(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に、バスバー部とバスバー部から延びる電極指とが弾性表面波が発生するように各電極指を互いに交差して設けられ、
バスバー部に、グレーティング領域が、上記各電極指からの弾性表面波に対する音響反射を低減するために上記各電極指のピッチと異なるピッチのストリップを有しており、前記ストリップが前記電極指と平行になるように設けられていることを特徴とする弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項２】
弾性表面波発生領域にて発生する弾性表面波の音速と最も近い音速を有する、グレーティングの、１波長の長さ当たりのストリップの本数をｍ2 本としたとき、
グレーティング領域は、１波長の長さ当たりのストリップの本数ｍ1 （０より大きい実数）が、０≦ｍ2 −４≦ｍ1 ≦ｍ2 ＋８の条件式を満たすように設定されていることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項３】
グレーティング領域は、ストリップをｎ波長でｍ本（ｎ，ｍは整数）としたとき、（ｎ，ｍ）が、ｎ／ｍ≠（０．５の整数倍）となるように設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項４】
電極指のピッチが通過帯域の中心周波数の波長長さの２分の１に設定されていることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項５】
電極指のピッチが通過帯域の中心周波数の波長長さの４分の１に設定されていることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項６】
グレーティング領域は、ストリップ線幅とストリップギャップ幅の比が１：１に設定されていることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項７】
グレーティング領域における互いに隣り合う各ストリップを短絡する細線が設けられていることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項８】
圧電基板が、水晶、ランガサイト、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＳｉＯ2 ／Ｘ−１１２°ＹＬｉＴａＯ3 、ＺｎＯ／水晶からなる群から選択された一種であることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部。
【請求項９】
請求項１ないし８の何れかに記載の弾性表面波用のくし型電極部が、トランスバーサル型フィルタを形成するように設けられていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項１０】
請求項９記載の弾性表面波装置を有することを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の小型通信装置に好適な、フィルタ機能と良好な伝送特性を有する弾性表面波用のくし型電極部、それを有する弾性表面波装置およびそれを用いた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、弾性表面波装置（以下、ＳＡＷフィルタという）は、小型化、高周波化、量産性に優れていることから、携帯電話をはじめとする、無線の通信装置に多く使用されるようになってきた。特に、ＴＤＭＡ、ＣＤＭＡ等のデジタル通信方式における通信装置の第一ＩＦフィルタにおいては、小型化に加え広帯域、かつ高減衰量であって、平坦位相特性の優れたものが要求されている。
【０００３】
トランスバーサル型のＳＡＷフィルタは、他のデバイスに比べて周波数−位相特性が直線的である点で優れており、上記通信装置に好適に用いることができるものとして注目されている。
【０００４】
しかしながら、トランスバーサル型のＳＡＷフィルタでは、横モードスプリアスや回折損が発生し、伝送特性の劣化という問題がある。そこで、それらの問題を回避するために、特開平１１−２９８２８６号公報においては、弾性表面波の主伝搬方向の逆速度面が凹となる圧電基板に、くし型電極部（以下、ＩＤＴという）、グレーティング電極の開口の両側に開口部よりも幅広の電極指を有するグレーティング電極を配置して、上記問題を抑制している。
【０００５】
また、特開平１０−２２４１７７号公報では、水晶基板上に、第１と第２のＳＡＷ共振子の間に結合共振子を相互に平行となるように横に配置した上で、全体の共振周波数を計算して、３個の固有モードを得た上で、さらに３個の共振周波数を等間隔に配置して、横多重モードフィルタの通過比帯域幅を１０００ｐｐｍ程に広帯域化した横多重モードフィルタが開示されている。
【０００６】
さらに、特開平６−１６４２９７号公報においては、すだれ状変換器電極（ＩＤＴ）のバスバーから平行に多数連接された電極指の電極首部の電極幅を、菱形重み付けが施された電極実部の電極幅に比べて長さ１．５／λ以上にわたって狭くしたラブ波型の弾性表面波共振子が開示されている。
【０００７】
また、特開平１０−１７３４６７号公報では、圧電基板の主面上に弾性表面波の伝搬方向に沿って２個以上のＩＤＴを配置しそれぞれが互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形電極から構成されるトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、ダミー電極同士を横に結ぶ連結線を少なくとも１つ設け、電極指のオーミックロスを軽減したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタが開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の各公報に記載のＳＡＷフィルタに用いられたＩＤＴでは、グレーティング領域において、弾性表面波の音響反射が生じ、上記音響反射により時間的に遅れて到達した弾性表面波の影響で、通過帯域における出力信号の波形にリプル（波形の乱れ）が発生するという問題を生じているものもある。特に、上記問題は、時間遅れ信号の影響を受け易いトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて顕著に現れる。
【０００９】
また、特開平１１−２９８２８６号公報や特開平６−１６４２９７号公報においては、グレーティング領域を、反射を防ぐために交差領域のピッチとほぼ同一として、グレーティング領域のストリップ線幅とストリップギャップ幅との比を変化させて形成している。よって、上記形成方法では、ストリップ線幅やストリップギャップ幅を太くしたり細くしたりするため、用いる通過帯域の周波数が高くなるにつれレジストの解像度や、エッチング時の抜け不良などに起因して歩留りが低下し易いという問題を生じている。さらに、特開平６−１６４２９７号公報においては、電極指の電極首部の電極幅を狭くしたことに起因する抵抗損失に基づく性能劣化という問題も生じている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波用のＩＤＴは、上記課題を解決するために、圧電基板上に、基端側のバスバー部とバスバー部から延びる電極指とが弾性表面波が発生するように各電極指を互いに交差して設けられ、バスバー部に、グレーティング（格子窓）領域が、上記各電極指からの弾性表面波に対する音響反射を低減するために上記各電極指のピッチと異なるピッチのストリップを有するように設けられていることを特徴としている。
【００１１】
上記構成によれば、圧電基板上に、互いに交差した各電極指を有するので、圧電基板や各電極指によって決まる通過帯域および非通過帯域が設定され、フィルタ機能を発揮できる。
【００１２】
また、上記構成では、グレーティング領域を、バスバー部に設けたので、互いに交差した各電極指に対し近接し、弾性表面波の伝搬方向にほぼ平行に配置することができる。また、上記構成では、各電極指からの弾性表面波に対する音響反射を低減するために上記各電極指のピッチと異なるピッチのストリップを有するようにグレーティング領域を設けたので、通過帯域における出力信号の波形に対する、上記音響反射に起因するリプル（波形の乱れ）の発生を抑制できる。
【００１３】
上記ＩＤＴにおいては、グレーティング領域は、通過帯域の中心周波数の波長のｎ倍（ｎは正の整数）、かつバスバー部における弾性表面波の伝搬方向の長さ未満で、グレーティング領域の各ストリップでの弾性表面波の反射波が互いに打ち消しあうように設定されていることが好ましい。
【００１４】
上記構成によれば、グレーティング領域のピッチに対応している、グレーティング領域の弾性表面波の伝搬速度（以下、音速という）を上記のように調整することにより、音響反射をほぼ無くすことが可能となり、上記音響反射に起因するリプル（波形の乱れ）の発生をより完全に抑制できる。
【００１５】
上記ＩＤＴでは、１波長に整数本のストリップを配置した等周期グレーティングにおける、弾性表面波発生領域（各電極指の交差領域）にて発生する弾性表面波の音速と最も近い音速を有する、グレーティングの、１波長の長さ当たりのストリップの本数をｍ2 本としたとき、グレーティング領域は、１波長の長さ当たりのストリップの本数ｍ1 （ｍ1 は０より大きい実数）が、０≦ｍ2 −４≦ｍ1 ≦ｍ2 ＋８の条件式を満たすように設定されていることが望ましい。
【００１６】
上記構成によれば、グレーティング領域の音速を、各電極指の部分よりもわずかに遅くすることにより、横モードスプリアスを抑制できる。逆に、わずかに速くすることにより、圧電基板上を伝搬する弾性表面波に対する回折損の発生（リプルの発生）を抑えることができる。
【００１７】
上記ＩＤＴでは、グレーティング領域は、ストリップをｎ波長でｍ本（ｎ，ｍは整数）としたとき、（ｎ，ｍ）が、ｎ／ｍ≠（０．５の整数倍）となるように設定されていることが望ましい。上記構成によれば、グレーティング領域をほぼ無反射に設定できて音響反射に起因するリプル（波形の乱れ）の発生をより一層完全に抑制できる。
【００１８】
上記ＩＤＴにおいては、電極指のピッチが通過帯域の中心周波数の波長長さの２分の１に設定されていてもよい。上記ＩＤＴでは、電極指のピッチが通過帯域の中心周波数の波長長さの４分の１に設定されていてもよい。
【００１９】
本発明の他のＩＤＴは、前記の課題を解決するために、逆速度面が凸である圧電基板上に、基端側のバスバー部とバスバー部から延びる電極指とが弾性表面波が発生するように各電極指を互いに交差して設けられ、バスバー部に、グレーティング領域が、グレーティング領域のピッチを各電極指のピッチより小さく設定して設けられていることを特徴としている。
【００２０】
上記構成によれば、グレーティング領域の音速を、各電極指の部分よりもわずかに遅くすることにより、横モードスプリアスを抑制でき、伝送特性を向上できる。
【００２１】
上記ＩＤＴにおいては、グレーティング領域は、ストリップ線幅とストリップギャップ幅の比が１：１に設定されていることが好ましい。上記構成によれば、用いる通過帯域の周波数が高くなっても、レジストの解像度や、エッチング時の抜け不良などによる歩留り低下を抑制でき、また、従来のような抵抗損の発生を回避できる。
【００２２】
上記ＩＤＴでは、グレーティング領域における互いに隣り合う各ストリップを短絡する細線が設けられていてもよい。上記構成によれば、従来のような抵抗損の発生を回避できる。
【００２３】
上記ＩＤＴでは、圧電基板が、水晶、ランガサイト、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＳｉＯ2 ／Ｘ−１１２°ＹＬｉＴａＯ3 、ＺｎＯ／水晶からなる群から選択された一種であってもよい。
【００２４】
本発明のＳＡＷフィルタは、前記の課題を解決するために、上記の何れかに記載のＩＤＴがトランスバーサル型フィルタを形成するように設けられていることを特徴としている。本発明の通信装置は、上記ＳＡＷフィルタを有していることを特徴としている。上記構成によれば、伝送特性を改善できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の各形態について図１ないし図１９に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】
本発明の実施の第一形態に係る弾性表面波用のＩＤＴ（くし型電極部）では、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 からなる圧電基板１上に、第一くし型電極２および第二くし型電極３が、フォトリソグラフィー法等により形成されたアルミニウム（Ａｌ）電極（箔）によって設けられている。
【００２７】
第一くし型電極２は、基端側に帯状のバスバー部２ａと、バスバー部２ａの長手方向の一方の側部から直交する方向に延びる、帯状で複数の互いに平行な電極指２ｂとを備えている。第二くし型電極３も、同様に、基端側に帯状のバスバー部３ａと、バスバー部３ａの長手方向の一方の側部から直交する方向に延びる、帯状で複数の互いに平行な電極指３ｂとを備えている。
【００２８】
さらに、第一くし型電極２と、第二くし型電極３とは、各電極指２ｂと各電極指３ｂとが、それらの長手方向の側部を互いに対面し、かつ平行となるように交差した状態（つまり、互いに入り組んだ）に配置されることによって、それら交差領域６にて弾性表面波を発生でき、また伝搬してきた特定範囲の周波数の弾性表面波から電気信号を発生できるようになっている。
【００２９】
その上、各電極指２ｂと各電極指３ｂとについては、弾性表面波の波長長さに対し４本の電極指を有するダブル電極であり、かつ非対称型と対称型との混合型にて形成されている。
【００３０】
各バスバー部２ａ、３ａには、それぞれ、上記各電極指２ｂ、３ｂからの弾性表面波に対する音響反射波を低減するためのグレーティング領域２ｃ、３ｃが設けられている。各グレーティング領域２ｃ、３ｃにおいては、それぞれ、帯状のストリップ２ｄ、３ｄが、互いに離間してすなわち互いに隣り合う各ストリップ２ｄ、３ｄ間に帯状のストリップギャップ（開口部）２ｅ、３ｅを形成して設けられている。また、各ストリップ２ｄ、３ｄは、それらの長手方向（長さ方向）がバスバー部２ａ、３ａの短手方向（幅方向）に沿うように設けられている。
【００３１】
ストリップ２ｄ、３ｄの長さは、バスバー部２ａ、３ａの幅より小さくとも、同一でも、大きくてもよい。よって、バスバー部２ａ、３ａの基端部側（各電極指２ｂ、３ｂに接続された先端部側に対し反対側）が、アルミニウム電極（箔）により各ストリップ２ｄ、３ｄを連通した場合は、バスバー部２ａ、３ａは、くし状になる。なお、バスバー部２ａ、３ａの幅方向の中間部をアルミニウム電極（箔）により各ストリップ２ｄ、３ｄを連通してもよい。
【００３２】
各ストリップ２ｄ、３ｄは、互いに平行に、かつ、各ストリップ２ｄ、３ｄの長手方向が、各電極指２ｂと各電極指３ｂの長手方向と平行となるように設定されている。よって各ストリップ２ｄ、３ｄの短手方向は、各電極指２ｂと各電極指３ｂにて発生する弾性表面波の伝搬方向とほぼ平行となる。また、ストリップ２ｄ、３ｄの線幅比は、製造の容易さや、歩留り（特に高周波化されたときの）の向上や低抵抗化を図れることから、０．５が好ましい。上記線幅比は、ストリップ線幅／（ストリップ線幅＋ストリップギャップ幅）である。
【００３３】
そして、各グレーティング領域２ｃ、３ｃでは、各ストリップ２ｄ、３ｄのピッチ４が上記各電極指２ｂ、３ｂの電極指ピッチ５と異なるように設けられている。各グレーティング領域２ｃ、３ｃは、言い換えると各グレーティング領域２ｃ、３ｃを構成する各ストリップ２ｄ、３ｄのストップバンド（阻止帯域）を第一くし型電極２および第二くし型電極３の動作帯域（弾性表面波の発生周波数帯域）からずらすことにより、各グレーティング領域２ｃ、３ｃの音速（圧電基板１上での弾性表面波の伝搬速度）を調整するように設けられている。
【００３４】
これにより、本発明では、各グレーティング領域２ｃ、３ｃにおける、各ストリップ２ｄ、３ｄからの音響反射波が互いに打ち消し合い、各グレーティング領域２ｃ、３ｃからの音響反射波の影響を低減でき、上記音響反射波に起因するリプルの発生を防止できる。
【００３５】
このようなＩＤＴを複数、例えば２個（入力用と出力用）、弾性表面波の伝搬方向に沿って圧電基板１上に配置することによりトランスバーサル型フィルタ（ＳＡＷフィルタ）を形成することができる。
【００３６】
また、グレーティング領域２ｃ、３ｃと、各電極指２ｂ、３ｂとの間の電気的接続を、より確実に確保するため、図２に示すように、各グレーティング領域２ｃ、３ｃの各ストリップ２ｄ、３ｄの、互いに隣り合う各先端側を架橋するように接続する細線部７が、各ストリップ２ｄ、３ｄと同様な素材および工法にて設けられていてもよい。細線部７の幅は、より細い方が好ましい。
【００３７】
しかしながら、このようにピッチ４を変えたＩＤＴの場合、上記ＩＤＴを用いたトランスバーサル型フィルタでは、各グレーティング領域２ｃ、３ｃでの音響反射により特性が悪化する恐れ、例えば、１波長当たり各ストリップ２ｄ、３ｄの本数が２本で線幅比が０．５の場合、多重反射を起こし特性が劣化する恐れがある。
【００３８】
そこで、テスト用として、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 からなる圧電基板上に、ＩＤＴを用いてトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを作製した。上記ＩＤＴは、入出力共に電極指が１００本（５０対）で、波長当たりの電極指が４本のＵＢＤ（Unbalanced double finger:USP No. 4,162,465 Hunsinger et al. 参照）電極、および１波長当たり２本のストリップで線幅比０．５の各グレーティング領域を有するものである。
【００３９】
このようなトランスバーサル型ＳＡＷフィルタについて、音響反射を考慮しない理論値は図３に示すようになった。一方、音響反射を考慮した場合は図４に示すようになった。これらの結果から明らかなように、多重反射の影響でフィルタの特性が理論値より悪化しているのが判る。
【００４０】
このようにトランスバーサル型ＳＡＷフィルタでは、共振を利用したフィルタなどと異なり反射を積極的に利用しないため、各グレーティング領域２ｃ、３ｃでの音響的反射がない（あるいは小さい）ことが好ましい。
【００４１】
そこで、本発明では、線幅比０．５の場合、各グレーティング領域２ｃ、３ｃの各ストリップ２ｄ、３ｄの本数をｎ波長でｍ本（ｎ，ｍは正の整数）として、かつ「ｎ／ｍ＝（０．５の整数倍）」を除く（ｎ，ｍ）の組みになるようにｎ，ｍをそれぞれ選択することにより、各グレーティング領域２ｃ、３ｃに各ストリップ２ｄ、３ｄを配置すれば、各グレーティング領域２ｃ、３ｃ内の音響反射波が互いに打ち消し合い、ｎ波長単位で無反射条件となる。
【００４２】
ここで、波長は、厳密には、各グレーティング領域２ｃ、３ｃを伝搬する弾性表面波の波長であるが、グレーティングのピッチを極端に変えない範囲では、ほぼ通過帯域の中心周波数の波長と考えてもよい。
【００４３】
なお、このような（ｎ，ｍ）の組みであれば、必ずしも線幅比は０．５である必要はなく、また「ｎ／ｍ＝（０．５の整数倍）」となるような（ｎ，ｍ）の組みでも線幅比を変えて、ストリップ１本で無反射にできるようなストリップの幅に設定すれば無反射にできる。
【００４４】
このように（ｎ，ｍ）の組みが、ｎ／ｍ＝（０．５の整数倍）に近いところでも有効であるので、以下でその範囲を規定する。各グレーティング領域２ｃ、３ｃの各ストリップ２ｄ、３ｄのピッチ４として望ましいのは、各グレーティング領域２ｃ、３ｃの音速が、交差領域６の音速に近い場合である。１波長当たりの各ストリップ２ｄ、３ｄの本数（ピッチ４）と音速との関係を、圧電基板や電極指を代えて調べた。それらの結果を図５ないし図９に示した。
【００４５】
図５は、圧電基板として水晶［オイラー角（0,122,0 ）］、電極指としてＡｌ（膜厚４％）のものである。図６は、圧電基板としてＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 ［オイラー角（135,90,90 ）］、電極指としてＡｌ（膜厚２％）のものである。図７は、圧電基板としてランガサイト［オイラー角（0,140,24）］、電極指としてＡｌ（膜厚２％）のものである。図８は、圧電基板としてＬｉＴａＯ3 ［オイラー角（90,90,112 ）］、電極指としてＡｌ（膜厚２．２％）、電極指を埋め込むためのＳｉＯ2 （膜厚８％）のものである。図９は、圧電基板として水晶、電極指としてＡｌ、電極指を埋め込むためのＺｎＯ（膜厚３０％）のものである。
【００４６】
これにより、実用になるのは、実際の交差領域６での音速の前後である。図５ないし図９では、シングル電極ならば２本、ダブル電極ならば４本に相当し、さらにＵＢＤ電極を用いた場合を示し，また、自由音速およびメタライズ部も示した。
【００４７】
本発明では、ＥＷＣ(Electric Width Control)や、他のＳＰＵＤＴ(Single-Phased UniDirectional Transducer) 等の電極構造も考え、それぞれのＩＤＴ構成と同等な音速を有するときの１波長当たりの各ストリップ２ｄ、３ｄの本数をｍ2 （実数）としたとき、実際の各ストリップ２ｄ、３ｄの本数（ピッチ４）ｍ1 を、０≦ｍ2 −４≦ｍ1 ≦ｍ2 ＋８の条件式を満たすように設定すればよい。
【００４８】
なお、実施の第一形態では、第一くし型電極２および第二くし型電極３として、非対称型と対称型とを混合したダブル電極を用いた例を挙げたが、必要に応じて、図１０に示すような、シングル電極（弾性表面波の波長長さに対し２本の電極指）や、図１１に示すような、対称ダブル電極を用いることが可能である。
【００４９】
また、圧電基板１の素材としては、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 に限定されるものではなく、例えば水晶、ランガサイト、ＳｉＯ2 ／Ｘ−１１２°ＹＬｉＴａＯ3 、ＺｎＯ／水晶等を必要に応じて用いることができる。さらに、ＬｉＮｂＯ3 等の結晶系基板、または結晶系基板上や、ダイヤモンド、サファイヤ、シリコン、ガラス基板上にＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｔａ2 Ｏ5 などの圧電薄膜を形成した基板、Ｐｂ−Ｚｎ−Ｔｉ−Ｏなどのセラミック系基板などでも有効である。電極としてアルミニウムを用いたが、アルミニウムに銅、シリコン、チタンなどを添加してもよいし、Ａｕなどの他の導電材料を用いてもよい。
【００５０】
ところで、各バスバー部２ａ、３ａが、ストリップギャップ２ｅ、３ｅを形成しないメタライズドバスバーの場合、金属膜厚でしか音速を調整できないため、交差領域の音速に対して、各グレーティング領域の音速が速すぎる、あるいは遅すぎることがある。この場合には、上記音速の大きな相違に起因して、高次モードの発生、あるいは回折損などによる通過帯域におけるリプルの発生が問題となっていた。
【００５１】
しかしながら、本発明では、各グレーティング領域２ｃ、３ｃをストリップ構造とし、そのピッチ４を交差領域６の電極指ピッチ５に対してずらすことにより、各グレーティング領域２ｃ、３ｃにおける音速を望ましく調整して、上記問題を回避できる。
【００５２】
本発明では、各グレーティング領域２ｃ、３ｃでの反射を抑制することについては、各グレーティング領域２ｃ、３ｃを構成する各ストリップ２ｄ、３ｄのストップバンドを第一くし型電極２および第二くし型電極３の動作帯域からずらせば一定の効果が得られる。
【００５３】
また、特開平６−１６４２９７号公報のように、電極指の電極首部の電極幅を細くすると、抵抗損失が増え性能劣化を生じる。一方、本発明では、音速調整を各グレーティング領域２ｃ、３ｃの各ストリップ２ｄ、３ｄの線幅比を変えずに、ピッチ４をずらすことで行う。よって、各グレーティング領域２ｃ、３ｃでは、単位面積当たりの導体の体積が変化しないので、各グレーティング領域２ｃ、３ｃの抵抗値は劣化せず、性能劣化は回避される。
【００５４】
さらに、ＳＴ水晶などで音速を上げる場合、ストリップ線幅を細くする必要がある。グレーティング領域のストリップ線幅を細くすると、フォトリソグラフィー法によるパターン形成が難しくなり、抜け不良などにより製造歩留りが悪化するという不都合を生じる。
【００５５】
しかし、本発明では、音速調整を各グレーティング領域２ｃ、３ｃの各ストリップ２ｄ、３ｄの線幅比を変えずに、ピッチ４をずらすことで行うので、上記不都合を防止できる。その上、本発明においては、特に音速を上げる場合は、ピッチ４を広くする方向でありパターン形成は容易となる。
【００５６】
次に、横モードスプリアスの抑圧と、回折損の低減に関して述べる。交差領域６の音速をＶIDT 、グレーティング領域の音速をＶG とする。上記各音速は、各電極指２ｂ、３ｂや各ストリップ２ｄ、３ｄの長手方向に対し直交する方向の弾性表面波の音速である。逆速度面が凸となるような圧電基板上に形成されたＳＡＷフィルタにおいて、▲１▼ＶG ＞ＶIDT が望ましい場合と、▲２▼ＶG ＜ＶIDT が望ましい場合とを検討した。
【００５７】
▲１▼ＶG ＞ＶIDT が望ましい場合
交差領域６に導波路を形成して横基本モードを生成し、開口長（交差領域６の長さ）が狭い（小さい）場合の回折損を軽減することができる。図１２ないし図１７に、導波路を形成することにより回折損を減らした例および比較例を挙げる。高次モードが起きないように開口長と音速差を適当に選ぶ必要がある。このため、速度差は小さい方がよい。
【００５８】
図１２および図１３は、逆速度面が凸となるＺｎＯ／Ａｌ／quartzでグレーティング領域１２ｃの音速ＶG が交差領域６の音速ＶIDT より遅い場合を示す。図１２に示すグレーティング領域１２ｃを有するＩＤＴを用いたＳＡＷフィルタでは、図１３の伝送特性に示すように、回折損が見られる。
【００５９】
図１４および図１５は、ＺｎＯ／Ａｌ／quartzでグレーティング領域２２ｃの音速ＶG が交差領域６の音速ＶIDT より速いがグレーティング領域２２ｃに反射がある場合を示す。図１４に示すグレーティング領域２２ｃを有するＩＤＴを用いたＳＡＷフィルタでは、図１５の伝送特性に示すように、通過帯域にリプルが発生している。
【００６０】
図１６および図１７は、ＺｎＯ／Ａｌ／quartzでグレーティング領域３２ｃの音速ＶG が交差領域６の音速ＶIDT より速く、グレーティング領域３２ｃに反射が無い場合を示す。図１６に示すグレーティング領域３２ｃを有するＩＤＴを用いたＳＡＷフィルタでは、図１７の伝送特性に示すように、良好な伝送特性が見られる。図１６では、グレーティング領域３２ｃのストリップは、２波長で３本のとき（１波長当たり１．５本）で良好な結果が得られている。
【００６１】
以上の結果から、グレーティング領域における１波長当たりのストリップの本数をｍ1 とすれば、ｍ1 ＜１．６程度が望ましいことが判る。なお、上記グレーティング領域１２ｃ、２２ｃ、３２ｃについては、上記の各相違点以外は、前述のグレーティング領域２ｃ、３ｃと同様の機能を有するものである。
【００６２】
▲２▼ＶG ＜ＶIDT が望ましい場合
横モードの弾性表面波が不要なトランスバーサル型ＳＡＷフィルタなどにおいて、横モードの弾性表面波の発生を抑制することができる。なお、この条件では回折が生じるが、その程度が小さい開口長を選べばよい。
【００６３】
図１８に、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 からなる圧電基板を用い、通過帯域の中心周波数が１９０ＭＨｚ（波長約１８μｍ）に調製されたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの測定結果の一例を示す。グレーティング領域２ｃ、３ｃのストリップの本数を１波長当たり６（５．９６）本として音速を交差領域６の音速より遅く設定し、横モードの影響を減少させた例である。また、上記一例には、図２に示す細線部７が同様に設けられている。
【００６４】
上記グレーティング領域２ｃ、３ｃを有するトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ（図１８中に実線にて示した）では、グレーティング構造としていない場合（前述のメタライズドバスバー、図１８中に破線にて示した）と比べて、通過帯域での横モードに起因するリプルが減少していることが判る。
【００６５】
以上により、音速差が少なくなる、１波長当たりのストリップの本数ｍ1 （実数）、各電極指２ｂ、３ｂの１波長当たりの本数ｍ3 を選ぶと、ｍ3 ＜ｍ1 （ｍ1 の上限は主に製造上の限界で決まる）に、例えば、ｍ3 が４本のとき、４＜ｍ1 に設定すればよい。
【００６６】
次に、本発明に係る通信装置を図１９に基づき説明する。図１９に示すように、上記通信装置１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて構成されている。
【００６７】
Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１０５へは、図１９に二本線で示したように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。
【００６８】
また、上記通信装置１００は、送信を行うトランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic power control （自動出力制御））１２７を備えて構成されている。
【００６９】
そして、上記のＲｘ段間フィルタ１０４、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した本発明に係るＳＡＷフィルタが好適に利用できる。
【００７０】
【発明の効果】
本発明のＩＤＴは、以上のように、圧電基板上に、基端側のバスバー部とバスバー部から延びる電極指とが弾性表面波が発生するように各電極指を互いに交差して設けられ、バスバー部に、グレーティング領域が、上記各電極指からの弾性表面波に対する音響反射を低減するために上記各電極指のピッチと異なるピッチのストリップを有するように設けられている構成である。
【００７１】
それゆえ、上記構成では、各電極指のピッチと異なるピッチのストリップを有するグレーティング領域をバスバー部に設けたので、バスバー部からの音響反射を低減でき、音響反射を低減することで、リプルといった伝送特性の劣化を抑制できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施の第一形態におけるＩＤＴの概略構成図である。
【図２】上記ＩＤＴの一変形例の概略構成図である。
【図３】上記ＩＤＴを用いた、テスト用のＳＡＷフィルタの理論値の伝送特性を示すグラフである。
【図４】上記伝送特性において音響反射を考慮したときのグラフである。
【図５】上記ＩＤＴにおいて、圧電基板にＳＴ水晶を用いた場合の、グレーティング領域のストリップの１波長当たりの本数と音速との関係を示すグラフである。
【図６】上記ＩＤＴにおいて、圧電基板にＬｉ2 Ｂ4 Ｏ7 （図中ではＬＢＯと記す）を用いた場合の、グレーティング領域のストリップの１波長当たりの本数と音速との関係を示すグラフである。
【図７】上記ＩＤＴにおいて、圧電基板にランガサイトを用いた場合の、グレーティング領域のストリップの１波長当たりの本数と音速との関係を示すグラフである。
【図８】上記ＩＤＴにおいて、圧電基板にＳｉＯ2 ／Ｘ−ＬｉＴａＯ3 （図中ではＳｉＯ2 Ｘ−ＬＴと記す）を用いた場合の、グレーティング領域のストリップの１波長当たりの本数と音速との関係を示すグラフである。
【図９】上記ＩＤＴにおいて、圧電基板にＺｎＯ／水晶（図中ではＺｎＯ／Ａｌ／Quartzと記す）を用いた場合の、グレーティング領域のストリップの１波長当たりの本数と音速との関係を示すグラフである。
【図１０】上記ＩＤＴの他の例を示す概略構成図である。
【図１１】上記ＩＤＴのさらに他の例を示す概略構成図である。
【図１２】比較のためのＩＤＴを示す概略構成図であり、（ａ）は要部構成図、（ｂ）は上記（ａ）の要部拡大図である。
【図１３】上記ＩＤＴを用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝送特性を示すグラフであり、（ａ）は通過帯域を示し、（ｂ）は上記（ａ）のスパンを大きくしたものである。
【図１４】比較のための他のＩＤＴを示す概略構成図であり、（ａ）は要部構成図、（ｂ）は上記（ａ）の要部拡大図である。
【図１５】上記ＩＤＴを用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝送特性を示すグラフであり、（ａ）は通過帯域を示し、（ｂ）は上記（ａ）のスパンを大きくしたものである。
【図１６】本発明に係るＩＤＴの概略構成図であり、上記ＩＤＴがＺｎＯ／Ａｌ／quartzでグレーティング領域の音速ＶG が交差領域の音速ＶIDT より速く、グレーティング領域に反射が無い場合を示し、（ａ）は要部構成図、（ｂ）は上記（ａ）の要部拡大図である。
【図１７】上記ＩＤＴを用いたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝送特性を示すグラフであり、（ａ）は通過帯域を示し、（ｂ）は上記（ａ）のスパンを大きくしたものである。
【図１８】本発明に係る、ＶG ＜ＶIDT であり、Ｌｉ2 Ｂ4 Ｏ7 からなる圧電基板を用いたＩＤＴを有するトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの伝送特性を示すグラフである。
【図１９】本発明に係るＩＤＴを用いた通信装置の要部ブロック図である。
【符号の説明】
１    圧電基板
２ａ、３ａ  バスバー部
２ｂ、３ｂ  電極指
２ｃ、３ｃ  グレーティング領域
２ｄ、３ｄ  ストリップ
４    ピッチ
５    電極指ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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