(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部配線と重ねあわされる端子部において、
基板上に、導電性の金属酸化物層が配置され、該金属酸化物層に積層されるように複数の金属パッドが配置され、
前記複数の金属パッドが、互いに分離されて前記金属酸化物層の反基板側表面に配置され、
前記金属酸化物層と前記複数の金属パッドとはそれぞれ導電接続され、
前記金属パッドの反基板面側において、前記外部配線が異方性導電膜を介して前記複数の金属パッドと導電接続されてなる表示装置。
【請求項２】
前記金属酸化物層の長手方向に沿って、複数の金属パッドが配置されてなる請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属酸化物層の幅方向に、複数の金属パッドが並置されてなる請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属酸化物層の上に形成された金属層は、前記複数の金属パッドと該金属パッドから分離された補助配線部とを形成してなり、該補助配線部は、前記複数の金属パッドより表示領域側であって、前記外部配線の端部より表示領域側に設けられている請求項１、２または３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記異方性導電膜の表示領域側の端部が、前記補助配線部より反表示領域側に位置している請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
基板上に陽極配線と有機薄膜層と陰極配線とが順に積層された有機ＥＬ発光素子を有する表示装置において、
前記陽極配線及び前記陰極配線の夫々の基板端子側において該陽極配線及び陰極配線の夫々に接続された補助配線を有し、
前記補助配線は、基板上に配置された導電性の金属酸化物層と、その上に形成され、前記金属酸化物よりも抵抗の低い金属層とを有し、
前記補助配線の基板端部側において、前記金属層は互いに分離された複数の金属パッドとして形成されており、
前記複数の金属パッドと前記外部配線とが異方性導電膜を介して接続されてなる表示装置。
【請求項７】
前記複数の金属パッドのうち少なくとも１個の金属パッドが、前記外部配線の表示領域側の端部よりも表示領域側に配置されてなる請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記補助配線の金属酸化物層の上に形成された金属層は、金属パッドと分離された補助配線部を有し、該補助配線部は異方性導電膜の端部より表示領域側に設けられている請求項６または７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属酸化物層の長手方向に沿って、複数の金属パッドが配置されてなる請求項６、７または８のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報通信分野における急速な技術開発の進展に伴い、ＣＲＴに代わるフラットディスプレイに大きな期待が寄せられている。なかでも有機ＥＬディスプレイは、高速応答性、視認性、輝度などの点に優れるため盛んに研究が行われている。
【０００３】
１９８７年に米国コダック社のＴａｎｇらによって発表された有機ＥＬ素子は、有機薄膜の２層積層構造を有し、発光層にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下「Ａｌｑ」と略称する）を使用し、１０Ｖ以下の低電圧駆動で緑色の発光を生じ、１０００ｃｄ／ｍ２と高輝度が得られた（例えば、非特許文献１参照）。発光効率は１．５ルーメン／Ｗであった。
【０００４】
以降、急速に実用化に向けた研究が進められ、正孔注入電極と電子注入電極に挟まれた有機層が１〜１０層程度の様々な積層型の有機ＥＬ素子が開発されてきている。
【０００５】
有機ＥＬ材料に関しても、多岐に渡る低分子化合物を真空蒸着法等により薄膜形成する方法のみならず、高分子系化合物をスピンコート法、インクジェット、ダイコート、フレキソ印刷といった方法で薄膜形成して有機ＥＬ素子を作成する方法が提案されている。
【０００６】
なお、特許庁のホームページに、「技術分野別特許マップ作成委員会」によって作成された有機ＥＬ素子に関する技術情報が掲載されており、いわゆる基本特許や、さまざまな材料、製法、デバイス構造、駆動方法、カラー化技術、耐久性向上、用途などに関し、特許出願公開や登録特許などを引用し統括的に報告が行なわれている。
【０００７】
有機ＥＬディスプレイに用いられる有機ＥＬ素子基板は、基板上に陽極が形成され、陽極の上に薄膜状の有機化合物が積層され、その有機化合物の層の上に、基板上に形成された透明な陽極と対向するように陰極が形成された構造である。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に配置された有機化合物の層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示素子である。以下、積層される有機化合物の薄膜を有機薄膜層と記す。陽極、複数の有機薄膜層および陰極を重ねて配置した個所が表示画素となる。そして、透明な陽極から光を取り出し、所望の画像を表示させる。
【０００８】
ところで、有機ＥＬ表示装置は電流駆動素子を使用しており、パッシブ駆動型有機ＥＬ表示装置では、各行が選択された時間内で瞬間発光する必要がある。その結果液晶デバイス等の電圧駆動型表示素子を使用する場合と比較して大電流が電極に流れ込むことになる。
【０００９】
従って、陰極配線及び陽極配線を低抵抗にすることが重要となる。パネルの大型化、高精細化、高輝度化が進むとこれらの配線の更なる低抵抗化が必要となってくると同時に、これらの配線と接続される補助配線との間のコンタクトや駆動回路接続端子と補助配線との低抵抗化が課題となって来ている。これに関し、有機ＥＬ表示装置の陰極配線と接続される陰極補助配線について、開示された先行技術がある（例えば、特許文献１）。
【００１０】
この先行技術では、駆動回路接続端子に透明電極材料を用い、かつ、陰極材料と陰極補助配線材料とを同一とする。この場合、陰極材料と陰極補助配線材料との接続前に陰極表面や陰極補助配線表面が酸化されなければ、陰極と陰極補助配線とのコンタクト抵抗の問題は解消する可能性が大きくなる。
【００１１】
また、製造時のベークによる金属電極の接触抵抗の増加を解消しようとする有機エレクトロルミネセンス表示素子が開示されている（例えば、特許文献２）。そのため、透明基板に設けられた引出し電極の表層にバリア層を形成し、その引出し電極は有機発光層を介して透明基板の上に積層された金属電極にバリア層を介して接触させる。
【００１２】
引出し電極は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｇ−Ｍｎ、Ｚｎ等の金属質導電材料で形成される。バリア層は耐熱変質性の良好な高融点金属、貴金属、酸化物、窒化物又は酸窒化物で形成される。
【００１３】
よって、層間絶縁膜形成時等の際に加熱を行っても、引出し電極と金属電極との接触抵抗が低く維持され、低電圧で駆動できると説明している。また、密着性改善層を介して引出し電極を形成するとき、透明基板に対する引出し電極の密着性が向上し、引出し電極と金属電極と良好な導通状態が維持される。
【００１４】
一方、陽極配線は通常、透明導電膜で形成されるためＩＴＯ（Indium  Tin  Oxides）等の金属酸化膜が用いられる。このような金属酸化膜は一般的に金属と比べて比抵抗が高いため、配線抵抗の低抵抗化が困難である。従って、表示領域外に金属材料からなる陽極補助配線を設けて低抵抗化を図ることが可能である。
【００１５】
陽極補助配線を設けた有機ＥＬ表示装置の構成について図７を用いて説明する。図７は有機ＥＬ表示装置に用いられる有機ＥＬ素子基板の構成を示す上面図である。
【００１６】
透明導電膜により複数の陽極配線１が形成されている。この陽極配線１の基板端側にはそれぞれの陽極配線１に対応して陽極補助配線２６が形成される。陽極補助配線２６は陽極配線１の上に重ねられるようにパターニングされる。これにより、陽極配線１と陽極補助配線２６が接続される。陽極補助配線２６は陽極配線１よりも比抵抗の低い金属膜により形成されるため、配線抵抗を低減することができる。このとき、陰極補助配線２１に対応するパターンも同時に形成する。
【００１７】
陽極補助配線２６及び陰極補助配線２１には比抵抗の低いＡｌ又はＡｌ合金が主に用いられる。さらにその上層及び下層にはバリア層として、例えば、高融点金属膜が用いられる。Ａｌの下層の高融点金属膜は透明導電膜とのコンタクト抵抗を良好にするため形成される。Ａｌの上層の高融点金属膜は、後の工程においてＡｌが酸化等により変質して、コンタクト抵抗が劣化するのを防ぐために形成される。
【００１８】
この上から画素電極に対応する開口部２３を有する絶縁膜２２を形成する。絶縁膜２２には例えば、感光性のポリイミド樹脂が用いられる。この開口部２３を形成する工程では、陰極補助配線２１と陰極配線５を接続するためのコンタクトホール２５が形成される。そして、陰極配線５を分離するため、逆テーパ構造の隔壁１０を形成する。その上から図示しない有機薄膜層を形成し、さらにその上から陰極配線５を形成する。陰極配線５は隔壁１０により分離され、陽極配線１と交差するように形成される。この陰極配線５と陽極配線１とが交差する位置に設けられた開口部２３において有機薄膜層に電流が流れ発光する。
【００１９】
陰極補助配線２１及び陽極補助配線２６は例えば、ＦＰＣ等と接続するための金属パッドとして用いられる。例えば、陰極補助配線２１及び陽極補助配線２６の上に異方性導電膜（以下、ＡＣＦ）を貼り付け、さらにＡＣＦの上からＦＰＣ等を重ね合わせて圧着する。これにより、ＦＰＣ等と金属パッドである陰極補助配線２１又は陽極補助配線２６が接続され、陽極配線１に電流を供給することができる。陰極補助配線２１及び陽極補助配線２６は金属により形成されるため、ＩＴＯなどの金属酸化物から形成される透明導電膜を金属パッドとして用いた場合よりも配線抵抗及び外部配線との接続抵抗を低減することができる。
【００２０】
しかしながら、金属からなる陽極補助配線２６又は陰極補助配線２１を外部配線と接続するための金属パッドとして用いる構成では以下のような問題点があった。金属からなる陰極補助配線２１及び陽極補助配線２６が製造工程中あるいは製造工程後に腐食してしまうことがある。そして、金属の腐食が発生すると、腐食部分が時間ともに徐々に広がっていき、ＦＰＣ等の外部配線との接続抵抗や配線抵抗を劣化させてしまう。よって、金属腐食が発生した配線のみ抵抗が劣化して、表示ムラが生じてしまう。特に、外部配線と接続している部分の全体又は大部分が腐食してしまうと、接続抵抗の劣化が著しくなってしまう。この金属の腐食は、例えば、ＦＰＣ等の外部配線に含まれている不純物に起因して発生し、発生箇所から徐々に金属パッド全体に広がっていく。このように、従来の有機ＥＬ表示装置では、接続抵抗が劣化し、表示特性が劣化するおそれがあるという問題点があった。
【００２１】
【特許文献１】特開平１１−３１７２９２号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１７７８号公報
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
このように従来の有機ＥＬ表示装置では、抵抗の劣化により表示特性が劣化するおそれがあるという問題点があった。
【００２３】
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、抵抗の劣化による表示特性の劣化が低減された表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の第１の態様にかかる表示装置は、外部配線と重ねあわされる端子部において、基板（例えば、本発明の実施の形態における基板１１）上に、導電性の金属酸化物層（例えば、本発明の実施の形態における透明導電膜パターン２９）が配置され、該金属酸化物層に積層されるように複数の金属パッド（例えば、本発明の実施の形態における金属パッド４１）が配置され、前記複数の金属パッドが、互いに分離されて前記金属酸化物層の反基板側表面に配置され、前記金属酸化物層と前記複数の金属パッドとはそれぞれ導電接続され、前記金属パッドの反基板面側において、前記外部配線（例えば、本発明の実施の形態におけるＦＰＣ６２）が異方導電性膜を介して前記複数の金属パッドと導電接続されてなるものである。これにより、抵抗の劣化による表示特性の劣化を低減することができる。
【００２５】
本発明の第２の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記金属酸化物層の長手方向に沿って、複数の金属パッドが配置されてなるものである。これにより、抵抗の劣化による表示特性の劣化を低減することができる。
【００２６】
本発明の第３の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記金属酸化物層の幅方向に、複数の金属パッドが並置されてなるこれにより、抵抗の劣化による表示特性の劣化を低減することができる。
【００２７】
本発明の第４の態様にかかる表示装置は、上述の表示装置において、前記金属酸化物層の上に形成された金属層は、前記複数の金属パッドと該金属パッドから分離された補助配線部を形成してなり、該補助配線部は、前記複数の金属パッドより表示領域側であって、前記外部配線の端部より表示領域側に設けられているものである。これにより、配線の抵抗を低減することができる。
【００２８】
本発明の第５の態様にかかる表示装置は、上記第４の態様において、前記異方性導電膜の表示領域側の端部が、前記補助配線部より反表示領域側に位置しているものである。これにより、簡易な構成で抵抗の劣化による表示特性の劣化が低減された表示装置を提供することができる。
【００２９】
本発明の第６の態様にかかる表示装置は、基板上に陽極配線と有機薄膜層と陰極配線とが順に積層された有機ＥＬ発光素子を有する表示装置において、前記陽極配線及び前記陰極配線の夫々の基板端子側において該陽極配線及び陰極配線の夫々に接続された補助配線を有し、前記補助配線は、基板上に配置された導電性の金属酸化物層と、その上に形成された前記金属酸化物よりも抵抗の低い金属層とを有し、前記補助配線の基板端部側において、前記金属層は互いに分離された複数の金属パッドとして形成されており、前記複数の金属パッドと前記外部配線とが異方性導電膜を介して接続されてなる。これにより、簡易な構成で抵抗の劣化による表示特性の劣化が低減された表示装置を提供することができる。
【００３０】
本発明の第７の態様にかかる表示装置は、上記第６の態様において、前記複数の金属パッドのうち少なくとも１個の金属パッドが、前記外部配線の表示領域側の端部よりも表示領域側に配置されてなるものである。
【００３１】
本発明の第８の態様にかかる表示装置は、上記第６又は第７の態様において、前記補助配線の金属酸化物層の上に形成された金属層は、金属パッドと分離された補助配線部を有し、該補助配線部は異方性導電膜の端部より表示領域側に設けられているものである。
【００３２】
本発明の第９の態様にかかる表示装置は、上記第６乃至第８の態様において、前記金属酸化物層の長手方向に沿って、複数の金属パッドが配置されてなるものである。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば端子部における電極の耐候性及び耐腐食性を改善し、電子デバイスとしての長期信頼性性能を向上せしめた表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。
【００３５】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ発光素子が形成されている素子基板について図１を用いて説明する。図１は有機ＥＬ表示装置の素子基板の構成を示す平面図である。１は陽極配線、５は陰極配線、１０は隔壁、１１は基板、２１は陰極補助配線、２２は絶縁膜、２３は開口部、２５はコンタクトホール、２６は陽極補助配線、２７は補助配線部、２８は金属パターン、２９は透明導電膜パターンである。本発明では陰極補助配線２１が透明導電膜パターン２９とその上に設けられた金属パターン２８との２層構造をしている。４０は陰極補助配線２１の端子部である。
【００３６】
基板１１上には、基板１１の表面に接するように複数の陽極配線１が形成されている。複数の陽極配線１はそれぞれ平行に形成されている。基板端部側において、陽極配線１の上にはそれぞれの陽極配線１に対応された陽極補助配線２６が形成されている。基板端部側において、陽極補助配線２６はＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuit  board）やＴＣＰ（Tape  Career  Package）等の外部配線と接続するための金属パッドとして機能する。すなわち、陽極補助配線２６の上に異方性導電膜（以下、ＡＣＦ）を貼り付け、さらにＡＣＦの上から外部配線を重ね合わせて圧着する。これにより、外部配線と金属パッドである陽極補助配線２６とが接続される。この外部配線を介して、駆動回路から陽極配線１に電流を供給することができる。陽極配線１と同じ層には透明導電膜パターン２９が形成されている。陽極補助配線２６と同じ層には金属パターン２８が形成されている。
【００３７】
金属パターン２８は陰極配線５の本数に対応して形成されている。金属パターン２８は陰極配線５と垂直な方向に分離されている。金属パターン２８のうち表示領域側に設けられている部分は補助配線部２７となる。一方、金属パターン２８のうち基板端側に設けられている部分は外部配線と接続するための端子部４０となる。端子部４０にはＦＰＣやＴＣＰ等の外部配線と接続するための金属パッドが形成されている。この端子部４０の周辺の構成については後述する。
【００３８】
陽極配線１及び透明導電膜パターン２９は例えば、ＩＴＯ等などの透明導電膜により形成される。陽極補助配線２６及び金属パターン２８は多層構造又は単層構造の金属膜により形成される。例えば、下からＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の順番で陽極補助配線２６及び金属パターン２８となる積層金属膜が構成される。陽極配線１と交差するように陰極配線５が配置され、陰極配線５の基板端側には陰極補助配線２１が形成されている。陽極補助配線１、陽極補助配線２６及び陰極補助配線２１が形成された基板上には、絶縁膜２２が形成される。絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍである。絶縁膜２２には、陽極配線１と陰極配線５とが交差する位置（すなわち表示画素となる位置）に開口部２３が設けられている。
【００３９】
表示領域の外側には陰極補助配線２１と陰極配線５とを接続するため、絶縁膜２２にコンタクトホール２５が形成されている。このコンタクトホール２５において、陰極配線５と陰極補助配線２１とが接続される。陰極補助配線２１の基板端側に配置された端子部４０において、陰極補助配線２１がＡＣＦを介して外部配線及び外部配線と接続された駆動回路と接続される。これにより、開口部２３において陽極配線１と陰極配線５に挟まれる有機薄膜層に電流を流すことができ、有機薄膜層が発光する。この開口部２３が設けられている領域が表示領域となり、所望の画像を表示することができる。
【００４０】
絶縁膜２２の上層には、複数の有機薄膜層（有機化合物層）、陰極配線５が順に積層される。従って、有機薄膜層は陰極配線５と陽極配線１に挟まれる構成となる。ただし、図１では有機薄膜層の図示を省略している。また、有機薄膜層を形成する前に、隣接する陰極配線同士を区分する分離構造体（以下、隔壁１０と記す。）が設けられる。隔壁１０は、陰極配線５を蒸着等により形成する前に、所望のパターンに形成される。例えば、図１に示すように、陽極配線１と直交する複数の陰極配線５を形成するため、陽極配線１と直交する複数の隔壁１０が陽極配線１の上に形成される。
【００４１】
隔壁１０は、逆テーパ構造を有していることが好ましい。すなわち、基板１１から離れるにつれて断面が広がるように形成されることが好ましい。これにより、隔壁１０の側壁及び立ち上がり部分が蒸着の陰となり、陰極配線５を区分することができる。隔壁１０は例えば、高さが３．４μｍで、幅が１０μｍで形成することができる。
【００４２】
隔壁１０が形成された後、有機薄膜層が蒸着法あるいは塗布法等により形成される。さらに有機薄膜層の上から金属を蒸着する。蒸着された金属膜は逆テーパ構造の隔壁１０により分断され、複数の陰極配線５が形成される。陰極配線５となる金属膜は隔壁１０の外側には形成されないようマスクを用いて蒸着される。有機ＥＬ素子基板は上述のような構成を備えている。
【００４３】
この素子基板と捕水材が形成された対向基板とが対向配置される。対向する面に設けられたシール材で素子基板と対向基板とを貼り合わせ、有機ＥＬ素子が設けられた空間を封止する。そして、配線の接続端子に外部配線を接続し、駆動回路を実装することにより有機ＥＬ表示パネルが形成される。
【００４４】
次に基板端側に設けられた端子部４０の構成について図２を用いて説明する。図２（ａ）は端子部４０の周辺を含めて拡大して示す上面図であり、１本の透明導電層パターン２９に着目して図示している。図２（ｂ）は端子部４０を拡大して示す断面図である。４１は金属パッド、４２は切断部、５１は対向基板、５３は対向基板５１と基板１１とを貼り合わせるためのシール材、６１はＡＣＦ、６２はＦＰＣ、６３はＦＰＣ６２に設けられた導電層、６６は水分等の浸入を防ぐためのカバー樹脂である。また、図２において６５はＡＣＦの表示領域側の端部を示している。図２において左側が表示領域側であり、右側が基板端側である。
【００４５】
本実施の形態では、陰極補助配線２１が透明導電膜パターン２９と透明導電膜パターン２９の上に設けられた金属パターン２８との積層構造となっている。図２に示すように、端子部４０において、ＦＰＣ６２と接続するための金属パッド４１を複数設けている。すなわち、端子部４０において、配線方向と垂直に金属パターン２８を切断する切断部４２を設け、金属パターン２８を分離することにより複数の金属パッド４１を形成している。複数の金属パッド４１は配線方向に沿って、一列に配置されている。
【００４６】
複数の金属パッド４１は透明導電膜パターン２９の上に直接設けられているため、透明導電膜パターン２９と電気的に接続されている。このように互いに分離された金属パッド４１を複数形成することにより、たとえ腐食が発生したとしても、その腐食箇所が広がるのを防ぐことができる。すなわち、１つの金属パッド４１で腐食が発生した場合であっても、隣接する金属パッド４１とは金属パターン２８が分離されているため、隣接する金属パッド４１に金属の腐食が拡大することを防止できる。これにより、金属の腐食の拡大に基づく抵抗の劣化を低減できる。よって、金属パッド４１が腐食しても抵抗の劣化による配線の電気的特性を維持することができる。
【００４７】
図２に示す例では９つの金属パッド４１を配線が設けられた方向に沿って配置している。金属パッド４１は透明導電膜パターン２９が露出している領域の上に形成され、透明導電膜パターン２９の上に直接配置される。金属パッド４１の上にはＡＣＦ６１が圧着されている。金属パッド４１はＡＣＦ６１と十分密着して、十分な接続抵抗が得られる程度の大きさで形成することが好ましい。
【００４８】
ここでは、金属パッド４１を２００μｍ×２００μｍの幅で形成している。金属パッド４１の大きさは、例えば、ＡＣＦ６１に含まれる導電性粒子の大きさ、ＡＣＦ６１との密着性を考慮した大きさにするようにする。例えば、ＡＣＦ６１に含まれる導電性粒子の大きさよりも金属パッドを十分大きくすることが好ましい。また、あまり金属パッド４１の面積が大きいと、腐食の拡大による抵抗の劣化が大きくなってしまうからである。
【００４９】
一般に金属膜の比抵抗は透明導電膜の比抵抗よりも低く、電流が流れやすい。従って、切断部４２の幅を狭くすることによって、配線全体として抵抗を低減することができる。すなわち、陰極補助配線２１の抵抗を低減することができ表示品質を向上することができる。また、切断部４２の幅をパターニング精度以上で形成することによって、隣接する金属パッド４１が接触するのを防ぐことができる。ここでは金属パターンのパターニング精度から切断部４２を１０μｍとして形成して、配線の抵抗を低減させている。すなわち、隣接する金属パッド４１には１０μｍの隙間が設けられている。この切断部４２では透明導電膜パターン２９が最上層に露出する。切断部４２の幅は抵抗の劣化を低減するため１０μｍ以下とすることが好ましい。
【００５０】
図２では陰極配線５の方向に沿って、９個の金属パッド４１を一列に配置している。この９個の金属パッド４１は平行に設けられている。そして、左から３個目の金属パッド４１の上にはＦＰＣ６２の端部が設けられている。すなわち、ＦＰＣ６２は、表示領域側の端部が左から３個目の金属パッド４１の上に配置されるよう取り付けられる。従って、ＦＰＣ６２の表示領域側の端部よりも内側にはさらに２つの金属パッドがある。
【００５１】
そして、最も表示領域側にある金属パッド４１の上にはＡＣＦの端部６５が配置される。ＦＰＣ６２の基板側には、導電層６３が設けられている。この導電層６３が上からＡＣＦ６１に接触するように設けられる。この導電層６３を介して金属パッド４１の電流が供給される。金属パターン２８は透明導電膜パターン２９が露出してしまう領域にはカバー樹脂６６を設けている。カバー樹脂６６は透水性の低い樹脂であり、陰極補助配線２１や封止された空間に水分等が侵入するのを防ぐ。
【００５２】
最も表示領域側の金属パッド４１よりも内側に補助配線部２７が形成されている。補助配線部２７及び金属パッド４１は金属パターンの一部として形成されている。すなわち、補助配線部２７及び金属パッド４１は同じ工程により形成される。補助配線部２７はシール材の内側まで延在して設けられている。すなわち、シール材５３は補助配線部２７の上に配置される構成となる。なお、補助配線部２７をシール材５３の内側に配置してもよい。そして補助配線部２７は陰極配線５の方向に沿って、図１に示すコンタクトホール２５の内側まで形成される。金属パターン２８の比抵抗は透明導電膜パターン２９の比抵抗よりも低いため、配線方向に沿って補助配線部２７を設けることによって、陰極補助配線２１の配線抵抗を低減することができる。
【００５３】
さらに、金属パッド４１と補助配線部２７とを分離して配置し、補助配線部２７をＦＰＣ６２よりも内側に設けることによって、ＦＰＣ６２に含まれている不純物によって発生する腐食が補助配線部２７に対して発生するのを防ぐことができる。これにより、配線抵抗の劣化を防ぐことができる。さらに、ＡＣＦの端部６５よりも表示領域側に設けることによって、ＡＣＦ６５に含まれる不純物に起因して発生する腐食が補助配線部２７に対して発生するのを防ぐことができる。これにより、配線抵抗の劣化を防ぐことができる。
【００５４】
ＦＰＣ６２の導電層６３には駆動回路（図示せず）が接続されている。そして、金属パッド４１を介して駆動回路からの電流が陰極補助配線２１に供給される。図２において外部配線はＦＰＣ６２を用いたがもちろん駆動回路が実装されたＴＣＰを用いてもよい。もちろん、上述の金属パッドの数、大きさ等は一例であり、上述のものに限られるものではない。さらに複数の金属パッドには様々な配置が考えられる。複数の金属パッドの配置例を図４、図５及び図６にそれぞれ示す。図４、図５及び図６は金属パッドの配置例を模式的に示す上面図である。
【００５５】
図４に示す配置では、図２に示す配置に対して金属パッド４１をさらに配線と平行な方向に分離している。これにより、１つの金属パッド４１の面積を小さくすることができ、腐食が発生したとしても腐食が広がる領域を狭くすることができる。さらに図５に示す配置では、金属パッドにおいて、補助配線部２７を細くしている。そして、補助配線部２７の細い部分の両側に金属パッド４１をそれぞれ配置している。また、図６に示す配置では補助配線部２７をコの字状に形成している。そしてコの字状の部分の内側に金属パッド４１を配置している。このように、複数の金属パッド４１は様々な配置をすることができる。
【００５６】
なお、上述の説明では陰極補助配線２１の端子部に複数の金属パッド４１を設けたが、陽極補助配線２６に対して複数の金属パッドを形成してもよい。すなわち、陽極補助配線２６の基板端側に複数の金属パッドを形成することにより、陽極配線側でも抵抗の劣化を防ぐことができる。
【００５７】
次に、図３を用いて、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。図３は、本実施例にかかる有機ＥＬディスプレイの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【００５８】
まず、基板１１上に陽極配線１及び透明導電膜パターン２９となるＩＴＯ膜を成膜する（ステップＳ１０１）。基板１１として、例えばガラス基板等の透明基板を用いる。ガラス基板としては、たとえばソーダライムガラスを使用することができる。ＩＴＯ膜の厚さは通常５０〜２００ｎｍである。より好ましくは１００〜１５０ｎｍである。典型的には、ＤＣスパッタ法により作製した厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜である。ＩＴＯ膜は、一般的には、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）で作製することができる。この説明ではＩＴＯ膜を使用する。もちろんＩＴＯ以外にもＩＺＯ等の透明な金属酸化物からなる導電膜でもよい。
【００５９】
ＩＴＯはスパッタや蒸着によって、ガラス基板全面に均一性よく成膜することができる。フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯ膜をパターニングして、陽極配線１を形成する（ステップＳ１０２）。レジストとしてはフェノールノボラック樹脂を使用し、露光現像を行う。エッチングはウェットエッチングあるいはドライエッチングのいずれでもよいが、例えば、塩酸及び硝酸の混合水溶液を使用してＩＴＯをパターニングすることができる。レジスト剥離材としては例えば、モノエタノールアミンを使用することができる。これにより、陽極配線１及び透明導電膜パターン２９が形成される。
【００６０】
次にＭｏ層、Ａｌ層、Ｍｏ層の積層金属膜をＤＣスパッタ法により成膜する（ステップＳ１０３）。これらは連続して成膜することができる。積層金属膜は、このほか、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき等のめっき法で作製することができる場合がある。
【００６１】
上層及び下層のＭｏ層の厚さはそれぞれ、通常５０〜２００ｎｍであり、Ａｌ層の厚さは、通常２００〜４００ｎｍである。Ｍｏの代わりにＭｏ合金を用いると耐腐食性が向上する。Ｍｏ合金としては、２成分系のＭｏ−Ｗ、Ｍｏ−Ｎｂ、Ｍｏ−Ｖ、Ｍｏ−Ｔａなどを用いることが好ましい。
【００６２】
Ａｌの代わりにＡｌ合金を用いることもできる。Ａｌ，Ａｌ合金のいずれかよりなる層として純Ａｌを適用する場合には、ヒロックの発生を抑制するため、成膜温度を１００℃以下にすることが好ましい。Ａｌ合金を使用する場合、Ａｌ−Ｎｄを使用するとキュア時に低抵抗化できる点で好ましい。さらに、Ａｌ−Ｓｉ、さらに、３成分系のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等も適用可能である。ここでは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｍｏの３層の組み合わせを使用することとする。
【００６３】
その後、積層金属膜をパターニングする（ステップＳ１０４）。例えば、フォトリソ工程でレジストをパターニングし、積層金属膜をエッチングし、レジストを剥離する。この場合のレジストも、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのようなものを使用してもよい。
【００６４】
エッチングには、たとえば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液を使用することができる。レジストの剥離についても、本発明の趣旨に反しない限り、公知のどのような剥離剤を使用してもよい。
【００６５】
Ｍｏ層およびＡｌ層はこのエッチング液で一括エッチングが可能である。これにより陽極補助配線２６が形成される。また、この工程により、金属パターン２８を形成する。同じ工程で陽極補助配線２６及び金属パターン２８を形成することにより製造工程を簡略化できる。よって、これら工程で陰極補助配線２１がパターニングされる。なお、ＩＴＯの成膜工程（ステップＳ１０１）の前に、基板全面にシリカコート膜を形成してもよい。
【００６６】
次に、陽極配線１、金属パターン２８及び陽極補助配線２６を設けた基板１１の面に上から絶縁膜２２を成膜する（ステップＳ１０５）。例えば、感光性のポリイミドの溶液をスピンコーティングにより塗布する。この絶縁膜２２の膜厚は、例えば、０．７μｍになるようにすればよい。この絶縁膜２２をパターニングする（ステップＳ１０６）。例えば、絶縁膜の層をフォトリソグラフィー工程、現像工程でパターニングした後、キュアし、表示画素となる位置の絶縁膜を除去し、開口部２３を設ける。後述するステップＳ１０９で形成される陰極配線５と、陽極配線１との交差部分が表示画素となる。
【００６７】
同時に陰極配線５と陰極補助配線２１とを接続するコンタクトホール２５を形成する。例えば、画素に対応する開口部は３００μｍ×３００μｍ程度で形成する。陰極配線５と陰極補助配線２１とのコンタクトホール２５は例えば、２００μｍ×２００μｍ以下で形成する。画素開口部が３００μｍ×３００μｍ程度の場合、陰極と補助配線とのコンタクト形成部を２００μｍ×２００μｍ以下とすると、素子全体の大きさに影響を与えなくて済むため好ましい。
【００６８】
続いて、絶縁膜（ポリイミドの層）の表面において、６４本の陰極配線５を分離配置できるように隔壁１０を形成する（ステップＳ１０７）。なお、図１では、配線の本数について減らして模式的に図示している。隔壁１０は、絶縁膜の上層にノボラック樹脂、アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を塗布することにより形成する。例えば、感光性樹脂をスピンコートして、フォトリソグラフィー工程でパターニングした後、光反応させて陰極隔壁を形成する。陰極隔壁が逆テーパ構造を有するようネガタイプの感光性樹脂を用いることが望ましい。
【００６９】
ネガタイプの感光性樹脂を用いると、上から光を照射した場合、深い場所ほど光反応が不十分となる。その結果、上から見た場合、硬化部分の断面積が上の方より下の方が狭い構造を有する。これが逆テーパ構造を有するという意味である。このような構造にすると、その後、陰極の蒸着時に蒸着源から見て陰になる部分は蒸着が及ばないため、陰極同士を分離することが可能になる。
【００７０】
さらに、開口部２３のＩＴＯ層の表面改質を行うために、酸素プラズマ又は紫外線を照射してもよい。例えば、並行平板ＲＦプラズマ（高周波プラズマ）装置を用い、酸素プラズマ照射を実施して、ＩＴＯ膜の表面改質を行う。
【００７１】
その後、有機薄膜層を積層する（ステップＳ１０８）。まず、開口部を有する金属マスクをガラス基板に取り付ける。このとき、金属マスクの開口部と有機薄膜層を設けるべき位置が重なるように配置し、また、金属マスクとガラス基板との間に５０μｍの空間が空くように取り付ける。そして、０．５％（質量百分率）のポリビニルカルバゾールを溶解した安息香酸エチル溶液をマスクスプレー法によって塗布する。そして、溶液を濃縮乾燥して正孔注入層を形成する。
【００７２】
続いて、正孔注入層の上層にα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン）を蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成する。さらに、その上層に、発光層のホスト化合物となるＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシナト）アルミニウム）と、ゲスト化合物の蛍光性色素となるクマリン６とを同時に蒸着して、膜厚６０ｎｍの発光層を形成する。続いて、発光層の上層にＬｉＦを蒸着して、膜厚０．５ｎｍの陰極界面層を形成する。
【００７３】
その後、アルミニウム等の金属材料を蒸着して、膜厚１００ｎｍの陰極配線を形成する（ステップＳ１０９）。この結果、隔壁によってアルミニウム膜は分離され、それぞれの隔壁間に陽極配線１と交差する陰極配線５を形成することができる。例えば、画素数に対応して６４本の陰極配線５を形成する。これらの工程により有機ＥＬ素子基板が形成される。
【００７４】
次に上述の工程により形成された有機ＥＬ発光素子を封止するため、封止用の対向基板を製造する工程について説明する。まず。素子基板とは別のガラス基板を用意する。このガラス基板を加工して捕水材を収納するための捕水材収納部を形成する。捕水材収納部はガラス基板にレジストを塗布し、露光、現像により基板の一部を露出させる。この露出部分をエッチングにより薄くすることにより捕水材収納部を形成する。
【００７５】
この捕水材収納部に酸化カルシウム等の捕水材を配置した後、２枚の基板を重ね合わせて接着する。具体的には、対向基板の捕水材収納部が設けられた面に、ディスペンサを用いてシール材を塗布する。シール材として、例えば、エポキシ系紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、シール材は、有機ＥＬ素子と対向する領域の外周全体に塗布する。二枚の基板を位置合わせして対向させた後、紫外線を照射してシール材を硬化させ、基板同士を接着する。この後、シール材の硬化をより促進させるために８０℃のクリーンオーブン中で１時間熱処理を施す。この結果、シール材および一対の基板によって、有機ＥＬ素子が存在する基板間と、基板の外部とが隔離される。捕水材を配置することにより、封止された空間に残留または侵入してくる水分等による有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。
【００７６】
基板の外周付近の不要部分を切断除去し、陽極補助配線２６に信号電極ドライバを接続し、同様に陰極補助配線２１に走査電極ドライバを接続する。基板端部において各補助配線に接続される端子部が形成されている。この端子部に異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を貼付け、ＦＰＣ又は駆動回路が設けられたＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）を接続する。最上層がＭｏ層である陽極補助配線２６の基板端側の一部が端子部となり、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００７７】
具体的には端子部にＡＣＦを仮圧着する。ＡＣＦは日立化成社製アニソルム７１０６Ｕを用いている。仮圧着の際の圧着温度は８０℃で、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒である。ついでＦＰＣ又は駆動回路が内蔵されたＴＣＰを端子部に本圧着する。本圧着の際の圧着温度は１７０度で、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒である。これにより駆動回路が実装される。この有機ＥＬ表示パネルが筐体に取り付けられ、有機ＥＬ表示装置が完成する。なお、上述の工程は製造工程の一例であり、これに限るものではなく、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置に利用してもよい。もちろん、パッシブマトリクス方式の表示装置に限らず、アクティブマトリクス方式の表示装置についても利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の構成の一例を示す上面図である。
【図２】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置の一例において、端子部周辺の構成を示す図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図４】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置において、金属パッドの配置例を示す上面図である。
【図５】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置において、金属パッドの配置例を示す上面図である。
【図６】本発明にかかる有機ＥＬ表示装置において、金属パッドの配置例を示す上面図である。
【図７】従来例の有機ＥＬ表示装置の構成を示す上面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  陽極配線
５  陰極配線
１０  隔壁
１１  基板
２１  陰極補助配線
２２  絶縁膜
２３  開口部
２５  コンタクトホール
２６  陽極補助配線
２７  補助配線部
２８  金属パターン
２９  透明導電層パターン
４０  端子部
４１  金属パッド
４２  切断部
５１  対向基板
５３  シール材
６１  ＡＣＦ
６２  ＦＰＣ
６３  導電層
６５  ＡＣＦの端部
６６  カバー樹脂
１００  有機ＥＬ素子基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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