(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、
上記キャリアから取り出された基板に適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、
上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、
上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、
上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、
上記基板収納部は、上記基板搬送手段と基板受渡し手段が交差する２方向から基板の受渡しが可能であると共に、基板の下面を支持する複数の載置棚を互いに上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の厚みよりも狭く形成される間隔をおいて積層してなり、
上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、それぞれ上記載置棚の厚みと断面方向で重なる位置関係で基板収納部に対して進退可能に形成される、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、
上記基板収納部は、基板を冷却する冷却プレートを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板搬送処理装置において、
上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第１の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第１の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第２の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第２の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、
上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック，第１の反射防止膜形成用単位ブロック及び第２の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記載置棚は、それぞれ板状アームにて形成され、各板状アームの先端部における同心円状の等分された３箇所に、基板の下面を板状アームの表面より僅かに隙間をおいて水平に支持するピンを突設すると共に、その一つの第１ピンを基板受渡し手段が基板収納部内に進入する水平方向と平行に配置し、
上記基板受渡し手段は、上記第１ピン以外の第２及び第３ピンと干渉しない範囲で一方の湾曲アーム片が他方の湾曲アーム片より先端側に延在する変形馬蹄形状のアーム本体を具備すると共に、両アーム片の先端側下部及びアーム本体の基部側下部の３箇所に基板を支持する支持爪を設けてなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記載置棚は、上記基板収納部の一側から該基板収納部内に突入する板状アームからなり、各板状アーム同士はスペーサを介して連結部材によって着脱可能に積層状に連結固定される、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記基板収納部の各載置棚における基板の有無を検知する基板検知センサを設けると共に、この基板検知センサにより検知された信号に基づいて基板搬送手段の上記基板収納部への基板の受渡し動作を制御する制御手段を具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板を搬送して処理する基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、基板にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。
【０００３】
このような処理は、一般に基板にレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処理ユニット、レジスト塗布処理終了後の基板や露光処理後の基板を加熱処理する加熱処理ユニット、加熱処理後の基板を所定温度にまで冷却処理する冷却処理ユニット、基板に現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット等が個別に複数段に積み重ねられた状態で備えられており、これらの各処理ユニット間における基板の搬送、並びに基板の搬入出は、搬送装置によって行われている。
【０００４】
また、加熱処理終了後の基板は直ちに冷まさないと、基板が過剰に加熱処理されてしまう、いわゆるオーバーベークによる処理不良が起こる虞がある。そのため、基板を所定温度にまで冷却する前に、該基板を待機して冷却するプレ冷却処理ユニットを備え、複数の基板搬送装置が分担して基板を搬送、すなわち、レジスト塗布処理ユニットと加熱処理ユニットとの間、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットとの間、及びプレ冷却処理ユニットと冷却処理ユニットとの間で基板を搬送している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、各処理ユニットにおける基板の処理時間の時間差に対応して基板を効率よく搬送し、スループットの向上を図るようにするために、複数の処理ユニットを備えた処理ブロックとインターフェイスブロックとの間又はインターフェイスブロック内に、複数の基板を収容可能な複数段状の基板収納部を設けて、該基板収納部の２方向から基板収納部に対して異なる基板搬送装置によって基板の受渡しを行っている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
ところで、目的とするレジスト膜の種類により、レジスト膜の上下側に反射防止膜を形成する場合や、レジスト膜の上下の一方に反射防止膜を形成する場合、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合等、塗布の形態が異なり、このためロットにより必要となる塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニット、プレ冷却処理ユニット等の塗布膜形成のためのユニットにおける処理条件が異なる場合がある。この場合、これらの塗布処理ユニットや、加熱処理ユニット、冷却処理ユニットが同じ処理ブロック内に設けられている構成では、目的とするレジスト膜の種類により使用するユニットが異なるために基板の搬送の流れが異なってくる。このため、基板の搬送スケジュールが更に複雑となるので、上述した基板収納部における基板の収納枚数を多くして次の処理に供される前の複数の基板の待機を可能にしている。
【特許文献１】特開２００１−５７３３６号公報（特許請求の範囲、段落番号００４６、図１，図２）
【特許文献２】特開平９−７４１２７号公報（特許請求の範囲、段落番号００４２，００４３、図１，図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特開２００１−５７３３６号公報及び特開平９−７４１２７号公報に記載の装置においてはいずれも複数の基板を収納する多段状あるいは棚状の載置部に複数（例えば３本あるいは４本）の支持ピンを立設し、これら支持ピンによって基板を支持するようにして、基板搬送装置との間で基板の受渡しを行っている。そのため、基板収納部における１枚の基板が収納されるスペースの高さが基板搬送装置の受渡しを考慮した高さが必要となり、装置全体の高さにより載置部の数を多くすることができないという問題があった。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板収納部における基板の収納スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、スループットの向上を図れるようにした基板搬送処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明の基板搬送処理装置は、複数の基板を収容可能なキャリアを配置するキャリアブロックと、  上記キャリアから取り出された基板に適宜処理を施す処理ユニットを具備する処理ブロックと、  上記処理ブロック内において上記キャリアブロックから搬送された基板を上記処理ユニットに受け渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板搬送手段と、  上記キャリアブロックと処理ブロックの間に配置され、複数の基板を収納可能な基板収納部と、  上記キャリアブロックとの間で基板が受け渡し可能であって、上記基板収納部に基板を受渡しする少なくとも鉛直方向及び水平方向に移動可能な基板受渡し手段と、を具備し、  上記基板収納部は、上記基板搬送手段と基板受渡し手段が交差する２方向から基板の受渡しが可能であると共に、基板の下面を支持する複数の載置棚を互いに上記基板搬送手段及び基板受渡し手段の厚みよりも狭く形成される間隔をおいて積層してなり、  上記基板搬送手段及び基板受渡し手段は、それぞれ上記載置棚の厚みと断面方向で重なる位置関係で基板収納部に対して進退可能に形成される、ことを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
このように構成することにより、基板収納部の２方向からそれぞれ基板搬送手段又は基板受渡し手段が基板収納部内に進退し、進入時には載置棚の厚みと断面方向で重なる位置関係で鉛直方向に移動（昇降）して基板の受渡しを行うことができる。この場合、複数の載置棚の間隔を、基板搬送手段及び基板受渡し手段の厚みよりも狭く形成することにより、基板の収納スペースを更に可能な限り小さくすることができる。
【００１１】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板搬送処理装置において、  上記処理ブロックは、基板にレジスト膜を含む塗布膜を形成する塗布膜形成用処理ユニット，基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成用処理ユニット及び基板を加熱処理する加熱処理ユニットを具備し、  上記基板収納部は、基板を冷却する冷却プレートを具備する、ことを特徴とする。この場合、上記処理ブロックは、塗布膜形成用処理ユニットと加熱処理ユニットとを基板搬送手段の水平移動領域によって区画される塗布膜形成用単位ブロックと、塗布膜の下側に反射防止膜を形成する第１の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第１の反射防止膜形成用単位ブロック、及び塗布膜の上側に反射防止膜を形成する第２の反射防止膜形成用ユニットと加熱処理ユニットとを上記基板搬送手段の水平移動領域によって区画される第２の反射防止膜形成用単位ブロックを積層し、  上記基板収納部は、上記塗布膜形成用単位ブロック，第１の反射防止膜形成用単位ブロック及び第２の反射防止膜形成用単位ブロックに対応すべく複数に区画された収納ブロックを具備すると共に、各収納ブロックに複数の載置棚、及び冷却プレートを具備する、構成とする方が好ましい（請求項３）。
【００１２】
このように構成することにより、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、基板収納部において基板を冷却して所定温度に調整することができる。
【００１３】
また、請求項４記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、  上記載置棚は、それぞれ板状アームにて形成され、各板状アームの先端部における同心円状の等分された３箇所に、基板の下面を板状アームの表面より僅かに隙間をおいて水平に支持するピンを突設すると共に、その一つの第１ピンを基板受渡し手段が基板収納部内に進入する水平方向と平行に配置し、  上記基板受渡し手段は、上記第１ピン以外の第２及び第３ピンと干渉しない範囲で一方の湾曲アーム片が他方の湾曲アーム片より先端側に延在する変形馬蹄形状のアーム本体を具備すると共に、両アーム片の先端側下部及びアーム本体の基部側下部の３箇所に基板を支持する支持爪を設けてなる、ことを特徴とする。
【００１４】
このように構成することにより、基板を支持する３つのピンがなす最も狭い幅側に基板搬送手段を進退移動可能にすることで、基板搬送手段の基板支持部の形状を最小限の大きさにして、基板の支持及び搬送を安定化させることができる。また、これに対して、基板を支持する３つのピンがなす最も広い幅側に進退移動する基板受渡し手段に、該基板受渡し手段が基板収納部内に進入する水平方向と平行に配置される第１ピン以外の第２及び第３ピンと干渉しない範囲で一方の湾曲アーム片が他方の湾曲アーム片より先端側に延在する変形馬蹄形状のアーム本体を具備し、両アーム片の先端側下部及びアーム本体の基部側下部の３箇所に基板を支持する支持爪を設けることで、基板受渡し手段の基板支持部の形状を必要以上に大きくすることなく、基板を安定した状態で支持及び搬送することができる。
【００１５】
また、請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、  上記載置棚は、上記基板収納部の一側から該基板収納部内に突入する板状アームからなり、各板状アーム同士はスペーサを介して連結部材によって着脱可能に積層状に連結固定される、ことを特徴とする。
【００１６】
このように構成することにより、必要に応じて載置棚の数を増減することができる。
【００１７】
加えて、請求項６記載の発明は、  請求項１ないし５のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、  上記基板収納部の各載置棚における基板の有無を検知する基板検知センサを設けると共に、この基板検知センサにより検知された信号に基づいて基板搬送手段の上記基板収納部への基板の受渡し動作を制御する制御手段を具備する、ことを特徴とする。
【００１８】
このように構成することにより、基板収納部の各載置棚における基板の有無を基板検知センサによって検知して、その検知信号を制御手段に伝達することにより、制御手段は各載置棚の基板の有無を認識することができ、制御手段からの制御信号に基づいて基板が載置されていない載置棚への基板の受渡し（搬送）を行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２０】
（１）請求項１記載の発明によれば、基板収納部の２方向からそれぞれ基板搬送手段又は基板受渡し手段が基板収納部内に進退し、進入時には載置棚の厚みと断面方向で重なる位置関係で鉛直方向に移動（昇降）して基板の受渡しを行うことができるので、基板収納部における基板の収納スペースを可能な限り小さくして、装置の小型化を図ることができると共に、基板の収納数の増大を図れるようにし、かつ、スループットの向上を図ることができる。この場合、複数の載置棚の間隔を、基板搬送手段及び基板受渡し手段の厚みよりも狭く形成することにより、基板の収納スペースを更に可能な限り小さくすることができる。
【００２１】
（２）請求項２，３記載の発明によれば、基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応させて、レジスト膜の上下の一方又は双方に反射防止膜を形成するか、あるいは、レジスト膜のみで反射防止膜を形成しない場合における次の処理前の基板の待機を確保することができると共に、加熱処理後の基板を冷却することができる。したがって、上記（１）に加えて、更に基板に塗布されるレジスト膜の種類及び各処理ユニットにおける処理時間に対応した複雑な処理を効率よく行うことができる。
【００２２】
（３）請求項４記載の発明によれば、基板搬送手段の基板支持部の形状を最小限の大きさにして、基板の支持及び搬送を安定化させることができると共に、基板受渡し手段の基板支持部の形状を必要以上に大きくすることなく、基板の支持及び搬送を安定化させることができるので、上記（１），（２）に加えて、更に基板搬送手段及び基板受渡し手段を大きくすることなく、基板の支持及び搬送を安定した状態で行うことができる。
【００２３】
（４）請求項５記載の発明によれば、必要に応じて載置棚の数を増減することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に基板の搬送スケジュール及び処理時間の変更等に対応して基板収納部における載置棚の数を容易に変更することができる。
【００２４】
（５）請求項６記載の発明によれば、基板収納部の各載置棚における基板の有無を基板検知センサによって検知して、その検知信号を制御手段に伝達することにより、制御手段は各載置棚の基板の有無を認識することができ、制御手段からの制御信号に基づいて基板が載置されていない載置棚への基板の受渡し（搬送）を行うことができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に基板収納部に対する基板の受渡しを確実にすることができ、スループットの向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００２６】
図１は、上記レジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図、図２は、同概略斜視図、図３は、同概略図であって、処理部の単位ブロックのみを平面状態で重ねて示す概略構成図である。
【００２７】
上記レジスト塗布・現像処理装置は、基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）が例えば１３枚密閉収容されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２８】
上記キャリアブロックＳ１には、複数個（例えば４個）のキャリア２０を載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する基板収納部を構成する棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、並びに鉛直軸回りに回転自在に移動自在に構成されている。
【００２９】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成用単位ブロックである第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための塗布膜形成用単位ブロックである第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成用単位ブロックである第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＢＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＴＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００３０】
次に、第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、前面側に配設され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、背面側に配設され、上記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱ユニット等の処理ユニットと、前面側に配設される上記液処理ユニットと背面側に配設される加熱ユニット等の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の基板搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００３１】
これら単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、この例では、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上記液処理ユニットと、加熱ユニット等の処理ユニットと、搬送手段との配置レイアウトが同じに形成されている。ここで、配置レイアウトが同じであるとは、各処理ユニットにおけるウエハＷを載置する中心つまり液処理ユニットにおけるウエハＷの保持手段であるスピンチャックの中心や、加熱ユニットにおける加熱プレートや冷却プレートの中心が同じという意味である。
【００３２】
上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成されており、この場合、共通に形成されている。このＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、図１に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の長さ方向（図中Ｙ方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１（メインアームＡ１の水平移動領域）が形成されている。
【００３３】
この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、上記液処理ユニットとして、現像処理を行うための複数個の現像処理部を備えた現像ユニット３１が例えば２段設けられている。各単位ブロックは、手前側から奥側に向かって左側に、順に加熱系のユニットを多段化した例えば４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば３段ずつに積層した構成とされている。このようにして上記搬送領域Ｒ１によって現像ユニット３１と棚ユニットＵ１〜Ｕ４が区画されており、搬送領域Ｒ１に洗浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００３４】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器５１内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器５１が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。
【００３５】
上記搬送領域Ｒ１には上記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、現像ユニット３１，棚ユニットＵ５の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００３６】
また、上記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、上述の現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２と同様に構成されている。具体的にＣＯＴ層Ｂ４を例にして図３，図１３及び図１４を参照して説明すると、液処理ユニットとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、ＣＯＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）や、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）を備えており、ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２と同様に構成されている。すなわち、塗布ユニット３２と加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）及び疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）とをメインアームＡ４の搬送領域Ｒ４（メインアームＡ４の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、塗布ユニット３２と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお上記疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）は、ＨＭＤＳ雰囲気内でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。
【００３７】
また、ＢＣＴ層Ｂ３は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）を備えており、ＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第１の反射防止膜形成ユニット３３と加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）とをメインアームＡ３の搬送領域Ｒ３（メインアームＡ３の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、この第３の単位ブロックＢ３では、メインアームＡ３により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第１の反射防止膜形成ユニット３３と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３８】
また、ＴＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニットとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＬＰＨ５）や、周辺露光装置（ＷＥＥ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。すなわち、第２の反射防止膜形成ユニット３４と加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）及び周辺露光装置（ＷＥＥ）とをメインアームＡ５の搬送領域Ｒ５（メインアームＡ５の水平移動領域）によって区画するように構成されている。そして、このＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１と、第２の反射防止膜形成ユニット３４と、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００３９】
また、処理ブロックＳ２には、棚ユニットＵ５に設けられた受渡しステージＴＲＳ２とインターフェイスブロックＳ３側の棚ユニットＵ６との間でウエハＷの受け渡しを行う基板搬送手段であるシャトルアームＡが水平のＹ方向に移動自在及び鉛直のＺ方向に昇降自在に配設されている。
【００４０】
なお、シャトルアームＡの搬送領域と上記メインアームＡ１，Ａ２〜Ａ５の搬送領域Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５は、それぞれ区画されている。
【００４１】
また、処理ブロックＳ２とキャリアブロックＳ１との間の領域は、ウエハＷの受渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡがアクセスできる位置に基板収納部である棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための基板受渡し手段をなす受渡しアームＤを備えている。この場合、棚ユニットＵ５は、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの水平移動方向（Ｙ方向）の軸線上に配置されており、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，シャトルアームＡの進退方向（Ｙ方向）に第１の開口部１１を設けると共に、受渡しアームＤの進退方向（Ｘ方向）に第２の開口部１２を設けている。
【００４２】
また、上記棚ユニットＵ５は、図３，図５及び図６に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば２個の受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を備えており、また、単位ブロックＢ１〜Ｂ５に対応すべく複数に区画された収納ブロック１０ａ〜１０ｄを備えると共に、各収納ブロック１０ａ〜１０ｄに、複数の載置棚１３、及びレジスト塗布前にウエハＷを所定温度に調整するためや、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するためや、露光処理後に加熱処理されたウエハＷを所定温度に調整するための冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）を備えている。
【００４３】
この場合、第１収納ブロック１０ａは第１及び第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（ＤＥＶ層）に対応し、第２収納ブロック１０ｂは第３の単位ブロックＢ３（ＢＣＴ層）に対応し、第３収納ブロック１０ｃは第４の単位ブロックＢ４（ＣＯＴ層）に対応し、第４収納ブロック１０ｄは第５の単位ブロックＢ５（ＴＣＴ層）に対応している。また、冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）は、図６に示すように、矩形状のベースプレート１５上に立設される４本の支柱１６に架設される保持基板１７上に載置されている。なお、冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）は、例えば冷却プレート１４（ＣＰＬ１〜ＣＰＬ６）に設けられた冷媒通路内に恒温の冷却水を循環させる水冷方式のものを使用することができるが、水冷方式以外の方式であってもよい。
【００４４】
また、載置棚１３は、図７〜図１２に示すように、棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入する複数の板状アーム１３ａにて形成されている。この場合、板状アーム１３ａは、例えば先端に約１２０°の角度で分岐される二又部１３ｂを具備しており、この二又部１３ｂを含む板状アーム１３ａの先端部における同心円状の等分された３箇所に、ウエハＷの下面を板状アーム１３ａの表面より僅かに隙間例えば約０．５ｍｍをおいて支持するプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃを突設すると共に、その一つの第１ピン１８ａを受渡しアームＤが棚ユニットＵ５内に進入する水平方向（図１０に示す矢印方向）と平行に配置している。
【００４５】
なお、上記説明では、載置棚１３の板状アーム１３ａは二又部１３ｂを具備する場合について説明したが、第1の開口部１１から進入するメインアームのアーム本体８０と第２の開口部１２から進入する受渡しアームＤのアーム本体６０が干渉しなければ任意の形状でよく、例えば円形状に形成してもよい。
【００４６】
また、板状アーム１３ａは、棚ユニットＵ５の支柱１６に一端が取り付けられて棚ユニットＵ５の一側から該棚ユニットＵ５内に突入するように設けられており、各板状アーム１３ａの基端部同士はスペーサ１９ａを介して連結部材例えば連結ボルト１９ｂによって着脱可能に積層状に連結固定されている（図７参照）。このように、載置棚１３を構成する板状アーム１３ａを連結ボルト１９ｂによって着脱可能に積層状に連結固定することにより、処理スケジュールや処理時間に対応させて載置棚１３の段数すなわち板状アーム１３ａの数の増減を容易にすることができる。
【００４７】
なお、図５に示すように、棚ユニットＵのキャリアブロックＳ１側から所定流量の清浄気体を棚ユニットＵ５内に供給するように構成されている。
【００４８】
上記受渡しアームＤは、上記第１ピン１８ａ以外の第２ピン１８ｂ及び第３ピン１８ｃと干渉しない範囲で一方の湾曲アーム片６１が他方の湾曲アーム片６２より先端側に延在する変形馬蹄形状のアーム本体６０を具備すると共に、両アーム片６１，６２の先端側下部及びアーム本体６０の基部側下部の３箇所にウエハＷを支持する支持爪６３を設けている。更に、アーム本体６０の厚みｈ１と上記板状アーム１３ａの厚みｈは略同一に形成されており、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５内に進入した際に、アーム本体６０が板状アーム１３ａの厚みｈと断面方向で重なるように構成されている（図１２参照）。
【００４９】
上記のように、アーム本体６０の厚みｈ１と載置棚１３すなわち板状アーム１３ａの厚みｈとを略同一に形成することにより、載置棚１３同士間のスペースを受渡しアームＤのアーム本体６０が鉛直方向に移動して載置棚１３のプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃとの間でウエハＷの受け渡しが可能な最低限のスペースとすることができるので、限られたスペース内に多くの載置棚１３を設けることができる。また、受渡しアームＤを、載置棚１３に設けられた３個のプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃがなす最も広い幅側の第２プロキシミティピン１８ｂ及び第３プロキシミティピン１８ｃと干渉しない範囲で一方の湾曲アーム片６１が他方の湾曲アーム片６２より先端側に延在する変形馬蹄形状に形成することにより、受渡しアームＤのアーム本体６０を必要以上に大きくすることなく、ウエハＷを安定した状態で支持して搬送することができる。
【００５０】
また、受渡しアームＤは、図８に示すように、上記湾曲アーム片６１，６２と支持爪６３を有するアーム本体６０が基台６４に沿って棚ユニットＵ５に対して進退自在に構成されている。また、この基台６４は、図５に示すように、移動機構６５により、棚ユニットＵ５を支持するベースプレート１５の第２の開口部１２に臨む面に取り付けられたＺ軸レール６６に沿ってＺ方向に昇降自在に構成されている。このようにしてアーム本体６０は、Ｘ方向に進退自在及び昇降自在に構成され、棚ユニットＵ５の各収納ブロック１０ａ〜１０ｄ、受渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このような受渡しアームＤは、後述する制御部７０からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。
【００５１】
上記メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡは基本的には同様に構成されており、シャトルアームＡを代表として説明すると、シャトルアームＡは、図９に示すように、プロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃがなす最も狭い幅側のプロキシミティピン１８ａと１８ｂ，１８ｃと干渉しない一対の湾曲アーム片８１を有する馬蹄形状のアーム本体８０を具備すると共に、各湾曲アーム片８１の先端部及び基端部側下部の４箇所にウエハＷを支持する支持爪８２を設けている。更に、アーム本体８０の厚みｈ２と上記板状アーム１３ａの厚みｈは、受渡しアームＤと同様に略同一に形成されており、シャトルアームＡが棚ユニットＵ５内に進入した際に、アーム本体８０が板状アーム１３ａの厚みｈと断面方向で重なるように構成されている（図１１参照）。
【００５２】
したがって、受渡しアームＤの場合と同様に、載置棚１３同士間のスペースをシャトルアームＡのアーム本体８０が鉛直方向に移動して載置棚１３のプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃとの間でウエハＷの受け渡しが可能な最低限のスペースとすることができるので、限られたスペース内に多くの載置棚１３を設けることができる。また、シャトルアームＡは、馬蹄形状のアーム本体８０の４箇所に支持爪８２を設けるので、ウエハＷを安定した状態で支持して搬送することができる。
【００５３】
なお、上記複数の載置棚１３の間隔は、受渡しアームＤのアーム本体６０の厚みｈ１及びメインアームＡのアーム本体８０の厚みｈ２よりも狭く形成されている。これにより、棚ユニットＵ５の収納スペースを可能な限り小さくすることができ、棚ユニットＵ５内へのウエハＷの収納枚数の増大、あるいは、ウエハＷの収納枚数が少ない場合には装置の小型化が図れる。
【００５４】
なお、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）は、同様に構成されており、メインアームＡ１を代表して説明すると、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の湾曲アーム片８１を有するアーム本体８０を備えており、これら湾曲アーム片８１は基台８３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台８３は回転機構８４により鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、移動機構８５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部８６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール８７に沿ってＹ方向に移動自在、かつ昇降レール８８に沿って昇降自在に構成されている。このようにして湾曲アーム片８１は、Ｘ方向に進退自在，Ｙ方向に移動自在，昇降自在及び鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや受渡しステージＴＲＳ１、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームＡ１は、制御部７０からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。また、メインアームＡ１（Ａ３〜Ａ５）の加熱ユニットでの蓄熱を防止するために、ウエハＷの受け取り順番をプログラムで任意に制御できるようになっている。
【００５５】
また、上記処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３の隣接する領域には、図１及び図３に示すように、メインアームＡ１，シャトルアームＡがアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６は、図３に示すように、各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は、２個の受渡しステージＴＲＳ３と、シャトルアームＡとの間でウエハＷの受け渡しを行う冷却機能を有する受渡しステージＩＣＰＬを備えている。
【００５６】
なお、図１３はこれら処理ユニットのレイアウトの一例を示すものであって、このレイアウトは便宜上のものであり、処理ユニットは加熱ユニット（ＣＬＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ），疎水化処理装置（ＡＤＨ），周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
【００５７】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の棚ユニットＵ６の各部と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＥを備えている。このインターフェイスアームＥは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、上記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２の受渡しステージＴＲＳ３，ＩＣＰＬに対してウエハＷの受け渡しを行うように、水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００５８】
上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の受渡しアームＤにより、それぞれ受渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができると共に、上述のインターフェイスアームＥにより、現像処理用の単位ブロックＢ１，Ｂ２を介して処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間でウエハＷの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００５９】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置におけるウエハＷの搬送処理態様について、図１〜図４及び図１３を参照して説明する。なお、ここでは、棚ユニットＵ５の収納ブロック１０ａ〜１０ｄの最下段の第１収納ブロック１０ａには、２段の冷却プレートＣＰＬ９，ＣＰＬ１０が配置され、その上段の第２収納ブロック１０ｂには、２段の冷却プレートＣＰＬ１，ＣＰＬ２と複数の載置棚１３（ＢＵＦ１）が配置され、その上段の第３収納ブロック１０ｃには、２段の冷却プレートＣＰＬ３，ＣＰＬ４と複数の載置棚１３（ＢＵＦ２）が配置され、そして、その上段すなわち最上段の第４収納ブロック１０ｄには、２段の冷却プレートＣＰＬ５，ＣＰＬ６と複数の載置棚１３（ＢＵＦ３）が配置される場合について説明する。
【００６０】
＜反射防止膜無しの搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４によって疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）に搬送されて疎水化処理された後、再び棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送されて、所定温度に調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機し、その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。次いで受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００６１】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、ＤＥＶ層Ｂ１（又はＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３に搬送され、このステージＴＲＳ３上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）のメインアームＡ１に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、まず、加熱ユニット（ＰＥＢ１）で加熱処理された後、メインアームＡ１によって棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）に搬送されて、所定温度に調整される。次いで、ウエハＷは、メインアームＡ１によって棚ユニットＵ６から取り出されて現像ユニット３１に搬送されて、現像液が塗布される。その後、メインアームＡ１によって加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００６２】
＜レジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレートＣＰＬ１まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１を介してＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
【００６３】
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送されて、所定温度に温度調整される。
【００６４】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００６５】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００６６】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００６７】
＜レジスト膜の上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣにより、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ１に搬送された後、受渡しアームＤにより、棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ３を介してＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そして、ウエハＷは、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ４に搬送されて、所定温度に調整される。次に、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５から取り出されたウエハＷは、塗布ユニット３２に搬送されて、塗布ユニット３２においてレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウエハＷは、メインアームＡ４によって加熱ユニット（ＣＬＨＰ４）に搬送されて、溶剤をレジスト膜から蒸発させるためのプリベークが施される。その後、ウエハＷは、メインアームＡ４によって棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２上に収納されて一時待機する。
【００６８】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送されて、所定温度に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
【００６９】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００７０】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００７１】
＜レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する搬送処理形態＞
レジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成する場合は、上述したレジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理とレジスト膜の下側に反射防止膜を形成する搬送処理とを組み合わせてレジスト膜の下側及び上側に反射防止膜を形成することができる。すなわち、まず、外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出され、受渡しアームＤに受け渡された後、受渡しアームＤにより棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの冷却プレートＣＰＬ１まで搬送され、この冷却プレートＣＰＬ１を介してＢＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。
【００７２】
そしてＢＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の反射防止膜形成ユニット３３→加熱ユニット（ＣＬＨＰ３）→棚ユニットＵ５の第２収納ブロック１０ｂの載置棚ＢＵＦ１の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。第２収納ブロック１０ｂ内の載置棚ＢＵＦ１に載置されたウエハＷは、受渡しアームＤによって第３収納ブロック１０ｃの冷却プレートＣＰＬ３（ＣＰＬ４）に搬送されて、所定温度に温度調整される。
【００７３】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷはメインアームＡ３により、塗布ユニット３２→加熱ユニットＣＬＨＰ４→棚ユニットＵ５の第３収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ２の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上層にレジスト膜が形成される。
【００７４】
続いて第３収納ブロック１０ｃのウエハＷは、受渡しアームＤによって棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの冷却プレートＣＰＬ５（ＣＰＬ６）に搬送されて、所定温度に温度調整された後、メインアームＡ５によりＴＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そして、ＴＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、第２の反射防止膜形成ユニット３４→加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）→棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３の順序で搬送されて、レジスト膜の上層に第２の反射防止膜が形成される。なお、この場合、加熱ユニット（ＣＬＨＰ５）による加熱処理後に周辺露光装置（ＷＥＥ）に搬送して、周辺露光処理を行った後に、棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｃの載置棚ＢＵＦ３に搬送してもよい。
【００７５】
その後、受渡しアームＤが棚ユニットＵ５の第４収納ブロック１０ｄの載置棚ＢＵＦ３に進入してウエハＷを受け取り、棚ユニットＵ５の受渡しステージＴＲＳ２に受け渡す。続いてシャトルアームＡにより棚ユニットＵ６の受渡しステージＩＣＰＬに搬送される。続いて受渡しステージＩＣＰＬのウエハＷは、インターフェイスアームＥにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。
【００７６】
露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＥにより、棚ユニットＵ６の受渡しステージＴＲＳ３→加熱ユニット（ＰＥＢ１）→棚ユニットＵ６の冷却プレートＣＰＬ７（ＣＰＬ８）→現像ユニット３１→加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）に搬送され、所定の現像処理が行われる。このようにして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ５の第１収納ブロック１０ａの冷却プレートＣＰＬ９（ＣＰＬ１０）に搬送されて所定温度に調整された後、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００７７】
以上において、上述の塗布・現像処理装置は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のスケジュール管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５、トランスファーアームＣ、受渡しアームＤ、インターフェイスアームＥの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部７０を備えており、この制御部７０にて、単位ブロックＢ１〜Ｂ５を使用してウエハＷを搬送させ、処理が行われるようになっている。
【００７８】
上記搬送フローのスケジュールは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより単位ブロックＢ１〜Ｂ５毎に複数個の搬送フローのスケジュールが制御部７０に格納されている。
【００７９】
また、形成する塗布膜によって、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５にウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第１の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＢＣＴ層Ｂ３）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）とレジスト液の塗布を行なう単位ブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）と第２の反射防止膜を形成するための単位ブロック（ＴＣＴ層Ｂ５）とにウエハＷを搬送するモードと、現像処理を行なう単位ブロック（ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２）のみにウエハＷを搬送するモードとがあり、制御部７０のモード選択手段により、形成しようとする塗布膜の種類に応じてウエハＷを搬送する単位ブロックを選択すると共に、かつ選択された単位ブロック毎に用意された複数の搬送フローのスケジュールから最適なレシピを選択することにより、形成する塗布膜に応じて使用する単位ブロックが選択されて、当該単位ブロックでは、各処理ユニットやアームの駆動が制御され、一連の処理が行われるようになっている。
【００８０】
このような塗布・現像処理装置では、各塗布膜形成用の単位ブロックと、現像処理用の単位ブロックとを異なるエリアに設け、それぞれに専用のメインアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びシャトルアームＡを設けたので、これらアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びＡの負荷が軽減する。このためアームＡ１，Ａ３〜Ａ５及びＡの搬送効率が向上するので、効果としてスループットを高めることができる。
【００８１】
また、上記受渡しアームＤ及びアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，Ａのアーム本体６０（８０）の厚みｈ１，ｈ２と上記載置棚１３（板状アーム１３ａ）の厚みｈとを略同一にすることにより、受渡しアームＤ及びアームＡ１，Ａ３〜Ａ５，Ａのアーム本体６０（８０）は、それぞれ載置棚１３（板状アーム１３ａ）の厚みｈと断面方向で重なる位置関係で棚ユニットＵ５に対して進退可能に形成されるので、棚ユニットＵ５を高くすることなく、載置棚１３の数を増加することができ、省スペース化を図ることができる。
【００８２】
なお、上記実施形態では、載置棚１３はウエハＷを支持するプロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃを突設する場合について説明したが、プロキシミティピン１８ａ，１８ｂ，１８ｃに代えて載置棚１３に吸着孔を設け、吸着孔に真空装置を接続する真空吸着方式としてもよい。
【００８３】
なお、上記実施形態において、上記棚ユニットＵ５の第２〜第４収納ブロック１０ｂ，１０ｃ，１０ｄにおける各装置棚１３（ＢＵＦ１〜ＢＵＦ３）のウエハＷの有無の状況に応じてウエハＷを棚ユニットＵ５に搬送（受渡し）するようにしてもよい。すなわち、図１及び図１４に示すように、各載置棚１３に、ウエハＷの有無を検知する例えば静電容量式の基板検知センサ４０を設け、この基板検知センサ４０によって検知された信号を制御手段である制御部７０に伝達して、制御部７０により棚ユニットＵ５の収納ブロック１０ｂ〜１０ｄのウエハＷの収納状況を認識させる。そして、制御部７０からの制御信号に基づいてメインアームＡ１を作動して、ウエハＷの無い空の載置棚１３にウエハＷを受渡し（搬送）するようにしてもよい。これにより、ウエハＷの受渡し（搬送）を確実にすることができ、スループットの向上が図れる。
【００８４】
また、上記実施形態では、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明したが、この発明に係る基板搬送処理装置は、ＬＣＤガラス基板のレジスト塗布・現像処理システムにも適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】この発明に係る基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略斜視図である。
【図３】上記レジスト塗布・現像処理装置の概略図であって、処理部の単位ブロックのみを平面状態で重ねて示す概略構成図である。
【図４】この発明における処理ブロックの単位ブロック（ＤＥＶ層）を示す概略斜視図である。
【図５】この発明における基板収納部と基板受渡し手段を示す概略側面図である。
【図６】上記基板収納部を示す概略斜視図である。
【図７】この発明における載置棚と冷却プレートを示す一部分解斜視図である。
【図８】この発明における載置棚と基板受渡し手段を示す概略平面図である。
【図９】この発明における基板搬送手段と載置棚との間でのウエハの受渡し状態を示す概略平面図である。
【図１０】この発明における基板受渡し手段と載置棚との間でのウエハの受渡し状態を示す概略平面図である。
【図１１】図９の断面斜視図である。
【図１２】図１０の断面斜視図である。
【図１３】この発明における処理ブロックの処理ユニットの一例を示す概略断面図である。
【図１４】この発明における処理ブロックの単位ブロック（ＣＯＴ層）を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
Ａ  シャトルアーム（基板搬送手段）
Ａ１，Ａ３〜Ａ５  メインアーム（基板搬送手段）
Ｂ１，Ｂ２  第１，第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）
Ｂ３  第３の単位ブロック（ＢＣＴ層）
Ｂ４  第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）
Ｂ５  第５の単位ブロック（ＴＣＴ層）
Ｃ  トランスファーアーム
Ｄ  受渡しアーム（基板受渡し手段）
Ｓ１  キャリアブロック
Ｓ２  処理ブロック
Ｒ１，Ｒ３〜Ｒ５  搬送領域
Ｒ２  受渡し領域
Ｕ１〜Ｕ４  棚ユニット（処理ユニット）
Ｕ５  棚ユニット（基板収納部）
１０ａ〜１０ｄ  収納ブロック
１１，１２  開口部
１３  載置棚
１３ａ  板状アーム
ｈ  載置棚（板状アーム）の厚さ
１４  冷却プレート（ＣＰＬ）
１８ａ，１８ｂ，１８ｂ  プロキシミティピン（支持ピン）
１９ａ  スペーサ
１９ｂ  連結ボルト（連結部材）
２０  キャリア
３１  現像ユニット（処理ユニット）
３２  塗布ユニット（処理ユニット）
３３  第１の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
３４  第２の反射防止膜形成ユニット（処理ユニット）
４０  基板検知センサ
６０  アーム本体
ｈ１  アーム本体６０の厚さ
６１  一方の湾曲状アーム片
６２  他方の湾曲状アーム片
６３  支持爪
８０  アーム本体
ｈ２  アーム本体８０の厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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