(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置であって、
少なくとも１つの、放射生成量子井戸構造（１１）と、該量子井戸構造（１１）を光学的にポンピングするための少なくとも１つのポンピング放射源（２０）とを備えており、ここでポンピング放射源（２０）は縁部放出半導体構造（２１）を有している
形式のものにおいて、
前記の放射生成量子井戸構造（１１）および縁部放出半導体構造（２１）はそれぞれ、共通の基板（１）にエピタキシャルに順次成長されている半導体層列を有しており、
前記のビーム放射を行う量子井戸構造（１１）およびポンピング放射源（２０）は基板（１）上に上下に配置されており、
量子井戸構造（１１）は縁部放出半導体構造（２１）に光学的に結合されているため、半導体レーザ装置の作動中、ポンピング放射（２）が量子井戸構造（１１）にガイドされることを特徴とする
半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記の２つのポンピング放射源は量子井戸構造（１１）の相対向している側に配置されており、
該ポンピング放射源は作動中、ポンピング放射（２）を量子井戸構造（１１）に送射する、
請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
多数のポンピング放射源（２０）が前記の量子井戸構造（１１）を中心に星形に配置されており、
前記のポンピング放射源は作動中、ポンピング放射（２）を量子井戸構造（１１）に送射する、
請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記の量子井戸構造（１１）の相対向している側に配置されている２つのポンピング放射源（２０）はそれぞれ一緒に、レーザ放射を用いた光学的なポンピングのためのレーザ構造を形成している、
請求項２または３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記のポンピング放射源（２０）は少なくとも１つのリングレーザを有している、
請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記の量子井戸構造（１１）はリングレーザの共振器内に配置されている、
請求項５記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記のリングレーザの共振器はリング形状に閉じられている導波路によって形成されている、
請求項５または６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は、該縁部放出半導体構造（２１）の屈折率よりも屈折率の小さい媒体によって取り囲まれている、
請求項５から７までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は、空気、別のガス状の媒体または誘電体によって取り囲まれている
請求項５から８までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は、円形または円環形状の横断面を有するシリンダ形状のボディーとして形成されている、
請求項５から９までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は、多角形または多角環形状の横断面を有するプリズム形状のボディーとして形成されている、
請求項５から９までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は、第１の導波路（２３）と第２の導波路（２４）との間に埋め込まれている少なくとも１つの活性層（２５）を有しており、該第１および第２の導波路の方は第１のジャケット層（２８）と第２のジャケット層（２９）との間に埋め込まれている、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記の縁部放出半導体構造（２１）と量子井戸構造（１１）との間の境界面は少なくとも部分的に反射性である、
請求項１２記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は複数の活性層（２５）を有しており、該活性層はトンネル遷移を用いて直列に接続されており、かつ
量子井戸構造は複数の量子井戸群を有しており、該量子井戸群はそれぞれ、縁部放出半導体構造（２１）の活性層（２５）の高さのところにある、
請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
前記の縁部放出半導体構造（２１）は第１の導波路層（２３）と、基板（１）側から見て該第１の導波路層の後ろに配置されている第２の導波路層（２４）とを有しており、該導波路層間に活性層（２５）が配置されておりかつ
前記の量子井戸構造（１１）は第２の導波路層（２４）にエピタキシャル成長されており、縁部放出半導体構造（２１）の部分領域だけを被覆しかつ該部分領域に光学的に結合されているため、縁部放出半導体構造（２１）に生成されたポンピング放射（２）の少なくとも一部が量子井戸構造（１１）にガイドされる、
請求項１から１４までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１６】
前記の縁部放出半導体構造（２１）において第２の導波路層（２４）の表面に相応にストラクチャ化されている少なくとも１つの電流注入パス（２６）を用いて、少なくとも１つの利得主導の放射放出活性領域が形成されており、該領域がポンピング放射源（２０）として用いられる、
請求項１５記載の半導体レーザ装置。
【請求項１７】
前記の縁部放出半導体構造（２１）において第２の導波路層（２４）の表面に相応にストラクチャ化されている少なくとも１つの電流注入パス（２６）を用いて、該第２の導波路層（２４）に相応にエッチングされているトレンチと関連して、少なくとも１つの利得主導の放射放出活性領域が形成されており、該領域がポンピング放射源（２０）として用いられる、
請求項１６記載の半導体レーザ装置。
【請求項１８】
前記の第２の導波路層（２４）の屈折率は第１の導波路層（２３）の屈折率より大きい、
請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項１９】
前記の活性層（２５）は、２つの導波路層（２３，２４）によって形成されている導波路に非対称的に配置されている、
請求項１から１８までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項２０】
前記の基板（１）は、半導体レーザ装置に生成されたレーザビーム（５）を通す材料から成っておりかつ
量子井戸構造（１１）の、基板（１）とは反対の側に共振器ミラー層（３）が被着されている、
請求項１から１９までのいずれか１項記載の半導体レーザ装置。
【請求項２１】
前記の共振器ミラー層（３）は、ブラッグ反射器である、
請求項２０記載の半導体レーザ装置。
【請求項２２】
光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置の製造方法であって、該方法は次のステップを有している：
ａ）  基板（１）上に縁部放出半導体層列（２７）を被着し、
ｂ）  該縁部放出半導体層列（２７）に、少なくとも１つの量子井戸構造（１１）を備えている表面放出半導体レーザ層列（１４）を被着し、
ｃ）  該表面放出半導体レーザ層列（１４）を、設定されているレーザ領域（１５）の外側で除去し、
ｄ）  該縁部放出半導体層列（２７）に少なくとも１つの電流注入パス（２６）を形成することを特徴とする、
製造方法。
【請求項２３】
前記のステップａ）ないしｃ）は次の個別ステップを有している：
ａａ）  基板（１）に緩衝層（６）を被着し、
ａｂ）  該緩衝層（６）に第１の導波路層（２３）、活性層（２５）および第２の導波路層（２４）を順次被着し、
ｂａ）  該第２の導波路層（２４）に第１の閉じ込め層（１２）を被着し、
ｂｂ）  第１の導波路層（２３）に表面放出半導体レーザに適している量子井戸構造（１１）を被着し、
ｂｃ）  該量子井戸構造（１１）に第２の閉じ込め層（１３）を被着し、
ｃａ）  設定されている表面放出レーザ領域（１５）の外側で、閉じ込め層（１２，１３）および量子井戸構造（１１）および部分的に第２の導波路層（２４）を除去する、
請求項２２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置であって、少なくとも１つの、放射生成量子井戸構造と、量子井戸構造を光学的にポンピングするための少なくとも１つのポンピング放射源とを備えており、ここでポンピング放射源は縁部放出半導体構造を有している形式のものに関する。
【０００２】
本発明は更に、この形式の半導体レーザ装置を製造するための方法に関する。
【０００３】
冒頭に述べた形式の半導体レーザ装置はＵＳ５９９９１３１８号明細書から公知である。ここには、モノリシックな表面放出半導体層構造を備えた光学的にポンピングされる垂直共振器半導体レーザが記載されている。この公知の装置では、生成されるレーザ放射の波長より短い波長を有する光学的なポンピングが縁部放出半導体レーザダイオードから供給される。縁部放出半導体レーザダイオードは外部で、ポンピング放射が前方から斜めに、表面放出半導体層構造の増幅領域に入射されるように配置されている。
【０００４】
この公知の装置の特別な問題点は、ポンピングレーザが表面放出半導体層列構造に対して正確に位置決めされなければならずかつポンピング放射を表面放出半導体層列構造の所望の領域に正確に結像させるために、ビームフォーカシングする光学的な装置が付加的に必要になってくるということである。これらの処置は著しい技術コストと結び付いている。
【０００５】
更に、光学素子での損失の他に結合損も発生し、これによりシステム全体の効率が低下する。
【０００６】
前方からのポンピングに基づいて、ポンピング放射によりほんの僅かな量子井戸しか励起することができないのも別の問題である。
【０００７】
本発明の課題は、ポンピング源および表面放出層構造の調整が簡単化されかつ出力が高められた冒頭に述べた形式の半導体レーザ装置を使用できるようにすることである。更に、この種の装置を製造するための技術的な簡単な方法を提供したい。
【０００８】
最初に述べた課題は、請求項１の特徴部分に記載の構成を有する光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置によって解決される。本発明の装置の有利な実施形態および発展形態は従属請求項２ないし２１の対象である。
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置を製造するための方法は請求項２２の対象である。これらの方法の特別有利な実施形態は従属請求項２３の対象である。
【００１０】
本発明によれば、冒頭に述べた形式の光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置において放射生成量子井戸構造および縁部放出半導体構造が１つの共通な基板上にエピタキシャル成長されている。個々の半導体層の層厚はエピタキシャル成長の際に非常に正確に調整設定されるので、有利には縁部放出半導体構造の、放射生成量子井戸構造に対する高い位置決め精度が実現される。
【００１１】
更に、本発明の装置によって、高い出力パワーに対する量子井戸構造の均質な光学的なポンピングが基本モードにおいて実現される。
【００１２】
有利な実施形態において、表面放出量子井戸構造およびポンピング放射源は、該ポンピング放射源の放射放出領域および量子井戸構造が基板上に同じ高さにおいて存在しているように並んで基板上に配置されている。これにより、半導体レーザ装置の作動中、ポンピング放射が側方から量子井戸構造に入力結合されることが実現される。このことは、ポンピング放射の光軸が基板表面に対して実質的に平行であって、従って表面放出半導体レーザ装置によって生成されるレーザ放射の光軸に対して実質的に垂直に延在していることを意味している。
【００１３】
作動中、この形式の装置において、量子井戸構造は側面からまず透過的に「ポンピングされ」、最終的にはその全体のラテラルな横断面がレーザ活性となる。側方の光学的なポンピングによって更に、量子井戸はキャリアが一様に充たされることになる。
【００１４】
有利には、量子井戸構造は縁部放出半導体構造によって取り囲まれている。該縁部放出半導体構造において、該半導体レーザ構造の表面の少なくとも１つの電流注入パスを用いて少なくとも１つの利得主導の放射放出活性領域が実現されており、該領域がポンピング放射源として用いられる。択一的にポンピング放射源として、縁部放出半導体構造の屈折率主導の放射放出活性領域が用いられる。この領域は例えば、縁部放出半導体構造の表面における少なくとも１つの電流注入パスを用いて電流注入パスに沿って形成される、例えば半導体構造中にエッチングされるトレンチと関連して定められている。
【００１５】
有利には、放射生成量子井戸構造の方を向いている、電流注入パスの端部は該量子井戸構造に対して１０μｍ〜５０μｍの距離、特別有利には約３０μｍの距離を有している。これにより、縁部放出半導体構造と表面放出層列との間の境界面、すなわちポンピング放射に対する入力結合面における障害となる漏れ電流および別の障害となる影響は低減される。
【００１６】
上に述べた実施形態は有利には全体的に従来の半導体プロセス技術を用いて実現される。
【００１７】
装置の作動中十分高い電流が注入路を通ってポンピング放射源の活性層に流れると、増強された自然放出（スーパー放射）が行われるようになる。これらは表面放出レーザ領域においてガイドされかつそこで吸収される。これにより生成される電子−正孔対は量子井戸に集められかつ表面放出レーザ構造の増強領域における反転を引き起こす。
【００１８】
表面放出レーザ構造の励起は量子井戸構造のポンピングによりまたは量子井戸構造に接している閉じ込め層によって行うことができる。閉じ込め層のポンピングの場合、ポンピング効率は有利には、そのバンドギャップが量子井戸構造に向かって低下していくことによって高められる。このことは例えば材料組成の変化を用いて実現することができる。これにより閉じ込め層において内部電界が生成され、これが活性の量子井戸領域において光学的に生成されたキャリアをドライブする。
【００１９】
特別有利な実施形態において、多数のポンピング放射源が量子井戸構造を中心に星形に配置されているので、短い時間において非常に均質に、量子井戸構造がそのラテラルな横断面全体にわたって透過的に「ポンピングされ」かつレーザアクティブになる。
【００２０】
縁部放出半導体構造と量子井戸構造との間の境界面は有利には少なくとも部分的に反射性である。これにより、表面放出レーザ領域に対する縁部にて、縁部放出半導体構造への再反射が生じ、このためにポンピング源においてレーザ放射が形成され、ひいてはポンピング効率が高められることになる。
【００２１】
ポンピング放射としてのレーザ放射の生成、ひいては高められるポンピング効率は択一的に、量子井戸構造の相対向している側に配置されている２つのポンピング放射源がそれぞれ一緒に１つのレーザ構造を形成していることによって実現される。縁部放出ビーム源の、量子井戸構造とは反対側に、相互に平行に位置している端面はこのために鏡面として実現されておりかつ共振器ミラーとして用いられる。これらは例えばギャップ形成および／またはエッチング（例えばドライエッチング）によって生成されかつパッシベーション層を備えおよび／または高反射性に鏡面化されていてよい。
【００２２】
相対向しているポンピング放射源は作動中、透過的ににポンピングされる量子井戸構造を介して唯一のコヒーレント発振するレーザに結合される。その場合端部鏡面化が最適であれば、ポンピングレーザと表面放出レーザとの間の境界面における損失を除いてポンピングレーザに蓄積されている光出力全部をポンピング出力として使用することができる。
【００２３】
有利には縁部放出半導体構造は大きな光学的な空洞（Large Optical Cavity＝ＬＯＣ）構造を有している。ここでは活性層が第１の導波路と第２の導波路との間に埋め込まれており、これら導波路の方は第１のジャケット層と第２のジャケット層との間に埋め込まれている。
【００２４】
本発明の有利な実施形態において、縁部放出半導体構造をリングレーザとして形成するようになっている。その際リングレーザとは作動中リングモードが実現され得るレーザ構造である。その際所属のレーザ共振器の、リング形態での形状は以下に更に説明するように、有利ではあるが、必須ではない。
【００２５】
この種のリングレーザの共振器は全反射する境界面を用いて形成することができるので、有利には、高反射性のミラーは必要でない。これによりミラーでの損傷に基づいて放射効率が僅かになるというおそれも低減される。更に、リングレーザは有利には大きなモードボリュームおよび高いモード安定性によって特徴付けられている。
【００２６】
有利には、ポンピングすべき量子井戸構造はリング共振器の内部に配置されているので、共振器内部の放射フィールド全体を量子井戸構造のポンピングのために使用することができる。この場合、縁部放出半導体構造の活性層および量子井戸構造を基板上の同じ高さのところに配置すると特別有利であり、そうすればポンピングすべき、量子井戸構造のボリュームと縁部放出半導体構造の放射フィールドとの間に大きなオーバラップが、ひいては高いポンピング効率が生じる。
【００２７】
本発明の有利な実施形態において、リングレーザの共振器はリング形状に閉じられている導波路によって形成される。ここでポンピング放射フィールドのガイドは導波路の境界における全反射によって行われるので、ここでも有利にも高反射性のミラーは必要とされない。更に、リング形状に閉じられている導波路の成形によってポンピング放射フィールドを量子井戸構造のポンピングすべきボリュームに非常に申し分なく整合させることができる。
【００２８】
縁部放出半導体構造は本発明の有利な形態では、半導体構造の屈折率より僅かである屈折率を有している媒体によって取り囲まれている。これにより半導体から光学的に一層薄い、周りを取り囲んでいる媒質への移行の際に全反射する面が生じ、これはレーザ共振器の境界として用いられる。リング形状に閉じられている導波路を形成するために、縁部放出半導体構造の内部に、光学的に一層薄い媒体が充填されている凹部が配置されているようにすることができる。
【００２９】
周囲を取り囲む媒体として、僅かな屈折率に基づいて殊に、空気または別のガス状の媒体が適している。択一的に縁部放出半導体構造は、例えば比較的僅かな屈折率を有する半導体材料、半導体酸化物または誘電体のような別の材料によってによって取り囲まれていてもよい。
【００３０】
半導体構造は有利には、円形または円環形状の半導体層の円筒形状のスタックとして形成されている。このように形成されたシリンダ状の半導体ボディーは同時にリングレーザ共振器を表しており、その套面に放射フィールドが全反射しながらガイドされる。
【００３１】
択一的に、半導体構造は多角形または多角形リングの形状の半導体層のスタックとしてプリズム式に形成されたものであってもよい。このような成形によって、量子井戸構造における大幅に均質な放射分布および相応に大幅に均質なポンピング密度を実現することができる。
【００３２】
上述の形状の半導体層のスタックは比較的簡単に、例えばその前にエピタキシャル成長により製造された半導体層列からエッチングにより形成することができる。有利にはこのようにして半導体ボディーの成形によって同時に、付加的な鏡面化を必要とすることなく、縁部放出半導体構造のレーザの共振器も形成される。
【００３３】
半導体レーザ装置の特別有利な発展形態において、量子井戸構造は１０個より多くの量子井戸を有している。この大きな数の量子井戸は、ポンピング放射の側方の入力結合に基づいてすべての量子井戸が直接ポンピングされるという理由で可能である。これにより有利にも、表面放出量子井戸構造における高い増強が実現される。
【００３４】
縁部放出半導体構造は有利には、それが基板の上方の量子井戸の高さのところで、特別有利には量子井戸構造の中心の高さのところで最大であるポンピング波を生成するように実現されている。
【００３５】
特別高い出力パワーを得るために、有利な発展形態では縁部放出半導体構造は、トンネル遷移を介して直列に接続されている複数のレーザ活性層列（例えば二重ヘテロ構造）を有するいわゆるマルチまたはマイクロスタックレーザとして実現されている。その場合量子井戸構造は有利には複数の量子井戸群を有しており、これらはそれぞれが、ポンピング源のレーザ活性層列の高さのところにある。
【００３６】
上に説明した実施形態にて示した光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置を製造するための有利な方法においてはまず基板に、少なくとも１つの量子井戸構造を備えている、表面放出半導体レーザに対して適している半導体層列を被着する。その後、設定されているレーザ領域の外側の第１の半導体層列を除去する。第１の半導体層列の除去により露出された、基板上方の領域の除去に続いて、縁部放出する第２の半導体層列をデポジットする。該層列はポンピング放射を生成しかつ量子井戸構造に送射するのに適しているものである。次いで、縁部放出半導体層列に少なくとも１つの電流注入パスを形成する。
【００３７】
有利にはまず、緩衝層が基板に被着される。この上に第１の閉じ込め層がデポジットされる。第１の閉じ込め層に表面放出半導体レーザに適している量子井戸構造が被着される。量子井戸構造に第２の閉じ込め層が続く。設定されている表面放出半導体レーザ領域の外側で、閉じ込め層および量子井戸構造および部分的に緩衝層が除去されてそれから、緩衝層の露出された領域に、第１のジャケット層、第１の導波路層、活性層、第２の導波路層および第２のジャケット層が順次被着される。それぞれの層厚は、活性層に生成されたポンピング放射が量子井戸構造に達するように選定されている。
【００３８】
本発明の半導体レーザ装置の別の実施形態では、ビーム放射量子井戸構造およびポンピング放射源は基板上に上下に配置されている。この場合、量子井戸構造は縁部放出半導体構造に光学的に結合されているので、半導体レーザ装置の作動中、ポンピング放射源からポンピング放射が量子井戸構造にガイドされる。
【００３９】
縁部放出半導体構造は有利には第１の導波路層と、基板側から見て該第１の導波路層の後ろに配置されている第２の導波路層とを有しており、該導波路層間に活性層が配置されている。量子井戸構造は第２の導波路層にエピタキシャル成長されており、縁部放出半導体構造の部分領域だけを被覆しかつ該部分領域に光学的に結合されている。
【００４０】
ポンピング放射の、量子井戸構造への入力結合を改善するために、有利には、第２の導波路層とこれに境を接してるジャケット層との間の境界面は表面放出するレーザ領域の近傍において量子井戸構造に向かって湾曲または屈曲されている。
【００４１】
ポンピング放射の、表面放出半導体構造への入力結合を改善するために、有利には、第２の導波路層の屈折率は第１の導波路層の屈折率より大きいおよび／または活性層は２つの導波路層によって形成されている導波路に非対称的に配置されている。
【００４２】
縁部放出半導体構造においてポンピング放射源として有利には、上述した第１の実施形態に類似して、１つまたは複数の利得主導および／または屈折率主導の放射放出活性領域が実現されている。
【００４３】
上に述べた第２の基本的な実施形態およびその発展形態による光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置の有利な製造方法においてはまず、基板上に縁部放出半導体層列が被着される。それからこの上に、少なくとも１つの量子井戸構造を備えている表面放出半導体レーザ層列が被着される。その後、縁部放出半導体層列に少なくとも１つの電流注入パスを形成する前に、設定されているレーザ領域の外側にある表面放出半導体レーザ層列が除去される。
【００４４】
有利にはこのためにまず、基板に緩衝層が被着される。引き続いて、緩衝層に第１の導波路層、活性層および第２の導波路層が順次にデポジットされる。それからこのようにして製造された縁部放出半導体層列に、第１の閉じ込め層、量子井戸構造を備えている表面放出半導体レーザ層列、第２の閉じ込め層が被着される。それから、設定されている表面放出レーザ領域の外側において閉じ込め層、表面放出半導体レーザ層列および部分的に第２の導波路層が除去される。
【００４５】
ポンピング放射源としてリングレーザを備えている光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置を製造するための本発明の方法ではまず、既に説明したように、基板に、少なくとも１つの量子井戸構造を備えた表面放出半導体層列が被着され、設定されているレーザ領域外の層列が除去されかつポンピング放射源の縁部放出半導体構造がこのようにして露出された領域上に被着される。
【００４６】
これに続いて、レーザ共振器を形作るために縁部放出半導体構造の外側領域が除去される。その際有利には、リング共振器を形成するために半導体構造の内部の中央の部分領域も除去される。この部分領域の除去は例えばドライエッチング法を用いて行うことができる。有利にも、エッチングされた面の煩雑な後処理は必要ない。
【００４７】
択一的に、工程は別の順序を適用することもできる。例えば基板にまず、縁部放出半導体構造を被着し、それからこの構造体を（更に形成すべき）量子井戸構造の設定されているレーザ領域において除去することができる。露出された領域に次の工程において少なくとも１つの量子井戸構造を備えた表面放出半導体層列を被着する。引き続いて再び、レーザ共振器を形作るために縁部放出半導体構造の外側領域が除去される。この方法の変形形態においてレーザ共振器の成形は表面放出半導体層列の被着の前に行うこともできる。
【００４８】
上述の２つの実施形態の有利な発展形態において、量子井戸構造の片方の側に、表面放出レーザ構造の共振器ミラーを表している高反射性のブラッグ反射器層列が実現されている。第２の、部分透過性の共振器ミラーとして、量子井戸構造の反対の側に、別のブラッグ反射器層列または外部のミラーが配置されている。
【００４９】
有利には基板は、半導体レーザ装置に生成されたレーザビームを通す材料から成っておりかつ量子井戸構造の、基板とは反対の側に高反射性のブラッグ反射器が配置されている。これにより、半導体構造とヒートシンクとの間の短い接続、ひいては半導体構造から良好な熱放出が可能になる。
【００５０】
障害となる横モード（＝基板に対して平行であるモード（whispering mode））を妨げるために、表面放出半導体層列のエッジ領域および／またはエッチング構造中に、吸収層が配置されている。
【００５１】
本発明の半導体装置は殊に、周波数選択性エレメントおよび／または周波数２倍器が存在している外部共振器に使用されるのに適している。
【００５２】
有利には本発明の半導体レーザ装置はポンピング電流の変調によるポンピングレーザの変調を介してまたは表面放出半導体レーザ層列の短絡回路を介して変調することができる。
【００５３】
本発明の装置および方法の別の有利な実施形態および発展形態は、以下に図１ないし１４に示されている実施例との関連において明らかである。
【００５４】
その際：
図１は第１の実施例の断面の概略を示し、
図２ａないし２ｅは図１の実施例を製造するための方法のシーケンスを略示し、
図３ａは第２の実施例の断面の概略を示し、
図３ｂは図３ａの実施例の導波路の有利な形態の概略を示し、
図４ａないし４ｃは図３の実施例を製造するための方法のシーケンスを略示し、
図５は縁部放出半導体構造における電流注入パスの第１の配置構成の平面の概略を示し、
図６は縁部放出半導体構造における電流注入パスの第２の配置構成の平面の概略を示し、
図７は縁部放出半導体構造における電流注入パスの第３の配置構成の平面の概略を示し、
図８ａおよびｂは吸収層を備えた半導体レーザ装置の概略を示し、
図９ａおよびｂはポンピング放射源としてリングレーザを備えている第１の実施例の断面および平面の概略を示し、
図１０はポンピング放射源としてリングレーザを備えている第２の実施例の平面の概略を示し、
図１１ａおよびｂはポンピング放射源としてそれぞれ２つのリングレーザを備えている第３および第４の実施例の平面の概略を示し、
図１２ａおよびｂは図９の実施例を製造するための方法のシーケンスの概略を示し、
図１３は外部の共振器を備えている本発明の半導体レーザ装置の概略を示し、
図１４は本発明の変調可能な半導体レーザ装置の概略を示している。
【００５５】
同じまたは同じ作用をするエレメントは全図において同一の参照番号が付されている。
【００５６】
図１の実施例は例えば、１０３０ｎｍのところにレーザ放出を有する光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザチップである。ここでは基板１に緩衝層６が被着されている。基板１は例えばＧａＡｓから成りかつ緩衝層６はドーピングされていないＧａＡｓから成っている。
【００５７】
緩衝層６には基板の上方の真ん中に表面放出半導体レーザ構造が被着されている。この構造は、表面放出レーザ領域１５を表している量子井戸構造１１を備えている。半導体レーザ構造１０は、緩衝層６に直接存在している第１の閉じ込め層１２と、この上に配置されている量子井戸構造１１と、量子井戸構造１１に被着されている第２の閉じ込め層１３とから組み合わされて成っている。
【００５８】
閉じ込め層１２，１３は例えば、ドーピングされていないＧａＡｓから成りかつ量子井戸構造１１は例えば多数の（≧３）量子井戸を有しており、これらはドーピングされていないＩｎＧａＡｓから成っており、その厚さは１０３０ｎｍで放射するように調整設定されておりかつこれらの間にＧａＡｓから成る障壁層が存在している。
【００５９】
表面放出半導体レーザ構造の上に、例えば２８ないし３０周期のＧａＡｌＡｓ（１０％Ａｌ）／ＧａＡｌＡｓ（９０％Ａｌ）を有するブラッグミラー３がデポジットされている。これは高反射性の共振器ミラーである。
【００６０】
レーザ領域１５の周囲において緩衝層６の上に縁部放出半導体構造２１、例えば約１μｍで放出されるようになっている公知の大規模光学的共振器（ＬＯＣ＝Large Optical Cavity）−単一量子井戸（ＳＱＷ＝Single Quantum Well）レーザ構造がデポジットされている。これは例えば、第１のジャケット層２８（例えばｎ−ＧａＡｌ０．６５Ａｓ）と、第１の導波路層２３（例えばｎ−ＧａＡｌ０．１Ａｓ）と、活性層２５（例えばドーピングされていないＩｎＧａＡｓ−ＳＱＷ）と、第２の導波路層２４（例えばｐ−ＧａＡｌ０．１Ａｓ）と、第２のジャケット層２９（例えばｐ−ＧａＡｌ０．６５Ａｓ）とから組み合わされて成っている。
【００６１】
第２のジャケット層２９には被覆層３０として例えばｐ＋ドーピングされたＧａＡｓ層が被着されていてよい。
【００６２】
ＬＯＣ領域２２は表面放出レーザ構造１０の量子井戸領域と高さが同じに配置されており、有利には活性層２５は基板１上で、量子井戸構造１１と同じ高さにおいて存在している。
【００６３】
この実施例の特別な実施形態において縁部放出半導体構造２１は複数の活性層２５を有している。これらはトンネル遷移（Tunneluebergang）を用いて直列に接続されている。量子井戸構造１１はこれに類似して複数の量子井戸群を有しており、これらはそれぞれ、縁部放出半導体構造２１の活性層２５の高さのところにある。
【００６４】
全体の半導体層は例えば、有機金属気相エピタキシャル成長法（metallorganische dampfphasenepitaxie＝ＭＯＶＰＥ）を用いて製造されている。
【００６５】
縁部放出半導体レーザ構造２１の外側の縁部の近傍において、縁部放出半導体レーザ構造２１の層に対して垂直に延在している終端ミラー３１が存在している。これらは被覆層３０から出発して少なくとも第１のジャケット層２８まで、ここでは緩衝層６まで達している。これらは縁部放出半導体構造２１の成長後例えば、相応のトレンチのエッチング（例えば反応性イオンエッチング）および後続の、高反射性の材料の充填を用いて製造されている。それぞれ２つの相互に平行なミラー３１が量子井戸構造１１の相対向する側に配置されている（図５および６参照）。
【００６６】
択一的に、終端ミラーは公知の手法で結晶面に沿ったウェハのギャップによって製造することもできる。その場合これらは必然的に、図１に示されているように、チップ内に配置されてはおらず、ギャップを入れられたチップ側面によって形成される（図７参照）。
【００６７】
被覆層３０およびブラッグミラー３の空いている表面には電気的に絶縁性のマスク層７、例えば窒化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化シリコン層が存在しており、この層によって縁部放出半導体レーザ構造２１の電流注入パス２６が定められている（図５および６参照）。マスク層７の上および、電流注入パス２６に対するマスク層の切り欠きにおいて、被覆層３０上に、ｐコンタクト層３２、例えば公知のコンタクト金属化部が被着されている。
【００６８】
ポンピング源に対して、例えば、表面放出レーザ領域１５の周りに、６個の対称的に星形に配置されているストリップアレイが選択されている。このアレイは１５個のストリップ（４μｍのストリップ、１０μｍのピッチ）および約１５０μｍの活性幅を有している。
【００６９】
有利には、放射生成量子井戸構造１１の方を向いている、電流注入パス２６の端部はこの構造に対して１０μｍ〜５０μｍの距離、特別有利には約３０μｍの距離を有している。これにより、縁部放出半導体構造２１と表面放出層列１０との間の境界面、すなわちポンピング放射２に対する入力結合面での障害となる漏れ電流および別の障害となる影響が低減される。
【００７０】
すべての電流注入パス２６は共通のｐコンタクト層３２を備えているようにすることができ、これにより縁部放出構造の放射放出領域は作動中並列に接続されている。これらの個々のビーム放射領域を別個に制御するようになっている場合には、相応にストラクチャ化されているｐ導電型の第１のコンタクト層３２が被着されている。これにより、表面放出構造のラテラル方向の断面を介して最適なポンピング光分布（例えばガウスプロフィールに類似している）を生成することができる。
【００７１】
屈折率主導のポンピング領域を縁部放出構造２１に生成するために、この構造に、電流注入パス２６に沿って例えばエッチングを用いて製造されるトレンチが形成されているようにすることができる（図には示されていない）。この種のトレンチは例えば、第２の導波路層２４内に０．５μｍまで達している。これにより、ポンピング領域の縁部における波動のガイドが改善されることになる。
【００７２】
基板１の、半導体構造とは反対側の主表面１６はレーザビームに対する出射窓８まで（矢印５によって示されている）ｎ導電形の第２のコンタクト層９、例えば同じく公知のコンタクト金属化部を備えている。
【００７３】
基板の主表面１６は有利には、チップにおける再反射を低減するために出射窓８の領域では非鏡面化されてる。
【００７４】
表面放出レーザ構造１０のレーザ共振器は、ブラッグミラー３と、基板１の反対側に配置されている外部の別のミラー（図１には示されていない）または基板１と量子井戸構造１１との間に配置されている別のブラッグミラーとから形成されていることができる。
【００７５】
半導体チップの作動中、電流注入パス２６によって定められる、ポンピング放射源２０を表している、縁部放出半導体構造２１の領域にポンピング放射（矢印２によって示されている）が生成されかつ表面放出レーザ構造１０の量子井戸構造１１に入力結合される。
【００７６】
縁部放出構造２１と表面放出構造１０との間の境界面での再反射が十分でありかつ終端ミラー３１の位置が適当であれば、縁部放出構造２１においてレーザ放射が生成され、これによりポンピング効率は高められる。
【００７７】
有利には終端ミラー３１は、該ミラーが、縁部放出構造２１の２つの相対向している放射放出領域に対するレーザ共振器を形成するように相互配置されている。その場合２つの相対向している放射放出領域は表面放出レーザ構造１０のトランスペアレントポンピング（透過的なポンピング）の後で結合されて唯一のコヒーレント発振するレーザになる。それから終端ミラー３１が最適に鏡面化されていれば、縁部放出構造２１と表面放出構造１０との間の境界面における損失を除いてポンプレーザによって生成される全部の光出力がポンピング出力として使用することができるようになる。
【００７８】
図２ａないし２ｅに示されている、図１の実施例を製造するための方法ではまず、基板１上に順次、緩衝層６、第１の閉じ込め層１２、量子井戸構造１１、第２の閉じ込め層１３およびブラッグミラー層３が例えばＭＯＶＰＥを用いて被着される（図２ａ）。
【００７９】
その後表面放出レーザ領域１５として設けられている、この層列の領域にエッチングマスク１７（例えばＳｉ窒化物マスク）が被着される。続いて、設けられている表面放出レーザ領域１５の外側において、ブラッグミラー層３、第１および第２の閉じ込め層１２および１３、量子井戸構造１１および部分的に緩衝層６がエッチング、例えばＣｌ化学を用いたドライエッチングによって除去される（図２ｂ）。
【００８０】
それから緩衝層６の露出された領域に、第１のジャケット層２８、第１の導波路層２３、活性層２５、第２の導波路層２４、第２のジャケット層２９および被覆層３０が順次例えば今度はＭＯＶＰＥを用いて被着される（図２ｃ）。
【００８１】
それから例えば反応性イオンエッチングおよび適当な公知のマスク技術を用いて、最後に被着された縁部放出構造２１に、終端ミラー３１に対するトレンチがエッチングされ（図２ｄ参照）、これには後から反射を高める材料が被膜されるかまたは充填される。更にエッチングマスク１７が除去される。
【００８２】
続いて被覆層３０およびブラッグミラー３に電気的に絶縁性のマスク層７が被着されて、次いで最後にｐコンタクト層３２およびｎコンタクト層９が製造される（図２ｅ）。
【００８３】
任意選択的に、絶縁性のマスク層７の被着の前に、図１と関連して上に説明した、エッチングを用いて屈折率主導のポンピングレーザを生成するためのトレンチが製造される。
【００８４】
放射損失を回避するために有利には基板１はＭＯＶＰＥに従って例えば１００μｍ以下に薄肉化されるかまたは完全に除去される。
【００８５】
図３の実施例では、基板１の上にまず全面に、緩衝層６および縁部放出半導体レーザ構造２１が存在している。ここでの半導体レーザ構造では第１の導波路層２３と第２の導波路層２４との間に活性層２５が配置されている。
【００８６】
基板１の真ん中の上方に設定されているレーザ領域１５では、第２の導波路層２４に表面放出量子井戸構造１１が、続いて閉じ込め層１３およびブラッグミラー層列３が成長される。
【００８７】
レーザ領域１５の周りの領域において第２の導波路層２４または場合によってはこの上に被着されている高ドーピングされた被覆層に電気的に絶縁性のマスク層７が被着されている。このマスク層は縁部放出構造２１の電流注入パス２６に対する切り欠きないしチャネルを有している（図７参照）。電気的に絶縁性のマスク層７上でおよび第２の導波路層ないし被覆層上のマスク層の切り欠きに第１のコンタクト層３２が配置されておりかつ基板１の、これとは反対の側において、レーザビームに対する出射窓８を有する第２のコンタクト層９が配置されている（矢印５によって示されている）。
【００８８】
縁部放出構造２１に屈折率主導のポンピング領域を生成するために、第２の導波路層２４において電流注入パス２６に沿って例えばエッチングを用いて製造されたトレンチが形成されているようにすることができる（図には示されていない）。これにより、ポンピング領域の縁部において改善された波動ガイドが実現される。
【００８９】
縁部放出レーザ構造２１の終端ミラー３１として、ここでは例えばチップにギャップを形成されて成る側面が設けられている。
【００９０】
作動中、縁部放出レーザ構造２１において、ポンピングレーザ放射が生成され、そのうち一部はその上に位置している量子井戸層１１に入力結合される。
【００９１】
入力結合を促進するために、活性層２５が２つの導波路層２３，２４によって形成されている導波路中に非対称に存在している。択一的にまたは付加的に、同じ目的のために、第２の導波路層２４の屈折率が第１の導波路層２３の屈折率より高いようにすることができるおよび／または第２の導波路層がレーザ領域１５に向かって量子井戸構造１１の方向に引き上げられているようにすることができる（図３ｂ参照）。
【００９２】
種々様々な層に対する材料としてここでは例えば、図１の実施例の相応の層に対して示された材料が使用される。
【００９３】
表面放出レーザ構造１０のレーザ共振器はこの実施例においてもブラッグミラー３と基板１の反対の側に配置されている外部の別のミラー（図３ａには図示されていない）または基板１と量子井戸構造１１との間に配置されている別のブラッグミラーとから形成されていてよい。
【００９４】
図４ａないし４ｃに略示されている、図３ａの実施例の装置を製造するための方法において、基板１にまず緩衝層６が被着される。この上に次いで、第１の導波路層２３、活性層２５および第２の導波路層２４が相次いで成長される。その後第２の導波路層２４に量子井戸構造１１が成長され、これに閉じ込め層１３およびブラッグミラー層３が続く（図４ａ）。これらの層は例えばＭＯＶＰＥを用いて製造される。
【００９５】
次いで、成長した層列の、レーザ領域１５として設けられている部分領域に。エッチングマスク１７が被着されかつレーザ領域１５の外側の、ブラッグミラー層３、閉じ込め層１３、量子井戸構造１１および部分的に第２の導波路層２４が除去される（図４ｂ）。
【００９６】
その後、電流注入パス２６を定めるために、電気的に絶縁性のマスク層７が第２の導波路層２４上に被着されて、それから第１のコンタクト層１２がデポジットされる。
【００９７】
続いて、基板１の、半導体層列とは反対側の主表面に、出射窓８を備えた第２のコンタクト層９が被着される（図４ｃ）。
【００９８】
放射損を回避するために、ここでも有利には基板１はＭＯＶＰＥに従って例えば１００μｍ以下に薄肉化されるかまたは完全に除去される。
【００９９】
本発明のいわゆるディスクレーザは有利にはブラッグミラーと一緒に下方向にヒートシンクにはんだ付けされる。１つの電極はヒートシンク上にあり、第２の電極はディスクレーザの表面にボンディングによって生成される。
【０１００】
障害となる横モード（＝基板に対して平行なモード＝ささやきのモード（whispering mode））を妨げるために、表面放出半導体レーザ層列１５の縁部領域および／またはエッチング構造において吸収層１８が配置されている（図８ａおよび８ｂ参照）。この形式の用途に対する適当な吸収材料は周知でありそれ故にここで詳細には説明しない。
【０１０１】
図９ａには、ポンピング放射源としてリングレーザを備えている光学的にポンピングされる表面放出半導体装置の実施例の断面図が示されている。個々の半導体層の順序は実質的に、図１の図示の実施例の層列に相応している。
【０１０２】
図１に図示の半導体装置とは異なって、第１のジャケット層２８（例えばｎ−ＧａＡｌ０．６５Ａｓ）と、第１の導波路層２３（例えばｎ−ＧａＡｌ０．１Ａｓ）と、活性層２５（例えばＩｎＧａＡｓ−ＳＱＷ）と、第２の導波路層２４（例えばｐ−ＧａＡｌ０．１Ａｓ）と、第２のジャケット層２９（例えばｐ−ＧａＡｌ０．６５Ａｓ）を有している縁部放出構造２１はリングレーザとして実現されている。
【０１０３】
このことは図９ｂにおいて半導体基体の平面図で明らかである。図９ａの断面図はラインＡ−Ａに沿った垂直方向の断面に相応している。
【０１０４】
縁部放出半導体構造２１は平面図において８角形の形状を有している。これは４個の回転対象性並びに正方形の中央の切り欠き３８を有している。平面図にて円形のポンピングすべき量子井戸構造１１はこのようにして形成された８角リング内に完全に配置されている。この８角リングは全反射する、閉じられた導波路の形のリング共振器を形成している。
【０１０５】
作動中、この導波路において循環的に回っているリングモード、例えばモード３７ａ，ｂ，ｃに基づいて示されているリングモードが振動し始め、これらが量子井戸構造１１を光学的にポンピングする。外面での全反射に基づいて、この実施例における出力結合損失は極端に僅かであるので、有利にも共振器内部の放射電磁界は量子井戸構造１１のポンピングのために使用することができる。
【０１０６】
８角形の図示のデザインに基づいて、図示のモード３７ａ，ｂ，ｃは実質的に同等でありかつ同形に拡がっている。従って半径方向において（ラインＢ−Ｂに沿って）大幅に均質な放射電磁界および相応にポンピングすべき量子井戸構造１１における大幅に均質なポンピング密度が生じる。
【０１０７】
表面放出半導体レーザ構造１０のレーザ作動のために必要である第２のミラーが図示の実施例においては半導体基体には集積されておらず、外部ミラーとして設けられている（図１３も参照）。択一的にこの第２のミラーはミラー３と類似した手法で図示されていない手法で半導体基体に実現されているものであってもよい。この場合第２のミラーは例えば、設定されているレーザ領域１５内で緩衝層６と量子井戸構造１１との間に配置することができよう。
【０１０８】
図１０において本発明の半導体レーザ装置の別の実施例が平面にて略示されている。先に説明した実施例とは異なって、ここでは全反射する導波路が円環として形成されている。ポンピングすべき量子井戸構造１１はこのリング領域内に完全に配置されている。
【０１０９】
円環形状の共振器内で多数のリングモードが振動開始することができる。図示のモード３９は可能な一例を示しているにすぎない。量子井戸構造１１はその他に、多数の別のモードによって高い効率でポンピングされる。
【０１１０】
図１０から明らかであるように、簡単にするために中央の切り欠き３８を設けないようにすることもできる。その場合共振器は横断面として全円面を有している。これにより有利にも製造コストが低減される。その場合確かにある程度まで、共振器中心を通っているモードが振動し始める可能性がある。これらモードは共振器境界において全反射せず、それ故に比較的高い出力結合損失を有しているので、最終的にはポンピング効率が低減されることになる。
【０１１１】
図１１ａには、量子井戸構造１１が２つの相互に独立しているリングレーザによってポンピングされる本発明の別の実施例が示されている。これらは基本的に第１実施例のリングレーザのように構成されている。
【０１１２】
配属されている導波路４４，４５は２つの領域４６ａ，ｂにおいて交差しており、その際領域４６ａにはポンピングすべき量子井戸構造１１が配置されている。２つのリングレーザを備えたこの配置構成によって、量子井戸構造１１におけるポンピング密度は一層高められる。重要なポンピングモードは図にモード３７ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆに基づいて例示されている。有利にも第１の実施例において説明したように、ここでも大幅に均質なポンピング密度が生じる。
【０１１３】
図１１ｂには図３ａに示されている装置の有利な変形例が示されているが、これは殊に、交差している環状の導波路４４および４５のデザインが簡素化されていることによって特徴付けられている。このために中央の切り欠き４０および４１の横断面が３角形に低減されている。中央の切り欠き４２および図１１ａに図示の側方の切り欠き４３は設けられない。この簡素化によって有利にも、レーザ機能を殆ど損なうことなしに、製造コストが低減される。
【０１１４】
更に図１１ｂに示されているように、第２の量子井戸構造４７が２つのリングレーザの第２の交差領域に実現されているようにすることもできる。
【０１１５】
図１２には、本発明の半導体レーザ装置を製造するための２つの工程が略示されている。
【０１１６】
プロセスは既に説明しかつ図２ａ、２ｂおよび２ｃに示されているように、例えばＭＯＶＰＥを用いて基板１に緩衝層６、第１の閉じ込め層１２、量子井戸構造１１、第２の閉じ込め層１３およびブラッグ層３を被着することによって始められる。その後、表面放出レーザ領域１５として設けられている、この層列の領域に、エッチングマスク１７が被着されかつ設定されている表面放出レーザ領域の外側でのブラッグミラー層３、閉じ込め層１２および１３、量子井戸構造１１および緩衝層６の部分から成るスタック体が除去される。それから緩衝層６の露出されている領域に、第１のジャケット層２８、第１の導波路層２３、活性層２５，第２の導波路層２４、第２のジャケット層２９および被覆層３０がこの場合も例えばＭＯＶＰＥを用いて順次に被着される（図示されていないが、図２ａ，ｂ，ｃ参照）。
【０１１７】
引き続いて図１２ａに示されているように、全反射する、閉じ込められている導波路を形成するための半導体構造の外側領域および中央領域が除去される。このことは例えば、適当な、公知のマスク技術を使用して反応性イオンエッチングによって行うことができる。
【０１１８】
このようにして製造された、縁部放出半導体構造の側面には光学的な補償加工は必要でなくかつこの種の側面で殆ど損失のないリングレーザ共振器が形成される。
【０１１９】
最後にエッチングマスク１７が取り除かれ、ブラッグミラー３に電気的に絶縁性のマスク層７が被着されかつ表面がｐコンタクト層３２によって被覆される。基板にはｐコンタクト面３２が備えられる。基板にはｎコンタクト面９が備えられる（図１２ｂ）。
【０１２０】
本発明の半導体レーザ装置は殊に、外部のミラー３３および部分透過性の転向ミラー３４を備えていて、周波数選択性のエレメント３５および／または周波数２倍器３６が存在している外部の共振器に使用されるのに殊に適している（図１３参照）。
【０１２１】
有利には、本発明の半導体レーザ装置はポンピング源の変調を介して（ポンピング電流の変調によって）または表面放出半導体レーザ層列の短絡回路（図１４参照）を介して変調することができる。
【０１２２】
上に説明した構造は例えば使用のＩｎＧａＡｌＡｓ系のみならず、例えばＩｎＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓＰ系またはＩｎＧａＡｌＰ系にも使用される。
【０１２３】
４７０ｎｍで放出するようになっているＩｎＧａＮ系におけるディスクレーザでは、量子井戸は例えば４５０ｎｍで放出するようになっているＩｎＧａＮ系から成っており、閉じ込め層は低減された屈折率を有しているＩｎＧａＮ系から成っておりかつブラッグミラーはＩｎＧａＡｌＮ系から成っている。ポンピングレーザ構造は約４００ｎｍで放出するようになっているＩｎＧａＮ系から成る量子井戸を備えている活性領域、並びにＧａＡｌＮ系から成っている導波路層およびジャケット層を有しており、この場合Ａｌ含有物の変化を介して所望の屈折率が調整設定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施例の断面の概略図である。
【図２】  ａないしｅは図１の実施例を製造するための方法のシーケンスの略図である。
【図３】  ３ａは第２の実施例の断面略図、３ｂは図３ａの実施例の導波路の有利な形態の概略図である。
【図４】  ａないしｃは図３の実施例を製造するための方法のシーケンスの略図である。
【図５】  縁部放出半導体構造における電流注入パスの第１の配置構成の平面略図である。
【図６】  縁部放出半導体構造における電流注入パスの第２の配置構成の平面略図である。
【図７】  縁部放出半導体構造における電流注入パスの第３の配置構成の平面略図である。
【図８】  ａおよびｂは吸収層を備えた半導体レーザ装置の略図である。
【図９】  ａおよびｂはポンピング放射源としてリングレーザを備えている第１の実施例の断面および平面略図である。
【図１０】  ポンピング放射源としてリングレーザを備えている第２の実施例の平面略図である。
【図１１】  ａおよびｂはポンピング放射源としてそれぞれ２つのリングレーザを備えている第３および第４の実施例の平面略図である。
【図１２】  ａおよびｂは図９の実施例を製造するための方法のシーケンスの略図である。
【図１３】  外部の共振器を備えている本発明の半導体レーザ装置の概略図である。
【図１４】  本発明の変調可能な半導体レーザ装置の概略図である。
【図１】
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【図２ａ−ｃ】
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【図２ｄ−ｅ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ−ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０】
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【図１１ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２ａ】
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【図１２ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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