(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを提供するための放射システムと、パターニング手段を支持するための支持構造であって、前記パターニング手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付ける働きをする支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、前記パターンを付けられたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置であって、前記放射システムと前記投影システムの少なくとも一方が、スキャン動作と同期して該電子光学要素の光軸が該光軸に垂直な少なくとも一方向に移動されるように前記投影ビームに作用する電磁場を発生するための電子光学要素を備え、
前記電子光学要素が、前記光軸に略平行な磁場と、前記光軸に略垂直な四重極磁場との和によって形成される磁気レンズを備え、
前記光軸に略平行な前記磁場が静止しており、前記四重極磁場が、前記スキャン動作に同期して移動され、
前記電子光学要素が、前記光軸に略平行な前記磁場を発生するためのヨークを備える１対のスリット・コイルと、前記投影ビームがスキャンされる空間の両側に対の形で配置された、前記四重極場を発生するための選択可能コイルのアレイとを備えて、前記１対のスリット・コイルが静止しており、前記選択可能コイルの各対が、１対、２対、３対、または４対以上の組として選択的に励磁されて、前記磁気レンズの軸を移動させることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記電子光学要素が、レンズ、デフレクタ、または非点補正装置のうち１つまたは複数を備える請求項１に記載の装置。
【請求項３】
それぞれ１対、２対、または３対のコイルを備える前記選択可能コイルの前記組の２つが同時に励磁されて、２対のコイルの間の位置に軸を有する場を形成する請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記電子光学要素が、前記投影ビームがスキャンされる空間の対向する側に配置され、前記投影ビームの伝搬方向に垂直な平面で磁場を発生するための導体を有する２列の選択可能コイルを備え、前記コイルが、前記空間内の任意の位置にデフレクタまたは多重極場を形成するように選択的に励磁可能である請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記選択可能コイルがそれぞれ、前記投影ビームの伝搬方向に平行な方向で離隔された第１の部分と第２の部分を備え、前記第１の部分と第２の部分が個別に励磁可能である請求項１、請求項３、または請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記電子光学要素が、前記スキャン動作に同期して電子的に移動される請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記投影システムが、レンズとして働く２つの摺動電子光学要素を備える請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記２つの摺動電子光学要素が、一方がビーム交差点の前に、他方がビーム交差点の後に配置されている請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記摺動電子光学要素が、前記投影システムの軸に略垂直な略直線パスに沿って前記光軸を移動させるように配置されている請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記摺動電子光学要素が、略弓形パスに沿って前記光軸を移動させるように配置されている請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
さらに、前記摺動光学要素の前後に前記投影ビームを偏向するための追加の電磁石を備える請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記放射システムが、前記投影システム内で離隔され、それにより同時にスキャンされる複数の投影ビームを発生するように適合されている請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記投影システムが複数の略平行スロットを備え、各スロットに沿って、１つまたは複数の前記投影ビームがスキャンされる請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記投影ビームが電子ビームである請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備えるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、パターンを含むマスクを前記第１の対象物ホルダに提供するステップと、エネルギー感受性材料の層によって少なくとも部分的にカバーされた基板を前記第２の対象物ホルダに提供するステップと、マスクの一部を照射して、前記マスクの前記照射部分を前記基板の前記ターゲット部分にイメージするステップとを含み、前記リソグラフィ装置が請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載のものであることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
放射線の投影ビームを供給するための放射システムと、
パターニング手段を支持するための支持構造であって、パターニング手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付ける働きをする支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンを付けられたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を備えるリソグラフィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
用語「パターニング手段」は、基板のターゲット部分に形成するパターンに対応してパターンを付けた断面を入射放射線ビームに与えるために使用することができる手段を表すものと広く解釈すべきである。用語「光バルブ」をこの文脈で使用することもできる。一般に、前記パターンは、集積回路やその他のデバイス（以下参照）などターゲット部分に作成されるデバイス内の特定の機能層に対応する。このようなパターニング手段の例としては、次のようなものが挙げられる。
−マスク。マスクの概念は、リソグラフィでよく知られており、二相、交流移相、減衰移相などのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド・マスク・タイプを含む。放射線ビーム中にそのようなマスクを配置することにより、マスク上のパターンに従って、マスクに衝突する放射線の選択透過（透過性マスクの場合）または反射（反射性マスクの場合）が生じる。マスクの場合、支持構造は通常マスク・テーブルであり、マスク・テーブルは、入射放射線ビームにおける所望の位置にマスクを保持することができることを保証し、かつ望みであればマスクをビームに対して移動することができることも保証する。
−プログラム可能ミラー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス・アドレス可能な表面である。そのような装置の背後にある基本原理は、（例えば）反射表面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、後ろに回折光のみを残すことができる。このようにすると、マトリックス・アドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってビームにパターンを付けられるようになる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子手段を使用して行うことができる。そのようなミラー・アレイに関するより多くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国特許第５２９６８９１号および米国特許第５５２３１９３号から得ることができる。プログラム可能ミラー・アレイの場合、支持構造は、例えば、必要に応じて固定する、または可動にすることができるフレームやテーブルとして実施することができる。
−プログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構成の一例は、参照により本明細書に組み込む米国特許第５２２９８７２号に与えられている。上述したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定する、または可動にすることができるフレームやテーブルとして実施することができる。
話を簡単にするために、この本文ではここから先、いくつかの箇所でマスクおよびマスク・テーブルに関わる例に特に注目することがある。しかし、そのような例で論じられる一般的な原理は、本明細書で上に記述したパターニング手段のより広い文脈で見られるべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターニング手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射線感受性材料（レジスト）の層で被覆されている基板（シリコン・ウェハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイを備える）にイメージすることができる。一般に、単一のウェハが、１度に１つずつ投影システムによって連続的に放射される隣接ターゲット部分の回路網全体を含む。マスク・テーブル上のマスクによるパターニングを採用する現行装置では、２つの異なるタイプの機械に区分することができる。１つのタイプのリソグラフィ投影装置では、各ターゲット部分が、マスク・パターン全体を一括してターゲット部分に露光することによって照射される。そのような装置は、一般にウェハ・ステッパと呼ばれる。代替装置（一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる）では、各ターゲット部分が、所与の基準方向（「スキャン」方向）に投影ビーム下でマスク・パターンを漸次スキャンし、それと同時にこの方向に平行に、または反平行に基板テーブルを同期してスキャンすることによって照射される。一般に、投影システムが倍率Ｍ（通常＜１）を有するので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスク・テーブルがスキャンされる速度のＭ倍となる。ここに記述したリソグラフィ・デバイスに関するより多くの情報は、例えば参照により本明細書に組み込む米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。
【０００４】
スキャン装置では、ただ１度のスキャンで１つまたは複数のダイを提供することができる。あるいは、各ダイが複数のストライプからなっていてよく、それぞれがただ１度のスキャンでプリントされ、ストライプが互いにステッチされている、または突き合わされている。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、（例えばマスクでの）パターンが、放射線感受性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的にカバーされた基板にイメージされる。このイメージング・ステップの前に、基板にプライミング、レジスト・コーティング、ソフト・ベークなど様々な処置を施すことができる。露光後に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、およびイメージされたフィーチャの測定／検査など他の処置を基板に施すこともできる。この一連の処置は、デバイス、例えばＩＣの個々の層にパターンを付けるための基礎として使用される。次いで、そのようなパターン付き層に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨など様々なプロセスを施すことができる。これらは全て、個々の層を完成させるためのものである。複数の層が必要な場合、手順全体、またはその変形が、各新たな層ごとに繰り返されなければならない。最終的に、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に存在することになる。次いで、これらのデバイスを、ダイシングやソーイングなどの技法によって互いに分離し、個々のデバイスを、例えばキャリアに取り付ける、またはピンに接続することができる。そのようなプロセスに関するさらなる情報は、例えば参照により本明細書に組み込むＰｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔの著書「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」，Ｔｈｉｒｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，  ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，１９９７，ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。
【０００６】
話を簡単にするために、投影システムを本明細書では以後「レンズ」と呼ぶ場合がある。しかし、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含めた様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、放射線の投影ビームを指向する、成形する、または制御するためのこれら設計タイプのいずれかに従って動作する構成要素を含むことができ、そのような構成要素も以下で総称して、または個別に「レンズ」と呼ぶ。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってよい。そのような「多段」デバイスでは、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数のテーブルに関して予備ステップを行い、その一方で１つまたは複数の他のテーブルを露光することができる。二段リソグラフィ装置は、例えば、参照により本明細書に組み込む米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号に記載されている。
【０００７】
リソグラフィ装置では、ウェハ上にイメージすることができるフィーチャのサイズが投影放射線の波長によって制限される。より高密度のデバイスを備える集積回路を製造するために、したがって動作速度をより高くするために、より小さなフィーチャをイメージすることができることが望ましい。最新のリソグラフィ投影装置は、水銀ランプまたはエキシマ・レーザによって発生される紫外線を採用しているが、荷電粒子、例えば電子やイオンなどのビームを使用することも提案されている。
【０００８】
スループットは、リソグラフィ・デバイスが正常に機能するための最も重要な因子の１つである。スループットが十分に高くない場合、ツールは高いコスト効果で動作することができない。低スループットは、電子リソグラフィ装置の既存の設計で特に問題である。
【０００９】
電子ビーム・ツールのスループットは、電子光学上の考慮事項ならびに機械的（段）設計によって決定される。光学上の考慮事項のうち、所与の分解能での最大ビーム電流、ならびにパターン・カバレージおよびレジスト感度が露光時間を決定する。加速度および速度などの段パラメータが段オーバーヘッドを決定する。既存の電子ビーム・リソグラフィ装置では、ダイまたはフィールドのイメージが、互いにステッチされている複数のストライプからなる。さらに、複数のダイを、ステッピングまたはステップアンドスキャン原理を使用して基板上にプリントすることができる。主要な段オーバーヘッドは、１つのストライプから次のストライプへ進む所要時間に見られる。
【００１０】
本発明者は、電子ビーム・リソグラフィ装置のスループットの様々な因子に対する依存性をモデル化した。スループットを計算するために使用される段パラメータおよび他のパラメータを以下の表に提示する。
【表１】
0004741115.tif 000002
【表２】
0004741115.tif 000003
【００１１】
添付図面の図２は、１〜５０μＡのビーム電流Ｉ（または実効ビーム電流Ｉe）および２５〜２．５ｍｍ（すなわち、ダイ当たり１〜１０ストライプ、Ｓ／Ｄ）のストライプ・サイズに関するスループットＴを示す。曲面が滑らかに示されているが、実際はそうでない。グラフは、整数のストライプ数でのみ有効である。しかし、与えられた表示は、パラメータに対するスループットの感度に関してより良い印象を与えている。
【００１２】
本発明者は、上述したパラメータを用いて、最大スループットはストライプ・サイズによって主に決定されると判断した。８つのストライプは、２０ＷＰＨよりも大きい値を生じず、５つのストライプは３０ＷＰＨよりも大きい値を生じない。所与のストライプ幅でビーム電流を増大すると、スループットがさらに低くなる場合がある。これは、より大きな加速および減速時間をもたらすより大きな段速度を必要とするためである。それにより、オーバーヘッド時間が増大し、これがスループットを低減させる。
【００１３】
電子ビーム・リソグラフィ装置の投影システムの性能は、総ぶれ（ｂｌｕｒ）に対する以下の３つの寄与因子によって主に決定される。
・フィールド曲率
・軸方向色収差
・クーロン相互作用
【００１４】
フィールドの曲率の効果は、軸上のイメージ平面に接する曲面に構造がイメージされることである。したがって、イメージ平面内にこの効果がゼロである円が存在する。この円がイメージ・フィールドの中心から周縁への途中に位置決めされる場合、ぶれに対する最大効果は、システムの光軸上の一点に円が縮小される場合に比べてサイズが半分になる。以下の関係が適用される。
【数１】
0004741115.tif 000004
ここで、
ｄfc＝フィールド・ディスクの曲率のＦＷ５０（ｍ）
Ｃfc＝フィールドの曲率の係数（１／ｍ）
Ｆ＝露光フィールドのサイズ（０．２５×１０-3ｍ）
σ＝ウェハでの半開き角（６×１０-3ｒａｄ）
【００１５】
ガウス・イメージ平面でのフィールド曲率が５２．６ｎｍの場合、上述の等式を以下のように書き直すことができる。
ｄfc＝１４０．２（ｍ-1）Ｆ2．σ      （２）
【００１６】
軸方向色収差は、異なるエネルギーを有する粒子に関してイメージ平面が異なるということによってもたらされる。
【数２】
0004741115.tif 000005
ここで、
ｄCha＝色収差ディスクのＦＷ５０（ｍ）
ＣCha＝色収差の係数（ｍ）
ΔＶ＝エネルギー分布の半最大値での全幅（ＦＷＨＭ）（ｅＶ）
Ｖ＝ビーム・エネルギー（ｋｅＶ）
【００１７】
ガウス・イメージ平面での軸方向色収差は、周知の電子ビーム・リソグラフィ装置では例えば９５．１ｎｍである。焦点板でのプラズモン損失によりエネルギー拡散が大きいためこの収差が大きくなる。上述の等式は以下のように書き直すことができる。
ｄCha＝１．５８×１０-5（ｍ）σ      （４）
【００１８】
確率的クーロン相互作用は、ビーム中の個々の粒子の半径方向移動をもたらす場合がある。この効果を記述するための理論はいくつかある。ここでは、Ｊａｎｓｅｎ理論（「Ｔｒａｊｅｃｔｏｒｙ  ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｅｆｆｅｃｔ  ｉｎ  ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｓｙｓｔｅｍｓ：Ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｓ  ｔｏ  ｔｈｅ  ｅｘｔｅｎｄｅｄ  ｔｗｏ−ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｔｈｅｏｒｙ  ａｎｄ  Ｍｏｎｔｅ  Ｃａｒｌｏ  ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ」，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ８４（８），１９９８，ｐｐ．４５４９−４５６７）を使用する。
【数３】
0004741115.tif 000006
【００１９】
総クーロン相互作用ぶれは、一部は広域空間電荷効果によるものであり、一部は確率的性質によるものである。ここでは、スケーリング則が同一であると仮定する。
【００２０】
添付図面の図３は、周知の電子ビーム・リソグラフィ装置に関するこれらの寄与因子の合計を示す。ゼロ電流でのぶれｂは、フィールド曲率および軸方向色収差である。焦点の最適化により、ガウス・イメージ平面で収差の値を約５０％低減することができると結論付けることができる。ビーム電流Ｉの増加に伴うぶれの増大はクーロン相互作用によるものである。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、スループットが改善された電子ビーム・リソグラフィ装置を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
放射線の投影ビームを提供するための放射システムと、
パターニング手段を支持するための支持構造であって、前記パターニング手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付ける働きをする支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターンを付けられたビームをスキャン動作で基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置であって、
前記放射システムと前記投影システムの少なくとも一方が、前記スキャン動作と同期して電磁場の光軸が前記軸に垂直な少なくとも一方向に移動されるように前記投影ビームに作用する電磁場を発生するための摺動電子光学要素を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置
が提供される。
【００２３】
電子光学要素は、投影ビームを用いてスキャンするため、スキャン動作中に横切られるボリューム全体にわたってではなく、所与の瞬間に投影ビームによって横切られるボリュームにわたって場を発生しさえすればよい。したがって、場をより正確に発生することができ、複数のビームレットを同時に通すことができる。本発明のさらなる利点は以下の本文で説明する。
【００２４】
本発明の第２の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記発生源から放出されるオフアクシス荷電粒子に角速度成分を与えるために、前記荷電粒子ビームの発生源の近傍に磁場を発生する手段を備えることを特徴とする装置が提供される。
【００２５】
本発明の第３の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記投影システムが少なくとも４つの四重極レンズを備えることを特徴とする装置が提供される。
【００２６】
本発明の第４の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記投影システムが、マスクと、基板と、マスクから基板へのビーム・パスとの近傍に磁場を発生するための磁場発生器を備え、前記磁場が、前記ビーム・パスに略平行であり、前記マスクから前記基板へ強度を増していることを特徴とする装置が提供される。
【００２７】
本発明の第５の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記投影システムが少なくとも２つの電磁石を備え、マスクおよび基板に最近接する電磁石が、それぞれマスクおよび基板に隣接する磁極片を有さないことを特徴とする装置が提供される。
【００２８】
本発明の第６の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記投影システムが、約３５０ｍｍ未満、好ましくは約３２０ｍｍ未満の長さを有することを特徴とする装置が提供される。
【００２９】
本発明の第７の態様によれば、
マスクでのマスク・パターンを基板上にイメージするためのリソグラフィ投影装置であって、
荷電粒子の投影ビームを供給するように構成され、配置された照明システムと、
マスクを保持するように構成された第１の対象物ホルダを備える第１の対象物テーブルと、
基板を保持するように構成された第２の対象物ホルダを備える第２の対象物テーブルと、
マスクの照射部分を基板のターゲット部分にイメージするように構成され、配置された投影システムとを備え、
前記投影システムが、イメージング・レンズとして働く電磁システムと、投影システムでのビーム・エネルギーを変えるための静電システムとを備える装置が提供される。
【００３０】
本発明は、電子ビーム・リソグラフィ装置のスループットおよび拡張性を実質的に改良することができる。本発明による改良は、実効フィールドのサイズを改良し（オーバーヘッド時間低減）、かつビーム電流を改良する（照明時間）。第１の項目は露光時間を低減し、第２の項目は段オーバーヘッドを低減する。１ウェハ当たりのオーバーヘッド時間は、段のただ１度のスキャンでダイをプリントすることによって低減される。主要な要素はスライダ・レンズであり、ダイの全幅にわたって露光フィールドを移動させる（摺動させる）ことを可能にする。それにより、ビーム電流と実効フィールドを同時に改良することによってスループットが改善される。
【００３１】
ビーム電流は、収束角を例えば６〜８ｍｒａｄから１ｍｒａｄ未満に減少し、同時に、露光フィールドを基板（ウェハ）で例えば０．２５×０．２５ｍｍ2から１×１ｍｍ2に増大することによって改善することができる。これは、クーロン相互作用と、マスク（焦点板）でのプラズモン損失のために大きくなっている色収差とを減少させる。さらなる改良は、投影カラムを例えば約４０ｃｍから約３２ｃｍに短縮することによって可能である。その結果、ビーム電流は、１００ｎｍノードで６０μＡになる。本発明の実施形態のより大きなフィールド・サイズを用いると、それに応じて焦点板レイアウトは、ストライプの幅が１ｍｍでなく例えば４ｍｍに増大するように修正される。
【００３２】
クーロン相互作用ぶれは、二次減算によって上の等式５から切り離すことができる。２５μＡビーム電流では、クーロン相互作用ぶれは、周知の電子ビーム・リソグラフィ・デバイスで１３３．５ｎｍである。
【数４】
0004741115.tif 000007
【００３３】
添付図面の図４は、収束角ｃａと露光フィールド・サイズとに応じて投影システムで許容することができる総ビーム電流Ｉを示す。０．２５×０．２５ｍｍ2露光フィールドおよび６ｍｒａｄ収束角を用いると、ビーム電流は約１２μＡに制限される。本発明の実施形態を用いると、露光フィールド・サイズは、ウェハで１×１ｍｍ2に拡大され、このとき、ビーム電流を３５μＡに増大することができる。この増大の理由は、このときにはるかに小さい収束角（＜１ｍｒａｄ）を使用することが可能であることである。これは、軸方向色収差寄与を低減する。
【００３４】
より小さな収束角は、フィールドの曲率および軸方向色収差だけでなく、他の全ての角度依存収差も減少する。収束角の減少に伴って増大する唯一のぶれ寄与因子は回折であり、
【数５】
0004741115.tif 000008
ここでλ＝電子の波長（１００ｋｅＶで３．７×１０-12ｍ）である。
【００３５】
これは、収束角を０．３ｍｒａｄほどに小さくしたときでさえわずか７ｎｍである。
【００３６】
露光フィールド・サイズを増大することによって本発明がビーム電流の大幅な増大を提供することができることが明らかである。さらに、偏向電子工学の速度要件を４分の１に低減することができる。
【００３７】
原則として、歪曲は、露光フィールド・サイズの３乗で増大するが、本発明の実施形態で使用されるダブレット状システムでは、これを補償することができる。
【００３８】
本発明の実施形態によるいくつかの投影システムは、以下に論ずるように、クーロン相互作用および／または収差の影響を低減することができる。
【００３９】
四重極システム：これは、異方性収差を有さず、大きな交差点が可能であり、焦点板に電場を印加することによってフィールド曲率補正器と組み合わせることができる。
【００４０】
小さな収束角を伴う大きな交差点：周知の電子ビーム・リソグラフィ装置では、小さな収束角が小さな交差点と関係しており、これは、収差とクーロン相互作用の間の根本的なトレードオフを与える。本発明の実施形態はこれらのパラメータを切り離す。
【００４１】
マルチビームを用いる摺動レンズ：摺動レンズには、いくつかのビームレットを同時に通すことができる。これらのビームレットは小さな領域でしか干渉しないので、クーロン相互作用は、ビーム電流よりも低い累乗でスケールを取る。したがって、総電流を一定に保つことができ、その一方で、クーロン相互作用ぶれが低減する。場合によっては、いくつかのダイで同時にプリントすることさえ可能である。
【００４２】
本発明の実施形態は、以下の基準を満たす電子ビーム・リソグラフィ装置を提供することができる。
１．実効フィールド・サイズ：ウェハ上で＞２２ｍｍ
２．システム長さ：＜４００ｍｍ
３．サブフィールド・サイズ：ウェハ上で０．２５×０．２５ｍｍ2
４．倍率：０．２５
５．テレセントリック設計：１μｍウェハ高さ変化によるイメージ・シフト：＜１ｎｍ
６．交差点：１
７．交差点位置：コントラスト・アパーチャを容易にするために静止
８．ビーム・エネルギー：〜１００ｋＶ
９．ベース分解能：＜３０ｎｍ＠〜６ｍｒａｄ開き角および０電流
【００４３】
本発明はまた、本発明の様々な態様によるリソグラフィ装置を使用する半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【００４４】
この本文では、本発明による装置のＩＣ製造での使用に特に言及する場合があるが、そのような装置が多くの他の可能な適用例も有することをはっきりと理解されたい。例えば、集積光学系、磁区メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。そのような代替適用例の文脈では、この本文における用語「焦点板」、「ウェハ」、または「ダイ」の使用を、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および「ターゲット領域」でそれぞれ置き換えられるものとみなすべきであることを当業者は理解されよう。
【００４５】
この文書では、用語「放射線」および「ビーム」を、イオン・ビームや電子ビームなどあらゆるタイプの粒子ビームを包含するものとして使用する。
【００４６】
以下、本発明およびそれに付随する利点を、例示的実施形態および添付の概略図面を参照しながら説明する。
【００４７】
【発明の実施の形態】
様々な図面において、同じ部分を同じ参照符号で示す。
【００４８】
実施形態１
図１は、本発明のある特定の実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、以下のものを備える。
・放射線（例えば電子ビーム）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬ。この特定の場合には、放射線源ＬＡも備える。
・マスクＭＡ（例えば焦点板）を保持するためのマスク・ホルダを備え、アイテムＰＬに関してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ。
・基板Ｗ（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに関して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴ。
・基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを備える）にマスクＭＡの照射部分をイメージするための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、電磁および静電レンズ）。
本明細書で示すように、この装置は、透過性タイプの（すなわち透過性マスクを有する）ものである。しかし一般には、例えば反射性タイプの（反射性マスクを有する）ものであってもよい。別法として、この装置は、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど別の種類のパターニング手段を使用することができる。
【００４９】
放射線源ＬＡ（例えば熱電子カソードやイオン銃）は電子ビームを生成する。このビームは、直接的に、または例えばビーム拡大器Ｅｘなどの調整手段を通過した後に、照明システム（照明器）ＩＬに供給される。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側放射範囲（一般にそれぞれσ外側およびσ内側と呼ばれる）を設定するための調節手段ＡＭを備える。さらに、一般には、積分器ＩＮや集光レンズＣＯなど様々な他の構成要素も備える。このようにして、マスクＭＡに衝突するビームＰＢが、その断面で所望の強度分布を有するようにする。
【００５０】
図１に関して、放射線源ＬＡは、（例えば放射線源ＬＡが水銀ランプであるときにしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内部にある場合があり、しかしリソグラフィ投影装置から離れていて、生成する放射線ビームが（例えば適切な方向付けミラーによって）装置内に導かれる場合もあることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザであるときにしばしばそうである。本発明および特許請求の範囲はこれら両方のシナリオを包含する。
【００５１】
ビームＰＢはその後、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに交差する。ビームＰＢは、マスクＭＡを横切った後、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬが、基板Ｗのターゲット部分ＣにビームＰＢを合焦する。第２の位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢのパス内に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動することができる。同様に、第１の位置決め手段を使用して、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後、またはスキャン中に、ビームＰＢのパスに関してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１には明示していない長ストローク・モジュール（粗い位置決め）と短ストローク・モジュール（精密位置決め）とを用いて実現される。しかし、（ステップアンドスキャン装置と異なり）ウェハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにのみ接続することができる、または固定することができる。
【００５２】
図示した装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴが本質的に静止して保たれ、マスク・イメージ全体が、ターゲット部分Ｃに１度に（すなわちただ１回の「フラッシュ」で）投影される。次いで、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされ、それにより別のターゲット部分ＣをビームＰＢによって照射することができる。
２．スキャン・モードでは、所与のターゲット部分Ｃがただ１回の「フラッシュ」で露光されない点を除き、本質的に同じシナリオが適用される。１回のフラッシュで露光するのではなく、マスク・テーブルＭＴが速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、例えばｙ方向）に移動可能であり、それにより投影ビームＰＢがマスク・イメージ全体にわたってスキャンするようになっている。それと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで同方向または逆方向に同時に移動される。ここでＭはレンズＰＬの倍率である（典型的にはＭ＝１／４または１／５）。このようにすると、分解能を損なわずに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００５３】
投影システムが図５に断面図で示されている周知の電子ビーム・リソグラフィ装置では、実効フィールドのサイズが、焦点板付近およびウェハ付近でビームの周囲に位置決めされた材料によって制限されている。本発明の第１の実施形態によれば、最大実効フィールド・サイズｅｆｓmは、上部レンズ１１の上部磁極片と下部レンズ１２の下部磁極片とに、より大きな穴を作成することによって増大される。これは図６に概略的に示されている。磁極片のみが描かれているが、円筒形状ではなく、フェライト・スタックの円錐形状を採用することもできる。この実施形態によれば、各レンズに非対称磁極片を有することによって実効フィールドが増大される。システムはそれでもアパーチャで対称であり、完全なダブレットを容易にする。フィールド・クランプ１３が、上部レンズ１１と下部レンズ１２の間に提供される。
【００５４】
実施形態２
以下に述べることを除いて第１の実施形態と同じである場合がある本発明の第２の実施形態では、投影レンズ・システムを短縮することによって許容可能ビーム電流が増大される。図７は、４００ｍｍのカラムと比べた、短縮率ＳＦの様々な値に関する許容可能ビーム電流Ｉの増大を示す。この図に関するデータは、短縮投影システムの効果をモデル化することにより導出される。モデル化された収差係数は以下のように与えられる。
【表３】
0004741115.tif 000009
【００５５】
最初の列（元のサイズ）と最後の列（長さを２分の１に短縮、バランスの取れた回転角）での結果は、以下のスケーリング則をもたらす。
【数６】
0004741115.tif 000010
ここで、Ｌ＝カラムの長さ（ｍ）である。
【００５６】
【数７】
0004741115.tif 000011
であることは上に示した。
【００５７】
図７は、短縮率に応じて、限界寸法１００ｎｍに関して許容されるビーム電流を示す。このデータは、０．２５×０．２５ｍｍ2露光フィールドおよび６ｍｒａｄ収束角を有する電子ビーム・リソグラフィ装置に基づいている。
【００５８】
短縮率１．２５が、許容ビーム電流を１．８６倍に増大すると結論付けることができる。この場合のカラムの長さは３２ｃｍである。
【００５９】
より短いカラムは、交差点での角度が増大するため実効フィールド・サイズに影響を与え、５次および７次収差がより早い段階で発生される。実効フィールド収差がこの角度でスケールを取ると仮定すると、カラムの長さと同じ短縮率だけ実効フィールド・サイズを低減しなければならないと結論付けることができる。収差の大幅な増大を伴わずに従来の長さのカラムと共に６．５６３ｍｍの実効フィールドを使用する（４ストリップ）ことができる場合、カラムを３２ｃｍに減少すると、実効フィールドは約５．３ｍｍ（５ストリップ）に制限される。それにもかかわらず、ビーム電流の増大によってスループットの正味の増大を達成することができる。
【００６０】
実施形態３
上述した第１または第２の実施形態と同じである場合がある第３の実施形態は、図８に示されるように、電磁イメージング・レンズと、静電加速および減速光学系との組合せを使用する。
【００６１】
純粋な静電システムに伴う問題は、強い静電レンズを作成するのが非常に難しいことであり、これが長いカラムを与える。したがって、第３の実施形態は、その代わりに静電光学系と磁気光学系の組合せを提供する。磁気光学系がレンズ場を提供し、静電光学系がビーム・エネルギーの変化を提供して、投影システムの様々な部分に最適な性能を与える。マスクＭＡ（焦点板）では、プラズモン励起による色収差を低減するように高ビーム・エネルギーを有することが望ましい。ビーム・エネルギーの増加と共にクーロン相互作用が低減し、確率的ぶれを低減するので、交差点でも高ビーム・エネルギーが望まれる。しかし、レジスト感度がビーム・エネルギーに比例してスケールを取られるので基板Ｗでは低ランディング・エネルギーが望ましい。低ランディング・エネルギーは、ウェハを露光するのに必要な電荷を低減し、付着エネルギーを低減する。
【００６２】
焦点板領域およびランディング時には１００ｋｅＶ、しかし交差点では３００ｋｅＶのビーム・エネルギーが望ましい。図８に示されるように、これは、焦点板と上側磁気レンズ１１の間に１組の適切な荷電加速プレート２１を提供し、かつ下側磁気レンズ１２とウェハの間に１組の適切な荷電減速プレート２２を提供することによって達成される。上側および下側レンズ１１、１２は、磁気ダブレットを形成する。
【００６３】
加速および減速領域は、総カラム長に比べてかなり短くすることができる。したがって、追加される領域でのクーロン相互作用を無視することができると仮定することにより、許容ビーム電流の印加を得ることができるという仮定が成り立つ。
【数８】
0004741115.tif 000012
ここで、Ｉ＝ビーム電流＝１５μＡ、
Ｖ＝ビーム・エネルギー＝１００ｋｅＶ（従来）、＝３００ｋｅＶ（この実施形態）
【００６４】
したがって、この実施形態で許容可能なビーム電流は、クーロン相互作用に関してぶれの同じ部分を保つことができる場合１３５μＡである。
【００６５】
実施形態４
以下に述べることを除き第１から第３の実施形態と同じである場合がある本発明の第４の実施形態では、実効フィールド・サイズは、投影レンズまたはその一部分をビームのスキャン動作に同期して移動するように配置することによって増大される。このようにすると、全スキャンにおいてビームが横切られる空間にわたって必要な精度の場を生成する必要はなく、電磁レンズが当該の位置でビーム断面のサイズでありさえすればよい。したがって、より大きな実効フィールド・サイズに必要とされる大きなビームに対処することができる。
【００６６】
スライダ・レンズの概念は、レンズの軸が移動する場合に非常に大きな実効フィールドを可能にするものである。これは、レンズを機械的に移動させることによって行うことができるが、より良い方法は、レンズの電子的な動作である。このようなレンズは、ストライプの量を、最終的にはダイ当たり１つに低減することによってオーバーヘッド時間を最小限に抑えるのに重要な要素である。
【００６７】
本発明の第４の実施形態による磁気摺動レンズが図１０および１１に示されており、図１０および１１はそれぞれ、摺動レンズを作成するための磁石システムの側面図および平面図である。このシステムでは、四重極ではなく、円形（球状）レンズ場が生成される。したがって、小さな選択可能コイル３１の列が、実効フィールドの各側に位置決めされる。ビームのスキャン運動に同期して適切なシーケンスでこれらのコイルそれぞれの励磁状態を変えることにより、レンズを移動させることができる。図９は、機能的円形レンズを生成するために、主（スリット）コイル３２および小コイル３１の場を加える方法を示す。小コイル３１は（中央の図を見るとわかるように）四重極場を生じる。ある磁場をそこに加える（左図）ことによって、円形レンズが生成される（右図）。
【００６８】
このレンズの性能は、プログラムＬＯＲＥＮＴＺ  ３Ｄを用いて計算された。図１２、１４、１５、および１６にレンズ構成および性能結果を示す。図１３は、構成原理を例示しており、部分３２は、ギャップ内に磁場を生じるためのコイルであり、この磁場は３５００アンペアを有する場合がある。また、中心には、四重極３１を有する列が示されている。これらのコイルは重なる場合があり、一般には図示したよりも数が多い。図１２は、数値シミュレーションで使用される構成のワイヤフレーム図である。矢印３３は、高い無収差性をもつ「円形」レンズ内の電流を示す。四重極コイル３１が１組のみ中央に示されている。図１４および１５には、ＸＺおよびＹＺ平面での磁場が矢印によって示されている。図１６では、より低い振幅ピークを有する曲線は（スリットからのＢｙに比例する）ギャップ内でのＢｚの導出値であり、もう一方は四重極によるＢｙである。
【００６９】
第４の実施形態の第１の変形形態は、より正確に「円形」のレンズを生成する。第４の実施形態の第１の変形形態の原理を図１７に示し、その構成を図１８および１９に示す。
【００７０】
第４の実施形態の第１の変形形態では、コイル３２間のスリットの各側にある２つの選択可能コイル３１ａによって四重極場が発生される。この選択可能コイル３１ａは、それらがスリットの平面に垂直な（一般に投影ビームの伝搬方向に平行な）方向にのみあり、スリットの長さに沿ってはいないという点で第４の実施形態のコイルと異なる。図１７に示されるように、スリット場と四重極場が加わり、第４の実施形態と同様に円形場を生成する。この図および後続の図では、影付きの選択可能コイルは、コイルが励磁されていることを示し、十字線は、ページへ向かう電流を示し、十字線がないときは、ページから出る電流を示す。より正確な円形場を生成するためには、以下の等式を満足しなければならない。
【数９】
0004741115.tif 000013
ここでＢsはスリット磁場であり、ＢQは四重極場である。この等式は、第４の実施形態の第１の変形形態によってより正確に満足することができる。
【００７１】
円形レンズ場は、他のコイルに電流を印加することによって移動させることができる。したがって、単に４つのコイルではなく、コイルの列を使用する。使用される総電流が１組の四重極に必要とされる電流と同一になるようにして同時に２組の隣接四重極に電流を印加することによって、円形レンズ場をｘ軸上の任意の点に位置決めすることができる。四重極の２つの隣接組間の励磁比が、円形レンズ場の正確な位置を決定する。四重極コイルがすべて同一である場合、各四重極のコイルに等しい電流が印加されるはずである。
【００７２】
第４の実施形態の第２の変形形態では、四重極コイル３１ｂは、等式１１を満足するために単純な巻線よりも複雑な形をしている。これは図２０に示される。
【００７３】
スリット・コイル３２の磁場が比較的乱されず、一方、四重極コイル３１ｂの磁場は等式１１を満足するように成形される様式で、フェライトを磁気スリット中に配置することができる。
【００７４】
磁気スリットのレンズ鉄もまた、等式１１を満足する四重極磁場を生成するように、より複雑な形に成形することができる。これは、局所的に磁場の強さを変化させ、それにより焦点距離をスリット内の長手方向位置に応じて局所的に適合させることができる。
【００７５】
磁気スリットの幅は、磁気スリットのコイルの電流を変化させることなく様々な円形レンズ場位置に関して異なる焦点距離を可能にするように変えることができる。１つの円形レンズ場の周りでのスリットの非対称性による収差は、例えば六重極など、より高次の電子光学要素を用いて補償することができ、これは、四重極コイル列のワイヤに補正電流を印加することによって生成される（以下参照）。
【００７６】
レンズ鉄は分割することができ、追加のコイルを使用して等式１１を満足する磁場を生み出すことができる。
【００７７】
コイルは、磁気スリットの入口で４列に、出口で４列に配置することができ、外側列のコイルは内側列コイルよりもはるかに薄くなっている。薄いコイルを使用して、四重極に小さな補正場を加えて、例えば材料公差およびミスアラインメントを補正することができる。
【００７８】
第４の実施形態の第３の変形形態では、四重極コイルはｚ方向で２つ以上のより小さなコイル３１ｃ、３１ｄに分割されており、両コイル中の電流の比を変えることによってｚ軸に沿って四重極場をシフトすることができる。これは例えば、スライダ・レンズの実効主平面がｘおよびｙ方向に関して異なるｚ位置を有しているときの補正に使用することができる。これは図２１および２２に示され、後者は四重極場がｚ方向にシフトされる様子を例示する。
【００７９】
ｙ方向の水平方向電流によって誘導される四重極コイルの場は、レンズ鉄またはフェライトからなる追加のスリットを使用することによってビームから遮蔽することができ、この追加のスリットは、スライダ・レンズの磁気スリット、いわゆるフィールド・クランプの上方および下方に配置される。
【００８０】
フィールド・クランプを使用して、構成外部での正および負ｚ方向のスライダ・レンズの磁場の大きさを制限することもできる。
【００８１】
フィールド・クランプは、スライダ・レンズの上方または下方に配置されたスライダ・デフレクタと共に「共有」することができる。
【００８２】
複数の円形レンズ場を、磁気スリット内の異なる位置に同時に発生することができ、それによりマルチビーム適用が可能になる。
【００８３】
マルチビーム適用にスライダ・レンズが使用される場合に配置誤差を最小限に抑えるため、ビームを合焦するために実際に使用される全てのレンズ場が２つの等距離レンズ場間に位置決めされるような形で、２つの余剰レンズ場を発生すべきである。これは対称性の考慮から出てくるものである。
【００８４】
第４の実施形態の第４の変形形態では、第１の変形形態と同様に２つの列としてスリットの両側に指向された選択可能コイル３４のみが提供される。このとき、これらを使用して、図２３〜３４に示されるように、様々な他の形の摺動電子光学要素を作成することができる。
【００８５】
図２３〜２６では、２列のコイル３４を使用してスライダ・デフレクタを形成する。これらの列の方向はｘ軸に平行である。コイル３４は、列の方向に垂直、ｚ軸に平行に指向される。ｘ方向での偏向を得るためには、ｙ方向の磁場が必要とされる。この場は、各列２つずつの４つのコイル３５を励磁することによって得られ、図２３および２４に示されるように、異なる列にある２つの対向するコイルが同一の電流を有し、同じ列のコイルは、大きさが等しく反対向きの電流を有する。
【００８６】
ｙ方向での偏向には、ｘ方向の磁場が必要とされる。これは同じデバイスで得ることができるが、この場合は、図２５および２６に示されるように、同じ列にあるコイルに同じ方向の等しい電流が印加され、第１の２つのコイルに面している他の列にある２つのコイルに、大きさが等しく、しかし反対向きの２つの電流が印加される。
【００８７】
偏向場を重なり合わせて、ｘ方向とｙ方向との両方での偏向を同時に得ることができる。これは、２つの偏向方向に必要な電流を加算し、結果として得られた電流を同じ４つのコイルに印加することによって、またはデフレクタを「ネスティング（ｎｅｓｔｉｎｇ）」することによって、すなわち偏向場の中央を介するｙ，ｚ平面のまわりで電流が対称になるように８つのコイルに同時に電流を印加することによって行うことができる。
【００８８】
列内の他のコイルに電流を印加することによって、各タイプの偏向場（すなわちｘ、ｙ、またはｘ＆ｙ偏向場）をｘ軸に沿って移動させることができる。さらに、２組の隣接デフレクタに、総電流を１組のデフレクタの場合と同じままにして電流を印加することによって、ｘ軸に沿って任意の点に位置決めすることができる。２つの隣接組間の励磁比が偏向場の正確な位置を決定する。
【００８９】
やはり２列のコイル３４を使用して四重極を作成するには２つの基本原理があり、それは、これらの列の方向がｘ軸に沿っていること、およびコイルが列の方向に垂直に指向されていることである。これらの原理は図２７〜３０に例示する。
【００９０】
各列で反対向きの電流が存在し、それらが、他の列にあるコイルでのやはり反対向きの電流に面するように、各列２つずつ４つのコイル３５に大きさの等しい電流が印加される。この構成は、電流の符号に応じて、ｘ方向で正の焦点距離を、ｙ方向で負の焦点距離を与える、またはｘ方向で負の焦点距離を、ｙ方向で正の焦点距離を与える。この配置は図２７および２８に示されている。
【００９１】
ｘ，ｚ平面を電流とコイルとの両方に対称な平面として、各列３つずつ６つのコイルに電流が印加される。外側４つのコイルでの電流は、２つの中心コイルと符号が逆である。外側４つのコイルでの電流は等しく、中心コイルの電流も等しく、しかし外側コイル電流と必ずしも同じでなくてよい。この構成は、電流の符号に応じて、前の四重極構成に関して４５°回転した四重極場を与える。この構成は、図２９および３０に示されている。
【００９２】
どちらのタイプの四重極も、隣接コイルに、それらのコイルがやはり四重極場を生成するように電流を印加することによって、ｘ軸に沿った任意の点に位置決めすることができる。四重極場の移動は、隣接四重極のコイル励磁の比によって決定される。
【００９３】
上述した２つのタイプのスライダ四重極の場を組み合わせて、任意の角度で回転する総四重極場を生み出すことができる。合成四重極は、図３１および３２に示されるように、隣接コイル３５に必要な電流を印加することによってｘ軸に沿った任意の点に位置決めすることができる。四重極場の移動は、隣接する合成四重極のコイル励磁の比によって決定される。この回転四重極は、非点補正装置として使用することができる。
【００９４】
再び２列のコイル３４を使用して、図３３および３４に示されるようにスライダ六重極を形成することができる。これらの列の方向はｘ軸に沿っている。コイルは、列の方向に垂直に指向されている。六重極場は、電流が各列３つずつ６つのコイル３５に印加されるときに誘導され、励磁コイル３５は、ｘ，ｚ平面のまわりに対称的に配置されている。コイルでの電流の方向は、対向するコイルとも隣接するコイルとも反対向きであり、４つの外側コイルの電流は全て大きさが等しく、２つの中心コイルの電流も大きさが等しい。
【００９５】
第４の実施形態の全ての変形形態において、選択可能コイルをレンズ鉄またはフェライト・コア３６の周りに巻きつけて場の強さを高めることができる。レンズ鉄またはフェライトのプレートは、スライダ・デフレクタの上方および下方でフィールド・クランプとして使用することができ、電子ビームからの水平方向電流を遮蔽して、光軸に沿った磁場の大きさを制限する。コイルは、単一ターンまたは湾曲ワイヤからなっていてもよい。性能を最大限高め、収差を最小限に抑えるために、コイルを単純な巻線よりも複雑な形で作成することもできる。コイルを、ｚ方向で２つ以上のより小さなコイルに分割することができ、両コイルでの電流の比を変えることによってデフレクタの枢支点をシフトすることができる。
【００９６】
実施形態５
本発明の第５の実施形態では、図３５に示されるように、交差点４３の両側でダブレットの形で２つの摺動レンズ４１、４２が組み合わされている。実効発生レンズの移動が矢印によって示されている。本発明の第５の実施形態は、その他の点では上述した実施形態と同じである。
【００９７】
第５の実施形態の投影システムの第１の変形形態を図３７に示す。これは、マスクＭＡから基板Ｗまで、順に、
スライダＸデフレクタ１０３
スライダ・レンズ１０１
スライダＸデフレクタ１０４
アパーチャ１０６
スライダＸデフレクタ１０７
スライダＸデフレクタ１０８
スライダ・レンズ１０２
スライダＸデフレクタ１０９
スライダＸデフレクタ１１０
を備える。この投影システムは縮小率４のダブレットであり、歪曲および収差の影響を最小限に抑える。したがって、交差点で点対称となる。
【００９８】
ダブレットはまた、焦点板からレンズ主平面までの光路長が、レンズ主平面から交差点までの光路長と等しいことを必要とする。この条件は、レンズの主平面の上方および下方にデフレクタを等距離で配置することによって満足される。
【００９９】
偏向角度は重要である。これは偏向非点収差をもたらす。デフレクタを四重極と組み合わせることによって補償可能である。
【０１００】
この構成は、最小数の要素を使用してダブレット条件を満足するが、デフレクタの位置は、その位置がスライダ・レンズの対象物および像焦点距離の対称性を決定するので、関連付けられている。
【０１０１】
図３８は、第５の実施形態の投影システムの第２の変形形態を示す。これは、マスクＭＡから基板Ｗまで、順に、
スライダＸデフレクタ１１３
アパーチャ１０６
スライダＸデフレクタ１０８
スライダ・レンズ１０２
スライダＸデフレクタ１０９
スライダＸデフレクタ１１０
を備える。
【０１０２】
この場合も、投影システムは縮小率４のダブレットであり、歪曲および収差の影響を最小限に抑え、交差点で点対称となっている。
【０１０３】
ダブレットはまた、焦点板からレンズ主平面までの光路長が、レンズ主平面から交差点までの光路長と等しいことを必要とする。この条件は、レンズ上方およびレンズ下方での特定の偏向比によって満足することができる。
【０１０４】
ビームは直進してスライダ・レンズを通過する。これにより、第６の実施形態の第１の変形形態の場合よりも収差が少なくなる。
【０１０５】
追加のデフレクタが、スライダ・レンズの上方および下方に直接位置決めされる。ビームがレンズ場を去った後でのみ偏向場を開始することが好ましい。これは、この場がビームを回転させるためである。したがって、レンズを小さくすべきであり、フィールド・クランプが、ｚ軸に沿って場を制限しなければならない。これは図３９および４０に示され、これらの図はそれぞれデフレクタ・レンズ・デフレクタ・グループ１１１、１０２、１０４および１０８、１０２、１０９を示す。これらの図では、スライダ・レンズの選択可能コイルが１２１ａ、１２１ｂおよび１３１ａ、１３１ｂで表され、スリット・コイルが１２２、１３２で表される。スライダ・デフレクタは、コア１２６、１３６に巻き付けられた選択可能コイル１２５、１３５によって形成される。フィールド・クランプは、１２４、１２７、１３４、１３７で表される。
【０１０６】
偏向角度は重要である。これは偏向非点収差をもたらす。デフレクタを四重極と組み合わせることによって補償可能である。
【０１０７】
この変形形態では、ビームが、システム軸に平行にスライダ・レンズを通過する。これにより、収差ぶれが最小限に抑えられ、しかし偏向角はより大きくなり、したがって偏向収差も大きくなる。これは、レンズ領域で偏向がないためである。
【０１０８】
図４１に、第５の実施形態の投影システムの第３の変形形態を示す。これは、マスクＭＡから基板Ｗまで、順に、
スライダＸデフレクタ１０３
スライダＸデフレクタ１１１
スライダ・レンズ１０１
スライダＸデフレクタ１１３
スライダＸデフレクタ１０４
アパーチャ１０６
スライダＸデフレクタ１１２
スライダＸデフレクタ１０８
スライダ・レンズ１０２
スライダＸデフレクタ１０９
スライダＸデフレクタ１１０
を備える。
【０１０９】
前と同様に、投影システムは縮小率４のダブレットであり、歪曲および収差の影響を最小限に抑え、交差点で点対称となっている。
【０１１０】
ダブレットはまた、焦点板からレンズ主平面までの光路長が、レンズ主平面から交差点までの光路長と等しいことを必要とする。この条件は、レンズの主平面の上方および下方にデフレクタを等距離に配置することによって満足される。
【０１１１】
ビームは直進してスライダ・レンズを通過する。これにより、第１の変形形態の場合よりも収差が少なくなる。
【０１１２】
第１の変形形態と比べると、追加のデフレクタ１１１、１１３が、スライダ・レンズの上方および下方に直接位置決めされている。ビームがレンズ場を去った後でのみ偏向場を開始することが好ましい。これは、この場がビームを回転させるためである。したがって図３９および４０に示されるのと同様に、レンズを小さくすべきであり、フィールド・クランプが、ｚ軸に沿った場を制限しなければならない。
【０１１３】
偏向角度は重要である。これは偏向非点収差をもたらす。デフレクタを四重極と組み合わせることによって補償可能である。この変形形態では、スライダ・レンズ１０１、１０２の上方および下方でのデフレクタの場所および励磁状態に対称性がある。これはまた、四重極レンズ場の場合にも当てはまる。
【０１１４】
この変形形態では、ビームは、システム軸に平行にスライダ・レンズを通過する。これにより、収差ぶれが最小限に抑えられる。また、四重極場を加えることによって非点収差デフレクタの場合にもダブレット条件が満足される。しかし、偏向角度はより大きく、したがって偏向収差もより大きい。これは、レンズ領域内および交差点付近で偏向がないためである。
【０１１５】
図４２に、第５の実施形態の投影システムの第４の変形形態を示す。これは、マスクＭＡから基板Ｗまで、順に、
スライダＸデフレクタ１０３
３つのスライダ四重極１１４、１１５、１１６
スライダＸデフレクタ１０４
アパーチャ１０６
スライダＸデフレクタ１０７
３つのスライダ四重極１１７、１１８、１１９
スライダＸデフレクタ１１０
を備える。
【０１１６】
前と同様に、投影システムは縮小率４のダブレットであり、歪曲および収差の影響を最小限に抑え、交差点で点対称である。
【０１１７】
この変形形態では、複数の四重極１１４〜１１６および１１７〜１１９の組合せが円形レンズとして働く。この利点は、ビームがそのようなレンズで回転しないことである。したがってデフレクタを偏向場と組み合わせて、より小さい偏向角度をもたらすことができる。これは偏向収差を最小限に抑える。
【０１１８】
ダブレットの条件を満足するために、対称円形レンズを用いて以下のシステム要件が満足される。
−焦点板平面に垂直に出る光線が、交差点面で光軸を横切らなければならない。
これはｘおよびｙ方向で満足されなければならない。
−焦点板平面での光軸上の一点から光軸に対して特定の角度で出る光線が、光軸に平行に交差点面を通過しなければならない。これはｘおよびｙ方向で満足されなければならない。
【０１１９】
偏向角度は重要である。これは偏向非点収差をもたらす。デフレクタを四重極と組み合わせることによって補償可能である。この変形形態では、スライダ・レンズの上方および下方でのデフレクタの場所および励磁状態に対称性がある。これは、四重極レンズ場の場合にも当てはまる。
【０１２０】
この変形形態では、マルチビーム装置においてビームレットごとに焦点距離を調節することができる。これはスライダ・レンズでのスリット場の場合と同様、全体的な場が存在しないためである。ビーム回転がなく、したがってデフレクタを四重極と組み合わせることができる。ダブレット条件は、四重極場を加えることによって非点収差補正デフレクタの場合にも満足される。
【０１２１】
図４３は、第５の実施形態の投影システムの第５の変形形態を示し、マスクＭＡから基板Ｗまで、順に、
スライダＸデフレクタ１０３
ハイブリッド・スライダ・デフレクタ四重極１４１
スライダ四重極１４２
ハイブリッド・スライダ・デフレクタ四重極１４２
スライダＸデフレクタ１１３
アパーチャ１０６
スライダＸデフレクタ１０７
ハイブリッド・スライダ・デフレクタ四重極１４４
スライダ四重極１４５
ハイブリッド・スライダ・デフレクタ四重極１４５
スライダＸデフレクタ１１０
を備える。
【０１２２】
前と同様に、投影システムは縮小率４のダブレットであり、歪曲および収差の影響を最小限に抑え、やはり交差点で点対称である。
【０１２３】
複数の四重極の組合せが円形レンズとして働く。この利点は、ビームがこのレンズで回転しないことである。したがってデフレクタを偏向場と組み合わせて、より小さい偏向角度をもたらすことができる。これは偏向収差を最小限に抑える。
【０１２４】
ダブレットの条件を満足するために、円形レンズとして働く対称トリプレットを用いて以下のシステム要件が満足される。
−焦点板平面に垂直に出る光線が、交差点面で光軸を横切らなければならない。
これはｘおよびｙ方向で満足されなければならない。
−焦点板平面での光軸上の一点から光軸に対して特定の角度で出る光線が、光軸に平行に交差点面を通過しなければならない。これはｘおよびｙ方向で満足されなければならない。
【０１２５】
ビームは直進して中心レンズを通過する。おそらく、これは第４の変形形態の場合よりも収差が少なくなる。しかし、四重極間の領域で偏向が可能でないため、偏向角度はより大きくなる。
【０１２６】
偏向角度は重要である。これは偏向非点収差をもたらす。デフレクタを四重極と組み合わせることによって補償可能である。この変形形態では、スライダ・レンズの上方および下方でのデフレクタの場所および励磁状態に対称性がある。これは、四重極レンズ場の場合にも当てはまる。
【０１２７】
この変形形態では、マルチビーム装置においてビームレットごとに焦点距離を調節することができる。これはスライダ・レンズでのスリット場の場合と同様、全体的な場が存在しないためである。ビーム回転がなく、したがってデフレクタを四重極と組み合わせることができる。ビームは光軸に平行に中心四重極を通過する。ダブレット条件は、四重極場を加えることによって非点収差補正デフレクタの場合にも満足される。しかし、四重極間での偏向がないため、第４の変形形態よりも偏向角度が大きくなる。
【０１２８】
図４４に示される第６の変形形態は、第５の変形形態と同様であるが、スライダ・デフレクタを省き、したがって、ハイブリッド・スライダ・デフレクタ四重極１５１、１５３、１５４、１５６およびスライダ四重極１５２、１５５のみを備える。この変形形態は、最小数の構成要素を有しており、四重極を互いに大きく離して配置することができる場合には、偏向角度が第５の変形形態と同様になる。
【０１２９】
実施形態６
本発明の第６の実施形態は、第５の実施形態の一変形である。図３６に示されるように、摺動レンズ５１、５２は、この場合も交差点５３の両側に位置決めされ、湾曲しており、それにより発生球状レンズは矢印によって示されるように弓形パスをたどる。投影ビームを曲げるための追加の磁場が領域５４、５５、５６、および５７内に発生する。全体的な効果は、投影ビームの曲がりの鋭さを低減し、収差を低減することである。
【０１３０】
実施形態７
上述した実施形態と同じである場合がある本発明の第７の実施形態は、小さい収束角を有して、システムでのクーロン相互作用の影響を低減する。小さな収束角は、大きな露光フィールドを可能にし、軸方向色収差を低減する。
【０１３１】
第６の実施形態によれば、オフアクシス電子が軸を横切るのを禁止するために、電子源で磁場が提供される。電子はこの軸の周りを、らせん状に動くことになる。したがって、この実施形態で「渦巻き」の形を取る交差点を大きくすることができ、一方、ウェハでの収束角は小さくなる。ランディング角度は垂直でなく、しかしそれでも照明角度の許容範囲内にある。フィールド曲率ぶれは、このときフィールド曲率歪曲に変換される。これらは、マスクの予歪によって補正することができる。
【０１３２】
より具体的には、電子源での磁場Ｂsが、電子にφ方向の速度成分を与える。電子の運動に垂直な速度は、軸からの距離γcに比例する。この速度（Ｖ⊥s）、ウェハでの横方向速度（Ｖ⊥w）、およびウェハでのｚ方向速度（Ｖza）は、
【数１０】
0004741115.tif 000014
によって与えられる。
【０１３３】
ウェハでの傾斜角（Ｖ⊥w／Ｖza）が１０ｍｒａｄのとき、露光フィールドＦが０．２５×０．２５ｍｍ2である場合には１Ｔの磁場が必要である。露光フィールドが１×１ｍｍ2の場合は０．２５Ｔとなる。
【０１３４】
これは以下の電子源特性を必要とする。８５×８５μｍ2（３４０×３４０μｍ2）の正方形からの８０μＡが電流密度Ｊ＝１．１１×１０4Ａ／ｍ2（４×１０3Ａ／ｍ2）を意味する。これは、２０００Ｋでの低減された明るさＢr＝Ｊ／ｋＴ＝６．５×１０4Ａ／ｍ2．ｓｒ．ｅＶ（４×１０3Ａ／ｍ2．ｓｒ．ｅＶ）に対応し、ＬａＢ6または酸化物カソードの典型的な明るさである。列挙した値は、０．２５×０．２５ｍｍ2の露光フィールドの場合である。括弧内の値は、ウェハでの露光フィールドが１×１ｍｍ2の場合に有効である。
【０１３５】
許容可能ビーム電流のゲインを、以下の２つの場合で比較する。
１．大きな露光フィールド・サイズ（１×１ｍｍ2）および小さな収束角（０．３ｍｒａｄ）を有する従来のシステム
２．大きな露光フィールド・サイズ（１×１ｍｍ2）および渦巻き交差点を有するシステム。最大傾斜角は１０ｍｒａｄであり、収束角は０．３ｍｒａｄである。アパーチャはこの場合、正方形である。コーナでは、ビームが１０ｍｒａｄ×４０ｍｍ焦点距離であり、したがって５６０×５６０μｍ2の正方形である。主要な相互作用はこの場合も交差点において起こる。これはウェハでビームが１０００×１０００μｍ2であるためである。
確率的クーロン相互作用に関してＪａｎｓｅｎのスケーリング則が有効であると仮定する。したがって、
【数１１】
0004741115.tif 000015
ここでｒｃ＝交差点の半径であり、ケース１＝１２μｍ、ケース２＝３９６μｍである。
【０１３６】
渦巻き交差点は、５．７倍の電流増加を与えると計算することができる。この計算の不確かさのため、その改善を控え目に想定すると、少なくとも２倍ということになる。これは、ウェハでの露光フィールドが１×１ｍｍ2のとき約６０μＡの電流を与える。装置の残りの部分に対していくつか修正することがこの実施形態では望ましい。
・ランディングが垂直でない。角度は照明に使用される円錐範囲内にあるが、これは、ウェハの高さ誤差がぶれではなくパターンの移動をもたらすことを意味し、配置に対する要件がぶれに対する要件よりも厳しくなる。
・マスクが予歪されていなければならない。傾いた照明によって生じる歪曲は、露光フィールド・サイズが大きいため従来のシステムの約１６倍になる。したがって、ウェハで３００〜８００ｎｍ程度であり、そのためマスク・パターンはコーナで約１．５〜３．５μｍだけ歪曲されなければならない。
・スキャニングではなくステッピング。予歪されたマスクはまた、別の書込みストラテジを必要とする。照明を１つのストライプにわたって連続的にスキャンすることはできない。これは、フィールドの各点がまず正の傾斜角で照明され、その後照明の他端で、負の傾斜角となるためである。したがって、その代わりに、正方形照明フィールドによって照明される明確に画定された正方形のサブフィールドが提供される。各サブフィールドは予歪を有し、これは、照明時のオフアクシスの程度によって異なる。１時間あたり４０ウェハでは、１×１ｍｍ2サブフィールドの照明時間が１〜２ミリ秒程度である。サブフィールド間で、デフレクタおよび補正器がリセットされ、維持されなければならない。露光中、両方向に例えば１０μｍの照明スキャンによってシーム・ブレンディングを行うことができる。１つの代替形態は、可変形状照明である。
【０１３７】
図４５および４６は、４つの計算された電子軌道に関する横方向位置Ｔｐと長手方向位置Ｌｐの関係を示す。電子は、１０ｍｒａｄ（図４５に示された従来のシステム）および０．３ｍｒａｄ（第６の実施形態、渦巻き交差点を有する）の角度で発射される。この結果は、イメージがウェハから４０５ｍｍで合焦されること、および縮小率４が達成されることを示す。
【０１３８】
この計算では、電子源付近の磁場がシミュレートされている。粒子は、φ方向に追加の方向を得る。縁部およびコーナでの粒子は、それぞれ７．９６ｍｒａｄおよび１１．３ｍｒａｄを得る。半開き角は、同時に１０ｍｒａｄから０．３ｍｒａｄへ減少する。この計算は、以下のスポット・サイズを予測する。
【表４】
0004741115.tif 000016
【０１３９】
スポット・サイズの減少は、コーナで約１０分の１である。両計算から求められたフィールド曲率は、５分の１に減少する（適合係数：１０ｍｒａｄに関して−０．７８６、０．３ｍｒａｄに関して−０．０３４８）。
【０１４０】
電子は、マスクを通過するときにエネルギーを損失する。実験測定値は、損失が約２２ｅＶであることを示す。上の計算は、９９．９７８ｋｅＶのエネルギーを有する電子に関して繰り返された。スポット・サイズに対する影響は最小限であった（０．０２ｎｍの変化）。これは、従来の設計に比べて軸方向色ぶれを２０分の１に低減する小さな収束角のためである。焦点は、より遅い電子に関して約−１０μｍだけシフトした。
【０１４１】
電子がウェハに到達する角度は、電子が１０ｍｒａｄの角度で発射される通常の場合には±４０ｍｒａｄである。磁場がオンに切り換えられると、開き角は小さくなり、しかし電子は、マスクに到達するときにある角度を有する。スポット・サイズはいくつかの長手方向位置に関して計算した。図４７に、マスクで４．０ｍｍ正方形サブフィールド・サイズを取った場合の計算結果を示す。電子のエネルギーは１００ｋｅＶであった。３つの曲線は、４０４ｍｍと４０８ｍｍの間の長手方向位置Ｌｐに関するスポット・サイズの標準偏差である。ウェハは、マスクから約４０５ｍｍの位置に位置決めすることができる。これは、中心および縁部でほぼ同じになるぶれサイズを与える。矢印Ｃ、Ｃｏ、およびＥはそれぞれ、基板の中心、コーナ、および縁部の方向を示す。
【０１４２】
電子は、マスクでのφ方向の運動により、ウェハに到達したときに追加の角度を有する。図４８は、長手方向位置Ｌｐの様々な値に対する、非摂動の場合に関するコーナの回転Ｒｃを示す。電子は４×４ｍｍ2のグリッドから発射された。これは、ウェハとマスクの間の距離に応じてマスクの歪曲を考慮することができることを意味する。
【０１４３】
上の計算は基本的に以下の２つのことを実証する。
・渦巻き交差点を用いると良好なイメージング品質を実現することができる。
・システム・パラメータの再最適化（より大きな露光フィールド、より小さな収束角）が、収差の影響を低減するのに有利である。これは拡張性を改善する。
【０１４４】
特に有利には、第７の実施形態の渦巻き交差点の概念を、第４、第５、および第６の実施形態によるスライダ・レンズと組み合わせて、実効フィールドをダイ全体に対して改善することができることに留意されたい。
【０１４５】
実施形態８
以下に述べることを除き上述の実施形態と同じである場合がある本発明の第８の実施形態も、小さな収束角を有して、システムのクーロン相互作用の影響を低減する。
【０１４６】
第８の実施形態によれば、マスクＭＡは磁場内部に配置され、この磁場は、ウェハＷで１６倍強い場に収束する。したがって、電子はフィールド・ラインの周りをほぼ１回旋回して、ウェハ上に４分の１に縮小されたマスク・イメージを形成する。この目的のための最も簡単な磁場形態は、Ｐ．ＫｒｕｉｔおよびＭ．Ｌｅｎｃ（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ７２，１９９２，ｐｐ．４５０５）に記述された磁気単極場または１／ｚ2磁場である。これを図４９に示す。Ｒ＝５ｍｍおよびＳ＝０．２ｍｍであるとき、図５０に示される大きなリング形状の露光フィールドを、例えば８ｍｍ幅で生成することができる。これは、光軸から同じ半径にある全ての位置が同じ収差を受けるので可能である。
【０１４７】
ビームの傾斜角はフィールド・サイズに比例する。例えば、マスク・ウェハ距離が４００ｍｍであり、ウェハでの環状露光フィールドの半径が５ｍｍ（焦点板では２０ｍｍ）である場合、傾斜角は３７．５ｍｒａｄである。これは、ウェハでテレセントリック・ランディングが可能であり、しかし焦点板での角度が２９ｍｒａｄ（３７．５ｍｒａｄの３／４）であることを意味する。これは当然、焦点板の位置決めに必要な精度を決める。ウェハで１０ｎｍの配置誤差がある場合、焦点板の位置は、光軸に沿って１．２μｍ未満の近軸位置内になければならない。
【０１４８】
ビームの傾斜角がフィールド・ラインに関して０である場合は全ての歪曲がゼロであることを実証することができる。
【０１４９】
ウェハでの垂直ランディングに関するこのタイプの投影システムの幾何的光学性能を計算するために、プログラムＭＬＤ（磁気レンズ設計）を使用してシミュレートが行われる。図５１に、いくつかの結果を示す。図５１では、ｚ＝０ｍｍがウェハ平面に対応し、ｚ＝４００ｍｍが焦点板平面に対応する。焦点板およびウェハの位置での磁場の強さはそれぞれ０．０３１Ｔおよび０．５Ｔである。
【０１５０】
以下の表に、磁気単極レンズのいくつかの収差係数を与える。
【表５】
0004741115.tif 000017
【０１５１】
上の表の係数を用いて、環状フィールドでの収差ぶれを計算することができる。
ｄfc＝ＣfcＦ2σ＝Ｃfc（Ｒ＋Ｓ）2σ＝Ｃfc（Ｒ2＋２ＲＳ＋Ｓ2）σ    （１５）
ｄdi＝ＣdiＦ3＝Ｃdi（Ｒ＋Ｓ）3＝Ｃdi（Ｒ3＋３Ｒ2Ｓ＋３ＲＳ2＋Ｓ3）  （１６）
括弧内の第１項は、環状露光フィールドにわたって一定であり、補正することができる。したがって、最も大きな寄与因子は、
ｄfc＝２ＣfcＲＳσ      （１７）
ｄdi＝３ＣdiＲ2Ｓ      （１８）
である。
【０１５２】
第８の実施形態は、動的デフレクタを必要としない点で有利である。磁気単極を使用する第８の実施形態では、マスクとウェハ両方でのランディングを鉛直にすることができる。
【０１５３】
実施形態９
以下に述べることを除き上述の実施形態と同じである場合がある第９の実施形態もまた、小さな収束角を有して、システムでのクーロン相互作用の影響を低減する。
【０１５４】
第９の実施形態では、マスクがやはり磁場内部に配置され、この磁場は、ウェハで１６倍強い場に収束し、それにより電子がフィールド・ラインの周りをほぼ１回旋回して、ウェハ上に４分の１に縮小されたマスク・イメージを形成する。１つまたは複数のアパーチャをビームの周りに配置することによって、スキャッタリング・コントラストが高まる。交差点がないので、開口数を非常に小さくすることができ、それによりフィールドを大きくすることができる。予歪マスクは必要ない。電子源は磁場内にある。フィールドの構成が図５２に示され、結果として生じる電子軌道（実線）が、従来レンズの軌道（点線）と比較して図５３に示されている。
【０１５５】
第９の実施形態では、焦点板からウェハへの距離が４００ｍｍの場合、焦点板は、２．８×１０-3Ｔの均質磁場内に配置される。１６０ｍｍ後に、場は、実質的に段階的な形で１．１×１０-2Ｔに増大する。この場において、電子が半円をなし、軸に向かって３／４進む。マスクから３６０ｍｍで、場は、やはり実質的に段階的に４．５×１０-2Ｔまで増大する。これにより、電子は螺旋運動を止められ、ウェハに向かって直進し、ウェハに垂直に照射する。第２の場のジャンプは、ほぼ負の電子レンズとして働く。ウェハで、ビームはフィールドよりも決して小さくなく、そのため空間電荷効果が低減される。導入される１つの収差は、色回転誤差である。オフアクシス・サブフィールドが照明されるとき、デフレクタおよび補正器場がビームを「曲線」軸上に保つことができ、垂直ランディングを維持することができる。しかし、ビームは決してシステムの軸上にはなく、したがってコントラスト・アパーチャはその位置で動的でなければならない。これを実現するにはいくつかの方法がある。
・コントラスト・アパーチャを簡単な構成にすることができ、位置精度が非常に高くなく、したがって機械的移動を構成することができる。４０ＷＰＨでの１×１ｍｍ2フィールドの場合、移動は、約１０ミリ秒の間に８ｍｍ、したがって約１ｍ／秒でなければならない。
・書込みストラテジを、アパーチャが回転する必要がないように順序付けすることができる。このとき、一連のアパーチャを回転ディスク上に提供することができる。回転が必要である場合、反対方向に回転するアパーチャを有する２つのディスクを使用することができる。
・コントラスト・アパーチャはスリットであってもよい。
【０１５６】
この概念の光学的特性は、プログラムＭＬＤ（磁気レンズ設計）を用いて計算された。結果を以下の表、ならびに図５４および５５に示す。
【表６】
0004741115.tif 000018
【０１５７】
上の表は、第９の実施形態でのほとんどの収差係数が、従来システムのものに匹敵することを示す。１つだけ例外がある。それは横方向色収差である。このぶれ寄与因子は、マスクでのエネルギー損失を低減した場合に改善することができる。
【０１５８】
図５４に、第９の実施形態におけるレンズ・レイアウトおよび磁場の強さを示し、図５５に、電子ビーム光線を示す。曲線６１および６２に、それぞれＸＺおよびＹＺ平面での光線を示す。曲線６３にＸＹ平面での光線を示す。
【０１５９】
特に有利には、第１０の実施形態を、本発明の第４から第６の実施形態の摺動レンズ概念と組み合わせて、実効フィールドをダイ全体に対して改善することができることに留意されたい。
【０１６０】
実施形態１０
以下に述べることを除き上述した実施形態と同じ場合がある本発明の第１０の実施形態では、従来の磁気ダブレットの代わりに２つの円形（球形）レンズを用いることによって非点収差交差点が提供される。図５６に示されるように、両垂直方向での等しい倍率（Ｍ＝０．２５）や、焦点板およびウェハでのテレセントリシティ（ｔｅｌｅｃｅｎｔｒｉｃｉｔｙ）などの制約を満たすことができる。中心光線のみを考慮すると、交差点は、第１０の実施形態では、１点から、最小錯乱円を間に有する２つの交差点線の組に変わる。特に、小さな開き角を有するシステムでは、クーロン相互作用「ホット・スポット」がより分散される。小さな収束角がウェハでの１×１ｍｍ2の大きな露光フィールドと組み合わされる場合にこれは有利である。
【０１６１】
図５６は、４つの四重極を有し、テレセントリックであり、倍率０．２５を有するシステムに関する原理光線を示す。異なる第１の添字を有する光線は、２つの垂直方向でのビームを表す。点線は、露光フィールドの縁部にある焦点板に対する公称値から始まる。実線は、軸上の特定の開き角から始まる。
【０１６２】
上述のシステムは、線源Ｒ＝０．７５ｍｍ（露光フィールド０．２５×０．２５ｍｍ2）と、開き角α＝０．７５ｍｒａｄ（ウェハ・レベルで３ｍｒａｄ）を有する収差のない（理想）システムに関してＰＯＣＡＤでモデル化された。誤差の丸めにより、焦点板上の一点が、直径７．５ｎｍを有するスポットとしてイメージされた。四重極要素に関する楽観推定値Ｃs＝ｆに従う収差を加える場合、コーナ・フィールドでの収差は、ミクロン程度になる。
【０１６３】
四重極では、はるかに小さい開き角が想定される。収差のない投影システムは、α＝０．０７５ｍｒａｄ（焦点板レベル）または０．３ｍｒａｄ（ウェハ・レベル）でモデル化された。所望の倍率でのイメージングがこの理想システムに関して完全に行われる。ぶれサイズのディスクは、全てのフィールド座標に関して０．４ｎｍ未満である。誤差の丸めにより正確な点合焦は見られなかった。したがって、ＰＯＣＡＤモデルが働く。Ｃs＝１／Ｓ＝ｆ（楽観最小推定値）と等しい球面収差を全ての四重極要素に加えた後、ぶれのディスクは直径１００ｎｍ程度で生じる。
【０１６４】
モデル化されたシステムが図５７に示され、４つの四重極が７１、７２、７３、および７４である。７５はウェハである。簡単な光線トレース・プログラムを用いて、焦点板縁部（しかしコーナではない）での点に関して（予想される）様々な角度で（一方向のみに）放出された光線に関してランディング位置が計算された。結果は、以下の表に列挙され、１０光線の２組の座標を与える。２組の光線は、それぞれフィールド位置（ｘ＝２ｍｍ、ｙ＝０ｍｍ）および（ｘ＝０ｍｍ、ｙ＝２ｍｍ）から発し、焦点板で０〜０．０７５ｍｒａｄの範囲にある角度α＝ａｒｃｔａｎｘ’およびβ＝ａｒｃｔａｎｙ’で放出される。
【表７】
0004741115.tif 000019
【０１６５】
ランディング位置が約４μｍ離れ、しかし全ての光線に関する差はわずか約１８２ｎｍ（ｘ方向）および１００ｎｍ（ｙ方向）であると結論付けることができる。これらの数値は、大きな歪曲、および何らかの他の収差を提示しており、そのうち最悪のものを補償することができる。したがって、解析モデルに従って、四重極に基づく投影システムが可能であると結論付けられる。初期結果は、１×１ｍｍ2露光フィールドおよび０．３ｍｒａｄ収束角で大きな歪曲を示し、この歪曲は、マスク内で補正することができるが、かなりの他の収差がある。確率的クーロン相互作用は、収束角とは無関係にライン交差点間で、ディスクのサイズの約半分の交差点直径に相当する。
【０１６６】
四重極システムの概念は、上述した第４から第６の実施形態に関係して述べたように、スライダ・レンズと組み合わせて、実効フィールドをダイ全体に対して改善することができる。このスライダ・レンズは、ここでは四重極レンズでなければならない。これは、スリット・レンズの場を除去することによって上述した設計を用いて得られる。
【０１６７】
第１０の実施形態の変形形態では、非対称ダブレットを作成するために２×２四重極を使用するのではなく、２つの（反対称）四重極トリプレットを使用することもできる。このトリプレットは、円形レンズとして効果的に働く。これは、非点収差交差点がないことを意味する。しかし、システムを介するビーム・パスは、通常のダブレットと同様であり、コントラスト・アパーチャに関して（反）対称である。これは、収差補償がより良いことを意味する。ビーム・パスでの回転がないため、異方性収差がない。これは、焦点板で静電場を使用してフィールド曲率の補正をした後に、収差がより小さくなることを意味する。これは、より大きいビーム電流を見込む。焦点板に電場が存在するとき、フィールドの曲率の補償が可能である。フィールド曲率の補正および大きなショット・フィールド・サイズにより、対応する円形レンズ・ベースのダブレット・システムよりもビーム電流が大きくなる。
【０１６８】
実施形態１１
第１１の実施形態は、上述した第４から第６の実施形態のスライダ概念の変形形態である。図５８は、スライダ・レンズ８０のスリット８１における投影ビームＰＢと、矢印によって示されるそのスキャン動作とを示すスライダ概念の断面図である。第１０の実施形態では、スライダ概念の実効フィールド・サイズがショット・サイズに比べて大きいということを用いて、システム内部に第２のビームを提供することを可能にする。２つのビームは、交差点領域を除き、システム内部で比較的離れている。交差点領域以外でのクーロン相互作用は無視できる。この領域は総ビーム・パスに比べて短いので、クーロン相互作用は、二重の電流を用いた単一ビーム・システムの場合よりも小さい。これは、総ビーム電流を、単一ビーム電流の２倍よりも実質的に大きくすることができることを意味する。また、ぶれの確率的部分は、ぶれが主に交差点領域で発生するため大きくなる。広域空間電荷ぶれは、交差点以外の領域で主に発生するため、非常に大きく増大することは考えられない。
【０１６９】
１つのスライダ・レンズに２つのビームを使用することに加え、図５９に示されるように２つのレンズ８２、８３を並べて組み合わせることも可能である。これらのビームレットＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、およびＰＢ４は、１つのダイで異なる露光フィールドをプリントすることができる。しかし、複数のダイにプリントすることも可能である。例えば１６のビームレットのアレイが４×４ダイにプリントするとき必要な偏向は最小である。
【０１７０】
図６０は、複数ビームを有するスライダ・レンズ・システムを示す。図６１は、単一ビーム対複数ビーム・システムでのクーロン力を示す。複数ビームを有するスライダ・システムでは、両ビームが重なる軌道部分が小さく、図６１に斜線を付けた領域である。これらのビームレットは非常に小さな領域でしか干渉しないため、クーロン相互作用は、ビーム電流のより低い累乗でスケールを取る。したがって、等しいクーロン相互作用ぶれで単一ビームを用いるよりも多くの電流が投影システムを通過できる。この概念では、複数のダイで同時にプリントすることさえ可能になる。これは、ウェハの加熱を低減する。
【０１７１】
図６２に、第１１の実施形態の第１の変形形態の投影システムを示す。この変形形態では、当該の装置２０２を通過して当該のスキャン電子光学システム２０１、２０３によって、５つのビームレットが基板Ｗ上に合焦される。各電子光学システムは、図４４と同様に構成される。
【０１７２】
複数のビームレットが単一のスライダ・システムに組み合わされ、その一方で、ビームレットは個別のダイに書込みを行う。ビームレットに左から右へ１〜５の番号を付けて、書込みストラテジを以下のように説明することができる。
−各機械的スキャンで、ダイ全体が露光される。ただし、ストライプ１はダイ１に露光され、ストライプ２はダイ２に露光され、以下同様である。
−次に、ウェハ段が次のダイ位置に移動される。このとき、ストライプ１がダイ２に露光され、ストライプ２がダイ３に露光され、以下同様である。
−次に、ウェハ段がその次のダイ位置に移動される。このときは、ストライプ１がダイ３に露光され、ストライプ２がダイ４に露光され、以下同様である。このようにして、ダイ全体が露光される。
【０１７３】
ビームレット間の距離はダイ・サイズによって決まる。したがって、アパーチャ・アレイも別のダイ・サイズに対しては変えなければならない。
【０１７４】
各ビームレットに関する光軸は直線である。これは、ビームレットが追加の偏向を伴わずに組み合わされることを意味する。図４４に示されるデフレクタを使用して、例えばダイ・サイズが１／５の実効フィールドを露光する。
【０１７５】
回転および倍率を較正するために、Ｗａｓｋｏｔｒｏｎ（Ｗａｓｋｉｅｗｉｃｚ氏によって考えられた、基板レベルで電場／イメージのサイズおよび／または回転オフセットを補正するために使用されるデバイス）などの要素を各ビームレットごとにアパーチャの周りに位置決めすることができる。このシステムは、四重極セットに調節可能な焦点距離を提供することができる。全ての構成要素が特定のビームレットに関して局所的にのみ働くので、これが可能である。あるいは、特定の力学および電子光学的な製造公差を考えると調節する必要がない焦点深度を使用することができる。
【０１７６】
このシステムは、各ビームレットの光軸が直線であるため、各ビームレットごとに等しい焦点距離を提供する。また、回転および倍率補正器をアパーチャ平面で交差点内に位置決めすることができる。
【０１７７】
第１１の実施形態の第２の変形形態の投影システムを図６３に示す。この変形形態では、図４４に示される光学系２０４、２０５が再び使用されるが、ビームレット偏向は、アパーチャ２０２内に共通の交差点があるように構成される。
【０１７８】
この構成では、複数のビームレットが単一のシステムに組み合わされ、ビームレットが同じダイに書込みを行う。その結果、ダイ全体を露光するのにただ１度の機械的スキャンで十分である。共通交差点が追加のクーロン相互作用を与える。ビームレットを独立したものと考えることはできない。ビームレット間の距離は、ダイ・サイズによって決まる。しかし、これはアパーチャに関しては重要でない。各ビームレットに関する光軸が大きく曲がっている。これは、ビームレットが追加の偏向を伴って組み合わされ、その結果、偏向収差がより大きくなることを意味する。
【０１７９】
この構成の利点は、ただ１度の機械的スキャン中のダイ全体への書込みが、現行光学スキャナに等しいことである。しかし、各ビームレットの光軸が曲がっているため、各ビームレットごとに異なる焦点距離が存在する。また、全てのビームが干渉するため、アパーチャ平面で交差点に回転および倍率補正器を位置決めすることができず、個別ビームレットの場合よりもクーロン相互作用が大きくなる。さらに、ビームレットの記録密度が、ダイ・サイズの低減と共に増大し、静止偏向角度が大きくなる（０．４ｒａｄ）。
【０１８０】
図６４にその投影システムが示されている第１１の実施形態の第３の変形形態は、各ビームレットごとに個別の交差点を利用し、しかし全てのビームレットが同じダイに書込みを行う。ここでも、電子光学系２１０、２１１は図４４と同様であり、しかしアパーチャ２１２での個別の交差点を介してビームレットが単一のダイに達するように偏向角度が設定されている。
【０１８１】
したがって、複数のビームレットが単一のスライダ・システムに組み合わされ、ビームレットは同じダイに書込みを行う。その結果、ダイ全体を露光するにはただ１度の機械的スキャンで十分である。焦点板上のパターンはストラットによって分離されたストライプからなる。各ストライプのパターンは、ビームレットの光軸に関して鏡映になっている。一例を図６４に示す。
【０１８２】
ビームレット間の距離はダイ・サイズによって決まる。したがって、アパーチャ・アレイも別のダイ・サイズに対しては変えなければならない。ビームレットは完全に分離され、最小のクーロン相互作用を与える。各ビームレットに関する光軸は大きく曲がっている。これは、追加の偏向を伴ってビームレットが組み合わされ、より大きな偏向収差をもたらすことを意味する。
【０１８３】
この変形形態は、ただ１度の機械的スキャン中のダイ全体への書込みが、現行光学スキャナに等しいという利点を有する。また、回転および倍率補正器を、アパーチャ平面で交差点内に位置決めすることができ、個別ビームレットによりクーロン相互作用は最小になる。しかし、各ビームレットの光軸が曲がっているので、各ビームレットごとに様々な焦点距離が存在する。また、アパーチャの位置はダイ・サイズに依存し、ビームレットの記録密度はダイ・サイズの減少とともに増大し、静止偏向角度が大きくなる（０．１２ｒａｄ）。
【０１８４】
本発明の特定の実施形態を上述してきたが、本発明を上述した以外の方法で実施することもできることを理解されたい。この記述は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態によるリソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２】周知の電子ビーム・リソグラフィ投影装置での、ビーム電流Ｉと、ダイ全体をプリントするためにステッチしなければならないストリップの数とに応じたスループットＴ（３００ｍｍＷＰＨ）を示すグラフである。
【図３】周知の電子ビーム・リソグラフィ投影装置での、ビーム電流Ｉに応じたぶれｂを示すグラフである。
【図４】許容可能なビーム電流に対する露光フィールド・サイズの効果を示すグラフである。
【図５】周知の電子ビーム・リソグラフィ投影装置の投影システムでのコイルおよび磁極片の線図である。
【図６】本発明の第１の実施形態による電子ビーム・リソグラフィ投影装置の投影システムでのコイルおよび磁極片の線図である。
【図７】許容されるビーム電流に対するビーム・カラム短縮の効果を示すグラフである。
【図８】本発明の第３の実施形態によるリソグラフィ投影装置での合成静電／電磁投影システムの線図である。
【図９】球状磁場を生成するために磁場を加える方法を示す図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態による電磁スライダ・レンズの横方向断面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態による電磁スライダ・レンズの上面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態による電磁スライダ・レンズのワイヤフレーム図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態による電磁スライダ・レンズの斜視図である。
【図１４】ＸＺ平面での、本発明の第４の実施形態の電磁スライダ・レンズによって発生された磁場の線図である。
【図１５】ＹＺ平面での、本発明の第４の実施形態の電磁スライダ・レンズによって発生された磁場の線図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の電磁スライダ・レンズによって発生されたギャップ内での場および場勾配のグラフである。
【図１７】円形レンズ場を生成するために磁場を加える方法を示す図である。
【図１８】第４の実施形態の第１の変形形態による電磁スライダ・レンズの側面図である。
【図１９】第４の実施形態の第１の変形形態による電磁スライダ・レンズの上面図である。
【図２０】第４の実施形態の第２の変形形態による電磁スライダ・レンズの側面図である。
【図２１】第４の実施形態の第３の変形形態による電磁スライダ・レンズの側面図である。
【図２２】第４の実施形態の第３の変形形態で、四重極の垂直位置を変える方法を示す図である。
【図２３】スライダ・デフレクタを形成するようにコイルが励磁されている第４の実施形態の第４の変形形態の上面図である。
【図２４】スライダ・デフレクタを形成するようにコイルが励磁されている第４の実施形態の第４の変形形態の断面図である。
【図２５】図２３と同様の図であるが、垂直スライダ・デフレクタを形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図２６】図２４と同様の図であるが、垂直スライダ・デフレクタを形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図２７】図２３と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図２８】図２４と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図２９】図２３と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３０】図２４と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３１】図２３と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３２】図２４と同様の図であるが、ある角度で四重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３３】図２７と同様の図であるが、六重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３４】図２４と同様の図であるが、六重極を形成するようにコイルが励磁されている図である。
【図３５】本発明の第５の実施形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図３６】本発明の第６の実施形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図３７】第５の実施形態の第１の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図３８】第５の実施形態の第２の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図３９】第５の実施形態の第２の変形形態での第１のスライダ・レンズ・デフレクタ・グループの断面図である。
【図４０】第５の実施形態の第２の変形形態での第２のスライダ・レンズ・デフレクタ・グループの断面図である。
【図４１】第５の実施形態の第３の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図４２】第５の実施形態の第４の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図４３】第５の実施形態の第５の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図４４】第５の実施形態の第６の変形形態によるリソグラフィ装置での投影システムの線図である。
【図４５】周知の電子ビーム・リソグラフィ装置の投影システムでの粒子軌道の線図である。
【図４６】本発明の第７の実施形態によるリソグラフィ投影装置の投影システムでの粒子軌道の線図である。
【図４７】本発明の第７の実施形態によるリソグラフィ投影装置での基板の長手方向位置に応じたぶれサイズを示すグラフである。
【図４８】本発明の第７の実施形態のリソグラフィ投影装置での基板の長手方向位置に応じたイメージ回転を示すグラフである。
【図４９】本発明の第８の実施形態による投影システムの動作原理を示す図である。
【図５０】本発明の第８の実施形態のリング形状露光フィールドの一部を示す図である。
【図５１】本発明の第８の実施形態の磁気単極レンズの特性を示すグラフである。
【図５２】本発明の第９の実施形態によるリソグラフィ装置の投影システムでの場の強さを示すグラフである。
【図５３】周知の電子ビーム・リソグラフィ装置および本発明の第９の実施形態のリソグラフィ装置の投影システムの粒子軌道を示す図である。
【図５４】本発明の第９の実施形態の投影システムでの磁気レンズ・レイアウトおよび場の強さの線図である。
【図５５】本発明の第９の実施形態の投影システムでの粒子軌道の線図である。
【図５６】本発明の第１０の実施形態によるリソグラフィ装置の投影システムでの原理光線の線図である。
【図５７】本発明の第１０の実施形態の投影システムの線図である。
【図５８】単一スリット・スライダ・レンズでの単一ビームの線図である。
【図５９】本発明の第１１の実施形態によるリソグラフィ装置の投影システムでの、スライダ・レンズの複数スリット中の複数ビームを示す図である。
【図６０】本発明の第１１の実施形態の投影システムの線図である。
【図６１】本発明の第１１の実施形態での、ビームに作用するクーロン力の線図である。
【図６２】第１１の実施形態の第１の変形形態の線図である。
【図６３】第１１の実施形態の第２の変形形態の線図である。
【図６４】第１１の実施形態の第３の変形形態の線図である。
【符号の説明】
１１、１２  磁気レンズ
１３  フィールド・クランプ
２１  荷電加速プレート
２２  荷電減速プレート
３１  選択可能コイル、四重極コイル
ＣＯ  集光レンズ
Ｅｘ  放射システム、ビーム拡大器
ＩＬ  放射システム、照明器
ＩＮ  積分器
ＬＡ  放射線源
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影システム
ＷＴ  基板テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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