(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの端子を有する可変容量ダイオードを備えた共振回路と該共振回路に接続された増幅回路とを含む電圧制御発振器が、ベース基板の一方主面に実装された実装部品と前記ベース基板に形成された回路パターンとにより構成される高周波モジュールにおいて、
前記ベース基板の前記一方主面に対向する他方主面には、前記ベース基板を他の回路基板に実装するためのＬＧＡタイプの複数の接続電極が形成され、
前記可変容量ダイオードは、前記回路パターンを介して前記接続電極に接続され、
前記複数の接続電極の内の少なくとも一つの接続電極は、前記ベース基板の前記可変容量ダイオードの前記二つの端子の内の一方の端子の直下に形成されている、ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記可変容量ダイオードの一方の端子の直下に形成されている接続電極は、前記回路パターンを介して、前記可変容量ダイオードと接続されている請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記可変容量ダイオードの一方の端子の直下に形成されている接続電極は、前記可変容量ダイオードの一方の端子を接地するための接地電極である、請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記接地電極と前記可変容量ダイオードの一方の端子とを接続する前記回路パターンは、前記接地電極と、前記可変容量ダイオードの一方の端子と、を導通させる導電体を備えたスルーホールを含んで形成されている請求項３に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電圧制御発振器が構成された高周波モジュール、特に、電圧制御発振器の可変容量ダイオードをベース基板に実装した高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の通信装置には電圧制御発振器が搭載されており、この電圧制御発振器には発振周波数を可変するための可変容量ダイオードが含まれている。そして、この可変容量ダイオードは通常単体素子で存在するため、この可変容量ダイオードを用いる場合には、電圧制御発振器が構成されるベース基板上に実装することとなる。
【０００３】
一方で、現在の携帯電話には通常バイブレーション機能が備えられているが、このバイブレーション機能回路は電圧制御発振器とは異なるモジュールで構成されている。そして、これら電圧制御発振器が形成されたベース基板とバイブレーション機能回路を備える基板とは携帯電話機内のマザー基板に実装されている。ここで、バイブレーション機能によりマザー基板が振動すると、この振動は電圧制御発振器に伝達される。そして、電圧制御発振器に振動が伝達されると、所望の発振周波数以外にスプリアス成分が発生するという問題が生じる。
【０００４】
また、携帯電話において着信音を発生する場合には、スピーカを鳴らすことによりスピーカ振動が発生し、前述のようなスプリアス成分が発生することもある。特に、最近の携帯電話では着信音を和音にすることが多く、広周波数帯域の振動が発生して前記スプリアス成分が発生しやすくなっている。さらには、携帯電話の外部からの振動が基板に印加されることにより、同様にスプリアス成分が発生する可能性がある。
【０００５】
ここで、電圧制御発振器に振動が伝達されることにより発生する前記発振周波数のスプリアス成分について説明する。
【０００６】
図７は電圧制御発振器の一例を示す回路図である。図７に示すように、電圧制御発振器は、所定の共振周波数の信号を発生する共振回路と該共振周波数の信号を増幅して出力する増幅回路とから構成される。共振回路には、可変容量ダイオードＶＤが備えられており、この可変容量ダイオードＶＤのカソードがインダクタＬ１を介してコントロール電圧入力端子Ｖｃｏｎに接続され、アノードが接地されている。そして、可変容量ダイオードＶＤに印加するコントロール電圧入力端子Ｖｃｏｎからの電圧を調整することで、可変容量ダイオードＶＤのキャパシタンスが変化し、共振回路の共振周波数を調整することができる。
【０００７】
ここで、可変容量ダイオードＶＤは回路図上では、直接接地されているが、実際にはこの電圧制御発振器が構成されている基板上に形成された所定の配線パターン電極を介して接地されている。このため、実回路では可変容量ダイオードＶＤと接地との間に配線パターン電極の抵抗Ｒ０およびインダクタＬ０が直列接続された回路に等価となる。ここで、前述のようにこの基板に振動が伝達されると、振動により基板が変形し、基板上に形成された配線パターン電極が変形してインダクタＬ０のインダクタンスが変化する。このインダクタンスが変化したインダクタＬ０に、所望共振周波数の信号が結合すると、変化したインダクタンスと共振周波数とにより、可変容量ダイオードＶＤに印加される電圧が変化する。これにより、共振回路の回路定数が変化してしまい、所望共振周波数の信号をＦＭ変調した信号が発生して所望共振周波数の信号に重畳されてしまう。
【０００８】
例えば、前記所望共振周波数の信号をＶ0 （ｔ）＝Ｖ0 ｃｏｓ（ω0 ｔ）とすると、
この信号を振動周波数ｆm （角速度ωm ）でＦＭ変調した信号は、
Ｖ（ｔ）＝Ｖ0 ｃｏｓ（ω0 ｔ＋θ（ｔ））
となる。なお、θ（ｔ）＝θp ・ｓｉｎωm ｔであり、θp は変調指数でΔｆを最大周波数変位とすると、θp ＝Δｆ／ｆm である。
【０００９】
ここで、Δｆは十分に小さく、また、θp も十分に小さいとすると、θp ＜＜１が成立し、前述の式は次のように近似することができる。
Ｖ（ｔ）＝Ｖ0 ｃｏｓ（ω0 ｔ＋θ（ｔ））
＝Ｖ0 ｃｏｓ（ω0 ｔ＋θp ・ｓｉｎωm ｔ）
＝Ｖ0 ［ｃｏｓω0 ｔ・ｃｏｓ（θp ・ｓｉｎωm ｔ）
−ｓｉｎω0 ｔ・ｓｉｎ（θp ・ｓｉｎωm ｔ）］
≒Ｖ0 ［ｃｏｓω0 ｔ−θp ・ｓｉｎω0 ｔ・ｓｉｎωm ｔ］
＝Ｃｃｏｓω0 ｔ＋（Ｖ0 ・θp ／２）・ｃｏｓ（ω0 ＋ωm ）ｔ
−（Ｖ0 ・θp ／２）・ｃｏｓ（ω0 −ωm ）ｔ
なお、Ｃは定数である。
【００１０】
このように、振動周波数ｆm の振動が基板に加えられると、所望共振周波数ｆ0 に加えて、スプリアス成分ｆ0 ＋ｆm ，ｆ0 −ｆm の信号が出力される。そして、このスプリアス成分が送信周波数帯域や受信周波数帯域に存在すると、変調精度の劣化や受信感度の劣化等、この電圧制御発振器を備えた高周波モジュールの通信特性が悪化する。
【００１１】
さらには、モジュール基板が広くなると基板内の位置によっては変形が大きくなるため、スプリアス成分が発生し易くなり、通信特性の悪化を招き易くなる。
【００１２】
また、モジュール基板が薄くなれば、より一層基板が変形しやすく、スプリアス成分が発生しやすくなる。
【００１３】
この問題を解決する電子装置として、電圧制御発振器が形成される基板と、電圧制御発振器を構成して前記基板に実装される回路素子と、これらを内側に含むシールドケースとを固定材で固定する装置が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２３７５８４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、前述の特許文献１の電子装置は固定材で基板と回路素子とシールドケースとを固着しなければならず、製造工程が増加するとともに部材コストが増加する。このため、固定材を使用せずにスプリアス成分の発生を抑制しなければならない。
【００１５】
この発明の目的は、薄く且つ広い基板を用いても、振動による電圧制御発振器からの出力信号のスプリアス成分を抑制し、発振特性に優れる高周波モジュールを構成することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
この発明の高周波モジュールは、二つの端子を有する可変容量ダイオードを備えた共振回路と該共振回路に接続された増幅回路とを含む電圧制御発振器が、ベース基板の一方主面に実装された実装部品とベース基板に形成された回路パターンとにより構成される高周波モジュールにおいて、ベース基板の一方主面に対向する他方主面には、ベース基板を他の回路基板に実装するためのＬＧＡタイプの複数の接続電極が形成され、可変容量ダイオードは、回路パターンを介して接続電極に接続され、複数の接続電極の内の少なくとも一つの接続電極は、ベース基板の前記可変容量ダイオードの二つの端子の内の一方の端子の直下に形成されている、ことを特徴としている。
【００１７】
この構成では、電圧制御発振器の一方の端子のベース基板への実装位置と、このベース基板のマザー基板への実装位置が略一致するので、ベース基板がマザー基板に固定される位置に電圧制御発振器が実装される。
【００１８】
ここで、マザー基板に実装（固定）されたベース基板内の各位置と、マザー基板から伝搬される振動による各位置のでベース基板に作用する力（ストレス）との関係について、図８を参照して説明する。
【００１９】
図８（ａ）は電圧制御発振器等が形成されたベース基板を通信装置等のマザー基板に実装した状態を示す概略図であり、図８（ｂ）はベース基板内の位置による振動量（振幅）の大きさを示した概略図である。
図８に示すように、ベース基板１は、基板端部１ａ，１ｂでマザー基板２の所定位置に半田３により実装されている。
ここで、マザー基板２からベース基板１に加わる振動の周波数をω（＝２πｆ）とする。また、基板端１ａから距離Ｌ１の点をＡ点、距離Ｌ２の点をＢ点とし、これらＡ点、Ｂ点での振幅をＡA ，ＡB とする。
ベース基板１に振動が伝達されている、ある時点ｔでのＡ点での振動量ｘA 、Ｂ点での振動量ｘB とすると、
ｘA ＝ＡA ｓｉｎωｔ
ｘB ＝ＡB ｓｉｎωｔ
である。ここで、図８に示すように、Ｂ点はＡ点と比較して固定位置から離れているので振幅ＡB は振幅ＡA よりも大きくなる。
【００２０】
したがって、Ａ点、Ｂ点での振動により発生する加速度ａA ，ａB は、
ａA ＝−ＡA ω2 ｓｉｎωｔ＝−ω2 ×ｘA 
ａB ＝−ＡB ω2 ｓｉｎωｔ＝−ω2 ×ｘB 
となり、ベース基板１の重さをｍとすると、それぞれＡ点、Ｂ点に加わる振動（力）は、  ＦA ＝−ω2 ×ｘA ×ｍ
ＦB ＝−ω2 ×ｘB ×ｍ
となる。このようにベース基板１の各点に加わる振動は、基板端部からの距離、すなわち、ベース基板のマザー基板への固定点からの距離に比例して大きくなる。
【００２１】
このため、前述のようにベース基板１のマザー基板２への固定点と電圧制御発振器の可変容量ダイオードの実装位置が略一致することで、マザー基板２からの振動により、ベース基板の前記実装位置付近が振動することが抑制される。すなわち、電圧制御発振器の一端子および近傍の配線パターンへ加わる振動が抑制される。
【００２２】
また、この発明の高周波モジュールは、可変容量ダイオードの一方の端子の直下に形成されている接続電極が、回路パターンを介して、可変容量ダイオードと接続されている、ことを特徴としている。
【００２３】
この構成では、前述の振動を抑制するためのベース基板の接続端子をベース基板表面の他の接続端子と別に形成することで、可変容量ダイオードの実装位置に合わせて他の回路素子の実装位置や回路パターンを変更する必要がない。
【００２５】
この構成では、可変容量ダイオードが既存の配線パターンに応じて実装されるので、可変容量ダイオードの実装のためだけに大幅な配線パターンの変更を行わなくてもよい。
【００２６】
また、この発明の高周波モジュールは、可変容量ダイオードの一方の端子の直下に形成されている接続電極が、可変容量ダイオードの一方の端子を接地するための接地電極である、ことを特徴としている。
【００２７】
この構成では、可変容量ダイオードと接地との間の配線パターンが短くなり、この可変容量ダイオードと接地との間の配線パターンのインピーダンスが低下する。
【００２８】
また、この発明の高周波モジュールは、接地電極と可変容量ダイオードの一方の端子とを接続する回路パターンが、接地電極と、可変容量ダイオードの一方の端子と、を導通させる導電体を備えたスルーホールを含んで形成されている、ことを特徴としている。
【００２９】
この構成では、可変容量ダイオードの実装位置と接地端子との距離が略ベース基板の厚みのみになり、可変容量ダイオードと接地端子とを導通させる配線パターンの長さが短くなる。これにより、この可変容量ダイオードと接地との間の配線パターンのインピーダンスが低下する。
【発明の効果】
【００３０】
この発明によれば、ベース基板がマザー基板に固定される位置に電圧制御発振器が実装されるので、電圧制御発振器の端子からの配線パターンに振動が伝達されることが抑制される。これにより、スプリアス成分が発生せず、発振特性に優れる高周波モジュールを構成することができる。
【００３１】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードの実装位置に合わせて他の回路素子の実装位置や回路パターンを変更する必要がないので、高周波モジュールの設計自由度が向上する。
【００３２】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードの実装位置を考慮する以前の回路パターンを用いるので、可変容量ダイオードの実装のためだけに新たな回路パターンを設けなくてもよく、優れた発振特性でありながら小型の高周波モジュールを構成することができる。
【００３３】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードと接地との間の配線パターンが短くなり、この配線パターンのインピーダンスが低下するので、振動によるスプリアスの発生が抑制され、さらに優れた発振特性を備える高周波モジュールを構成することができる。
【００３４】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードの実装位置と接地端子との距離が略ベース基板の厚みのみになり、可変容量ダイオードと接地端子との距離が短くなるので、可変容量ダイオードと接地との間の配線パターンのインピーダンスが低下する。これにより、振動によるスプリアスの発生が抑制され、さらに優れた発振特性を備える高周波モジュールを構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。
図１は本実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、ベース基板１は、複数層の内部電極１０を備えた積層体であり、図７に示すような電圧制御発振器を含む高周波モジュールが構成されている。
【００３６】
また、ベース基板１の下面から側面にかけては接続電極１１が形成されており、この接続電極１１はマザー基板２の所定の実装ランド２１に半田３にて接合されている。これにより、ベース基板１に形成された高周波モジュールがマザー基板２に形成された他の機能回路に接続される。また、ベース基板１の下面には接地電極（図示せず）が形成されており、マザー基板２の接地用電極と接合され、マザー基板２を介して接地されている。
【００３７】
ここで、図７に示すように、高周波モジュールに備えられた電圧制御発振器は、共振回路と増幅回路とからなり、共振回路で設定される共振周波数の信号をトランジスタＴｒを含む増幅回路で帰還増幅して出力する。具体的な増幅回路の回路構成としては、前記トランジスタＴｒのベースが共振回路の出力部に接続され、エミッタが抵抗素子Ｒ２およびコンデンサＣ５をそれぞれ介して接地されるとともにコンデンサＣ６を介して出力端子に接続され、コレクタがインダクタＬ３を介して駆動電圧入力端子Ｖｃｃに接続されている。またトランジスタＴｒのエミッタ−ベース間には帰還用コンデンサＣ４が接続され、ベースと駆動電圧入力端子Ｖｃｃとの間にはベースバイアス電流供給用抵抗素子Ｒ１が接続されている。
【００３８】
一方、共振回路としては、コンデンサＣ２とインダクタＬ２との並列回路の一方端がコンデンサＣ３を介してトランジスタＴｒのベースに接続され、他方端が接地されている。また、コンデンサＣ２とインダクタＬ２との並列回路のコンデンサＣ３側はコンデンサＣ１を介して可変容量ダイオードＶＤのカソードに接続されており、この可変容量ダイオードＶＤのアノードが接地されている。さらに、可変容量ダイオードＶＤのカソードはインダクタＬ１を介してコントロール電圧入力端子Ｖｃｏｎが接続されている。そして、コンデンサＣ２、インダクタＬ２、および可変容量ダイオードＶＤの各素子定数（キャパシタンスまたはインダクタンス）を所定値に設定することで、所定周波数で共振する共振回路が形成される。
【００３９】
ここで、コントロール電圧入力端子Ｖｃｏｎから可変容量ダイオードＶＤに所定の逆電圧を印加することにより、可変容量ダイオードＶＤのキャパシタンスが変化する。このように可変容量ダイオードＶＤのキャパシタンスが変化することで、共振回路の共振周波数が変化する。これにより、コントロール電圧により出力する信号の周波数を調整することができる電圧制御発振器が構成される。
【００４０】
このような電圧制御発振器の各素子をベース基板１に実装したり、回路パターン電極で形成することで、高周波モジュールを構成する。具体的には、可変容量ダイオードＶＤ（図１における可変容量ダイオード１００）、トランジスタＴｒ（図示せず）を実装部品としてベース基板１上面に実装し、インダクタやコンデンサを実装部品または、内部電極パターンおよび上下面電極パターンにより形成する。また、可変容量ダイオード１００と接地電極とを接続する回路パターンは、ベース基板１の平面方向の領域において、この可変容量ダイオード１００の近傍に形成されている。さらに、可変容量ダイオード１００の接地側端子の水平方向の位置が接地電極の水平方向の位置と近傍になるように可変容量ダイオード１００が配置されている。ここで、近傍とはベース基板の厚みが０．５ｍｍ程度であった場合に２ｍｍ以内の範囲をいい、一般にベース基板の厚みの約４倍程度の範囲を示す。
【００４１】
ここで、ベース基板１の上面における可変容量ダイオード１００の一方の端子（接地側端子) の実装位置と水平方向に略同一位置の下面に接続電極１２が形成されており、この接続電極１２はマザー基板２上面の実装ランド２２に半田接合されている。これにより、可変容量ダイオード１００の一方の端子（接地側端子) の実装位置近傍が半田３により固定される。
【００４２】
このような構造とすることで、マザー基板２からの振動がベース基板１に伝達されていても、可変容量ダイオード１００の一方の端子（接地側端子）付近はマザー基板２に固定されているので、この付近の振動が抑制される。また、可変容量ダイオード１００と接地電極とを導通する電極パターンは、前述のようにこの可変容量ダイオードの端子付近に形成されているので、この電極パターンが形成された部分も振動が抑制され、前述の課題に示したような振動によるスプリアスの発生を防止することができる。
【００４３】
図２は振動印加時における高周波モジュール（電圧制御発振器）の発振特性を示し、（ａ）は本実施形態の高周波モジュールによる結果を、（ｂ）は従来の高周波モジュールによる結果を示す。
図２に示すように、従来の構造ではスプリアス成分が−１７．８３ｄＢ程度発生するが、本実施形態の構造を用いることにより−２９．６７ｄＢまで減衰させることができる。
【００４４】
これにより、所望周波数の信号のみを発振する発振特性に優れる電圧制御発振器を備えた高周波モジュール、すなわち、変調精度や受信感度の高い高周波モジュールを構成することができる。
【００４５】
なお、本実施形態では、ベース基板の側面からこの近傍の下面にかけてマザー基板への接続のための接続電極が形成された高周波モジュールを説明したが、図３に示すように、マザー基板への接続のための接続電極がベース基板の下面全体に配列された、いわゆるＬＧＡタイプの高周波モジュールにも前述の構成を適用することができ、前述のような効果を奏することができる。なお、図３は本実施形態の他の高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。この場合、ベース基板の下面全面に接続電極が複数配列形成されているので、既存の接続電極のいずれかに近接するように可変容量ダイオードを実装するように設計することが容易になるとともにで、図１に示したように可変容量ダイオード用の新たな接続電極を設けなくてもよい。これにより、高周波モジュールの形状を大きくすることなく、発振特性に優れる高周波モジュールを形成することができる。
【００４６】
また、図１、図３に示した高周波モジュールは、ベース基板上に可変容量ダイオードを実装する構造であるが、図４に示すように、可変容量ダイオードがベース基板内に形成されているような場合でも、前述の構成を適用することができ、前述の効果を奏することができる。なお、図４は本実施形態の他の高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。
【００４７】
次に、第２の実施形態に係る高周波モジュールについて図５を参照して説明する。
図５は本実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。
図５に示すように、ベース基板１は、内部電極１０および内部接地電極１０ａを所定層数備えた積層体であり、図７に示すような電圧制御発振器を含む高周波モジュールが構成されている。
【００４８】
また、ベース基板１の上下面から側面にかけては接続電極１１が形成されており、この接続電極１１をマザー基板２の所定ランドに半田３にて接合する。これにより、ベース基板１に形成された高周波モジュールがマザー基板２に形成された他の機能回路に接続される。
【００４９】
ここで、ベース基板１の一方の端面から下面及び上面に形成された接続電極１１（１１ａ）は接地電極であり、マザー基板２の接地電極２１ａに接合されている。この接地電極１１ａには可変容量ダイオード１００の一方の端子（アノード）が接続されており、この可変容量ダイオード１００の他方の端子（カソード）はベース基板１上に形成された、図７におけるコンデンサＣ１とインダクタＬ１との接続点となる配線パターン電極に接続されている。
【００５０】
また、接地電極１１ａの上面部と下面部とで、可変容量ダイオード１００の実装用電極の近傍には、接地電極１１ａの上面部と下面部とを導通する導電体を充填したスルーホール１３が形成されており、このスルーホール１３は中間接地電極１０ａにも導通している。
【００５１】
このような構成とすることで、可変容量ダイオードの一方の端子と接地との間の配線パターンの距離が実質的に非常に短くなるので、この配線パターンのインピーダンスＺ（＝Ｒ０＋Ｌ０）が小さくなり、振動によるインダクタンスＬ０の変化が非常に小さくなる。これにより振動によるスプリアス成分の発生が抑制される。
【００５２】
次に、第３の実施形態に係る高周波モジュールについて図６を参照して説明する。
図６は本実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。
図６に示すように、ベース基板１は、内部電極１０および内部接地電極１０ａを所定層数備えた積層体であり、図７に示すような電圧制御発振器を含む高周波モジュールが構成されている。
【００５３】
また、ベース基板１の下面には複数の接続電極１１が配列形成されており、この接続電極１１がマザー基板２に形成された各実装ランド２１に半田３にてそれぞれ接合されている。ここで、接続電極１１ａは接地電極であり、マザー基板２の接地用ランド２１ａに接合されている。
【００５４】
また、ベース基板１の上面には所定の回路パターンが形成されており、前記接地電極１１ａに対して水平方向に近傍の位置には可変容量ダイオード１００の一方の端子を実装するための電極が形成されており、この電極に可変容量ダイオード１００の前記一方の端子が半田３にて接合されている。この可変容量ダイオード１００の他方の端子は、ベース基板１上に形成された図７におけるコンデンサＣ１とインダクタＬ１との接続点となる回路電極に接続されている。
【００５５】
また、可変容量ダイオード１００の一方の端子が接合される電極は、ベース基板１に形成されたスルーホール１４により、接地電極１１ａおよび内部接地電極１０ａに導通されている。
【００５６】
このような構成とすることで、ベース基板１の下面に形成された接地電極１１ａと可変容量ダイオード１００の一方の端子とが水平方向に略同一位置に存在するので、可変容量ダイオード１００の一方の端子とこの端子から接地電極に導通する配線パターンがマザー基板２からの振動の影響を受けにくくなる。これにより、振動によるスプリアス成分の発生が抑制される。さらに、ベース基板１の下面に形成された接地電極１１ａおよび内部接地電極１０ａと可変容量ダイオード１００の一方の端子との間の配線パターンの長さが短くなるので、可変容量ダイオードの端子から接地までの配線パターンのインピーダンスが小さくなり、振動によるインダクタンスの変化量が抑制され、より一層振動によるスプリアス成分の発生を抑制することができる。
【００５７】
なお、前述の第５、第６の実施形態では、可変容量ダイオードの実装用の電極と接地電極とがスルーホールにより直接導通されているが、前記二つの電極の水平方向の位置は近傍に配置されればよい。例えば、基板厚が０．５ｍｍであれば、基板厚の４倍程度の２ｍｍ以内であれば、上述の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１の実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図
【図２】図１に示した高周波モジュール（電圧制御発振器）の振動印加時の発振特性図
【図３】第１の実施形態に係る他の高周波モジュールの概略構成を示す断面図
【図４】第１の実施形態に係る他の高周波モジュールの概略構成を示す断面図
【図５】第２の実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図
【図６】第３の実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す断面図
【図７】電圧制御発振器の一例を示す回路図
【図８】電圧制御発振器が形成された高周波モジュールのベース基板を通信装置等のマザー基板に実装した状態を示す概略図、および高周波モジュール基板内の位置による振動量（振幅）の大きさを示した概略図
【符号の説明】
【００５９】
１−ベース基板
１ａ，１ｂ−ベース基板１の端面
１０−内部電極層
１０ａ−内部接地電極層
１１，１２−ベース基板１の接続電極
１１ａ−ベース基板１の接地電極
１３，１４−スルーホール
２−マザー基板
２１，２２−実装ランド
２１ａ−接地用ランド
３−半田
１００−可変容量ダイオード
【図１】
0004815741.tif 000002
【図２】
0004815741.tif 000003
【図３】
0004815741.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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