(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
該基板に設けられた磁電変換素子、
を含む磁気センサと、
スイッチボタンと、
該スイッチボタンに備えられ、前記磁電変換素子に対向して配置された磁気体と、
を有し、
前記磁気センサは、前記磁気センサと前記磁気体との間隔の変位により、前記磁気センサ内における前記磁電変換素子に発生する電位を検知電位として検知し、一つの前記磁気センサの前記検知電位に対して値の異なる少なくとも３つの閾値を設け、おのおのの前記閾値と前記検知電位に応じて、カメラの焦点合わせの動作、カメラの焦点合わせを解除する動作、及びシャッターを切る動作を制御する、カメラシャッター操作用多段スイッチであって、
前記カメラの焦点合わせの動作を実現する前記スイッチボタンの押下量よりも、前記スイッチボタンの押下量の大きな段階でシャッターを切る動作状態にし、
前記シャッターを切る動作の前であって、
前記カメラの焦点合わせの動作が完了しない状態で、前記スイッチボタンの押下量がカメラの焦点合わせの動作状態の閾値を超えた場合に、前記カメラの焦点合わせを解除する動作状態にする、カメラシャッター操作用多段スイッチ。
【請求項２】
前記磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子である、請求項１に記載の多段スイッチ。
【請求項３】
前記磁気センサは、前記磁電変換素子を２個直列に接続したものを備えてなり、
前記検知電位は、前記２つの磁電変換素子の接続点の電位が検知されるものであって、
２個の前記磁電変換素子のうち、一方の磁電変換素子は、前記磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位が所定の変位を有し、他方の磁電変換素子は、前記磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位をほぼ無くし、前記一方の磁電変換素子と前記他方の磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させてなる、請求項１または２に記載の多段スイッチ。
【請求項４】
前記一方の磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であって、基台上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、該半導体磁気抵抗薄膜上に形成された複数の短絡電極と、外部と接続する外部電極を備えてなり、
前記他方の磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であって、基台上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、外部と接続する外部電極を備えてなるとともに、前記半導体磁気抵抗薄膜上に、短絡電極を備えない、あるいは、前記一方の磁電変換素子が備える短絡電極よりも少ない数の短絡電極が形成されてなる、請求項３に記載の多段スイッチ。
【請求項５】
前記スイッチボタンの移動機構は、前記磁気センサの動作信号系とは独立させて設けられてなる、請求項１乃至４のいずれかに記載の多段スイッチ。
【請求項６】
前記磁気センサは、前記磁電変換素子を覆うパッケージを備えるとともに、前記パッケージと前記磁電変換素子の感磁部との間隔が０．３ｍｍ以下となるように前記パッケージが前記磁気センサに配置されてなる、請求項１乃至５のいずれかに記載の多段スイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多段スイッチに関し、特に、カメラのシャッター、ビデオカメラの撮影スイッチ、その他各種電子機器のスイッチなどにおいて、1つのスイッチに複数の動作指示機能を持たせるために用いる多段スイッチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の多段スイッチは、皿バネが用いられるものが一般的に知られている（特許文献１参照）。この皿バネを用いた多段スイッチは、通常、操作者によってスイッチボタンが押下されることにより、複数設けられた皿バネが順次押下による押圧力に応じて変形され、電子機器の動作状態が順次切り替えられる多段スイッチとして機能するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−５７８８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の皿バネなどを用いた多段スイッチは、操作時のスイッチボタンの押し込み量により動作状態が切り替えられるが、たとえば操作者が１段目の動作状態に切り替えようとしたときに、皿バネの弾性力を押し込むためにスイッチボタンに大きな圧力を加えてしまい、一気に２段目あるいはそれ以降の動作状態にまで切り替えられることになる。このように、操作者は希望の動作状態を達成するつもりでも、操作者の操作感覚と多段スイッチの実際の動きが一致せず、希望の動作状態を得られないことがあった。
【０００５】
具体的には、カメラのシャッターに用いられる多段スイッチでは、通常２段の動作状態に区分され、１段目は焦点合わせ、２段目はシャッターを切る、すなわち撮影するという動作状態になるが、操作者が的確に押し込めない場合は、焦点が合わない状態でシャッターが切られてしまうことがしばしばあった。
【０００６】
特に、近年は、カメラの小型化に伴い、多段スイッチも小型化が求められており、スイッチに何も圧力が加わっていない状態から、シャッターが切られる状態、すなわち２段目の状態までに多段スイッチのスイッチボタンが移動する距離は約２ｍｍ程度しかない。そして、この２ｍｍの間に焦点合わせの動作状態となる１段目を構成しなくてはならず、一般的な操作者では、スイッチボタンを微小な距離で押下しつつ、皿バネの圧力に抗して、１段目となる焦点合わせの動作状態を保持するのは、手ブレ発生の原因となって、結局、焦点合わせができないという問題が発生していた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、本発明のカメラシャッター操作用多段スイッチは、基板および基板に設けられた磁電変換素子を含む磁気センサと、スイッチボタンと、スイッチボタンに設けられ磁電変換素子に対向して配置された磁気体とを備え、磁気センサは、磁気センサと磁気体との間隔の変位により、磁気センサ内における磁電変換素子に発生する電位を検知電位として検知し、一つの前記磁気センサの前記検知電位に対して値の異なる少なくとも２つ以上の閾値を設け、おのおのの閾値と検知電位との比較結果に応じ、前記スイッチボタンの押下量の少ない段階でカメラの焦点合わせの動作状態とし、前記スイッチボタンの押下量の大きな段階でシャッターを切る動作状態にすることを特徴としている。
【０００８】
また、磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であることを特徴としている。
【０００９】
また、磁気センサは、磁電変換素子を２個直列に接続したものを備えてなり、検知電位は２つの磁電変換素子の接続点の電位が検知されるものであって、２個の磁電変換素子のうち、一方の磁電変換素子は、磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位が所定の変位を有し、他方の磁電変換素子は、磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位をほぼ無くし、一方の磁電変換素子と他方の磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させてなることを特徴としている。
【００１０】
また、２個の前記磁電変換素子は、いずれも半導体磁気抵抗素子であり、一方の磁電変換素子は、基板上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、半導体磁気抵抗薄膜上に形成された複数の短絡電極と、外部と接続する外部電極を備えてなり、他方の磁電変換素子は、基板上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、外部と接続する外部電極を備えてなるとともに、半導体磁気抵抗薄膜上に、短絡電極を備えない、あるいは、一方の磁電変換素子に形成された短絡電極よりも少ない数の短絡電極が形成されてなることを特徴としている。
【００１１】
また、スイッチボタンの移動機構は、磁気センサの動作信号系とは独立させて設けられてなることを特徴としている。
【００１２】
また、磁気センサは、磁電変換素子を覆うパッケージを備えるとともに、パッケージと磁電変換素子の感磁部との間隔が０．３ｍｍ以下となるようにパッケージが磁気センサに配置されてなることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
このように構成された多段スイッチでは、磁気体と磁電変換素子を用いてその距離の間隔による磁力変化を電位的に検知するものであり、スイッチボタン押下時に皿バネ等の物理的な強い抗力が操作者に加わることがなく、スムーズな押下を可能としている。したがって、たとえばこの多段スイッチをカメラなどに用いる場合は、強い抗力を感じないため、手ブレなどの発生する可能性が低い状態で１段目の動作状態である焦点合わせをすることが可能となる。また、他の小型の電子機器においても安定した操作性を可能とする。
【００１４】
また、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いることにより、スイッチボタンの移動距離が小さくても、つまり、磁気体と半導体磁気抵抗素子との間隔の変化が小さくても、その間隔の変化に伴う小さな磁力の変化に対して大きな出力値を持つ出力特性を得ることが可能であり、かつ、その出力特性は急峻な直線性を示すため、閾値を多段に設定することが容易となる。
【００１５】
また、磁気センサとして磁電変換素子を２つ直列接続し、他方の磁電変換素子の磁力感度をほぼ無くしたことにより、２つの磁電変換素子の接続点の電位である検知電位の変位が、一方の磁電変換素子の電気的特性に依存することになる。そして、直列接続した２つの磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させたことにより、温度変化による２つの磁電変換素子の電位差が生じないため、２つの磁電変換素子の接続点における検知電位は温度変化の影響が表れない。したがって、本発明における磁気センサの検知電位は、一方の磁電変換素子の電位の変位における、周囲温度変化の影響をキャンセルした純粋に磁気変化に依存した変位を示す電位となる。
【００１６】
また、２つの磁電変換素子に半導体磁気抵抗素子を用いた場合、一方の磁電変換素子となる半導体磁気抵抗素子は、所定の磁気抵抗効果を得るように短絡電極を所定の数だけ配置するとともに、他方の半導体磁気抵抗素子は、磁気抵抗効果をほぼ無くすために短絡電極を形成しないかあるいは形成するとして数を少なくするという簡単な構成で、他方の磁電変換素子の磁気抵抗効果をほとんど無くしつつ、２つの磁電変換素子の温度特性を一致させることが可能となる。
【００１７】
また、スイッチボタンの動作機構と磁気センサの動作信号系を独立させる、つまり動作信号系を分離させることにより、スイッチボタンに磁気センサの動作信号とは関与しない操作感覚をもたせることが可能となり、特に、閾値と閾値の間をスイッチボタンが移動する間の操作感を動作信号系とは独立した状態で持たせることが可能となり、閾値間のスイッチボタンの移動において、操作者が誤って過度にスイッチボタンを押下しすぎたりするような誤動作が防止される。
【００１８】
さらに、磁気センサのパッケージを、磁電変換素子との間隔が０．３ｍｍ以下となるように配置することにより、磁気センサの低背化が達成され、スイッチボタンを始めとした動作領域を大きく確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態にかかる多段スイッチの構造を示す説明図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる多段スイッチに用いる半導体磁気抵抗素子の構造示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態にかかる多段スイッチの回路図である。
【図４】本発明の実施形態にかかる多段スイッチに用いる磁気センサの磁気体との距離と検知電位との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる多段スイッチの構造を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２１】
本発明の実施形態となる多段スイッチを、図１および図２を用いて説明する。なお、本実施形態では、カメラのシャッターに用いる多段スイッチを例として説明する。
【００２２】
図１に示す多段スイッチ１０は、シャッターとなるスイッチボタン１１を備える。スイッチボタン１１は、カメラの筐体１２に周囲を覆われており、通常は筐体からやや飛び出た状態となっている。スイッチボタン１１の内壁面の窪みには、磁気体としての磁石１３が取り付けられている。この磁石１３は、スイッチボタン１１の押下方向、つまり、図１における矢印方向に磁力線が発生するように配置されるものであり、本実施形態では、スイッチボタン１１の頭部側に磁石１３のＳ極が配置され、スイッチボタンの下面側にＮ極が配置されている。
【００２３】
また、多段スイッチ１０は磁気センサ１４を備える。磁気センサ１４は、センサとしての主回路を構成する基板１５を備える。基板１５はたとえばガラスエポキシ系の材料やセラミック材料からなる。この基板１５の表面には、２つの磁電変換素子２１，３１が実装されている。これら２つの磁電変換素子２１，３１は前述した磁石１３のＮ極と対向する位置に配置されている。
【００２４】
また、多段スイッチ１０では、スイッチボタン１１の復元には弱い抗力があれば十分なため、弱いバネや低反発性素材などをスイッチボタン１１と基板１５に間に設ければよく、この実施形態では低反発性素材１６が用いられている。
【００２５】
本実施形態では、２つの磁電変換素子２１，３１は、それぞれ、基台２２，３２を備え、基台２２，３２に感磁部２３，３３および外部電極（図１には現れず）を備えるものである。この２つの磁電変換素子２１，３１は、感磁部２３，３３が形成されている面を基板１５に向けてフリップチップボンディング方式で実装されるものであり、実装は外部電極にて導電性接着剤１７を介して行われる。
【００２６】
この２つの磁電変換素子２１，３１の構造をさらに詳細に説明する。
【００２７】
図２は、本発明の実施形態に係る２つの磁電変換素子２１，３１として、２つの半導体磁気抵抗素子を用いた場合を示すものである。
【００２８】
２つの磁電変換素子２１，３１はともに、シリコーンからなる基台２２，３２を一体で共有する。
【００２９】
そして、２つの磁電変換素子２１，３１のうち、一方の磁電変換素子２１における基台２２上には、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）からなる半導体磁気抵抗薄膜２３ａがミアンダライン状に形成されている。この半導体磁気抵抗薄膜２３ａは真空蒸着法により形成されるのが一般的である。そして、半導体磁気抵抗薄膜２３ａ上には、Ｎｉ／Ｃｒ／ＡｕやＣｒ／Ｎｉ／Ａｕなどで構成された多層構造の短絡電極２３ｂが複数形成されている。この短絡電極２３ｂは、蒸着やスパッタリングなどの方法で多層構造に形成されるものであるが、図面上は図面の簡素化のため多層構造を表していない。この半導体磁気抵抗薄膜２３ａと短絡電極２３ｂとが感磁部２３として機能するものである。また、一方の磁電変換素子２１には基板１５の回路パターンや他方の磁電変換素子３１と接続するための外部電極２４が形成される。この外部電極２４は短絡電極２３ｂと同じ電極材料，同じ手法で形成される。
【００３０】
そして、他方の磁電変換素子３１における基台３２上には、ＩｎＳｂ（インジウムアンチモン）からなる半導体磁気抵抗薄膜３３ａがミアンダライン状に形成されている。この半導体磁気抵抗薄膜３３ａは、一方の磁電変換素子２１の半導体磁気抵抗薄膜２３ａと同じ形状、同じ電極材料，同じ手法で形成される。この半導体磁気抵抗薄膜３３ａ上には、多層構造の短絡電極３３ｂが複数形成されている。ここで、短絡電極３３ｂの形成された数は、一方の磁電変換素子２１に形成された短絡電極２３ｂの数と比較して少数である。この半導体磁気抵抗薄膜３３ａと短絡電極３３ｂとが感磁部３３として機能するものである。また、他方の磁電変換素子３１には基板１５の回路パターンや一方の磁電変換素子２１と接続するための外部電極３４が形成される。
【００３１】
このように構成された一方の磁電変換素子２１および他方の磁電変換素子３１は磁気による抵抗値の変化特性が大きく異なる。つまり、一方の磁電変換素子２１は磁気による抵抗値変動が所定の特性を得られるのに対し、他方の磁電変換素子３１は磁気による抵抗値変動がほとんど発生しないものとなっている。その一方で、温度変化による抵抗値変動はほぼ一致したものとなっている。
【００３２】
次に、多段スイッチ１０における磁気センサ１４の回路構成を、図３を用いて説明する。
【００３３】
磁気センサ１４において、２つの磁電変換素子２１，３１はそれぞれ直列に接続されており、入力電圧Ｖｉｎが印加されている。多段スイッチ１０の動作切り替え段数を２段とした場合、磁気センサ１４には、第１の閾値Ｖ1，第２の閾値Ｖ２が設定されている。
【００３４】
そして、２つの磁電変換素子２１，３１の接続点の電圧Ｖは磁気センサ１４の検知電位として、コンパレータＣ１で第１の閾値Ｖ１と比較されるとともに、コンパレータＣ２で第２の閾値Ｖ２と比較される。これらの比較結果により磁気センサ１４から動作指令がカメラに伝えられる。
【００３５】
多段スイッチの動作切り替え段数をｎ段とする場合は、図４において二点鎖線で示すように、第ｎの閾値Ｖｎについて、コンパレータＣｎで電圧Ｖと第ｎの閾値Ｖｎが比較されるような回路構成とすればよい。
【００３６】
このような構成を備えた多段スイッチ１０の動作は以下のとおりである。
【００３７】
まず、操作者がカメラで撮影をするために、スイッチボタン１１を押下する。押下されたスイッチボタン１１は徐々に磁気センサ１４に近づいていく。これにより、スイッチボタン中の磁石１３が、磁気センサ１４内の一方の磁電変換素子２１および他方の磁電変換素子３１に近づいていく。すると、一方の磁電変換素子２１の抵抗値が変動する。他方の磁電変換素子３１の抵抗値はほとんど変動しない。この磁石１３の接近による抵抗値の変動により、２つの磁電変換素子２１，３１の接続点の電圧Ｖが変動し、第１の閾値Ｖ１，第２の閾値Ｖ２，……，第ｎの閾値Ｖｎと比較され、その比較結果により磁気センサ１４から動作指令がカメラに伝えられる。
【００３８】
ここで、他方の磁電変換素子３１は磁気による抵抗値変動がほとんど発生しないものとなっているが、その一方で、温度変化による抵抗値変動は一方の磁電変換素子２１とほぼ一致した特性を有するものとなっている。したがって、２つの磁電変換素子２１，３１の接続点の電位Ｖは、一方の磁電変換素子２１の電気的特性つまり磁気感度に依存することになる。そして、直列接続した２つの磁電変換素子２１，３１の温度特性をほぼ一致させたことにより、２つの磁電変換素子２１，３１には温度変化による電位差が生じないため、２つの磁電変換素子２１，３１の接続点における検知電位としての電圧Ｖは温度変化の影響が表れない。したがって、本実施形態の磁気センサ１４の検知電位としての電圧Ｖは、一方の磁電変換素子２１の電位の変位における、周囲温度変化の影響をキャンセルした純粋に磁気変化に依存した変位を示す電位となる。
【００３９】
具体的な動作例として、カメラの動作切り替え段数を２段とし、１段目はカメラの焦点合わせの動作、２段目はシャッターを切る動作とした例を、図１および図４を用いて説明する。
【００４０】
図１に示すように、スイッチボタン１１が全く押下されない状態で、磁石１３と２つの磁電変換素子２１，３１との間隔を２ｍｍとする。そして、図４に示すように、この状態で磁電変換素子２１，３１の接続点の電圧Ｖは２．６Ｖとする。スイッチボタン１１は最大１．７ｍｍ押下できるものとする。ここで、スイッチボタンの押下量と磁電変換素子２１，３１の接続点の電圧Ｖとの関係は、図４に示すように、押下量が０〜０．５ｍｍ程度までは電圧Ｖに大きな変化は見られないが、徐々に押下量に対する電圧Ｖの変化が顕著になり、押下量が０．８ｍｍ以上になると、ほぼ１次直線的に電圧Ｖが変化することがわかる。
【００４１】
この特性は磁電変換素子２１，３１として半導体磁気抵抗素子を用いているために示されるもので、磁石１３との微小な距離の変位に対しても抵抗値の変化量が大きく、出力される電圧値の変化量も大きくなる。したがって、出力信号をそのまま、多段スイッチ１０の動作を決定する閾値と比較することが可能となる。さらに、出力される電圧Ｖは、直列に接続される２つの磁電変換素子に印加される入力電圧Ｖｉｎと比較して１０％程度の割合の変換効率であり、ホール素子や強磁性体金属薄膜からなる磁気抵抗素子などの各種磁電変換素子と比較して高効率であることから、小型電子機器への適用が可能となる。
【００４２】
この多段スイッチ１０では、図４に示すような出力特性から、２段の動作切り替えにおける閾値の取り方として、たとえば、第１の閾値Ｖ１を２．７Ｖ±０．０５Ｖ，第２の閾値Ｖ２を２．９Ｖ以上とすることにより、第１の閾値Ｖ１から第２の閾値Ｖ２までにスイッチボタン１１の押下量のギャップを０．４ｍｍ確保することが可能となる。もちろん、閾値となる電圧の値は、第１の閾値Ｖ１のように範囲で設定してもよく、第２の閾値Ｖ２のように２．９Ｖを超えるか超えないかという境界線で設定してもよい。本実施形態では、第１の閾値Ｖ１で焦点合わせを行うのである一定の範囲を設け、その範囲を超えて第２の閾値Ｖ２に近づくと焦点合わせ動作を解除することにより、操作者はスイッチボタン１１の押下がシャッターを切る方向に進みすぎたことを理解することができる。第２の閾値Ｖ２での動作はシャッターを切る動作なので特に範囲を設けることなく、第２の閾値Ｖ２を超える電圧Ｖであれば動作する設定とする。もちろん、第１の閾値Ｖ１で焦点合わせの動作をする場合であっても、第１の閾値Ｖ１を範囲で設定することなく、たとえば２．７Ｖとして電圧Ｖが２．７Ｖを超えれば焦点合わせをする閾値としてもよい。
【００４３】
このように、本発明の多段スイッチ１０では、検知電位としての電圧Ｖが直線的に変化するため、多段スイッチとして閾値の設定が容易にでき、かつ、回路の簡単な設計のみで段数を多くすることが可能となり、従来技術として説明した皿バネを用いた多段センサではほぼ不可能であった３段以上の多段設定も容易となる。
【００４４】
なお、本実施形態では磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いたが、ホール素子や強磁性体の磁気抵抗素子を用いても、スイッチボタンの押下に強い抗力がかかることがなく、同様の効果を発揮するので置換可能である。ただし、ホール素子や強磁性体の磁気抵抗素子は入力電圧に対する変換効率が半導体磁気抵抗素子と比較して低いため、小型の電子機器用の多段スイッチには、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いるのが好適である。
【００４５】
また、本実施形態では、スイッチボタンと磁石は別体のものを例示したが、スイッチボタン自体が磁気を備えた磁気体としてスイッチボタンと一体化したもの、例えばプラスチックマグネットからなるスイッチボタンを用いてもよい。
【００４６】
また、本実施形態では、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いて基板にフリップチップボンディング方式で実装されるものを例示したが、感磁部を磁気体側に向けたワイヤボンディング方式で実装してもよい。
【００４７】
また、本実施形態では、磁電変換素子を２つ用い、他方の磁電変換素子の磁気感度を下げて温度補償用の磁電変換素子としたが、たとえば、他方の磁電変換素子を基板の隅に実装して磁力の影響を受けない位置に配置することにより、他方の磁電変換素子と一方の磁電変換素子は同じものを使用しつつ、温度補償をすることが可能である。ただし、基板面積が大きくなるため、本願のように他方の磁電変換素子の磁気感度を下げた構成として、一方の磁電変換素子と他方の磁電変換素子は近接して配置するのが電子機器の小型化に好適である。
【００４８】
また、本実施形態では、スイッチボタンの動作機構として、弱いバネや低反発性素材を例として説明したが、特にこれらに限定されるものではなく、スイッチボタンの動作機構を磁気センサの動作信号系から独立させたもの、つまり、磁気センサの動作信号とは関与しないものであれば、特に、物理的な動作機構に限らず、電気信号による制御が施された動作機構でもかまわない。
【００４９】
また、本実施形態では磁気センサにパッケージングが施されていないが、たとえば、図５に示すように、磁気センサ１４において、磁電変換素子２１，３１をパッケージ１８で覆うような構造としてもよい。なお、この図５において、磁電変換素子２１，３１はいずれも感磁部２３，３３が磁気体側を向き、基台２２，３２が基板１５に実装されるワイヤボンディング方式で実装されている。なお、図５では、ワイヤの図示を省略している。通常、ワイヤは一般的に線径５０μｍの金線あるいはアルミ線が用いられ、ボールボンディングやウェッジボンディングが行われる。また、パッケージする際、ワイヤのループ（たるみ）部分やボンディング部分に応力を与えないように、柔軟性を持つ樹脂を０．１ｍｍ程度、磁電変換素子の表面に塗布する。その上で流動性の良い樹脂でパッケージする。このとき、なるべくパッケージする樹脂の厚さを薄くすると出力特性の使用領域広くできるが、薄くしすぎると素子の物理的強度が低下するため、０．１５〜０．２０ｍｍ程度の厚さでパッケージするのが好ましい。そして、パッケージ１８と磁電変換素子２１，３１の感磁部２３，３３との間隔ｔが０．３ｍｍ以下となるようにパッケージングの設計をすることにより、磁気センサの低背化が達成され、スイッチボタン１１などの動作領域を大きく確保することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上説明したように本発明の多段スイッチは、スイッチボタン押下時に皿バネ等の物理的な強い抗力が操作者に加わることがなく、スムーズな押下を可能としている。したがって、特にこの多段スイッチをカメラなどに用いる場合は、１段目の動作状態である焦点合わせにおいて、手ブレなどの発生する可能性が低い状態で動作させることが可能となる。
【００５１】
また、スイッチボタンの移動距離が小さくても、その間隔の変化に伴う小さな磁力の変化に対して大きな出力値を持つ出力特性を得ることが可能であり、かつ、その出力特性は直線性が高く、閾値を多段に設定することが容易となる。これにより、この多段スイッチをカメラに用いれば、焦点合わせとシャッターを切る２つの動作のためだけの多段スイッチではなく、さらに多くの段数で動作させる多段スイッチとして使用可能となる。たとえば、焦点合わせの段階と実際にシャッターを切る段階との間に、カメラにシャッターを切る準備をさせる段階を設け、シャッターを実際に切るとほぼ同時に撮影をする段階などを設けることも可能となり、デジタルカメラにおけるシャッターを切るタイミングと実際に撮影される被写体との誤差の時間を無くすことが可能となる。
【符号の説明】
【００５２】
１０    多段スイッチ
１１    スイッチボタン
１３    磁石
１４    磁気センサ
１５    基板
１８    パッケージ
２１    一方の磁電変換素子
２２    基台
２３    感磁部
２３ａ  半導体磁気抵抗薄膜
２３ｂ  短絡電極
２４    外部電極
３１    他方の磁電変換素子
３２    基台
３３    感磁部
３３ａ  半導体磁気抵抗薄膜
３３ｂ  短絡電極
３４    外部電極
【図１】
0004617319.tif 000002
【図２】
0004617319.tif 000003
【図３】
0004617319.tif 000004
【図４】
0004617319.tif 000005
【図５】
0004617319.tif 000006