(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサー層と、
前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される２つの磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、
前記スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、
前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成され、
前記第１の非磁性金属層は、Ｃｕから構成され、
前記第２の非磁性金属層は、実質的にＺｎから構成されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記２つの磁性層は、磁化固定層およびフリー層であり、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）であって、
前記フリー層は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能してなる請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
前記第１の非磁性金属層は前記磁化固定層と接し、かつ、
前記第２の非磁性金属層は前記フリー層と接するように、前記スペーサー層が配置されてなる請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記第１の非磁性金属層は前記フリー層と接し、かつ、
前記第２の非磁性金属層は前記磁化固定層と接するように、前記スペーサー層が配置されてなる請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
前記第１の非磁性金属層の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍであり、前記第２の非磁性金属層の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍであり、前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さは、１．０〜４．０ｎｍである請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
前記第２の非磁性金属層は、Ｚｎの単層、ＺｎとＧａとの合金層、あるいはＺｎとＧａＯとの積層体から構成されてなる請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
磁気抵抗効果素子の面積抵抗が、０．１〜０．３Ω・μｍ2である請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
前記スペーサー層の導電率が、１３３〜４３２（Ｓ／ｃｍ）である請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された請求項１ないし請求項８のいずれかに記載された磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の積層方向に電流を流すための一対の電極と、
を有してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
請求項９に記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み取るためのＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子、その磁気抵抗効果素子を備える薄膜磁気ヘッド、ならびにその薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能の向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板に対して、読み出し専用の磁気抵抗効果素子（以下、単にＭＲ（Magneto-resistive）素子と簡略に記すことがある）を有する再生ヘッドと、書き込み専用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと、を積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く使用されている。
【０００３】
ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗(Anisotropic Magneto-resistive)効果を用いたＡＭＲ素子や、巨大磁気抵抗(Giant Magneto-resistive)効果を用いたＧＭＲ素子や、トンネル磁気抵抗(Tunnel-type Magneto-resistive)効果を用いたＴＭＲ素子等が挙げられる。
【０００４】
再生ヘッドの特性としては、特に、高感度で高出力であることが要求される。このような要求を満たす再生ヘッドとして、既に、スピンバルブ型ＧＭＲ素子を用いたＧＭＲヘッドが量産されている。また、近年では面記録密度のさらなる向上に応じてＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドの量産も行なわれている。
【０００５】
スピンバルブ型ＧＭＲ素子は、一般に、非磁性層と、この非磁性層の一方の面に形成されたフリー層と、非磁性層の他方の面に形成された磁化固定層と、非磁性層とは反対に位置する側の磁化固定層に接して形成されたピンニング層（一般には反強磁性層）とを有している。フリー層は外部からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化するよう作用する層であり、磁化固定層は、ピンニング層（反強磁性層）からの交換結合磁界によって、磁化の方向が固定される層である。
【０００６】
ところで、従来のＧＭＲヘッドは、磁気的信号検出用の電流（いわゆる、センス電流）を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して平行な方向に流す構造、すなわち、ＣＩＰ(Current In Plane)構造が主流となっていた（ＣＩＰ−ＧＭＲ素子）。これに対して、センス電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して垂直方向（積層方向）に流す構造、すなわち、ＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)構造のＧＭＲ素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）も次世代の素子として開発が進められている。
【０００７】
前述したＴＭＲ素子も電流を流す方向のみからの分類でいえば、ＣＰＰ構造の範疇に入っている。しかしながら、ＴＭＲ素子の積層膜構成および検出原理は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子のそれらとは、異なる。すなわち、ＴＭＲ素子は、一般には、フリー層と、磁化固定層と、これらの間に配置されたトンネルバリア層と、磁化固定層のトンネルバリア層と接する面とは反対側の面に配置された反強磁性層とを有している。トンネルバリア層は、トンネル効果によりスピンを保存した状態で電子が通過できる非磁性絶縁層である。それ以外の層、例えば、フリー層、磁化固定層、および反強磁性層は、スピンバルブ型ＧＭＲ素子に用いられるものと基本的に同様であるといえる。
【０００８】
ところで、ＴＭＲ素子を再生ヘッドに用いる場合には、ＴＭＲ素子の低抵抗化が要求される。その理由は以下のとおりである。つまり、磁気ディスク装置では、記録密度の向上とデータ転送レートの向上が要求されており、それに伴い、再生ヘッドには高周波応答性が良いことが要求される。ところが、ＴＭＲ素子の抵抗値が大きいと、ＴＭＲ素子およびそれに接続される回路において発生する浮遊容量が大きくなり、再生ヘッドの高周波応答特性が低下してしまう。そのため、ＴＭＲ素子には、必然的に素子の低抵抗化が要求されるのである。
【０００９】
一般的に、ＴＭＲ素子の低抵抗化のためには、トンネルバリヤ層の厚みを小さくすることが有効である。しかしながら、トンネルバリア層の厚みを小さくし過ぎると、トンネルバリア層に多くのピンホールが生じることによって、ＴＭＲ素子の寿命が短くなったり、フリー層と磁化固定層との間で磁気的な結合が生じることによって、ノイズの増大やＭＲ比の低下といったＴＭＲ素子の特性の劣化が生じたりするという問題が発生する。ここで、再生ヘッドにおいて発生するノイズをヘッドノイズと言う。ＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドにおけるヘッドノイズには、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドでは発生しないノイズ成分であるショットノイズが含まれる。そのため、ＴＭＲ素子を用いた再生ヘッドでは、ヘッドノイズが大きいという問題がある。
【００１０】
この一方で、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子では、十分に大きなＭＲ比が得られないという問題点がある。その原因としては、非磁性導電層と磁性層との界面や、非磁性導電層中において、スピン偏極電子が散乱されてスピン情報を失ってしまうためと考えられる。
【００１１】
また、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子では、抵抗値が小さいため、抵抗変化量も小さくなる。そのため、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を用いて大きな再生出力を得るためには、素子に印加する電圧を大きくする必要がある。しかし、素子に印加する電圧を大きくすると、以下のような問題が発生する。つまり、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子では、各層の面に対して垂直な方向に電流が流される。すると、フリー層から磁化固定層へ、あるいは磁化固定層からフリー層へスピン偏極電子が注入される。このスピン偏極電子は、フリー層、または磁化固定層において、それらの磁化を回転させるトルク（以下、スピントルク）を発生させる。このスピントルクの大きさは電流密度に比例する。ＣＰＰ−ＧＭＲ素子に印加する電圧を大きくすると、電流密度が増加し、その結果、スピントルクが大きくなる。スピントルクが大きくなると磁化固定層の磁化の方向が変化してしまうという問題や、フリー層が外部磁界に対して自由に磁化方向を変えることができないという問題が発生する。
【００１２】
このような問題点を解決するために、本願出願人は、すでに、特願２００６−２７５９７２として、ノイズを抑制し、かつスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができるようにしたＣＰＰ−ＧＭＲ素子の発明の提案を行なっている。すなわち、フリー層と磁化固定層との間に介在されるスペーサー層の構造を、好適な態様として、例えば、Ｃｕ／ＺｎＯ／Ｃｕとなるように構成しつつ、磁気抵抗効果素子の面積抵抗（ＡＲ：Area Resistivity）およびスペーサー層の導電率を所定の範囲内となるように規定している。
【００１３】
この提案によれば、上述のごとくスペーサー層を、例えばＣｕ／ＺｎＯ／Ｃｕの三層構造とすることによって、ノイズを抑制し、かつスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比が得られている。
【００１４】
本願発明は、本願出願人がすでに提案している特願２００６−２７５９７２の発明をさらに改良した発明であり、その提案趣旨は以下の通りである。
【００１５】
すなわち、次世代の１Ｔｂｐｓｉを超えるような記録密度を考慮すると、さらなるＭＲ変化率の向上が望まれており、少なくとも特願２００６−２７５９７２の提案の構成におけるＭＲ変化率をさらに上回る特性を備える新規な磁気抵抗効果素子を提案することにある。さらには、素子の耐熱性の向上を図ることにある。すなわち、素子形成後に熱処理を加えることによって、ＭＲ変化率が低下してしまったり、磁気抵抗効果素子の面積抵抗（ＡＲ：Area Resistivity）が変化してしまうという問題が生じ得ることが分っており、これらの耐熱性の問題を解消することにある。
【００１６】
なお、すでに公知となっている先行技術として本願発明に最も関連があると思われる文献として、特開２００３−８１０２号が挙げられる。この文献には、磁化方向が固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、磁化固着層と磁化自由層との間に設けられた非磁性金属中間層と、磁化固着層と磁化自由層との間に設けられ、伝導キャリア数が１０22個／ｃｍ3以下の材料からなる抵抗調節層とを備えたＣＰＰ−ＧＭＲ素子が開示されている。この文献中には、抵抗調節層の材料の一つとして半導体が開示されているが、本願発明の構成に関する示唆は何らなされていない。
【００１７】
【特許文献１】特開２００３−８１０２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本願発明は、上述したごとく、本願出願人がすでに日本国特許庁に出願している特願２００６−２７５９７２をさらに上記の趣旨に沿って改良せんとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
すなわち、本発明は、スペーサー層と、前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される２つの磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成され、前記第１の非磁性金属層は、Ｃｕから構成され、前記第２の非磁性金属層は、実質的にＺｎから構成される。
【００２０】
また、本発明の好ましい態様として、前記２つの磁性層は、磁化固定層およびフリー層であり、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）であって、前記フリー層は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能してなるように構成される。
【００２１】
また、本発明の好ましい態様として、前記第１の非磁性金属層は、前記磁化固定層と接し、かつ、前記第２の非磁性金属層は前記フリー層と接するように、前記スペーサー層が配置されてなるように構成される。
【００２２】
また、本発明の好ましい態様として、前記第１の非磁性金属層は前記フリー層と接し、かつ、前記第２の非磁性金属層は前記磁化固定層と接するように、前記スペーサー層が配置されてなるように構成される。
【００２３】
また、本発明の好ましい態様として、前記第１の非磁性金属層の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍであり、前記第２の非磁性金属層の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍであり、前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さは、１．０〜４．０ｎｍであるように構成される。
【００２４】
また、本発明の好ましい態様として、前記第２の非磁性金属層は、Ｚｎの単層、ＺｎとＧａとの合金層、あるいはＺｎとＧａＯとの積層体から構成されてなるように構成される。
【００２５】
また、本発明の好ましい態様として、磁気抵抗効果素子の面積抵抗が、０．１〜０．３Ω・μｍ2であるように構成される。
【００２６】
また、本発明の好ましい態様として、前記スペーサー層の導電率が、１３３〜４３２（Ｓ／ｃｍ）であるように構成される。
【００２７】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、前記記録媒体からの信号磁界を検出するために前記媒体対向面の近傍に配置された前記の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の積層方向に電流を流すための一対の電極と、を有してなるように構成される。
【００２８】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、前記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、を備えてなるように構成される。
【００２９】
本発明の磁気ディスク装置は、前記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、を備えてなるように構成される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明は、スペーサー層と、前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される２つの磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成され、前記第１の非磁性金属層は、Ｃｕから構成され、前記第２の非磁性金属層は、実質的にＺｎから構成されているので、ＭＲ変化率のさらなる向上が図れる。さらに、耐熱性も向上し、素子形成後の追加アニールによる素子の特性変動が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明の実施の形態における再生ヘッドのＡＢＳ（Air Bearing Surface）であって、特に本発明の要部であるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）のＡＢＳを模式的に示した図面である。ＡＢＳとは、再生ヘッドが記録媒体と対向する面（以下、媒体対向面ともいう）に相当するのであるが、本発明でいうＡＢＳは素子の積層構造が明瞭に観察できる位置での断面までを含む趣旨であり、例えば、厳密な意味での媒体対向面に位置しているＤＬＣ等の保護層（素子を覆う保護層）は必要に応じて省略して考えることができる。
【００３３】
図２は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための図面であり、薄膜磁気ヘッドのＡＢＳおよび基板に垂直な断面を示した図面である。
【００３４】
図３は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための図面であり、特に、薄膜磁気ヘッドの磁極部分のＡＢＳに平行な断面を示した図面である。
【００３５】
図４は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。図５は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。図６は、本発明の一実施の形態における磁気ディスク装置の要部を示す説明図である。図７は、本発明の一実施の形態における磁気ディスク装置の平面図である。
【００３６】
〔ＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）〕
図１を参照して、本発明のＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）を有する再生ヘッドの構成について、詳細に説明する。
【００３７】
図１は、上述したように、再生ヘッドの媒体対向面に平行な断面に相当する断面図である。
【００３８】
本実施の形態における再生ヘッドは、図１に示されるように所定の間隔を開けて図面の上下に対向配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、これら第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置された巨大磁気抵抗効果素子５（以下、単に「ＧＭＲ素子５」と称す）と、ＧＭＲ素子５の２つの側部およびこの側部に沿って第１のシールド層３の上面の一部を覆う絶縁膜４と、絶縁膜４を介してＧＭＲ素子５の２つの側部に隣接する２つのバイアス磁界印加層６とを有している。
【００３９】
本実施の形態における第１のシールド層３と第２のシールド層８は、いわゆる磁気シールドの役目と、一対の電極として役目を兼ね備えている。つまり、磁気シールド機能に加え、センス電流をＧＭＲ素子に対して、ＧＭＲ素子５を構成する各層の面と交差する方向、例えば、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対して垂直な方向（積層方向）に流すための一対の電極としての機能をも有している。
【００４０】
なお、第１のシールド層３と第２のシールド層８とは別に、新たに、ＧＭＲ素子の上下に一対の電極を形成するようにしてもよい。
【００４１】
本発明における再生ヘッドは、本発明の要部であるＣＰＰ構造のＧＭＲ素子５を有している。
【００４２】
本発明におけるＣＰＰ構造のＧＭＲ素子５は、その構造を大きな概念でわかやすく区分して説明すると、図１に示されるごとく、スペーサー層４０と、このスペーサー層４０を挟むようにして積層形成される磁化固定層３０およびフリー層５０を有している。そして、ＧＭＲ素子５の積層方向にセンス電流が印加されて、その素子機能を発揮するようになっている。つまり、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造のＧＭＲ素子５である。
【００４３】
フリー層５０は、外部磁界、すなわち記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層であり、磁化固定層３０は、反強磁性層２２の作用によって磁化の方向が固定された層である。図１には、反強磁性層２２をボトム側（第１のシールド層３側）に形成した実施の形態が示されているが、反強磁性層２２をトップ側（第２のシールド層８側）に形成して、フリー層５０と磁化固定層３０の位置を入れ替えた実施の形態とすることもできる。
【００４４】
（磁化固定層３０の説明）
本発明における磁化固定層３０は、第１のシールド層３の上に形成された下地層２１を介して形成されたピンニング作用を果たす反強磁性層２２の上に形成されている。
【００４５】
好適な態様として磁化固定層３０は、反強磁性層２２側から、アウター層３１、非磁性中間層３２、およびインナー層３３が順次積層された構成、すなわち、いわゆるシンセティックピンド層を構成している。
【００４６】
アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、ＣｏやＦｅを含む強磁性材料からなる強磁性層を有して構成される。アウター層３１とインナー層３３は、反強磁性的に結合し、互いの磁化の方向が逆方向となるように固定されている。
【００４７】
アウター層３１およびインナー層３３は、例えば、Ｃｏ65-70Ｆｅ（原子％）の合金層とすることが好ましい。アウター層の厚さは、２〜７ｎｍ程度、インナー層３３の厚さは２〜１０ｎｍ程度とすることが好ましい。また、インナー層３３には、ホイスラー合金層を含んでいてもよい。
【００４８】
非磁性中間層３２は、例えば、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｃｕのグループから選ばれた少なくとも１種を含む非磁性材料から構成される。非磁性中間層３２の厚さは、例えば０．３５〜１．０ｎｍ程度とされる。非磁性中間層３２はインナー層３３の磁化と、アウター層３１の磁化とを互いに逆方向に固定するために設けられている。「磁化が互いに逆方向」というのは、これらの２つの磁化が互いに１８０°異なる場合のみに狭く限定解釈されることなく、１８０°±２０°異なる場合をも含む広い概念である。
【００４９】
（フリー層５０の説明）
フリー層５０は、外部磁界、すなわち記録媒体からの信号磁界に応じて磁化の方向が変化する層であり、保磁力が小さい強磁性層（軟磁性層）により構成されている。フリー層５０の厚さは、例えば２〜１０ｎｍ程度とされる。単層のみで構成することもできるが、積層された複数の強磁性層を含んだ多層膜としてもよい。また、フリー層５０には、ホイスラー合金層を含んでいてもよい。
【００５０】
このようなフリー層５０の上には、図１に示されるごとく、例えばＴａやＲｕ層からなる保護層２６が形成される。その厚さは、０．５〜２０ｎｍ程度とされる。
【００５１】
（スペーサー層４０の説明）
本発明におけるスペーサー層４０は、第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、これらの第１および第２の非磁性金属層４１，４３の間に介在された半導体酸化物層４２を有し構成される。
【００５２】
より具体的には、第１の非磁性金属層４１／半導体酸化物層４２／第２の非磁性金属層４３を順次積層させた３層積層体から構成されている。本実施の形態では、図１に示されるように第１の非磁性金属層４１が磁化固定層３０側に位置しており、第２の非磁性金属層４３がフリー層５０側に位置している。以下、構成要素ごとに詳細に説明する。
【００５３】
半導体酸化物層４２ 
本発明におけるスペーサー層４０を構成する半導体酸化物層４２は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成される。以下、各態様ごとに説明する。
【００５４】
（１）半導体酸化物層４２が酸化亜鉛（ＺｎＯ）から構成される態様 
スペーサー層４０を構成する半導体酸化物層４２は、その主成分が酸化亜鉛（ＺｎＯ）から構成される。酸化亜鉛（ＺｎＯ）の層は、例えば、ＺｎＯをターゲットとしてスパッタ成膜すればよい。また、Ｚｎをスパッタ形成後、酸化処理を行なって形成してもよい。
【００５５】
このような薄膜は、通常、成膜後に２００〜３５０℃、１〜１０時間の熱処理が行なわれる。ＺｎＯ層を結晶化させて、膜の低抵抗化を図るためである。成膜後とは、半導体酸化物層の成膜後の意味と、素子全体の成膜後の意味の両方を含む。通常は、素子全体の成膜後に熱処理が行なわれる。
【００５６】
（２）半導体酸化物層４２が酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）から構成される態様 
前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）から構成される。
【００５７】
酸化インジウム層の形成は、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）のターゲットを用いて、スパッタ成膜すればよい。
【００５８】
このような薄膜は、通常、成膜後に２００〜３５０℃、１〜１０時間の熱処理が行なわれる。酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）層を結晶化させて、膜の低抵抗化を図るためである。成膜後とは、半導体酸化物層の成膜後の意味と、素子全体の成膜後の意味の両方を含む。通常は、素子全体の成膜後に熱処理が行なわれる。
【００５９】
（３）半導体酸化物層４２が酸化錫（ＳｎＯ2）から構成される態様 
前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化錫（ＳｎＯ2）から構成される。
酸化錫層の形成は、例えば、酸化錫（ＳｎＯ2）のターゲットを用いて、スパッタ成膜すればよい。
【００６０】
このような薄膜は、通常、成膜後に２００〜３５０℃、１〜１０時間の熱処理が行なわれる。酸化錫（ＳｎＯ2）層を結晶化させて、膜の低抵抗化を図るためである。成膜後とは、半導体酸化物層の成膜後の意味と、素子全体の成膜後の意味の両方を含む。通常は、素子全体の成膜後に熱処理が行なわれる。
【００６１】
（４）半導体酸化物層４２が酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）から構成される態様 
酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に数％の酸化錫（ＳｎＯ2）を添加した化合物である。酸化錫（ＳｎＯ2）の含有量は、０．１〜２０．０モル％、好ましくは０．３〜１０．０モル％とされる。成膜方法としては、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）のターゲットに、ＳｎＯ2のチップを貼り付けて所定の複合ターゲットを作製した後に、スパッタ成膜するようにすればよい。また、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）に所定量のＳｎＯ2を混合させた後に、焼成したターゲットを用いて、通常のスパッタ成膜をするようにしてもよい。また、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）と酸化錫（ＳｎＯ2）のターゲットを同時放電させて作製してもよい。
【００６２】
このような薄膜は、通常、成膜後に２００〜３５０℃、１〜１０時間の熱処理が行なわれる。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）層を結晶化させて、膜の低抵抗化を図るためである。成膜後とは、半導体酸化物層の成膜後の意味と、素子全体の成膜後の意味の両方を含む。通常は、素子全体の成膜後に熱処理が行なわれる。
【００６３】
上述してきた各態様を備える半導体酸化物層４２の厚さは、１．０〜４．０ｎｍ、好ましくは１．２〜２．８ｎｍの範囲で使用されるのがよい。この値が１．０ｎｍ未満となると、素子の面積抵抗ＡＲをはじめとする素子特性のバラツキが大きくなるという不都合が生じやすくなるという傾向が生じる。一方、この厚さが４．０ｎｍを超えるとスピンの散乱によりＭＲ特性が劣化するという不都合が生じやすくなるという傾向が生じる。また、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子として求められている抵抗領域を逸脱してしまうという不都合も生じる。
【００６４】
第１の非磁性金属層４１、第２の非磁性金属層４３ 
本発明における第１の非磁性金属層４１は、Ｃｕから構成される。
【００６５】
本発明における第２の非磁性金属層４３は、好適にはＺｎから構成される。また、第２の非磁性金属層４３は、ＺｎとＧａとの合金層、あるいはＺｎとＧａＯとの積層体から構成されていてもよい。本発明において、第２の非磁性金属層４３が、『実質的にＺｎから構成される』と表現してある場合には、（１）第２の非磁性金属層４３がＺｎから構成される態様、（２）ＺｎとＧａとの合金層から構成される態様、（３）ＺｎとＧａＯとの積層体から構成される態様、の全ての態様が含まれる。
【００６６】
図１に示される実施形態では、第１の非磁性金属層４１が磁化固定層３０と接し、かつ、第２の非磁性金属層４３がフリー層５０と接するように、スペーサー層４０がフリー層５０と磁化固定層３０との間に配置されている。また、図１に示されるスペーサー層４０を転倒させて（つまり、スペーサー層４０の図面の上下を逆転させる）、第１の非磁性金属層４１がフリー層５０と接し、かつ、第２の非磁性金属層４３が磁化固定層３０と接するようにスペーサー層４０を配置してもよい。本発明においては、第１の非磁性金属層４１が一方の磁性層（磁化固定層３０またはフリー層５０）と接し、第２の非磁性金属層４３が他方の磁性層（フリー層５０または磁化固定層３０）と接するように配置されていればよい。
【００６７】
前記第１の非磁性金属層４１の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍ、好ましくは０．３〜１．０ｎｍとされる。また、前記第２の非磁性金属層の膜厚は、０．１〜１．２ｎｍ、好ましくは０．３〜１．０ｎｍとされる。
【００６８】
このような構成からなるスペーサー層４０の導電率は、１３３〜４３２Ｓ／ｃｍの範囲内とすることが望ましい。スペーサー層４０の導電率は、スペーサー層４０の抵抗率（Ω・ｃｍ）の逆数として定義される。
【００６９】
（反強磁性層２２の説明）
反強磁性層２２は、上述したように磁化固定層３０との交換結合により、磁化固定層３０の磁化の方向を固定するように作用している。
【００７０】
反強磁性層２２は、例えば、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｉｒ，ＣｒおよびＦｅのグループの中から選ばれた少なくとも１種からなる元素Ｍ´と、Ｍｎとを含む反強磁性材料から構成される。Ｍｎの含有量は３５〜９５原子％とすることが好ましい。反強磁性材料の中には、（１）熱処理しなくても反強磁性を示して強磁性材料との間で交換結合磁界を誘起する非熱処理系反強磁性材料と、（２）熱処理により反強磁性を示すようになる熱処理系反強磁性材料とがある。上記（１）のタイプの反強磁性材料においても交換結合の方向をそろえるために通常、熱処理を行っている。本発明においては（１）、（２）のいずれのタイプを用いても良い。非熱処理系反強磁性材料としては、ＲｕＲｈＭｎ，ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ等が例示できる。熱処理系反強磁性材料としては、ＰｔＭｎ，ＮｉＭｎ，ＰｔＲｈＭｎ等が例示できる。
【００７１】
反強磁性層２２の厚さは、４〜３０ｎｍ程度とされる。
【００７２】
なお、磁化固定層３０の磁化の方向を固定するための層として、上記反強磁性層に代えてＣｏＰｔ等の硬磁性材料からなる硬磁性層を設けるようにしてもよい。
【００７３】
また、反磁性層２２の下に形成されている下地層２１は、その上に形成される各層の結晶性や配向性を向上させるための層であり、特に、反強磁性層２２と磁化固定層３０との交換結合を良好にするために設けられる。このような下地層２１としては、例えばＴａ層とＮｉＣｒ層との積層体や、Ｔａ層とＲｕ層の積層体が用いられる。下地層２１の厚さは、例えば２〜６ｎｍ程度とされる。
【００７４】
本発明における磁気抵抗効果素子５（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５）の面積抵抗ＡＲ（ＡＲ：Area Resistivity）は、０．１〜０．３Ω・μｍ2の範囲、好ましくは、０．１２〜０．３Ω・μｍ2の範囲、より好ましくは、０．１４〜０．２８Ω・μｍ2の範囲とされる。０．１〜０．３Ω・μｍ2の範囲を外れると、ノイズを抑制し、かつスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることが困難となってしまう。
【００７５】
面積抵抗の測定対象となる素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）は、図１に示されるごとく、下地層２１、反強磁性層２２、磁化固定層３０、スペーサー層４０、フリー層５０、および保護層２６の積層体である。
【００７６】
さらに、図１に示される絶縁層４を構成する材料としては、例えばアルミナが用いられる。バイアス磁界印加層６としては、例えば、硬磁性層（ハードマグネット）や、強磁性層と反強磁性層との積層体が用いられ、具体的には、ＣｏＰｔやＣｏＣｒＰｔを例示することができる。
【００７７】
上述してきた本発明の実施形態におけるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ素子）は、スパッタ法等の真空成膜法を用いて形成することができる。また、必要に応じて、成膜後の熱処理が施される。
【００７８】
（薄膜磁気ヘッドの全体構成の説明） 
次いで、上述してきた磁気抵抗効果素子を備えてなる薄膜磁気ヘッドの全体構成について説明する。前述したように図２および図３は本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明するための図面であり、図２は、薄膜磁気ヘッドのＡＢＳおよび基板に垂直な断面を示している。図３は、薄膜磁気ヘッドの磁極部分のＡＢＳに平行な断面を示している。
【００７９】
薄膜磁気ヘッドの全体構造は、その製造工程に沿って説明することによりその構造が容易に理解できると思われる。そのため、以下、製造工程を踏まえて薄膜磁気ヘッドの全体構造を説明する。
【００８０】
まず、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１の上に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）等の絶縁材料からなる絶縁層２を形成する。厚さは、例えば０．２〜２０μｍ程度とする。
【００８１】
次に、この絶縁層２の上に、磁性材料からなる再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。厚さは、例えば０．１〜５μｍ程度とする。このような下部シールド層３に用いられる磁性材料としては、例えば、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等が挙げられる。下部シールド層３は、スパッタ法またはめっき法等によって形成される。
【００８２】
次に、下部シールド層３の上に、再生用のＣＰＰ−ＧＭＲ素子５を形成する。
【００８３】
次に、図面では示していないが、ＭＲ素子の２つの側部および第１のシールド層３の上面を覆うように絶縁膜を形成する。絶縁膜はアルミナ等の絶縁材料より形成される。
【００８４】
次に、絶縁膜を介してＭＲ素子５の２つの側部に隣接するように、２つのバイアス磁界印加層６を形成する。次に、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５およびバイアス磁界印加層６の周囲に配置されるように絶縁膜７を形成する。絶縁膜７は、アルミナ等の絶縁材料によって形成される。
【００８５】
次に、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５、バイアス磁界印加層６および絶縁層７の上に、磁性材料からなる再生ヘッド用の第２のシールド層８を形成する。第２のシールド層８は、例えば、めっき法やスパッタ法により形成される。
【００８６】
次に、上部シールド層８の上に、スパッタ法等によって、アルミナ等の絶縁材料からなる分離層１８を形成する。次に、この分離層１８の上に、例えば、めっき法やスパッタ法により、磁性材料からなる記録ヘッド用の下部磁極層１９を形成する。第２のシールド層８および下部磁極層１９に用いられる磁性材料としては、ＮｉＦｅ，ＣｏＦｅ，ＣｏＦｅＮｉ，ＦｅＮ等の軟磁性材料があげられる。なお、第２のシールド層８、分離層１８および下部磁極層１９の積層体の代わりに、下部磁極層を兼ねた第２のシールド層を設けても良い。
【００８７】
次に、下部磁極層１９の上に、スパッタ法等によって、アルミナ等の非磁性材料からなる記録ギャップ層９が形成される。厚さは、５０〜３００ｎｍ程度とされる。
【００８８】
次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの中心部において、記録ギャップ層９を部分的にエッチングしてコンタクトホール９ａを形成する。
【００８９】
次に、記録ギャップ層９の上に、例えば銅（Ｃｕ）からなる薄膜コイルの第１層部分１０を、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。なお、図２において、符号１０ａは、第１層部分１０のうち、後述する薄膜コイルの第２層部分１５に接続される接続部を示している。第１層部分１０は、コンタクトホール９ａの周囲に巻回される。
【００９０】
次に、薄膜コイルの第１層部分１０およびその周辺の記録ギャップ層９を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機材料からなる絶縁層１１を所定のパターンに形成する。
【００９１】
次に、絶縁層１１の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１１の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【００９２】
次に、絶縁層１１のうちの後述する媒体対向面２０側の斜面部分から媒体対向面２０側にかけての領域において、記録ギャップ層９および絶縁層１１の上に、記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁極層１２のトラック幅規定層１２ａを形成する。上部磁極層１２は、このトラック幅規定層１２ａと、後述する連結部分層１２ｂおよびヨーク部分層１２ｃとで構成される。
【００９３】
トラック幅規定層１２ａは、記録ギャップ層９の上に形成され、上部磁極層１２の磁極部分となる先端部と、絶縁層１１の媒体対向面２０側の斜面部分の上に形成されヨーク部分層１２ｃに接続される接続部と、を有している。先端部の幅は記録トラック幅と等しくなっている。接続部の幅は、先端部の幅よりも大きくなっている。
【００９４】
トラック幅規定層１２ａを形成する際には、同時にコンタクトホール９ａの上に磁性材料からなる連結部分層１２ｂを形成するとともに、接続部１０ａの上に磁性材料からなる接続層１３を形成する。連結部分層１２ｂは、上部磁極層１２のうち、上部シールド層８に磁気的に連結される部分を構成する。
【００９５】
次に、磁極トリミングを行なう。すなわち、トラック幅規定層１２ａの周辺領域において、トラック幅規定層１２ａをマスクとして、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分における記録ギャップ層９側の少なくとも一部をエッチングする。これにより、図３に示されるごとく、上部磁極層１２の磁極部分、記録ギャップ層９および上部シールド層８の磁極部分の少なくとも一部の各幅が揃えられたトリム（Trim）構造が形成される。このトリム構造によれば、記録ギャップ層９の近傍における磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００９６】
次に、全体に、アルミナ等の無機絶縁材料からなる絶縁層１４を、例えば３〜４μｍ厚さに形成する。
【００９７】
次に、この絶縁層１４を、例えば化学機械研摩によって、トラック幅規定層１２ａ、連結部分層１２ｂ、接続層１３の表面に至るまで研摩して平坦化する。
【００９８】
次に、平坦化された絶縁層１４の上に、例えば銅（Ｃｕ）からなる薄膜コイルの第２層部分１５を、例えば２〜３μｍの厚さに形成する。なお、図２において、符号１５ａは、第２層部分１５のうち、接続層１３を介して薄膜コイルの第１層部分１０の接続部１０ａに接続される接続部を示している。第２層部分１５は、連結部分層１２ｂの周囲に巻回される。
【００９９】
次に、薄膜コイルの第２層部分１５およびその周辺の絶縁層１４を覆うように、フォトレジスト等の、加熱時に流動性を有する有機材料からなる絶縁層１６を所定のパターンに形成する。
【０１００】
次に、絶縁層１６の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。この熱処理により、絶縁層１６の外周および内周の各端縁部分は、丸みを帯びた斜面形状となる。
【０１０１】
次に、トラック幅規定層１２ａ、絶縁層１４、１６および連結部分層１２ｂの上にパーマロイ等の記録ヘッド用の磁性材料によって、上部磁性層１２のヨーク部分を構成するヨーク部分層１２ｃを形成する。ヨーク部分層１２ｃの媒体対向面２０側の端部は、媒体対向面２０から離れた位置に配置されている。また、ヨーク部分層１２ｃは、連結部分層１２ｂを介して下部磁極層１９に接続されている。
【０１０２】
次に、全体を覆うように、例えばアルミナからなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜ヘッドの媒体対向面２０を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【０１０３】
このようにして製造される薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面２０と、前述した再生ヘッドと、記録ヘッド（誘導型磁気変換素子）とを備えている。
【０１０４】
記録ヘッドは、媒体対向面２０側において互いに対向する磁極部分を含むとともに、互いに磁気的に連結された下部磁極層１９および上部磁極層１２と、この下部磁極層１９の磁極部分と上部磁極層１２の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層９と、少なくとも一部が下部磁極層１９および上部磁極層１２の間に、これらに対して絶縁された状態で配置された薄膜コイル１０、１５と、を有している。
【０１０５】
このような薄膜磁気ヘッドでは、図２に示されるように、媒体対向面２０から、絶縁層１１の媒体対向面側の端部までの長さが、スロートハイト（図面上、符号ＴＨで示される）となる。なお、スロートハイトとは、媒体対向面２０から、２つの磁極層の間隔が開き始める位置までの長さ（高さ）をいう。
【０１０６】
なお、記録ヘッドの形式は何ら限定されるものではなく、垂直磁気記録用のヘッドでもよい。例えば、特開２００６−１５５８６６号公報に記載されている垂直磁気記録用のヘッド構造でもよい。
【０１０７】
（薄膜磁気ヘッドの作用の説明） 
次に、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの作用について説明する。薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。
【０１０８】
再生ヘッドにおいて、バイアス磁界印加層６によるバイアス磁界の方向は、媒体対向面２０に垂直な方向と直交している。ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５において、信号磁界がない状態では、フリー層５０の磁化の方向は、バイアス磁界の方向に揃えられている。磁化固定層３０の磁化の方向は、媒体対向面２０に垂直な方向に固定されている。
【０１０９】
ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５では、記録媒体からの信号磁界に応じてフリー層５０の磁化の方向が変化し、これにより、フリー層５０の磁化の方向と磁化固定層３０の磁化の方向との間の相対角度が変化し、その結果、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５の抵抗値が変化する。ＣＰＰ−ＧＭＲ素子５の抵抗値は、第１および第２のシールド層３，８によって、ＭＲ素子にセンス電流を流したときの２つの電極層３，８間の電位差より求めることができる。このようにして、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生することができる。
【０１１０】
（ヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置についての説明） 
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置について説明する。
【０１１１】
まず、図４を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。磁気ディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図２における基板１およびオーバーコート１７からなる基体２１１を備えている。
【０１１２】
基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、媒体対向面２０が形成されている。
【０１１３】
ハードディスクが図４におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図４におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図４におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。
【０１１４】
スライダ２１０の空気流出側の端部（図４における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１００が形成されている。
【０１１５】
次に、図５を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。
【０１１６】
ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【０１１７】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【０１１８】
図５は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【０１１９】
次に図６および図７を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係る磁気ディスク装置について説明する。
【０１２０】
図６は磁気ディスク装置の要部を示す説明図、図７は磁気ディスク装置の平面図である。
ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、磁気ディスク装置に組み込まれる。
【０１２１】
磁気ディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【０１２２】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応しスライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。
【０１２３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【０１２４】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【０１２５】
また、実施の形態では、基板側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、再生ヘッドだけを備えた構成としてもよい。
【０１２６】
また、本発明の要部は磁気ヘッドに限らず、いわゆる磁界を検知するための薄膜磁界センサーとして応用することができる。
【実施例】
【０１２７】
上述してきたＣＰＰ−ＧＭＲ素子の発明を、以下に示す具体的実験例によりさらに詳細に説明する。
【０１２８】
〔実験例Ｉ〕
下記表１に示されるような積層構造からなる本発明のＣＰＰ−ＧＭＲ素子サンプル、並びに参考例および比較例となるＣＰＰ−ＧＭＲ素子サンプルを、それぞれスパッタ法にて成膜して準備した。第１および第２の非磁性金属層、ならびに半導体酸化物層の具体的構成は下記表２を参照されたい。なおバイアス磁界印加層６としては、ＣｏＰｔを用いた。
【０１２９】
【表１】
0004670890.tif 000002
【０１３０】
なお、具体的なサンプルの作製に際しては、表１中のスペーサー層の一部を構成する半半導体酸化物層の組成および厚さ、並びに第１および第２の非磁性金属層の組成および厚さそれぞれ変え、表２に示されるような種々のサンプルを作製した。
【０１３１】
なお、表２中の参考例Ｉ-１は、表１中のスペーサー層の一部を構成する第２の非磁性金属層の組成がＣｕから構成されている。
【０１３２】
サンプル作製は、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を構成する各層を順次成膜して積層体を形成した後に、２７０℃、３時間の熱処理を行なった。熱処理は主として半導体酸化物層を結晶化させて低抵抗化させるため、およびピンド層の磁化方向を揃えるために行った。なお、この熱処理は、２００〜３５０℃の範囲が好ましいことが実験的に確認されている。
【０１３３】
なお、スペーサー層の一部を構成する半導体酸化物層（（ＺｎＯ）、（ＳｎＯ2）、（Ｉｎ2Ｏ3）、（ＩＴＯ：（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）））の形成方法は以下のように行なった。
【０１３４】
（ｉ）半導体酸化物層をＺｎＯから構成する場合 
ＺｎＯ層は、ＺｎＯのターゲットを用いて半導体酸化物層をスパッタ成膜した。
【０１３５】
素子を構成する各層を成膜した後に、２７０℃、３時間で熱処理を行い、ＺｎＯ層を結晶化させて低抵抗化させた。
【０１３６】
このような素子の基本部分を構成する積層膜を柱状に加工し、側面を絶縁体で保護し、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を作製した。
【０１３７】
（ｉｉ）半導体酸化物層を（ＳｎＯ2）から構成する場合 
ＳｎＯ2ターゲットを用いて、半導体酸化物層をスパッタ成膜した。
【０１３８】
素子を構成する各層を成膜した後に、２７０℃、３時間で熱処理を行い、ＳｎＯ2層を結晶化させて低抵抗化させた。
【０１３９】
このような素子の基本部分を構成する積層膜を柱状に加工し、側面を絶縁体で保護し、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を作製した。
【０１４０】
（iii）半導体酸化物層を（Ｉｎ2Ｏ3）から構成する場合 
Ｉｎ2Ｏ3ターゲットを用いて、半導体酸化物層をスパッタ成膜した。
【０１４１】
素子を構成する各層を成膜した後に、２７０℃、３時間で熱処理を行い、Ｉｎ2Ｏ3層を結晶化させて低抵抗化させた。
【０１４２】
このような素子の基本部分を構成する積層膜を柱状に加工し、側面を絶縁体で保護し、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を作製した。
【０１４３】
（iV）半導体酸化物層を（ＩＴＯ：Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）として構成する場合 
Ｉｎ2Ｏ3に所定量のＳｎＯ2を混合させ、焼成したターゲットを用いて半導体酸化物層をスパッタ成膜した。表２に示される添加の状態では、成膜された膜中に、５モル％のＳｎＯ2が含有されるようにした。
【０１４４】
素子を構成する各層を成膜した後に、２７０℃、３時間で熱処理を行い、（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）層を結晶化させて低抵抗化させた。
【０１４５】
このような素子の基本部分を構成する積層膜を柱状に加工し、側面を絶縁体で保護し、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子を作製した。
【０１４６】
上述の要領で作製した各ＣＰＰ−ＧＭＲ素子サンプルの上から見た形状は、幅０．０６μｍ（トラック幅方向の長さ）の、長さ０．１０μｍ（ＡＢＳに対して奥行き方向に垂直な方向（ＭＲハイト方向）の長さ）の長方形である。この形状は、実際に再生ヘッドに用いられるＧＭＲ素子の形状と近い形状である。また、実験結果は素子の形状によらず、傾向は実質的に同じであった。
【０１４７】
これらの各ＣＰＰ−ＧＭＲ素子サンプルについて、（１）ＭＲ比、および（２）素子の面積抵抗ＡＲ（Ω・μｍ2）を、それぞれ、下記の要領で求めて評価した。
【０１４８】
（１）ＭＲ比
通常の直流４端子法でＭＲ比を測定した。ＭＲ比は、抵抗の変化量ΔＲを、抵抗値Ｒで割った値であり、ΔＲ／Ｒで表される。数値が小さいために％表示に換算した。
【０１４９】
なお、ＭＲ比は、サンプル数１００個の素子での平均値として求めた。
【０１５０】
（２）素子の面積抵抗ＡＲ（Ω・μｍ2）
直流４端子法で測定した。
結果を下記表２に示した。
【０１５１】
【表２】
0004670890.tif 000003
【０１５２】
上記表２に示される結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、スペーサー層の構成を本発明の構成とすることによって、ＭＲ変化率のさらなる向上が図れることが分る。素子の面積抵抗ＡＲ（Ω・μｍ2）についても、良好は数値範囲が得られている。
【０１５３】
〔実験例ＩＩ〕
上記表２の中から選定した下記表３に示されるようなＣＰＰ−ＧＭＲ素子サンプルを用いて、耐熱性の実験を行なった。すなわち、素子形成後に、再度、２７０℃、３時間の加熱処理（アニール）を行うことによって、素子の特性がどのように変化するかを確認する実験を行った。測定項目は上記のＭＲ比、および素子の面積抵抗ＡＲとした。
結果を下記表３に示した。
【０１５４】
【表３】
0004670890.tif 000004
【０１５５】
表３に示される実験結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、スペーサー層の構成を本発明の構成とすることによって、素子形成後の追加アニールによる素子の特性変動が抑制されていることがわかる。このメカニズムの詳細は現時点では明らかではないが、酸素の移動のパラメータが何らかの形で寄与しているのではないかと考えられる。
【０１５６】
上述してきた実験結果より、本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明は、スペーサー層と、前記スペーサー層を挟むようにして積層形成される２つの磁性層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、前記スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成され、前記第１の非磁性金属層は、Ｃｕから構成され、前記第２の非磁性金属層は、実質的にＺｎから構成されているので、ＭＲ変化率のさらなる向上が図れる。さらに、耐熱性も向上し、素子形成後の追加アニールによる素子の特性変動が抑制される。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明の産業上の利用可能性として、本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子を備える磁気ディスク装置の産業に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における主として再生ヘッドの媒体対向面に平行な断面を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明するための図面であり、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面および基板に垂直な断面を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明するための図面で、薄膜磁気ヘッドの磁極部分の媒体対向面に平行な断面を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態における磁気ディスク装置の要部を示す説明図である。
【図７】図７は、本発明の一実施の形態における磁気ディスク装置の平面図である。
【符号の説明】
【０１５９】
３０…磁性層
４０…スペーサー層
４１…第１の非磁性金属層
４２…半導体酸化物層
４３…第２の非磁性金属層
５０…磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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