(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とする、ウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項２】
前記非水溶性の界面活性剤が、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値で０．００１乃至１０であることを特徴とする、請求項１に記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項３】
前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［１］、一般式［２］及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
0004743340.tif 000021
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
0004743340.tif 000022
（式［２］中、Ｒ２は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ３は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ４は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。）
【請求項４】
前記非水溶性の界面活性剤が、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、前記一般式[２]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ２が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ３が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ４が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項５】
前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［３］乃至［６］からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
0004743340.tif 000023
（式［３］中、Ｒ５は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｖは、酸素原子、または硫黄原子を示し、Ｗは、水素原子、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素原子は、有機基で置換されていても良い。）
0004743340.tif 000024
（式［４］中、Ｘはイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基であり、ａは１乃至６の整数、Ｒ６は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のａ個のイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基で同数の水素原子が置換された化合物である。）
0004743340.tif 000025
（式［５］中、Ｙは硫黄元素を含む環構造であり、Ｒ７は、水素原子、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、及び、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基からなる群から選ばれる基である。）
0004743340.tif 000026
（式［６］中、Ｒ８は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ９は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｚは、酸素原子、または硫黄原子を示す。）
【請求項６】
前記撥水性保護膜形成用薬液中に希釈溶媒が含有されることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
【請求項７】
表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のウェハの撥水性保護膜形成用薬液を少なくとも該凹部に保持することにより、前記凹部表面に形成された撥水性保護膜であり、該撥水性保護膜が、撥水性保護膜形成剤である非水溶性の界面活性剤から形成されたものであることを特徴とする、撥水性保護膜。
【請求項８】
表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄方法であって、該方法は、少なくとも、
凹凸パターンの少なくとも凹部に保護膜形成用薬液を保持する保護膜形成工程、
乾燥により凹凸パターンから液体を除去する乾燥工程、
ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、及び、ウェハをオゾン曝露することから選ばれる少なくとも１つの処理を行うことにより保護膜を除去する膜除去工程
を有し、前記保護膜形成用薬液が、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とする、前記洗浄方法。
【請求項９】
前記非水溶性の界面活性剤が、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値で０．００１乃至１０であることを特徴とする、請求項８に記載の洗浄方法。
【請求項１０】
前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［１］、一般式［２］及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の洗浄方法。
0004743340.tif 000027
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
0004743340.tif 000028
（式［２］中、Ｒ２は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ３は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ４は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。）
【請求項１１】
前記非水溶性の界面活性剤が、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、前記一般式[２]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ２が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ３が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ４が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１２】
前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［３］乃至［６］からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の洗浄方法。
0004743340.tif 000029
（式［３］中、Ｒ５は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｖは、酸素原子、または硫黄原子を示し、Ｗは、水素原子、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素原子は、有機基で置換されていても良い。）
0004743340.tif 000030
（式［４］中、Ｘはイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基であり、ａは１乃至６の整数、Ｒ６は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のａ個のイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基で同数の水素原子が置換された化合物である。）
0004743340.tif 000031
（式［５］中、Ｙは硫黄元素を含む環構造であり、Ｒ７は、水素原子、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、及び、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基からなる群から選ばれる基である。）
0004743340.tif 000032
（式［６］中、Ｒ８は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ９は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｚは、酸素原子、または硫黄原子を示す。）
【請求項１３】
前記撥水性保護膜形成用薬液中に希釈溶媒が含有されることを特徴とする、請求項８乃至請求項１２のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１４】
前記膜除去工程において、前記撥水性保護膜の除去を、ウェハを加熱することによって行うことを特徴とする、請求項８乃至請求項１３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１５】
前記膜除去工程において、前記撥水性保護膜の除去を、３００℃以下でウェハを加熱することによって行うことを特徴とする、請求項８乃至請求項１４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１６】
前記保護膜形成工程と乾燥工程の間に、
前記保護膜形成用薬液を該薬液とは異なる洗浄液に置換する後洗浄工程
を有する洗浄方法であって、前記洗浄液が、水系洗浄液、有機溶媒、及び、水系洗浄液と有機溶媒の混合物、並びに、それらに保護膜形成用薬液に用いられる非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度に含有されたものからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項８乃至請求項１５のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項１７】
前記薬液に、非水溶性の界面活性剤として、以下の一般式［１］で表される化合物が含有されることを特徴とする、請求項８乃至請求項１６のいずれかに記載の洗浄方法。
0004743340.tif 000033
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
【請求項１８】
前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１７に記載の洗浄方法。
【請求項１９】
前記後洗浄工程で用いる洗浄液が、水系洗浄液、有機溶媒、及び、水系洗浄液と有機溶媒の混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１７または請求項１８に記載の洗浄方法。
【請求項２０】
前記後洗浄工程において、置換された洗浄液を１０秒間以上保持することを特徴とする、請求項１７乃至請求項１９のいずれかに記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス製造などにおいて、特に微細でアスペクト比の高い回路パターン化されたデバイスの製造歩留まりの向上を目的とした基板（ウェハ）の洗浄技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ネットワークやデジタル家電用の半導体デバイスにおいて、さらなる高性能・高機能化や低消費電力化が要求されている。そのため回路パターンの微細化が進行しており、微細化が進行するに伴って、回路パターンのパターン倒れが問題となっている。半導体デバイス製造においては、パーティクルや金属不純物の除去を目的とした洗浄工程が多用されており、その結果、半導体製造工程全体の３〜４割にまで洗浄工程が占めている。この洗浄工程において、半導体デバイスの微細化に伴うパターンのアスペクト比が高くなると、洗浄またはリンス後、気液界面がパターンを通過する時にパターンが倒れる現象がパターン倒れである。
【０００３】
このパターン倒れは、ウェハを洗浄液またはリンス液から引き上げるときに生じる。これは、パターンのアスペクト比が高い部分と低い部分との間において、残液高さの差ができ、それによってパターンに作用する毛細管力に差が生じることが原因と言われている。
【０００４】
このため、毛細管力を小さくすれば、残液高さの違いによる毛細管力の差が低減し、パターン倒れが解消すると期待できる。毛細管力の大きさは、以下に示される式で求められるＰの絶対値であり、この式からγ、もしくは、ｃｏｓθを小さくすれば、毛細管力を低減できると期待される。
【０００５】
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ（γ：表面張力、θ：接触角、Ｓ：パターン寸法）
特許文献１には、γを小さくしてパターン倒れを抑制する手法として気液界面を通過する前に洗浄液を水から２−プロパノールへ置換する技術が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、ｃｏｓθを小さくしてパターン倒れを抑制する手法として、レジストパターンを対象とする技術が開示されている。この手法は接触角を９０°付近とすることで、ｃｏｓθを０に近づけ毛細管力を極限まで下げることによって、パターン倒れを抑制する手法である。
【０００７】
しかし、この開示された技術はレジストパターンを対象としており、レジスト自体を改質するものであり、さらに最終的にレジストと共に除去が可能であるため、乾燥後の処理剤の除去方法を想定する必要がなく、本目的には適用できない。
【０００８】
また、特許文献３には、シリコンを含む膜により凹凸形状パターンを形成したウェハ表面を酸化等により表面改質し、該表面に水溶性界面活性剤またはシランカップリング剤を用いて撥水性保護膜を形成し、毛細管力を低減し、パターンの倒壊を防止する洗浄方法が開示されている。
【０００９】
また、特許文献４、５には、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシランを始めとするシリル化剤及び溶剤を含む処理液を用いて疎水化処理を行うことにより、パターン倒れを防ぐ技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−１９８９５８号公報
【特許文献２】特開平５−２９９３３６号公報
【特許文献３】特許第４４０３２０２号
【特許文献４】特開２０１０−１２９９３２
【特許文献５】国際公開第１０／４７１９６号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部が、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質（以下「金属系の物質」と記載する）のように、表面に反応性の官能基、例えばシラノール基が十分に存在しない物質を含むウェハ（以下、単に「ウェハ」と記載することがある）の場合、特許文献１乃至５に記載の処理液及び処理方法を用いても撥水性保護膜を形成できないため、パターンの倒壊を防止することができないという問題がある。本発明は、半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部に金属系の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、ウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液（以降「保護膜形成用薬液」または単に「薬液」と記載する）は、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部が金属系の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜（以降「撥水性保護膜」、または単に「保護膜」と記載する）を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とする、ウェハの撥水性保護膜形成用薬液である。非水溶性の界面活性剤を用いることにより、前記の金属系の物質を含むウェハの表面に、前記保護膜を形成することができるため好ましい。該界面活性剤は分子内に疎水部と前記金属系の物質に対して親和性を持つ官能部を併せ持つ物質である。ここで、金属系の物質に対して親和性を持つとは、ファンデルワールス力や静電的相互作用等が金属系の物質表面と前記界面活性剤の官能部の間に働くことにより吸着すること、及び／または金属系の物質表面と前記界面活性剤の官能部が反応して、共有結合を形成することにより吸着することを意味する。該官能部は、該官能部に水の分子が付加（水和）する特性を持つ場合や該官能部と水が化学反応する特性を持つ場合に親水部であるとみなせる。この場合の該官能部と水の付加は、ファンデルワールス力や静電的相互作用、水素結合の生成による付加であってもよいし、水分子が共有結合により付加するものであってもよい。該界面活性剤の疎水部とは、水分子を排除し、水となじみにくい原子団であって、例えば、アルキル基、フェニル基、ナフチル基などの炭化水素基、及びこれら炭化水素基の水素がハロゲンにより一部または全部置換されたフルオロアルキル基、クロロアルキル基などが挙げられる。
【００１３】
本発明において水溶性の界面活性剤とは、１気圧において、温度２０℃で同容量の純水と穏やかにかき混ぜた場合、流動が収まった後も当該混合液が均一な外観を維持するものとする。一方、非水溶性の界面活性剤とは、前記の条件において、不均一な外観であるものとする。不均一な外観とは、例えば、散乱を示すものや相分離を示すもの等が挙げられる。
【００１４】
前記の非水溶性の界面活性剤は、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ（Ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｅ  Ｌｉｐｏｐｈｉｌｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）値が０．００１乃至１０であることが好ましい。ここで、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値は以下の式から求められる。
ＨＬＢ値＝２０×親水部の式量の総和／分子量
０．００１未満では撥水性保護膜の形成に長時間を要したり、該保護膜の形成が不十分となったりする傾向がある。１０超では、撥水性付与効果が不十分となる傾向がある。より好ましいＨＬＢ値は０．００５乃至７である。
【００１５】
前記の非水溶性の界面活性剤は、以下の一般式［１］、一般式［２］及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である。
0004743340.tif 000002
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
0004743340.tif 000003
（式［２］中、Ｒ２は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ３は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ４は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。）
【００１６】
前記の非水溶性の界面活性剤が、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、前記一般式[２]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ２が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ３が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ４が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００１７】
上記のように、前記の非水溶性の界面活性剤が、分子内に所定の炭素数の炭化水素基を含む１価の有機基からなる疎水部と、金属系の物質に対して親和性を持つ官能部を１個有すると、該界面活性剤を含む薬液で金属系の物質を含むウェハの表面処理を行った際に、前記界面活性剤の疎水部がウェハ表面から遠い方向に向かってさらに並びやすくなるために、撥水性付与効果がさらに高くなるため好ましい。
【００１８】
また、前記の非水溶性の界面活性剤として、以下の一般式［３］乃至［６］からなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
0004743340.tif 000004
（式［３］中、Ｒ５は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｖは、酸素原子、または硫黄原子を示し、Ｗは、水素原子、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素原子は、有機基で置換されていても良い。）
0004743340.tif 000005
（式［４］中、Ｘはイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基であり、ａは１乃至６の整数、Ｒ６は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のａ個のイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基で同数の水素原子が置換された化合物である。）
0004743340.tif 000006
（式［５］中、Ｙは硫黄元素を含む環構造であり、Ｒ７は、水素原子、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、及び、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基からなる群から選ばれる基である。）
0004743340.tif 000007
（式［６］中、Ｒ８は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ９は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｚは、酸素原子、または硫黄原子を示す。）
【００１９】
また、前記撥水性保護膜形成用薬液中に希釈溶媒が含有されてもよい。このとき、保護膜形成用薬液中の、非水溶性の界面活性剤の濃度は、該薬液の総量１００質量％に対して０．００１質量％以上であることが好ましい。０．００１質量％未満では、撥水性付与効果が不十分となる傾向がある。さらに好ましくは０．００８質量％以上である。
【００２０】
表面に微細な凹凸パターンを有するウェハとしては、該ウェハの凹凸パターンの少なくとも一部が、チタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むものが挙げられる。一般的に、金属酸化物においては表面に充分な水酸基が存在する。例えば、酸化ケイ素の場合、表面にはシラノール基（ＳｉＯＨ基）が多数存在し、このシラノール基がシランカップリング剤との反応点となるために、撥水性保護膜を形成しやすい。一方、上記のような金属系の物質においては、シラノール基にあたるような反応点はなく、シランカップリング剤のような化合物で撥水性保護膜を形成することは難しい。また、本発明において、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハとは、エッチングまたはインプリント等によって表面に微細な凹凸パターンを形成された後の状態のウェハを意味する。また、前記のウェハに金属配線等の他の加工が施されたものであっても、その表面に微細な凹凸パターンが存在するものであれば、対象とすることができる。
【００２１】
本発明の保護膜形成用薬液は、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄工程において洗浄液を該薬液に置換して使用される。また、前記の置換した薬液は他の洗浄液に置換されてもよい。
【００２２】
本発明は、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、前記撥水性保護膜形成用薬液を該凹部に保持することにより、前記凹部表面に形成された撥水性保護膜であり、該撥水性保護膜が、撥水性保護膜形成剤である非水溶性の界面活性剤から形成されたものであることを特徴とする、撥水性保護膜である。
【００２３】
前記のように洗浄液を保護膜形成用薬液に置換し、凹凸パターンの少なくとも凹部に該薬液が保持されている間に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記保護膜が形成される。本発明の保護膜は、必ずしも連続的に形成されていなくてもよく、また、必ずしも均一に形成されていなくてもよいが、より優れた撥水性を付与できるため、連続的に、また、均一に形成されていることがより好ましい。
【００２４】
本発明において、保護膜とは、ウェハ表面に形成されることにより、該ウェハ表面の濡れ性を低くする膜、すなわち撥水性を付与する膜のことである。本発明において撥水性とは、物品表面の表面エネルギーを低減させて、水やその他の液体と該物品表面との間（界面）で相互作用、例えば、水素結合、分子間力などを低減させる意味である。特に水に対して相互作用を低減させる効果が大きいが、水と水以外の液体の混合液や、水以外の液体に対しても相互作用を低減させる効果を有する。該相互作用の低減により、物品表面に対する液体の接触角を大きくすることができる。
【００２５】
本発明は、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄方法であって、該方法は、少なくとも、
凹凸パターンの少なくとも凹部に保護膜形成用薬液を保持する保護膜形成工程、
乾燥により凹凸パターンから液体を除去する乾燥工程、
ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、及び、ウェハをオゾン曝露することから選ばれる少なくとも１つの処理を行うことにより保護膜を除去する膜除去工程
を有し、前記保護膜形成用薬液が、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とする、洗浄方法である。
【００２６】
本発明では、洗浄液が凹部から除去されるとき、すなわち、乾燥されるとき、前記凹凸パターンの少なくとも凹部表面に前記保護膜が形成されているので、該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが生じにくくなる。また、前記保護膜は、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、及び、ウェハをオゾン曝露することから選ばれる少なくとも１つの処理により除去できる。
【００２７】
また、前記非水溶性の界面活性剤が、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値で０．００１乃至１０であることが好ましい。
【００２８】
また、前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［１］、一般式［２］及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
0004743340.tif 000008
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
0004743340.tif 000009
（式［２］中、Ｒ２は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ３は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ４は、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。）
【００２９】
また、前記非水溶性の界面活性剤が、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、前記一般式[２]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ２が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、また、Ｒ３が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ４が水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００３０】
また、前記非水溶性の界面活性剤が、以下の一般式［３］乃至［６］からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
0004743340.tif 000010
（式［３］中、Ｒ５は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｖは、酸素原子、または硫黄原子を示し、Ｗは、水素原子、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素原子は、有機基で置換されていても良い。）
0004743340.tif 000011
（式［４］中、Ｘはイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基であり、ａは１乃至６の整数、Ｒ６は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む有機基であり、前記のａ個のイソシアネート基、メルカプト基、またはアルデヒド基で同数の水素原子が置換された化合物である。）
0004743340.tif 000012
（式［５］中、Ｙは硫黄元素を含む環構造であり、Ｒ７は、水素原子、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、及び、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基からなる群から選ばれる基である。）
0004743340.tif 000013
（式［６］中、Ｒ８は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｒ９は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｚは、酸素原子、または硫黄原子を示す。）
【００３１】
また、前記撥水性保護膜形成用薬液中に希釈溶媒が含有されることが好ましい。
【００３２】
また、前記膜除去工程において、前記撥水性保護膜の除去を、ウェハを加熱することによって行うことが好ましい。
【００３３】
また、前記膜除去工程において、前記撥水性保護膜の除去を、３００℃以下でウェハを加熱することによって行うことが好ましい。
【００３４】
また、前記保護膜形成工程と乾燥工程の間に、
前記保護膜形成用薬液を該薬液とは異なる洗浄液に置換する後洗浄工程
を有する洗浄方法であって、前記洗浄液が、水系洗浄液、有機溶媒、及び、水系洗浄液と有機溶媒の混合物、並びに、それらに保護膜形成用薬液に用いられる非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度に含有されたものからなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００３５】
また、前記薬液に、非水溶性の界面活性剤として、以下の一般式［１］で表される化合物が含有されることが好ましい。
0004743340.tif 000014
（式［１］中、Ｒ１は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または、炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基である。Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示す。）
【００３６】
また、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００３７】
また、前記後洗浄工程で用いる洗浄液が、水系洗浄液、有機溶媒、及び、水系洗浄液と有機溶媒の混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００３８】
また、前記後洗浄工程において、置換された洗浄液を１０秒間以上保持することが好ましい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の保護膜形成用薬液によって形成される保護膜は撥水性に優れることから、表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの凹凸パターンに働く毛細管力を低下させ、ひいてはパターン倒れ防止効果を示す。該薬液を用いると、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの製造方法中の洗浄工程が、スループットが低下することなく改善される。従って、本発明の保護膜形成用薬液を用いて行われる表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの製造方法は、生産性が高いものとなる。
【００４０】
本発明の保護膜形成用薬液は、今後益々高くなると予想される例えば７以上のアスペクト比を有する凹凸パターンにも対応可能であり、より高密度化された半導体デバイス生産のコストダウンを可能とする。しかも従来の装置から大きな変更がなく対応でき、その結果、各種の半導体デバイスの製造に適用可能なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】表面が微細な凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図を示す図である。
【図２】図１中のａ−ａ’断面の一部を示したものである。
【図３】洗浄工程にて凹部４が保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図を示している。
【図４】保護膜が形成された凹部４に液体が保持された状態の模式図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本発明の保護膜形成用薬液を用いた洗浄を実施する前に、一般的には次に挙げる前処理工程を経ることが多い。
ウェハ表面を微細な凹凸パターンを有する面とする前処理工程１、
水系洗浄液を用いて、ウェハ表面を洗浄する前処理工程２、及び
前記水系洗浄液を、該水系洗浄液とは異なる洗浄液Ａ（以下、単に「洗浄液Ａ」と記載する）に置換する前処理工程３
なお、この前処理工程１乃至前処理工程３の各工程は、それぞれ場合によっては省略されることもある。
【００４３】
前記前処理工程１において、パターン形成方法は、まず、該ウェハ表面にレジストを塗布したのち、レジストマスクを介してレジストに露光し、露光されたレジスト、または、露光されなかったレジストをエッチング除去することによって所望の凹凸パターンを有するレジストを作製する。また、レジストにパターンを有するモールドを押し当てることでも、凹凸パターンを有するレジストを得ることができる。次に、ウェハをエッチングする。このとき、レジストパターンの凹の部分が選択的にエッチングされる。最後に、レジストを剥離すると、微細な凹凸パターンを有するウェハが得られる。
【００４４】
なお、前記ウェハとしては、シリコンウェハ、シリコンおよび／またはシリカ（ＳｉＯ２）を含む複数の成分から構成されたウェハ、シリコンカーバイドウェハ、サファイアウェハ、各種化合物半導体ウェハ、プラスチックウェハなどの表面をチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコン等の金属系の物質の層で被覆したもの、またはウェハ上に多層膜を形成し、そのうちの少なくとも１層が前記金属系の物質の層であるもの等が挙げられ、上記の凹凸パターン形成工程は、該金属系の物質の層を含む層において行われる。また、上記凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの少なくとも一部が該金属系の物質となるものも含まれる。
【００４５】
また、前記金属系の物質を含む複数の成分から構成されたウェハに対しても、該金属系の物質の表面に前記保護膜を形成することができる。該複数の成分から構成されたウェハとしては、前記金属系の物質がウェハ表面に形成したもの、あるいは、凹凸パターンを形成したときに、該凹凸パターンの少なくとも一部が該金属系の物質となるものも含まれる。なお、本発明の薬液で保護膜を形成できるのは前記凹凸パターン中の少なくとも前記金属系の物質部分の表面である。
【００４６】
前記前処理工程２において用いる水系洗浄液の例としては、水、あるいは、水に有機溶媒、過酸化水素、オゾン、酸、アルカリのうち少なくとも１種が混合された水を主成分（例えば、水の含有率が５０質量％以上）とするものが挙げられる。
【００４７】
前記前処理工程２において水系洗浄液で表面の洗浄を行った後、そのまま乾燥等により水系洗浄液を除去、或いは水系洗浄液から水に置換した後に乾燥等により水を除去すると、凹部の幅が小さく、凸部のアスペクト比が大きいと、パターン倒れが生じやすくなる。該凹凸パターンは、図１及び図２に記すように定義される。図１は、表面が微細な凹凸パターン２を有する面とされたウェハ１を斜視したときの模式図を示し、図２は図１中のａ−ａ’断面の一部を示したものである。凹部の幅５は、図２に示すように凸部３と凸部３の間隔で示され、凸部のアスペクト比は、凸部の高さ６を凸部の幅７で割ったもので表される。洗浄工程でのパターン倒れは、凹部の幅が７０ｎｍ以下、特には４５ｎｍ以下、アスペクト比が４以上、特には６以上のときに生じやすくなる。
【００４８】
本発明の保護膜形成用薬液は、表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部が金属系の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であるものであり、該薬液によって形成される保護膜は撥水性に優れることから、ウェハの凹凸パターンに働く毛細管力を低下させ、ひいてはパターン倒れ防止効果を示す。
【００４９】
前処理工程３で用いた洗浄液Ａとは、有機溶媒、該有機溶媒と水系洗浄液の混合物、それらに酸、アルカリのうち少なくとも１種が混合された洗浄液を示す。さらに、該洗浄液Ａを本発明の保護膜形成用薬液に置換することにより、凹凸パターンの少なくとも凹部に該保護膜形成用薬液を保持する工程（保護膜形成工程）を行うことが好ましい。また、前処理工程３において、該洗浄液Ａへの置換は２回以上行ってもよい。すなわち、前処理工程２で用いた水系洗浄液から１種類目の洗浄液Ａに置換した後、該洗浄液Ａとは異なる複数種類の洗浄液Ａに順次置換した後、前記保護膜形成用薬液へと置換しても良い。また、前処理工程２で用いた水系洗浄液から前記保護膜形成用薬液へ直接置換可能である場合は、前記洗浄液Ａによる置換（前処理工程３）を省略しても構わない。
【００５０】
本発明において、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記薬液や洗浄液を保持できるのであれば、該ウェハの洗浄方式は特に限定されない。ウェハの洗浄方式としては、ウェハをほぼ水平に保持して回転させながら回転中心付近に液体を供給してウェハを１枚ずつ洗浄するスピン洗浄に代表される枚葉方式や、洗浄槽内で複数枚のウェハを浸漬し洗浄するバッチ方式が挙げられる。なお、ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部に前記薬液や洗浄液を供給するときの該薬液や洗浄液の形態としては、該凹部に保持された時に液体になるものであれば特に限定されず、たとえば、液体、蒸気などがある。
【００５１】
前記洗浄液Ａの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、含窒素化合物溶媒等が挙げられる。
【００５２】
前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオールなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどがあり、含窒素化合物溶媒の例としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
【００５３】
図３は、保護膜形成工程にて凹部４が保護膜形成用薬液８を保持した状態の模式図を示している。図３の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。この際に、保護膜形成用薬液が、凹凸パターン２が形成されたウェハ１に供される。この際、前記薬液は図３に示したように凹部４に保持された状態となり、凹部４の表面に保護膜が形成されることにより該表面が撥水化される。
【００５４】
前記の非水溶性の界面活性剤は、金属系の物質に対して親和性を持つ官能部を有することが好ましい。金属系の物質に対して親和性を持つ官能部としては、非共有電子対を持つ元素を一つ以上含有する官能部であり、例えば、アミノ基、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｕ結合、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｖ−Ｗ結合、イソシアネート基、メルカプト基、アルデヒド基、チオフェン環（チエニル基）の硫黄原子、−（Ｃ＝Ｏ）−Ｚ−（Ｃ＝Ｏ）−結合、−ＯＨ結合等が挙げられる。ここで、Ｕは、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、及び、ヨード基からなる群から選ばれる基を示し、Ｖは、酸素原子、または硫黄原子を示し、Ｗは、水素原子、アルキル基、芳香族基、ピリジル基、キノリル基、スクシンイミド基、マレイミド基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、及び、ベンゾトリアゾール基からなる群から選ばれる基を示し、これらの基における水素原子は、有機基で置換されていてもよい。また、Ｚは、酸素原子、または硫黄原子を示す。
【００５５】
また、前記の非水溶性の界面活性剤は、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１乃至１０であるものであると、より高い撥水性を付与することが可能であるため、好ましい。このような非水溶性の界面活性剤としては、例えば、
Ｃ４Ｈ９ＣＯＦ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＦ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＦ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＦ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＦ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＦ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＦ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＦ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＦ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＦ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＦ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＦ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＦ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＦ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＦ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＦ、ＣＦ３ＣＯＦ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＦ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＦ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＦ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＦ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＦ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＦ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＦ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＣｌ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＣｌ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＣｌ、ＣＦ３ＣＯＣｌ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＣｌ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＣｌ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＣｌ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＣｌ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＢｒ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＢｒ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＢｒ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＢｒ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＢｒ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＢｒ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＢｒ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＢｒ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＢｒ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＢｒ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＢｒ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＢｒ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＢｒ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＢｒ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＢｒ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＢｒ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＢｒ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＢｒ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＩ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＩ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＩ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＩ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＩ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＩ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＩ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＩ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＩ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＩ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＩ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＩ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＩ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＩ等の化合物が挙げられる。
【００５６】
また、例えば、
Ｃ６Ｈ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｈ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２、Ｃ９Ｈ１９ＮＨ２、Ｃ１０Ｈ２１ＮＨ２、Ｃ１１Ｈ２３ＮＨ２、Ｃ１２Ｈ２５ＮＨ２、Ｃ１３Ｈ２７ＮＨ２、Ｃ１４Ｈ２９ＮＨ２、Ｃ１５Ｈ３１ＮＨ２、Ｃ１６Ｈ３３ＮＨ２、Ｃ１７Ｈ３５ＮＨ２、Ｃ１８Ｈ３７ＮＨ２、ＣＦ３ＮＨ２、Ｃ２Ｆ５ＮＨ２、Ｃ３Ｆ７ＮＨ２、Ｃ４Ｆ９ＮＨ２、Ｃ５Ｆ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｆ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｆ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｆ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｃｌ９ＮＨ２、Ｃ５Ｃｌ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｃｌ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｃｌ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｃｌ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｂｒ９ＮＨ２、Ｃ５Ｂｒ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｂｒ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｂｒ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｂｒ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｉ９ＮＨ２、Ｃ５Ｉ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｉ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｉ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｉ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｆ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｆ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｉ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｉ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｉ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｉ２ＮＨ２、（Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｈ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）２ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）２ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）２ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）２ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）２ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）２ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）２ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）２ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）２ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）２ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）２ＮＨ、（ＣＦ３）２ＮＨ、（Ｃ２Ｆ５）２ＮＨ、（Ｃ３Ｆ７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｆ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｆ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｃｌ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｃｌ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｃｌ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｃｌ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｃｌ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｂｒ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｂｒ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｂｒ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｂｒ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｂｒ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｉ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｉ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｉ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｉ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｉ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｉ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｉ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｉ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｉ２）２ＮＨ、（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、（Ｃ３Ｈ７）３Ｎ、（Ｃ４Ｈ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）３Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）３Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）３Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）３Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）３Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）３Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）３Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）３Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）３Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）３Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）３Ｎ、（ＣＦ３）３Ｎ、（Ｃ２Ｆ５）３Ｎ、（Ｃ３Ｆ７）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｆ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｆ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｆ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｆ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｃｌ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｃｌ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｃｌ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｃｌ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｃｌ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｂｒ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｂｒ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｂｒ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｂｒ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｂｒ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｉ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｉ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｉ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｉ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｉ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｆ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｆ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｉ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｉ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｉ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｉ２）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）ＮＨ、（ＣＦ３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ２Ｆ５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ３Ｆ７）（ＣＨ
３）ＮＨ、（Ｃ４Ｆ９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ５Ｆ１１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ７Ｆ１５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ３Ｈ７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ４Ｈ９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）２Ｎ、（ＣＦ３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ２Ｆ５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ３Ｆ７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ４Ｆ９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ５Ｆ１１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ６Ｆ１３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ７Ｆ１５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ８Ｆ１７）（ＣＨ３）２Ｎ等の化合物、またはその炭酸塩、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの無機酸塩や、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、フタル酸塩などの有機酸塩が挙げられる。なお、塩を形成する場合は、塩形成前の界面活性剤のＨＬＢ値が０．００１乃至１０であることが好ましい。
【００５７】
また、例えば、
Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＨ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣＨ３、ＣＦ３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣＨ３、ＣＨ３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＨ３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＳＨ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＳＨ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＳＨ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＳＨ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＳＨ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｈ５ＣＯＳＣＨ３、ＣＦ３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ３Ｆ７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＳＣＨ３等の化合物が挙げられる。
【００５８】
また、例えば、
Ｃ３Ｈ７ＮＣＯ、Ｃ４Ｈ９ＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１ＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３ＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５ＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７ＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９ＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１ＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３ＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５ＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７ＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９ＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１ＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３ＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５ＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７ＮＣＯ、ＣＦ３ＮＣＯ、Ｃ２Ｆ５ＮＣＯ、Ｃ３Ｆ７ＮＣＯ、Ｃ４Ｆ９ＮＣＯ、Ｃ５Ｆ１１ＮＣＯ、Ｃ６Ｆ１３ＮＣＯ、Ｃ７Ｆ１５ＮＣＯ、Ｃ８Ｆ１７ＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１２（ＮＣＯ）２、Ｃ７Ｈ１４（ＮＣＯ）２、Ｃ８Ｈ１６（ＮＣＯ）２、Ｃ９Ｈ１８（ＮＣＯ）２、Ｃ１０Ｈ２０（ＮＣＯ）２、Ｃ１１Ｈ２２（ＮＣＯ）２、Ｃ１２Ｈ２４（ＮＣＯ）２、Ｃ１３Ｈ２６（ＮＣＯ）２、Ｃ１４Ｈ２８（ＮＣＯ）２、Ｃ１５Ｈ３０（ＮＣＯ）２、Ｃ１６Ｈ３２（ＮＣＯ）２、Ｃ１７Ｈ３４（ＮＣＯ）２、Ｃ１８Ｈ３６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）Ｃ６Ｈ１２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ７Ｈ１４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ８Ｈ１６ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ９Ｈ１８ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１０Ｈ２０ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１１Ｈ２２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１２Ｈ２４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１３Ｈ２６ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１４Ｈ２８ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１５Ｈ３０ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１６Ｈ３２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１７Ｈ３４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１８Ｈ３６ＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ１９（ＮＣＯ）３、Ｃ１１Ｈ２１（ＮＣＯ）３、Ｃ１２Ｈ２３（ＮＣＯ）３、Ｃ１３Ｈ２５（ＮＣＯ）３、Ｃ１４Ｈ２７（ＮＣＯ）３、Ｃ１５Ｈ２９（ＮＣＯ）３、Ｃ１６Ｈ３１（ＮＣＯ）３、Ｃ１７Ｈ３３（ＮＣＯ）３、Ｃ１８Ｈ３５（ＮＣＯ）３、（ＮＣＯ）２Ｃ１３Ｈ２４（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１４Ｈ２６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１５Ｈ２８（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１６Ｈ３０（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１７Ｈ３２（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１８Ｈ３４（ＮＣＯ）２、Ｃ３Ｈ７ＳＨ、Ｃ４Ｈ９ＳＨ、Ｃ５Ｈ１１ＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＳＨ、ＣＦ３ＳＨ、Ｃ２Ｆ５ＳＨ、Ｃ３Ｆ７ＳＨ、Ｃ４Ｆ９ＳＨ、Ｃ５Ｆ１１ＳＨ、Ｃ６Ｆ１３ＳＨ、Ｃ７Ｆ１５ＳＨ、Ｃ８Ｆ１７ＳＨ、Ｃ５Ｈ１０（ＳＨ）２、Ｃ６Ｈ１２（ＳＨ）２、Ｃ７Ｈ１４（ＳＨ）２、Ｃ８Ｈ１６（ＳＨ）２、Ｃ９Ｈ１８（ＳＨ）２、Ｃ１０Ｈ２０（ＳＨ）２、Ｃ１１Ｈ２２（ＳＨ）２、Ｃ１２Ｈ２４（ＳＨ）２、Ｃ１３Ｈ２６（ＳＨ）２、Ｃ１４Ｈ２８（ＳＨ）２、Ｃ１５Ｈ３０（ＳＨ）２、Ｃ１６Ｈ３２（ＳＨ）２、Ｃ１７Ｈ３４（ＳＨ）２、Ｃ１８Ｈ３６（ＳＨ）２、（ＳＨ）Ｃ５Ｈ１０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ６Ｈ１２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ７Ｈ１４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ８Ｈ１６ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ９Ｈ１８ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１０Ｈ２０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１１Ｈ２２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１２Ｈ２４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１３Ｈ２６ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１４Ｈ２８ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１５Ｈ３０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１６Ｈ３２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１７Ｈ３４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１８Ｈ３６ＳＨ、Ｃ８Ｈ１５（ＳＨ）３、Ｃ９Ｈ１７（ＳＨ）３、Ｃ１０Ｈ１９（ＳＨ）３、Ｃ１１Ｈ２１（ＳＨ）３、Ｃ１２Ｈ２３（ＳＨ）３、Ｃ１３Ｈ２５（ＳＨ）３、Ｃ１４Ｈ２７（ＳＨ）３、Ｃ１５Ｈ２９（ＳＨ）３、Ｃ１６Ｈ３１（ＳＨ）３、Ｃ１７Ｈ３３（ＳＨ）３、Ｃ１８Ｈ３５（ＳＨ）３、（ＳＨ）２Ｃ１０Ｈ１８（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１１Ｈ２０（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１２Ｈ２２（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１３Ｈ２４（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１４Ｈ２６（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１５Ｈ２８（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１６Ｈ３０（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１７Ｈ３２（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１８Ｈ３４（ＳＨ）２、Ｃ２Ｈ５ＣＨＯ、Ｃ３Ｈ７ＣＨＯ、Ｃ４Ｈ９ＣＨＯ、Ｃ５Ｈ１１ＣＨＯ、Ｃ６Ｈ１３ＣＨＯ、Ｃ７Ｈ１５ＣＨＯ、Ｃ８Ｈ１７ＣＨＯ、Ｃ９Ｈ１９ＣＨＯ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＨＯ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＨＯ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＨＯ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＨＯ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＨＯ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＨＯ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＨＯ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＨＯ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＨＯ、Ｃ６Ｈ５ＣＨＯ、ＣＦ３ＣＨＯ、Ｃ２Ｆ５ＣＨＯ、Ｃ３Ｆ７ＣＨＯ、Ｃ４Ｆ９ＣＨＯ、Ｃ５Ｆ１１ＣＨＯ、Ｃ６Ｆ１３ＣＨＯ、Ｃ７Ｆ１５ＣＨＯ、Ｃ８Ｆ１７ＣＨＯ等の化合物が挙げられる。
【００５９】
また、例えば、
Ｃ４Ｈ４Ｓ、ＣＨ３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ２Ｈ５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ３Ｈ７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ４Ｈ９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ５Ｈ１１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ６Ｈ１３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ７Ｈ１５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ８Ｈ１７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ９Ｈ１９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１０Ｈ２１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１１Ｈ２３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１２Ｈ２５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１３Ｈ２７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１４Ｈ２９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１５Ｈ３１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１６Ｈ３３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１７Ｈ３５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１８Ｈ３７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ３Ｈ３ＮＳ、ＣＨ３Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ２Ｈ５Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ３Ｈ７Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ４Ｈ９Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ５Ｈ１１Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ６Ｈ１３Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ７Ｈ１５Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ８Ｈ１７Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ９Ｈ１９Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１０Ｈ２１Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１１Ｈ２３Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１２Ｈ２５Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１３Ｈ２７Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１４Ｈ２９Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１５Ｈ３１Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１６Ｈ３３Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１７Ｈ３５Ｃ３Ｈ２ＮＳ、Ｃ１８Ｈ３７Ｃ３Ｈ２ＮＳ等の化合物が挙げられる。なお、Ｃ４Ｈ４Ｓはチオフェン、Ｃ４Ｈ３Ｓはチオフェン環、Ｃ３Ｈ３ＮＳはチアゾール、Ｃ３Ｈ２ＮＳはチアゾール環を示す。
【００６０】
また、例えば、
Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣＯＣ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣＯＣ４Ｈ９、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣＯＣ５Ｈ１１、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣＯＣ６Ｈ１３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣＯＣ７Ｈ１５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣＯＣ８Ｈ１７、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣＯＣ９Ｈ１９、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣＯＣ１０Ｈ２１、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣＯＣ１１Ｈ２３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣＯＣ１２Ｈ２５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣＯＣ１３Ｈ２７、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣＯＣ１４Ｈ２９、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣＯＣ１５Ｈ３１、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣＯＣ１６Ｈ３３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣＯＣ１７Ｈ３５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣＯＣ１８Ｈ３７、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣＯＣ６Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣＯＣＦ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣＯＣ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣＯＣ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣＯＣ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣＯＣ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣＯＣ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣＯＣ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣＯＣ８Ｆ１７等の化合物が挙げられる。
【００６１】
また、前記の非水溶性の界面活性剤は、炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基、または炭素数が１乃至８のフルオロアルキル鎖を含む１価の有機基からなる疎水部を有することが好ましい。前記炭化水素基は直鎖状であっても良いし、分枝状であっても良い。
【００６２】
本発明の非水溶性の界面活性剤は、例えば、前記一般式［１］で表されるような、
ＣＨ３ＣＯＦ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＦ、Ｃ３Ｈ７ＣＯＦ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＦ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＦ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＦ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＦ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＦ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＦ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＦ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＦ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＦ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＦ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＦ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＦ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＦ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＦ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＦ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＦ、ＣＦ３ＣＯＦ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＦ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＦ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＦ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＦ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＦ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＦ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＦ、ＣＨ３ＣＯＣｌ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＣｌ、Ｃ３Ｈ７ＣＯＣｌ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＣｌ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＣｌ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＣｌ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＣｌ、ＣＦ３ＣＯＣｌ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＣｌ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＣｌ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＣｌ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＣｌ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＣｌ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＣｌ、ＣＨ３ＣＯＢｒ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＢｒ、Ｃ３Ｈ７ＣＯＢｒ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＢｒ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＢｒ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＢｒ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＢｒ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＢｒ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＢｒ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＢｒ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＢｒ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＢｒ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＢｒ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＢｒ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＢｒ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＢｒ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＢｒ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＢｒ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＢｒ、ＣＦ３ＣＯＢｒ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＢｒ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＢｒ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＢｒ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＢｒ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＢｒ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＢｒ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＢｒ、ＣＨ３ＣＯＩ、Ｃ２Ｈ５ＣＯＩ、Ｃ３Ｈ７ＣＯＩ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＩ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＩ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＩ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＩ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＩ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＩ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＩ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＩ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＩ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＩ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＩ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＩ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＩ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＩ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＩ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＩ、ＣＦ３ＣＯＩ、Ｃ２Ｆ５ＣＯＩ、Ｃ３Ｆ７ＣＯＩ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＩ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＩ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＩ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＩ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＩ等の化合物が挙げられる。
【００６３】
また、例えば、前記一般式［２］で表されるような、
Ｃ５Ｈ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｈ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｈ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２、Ｃ９Ｈ１９ＮＨ２、Ｃ１０Ｈ２１ＮＨ２、Ｃ１１Ｈ２３ＮＨ２、Ｃ１２Ｈ２５ＮＨ２、Ｃ１３Ｈ２７ＮＨ２、Ｃ１４Ｈ２９ＮＨ２、Ｃ１５Ｈ３１ＮＨ２、Ｃ１６Ｈ３３ＮＨ２、Ｃ１７Ｈ３５ＮＨ２、Ｃ１８Ｈ３７ＮＨ２、ＣＦ３ＮＨ２、Ｃ２Ｆ５ＮＨ２、Ｃ３Ｆ７ＮＨ２、Ｃ４Ｆ９ＮＨ２、Ｃ５Ｆ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｆ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｆ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｆ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｃｌ９ＮＨ２、Ｃ５Ｃｌ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｃｌ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｃｌ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｃｌ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｂｒ９ＮＨ２、Ｃ５Ｂｒ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｂｒ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｂｒ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｂｒ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｉ９ＮＨ２、Ｃ５Ｉ１１ＮＨ２、Ｃ６Ｉ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｉ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｉ１７ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｆ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｆ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｉ７Ｈ２ＮＨ２、Ｃ６Ｉ１１Ｈ２ＮＨ２、Ｃ８Ｉ１５Ｈ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２ＮＨ２、Ｃ４Ｆ７Ｉ２ＮＨ２、（Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｈ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）２ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）２ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）２ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）２ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）２ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）２ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）２ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）２ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）２ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）２ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）２ＮＨ、（ＣＦ３）２ＮＨ、（Ｃ２Ｆ５）２ＮＨ、（Ｃ３Ｆ７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｆ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｆ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｃｌ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｃｌ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｃｌ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｃｌ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｃｌ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｂｒ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｂｒ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｂｒ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｂｒ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｂｒ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｉ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｉ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｉ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｉ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｉ１７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｉ７Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ６Ｉ１１Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ８Ｉ１５Ｈ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２）２ＮＨ、（Ｃ４Ｆ７Ｉ２）２ＮＨ、（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ、（Ｃ３Ｈ７）３Ｎ、（Ｃ４Ｈ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）３Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）３Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）３Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）３Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）３Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）３Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）３Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）３Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）３Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）３Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）３Ｎ、（ＣＦ３）３Ｎ、（Ｃ２Ｆ５）３Ｎ、（Ｃ３Ｆ７）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｆ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｆ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｆ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｆ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｃｌ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｃｌ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｃｌ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｃｌ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｃｌ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｂｒ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｂｒ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｂｒ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｂｒ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｂｒ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｉ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｉ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｉ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｉ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｉ１７）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｆ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｆ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｃｌ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｃｌ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｃｌ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｂｒ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｂｒ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｂｒ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｉ７Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ６Ｉ１１Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ８Ｉ１５Ｈ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｃｌ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｂｒ２）３Ｎ、（Ｃ４Ｆ７Ｉ２）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）ＮＨ、（ＣＦ３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ２Ｆ５）（ＣＨ３
）ＮＨ、（Ｃ３Ｆ７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ４Ｆ９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ５Ｆ１１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ６Ｆ１３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ７Ｆ１５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ８Ｆ１７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ３Ｈ７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ４Ｈ９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）２Ｎ、（ＣＦ３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ２Ｆ５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ３Ｆ７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ４Ｆ９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ５Ｆ１１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ６Ｆ１３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ７Ｆ１５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ８Ｆ１７）（ＣＨ３）２Ｎ等の化合物、またはその炭酸塩、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの無機酸塩や、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、フタル酸塩などの有機酸塩が挙げられる。
【００６４】
また、例えば、前記一般式［３］で表されるような、
Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＨ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＨ、ＣＨ３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣＨ３、ＣＦ３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣＨ３、ＣＨ３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＨ３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＳＨ、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｈ５ＣＯＳＨ、Ｃ４Ｆ９ＣＯＳＨ、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＳＨ、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＳＨ、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＳＨ、ＣＨ３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ２Ｈ５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ３Ｈ７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ４Ｈ９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｈ５ＣＯＳＣＨ３、ＣＦ３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ３Ｆ７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＳＣＨ３等の化合物が挙げられる。
【００６５】
また、例えば、前記一般式［４］で表されるような、
Ｃ２Ｈ５ＮＣＯ、Ｃ３Ｈ７ＮＣＯ、Ｃ４Ｈ９ＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１ＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３ＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５ＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７ＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９ＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１ＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３ＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５ＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７ＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９ＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１ＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３ＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５ＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７ＮＣＯ、ＣＦ３ＮＣＯ、Ｃ２Ｆ５ＮＣＯ、Ｃ３Ｆ７ＮＣＯ、Ｃ４Ｆ９ＮＣＯ、Ｃ５Ｆ１１ＮＣＯ、Ｃ６Ｆ１３ＮＣＯ、Ｃ７Ｆ１５ＮＣＯ、Ｃ８Ｆ１７ＮＣＯ、ＣＨ２（ＮＣＯ）２、Ｃ２Ｈ４（ＮＣＯ）２、Ｃ３Ｈ６（ＮＣＯ）２、Ｃ４Ｈ８（ＮＣＯ）２、Ｃ５Ｈ１０（ＮＣＯ）２、Ｃ６Ｈ１２（ＮＣＯ）２、Ｃ７Ｈ１４（ＮＣＯ）２、Ｃ８Ｈ１６（ＮＣＯ）２、Ｃ９Ｈ１８（ＮＣＯ）２、Ｃ１０Ｈ２０（ＮＣＯ）２、Ｃ１１Ｈ２２（ＮＣＯ）２、Ｃ１２Ｈ２４（ＮＣＯ）２、Ｃ１３Ｈ２６（ＮＣＯ）２、Ｃ１４Ｈ２８（ＮＣＯ）２、Ｃ１５Ｈ３０（ＮＣＯ）２、Ｃ１６Ｈ３２（ＮＣＯ）２、Ｃ１７Ｈ３４（ＮＣＯ）２、Ｃ１８Ｈ３６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）Ｃ２Ｈ４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ３Ｈ６ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ４Ｈ８ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ５Ｈ１０ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ６Ｈ１２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ７Ｈ１４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ８Ｈ１６ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ９Ｈ１８ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１０Ｈ２０ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１１Ｈ２２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１２Ｈ２４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１３Ｈ２６ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１４Ｈ２８ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１５Ｈ３０ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１６Ｈ３２ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１７Ｈ３４ＮＣＯ、（ＮＣＯ）Ｃ１８Ｈ３６ＮＣＯ、ＣＨ（ＮＣＯ）３、Ｃ２Ｈ３（ＮＣＯ）３、Ｃ３Ｈ５（ＮＣＯ）３、Ｃ４Ｈ７（ＮＣＯ）３、Ｃ５Ｈ９（ＮＣＯ）３、Ｃ６Ｈ１１（ＮＣＯ）３、Ｃ７Ｈ１３（ＮＣＯ）３、Ｃ８Ｈ１５（ＮＣＯ）３、Ｃ９Ｈ１７（ＮＣＯ）３、Ｃ１０Ｈ１９（ＮＣＯ）３、Ｃ１１Ｈ２１（ＮＣＯ）３、Ｃ１２Ｈ２３（ＮＣＯ）３、Ｃ１３Ｈ２５（ＮＣＯ）３、Ｃ１４Ｈ２７（ＮＣＯ）３、Ｃ１５Ｈ２９（ＮＣＯ）３、Ｃ１６Ｈ３１（ＮＣＯ）３、Ｃ１７Ｈ３３（ＮＣＯ）３、Ｃ１８Ｈ３５（ＮＣＯ）３、Ｃ（ＮＣＯ）４、（ＮＣＯ）２Ｃ２Ｈ２（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ３Ｈ４（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ４Ｈ６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ５Ｈ８（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ６Ｈ１０（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ７Ｈ１２（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ８Ｈ１４（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ９Ｈ１６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１０Ｈ１８（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１１Ｈ２０（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１２Ｈ２２（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１３Ｈ２４（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１４Ｈ２６（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１５Ｈ２８（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１６Ｈ３０（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１７Ｈ３２（ＮＣＯ）２、（ＮＣＯ）２Ｃ１８Ｈ３４（ＮＣＯ）２、Ｃ２Ｈ５ＳＨ、Ｃ３Ｈ７ＳＨ、Ｃ４Ｈ９ＳＨ、Ｃ５Ｈ１１ＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＳＨ、ＣＦ３ＳＨ、Ｃ２Ｆ５ＳＨ、Ｃ３Ｆ７ＳＨ、Ｃ４Ｆ９ＳＨ、Ｃ５Ｆ１１ＳＨ、Ｃ６Ｆ１３ＳＨ、Ｃ７Ｆ１５ＳＨ、Ｃ８Ｆ１７ＳＨ、Ｃ４Ｈ８（ＳＨ）２、Ｃ５Ｈ１０（ＳＨ）２、Ｃ６Ｈ１２（ＳＨ）２、Ｃ７Ｈ１４（ＳＨ）２、Ｃ８Ｈ１６（ＳＨ）２、Ｃ９Ｈ１８（ＳＨ）２、Ｃ１０Ｈ２０（ＳＨ）２、Ｃ１１Ｈ２２（ＳＨ）２、Ｃ１２Ｈ２４（ＳＨ）２、Ｃ１３Ｈ２６（ＳＨ）２、Ｃ１４Ｈ２８（ＳＨ）２、Ｃ１５Ｈ３０（ＳＨ）２、Ｃ１６Ｈ３２（ＳＨ）２、Ｃ１７Ｈ３４（ＳＨ）２、Ｃ１８Ｈ３６（ＳＨ）２、（ＳＨ）Ｃ４Ｈ８ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ５Ｈ１０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ６Ｈ１２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ７Ｈ１４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ８Ｈ１６ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ９Ｈ１８ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１０Ｈ２０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１１Ｈ２２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１２Ｈ２４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１３Ｈ２６ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１４Ｈ２８ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１５Ｈ３０ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１６Ｈ３２ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１７Ｈ３４ＳＨ、（ＳＨ）Ｃ１８Ｈ３６ＳＨ、Ｃ４Ｈ７（ＳＨ）３、Ｃ５Ｈ９（ＳＨ）３、Ｃ６Ｈ１１（ＳＨ）３、Ｃ７Ｈ１３（ＳＨ）３、Ｃ８Ｈ１５（ＳＨ）３、Ｃ９Ｈ１７（ＳＨ）３、Ｃ１０Ｈ１９（ＳＨ）３、Ｃ１１Ｈ２１（ＳＨ）３、Ｃ１２Ｈ２３（ＳＨ）３、Ｃ１３Ｈ２５（ＳＨ）３、Ｃ１４Ｈ２７（ＳＨ）３、Ｃ１５Ｈ２９（ＳＨ）３、Ｃ１６Ｈ３１（ＳＨ）３、Ｃ１７Ｈ３３（ＳＨ）３、Ｃ１８Ｈ３５（ＳＨ）３、（ＳＨ）２Ｃ４Ｈ６（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ５Ｈ８（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ６Ｈ１０（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ７Ｈ１２（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ８Ｈ１４（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ９Ｈ１６（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１０Ｈ１８（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１１Ｈ２０（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１２Ｈ２２（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１３Ｈ２４（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１４Ｈ２６（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１５Ｈ２８（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１６Ｈ３０（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１７Ｈ３２（ＳＨ）２、（ＳＨ）２Ｃ１８Ｈ３４（ＳＨ）２、ＣＨ３ＣＨＯ、Ｃ２Ｈ５ＣＨＯ、Ｃ３Ｈ７ＣＨＯ、Ｃ４Ｈ９ＣＨＯ、Ｃ５Ｈ１１ＣＨＯ、Ｃ６Ｈ１３ＣＨＯ、Ｃ７Ｈ１５ＣＨＯ、Ｃ８Ｈ１７ＣＨＯ、Ｃ９Ｈ１９ＣＨＯ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＨＯ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＨＯ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＨＯ、Ｃ１３
Ｈ２７ＣＨＯ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＨＯ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＨＯ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＨＯ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＨＯ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＨＯ、Ｃ６Ｈ５ＣＨＯ、ＣＦ３ＣＨＯ、Ｃ２Ｆ５ＣＨＯ、Ｃ３Ｆ７ＣＨＯ、Ｃ４Ｆ９ＣＨＯ、Ｃ５Ｆ１１ＣＨＯ、Ｃ６Ｆ１３ＣＨＯ、Ｃ７Ｆ１５ＣＨＯ、Ｃ８Ｆ１７ＣＨＯ等の化合物が挙げられる。
【００６６】
また、例えば、前記一般式［５］で表されるような、
Ｃ４Ｈ４Ｓ、ＣＨ３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ２Ｈ５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ３Ｈ７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ４Ｈ９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ５Ｈ１１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ６Ｈ１３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ７Ｈ１５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ８Ｈ１７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ９Ｈ１９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１０Ｈ２１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１１Ｈ２３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１２Ｈ２５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１３Ｈ２７Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１４Ｈ２９Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１５Ｈ３１Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１６Ｈ３３Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１７Ｈ３５Ｃ４Ｈ３Ｓ、Ｃ１８Ｈ３７Ｃ４Ｈ３Ｓ等の化合物が挙げられる。なお、Ｃ４Ｈ４Ｓはチオフェン、Ｃ４Ｈ３Ｓはチオフェン環を示す。
【００６７】
また、例えば、前記一般式［６］で表されるような、
ＣＨ３ＣＯＯＣＯＣＨ３、Ｃ２Ｈ５ＣＯＯＣＯＣ２Ｈ５、Ｃ３Ｈ７ＣＯＯＣＯＣ３Ｈ７、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣＯＣ４Ｈ９、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣＯＣ５Ｈ１１、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣＯＣ６Ｈ１３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣＯＣ７Ｈ１５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣＯＣ８Ｈ１７、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣＯＣ９Ｈ１９、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣＯＣ１０Ｈ２１、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣＯＣ１１Ｈ２３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣＯＣ１２Ｈ２５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣＯＣ１３Ｈ２７、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣＯＣ１４Ｈ２９、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣＯＣ１５Ｈ３１、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣＯＣ１６Ｈ３３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣＯＣ１７Ｈ３５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣＯＣ１８Ｈ３７、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯＣＯＣ６Ｈ５、ＣＦ３ＣＯＯＣＯＣＦ３、Ｃ２Ｆ５ＣＯＯＣＯＣ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７ＣＯＯＣＯＣ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９ＣＯＯＣＯＣ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１ＣＯＯＣＯＣ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３ＣＯＯＣＯＣ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５ＣＯＯＣＯＣ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＣＯＣ８Ｆ１７等の化合物が挙げられる。
【００６８】
前記の非水溶性の界面活性剤が塩を形成する場合、保護膜形成用薬液には該界面活性剤、またはその塩、並びにそれらの混合物を含んでもよい。
【００６９】
また、前記の非水溶性の界面活性剤が、前記一般式[１]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ１が、炭素数が８乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、前記一般式[２]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ２が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、また、Ｒ３が、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｒ４が、水素原子、または炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物、及びその塩化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であると、より優れた撥水性を付与することが可能であるため好ましい。
【００７０】
また、前記一般式[３]で表される非水溶性の界面活性剤において、Ｒ５が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基であり、Ｖが酸素原子で、Ｗが水素原子である化合物、及び、前記一般式[４]で表される非水溶性の界面活性剤において、ａが１であり、Ｒ６が、炭素数が６乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基である化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種であると、より優れた撥水性を付与することが可能であるため好ましい。
【００７１】
また、前記の非水溶性の界面活性剤が、炭素原子と水素原子からなる直鎖状の炭化水素基を含む疎水部を有することがより好ましい。該疎水部に含まれる直鎖状の炭化水素基が炭素原子と水素原子からなるものであることにより、保護膜を形成した際に、前記界面活性剤の疎水部が該保護膜の表面に対して垂直方向に向かって並びやすくなるために、より撥水性付与効果が高くなるため、より好ましい。
【００７２】
上記したような非水溶性の界面活性剤の中でも、金属系の物質に対する親和性、及び、撥水性付与効果を考慮して、特に好ましいものは、例えば、前記一般式［１］で表されるような、
Ｃ８Ｈ１７ＣＯＦ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＦ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＦ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＦ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＦ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＦ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＦ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＦ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＦ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＦ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＦ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＣｌ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＣｌ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＣｌ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＣｌ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＣｌ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＣｌ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＣｌ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＣｌ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＣｌ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＣｌ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＣｌ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＢｒ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＢｒ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＢｒ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＢｒ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＢｒ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＢｒ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＢｒ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＢｒ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＢｒ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＢｒ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＢｒ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＩ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＩ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＩ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＩ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＩ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＩ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＩ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＩ等の化合物が挙げられる。上記の化合物を用いると、より短時間で前記凹部表面を撥水化された表面状態としやすくなり、かつ、前記後洗浄工程において撥水性の維持効果に優れるため好ましい。
【００７３】
また、例えば、前記一般式［２］で表されるような、
Ｃ６Ｈ１３ＮＨ２、Ｃ７Ｈ１５ＮＨ２、Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２、Ｃ９Ｈ１９ＮＨ２、Ｃ１０Ｈ２１ＮＨ２、Ｃ１１Ｈ２３ＮＨ２、Ｃ１２Ｈ２５ＮＨ２、Ｃ１３Ｈ２７ＮＨ２、Ｃ１４Ｈ２９ＮＨ２、Ｃ１５Ｈ３１ＮＨ２、Ｃ１６Ｈ３３ＮＨ２、Ｃ１７Ｈ３５ＮＨ２、Ｃ１８Ｈ３７ＮＨ２、（Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ、（Ｃ５Ｈ１１）２ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）２ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）２ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）２ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）２ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）２ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）２ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）２ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）２ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）２ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）２ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）２ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）２ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）２ＮＨ、（Ｃ４Ｈ９）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）３Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）３Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）３Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）３Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）３Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）３Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）３Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）３Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）３Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）３Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）３Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）３Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）３Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）３Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）ＮＨ、（Ｃ４Ｈ９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ５Ｈ１１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ６Ｈ１３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ７Ｈ１５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ８Ｈ１７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ９Ｈ１９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１０Ｈ２１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１１Ｈ２３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１２Ｈ２５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１３Ｈ２７）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１４Ｈ２９）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１５Ｈ３１）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１６Ｈ３３）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１７Ｈ３５）（ＣＨ３）２Ｎ、（Ｃ１８Ｈ３７）（ＣＨ３）２Ｎ等の化合物、またはその炭酸塩、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの無機酸塩や、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、フタル酸塩などの有機酸塩が挙げられる。なお、塩を形成する場合は、塩形成前の界面活性剤のＨＬＢ値が０．００１乃至１０であることが好ましい。
【００７４】
また、例えば、前記一般式［３］で表されるような、
Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＨ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣＨ３、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ２Ｈ５、Ｃ４Ｈ９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＯＣ６Ｈ５、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＨ、Ｃ４Ｈ９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ５Ｈ１１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ６Ｈ１３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ７Ｈ１５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ８Ｈ１７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ９Ｈ１９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１０Ｈ２１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１２Ｈ２５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１４Ｈ２９ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１６Ｈ３３ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１７Ｈ３５ＣＯＳＣＨ３、Ｃ１８Ｈ３７ＣＯＳＣＨ３等の化合物が挙げられる。
【００７５】
また、例えば、前記一般式［４］で表されるような、
Ｃ４Ｈ９ＮＣＯ、Ｃ５Ｈ１１ＮＣＯ、Ｃ６Ｈ１３ＮＣＯ、Ｃ７Ｈ１５ＮＣＯ、Ｃ８Ｈ１７ＮＣＯ、Ｃ９Ｈ１９ＮＣＯ、Ｃ１０Ｈ２１ＮＣＯ、Ｃ１１Ｈ２３ＮＣＯ、Ｃ１２Ｈ２５ＮＣＯ、Ｃ１３Ｈ２７ＮＣＯ、Ｃ１４Ｈ２９ＮＣＯ、Ｃ１５Ｈ３１ＮＣＯ、Ｃ１６Ｈ３３ＮＣＯ、Ｃ１７Ｈ３５ＮＣＯ、Ｃ１８Ｈ３７ＮＣＯ、Ｃ４Ｈ９ＳＨ、Ｃ５Ｈ１１ＳＨ、Ｃ６Ｈ１３ＳＨ、Ｃ７Ｈ１５ＳＨ、Ｃ８Ｈ１７ＳＨ、Ｃ９Ｈ１９ＳＨ、Ｃ１０Ｈ２１ＳＨ、Ｃ１１Ｈ２３ＳＨ、Ｃ１２Ｈ２５ＳＨ、Ｃ１３Ｈ２７ＳＨ、Ｃ１４Ｈ２９ＳＨ、Ｃ１５Ｈ３１ＳＨ、Ｃ１６Ｈ３３ＳＨ、Ｃ１７Ｈ３５ＳＨ、Ｃ１８Ｈ３７ＳＨ等の化合物が挙げられる。
【００７６】
また、前記撥水性保護膜形成用薬液中に希釈溶媒が含有されることが好ましい。このとき、保護膜形成用薬液中の、非水溶性の界面活性剤の濃度は、該薬液の総量１００質量％に対して０．００１質量％以上であることが好ましい。０．００１質量％未満では、撥水性付与効果が不十分となる傾向がある。さらに好ましくは０．００８質量％以上である。さらに、前記薬液の製造コスト等を勘案すると、０．００１〜５０質量％が好ましく、０．００８〜１０質量％であるとより好ましい。
【００７７】
保護膜形成用薬液において非水溶性の界面活性剤に混合されることのある有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、含窒素化合物溶媒などが好適に使用される。
【００７８】
前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオールなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどがあり、含窒素化合物溶媒の例としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
【００７９】
また、前記有機溶媒に不燃性のものを使うと、保護膜形成用薬液が不燃性になる、あるいは、引火点が高くなって、該薬液の危険性が低下するので好ましい。含ハロゲン溶媒は不燃性のものが多く、不燃性含ハロゲン溶媒は不燃性有機溶媒として好適に使用できる。
【００８０】
また、前記一般式［１］で表される非水溶性界面活性剤を用いる場合、前記薬液に混合される有機溶媒は、非プロトン性溶媒を用いると、金属系の物質に対して親和性を持つ官能部が溶媒と反応することによって失活することがないため好ましい。なお、非プロトン性溶媒は、非プロトン性極性溶媒と非プロトン性非極性溶媒の両方のことである。このような非プロトン性溶媒としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、水酸基を持たない多価アルコールの誘導体、Ｎ−Ｈ結合を持たない含窒素化合物溶媒が挙げられる。
【００８１】
また、保護膜形成用薬液には、前記の非水溶性界面活性剤による保護膜の形成を促進させるために、触媒が添加されても良い。このような触媒として、トリフルオロ酢酸、無水トリフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、無水ペンタフルオロプロピオン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、硫酸、塩化水素などの水を含まない酸、アンモニア、アルキルアミン、ジアルキルアミンなどの塩基、硫化アンモニウム、酢酸カリウム、メチルヒドロキシアミン塩酸塩などの塩、および、スズ、アルミニウム、チタンなどの金属錯体や金属塩が好適に用いられる。
【００８２】
触媒の添加量は、保護膜形成用薬液の総量１００質量％に対して、０．０００１〜２００質量％が好ましい。添加量が少なくなると触媒効果が低下するので好ましくなく、過剰に多くしても触媒効果は向上せず、逆に、ウェハ表面を浸食したり、不純物としてウェハに残留したりする懸念もある。このため、前記触媒添加量は、０．００１〜５０質量％が特に好ましい。
【００８３】
保護膜形成用薬液は、温度を高くすると、より短時間で前記保護膜を形成しやすくなる。均質な保護膜を形成しやすい温度は、１０℃以上、該薬液の沸点未満であり、特には１５℃以上、該薬液の沸点よりも１０℃低い温度以下で保持されることが好ましい。前記薬液の温度は、凹凸パターンの少なくとも凹部に保持されているときも当該温度に保持されることが好ましい。
【００８４】
前記保護膜形成工程の後で、該凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された前記薬液を、該薬液とは異なる洗浄液（以下、「洗浄液Ｂ」と記載する）に置換（後洗浄工程）した後に、乾燥工程に移ってもよい。前記洗浄液Ｂの例としては、水系洗浄液、有機溶媒、前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物、または、それらに酸、アルカリのうち少なくとも１種が混合されたもの、並びに、それらに保護膜形成用薬液に用いられる非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度になるように含有されたもの等が挙げられる。前記洗浄液Ｂは、パーティクルや金属不純物の除去の観点から、水系洗浄液、有機溶媒、または前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物がより好ましい。また、後洗浄工程では、凹部に保持された保護膜形成用薬液を、例えば、水系洗浄液以外の洗浄液Ｂに置換してから、水系洗浄液に置換するような、多段階での洗浄液の置換を経て、乾燥工程に移ってもよい。
【００８５】
また、前記洗浄液Ｂとして、パーティクルや金属不純物の除去性に悪影響を及ぼさなければ、保護膜形成用薬液に用いられる前記非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度になるように含有されたものを用いると、該後洗浄を行ってもウェハ表面の撥水性を維持できるため特に好ましい。
【００８６】
なお、前記一般式［１］で表される非水溶性の界面活性剤を含む保護膜形成用薬液でウェハ表面に形成された保護膜は、前記後洗浄工程によって撥水性がほとんど低下することがないので、後洗浄工程の洗浄液として非水溶性の界面活性剤が含有されたものを用いなくてもよい。従って、前記一般式［１］で表される非水溶性の界面活性剤を含む保護膜形成用薬液で保護膜形成工程を行った場合、該工程の後で後洗浄工程を行う際に、洗浄液Ｂとして、パーティクルや金属不純物の除去の観点からより好適である、水系洗浄液、有機溶媒、または前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物を用いて、１０秒間以上行うことができるため、特に好ましい。
【００８７】
前記洗浄液Ｂの好ましい例の一つである有機溶媒の例としては、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、アルコール類、多価アルコールの誘導体、含窒素化合物溶媒等が挙げられる。
【００８８】
前記炭化水素類の例としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどがあり、前記エステル類の例としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、アセト酢酸エチルなどがあり、前記エーテル類の例としては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどがあり、前記ケトン類の例としては、アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトンなどがあり、前記含ハロゲン溶媒の例としては、パーフルオロオクタン、パーフルオロノナン、パーフルオロシクロペンタン、パーフルオロシクロヘキサン、ヘキサフルオロベンゼンなどのパーフルオロカーボン、１、１、１、３、３−ペンタフルオロブタン、オクタフルオロシクロペンタン、２，３−ジハイドロデカフルオロペンタン、ゼオローラＨ（日本ゼオン製）などのハイドロフルオロカーボン、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル、アサヒクリンＡＥ−３０００（旭硝子製）、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ  ＨＦＥ−７２００、Ｎｏｖｅｃ７３００、Ｎｏｖｅｃ７６００（いずれも３Ｍ製）などのハイドロフルオロエーテル、テトラクロロメタンなどのクロロカーボン、クロロホルムなどのハイドロクロロカーボン、ジクロロジフルオロメタンなどのクロロフルオロカーボン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンなどのハイドロクロロフルオロカーボン、パーフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテルなどがあり、前記スルホキシド系溶媒の例としては、ジメチルスルホキシドなどがあり、アルコール類の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオールなどがあり、前記多価アルコールの誘導体の例としては、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどがあり、含窒素化合物溶媒の例としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジンなどがある。
【００８９】
保護膜形成用薬液により撥水化された凹部４に液体が保持された場合の模式図を図４に示す。図４の模式図のウェハは、図１のａ−ａ’断面の一部を示すものである。凹凸パターン表面は前記薬液により保護膜１０が形成され撥水化されている。そして、該保護膜１０は、液体９が凹凸パターンから除去されるときもウェハ表面に保持される。
【００９０】
ウェハの凹凸パターンの少なくとも凹部表面に、保護膜形成用薬液により保護膜１０が形成されたとき、該表面に水が保持されたと仮定したときの接触角は５０〜１３０°であると、パターン倒れが発生し難いため好ましい。接触角は９０°に近いほど該凹部に働く毛細管力が小さくなり、パターン倒れが更に発生し難くなるため、７０〜１１０°が特に好ましい。また、毛細管力は２．１ＭＮ／ｍ２以下であることが好ましい。該毛細管力が２．１ＭＮ／ｍ２以下であれば、パターン倒れが発生し難いため好ましい。また、該毛細管力が小さくなると、パターン倒れは更に発生し難くなるため、該毛細管力は１．１ＭＮ／ｍ２以下が特に好ましい。さらに、洗浄液との接触角を９０°付近に調整して毛細管力を限りなく０．０ＭＮ／ｍ２に近づけることが理想的である。
【００９１】
次に、前記乾燥工程に記したように、前記薬液により保護膜が形成された凹部４に保持された液体を乾燥により凹凸パターンから除去する工程が行われる。このとき、凹部に保持されている液体は、保護膜形成工程で用いた前記薬液、後洗浄工程で用いた前記洗浄液Ｂ、または、それらの混合液でも良い。前記混合液は、保護膜形成用薬液に含まれる非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度になるように含有されたものであり、該混合液は、前記薬液を洗浄液Ｂに置換する途中の状態の液でも良いし、あらかじめ前記非水溶性の界面活性剤を洗浄液Ｂに混合して得た混合液でも良い。ウェハの清浄度の観点から、特に、水系洗浄液、有機溶媒、前記水系洗浄液と有機溶媒の混合物が好ましい。また、前記凹凸パターン表面から液体が一旦除去された後で、前記凹凸パターン表面に洗浄液Ｂを保持させて、その後、乾燥しても良い。
【００９２】
なお、前記薬液による表面処理後の洗浄処理（後洗浄工程）を行う場合、該工程の時間、すなわち洗浄液Ｂが保持される時間は、前記凹凸パターン表面のパーティクルや不純物の除去の観点から、１０秒間以上、より好ましくは２０秒間以上行うことが好ましい。前記凹凸パターン表面に形成された保護膜の撥水性能の維持効果の観点から、保護膜形成用薬液に用いられる前記非水溶性の界面活性剤が該薬液よりも低濃度になるように、前記後洗浄工程に用いられる洗浄液に含有されたものを用いると、該後洗浄を行ってもウェハ表面の撥水性を維持できるため好ましい。一方、前記洗浄処理の時間が長くなりすぎると、生産性が悪くなるため１５分間以内が好ましい。
【００９３】
前記乾燥工程では、凹凸パターンに保持された液体が乾燥により除去される。当該乾燥は、スピン乾燥法、ＩＰＡ（２−プロパノール）蒸気乾燥、マランゴニ乾燥、加熱乾燥、温風乾燥、真空乾燥などの周知の乾燥方法によって行うことが好ましい。
【００９４】
次に、前記膜除去工程に記したように、ウェハ表面を光照射すること、ウェハを加熱すること、及び、ウェハをオゾン曝露することから選ばれる少なくとも１つの処理を行うことにより保護膜１０を除去する工程が行われる。
【００９５】
光照射で前記保護膜１０を除去する場合、該保護膜１０中のＣ−Ｃ結合、Ｃ−Ｆ結合を切断することが有効であり、このためには、それらの結合エネルギーである８３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、１１６ｋｃａｌ／ｍｏｌに相当するエネルギーである３４０ｎｍ、２４０ｎｍよりも短い波長を含む紫外線を照射することが好ましい。この光源としては、メタルハライドランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、カーボンアークなどが用いられる。紫外線照射強度は、メタルハライドランプであれば、例えば、照度計（コニカミノルタセンシング製照射強度計ＵＭ−１０、受光部ＵＭ−３６０〔ピーク感度波長：３６５ｎｍ、測定波長範囲：３１０〜４００ｎｍ〕の測定値で１００ｍＷ／ｃｍ２以上が好ましく、２００ｍＷ／ｃｍ２以上が特に好ましい。なお、照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２未満では前記保護膜１０を除去するのに長時間要するようになる。また、低圧水銀ランプであれば、より短波長の紫外線を照射することになるので、照射強度が低くても短時間で前記保護膜１０を除去できるので好ましい。
【００９６】
また、光照射で前記保護膜１０を除去する場合、紫外線で前記保護膜１０の構成成分を分解すると同時にオゾンを発生させ、該オゾンによって前記保護膜１０の構成成分を酸化揮発させると、処理時間が短くなるので特に好ましい。この光源として、低圧水銀ランプやエキシマランプなどが用いられる。また、光照射しながらウェハを加熱してもよい。
【００９７】
ウェハを加熱する場合、４００〜７００℃、好ましくは、５００〜７００℃でウェハの加熱を行う。この加熱時間は、１〜６０分間、好ましくは１０〜３０分間の保持で行うことが好ましい。また、当該工程では、オゾン曝露、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。また、ウェハを加熱しながら光照射を行ってもよい。
【００９８】
加熱により前記保護膜１０を除去する方法は、熱処理炉などの加熱された雰囲気にウェハを置くことで処理が可能であり、複数枚のウェハを処理する場合であっても、ウェハ表面に前記保護膜１０を除去するためのエネルギーを均質に付与しやすいことから、操作が簡便で処理が短時間で済み処理能力が高いという工業的に有利な方法である。
【００９９】
ウェハをオゾン曝露する場合、低圧水銀灯などによる紫外線照射や高電圧による低温放電等で発生させたオゾンをウェハ表面に供することが好ましい。ウェハをオゾン曝露しながら光照射してもよいし、加熱してもよい。
【０１００】
前記膜除去工程では、前記光照射処理、前記加熱処理、及び、前記オゾン曝露処理を組み合わせることによって、効率的にウェハ表面の保護膜を除去することができる。また、当該工程では、プラズマ照射、コロナ放電などを併用してもよい。
【実施例】
【０１０１】
ウェハの表面を微細な凹凸パターンを有する面とすること、凹凸パターンの少なくとも凹部に保持された洗浄液を他の洗浄液で置換することは、他の文献等にて種々の検討がなされ、既に確立された技術であるので、本発明では、保護膜形成用薬液の評価を中心に行った。また、背景技術で述べた式
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ（γ：表面張力、θ：接触角、Ｓ：パターン寸法）
から明らかなようにパターン倒れは、洗浄液のウェハ表面への接触角、すなわち液滴の接触角と、洗浄液の表面張力に大きく依存する。凹凸パターン２の凹部４に保持された洗浄液の場合、液滴の接触角と、パターン倒れと等価なものとして考えてよい該凹部に働く毛細管力とは相関性があるので、前記式と保護膜１０の液滴の接触角の評価から毛細管力を導き出してもよい。なお、実施例において、前記洗浄液として、水系洗浄液の代表的なものである水を用いた。
【０１０２】
しかしながら、表面に微細な凹凸パターンを有するウェハの場合、パターンは非常に微細なため、該凹凸パターン表面に形成された前記保護膜１０自体の接触角を正確に評価できない。
【０１０３】
水滴の接触角の評価は、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５７「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」にもあるように、サンプル（基材）表面に数μｌの水滴を滴下し、水滴と基材表面のなす角度の測定によりなされる。しかし、パターンを有するウェハの場合、接触角が非常に大きくなる。これは、Ｗｅｎｚｅｌ効果やＣａｓｓｉｅ効果が生じるからで、接触角が基材の表面形状（ラフネス）に影響され、見かけ上の水滴の接触角が増大するためである。
【０１０４】
そこで、本発明では前記薬液を表面が平滑なウェハに供して、ウェハ表面に保護膜を形成して、該保護膜を表面に微細な凹凸パターン２が形成されたウェハ１の表面に形成された保護膜１０とみなし、種々評価を行った。なお、本発明では、表面が平滑なウェハとして、表面が平滑なシリコンウェハ上にタングステン層を有する「タングステン膜付きウェハ」（表中でＷと表記）、及び、表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化チタン層を有する「窒化チタン膜付きウェハ」(表中でＴｉＮと表記)を用いた。
【０１０５】
詳細を下記に述べる。以下では、保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法、該保護膜形成用薬液の調製、そして、ウェハに該保護膜形成用薬液を供した後の評価結果が述べられる。
【０１０６】
〔保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法〕
保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の（１）〜（４）の評価を行った。
【０１０７】
（１）ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価
保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約２μｌを置き、水滴とウェハ表面とのなす角（接触角）を接触角計（協和界面科学製：ＣＡ−Ｘ型）で測定した。ここでは保護膜の接触角が５０〜１３０°の範囲であったものを合格とした。
【０１０８】
（２）毛細管力の評価
下式を用いてＰを算出し、毛細管力（Ｐの絶対値）を求めた。
Ｐ＝２×γ×ｃｏｓθ／Ｓ
ここで、γは表面張力、θは接触角、Ｓはパターン寸法を示す。なお、線幅：４５ｎｍのパターンでは、ウェハが気液界面を通過するときの洗浄液が水の場合はパターンが倒れやすく、２−プロパノールの場合はパターンが倒れ難い傾向がある。ウェハ表面が例えば、窒化チタン、または、タングステンである場合、該表面に対する２−プロパノールの接触角はともに０．５°であり、同様に水の接触角はともに２°である。また、他の金属系の物質（チタン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、シリコン等）においても同程度である。ウェハのパターン寸法：４５ｎｍ、ウェハ表面：タングステン（タングステン膜付きウェハ）または窒化チタン（窒化チタン膜付きウェハ）の場合、洗浄液が、２−プロパノール（表面張力：２２ｍＮ／ｍ）では毛細管力は０．９８ＭＮ／ｍ２となる。一方、水銀を除く液体の中で表面張力が最も大きい水（表面張力：７２ｍＮ／ｍ）では毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となる。そこで中間の２．１ＭＮ／ｍ２を目標とし、水が保持されたときの毛細管力が２．１ＭＮ／ｍ２以下になれば合格とした。
【０１０９】
（３）保護膜の除去性
以下の条件でメタルハライドランプのＵＶ光をサンプルに２時間照射し、膜除去工程における保護膜の除去性を評価した。照射後に水滴の接触角が３０°以下となったものを合格とした。
・ランプ：アイグラフィックス製Ｍ０１５−Ｌ３１２（強度：１．５ｋＷ）
・照度：下記条件における測定値が１２８ｍＷ／ｃｍ２
・測定装置：紫外線強度計（コニカミノルタセンシング製、ＵＭ−１０）
・受光部：ＵＭ−３６０
（受光波長：３１０〜４００ｎｍ、ピーク波長：３６５ｎｍ）
・測定モード：放射照度測定
【０１１０】
（４）保護膜除去後のウェハの表面平滑性評価
原子間力電子顕微鏡（セイコ−電子製：ＳＰＩ３７００、２．５μｍ四方スキャン）によって表面観察し、ウェハ洗浄前後の表面の中心線平均面粗さ：Ｒａ（ｎｍ）の差ΔＲａ（ｎｍ）を求めた。なお、Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で定義されている中心線平均粗さを測定面に対し適用して三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」として次式で算出した。
【０１１１】
0004743340.tif 000015
ここで、ＸＬ、ＸＲ、ＹＢ、ＹＴは、それぞれ、Ｘ座標、Ｙ座標の測定範囲を示す。Ｓ０は、測定面が理想的にフラットであるとした時の面積であり、（ＸＲ−ＸＬ）×（ＹＢ−ＹＴ）の値とした。また、Ｆ（Ｘ，Ｙ）は、測定点（Ｘ，Ｙ）における高さ、Ｚ０は、測定面内の平均高さを表す。
【０１１２】
保護膜形成前のウェハ表面のＲａ値、及び保護膜を除去した後のウェハ表面のＲａ値を測定し、両者の差（ΔＲａ）が±１ｎｍ以内であれば、洗浄によってウェハ表面が浸食されていない、および、前記薬液の残渣がウェハ表面にないとし、合格とした。
【０１１３】
［実施例１］
（Ｉ−１）保護膜形成用薬液の調製
非水溶性の界面活性剤として、ＨＬＢ値が２．５であるオクチルアミン〔Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２〕；３ｇ、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、保護膜形成用薬液の総量に対する前記界面活性剤の濃度（以降「界面活性剤濃度」と記載する）が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。
【０１１４】
（Ｉ−２）タングステン膜付きウェハの洗浄
前処理工程２として、平滑なタングステン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍのタングステン層を有するシリコンウェハ）を１質量％のアンモニア水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、イソプロピルアルコール（以下「ｉＰＡ」と記載する）に１分間浸漬した。
【０１１５】
（Ｉ−３）タングステン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理
保護膜形成工程として、タングステン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（Ｉ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該タングステン膜付きウェハをｉＰＡに５秒間浸漬し、乾燥工程として、タングステン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１１６】
得られたタングステン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表１に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は９１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は０．０６ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１１７】
【表１】
0004743340.tif 000016
【０１１８】
［実施例２〜１６］
実施例１で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、表面処理時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表１に示す。
【０１１９】
なお、表中で、「Ｃ１０Ｈ２１ＮＨ２」はデシルアミンを意味し、「Ｃ６Ｈ１３ＮＨ２」はヘキシルアミンを意味し、「（Ｃ６Ｈ１３）２ＮＨ」はジヘキシルアミンを意味し、「Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２の炭酸塩」はオクチルアミンの炭酸塩を意味する。該炭酸塩はオクチルアミンをシャーレに入れて、炭酸ガスに１６時間曝露することで得た固形物である。
【０１２０】
また、表中で、「ＰＧＭＥＡ」はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを意味し、「ＨＦＥ−７１００」はハイドロフルオロエーテル（住友３Ｍ製ＨＦＥ−７１００）を意味し、「ＨＦＥ−７１００、ｉＰＡ」は質量比でＨＦＥ−７１００：ｉＰＡ＝８５：１２である混合溶液を意味する。「ＤＣＴＦＰ」はｃｉｓ−１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを意味し、「ＤＣＴＦＰ、ｉＰＡ」は質量比でＤＣＴＦＰ：ｉＰＡ＝８５：１２である混合溶液を意味する。「ＣＴＦＰ」は１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを意味し、「ＣＴＦＰ、ｉＰＡ」は質量比でＣＴＦＰ：ｉＰＡ＝８５：１２である混合溶液を意味する。
【０１２１】
［実施例１７］
（ＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製
非水溶性の界面活性剤として、ＨＬＢ値が２．５であるオクチルアミン〔Ｃ８Ｈ１７ＮＨ２〕；３ｇ、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、界面活性剤濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。
【０１２２】
（ＩＩ−２）窒化チタン膜付きウェハの洗浄
前処理工程２として、平滑な窒化チタン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍの窒化チタン層を有するシリコンウェハ）を１質量％の過酸化水素水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ｉＰＡに１分間浸漬した。
【０１２３】
（ＩＩ−３）窒化チタン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理
保護膜形成工程として、窒化チタン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（ＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡに５秒間浸漬し、乾燥工程として、窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１２４】
得られた窒化チタン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表１に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は８５°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は０．３ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１２５】
［実施例１８〜３２］
実施例１７で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、表面処理時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表１及び表２に示す。
【０１２６】
【表２】
0004743340.tif 000017
【０１２７】
［実施例３３］
（ＩＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製
非水溶性の界面活性剤として、ＨＬＢ値が５．８であるラウリン酸クロリド〔Ｃ１１Ｈ２３ＣＯＣｌ〕；３ｇ、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、界面活性剤濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。
【０１２８】
（ＩＩＩ−２）タングステン膜付きウェハの洗浄
前処理工程２として、平滑なタングステン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍのタングステン層を有するシリコンウェハ）を１質量％のアンモニア水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ＰＧＭＥＡに１分間浸漬した。
【０１２９】
（ＩＩＩ−３）タングステン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理
保護膜形成工程として、タングステン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（ＩＩＩ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該タングステン膜付きウェハをｉＰＡに５秒間浸漬した。乾燥工程として、タングステン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１３０】
得られたタングステン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表２に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は８９°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は０．０６ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１３１】
［実施例３４〜４９］
実施例３３で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、前処理工程３で用いる溶媒、表面処理時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表２に示す。
【０１３２】
なお、表中で、「Ｃ１５Ｈ３１ＣＯＣｌ」はパルミチン酸クロリドを意味し、「Ｃ７Ｈ１５ＣＯＣｌ」はオクタノイルクロリドを意味し、「Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＣｌ」はミリスチン酸クロリドを意味する。
【０１３３】
また、表中で、「ＨＦＥ−７１００、ＰＧＭＥＡ」は質量比でＨＦＥ−７１００：ＰＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。「ＥＧＭＥＡ」はエチレングリコールモノメチルエーテルアセテートを意味し、「ＨＦＥ−７１００、ＥＧＭＥＡ」は質量比でＨＦＥ−７１００：ＥＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。「ゼオローラＨ」は１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（日本ゼオン製ゼオローラＨ）を意味し、「ゼオローラＨ、ＰＧＭＥＡ」は質量比でゼオローラＨ：ＰＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。「ＤＣＴＦＰ、ＰＧＭＥＡ」は質量比でＤＣＴＦＰ：ＰＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。「ＣＴＦＰ、ＰＧＭＥＡ」は質量比でＣＴＦＰ：ＰＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。
【０１３４】
また、実施例４０、実施例４２、実施例４８、実施例４９において、「（ＩＩＩ−２）タングステン膜付きウェハの洗浄」として、前処理工程２として、タングステン膜付きウェハを、１質量％のアンモニア水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬した後、前処理工程３として、ｉＰＡに１分間浸漬した。
【０１３５】
［実施例５０］
（ＩＶ−１）保護膜形成用薬液の調製
非水溶性の界面活性剤として、ＨＬＢ値が５．１であるミリスチン酸クロリド〔Ｃ１３Ｈ２７ＣＯＣｌ〕；３ｇ、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、界面活性剤濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。
【０１３６】
（ＩＶ−２）窒化チタン膜付きウェハの洗浄
前処理工程２として、平滑な窒化チタン膜付きウェハ（表面に厚さ５０ｎｍの窒化チタン層を有するシリコンウェハ）を１質量％の過酸化水素水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ＰＧＭＥＡに１分間浸漬した。
【０１３７】
（ＩＶ−３）窒化チタン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理
保護膜形成工程として、窒化チタン膜付きウェハを、２０℃にて、上記「（ＩＶ−１）保護膜形成用薬液の調製」で調製した保護膜形成用薬液に、１０分間浸漬させた。その後、後洗浄工程として、該窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡに５秒間浸漬した。乾燥工程として、窒化チタン膜付きウェハをｉＰＡから取出し、エアーを吹き付けて、表面のｉＰＡを除去した。
【０１３８】
得られた窒化チタン膜付きウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表２に示すとおり、表面処理前の初期接触角が１０°未満であったものが、表面処理後の接触角は９１°となり、優れた撥水性付与効果を示した。また、上記「毛細管力の評価」に記載した式を使って水が保持されたときの毛細管力を計算したところ、毛細管力は０．０６ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は小さかった。また、ＵＶ照射後の接触角は１０°未満であり保護膜は除去できた。さらに、ＵＶ照射後のウェハのΔＲａ値は±０．５ｎｍ以内であり、洗浄時にウェハは浸食されず、さらにＵＶ照射後に保護膜の残渣は残らないことが確認できた。
【０１３９】
［実施例５１〜６６］
実施例５０で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、前処理工程３で用いる溶媒、表面処理時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表２及び表３に示す。
【０１４０】
なお、表中で、「ゼオローラＨ、ＥＧＭＥＡ」は質量比でゼオローラＨ：ＥＧＭＥＡ＝９０：７である混合溶液を意味する。
【０１４１】
また、実施例５５、実施例５６、実施例５９、実施例６４において、「（ＩＶ−２）窒化チタン膜付きウェハの洗浄」として、前処理工程２として、窒化チタン膜付きウェハを、１質量％の過酸化水素水に１分間浸漬し、次いで純水に１分間浸漬し、さらに前処理工程３として、ｉＰＡに１分間浸漬した。
【０１４２】
【表３】
0004743340.tif 000018
【０１４３】
［実施例６７〜８２］
上記の実施例１〜実施例３２で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、前処理工程３で用いる溶媒、表面処理手順、表面処理時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表３に示す。
【０１４４】
なお、表中で、「Ｃ１２Ｈ２５ＮＣＯ」はイソシアン酸ドデシルを意味し、「Ｃ１８Ｈ３７ＮＣＯ」はイソシアン酸オクタデシルを意味し、「Ｃ８Ｈ１７ＮＣＯ」はイソシアン酸オクチルを意味し、「Ｃ６Ｈ１３ＮＣＯ」はイソシアン酸ヘキシルを意味し、「Ｃ８Ｈ１７ＳＨ」はオクタンチオールを意味し、「Ｃ１２Ｈ２５ＳＨ」はドデカンチオールを意味し、「Ｃ７Ｈ１５ＣＯＯＨ」はオクタン酸を意味し、「Ｃ８Ｈ１７ＣＯＯＨ」はノナン酸を意味し、「（Ｃ７Ｈ１５ＣＯ）２Ｏ」はオクタン酸無水物を意味し、「Ｃ７Ｈ１５ＣＨＯ」はオクチルアルデヒドを意味し、「Ｃ５Ｈ１１Ｃ４Ｈ３Ｓ」は２−ペンチルチオフェンを意味する。
【０１４５】
また、実施例８１において、「（Ｉ−３）タングステン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理」で、乾燥工程として、タングステン膜付きウェハを保護膜形成用薬液から取出した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。すなわち後洗浄工程を行わなかった。また、実施例８２において、「（ＩＩ−３）窒化チタン膜付きウェハ表面への保護膜形成用薬液による表面処理」で、乾燥工程として、窒化チタンウェハを保護膜形成用薬液から取出した後、エアーを吹き付けて、表面の保護膜形成用薬液を除去した。すなわち後洗浄工程を行わなかった。結果を表３に示す。
【０１４６】
［実施例８３、８４］
上記の実施例１、及び、実施例１７で用いた非水溶性界面活性剤をそれぞれ変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表３に示す。なお、表中で、「Ｃ６Ｈ１３ＮＨ２」はヘキシルアミンを意味する。
【０１４７】
［実施例８５〜９０］
実施例５０〜実施例６６で用いた非水溶性界面活性剤、有機溶媒、界面活性剤濃度、前処理工程３で用いる溶媒、表面処理手順、表面処理時間、後洗浄時間などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表３に示す。
【０１４８】
［実施例９１〜９２］
実施例２４で行った後洗浄時間、後洗浄工程に用いた洗浄液などの条件を適宜変更して、ウェハの表面処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表４に示す。
【０１４９】
【表４】
0004743340.tif 000019
【０１５０】
［実施例９３］
保護膜の除去方法として、３００℃に調温したホットプレート上にサンプルをのせ、５分間加熱処理したこと以外は、実施例２４と同様の処理を行い、さらにその評価を行った。結果を表４に示す。
【０１５１】
［比較例１］
タングステン膜付きウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、実施例１と同じとした。すなわち、本比較例では、保護膜が形成されていないウェハ表面を評価した。評価結果は表５に示すとおり、ウェハの接触角は１４°と低く、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２と大きかった。
【０１５２】
【表５】
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【０１５３】
［比較例２］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルクロリド〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例３３と同様の方法で、タングステン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は１３°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１５４】
［比較例３］
窒化チタン膜付きウェハに保護膜形成用薬液を供さなかった以外は、実施例１７と同じとした。すなわち、本比較例では、保護膜が形成されていないウェハ表面を評価した。評価結果は表５に示すとおり、ウェハの接触角は１４°と低く、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２と大きかった。
【０１５５】
［比較例４］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルクロリド〔（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例５０と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は１８°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１５６】
［比較例５］
保護膜形成用薬液中の保護膜形成剤として、推定ＨＬＢ値が１０超であり、水溶性界面活性剤であるポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸ナトリウム（東邦化学工業株式会社、アルスコープＴＨ−３３０）とし、保護膜形成用薬液中の有機溶媒として、ｉＰＡを用いた以外はすべて実施例１７と同じとした。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は１３°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．１ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１５７】
［比較例６］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるヘキサメチルジシラザン〔[（ＣＨ３）３Ｓｉ]２ＮＨ〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例３３と同様の方法で、タングステン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は７°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１５８】
［比較例７］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、ジエチレングリコールジエチルエーテル（以下「ＤＧＤＥ」と記載する）；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例３３と同様の方法で、タングステン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は９°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．２ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１５９】
［比較例８］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるヘキサメチルジシラザン〔[（ＣＨ３）３Ｓｉ]２ＮＨ〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例５０と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は１９°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１６０】
［比較例９］
先ず、保護膜形成剤としてシランカップリング剤であるトリメチルシリルジメチルアミン〔（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、ＤＧＤＥ；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対するシランカップリング剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例５０と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は２２°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【０１６１】
［比較例１０］
先ず、保護膜形成剤として水溶性の界面活性剤であるジエチルアミン〔（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ〕；３ｇ、及び、有機溶媒として、トルエン；９７ｇを混合し、約５分間撹拌して、該混合溶液の総量に対する水溶性の界面活性剤の濃度が３質量％の保護膜形成用薬液を得た。続いて、実施例１７と同様の方法で、窒化チタン膜付きウェハの洗浄、及び表面処理を行った。評価結果は表５に示すとおり、表面処理後の接触角は２１°となり、撥水性付与効果は見られなかった。また、水が保持されたときの毛細管力は３．０ＭＮ／ｍ２となり、毛細管力は大きかった。
【符号の説明】
【０１６２】
１    ウェハ
２    ウェハ表面の微細な凹凸パターン
３    パターンの凸部
４    パターンの凹部
５    凹部の幅
６    凸部の高さ
７    凸部の幅
８    凹部４に保持された保護膜形成用薬液
９    凹部４に保持された液体
１０  保護膜
【要約】
【課題】半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液。
【選択図】図４【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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