(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周部分の導電性がそれよりも内側部分の導電性に比べて相対的に小さい多孔質セラミック板からなり、前記外周部分の体積固有抵抗は１０５Ωｍ〜１０１０Ωｍ、前記内側部分の体積固有抵抗は１０１Ωｍ〜１０５Ωｍであることを特徴とする電解めっき装置用めっき液保持部材。
【請求項２】
前記多孔質セラミック板は多孔質炭化珪素板であることを特徴とする請求項１に記載の電解めっき装置用めっき液保持部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解めっき装置用めっき液保持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ上に配線を形成する手法、とりわけ近年においては半導体ウェハ上に銅配線を形成する手法として、電解めっき装置を用いた電解銅めっきに注目が集められている。
【０００３】
従来における一般的な電解めっき装置では、めっき槽内にめっき液を満たした状態でめっき液に半導体ウェハを浸漬するとともに、半導体ウェハ側に陰極を接続して電気を流すことにより、成膜を行うようになっている。
【０００４】
しかしながら、このような従来装置を用いてファインかつ均一な銅配線を形成するためには、例えば、めっき液を流動させたり、陰極と陽極との距離をある程度確保しておく必要があった。このため、装置が巨大化する傾向にあった。また、この従来装置の場合、１回の成膜に必要なめっき液の量が多く、半導体の低コスト化を達成するうえで不利であった。
【０００５】
そこで最近では、上記の問題を解消しうる次世代の電解めっき装置が提案されるに至っている。この新しい電解めっき装置は、めっき液供給部、陰極、陽極、めっき液保持部材等を備えている。めっき供給部の下端部には陽極が設けられている。陽極にはめっき液を通過させるためのスリットが形成されている。陽極の下面側には、多孔質アルミナからなるめっき液保持部材が設けられている。一方、陰極には半導体ウェハが接触した状態で支持される。半導体ウェハの上面と、めっき液保持部材の下面とは、僅かな間隙を隔てて対向した状態となる。
【０００６】
従って、めっき液供給部に供給されてきためっき液は、陽極のスリットを通過してめっき液保持部材に到った後、めっき液保持部材の気孔を介して半導体ウェハ側に供給される。この状態で電極間に通電を行うことにより半導体ウェハ上に電解めっきが施され、静止浴であってもファインな銅配線が形成されるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来装置の場合、１枚の半導体ウェハ内において外周部と中心部とで銅めっきの析出度合いにばらつきが生じる場合があった。このため、均一な膜厚の銅配線を確実に得ることができる装置が望まれていた。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる電解めっき装置用めっき液保持部材を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本願発明者が鋭意研究を行ったところ、半導体ウェハの外周部のほうが中心部に比べてめっきレートが高くなる傾向にあること、及び外周部に形成されるめっき層のほうが厚くなる傾向にあることを新たに知見した。また、本願発明者は、めっき液保持部材がたとえ単一物質からなるものであったとしても、外周部分のほうがそれより内側の部分よりも電気が流れやすくなることが、めっきレートの差異をもたらす原因であることも同様に知見した。そこで、本願発明者はこれらの知見に基づき、最終的に下記の発明を想到するに至ったのである。
【００１０】
即ち、請求項１に記載の発明では、外周部分の導電性がそれよりも内側部分の導電性に比べて相対的に小さい多孔質セラミック板からなり、前記外周部分の体積固有抵抗は１０５Ωｍ〜１０１０Ωｍ、前記内側部分の体積固有抵抗は１０１Ωｍ〜１０５Ωｍであることを特徴とする電解めっき装置をその要旨とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記多孔質セラミック板は多孔質炭化珪素板であるとした。
【００１２】
以下、本発明の「作用」について説明する。
請求項１に記載の発明によると、めっき液保持部材の外周部分の導電性をそれよりも内側部分の導電性に比べて相対的に小さくしたことにより、めっきレートの差異が解消される。従って、１枚の半導体ウェハ内において外周部と中心部とでめっきの析出度合いが揃いやすくなり、均一な膜厚の銅配線を確実に得ることができる。また、両部分の体積固有抵抗の値を上記好適範囲内にて設定したことにより、高コスト化を伴うことなく均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる。
外周部分の体積固有抵抗が１０５Ωｍ未満であると、内側部分の導電性との差が十分でなくなり、めっきレートの差異を確実に解消することができなくなる。逆に１０１０Ωｍを超えるものであると、導電性が小さくなりすぎて電気が流れにくくなる結果、めっきレートが過度に小さくなってしまう。このため、かえって膜厚がばらつくおそれがある。内側部分の体積固有抵抗が１０１Ωｍ未満のものを実現しようとすると、材料の選定や焼成条件の設定等が難しくなって、製造コストが高騰するおそれがあるばかりか、多孔性が損なわれるおそれもある。逆に１０５Ωｍを超える場合には、電気伝導性が低くなりすぎてしまい、めっき液保持部材が実質的に陽極として機能しなくなるおそれがある。
【００１３】
請求項２に記載の発明によると、耐食性に優れた多孔質炭化珪素板を用いためっき液保持部材であるため、当該部材がめっき液により侵蝕されにくくなり、めっき液中への不純物の溶出が防止される。これによりめっき液の組成劣化が回避され、めっきの析出挙動が安定化する。また、多孔質アルミナに比べて電気伝導性に優れた多孔質炭化珪素を用いためっき液保持部材であるため、当該部材が実質的に陽極としての役割を果たすようになる。よって、擬似的な陽極である当該部材が被めっき物に対してより近接した状態となり、被めっき物付近のめっき液に強くかつ安定した電界を与えることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態の電解銅めっき装置１を図１〜図３に基づき詳細に説明する。
【００１８】
この電解銅めっき装置１を構成する陰極２は、上端側にいくほど拡径する円環状の部材であって、その下端側にはフランジ３が形成されている。陰極２は例えば導電性の金属材料を用いて形成されている。陰極２の下端側開口部４の径は、被めっき物である半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）５の径よりも若干小さめに設定されている。半導体ウェハ５は図示しないステージにより下方側からフランジ３に対して押圧される。その結果、半導体ウェハ５の上面側外周部がフランジ３の下面側に密着し、この状態で半導体ウェハ５が保持されるようになっている。このとき、陰極２はいわば有底状となるため、半導体ウェハ５の上面側にできる領域には電解銅めっき液１５が溜まるようになっている。
【００１９】
一方、この電解銅めっき装置１を構成するホルダ１２は、使用時において、陰極２の上方において近接した状態で配置される。ホルダ１２の下端側には開口部１３が設けられており、その開口部１３付近には板状の陽極１４が取り付けられている。陽極１４は例えば導電性の金属材料を用いて円形状に形成されている。陽極１４の複数箇所には、銅めっき液１５を上面側から下面側に通過させるための構造としてスリット１６が設けられている。ホルダ１２の上面には、めっき液供給管１７及びめっき液回収管１８がそれぞれ設けられている。めっき液供給管１７は、ホルダ１２及び陽極１４によって区画される空間１９と、図示しないめっき液タンクとの間を連通させている。銅めっき液１５が不足すると、このめっき液供給管１７を介して前記空間１９内に銅めっき液１５が補充されるようになっている。めっき液回収管１８は、前記空間１９内における銅めっき液１５の量が一定量を超えたときに、その余剰分を回収する役割を果たしている。なお、回収された銅めっき液１５は、めっき液タンクに戻されて再利用されるようになっている。
【００２０】
ホルダ１２の開口部１３には、陽極１４の下面側に接するようにしてめっき液保持部材としてのめっき液保持プレート２１が設けられている。めっき液保持プレート２１は、陽極１４とほぼ同じ大きさかつほぼ同じ形状（即ち円板状）となっている。めっき液保持プレート２１は、外周部分から横方向に突出するフランジ部２１ａを備えている。このフランジ部２１ａは、ホルダ１２の開口部１３に設けられた支持部１３ａによって支持されている。なお、フランジ部２１ａの下面と支持部１３ａの上面との間には、シール部材であるゴム製の環状パッキング２２が介在されている。
【００２１】
めっき液保持プレート２１は、銅めっき液１５を自身の気孔内に保持することにより、ホルダ１２の移送時における下面側からの銅めっき液１５の流出を防止する役割も果たしている。なお、めっき液保持プレート２１の下面は、半導体ウェハ５の上面と僅かな間隙を隔てた状態で対向配置されている。具体的にいうと、本実施形態では前記間隙の大きさが１ｍｍ程度となるように設定されている。
【００２２】
次に、本実施形態において用いられるめっき液保持プレート２１の材質等について詳細に説明する。
本実施形態のめっき液保持プレート２１は多孔質セラミック板であり、具体的には多孔質炭化珪素板（多孔質ＳｉＣ板）Ｐ１が用いられている。多孔質炭化珪素を選択した理由は、多孔質炭化珪素は多孔質アルミナに比べて耐食性及び電気伝導性に優れ、めっき液保持プレート２１用材料として極めて好都合だからである。
【００２３】
めっき液保持プレート２１の気孔率は２０％〜５０％であることがよく、３０％〜４５％であることがなおよい。また、平均気孔径は１０μｍ〜６０μｍであることがよく、２０μｍ〜５０μｍであることがなおよい。
【００２４】
気孔率が２０％未満であると、圧力損失の増大により銅めっき液１５がスムーズに流れにくくなることで、銅めっき液１５の滲出しやすさが場所によってバラついてしまう。即ち、めっき液保持プレート２１の下面側から供給される銅めっき液１５の量が不均一になり、結果として銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。逆に気孔率が５０％を超える場合には、圧力損失の増大は避けられるものの、銅めっき液１５を保持する性質が損なわれる。ゆえに、この場合においてもめっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００２５】
平均気孔径が１０μｍ未満であると、圧力損失の増大により銅めっき液１５がスムーズに流れにくくなることで、銅めっき液１５の滲出しやすさが場所によってバラついてしまう。即ち、めっき液保持プレート２１の下面側から供給されるめっき液１５の量が不均一になり、結果として銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。逆に平均気孔径が６０μｍを超える場合には、圧力損失の増大は避けられるものの、銅めっき液１５を保持する性質が損なわれる。ゆえに、この場合においても銅めっき層の膜厚が不均一になるおそれがある。
【００２６】
本実施形態の多孔質炭化珪素板Ｐ１は、外周部分の導電性がそれよりも内側部分の導電性に比べて相対的に小さいものである必要がある。その理由は、外周部分のめっきレートを意図的に下げることにより、外周部分と内側部分とでのめっきレートの差異を解消するためである。
【００２７】
このため、本実施形態においては、フランジ部２１ａを含む多孔質炭化珪素板Ｐ１の外周部分に、非導電性物質からなる層が、より具体的にいうと樹脂含浸層２３（図１，図３において細かい斜線で示す）が形成されている。その結果、外周部分における気孔が埋められた状態となっている。
【００２８】
なお、含浸に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えばテフロン等のフッ素系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。この場合、極力金属不純物濃度の低い熱硬化性樹脂が用いられることがよい。
【００２９】
外周部分の体積固有抵抗は１０5Ωｍ〜１０10Ωｍであることがよく、特には１０6Ωｍ〜１０9Ωｍであることがなおよい。外周部分の体積固有抵抗が１０5Ωｍ未満であると、内側部分の導電性との差が十分でなくなり、めっきレートの差異を確実に解消することができなくなる。逆に１０10Ωｍを超えるものであると、導電性が小さくなりすぎて電気が流れにくくなる結果、めっきレートが過度に小さくなってしまう。このため、かえって膜厚がばらつくおそれがある。
【００３０】
内側部分の体積固有抵抗は１０1Ωｍ〜１０5Ωｍであることがよく、特には１０2Ωｍ〜１０4Ωｍであることがなおよい。体積固有抵抗が１０1Ωｍ未満のものを実現しようとすると、材料の選定や焼成条件の設定等が難しくなって、めっき液保持プレート２１の製造コストが高騰するおそれがある。また、そればかりでなくめっき液保持プレート２１の多孔性が損なわれ、めっき液保持性という基本性能が損なわれるおそれもある。逆に１０5Ωｍを超える場合には電気伝導性が低くなりすぎてしまい、めっき液保持プレート２１が実質的に陽極１４として機能しなくなるおそれがある。ゆえに、半導体ウェハ５の上面付近の銅めっき液１５に、強くかつ安定した電界を与えることができなくなるおそれがある。
【００３１】
なお、めっき液保持プレート２１の密度は１．６ｇ／ｃｍ3〜２．５ｇ／ｃｍ3、  曲げ強度は３０ＭＰａ〜１５０ＭＰａ、ヤング率は５０ＧＰａ〜２００ＧＰａ、熱伝導率は５０Ｗ／ｍ・Ｋ〜１５０Ｗ／ｍ・Ｋであることがよい。また、めっき液保持プレート２１を構成する多孔質炭化珪素としては、高純度多孔質炭化珪素が用いられることがよい。具体的には、不純物である重金属の濃度が０．５％以下の多孔質炭化珪素が用いられることがよい。
【００３２】
ここで、本実施形態のめっき液保持プレート２１を製造する方法について説明する。まず、原料である炭化珪素粉末を１種または２種以上用意する。そして、炭化珪素粉末に溶剤やバインダ等を配合したうえで、これをよく混合する。次いで、この混合物を乾燥した後、その乾燥混合物を顆粒化する。そして、前記造粒工程により得られた顆粒を材料として成形を行い、円板状の成形体を作製する。この場合、成形時の密度分布が±０．０５ｇ／ｃｍ3の範囲内に収まるように条件を設定することがよい。本実施形態では、これを実現するためのプレス法として静水圧プレスを採用している。次に、成形工程により得られた成形体を不活性雰囲気下にて２０００℃〜２３００℃程度の温度で常圧焼成することにより、成形体を焼結させて焼結体（即ち多孔質炭化珪素板Ｐ１）を得る。この場合、焼成時における成形体の面内温度分布が±１℃以内に収まるように条件を設定することがよい。次いで、多孔質炭化珪素板Ｐ１の外周部分に対して樹脂を含浸した後にその樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂含浸層２３を形成する。
【００３３】
次に、上記のように構成されためっき液保持プレート２１を用いた電解銅めっき装置１の使用方法について説明する。
この電解銅めっき装置１の場合、めっき液供給管１７を経て供給されてきた銅めっき液１５が、前記空間１９に一定量溜まるようになっている。当該空間１９に供給されてきた銅めっき液１５は、陽極１４のスリット１６を通過してめっき液保持プレート２１に到る。そして、銅めっき液１５はさらにめっき液保持プレート２１の気孔を介して半導体ウェハ５の上面側に供給される。従って、この状態で陽極１４及び陰極２間に通電を行うことにより、静止浴のまま電解銅めっきが施される。すると、半導体ウェハ５の上面側にあらかじめ掘られた配線用溝を埋めるように銅めっき層が析出し、結果として所望パターン形状の銅配線が形成されるようになっている。
【００３４】
【実施例】
［実施例１］
実施例１の作製においては、原料炭化珪素粉末として、ＧＣ♯２４０（信濃電気精錬社製、平均粒径５７μm）とＧMＦ−１５Ｈ２（太平洋ランダム社製、平均粒径０．５μm）とを重量比が７：３となるようにして用いた。そして、これら２種の炭化珪素粉末にさらに水、バインダであるアクリル系樹脂を配合し、これをポットミルを用いてよく混合した。前記混合工程により得られた均一な混合物を所定時間乾燥して水分をある程度除去した後、その乾燥混合物を適量採取し、これをスプレードライヤにより顆粒化した。
【００３５】
そして、前記造粒工程により得られた顆粒を材料として、１００ＭＰａ〜１３０ＭＰａ程度の圧力で静水圧プレスを行い、円板状の成形体を作製した。次に、成形工程により得られた成形体をアルゴン雰囲気下にて２１００℃〜２２００℃の温度で常圧焼成した。焼成により得られた多孔質炭化珪素板Ｐ１の外周部分に対し、樹脂を含浸した後にその樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂含浸層２３を形成した。ここでは、熱硬化性樹脂としてフッ素系樹脂（デュポン社製、商品名テフロン）を用い、加熱温度を４００℃、加熱時間を５分に設定した。その結果、多孔質炭化珪素製の円板状のめっき液保持プレート２１を得た。
【００３６】
実施例１のめっき液保持プレート２１における未含浸領域については、気孔率が約２５％、平均気孔径が約１５μｍ、体積固有抵抗が１０3Ωｍ、密度が２．４ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が１３０ＭＰａ、熱伝導率が１４０Ｗ／ｍ・Ｋ、重金属濃度が０．５％以下であった。一方、含浸領域については、気孔率が約０％かつ平均気孔径が０μｍであり、緻密なものとなっていた。また、体積固有抵抗が１０10Ωｍであった。
【００３７】
このようなめっき液保持プレート２１において、従来公知の手法により複数位置にてめっきレートを測定したところ、図３のグラフに示されるようにめっきレート曲線はフラットになった。即ち、樹脂含浸層２３の形成によりめっき液保持プレート２１の外周部分の導電性が小さくなり、めっきレートの差異が解消されていた。また、電解銅めっきを実施したところ、めっき液供給量が場所によってばらつくこともなく、１枚の半導体ウェハ５上に均一な膜厚の銅配線を形成することが可能であった。
［実施例２］
実施例２の作製においては、原料炭化珪素粉末として、ＧＣ♯２４０（信濃電気精錬社製、平均粒径５７μm）とＧMＦ−１５Ｈ２（太平洋ランダム社製、平均粒径０．５μm）とを重量比が９：１となるようにして用いた。そして、これら２種の炭化珪素粉末にさらに水、バインダであるアクリル系樹脂を配合し、これを万能混合機を用いてよく混合しながら同時に造粒を行った。
【００３８】
そして、前記混合・造粒工程により得られた顆粒を材料として、５０ＭＰａ程度の圧力で静水圧プレスを行い、円板状の成形体を作製した。次に、成形工程により得られた成形体をアルゴン雰囲気下にて２２５０℃の温度で常圧焼成した。焼成により得られた多孔質炭化珪素板Ｐ１の外周部分に対し、樹脂を含浸した後にその樹脂を加熱硬化させることにより、樹脂含浸層２３を形成した。ここでは、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（セメダイン社製、商品名ＥＰ−１６０）を用い、加熱温度を１５０℃、加熱時間を６０分に設定した。その結果、多孔質炭化珪素製の円板状のめっき液保持プレート２１を得た。
【００３９】
実施例２のめっき液保持プレート２１における未含浸領域については、気孔率が約４０％、平均気孔径が約３０μｍ、体積固有抵抗が１０3Ωｍ、密度が１．９ｇ／ｃｍ3、曲げ強度が５０ＭＰａ、熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ、重金属濃度が０．５％以下であった。一方、含浸領域については、気孔率が約０％かつ平均気孔径が０μｍであり、緻密なものとなっていた。また、体積固有抵抗が１０10Ωｍであった。
【００４０】
このようなめっき液保持プレート２１においても、めっきレート曲線は図３のグラフに示されるようにフラットになり、位置によるめっきレートの差異が解消されていた。また、電解銅めっきを実施したところ、めっき液供給量が場所によってばらつくこともなく、１枚の半導体ウェハ５上に均一な膜厚の銅配線を形成することが可能であった。
［比較例］
樹脂含浸層２３の形成を行わないことを除き、基本的には実施例１と同様の手順に準じて、多孔質炭化珪素製の円板状めっき液保持プレート２１を作製した。
【００４１】
このような比較例のめっき液保持プレート２１において、めっきレートを測定したところ、実施例１，２とは異なり図２に示すグラフのようになった。即ち、外周部分のめっきレートのほうが、内側部分のめっきレートよりも明らかに大きくなっていた。ゆえに、電解銅めっきを実施したところ、めっき液供給量が場所によってばらつき、１枚の半導体ウェハ５上に均一な膜厚の銅配線を形成することが困難であった。
【００４２】
従って、本実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、めっき液保持プレート２１の外周部分の導電性をそれよりも内側部分の導電性に比べて相対的に小さくしている。このため、位置によるめっきレートの差異が解消され、めっきレート曲線がフラットになる。従って、１枚の半導体ウェハ５内において外周部と中心部とでめっきの析出度合いが揃いやすくなり、均一な膜厚の銅めっき層（即ち銅配線）を確実に得ることができる。
【００４３】
（２）本実施形態のめっき液保持プレート２１では、耐食性に優れた多孔質炭化珪素板Ｐ１を用いている。このため、当該部材が銅めっき液１５により侵蝕されにくくなり、銅めっき液１５中への不純物の溶出が防止される。これにより銅めっき液１５の組成劣化が回避され、銅めっきの析出挙動が安定化する。
【００４４】
また、多孔質アルミナに比べて電気伝導性に優れた多孔質炭化珪素を用いためっき液保持プレート２１であるため、当該部材が実質的に陽極１４としての役割を果たすようになる。よって、擬似的な陽極１４である当該部材が半導体ウェハ５に対してより近接した状態となり、半導体ウェハ５付近の銅めっき液１５に強くかつ安定した電界を与えることができる。
【００４５】
（３）本実施形態では、外周部分及び内側部分の体積固有抵抗の値を上記好適範囲内にて設定している。このため、高コスト化を伴うことなく均一な膜厚の銅めっき層を確実に形成することができる。
【００４６】
（４）このめっき液保持プレート２１では、形成が比較的簡単であってかつ比較的安価な材料である樹脂（熱硬化性樹脂）を、非導電性物質からなる層の形成材料として選択している。ゆえに、製造困難化及び高コスト化を回避することができる。また、熱硬化性樹脂からなる層は熱に強く、加熱下でめっきを行ったとしても剥がれ等が生じにくいという利点がある。ゆえに、耐熱耐久性、信頼性に優れためっき液保持プレート２１となっている。
【００４７】
（５）このめっき液保持プレート２１では、外周部分における気孔に熱硬化性樹脂を含浸することにより、樹脂含浸層２３を形成している。よって、気孔を簡単にかつ確実に気孔を埋めることができる。また、気孔が好適なアンカー効果をもたらす結果、外周部分から樹脂含浸層２３が剥がれにくくなる。ゆえに、耐久性、信頼性に優れためっき液保持プレート２１となっている。
【００４８】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・  実施形態のような樹脂の含浸による層形成に代えて、例えば樹脂の単なるコートによる層形成（つまり気孔の内部に入り込む度合いの少ない方法による層形成）を行ってもよい。また、層形成に用いられる樹脂は必ずしも熱硬化性を有するものでなくてもよく、例えば光硬化性を有するもの等であってもよい。
【００４９】
・  非導電性物質からなる層は樹脂等の有機材料のみに限定されることはなく、例えば非導電性のセラミックを用いてＣＶＤ等により層形成を行ってもよい。
・  フランジ部２１ａは必須ではないため省略されてもよい。
【００５０】
・  実施形態の電解めっき装置１は、電解銅めっきを実施する場合のみならず、例えば電解ニッケルめっきや電解金めっき等を実施する場合にも勿論使用可能である。
【００５１】
・  被めっき物はシリコンやガリウム砒素などからなる半導体ウェハ５のみに限定されることはなく、例えばセラミック製、金属製またはプラスティック製の基材などであってもよい。
【００５２】
・  実施形態の電解めっき装置１は、配線の形成のみに利用されるばかりでなく、例えばバンプ等のような半導体における外部接続端子の形成などに利用されることも可能である。さらに、当該電解めっき装置１は、上記配線のように電気を流すことを目的とする金属層の形成のみに利用されるに止まらず、電気を流すことを特に目的としない金属層の形成に使用されても構わない。
【００５３】
・  めっき液保持プレート２１の上面は陽極１４の下面に対して非接触状態で配置されていても構わない。
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５４】
（１）  請求項１または２において、前記めっき液保持部材の気孔率は２０％〜５０％、平均気孔径は１０μｍ〜６０μｍであること。従って、この技術的思想１に記載の発明によれば、部材の片面からめっき液が均一に滲出可能となる結果、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる。
【００５５】
（２）  請求項１または２、技術的思想１のいずれか１つにおいて、前記外周部分における気孔には熱硬化性樹脂が含浸されていること。
【００５６】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１または２に記載の発明によれば、均一な膜厚のめっき層を確実に形成することができる電解めっき装置用めっき液保持部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の電解銅めっき装置の概略断面図。
【図２】比較例において、位置によるめっきレートの違いを示すグラフ。
【図３】実施例１，２において、位置によるめっきレートの違いを示すグラフ。
【符号の説明】
１…電解めっき装置としての電解銅めっき装置、２…陰極、５…被めっき物としての半導体ウェハ、１３…開口部、１４…陽極、１５…めっき液、２１…めっき液保持部材としてのめっき液保持プレート、Ｐ１…多孔質セラミック板としての多孔質炭化珪素板。
【図１】
0004833432.tif 000002
【図２】
0004833432.tif 000003
【図３】
0004833432.tif 000004