(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主コイル部に対して複数のエレメント導体が並設されており、
前記主コイル部の少なくとも一か所が曲折自在に形成されて、被検部位の収容空間を開閉可能なＲＦコイルであって、
前記主コイル部と前記エレメント導体の端部とが、メッシュ状に形成された可撓性の導電体を介して接続されているＲＦコイル。
【請求項２】
少なくとも２つのリング導体を挟んで複数のエレメント導体が並設されるように、前記リング導体と前記エレメント導体とが接続されており、
前記リング導体を含む主コイル部が固定モジュールと少なくとも一つの可動モジュールとに分割され、
当該分割された固定モジュールと可動モジュールとが蝶番により連結されて、被検部位の収容空間を開閉可能なＲＦコイルであって、
前記リング導体とエレメント導体の端部とが、メッシュ状に形成された可撓性の導電体を介して接続されているＲＦコイル。
【請求項３】
前記導電体は、長さ方向の一部がコイルモジュールに対して保持されている請求項１又は請求項２に記載のＲＦコイル。
【請求項４】
前記導電体と主コイル部との接続部が、高周波的に接地されている請求項１から３のいずれかに記載のＲＦコイル。
【請求項５】
静磁場空間に被検体を収容し、磁気共鳴信号を得るパルスシーケンスを実行してデータを収集し、そのデータに基づいて画像を再構成する磁気共鳴撮影装置であって、
被検体の被検部位にスピンを励起する励起用磁場を形成するためのＲＦコイルであって、
主コイル部に対して複数のエレメント導体が並設されており、
前記主コイル部の少なくとも一か所が曲折自在に形成されて、被検部位の収容空間を開閉可能で、
前記主コイル部とエレメント導体の端部とが、メッシュ状に形成された可撓性の導電体を介して接続されているＲＦコイルを含み、
前記被検体内にスピンを励起するための励起用磁場を形成する励起信号の送信を行い、被検体内に励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号を受信するＲＦコイル部を有する磁気共鳴撮影装置。
【請求項６】
静磁場空間に被検体を収容し、磁気共鳴信号を得るパルスシーケンスを実行してデータを収集し、そのデータに基づいて画像を再構成する磁気共鳴撮影装置であって、
被検体の被検部位にスピンを励起する励起用磁場を形成するためのＲＦコイルであって、
少なくとも２つのリング導体を挟んで複数のエレメント導体が並設されるように、前記リング導体と前記エレメント導体とが接続されており、
前記リング導体を含む主コイル部が固定モジュールと少なくとも一つの可動モジュールとに分割され、
当該分割された固定モジュールと可動モジュールとが蝶番により連結されて、被検部位の収容空間を開閉可能で、
前記リング導体とエレメント導体の端部とが、メッシュ状に形成された可撓性の導電体を介して接続されているＲＦコイルを含み、
前記被検体内にスピンを励起するための励起用磁場を形成する励起信号の送信を行い、被検体内に励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号を受信するＲＦコイル部を有する磁気共鳴撮影装置。
【請求項７】
前記導電体は、長さ方向の一部がコイルモジュールに対して保持されている請求項５又は請求項６に記載の磁気共鳴撮影装置。
【請求項８】
前記導電体と主コイル部との接続部が、高周波的に接地されている請求項５から７のいずれかに記載の磁気共鳴撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静磁場空間に被検体を収容し、磁気共鳴を利用して被検体の被検部位を撮影する磁気共鳴撮影装置に用いられるＲＦコイルに係り、特に分割開閉型のＲＦコイルおよびそれを用いた磁気共鳴撮影装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気共鳴撮影処理では、１ＴＲ毎に励起パルスで被検体内のスピン（ｓｐｉｎ）を励起し、それによって生じる磁気共鳴信号を、たとえばスピンエコー（ｓｉｏｎ  ｅｃｈｏ）またはグラディエントエコー（ｇｒａｄｉｅｎｔ  ｅｃｈｏ）として２次元フーリエ空間に収集する。
磁気共鳴信号には、いわゆるビュー（ｖｉｅｗ）毎に異なる位相エンコードを付与し、２次元フーリエ空間において位相軸上の位置が異なる複数のビューのエコーデータをそれぞれ収集する。
そして、収集した全ビューのエコーデータを２次元逆フーリエ変換することにより、画像を再構成する。
【０００３】
このような磁気共鳴撮影処理においては、１ＴＲ毎に用いるパルスシーケンス（スキャンシーケンス）の数は、被検部位毎に対応して設定されたプロトコルによって異なる。
たとえば頭部、胸部、腹部等の被検部位に応じたプロトコル毎に、それぞれ異なる回数、たとえば６４回〜５１２回繰り返されて、６４ビューから５１２ビューのビューデータが得られる。
【０００４】
このような磁気共鳴撮影処理を行う磁気共鳴撮影装置は、被検体を収容する内部空間を有するマグネットシステムを有している。
このマグネットシステムは、内部空間空内に静磁場を形成する主磁場マグネットと、主磁場マグネットが形成した静磁場の強度に勾配を付けるための勾配磁場を形成する勾配コイルと、主磁場マグネットが形成した静磁場空間内で、被検体内にスピンを励起するための高周波磁場を形成するＲＦコイルを有している。
【０００５】
そして、たとえば上述したスピンエコーによる磁気共鳴撮影処理を行う場合には、１パルスシーケンスにおいて、ＲＦコイルに対して励起パルスである、９０°パルスおよびスピン反転のための１８０°パルスがある間隔をおいて印加される。９０°パルスによりスピンの９０°励起が行われ、１８０°パルスにより１８０°励起すなわちスピン反転が行われる。
このとき、勾配コイルに対してそれぞれスライス勾配パルスが印加される。
また、９０°励起とスピン反転の間に期間に、リードアウト勾配パルスおよびフェーズエンコード勾配パルスが印加される。
【０００６】
励起パルスが印加されたＲＦコイルは、コイルのインダクタンスＬとキャパシタのキャパシタンスＣに基づく下記式（１）で表される共振周波数ｆ0 をもって発振し、内部空間内に高周波磁場を形成する。
【０００７】
【数１】
ｆ0 ＝１／２π（ＬＣ）1/2                   …（１）
【０００８】
内部空間内に形成された高周波磁場により被検体の体内にスピンが励起され、励起されたスピンが生じる電磁波が磁気共鳴信号として取り出される。
そして、上述したように、磁気共鳴信号をデータ収集部で収集し、収集した全ビューのエコーデータを２次元逆フーリエ変換することにより、画像を再構成する。
【０００９】
このような磁気共鳴撮影装置に用いられるＲＦコイルとしては、たとえば被検体の頭部に用いるために、２つのリングコイル（主コイル部）に対して複数のエレメント導体が並設され、リングコイルが固定モジュールと可動モジュールに分割され、分割された固定モジュールと可動モジュールが蝶番により連結されて、被検部位である頭部の収容空間を開閉可能な、いわゆる分割開閉型のＲＦコイルがある。
【００１０】
この分割開閉型ＲＦコイルは、たとえば被検体を椅子等に座らせて、可動モジュールが開いた状態で頭部を固定した後、可動モジュールを閉めて、固定モジュールと可動モジュールで形成される円筒状の収容空間に頭部を収容する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の分割開閉型ＲＦコイルでは、各エレメント導体は、その端部がリングコイルの所定箇所に対して直接はんだ付けされている。
したがって、従来の分割開閉型ＲＦコイルにおいては、収容空間を開閉する際に、蝶番側のモジュールに大きな加重がかかり、加重による変形のために、エレメント導体とリングコイルとの接続部のはんだがはずれて、電気的接続が遮断される可能性があった。
【００１２】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、加重による変形負荷を受けたとしても主コイル部とエレメント導体との電気的接続が遮断されることを防止できるＲＦコイルおよびそれを用いた磁気共鳴撮影装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点は、主コイル部に対して複数のエレメント導体が並設され、上記主コイル部の少なくとも一か所が曲折自在に形成されて、被検部位の収容空間を開閉可能なＲＦコイルであって、上記主コイル部とエレメント導体の端部が、少なくとも上記開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体により接続されている。
【００１４】
また、本発明の第２の観点は、少なくとも２つのリング導体を挟んで複数のエレメント導体が並設されるように、上記リング導体と上記エレメント導体とが接続されており、上記リング導体を含む主コイル部が固定モジュールと少なくとも一つの可動モジュールに分割され、当該分割された固定モジュールと可動モジュールが蝶番により連結されて、被検部位の収容空間を開閉可能なＲＦコイルであって、上記リング導体とエレメント導体の端部とが、少なくとも上記開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体を介して接続されている。
【００１５】
また、本発明の第３の観点は、静磁場空間に被検体を収容し、磁気共鳴信号を得るパルスシーケンスでデータを収集し、そのデータに基づいて画像を再構成する磁気共鳴撮影装置であって、被検体の被検部位に、スピンを励起する励起用磁場を形成するためのＲＦコイルであって、主コイル部に対して複数のエレメント導体が並設され、上記主コイル部の少なくとも一か所が曲折自在に形成されて、被検部位の収容空間を開閉可能で、上記主コイル部とエレメント導体の端部が、少なくとも上記開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体により接続されているＲＦコイルを含み、上記被検体内にスピンを励起するための励起用磁場を形成する励起信号の送信を行い、被検体内に励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号として受信するＲＦコイル部を有する。
【００１６】
また、本発明の第４の観点は、静磁場空間に被検体を収容し、磁気共鳴信号を得るパルスシーケンスでデータを収集し、そのデータに基づいて画像を再構成する磁気共鳴撮影装置であって、被検体の被検部位にスピンを励起する励起用磁場を形成するためのＲＦコイルであって、少なくとも２つのリング導体を挟んで複数のエレメント導体が並設されるように、上記リング導体と上記エレメント導体とが接続されており、上記リング導体を含む主コイル部が固定モジュールと少なくとも一つの可動モジュールに分割され、当該分割された固定モジュールと可動モジュールが蝶番により連結されて、被検部位の収容空間を開閉可能で、上記リング導体とエレメント導体の端部とが、少なくとも上記開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体を介して接続されているＲＦコイルを含み、上記被検体内にスピンを励起するための励起用磁場を形成する励起信号の送信を行い、被検体内に励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号として受信するＲＦコイル部を有する。
【００１７】
また、本発明では、上記導電体は、メッシュ状に形成された可撓性の導電体である。
【００１８】
また、本発明では、上記導電体は、長さ方向の一部がコイルモジュールに対して保持されている。
【００１９】
また、本発明では、上記導電体と主コイル部との接続部が、高周波的に接地されている。
【００２０】
本発明によれば、主コイル部と各エレメント導体の端部とが、開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体、たとえばメッシュ状で可撓性を有する導電体により、たとえばはんだで接続される。
したがって、たとえば固定モジュールに対して蝶番により連結された可動モジュールを開閉する際に、モジュールに大きな加重がかかり、主コイル部と各エレメント導体の端部との接続部に加重による変形負荷がかかったとしても、導電体によりその変形負荷が吸収緩和される。
その結果、主コイル部とエレメント導体との電気的接続が遮断されることが防止される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る垂直型磁気共鳴撮影システムについて図面に関連付けて説明する。
【００２２】
図１は、本発明に係る磁気共鳴撮影装置を採用した磁気共鳴撮影（ＭＲＩ：Magnetic Resonance Imaging）システムの一実施形態を示す構成図であり、図２は、ＭＲＩシステムの外観図である。
【００２３】
本実施形態に係るＭＲＩシステム１０は、図１に示すように、マグネットからの放射電磁波の洩漏や外乱電磁波の進入を防止する閉空間を形成したスキャンルーム４０に配設されるＭＲＩ装置２０、およびたとえばスキャンルームに隣接して設けられた操作ルーム内のオペレータＯＰが操作等するオペレータコンソール３０を主構成要素として有している。
【００２４】
以下、ＭＲＩ装置２０、およびオペレータコンソール３０について順を追って説明する。
【００２５】
ＭＲＩ装置２０は、図１に示すように、マグネットシステム２１、ＲＦ駆動部２２、勾配駆動部２３、データ収集部２４、制御部２５、および椅子を昇降可能な昇降部２６を有している。
【００２６】
マグネットシステム２１は、図２に示すように、スキャンルーム４０内に所定高さをもって設けられた４本の支柱４０１〜４０４により支持された基台４０５上に載置されている。マグネットシステム２１の下面には、後記するようにＲＦコイル部２１４が搬入される開口が形成されている。
また、昇降部２６は、図２に示すように、スキャンルーム４０の支柱４０１および４０２と、支柱４０３および支柱４０４との間、すなわち、マグネットシステム２１の下面に対向する床を所定の深さをもって形成された溝部４０６に被検体が座る椅子２６１と、ＲＦコイル部２１４とを同時に昇降させるエレベータ機構２６２を有している。
【００２７】
マグネットシステム２１は、図１に示すように、概ね円柱状の内部空間２１１を有し、内部空間２１１内には、昇降部２６の座椅子２６１に座って被検部位である頭部周囲にＲＦコイル部のコイルモジュールが配置された被検体５０の頭部部分がエレベータ機構２６１によって搬入される。
【００２８】
マグネットシステム２１内には、図１に示すように、内部空間２１１内のマグネットセンタ（走査する中心位置）の周囲に、主磁場マグネット部２１２、勾配コイル部２１３が配置され、また、後述するように被検体５０の被検部位、たとえば頭部に装着されたＲＦコイル部２１４が配置される。
【００２９】
主磁場マグネット部２１２、および勾配コイル部２１３のそれぞれは、検査時に被検体５０が位置する内部空間２１１内の空間を形成する。
【００３０】
主磁場マグネット部２１２は、内部空間２１１内に静磁場を形成する。主磁場マグネット部２１２を構成する一対の主磁場マグネットは、たとえば超電導マグネットなどを用いて構成される。
【００３１】
勾配コイル部２１３は、ＲＦコイル部２１４が受信する磁気共鳴信号に３次元の位置情報を持たせるために、主磁場マグネット部２１２が形成した静磁場の強度に勾配を付ける勾配磁場を発生する。
勾配コイル部２１３が発生する勾配磁場は、スライス（ｓｌｉｃｅ）勾配磁場、リードアウト（ｒｅａｄ  ｏｕｔ）勾配磁場およびフェーズエンコード（ｐｈａｓｅ  ｅｎｃｏｄｅ）勾配磁場の３種類であり、これら３種類の勾配磁場に対応して勾配コイル部２１３は３系統の勾配コイルを有する。
【００３２】
ＲＦコイル部２１４は、主磁場マグネット部２１２が形成した静磁場空間内で被検体５０の被検部位、たとえば頭部内にスピンを励起するための高周波磁場を形成する。ここで、高周波磁場を形成することをＲＦ励起信号の送信という。ＲＦコイル部２１４は、被検体５０の体内に励起されたスピンが生じる電磁波を磁気共鳴信号として受信する。
ＲＦコイル部２１４は、図示しない送信用コイルおよび受信用コイルを有する。送信用コイルおよび受信用コイルは、同じコイルを兼用するかあるいはそれぞれ専用のコイルを用いる。
本実施形態に係るＲＦコイル部２１４は、いわゆるＴＥＭレゾネータ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｍｏｄｅ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型のＲＦコイルにより構成されている。
【００３３】
なお、本実施形態の場合、ＲＦコイル部２１４は、ＲＦ駆動部２２によるプロトコル対応の駆動信号ＤＲ１を受けて高周波磁場を形成する。
磁気共鳴撮影処理においては、１ＴＲ毎に用いるパルスシーケンス（スキャンシーケンス）の数は、被検部位毎に対応して設定されたプロトコルによって異なる。
たとえば頭部等の被検部位に応じたプロトコル毎に、それぞれ異なる回数、たとえば６４回〜５１２回繰り返されて、６４ビューから５１２ビューのビューデータが得られる。
【００３４】
そして、本実施形態の場合、ＲＦコイル部２１４は、被検体の被検部位として頭部を対象とする、いわゆるヘッドコイルとして構成される。
以下、ヘッドコイルであるＲＦコイル部２１４の具体的な構成について、図面に関連付け、順を追って説明する。
【００３５】
ＲＦコイル部２１４は、図３に示すように、固定モジュール２２１と可動モジュール２２２の２つに分割され、分割された固定モジュール２２１の一側縁部と可動モジュール２２２の一側縁部とが蝶番２２３により連結されている。
固定モジュール２２１と可動モジュール２２２は、半円弧状に形成され、可動モジュール２２２の他側縁部と、固定モジュール２２１の他側縁部が当接するように可動モジュール２２２を可動することにより、被検体５０の被検部位である頭部の円筒状に収容空間を形成可能な、いわゆる分割開閉型のＲＦコイルにより構成されている。
【００３６】
固定モジュール２２１は、昇降部２６のエレベータ機構２６２に対して昇降可能に取り付けられている。
そして、被検体５０は、図２に示すように下降位置（基準位置）にある昇降部２６の椅子２６１に、図３および図４に示すように、後頭部が固定モジュール２２１の内壁２２１１と対向するように座る。
また、固定モジュール２２１の内壁側には、ヘッドギア２２１２の一部が取り付けられており、図３および図４に示すように、椅子２６１に座った被検体５０の頭部がヘッドギア２２１２により固定される。
【００３７】
可動モジュール２２２は、図３および図４に示すように、その一側縁部が固定モジュール２２１の一側縁部と蝶番２２３により連結されているだけである。
可動モジュール２２２の他側縁部には、連結部２２２１が設けられている。
そして、頭部がヘッドギア２２１２により固定された被検体５０の顔面側を塞ぐように可動モジュール２２２を可動させ、可動モジュール２２２の他側縁部と、固定モジュール２２１の他側縁部とを当接させ、連結部２２２１により固定モジュール２２１と連結させる。
【００３８】
このような構成を有する固定モジュール２２１および可動モジュール２２２には、コイルが内蔵されている。
具体的には、図５に示すように、固定モジュール２２１および可動モジュール２２２に内蔵されているそれぞれのコイルは半円柱状であって、２つの主コイル部としてのリングコイル部２３１と２３２との間に、複数（たとえば８本）のエレメント導体２３３〜２４０が並設されている。
これらエレメント導体２３３〜２４０は、たとえばガラスエポキシ基板に銅メッキ処理を施して形成される。
【００３９】
また、リングコイル部２３１には、接続ランドＬＮＤ１〜ＬＮＤ８が、たとえば５ｃｍ間隔で形成されている。
同様に、リングコイル部２３２には、接続ランドＬＮＤ９〜ＬＮＤ１６が、たとえば５ｃｍ間隔で形成されている。
各接続ランドＬＮＤ１〜ＬＮＤ８およびＬＮＤ９〜ＬＮＤ１６は、高周波的に同電位となるように、高周波的に接地されている。
【００４０】
そして、対向する接続ランド間には複数、たとえば５つのキャパシタが接続されれいる。
具体的には、接続ランドＬＮＤ１とＬＮＤ９間には、キャパシタＣ１１〜Ｃ１５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ２とＬＮＤ１０間には、キャパシタＣ２１〜Ｃ２５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ３とＬＮＤ１１間には、キャパシタＣ３１〜Ｃ３５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ４とＬＮＤ１２間には、キャパシタＣ４１〜Ｃ４５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ５とＬＮＤ１３間には、キャパシタＣ５１〜Ｃ５５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ６とＬＮＤ１４間には、キャパシタＣ６１〜Ｃ６５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ７とＬＮＤ１５間には、キャパシタＣ７１〜Ｃ７５が直列に接続されている。
接続ランドＬＮＤ８とＬＮＤ１６間には、キャパシタＣ８１〜Ｃ８５が直列に接続されている。
【００４１】
そして、隣接する接続ランドＬＮＤ１とＬＮＤ２間、ＬＮＤ２とＬＮＤ３間、ＬＮＤ３とＬＮＤ４間、ＬＮＤ４とＬＮＤ５間、ＬＮＤ５とＬＮＤ６間、ＬＮＤ６とＬＮＤ７間、ＬＮＤ７とＬＮＤ８間は、それぞれ高周波的に電気的に結合させるキャパシタＣ１０１〜Ｃ１０７を介して接続されている。なお、キャパシタＣ１０１〜Ｃ１０７は低周波的には、接続されていない状態と等価となる。
同様に、リングコイル部２３２には、接続ランドＬＮＤ９〜ＬＮＤ１６が、たとえば５ｃｍ間隔で形成されている。そして、隣接する接続ランドＬＮＤ９とＬＮＤ１０間、ＬＮＤ１０とＬＮＤ１１間、ＬＮＤ１１とＬＮＤ１２間、ＬＮＤ１２とＬＮＤ１３間、ＬＮＤ１３とＬＮＤ１４間、ＬＮＤ１４とＬＮＤ１５間、ＬＮＤ１５とＬＮＤ１６間は、それぞれ高周波的に電気的に結合させるキャパシタＣ１０８〜Ｃ１１４を介して接続されている。なお、キャパシタＣ１０１〜Ｃ１０７は低周波的には、接続されていない状態と等価となる。
【００４２】
エレメント導体２３３の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ１と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る導電体、たとえばメッシュ状に形成された可撓性の銅メッシュ導電体２４１により接続されている。
同様に、エレメント導体２３３の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ９と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４２により接続されている。
なお、銅メッシュ導電体２４１の一端と接続ランドＬＮＤ１および銅メッシュ導電体２４１の他端とエレメント導体２３３の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２４２の一端と接続ランドＬＮＤ９および銅メッシュ導電体２４２の他端とエレメント導体２３３の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４３】
エレメント導体２３４の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ２と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４３により接続されている。
同様に、エレメント導体２３４の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１０と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４４により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２４３の一端と接続ランドＬＮＤ２および銅メッシュ導電体２４３の他端とエレメント導体２３４の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２４４の一端と接続ランドＬＮＤ１０および銅メッシュ導電体２４４の他端とエレメント導体２３４の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４４】
エレメント導体２３５の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ３と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４５により接続されている。
同様に、エレメント導体２３５の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１１と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４６により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２４５の一端と接続ランドＬＮＤ３および銅メッシュ導電体２４５の他端とエレメント導体２３５の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２４６の一端と接続ランドＬＮＤ１１および銅メッシュ導電体２４６の他端とエレメント導体２３５の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４５】
エレメント導体２３６の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ４と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４７により接続されている。
同様に、エレメント導体２３６の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１２と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４８により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２４７の一端と接続ランドＬＮＤ４および銅メッシュ導電体２４７の他端とエレメント導体２３６の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２４８の一端と接続ランドＬＮＤ１２および銅メッシュ導電体２４８の他端とエレメント導体２３６の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４６】
エレメント導体２３７の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ５と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４９により接続されている。
同様に、エレメント導体２３７の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１３と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５０により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２４９の一端と接続ランドＬＮＤ５および銅メッシュ導電体２４９の他端とエレメント導体２３７の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２５０の一端と接続ランドＬＮＤ１３および銅メッシュ導電体２５０の他端とエレメント導体２３７の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４７】
エレメント導体２３８の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ６と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５１により接続されている。
同様に、エレメント導体２３８の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１４と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５２により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２５１の一端と接続ランドＬＮＤ６および銅メッシュ導電体２５１の他端とエレメント導体２３８の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２５２の一端と接続ランドＬＮＤ１４および銅メッシュ導電体２５２の他端とエレメント導体２３８の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４８】
エレメント導体２３９の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ７と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５３により接続されている。
同様に、エレメント導体２３９の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１５と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５４により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２５３の一端と接続ランドＬＮＤ７および銅メッシュ導電体２５３の他端とエレメント導体２３９の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２５４の一端と接続ランドＬＮＤ１５および銅メッシュ導電体２５４の他端とエレメント導体２３９の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００４９】
エレメント導体２４０の一端は、リングコイル部２３１の接続ランドＬＮＤ８と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５５により接続されている。
同様に、エレメント導体２４０の他端は、リングコイル部２３２の接続ランドＬＮＤ１６と、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２５６により接続されている。
そして、銅メッシュ導電体２５５の一端と接続ランドＬＮＤ８および銅メッシュ導電体２５５の他端とエレメント導体２４０の一端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
同様に、銅メッシュ導電体２５６の一端と接続ランドＬＮＤ１６および銅メッシュ導電体２５６の他端とエレメント導体２４０の他端とは、たとえば図６に示すように、はんだＳＬＤにより接続されている。
【００５０】
本実施形態では、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４１〜２５６は、たとえば長さが１０〜２０ｍｍ、幅が５〜１０ｍｍ程度に設定される。
【００５１】
このように、主コイル部としてのリングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０の端部とを、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４１〜２５６により接続してあることから、加重に対する変形負荷に対してエレメント導体２３３〜２４０が変形に追随して動くことができる。
したがって、たとえば固定モジュール２２１に対して蝶番２２３により連結された可動モジュール２２２を開閉する際に、モジュールに大きな加重がかかり、リングコイル部２３１，２３２と各エレメント導体２３３〜２４０の端部との接続部に加重による変形負荷がかかったとしても、導電体によりその変形負荷が吸収緩和される。
その結果、リングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０との電気的接続が遮断されることが防止される。
【００５２】
また、本実施形態では、エレメント導体２３３〜２４０は、図７に示すように、長さ方向の一部（たとえば２箇所）がモジュールの一部に対してフック等の保持（固定）用部材ＨＬＤ１〜ＨＬＤ８を用いて保持（固定）されている。
このようにエレメント導体２３３〜２４０の一部を固定することにより、電気的特性に与える影響を抑制している。
【００５３】
ＲＦ駆動部２２は、制御部２５の指示に基づいたプロトコル対応の駆動信号ＤＲ１をＲＦコイル部２１４に与えてＲＦ励起信号を発生させて、被検体５０の体内のスピンを励起する。
【００５４】
勾配駆動部２３は、制御部２５の指示に基づいたプロトコル対応の駆動信号ＤＲ２を勾配コイル部２１３に与えて勾配磁場を発生させる。
勾配駆動部２３は、勾配コイル部２１３の３系統の勾配コイルに対応して、図示しない３系統の駆動回路を有する。
【００５５】
データ収集部２４は、ＲＦコイル部２１４が受信した受信信号を取り込み、それをビューデータ（ｖｉｅｗ  ｄａｔａ）として収集して、オペレータコンソール３０のデータ処理部３１に出力する。
【００５６】
制御部２５は、オペレータコンソール３０のデータ処理部３１から送られてくる被検体５０の被検部位に対応した実行すべきプロトコルに即して、あらかじめ決められた繰り返し時間ＴＲ内において所定のパルスシーケンスが所定回数繰り返される駆動信号ＤＲ１をＲＦコイル部２１４に印加するようにＲＦ駆動部２２を制御する。
同様に、制御部２５は、実行すべきプロトコルに即して、１ＴＲ内に、所定のパターンのパルス信号を勾配コイル２１３に印加するように勾配駆動部２３を制御する。
また、制御部２５は、ＲＦコイル部２１４が受信した受信信号を取り込み、それをビューデータ（ｖｉｅｗ  ｄａｔａ）として収集して、オペレータコンソール３０のデータ処理部３１に出力するように、データ収集部２４を制御する。
【００５７】
この磁気共鳴撮影用パルスシーケンスは、いわゆるスピンエコー（ＳＥ：Ｓｐｉｎ  Ｅｃｈｏ）法、グラディエントエコー（ＧＲＥ：ＧＲａｄｉｅｎｔ  Ｅｃｈｏ）法、ファーストスピンエコー（ＦＳＥ：Ｆａｓｔ  Ｓｐｉｎ  Ｅｃｈｏ）法、ファーストリカバリＦＳＥ（Ｆａｓｔ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  Ｓｐｉｎ  Ｅｃｈｏ）法、エコープラナー・イメージング（ＥＰＩ：Ｅｃｈｏ  Ｐｌａｎａｒ
Ｉｍａｇｉｎｇ）法等、各撮影方法によって異なる。
【００５８】
ここで、各撮影方法のパルスシーケンスのうち、ＳＥ法のパルスシーケンスについて、図８に関連付けて説明する。
図８（ａ）はＳＥ法におけるＲＦ励起用の９０°パルスおよび１８０°パルスのシーケンスであり、ＲＦ駆動部２２がＲＦコイル部２１４に印加する駆動信号ＤＲ１に相当する。
図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、および（ｅ）は、それぞれスライス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇｒ、フェーズエンコード勾配Ｇｐ、およびスピンエコーＭＲのシーケンスであり、スライス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇｒ、およびフェーズエンコード勾配Ｇｐのパルスは、勾配駆動部２３が勾配コイル部２１３に印加する駆動信号ＤＲ２に相当する。
【００５９】
図８（ａ）に示すように、ＲＦ駆動部２２によりＲＦコイル部２１４に対して９０°パルスが印加され、スピンの９０°励起が行われる。このとき、図８（ｂ）に示すように、勾配駆動部２３により勾配コイル部２１３に対してスライス勾配パルスＧｓが印加され、所定のスライスについて選択励起が行われる。
図８（ａ）に示すように、９０°励起から所定の時間後に、ＲＦ駆動部２２によりＲＦコイル部２１４に対して１８０°パルスが印加され、１８０°励起、すなわちスピン反転が行われる。このときも、図８（ｂ）に示すように、勾配駆動部２３により勾配コイル部２１３に対してスライス勾配パルスＧｓが印加され、同じスライスについて選択的な反転が行われる。
【００６０】
図８（ｃ）および（ｄ）に示すように、９０°励起とスピン反転の間の期間に、勾配駆動部２３により勾配コイル部２１３に対してリードアウト勾配パルスＧｒ、およびフェーズエンコード勾配パルスＧｐが印加される。
そして、リードアウト勾配パルスＧｒによりスピンのディフェーズが行われ、フェーズエンコード勾配パルスＧｐによりスピンのフェーズエンコードが行われる。
【００６１】
スピン反転後、図８（ｂ）に示すように、勾配駆動部２３により勾配コイル部２１３に対してリードアウト勾配パルスＧｒが印加されて、リフェーズされて、図８（ｅ）に示すように、スピンエコーＭＲが発生される。
このスピンエコーＭＲは、データ収集部２４によりビューデータとして収集される。
【００６２】
制御部２５は、このようなパルスシーケンスで、実行プロトコルに応じて、周期ＴＲでたとえば６４〜５１２回繰り返すように、ＲＦ駆動部２２、勾配駆動部２３、およびデータ収集部２４を制御する。
また、制御部２５は、繰り返しのたびに、フェーズエンコード勾配パルスＧｐを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行うように、制御を行う。
【００６３】
オペレータコンソール３０は、図１に示すように、データ処理部３１、操作部３２、および表示部３３を有している。
【００６４】
データ処理部３１は、データ収集部２４から取り込んだデータをメモリに記憶する。メモリ内にはデータ空間が形成される。メモリに形成されるデータ空間は、２次元フーリエ空間を構成する。
データ処理部３１は、これら２次元フーリエ空間のデータを２次元逆フーリエ変換、すなわちフーリエ周波数空間から実空間への変換を行って、被検体５０の画像を生成（再構成）する。
なお、２次元フーリエ空間をｋスペースともいう。
【００６５】
データ処理部３１には、制御部２５が接続されており、制御部２５の上位にあってそれを統括する。
データ処理３１には、また、操作部３２、および表示部３３が接続されている。
【００６６】
操作部３２は、ポインティングデバイスを備えたキーボードやマウス等により構成され、オペレータＯＰの操作に応じた操作信号をデータ処理部３１に出力する。また。操作部３２からは、たとえば上述した実行すべきプロトコルの入力が行われる。データ処理部３１は、操作部３２から入力されたプロトコルに関する情報（プロトコル番号等）を制御部２５に供給する。
【００６７】
表示部３３は、グラフィックディスプレイ等により構成され、操作部３２からの操作信号に応じて、ＭＲＩ装置２０の動作状態に応じた所定の情報を表示する。
【００６８】
次に、上記構成による動作を説明する。
まず、被検体５０が、下降位置（基準位置）にある昇降部２６の椅子２６１に、後頭部が固定モジュール２２１の内壁２２１１と対向するように座る。
そして、固定モジュール２２１の内壁側に取り付けられたヘッドギア２２１２により椅子２６１に座った被検体５０の頭部が固定される。
このとき、可動モジュール２２２は、その一側縁部が固定モジュール２２１の一側縁部と蝶番２２３により連結されているだけであり、頭部がヘッドギア２２１２により固定された被検体５０の顔面側を塞ぐように可動モジュール２２２が可動され、可動モジュール２２２の他側縁部と、固定モジュール２２１の他側縁部とが当接させた状態で、連結部２２２１により固定モジュール２２１と連結させる。
【００６９】
このとき、固定モジュール２２１と可動モジュール２２２においては、リングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０の端部とが、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４１〜２５６により接続してあることから、加重に対する変形負荷に対してエレメント導体２３３〜２４０が変形に追随して動く。
したがって、たとえば固定モジュール２２１に対して蝶番２２３により連結された可動モジュール２２２を開閉する際に、モジュールに大きな加重がかかり、リングコイル部２３１，２３２と各エレメント導体２３３〜２４０の端部との接続部に加重による変形負荷がかかったとしても、導電体によりその変形負荷が吸収緩和される。
その結果、リングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０との電気的接続が遮断されることがない。
【００７０】
そして、昇降部２６の座椅子２６１に座って被検部位である頭部周囲にＲＦコイル部のコイルモジュールが配置された被検体５０の頭部部分が、エレベータ機構２６１によってマグネットシステム２１の内部空間２１１を有し、内部空間２１１内に搬入される。
【００７１】
そして、オペレータＯＰにより、被検部位に対応したプロトコル情報が操作部３２から入力される。
操作部３２から入力されたプロトコルに関する情報（プロトコル番号等）がデータ処理部３１により制御部２５に供給される。
【００７２】
制御部２５では、オペレータコンソール３０のデータ処理部３１により実行すべきプロトコルの指定があると、オペレータコンソール３０のデータ処理部３１から送られてくる被検体５０の被検部位に対応した実行すべきプロトコルに即して、あらかじめ決められた繰り返し時間ＴＲ内において所定のパルスシーケンスが所定回数繰り返される駆動信号ＤＲ１をＲＦコイル部２１４に印加するようにＲＦ駆動部２２が制御され、実行すべきプロトコルに即して、１ＴＲ内に、所定のパターンのパルス信号を勾配コイル２１３に印加するように勾配駆動部２３が制御される。
【００７３】
ＲＦ駆動部２２では、制御部２５の指示に基づいたプロトコル対応の駆動信号ＤＲ１がＲＦコイル部２１４に印加され、勾配駆動部２３では、制御部２５の指示に基づいたプロトコル対応の駆動信号ＤＲ２が勾配コイル部２１３に印加される。
これにより、内部空間２１１内の所定の領域に勾配磁場および高周波磁場が形成され、被検体５０の被検部位で励起されたスピンが生じる電磁波が磁気共鳴信号として取り出され、これがデータ収集部２４で収集され、検査結果のデータとしてオペレータコンソール３０のデータ処理部３１に出力される。
すなわち、被検部位の撮像が行われる。
【００７４】
データ処理部３１では、データ収集部２４から入力したデータがメモリに記憶され、メモリ内にデータ空間が形成される。データ処理部３１では、これら２次元フーリエ空間のデータを２次元逆フーリエ変換して被検体５０の被検部位の画像が生成（再構成）される。
【００７５】
そして、被検体５０の被検部位のデータ収集が完了すると、エレベータ機構２６２によって、椅子２６１と共に被検体５０が下降され、被検部位である頭部およびＲＦコイル部２１４が内部空間２１１の外に搬出される。
【００７６】
以上説明したように、本実施形態によれば、主コイル部としてのリングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０の端部とを、可動モジュール２２２の開閉時に加わる変形負荷を吸収し得る銅メッシュ導電体２４１〜２５６により接続したので、固定モジュール２２１に対して蝶番２２３により連結された可動モジュール２２２を開閉する際に、モジュールに大きな加重がかかり、リングコイル部２３１，２３２と各エレメント導体２３３〜２４０の端部との接続部に加重による変形負荷がかかったとしても、導電体によりその変形負荷を吸収緩和することができ、リングコイル部２３１，２３２とエレメント導体２３３〜２４０との電気的接続が遮断されることを防止できる利点がある。
【００７７】
また、本実施形態では、エレメント導体２３３〜２４０の長さ方向の一部（たとえば２箇所）がモジュールの一部に対してフック等の保持（固定）用部材ＨＬＤ１〜ＨＬＤ８を用いて保持（固定）したので、電気的特性に与える影響を抑制することができる。
【００７８】
なお、本実施形態では、頭部用のＲＦコイルを例に説明したが、たとえば、可撓性部分を持ち、所望の被検部位、たとえば胴体部等に巻き付けるようにして被検部位を収容するプロファイル用フレックスコイル等にも本発明が適用できることはいうまでもない。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、主コイル部と各エレメント導体の端部との接続部に加重による変形負荷がかかったとしても、導電体によりその変形負荷を吸収緩和することができ、主コイル部とエレメント導体との電気的接続が遮断されることを防止できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気共鳴撮影装置を採用した磁気共鳴撮影システムの一実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明に係るＭＲＩシステムの外観図である。
【図３】本発明に係るＲＦコイル部の基本的な構成を説明するための図である。
【図４】本発明に係るＲＦコイル部の基本的な構成を説明するための図である。
【図５】本発明に係るＲＦコイルの具体的な構成を説明するための図である。
【図６】本発明に係るＲＦコイルの具体的な構成を説明するための図である。
【図７】本発明に係るＲＦコイルの具体的な構成を説明するための図である。
【図８】スピンエコー法のパルスシーケンスについて説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１０…ＭＲＩシステム、２０…ＭＲＩ装置、２１…マグネットシステム、２１１…内部空間、２１２…主磁場マグネット部、２１３…勾配コイル部、２１４…ＲＦコイル部、２２…ＲＦ駆動部、２３…勾配駆動部、２４…データ収集部、２５，２５Ａ〜２５Ｃ…制御部、２６…昇降部、３０…オペレータコンソール、３１…データ処理部、３２…操作部、３３…表示部、４０…スキャンルーム、５０…被検体、２２１…固定モジュール、２２２…可動モジュール、２２３…蝶番、２３１，２３２…リングコイル部、２３３〜２４０…エレメント導体、２４１〜２５６…銅メッシュ導電体、Ｃ１〜Ｃ１４…キャパシタ、ＬＮＤ１〜ＬＮＤ１６…接続ランド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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