(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する支持テーブルおよび該支持テーブルを支持するチャックを備える機器であって、
前記支持テーブルは、
前記基板を支持する複数の第一の支持突起であって、前記基板が前記基板と前記支持テーブルとの間の第１スペースの減圧を利用して前記第一の支持突起によって支持されるように、前記基板に向かって延在する複数の第一の支持突起と、
前記第一の支持突起によって前記基板が支持されるときに、前記基板には接触せずに前記基板に向かって延在する複数の第一の熱伝達突起であって、そのそれぞれが前記基板に対向してほぼ平行に延在する第一の熱交換表面を含む複数の第一の熱伝達突起と、
複数の第二の支持突起であって、前記支持テーブルが前記支持テーブルと前記チャックとの間の第２スペースの減圧を利用して前記チャックによって支持されるように、前記第一の支持突起に対して前記支持テーブルの反対側に延在する第二の支持突起と、
前記チャックによって前記支持テーブルが支持されるときに、前記チャックには接触せずに前記チャックに向かって延在する複数の第二の熱伝達突起であって、そのそれぞれが前記チャックに対向してほぼ平行に延在する第二の熱交換表面を含む複数の第二の熱伝達突起と、を含み、
ガス伝導により前記基板と熱を交換するための、ガスを含む第一の熱交換ギャップが、前記第一の熱伝達突起の前記第一の熱交換表面と前記基板の間で延在し、
ガス伝導により前記チャックと熱を交換するための、ガスを含む第二の熱交換ギャップが、前記第二の熱伝達突起の前記第二の熱交換表面と前記チャックの間で延在し、
前記第一の熱交換ギャップ及び第二の熱交換ギャップの厚さは、約１〜５μｍの範囲である、機器。
【請求項２】
前記第一の熱交換表面は、ほぼ円形又はリング形状の表面である、請求項１に記載の機器。
【請求項３】
すべての前記第一の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記基板に対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上である、請求項１に記載の機器。
【請求項４】
前記第一の支持突起は、前記基板に直交する方向に測定した高さＨ１を有し、前記第一の熱伝達突起は、前記第１高さＨ１よりも低い高さＨ２を有する、請求項１に記載の機器。
【請求項５】
いくつかの前記第一の熱伝達突起は、いくつかの前記第一の支持突起の一体化した部分である、請求項１に記載の機器。
【請求項６】
少なくともいくつかの前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起に関して別々の部分である、請求項１に記載の機器。
【請求項７】
前記第一の熱伝達突起は、回転対称な部分である、請求項１に記載の機器。
【請求項８】
前記支持テーブル並びに前記第一の支持及び熱伝達突起は、前記基板とともに前記第１スペースを取り囲むように配置され、前記機器はさらに、前記第１スペースから、且つ／又は前記第１スペースに、１種又は複数種のガスをポンプ輸送する少なくとも１つのポンプを備え、前記第一の熱交換ギャップは、前記第１スペースの一部である、請求項１に記載の機器。
【請求項９】
断面で見ると、前記第二の熱伝達突起は、使用中に前記基板に向かって延在する前記第一の熱伝達突起に関して整列している、請求項１に記載の機器。
【請求項１０】
すべての前記第二の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記チャックに対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上である、請求項１に記載の機器。
【請求項１１】
前記第二の熱交換表面は、ほぼ円形又はリング形状の表面である、請求項１に記載の機器。
【請求項１２】
前記第二の支持突起は、前記基板テーブルに直交する方向に測定した高さＨ３を有し、該高さＨ３は、前記第二の熱伝達突起の高さＨ４よりもわずかに大きい、請求項１に記載の機器。
【請求項１３】
少なくともいくつかの前記第二の熱伝達突起は、いくつかの前記第二の支持突起の一体化した部分である、請求項１に記載の機器。
【請求項１４】
前記第二の熱伝達突起は、前記第二の支持突起に関して別々の部分である、請求項１に記載の機器。
【請求項１５】
前記チャックは真空チャックである、請求項１に記載の機器。
【請求項１６】
前記チャックは静電チャックである、請求項１に記載の機器。
【請求項１７】
基板を支持する支持テーブルを備える機器であって、
前記支持テーブルは、
複数の第一の支持突起及び複数の第一の熱伝達突起を有する支持面であって、前記第一の支持突起は、前記基板が前記基板と前記支持テーブルとの間の第１スペースの減圧を利用して前記第一の支持突起によって支持されるように、前記基板に向かって延在し、前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起によって前記基板が支持されるときに、前記基板には接触せずに前記基板に向かって延在し、前記第一の熱伝達突起は、そのそれぞれが前記基板に対向してほぼ平行に延在する第一の熱交換表面を含み、前記第一の支持突起の高さＨ１は、前記第一の熱伝達突起の高さＨ２よりもわずかに大きい、該支持面と、
複数の第二の支持突起及び複数の第二の熱伝達突起を有する、前記支持面と反対側を向いた裏面であって、前記第二の支持突起は、前記支持テーブルが前記支持テーブルと前記チャックとの間の第２スペースの減圧を利用して前記チャックによって支持されるように、前記第一の支持突起とは反対側に延在し、前記第二の熱伝達突起は、前記チャックによって前記支持テーブルが支持されるときに、前記チャックには接触せずに前記チャックに向かって延在し、前記第二の熱伝達突起は、そのそれぞれが前記チャックに対向してほぼ平行に延在する第二の熱交換表面を含む複数の第二の熱伝達突起と、を含み、前記第二の支持突起の高さＨ３は、前記第二の熱伝達突起の高さＨ４よりもわずかに大きい、該裏面とを含み、
前記高さＨ１と前記高さＨ２との差は、約１〜５μｍの範囲であって、ガス伝導により前記基板と熱を交換するための、ガスを含む第一の熱交換ギャップを提供し、当該第一の熱交換ギャップは、前記第一の熱伝達突起の前記第一の熱交換表面と前記基板の間で延在し、
前記高さＨ３と前記高さＨ４との差は、約１〜５μｍの範囲であって、ガス伝導により前記チャックと熱を交換するための、ガスを含む第二の熱交換ギャップを提供し、当該第二の熱交換ギャップは、前記第二の熱伝達突起の前記第二の熱交換表面と前記チャックの間で延在する、機器。
【請求項１８】
前記第一の支持突起の高さは、約０．１ｍｍよりも大きい、請求項１７に記載の機器。
【請求項１９】
前記第一の支持突起及び前記第一の熱伝達突起は、前記支持テーブルの前記支持面全体にわたってほぼ均一に分布する、請求項１７に記載の機器。
【請求項２０】
前記第一の支持突起及び前記第一の熱伝達突起は、ほぼ円筒形である、請求項１７に記載の機器。
【請求項２１】
前記第一の熱伝達突起は、前記第一の支持突起に隣接して、又は前記第一の支持突起の近くに、又は前記第一の支持突起の間に、或いはこれらの組合せで配置される、請求項１７に記載の機器。
【請求項２２】
すべての該第一の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記基板に対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上である、請求項１７に記載の機器。
【請求項２３】
すべての該第二の熱交換表面からなる全熱交換表面積は、使用中に前記チャックに対向する前記基板テーブルの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上である、請求項１７記載の機器。
【請求項２４】
前記支持テーブルの前記支持面から延在する前記第一の支持及び熱伝達突起及び前記支持テーブルの前記裏面から延在する前記第二の支持及び熱伝達突起は相互に整列される、請求項１７に記載の機器。
【請求項２５】
リソグラフィ機器であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームをパターン化するように構成されたパターン化装置を支持する支持部と、
請求項１から１７のいずれかに記載の機器の前記支持テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影する投影システムとを備える、リソグラフィ機器。
【請求項２６】
リソグラフィ機器であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
前記放射ビームをパターン化するように構成されたパターン化装置を支持する支持部と、
請求項１８から２４のいずれかに記載の機器の前記支持テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影する投影システムとを備える、リソグラフィ機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を支持し、且つ／又は（and／or）熱的に調整する機器、方法に関する。本発明は、基板支持テーブル、チャック、デバイスの製造方法、及びそれによって製造されるデバイスにも関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ機器は、基板に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ機器は、例えば、ＩＣ（集積回路）の製造で使用することができる。この場合には、マスク又はレチクルとも称するパターン化装置を使用して、ＩＣの個々の層に形成する回路パターンを生成し得る。このパターンは、基板（例えばシリコン・ウエハ）の（例えば、ダイの一部或いは１つ又は複数のダイを含む）目標部分に転写することができる。パターンの転写は、典型的には、基板上に設けられた放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介して行われる。一般に、１枚の基板は、次々にパターン化される隣接した網目状の目標部分を含む。周知のリソグラフィ機器の例は、目標部分にパターン全体を１回露光することによって各目標部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームを通過してパターンを走査し、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって各目標部分が照射されるいわゆるスキャナである。基板上にパターンを押し付けること（imprinting）によって、パターン化装置から基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
基板支持テーブル及び／又は真空チャックを使用して基板を支持することが知られている。この周知の基板支持テーブルは、使用中に基板を支持する、例えばニップルなどの突起を含む。好ましくは、これらの突起は、比較的小さく、且つ／又は尖っており、そのため、支持テーブルと基板の間で汚染物又はごみが形成されないようにすることができる。この場合、基板は、支持テーブル上に正確に位置決めすることができる。これは、リソグラフィ中に、パターンを基板に正確に転写するために望まれることである。
【０００４】
例えば、欧州特許第０９４７８８４号は、基板を支持する突起がマトリックス状に配置された面を有するプレートを含む基板ホルダを開示している。この面は、このプレートを貫通して延在する、分散して配置された複数の開口も備える。このプレート内の開口を真空生成器に接続することによって、基板の裏面をこれらの突起にしっかりと押し付けて吸引することができる。
【０００５】
米国特許第６２５７５６４  Ｂ１号は、支持構造としてニップルを有する真空チャックを開示している。支持のみを行う平面ニップルと、支持し、且つチャック上でウエハを保持するために真空を送達する真空ニップルの２つのタイプのニップルを使用する。これらのニップルでは、ウエハとチャックの接触面積が小さく、そのため、ウエハの汚染を少なくし得る。米国特許第６２５７５６４  Ｂ１号によれば、比較的大型の３００ｍｍウエハが反らないようにすることができる。
【０００６】
米国特許第６６６４５４９  Ｂ２号は、吸引チャンバによる吸引によって支持ピン上でウエハの裏面を保持する真空チャックの別の実施例を開示している。
【０００７】
使用中、例えば、リソグラフィ法での結像中に、基板が加熱されることがある。一方、液体で基板を濡らした場合、例えば、液浸リソグラフィを適用するとき、液体の蒸発を介して基板から熱が取り去られることがある。このような熱流により、基板の熱膨張及び／又は熱収縮が生じ、それによって、基板の所望の正確な位置決めが損なわれることがある。例えば、基板の熱変動により、基板をリソグラフィ工程にかけているときに、重ね合わせ誤差が生じることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の態様は、周知の機器及び方法を改善することである。
【０００９】
本発明の態様は、特に基板に熱が伝達され、且つ／又は基板から熱が伝達するときに、所望の時間で基板を正確に位置決めし得る機器及び方法を提供することである。
【００１０】
本発明の態様は、基板の温度を比較的良好に調整することができる、基板を正確に位置決めする方法を提供することである。
【００１１】
本発明の態様は、重ね合わせ誤差を小さくし得るリソグラフィ機器及びリソグラフィによるデバイス製造方法を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の実施態様によれば、基板を支持する支持テーブルを含む機器、例えばリソグラフィ機器又はその一部が提供される。この支持テーブルは、使用中に基板に接触して基板を支持する複数の支持突起を含む。この支持テーブルは、これらの支持突起によって基板が支持されるときに、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達用の突起を含む。基板と熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップは、熱伝達突起と基板の間で延在する。
【００１３】
本発明の実施態様によれば、基板支持テーブルを支持するチャックを含む機器が提供される。この支持テーブルは、チャックには接触せずにこのチャックに向かって延在する複数の熱伝達突起を含み、そのため、チャックと熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップが、熱伝達突起とチャックの間で延在する。
【００１４】
本発明はさらに、基板を支持する支持テーブルを含む機器、例えばリソグラフィ機器又はその一部を提供する。この支持テーブルは、複数の支持突起及び複数の熱伝達突起を有する支持面を含む。これらの支持突起の高さは、熱伝達突起の高さよりもわずかに大きい。
【００１５】
本発明の実施態様では、機器、例えばリソグラフィ機器又はその一部は、支持テーブルを支持するチャックを含む。この支持テーブル及び／又はチャックは、支持テーブルとチャックが第２スペースを取り囲むように、支持テーブルとチャックの間で延在する複数の支持突起を含む。この支持テーブルは、チャックには接触せずにチャックに向かって延在する複数の熱伝達突起を含み、そのため、チャックと熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップが、熱伝達突起とチャックの間で延在する。
【００１６】
本発明はさらに、このような機器の使用法を提供する。
【００１７】
本発明は、このような機器を使用して、基板を支持し、且つ／又は熱的に調整する方法も提供する。
【００１８】
本発明の実施態様によれば、基板を熱的に調整する方法が提供される。支持テーブルが設けられ、この支持テーブルは、基板と接触して基板を支持する複数の支持突起を含む。この支持テーブルは、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達突起も含む。熱は、熱伝達突起と基板の間で延在する熱交換ギャップに位置するガスを使用することによって、ガス伝導により、基板から熱伝達突起に、且つ／又はその逆に伝達する。
【００１９】
本発明の実施態様によれば、支持テーブルによって支持される基板を熱的に調整する方法が提供される。この支持テーブルは、基板を支持する複数の支持突起と、これらの支持突起によって基板が支持されるときに、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達突起とを含む。この方法は、熱伝達突起と基板の間で延在する熱交換ギャップ内にガスを提供するステップと、このガスを介して、基板から熱伝達突起に、且つ／又はその逆に熱を伝達するステップとを含む。
【００２０】
本発明の別の実施態様では、基板支持テーブルを熱的に調整する方法が提供される。この支持テーブルは、支持テーブルとチャックの間に延在する複数の支持突起によって支持される。この方法は、支持テーブルとチャックの間で、小さなガスを含む熱交換ギャップを提供する熱伝達突起によって、チャックに支持テーブルを熱結合させるステップを含む。
【００２１】
本発明は、この機器を使用して製造されるデバイス、並びにデバイス製造方法を用いて製造されるデバイスも提供する。
【００２２】
本発明の別の実施態様では、機械的な接触によりウエハの下面を支持するための複数の支持突起の使用法が提供される。熱伝達突起を使用して、ガス伝導による熱伝達を利用してウエハに熱伝達突起を接触させずに、ウエハに、且つ／又はウエハから熱が伝達される。
【００２３】
本発明の別の実施態様は、デバイスの製造方法を提供する。この方法は、パターン化装置から、支持テーブルによって支持される基板にパターンを転写するステップを含む。この支持テーブルは、基板を支持する複数の支持突起と、これらの支持突起によって基板が支持されるときに、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達突起とを含む。この方法は、熱伝達突起と基板の間で延在する熱交換ギャップにガスを提供するステップと、このガスを介して、基板から熱伝達突起に、且つ／又はその逆に熱を伝達するステップも含む。
【００２４】
別の実施態様では、リソグラフィ機器が提供される。この機器は、放射ビームを調整する照明システムと、パターン化装置を支持する支持部とを含む。このパターン化装置は、放射ビームをパターン化するように構成される。この機器は、基板を支持する支持テーブルと、基板の目標部分にパターン化された放射ビームを投影する投影システムも含む。この支持テーブルは、基板を支持する複数の支持突起と、これらの支持突起によって基板が支持されるときに、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達突起とを含む。基板と熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップは、熱伝達突起と基板の間を延在する。
【００２５】
本発明の別の実施態様によれば、リソグラフィ機器内で基板を支持する支持テーブルが提供される。この支持テーブルは、基板を支持する複数の支持突起と、これらの支持突起によって基板が支持されるときに、基板には接触せずに基板に向かって延在する複数の熱伝達突起とを含む。基板と熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップは、熱伝達突起と基板の間で延在する。
【００２６】
別の実施態様では、リソグラフィ機器内で基板を支持する支持テーブルが提供される。この支持テーブルは、複数の支持突起及び複数の熱伝達突起を有する支持面を含む。これらの支持突起の高さは、熱伝達突起の高さよりもわずかに大きい。
【００２７】
また、本発明は、機械的な接触によりウエハ支持部の下面を支持する複数の支持突起の使用法を提供する。熱伝達突起を使用して、ガス伝導による熱伝達を利用してウエハ支持部に熱伝達突起を接触させずに、ウエハ支持部に、且つ／又はウエハ支持部から熱が伝達される。
【００２８】
本発明は、対向するチャック表面から離間したウエハ支持部の下面を保持する複数の支持突起の使用法を提供する。熱伝達突起を使用して、ガス伝導による熱伝達を利用してチャックに熱伝達突起を接触させずに、ウエハ支持部に、且つ／又はウエハ支持部から熱が伝達される。
【００２９】
本発明の別の実施態様では、本明細書で説明する機器の基板支持テーブルと、本明細書で説明する機器のチャックとが提供される。
【００３０】
次に、添付の概略図面を参照して、単なる例として本発明の実施例を説明する。図面では、対応する参照記号はそれに対応する部分を示す。
【実施例】
【００３１】
図１に、本発明の一実施例によるリソグラフィ機器を概略的に示す。この機器は、放射（例えば、ＵＶその他の放射）ビームＢを調整するように構成された照明システム（照明器）ＩＬと、パターン化装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築された支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴであって、ある種のパラメータに従ってパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに結合された支持構造ＭＴと、基板（例えば、レジストを塗布したウエハ）Ｗを保持するように構築された基板テーブル（例えば、ウエハ・テーブル）ＷＴであって、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決め装置ＰＷに結合された基板テーブルＷＴと、基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃに、パターン化装置ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折型投影レンズ・システム）ＰＳとを備える。
【００３２】
照明システムは、放射を方向づけ、整形し、また制御する屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型その他のタイプの光学コンポーネント、或いはこれらの組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含み得る。
【００３３】
支持構造は、パターン化装置を支持し、即ち、パターン化装置の重量を支える。この支持構造は、パターン化装置の向き、リソグラフィ機器の設計、及び、例えばパターン化装置が真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件によって決まる方法で、パターン化装置を保持する。この支持構造は、機械的、真空、静電気その他のクランプ技術を利用して、パターン化装置を保持し得る。この支持構造は、例えばフレーム又はテーブルとすることができ、これらは必要に応じて固定又は移動可能とし得る。この支持構造は、例えば投影システムに関してパターン化装置が所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用いる「レチクル」又は「マスク」という用語は、「パターン化装置」というより一般の用語と同義とみなし得る。
【００３４】
本明細書で用いる「パターン化装置」という用語は、基板の目標部分にパターンを生成するために、放射ビームの横断面にパターンを付与するのに使用し得る任意の装置を指すと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えば、このパターンが位相シフト用のフィーチャ又はいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成中の集積回路などのデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００３５】
パターン化装置は、透過型又は反射型とすることができる。パターン化装置の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知のものであり、その例には、バイナリ型、交互配置位相シフト型、及びハーフトーン位相シフト型などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型マスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー・アレイの実施例では、入射する放射ビームが異なる方向に反射されるように、それぞれ個々に傾けることができるマトリックス配置の小ミラーを使用する。これらの傾いたミラーにより、ミラー・マトリックスによって反射した放射ビームにパターンが付与される。
【００３６】
本明細書で用いる「投影システム」という用語は、用いられる露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他のファクタに対して適宜、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、又はこれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。本明細書で用いる「投影レンズ」という用語は、「投影システム」というより一般の用語と同義とみなし得る。
【００３７】
ここで示すように、この機器は、（例えば、透過性マスクを使用する）透過タイプのものである。或いは、この機器は、（例えば、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイを使用するか、又は反射性マスクを使用する）反射タイプのものとし得る。
【００３８】
リソグラフィ機器は、２つ以上の基板テーブル（例えば、２ステージ）（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとし得る。このような「複数ステージ」型の機械では、追加のテーブルを並列に使用し得る。即ち、１つ又は複数のテーブルで準備ステップを実施しながら、１つ又は複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。
【００３９】
リソグラフィ機器は、比較的高屈折率の液体、例えば水で基板の少なくとも一部を覆って、投影システムと基板の間のスペースを満たすタイプのものとすることもできる。浸漬液は、リソグラフィ機器内の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間に適用することもできる。投影システムの開口数を大きくする液浸技術は、当技術分野では周知のものである。本明細書で用いる「浸漬」という用語は、液体中に基板などの構造を浸さなければならないという意味ではなく、単に、露光中に、投影システムと基板の間に液体を配置するという意味である。
【００４０】
図１を参照すると、照明器ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源及びリソグラフィ機器は、例えば放射源がエキシマ・レーザのときは別々の要素とし得る。このような場合には、放射源がリソグラフィ機器の一部を形成するとはみなさず、放射ビームは、放射源ＳＯから、例えば適当な方向づけミラー及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム送達システムＢＤを使用して照明器ＩＬに至る。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプのとき、放射源はリソグラフィ機器と一体の部分とし得る。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬは、必要な場合には、ビーム送達システムＢＤとともに放射システムと称することがある。
【００４１】
照明器ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節する調節装置ＡＤを含み得る。一般に、照明器の瞳面内の強度分布の少なくとも（一般に、それぞれｓ-外側及びｓ-内側と称する）外側及び／又は内側の径方向範囲を調節することができる。照明器ＩＬはさらに、統合器ＩＮ及びコンデンサＣＯなど他の様々なコンポーネントを備えることがある。この照明器を使用して放射ビームを調整し、それによってビーム断面において所望の均一性及び強度分布を得ることができる。
【００４２】
放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上で保持されたパターン化装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン化装置によってパターン化される。マスクＭＡを横切った後で、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳによって基板Ｗの目標部分Ｃに結像する。第２位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例えば、放射ビームＢの経路内に異なる目標部分Ｃを位置決めすることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭ及び（図１には明示的に示さない）別の位置センサを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、或いは走査中に、放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成する（粗い位置決め用の）長ストローク・モジュール及び（精密位置決め用の）短ストローク・モジュールを使用して実現し得る。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現し得る。（スキャナと異なり）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータだけに連結するか、或いは固定とすることができる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせし得る。図に示す基板位置合わせマークは、専用の目標部分を占めているが、これらは、目標部分間のスペースに配置し得る（これらは、スクライブ・レーン位置合わせマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡに２つ以上のダイが設けられる状況では、マスク位置合わせマークは、ダイとダイの間に配置し得る。
【００４３】
図に示す機器は、以下のモードの少なくとも１つのモードで使用し得るはずである。
【００４４】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に固定したまま、放射ビームに付与されたパターン全体を目標部分Ｃに１回で投影する（即ち、１回の静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴをＸ方向及び／又はＹ方向に移動させて、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、１回の静止露光で画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限する。
【００４５】
２．スキャン・モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴを同期走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する（即ち、１回の動的な露光）。マスク・テーブルＭＴに対する相対的な基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び像の反転特性によって決めることができる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、１回の動的な露光における目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動長により、目標部分の（走査方向の）高さが決まる。
【００４６】
３．別のモードでは、プログラム可能なパターン化装置を保持するマスク・テーブルＭＴを本質的に固定し、基板テーブルＷＴを移動即ち走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルＷＴの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用し得る。
【００４７】
上記で説明した使用モードの組合せ及び／又は変形、或いは全く異なる使用モードを用いることもできる。
【００４８】
図２〜図４に、基板支持構造の一部をより詳細に示す。この基板支持構造は、支持テーブルＷＴ及び支持テーブルＷＴを支持するチャック１１を含む。使用中、基板Ｗに対向する支持テーブルＷＴの支持面は、この支持面に一体化された複数の支持突起を含む。使用中、これらの突起２は、基板Ｗの表面に機械的に接触する。好ましくは、支持突起２は、基板Ｗを均一に支持するために、支持テーブルＷＴの上面全体にわたってほぼ均一に分布する。図２Ｂに、このような均一分布の実施例を示す。
【００４９】
支持テーブルＷＴ及び支持突起２は、基板Ｗとともに第１スペース５を取り囲む。この機器はさらに、第１スペース５から、且つ／又は第１スペース５に、１種又は複数種のガスをポンプ輸送する少なくとも１つのポンプＶＰを含む。この１種又は複数種のガスは、例えば、空気、ヘリウム、アルゴン、窒素などのガス又はガス混合物の少なくとも１つを含み得る。
【００５０】
ポンプＶＰは、図１に概略的に示されている。この実施例では、ポンプＶＰは、第１スペース５に減圧又は真空を適用して、支持テーブルＷＴの支持突起２上で基板Ｗをクランプするように構成される。次いで、使用中に、基板支持構造を取り囲む１種又は複数種のガスを、第１スペース５に流入又は漏入させて、ポンプＶＰにより第１スペース５を排気することができる。第１スペース５にこのような減圧を適用しないときには、支持テーブルへの基板Ｗのクランプが解除されて、テーブルＷＴから基板Ｗを取り外すことができる。
【００５１】
当業者には、少なくとも１つのポンプＶＰを配置する方法、並びにこのようなポンプを、例えば１本又は複数本の適切な真空ラインＶＬで第１スペース５に結合する方法が明らかであろう。ポンプＶＰは、例えば真空ポンプ及び／又はその類似物を含み得る。
【００５２】
支持突起２は、様々な形態及び寸法をとり得る。突起２は、ニップル又はその類似物とすることができる。図２及び図３の実施例では、支持突起２は、ほぼ円筒形であり、基板を支持するほぼ平坦な支持表面を有する。これらの支持突起の高さＨ０は、例えば、支持テーブルＷＴの支持表面に直交する方向に測定して、約０．１〜０．２ｍｍの範囲である。好ましくは、これらの支持突起の直径Ｄ０は、例えば、約０．０５〜１．０ｍｍの範囲の比較的小さなもの、具体的には約０．１５ｍｍにする。隣接する支持突起２の中心軸は、例えば約１〜１０ｍｍの範囲で、例えば約２．５ｍｍの距離ＨＨだけ離間させることができる。当然のことながら、所望の場合には、他の直径及び寸法を適用し得る。
【００５３】
チャック１１に向かって支持面と反対側を向いた支持テーブルＷＴの裏面も、この裏面に一体化されたいくつかの円筒形支持突起１２を含む。支持テーブルＷＴの対向する側の支持突起２、１２は、相互に軸方向に整列する。好ましくは、支持テーブルＷＴ及びチャック１１によって取り囲まれた第２スペース１５も、１つ又は複数のポンプＶＰに接続され、それによって、例えば第２スペース１５内に減圧を適用して、チャック１１に支持テーブルＷＴをクランプする。
【００５４】
図２及び図３の支持構造により、例えば、第１スペース５及び第２スペース１５内に適切な真空圧を適用することによって、使用中に基板Ｗをしっかりと保持し得る構成が得られる。また、使用中に、第１及び第２のスペース内にガスの流れを連続して供給するか、或いはこれらのスペースからガスの流れを連続して排出することによって、チャック１１、支持テーブルＷＴ、及び基板Ｗの汚染をなくすか、或いは低減することができる。ただし、図２及び図３に示す構造の欠点は、基板Ｗと基板テーブルＷＴの熱接触が比較的悪いことである。基板テーブルＷＴとチャック１１の熱接触にも同じことが当てはまる。そのため、基板Ｗは比較的、基板テーブルＷＴ及びチャック１１から熱的に分離される。そのため、基板Ｗに熱流が加えられると、基板Ｗの温度が比較的大きく変動し得る。例えば、基板Ｗは、基板Ｗ上に投影される放射ビームからの熱の吸収の影響で、比較的速く加熱されることがある。一方、液浸リソグラフィなどにおいて基板Ｗが濡れている場合、使用中に液体が基板Ｗから蒸発するときに、基板Ｗは比較的速く冷却されることがある。
【００５５】
図４〜図７に、基板Ｗを比較的良好に熱的に調整し得る本発明による第１実施例を示す。
【００５６】
図４〜図７に示すように、第１実施例では、支持テーブルＷＴは、基板Ｗに接触する複数の支持突起２だけでなく、使用中に基板Ｗに向かって延在するが基板Ｗには接触しない複数の第１熱伝達突起３も備える。したがって、基板Ｗと熱を交換するための熱交換ギャップ６は、これらの熱伝達突起と基板Ｗの間で延在する。この実施例では、熱交換ギャップ６は、第１スペース５の一部である。
【００５７】
第１熱伝達突起３はそれぞれ、使用中に基板Ｗに対向してほぼ平行に延在する熱交換表面４を含む。第１熱伝達突起３は、円筒形であり、それぞれの支持突起２の周りで同心円状に配置される。熱交換表面４はそれぞれ、ほぼリング形状の表面である。また、第１熱伝達突起３はそれぞれ、支持突起２に隣接して配置される。さらに、この実施例では、第１熱伝達突起３はすべて、支持突起２の一体化された部分である。
【００５８】
これらの熱交換ギャップは、これらの突起の高さと比べて比較的小さい。このようにするために、これらの支持突起は、基板Ｗに直交する方向に測定した第１高さＨ１を有し、第１熱伝達突起３は、第１高さＨ１よりもわずかに低い第２高さＨ２を有する。
【００５９】
本発明の態様によれば、支持突起２の高さＨ１それ自体は、例えば、約０．２ｍｍよりも大きく、例えば、約０．２〜１．０ｍｍの範囲である。好ましくは、これらの支持突起の直径Ｄ１は、この場合も比較的小さく、例えば約０．０５〜１．０ｍｍの範囲、具体的には約０．１５ｍｍである。隣接する支持突起２の中心軸は、例えば約１〜１０ｍｍの範囲で、例えば約２．５ｍｍの距離ＨＨだけ離間させることができる。各熱伝達突起３の外形Ｄ２は、これらの突起の中心軸の間隔ＨＨに応じて、例えば約１〜１０ｍｍの範囲である。突起２、３の寸法を適切に選択することによって、使用中に、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間で所望のガスの流れを実現するのに十分な中間スペース５を設けることができる。このようなガスの流れを利用して、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間で適切なクランプ圧を実現し、且つ／又は、そこから汚染をなくすことができる。各熱伝達突起３の外形Ｄ２を約１〜２ｍｍの範囲にすると、良好な結果を得ることができる。支持突起２それ自体の高さＨ１を約０．３〜０．５ｍｍの範囲、例えば約０．４ｍｍにすると、良好な結果を得ることができる。隣接する第１熱伝達突起の外郭の間隔Ｘ１は、例えば約０．５〜１ｍｍの範囲で比較的狭くし得る。所望の場合には、最後に述べた間隔Ｘ１について、他の適切な値を選択することもできる。
【００６０】
さらに、好ましくは、熱伝達突起３は、これらの突起のすべての熱交換表面４からなる熱交換表面の全表面積が、比較的大きくなるように配置される。例えば、この熱交換表面の全表面積は、使用中に基板Ｗに対向する基板テーブルＷＴの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上、好ましくは約６０％である。
【００６１】
本発明の別の実施例では、熱交換ギャップ６の厚さＲ１はそれぞれ、約１０μｍ以下である。この厚さＲ１は、上記で述べた第１支持突起２の高さＨ１と第１熱伝達突起３の高さＨ２の差に等しい。また、各熱交換ギャップ６の厚さＲ１が、約１〜５μｍの範囲、例えば約３μｍのときに、良好な結果を得ることができる。例えば、厚さＲ１を１μｍ未満とするなど、他の寸法を適用することもできる。ただし、厚さＲ１を１μｍ未満にすると、この支持構造は、ごみなどの汚染粒子の影響をより受けやすくなる。
【００６２】
使用中に、第１スペース５の中、したがって、熱交換ギャップ６の中にも１種又は複数種のガス又はガス混合物が位置され得る。こうすると、使用中に、熱交換ギャップ６を介してガス伝導による熱交換が行われる。具体的には、熱交換ギャップ６が、例えば、厚さＲ１が約１０μｍ以下と比較的小さいときには、熱交換ギャップ６を介したガスによる熱伝導を行いながら、第１スペース５内のガス圧を依然として比較的高くすることができる。熱交換表面４からなる比較的大きな割合の基板テーブルＷＴの表面が、基板Ｗから近接した距離で延在する。この場合、熱交換ギャップ６を介して、ガスによって比較的大量の熱を伝達することができる。その結果、基板Ｗと基板テーブルＷＴの間の熱接触を大きく改善することができる。したがって、基板テーブルＷＴにより、基板Ｗに追加の熱質量（thermal mass）を加えることができ、それによって、上記で述べた熱流により生じる基板Ｗの温度変動を遅らせる。
【００６３】
さらに、図４〜図７で示すように、第１実施例の支持テーブルＷＴの裏面は、チャック１１に向かって延在するがチャック１１には機械的に接触しない多数の第２熱伝達突起１３も含む。最後に述べた第２熱伝達突起は、基板Ｗに関して先に述べた第１熱伝達突起３の機能と同様に、ガス伝導を利用してチャック１１と熱を交換するように働く。好ましくは、第２熱伝達突起１３は、これらの突起１３のすべての熱交換表面１４からなる全熱交換表面積が比較的大きくなるように配置される。例えば、最後に述べた全熱交換表面積は、使用中にチャック１１に対向する基板テーブルＷＴの部分の全表面積の少なくとも約５０％以上、好ましくは約６０％とする。
【００６４】
第２熱伝達突起１３は、第１熱伝達突起３に関して軸方向に整列する。また、第２熱伝達突起１３はそれぞれ、使用中に反対側のチャック１１の表面に対向してほぼ平行に延在するリング形状の熱交換表面１４を含み得る。
【００６５】
さらに、支持テーブルＷＴとチャック１１の間に延在する支持突起は、基板テーブルＷＴに直交する方向に測定した高さＨ３を有する。高さＨ３は、第２熱伝達突起１３の高さＨ４よりもわずかに大きい。この実施例では、第２熱伝達突起１３はすべて、それぞれの支持突起１２に一体化された部分である。図６に示すように、第２支持突起の外径はＤ３であり、第２熱伝達突起の外径はＤ４である。
【００６６】
第１実施例の第２支持突起１２の寸法Ｈ３、Ｄ３は、例えば、第１支持突起２の寸法Ｈ１、Ｄ１と同じにすることもできるし、異なるものとすることもできる。また、第１実施例の第２熱伝達突起１３の寸法Ｈ４、Ｄ４も、例えば、第１熱伝達突起３の寸法Ｈ２、Ｄ２と同じにすることもできるし、異なるものとすることもできる。このような寸法、具体的にはこれらの突起の高さ及び直径の実施例は、先に述べたとおりである。
【００６７】
例えば、熱伝達突起とチャック１１の間に延在する各熱交換ギャップ１６の厚さＲ２は、約１０μｍ以下とし得る。この厚さＲ２は、上記で述べた第２熱伝達突起１３の高さと第２支持突起１２の高さの差に等しい。この厚さＲ２は、例えば、約１〜５μｍの範囲、例えば約３μｍとし得る。このような厚さを用いて、使用中の第２スペース１５内のガス圧に応じて、支持テーブルＷＴとチャック１１の間の熱伝達に関して良好な熱的な調整結果が得られる。この場合、チャック１１は、熱質量を形成することもでき、この熱質量は、支持テーブルＷＴを介して基板Ｗに結合される。こうすると、チャック１１は、使用中に、基板Ｗを熱的に調整する助けにもなる。具体的には、チャック１１により、基板テーブルＷＴ並びに基板Ｗに追加の熱質量が加えられ、それによって、先に述べた熱流によって生じる基板テーブルＷＴ及び基板Ｗの温度変動をともに遅らせる。
【００６８】
リソグラフィによるデバイス製造方法の第１実施例を用いて、比較的しっかりと、比較的汚染がなく、比較的正確に位置決めされた状態で基板を保持することができる。このデバイス製造方法は、例えば、上記で説明した方法、及び／又はこれから説明する方法など、様々な方法を含み、また、関わり得る。このデバイス製造方法は、例えば、パターン化装置からパターンを基板に転写するステップ、例えば、リソグラフィによるデバイス製造方法を含み得る。この方法は、例えば、少なくとも基板にパターン化された放射ビームを投影するステップを含み得る。最後に述べた方法では、例えば図１に示す機器を使用し得る。
【００６９】
この場合、使用中に、第１スペース５内の１種又は複数種のガスの減圧を利用して、支持テーブルＷＴによって基板Ｗを保持することができる。また、支持テーブルＷＴは、第２スペース１５内の減圧を利用してチャック１１によって保持し得る。
【００７０】
基板の正確な位置決めは、比較的長時間にわたり基板を熱的に調整することによってさらに改善し得る。基板テーブルＷＴ及びチャック１１の熱質量の相互の、且つ基板Ｗへの結合を改善する結果、このような熱的な調整を改善することができる。具体的には、この熱結合は、熱伝達突起３、１３を適用することによって改善し得る。単に、第１熱伝達突起３を使用して、ウエハに熱伝達突起を接触させずに、ガス伝導による熱伝達を利用して、ウエハに、且つ／又はウエハから熱を伝達し得る。単に、第２熱伝達突起１３を使用して、チャック１１に熱伝達突起を接触させずに、ガス伝導による熱伝達を利用して、ウエハ支持部ＷＴに、且つ／又はウエハ支持部ＷＴから熱を伝達し得る。熱伝達突起３、１３の熱伝達表面４、１４はそれぞれ、基板Ｗ又はチャック１１の対向する表面にほぼ平行に延在しているので、比較的良好な熱接触を実現することができる。
【００７１】
基板の熱的な調整が改善されるために、このデバイス製造方法は、重ね合わせ誤差が小さくなり、且つ／又は、焦点合わせが改善された状態で実施することができ、それによって製造されるデバイスが改善し得る。
【００７２】
図４及び図６に従って、本発明は、基板支持テーブルを熱的に調整する方法も提供する。支持テーブルＷＴは、支持テーブルＷＴとチャック１１の間に延在するいくつかの支持突起によって支持されており、この支持テーブルは、支持テーブルＷＴとチャック１１の間にガスを含む小さな熱交換ギャップ１６を提供する熱伝達突起によってチャック１１に熱結合する。
【００７３】
図８及び図９に、本発明の第２実施例を示す。第２実施例は、上記で説明した第１実施例と実質的に同様に機能する。図８及び図９で明確にわかるように、第２実施例の基板テーブルＷＴも、第１及び第２の支持突起２、１２、並びに第１及び第２の熱伝達突起３、１３を含む。この場合も、第１スペース５は、基板と基板テーブルＷＴの間で延在し、第２スペース１５は、チャック１１と基板テーブルＷＴの間に延在する。ただし、第２実施例では、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、熱伝達突起３、１３は、それぞれの支持突起から空間的に離間している。第２実施例では、支持テーブルＷＴの支持面から延在する突起及び支持テーブルＷＴの裏面から延在する突起は、この場合も相互に整列している。この場合も、先に説明したように、熱伝達突起３は、これらの突起のすべての熱交換表面４を含む全熱交換表面積が比較的大きくなるように配置し得る。
【００７４】
図１０に、本発明の第３実施例によるチャック１１１及び基板テーブルＷＴの一部を示す。第３実施例では、チャック１１１は、支持テーブルＷＴ及びチャック１１１が少なくとも１つの第２スペース１１５を取り囲むように支持テーブルＷＴとチャック１１１の間で延在する、チャック１１１に一体化された複数の支持突起１１２を含む。使用中、支持突起１１２は、機械的な接触によって基板支持部ＷＴの下面を支持する。或いは、支持テーブルＷＴは、第１及び第２の実施例のような支持突起を含み得る。
【００７５】
第３実施例では、チャック１１１は、支持テーブルＷＴには接触せずに支持テーブルに向かって延在するいくつかの第２熱伝達突起１１３を含み、そのため、支持テーブルと熱を交換するための、ガスを含む熱交換ギャップ１１６は、熱伝達突起と支持テーブルの間で延在する。例えば、各熱交換ギャップ１１６の厚さＲ２’は、約１０μｍ以下とし得る。また、各熱交換ギャップ１１６の厚さＲ２’は、例えば約１〜５μｍの範囲、例えば約３μｍとし得る。第３実施例では、チャック１１１の第２熱伝達突起１１３は、これらの突起のすべての熱交換表面を含む全熱交換表面積が比較的大きくなるように配置し得る。例えば、この全熱交換表面積は、使用中に基板テーブルＷＴに対向するチャック１１１の部分の全表面積の少なくとも約５０％以上、好ましくは約６０％とする。
【００７６】
第３実施例の機能は第１及び／又は第２の実施例の働きと実質的に同じである。ただし、第３実施例では、第２熱交換ギャップ１１６は、チャック１１の近くではなく、基板支持部ＷＴの近くで延在する。好ましくは、これらの第２熱交換ギャップは、第２スペース１１５の圧力に関して十分に小さく、それによって、第２熱伝達突起１１３と支持テーブルＷＴの間で、ガス伝導による熱伝達を可能にする。第２熱伝達突起の全熱交換表面積が比較的大きいので、使用中に大量の熱を伝達することができる。
【００７７】
当然のことながら、上記で説明した実施例の組合せも、添付の特許請求の範囲で特許請求する本発明の範囲に含まれる。
【００７８】
本明細書では、ＩＣの製造でリソグラフィ機器を使用することを具体的に参照することがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ機器は、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導／検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウエハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック（典型的には、基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール、及び／又は検査ツール内で、露光前又は露光後に処理することができる。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。
【００７９】
以下の実施例では、図３に示す実施例に関する計算を実施し、図５の実施例と比較した。具体的には、これらの計算は、シリコン・ウエハ基板Ｗの中心から支持テーブルＷＴの中心への熱伝達を得るために行った。これらの計算では、支持テーブル及びその突起２、３は、ドイツ国Ｍａｉｎｚ所在のＳｃｈｏｔｔ  ＡＧ社が製造するガラス・セラミック材料であるＺＥＲＯＤＵＲ（登録商標）で製作した。
【００８０】
図３の実施例では、支持突起の直径Ｄ０は、０．５ｍｍになるように選択した。これらの支持突起の高さＨ０は０．１５ｍｍとした。これらの支持突起の中心線間ピッチＨＨは２．５ｍｍとした。ウエハＷと支持テーブルＷＴの間の第１スペースは、圧力０．５バールの空気で充填した。これらの計算から、ウエハの中心からウエハ・テーブルＷＴの中央への熱伝達は、１６０Ｗ／ｍ２Ｋだったことがわかった。
【００８１】
次いで、図５の本発明の第１実施例に関して同様の計算を実施した。この場合も、支持突起２の直径Ｄ１は、０．５ｍｍになるように選択した。熱伝達突起の直径Ｄ２は２ｍｍとした。この場合も、支持突起の中心線間ピッチＨＨは２．５ｍｍとした。ただし、これらの支持突起の高さＨ１は０．４ｍｍとし、それによって、ウエハＷ及びウエハ・テーブルＷＴに沿ってガスが流れるのに十分な大きさのスペース５が得られた。熱伝達突起３の高さＨ２は、支持突起の高さＨ１よりも３μｍ低くした。そのため、熱伝達ギャップの高さは３μｍであった。ウエハＷと支持テーブルＷＴの間の第１スペースは、やはり圧力０．５バールの空気で充填した。これらの計算から、ウエハの中心からウエハ・テーブルＷＴ中央に、６５０Ｗ／ｍ２Ｋの熱伝達が得られたことがわかった。
【００８２】
この実施例から、熱伝達突起を適用すると、例えば、基板Ｗと基板支持テーブルＷＴの間の熱伝達を改善することができ、それによって、先に述べた利点が得られることがわかる。
【００８３】
図５の実施例では、支持突起の直径Ｄ０は０．５ｍｍとした。これらの支持突起の高さＨ０は０．１５ｍｍとした。これらの支持突起の中心線間ピッチＨＨは２．５ｍｍとした。
【００８４】
上記では、光リソグラフィの状況で本発明の実施例を利用することを具体的に参照したが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなどの他の応用例で利用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン化装置のトポグラフィ（topography）が、基板上で生成されるパターンを形成する。パターン化装置のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し付けることができ、その後、電磁放射、熱、圧力、又はこれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターン化装置をレジストから取り外し、それによって、レジストが硬化した後でレジスト中にパターンが残る。
【００８５】
本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）ＵＶ（紫外）放射、及び（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ＥＵＶ（極紫外）放射、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００８６】
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことがある。
【００８７】
以上、本発明の特定の実施例を説明してきたが、上記で説明した以外の形でも本発明を実施し得ることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械可読命令からなる１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、或いは、このようなコンピュータ・プログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態をとり得る。
【００８８】
上記の説明は、例示するためのものであり、限定するためのものではない。そのため、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明に改変を加えることができることが当業者には明らかであろう。
【００８９】
チャックは、基板及び／又は基板テーブルを保持する様々なやり方で構成し得る。例えば、このチャックは、真空チャック及び／又は静電チャックとし得る。
【００９０】
基板テーブル及び／又はチャックは、例えば、これら基板テーブル及び／又はチャックの温度を制御するための、１つ又は複数のヒータ、流体冷却回路、及び／又はその類似物などを備えた温度コントローラを備えることがある。
【００９１】
また、各支持突起及び各熱伝達突起は、様々な形状及び形態をとり得る。例えば、このような突起は、円形、正方形、長方形、三角形、楕円、及び／又は他の断面の有し得る。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ機器を示す図である。
【図２Ａ】図１の細部Ｑを概略的に示す図であり、周知の支持突起を有する支持構造を示す。
【図２Ｂ】基板は示さずに矢印ＩＩＢの方向で図２Ａの上面を概略的に示す図である。
【図３】図２Ａの細部ＱＱを概略的に示す図であり、周知の支持突起を示す。
【図４】図２Ａと同様の細部Ｑを示す図であり、本発明の第１実施例を示す。
【図５】図４の細部Ｓを示す図である。
【図６】図４の細部Ｔを示す図である。
【図７】図４の矢印ＶＩＩ方向で、基板なしの上面を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例の、図２Ａと同様の細部Ｑを示す図である。
【図９Ａ】図８の細部９Ａを示す図である。
【図９Ｂ】図８の細部９Ｂを示す図である。
【図１０】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００９３】
２  支持突起
３  第１熱伝達突起
４  熱交換表面、熱伝達表面
５  第１スペース、中間スペース
６  熱交換ギャップ
１１  チャック
１２  支持突起
１３  第２熱伝達突起
１４  熱交換表面、熱伝達表面
１５  第２スペース
１６  熱交換ギャップ
１１１  チャック
１１２  支持突起
１１３  第２熱伝達突起
１１５  第２スペース
１１６  熱交換ギャップ
ＡＤ  調節装置
Ｂ  放射ビーム
ＢＤ  ビーム送達システム
Ｃ  目標部分
ＣＯ  コンデンサ
Ｄ０  支持突起の直径
Ｄ１  支持突起の直径
Ｄ２  熱伝達突起の外形
Ｄ３  第２支持突起の直径
Ｄ４  第２熱伝達突起の直径
ＨＨ  支持突起の中心軸間距離
Ｈ０  支持突起の高さ
Ｈ１  第１高さ、支持突起の高さ
Ｈ２  第２高さ
Ｈ３  支持突起の高さ
Ｈ４  熱伝達突起の高さ
ＩＦ  位置センサ
ＩＬ  照明システム、照明器
ＩＮ  統合器
ＭＡ  パターン化装置、マスク
ＭＴ  支持構造、マスク・テーブル
Ｍ１  マスク位置合わせマーク
Ｍ２  マスク位置合わせマーク
ＰＭ  第１位置決め装置
ＰＳ  投影システム、投影レンズ・システム
ＰＷ  第２位置決め装置
Ｐ１  基板位置合わせマーク
Ｐ２  基板位置合わせマーク
Ｒ１  熱交換ギャップの厚さ
Ｒ２  熱交換ギャップの厚さ
Ｒ２’  熱交換ギャップの厚さ
ＳＯ  放射源
ＶＬ  真空ライン
ＶＰ  ポンプ
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル、ウエハ・テーブル、支持テーブル
Ｘ１  第１熱伝達突起の外郭の間隔
【図１】
0004673185.tif 000002
【図２Ａ】
0004673185.tif 000003
【図２Ｂ】
0004673185.tif 000004
【図３】
0004673185.tif 000005
【図４】
0004673185.tif 000006
【図５】
0004673185.tif 000007
【図６】
0004673185.tif 000008
【図７】
0004673185.tif 000009
【図８】
0004673185.tif 000010
【図９Ａ】
0004673185.tif 000011
【図９Ｂ】
0004673185.tif 000012
【図１０】
0004673185.tif 000013