(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１投影システム（ＰＬ）を含む第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板（Ｗ）上に第１セットのテスト構造をプリント（Ｓ１）し、第１基板を第１投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の前記プリントを行う工程と、
第２投影システム（ＰＬ）を含む第２リソグラフィ投影装置を用いて第２基板（Ｗ）上に第２セットのテスト構造をプリント（Ｓ３）し、第２基板を第２投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の前記プリントを行うものとし、第２コースは前記第１コースとは異なっている工程と、
前記第１セットのテスト構造内の第１セットの位置データを測定する工程（Ｓ２）と、
前記第２セットのテスト構造内の第２セットの位置データを測定する工程（Ｓ４）と、
前記第１および第２セットの位置データから第３セットの位置誤差データを計算する工程（Ｓ５）と、
前記第３セットの位置誤差データを使って１つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程（Ｓ６）とを含み、さらに
前記第１基板上の第１セットのターゲット部分（Ｃ）を選択する工程であって、第１セットのターゲット部分は第１セットの相対位置を有する工程と、
前記第２基板上の第２セットのターゲット部分（Ｃ）を選択する工程であって、第２セットのターゲット部分は第１セットの相対位置を有する工程と、
前記第１セットのテスト構造を前記第１基板上の前記第１セットのターゲット部分にプリントする工程（Ｓ１）と、
前記第２セットのテスト構造を前記第２基板上の前記第２セットのターゲット部分にプリントする工程（Ｓ３）とを含み、さらに
前記第１基板上の前記第１セットのターゲット部分を第１順序でプリントする工程（Ｓ１）と、
前記第２基板上の前記第２セットのターゲット部分を前記第１順序の逆である第２順序でプリントする工程（Ｓ３）とを含み、
前記第１リソグラフィ投影装置、前記第２リソグラフィ投影装置、および前記１つ以上のリソグラフィ投影装置は、液浸型のものである、ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項２】
前記第１基板を前記第１投影システム（ＰＬ）に対して第１スキャン方向でスキャンすることによって、第１テスト構造を前記第１基板上の前記第１セットのターゲット部分のうちの第１ターゲット部分にプリントする工程（Ｓ１）と、
前記第２基板を前記第２投影システム（ＰＬ）に対して前記第１スキャン方向でスキャンすることによって、第２テスト構造を前記第２基板上の前記第２セットのターゲット部分のうちの第２ターゲット部分にプリントする工程（Ｓ３）と、
前記第１テスト構造および前記第２テスト構造について測定した位置データを比較することによって、前記第３セットの位置誤差データを計算する工程（Ｓ５）とを含み、さらに
第３基板上の第３セットのターゲット部分を選択する工程であって、第３セットのターゲット部分は前記第１セットの相対位置を有する工程と、
第３セットのテスト構造を前記第３基板上の前記第３セットのターゲット部分にプリントする工程と、
前記第１順序の逆である前記第２順序で、かつ前記第１スキャン方向と反対である第３スキャン方向で前記第３基板上の前記第３セットのターゲット部分をプリントする工程とを含む、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１基板を前記第１投影システム（ＰＬ）に対して第１スキャン方向でスキャンすることによって、第１テスト構造を前記第１セットのターゲット部分のうちの第１ターゲット部分にプリントする工程（Ｓ１）と、
前記第２基板を前記第２投影システム（ＰＬ）に対して第２スキャン方向でスキャンすることによって、第２テスト構造を前記第２セットのターゲット部分のうちの第２ターゲット部分にプリントする工程（Ｓ３）であって、第２スキャン方向は第１スキャン方向と反対である工程と、
前記第１テスト構造および前記第２テスト構造について測定した位置データを比較することによって、前記第３セットの位置誤差データを計算する工程（Ｓ５）と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１コースは蛇行順路を含み、当該蛇行順路に沿って前記第１基板が第１方向に移動され、また前記第２コースは蛇行順路を含み、当該蛇行順路に沿って前記第２基板が前記第１方向とは反対の第２方向に移動されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第２コースは、前記第１コースの鏡像と実質的に同一であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第２コースは、前記第１コースの１８０度回転と実質的に同一であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第３セットの位置誤差データを計算する工程は、前記第１および第２セットの位置データ間の差を取得する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第２セットのテスト構造のプリント工程（Ｓ１、Ｓ３）およびそれらテスト構造の位置データの測定工程（Ｓ２、Ｓ４）をそれぞれ複数回繰り返して、前記第１および第２セットの位置データを得ることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第１基板および第２基板は、１つの同じ基板、または２つ別々の基板であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
前記第１セットの位置データを測定する工程（Ｓ２）は、オーバレイデータを測定する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
液浸液が、前記第１セットのテスト構造をプリント（Ｓ１）するときは投影システム（ＰＬ）と第１基板との間に供給され、また前記第２セットのテスト構造をプリント（Ｓ３）するときは投影システム（ＰＬ）と第２基板との間に供給されることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
第１投影システム（ＰＬ）を含む第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板（Ｗ）上に第１セットのテスト構造をプリント（Ｓ１）し、第１基板を第１投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の前記プリントを行う工程と、
第１リソグラフィ投影装置を用いて第２基板（Ｗ）上に第２セットのテスト構造をプリント（Ｓ３）し、第２基板を第１投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の前記プリントを行うものとし、第２コースは前記第１コースとは異なっている工程と、
前記第１セットのテスト構造内の第１セットのオーバレイデータを測定する工程（Ｓ２）と、
前記第２セットのテスト構造内の第２セットのオーバレイデータを測定する工程（Ｓ４）と、
前記第１および第２セットのオーバレイデータから第３セットの位置誤差データを計算する工程（Ｓ５）と、
前記第３セットの位置誤差データを使って第１リソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程（Ｓ６）と、
を含み、
前記第１リソグラフィ投影装置は、液浸型のものである、ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【請求項１３】
第１テスト露光シーケンスに従って第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板（Ｗ）上に第１セットのテスト構造をプリント（Ｓ１）し、第１基板は、熱伝導特性の第１値および熱気化特性の第２値を有する工程と、
前記第１テスト露光シーケンス、前記第１値、および前記第２値とはそれぞれ異なるように第２テスト露光シーケンス、第３値、および第４値のうちの少なくとも１つを選択する工程と、
前記第２テスト露光シーケンスに従って第２リソグラフィ投影装置を用いて第２基板（Ｗ）上に第２セットのテスト構造をプリント（Ｓ３）し、第２基板は、熱伝導特性の前記第３値および熱気化特性の前記第４値を有する工程と、
前記第１セットのテスト構造内の第１セットの位置データを測定する工程（Ｓ２）と、
前記第２セットのテスト構造内の第２セットの位置データを測定する工程（Ｓ４）と、
前記第１および第２セットの位置データから第３セットの位置誤差データを計算する工程（Ｓ５）と、
前記第３セットの位置誤差データを使って１つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程（Ｓ６）とを含み、さらに
前記第１基板を第１熱負荷プロファイルおよび第１速度プロファイルの影響下におき、前記第１リソグラフィ投影装置の第１投影システムに対して第１コース上を移動させて、前記第１セットのテスト構造の前記プリント工程を行う工程と、
前記第１熱負荷プロファイルとは異なる第２熱負荷プロファイル、
前記第１コースとは異なる第２コース、および
前記第１速度プロファイルとは異なる第２速度プロファイル、
のうちの少なくとも１つを選択する工程と、
前記第２基板を前記第２熱負荷プロファイルおよび前記第２速度プロファイルの影響下におき、前記第２リソグラフィ投影装置の第２投影システムに対して前記第２コース上を移動させて、前記第２セットのテスト構造の前記プリント工程を行う工程とを含み、
前記第１リソグラフィ投影装置、前記第２リソグラフィ投影装置、および前記１つ以上のリソグラフィ投影装置は、液浸型のものである、ことを特徴とするリソグラフィ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、通常、基板のターゲット部分上に、所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターン形成デバイスを使って、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば、１つまたはいくつかのダイあるいはダイの一部分を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般的には、基板上に設けられた放射線感応性材料（レジスト）の層上への結像によって行われる。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含むことになる。公知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所定方向（「スキャン」方向）にスキャンさせるとともに、これに同期させてこのスキャン方向に対して平行または逆平行に基板をスキャンさせることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターン形成デバイスから基板へ転写することもまた可能である。
【０００３】
投影システムの最終部材と基板との間の空間を満たすように高屈折率を有する液体、たとえば水、の中にリソグラフィ投影装置内の基板を浸すことが提案されてきた。この提案の要点は、照射放射線が液体中ではより短い波長を有するので、より小さい特徴を結像することができることである。（液体の作用によって、システムの有効開口数（ＮＡ）が大きくなり、また焦点深度も深くなると考えることができる。）提案されてきた別の液浸液には、水中に浮遊する固体微粒子（たとえば石英）が混ざった水が含まれる。
【０００４】
しかしながら、基板または基板および基板テーブルを液体槽内に浸すということは（たとえば参照により本明細書に援用される米国特許4,509,852参照）、スキャン照射の間中、加速しなければならない液体の大きな塊が存在するということを意味する。この大きな塊が存在するために、モーターを追加するかもっと強力にすることが必要になり、また液体の乱流によって、好ましくない予測できない結果をまねくおそれがある。
【０００５】
１つの解決策としては、基板の局部領域に、また投影システムの最終部材と基板（一般に基板は、投影システムの最終部材より大きい表面積を有する）との間にのみ液体を供給する液体供給システムが提案されている。この解決策に備えて提案された１つの方法が、参照によりその全体が本明細書に援用される国際出願PCT/WO/99/49504に開示されている。図２および３に示されるとおり、液体は、少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終部材に対して基板の移動方向に沿って供給され、さらに投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって取り除かれる。すなわち、基板が部材の下でマイナスＸ方向にスキャンされるとき、液体は、部材のプラスＸ側で供給され、マイナスＸ側で吸収される。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、かつ低圧力源に連結されている出口ＯＵＴによって部材の別の側で吸収される配置を概略的に示す。図２の説明図においては、これに限定されないが、液体が最終部材に対して基板の移動方向に沿って供給されている。最終部材の周りに配置された入口および出口の配向および数は、さまざまであってよい。配向の１つの例を図３に示す。図３においては、両側に出口を備えた４組の入口が、最終部材の周りに一定のパターンで設けられている。
【０００６】
あらゆるリソグラフィ装置にとって、使用前には少なくともいくつかのキャリブレーションが必要であり、装置の分解能が高いほど、一般に、装置の可能な最高性能を得るために、より多くのキャリブレーション工程が必要になる。リソグラフィ装置の重要な性能判断基準は、オーバレイ性能であり、オーバレイ性能によれば、基板上にある既存パターンに対して任意の位置で基板上にパターンを結像する装置の機能を評価することができる。オーバレイ誤差は、さまざまな原因、たとえば、干渉計位置または変位測定システム内のシステム上の誤差によって引き起こされ得る。リソグラフィ装置のオーバレイ性能をキャリブレーションするには、一連のテスト構造を、通常、基板の全体にわたって印刷し、テスト構造の位置を測定する。たとえば、テスト構造を位置決めマーカ(alignment marker)としてもよく、それによって、それらのマーカ位置を装置内に設けられた位置決めツール(alignment tool)を使って測定することができる。またテスト構造をボックスインボックス(box-in-box)などのオーバレイに敏感な構造(overlay sensitivestructure)にしてもよく、それによって、オーバレイ誤差を既知のオフラインツール(off-linetool)を使って直接測定することができる。その成果物は、基板の領域全体にわたるオーバレイ誤差の図であり、たとえば製品露光の間基板を位置決めするときに、その図をオフセットとして使うことによって、装置のキャリブレーションに使うことができる。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第４，５０９，８５２号
【特許文献２】国際出願ＰＣＴ／ＷＯ９９／４９５０４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
リソグラフィ装置（液浸または非液浸のいずれか）においては、基板に接触しているすべての部品および液体の温度が均等で安定するように極めて厳しく制御されている。しかしながら、本発明者らは、液浸リソグラフィ装置、つまり投影システムの最終部材と基板との間の空間の少なくとも一部が高屈折率液体で満たされているリソグラフィ装置、においては、基板に存在する高屈折率液体の気化にまつわる基板冷却作用によって、いくらかのオーバレイ誤差が引き起こされることに気づいた。これらのオーバレイ誤差は、テスト照射シーケンスの位置だけでなく過程にも左右されている。したがって、従来の方法で測定されたオーバレイ誤差を装置のキャリブレーションに使った場合、オーバレイ誤差は、除去されることはないし、実際にはより悪化する。
【０００９】
したがって、たとえば、リソグラフィ装置キャリブレーションの改善方法を提供することは、有利性があると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、
第１投影システムを含む第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板上に第１セットのテスト構造をプリントし、第１基板を第１投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第２投影システムを含む第２リソグラフィ投影装置を用いて第２基板上に第２セットのテスト構造をプリントし、第２基板を第２投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第２コースは第１コースとは異なっている工程と、
第１セットのテスト構造内の第１セットの位置データを測定する工程と、
第２セットのテスト構造内の第２セットの位置データを測定する工程と、
第１および第２セットの位置データから第３セットの位置誤差データを計算する工程と、
第３セットの位置誤差データを使って１つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
【００１１】
本発明の一態様によれば、
第１投影システムを含む第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板上に第１セットのテスト構造をプリントし、第１基板を第１投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第１リソグラフィ投影装置を用いて第２基板上に第２セットのテスト構造をプリントし、第２基板を第１投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第２コースは第１コースとは異なっている工程と、
第１セットのテスト構造内の第１セットのオーバレイデータを測定する工程と、
第２セットのテスト構造内の第２セットのオーバレイデータを測定する工程と、
第１および第２セットのオーバレイデータから第３セットの位置誤差データを計算する工程と、
第３セットの位置誤差データを使って第１リソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
【００１２】
本発明の一態様によれば、
第１テスト照射シーケンスにしたがって、第１リソグラフィ投影装置を用いて第１基板上に第１セットのテスト構造をプリントし、第１基板は、熱伝導特性の第１値および熱気化特性の第２値を有する工程と、
第２テスト照射シーケンスにしたがって、第２リソグラフィ投影装置を用いて第２基板上に第２セットのテスト構造をプリントし、第２基板は、熱伝導特性の第３値および熱気化特性の第４値を有する工程であって、第２テスト照射シーケンス、第３値、および第４値のうちの少なくとも１つは、それぞれ第１テスト照射シーケンス、第１値、および第２値とは異なっている工程と、
第１セットのテスト構造内の第１セットの位置データを測定する工程と、
第２セットのテスト構造内の第２セットの位置データを測定する工程と、
第１および第２セットの位置データから第３セットの位置誤差データを計算する工程と、
第３セットの位置誤差データを使って１つ以上のリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含むリソグラフィ方法が提供されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、対応する参照符号が対応する部品を示す添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。
【００１４】
図１は、本発明の一実施形態に使用できるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
放射線ビームＰＢ（たとえばＵＶ放射線またはＤＵＶ放射線）を調整することができるように構成された照射システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターン形成デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置付けることができるように構成された第１位置決め装置ＰＭに連結された支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴと
基板（たとえばレジスト塗布ウェーハ）Ｗを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第２位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターン形成デバイスＭＡによって放射線ビームＰＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影することができるように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＬと、
を含む。
【００１５】
照射システムとしては、放射線を誘導し、成形し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他の型の光学部品、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまな型の光学部品を含むことができる。
【００１６】
支持構造体は、パターン形成デバイスを支える、つまりその重量を支持する。支持構造体は、パターン形成デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターン形成体が真空環境内で保持されるか否かなどといった他の条件、に応じた態様でパターン形成デバイスを保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式、またはその他のクランプ技術を使って、パターン形成デバイスを保持することができる。支持構造体は、たとえば、必要に応じて固定式または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造体は、パターン形成体を、たとえば投影システムに対して、所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターン形成デバイス」と同義であると考えることができる。
【００１７】
本明細書において使われる用語「パターン形成体」は、基板のターゲット部分にパターンを作り出すように、放射線ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付けたパターンは、たとえばそのパターンが位相シフト特性(phase-shifting feature)又はいわゆる支援特性(assist feature)を含む場合、基板ターゲット部分の所望のパターンに正確に一致しないこともある。通常、放射線ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１８】
パターン形成デバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターン形成デバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィィでは公知であり、バイナリ、Ａlternating位相シフト(alternating phase-shift)、および減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)などのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射線ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射線ビームにパターンを付ける。
【００１９】
本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている照射放射線にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含む、あらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００２０】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また代わりに、リソグラフィ装置は、反射型のもの（たとえば前述の型のプログラマブルミラーアレイを採用しているかまたは反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２１】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ(multiple stage)」機構においては、追加のテーブルを並行して用いることができ、あるいは予備工程を１つ以上のテーブルで実行しつつ別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。この放射線源がたとえばエキシマレーザである場合、放射線源およびリソグラフィ装置は別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射線ビームは、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤを使って、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ送られる。別の場合においては、たとえば放射線源が水銀灯である場合、放射線源はリソグラフィ装置の一体のものとすることもできる。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射線システムと呼んでもよい。
【００２３】
イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布(angular intensity distribution)を調整するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側および／または内側の径範囲（通常、それぞれσ−outerおよびσ−innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射線ビームを調整すれば、放射線ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２４】
放射線ビームＰＢは、支持構造体（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターン形成デバイス（たとえばマスクＭＡ）上に入射して、パターン形成デバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた放射線ビームＰＢは、ビーム焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる投影システムＰＬを通過する。さらに後述する液浸フードＩＨによって、液浸液が、投影システムＰＬの最終部材と基板Ｗとの間の空間に供給される。
【００２５】
第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射線ビームＰＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリから機械的に取り出した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射線ビームＰＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗位置決め）およびショートストロークモジュール（微細位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２および基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせすることができる。図示した基板位置合わせマークは専用のターゲット部分を占めているが、ターゲット部分の間の空間に置くこともできる（これらは、けがき線位置合わせマーク(scribe-lane alignment marks)として知られている）。同様に、マスク位置合わせマークも、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、ダイの間に置くことができる。
【００２６】
図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができる。
【００２７】
１．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射線ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃに投影する（すなわち一回の静的露光）。つぎに基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動し、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することが可能になる。ステップモードにおいては、露光領域の最大サイズによって、一回の静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２８】
２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期してスキャンする一方で、放射線ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち一回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）特性および画像反転特性によって決められる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズによって、一回の動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定され、一方でスキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２９】
３．  別のモードにおいては、プログラマブルマスクテーブルＭＴを、パターン形成デバイスを保持した状態で基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かすつまりスキャンしながら放射線ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射線源が採用されており、さらにプログラマブルパターン形成デバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後に、またはスキャン中の連続する放射線パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述したタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターン形成デバイスを利用するマスクレスリソグラフィに、容易に適用することができる。
【００３０】
上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは全く異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
局部化された液体供給システムを備えたさらなる液浸リソグラフィ解決法を図４に示す。液体は、投影システムＰＬのどちらの側にもある２つの溝入口ＩＮによって供給され、かつ入口ＩＮの外側に(outwardly)放射状に (radially)配置された複数の個別の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよび出口は、投影ビームがそれを通して投影される、中心に穴を設けたプレート内に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方の側にある１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬの他方の側にある複数の個別の出口ＯＵＴによって除去されるので、投影システムＰＬと基板Ｗとの間に液体の薄い膜の流れが生じることになる。使用する入口ＩＮと出口ＯＵＴの組合せをどれにするかの選択は、基板Ｗの移動方向に従い得る（このとき入口ＩＮおよび出口ＯＵＴの別の組合せは使われない状態になる）。
【００３２】
局部化された液体供給システムを備えた別の液浸リソグラフィ解決法として、投影システムの最終部材と基板との間の空間の少なくとも一部の境界線に沿って延在するシール部材付きの液体供給システムを備えることが提案されている。そのような解決策を図５に示す。シール部材は、ＸＹ平面において投影システムに対して実質的には静止状態にあり、Ｚ方向（光軸方向）にはいくらか相対移動がある場合もある。シールは、シール部材と基板表面との間に形成されている。
【００３３】
図５を参照すると、貯水槽(reservoir)１０が投影システムの結像領域の周りに基板に対して非接触シールを形成し、それによって、液体が基板と投影システムの最終部材との間の空間を満たして閉じ込められる。この貯水槽は、投影システムＰＬの最終部材を取り囲んで下方に配置されたシール部材１２によって形成されている。液体は、投影システムの下方、シール部材１２の内側の空間に供給される。シール部材１２が投影システムの最終部材より少し上方まで延在し、且つ液体レベルが最終部材の上方まで上昇しており、それによって、液体のバッファが設けられることになる。シール部材１２は、一つの実施形態として、上端部において、投影システムまたは最終部材の形状にぴったり合った、たとえば円形を持つ内周(inner periphery)を有する。底部においては、内周は、結像領域の形状、たとえばこれに限定されないが、矩形、にぴったり合っている。
【００３４】
液体は、シール部材１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によって貯水槽内に閉じ込められる。ガスシールは、シール部材１２と基板との間の間隙に入口１５から圧力のかかった状態で供給され、第１出口１４から抜き取られるガス、たとえば一実施形態においてはＮ２または別の不活性ガスを除く空気または合成空気、によって形成されている。ガス入口１５の超過圧力、第１出口１４の真空レベル、および間隙の形状寸法(geometry)が整えられ、それによって、液体を閉じ込める内向きの高速ガス流が形成される。このようなシステムは、参照によりその全体が本明細書に援用される米国特許出願US10/705,783に開示されている。
【００３５】
本発明は、液浸型リソグラフィ投影装置のいくつかのオーバレイ誤差が、熱影響に起因している、特に基板が液浸液を通して露光された後にターゲット部分に残留した液浸液、たとえば水、の気化（蒸発evaporation）による基板の冷却に起因している、という発明者の認識にかかわっている。発明者らは、これらの誤差は、リソグラフィ装置のいくつかの他のシステマチックオーバレイ誤差のようにもっぱら位置に左右されるだけでなく、基板の露光過程つまり直前の露光中の基板のコース（経路および方向）および速度、にも左右される、ということを認識した。
【００３６】
その上、発明者らは、誤差が基板プロセス中に使われた材料にも左右されることも認識した。当業者に知られているとおり、パターンは、基板上のレジスト層に書き込まれる。熱伝導は、使われているレジスト層に左右される。やはり当業者に知られているとおり、そのようなレジスト層には、多くのプロセスでトップコートが塗布される。液浸液（たとえば水）の気化は、使われているトップコートに左右される。したがって、リソグラフィ装置にキャリブレーションを行うということは、リソグラフィプロセスまたは特定のプロセス層のためにリソグラフィ装置にキャリブレーションを行うものと理解することができる。
【００３７】
オーバレイ誤差が基板の露光過程に左右される度合いを、熱影響をシミュレーションした有限要素分析から得られた実験データを示す図６および７によって確認する。特に、図６は、基板が冷却されることにより生じる熱影響に起因するオーバレイ誤差を図示している。この基板冷却は、液体供給システムの下を通過させること、特に、ターゲット部分のプリント後に残留した液浸液たとえば水が基板から蒸発することに起因している。データは、ウェーハの左下から開始して、図８に示すような正蛇行スキャン(normal meander scan)を実行したシミュレーション結果である。ウェーハの右上から開始して同一経路を逆に進むことによって、図９に示された逆蛇行スキャン(reversed meander scan)をシミュレーションした類似のデータセットが得られた。図７は、これら２つのデータセットを引き算した結果を示しており、この図７から、ウェーハ冷却に関連したオーバレイ誤差の識別およびそれゆえに別々の修正を可能にする重要な変化を見ることができる。
【００３８】
逆方向に実行したスキャンからオーバレイ誤差データを得ることによって、熱影響から生じかつ露光過程に左右されたオーバレイ誤差が、他のシステマチック且つランダムな誤差から識別でき、かつそれゆえに分離することができると、図７から結論付けることができる。したがって、装置のキャリブレーションは、システマチック誤差のみを使って実行でき、これにより精度向上をもたらすことができる。
【００３９】
シミュレーションデータの代わりに測定データを同様に本発明の説明に採用することが可能であることは、当業者には明白であろう。また、通常、蛇行スキャン(meander scan)を逆行させることは、容易に実行できることも明白である。蛇行スキャンがリソグラフィ装置内にプログラムされると同様に逆蛇行スキャンもプログラムされる。
【００４０】
本発明による方法のフローチャートを図１０に示す。第１基板を、第１セットのテスト構造を用いて第１テスト露光シーケンスの間、露光する（Ｓ１）一方、第１コースに沿って且つ第１速度プロファイルに従って移動させる。テスト構造は、オーバレイセンシティブマーカ(overlay-sensitive marker)（オーバレイマーカ(overlay marker)）である。テスト構造を測定（Ｓ２）（換言すれば、オーバレイを測定）して、第１セットの位置データ（この場合、位置誤差データ）を得る。つぎに、好ましくは第１セットと同一の、第２セットのテスト構造を、第１コースと等しいが逆方向（換言すれば、速度プロファイルが異なる）状態で移動させる第２コースを使って、第２テスト露光シーケンスの間、同一基板上に露光する（Ｓ３）。そのつぎに、第２セットの構造を測定（Ｓ４）して、第２セットの誤差データを得る。
【００４１】
ある特定の実施形態においては、第１テスト構造は、所定の順序でプリントされる。すなわち、第１列（底）は、たとえば左から右へプリントされ、また次にくる列は、その逆方向にプリントされて、いわゆる蛇行パターン(meander pattern)が形成される。
【００４２】
スキャナ、すなわち、基板およびパターンを投影レンズに対してスキャンすると同時に各ターゲット部分をプリントするリソグラフィ装置においては、各スキャンの開始時点からフルスピードでスキャンし、かつターゲット部分間でマスク（使われている場合は）を停止させ逆転させる必要があるため、次にくるターゲット部分を逆方向にスキャンする。したがって、基板のさらなる前後移動が蛇行経路(meander path)上に重ね合わせられる。簡単のために、この移動は、図８および９から省略されている。
【００４３】
第２セットのテスト構造を露光する各ターゲット部分に対しては、対応する第１セットのテスト構造のターゲット部分の場合と同一のスキャン方向を使うことができる。これによって、ターゲット部分内の冷却影響が確実に同じになり、全体的な（基板全体の）冷却影響の分離を図ることができる。あるいは、全蛇行を逆にしてもしなくても、各ターゲット部分に対するスキャン方向を第１および第２テスト構造間で逆転させることができる。露光順序およびスキャン方向を変更するさまざまな異なる組合せを用いて複数セットの測定を実行することによって、分離を容易にし、またそれゆえに局部的および全体的冷却影響のさまざまな違った形の補償を容易にすることができる。
【００４４】
第２セットのテスト構造用に使われるコースは、コースが同一経路であるが反対方向（時間反転、換言すれば同一コースであるが速度プロファイルが異なる）に進む、またはコースが基板に対して垂直な平面内にある第１コースの鏡像(mirror image)である、またはコースが基板の中心を通る軸周りの第１コースの回転である、またはそれらの組合せである、という意味では逆であってもよい。これらの場合、好ましくは、第２コースは、第１コースと同じ速度で進むべきである。
【００４５】
第１コースおよび第２コースをまったく同一にし、かつ同一方向に、しかし異なる速度で進ませることも可能であることは、当業者には明白である。前述のとおり、コースが採った速度は、速度プロファイル(velocity profile)と呼ぶこととする。第２コースに対応する速度プロファイルは、たとえば、第１コースに対応する速度プロファイルの半分にすることができる。あるいは、第２コース中に、基板を何回か止める。この基板停止は、たとえば、基板表面に沿って基板の層を通った熱エネルギの伝導が見込まれるとき、利用することができる。レジスト層を通り抜ける熱伝導は、局部的に基板の温度に影響を与える。この影響については、中央ターゲット部分(middle target portion)、中央ターゲット部分の左に隣接するターゲット部分、および中央ターゲット部分の右に隣接するターゲット部分を使って説明することができる。これら３つのターゲット部分のすべての位置は既知である。つぎに、右端のターゲット部分は、その表面上の液体が気化することで冷却される。熱伝導によって、中央ターゲット部分も同様に冷却される。この冷却により、中央ターゲット部分は収縮する。この収縮は、左端のターゲット部分の位置がその既知の位置から変わることを意味し、この位置変化が、左ターゲット部分照射時のオーバレイ誤差の原因となる。
【００４６】
基板上の第１ターゲット部分と第２ターゲット部分との間の距離が長いほど、第１ターゲット部分の熱エネルギが第２ターゲット部分に伝達されるまでにより長い時間がかかることになる。それに加えて、熱エネルギは、基板のより広い部分に伝わり、したがって基板のより広い部分を覆って広がることになるので、より長い距離における影響はより小さい。
【００４７】
第１および第２セットのテスト構造の露光および測定は、どちらの順序で行ってもよい。また、スタンドアロンツールを使って、またはデュアルステージ(dual stage)装置の測定ステーションにおいて測定を行う場合、測定は、露光と平行して行ってもよい。第１および第２セットのテスト構造は、同一または異なる基板上で複数回露光しかつ測定してもよく、さらにその結果を平均化してランダム誤差の影響を低減させることができる。
【００４８】
そのつぎに、第１および第２誤差データを処理（Ｓ５）して、製品露光Ｓ７前の装置キャリブレーションＳ６に使われる第３セットの誤差データを得る。第１および第２データセットを処理して第３データセットを得る工程は、見込まれる熱オーバレイ誤差の厳密な形に従って、２つのデータセットの単純な引き算になるか、またはもっと複雑な計算になる。
【００４９】
本発明の一実施形態においては、第１テスト露光シーケンス中の第１基板の熱伝統特性と、第２テスト露光シーケンス中の第２基板の熱伝導特性は異なる。第２基板には、第１および第２基板の両レジスト層を付与するのに使われるプロセスのプロセスパラメータ値を変更することによって、第１基板とは異なるレジスト層を与えることができる。変更する典型的なパラメータは、レジスト層厚およびレジスト層材料の伝導率である。レジスト層は、スピンコーティングと呼ばれるコーティングプロセスによって、第１および第２基板に塗布される。このようなプロセスのプロセスパラメータは、たとえば、使用材料、レジスト材料の粘性、基板の回転速度、塗布時のコーティング温度、および硬化時間である。
【００５０】
本発明の一実施形態において、第１セットのテスト構造は、第１テスト露光シーケンス中にリソグラフィ装置を用いて第１基板上にプリントされる。第２セットのテスト構造は、第１露光シーケンスに等しい第２露光シーケンス中、すなわち第１および第２の両テスト露光シーケンスにて適用されるコースおよび速度プロファイル、ならびに熱負荷プロファイルが等しい第２テスト露光シーケンス中に、第２基板上にプリントされる。しかしながら、第１基板の熱気化特性は、第２基板の熱気化特性と異なっている。この相違は、異なるトップコートを塗布することによって得ることができる。トップコートは、基板上のコーティングであり、これを透過したあと放射線が光活性層であるレジスト層に届く。トップコートは、コーティングプロセスによって塗布される。そのプロセスパラメータは、たとえば、使用材料、トップコート材料の粘性、塗布時のコーティング温度、および硬化時間である。１つまたは複数のプロセスパラメータ値を変えることによって、トップコート（およびしたがって基板）の熱気化特性を変えることができる。
【００５１】
本発明の一実施形態において、第１セットのテスト構造は、第１テスト露光シーケンス中にリソグラフィ装置を用いて第１基板上にプリントされる。第１テストシーケンス中、第１コースおよび第１速度プロファイルが適用される。第２セットのテスト構造は、第２テスト露光シーケンス中にリソグラフィ装置を用いて第２基板上にプリントされる。第２テスト照射シーケンス中、第１コースおよび第１速度プロファイルが同様に適用される。しかしながら、第１コース中、液浸液は、第２コース中よりわずかに温かい（たとえば摂氏０．１または０．０１度）、換言すれば、異なる熱負荷プロファイルが適用される。したがって、基板は、第２テスト露光シーケンス後の液浸液の気化中より、第１テスト露光シーケンス後の液浸液の気化中の方が冷めにくい。この理由は、基板から温かい液体が気化するときには、冷たい液体が気化するときほど熱が要らないからである。換言すれば、第２テスト露光シーケンス後に基板から液体が気化する間、より多くの熱エネルギが使われる。第１および第２テスト露光シーケンス後のオーバレイ誤差を測定し、かつ引き算する。また第１および第２テスト露光シーケンス後に使われた熱エネルギの差も計算する。引き算したオーバレイ誤差を熱エネルギの差で除算することによって、熱エネルギに対するオーバレイ誤差の導関数(derivative)を計算する。導関数を用いて、基板から全液体を気化させるのに必要な熱エネルギの推定総量を乗じることによって、液体気化によって生じる推定総オーバレイ誤差を得る。もちろん、オーバレイ誤差と気化との間の関係に対して別のモデルを使うことができるし、レジスト層を通る熱伝導といった他の熱影響を含むより複雑なモデルを使うこともできる。
【００５２】
当業者に明らかなように、テスト構造は、位置決めマーク(alignment mark)としてもよい。位置決めマークをプリントすると、所望のプリントされた位置を持つことになる。測定された位置から所望のプリント位置（言い換えると、事前情報）を引き算することによって、オーバレイ誤差が求まる。したがって、位置決めマークの位置測定を行うことによって、第１セットの誤差データを得て、同様に第２セットの誤差データも得ることができる。さらに理解されるように、第２セットのテスト構造のうちのある１つの第１所望プリント位置に対応する測定された位置決めマーク位置もまた、第１セットのテスト構造のうちの第１所望プリント位置に対応する測定された位置決めマーク位置から直接引き算することができる。その結果から、ウェーハ冷却に関連したオーバレイ誤差を識別しかつ修正することができる。
【００５３】
欧州特許出願03257072.3には、ツインもしくはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置のアイデアが開示されている。この装置は、基板を支持するために２つのテーブルを備えている。レベル測定は、液浸液なしで、第１位置においてテーブルを用いて実行され、露光は、液浸液がある第２位置においてテーブルを用いて実行される。あるいは、レベル測定は、液浸液がある状態の第１位置においてテーブルを用いて実行され、露光は、やはり液浸液がある状態で第２位置においてテーブルを用いて実行される。あるいは、液浸リソグラフィ装置は、１つのテーブルのみを備えている。この方法は非液浸リソグラフィ装置にもまた適用することができる。
【００５４】
当業者には理解できるだろうが、第１セットのテスト構造のプリント工程（Ｓ１）は、第１リソグラフィ投影装置上で実行されてもよく、第２セットのテスト構造は、第２リソグラフィ投影装置を使ってプリント（Ｓ３）されてもよく、さらに実際のキャリブレーション（Ｓ６）は、第３リソグラフィ投影装置または一連の投影装置に適用されてもよい。この場合、それぞれのリソグラフィ投影装置間のオーバレイ差異は、事前にキャリブレーションされており、さらにそれぞれのリソグラフィ投影装置は、同一のブランドおよび形式のものであることが望ましい。
【００５５】
当業者には明らかなように、異なる実施形態は異なる利点を有している。第１セットのテスト構造ならびに第２セットのテスト構造のプリントに、２つの異なるリソグラフィ投影装置上にプリントするのではなく、１つ同一のリソグラフィ投影装置を使うことで、２つのリソグラフィ投影装置間のキャリブレーションされていないオーバレイ差異といった機械間差異が影響しなくなるという利点が生まれる。第１および第２セットのテスト構造をプリントするために実際に使われるリソグラフィ投影装置をキャリブレーションすれば、機械間差異が影響しなくなるという利点が生まれる。第１および第２セットのテスト構造をプリントするために、１つの同じ基板を使えば、局部膨張特性が基板上の層ではなく主に基板材料に依存する基板の場合は、基板の局部膨張特性が等しくなるという利点が生まれる。基準マーク付きのこの層は、第１セットのテスト構造がプリントされる第２層の下の第１層である。第１セットのテスト構造の位置を読み取った後、第２セットのテスト構造を第３層内にプリントする。あるいは、第３層を塗布する前に、第２層を取り除く。リソグラフィ装置の性能が経時変化（ドリフト）する場合は、２つ別々の基板を使って、第１および第２セットのテスト構造を互いの直後にプリントすることが、有利である。この方法によれば、２セットのテスト構造間の時間差は、第１および第２セットのテスト構造をプリントするために１つの同じ基板を使うときより小さくなり、したがって、ドリフトの影響は最小になる。
【００５６】
本明細書ではＩＣ製造においてリソグラフィ装置を使うことについて具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有するものであると理解されるべきである。当業者には理解できるだろうが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えることができる。本明細書に記載した基板は、露光前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、測定ツール(metrology tool)、および／または検査ツール(inspection tool)で処理されてもよい。適用できるのであれば、本明細書中の開示を上記のような基板プロセスツールおよびその他の基板プロセスツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる用語基板が、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５７】
本明細書で使われている用語「放射線」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射線（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射線を包含している。
【００５８】
用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折および反射型光学部品を含むさまざまな種類の光学部品のどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００５９】
以上、本発明の具体的で詳細な実施形態を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行することが可能であることは理解できるであろう。たとえば、適用できるのであれば、本発明は、前述の方法を記載した機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムを記録したデータ保存媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）を採用することもできる。
【００６０】
本発明は、前述したタイプの液浸リソグラフィ装置に特に、しかしこれらに限定されることなく、あらゆる液浸リソグラフィ装置に適用することができる。装置に使われる液浸液は、所望の特性および使用する露光放射線の波長によってさまざまな配合を有するものとすることができる。１９３ｎｍの露光波長に対しては、超純水または水性配合物(water-based compositions)を使うことができ、この理由から、液浸液は、往々にして水と呼ばれ、また親水性、疎水性、湿気などといった水に関連した用語が使われる場合がある。しかしながら、本発明の実施形態においては、そのような水に関連した用語が、使用される液浸液に関連した同等語に置き換えられるべきである場合には、他の種類の液体を使うことができる。
【００６１】
上記の説明は、制限ではなく例示を目的とし、したがって、当業者には明らかなように、特許請求の範囲を逸脱することなく、本記載の発明に変更を加えることもできる。
【００６２】
本発明は、以下のようにまとめることができる。
【００６３】
１．  投影システムを備えたリソグラフィ投影装置をキャリブレーションする方法であって、
基板上に第１セットのテスト構造をプリントし、基板を投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
基板上に第２セットのテスト構造をプリントし、基板を投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第２コースは第１コースとは異なっている工程と、
第１セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第１セットの位置誤差データを得る工程と、
第２セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第２セットの位置誤差データを得る工程と、
第１および第２セットの位置誤差データから第３セットの位置誤差データを計算する工程と、
第３セットの位置誤差データを使ってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
を含む。
【００６４】
２．  基板上に複数の列状に並べた一連のターゲット部分に第１および第２テスト構造をプリントし、所定順序でターゲット部分をプリントすることによって、第１テスト構造をプリントし、さらに該所定順序とは逆の順序でターゲット部分をプリントすることによって、第２テスト構造をプリントする上記１の方法。
【００６５】
３．  ターゲット部分からターゲット部分へ異なってもよいそれぞれのスキャン方向で基板を投影システムに対してスキャンすることによって、各ターゲット部分をプリントし、さらに各ターゲット部分に対しては、同一スキャン方向を使って第１および第２テスト構造をプリントする上記２の方法。
【００６６】
４．  ターゲット部分からターゲット部分へ異なってもよいそれぞれのスキャン方向で基板を投影システムに対してスキャンすることによって、各ターゲット部分をプリントし、さらに各ターゲット部分に対して、逆スキャン方向を使って第１および第２テスト構造をプリントする上記２の方法。
【００６７】
５．  前記所定順序とは逆の順序で、かつ第１および第２セットのテスト構造をプリントするために使われるスキャン方向とは逆の各スキャン方向を使って、ターゲット部分のそれぞれ上に第３セットのテスト構造をプリントする工程をさらに含む上記３の方法。
【００６８】
６．  第１コースは、第１基板が蛇行順路(meander path)に沿って第１方向に移動される該蛇行順路を含み、また第２コースは、第２基板が該蛇行順路に沿って第１方向とは逆の第２方向に移動される該蛇行順路を含む上記１による方法。
【００６９】
７．  第２コースは、第１コースの鏡像と実質的に同一である上記１による方法。
【００７０】
８．  第２コースは、第１コースの１８０度回転と実質的に同一である上記１による方法。
【００７１】
９．  第３セットの位置誤差データを計算する工程は、第１および第２セットの位置誤差データ間の差を取得する工程を含む上記１による方法。
【００７２】
１０．  第１および第２セットのテスト構造のプリント工程およびテスト構造の位置誤差データの測定工程をそれぞれ複数回繰り返して、第１および第２セットの位置誤差データを得る上記１による方法。
【００７３】
１１．  第１および２テスト構造を同一基板上にプリントする上記１による方法。
【００７４】
１２．  第１および第２テスト構造を異なる基板上にプリントする上記１による方法。
【００７５】
１３．  リソグラフィ投影装置は、液浸型のものである上記１による方法。
【００７６】
１４．  第１および第２セットの位置誤差データは、オーバレイ誤差データのセットである上記１による方法。
【００７７】
１５．  投影システムを有するリソグラフィ投影装置を使うデバイス製造方法であって、
第１セットのテスト構造を基板上にプリントし、基板を投影システムに対して第１コース上を移動させて、第１セットのテスト構造の当該プリントを行う工程と、
第２セットのテスト構造を基板上にプリントし、基板を投影システムに対して第２コース上を移動させて、第２セットのテスト構造の当該プリントを行うものとし、第２コースは第１コースとは異なっている工程と、
第１セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第１セットの位置誤差データを得る工程と、
第２セットのテスト構造内の位置誤差を測定して、第２セットの位置誤差データを得る工程と、
第１および第２セットの位置誤差データから第３セットの位置誤差データを計算する工程と、
第３セットの位置誤差データを使ってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程と、
リソグラフィ装置を使って、基板上にデバイスパターンをプリントする工程と、
によってリソグラフィ投影装置のキャリブレーションを行う工程を
含む。
【００７８】
１６．  基板上に複数の列状に並べた一連のターゲット部分内に第１および第２テスト構造をプリントし、所定順序でターゲット部分をプリントすることによって、第１テスト構造をプリントし、さらに当該所定順序とは逆の順序でターゲット部分をプリントすることによって、第２テスト構造をプリントする上記１５による方法。
【００７９】
１７．  ターゲット部分からターゲット部分へ異なってもよいそれぞれのスキャン方向で基板を投影システムに対してスキャンすることによって、各ターゲット部分をプリントし、さらに各ターゲット部分に対して、同一スキャン方向を使って第１および第２テスト構造をプリントする上記１６による方法。
【００８０】
１８．  ターゲット部分からターゲット部分へ異なってもよいそれぞれのスキャン方向で基板を投影システムに対してスキャンすることによって、各ターゲット部分をプリントし、さらに各ターゲット部分に対して、逆スキャン方向を使って第１および第２テスト構造をプリントする上記１６による方法。
【００８１】
１９．  所定順序とは逆の順序で、かつ第１および第２セットのテスト構造をプリントするために使われるスキャン方向と逆の各スキャン方向を使って、ターゲット部分のそれぞれ上に第３セットのテスト構造をプリントする工程をさらに含む上記１７による方法。
【００８２】
２０．  第３セットの位置誤差データを計算する工程は、第１および第２セットの位置誤差データ間の差を取得する工程を含む上記１５による方法。
【００８３】
２１．  第１および第２セットのテスト構造のプリント工程およびテスト構造中の位置誤差データの測定工程をそれぞれ複数回繰り返して、第１および第２セットの位置誤差データを得る上記１５による方法。
【００８４】
２２．  第１および第２テスト構造を同一基板上にプリントする上記１５による方法。
【００８５】
２３．  第１および第２テスト構造を異なる基板上にプリントする上記１５による方法。
【００８６】
２４．  リソグラフィ投影装置は、液浸型のものである上記１５による方法。
【００８７】
２５．  第１および第２セットの位置誤差データは、オーバレイ誤差データのセットである上記１５による方法。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の一実施形態で使用可能なリソグラフィ装置を示す。
【図２】リソグラフィ投影装置で使う液体供給システムを示す。
【図３】リソグラフィ投影装置で使う液体供給システムを示す。
【図４】リソグラフィ投影装置で使う別の液体供給システムを示す。
【図５】リソグラフィ投影装置で使う別の液体供給システムを示す。
【図６】本発明の一実施形態を実行して得られた第１セットのオーバレイ誤差データを示す。
【図７】本発明の一実施形態を実行して得られた第３セットのオーバレイ誤差データを示す。
【図８】正蛇行順路(normal meander path)を示す。
【図９】逆方向に進む蛇行順路(meander path)を示す。
【図１０】本発明による方法のフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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