(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が基板上に搭載され、前記発光素子が透光性の樹脂層により封止された発光装置の製造方法であって、
複数個の発光素子が上面に搭載されて樹脂層により封止された状態の基板上の全面に親水化処理を施す第１の工程と、
前記親水化処理後に前記樹脂層および基板の表面に洗浄水を流しながら前記発光素子を避けた位置で前記樹脂層および基板を切断し、発光装置に分割する第２の工程と、
を具備することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記親水化処理は、プラズマ処理であることを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程は、まず、前記樹脂層を第１のダイシング・ブレードにより切断し、次に、前記配線基板を第２のダイシング・ブレードにより切断することを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のダイシング・ブレードの厚みは第２のダイシング・ブレードの厚みよりも厚いことを特徴とする請求項３記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記樹脂層および配線基板を同一のダイシング・ブレードにより連続的に切断することを特徴とする請求項１記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
発光素子と、
前記発光素子が搭載された基板と、
前記基板上の発光素子を封止した透光性の樹脂層と、
を具備する発光装置であって、前記基板および樹脂層は、表面が親水化処理されており、前記発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された端面を有し、当該各端面が揃っていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
発光素子と、
前記発光素子が搭載された基板と、
前記基板上の発光素子を封止した透光性の樹脂層と、
を具備する発光装置であって、前記基板および樹脂層は、表面が親水化処理されており、前記発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された端面を有し、当該各端面のうち樹脂層の端面は基板の端面よりも発光素子側に後退していることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
発光素子と、
前記発光素子が搭載された基板と、
前記基板上の発光素子を封止した透光性の樹脂層と、
を具備する発光装置であって、前記基板および樹脂層は、表面が親水化処理されており、前記発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された端面を有し、前記樹脂層の端面は前記基板の端面よりも外側に突出していることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記樹脂層は、シリコーン樹脂が用いられており、当該樹脂層の表面はプラズマ処理によってガラス状に改質されていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法および発光装置に係り、特に基板上に半導体発光素子が搭載されて樹脂層により封止された構造を有する発光装置のダイシング方法および発光装置の樹脂封止構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置を製造する際、一例として、配線基板上に複数の発光素子が搭載されて樹脂層により封止（被覆）された状態から個々の発光装置に分割する方法がある。この分割のために樹脂層および配線基板を切断する際、通常は、ダイシング・ブレードを用いた切削に伴って発生する摩擦熱の除去、潤滑性の付与、樹脂や基板に由来する切削屑の除去等を目的として、ダイシング・ブレードの近傍に開口されたノズルから切削部近傍に純水を流しながら行うことによって切削屑を流去している。
【０００３】
しかし、切削部や基板表面の一部が一時的に乾燥することがあり、その乾燥領域では樹脂の切削屑が樹脂層の切断面や基板上の配線パターン上に付着して固着してしまい、基板分割後の発光デバイスに切削屑が固着したまま残存する。結果として、発光装置の信頼性や歩留りを低下させ易く、特にＬＥＤチップの上面および側面から光を取り出す場合の取り出し効率を著しく低下させるという問題がある。
【０００４】
なお、特許文献１，２等には、素子形成後の半導体ウェハをチップに分割するダイシング中に発生する切削屑のデバイス上への固着を防止することにより、デバイスの組み立て後の歩留りを改善する技術が開示されている。例えば特許文献１には、Ｏ2 プラズマ処理によりウェハの表面を親水化した後にウェハ表面に純水を流しながらダイシングを行うことにより、切削屑を流去する。この際、ダイシング中のウェハ表面に乾燥領域が発生しなくなり、切削屑を効果的に除去できる。
【特許文献１】特開平５−３３５４１２号公報
【特許文献２】特開２００５−２０３６７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、前述したような半導体ウェハのダイシング工程は、基板上に複数の発光素子が搭載されて樹脂層により封止された状態から個々の発光装置に分割する工程とは異なり、素子封止樹脂層の切削屑が発生する余地はなく、発光素子を実装する基板自体および発光素子の封止に適切な樹脂層に対する切削屑の対策を特に必要とするものではない。
【０００６】
本発明者は、基板上に複数の発光素子が搭載されて樹脂層により封止された状態から個々の発光装置に分割するために樹脂層および基板の切断を行う際に、樹脂層の切削屑が樹脂層の切断面や基板上の配線パターンに固着し、発光装置の信頼性の低下や、発光素子チップからの光の取り出し効率を著しく低下させるという問題に適切な対策を講じることの重要性を感じた。
【０００７】
そこで、本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、素子封止樹脂層の切削屑の固着を十分に抑制することができ、信頼性、歩留り、光の取り出し効率の低下を防止し得る発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止し得る発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の発光装置の製造方法は、発光素子が基板上に搭載され、前記発光素子が透光性の樹脂層により封止された発光装置の製造方法であって、発光素子が上面に搭載されて樹脂層により封止された状態の基板上の全面に親水化処理を施す第１の工程と、前記親水化処理後に前記樹脂層および基板の表面に洗浄水を流しながら前記発光素子を避けた位置で前記樹脂層および基板を切断し、発光装置に分割する第２の工程と、を具備する。ここで、樹脂層および基板を別々のダイシング・ブレードにより順次に切断する場合と、樹脂層および基板を同じダイシング・ブレードにより連続的に切断する場合がある。
【００１０】
本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子が搭載された基板と、前記基板上の発光素子を封止した発光素子と、を具備する発光装置であって、前記基板および樹脂層は、表面が親水化処理されており、前記発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された端面を有する。ここで、樹脂層および基板は、各切断端面が揃っている場合と、樹脂層の端面が基板の端面よりも発光素子側に後退している場合と、樹脂層の端面が基板の端面よりも突出している場合がある。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発光装置の製造方法によれば、発光素子が上面に搭載されて当該発光素子チップが樹脂層により封止された状態の基板上の全面に親水化処理を施した後にダイシングを行うので、ダイシング中に樹脂層および基板により生じる切削屑が、樹脂層および基板の表面へ固着することを防止することができ、信頼性と歩留りが著しく改善された発光装置を製造することができる。二段階のダイシングより、一段階のダイシングの方が、製造に要する時間を短縮することができる。
【００１２】
請求項２の製造方法によれば、プラズマ処理により容易に親水化処理を行うことが可能になる。
【００１３】
請求項３の製造方法によれば、樹脂層および基板を切断する際、まず、樹脂層を第１のダイシング・ブレードにより切断し、次に、基板を第２のダイシング・ブレードにより切断することにより、切断対象に応じて適切なダイシング・ブレードを使用することができる。
【００１４】
請求項４の製造方法によれば、第１のダイシング・ブレードの厚みを第２のダイシング・ブレードの厚みよりも厚くすることにより、樹脂層の端面が基板の端面よりも発光素子側に後退した状態で維持される。この場合、切断時に発生した切削屑が基板および樹脂層の境界部分に付着し難くなり、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止することができる。仮に、切断後に樹脂層が熱などにより膨脹したとしても、その切断面が基板の切断面と揃うようになる。このように、樹脂層の端面が基板の端面より外側に突出するおそれがなくなり、発光装置のサイズを規格内に維持することができる。
【００１５】
請求項５の製造方法によれば、樹脂層および基板を切断する際、樹脂層および配線基板を同一のダイシング・ブレードにより連続的に切断することにより、樹脂層および基板を簡単に、かつ短時間で切断することができる。
【００１６】
請求項６の発光装置によれば、基板および樹脂層の表面が親水化処理されており、発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された基板および樹脂層の各端面が揃っているので、複数の発光装置を高密度に実装することができる。これは基板より樹脂層が突出していないので、基板を高密度に実装した場合でも隣り合う樹脂層が互いに干渉することがないからである。
【００１７】
請求項７の発光装置によれば、基板および樹脂層の表面が親水化処理されており、発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された基板および樹脂層の各端面のうち、樹脂層の端面は基板の端面よりも発光素子側に後退しているので、樹脂層が熱などにより膨脹してもその端面が基板の端面より外側に突出するおそれがなくなり、発光装置のサイズを規格内に維持することができる。
【００１８】
請求項８の発光装置によれば、発光素子から出射された光が樹脂層を透過するに際し、その透過距離を長くすることができる。樹脂層に蛍光物質が含有されている場合は、色調を変えることができる。
【００１９】
請求項９の発光装置によれば、樹脂層はシリコーン樹脂が用いられており、樹脂層の表面がプラズマ処理によってガラス状に改質されているので、切断時に発生した切削屑が基板および樹脂層の表面に付着し難くなり、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。この説明に際して、全図にわたり共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００２１】
前記基板および樹脂層の端面に付着した切屑の数は、１０μｍ以上の切屑が０個／mm2 であることが好ましい。基板および樹脂層の端面に付着した切屑の数を規定することにより、光の取り出し効率の低下を防止することができる。
【００２２】
前記発光素子は発光ダイオードチップであり、前記樹脂層はシリコーン樹脂であることが好ましい。発光素子が発光ダイオードチップであり、樹脂層がシリコーン樹脂である組み合わせを用いることにより、本発明を実際的な製品に容易に適用することができる。
【００２３】
前記樹脂層に蛍光物質を混合することもできる。これにより発光素子の発光色と蛍光物質の発光色との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。また、蛍光物質の含有量または種類を代えることにより、実現可能な色調範囲を拡げることが可能になる。また、樹脂の膜厚を調節することにより、色調を容易に調節することが可能になる。
【００２４】
＜第１の実施形態＞
図１乃至図３は、本発明の発光素子の第１の実施形態に係るＬＥＤデバイスの製造工程の一部であって、基板上に実装された複数個のＬＥＤチップを樹脂により封止する樹脂封止工程と、封止後の親水化処理工程と、樹脂層および基板の切断工程の一例を概略的に示している。図４（ａ）および（ｂ）は、樹脂層および基板の分割により得られたＬＥＤデバイスの断面構造の例を概略的に示している。図１乃至図４において、１は基板、２はＬＥＤチップ、３は光あるいは熱などによる硬化性と透光性を有する樹脂、４は第１のダイシング・ブレード、５は第２のダイシング・ブレードである。ここで、ダイシング・ブレード（ダイシングソー）は、例えばダイヤモンド製の刃先を有し、その回転によって後述するように樹脂層、基板を切断するものである。
【００２５】
次に、図１乃至図４を参照しながらＬＥＤデバイスの製造工程を詳しく説明する。まず、図１に示すように、大きな基板１上に複数個のＬＥＤチップ２を例えば行列状の配置で実装する。この際、ＬＥＤチップ２をフェイスダウン状態で実装する場合には、例えば基板上の配線パターン部とＬＥＤチップの電極部とが金属バンプ（図示せず）を介して接合するようにフリップチップ接続する。あるいは、ＬＥＤチップ２をフェイスアップ状態で実装する場合には、ＬＥＤチップの電極部と基板１上の配線パターン部とを導電性ボンディングワイヤ（図示せず）を介して接続する。
【００２６】
次に、樹脂層３を例えばスクリーン印刷してＬＥＤチップ２の外面を封止する。このようにＬＥＤチップ２が樹脂層３により封止された状態の基板１上の全面に親水化処理を施す。この際、例えばシリコーン樹脂層を用い、親水化処理をプラズマ処理により行った場合には、樹脂層の表面はガラス状に改質される。
【００２７】
上記親水化処理の後に、例えば図１中に点線Ａで示す切断予定位置で樹脂層および基板のダイシングを行い、複数のＬＥＤデバイスに分割する。この際、まず、図２（ａ）に示すように、切断予定位置で樹脂層表面の切削部に洗浄水（通常は純水）を流しながらＬＥＤチップ２を避けた切断予定位置で樹脂層を第１のダイシング・ブレード４により切断する。この後、第１のダイシング・ブレード４を上方へ引き上げる。この際、樹脂層は切断時にダイシング・ブレードに押されて少し縮むが、第１のダイシング・ブレード４を引き上げると、図２（ｂ）に示すように、樹脂層は縮んだ分だけ伸びるが、切断部分に対応して隙間が生じた状態になる。
【００２８】
次に、図３に示すように、前記第１のダイシング・ブレード４に代えて第２のダイシング・ブレード５を用い、再び前記切断予定位置で基板表面の切削部に洗浄水を流しながら基板の厚み方向の全体を切削して基板を切断した後、第２のダイシング・ブレード５を上方へ引き上げる。
【００２９】
上記したように樹脂層および基板の分割に際して、全面に親水化処理が施されているので、洗浄水は樹脂層表面および基板表面を均一に広がりながら常に流れるようになり、局所的な乾燥領域が発生することがなく、しかも、切断部近傍で発生した切削屑は直ちに水流に乗って流去される。したがって、樹脂層および基板の切削屑が樹脂層の切断面や基板上の配線パターンに付着して固着することがないので、光の取り出し効率が著しく低下することなく、ＬＥＤデバイスの歩留りを改善することができる。
【００３０】
また、親水化処理は、Ａｒプラズマに限られるものではなく、基板や樹脂層の材料に応じて、Ｏ2 プラズマ，Ｈ2 プラズマ，Ｎ2 プラズマ、大気プラズマ、ＵＶオゾン洗浄等を適宜選択して用いても構わない。また、第２のダイシング・ブレードにより切削して基板を切断した後、さらに、図１中に点線Ｂで示すように基板上のＬＥＤチップ配列の各列間で基板を切断するようにしてもよい。また、基板の切断に際して、基板の材質によっては、基板の厚み方向の途中まで切削溝を形成した後、最終的な基板の分割を機械的な破断により一括して行うようにしてもよい。
【００３１】
また、樹脂層および基板の分割に際して、第１のダイシング・ブレードの厚みを第２のダイシング・ブレードの厚みよりも厚くすることにより、切断後に樹脂層が熱などにより膨脹したとしても、図４（ａ）に示すように樹脂層の切断面が基板の切断面と揃うようになる、または、図４（ｂ）に示すように樹脂層の端面が基板の端面よりも発光素子側に後退した状態で維持される。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように樹脂層の端面が基板の端面よりも発光素子側に後退した状態になっていると、切断時に発生した切削屑が基板および樹脂層の境界部分に付着し難くなり、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止することができる。また、図４（ｂ）に示すように樹脂層の端面が基板の端面よりも発光素子側に後退していると、使用段階で樹脂層が熱などにより膨脹したとしても、樹脂層の端面が基板の端面より外側に突出するおそれがなくなり、発光装置のサイズを規格内に維持することができる。
【００３３】
また、樹脂層に蛍光物質を混合させるようにしてもよい。この蛍光物質は、ＬＥＤチップから放出される光を吸収して励起され、ＬＥＤチップの発光色とは異なる色（例えば補色関係を有する）の発光を行う。これにより、ＬＥＤチップの発光色と蛍光物質の発光色との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。さらに、蛍光物質の含有量または種類を代えることにより、実現可能な色調範囲を拡げることが可能になる。さらに、透光性樹脂の膜厚を調節し、色調を容易に調節することが可能になる。
【００３４】
以下、上記した樹脂封止工程における各構成要素について詳述する。
【００３５】
（基板１）  基板は、ＡｌＮ基板、アルミナセラミックス基板、ガラスエポキシ基板、などの絶縁基板上に金属箔による配線パターン（図示せず）あるいは接続端子部を有し、さらに必要に応じて所望の回路（図示せず）が形成されており、上面に搭載されるＬＥＤチップと配線パターンあるいは接続端子部が電気的に接続される。なお、Ｓｉ基板を用いてもよい。
【００３６】
（ＬＥＤチップ２）  ＬＥＤチップは、４６０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の発光素子、４１０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ青紫色発光の発光素子、３６５ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つ紫外線発光の発光素子などを使用することができる。また、緑色発光の発光素子、青緑色発光の発光素子、橙色発光の発光素子、赤色発光の発光素子、赤外線発光の発光素子などを使用することもできる。
【００３７】
ＬＥＤチップ２の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法等によって基板上にＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物半導体を発光層として形成させたもの、一例として、サファイア基板上にｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順次に積層された構造のものを使用する。また、半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。半導体の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることができる。また、活性層には、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ、Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。ＬＥＤチップの発光波長は、その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか、または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより、紫外領域から赤色まで変化させることができる。
【００３８】
そして、ＬＥＤチップ２は、アノード（ｐ電極）・カソード（ｎ電極）に対応する一対の電極（パッド電極、パッド端子）を有し、一対の電極が配線基板１上の配線パターンに電気的に接続された状態で実装されている。
【００３９】
ここで、フェイスダウン実装の場合には、例えば配線基板上の配線パターン部（あるいは導電パターン、リード電極）とＬＥＤチップのパッド電極とが金属バンプ（例えば金バンプ）により接合されてフリップチップ接続されている。なお、フェイスダウン実装に際して、上記例に限らず、配線基板上の導電パターンとＬＥＤチップのパッド電極との間が半田を用いて超音波接合された構造、金、銀、パラジウム、ロジウム等の導電性ペースト、異方性導電ペースト等を用いて接合された構造など、種々の形態を採用できる。
【００４０】
一方、フェイスアップ実装の場合には、配線基板上にＬＥＤチップが載置されてダイボンディングにより固着され、ＬＥＤチップの一対の電極と配線基板上の配線とが導電性ワイヤ（図示せず）によりボンディング接続されている。なお、フェイスアップ実装における配線基板とＬＥＤチップとの接続は上記例に限らず樹脂接合、金属接合など種々の形態を採用できる。
【００４１】
（樹脂３）  透光性の樹脂は、ＬＥＤチップ２からの光を効率よく外部に発するために、高い光の透過性が要求される。樹脂３の材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂であって、例えば、粒径が数ｎｍ〜１０ｎｍのシリカナノフィラーが例えば１８重量％添加された高粘度のシリコーン樹脂を用いる。ＬＥＤチップ２の電極と配線パターンとを導電性ワイヤで接続する構造では、樹脂３は導電性ワイヤを保護する機能も有する。この場合、タック性のある柔らかいシリコーン樹脂を用いると、導電性ワイヤに対する負担が少ないので望ましい。また、樹脂に拡散剤を含有させることによって、ＬＥＤチップからの指向性を緩和させ、視野角を増やすこともできる。また、樹脂を一定の膜厚に形成することにより、色の明るさのむらを抑制することが可能になる。
【００４２】
（蛍光物質）  蛍光物質は、ＬＥＤチップからの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであり、ＹＡＧ蛍光体（Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体）、窒化物蛍光体、その他の蛍光体を使用可能である。これらの蛍光体は、ＬＥＤチップからの励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有するものを使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有するものも使用することができる。これらの蛍光体を様々と組み合わせて使用することにより、様々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
【００４３】
この際、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12：Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体であって、５４０ｎｍ近傍に発光ピーク波長を持つもの）を利用すると、その含有量によって、青色発光素子からの光を一部吸収して補色となる黄色系の発光が可能となる。したがって、青色発光のＬＥＤチップと、透光性樹脂に含まれる蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体との組み合わせを使用することによって、発光素子による発光とＹＡＧ蛍光体による発光との混色によって白色発光の発光装置を比較的簡単に信頼性良く形成できる。
【００４４】
前記したように第１の実施形態では、基板上にＬＥＤチップを搭載して樹脂層により封止した発光装置を製造する場合、大きな基板上に複数個のＬＥＤチップが搭載されて樹脂層により封止された状態から複数のＬＥＤデバイスに分割する。この分割に際して、予め樹脂層および基板上の全面に予め親水化処理を施した後、樹脂層および基板の表面に洗浄水を流しながらＬＥＤチップを避けた領域で樹脂層および基板のダイシングを行う。これにより、ダイシング中に樹脂層および基板により生じる切削屑が、樹脂層および基板の表面へ固着することを防止することができ、信頼性と歩留りが著しく改善された発光装置を製造することができる。
【００４５】
前記親水化処理は、プラズマ処理により容易に行うことができる。また、樹脂層および基板を切断する際、まず、樹脂層を第１のダイシング・ブレードにより切断した後、基板を第２のダイシング・ブレードにより切断する。このように２段階で別々のダイシング・ブレードにより切断することにより、切断対象に応じて適切なダイシング・ブレードを使用することができる。
【００４６】
前記した第１の実施形態の製造工程を経て得られたＬＥＤデバイスは、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを上面に搭載した基板と、基板上でＬＥＤチップを封止した透光性の樹脂層とを具備し、基板および樹脂層は、表面が親水化処理されており、発光素子の樹脂封止後にそれぞれ切断された端面を有する。そして、基板の切断端面と樹脂層の切断端面は揃っている、または、樹脂層の切断端面は基板の切断端面よりも発光素子側に後退している、または、樹脂層の切断端面は基板の切断端面よりも突出している。上述の後退の場合には、切断時に発生した切削屑が基板および樹脂層の境界部分に付着し難くなり、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止することができる。また、樹脂層が熱などにより膨脹してもその端面が基板の端面より外側に突出するおそれがなくなり、発光装置のサイズを規格内に維持することができる。
【００４７】
また、基板および樹脂層は表面が親水化処理されているので、ダイシング工程で発生した切屑は洗浄水により流され易いので、基板および樹脂層の端面に付着した切屑の数は、１０μｍ以上の切屑が０個／mm2 になっている。これにより、このように基板および樹脂層の端面に付着した切屑の数を規定することにより、光の取り出し効率の低下を防止することができる。
【００４８】
また、前記樹脂層としてシリコーン樹脂が用いられた場合、樹脂層の表面がプラズマ処理によってガラス状に改質されているので、切断時に発生した切削屑が基板および樹脂層の表面に付着し難くなり、信頼性や歩留りの低下を防止し、特に光の取り出し効率の低下を防止することができる。
【００４９】
また、樹脂層に蛍光物質を混合しておくことにより、ＬＥＤチップの発光色と蛍光物質の発光色との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。蛍光物質の含有量または種類を代えることにより、実現可能な色調範囲を拡げることが可能になる。樹脂の膜厚を調節することにより、色調を容易に調節することが可能になる。例えばＬＥＤチップとして青色発光素子を使用し、蛍光物質としてＹＡＧ蛍光体を使用することにより、白色系に発光する発光装置を簡易に実現することができる。
【実施例】
【００５０】
（実施例１）  まず、図１に示すように、ＬＥＤチップが上面に搭載されて当該ＬＥＤチップが樹脂層により封止された状態の基板をＡｒプラズマ装置にセットし、装置内にＡｒガスを導入した。Ａｒプラズマ装置として、例えばＰａｎａｓｏｎｉｃ製、型番ＰＣ３０Ｂ−ＨＳを用い、一例としてガス圧１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）、ＲＦパワー７０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）、処理時間４秒の条件でＡｒプラズマ処理を行い、樹脂層および基板の表面を親水化した。なお、親水化処理は、ＬＥＤデバイスの性能や形状に何ら悪影響を与えるものではない。
【００５１】
次に、前記親水化処理を施した基板をＬＥＤデバイスに分割する。この際、まず、厚さが０．１５ｍｍの第１のダイシング・ブレードを用いて樹脂層を切断する。この際、切断部から切削屑が発生するが、切断部の近傍にノズルの先端から洗浄水を流下させることにより、切削屑は洗浄水の流れにより基板の周縁方向へ流される。この時、樹脂層表面および基板表面の親水性により、洗浄水の層が表面上に均一に広がり、乾燥領域は発生せず、樹脂層上および基板上に切削屑が残留することはない。
【００５２】
次に、厚さが０．１ｍｍの第２のダイシング・ブレードを用いて基板を切断する。この際、切断部から切削屑が発生するが、切断部の近傍にノズルの先端から洗浄水を流下させることにより、切削屑は洗浄水の流れにより基板の周縁方向へ流される。この時、樹脂層表面および基板表面の親水性により、洗浄水の層が表面上に均一に広がり、乾燥領域は発生せず、樹脂層上および基板上に切削屑が残留することはない。基板のダイシングを終了しても、洗浄水を暫く流し続けた後、基板を乾燥させる。
【００５３】
実施例１によれば、ダイシング中に樹脂層および基板により生じる切削屑が、樹脂層および基板の表面へ固着することを防止することができ、信頼性と歩留りが著しく改善された発光装置を製造することができる。
【００５４】
（実施例２）  実施例２は、前述した実施例１と比べて、樹脂層および基板を切断する際、図５に示すように、樹脂層および配線基板を同一のダイシング・ブレード５により連続的に切断するように変更したものである。この場合には、ダイシング・ブレード５を引き上げると、樹脂層は縮んだ分だけ伸び、樹脂層の端面は基板の端面よりも突出した状態になる。
【００５５】
実施例２によれば、実施例１と同様の効果が得られるほか、樹脂層および基板を簡単に、かつ短時間で切断することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明発光装置の製造方法および発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源などに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施例１に係るＬＥＤデバイスの製造工程の一部を概略的に示す斜視図。
【図２】図１の工程に続く樹脂層と基板の切断工程の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図２の工程に続く樹脂層と基板の切断工程の一例を概略的に示す断面図。
【図４】図１乃至図３の工程を経て得られたＬＥＤデバイスの二例を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の実施例２に係るＬＥＤデバイスの製造工程において樹脂層と基板の切断工程の一例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５８】
１…基板、２…ＬＥＤチップ、３…透光性を有する樹脂、４…第１のダイシング・ブレード、５…第２のダイシング・ブレード。
【図１】
0004765688.tif 000002
【図２】
0004765688.tif 000003
【図３】
0004765688.tif 000004
【図４】
0004765688.tif 000005
【図５】
0004765688.tif 000006