(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出口が一軸方向に配置された複数の第１のノズル及び複数の第２のノズルを有する液滴吐出手段を用いたパターンの作製方法であって、
前記複数の第１のノズルと前記複数の第２のノズルは、それぞれ、前記複数の第１のノズルでなる行、前記複数の第２のノズルでなる行をなすように配列され、
基板上に絶縁体を有し、
アスペクト比が高い開口部が設けられ絶縁体に対して、
前記複数の第２のノズルから組成物を吐出して前記開口部を充填し、
前記複数の第１のノズルから組成物を吐出して前記複数の第２のノズルから吐出された組成物で充填された開口部をさらに充填し、
前記第１のノズルの吐出口の径の長さ（Ｒ１）と、前記第２のノズルの吐出口の径の長さ（Ｒ２）とは、Ｒ１＞Ｒ２であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のノズルの吐出量（Ｖ１）と、前記第２のノズルの吐出量（Ｖ２）は、Ｖ１＞Ｖ２であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の第１のノズルでなる行のノズル間の間隔（Ｄ１）と、前記複数の第２のノズルでなる行のノズル間の間隔（Ｄ２）は、Ｄ１＞Ｄ２であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項４】
吐出口が一軸方向に配置された複数の第１のノズル、複数の第２のノズル、及び複数の第３のノズルを有する液滴吐出手段を用いたパターンの作製方法であって、
前記複数の第１のノズル、前記複数の第２のノズル、前記複数の第３のノズルは、それぞれ、前記複数の第１のノズルでなる行、前記複数の第２のノズルでなる行、前記複数の第３のノズルでなる行をなすように配列され、
アスペクト比が高い開口部が設けられた絶縁体に対して、
前記複数の第３のノズルから組成物を吐出して前記開口部を充填し、
前記複数の第２のノズルから組成物を吐出して前記複数の第３のノズルから吐出された組成物で充填された開口部をさらに充填し、
前記複数の第１のノズルから組成物を吐出して前記複数の第２のノズルから吐出された組成物で充填された開口部をさらに充填して導電層を形成し、
前記第１のノズルの吐出口の径の長さ（Ｒ１）と、前記第２のノズルの吐出口の径の長さ（Ｒ２）と、前記第３のノズルの吐出口の径の長さ（Ｒ３）とは、Ｒ１＞Ｒ２＞Ｒ３であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のノズルの吐出量（Ｖ１）と、前記第２のノズルの吐出量（Ｖ２）と前記第３のノズルの吐出量（Ｖ３）とは、Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ３であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記複数の第１のノズルでなる行のノズル間の間隔（Ｄ１）と、前記複数の第２のノズルでなる行のノズル間の間隔（Ｄ２）と、前記複数の第３のノズルでなる行のノズル間の間隔（Ｄ３）とは、Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３であることを特徴とするパターンの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記組成物は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）、ハロゲン化銀の微粒子、分散性ナノ粒子、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または窒化チタン（ＴｉＮ）をエステル類、アルコール類、またはケトン類の有機溶剤に、溶解または分散させたものであることを特徴とするパターンの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルを有する液滴吐出手段を用いた液滴吐出装置に関する。また、本発明は、液滴吐出法を用いたパターンの作製方法及び配線の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液滴吐出法（インクジェット法）によるパターン形成は、フラットパネルディスプレイの分野に応用され、活発に開発が進められている。液滴吐出法は、直接描画するためにマスクが不要、大型基板に適用しやすい、材料の利用効率が高い等の多くの利点を有するため、ＥＬ層やカラーフィルタ、プラズマディスプレイの電極等の作製に応用されている。
【０００３】
液滴吐出法を用いて、画素電極等の面積が比較的大きなパターンを形成する場合には、複数の液滴を連続的に吐出することで形成する。しかしながら、この方法を用いると、パターンの表面に凸凹が生じてしまうことがあった。
【０００４】
また、絶縁体上に形成されたトランジスタを用いた半導体装置は、携帯電話などの携帯端末から大型の液晶表示装置にまで用途が拡大し、活発に開発が進められている。このような半導体装置は、性能の向上のため、高集積化及び微細化が進められている。高集積化とは、多くの場合において、１層目に設けられる素子間の幅を狭くし、その上層に何層も配線を積層して形成する。このような配線の多層化に伴い、凸凹が発生しないように、配線を平坦にする平坦化技術は、ますます重要な技術となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の実情を鑑み、表面に凸凹がなく平坦化されたパターンの作製方法を提供することを課題とする。また、導電体を含む組成物により開口部を充填して、平坦化された配線の作製方法を提供することを課題とする。さらに、平坦化されたパターンの作成及び開口部が充填された配線の作製が可能な液滴吐出装置を提供することを課題とする。
【０００６】
また本発明は、フラットパネルディスプレイの作製に際し、そのタクトタイムの向上を実現する液滴吐出装置、及び該装置を用いたパターンの作製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においては以下の手段を講じる。
【０００８】
本発明は、各行で吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を有し、前記複数のノズルの吐出口の径は、各行で異なることを特徴とする。本特徴によりノズルから吐出される組成物の吐出量が互いに異なっており、本発明は、これを大面積のパターンの作成、パターンの平坦化及び開口部が充填された配線の作成に活用する。
【０００９】
本発明は、各行で吐出口を一軸方向に配列した複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を用いて、導電体のパターンを形成するパターンの作製方法であって、パターン形成領域に、吐出口の径が最大の最大径ノズルを用いて組成物を吐出し、前記最大径ノズルとは径が異なる一つ又は複数のノズルを用いて前記組成物を選択的に吐出して、平坦化を行うことを特徴とする。
【００１０】
上記構成を有する本発明は、まず、最大径ノズルを用いてパターンを形成し、次に、該最大径ノズルでは描画できなかった箇所に、該最大径ノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出する。その後、必要に応じて、使用したノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出して、パターンの表面を平坦化する。この方法は、例えば画素電極等の比較的大きな導電体のパターンの作製に有効であり、表面に凸凹が生じることなく、平坦化が実現されたパターンを作製することができる。
【００１１】
本発明は、吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を用いて、下層部とのコンタクトを形成する開口部が設けられた絶縁膜上に、前記開口部を充填した配線を作製する配線の作製方法であって、前記開口部上に、吐出口の径が最大の最大径ノズルを用いて組成物を吐出し、前記最大径ノズルとは径が異なる一つ又は複数のノズルを用いて前記組成物を選択的に吐出して、前記開口部を充填する。
【００１２】
上記構成を有する本発明は、開口部に組成物が充填され、平坦化された配線を簡単に形成することができる。従って、アスペクト比が高い開口部が設けられた絶縁体にも、ボイドが生じることなく、平坦化された配線を形成することができる。このような平坦化された配線の形成により、４層、５層、６層と層を重ねた多層配線を形成することが可能となり、この多層配線の実現により、高集積化が可能となるため、高性能の表示装置、半導体装置を提供することができる。
【００１３】
本発明は、各行で吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を有し、前記複数のノズルの吐出口の径は、各行で異なり、前記複数のノズルのピッチは、画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）であることを特徴とする液滴吐出装置を提供する。上記構成を有する液滴吐出装置を用いることで、タクトタイムの向上を実現したパターンの作製方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成を有する本発明は、まず、最大径ノズルを用いてパターンを形成し、次に、該最大径ノズルでは描画できなかった箇所に、該最大径ノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出する。その後、必要に応じて、使用したノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出して、パターンの表面を平坦化する。この方法は、例えば画素電極等の比較的大きな導電体のパターンの作製に有効であり、表面に凸凹が生じることなく、平坦化が実現されたパターンを作製することができる。
【００１５】
上記構成を有する本発明は、開口部に組成物が充填され、平坦化された配線を簡単に形成することができる。従って、アスペクト比が高い開口部が設けられた絶縁体にも、ボイドが生じることなく、平坦化された配線を形成することができる。このような平坦化された配線の形成により、４層、５層、６層と層を重ねた多層配線を形成することが可能となり、この多層配線の実現により、高集積化が可能となるため、高性能の表示装置、半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００１７】
本実施の形態では、本発明の液滴吐出装置の構成について、図１〜３を用いて説明する。
【００１８】
まず、液滴吐出装置の概略について図３を用いて簡単に説明する。本装置の必須の構成要素としては、複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段１２５、該液滴吐出手段１２５を制御するコントローラ５０３及びＣＰＵ５００、基板１２４を固定しＸＹθ方向に可動するステージ１２２等が挙げられる。ステージ１２２は、基板１２４を真空チャック等の手法で固定する機能も有する。そして、液滴吐出手段１２５が有する各ノズルの吐出口から基板１２４の方向に組成物が吐出されて、パターンが形成される。
【００１９】
ステージ１２２と液滴吐出手段１２５は、コントローラ５０３を介してＣＰＵ５００により制御される。また、ＣＣＤカメラなどの撮像手段１２０もＣＰＵ５００により制御される。撮像手段１２０は、マーカーの位置を検出して、その検出した情報をＣＰＵ５００に供給する。また、液滴吐出手段１２５にはインクボトル１２３より組成物が供給される。
【００２０】
なお、パターンの作製に際し、液滴吐出手段１２５を移動してもよいし、液滴吐出手段１２５を固定してステージ１２２を移動させてもよい。但し、液滴吐出手段１２５を移動する場合には、組成物の加速度や、液滴吐出手段１２５に具備されたノズルと被処理物との距離、その環境を考慮して行う必要がある。
【００２１】
その他、図示しないが、付随する構成要素として、吐出した組成物の着弾精度を向上させるために、ヘッドが上下に動く移動機構とその制御手段等を設けてもよい。そうすると、吐出する組成物の特性に応じて、ヘッドと基板１２４の距離を変えることができる。またガス供給手段とシャワーヘッドを設けてもよく、そうすると、組成物の溶媒と同じ気体の雰囲気下に置換することができるため、乾燥をある程度防止することができる。さらに、清浄な空気を供給し、作業領域の埃を低減するクリーンユニット等を設けてもよい。また、図示しないが、基板を加熱する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段を、必要に応じて設置しても良く、これら手段も、筐体の外部に設置した制御手段によって一括制御することが可能である。さらに制御手段をＬＡＮケーブル、無線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。なお、着弾した組成物の乾燥を早め、また組成物の溶媒成分を除去するために、真空排気を行って、減圧下で動作させてもよい。
【００２２】
次に、液滴吐出手段１２５が有するヘッドの断面構造について図１（Ａ）（Ｂ）を用いて説明する。
【００２３】
図１（Ａ）は、ヘッドに具備される３つのノズルの断面構造を示したものであり、１０１は基板、１０２〜１０４は吐出口、１０５は接着剤、１０６はＳＵＳプレート、１０７はインク室板、１０８は振動板、１０９は下部電極、１１０はピエゾ、１１１は上部電極、１１２は供給孔、１１３はインク室である。本構成は、圧電方式を採用したものであり、３枚のセラミックでインク室を形成し、各インク室に対応させて、振動板１０８上にピエゾ素子を形成している。上部電極１１１と下部電極１０９に電位差を設けると、電極間に挟まれたピエゾ１１０が撓み、液滴が吐出される仕組みになっている。
【００２４】
図１（Ｂ）も、ヘッドに具備される３つのノズルの断面構造を示したものであり、１０１は基板、１０２〜１０４は吐出口、１７５はインク室、１７６は振動板、１７７は電極、１７８はピエゾ、１７９は電極である。本構成も圧電方式を採用したものであり、ピエゾと電極とが交互に積層されたものを、インク室に対応して加工したものである。２つの電極間に電位差を設けると、縦振動が生じ、液滴が吐出される仕組みになっている。
【００２５】
上記の図１（Ａ）（Ｂ）の構成では、吐出口１０２〜１０４から吐出される組成物の種類は同じである。従って、図示しないが、各ノズルのインク室は連結されており、同じ組成物により充填されている。また、ここでは、圧電素子を用いた、所謂ピエゾ方式の場合を図示したが、溶液の材料によっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ溶液を押し出す方式を用いても良い。この場合、圧電素子を発熱体に置換した構造となる。また液滴吐出のためには、溶液と、液室流路、予備液室、流体抵抗部、加圧室、溶液吐出口との濡れ性が重要となる。そのため材質との濡れ性を調整するための炭素膜、樹脂膜等をそれぞれの流路に形成してもよい。
【００２６】
図１（Ｃ）は、図１（Ａ）（Ｂ）に示すノズルを吐出口１０２〜１０４の方向からみた図である。図示するように、本発明は吐出口１０２〜１０４の径が互いに異なることを特徴とする。吐出口１０２〜１０４の径の長さをＲ1〜Ｒ3とすると、これらの径は、Ｒ1＞Ｒ2＞Ｒ3を満たす。本特徴によりノズルから吐出される組成物の吐出量が互いに異なっており、本発明は、これを大面積のパターンの作成、パターンの平坦化及び開口部が充填された配線の形成に活用する。なお、本発明のパターンの作製方法については、下記の実施の形態において説明する。
【００２７】
次に、各行で吐出口を一軸方向に配列した複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段について、図２（Ａ）の斜視図を用いて説明する。本形態では、一例として、３行配列された場合について説明する。まず、１行目に複数のノズル１３１が配置され、２行目に複数のノズル１３２が配置され、３行目に複数のノズル１３３が配置される。ここで、１行とは、複数のノズルの横のならび（行方向、基板が搬送される方向と垂直の方向）を指し、本発明は、各行で一軸方向に配列された複数のノズルが、複数行配置されることを特徴とする。
また、各行に配置されたノズル１３１の径Ｒ1、ノズル１３２の径Ｒ2及びノズル１３３の径Ｒ3は互いに異なっており、そのため、各行に配置された各ノズル１３１〜１３３の吐出量は互いに異なる。
【００２８】
ノズル１３１〜１３３は、コントローラ５０３を介してＣＰＵ５００により制御される。撮像手段１２０は、マーカー１３４の位置の検出を行い、検出された情報はＣＰＵ５００、コントローラ５０３に供給される。
【００２９】
図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す液滴吐出手段が有するノズルを、吐出口の方向からみた図である。図示するように、本発明は、複数のノズルが一軸方向に配列され、各行で吐出口１０２〜１０４の径が互いに異なることを特徴とする。
Ｄ1〜Ｄ3はノズル間の間隔（ピッチ）であり、多くの場合において、Ｄ1＞Ｄ2＞Ｄ3を満たす。径Ｒ1〜Ｒ3と間隔Ｄ1〜Ｄ3の条件の一例としては、Ｒ2＝Ｒ1/２、Ｒ3＝Ｒ2/２＝Ｒ1/４、Ｄ2＝Ｄ1/２、Ｄ3＝Ｄ2/２＝Ｄ3/４、という条件が挙げられる。また、具体的な数値で、径の条件の一例を挙げると、Ｒ1＝１３μｍ、Ｒ2＝６．５μｍ、Ｒ3＝３μｍという条件が挙げられる。この場合、径がＲ1のノズル１３１は、吐出量は１ｐｌ、径が１６μｍのパターン、径がＲ2のノズル１３２は、吐出量は０．１ｐｌ、径が７μｍのパターン、径がＲ3のノズル１３３は、吐出量は０．０１ｐｌ、径が３．２５μｍのパターンを形成する。従って、ノズル１３１は画素電極などの大きな面積のパターンの形成、ノズル１３２は配線パターンよりもラフなパターンの形成、ノズル１３３は配線パターンの形成に用いる等して、各ノズルの吐出口の径に合わせて使い分けるとよい。
【００３０】
なお、一般的に、ノズルの径は０．１〜５０μｍ（好適には０．６〜２６μｍ）に設定し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００００１ｐｌ〜５０ｐｌ（好適には０．０００１〜１０ｐｌ）に設定する。この吐出量は、ノズルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物とノズル吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適には０．１〜２ｍｍ程度に設定する。
【００３１】
吐出口から吐出する組成物は、導電体を溶媒に溶解又は分散させたものを用いる。導電体は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、カドミウム（Ｃｄ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）等の金属、ハロゲン化銀の微粒子等、又は分散性ナノ粒子に相当する。または、透明導電膜として用いられるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等に相当する。
溶媒は、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、イソプロピルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケトン、アセトン等の有機溶剤等に相当する。
組成物の粘度は３００ｃｐ以下が好適であり、これは、吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにするためである。なお、用いる溶媒や、用途に合わせて、組成物の粘度、表面張力等は適宜調整するとよい。一例として、ＩＴＯや、有機インジウム、有機スズを溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜５０ｍＰａ・Ｓ、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は５〜２０ｍＰａ・Ｓ、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は１０〜２０ｍＰａ・Ｓである。
【００３２】
各ノズルの径や所望のパターン形状などに依存するが、ノズルの目詰まり防止や高精細なパターンの作製のため、導電体の粒子の径はなるべく小さい方が好ましく、好適には粒径０．１μｍ以下が好ましい。組成物は、電解法、アトマイズ法又は湿式還元法等の公知の方法で形成されるものであり、その粒子サイズは、一般的に約０．５〜１０μｍである。但し、ガス中蒸発法で形成すると、分散剤で保護されたナノ分子は約７ｎｍと微細であり、またこのナノ粒子は、被覆剤を用いて各粒子の表面を覆うと、溶剤中に凝集がなく、室温で安定に分散し、液体とほぼ同じ挙動を示す。従って、被覆剤を用いることが好ましい。
（実施の形態２）
【００３３】
本発明のパターンの作製方法について図４、５を用いて説明する。
【００３４】
図４（Ａ）は、基板１４０上にパターンを形成する様子を示したものであり、詳しくは、基板１４０上に画素電極１４４のパターンを形成する様子を示す。１４１は液滴吐出手段、１４２、１４３は配線であり、図示する形態では、基板１４０を搬送して、パターンを形成する様子を示す。
【００３５】
本発明は、各行で吐出口を一軸方向に配列した複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段１４１を用いてパターンを形成する。本形態では、複数のノズルの径は、３種類のサイズがある場合を例に挙げ、液滴吐出手段１４１は、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２、径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３を具備する。
【００３６】
なお、ノズルから液滴が吐出した瞬間は、該液滴は該ノズルの吐出口と同じ径である。しかしながら、液滴組成物が基板に着弾すると、その組成物の径は、吐出口の径よりも大きくなる。これは吐出量に依存し、この吐出量が少ない程、着弾前と着弾後のサイズは変わらない。
一例を具体的な数値を挙げて説明すると、吐出量が０．０１ｐｌのとき、ノズルの吐出口の径は３μｍ、着弾後の組成物の径は３．２５μｍとなり、そのサイズは１．０８倍となる。吐出量が０．１ｐｌのとき、ノズルの吐出口の径は６．５μｍ、着弾後の組成物の径は７μｍとなり、そのサイズは１．０８倍となる。吐出量が１ｐｌのとき、ノズルの吐出口の径は１３μｍ、着弾後の組成物の径は１６μｍとなり、そのサイズは１．２３倍となる。
そこで、以下には、ノズルの吐出口の径と、着弾後の組成物の径がほぼ同じ（例えば、１．１倍以下）である場合と、ノズルの吐出口の径と、着弾後の組成物の径が変化する場合（例えば、１．１倍以上）に変化する場合の２つの場合に分けて説明する。
【００３７】
まず、ノズルの吐出口の径と、着弾後の組成物の径がほぼ同じ（例えば、１．１倍以下）である場合について、図４を用いて説明する。
【００３８】
最初に、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１を用いて、パターン１４５を形成する（図４（Ｂ））。点線で囲まれた領域１５４は、パターン形成領域であるが、図示するように、各ノズルの吐出口間には、間隔があるために、パターン１４５がストライプ状に形成されている。
次に、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２を用いて、パターン１４６を形成する（図４（Ｃ））。この工程では、前の工程でパターン１４５が形成されなかった領域に、組成物が吐出される。本工程を経ると、パターン形成領域１５４のほぼ全面に組成物が吐出される。しかしながら、断面図に示すように、そのパターン１４６の表面には凸凹が生じている。
最後に、径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３を用いて、パターン１４７を形成する（図４（Ｄ））。この工程は、パターンの平坦化を目的としたものであり、凸凹した箇所に選択的に吐出する。そうすると、断面図に示すように、表面が平坦化されたパターン１４７を形成することができる。
【００３９】
次に、ノズルの吐出口の径と、着弾後の組成物の径が異なる（例えば、１．１倍以上）である場合について、図５を用いて説明する。
【００４０】
最初に、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１を用いて、パターン１５５を形成する（図５（Ａ））。点線で囲まれた領域１５４は、パターン形成領域であり、この場合、着弾後の組成物の径は変化しているため、該パターン形成領域１５４のほぼ全面に組成物が吐出される。しかしながら、断面図に示すように、そのパターン１５５の表面には凸凹が生じている。
次に、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２を用いて、パターン１５６を形成する（図５（Ｂ））。この工程では、前の工程で凸凹が生じてしまった箇所に組成物を吐出する。本工程を経ると、パターン１５６の表面の凸凹はほぼ解消される。
最後に、径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３を用いて、パターン１５７を形成する（図５（Ｃ））。この工程は、パターン１５６の平坦化を目的としたものであり、凸凹した箇所に選択的に吐出する。そうすると、断面図に示すように、パターンの表面が平坦化される。
【００４１】
上記構成を有する本発明は、まず、最大径ノズルを用いてパターンを形成し、次に、該最大径ノズルでは描画できなかった箇所、又は特に凸凹が生じてしまった箇所に、該最大径ノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出する。その後、必要に応じて、使用したノズルよりも小さい径の吐出口を有するノズルにより、組成物を選択的に吐出して、パターンの表面を平坦化する。この方法は、配線だけではなく、例えば画素電極等の比較的大きな導電体のパターンの作製に有効であり、表面に凸凹が生じることなく、平坦化が実現されたパターンを作製することができる。
【００４２】
続いて、配線のパターンを形成する形態について、図６を用いて説明する。図６は、基板１４０上に配線のパターン１４８を形成する様子を示したものである。より詳しくは、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１（図示せず）を用いてパターンを形成し、次に、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２（図示せず）を用いてパターンを形成し、最後に径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３（図示せず）を用いてパターンを形成する様子を示したものである。各ノズル１５１〜１５３から吐出される液滴１６１〜１６３は、そのサイズ（吐出量）が異なっているため、図示するように、本発明の液滴吐出手段を用いると、線幅を変えたパターンを簡単に形成することができる。
【００４３】
なおパターンを形成後、必要に応じてポリテトラフルオロエチレンで加工した板などを用いてプレス処理をしたり、バフ研磨、ローラを用いて平坦化を行ったりしてもよい。また、必要に応じて、乾燥の工程と焼成（加熱処理）の工程の一方又は両方の工程を行ってもよい。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、例えば、乾燥は１００℃で３分間、焼成は２００〜３５０℃で１５分間〜３０分間で行う。両工程とも加熱処理の工程ではあるが、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥の工程、焼成の工程は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉などにより行う。
【００４４】
乾燥と焼成の工程を良好に行うために、基板を加熱しておいてもよく、そのときの温度は、絶縁膜の材質に依存するが、一般的には２００〜８００度（好ましくは２５０〜４５０度）とする。本工程により、組成物中の溶媒の揮発、又は化学的に分散剤を除去するとともに、周囲の樹脂が硬化収縮することで、ナノ粒子間を接触させ、融合と融着を加速する。
【００４５】
レーザ光の照射を行う際には、連続発振またはパルス発振の気体レーザ又は固体レーザを用いれば良い。前者の気体レーザとしては、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられ、後者の固体レーザとしては、Ｃｒ、Ｎｄ等がドーピングされたＹＡＧ、ＹＶＯ4等の結晶を使ったレーザ等が挙げられる。条件は適宜設定されるが、エキシマレーザを用いる場合はパルス発振周波数３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜７００mJ/cm2とすると良い。またＹＡＧレーザを用いる場合には、その第２高調波を用いてパルス発振周波数１〜３００Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜１０００mJ/cm2とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍで線状に集光したレーザ光を基板全面に渡って照射し、このときの線状ビームの重ね合わせ率を５０〜９８％として行っても良い。但し、レーザ光の吸収率の関係から、連続発振のレーザを用いることが好ましい。また、パルス発振と連続発振を組み合わせた所謂ハイブリッドのレーザ照射方法を用いてもよい。
【００４６】
瞬間熱アニール（ＲＴＡ）は、不活性ガスの雰囲気下で、紫外光乃至赤外光を照射する赤外ランプやハロゲンランプなどを用いて、急激に温度を上昇させ、数分〜数マイクロ秒の間で瞬間的に熱を加えて行う。この処理は瞬間的に行うために、実質的に最表面の薄膜のみを加熱することができ、下層の膜には影響を与えないものである。
【００４７】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００４８】
なお、上記の図４を用いて説明したパターンの作製方法は、１行目に配置された複数のノズルから組成物を吐出して複数の第１のパターン１４５を形成するステップ（図４（Ｂ）参照）、複数の第１のパターン１４５同士が一体化するように、２行目に配置された複数のノズルから組成物を吐出して第２のパターン１４６を形成するステップ（図４（Ｃ）参照）、第１のパターン１４５と第２のパターン１４６により形成された凹部に、３行目に配置された複数のノズルから組成物を選択的に吐出して、第３のパターン１４７を形成するステップ（図４（Ｄ）参照）を有する。そして、１行目に配置された複数のノズルと、２行目に配置された複数のノズルと、３行目に配置された複数のノズルから吐出する組成物の吐出量は互いに異なる。
【００４９】
また、上記の図５を用いて説明したパターンの作製方法は、１行目に配置された複数のノズルから組成物を吐出して第１のパターン１５５を形成するステップ（図５（Ａ）参照）、第１のパターン１５５の凹部に、２行目に配置された複数のノズルから組成物を吐出して第２のパターン１５６を形成するステップ（図５（Ｂ）参照）、第１のパターン１５５と第２のパターン１５６により形成された凹部に、３行目に配置された複数のノズルから組成物を選択的に吐出して、第３のパターン１５７を形成するステップ（図５（Ｃ）参照）を有する。そして、１行目に配置された複数のノズルと、２行目に配置された複数のノズルと、３行目に配置された複数のノズルから吐出する組成物の吐出量は互いに異なる。
（実施の形態３）
【００５０】
本発明の実施の形態は、開口部を導電体により充填する形態について図７を用いて説明する。
【００５１】
図７（Ａ）〜（Ｃ）において、１０は基板、１１は半導体又は導体、１２は絶縁体であり、該絶縁体１２には開口部１３が設けられている。本発明は、各行で吐出口を一軸方向に配列した複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を用いて配線を形成する。本形態では、複数のノズルの径に３種類のサイズがある場合を例に挙げ、液滴吐出手段は、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２、径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３を有する。各ノズルの径はＲ1＞Ｒ2＞Ｒ3を満たす。
【００５２】
開口部は、下から上に向かって径が大きくなる。そこで、本発明は、まず、径がＲ3の吐出口を有するノズル１５３を用いて、開口部１３の下層部分を組成物により充填する。次に、径がＲ2の吐出口を有するノズル１５２を用いて、開口部１３を中央部分まで組成物により充填する。最後に、径がＲ1の吐出口を有するノズル１５１を用いて、開口部１３の上層部分を組成物により充填する。
【００５３】
本方法によれば、開口部に組成物が充填され、平坦化された導電層を形成することができる。従って、アスペクト比が高い開口部が設けられた絶縁体１２にも、ボイドが生じることなく、平坦化された配線を形成することができる。
【００５４】
なお、絶縁体１２の材料としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜及び酸化窒化珪素膜などの珪素を含む絶縁膜を用いて、単層又は積層して形成する。但し、配線を積層した多層配線を形成する場合、誘電率が低い材料（好適には比誘電率が４以下の材料）を用いることが好適であり、例えば、アクリル、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料を用いるとよい。絶縁体１２として有機絶縁膜を用いると、その平坦性が優れているため、後に導電体を成膜した際にも、段差部で膜厚が極端に薄くなったり、断線が起こったりすることがないため好適である。また低誘電率の材料を層間絶縁膜として用いると、配線容量が低減するため、多層配線を形成することが可能となる。従って、本発明の配線の作製方法を適用することによって、高性能化及び高機能化が実現された表示装置、半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００５５】
また、絶縁体１２として有機材料を用いた場合、脱ガス等の防止から、チタン、チタンナイトライド、チタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ）やモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ）などのシリサイド膜、ポリシリコン膜、ニオブ（Ｎｂ）、酸化窒化チタン（ＴｉＯＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化チタンタングステン（ＴｉＷＮ）、タンタル（Ｔａ）などの材料を用いて、バリア膜を形成してもよい。バリア膜は、単層又は積層構造のいずれでも構わない。このバリア膜は、密着性を高め、埋め込み性を付与し、さらにコンタクト抵抗の低減と安定化をもたらすものである。
【００５６】
開口部１３の形成には、ウエットエッチング、ドライエッチングのいずれの方法を用いても構わないが、ドライエッチングを用いると、高アスペクト比（３以上）の開口部１３を形成できるので、好適である。また、開口部１３の形成に、液滴吐出法を用いてもよく、この場合、ノズルから、ウエットエッチング液を吐出することで行う。但し、開口部１３のアスペクト比の制御のため、水などの溶媒で適宜洗浄する工程を追加するとよい。勿論、この洗浄の工程も、液滴吐出法を用いて、ノズルから吐出する液滴を水に交換するか、または、溶液が充填されたヘッドを交換すると、同一の装置で連続処理が可能となり、処理時間の観点から好ましい。
【００５７】
液滴吐出手段に圧電体を具備したノズルを用いた場合、該圧電体に印加する波形を制御することで、吐出量を制御するという特徴を有する。本発明の液滴吐出手段にこの特徴を活用してもよく、より詳しくは、最適な径の吐出口を有するノズルを選択し、且つノズルから得られる吐出量を最適なものとするために、圧電体に印加する波形を制御するというものである。
【００５８】
また、開口部を組成物により充填した後、必要に応じて、乾燥の工程と焼成（加熱処理）の工程の一方又は両方の工程を行ってもよい。
【００５９】
上記構成を有する本発明は、開口部に組成物が充填され、平坦化された配線を簡単に形成することができる。従って、アスペクト比が高い開口部が設けられた絶縁体にも、ボイドが生じることなく、平坦化された配線を形成することができる。このような平坦化された配線の形成により、４層、５層、６層と層を重ねた多層配線を形成することが可能となり、この多層配線の実現により、高集積化が可能となるため、高性能の表示装置、半導体装置を提供することができる。
（実施の形態４）
本発明の液滴吐出装置は、吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルを具備した液滴吐出手段を有するものであることは上述した通りであるが、本実施の形態では、各ノズルのピッチが、画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）以上であることを特徴とした液滴吐出手段と、該液滴吐出手段を用いたパターンの作製方法について、図１６〜図１９を用いて説明する。
【００６０】
まず、液滴吐出手段が有するヘッドの断面構造について、図１６を用いて説明する。図１６（Ａ）はＭＬＣｈｉｐｓタイプのノズル、図１６（Ｂ）はＭＬＰタイプのノズルであり、その詳しい構成については、実施の形態１において上述した通りであるため、ここではその説明を省略する。上記の両ノズルは、各ノズルのピッチに特徴を有しており、より詳しくは、各ノズルのピッチＤａは、画素ピッチのｎ倍（ｎは１以上の整数）であることを特徴とする。
【００６１】
上記特徴を有する液滴吐出手段は、基板上に繰り返しのパターンが作製されることを活用するものであり、特に、走査線や信号線などの配線は、規則的に配置されることを活用する。
つまり、配線等の直線状のパターンを描画する場合、各ノズルのピッチが、画素ピッチのｎ倍であるとすると、基板の走査（又はヘッドの走査）をｎ回行って、且つ複数のノズルを同時に使用すれば、描画を終了させることができる。
【００６２】
そこで、ｎが２の場合を例に挙げて、図１７を用いて説明する。図１７において、１０１は基板、７０２はノズルの吐出口、７０３はヘッドである。まず、１回目の基板１０１の走査により奇数行目の配線のパターンの描画を行って（図１７（Ａ））、次に、吐出口７０２に対応させるように基板１０１をずらして、２回目の基板１０１の走査により偶数行目の配線のパターンの描画を行う（図１７（Ｂ））。そうすると、基板の走査を２回行えばパターンの描画を終了させることができる。
【００６３】
なお、画素ピッチとは、画素と画素との繰り返しの長さのことで、ドット数と画面サイズによって決まるものである。そこで、解像度がＶＧＡ（６４０×４８０）で、画面サイズが１５．１インチのパネルを作製する場合を例に挙げると、画素ピッチは４７９μｍとなる。従って、複数のノズルのピッチは、４７９μｍのｎ倍（ｎは整数）となる。この場合に描画する配線のパターンの幅は約１００μｍ前後であるため、そのノズルの吐出口の径は約５０μｍに設定することが好適である。
【００６４】
上記構成を有する液滴吐出手段を用いることによって、パターンの描画を短時間で行うことが可能となり、その結果、タクトタイムの向上が実現される。
【００６５】
液滴吐出手段が有するヘッドは、図１８（Ａ）に図示するように、列方向（縦方向）又は行方向（横方向）の一方のみに平行に配置するのではなく、図１８（Ｂ）に図示するように、列方向及び行方向の両方向に平行に配置してもよい。この場合、一方のヘッド（例えばヘッド７０３）により列方向に配置された配線を描画し、他方のヘッド（例えばヘッド７０４）により行方向に配置された配線を描画する。上記構成により、さらにタクトタイムを向上させることができる。
【００６６】
また、基板とヘッドとは、垂直に交差するように走査する必要はなく、どちらか一方を斜め方向に走査してもよい。この場合には、各ノズルから組成物が吐出されるタイミングをずらすように設定するとよい。
【００６７】
本発明において、液滴吐出手段とは、液滴を吐出する手段を有するものの総称であり、具体的には、組成物の吐出口を有するノズル、複数の前記ノズルを具備したヘッドに相当する。前記液滴吐出手段が具備するヘッドの個数は特に限定されず、また、各ヘッドが具備するノズルの個数は特に限定されない。従って、１つのヘッドに配列できるノズルの個数や基板の一辺の長さによっては、複数のヘッドを行方向（横方向、基板を搬送する方向と垂直の方向）に並べて用いてもよい。そうすると、さらにタクトタイムを向上させることができる。
【００６８】
また、本発明は、各行で吐出口が一軸方向に配列された複数のノズルが、複数行配列された液滴吐出手段を有し、前記複数のノズルの吐出口の径は、各行で異なっていることを特徴とし、さらに前記複数のノズルのピッチは、画素ピッチのｎ倍（ｎは整数）であることを特徴とする液滴吐出装置を提供する。上記構成を有する本発明は、パターンの形成、特に大面積のパターンの形成やパターンの平坦化に活用される。以下に、上記特徴を有する液滴吐出装置を用いたパターンの作製方法について、図１９を用いて説明する。
【００６９】
図１９（Ａ）において、１０１は基板、７１０はヘッド、７１１〜７１３はノズルの吐出口であり、各吐出口の径は各行で異なっている。そして、ノズルピッチは画素ピッチのｎ倍（ここではｎ＝１）である。
まず、径が最大の吐出口７１１を有するノズルを用いて、パターン形成領域７１４にパターンを形成する（図１９（Ａ））。次に、基板１０１を少しずらして、吐出口７１１を有するノズルを用いて、該パターン形成領域７１４にパターンを形成する（図１９（Ｂ））。そうすると、パターン形成領域７１４のほぼ全面に組成物が吐出される。最後に吐出口７１１を有するノズルを用いて、パターンを形成する（図１９（Ｃ））。そうすると、表面が平坦化され、且つ大面積のパターンを短時間で描画することができる。
上記のパターンの作製方法では、ノズルのピッチが画素ピッチであることを活用しており、基板の走査（又はヘッドの走査）を複数回行って、且つ複数のノズルを同時に使用する。そうすると、大面積のパターンを短時間で描画することが可能となる。
【００７０】
本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例１】
【００７１】
本実施例では、本発明の液滴吐出装置、パターンの作製方法及び配線の作製方法を適用した、薄膜トランジスタの作製方法について、図８〜図１０を用いて説明する。
【００７２】
まず、ボトムゲート型の薄膜トランジスタの作製方法について、図８、図１０（Ａ）を用いて説明する。基板６００上に、ゲート電極となる導電体６０１、６０２を液滴吐出法により形成し、該導電体６０１、６０２上に絶縁体６０３を形成する（図８（Ａ））。次に、絶縁体６０３上に非晶質半導体６０４、Ｎ型半導体６０５、レジスト材料やポリイミド等の有機絶縁体からなるマスク６０６を液滴吐出法により形成する（図８（Ｂ））。続いて、マスク６０６を用いてエッチングを行う。次に、導電体６０７、６０８を液滴吐出法により形成し、該導電体６０７、６０８をマスクとして、エッチングを行う（図８（Ｃ））。そうすると、チャネルが少しエッチングされた非晶質半導体６０９、Ｎ型半導体６１０、６１１が形成される。続いて、絶縁体６１２を成膜して、該絶縁体６１２の所定の箇所に開口部を形成後、画素電極となる導電体６１３を液滴吐出法により形成する（図８（Ｄ））。
【００７３】
次いで、導電体６１３上に配向膜６３３を形成する（図１０（Ａ））。カラーフィルタ６３７、対向電極６３６及び配向膜６３５が形成された基板６３１を準備し、基板６００と６３１とを、シール部の加熱硬化により貼り合わせ、その後、液晶６３４を注入すると、液晶表示装置が完成する。基板６００、６３１には、偏光板６３０、６３２が貼り付けられている。
【００７４】
上記の作製工程において、導電体６０１、６０２、６０７、６０８、６１３の形成には、本発明のパターンの作製方法が適用される。導電体６１３は画素電極であり、比較的大きなパターンであるため、実施の形態２で示した本発明のパターンの作製方法を用いると、平坦化されたパターンを形成することができるため、好適である。
【００７５】
次にトップゲート型の薄膜トランジスタの作製方法について、図９、図１０（Ｂ）を用いて説明する。基板６００上に、ソース・ドレイン電極となる導電体６５０、６５１を液滴吐出法により形成し、該導電体６５０、６５１上に非晶質半導体、珪素の酸化物又は窒化物である絶縁体６５５を積層して形成する（図９（Ａ））。次に、ゲート電極となる導電体６５６を形成し、該導電体６５６をマスクとして、ドーピング処理を行うと、Ｎ型半導体６５３、６５４及びチャネル形成領域６５２が形成される。続いて、レジストやポリイミド等の有機絶縁体からなるマスク６５７を液滴吐出法により形成する（図９（Ｂ））。続いて、マスク６５７を用いてエッチングを行うと、絶縁体層６６０、Ｎ型半導体層６５８、６５９が形成される。その後、絶縁体６６１を全面に形成し、所定の箇所に開口部を形成後、ソース・ドレイン配線となる配線６６２、６６３を形成する。続いて、配線６６２と電気的に接続するように、画素電極となる導電体６６４を形成する（図９（Ｃ））。
【００７６】
上記作製工程では、最初に導電体６５０、６５１を形成し、その後、導電体６５０、６５１上に半導体及び絶縁体６５５を形成している。この際、半導体及び絶縁体６５５には凹部が形成され、本工程では、この凹部を土手として活用して、導電体６５６を形成する。そうすると、着弾精度が向上し、所望の箇所にパターンを形成することができる。
【００７７】
次いで、導電体６６４上に配向膜６４０を形成する（図１０（Ｂ））。カラーフィルタ６４４、対向電極６４３及び配向膜６４２が形成された基板６３１を準備し、基板６００と６３１とを、シール部の加熱硬化により貼り合わせ、その後、液晶６４１を注入すると、表示装置が完成する。基板６００、６３１には、偏光板６３０、６３２が貼り付けられている。
【００７８】
上記の作製工程において、導電体６５０、６５１、６５６、６６２、６６３、６６４の形成には、本発明のパターンの作製方法、配線の作製方法が適用される。配線６６２、６６３は本発明の配線の作製方法を適用すると、開口部に組成物が充填され、平坦化された導電層を簡単に形成することができる。また、導電体６６４の作製に、本発明のパターンの作製方法を用いると、平坦化されたパターンを形成することができるため、好適である。本実施例は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例２】
【００７９】
液滴吐出法は、所望の箇所のみにパターンを形成することができるという特徴を有する。本実施例は、このような特徴を活かし、パソコンに入力された回路配線を即座に作製するシステム、開口部検出手段を用いて開口部の径に合わせて最適なノズルを制御するシステムについて図１１、１２を用いて説明する。
【００８０】
まず、本システムの基幹となる構成要素について、図１１を用いて説明する。本システムは、ＣＰＵ５００、コントローラ５０１、モニター５０２、コントローラ５０３、液滴吐出手段５０４、吐出量制御回路５０５、ステージ５０６、撮像手段５０７、発光タイミング制御回路５１０、揮発性メモリ５１１、不揮発性メモリ５１２、キーボードやボタン等の入力手段５１３、開口部検出手段５１４が挙げられる。
【００８１】
次に、パソコンに入力された配線を作製するシステムについて、図１２（Ａ）を用いて説明する。
まず、ＣＡＤにより、回路設計が行われ、アライメントマーカー、ゲートメタル、２ｎｄメタル及びＩＴＯの配置箇所が決定する。そして、入力手段５１３により、コンピュータにデータが入力されると、このデータを基に、液滴吐出手段５０４が有するノズルのうち、最適な径の吐出口を有するノズルが決定され、続いて、該液滴吐出手段５０４の走査経路が決定する。また、基板上にフォトリソグラフィ技術やレーザ光を用いてアライメントマーカーを形成する。そして、アライメントマーカーが形成された基板を装置内に設置し、該装置に具備された撮像手段によりマーカーの位置を検出しておく。その後、決定された走査経路に従って走査され、選択的に組成物を吐出すると、パターンが形成される。
【００８２】
次に、上記とは異なるシステムについて、図１２（Ｂ）を用いて説明する。
まず、ＣＡＤにより、回路設計が行われ、ゲートメタル、２ｎｄメタル及びＩＴＯの配置箇所が決定する。そして、入力手段５１３により、コンピュータにデータが入力されると、このデータを基に、液滴吐出手段５０４が有するノズルのうち、最適な径の吐出口を有するノズルが決定され、続いて、走査経路が決定する。そして、装置内に設置された基板上に、決定された経路に従って、組成物を吐出してゲートメタルを形成する。その後、撮像手段５０７により、基板上のゲートメタルのパターン情報を検出し、コンピュータに情報として入力する。コンピュータでは、ＣＡＤにより設計されたゲートメタルのパターン情報と、撮像手段によって得られるパターンの情報とを照らし合わせて、基板との位置合わせを行う。その後、決定された経路に従って、残りのパターンの作成を行う。
【００８３】
なお、上記のシステムは、開口部を作製する場合にも適用することが可能で、例えば、入力手段５１３により開口部を設ける箇所のデータが入力されたら、該データを基に、液滴吐出手段５０４により、選択的にエッチング液を含む組成物を吐出する。そうすると、選択的に開口部を形成することができる。
【００８４】
次に、開口部の深さや径、アスペクト比に合わせて吐出量を制御するシステムについて説明する。開口部検出手段５１４は、開口部の深さに応じた径のノズルを検出する機能を有するものであり、公知のセンサを用いればよい。一般的に、開口部は、下から上に向かってその径が大きくなるため、最初に径が一番小さなノズルを用いて、徐々にそれよりも大きな径のノズルを用いるとよい。
また、圧電体を具備したノズルを用いた場合、該圧電体に印加する波形を制御することで、吐出量を制御するという特徴を有する。つまり、このシステムに本特徴を活用してもよく、より詳しくは、開口部検出手段５１４から得られた情報により、最適な径の吐出口を有するノズルを選択する。次に、ノズルから得られる吐出量を最適なものとするために、圧電体に印加する波形を制御する吐出量制御回路５０５を活用するとよい。
【００８５】
上記システムにより、露光を目的としたマスクが不要となり、露光、現像などの工程を大幅に削減することができる。その結果、スループットが高くなり、大幅に生産性を向上させることができる。また本構成は、配線の断線箇所や、配線と電極間の電気的接続の不良箇所などをリペアする目的で使用してもよい。この場合、例えばパソコンなどにリペア箇所を入力し、該箇所にノズルから組成物を吐出させる。
【００８６】
本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例３】
【００８７】
本発明の実施例について、図１３を用いて説明する。本実施例では、同一表面上に画素部及び該画素部を制御する駆動回路、並びにメモリ及びＣＰＵを搭載したパネルについて説明する。図１３は、ＴＦＴが形成された基板をシーリング材によって封止することによって形成された表示パネルの上面図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＢ-Ｂ’における断面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＡ-Ａ’における断面図である。
【００８８】
図１３（Ａ）はパネルの上面図を示し、該パネルは、基板４００上に複数の画素がマトリクス状に配置された画素部４０１を有し、該画素部４０１の周辺に信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３を有する。そして、これらを囲むようにしてシール材４０７が設けられる。対向基板４０９は、画素部４０１及び信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０３上のみに設けてもよいし、全面に設けてもよい。但し、発熱する恐れがあるＣＰＵ４０６には、放熱板を接するように配置することが好ましい。メモリ４０５は、不揮発性と揮発性のメモリのいずれでもよく、例えばＶＲＡＭ(画面表示専用メモリ)や、ＲＡＭなどに相当する。
【００８９】
基板４００上には、信号線駆動回路４０２及び走査線駆動回路４０３に信号を伝達するための入力端子部４１１が設けられ、該入力端子部４１１へはＦＰＣ４１２を介してビデオ信号等のデータ信号が伝達される。入力端子部４１１の断面は、図１３（Ｂ）に示す通りであり、走査線もしくは信号線と同時に形成された配線からなる入力配線４１３とＦＰＣ４１２側に設けられた配線４１５とを、導電体４１６を分散させた樹脂４１７を用いて電気的に接続してある。導電体４１６としては、球状の高分子化合物に金もしくは銀といったメッキ処理を施したものを用いる。
【００９０】
図１３（Ｃ）はパネルの断面図を示す。基板４００上には、画素部４０１、信号線駆動回路４０２及びＣＰＵ４０６が設けられる。画素部４０１にはＴＦＴ４３０と保持容量４２９が設けられ、信号線駆動回路４０２にはＴＦＴ４３１及び４３２が設けられ、ＣＰＵ４０６には複数のＴＦＴ４４０と配線４４１が設けられる。
【００９１】
ＴＦＴなどの半導体素子が設けられた基板４００と、対向基板４０９の間にはスペーサ４２２が設けられており、シール材４０７により接着されている。そして、画素部４０１と信号線駆動回路４０２上にはラビング処理された配向膜４３５、液晶層４２３、配向膜４２４、対向電極４２５及びカラーフィルタ４２６が設けられる。基板４００と対向基板４０９には偏光板４２８、４２９が設けられる。またＣＰＵ４０６を構成する素子として、複数のＴＦＴ４４０とその上層に積層形成された配線４４１を有する。
【００９２】
基板４００上の回路を構成する素子は、非晶質半導体に比べて移動度が高く、オン電流が大きい多結晶半導体（ポリシリコン）により形成され、それ故に同一表面上におけるモノシリック化が実現される。このようなパネルはシステムオンパネルとよばれ、システムの多機能化を図ることができる。また本パネルは、接続する外部ＩＣの個数が減少するため、小型・軽量・薄型が実現される。これは、最近普及が急速に進んだ携帯端末に適用すると、高付加価値化が実現されるため、大変有効である。
【００９３】
本実施例は、１層目に半導体素子を形成し、その上層に配線を積層形成する場合を示したが、本発明はこれに限定されず、半導体素子（主にトランジスタ）を積層形成し、その上層に配線を積層形成してもよい。また、剥離方法を用いて、別の基板上に形成された半導体素子を剥離して貼り付けることで、半導体素子を積層形成し、その上層に配線を積層形成してもよい。
【００９４】
本実施例は、表示素子として液晶素子を用いたパネルを示したが、本発明はこれに限定されない。表示素子として、例えば発光素子などの他の表示素子を用いたパネルに適用してもよい。本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【００９５】
本発明を適用して作製される電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、カーオーディオなどの音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、家庭用ゲーム機などの記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはＤＶＤ等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図１４、１５に示す。
【００９６】
図１４（Ａ）は、携帯端末であり、本体９３０１、音声出力部９３０２、音声入力部９３０３、表示部９３０４及び操作スイッチ９３０５等を含む。図１４（Ｂ）はＰＤＡであり、本体９１０１、スタイラス９１０２、表示部９１０３、操作ボタン９１０４及び外部インターフェイス９１０５等を含む。図１４（Ｃ）は、携帯型ゲーム機器であり、本体９２０１、表示部９２０２及び操作ボタン９２０３等を含む。図１４（Ｄ）は、ゴーグル型ディスプレイであり、本体９５０１、表示部９５０２及びアーム部９５０３等を含む。
【００９７】
図１５（Ａ）は、４０インチ程度の比較的大型の液晶テレビであり、表示部９４０１、筐体９４０２及び音声出力部９４０３等を含む。図１５（Ｂ）は、パソコンと付属して用いるモニターであり、筐体９６０１、音声出力部９６０２及び表示部９６０３等を含む。図１５（Ｃ）は、デジタルビデオカメラであり、表示部９７０１、９７０２等を含む。図１５（Ｄ）は、コンピュータであり、筐体９８０１、表示部９８０２及びキーボード９８０３等を含む。
【００９８】
上記に挙げた電子機器において、表示部９３０４、９１０３、９２０２、９５０２、９４０１、９６０３、９７０１、９７０２及び９８０２を含むパネルは、駆動回路やＣＰＵ等の機能回路４５０を具備することが好適である。この駆動回路や機能回路には、本発明を適用した多層配線が形成される。このように、駆動回路だけでなく、機能回路が一体形成されたパネルを有する場合、接続するＩＣの個数を減らすことができるため、小型・軽量・薄型が実現された電子機器を提供することができる。本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の液滴吐出装置を説明する図。
【図２】本発明の液滴吐出装置を説明する図。
【図３】本発明の液滴吐出装置を説明する図。
【図４】本発明のパターンの作製方法を説明する図。
【図５】本発明のパターンの作製方法を説明する図。
【図６】本発明のパターンの作製方法を説明する図。
【図７】本発明の配線の作製方法を説明する図。
【図８】薄膜トランジスタの作製方法を説明する図。
【図９】薄膜トランジスタの作製方法を説明する図。
【図１０】薄膜トランジスタの作製方法を説明する図。
【図１１】液滴吐出装置の構成要素を示す図。
【図１２】本発明のパターンの作製方法を説明するフローチャート。
【図１３】本発明が適用されたパネル。
【図１４】本発明が適用された電子機器。
【図１５】本発明が適用された電子機器。
【図１６】本発明の液滴吐出装置を説明する図。
【図１７】本発明のパターンの作製方法を説明する図。
【図１８】本発明の液滴吐出装置を説明する図。
【図１９】本発明のパターンの作製方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１００】
１０１  基板
１０２  吐出口
１０３  吐出口
１０４  吐出口
１０５  接着剤
１０６  ＳＵＳプレート
１０７  ンク室板
１０８  振動板
１０９  下部電極
１１０  ピエゾ
１１１  上部電極
１１２  供給孔
１１３  インク室
１２０  撮像手段
１２２  ステージ
１２３  インクボトル
１２４  基板
１２５  液滴吐出手段
１３１  ノズル
１３２  ノズル
１３３  ノズル
１３４  マーカー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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