、ウェハの面内位置との関係を示す図である。
【図９】メサ構造体のエッチングの概念図である。
【図１０】この発明による半導体レーザアレイの平面図である。
【図１１】図１０に示す複数の面発光レーザ素子のメサ構造体の平面図である。
【図１２】図１０に示す基板上に複数のメサ構造体を形成するときのマスクの平面図である。
【図１３】線幅とフォトマスクとの差と、露光量との関係を示す図である。
【図１４】露光装置の概略図である。
【図１５】図１４に示すレティクルの例を示す平面図である。
【図１６】複数のメサ構造体の形成方法を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３２】
２，６  反射層、２Ａ，６Ａ  低屈折率層、２Ｂ，６Ｂ  高屈折率層、３，５  共振器スペーサー層、４  活性層、７  選択酸化層、７ａ  非酸化領域、７ｂ  酸化領域、８  コンタクト層、９  絶縁性樹脂、１１  ｐ側電極、１２  ｎ側電極、２１，２８，３１，Ｍ１〜Ｍ９  メサ構造体、１００  面発光型半導体レーザウェハ、１１０  ウェハ、１１１〜１２１，３１１〜３２６  面発光レーザ素子、１３０  レジスト、１３１〜１３ｎ  レジストパターン、２００，４００  マスク、２０１〜２１１，４０１〜４１６  遮光部、３００  半導体レーザアレイ、５００  露光手段、５０１〜５１１  ランプ、５２０  制御手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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