(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式、（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５、１原子％≦ｘ≦５原子％、４原子％≦ｙ≦１２原子％、１７原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’はＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも１種、及びＴはＳｉ］で表わされる組成を備え、且つ過冷却液体温度ΔＴｘが３０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項２】
一般式、（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５、１原子％≦ｘ≦５原子％、１原子％≦ｙ≦１２原子％、１２原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’はＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも１種、及びＴはＳｉとＡｌ，Ｃ，Ｐから選ばれた少なくとも１種とからなる］で表わされる組成を備え、且つ過冷却液体温度ΔＴｘが３０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高周波用磁心において、Ａｌ，Ｃ，Ｐの総量は質量比で０．５％以下である事を特徴とする高周波用磁心。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記成形体の粉末充填率が５０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印可した時の磁束密度が０．５Ｔ以上であり，且つ比抵抗が１×１０４Ωｃｍ以上であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項５】
請求項１乃至４の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で５％以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が７０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．７５Ｔ以上であり、且つ比抵抗が１Ωｃｍ以上であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項６】
請求項１乃至５の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で３％以下混合した混合物を該バインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が８０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．９Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．１Ωｃｍ以上であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項７】
請求項１乃至６の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で１％以下混合した混合物を該軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が９０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が１．０Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．０１Ωｃｍ以上であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項８】
請求項１乃至７の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、水アトマイズ法又はガスアトマイズ法で作製され、少なくとも粒子の５０％以上が１０μｍ以上であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項９】
請求項１乃至８の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の平均粒径よりも細かい平均粒径であって、かつ硬度が低い軟磁性合金粉末を体積比で５％〜５０％添加する事を特徴とする高周波用磁心。
【請求項１０】
請求項１乃至９の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末のアスペクト比（長軸／短軸）が１〜３の範囲内であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記成形体は、成形後に合金粉末のキュリー点以上で熱処理され、且つ該合金粉末の粒子間の介在物の少なくとも一部にＳｉＯ２を含有することを特徴とする高周波用磁心。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、最大粒径が篩径で４５μｍ以下で平均粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする高周波用磁心。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の内のいずれか一項に記載の高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して成ることを特徴とするインダクタンス部品。
【請求項１４】
請求項１３に記載のインダクタンス部品において、前記高周波用磁心の磁路の一部にギャップが設けられていることを特徴とするインダクタンス部品。
【請求項１５】
請求項１２に記載の高周波用磁心を備え、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれているとともに加圧成形を施されて一体化してあることを特徴とするインダクタンス部品。
【請求項１６】
請求項１５に記載のインダクタンス部品において、前記高周波磁心の粉末充填率が５０％以上で５００ｋＨｚ以上におけるＱ（１／ｔａｎδ）のピーク値が４０以上であることを特徴とするインダクタンス部品。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のインダクタンス部品において、高周波磁心の粉末最大粒径が篩径で４５μｍ以下で平均粒径が２０μｍ以下であって、１ＭＨｚ以上におけるＱ（１／ｔａｎδ）のピーク値が５０以上であることを特徴とするインダクタンス部品。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７の内のいずれか一項に記載のインダクタンス部品において、６００℃以下で熱処理を施されていることを特徴とするインダクタンス部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として軟磁性材料を用いた高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的に高周波用磁心の材料としては、主にソフトフェライト，高珪素鋼，アモルファス，圧紛磁心等が使用されている。これらの材料が使用される理由は、ソフトフェライトの場合のように材料自体の比抵抗が高いためか、或いはその他の金属材料の場合のように薄板化したり、粉末化して、材料自体の比抵抗が低くても渦電流を小さくできるためである。又、これらの材料は、使用される周波数や用途で使い分けられるが、その理由を抜粋して説明すると、ソフトフェライトのように比抵抗が高い材料では飽和磁束密度が低く、高珪素鋼のように飽和磁束密度が高い材料では比抵抗が低く、飽和磁束密度及び比抵抗の何れにおいても高い磁性材料が提供されていないことによる。
【０００３】
ところで、最近の各種電子機器の急激な小型化と高機能化に伴い、コイル・トランスには小型化と同時に大きな直流電流下におけるインダクタンスが求められており、それを達成するには磁心の飽和磁束密度と高周波での損失特性を同時に向上させることが必要視されている。また、巻線コイルの電気抵抗に起因する銅損によってコイル・トランスの発熱量も増大しており、この温度上昇を抑制するための方法も求められている。
【０００４】
しかしながら、ソフトフェライトの場合、飽和磁束密度を向上させることは検討されてはいるものの、殆ど改善されていないのが実情である。又、高珪素鋼やアモルファスの場合、材料自体の飽和磁束密度は高いものの、高周波帯域用に対応させるためには、高周波帯域になればなる程、薄板化しなければならず、これらの材料を用いた積層磁心は占積率が低下して飽和磁束密度の低下を招くこともある。更に、圧紛磁心の場合、微細な粉末の粒子間に絶縁物質を挿入することによって高比抵抗化を計り、しかも高密度成形をすれば高飽和磁束密度を達成できる可能性はあるが、使用される軟磁性粉末の飽和磁化を高める事や粉末間の絶縁を取りながら高密度に成形体を成形する方法が現状において確立されていない等の難題がある。
【０００５】
そこで、こうした問題、特に飽和磁束密度及び比抵抗の何れも高い磁性材料が得難いという問題、を改善するものとして、軟磁性粉末として金属ガラス粉末を用い、その粉末に絶縁材を混合した後、常温以上の温度で成形体を成形することにより、比較的良好な周波数特性を有して高透磁率な軟磁性材料を得るための圧紛磁心及びその製造方法（特許文献１参照）が提案されている。
【０００６】
ここで、一般に金属ガラスと総称される合金系は各種存在するが、軟磁性材料として使用されるのはＦｅ系合金に限定され、更にそれを大きく分類すれば、ＦｅＰＣＢＳｉＧａ系とＦｅＳｉＢＭ（Ｍは遷移金属）系とになる。特許文献１は、前者のＦｅＰＣＢＳｉＧａ系の合金を使用したものであり、その軟磁性材料によれば、高比抵抗及び高飽和磁束密度を達成でき良好な磁気特性が得られるとの開示がある。因みに、後者のＦｅＳｉＢＭ系合金組成を開示したもの（特許文献２及び特許文献３、参照）も知られており、更にその軟磁性材料を磁心に使用する旨を開示したもの（特許文献４参照）もある。
【０００７】
一方、巻線コイルと金属粉末とを一体化して小型化し直流重畳特性を改善する旨を開示したもの（特許文献５及び６参照）もある。
【０００８】
上述した高周波用磁心として好適な軟磁性材料の場合、例えば、特許文献１に開示されたＦｅＰＣＢＳｉＧａ系のものでは、比較的良好な周波数特性を有して高透磁率な磁気特性が得られるが、Ｇａ等の高価な金属を使用する必要があるため、材料自体がコスト高になって工業化の促進を阻害するという問題があり、又特許文献２や特許文献３に開示され、且つ特許文献４で磁心への適用が検討されているＦｅＳｉＢＭ系のものでは、材料自体の経済性に優れるという利点はあるが、高比抵抗及び高磁束密度を得るための手法が示されておらず（これはその合金系に適合した成形体の成形方法が見出されていないことが原因と推定される）、現状では高周波用磁心やそれを用いたインダクタンス部品への適用が困難であるという問題がある。また、特許文献５や特許文献６にはコイルの小型化について開示されているが、従来の金属軟磁性材料を使用しているため損失の低減が充分ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１８９２１１号公報
【特許文献２】特開２００２−１９４５１４号公報
【特許文献３】特開平１１−１３１１９９号公報
【特許文献４】特開平１１−７４１１１号公報
【特許文献５】特開平０４−２８６３０５号公報
【特許文献６】特開２００２−３０５１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その目的は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による安価な高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、一般式、（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５、１原子％≦ｘ≦５原子％、４原子％≦ｙ≦１２原子％、１７原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’はＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも１種、及びＴはＳｉ］で表わされる組成を備え、且つ過冷却液体温度ΔＴｘが３０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心が得られる。
また、本発明によれば、一般式、（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５、１原子％≦ｘ≦５原子％、１原子％≦ｙ≦１２原子％、１２原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭはＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’はＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも１種、及びＴはＳｉとＡｌ，Ｃ，Ｐから選ばれた少なくとも１種とからなる］で表わされる組成を備え、且つ過冷却液体温度ΔＴｘが３０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物の成形体からなることを特徴とする高周波用磁心が得られる。
【００１２】
また、本発明の高周波用磁心において、Ａｌ，Ｃ，Ｐの総量は質量比で０．５％以下である事が好ましく、また、前記成形体の粉末充填率が５０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印可した時の磁束密度が０．５Ｔ以上であり，且つ比抵抗が１×１０４  Ωｃｍ以上であることがより好ましい。
【００１３】
さらに、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で５％以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が７０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．７５Ｔ以上であり、且つ比抵抗が１Ωｃｍ以上であることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で３％以下混合した混合物を該バインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が８０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．９Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．１Ωｃｍ以上であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、前記軟磁性金属ガラス粉末に対して前記バインダを質量比で１％以下混合した混合物を該軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度で圧縮成形することで得られ、該成形体の粉末充填率が９０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が１．０Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．０１Ωｃｍ以上であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、水アトマイズ法又はガスアトマイズ法で作製され、少なくとも粒子の５０％以上が１０μｍ以上であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の平均粒径よりも細かい平均粒径であって、かつ硬度が低い軟磁性合金粉末を体積比で５％〜５０％添加したことが好ましい。
【００１８】
また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末のアスペクト比（長軸／短軸）が１〜３の範囲内であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の高周波用磁心において、前記成形体は、成形後に合金粉末のキュリー点以上で熱処理され、且つ該合金粉末の粒子間の介在物の少なくとも一部にＳｉＯ２を含有することが好ましい。
【００２０】
また、本発明によれば、前記いずれか一つの高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して成ることを特徴とするインダクタンス部品が得られる。ここで、本発明のインダクタンス部品において、前記高周波用磁心の磁路の一部にギャップが設けられていることが好ましい。
【００２１】
また、本発明によれば、前記高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末は、最大粒径が篩径で４５μｍ以下で平均粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする高周波用磁心が得られる。ここで、本発明の高周波用磁心において、Ａｌ，Ｃ，Ｐの総量は重量比で０．５％以下であることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の高周波用磁心において、前記軟磁性金属ガラス粉末の平均粒径よりも細かい平均粒径、かつ硬度が小さい軟磁性合金粉末を体積比で５％〜５０％添加したことが好ましい。
【００２３】
ここで、本発明の前記いずれか一つに記載の高周波用磁心と、磁性体内に封じ込まれた巻線コイルとを備え、前記巻線コイルは加圧成形を施されて一体化されていることを特徴とするインダクタンス部品が得られる。
【００２４】
また、本発明の前記いずれか一つのインダクタンス部品において、高周波磁心の粉末充填率が５０％以上で５００ｋＨｚ以上におけるＱ（１／ｔａｎδ）のピーク値が４０以上であることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の前記いずれか一つのインダクタンス部品において、前記高周波磁心の粉末最大粒径が篩径で４５μｍ以下で平均粒径が２０μｍ以下であって、１ＭＨｚ以上におけるＱ（１／ｔａｎδ）のピーク値が５０以上であることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の前記いずれか一つのインダクタンス部品において、６００℃以下で熱処理が施されていることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１図は本発明の高周波用磁心の基本構成に係る一例を示した外観斜視図である。
【図２】第２図は第１図に示す高周波用磁心に巻線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図である。
【図３】第３図は本発明の高周波用磁心の基本構成に係る他例を示した外観斜視図である。
【図４】第４図は第３図に示す高周波用磁心に巻線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図である。
【図５】第５図は本発明のインダクタンス部品の基本構成の一例を示した外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明について更に詳細に説明する。
【００２９】
本発明者等は、種々検討の結果、経済性に優れる軟磁性金属ガラス粉末として、ＦｅＳｉＢＭＭ’（Ｍ＝Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種、Ｍ’＝Ｚｎ，Ｓｎ，Ｒ（但し、ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた一種以上）系の（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ）−Ｂ−ＭＭ’の合金組成を規定するように選択すれば、磁気特性及びガラス形成性能の優れた粉末が得られ、その粉末に酸化処理や絶縁コーティングを施したものを金型等を用いて適当な成形方法で成形体を得るように成形することで圧粉磁心を作製すれば、この圧粉磁心が広帯域で優れた透磁率特性を示す従来に無い優れた性能を持つ高透磁率圧粉磁心となり、結果として高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による高周波用磁心を安価に作製できることを見出した。又、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して作製されるインダクタンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できることを見出した。
【００３０】
また、本発明者等は、上記組成式で表される軟磁性金属ガラス粉末の粒径を限定することによって、更に高周波における磁心損失に優れた圧粉磁心となることを見出した。又、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して作製されるインダクタンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できることを見出した。また、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、高周波で大電流に対応したインダクタンス部品が得られることを見出した。
【００３１】
ここで成形体の比抵抗を高めるため、成形前の合金粉末を大気中で酸化熱処理しても良いし、又成形体を高密度に成形するため、バインダである樹脂の軟化点以上の温度で成形しても良く、更に成形体を高密度化するため合金粉末の過冷却液体領域で成形しても良い。
【００３２】
具体的に言えば、軟磁性金属ガラス粉末については、合金組成式が（Ｆｅ１−ａ−ｂＮｉａＣｏｂ）１００−ｘ−ｙ−ｚ（Ｍ１−ｐＭ’ｐ）ｘＴｙＢｚ［但し、０≦ａ≦０．３０、０≦ｂ≦０．５０、０≦ａ＋ｂ≦０．５０、０≦ｐ≦０．５０、１原子％≦ｘ≦５原子％、１原子％≦ｙ≦１２原子％、１２原子％≦ｚ≦２５原子％とし、且つ２２≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦３２、ＭをＺｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも１種とし、Ｍ’をＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（但し、ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた１種以上とし、ＴをＡｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐから選ばれたすくなくとも１種とする］で表わされるものとし、この軟磁性金属ガラス粉末に対して質量比で所定量のバインダを混合した混合物を成形することで成形体を得るようにすれば良い。
【００３３】
ここでの軟磁性金属ガラス粉末の合金組成について説明すれば、主成分であるＦｅは磁性を担う元素であり、高い飽和磁束密度を得るために必須である。このＦｅの一部は各々又は合計で０〜０．５の範囲の割合でＮｉ，Ｃｏと置換することが可能であり、この置換成分がガラス形成性能を向上させる効果がある。但しＮｉは置換の割合を０〜０．３とする。特にＣｏは、同時に飽和磁束密度も改善する効果が期待される。これらＦｅ及びその置換元素の総量は、合金粉末全体の６８原子％以上で７８原子％以下の範囲とするが、その理由は６８原子％以上でないと磁心の飽和磁束密度が低過ぎて有用性が失われ、７８原子％以上であると結晶化により磁心の透磁率とコアロスとが低下するためである。
【００３４】
Ｍ元素については、ガラス形成性能を向上させるために必要な遷移金属元素であり、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた１種以上とするが、Ｍ元素の含有量は１原子％以上で５原子％以下の範囲とする。その理由は、１原子％未満であればガラス形成性能が落ちて透磁率とコアロスとが著しく劣化し、５原子％を超えると飽和磁束密度が低下し、有用性が失われるためである。ここで、Ｍ元素の０〜０．５の割合をＺｎ，Ｓｎ，Ｒ（但し、ＲはＹを含む希土類金属）で置換する事によって、ガラス形成能を劣化させずにＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの比率を高める事が出来るため飽和磁束密度を改善することができる。
【００３５】
Ｓｉ及びＢは、軟磁性金属ガラス粉末を作製するために必須の元素であり、Ｓｉは１原子％以上で１２原子％以下の範囲とし、Ｂは１２原子％以上で２５原子％以下の範囲とする。その理由は、Ｓｉが１原子％未満であったり、或いは１２原子％を超える場合やＢが１２原子％未満であったり、或いは２５原子％を超える場合には、何れもガラス形成性能が落ちて安定した軟磁性金属ガラス粉末を作製することができないためである。尚、ここでＳｉは、Ａｌ，Ｐ，Ｃと置換することができるがＡｌ，Ｐ，Ｃの総量を０．５質量％以下としたのは、この範囲を超えるとアモルファス形成能が著しく劣化するので所定の特性が得られないためである。
【００３６】
又、軟磁性金属ガラス粉末については、水アトマイズ法か、或いはガスアトマイズ法で作製されたものとし、少なくとも粒径の５０％以上が１０μｍ以上であるものとすることが好ましい。特に水アトマイズ法は、合金粉末を安価に大量に製造する方法として確立されており、この方法で粉末を製造できるのは工業的に非常に大きな利点である。但し、従来のアモルファス組成の場合、１０μｍ以上の合金粉末は結晶化するために磁気特性が著しく劣化し、結果として製品歩留が著しく劣化するので工業化の妨げとなっていたが、本発明の軟磁性金属ガラス粉末の合金組成は１５０μｍ以下であれば容易にガラス化（アモルファス化）するため、製品歩留も高くコスト面で非常に有利である。加えて、水アトマイズ法で作製された合金粉末は、粉末表面に適度な酸化被膜が既に形成されているので、これに樹脂を混合して成形体を成形すると比抵抗の高い磁心が容易に得られる。
【００３７】
因みに、ここで説明した水アトマイズ法で作製した合金粉末やガスアトマイズ法で作製した合金粉末の何れにおいても、使用する合金粉末の結晶化温度以下とする温度条件下において大気中で熱処理すれば、更に良好な酸化被膜が形成されて磁心にしたときの比抵抗を高められる効果があり、これによって磁心のコアロスを低減することができる。
【００３８】
一方、更に高周波用途のインダクタンス部品に対して、微細な粒径の金属粉末を用いて渦電流損失を低減出来る事は分かっているが、従来公知の合金組成では平均粒径が３０μｍ以下になると製造時に粉末の酸化が著しくなり、一般的な水アトマイズ装置で作製した粉末では所定の特性が得られにくいという欠点がある。しかし、金属ガラス粉末は合金の耐食性に優れているため微細な粉末でも酸素量の少ない優れた特性の粉末が比較的容易に製造できる利点を有する。
【００３９】
次に、成形体の成形方法については、基本的に軟磁性金属ガラス粉末に質量比で１０％以下のシリコーン樹脂等のバインダを混合し、金型を用いたり、或いはモールド成形により成形体を得れば良く、この成形体は粉末充填率が５０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．５Ｔ以上であり、且つ比抵抗が１×１０４Ωｃｍ以上の高周波用磁心となる。尚、ここでのバインダの添加量について、質量比で１０％以下とした理由は、１０％を超えると飽和磁束密度がフェライトと同等かそれ以下になり、磁心の有用性が失われるためである。又、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してバインダを質量比で５％以下混合した混合物を金型で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が７０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．７５Ｔ以上であり、且つ比抵抗が１Ωｃｍ以上となる。磁束密度が０．７５Ｔ以上で、且つ比抵抗が１Ωｃｍ以上であると、センダストによる磁心よりも良好な特性となり、有用性が更に高まる。更に、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してバインダを質量比で３％以下混合した混合物をバインダの軟化点以上の温度条件下の金型で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が８０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が０．９Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．１Ωｃｍ以上となる。磁束密度が０．９Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．１Ωｃｍ以上であると、現在市販されているどの圧紛磁心よりも良好な特性となり、有用性が更に高まる。加えて、成形体は、軟磁性金属ガラス粉末に対してバインダを質量比で１％以下混合した混合物を軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域の温度範囲で圧縮成形することで得ても良く、この場合の成形体は、粉末充填率が９０％以上で１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの磁束密度が１．０Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．０１Ωｃｍ以上となる。磁束密度が１．０Ｔ以上で、且つ比抵抗が０．０１Ωｃｍ以上になると、実用領域ではアモルファス及び高珪素鋼鈑の積層コアとほぼ同等の磁束密度を示すようになるが、ここでの成形体の方がヒステリシス損失が小さく、比抵抗の高い分だけコアロス特性が格段に優れるので、磁心としては更に有用性が高まる。
【００４０】
更に、これらの高周波用磁心を成す成形体については、歪取り熱処理として、成形後にキュリー点以上の温度条件下で熱処理を施せば、コアロスが更に低下し、磁心としての有用性が更に高まる。このとき、合金粉末の粒子間の絶縁性を維持するため、粒子間の介在物の少なくとも一部にＳｉＯ２が含まれていれば望ましい（或いは介在物の全部がＳｉＯ２であっても良い）。
【００４１】
ところで、このような高周波用磁心に対し、必要に応じて磁路の一部にギャップを設けた上で巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回してインダクタンス部品を作製すれば、高磁界において高い透磁率を示す優れた特性を持つ製品を製造することができる。
【００４２】
第１図は、本発明の高周波用磁心１の基本構成の一例を示した外観斜視図である。第１図では、上述した軟磁性金属ガラス粉末を用いた高周波用磁心１を円環板状に形成した様子を示している。
【００４３】
第２図は、この高周波用磁心１に巻線を施して成るインダクタンス部品を示した外観斜視図である。第２図では、円環板状の高周波用磁心１に対し、巻線３を所定の巻回数で巻回してリード線引き出し部分３ａ，３ｂを含むようにインダクタンス部品１０１を作製した様子を示している。
【００４４】
第３図は、本発明の高周波用磁心１の基本構成の他例を示した外観斜視図である。第３図では、上述した軟磁性金属ガラス粉末を用いた高周波用磁心１を円環板状に形成した上、磁路の一部にギャップ２を設けた様子を示している。なお、ギャップ２は空隙もしくは絶縁材を充填して形成される。また、絶縁材としては、耐熱性の絶縁シートなどが好適である。
【００４５】
第４図は、このギャップ２を持つ高周波用磁心１に巻線３を施して成るインダクタンス部品１０１を示した外観斜視図である。第４図では、ギャップ２を持つ円環板状の高周波用磁心１に対し、巻線３を所定の巻回数で巻回してリード線引き出し部分３ａ，３ｂを含むようにインダクタンス部品を作製した様子を示している。
【００４６】
また、上記金属ガラス組成であって最大粒径が篩径で４５μｍ以下で平均粒径が３０μｍ以下の軟磁性金属ガラス粉末に対し、質量比で１０％以下のバインダを混合した混合物を成形することで圧粉磁心を作製すれば、高周波で極めて低い損失特性を示す従来に無い優れた性能を持つ圧粉磁心となり、これに巻線を施すことよってＱ特性の優れたインダクタンス部品が得られる。更に巻線コイルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、高周波で大電流に対応したインダクタンス部品が得られる。
【００４７】
ここで、粉末粒径を規定した理由を具体的に言えば、最大粒径が篩径で４５μｍを超えると高周波領域でのＱ特性が劣化するためであって、更に平均粒径が３０μｍ以下でないと５００ｋＨｚ以上でのＱ特性が４０を超えない。更に、平均粒径が２０μｍ以下でないと１ＭＨｚ以上でのＱ値が５０以上にならないためである。金属ガラス粉末は合金自体の比抵抗が従来材料に比較して２〜１０倍程度高いので同じ粒径であってもＱ特性が高くなる利点が有る。また、Ｑ特性が同じで構わないのであれば使用可能な粒径範囲を広く取る事で粉末製造コストを低減することが可能となる。
【００４８】
第５図は、本発明の高周波用インダクタンス部品の基本構成の一例を示した外観斜視図である。第５図を参照すると、上述した軟磁性金属ガラス粉末によって、長尺状の板材（帯材）５を板面方向（図では水平方向）に巻回して巻線コイル７を作製し、これを磁性粉末とバインダとの混合物からなる磁性体８内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化したインダクタンス部品１０３を形成している。巻線コイル７の板材７の磁性体８の両端面に突出した部分をリード端子としている。なお、板材５の巻回される部分の表面全体には、絶縁被覆６が施されている。
【００４９】
ここで、幾つかの実施例並びに比較例を挙げ、本発明の高周波用磁心及びそれを用いたインダクタンス部品について、製造工程を含めて具体的に説明する。
【００５０】
（実施例１〜３６、比較例１〜１３）
先ず、粉末作製工程として、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｂ，Ｎｂ及びその置換元素の純金属元素材料を所定の組成になるように秤量し、これらを用いて一般的な水アトマイズ法により各種軟磁性合金粉末を作製した。但し、ミッシュメタルは混合希土類金属であって、ここではＬａ３０％，Ｃｅ５０％，Ｎｄ１５％，その他希土類元素残部のものを使用した。
【００５１】
次に、成形体作製工程として、得られた合金粉末をそれぞれ粉径が４５μｍ以下のものに分級してからバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で５％混合した後、外径φＯＵＴ＝２７ｍｍ×内径φＩＮ＝１４ｍｍの溝を持つ金型を使用し、高さが５ｍｍになるように室温で圧力１４．７×１０８Ｐａを加えることにより各種成形体を成形した。
【００５２】
更に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で巻線を施して各種インダクタンス部品（第２図に示される形態のものとする）を作製した。
【００５３】
次に、各種試料のインダクタンス部品について、ＬＣＲメーターを用いて１００ｋＨｚのインダクタンス値から透磁率を求め、更に直流磁気特性測定装置を用いて１．６×１０４Ａ／ｍの磁界を印加したときの飽和磁束密度を測定すると共に、各磁心の上下面を研磨してＸ線回折（ＸＲＤ）の測定を行うことで相を観察したところ、下記表１及び表２に示されるような結果となった。
【００５４】
但し、下記表１及び表２では各種試料の組成比を示している他、ＸＲＤの測定で得られたＸＲＤパターンにおいて、ガラス相特有のブロードなピークしか検出されないものをガラス相とし、又結晶に起因する鋭いピークがブロードなピークと共に観察されたものを（ガラス＋結晶）相とし、ブロードなピークが見られず鋭いピークのみの場合を結晶相と判断した。尚、ガラス相が得られた組成の試料についてはＤＳＣによる熱分析として、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、全ての試料について過冷却液体温度ΔＴｘが３０Ｋ以上であることを確認した。各種成形体（磁心）の比抵抗を直流２端子法で測定したところ、比抵抗はすべての試料が１Ωｃｍ以上の良好な値を示していることも確認した。
【００５５】
ＤＳＣの昇温速度は４０Ｋ／ｍｉｎである。実施例１〜３と比較例１〜２より、Ｎｂ量が３〜６％のときガラス相を有する磁心が得られる事が分かる。しかし、比較例２のＮｂ６％の場合には磁束密度が０．７５Ｔ以下と低い事が分かる。実施例４〜１０と比較例３〜６より、Ｓｉ量が１以上及びＢ量が２５以下でＦｅ量が６８〜７８のときガラス相を有する磁心が得られる事が分かる。実施例１１〜１６と比較例７〜８より、Ｆｅの一部をＮｉ，Ｃｏで置換する事により、Ｎｂ１％でも金属ガラス粉末が得られている事が分かる。しかし、置換量がＮｉで０．３，Ｃｏで０．５を超えると磁束密度の改善効果が見られない事が分かる（実施例１との比較において）。また、実施例１７〜２０に示す通り、ＮｉとＣｏは複合添加しても良いし、またＮｂの代わりにＴａ，Ｍｏを使用しても同様の効果が得られる事が分かる。
【００５６】
実施例２１〜２４と比較例９〜１０より、Ｎｂ量が１％では高透磁率が得られるガラス相が形成出来ないが、２％以上ではガラス相が形成出来る事が分かる。また、ＮｂをＺｎで置換する事によって飽和磁束密度が向上するが、その置換の割合が０．５を超えるとガラス相が形成出来なくなる事が分かる。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
【表２】
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【００５９】
また、ＺｎとＮｂの合計添加量については、実施例２５〜２６と比較例１１〜１２より、５％以下が適当である事が分かる。実施例２７〜２８より、Ｚｎの代わりにＳｎまたはミッシュメタルを添加しても同様の効果が得られる事が分かる。実施例２９〜３１より、Ｆｅの一部をＮｉ，Ｃｏで置換しても、同様の効果が得られる事が分かるし、複合添加しても良い事が分かる。また、実施例３２〜３３に示す通り、Ｎｂの代わりにＴａ，Ｍｏを使用しても同様の効果が得られる事が分かる。また、実施例３４〜３６と比較例１３に示す通り、Ａｌ，Ｃ，Ｐを添加することも可能であるが、０．５質量％を超えるとアモルファス形成能が著しく劣化することが分かる。
【００６０】
（実施例３７）
（Ｆｅ０．８Ｎｉ０Ｃｏ０．２）７５Ｓｉ４Ｂ２０Ｎｂ１の組成を有する合金粉末を水アトマイズ法で作製した。得られた粉末を７５μｍ以下に分級し、ＸＲＤの測定を行いガラス相特有のブロードなピークを確認した。次に、ＤＳＣにて熱分析を行い、ガラス遷移温度および結晶化温度の測定を行い、ΔＴｘが３５Ｋである事が分かった。次に、この粉末をガラス遷移温度よりも低い４５０℃で０．５時間大気中で熱処理し、粉末表面に酸化物を形成させた。次に、この粉末を使用してシリコーン樹脂を１０％，５％，２．５％，１％，０．５％混合した。これらの粉末をφ２７×φ１４の金型を用いてそれぞれ室温，樹脂の軟化温度より高い１５０℃，本金属ガラス粉末の過冷却液体領域である５５０℃の３条件でそれぞれ成形し、粉末充填率、直流磁気特性によって磁束密度、直流の比抵抗を測定した結果を下記表３に示す。
【００６１】
【表３】
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【００６２】
上記表３よりバインダーが５％を越える時は比抵抗がフェライト磁心に匹敵する≧１０４の高い値が得られるが、成形温度を高くしてもその効果は見られず室温での成形で充分である。次に、バインダーが５％の時も、１００Ωｃｍ以上の高い比抵抗が得られるが、室温での成形で充分である。次に、バインダー量が２．５％の時は、１５０℃で成形すると飛躍的に粉末充填率が改善され磁束密度が高く、しかも１０Ωｃｍ以上の比抵抗が得られる事が分かる。次に、バインダー量が１％と０．５％の時は５５０℃で成形した時に飛躍的に粉末充填率が改善され飽和磁束密度が高く、しかも０．１Ωｃｍ以上の比抵抗が得られる事が分かる。
【００６３】
（実施例３８）
実施例３８では、Ｆｅ７３Ｓｉ７Ｂ１７Ｎｂ２Ｚｎ１の組成を有する合金粉末を水アトマイズ法により粉末作製した後、得られた粉末を粒径が７５μｍ以下のものに分級してからＸＲＤの測定を行い、ガラス相特有のブロードなピークを確認した。又、ＤＳＣにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、ガラス化開始温度ΔＴｘが３５Ｋであることを確認した。次に、この粉末をガラス遷移温度よりも低い温度条件４５０℃に保ち、０．５時間大気中で熱処理して粉末表面に酸化物を形成させた。
【００６４】
更に、この酸化物が形成された粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で、それぞれ１０％，５％，２．５％，１％，０．５％混合し、これらの粉末を外径φＯＵＴ＝２７ｍｍ×内径φＩＮ＝１４ｍｍの溝を持つ金型を使用し、高さが５ｍｍになるようにそれぞれ室温，樹脂の軟化温度より高い１５０℃，軟磁性金属ガラス粉末の過冷却液体領域である５５０℃の３つの条件下でそれぞれ圧力１１．８×１０８Ｐａを加えることにより各種成形体を成形した。
【００６５】
次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で巻線を施して各種インダクタンス部品（第２図に示される形態のものとする）を作製した。
【００６６】
次に、各種試料（Ｎｏ．１〜１５）のインダクタンス部品について、粉末充填率％、直流磁気特性による磁束密度（ａｔ１．６×１０４Ａ／ｍ）、直流の比抵抗Ωｃｍを測定したところ、下記表４に示されるような結果となった。
【００６７】
【表４】
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【００６８】
上記表４からは、バインダの添加量（樹脂量）が５％を越えるときは比抵抗がフェライト磁心に匹敵する≧１０４の高い値が得られるが、成形温度を高くしてもその効果は見られずに室温程度の成形条件で充分であることが判る。又、樹脂量が５％のときにも、１００Ωｃｍ以上の高い比抵抗が得られるが、同様に室温での成形で充分であることが判る。更に、樹脂量が２．５％のときには、１５０℃で成形すると飛躍的に粉末充填率が改善されて磁束密度が高くなり、しかも１０Ωｃｍ以上の比抵抗が得られることが判る。加えて、樹脂量が１％のとき、及び０．５％のときは５５０℃で成形すると飛躍的に粉末充填率が改善されて飽和磁束密度が高くなり、しかも、０．１Ωｃｍ以上の比抵抗が得られることが判る。
【００６９】
（実施例３９）
実施例３７のうち試料Ｎｏ１２を用いて、各種の磁心材料とインダクタンス特性を測定した。また、同一の合金粉末と製造工程で作製した磁心を５００℃で０．５時間窒素雰囲気中で熱処理した試料のインダクタンス特性についても示した。ただし、インダクタンス値は規格化のため透磁率を求め比較した。比較した磁心材料はセンダスト，６．５％珪素鋼，鉄系アモルファスである。
【００７０】
【表５】
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【００７１】
上記表５より、本発明のインダクタンス部品は、アモルファスを用いたインダクタンス部品と同等の磁束密度を有しながら、センダストを用いたインダクタンス部品よりも低いコアロス特性を示すので、非常に優れたインダクタンス部品として使用できる事が分かる。また、熱処理した磁心を用いたインダクタンス部品では更に透磁率とコアロスが向上する事が確認された。
【００７２】
（実施例４０）
実施例４０では、先の実施例３８にあっての試料Ｎｏ．１２に該当する材料を用いてインダクタンス部品を作製し、又同じ合金粉末と製造工程とにより作製した高周波用磁心を５００℃で０．５時間窒素雰囲気中で熱処理したもの、更に比較としてセンダスト，６．５％珪素鋼，Ｆｅ系アモルファスによる磁心材料でそれぞれ作製したインダクタンス部品（第４図に示したように磁路の一部にギャップを持つ形態を含む）について、直流磁気特性による磁束密度（ａｔ１．６×１０４Ａ／ｍ）、直流の比抵抗Ωｃｍ、インダクタンス値の規格化のため透磁率、コアロス（２０ｋＨｚ０．１Ｔ）を測定したところ、下記表６に示されるような結果となった。
【００７３】
【表６】
0004828229.tif 000007
【００７４】
上記表６からは、本発明のインダクタンス部品は、磁心にＦｅ系アモルファスを用いたインダクタンス部品の場合とほぼ同等な磁束密度を有しながら、磁心にセンダストを用いたインダクタンス部品の場合よりも低いコアロスを示すので、非常に優れた特性を持つことが判る。又、熱処理を施した磁心を用いたインダクタンス部品では、更に透磁率とコアロスとが向上していることが確認され、一層優れた特性を持つようになることが判る。
【００７５】
（実施例４１）
実施例４１では、Ｆｅ７３Ｓｉ７Ｂ１７Ｎｂ３の組成を有する合金粉末を水アトマイズ法により粉末作製した後、得られた粉末を粒径が４５μｍ以下のものに分級してからＸＲＤの測定を行い、ガラス相特有のブロードなピークを確認した。又、ＤＳＣにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、過冷却温度範囲ΔＴｘが３５Ｋであることを確認した。次に、以下の合金組成の水アトマイズ粉末を標準篩で２０μｍ以下に篩った粉末を表７に示す比率で混合した。
【００７６】
更に、この粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比でそれぞれ１．５％混合し、これらの粉末を外径φＯＵＴ＝２７ｍｍ×内径φＩＮ＝１４ｍｍの溝を持つ金型を使用し、高さが５ｍｍになるように室温でそれぞれ圧力１１．８×１０８Ｐａを加えることにより各種成形体を成形した。成形後に５００℃Ａｒ中で熱処理した。
【００７７】
次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で巻線を施して各種インダクタンス部品（第２図に示される形態のものとする）を作製した。
【００７８】
次に、各種試料のインダクタンス部品について、粉末充填率％、透磁率、コアロス（２０ｋＨｚ０．１Ｔ）を測定したところ、下記表７に示されるような結果となった。
【００７９】
【表７】
0004828229.tif 000008
【００８０】
上記表７からは、本発明のインダクタンス部品は、金属ガラス粉末にそれよりも粒径の細かい軟磁性粉末を添加する事によって粉末充填率が改善され、それによって透磁率が向上する事を示している。一方、添加量が５０％を超えると改善効果が薄れて、またコアロス特性が著しく劣化することから、添加量は５０％以下が望ましい事が分かる。
【００８１】
（実施例４２）
実施例４２では、Ｆｅ７３Ｓｉ７Ｂ１７Ｎｂ３の組成を有する合金粉末を水アトマイズ法により各種製造条件を変化させる事によって、下記表８に示すようなアスペクト比を有する粉末を作製した後、得られた粉末を粒径が４５μｍ以下のものに分級してからＸＲＤの測定を行い、ガラス相特有のブロードなピークを確認した。  又、ＤＳＣにて熱分析を行い、ガラス遷移温度及び結晶化温度の測定を行い、過冷却温度範囲ΔＴｘが３５Ｋであることを確認した。
【００８２】
更に、この粉末を使用してバインダとしてシリコーン樹脂を質量比でそれぞれ３．０％混合し、これらの粉末を外径φＯＵＴ＝２７ｍｍ×内径φＩＮ＝１４ｍｍの溝を持つ金型を使用し、高さが５ｍｍになるように室温でそれぞれ圧力１４．７×１０８Ｐａを加えることにより各種成形体を成形した。成形後に５００℃Ａｒ中で熱処理した。
【００８３】
次に、得られた各種成形体を樹脂硬化した後、各種成形体の重量及び寸法を測定してから適当な巻回数で巻線を施して各種インダクタンス部品（第２図に示される形態のものとする）を作製した。
【００８４】
次に、各種試料のインダクタンス部品について、粉末充填率％、透磁率を測定したところ、下記表８に示されるような結果となった。
【００８５】
【表８】
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【００８６】
上記表８からは、本発明のインダクタンス部品は、金属ガラス粉末のアスペクト比を高くする事によって透磁率が向上する事を示している。一方、アスペクト比が３．０を超えると粉末充填率の低下の影響によって透磁率が劣化することから、粉末のアスペクト比は３以下が望ましい事が分かる。
【００８７】
（実施例４３）
先ず、粉末作製工程として、工業用として一般的に使用されている原料を用いてＦｅＳｉ９Ｂ１４Ｎｂ３の組成になるように秤量し、これらを用いて高圧水アトマイズ法により平均粒径の異なる軟磁性合金の微粉末を作製した。
【００８８】
次に、成形体作製工程として、得られた合金粉末を各種の標準篩で篩う事によって下記表９に示すような粉末を作製してからバインダとしてシリコーン樹脂を質量比で３％混合した後、１０ｍｍ×１０ｍｍの金型に粉末と共に成形した際に巻線コイルが成形体の丁度中心に来る様に配置した外径φＯＵＴ＝８，内径φＩＮ＝４ｍｍに高さ２ｍｍの巻線コイルとともに、高さが４ｍｍになるように室温で圧力４．９×１０８Ｐａを加えることにより成形体を成形した。次に１５０℃で樹脂硬化を行なった。なお、試料Ｎｏ．５の条件については、部品形状のまま５００℃，０．５Ｈｒ窒素中で熱処理した試料も作製した。
【００８９】
次に、各種試料のインダクタンス部品について、ＬＣＲメーターを用いて各周波数におけるインダクタンスと抵抗の測定から求めた１ＭＨｚのインダクタンス値とＱのピーク周波数とその値を求めたところ、下記表９に示されるような結果となった。
【００９０】
次に、同じ試料のインダクタンス部品について、一般的なＤＣ／ＤＣコンバーターの評価キットを使用して電源変換効率を測定した結果を示す。測定条件は、入力１２Ｖ，出力５Ｖ，駆動周波数３００ｋＨｚ，出力電流は１Ａであった。
【００９１】
【表９】
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【００９２】
上記表９から分かる通り、本発明のインダクタンス部品は、篩粒径が４５μｍ以下で平均粒径を３０μｍ以下とする事によって、Ｑのピーク周波数が５００ｋＨｚ以上で、かつ４０以上の値が得られ、その時に電源変換効率は８０％以上の良好な結果が得られた。また、篩粒径が４５μｍ以下で平均粒径が２０μｍ以下とする事によって、Ｑのピーク周波数が１ＭＨｚ以上で、かつ５０以上の値が得られ、その時に電源変換効率は８５％以上の更に良好な結果が得られた。また、インダクタンス部品を熱処理する事によって更に変換効率が向上する事が分かる。
【００９３】
以上述べたように、本発明の高周波用磁心は、経済性に優れる軟磁性金属ガラス粉末として、（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−（Ａｌ，Ｓｉ，Ｃ，Ｐ）−Ｂ−ＭＭ’（Ｍ＝Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗから選ばれた少なくとも一種、Ｍ’＝Ｚｎ，Ｓｎ，Ｒ（但し、ＲはＹを含む希土類金属）から選ばれた少なくとも一種）の合金組成を規定するように選択して磁気特性及びガラス形成性能の優れた粉末を得ることを可能としており、しかもその粉末に酸化処理や絶縁コーティングを施したものを金型等を用いて適当な成形方法で成形体を得るように成形することで圧粉磁心を作製するようにしているため、広帯域で優れた透磁率特性を示す従来に無い高透磁率圧粉磁心が得られ、結果として高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性材料による高周波用磁心を安価に作製できるようになり、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも巻回数で１ターン以上巻回して成るインダクタンス部品においても、従来に無く安価で高性能なものとして作製できるため、工業上において極めて有益となる。
【００９４】
また、本発明において、上記金属ガラス粉末の最大粒径が篩径で４５μｍ以下，平均粒径が３０μｍ以下、更に望ましくは２０μｍ以下の粉末を用いた時には、更に高周波における損失特性が極めて低い圧紛磁心が得られ、この高周波用磁心に対して巻線を少なくとも１ターン以上巻回してなるインダクタンス部品はＱ特性が極めて優れるので電源効率を向上させる事が可能となり、工業上において非常に有益となる。
【００９５】
更に、本発明において、上記金属ガラス粉末の最大粒径が篩径で４５μｍ以下，平均粒径が３０μｍ以下、更に望ましくは２０μｍ以下の粉末を、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれている状態で加圧成形し一体化することによって、金属ガラス特有の優れた磁心特性に加えて、巻線コイルに流れる電流に起因する発熱は金属磁性体を通じて放熱されるため、その相乗効果によって同じ形状で有ればより定格電流を高めたインダクタンス部品が得られる。
【００９６】
本発明の高周波用磁心は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性金属ガラス材料により安価に得られる上、これに巻線を施して成るインダクタンス部品についても、従来に無く高周波帯域での磁気特性が優れたものとなることにより、安価に高性能な従来に無い高透磁率圧粉磁心を作製でき、各種電子機器の電源用部品であるチョークコイル，トランス等のインダクタンス部品を提供することができる。
【００９７】
また、本発明の微細な粒径の粉末で成形された高周波用磁心を用いれば、更に高周波用において高性能のインダクタンス部品を作製出来る。
【００９８】
更に、これらの微細な粒径の粉末で成形された高周波用磁心において、巻線コイルが磁性体内に封じ込まれているとともに加圧成形を施されて一体化する事によって、小型で大電流に対応したインダクタンス部品を作製出来る。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明の高周波用磁心は、高飽和磁束密度であって、且つ比抵抗の高い軟磁性金属ガラス材料により安価に得られる上、これに巻線を施して成るインダクタンス部品についても、従来に無く高周波帯域での磁気特性が優れたものとなることにより、安価に高性能な従来に無い高透磁率圧粉磁心を作製できるので、各種電子機器の電源用部品であるチョークコイル，トランス等への適用が好適である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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