(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状汚染物質と放電阻害物質が共存した浄化すべきガスを導入するためのガス入口と、浄化後のガスを排出するためのガス出口を備えたケーシング内のガス通路に、コロナ放電極とこれに対向した対向電極を相互に絶縁の上配設したコロナ電極系反応器と、  該コロナ放電極と対向電極との間にパルス巾の極めて短い極短パルス高電圧を印加するための高圧極短パルス電源を有し、  極短パルス高電圧をコロナ電極系反応器に給電することで放電を発生させ、コロナ放電電力をガスに注入することでガス状汚染物質を除去するガス浄化装置、を用いるガス浄化方法において、
前記コロナ電極系反応器のコロナ放電極と対向電極の距離（放電距離）をｄ（ｃｍ）とした場合、
コロナ電極系反応器に注入する放電電力を１回の極短パルス高電圧につきコロナ放電線の単位電極長当り、ｄ／２００（Ｊ）以上で、ｄ／５（Ｊ）以下とし、
該放電電力の９０％以上がパルス印加後１００ｄ（ナノ秒）以内に注入されるとともに、
１００ｄ（ナノ秒）以降にコロナ放電極と対向電極間に残留する電圧が５ｄ（ｋＶ）以下とし
コロナ電極系反応器とパルス電源のパルス形成回路と極短パルス高電圧給電方法の構成を選ぶことで、スパーク頻発を防止するとともにガス浄化性能を確保することを特徴とする極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項２】
パルス印加回数を毎秒２００／ｄ（回）以上２０，０００／ｄ（回）以下とすることを特徴とする請求項１記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項３】
コロナ電極系反応器、高圧配線、もしくは高圧極短パルス電源にパルス電圧とパルス電流のいずれか１つ、または両方を計測する手段を具備することを特徴とする請求項１、又は、２記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項４】
コロナ放電がリーダ、スパーク、アークなどによる電極間短絡が発生したことを、パルス電圧の異常低下、もしくは、パルス電流の異常電流値で検出することを特徴とする請求項３記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項５】
コロナ放電がリーダ、スパーク、アークなどによる電極間短絡が発生したことを検出するために、電極間短絡により生ずる閃光、音を検出するセンサーをコロナ電極系反応器に設置したことを特徴とする請求項１、２、３、又は、４記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項６】
該電極間短絡が発生した時に休止時間ｔ１（秒）の間極短パルス高電圧のコロナ放電極への印加を停止させる制御回路を具備した高圧極短パルス電源を用いることを特徴とする請求項４、又は、５記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項７】
一定時間Ｔ１（秒）にＮ（回）以上の該電極間短絡を検出した場合に休止時間ｔ１（秒）の間極短パルス高電圧のコロナ放電極への印加を停止させる制御回路を具備した高圧極短パルス電源を用いることを特徴とする請求項４、又は、５記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項８】
ｔ１（秒）の休止時間の後に最初の極短パルス高電圧のコロナ放電極への印加で再度該電極間短絡が発生した場合、ｔ１以上の休止時間ｔ２（秒）をおくような制御回路を具備した高圧極短パルス電源を用いることを特徴とする請求項６、又は、７記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項９】
前記ガス浄化装置の上流にコロナ放電による反応に適したガス温度にするための調温装置、及び／または、コロナ放電を安定に行わせるため前処理装置を具備することを特徴とする請求項１、２、３、４，５，６、７、又は、８記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１０】
調温装置が、ガス―ガス熱交換器、水スプレー減温塔、ヒーターやバーナーによる加熱装置であることを特徴とする請求項９記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１１】
前処理装置が、バグフィルター、電気集塵装置、ミストセパレータなどの粒子状物質除去装置であることを特徴とする請求項９記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１２】
前記ガス浄化装置の上流に窒素酸化物、硫黄酸化物、ダイオキシン、揮発性有機物、悪臭等のガス状汚染物質をコロナ放電による酸化を促進するためにプロパン、ブタンなどの炭化水素ガス、及び／または、オゾンや過酸化水素などの酸化剤を添加する事を特徴とする請求項１、２、３、４，５，６，７，８，９、１０、又は、１１記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１３】
前記ガス浄化装置の下流に窒素酸化物、硫黄酸化物、ダイオキシン、揮発性有機物等のガス状汚染物質の酸化、及び／または、還元反応を促進するための反応促進層を設けたことを特徴とする請求項１、２、３、５，６，７，８，９，１０、１１、又は、１２記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１４】
反応促進層が、触媒、活性炭、添着炭、触媒担持活性炭、ゼオライト、誘電体ペレット、誘電体ファイバー、金属ペレット、金属ファイバーなどの表面反応場を提供するための材料を充填した充填層であることを特徴とする請求項１３記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１５】
反応促進層が、水酸化カルシウムや水酸化マグネシウムなどの水溶液やスラリーを散布するスプレー塔であることを特徴とする請求項１３記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【請求項１６】
反応促進層が、反応時間を提供するためのダクトや空間であることを特徴とする請求項１３記載の極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ゴミ焼却施設、ボイラー、焼結炉、塗装ブース、排水処理施設等からの排ガス中に含まれる窒素酸化物、硫黄酸化物、ダイオキシン、揮発性有機物、悪臭等のガス状汚染物質を除去するための極短パルス高電圧加電式ガス浄化方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置は、その浄化装置における高圧極短パルス電源のパルス巾を１μｓ以下とし、０℃・１気圧におけるガスの密度を１としたときの前記ガスを浄化する際の温度・気圧におけるガスの相対密度をｄとした際、印加する極短パルス高電圧の波高値電圧Ｖｐを、前記コロナ放電極と対向電極間に、化学的活性種（ラヂカル）を大量に発生せしめるための臨界の値を示す該コロナ放電極と、該対向電極間の距離的平均電界強度をＥｐ0とすると、Ｅｐ0＝８ｄ（ｋＶ／ｃｍ）以上となるようにしている（特許第２６４９３４０）。しかし、排ガスの組成、特に、排ガス中の水分濃度の影響でパルスを印加することで発生するコロナ放電が阻害されることになり、放電によりガスに注入する電力が低下する。
【０００３】
また、放電電力を上げようとパルス電圧を上げると、残留する電圧でスパークが発生し、結局放電電力を上げられなかった。
【０００４】
その結果、ガス状汚染物質をコロナ放電で処理するための十分な放電電力が注入できず、処理性能が劣化してしまった。
【０００５】
特に、スパークの頻発を防止するための手段を具備しない場合、スパークがより強烈になり、パルスを印加する度にスパークが発生してしまい、運転不能となってしまう。
【０００６】
また、処理すべきガスをそのまま放電部に導入した場合、放電電力を大きく保たないと処理性能が得られず、電気代などのランニングコストが大きかった。
【０００７】
また、パルス印加回数を増やすことで、コロナ電極系反応器の単位体積当たりの処理ガス量を増やすと排ガスの反応器での滞留時間（通過時間）を短くすることができるが、滞留時間が短いため、ガス状汚染物質の種類によっては酸化分解反応が十分進行しない場合があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、前述の極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置で排ガス中のガス状汚染物質を十分浄化できる放電電力を確保しつつ、その排ガス中の水分などの放電阻害物質が存在してもスパークなどを発生させないで安定に運転し、高い浄化性能を得ることである。
【０００９】
他の目的は、前記排ガス中に印加する放電電圧を上げる際、該排ガス浄化装置中に残留する電圧によって発生するスパークに妨げられない臨界点まで上げて、ガス状汚染物質をコロナ放電で処理するに充分な放電電力が注入できるようにすることである。
【００１０】
又、他の目的は、前記極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置において、特にスパークの発生防止装置を設けなくても、前記パルス高電圧を印加する度に発生するスパークによって運転を不能にする恐れがないようにすることである。
【００１１】
更に他の目的は、処理すべき排ガスを放電部に導入するに排ガスを調温、前処理、酸化剤添加を行うことで、単位排ガス流量に注入する放電電力を小さくしても充分な処理性能を得られるようにして、そのランニングコストを低下することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明の極端パルス高電圧加電式ガス浄化方法は、ガス状汚染物質と放電阻害物質が共存した浄化すべきガスを導入するためのガス入口と、浄化後のガスを排出するためのガス出口を備えたケーシング内のガス通路に、コロナ放電極とこれに対向した対向電極を相互に絶縁の上配設したコロナ電極系反応器と、  該コロナ放電極と対向電極との間にパルス巾の極めて短い極短パルス高電圧を印加するための高圧極短パルス電源を有し、極短パルス高電圧をコロナ電極系反応器に給電することで放電を発生させ、コロナ放電電力をガスに注入することでガス状汚染物質を除去するガス浄化装置、を用いるガス浄化方法において、前記コロナ電極系反応器のコロナ放電極と対向電極の距離（放電距離）をｄ（ｃｍ）とした場合、コロナ電極系反応器に注入する放電電力を１回の極短パルス高電圧につきコロナ放電線の単位電極長当り、ｄ／２００（Ｊ）以上で、ｄ／５（Ｊ）以下とし、該放電電力の９０％以上がパルス印加後１００ｄ（ナノ秒）以内に注入されるとともに、１００ｄ（ナノ秒）以降にコロナ放電極と対向電極間に残留する電圧が５ｄ（ｋＶ）以下とし、コロナ電極系反応器とパルス電源のパルス形成回路と極短パルス高電圧給電方法の構成を選ぶことで、スパーク頻発を防止するとともにガス浄化性能を確保するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１に示す如く、浄化前の排ガス１を導入するためのガス入口２と、浄化後の排ガスを排出するためのガス出口３を備えたケーシング４内のガス通路５に、コロナ放電極６とこれに対向する対向電極７を相互に絶縁して配設し、該ケーシング４の外部からコロナ放電極６に給電するためのブッシング９を具備したコロナ電極系反応器１１と、該コロナ放電極６と対向電極７との間にパルス巾の極めて短い極短パルス高電圧Ｖｐを印加するための高圧極短パルス電源１０を設けたガス浄化装置において、前記コロナ放電電極６と対向電極７の距離（放電距離）をｄ（ｃｍ）とした場合に、コロナ放電を発生させる際、コロナ電極系８に注入する放電電力Ｐを１回の極短パルス高電圧Ｖｐにつき、コロナ放電極６の単位電極長当りｄ／２００（Ｊ）以上で、ｄ／５（Ｊ）以下とし、かつ、該放電電力Ｐの９０％以上がパルス印加後１００ｄ（ナノ秒）以内に注入するとともに、それ以後にコロナ放電極６と対向電極７間に残留する電圧を５ｄ（ｋＶ）以下とするものである。
【００１４】
また上記コロナ電極系反応器１１は、図１に示す如く、四角形の箱状を形成しており、その手前側にガス出口３を、後側にガス入口２を設け、そのガス入口２から浄化前の排ガス１を供給し、ガス出口３から浄化後の浄化ガス１２を排出するものである。
【００１５】
勿論、コロナ電極系反応器１１の形状は四角形の箱状のみならず、円筒構造など、任意の形状のものでよい。
【００１６】
前記コロナ電極系反応器１１には、カバーダクト１３を介して前記高圧極短パルス電源１０を設け、その高圧極短パルス電源１０内にパルス形成回路１４を設け、その出力側にパルス電流検出器１５及びパルス電圧検出器１６を順次接続すると共に、該パルス電流検出器１５の出力側と前述のコロナ放電極６とを電線ブッシング１７及び前記ブッシング９とを貫通する高圧配線１８で接続する。
【００１７】
図１に示す如く、コロナ放電極系反応器１１の底部内面には、支持碍子１９，２０を、上部内面には、光検出器２１と音検出器２２及び支持碍子２３を夫々設け、更に該コロナ放電極系反応器１１のガス入口２には図８の排ガス１の排ガスダクト２６を、ガス出口３には図８の浄化ガスダクト２９を設ける。
【００１８】
図２中のｄは、直線状のコロナ放電極６と平板状の対向電極７とからなるコロナ電極系８における放電距離であるが、本発明のコロナ放電極系８は、この実施の形態だけに限定されるものでなく、図３に示す如く、直線状のコロナ放電極６ａとその外周に放電距離ｄを隔てて同心的に配置した円筒状の対向電極７ａとからなるコロナ放電極系８ａにしたり、或いは図４に示す如く、直線状のコロナ放電極６ａとその外周に放電距離ｄを隔てて配置した多角形筒状対向電極７ｂとを放電距離ｄを隔てて配置したコロナ放電極系８ｂにすることも可能である。
【００１９】
図１の極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置において、パルス形成回路１４の出力側からコロナ放電極系８に対し、パルス巾の極めて短い極短パルス高電圧Ｖｐを印加するが、極短パルスの電圧波形ならびに電流波形は、パルス形成回路１４の構成、極短パルス高電圧供給方法、コロナ放電極系８の構成、排ガスの温度と性状に大きく影響される。
【００２０】
しかしながら、排ガスの温度と性状に拘わらず、極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置においてもコロナ放電電極６と対向電極７の距離（放電距離）をｄ（ｃｍ）とした場合に、コロナ放電を発生させる際、コロナ電極系８に注入する放電電力Ｐを１回の極短パルス高電圧Ｖｐにつき、コロナ放電極６の単位電極長当りｄ／２００（Ｊ）以上で、ｄ／５（Ｊ）以下とし、かつ、該放電電力Ｐの９０％以上がパルス印加後１００ｄ（ナノ秒）以内に注入するとともに、それ以後にコロナ放電極６と対向電極７間に残留する電圧を５ｄ（ｋＶ）以下とするようにパルス形成回路１４の構成、極短パルス高電圧供給方法、コロナ放電極系８の構成を選ぶことでスパーク頻発を防止し、かつ、ガス浄化性能が達成されることを見いだした。
【００２１】
すなわち、図５においてパルス電圧波形Ｖ（ｔ）、パルス電流波形Ｉ（ｔ）、とすると、時間累積放電電力Ｐ（ｔ）は、
【数１】
0004828693.tif 000002
で表現されるが、このＰ（ｔ）は急速に立ち上がった後、ほぼ平坦な一定の値になる。このほぼ一定になった値を１パルスあたりの放電電力とする。この１パルスあたりの放電電力を放電線長（ｍ）で割った値がｄ／２００（Ｊ）以上、ｄ／５（Ｊ）以下とし、かつ、Ｐ（ｔ）が１パルスあたりの放電電力の９０％になるのに要する時間を１００ｄ（ナノ秒）以下とし、さらに、１００ｄ（ナノ秒）後のＶ（ｔ）の値、Ｖ（１００ｄ）を５ｄ（ｋＶ）以下とするわけである。
【００２２】
ここで、ｄが大きい程、コロナ放電極の単位電極長当たりの放電電力は大きくでき、処理できる排ガス量も大きくできるが、必要な極端パルス高電圧Ｖｐの波高値も大きくする必要があり、処理ガスの種類と量に応じたｄを選択する必要がある。また、極短パルス高電圧Ｖｐの立ち上がり時間をできる限り小さくすることでＰ（ｔ）が１パルスあたりの放電電力の９０％になるのに要する時間を１００ｄ（ナノ秒）以下とすることが可能となるが、ｄが小さいほど立ち上がり時間を小さくし放電をすばやく終了させないと、スパークなどの電極間短絡に移行しやすい。また、極短パルス高電圧Ｖｐの保有するエネルギーと放電の強度により残留するパルス電圧は変化するが、１００ｄ（ナノ秒）後のＶ（ｔ）の値、Ｖ（１００ｄ）を５ｄ（ｋＶ）以下とすると、スパークなどの電極間短絡を防止できる。
【００２３】
特に、図５に示すバイアス電圧を制御することで前記諸条件を満足させつつＶ（１００ｄ）＝５ｄ（ｋＶ）以下とすることができる。
【００２４】
パルス印加回数は多いほどコロナ放電極系反応器を小さくできるが、コロナ放電終了後も放電空間に残留するイオンが緩和（再結合や電極に吸収によって消滅）されないと次の極短パルス高電圧Ｖｐが印加された場合に正常なコロナ放電が発生せず、スパークに至りやすい。そのため、極短パルス高電圧Ｖｐの印加を毎秒２００／ｄ（回）以上２０，０００／ｄ（回）以下とすると残留イオンは緩和され、スパークを抑制できる。
【００２５】
前述のように排ガス中のガス状汚染物質を十分浄化できる放電電力を確保しつつ、その排ガス中の水分などの放電阻害物質が存在してもスパークなどを発生させないような構成としても、排ガス処理においては偶発的なスパークなどの電極間短絡はさけれれない。そこで、まずリーダ、スパーク、アークなどによる電極間短絡を検出するために図１のパルス電流検出器１５やパルス電圧検出器１６のいずれか１つ、もしくは、両方を高圧極短パルス電源１０に設けると良い。勿論、高圧極短パルス電源１０の外部の電源ブッシング１７とブッシング９の間の高圧配線やコロナ電極系反応器１１に設けることも可能である。リーダ、スパーク、アークなどによる電極間短絡が発生すると、その瞬間にパルス電圧が瞬時に低下し０となったり、異常に高いパルス電流が観測され、電極間短絡を検出することができる。
【００２６】
その他の電極間短絡検出法として電極間短絡によって発生する閃光や音を認識する方法がある。例えば、図１の光検出器２１や音検出器２２をコロナ電極系反応器１１に設置し、電極間短絡によって正常運転時の放電光よりはるかに強く発生する閃光を検出したり、電極間短絡によって正常運転時の放電音よりもはるかに大きく発生する衝撃音を検出することができる。
【００２７】
リーダ、スパーク、アークなどによる電極間短絡直後に極短パルス高電圧Ｖｐの印加を通常設定の間隔、すなわち、図６のｔで行うと再度電極間短絡が発生する場合が多い。電極間短絡はリーダによる軽度、つまり、電極間短絡を生じせしめているプラズマチャンネルのプラズマ温度が比較的低い段階から、スパーク、アークと強力な電極間短絡になるにつれ、プラズマチャンネルのプラズマ温度は高くなり導電性経路がガス中に形成されてしまう。その結果、極短パルス高電圧Ｖｐを印加する度にアークが発生する傾向が強まる。そこで、図６に示すが如く、短絡が発生した場合、それを前記検出手段で検出し、通常設定間隔ｔよりも大きい休止期間ｔ１（秒）の間極短パルス高電圧Ｖｐの印加を停止する。この休止期間ｔ１（秒）を設けることでこのプラズマチャンネルのプラズマ温度が比較的低い段階で、完全にプラズマチャンネルが冷却されるわけである。さらに、安全策として、休止期間ｔ１（秒）の直後の極短パルス高電圧Ｖｐで再度電極間短絡が発生すると、ｔ１（秒）以上の休止期間ｔ２（秒）を設けて連続する電極間短絡を防止するわけである。
【００２８】
また、継続して電極間短絡が発生することを防止する方法として、図７に示すように一定の期間Ｔ１（秒）にＮ（回）以上の電極間短絡を検出した場合にｔ１（秒）休止させる方法もある。この場合、図６の場合と同様に安全策として、休止期間ｔ１（秒）の直後の極短パルス高電圧Ｖｐで再度電極間短絡が発生すると、ｔ１（秒）以上の休止期間ｔ２（秒）を設けて連続する電極間短絡を防止すればよい。
【００２９】
極短パルス高電圧Ｖｐを印加してガス処理を行う場合、コロナ放電系反応器１１での、コロナ放電特性の改善ならびにコロナ放電で発生するラジカルの増大を計るために、コロナ放電極系反応器１１の前段に、調温装置２４や前処理装置２５、添加ガス注入装置２７を置くと良い。
【００３０】
例えば、ガス状ダイオキシン類の分解ではガス温度は１５０℃〜２３０℃程度の酸露点以上でガス温度で処理することが高効率で分解できることがわかっている。そのため、排ガスの温度をガス−ガス熱交換器、水スプレー減温塔などの調温装置２４で冷却すれば良い。また、浄化槽やばっき槽からの排ガス中の悪臭などを分解除去する場合、排ガス中の湿度が高くそのまま、コロナ放電極系反応器１１に導入すると結露し、電極間短絡が発生したり悪臭が露に吸着してしまう場合があるが、この場合にはヒーターやバーナーを調温装置２４として用いて排ガスを加熱すれば良い。
【００３１】
また、排ガス中に粒子状物質が存在する場合には、スパークなどの電極間短絡が発生しやすくなる。そこで、前処理装置２５としてバグフィルター、電気集塵装置、ミストセパレータなどを置いて粒子状物質を除去した後に、排ガスをコロナ電極系反応器１１に導入すると良い。
【００３２】
さらに、プロパンやブタンなどの炭化水素ガスを添加ガス注入装置２７より、コロナ放電極系反応器１１の前段で排ガスに注入するとＯＨラジカルの生成が促進され、コロナ放電極系反応器１１で投入する排ガス単位流量当たりの放電電力（ｋｗｈ／Ｎｍ3）を小さくできる。すなわち、同じ極短高圧パルス電源１４とコロナ放電極系反応器１１を用いても処理できる排ガス量を大幅に増大することが可能である。
【００３３】
また、処理すべきガス状汚染物質の種類によっては、オゾンや過酸化水素などの酸化剤を投入し、コロナ放電極系反応器１１で生成されるラジカルとの共存状態で処理する方が、コロナ放電極系反応器１１による単独処理よりも経済的である場合がある。すなわち、ラジカルによる非常に短い時間の反応と前記酸化剤の比較的長い時間の反応を共存させる効果が得られる。その結果、極短高圧パルス電源１４とコロナ放電極系反応器１１を小さくできると同時に、使用する電気料を低減できる。
【００３４】
コロナ放電極系反応器１１でのガス状汚染物質とラジカルとの反応は気相反応であるため反応定数は大幅に大きくすることが難しい。そこで、コロナ放電極系反応器１１の下流に酸化／還元反応を促進するための反応促進層３０を設けることで、ガス状汚染物質の分解・除去性能を向上させると良い。
【００３５】
この反応促進層３０として、触媒、活性炭、添着炭、触媒担持活性炭、ゼオライト、誘電体ペレット、誘電体ファイバー、金属ペレット、金属ファイバーなどの表面反応場を提供するための材料を充填した充填層などを用いることができる。
また、水酸化カルシウムや水酸化マグネシウムなどの水溶液やスラリーを散布するスプレー塔を反応促進層３０とすることも可能である。
【００３６】
さらに、対象とするガス状汚染物質の種類、例えば、ジベンゾフランやＰＣＢなどを処理する場合には、反応促進層３０を単に、反応時間を提供するためのダクトや空間としても良い。
【００３７】
【発明の効果】
本発明は上述のとおりコロナ放電を発生させることで、コロナ電極系に注入する放電電力を１回の極短パルス高電圧につきコロナ放電線の単位長当りｄ／２００（Ｊ）以上ｄ／５（Ｊ）以下とし、かつ、該放電電力の９０％以上がパルス印加後１００ｄ（ナノ秒）以内に注入されるとともに、それ以後にコロナ放電極と対向電極間に残留する電圧が５ｄ（ｋＶ）以下となるようにしているので、  排ガス中のガス状汚染物質を十分浄化できる放電電力を確保しつつ、その排ガス中の水分などの放電阻害物質が存在してもスパークなどを発生させないで安定に運転し、高い浄化性能を得ることができる。
また、バイアス電圧を変化させることで、コロナ放電極系８に残留する電圧により発生するスパークなどの電極間短絡により妨げられない臨界点まで印可する放電電圧を上げて、十分な放電電力を注入することができる。
また、偶発的なスパーク発生時には休止期間の後に極短パルス高電圧Ｖｐの印加を再開するため、継続して電極間短絡が発生することを防止できるため、安定な運転を行うことができる。
さらに、調温装置、前処理装置、添加ガス注入装置、反応促進層などをコロナ放電極系反応器と組み合わせることにより浄化性能の向上を図ると共に、放電電力低減に繋がり電気代などのランニングコストを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の極短パルス高電圧加電式ガス浄化装置の実施の形態を示す正面図である。
【図２】図１の一部分の斜面図である。
【図３】図２に相当する部分の他の実施の形態を示す斜面図である。
【図４】図３に相当する部分の他の実施の形態を示す斜面図である。
【図５】図１のガス浄化装置に加電する極短パルス高圧電源のパルス電圧波形（Ｖｔ）、パルス電流波形Ｉ（ｔ）及び時間累積放電電力Ｐ（ｔ）の加電時間に対する変化を示す曲線図である。
【図６】図１のガス浄化装置の極短パルス高圧電源の加電時間に対するパルス電圧変化を示す線図である。
【図７】図６の他の状態を示す線図である。
【図８】図１のガス浄化装置の使用状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１      排ガス
２      ガス入口
３      ガス出口
４      ケーシング
５      ガス通路
６      コロナ放電極
７      対向電極
８      コロナ放電系
９      ブッシング
１０      高圧極短パルス電源
１１      コロナ電極系反応器
１２      浄化ガス
１４      パルス形成回路
１５      パルス電流検出器
１６      パルス電圧検出器
１７      電線ブッシング
１８      高圧配線
１９      支持碍子
２０      支持碍子
２１      光検出器
２２      音検出器
２３      支持碍子
２４      調温装置
２５      前処理装置
２６      排ガスダクト
２７      添加ガス注入装置
２８      添加ガス注入
２９      浄化ガスダクト
３０      反応促進層
３１      ブロワー
３２      スタック
３３      清浄ガス
【図１】
0004828693.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004828693.tif 000009
【図８】
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