(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、その間に保持された液晶と、少なくとも片方の基板に配された偏光板とからなり、
一方の基板は、走査線と、信号線と、両者が交差する部分に配された透明な画素電極と、該画素電極を駆動する能動素子と、該能動素子と該画素電極を接続する配線とを有し、
前記偏光板の直線偏光軸は、該走査線に対して斜めの方向に配置されており、
前記能動素子は、ゲートが走査線に接続し、ソースが信号線に接続し、ドレインが画素電極に接続した薄膜トランジスタからなり、
前記配線は、透過領域における端部が前記直線偏光軸と平行又は垂直方向に傾けられた形状を有し、前記ドレインとは異なる層に存在し、前記ドレインと前記画素電極とに接続されてなる
液晶表示装置。
【請求項２】
前記配線と前記ドレインの一部は重なり部分を有する
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配線は、前記ドレインと前記画素電極の間に介在する中間電極を含み、
前記中間電極は、その端部が前記直線偏光軸と平行又は垂直方向に傾けられた形状を有する
請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関する。より詳しくは、透過型の液晶表示装置の光漏れを抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の透過型液晶表示装置は、一対の基板と、その間に保持された液晶と、少なくとも片方の基板に配された偏光板とからなる。この偏光板は、外部（例えば照明用のバックライト）から入射した光を直線偏光に変換する。液晶は、電圧に応じて直線偏光の透過状態を制御して表示を行う。
【０００３】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置の場合、一方の基板は、走査線と、信号線と、両者が交差する部分に配された画素とを有する。個々の画素は、直線偏光の透過領域にあり液晶に電圧を印加するための透明な画素電極と、走査線によって選択されたとき信号線から供給された映像信号に応じて画素電極を駆動する能動素子とを有する。能動素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が代表的である。かかる構成を有する画素は、透過領域で薄膜トランジスタと透明画素電極とを電気的に接続するための金属配線を有している。
【特許文献１】特開２００３−０５７６８２公報
【特許文献２】特開平１１−０７２８０１号公報
【特許文献３】特開２００２−２２１７２６公報
【特許文献４】特開平１０−１７０９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の透過型のアクティブマトリクス液晶表示装置は、透明画素電極と薄膜トランジスタを接続するために、透過領域に金属配線が形成されている。この金属配線は不透明であり、直線偏光は遮断される。しかしながら、直線偏光軸と金属配線の端面が傾きを持つ場合、その端面で反射及び回折した直線偏光は、偏光状態が乱されるため光漏れが生じる。以下本明細書では、金属配線の端面を「端部」または「エッジ部」と呼ぶ。また、このエッジ部で直線偏光が乱される現象を「消偏」と呼ぶ。
【０００５】
透過領域にある金属配線のエッジ部で起きる消偏により、光漏れが生じる。この光漏れは液晶表示装置のコントラストの低下を引き起こすため、対策を講じる必要がある。たとえば遮光する方法があり、特許文献１は、画素が形成された基板とは反対側の対向基板に、遮光用のパターン（ブラックマスク）を形成して、光漏れを防止している。しかしながら、ブラックマスクは透過領域の有効面積（開口面積）を制限することになるので、画素の開口率の低下をもたらす。これにより、画面の輝度が低下するという副作用がある。さらに特許文献２のように、金属配線とブラックマスクを重ね合わせるときの位置ずれも考慮した構成にすると、開口率はさらに低下してしまう。
また、たとえば円偏光を利用した位相差板を配置する方法があるが、この場合、製造コストが上昇するとともに、透過率が低下してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明は開口率を犠牲にすることなく光漏れを有効に抑制可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち本発明にかかる液晶表示装置は、一対の基板と、その間に保持された液晶と、片方の基板に配された偏光板とからなり、前記偏光板は、外部から入射した光を直線偏光に変換し、前記液晶は、電圧に応じて該直線偏光の透過状態を制御する。一方の基板は、走査線と、信号線と、両者が交差する部分に配された画素とを有する。前記画素は、直線偏光の透過領域にあり液晶に電圧を印加するための透明な画素電極と、該走査線によって選択された時該信号線から供給された信号に応じて画素電極を駆動する能動素子と、該透過領域で該能動素子と該画素電極を接続する配線とを有する。前記偏光板は、その直線偏光軸が該走査線に対して斜めの方向に設定されており、前記配線は、その端部が該直線偏光軸と平行又は垂直方向に傾けられた形状を有する。
【０００７】
好ましくは前記能動素子は、ゲートが走査線に接続し、ソースが信号線に接続し、ドレインが画素電極に接続した薄膜トランジスタからなり、前記配線は、互いに別の層にあるドレインと画素電極の間に介在する中間電極を含み、前記中間電極の端部が該直線偏光軸と平行又は垂直方向に傾けられた形状を有する。場合により、前記信号線、もしくはその一部は、直線偏光軸と平行又は垂直方向に傾けられた形状で配されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、偏光板は、その直線偏光軸が走査線に対して斜めの方向に設定されていることが前提となっている。走査線は、一般に液晶表示装置の画面の水平方向に沿って形成されている。通常の偏光板は、その偏光軸が画面の水平方向と平行もしくは垂直である。たとえば特許文献３では開口率を増加させるために、偏光軸を垂直方向としている。また、たとえば特許文献４では、コントラストの視野角分布を左右対称にするために、ラビング方向を平行または垂直にしているため、偏光軸方向も平行または垂直となる。
しかしながら、光学設計などの条件により、場合によっては画面の水平方向に対して偏光軸を平行もしくは垂直でなく、例えば４５°方向に傾けて斜めに設定することもある。例えば、偏光サングラスを着用して画面を観察した場合、偏光板の偏光軸が水平方向と平行もしくは垂直な場合、偏光サングラス側の偏光軸との間の干渉により、表示が見えなくなってしまうことがある。これに対し偏光板の偏光軸を画面の水平方向から傾けると、偏光サングラスとの干渉がなくなり、画面を正常に観察することができる。
【０００９】
しかしながら、偏光軸を画面水平方向から傾けた場合、何の対策も施さないと、透過領域にある金属配線のエッジ部で消偏が生じ、光漏れが発生する。そこで本発明は、この消偏を防ぐため、金属配線のエッジ部（端部）が、傾いた直線偏光軸に対して平行または垂直方向に傾いた形状にしている。その角度範囲は、偏光軸と平行又は垂直方向に対して±３０度の範囲内で傾ければ、消偏を防ぐ効果が得られる。直線偏光軸が傾いているため、これと平行または垂直なエッジ部も当然画面の水平方向から傾くことになる。この様に傾いたエッジ部を有する金属配線のパターンは異形となるが、消偏が起きないため、光漏れが生じない。そのため、特に対向基板側に光漏れ防止用のブラックマスクを形成する必要がなくなり、その分画素の開口率を確保することが可能になる。本発明は、直線偏光軸に対して金属配線のエッジ部が平行もしくは垂直なとき、消偏が生じないという現象の発見に基づいており、これを傾いた偏光軸を有する液晶表示装置の光学設計に適用することで、光漏れのない構造を得ることができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかる液晶表示装置の第１実施形態を示す模式図である。（Ａ）は液晶表示装置の全体的な断面構造を示し、（Ｂ）は１画素分を表す模式的な平面図である。
【００１１】
（Ａ）に示すように、本液晶表示装置は、一対の基板１，１ａと、その間に保持された液晶１０と、片方の基板１に配された偏光板２１とで構成されている。この偏光板２１は外部から入射した光を直線偏光に変換する。本実施形態では、液晶表示装置がバックライト２３を備えた透過型である。偏光板２１はバックライト２３から発した照明光を直線偏光に変換している。液晶１０は、電圧に応じてこの直線偏光の透過状態を制御して、画像を表示する。
【００１２】
本実施形態はアクティブマトリクス型であり、基板１側に画素アレイが形成されている。そのため基板１を特にアレイ基板と呼ぶ場合がある。一方アレイ基板１に対面している基板１ａは対向基板と呼ぶ場合がある。本実施形態では、対向基板１ａにも偏光板２２が配されている。二枚の偏光板を互いに区別するため、アレイ基板１側の偏光板を第一偏光板２１と呼び、対向基板１ａ側の偏光板２２を第二偏光板と呼ぶ場合がある。第一偏光板２１はバックライト２３からの照明光を直線偏光に変換する偏光素子である。一方第二偏光板２２は液晶１０によって偏光軸が制御された偏光を検出する検光子である。但し本発明は、必ずしも２枚の偏光板を必要とするものではなく、少なくとも入射光に近い側に１枚の偏光板を供えた構成であればよい。
【００１３】
（Ｂ）に示すように、アレイ基板１は、走査線１２と、信号線１３と、両者が交差する部分に配された画素とを有する。画素は、基本的に透明な画素電極１７と、能動素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４と、配線３０とを含んでいる。画素電極１７は直線偏光の透過領域にあり液晶に電圧を印加するためのものである。図示するように、透過領域は互いに交差する走査線１２と信号線１３によって格子状に仕切られた各区画に対応している。この区画の全体にわたって透明な画素電極１７が形成されている。
【００１４】
ＴＦＴ１４は、走査線１２によって選択されたとき信号線１３から供給された映像信号に応じて画素電極１７を駆動する。具体的には、ＴＦＴ１４のゲートが走査線１２に接続し、ソースが信号線１３に接続し、ドレインが画素電極１７に接続している。但し本発明はＴＦＴ１４に限られるものではなく、別の能動素子を用いて画素電極１７を駆動する場合にも適用可能である。配線３０は、透過領域でＴＦＴ１４のドレインと画素電極１７を接続している。画素はこれ以外にも配線を含んでいるので、特に本明細書では透過領域でＴＦＴ１４と画素電極１７を接続する配線３０をコンタクト配線と呼んでいる。図から明らかなように、コンタクト配線３０は透過領域に介在しており、画素開口の一部を占めている。従って、画素の開口率はこのコンタクト配線３０が占める面積分だけ、制限されることになる。なお対向基板１ａ側には、互いに交差する走査線１２と信号線１３の格子パターンに対応したブラックマトリクス２４が形成されている。従って実際の画素開口は、この格子パターンのブラックマトリクスの各区画によって規定されている。但しブラックマトリクスは本発明の必須の構成条件ではなく、場合によっては省略することも可能である。
【００１５】
本発明の特徴事項として、偏光板２１は、その直線偏光軸が走査線１２に対して斜めの方向に設定されている。換言すると、偏光軸は走査線１２に対して傾いており、平行もしくは垂直になっていない。これに対応して透過領域に介在するコンタクト配線３０は、その端部（エッジ部）が直線偏光軸と平行または垂直となる形状を有する。この様に配線３０のエッジ部を偏光軸方向に対して垂直・水平方向に傾けて配置することで、エッジ部での回折並びに反射による消偏を防ぐことができる。ただし厳密に垂直・水平方向に傾ける必要は無く、実用的な角度範囲としては、偏光軸と平行又は垂直方向に対して±３０度の範囲内で傾ければ、消偏を防ぐ効果が得られる。消偏を防ぐことでコンタクト配線３０回りの光漏れがなくなる。この結果、対向基板１ａ側にコンタクト配線３０を遮光するためのブラックマスクが不要となる。よってコントラストの低下がなく且つ高い開口率を持った液晶表示装置を実現できる。
【００１６】
本発明では、偏光板２１は、その直線偏光軸が走査線１２に対して斜めの方向に設定されていることが前提となっている。走査線１２は、一般に液晶表示装置の画面の水平方向に沿って形成されている。通常の偏光板は、その偏光軸が画面の水平方向と平行もしくは垂直である。しかしながら、光学設計などの条件により、場合によっては画面の水平方向に対して偏光軸を平行もしくは垂直でなく、例えば４５°に傾けて斜めに設定することもある。例えば、偏光サングラスを着用して画面を観察した場合、偏光板の偏光軸が水平方向と平行もしくは垂直な場合、偏光サングラス側の偏光軸との間の干渉により、表示が見えなくなってしまうことがある。これに対し偏光板の偏光軸を画面の水平方向から傾けると、偏光サングラスとの干渉がなくなり、画面を正常に観察することができる。
【００１７】
しかしながら偏光軸を画面水平方向から傾けた場合、何の対策も施さないと、透過領域にある金属配線３０のエッジ部で消偏が生じ、光漏れが発生する。そこで本発明は、この消偏を防ぐため、金属配線３０のエッジ部（端部）が、傾いた直線偏光軸と平行または垂直方向に傾けた形状にしている。直線偏光軸が傾いているため、これと平行または垂直なエッジ部も当然画面の水平方向から傾くことになる。この様に傾いたエッジ部を有する金属配線３０のパターンは異形となるが、消偏が起きないため光漏れが生じない。そのため、特に対向基板１ａ側に光漏れ防止用のブラックマスクを形成する必要がなくなり、その分画素の開口率を確保することが可能になる。本発明は、直線偏光軸に対して金属配線３０のエッジ部が平行もしくは垂直なとき、消偏が生じないという現象の発見に基づいており、これを傾いた偏光軸を有する液晶表示装置の光学設計に適用することで、光漏れのない構造を得ることができた。
【００１８】
図２は、液晶表示装置の参考例を示す模式的な平面図である。理解を容易にするため、図１（Ｂ）に示した本発明の第１実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。
【００１９】
図２の（Ａ）に示した第１参考例は、偏光板の偏光軸方向が走査線１２と垂直に配されている場合である。このときコンタクト配線３０のエッジ部も偏光軸方向と垂直及び平行となっている。従ってコンタクト配線３０のエッジ部で消偏は起こらず、光漏れも生じない。但し偏光軸を図示のように走査線１２と直交配置した場合、偏光サングラスを着用して画面を見ると問題が生じる。偏光サングラス側の偏光軸と、液晶表示装置側の偏光軸が平行もしくは直交関係となる為、両者の間で干渉が生じ、画面が正しく観察できない場合がある。
【００２０】
（Ｂ）は液晶表示装置の第２参考例を表している。この第２参考例は偏光軸方向を走査線１２に対して傾けている。よって偏光サングラスで画面を観察した場合両者の間の干渉を抑制できるので、画面が観察できる。しかしコンタクト配線３０のエッジ部は偏光軸方向に対して直交もしくは平行でなく、傾いた関係になってしまう。このため直線偏光がコンタクト配線３０のエッジ部で回折並びに反射を受け、消偏が生じる。これによりコンタクト配線３０の周囲で光漏れが起きる。この光漏れを遮断するため、対向基板側にコンタクト配線３０より一回り大きなブラックマスクを形成せざるを得ず、開口率がその分犠牲になる。
【００２１】
図３は、液晶表示装置の第３参考例を示す模式的な平面図である。液晶表示装置が室内使用などに限られる場合、偏光軸方向を傾ける必要はなく、図示のように走査線１２に対して偏光軸を垂直に設定した商品も当然製造されている。この場合、画素の開口率を可能な限り高めるため、透過領域にあるコンタクト配線３０のパターンを切り欠くことが有効である。図示の例では、本来矩形のコンタクトパターン３０の二隅を切り欠いて、画素の開口率を高めている。しかしながらコンタクト配線３０の切り欠いたエッジ部は偏光軸方向と垂直もしくは水平にならないため、この切り欠いた部分で消偏が生じ、光漏れの原因となる。よってこの光漏れを防ぐため、対向基板側に一回り大きなブラックマスクを形成せざるを得ず、結果的には画素開口率向上の目的を達成することはできない。
【００２２】
図４は、本発明にかかる液晶表示装置の第２実施形態を示す模式的な平面図である。理解を容易にするため、図１（Ｂ）に示した第１実施形態と対応する部分には対応する参照番号を付してある。第１実施形態と異なる点は、信号線１３が偏光軸方向と平行となるように設定されていることである。換言すると、信号線１３は偏光軸と同様に、走査線１２と傾いた関係になっている。この様にすると、信号線１３のエッジ部も偏光軸方向と平行となる為、基本的に信号線１３のエッジ部における消偏が生じない。従って、信号線１３と対応したブラックマトリクスを対向基板に設ける必要がなくなり、その分画素開口率の拡大化になる。
【００２３】
図５は、液晶表示装置の１画素分の拡大断面図である。アレイ側ガラス基板１には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４のゲートＧが形成されている。このゲートＧはゲート絶縁膜３５によって被覆されている。このゲート絶縁膜３５の上には、薄膜トランジスタ１４の素子領域となる半導体薄膜が島状に形成されている。また信号線１３やその他の配線も形成されている。信号線１３は層間絶縁膜３７により被覆されており、その上に共通電極１５が配されている。共通電極１５の上に絶縁膜１６を介して画素電極１７が形成されている。この画素電極１７はストライプ状であり、共通電極１５との間にフリンジフィールドを発生させる。たとえば、ボトムゲート型の薄膜トランジスタとして構成する場合について述べたが、これに限定されない。たとえば、トップゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成しても良い。
【００２４】
一方対向側ガラス基板１ａにはカラーフィルタ３１が形成されている。このカラーフィルタ３１と画素電極１７との間に液晶１０が保持されている。液晶１０は前述したフリンジフィールドに応じてその配向状態が変化する。カラーフィルタ３１には部分的に黒色色素が導入されており、遮光層２４となっている。この遮光層２４は、アレイ側ガラス基板１からの光漏れを遮断するためのものである。本発明によれば、金属配線のエッジ部で生じる光漏れを防ぐことができる。従って対向側ガラス基板１ａに設ける遮光層２４も可能な限り縮小できるため、画素開口率の改善につながる。
【００２５】
図６は、本発明を、ＦＦＳモードの液晶表示装置に適用した実施例を示す模式的な平面図である。ＦＦＳモードの液晶表示装置においてアクティブマトリクス駆動する場合には、図６に示すように、アレイ基板上に行列状に、複数の走査線１２と信号線１３が配線され、これらの交差部にスリット状（櫛歯状）の画素電極１７が設けられている。この画素電極１７はＴＦＴ１４によって駆動されている。ＴＦＴ１４と画素電極１７を接続するコンタクト配線３０は図示のように異形となっており消偏による光漏れを防いでいる。
【００２６】
図７は、図６に示したアクティブマトリクス型横電界方式（ＦＦＳモード）の液晶表示装置の１画素分を示す模式図であり、（ａ）は１画素分の平面図、（ｂ）は同じく１画素分の断面図である。（ａ）に示すように、液晶表示装置を構成する基板の上には行状の走査線１２と列状の信号線１３が形成されている。走査線１２と信号線１３は格子状に交わっており、丁度１つの格子が１画素に対応している。画素には共通電極１５と画素電極１７が形成されている。画素電極１７は層間絶縁膜を介して共通電極１５の上に配されており、櫛歯状のパターンを有する。画素電極１７と共通電極１５との間に電圧を印加して、横電界を液晶に加えその配向状態をスイッチングする。画素電極１７に電圧を印加するため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４が各画素に形成されている。ＴＦＴのゲート電極は対応する走査線１２に接続し、ソース電極は対応する信号線１３に接続し、ドレイン電極はコンタクト配線３０を介して対応する画素電極１７に接続している。各画素の共通電極１５は、共通の電位に接続している。
【００２７】
（ｂ）に示すように、液晶表示装置は所定の間隙を介して対向配置した一対の基板１，１ａと、この間隙に配された液晶１０とからなる。上部透明基板１ａの内表面にはカラーフィルタ３１と配向膜３２が積層されている。一対の基板１，１ａの外面側には、それぞれ偏光板２１，２２が配されている。
【００２８】
下部透明基板１には、前述した共通電極１５と、層間絶縁膜１６を介して共通電極１５の上に配された櫛歯状のパターンを有する画素電極１７と、画素電極１７の上に配され液晶１０を配向する配向膜３３（配向層）と、画素電極１７と共通電極１５との間に電圧を印加して液晶層１０の配向状態を変化させるスイッチング手段とを有する。本実施形態では前述したようにこのスイッチング手段は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１４である。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は層間絶縁膜３７で被覆されており、コンタクト配線３０を介して画素電極１７に接続している。具体的にはこの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）はそのゲートＧが走査線１２（図示せず）に接続している。このゲートＧの上にゲート絶縁膜３５を介して半導体薄膜が形成されており、ソースとドレインに分かれている。ソースは前述したように信号線１３に接続し、ドレインはコンタクト配線３０を介して画素電極１７に接続している。
【００２９】
共通電位に接続された共通電極１５に対して画素電極１７側に映像信号に応じた電圧を印加すると、液晶層１０に横電界が加わり、その配向状態がスイッチングして光散乱状態透となり、液晶の透過率が映像信号に応じて変調を受ける。なお横電界方式は、共通電極１５と画素電極１７を絶縁膜で隔てたＦＦＳモードに限られるものではなく、同一平面状で櫛歯状の電極を組み合わせたＩＰＳモードやその他のモードであってもよい。基本的に横電界方式は、基板面内でスイッチングする全てのモードを含む。
【００３０】
本発明は、図７に示した横電界方式に限られるものではない。画素アレイ基板と対向基板との間で電圧を印加する縦電界方式の液晶表示装置にも適用可能である。図８は、縦電界方式の液晶表示装置の一例を示す模式的な断面図である。本表示装置は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者の交差部に位置する画素とが基板５１上に集積形成されている。石英からなる基板５１には、遮光膜５５を介して下地膜５６が形成されている。図８の断面図は、１画素分を示す模式的な部分断面図である。図では信号線電極５７Ｓが列状の信号線（図示せず）に接続しており、ゲート電極５３が行状の走査線（図示せず）に接続している。一対の基板５１，６８の外面側には、それぞれ偏光板２１，２２が配されている。
【００３１】
画素は、電気光学素子と、走査線と信号線に接続して電気光学素子を駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを含んでいる。電気光学素子は画素電極６７と対向電極６９との間に保持された液晶７０で構成されている。なお対向電極６９は対向基板６８に形成されている。画素電極６７と対向電極６９はそれぞれ液晶７０に対する配向膜７１，７２で被覆されている。
【００３２】
薄膜トランジスタは、ポリシリコン膜５２と、ゲート電極５３と、ポリシリコン膜５２とゲート電極５３との間に配されたゲート酸化膜５４とからなる。ポリシリコン膜５２は、ゲート電極５３に整合したチャネル領域ＣＨと、ソースＳまたはドレインＤとなる所定の不純物濃度の導電性領域とを含む。
【００３３】
かかる構成を有するＴＦＴはＳｉＯ２からなる層間絶縁膜６０で被覆されている。この層間絶縁膜６０の上には信号線電極５７Ｓと画素電位引き出し電極５７Ｄが形成されている。これらの電極５７Ｓ，５７Ｄは層間絶縁膜６０に開口したコンタクトホールを介して、それぞれＴＦＴのソースＳ及びドレインＤに接続している。
【００３４】
信号線電極５７Ｓと画素電位引き出し電極５７Ｄは同じくＳｉＯ２からなる層間絶縁膜６４により被覆されている。層間絶縁膜６４の上には画素電位引き出し電極６５が形成されている。この画素電位引き出し電極６５は下層の層間絶縁膜６４に形成されたコンタクトホールを介して、下側の画素電位引き出し電極５７Ｄに接続している。
【００３５】
画素電位引き出し電極６５は層間絶縁膜６６で被覆されている。層間絶縁膜６６の上には前述した画素電極６７が形成されている。この画素電極６７は層間絶縁膜６６に開口したコンタクトホールを介して画素電位引き出し電極６５に接続している。なお画素電位引き出し電極６５は金属Ｔｉからなり、表面遮光膜を兼ねている。この表面遮光膜６５と裏面遮光膜５５とで、中間のＴＦＴを上下から遮光している。画素電極６７は例えば光反射性の金属導電膜からなる。本表示装置は、画素電極６７と対向電極６９との間で駆動電圧を印加し、画素単位で液晶７０の透過率を変調し以って画像を表示している。
【００３６】
上述した縦電界方式の液晶表示装置において、画素電位引き出し電極６５が本発明の対象となるコンタクト配線に対応している。即ちこの画素電位引き出し電極６５は、画素電極６７とＴＦＴのドレインＤとを接続するコンタクト配線であり、透明な画素電極６７の直下（透過領域）に配されている。この画素電位引き出し電極６５の端部（エッジ部）は、偏光板２１の斜めに傾いた直線偏光軸と平行及び垂直となるようにパターニングされている。これにより、画素電位引き出し電極６５のエッジ部回りの光漏れを防ぐことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明にかかる液晶表示装置の第１実施形態を示す模式図である。
【図２】液晶表示装置の第１参考例及び第２参考例を示す模式的な平面図である。
【図３】液晶表示装置の第３参考例を示す模式的な平面図である。
【図４】本発明にかかる液晶表示装置の第２実施形態を示す模式的な平面図である。
【図５】本発明にかかる液晶表示装置の１画素分の断面構造を示す模式的な断面図である。
【図６】横電界方式の液晶表示装置の一例を示す平面図である。
【図７】横電界方式の液晶表示装置の１画素分の構成を示す模式図である。
【図８】縦電界方式の液晶表示装置の一例を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１・・・基板、１ａ・・・基板、１０・・・液晶、１２・・・走査線、１３・・・信号線、１４・・・薄膜トランジスタ、１７・・・画素電極、２１・・・偏光板、２２・・・偏光板、３０・・・コンタクト配線
【図１】
0004609525.tif 000002
【図２】
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【図３】
0004609525.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004609525.tif 000007
【図７】
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【図８】
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