(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内において、基板に形成されたフォトレジストパターンを溶解し、新たなフォトレジストパターンを形成する基板処理方法であって、
チャンバ内の気圧を基準圧から該基準圧よりも低い第一の目標圧まで減圧するステップと、
チャンバ内に溶剤雰囲気を導入し、チャンバ内の気圧を前記基準圧に戻すステップと、
チャンバ内のフォトレジストを溶剤雰囲気により溶解するステップと、
チャンバ内を前記基準圧より低く、且つ前記第一の目標圧よりも高く、更に−２０ｋＰａより大気圧側に設定された第二の目標圧まで減圧し、チャンバ内の溶剤雰囲気を排出するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
チャンバ内の溶剤雰囲気を排出するステップにおいて、
チャンバ内圧が第二の目標圧に到達するとＮ2ガスを導入することにより基準圧に戻し、雰囲気置換が完了するまで再び第二の目標圧まで減圧しさらに基準圧に戻す作業が繰り返されることを特徴とする請求項１に記載された基板処理方法。
【請求項３】
前記チャンバ内の気圧を第一の目標圧まで減圧するステップと前記チャンバ内の気圧を第二の目標圧まで減圧するステップとにおいて、
チャンバ内の気圧を前記目標圧まで減圧する速さである減圧レートは同じ設定になされることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ工程により形成されエッチングマスクとして使用されたレジストパターンを溶解し、新たなレジストパターンを形成するリフロー処理を行う基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ（液晶ディスプレイ）製造工程におけるアモルファスＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）の形成においては、複数回のエッチング処理が必要とされる。このため従来は、複数回のフォトリソグラフィ工程、即ち露光・現像処理を行い、フォトレジストパターンを形成している。
しかしながら、ＴＦＴ形成工程において、エッチングで得たいパターン毎に塗布現像装置と露光装置が必要となり、装置にかかるコストが高くなるという課題があった。
【０００３】
このような課題に対し、一度エッチングマスクとして使用したレジストパターンを溶解し変形することにより、新たなレジストパターンを形成するリフロー処理が注目されている。このリフロー処理によれば、二度目のレジストパターン形成において、塗布現像装置及び露光装置を用いた処理を必要とせず、装置コストを低減し、製造効率を向上することができる。このリフロー処理を用いたＴＦＴ形成工程について図を用いて説明する。
【０００４】
アモルファスＳｉＴＦＴを形成する場合、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板２００に形成されたゲート電極２０１上に、絶縁層２０２、ａ−Ｓｉ層（ノンドープアモルファスＳｉ層）２０３ａとｎ+ａ−Ｓｉ層（リンドープアモルファスＳｉ層）２０３ｂからなるＳｉ層２０３、ドレイン・ソース電極を形成するためのメタル層２０５が順に積層される。
【０００５】
そして、メタル層２０５をエッチングするため、フォトリソグラフィ工程により、メタル層２０５上にフォトレジストが成膜され、露光、現像処理によりレジストパターン２０６が形成される。但し、このレジストパターン２０６は、光の透過率に差が設けられたハーフトーンマスクを用いるハーフ露光処理により、異なる膜厚（厚膜部と薄膜部）を有するものとなされる。尚、ハーフ露光技術については、特許文献１に開示されている。
レジストパターン２０６は、メタル層２０５をエッチングするためのマスクとして使用され、エッチング後は図１０（ｂ）に示すようにメタル層２０５の非マスク部分がエッチングされる。
【０００６】
メタルエッチングによりレジスト層２０６の表面には、ウェットエッチング液の影響によりレジストが変質した変質層２０７が形成される。そこで、リフロー処理の前処理として、この変質層２０７を除去する処理を行う。
【０００７】
この前処理においては、アルカリ溶液がウェットエッチング液として変質層２０７に滴下され、これにより図１０（ｃ）に示すように変質層２０７が除去される。
次いで再現像処理により、図１０（ｄ）に示すように次のレジストパターン形成においてマスクが不要な薄膜部のレジスト２０６を除去し、マスクしたいターゲットＴｇ周辺のレジスト（厚膜部）のみを残す処理が行われる。
【０００８】
次いで図１０（ｄ）に示すようにレジスト２０６が残された状態から、レジスト２０６に溶解雰囲気を曝すことによりレジスト２０６の溶解、拡散処理（リフロー処理）が行われ、図１０（ｅ）に示すようにターゲットＴｇ上にレジスト層が形成される。
尚、このレジスト層形成後は、図１１（ａ）に示すようにメタル層２０５をマスクとしてＳｉ層２０３のエッチングを行い、図１１（ｂ）に示すようにレジスト層２０６を除去する。そして、図１１（ｃ）に示すように、チャネル領域におけるｎ+ａ−Ｓｉ層２０３ｂのエッチングが行われ、ＴＦＴが形成される。
【特許文献１】特開２００５−１０８９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで前記リフロー処理では、従来、チャンバ内に載置された基板に対し溶剤雰囲気（例えばシンナーガス）が曝され、フォトレジスト中に溶剤が浸透することによりレジストの溶解がなされる。そして、この溶剤雰囲気をチャンバ内に導入、または排出する際には、雰囲気置換を効率的に行うため、チャンバ内の気圧を基準圧から所定の目標圧まで減圧する作業を行っている。
【００１０】
ここで、この溶剤雰囲気の導入・排出に伴う２度の減圧作業は共に、減圧レート（目標圧まで減圧する速さ）と目標圧とにおいて同じ設定になされていた。具体的には、図１２のグラフに示すように、雰囲気の置換効率をより向上するために、減圧レートを高く（例えば排気流量１００Ｌ／ｍｉｎ）、目標圧を低く（例えば−９０ｋＰａ）設定がなされていた。
【００１１】
しかしながら、その場合、チャンバ内雰囲気を排出する際の２度目の減圧作業において、チャンバ内部が急激に大きく減圧されるためにフォトレジスト中に浸透した溶剤が蒸発し、それに伴いフォトレジストパターンが変形する虞があった。即ち、レジストパターンが変形し、断線、短絡等のパターン不良が生じるという課題があった。
【００１２】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、チャンバ内でフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、チャンバ内の溶剤雰囲気置換に伴うレジストパターンの変形を抑制し、パターン不良の発生を防止することのできる基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するために、本発明にかかる基板処理方法は、チャンバ内において、基板に形成されたフォトレジストパターンを溶解し、新たなフォトレジストパターンを形成する基板処理方法であって、チャンバ内の気圧を基準圧から該基準圧よりも低い第一の目標圧まで減圧するステップと、チャンバ内に溶剤雰囲気を導入し、チャンバ内の気圧を前記基準圧に戻すステップと、チャンバ内のフォトレジストを溶剤雰囲気により溶解するステップと、チャンバ内を前記基準圧より低く、且つ前記第一の目標圧よりも高く、更に−２０ｋＰａより大気圧側に設定された第二の目標圧まで減圧し、チャンバ内の溶剤雰囲気を排出するステップとを実行することに特徴を有する。
【００１４】
このようなステップを実行する方法によれば、チャンバ内の溶剤雰囲気を排出するステップにおいて、チャンバ内圧の目標圧を溶剤雰囲気導入時よりも高い設定、即ち溶剤の内部蒸発が発生することがない第二の目標圧とすることにより、レジストパターンの変形による断線、短絡等のパターン不良の発生を防止することができる。
【００１５】
また、チャンバ内の溶剤雰囲気を排出するステップにおいて、チャンバ内圧が第二の目標圧に到達するとＮ2ガスを導入することにより基準圧に戻し、雰囲気置換が完了するまで再び第二の目標圧まで減圧しさらに基準圧に戻す作業が繰り返されることが望ましい。
更に、前記チャンバ内の気圧を第一の目標圧まで減圧するステップと前記チャンバ内の気圧を第二の目標圧まで減圧するステップとにおいて、チャンバ内の気圧を前記目標圧まで減圧する速さである減圧レートは同じ設定になされることが望ましい。
前記のように溶剤雰囲気を排出するステップでの目標圧は、溶剤の内部蒸発が発生することがない第二の目標圧であるので、減圧レートを雰囲気導入時と同じ高めの設定にしても溶剤の内部蒸発は発生せず、速く溶剤雰囲気を排出することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、チャンバ内でフォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、チャンバ内の溶剤雰囲気置換に伴うレジストパターンの変形を抑制し、パターン不良の発生を防止することのできる基板処理方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明に係る基板処理方法につき、実施の形態に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理方法を実施するリフローユニットを具備するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。
【００２２】
図１に示すリフローパターン形成装置１は、例えばＴＦＴ形成のため、塗布現像処理装置（ＣＯＴ／ＤＥＶ）５０及び露光装置（Ｅｘｐ）５１においてレジストパターン形成、エッチング装置（Ｅｔｃｈｉｎｇ）５２によりエッチング処理が施された基板Ｇに対し、レジストパターンのリフロー処理を行い、レジストパターンを再形成するための装置である。
【００２３】
このリフローパターン形成装置１は、複数の基板Ｇをカセット単位で外部（エッチング装置）から搬入出したり、カセットに対して基板Ｇを搬入出したりするカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２を備える。
また、カセットステーション２に隣接して基板処理部３が設けられ、この基板処理部３は、各ユニット間での基板Ｇの搬送及び各ユニットに対する基板Ｇの搬入出を行うアーム装置を有する基板搬送部（Ｍ／Ａ）４を有する。そして、図中矢印で示す基板処理方向に沿って基板搬送部４の左右には、基板Ｇを処理するための複数の処理ユニットが配置されている。
【００２４】
処理ユニットとして、図中、矢印で示す処理方向に沿って基板搬送部４の右側には、フォトレジストに生じた変質層を除去するための前処理を行うリムーバユニット（ＲＭ）５と、再現像処理を行うことにより不要なレジストを除去する再現像ユニット（ＲＤＶ）６とが配置される。
さらに、リムーバユニット５／再現像ユニット６に隣接して、フォトレジストを溶解するリフローユニット（ＲＦ）７が配置される。
また図中、基板処理方向に沿って基板搬送部４の左側には、複数のホットプレート及びクールプレートからなる熱処理装置（ＨＰ／ＣＯＬ）８が配置される。
【００２５】
次に、本発明に係る基板処理方法を実施するリフローユニット７についてさらに説明する。図２は、リフローユニット７の概略構成を示す断面図である。
図示するように、リフローユニット７においては、ベースチャンバ１０ａ上にアッパーチャンバ１０ｂが着脱自在に装着され、アッパーチャンバ１０ｂ装着時には内部に密閉空間を形成するチャンバ１０を具備する。
【００２６】
チャンバ１０内の中央には、基板Ｇを基板載置面に載置し、基板載置面の温度を所定温度として基板Ｇを温度調整するための温調プレート１１が設けられる。この温調プレート１１の内部には、温調水が循環する温調水流路１２が形成され、この温調水流路１２は、チャンバ外部に設けられた温調器１３に接続されている。即ち、温調器１３に循環水が供給され、温調器１３において所定の水温に調整されて、温調プレート１１が所定の温度に調整されるように構成されている。
【００２７】
また、チャンバ１０内には、上方から下方に向けて溶剤雰囲気、またはパージガスとしてのＮ2ガスが供給される。即ち、アッパーチャンバ１０ｂの天井に形成された複数のガス供給口１４から溶剤雰囲気またはＮ2ガスが供給され、ベースチャンバ１０ａの底面に形成された複数のガス排気口１５から溶剤雰囲気またはＮ2ガスが排出されるようになされている。
【００２８】
ガス供給口１４にはガス供給管１６が接続され、このガス供給管１６にはガス濃度調整器１７により濃度が５０〜１００％に調整された溶剤雰囲気、あるいはチャンバ内をパージするためのＮ2ガスが供給されるように構成されている。ガス濃度調整器１７には、所定流量のＮ2ガスが供給され、気化されたシンナーがＮ2ガスと共にガス供給管１６に供給される。一方、ガス排気口１５にはガス排気管１８が接続され、チャンバ内の雰囲気を排出するように構成されている。
【００２９】
また、チャンバ１０内においては、溶剤雰囲気またはＮ2ガスをチャンバ内に拡散するための拡散スペーサ１９と、拡散スペーサ１９により拡散されたガスの流れる方向を均一化するための均一化プレート２０と、ガス排気口１５に向けてガスを整流するための排気整流板２１とが設けられている。
尚、チャンバ内の雰囲気を溶剤雰囲気に置換する際には、効率よく作業を行うため、チャンバ内圧制御手段（図示せず）により内部雰囲気を所定の減圧レート（減圧する速さ）で所定の目標圧にまで減圧する制御が行われる。
【００３０】
続いて、リフローパターン形成装置１による処理工程及びリフローユニット７での処理工程について夫々説明する。先ず、図３のフローに従い、図１のブロック図及び既に説明した図１０の基板断面図を用いて、リフロー処理全体の流れについて説明する。
【００３１】
先ず、エッチング装置５２より搬送された基板Ｇが収容されたカセットステーション２から、１枚の基板Ｇが基板搬送部４によりリムーバユニット５に搬送される。尚、図１０（ａ）に示すように、この基板Ｇに形成されたフォトレジストパターン２０６は、塗布現像処理装置５０及び露光装置５１において、リフロー処理で必要なフォトレジストを厚膜に形成し、不要なフォトレジストを薄膜に形成するハーフ露光処理が施されている。
【００３２】
リムーバユニット５において基板Ｇは、図１０（ｂ）に示すようにエッチング処理によりフォトレジスト２０６の表面に生じた変質層２０７を例えばアルカリ溶液に曝すことにより除去する前処理が行われる（図３のステップＳ１）。
【００３３】
リムーバユニット５での前処理後、図１０（ｃ）に示す状態の基板Ｇは、基板搬送部４により再現像ユニット６に搬送される。
そこで基板Ｇは、不要な薄膜部分のレジストを除去するために再現像処理が行われ、図１０（ｄ）に示すように厚膜部分のレジストが残る状態となされる（図３のステップＳ２）。即ち、マスクすべき所定エリアであるターゲットＴｇの周囲にレジスト２０６が残る状態になされる。
【００３４】
次いで基板Ｇは基板搬送部４により熱処理装置８に搬送されて所定の熱処理が行われた後、基板搬送部４によりリフローユニット７に搬送され、そこでレジスト２０６を溶解するリフロー処理が行われる（図３のステップＳ３）。そして処理レシピに定められた所定時間の間、フォトレジストの溶解処理を行うことにより、ターゲットＴｇをマスクするレジストパターンが形成される。
【００３５】
また、リフローユニット７でのレジストパターン形成がなされた基板Ｇは、基板搬送部４により熱処理装置８に搬送され、加熱によるレジストパターンの定着処理が行われる。そして、再び基板搬送部４によりカセットステーション２のカセットに戻され、その後、エッチング装置５２に搬送される。
【００３６】
次に、図４のフロー図に従い、リフローユニット７において実施される本発明に係る基板処理方法の第一の実施の形態について説明する。尚、以下の説明においては、図２のリフローユニット７の断面図、図５の処理時間経過に伴うチャンバ内圧の変化を示すグラフを用いて説明する。
【００３７】
先ず、温調プレート１１上に基板Ｇが載置され、温調プレート１１の温度が温調器１３により所定の温度（例えば２４℃）に設定される。
そして、効率的に速く雰囲気置換を行うために、チャンバ内圧制御手段により減圧レートＲ１が例えば１００Ｌ／ｍｉｎとされ、図５のグラフに示すようにチャンバ内圧が基準圧（例えば約０ｋＰａ）から第一の目標圧Ｐ１（例えば−９０ｋＰａ）まで減圧される（図４のステップＳ１１）。
チャンバ１０内が減圧されると、ガス濃度調整器１７によって濃度が所定濃度に調整された溶剤雰囲気として、例えばシンナーガスが導入されてチャンバ内雰囲気が置換され、図５のグラフに示すように基準圧まで昇圧される（図４のステップＳ１２）。
【００３８】
そして、チャンバ内雰囲気の置換が終了すると、チャンバ内のシンナーガスによりフォトレジストを溶解するリフロー処理が開始される（図４のステップＳ１３）。
【００３９】
フォトレジスト溶解後、チャンバ内のシンナーガスを排出するステップにおいて、減圧レートはガス導入時と同様に速く置換を行うために減圧レートＲ１とされるが、目標圧はガス導入時の目標圧Ｐ１よりも高い（大気圧側の）第二の目標圧Ｐ２に設定される（図４のステップＳ１４）。具体的には、この目標圧Ｐ２は、フォトレジスト中に浸透した溶剤（シンナー）の蒸発が抑制され、不良発生が防止される値（例えば−２０ｋＰａ）に設定される。
そして図５のグラフに示すように、チャンバ内圧が目標圧Ｐ２に到達するとＮ2ガスを導入することにより基準圧に戻し（図４のステップＳ１５）、雰囲気置換が完了するまで再び目標圧Ｐ２まで減圧しさらに基準圧に戻す作業が繰り返される（図４のステップＳ１６）。
【００４０】
このように本発明の基板処理方法に係る第一の実施の形態によれば、ガス排出のステップにおいて、チャンバ内圧の目標圧をガス導入時よりも高い（大気圧側の）設定、即ちシンナーの内部蒸発が発生することがない目標圧Ｐ２とすることにより、レジストパターンの変形による断線、短絡等のパターン不良の発生を防止することができる。
【００４１】
次に、図６のフロー図に従い、リフローユニット７において実施される本発明に係る基板処理方法の第二の実施の形態について説明する。尚、以下の説明においては、図２のリフローユニット７の断面図、図７の処理時間経過に伴うチャンバ内圧の変化を示すグラフを用いて説明する。
【００４２】
先ず、温調プレート１１上に基板Ｇが載置され、温調プレート１１の温度が温調器１３により所定の温度（例えば２４℃）に設定される。
そして、効率的に速く雰囲気置換を行うために、チャンバ内圧制御手段により減圧レートＲ１が例えば１００Ｌ／ｍｉｎとされ、図７のグラフに示すようにチャンバ内圧が基準圧（例えば約０ｋＰａ）から第一の目標圧Ｐ１（例えば−９０ｋＰａ）まで減圧される（図６のステップＳ２１）。
チャンバ１０内が減圧されると、ガス濃度調整器１７によって濃度が所定濃度に調整された溶剤雰囲気として、例えばシンナーガスが導入されてチャンバ内雰囲気が置換され、図７のグラフに示すように基準圧まで昇圧される（図６のステップＳ２２）。
【００４３】
そして、チャンバ内雰囲気の置換が終了すると、チャンバ内のシンナーガスによりフォトレジストを溶解するリフロー処理が開始される（図６のステップＳ２３）。
【００４４】
フォトレジスト溶解後、チャンバ内のシンナーガスを排出するステップにおいて、チャンバ内圧制御手段によりチャンバ内圧の目標圧はガス導入時と同様に目標圧Ｐ１に設定されるが、ガス導入時よりも低い減圧レートＲ２（例えば３０Ｌ／ｍｉｎ）とされる（図６のステップＳ２４）。即ち、目標圧Ｐ１までの減圧が時間をかけてなされることにより、急激な減圧を回避し、フォトレジスト中に浸透した溶剤（シンナー）の蒸発が抑制されるよう減圧レートＲ２が設定される。
そして図７のグラフに示すように、チャンバ内圧が目標圧Ｐ１まで減圧されると、Ｎ2ガスが導入されチャンバ内雰囲気が置換される（図６のステップＳ２５）。
【００４５】
このように本発明の基板処理方法に係る第二の実施の形態によれば、ガス排出のステップにおいて、減圧レートの設定をガス導入時よりも低い設定とし、目標圧Ｐ１まで時間をかけて減圧することにより、急激な減圧が回避されてシンナーの内部蒸発が抑制され、レジストパターンが変形することによる断線、短絡等のパターン不良の発生を防止することができる。
【００４６】
次に、図８のフロー図に従い、リフローユニット７において実施される本発明に係る基板処理方法の第三の実施の形態について説明する。尚、以下の説明においては、図２のリフローユニット７の断面図、図９の処理時間経過に伴うチャンバ内圧の変化を示すグラフを用いて説明する。
【００４７】
先ず、温調プレート１１上に基板Ｇが載置され、温調プレート１１の温度が温調器１３により所定の温度（例えば２４℃）に設定される。
そして、効率的に速く雰囲気置換を行うために、チャンバ内圧制御手段により減圧レートＲ１が例えば１００Ｌ／ｍｉｎとされ、図９のグラフに示すようにチャンバ内圧が基準圧（例えば約０ｋＰａ）から第一の目標圧Ｐ１（例えば−９０ｋＰａ）まで減圧される（図８のステップＳ３１）。
チャンバ１０内が減圧されると、ガス濃度調整器１７によって濃度が所定濃度に調整された溶剤雰囲気として、例えばシンナーガスが導入されてチャンバ内雰囲気が置換され、図９のグラフに示すように基準圧まで昇圧される（図８のステップＳ３２）。
【００４８】
そして、チャンバ内雰囲気の置換が終了すると、チャンバ内のシンナーガスによりフォトレジストを溶解するリフロー処理が開始される（図８のステップＳ３３）。
【００４９】
フォトレジスト溶解後、チャンバ内のシンナーガスを排出するステップにおいて、チャンバ内圧制御手段による減圧は行われず、Ｎ2ガスを導入しながらシンナーガスの排気処理が行われる（図８のステップＳ３４）。即ち図９のグラフに示すように、ガス導入時よりもガス排出の時間を要するが、基準圧の状態でシンナーガスをチャンバ外に排気することにより雰囲気置換作業が実施される。
【００５０】
このように本発明の基板処理方法に係る第三の実施の形態によれば、ガス排出のステップにおいてチャンバ内を減圧しないため、溶剤であるシンナーの内部蒸発が発生せず、レジストパターンが変形することによる断線、短絡等のパターン不良の発生を防止することができる。
【実施例】
【００５１】
続いて、本発明に係る基板処理方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記した本発明の基板処理方法に係る第一の実施の形態について、その効果を検証した。
具体的には、ガス排出時の目標圧（第二の目標圧Ｐ２）と不良発生数（個）の関係について実験を行い、目標圧Ｐ２の設定の効果について検証した。
【００５２】
この実験の結果を図１３のグラフに示す。このグラフに示されるように目標圧Ｐ２が０ｋＰａから−２０ｋＰａまではパターン不良は発生しなかったが、−２０ｋＰａよりも低く減圧した場合には、低く減圧するほど不良発生数が増加した。即ち、本実施例の結果、第二の目標圧Ｐ２は−２０ｋＰａより大気圧側とすれば、パターン不良の発生を抑制することができることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、複数回に亘りフォトレジストパターンを形成する工程に適用することができ、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理方法を実施するリフローユニットを具備するリフローパターン形成装置のレイアウトを示す平面ブロック図である。
【図２】図２は、リフローユニットの概略構成を示す断面図である。
【図３】図３は、リフローパターン形成装置による基板処理工程を示すフローである。
【図４】図４は、リフローユニットによる基板処理工程の第一の実施の形態を示すフローである。
【図５】図５は、図４の処理工程におけるチャンバ内の気圧変化を示すグラフである。
【図６】図６は、リフローユニットによる基板処理工程の第二の実施の形態を示すフローである。
【図７】図７は、図６の処理工程におけるチャンバ内の気圧変化を示すグラフである。
【図８】図８は、リフローユニットによる基板処理工程の第三の実施の形態を示すフローである。
【図９】図９は、図８の処理工程におけるチャンバ内の気圧変化を示すグラフである。
【図１０】図１０は、ＴＦＴ形成におけるリフロー処理工程を説明するための基板断面図である。
【図１１】図１１は、図１０の工程後、ＴＦＴ形成の処理工程を説明するための基板断面図である。
【図１２】図１２は、従来のリフロー処理におけるチャンバ内の気圧変化を示すグラフである。
【図１３】図１３は、実施例での実験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５５】
１          リフローパターン形成装置
２          カセットステーション
３          基板処理部
４          基板搬送部
５          リムーバユニット
６          再現像ユニット
７          リフローユニット
８          熱処理装置
１０        チャンバ
１１        温調プレート
１２        温調水流水路
１３        温調器
１４        ガス供給口
１５        ガス排気口
１６        ガス供給管
１７        ガス濃度調整器
１８        ガス排気管
１９        拡散スペーサ
２０        均一化プレート
２１        排気整流板
Ｇ          基板
【図１】
0004780609.tif 000002
【図２】
0004780609.tif 000003
【図３】
0004780609.tif 000004
【図４】
0004780609.tif 000005
【図５】
0004780609.tif 000006
【図６】
0004780609.tif 000007
【図７】
0004780609.tif 000008
【図８】
0004780609.tif 000009
【図９】
0004780609.tif 000010
【図１０】
0004780609.tif 000011
【図１１】
0004780609.tif 000012
【図１２】
0004780609.tif 000013
【図１３】
0004780609.tif 000014