(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的機械研磨による平坦化装置において使用されるウェーハキャリヤであって、
弾性材料の単体から形成され、真空チャックの内側領域および外側領域を画定する溝が前記真空チャックの表面に形成され、研磨パッド上でウェーハの結晶表面を平坦化するために前記真空チャックが前記ウェーハを前記内側領域内で保持するとともに前記ウェーハを回転し、前記溝が前記内側領域の表面を前記外側領域の表面から分離している、前記真空チャックと、
前記真空チャックの前記外側領域に配置され、前記真空チャックの前記内側領域内で前記ウェーハを保持するように構成され、圧力が前記真空チャックに加えられた場合、前記真空チャックの前記内側領域および前記外側領域の前記分離された表面の前記弾性材料が、前記研磨パッドの研磨面に整合するようにリテーナリングと前記ウェーハとが独立して移動することを可能にする、前記リテーナリングと、
を備えたウェーハキャリヤ。
【請求項２】
前記真空チャックが、円筒形であり、前記リテーナリングが、前記真空チャックの前記外部領域のエッジの周囲にリング形状に配置された請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
【請求項３】
研磨面が平面を画定し、前記真空チャックが、分離された前記リテーナリングと前記ウェーハとを、該研磨面と同じ平面に整合させるように配設された請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
【請求項４】
前記リテーナリングが、前記ウェーハ上のエッジ効果をマスキングするように構成された請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
【請求項５】
前記リテーナリングが、前記ウェーハのエッジをマスキングする前縁を含む請求項１に記載のウェーハキャリヤ。
【請求項６】
前記リテーナリングの前縁が丸められている請求項５に記載のウェーハキャリヤ。
【請求項７】
化学的機械研磨による平坦化（ＣＭＰ）システムであって、
研磨パッドと、
ウェーハキャリヤとを備え、
該ウェーハキャリヤは、
弾性材料の単体から形成され、真空チャックの内側領域および外側領域を画定する溝が前記真空チャックの表面に形成され、研磨パッド上でウェーハの結晶表面を平坦化するために前記真空チャックが前記ウェーハを前記内側領域内で保持するとともに前記ウェーハを回転し、前記溝が前記内側領域の表面を前記外側領域の表面から分離している、前記真空チャックと、
前記真空チャックの前記外側領域に配置され、前記真空チャックの前記内側領域内で前記ウェーハを保持するように構成され、圧力が前記真空チャックに加えられた場合、前記真空チャックの前記内側領域および前記外側領域の前記分離された表面の前記弾性材料が、前記研磨パッドの研磨面を画定する平面に整合するようにリテーナリングと前記ウェーハとが独立して移動することを可能にする、前記リテーナリングと、
を備えた平坦化システム。
【請求項８】
前記真空チャックが、円形の表面を有する円筒形であり、前記リテーナリングが、前記真空チャックのエッジの周囲にリング形状に配置された請求項７に記載のＣＭＰシステム。
【請求項９】
前記リテーナリングが、前記ウェーハのエッジ効果をマスキングするように構成された請求項７に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１０】
前記リテーナリングが、前記ウェーハのエッジをマスキングする前縁を含む請求項７に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１１】
前記リテーナリングの前縁が丸められている請求項１０に記載のＣＭＰシステム。
【請求項１２】
化学的機械研磨による平坦化装置において使用されるウェーハキャリヤを製造する方法であって、
弾性材料の単体から真空チャックを形成し、
前記真空チャックの表面に溝を形成し、前記溝が前記真空チャックの内側領域および外側領域を画定するとともに、前記内側領域の表面を前記外側領域の表面から分離し、研磨パッド上でウェーハの結晶表面を平坦化するために前記真空チャックが前記ウェーハを前記内側領域内で保持するとともに前記ウェーハを回転し、
前記真空チャックの前記外側領域に配置され、前記真空チャックの前記内側領域内で前記ウェーハを保持するように構成された、リテーナリングを形成し、前記リテーナリングと前記ウェーハとが前記研磨パッドの研磨面に整合するように、前記真空チャックの前記内側領域および前記外側領域の前記分離された表面の前記弾性材料が、前記リテーナリングと前記ウェーハとが前記研磨パッドの研磨面と直交する方向に独立して移動することを可能にする、
ウェーハキャリヤの製造方法。
【請求項１３】
円筒形状に前記真空チャックを形成し、前記真空チャックの前記外部領域のエッジの周囲にリング形状に前記リテーナリングを配置する請求項１２に記載のウェーハキャリヤの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のウェーハキャリヤの製造方法であって、
研磨面が一つの平面を画定し、前記真空チャックが、研磨面と同じ平面に、分離した前記リテーナリングとウェーハとを整合させるように配設したウェーハキャリヤの製造方法。
【請求項１５】
前記リテーナリングが、前記ウェーハ上のエッジ効果をマスキングするように構成された請求項１２に記載のウェーハキャリヤの製造方法。
【請求項１６】
前記リテーナリングが、前記ウェーハのエッジをマスキングする前縁を含む請求項１２に記載のウェーハキャリヤの製造方法。
【請求項１７】
前記リテーナリングの前記前縁が丸みを帯びている請求項１６に記載のウェーハキャリヤの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
１．発明の分野：
本発明は、化学的機械研磨による平坦化（ＣＭＰ）に関し、特に、ＣＭＰによるウェーハ処理中のエッジ効果を減少させるウェーハキャリヤに関する。
【０００２】
２．関連技術の説明：
半導体ウェーハからの半導体デバイスの製造では、一般には、特にウェーハの化学的機械研磨による平坦化（ＣＭＰ）と、バフ研磨と、洗浄とが必要となる。現代の集積回路デバイスは、通常、多層構造の形をとる。基板レベルでは、例えば、トランジスタデバイスが形成される。次のレベルでは、相互接続金属線が、パターン形成され、トランジスタデバイスと電気的に接続され、所望の機能デバイスを形成する。周知のように、パターンが形成された導電性の特徴部は、例えば、二酸化ケイ素等の誘電材料により、互いに絶縁されている。金属化レベルと関連する誘電層が増えると、誘電材料を平坦化する必要性は増加する。平坦化しない場合、金属層を追加製造するのは、結晶表面の大きなばらつきから、更に困難になる。別の用途では、金属線パターンは、誘電材料により形成され、その後、金属を平坦化するＣＭＰ動作が実行され、余分な金属化部分が除去される。
【０００３】
図１は、半導体ウェーハ１０２上で実行される化学的機械研磨による平坦化（ＣＭＰ）プロセス１００の概略図を示している。このプロセス１００において、ウェーハ１０２は、ＣＭＰシステム１０４においてＣＭＰ処理を受ける。その後、半導体ウェーハ１０２は、ウェーハ洗浄システム１０６において洗浄される。半導体ウェーハ１０２は、次に、ＣＭＰ後処理１０８へ進み、ここでウェーハ１０２には、追加層の蒸着と、スパッタリングと、フォトリソグラフィと、関連するエッチングとを含む一連の製造処理が行われる。
【０００４】
ＣＭＰシステム１０４は、通常、ウェーハ１０２の結晶表面を処理および平坦化するシステムコンポーネントを含む。こうしたコンポーネントは、例えば、オービタルまたは回転研磨パッド、あるいはリニアベルト研磨パッドから構成することができる。このパッド自体は、通常、弾性高分子材料で作成される。ウェーハ１０２の結晶表面を平坦化するために、このパッドを運動させ、更にスラリ材料を加え、パッドの表面上に広げる。スラリが付いたパッドが所望の速度で移動し始めた後、ウェーハキャリヤに取り付けたウェーハ１０２を、パッドの表面下方に配置し、ウェーハの結晶表面を平坦化する。
【０００５】
回転またはオービタルＣＭＰシステムにおいて、研磨パッドは、回転する平面の表面上に位置し、スラリは、この研磨パッド上に導入される。オービタルツールでは、パッドの公転運動とウェーハキャリヤの回転とによって相対的な速度が決まり、スラリは、研磨パッドの多数の穴を通じて、ウェーハの下から導入される。こうした処理を通じて、所望のウェーハ表面が研磨され、滑らかで平坦な表面が提供される。ウェーハは、その後、ウェーハ洗浄システム１０６に送給され、洗浄される。
【０００６】
ＣＭＰシステムの主要な目的の一つは、ウェーハ表面全体で、均一な除去速度分布を確保することである。周知のように、除去速度は、プレストンの式、つまり、
除去速度＝Ｋｐ・ＰＶ
によって与えられ、ここで材料の除去速度は、負荷圧力Ｐと相対速度Ｖとの関数となる。Ｋｐの項は、プレストン係数であり、スラリの組成と処理温度とパッド表面の状態とによって定まる定数である。
【０００７】
残念なことに、従来のＣＭＰシステムはエッジ効果の影響を受け、除去速度を不均一にし、この結果、ウェーハ表面全体の均一性も損なっていた。エッジ効果は、通常、ＣＭＰ処理中のウェーハエッジと研磨パッドとの間の境界条件によって生じる。図２Ａは、ウェーハ１０２の一部と研磨パッド２０４との間における従来のエッジ効果の静的モデルの断面を示している。この静的モデルでは、均一な圧力が、ベクトル１０６によって示すダウンフォースの形で、ウェーハ１０２上に加えられる。しかしながら、ベクトル１１２として示したようなダウンフォース１０６により、パッド２０４の変形が発生し、パッド２０４は、横方向（この方向は正常）のみならず、ウェーハ１０２のエッジ２０８近くでは大きな縦横方向の摂動区域を有することになる。したがって、この変形により、エッジ２０８近くでは低圧区域１１０が発生する。ウェーハ１０２のエッジ２０８は、ベクトル１１１によって示すように、高い圧力を発生させ、これにより、エッジ２０８近くに不均一な圧力エリアが生成される。
【０００８】
交互に圧力区域が形成されることは、ウェーハ全体でみると、除去速度の不均一化につながる。図２Ｂは、ウェーハ１０２の一部と研磨パッド２０４との間におけるエッジ効果の動的モデルの断面を表している。リテーナリング１１６の一部は、ウェーハ１０２を所定の位置に保持し、ウェーハ１０２の移動を制御するウェーハキャリヤ（図示せず）にウェーハ１０２を保持する。この構成において、ウェーハ１０２は、ベクトルＶrel によって示すように、研磨パッド２０４に対して動いている。パッド２０４は、一般に弾性がある。このため、ウェーハ１０２が相対速度Ｖrel でパッド２０４上を移動すると、これにより、パッド２０４の表面上では伸縮摂動が発生する。
【０００９】
ウェーハ１０２の並進運動と伸縮摂動とにより、研磨パッド２０４の表面１１４では、従来の波生成理論に従って、縦横方向のパッド変形波が発生する。この変形波は、通常、広がったウェーハ表面の抑圧動作とパッド材料の速い速度とによる高速の弛緩波である。これにより、ウェーハ１０２のエッジ２０８近くでは、負荷及び圧力の局所的な再分布が発生する。例えば、パッド２０４の表面１１４上では、低圧区域１２０、１２２、及び１２４が形成され、ウェーハ１０２のエッジ２０８からの距離に対応して、徐々に圧力が高くなる。
【００１０】
低圧区域１２０、１２２、および１２４のそれぞれは、局所的な最低および最高圧力領域によって区分けされ、こうした領域は、平坦化された結晶表面に起伏を発生させる。例えば、低圧区域１２０の局所的最低圧力領域１２６では、除去速度は低くなり、結果として、結晶表面には、局所的に平坦化されな領域が発生する。逆に、低圧区域１２０の局所的最大圧力領域１２８では、除去速度は高くなり、結果として、結晶表面には、局所的に過剰に平坦化された領域が発生する。したがって、ウェーハ１０２の全体的な平坦化効率は、大幅に悪化する。
【００１１】
更に、従来のＣＭＰシステムにおいて、発生した圧力波の先頭のピークは、ウェーハのエッジにおいてシーリング効果を生み出し、ウェーハの下へスラリが入り込むのを大幅に減少させる。図２Ｃは、ウェーハ１０２の一部と研磨パッド２０４との間におけるシーリング効果の断面図を示している。スラリは、最初に、研磨パッド２０４の表面１１４に提供される。ウェーハ１０２が研磨パッド２０４と相対的に速度Ｖrel で移動すると、ウェーハのエッジ２０８は、ベクトル１５２によって例示するように、高い圧力を発生させる。この高い圧力により、ウェーハ１０２のエッジ２０８にはスラリ１５０が溜まり、ウェーハ１０２下へのスラリの移送は制限される。加えて、エッジ２０８での高い負荷によって、研磨パッド２０４の微細孔及び溝からスラリが絞り出され、スラリが枯渇する状態が形成される可能性がある。結果として、ウェーハ表面の内側部分では、有効なＣＭＰ処理を行う上で十分な量のスラリが提供されない可能性がある。
【００１２】
加えて、低圧区域は、表面の欠陥性を増加させる恐れがある再堆積プロセスを促す。詳しく説明すると、従来のＣＭＰシステムでは、高圧によって促される体積低減型の反応に代表される溶解および表面改質反応を利用する。こうした反応において、圧力の低下は、反応を逆転させ、溶解した副産物が、ウェーハ表面で再堆積するという現象を発生させる。再堆積した材料は、通常、制御不能の組成を有し、他の微粒子をウェーハ表面に接着させる。これにより、ウェーハの洗浄は、大幅に困難になる。
【００１３】
上述したことから、スラリシーリング効果を低減させつつＣＭＰ処理時にウェーハ上のエッジ効果を最小化し得るウェーハキャリヤが必要とされていた。
【００１４】
【発明の概要】
概観すれば、本発明は、研磨すべきウェーハのエッジをマスキングすることで均一な除去速度をもたらすウェーハキャリヤを提供することにより、前記の要求を満たす。このウェーハキャリヤにより、リテーナリングおよびウェーハを、独立して研磨パッドの表面に整合させることが可能になり、有害なエッジ効果およびシーリング効果はほぼ排除される。本発明は、プロセス、装置、システム、デバイス、または方法を含め、様々な態様で実施し得ると理解されるべきである。以下、本発明のいくつかの発明としての実施形態を説明する。
【００１５】
一実施形態において、本発明は、化学的機械研磨による平坦化装置で使用するウェーハキャリヤを提供する。このウェーハキャリヤは、真空チャックと、リテーナリングとを含む。この真空チャックは、研磨パッド上でウェーハの結晶表面を平坦化するために、ウェーハを保持し回転させるように構成される。この真空チャックは、ウェーハを保持する内側部材および外側部材と、更には両部材間を分離するための溝を含む。真空チャックの内側部材および外側部材は、研磨パッドの研磨面と交叉する方向で、独立して移動するように配設される。リテーナリングは、真空チャックの外側部材上に配設され、ＣＭＰ処理中にウェーハを保持するように構成される。この構成において、分離したリテーナリングとウェーハとは、ＣＭＰ処理中に、独立して移動し、研磨パッドの研磨面に整合するように配設される。
【００１６】
別の実施形態において、化学的機械研磨による平坦化装置で使用するウェーハキャリヤが開示される。このウェーハキャリヤは、真空チャックと、リテーナリングとを含む。この真空チャックは、研磨パッド上でウェーハの結晶表面を平坦化するために、ウェーハを保持し回転させるように構成され、ウェーハを保持する内側部材と、外側部材とを含む。この真空チャックは、エラストマで、内側部材と外側部材とを分離するための溝を含む。真空チャックの内側部材および外側部材は、研磨パッドの研磨面と交叉する方向で、独立して移動するように配設される。リテーナリングは、真空チャックの外側部材上に配設され、ＣＭＰ処理中にウェーハを保持するように構成される。分離したリテーナリングとウェーハとは、ＣＭＰ処理中に、独立して移動し、研磨パッドの研磨面を画定する平面に整合するように配設される。
【００１７】
更に別の実施形態において、本発明は、化学的機械研磨による平坦化装置で使用するウェーハキャリヤを提供する。このウェーハキャリヤは、真空チャックと、リテーナリングと、真空ポートとを含む。この真空チャックは、研磨パッド上でウェーハを研磨するために、ウェーハを保持し回転させるように構成され、ウェーハを保持する内側部材と外側部材とを含む。この真空チャックは、更に、内側部材と外側部材とを分離するための溝を含み、この真空チャックの内側部材と外側部材とは、互いに独立して移動するように配設される。真空ポートは、真空チャックに真空力を提供するように構成される。リテーナリングは、真空チャックの外側部材上に配設され、ＣＭＰ処理中にウェーハを保持するように構成される。この構成において、分離したリテーナリングとウェーハとは、研磨パッドの研磨面と交叉する方向で、独立して移動し、このリテーナリングとウェーハとが研磨パッドの研磨面に整合するように配設される。
【００１８】
有利なことに、分離したリテーナリングは、ウェーハのエッジを効果的にマスキングし、ＣＭＰ処理時にウェーハ上の有害なエッジ効果を最小化し、均一な除去速度を向上させる。好ましくは、保持するものの前縁は、丸みのある形状とし、リテーナリング３０４の下での低圧区域の形成が最小化されるように圧力を低減する。これは、更に、望ましくないスラリのシーリング効果を最小化し、均一な除去速度の実現を更に促進し、これにより、ウェーハの均一な平坦化を促進する。本発明のその他の態様および利点は、本発明の原理を例として示す添付の図面と併せて考慮することで、以下の詳細な説明により明白となる。
【００１９】
【好適な実施形態の詳細な説明】
本発明は、添付図面と併せて、以下の詳細な説明により容易に理解されよう。この説明を容易にするために、同様の参照符号は同様の構造要素を指す。
【００２０】
本発明は、ＣＭＰ処理中にウェーハからリテーナリングを分離し、リテーナリングとウェーハとを研磨パッドの研磨面に自動的に整合させることが可能なウェーハキャリヤを提供する。以下の説明では、本発明の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細について述べる。しかしながら、こうした特定の詳細の一部または全部がなくとも本発明を実施し得ることは当業者には理解されよう。また、周知のプロセス動作については、本発明を不必要に曖昧にしないために、説明していない。
【００２１】
図３Ａは、本発明の一実施形態による、例示的なウェーハキャリヤ３００の断面図を示している。ウェーハキャリヤ３００は、ＣＭＰ処理中にウェーハ３０８を保持し回転させるように構成される。詳しくは、このウェーハキャリヤは、真空チャック３０２と、アクティブリテーナリング３０４と、真空ポート３０６とを含む。真空チャック３０２は、好ましくは、円形で弾性があり、ゴム等の弾性材料で作成される。リテーナリング３０４は、エラストマ真空チャック３０２の周囲に配設され、ＣＭＰ処理中にウェーハ３０８を所定の位置に保持する。好ましくは、リテーナリング３０４は、その底部表面３１２が、研磨されるウェーハの表面３１４とほぼ同一平面または同じ高さになるように配設される。
【００２２】
分離溝３１０（例えば、トレンチ、チャネル、その他）は、真空チャック３０２の外側エッジ近くに形成され、真空チャック３０２内を、一対の領域３１６および３１８に分離・形成する。リテーナリング３０４は、真空チャック３０２の外側エッジに沿って存在する領域３１６上に配設される。ウェーハは、真空ポート３０６を通じて提供される真空力により、真空チャック３０２の内側部材にある領域３１８上に配設される。
【００２３】
この構成において、分離溝３１０は、エラストマ真空チャック３０２で領域３１６及び３１８を効果的に分離するように構成される。領域３１６及び３１８を分離することにより、付属のリテーナリング３０４とウェーハ３０８とを、研磨パッドの研磨面の平面に、独立して整合させることが可能となる。これは、真空チャック３０２の弾性により、ウェーハ３０８とリテーナリング３０４とがウェーハ３０８に直交する方向で互いに独立して移動できるためである。このように分離されるため、リテーナリング３０４とウェーハ３０８との両方は、研磨圧力の下で、研磨面に独立して整合させることができる。後で更に詳細に説明するように、リテーナリング３０４とウェーハ３０８との自動位置合わせ機能は、ＣＭＰ処理中にウェーハ３０８のエッジを効果的にマスキングし、これにより、望ましくないエッジ効果をほぼ排除する。
【００２４】
残存するエッジ効果の排除を更に確保するために、リテーナリング３０４は、リング３０４のエッジにより生じる可能性のあるエッジ効果を抑制するように構成することができる。図３Ｂは、本発明の一実施形態による、修正したリテーナリング３５２が付いたウェーハキャリヤ３５０の断面図を示している。ウェーハキャリヤ３５０は、リテーナリングを除き、図３Ａに示すウェーハキャリヤ３００と同様である。詳しくは、リテーナリング３５２の前縁３５４は、丸みを帯びており、図３Ａに示すリテーナリング３０４の角張ったエッジは存在しない。リテーナリング３５２の丸形エッジ３５４の湾曲は、大きな表面積で圧力を分配する機能を果たし、したがって、リングに関連するエッジ効果を大幅に減少させる。
【００２５】
図４は、本発明の一実施形態による、ウェーハキャリヤ３００の分解図を示している。本発明のウェーハキャリヤは、リニアＣＭＰ装置または回転ＣＭＰ装置といった任意の適切なＣＭＰシステムで使用することができる点に留意されたい。ウェーハキャリヤ３００は、真空チャック３０２と、リテーナリング３０４と、真空ポート３０６と、真空チャック本体４０２と、真空マニホールド４０４とを含む。真空チャック本体４０２は、好ましくは、円筒形で、真空分配グリッド４０６を収容する。真空分配グリッド４０６は、真空ポート３０６からの真空力を分配するように構成される。真空マニホールド４０４は、好ましくは、多孔性材料で作成され、複数の微細孔を含む。真空マニホールド４０４は、真空分配グリッド４０６上に配設され、微細孔を通じて、負圧を伝達する。
【００２６】
真空チャック３０２は、真空チャック本体４０２上に配設され、リテーナリング領域４０８と、分離溝３１０と、ウェーハ領域４１０と、真空グリッド４１２とを含む。分離溝３１０は、真空チャックのリテーナリング領域４０８とウェーハ領域４１０とを分離し、研磨パッド表面との独立した位置合わせを可能とする。リテーナリング３０４は、真空チャック３０２のリテーナリング領域４０８上に配設される。一方、ウェーハ領域４１０は、真空力によりウェーハ３０８が取り付けられるエリアを画定する。このため、真空グリッド４１２は、負圧を真空マニホールド４０４からウェーハ３０８に加えるための真空ポートを含み、ウェーハはウェーハキャリヤ３００内の所定の位置で確実に保持される。
【００２７】
図５Ａは、本発明の一実施形態として、ウェーハ３０８のエッジ効果をマスキングするように配設されたウェーハ３０８の一部とリテーナリング３０４との断面を示している。ウェーハ３０８及びリテーナリング３０４は、研磨パッド５０２上に置かれている。この配置において、リテーナリング３０４とウェーハ３０８とは、両方が研磨パッド５０２の研磨面５０４の平面に整合するように分離されている。リテーナリング３０４の存在により、高圧のエッジポイントは、ウェーハ３０８から離れ、リテーナリング３０４の外部エッジ５１０（つまり前縁）へと移動する。同様に、分離したリテーナリング３０４により、低圧区域５１２は、ウェーハ３０８から離れ、リテーナリング３０４の前縁近くの位置へと移動する。したがって、ベクトル５０６によって示すダウンフォースが加わる時、ウェーハ３０８の下における標準圧のベクトル５０８は、大きさと方向性がほぼ均一となる。これにより、リテーナリング３０４は、エッジ効果をウェーハ３０８のエッジからリテーナリング３０４の前縁５１０へと移転させることにより、ウェーハ３０８のエッジを望ましくないエッジ効果からマスキングする。ウェーハ３０８の下におけるエッジ効果を排除することで、次に、ウェーハ３０８の下にスラリを更に均等に提供することが可能となる。したがって、ウェーハ３０８の平坦化効率は、大幅に高まる。
【００２８】
リテーナリング３０４の前縁５１０は、上述した図３Ｂにおいて示したように、平坦化効率を更に改善するように構成することもできる。図５Ｂは、本発明の一実施形態による、リテーナリング３０４のエッジ効果を低減するように配設された、ウェーハ３０８の一部とリテーナリング３０４との断面図を示している。ウェーハ３０８とリテーナリング３０４とは、研磨パッド５０２上に置かれ、両方が研磨パッド５０２の研磨面５０４の平面に整合するように分離されている。リテーナリング３０４の前縁は、圧力を最小化する形状とされる。例示の実施形態では、前縁は、圧力を低減するために丸みを帯びており、リテーナリング３０４の下における低圧区域の形成は最小化された。これは、望ましくないスラリシーリング効果を最小化し、これにより、ウェーハ３０８の平坦化は、より一層均一に行われる。
【００２９】
いくつかの好適な実施形態に基づき本発明を説明してきたが、以上の明細書を読み且つ図面を検討することにより、その様々な変形例、追加例、置換例、および均等物を当業者が実現し得ることは理解されよう。従って、本発明は、本発明の本来の趣旨および範囲に入るこうしたすべての変形例、追加例、置換例および均等物を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  半導体ウェーハ上で実行される化学的機械研磨による平坦化（ＣＭＰ）プロセスの概略を示す説明図である。
【図２Ａ】  ウェーハの一部と研磨パッドとの間における従来のエッジ効果の静的モデルを示す断面図である。
【図２Ｂ】  ウェーハの一部と研磨パッドとの間におけるエッジ効果の動的モデルを示す断面図である。
【図２Ｃ】  ウェーハの一部と研磨パッドとの間におけるシーリング効果を示す断面図である。
【図３Ａ】  本発明の一実施形態としてのウェーハキャリヤの一例を示す断面図である。
【図３Ｂ】  本発明の一実施形態としての変形リテーナリングが付いたウェーハキャリヤを示す断面図である。
【図４】  本発明の一実施形態としてのウェーハキャリヤを示す分解図である。
【図５Ａ】  本発明の一実施形態として、ウェーハのエッジ効果をマスキングするように配設されたウェーハの一部とリテーナリングとを示す断面図である。
【図５Ｂ】  本発明の一実施形態として、リテーナリングのエッジ効果を低減するように配設されたウェーハの一部とリテーナリングとを示す断面図である。
【図１】
0004817588.tif 000002
【図２Ａ】
0004817588.tif 000003
【図２Ｂ】
0004817588.tif 000004
【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
0004817588.tif 000006
【図３Ｂ】
0004817588.tif 000007
【図４】
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【図５Ａ】
0004817588.tif 000009
【図５Ｂ】
0004817588.tif 000010