(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の導体パターンに設けられた、半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされる、配線基板のパッド構造であって、
前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、
該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された厚さ２〜１０μｍの燐含有のニッケル層と、
該ニッケル層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い厚さ０．０１〜１μｍの銅層と、
該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された厚さ０．０４〜１μｍの貴金属層と、
からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板のパッド構造。
【請求項２】
パッド本体を形成する金属層が銅によって形成されていると共に、貴金属層が金、パラジウム又は白金によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板のパッド構造。
【請求項３】
基板の導体パターンに設けられた、半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされる、配線基板のパッド構造であって、
前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、
該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された燐含有のニッケル層と、
該ニッケル層上に無電解貴金属めっきにより形成された第１貴金属層と、
該第１貴金属層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い銅層と、
該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された第２貴金属層と、
からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板のパッド構造。
【請求項４】
パッド本体を形成する金属層が銅によって形成されていると共に、第１貴金属層又は第２貴金属層が金、パラジウム又は白金によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板のパッド構造。
【請求項５】
基板本体と、
該基板本体上に形成された導体パターンであって、一部に、はんだボール等の半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされるパッドが形成された導体パターンと、を具備し、
前記パッドは、請求項１に記載の多層めっき層として形成された配線基板のパッド構造を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
パッド本体を形成する金属層が銅によって形成されていると共に、貴金属層が金、パラジウム又は白金によって形成されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記銅層の厚さが０．２〜０．６μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板のパッド構造。
【請求項８】
基板本体と、
該基板本体上に形成された導体パターンであって、一部に、半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされるパッドが形成された導体パターンと、を具備し、
前記パッドは、請求項３に記載の多層めっき層として形成された配線基板のパッド構造を具備することを特徴とする配線基板。
【請求項９】
パッド本体を形成する金属層が銅によって形成されていると共に、貴金属層が金、パラジウム又は白金によって形成されていることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記ニッケル層の厚さが２〜１０μｍ、前記銅層の厚さが０．０１〜１μｍ、前記貴金属層の厚さが０．０４〜１μｍであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板のパッド構造。
【請求項１１】
前記銅層の厚さが０．２〜０．６μｍであることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板のパッド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は配線基板のパッド構造及びそのようなパッド構造を有する配線基板に関し、更に詳細には基板の導体パターンに設けられた、はんだボール等のはんだ部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされるめっき構成を有するパッド構造及び配線基板に関する。
【背景技術】  半導体装置等に用いられる配線基板には、基板の一面側に形成された導体パターンの一端部に設けられたパッドに、外部接続端子としてのはんだバンプが搭載される。
かかるパッドは、例えば、特開２００１−７７５２８号公報（第２欄第４７行目〜第４欄第１８行目）に記載されている様に、多層めっき層に形成されている。このパッドを図６に示す。
図６に示すパッド１１４には、パッド１１４の本体を形成する銅層１００に直接接触するニッケル層１０２と、このニッケル層１０２上に、耐食性や耐酸化性等の向上のため、ニッケル層１０２よりも薄い金層１０４とが形成されている。
かかるニッケル層１０２と金層１０４とは、無電解めっきによって形成される場合がある。無電解めっきによってニッケル層１０２と金層１０４とを形成する際には、電解めっきによってニッケル層１０２と金層１０４とを形成する場合とは異なり、電解めっき専用の給電用パターンを配線基板に引き回すことを要しないため、配線パターン等の設計の自由度を向上できるからである。
尚、パッド１１４の本体を形成する銅層１００の表面は、パッド１１４を形成する部分を除いてソルダレジスト１０５によって覆われている。
図６に示すパッド１１４のめっき構成によれば、パッド１１４にはんだボールを搭載し、リフローすることによって、溶融はんだ中に金層１０４を形成する金（Ａｕ）が拡散すると共に、溶融はんだ中の錫（Ｓｎ）とニッケル層１０２を形成するニッケル（Ｎｉ）とがＳｎ−Ｎｉ合金層を形成し、はんだバンプ１０６をパッド１１４に固着する。
ところで、無電解ニッケルめっきによってニッケル層１０２を形成する際には、例えば特開平１１−３５４６８５号公報に記載されている様に、無電解ニッケルめっき液として、めっき皮膜の腐食防止のために、燐成分が含有された無電解ニッケルめっき液を用いる。このため、無電解ニッケルめっきによって形成されたニッケル層１０２には、燐（Ｐ）成分が含有されている。
しかし、燐含有のニッケル層１０２を具備するパッド１１４に搭載したはんだボールをリフローして形成したはんだバンプ１０６は、その引張強度が低く、はんだバンプ１０６の引張強度の向上が望まれている。
また、図６に示すパッド１１４に、電子部品の外部接続端子等の外部部材をはんだ付けした場合も、同様に、その引張強度の向上が望まれている。
【発明の開示】
そこで、本発明の課題は、燐含有のニッケル層を具備するパッドに搭載したはんだボール等のはんだ部材やはんだ付けした外部部材の引張強度を向上し得るパッドのめっき構成及び配線基板を提供することにある。
本発明者等は、前記課題を解決すべく、先ず、燐成分が含有されている燐含有のニッケル層１０２を具備するパッド１１４に、はんだバンプ１０６を搭載した後、はんだバンプ１０６とパッドとの接合部を電子顕微鏡観察したところ、図７に示す接合部が形成されていた。
すなわち、ニッケル層１０２とはんだバンプ１０６との境界部には、Ｓｎ−Ｎｉ合金層１０８が形成されていると共に、Ｓｎ−Ｎｉ合金層１０８とニッケル層１０２との境界にも、Ｓｎ−Ｎｉ合金層１０８よりも薄い層であって、Ｎｉ成分とＰ成分とから成り、Ｐ成分が濃厚なＰリッチ層１１０が形成されている。かかるＰリッチ層１１０及びＳｎ−Ｎｉ合金層１０８には、小さなボイド１１２，１１２…も形成されている。
かかる図７に示す接合部の構造を具備するはんだバンプ１０６を引き抜いた後のパッド１１４側を電子顕微鏡観察したところ、図８に示す様に、Ｓｎ−Ｎｉ合金層１０８とＰリッチ層１１０との境界から剥離していることが判明した。
したがって、本発明者等は、燐含有のニッケル層１０２を具備するパッド１１４に搭載したはんだバンプの引張強度を向上するには、パッド１１４のめっき構成を、パッド１１４に搭載したはんだボールをリフローした際に、はんだバンプとパッド１１４との境界部を形成する層を緻密層に形成することが有効であると考え検討した。
その結果、パッドの本体上に無電解めっきによって形成した燐含有のニッケル層と、このニッケル層上に無電解銅めっきによって形成した銅層と、この銅層上に無電解金めっきによって形成した金層とを具備するパッドによれば、このパッドに搭載したはんだバンプの引張強度を向上できることを見出し、本発明に到達した。
本発明によれば、基板の導体パターンに設けられた、はんだボール等の半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされる、配線基板のパッド構造であって、前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された燐含有のニッケル層と、該ニッケル層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い銅層と、該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された貴金属層と、からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板のパッド構造が提供される。
また、本発明によれば、基板の導体パターンに設けられた、はんだボール等の半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされる、配線基板のパッド構造であって、前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された燐含有のニッケル層と、該ニッケル層上に無電解貴金属めっきにより形成された第１貴金属層と、該第１貴金属層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い銅層と、該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された第２貴金属層と、からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板のパッド構造が提供される。
更に、本発明によれば、基板本体と、該基板本体上に形成された導体パターンであって、一部に、はんだボール等の半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされるパッドが形成された導体パターンと、を具備し、前記パッドは、前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された燐含有のニッケル層と、該ニッケル層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い銅層と、該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された貴金属層と、からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板が提供される。
更にまた、本発明によると、基板本体と、該基板本体上に形成された導体パターンであって、一部に、はんだボール等の半田部材が搭載され或いは外部部材がはんだ付けされるパッドが形成された導体パターンと、を具備し、前記パッドは、前記導体パターンの一部として形成され且つパッド本体を形成する金属層と、
該金属層上に直接接触する無電解ニッケルめっきにより形成された燐含有のニッケル層と、該ニッケル層上に無電解貴金属めっきにより形成された第１貴金属層と、該第１貴金属層上に無電解銅めっきにより形成された、前記ニッケル層よりも薄い銅層と、該銅層上に無電解貴金属めっきにより形成された第２貴金属層と、からなる多層めっき層に形成されていることを特徴とする配線基板が提供される。
上記の配線基板のパッド構造又は配線基板において、パッド本体を形成する金属層が銅によって形成されていると共に、貴金属層が金、パラジウム又は白金によって形成されていることを特徴とする。
本発明に係る配線基板のパッド構造によって、パッドに搭載したはんだボール等のはんだ部材やはんだ付けした外部部材の引張強度を向上できることの詳細な理由は明確に解明されていないが、次のように考えることができる。
つまり、従来のパッド構造は、燐含有のニッケル層の表面に直接薄い金層が形成されており、例えばはんだボールをパッドに搭載してリフローする際に、溶融はんだ中に金層を形成する金（Ａｕ）が拡散した後、ニッケル層を形成するニッケル（Ｎｉ）が溶融はんだ中に急速に拡散し、溶融はんだ中の錫（Ｓｎ）とＳｎ−Ｎｉ合金層を形成すると共に、燐成分が濃厚なＰリッチ層を形成する。このＰリッチ層は、厚さが不均一に形成されているため、燐成分の濃度も不均一である。
かかるＰリッチ層が形成された後、更にリフローを続行すると、Ｐリッチ層の厚い部分では、薄い部分に比較して、溶融はんだ中へのニッケルの拡散が遅いため、溶融はんだ中へのニッケルの拡散速度が不均一となって、Ｐリッチ層及びＳｎ−Ｎｉ合金層に微小なボイドが発生する。
これに対し、本発明に係る配線基板のめっき構造では、はんだボールを搭載してリフローする際に、銅層の銅（Ｃｕ）が溶融はんだ中に拡散して、溶融はんだ中のＳｎとＳｎ−Ｃｕ合金層を形成し、ニッケル層から溶融はんだ中へのニッケルの拡散速度及び拡散量を制御できるものと考えられる。このため、Ｓｎ−Ｎｉ合金層の形成速度を一定にでき、Ｐリッチ層の形成を可及的に防止できることに因り、Ｓｎ−Ｎｉ合金層に発生する微小なボイドを抑制できる。その結果、はんだバンプとパッドの境界部を緻密層によって形成でき、はんだバンプの引張強度を向上できる。
この様に、本発明によれば、パッドに搭載したはんだボール等のはんだ部材やはんだ付けした外部部材の引張強度を向上できるため、最終的に組み立てられた電子機器の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】  図１は本発明に係るパッドのめっき構成の一例を説明する部分断面図である。
図２は本発明に係るパッドのめっき構成の他の例を説明する部分断面図である。
図３ははんだバンプの引張強度を測定する引張強度試験装置の概略図及び測定した引張強度結果を示すグラフである。
図４は引き抜かれたはんだバンプの状態を説明する説明図及びその調査結果を示すグラフである。
図５は図２の実施例と図６の従来例による実験結果を比較して示すグラフである。
図６は従来のパッドのめっき構成を説明する部分断面図である。
図７は図６に示すパッドに搭載したはんだバンプとの接続部の状態を示す電子顕微鏡写真をトレースした図である。
図８は図６に示す接続部の状態のはんだパンプを引き抜いたパッド側の状態を示す電子顕微鏡写真をトレースした図である。
【発明を実施するための最良の形態】  本発明に係る配線基板のパッド構造の一実施形態を図１に示す。図１に示すパッドの本体を形成する銅層１０の表面は、パッド４０を形成する部分を除いてソルダレジスト１８によって覆われている。なお、銅層１０は基板１上の形成されている導体パターンの一部として形成されている。
かかるパッド４０は、パッド４０の本体を形成する銅層１０に直接接触するニッケル層１２と、ニッケル層１２上に形成された銅層１４と、銅層１４上に形成された貴金属層としての金層１６とから成る多層めっき構成である。
かかる多層めっき構成を形成する、ニッケル層１２、銅層１４及び金層１６は、いずれも無電解めっきによって形成したものであり、厚さはニッケル層１２が、銅層１４より厚く、またこの銅層１４は金層１６より厚い。
尚、金層１６は、銅層１４と同一厚さ或いは銅層１４よりも厚くてもよい。
この多層めっき構成のうち、ニッケル層１２を形成する無電解ニッケルめっきでは、燐化合物が含有された無電解ニッケルめっき液が用いられる。かかる無電解ニッケルめっき液中の燐化合物の濃度は、６〜８ｗｔ％であることが好ましい。この燐含有の無電解ニッケルめっき液を用いた無電解ニッケルめっきによって形成する、Ｐ含有のニッケル層１２の厚さは、２〜１０μｍとすることが好ましい。
かかるニッケル層１２上に、銅層１４を形成する無電解銅めっきでは、プリント基板製造用の無電解めっき液として汎用されているロシェル浴やＥＤＴＡ浴を用いることができる。この無電解銅めっきによって、厚さ０．０１〜１μｍの銅層１４を形成することが好ましい。
更に、銅層１４上に、金層１６を形成する無電解金めっきでは、通常に使用されているストライク金めっき浴を無電解金めっき液として用いることができる。かかる無電解金めっきによって形成する金層１６は、パッドの耐食性や耐酸化性の向上のために形成するものであって、厚さ０．０４〜１μｍとすることが好ましい。
尚、パッドの本体を形成する銅層１０は、電解銅めっきによって形成してもよく、樹脂板からなる基板１の表面に貼付された銅箔にパターニングを施して形成してもよい。
図１に示すパッド４０の搭載面に、はんだボールを搭載してリフローすることによって、はんだバンプ２０を形成できる。
形成したはんだバンプ２０の引張強度は、図６に示す従来のパッド１１４に搭載したはんだバンプ１０６よりも向上できる。このはんだバンプ２０の引張強度の向上は、次のように考えられる。
つまり、図１に示すパッド４０の搭載面に搭載したはんだボールをリフローする際に、先ず、金層１６の金（Ａｕ）が溶融はんだ中に拡散した後、銅層１４の銅（Ｃｕ）が溶融はんだ中に拡散し、溶融はんだ中のＳｎとＳｎ−Ｃｕ合金層を形成するものと考えられる。その後、このＳｎ−Ｃｕ合金層によって、ニッケル層から溶融はんだ中へのニッケルの拡散速度及び拡散量を制御できる。このため、Ｓｎ−Ｎｉ合金層の形成速度を一定にでき、Ｐリッチ層の形成を可及的に防止できることに因り、Ｓｎ−Ｎｉ合金層に発生する微小なボイドを抑制できる。
かかる図１に示すパッド４０の多層めっき構成では、図６に示す従来のパッド１１４の多層めっき構成に比較して、パッド４０に搭載したはんだバンプ２０の引張強度を向上できる。
ところで、図１に示すパッド４０の多層めっき構成では、Ｐ含有のニッケル層１２の表面に直接銅層１４を無電解銅めっきによって形成しているが、銅層１４をＰ含有のニッケル層１２の表面に直接無電解めっきによって形成することが困難な場合がある。この場合には、図２に示す様に、Ｐ含有のニッケル層１２上に無電解金めっきによって金層１６ａを形成した後、金層１６ａ上には銅層１４を無電解銅めっきによって容易に形成できる。形成した銅層１４上には、図１に示す場合と同様に、パッド４０の耐食性や耐酸化性の向上のため、無電解金めっきによって金層１６を形成する。
この様に形成した、図２に示すパッド４０では、各層の厚さはニッケル層１２が銅層１４より厚く、またこの銅層１４が金層１６より厚く、この金層１６と金層１６ａを、略同じ厚さとしている。
尚、金層１６，１６ａは、銅層１４と同一厚さ或いは銅層１４よりも厚くてもよく、金層１６，１６ａは異なる厚さであってもよい。
図２に示すパッド４０の搭載面に、はんだボールを搭載してリフローすることによって、はんだバンプ２０を形成でき、このはんだバンプ２０の引張強度は、図６に示す従来のパッド１１４に搭載したはんだバンプ１０６よりも向上できる。このはんだバンプ２０の引張強度が向上する理由は、図１に示すパッド４０の場合と同様に考えられる。
但し、図２に示すパッド４０に搭載したはんだボールをリフローする際に、銅層１４とＰ含有のニッケル層１２との間に形成された金層１６ａの金（Ａｕ）は、銅層１４及び溶融はんだ中に拡散するものと考えられる。
図１及び図２に示すパッド４０を、導体パターンの一端部に設けられたパッドに形成されている半導体装置等の配線基板では、外部接続端子として形成されたはんだバンプ２０の引張強度を向上できる。このため、半導体装置等の配線基板を、その外部接続端子として形成したはんだバンプ２０によって実装基板に実装した際に、配線基板を強固に実装基板に実装でき、最終的に組み立てられた電子機器の信頼性を向上できる。
なお、本発明においては、これまでの説明の金層１６，１６ａを、パラジウム（Ｐｄ）から成るＰｄ層或いは白金（Ｐｔ）から成るＰｔ層としてもよい。
また、パッド１４には、はんだボールに代えて、電子部品の外部接続端子等の外部部材をはんだ付けしてもよい。
【実施例１】  複数の銅から成る配線パターンがエポキシ樹脂から成る絶縁層を介して多層に積層された多層基板の一面側に形成された配線パターンの端部に銅から成るパッドを形成し、パッドの表面を、外部接続端子としてのはんだバンプ２０を搭載するパッド４０を形成する部分を除いてソルダレジスト１８で覆った。パッド４０を形成するパッドの表面は、径４７０μｍの円形状に露出している。
このパッドの露出面に脱脂等の前処理を施した後、無電解ニッケルめっき液として、燐化合物の濃度が６〜８ｗｔ％となるように調整された次亜燐酸含有硫酸ニッケルめっき液を用い、この次亜燐酸含有硫酸ニッケルめっき液に多層基板を３０分間浸漬し、パッドの露出面に厚さ５μｍのＰ含有のニッケル層１２を形成した。
ニッケル層１２をパッドの露出面に形成した多層基板を洗浄した後、無電解金めっき液として、ニッケル置換型（還元型）のシアン金めっき液を用い、このシアン金めっき液に多層基板を５分間浸漬し、ニッケル層１２上に厚さ０．０４μｍの金層１６ａを形成した。
更に、無電解銅めっき液として、還元型のＥＤＴＡタイプの銅めっき液を用い、この銅めっき液に多層基板を１０分間浸漬し、金層１６ａ上に厚さ０．４μｍの銅層１４を形成した後、銅置換型（還元型）のシアン金めっきに多層基板を２０分間浸漬し、金層１６ａ上に厚さ０．０５μｍの金層１６を形成した。
かかる一連の無電解めっきによって、パッドの露出面には、厚さ５μｍのＰ含有のニッケル層１２上に、厚さ０．０４μｍの金層１６ａを介して厚さ０．４μｍの銅層１４が形成され、更に銅層１４上に厚さ０．０５μｍの金層１６が形成された図２に示すパッド４０が形成されている。
次いで、多層基板に形成された図２に示すパッド４０の搭載面に、直径０．６ｍｍのはんだボール［Ｓｎ（９５．５ｗｔ％）−Ａｇ（４ｗｔ％）−Ｃｕ（０．５ｗｔ％）］を載置し、ロジン系のフラックスを用い、窒素雰囲気下において最高温度２５０℃でリフローを施した。このようにして、図２に示すパッド４０に、はんだバンプ２０を形成した。
比較例
実施例１において、金層１６ａ及び銅層１４を形成しなかった他は、実施例１と同様にして、パッドの露出面に、厚さ５μｍのＰ含有のニッケル層１０２上に、厚さ０．０５μｍの金層１０４が形成された図６に示すパッド１１４を形成した。
次いで、多層基板に形成された図６に示すパッド１１４の搭載面に、直径０．６ｍｍのはんだボール［Ｓｎ（９５．５ｗｔ％）−Ａｇ（４ｗｔ％）−Ｃｕ（０．５ｗｔ％）］を載置し、ロジン系のフラックスを用い、窒素雰囲気下において２５０℃の温度でリフローを施した。このようにして、図６に示すパッド１１４に、はんだバンプ１０６を形成した。
実施例１と比較例の対比
実施例１及び比較例で形成したはんだバンプ２０，１０６の引張強度を、特開平１１−２８８９８６号公報で提案されている引張試験装置を用いて測定した。
使用した引張試験装置は、図３（ａ）に示す様に、一対のクランプ３０ａ，３０ｂによってはんだバンプ２０（１０６）を押し潰すことなく把持した後、クランプ３０ａ，３０ｂを上昇させて、はんだバンプ２０（１０６）が引き抜かれた際の力を引張強度とした。はんだバンプ２０，１０６の各々について、３０個のサンプルについて引張強度を測定し、その結果を図３（ｂ）に示した。なお、図３（ｂ）は３０個の各サンプルにおける引張強度の測定結果をドットによる分布で示している。
図３（ｂ）から明らかな様に、実施例１のはんだバンプ２０の引張強度は、比較例のはんだバンプ１０６よりも向上されている。
また、引き抜かれたはんだバンプ２０（１０６）の状態についても調査した。すなわち、図４（ａ）に示す様に、引き抜かれたはんだバンプ２０（１０６）にパッド４０（１１４）が付着している場合は、はんだバンプ２０（１０６）の引き抜きがパッド４０（１１４）とバンプ２０（１０６）との境界部に形成されたＰリッチ層１１０に起因するものでなく、パッド４０（１１４）の多層めっき構成に問題のない状態である。この図４（ａ）に示す状態を合格状態（合格モード）とした。
これに対し、図４（ｂ）に示す様に、引き抜かれたはんだバンプ２０（１０６）にパッド４０（１１４）が付着していない場合は、はんだバンプ２０（１０６）の引き抜きがパッド４０（１１４）とバンプ２０（１０６）との境界部に形成された微小なボイド等に起因するものであり、パッド４０（１１４）の多層めっき構成に問題がある状態である。この図４（ｂ）に示す状態を不合格状態（不合格モード）とした。
かかる引き抜かれたはんだバンプ２０（１０６）の状態についても、実施例１及び比較例のはんだバンプ２０（１０６）の各３０個のサンプルについて調査し、その結果を図４（ｃ）に示した。
図４（ｃ）から明らかな様に、実施例１のはんだバンプ２０では、その引き抜かれた状態が図４（ａ）に示す合格状態（合格モード）が９０％である。これに対し、比較例のはんだパンプ１０６では、その引き抜かれた状態が図４（ａ）に示す合格状態（合格モード）が１０％程度である。
【実施例２】  次に、上述の実施例１めっき構造（図２の実施形態のパッド４０）において、ニッケル層１２の厚さ（５μｍ）、その上に形成する金層１６ａの厚さ（０．０４μｍ）を実施例１と同様とし、その上に形成する銅層１４の厚さを次のように変化させ、更にその上に形成する金層（１６）の厚さ（０．０５μｍ）を実施例１と同様にしたものを実施例２として、上述の比較例のもの、即ち、図６に示すパッド１１４において、ニッケル層１０２の厚さ（５μｍ）、その上に形成する金層１０４の厚さ（０．０５μｍ）のものと対比した。
実験結果は次の表１のとおりである。
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以上の実験結果を図５に示す。実験の結果、好適には、銅めっき（１４）の厚さを０．２〜０．６μｍ、特に０．４μｍとすれば良いことがわかる。
なお、図２のパッド構造において、ニッケルめっき層１２と銅めっき層１４の中間の金めっき層１６ａは、ニッケルと銅との密着性向上のため、ごく薄く設けられている。このため、はんだの引張り強度には、特に関係していないものと考えられる。
よって、図１のめっき構造の場合も、図２のめっき構造と同様な実験結果が得られると予想される。
ちなみに、表層の金めっき層１６は、銅めっき層１４の酸化防止のためごく薄く設けられており、やはり、はんだの引張り強度には、特に関係していないものと考えられる。
以上添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施形態又は実施例に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
【産業上の利用可能性】  以上のように、本発明によれば、はんだバンプとパッドの境界部を緻密層によって形成でき、はんだバンプの引張強度を向上できる。よって、本発明によれば、パッドに搭載したはんだボール等のはんだ部材やはんだ付けした外部部材の引張強度を向上できるため、最終的に組み立てられた電子機器の信頼性を向上できる。
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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