(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定対象に光を照射する光源と、
この光源から照射され前記被測定対象から反射された反射光を受光する光検出部と、
各測定位置において前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の変位を算出し、前記算出された変位を示す変位信号を出力する変位算出部と、
各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し出力する信号品質算出部と、
前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定するエッジ位置決定部と
を備えることを特徴とする非接触変位計測装置。
【請求項２】
前記信号品質パラメータは、前記変位信号のＳ／Ｎ比及び前記反射光の光強度を示す光強度信号の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１記載の非接触変位計測装置。
【請求項３】
前記光検出部は、偏光子と検光子とそれらの間に挿入された複屈折結晶とを有するコノスコープ部を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触変位計測装置。
【請求項４】
被測定対象に光を照射し前記被測定対象からの反射光を光検出部で受光する工程と、
各測定位置における前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の表面の変位を算出し、前記算出された変位を示す変位信号を出力する工程と、
各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し出力する工程と、
前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定する工程と
を備えることを特徴とする非接触変位計測装置のエッジ検出方法。
【請求項５】
被測定対象に光を照射し前記被測定対象からの反射光を光検出部で受光する工程と、
各測定位置において前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の表面の変位を算出し前記算出された変位を示す変位信号を出力する工程と、
各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し、出力する工程と、
前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定する工程と
をコンピュータに実行させるよう構成されたことを特徴とする非接触変位計測装置のエッジ検出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定対象からの反射光を受光する検出部を有し、その検出部により出力される出力信号に基づき被測定対象の変位を計測する非接触変位計測装置に関わり、特に被測定対象のエッジの位置を検出するエッジ検出方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定対象上における凹凸の存在する境界の位置（以下、エッジ位置）を決定する場合、検出器と被測定対象間の距離を算出し、この距離の変化でエッジ位置を検出する技術がある。光を利用して非接触に距離を算出する技術は、種々の方法が用いられているが、例えば、以下に示す２つの方法等も知られている。
【０００３】
第１の方法は、被測定対象上に点光源の光を収束させて投影し、その点光源の像が前記被測定対象上に合焦されるよう、点光源に対する被測定対象の相対位置を調整し、合焦が得られた位置をスケール等により計測するようにした方法である。
【０００４】
これに対し、第２の方法は、このような被測定対象に対して垂直方向に移動することなく、被測定対象の距離を計測する方法である（特許文献１）。例えば、特許文献１に開示された装置であれば、レーザ光を被測定対象の１点に落射させ、その１点から戻ってくる球面波を複屈折結晶により偏光方向の直交した２つの波面に分割すると共に２つの偏光光間で位相差を生じさせる。その後、検光子を介して再び重ね合わせることにより同心円状の干渉縞を生じさせる。このとき生成される干渉縞の周期は、物体の高さ（散乱角）により決定されるので、この干渉縞を周波数解析することにより、被測定対象の距離を検出することができる。
【０００５】
また、他の方法として、様々な波長成分の光を含む白色光を、軸上色収差を有する光学系を介して被測定対象上に収束させて投影し、この反射光を空間フィルタを介して分光器に受光させる共焦点光学系を備えたものが知られている。この距離検出の測定原理は、次の通りである。すなわち、軸上色収差を有する光学系は、波長により屈折率が異なるので、通過する光の結像位置も異なる。このため、例えば、白色光中の特定の波長成分のみが被測定対象上に結像して空間フィルタを通過して分光器に入射し、他の波長成分の光は殆ど分光器に入射しない。このため、分光器が空間フィルタを透過した光の波長を分析することにより、被測定対象の距離を検出することができる。
【０００６】
上記第２の方法及びその他の方法に基づく非接触変位計測装置を用いてエッジ検出を行う場合、図１０に示すように、測定系９０を被測定対象１００の測定面に対して平行に移動させながら、被測定対象からの反射光を受光し、その光を受光した位置（Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮ）、（Ｙ１，Ｙ２，…，ＹＮ）を計測すると共に、その受光した光により被測定対象１００との距離（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）を算出する。そして、これら光を受光した位置（Ｘ１，Ｘ２、…，ＸＮ）、（Ｙ１，Ｙ２，…，ＹＮ）及び被測定対象１００との距離（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）に基づき、被測定対象のエッジ位置を算出することができる。
【特許文献１】特開平３−９４２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来のエッジ検出方法では、図１１（ａ）に示すようにエッジ１００ｃを境界として、第１領域１００ａと、第２領域１００ｂを有し、その表面性状（粗さ、反射率等）が各領域内では一定で領域間では異なるような被測定対象１００を測定する際、その表面性状が、距離検出に適さない場合であれば、図１１（ｂ）に示すように、それぞれの距離信号に含まれるノイズにより、エッジ位置を正確に決定することが困難となる問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、被測定対象の表面性状が変位検出に適さない場合であっても、被測定対象のエッジを検出可能な非接触変位計測装置、そのエッジ検出方法及びそのプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る非接触変位計測装置は、被測定対象に光を照射する光源と、この光源から照射され前記被測定対象から反射された反射光を受光する光検出部と、各測定位置において前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の変位を算出し、前記算出された変位を示す変位信号を出力する変位算出部と、各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し出力する信号品質算出部と、前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定するエッジ位置決定部とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る非接触変位計測装置のエッジ検出方法は、被測定対象に光を照射し前記被測定対象からの反射光を光検出部で受光する工程と、各測定位置における前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の表面の変位を算出し、前記算出された変位を示す変位信号を出力する工程と、各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し出力する工程と、前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定する工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る非接触変位計測装置のエッジ検出プログラムは、被測定対象に光を照射し前記被測定対象からの反射光を光検出部で受光する工程と、各測定位置において前記光検出部の出力信号に基づいて前記被測定対象の表面の変位を算出し前記算出された変位を示す変位信号を出力する工程と、各測定位置における前記変位信号の信号品質を示す信号品質パラメータを算出し、出力する工程と、前記信号品質パラメータを前記測定位置により微分することにより微分値を算出し、前記微分値の最大値における測定位置を前記被測定対象のエッジの位置として決定する工程とをコンピュータに実行させるよう構成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被測定対象の表面性状が変位検出に適さない場合であっても、被測定対象のエッジ位置を正確に検出可能な非接触変位計測装置、そのエッジ検出方法及びプログラムを提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１は、本実施の形態に係る非接触変位計測装置の機能を有する３次元測定装置全体を示す斜視図である。３次元測定装置は、非接触型の３次元測定機１と、この３次元測定機１を駆動制御すると共に必要なデータ処理を実行するコンピュータシステム２とにより構成されている。
【００１５】
３次元測定機１は、次のように構成されている。即ち、架台１１上には、被測定対象１２を載置する測定テーブル１３が装着されており、この測定テーブル１３は、図示しないＹ軸駆動機構によってＹ軸方向に駆動される。架台１１の両側縁中央部には上方に延びる支持アーム１４，１５が固定されており、この支持アーム１４、１５の両上端部を連結するようにＸ軸ガイド１６が固定されている。このＸ軸ガイド１６には、撮像ユニット１７が支持されている。撮像ユニット１７は、図示しないＸ軸駆動機構によってＸ軸ガイド１６に沿って駆動する。
【００１６】
撮像ユニット１７の内部は、図２に示すように構成されている。即ち、Ｘ軸ガイド１６に沿って移動可能にスライダ３１が設けられ、スライダ３１に一体にＺ軸ガイド３２が固定されている。このＺ軸ガイド３２には、支持板３３がＺ軸方向に摺動自在に設けられ、この支持板３３に、画像測定用の撮像手段であるＣＣＤカメラ３４と、非接触式変位計であるレーザプローブ３５とが併設されている。これにより、ＣＣＤカメラ３４とレーザプローブ３５とは、一定の位置関係を保ってＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向に同時に移動できるようになっている。
【００１７】
ＣＣＤカメラ３４には、撮像範囲を照明するための照明装置３６が付加されている。レーザプローブ３５の近傍位置には、レーザプローブ３５のレーザビームによる測定位置を確認するために、測定位置の周辺を撮像するＣＣＤカメラ３８と、レーザプローブ３５の測定位置を照明するための照明装置３９とが設けられている。レーザプローブ３５は、撮像ユニット１７の移動の際にレーザプローブ３５を退避するための上下動機構４０と、レーザビームの方向性を最適な方向に適合させるための回転機構４１とにより支持されている。
【００１８】
図３は、レーザプローブ３５の例を示す図である。レーザプローブ３５は、半導体レーザ５１と、この半導体レーザ５１から放射される光の光量を制御する光量制御部５１ａとを備えている。半導体レーザ５１から放射された光は、ビームスプリッタ５２、１／４波長板５３、及び対物レンズ５４を介してワーク１２の測定部に光スポットを形成する。ワーク１２の測定部から反射された光は、１／４波長板５３を介しビームスプリッタ５２で反射され、コノスコープ部５５を通過し、ＣＣＤカメラ５６のＣＣＤ素子上において干渉縞を形成する。コノスコープ部５５は、入射側の偏光子５５ａと、出射側の検光子５５ｃと、それらの間に挟まれた複屈折結晶５５ｂとからなる。すなわち、入射した光は、偏光子５５ａにおいて偏光されて、複屈折結晶５５ｂにおいて、偏光方向に直交した２つの波面に分割されると共に２つの偏光光間で位相差を生じさせ、２つの偏光成分の間に９０°の位相シフトが導かれる。その後、検光子５５ｃを介して再び重ね合わせることにより同心円状の干渉縞が生じる。このとき、生成される干渉縞の周期は、物体の高さ（散乱角）により決定されるので、この干渉縞を周波数解析することにより、被測定対象の光軸方向の変位を検出することができる。このようにレーザプローブの出力には、高さ情報が含まれているので、走査面における断面形状、表面性状等の情報を得ることができるという利点がある。また、レーザプローブによるエッジ検出は、画像測定用ＣＣＤカメラによるエッジ検出と比較して、高速であるという利点がある。
【００１９】
図４には、３次元測定機１及びコンピュータシステム２の構成を更に詳細に示した装置全体のブロック図が示されている。３次元測定機１において、画像測定用のＣＣＤカメラ３４及びレーザプローブ３５の測定位置確認用のＣＣＤカメラ３８でワーク１２を撮像して得られた画像信号は、コンピュータ２１に供給される。この２種類の画像は、後述する選択回路Ｓｃによっていずれかが選択されてＣＲＴディスプレイ２５上に表示される。ＣＣＤカメラ３４、３８の撮像に必要な照明光は、コンピュータ２１の制御に基づき、照明制御部７４、７５が照明装置３６、３９をそれぞれ制御することにより与えられる。レーザプローブ３５から得られた変位量の信号は、Ａ／Ｄ変換器７６を介して第２メモリ８３に一時的に格納され、コンピュータ２１に供給される。そして、これらを含む撮像ユニット１７が、コンピュータ２１の制御に基づいて動作するＸＹＺ軸駆動部７７によってＸＹＺ軸方向に駆動される。撮像ユニット１７のＸＹＺ軸方向の位置は、ＸＹＺ軸エンコーダ７８によって検出され、コンピュータ２１に供給される。また、レーザプローブ３５中の半導体レーザ５１から放射されるレーザ光の光量を制御する光量制御部５１ａは、ＣＰＵ８１からの制御信号に基づき制御を実行する。
【００２０】
一方、コンピュータ２１は、制御の中心をなすＣＰＵ８１と、このＣＰＵ８１に接続される第１メモリ８２と、第２メモリ８３と、プログラム記憶部８4と、ワークメモリ８５と、インタフェース８６、８７、８９と、第１メモリ８２に記憶された多値画像データ又はＣＣＤカメラ３８から供給される画像信号を選択する選択回路Ｓｃと、選択回路Ｓｃで選択された多値画像データをＣＲＴディスプレイ２５に表示するための表示制御部８８とにより構成されている。ＣＰＵ８１は、画像測定モードとレーザ測定モードとで選択回路Ｓｃを切り換える。第１メモリ８２に格納された多値画像データによる画像、又はＣＣＤカメラ３８から供給された画像信号による画像は、表示制御部８８の表示制御動作によってＣＲＴディスプレイ２５に表示される。
【００２１】
一方、キーボード２２、ジョイスティック２３及びマウス２４から入力されるオペレータの指示情報は、インタフェース８６を介してＣＰＵ８１に入力される。また、ＣＰＵ８１には、レーザプローブ３５で検出された変位量やＸＹＺ軸エンコーダ７８からのＸＹＺ座標情報等を取り込む。ＣＰＵ８１は、これらの入力情報、オペレータの指示及びプログラム記憶部８３に格納されたプログラム及びテーブル８４ｔに基づいて、ＸＹＺ軸駆動部７７によるステージ移動、ワーク１２の画像の解析、測定値の演算処理及び半導体レーザ５１の出力レーザ光量の制御処理等の各種の処理を実行する。ワークメモリ８５は、ＣＰＵ８１の各種処理のための作業領域を提供する。測定値は、インタフェース８７を介してプリンタ２６に出力される。また、インタフェース８９は、外部の図示しないＣＡＤシステム等より提供されるワーク１２のＣＡＤデータを、所定の形式に変換してコンピュータシステム２１に入力するためのものである。
【００２２】
図５は、ＣＰＵ８１及びその周辺機器によって実現する３次元測定装置１の機能ブロック図である。図５に示すように、干渉縞取得部９１は、干渉縞を取得する。すなわち、干渉縞取得部９１は、キーボード２２、マウス２４などの操作に基づいて、被測定対象１２の指定された範囲において、レーザプローブ３５を駆動させつつ、干渉縞情報を取得する。この干渉縞情報は、第２メモリ８３に保存され、次に、干渉縞取得部９１により、読み出され、周波数解析部９２へ出力される。周波数解析部９２は、干渉縞情報を周波数解析し、周波数と、その周波数ごとに特定強度を有する出力信号に変換する。そして、この出力信号に基づき、距離算出部９３は、レーザプローブ３５と被測定対象１２との間の距離（変位）を算出し、距離（変位）信号を出力する。また、同様に、信号品質算出部９４は、得られた出力信号に基づき、距離信号の品質、すなわち、測定の信頼性を示す信号品質パラメータを算出する。一方、干渉縞取得部９１により干渉縞が取得されると同時に、位置情報取得部９５は、ＸＹＺエンコーダ７８の出力から干渉縞取得時におけるレーザプローブ３５のＸＹ軸方向の位置情報を取得する。これらレーザプローブ３５と被測定対象１２との間の距離及び測定の信頼性を示す信号品質パラメータ、並びにそれらを検出した時のレーザプローブ３５の位置情報は、随時、関連づけて、第２メモリ８３に格納される。そして、これら情報に基づき、エッジ位置決定部９６は、各測定位置における距離及び信号品質パラメータを、測定位置により微分し、得られた信号のピークをエッジ位置として検出する。
【００２３】
つまり、上記の構成により実現する本発明に係る非接触変位計測装置の概要は、図６に示すように、被測定対象１２の測定位置（Ｘ１、Ｘ２、…、ＸＮ）及び（Ｙ１、Ｙ２、…、ＹＮ）と、それら測定位置に対応する距離（Ｚ１、Ｚ２、…、ＺＮ）と、さらに信号品質パラメータ（ＳＮＲ１、ＳＮＲ２、…、ＳＮＲＮ）とを算出可能に構成されているものである。
【００２４】
次に、図７乃至図９を参照して、非接触変位計測装置のエッジ検出方法について説明する。図７のフローチャートに示すように、まず、ユーザは、キーボード２２及びマウス２４により、測定範囲を指定する（Ｓ１）。指定が完了すれば、ＸＹＺ軸駆動部７７によりレーザプローブ３５を駆動させ（Ｓ２）、被測定対象１２からの反射光による干渉縞を撮像させる（Ｓ３）。続いて、得られた干渉縞を周波数解析する（Ｓ４）。
【００２５】
次に、距離算出部６３は、例えば、図８に示すような、取得した出力信号から、最も強度の高い信号Ｐ１の周波数ｆ１を検出する。この信号Ｐ１の周波数ｆ１は、被測定対象１２とレーザプローブ３５との間の距離に相関するものであるので、距離算出部９３は、その周波数ｆ１に基づき距離Ｚを算出する（Ｓ５）。
【００２６】
信号品質算出部９４は、得られた出力信号に基づき信号品質パラメータを算出する（Ｓ５）。信号品質パラメータは、例えば、図８に示すような、各周波数毎に特定の強度を有する出力信号から距離信号Ｐ１のＳ／Ｎ比（ＳＮＲ）として算出される。すなわち、周波数ｆ１にピークを有する距離信号Ｐ１の信号強度はＡ１であり、出力信号全体の積分強度の平均値はＡ２である。これらの強度比（Ａ１／Ａ２）が、Ｓ／Ｎ比（ＳＮＲ）となる。得られた周波数ｆ１及び強度比（Ａ１／Ａ２）は、第２メモリ８３に格納される。また、上記強度比の分子は、ピークの信号強度Ａ１に限らず、周波数ｆ１を中心とする所定の周波数の範囲内における信号の積分強度であってもよい。また、強度比の分母は、出力信号全体の積分強度の平均値Ａ２に限らず、出力信号全体の積分強度であってもよい。
【００２７】
続いて、ＣＰＵ８１によって、Ｓ１において指定した範囲の測定を終了しているか否かが判断される（Ｓ６）。Ｓ１において指定した範囲の測定を終了していなければ（Ｓ６，Ｎｏ）、次の測定箇所に移動し、Ｓ２に戻りＳ５までの工程が繰り返し行われる。一方、Ｓ１において指定した範囲の測定を終了していれば（Ｓ６，Ｙｅｓ）、距離及び信号品質パラメータ（又は信号品質パラメータ単独）に基づくエッジの算出が実行され（Ｓ７）、本制御フローは終了する。
【００２８】
次に、図９を参照して、本実施形態に係る非接触変位計測によるエッジ検出によって上記Ｓ１〜Ｓ７を実行し、得られる距離及び信号品質パラメータ（ＳＮＲ）によるエッジ検出の例を説明する。なお、図９おいては、説明を簡略化するため、レーザプローブ３５を被測定対象１２の測定面に対して平行かつ直線上に走査して測定を行った例を示す。図９（ａ）は、被測定対象１２の断面を表した図である。ここで、被測定対象１２の測定面は、エッジ１２ｃを境界として、それぞれ反射率の異なる第１領域１２ａと第２領域１２ｂとに分かれ、その両領域１２ａ及び１２ｂの表面は微小な高さの違いのみを有しているとし、さらに、その第１領域１２ａはミラー面、第２領域１２ｂは梨地とする。なお、本実施形態に係る非接触変位計測装置では、梨地や樹脂成型等の場合には、ＳＮＲは高く出力され、ミラー等の場合には、ＳＮＲ低く出力され、かつ距離信号を十分に得るには適さないという特性がある。その理由は、本実施形態に係る非接触変位計は拡散面を測定している状態に対して校正が成されており、ミラーのような鏡面の測定では、反射光によって発生する干渉縞がＣＣＤカメラ３９のＣＣＤ素子のある一点に集中し、干渉縞の周期を特定できなくなる為である。この図９（ａ）に示される被測定対象１２を測定し、測定位置Ｘにおける距離Ｚを示した図が図９（ｂ）であり、その位置により図９（ｂ）を微分した微分値を表した図が図９（ｃ）である。同様に、図９（ａ）に示される被測定対象１２の測定位置Ｘにおける信号品質パラメータＳＮＲを示した図が図９（ｄ）であり、その位置により図９（ｄ）を微分した微分値を示した図が図９（ｅ）である。
【００２９】
上記のように被測定対象１２の測定面が距離の検出に適していない場合、そのエッジ位置は、図９（ｂ）に示すようにノイズに埋もれ、特定は困難となる。したがって、エッジ位置決定部９６により、図９（ｃ）に示すように微分値を算出しても、エッジを示すピークが検出されることはない。
【００３０】
一方、エッジを信号品質パラメータ（ＳＮＲ）に基づき算出した場合にあっては、そのエッジは、ノイズに埋もれることはなく、図９（ｄ）に示すように、容易に判断することが可能であり、図９（ｅ）に示すようにその微分値を算出すれば、そのエッジに相当するピークも容易に決定することが可能である。
【００３１】
このように、本発明の非接触変位計測装置を用いれば、被測定対象の表面性状が検出に適さない場合であっても、信号品質パラメータの変位から、エッジを特定することが可能である。また、距離と信号品質パラメータにより２種類のエッジの検出処理が出力されるので、どちらか一方の出力信号によりエッジの特定が困難であった場合であっても、もう一方の出力信号によりエッジを特定することが可能である。
【００３２】
以上、発明の一実施形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。たとえば、上記の一実施形態においては、コノスコープを介し形成された干渉縞に基づき、被測定対象のエッジ位置を決定したが、距離及び信号品質パラメータを算出可能であれば、コノスコープを含まなくともよく、いかなる構成であってもよい。また、信号品質パラメータは、ＳＮＲの他、反射光の光強度信号等でも良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置の機能を有する３次元測定装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る図１の３次元測定装置の撮像ユニットの内部の斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置の機能を有するレーザプローブの構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置の機能を有するコンピュータシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置のＣＰＵの機能ブロックである。
【図６】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置の概要を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置のエッジ検出の動作を示すフローチャート図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置により計測した出力信号の一例を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る非接触変位計測装置のエッジの一検出例を示す図である。
【図１０】従来例に係る非接触変位計測装置の動作を示す概要図である。
【図１１】従来例に係る非接触変位計測装置のエッジの一検出例を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１・・・３次元測定機、２・・・コンピュータシステム、１１・・・架台、 １２・・・ワーク、１３・・・測定テーブル、１４，１５・・・支持アーム、 １６・・・Ｘ軸ガイド、１７・・・撮像ユニット、２１・・・コンピュータ、 ２２・・・キーボード、 ２３・・・ジョイスティックボックス、２４・・・マウス、２５・・・ＣＲＴディスプレイ、２６・・・プリンタ、３４，３８・・・ＣＣＤカメラ、３５・・・レーザプローブ、３６，３９・・・照明装置、４０・・・上下動機構、４１・・・回転機構、５１・・・半導体レーザ、５１ａ・・・光量制御部、５２・・・ビームスプリッタ、５３・・・１／４波長板、５４・・・対物レンズ、５５・・・コノスコープ部、５６・・・ＣＣＤカメラ、７１・・・Ａ／Ｄ変換器、７３・・・選択回路、７４，７５・・・照明制御部、７６・・・Ａ／Ｄ変換器、７７・・・ＸＹＺ軸駆動部、７８・・・ＸＹＺ軸エンコーダ、８１・・・ＣＰＵ、８２・・・第１メモリ、８３・・・第２メモリ、８４・・・プログラム記憶部、８５・・・ワークメモリ、８６，８７，８９・・・インタフェース、Ｓｃ・・・選択回路、８８・・・表示制御部、９１・・・干渉縞取得部、９２・・・周波数解析部、９３・・・距離算出部、９４・・・信号品質算出部、９５・・・位置情報取得部、９６・・・エッジ位置決定部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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