(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の全てが、研削加工と研磨加工との少なくとも一方が施されて加工表面とされた圧電セラミック体であって、少なくとも一対の対向する表面にそれぞれ電極を備え、上記電極間に分極処理を施した圧電部材において、上記加工表面は、分極方向に対して垂直な表面と分極方向に平行な表面とからなり、分極方向に対して垂直な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が１．５以下であり、分極方向に平行な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）が１．５以下であることを特徴とする圧電部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電ブザー、圧電センサー、加速度センサー、発振子、共振子、着火素子、超音波振動子、インクジェット記録ヘッドや超音波モーター等に用いられる圧電アクチュエータ、振動ジャイロ等を構成する圧電部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、圧電ブザー、圧電センサー、加速度センサー、発振子、共振子、着火素子、超音波振動子、インクジェット記録ヘッドや超音波モーター等に用いられる圧電アクチュエータ、振動ジャイロ等には、例えば板厚方向に分極処理された板状の圧電セラミック体の上下面に電極を形成した圧電部材が用いられている。
【０００３】
このような圧電部材は、板状の圧電セラミック体に研削や研磨等の加工を施して所定の寸法形状とした後、圧電セラミック体の上下面に印刷法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、メッキ法等の膜形成手段にて電極をそれぞれ被着し、次いで上下の電極間に通電して圧電セラミック体を板厚方向に分極処理することにより製作されていた。また、上記圧電部材を複数個積層して構成した積層型の圧電部材も知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、圧電部材を製作するにあたり、板状の圧電セラミック体の上下面や側面に研削や研磨等の加工を施すと、加工圧力や加工熱が作用することによって圧電セラミック体の上下面や側面を構成する結晶に歪みが発生し、分極処理によってある一定方向に歪んでいた結晶軸が伸縮し、この結晶軸の伸縮によって分極の度合いが小さくなり、電気機械結合係数が低下するため、電気的エネルギーから機械的エネルギーへの変換効率あるいは逆のエネルギー変換効率が悪いといった課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、表面の全てが、研削加工と研磨加工との少なくとも一方が施されて加工表面とされた圧電セラミック体であって、少なくとも一対の対向する表面にそれぞれ電極を備え、上記電極間に分極処理を施した圧電部材において、上記加工表面は、分極方向に対して垂直な表面と分極方向に平行な表面とからなり、分極方向に対して垂直な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）を１．５以下とし、分極方向に平行な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を１．５以下としたことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【０００７】
図１は本発明の圧電部材の一例を示す図で、（ａ）はその一部を破断した斜視図、（ｂ）は断面図である。
【０００８】
この圧電部材１は、円板状をした圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａに電極３，３を形成したもので、各電極３，３を形成する上下の表面２ａ，２ａには平滑かつ平坦な表面とするために研削加工や研磨加工を施すとともに、圧電セラミック体２の側部の表面２ｂには所定の形状とするために研削加工や研磨加工を施してあり、上下の電極３，３間の板厚方向に分極処理を施してある。そして、上下の電極３，３間にパルス電圧を印加すると、圧電セラミック体２には板厚方向に伸縮する振動と放射方向に伸縮する振動が発生するため、例えば、圧電ブザー、超音波振動子、インクジェット記録ヘッドや超音波モータ等に用いられる圧電アクチュエータ、振動ジャイロとして用いることができ、また、上記圧電部材１に外力が作用すると、圧電セラミック体２内に電流が流れ、上下の電極３，３間にて電気的変化を検出することができるため、例えば、圧電センサーや加速度センサーとして用いることができる。
【０００９】
このような圧電セラミック体２の材質としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ系）、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）、ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）等を主成分とする圧電セラミックスを用いることができ、また、圧電セラミック板２の上下の表面２ａ，２ａに形成する電極３，３の材質としては、金、銀、銅、白金、ニッケル、クロム、アルミニウム、スズ、パラジウム等の金属あるいはこれらの合金を用いることができる。
【００１０】
そして、本発明の圧電部材１は、表面の全てが、研削と研磨等との少なくとも一方の加工が施されて加工表面とされた圧電セラミック体２であって、少なくとも一対の対向する表面にそれぞれ電極を備え、この電極間に分極処理を施した圧電部材１において、加工表面は、分極方向に対して垂直な表面と分極方向に平行な表面とからなり、分極方向に対して垂直な表面である加工表面においては、この圧電セラミック体２の上下面２ａ，２ａをそれぞれＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が１．５以下であり、分極方向に平行な表面である加工表面においては、圧電セラミック体２の側面２ｂをＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）が１．５以下であることを特徴とし、好ましくはいずれの加工表面におけるピーク強度比も１．０以下、さらに好ましくはいずれの加工表面におけるピーク強度比も０．９以下であることが良い。
【００１１】
即ち、本件発明者は圧電部材１の開発にあたり、分極処理を施した圧電セラミック体２に研削や研磨等の加工を施すと、加工前後において電気機械結合係数等の圧電特性が低下し、また、研削や研磨等の加工を施した後に分極処理を施しても圧電セラミック体２が持つ本来の電気機械結合係数を得ることができないことを知見した。
【００１２】
この現象は、分極処理前の圧電セラミックスを構成する結晶粒子は自発分極がランダムに配列された分域構造を持ち、自発分極のベクトル総和がゼロで、焼結された圧電セラミック全体では等方性を呈しているのであるが、分極処理を施すために板厚方向に直流電界をかけると、各結晶粒子の分域が一定の方向に揃って歪みを生じ、直流電界をかけることを止めても電界方向に残留分域が存在して極性を示し、圧電性を示すようになる。
【００１３】
しかしながら、分極処理した圧電セラミック体２に研削や研磨等の加工を施すと、大きな加工圧力が作用したり、加工熱が発生し、加工表面に存在する結晶に歪みが発生して結晶軸が伸縮するため、予め分極処理により発生していたある一定方向の歪みが解消されて分極の度合いが小さくなるために加工前後で電気機械結合係数等の圧電特性が低下することに起因するものと思われる。
【００１４】
また、研削や研磨等の加工を施した後に分極処理を施しても本来の電気機械結合係数等の圧電特性が得られないのは、加工によって加工表面に加工傷やマイクロクラックが発生すると、その後に分極処理を施すための直流電界をかけても、加工傷やマイクロクラックが発生した結晶粒内の各分域が一定の方向に揃わないため、本来の圧電特性を発揮できないものと思われる。
【００１５】
そこで、圧電セラミック体２が持つ本来の圧電特性が得られるようにするため種々研究を重ねたところ、電気機械結合係数等の圧電特性と圧電セラミック体２の加工表面に存在する結晶のＸ線回折強度との間には相関があり、加工表面が分極方向に対して垂直な表面（圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａ）である時には、その加工表面をそれぞれＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が大きくなるほど電気機械結合係数の値が小さくなり、また、加工表面が分極方向と平行な表面（圧電セラミック体２の側部の表面２ｂ）である時には、その加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）が大きくなるほど電気機械結合係数の値が小さくなることを知見し、電気機械結合係数の低下を抑える最適な条件について実験を繰り返したところ、加工表面が分極方向に対して垂直な表面（圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａ）である時には、その加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）を１．５以下とし、また、加工表面が分極方向と平行な表面（圧電セラミック体２の側部の表面２ｂ）である時には、その加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を１．５以下とすれば良いことを見出し、本発明に至った。
【００１６】
なお、正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）あるいは正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を測定するにあたっては、理学製のＲＩＮＴ１４００Ｖ型のＸ線回折を行い、Ｘ線源をＣｕ、Ｘ線源の管電圧を５０ｋＶ、管電流を２００ｍＡとして２軸の縦型ゴニオメータにてステップ幅を０．０２０°とし、回折角度４０°〜５０°の範囲に現れる正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂを測定することにより算出すれば良い。
【００１７】
また、Ｘ線回折装置を用いれば、測定物の表面から３０μｍ程度の深度までの結晶状態を確認することができるため、圧電セラミック体２の上下面２ａ，２ａに形成する電極３，３の厚さが３０μｍ未満であれば、電極３，３上から直接測定することもでき、この場合、事前に電極３，３単独での回折角度４０°〜５０°の範囲におけるピーク強度を確認しておき、この電極３，３単独のピーク強度を除く補正を行えば良い。
【００１８】
ただし、Ｘ線回折のピーク強度比を上述した範囲とするには、研削や研磨等の加工を施した圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａ及び側部の表面２ｂを、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以下、最大高さ（Ｒｙ）で３．０μｍ以下の平滑面とすることが必要である。
【００１９】
即ち、圧電セラミック体２の各表面２ａ，２ａ，２ｂにおける表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍを超えるか、あるいは最大高さ（Ｒｙ）が３．０μｍを超えると、各表面２ａ，２ａ，２ｂには大きな加工傷やマイクロクラックが存在し、この加工傷やマイクロクラックの発生により、分極処理を施しても加工傷やマイクロクラックが存在する領域の結晶の歪みをある一定方向に揃わせることができず、また、予め分極処理を施している場合には、各表面２ａ，２ａ，２ｂにおいてある一定方向に揃っていた歪みが解消されて分極の度合いが低下するため、いずれの場合においても圧電セラミック体２が持つ本来の圧電特性を発揮させることができないからである。
【００２０】
ところで、図１に示す圧電部材１を製造するには、まず、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ系）、マグネシウムニオブ酸鉛（ＰＭＮ系）、ニッケルニオブ酸鉛（ＰＮＮ系）等を主成分とする圧電セラミック体２を用意する。そして、この圧電セラミック体２を所定の寸法となるように研削や研磨等の加工を施して円板状とする。例えば、平面研削盤や両面ラップ盤等を用いて厚み加工を行い、円筒研削盤やダイシングソー等を用いて外辺の加工を行うことにより、圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａ及び側部の表面２ｂの表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以下、最大高さ（Ｒｙ）で３．０μｍ以下とする。そして、圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａに、金、銀、銅、ニッケル、白金、ニッケル、クロム、アルミニウム、スズ、パラジウム等の金属あるいはこれらの合金を、印刷法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、メッキ法等の周知の薄膜形成手段により被着して電極３，３を形成し、しかる後、両電極３，３間に直流電界をかけて円板状をした圧電セラミック体２の板厚方向に分極処理を施すことにより得ることができるのであるが、厚み加工を施すにあたり、平面研削盤を用いる場合には、番手が＃６００（砥粒の粒径２０〜３０μｍ）〜＃３０００（砥粒の粒径２〜６μｍ）のダイヤモンド砥石を、また、両面ラップ盤を用いる場合には、番手が＃１０００（砥粒の粒径８〜２０μｍ）〜＃４０００（砥粒の粒径２〜４μｍ）のメッシュで分級されたＳｉＣやＡｌ2Ｏ3、ダイヤモンド等の砥粒を、円筒研削盤やダイシングソーにて外辺の加工を施す場合には、粒径４〜２０μｍ程度のダイヤモンド砥粒を固着したダイヤモンドホイールやダイヤモンドブレードをそれぞれ用い、かつ加工速度を１５ｍｍ／ｓｅｃ以下、好ましくは５ｍｍ／ｓｅｃ程度として加工することが必要である。
【００２１】
即ち、厚み加工におけるダイヤモンド砥石の番手が＃６００（砥粒の粒径２０〜３０μｍ）未満であったり、砥粒が＃１０００（砥粒の粒径８〜２０μｍ）未満であったり、外辺加工におけるダイヤモンド砥粒の粒径が２０μｍを超えると、圧電セラミック板２の表面２ａ，２ａ，２ｂを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以下、最大高さ（Ｒｙ）で３．０μｍ以下とすることができず、表面２ａ，２ａ，２ｂに大きな加工傷やマイクロクラックが多数発生するからであり、厚み加工におけるダイヤモンド砥石の番手が＃３０００（砥粒の粒径２〜６μｍ）を超えたり、砥粒が＃４０００（砥粒の粒径２〜４μｍ）を超えたり、外辺加工におけるダイヤモンド砥粒の粒径が４μｍ未満であると、表面２ａ，２ａ，２ｂを上述した表面粗さとすることができたとしても加工に時間がかかり過ぎて作業効率が悪いからである。また、これらの加工速度が１５ｍｍ／ｓｅｃを超えると、圧電セラミック体２に大きな加工圧力が作用するとともに、高い加工熱が発生するため、分極の度合いが低下することを防止することができなくなるからである。
【００２２】
その為、平面研削盤に用いるダイヤモンド砥石の番手は＃６００（砥粒の粒径２０〜３０μｍ）〜＃３０００（砥粒の粒径２〜６μｍ）、両面ラップ盤に用いる砥粒の番手は＃１０００（砥粒の粒径８〜２０μｍ）〜＃４０００（砥粒の粒径２〜４μｍ）、円筒研削盤やダイシングソーに用いるダイヤモンドホイールやダイヤモンドブレードに固着されたダイヤモンド砥粒の粒径は４〜２０μｍの範囲のものを用いるとともに、加工速度１５ｍｍ／ｓｅｃ以下の条件にて加工すれば良い。
【００２４】
また、図１では、一つの圧電セラミック体２の対向する表面に電極３，３を形成した圧電部材１について説明したが、上記圧電部材１を複数個積み重ねて形成した積層型の圧電部材にも適用することができ、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば改良や変更できることは言う迄もない。
【００２５】
【実施例】
（実施例１）
ここで、図１の圧電部材１を製作するにあたり、圧電セラミック体２に研削加工を施して各加工表面における表面粗さと、各加工表面のピーク強度比を異ならせた時の研削加工前後における電気機械結合係数の低下率を測定する実験を行った。
【００２６】
具体的には、圧電セラミック体２を製作するため、原料粉末として、Ｐｂ3Ｏ4、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＴｅＯ2、Ｎｂ2Ｏ5を用意し、それぞれの金属元素のモル比率が、Ｐｂ：０．９４、Ｚｒ：０．４７、Ｔｉ：０．４５、Ｓｒ：０．０４、Ｂａ：０．０２、Ｚｎ：０．０２５、Ｓｂ：０．０５、Ｎｉ：０．００２５、Ｔｅ：０．００２５となるように秤量したものに溶媒として水を加え、ボールミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥し、８００℃の温度で３時間熱処理を加えて仮焼粉体を製作し、この仮焼粉体に水とＺｒＯ2製のボールを加えてボールミルにて２０時間、湿式混合粉砕し、さらに有機バインダーを添加、混練した後乾燥させて造粒粉を作製し、１．５×１０8Ｎ／ｍ2の成形圧で、φ２０ｍｍ×２ｍｍの円板状体に成形して脱脂処理した後、１２４０℃前後の温度で焼成することにより、φ１６ｍｍ×１．６ｍｍの円板状をした圧電セラミック体２を作製した。
【００２７】
次に、得られた圧電セラミック体２の上下面に、銀とガラス成分からなる分極用の電極層を焼付けによって形成し、８０℃のシリコンオイル中で直流電圧を３０分印加し、３．０ｋＶ／ｍｍの電界にて分極処理を行った後、１５０℃恒温の中で２ｈｒのエージング処理を行った。
【００２８】
次いで、分極用の電極層を取り除いた後、圧電セラミック体２の厚み加工と外辺の加工を行った。ここでは、φ１５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法とするため、番手が＃４００（砥粒の粒径３０〜４０μｍ）、＃６００（砥粒の粒径２０〜３０μｍ）、＃１０００（砥粒の粒径８〜２０μｍ）、＃２０００（砥粒の粒径４〜８μｍ）、＃３０００（砥粒の粒径２〜６μｍ）、＃４０００（砥粒の粒径２〜４μｍ）の６種類のＳｉＣ砥粒を用いて両面ラップ盤にて厚み加工を施し、また、粒径範囲が３０〜４０μｍ、２０〜３０μｍ、８〜２０μｍ、４〜６μｍ、２〜６μｍのダイヤモンド砥粒をそれぞれ固着したダイヤモンドホイールを用いて円筒研削盤にて外辺の加工を行った。
【００２９】
そして、得られた圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａ及び側部の表面２ｂの表面粗さを、小坂研究所製のサーフコーダーＳＥ−２３００と呼ばれる表面粗さ測定器を用い、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に準拠して各加工表面２ａ，２ａ，２ｂの算術平均粗さ（Ｒａ）と最大高さ（Ｒｙ）を各々測定するとともに、圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａにおける正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）、及び圧電セラミック体２の側部の表面２ｂにおける正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を、理学製のＲＩＮＴ１４００Ｖ型のＸ線回折装置を行い、Ｘ線源をＣｕ、Ｘ線源の管電圧を５０ｋＶ、管電流を２００ｍＡとして２軸の縦型ゴニオメータにてステップ幅を０．０２０°とし、回折角度４０°から５０°の範囲に現れる正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂをそれぞれ測定した後、その比率を算出することにより求めた。
【００３０】
しかる後、加工を施した圧電セラミック体２の上下の表面２ａ，２ａに銀とガラス成分からなる銀ペーストを塗布し、焼付けによって電極層を形成することにより試料としての圧電部材１を製作し、各試料を形成する円板状をした圧電セラミック体２の放射方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐを日本電子工業学会規格ＥＭＡＳ−６１００に準拠して行った。
【００３１】
また、上述した試料と同一組成、同一条件にて焼成することにより、焼成したままの寸法がφ１５ｍｍ×０．５ｍｍである圧電セラミック体２を製作し、この圧電セラミック体２の上下の表面に銀とガラス成分とからなる電極層を焼付けによって形成した後、同様の条件にて分極処理したものを基準試料として用意し、この基準試料を形成する円板状をした圧電セラミック体２の放射方向の振動における電気機械結合係数Ｋｐを日本電子工業学会規格ＥＭＡＳ−６１００に準拠して行い、該基準試料の電気機械結合係数Ｋｐに対する上記各試料の電気機械結合係数Ｋｐの比率を、加工前後における電気機械結係数Ｋｐの低下率として測定し、この低下率が５％未満であるものを優れたものと評価した。
【００３２】
結果は表１に示す通りである。
【００３３】
【表１】
0004817481.tif 000002
【００３４】
この結果、表１に示すように、試料Ｎｏ．１６〜１９，２２〜２５，２８〜３１および３４〜３７は、圧電セラミック体２の各表面における表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以下で、かつ最大高さ（Ｒｙ）で３．０μｍ以下とし、かつ加工表面が分極方向に対して垂直な表面（圧電セラミック体の上下面２ａ，２ａ）である時には、その加工表面をＸ線回折にて測定したときの正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）を１．５以下とし、また、加工表面が分極方向に対して平行な表面（圧電セラミック体２の側面２ｂ）である時には、その加工表面をＸ線回折にて測定したときの正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を１．５以下としてあることから、各加工表面には大きな加工傷やマイクロクラックが殆どなく、加工前後における電気機械結合係数Ｋｐの低下率を５％未満に抑えることができ、優れていた。
【００３５】
特に、試料Ｎｏ．２９〜３１および３５〜３７のように、各加工表面におけるピーク強度の比を１．０以下とすることにより、加工前後における電気機械結合係数Ｋｐの低下率を２％未満に抑えることができ、さらに試料Ｎｏ．３５〜３７のように、各加工表面におけるピーク強度の比を０．９以下とすることにより、加工前後における電気機械結合係数Ｋｐの低下率を１％未満とすることができ、圧電セラミック体２が持つ本来の電気機械結合係数が得られることが判る。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、表面の全てが、研削加工と研磨加工との少なくとも一方が施されて加工表面とされた圧電セラミック体であって、少なくとも一対の対向する表面にそれぞれ電極を備え、上記電極間に分極処理を施した圧電部材において、上記加工表面は、分極方向に対して垂直な表面と分極方向に平行な表面とからなり、分極方向に対して垂直な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶２００回折のピーク強度Ａと正方晶００２回折のピーク強度Ｂとの比（Ａ／Ｂ）を１．５以下とし、分極方向に平行な表面である上記加工表面においては、上記加工表面をＸ線回折にて測定した時の正方晶００２回折のピーク強度Ｂと正方晶２００回折のピーク強度Ａとの比（Ｂ／Ａ）を１．５以下としたことによって、研削や研磨等の加工によって圧電セラミック体が本来有する電気機械結合係数等の圧電特性が低下することを防止し、電気的エネルギーと機械的エネルギーとの間の変換効率を向上させることができる。
【００３７】
その為、本発明の圧電部材を、圧電ブザー、インクジェット記録ヘッドや超音波モーター等に用いられる圧電アクチュエータ等に用いれば、大きな変位量が得られ、また、圧電センサーや加速度センサー等に用いれば、小さな変化に対しても感度良く検出することができ、さらに発振子や共振子に用いれば、一定の共振周波数特性を有した製品が安定して得られるといった効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る圧電部材の一例を示す図で、（ａ）はその一部を破断した斜視図、（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
１：圧電部材  ２：圧電セラミック体
２ａ：圧電セラミック体の上下の表面
２ｂ：圧電セラミック体の側部の表面
３：電極
【図１】
0004817481.tif 000003