(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層および／または誘電体層を有するもので、この電極層および／または誘電体層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣuを0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法を用いて電極層および／または誘電体層を形成してなる電子部品。
【請求項２】
基板と、この基板の上面に設けられた一対の上面電極層および抵抗体層と、前記抵抗体層と電気的に接続するように前記基板の側面に設けられた側面電極層とからなり、前記上面電極層および／または側面電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣuを0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法を用いて電極層および／または誘電体層を形成してなる電子部品。
【請求項３】
正特性サーミスタと、この正特性サーミスタの両面に下部電極層を介して上部電極層を備えるもので、前記上部電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣuを0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法を用いて電極層および／または誘電体層を形成してなる電子部品。
【請求項４】
圧電体と、この圧電体の両面に下部電極層と上部電極層とを備えてなり、前記上部電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣuを0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法を用いて電極層および／または誘電体層を形成してなる電子部品。
【請求項５】
圧電性基板と、この圧電性基板に一対のランド電極層とこのランド電極層と電気的に接続する櫛形電極層とからなり、前記ランド電極および／または櫛形電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣuを0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからスパッタリングターゲットを作製し、スパッタリング法を用いて電極層および／または誘電体層を形成してなる電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタなどの積層セラミック電子部品等の各種電子部品に関し、特に、電極層の材料にＡgアロイを用いたものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品やその電子部品を使用するアプリケーション自体の小型化や薄型化にともなって、積層セラミックコンデンサのように誘電体層と導電体層とを交互に重ね合わせた二層以上の積層体からなる電子部品も同様に小型化や薄型化が望まれ実現されてきた。そして、電子部品の構成層となる誘電体層と内部電極（導電体）層も薄型化するとともに、電子部品としての誘電特性や電気伝導特性の向上について研究されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
積層セラミックコンデンサを構成する誘電体セラミックスの製造工程中に高温度の焼成工程が存在するために、使用可能な内部電極層用金属材料としては、従来より高融点のＰdあるいはＰdを主成分とする合金電極層やＮiあるいはＮiを主成分とする合金電極層が用いられているが、これらの金属材料は、電気特性やその他の特性を考慮すると、必ずしも最適な材料とはいえず、最適な材料の検索が行なわれてきた。
【０００４】
Ａgは、電気伝導率が金属元素内で最良であること、かつ、一般的な材料として広く使われているので安価であること、スパッタリング法などによって層を形成する際に金属元素内でプロセス中のレートが最大であること等の優位性があげられる。
【０００５】
しかも、Ａgは酸素や水に対して安定であり、誘電層に利用される誘電体には酸化物が多いことから、ＮiやＮiを主成分とする合金で問題とされる誘電層との界面における酸化などの問題が生じない等の優位性が確認されている。
【０００６】
しかし、純Ａgは、硫黄、塩素、沃素およびその他のアルカリ系、ハロゲン系元素と反応し易いので耐候性に問題があって、純Ａgをそのまま採用することは困難であるので、誘電体層との界面に中間層としてバリア材が必要であると考えられていた。
【０００７】
また、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品において、内部電極層や外部電極にＡgを使用すると、湿気および印加電圧によりＡgがイオン化され、移行したＡgが凝集して電極間を短絡することがあり、この現象をマイグレーションと呼んでいる。このマイグレーションを回避するために、多層の防湿処理を施している。
【０００８】
そこで、本発明は、耐候制が優れた電子部品に適用できるＡgアロイを提供するために考えられたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電極層および／または誘電体層を有するもので、この電極層および／または誘電体層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuののうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態における電子部品に用いる電極層および／または誘電体層でＡgアロイについて説明する。ここで、Ａgアロイとは、「ＡgおよびＰdにＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を合金化または混合したもので、固溶体、共晶、化合物またはそれらが共存するもの」のことである。
【００１１】
本実施の形態によるＡgアロイは所定のＡgおよびＰdならびに所定の金属粉末とを溶融法により混合・合金化しスパッタリングのターゲットを作成した。検討した組成を（表１）〜（表８）に示す。また、粉体が必要な場合は、この溶融金属を中性雰囲気中にてアトマイジングすることにより作成した。さらに必要に応じて粉砕を行った。比較検討例についても同様に準備した。
【００１２】
試料の比較検討は、「ＮaＣl浸漬」、「半田付け性」、「絶縁抵抗」について行った。「ＮaＣl浸漬」における比較検討は、ＮaＣl溶液に浸漬時間は１時間で、試料を取り出したのち外観の状態を目視にて調べた。「半田付け性」における比較検討は、各種試料を２５０℃の共晶点半田槽に３秒間ディップして、半田付け性を評価し、電極に半田が付着した面積が７０％以上の場合は半田付け性を良好として判断した。「絶縁抵抗」は、各種試料の両端面にリード線を取り付け５Ｖの電圧を印加し、恒温恒湿槽にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気で負荷寿命試験を実施し、評価は試験後の試料の抵抗１０００時間試験を継続した後、絶縁抵抗計にて測定した。
【００１３】
【表１】
0004748831.tif 000002
【００１４】
【表２】
0004748831.tif 000003
【００１５】
【表３】
0004748831.tif 000004
【００１６】
【表４】
0004748831.tif 000005
【００１７】
【表５】
0004748831.tif 000006
【００１８】
【表６】
0004748831.tif 000007
【００１９】
【表７】
0004748831.tif 000008
【００２０】
【表８】
0004748831.tif 000009
【００２１】
（表１）〜（表８）により明らかなように、「ＮaＣl浸漬」は、ＮaＣlの0.5％溶液に浸漬した場合、Ａg100％（試料No.100）では３０分で表面状態が変色し、１時間で一部溶出・剥離が発生した。またＡg−Ｐdを用いた場合（試料Ｎｏ.112）においても同様に３０分で変色、１時間で一部剥離が発生していることがわかる。一方、本発明のＡgアロイ、すなわちＡgを主成分として、Ｐdを0.1〜5.0重量％、Ｃu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａu、Ｐtの内の少なくとも１種類以上を0.1〜5.0重量％添加した混合物または合金化した電極においては1時間後は全く変色等は見られなかった。さらに浸漬試験を継続した場合、２４時時間後に変色がわずかに見られたが、剥離や溶出は全く発生していないことがわかる。
【００２２】
また、「半田付け性」は、本発明の請求範囲を超えた場合、すなわち（表１）に記載したＰdまたはＣuの添加量が５重量％を超えた場合、半田付け性が悪化することがわかる。半田付けこの試料の両端面にリード線を取付け５Ｖの電圧を印加し、恒温恒湿槽にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気で負荷寿命試験を実施した。評価は試験後の試料の抵抗を１０００時間試験を継続した後、絶縁抵抗計にて測定した。Ａgを用いた場合、１０００時間でＡgのイオンマイグレーションが発生している。またＡg−Ｐdを用いた場合においても同様に絶縁抵抗の低下が発生していた。この試料を顕微鏡で観察した結果、Ａgのマイグレーションが発生していた。一方、本発明によるＡgアロイにおいてはＡgのイオンマイグレーションは１０００時間まで発生していない。本実施の形態によるＡgアロイにおいて耐イオンマイグレーション性はＡg−Ｐdに加える第３成分としてＣuが最も安定で次にＳi、Ｃr、Ｔiのグループ、その次にＮi、Ａu、Ｐtのグループの順に安定していた。また、第３成分としてＣuを含む組成は第４成分としてＳi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａu、Ｐtいずれを用いた場合においても安定であった。本実施の形態によるＡgアロイが、このように化学的にも電気的にも安定な理由は明確でないが、たとえばＡgアロイがＮａイオンなどに接触した際、添加物がなどに対しＡg表面に不導体層を形成することである。
【００２３】
（実施例１）
以下、本発明の実施例１における電子部品について、円板型セラミックコンデンサを例にして説明する。
【００２４】
図１（ａ）は本発明の実施例１における円板型セラミックコンデンサの横方向から見た断面図、図１（ｂ）は同縦方向から見た断面図である。
【００２５】
図１において、11は誘電体層で、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、鉛系ペロブスカイト等の焼結体からなるものである。この誘電体層11の両面には電極層12を備え、この電極層12はＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなるものである。
【００２６】
13はリード線で、電極層12と電気的に接続するように半田14により接合して設けている。15は樹脂層で、エポキシ樹脂等により少なくとも誘電体層11および電極層12を覆うように設けている。
【００２７】
以上のように設けられた円板型セラミックコンデンサについて、以下にその製造方法を説明する。
【００２８】
まず、ＢａＣＯ3およびＴiＯ2に添加物を添加して湿式混合、乾燥し仮焼成し、得られたものを湿式粉砕した後に乾燥し、バインダと純水を加え造粒する。その後、所望の大きさに成形し、焼成し、焼結体からなる誘電体層11を形成する。
【００２９】
次に、この誘電体層11の両面に、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、金属添加物を70〜85重量％、無機結合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを5.0重量％および有機ビヒクルを10〜25重量％を混合したペーストを塗布し、焼付処理をして電極層12を形成する。
【００３０】
次に、この電極層12と電気的に接続するように半田14によりリード線13を接合する。
【００３１】
最後に、エポキシ樹脂等により少なくとも誘電体層11および電極層12を覆う樹脂層15を形成して、円板型セラミックコンデンサを製造するものである。
【００３２】
以上のように構成および製造された円板型セラミックコンデンサについて、以下にその特性検討を比較する。
【００３３】
特性検討に用いる本実施例１における円板型セラミックコンデンサの電極層12のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを１重量％およびＣuを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【００３４】
比較方法は、本実施例１のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金を有する円板型セラミックコンデンサをプリント基板の回路パターン間に接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間の静電容量（ｎＦ）の変化を市販のＬＣＲを用いて、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定し、経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係により比較検討した。
【００３５】
図２は、本発明の実施例１における円板型セラミックコンデンサに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図である。
【００３６】
図に示すように、実施例１における電極層は３０００時間を経過しても殆ど容量が変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間を経過する頃から容量が低下し始めた。実施例１における電極層が容量が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【００３７】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを１重量％およびＣuを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【００３８】
（実施例２）
以下、本発明の実施例２における電子部品について、積層セラミックコンデンサを例にして説明する。
【００３９】
図３は、本発明の実施例２における積層セラミックコンデンサの断面図である。
【００４０】
図３において、21は誘電体層で、マグネニオブ酸鉛（Ｐb(ＭgＮb)Ｏ3）、酸化チタン（ＴiＯ3）、チタン酸バリウムまたは鉛系ペロブスカイト等からなるものである。この誘電体層21の内部には、高さ方向の側面に交互に露出するように内部電極層22を備えている。23は外部電極層で、誘電体層21の側面で内部電極層22と電気的に接続するように設けられている。この外部電極層23は、Ｎiメッキ層24を介して半田メッキ層25を備えている。
【００４１】
上述した外部電極層23および／または内部電極層22は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。内部電極層22にＡgアロイを用いない場合には、Ｐd、Ｐt、Ａg−Ｐd、Ａg等の貴金属、またはＮi、Ｃu、Ｆe、Ｃo等の卑金属が用いられる。
【００４２】
以上のように設けられた積層セラミックコンデンサについて、以下にその製造方法を説明する。
【００４３】
まず、ＢaＴiＯ3を主成分とする焼結体の誘電体層21を有するグリーンシートにＮiからなる内部電極層22を印刷し、グリーンシートを剥離して所望の枚数を積層した後、高さ方向の側面が交互に露出するように切断し、還元雰囲気にて焼成する。
【００４４】
次に、誘電体層21の側面で内部電極層22と電気的に接続するようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、金属添加物を70〜85重量％、無機結合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを5.0重量％および有機ビヒクルを10〜25重量％混合したペーストを塗布し、焼付処理をして外部電極層23を形成する。
【００４５】
次に、露出した外部電極層23を覆うようにＮiメッキ層24、半田メッキ層25をこの順番に形成して積層セラミックコンデンサを製造するものである。
【００４６】
以上のように構成および製造された積層セラミックコンデンサについて、以下にその特性検討を比較する。
【００４７】
特性検討に用いる本実施例２における積層セラミックコンデンサの外部電極層23のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを92.5重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣrを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【００４８】
比較方法は、本実施例２のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金の電極層を有する積層セラミックコンデンサをプリント基板の回路パターン間に共晶点半田にて接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間の静電容量（ｎＦ）の変化を市販のＬＣＲを用いて、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓで測定し、経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係により比較検討した。
【００４９】
図４は、本発明の実施例２における積層セラミックコンデンサに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図である。
【００５０】
図４に示すように、実施例１における電極層は３０００時間を経過しても殆ど容量が変化しないのに対して、比較例における電極層は２５０時間を経過する頃から容量が低下し始めた。実施例２における外部電極層の容量が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【００５１】
なお、本実施例２では外部電極層23にのみをＡgアロイにて形成したが、誘電体層にマグネニオブ酸鉛などの低温焼成材料を用い、内部電極層22にもＡgアロイを用いるとさらに湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくい積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【００５２】
また、本実施例２では、組成である「Ａgを92.5重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣrを2.5重量％からなる」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【００５３】
（実施例３）
以下、本発明の実施例３における電子部品について、チップコイルを例にして説明する。
【００５４】
図５は、本発明の実施例３におけるチップコイルの断面図である。
【００５５】
図５において、31はＩ形状の基材で、96％のアルミナ、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、チタニアまたはガラスセラミックに何れか等からなるものである。この基材31の薄肉部には、コイル導体をスパイラル状のコイル部32を備えている。また、基材31の両端面に位置する厚肉部の一方はコイル部32と電気的に接続する外部電極層33を有するとともに、厚肉部の他方も同様にコイル部32と電気的に接続する外部電極層33を備えている。さらに、基材31の薄肉部には、少なくとも露出するコイル部32を覆うように保護膜34を備えている。
【００５６】
上述したコイル部32および外部電極層33は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。
【００５７】
以上のように設けられたチップコイルについて、以下にその製造方法を説明する。
【００５８】
まず、基材31を覆うようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、金属添加物を70〜85重量％、無機結合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを5.0重量％および有機ビヒクルを10〜25重量％混合したペーストをタピネオールおよび酢酸ブチルにより希釈し、ディッピングにより数回塗布し焼付処理して、Ａgアロイ層を形成する。このＡgアロイ層のうち、基材31の両端面に位置する厚肉部は、外部電極層33に相当し、この外部電極層33は、基材31の薄肉部のＡgアロイ層と電気的に接続されている。
【００５９】
次に、基材31の両端面を保持して回転させながら基材31の薄肉部のＡgアロイ層をＹＡＧレーザにて一部を切断し、コイル部32を形成する。
【００６０】
次に、少なくとも露出するコイル部32を覆うように液状樹脂をコーティングして焼付処理して保護膜34を形成してチップコイルを製造するものである。
【００６１】
以上のように構成および製造されたチップコイルについて、以下にその特性検討を比較する。
【００６２】
特性検討に用いる本実施例３におけるチップコイルの外部電極層23のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを92.5重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣrを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【００６３】
比較方法は、本実施例３のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金の電極層を有するチップインダクタをプリント基板の回路パターン間に共晶点半田にて接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間のインダクタンス（ｎＨ）の変化を市販のＬＣＲを用いて、５００ｋＨｚで測定し、経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係により比較検討した。
【００６４】
図６は、本発明の実施例３におけるチップコイルに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係を示す図である。
【００６５】
図６に示すように、実施例３における電極層は３０００時間を経過しても殆どインダクタンスが変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間を経過する頃からインダクタンスが低下し始めた。実施例３における外部電極層のインダクタンスが変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【００６６】
なお、本実施例３ではＹＡＧレーザにて一部を切断してコイル部32を形成したが、Ａgアロイを基材31の薄肉部に薄膜プロセスによってパターニングしても同様の効果を奏する。
【００６７】
また、本実施例では、組成である「Ａgを92.5重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣrを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【００６８】
（実施例４）
以下、本発明の実施例４における電子部品について、チップビーズを例にして説明する。
【００６９】
図７は、本発明の実施例４におけるチップビーズの断面図である。
【００７０】
図７において、41は磁性体層で、ＭnＺn系フェライト、ＮiＺn系フェライトまたはＮiＺnＣu系フェライト等からなるものである。この磁性体層41の内部には、螺旋状に形成されその始端および終端は磁性体層41の側面から露出する内部電極層42を備えている。43は一対の外部電極層で、磁性体層41の側面で内部電極層42と電気的に接続するように設けられている。
【００７１】
上述した外部電極層43および／または内部電極層42は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。
【００７２】
以上のように構成されたチップビーズについて、以下にその製造方法を説明する。
【００７３】
まず、焼結助剤としてＣuを含むＮiＺn系フェライト原料粉末に対して、テルピネオールおよびエチルセルロースを重量比で100:6で混合したバインダを添加し、３本ロールを用いて混練し磁性体ペーストを作製する。さらに、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、テルピネオールおよびエチルセルロースを重量比で100:6で混合したバインダを添加して、Ａgアロイペーストを作製する。
【００７４】
次に、樹脂シートからなる支持体の上面のワーク内にスクリーン印刷により磁性体ペーストとＡgアロイペーストを交互に印刷して乾燥させて磁性体層41と、この磁性体層41の内部に内部電極層42を形成した後、焼成し、積層体を形成する。この際、内部電極層42は、螺旋状に形成されるものである。
【００７５】
次に、前工程で得られた積層体を磁性体層41の側面から露出するように切断するか、または、積層体を個片に切断し磁性体層41の側面から露出するように研磨する。
【００７６】
次に、磁性体層41の側面で内部電極層42と電気的に接続するように、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなる電極ペーストの印刷等の方法により一対の外部電極層43を形成し、チップビーズを製造するものである。
【００７７】
以上のように構成および製造されたチップビーズについて、以下にその特性検討を比較する。
【００７８】
特性検討に用いる本実施例４におけるチップビーズの内部電極層42および外部電極層43のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＳiを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【００７９】
比較方法は、本実施例４のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金の電極層を有するチップビーズをプリント基板の回路パターン間に共晶点半田にて接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間のインダクタンス（ｎＨ）の変化を市販のＬＣＲを用いて、５００ｋＨｚで測定し、経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係により比較検討した。
【００８０】
図８は、本発明の実施例４におけるチップビーズに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係を示す図である。
【００８１】
図８に示すように、実施例４における電極層は３０００時間を経過しても殆ど容量が変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間を経過する頃から容量が低下し始め、３０００時間ではインダクタンス変化率が−２．５％となった。実施例３における外部電極層の容量が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。また、Ａgアロイが化学的に安定で磁性体層に含まれる成分、特にＣu等との反応性が低いからである。
【００８２】
なお、本実施例４では１個のチップビーズで構成したが、このチップビーズを複数個からなるトランスまたはチョークコイルを形成しても同様な効果を奏するものである。
【００８３】
また、本実施例４では、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＳiを2.5重量％からなるＡgアロイ」」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【００８４】
（実施例５）
以下、本発明の実施例５における電子部品について、角チップ型抵抗器を例にあげて説明する。
【００８５】
図９は、本発明の実施例５における角チップ型抵抗器の断面図である。
【００８６】
図９において、51は基板で、アルミナ、フォルステライト、カラスセラミック等からなるものである。この基板51の上面には抵抗体層52を、Ｎi−Ｃr、酸化ルテニウム等を薄膜または厚膜により設けている。この抵抗体層52の上面の側部には、一対の上面電極層53有するとともに、少なくとも露出する部分には有機物またはガラス等の無機物からなる保護層54を備えている。また、基板51の側面には、上面電極層53と電気的に接続する一対の側面電極層55を備えている。
【００８７】
上述した上面電極層53および／または側面電極層55からなる電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。
【００８８】
以上のように構成された角チップ型抵抗器について、以下にその製造方法を説明する。
【００８９】
まず、基板51の上面にＮi−Ｃrをスパッタリングして抵抗体層52を形成する。
【００９０】
次に、抵抗体層52の上面の側部の所定箇所にＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイをスパッタリングして上面電極層53を形成する。
【００９１】
次に、少なくとも露出した抵抗体層52を覆うようにエポキシ樹脂等をスクリーン印刷し、保護層54を形成する。
【００９２】
次に、基板51の側面に上面電極層53と電気的に接続するようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを印刷またはスパッタリングにより、一対の側面電極層55を形成して、角チップ型抵抗器を製造するものである。
【００９３】
以上のように構成および製造された角チップ型抵抗器について、以下にその特性検討を比較する。
【００９４】
特性検討に用いる本実施例５における角チップ型抵抗器の上面電極層53および側面電極層55のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＮiを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【００９５】
比較方法は、本実施例５のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金の電極層を有する角チップ抵抗器をプリント基板の回路パターン間に共晶点半田にて接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間の抵抗値（Ｒ）の変化を市販の抵抗計を用いて測定し、経過時間（Ｈ）と抵抗値変化率（％）との関係により比較検討した。
【００９６】
図１０は本発明の実施例５における角チップ型抵抗器に用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と抵抗値変化率（％）との関係を示す図である。
【００９７】
図１０に示すように、実施例５における電極層は３０００時間を経過しても殆ど抵抗値が変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間を経過する頃から抵抗値が低下し始める。実施例５における外部電極層の抵抗値が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【００９８】
なお、本実施例５では基板51の上面に抵抗層52を設けさらにこの抵抗層52の上面の側部に一対の上面電極層53を備える構成としたが、基板の上面の側部に一対の上面電極層を設け、この上面電極層を跨ぐように抵抗体層を備える構成としても同様の効果を奏するものである。
【００９９】
また、本実施例では、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＮiを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１００】
（実施例６）
以下、本発明の実施例６における電子部品について、チップバリスタを例にして説明する。
【０１０１】
図１１は、本発明の実施例６におけるチップバリスタの断面図である。
【０１０２】
図１１において、61はバリスタ層で、ＺnＯ、Ｚn−Ｂi、Ｚn−ＰrまたはＳrＴiＯ3の何れかを主成分とするものである。このバリスタ層61の内部には、高さ方向の側面に交互に露出するように内部電極層62を備えている。63は外部電極層で、バリスタ層61の側面で内部電極層62と電気的に接続するように設けられている。
【０１０３】
上述した外部電極層63および／または内部電極層62は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。内部電極層22にＡgアロイを用いない場合には、Ｐd、Ｐt、Ａg−Ｐd、Ａg等の貴金属、またはＮi、Ｃu、Ｆe、Ｃo等の卑金属が用いられる。
【０１０４】
以上のように設けられたチップバリスタについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１０５】
まず、ＺnＯを主成分とする焼結体のバリスタ層61を有するグリーンシートにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなる内部電極層62を印刷し、グリーンシートを剥離して所望の枚数を積層した後、高さ方向の側面が交互に露出するように切断し、大気中にて焼成する。
【０１０６】
次に、バリスタ層61の側面で内部電極層62と電気的に接続するようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、金属添加物を70〜85重量％、無機結合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを5.0重量％および有機ビヒクルを10〜25重量％混合したペーストを塗布し、焼付処理をして外部電極層63を形成してチップバリスタを製造するものである。
【０１０７】
以上のように構成および製造されたチップバリスタについて、以下にその特性検討を比較する。
【０１０８】
特性検討に用いる本実施例６におけるチップバリスタの外部電極層63および／または内部電極層62のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを92.4重量％、Ｐdを7.5重量％およびＡuを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【０１０９】
比較方法は、本実施例６のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金の電極層を有するチップバリスタをプリント基板の回路パターン間に共晶点半田にて接続する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧１５０Ｖを印加する寿命試験を行った。比較検討項目は、回路パターン間のバリスタ電圧の変化を市販の定電流電源と電圧計を用いて、１ｍＡ印加して測定し、経過時間（Ｈ）とバリスタ電圧変化率（％）との関係により比較検討した。
【０１１０】
図１２は、本発明の実施例６におけるチップバリスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図である。
【０１１１】
図１２に示すように、実施例６における電極層は２０００時間を経過しても殆どバリスタ電圧が変化しないのに対して、比較例における電極層は２５０時間を経過する頃からバリスタ電圧が低下し、２０００時間後には大きく変化した。実施例６における外部電極層の容量が変化しないのは、電極層に用いたＡｇアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。さらに、Ａgアロイが化学的に安定なためバリスタ粒界成分と反応しにくいからでもある。
【０１１２】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを92.4重量％、Ｐdを7.5重量％およびＡuを0.1重量％からなるＡｇアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１１３】
（実施例７）
以下、本発明の実施例７における電子部品について、正特性サーミスタを例にして説明する。
【０１１４】
図１３は、本発明の実施例７における正特性サーミスタの断面図である。
【０１１５】
図１３において、71はＢaＴiＯ3等からなる正特性サーミスタである。この正特性サーミスタ71の上下面に下部電極層72および上部電極層73をこの順番に設けている。下部電極層72は、Ｎi、Ｃr、Ｔi、Ｃu、ＺnまたはＳnの少なくとも１種類からなるものである。また、上部電極層73は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなるものである。
【０１１６】
以上のように設けられた正特性サーミスタについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１１７】
まず、ＢaＴiＯ3に添加物として微量のＣa、Ｙ、Ｓi等の酸化物を、さらにＢaＣＯ3、ＴiＯ2に添加物を加えて湿式混合、乾燥し仮焼成をした後に、得られた粉体を粉砕する。その後、乾燥させ、バインダと純水を加えて造粒し、所望の大きさに成形し、焼結して正特性サーミスタ71を形成する。
【０１１８】
次に、この正特性サーミスタ71の両面に、Ｃr、Ｎiの順番にスパッタリングして下部電極層72を形成する。
【０１１９】
次に、正特性サーミスタ71が位置する側と反対側のそれぞれの下部電極層72に、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイをスパッタリングして、上部電極層73を形成して、チップサーミスタを製造するものである。
【０１２０】
以上のように構成および製造された正特性サーミスタについて、以下にその特性検討を比較する。
【０１２１】
特性検討に用いる本実施例７における正特性サーミスタの上部電極層73のＡgアロイは、Ａgを主成分としてPdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＰtを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％およびＰdを３重量％からなるＡg−Ｐd合金を用いた。
【０１２２】
比較方法は、本実施例７のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｐd合金を上部電極層に金属の圧接電極を取付け、１００Ｖの電圧を１分間印加し、１分放置する断続負荷試験を常温大気中にて行った。比較検討項目は、断続回数と２５℃での抵抗値（以下、「Ｒ25」と記す。）変化率との関係により比較検討した。
【０１２３】
図１４は、本発明の実施例７における正特性サーミスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した断続回数（回）とＲ25変化率（％）との関係を示す図である。
【０１２４】
図１４に示すように、実施例７における上部電極層は３００００回を経過しても殆どＲ25が変化しないのに対して、比較例における上部電極層は５００回を経過する頃からＲ25は大きく変化した。実施例７における上部電極層のＲ25が変化しないのは、上部電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。さらに、Ａgアロイと下部電極層72との成分が拡散せずに安定な形態を保っているからである。
【０１２５】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＰtを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１２６】
（実施例８）
以下、本発明の実施例８における電子部品について、チップサーミスタを例にして説明する。
【０１２７】
図１５は、本発明の実施例８におけるチップサーミスタの断面図である。
【０１２８】
図１５において、81はチップサーミスタ素子で、Ｍn、Ｃo、Ｎi、Ｃu等の酸化物、または、Ｌa、Ｃo、Ｂa、Ｓr、Ｍn等の酸化物からなるものである。このチップサーミスタ素子81の両面には、電極層82を備えている。また、この電極層82は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、無機結合材、有機バインダおよび有機溶剤を含む有機ビヒクルと混練して調整するものである。
【０１２９】
83はリード線で、電極層82と電気的に接合されるように半田84にて接合している。さらに、少なくとも露出するチップサーミスタ素子81と電極層82とを覆うように保護層85を、エポキシ樹脂等により設けている。
【０１３０】
以上のように設けられたチップサーミスタについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１３１】
まず、Ｍｎ3Ｏ4、ＮiＯ、Ｃo3Ｏ4およびＣuＯからなる焼結体を所定量秤量し、湿式混合、乾燥させ仮焼成した後に、湿式粉砕し乾燥させる。その後、バインダと純水を加えて造粒し、所望量の大きさに成形し、焼成してチップサーミスタ素子81を形成する。この際、チップサーミスタ素子81の組成は、抵抗値や温度特性を調整するためにＳi、Ａl、Ｆe、Ｃr、Ｚr、Ｙ等の酸化物を添加しても良い。
【０１３２】
次に、チップサーミスタ素子81の両面に、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡｇアロイに、無機結合材、有機バインダおよび有機溶剤を含む有機ビヒクルと混練して調整したペーストにより印刷、乾燥後に焼付けて電極層82を形成する。
【０１３３】
次に、電極層82と電気的に接合されるように83はリード線を半田84にて接合する。
【０１３４】
次に、少なくとも露出するチップサーミスタ素子81と電極層82とを覆うようにエポキシ樹脂等を塗布、乾燥させて保護層85を形成し、ペロブスカイト構造を有するサーミスタを製造するものである。
【０１３５】
以上のように構成および製造されたチップサーミスタについて、以下にその特性検討を比較する。
【０１３６】
特性検討に用いる本実施例８におけるチップサーミスタの電極層82のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを94.5重量％、Ｐdを0.5重量％、Ｃuを2.5重量％およびＣrを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを99.8重量％、Ｃuを0.1重量％およびＣrを0.1重量％からなるＡg−Ｃu−Ｃr合金を用いた。
【０１３７】
比較方法は、本実施例７のＡgアロイおよび比較例のＡg−Ｃu−Ｃr合金の電極層を有するチップサーミスタをプリント基板に半田にて実装し、恒温恒湿層にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において直流で０.２５Ｗの定電力を印加して行った。比較検討項目は、経過時間（Ｈ）と２５℃でのＲ25変化率（％）との関係により比較検討した。
【０１３８】
図１６は、本発明の実施例８におけるチップサーミスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｃu−Ｃr合金とを比較した断続回数（回）とＲ25変化率（％）との関係を示す図である。
【０１３９】
図１６に示すように、実施例８における上部電極層は３０００時間を経過しても殆どＲ25が変化しないのに対して、比較例における上部電極層は１０００時間を経過する頃からＲ25は大きく変化した。実施例７における上部電極層のＲ25が変化しないのは、上部電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。さらに、Ａgアロイがチップサーミスタに拡散しにくいからである。
【０１４０】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを94.5重量％、Ｐdを0.5重量％、Ｃuを2.5重量％およびＣrを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１４１】
（実施例９）
以下、本発明の実施例９における電子部品について、圧電素子を例にして説明する。
【０１４２】
図１７は、本発明の実施例９における圧電素子の断面図である。
【０１４３】
図１７において、91は圧電体で、Ｐb（Ｚr、Ｔi）Ｏ3を主成分とする厚みすべりモードを有するものである。この圧電体91の上下面に下部電極層92および上部電極層93をこの順番に設けている。下部電極層92は、Ｎi、Ｃr、Ｔi、Ｃu、ＺnまたはＳnの少なくとも１種類からなるものである。また、上部電極層93は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなるものである。
【０１４４】
以上のように設けられた圧電素子について、以下にその製造方法を説明する。
【０１４５】
まず、ＰbＯ、ＴiＯ2およびＺrＯ2とかなる主成分に、Ｃr2Ｏ3、ＭnＣＯ3、ＣaＣＯ3、およびＳiＯ2を所定量秤量し、ボールミルにより混合する。その後、仮焼成しボールミルにより粉砕し、乾燥させた後、結合材としてポリビニルアルコール水溶液を加えて造粒した後、加圧成形し、成形体を得る。さらに、成形体を閉炉中で焼成し圧電磁器矩形板を形成する。
【０１４６】
次に、圧電磁器矩形板矩形板をラッピングして圧電磁器とし、両面に銀電極を焼付けシリコンオイル中で直流電界を印加して分極処理、熱処理をする。その後、厚み方向にスライスして、圧電体91を形成する。
【０１４７】
次に、圧電体91の両面に、Ｎi、Ｃr、Ｔi、Ｃu、ＺnまたはＳnの少なくとも１種類をスパッタリングして下部電極層92を形成する。
【０１４８】
次に、圧電体91が位置する側と反対側のそれぞれの下部電極層92に、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイをスパッタリングして、上部電極層93を形成して、圧電素子を製造するものである。
【０１４９】
以上のように構成および製造された圧電素子について、以下にその特性検討を比較する。
【０１５０】
特性検討に用いる本実施例９における圧電素子の上部電極層93のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを98.7重量％、Ｐdを1.0重量％、Ｃuを0.1、Ｓiを0.1およびＣrを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを97重量％、Ｃuを0.1重量％およびＳiを0.1重量％からなるＡg−Ｃu−Ｓi合金を用いた。
【０１５１】
比較方法は、下部電極層92を有する圧電素子91に本実施例９のＡｇアロイおよび比較例のＡg−Ｃu−Ｓi合金を上部電極層を形成する。比較検討項目は、経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係により比較検討した。
【０１５２】
図１８は、本発明の実施例９における圧電素子に用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｃu−Ｓi合金とを比較した経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係を示す図である。
【０１５３】
図１８に示すように、実施例９における上部電極層は５００時間を経過しても殆ど変化しないのに対して、比較例における上部電極層は５００時間経過する頃から共振周波数変化率が大きく変化した。実施例９における上部電極層の共振周波数変化率が変化しないのは、上部電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【０１５４】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを98.7重量％、Ｐdを1.0重量％、Ｃuを0.1、Ｓiを0.1およびＣrを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１５５】
（実施例１０）
以下、本発明の実施例１０における電子部品について、チップ圧電素子を例にして説明する。
【０１５６】
図１９は、本発明の実施例１０におけるチップ圧電素子の断面図である。
【０１５７】
図１９において、101は圧電体層で、主成分はＰbＴiＺrＯ3系を主成分とするものである。この圧電体層101の内部には、高さ方向の側面に交互に露出するように内部電極層102を備えている。103は外部電極層で、圧電体層101の側面で内部電極層102と電気的に接続するように設けられている。
【０１５８】
上述した外部電極層103および／または内部電極層102は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを用いるものである。内部電極層102にＡgアロイを用いない場合には、Ｐd、Ｐt、Ａg−Ｐd、Ａg等の貴金属、またはＮi、Ｃu、Ｆe、Ｃo等の卑金属が用いられる。
【０１５９】
以上のように設けられたチップ圧電素子について、以下にその製造方法を説明する。
【０１６０】
まず、ＰbＴiＺrＯ3系を主成分とする材料により作製するスラリーをドクターブレード法によりシート成形を行い、得られたグリーンシート状の圧電体層101に所望の形状の内部電極層102を形成するペーストを印刷する。この際、内部電極層102は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡｇアロイ、または、Ｐd、Ｐt、Ａg−Ｐd、Ａg等の貴金属、またはＮi、Ｃu、Ｆe、Ｃo等の卑金属からなるものである。
【０１６１】
次に、内部電極層102を有するグリーンシート状の圧電体層101を所望の枚数積層し、焼成する。その後、積層方向の側面に交互に露出するように内部電極層102を有するように個片に切断するか、または、個片に切断した後、積層方向の側面に交互に露出するように内部電極層102研磨する。
【０１６２】
次に、圧電体層101の側面で内部電極層102と電気的に接続するようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイに、金属添加物を70〜85重量％、無機結合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを3.0重量％および有機ビヒクルを10〜25重量％混合したペーストを塗布し、焼付処理をして外部電極層103を形成した後、外部電極103間に電圧を印加しシリコンオイル中で分極してチップ圧電素子を製造するものである。
【０１６３】
以上のように構成および製造されたチップ圧電素子について、以下にその特性検討を比較する。
【０１６４】
特性検討に用いる本実施例１０におけるチップ圧電素子の外部電極層102および／または内部電極層102のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを98.9重量％、Ｐdを1.0重量％およびＣuを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａgを100重量％」を用いた。
【０１６５】
比較方法は、本実施例１０のＡgアロイおよび比較例のＡgを電極層に相当するように焼結された圧電体層に設けた回路パターン間に形成する。その後、恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において回路パターン間に直流電圧５０Ｖを印加し、圧電素子の変化量を測定した。比較検討項目は、経過時間（Ｈ）と変位量（μｍ）との関係により比較検討した。
【０１６６】
図２０は、本発明の実施例１０におけるチップ圧電素子に用いるＡgアロイと比較例であるＡgとを比較した経過時間（Ｈ）と変位量（μｍ）との関係を示す図である。
【０１６７】
図２０に示すように、実施例１０における電極層は１０００時間を経過しても殆ど変位量が変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間を経過する頃から変位量が変化し、１０００時間後には大きく変化した。実施例１０における電極層の容量が変化しないのは、電極層に用いたＡｇアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。さらに、Ａgアロイにて電極層を形成するときに圧電体層と反応しにくく安定であるからである。
【０１６８】
なお、本実施例では、組成である「Ａgを98.9重量％、Ｐdを1.0重量％およびＣuを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１６９】
（実施例１１）
以下、本発明の実施例１１における電子部品について、弾性表面波フィルタを例にして説明する。
【０１７０】
図２１は、本発明の実施例１１における弾性表面波フィルタの断面図である。
【０１７１】
図２１において、111は圧電性基板で、ＳＨモードの擬似表面波を伝搬する３６°回転Ｙ軸切断、Ｘ軸切断伝搬のＬiＴaＯ3、水晶、ＬiＮbＯ3、Ｌi2Ｂ4Ｏ7またはＺnＯ等からなるものである。この圧電性基板111の上面の側部には一対のランド電極113を、このランド電極層113と電気的に接続する櫛形電極層112とを備えている。ランド電極層113および／または櫛形電極層112からなる電極層は、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイからなるものである。
【０１７２】
以上のように設けられた弾性表面波フィルタについて、以下にその製造方法を説明する。
【０１７３】
まず、ＳＨモードの擬似表面波を伝搬する３６°回転Ｙ軸切断、Ｘ軸切断伝搬のＬiＴaＯ3からなる圧電性基板111の上面にＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを成膜した後、フォトリソグラフィによりパターニングして櫛形電極層112を形成する。
【０１７４】
次に、この櫛形電極層112に電気的に接続するように圧電性基板111の側部にＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイをスパッタリングした後、リフトオフ法によりパターンニングしてランド電極層113を形成して、弾性表面波フィルタを製造するものである。
【０１７５】
以上のように構成および製造された弾性表面波フィルタについて、以下にその特性検討を比較する。
【０１７６】
特性検討に用いる本実施例１１における弾性表面波フィルタのランド電極層113および／または櫛形電極層112のＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＣuを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａlを100重量％」を用いた。
【０１７７】
比較方法は、本実施例１１のＡgアロイおよび比較例のＡlからなる電極層を有する弾性表面波フィルタをセラミックからなるパッケージにワイヤーボンディングにより接続した後、樹脂封止したものを恒温恒湿漕にて６５℃、相対湿度９５％の雰囲気中において所定時間放置し寿命試験を実施し、その後の不良率（％）を測定した。
【０１７８】
図２２は、本発明の実施例１１における弾性表面波フィルタに用いるＡgアロイと比較例であるＡlとを比較した経過時間（Ｈ）と不良率（％）との関係を示す図である。
【０１７９】
図２２に示すように、実施例１１における電極を用いた弾性表面波フィルタは５００時間を経過しても不良率が低いのに対して、比較例における電極を用いた弾性表面波フィルタは２００時間を経過する頃から急速に不良率が増加した。実施例１１の不良率が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。さらに、Ａgアロイにて電極層を形成するときに圧電体層と反応しにくく安定であるからである。
【０１８０】
なお、本実施例１１では単相膜からなる電極層について説明したが、ＡlまたはＡl合金を下層電極にＡgアロイを上層電極層や中間電極層とした多層構造としても同様の効果を奏するものである。
【０１８１】
また、本実施例では、組成である「Ａgを96.5重量％、Ｐdを1.0重量％およびＣuを2.5重量％からなるＡgアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１８２】
（実施例１２）
以下、本発明の実施例１２における電子部品について、多層配線基板を例にして説明する。
【０１８３】
図２３は、本発明の実施例１２における多層配線基板の断面図である。
【０１８４】
図２３において、131は多層基板で、Ｂa、Ｎb、Ｔi系の高周波セラミック、ガラスセラミック、エポキシ、ポリイミドまたはアラミド等からなるものである。
この多層基板131の内部には回路パターンを構成する複数個の内層電極層132および上下間の内層電極層132を電気的に接続するビア電極層134とを備えている。また、多層基板131の上面には、所望のビア電極層134と電気的に接続するものである。
【０１８５】
以上のように設けられた多層配線基板について、以下にその製造方法を説明する。
【０１８６】
まず、主成分であるＢaＣＯ3、Ｎd2Ｏ3、ＴiＯ3および所望量の焼結助剤を秤量し、ジルコニア玉石および純水とともにボールミルで混合してスラリーとする。その後、スラリーを乾燥させ坩堝に入れ仮焼成し、解砕した後、再度ボールミルで粉砕して乾燥させて第１成分の粉末とする。また、第２成分として、Ｓi−Ｂ−Ｃa−Ｂa等からなるガラスを用意する。その後、第１成分および第２成分の粉末を、８：２の割合で秤量し、ボールミルにて湿式混合しスラリーとし、このスラリーをドクターブレード法にてシート成形し乾燥させシートとする。
【０１８７】
次に、このシートにパンチングしてビアを形成し、このビアをＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを印刷、焼成または硬化させてビア電極層134を形成する。
【０１８８】
また、シートに所望の回路パターンとなるようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを印刷、焼成または硬化させて内層電極層132を形成する。
【０１８９】
次に、ビア電極層134を有するシート、内層電極層132を有するシートおよびシートを所望の枚数積層した後、熱プレスをして積層体を形成する。
【０１９０】
次に、この積層体の上面にビア電極層134と電気的に接続するようにＡgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるＡgアロイを印刷、焼成または硬化させて表層電極層133を形成して多層配線基板を製造するものである。本実施例においては一例としてＬＣフィルタを基板に内装した。
【０１９１】
以上のように構成および製造された多層配線基板について、以下にその特性検討を比較する。
【０１９２】
特性検討に用いる本実施例１２における多層配線基板の電極層に用いるＡgアロイは、Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなるもののうち、組成である「Ａgを94.9重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣuを0.1重量％からなるＡgアロイ」を用いる。比較例の電極層としては、「Ａlを100重量％」を用いた。
【０１９３】
比較方法は、本実施例１２のＡgアロイおよび比較例のＡgからなる多層配線基板を形成する。比較検討項目は、経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係により比較検討した。
【０１９４】
図２４は、本発明の実施例１２における多層配線基板に用いるＡgアロイと比較例であるＡgとを比較した経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係を示す図である。
【０１９５】
図２４に示すように、実施例１２における電極層は５００時間を経過しても殆ど変化しないのに対して、比較例における電極層は５００時間経過する頃から共振周波数変化率が大きく変化した。実施例１２における電極層の共振周波数変化率が変化しないのは、電極層に用いたＡgアロイが湿度に対して安定でイオンマイグレーションが発生しにくいからである。
【０１９６】
なお、本実施の形態における表層電極層133を、フェイスダウン可能な素子を実装するパンプ電極としても同様の効果を奏するものである。
【０１９７】
また、本実施例では、組成である「Ａgを94.9重量％、Ｐdを5.0重量％およびＣｕを0.1重量％からなるＡｇアロイ」を用いて説明したが、Ａgアロイは、「Ａgを主成分としてＰdを0.1〜5.0重量％とＣu、Ｓi、Ｃr、Ｔi、Ｎi、Ａuのうち少なくとも１種類を0.1〜5.0重量％とを合金化または混合してなる」ものであれば同様の効果を奏するものである。
【０１９８】
【発明の効果】
以上のように本発明は、各種電子部品の電極層にＡgアロイにより構成することにより、耐候性に優れるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施例１における円板型セラミックコンデンサの横方向から見た断面図、
（ｂ）同縦方向から見た断面図、
【図２】同円板型セラミックコンデンサに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図、
【図３】本発明の実施例２における積層セラミックコンデンサの断面図、
【図４】同積層セラミックコンデンサに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図、
【図５】本発明の実施例３におけるチップコイルの断面図、
【図６】チップコイルに用いるＡgアロイと比較例であるＡｇ−Ｐｄ合金とを比較した経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係を示す図、
【図７】本発明の実施例４におけるチップビーズの断面図、
【図８】チップビーズに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）とインダクタンス変化率（％）との関係を示す図、
【図９】本発明の実施例５における角チップ型抵抗器の断面図、
【図１０】同角チップ型抵抗器に用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と抵抗値変化率（％）との関係を示す図、
【図１１】実施例６におけるチップバリスタの断面図、
【図１２】同チップバリスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した経過時間（Ｈ）と容量変化率（％）との関係を示す図、
【図１３】本発明の実施例７におけるチップサーミスタの断面図、
【図１４】同チップサーミスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｐd合金とを比較した断続回数（回）とＲ25変化率（％）との関係を示す図、
【図１５】本発明の実施例８におけるペロブスカイト構造を有するサーミスタの断面図、
【図１６】同ペロブスカイト構造を有するサーミスタに用いるＡgアロイと比較例であるＡg−Ｃu−Ｃr合金とを比較した断続回数（回）とＲ25変化率（％）との関係を示す図、
【図１７】本発明の実施例９における圧電素子の断面図、
【図１８】同圧電素子に用いるＡｇアロイと比較例であるＡg−Ｃu−Ｓi合金とを比較した経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係を示す図、
【図１９】本発明の実施例１０におけるチップ圧電素子の断面図、
【図２０】同チップ圧電素子に用いるＡｇアロイと比較例であるＡgとを比較した経過時間（Ｈ）と変位量（μｍ）との関係を示す図、
【図２１】本発明の実施例１１における弾性表面波フィルタの断面図、
【図２２】同弾性表面波フィルタに用いるＡgアロイと比較例であるＡlとを比較した経過時間（Ｈ）と不良率（％）との関係を示す図、
【図２３】本発明の実施例１２における多層配線基板の断面図、
【図２４】同多層配線基板に用いるＡgアロイと比較例であるＡgとを比較した経過時間（Ｈ）と共振周波数変化率（％）との関係を示す図である。
【符号の説明】
11、21  誘電体層
12、82  電極
13、83  リード線
15  エポキシ樹脂
22、42、62  内部電極
23、33、43、63  外部電極
31  基材
32  コイル部
41  磁性体層
51  基板
52  抵抗体層
53  上面電極
54、85  保護層
55  側面伝搬
61  バリスタ層
71、81  正特性サーミスタ
91、101  圧電体
102  内部電極層
103  外部電極層
111  圧電性基板
112  櫛形電極層
113  ランド電極層
131  多層基板
132  内層電極層
133  表層電極層
134  ピア電極層
【図１】
0004748831.tif 000010
【図２】
0004748831.tif 000011
【図３】
0004748831.tif 000012
【図４】
0004748831.tif 000013
【図５】
0004748831.tif 000014
【図６】
0004748831.tif 000015
【図７】
0004748831.tif 000016
【図８】
0004748831.tif 000017
【図９】
0004748831.tif 000018
【図１０】
0004748831.tif 000019
【図１１】
0004748831.tif 000020
【図１２】
0004748831.tif 000021
【図１３】
0004748831.tif 000022
【図１４】
0004748831.tif 000023
【図１５】
0004748831.tif 000024
【図１６】
0004748831.tif 000025
【図１７】
0004748831.tif 000026
【図１８】
0004748831.tif 000027
【図１９】
0004748831.tif 000028
【図２０】
0004748831.tif 000029
【図２１】
0004748831.tif 000030
【図２２】
0004748831.tif 000031
【図２３】
0004748831.tif 000032
【図２４】
0004748831.tif 000033