(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンとして円形でかつ第１の金属および第２の金属の２層構造を有するアノード電極パターンと、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第１の金属および前記第２の金属の２層構造を有するカソード電極パターンとを、前記第２の金属をそれぞれ外側の層として金属板上に形成する工程と、
前記金属板の前記アノード電極パターンと前記カソード電極パターンとが形成された面上に絶縁板を介して金属箔を積層し一体化する工程と、
前記絶縁板上の前記金属箔を、前記アノード電極パターンと位置対応する円形の除去部位ができるようにエッチング加工する工程と、
前記除去部位を有する前記金属箔をマスクに前記絶縁板を加工し、前記アノード電極パターンの前記第２の金属の層に達するようにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成する工程と、
前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンを前記絶縁板の側に残すように、前記金属板をエッチング除去する工程と
を具備することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属がニッケルであり、前記第２の金属が銅であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出パネルの製造方法。
【請求項３】
ビアホールを形成する前記工程が、該ビアホールとして加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなる形状に前記ビアホールを形成することを特徴とする請求項１記載の放射線検出パネルの製造方法。
【請求項４】
めっき層を形成する前記工程が、無電解めっきによるめっき層形成工程と該無電解めっきのあとになされる電解めっきによるめっき層形成工程とを有することを特徴とする請求項１記載の放射線検出パネルの製造方法。
【請求項５】
アノード電極パターンとカソード電極パターンとを金属板上に形成する前記工程が、前記金属板上に前記第１の金属の層、該第１の金属の層上に前記第２の金属の層がそれぞれ積層され一体化されたクラッド材を用い、前記第２の金属の層上にエッチングマスクを形成して第１のエッチャントで前記第２の金属をエッチングし、該第１のエッチャントによるエッチングのあと前記エッチングマスクにより前記第１のエッチャントと異なる第２のエッチャントで前記第１の金属をエッチングすることによりなされることを特徴とする請求項１記載の放射線検出パネルの製造方法。
【請求項６】
前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成の後、前記絶縁板の前記金属箔が位置する側の面上に第２の絶縁板を介して第２の金属箔を積層し一体化する工程と、
前記第２の絶縁板上の前記第２の金属箔をパターニングする工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の放射線検出パネルの製造方法。
【請求項７】
絶縁板と、
前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして円形でかつ第１の金属および第２の金属の２層構造を有するアノード電極パターンと、
前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第１の金属および前記第２の金属の２層構造を有するカソード電極パターンと、
前記絶縁板を貫通して前記アノード電極パターンに接するように設けられた、前記アノード電極パターンに近いほど径が小さくなる形状の導電性のビアと、
前記絶縁板の前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンが設けられた側とは反対の側の面上に設けられて、前記ビアに電気的に導通するアノード配線パターンと
を具備することを特徴とする放射線検出パネル。
【請求項８】
前記第１の金属がニッケルであり、前記第２の金属が銅であり、前記第１の金属の層が前記第２の金属の層より外側に位置する層であることを特徴とする請求項７記載の放射線検出パネル。
【請求項９】
前記絶縁板の前記アノード配線パターンが配された側の面上に設けられた第２の絶縁板と、
前記第２の絶縁板の前記絶縁板が配された側とは反対の側の面上に設けられた配線層と
をさらに具備することを特徴とする請求項７記載の放射線検出パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にアノード電極およびカソード電極のセルを２次元配置で複数有する放射線検出パネルを製造するための方法およびその放射線検出パネルに係り、特に、セルの高密度配置に好適な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線やガンマ線などの放射線の入射位置を検出するため、入射した放射線によりガス粒子を励起させこれにより生じる漏れ電流を検知するタイプの放射線検出装置がある。このような放射線検出装置では、基板にアノード電極およびカソード電極のセルを２次元配置で複数有する放射線検出パネルが放射線検出のデバイス本体として用いられる。その例として下記特許文献１に開示の放射線検出器がある。
【０００３】
この文献にもあるように、アノード電極は微細な円形状のパターンがグリッド状に並んだものであり、それらの各行ごとに電気的導通を行う複数のアノード電極配線が配されている。カソード電極は、各アノード電極をこれからほぼ等距離で離間して取り囲む導体パターンであり、かつそれらの各列ごとにそれぞれ電気的につながったパターンである。このようなアノード電極とカソード電極の縦横の電気的な配列により、いずれかのセルのアノード電極とカソード電極との間に電流が流れるとこれを検知して放射線入射位置を特定することができる。
【０００４】
放射線入射位置の高解像な検出のためには、アノード電極およびカソード電極のセルが基板上に高密度に配されている必要がある。また、検出感度の観点で言うと、より微小な電流検出のためにはアノード電極とカソード電極との間に印加する電圧を高くする必要がある。セルを高密度配置すると、アノード電極およびカソード電極の微細な形状が正常な動作の確保上問題となる。すなわち、アノード電極とこれを取り囲むカソード電極との距離が取り囲む方向によって異なると、より短距離の部位で放電が発生して正常な電流検出ができなくなる。放電をなくすには印加電圧を下げればよいが検出感度を劣化させてしまう。
【特許文献１】特開２００２−９０４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情を考慮してなされたもので、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することが可能な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明に係る放射線検出パネルの製造方法は、パターンとして円形でかつ第１の金属および第２の金属の２層構造を有するアノード電極パターンと、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第１の金属および前記第２の金属の２層構造を有するカソード電極パターンとを、前記第２の金属をそれぞれ外側の層として金属板上に形成する工程と、前記金属板の前記アノード電極パターンと前記カソード電極パターンとが形成された面上に絶縁板を介して金属箔を積層し一体化する工程と、前記絶縁板上の前記金属箔を、前記アノード電極パターンと位置対応する円形の除去部位ができるようにエッチング加工する工程と、前記除去部位を有する前記金属箔をマスクに前記絶縁板を加工し、前記アノード電極パターンの前記第２の金属の層に達するようにビアホールを形成する工程と、前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成する工程と、前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンを前記絶縁板の側に残すように、前記金属板をエッチング除去する工程とを具備することを特徴とする。
【０００７】
この製造方法では、アノード電極は２層構造の金属のパターンで製造される。したがって、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成することができる。また、このアノード電極のパターンはビアにより絶縁板の裏側に電気的導通がされる構造になるが、このビアを構成するためのビアホールは、絶縁板の当該裏側から形成したものであり、一般的に言って、アノード電極パターンの方で径が小さくなる。すなわち、アノード電極のパターンをより小さく形成しておくことができる。これに合わせてカソード電極のパターンも小さくできる。よって、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することができる。
【０００８】
また、本発明に係る放射線検出パネルは、絶縁板と、前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして円形でかつ第１の金属および第２の金属の２層構造を有するアノード電極パターンと、前記絶縁板上で該絶縁板の厚み方向に沈み込んで位置する、パターンとして前記アノード電極パターンから等距離で離間して該アノード電極パターンを取り囲みかつ前記第１の金属および前記第２の金属の２層構造を有するカソード電極パターンと、前記絶縁板を貫通して前記アノード電極パターンに接するように設けられた、前記アノード電極パターンに近いほど径が小さくなる形状の導電性のビアと、前記絶縁板の前記アノード電極パターンおよび前記カソード電極パターンが設けられた側とは反対の側の面上に設けられて、前記ビアに電気的に導通するアノード配線パターンとを具備することを特徴とする。
【０００９】
この放射線検出パネルは、アノード電極が２層構造の金属のパターンからなっている。したがって、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成がされる。また、このアノード電極のパターンはビアにより絶縁板の裏側に電気的導通がされるが、このビアがアノード電極パターンに近いほど径が小さくなる。すなわち、アノード電極のパターンをより小さくできる構造である。これに合わせてカソード電極のパターンも小さくできる。よって、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、性能劣化を回避しつつアノード電極およびカソード電極のセルを高密度に配することが可能な放射線検出パネルの製造方法および放射線検出パネルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明に係る放射線検出パネルの製造方法の実施態様として、前記第１の金属がニッケルであり、前記第２の金属が銅である、とすることができる。例えばこれに加えて金属板が銅であるとすれば、金属板、第１の金属、第２の金属の積層状態で、アノード電極パターン形成のためには、まず上層の第２の金属をエッチング加工、次に第１の金属をエッチング加工する手順を採ることができる。また、最後に金属板をエッチング除去する場合も第１の金属であるニッケルの層が下地になり不都合がない。
【００１２】
また、実施態様として、ビアホールを形成する前記工程が、該ビアホールとして加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなる形状に前記ビアホールを形成する、とすることができる。このように形成するため例えばレーザ加工を採用することができる。レーザ光を絶縁板に直交するように照射する加工では、通常、加工穴に当たる光束の積算エネルギがその穴の周辺部と中心とで異なり周辺部で比較して小さいので、加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなる加工穴となる。加工方向の深い側に向かって径が徐々に小さくなるように意図的な配慮をしなくても、レーザ光を絶縁板に直交するように照射する加工では、通常は、加工方向の深い側に向かって径は徐々に小さくなる。
【００１３】
また、実施態様として、めっき層を形成する前記工程が、無電解めっきによるめっき層形成工程と該無電解めっきのあとになされる電解めっきによるめっき層形成工程とを有する、とすることができる。無電解めっきでビアホールの内壁に導電層を形成することができ、そのあとこの導電層を電解めっきのシード層にして高速でめっき層を形成できる。
【００１４】
また、実施態様として、アノード電極パターンとカソード電極パターンとを金属板上に形成する前記工程が、前記金属板上に前記第１の金属の層、該第１の金属の層上に前記第２の金属の層がそれぞれ積層され一体化されたクラッド材を用い、前記第２の金属の層上にエッチングマスクを形成して第１のエッチャントで前記第２の金属をエッチングし、該第１のエッチャントによるエッチングのあと前記エッチングマスクにより前記第１のエッチャントと異なる第２のエッチャントで前記第１の金属をエッチングすることによりなされる、とすることができる。
【００１５】
これは一つの例である。ほかに、形成されたエッチングマスクで、第１のエッチャントで第２の金属をエッチングし、該エッチングのあとエッチングマスクを除去し第２の金属をマスクに第１のエッチャントと異なる第２のエッチャントで第１の金属をエッチングする、という方法も採り得る。
【００１６】
また、実施態様として、前記ビアホール内を満たすようにめっき層を形成の後、前記絶縁板の前記金属箔が位置する側の面上に第２の絶縁板を介して第２の金属箔を積層し一体化する工程と、前記第２の絶縁板上の前記第２の金属箔をパターニングする工程とをさらに具備する、としてもよい。絶縁板の金属箔が位置する側の面上に、絶縁板、第２の金属箔を積層し、多層配線板としてビルドアップ工程を行うものである。
【００１７】
また、放射線検出パネルの実施態様としても、前記第１の金属がニッケルであり、前記第２の金属が銅であり、前記第１の金属の層が前記第２の金属の層より外側に位置する層である、とすることができる。
【００１８】
また、実施態様として、前記絶縁板の前記アノード配線パターンが配された側の面上に設けられた第２の絶縁板と、前記第２の絶縁板の前記絶縁板が配された側とは反対の側の面上に設けられた配線層とをさらに具備する、としてもよい。多層配線板としてのビルドアップ部を有する態様である。
【００１９】
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す構成図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中に示したＡ−Ａａ位置における矢視方向の模式的な断面図である。図１に示すように、この放射線検出パネルは、絶縁板１０、表面導体パターン（カソード電極）１１、表面導体パターン（アノード電極）１２、裏面導体パターン（アノード配線パターン）１３、ビア１４を有する。
【００２０】
表面導体パターン（アノード電極）１２は、絶縁板１０の片面に表出してグリッド状に配されたそれぞれがほぼ円形の金属パターンである。そのそれぞれの直径は例えば６０μｍであり、縦横に例えば各４００μｍのピッチで配されている。全体で例えば１０ｃｍ×１０ｃｍの領域に例えば約６万ある。また図１（ｂ）に示すように表面導体パターン１２は２層構造になっており、表面側が例えばニッケル層１２１（厚さ例えば３〜５μｍ）、下地側がたとえば銅層１２２（厚さ例えば５〜１８μｍ）である。
【００２１】
表面導体パターン（カソード電極）１１は、絶縁板１０の片面に表出して、各表面導体パターン１２からほぼ等間隔で離間して各表面導体パターン１２を取り囲むパターンに形成された金属パターンである。その取り囲む直径は例えば２５０μｍであり、図１（ａ）の図示で各列の縦方向に連続したパターンになっている。その各幅は例えば３５０μｍである。また、アノード電極１２と同じように２層構造になっており、表面側が例えばニッケル層１１１（厚さ例えば３〜５μｍ）、下地側が例えば銅層１１２（厚さ例えば５〜１８μｍ）である。
【００２２】
絶縁板１０は、表面導体パターン（カソード電極）１１および表面導体パターン（アノード電極）１２を埋め込み有する板となっており（後述する製造工程による）、厚さは例えば０．０７ｍｍ〜０．１ｍｍである。またその材質は例えばポリイミドである。
【００２３】
各表面導体パターン（アノード電極）１２には、絶縁板１０を貫通して形成された導電性のビア１４が接しており、これにより絶縁板１０の裏面側の導体パターン（アノード配線パターン）１３に電気的接続している。ビア１４は、形状として、表面導体パターン（アノード電極）１２側の径がやや小さな円錐台形状（小さな側で直径例えば５０μｍ、大きな側で直径例えば６５μｍ）であり、表面導体パターン（アノード電極）１２との接触面を含めて外側が無電解銅めっき層１４２（厚さ例えば０．４μｍから１．０μｍ）でありその内側が電解銅めっき層１４１で充填された構造になっている。
【００２４】
各ビア１４は、図１（ａ）の図示で横方向のものが同一の電気的ノードとなるように裏面導体パターン（アノード配線パターン）１３で電気的導通されている。各裏面導体パターン（アノード配線パターン）１３の幅は例えば各３００μｍであり、ビア１４の無電解銅めっき層１４２に連続する無電解銅めっき層１３２（厚さ例えば０．４μｍから１．０μｍ）と、同じく電解めっき層１４１に連続する電解めっき層１３１（厚さ例えば１０μｍから１６μｍ）とを有する。電解めっき層１３１が表層側となり、その下側が無電解めっき層１３２である。さらに無電解めっき層１３２の下側には銅層１３３（厚さ例えば１８μｍ）がある。
【００２５】
以上構成を説明した放射線検出パネルの構造的な特徴は、表面導体パターン（アノード電極）１２に接するビア１４が、表面導体パターン（アノード電極）１２側で径がやや小さな円錐台形状になっていることである。これにより、各表面導体パターン（アノード電極）１２の直径はより小さなサイズで形成することができる。また表面導体パターン（アノード電極）１２の直径の小ささに応じて各表面導体パターン１２を取り囲む表面導体パターン（カソード電極）１１も小さくできる。よって、より高密度にアノード電極１２とカソード電極１１のセルを配置でき、高解像な放射線検出ができる。
【００２６】
また、表面導体パターン（アノード電極）１２は金属のパターンであり、例えばフォトリソグラフィ技術を使えば微細かつ正確な形状に加工・形成することができる。これは、方向によって表面導体パターン１２と表面導体パターン１１との離間距離が突起などで極端に出入りがないことを意味し、よって意図するより低い印加電圧で放電現象が発生してしまうことを防止できる。見方を変えると、より密度の低いセルの配置の場合では、従来品より高電圧を印加することができ、放射線検出の感度を高めることができる。
【００２７】
次に、図１に示した放射線検出パネルの製造方法について図２ないし図４を参照して説明する。図２は、図１に示した放射線検出パネルの製造過程を模式的な断面で示す工程図であり、図３は、図２の続図であって、図１に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図であり、図４は、図３の続図であって、図１に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図である。これらの図において図１中に示したものと同一または同一相当のものには同一符号を付してある。また、図１（ａ）中に示したＡ−Ａａ位置相当での図示となっているが、説明の都合上天地が逆になっている。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示すように、銅板２０（金属板）上に、第１の金属（ニッケル層１２１）および第２の金属（銅層１２２）の２層構造を有しかつほぼ円形のアノード電極１２のパターンと、第１の金属（ニッケル層１１１）および第２の金属（銅層１１２）の２層構造を有しかつアノード電極１２のパターンからほぼ等距離で離間して該アノード電極１２のパターンを取り囲むカソード電極１１のパターンを形成する。銅板２０は例えば厚さ１００μｍである。ニッケル層１１１および銅層１１２の厚さはすでに述べた通りである。
【００２９】
パターン形成においてより具体的には、例えば、銅板２０上にニッケル層、該ニッケル層上に銅層がそれぞれ積層され一体化されたクラッド材を素材に用いると能率がよい。このクラッド材のパターン形成されるべき面上に所定パターンのエッチングマスクを例えば周知のフォトリソグラフィ技術を用いて形成し、この形成されたマスクを用いて銅層、ニッケル層の順にエッチング加工を行う。エッチングのあとマスクを除去すれば図２（ａ）に示すような状態になる。
【００３０】
ここで、銅のエッチャントには例えば塩化鉄を成分とする水溶液、ニッケルのエッチャントには例えば硫酸、硝酸、過酸化水素水を成分とする水溶液を用いることができる。硫酸、硝酸、過酸化水素水を成分とする水溶液は銅を溶かさないので、ニッケルのエッチング加工の前にエッチングマスクを除去する手順とすることもできる。フォトリソグラフィを利用する金属パターンのエッチング加工は、微細かつ正確な加工が可能である。銅とニッケルの組み合わせは、このような別々のエッチングが可能であることを条件として、他の金属の組み合わせとすることもできる。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、パターン形成されたニッケル層１１２および同１２２の側から銅板２０上に厚さ例えば０．１ｍｍの絶縁板１０およびこれを介して厚さ例えば１８μｍの銅箔１３３Ａ（金属箔）を積層し一体化する。このためには例えば、絶縁板１０とすべきポリイミドプリプレグを介して銅箔１３３Ａを所定温度および圧力で銅板２０に積層プレスする。この積層時の加熱でポリイミドプリプレグは流動性を得、図示するように、ニッケル層１２１と銅層１２２のアノード電極１２と、ニッケル層１１１と銅層１１２のカソード電極１１とが絶縁板１０の側に沈み込んだ状態になる。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、アノード電極１２の円形パターンに位置対応して、銅箔１３３Ａに直径例えば６５μｍの円形のエッチング加工を行う（１次パターン化銅層１３３Ｂ）。このエッチング加工には周知のフォトリソグラフィ技術を利用できる。
【００３３】
次に、図３（ａ）に示すように、エッチングで得られた１次パターン化銅層１３３Ｂをマスクに絶縁板１０を加工し銅層１２２に達する穴（ビアホール１０ａ）を形成する。この加工には例えば炭酸ガスレーザ加工を用いることができる。絶縁板１０に対してほぼ垂直にレーザ光を照射する加工では、一般的に、図示するように加工穴の奥にいくほどその直径が小さくなる穴に仕上がる。これは加工穴に当たる光束の積算エネルギがその穴の周辺でより小さくなるからである。このような形状の穴の仕上がりを本実施形態では利用する。形成されたビアホール１０ａの銅層１２２の側での直径は例えば５０μｍである。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、無電解めっきにより無電解銅めっき層１３２Ｂおよび同１４２を、１次パターン化銅層１３３Ｂ上およびビアホール１０ａの側壁および底面に厚さ例えば０．４μｍから１．０μｍ程度で形成する。無電解めっきのあと、形成された無電解銅めっき層１３２Ｂおよび同１４２をシード層として電解めっきを行い、ビアホール１０ａ内部および絶縁板１０上の無電解銅めっき層１３２Ｂ上に厚さ例えば１５μｍから４０μｍ程度で電解銅めっき層を成長させる。この電解めっきでは、例えば硫酸銅溶液をめっき液として用いるが、ビアホール１０ａのような細かい凹部にもめっきが成長しやすいように表面活性剤を添加させるのが好ましい。
【００３５】
電解めっきのあと、例えば過酸化水素水と硫酸を主成分とするソフトエッチング剤により電解銅めっき層をエッチング処理し、絶縁板１０上の無電解銅めっき層１３２Ｂ上で例えば１０μｍから１６μｍ程度の電解銅めっき層が残るようにする。これにより図３（ｃ）に示すような、電解銅めっき層１４１で内部が充填されたビア１４および電解銅めっき層１３１Ｂが形成された状態になる。
【００３６】
次に、図４（ａ）に示すように、銅板２０をすべてエッチング除去する。このエッチングでは、ニッケル層１１１、同１２１が下地になるので銅層１１２、同１２２に影響はない。続いて、１次パターン化銅層１３３Ｂ、無電解銅めっき層１３２Ｂ、電解銅めっき層１３１Ｂを所定にパターニングし、図４（ｂ）に示すように、これらを裏面導体パターンであるアノード配線パターン１３（図１も参照）に加工する。このパターニングには周知のフォトリソグラフィ技術を利用することができる。なお、図４（ａ）の工程と図４（ｂ）の工程とは逆の手順、または同時の手順とすることも可能である。
【００３７】
以上により図１に示した放射線検出パネルを得ることができる。以上説明のように、製造過程においては特に困難な処理を必要とせず、したがってコスト増もなく高解像、高性能の放射線検出パネルを得ることができる。
【００３８】
次に、本発明の別の実施形態に係る放射線検出パネルについて図５を参照して説明する。図５は、本発明の別の実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す断面図である。同図において、すでに説明した図中に示した構成要素と同一のものには同一符号を付してある。その部分については説明を省略する。
【００３９】
この実施形態の放射線検出パネルは、絶縁板１０のアノード配線パターン１３が配される側の上に積層された別の絶縁板３０と、さらにこの上に積層された配線パターン３１（配線層）とを有する。このような絶縁板３０と配線パターン３１とを付加した構造は、図４（ｂ）に示したように製造された放射線検出パネルに対して、さらに図２（ｂ）に示すような絶縁板および銅箔（金属箔）の積層プレス・一体化を行えば、その後わずかな加工を行うことで得ることができる。
【００４０】
またこの場合、図示していないが、絶縁板３０を貫通してアノード配線パターン１３の面と配線パターン３１の面とに挟設されるように縦方向の導電体を設けることも周知の方法でできる。このように絶縁板１０のアノード配線パターン１３が配される側は、ビルドアップ多層配線板の構造とすることができる。ビルドアップで形成された配線層を利用すればパネルからの信号の取り出しがより自由になる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す構成図。
【図２】図１に示した放射線検出パネルの製造過程を模式的な断面で示す工程図。
【図３】図２の続図であって、図１に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図。
【図４】図３の続図であって、図１に示した放射線検出パネルの製造過程を断面で模式的に示す工程図。
【図５】本発明の別の実施形態に係る放射線検出パネルの構造を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００４２】
１０…絶縁板、１０ａ…ビアホール、１１…表面導体パターン（カソード電極）、１２…表面導体パターン（アノード電極）、１３…裏面導体パターン（アノード配線パターン）、１４…ビア、２０…銅板、３０…絶縁層、３１…配線パターン、１１１…ニッケル層、１１２…銅層、１２１…ニッケル層、１２２…銅層、１３１…電解銅めっき層、１３１Ｂ…全面の電解銅めっき層、１３２…無電解銅めっき層、１３２Ｂ…全面の無電解銅めっき層、１３３…銅層、１３３Ａ…銅箔（金属箔）、１３３Ｂ…１次パターン化銅層、１４１…電解銅めっき層、１４２…無電解銅めっき層。
【図１】
0004765506.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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