(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状のバッキングチューブの外周に中空円筒形状のターゲット材料が配置されるとともに、前記バッキングチューブと前記ターゲット材料の間に緩衝部材を介して前記バッキングチューブと前記ターゲット材料とが接合されており、前記緩衝部材として導電性フェルト又は導電性シートが用いられていることを特徴とする円筒状ターゲット。
【請求項２】
圧縮変形可能なシート状の緩衝部材がバッキングチューブとターゲット材料の間に圧縮充填されていることを特徴とする請求項１に記載の円筒状ターゲット。
【請求項３】
前記導電性フェルトとしてカーボンフェルトが用いられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の円筒状ターゲット。
【請求項４】
前記カーボンフェルトは、前記バッキングチューブと前記ターゲット材料の間に圧縮充填される前の初期状態の厚さが０．５〜１０ｍｍであり、圧縮充填時の圧縮率が１０〜８０％となることを特徴とする請求項３に記載の円筒状ターゲット。
【請求項５】
前記ターゲット材料は、セラミックスから成る中空円筒形状体であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の円筒状ターゲット。
【請求項６】
一本のバッキングチューブに複数のターゲット材料が接合されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の円筒状ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成等に用いられるマグネトロンスパッタリング装置（特に、直流マグネトロンスパッタリング装置）に適用される円筒状ターゲットの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラスやプラスチックなどの基板に薄膜を形成する技術の一つとしてマグネトロンスパッタリング法が知られている。特表平５−５０１５８７号公報には、回転する円筒形のターゲットを使用するスパッタリングシステムが開示されている。この装置は、円筒状ターゲットの内側に磁石を有し、ターゲットの内側から冷却しつつ、ターゲットを回転させながらスパッタを行うものである。円筒状ターゲットは、平板形状（プレーナー型）ターゲットと比較して使用効率が高く、高速成膜が可能であるという利点がある。
【０００３】
円筒状ターゲットの製造方法として、特開平５−２１４５２５号公報には、ステンレスやチタンなどのバッキングチューブの外表面に、膜の材料となるスパッタすべきターゲット材料をプラズマ溶射法により付着形成する方法が開示されている。また、バッキングチューブの外表面周囲に、円筒状に製造されたターゲット材料を配置して両者の間にインジュウム等の金属を挿入して接合する方法や、バッキングチューブに相当する部分をターゲット材料で一体的に形成する方法なども知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、溶射法の場合、溶射可能な材料とバッキングチューブの材料との相性（例えば、熱膨張差）によってターゲット材料あるいはバッキンブチューブ材料が限定されるという欠点がある。インジュウム等で接合する方法は、バッキングチューブの外周面とターゲット材料の内周面に表面処理が必要である上、接合部にインジュウムを溶かし入れるための加熱装置も必要で、溶けたインジュウムが漏れないような工夫も必要となる。更に、ターゲット材料がセラミックス製の場合には、一般的にターゲット材料の熱膨張率の方が金属製のバッキングチューブ及び接合材であるインジュウムよりも小さいために、接合後の冷却時の収縮差により接合部に隙間ができてしまうという不具合が生じる。
【０００５】
また、スパッタによってターゲット材料が消耗したときはターゲットを交換することになるが、溶射法又はインジュウム接合法で製造されたターゲットの場合、バッキングチューブとターゲット材料の分離が困難で、バッキングチューブの再利用（リサイクル）にも適さない。
【０００６】
一方、バッキングチューブに相当する部分をターゲット材料で一体的に形成することも可能であるが、セラミックスや一部の金属材料では強度不足、あるいは機械的な耐衝撃性が低いなどの理由により、一体型ターゲットは構造体としての信頼性に欠ける。更に、高価なターゲット材料を一体的に形成するのは、製造コスト上問題がある。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ターゲット材料及びバッキングチューブの材料選択の可能性を広げるとともに、製造の簡易化を図り、再利用性を高めることができる円筒状ターゲットを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明に係る円筒状ターゲットは、円筒状のバッキングチューブの外周に中空円筒形状のターゲット材料が配置されるとともに、前記バッキングチューブと前記ターゲット材料の間に緩衝部材を介して前記バッキングチューブと前記ターゲット材料とが接合されており、前記緩衝部材として導電性フェルト又は導電性シートが用いられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、成膜の材料となるターゲット材料と、これを支持するバッキングチューブ（ターゲットホルダー）の間に緩衝部材を介在させたので、両者の熱膨張差による体積変化を緩衝部材によって吸収できる。したがって、ターゲット材料とバッキングチューブの材質に関する組合せの自由度が広がり、より適切な材料選択が可能となる。また、消耗したターゲット材料をバッキングチューブから分離する作業も容易であり、バッキングチューブの再利用が可能である。
【００１０】
ターゲット材料とバッキングチューブの間に緩衝部材を設ける一態様として、圧縮変形可能なシート状の緩衝部材をバッキングチューブとターゲット材料の間に圧縮充填することが好ましい。なお、シート状の緩衝部材は予め円筒状に加工され用いられてもよい。
【００１１】
本発明の一態様によれば、前記導電性フェルトとしてカーボンフェルトが適用される。該カーボンフェルトは、緩衝性の観点から圧縮充填前の初期状態（以下、単に初期状態という）の密度が０．０５〜０．５ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
【００１２】
本発明に用いるカーボンフェルトは、初期状態の厚さが０．５〜１０ｍｍであり、圧縮充填時の圧縮率が１０〜８０％となるものであることが好ましい。また、該カーボンフェルトは導電性の観点から初期状態における厚さ方向の体積固有抵抗が０．１〜１００Ω・ｃｍであることが好ましい。
【００１３】
上記構成の円筒状ターゲットを製造する方法を提供するために、中空円筒形状を有するターゲット材料の内面に緩衝部材を設け、これにバッキングチューブを挿嵌し、当該挿入動作によって前記バッキングチューブの外周面と前記ターゲット材料の内面との間に前記緩衝部材を位置させることにより、前記ターゲット材料を前記バッキングチューブと接合させて円筒状ターゲットを得ることを特徴とする円筒状ターゲットの製造方法を提供する。
【００１４】
上記製造方法の一態様として、前記ターゲット材料の内面に圧縮変形可能なシート状の緩衝部材を設け、前記バッキングチューブの挿入動作によって前記緩衝部材を圧縮して前記バッキングチューブの外周面と前記ターゲット材料の内面との間に前記緩衝部材を充填する態様がある。
【００１５】
更に、カーボンフェルト等の前記緩衝部材は、圧縮充填することにより、発塵しやすい状態となるので、スパッタリング中の発塵を防止するために、前記ターゲット材料の両端内面部に耐熱性Ｏリングなどのシール部材を配置することが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係る円筒状ターゲットの好ましい実施の形態について説明する。
【００１７】
まず、本発明が適用される円筒形ターゲットを用いるマグネトロンスパッタリングシステムの構成について特表平５−５０１５８７号公報を援用しながら概説する。図１は、円筒形マグネトロンスパッタリングシステムの構成図である。ただし、同図において符号１４で示した円筒状ターゲットについては内部構造を示すために切断面図とした。プラズマが生成される密閉反応室１０内は真空が保たれ、成膜対象の基材１２が設置される。本発明の円筒状ターゲット１４においては、バッキングチューブ１６の外周に中空円筒状のターゲット材料２０が配置されるとともに、バッキングチューブ１６とターゲット材料２０との間に図２に示すような圧縮変形可能なシート状の緩衝部材（本例では、導電性フェルト５２）が圧縮充填されてバッキングチューブ１６とターゲット材料２０とが接合されている。なお、図１に示したように、バッキングチューブ１６内には磁石ユニット１８が収容されている。バッキングチューブ１６は、水その他の冷却液が通されることにより冷却される。
【００１８】
ターゲット材料２０を保持したバッキングチューブ１６は、ターゲット駆動装置２２により長手方向の軸の回りに回転可能に支持されている。図１では、平板状の基材１２が水平に保持され、円筒状ターゲット１４の長手方向の軸も水平に保持されているが、基材１２と円筒状ターゲット１４の配置関係はこれに限定されない。
【００１９】
磁石ユニット１８は、バッキングチューブ１６の軸に沿って平行な３列の磁極２４、２６、２８を含む。磁極２４、２６及び２８はそれぞれ、Ｎ極、Ｓ極、及びＮ極を有するように配置され、磁力線はバッキングチューブ１６を貫通して反対の極性を有する隣接の磁極に入る。この磁極配置により、磁気トンネルが生成され、スパッタリング速度の高速化が達成されている。
【００２０】
スパッタリングを生じさせるために必要なカソード電位Ｖは、ＤＣ電源３０から電力線３２及び滑り接点３４を介してバッキングチューブ１６に供給される。また、スパッタリングに必要な低圧を得るために、密閉反応室１０は図示せぬ真空ポンプと連結される出口チューブ３６を備えている。
【００２１】
密閉反応室１０には、スパッタリングに必要なガスを与えるためのガス供給手段が設けられている。第１ガス供給チューブ４０は図示せぬ不活性ガス源から密閉反応室１０内に配管されている。第１ガス供給チューブ４０に連結されたノズル４４は、円筒状ターゲット１４の上部領域に不活性ガス（例えばアルゴンガス）を分配する。密閉反応室１０に導入された不活性ガスはイオン化され、磁場領域内で電場の影響下にターゲット材料２０の表面に衝突する。
【００２２】
第２ガス供給チューブ４６は、図示せぬ反応性ガス源から密閉反応室１０内に配管されている。第２ガス供給チューブ４６に連結されたノズル５０は、基材１２の付近にその幅方向にわたって反応性ガス（例えば、純酸素）を分配する。反応性ガスの分子は、イオン衝撃の結果としてターゲット表面からスパッタリングされた分子と化合して、基材１２の表面に付着される所定の分子を生成する。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係る円筒状ターゲットの斜視図であり、図３は図２の３−３線に沿う断面図、図４はターゲット製造時の分解斜視図である。これらの図面に示したように、円筒状ターゲット１４は、内筒である金属製のバッキングチューブ１６と、外筒である円筒形のターゲット材料２０の間に緩衝部材としての導電性フェルト５２を圧縮充填することにより両者を接合して構成される。なお、導電性フェルト５２に代えて導電性シートを用いることも可能であるが、以下の説明では、フェルトを例に説明する。
【００２４】
ターゲット材料２０は、成膜の材料から成る金属製又はセラミックス製の中空円筒形状体であり、例えば、長さ：０．４〜４ｍ，外径：φ８０〜１５０ｍｍ，内径：φ６０〜１３０ｍｍ，厚み：５〜１０ｍｍのものが用いられる。具体的には、Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｓｉ−Ｚｒ、Ｓｉ−Ｓｎなどの金属、ＩＴＯ、ＳｉＣ、ＡｌドープＺｎＯ、ＳｎドープＺｎＯなどの導電性セラミックスが挙げられる。特に導電性セラミックスが好ましい。ターゲット材料２０を支持するバッキングチューブ１６は、ターゲット材料２０の寸法に対応して例えば、長さ：０．４〜４ｍ，外径：φ６０〜１３０ｍｍ，内径：φ５０〜１２０ｍｍ，厚み：２〜５ｍｍのものが用いられる。バッキングチューブ１６の材質としては、ステンレス、銅、チタン、モリブデンなどの金属を使用できる。導電性フェルト５２は、導電性を有する繊維から成るフェルト性のシート材であり、例えば、炭素繊維から成るカーボンフェルト（又はシート）が適用される。
【００２５】
図４に示したように、ターゲット材料２０の内面に導電性フェルト５２を設け（巻き付け）、これを専用の治具（不図示）を用いてバッキングチューブ１６の外側に挿嵌する。これにより、導電性フェルト５２が圧縮され、ターゲット材料２０とバッキングチューブ１６とが接合される。なお、バッキングチューブ１６の先端部には、挿入し易いようにテーパー治具１７を取り付けている。
【００２６】
図５には、本実施形態で使用可能なカーボンフェルト又はカーボンシートの初期物性値の例を示す。導電性フェルト（又はシート）５２は、その初期物性値（圧縮充填前の状態における物性値）として、ターゲット材料２０内径とバッキングチューブ１６外径の隙間よりも大きい厚さを有するものが使用される。ターゲット材料２０とバッキングチューブ１６の隙間寸法にバラツキが大きい場合は、カーボンシートよりもクッション性の高いカーボンフェルトを使用することにより、隙間全体に導電性物質を充填することができる。
【００２７】
例えば、初期厚さ０．５〜１０ｍｍ（より好ましくは１〜５ｍｍ）のカーボンフェルトを、隙間０．１〜８ｍｍ（より好ましくは、０．５〜２．５ｍｍ）に圧縮充填することにより、バッキングチューブ１６とターゲット材料２０とを接合する。初期厚さが０．５ｍｍよりも小さいと、圧縮時のクッション効果が十分に発揮できない。逆に、初期厚さが１０ｍｍよりも大きいと、フェルトの特徴である断熱効果が大き過ぎるために、ターゲットとして使用したときにターゲット材料２０の温度が異常に上昇して破損等の不具合の原因となり、更には、ターゲット材料２０外径が大きく成りすぎるため装置上の寸法の制約から利用できなくなるという問題が生じる。
【００２８】
フェルトの圧縮充填時の圧縮率は、１０〜８０％（より好ましくは３０〜６０％）とする。圧縮率が１０％よりも小さいと充填密度が低すぎるために接合強度不足となる。逆に、圧縮率が８０％よりも大きいとフェルトを構成している繊維が切断されて接合強度不足となるか、若しくは充填密度が大きくなり過ぎるために接合作業が困難となる。
【００２９】
カーボンフェルト（又はシート）は、例えば、幅１ｍ、長さ５ｍのロール状フェルト（又はシート）から、ターゲット材料２０の内側面積に合う寸法に切断して使用する。ターゲット材料２０の長さはバッキングチューブ１６の長さよりも若干短く形成する。ターゲット材料２０は、図１で説明した基材１２の幅方向の長さ以上の長さ寸法を有する一体ものである必要はなく、製造容易な適当な長さに分割して複数本のターゲット材料２０を連結する構造としてもよい。例えば、図６に示すように、長さ３ｍのバッキングチューブ１６に対し、長さ２９５ｍｍのターゲット材料２０を１０本接合する態様がある。
【００３０】
上記の如く構成された円筒状ターゲット１４によれば、金属製のバッキングチューブ１６とセラミックス製のターゲット材料２０では熱膨張率に大きな差があるが、両者の間に導電性フェルト５２を位置させたことによって、その熱膨張差による寸法変化を導電性フェルト５２によって吸収できる。したがって、バッキングチューブ１６とターゲット材料２０の材質に関する組合せの自由度が広がり、より適切な材料選択が可能となる。
【００３１】
ターゲット材料２０が消耗した時には、ターゲット材料２０をバッキングチューブ１６から分離して、新しいターゲット材料２０に交換する。本実施の形態に係る円筒状ターゲット１４は、消耗したターゲット材料２０の分離作業も容易であり、バッキングチューブ１６の再利用が可能である。
【００３２】
また、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）その他のセラミックス製の中空円筒形状のターゲット材料２０の場合、中空内面は加工し難く、いわゆる「焼き肌」の状態では、寸法精度があまり良くない。しかしながら、本例の円筒状ターゲット１４は、ターゲット材料２０とバッキングチューブ１６の間にクッション性のある導電性フェルト５２を圧縮充填して両者を接合しているので、ターゲット材料２０の内面寸法に関して高い精度が要求されない。したがって、内周面の二次加工などが不要で製造が容易である。
【００３３】
〔実施例１〕
以下、実施例によって本発明の更に具体的な態様を説明する。
【００３４】
直流マグネトロンスパッタリング装置にてＳｉＯ2 薄膜を形成するための円筒状ターゲットを以下のように製造した。
【００３５】
ターゲット材料２０としては、外径φ１５２ｍｍ、内径φ１３８ｍｍ、長さ２２０ｍｍの寸法を有する中空円筒形状のＳｉ含浸ＳｉＣ焼成体を製作し、これを６本連結することにより、全長１３２０ｍｍとした。なお、ターゲット材料２０の内周面及び外周面は焼き肌のままとし、焼成体両端面を切断加工して長さ２２０ｍｍとした。内外径寸法精度は、焼成体製造時の変形等により約±０．５ｍｍであった。
【００３６】
ターゲット材料２０を支持するバッキングチューブ１６は、市販のＳＵＳ３０４製チューブ（ＪＩＳ  Ｇ  ３４５９の記載方法で１３５Ａ（外径）×Ｓｃｈ４０（厚さ））を用い、外径φ１３６ｍｍ、内径φ１２７ｍｍ、長さ１３７７ｍｍの寸法に加工することにより製作した。
【００３７】
外筒であるターゲット材料２０と内筒であるバッキングチューブ１６は、これらの間隙に厚さ（初期状態の厚さ）２ｍｍのカーボンフェルト（初期状態の密度は０．１２ｇ／ｃｍ3 、初期状態の厚さ方向の体積固有抵抗は８Ω・ｃｍ）を圧縮充填することにより接合する構造とした。間隙は平均で１ｍｍであるため、この時のカーボンフェルトの圧縮率は５０％となる。
【００３８】
カーボンフェルトは、市販の幅１ｍ、長さ５ｍのロール状フェルトから、ターゲット材料２０の内面積に合う寸法、すなわち４３０ｍｍ×２２０ｍｍに切断して使用した。
【００３９】
接合工程は、カーボンフェルト切断品をターゲット材料２０内面に設け（巻き付け）、これを専用の治具を用いてバッキングチューブ１６の外側に挿入することにより行い、６本のターゲット材料２０につきこの操作を繰り返すことにより全長１３２０ｍｍのターゲット材料の接合を完了した。
【００４０】
接合工程に用いる専用の治具は、内周面にカーボンフェルトを設けた（巻き付けた）ターゲット材料２０を外周面で固定し、バッキングチューブ１６をターゲット材料２０と同軸となるようにセットして、油圧によりバッキングチューブ１６をターゲット材料２０に挿入できるようにしたものである。
【００４１】
なお、接合に際しては、バッキングチューブ１６の先端にテーパー状の治具（図４中符号１７で示した部材）を取り付けることにより、接合をスムースに行うことができ、接合後はこのテーパー治具１７は取り外す。
【００４２】
以上のようにして得られた円筒状ターゲットを直流マグネトロンスパッタリング装置に取り付けてスパッタリングを行った。このときの背圧は１．３×１０-3Ｐａ、スパッタリング圧力は０．４Ｐａとした。また、スパッタリングガスとしては酸素／アルゴン＝１／１（体積比）の混合ガスを用いた。スパッタリングを行っている間、安定した放電を確認し、またガラス基板（図１の基材１２に相当）上に所望のＳｉＯ2 薄膜が形成されていることを確認した。
【００４３】
また、スパッタリングにより消耗したターゲット材料２０は、前記した接合用専用治具を利用して容易にバッキングチューブ１６より取り外すことができるため、バッキングチューブ１６は再利用が可能である。
【００４４】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
【００４５】
図７は、本発明の他の実施形態に係る円筒状ターゲットの断面図である。図７において図３と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。図７に示すように、緩衝部材たる導電性フェルト５２の発塵防止を確実にするためには、ターゲット材料２０の両端内面に段加工を施し、その段差部分２０Ａに耐熱性Ｏリング５３を配置することが望ましい。耐熱性Ｏリング５３の材質としては、ニトリルゴム、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、ポリアクリルゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム等が上げられる。特に耐熱性の高いシリコンゴム又はフッ素ゴムが好ましい。耐熱性Ｏリングの内径はバッキングチューブ１６の外径よりもやや小さいものが好ましく、太さは２〜５ｍｍであることが好ましい。
【００４６】
上記耐熱性Ｏリング５３を使用する態様の具体的実施例を以下に述べる。
【００４７】
〔実施例２〕
直流マグネトロンスパッタリング装置にてＳｉＯ2 薄膜を形成するための円筒状ターゲットを以下のように製造した。
【００４８】
ターゲット材料２０としては、外径φ１５２ｍｍ、内径φ１３８ｍｍ、長さ２２０ｍｍの寸法を有する中空円筒形状のＳｉ含浸ＳｉＣ焼成体を製作し、これを６本連結することにより、全長１３２０ｍｍとした。ターゲット材料２０の内周面は焼き肌のままとし、外周面は研削加工して、焼成体両端面を切断加工して長さ２２０ｍｍとし、更に、両端内面部に段加工した。内径寸法精度は、焼成体製造時の変形等により約±０．５ｍｍであった。
【００４９】
ターゲット材料２０を支持するバッキングチューブ１６は、市販のＳＵＳ３０４製チューブ（ＪＩＳ  Ｇ  ３４５９の記載方法で１３５Ａ（外径）×Ｓｃｈ４０（厚さ））を用い、外径φ１３６ｍｍ、内径φ１２７ｍｍ、長さ１３７７ｍｍの寸法に加工することにより製作した。
【００５０】
外筒であるターゲット材料２０と内筒であるバッキングチューブ１６は、これらの間隙に厚さ（初期状態の厚さ）２ｍｍのカーボンフェルト（初期状態の密度は０．１２ｇ／ｃｍ3 、初期状態の厚さ方向の体積固有抵抗は８Ω・ｃｍ）を圧縮充填することにより接合する構造とした。間隙は平均で１ｍｍであるため、この時のカーボンフェルトの圧縮率は５０％となる。
【００５１】
カーボンフェルトは、市販の幅１ｍ、長さ５ｍのロール状フェルトから、ターゲット材料２０の内面積に合う寸法に切断して使用した。ターゲット材料２０の両端内面部に配置される耐熱性Ｏリング５３の太さを考慮し、長さ方向についてはターゲット材料２０の長さ寸法（２２０ｍｍ）よりも僅かに小さい寸法のカーボンフェルトが使用される。
【００５２】
本実施例２では、シリコンゴムから成る太さ３ｍｍ，内径φ１２９ｍｍの耐熱性Ｏリング５３を用いるものとし、この場合、段差部分２０Ａの寸法を耐熱性Ｏリング５３の太さよりもやや大きい５ｍｍとする。これに対応してカーボンフェルトは、４３０ｍｍ×２１０ｍｍの寸法のものが使用される。
【００５３】
接合工程において、カーボンフェルト切断品をターゲット材料２０内面に設け（巻き付け）、これを実施例１と同様に専用の治具によってバッキングチューブ１６の外側に挿入し、更に、ターゲット材料２０の両端内面部に耐熱性Ｏリング５３を配置し、図８に示したように、６本のターゲット材料２０につきこの操作を繰り返すことにより、全長１３２０ｍｍのターゲット材料の接合を完了した。
【００５４】
こうして得られた円筒状ターゲットは、実施例１と同様にスパッタリングできるとともに、耐熱性Ｏリング５３のシール効果により長期間にわたって発塵を防止できるという利点がある。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る円筒状ターゲットによれば、中空円筒型ターゲット材料と、これを支持するバッキングチューブの間にカーボンフェルト等の緩衝部材を介在させて両者を接合する構造にしたので、ターゲット材料とバッキングチューブの材質に関する組合せの制約が少なく、より適切な材料選択が可能となる。また、本発明はターゲット材料とバッキングチューブの接合作業並びに消耗したターゲット材料をバッキングチューブから分離する作業が容易であり、バッキングチューブの再利用も可能であるため、製造コストの削減による経済的効果も大きい。
【００５６】
更に、本発明に係る円筒状ターゲットは、ターゲット材料とバッキングチューブの間を緩衝部材によって隙間なく満たすことができるため、接合部に隙間が生じることがないという効果を有している。また、本発明に係る円筒状ターゲットの製造方法は実施が容易であり、円筒状ターゲットの低コスト化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の円筒状ターゲットが適用される円筒形マグネトロンスパッタリングシステムの構成図
【図２】本発明の実施形態に係る円筒状ターゲットの斜視図
【図３】図２の３−３線に沿う断面図
【図４】本例の円筒状ターゲットの製造時の分解斜視図
【図５】カーボンフェルト及びカーボンシートの初期物性値の例を示す図表
【図６】複数のターゲット材料を接合した形態の例を示す断面図
【図７】耐熱性Ｏリングを挿入した円筒状ターゲットの断面図
【図８】複数のターゲット材料を接合した他の例を示す断面図
【符号の説明】
１０…密閉反応室、１２…基材、１４…円筒状ターゲット、１６…バッキングチューブ、１７…テーパー治具、１８…磁石ユニット、２０…ターゲット材料、２０Ａ…段差部分、２２…ターゲット駆動装置、２４，２６，２８…磁極、３０…ＤＣ電源、３２…電力線、３４…滑り接点、３６…出口チューブ、３８…真空ポンプ、４０…第１ガス供給チューブ、４４，５０…ノズル、４６…第２ガス供給チューブ、５２…導電性フェルト（緩衝部材）、５３…耐熱性Ｏリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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