(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）絶縁基板上にゲートパッド、ゲート線及びゲート線の一部であるゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
（２）前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、ゲート絶縁膜パターンの上の半導体層パターン及び接触層パターンを含み、前記ゲート配線に沿って形成された三重層を形成する段階であって、該三重層は前記ゲートパッドを露出させる接触孔を有する段階と、
（３）下部導電層及び上部導電層の二重層からなり、データ配線、画素電極パターン及び補助ゲートパッドパターンを含む導電体パターンを形成する段階であって、該補助ゲートパッドパターンは、前記接触孔を介してゲートパッドと接続されており、
前記データ配線は、
前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記データ線と連結され前記接触層パターン上に形成されているソース電極と、
前記ソース電極の対向側に位置する前記接触層パターン上に形成されていて前記ソース電極と分離されているドレーン電極と、
前記データ線の端に連結されていて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッドとを含み、
前記画素電極パターンは、前記ドレーン電極と連結されている段階と、
（４）前記導電体パターンで覆われない接触層パターンを除去し、該接触層パターンを互いに離間した２つの部位に分離する段階と、
（５）保護膜を形成し、該保護膜に、
前記補助ゲートパッドパターンの下部導電層を露出させるための第１開口部、
前記画素電極パターンの下部導電層を露出させるための第２開口部、
前記データパッドの下部導電層を露出させるための第３開口部及び
隣接する前記データ線間の前記ゲート線の上部に位置するゲート絶縁膜を露出させるための第４開口部を形成する段階と、
（６）保護膜で覆われない導電体パターンのうちの前記画素電極パターン、データパッド及び前記補助ゲートパッドパターンの上部導電層を除去し、前記下部導電層を露出させる段階と、
（７）保護膜で覆われない半導体層パターンを除去し、前記ゲート絶縁膜を露出させる段階であって、半導体層パターンが、隣接する２つのデータ配線間で互いに分離された２つの部分を含む段階とを含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記接触層パターンはシリサイドから形成される請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記接触層パターンは微細結晶化された珪素からなる請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記三重層を形成する段階において、ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンを同一形態に形成する請求項１から３のいずれか１つに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記三重層を形成する段階は、
ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層する段階と、
シリサイドを形成可能な金属層を半導体層の上に積層し、半導体層の上にシリサイドからなる接触層を形成する段階と、
前記金属層を除去する段階と、
前記接触層、前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜をパターニングし、前記ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンを形成する段階とを含む請求項１又は２に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記三重層を形成する段階は、ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層する段階と、前記半導体層及びゲート絶縁膜をパターニングし、前記ゲート絶縁膜パターン及び半導体層パターンを形成する段階と、シリサイドを形成可能な金属層を前記半導体層パターン上に積層し、半導体層パターンの上にシリサイドからなる接触層パターンを形成する段階と、前記金属層を除去する段階とを含む請求項１、２及び４のいずれか１つに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート配線を、下部膜及び下部膜上の上部膜から形成する請求項１から６のいずれか１つに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記ゲート配線を、下部膜及び上部膜をこの順に形成し、前記ゲート配線の下部膜をアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成し、上部膜をモリブデン合金から形成し、前記金属層をクロムから形成し、かつ導電体パターンの下部導電層をＩＴＯによって形成する請求項６に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記ゲート配線を、下部膜及び上部膜をこの順に形成し、前記ゲート配線の下部膜をクロムから形成し、上部膜をアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成し、前記金属層をモリブデン合金から形成し、かつ導電体パターンの下部導電層をＩＴＯによって形成し、
前記金属層を除去する段階において、前記接触孔における上部導電層を除去する請求項６に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記三重層を形成する段階は、
ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層する段階と、
ドーピングされたアモルファスシリコンからなる接触層を前記半導体層の上に形成する段階と、
前記接触層を微細結晶化する段階と、
前記接触層、半導体層及びゲート絶縁膜をパターニングし、前記ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンを形成する段階とを含む請求項１又は３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記三重層を形成する段階は、
ゲート絶縁膜、半導体層、接触層を順に形成する段階と、
前記接触層の上部に感光膜を塗布する段階と、
前記感光膜を露光して現像し、少なくとも第１部分と、前記第１部分より厚い第２部分と、第２部分より厚い第３部分とを有する感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１部分の下に位置する前記接触層、半導体層及び前記ゲート絶縁膜をエッチングし、前記ゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第２部分の下に位置する前記接触層及び半導体層をエッチングし、前記接触層パターン及び半導体層パターンを形成する段階とを含む請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記感光膜パターンは前記第１ないし第３部分にそれぞれ対応する第１ないし第３領域を有しており、前記第１ないし第３部分は、前記第１ないし第３領域の透過率がそれぞれ異なる１つの光マスクを通じた露光によって形成される請求項１１に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記感光膜は陽性感光膜であり、前記第２領域の透過率は第１領域より小さく第３領域より大きい請求項１２に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記光マスクはマスク基板と少なくとも１つのマスク層とを有し、前記第２領域と第３領域との透過率の差は、光透過率が互いに異なる物質から前記マスク層を形成することによって調節されている請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記光マスクはマスク基板と少なくとも１つのマスク層とを有し、前記第２領域と前記第３領域との光透過率の差は、前記マスク層の厚さを変更することによって調節されている請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記光マスクには、露光に使用される露光器の分解能以下の大きさを有するスリットまたは格子形態の微細パターンが形成されている請求項１３に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記光マスクは、第１ないし第３領域のうちの少なくとも１つの領域を有する、少なくとも２つのマスク基板を含む請求項１２に記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記下部導電層は透明な導電物質からなる請求項１から１７のいずれか１つに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記画素電極パターンは、隣接するゲート線と重畳しており、前記画素電極と前記ゲート線との間に介されている半導体層パターンは孤立している請求項１から１８のいずれか１つに記載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置の１つである。液晶表示装置は、電極が形成されている２枚の基板とその間に挿入されている液晶層とからなる。液晶表示装置では、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることにより透過する光の量を調節する。
【０００３】
液晶表示装置のうち現在主に使用されているものは、２枚の基板に電極がそれぞれ形成されており、電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタを有している。この薄膜トランジスタは、２枚の基板のうちの１つに形成されるのが普通である。
【０００４】
一般に、薄膜トランジスタが形成されている基板は、マスクを利用した写真エッチング工程を通して製造される。この時、生産費用を節減するためにはマスクの数を減少させるのが好ましく、現在は通常５枚または６枚のマスクが使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術の一例として、グリッド形態のパターンが形成されたマスクを含む４枚のマスクを利用して薄膜トランジスタを製造する方法が開示されている（Chang Wook Hanなど、Proceedings of The 18th International Display ResearchConference Asia Display 98、p. 1109〜1112、1998. 9.28〜10.1；以下、"アジアディスプレイ"と称する）に記載されている。しかし、ここではパッドを始めとした薄膜トランジスタ基板全体に対する工程に関する言及がないので、薄膜トランジスタ基板全体をどのような方法で何枚のマスクを使用して製造するのかがわからない。
【０００６】
また、一般に、画素に印加された電圧を長時間保存するために維持蓄電器を形成する。維持蓄電器は、ゲート電極及びゲート線と同一層に形成された維持容量電極と、保護膜の上に形成された画素電極とを重畳して形成する。しかし、維持容量電極は、ゲート絶縁膜、半導体層及び保護膜で覆われており、画素電極は下部のゲート絶縁膜無しで直接基板の上に形成されている。そのため、画素電極を維持容量電極と重畳させるためには、ゲート絶縁膜、半導体層及び保護膜からなる三層膜上に画素電極を基板上から形成しなければならない。これによって段差が激しくなって断線が発生するおそれがある。また、グリッドマスクで処理可能な領域が限定されているため、広範囲な領域を処理することができなかったり、たとえ可能であるとしても全体的に均一なエッチングの深さを有するように処理することは困難である。
【０００７】
また、グリッド光マスクを利用して露光したり、光マスクの遮断層の厚さを調節して透過率を異にすることによって形成された感光膜の厚さの差を用いるイオン注入及び薄膜エッチング方法などが、米国特許第４，２３１，８１１号、第５，６１８，６４３号、第４，４１５，２６２号及び特開昭６１−１８１１３０号などに開示されている。しかし、これらも前述と同様の問題点を有している。
【０００８】
本発明は前記問題点を解決するためのものであって、その目的は液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する新たな方法を提供し、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造費用を減少させ、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の漏洩電流を防止することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を達成するために、本発明は、
絶縁基板上にゲートパッド、ゲート線及びゲート線の一部であるゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、ゲート絶縁膜パターンの上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する段階と、該三重層は前記ゲートパッドを露出させる（４）接触孔を有し、かつ前記接触層パターン及び半導体層パターン（２）は、互いに分離された２つの部分を含み、
下部導電層及び上部導電層の二重層からなり、データ配線、画素電極パターン及び補助ゲートパッドパターンを含む導電体パターンを形成する段階と、該補助ゲートパッドパターンは、前記接触孔を介してゲートパッドと接続されており（３）、
前記データ配線は、
前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記データ線と連結され前記接触層パターン上に形成されているソース電極と、
前記ソース電極の対向側に位置する前記接触層パターン上に形成されていて前記ソース電極と分離されているドレーン電極と、
前記データ線の端に連結されていて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッドとを含み、前記画素電極パターンは、前記ドレーン電極と連結されており、
前記導電体パターンで覆われない接触層パターンを除去し、該接触層パターンを互いに離間した２つの部位に分離する段階と、
保護膜を形成する段階と、該保護膜は、
前記補助ゲートパッドパターンの下部導電層を露出させる（４）第１開口部、
前記画素電極パターンの下部導電層を露出させる第２開口部、
前記データパッドの下部導電層を露出させる第３開口部及び
隣接する前記データ線間の前記ゲート線の上部に位置するゲート絶縁膜を露出させる第４開口部を有し、
保護膜で覆われない導電体パターンのうちの前記画素電極パターン、データパッド（４、６）及び前記補助ゲートパッドパターンの上部導電層を除去し、前記下部導電層を露出させ（４）る段階と、
保護膜で覆われない半導体層パターンを除去し、前記ゲート絶縁膜を露出させ（５）る段階を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
なお、以下に示す参照発明を実施してもよい。
まず、ゲートパッドを露出させる接触孔を有するゲート絶縁膜パターンを半導体層パターン及び接触層パターンと共にパターニングして形成し、画素電極とデータ配線とを含む二重導電層パターンを形成し、二重導電層パターンで覆われない接触層を除去する。次いで、保護膜パターンを形成し、保護膜で覆われない二重導電層パターンの上部膜をエッチングする。
【００１０】
このような発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、第１写真エッチング工程で絶縁基板上にゲート配線を形成し、第２写真エッチング工程で前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、その上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する。次いで、第３写真エッチング工程で下部導電層及び上部導電層の二重層からなる導電体パターンを形成し、前記導電体パターンで覆われない前記接触層パターンをエッチングする。次いで、第４写真エッチング工程で保護膜を形成し、前記保護膜で覆われない前記導電体パターンの上部導電層をエッチングする。
【００１１】
ここで、接触層パターンはシリサイド、微細結晶化された珪素またはドーピングされた珪素から形成することができる。
【００１２】
この時、ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンは同一形態に形成することができる。
【００１３】
１つの方法としては、ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層し、半導体層の上にシリサイドが形成可能な金属層を積層して半導体層の上にシリサイドからなる接触層を形成し、金属層を除去する。次いで、第２写真エッチング工程で接触層、半導体層及びゲート絶縁膜をパターニングしてゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンを形成する。
【００１４】
他の方法としては、まず、ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層し、第２写真エッチング工程で半導体層及びゲート絶縁膜をパターニングしてゲート絶縁膜パターン及び半導体層パターンを形成する。次いで、半導体層パターンの上にシリサイドが形成可能な金属層を積層して半導体層パターンの上にシリサイドからなる接触層パターンを形成し、金属層を除去する。ここで、ゲート配線は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる下部膜とモリブデンまたはモリブデン合金からなる上部膜とから形成することができ、金属層はクロムから形成することができ、また、クロムからなる下部膜とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる上部膜とから形成することができ、金属層はモリブデン合金から形成することができる。
【００１５】
また、その他の方法としては、ゲート絶縁膜及び半導体層を連続して積層し、半導体層の上にドーピングされたアモルファスシリコンからなる接触層を形成する。次いで、接触層を微細結晶化し、第２写真エッチング工程で接触層、半導体層及びゲート絶縁膜をパターニングしてゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンを形成する。
【００１６】
また、ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン及び接触層パターンは互いに異なる形態に形成することができる。
【００１７】
このような方法では、ゲート絶縁膜、半導体層、接触層を順に形成し、接触層の上部に感光膜を塗布する。次いで、感光膜を露光して現像することで、少なくとも第１部分と、第１部分より厚い第２部分と、第２部分より厚い第３部分とを有する感光膜パターンを形成する。次いで、第１部分の下の接触層、半導体層及びゲート絶縁膜をエッチングしてゲート絶縁膜パターンを形成し、第２部分の下の接触層及び半導体層をエッチングして接触層パターン及び半導体層パターンを形成する。
【００１８】
このような感光膜パターンは第１ないし第３部分にそれぞれ対応する第１ないし第３領域を有しており、第１ないし第３領域の透過率がそれぞれ異なる１つの光マスクを通じた露光工程によって形成され、陽性感光膜を使用するのが好ましく、第２領域の透過率は第１領域より小さく第３領域より大きいのが好ましい。
【００１９】
光マスクはマスク基板及び少なくとも１つ以上のマスク層を有し、第２領域と第３領域との透過率の差はマスク層を光透過率が互いに異なる物質で形成することによって調節することができ、マスク層の厚さを変更することによって調節することもできる。
【００２０】
また、光マスクには露光に使用される露光器の分解能以下の大きさを有するスリットまたは格子形態の微細パターンが形成されていて透過率を調節することができ、光マスクは第１ないし第３領域のうちの少なくとも１つ以上の領域を有する少なくとも２つ以上のマスクを含むことができる。
【００２１】
このような発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法では下部導電層を透明な導電物質から形成するのが好ましい。
【００２２】
ゲート配線はゲート線と、ゲート線の一部であるゲート電極と、ゲート線の端に連結されていて外部からの走査信号の印加を受けるゲートパッドとを含み、導電体パターンはデータ配線及び画素電極を含み、三重層及び保護膜はそれぞれ前記ゲートパッドを外部と電気的に連結する接触孔及び第１開口部をそれぞれ有している。
【００２３】
また、導電体パターンは接触孔を通してゲートパッドと接触する補助ゲートパッドをさらに含み、補助ゲートパッドの下部導電層は第１開口部を通して露出されている。
【００２４】
ここで、接触層パターンは互いに分離された２つの部分を含み、データ配線はゲート線と交差するデータ線と、データ線と連結されていて接触層パターンの１つの部分の上に形成されているソース電極と、ソース電極の対向側に位置する接触層パターンの他の部分の上に形成されていてソース電極と分離されているドレーン電極と、データ線の端に連結されていて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッドとを含む。画素電極はドレーン電極と連結されており、保護膜は画素電極の下部導電層を露出させる第２開口部とデータパッドの下部導電層を露出させる第３開口部とを有している。
【００２５】
この時、データ線の間のゲート線の上部の前記ゲート絶縁膜を露出させる第４開口部を有するのが好ましく、保護膜で覆われない半導体層パターンを除去する段階をさらに含む。
【００２６】
発明による薄膜トランジスタ基板の他の製造方法は、第１写真エッチング工程で基板の上にゲート線とゲート電極とゲートパッドとを含むゲート配線を形成する。次いで、ゲート配線の上にゲート絶縁膜、半導体層及び接触層を順に積層し、第２写真エッチング工程で接触層及び半導体層をゲート絶縁膜と共にエッチングしてゲートパッドを露出させる接触孔を有するゲート絶縁膜パターンと半導体層パターンと接触層パターンとを形成する。次いで、基板の上に下部導電層及び上部導電層からなる導電体層を形成し、第３写真エッチング工程で導電体層をパターニングしてデータ線とソース及びドレーン電極とデータパッドを含むデータ配線と、ドレーン電極と連結されている画素電極パターンと、接触孔を通してゲートパッドと連結される補助ゲートパッドとを含む導電体パターンを形成する。次いで、基板の上部に保護膜を積層し、第４写真エッチング工程で保護膜をエッチングして補助ゲートパッド、データパッド、画素電極を露出させる第１ないし第３開口部を有する保護膜パターンを形成し、第１ないし第３開口部を通じて露出された上部導電層を除去する。
【００２７】
ここで、第３開口部は画素電極パターンより大きく形成するのが好ましく、接触層はシリサイドまたは微細結晶化された珪素またはアモルファスシリコンから形成するのが好ましい。
【００２８】
ここで、ゲート絶縁膜パターン、半導体層パターン、接触層パターンは互いに異なる形態に形成することもできる。
【００２９】
また、発明による薄膜トランジスタ基板の他の製造方法は、基板の上にゲート線とゲート電極とゲートパッドとを含むゲート配線を形成し、ゲート配線の上にゲート絶縁膜パターンを形成し、ゲート絶縁膜パターンの上に半導体層パターン及び接触層パターンを順に形成し、データ線とソース及びドレーン電極とデータパッドを含むデータ配線を形成する。次いで、保護膜パターンを形成し、ドレーン電極と連結される画素電極を形成する。この時、ゲート絶縁膜パターンは部分に応じて厚さが異なる１つの感光膜パターンを利用して接触層パターン及び半導体層パターンと共にエッチングして形成する。
【００３０】
このような感光膜パターンは、第１部分と、第１部分より厚い第２部分と、第１部分より厚く第２部分より薄い第３部分とを含む。
【００３１】
また、感光膜パターンは光マスクを利用した露光工程によって形成され、光マスクは透過率が互いに異なる第１部分に対応する第１領域と、第２部分に対応する第２領域と、第３部分に対応する第３領域とを含む。
【００３２】
また、感光膜パターンは陽性感光膜を使用するのが好ましく、第３領域の透過率は第１領域より小さく第２領域より大きいのが好ましい。
【００３３】
また、光マスクはマスク基板及び少なくとも１つの調節膜を含み、透過率が異なるように調節するために透過率が互いに異なる調節膜を形成することができ、調節膜の厚さを調節することもできる。
【００３４】
また、本発明の実施形態例による薄膜トランジスタ基板の他の製造方法は、基板の上にゲート線とゲート電極とゲートパッドとを含むゲート配線と、共通電極線及び共通電極を含む共通電極配線とを形成する。次いで、ゲート配線及び共通電極配線の上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続して蒸着し、接触層の上に感光膜を塗布し、露光及び現像工程を通して部分に応じて厚さの異なる感光膜パターンを形成する。次いで、感光膜パターンを利用して接触層及びその下部の半導体層をパターニングして一次接触層パターン及び半導体層パターンを形成すると共にゲートパッドを露出させる接触孔を形成する。次いで、導電体層を積層し、導電体層及びその下部の一次接触層パターンを写真エッチングしてデータ線、ソース及びドレーン電極、画素電極、データパッドを含むデータ配線及びその下部の二次接触層パターンを形成する。次いで、保護絶縁膜を積層してパターニングしてゲートパッド及びデータパッドを露出させる。
【００３５】
本発明の実施形態例による薄膜トランジスタ基板には、絶縁基板の上にゲート線、ゲート線と連結されているゲート電極、ゲート線の端に連結されているゲートパッドを含むゲート配線が形成されており、ゲートパッドを露出させる接触孔を有しているゲート絶縁膜で覆われている。ゲート絶縁膜の上に半導体層が形成されており、半導体層の上には上部層及び下部層の二重層から形成されていてゲート線と交差するデータ線と、ゲート電極に隣接するソース電極と、データ線の一端に連結されていて主に下部層からなるデータパッドと、データ線及びソース電極と分離されていてゲート電極に対してソース電極の反対側に位置するドレーン電極とを含む導電体パターンが形成されている。データ配線と同一な層には接触孔を通してゲートパッドを覆っていて主に下部層からなる補助ゲートパッドと、ドレーン電極と連結されていて主に下部層からなる画素電極とが形成されている。導電体パターン、半導体層、ゲート絶縁膜及び基板の上には画素電極を露出させる第１開口部と、隣接するデータ線の間のゲート線の上部のゲート絶縁膜を露出させる第２開口部と、補助ゲートパッドを露出させる第３開口部と、データパッドを露出させる第４開口部とを有している保護膜が形成されている。この時、上部層は下部層と保護膜との間のみに形成されており、隣接した２つのデータ線の下部の半導体層は互いに分離されている。
【００３６】
この時、半導体層の境界はゲート絶縁膜と保護膜とが重畳する部分と一致し、下部層は透明な導電物質からなる。
【００３７】
ここで、半導体層と下部層との間に形成されていて、半導体層と下部層との間の接触抵抗を減少させるためにシリサイドまたは微細結晶化されドーピングされたアモルファスシリコンからなる接触層をさらに含むことができ、接触層の境界は半導体層と導電体パターンとが重畳する部分と一致する。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶表示装置及びその製造方法について、実施形態例を挙げ、添付図面に基づいて詳しく説明する。
【００３９】
本発明の実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法では、ゲートパッドを露出させる接触孔を有するゲート絶縁膜パターンを半導体層パターン及び接触層パターンと共にエッチングして形成し、データ配線及び画素電極を含む二重導電層パターンを形成し、二重導電層パターンで覆われない接触層を除去する。次いで保護膜を形成し、保護膜で覆われない二重導電層パターンの上部膜をエッチングする。
【００４０】
（液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板）
まず、図１〜５に基づいて、本発明の実施形態例に係る薄膜トランジスタ基板の構造について詳しく説明する。
【００４１】
図１は、多数の液晶表示装置用パネル領域が形成された絶縁基板を示している。図１では、１つのガラス基板１０に４つの液晶表示装置用パネル領域１１０、１２０、１３０、１４０が形成されている。形成されるパネルが薄膜トランジスタパネルである場合、パネル領域１１０、１２０、１３０、１４０は、多数の画素からなる画面表示部１１１、１２１、１３１、１４１及び周辺部１１２、１２２、１３２、１４２を含む。画面表示部１１１、１２１、１３１、１４１には、主に薄膜トランジスタ、配線及び画素電極などが行列の形態に反復して配置されている。周辺部１１２、１２２、１３２、１４２には、駆動素子と連結される要素、即ちパッドとその他の静電気保護回路などが配置される。
【００４２】
一般に、このような液晶表示装置の形成には、ステッパー露光器を使用する。ステッパー露光器を使用する場合には、画面表示部１１１、１２１、１３１、１４１及び周辺部１１２、１２２、１３２、１４２をさらに多数の区域に区分し、区域別に同一マスクまたは異なる光マスクを使用して薄膜の上にコーティングされた感光膜を露光する。その後、基板全体を現像して感光膜パターンを形成し、下部の薄膜をエッチングすることによって特定の薄膜パターンを形成する。このような薄膜パターンを反復して形成することにより、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板が完成される。
【００４３】
ただし、ステッパー露光器を使用せずに１回で露光することもできる。また、１つの絶縁基板に１つの液晶表示パネルのみを形成することもできる。
【００４４】
図２は、図１の１つのパネル領域に形成された液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構成を概略的に示した図である。
【００４５】
図２に示すように、一点鎖線１で囲まれた画面表示部には、多数の薄膜トランジスタ３と、それぞれの薄膜トランジスタ３に電気的に連結されている画素電極６３と、ゲート線２２及びデータ線７２を含む配線などが形成されている。画面表示部の外側周辺部には、ゲート線２２の端に連結されたゲートパッド２４と、データ線７２の端に連結されたデータパッド７４とが配置されている。静電気放電による素子破壊を防止するために、ゲート線２２及びデータ線７２をそれぞれ電気的に連結して等電位に形成するためのゲート線ショートバー４及びデータ線ショートバー５が配置されている。ゲート線ショートバー４及びデータ線ショートバー５は、ショートバー連結部６を通して電気的に連結されている。このショートバー４、５は後に除去される。これらを除去する時に基板を切断する線が鎖線２である。ゲート線ショートバー４及びデータ線ショートバー５と絶縁膜（図示しない）を間においているショートバー連結部６とを連結するために、接触孔７が絶縁膜に形成されている。
【００４６】
（実施の形態１ａ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板）
まず、図３〜５に基づいて、本発明の第１実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について詳しく説明する。
【００４７】
図３は、画面表示部の薄膜トランジスタと画素電極及び配線と周辺部のパッドとを拡大して示した配置図である。、図４は、図３に示した薄膜トランジスタ基板をＩＶ−ＩＶ線方向から見た断面図である。図５は、図３に示した薄膜トランジスタ基板をＶ−Ｖ線方向から見た断面図である。
【００４８】
図３に示すように、絶縁基板１０の上にアルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は、図中横方向に伸びているゲート線２２とゲートパッド２４とゲート電極２６とを含む。ゲートパッド２４は、ゲート線２２の端に連結されていて、外部から印加される走査信号をゲート線２２に伝達する。ゲート電極２６は、ゲート線２２の一部である薄膜トランジスタを含んでいる。
【００４９】
ゲート配線２２、２４、２６は、単一層から形成できるが、二重層または三重層から形成してもよい。単一層から形成する場合には、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で約１，０００Åないし３，０００Åの厚さを有するように形成する。二重層から形成する場合には、例えば下部層を抵抗が小さいアルミニウム（Ａｌ）−ネオジム（Ｎｄ）合金で約１，０００〜２，０００Åの厚さを有するように形成し、上部層を他の物質との接触特性が良好なモリブデン（Ｍｏ）−タングステン（Ｗ）合金で約５００〜１，０００Åの厚さを有するように形成する。勿論、クロム、モリブデンまたはモリブデン合金などを、単一膜またはアルミニウム膜やアルミニウム合金膜との二重膜として用いてもよい。
【００５０】
図４に示すように、ゲート配線２２、２４、２６の上には、窒化珪素（ＳｉＮX）などからなる２，５００〜５，０００Åの厚さを有するゲート絶縁膜パターン３０が形成されている。
【００５１】
ゲート絶縁膜パターン３０の上には、水素化（hydrogenated）アモルファスシリコンなどの半導体からなる半導体層パターン４２、４７が１，０００〜２，０００Åの厚さに形成される（図４参照）。図３に示すように、半導体層パターン４２、４７は、互いに分離された多数の第１部分４２及び第２部分４７に分けられる。第１部分４２は、ゲート電極２６の付近に位置し、薄膜トランジスタのチャンネル層の役割を果たす。多数の第２部分４７は、ゲート線２２の上部に位置し、互いに孤立している。図４に示すように、ゲートパッド２４に隣接する第２部分４７は、ゲートパッド２４部分まで延長されている。
【００５２】
図４に示すように、半導体層パターン４２、４７の上には、単一膜または侍従膜から形成された十数Åないし数十Åの厚さを有する接触層パターン５５、５６、５７、５８が形成されている。単一膜は、例えばモリブデンまたはクロムなどのシリサイドまたは微細結晶化されてドーピングされたアモルファスシリコンからなる。二重膜は、例えば微細結晶化されてドーピングされたアモルファスシリコン膜及びその上のシリサイド層からなる。接触層パターン５５、５６、５７、５８は、互いに分離された４つの部分に分けることができる。そのうちの２つの部分５５、５６は、ゲート電極２６に隣接してゲート電極２６に対して互いに対向している。他の１つの部分５８は、ゲートパッド２４の周縁に位置している。他の１つの部分５７は、半導体層４７と後述する画素電極またはデータ線とが重畳する部分に位置している。
【００５３】
一方、ゲートパッド２４の上に形成されたゲート絶縁膜パターン３０、半導体層パターン４７、接触層パターン５８はゲートパッド２４を露出させる接触孔８２を有している。
【００５４】
接触層パターン５５、５６、５７、５８及び基板１０の上には、下部導電体層６２、６３、６４、６５、６６、６７と、上部導電体層７２、７４、７５、７６、７７との二重膜からなる導体パターンが形成されている（図４参照）。下部導電体層は、主にＩＴＯ（indium tin oxide）またはＩＺＯ（indium zinc oxide）などの透明導電物質からなる３００〜１，０００Åの厚さの層である。上部導電体層は、モリブデン−タングステン合金またはクロムなどの導電物質からなる１，０００〜３，５００Åの厚さの層である。
【００５５】
データ配線は、縦方向に形成されているデータ線６２、７２と、データ線６２、７２の端に連結されて外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド６４、７４と、データ線６２、７２の一部として接触層の一部分５５の上に形成されているソース電極６５、７５とからなる。ここで、データパッド６４、７４は周縁部以外の大部分が下部導電層６４のみからなっている。ゲート線２２及びデータ線６２、７２に囲まれた画素領域には画素電極６３が形成されている。接触層の一部分５６の上にはドレーン電極６６、７６が形成されている。ここで、画素電極６３は、周縁部の一部以外の大部分が下部導電層６３のみからなっている。画素電極は下部導電層６３のみからなることもできる。一方、図５に示すように、画素電極６３と、縦方向の上側に位置したゲート線２２とは、ゲート絶縁膜３０を挟んで重畳し、維持蓄電器を形成する。ゲートパッドパターン６７、７７は、ゲートパッド２４の上に形成されており、接触孔８２を通してゲートパッド２４を覆ってゲートパッド２４と外部との電気的接触を補完する役割を果たす（図４参照）。また、ゲートパッドパターン６７、７７も、周縁部の一部以外の大部分が下部導電層６７からなっている。
【００５６】
ここでは下部導電体層として透明な導電物質を使用したが、反射型液晶表示装置の場合には不透明な導電物質を使用しても差支えない。
【００５７】
図３において、接触層パターン５５、５６、５７、５８は、半導体層パターン４２、４７と下部導電体層６２、６３、６４、６５、６６、６７とが重畳する部分でその間に形成されており、半導体層パターン４２、４７と下部導電体層６２、６３、６４、６５、６６、６７との接触抵抗を減少させる役割を果たす。
【００５８】
最後に、このような構造の全面に、窒化珪素などからなる保護膜８０が１，５００〜４，０００Åの厚さで形成されている。保護膜８０及び上部導電体層７２、７４、７５、７６、７７には、開口部８１、８２、８３と、ゲート絶縁膜３０を露出させる２つの開口部８４、８５とが形成されている。開口部８１、８２、８３は、下部導電体層の画素電極６３とゲートパッドパターン６７とデータパッド６４とをそれぞれ露出させる。開口部８４、８５は、半導体層を２つの部分４２、４７に分離する役割を果たす。これにより、特に本実施形態例のように画素電極６３が前段ゲート線と重畳する前段ゲート方式の場合、図１及び３に示すように、ゲート線２２をゲートとし、データ線６２、７２をソースとし、画素電極６３をドレーンとする寄生トランジスタの発生を防止する。このように半導体層を２つの部分に分離することは前段ゲート方式のみにおいて必要なことではない。即ち、半導体層はゲート電圧が印加される場合、チャンネルを形成するため、隣接する２つのデータ線が半導体層を通して連結されている場合には２つのデータ線の間に信号の干渉が発生する。従って、このように隣接する２つのデータ線間の半導体層を分離する必要がある。また、開口部８１の大きさを画素電極６３の大きさより大きく形成すると、前述したように、画素電極６３を下部導電層のみで形成することが可能である。
【００５９】
（実施の形態１ｂ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法）
次いで、このような構造の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法について、図３〜１１に基づいて詳しく説明する。
【００６０】
図６、８、１０は、本発明の実施形態例によって製造する中間過程での薄膜トランジスタ基板の配置図であって、製造順序に沿って順に示したものである。図７（Ａ）、（ｂ）は、図６のＶＩＢ−ＶＩＢ'及びＶＩＣ−ＶＩＣ'方向から見た断面図である。図９（Ａ）、（Ｂ）は、図８のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ'及びＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ'方向から見た断面図である。図１１（Ａ）、（Ｂ）は、図１０のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ'及びＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ'方向から見た断面図である。
【００６１】
まず、図６〜７に示すように、第１マスクを利用し、ゲート線２２とゲート電極２６とゲートパッド２４とを含むゲート配線を基板１０の上に横方向に形成する。前述したように、ゲート配線２２、２４、２６はアルミニウム−ネオジム合金膜及びモリブデン−タングステン合金膜の二重層から形成することができ、この場合には乾式エッチングを利用するのが好ましい。それ以外にも、クロム（Ｃｒ）膜／アルミニウム−ネオジム合金膜の二重膜から形成することができ、この場合には湿式エッチングを利用する。
【００６２】
その次に、図８〜９に示すように、ゲート絶縁膜３０及び半導体層４０を化学気相蒸着法を利用して連続蒸着する。次いで、クロムまたはモリブデンなどシリサイドを形成し得る耐火性金属からなる金属層（図示しない）を半導体層４０の上に積層し、半導体層４０とその上の金属層との間にシリサイド層５０を形成する。その後、シリサイド層５０の上の金属層を除去する。第２マスクを利用してシリサイド層５０と半導体層４０とゲート絶縁膜３０とからなる３重層を、プラズマエッチング方法により同一形態に一度にパターニングする。この時、半導体層４０のエッチング速度がゲート絶縁膜３０のエッチング速度より十分に速くなるようにし（例えば、３：１）、傾斜が緩やかになるようにする。形成されたパターンは、図８に示すように、横方向にゲート配線２２、２４、２６に沿って形成されてゲート配線２２、２４、２６を完全に覆う。さらに、ゲートパッド２４を露出させる接触孔３１も３重層に形成する。
【００６３】
ここで、順序を変えることもできる。例えば、まず半導体層４０及びゲート絶縁膜３０をパターニングしてから耐火性金属層を蒸着し、シリサイド層５０を形成してから、再び残っている金属層を除去する順序で工程を進めることもできる。この場合には、金属層が接触孔３１を通してゲートパッド２４の直ぐ上にも形成されるため、ゲート配線をどのような物質から形成するかに応じてゲートパッド２４の構造が異なり得る。例えば、ゲート配線２２、２４、２６を二重膜に形成し、下部膜はクロムから形成し、上部膜はアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成し、金属層としてモリブデンを使用する。この場合、モリブデンはアルミニウムエッチング液でエッチングされるため、シリサイド層５０を形成してからアルミニウムエッチング液で金属層をエッチングすると、アルミニウムからなるゲートパッド２４の上部膜が共にエッチングされて下部膜が露出される。下部膜がクロム膜であるため、ＩＴＯとの接触特性が優れている。他の例としては、ゲート配線２２、２４、２６の下部膜をアルミニウムまたはアルミニウム合金から形成し、上部膜はモリブデンから形成する場合をあげることができる。この場合、金属層としてクロムを使用すると、金属層が除去される時にもゲートパッド２４の上部膜はエッチングされずに残っているため、この場合にもＩＴＯとの接触特性が優れる。
【００６４】
また、シリサイド層５０の代わりに、微細結晶化されたアモルファスシリコン層を使用することもできる。即ち、ゲート絶縁膜３０と半導体層４０と微細結晶化されたｎ型アモルファスシリコン層を積層し、この三重膜をパターニングする。
【００６５】
ドーピングされたアモルファスシリコン層とシリサイド層とは、共に接触層として用いられる。
【００６６】
次いで、図１０〜１１に示すように、ＩＴＯ膜とモリブデン−タングステン合金膜またはクロム膜とを連続して積層する。積層された膜を第３マスクを利用してパターニングし、二重膜からなるデータ線６２、７２、データパッド６４、７４、ソース電極６５、７５、ドレーン電極６６、７６、画素電極６３、７３及びゲートパッドパターン６７、７７を形成する。なお、分離された多数の接触層５５、５６、５７、５８は、シリサイド層５０のうち二重膜で覆われない部分を除去して形成される。
【００６７】
最後に、図３〜５に示すように、窒化珪素からなる保護膜８０を積層し、第４マスクを利用して乾式エッチング方法でパターニングして開口部８１、８２、８３、８４、８５を形成する。さらに、開口部８１、８２、８３、８４、８５の下に露出された画素電極６３、７３、ゲートパッドパターン６７、７７、データパッド６４、７４の上部膜及び半導体層をエッチングする。これによって、画素電極６３、７３、ゲートパッドパターン６７、７７及びデータパッド６４、７４は、大部分が下部膜６３、６７、６４のみから形成され、半導体層は２つの部分４２、４７に分離される。この時、保護膜８０及び半導体層のエッチングは、乾式エッチングを利用すると連続して行うことができる。エッチング気体としては、窒化珪素対アモルファスシリコンの比が約１０：１である塩素（Ｃｌ2）／酸素（Ｏ2）気体を使用することができる。
【００６８】
このような薄膜トランジスタ基板はこれ以外にも多様に変形された形態及び方法で製造することができ、変形された構造を有することもできる。
【００６９】
（実施の形態２ａ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板）
その一例として図１２に、本発明の第２実施形態例に係る薄膜トランジスタ基板を示す。図１２に示すように、画素電極６３がスリット形態の開口部６８を有している。これは視野角の拡張のための構成である。具体的には、開口部６８の周縁部で電場がゆがんで発生するフリンジフィールドを利用して１つの画素領域内に液晶分子の平均長軸方向が異なる多数の微細領域を形成することによって、視野角を拡張する。このような開口部は、１つの画素電極６３内に多数形成可能である。
【００７０】
（実施の形態２ｂ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法）
本発明によると、４枚のマスクを利用して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造すると共にゲートパッドを保護することができ、液晶表示装置の漏洩電流を効果的に防止することができる。
【００７１】
次いで、三重層をエッチングする写真エッチング工程で透過率を部分的に異なるように調節し得るマスクを使用して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する方法において、マスク数を減少させる方法について詳しく説明する。この場合、前記の実施形態例と異なり、ゲート絶縁膜パターンと半導体層パターンと接触層パターンとが互いに異なる形態に形成される。
【００７２】
本実施形態例では、ゲートパッドを露出させる接触孔をゲート絶縁膜に形成するときに、ゲート絶縁膜を半導体層及びその上の接触層と共にパターニングする。このパターニングにより、画面表示部では半導体層及び接触層のみが除去されてゲート絶縁膜が残り、ゲートパッド部ではゲート絶縁膜が完全に除去される。
【００７３】
（実施の形態３ａ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板）
図１３〜１５は、本発明の第３実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタを示した図面である。図１３は配置図を示す。図１４及び図１５は、それぞれ図１３のＸＩ−ＸＩ'線方向及びＸＩＩ−ＸＩＩ'線方向から見た断面図である。
【００７４】
図１４に示すように、アルミニウムまたはアルミニウム合金、モリブデンまたはモリブデン−タングステン合金、クロム、タンタル などの金属または導電体からなるゲート配線が、絶縁基板１０の上に形成されている。ゲート配線は、横方向に伸びている走査信号線またはゲート線２２と、ゲートパッド２４と、薄膜トランジスタのゲート電極２６とを含む。ゲートパッド２４は、ゲート線２２の端に連結されていて外部から走査信号の印加を受けてゲート線２２に伝達する。薄膜トランジスタのゲート電極２６は、ゲート線２２の一部である。
【００７５】
ゲート配線２２、２４、２６は、単一層から形成されてもよいし、二重層または三重層から形成されてもよい。二重層以上に形成する場合には、１つの層は抵抗が小さな物質から形成し、他の層は他の物質との接触特性が良好な物質から形成するのが好ましい。例えば、Ｃｒ／Ａｌ（またはＡｌ合金）の二重層またはＡｌ／Ｍｏの二重層が挙げられる。
【００７６】
ゲート配線２２、２４、２６の上には、窒化珪素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜３０が形成され、ゲート配線２２、２４、２６を覆っている。
【００７７】
ゲート絶縁膜３０の上には水素化アモルファスシリコンなどの半導体からなる半導体層パターン４２、４８が形成されている。半導体層パターン４２、４８の上には、シリサイドなどからなる接触層パターンまたは中間層パターン５５、５６、５７、５９が形成されている。
【００７８】
一方、半導体層パターン４２、４８及び接触層パターン５５、５６、５７、５９は、画面表示部の内部ではゲート電極２６の上部などゲート配線２２、２４、２６と後述するデータ配線とが交差する部分に形成されており、周辺部では全体にわたって形成されている。ただし、ゲートパッド２４の上の接触層パターン５７、半導体層パターン４８及びゲート絶縁膜３０には、ゲートパッド２４を露出させる接触孔８２が形成されている。
【００７９】
接触層パターン５５、５６、５７、５９の上には、ＩＴＯ（indium tin oxide）のような透明または不透明な導電物質からなる第１データ層パターン６２、６３、６４、６５、６６、６７が形成されている。その上には、ＭｏまたはＭｏＷ合金、Ｃｒ、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔａなどの導電物質からなる第２データ層パターン７２、７４、７５、７６、７７からなるデータ配線が形成されている。データ配線は、データ線６２、７２と、データパッド６４、７４と、データ線部とを含む。データ線６２、７２は縦方向に形成されている。データパッド６４、７４は、データ線６２、７２の一端に連結され、外部からの画像信号の印加を受ける。データ線部は、データ線６２、７２の一部である薄膜トランジスタのソース電極６５、７５からなる。また、データ配線は、薄膜トランジスタのドレーン電極６６、７６と、画素電極６３と、補助ゲートパッド６７、７７とを含む。ドレーン電極６６、７６は、データ線部と分離されていて、ゲート電極２６に対してソース電極６５、７５の反対側に位置する。画素電極６３はドレーン電極６６、７６と連結されている。補助ゲートパッド６７、７７は、接触孔８２を通してゲートパッド２４の直ぐ上に形成され、ゲートパッド２４を覆う。ここで、データ線６２、７２、ソース電極６５、７５、ドレーン電極６６、７６は二重層から形成されている。補助ゲートパッド６７、７７及びデータパッド６４、７４は、一部が二重層から形成され、残りは第１データ層パターン６７、６４の単一層から形成されている。画素電極６３は、第１データ層パターン６７、６４の単一層から形成されている。
【００８０】
一方、画素電極６３とゲート線２２とは、重畳して維持畜電器を形成する。
【００８１】
第２データ層パターン７２、７４、７５、７６、７７は、ゲート配線２２、２４、２６と同様に単一層から形成しても、二重層または三重層から形成してもよい。勿論、二重層以上に形成する場合には、１つの層を抵抗が小さな物質から形成し、他の層を他の物質との接触特性が良好な物質から形成するのが好ましい。
【００８２】
接触層パターン５５、５６、５７、５９は、その下部の半導体層パターン４２、４８と、その上部の第１データ層パターン６２、６３、６４、６５、６６、６７との接触抵抗を減少させる役割を果たす。接触層パターンは、半導体層パターン４２、４８と第１データ層パターン６２、６３、６４、６５、６６、６７との間にのみ存在する。
【００８３】
第２データ層パターン７２、７４、７５、７６、７７及びデータ配線で覆われない半導体層パターン４２、４８は、保護膜８０で覆われている。保護膜８０は、半導体層パターン４２のうちの少なくともソース電極７５とドレーン電極７６との間に位置するチャンネル部分を覆って保護する役割を果たす。保護膜８０は、窒化珪素またはアクリル系などの有機絶縁物質から形成可能である。
【００８４】
ここでは、画素電極６３の材料の例として透明なＩＴＯをあげたが、反射型液晶表示装置の場合には不透明な導電物質を使用しても差支えない。
【００８５】
（実施の形態３ｂ：液晶表示装置用基板の製造方法）
次いで、本発明の実施形態例に係る液晶表示装置用基板の製造方法について、図１６〜２９及び前述の図１３〜１５に基づいて詳しく説明する。
【００８６】
まず、図１６〜１８に示すように、金属などの導電体層をスパッタリングなどの方法で１，０００〜３，０００Åの厚さに蒸着する。蒸着膜を、第１マスクを利用して乾式または湿式エッチングし、基板１０の上にゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含むゲート配線を形成する。
【００８７】
次いで、図１９〜２１に示すように、ゲート絶縁膜３０及び半導体層４０を、化学気相蒸着法を用いてそれぞれ１，５００〜５，０００Å、５００〜１，５００Åの厚さに連続して蒸着する。次いで、半導体層４０と反応してシリサイドを形成することができる物質、例えばクロムなどの耐火性金属をスパッタリングなどの方法で蒸着し、半導体層４０の上に３００〜６００Åの厚さのシリサイド層５０を形成する。その後、残った金属層を除去する。第２マスクを用いてシリサイド層５０と半導体層４０とゲート絶縁膜３０とをパターニングし、半導体層パターン４２、４８とその上のシリサイドパターン５２、５８及び接触孔３１（図２５、２６参照）を形成する。この時、図２０に示す周辺部Ｐでは、ゲートパッド２４の上のシリサイド層５０、半導体層４０及びゲート絶縁膜３０を除去するが、画面表示部Ｄでは半導体層パターン４２、４８及びその上部のシリサイドパターン５２、５８以外の部分では半導体層４０及びシリサイド層５０のみを除去してゲート絶縁膜３０は除去されないようにする。このようにするために、部分に応じて厚さが異なる感光膜パターンを形成し、これをエッチングマスクとして下部の膜を乾式エッチングする。これを図２０〜２６に基づいて詳しく説明する。
【００８８】
まず、シリサイド層５０の上に感光膜ＰＲ、好ましくは陽性の感光膜を５，０００〜３０，０００Åの厚さに塗布する。その後、第２マスク３００、４１０、４２０を通して感光膜を露光する。露光後の感光膜ＰＲの状態は、図２０及び２１に示すように画面表示部Ｄと周辺部Ｐとで異なる。即ち、画面表示部Ｄの感光膜ＰＲのうち露光された部分Ｃは、表面から一定の深さまでだけが光に反応して高分子が分解され、その下には高分子がそのまま残っている。周辺部Ｐの感光膜ＰＲはこれと異なり、露光された部分Ｂは下部まで全て光に反応して高分子が分解された状態になる。ここで、画面表示部Ｄや周辺部Ｐの露光される部分Ｃ，Ｂはシリサイド層５０が除去される部分である。
【００８９】
このためには、画面表示部Ｄに使用するマスク３００と周辺部Ｐに使用するマスク４１０、４２０との構造を変更すればよい。ここでは３つの方法を提示する。
【００９０】
図２２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、マスク３００、４００は通常、基板３１０、４１０と、その上のクロムなどからなる不透明なパターン層３２０、４２０と、パターン層３２０、４２０及び露出された基板３１０、４１０を覆っているペリクル３３０、４３０とからなる。このマスクにおいて、例えば画面表示部Ｄに使用されるマスク３００のペリクル３３０の光透過率が、周辺部Ｐに使用されるマスク４００のペリクル４３０の光透過率より低くなるように形成する。例えば、ペリクル３３０の透過率がペリクル４３０の透過率の１０〜８０％、好ましくは２０〜６０％程度の範囲であるようにする。
【００９１】
別の方法として、図２３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、画面表示部Ｄのマスク３００には全面にわたってクロム層３５０を約１００〜３００Åの厚さで形成して透過率を低下させる。一方、周辺部Ｐのマスク４００にはこのようなクロム層を形成しない。このようなマスク３００，４００を用いる場合、画面表示部Ｄ用マスク３００のペリクル３４０と、周辺部Ｐ用マスク４００のペリクル４３０とで、透過率を同一にすることが出来る。
【００９２】
ここで、前記２つの方法を混用して使用することができるのは勿論である。
【００９３】
前記２つの例はステッパーを使用した分割露光の場合に適用し得るものであって、画面表示部Ｄと周辺部Ｐとが異なるマスクを使用して露光されるため可能なものである。このように分割露光する場合には、その他にも画面表示部Ｄと周辺部Ｐとの露光時間を異にすることによって厚さを調節することもできる。
【００９４】
しかし、画面表示部Ｄと周辺部Ｐとを分割露光せずに１つのマスクを使用して露光することもできる。この場合に適用され得るマスクの構造を、図２４に基づいて詳しく説明する。
【００９５】
図２４に示すように、マスク５００の基板５１０の上には透過率調節膜５５０が形成されている。透過率調節膜５５０の上には、パターン層５２０が形成されている。透過率調節膜５５０は、画面表示部Ｄではパターン層５２０の下部だけでなく全面にわたって形成されているが、周辺部Ｐではパターン層５５０の下部のみに形成されている。結局、基板５１０の上には高さが異なる２つ以上のパターンが形成されている。
【００９６】
勿論、周辺部Ｐに透過率調節膜を形成することもできる。この場合、周辺部Ｐの透過率調節膜の透過率は画面表示部Ｄの透過率調節膜５５０の透過率より高い透過率を有しなければならない。
【００９７】
このような透過率調節膜５５０を有する光マスク５００の製造は、以下のようにして行われる。まず、透過率調節膜５５０と、この透過率調節膜５５０とエッチング比が異なるパターン層５２０とを、基板５００の上に連続して積層する。全面にわたって感光膜（図示しない）を塗布して露光及び現像してから感光膜をエッチングマスクとしてパターン層５２０をエッチングする。残っている感光膜を除去し、再び周辺部Ｐの接触孔に対応する位置の透過率調節膜を露出させる新たな感光膜パターン（図示しない）を形成する。その後、新たな感光膜パターンをエッチングマスクとして透過率調節膜５５０をエッチングし、光マスク５００を完成する。
【００９８】
このような方法以外にも、露光器の分解能より小さな大きさのスリットまたは格子形態の微細パターンを有するマスクを使用して透過率を調節することもできる。
【００９９】
結局、１つのマスクを利用する場合には、画面表示部Ｄと周辺部Ｐとを区分する必要がなく、接触孔３１に対応する第１領域と、半導体パターン４２、４８に対応する第２領域と、第１及び第２領域を除いた第３領域との透過率を異なるように調節することができるマスクを利用すれば良い。これによって、図２０に示すように、微小な第１部分Ｂと、第１の厚さを有する第２部分Ａと、第１の厚さより薄い第２の厚さを有する第３部分Ｃとを有する感光膜ＰＲを形成することができる。
【０１００】
しかし、感光膜ＰＲのうち、下部の反射率が高い金属層、即ち、ゲート配線２２、２４、２６が位置する部分は、反射された光によって露光時に他の部分より光の照射量が多くなるおそれがある。これを防止するために、下部からの反射光を遮断する層を形成したり着色された感光膜ＰＲを使用することができる。
【０１０１】
このような方法で感光膜ＰＲを露光してから現像すると、図１９及び２０に示すように、厚さが異なる感光膜パターンＰＲが形成される。即ち、ゲートパッド２４の一部の上には感光膜が形成されておらず、ゲートパッド２４以外の全ての周辺部Ｐ及び画面表示部Ｄの半導体層パターンが形成される部分のシリサイド層５０の上部には厚い感光膜Ａが形成されており、画面表示部Ｄの他の部分には薄い感光膜Ｂが形成されている。
【０１０２】
この時、感光膜ＰＲの薄い部分の厚さは、最初の厚さの約１／４〜１／７程度、即ち３５０〜１０，０００Å程度、より好ましくは１，０００〜６，０００Åになる。例えば、感光膜ＰＲの最初の厚さを２５，０００〜３０，０００Åとし、画面表示部Ｄの透過率を３０％として、薄い感光膜の厚さが３，０００〜５，０００Åになるようにすることができる。しかし、残す厚さは乾式エッチングの工程条件によって決定されなければならないので、このような工程条件によってマスクのペリクル、残留クロム層の厚さ、透過率調節膜の透過率または露光時間などを調節しなければならない。
【０１０３】
このような薄い厚さの感光膜は通常の方法で感光膜を露光、現像した後でリフローを通じて形成することもできる。
【０１０４】
次いで、乾式エッチング方法で感光膜パターンＰＲ及びその下部の膜、即ち、シリサイド層５０、半導体層４０、ゲート絶縁膜３０に対するエッチングを進める。
【０１０５】
この時、前述したように、感光膜パターンＰＲのうちのＡ部分は完全に除去されずに残っていなければならず、Ｂ部分の下部のシリサイド層５０、半導体層４０、ゲート絶縁膜３０は除去されなければならず、Ｃ部分の下部においてはシリサイド層５０及び半導体層のみを除去してゲート絶縁膜３０は除去されないようにする。
【０１０６】
このためには、感光膜パターンＰＲとその下部の膜とを同時にエッチングすることができる乾式エッチング方法を使用するのが好ましい。即ち、乾式エッチング方法を使用すると、図２５及び２６に示すように、感光膜が存在しないＢ部分の下部のシリサイド層５０、半導体層４０、ゲート絶縁膜３０の３層と、Ｃ部分の薄い感光膜、シリサイド層５０、半導体層４０の３つの層とを同時にエッチングすることができる。この時、感光膜パターンＰＲのＡ部分もある程度の厚さまでエッチングされる。
【０１０７】
従って、一回のマスク工程及び乾式エッチング方法を通して、画面表示部Ｄではシリサイド層５０及び半導体層４０のみを除去してシリサイド層パターン５２、５８及び半導体層パターン４２、４８を形成し、周辺部Ｐではシリサイド層５０、半導体層４０及びゲート絶縁膜３０を全て除去して接触孔３１を形成することができる。
【０１０８】
次いで、残っているＡ部分の感光膜パターンを除去し、厚さ４００〜５００ÅのＩＴＯ層及び厚さ１，５００〜３，０００Åの導電体層を、スパッタリングなどの方法で蒸着する。次いで、第３マスクを使用して導電体層、ＩＴＯ層及びその下のシリサイドパターン５２、５８をパターニングし、図２７〜２９に示す構造のデータ配線及びその下部の接触層パターン５５、５６、５７、５９を形成する。この時、データ配線はまだ完成していない状態であるので、２つの層が同一形態を有している。
【０１０９】
次いで、図１３〜１５に示すように、窒化珪素をＣＶＤ方法で蒸着するか有機絶縁物質をスピンコーティングして厚さ３，０００Å以上の保護膜８０を積層した後、第４マスクを利用してパターニングする。この時、保護膜８０は画素電極６３、補助ゲートパッド６７及びデータパッド６４の上部層、即ち、第２データ層パターン７３、７７、７４の一部が露出されるようにパターニングされなければならない。
【０１１０】
最後に、第２データ層パターン７３、７７、７４のうちの露出された部分を除去して薄膜トランジスタ基板を完成する。
【０１１１】
ここでも、画素電極６３を露出させる開口部を、図３に示すように形成することができる。このとき、画素電極の周縁は開口部により露出され、開口部を通して露出されたゲート絶縁膜パターン３０をエッチングする工程を追加することができる。
【０１１２】
このように、本実施形態例では、ゲートパッド２４を露出させる接触層３１を半導体層パターン４２、４８及びその上のシリサイドパターン５２、５８と共に１つのマスクを使用して形成することによってマスク数を減少させる。
【０１１３】
一方、前記実施形態例では薄膜トランジスタ基板に画素電極のみが備えられている場合を例としてあげたが、このような方法は画素電極及び共通電極が薄膜トランジスタ基板に全て備えられている場合にも適用され得る。
【０１１４】
（参考の形態４ａ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板）
このような場合が以下に説明しようとする本発明の第４実施形態例に示されている。これを図３０〜４１に基づいて詳しく説明する。
【０１１５】
図３０は、本発明の第４実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。図３１及び３２は、図３０のＸＸＩ−ＸＸＩ'線及びＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ'線に沿って切断した場合の断面図である。
【０１１６】
絶縁基板１０の上に、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ alloy）、モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）合金、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）などの金属または導電体からなるゲート配線が形成されている。ゲート配線は、横方向に伸びている走査信号線またはゲート線２２、ゲート線２２の端に連結され外部から印加される走査信号をゲート線２２に伝達するゲートパッド２４及びゲート線２２の一部である薄膜トランジスタのゲート電極２６を含む。
【０１１７】
基板１０の上にはゲート配線と同一な物質からなる共通電極配線が形成されている。共通電極配線は、ゲート線２２と平行に横方向に伸びている共通電極線２７と共通電極線２７の縦方向分枝である共通電極２８とを含む。図示してはいないが、共通電極線２７の端に形成され、印加される共通電極信号を共通電極線２７に伝達する共通電極線パッドもゲートパッド２４とほぼ同一な形態に形成されている。
【０１１８】
ゲート配線２２、２４、２６及び共通電極配線２７、２８ の上には、窒化珪素（ＳｉＮX）などからなるゲート絶縁膜３０が形成され、ゲート配線２２、２４、２６及び共通電極配線２７、２８を覆っている。
【０１１９】
ゲート絶縁膜３０の上には水素化アモルファスシリコンなどの半導体からなる半導体層パターン４２、４４、４８が形成されている。半導体層パターン４２、４４、４８の上にはリン（Ｐ）などのｎ形不純物でドーピングされた水素化アモルファスシリコンやシリサイドなどからなる接触層パターン５４、５５、５６、５９が形成されている。
【０１２０】
一方、半導体層パターン４２、４４、４８は、画面表示部の内部では、ゲート電極２６の上部などゲート配線２２、２４、２６及び共通電極配線２７、２８と後述するデータ配線とが交差する部分に形成されている。また、周辺部では全体にわたって形成されている。ただ、半導体層パターン４８及びゲート絶縁膜３０にはゲート電極２６を露出させる接触孔３１が形成されている。
【０１２１】
接触層パターン５４、５５、５６、５９の上には、ＭｏまたはＭｏＷ合金、Ｃｒ、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔａなどの導電物質からなるデータ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９が形成されている。データ配線は、まず、縦方向に形成されているデータ線７２と、データ線７２の一端に連結されて外部から画像信号の印加を受けるデータパッド７４と、データ線７２の一部である薄膜トランジスタのソース電極７５とからなるデータ線部とを含む。さらに、データ配線は、データ線部７２、７４、７５と分離されていて、ゲート電極２６に対してソース電極７５の反対側に位置する薄膜トランジスタのドレーン電極７６を含む。また、データ配線は、ドレーン電極７６と連結されていて、共通電極線２７と平行な横方向の画素電極線７９と、画素電極線７９に連結されていて共通電極２８と平行な画素電極７８とを含む。画素電極７８と共通電極２８とは交互に配置されて電場を形成する。
【０１２２】
一方、画素電極７８は共通電極線２７と重畳して維持畜電器を形成可能である。
【０１２３】
データ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９もゲート配線２２、２４、２６及び共通電極配線２７、２８と同様に単一層から形成可能であるが、二重層または三重層から形成してもよい。勿論、二重層以上に形成する場合には一層は抵抗の小さな物質から形成し、他の層は他の物質との接触特性が良好な物質から形成するのが好ましい。
【０１２４】
接触層パターン５４、５５、５６、５９は、その下部の半導体層パターン４２、４４、４８とその上部のデータ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９との接触抵抗を低下させる役割を果たす。この接触層パターンは、半導体層パターン４２、４４、４８とデータ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９との間にのみ存在する。
【０１２５】
データ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９及びデータ配線で覆われない半導体層パターン４２、４４、４８は、保護膜８０で覆われており、ゲートパッド２４及びデータパッド７４を露出させる接触孔８２、８３を有している。保護膜８０は、半導体層パターン４２のうちの少なくともソース電極７５とドレーン電極７６との間に位置するチャンネル部分を覆って保護する役割を果たし、窒化珪素またはアクリル系などの有機絶縁物質から形成可能である。
【０１２６】
（参考の形態４ｂ：液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法）
次いで、本発明の実施形態例に係る液晶表示装置用基板の製造方法について、図３３〜４１及び前述の図３０〜３２に基づいて詳しく説明する。
【０１２７】
まず、図３３〜３５に示すように、金属などの導電体層をスパッタリングなどの方法で厚さ１，０００〜３，０００Åに蒸着し、第１マスクを利用して乾式または湿式エッチングする。これにより、基板１０の上にゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含むゲート配線と、共通電極線２７、共通電極線パッド（図示しない）及び共通電極２８を含む共通電極配線とを形成する。
【０１２８】
次いで、図３６及び３７に示すように、ゲート絶縁膜３０、アモルファスシリコン層４０及びドーピングされたアモルファスシリコン層５０を、化学気相蒸着法を利用してそれぞれ厚さ１，５００Å〜５，０００Å、５００Å〜１，５００Å、３００Å〜６００Åに連続して蒸着する。第２マスクを使用してドーピングされたアモルファスシリコン層５０、アモルファスシリコン層４０及びゲート絶縁膜３０をパターニングし、半導体層パターン４２、４４、４８とその上のドーピングされたアモルファスシリコン層パターン５２、５４、５８と接触孔３１とを形成する。この時、周辺部Ｐでは、ゲートパッド２４の上のドーピングされたアモルファスシリコン層５０、アモルファスシリコン層４０及びゲート絶縁膜３０を除去し、画面表示部Ｄでは半導体層パターン４２、４４、４８及びその上部のドーピングされたアモルファスシリコン層パターン５２、５４、５８以外の部分から半導体層４０及びドーピングされたアモルファスシリコン層５０のみを除去し、ゲート絶縁膜３０は除去されないようにしなければならない。
【０１２９】
これに使用される方法は第３実施形態例と同一である。即ち、部分に応じて厚さが異なる感光膜パターンを形成し、これをエッチングマスクとして下部の膜を乾式エッチングする。このような感光膜パターンを形成するときには、部分に応じて光透過率が異なるマスクを使用する。
【０１３０】
次いで、金属などの導電体層をスパッタリングなどの方法で厚さ１，５００〜３，０００Åに蒸着する。次いで、第３マスクを使用して導電体層及びその下のドーピングされたアモルファスシリコン層パターン５２、５４、５８をパターニングし、図３９〜４１に示す構造のデータ配線７２、７４、７５、７６、７７、７８、７９及びその下部の接触層パターン５４、５５、５６、５９を形成する。
【０１３１】
最後に、図３０〜３２に示すように、窒化珪素をＣＶＤ方法で蒸着するか有機絶縁物質をスピンコーティングすることにより、厚さ３，０００Å以上の保護膜８０を積層する。その後、第４マスクを利用してパターニングして、ゲートパッド２４、共通電極線パッド及びデータパッド７４を露出させる接触孔８２、８３を形成することによって薄膜トランジスタ基板を完成する。
【０１３２】
勿論、第１実施形態例のような製造方法でも、部分的に透過率を異なるように調節することができるマスクを利用すると、接触孔３１以外の部分にゲート絶縁膜３０を残し、薄膜トランジスタの半導体パターン４２のみを残すことができる。
【０１３３】
このように、本実施形態例では、ゲートパッド２４を露出させる接触孔３１を半導体層パターン４２、４４、４８及びその上のドーピングされたアモルファスシリコン層パターン５２、５４、５８と共に１つのマスクを使用して形成することによって、マスク数を減少させることができる。
【０１３４】
【発明の効果】
以上のように、本発明は薄膜の新たな写真エッチング方法を通して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造工程数を減少させ、工程を単純化して製造原価を低くすると共に収率を向上させる。また、広い面積を互いに異なる深さにエッチングすると共に、１つのエッチングの深さに対しては均一なエッチングの深さを有することができるようにする。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態例によって液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製造するための基板の領域を区分して示した図面である。
【図２】  本発明の実施形態例によって１つの液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板に形成された素子及び配線を概略的に示した配置図である。
【図３】  本発明の第１実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板であって、図２の１つの画素及びパッドを中心にして拡大した図面である。
【図４】  図３に示した薄膜トランジスタ基板のＩＶ−ＩＶ線の断面図である。
【図５】  図３に示した薄膜トランジスタ基板のＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】  本発明の実施形態例によって製造する中間過程での薄膜トランジスタ基板の配置図であって、製造順序に従って順に示した図面である。
【図７】（Ａ）  図６のＶＩＢ−ＶＩＢ線に沿った断面図である。
（Ｂ）  図６のＶＩＣ−ＶＩＣ線に沿った断面図である。
【図８】  本発明の実施形態例によって製造する中間過程での薄膜トランジスタ基板の配置図であって、製造順序に従って順に示した図面である。
【図９】（Ａ）  図８のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線に沿った断面図である。
（Ｂ）  図８のＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線に沿った断面図である。
【図１０】  本発明の実施形態例によって製造する中間過程での薄膜トランジスタ基板の配置図であって、製造順序に従って順に示した図面である。
【図１１】（Ａ）  図１０のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線に沿った断面図である。
（Ｂ）  図１０のＶＩＩＩＣ−ＶＩＩＩＣ線に沿った断面図である。
【図１２】  本発明の第２実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１３】  本発明の第３実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１４】  図１３に示した薄膜トランジスタ基板のＸＩ−ＸＩ’線に沿った断面図である。
【図１５】  図１３に示した薄膜トランジスタ基板のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿った断面図である。
【図１６】  本発明の実施形態例によって製造する第１段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図１７】  図１６のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ’線に沿った断面図である。
【図１８】  図１６のＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ’線に沿った断面図である。
【図１９】  図１６〜１８の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２０】  図１９のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ’線に沿った断面図である。
【図２１】  図１９のＸＩＶＣ−ＸＩＶＣ’線に沿った断面図である。
【図２２】（Ａ），（Ｂ）  図１９〜２１の段階で使用される光マスクの構造を示した断面図である。
【図２３】（Ａ），（Ｂ）  図１９〜２１の段階で使用される光マスクの構造を示した断面図である。
【図２４】  図１９〜２１の段階で使用される光マスクの構造を示した断面図である。
【図２５】  図１９のＸＩＶＢ−ＸＩＶＢ’線に沿った断面図であって、図２０及び２１の次の段階での断面図である。
【図２６】  図１９のＸＩＶＣ−ＸＩＶＣ’線に沿った断面図であって、図２０及び２１の次の段階での断面図である。
【図２７】  図２５〜２６の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２８】  図２７のＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ’線に沿った断面図である。
【図２９】  図２７のＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ’線に沿った断面図である。
【図３０】  本発明の第４実施形態例に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図３１】  図３０に示した薄膜トランジスタ基板のＸＸＩ−ＸＸＩ’線に沿った断面図である。
【図３２】  図３０に示した薄膜トランジスタ基板のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ’線に沿った断面図である。
【図３３】  本発明の実施形態例によって製造する第１段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図３４】  図３３のＸＸＩＩＩＢ−ＸＸＩＩＩＢ’線に沿った断面図である。
【図３５】  図３３のＸＸＩＩＩＣ−ＸＸＩＩＩＣ’線に沿った断面図である。
【図３６】  図３３〜３５の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図３７】  図３６のＸＸＩＶＢ−ＸＸＩＶＢ’線に沿った断面図である。
【図３８】  図３６のＸＸＩＶＣ−ＸＸＩＶＣ’線に沿った断面図である。
【図３９】  図３６〜３８の次の段階での薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図４０】  図３６のＸＸＶＢ−ＸＸＶＢ’線に沿った断面図である。
【図４１】  図３６のＸＸＶＣ−ＸＸＶＣ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
３  薄膜トランジスタ
４  ゲート線ショートバー
５  データ線ショートバー
６  ショートバー連結部
７  接触孔
１０  基板
２２  ゲート線
２４  ゲートパッド
２６  ゲート電極
３０  ゲート絶縁膜
３１  接触孔
４２、４７  半導体層パターン
５５、５６、５７、５８  接触層パターン
６３  画素電極
６２、７２  データ線
６４、７４  データパッド
６５、７５  ソース電極
６７、７７  ゲートパッドパターン
８４、８５  開口部
１１０、１２０、１３０、１４０  パネル領域
１１１、１２１、１３１、１４１  画面表示部
１１２、１２２、１３２、１４２  周辺部
【図１】
0004801828.tif 000002
【図２】
0004801828.tif 000003
【図３】
0004801828.tif 000004
【図４】
0004801828.tif 000005
【図５】
0004801828.tif 000006
【図６】
0004801828.tif 000007
【図７】
0004801828.tif 000008
【図８】
0004801828.tif 000009
【図９】
0004801828.tif 000010
【図１０】
0004801828.tif 000011
【図１１】
0004801828.tif 000012
【図１２】
0004801828.tif 000013
【図１３】
0004801828.tif 000014
【図１４】
0004801828.tif 000015
【図１５】
0004801828.tif 000016
【図１６】
0004801828.tif 000017
【図１７】
0004801828.tif 000018
【図１８】
0004801828.tif 000019
【図１９】
0004801828.tif 000020
【図２０】
0004801828.tif 000021
【図２１】
0004801828.tif 000022
【図２２】
0004801828.tif 000023
【図２３】
0004801828.tif 000024
【図２４】
0004801828.tif 000025
【図２５】
0004801828.tif 000026
【図２６】
0004801828.tif 000027
【図２７】
0004801828.tif 000028
【図２８】
0004801828.tif 000029
【図２９】
0004801828.tif 000030
【図３０】
0004801828.tif 000031
【図３１】
0004801828.tif 000032
【図３２】
0004801828.tif 000033
【図３３】
0004801828.tif 000034
【図３４】
0004801828.tif 000035
【図３５】
0004801828.tif 000036
【図３６】
0004801828.tif 000037
【図３７】
0004801828.tif 000038
【図３８】
0004801828.tif 000039
【図３９】
0004801828.tif 000040
【図４０】
0004801828.tif 000041
【図４１】
0004801828.tif 000042