(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室と、第１蓄熱層と、第２蓄熱層と、第３蓄熱層と、を備え、
それぞれの前記蓄熱層は、一方の端部と他方の端部を有しており、一方の端部から気体を流入させた場合は当該気体が他方の端部から流出し、他方の端部から気体を流入させた場合は当該気体が一方の端部から流出し、通過する気体から熱を吸収または通過する気体を昇温することが可能であり、
それぞれの前記蓄熱層の一方の端部には、浄化前の排ガスの流入経路を開閉可能な排ガス流入ダンパを備えた排ガス流入口と、浄化後の排ガスの流出経路を開閉可能な浄化ガス流出ダンパを備えた浄化ガス流出口と、清掃用空気の流入経路を開閉可能な空気流入ダンパを備えた空気流入口と、が接続されており、
それぞれの前記蓄熱層の他方の端部は、前記燃焼室に接続されており、
前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第１蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第３蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第２蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第１排ガス浄化経路と、
前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第２蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第１蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第３蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第２排ガス浄化経路と、
前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第３蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第２蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第１蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第３排ガス浄化経路と、を順次切替えて排ガスを浄化し、
排ガスを燃焼させて浄化する燃焼装置は前記燃焼室内かつ前記第１蓄熱層と前記第２蓄熱層と前記第３蓄熱層から離れた位置に設けられており、前記燃焼装置を切替えることなく前記第１排ガス浄化経路と前記第２排ガス浄化経路と前記第３排ガス浄化経路とを順次切替える、
フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、排ガスを燃焼させることにより、無害なＣＯ2とＨ2Ｏに分解する、燃焼式の排ガス浄化装置が知られている。また、燃焼式の排ガス浄化装置に蓄熱層を設けたものが知られている。例えば、第１の蓄熱層を通過させた排ガスを燃焼し、燃焼後の浄化ガスを第２の蓄熱層を通過させる。この時、浄化ガスからの熱が第２の蓄熱層へ蓄熱され、冷却された浄化ガスを排出し、高い熱交換効率を実現して燃焼用の燃料消費量を著しく低減可能な、蓄熱燃焼酸化式の排ガス浄化装置が知られている。この方式は、燃焼後の浄化ガスが持つ熱エネルギーを蓄熱層で吸収し、新たな排ガスを燃焼させるための熱エネルギーとして利用している。
従来のフォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化装置の燃焼手段には、触媒式燃焼手段を用いている。また、当該製造装置の排ガスは、当該製造装置の排ガスの流出口の近傍で排気ブロア等を用いて吸い出されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化装置の燃焼手段に用いている触媒式燃焼手段は、排ガス中の特定成分（例えば、有機シリコン等）が触媒に膜状に堆積し易く、触媒の性能が短期間に低減する。性能が低減した触媒から特定成分を除去することは、非常に困難である。このため、触媒の再利用が困難であり、定期的に交換を要するため、ランニングコストが高く、メンテナンス性が悪い。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、ランニングコストが低く、メンテナンス性がよいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第１発明は、請求項１に記載されたとおりのフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置である。
請求項１に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置は、燃焼室と、第１蓄熱層と、第２蓄熱層と、第３蓄熱層と、を備え、それぞれの前記蓄熱層は、一方の端部と他方の端部を有しており、一方の端部から気体を流入させた場合は当該気体が他方の端部から流出し、他方の端部から気体を流入させた場合は当該気体が一方の端部から流出し、通過する気体から熱を吸収または通過する気体を昇温することが可能である。
また、それぞれの前記蓄熱層の一方の端部には、浄化前の排ガスの流入経路を開閉可能な排ガス流入ダンパを備えた排ガス流入口と、浄化後の排ガスの流出経路を開閉可能な浄化ガス流出ダンパを備えた浄化ガス流出口と、清掃用空気の流入経路を開閉可能な空気流入ダンパを備えた空気流入口と、が接続されており、それぞれの前記蓄熱層の他方の端部は、前記燃焼室に接続されている。
そして、前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第１蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第３蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第２蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第１排ガス浄化経路と、前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第２蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第１蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第３蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第２排ガス浄化経路と、前記第３蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを開いて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第１蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを開いて前記空気流入ダンパを閉じ、且つ前記第２蓄熱層における前記排ガス流入ダンパを閉じて前記浄化ガス流出ダンパを閉じて前記空気流入ダンパを開き、浄化前の排ガスを、前記排ガス流入口から前記第３蓄熱層を経由させて前記燃焼室に導いて浄化し、前記第２蓄熱層を空気で清掃して使用した空気を前記燃焼室に導いて浄化し、浄化した排ガスと空気を、前記第１蓄熱層を経由させて前記浄化ガス流出口から排出する第３排ガス浄化経路と、を順次切替えて排ガスを浄化する。
なお、排ガスを燃焼させて浄化する燃焼装置は前記燃焼室内かつ前記第１蓄熱層と前記第２蓄熱層と前記第３蓄熱層から離れた位置に設けられており、前記燃焼装置を切替えることなく前記第１排ガス浄化経路と前記第２排ガス浄化経路と前記第３排ガス浄化経路とを順次切替える。
また、本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガスの流入口と、燃焼手段と、排ガスの流出口とを備え、燃焼手段として、蓄熱式燃焼手段を用いる。
本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、燃焼手段に反応流路が均一な所定内寸である直線状の多数の穴を有する蓄熱部材を備えた蓄熱式燃焼手段を用いることで、蓄熱部材に排ガスの特定成分が詰まりにくく、分解性能を損ねることがない。このため、ランニンコストが低く、メンテナンス性がよい。また、再利用が可能であるので、廃棄物として処理する必要も低減する。
【０００５】
また、本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガスの流入口の圧力を検出する圧力検出手段と、排ガスの流出口から浄化ガスを吸い出す排気手段と、制御手段とを備え、制御手段は、圧力検出手段で検出した圧力に基づいて、排気手段を制御する。
本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、当該製造装置の排ガス流出口に対する圧力変動を小さくしつつ、当該製造装置の排ガス流出口の圧力を安定化することができる。このため、フォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）の製品品質をより安定化することができる（製品品質への影響をより小さくできる）。
【０００６】
また、本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、燃焼手段の前段に、排ガス中の特定の成分の濃度を高める濃縮手段を備える。
本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、当該製造装置が発生する排ガスの量（体積）が増加した場合であっても、濃縮することで、排ガスの量（体積）を燃焼手段の処理能力（単位時間あたりの処理量（体積）等）内に収めることができる。このため、燃焼手段をより小型化することができる。また、濃縮して体積を小さくすることにより、燃焼用の燃料を低減させることができるので、燃焼の効率を向上させることができる。
【０００７】
また、本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される排ガスの温度を所定値に調節する温度調節手段を備える。
本実施の形態に記載のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を用いれば、濃縮手段中あるいは濃縮手段に流入される排ガスの温度を所定値（例えば、約２００℃）に維持することで、排ガスの温度の低下に伴う液化を防止でき、濃縮手段での目詰まり、劣化等を抑制できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図１は、本発明のフォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）で発生する排ガスの浄化装置の一実施の形態の概略構成図を示している。
製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃ（フォト工程を有する基板の製造装置）から発生した排ガスは、配管内を通過して圧力検出手段２０（圧力センサ等）に到達する。
圧力検出手段２０は、検出した圧力に基づいた検出信号を制御手段４０に出力し、検出信号は制御手段４０により圧力に変換される。制御手段４０は、変換された圧力が所定の圧力を維持するように、排気手段８０（排気用ブロアー等）を制御する。この場合、排気手段８０と製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃとの間には、各種の工程（濃縮、燃焼等）があるため、排気手段８０の動作／停止等に伴う急激な圧力変動は、各種の工程で緩衝される。このため、製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃへの急激な圧力変動が抑制され、製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃからの排ガスの圧力を比較的緩やかに所定の圧力に近づけて安定化させることで、フォト工程を有する基板の製造装置（例えば、半導体あるいは液晶あるいはプラズマディスプレイあるいは有機ＥＬ樹脂の製造装置のフォト工程）の製品品質を安定化させることができ、製品品質への影響をより小さくできる。
【０００９】
温度調節手段３０（例えば、温度センサ及びヒータ等）は、検出した温度に基づいた検出信号を制御手段４０に出力し、検出信号は制御手段４０により温度に変換される。制御手段４０は、変換された温度が所定の温度（例えば、２００℃）を維持するように、温度調節手段３０を制御する。これにより、排ガスを気相状態に維持することが可能になり、次工程の濃縮手段５０の配管内部等で排ガスが液化することを抑制し、濃縮手段５０が目詰まり、劣化する（べとつき等により、ダスト等が付着したり、濃縮手段を劣化させる成分が付着・堆積する）ことを抑制できる。
【００１０】
濃縮手段５０（例えば、ゼオライト、活性炭等を用いた濃縮装置）は、その内部を排ガスが通過する際、例えば、活性炭等でダスト等を除去し、ゼオライト等で排ガス中の特定の成分（例えば、ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）を吸着し、特定の成分以外を外部に排出（除去）する。また、ゼオライト等に吸着した特定の成分は、再生用空気等で排ガスに再生され、この時、再生された排ガス内の特定の成分の比率を高めることかできる。このように、排ガスを濃縮して排ガスの量（体積）を小さくできる。このため、蓄熱式燃焼手段７０の処理能力を超える排ガスの量（体積）が発生した場合であっても、処理能力内の排ガスの量（体積）に収めることができる。また、定常的に濃縮手段を使用すれば、処理能力が比較的低い蓄熱式燃焼手段７０を用いることができるので、蓄熱式燃焼手段７０を小型化することができる。また、濃縮して体積を小さくすることにより、燃焼用の燃料を低減させる（加熱不要な成分を予め除去しておく）ことができるので、燃焼の効率を向上させることができる。
【００１１】
蓄熱式燃焼手段７０には、既存のものを用いている。
蓄熱式燃焼手段７０は、例えば、排ガスの流入口と、燃焼室と、排ガスの流出口と、第１の蓄熱層と、第２の蓄熱層と、排ガスの経路を切替える経路切替え手段１０１、１０２とを備えている。燃焼室には、燃焼装置７６（ガスバーナー等）と温度検出手段７４（温度センサ等）が設けられ、温度検出手段７４は検出した燃焼温度に基づいた検出信号を制御手段４０に出力し、制御手段４０は検出信号を温度に変換する。そして、制御手段４０は、所定の燃焼温度を維持するように、燃焼用燃料供給手段６０（例えば、燃料タンクに接続された燃料ポンプ等）、燃焼装置７６を制御する。
また、制御手段４０は、経路切替え手段１０１、１０２を制御して、排気ガスの経路を切替え、複数設けられた蓄熱層を、各々、排ガス流入用／排ガス流出用／エアパージ用のいずれかに切替える。
【００１２】
図２は、従来のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置の概略構成図の例を示している。
図１に示した本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置との相違点を以下に説明する。
各製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃの直後に圧力検出手段２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び排気手段８５ａ、８５ｂ、８５ｃが設けられ、圧力検出手段２０の検出信号に基いて排気手段８５を動作させている。製造装置１０への圧力変動（単位時間当りの圧力の変化量）は、製品品質のバラツキに影響するので好ましくない。そのため、各製造装置１０ａ、１０ｂ、１０ｃに個別に排気手段８５ａ、８５ｂ、８５ｃを有している。このため、後段の排気手段８０と合わせると、イニシャルコスト、ランニングコスト共に大きくなるという問題があった。
また、濃縮手段５０が設けられてなく、濃縮手段５０の目詰まり、劣化を抑制するための温度調節手段３０も設けられていない。このため、触媒式燃焼手段９０の処理能力の上限に対応する排ガスの量（体積）以下になるように、製造装置１０から排出される排ガスの量を抑える必要がある。
また、排気手段８０が、触媒式燃焼手段９０の前段にあり、制御手段から制御されず、常時所定の風量で排気している。このため、排気手段８０の上流及び下流の各圧力のバラツキが大きくなり、単位時間当りの排ガスの量のバラツキが大きくなる。このため、触媒式燃焼手段９０内の燃焼室の燃焼温度のバラツキが大きくなり、分解効率（浄化効率）にも影響する可能性がある。
また、燃焼手段が触媒式燃焼手段９０であり、網状あるいは複数の複雑なガス通路を備えた触媒を有している。触媒式燃焼手段９０で使用する触媒は、製造工程で使用された有機シリコンが触媒上に膜状に付着し、除去不可能となり、いわゆる永久被毒となってしまい、触媒性能を失ってしまい、メンテナンスができない。また、使用済みとなった触媒は、廃棄物として処理する必要がある。従来の触媒式燃焼手段では、約１．５ヵ月毎に触媒の交換を行っている。
図１に示した本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置は、上記の例に示した従来のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置の問題点を全て解決する。
【００１３】
次に、蓄熱式燃焼手段の排ガス浄化方式について、２種類の方式すなわち「２−ＢＥＤ方式」と「３−ＢＥＤ方式」について説明する。
◆［「２−ＢＥＤ方式」］
図３に示す模式図を用いて、「２−ＢＥＤ方式」について説明する。
「２−ＢＥＤ方式」では、蓄熱式燃焼手段７０に第１及び第２の蓄熱層７１、７２を設け、第１の蓄熱層７１、第２の蓄熱層７２を、経路切替え手段にて第１の蓄熱層７１を排ガス流入用、第２の蓄熱層７２を浄化ガス流出用として用いる形態と、第１の蓄熱層７１を浄化ガス流出用、第２の蓄熱層７２を排ガス流入用として用いる形態の交互に切替える方式である。
図３Ａ（上図）は、切替えダンパ（経路切替え手段に相当する）７１ａ、７２ｂを開き、切替えダンパ７１ｂ、７２ａを閉じた状態である。
この状態では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダンパ７１ａを通過し、更に、第１の蓄熱層７１を通過し、第１の蓄熱層７１から熱を吸収して燃焼室７５内に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換される。浄化ガスは、第２の蓄熱層７２を通過し、第２の蓄熱層７２に熱を供給して、更に、切替えダンパ７２ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。
また、ガス流出口１１０に流入した浄化ガスは、排気手段８０（排気用ブロアー等）により、強制的に吸い出されるので、ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。
【００１４】
図３Ｂ（下図）は、切替えダンパ（経路切替え手段に相当する）７１ｂ、７２ａを開き、切替えダンパ７１ａ、７２ｂを閉じた状態である。
この状態では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダンパ７２ａを通過し、更に、第２の蓄熱層７２を通過し、第２の蓄熱層７２から熱を吸収して燃焼室７５内に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換される。浄化ガスは、第１の蓄熱層７１を通過し、第１の蓄熱層７１に熱を供給して、更に、切替えダンパ７１ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。
例えば、図３Ａと図３Ｂに示した経路の切替え操作を数分毎に行うことで、排ガス及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱交換を行わせることで、浄化ガスの熱を有効に利用する。
【００１５】
次に、図４及び図５を用いて、蓄熱層を構成する蓄熱部材（本実施の形態で用いた蓄熱部材）の例について説明する。
図４は、蓄熱部材７７の外観を示しており、図５は、本実施の形態で用いた蓄熱部材７７の模式図を示している。蓄熱部材７７は、略直方体の形状であり、図４は、説明のために一部をカットした図である。本実施の形態で用いた蓄熱部材７７は、Ｄ（縦）約１５０ｍｍ、Ｗ（横）約１５０ｍｍ、Ｈ（高さ）約３００ｍｍの寸法であり、Ｈ（高さ）方向に対して平行に、略直線の複数のガス通路７７ａが設けられている。ガス通路７７ａを略直線にすることで、圧力損失が低減される。流入口１００から切替えダンパ７１ａを通過した排ガスは、蓄熱部材７７に設けられたガス通路７７ａ内を、ほぼ均一な速度分布で通過し、燃焼室７５に流入する。このため、燃焼室７５に流入する排ガスの量のバラツキが小さいので、燃焼室内の温度を所定温度以上に保つために燃焼装置７６の燃焼エネルギーを制御することが容易であり、安定した高い分解効率（浄化率）を得ることができる。蓄熱式燃焼手段７０の燃焼室内の温度を８００℃以上に保つことにより、安定して約９７％の分解効率を得られる。
また、ガス通路７７ａの内寸は、圧力損失、排ガス内のダストのサイズ、堆積物の除去の容易さ等に基づいて、３〜４ｍｍに設定されている。なお、この寸法は、使用条件等に合わせて任意の寸法に変更してもよい。また、このサイズのガス通路７７ａでは、ダスト、燃焼で生成されたＳｉＯ2等の付着（堆積）による閉塞も発生しにくい。しかも、仮にダスト等による閉塞が発生しても、除去が容易（３〜４ｍｍ幅の略直線の孔であるため、針金、細いブラシ等により清掃が可能）であり、メンテナンス性に優れている。
また、蓄熱部材７７は、高温（８００℃以上）であっても組成の変化がほとんど発生せず、高い蓄熱効果を有するセラミックを素材に用いている。
この蓄熱部材により、流出口での浄化ガスの温度は、流入口の排ガス温度に対して、＋３０℃〜＋４０℃にまで冷却される。
【００１６】
次に、「３−ＢＥＤ方式」の蓄熱式燃焼手段の排ガス浄化方式について説明する。
◆［「３−ＢＥＤ方式」］
次に、図６に示す模式図を用いて、「３−ＢＥＤ方式」について説明する。上記で説明した「２−ＢＥＤ方式」では、２つの蓄熱層を、排ガス流入用と浄化ガス流出用に交互に切替える。これに対し、「３−ＢＥＤ方式」では、３つの蓄熱層を用いて、蓄熱層を浄化ガス流出用に使用する前に、一旦、空気で清掃し、分解効率（浄化効率）を更に向上させる方式である。
「３−ＢＥＤ方式」では、蓄熱式燃焼手段７０に第１、第２、第３の蓄熱層７１、７２、７３を設け、第１の蓄熱層７１、第２の蓄熱層７２、第３の蓄熱層７３を、経路切替え手段にて第１の蓄熱層７１を排ガス流入用、第２の蓄熱層７２を浄化ガス流出用、第３の蓄熱層７３をエアパージ用として用いる形態と、第１の蓄熱層７１をエアパージ用、第２の蓄熱層７２を排ガス流入用、第３の蓄熱層７３を浄化ガス流出用として用いる形態と、第１の蓄熱層７１を浄化ガス流出用、第２の蓄熱層７２をエアパージ用、第３の蓄熱層７３を排ガス流入用として用いる形態とを順番に切替える方式である。
【００１７】
図６Ａ（上図）は、切替えダンパ（経路切替え手段に相当する）７１ａ、７２ｂを開き、切替えダンパ７１ｂ、７２ａ、７３ａ、７３ｂを閉じた状態である。また、空気流入ダンパ７３ｃを開き、空気流入ダンパ７１ｃ、７２ｃを閉じた状態である。
この状態では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダンパ７１ａを通過し、更に、第１の蓄熱層７１を通過し、第１の蓄熱層７１から熱を吸収して燃焼室７５内に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換される。浄化ガスは、第２の蓄熱層７２を通過し、第２の蓄熱層７２に熱を供給して、更に、切替えダンパ７２ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。
また、ガス流出口１１０に流入した浄化ガスは、排気手段８０（排気用ブロアー等）により、強制的に吸い出されるので、ガスは滞ることなく上記の経路を辿る。
また、空気流入ダンパ７３ｃから空気が流入し、流入した空気が第３の蓄熱層７３を通過して、第３の蓄熱層７３に残留している未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この場合、第３の蓄熱層７３がエアパージ（空気で清掃する）用に相当する。
【００１８】
図６Ｂ（中図）は、切替えダンパ（経路切替え手段に相当する）７２ａ、７３ｂを開き、切替えダンパ７１ａ、７１ｂ、７２ｂ、７３ａを閉じた状態である。また、空気流入ダンパ７１ｃを開き、空気流入ダンパ７２ｃ、７３ｃを閉じた状態である。
この状態では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダンパ７２ａを通過し、更に、第２の蓄熱層７２を通過し、第２の蓄熱層７２から熱を吸収して燃焼室７５内に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換される。浄化ガスは、第３の蓄熱層７３を通過し、第３の蓄熱層７３に熱を供給して、更に、切替えダンパ７３ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。
また、空気流入ダンパ７１ｃから空気が流入し、流入した空気が第１の蓄熱層７１を通過して、第１の蓄熱層７１に残留している未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この場合、第１の蓄熱層７１がエアパージ（空気で清掃する）用に相当する。
【００１９】
図６Ｃ（下図）は、切替えダンパ（経路切替え手段に相当する）７１ｂ、７３ａを開き、切替えダンパ７１ａ、７２ａ、７２ｂ、７３ｂを閉じた状態である。また、空気流入ダンパ７２ｃを開き、空気流入ダンパ７１ｃ、７３ｃを閉じた状態である。
この状態では、排ガス流入口１００から流入した排ガスは、切替えダンパ７３ａを通過し、更に、第３の蓄熱層７３を通過し、第３の蓄熱層７３から熱を吸収して燃焼室７５内に流入する。燃焼室７５に流入した排ガスは、燃焼装置７６（ガスバーナー等）により燃焼されて浄化ガスに変換される。浄化ガスは、第１の蓄熱層７１を通過し、第１の蓄熱層７１に熱を供給して、更に、切替えダンパ７１ｂを通過して、ガス流出口１１０に流入する。
また、空気流入ダンパ７２ｃから空気が流入し、流入した空気が第２の蓄熱層７２を通過して、第２の蓄熱層７２に残留している未処理の排ガスを燃焼室７５に流入させる。この場合、第２の蓄熱層７２がエアパージ（空気で清掃する）用に相当する。
【００２０】
例えば、図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃに示した経路の切替え操作を数分毎に順番に行うことで、排ガス及び浄化ガスと、各蓄熱層との間で熱交換を行わせることで、浄化ガスの熱を有効に利用する。
また、浄化ガスを通過させる蓄熱層は、浄化ガス流出用として使用する前に、エアパージ用として使用することで、内部に残存する排ガスを燃焼室に放出させるため、浄化ガスに未処理の排ガスをほとんど含まない。
また、蓄熱部材、蓄熱部材を用いて構成した蓄熱層等、その他は「２−ＢＥＤ方式」と同様である。
【００２１】
「２−ＢＥＤ方式」及び「３−ＢＥＤ方式」で説明した蓄熱式燃焼手段は、高い熱交換率（約９０％以上）と、高い分解浄化率（約９７〜９９％）を有している。この性能を引き出すためには、蓄熱式燃焼手段の燃焼室内の温度を約８５０℃に安定して維持させることが必要である。
本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置では、排ガスの量（単位時間あたりに処理する体積）及び当該排ガスの濃度（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤の比率）を濃縮手段で所定の範囲にする。このため、単位時間あたりの排ガスの総体積を小さくできるので、蓄熱式燃焼手段の処理効率を向上させることができる。
また、蓄熱式燃焼手段は、燃焼された浄化ガスの熱を、次の燃焼に用いる排気ガスの昇温に有効に利用するので、燃焼用の燃料をより低減できる。このため、燃料の燃焼によるＣＯ2の発生量をも低減できる。
本実施の形態に示したフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を用いた場合、排ガス中の特定の成分（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）の脱臭効果（臭気浄化率）は約９５．６％の浄化率を達成することができ、特定成分（ＭＭＰ、ＰＧＭＥＡ、ＥＣＡ、ＥＤＭ等の有機溶剤）の分解浄化率は、約９９％以上の浄化率を安定して達成できることを確認できた。
【００２２】
本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置は、実施の形態で説明した構成等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
また、圧力検出手段、温度調節手段、濃縮手段、燃焼用燃料供給手段、蓄熱式燃焼手段、排気手段等は、本実施の形態で説明した、センサ、機器、構造等に限定されず、種々のものを用いることが可能である。
また、実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
また、以上（≧）、以下（≦）、より大きい（＞）、未満（＜）等は、等号を含んでも含まなくてもよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の排ガス浄化装置を用いれば、ランニングコストが低く、メンテナンス性がよいフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置の一実施の形態の概略構成図である。
【図２】  従来のフォト工程を有する基板の製造装置で発生する排ガスの浄化装置の例を示す概略構成図である。
【図３】  蓄熱式燃焼手段「２−ＢＥＤ方式」を示す模式図である。
【図４】  蓄熱部材７７の外観図である。
【図５】  蓄熱部材の模式図である。
【図６】  蓄熱式燃焼手段「３−ＢＥＤ方式」を示す模式図である。
【符号の説明】
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ    製造装置
２０    圧力検出手段
３０    温度調節手段
４０    制御手段
５０    濃縮手段
６０    燃焼用燃料供給手段
７０    蓄熱式燃焼手段
７４    温度検出手段
７６    燃焼装置
８０    排気手段
１０１、１０２    経路切替え手段
【図１】
0004828047.tif 000002
【図２】
0004828047.tif 000003
【図３】
0004828047.tif 000004
【図４】
0004828047.tif 000005
【図５】
0004828047.tif 000006
【図６】
0004828047.tif 000007