(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と対向基板からなる一対の基板間に挟持された液晶と、マトリクス状に形成された複数の画素とを有し、前記複数の画素によって形成された表示領域において前記液晶に横電界を加えることにより反射表示を行い、
平面視において矩形をなす前記複数の画素の各々は、
前記矩形の周縁部に沿って形成された額縁状の共通電極と、
前記共通電極における対向する２辺と重なる２つの線分および前記２つの線分の略中心を結んだ線分とからなるＩ字状の画素電極と、
前記共通電極の角部に設けられたスイッチング素子とを有し、
前記画素の断面方向において前記素子基板上には、
前記表示領域を覆うように形成された反射電極と、前記共通電極と、前記画素電極とが、この順番で、それぞれ絶縁膜を介して接続され、
前記共通電極の上方には、絶縁膜を介して補助共通電極が設けられた反射型液晶装置の駆動方法であって、
所定の前記画素電極に正極性の電圧である第１電圧を印加するとともに、となりの前記画素電極には、第１電圧の逆極性の電圧である第２電圧を印加するように複数の前記スイッチング素子によって駆動し、
前記共通電極には、前記第１電圧と前記第２電圧との中間電位を持つ第３電圧を印加し、
前記補助共通電極には、前記第１電圧と逆極性で、前記第３電圧よりも低電位の電圧である第４電位を印加することを特徴とする反射型液晶装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型液晶装置および電子機器に関し、特に横電界モードを適用した反射型液晶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
反射モードの液晶表示方式を用いた投射型液晶表示装置が従来から知られている。この種の投射型液晶表示装置の一構成例を図１６に示す。本例の投射型液晶表示装置は、光源１０１と、光源１０１からの出射光を平行光に変換するレンズ１０２と、一方の偏光を反射するとともに他方の偏光を透過する偏光ビームスプリッタ１０３と、平行光を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分離、合成するダイクロイックプリズム１０４などの光学部材からなる色分離合成系を有している。そして、上記の色分離合成系で分離された３原色の光を入射光とし、それぞれの色の画像信号に応じて反射率を制御して反射する３枚の反射モード液晶ライトバルブ１０５Ｒ、１０５Ｇ、１０５Ｂと、この反射光を再び色分離合成系で合成し、スクリーン１０６上に拡大投影する投射レンズ１０７を有している。
【０００３】
図１７は反射モード液晶ライトバルブの一構成例を示している。この図に示すように、素子基板１１０、対向基板１１１の２枚の透明基板の間に枠状のシール材１１２が挟持され、液晶１１３が封止されている。この液晶１１３は、電圧無印加時に液晶分子をほぼ垂直に配向させ、負の誘電率異方性を有する材料を用いて、電圧印加時に液晶分子を水平に傾斜させる（以下、垂直配向モードという）ものである。素子基板１１０の上面に、反射膜と画素電極とを兼ねた反射電極１１４が複数配置されている。例えばこの素子基板１１０がスイッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス基板であったとすると、多数の反射電極１１４がマトリクス状に配置され、各反射電極１１４が格子状に配置されたデータ線（図示略）および走査線（図示略）にＴＦＴ（図示略）を介して接続される。この反射電極１１４は通常、銀やアルミニウム等の金属で形成され、その表面は対向基板１１１側から入射する光を反射する反射面となっている。反射電極１１４上には配向膜１１５が設けられている。他方、対向基板１１１上には、隣接する反射電極１１４の間にあたる領域に遮光膜１１６が設けられ、遮光膜１１６を覆う絶縁膜１１７が設けられ、絶縁膜１１７上にインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる対向電極１１８が設けられている。対向電極１１８上には配向膜１１９が設けられている。さらに、対向基板１１１の外側に位相差板１２０、偏光板１２１が設けられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記構成の反射型液晶ライトバルブには、以下のような問題点があった。
【０００５】
反射型液晶ライトバルブには、従来から垂直配向モードの液晶が検討されてきた。その理由は、垂直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配列された状態（法線方向から見た光学的リターデーションが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の画質が良く、高いコントラストが得られる。また、正面コントラストに優れる垂直配向モードのＴＮ液晶では、一定のコントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic,以下、ＴＮと略記する）液晶に比較して広くなる。さらに、ＴＮ方式に比較して液晶層にツイスト構造を用いないため、応答速度が速い、といった種々の効果が期待できるからである。
【０００６】
このような利点を有する垂直配向モードであるが、その反面、反射型液晶ライトバルブに適用した場合、ディスクリネーション（液晶の配向不良）の発生が避けられず、実際のところ、明るく、コントラストの高い反射型液晶ライトバルブを得るのは困難であった。
【０００７】
図１８は、垂直配向モードの反射型液晶表示装置において、液晶に印加される電界と光の透過率をシミュレーションした結果を示している。図において、符号１３０は画素電極（反射電極）、１３１は対向電極、１点鎖線で示した曲線Ｅは等電位線、実線で示した曲線Ｔは透過率曲線である。また、１つの画素電極に共通電極に対して＋５Ｖの電圧（以下、画素電極の電圧の設定は共通電極に対して、また共通電極の電圧の設定は液晶に印加する電圧幅の中心電圧に対してである）が印加されたとするとその隣の画素電極には−５Ｖの電圧が印加されるというように、隣接する画素電極に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用するものとする。また、本例では垂直配向モードの液晶を用いているので、液晶分子は等電位線に沿う方向に傾斜する。
【０００８】
１つの画素領域Ｒに着目すると、画素領域Ｒの中央にディスクリネーションが発生しているのに加え、隣接する画素電極に印加される電界の影響を受けて画素領域Ｒの端部にもディスクリネーションの発生が見られる。ドット反転駆動等の駆動方式を採る以上、画素領域中央部のディスクリネーションと画素領域端部のディスクリネーションを抑制しない限り、明るく、コントラストの高い表示は期待できない。
【０００９】
以上、垂直配向モードの場合を例に挙げて説明したが、水平配向モードのＴＮ液晶を用いた場合でも、全く同様の問題点があった。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、隣接画素の電界の影響によるディスクリネーションを抑制し、明るく、コントラストの高い表示が得られる反射型液晶装置およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の反射型液晶装置の駆動方法は、素子基板と対向基板からなる一対の基板間に挟持された液晶と、マトリクス状に形成された複数の画素とを有し、前記複数の画素によって形成された表示領域において前記液晶に横電界を加えることにより反射表示を行い、平面視において矩形をなす前記複数の画素の各々は、前記矩形の周縁部に沿って形成された額縁状の共通電極と、前記共通電極における対向する２辺と重なる２つの線分および前記２つの線分の略中心を結んだ線分とからなるＩ字状の画素電極と、前記共通電極の角部に設けられたスイッチング素子とを有し、前記画素の断面方向において前記素子基板上には、前記表示領域を覆うように形成された反射電極と、前記共通電極と、前記画素電極とが、この順番で、それぞれ絶縁膜を介して接続され、前記共通電極の上方には、絶縁膜を介して補助共通電極が設けられた反射型液晶装置の駆動方法であって、所定の前記画素電極に正極性の電圧である第１電圧を印加するとともに、となりの前記画素電極には、第１電圧の逆極性の電圧である第２電圧を印加するように複数の前記スイッチング素子によって駆動し、前記共通電極には、前記第１電圧と前記第２電圧との中間電位を持つ第３電圧を印加し、前記補助共通電極には、前記第１電圧と逆極性で、前記第３電圧よりも低電位の電圧である第４電位を印加することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、横電界モードの適用によって隣接画素からの印加電界の影響を低減でき、特に画素領域端部のディスクリネーションを充分に抑制することができる。
従って、従来に比べて明るく、コントラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現できる。
【００１３】
本発明に係る反射型液晶装置によれば、対向基板上における対向電極と重なる位置に対向側共通電極が形成されるとともに、第３電圧が印加されることが好ましい。
また、素子基板上における共通電極の上方には、絶縁膜を介してさらに補助共通電極が設けられるとともに、第１電圧と同一極性で、第３電圧よりも高電位の電圧である第４電位が印加されることが好ましい。
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、前記記載の反射型液晶装置を備えたことを特徴とする。
【００１４】
共通電極と画素電極の位置関係として、共通電極を各画素領域の両端部に設け、画素電極を、絶縁膜を介した共通電極の上層の各画素領域の中央部に設けることができる。
【００１５】
その場合、対向基板上に対向側共通電極を設けることができる。対向側共通電極には０Ｖを印加してもよいし、素子基板上の画素電極と逆極性の電圧を印加してもよい。
【００１６】
また、共通電極や画素電極の幅に関しては、データ線や走査線の幅と同程度に共通電極や画素電極の幅を細く形成してもよいし、共通電極と画素電極とが１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成してもよい。
【００１７】
さらに、各画素領域の端部に配置した共通電極の上方に、補助共通電極を設けてもよい。通常、共通電極には０Ｖを印加するが、補助共通電極には０Ｖに近いわずかな電圧（例えば１Ｖ程度）を印加する。印加電圧の極性については、画素電極への印加電圧と同極性の電圧を印加してもよいし、画素電極への印加電圧と逆極性の電圧を印加してもよい。
【００１８】
共通電極と画素電極の他の位置関係として、上記の場合とは逆に、画素電極を各画素領域の両端部に設け、共通電極を、絶縁膜を介した画素電極の上層の各画素領域の中央部に設けてもよい。
【００１９】
さらに他の位置関係として、共通電極を各画素領域の両端部に設け、画素電極を、共通電極と同一層上で共通電極とは絶縁状態とした上で各画素領域の中央部に設けてもよい。
【００２０】
反射層を上記のような導電性材料で形成することに代えて、誘電体材料で形成していわゆる誘電体ミラーとし、反射層に電圧を印加しない構成としてもよい。
【００２１】
上に様々な電極構成のバリエーションを提示したが、これら全ての場合において従来に比べて隣接画素からの印加電界の影響を低減することができる。各電極構成におけるシミュレーション結果については次の「発明の実施の形態」の項で詳述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１の参考の形態］
以下、第１の参考の形態を図１ないし図３を参照して説明する。
【００２５】
図１は本参考の形態の反射型液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板（素子基板）における隣接する２画素分の平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。なお、図２においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２６】
反射型液晶装置のＴＦＴアレイ基板１上には、図１に示すように、紙面縦方向に延びるデータ線２と、紙面横方向に延びる走査線３とが格子状に設けられている。これらデータ線２と走査線３とにより区画された各画素領域Ｒの角部にＴＦＴ５が設けられている。本参考の形態の場合、ＴＦＴ５は、図２に示すように、ボトムゲート型ＴＦＴであり、走査線３から延びるゲート電極６上を半導体層７が横断し、半導体層７の一端にデータ線２（ＴＦＴ５ではソース電極に相当）が接続されるとともに、半導体層７の他端に画素電極８（ＴＦＴ５ではドレイン電極に相当）が接続されている。画素領域Ｒの周縁部に沿って額縁状の共通電極９が形成される一方、画素領域Ｒの中央部には画素電極８が延びている。したがって、このＴＦＴアレイ基板１においては、共通電極９と画素電極８との間に電圧 
が印加されると、画素領域Ｒ端部の紙面縦方向に延びる共通電極９の２辺と、画素領域Ｒ中央部の画素電極８との間に横電界（矢印Ｂ）が生じる構成となっている。
【００２７】
本参考の形態の反射型液晶装置の断面構造は、図２に示すように、一対の透明基板１０，１１を有しており、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１と、これに対向配置される他方の基板をなす対向基板１２とを備え、これら基板１，１２間に水平配向モードの液晶１３が挟持されている。
【００２８】
ＴＦＴアレイ基板１を構成する透明基板１０上の全面に、アルミニウム、銀等の反射率の高い金属膜（導電性材料）からなる反射電極１４（反射層）が形成されている。反射電極１４上に第１の絶縁膜１５が形成され、第１の絶縁膜１５上に走査線３、ゲート電極６と、共通電極９とが形成されている。これら走査線３、ゲート電極６、共通電極９を覆うようにＴＦＴ５のゲート絶縁膜となる第２の絶縁膜１６が形成され、第２の絶縁膜１６上に半導体層７が形成されている。この半導体層７の両端にそれぞれ接するようにデータ線２、画素電極８が形成され、全面を覆うように第３の絶縁膜１７が形成されている。ここでは図示を省略したが、第３の絶縁膜１７上には配向膜が形成されている。
【００２９】
他方、対向基板１２上には、透明基板１１上に隣接する画素領域Ｒ間の領域を遮光する遮光膜１８が形成され、全面に配向膜（図示略）が形成されている。
【００３０】
図３は、上記の本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。図において、符号１４は反射電極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。また、１つの画素電極８に＋５Ｖの電圧が印加されたとするとその隣の画素電極８には−５Ｖの電圧が印加されるというように、隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用するものとする。共通電極９には０Ｖを印加している。また、本参考の形態では水平配向モードの液晶を用いているので、液晶分子は電気力線Ｅにほぼ直交する方向に傾斜する。
【００３１】
本参考の形態の場合、画素領域Ｒの中央にはディスクリネーションが発生しているが、画素領域Ｒの端部近傍においては、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３２】
［第２の参考の形態］
以下、本発明の第２の参考の形態を図４、図５を参照して説明する。
【００３３】
図４は本参考の形態の反射型液晶表示装置の断面図である。本参考の形態の反射型液晶表示装置の基本構造は第１の参考の形態と同様であり、異なる点は対向基板側にも対向側共通電極が設けられた点のみである。よって、図４において図２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３４】
本参考の形態の反射型液晶表示装置では、図４に示すように、対向基板１２上の遮光膜１８を覆う絶縁膜２１が形成され、絶縁膜２１上におけるＴＦＴアレイ基板１上の共通電極９の上方にあたる位置に対向側共通電極２２が形成されている。
【００３５】
図５は、上記の本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。図において、符号１４は反射電極、９は共通電極、８は画素電極、２２は対向側共通電極、実線で示した曲線Ｅは等電位線である。隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、対向側共通電極２２には０Ｖを印加している。
【００３６】
本参考の形態の場合も、画素領域Ｒの端部近傍においては、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００３７】
なお、ここでは対向側共通電極２２に０Ｖを印加した例を示したが、対向側共通電極２２にはＴＦＴアレイ基板１上の画素電極８と逆極性の電圧を印加してもよい。
【００３８】
［第３の参考の形態］
以下、本発明の第３の参考の形態を図６を参照して説明する。
【００３９】
図６は、本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。第１、第２の参考の形態においては、共通電極や画素電極の幅をデータ線や走査線の幅と同程度に細く形成しているが、本参考の形態は共通電極と画素電極とが１つの画素領域内をほぼ覆う程度に幅広く形成した例である。
【００４０】
図６において、符号１４は反射電極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは電気力線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用している。
【００４１】
本参考の形態の場合も、画素領域Ｒの端部近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００４２】
［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を図７ないし図９を参照して説明する。
【００４３】
図７は本実施の形態の反射型液晶表示装置の断面図である。本実施の形態の反射型液晶表示装置の基本構造は上記実施の形態と同様であり、異なる点はＴＦＴアレイ基板上に補助共通電極を設けた点のみである。よって、図７において図２と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４４】
本実施の形態の反射型液晶表示装置では、図７に示すように、ＴＦＴアレイ基板１の第２の絶縁膜１６上の共通電極９の上方にあたる位置に２個の補助共通電極２４が形成されている。
【００４５】
図８は、上記の本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。図において、符号１４は反射電極、９は共通電極、２４は補助共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは等電位線である。隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用し、画素電極８に＋５Ｖ、補助共通電極２４には当該画素電極８と同極性の電圧である＋１Ｖを印加している。
【００４６】
本実施の形態の場合も、画素領域Ｒの端部近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、等電位線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本実施の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００４７】
補助共通電極２４に＋１Ｖを印加した図８に対して、図９は補助共通電極２４に当該画素電極８と逆極性の電圧である−１Ｖを印加した場合のシミュレーション結果である。図９の場合も図８とほぼ同様の結果を示し、ディスクリネーションの発生が抑制できる。
【００４８】
［第４の参考の形態］
以下、本発明の第４の参考の形態を図１０を参照して説明する。
【００４９】
図１０は、本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。上記参考の形態においては、共通電極と画素電極の位置関係を、共通電極を下層側、画素電極を上層側としたのに対し、本参考の形態は共通電極を上層側、画素電極を下層側とした例である。
【００５０】
図１０において、符号１４は反射電極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは等電位線である。隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用している。
【００５１】
本参考の形態の場合も共通電極９と画素電極８の位置関係が逆の第１の参考の形態の結果（図３参照）と同様であり、画素領域Ｒの端部近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｅからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００５２】
［第５の参考の形態］
以下、本発明の第５の参考の形態を図１１を参照して説明する。
【００５３】
図１１は、本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーションを行った結果を示している。本参考の形態は、共通電極と画素電極の位置関係として、共通電極と画素電極とを同一層上に設けた例である。
【００５４】
図１１において、符号１４は反射電極、９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線は等電位線である。隣接する画素電極８間に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用している。
【００５５】
本参考の形態の場合も、画素領域Ｒの端部近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。
【００５６】
［第６の参考の形態］
以下、本発明の第６の参考の形態を図１２を参照して説明する。
【００５７】
図１２は、本実施形態の電極構成において、液晶に印加される電界のシミュレーション 
を行った結果を示している。実施形態および第１〜第５の参考の形態は全て反射層を導電性材料で形成し、反射電極としていたのに対し、本参考の形態は反射層を誘電体材料で形成し、反射層に電圧を印加しない場合の例である。
【００５８】
図１２において、符号９は共通電極、８は画素電極、実線で示した曲線Ｅは等電位線である。なお、反射層は誘電体材料で形成され、いわゆる誘電体ミラーを構成しているが、これは単に反射層として機能するのみであって、電圧は印加されないため、図１２には示していない。また、隣接する画素電極８に逆極性の電圧が印加されるドット反転駆動、ライン反転駆動等の駆動方式を採用している。
【００５９】
本参考の形態の場合も、画素領域Ｒの端部近傍において、図１８に示した従来例に比べて隣接する画素領域Ｒからの電界の影響が少なく、電気力線Ｅが基板面に対して比較的立った状態となり、液晶分子の配列の乱れが少なく、ディスクリネーションの発生が抑制できていることが確認される。したがって、本参考の形態によれば、従来に比べて明るく、コントラストの高い反射型液晶表示装置を実現することができる。特に本参考の形態の場合は、上記参考の形態の中で隣接する画素領域からの電界の影響が最も少ないと推定される。
【００６０】
［電子機器の例］
以下、本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
【００６１】
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。
【００６２】
図１３において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６３】
図１４は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。
【００６４】
図１４において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６５】
図１５は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。
【００６６】
図１５において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６７】
図１３ないし図１５に示す電子機器は、上記の反射型液晶装置を用いた液晶表示部を備えたものであるので、明るく、コントラストの高い表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００６８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば横電界を発生する共通電極や画素電極の平面配置、寸法等に関しては、任意に設計することが可能である。
【００６９】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、横電界モードの適用によって隣接画素からの電界の影響を充分に低減でき、画素領域端部のディスクリネーションを抑制できるので、従来に比べて明るく、コントラストの高い表示が得られる反射型液晶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１の参考の形態の反射型液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【図３】同参考形態の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図４】第２の参考の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図５】同参考形態の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図６】第３の参考の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図７】本発明の実施形態の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図８】同実施形態の電極構成において、補助共通電極に当該画素電極と同極性の電圧を印加した場合の液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図９】同実施形態の電極構成において、補助共通電極に当該画素電極と逆極性の電圧を印加した場合の液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１０】第４の参考の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１１】第５の参考の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１２】第６の参考の電極構成における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【図１３】本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図１５】本発明の反射型液晶装置を備えた電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【図１６】従来の投射型液晶表示装置の一構成例を示す図である。
【図１７】従来の反射モード液晶ライトバルブの一構成例を示す図である。
【図１８】従来の垂直配向モードの液晶表示装置における液晶への印加電界のシミュレーション結果である。
【符号の説明】
【００７１】
１…ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、２…データ線、３…走査線、４…画素領域、５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ、スイッチング素子）、６…ゲート電極、７…半導体層、８…画素電極、９…共通電極、１２…対向基板、１３…液晶、１４…反射電極（反射層）、２２…対向側共通電極、２４…補助共通電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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