(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の回路に合せて設計された設計データないし設計データにＯＰＣを適用したデータ等のフォトマスク作製用のパタンデータを処理対象のパタンデータとし、処理対象のパタンデータよりフォトマスクを作製せずに、データの段階で、処理対象のフォトマスクを作製した場合におけるウェーハへの転写性を検証する方法であって、処理対象のパタンデータに対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータと、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータと、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータとに対し、予め用意されたシミュレーションモデルを参照として使用し、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、得られた結果よりウエーハ転写性を検証するもので、且つ、前記シミュレーションモデルは、テストパタンデータをもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスクを用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群であることを特徴とするウエーハ転写検証方法。
【請求項２】
請求項１に記載のウエーハ転写検証方法であって、処理対象のパタンデータが、設計データに対し、ＯＰＣを適用したものであることを特徴とするウエーハ転写検証方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造における設計データのウエーハ転写検証、評価技術に関する。特に、半導体微細加工における、ウエーハ転写シミュレーション技術を用いた検証、評価技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体製造においては、回路の高密度化、素子の微細化が進み、１９９０年代後半から、フォトマスク（レチクルとも言う）を用い、半導体作製の際に用いられる露光機の露光波長よりも小さい図形をウエーハ上に露光することも行なわれるようになってきた。
この場合には、光の回折現象によりフォトマスク上に形成されたパタンと半導体ウエーハ上に形成されるパタンに違いが発生し、例えば、図３（ａ）に示す設計データのパタンは、ウエーハ上では、図３（ｂ）のようになる。
即ち、光の回折現象により、半導体ウエーハ上に形成されるパタンは、設計データとは異なり、歪みが発生する。
これを、一般には、光近接効果と言う。
このような光近接効果によるウエーハ上でのパタンの歪みを考慮し、半導体ウエーハ上に形成されるパタンを目的の形状とするために設計データに修正を加え、フォトマスクを設計データとは異なる形状に修正して作製し、修正して作製されたフォトマスクを用い、目的とする設計データにあった形状をウエーハ上に形成しようとする技術が光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）である。
【０００３】
このような光近接効果補正技術の適用例を図９に示す。
尚、図９においては、図９（ａ２）、図９（ｂ２）、図９（ｃ２），図９（ｄ２）は、それぞれ、図９（ａ１）、図９（ｂ１）、図９（ｃ１），図９（ｄ１）に示すパタンデータを用いて、ウエーハ上にパタンを形成した場合のパタン形状を示している。
図９（ａ１）に示すパタンデータは、設計データであり、光近接効果により、パタン９１０は、ウエーハ上では、線幅が細くなったり、短くなったりする。
図９（ｂ１）は設計データ（図９（ａ１））にＯＰＣを適用したデータを示している。
９２０はＯＰＣパタンである。
但し、ウエーハ露光時にデフォーカス（焦点ずれ）が発生していないものとする。
その結果、パタン９１０は、ウエーハ上では図９（ｂ２）のパタン９１２のようになり、図９（ａ２）に比べ、目的とする設計データのパタンの形状に近くなる。
【０００４】
しかし、図９（ｃ１）は図９（ｂ１）と同様、設計データにＯＰＣを適用したデータ中のパタンであるが、ウエーハ露光時にデフォーカス（焦点ずれ）が発生している場合には、ウエーハ上に形成されるパタンが変形し、例えば、図９（ｃ２）のようになる。
ウエーハ露光においては、ウエーハのたわみ、レジストの厚さ等を考慮すると、通常、３００ｎｍ程度デフォーカスが発生しうる。
このため、形状補正を目的としたＯＰＣ技術の一環として、デフォーカスによる変形の補正を目的として、デフォーカス余裕度を高める補助パタンＯＰＣを設計データに適用するＯＰＣ適用技術も採られている。
例えば、図９（ｄ１）に示すように、デフォーカス余裕度を高めるＯＰＣとして、補助パタン（アシストバー、あるいは単にＯＰＣパタンとも言う）９３０を、ＯＰＣパタン９２０の他に更に設計データに適用し、デフォーカス余裕度を高める。
この場合、デフォーカスが発生しても、ウエーハ上に形成されるパタンは、図９（ｄ２）のように、図９（ｂ２）に示すゼロデフォーカスの場合と同様、設計データのパタン（図９（ａ１）のパタン９１０）に近い形状となる。
即ち、図９（ｄ１）に示すデフォーカス余裕度向上のＯＰＣパタン９３０を適用することにより、ウエーハ露光時にデフォーカス（焦点ずれ）が発生した場合においても、図９（ｄ２）に示されるようになり、図９（ｃ２）の場合に比べ、光の回折による形状変形が修正され、結果、デフォーカス余裕度が向上する。
これにより、半導体製造の歩留まりの向上が期待できる。
【０００５】
上記のように、光近接効果など半導体の微細化プロセスにおいては、設計データの中のパタンとウエーハ上に形成されるパタン形状に違いが発生するため、最近では、設計データの検証、ＯＰＣ適用後のデータの検証に、ウエーハ転写シミュレーションが有効な手段として取り入れられている。
従来の、ウエーハ転写シミュレーションを用いたパタンデータの検証方法を図１０を用いて説明する。
尚、図１０中、Ｓ２１０〜Ｓ２６０は処理ステップである。
【０００６】
ここで、ウエーハ転写シミュレーションについて、簡単に説明しておく。
ウエーハ転写シミュレーションを行うのは、図１１に示すように、設計データのパタン２１を元に、ウエーハ上のパタン形状をシミュレーションするためのソフトウエアを搭載した装置（ウエーハ転写シミュレータと言う）１０で、表示部や入出力端末を備えているのが普通である。
ウエーハ転写シミュレーションは、通常、光シミュレーション（光モデルシミュレーションとも言う）とレジストシミュレーション（現像シミュレーションとも言い、プロセスモデルシミレーションの一つ）の２段階から成り、更に、光シミュレーション、レジストシミュレーション、エッチングプロセスシミュレーション（プロセスモデルシミレーションの一つ）の３段階構成のものもある。
光シミュレーションは、光源波長、光源開口数（ＮＡ）、σ（コヒーレント性を示すもので、ｓｉｇｍａとも表す）により一意的に決定する結像条件があり、他に選択的に収差や露光機の振動等を考慮するものである。
レジストシミュレーションは、光シミュレーションにより一意的に決定された結果をもとに、現像プロセス（レジストプロセス）のシミュレーションを行なうものであるが、パラメータ数が多すぎるため、通常は、テストパタンをウエーハに転写、測長してプロセスモデルを合せ込む方法が採られている。
エッチングプロセスのシミュレーションは、現像プロセス（レジストプロセス）のシュミレーションと同様に行なえるもので、場合によっては、このシミュレーションは省いても良い。
【０００７】
先ず、図１０のテストパタン２７０（Ｓ２７１）を元に、テストマスク２８０を作製し（Ｓ１７２）、ウエーハ転写（Ｓ２７３）、測長（Ｓ２７４）を経由して、シミュレーションモデルＢ（Ｓ１８０の２９０）を作成する。
通常、ウエーハはゼロデフォーカスが想定されている。
このようにして作成されたシミュレーションモデルＢ（２９０）を用いて、処理対象パタンデータ２１０として、半導体装置の回路に合せて設計された設計データにＯＰＣを適用したＯＰＣ付きデータを用いて、ウエーハ転写シミュレータ２５０によりウエーハ転写シミュレーションを行ないウエーハ上のパタン形状を評価、検証する。
処理対象のパタンデータ２１０に対し、シミュレーションモデルＢ（Ｓ２８０の２９０）を参照として使用し、所定のフォーカス（通常ゼロデフォーカス）でウエーハ転写シミュレーションを行ない、ウエーハ転写性を検証する。
ここで、シミュレーションモデルＢは、テストパタンデータ２７０をもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスク２８０を用い、所定のフォーカス（通常ゼロデフォーカス）のウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、１連の、テストパタンデータ２７０とテストマスク２８０とウエーハとの、対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群である。
ここで検証される内容は、ウエーハ上の形状の評価で、図１１の２３に示されるように、処理対象のデータのパタン２１とシミュレーション結果であるウエーハ上のパタン形状２３の差分２３ａ、２３ｂを測定し、規定値よりも大きい場合、設計での修正を促すものである。
【０００８】
図１０に示す、従来のシミュレーションを用いたウエーハ転写検証は、理想的な設計パタンを用い、製造されたフォトマスクには製造誤差が発生しないことが前提であり、また、ウエーハ転写条件も理想的なゼロデフォーカスが設定されることが前提であった。
このため、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を転写シミュレーションにより検出することができなかった。
ウエーハ上に形成されるパタン寸法が露光光波長の２／３程度までは、このような従来の検証でも充分であったが、更に微細化が進行する場合には、フォトマスク製造誤差、デフォーカス起因の変形は致命的なものとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように、近年の、半導体における回路の高密度化、素子の微細化が進む中、従来のシミュレーションを用いたウエーハ転写検証は、理想的な設計パタンを用い、製造されたフォトマスクには製造誤差が発生しないこと、且つ、ウエーハ転写条件も理想的なゼロデフォーカスが設定されることが前提であり、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を転写シミュレーションにより検出することができず、問題となっていた。
本発明は、これらに対応したもので、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を考慮した、ウエーハ転写検証方法を提供しようとするものである。
これにより、フォトマスク製造誤差やウエーハ転写時のデフォーカス起因の変形を設計データの段階で検証することを可能としようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のウエーハ転写検証方法は、半導体装置の回路に合せて設計された設計データないし設計データにＯＰＣを適用したデータ等のフォトマスク作製用のパタンデータを処理対象のパタンデータとし、処理対象のパタンデータよりフォトマスクを作製せずに、データの段階で、処理対象のフォトマスクを作製した場合におけるウェーハへの転写性を検証する方法であって、処理対象のパタンデータに対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータと、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータと、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータとに対し、予め用意されたシミュレーションモデルを参照として使用し、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、得られた結果よりウエーハ転写性を検証するもので、且つ、前記シミュレーションモデルは、テストパタンデータをもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスクを用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群であることを特徴とするものである。
そして、上記ウエーハ転写検証方法であって、処理対象のパタンデータが、設計データに対し、ＯＰＣを適用したものであることを特徴とするものである。
尚、ここで、設計データとは、半導体装置の回路に合せて設計されたレイアウト設計完了後のデータである。
【００１１】
【作用】
本発明のウエーハ転写検証方法は、このような構成にすることにより、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を考慮した、ウエーハ転写検証方法の提供を可能としている。
これにより、フォトマスク製造誤差やウエーハ転写時のデフォーカス起因の変形を設計データの段階で検証することを可能としている。
詳しくは、処理対象のパタンデータに対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータと、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータと、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータとに対し、シミュレーションモデルを参照として使用し、所望のウエーハ転写条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、ウエーハ転写性を検証するものであることより、フォトマスク製造誤差に起因するパタンの変形程度を見極めることができ、マスク製造仕様に基づいた検証が可能となる。
更に、マスク製造仕様を適切に設定することができる。
また、シミュレーションモデルとして、テストパタンデータをもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスクを用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群を用い、シミュレーションモデルを参照として使用し、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、ウエーハ転写性を検証するものであることより、ウエーハ製造過程でのデフォーカス余裕度を見極めることも可能としている。
即ち、フォトマスク製造誤差に起因するパタンの変形程度を見極めることができ、デフォーカス余裕度を見極めにることができることより、フォトマスク製造精度あるいは製造負荷、ウエーハ歩留まりの観点から、設計へのフィードバックをフォトマスク製造前の段階で見積もることが可能となる。
そして、処理対象パタンデータが、設計データに対し、ＯＰＣを適用したものである場合には、特に有効である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を挙げ、図に基づいて説明する。
図１は本発明のウエーハ転写検証方法の実施の形態の１例のフロー図で、図２はシミュレーションモデルを説明するための図である。
図１中、１００は設計データ、１１０は処理対象パタンデータ、１２０はフォトマスク仕様、１３０はオーバーサイズデータ、１４０はアンダーサイズデータ１５０はウエーハ転写シミュレータ、１６０はシミュレーション結果、１７０はテストパタンデータ、１８０はテストマスク、１９０はシミュレーションモデルＡである。
尚、図１中、Ｓ１００〜Ｓ１８０は処理ステップを示す。
【００１３】
本発明のウエーハ転写検証方法の実施の形態例を図１に基づいて説明する。
本例は、半導体装置の回路に合せて設計された設計データ１００ないし設計データ１００にＯＰＣを適用したデータ等のフォトマスク作製用のパタンデータを処理対象のパタンデータ１１０とし、処理対象のパタンデータ１１０よりフォトマスクを作製せずに、データの段階で、処理対象のフォトマスクを作製した場合におけるウェーハへの転写性を検証する方法で、
処理対象のパタンデータ１１０に対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し、元の処理対象のパタンデータ１１０と、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータ１３０と、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータ１４０とに対し、予め用意されたシミュレーションモデル１９０を参照として使用し、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハ転写シミュレーションを行ない、得られた結果よりウエーハ転写性を検証するものである。
ここで用いるシミュレーションモデル１９０は、テストパタンデータ１７０をもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスク１８０を用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない、更に転写された所定のパタンを測長し、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群である。
【００１４】
先ず、処理対象のパタンデータ１１０を用意する。（Ｓ１１０）
処理対象のパタンデータ１１０としては、半導体装置の回路に合せて設計された設計データ１００や設計データ１００にＯＰＣを適用したデータや、これらに何らかの処理を施したパタンデータが適用できるが、ここでは、分かり易くするため、設計データ１００（Ｓ１００）にＯＰＣを適用したパタンデータとする。
次いで、処理対象のパタンデータ１１０に対し、フォトマスクの製造仕様の製造誤差範囲内で、全体を図形演算により、所定の値で、オーバーサイズ処理、アンダーサイズ処理を施し（Ｓ１３１、Ｓ１４１）、元の処理対象のパタンデータ１１０と、これにオーバーサイズ処理が施されたオーバーサイズデータ１３０（Ｓ１３２）と、アンダーサイズ処理が施されたアンダーサイズデータ１４０（Ｓ１４２）とを得る。
【００１５】
一方、テストパタンデータ１７０（Ｓ１７１）をもとに、テスト用のフォトマスクであるテストマスク１８０を作製し（Ｓ１７２）、これを用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない（Ｓ１７４）、更に転写された所定のパタンを測長し（Ｓ１７４）、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ、フォトマスク、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけた寸法データ群を得て、これをシミュレーションモデル１９０として用意する。（Ｓ１８０）
例えば、ウェーハ転写（Ｓ１７３）の際に、露光条件を変えず、ゼロデフォーカスの他に、＋３００ｎｍデフォ一カスおよび−３００ｎｍデフォ一カス条件でウェーハを露光し、測長した結果を＋デフォ一カスデータ、−デフォーカスデータとして得る。
ここでは、一般的なウエーハ転写シミュレーション（例えば、Ｍｅｎｔｏｒ社のＣａｌｉｂｒｅ  ＯＲＣ）を行なうための条件を設定する。
例えば、露光条件として、光源波長（例えば、２４８ｎｍ）、光源開口数（ＮＡ：例えば０．７）、光源フィルタ（例えばｏｕｔ：０．７／in：０．５の輪体照明用の絞り）を元に、テストパタンデータ１７０（Ｓ１７１）を用いて、テストマスク１８０を製造し（Ｓ１７２）、実際のウェーハ露光機によりウェーハを露光して（Ｓ１７３）、ウェーハ上に形成されたパタンを測長する。（Ｓ１７４）
【００１６】
このテストパタンデータ１７０の一部概略例を図１２（ａ）に示す。
図１に示すテストパタンデータは、シミユレータのメーカが準備したものが多く、ライン＆スペースなど多種のパタンが準備されている。
このテストパタンデータ（図１の１７０に相当）を元に、テストマスク（図１の１８０に相当）を製造する。
フォトマスクのパタン形状をイメージしたものが図１２（ｂ）である。
このフォトマスクを用いてウェーハ上に転写したイメージが図１２（ｃ）となる。
このときに、テストマスク１８０の寸法とテストパタンデータ１７０とは違いが発生する。
図１０に示す従来のシミユレーションモデルＢ（２８０）を作成する場合には、図１２（ｄ）に示すように、パタンデータのパタン寸法、マスク寸法、ウェーハ寸法の表を作成し、これをシミユレーションモデルとして準備することになるが、本例で用いられるシミュレーションモデル１９０（Ｓ１８０）は、先にも述べた通り、テストパタンデータ１７０（Ｓ１７１）をもとに作製されたテスト用のフォトマスクであるテストマスク１８０（Ｓ１７２）を用い、ゼロデフォーカス、所定値マイナスデフォーカス、所定値プラスデフォーカスの各ウエーハ露光条件で、ウエーハへの転写を行ない（Ｓ１７３）、更に転写された所定のパタンを測長し（Ｓ１７４）、各ウエーハ露光条件について、１連の、テストパタンデータ１７０、マスク１８０、ウエーハの対応する箇所のパタンの寸法データを関連つけて得た寸法データ群で、図２に示すような表をシミユレーションモデルとして準備することとなる。
一般的には、この図２や図１２（ｄ）に示す表を準備すれば、シミユレータの付加機能により、シミユレータが参照して用いるシミユレーションモデルが自動生成されてしまう。
ここでは、図２や図１２（ｄ）に示すような表もシミュレーションモデルと言う。
【００１７】
フォトマスクの仕様１２０には、フォトマスク製造精度が記載されている。
例えば、設計寸法に対して＋／−２０ｎｍというようなものである。
製造寸法精度に基づいてフォトマスクが製造、検査されるわけであるが、実際のフォトマスクの寸法は、製造寸法精度内で変化しうる。
このため、一般に、製造寸法精度が＋／−２０ｎｍである場合には、オーバーサイズ処理１３１とアンダーサイズ処理１４１により、処理対象パタンデータ１１０を＋２０ｎｍオーバサイズしたオーバーサイズデータ１３０と、２０ｎｍアンダーサイズしたアンダーサイズデータ１４０を作成する。
【００１８】
次いで、ウエーハ転写シミュレータ（図１１の１０に相当）を用いて、処理対象パタンデータ１１０、オーバーサイズデータ１３０、アンダーサイズデータ１４０のウエーハ転写シミュレーションを実施する。（Ｓ１５０）
上記処理対象パタンデータ１１０、オーバーサイズデータ１３０、アンダーサイズデータ１４０を用いてシミュレーションする際、各パタンデータに対し、上述のゼロデフォーカスデータ、＋デフォーカスデータ、−デフォーカスデータを用い、それぞれシミュレーションを行なう。
つまり、パタンデータ３種、フォーカスデータ３種の計９種のシミュレーションを行なうことになる。
もちろん、フォトマスク製造仕様が＋側のみ、あるいはデフォーカス範囲が−側のみというように、ゼロ基準でプラス・マイナスの両方が規定されない場合も存在するため、一般には、４種ないし９種のシミュレーションとなる。
【００１９】
このような、多種のウエーハ転写シミュレーションによる得られるウエーハ上の形状例を、図３〜図８挙げて、簡単に説明する。
図３（ａ）〜図８の（ａ）は、パタンデータであり、図３（ｂ）〜図８（ｂ）は、それぞれ、図３（ａ）〜図８（ａ）に示すパタンデータを用いた場合に、ウエーハ転写シミュレーションにより得られる形状を示している。
尚、図３〜図７は、ゼロデフォーカスでウエーハ転写された場合のもので、図８はデフォーカスでウエーハ転写された場合のものである。
図３は、一般的な光近接効果のシミュレーションである。
処理対象パタンデータのパタン３１０に対し、図３（ｂ）では、丸まりが発生しているパタン３１１が得られる。
図４は、フォトマスク製造誤差のプラス側の誤差の影響をシミュレーションした例を示している。
図４（ａ）は、フォトマスク製造仕様のプラスの範囲で処理対象パタンデータ（点線部）をオーバサイズ（斜線部）したパタン４１０であり、図４（ｂ）はフォトマスク製造のプラス誤差により変形されたパタン４１１を示している。
フォトマスク製造誤差は一様であっても、変形量はパタンの疎密などに依存するため、変形計量が著しく大きくなる箇所と小さいままの箇所があり、大きい箇所が検出されることになる。
同様に、図５は、フォトマスク製造仕様のマイナスの範囲で、処理対象パタンデータ（点線部）をアンダーサイズ（斜線部）したパタン５１０（図５（ａ）をシミュレーションした結果（図５（ｂ））である。
アンダーサイズの場合は、隣接パタンと接続する変形は発生しないが、パタンが解像しないことがありえる。
【００２０】
図６〜図８は、デフォーカス余裕度を考慮したシミュレーションである。
図６（ａ）は、処理対象のパタンデータのパタン６１０の他にＯＰＣパタン６２０を配設し、アシストバーＯＰＣを適用したものであり、図６（ｂ）は、パタン６１０に対応するウエーハ上のパタン６１１の形状を示している。
図７（ａ）は、処理対象のパタンデータのパタン７１０の他に、図６（ａ）と同様のＯＰＣパタン７２０を配設し、アシストバーＯＰＣを適用したパタンであるが、何らかの理由でＯＰＣパタン７１０の一部が欠損した例である。
ＯＰＣパタン７２０は、デフォーカス余裕度を向上するためのＯＰＣであるため、ゼロデフォーカスではほとんど影響が現れず、図６（ｂ）、図７（ｂ）ともにウエーハ上のパタンの形状はほぼ同じものとなる。
しかしながら、図８は、図７（ａ）に示す処理対象データを用い、ウエーハ転写を、デーフォーカス状態で行ったシミュレーション結果（図８（ｂ）である。
図８（ｂ）に示すウエーハ転写の結果は、図７（ｂ）とは異なり、処理対象のパタンデータのパタン７１０に対応するウエーハ上のパタン７１２には、ＯＰＣパタン７２０の欠損に対応した箇所に細り部７１２Ａが発生する。
この細り部７１２Ａを検知することにより、ＯＰＣパタンの一部の欠損が検出できることになる。
【００２１】
このように、本例のシミュレーションによれば、種々の条件下でウエーハ上のパタン形状を得ることができ、得られたウエーハ上のパタン形状より、処理対象データについて不具合箇所を指摘できる。
そして、この結果を処理対象パタンデータの再作製ないし修正にフィードバックでき、これより、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を考慮した、ウエーハ転写検証方法が可能となる。
即ち、フォトマスク製造誤差やウエーハ転写時のデフォーカス起因の変形をパタンデータの段階で検証することが可能である。
【００２２】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、フォトマスク製造誤差、ウエーハ転写でのデフォーカスに起因するパタンの変形を考慮した、ウエーハ転写検証方法の提供を可能とし、フォトマスク製造誤差やウエーハ転写時のデフォーカス起因の変形を設計データの段階で検証することを可能とした。
特に、益々の近年の、半導体における回路の高密度化、素子の微細化にも、実用レベルで対応できるものとした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエーハ転写検証方法の実施の形態の１例のフロー図
【図２】シミュレーションモデルを説明するための図
【図３】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図４】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図５】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図６】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図７】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図８】用いられるパタンデータとウエーハ転写シミュレーション結果を示した図
【図９】ＯＰＣを説明するための図
【図１０】従来のウエーハ転写検証方法のフロー図
【図１１】ウエーハ転写シミュレータを説明するための図
【図１２】シミュレーションモデルを説明するための図
【符号の説明】
１０              ウエーハ転写シミュレータ
１１              光モデル
１２              プロセスモデル
２１              処理対象データのパタン
２２              露光形状
２３              ウエーハ上の形状
１００            設計データ
１１０            処理対象パタンデータ
１２０            フォトマスク仕様
１３０            オーバーサイズデータ
１４０            アンダーサイズデータ
１５０            ウエーハ転写シミュレータ
１６０            シミュレーション結果
１７０            テストパタンデータ
１８０            テストマスク
１９０            シミュレーションモデルＡ
２１０            処理対象パタンデータ
２５０            ウエーハ転写シミュレータ
２６０            シミュレーション結果
２７０            テストパタンデータ
２８０            テストマスク
２９０            シミュレーションモデルＡ
３１０          （処理対象のパタンデータの）パタン
３１０Ａ          パタン３１０の位置に対応する領域
３１１、４１１、５１１、６１１、７１１、７１１  （ウエーハ上の）パタン
３１１Ａ          パタン３１１の位置に対応する領域
４１０、５１０、６１０、７２０  （パタンデータの）パタン
７１２Ａ          細り部
９１０            パタン
９１１〜９１４    パタン
９２０            ＯＰＣパタン
９３０            補助パタン（アシストバー、あるいは単にＯＰＣパタンとも言う）
１１０１〜１１１２    ＩＤ
【図１】
0004748343.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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