(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある上面を有する階段部とを備え、前記階段部の前記上面にベース側パッドが形成され、
前記電子デバイスの製造方法は、
前記電子部品をコレットにより保持し、前記ベースの前記凹陥部の前記底面上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、
前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと前記ベース側パッド上に形成された前記バンプとを、ワイヤにより接続するワイヤボンディング工程と
を有し、
前記電子部品搭載工程は、前記コレットの下端を、前記階段部の前記上面の上方における前記電子部品の前記上面より低い位置に配置した状態で、前記電子部品を前記ベースの前記底面上に搭載し、
前記ワイヤボンディング工程は、前記ワイヤの一端を前記ベース側パッドよりも高い位置にある前記電子部品の前記上面の前記部品側パッドに接合し、他端を前記多段に形成されたバンプに接合する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
圧電振動片と、電子部品と、前記圧電振動片および前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスの製造方法であって、
前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある第１の上面を有する第１の階段部と前記第１の上面より高い位置にある第２の上面を有する第２の階段部とを備え、前記第１の上面にベース側パッドが形成され、前記第２の上面にマウント電極が形成され、
前記電子デバイスの製造方法は、
前記電子部品をコレットにより保持し、前記ベースの前記凹陥部の前記底面上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、
前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと前記ベース側パッド上に形成された前記多段に形成されたバンプとを、ワイヤにより接続するワイヤボンディング工程と、
前記圧電振動片を前記マウント電極に搭載するマウント工程と、
を有し、
前記電子部品搭載工程は、前記コレットの下端を、前記第１の階段部の前記上面の上方における前記電子部品の前記上面より低い位置に配置した状態で、前記電子部品を前記ベースの前記底面上に搭載し、
前記ワイヤボンディング工程は、前記ワイヤの一端を前記ベース側パッドよりも高い位置にある前記電子部品の前記上面の前記部品側パッドに接合し、他端を前記多段に形成されたバンプに接合する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
上面に部品側パッドを有する電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスであって、
前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置に上面を有する階段部とを備え、前記階段部の前記上面にベース側パッドが形成され、
前記電子部品は、前記ベースの前記底面上に搭載され、
前記ベースの前記階段部の前記上面は、前記電子部品の前記上面より低い位置に存在し、
前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプが形成され、
前記部品側パッドと前記多段に形成されたバンプとがワイヤにより接続されている
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
圧電振動片と、上面に部品側パッドを有する電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスであって、
前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある第１の上面を有する第１の階段部と前記第１の上面より高い位置にある第２の上面を有する第２の階段部とを備え、前記第１の上面にベース側パッドが形成され、前記第２の上面にマウント電極が形成され、
前記電子部品は、前記ベースの前記底面上に搭載され、
前記ベースの前記第１の上面は、前記電子部品の前記上面より低い位置に存在し、
前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプが形成され、
前記部品側パッドと前記多段に形成されたバンプとが、ワイヤにより接続され、
前記圧電振動片は、前記マウント電極に搭載されている
ことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイスおよびその製造方法に係り、特にベースと、このベース上に設けられた電子部品とにワイヤを接合して導通させた電子デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器が小型化されているのに伴い、これに搭載される電子デバイスに低背化が要求されている。この電子デバイスとしては、例えば圧電デバイスがあげられる。圧電デバイスは、例えば次のような構成になっている。すなわち圧電デバイスは、凹陥部が設けられたパッケージベースを有している。この凹陥部の底面に集積回路（ＩＣ）チップが搭載され、また凹陥部の側面に設けられた階段部上にベース側パッドが設けられている。そしてＩＣチップの主面（上面）に設けられた部品側パッドとベース側パッドにワイヤが接合されている。なお部品側パッドは、ベース側パッドよりも上方に位置している。またＩＣチップの上方に圧電振動片が配設されている。そしてパッケージベースの上面に蓋体が接合されて、凹陥部が封止されている。
【０００３】
ところで通常のワイヤボンディングは、まず部品側パッド上にワイヤの一端を接合し（第１ボンディング）、ワイヤを上方に引上げた後、ワイヤを側方に引き出してベース側パッドにワイヤの他端を接合（第２ボンディング）している。図５は従来のワイヤの状態を説明する図である。この通常のワイヤボンディングを行うと、圧電デバイス１の低背化の要求に応じてＩＣチップ２と圧電振動片３の間隔を狭めた場合、図５（Ａ）に示されるようにワイヤ４が圧電振動片３の下面に接触してしまう。またワイヤ４と圧電振動片３の接触を防止するためにワイヤ４のループを低くした場合は、図５（Ｂ）に示されるように、ＩＣチップ２の角部とワイヤ４が接触してしまう。
【０００４】
これを解決するためには、逆ボンディングを行うことが考えられる。この逆ボンディングは、まずベース側パッドにワイヤの一端を接合し（第１ボンディング）、この後ワイヤの他端を部品側パッドに接合する（第２ボンディング）工程である。なお逆ボンディングについて開示されたものとしては特許文献１，２がある。しかし、この逆ボンディングでは、ワイヤボンディングを行うキャピラリの押圧が部品側パッドに直接加わることになるので、ＩＣチップに損傷が生じてしまう。
【０００５】
このため、キャピラリの押圧が部品側パッドに直接加わるのを防ぐために、図５（Ｃ）に示されるように、まず部品側パッド５の上にバンプ６を形成し、次にベース側パッド７にワイヤ４の一端を接合し（第１ボンディング）、この後ワイヤ４の他端をバンプ６上に接合（第２ボンディング）すればよい。なお、このような方法について開示されたものとして特許文献３があげられる。
【特許文献１】特開昭６３−２４４６３３号公報（第４図）
【特許文献２】特開２０００−１１４８７６号公報（段落００１２）
【特許文献３】特開平３−２３３９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが部品側パッド上にバンプを形成し、その後逆ボンディングによりワイヤを接合する方法であっても、キャピラリの押圧がＩＣチップ上に複数回加わるので、その回数によっては部品側パッドに損傷が生じ、ＩＣチップ自体にも損傷が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明は、低背化され、且つ、ＩＣチップに損傷が生じることなく安定して製造される電子デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスの製造方法であって、前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある上面を有する階段部とを備え、前記階段部の前記上面にベース側パッドが形成され、前記電子デバイスの製造方法は、前記電子部品をコレットにより保持し、前記ベースの前記凹陥部の前記底面上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと前記ベース側パッド上に形成された前記バンプとを、ワイヤにより接続するワイヤボンディング工程とを有し、前記電子部品搭載工程は、前記コレットの下端を、前記階段部の前記上面の上方における前記電子部品の前記上面より低い位置に配置した状態で、前記電子部品を前記ベースの前記底面上に搭載し、前記ワイヤボンディング工程は、前記ワイヤの一端を前記ベース側パッドよりも高い位置にある前記電子部品の前記上面の前記部品側パッドに接合し、他端を前記多段に形成されたバンプに接合することを特徴としている。
【０００９】
これによりベース側パッドの高さをバンプによって高くできるので、ワイヤのループを高く形成しなくともワイヤと電子部品の接触を防止できる。またワイヤのループを低く形成できるので、電子デバイスを低背化することができる。さらに第１ボンディングを部品側パッドに行うことができるので、ボンディングを行うキャピラリによって部品側パッドおよび電子部品が損傷を受けることを防止で
き、安定して電子デバイスを製造することができる。
【００１０】
また本発明に係る電子デバイスの製造方法は、圧電振動片と、電子部品と、前記圧電振動片および前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスの製造方法であって、前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある第１の上面を有する第１の階段部と前記第１の上面より高い位置にある第２の上面を有する第２の階段部とを備え、前記第１の上面にベース側パッドが形成され、前記第２の上面にマウント電極が形成され、前記電子デバイスの製造方法は、前記電子部品をコレットにより保持し、前記ベースの前記凹陥部の前記底面上に前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプを形成するバンプ形成工程と、前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと前記ベース側パッド上に形成された前記多段に形成されたバンプとを、ワイヤにより接続するワイヤボンディング工程と、前記圧電振動片を前記マウント電極に搭載するマウント工程と、を有し、前記電子部品搭載工程は、前記コレットの下端を、前記第１の階段部の前記上面の上方における前記電子部品の前記上面より低い位置に配置した状態で、前記電子部品を前記ベースの前記底面上に搭載し、前記ワイヤボンディング工程は、前記ワイヤの一端を前記ベース側パッドよりも高い位置にある前記電子部品の前記上面の前記部品側パッドに接合し、他端を前記多段に形成されたバンプに接合することを特徴としている。
これにより圧電デバイスを構成することができる。そして、ワイヤのループを低く形成できるので、圧電振動片と電子部品の間隔を狭めることができる。よって圧電デバイスを低背化することができる。また圧電振動片と電子部品が積層方向に配置されているので、圧電デバイスの平面サイズを小型化することができる。
【００１１】
複数のバンプを多段にすることでベース側パッドをかさ上げする高さを調整することができ、電子部品の上面とバンプの最上面との高さを同じまたは同程度にしている。したがってワイヤのループをより低く形成できるので、電子デバイスをより低背化することができる。またワイヤと電子部品が接触するのを確実に防止できる。
【００１２】
また本発明に係る電子デバイスは、上面に部品側パッドを有する電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスであって、前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置に上面を有する階段部とを備え、前記階段部の前記上面にベース側パッドが形成され、前記電子部品は、前記ベースの前記底面上に搭載され、前記ベースの前記階段部の前記上面は、前記電子部品の前記上面より低い位置に存在し、前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプが形成され、前記部品側パッドと前記多段に形成されたバンプとがワイヤにより接続されていることを特徴としている。
【００１３】
これによりベース側パッドの高さをバンプによって高くできるので、ワイヤのループを高く形成しなくともワイヤと電子部品の接触を防止できる。またワイヤのループを低く形成できるので、電子デバイスを低背化することができる。さらにベース側パッドの高さをバンプによって高くしているので、通常のワイヤボンディングを行う順番、すなわち第１ボンディングを電子部品に行うことができる。このためボンディングを行うキャピラリによって電子部品が損傷を受けることを防止でき、電子デバイスを安定して製造することができる。
【００１４】
また本発明に係る電子デバイスは、圧電振動片と、上面に部品側パッドを有する電子部品と、前記電子部品が搭載されるベースとを備えた電子デバイスであって、前記ベースは凹陥部を備え、前記凹陥部は底面と前記底面より高い位置にある第１の上面を有する第１の階段部と前記第１の上面より高い位置にある第２の上面を有する第２の階段部とを備え、前記第１の上面にベース側パッドが形成され、前記第２の上面にマウント電極が形成され、前記電子部品は、前記ベースの前記底面上に搭載され、前記ベースの前記第１の上面は、前記電子部品の前記上面より低い位置に存在し、前記ベース側パッド上に前記電子部品の上面に形成された部品側パッドと同じ高さまたは同程度の高さとなるように多段にバンプが形成され、前記部品側パッドと前記多段に形成されたバンプとが、ワイヤにより接続され、前記圧電振動片は、前記マウント電極に搭載されていることを特徴としている。
【００１５】
これにより圧電デバイスを構成することができる。そして、ワイヤのループを低く形成できるので、圧電振動片と電子部品の間隔を狭めることができる。よって圧電デバイスを低背化することができる。また圧電振動片と電子部品が積層方向に配置されているので、圧電デバイスの平面サイズを小型化することができる。
【００１６】
複数のバンプを多段にすることでベース側パッドをかさ上げする高さを調整することができ、電子部品の上面とバンプの最上面との高さを同じまたは同程度にしている。したがってワイヤのループをより低く形成できるので、電子デバイスをより低背化することができる。またワイヤと電子部品が接触するのを確実に防止できる
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る電子デバイスおよびその製造方法の最良の実施形態について説明する。なお以下では、電子デバイスの一例として圧電デバイスを用いた形態について説明する。
図１は圧電デバイスの断面図である。圧電デバイス１０は、ＩＣチップ１４（電子部品）および圧電振動片１８が搭載されるパッケージベース２０（ベース）を有している。具体的には、パッケージベース２０は、底面上の周囲に側壁部が設けられることによって、上方に向かって開口した凹陥部２２が形成されている。この凹陥部２２の側面は階段状に形成されており、下側階段部２４および上側階段部２８が設けられている。この下側階段部２４の上面にベース側パッド２６が設けられている。なおベース側パッド２６は複数設けられているが、図１では１つだけ示されている。また上側階段部２８の上面にマウント電極３０が設けられている。そしてベース側パッド２６の一部とマウント電極３０が導通している。
【００１８】
そして凹陥部２２の底面は、ＩＣチップ１４の平面方向の大きさと、ＩＣチップ１４の搭載精度とを考慮した面積を少なくとも有していればよい。また下側階段部２４と上側階段部２８の間に形成される凹陥部２２の側面同士の間隔Ａは、図２に示されるように、コレット３６の平面方向の大きさと、ＩＣチップ１４の搭載精度とを考慮した間隔を少なくとも有していればよい。なおコレット３６は、ＩＣチップ１４を吸着保持する治具であり、ＩＣチップ１４をパッケージベース２０に搭載するときに用いられる。
【００１９】
また図１に示されるように、パッケージベース２０の裏面に外部端子３２が設けられている。この外部端子３２は、マウント電極３０に接続していないベース側パッド２６と導通している。
【００２０】
そしてＩＣチップ１４は、主面（上面）に部品側パッド１６を備えている。このＩＣチップ１４は、主面を上方に向けて凹陥部２２の底面に配設されている。ＩＣチップ１４がパッケージベース２０に搭載されると、部品側パッド１６（ＩＣチップ１４の主面）は、ベース側パッド２６よりも上方に位置しているとともに、マウント電極３０よりも下方に位置している。このＩＣチップ１４は、圧電振動片１８を発振させる回路を備えていればよい。なおＩＣチップ１４は、圧電振動片１８から出力される周波数信号の周波数を可変させるための電圧制御回路や、圧電振動片１８の周囲温度に応じて発振周波数を補正するための温度補償回路等を備えることもできる。
【００２１】
またベース側パッド２６の上面に導電性部材（バンプ４０）が設けられている。このバンプ４０は、図１に示されるように多段に設けられていてもよく、１段だけ設けられていてもよい。このバンプ４０は、ベース側パッド２６の高さをかさ上げするために用いられる。そしてバンプ４０の高さは、部品側パッド１６（ＩＣチップ１４の主面）と同じ高さまたは同程度の高さであるのが好ましい。
【００２２】
このバンプ４０と部品側パッド１６にワイヤ４２が接合されて、これらが導通している。なおワイヤ４２は、最上段に位置するバンプ４０の上に接合されていればよい。これにより外部端子３２とＩＣチップ１４とが導通する。
【００２３】
また圧電振動片１８は、導電性接着剤４４によってマウント電極３０上に搭載され、ＩＣチップ１４と導通している。これにより圧電振動片１８とＩＣチップ１４は積層方向（図１では上下方向）に配置されている。この圧電振動片１８は、電気信号が供給されると発振して、この発振周波数を有する信号（周波数信号）を出力するものである。なおワイヤ４２は、圧電振動片１８の下面とＩＣチップ１４の主面との間にあるので、圧電振動片１８またはＩＣチップ１４に接触することはない。
【００２４】
またパッケージベース２０の上にシームリング等の接合材４６を介して蓋体４８が接合されている。これにより凹陥部２２は気密封止されている。
【００２５】
次に、圧電デバイス１０の製造方法について説明する。まずパッケージベース２０を形成する。このパッケージベース２０は、例えば枠幅の異なる複数の枠型絶縁シートを平板絶縁シート上に積層することにより形成される。なおベース側パッド２６やマウント電極３０、外部端子３２は、例えば枠型絶縁シートや平板絶縁シートの上にメタライズ印刷をした後、このメタライズ上にメッキを施すことにより形成される。
【００２６】
この後、パッケージベース２０に設けられた凹陥部２２の底面上にＩＣチップ１４が搭載される。これは図２に示されるように、コレット３６の下面に設けられた角錐形状（側面断面視して三角形）の吸着部でＩＣチップ１４を吸着保持し、これをパッケージベース２０の上方に移動させ、その後ＩＣチップ１４を凹陥部２２の底面上に搭載している。
【００２７】
なお凹陥部２２の開口は、コレット３６が接触することのない最低限の大きさを有しているので、この搭載時にコレット３６とパッケージベース２０が接触することはない。すなわち下側階段部２４と上側階段部２８の間における凹陥部２２の側面の間隔Ａは、コレット３６の平面方向の大きさとＩＣチップ１４の搭載精度とを考慮した最低限の間隔を有していればよいので、コレット３６と凹陥部２２の側面とが接触することはない。また凹陥部２２の側面に形成される下側階段部２４の高さは低く形成されているので、コレット３６と下側階段部２４が接触することはない。
【００２８】
この後、ベース側パッド２６の上にバンプ４０を設ける。このバンプ４０は、コレット３６との接触を防止するために下側階段部２４が低く形成されているので、ベース側パッド２６の高さをかさ上げするために形成される。そしてバンプ４０は、例えばワイヤボンディングを行うキャピラリの先端において、このキャピラリから出ているワイヤ４２を溶かしてボール形状にし、超音波や熱、荷重等を加えることによりこのボールをベース側パッド２６に溶着し、このボールをワイヤ４２から切り離して形成される。そして、これを繰り返し行うことで、多段バンプ４０が形成される。
【００２９】
なお多段バンプ４０を形成する場合、ベース側パッド２６の直上に形成されるバンプ４０（最下のバンプ）を通常よりも強く溶着し、その上に形成される他のバンプ４０を通常通り溶着することができる。ベース側パッド２６直上のバンプ４０（最下のバンプ）を強く溶着する理由は以下の通りである。すなわちパッケージベース２０を保管しているときには、ベース側パッド２６の表面に様々な汚染物質が付く。この汚染物質は、例えば酸化物やメッキの残さである。ベース側パッド２６の表面に汚染物質が付いていると、ボンディング時に通常用いられている超音波や熱、荷重等を加えてもバンプ４０（前記ボール）を接合できない。このため、通常よりも強い超音波や高い熱、大きな荷重等を加えて最下のバンプ４０をベース側パッド２６の上に溶着すると汚染物質が取り除かれるので、バンプ４０とベース側パッド２６の接合強度を向上させることができる。そして最下のバンプ４０の上に形成される他のバンプ４０は、通常通りの超音波や熱、荷重等を加えることで形成することができる。
【００３０】
この後、通常のワイヤボンディングにより、ワイヤ４２の一端が部品側パッド１６に接合され（第１ボンディング）、ワイヤ４２の他端がバンプ４０上に接合される（第２ボンディング）。すなわちキャピラリの先端から出ているワイヤ４２をボール形状にした後、このボールをＩＣチップ１４に設けられた部品側パッド１６の上に溶着する。そしてワイヤ４２を上方に引き出した後、側方に引き出してバンプ４０の上にワイヤ４２を溶着し、ワイヤ４２を切断する。
【００３１】
なおバンプ４０やワイヤ４２の材料は、ベース側パッド２６の表面材料と同じであってもよい。一例としては、ベース側パッド２６の表面が金メッキされていれば、金バンプや金ワイヤを用いればよい。これによりベース側パッド２６とバンプ４０の接合強度およびバンプ４０とワイヤ４２の接合強度が向上する。またベース側パッド２６の上にバンプ４０を形成する装置と、ＩＣチップ１４とバンプ４０とにワイヤ４２を接合する装置とは別々の装置である必要はなく、一つの装置でバンプ形成とワイヤ接合を兼用してもよい。
【００３２】
この後、マウント電極３０の上に導電性接着剤４４が塗布され、この導電性接着剤４４の上に圧電振動片１８が搭載される。これにより圧電振動片１８がパッケージベース２０に搭載される。この後、パッケージベース２０の上に接合材４６を介して蓋体４８が接合される。このようにして圧電デバイス１０が形成される。
【００３３】
このような圧電デバイス１０およびその製造方法によれば、ベース側パッド２６の上にバンプ４０を設けて、このベース側パッド２６の高さをかさ上げしている。このため通常の第１ボンディングと第２ボンディングの順番により、ワイヤループを高くせずに部品側パッド１６とバンプ４０にワイヤ４２を接合しても、ワイヤ４２とＩＣチップ１４が接触するのを防止できる。またワイヤ４２のループを低くできるので、圧電振動片１８とＩＣチップ１４の間隔を狭めてもワイヤ４２と圧電振動片１８が接触するのを防止できる。したがって圧電振動片１８とＩＣチップ１４の間隔を狭めることにより、圧電デバイス１０を低背化できる。またＩＣチップ１４や圧電振動片１８とワイヤ４２とが接触することがないので、高信頼性の圧電デバイス１０を得ることができる。
【００３４】
また多段のバンプ４０を形成した場合、最下のバンプ４０を他のバンプ４０に比べて強くベース側パッド２６に接合すれば、ベース側パッド２６の表面に付いている汚染物質を取り除くことができる。このためバンプ４０がベース側パッド２６から剥がれ難くなり、高信頼性の圧電デバイス１０を得ることができる。
【００３５】
また第１ボンディングを行う場合、キャピラリから出ているワイヤ４２の先端をボール形状にしている。このため第１ボンディングを行うためにＩＣチップ１４（部品側パッド１６）の上にキャピラリを下ろしても、キャピラリの押圧がボールを介してＩＣチップ１４（部品側パッド１６）に伝わるので、この押圧がＩＣチップ１４（部品側パッド１６）に直接加わることがない。そしてＩＣチップ１４には、第１ボンディングを行うために１回だけキャピラリによる押圧が加えられる。このため部品側パッド１６に損傷が生じるのを防ぐことができるとともに、ＩＣチップ１４に損傷が生じるのを防ぐことができる。そしてＩＣチップ１４に不良が発生するのを防止でき、圧電デバイス１０を安定して製造することができる。
【００３６】
また凹陥部２２の開口は、キャピラリを入れることができる最低限の大きさを有していればよいので、圧電デバイス１０の平面サイズを小型化することができる。なお圧電デバイス１０の平面サイズを小型化した場合であっても、下側階段部２４の高さを低くしているので、コレット３６と下側階段部２４が接触することはない。
【００３７】
そして前述した実施形態では圧電デバイス１０を例にして説明したが、本発明にあってはこれに限定されることはない。すなわち電子デバイスは、例えば図３に示される構成にすることができる。この電子デバイス５０は、パッケージベース２０（ベース）を有している。このパッケージベース２０に凹陥部２２が設けられており、この凹陥部２２の底面にベース側パッド２６が設けられている。またパッケージベース２０の裏面に、ベース側パッド２６と導通する外部端子３２が設けられている。このパッケージベース２０に設けられた凹陥部２２の底面上にＩＣチップ１４（電子部品）が搭載されるとともに、ベース側パッド２６の上にバンプ４０（導電性部材）が設けられている。
【００３８】
そしてＩＣチップ１４の主面に設けられた部品側パッド１６にワイヤ４２の一端が接合され、バンプ４０の上にワイヤ４２の他端が接合されている。なおワイヤボンディングは、通常通り第１ボンディングとしてワイヤ４２の一端を部品側パッド１６に接合した後、第２ボンディングとしてワイヤ４２の他端をバンプ４０に接合すればよい。そして、このパッケージベース２０の上に蓋体４８が設けられている。これによりワイヤ４２のループを低く形成できるので、ＩＣチップ１４の主面と蓋体４８の下面との距離を縮めて電子デバイス５０を低背化することができる。
【００３９】
また電子デバイスは、図４（Ａ）に示される構成にすることもできる。この電子デバイス５２は、平板状の基板５４（ベース）を有している。この基板５４には、ベース側パッド２６がその上面に設けられるとともに、ベース側パッド２６と導通する外部端子３２がその下面に設けられている。そしてＩＣチップ１４（電子部品）が基板５４の上面に搭載され、またベース側パッド２６の上にバンプ４０（導電性部材）が設けられている。このＩＣチップ１４の主面に設けられた部品側パッド１６にワイヤ４２の一端が接合され、バンプ４０の上にワイヤ４２の他端が接合されている。このワイヤボンディングは、図３の例と同様に第１ボンディングおよび第２ボンディングを行えばよい。そしてＩＣチップ１４やバンプ４０、ワイヤ４２の周囲がモールド樹脂５６等で封止されている。これによりワイヤ４２のループを低く形成できるので、ＩＣチップ１４の主面とモールド樹脂５６の上面との距離を縮めて電子デバイス５２を低背化することができる。
【００４０】
さらに電子デバイス（圧電デバイス）は、図４（Ｂ）に示される構成にすることもできる。圧電デバイス５８は、裏面に外部端子６０が設けられた圧電振動子６２（ベース）を有している。この圧電振動子６２は圧電振動片（不図示）を収容しており、前記圧電振動片と外部端子６０が導通している。そして圧電振動子６２の裏面にＩＣチップ１４が搭載されるとともに、リード端子６４が接合されている。この外部端子６０およびリード端子６４の上にバンプ４０（導電性部材）が設けられている。
【００４１】
そしてＩＣチップ１４の主面に設けられた部品側パッド１６にワイヤ４２の一端が接合され、バンプ４０の上にワイヤ４２の他端が接合されて、圧電振動子６２やリード端子６４とＩＣチップ１４とが導通されている。このワイヤボンディングは、図３の例と同様に第１ボンディングおよび第２ボンディングを行えばよい。この圧電振動子６２やＩＣチップ１４、ワイヤ４２、バンプ４０等の周囲はモールド樹脂５６等で封止されている。そしてリード端子６４は、モールド樹脂５６から露出した部分が下方に折り曲げられて、その先端部の下面が実装端子６６とされている。これによりワイヤ４２のループを低く形成できるので、ＩＣチップ１４の主面とモールド樹脂５６の上面との間隔を縮めて電子デバイス（圧電デバイス５８）を低背化することができる。
【００４２】
なお上述した実施形態および変形例では、導電性部材としてバンプ４０を用いた構成であるが、ベース側パッド２６の高さをかさ上げするために用いられるのはバンプ４０に限定されることはない。すなわち導電性部材としては、導電性を有する材料や部品等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】圧電デバイスの断面図である。
【図２】ＩＣチップをパッケージベースに搭載するときの説明図である。
【図３】第１の変形例に係る電子デバイスの断面図である。
【図４】第２の変形例に係る電子デバイスの断面図である。
【図５】従来のワイヤの状態を説明する図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０………圧電デバイス、１４………ＩＣチップ、１６………部品側パッド、１８………圧電振動片、２０………パッケージベース、２２………凹陥部、２４………下側階段部、２６………ベース側パッド、２８………上側階段部、４０………バンプ、４２………ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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