(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
種結晶を用いた昇華再結晶法で得られる炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴット中に異種元素含有層を少なくとも１層有し、該異種元素含有層に接して成長した部分のポリタイプが前記異種元素含有層のポリタイプと異なることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット。
【請求項２】
前記異種元素含有層に含有される異種元素が、窒素、硼素、アルミニウム、または、窒素および硼素である、請求項１に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
【請求項３】
前記異種元素含有層中の異種元素含有量が、１×１０17〜１×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3である、請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
【請求項４】
５０ｍｍ以上の口径を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴット。
【請求項５】
原料炭化珪素を加熱して昇華再結晶法により種結晶上に単結晶を成長させる工程を包含する請求項１〜４のいずれか一項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、単結晶成長の途中で結晶構成元素以外の異種元素を結晶成長の所定期間導入して、異種元素含有層を少なくとも１層形成して、その後に成長する単結晶のポリタイプを前記異種元素含有層のポリタイプから変換することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素単結晶およびその製造方法に係わり、特に、青色発光ダイオードや電子デバイスなどの基板ウエハとなる良質で大型の単結晶インゴットおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
炭化珪素（ＳｉＣ）は耐熱性および機械的強度も優れ、放射線に強いなどの物理的、化学的性質から耐環境性半導体材料として注目されている。ＳｉＣは化学組成が同じでも多数の異なった結晶構造をとる結晶多形（以下、ポリタイプともいう）構造を持つ代表的物質である。ポリタイプとは、結晶構造においてＳｉとＣとが結合した分子を一単位として考えた場合、この単位構造分子が結晶のｃ軸方向（［０００１］方向）に積層する際の周期構造が異なることにより生じる。代表的なポリタイプとしては６Ｈ、４Ｈ、１５Ｒまたは３Ｃがある。ここで最初の数字は積層の繰り返し周期を示し、アルファベットは結晶系（Ｈは六方晶系、Ｒは菱面体晶系、Ｃは立方晶系）を表す。各ポリタイプはそれぞれ物理的、電気的特性が異なり、その違いを利用して各種用途への応用が考えられている。たとえば６Ｈは近年、青色から紫外にかけての短波長光デバイス用基板として用いられ、４Ｈは高周波高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとしての応用が考えられている。
【０００３】
しかしながら、大面積を有する高品質のＳｉＣ単結晶を、工業的規模で安定に供給し得る結晶成長技術は、いまだ確立されていない。それゆえ、ＳｉＣは、上述のような多くの利点および可能性を有する半導体材料にもかかわらず、その実用化が阻まれていた。
【０００４】
従来、研究室程度の規模で、半導体素子の作製が可能なサイズのＳｉＣ単結晶が、例えば昇華再結晶法、いわゆるレーリー法で、ＳｉＣ単結晶を成長させることにより得られることが報告されている。しかしながら、この方法では、得られた単結晶の面積が小さく、その寸法および形状を高精度に制御することは困難であることに加え、ＳｉＣが有する結晶多形および不純物キャリア濃度の制御も容易ではない。また、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて例えば珪素からなる異種基板上にヘテロエピタキシャル成長させることにより立方晶の炭化珪素単結晶を成長させることも行われている。この方法では、大面積の単結晶は得られるが、基板との格子不整合が約２０％も存在する等、多くの欠陥（〜１０7ｃｍ-2）を含むＳｉＣ単結晶しか成長させることができず、高品質のＳｉＣ単結晶を得ることは容易でない。
【０００５】
これらの問題点を解決するために、ＳｉＣ単結晶｛０００１｝ウエハを種結晶として用いて昇華再結晶を行う改良型のレーリー法が提案されている（Yu.M. Tairov and V.F. Tsvetkov,Journal of Crystal Growth, vol. 52 (1981) pp. 146-150）。この方法では、種結晶を用いているため結晶の核形成過程が制御でき、また不活性ガスにより雰囲気圧力を１００Ｐａから１５ｋＰａ程度に制御することにより結晶の成長速度等を再現性良くコントロールできる。改良レーリー法の原理を図１を用いて説明する。種結晶となるＳｉＣ単結晶と原料となるＳｉＣ結晶粉末は坩堝（通常黒鉛）の中に収納され、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中（１３３〜１３．３ｋＰａ）、２０００〜２４００℃に加熱される。この際、原料粉末に比べ種結晶がやや低温になるように温度勾配が設定される。原料は昇華後、濃度勾配（温度勾配により形成される）により種結晶方向へ拡散、輸送される。単結晶成長は、種結晶に到着した原料ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される。この際、結晶の抵抗率は、不活性ガスからなる雰囲気中に不純物ガスを添加する、あるいはＳｉＣ原料粉末中に不純物元素あるいはその化合物を混合することによりＳｉＣ単結晶構造中のシリコンまたは炭素原子の位置を不純物元素にて置換させる（ドーピング）ことで制御可能である。ＳｉＣ単結晶中の置換型不純物として代表的なものに、窒素（ｎ型）、ホウ素、アルミニウム（ｐ型）がある。キャリア型および濃度を制御しながら、ＳｉＣ単結晶を成長させることができる。
【０００６】
現在、上記の改良レーリー法で作製したＳｉＣ単結晶から、口径２インチ（５０ｍｍ）から３インチ（７５ｍｍ）のＳｉＣ単結晶ウエハが切り出され、エピタキシャル薄膜成長、デバイス作製に供されている。
【０００７】
前記したようにＳｉＣは各種ポリタイプ構造を呈するが、その中でも４Ｈは高周波、高耐圧電子デバイス向けの基板ウエハとしての特性（絶縁破壊電界強度、電子移動度）に優れているため有用である。改良レーリー法を用いて４Ｈを作製するためには、種結晶に４Ｈを使用する必要がある。しかしながら、改良レーリー法以前の製法（レーリー法等）では、得られる単結晶は殆どが６Ｈまたは１５Ｒであり、４Ｈの収率は極めて小さいために、種結晶として使用できる大きさを持つ基板が得られない。このため、４Ｈ種結晶を得るためには、改良レーリー法による６Ｈ種結晶を用いた成長にて、何らかの手法で４Ｈへポリタイプ変換させる、という方法を採らざるを得なかった。従って、このような事情から、６Ｈから４Ｈへ確実にポリタイプ変換させる技術を確立することが重要課題となっていた。しかし、改良レーリー法によるＳｉＣ単結晶作製において、６Ｈから４Ｈに安定して、かつ結晶品質劣化を抑制してポリタイプ変換し得る成長条件はいまだ確立されていない。
【０００８】
例えば、K. F. Knipppenberg, Philips Research Reports vol.18(1963)pp.161-274に報告されているように、結晶成長時の成長温度を低温（２０００℃以下）にすることで４Ｈの発生確率を増加させることができる。しかしながら、低温では結晶成長速度が著しく減少するため、生産性の点で問題がある。
【０００９】
また、Yu. A. Vodakov, G. A. Lomakina and E. N. Mokhov, Soviet Physics-Solid State vol.24(5) (1982) pp. 780-784 に報告されているように、遷移元素であるスカンジウムを原料に添加することでも４Ｈ型の発生確率を増加させることができる。しかしながらこの場合、結晶中に金属不純物が混入するため、例えば半導体デバイス作製時にデバイス特性に悪影響を及ぼす（例えば禁制帯内に深いトラップ準位を形成してデバイスの特性を劣化させる）ことが問題となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の技術を用いて６Ｈより変換して作られた４Ｈ  ＳｉＣ単結晶は、成長速度が小さい、金属不純物の混入によるデバイス作製時の悪影響が避けられない、といった問題を有していた。
【００１１】
そこで本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＳｉＣ単結晶のポリタイプ変換を、十分な成長速度を確保しつつ結晶品質劣化を抑制することによって得られる、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有するＳｉＣ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、
（１）種結晶を用いた昇華再結晶法で得られる炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴット中に異種元素含有層を少なくとも１層有し、該異種元素含有層に接して成長した部分のポリタイプが前記異種元素含有層のポリタイプと異なることを特徴とする炭化珪素単結晶インゴット、
（２）前記異種元素含有層に含有される異種元素が、窒素、硼素、アルミニウム、または、窒素および硼素である、（１）に記載の炭化珪素単結晶インゴット、
（３）前記異種元素含有層中の異種元素含有量が、１×１０17〜１×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3である、（１）または（２）に記載の炭化珪素単結晶インゴット、
（４）５０ｍｍ以上の口径を有する、（１）〜（３）のいずれか１項に記載の炭化珪素単結晶インゴット、
（５）原料炭化珪素を加熱して昇華再結晶法により種結晶上に単結晶を成長させる工程を包含する（１）〜（４）のいずれか一項に記載の炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、単結晶成長の途中で結晶構成元素以外の異種元素を結晶成長の所定期間導入して、異種元素含有層を少なくとも１層形成して、その後に成長する単結晶のポリタイプを前記異種元素含有層のポリタイプから変換することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、ＳｉＣ単結晶のポリタイプ変換を十分な成長速度を確保しつつ結晶品質劣化を抑制することによって得られた、異種元素含有層を少なくとも１層有するＳｉＣ単結晶インゴット、好ましくは一つの単結晶インゴット中に複数のポリタイプを有するＳｉＣ単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および、該インゴットの製造方法である。本発明におけるポリタイプ変換手法は、結晶成長時に成長結晶表面において異種元素を添加した層と無添加層との界面を形成することにより、結晶構造に歪を導入することを特徴としている。このポリタイプ変換手法によれば、目的とするポリタイプ（種結晶のポリタイプと異種のポリタイプ）を有するＳｉＣ単結晶を作製することができる。さらに、目的とする厚さに成長させたのち、結晶構造に歪を再度導入することでポリタイプ変換できるため、高品質の種結晶一枚より複数種類のポリタイプを有する高品質単結晶ウエハを得られるので、本発明のＳｉＣ単結晶インゴット製造方法は生産歩留まり向上を実現できる、優れた結晶成長方法と言える。上記異種元素として好ましくは、窒素、硼素、アルミニウム、または、窒素および硼素である。
【００１４】
以下、図２〜図４を用いて、本発明の効果を説明する。ＳｉＣは化学組成が同じでも多数の異なった結晶構造をとるポリタイプ構造を持つ代表的物質である。ＳｉＣ単結晶は、ＳｉとＣとが一対一の組成比で互いに正四面体配置を取り結合した構造を有している。ポリタイプは、結晶構造においてＳｉとＣとが結合した分子を一単位として考えた場合、この単位構造分子が結晶のｃ軸方向（［０００１］方向）に積層する際の周期構造が異なることにより生じる。
【００１５】
図２に代表的ポリタイプである４Ｈと６Ｈの両ポリタイプの結晶単位構造の模式図を示す。図２の長方形図形におけるａ軸方向の長さ、およびｃ軸方向の長さは、それぞれ結晶単位構造におけるＳｉまたはＣ原子同士の各軸方向での間隔を表している。両ポリタイプは積層構造の違いより、結晶構造の基本単位となる格子定数のｃ軸方向の値とａ軸方向（［１１−２０］方向）の値の比率が微妙に異なっている（６Ｈにてａ＝０．３０８１ｎｍ、ｃ＝１．５１２０ｎｍ、４Ｈにてａ＝０．３０８０ｎｍ、ｃ＝１．００８４ｎｍ）。図２中に（ｃ／ｎ）／ａ（ここでｎはＳｉ−Ｃ結合分子を一単位とした際の単位格子中の積層数であり、格子定数をこの積層数にて除した値が単位ＳｉＣ分子層におけるｃ軸方向の長さとなる）の値として示したように、４Ｈの方が６Ｈに対してよりｃ軸方向に延びた構造を有している。
【００１６】
６Ｈポリタイプを有するＳｉＣ単結晶の｛０００１｝面種結晶上に昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶を成長させる場合、成長中に異種元素としてアルミニウムを添加すると、成長表面に到達したアルミニウム原子は結晶構造中のシリコン原子の位置を置換して組み込まれる。ここでアルミニウム原子の原子半径がシリコン原子のそれよりも大きいため、結晶構造はｃ軸方向（結晶の成長する方向）およびａ軸方向（結晶成長方向に対して垂直の方向）のいずれの方向にも膨張しようとする力がはたらく。この時、成長方向であるｃ軸方向には成長表面が自由表面であるため膨張に対して何も制約が存在しないが、ａ軸方向への膨張に対しては、すでに成長した下地のアンドープ層（アルミニウムを含まない構造）により制約を受け膨張が抑制される。言い替えれば、本来膨張すべき寸法から見ると収縮されたのと同様の力を受ける。この結果、図３に示すようにａ軸方向の膨張が抑制された（収縮された）影響により、その分ｃ軸方向への膨張分の増加率が大きくなり、結晶構造のｃ／ａ比が増加する。このためドーピング直後の結晶構造としては４Ｈに近い構造となり、構造変化により４Ｈへの変換が誘起される。ＳｉＣ単結晶成長は螺旋転位に起因する渦巻成長機構にて行われ、成長最表面に形成されるファセットから結晶表面全体に向け渦巻ステップが供給されるステップフロー成長が進行する。このため上記の結晶構造変換がファセット上で起きれば、ファセットから供給されるステップの構造が４Ｈに変換されるため全面に渡るポリタイプ変換が実現される。
【００１７】
また、６Ｈ種結晶に異種元素として窒素をドーピングした場合、窒素原子は結晶構造中の炭素の位置を置換して組み込まれる。この場合窒素の原子半径が炭素のそれよりも小さいため、ドーピングされた結晶構造はｃ、ａ両軸方向において格子定数が小さくなる。このような窒素添加層を形成した後にドーピングを停止した場合、図４に示すように結晶構造はｃ軸方向（結晶の成長する方向）およびａ軸方向（結晶成長方向に対して垂直の方向）のいずれの方向にも膨張しようとする力がはたらく。ここでも成長方向であるｃ軸方向へは制約なく膨張するが、ａ軸方向は格子定数の小さい下地のドーピング層の影響で膨張が抑制される。この影響でｃ軸方向への膨張分の増加率が大きくなり、結晶構造のｃ／ａ比が増加する。このためドーピング停止直後の結晶構造としては４Ｈに近い構造となり、構造変化により４Ｈへの変換が誘起される。
【００１８】
以上の例では二つとも６Ｈから４Ｈポリタイプへと変換する場合を示したが、異種元素を交換する手法にて（上記例中の窒素とアルミニウムを逆にする）反対方向の変換、即ち４Ｈから６Ｈポリタイプへと変換することも可能である。また、６Ｈポリタイプよりもさらにｃ軸方向に縮んだ構造を有する１５Ｒポリタイプと６Ｈポリタイプとの間での変換も上記手法により可能である。
【００１９】
以上のように、成長時に成長結晶表面において異種元素を添加した層と無添加層との界面を形成することで結晶構造に歪を導入し、種結晶と異なるポリタイプの構造に（ｃ／ｎ）／ａ比を近づける手法で異種ポリタイプを発生させることができる。また、一回の成長中のある時間帯のみ全面異種ポリタイプ変換させ、後に再びもとのポリタイプに戻し、前記異種元素含有層を介して隣り合う炭化珪素単結晶のポリタイプが異なるＳｉＣ単結晶インゴットを作成することも可能である。これにより、結晶品質劣化を抑制しつつ一つの単結晶インゴット中に複数のポリタイプを有するＳｉＣ単結晶インゴットを作製でき、高品質の種結晶一枚より複数の種類のポリタイプについて高品質単結晶ウエハを得られる点で生産歩留まり向上を図れる。また、本手法はポリタイプ変換に際して従来法の様に成長温度を低く設定する必要が無く結晶成長速度が低下しないため、充分な生産性を確保することが可能である。
【００２０】
上記した本発明の効果については、上記した窒素またはアルミニウムも好ましいが、これ異種元素を用いる場合も有効である。例えば硼素原子をドーピングする場合、同原子は結晶構造中シリコン原子を置換し、シリコン原子よりも硼素原子の方が原子半径が小さいことから窒素と同様の効果を発現させることが可能である。ドーピングに関しては、同様の効果を有する異種元素を２種類同時に使用することも可能である。
【００２１】
さらに本発明の手法により、前記異種元素含有層を介して隣り合う炭化珪素単結晶のポリタイプが異なる構造、例えば６Ｈと４Ｈが任意の間隔で積層したような構造を有する単結晶インゴットを作製することもでき、各種電子デバイス構造への応用が考えられる。
【００２２】
本発明の製造方法で作製されたＳｉＣ単結晶インゴットは、５０ｍｍ以上の大口径を有し、全面に渡り単一のポリタイプを有する層を少なくとも１層有する、という特徴を有する。このＳｉＣ単結晶インゴットを切断、研磨して作製したＳｉＣ単結晶基板、およびその基板上に高品質ＳｉＣエピタキシャル層を作製したＳｉＣエピタキシャルウエハについては、青色から紫外にかけての短波長光デバイス用基板、あるいは高周波高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとして、用途に応じた高品質の大口径ウエハを生産性良く供給することができる。
【００２３】
さらに本発明は、原料炭化珪素を加熱して昇華再結晶法により種結晶上に単結晶を成長させる工程を包含する上述したＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法であって、単結晶成長の途中で結晶構成元素以外の異種元素を結晶成長の所定期間導入して、異種元素含有層を少なくとも１層形成することを特徴とする。
【００２４】
本発明の製造方法において異種元素の導入および導入停止には、異種元素を含んだドーピング用ガスを用いる。成長時に圧力制御用として用いられる不活性ガス中へ、ドーピング用ガスを導入および導入停止の操作を行うことにより目的とする異種元素含有／非含有界面を形成する。ドーピング濃度については、通常アンドープ（特にドーピングガスを使用せずに成長した場合を指す）成長においても原料の純度等の制約から１×１０16ａｔｏｍ／ｃｍ3程度の窒素原子濃度となっているため、ポリタイプ変換を起こすためには少なくともそれ以上の濃度が得られる条件が必要である。ただし、ドーピングする元素の濃度が１×１０21ａｔｏｍ／ｃｍ3程度となると結晶成長時に多結晶発生等の悪影響を及ぼす確率が増加することから、１×１０17〜１×１０20ａｔｏｍ／ｃｍ3の範囲のドーピングが適当といえる。またドーピングガスの導入時間については、結晶成長においてポリタイプ変換を起こさせるために、少なくとも１０分子（Ｓｉ−Ｃ分子）層（０．００２５ｍｍ）以上のドーピング層が形成されるのに充分な時間を確保する必要がある。この時間は結晶成長速度、および成長装置の排気能力等から計算した最適な値を選ぶのが望ましい。
【００２５】
【実施例】
図５は、本発明の製造装置であり、種結晶を用いた改良型レーリー法によってＳｉＣ単結晶を成長させる装置の一例である。まず、この単結晶成長装置について簡単に説明する。結晶成長は、種結晶として用いたＳｉＣ単結晶１の上に原料であるＳｉＣ粉末原料２を昇華再結晶化させることにより行われる。種結晶のＳｉＣ単結晶１は、黒鉛製坩堝３の黒鉛製坩堝蓋４の内面に取り付けられる。原料のＳｉＣ粉末原料２は、黒鉛製坩堝３の内部に充填されている。このような黒鉛製坩堝３は、二重石英管５の内部に、黒鉛の支持棒６により設置される。黒鉛製坩堝３の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト７が設置されている。二重石英管５は、真空排気装置１１により高真空排気（１０-3Ｐａ以下）することができ、かつ内部雰囲気をＡｒガスにより圧力制御することができる。また、二重石英管５の外周には、ワークコイル８が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛製坩堝３を加熱し、原料および種結晶を所望の温度に加熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部および下部を覆うフェルトの中央部に直径２〜４ｍｍの光路を設け坩堝上部および下部からの光を取りだし、二色温度計を用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の温度を種温度とする。製造装置へのガス配管９へは、内部雰囲気制御用のＡｒガスのほかに各種ドーピング用ガス（窒素、トリメチルアルミニウム、トリメチルボロン）がドーピングガス用マスフローコントローラ１０を通って導入される。
【００２６】
次に、この結晶成長装置を用いたＳｉＣ単結晶の製造について実施例を説明する。まず、種結晶として、口径５０ｍｍの（０００−１）Ｃ面を有した六方晶系、６Ｈポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウエハを用意した。次に、種結晶１を黒鉛製坩堝３の黒鉛製坩堝蓋４の内面に取り付けた。黒鉛製坩堝３の内部には、ＳｉＣ粉末原料２を充填した。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内部に設置した。そして、石英管の内部を真空排気した後、ワークコイルに電流を流し原料温度を摂氏２０００度まで上げた。その後、雰囲気ガスとしてＡｒガスを流量１４０ｓｃｃｍ流入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原料温度を目標温度である摂氏２４００度まで上昇させた。成長圧力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、その後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度勾配は摂氏１５度／ｃｍで、成長速度は約１ｍｍ／時であった。
【００２７】
成長開始から１時間が経過した時点でドーピング用ガスである窒素を分圧５５４Ｐａにて２分間導入した。これにより成長表面に窒素ドープ層（窒素濃度３×１０19ａｔｏｍ／ｃｍ3）が約３３μｍ形成された。その後窒素ガスの導入を停止してアンドープ層（窒素濃度１×１０17ａｔｏｍ／ｃｍ3）を形成し、下地の窒素ドープ層とアンドープ層との界面を形成した。
【００２８】
その後の成長はアンドープ条件下で成長終了時まで維持した。得られた結晶の口径は５１ｍｍで、高さは２０ｍｍ程度であった。
【００２９】
こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折およびラマン散乱により分析したところ、種結晶の６Ｈポリタイプと異なる４ＨポリタイプのＳｉＣ単結晶が発生していることが分かった。また、本実験の効果を調べる目的で、成長した単結晶インゴットを成長方向と垂直方向に縦切りする形で切断、研磨することにより｛０００１｝面に垂直な面を有するウェハを取り出した。顕微鏡によりドーピングした部分を観察したところ、窒素ドープを停止した部分の近傍で６Ｈポリタイプから４Ｈポリタイプへの変換が発生していることが確認できた。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、種結晶を用いた改良型昇華再結晶法（レーリー法）において、結晶成長時に異種元素を含むドープ層と含まないアンドープ層との界面を成長表面に形成することで結晶構造に歪を導入し、結晶構造変化を誘起することで目的とするポリタイプ（種結晶のポリタイプと異種のポリタイプ）を有する高品質ＳｉＣ単結晶を再現性良く成長させることができる。さらに、複数ポリタイプ間で任意に変換が可能となるため、一枚の高品質種結晶より複数の異種ポリタイプの高品質ウエハが得られるため、生産性に非常に優れた手法と言える。
【００３１】
このようなＳｉＣ単結晶ウエハを用いれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイス、光学的特性の優れた青色発光素子、を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  改良昇華再結晶法の原理を説明する図である。
【図２】  代表的ポリタイプである４Ｈおよび６Ｈの両ポリタイプの結晶単位構造の模式図を示す。
【図３】  ＳｉＣ単結晶成長時に、アルミニウム原子をドープすることによる結晶構造の変化を示した図である。
【図４】  ＳｉＣ単結晶成長時に、窒素原子のドープからアンドープに切り替えた場合の結晶構造の変化を示した図である。
【図５】  本発明の製造方法に用いられる単結晶成長装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１  種結晶（ＳｉＣ単結晶）
２  ＳｉＣ粉末原料
３  黒鉛製坩堝
４  黒鉛製坩堝蓋
５  二重石英管
６  黒鉛製支持棒
７  黒鉛製フェルト
８  ワークコイル
９  ガス配管
１０  ドーピングガス用マスフローコントローラ
１１  真空排気装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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