(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、
前記実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命であることを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置。
【請求項２】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、
前記寿命予測手段は、受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置。
【請求項３】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、
前記寿命予測手段は、受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理として、前記表示手段から表示させることを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置。
【請求項４】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、
受信した実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命であることを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法。
【請求項５】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、
受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法。
【請求項６】
通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、
この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、
前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、
受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理することを特徴とするフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータシステムを円滑運用するためのフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置に関し、特にフラッシュメモリ・ストレージの寿命を高精度で予測するフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータシステムの記憶装置としては、一般的にはハードディスクドライブ（Hard Disk Drive :以下、ＨＤＤと記載する）が利用されている。ＨＤＤは、大容量であり、かつ廉価である。しかし、ＨＤＤには、データの読み書きの際に読み取り装置（ヘッド）をディスク上に移動させる時間（シークタイム）や、ディスク上の目的のデータがヘッド位置まで回転してくる時間（サーチタイム）が必要である。そのため読み書きの速度が遅いという欠点がある。またモータを使って回転させるため消費電力が大きいという欠点がある。さらにディスク駆動部が衝撃に弱いという欠点がある。
【０００３】
そのため最近は、ＨＤＤに代わって、半導体記憶素子を利用した半導体ディスク又はドライブ（Solid State Disk 又はSolid State Drive：以下、ＳＳＤと記載する）が利用されている。半導体記憶素子としては、いろんな記憶素子が利用可能であるが、現在はフラッシュメモリで、大容量化が進んでいるナンド（ＮＡＮＤ）型フラッシュメモリが主に利用されている。そのため、単に、フラッシュメモリ・ストレージ、フラッシュメモリディスク又はフラッシュメモリドライブと呼称される。このフラッシュメモリ・ストレージの欠点は、価格が高いことと、データ消去・書き込みの繰り返しに対して寿命があることである。
【０００４】
フラッシュメモリは、ゲート電極の下のゲート絶縁膜に蓄積された電荷量を記憶情報としている。そのため書き込みには、ゲート絶縁膜との電荷のやり取りが必要になり、書き込み回数が増えてくると、ゲート絶縁膜の特性が劣化する。このように、フラッシュメモリは、データ消去・書き込みの繰り返しに対して寿命がある。現状ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み回数としては、数万回から数十万回程度である。この記憶素子より構成されるフラッシュメモリ・ストレージも当然、寿命をもつことになる。近年、寿命がなくなったストレージ領域には、別の代替ブロックを割り当てるように制御することで、ストレージ・デバイスとしての信頼性が高まっている。また、フラッシュメモリ・ストレージ自身も、自らの残りの代替ブロック数がいくつあるかを検出するデバイスが実用化されている。
【０００５】
現状のフラッシュメモリ・ストレージの構成図及び運用方法を図６（ａ）及び（ｂ）に示している。端末装置ｎは、通信回線１１に接続され、フラッシュメモリ・ストレージＳＳＤｎを有している。フラッシュメモリ・ストレージＳＳＤｎは、残りの代替ブロック数を出力できる。フラッシュメモリの書き込みにおいては、残りの代替ブロック数が閾値よりも大きい場合にはそのままフラッシュメモリ・ストレージとして、運用を継続する。もし、残りの代替ブロック数が閾値よりも小さくなった場合には、ストレージ交換情報を通信回線１１によりホストコンピュータに送出し、ストレージを交換する。
【０００６】
同様な情報処理装置に関する先行特許文献として、下記特許文献がある。特開２００５−１２８８１７号公報（特許文献１）では、不揮発性メモリの保証可能な寿命回数値と、更新回数とを比較している。特許文献１の情報記憶装置は、更新回数が大きい場合には処理要求に対し拒否通知を返し、情報記憶装置としての処理動作は行わない。このように一定の処理回数になると、処理の停止、又はストレージの交換を要求することが行われることになる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１２８８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記したように、フラッシュメモリ・ストレージの場合には、その書き込み処理回数に制限があり、一定の処理回数になると、処理の停止、又はストレージの交換が必要になる。一定の処理回数になり、処理が急に停止されると、業務遂行上は大問題となる。又残代替ブロック数に閾値を設定して、閾値以下になったらストレージを交換する方式は、どれ位の期間内で交換すればよいのかが不明確で実用性に欠けるという問題がある。また、フラッシュメモリ・ストレージの残代替ブロックの寿命ばらつきが大きい場合、その曖昧性が大きく、本当の交換時期がはっきりしないという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、上記した課題を解決し、コンピュータシステムを円滑に運用するためのフラッシュメモリ・ストレージの寿命予測方法と寿命監視装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した課題を解決するため、本願発明のフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置と同じ通信回線に接続され、フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、前記実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命であることを特徴とする。
また、他のフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、前記寿命予測手段は、受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することを特徴とする。
また、更なる他のフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、前記予測寿命を明示する表示手段とを備え、前記寿命予測手段は、受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理として、前記表示手段から表示させることを特徴とする。
【００１１】
また本願発明のフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法は、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、受信した実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命であることを特徴とする。
また、他のフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法は、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することを特徴とする。
また、更なる他のフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法は、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備え、前記フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、前記１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信し、前記フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて前記１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出し、受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、寿命を有する記憶装置に対して、書き込み回数や書き込みデータ量を考慮したうえで、予測寿命（寿命回数）を算出し、装置によりリアルタイムで残り寿命を監視する。そのため、記憶装置部品の交換を保守員に明示的に知らせることができるという効果がある。
【００１３】
本発明においては、記憶装置部品の交換を保守員に明示的に知らせ、円滑に運用することができるフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態について、添付した図面１〜５を参照しながら、詳細に説明する。図１に本発明に係るフラッシュメモリ・ストレージを備えた端末装置のネット構成図を示す。図２にフラッシュメモリ・ストレージの残代替ブロック数と累積ブロック書換回数の関係図を示す。図３に実績寿命のデータ採取の説明図を示す。図４に残代替ブロック数がＭになったときに、情報を送信する動作図を示す。図５に受信した情報（データ）から予測寿命を算出するための説明図を示す。
【００１５】
フラッシュメモリ・ストレージを備えた端末装置のネット構成を図１に示す。フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置１０は、フラッシュメモリ・ストレージＳＳＤ（１〜ｎ）を記憶装置として用いる端末装置（１〜ｎ）に通信回線１１を介して接続されている。各々の端末装置（１〜ｎ）は、後述する実績寿命情報を通信回線上に送信する。フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置１０は、それらを受信する受信手段と、予測寿命を算出する寿命予測手段と、その予測寿命を明示する表示手段を備えている。この予測寿命に基づいてフラッシュメモリ・ストレージを交換すべき端末装置番号（１〜ｎ）を示すとともに、何日以内に交換する必要があるのかを指示することができる。
【００１６】
端末装置（１〜ｎ）はコンピュータであり、それぞれ主記憶装置としてフラッシュメモリ・ストレージ（１〜ｎ）が使用されている。半導体であるフラッシュメモリ素子は、内部のブロックと呼ばれる単位でデータの消去、書き込みを行い、ストレージとしての機能を実現している。このフラッシュメモリの物理的特性として、データ消去・書き込みを繰り返すことにより、メモリ素子の絶縁膜の破壊などにより寿命を迎える。
【００１７】
記憶装置として構成する際に、前述の寿命による欠点を補うために、代替ブロックが確保されている。１つのブロックが寿命に到達した場合には、代替ブロックを１つ割り当てることにより、継続的に使用できる仕組みが実現されている。１つのブロックが寿命に到達すると、代替ブロックが１つ割り当てられ、これを繰り返していく。しかし、代替ブロックの数も有限であるため、すべてを使い尽くせば、フラッシュメモリ・ストレージはデータ消去・書き込みが出来ないため寿命故障に至る。
【００１８】
各端末装置のフラッシュメモリ・ストレージは、それぞれ代替ブロックを保有している。保有している数は、稼働状況が異なるため一律ではない。各々のフラッシュメモリ・ストレージが有している残りの代替ブロックの数を、残代替ブロック数と呼ぶ。この残代替ブロック数はフラッシュメモリ・ストレージ自ら検出でき、端末装置に記憶される。
【００１９】
図１に示すそれぞれの端末装置の実績寿命情報は、代替ブロック数の変化が無い状態、すなわち代替ブロックが新規に割り当てられ、その後、また新規に割り当てられるまでの間の各種情報をフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置に通信回線を経由して流す。フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、各々の端末装置からの実績寿命情報を蓄積し、寿命故障に至るまでの日数を予測する。
【００２０】
次に、本発明の動作を図２、図３、図４、図５を用いて説明する。図２には、残代替ブロック数と累積ブロック書換回数の関係を示している。残代替ブロック数は、本来、離散的数値であり、図の○が残代替ブロック数を示す。残代替ブロック数が減少していくことは、すなわちフラッシュメモリ・ストレージへの消去・書き込み回数が累積していくことを意味している。また残代替ブロック数は、累積ブロック書換回数に対して直線的に減少しない。これは、フラッシュメモリ・ブロック全体の書き込み回数が徐々に高まってくるため、残代替ブロック数は、末期では急激に減少する。
【００２１】
図２において、残代替ブロック数がＭ個に到達したら、フラッシュメモリ・ストレージを交換するとする。ここで問題となるのが、図２の破線カーブで示した、メモリ素子のバラツキによる曖昧性と、末期の急激な代替ブロック数の減少である。交換時期をＭからＭ＋１、にすれば交換余裕時間は増加するが、余命を残したままの交換になるため経済効果が出ない。経済効果を高めるためには、曖昧性を排除し精度の高い寿命予測を行う必要がある。
【００２２】
曖昧性を排除するための実績寿命のデータ採取の実施例を、図３を用いて説明する。図３では、残代替ブロック数が（Ｍ＋１）、Ｍ、（Ｍ−１）の時についての、装置稼働時間、ブロック書換回数が示してある。たとえば、残代替ブロックが（Ｍ＋１）のときは、装置稼働時間は、矩形で示される時間帯で装置が稼動している。たとえば、朝９時から夜１２時まで稼動するようなイメージである。その際に、装置内部のフラッシュメモリ・ストレージへのブロック書換は、棒状表現で示されるように逐次発生しており、装置稼働時間帯の中でも決して均一ではなく、また、稼動日によってもばらついてくる。これらは、すべて端末装置で記録されている。この記録されたデータを、残代替ブロック数が、（Ｍ＋１）からＭに変わったと同時に、残代替ブロック数（Ｍ＋１）の期間中の実績寿命（期間）、装置稼働時間、およびブロック書換回数をすべて集計し、実績寿命情報としてフラッシュメモリ・ストレージ監視装置に流す。
【００２３】
ここでの総ブロック書換回数、総装置稼働時間、実績寿命（期間）は、１つのブロックが寿命になり１つの代替ブロックが割り当てられてから、次に新たに１つの代替ブロックが割り当てられて期間におけるデータである。それぞれのブロックでは書き換え回数が多くなっていることから、残代替ブロック数がＭ＋１、Ｍ、Ｍ−１の期間におけるこれらのデータは、基本的には順次小さな値になっていく。１つの代替ブロックが割り当てられてから、次に新たに１つの代替ブロックが割り当てられて期間に順次短くなる。つまり末期では、残代替ブロック数は、急激に減少することになる。そのため寿命予測を精確に行う必要がある。
【００２４】
図４は、残代替ブロック数がＭになった瞬間に、残代替ブロック数が（Ｍ＋１）の期間における実績寿命情報を配信する動作を示している。ここでは端末装置番号、残代替ブロック数とともに実績寿命情報として総ブロック書換回数、総装置稼働時間、実績寿命（期間）が配信される。
【００２５】
次に図５を用いて、フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置の動作を説明する。Ｎ台の端末装置中、図５に示すように端末装置番号１、２、３、・・・・が既に残代替ブロック数（Ｍ＋１）が終わり、残代替ブロックＭまたは、（Ｍ−１）に入っている状況が示してある。またここで、フラッシュメモリ・ストレージのうち最初に残代替ブロックＭになった場合には、これらのデータがなく、また平均値が得られない。この場合には今までの類似したシステムの平均値データや、半導体メーカから入手したデータを仮の平均値として入力することができる。
【００２６】
ここに、端末装置（Ｘ）の実績寿命情報が入る。最初に（１）処理を説明する。（１）処理は、フラッシュメモリ自体のバラツキが原因で、総ブロック書換回数の平均値と乖離していないかのチェックをおこなう。ここでは、平均値との差が−２０％未満であれば通常寿命予測してよいと定め、寿命予測を行う。−２０％を超えた端末装置に対しては、耐力が小さいものとしてアラーム処理をして、緊急的に交換を促す。ここでは、平均値との差が＋１３％（13585495/11964585）であるため通常寿命予測処理を行う。
【００２７】
次に（２）処理と（３）処理の説明を行う。端末装置番号Ｘの実績寿命情報から実績寿命（期間）と総装置稼動時間が得られているため、装置稼働率を算出することが出来る。装置稼働率は（総装置稼働時間／実績寿命（期間））となる。端末装置Ｘの装置稼働率が４０％で、平均値が５５％、そのときの平均の予測寿命が１３８（日）であるので、比例計算を行い、端末装置Ｘの予測寿命は１９０（日）と算出される。すなわち１９０（日）以内にフラッシュメモリ・ストレージを交換せよ、の指示となる。
【００２８】
本実施形態のフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、実績値としてのブロック書換回数、実績寿命、装置稼働率をすべての稼動装置にて逐次データ収集し、予測寿命を算出する。予測寿命から、フラッシュメモリ・ストレージの交換時期を保守員に明示的に知らせることができる。
【００２９】
本発明によるフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、フラッシュメモリを電子装置の記憶装置として使用し、複数の同種端末を稼動させる場合に、ストレージ寿命を予測し、端末のフラッシュメモリ・ストレージを交換する時期を高精度で算出する機能を有する。予測寿命を精度良く得るためには、実績値としてのブロック書換回数や、実績寿命、装置稼働率をすべての稼動装置にて逐次データ収集し、統計的に算定することが有効である。
【００３０】
本発明においては、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備えている。フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信する。フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信する受信手段と、受信した実績寿命情報を用いて１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出する寿命予測手段と、予測寿命を明示する表示手段とを備えたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置が得られる。
【００３１】
この実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命を含んでいる。寿命予測手段は、受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することができる。また寿命予測手段は、受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理として、表示手段から表示させてもよい。
【００３２】
本発明においては、通信回線に接続されたフラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置と、それぞれがフラッシュメモリ・ストレージを有する複数の端末装置とを備える。フラッシュメモリ・ストレージのうちのいずれか１つに代替ブロックの１つが割り当てられ、残代替ブロック数が規定値Ｍに減少したとき、この残代替ブロック数が規定値Ｍに減少した１つのフラッシュメモリ・ストレージを有する１つの端末装置は、１つのフラッシュメモリ・ストレージにおける残代替ブロック数と実績寿命情報とを送信する。フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置は、送信された残代替ブロック数と実績寿命情報を受信し、受信した実績寿命情報を用いて１つのフラッシュメモリ・ストレージの予測寿命を算出するフラッシュメモリ・ストレージ寿命予測方法が得られる。
【００３３】
これらの受信した実績寿命情報は、残代替ブロック数が規定値Ｍよりも１つ多いＭ＋１の期間における総ブロック書換回数、総装置稼動時間、実績寿命を含んでいる。受信した実績寿命情報と、他のフラッシュメモリ・ストレージの実績寿命情報の平均値とを比例計算することで、予測寿命を算出することができる。受信した実績寿命情報の総ブロック書換回数が他のフラッシュメモリ・ストレージの総ブロック書換回数の平均値より２０％以上下回った場合には異常とし、アラーム処理しても良い。
【００３４】
上記したように実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記の実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係るフラッシュメモリ・ストレージを備えた端末装置のネット構成図である。
【図２】本発明に係るフラッシュメモリ・ストレージの残代替ブロック数と累積ブロック書換回数の関係図である。
【図３】本発明に係る実績寿命のデータ採取の説明図である。
【図４】本発明に係る残代替ブロック数がＭになったときに、情報を送信する動作の説明図である。
【図５】本発明に係る受信した情報から予測寿命を算出するための説明図である。
【図６】従来のフラッシュメモリ・ストレージを備えた端末装置のネット構成図である。
【符号の説明】
【００３６】
１、２、・・・ｎ    端末装置
ＳＳＤ１、ＳＳＤ２、・・・ＳＳＤｎ    フラッシュメモリ・ストレージ
１０    フラッシュメモリ・ストレージ寿命監視装置
１１    通信回線
【図１】
0004743905.tif 000002
【図２】
0004743905.tif 000003
【図３】
0004743905.tif 000004
【図４】
0004743905.tif 000005
【図５】
0004743905.tif 000006
【図６】
0004743905.tif 000007