(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化けい素基板の少なくとも一方の面に３０個以上のｐ型熱電素子とｎ型熱電素子を搭載するための金属板を接合した熱電モジュール用基板であって、
前記窒化けい素基板は、熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、板厚が０．２〜１．０ｍｍであり、
前記金属板の前記窒化けい素基板との接合面の表面積が２５ｍｍ２以下であり、
前記金属板と金属板との間隔が１ｍｍ以下であることを特徴とする熱電モジュール用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の熱電モジュール用基板において、窒化けい素基板の金属板と接合する面の表面積が１６００ｍｍ２以上であることを特徴とする熱電モジュール用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の熱電モジュール用基板において、金属板は、銅またはアルミニウムから選ばれた少なくとも１種の材料を主成分としたことを特徴とする熱電モジュール用基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の熱電モジュール用基板において、金属板の表面にＮｉメッキが施されていることを特徴とする熱電モジュール用基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の熱電モジュール用基板において、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＡｌおよびＮｂから選ばれた少なくとも１種の活性金属を含むろう材層を介して、前記窒化けい素基板上に金属板を接合していることを特徴とする熱電モジュール用基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の熱電モジュール用基板を用いたことを特徴とする熱電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱エネルギと電気エネルギとを相互に変換する熱電モジュールに関する技術であり、冷却・昇温特性の向上および高出力化を図り、かつ、耐熱サイクル特性を向上させた熱電モジュール用基板およびそれを用いた熱電モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱電モジュールは、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とが電気的に直列となるように接合された熱電素子の性質を利用したものであり、熱エネルギを電気エネルギに変換し、または、電気エネルギを熱エネルギに変換する機能を有する独立した部品である。
【０００３】
詳述すると、熱電素子は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子との接合部間に温度差を与えると電位差が発生するというゼーベック効果と、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子との接合部間に電流を流すと、その電流の向きに応じて吸熱または発熱するペルチェ効果とを有し、このような効果を利用して、電気エネルギと熱エネルギとを相互に変換する。このため熱電モジュールは、例えば、廃熱を利用して発電を行う熱電発電用装置，半導体プロセスにおける恒温装置，エレクトロデバイスを冷却する熱電冷却装置などの各種装置に搭載され、実用化が進められている。
【０００４】
上記熱電モジュールは、絶縁基板を土台として、この絶縁基板の少なくとも一方の面に電極板（金属板）を接合しており、さらに、この電極板に熱電素子を接続した構成を有する。
【０００５】
上述したように、熱電素子は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とを各１個ずつ直列に接続したものを構成し、これを最小単位とするものである。そして、最小単位とする熱電素子の搭載数に応じて、熱電モジュールの冷却・昇温特性または電圧特性が決定される。従って、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上または高出力化を図るために、絶縁基板上に複数個の熱電素子を搭載する必要があり、これに伴い、当然、熱電素子を搭載する絶縁基板の基板面積を大面積化することが必須であった。
【０００６】
従来、このような絶縁基板として、比較的優れた熱伝導率および機械的強度を確保できるセラミック焼結体が適用されており、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体，ベアリリア（ＢｅＯ）焼結体，コージェライト（２ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２）焼結体などのセラミック焼結体が適用されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したセラミック基板では、十分な素体強度を得られないことから、セラミック基板面積を大面積化することが困難であり、この結果、熱電モジュールの搭載数が制限され、近年要求される熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を図ることが困難であった。実際、熱電素子を搭載するセラミック基板面のサイズは５ｃｍ角が上限となっており、搭載できる熱電素子数は限られていた。
【０００８】
このように従来のセラミックス焼結体は、強度特性を満足するものではないことから、１ｍｍを超える厚肉のセラミック基板として基板強度を高め、セラミック基板の基板面積を大面積化する試みがなされている。しかし、厚肉のセラミックス基板を適用して熱電モジュールを構成すると、熱電モジュール自体が大型化してしまうという問題を有していた。
【０００９】
また、熱電モジュールは、多数の熱電素子を基板上に設けることから通常の半導体素子よりも熱サイクル条件が厳しい条件下により使用される。このため、セラミック基板の基板面積を大面積化し、このセラミック基板上に複数個の金属板を接合すると、セラミック基板と金属板との熱膨張差に起因してクラックが発生してしまう。この熱電モジュールに冷却・昇温の熱サイクルを繰り返すことにより、最終的には金属板が剥離してしまい、その結果、熱電モジュールの信頼性が低下してしまうという問題を有していた。
【００１０】
特に、セラミック基板上に金属板を複数個配置する際、隣接する金属板の距離を１ｍｍ以下に近づけて配置すると、金属板とセラミック基板との熱膨張差の影響が顕著となり、耐熱サイクル特性が低下してしまうという問題を有していた。
【００１１】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、冷却・昇温特性の向上および高出力化を図り、かつ、耐熱サイクル特性を向上させた高い信頼性を有する熱電モジュール用基板およびそれを用いた熱電モジュールを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を解決すべく種々研究した結果、セラミック基板を素体曲げ強度の高い窒化けい素焼結体から形成することにより、窒化けい素基板面のサイズを５ｃｍ角以上と大型化することができ、窒化けい素基板上に複数個の金属板を接合して、搭載する熱電素子の数を増加させることにより、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を図れることを見い出した。また、窒化けい素焼結体は、従来のセラミック焼結体に比べて熱膨張係数が低い材料であることから、熱電モジュールに冷却・昇温の熱サイクルを繰り返した際においても、金属板とセラミック基板との熱膨張差に起因する耐熱サイクル特性の低下を防止でき、耐熱サイクル特性を格段に向上させることができることを見い出し、本発明の完成に至ったものである。
【００１３】
本発明の熱電モジュール用基板は、窒化けい素基板の少なくとも一方の面に３０個以上のｐ型熱電素子とｎ型熱電素子を搭載するための金属板を接合した熱電モジュール用基板であって、前記窒化けい素基板は、熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上、板厚が０．２〜１．０ｍｍであり、前記金属板の前記窒化けい素基板との接合面の表面積が２５ｍｍ２以下であり、前記金属板と金属板との間隔が１ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】
本発明のように、窒化けい素基板の少なくとも一方の面に３０個以上の金属板を接合することにより、搭載できる熱電素子数を増加させ、これにより、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を図ることができる。
【００１５】
また、上記熱電モジュールにおいて、金属板と金属板との間隔が１ｍｍ以下であることが望ましい。このように金属板と金属板との間隔を１ｍｍ以下として配置した場合であっても、本発明においては、優れた放熱特性を有する窒化けい素焼結体を基板として適用しているため、熱膨張差に起因する窒化けい素基板と金属板との剥離を防止し、その結果、熱電モジュールの耐熱サイクル特性の低下を防止することができる。なお、金属板と金属板との間隔が０．３ｍｍ未満となると耐熱サイクル特性が低下することから、望ましくは０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすると良い。
【００１６】
また、上記熱電モジュールにおいて、金属板の面積（例えば、金属板が長方形の場合は、縦×横の積）が２５ｍｍ２以下であることが望ましい。このように金属板の面積を２５ｍｍ２以下とすることにより、窒化けい素基板と金属板との接合面積を低減することにより、窒化けい素基板と金属板との剥離を防止して、耐熱サイクル特性を向上させた熱電モジュールとすることができる。
【００１７】
また、上記の熱電モジュールにおいて、窒化けい素基板の金属板と接合する面の表面積を１６００ｍｍ２以上とすることが望ましい（例えば、窒化けい素基板が長方形の場合は、縦×横の積で求める）。このように窒化けい素基板を大型化することにより、窒化けい素基板上に接合する金属板を増加させ、これにより熱電素子の搭載数を増やし、その結果、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を図ることができる。
【００１８】
上記熱電モジュールにおいて、窒化けい素基板の板厚が０．２〜１．０ｍｍであることが望ましい。この理由は、板厚が１．０ｍｍを超えると熱抵抗値が高くなり放熱性が低下し、その結果、耐熱サイクル特性が低下しまうためであり、一方、板厚が０．２ｍｍ未満であると、窒化けい素基板が薄肉となりすぎることから耐久性が低下して機械的強度を得られないためであり、いずれも熱電モジュールの信頼性が低下するためである。
【００１９】
また、このような熱電モジュールにおいて、窒化けい素基板の熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。この理由は、窒化けい素基板の熱伝導率が、６５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、窒化けい素基板の熱抵抗が増加してしまい、耐熱サイクル特性が低下してしまうからである。さらに、窒化けい素基板の熱伝導率を８５Ｗ／ｍＫ以上とすることが望ましい。このような高熱伝導性を具備する窒化けい素焼結体としては、例えば、窒化けい素焼結体中の粒界相を全粒界相に対して２０％以上結晶化したものが挙げられる。粒界相を結晶化するためには、焼結後の炉冷速度を１００℃／ｈ以下と除冷することが効果的である。また、同様にＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｂの不純物陽イオンを合計で０．２質量％以下に制御することも熱伝導率の向上に有効である。なお、本発明の熱電モジュール用基板は窒化けい素焼結体を使用することが特徴であるから、このような窒化けい素焼結体に限定されるものではない。
【００２０】
また、上記熱電モジュールにおいて、窒化けい素基板の３点曲げ強度が６００ＭＰａ以上であることが望ましい。このように窒化けい素基板の３点曲げ強度を６００ＭＰａ以上として機械的強度を高めることにより高い信頼性を有する熱電モジュールとすることができる。
【００２１】
上記熱電モジュールにおいて、金属板は、銅またはアルミニウムから選ばれた少なくとも１種の材料を主成分とすることが望ましい。
【００２２】
さらに、上記熱電モジュールにおいて、金属板の表面にＮｉメッキが施されていることが望ましい。
【００２３】
また、上記熱電モジュールにおいて、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＡｌおよびＮｂから選ばれた少なくとも１種の活性金属を含むろう材層を介して、前記窒化けい素基板上に金属板を接合していることが望ましい。このように活性金属を含むろう材層を介して、窒化けい素基板上に金属板を接合することにより両者を強固に接合することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の熱電モジュールについて、図１，図２および表１〜表３を用いて説明する。
【００２５】
第１実施形態（表１，図１，図２）
実施例１〜実施例２，参考例１〜参考例２
本実施形態では、Ｓｉ３Ｎ４基板上に金属板を接合し、この金属板に熱電素子を接続した熱電モジュールを作製し、この熱電モジュールの出力および冷却・昇温特性を試験して性能評価を行った。
【００２６】
まず、酸素を１．３質量％、不純物陽イオン元素としてＡｌ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｂを合計で、０．１０質量％含有し、α相型Ｓｉ３Ｎ４９７％を含む平均粒径０．４０μｍのＳｉ３Ｎ４原料粉末に対して、焼結助剤として平均粒径０．７μｍのＹ２Ｏ３粉末５質量％、平均粒径０．５μｍのＭｇＯ粉末１．５質量％を添加し、エチルアルコール中で７２時間湿式混合した後、乾燥して原料粉末混合体を調整した。
【００２７】
次に、この原料粉末混合体に有機バインダを所定量添加して均一に混合した後、１２０ＭＰａの成形圧力でプレス成形して成形体とした。
【００２８】
この成形体を５００℃の空気気流中において２時間脱脂した後、脱脂体を窒素ガス雰囲気中、７．５気圧下、１８００℃において８時間保持し、緻密化焼結を実施した後、焼結炉に付設した加熱装置への通電量を制御して焼結炉内温度が１５００℃に降下するまでの間に冷却速度を１００℃／ｈ以下として除冷し、粒界相の結晶化率２０％以上のＳｉ３Ｎ４焼結体（熱伝導率８８Ｗ／ｍ・Ｋ、３点曲げ強度７００ＭＰａ）から形成される縦５５ｍｍ，横５５ｍｍ，厚さ０．６３５ｍｍのＳｉ３Ｎ４基板とした。
【００２９】
このＳｉ３Ｎ４基板上に質量比でＡｇ：Ｃｕ：Ｉｎ：Ｔｉ＝６１．９：２４．１：１０：４の活性金属ろう材ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後のペースト上に、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を０．６ｍｍとして、縦に７枚、横に６枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して４２個配置した。その後、１×１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空中において、８００℃、１０分間接合して熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板とした。
【００３０】
さらに、この熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板のＣｕ板にｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とを各１個ずつ接続した熱電素子を接続して熱電モジュールを形成した。この熱電モジュールを実施例とした。この熱電モジュールを上面から見た図を図１とし、図１に示すＡ−Ａ´線の断面図を図２に示す。なお、図２のようにＳｉ３Ｎ４基板の片面のみにＣｕ板を介して熱電素子を設けたものを実施例１、図３のようにＳｉ３Ｎ４基板の両面に対称にＣｕ板を介して熱電素子を設けたものを実施例２とする。
【００３１】
図１から図３までに示すように、Ｓｉ３Ｎ４基板１上にＣｕ板２を接合しており、さらに、このＣｕ板２に熱電素子３を接続している。
【００３２】
また、上述した実施例と同様に、縦５５ｍｍ，横５５ｍｍ，厚さ０．６３５ｍｍのＳｉ３Ｎ４基板を作製し、このＳｉ３Ｎ４基板上に質量比でＡｇ：Ｃｕ：Ｉｎ：Ｔｉ＝６１．９：２４．１：１０：４の活性金属ろう材ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後のペースト上に、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を２ｍｍとして、縦に４枚、横に５枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して２０個配置した。その後、１×１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空中において、８００℃、１０分間接合して熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板とした。そして、上述した実施例と同様に発電素子を接続して、発電モジュールを形成した。なお、片面のみにＣｕ板を介して熱電素子を設けたものを参考例１、両面にＣｕ板を介して熱電素子を設けたものを参考例２とした。
【００３３】
上記実施例および参考例の熱電モジュールについて、発電素子の出力および冷却・昇温特性を調べたところ、熱電素子を多く搭載した実施例１および実施例２の方が、参考例１および参考例２より優れた特性を示した。
【００３４】
次に、実施例１〜実施例２、参考例１〜参考例２の熱電素子モジュール用基板に対し、耐熱サイクル特性評価（ＴＣＴ試験）を行った。耐熱サイクル試験は、−４０℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．（室温）×１０ｍｉｎ→１２５℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．（室温）×１０ｍｉｎを１サイクルとするＴＣＴ試験を実施し、２００サイクル後におけるクラックの有無を健全指数ηとして評価したものである。健全指数ηは、１００％は「ＴＣＴ試験後においてクラックの発生なし」、０％は「ＴＣＴ試験後において全面的にクラックが発生した」ことを示すものである。健全指数ηの測定は、ＴＣＴ試験後の熱電モジュール用基板のＣｕ板および活性金属ろう材層をエッチングにより除去し、各Ｓｉ３Ｎ４基板について蛍光探傷試験（ＰＴ）を実施してクラックの有無を測定した。また、健全指数ηは、次のような数式にしたがって算出した。
【００３５】
【数１】
健全指数η＝（１−Σｄ／Ｄ）×１００（％）
ここで、Ｄは、熱電モジュール用基板の接合部の長手方向において、クラックの発生し得るＣｕ板縁部の経路の全長であり、Σｄは上記経路上に発生した各クラックの長さ（ｄ１、ｄ２、ｄ３、…ｄｎ）の総和を示す。その結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
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【００３７】
表１に示すように、本実施形態にかかる熱電モジュール用基板は、Ｃｕ板の数が一つの面に３０個以上接合した場合であっても、両面に設けた場合であってもクラックの発生は確認されなかった。これは参考例１および参考例２のようにＣｕ板の数が少なく、Ｃｕ板の間隔を空けたものと同等の特性を示すものであり、熱電モジュール用基板として窒化けい素焼結体を使用することにより、間隔を詰めて金属板を多数接続することが可能であることを示すものである。
【００３８】
従って、本実施形態によれば、Ｓｉ３Ｎ４焼結体から形成した大型化したＳｉ３Ｎ４基板を作製し、このＳｉ３Ｎ４基板上に３０個以上の金属板を接合して、熱電素子の搭載数を増やすことにより、熱電モジュールの高出力化および優れた冷却・昇温特性を得られる。
【００３９】
第２実施形態（表２，表３）
本実施形態においては、熱電素子を搭載するための熱電モジュール用セラミック基板を各種作製し、この熱電モジュール用セラミック基板の３点曲げ強度特性および耐熱サイクル特性を評価した。
【００４０】
実施例３〜実施例８（表２）
まず、第１実施形態に示す製造方法により、以下に示す表２の基板表面サイズ，板厚，熱伝導率を有するＳｉ３Ｎ４焼結体から形成されるＳｉ３Ｎ４基板を作製した。これを実施例３〜実施例８とした。なお、実施例３〜実施例８のいずれもＳｉ３Ｎ４基板の片面のみに金属板を接合したものである。
【００４１】
次に、実施例３〜実施例８に示すＳｉ３Ｎ４基板上に活性金属接合法によりＣｕ板を接合して熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板とした。なお、活性金属接合法の製造方法は、第１実施形態に示す製造方法と同様とした。
【００４２】
具体的には、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を縦に６枚、横に５枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して３０個配置したものを実施例３とした。また、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を、各Ｃｕ板の間隔を０．６ｍｍとして、縦に１０枚、横に１０枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して１００個配置したものを実施例４，実施例５とした。
【００４３】
また、実施例６から実施例８までは、直接接合法を用いて、以下に示すように熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を作製した。
【００４４】
実施例６では、表２に示す基板表面のサイズ，板厚，熱伝導率のＳｉ３Ｎ４基板を用い、このＳｉ３Ｎ４基板上に厚さ１〜３μｍの酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を形成した。その後、縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を縦に６枚、横に５枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して３０個配置した。そして、１０７０〜１０７５℃、１０〜２０分間の加熱により接合を行い、熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を形成した。なお、Ｃｕ板をＡｌ板としたものを実施例７とした。
【００４５】
また、実施例８では、表２に示す基板表面のサイズ，板厚，熱伝導率のＳｉ３Ｎ４基板上に縦３ｍｍ，横５ｍｍ，厚さ０．３ｍｍとしたＣｕ板を縦に１０枚、横に１０枚ずつ配置し、Ｓｉ３Ｎ４基板上に合計して１００個配置し、実施例４と同様に熱伝モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を形成した。
【００４６】
【表２】
0004828696.tif 000003
【００４７】
比較例１〜比較例１０
本比較例では、セラミック基板として熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・ＫであるＡｌ２Ｏ３焼結体を適用したもの（比較例１）、熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・ＫであるＡｌＮ焼結体を適用したもの（比較例２〜比較例４）、Ｓｉ３Ｎ４基板の基板面積を変えたもの（比較例５，比較例６）、Ｓｉ３Ｎ４基板の基板厚を変えたもの（比較例７，比較例８）、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・ＫであるＳｉ３Ｎ４焼結体を適用したもの（比較例９）、Ｓｉ３Ｎ４焼結体を用いて金属板をＣｏとしたもの（比較例１０）とし、それぞれ熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を形成した。
【００４８】
上記実施例３〜実施例８および比較例１〜比較例１０の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を用いて、３点曲げ強度および耐熱サイクル特性の評価試験を行った。
【００４９】
３点曲げ強度は、ＪＩＳ−Ｒ−１６０１に準ずる３点曲げ強度により測定した。また、耐熱サイクル特性は実施例１と同様の方法により測定した。その結果を表２に示す。
【００５０】
表２に示すように、実施例３〜実施例８に示す熱電モジュール用窒化けい素基板は、３点曲げ強度がいずれも６００ＭＰａ以上と高く、健全指数ηが１００％となっており、強度特性および耐熱サイクル特性の両特性とも良好であった。一方、比較例１〜比較例４，比較例７〜比較例１０は、３点曲げ強度または耐熱サイクル特性のいずれかの特性が低下していた。また、比較例５および比較例６では、３点曲げ強度および耐熱サイクル特性が優れていたが、基板面積が小さいことから金属板を接合できる数が少なく、その結果、熱電モジュールの高出力化または冷却特性の向上を図ることができなかった。なお、実施例３〜実施例８に示すＳｉ３Ｎ４基板は、熱伝導率が６５Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高く、３点曲げ強度を６００ＭＰａ以上と高くできることから、Ｓｉ３Ｎ４基板の板厚を薄肉形成することにより、熱電モジュールのコンパクト化を図ることができる。さらに、Ｓｉ３Ｎ４基板を薄肉とすることにより、熱抵抗を低減し、その結果、熱電モジュールの高出力化および冷却・昇温特性の向上を図ることができる。
【００５１】
実施例９〜実施例１７
本実施例では、上述した実施例３，実施例５，実施例６と同様の製造方法を用いて、実施例９〜実施例１７の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を作製した。
【００５２】
実施例９〜実施例１７は、表３に示すように、個々のＣｕ板の基板への接合面の表面積を２５ｍｍ２以下の範囲で種々変えたものであり、Ｓｉ３Ｎ４基板の表面にＣｕ板を３０個以上接合し、Ｓｉ３Ｎ４基板表面にＣｕ板を接合する際に、Ｃｕ板とＣｕ板との間隔を１ｍｍ以下としたものである。
【００５３】
【表３】
0004828696.tif 000004
【００５４】
比較例１１〜比較例１５
本比較例では、実施例３，実施例５，実施例６と同様の製造方法を用いて、比較例１１〜比較例１５の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を作製した。
【００５５】
比較例１１から比較例１３までは、Ｃｕ板の基板表面積を２５ｍｍ２以上としたものであり、比較例１４および比較例１５は、Ｃｕ板とＣｕ板との間隔を０．２ｍｍとしてＣｕ板をＳｉ３Ｎ４基板上に接合して熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を形成した。
【００５６】
上記実施例９〜実施例１１７および比較例１１〜比較例１５の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板を用いて、耐熱サイクル特性を評価した。なお、試験条件は、上述した耐熱サイクル特性の評価試験の条件と同様とした。その結果を表３に示す。
【００５７】
表３に示すように、個々のＣｕ板の基板への接合面の表面積を２５ｍｍ２以下とした実施例９〜実施例１７の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板は、健全指数ηがいずれも１００％を示しており、耐熱サイクル特性が良好であった。一方、個々のＣｕ板の基板への接合面の表面積が２５ｍｍ２を超えるＣｕ板を用いた比較例１１から比較例１３までの熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板では、冷却・昇温の熱サイクル後にＳｉ３Ｎ４基板とＣｕ板との剥離が発生したために健全指数ηが低下しており、耐熱サイクル特性が低下した。また、Ｃｕ板とＣｕ板との間隔を狭くした比較例１４，比較例１５の熱電モジュール用Ｓｉ３Ｎ４基板は、Ｃｕ板とＳｉ３Ｎ４基板との熱膨張差の影響が顕著となることから健全指数ηが低下しており、耐熱サイクル特性が低下していた。
【００５８】
従って、本実施形態によれば、金属板の基板表面積を２５ｍｍ２以下としてセラミック基板と金属板との剥離を防止して耐熱サイクル特性を向上させるとともに、金属板と金属板との間隔を規定して配置することにより、３点曲げ強度特性および耐熱サイクル特性の両特性の向上を図ることができる。これにより、高信頼性の熱電モジュールを得ることができる。
【００５９】
また、素体曲げ強度の高い窒化けい素焼結体を適用することにより、Ｓｉ３Ｎ４基板の板厚を０．３２ｍｍ程度に薄肉とすることができるため、熱電モジュールのコンパクト化を図るとともに、基板厚さを薄肉とすることにより、セラミック基板の熱抵抗の低減により放熱性を向上させて、熱電モジュールの冷却・昇温特性の向上および高出力化を図ることができる。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の熱電モジュール用基板によれば、Ｓｉ３Ｎ４基板を大型化し、このＳｉ３Ｎ４基板に接合する金属板を３０個以上とし、搭載する発電素子数を増やすことにより、熱電モジュールの高出力化または冷却・昇温特性の向上を図るとともに、耐熱サイクル特性を向上させることにより、熱電モジュールの信頼性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を説明する図で、熱電モジュールを上方から見た上面図。
【図２】本発明の実施形態における、熱電モジュールの断面図。
【図３】本発明の実施形態における、熱電モジュールの断面図。
【符号の説明】
１  窒化けい素基板
２  金属板（Ｃｕ板）
３  熱電素子
【図１】
0004828696.tif 000005
【図２】
0004828696.tif 000006
【図３】
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