(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板の間に液晶材料が挟持された液晶表示パネルを有し、前記液晶表示パネルは、第１の基板にトランジスタ素子および画素電極ならびに共通電極を有し、第２の基板に導電層を有し、かつ、前記両基板は、少なくとも一辺が重なっている表示装置であって、
前記第２の基板は、前記第１の基板と向かい合う面の裏面に前記導電層を有し、
前記第１の基板は、前記画素電極とは電気的に独立し、かつ、前記両基板の重なる辺の近傍に一端を有するグランド配線を有し、
前記導電層と前記グランド配線は、前記両基板の重なる辺で、両基板の間から前記第２の基板の端面を通り前記導電層に達する導電材料で電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電材料は、導電性樹脂でなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電材料は、前記両基板の間から前記両基板の外側にかけて設けられた突出した導電性樹脂と、前記両基板を外側から挟み、かつ、前記導電性樹脂と電気的に接続されたクリップ型のコネクタでなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記導電材料は、前記両基板の間から前記両基板の外側にかけて設けられた突出した導電性樹脂と、前記第２の基板の導電層上から前記導電性樹脂上にかけて接着された導電性のテープでなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板と第２の基板は、環状のシール材で接続されており、
前記グランド配線は、両端およびその近傍が前記シール材で囲まれた領域の外側にあり、両端を結ぶ中間領域は前記シール材で囲まれた領域内を通ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記シール材は、前記両基板の重なる辺の１つに沿った領域に切れ目を有し、かつ、前記切れ目が封止材で封止されており、
前記導電材料は、前記封止材と同じ辺に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示パネルは、一辺でフレキシブル回路基板と接続されており、
前記第１の基板と第２の基板は、前記フレキシブル回路基板に接続された前記一辺を除く他の辺が重なっており、
前記導電材料は、前記フレキシブル回路基板に接続された前記一辺に対向する辺に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特に、IPS(In Plane Switching)方式の液晶表示パネルを備える小型の表示装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示パネルを有する表示モジュールは、携帯電話端末やPDA(Personal Digital Assistant)，PC(Personal Computer)のディスプレイ，テレビ受像器などに広く用いられている。
【０００３】
前記液晶表示パネルは、一対の基板の間に液晶材料を挟持した表示パネルであり、前記一対の基板に設けたトランジスタ素子および画素電極ならびに共通電極（対向電極とも呼ばれる）によって生成される電界によって前記液晶材料を駆動して光の透過率を制御し、画像（映像）を表示する。
【０００４】
また、前記液晶表示パネルは、前記液晶材料を駆動する電界の方向によって、縦電界方式と横電界（IPS）方式に大別される。特に、横電界方式の液晶表示パネル（以下、IPS表示パネルという）は、縦電界方式に比べて視野角が広く、近年は、前記IPS表示パネルを用いた表示装置や電子機器が増えている。
【０００５】
前記IPS表示パネルは、一方の基板（以下、TFT基板という）にトランジスタ素子および画素電極ならびに共通電極が形成されており、他方の基板（以下、CF基板という）はカラーフィルタなどが形成されている。このとき、液晶材料を駆動する電界は前記TFT基板上の画素電極と共通電極によって生成するので、通常、前記CF基板側には電極（導電層）は不要である。しかしながら、前記CF基板が帯電すると、前記液晶材料がその影響を受けるため表示異常が生じる。そのため、前記CF基板には、通常、前記TFT基板と向かい合う面の裏面にITOを用いた導電層を設け、前記導電層をグランド接続（接地）している。このようにすることで、前記CF基板の帯電による表示異常を防いでいる。
【０００６】
前記CF基板の導電層をグランド接続する方法としては、たとえば、前記IPS表示パネルやバックライトユニットを一体的に保持する導電性のフレーム部材に電気的に接続する方法、前記TFT基板にグランド配線を設け、ボンディングワイヤやはんだなどで接続する方法などがある（たとえば、特許文献１および特許文献２を参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２６８７８３号公報
【特許文献２】特開平９−１０５９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記IPS表示パネルを用いた表示装置や電子機器のうち、たとえば、テレビ受像器やPC用のディスプレイのような大型のものは、前記CF基板の導電層を前記フレーム部材に接続することができる。
【０００８】
しかしながら、たとえば、携帯電話端末やPDAのような小型のものの場合、前記フレーム部材を使用しないで筐体内に収容することがある。この場合、前記CF基板の導電層は、前記TFT基板に設けたグランド配線と接続する必要がある。
【０００９】
また、携帯電話端末やPDAなどに用いられる小型のIPS表示パネルの場合、前記TFT基板の配線を１つの辺に集線し、他の３辺は前記CF基板の辺と一致させていることが多い。そのため、従来の小型のIPS表示パネルでは、前記TFT基板の前記配線を集線した辺の近傍の領域、言い換えると前記CF基板と重なっていない領域にグランド接続用の端子を設け、ボンディングワイヤや導電性樹脂などで前記CF基板の導電層と前記グランド接続用の端子を接続している。すなわち、従来の小型のIPS表示パネルでは、前記TFT基板に、前記グランド接続用の端子を設けるスペースが必要である。その結果、IPS表示パネルの外形寸法の小型化が難しいという問題があった。
【００１０】
本発明の目的は、IPS表示パネルの外形寸法の小型化が可能な技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明の概略を説明すれば、以下の通りである。
【００１３】
（１）２枚の基板の間に液晶材料が挟持された液晶表示パネルを有し、前記液晶表示パネルは、第１の基板にトランジスタ素子および画素電極ならびに共通電極を有し、第２の基板に導電層を有し、かつ、前記両基板は、少なくとも一辺が重なっている表示装置であって、前記第２の基板は、前記第１の基板と向かい合う面の裏面に前記導電層を有し、前記第１の基板は、前記画素電極とは電気的に独立し、かつ、前記両基板の重なる辺の近傍に一端を有するグランド配線を有し、前記導電層と前記グランド配線は、前記両基板の重なる辺で、両基板の間から前記第２の基板の端面を通り前記導電層に達する導電材料で電気的に接続されている表示装置である。
【００１４】
（２）前記（１）において、前記導電材料は、導電性樹脂でなる表示装置である。
【００１５】
（３）前記（１）において、前記導電材料は、前記両基板の間から前記両基板の外側にかけて設けられた突出した導電性樹脂と、前記両基板を外側から挟み、かつ、前記導電性樹脂と電気的に接続されたクリップ型のコネクタでなる表示装置である。
【００１６】
（４）前記（１）において、前記導電材料は、前記両基板の間から前記両基板の外側にかけて設けられた突出した導電性樹脂と、前記第２の基板の導電層上から前記導電性樹脂上にかけて接着された導電性のテープでなる表示装置である。
【００１７】
（５）前記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記第１の基板と第２の基板は、環状のシール材で接続されており、前記グランド配線は、両端およびその近傍が前記シール材で囲まれた領域の外側にあり、両端を結ぶ中間領域は前記シール材で囲まれた領域内を通る表示装置である。
【００１８】
（６）前記（５）において、前記シール材は、前記両基板の重なる辺の１つに沿った領域に切れ目を有し、かつ、前記切れ目が封止材で封止されており、前記導電材料は、前記封止材と同じ辺に設けられている表示装置である。
【００１９】
（７）前記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記液晶表示パネルは、一辺でフレキシブル回路基板と接続されており、前記第１の基板と第２の基板は、前記フレキシブル回路基板に接続された前記一辺を除く他の辺が重なっており、前記導電材料は、前記フレキシブル回路基板に接続された前記一辺に対向する辺に設けられている表示装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の表示装置は、横電界方式の液晶表示パネル（IPS表示パネル）を有するものであり、第１の基板と第２の基板が重なっている辺に導電材料を設け、前記第１の基板のグランド配線と前記第２の基板の導電層を電気的に接続する。このようにすると、たとえば、前記特許文献１や特許文献２に記載された接続方法のように、前記第１の基板の、前記第２の基板と重なっていない領域にグランド接続用の端子を設け、その領域で第２の基板の導電層と接続する必要が無くなる。そのため、前記第１の基板の外形寸法を小さくでき、前記IPS表示パネルの外形寸法を小型化することができる。
【００２１】
このとき、前記導電材料は、たとえば、導電性樹脂を用いる。前記導電性樹脂としては、たとえば、２種類のエポキシ系樹脂に銀粉を分散させた２液型エポキシ系導電性接着剤（銀ペースト）を用いることができ、前記IPS表示パネルの所定の位置に滴下して硬化させることで前記グランド配線と前記導電層を電気的に接続することができる。なお、前記導電性樹脂は、前記銀ペーストに限らず、種々の導電性接着剤を用いることができる。
【００２２】
また、前記導電材料は、前記導電性樹脂のみに限らず、たとえば、クリップ型のコネクタと組み合わせてもよい。前記導電性樹脂のみで接続する場合、滴下した導電性樹脂が前記導電層まで十分に到達せず、接続不良になる可能性がある。そのため、前記クリップ型のコネクタを用いることで、前記導電層と前記導電性樹脂の接続をより確実にすることができる。
【００２３】
また、前記クリップ型のコネクタを用いる代わりに、たとえば、導電性のテープを用いてもよい。
【００２４】
また、前記IPS表示パネルは液晶表示パネルであり、前記第１の基板と第２の基板は、環状のシール材で接着されており、前記両基板と前記シール材で囲まれた領域に液晶材料が封入されている。そのため、グランド配線は、両端を結ぶ中間領域は前記シール材で囲まれた領域内を通るようにすることが好ましい。
【００２５】
また、本発明は、従来のIPS表示パネルを有する種々の表示装置に適用することが可能であるが、特に、携帯電話端末やPDAなどに用いられる小型の表示装置に適用することが好ましい。
【００２６】
また、前記表示装置が、たとえば、携帯電話端末やPDAなどで用いられる小型のものである場合、前記IPS表示パネルのシール材は、切れ目を有し、かつ、切れ目が封止材で封止されていることが多い。そのため、前記導電材料を前記封止材と同じ辺に設ければ、前記導電材料が前記両基板の端面から突出した分を前記封止材の突出分で吸収することができ、前記導電材料の突出によるIPS表示パネルの外形寸法の大型化を防げる。
【００２７】
また、小型の前記IPS表示パネルの場合、一般に、その表示パネルは、一辺でフレキシブル回路基板と接続されており、前記第１の基板と第２の基板は、前記フレキシブル回路基板に接続された前記一辺を除く他の辺が重なっている。またこのとき、前記シール材の切れ目を封止する封止材は、通常、前記フレキシブル回路基板に接続された一辺と対向する辺に設けられている。この場合、前記グランド配線の一端を、前記封止材と同様に、前記フレキシブル回路基板に接続された一辺と対向する辺に設け、その辺に前記導電材料が設けられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２９】
本発明の表示装置では、横電界方式の液晶表示パネル（IPS表示パネル）のCF基板に設けられた帯電防止用の導電層とTFT基板に設けられたグランド配線とを、両基板の間から前記CF基板の端面を通る導電材料で電気的に接続する。このとき、両基板の重なっている辺に前記導電材料を設けることで、前記TFT基板の小型化、前記IPS表示パネルの外形寸法の小型化を実現する。
【００３０】
図１および図２は、本発明を適用して好ましい表示装置の一構成例を説明するための模式図であり、図１は液晶表示モジュールの概略構成を示す分解斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
図１および図２において、１はダイキャスト、２はバックライトユニット、３はスペーサー、４は液晶表示パネル（IPS表示パネル）、５Ａ，５Ｂはドライバ、６はフレキシブル回路基板、７は回路部品である。
【００３１】
本発明を適用して好ましい表示装置には、たとえば、携帯電話端末の表示部として用いられる液晶表示モジュールがある。前記液晶表示モジュールは、たとえば、図１および図２に示すように、箱型のダイキャスト１に、バックライトユニット２、スペーサー３、液晶表示パネル４の順に積層されて収納される。バックライトユニット２は、従来の一般的な構成のものでよいので詳細な説明は省略する。スペーサー３は、液晶表示パネル４の画像表示領域（図示しない）が開口し、かつ、両面に粘着性を有するテープ状のものであり、これにより、液晶表示パネル４がバックライトユニット２上に固定される。
【００３２】
また、液晶表示パネル４は、TFT基板４０１とCF基板４０２の間に液晶材料４０３が挟持されている。このとき、TFT基板４０１とCF基板４０２は環状のシール材４０４で接着されており、液晶材料４０３は、TFT基板４０１およびCF基板４０２ならびにシール材４０４で囲まれた空間内に封入されている。またこのとき、TFT基板４０１とCF基板４０２は３つの辺が一致するように重なっている。そして、TFT基板４０１の、前記CF基板４０２と重なっていない領域には、液晶表示パネルを駆動させるためのドライバ（半導体チップ）５Ａ，５Ｂが実装されている。また、TFT基板４０１の、前記CF基板４０２と重なっていない領域の端部（辺）には、フレキシブル回路基板６の一端が接続されている。
【００３３】
フレキシブル回路基板６は、液晶表示パネル４と接続された一端の近傍で折り曲げられており、他端側がダイキャスト１とバックライトユニット２の間に配置されている。
【００３４】
またこのとき、ダイキャスト１の底面には開口部１Ａが設けられており、フレキシブル基板６の、前記開口部１Ａと対応する位置には、回路部品７が実装されている。
【００３５】
このような構成の液晶表示モジュールの液晶表示パネル４には、たとえば、横電界方式のIPS表示パネルが用いられる。本発明は、このような構成の液晶表示モジュールで用いられるIPS表示パネルに適用して好ましいものである。
【実施例】
【００３６】
図３乃至図５は、本発明による一実施例の液晶表示パネルの概略構成を示す模式図であり、図３は液晶表示パネルの構成例を示す平面図、図４は図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図、図５は図３のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
図３乃至図５において、４０１はTFT基板、４０２はCF基板、４０３は液晶材料、４０４はシール材、４０５は導電性樹脂、４０６は封止材である。また、４０１ａはゲート信号線、４０１ｂはドレイン信号線、４０１ｃは画素電極、４０１ｄは共通信号線、４０１ｅは共通電極、４０１ｆはガラス基板、４０１ｇは第１層間絶縁膜、４０１ｈは第２層間絶縁膜、４０１ｉは配向膜、４０１ｊは端子、４０１ｋはグランド配線、４０１ｍはグランド配線の一方の端子である。また、４０２ａは導電層である。
【００３７】
本実施例の液晶表示パネルは、IPS表示パネルであり、図３乃至図５に示すように、TFT基板４０１とCF基板４０２の間に液晶材料４０３が封入されている。このとき、TFT基板４０１とCF基板４０２は、CF基板２の３つの辺がTFT基板４０１の辺と重なるように配置されている。そして、TFT基板４０１の、CF基板４０２と重なっていない領域には、走査ドライバ５Ａおよびデータドライバ５Ｂが実装されている。
【００３８】
また、TFT基板４０１には、複数本のゲート信号線４０１ａと複数本のドレイン信号線４０１ｂがマトリックス状に配置されている。なお、ゲート信号線４０１ａは走査信号線とも呼ばれ、ドレイン信号線４０１ｂは映像信号線とも呼ばれる。このとき、２本の隣接するゲート信号線４０１ａおよび２本の隣接するドレイン信号線４０２で囲まれた領域が１つの画素領域に相当する。そして、図３では省略しているが、各画素領域にはTFT素子が配置されている。このとき、各TFT素子のゲート電極は複数本のゲート信号線４０１ａのいずれかと接続しており、ドレイン電極は複数本のドレイン信号線４０１ｂのいずれかと接続している。また、各TFT素子のソース電極は画素電極４０１ｃと接続している。また、TFT基板１には共通信号線４０１ｄも設けられており、共通信号線４０１ｄと接続された共通電極４０１ｅと、画素電極４０１ｃとの間の電位差により横方向の電界を生成し、液晶材料４０３を駆動する。
【００３９】
また、TFT基板４０１のゲート信号線４０１ａ、ドレイン信号線４０１ｂ、画素電極４０１ｃ、共通信号線４０１ｄ、および共通電極４０１ｅは積層配置されており、図４および図５に示すように、まず、ガラス基板４０１ｆの表面に共通信号線４０１ｄが設けられている。なお、図４および図５では図示をしていないが、ガラス基板４０１ｆの表面には、ゲート信号線４０１ａも設けられている。
【００４０】
ゲート信号線４０１ａおよび共通信号線４０１ｄの上層には、第１層間絶縁膜４０１ｇを介してドレイン信号線４０１ｂが設けられている。なお、図４および図５では図示をしていないが、第１層間絶縁膜４０１ｇ上には、ソース電極および半導体層も設けられている。
【００４１】
ドレイン信号線４０１ｂなどの上層には、第２層間絶縁膜４０１ｈを介して画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅが設けられている。また、これらの積層構成についての詳細な説明は後述するが、画素電極４０１ｃはスルーホールによってソース電極と接続され、共通電極４０１ｅは別のスルーホールによって共通信号線４０１ｄと接続されている。
【００４２】
また、画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅの上層には配向膜４０１ｉが設けられている。
【００４３】
またこのとき、ゲート信号線４０１ａおよびドレイン信号線４０１ｂならびに共通信号線４０１ｄは、TFT基板４０１の、CF基板４０２と重なっていない領域に引き出して集線されている。また、TFT基板４０１の、CF基板４０２と重なっていない領域には、走査ドライバ５Ａおよびデータドライバ５Ｂが実装されている。そして、集線されたゲート信号線４０１ａは走査ドライバ５Ａに、ドレイン信号線４０１ｂはデータドライバ５Ｂにそれぞれ接続されている。また、走査ドライバ５Ａおよびデータドライバ５Ｂには、フレキシブル回路基板６の端子と接続する端子４０１ｊを有する配線も接続されている。また、共通信号線４０１ｄは、フレキシブル回路基板６の端子と接続する端子４０１ｊと直接接続されている。
【００４４】
また、TFT基板４０１には、前記各配線および電極の他に、グランド配線４０１ｋが設けられている。このグランド配線４０１ｋは、たとえば、図４および図５に示すように、共通信号線４０１ｄやゲート信号線４０１ａ（図示しない）と同じ層に設ける。このとき、グランド配線４０１ｋの一端はフレキシブル回路基板６の端子と接続する端子４０１ｊと接続しており、他端は、ゲート配線４０１ａなどが集線された辺と対向する辺側に設けられた端子４０１ｍとスルーホールで接続している。またこのとき、グランド配線４０１ｋの両端はシール材４０４で囲まれた領域の外側にあり、中間領域はシール材４０４で囲まれた領域内を通っている。
【００４５】
なお、グランド配線４０１ｋは、共通信号線４０１ｄとは別個に設けるのが好ましいが、グランド配線４０１ｋと共通信号線４０１ｄを接続した構成としてもよい。さらには、共通信号線４０１ｄがグランド配線４０１ｋを兼ねる構成としてもよい。
【００４６】
また、CF基板４０２は、TFT基板４０１と向かい合う面の裏面に帯電防止用の導電層４０２ａが設けられている。この導電層４０２ａは、図５に示すように、TFT基板４０１とCF基板４０２の間からCF基板４０２の端面を通り、導電層４０２ａに達する導電性樹脂４０５によって、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋ（端子４０１ｍ）と電気的に接続されている。導電性樹脂４０５は、たとえば、２種類のエポキシ系樹脂に銀粉を分散させた２液型エポキシ系導電性接着剤（銀ペースト）などを用いる。そして、導電性樹脂４０５は、少なくとも一部が、TFT基板４０１とCF基板４０２の間に充填されている。
【００４７】
またこのとき、シール材４０４は、ゲート信号線４０１ａなどが集線された辺と対向する辺に沿った領域に切れ目を有し、その切れ目は、封止材４０６によって封止されている。
【００４８】
図６は、本実施例の効果を説明するための模式図である。なお、図６では４つの図を示しており、左から順に、本実施例のIPS表示パネルの左側面図、正面図、従来のIPS表示パネルの正面図、右側面図を示している。
【００４９】
従来のISP表示パネルは、図６の右半分に示したように、TFT基板４０１の、CF基板４０２と重なっていない領域にグランド接続用の端子４０１ｍを設け、導電性樹脂４０５またはボンディングワイヤなどで基板４０２のCF導電層４０２ａと電気的に接続している。そのため、TFT基板４０１にはグランド接続用の端子４０１ｍを設けるスペースが必要であり、CF基板４０２には導電性樹脂４０５やボンディングワイヤと導電層４０２ａを接続する領域が必要であった。
【００５０】
一方、本実施例のISP表示パネルは、図６の左半分に示したように、TFT基板４０１とCF基板４０２の重なる辺の端面に設けた導電性樹脂４０５によって、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋとCF基板４０２の導電層４０２ａを電気的に接続している。またこのとき、導電性樹脂４０５は、シール材４０４を封止する封止材４０６と同じ辺に設けている。封止材４０６を設ける辺から画像表示領域ＤＡまでの距離は、封止材４０６が画像表示領域ＤＡにかからないように考慮されている。また、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋと接続された端子４０１ｍは、TFT基板４０１の辺とシール材４０４の間に設けられている。そのため、従来のIPS表示パネルで必要だったグランド接続用の端子４０１ｍを設けるスペース等が不要になり、TFT基板４０１の縦方向の寸法を小さくすることができる。また、導電性樹脂４０５の突出分は封止材４０６の突出分とほぼ等しいので、導電性樹脂４０５を封止材４０６と同じ辺に設ければ、IPS表示パネルの、画像表示領域ＤＡの大きさはそのままで、外形寸法を小型化することができる。このとき、より具体的には、画像表示領域ＤＡの大きさが同じTN構造の表示パネルと同程度の外形寸法まで小型化することができる。
【００５１】
図７乃至図９は、本実施例のIPS表示パネルの１画素の構成例を示す模式図であり、図７は１画素の概略構成を示す平面図、図８は図７のＤ−Ｄ’線に沿った断面構造を示す断面図、図９は図７のＥ−Ｅ’に沿った断面構造を示す断面図である。
【００５２】
本実施例のIPS表示パネルは、図３乃至図５に示したように、TFT基板４０１に配置された画素電極４０１ｃと共通電極４０１ｅの間で横方向の電界が生成されればよいので、画素の構成、すなわちTFT素子の構成や画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅの形状などには、種々の構成が考えられる。そこで、以下に、本実施例のIPS表示パネルにおける画素（TFT素子）の一構成例を説明する。
【００５３】
本実施例のIPS表示パネルにおいて、TFT基板４０１は、たとえば、図７乃至図９に示すように、ガラス基板４０１ｆ上に、TFT素子のゲート電極を兼ねるゲート信号線４０１ａおよび共通信号線４０１ｄが設けられている。ゲート信号線４０１ａおよび共通信号線４０１ｄは、たとえば、導体膜をエッチングして形成する。そして、その上層には、第１層間絶縁膜４０１ｇを介して半導体層４０１ｎと、TFT素子のドレイン電極を兼ねるドレイン信号線４０１ｂおよびソース電極４０１ｐが設けられている。半導体層４０１ｎは、たとえば、アモルファスシリコン（a-Si）膜で形成する。また、ドレイン信号線４０１ｂおよびソース電極４０１ｐは、たとえば、導体膜をエッチングして形成する。なお、本実施例では、ゲート信号線４０１ａがTFT素子のゲート電極を兼ねているが、これに限らず、ゲート信号線４０１ａとゲート電極が別個に形成された構成であってもよい。同様に、ドレイン信号線４０１ｂについても、本実施例のようにTFT素子のドレイン電極を兼ねていてもよいし、ドレイン信号線４０１ｂとドレイン電極が別個に形成された構成であってもよい。
【００５４】
ドレイン信号線４０１ｂおよびソース電極４０１ｐの上層には、第２層間絶縁膜４０１ｈを介して画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅが設けられている。画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅは、たとえば、ITO膜をエッチングして形成する。またこのとき、画素電極４０１ｃはスルーホールでソース電極４０１ｐと接続する。また、図示は省略するが、共通電極４０１ｅはスルーホールで共通信号線４０１ｄと接続する。
【００５５】
また、画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅの上層には、配向膜４０１ｉが設けられている。
【００５６】
一方、CF基板４０２は、図８および図９に示すように、ガラス基板４０２ｂの、TFT基板４０１と向かい合う面にブラックマトリクス４０２ｃが設けられている。ブラックマトリクス４０２ｃは、CF基板４０２の画像表示領域ＤＡを、TFT基板４０１の画素単位に分割するものであり、ゲート信号線４０１ａおよび共通電極４０１ｅならびにTFT素子と、ドレイン信号線４０１ｂを覆うように設けられる。このブラックマトリックス４０２ｃは、たとえば、黒顔料を混ぜたレジスト膜を露光現像して形成する。また、たとえば、クロムのスパッタ膜をエッチングして形成してもよい。
【００５７】
また、ガラス基板４０２ｂ上の、ブラックマトリクス４０２ｃで分割された各画素領域にはカラーフィルタ４０２ｄが設けられている。カラーフィルタ４０２ｄは、たとえば、所定の色の顔料を混ぜたレジスト膜を露光現像して形成する。IPS表示パネルがカラー表示パネルである場合、たとえば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の３色のカラーフィルタを周期配列させる。
【００５８】
また、ブラックマトリックス４０２ｃおよびカラーフィルタ４０２ｄ上には、オーバーコート層４０２ｅおよび配向膜４０２ｆが設けられている。
【００５９】
なお、図７乃至図９に示した１画素の構成は、IPS表示パネルにおける画素の一構成例である。すなわち、TFT基板４０１に画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅを有し、横方向の電界を生成する構成であれば、上記の構成に限らず、どのような構成であってもよい。
【００６０】
図１０は、本実施例の第１の変形例を示す模式断面図である。また、図１１は、本実施例の第２の変形例を示す模式断面図である。なお、図１０および図１１は、図５と同じ断面の断面構造を示す図である。
【００６１】
図５に示した例では、TFT基板４０１とCF基板４０２の間からCF基板４０２の端面を通り導電層４０２ａに達するように導電性樹脂４０５を設けることで、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋ（端子４０１ｍ）とCF基板４０２の導電層４０２ａを電気的に接続している。しかしながら、前記銀ペーストなどの導電性接着剤を所定の位置に滴下し、加熱硬化させる場合、導電層４０２ａ上に、導通を確保するのに十分な量であり、かつ、画像表示領域にかからないようにすることが難しい。
【００６２】
そこで、たとえば、図１０に示すように、導電性樹脂４０５を、TFT基板４０１とCF基板４０２の間から両基板の外側にかけて突出するように設けておき、クリップ型のコネクタ８で前記両基板を外側から挟むようにしてもよい。このとき、前記コネクタ８が前記導電性樹脂４０５と接触していれば、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋ（端子４０１ｍ）とCF基板４０２の導電層４０２ａが電気的に接続される。
【００６３】
また、クリップ型のコネクタ８を用いる代わりに、たとえば、図１１に示すように、導電層４０２ａ上から前記導電性樹脂４０５上にかけて導電性のテープ９を貼り付けてもよい。
【００６４】
図１２は、本実施例の第３の変形例を示す模式断面図である。なお、図１２は、図５と同じ断面の断面構造を示す図である。
【００６５】
図５に示した例では、第２層間絶縁膜４０１ｈ上に、TFT基板４０１のグランド配線４０１ｋとスルーホールで接続された端子４０１ｍを設けているが、これに限らず、たとえば、図１２に示すように、端子４０１ｍを設けずに、グランド配線４０１ｋと導電性樹脂４０５を直接接続してもよい。
【００６６】
図１３および図１４は、本実施例の第４の変形例を示す模式断面図である。なお、図１３は図４と同じ断面の断面構造、図１４は図５と同じ断面の断面構造を示す図である。
【００６７】
図５に示した例では、ゲート信号線４０１ａと同じ層、すなわちガラス基板４０１ｆと第１層間絶縁膜４０１ｇの間にグランド配線４０１を設けているが、これに限らず、他の層にグランド配線４０１ｋを設けてもよいことはもちろんである。つまり、グランド配線４０１ｋは、たとえば、図１３および図１４に示すように、ドレイン信号線４０１ｂと同じ層、すなわち第１層間絶縁膜４０１ｇと第２層間絶縁膜４０１ｈの間に設けてもよい。このとき、グランド配線４０１ｋと導電性樹脂４０５は、図１４に示したように、グランド配線４０１ｋとスルーホールで接続された端子４０１ｍを介して接続していてもよいし、グランド配線４０１ｋが直接接続していてもよい。また、導電性樹脂４０５と導電層４０２ａは、図１４に示したように直接接続していてもよいし、クリップ型のコネクタ８または導電性のテープ９を介して接続されていてもよい。
【００６８】
また、図示は省略するが、グランド配線４０１ｋを画素電極４０１ｃおよび共通電極４０１ｅと同じ層に設けてもよいことはもちろんである。
【００６９】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００７０】
たとえば、前記実施例で説明したようなIPS表示パネルの構成は、図１および図２に示したような構成の液晶表示モジュールに限らず、IPS表示パネルを有する種々の液晶表示モジュールに適用可能であることはもちろんである。また、液晶表示モジュールは、携帯電話端末の表示部に限らず、たとえば、PDAや小型のメディアプレイヤーなどの表示部に用いるものであってもよい。
【００７１】
また、前記実施例では、図１および図２に示したようなバックライトユニット２を有する構成の液晶表示モジュールで用いられるISP表示パネルの構成を例に挙げている。このときISP表示パネルは、通常、透過型の液晶表示パネルであるが、透過型に限らず、反射型あるいは半透過型であってもよい。
【００７２】
また、前記実施例では、たとえば、図３乃至図５に示したように、シール材４０４が切れ目を有し、その切れ目を封止材４０６で封止しているIPS表示パネルを例に挙げたが、これに限らず、シール材４０４が閉じた環状であり、液晶滴下方式によりTFT基板４０１とCF基板４０２の接着と液晶材料４０３の封入を一括して行うIPS表示パネルであってもよい。
【００７３】
またさらに、前記実施例では、IPS表示パネルを例に挙げたが、これに限らず、他の駆動方式の表示パネルであっても、表面に前記導電層４０２ａに相当する帯電防止膜などの導電膜を有するものであれば、本発明を適用可能であることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明を適用して好ましい表示装置の一構成例を説明するための模式図であり、液晶表示モジュールの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】本発明を適用して好ましい表示装置の一構成例を説明するための模式図であり、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図３】本発明による一実施例の液晶表示パネルの概略構成を示す模式図であり、液晶表示パネルの構成例を示す平面図である。
【図４】本発明による一実施例の液晶表示パネルの概略構成を示す模式図であり、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図５】本発明による一実施例の液晶表示パネルの概略構成を示す模式図であり、図３のＣ−Ｃ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図６】本実施例の効果を説明するための模式図である。
【図７】本実施例のIPS表示パネルの１画素の構成例を示す模式図であり、１画素の概略構成を示す平面図である。
【図８】本実施例のIPS表示パネルの１画素の構成例を示す模式図であり、図７のＤ−Ｄ’線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図９】本実施例のIPS表示パネルの１画素の構成例を示す模式図であり、図７のＥ−Ｅ’に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１０】本実施例の第１の変形例を示す模式断面図である。
【図１１】本実施例の第２の変形例を示す模式断面図である。
【図１２】本実施例の第３の変形例を示す模式断面図である。
【図１３】本実施例の第４の変形例を示す模式断面図である。
【図１４】本実施例の第４の変形例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…ダイキャスト
２…バックライトユニット
３…スペーサー
４…液晶表示パネル（IPS表示パネル）
４０１…TFT基板
４０１ａ…ゲート信号線
４０１ｂ…ドレイン信号線
４０１ｃ…画素電極
４０１ｄ…共通信号線
４０１ｅ…共通電極
４０１ｆ…ガラス基板
４０１ｇ…第１層間絶縁膜
４０１ｈ…第２層間絶縁膜
４０１ｉ…配向膜
４０１ｊ，４０１ｍ…端子
４０１ｋ…グランド配線
４０１ｎ…半導体層
４０１ｐ…ソース電極
４０２…CF基板
４０２ａ…導電層
４０２ｂ…ガラス基板
４０２ｃ…ブラックマトリックス
４０２ｄ…カラーフィルタ
４０２ｅ…オーバーコート層
４０２ｆ…配向膜
４０３…液晶材料
４０４…シール材
４０５…導電性樹脂
４０６…封止材
５Ａ…走査ドライバ
５Ｂ…データドライバ
６…フレキシブル回路基板
７…回路部品
８…クリップ型のコネクタ
９…導電性のテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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