(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量結合型高周波プラズマ反応装置であって、
基板支持表面を有する少なくとも１つの第１の電極と、
前記第１の電極から距離を置く少なくとも１つの第２の電極とを含み、前記第２の電極は、前記基板支持表面に対向する凹面の表面を有し、前記反応装置はさらに、
前記第１の電極と前記第２の電極との間を延在する内側のプロセスエリアと、
前記プロセスエリアにプロセスガスを供給するためのガス吸入口と、
ある接続位置で前記電極の少なくとも１つに接続され、プラズマ放電を前記プロセスエリアにおいて生成するための１３．５６ＭＨｚより大きい周波数用の少なくとも１つの高周波発生器と、
プロセスガスを前記反応装置から排出するためのガス排出口と、
ガス状の誘電層を規定するよう前記凹面の表面を有する第２の電極の側に亘って配される均一な厚さの平らな誘電板とを含み、
前記基板支持表面は、前記プロセスエリアの１つの境界を規定し、プラズマ放電のプロセス工程に晒される少なくとも０．７ｍの最大寸法を有する少なくとも１つの基板を受入れるよう構成され、
前記誘電板および前記ガス状の誘電層は、前記基板および前記プラズマ放電と電気的に直列に配され、前記基板の作業面の少なくとも１つの方向に沿って単位表面あたりの静電容量の値が均一ではない、所与の分布プロファイルを生成し、前記作業面に沿って不均一の態様でプロセスを補償するための誘電体構造を形成する、反応装置。
【請求項２】
前記ガス状の誘電層は、前記反応装置が場所に依存した単位表面あたりの静電容量の値を前記作業面に沿って有するように、前記基板の前記作業面に垂直な方向に沿うとともに前記誘電層に沿って不均一である厚さを有する、請求項１に記載の反応装置。
【請求項３】
前記ガス状の誘電層の厚さは、周辺に向かって次第に減少する、請求項２に記載の反応装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの高周波発生器は、少なくとも１つの電極に中央で接続される、請求項１に記載の反応装置。
【請求項５】
前記誘電板はセラミック材料から形成され、前記基板は誘電または金属材料から作られる、請求項１に記載の反応装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、容量結合型の高周波（ＲＦ）プラズマ反応装置およびこのような反応装置での少なくとも１つの基板の処理のための方法に関する。特に本発明は、面積の大きな基板のための容量結合型の（ＲＦ）プラズマ反応装置に関する。
【０００２】
（従来技術）
このような反応装置は、「容量性」ＲＦグロー放電反応装置として、ないしは平板のプラズマ静電容量(Plasmakapazitaeten)または平行−平板のＲＦプラズマ反応装置として、あるいは上記の概念の組合せとして公知である。
【０００３】
容量性ＲＦプラズマ反応装置は、通常、基板をグロー放電のプロセス工程にかけるために使用される。基板表面の性質を変えるために種々のプロセスが用いられる。プロセスおよび殊にグロー放電に導入されたガスに依存して、基板の性質を変化させることもできるし（付着性、湿潤性）、薄膜を被せることもできるし（化学蒸着ＣＶＤ、２極スパッタリング）他の薄膜を的確に除去することもできる（ドライエッチング、ドライエッチング法）。
【０００４】
下記の表には、低圧でのコンデンサー放電の際に実施することができる種々のプロセスが簡単にまとめられている。
【０００５】
【表１】
0004833469.tif 000002
【０００６】
工業で常用される高周波発生器の標準周波数は、１３．５６ＭＨｚである。この周波数は、工業利用のために国際電気通信協定(internationale Fernmeldeabkommen)によって認められている。しかしながら、これより低いおよびこれより高い周波数は、プラズマ静電容量の応用の開拓期以来、論議されてきた。今日、例えばプラズマＣＶＤ適用（プラズマ化学蒸着）の場合に１３．５６ＭＨｚを超えるＲＦ周波が使用される傾向がみられ、この場合、例えば２７．１２ＭＨｚおよび４０．６８ＭＨｚの値が支持されている（１３．５６ＭＨｚの倍音）。したがって本発明は、ＲＦ周波（１〜１００ＭＨｚの範囲）に関するが、しかしながら主として比較的高い周波数（１０ＭＨｚ超）の場合が重要である。本発明は、それどころかマイクロ波範囲（数ＧＨｚ）を使用することができる。
【０００７】
重大な問題が、大きな判（表面）の基板と組み合わされた１３．５６ＭＨｚを超えるＲＦ周波数の場合に、反応装置の大きさがプラズマが発生するプロセス領域内の電磁ＲＦ波の自由真空波長(freie Vakuumwellenlaenge)に比例してもはや無視できなくなるという形で生じる。この場合には反応装置内のプラズマ強度は、もはやこれ以上均一であることは不可能である。この制限の物理的な原因は、ＲＦ波が反応装置の内部の形成される定在波（局所的な振動）に沿って分散することにある。他の不均一性、例えばプラズマ−プロセスに使用されるガスによって惹起される不均一性が、反応装置内で同様に生じる可能性がある。
【０００８】
本発明の目的は、反応装置内の電磁的な（もしくはプロセス−）不均一性を除去または少なくとも著しく減少させるための解決を提案することである。
【０００９】
したがって、本発明の重要な特徴によれば、改善された容量結合型ＲＦプラズマ反応装置は、
−  少なくとも２つの導電性の、相互に分離した電極、その際、いずれもの電極が外側の表面を有している、
−  これら電極間に囲まれた内側のプロセス空間、
−  内側のプロセス空間に反応ガスを供給するためのガス供給装置、
−  プロセス空間内のプラズマ放電の発生のための、電極の少なくとも一方と接点で結合している少なくとも１つのＲＦ発生器、および場合によっては基板へのイオン衝撃を高めるためのもう１つのＲＦ発生器、
−  反応装置から反応ガスを除去するための装置、その結果、該ガスが反応装置内ないしは少なくとも前記プロセス空間内で循環する、
−  内側のプロセス空間の境界形成しかつプラズマ放電のプロセス工程にさらされるべき、少なくとも１つの基板、その際、該基板は電極間に配置されている、からなる反応装置において、
さらに少なくとももう１つの誘電性の「補正」層が、少なくとも１つの基板および該プラズマと電気的に直列になっている静電容量として、内側のプロセス空間の外側に存在しており、その際、反応装置内のプロセス不均一性を補償するかまたは設定した分布プロフィールを発生させるために該誘電層が表面単位で一定ではない静電容量を有していることを特徴とする反応装置である。
【００１０】
換言すれば、本発明の反応装置内での、提案される処理方法は、
−  少なくとも１つの基板を少なくとも２つの電極の間に配置し、その際該基板が標準平面に合わされており、
−  反応ガス（またはガス混合物）を両方の電極間の内側のプロセス空間内に導入し、
−  高周波発生器を電極の少なくとも一方に接点で接続し、
−  プラズマ放電を基板の前の内側のプロセス空間の少なくとも１つの領域内に発生させ、その結果、該基板がプラズマ放電のプロセス工程に曝され、
−  該基板および該プラズマと電気的に直列になっている特別の静電容量(Extra-Kapazitaet)を生じさせ、その際、該特別の静電容量が１つの断面形状を有しており、かつ、
−  特別の静電容量の該断面形状が、該断面形状が表面単位あたりの、場所に依存した静電容量を少なくとも基板の標準平面の方向に有するように決定されていることによる工程を含んでいる。
【００１１】
上記の解決手段が一般的に有効であることが確認されなければならない。該解決手段は、全てのプラズマ−プロセスに有効であるが、しかしながら、特定のＲＦ周波数にしか有効ではない。
【００１２】
上記の（本質的に）「誘電性の層」に相応するこの「特別あつらえの(massgeschneiderte)特別の静電容量」は、容量分圧器の構成要素として機能する。
【００１３】
容量の変化は、有利に前記の層の不均一な厚さによって達成することができる。このように特別の静電容量は、断面形状前記の表面に沿って平らではない輪郭(Verlauf)を有する。
【００１４】
反応装置のプロセス空間内の不均一な電圧分布を補償するために前記の厚さは、有利に次のとおり決定される：
−  いわゆる「補正層」は、前記の電極への高周波発生器の接点から最も遠くに離れている、プロセス空間の位置で最も厚く、その際、この距離が、外側の電極表面をたどることによって測定され、
−  かつ、プロセス空間内の該位置と付属の電極の接点との間の距離が減少するのと同じく該厚さが有利にプロセス空間内の該位置からはじめて減少する。
【００１５】
当然のことながら、上記の「距離」は、全ての可能な経路のうちの最短のものと解釈されなければならない。
【００１６】
プロセス空間内に供給される、拡散する電磁波が、反応器の中心付近で重なり合い、その結果、定在波が形成されかつこのようにして電圧最大値が反応器の中心の周りに生じる場合には、いわゆる「補正層」の厚さは、中央では縁部でより大きくなる。
【００１７】
本発明による、いわゆる「補正層」の適合のための解決は、該層の少なくとも表面を、該層が、プロセス空間の内側に向けられている平らではない外側表面、有利に曲面で凹面の表面、を有するように形成することにある。このような「平らではなく形成された」表面は、種々の方法で得ることができる。
【００１８】
本発明による有利な方法は、前記の電極の少なくとも一方を、該電極が基板に向けられた平らではない表面、殊に通常曲面で、凹面の表面、を有するように形成することである。
【００１９】
本発明の他の目的は、いわゆる「補正層」の組立てまたは構造を定義することである。
【００２０】
有利な実施態様の場合には前記の層は、固体の誘電層、ガス状の誘電層の実施可能な態様の少なくとも１つを有している。
【００２１】
該層がガス状の誘電層として実施されている場合には、該ガスは、有利に、プラズマが発生する内側のプロセス空間と結合している。
【００２２】
平らではなく形成された外側表面を有する板からなる基板は、同様に、本発明による反応装置にいわゆる「補正層」を備えるための解決を示す。
【００２３】
本発明のもう１つの目的は、、反応装置内での基板の配置を定義することである。即ち、基板は、前記の固体の構成要素と一方の電極との間に存在するスペーサ材の上に配置された固体の構成要素を有することができ、その際、該スペーサ材は、前記の「補正層」の中に存在し、かつ、種々の距離を決定する寸法を有する。このようなスペーサ材によって惹起される問題は、スペーサ材と基板の間の接触による局所的な磁界障害に関係する。
【００２４】
したがって、本発明によれば、スペーサ材が有利に固体の構成要素のための支え部(Auflage)として適当である固体の端部を有し、その際、該固体の端部が周囲を囲む空所を有することが提案される。
【００２５】
さらなる記載は、本発明による改善によってプラズマ−プロセス中の電磁的不均一性を顕著に減少される容量結合型ＲＦプラズマ反応装置に関する。
【００２６】
ＲＦ電源の周波数が１０ＭＨｚを超えるとただちに、とりわけ多くのプロセスプラズマ内での電磁的な拡散によって０．５ｍ2以上の、殊に１ｍ2を超える、規模で、基板に対する真の制限がもたらされる。正確に言えば、プラズマに曝される基板の最大寸法が考慮されなければならない。該基板が概ね正方形の表面を有している場合には、該「最大の寸法」は、該正方形の対角線である。したがって、いずれの「最大の寸法」も、ほぼ０．７ｍより厳密に大きい。
【００２７】
本発明によって解決される基本的な問題は、プラズマ静電容量(Plasma-Kapazitaet)内での電磁波の拡散性のために、プロセス空間内のＲＦ電圧が均一ではないことにある。ＲＦ電源が中央で電極に接続される場合には、該電圧は、該電極の中央から縁部に向かって若干減少する。
【００２８】
上記のとおり、プラズマ自体内の（本質的に）均一なＲＦ電圧を達成するための方法は、次のとおりである：
−  静電容量を電極間に導入し、その際、該静電容量が反応装置内のプラズマ（および基板）と直列に接続されている、
−  該特別の静電容量がプラズマ静電容量自体とともに、例えば不均一なガスの組成、縁部効果(Randeffekten)によるかまたは温度勾配により生じるプロセス−不均一性を補償するために局所的なＲＦ電力分布を適合させる分圧器として機能する。
【００２９】
さらに次に有利な本発明による実施態様を図につき詳説する：
（好ましい実施の形態）
図１および２では、反応装置が１で示されている。反応装置１は、それぞれの外側面３ａ，５ａを有する２つの金属電極３，５を備えている。この電極は、互いに離れている。
【００３０】
ガス供給源によって７該反応装置に反応ガス（ガス混合物）が供給され、該反応ガスの中でプラズマがＲＦ−放電によって発生する（上記の表参照）。該反応装置のもう一端にあるポンプ装置８によって該ガスが吸い出される。このＲＦ−放電は、高周波電源９によって発生し、該高周波電源は、位置９ａで上側の電極３に接続されている。位置９ａは、上記電極の外側面３ａの裏側の中央に位置している。
【００３１】
この概略図にはさらに特別の静電容量１１が、電気的に直列に連なったプラズマ１３および該特別の静電容量上に配置された基板１５とともに示されている。
【００３２】
該プラズマ１３は、電極３と基板１５の間に広がる内部空間（プラズマと同じ参照番号が付されている）の中に観察することができる。
【００３３】
基板１５は、均一な厚さｅを有する誘電板であることができ、この誘電板は、内側のプロセス空間１３の下端を、基板１５がプラズマ放電に曝されているように決定している。基板１５は、一般的平面１５ａに位置合わせされており、かつ、該基板の厚さｅは、この平面に対して直角である。
【００３４】
基板１５と下側の電極５の間に入れられた特別の静電容量１１によって、プラズマ全体にわたる（電極３と基板１５との間の、例えば線１７に沿った）ＲＦ電圧（Ｖp）が電極３、５の間の高周波電圧（ＶRF）の一部でしかない状態で電圧の変化が生じる。
【００３５】
特別の静電容量１１が物質としては上記の平面１５ａに対して直角である方向で不均一な厚さｅ1を有する誘電層として（例えばセラミック板として）定義されていることに注意する必要がある。
【００３６】
電極３へのＲＦ電源の接続が中央に存在しているため、また反応装置の上記の（図１および２に示された）構成要素の配置のために、誘電板１１の厚さｅ1は中央で最大でありかつ該中央から縁部に向かって減少し、これはプロセス空間１３内の電磁的な不均一性を平均化するのが目的である。このようにして比較的厚い該直列静電容量(Serienkapazitaet)の存在によってプラズマ全体にわたる実効電圧が減少する。そのことから図１および２に示されたような面積の大きな基板については反応装置内の電磁効果の補償のために、直列静電容量１１は、反応装置の中央でもう少し厚くてなくてはならずかつ縁部に向かって減衰しなければならない。
【００３７】
図３〜８の概略図には、図１および２に示されているような型の容量結合型の高周波プラズマ反応装置内の前記の不均一性の補償を可能にする種々の可能なコンフィギュレーションが示されている。図３〜８に示された基本的なオプションの組合せが可能であることがわかる。
【００３８】
図３の場合には均一な厚さｅ2を有する平板のセラミック板２１が上側の電極２３に固定されている。これに適合した間隙３１が金属電極２３とセラミック板２１の間に存在している。もう一方の電極２５の上側に基板３５が配置されており、この基板は、誘電性であってもよいし、金属であってもよい（あるいは少なくともその表面の一方が導電性であってもよい）。
【００３９】
図３〜８の場合には、付属の電極へのエネルギー源（例えば図１および２のＲＦ電源９）の接続の位置は、電極上の中央に配置されていると仮定されており、かつ、同様に図示されているとおりの反応装置の一般的な形状寸法と仮定されており、その結果、このような条件下で、適合された層３１は、前記のプロセス空間１３方向に凹面の通常の断面形状を有した曲面である裏側の表面３１ａを有している。
【００４０】
このようにして、付属の上側の電極２３（該電極の内側の境界はプロセス空間１３に向けられておりかつ前記の表面３１ａを決定する）は、可変の厚さｅ3を有する。ｅ3の寸法は、電極の中央で最も薄くかつその縁部で最も厚い。
【００４１】
第２の対向する電極２５は、第１の電極２３に対して通常平行であり、かつ、均一な厚さｅ4を有する。
【００４２】
固体の誘電板２１と調整された間隙３１の間の結合が気密な結合ではないことは、わかる。このようにしてプロセス空間１３中に導入された反応ガスは、間隙３１の中を循環することができ、この間隙の厚さは、有利に、その中でプラズマ放電が回避されるように設計される。その中の該プラズマ放電を回避するために、該「補正間隙」３１に補完する装置を備えることが、同様に可能である。
【００４３】
図４の場合には電極２３は、図３の場合と同じ内側の断面形状３１ａを有している。しかしながら今度は、この「補正層」は、可変の厚さｅ5を有するセラミック板４１である。
【００４４】
図５〜８の場合には基板３５’は、誘電基板である。
図５の場合には上側の電極３３は、均一の厚さｅ4を有する平板の、金属の電極である。下側の電極４５が図３の上側の電極２３に相応する。電極４５は、内側の表面５１ｂを有しており、この内側の表面によって曲面かつ凹面のガス状の「補正層」のための背後の境界が決定される。該層５１の上に誘電性の平板の水平な板２１が配置されている。均一な厚さｅ5のこのセラミック板２１は、その縁部で下側の電極４５（対電極）と結合している。基板３５’は、該セラミック板２１の上に配置されている。
【００４５】
反応室内の反応ガスの圧力が通常１０-1〜１０3Ｐａであるので、ガス状の補正間隙の内部の圧力は、反応室内と本質的に同じである。通常エッチング工程の場合にはプラズマ放電領域１３内の反応ガス圧は、１Ｐａ〜３０Ｐａであり、かつプラズマＣＶＤプロセスの場合には３０〜１０3Ｐａである。その結果、補正間隙（３１，５１．．．）内の圧力は、通常、低圧である。したがって、このようなガス状の誘電間隙を「部分真空間隙(Partialvakuum-Luecke)」と呼ぶこともできる。
【００４６】
図６の場合には基板３５’（均一の厚さを有する）が固体の誘電板（表面４１ａ）の上に置かれており、この誘電板は、逆の位置で図４のセラミック板４１に相応する。該板４１の前の内側の表面４１ａは平らであり、これに対して、その裏側４１ｂは凸面であり、かつ、下側の金属の電極４５に直接接触しており、この金属の内側の表面は、この場合には凹面である。したがって該板４１は、「レンズ」状である。
【００４７】
図７に示されている電極３３，４５は、図５の電極に相応する。均一な厚さを有する基板３５’は、平らでありかつ上側の金属の電極３３に対して平行である。基板３５’は、小さな支柱４７の上に置かれており、これら支柱は、前記電極４５と該基板の間に配置されている。電極４５の平たくない内側の、上側の面５１ｂは、該電極４５と該基板３５’の間に不均一な厚さｅ6を有するガス状の間隙６１を生じさせる。このようにして該間隙６１は、プロセスの不均一性の補償のための補正誘電層として機能し、かつ、基板３５’をプラズマ放電の中で均一に処理することを可能にする。
【００４８】
図８の場合には２つの対向する電極２５，３３は、同じ厚さを有しており、平らでありかつ相互に平行である。適合された層７１は、並べられた支柱５７の上に配置された平たくない基板６５から形成される。このような「スペーサ材」５７の高さは、基板６５に必要な平たくない断面形状を与えるように算出される。
【００４９】
図８の設計は、機械として最も有利なものであり、それというのも、両方の電極３３，２５は平らなままでかつ小さな間隙７１の断面形状が支柱５７によって決定されるからである。
【００５０】
基板が固定されている電極あるいはその対電極のどちらかに高周波電力を供給することが上記の目的のいずれにも有用であることを記載しておく。
【００５１】
図１〜８の装置例に関して、さらに、適合された層（１１，３１，４１，５１，６１，７１）が、有利に、(上記の「中央」配置を基礎として)電極-電極間距離についてガウス曲線の形を示す厚さを有することを記載しておく。具体的に言えば、前記の適合された層の断面形状は、水平に切り取られた、平たいつり鐘型曲線から導き出すことができ、この場合、とりわけ、該つり鐘型曲線の残った「頂点」が補正層の断面の形である。
【００５２】
図９〜１５には本発明による改善された、容量結合型の高周波−プラズマ反応装置の他の実施態様が示されている。
【００５３】
図９には本発明の最も単純な実施態様が示されている。高周波電源９は、上側の電極３に中央で結合しており、この電極は、「シャワーヘッド電極(Duschkopf-Elektrode)」と呼ばれ、なぜなら該電極が穴８３をプラズマプロセス空間１３に向けられた下側の表面に有しているからであり、該電極は、反応装置１０の内側の室８１の中に存在している。対電極３０は、室８１の金属製の外壁によって決定される。反応ガスの供給装置は、記入されていない。該反応ガスの吸い出しは、排気管８５によって行なわれる。
【００５４】
反応装置１０内の全ての機械的な（材料的な）構成要素が、図９に示されているとおり、平たいままである（特に電極および基板１３５）ことがわかる。しかしながら基板１３５（均一の厚さｅ7を有する）は、基板と対電極３０の間に配置されているスペーサ材８７の列の上に置かれることによって曲げられる。スペーサ材８７は、種々の高さを有している。基板１３５は、その固有の柔軟性のために曲がる。支柱間の平均の距離は、基板の厚さおよび該基板のヤング率（弾性率）によって決定される。
【００５５】
この組立ての場合には一定（均一）ではない厚さを有する２つの層が電極間の空間内に存在する：即ち、プラズマ−プロセス空間１３自体および基板の背後の「補正間隙」８９である。この例が単純な解決ではないにもかかわらず、このコンフィギュレーションは有効であり、それというのも、プラズマ内に局所的に発生した高周波電力が、プラズマプロセス空間１３（方向電極３）の厚さｅ8の小さな相対的な変化に依存するよりも一層著しく基板の背後の薄い「ガス状」の容量性層(kapazitive Schicht)の小さな変化に依存するからである。
【００５６】
適合された「補正」層８９は、この場合には基板の背後に存在する。該層は、適合されたガス状の（または部分真空−）層であり、この場合、「真空」または「ガス状」の語の選択は、該層が誘電率１を有するという事実を強調するためにもっぱら利用される。該層は、ガスを含有していてもよい（この場合には真空の誘電率は関係ない）。
【００５７】
支柱８７が金属もしくは誘電性である場合には、該支柱によってプロセスの局所的な障害が惹起される危険がある。
【００５８】
適合された「補正」層８９の直列静電容量が存在しない支持平面では、実際、高周波磁界が局所的に大きくなる。該障害は、支持点を中心に一定の距離にわたって拡大する。この距離は、基板の厚さｅ7に、図９で１３ａおよび１３ｂの符号がつけられた「プラズマシースの厚さ」（通常２〜４ｍｍ）を加えたものの範囲内である。
【００５９】
図９ａには、該障害を支持点許容できる程度に減少させる可能な方法が示されている。その解決策は、各スペーサ材８９を小さな凹部９１で囲むことである。この凹部によって容量結合が減少する。正確な補償に凹部を適合させることによって、局所的な障害は、事実上除去されるはずである。
【００６０】
本発明に関してこの装置は、本発明に記載されている「補正」層が提案した断面形状に「平均して」従うことを次のとおり示している。即ち、容量結合が平均して数ミリメートルの範囲にわたって本質的に中断されかつ正規に適合されたままである限り、該断面形状内の著しく局所的な障害は、許容することができる。
【００６１】
図９の装置の場合には基板１３５は、誘電性の構成要素である。このことは重要であり、それというのも、いずれもの適合された誘電層（８９のように）が、「プロセス空間(Prozessluecke)」を定義する最も外側の対向する２つの金属層によって形成される空間の中にまさに存在していなければならないからである。基板が金属である場合には（導電性）、該基板によって、その下にある適合されたあらゆるコンダクタンスの作用が妨げられる。この場合には該基板は、上記の電極の１つとして考えなければならない。
【００６２】
図１０には装置産業に常用の設計が示されている。この反応装置２０は、２つの異なる作用を有するエネルギー源即ちＲＦ高周波電源（３０ＭＨｚ以上）およびＲＦバイアス電源９３（１５ＭＨｚ以下）によって供給される。上側の「シャワーヘッド−」電極３が高周波電源９１と結合しており、かつ、下側の電極４５がバイアス電源９３と結合している。
【００６３】
上記電源の１つは、プラズマを発生させるために備えられている（この場合には、電源９１による、きわめて高いＲＦ周波数を想定している）。もう一方の電源９３は、この場合には、基板３５への特別のイオン衝撃(extra Ionenbombardement)を可能にするために補助として使用される。通常このような特別の入力電力（９３）は、基板側の電極と結合し、かつ、１３．５６ＭＨｚで運転される。
【００６４】
このようなＲＦバイアス装置は、しばしば反応性イオンエッチングの場合に使用される。該ＲＦバイアス装置は、多くのプラズマタイプと結合して使用される（例えばマイクロ波または電子サイクロトロン共鳴）。
【００６５】
図１０の例の場合には２つの向かい合う電極が存在する。２つのいずれも事実上アースされていない。しかし、この特別な装置の場合でさえ本発明による適合された静電容量（不均一な厚さを有する層９５）は適当である。図１０の場合には図５の装置が含まれている。
【００６６】
重要な特徴は、反応装置２０の能動部分(aktive Teil)（プラズマプロセス空間１３、基板３５、不均一な厚さの、平板の誘電板２１および不均一な厚さの適合されたガス状の間隙９５）が２つの金属板（電極３，４５）の間に存在することである。アースされているかいないかということ、１つもしくは複数のＲＦ周波が供給されるのが一方の電極であるのか、もう一方の電極であるのか、あるいは両方の電極であるのかということは、重要ではない。最も重要なことは、２つの金属板３，４５の間でＲＦ電位差が広がることである。図１０の例の場合には２つのＲＦ周波が使用される。この図には２つのＲＦ発生器のための２つの供給装置（上側および下側）が示されている。これは、必須ではない。これらＲＦ周波は共通して、上から供給することもできるし、下から供給することもできる（上側の電極３または下側の電極４５）。この場合に重要であるのは、２つの異なる周波数が、高い周波数と低い周波数であることである。２つの周波数が、容量性反応装置(kapazitiver Reaktor)の中を拡散する。
【００６７】
高周波−不均一性を補償するために、適合された静電容量が、提案されているとおり、９５のように導入される場合には、これは、「低周波」が不均一になりうる静電容量となる。さらに該「低周波の」波の振幅(Wellenamlitude)は、中央での特別な適合された静電容量のために、やや空洞化された電力プロフィール(ausgehoehltes elektrisches Leistungsprofil)を生じさせる。換言すれば、本発明の「適合概念」の適用は、局所的な「高周波」電力の均一性が「低周波−」電力の均一性よりもプロセスにとって重要である場合にのみ意味をもつ。
【００６８】
図１１の場合には適合された容量性層１０５は、セラミック中間層１０７と金属電極１０９の間のガスで充填された空間からなり、該容量性層は、次のように加工されたものであり、即ち該容量性層の平滑かつ適合された凹部（平たくない内側の(ineren)表面１０９ａによる）がセラミック板１０７の裏側に対向している。該セラミック層１０７は、多くの小さな穴１０７ａを有しており、これらの穴を反応ガスが通り、該反応ガスは、穴１０９ｂを通って裏側にある金属電極の中を流れる。該反応ガスは、外部のガス供給源１１３と結合している管１１１によって導入される（ポンプ装置は、記入されていない）。ＲＦ電源１１５は、電極１０９と、図示されているとおり、結合している。
【００６９】
裏側の電極１０９の設計は、図１０の電極３と同じく慣例的な「シャワーヘッド」であることができる。もう１つのオプションは、例えば図１１に示されているカスケード化されたガス分布器としての設計である。
【００７０】
図１２には容量性マイクロ波プラズマ反応装置(kapazitiver Mikrowellen-Plasma-Reaktor)が略図として示されている。この図には可能なデザインが示されており、該デザインの場合には比較的厚く設計された、ここでは１２０で示された層構造（該層構造の厚さはｅ9で示されている）は、電磁的な拡散の顕著な不均一性を補償するために使用される。図示された反応装置４０は、比較的小さなウェーハのエッチングのための反応装置である。マイクロ波は、同軸導波管(koaxialer Wellenleiter)１２１に由来するものであり、該導波管は、反射を回避するために、領域１２２では徐々に広がっている（「トランペット形」）。その後にマイクロ波は、プロセス領域１３に達し、そこでは該波が反応装置（該反応装置は円筒形である）の中央に向かって収束する。
【００７１】
寸法の記載は次のとおりである：  平板の対電極１２６の上に配置された基板３５は、直径約１０ｃｍを有している。１ＧＨｚの波（自由真空波長(Vakuumwellenlaenge)３０ｃｍ）がマイクロ波発生器１２３によって発生する。適合された層１２０の中央での厚さ（石英で製造された場合）は、自由プラズマ自体の空間１３とほぼ同じ大きさである。
【００７２】
ここでは、３つの段を確立する３つの誘電板から、適合された層１２０を構成することが提案されている（円板１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）。該段の不連続性は、プラズマによって平均化される。適合された層は、有利に著しく厚くかつ「レンズ」と称することができる。レンズを組み立てるための円板の数は、レンズの有利に平滑な形がより良好な近似で製造されなければならない場合には、４以上であることができる。
【００７３】
上記の図１２の場合には、反応ガスがガス取入れ口１２４を通して供給されるのを確認することができる。該ガスは、対電極１２６を貫通するスリット列（有利に放射状に方向づけられた）を通してポンピングされ、かつ、環状溝に達する。電極間の、反応室からの反応ガスの吸い出しのための排気装置は、記載されていない。
【００７４】
図１３の場合には反応装置５０は、この場合には「補正」誘電層１３０の段の変化が厚さの変化に基づくものではなく、該層１３０を構成する材料の変化によって達成されており、その際、各構成要素の厚さが均一であることを除いて図１２の反応装置４０に同じである。換言すれば、層１３０は、厚さｅ10は同じで可変の誘電率を有する１つの層である。低い誘電率を有する層は、中央の板１３１であり、この板は、中程度の誘電率を有する第２の板１３２で同心に取り囲まれている。第３の外側の板１３３は、最大の誘電率を有している。
【００７５】
したがって（図１２の）最も厚い部分に相応する該適合された層１３０の部分は、最も少ない誘電性の材料（例えば石英）から製造され、その一方で中間層１３２は、材料例えば亜硝酸ケイ素からなることができ、縁部１３３の、最大の誘電率を有する材料は、この場合には酸化アルミニウムから製造される。
【００７６】
図１３の例によって、本発明による、単位面積あたりの静電容量が均一ではない誘電層が、該層の誘電率の変化によって得ることができ、それに対して表面に対するその厚さが均一のままであることが明らかに示されている。
【００７７】
上記の説明および図１４の表示（図１の実施態様に基づく）から、「補正」層、例えば１４０、の厚さが観察されるプロセスの不均一性を補償するために使用されるいずれの場合でも、「補正」層は、電極接点（９ａ）から最も遠く離れているプロセス空間（または対向する電極、例えば３）の位置で最も厚くなることが明らかである。「経路」（１５０で示されている）が前記の「距離」の計算のために付属の電極の外側面をたどらなければならないこと（例えば３ａ）が確認される。
【００７８】
前記の厚さは、上記の「距離」が最小である相応の位置で最小であり、かつ、層の平たくない断面形状は、この減少する距離に従う。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１および２は、本発明により改善された反応装置の２つの概略的な図である。（図１は、線Ｉ−Ｉに沿った図２の断面である）。
【図２】  図１および２は、本発明により改善された反応装置の２つの概略的な図である。（図１は、線Ｉ−Ｉに沿った図２の断面である）。
【図３】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図４】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図５】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図６】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図７】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図８】  図３、４、５、６、７および８は、このような反応装置の内部のコンフィギュレーションの代替の実施態様を示している。
【図９】  図９、１０、１１、１２、および１３は、本発明による特徴的なプロセスのさらなる概略的な実施態様を示している。
【図１０】  図９、１０、１１、１２、および１３は、本発明による特徴的なプロセスのさらなる概略的な実施態様を示している。
【図１１】  図９、１０、１１、１２、および１３は、本発明による特徴的なプロセスのさらなる概略的な実施態様を示している。
【図１２】  図９、１０、１１、１２、および１３は、本発明による特徴的なプロセスのさらなる概略的な実施態様を示している。
【図１３】  図９、１０、１１、１２、および１３は、本発明による特徴的なプロセスのさらなる概略的な実施態様を示している。
【図１４】  図１４は、厚さの変化に適用される“適合概念”、を説明している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図９ａ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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