(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム流を生成するための電子放出器と、
前記電子放出器に接近して配置され、陰極ルミネセンス特性を有するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金を含む相変化材料からなる、記憶媒体と、
前記電子放出器と前記記憶媒体との間の相対的な位置を変化させるためのマイクロムーバと、
前記電子ビーム流が照射される際に前記記憶媒体により生じる、陰極ルミネセンス信号を受け取るように構成されている読出し信号検出器とを含む、原子分解能記憶デバイス。
【請求項２】
前記読出し信号検出器がフォトダイオードである、請求項１に記載の原子分解能記憶デバイス。
【請求項３】
前記相変化材料が、情報を格納するための第１の状態および第２の状態を有し、前記第１の状態が結晶状態であり、前記第２の状態がアモルファス状態であり、前記陰極ルミネセンス信号は、前記記憶媒体が前記第１の状態にあるか又は前記第２の状態にあるかを表す、請求項１に記載の原子分解能記憶デバイス。
【請求項４】
前記記憶媒体が、前記読出し信号検出器（109）に隣接して配置される、請求項１に記載の原子分解能記憶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概して記憶デバイスに関し、より詳細には電子放出器に基づいた記憶デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
数十年間、研究者たちは、磁気ハードドライブ、光ドライブおよびＤＲＡＭのような情報記憶装置において、記憶密度を高め、かつ記憶デバイス当たりのコストを削減しようと試みてきた。しかしながら、より多くの情報を記憶装置に詰め込むことは益々困難になってきている。さらに、それらの装置を作成するための従来の技術は、記憶密度に関する根本的な限界に近づきつつある。
【０００３】
多くの科学者が、記憶密度を高めるための代替のアプローチを提案している。１つのアプローチは、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）技術に基づく。通常、そのようなアプローチでは、プローブが記憶媒体に極めて接近して配置される。たとえば、原子力間顕微鏡の一実施形態では、プローブは媒体と物理的に接触する。走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）では、プローブは、媒体のトンネル現象の範囲内に確実に入るようにするために、媒体の数ナノメートル以内に存在する。最終的に媒体またはプローブの表面を損傷したり、情報を消去したりすることなく、媒体に接触するか、またはそのように媒体に非常に接近して配置されるプローブを用いて、記憶システムを低コストで構築することは難しい。さらに、ＳＴＭでは、ナノメートルの間隔が精密に制御されなければならない。これは難しい作業である。そのように極めて接近させる必要性をなくすための方法を見つけている研究者もいる。１つの技術は、近接場走査顕微鏡に基づく。しかしながら、この技術は、横方向の分解能および帯域幅が制限されている。他の技術は、非接触走査力顕微鏡に基づいているが、それは通常分解能が低く、信号対雑音比が低いという欠点を抱える。
【０００４】
記憶密度が高められたとしても、依然として、情報にアクセスするのに必要な時間という別の大きな障害を乗り越えなければならない。格納された情報を検索するのに長い時間を要するなら、その記憶デバイスの有用性は制限される。言い換えると、記憶密度を高めるとともに、情報に迅速にアクセスするための方法を見つけなければならない。
【０００５】
上述のことから明らかなように、著しく高い記憶密度を有するとともに、記憶デバイス当たりのコストが低い、従来にはないアプローチに基づく記憶デバイスが依然として求められている。さらに、その記憶デバイスは、速いアクセス時間と、高いデータ速度とを有することが好ましい。さらに、その記憶デバイスは、プローブと記憶媒体との間で極めて接近する必要のないことが好ましい。
【０００６】
Gibson等に付与された特許文献１は超高密度記憶デバイスを開示する。その記憶デバイスは、記憶媒体に非常に接近して配置される多数の電界放出器と、電界放出器に対して記憶媒体を移動させるためのマイクロムーバとを含む。一実施形態では、その記憶媒体はヘテロ接合ダイオードを利用する。電子ビーム流によってボンバードされた記憶領域から信号電流を生成することにより、記憶デバイスから情報が読み出され、その場合、信号電流の大きさが記憶領域の状態に依存する。このアプローチが抱える１つの既知の問題は、デバイスを動作させるために、シリコンへテロ接合に対して良好な相変化を生成することが難しいことである。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第５，５５７，５９６号明細書
【非特許文献１】
Jones著、「Silicon Field Emission Transistors and Diodes」，IEEE Transaction on Components，Hybrids and Manufacturing Technology，1992年、15，page 1051
【非特許文献２】
Spindt等著、「Physical Properties of Thin-Film Field Emission Cathodes With Molybdenum Cones」，Journal of Applied Physics， 1976年12月、Vol. 47， No. 12
【非特許文献３】
Betsui著、「Fabrication and Characteristics of Si Field Emitter Arrays」，Tech. Digest 4th Int. Vacuum Microelectronics Conf.， Nagahama， Japan， 1991年、page 26
【非特許文献４】
Jaecklin等著、「Novel Polysilicon Comb Actuators for XY-Stages」，Proceedings of MicroElectro Mechanical Systems，1992年
【非特許文献５】
Howe等著、「Silicon Micromechanics: Sensors and Actuators on a Chip」，IEEE Spectrum，1990年７月、page 29
【非特許文献６】
HuberおよびMarinero著、「Laser-induced Crystallization of Amorphous GeTe: A Time-Resolved Study」，Physics Review B36，1987年、page 1595
【非特許文献７】
Noboru Yamada著、「Erasable Phase-Change Optical Materials」，MRS Bullentin， 1996年９月
【非特許文献８】
「Overwriteable Phase-Change Optical Disk Recording」，IEEE Transaction on Magnetics，1998年３月、Vol. 34, No. 2
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、記憶密度を高めるとともに、記憶デバイスのコストを削減することができる、電子放出器を用いた記憶デバイスを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記憶デバイスおよびその記憶デバイスを用いる記憶システムを提供する。一実施形態では、その記憶デバイスは、電子放出器と、その電子放出器に非常に接近して配置される記憶媒体とを含む。その記憶媒体は相変化材料を含む。検出能力を有する読出し信号検出器が、その記憶媒体と通信するように設けられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明では、本明細書の一部を構成し、本発明が実施され得る特定の実施形態を一例として示す添付図面を参照する。理解されるように、他の実施形態を用いてもよく、本発明の範囲から逸脱することなく構造的または論理的な変更を行うことができる。それゆえ、以下の詳細な説明は、限定の意味に受け取られるべきではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって定義される。
【００１１】
図１は、本発明による記憶デバイス１００の１つの典型的な実施形態を示す側断面図である。記憶デバイス１００は、相変化材料から形成される記憶媒体と通信する陰極ルミネセンス読出し信号検出器を含む。本明細書で説明される種々の実施形態では、陰極ルミネセンス読出し信号検出器はフォトダイオードを含む。他の陰極ルミネセンス読出し信号検出器は、本出願を読んだ後に当業者には明らかになり得る。読出し動作中に、その記憶デバイスは、記憶媒体上に格納された情報を表す、フォトダイオードによって検出可能な陰極ルミネセンス信号を与える。
【００１２】
原子分解能記憶デバイス１００は、複数の電子放出器と、１つまたは複数の媒体表面と、１つまたは複数のマイクロムーバとを用いる不揮発性メモリコンポーネントを含む。一実施形態では、各電子放出器は、媒体表面上の関連する区分された領域付近に配置される。対応するマイクロムーバは、媒体表面に対して電子放出器を移動させ、媒体表面上の複数の区分された領域において、データの数多くの読出しおよび書込みの手助けをする。一態様では、マイクロムーバは、記憶媒体の対応する区分された領域に取り付けられ、対応する電子放出器は静止したままであり、電子放出器に対して媒体が移動する。
【００１３】
本発明において用いられる各原子分解能記憶デバイスはサイズが小さく、必要とされる電力が低く、しかも不揮発性で、高密度のデータ記憶を提供する。本明細書において用いられるような用語「原子分解能記憶デバイス」は、比較的小さな記憶領域内に、数メガバイトから数ギガバイトのデータポイントのような大量のデータを格納することができ、非常に少ない電力しか消費しない不揮発性メモリ記憶デバイスまたはコンポーネントとして定義される。各原子分解能記憶デバイスは、複数の電子放出器と、１つまたは複数の記憶媒体と、１つまたは複数のマイクロムーバと、その記憶媒体において、データの数多くの読出しおよび書込みを行うための関連する回路とを含む。用語「媒体」および「複数の媒体」は、本明細書では、記憶領域に関連して用いられるとき交換可能に使用される。１つの好ましい実施形態では、各原子分解能記憶デバイスは、複数の間隔をおいて配置された電子放出器を含み、各電子放出器は、記憶媒体上の多数の記憶領域に対して役割を果たす。電子放出器は、平坦な放出器および先端を有する放出器を含む。他の電子放出器のタイプは、本明細書を読んだ後に当業者には明らかになり得る。一実施形態では、原子分解能記憶デバイスは、幅１ｃｍ未満×高さ１ｃｍ×長さ２ｍｍ未満であり、数百メガバイト〜数百ギガバイトのデータ記憶容量を有し、必要な電力は１Ｗ未満（瞬間）および数十分の１ｍＷ（待機）である。それぞれの独立した区分された記憶領域は、他の記憶領域とは関係なく、数ギガバイトのデータを格納することができる。
【００１４】
図１では、記憶デバイス１００は、電子放出器１０２および１０４のような多数の電子放出器と、記憶領域１０８のような多数の記憶領域を含む記憶媒体１０６と、フォトダイオード１０９と、マイクロムーバ１１０とを含む。マイクロムーバ１１０は、電子放出器に対して記憶媒体１０６を走査するか、または逆に記憶媒体に対して電子放出器を走査する。１つの好ましい実施形態では、各記憶領域は、１ビットの情報を格納するための役割を果たす。記憶媒体１０６は、相変化半導体材料、または陰極ルミネセンスを示す他の材料から形成される。フォトダイオード１０９は記憶媒体１０６と通信する。読出し動作中に、フォトダイオードを用いて、放出器のうちの１つからの電子ビームが記憶媒体１０６に衝突する際に生成される陰極ルミネセンス信号を検出する。陰極ルミネセンス信号の大きさ、および／または電力密度は、記憶媒体１０６上に格納された情報を表す。相変化材料から作成された記憶媒体と通信するフォトダイオードを用いない類似の記憶デバイスが、Gibson等の特許文献１に記載されており、その特許は参照により本明細書に組み込まれる。
【００１５】
一実施形態では、電子放出器１０２および１０４は、比較的先鋭な先端を有する先端放出器である。代案として、他の電子放出器を用いてもよい（たとえば、平坦または平面電子放出器）。各先端放出器は、約１ナノメートル〜数百ナノメートルの範囲の曲率半径を有することができる。動作中に、電子放出器とその対応するゲートとの間、たとえば電子放出器１０２とその周囲にある円形ゲート１０３との間に、予め選択された電位差が印加される。放出器の先鋭な先端に起因して、電子ビーム流が、放出器から記憶領域に向けて抽出される。放出器と記憶媒体１０６との間の距離、放出器のタイプ、および必要なスポットサイズ（ビットサイズ）に応じて、電子光学素子を用いて電子ビームを集束してもよい。また、電界放出された電子を加速または減速するために、または電界放出された電子を集束できるようにするために、記憶媒体１０６にも電圧が印加されてもよい。
【００１６】
一実施形態では、筐体１２０が記憶媒体１０６を少なくとも０．１３３Ｐａ（１０−５トル）のような部分真空内に維持する。半導体処理技術を用いて、そのようなタイプの微細加工された電子放出器を真空キャビティ内に製作することは当該技術分野において知られている。たとえば、非特許文献１を参照されたい。
【００１７】
図１に示される１つの実施形態では、各電子放出器は１つの対応する記憶領域を有する。別の実施形態では、各電子放出器は多数の記憶領域に対して役割を果たす。マイクロムーバ１１０が記憶媒体１０６を種々の場所に移動させるので、各放出器は種々の記憶領域上に配置される。マイクロムーバ１１０を用いる場合、電子放出器のアレイが記憶媒体１０６上を走査することができる。
【００１８】
マイクロムーバ１１０は、記憶領域上に電子放出器を配置するだけの十分な範囲と分解能とを有する限り、様々な形態をとることができる。１つの概念的な例では、マイクロムーバ１１０は、筐体１２０に対してＸおよびＹ方向に記憶媒体１０６を走査するために、標準的な半導体製造工程によって製造される。
【００１９】
後述するように、電子放出器は、その生成する電子ビームを用いて、記憶領域において情報の読出しおよび書込みを行うように動作する。したがって、記憶デバイス１００で用いるのに適した電子放出器は、記憶媒体上で所望のビット密度を達成するのに十分な細い電子ビームを生成することができ、かつ媒体に対して読出しおよび書込みを行うために必要とされる電力密度のビーム流を与えることができるタイプからなる。そのような電子放出器を作成するのに適した種々の方法が当該技術分野において知られている。たとえば、１つの方法が、非特許文献２に開示される。別の方法が、非特許文献３に開示される。
【００２０】
一実施形態では、ＸおよびＹの両方向において５０マイクロメートルの放出器ピッチを有する、１００×１００の放出器のような、放出器の２次元アレイを用いることができる。各放出器は、数万〜数億の記憶領域内のビットにアクセスできる。たとえば、それらの放出器は、任意の２つの記憶領域間で約１〜１００ナノメートルの周期性を有する記憶領域上を走査する。また、全ての放出器が同時にアドレス指定されるか、または多重化の態様でアドレス指定されてもよい。そのようなアクセス方式は、アクセス時間を著しく短縮し、記憶デバイスのデータ速度を高める。
【００２１】
図２は、図１の断面２−２の平面図を示しており、２組の薄肉の微細加工されたビームによって保持される記憶媒体１０６およびフォトダイオード１０９を示す。１１２および１１４のような第１の組の薄肉のビームの面は、Ｙ−Ｚ平面内にある。薄肉のビーム１１２および１１４は、Ｘ方向に撓むことができ、それにより記憶媒体１０６が筐体１２０に対してＸ方向に移動することが可能になる。１１６および１１８のような第２の組の薄肉のビームの面は、Ｘ−Ｚ平面内にある。薄肉のビーム１１６および１１８によって、記憶媒体１０６は、筐体１２０に対してＹ方向に移動することが可能になる。記憶媒体１０６は第１の組のビームによって保持され、それらのビームはフレーム１２２に接続される。フレーム１２２は第２の組のビームによって保持され、それらのビームは筐体１２０に接続される。静電的手段、電磁的手段、圧電的手段、または当該技術分野において知られている他の手段によって、Ｘ−Ｙ方向において、電子放出器が記憶媒体１０６上を走査するか、または記憶媒体１０６が電界放出器上を走査する。この例では、マイクロムーバ１１０は、電子放出器に対して記憶媒体１０６を移動させる。そのような微細加工されたマイクロムーバに関する一般的な説明は、たとえば、非特許文献４、および非特許文献５において見いだすことができる。
【００２２】
図３は、記憶領域の２次元アレイと、放出器の２次元のアレイとを有する記憶媒体１０６の一部に関する１つの典型的な実施形態を示す平面図である。記憶領域は外部回路を用いてアドレス指定される。一実施形態では、外部回路の数を削減するために、記憶媒体は行１４０および１４２のような行に分離され、その場合、各行は多数の記憶領域を含む。各放出器は多数の行について役割を果たす。しかしながら、この実施形態では、各放出器は行の全長に対して役割を果たさない。たとえば、放出器１０２は行１４０〜１４２と、列１４４〜１４６内の記憶領域に対して役割を果たす。１つの放出器によってアクセスされる記憶領域の全ての行は、１つの外部回路に接続される。１つの記憶領域をアドレス指定するために、その記憶領域に対して役割を果たす放出器が起動され、マイクロムーバ１１０（図１に示される）が、その放出器をその記憶領域に対して移動させる。その記憶領域が存在する記憶領域の行に接続される外部回路も起動される。
【００２３】
１つの方法では、書込みは、電子ビーム流の電力密度を一時的に増加させ、その記憶領域の表面状態を変化させることにより達成される。読出しは、フォトダイオード１０９によって検出される陰極ルミネセンス信号の大きさ、および／または電力密度を検出することによって、電子ビームへのその記憶領域の作用を測定するか、またはその記憶領域への電子ビームの作用を測定することにより行われる。たとえば、変更された記憶領域はビット１を表すことができ、変更されていない記憶領域はビット０を表すことができ、その逆も可能である。実際には、２ビットまたはそれより多いビットを表すために、記憶領域を種々の度合いに変化させることができる。変化は永久的なものもあれば、可逆的なものもある。永久に変更される記憶媒体は、ＷＯＲＭに適している。
【００２４】
記憶媒体は、電子放出器からの電子ビームにさらされる際に、陰極ルミネセンス信号を与える材料から作成される。一実施形態では、記憶媒体は相変化材料から作成される。書込み動作中に、記憶領域の構造が、その陰極ルミネセンス特性を変化させるように変更される。本明細書において用いられるような用語「陰極ルミネセンス」は、電子ビームによる材料の励起に関連する発光と定義される。一態様では、陰極ルミネセンスは、電子のボンバードの結果として記憶媒体によって放出される、概ね１６０〜２０００ｎｍの波長範囲内にある光である。４００〜８００ｎｍが可視領域である。これより波長が短くなると紫外線スペクトル領域であり、長くなると赤外線スペクトル領域である。陰極ルミネセンスは、任意の光吸収および内部反射プロセスが行われた後のある発生量から放出される。低電力密度の電子ビームが記憶媒体１０６に照射される際に、フォトダイオードを用いて陰極ルミネセンス信号を検出することにより読出しが行われる。読出し中に、電子ビームの電力密度は、書込みが行われることのないように十分に低いレベルに保持される。
【００２５】
記憶媒体１０６の一実施形態は、電子ビームによって、その構造的な状態が結晶性からアモルファスに変化することができる材料を含む。アモルファス状態は異なる陰極ルミネセンス特性を有し、それにより、その記憶領域に低電力密度の電子ビームが照射される際に、フォトダイオードを介して異なる陰極ルミネセンス信号が検出されることになる。その陰極ルミネセンス信号の大きさ、および／または電力密度を測定することにより、その記憶領域の状態を判定することができる。材料をアモルファス状態から結晶状態に変化させるためには、最初に電子ビームの電力密度を増加させ、その後、徐々に減少させる。このプロセスによって、その領域がアニーリングされて結晶状態になるだけの時間が経過するように、アモルファス領域が加熱され、その後、徐々に冷却される。材料を結晶状態からアモルファス状態に変化させるためには、ビームの電力密度を高いレベルに増加させ、その後、急速に減少させる。記憶媒体からの読出しを行うためには、低エネルギーのビームが所望の記憶領域に集束される。そのようなタイプの材料の一例は、テルル化ゲルマニウム（ＧｅＴｅ）およびＧｅＴｅに基づく三元合金である。加熱源としてレーザビームを用いて状態を変更するための類似の方法が、非特許文献６に記載されており、本明細書ではこれ以上の説明はしない。別の適切な材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ三元合金である。他の適切な相変化材料および方法は、非特許文献７と非特許文献８に説明される。他の適切な方法および材料は、本明細書を読んだ後に当業者には明らかになるであろう。
【００２６】
一実施形態では、記憶媒体は、２５〜１０００ｎｍの厚みを有する（たとえば、電子は、１，０００〜３０，０００ｅＶのエネルギにおいて２５〜１０００ｎｍを貫通するであろう）。この厚みの範囲は、電子放出器から放出される電子のエネルギーを増加することにより、および／または対象の波長において記憶媒体の光吸収係数を低減することにより拡張され得ることは、当業者には容易に明らかになるであろう。
【００２７】
他の方法を用いて、記憶媒体１０６内の状態変化を引き起こすこともできる。たとえば、穴または隆起のような、記憶媒体の形状の変化が、その記憶媒体の陰極ルミネセンス信号を変更するであろう。陰極ルミネセンスの電力密度は、電子ビームが記憶領域に照射される（たとえば、記憶領域を通過する）際の材料特性に依存するので、この変更が生じる。材料特性、バンド構造、および結晶学上の他の変化も陰極ルミネセンス信号に影響を及ぼす可能性がある。
【００２８】
図４は、本発明による記憶デバイスを用いる記憶システム２００の１つの典型的な実施形態を示す図である。記憶システム２００は、制御システム２０２と、記憶デバイス１００とを含む。説明を簡単にするために、記憶デバイス１００の電子放出器１０２、１０４、記憶媒体１０６、およびフォトダイオード１０９のみが示される。制御システム２０２または制御システム２０２の個々の部分は同じ半導体部品上に配置され、記憶デバイス１００の一部となり得る。
【００２９】
図４は、記憶デバイス１００に情報を書き込むことに関する１つの典型的な実施形態を示す。記憶媒体１０６は、本明細書において前述された特性に類似の材料特性を有する相変化材料から作成される。記憶媒体１００は、フォトダイオード１０９と光の通信を行う。一実施形態では、記憶媒体１０６はフォトダイオード１０９に隣接して配置される。一態様では、記憶媒体１０６は、フォトダイオード１０９上に塗布または堆積される相変化材料の薄い層である。別の実施形態では、フォトダイオード１０９は、記憶媒体の表面から放出される陰極ルミネセンス信号の一部を検出するために、記憶媒体１０６の表面（たとえば、電子放出器に隣接する）と光の通信を行う。陰極ルミネセンス信号は、ミラーシステムおよび／またはレンズシステムを介して受光され得る。
【００３０】
フォトダイオード１０９は、Ｐ−Ｎ接合２０４によって示されるＰ−Ｎ接合ダイオードであり、層２０６がｐ層であり、層２０８がｎ層である。代案として、層２０６がｎ層であり、層２０８がｐ層である。
【００３１】
書込み動作中、コントローラ２１０は、電子ビーム流２１２、２１４の電力密度を一時的に増加し、記憶媒体１０６の表面状態を変更するように動作する。一実施形態では、コントローラ２１０は、電子ビーム２１２、２１４の電力密度を制御するための定電流源２２０を含む。
【００３２】
変更された記憶領域は２１６で示されており、変更されない記憶領域は２１８で示される。一実施形態では、変更されない記憶領域２１８を含む記憶媒体１０６は、第１の状態すなわち結晶状態にある。相変化材料を結晶状態から、変更された記憶領域２１６によって示されるアモルファス状態に変更するために、電子ビーム２１４の電力密度を高いレベルまで増加させ、その後、急速に減少させる。一実施形態では、記憶媒体１０６を形成する相変化材料の特性は、加熱して適切な速度で冷却することにより、その材料特性をアモルファス状態から結晶状態に可逆的に変化させることができるような特性である。たとえば、変更された記憶領域２１６をアモルファス状態から結晶状態に変化させるためには、最初に電子ビーム２１４の電力密度を増加させ、その後、徐々に減少させる。このプロセスによって、アモルファス領域がアニーリングされて結晶状態になるだけの時間が経過するように、アモルファス領域が加熱され、その後、徐々に冷却される。
【００３３】
図５は、記憶デバイス１００から情報を読み出すことに関する１つの典型的な実施形態を示す図である。読出しは、低電力密度の電子ビームを記憶媒体１０６に照射することにより行われる。読出し中、電子ビーム（たとえば、２１２、２１４）の電力密度は、書込みが生じないように、すなわち記憶媒体１０６の状態を変更しないように十分に低いレベルに保持される。読出し動作中、記憶媒体１０６から陰極ルミネセンス信号が生成される。参照番号２４０によって示される陰極ルミネセンス信号は、記憶媒体１０６上に格納された情報を表す。陰極ルミネセンス信号２４０はフォトダイオード１０９によって検出され、フォトダイオードは対応する出力信号２４２を制御システム２０２に与える。フォトダイオードは、光起電性モードまたは光導電性モードにおいて使用され得る。一実施形態では、制御システム２０２は、記憶媒体１０６上の情報を読み出すために、出力信号２４２を受信し、対応する信号をコントローラ２１０に与える測定回路２５０を含む。一態様では、測定回路２５０は増幅器回路２５２を含む。一実施形態では、増幅器回路２５２はトランスインピーダンス増幅器回路であり、その入力端子においてフォトダイオード１０９から電流入力信号２４２を受信し、記憶媒体１０６上に格納された情報を表す、対応する出力電圧信号２５４をコントローラ２１０に与える。
【００３４】
好ましい実施形態を説明するために、本明細書において特定の実施形態が図示および説明されてきたが、本発明の範囲から逸脱することなく、図示および説明された特定の実施形態の代わりに、幅広い代替および／または同等の実施形態が用いられ得ることは当業者には理解されよう。化学、機械、電気機械、電気およびコンピュータ分野の熟練者であれば、本発明が非常に幅広い実施形態において実施され得ることは容易に理解されよう。本出願は、本明細書において説明された好ましい実施形態の任意の適応形態または変形形態を網羅することが意図されている。それゆえ、本発明は特許請求の範囲およびその等価物によってのみ限定されることが明らかに意図されている。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、記憶密度を高めるとともに、記憶デバイスのコストが削減される、電子放出器を用いる記憶デバイスを実現することができる。その記憶デバイスでは、情報へのアクセス時間が短く、接触によって記憶媒体を損傷する恐れもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】フォトダイオード構造と通信する記憶媒体を有する、本発明による記憶デバイスの一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１の線２−２に沿って見た記憶デバイスの断面図である。
【図３】図１の記憶デバイスの記憶媒体の一部の１つの典型的な実施形態を示す平面図である。
【図４】記憶デバイス内の記憶領域に対して書込みする電子放出器を含む、本発明による記憶システムの１つの典型的な実施形態を示す図である。
【図５】記憶媒体の記憶領域から読出しを行う電子放出器を含む、本発明による記憶デバイスの１つの典型的な実施形態を示す図である。
【符号の説明】
100  記憶デバイス
102、104  電子放出器
106  記憶媒体
109  フォトダイオード
110  マイクロムーバ
210  コントローラ
【図１】
0004629314.tif 000002
【図２】
0004629314.tif 000003
【図３】
0004629314.tif 000004
【図４】
0004629314.tif 000005
【図５】
0004629314.tif 000006