(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層部分における炭化珪素粒子の表面が炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよい物質により被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記シリカ層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該シリカ層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材。
【請求項２】
表層部分における炭化珪素粒子の表面が親水性の高い物質により被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記シリカ層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該シリカ層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材。
【請求項３】
表層部分における炭化珪素粒子の表面が酸化され、該炭化珪素粒子の表面に酸化層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記酸化層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該酸化層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解めっき装置用めっき液保持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ上に配線を形成する手法、とりわけ近年においては半導体ウェハ上に銅配線を形成する手法として、電解めっき装置を用いた電解銅めっきに注目が集められている。
【０００３】
従来における一般的な電解めっき装置では、めっき槽内にめっき液を満たした状態でめっき液に半導体ウェハを浸漬するとともに、半導体ウェハ側に陰極を接続して電気を流すことにより、成膜を行うようになっている。
【０００４】
しかしながら、このような従来装置を用いてファインかつ均一な銅配線を形成するためには、例えば、めっき液を流動させたり、陰極と陽極との距離をある程度確保しておく必要があった。このため、装置が巨大化する傾向にあった。また、この従来装置の場合、１回の成膜に必要なめっき液の量が多く、半導体の低コスト化を達成するうえで不利であった。
【０００５】
そこで最近では、上記の問題を解消しうる次世代の電解めっき装置が提案されるに至っている。この新しい電解めっき装置は、めっき液供給部、陰極、陽極、めっき液保持部材等を備えている。めっき供給部の下端部には陽極が設けられている。陽極にはめっき液を通過させるためのスリットが形成されている。陽極の下面側には、多孔質アルミナからなるめっき液保持部材が設けられている。一方、陰極には半導体ウェハが接触した状態で支持される。半導体ウェハの上面と、めっき液保持部材の下面とは、僅かな間隙を隔てて対向した状態となる。
【０００６】
従って、めっき液供給部に供給されてきためっき液は、陽極のスリットを通過してめっき液保持部材に到った後、めっき液保持部材の気孔を介して半導体ウェハ側に供給される。この状態で電極間に通電を行うことにより半導体ウェハ上に電解めっきが施され、静止浴であってもファインな銅配線が形成されるようになっている。
【０００７】
そして、本願発明者は、銅めっき液に侵されやすいという多孔質アルミナの欠点を解消すべく、多孔質炭化珪素を用いためっき液保持部材を既に提案している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、多孔質炭化珪素製のめっき液保持部材の場合、何らかの原因によりめっき時に部材表面に気泡が発生し、それによってめっき液の通り道である気孔が部分的に遮断されることを確認した。このため、めっき液の通りが悪い箇所ができ、めっき液保持部材の下面から滲出するめっき液の量がばらつくおそれがあった。ゆえに、均一な膜厚のめっき層を確実に形成するためには、その原因を究明するとともに、所定の対応策を講じることが必要であるとの結論に達した。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる電解めっき装置用めっき液保持部材を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく本願発明者が鋭意研究を行ったところ、極性の小さな分子構造の炭化珪素自体は水に対する濡れ性があまり良くないことに着目し、それゆえ炭化珪素がめっき液を撥水して気泡の発生に至るということを知見した。従って本願発明者は、炭化珪素において気泡が発生しやすい部分の濡れ性を改善すれば好結果が得られるであろうとの仮説のもとに、さらに鋭意研究を行って、最終的に下記の発明を想到するに至ったのである。
【００１１】
即ち、請求項１に記載の発明では、表層部分における炭化珪素粒子の表面が炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよい物質により被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記シリカ層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該シリカ層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材をその要旨とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明では、表層部分における炭化珪素粒子の表面が親水性の高い物質により被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記シリカ層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該シリカ層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材をその要旨とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明では、表層部分における炭化珪素粒子の表面が酸化され、該炭化珪素粒子の表面に酸化層が形成されている多孔質炭化珪素板からなり、前記酸化層の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、該酸化層が形成されている部分の多孔質炭化珪素板表面からの深さは１００μｍ〜３００μｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材をその要旨とする。
【００１４】
以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１に記載の発明によると、めっき液保持部材は多孔質炭化珪素板からなり、その多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子の表面は、炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよい物質により被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている。このため、めっき液を撥水することがなく、部材表面に気泡を発生させにくい。
【００１５】
請求項２に記載の発明によると、めっき液保持部材は多孔質炭化珪素板からなり、その多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子の表面は、親水性の高い物質により被覆されている被覆され、該炭化珪素粒子の表面にシリカ層が形成されている。このため、水に対する濡れ性が改善される結果、めっき液を撥水することがなく、部材表面に気泡を発生させにくい。
【００１６】
請求項３に記載の発明によると、めっき液保持部材は多孔質炭化珪素板からなり、その多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子の表面は酸化され、該炭化珪素粒子の表面に酸化層が形成されている。酸化層であるシリカは炭化珪素に比べて極性の大きな分子構造を呈しているため、炭化珪素よりも親水性が高く水に対する濡れ性もよい。このため、めっき液を撥水することがなく、部材表面に気泡を発生させにくい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態の電解銅めっき装置１を図１に基づき詳細に説明する。
【００１８】
この電解銅めっき装置１を構成する陰極２は、上端側にいくほど拡径する円環状の部材であって、その下端側にはフランジ３が形成されている。陰極２は例えば導電性の金属材料を用いて形成されている。陰極２の下端側開口部４の径は、被めっき物である半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）５の径よりも若干小さめに設定されている。半導体ウェハ５は図示しないステージにより下方側からフランジ３に対して押圧される。その結果、半導体ウェハ５の上面側外周部がフランジ３の下面側に密着し、この状態で半導体ウェハ５が保持されるようになっている。このとき、陰極２はいわば有底状となるため、半導体ウェハ５の上面側にできる領域には電解銅めっき液１５が溜まるようになっている。
【００１９】
一方、この電解銅めっき装置１を構成するホルダ１２は、使用時において、陰極２の上方において近接した状態で配置される。ホルダ１２の下端側には開口部１３が設けられており、その開口部１３付近には板状の陽極１４が取り付けられている。陽極１４は例えば導電性の金属材料を用いて円形状に形成されている。陽極１４の複数箇所には、銅めっき液１５を上面側から下面側に通過させるための構造としてスリット１６が設けられている。ホルダ１２の上面には、めっき液供給管１７及びめっき液回収管１８がそれぞれ設けられている。めっき液供給管１７は、ホルダ１２及び陽極１４によって区画される空間１９と、図示しないめっき液タンクとの間を連通させている。銅めっき液１５が不足すると、このめっき液供給管１７を介して前記空間１９内に銅めっき液１５が補充されるようになっている。めっき液回収管１８は、前記空間１９内における銅めっき液１５の量が一定量を超えたときに、その余剰分を回収する役割を果たしている。なお、回収された銅めっき液１５は、めっき液タンクに戻されて再利用されるようになっている。
【００２０】
ホルダ１２の開口部１３には、陽極１４の下面側に接するようにしてめっき液保持部材としてのめっき液保持プレート２１が設けられている。めっき液保持プレート２１は、陽極１４とほぼ同じ大きさかつほぼ同じ形状（即ち円板状）となっている。めっき液保持プレート２１は、外周部分から横方向に突出するフランジ部２１ａを備えている。このフランジ部２１ａは、ホルダ１２の開口部１３に設けられた支持部１３ａによって支持されている。なお、フランジ部２１ａの下面と支持部１３ａの上面との間には、シール部材であるゴム製の環状パッキング２２が介在されている。
【００２１】
めっき液保持プレート２１は、銅めっき液１５を自身の気孔内に保持することにより、ホルダ１２の移送時における下面側からの銅めっき液１５の流出を防止する役割も果たしている。なお、めっき液保持プレート２１の下面は、半導体ウェハ５の上面と僅かな間隙を隔てた状態で対向配置されている。具体的にいうと、本実施形態では前記間隙の大きさが１ｍｍ程度となるように設定されている。
【００２２】
次に、本実施形態において用いられるめっき液保持プレート２１の材質等について詳細に説明する。
本実施形態のめっき液保持プレート２１は多孔質セラミック板であり、具体的には多孔質炭化珪素板（多孔質ＳｉＣ板）Ｐ１が用いられている。多孔質炭化珪素を選択した理由は、多孔質炭化珪素は多孔質アルミナに比べて耐食性及び電気伝導性に優れ、めっき液保持プレート２１用材料として極めて好都合だからである。
【００２３】
めっき液保持プレート２１の気孔率は２０％〜５０％であることがよく、３０％〜４５％であることがなおよい。また、平均気孔径は１０μｍ〜６０μｍであることがよく、２０μｍ〜５０μｍであることがなおよい。
【００２４】
気孔率が２０％未満であると、圧力損失の増大により銅めっき液１５がスムーズに流れにくくなることで、銅めっき液１５の滲出しやすさが場所によってバラついてしまう。即ち、めっき液保持プレート２１の下面側から供給される銅めっき液１５の量が不均一になり、結果として銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。逆に気孔率が５０％を超える場合には、圧力損失の増大は避けられるものの、銅めっき液１５を保持する性質が損なわれる。ゆえに、この場合においてもめっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００２５】
平均気孔径が１０μｍ未満であると、圧力損失の増大により銅めっき液１５がスムーズに流れにくくなることで、銅めっき液１５の滲出しやすさが場所によってバラついてしまう。即ち、めっき液保持プレート２１の下面側から供給されるめっき液１５の量が不均一になり、結果として銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。逆に平均気孔径が６０μｍを超える場合には、圧力損失の増大は避けられるものの、銅めっき液１５を保持する性質が損なわれる。ゆえに、この場合においても銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００２６】
めっき液保持プレート２１の体積固有抵抗は１０1Ωｍ〜１０5Ωｍであることがよく、１０2Ωｍ〜１０4Ωｍであることがなおよい。
体積固有抵抗が１０1Ωｍ未満のものを実現しようとすると、材料の選定や焼成条件の設定等が難しくなって、めっき液保持プレート２１の製造コストが高騰するおそれがある。また、そればかりでなくめっき液保持プレート２１の多孔性が損なわれ、めっき液保持性という基本性能が損なわれるおそれもある。逆に１０5Ωｍを超える場合には電気伝導性が低くなりすぎてしまい、めっき液保持プレート２１が実質的に陽極１４として機能しなくなるおそれがある。ゆえに、半導体ウェハ５の上面付近の銅めっき液１５に、強くかつ安定した電界を与えることができなくなるおそれがある。
【００２７】
なお、めっき液保持プレート２１の密度は１．６ｇ／ｃｍ3〜２．５ｇ／ｃｍ3、  曲げ強度は３０ＭＰａ〜１５０ＭＰａ、ヤング率は５０ＧＰａ〜２００ＧＰａ、熱伝導率は５０Ｗ／ｍ・Ｋ〜１５０Ｗ／ｍ・Ｋであることがよい。また、めっき液保持プレート２１を構成する多孔質炭化珪素としては、高純度多孔質炭化珪素が用いられることがよい。具体的には、不純物である重金属の濃度が０．５％以下の多孔質炭化珪素が用いられることがよい。
【００２８】
多孔質炭化珪素板Ｐ１の表層部分における炭化珪素粒子２３は、炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよい物質により被覆されている。本実施形態において具体的には、多孔質炭化珪素板Ｐ１の表層部分における炭化珪素粒子の表面が酸化され、そこに酸化珪素（シリカ：ＳｉＯ2）からなる層（以下、シリカ層２４と呼ぶ。）が形成されている。シリカを選択した理由は、シリカは炭化珪素に比べて極性の大きな分子構造を呈しているため、炭化珪素よりも親水性が高く水に対する濡れ性もよいからである。炭化珪素に比べて極性の大きな分子構造を呈するシリカ以外の珪素系セラミック化合物も使用できるが、アルミニウム等の金属不純物を極力含まないものであることが望ましい。
【００２９】
シリカ層２４の厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることがよい。シリカ層２４が薄すぎると、親水性が十分に高くならず、水に対する濡れ性を十分に改善できないからである。逆に、シリカ層２４を厚くしようとすると、酸化処理の条件設定が難しくなるばかりでなく、炭化珪素本来の好適な物性（例えば導電性や強度）が損なわれるおそれがある。
【００３０】
多孔質炭化珪素板Ｐ１においてシリカ層２４が形成されている部分の表面からの深さｄ１は、１００μｍ〜３００μｍであることがよい。また、シリカ層２４は表層部分のみに形成されていて、その内部領域については形成されていないことが望ましい。深さｄ１が少なすぎると、水に対する濡れ性を十分に改善できないおそれがある。逆に、深さｄ１を多くしようとすると、酸化処理の条件設定が難しくなるばかりでなく、炭化珪素本来の好適な物性が損なわれるおそれがある。
【００３１】
ここで、本実施形態のめっき液保持プレート２１を製造する方法について説明する。まず、原料である炭化珪素粉末を１種または２種以上用意する。そして、炭化珪素粉末に溶剤やバインダ等を配合したうえで、これをよく混合する。次いで、この混合物を乾燥した後、その乾燥混合物を顆粒化する。そして、前記造粒工程により得られた顆粒を材料として成形を行い、円板状の成形体を作製する。この場合、成形時の密度分布が±０．０５ｇ／ｃｍ3の範囲内に収まるように条件を設定することがよい。本実施形態では、これを実現するためのプレス法として静水圧プレスを採用している。次に、成形工程により得られた成形体を不活性雰囲気下にて２０００℃〜２３００℃程度の温度で常圧焼成することにより、成形体を焼結させて焼結体（即ち多孔質炭化珪素板Ｐ１）を得る。この場合、焼成時における成形体の面内温度分布が±１℃以内に収まるように条件を設定することがよい。最後に、多孔質炭化珪素板Ｐ１を酸化させる処理を行い、表層部分の炭化珪素粒子２３の表面をシリカに変えることにより、めっき液保持プレート２１を完成させる。
【００３２】
上記酸化処理としては、例えば多孔質炭化珪素板Ｐ１を酸化性雰囲気下で加熱する等の乾式処理や、酸化剤を用いた湿式処理等が挙げられる。
乾式酸化処理を行う場合、加熱温度は５００℃以上、特には８００℃〜１２００℃程度に設定されることがよい。加熱温度が低すぎると、炭化珪素の酸化反応が進まず、十分な厚さのシリカ層２４を形成できなくなるおそれがある。逆に、加熱温度が高すぎると、エネルギーロスが多く高コスト化につながるばかりでなく、過度の酸化反応によってシリカ層２４の形成が多孔質炭化珪素板Ｐ１の内部にまで及ぶ結果、物性の低下につながってしまう。
【００３３】
乾式酸化処理を行う場合、加熱時間は０．１時間以上、特には０．５時間〜５時間程度に設定されることがよい。加熱時間が短すぎると、十分な厚さのシリカ層２４を形成できなくなるおそれがある。逆に、加熱時間が長すぎると、シリカ層２４の形成が多孔質炭化珪素板Ｐ１の内部にまで及ぶ結果、物性の低下につながるおそれがある。
【００３４】
次に、上記のように構成されためっき液保持プレート２１を用いた電解銅めっき装置１の使用方法について説明する。
この電解銅めっき装置１の場合、めっき液供給管１７を経て供給されてきた銅めっき液１５が、前記空間１９に一定量溜まるようになっている。当該空間１９に供給されてきた銅めっき液１５は、陽極１４のスリット１６を通過してめっき液保持プレート２１に到る。そして、銅めっき液１５はさらにめっき液保持プレート２１の気孔を介して半導体ウェハ５の上面側に供給される。従って、この状態で陽極１４及び陰極２間に通電を行うことにより、静止浴のまま電解銅めっきが施される。すると、半導体ウェハ５の上面側にあらかじめ掘られた配線用溝を埋めるように銅めっき層が析出し、結果として所望パターン形状の銅配線が形成されるようになっている。
【００３５】
【実施例】
［実施例１の作製］
実施例１の作製においては、原料炭化珪素粉末として、ＧＣ♯２４０（信濃電気精錬社製、平均粒径５７μm）とＧMＦ−１５Ｈ２（太平洋ランダム社製、平均粒径０．５μm）とを重量比が７：３となるようにして用いた。そして、これら２種の炭化珪素粉末にさらに水、バインダであるアクリル系樹脂を配合し、これをポットミルを用いてよく混合した。前記混合工程により得られた均一な混合物を所定時間乾燥して水分をある程度除去した後、その乾燥混合物を適量採取し、これをスプレードライヤにより顆粒化した。
【００３６】
そして、前記造粒工程により得られた顆粒を材料として、１００ＭＰａ〜１３０ＭＰａ程度の圧力で静水圧プレスを行い、円板状の成形体を作製した。次に、成形工程により得られた成形体をアルゴン雰囲気下にて２１００℃〜２２００℃の温度で常圧焼成した。焼成により得られた多孔質炭化珪素板Ｐ１を加熱炉内にセットし、大気中にて乾式酸化処理としてのベーキングを行った。ここでは加熱温度を１０００℃に設定し、加熱時間を３時間に設定した。その結果、表層部分における炭化珪素粒子２３がシリカ層２４により被覆された多孔質炭化珪素製の円板状めっき液保持プレート２１を得た。なお、シリカ層２４の被覆厚は１００ｎｍ〜１５０ｎｍ、酸化された部分の深さｄ１は１５０μｍ〜２００μｍであった。
【００３７】
また、このようにして得られた実施例１のめっき液保持プレート２１（具体的には表層部分を除く領域）では、気孔率が約２５％、平均気孔径が約１５μｍ、体積固有抵抗が１０3Ωｍ、密度が２．４ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が１３０ＭＰａ、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍ・Ｋ、重金属濃度が０．５％以下であった。
［実施例２の作製］
実施例２の作製においては、原料炭化珪素粉末として、ＧＣ♯２４０（信濃電気精錬社製、平均粒径５７μm）とＧMＦ−１５Ｈ２（太平洋ランダム社製、平均粒径０．５μm）とを重量比が９：１となるようにして用いた。そして、これら２種の炭化珪素粉末にさらに水、バインダであるアクリル系樹脂を配合し、これを万能混合機を用いてよく混合しながら同時に造粒を行った。
【００３８】
そして、前記混合・造粒工程により得られた顆粒を材料として、５０ＭＰａ程度の圧力で静水圧プレスを行い、円板状の成形体を作製した。次に、成形工程により得られた成形体をアルゴン雰囲気下にて２２５０℃の温度で常圧焼成した。焼成により得られた多孔質炭化珪素板Ｐ１を加熱炉内にセットし、大気中にて乾式酸化処理としてのベーキングを行った。ここでは加熱温度を１２００℃に設定し、加熱時間を４時間に設定した。その結果、表層部分における炭化珪素粒子２３がシリカ層２４により被覆された多孔質炭化珪素製の円板状めっき液保持プレート２１を得た。なお、シリカ層２４の被覆厚は１００ｎｍ〜２００ｎｍ、酸化された部分の深さｄ１は２００μｍ〜３００μｍであった。
【００３９】
また、このようにして得られた実施例２のめっき液保持プレート２１（具体的には表層部分を除く領域）では、気孔率が約４０％、平均気孔径が約３０μｍ、体積固有抵抗が１０3Ωｍ、密度が１．９ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が５０ＭＰａ、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ、重金属濃度が０．５％以下であった。
［比較例］
焼成工程後に酸化処理を実施しないことのみを除き、基本的には実施例１と同様の手順に準じて、多孔質炭化珪素製の円板状めっき液保持プレート２１を作製した。従って比較例では、シリカ層２４の被覆厚はほぼ０ｎｍ、酸化された部分の深さｄ１は０μｍであった。
［評価試験の方法及び結果］
ここでは評価試験として下記のことを行った。即ち、各々のめっき液保持プレート２１上に水（伝導度が１±０．５μｓ／ｃｍ2のイオン交換水）を滴下し、３０秒経過後にぬれ角（接触角）θを測定した。なお、測定には接触角測定器（ＥＲＭＡ社製、商品名：Ｇ−１−１０００）を用いた。
【００４０】
その結果、実施例１ではθ＝４０°、実施例２ではθ＝３５°、比較例ではθ＝４４°であった。以上のことから明らかなように、シリカ層２４の形成を行った実施例１，２のほうが、比較例に比べて水に対する濡れ性がよいことが確認された。
【００４１】
そして、実施例１，２のめっき液保持プレート２１を用いて実際に電解銅めっきを実施してみたところ、部材表面に気泡が発生する様子もなく、銅めっき液１５の通り道である気孔が部分的に遮断されることもなかった。従って、めっき液保持プレート２１の下面から滲出する銅めっき液１５の量が均一になり、半導体ウェハ５上に均一な膜厚の銅配線を形成することが可能であった。
【００４２】
従って、本実施形態の実施例によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施例のめっき保持プレート２１は、多孔質炭化珪素板Ｐ１からなり、その表層部分における炭化珪素粒子２３は炭化珪素よりも水に対する濡れ性のよいシリカ層２４により被覆されている。従って、銅めっき液１５を撥水することがなく、部材表面に気泡を発生させにくい。このため、銅めっき液１５の通りが悪い箇所の発生を未然に防止することができ、めっき液保持プレート２１の下面から滲出する銅めっき液１５の量がばらつきにくくなる。ゆえに、均一な膜厚の銅めっき層（即ち銅配線）を確実に形成することができる。
【００４３】
（２）上記実施例では、表層部分における炭化珪素粒子２３の表面を酸化することにより、そこにシリカ層２４を形成している。また、上述した乾式酸化処理であれば薬剤等も不要であるため、比較的簡単にかつ安価に濡れ性の改善を図ることができる。ゆえに、めっき液保持プレート２１の高コスト化も防止される。
【００４４】
（３）上記実施例では、乾式酸化処理の際に好適な温度・時間条件にて加熱を行っている。従って、好適な物性の低下や高コスト化を伴うことなく、必要十分なシリカ層２４を確実に形成することができる。
【００４５】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・  表層部分の炭化珪素粒子２３は表面のみならず、その内部までもシリカに変化していてもよい。
【００４６】
・  ＣＶＤ等の手法により表層部分の炭化珪素粒子２３をシリカ層２４で被覆することも可能である。
・  炭化珪素よりも親水性が高い（水に対する濡れ性の良い）物質からなる層は、シリカに代表される珪素系セラミック化合物からなる層のみに限定されず、例えば珪素を含まない他のセラミック化合物からなる層であってもよい。また、セラミック化合物以外の非金属材料からなる層であってもよい。
【００４７】
・  実施形態の電解めっき装置１は、電解銅めっきを実施する場合のみならず、例えば電解ニッケルめっきや電解金めっき等を実施する場合にも勿論使用可能である。
【００４８】
・  被めっき物はシリコンやガリウム砒素などからなる半導体ウェハ５のみに限定されることはなく、例えばセラミック製、金属製またはプラスティック製の基材などであってもよい。
【００４９】
・  実施形態の電解めっき装置１は、配線の形成のみに利用されるばかりでなく、例えばバンプ等のような半導体における外部接続端子の形成などに利用されることも可能である。さらに、当該電解めっき装置１は、上記配線のように電気を流すことを目的とする金属層の形成のみに利用されるに止まらず、電気を流すことを特に目的としない金属層の形成に使用されても構わない。
【００５０】
・  めっき液保持プレート２１の上面は陽極１４の下面に対して非接触状態で配置されていても構わない。
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５１】
（１）  めっき液が通過可能な構造を有する陽極と、被めっき物に接触する陰極と、前記陽極における前記被めっき物側に配置された多孔性のめっき液保持部材とを備え、前記めっき液が前記陽極及び前記めっき液保持部材を介して前記被めっき物に供給される電解めっき装置において、前記めっき液保持部材は多孔質炭化珪素板からなり、その多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子は、炭化珪素分子よりも極性の大きな分子構造の物質により被覆されていることを特徴とする電解めっき装置。従って、この技術的思想１に記載の発明によれば、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる電解めっき装置を提供することができる。
【００５２】
（２）  請求項３、技術的思想１のいずれか１つに記載されためっき液保持部材の製造方法であって、多孔質炭化珪素板を酸化性雰囲気下で加熱することにより、前記多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子の表面に酸化層を形成すること。
【００５３】
（３）  請求項３、技術的思想１のいずれか１つに記載されためっき液保持部材を製造する方法であって、多孔質炭化珪素板を８００℃〜１２００℃の酸化性雰囲気下で０．５時間〜５時間加熱することにより、前記多孔質炭化珪素板の表層部分における炭化珪素粒子の表面に酸化層を形成すること。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜３に記載の発明によれば、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる電解めっき装置用めっき液保持部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における電解銅めっき装置の概略断面図。
【図２】同電解銅めっき装置を構成するめっき液保持プレートの表層部分の様子を示す概念図。
【図３】実施例及び比較例の評価試験の方法を説明するための図。
【符号の説明】
１…電解めっき装置としての電解銅めっき装置、２…陰極、５…被めっき物としての半導体ウェハ、１４…陽極、２１…めっき液保持部材としてのめっき液保持プレート、２３…炭化珪素粒子、２４…シリカ層、Ｐ１…多孔質炭化珪素板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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