(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハを吸着して保持するチャックテーブルと、このチャックテーブルに対向して配設された研削手段とを備えた研削装置を用いて、表面に金属電極が形成されており、該金属電極は前記樹脂に被覆されているウエーハの該樹脂を所定の厚さに研削するウエーハの加工方法であって、
前記ウエーハの表面に被覆された前記樹脂は最も高さの低い前記金属電極の先端面から上側を不要層とし、該不要層を研削した後の前記金属電極の必要な部分が存在する部分を機能層として２層に分けることができ、これら層のうちの前記不要層に表面から溝を形成して前記樹脂の乾燥時に発生した収縮応力を解放し、
次いで、前記ウエーハを前記チャックテーブルに樹脂側を露出させて保持し、前記研削手段によって該樹脂の前記不要層を研削することを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記ウエーハを、前記樹脂側を露出させてチャックテーブルに保持し、この状態で該樹脂の前記不要層に前記溝を形成することを特徴とする請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
前記ウエーハの裏面全面に、前記チャックテーブルの吸着領域よりも大きな粘着テープを貼着し、該粘着テープを介してウエーハを前記チャックテーブルに吸着して保持し、この状態で樹脂に溝を形成することを特徴とする請求項２に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分割されて多数の半導体チップに個片化される半導体ウエーハ等のウエーハの加工方法に係り、詳しくはウエーハの表面に被覆された樹脂を研削してこの樹脂を平坦かつ所定の厚さに仕上げるウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に分割予定ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断、分割するといったプロセスを経て製造される。半導体チップの種類として、表面に複数の突起状の金属電極が形成されたものや、絶縁手段として樹脂が塗布されて樹脂膜が形成されたものがあり、これら金属電極および樹脂膜の両方が表面に設けられた半導体チップもある。
【０００３】
例えば金属電極としては、半導体素子と導通する配線と実装基板に実装するための接続端子とを兼ねる１５〜１００μｍ程度の高さのバンプと呼ばれるものがあり、樹脂膜を備えたものは、バンプの先端のみが露出するように樹脂膜が半導体チップの表面に被覆されている。これら金属電極および樹脂膜は、半導体チップに個片化される前の半導体ウエーハの段階で形成されている。
【０００４】
樹脂膜が被覆された半導体ウエーハは、その樹脂膜を研削することにより、最終的に得る半導体チップの厚さを個片化する前に得たり、塗布の際に凹凸面となった樹脂膜の表面を平坦にしたりすることが行われている。また、樹脂に埋没した上記バンプ等の金属電極を有するものは、この金属電極を樹脂から露出させるために、例えば特許文献１に記載されるようにして樹脂膜は表面が除去されて所定の厚さに形成される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１７３９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体ウエーハの表面を被覆する樹脂は、ポリイミドやエポキシといった種類の樹脂が用いられるが、このような樹脂を半導体ウエーハの表面に塗布して乾燥させると、硬化時の樹脂の収縮作用によって半導体ウエーハは樹脂側に反るという変形が生じやすい。この変形は、樹脂を加熱して塗布し、冷却によって硬化するものにおいて収縮応力が大きいため顕著に生じる。半導体ウエーハがこのように変形したままでは、半導体ウエーハを安定して保持して研削することが困難になるとともに、研削した樹脂膜の厚さが均一にならず、また、場合によっては半導体ウエーハの周縁部分が深く研削されて金属電極が研削されたり半導体ウエーハの表面が露出したりするといった不具合を招く。
【０００７】
よって本発明は、表面に樹脂が被覆された半導体ウエーハの樹脂を研削するにあたり、ウエーハを安定して保持することができるとともに、樹脂の表面を平坦に、かつ均一厚さに研削することができるウエーハの加工方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ウエーハを吸着して保持するチャックテーブルと、このチャックテーブルに対向して配設された研削手段とを備えた研削装置を用いて、表面に金属電極が形成されており、該金属電極は樹脂に被覆されているウエーハの該樹脂を所定の厚さに研削するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に被覆された樹脂は最も高さの低い金属電極の先端面から上側を不要層とし、該不要層を研削した後の金属電極の必要な部分が存在する部分を機能層として２層に分けることができ、これら層のうちの不要層に表面から溝を形成して樹脂の乾燥時に発生した収縮応力を解放し、次いで、ウエーハをチャックテーブルに樹脂側を露出させて保持し、研削手段によって該樹脂の不要層を研削することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、樹脂の不要層に適宜なパターンおよび数の溝を切り込んで形成することにより、樹脂の収縮応力が解放される。このため、表面に塗布された樹脂の乾燥時に起こる収縮作用によってウエーハが樹脂側に反っていた場合、収縮応力が解放されることによりウエーハを元の平坦な状態に復帰させることができる。研削装置のチャックテーブル上にウエーハの裏面を合わせ、かつ樹脂側を露出させて保持し、真空チャックの作用でウエーハをチャックテーブルに吸引すると、ウエーハは樹脂の収縮応力から解放されているので、変形によってチャックテーブルとの間に隙間が空きやすい外周部分もチャックテーブルに吸着され、ウエーハが平坦になる。したがって、ウエーハの裏面全面がチャックテーブルに隙間なく密着し、これによってウエーハを安定して保持することができる。その結果、変形していたウエーハの樹脂の表面を平坦に研削することや均一厚さに研削することが可能となる。
【００１１】
樹脂に形成する溝は、研削によって除去される不要層の領域のみに形成するので、不要層を研削した後の樹脂の表面、すなわち機能層の表面に溝は残存しない。このため、溝が残存することにより、その溝が将来亀裂となり電子回路に到達するなどして樹脂が保護膜としての機能を果たせなくなるといった不具合の発生を未然に防止することができる。
【００１２】
ウエーハの表面に溝を形成する具体的方法としては、ウエーハを樹脂側の面が露出するようにしてチャックテーブルに保持し、この状態で樹脂の表面に切削工具等によって溝を形成する方法が挙げられる。ウエーハをチャックテーブルに保持するに際しては、ウエーハの裏面全面にチャックテーブルの吸着領域よりも大きな粘着テープを貼着し、該粘着テープを介してウエーハをチャックテーブルに吸着して保持するとよい。これは、ウエーハの変形の度合いが大きい場合、吸着のために吸引している空気に変形部分から漏れが生じて十分に吸着作用を得られない場合があるが、粘着テープごとチャックテーブルに吸着させることにより漏れは生じず、ウエーハを十分に吸着、保持することができるからである。また、粘着テープをチャックテーブルに吸着させる作用が粘着テープを介してウエーハに伝わってウエーハの裏面全面がチャックテーブルに密着し、その結果、ウエーハが平坦になって一定深さの溝を形成しやすくなるといった効果もある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、樹脂の不要層に溝を形成することによりウエーハの変形が修正されてチャックテーブル上でウエーハを平坦な状態に保持することができるので、チャックテーブルにウエーハを安定して保持することができるとともに、樹脂の表面を平坦に、かつ均一厚さに研削することができるといった効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１の符号１は、研削加工を施す円盤状の半導体ウエーハ（以下、ウエーハと略称する）を示している。図１（ａ）に示すように、ウエーハ１の表面には複数の半導体チップ２が格子状に形成されている。各半導体チップ２の表面には、図１（ａ）の拡大部分に示すように、細かなピン状を呈する複数の金属電極３が突出形成されている。金属電極３はバンプなどであり、半導体チップ２に形成された電子回路の電極に接合されている。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、ウエーハ１の表面には樹脂膜４が所定の厚さで被覆されている。樹脂膜４はウエーハ１の表面のほぼ全面を覆っており、金属電極３は樹脂膜４中に埋没している。樹脂膜４はポリイミドやエポキシ等の樹脂をウエーハ１の表面に塗布し、乾燥、硬化させて形成され、厚さは５〜２００μｍ程度の範囲とされる。
【００１６】
図２（ａ）に示すように、樹脂膜４は、ウエーハ１の表面に近い側から機能層４ａと不要層４ｂとの２層に分けられる。機能層４ａは均一厚さに設定され、不要層４ｂの表面は凹凸面になっている場合が多い。機能層４ａと不要層４ｂの厚さは任意に設定され、図示例ではほぼ同じ厚さとなっている。また、金属電極３は高さが不揃いであり、最も低い金属電極３の先端面から上側が不要層４ｂとされ、機能層４ａには金属電極３の必要な部分が存在している。図３に示すように、硬化時の樹脂の収縮作用によって、ウエーハ１は特に外周部分が表面側すなわち樹脂膜４側に反るという変形が生じている。本実施形態では、樹脂膜４の不要層４ｂを研削して均一厚さの機能層４ａを露出させるととともに、金属電極３を機能層４ａの表面に露出させる研削加工を行う。
【００１７】
［２］樹脂表面への溝の形成
樹脂膜４の不要層４ｂを研削する前に、その不要層４ｂの表面のほぼ全面に、図５に示すように複数の溝５を形成する。溝５を形成するには、図３に示すように真空チャック式の円盤状のチャックテーブル１０上にウエーハ１を吸着、保持させ、チャックテーブル１０の上方に配された図５に示す切削工具２０によって行う。チャックテーブル１０は上面が水平であり、鉛直方向を回転軸として図示せぬ回転駆動機構により時計方向または反時計方向に回転させられる。チャックテーブル１０は周知の真空チャック式であって、表裏面に通じる多数の細かな吸引孔が形成された上面視円形状の吸着領域１０ａを有し、その吸着領域１０ａの裏面側に配された図示せぬ真空装置を運転すると、チャックテーブル１０の吸着領域１０ａの表面にウエーハ１が吸着、保持される。
【００１８】
図５に示す切削工具２０は、水平な回転軸を有するスピンドル２１に薄い円盤状の切削ブレード２２が装着されたもので、図示せぬ送り機構によって回転軸に直交する水平方向および鉛直方向に移動するように設けられ、回転する切削ブレード２２を樹脂膜４の不要層４ｂの表面に切り込んでいくことによって、その不要層４ｂに溝５を形成する。切削ブレード２２は、例えばダイヤモンド砥粒径が５μｍ程度の金属製ブレードが用いられ、３００００ＲＰＭ程度の回転速度で使用される。
【００１９】
ウエーハ１は、裏面をチャックテーブル１０の表面に合わせ、かつ樹脂膜４の表面を露出させてチャックテーブル１０上に載置されるが、表面側に反って変形していることにより、その載置状態では図３に示すように特に外周部分がチャックテーブル１０から離れて隙間が生じる。反りの度合いが大きいと、真空装置を運転してウエーハ１をチャックテーブル１０に吸着させようとしても隙間から吸引空気が漏れて十分に吸着しない場合がある。そこで、図４に示すダイシングテープ（粘着テープ）２５を用いることにより、ウエーハ１をチャックテーブル１０上に十分に吸着、保持することができる。
【００２０】
ダイシングテープ２５は、ウエーハ１およびチャックテーブル１０の吸着領域１０ａよりも十分に大きな円形状で片面が粘着面とされた粘着テープであり、ウエーハ１の裏面に粘着面を合わせて同心状に貼り付けられる。ダイシングテープ２５の粘着面の外周縁には、環状のダイシングフレーム２６が同心状に貼り付けられる。ダイシングテープ２６は金属等からなる剛体でできており、ウエーハ１はダイシングフレーム２６を掴むことによってハンドリングされ、図４（ｂ）に示すようにチャックテーブル１０上にダイシングテープ２５を介して保持される。
【００２１】
ここで、ダイシングフレーム２６は周方向の等分複数箇所が図示せぬクランプによって把持され、若干下降させられる。この状態で真空装置を運転することにより、ウエーハ１はダイシングテープ２５ごとチャックテーブル１０に吸着される。ダイシングテープ２５はチャックテーブル１０の全面を覆っているので吸引空気の漏れは生じず、このためウエーハ１は十分な吸引力でチャックテーブル１０に吸着、保持される。また、上方に反っているウエーハ１の外周部分がダイシングテープ２５に引っ張られチャックテーブル１０に密着し、ウエーハ１全体が平坦あるいはそれに近い状態で保持される。
【００２２】
上記のようにダイシングテープ２５およびダイシングフレーム２６を用いてウエーハ１をチャックテーブル１０上に保持し、チャックテーブル１０と切削工具２０とを相対移動させて図５に示すように切削ブレード２２を樹脂膜４の不要層４ｂに切り込んでいくことにより、その表面全面にわたって複数の溝５を形成する。溝５は、図５ではＸ方向とＸ方向に直交するＹ方向に格子状に形成しているが、形成パターンはこれに限られない。溝５の深さは機能層４ａに到達しない深さとされ、その範囲でなるべく深いことが好ましい。
【００２３】
このように不要層４ｂに複数の溝５を形成すると、樹脂膜４の収縮応力が解放される。したがってウエーハ１に反りを矯正する力を与えると平坦に戻すことができる。なお、隣り合う溝５の間隔は収縮応力が効果的に解放される程度の距離で十分とされ、例えば５ｍｍあるいは１０ｍｍ程度に設定される。
【００２４】
［３］樹脂膜の研削
次に、ウエーハ１からダイシングテープ２５を剥離し、樹脂膜４の不要層４ｂを研削して除去する。それには図６に示すように、ウエーハ１の裏面をチャックテーブル３４の表面に合わせ、かつ樹脂膜４の表面を露出させてチャックテーブル３４上に保持し、露出する樹脂膜４の表面全面を、研削ホイール（研削手段）４５の砥石４４で不要層４ｂの厚さ分研削する。図７は、これらチャックテーブル３４および研削ホイール４５を備えた研削装置３０を示しており、以下に、この研削装置３０について説明する。
【００２５】
図７に示す研削装置３０は、各種機構が搭載された基台３１を有している。この基台３１は水平な上面を備えた直方体状の部分を主体としており、長手方向の一端部（図７の奥側の端部）に、上面に対して垂直に立つ壁部３２を有している。図７では、基台３１の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれＹ方向、Ｘ方向およびＺ方向で示している。基台３１の上面の、長手方向のほぼ中間部分から壁部３２側が研削エリア３１Ａとされ、この反対側が、研削エリア３１Ａに研削前のウエーハ１を供給し、かつ研削後のウエーハ１を回収する供給・回収エリア３１Ｂとされている。
【００２６】
研削エリア３１Ａには、回転軸がＺ方向と平行で上面が水平とされた円盤状のターンテーブル３３が回転自在に設けられている。このターンテーブル３３は、図示せぬ回転駆動機構によって矢印Ｒ方向に回転させられる。そしてターンテーブル３３上の外周部には、回転軸がターンテーブル３３のそれと同一のＺ方向に延び、上面が水平とされた複数（この場合は３つ）の円盤状のチャックテーブル３４が、周方向に等間隔をおいて回転自在に設けられている。
【００２７】
チャックテーブル３４はウエーハ１を吸着、保持する真空チャック式であり、上記チャックテーブル１０と同一構成のものである。すなわち、チャックテーブル３４は表裏面に通じる多数の細かな吸引孔を有しており、裏面側に配された図示せぬ真空装置を運転すると、ウエーハ１がチャックテーブル３４上に吸着、保持される。各チャックテーブル３４は、それぞれがターンテーブル３３内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に独自に回転させられる。
【００２８】
ターンテーブル３３が矢印Ｒ方向に回転して、図７に示すように２つのチャックテーブル３４が壁部３２側でＸ方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル３４の直上には、ターンテーブル３３の回転方向上流側から順に、粗研削用の第１の研削ユニット４０Ａと、仕上げ研削用の第２の研削ユニット４０Ｂとが、それぞれ配されている。各チャックテーブル３４は、ターンテーブル３３の間欠的な回転によって、第１の研削ユニット４０Ａの下方である粗研削位置と、第２の研削ユニット４０Ｂの下方である仕上げ研削位置と、最も供給・回収エリア３１Ｂに近付いた供給・回収位置との３位置にそれぞれ位置付けられる。
【００２９】
研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは同一構成であるから、共通の符号を付して説明する。
各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは、基台３１の壁部３２に、スライダ５１およびガイドレール５２を介してＺ方向に昇降自在に取り付けられ、昇降駆動機構５３によって昇降させられる。研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは、図６および図７に示すように、円筒状のスピンドル４１の回転軸４２にホイールマウント４３を介して、多数のチップ状の砥石４４を保持する研削ホイール４５が取り付けられたもので、スピンドル４１がブロック４６を介してスライダ５１に固定されている。
【００３０】
ホイールマウント４３の下面に固着されている砥石４４は、例えば砥粒径が５０μｍ程度のものと２０μｍ程度のものを組み合わせたダイヤモンド砥粒が用いられる。第１の研削ユニット４０Ａの砥石４４は粗研削用のものが用いられ、第２の研削ユニット４０Ｂの砥石４４は仕上げ研削用のものが用いられる。
【００３１】
図６に示すように、研削ユニット４０Ａ（４０Ｂ）のＹ方向の位置は、研削ホイール４５の最も供給・回収エリア側（図６で左側）に来る砥石４４の外側の縁が、第１の研削位置および第２の研削位置に位置付けられたチャックテーブル３４の中心の直上にかかるように設定されている。この配置関係により、チャックテーブル３４とともにウエーハ１を回転させながら研削ホイール４５の砥石４４で樹脂膜４を押圧すると、樹脂膜４の全面が研削される。
【００３２】
また、図７に示すように、基台３１上の供給・回収エリア３１Ｂ寄りには、供給・回収位置にあるチャックテーブル３４に洗浄水を吐出してチャックテーブル３４を洗浄するチャックテーブル洗浄ノズル５５が配設されている。また、樹脂膜４の研削時には、ウエーハ１および研削ホイール４５に向けて図示せぬ研削液吐出ノズルから研削液が吐出される。これら洗浄水および研削液の廃液水は、排水口５６から排水される。
【００３３】
次に、供給・回収エリア３１Ｂについて説明する。
供給・回収エリア３１Ｂの中央には、上下移動する２節リンク式の移送ロボット６０が設置されている。そしてこの移送ロボット６０の周囲には、上から見た状態で反時計回りに、供給カセット６１、位置合わせ台６２、旋回アーム式の供給アーム６３、供給アーム６３と同じ構造の回収アーム６４、スピンナ式の洗浄装置６５、回収カセット６６が、それぞれ配置されている。
【００３４】
カセット６１、位置合わせ台６２および供給アーム６３はウエーハ１をチャックテーブル３４に供給する手段であり、回収アーム６４、洗浄装置６５およびカセット６６は、樹脂膜４を研削した後のウエーハ１をチャックテーブル３４から回収する手段である。カセット６１，６６は複数のウエーハ１を積層状態で収容するもので、基台３１上の所定位置にセットされる。
【００３５】
移送ロボット６０によって供給カセット６１内から１枚のウエーハ１が取り出されると、そのウエーハ１は樹脂膜４側を上に向けた状態で位置合わせ台６２上に載置され、ここで一定の位置に決められる。次いでウエーハ１は、供給アーム６３によって位置合わせ台６２から吸着されて取り上げられ、供給・回収位置で待機しているチャックテーブル３４上に載置される。
【００３６】
一方、各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂによって樹脂膜４が研削され、供給・回収位置に位置付けられたチャックテーブル３４上のウエーハ１は回収アーム６４によって吸着されて取り上げられ、洗浄装置６５に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置６５で洗浄処理されたウエーハ１は、移送ロボット６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。
【００３７】
上記研削装置３０により、樹脂膜４の不要層４ｂは次のように研削される。
移送ロボット６０によって、供給カセット６１内に収容された１枚のウエーハ１が位置合わせ台６２に移されて位置決めされ、続いて供給アーム６３によって、供給・回収位置で待機し、かつ真空装置が運転されているチャックテーブル３４上に樹脂膜４側を上に向けてウエーハ１が載置される。これによってウエーハ１はチャックテーブル３４に吸着、保持される。
【００３８】
上述したように樹脂膜４の不要層４ｂに複数の溝５が形成されたことにより樹脂膜４の収縮応力は解放されており、このため、図８（ａ）に示すように反りが生じていたウエーハ１は、チャックテーブル３４に吸引されることによって図８（ｂ）に示すように溝５が広がってチャックテーブル３４に吸着される。したがって、ウエーハ１の裏面全面がチャックテーブル３４に隙間なく密着し、ウエーハ１はチャックテーブル３４に安定して保持される。
【００３９】
次に、ターンテーブル３３が図７の矢印Ｒ方向に回転し、ウエーハ１を保持したチャックテーブル３４が第１の研削位置に停止する。この時、供給・回収位置には、次のチャックテーブル３４が位置付けられ、そのチャックテーブル３４には上記のようにして次に樹脂膜４を研削するウエーハ１がセットされる。そして、第１の研削位置のチャックテーブル３４を回転させてウエーハ１を回転させ、一方、粗研削用の研削ユニット４０Ａの研削ホイール４５を回転させながら所定速度でゆっくり下降させて砥石４４を樹脂膜４の表面に押圧し、不要層４ｂが研削、除去されて機能層４ａが露出するまで粗研削が行われる。
【００４０】
続いて、粗研削を終えたウエーハ１は、ターンテーブル３３をＲ方向に回転させることによって第２の研削位置に移送され、ここで、上記と同様にしてチャックテーブル３４を回転させるとともに仕上げ研削用の第２の研削ユニット４０Ｂを用いることにより、露出した機能層４ａの表面が仕上げ研削される。また、予め供給・回収位置でセットされたウエーハ１は第１の研削位置に移送され、このウエーハ１は先行する仕上げ研削と並行して上記と同様に粗研削される。さらに、供給・回収位置に移動させられたチャックテーブル３４上には、次に処理すべきウエーハ１がセットされる。
【００４１】
ここで、上記の粗研削および仕上げ研削の好適な運転条件例を挙げておく。第１および第２の研削ユニット４０Ａ，４０Ｂとも、研削ホイール４５の回転速度は２０００〜４０００ＲＰＭ、チャックテーブル３４の回転速度は１００〜３００ＲＰＭである。また、第１の研削ユニット４０Ａの研削送り速度である下降速度は１〜３μｍ／秒、第２の研削ユニット４０Ｂの下降速度は０．３〜１μｍ／秒である。
【００４２】
並行して行っていた仕上げ研削と粗研削をともに終えたら、ターンテーブル３３を回転させて仕上げ研削が終了したウエーハ１を供給・回収位置まで移送される。これにより、後続のウエーハ１は第２の研削位置と第１の研削位置にそれぞれ移送される。供給・回収位置に位置付けられたチャックテーブル３４上のウエーハ１は回収アーム６４によって洗浄装置６５に移されて水洗、乾燥される。そして、洗浄装置６５で洗浄処理されたウエーハ１は移送ロボット６０によって回収カセット６６内に移送、収容される。
【００４３】
以上が１枚のウエーハ１を粗研削、仕上げ研削した後に洗浄し、回収するサイクルである。研削装置３０によれば、上記のようにターンテーブル３３を間欠的に回転させながらウエーハ１に対して第１および第２の研削位置で粗研削と仕上げ研削を並行して行うことにより、複数のウエーハ１の研削処理が効率よく行われる。粗研削から仕上げ研削を経ることにより、図２（ａ）〜（ｂ）に示すように不要層４ｂが研削、除去されて機能層４ａの表面が露出する。これによって樹脂膜４の表面が平坦に加工され、かつ全ての金属電極３が樹脂膜４の表面に面一の状態で露出して高さが揃えられる。なお、図９（ａ）〜（ｂ）は、表面に金属電極を有さないウエーハ１の表面に被覆された樹脂膜４の不要層４ｂを研削、除去して機能層４ａを露出させた状態を示しており、この場合も上記実施形態と同様にして不要層４ｂに溝を形成してから、その不要層４ｂが研削される。
【００４４】
本実施形態では、上記研削装置３０によってウエーハ１の表面を被覆する樹脂膜４の不要層４ｂを研削、除去するにあたって、事前に不要層４ｂに複数の溝５を形成して樹脂膜４が硬化する際の収縮応力を解放している。このため樹脂膜４の収縮によって反りが生じていたウエーハ１は裏面全面がチャックテーブル３４に隙間なく吸着し、平坦な状態で保持することができる。したがって、ウエーハ１をチャックテーブル３４に安定して保持することができ、研削加工を支障なく行うことができるとともに、変形していたウエーハ１の樹脂の表面を平坦に研削することや均一厚さに研削することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施形態によって樹脂膜の不要層が研削される半導体ウエーハの（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。
【図２】金属電極を有するウエーハ表面の樹脂膜を研削する過程を（ａ）〜（ｂ）の順に示す断面図である。
【図３】図１に示した半導体ウエーハを溝形成用のチャックテーブル上に載置した状態を示す断面図である。
【図４】（ａ）ダイシングテープおよびダイシングフレームでウエーハを支持した状態を示す斜視図、（ｂ）ダイシングテープおよびダイシングフレームで支持したウエーハをチャックテーブル上に保持した状態を示す断面図である。
【図５】ウエーハの樹脂膜の表面に切削工具で溝を形成している状態を示す斜視図である。
【図６】ウエーハの樹脂膜を研削ホイールで研削する状態を示す側面図である。
【図７】研削装置の全体斜視図である。
【図８】樹脂膜によって変形していたウエーハを溝形成によってチャックテーブル上に平坦に保持できる過程を（ａ）〜（ｂ）の順に示す断面図である。
【図９】金属電極を有さないウエーハ表面の樹脂膜を研削する過程を（ａ）〜（ｂ）の順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…半導体ウエーハ、３…金属電極、４…樹脂膜、４ａ…機能層、４ｂ…不要層、５…溝、１０…溝形成用のチャックテーブル、１０ａ…吸着領域、２５…ダイシングテープ（粘着テープ）、３０…研削装置、３４…樹脂膜研削用のチャックテーブル、４５…研削ホイール（研削手段）。
【図１】
0004673195.tif 000002
【図２】
0004673195.tif 000003
【図３】
0004673195.tif 000004
【図４】
0004673195.tif 000005
【図５】
0004673195.tif 000006
【図６】
0004673195.tif 000007
【図７】
0004673195.tif 000008
【図８】
0004673195.tif 000009
【図９】
0004673195.tif 000010