(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する少なくとも１つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも１つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する容器とを備える基板処理装置において、
前記容器を複数備え、該複数の容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶部を備え、
前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、前記複数の容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記設定情報の内容を表示する表示部を備え、前記記憶部は複数の設定情報を記憶し、前記容器の装着の際、前記表示部は前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記記憶部は、前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された設定情報を記憶することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する少なくとも１つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも１つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する複数の容器とを備える基板処理装置の制御方法において、
前記複数の容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶工程を有し、
前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、複数の前記容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択する選択工程を有することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記記憶工程では複数の設定情報が記憶され、前記容器の装着の際、前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示する表示工程を有することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された設定情報を記憶する他の記憶工程を有することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体としての基板を処理する基板処理装置、当該基板処理装置の制御方法に関し、特に、ダミーウエハを処理する基板処理装置、当該基板処理装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、被処理体としての半導体ウエハやフラットパネルディスプレイを含む集積回路等の基板の製造において成膜処理、酸化処理、拡散処理、エッチング処理、アニール処理等の各種の処理を行うために、１つ以上のロードロック室と、１つ以上のトランスファ室と、１つ以上の処理室とを備えた基板処理装置が用いられており、このような基板処理装置としては、少なくとも２つのタイプが知られている。
【０００３】
１つのタイプは、マルチチャンバー型の基板処理装置である。この基板処理装置は、３つ乃至６つの真空処理室としてのプロセスチャンバと、後述のトランスファチャンバに半導体ウエハを搬入・搬出する搬送機構を備えた真空予備室（ロードロック室）と、各プロセスチャンバ及びロードロック室が周配され、それぞれにゲートバルブを介して気密に連通する複数個の接続口を周壁に有した多角形のトランスファチャンバと、このトランスファチャンバ内に設置された旋回及び伸縮可能な搬送アームとから構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、もう１つのタイプは、直列型チャンバを備える基板処理装置である。この基板処理装置は、半導体ウエハをエッチング処理する真空処理室と、この真空処理室へ半導体ウエハの受け渡しを行うための搬送手段としてスカラ型シングルピックタイプ若しくはスカラ型ツインピックタイプの搬送アームを内蔵したロードロック室とを備えている。（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。
【０００５】
上述したいずれの基板処理装置も、ロードロック室に接続され、半導体ウエハを搬入・搬出する搬送機構と、複数の未処理の半導体ウエハを収容するカセットとしての後述するフープ（Front Opening Unified Pod）が装着されるポートとを有する被処理体搬出入ステージを備え、該被処理体搬出入ステージは半導体ウエハをロードロック室とフープとの間において搬出・搬入する。
【０００６】
また、上述したいずれの基板処理装置においても、真空処理室における処理状況や、ロードロック室等における搬送機構の作動状況を確認するため、定期的に真空処理室やロードロック室等の検査を行う必要があるが、このような検査では、ダミーウエハと呼ばれる非製品ウエハを使用して、実際にダミーウエハに真空処理室で処理を施し、ダミーウエハをロードロック室で搬送させる。このようなダミーウエハも上述した半導体ウエハと同様にその複数枚がフープに収容され、該フープは基板搬出入ステージが有する当該フープ専用の特殊ポートに装着される。
【０００７】
図５は、半導体ウエハやダミーウエハを収容するフープの概略構成を示す図である。
【０００８】
図５において、フープ５００は、Ｊ３００（半導体技術連絡会）及びＩ３００Ｉ（International 300mm Initiative）において標準化されている搬送用カセットであり、上面視がＵ字状であり、該上面から押出した形状を呈する容器であって、屈曲した側面と反対の側面が開口する容器としての本体５０１と、該本体５０１の側面開口に対向して配され、該開口を開閉自在な蓋体５０２とを備える。本体５０１は、上面と平行に半導体ウエハやダミーウエハを収容可能な半導体ウエハ等の周縁部を保持する溝形状のスロット（図示せず）の複数を有し、各スロットに半導体ウエハ等が挿入されることによって複数枚のダミーウエハ５０３等を互いに平行に収容する。蓋体５０２は、本体５０１と接触する周縁部においてＮＢＲ等からなるシールゴムを有し、該シールゴムによって本体５０１の内部を密封する。尚、本体５０１及び蓋体５０２のいずれもＡＢＳ等の樹脂からなる。
【０００９】
通常、検査対象によってダミーウエハの仕様が異なるため、フープ５００は複数種のダミーウエハを収容する。フープ５００におけるダミーウエハの配置を表す収容状況は設定情報として基板処理装置が備える制御部（不図示）におけるＨＤＤ等に記憶され、半導体ウエハの量産途中における定期的な検査において、制御部は記憶された設定情報を参照して検査に適したダミーウエハを選択し、フープ５００から搬出する。そして、フープ５００に収容されているダミーウエハの内、１枚でも使用限界（寿命）に達したならば、フープ５００を基板搬出入ステージから離脱させ、ユーザは使用限界に達したダミーウエハを交換する。
【００１０】
このダミーウエハの交換の際、同じスロットに交換前と同じ検査用のダミーウエハを再度挿入するとは限らず、特に、試作工場などでは同じスロットに交換前と同じ検査用のダミーウエハを挿入することは殆どあり得ない。従って、上述したフープ５００におけるダミーウエハの設定情報を基板処理装置がそのまま使用すると混乱を生じる虞があるため、従来の基板処理装置では、ダミーウエハの交換の際、フープ５００におけるダミーウエハの設定情報をＨＤＤ等から消去して、ユーザがダミーウエハ交換後のフープ５００におけるダミーウエハの実際の収容状況を確認しながら、基板処理装置に当該収容状況に対応する設定情報を設定入力する等していた。
【特許文献１】特開平０８−４６０１３号公報
【特許文献２】特開２００１−５３１３１号公報
【特許文献３】特開２０００−１５０６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、半導体ウエハの量産では、ダミーウエハの寿命は１〜２週間程度、特に、腐食系の処理の検査では２〜３日程度であり、このような状況下において、基板処理装置のＨＤＤ等からフープ５００におけるダミーウエハの設定情報を消去すると、ダミーウエハの交換の度にユーザが設定情報を基板処理装置に設定入力する必要があり、ユーザの手間を要するという問題がある。
【００１２】
さらに、半導体ウエハの量産では、ダミーウエハの交換の際、同じスロットに交換前と同じ検査用のダミーウエハを挿入することが殆どであるため、上述した混乱を生じる虞は少なく、寧ろ、ユーザによる設定情報の設定入力の際、入力ミスによってフープ５００に実際に収容されたダミーウエハの収容状況と、設定入力された設定情報とがアンマッチとなり、基板処理装置の各装置の検査が円滑に行われず、信頼性が低下するという問題がある。
【００１３】
本発明の目的は、ユーザの手間を要することなく、基板処理装置の各装置の検査の信頼性を向上することができる基板処理装置およびその制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板を処理する少なくとも１つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも１つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する容器とを備える基板処理装置において、前記容器を複数備え、該複数の容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶部を備え、前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、前記複数の容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択することを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記設定情報の内容を表示する表示部を備え、前記記憶部は複数の設定情報を記憶し、前記容器の装着の際、前記表示部は前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示することを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理装置において、前記記憶部は、前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された設定情報を記憶することを特徴とする。
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項４記載の基板処理装置の制御方法は、基板を処理する少なくとも１つの真空処理室と、前記基板を搬送する少なくとも１つの搬送室と、前記真空処理室又は前記搬送室の検査用の基板を複数収容する複数の容器とを備える基板処理装置の制御方法において、前記複数の容器における前記複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶する記憶工程を有し、前記真空処理室又は前記搬送室の検査の際、複数の前記容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択する選択工程を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項５記載の基板処理装置の制御方法は、請求項４記載の基板処理装置の制御方法において、前記記憶工程では複数の設定情報が記憶され、前記容器の装着の際、前記複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示する表示工程を有することを特徴とする。
【００２０】
請求項６記載の基板処理装置の制御方法は、請求項５記載の基板処理装置の制御方法において、前記選択された所望の設定情報に基づいて編集された設定情報を記憶する他の記憶工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１記載の基板処理装置及び請求項４記載の基板処理装置の制御方法によれば、容器における複数の検査用の基板の配置を表す収容状況を設定情報として記憶するので、検査用の基板の交換の度にユーザが設定情報を基板処理装置に設定入力する必要をなくし、且つユーザの入力ミスによって容器に収容された検査用の基板の収容状況と、設定入力された設定情報とがアンマッチとなることを防止することができ、もってユーザの手間を要することなく、基板処理装置の各装置の検査の信頼性を向上することができる。また、真空処理室又は搬送室の検査の際、複数の容器の内、最も寿命の短い検査用の基板を収容する容器を選択し、該選択された容器における複数の検査用の基板の内、最も寿命の長い検査用の基板を選択するので、複数の容器に収容されている検査用の基板の夫々が同時期に寿命に達することによって同時に複数の容器を基板処理装置から離脱させる必要が生じるのを防止することができ、もって真空処理室又は搬送室の検査の効率を向上することができる。
【００２３】
請求項２記載の基板処理装置及び請求項５記載の基板処理装置の制御方法によれば、複数の設定情報が記憶され、容器の装着の際、記憶された複数の設定情報から選択された所望の設定情報の内容を表示するので、検査用の基板の交換の際、ユーザによる設定情報の設定入力の効率を向上することができる。
【００２４】
請求項３記載の基板処理装置及び請求項６記載の基板処理装置の制御方法によれば、選択された所望の設定情報に基づいて編集された設定情報を記憶するので、ユーザは自身が選択した所望の設定情報に基づいて新たな設定情報を設定入力することができ、ユーザによる設定情報の設定入力の効率をより向上することができると共に、ユーザの入力ミスを極力排除することができ、もって基板処理装置の各装置の検査の信頼性をより向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
【００２７】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００２８】
図１において、本発明の実施の形態に係る基板処理装置としてのプラズマ処理システム２は、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２と、基板搬出入ステージ５３と、フープを載置するフープ台５４と、プラズマ処理システム２の動作を制御する制御ユニット８０とを備える。
【００２９】
第１処理ユニット５１は、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す処理室１１を有するプラズマ処理装置１と、気密に開閉可能なゲート弁５５を介してプラズマ処理装置１の処理室１１に接続されて半導体ウエハＷを処理室１１に搬出入する搬送室５６と、気密に開閉可能なゲート弁５７を介して搬送室５６に接続されて半導体ウエハＷを搬送室５６に搬出入するロードロック室５８とを備える。第２処理ユニット５２は第１処理室５１と同一構成であるので説明を省略する。
【００３０】
搬送室５６は、残留物（パーティクル）等のパージ及び真空排気可能に構成されており、搬送室５６の内部には、処理室１１、ロードロック室５８及び搬送室５６の間で半導体ウエハＷの搬出入を行う、例えば、屈伸及び旋回可能な多関節構造のスカラ型の搬送アーム５９が設けられている。また、搬送アーム５９の先端には、半導体ウエハＷを載置可能な載置台６０が設けられている。
【００３１】
ロードロック室５８も、残留物のパージ及び真空排気可能に構成されており、内部には、半導体ウエハＷを載置可能な受渡台６２が設けられている。受渡台６２には、必要に応じて冷却ジャケットを設けて処理済みのウエハを冷却し、或いは加熱ランプを設けて処理前の半導体ウエハＷを予熱するようにしてもよい。また、受渡台６２自体を複数段構造として複数枚の半導体ウエハＷを載置可能にしてもよい。
【００３２】
基板搬出入ステージ５３は、略直方体の箱形状を呈し、その側面において第１処理ユニット５１及び第２処理ユニット５２の各ロードロック室５８と、気密に開閉可能に構成されたゲート弁６４を介して接続されており、また、その一方の端部において、内部に回転載置台７３と半導体ウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ７４とを備えた位置合室７２を備える。そして、位置合室７２は半導体ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を光学センサ７４により検出して回転載置台７３により半導体ウエハＷを回転させて位置合わせを行う。
【００３３】
また、基板搬出入ステージ５３には、その内部において、その長手方向に沿って配置された図示しない案内レールに沿って移動可能に構成された搬送アーム６５が配設されており、搬送アーム６５は例えば、別々に駆動されるウエハ搬送用の多関節フォーク６６，６７を備え、多関節フォーク６６，６７は屈伸及び旋回可能に構成されている。また、搬送アーム６５は、多関節フォーク６６，６７の先端に夫々半導体ウエハＷを把持可能なアーム６８，６９を夫々備える。
【００３４】
搬送アーム６５は、後述するフープ台５４に載置されたフープ７６に収容された半導体ウエハＷを、位置合室７２の回転載置台７３、及びロードロック室５８の受渡台６２上に搬送可能であり、また、受渡台６２上に載置された半導体ウエハＷを回転載置台７３上、及びフープ７６内に搬送可能である。尚、フープ７６はフープ５００と同構造を有し、内部においてスロットを２５個備え、２５枚の半導体ウエハＷが収容可能である。
【００３５】
さらに、基板搬出入ステージ５３は、各ロードロック室５８と接続された側面に対向する側面において、４つの開閉自在な開口部であるポート７７を有し、各ポート７７の位置に対応して基板搬出入ステージ５３の側面から突出した平台であるフープ台５４を有する。また、各フープ台５４は、１つのフープ７６が載置される載置面７８と、該載置面７８に載置されたフープ７６の蓋体を開閉するフープオープナー（図示せず）とを有する。
【００３６】
フープ７６内の未処理の半導体ウエハＷを処理する際、フープオープナーがフープ７６の蓋体を開き、且つ該フープ７６を載置するフープ台５４に対応するポート７７が開口し、搬送アーム６５がフープ７６に収容された半導体ウエハＷを搬出する。次いで、該搬出された半導体ウエハＷは位置合室７２、ロードロック室５８及び搬送室５６を介してプラズマ処理装置１の処理室１１に搬入され、処理室１１においてプラズマ処理が施される。
【００３７】
また、フープ７６は製品用の半導体ウエハＷだけでなく、検査用の半導体ウエハとしてダミーウエハも収容し、該ダミーウエハを収容したフープ７６もフープ台５４の載置面に載置される。ここで、ダミーウエハを収容したフープ７６が載置されたフープ台５４に対応するポート７７を特に「特殊ポート」と称する。図１では、基板搬出入ステージ５３の長手方向に関し、位置合室７２から最も離れたフープ台５４に対応するポート７７ｄが特殊ポートである。
【００３８】
ダミーウエハは、プラズマ処理装置１の処理室１１におけるエッチング処理の状況や、搬送室５６における搬送アーム５９の作動状況を確認するために、プラズマ処理システム２において、実際にプラズマ処理が施され、若しくは搬送される非製品の半導体ウエハであり、具体的には、処理室１１のエッチング処理におけるエッチング深さ等を確認するため、実際にエッチング処理が施されるエッチレートダミーウエハ、搬送アーム５９等の作動状況を確認するため、実際に所定の搬送室に搬出入されるテストダミーウエハ、処理室１１のクリーニングや構成部品交換後、処理室１１の雰囲気をエッチング処理のプロセス条件の雰囲気に安定させるため、実際にエッチング処理が施されるシーズニングダミーウエハ、及び処理室１１や搬送室５６内のパーティクルの量を測定するため、実際に処理室１１や搬送室５６に搬入されてパーティクルが付着されるパーティクルモニタダミーウエハ等が該当する。これらのダミーウエハは検査の内容によってその表面の加工形状や材質が異なるため、或る検査に使用するダミーウエハを他の検査に使用することはできない。
【００３９】
また、通常、プラズマ処理システム２は特殊ポートとしてのポートを１つだけ有するので、ダミーウエハが収容されるフープ７６は１つであり、該フープ７６は、エッチレートダミーウエハ、テストダミーウエハ、シーズニングダミーウエハ、及びパーティクルモニタダミーウエハの夫々を複数枚ずつ収容する。従って、フープ７６の中には複数種類のダミーウエハが混在する。このフープ７６における複数種類のダミーウエハの配置を表す収容状況はダミーウエハ設定情報として制御ユニット８０における後述のＨＤＤ８２に記憶される。
【００４０】
制御ユニット８０は、通信ケーブル８１等を介して基板搬出入ステージ５３等と接続され、ユーザの操作入力等に応じてプラズマ処理システム２全体の作動を制御する。
【００４１】
図２は、図１における制御ユニット８０の概略構成を示す図である。
【００４２】
図２において、制御ユニット８０は、プラズマ処理システム２のシーケンス制御プログラム、エッチング処理のプロセス・レシピ、若しくは上述したダミーウエハ設定情報を記憶する記憶デバイスとしてのＨＤＤ（Hard Disk Drive）８２と、ＨＤＤ８２からのシーケンス制御プログラムやプロセス・レシピ等が一時的に展開されるワークエリアとしてのＲＡＭ８３と、該ＲＡＭ８３に展開されたシーケンス制御プログラム等を実行し、若しくはエッチング処理の際、展開されたプロセス・レシピを参照する中央処理装置としてのＣＰＵ８４と、ＨＤＤ８２に記憶されたダミーウエハ設定情報の内容を表示する表示装置としてのＣＲＴ８５と、ＨＤＤ８２、ＲＡＭ８３、ＣＰＵ８４及びＣＲＴ８５を相互に接続するバス８６とを備え、制御ユニット８０は、ＲＡＭ８３に展開されたプロセス・レシピを参照して半導体ウエハＷにエッチング処理を施すだけでなく、半導体ウエハの量産途中における定期的な検査において、同様にＲＡＭ８３に展開されたダミーウエハ設定情報を参照して該検査に使用するダミーウエハを選択し、フープ７６から搬出する。
【００４３】
図３は、図２におけるＣＲＴ８５に表示されるダミーウエハ設定情報の内容を示すダミーウエハ設定情報編集画面３００を示す図である。
【００４４】
図３において、ダミーウエハ設定情報編集画面３００は、ダミーウエハ設定情報の名前を表示・入力するためのダミーウエハ設定情報名表示欄３０１と、ユーザによってダミーウエハ設定情報名表示欄３０１に入力された名称に対応するダミーウエハ設定情報の検索命令を入力するためのＳｅａｒｃｈボタン３０２と、後述するダミーウエハ設定情報内容表示部３０６で編集されたダミーウエハ設定情報の保存命令を入力するためのＳａｖｅボタン３０３と、新たなダミーウエハ設定情報を設定するためにダミーウエハ設定情報内容表示部３０６の更新命令を入力するためのＮｅｗボタン３０４と、ダミーウエハ設定情報内容表示部３０６において設定されたダミーウエハ設定情報の設定命令を入力するためのＯｋボタン３１１と、設定されたダミーウエハ設定情報の消去命令を入力するためのＣａｎｃｅｌボタン３０５と、ダミーウエハ設定情報を編集するためのダミーウエハ設定情報内容表示部３０６とを有する。
【００４５】
ダミーウエハ設定情報内容表示部３０６は、フープ７６が有する２５個のスロットの１つ１つに対応するダミーウエハ詳細情報欄３０７からなり、ダミーウエハ詳細情報欄３０７は、対応するスロットの番号を表示するスロット番号欄３０８と、該スロットに挿入されたダミーウエハの種類を表示するダミーウエハ種類欄３０９と、当該ダミーウエハを検査に使用するプラズマ処理装置の番号を表示するプラズマ処理装置番号欄３１０とからなる。ここで、ダミーウエハ種類欄３０９及びプラズマ処理装置番号欄３１０は、ユーザがマウス等のポインティングデバイスを用いて選択することによって、その内容を変更・入力することができる。
【００４６】
プラズマ処理システム２において、フープ７６が収容するダミーウエハの内の１枚が寿命に達した場合、フープ７６の離脱・装着が発生するが、このとき、ユーザは装着されたフープ７６のダミーウエハ設定情報を設定入力する。具体的には、ポート７７ｄに対応するフープ７６の離脱・装着が発生すると、制御ユニット８０がＣＲＴ８５を通じてユーザに装着されたフープ７６のダミーウエハ設定情報の設定入力を促す表示、例えば、ダイアログなどを表示する。
【００４７】
このダイアログを確認したユーザが、ダミーウエハ設定情報編集画面３００によってフープ７６におけるダミーウエハ設定情報を設定入力する際には、ＨＤＤ８２に記憶されたダミーウエハ設定情報をそのまま使用する場合と、同様に記憶されたダミーウエハ設定情報に基づいて新たなダミーウエハ設定情報を編集する場合と、ダミーウエハ設定情報を最初から設定する場合とを選択可能である。
【００４８】
図４は、図３のダミーウエハ設定情報編集画面３００を用いてダミーウエハ設定情報を編集するダミーウエハ設定情報編集処理を示すフローチャートである。
【００４９】
図４において、ダミーウエハを収容するフープ７６の離脱・装着が発生すると制御ユニット８０はダミーウエハ設定情報の設定入力を促すダイアログなどをＣＲＴ８５に表示する（ステップＳ４０１）。
【００５０】
次いで、ユーザがダイアログにおける確認ボタン（図示せず）をマウス等で押下すると、制御ユニット８０はＣＲＴ８５にダミーウエハ設定情報編集画面３００を表示する（ステップＳ４０２）。このとき、ダミーウエハ設定情報内容表示部３０６にはフープ７６の離脱・装着が発生する直前に設定されていたダミーウエハ設定情報の内容が表示され、制御ユニット８０は、Ｏｋボタン３１１が押下されたか否かを判別する（ステップＳ４０３）。
【００５１】
ステップＳ４０３の判別の結果、ユーザがＯｋボタン３１１を押下した（ステップＳ４０３でＹＥＳ）ときは、制御ユニット８０が表示されているダミーウエハ設定情報を新たなダミーウエハ設定情報として制御ユニット８０におけるＲＡＭ８３に展開し（ステップＳ４０４）、その後、本処理を終了する。
【００５２】
ユーザがＯｋボタン３１１を押下しない（ステップＳ４０３でＮＯ）ときは、制御ユニット８０は、ユーザが他のボタンが押下したか否かを判別する（ステップＳ４０５）。
【００５３】
ステップＳ４０５の判別の結果、ユーザがＳｅａｒｃｈボタン３０２を押下した（ステップＳ４０５で「Search」）ときは、制御ユニット８０がダミーウエハ設定情報名表示欄３０１に入力された名称に対応するダミーウエハ設定情報をＨＤＤ８２に記憶された複数のダミーウエハ設定情報から検索し、検索されたダミーウエハ設定情報の内容をダミーウエハ設定情報内容表示部３０６に表示する（ステップＳ４０６）。次いで、ユーザは表示された内容と、実際のフープ７６におけるダミーウエハの収容状況とのアンマッチ箇所のみを、当該収容状況に合わせるべく、表示された内容におけるダミーウエハ種類欄３０９やプラズマ処理装置番号欄３１０の内容を修正して編集し（ステップＳ４０７）、編集が終了すると、制御ユニット８０１に新たな名称を入力してＳａｖｅボタン３０３を押下して編集されたダミーウエハ設定情報の保存命令を入力する。該保存命令を入力された制御ユニット８０は、編集されたダミーウエハ設定情報をダミーウエハ設定情報名表示欄３０１に入力された名称とリンクさせてＨＤＤ８２に記憶する（ステップＳ４０８）。
【００５４】
次いで、ユーザはＯｋボタン３１１を押下して編集されたダミーウエハ設定情報の設定命令を入力する。該設定命令を入力された制御ユニット８０は、編集されたダミーウエハ設定情報をＲＡＭ８３に展開する（ステップＳ４０９）。
【００５５】
また、ユーザがＯｋボタン３１１を押下せず、Ｃａｎｃｅｌボタン３０５を押下した場合、制御ユニット８０は、編集されたダミーウエハ設定情報ではなく、例えば、フープ７６の離脱・装着が発生する直前に設定されていたダミーウエハ設定情報をＲＡＭ８３に展開する。その後、制御ユニット８０は本処理を終了する。
【００５６】
ステップＳ４０５の判別の結果、ユーザがＮｅｗボタン３０２を押下した（ステップＳ４０５で「New」）ときは、制御ユニット８０がダミーウエハ設定情報内容表示部３０６に表示されたダミーウエハ設定情報の内容を消去する（ステップＳ４１０）。ユーザは、ダミーウエハ詳細情報欄３０７毎に、ダミーウエハ設定情報が消去されて空欄となったダミーウエハ種類欄３０９及びプラズマ処理装置番号欄３１０の内容を最初から新規入力して編集し（ステップＳ４１１）、実際のフープ７６の収容状況と同じ内容となるようにダミーウエハ設定情報の編集が終了すると、ユーザは制御ユニット８０１に新たな名称を入力してＳａｖｅボタン３０３を押下し且つＯｋボタン３１１を押下して制御ユニット８０にステップＳ４０８及びＳ４０９と同様の処理を実行させ、その後、制御ユニット８０は本処理を終了する。
【００５７】
また、プラズマ処理システム２では、図４の処理におけるステップＳ４０８及びＳ４０９の処理を複数回実行することによって複数のダミーウエハ設定情報をＨＤＤ８２に記憶することも可能である。
【００５８】
本発明の実施の形態に係るプラズマ処理システム２によれば、フープ７６における複数種類のダミーウエハの配置を表す収容状況はダミーウエハ設定情報として制御ユニット８０におけるＨＤＤ８２に記憶されるので、ダミーウエハの交換に伴うフープ７６の離脱・装着の度に、ユーザがダミーウエハ設定情報を制御ユニット８０に新規に設定入力する必要をなくし、且つＨＤＤ８２に記憶されたダミーウエハ設定情報を使用することによってユーザの入力ミスに起因する、実際のフープ７６におけるダミーウエハの収容状況と、設定入力されたダミーウエハ設定情報とのアンマッチを防止することができ、もってユーザの手間を要することなく、プラズマ処理システム２における各デバイスの検査の信頼性を向上することができる。
【００５９】
また、上述したプラズマ処理システム２では、ＨＤＤ８２が複数のダミーウエハ設定情報を記憶し、フープ７６の離脱・装着の際、記憶された複数のダミーウエハ設定情報からユーザが入力した名称に対応するダミーウエハ設定情報の内容をダミーウエハ設定情報内容表示部３０６に表示するので、ダミーウエハの交換の際、記憶された複数のダミーウエハ設定情報から所望のダミーウエハ設定情報を選択して使用することができ、もってユーザによるダミーウエハ設定情報の設定入力の効率を向上することができる。
【００６０】
さらに、上述したプラズマ処理システム２では、選択された所望のダミーウエハ設定情報を使用して編集された新たなダミーウエハ設定情報を記憶するので、ユーザは自身が選択した所望のダミーウエハ設定情報を使用して新たなダミーウエハ設定情報を設定入力することができ、ユーザによるダミーウエハ設定情報の設定入力の効率をより向上することができると共に、ユーザの入力ミスを極力排除することができ、もってプラズマ処理システム２の各デバイスの検査の信頼性をより向上することができる。
【００６１】
ＨＤＤ８２に記憶される複数のダミーウエハ設定情報の各々は、異なる種類のエッチング処理の各々に対応していてもよく、これにより、ユーザはプラズマ処理システム２におけるエッチング処理の種類が変更されても、ＨＤＤ８２に記憶された変更後のエッチング処理に対応したダミーウエハ設定情報を使用することによって迅速にダミーウエハ設定情報を設定入力することができ、これによっても、ユーザによるダミーウエハ設定情報の設定入力の効率をより向上することができると共に、ユーザの入力ミスを極力排除することができる。
【００６２】
上述したプラズマ処理システム２では、ダミーウエハの寿命は当該ダミーウエハが検査に使用された回数や時間で判断され、当該ダミーウエハの寿命はダミーウエハの種類毎にディフォルト値が設定されてＨＤＤ８２等に記憶されているが、プラズマ処理装置１が特殊なプラズマ処理を実行する場合等では、寿命のディフォルト値がそのまま適用できない場合が生ずる。このような場合では、上述したダミーウエハ設定情報編集画面３００におけるダミーウエハ詳細情報欄３０７において各ダミーウエハにディフォルト値と異なる寿命を個別に設定することも可能である。
【００６３】
また、上述したプラズマ処理システム２では、特殊ポートが１つだけであったが、システムによっては特殊ポートが複数設定され、これに伴い、プラズマ処理システム２がダミーウエハを収容するフープ７６を複数有する場合もある。このようなプラズマ処理システムでは、半導体ウエハの量産途中における定期的な検査等の際、制御ユニット８０が複数のフープ７６の内、最も寿命の短いダミーウエハを収容するフープ７６を選択し、該選択されたフープ７６における複数のダミーウエハの内、最も寿命の長いダミーウエハを選択する。これにより、定期的な検査等の際、複数のフープ７６に収容されているダミーウエハの夫々が同時期に寿命に達することによって同時に複数のフープ７６をポート７７から離脱させる必要が生じるのを防止することができ、もってプラズマ処理装置１や搬送室５６等の検査の効率を向上することができる。
【００６４】
また、基板搬出入ステージ５３が、位置合室７２の配された端部とは反対の端部において、複数のダミーウエハを収容するストレージを備える場合、制御ユニット８０は、当該ストレージにおける複数種類のダミーウエハの配置を表す収容状況をダミーウエハ設定情報としてＨＤＤ８２に記憶し、ユーザはＨＤＤ８２に記憶されたストレージにおけるダミーウエハ設定情報をダミーウエハ設定情報編集画面３００を介して使用する。これによっても、ユーザの手間を要することなく、プラズマ処理システム２の各デバイスの検査の信頼性を向上することができる。
【００６５】
また、上述したプラズマ処理システム２で実行される処理としてプラズマエッチング処理を想定したが、本発明の実施の形態に係る基板処理装置が実行する処理はプラズマエッチング処理に限られず、例えば、スパッタリング処理、ＣＶＤ処理、イオン注入処理、アッシング処理、拡散処理、アニール処理等のいずれの処理を実行してもよく、これらの処理においてもダミーウエハ設定情報はＨＤＤ８２に記憶される。また、処理される基板も、半導体ウエハに限られず、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１における制御ユニット８０の概略構成を示す図である。
【図３】図２におけるＣＲＴ８５に表示されるダミーウエハ設定情報の内容を示すダミーウエハ設定情報編集画面３００を示す図である。
【図４】図３のダミーウエハ設定情報編集画面３００を用いてダミーウエハ設定情報を編集するダミーウエハ設定情報編集処理を示すフローチャートである。
【図５】半導体ウエハやダミーウエハを収容するフープの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６７】
Ｗ  半導体ウエハ
１  プラズマ処理装置
２  プラズマ処理システム
１１  処理室
５３  基板搬出入ステージ
５４  フープ台
５６  搬送室
５８  ロードロック室
５９，６５  搬送アーム
７６  フープ
７７  ポート
８０  制御ユニット
８１  通信ケーブル
８２  ＨＤＤ
８３  ＲＡＭ
８４  ＣＰＵ
８５  ＣＲＴ
３００  ダミーウエハ設定情報編集画面
３０１  ダミーウエハ設定情報名表示欄
３０２  Ｓｅａｒｃｈボタン
３０３  Ｓａｖｅボタン
３０４  Ｎｅｗボタン
３０５  Ｃａｎｃｅｌボタン
３０６  ダミーウエハ設定情報内容表示部
３０７  ダミーウエハ詳細情報欄
３０８  スロット番号欄
３０９  ダミーウエハ種類欄
３１０  プラズマ処理装置番号欄
３１１  Ｏｋボタン
５００  フープ
５０１  本体
５０２  蓋体
５０３  ダミーウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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