(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化した熱硬化性樹脂およびガラスクロスを含む絶縁板の上下面に、未硬化の熱硬化性樹脂および３０〜６０重量％の無機フィラーを含むとともに硬化後の熱膨張係数が１５×１０-6〜３０×１０-6／℃である接着層および該接着層に対して剥離可能に設けられた保護層を積層する第１の工程と、
前記絶縁板および前記接着層および前記保護層に、これらを貫通する貫通孔を形成する第２の工程と、
前記貫通孔内に導電性ペーストを充填して未硬化の貫通導体を形成した後、前記保護層を剥離して、前記絶縁板と前記未硬化の貫通導体と前記未硬化の接着層とから成る第１の基板を得る第３の工程と、
該第１の基板の上下面に第１の銅箔を積層した後、これらを加熱加圧して前記未硬化の貫通導体を硬化するとともに、前記未硬化の接着層を硬化することによって前記第１の基板の上下面に前記銅箔を接着し、しかる後、前記第１の銅箔をパターン加工することにより硬化した貫通導体と電気的に接続された第１の配線導体を形成して、前記絶縁板と前記硬化した貫通導体と硬化した接着層と前記第１の配線導体とから成る第２の基板を得る第４の工程と、
該第２の基板の上下面に、前記第１の基板と第２の銅箔とを順々に、前記第１の配線導体と前記第１の基板の前記未硬化の貫通導体とが電気的に接続されるように積層した後、これらを加熱加圧して前記第１の基板の前記未硬化の貫通導体を硬化するとともに、前記第１の基板の前記未硬化の接着層を硬化することによって前記第２の基板と前記第１の基板と前記第２の銅箔とを接着する第５の工程と、
前記第２の銅箔をパターン加工することにより前記第１の基板の前記硬化した貫通導体と電気的に接続する第２の配線導体を形成して、上下に位置する前記第２の配線導体間を前記第１の基板および前記第２の基板の前記硬化した貫通導体で電気的に接続する第６の工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路素子等の半導体素子や電子部品を搭載するための多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近時、有機材料系の多層配線基板として、例えば図２に断面図で示すように、高密度化に対応し易い全層インターステシャルビアホール（ＩＶＨ）構造を有する多層配線基板21が注目されている。この全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板21としては、例えばアラミド不織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る複数の絶縁板22の上下面に銅箔から成る配線導体23を設けるとともに各絶縁板22の上下に位置する配線導体23同士を各絶縁板22の貫通孔内に充填した導電性ペーストを硬化させて成る貫通導体25により電気的に接続したものが知られている。なお、このような多層配線基板21は、次に述べる方法により製作されている。
【０００３】
先ず、図３（ａ）に断面図で示すように、プリプレグ22Ａとしてアラミド不織布にエポキシ樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させた材料を用い、このプリプレグ22Ａに貫通孔24を穿孔した後、銅粉末等の導電性粒子とエポキシ樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂とを含有する導電性ペーストを貫通孔24へ充填して未硬化の貫通導体25Ａを形成する。
【０００４】
次に、図３（ｂ）に断面図で示すように、プリプレグ22Ａの上下両面に銅箔23Ａを重ね、これらを加熱装置を備えた真空プレス機により上下から加熱加圧する。これにより、プリプレグ22Ａ・未硬化の貫通導体25Ａを硬化するとともに銅箔23Ａを絶縁板22の上下両面に上下の銅箔23Ａ同士が貫通導体25で互いに電気的に接合されるように被着する。
【０００５】
次に、図３（ｃ）に断面図で示すように、絶縁板22の上下両面に固着された銅箔23Ａをフォトリソグラフィによりパターン加工することで、貫通導体25で互いに電気的に接続された複数の配線導体23を形成する。
【０００６】
次に、図３（ｄ）に断面図で示すように、配線導体23が形成された絶縁板22の上下両面に、図３（ａ）で示したプリプレグ22Ａと同様に導電性ペーストを充填して成る未硬化の貫通導体25Ａが形成されたプリプレグ22Ａと、さらにその上に銅箔23Ａとを位置合わせしながら順次積層するとともにこれらを上下から加熱加圧して図３（ｅ）に断面図で示すような内層に配線導体23を有するとともに最外層に銅箔23Ａが固着された積層体21Ａを得る。
【０００７】
そして最後に、図３（ｆ）に断面図で示すように、最外層の銅箔23Ａをフォトリソグラフィによりパターン加工して最外層の配線導体23を形成することにより全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板21が製作される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板21は、上述したように、アラミド不織布に未硬化のエポキシ樹脂を含浸させて成るプリプレグ22Ａに貫通孔24を設け、この貫通孔24内に導電性ペーストを充電して成る未硬化の貫通導体25Ａを形成した後、このプリプレグ22Ａを上下から加熱加圧してプリプレグ22Ａ中の熱硬化性樹脂および貫通導体25Ａ中の熱硬化性樹脂を熱硬化させることにより貫通導体25を有する絶縁板22を製作することから、加熱加圧時にプリプレグ22Ａおよび未硬化の貫通導体25Ａが軟化して変形が起こり、そのため貫通導体25の位置精度が悪くなったり、貫通導体25が大きく変形したりして各絶縁板22の上下に位置する配線導体23同士が貫通導体25により正確に接続されず各配線導体23間に接続不良が発生して、断線してしまうという問題点を有していた。
【０００９】
本発明は上記従来技術における問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、貫通導体の位置精度を高く維持するとともに貫通導体に大きな変形を発生させることがなく、それにより各絶縁層の上下に位置する配線導体同士を貫通導体で正確に接続し、各配線導体同士の電気的接続信頼性の高い全層ＩＶＨ構造の多層配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の多層配線板の製造方法は、硬化した熱硬化性樹脂およびガラスクロスを含む絶縁板の上下面に、未硬化の熱硬化性樹脂および３０〜６０重量％の無機フィラーを含むとともに硬化後の熱膨張係数が１５×１０-6〜３０×１０-6／℃である接着層および該接着層に対して剥離可能に設けられた保護層を積層する第１の工程と、前記絶縁板および前記接着層および前記保護層に、これらを貫通する貫通孔を形成する第２の工程と、前記貫通孔内に導電性ペーストを充填して未硬化の貫通導体を形成した後、前記保護層を剥離して、前記絶縁板と前記未硬化の貫通導体と前記未硬化の接着層とから成る第１の基板を得る第３の工程と、該第１の基板の上下面に第１の銅箔を積層した後、これらを加熱加圧して前記未硬化の貫通導体を硬化するとともに、前記未硬化の接着層を硬化することによって前記第１の基板の上下面に前記銅箔を接着し、しかる後、前記第１の銅箔をパターン加工することにより硬化した貫通導体と電気的に接続された第１の配線導体を形成して、前記絶縁板と前記硬化した貫通導体と硬化した接着層と前記第１の配線導体とから成る第２の基板を得る第４の工程と、該第２の基板の上下面に、前記第１の基板と第２の銅箔とを順々に、前記第１の配線導体と前記第１の基板の前記未硬化の貫通導体とが電気的に接続されるように積層した後、これらを加熱加圧して前記第１の基板の前記未硬化の貫通導体を硬化するとともに、前記第１の基板の前記未硬化の接着層を硬化することによって前記第２の基板と前記第１の基板と前記第２の銅箔とを接着する第５の工程と、前記第２の銅箔をパターン加工することにより前記第１の基板の前記硬化した貫通導体と電気的に接続する第２の配線導体を形成して、上下に位置する前記第２の配線導体間を前記第１の基板および前記第２の基板の前記硬化した貫通導体で電気的に接続する第６の工程とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、貫通導体および配線導体を硬化した有機材料系の絶縁板に形成し、その後、この貫通導体および配線導体を有する絶縁板を複数層積層することから、絶縁板の積層時の加熱加圧により絶縁板や貫通導体に変形が発生することはない。従って、絶縁板に形成された貫通導体を位置精度良く形成できるとともに、これによって各絶縁板の上下に位置する配線導体同士を貫通導体で正確に接続することができる。
【００１３】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、硬化させた接着層の熱膨張係数が15×10-6〜30×10-6／℃であることから、硬化させた接着層の熱膨張係数を貫通導体の熱膨張係数に近似させることができ、それにより各貫通導体と配線導体との間の電気的接続信頼性が極めて高い全層ＩＶＨ構造の多層配線基板を提供することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法について添付の図面に基づいて説明する。図１は、本発明の多層配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す断面図である。
【００１５】
まず、図１（ａ）に断面図で示すように、硬化した有機材料系の絶縁板１を準備するとともにこの上下面に未硬化の接着層２Ａおよびこの接着層２Ａに対して剥離可能に設けられた保護層３を積層する。なお、本発明で用いる硬化した有機材料系の絶縁基板１は、その硬化の程度が、Ｂステージと呼ばれる有機材料系の絶縁板１が後工程における加熱加圧によって軟化溶融する程度の半硬化状態よりも硬化が進んでおり、後工程における加熱加圧では軟化溶融しない程度のものをいう。
【００１６】
絶縁板１は、その厚みが50〜300μｍであり、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを加熱加圧して熱硬化性樹脂を硬化させたものが用いられる。
【００１７】
また、未硬化の接着層２Ａは、その厚みが30〜50μｍであり、例えば、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂あるいはこのような未硬化の熱硬化性樹脂とアクリル系樹脂等の熱可塑性樹脂との複合樹脂に無機フィラーとして球状の溶融ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3等を分散させて成り、後述する銅箔６Ａと絶縁板１および絶縁板１同士を接合するための接着剤として機能する。このような未硬化の接着層２Ａは、例えばスクリーン印刷法を用いて絶縁板１の上下面に上記樹脂を印刷することにより形成される。あるいは、あらかじめ従来周知のテープ成形法を用いて上記樹脂から成るテープを成形し、このテープを絶縁板１の上下面に積層しても良い。
【００１８】
他方、保護層３は、その厚みが20〜50μｍであり、例えばＰＥＴ（Polyethlen-terephthalate）フィルム等から成り、未硬化の接着層２Ａを保護するための保護材として機能するとともに後述するように貫通導体５用の導電性ペーストをスクリーン印刷により貫通孔４に充填する際のマスクとして機能する。なお、この保護層３は、レーザ加工性が良好であることが好ましい。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に断面図で示すように、積層された絶縁板１および未硬化の接着層２Ａおよび保護層３にこれらを上下に貫通する貫通孔４をレーザ加工あるいはドリル加工により穿孔する。貫通孔４は、その直径が通常は100〜300μｍであり、例えばレーザ加工により形成する場合、ビーム径を50〜200μｍに絞った炭酸ガスレーザを保護層３上から照射することにより形成される。なお、ＵＶレーザやエキシマレーザを利用することにより、貫通孔４の直径を50μｍ以下と小さなものとすることも可能である。
【００２０】
次に、図１（ｃ１）に断面図で示すように、貫通孔４へ導電性ペーストを充填して未硬化の貫通導体５Ａを形成する。導電性ペーストとしては、銅や銀・はんだ等の金属粉末をエポキシ樹脂等の未硬化の熱硬化性樹脂あるいはこれとアクリル系樹脂等の熱可塑性樹脂との樹脂混合物に添加混合したものが用いられる。また、貫通孔４への未硬化の導電性ペーストの充填は、保護層３を印刷用のマスクとして用い、この保護層３の上からスクリーン印刷で埋め込む方法が採用される。
【００２１】
なお、保護層３の厚みは20〜50μｍの範囲が好ましく、20μｍ未満であるとスクリーン印刷で導電性ペーストを貫通孔４に埋め込む際に保護層３が破れ易くなる傾向があり、また50μｍを越えると、後述する保護層３を剥離した際に、未硬化の貫通導体５Ａが未硬化の接着層２Ａの表面から保護層３の厚み分だけ大きくはみ出してしまい、その後、第１の銅箔６Ａまたは第２の銅箔６Ｂを積層して加熱加圧すると、未硬化の貫通導体５Ａの大きくはみ出した部分が未硬化の接着層２Ａの表面に大きく広がってしまい、第１の銅箔６Ａおよび第２の銅箔６Ｂをパターン加工する際に余分な時間を要するとともに精度良く配線導体６Ｃおよび第２の配線導体６Ｄを形成することが困難となる傾向がある。従って、保護層３の厚みは20〜50μｍの範囲とすることが好ましい。
【００２２】
次に、図１（ｃ２）に断面図で示すように、保護層３を剥離して、絶縁板１と未硬化の貫通導体５Ａと未硬化の接着層２Ａとから成る第１の基板７を得る。なお、本発明の多層配線基板の製造方法においては、未硬化の貫通導体５Ａが、保護層３の厚み分だけ接着層２Ａより外側にはみだしていることから、第１の銅箔６Ａおよび後述する第２の銅箔６Ｂを接着層２Ａに積層して加熱加圧した際に、保護層３の厚み分だけ接着層２Ａより外側にはみだした導電性ペーストが適度に広がり、第１の銅箔６Ａおよび第２の銅箔６Ｂと貫通導体５との接続面積が大きくなり、接合強度を強固なものとすることができる。
【００２３】
次に、図（ｄ１）に断面図で示すように、第１の基板７の上下面の略全面に第１の銅箔６Ａを積層し、真空プレス装置を用いて真空度が４ｋＰａ以下、温度が180〜200℃、圧力が２〜４ＭＰａ、時間が90〜120分の条件で加熱加圧を行い、未硬化の接着層２Ａおよび未硬化の貫通導体５Ａを硬化するとともに第１の基板７の上下面に銅箔６Ａを接着する。
【００２４】
本発明の多層配線基板の製造方法においては、絶縁板１は加熱加圧の前にすでに硬化しているので、絶縁板としてプリプレグを用いた場合のように銅箔６Ａを接着する際の加熱加圧によって絶縁板１に変形が発生することはなく、従って、貫通導体５に大きな変形が発生することもなく貫通導体５を位置精度良く形成することができる。
【００２５】
次に、図１（ｄ２）に断面図で示すように、第１の基板７の上下面に被着された銅箔６Ａをフォトリソグラフィによりパターン加工することで、絶縁板１と硬化した貫通導体５と硬化した接着層２と第１の配線導体６Ｃとから成る第２の基板８を得る。なおこの際、第２の基板８の上下面に貫通導体５と電気的に接続しないダミー電極６Ｅを設けてもよい。このような第１の銅箔６Ａをパターン加工して第１の配線導体６Ｃを形成するには、例えば、第１の銅箔６Ａの表面にエッチングマスクをドライフィルムレジストにより形成した後、エッチングマスクから露出した銅箔６Ａをアンモニア系の塩化第二銅のエッチング液で１〜２分間エッチングすればよい。
【００２６】
次に、図１（ｅ）に断面図で示すように、第２の基板８の上下面に、第１の基板７と第２の銅箔６Ｂとを順次、第１の配線導体６Ｃと第１の基板７の未硬化の貫通導体５Ａとが電気的に接続されるように積層した後、これらを真空プレス装置を用いて真空度が４ｋＰａ以下、温度が180〜200℃、圧力が２〜４ＭＰａ、時間が90〜120分の条件で加熱加圧して第１の基板７の未硬化の貫通導体５Ａおよび未硬化の接着層２Ａを硬化するとともに第２の基板８と第１の基板７と第２の銅箔６Ｂとを接着し、第２の基板８と第１の基板７と第２の銅箔６Ｂとから成る積層板11Ａを得る。
【００２７】
最後に、図１（ｆ）に断面図で示すように、第２の銅箔６Ｂをパターン加工して第２の配線導体６Ｄを形成することにより、全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板11が製作される。
【００２８】
なお、第２の銅箔６Ｂをパターン加工して第２の配線導体６Ｄを形成するには、第１の配線導体６Ｃの形成と同様に、第２の銅箔６Ｂの表面にエッチングマスクをドライフィルムレジストにより形成した後、エッチングマスクから露出した第２の銅箔６Ｂをアンモニア系の塩化第二銅のエッチング液で１〜２分間エッチングすればよい。
【００２９】
本発明の多層配線基板の製造方法においては、絶縁板１は加熱加圧の前にすでに硬化しているので、第１の基板７と第２の基板８との積層の際の加熱加圧によって絶縁板１に変形が発生することはない。従って、貫通導体５に大きな変形が発生することはなく、貫通導体５の位置精度を極めて高く維持することができ、その結果、貫通導体５を有する絶縁板１を複数層積層して全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板11を製作した場合においても、上下面の配線導体６同士が電気的に良好に接続された多層配線基板11を得ることができる。
【００３０】
なお、本発明においては、硬化させた接着層２の熱膨張係数を15×10-6〜30×10-6／℃とすることにより硬化した接着層２の熱膨張係数を貫通導体５の熱膨張係数に近似させることができ、それにより接着層２と貫通導体５との熱膨張係数の差に起因して貫通導体５と配線導体６との間に大きな応力が印加されるのを有効に防止することができ、その結果、貫通導体５と配線導体６との電気的接続信頼性を極めて高いものとすることができる。したがって、硬化した接着層２の熱膨張係数を15×10-6〜30×10-6／℃の範囲とすることが好ましい。
【００３１】
未硬化の接着層２Ａを硬化させて、その硬化した接着層２の熱膨張係数を15×10-6〜30×10-6／℃とするには、未硬化の接着層２Ａ中に30〜60重量％程度の無機フィラーを予め含有させておき、この接着層２Ａを略完全に硬化させればよい。未硬化の接着層中の無機フィラーの含有量が30重量％未満の場合には、硬化した接着層２の熱膨張係数を30×10-6／℃以下とすることが困難となり、60重量％を超える場合には、硬化した接着層２の熱膨張係数を15×10-6／℃以上とすることが困難となるとともに接着層２の接着力が低いものとなる傾向にある。従って、未硬化の接着層２Ａを硬化させる際、その硬化した接着層２の熱膨張係数を15×10-6〜30×10-6／℃の範囲とすることが好ましい。
【００３２】
かくして、本発明の配線基板の製造方法によれば、絶縁板１は加熱加圧の前にすでに硬化しているので、第１の基板７と第２の基板８との積層の際の加熱加圧によって絶縁板１に変形が発生することはない。従って、貫通導体５に大きな変形が発生することはなく、貫通導体５の位置精度を極めて高く維持することができ、その結果、貫通導体５を有する絶縁板１を複数層積層して全層ＩＶＨ構造を有する多層配線基板11を製作した場合においても、上下面の配線導体６同士が電気的に良好に接続された多層配線基板11を得ることができる。
【００３３】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の例で得られた多層配線基板11の上面および／または下面に第１の基板７と第２の銅箔６Ｂとを交互に積層して、加熱加圧した後、第２の銅箔６Ｂをパターン加工して第２の配線導体６Ｄを形成することにより多層化することも可能である。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、貫通導体および配線導体を硬化した有機材料系の絶縁板に形成し、その後、この貫通導体および配線導体を有する絶縁板を複数層積層することから、絶縁板の積層時の加熱加圧により絶縁板や貫通導体に変形が発生することはない。従って、絶縁板に形成された貫通導体を位置精度良く形成できるとともに、これによって各絶縁板の上下に位置する配線導体同士を貫通導体で正確に接続することができる。
【００３５】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、硬化させた接着層の熱膨張係数が15×10-6〜30×10-6／℃であることから、硬化させた接着層の熱膨張係数を貫通導体の熱膨張係数に近似させることができ、それにより各貫通導体と配線導体との間の電気的接続信頼性が極めて高い全層ＩＶＨ構造の多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の多層配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
【図２】従来の多層配線基板の実施例を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、図２に示す従来の多層配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁板
２・・・・・・・接着層
２Ａ・・・・・未硬化の接着層
３・・・・・・・保護層
４・・・・・・・貫通孔
５・・・・・・・貫通導体
５Ａ・・・・・未硬化の貫通導体
６Ａ・・・・・・・第１の銅箔
６Ｂ・・・・・・・第２の銅箔
６Ｃ・・・・・・・第１の配線導体
６Ｄ・・・・・・・第２の配線導体
７・・・・・・・・第１の基板
８・・・・・・・・第２の基板
11・・・・・・・多層配線基板
【図１】
0004803919.tif 000002
【図２】
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【図３】
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