(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000102
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良いメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いイミノ基を表し、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘａ２、Ｘｂ２がともにイミノ基の場合、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000103
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｖ）で示される請求項１記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000104
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いＮ−アルキルイミノ基、または置換基を有しても良いＮ−ベンジルイミノ基を表し、Ｘｃ２、Ｘｄ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘｃ１とＸｃ２、Ｘｄ１とＸｄ２が各々同時にイミノ基になることはなく、またＸｃ２、Ｘｄ２がともにイミノ基の場合、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000105
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【請求項３】
下記一般式（ＶＩ）で示される請求項２記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000106
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。但し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000107
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【請求項４】
下記一般式（ＶＩＩ）で示される請求項３記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000108
（式中、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ５〜Ｒ２４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
【請求項５】
下記一般式（ＶＩＩＩ）で示される請求項３記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000109
（式中、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ２５、Ｒ２６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ２７〜Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
【請求項６】
下記一般式（ＩＸ）で示される請求項２記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000110
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１０１、Ｘ１０２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０１〜Ｒ１０６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。）
0004691098.tif 000111
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【請求項７】
下記一般式（Ｘ）で示される請求項６記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000112
（式中、Ｘ１０３、Ｘ１０４はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０７〜Ｒ１１２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１１３〜Ｒ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
【請求項８】
下記一般式（ＸＩ）で示される請求項６記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000113
（式中、Ｘ１０５、Ｘ１０６はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１３３〜Ｒ１３８はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１３９〜Ｒ１５８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
【請求項９】
基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層、および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として請求項１〜８のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリメチン二量体化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像、映像、音声等のデータを記録再生することのできる媒体として、有機色素を記録材料として用いるＣＤ−Ｒが広く知られている。現在、扱われるデータ量の増大に伴い、ＣＤ−Ｒと比較して大容量な記録再生可能な光記録媒体の普及が望まれ、中でもＣＤ−Ｒ同様有機色素を記録材料とするＤＶＤ−Ｒが、次世代を担う媒体として開発され、商品化されるに至っている。
ＤＶＤ−Ｒの一般的な構造は図１に示す通りであり、ランド及びグル−ブを有する透明樹脂基板１の上に、記録層２、反射層３及び保護層（または接着層）４が形成され、場合によってはこれらの上に基板５が更に設けられる。
ＤＶＤ−Ｒでは高密度記録を行うためにレーザー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤ−Ｒの場合よりも短波長化している。このような短波長用途の有機色素系光記録媒体の色素としては、トリメチン化合物、アゾ化合物、ポルフィリン系化合物他、インジゴ類、ジオキサジン化合物、クマリン化合物、ペリレン化合物、ナフトラクタム化合物、トリフェニルメタン化合物、サブフタロシアニン化合物、ジベンゾピラン化合物、ジピロメテン化合物等が提案されている。
中でも、トリメチン化合物を用いた光記録媒体は光学特性に優れ、高密度化に対応できることから検討されている。
一方、ＣＤ−Ｒにおける記録速度の高速化に見られるように、ＤＶＤ−Ｒにおいても標準の記録速度に比べ、８倍速や１２倍速、若しくはそれ以上の１６倍速に対応した光記録媒体が望まれている。また、標準の記録速度から高速の記録速度のいずれの速度で記録しても良好な記録を行うことのできる光記録媒体の実現が望まれている。
しかし、高速記録、特に１２倍速以上の速度での記録を行う際には、記録レーザーの出力限界に伴う感度不足の問題や、ピット形成時に発生する熱による記録ピット間の熱干渉が増大し、ジッターが悪化する等の問題が顕在化してきた。
特開平１１−５３７６１号公報、特開２０００−１０８５１０号公報、特開２０００−２８９３３５号公報等にはニトロ基を導入したトリメチン化合物が開示され、特開２００２−５２８２９号公報には、特定の位置にスピロ環が導入されたトリメチン化合物が開示され、いずれも記録レーザーに対する感度が良好であるとの記載がある。しかしながら、高速記録時の感度、熱干渉に起因するジッターの悪化に関する記載はない。
特開２００３−２３１３５９号公報、特開２００５−５４１５０号公報、特開２００５−５３８７５号公報には、特定の位置にベンジル基が導入されたトリメチン化合物が開示され、ベンジル基の導入により分解温度が低下し、高速記録に対応したとの記載があるものの、１２倍速記録以上での高速記録特性に関する記載はなく、未だ改善の余地がある。
一方、特許第３６２７８９２号公報には、シアニンの二量体に関する記載があるが、置換基が限定されており、また、高速記録に関する記載はない。
【特許文献１】特開平１１−５３７６１号公報
【特許文献２】特開２０００−１０８５１０号公報
【特許文献３】特開２０００−２８９３３５号公報
【特許文献４】特開２００２−５２８２９号公報
【特許文献５】特開２００３−２３１３５９号公報
【特許文献６】特開２００５−５４１５０号公報
【特許文献７】特開２００５−５３８７５号公報
【特許文献８】特許第３６２７８９２号公報
【発明の開示】
【０００３】
本発明者の目的は、新規なトリメチン二量体化合物を用いた波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能で、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、ピット形成時の熱干渉が小さく、良好な記録特性を有する高密度光記録媒体を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を進めた結果、従来とは全く異なる二量体構造のトリメチン化合物を用いることにより、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、ピット形成時の熱干渉が小さく、良好な記録特性を有する高密度光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
［１］下記一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000002
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良いメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いイミノ基を表し、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘａ２、Ｘｂ２がともにイミノ基の場合、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000003
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
［２］下記一般式（Ｖ）で示される上記項目［１］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000004
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いＮ−アルキルイミノ基、または置換基を有しても良いＮ−ベンジルイミノ基を表し、Ｘｃ２、Ｘｄ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘｃ１とＸｃ２、Ｘｄ１とＸｄ２が各々同時にイミノ基になることはなく、またＸｃ２、Ｘｄ２がともにイミノ基の場合、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000005
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
［３］下記一般式（ＶＩ）で示される上記項目［２］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000006
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。但し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000007
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
［４］下記一般式（ＶＩＩ）で示される上記項目［３］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000008
（式中、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ５〜Ｒ２４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
［５］下記一般式（ＶＩＩＩ）で示される上記項目［３］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000009
（式中、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ２５、Ｒ２６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ２７〜Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
［６］下記一般式（ＩＸ）で示される上記項目［２］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000010
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１０１、Ｘ１０２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０１〜Ｒ１０６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。）
0004691098.tif 000011
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
［７］下記一般式（Ｘ）で示される上記項目［６］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000012
（式中、Ｘ１０３、Ｘ１０４はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０７〜Ｒ１１２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１１３〜Ｒ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
［８］下記一般式（ＸＩ）で示される上記項目［６］記載のトリメチン二量体化合物。
0004691098.tif 000013
（式中、Ｘ１０５、Ｘ１０６はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１３３〜Ｒ１３８はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１３９〜Ｒ１５８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
［９］基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層、および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として上記項目［１］〜［８］のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体、に関する。
本発明のトリメチン二量体化合物を記録層として用いることにより、５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても良好な記録特性を有する追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す断面構造図である。
【図２】信号アイパターンを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のトリメチン二量体化合物とは、下記一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物である。
0004691098.tif 000014
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良いメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いイミノ基を表し、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘａ２、Ｘｂ２がともにイミノ基の場合、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
0004691098.tif 000015
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表す。
上記における置換基としては、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
より具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
さらに具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
ここで、一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン−１−イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良いメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いイミノ基を表し、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表す。但し、但し、Ｘａ２、Ｘｂ２がともにイミノ基の場合、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
好ましくは、下記一般式（ＩＸ）〜（ＸＩ）のように、Ｘａ１、Ｘｂ１の両方がイミノ基である。なお、１２倍速以上の高速度記録における記録特性の観点から、式（ＩＸ）の化合物が好ましく、式（Ｘ）及び（ＸＩ）の化合物が更に好ましい。
上記の置換基としては、例えば、前記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様のものが挙げられる。
また、置換基を有しても良いメチレン基としては、例えば、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基等が挙げられる。
より具体的には、
１，１−ジメチルメチレン基、１，１−ジエチルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−プロピルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−ブチルメチレン基、１−エチル−１−メチルメチレン基、１−メチル−１−プロピルメチレン基、１−ブチル−１−メチルメチレン基、１−エチル−１−プロピルメチレン基、１−エチル−１−ブチルメチレン基、１−シクロヘキシルメチル−１−メチルメチレン基等の１，１−ジアルキルメチレン基；
１−ベンジル−１−メチルメチレン基、１−ベンジル−１−エチルメチレン基、１−ベンジル−１−プロピルメチレン基、１−ベンジル−１−ブチルメチレン基、１−（４−ニトロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−クロロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−ブロモベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−メチルベンジル）−１−メチルメチレン基等の置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基；
１，１−ジベンジルメチレン基、１，１−ジ（４−ニトロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−クロロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−ブロモベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−メチルベンジル）メチレン基等の置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基；
シクロブタン−１、１−ジイル基、シクロペンタン−１、１−ジイル基、シクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−メチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−エチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基等の置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基が挙げられる。
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。
Ｒａ１、Ｒａ２の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−ｓｅｃ−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノプロピル基、４−ジメチルアミノブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、４−ジエチルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−プロピルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−プロピルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−プロピルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基等の炭素数４〜１２のジアルキルアミノアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基；
ベンジル基、４−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、２−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−イソブチルベンジル基、４−ｓｅｃ−ブチルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、４−ｎ−ペンチルベンジル基、４−イソペンチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基、４−メトキシメチルベンジル基、４−メチルチオベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、４−クロロベンジル基、４−ブロモベンジル基、４−フルオロベンジル基、２，４−ジクロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−メチル−２−ニトロベンジル基、４−クロロ−２−ニトロベンジル基、４−ブロモ−２−ニトロベンジル基が挙げられる。
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｚａ−で表されるアニオンの具体例としてはヨウ素、臭素、塩素、フッ素等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエン−１，４−ジスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン、ナフタレン−２−スルホン酸アニオン、ナフタレン−１，４−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，５−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，８−ジスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；フェロセンスルホン酸、フェロセンカルボン酸等のメタロセン化合物アニオン；アゾ化合物金属キレートアニオン、ベンゼンジチオール金属錯体アニオン等のクエンチャーアニオンが挙げられる。
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
0004691098.tif 000016
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
ここで、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表す。
Ｐ１〜Ｐ１０の具体例としては水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｉｓｏ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｉｓｏ−オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、またはチオカルボニル残基を表す。
Ｗの具体例としては硫黄原子、酸素原子、Ｎ−メチルイミン基、Ｎ−エチルイミン基、Ｎ−ｎ−プロピルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルイミン基、Ｎ−ｎ−ブチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルイミン基、Ｎ−ｎ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎｅｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｎ−オクチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−オクチルイミン基、フェニルイミン基、アセチルイミン基等のイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基等が挙げられる。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表す。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。
環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
上記式（Ｉ）の二量体化合物のうち、下記式（Ｖ）のトリメチン二量体化合物を好ましく用いることができる。ここで、式（Ｖ）中のＸｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ２、Ｘｄ２、Ｘｃ３、Ｘｄ３はそれぞれ、式（Ｉ）中のＸａ１、Ｘｂ１、Ｘａ２、Ｘｄ２、Ｘａ３、Ｘｂ３に対応する。
0004691098.tif 000017
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１，１−ジイル基、または置換基を有しても良いＮ−アルキルイミノ基、または置換基を有しても良いＮ−ベンジルイミノ基を表し、Ｘｃ２、Ｘｄ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘｃ１とＸｃ２、Ｘｄ１とＸｄ２が各々同時にイミノ基になることはなく、またＸｃ２、Ｘｄ２がともにイミノ基の場合、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000018
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表す。
上記における置換基としては、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
より具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
さらに具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
ここで、一般式（Ｖ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン−１−イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いＮ−アルキルイミノ基、または置換基を有しても良いＮ−ベンジルイミノ基を表し、Ｘｃ２、Ｘｄ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表す。但し、Ｘｃ１とＸｃ２、Ｘｄ１とＸｄ２が各々同時にイミノ基になることはなく、またＸｃ２、Ｘｄ２がともにイミノ基の場合、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ３、Ｘｄ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
上記の置換基としては、例えば、前記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様のものが挙げられる。
また、１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基として、より具体的には、
１，１−ジメチルメチレン基、１，１−ジエチルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−プロピルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−ブチルメチレン基、１−エチル−１−メチルメチレン基、１−メチル−１−プロピルメチレン基、１−ブチル−１−メチルメチレン基、１−エチル−１−プロピルメチレン基、１−エチル−１−ブチルメチレン基、１−シクロヘキシルメチル−１−メチルメチレン基等の１，１−ジアルキルメチレン基；
１−ベンジル−１−メチルメチレン基、１−ベンジル−１−エチルメチレン基、１−ベンジル−１−プロピルメチレン基、１−ベンジル−１−ブチルメチレン基、１−（４−ニトロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−クロロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−ブロモベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−メチルベンジル）−１−メチルメチレン基等の置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基；
１，１−ジベンジルメチレン基、１，１−ジ（４−ニトロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−クロロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−ブロモベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−メチルベンジル）メチレン基等の置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基；
シクロブタン−１、１−ジイル基、シクロペンタン−１、１−ジイル基、シクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−メチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−エチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基等の置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基が挙げられる。
また、置換基を有しても良いＮ−アルキルイミノ基、または置換基を有しても良いＮ−ベンジルイミノ基における、アルキル、ベンジルについては、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物のＲａ１、Ｒａ２における置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基として例示されたアルキル基、ベンジル基と同様のものが挙げられる。
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。
Ｒａ１、Ｒａ２の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−ｓｅｃ−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノプロピル基、４−ジメチルアミノブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、４−ジエチルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−プロピルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−プロピルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−プロピルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基等の炭素数４〜１２のジアルキルアミノアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基；
ベンジル基、４−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、２−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−イソブチルベンジル基、４−ｓｅｃ−ブチルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、４−ｎ−ペンチルベンジル基、４−イソペンチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基、４−メトキシメチルベンジル基、４−メチルチオベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、４−クロロベンジル基、４−ブロモベンジル基、４−フルオロベンジル基、２，４−ジクロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−メチル−２−ニトロベンジル基、４−クロロ−２−ニトロベンジル基、４−ブロモ−２−ニトロベンジル基が挙げられる。
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｚａ−で表されるアニオンの具体例としてはヨウ素、臭素、塩素、フッ素等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエン−１，４−ジスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン、ナフタレン−２−スルホン酸アニオン、ナフタレン−１，４−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，５−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，８−ジスルホン酸アニオン等の有機スルホン酸アニオン；フェロセンスルホン酸、フェロセンカルボン酸等のメタロセン化合物アニオン；アゾ化合物金属キレートアニオン、ベンゼンジチオール金属錯体アニオン等のクエンチャーアニオンが挙げられる。
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
0004691098.tif 000019
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
ここで、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表す。
Ｐ１〜Ｐ１０の具体例としては水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｉｓｏ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｉｓｏ−オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、またはチオカルボニル残基を表す。
Ｗの具体例としては硫黄原子、酸素原子、Ｎ−メチルイミン基、Ｎ−エチルイミン基、Ｎ−ｎ−プロピルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルイミン基、Ｎ−ｎ−ブチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルイミン基、Ｎ−ｎ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎｅｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｎ−オクチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−オクチルイミン基、フェニルイミン基、アセチルイミン基等のイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基等が挙げられる。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表す。
一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。
環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
上記式（Ｖ）の二量体化合物のうち、下記式（ＶＩ）のトリメチン二量体化合物を好ましく用いることができる。ここで、式（ＶＩ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、式（Ｖ）中のＸｃ１、Ｘｃ３、Ｘｄ１、Ｘｄ３、Ｒａ１、Ｒａ２に対応する。
0004691098.tif 000020
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。但し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000021
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表す。
上記における置換基としては、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
より具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
さらに具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
ここで、一般式（ＶＩ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン−１−イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。  但し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
上記の１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基の例としては、上記式（Ｖ）で挙げられた具体例と同様のものが挙げられる。
一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
Ｒ１およびＲ２の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−ｓｅｃ−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；
２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノプロピル基、４−ジメチルアミノブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、４−ジエチルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−プロピルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−プロピルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−プロピルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基等の炭素数４〜１２のジアルキルアミノアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基；
ベンジル基、４−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、２−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−イソブチルベンジル基、４−ｓｅｃ−ブチルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、４−ｎ−ペンチルベンジル基、４−イソペンチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基、４−メトキシメチルベンジル基、４−メチルチオベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、４−クロロベンジル基、４−ブロモベンジル基、４−フルオロベンジル基、２，４−ジクロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−メチル−２−ニトロベンジル基、４−クロロ−２−ニトロベンジル基、４−ブロモ−２−ニトロベンジル基が挙げられる。
一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
これについては、一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるものと同様である。
一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｙは上記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を表す。
これについては、一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるものと同様である。
本発明の一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物として、好ましい化合物としては、一般式（ＶＩＩ）として示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。以下、式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン化合物についてより具体的に説明する。ここで、式（ＶＩＩ）中のＸ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ、式（ＶＩ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ１、Ｒ２に対応する。
0004691098.tif 000022
（式中、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ５〜Ｒ２４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
一般式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。但し、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
上記の１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基の例としては、上記式（Ｖ）で挙げられた具体例と同様のものが挙げられる。
一般式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲ１、Ｒ２の具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ５〜Ｒ２４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
本発明の一般式（ＶＩ）で示されるトリメチン二量体化合物として、好ましい化合物としては、一般式（ＶＩＩＩ）として示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。ここで式（ＶＩＩＩ）中のＸ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｒ２５、Ｒ２６はそれぞれ、式（ＶＩ）中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ１、Ｒ２に対応する。
0004691098.tif 000023
（式中、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ２５、Ｒ２６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ２７〜Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２であり、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２はそれぞれ独立に１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。但し、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。
上記の１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基の例としては、上記式（Ｖ）で挙げられた具体例と同様のものが挙げられる。
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ２５、Ｒ２６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲａ１、Ｒａ２の具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ２７〜Ｒ４６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
一般式（ＶＩＩＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
上記式（Ｖ）の二量体化合物のうち、下記式（ＩＸ）のトリメチン二量体化合物を好ましく用いることができる。
以下、本発明におけるトリメチン二量体化合物として下記一般式（ＩＸ）で表されるトリメチン二量体化合物についてより具体的に説明する。ここで、下記式（ＩＸ）中のＸ１０１、Ｘ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４はそれぞれ、式（Ｖ）中のＸｃ３、Ｘｄ３、Ｒａ１、Ｒａ２に対応する。
0004691098.tif 000024
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘ１０１、Ｘ１０２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０１〜Ｒ１０６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。）
0004691098.tif 000025
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表す。
上記における置換基としては、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
より具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
さらに具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いフェニル基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
ここで、一般式（ＩＸ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン−１−イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ１０１、Ｘ１０２はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。
ここで、Ｘ１０１、Ｘ１０２の具体例としては酸素原子、硫黄原子、セレン原子；
１，１−ジメチルメチレン基、１，１−ジエチルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−プロピルメチレン基、１，１−ジ−ｎ−ブチルメチレン基、１−エチル−１−メチルメチレン基、１−メチル−１−プロピルメチレン基、１−ブチル−１−メチルメチレン基、１−エチル−１−プロピルメチレン基、１−エチル−１−ブチルメチレン基、１−シクロヘキシルメチル−１−メチルメチレン基等の１，１−ジアルキルメチレン基；
１−ベンジル−１−メチルメチレン基、１−ベンジル−１−エチルメチレン基、１−ベンジル−１−プロピルメチレン基、１−ベンジル−１−ブチルメチレン基、１−（４−ニトロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−クロロベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−ブロモベンジル）−１−メチルメチレン基、１−（４−メチルベンジル）−１−メチルメチレン基等の置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基；
１，１−ジベンジルメチレン基、１，１−ジ（４−ニトロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−クロロベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−ブロモベンジル）メチレン基、１，１−ジ（４−メチルベンジル）メチレン基等の置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基；
シクロブタン−１、１−ジイル基、シクロペンタン−１、１−ジイル基、シクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−メチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−エチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル−１、１−ジイル基等の置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基が挙げられる。
一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１０１〜Ｒ１０６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。
Ｒ１０１〜Ｒ１０６の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−ｓｅｃ−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；
２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノプロピル基、４−ジメチルアミノブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、４−ジエチルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−プロピルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−プロピルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−プロピルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基等の炭素数４〜１２のジアルキルアミノアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基；
ベンジル基、４−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、２−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−イソブチルベンジル基、４−ｓｅｃ−ブチルベンジル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジル基、４−ｎ−ペンチルベンジル基、４−イソペンチルベンジル基、４−トリフルオロメチルベンジル基、４−メトキシメチルベンジル基、４−メチルチオベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、４−クロロベンジル基、４−ブロモベンジル基、４−フルオロベンジル基、２，４−ジクロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−メチル−２−ニトロベンジル基、４−クロロ−２−ニトロベンジル基、４−ブロモ−２−ニトロベンジル基が挙げられる。
一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
これについては、一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるものと同様である。
一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｙは上記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を表す。
これについては、一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるものと同様である。
１２倍速以上の高速度の記録における記録特性の観点から、本発明の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物として、より好ましい化合物としては、一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。ここで、式（Ｘ）中のＸ１０３、Ｘ１０４、Ｒ１０７、Ｒ１０８、Ｒ１０９、Ｒ１１０、Ｒ１１１、Ｒ１１２はそれぞれ、式（ＩＸ）中のＸ１０１、Ｘ１０２、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６に対応する。
0004691098.tif 000026
（式中、Ｘ１０３、Ｘ１０４はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１０７〜Ｒ１１２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１１３〜Ｒ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ１０３、Ｘ１０４はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＸ１０１、Ｘ１０２の具体例と同様である。
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１０７〜Ｒ１１２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲ１０１〜Ｒ１０６の具体例と同様である。
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１１３〜Ｒ１３２はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
一般式（Ｘ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
１２倍速以上の高速度の記録における記録特性の観点から、本発明の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物として、更に好ましい化合物としては、一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。ここで、式（ＸＩ）中のＸ１０５、Ｘ１０６、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６、Ｒ１３７、Ｒ１３８はそれぞれ、式（ＩＸ）中のＸ１０１、Ｘ１０２、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４、Ｒ１０５、Ｒ１０６に対応する。
0004691098.tif 000027
（式中、Ｘ１０５、Ｘ１０６はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表し、Ｒ１３３〜Ｒ１３８はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表し、Ｒ１３９〜Ｒ１５８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。）
一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｘ１０５、Ｘ１０６はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良い１，１−ジアルキルメチレン基、置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＸ１０１、Ｘ１０２の具体例と同様である。
一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１３３〜Ｒ１３８はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基或いは置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲ１０１〜Ｒ１０６の具体例と同様である。
一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１３９〜Ｒ１５８はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基またはアルコキシ基を表す。
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（ＩＸ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
一般式（ＸＩ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）又は（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
本発明の一般式（Ｉ）のトリメチン二量体化合物の好ましい具体例を表１に示すが、その化合物の範囲はこれらに限定されるものではない。
【表１】
0004691098.tif 000028
0004691098.tif 000029
0004691098.tif 000030
0004691098.tif 000031
0004691098.tif 000032
0004691098.tif 000033
0004691098.tif 000034
0004691098.tif 000035
0004691098.tif 000036
0004691098.tif 000037
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0004691098.tif 000039
0004691098.tif 000040
0004691098.tif 000041
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0004691098.tif 000049
本発明の下記一般式（Ｉ）で表されるトリメチン二量体化合物の製造法は、特に限定されないが、例えば、一般式（ＸＩＩ）で表されるインドレニン二量体化合物と下記一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物を脂肪酸塩の存在下、脱水性有機酸を用いて縮合させることによりトリメチン二量体化合物が得られる。
0004691098.tif 000050
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換基を有しても良いメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基、または置換基を有しても良いイミノ基を表し、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれ独立にイミノ基、または置換基を有しても良いメチレン基を表し、Ｒａ１、Ｒａ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基、または置換基を有しても良いベンジル基を表す。
ｂ（Ｚａ−）としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
Ｙは下記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）を示す。
但し、Ｘａ２、Ｘｂ２がともにイミノ基の場合、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ３、Ｘｂ３の内、必ず一つは置換基を有しても良い１−アルキル−１−ベンジルメチレン基、置換基を有しても良い１，１−ジベンジルメチレン基、または置換基を有しても良い炭素数３〜６のシクロアルカン−１、１−ジイル基である。）
0004691098.tif 000051
（式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、中、Ｐ１〜Ｐ１０はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
0004691098.tif 000052
（式中、Ａ、Ｃ、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ２、Ｘｂ２、Ｙは、上記（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。）
0004691098.tif 000053
（式中、Ｂ、Ｄ、Ｘａ３、Ｘｂ３、Ｒａ１、Ｒａ２は、上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。）
上記縮合反応において、脂肪酸塩としては、例えば、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム等が挙げられる。
かかる脂肪酸塩は一般式（ＸＩＩ）で表される化合物１モル当たり通常０．１〜５モル程度、好ましくは０．５〜２モル程度使用する。
脱水性有機酸としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、γ−ブチルラクトン等が挙げられる。
かかる脱水性有機酸は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物１モル当たり通常１０〜１００モル程度、好ましくは２０〜５０モル程度使用する。
一般式（ＸＩＩ）で表される化合物と一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物との使用割合は、通常前者１モルに対し後者を１〜１．５モル程度、好ましくは１〜１．１モル程度使用する。
上記反応は通常１０〜１５０℃程度、好ましくは室温〜１２０℃で好適に進行し、一般に数分〜３時間程度で完結する。
反応後、例えば、水やメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の貧溶媒を注入したり、或いは水やメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の貧溶媒へ排出することにより反応混合物から目的物を容易に単離することができる。
本発明のトリメチン化合物二量体の中間体である上記一般式（ＸＩＩ）で表されるインドレニン二量体化合物の合成は特に限定されないが、下記一般式（ＸＩＶ）で表される化合物と下記一般式（ＸＶ）で表されるインドリン化合物を適当な溶媒中にて反応することにより得られる。
0004691098.tif 000054
（式中、αはハロゲン原子、トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基を表し、Ｙは式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。）
0004691098.tif 000055
（式中、Ａ、Ｃ、Ｘａ１、Ｘａ２、Ｘｂ１、Ｘｂ２は上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。）
一般式（ＸＩＶ）で表わされる化合物に対する一般式（ＸＶ）のインドリン化合物の使用量は、２〜１０倍当量、好ましくは２〜５倍当量である。
反応に使用される溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＩ、ＤＭＡＣ（ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、ＤＭＡＣ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ＤＭＩ（１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン））等の非プロトン性溶媒、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−オクタノール等のアルコール溶媒を用いることができるが、特にトルエンが好ましく用いられる。
また、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ−５．４．０−ウンデカ−７−エン）、トリエチルアミン等の有機塩基や炭酸カリウム、ヨウ化カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基を添加してもよい。使用する溶媒の量は、一般式（ＸＶ）の化合物に対して１〜１００倍重量、好ましくは５〜２０倍重量である。
反応温度は０℃〜溶媒の還流温度であり、好ましくは２０℃〜溶媒の還流温度である。
反応時間は３０分〜７２時間が好ましく、さらに好ましくは２〜２４時間である。
後処理としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等で反応系内をアルカリ性にした後、析出物を濾過するか、溶媒を留去することにより目的物が得られる。また、この生成物を更に再結晶あるいはカラムクロマトグラフィーにより精製することで、より高純度の目的物を得ることができる。
上記式（Ｉ）の化合物の製造方法と同様の方法により、式（Ｖ）の化合物を製造する。ここで、式（ＸＩＩ）および（ＸＶ）において、Ａ、Ｃ、Ｙは、上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ１、Ｘｂ１、Ｘａ２、Ｘｂ２はそれぞれＸｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ２、Ｘｄ２であり、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ２、Ｘｄ２は、上記式（Ｖ）におけるものと同じ意味を表す。式（ＸＩＩＩ）において、Ｂ、Ｄ、Ｒａ１、Ｒａ２は、上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ３、Ｘｂ３はそれぞれ、Ｘｃ３、Ｘｄ３であり、Ｘｃ１、Ｘｄ１、Ｘｃ２、Ｘｄ２、Ｘｃ３、Ｘｄ３は上記式（Ｖ）におけるものと同じ意味を表す。
上記（Ｉ）の化合物の製造方法と同様の方法により、式（ＶＩ）の化合物を製造する。ここで、式（ＸＩＩ）および式（ＸＶ）において、Ａ、Ｃ、Ｙは、上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ１はＸ１であり、Ｘｂ１はＸ３であり、Ｘａ２はＮであり、Ｘｂ２はＮであり、式（ＸＩＩＩ）において、Ｂ、Ｄは上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ３はＸ２であり、Ｘｂ３はＸ４であり、Ｒａ１はＲ１であり、Ｒａ２はＲ２であり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｒ１、Ｒ２は式（ＶＩ）の上記説明におけるものと同じ意味を表す。
上記式（Ｉ）の化合物の製造方法と同様の方法により、式（ＩＸ）の化合物を製造する。ここで、式（ＸＩＩ）および式（ＸＶ）において、Ａ、Ｃ、Ｙは、上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ１はＮ−Ｒ１０１であり、Ｘｂ１はＮ−Ｒ１０２であり、Ｘａ２はＣ−Ｒ１０５であり、Ｘｂ２はＣ−Ｒ１０６であり、式（ＸＩＩＩ）において、Ｂ、Ｄは上記式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表し、Ｘａ３はＸ１０１であり、Ｘｂ３はＸ１０２であり、Ｒａ１はＲ１０３であり、Ｒａ２はＲ１０４であり、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０５、Ｒ１０６、Ｘ１０１、Ｘ１０２、Ｒ１０３、Ｒ１０４は式（ＩＸ）の上記説明におけるものと同じ意味を表す。
本発明における光記録媒体に関し、その具体的な構成について以下に説明する。
光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に関して説明する。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ構造を有している。すなわち、ランド及びグル−ブを有する透明樹脂基板１の上に、記録層２、反射層３及び保護層（または接着層）４が形成され、場合によってはこれらの上に基板５が更に設けられる。ただし、記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良い。ここでは、既存のＤＶＤとの互換性のため、板厚が０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍΦ、内径１５ｍｍφの円盤状基板が２枚貼り合わされた構造である。
次に、本発明の記録媒体の構成各層の必要特性及びその構成材料について説明する。
１）基板
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これら基板材料中には、記録光および再生光の波長で透明な紫外線吸収剤などの添加剤を添加しても良い。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。基板表面には記録位置を表すプリグルーブやプリピット、一部再生専用情報等のためのプリピットを有していてもよい。これらのプリグルーブやプリピットは、射出成形法等により基板作製時にスタンパー原盤から転写付与する方法が通常とられる。また、レーザーカッティング法（プリライト）や２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）法により作製してもよい。
基板の溝ピッチは０．７μｍ〜１．０μｍであり、溝深さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１４０ｎｍ〜１８５ｎｍである。溝幅は、０．２５μｍ〜０．４０μｍ、好ましくは０．３０μｍ〜０．３５μｍである。溝深さが１００ｎｍ未満の場合、トラッキングのためのプッシュプル信号振幅を得ることが困難になる傾向があり、２００ｎｍを越える場合は、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。また、溝幅が０．２５μｍ未満の場合、クロストークが悪化する傾向があり、０．４μｍを越える場合、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。これら溝形状は、Ｈｅ−Ｃｄレーザーの照射による回折光解析またはＡＦＭ等のプロファイルから求められる。
２）記録層
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、λｍａｘが４５０ｎｍ〜６３０ｎｍ付近に存在する一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。式中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とする。）を有する必要がある。
一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。
本発明で使用する一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは、ｎが２．０以上、且つ、ｋが０．０４〜０．２０）を満足する。
また、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物は、特定の構造を有する二つのトリメチン化合物を２量体構造とすることにより、記録レーザー照射時に発生する熱による分解が適度に促進される。これにより、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても記録感度に優れ、また熱干渉によるジッターの悪化が十分低く抑制される良好な記録特性を有する光記録媒体を得ることができる。
本発明の記録層においては、好ましくは、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物１種を記録層として用いるが、記録特性などの改善のために、２種以上を混合したり、本発明のトリメチン二量体化合物以外の色素と混合して用いてもよい。
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物２種以上を混合して用いる場合のトリメチン二量体化合物の混合割合については特に制限はされないが、前記の理由で、光学定数ｎが１．８以上、好ましくは２．０以上で、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは０．０４〜０．２０になるように混合するのが好ましい。
また、混合して用いてもよい本発明のトリメチン二量体化合物以外の色素としては、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい色素が挙げられる。具体的には、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
更に、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物の、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対してのｋが小さい場合には、記録特性などの改善のために、波長６００ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物と混合しても良い。具体的には、アゾ色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
記録層を製膜する際に、必要に応じてクエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱分解化合物などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物の置換基として導入することも可能である。
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系化合物、ビスジチオ−α−ジケトン系化合物やビスフェニルジチオール系化合物などのビスジチオール系化合物、チオカテコール系化合物、サリチルアルデヒドオキシム系化合物、チオビスフェノレート系化合物などの金属錯体が好ましい。また、アミン化合物も好適である。
熱分解促進剤としては、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。具体的には、アルコール系（ケトアルコール系、エチレングリコールモノアルキルエーテル系等のアルコキシアルコール系を含む。）、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系等が挙げられる。
このなかで、アルコール系が特に好ましい。アルコール系のなかでは、アルコキシアルコール系、ケトアルコール系などが好ましい。アルコキシアルコール系は、アルコキシ部分の炭素原子数が１〜４であることが好ましく、かつアルコール部分の炭素原子数が１〜５、さらには２〜５であることが好ましく、総炭素原子数が３〜７であることが好ましい。具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）やエチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ、エトキシエタノールともいう）やブチルセロソルブ、２−イソプロポキシ−１−エタノール等のエチレングリコールモノアルキルエーテル（セロソルブ）系や１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、４−メトキシ−１−ブタノール、１−エトキシ−２−プロパノール等が挙げられる。ケトアルコール系としてはジアセトンアルコール等が挙げられる。さらには２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素化アルコールも用いることができる。
また、塗布液には適宜バインダー、分散剤、安定剤などを含有させてもよい。
なお、必要に応じて、記録層の色素を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
色素層の膜厚は、特に限定するものではないが、基板の案内溝（グルーブ）上の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲が好ましく、基板の案内溝間（ランド）の膜厚は、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲が好ましい。グルーブの膜厚が１５０ｎｍを越すと、最短ピットが潰れ、好ましくない。また、３０ｎｍよりも薄い場合、良好な記録感度、記録変調度が得られない。ランド上の膜厚は極力薄いことが特に好ましい。これらの記録層の膜厚制御は、上記の有機溶媒を複数混合して用いることで可能である。
３）反射層
記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
反射率は、信号が再生できれば特に限定されないが、好ましくは３０％以上６５％未満であり、更に好ましくは、４５％以上６０％未満である。
４）保護層
反射層の上の保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍである。
保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜しても良い。
本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。本発明では、これらから選択される１波長または複数波長において高密度記録および再生が可能となる。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
［合成例１］インドレニン化合物（Ａ）の合成
0004691098.tif 000056
窒素雰囲気下、トルエン５００ｍＬに下記構造式▲１▼で示される化合物１１５．１ｇ、α，α‘−ジブロモ−ｐ−キシレン６９．１ｇを加え、還流下１９時攪拌した。冷却後、析出物を濾取、トルエンにて洗浄後、濾取物をメタノール５００ｍＬに溶解し、不溶物を濾別した。メタノール濾液に水酸化ナトリウム２３．１ｇを添加、室温にて３０分間攪拌後、析出物を濾取した。濾取物を水洗、トルエン洗浄後、真空乾燥してインドレニン化合物（Ａ）１１３．３ｇを２３６℃にて分解する白色粉末として得た。
0004691098.tif 000057
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ３８Ｈ３６Ｎ２）：ＭＷ＝５２０．７１
Ｃ        Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ８７．３５    ６．９７    ５．３８
実測値（％）  ８７．２６    ６．８９    ５．４３
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：５２０（Ｍ＋）
［合成例２］インドレニン化合物（Ｂ）の合成
0004691098.tif 000058
窒素雰囲気下、トルエン５００ｍＬに下記構造式▲１▼で示される化合物１１５．１ｇ、１，５−ビス−ブロモメチルナフタレン８２．２ｇを加え、還流下１９時攪拌した。冷却後、析出物を濾取、トルエンにて洗浄後、濾取物をメタノール５００ｍＬに溶解し、不溶物を濾別した。メタノール濾液に水酸化ナトリウム３３ｇを添加、室温にて３０分間攪拌後、析出物を濾取した。濾取物を水洗、トルエン洗浄後、真空乾燥してインドレニン化合物（Ｂ）９３ｇ（収率６５％）を融点１１７〜１２０℃の白色粉末として得た。
0004691098.tif 000059
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ４２Ｈ３８Ｎ２）：ＭＷ＝５７０．３０
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ８８．３８    ６．７１    ４．９１
実測値（％）  ８８．３５    ６．６７    ４．９４
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：５７０（Ｍ＋）
【実施例】
【０００６】
［実施例１］トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１１））の製造
0004691098.tif 000060
窒素雰囲気下、無水酢酸５０ｍＬに合成例１にて合成したインドレニン化合物（Ａ）５．２ｇ、下記構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇを加え、室温にて１０分間攪拌後、メタンスルホン酸２ｇを添加して８３〜８６℃で２．０時間攪拌した。冷却してメタノール１００ｍＬを滴下、還流下１時間攪拌した。冷却後、減圧にてメタノールを濃縮して残渣にメタノール１５０ｍＬを加え、７０％過塩素酸水溶液３．１６ｇを滴下して室温にて１時間攪拌した。析出物を濾取、メタノールにて洗浄、乾燥して表１の具体例化合物（Ａ−１１）１３．５ｇ（収率９５．３％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000061
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１４１６．０４
Ｃ            Ｈ        Ｎ
計算値（％）  ５９．３７    ４．８４    ５．９３
実測値（％）  ５９．３２    ４．８１    ５．９７
λｍａｘ：５７７．０ｎｍ
εｇ：１．１２×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例２］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１２））の合成
0004691098.tif 000062
ＤＭＦ１２０ｍＬに実施例１で合成した表１の具体例化合物（Ａ−１１）７．１ｇを加え、室温にて１０分間攪拌・完溶した。１０％ＮａＯＨ水溶液２２ｇを添加、室温にて１時間攪拌した。
反応混合物を水３００ｍＬに排出、１０分間攪拌し、析出物を濾取、水洗してアセトン２００ｍＬに不溶物を濾別後、アセトンを濃縮した。濃縮残さにＤＭＦ１５０ｍＬを加え、室温にて３０分間攪拌溶解した。次いでＮａＰＦ６  １．８５ｇを水１０ｍＬに溶解した水溶液を添加、４０〜４５℃にて１時間攪拌した。反応混合物にメタノール１２０ｍＬを加え、３０分間攪拌して析出物を濾取、水洗、乾燥して表１の具体例化合物（Ａ−１２）６．３ｇ（収率８３．４％）を赤紫色結晶として得た。
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｂｒ２Ｆ１２Ｎ６Ｏ４Ｐ２）：ＭＷ＝１５０７．０６
Ｃ              Ｈ        Ｎ
計算値（％）  ５５．７９    ４．５５    ５．５８
実測値（％）  ５５．７５    ４．５２    ５．６２
λｍａｘ：５７８．０ｎｍ
εｇ：９．２０×１０４ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例３］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１４））の合成
0004691098.tif 000063
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲３▼で示される化合物７．３ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−１４）１０．３ｇ（収率７３．１％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000064
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１４１６．０４
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ５９．３７    ４．８４      ５．９３
実測値（％）  ５９．４１    ４．８７      ５．９０
λｍａｘ：５６９．０ｎｍ
εｇ：  ８．９４×１０４ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例４］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１７））の合成
0004691098.tif 000065
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲４▼で示される化合物７．３ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−１７）１３．０ｇ（収率９１．５％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000066
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｂｒ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１４１６．０４
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ５９．３７  ４．８４    ５．９３
実測値（％）  ５９．３５  ４．８０    ５．９７
λｍａｘ：５７３．５ｎｍ
εｇ：１．１９×１０５  ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例５］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１９））の合成
0004691098.tif 000067
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲５▼で示される化合物６．４ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−１９）１１．５ｇ（収率８６．７％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000068
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｃｌ４Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１３２７．１３
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ６３．３５    ５．１６    ６．３３
実測値（％）  ６３．３８    ５．２０    ６．２９
λｍａｘ：５７７．５ｎｍ
εｇ：１．１９×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例６］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−２０））の合成
0004691098.tif 000069
実施例２において実施例１で合成した表１の具体例化合物（Ａ−１１）７．１ｇの代わりに実施例５で合成した表１の具体例化合物（Ａ−１９）６．６を使用した以外は実施例２と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−２０）６．６ｇ（収率９３．６％）を赤紫色結晶として得た。
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６８Ｃｌ２Ｆ１２Ｎ６Ｏ４Ｐ２）：ＭＷ＝１４１８．１６
Ｃ          Ｈ        Ｎ
計算値（％）  ５９．２８  ４．８３    ５．９３
実測値（％）  ５９．２４  ４．８０    ５．９７
λｍａｘ：５７７．５ｎｍ
εｇ：１．０３×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例７］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−２１））の合成
0004691098.tif 000070
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲６▼で示される化合物５．７ｇ使用した以外は実施例６と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−２１）１１．６ｇ（収率９２．７％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000071
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ７０Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１２５８．２４
Ｃ          Ｈ            Ｎ
計算値（％）  ６６．８２    ５．６１    ６．６８
実測値（％）  ６６．７９    ５．５９    ６．７０
λｍａｘ：５８３．５ｎｍ
εｇ：１．４５×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例８］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−２２））の合成
0004691098.tif 000072
実施例１において、合成例１で合成したインドレニン化合物（Ａ）５．２ｇの代わりに合成例２にて合成したインドレニン化合物（Ｂ）５．７ｇ、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲７▼で示される化合物７．３ｇを使用した以外は実施例６と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−２２）１２．２ｇ（収率７３．０％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000073
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７４Ｈ７０Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１４６６．０９
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ６０．６２    ４．８１      ５．７３
実測値（％）  ６０．５８    ４．７９      ５．７５
λｍａｘ：５７５．５ｎｍ
εｇ：９．７０×１０４ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例９］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−４０））の合成
0004691098.tif 000074
エタノール６０ｍＬに実施例１にて製造した表１の具体例化合物（Ａ−１１）１．９８ｇ、下記構造式▲８▼で示される化合物２．０ｇを加え、還流下１時間攪拌して室温まで冷却後、析出物を濾取、エタノール洗浄、乾燥して表１の具体例化合物（Ａ−４０）３．３ｇ（収率８８％）を紫色結晶として得た。
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
0004691098.tif 000075
元素分析値（Ｃ１３４Ｈ１３２Ｂｒ２Ｃｏ２Ｎ２２Ｏ２０）：ＭＷ＝２６４８．２９
Ｃ            Ｈ            Ｎ
計算値（％）  ６０．７７      ５．０２    １１．６４
実測値（％）  ６０．７３      ４．９７    １１．６７
λｍａｘ：５７６．０ｎｍ
εｇ：９．４８×１０４ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１０］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−１５））の合成
0004691098.tif 000076
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲９▼で示される化合物７．１ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−１５）１２．７ｇ（収率９１．０％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000077
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７０Ｈ６６Ｃｌ６Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１３９６．０２
Ｃ          Ｈ        Ｎ
計算値（％）  ６０．２２  ４．７７  ６．０２
実測値（％）  ６０．１７  ４．７５  ６．０６
λｍａｘ：５７３．５ｎｍ
εｇ：９．８０×１０４  ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１１］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−９２））の合成
0004691098.tif 000078
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲１０▼で示される化合物６．５ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−９２）１１．０ｇ（収率８２．７％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000079
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７６Ｈ７０Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１３３０．３１
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ６８．６２    ５．３０    ６．３２
実測値（％）  ６８．５８    ５．２７    ６．３５
λｍａｘ：５７５．０ｎｍ
εｇ：１．２６×１０５  ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１２］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−９３））の合成
0004691098.tif 000080
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲１１▼で示される化合物７．１ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−９３）１２．７ｇ（収率９１．２％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000081
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ８８Ｈ８０Ｃｌ２Ｎ４Ｏ８）：ＭＷ＝１３９２．５０
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ７５．９０    ５．７９    ４．０２
実測値（％）  ７５．８６    ５．７６    ４．０６
λｍａｘ：５７８．５ｎｍ
εｇ：１．２９×１０５  ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１３］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ａ−９８））の合成
0004691098.tif 000082
実施例１において、構造式▲２▼で示される化合物７．３ｇの代わりに下記構造式▲１２▼で示される化合物５．５ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ａ−９８）９．４ｇ（収率７６．７％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000083
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７６Ｈ７２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ８）：ＭＷ＝１２４０．３１
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ７３．６０    ５．８５    ４．５２
実測値（％）  ７３．５７    ５．８１    ４．５６
λｍａｘ：５７２．０ｎｍ
εｇ：１．４１×１０５  ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［合成例３］インドレニン化合物（Ｃ）の合成
0004691098.tif 000084
窒素雰囲気下、ｎ−プロパノール１００ｍＬに１，２，３−トリメチルインドール１５．９ｇ、α，α’−ジブロモ−ｐ−キシレン１２．５ｇを加え、溶解し、メタンスルホン酸４．７ｇを２５〜３０℃にて滴下した後、８５〜９０にて２０時間攪拌した。冷却後、反応液をトルエン１２０ｍＬにて希釈して水５００ｍＬを加え、抽出した。水層を分取して水酸化ナトリウム６．３ｇを加え、トルエン３００ｍＬにて抽出後、トルエン層を分取、水洗、濃縮してインドレニン化合物（Ｃ）１６．９ｇを褐色オイルとして得た。
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ３０Ｈ３２Ｎ２）：ＭＷ＝４２０．５９
Ｃ          Ｈ              Ｎ
計算値（％）  ８５．６７    ７．６７      ６．６６
実測値（％）  ８５．６３    ７．６４      ６．６９
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：４２０（Ｍ＋）
［合成例４］インドレニン化合物（Ｄ）の合成
0004691098.tif 000085
窒素雰囲気下、濃硫酸５０ｍＬに５〜１０℃にて合成例１で製造したインドレニン化合物（Ａ）８．４ｇを加え、３０分間攪拌、溶解した。次いで濃硝酸７．９４ｇ及び濃硫酸７８．５ｇにて調整した混酸を５〜１０℃にて滴下後、同温にて３０分攪拌した。更に２５〜３０℃にて２時間撹拌後、反応混合物を氷水７００ｇに排出して４０％水酸化ナトリウム水溶液６６５ｇを３０℃以下で加え、酢酸エチル５００ｍＬにて抽出した。有機層をろ取、水洗して溶媒を留去して、３０℃にて真空乾燥してインドレニン化合物（Ｄ）８．９ｇを黄褐色オイルとして得た。
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ３０Ｈ３０Ｎ４Ｏ４）：ＭＷ＝５１０．２３
Ｃ            Ｈ              Ｎ
計算値（％）  ７０．５７    ５．９２      １０．９７
実測値（％）  ７０．５３    ５．８８      １１．０２
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：５１０（Ｍ＋）
［合成例５］インドレニン化合物（Ｅ）の合成
0004691098.tif 000086
窒素雰囲気下、ＤＭＥ１２０ｇに３−ベンジル−１，２−ジメチルインドール２３．５ｇ、α，α’−ジブロモ−ｐ−キシレン１２ｇを加え、溶解し、メタンスルホン酸９．６ｇを２５〜３０℃にて滴下した後、８５〜９０にて２０時間攪拌した。冷却後、反応液をトルエン１２０ｍＬにて希釈して水２００ｍＬを加え、抽出した。水層を分取して１０％水酸化ナトリウム水溶液４４ｇを加え、トルエン３００ｍＬにて抽出後、トルエン層を分取、水洗、濃縮してインドレニン化合物（Ｅ）２１ｇを黄色粉末として得た。
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ４２Ｈ４０Ｎ２）：ＭＷ＝５７２．７８
Ｃ              Ｈ            Ｎ
計算値（％）  ８８．０７    ７．０４      ４．８９
実測値（％）  ８８．０５    ７．０１      ４．９１
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：５７２（Ｍ＋）
［合成例６］インドレニン化合物（Ｆ）の合成
0004691098.tif 000087
窒素雰囲気下、濃硫酸５０ｍＬに５〜１０℃にて合成例５で製造したインドレニン化合物（Ｅ）１１．４ｇを加え、３０分間攪拌、溶解した。次いで濃硝酸７．９４ｇ及び濃硫酸７８．５ｇにて調整した混酸を５〜１０℃にて滴下後、同温にて３０分攪拌した。更に２５〜３０℃にて２時間撹拌後、反応混合物を氷水７００ｇに排出して４０％水酸化ナトリウム水溶液６６５ｇを３０℃以下で加え、析出物をろ取、水洗、３０℃にて真空乾燥してインドレニン化合物（Ｆ）７．８ｇを黄色粉末として得た。
この化合物の元素分析値、質量分析値は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ４２Ｈ３６Ｎ６Ｏ８）：ＭＷ＝７５２．７７
Ｃ            Ｈ            Ｎ
計算値（％）  ６７．０１    ４．８２      １１．１６
実測値（％）  ６６．９７    ４．７９      １１．２１
ＭＳ（ｍ／ｅ）  ：７５２（Ｍ＋）
［実施例１４］トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ｂ−１））の製造
0004691098.tif 000088
窒素雰囲気下、無水酢酸５０ｍＬに合成例４にて合成したインドレニン化合物（Ｄ）５．１ｇ、下記構造式▲１３▼で示される化合物５．０ｇを加え、室温にて１０分間攪拌後、メタンスルホン酸２ｇを添加して８３〜８６℃で２．０時間攪拌した。冷却してメタノール１００ｍＬを滴下、還流下１時間攪拌した。冷却後、減圧にてメタノールを濃縮して残渣にメタノール１５０ｍＬを加え、７０％過塩素酸水溶液３．１６ｇを滴下して室温にて１時間攪拌した。析出物を濾取、メタノールにて洗浄、乾燥して表１の具体例化合物（Ｂ−１）１１．０ｇ（収率９３．４％）を赤紫色結晶として得た。
0004691098.tif 000089
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ６４Ｈ６２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２）：ＭＷ＝１１７８．１２
Ｃ            Ｈ                Ｎ
計算値（％）  ６６．２５    ５．３０      ７．１３
実測値（％）  ６６．２１    ５．２７      ７．１５
λｍａｘ：５７８．５ｎｍ
εｇ：１．１２×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１５］トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ｂ−３１））の製造
0004691098.tif 000090
実施例１４において合成例４で合成したインドレニン化合物（Ｄ）５．１ｇの代わりに合成例５で合成したインドレニン化合物（Ｅ）５．７ｇ使用する以外は実施例１４と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ｂ−３１）１０．５ｇ（収率８３．４％）を赤紫色結晶として得た。
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７６Ｈ７２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ８）：ＭＷ＝１２４０．３１
Ｃ            Ｈ          Ｎ
計算値（％）  ７３．６０    ５．８５      ４．５２
実測値（％）  ７３．５７    ５．８１      ４．５５
λｍａｘ：５７７．５ｎｍ
εｇ：１．３８×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１６］  トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（Ｂ−３２））の合成
0004691098.tif 000091
実施例１４において、合成例４にて合成したインドレニン化合物（Ｄ）５．７ｇの代わりに合成例６で合成したインドレニン化合物（Ｆ）７．５ｇ、７０％過塩素酸水溶液３．１６ｇの代わりに３２．６％ＮａＰＦ６水溶液１１．１ｇを使用する以外は実施例１４と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（Ｂ−３２）１２．６ｇ（収率８３．４％）を赤紫色結晶として得た。
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λｍａｘ）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
元素分析値（Ｃ７６Ｈ６８Ｆ１２Ｎ８Ｏ８Ｐ２）：ＭＷ＝１５１１．３３
Ｃ                  Ｈ              Ｎ
計算値（％）  ６０．４０    ４．５４      ７．４１
実測値（％）  ６６．３６    ４．５１      ７．４５
λｍａｘ：５７８．５ｎｍ
εｇ：１．０７×１０５ｍＬ／ｇ・ｃｍ
［実施例１７］
厚さ０．６ｍｍ，直径１２０ｍｍΦのスパイラルグルーブ（ピッチ＝０．７４ｕｍ，深さ＝１６５ｎｍ，幅＝０．３３ｕｍ）を有する射出成形ポリカーボネート基板に表１に記載したトリメチン二量体化合物Ａ−１１を、テトラフルオロプロパノールに溶解し（２０ｇ／ｌ），スピンコーティング法にてほぼ溝上膜厚８０ｎｍ，溝間膜厚２０ｎｍとなるように調整し成膜した。８０℃、２時間乾燥処理した後、ＡｇＰｄＣｕ反射膜をバルザース製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用い膜厚８０ｎｍで形成し、更にこの反射層上にはＵＶ硬化樹脂：ＳＤ１７（大日本インク製）を塗布しＵＶ硬化した後、この上に前記と同様０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を貼り合わせＪＳＲ製ＫＺ８６８１ラジカル重合接着剤によりＵＶ光で貼り合わせた光記録媒体を作製した。
得られた光記録媒体をパルステック工業社製ディスクテスターＤＤＵ１０００：波長＝６６１ｎｍ、ＮＡ＝０．６０にて、線速度＝４２ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の１２倍速スピード）で回転させ、アシンメトリーがゼロとなるレーザーパワーで記録した際のレーザーパワー及び熱干渉度合いの指標となる３Ｔピットのにじみ量を測定した。記録レーザーパワーは３１ｍＷで、３Ｔピットのにじみ量は、１０％であり、１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
以下に、各信号評価パラメーターについて説明する。
・  アシンメトリー；信号アイパターン図（図２）において、以下のように定義され、長ピット、長ランドに由来する信号振幅（Ｉ１４）の中心位置に対する、短ピット、短ランドに由来する信号振幅（Ｉ３）の中心位置を規定したパラメーターである。ＤＶＤ−Ｒ規格値は、−０．０５以上０．１５以下である。
式１
［（Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ）／２−（Ｉ３Ｈ＋Ｉ３Ｌ）／２］／Ｉ１４
・  ３Ｔピットのにじみ量；信号アイパターン図（図２）において、以下のように定義される。熱干渉は、信号アイパターン上で、最短ピット（３Ｔピット）のにじみとして最も顕在化するため、熱干渉の程度を表す指標として、本パラメーターを設定した。
式２
（Ｉ３Ｌ上−Ｉ３Ｌ下）／Ｉ３×    １００    （％）
［実施例１８〜３３］
表２に記載したトリメチン二量体化合物を適宜使用する以外は、実施例１７と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例１７と同様にして評価を行ったところ、いずれも１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
［実施例３４］
表２に記載したトリメチン二量体化合物Ａ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ａ−１１とトリメチン二量体化合物Ａ−４０の混合物（重量比；７０：３０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例１７と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例１７と同様にして評価を行ったところ、いずれも１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
［実施例３５］
表２に記載したトリメチン二量体化合物Ａ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ａ−９２とトリメチン二量体化合物Ａ−７２の混合物（重量比；８０：２０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例１７と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例１７と同様にして評価を行ったところ、いずれも１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
［比較例１］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｎ））を用いて実施例１７と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施したが、記録感度が不足し、１２倍速での記録ができなかった。
［比較例２、３］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｏ）、構造式（Ｐ））を用いて実施例１７と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。１２倍速での記録は確認できたものの、記録感度に劣り、熱干渉も大きく、良好な信号波形が得られなかった。
0004691098.tif 000092
構造式（Ｎ）
0004691098.tif 000093
構造式（Ｏ）
0004691098.tif 000094
構造式（Ｐ）
表−２には実施例１７〜３５、及び比較例１〜３において、
１２倍速記録で、アシンメトリーがゼロとなるレーザーパワーで記録した際のレーザーパワー及び熱干渉度合いの指標となる３Ｔピットのにじみ量の測定結果を示した。当該実施例に示すＤＶＤ−Ｒ媒体では、１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
【表２】
0004691098.tif 000095
［実施例３６］
厚さ０．６ｍｍ，直径１２０ｍｍΦのスパイラルグルーブ（ピッチ＝０．７４ｕｍ，深さ＝１４０ｎｍ，幅＝０．３０ｕｍ）を有する射出成形ポリカーボネート基板に表１に記載したトリメチン二量体化合物Ｂ−１１を、テトラフルオロプロパノールに溶解し（２０ｇ／ｌ），スピンコーティング法にてほぼ溝上膜厚８０ｎｍ，溝間膜厚２０ｎｍとなるように調整し成膜した。９０℃、１時間乾燥処理した後、Ａｇ反射膜をバルザース製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用い膜厚８０ｎｍで形成し、更にこの反射層上にはＵＶ硬化樹脂：ＳＤ３９０（大日本インク製）を塗布しＵＶ硬化した後、この上に前記と同様０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を貼り合わせＪＳＲ製ＫＺ８６８１ラジカル重合接着剤によりＵＶ光で貼り合わせた光記録媒体を作製した。
得られた光記録媒体をパルステック工業社製ディスクテスターＤＤＵ１０００：波長＝６６１ｎｍ、ＮＡ＝０．６０にて、線速度＝５６ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の１６倍速スピード）で回転させ、ジッター値が最小となるレーザーパワーで記録した際のジッター値、及び記録レーザーパワー（記録感度）を測定した。記録レーザーパワーは４５．６ｍＷで、ジッター値は７．８％であり、１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［実施例３７〜４８］
表３に記載したトリメチン化合物を適宜使用する以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［実施例４９］
表３に記載したトリメチン二量体化合物Ｂ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ｂ−５とトリメチン二量体化合物Ｂ−６の混合物（重量比；６０：４０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［実施例５０］
表３に記載したトリメチン二量体化合物Ｂ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ｂ−３２とトリメチン二量体化合物Ｂ−５３の混合物（重量比；８０：２０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［比較例４］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｎ））を用いて実施例３６と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施したが、記録感度が不足し、１６倍速での記録ができなかった。
［比較例５、６］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｏ）、構造式（Ｐ））を用いて実施例３６と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。１６倍速での記録は確認できたものの、記録感度に劣り、熱干渉も大きく、良好な信号波形が得られなかった。
0004691098.tif 000096
構造式（Ｎ）
0004691098.tif 000097
構造式（Ｏ）
0004691098.tif 000098
構造式（Ｐ）
表−３には実施例３６〜５０、及び比較例４〜６において、
１６倍速記録で、ジッター値が最小となるレーザーパワーで記録した際のジッター値、及び記録レーザーパワーの測定結果を示した。当該実施例に示すＤＶＤ−Ｒ媒体では、１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
【表３】
0004691098.tif 000099
［実施例５１〜６７］
表４に記載したトリメチン化合物を適宜使用する以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［実施例６８］
表３に記載したトリメチン二量体化合物Ｂ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ａ−１１とトリメチン二量体化合物Ａ−４０の混合物（重量比；７０：３０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
［実施例６９］
表３に記載したトリメチン二量体化合物Ｂ−１１の代わりに、トリメチン二量体化合物Ａ−９２とトリメチン二量体化合物Ａ−７２の混合物（重量比；８０：２０）を、テトラフルオロプロパノールに溶解する（２０ｇ／ｌ）以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
【表４】
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［実施例７０〜７９］
表５に記載したトリメチン化合物を適宜使用する以外は、実施例３６と同様にして光記録媒体を作製した。
これら光記録媒体を実施例３６と同様にして評価を行ったところ、いずれも１６倍速の高速記録感度に優れ、良好な記録特性を有することが確認できた。
【表５】
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【図１】
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【図２】
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