(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力発生室が形成される流路形成基板の一方面側に設けられる振動板と、該振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置の製造方法であって、
シリコン単結晶基板からなる前記流路形成基板の一方面側に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜を形成する工程と、
該酸化シリコン上に表面の（００２）面配向度が８０％以上となるようにスパッタ法によってジルコニウム層を形成すると共に該ジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜を形成する工程と、
前記弾性膜と前記絶縁体膜を含む振動板上に圧電素子を形成する圧電素子形成工程と、を少なくとも有するアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記圧電素子形成工程が、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は2において、前記絶縁体膜を形成する工程では、前記ジルコニウム層をＤＣスパッタ法により形成することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記ジルコニウム層を形成する際のスパッタ出力を５００Ｗ以下としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記ジルコニウム層を形成する際の加熱温度を１００℃以上としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３〜５の何れかにおいて、前記ジルコニウム層を形成する際のスパッタ圧力を０．
５Ｐａ以下としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧力発生室が形成された流路形成基板の一面に振動板を設け、この振動板を介して設けられる圧電素子を備えたアクチュエータ装置の製造方法及びその製造方法によって形成されたアクチュエータ装置の変位によってインク等の液滴を吐出する液体噴射ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
電圧を印加することにより変位する圧電素子を具備するアクチュエータ装置は、例えば、液滴を噴射する液体噴射ヘッド等に搭載され、このような液体噴射ヘッドとしては、例えば、ノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドが知られている。そして、インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータ装置を搭載したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータ装置を搭載したものの２種類が実用化されている。
【０００３】
前者は圧電素子の端面を振動板に当接させることにより圧力発生室の容積を変化させることができて、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。これに対して後者は、圧電材料のグリーンシートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難であるという問題がある。また、後者の不都合を解消すべく、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものがある。
【０００４】
このような圧電素子を構成する圧電材料層の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が用いられる。この場合、圧電材料層を焼成する際に、圧電材料層の鉛成分が、シリコン（Ｓｉ）からなる流路形成基板の表面に設けられて振動板を構成する酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜に拡散してしまう。そして、この鉛成分の拡散によって酸化シリコンの融点が降下し、圧電材料層の焼成時の熱により溶融してしまうという問題がある。このような問題を解決するために、例えば、酸化シリコン膜上に振動板を構成する酸化ジルコニウム膜を設け、この酸化ジルコニウム膜上に圧電材料層を設けることで、圧電材料層から酸化シリコン膜への鉛成分の拡散を防止したものがある。（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、酸化ジルコニウム膜は、酸化シリコン膜との密着性が低く、振動板の剥がれ等が発生するという問題がある。すなわち、酸化ジルコニウム膜は、例えば、スパッタ法によりジルコニウム膜を形成後、このジルコニウム膜を熱酸化することによって形成される。そして、このように形成されたジルコニウム膜は、多結晶構造となるが、その結晶は団子状となることが多く、柱状結晶を含む場合でもその割合は低くなってしまうため、酸化シリコン膜との密着性が低く、酸化ジルコニウム膜の剥がれ等が発生するという問題がある。なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置の製造方法だけでなく、他の装置に搭載されるアクチュエータ装置の製造方法においても同様に存在する。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２０４８４９号公報（第１図、第２図、第５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、振動板の剥がれを防止して耐久性及び信頼性を向上したアクチュエータ装置の製造方法及びその製造方法によって形成されたアクチュエータ装置を備えた液体噴射ヘッドを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、圧力発生室が形成される流路形成基板一方面側に設けられる振動板と、該振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置の製造方法であって、前記流路形成基板の一方面側に、表面の（００２）面配向度が８０％以上となるようにスパッタ法によってジルコニウム層を形成すると共に該ジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなり当該振動板の一部を構成する絶縁体膜を形成する工程を少なくとも含む振動板形成工程と、前記振動板上に圧電素子を形成する圧電素子形成工程とを少なくとも有することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第１の態様では、結晶性に優れたジルコニウム層を形成でき、このように形成したジルコニウム層を熱酸化することで、下側の膜との密着性に優れた絶縁体膜を形成することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記振動板形成工程が、シリコン単結晶基板からなる前記流路形成基板の一方面に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり当該振動板の一部を構成する弾性膜を形成する工程をさらに含み、前記絶縁体膜は前記弾性膜上に形成することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第２の態様では、絶縁体膜の下側の膜が、酸化シリコンからなる弾性膜であっても密着性が向上する。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記圧電素子形成工程が、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第３の態様では、圧電体層の鉛成分の振動板への拡散が防止でき、振動板及び圧電素子を良好に形成することができる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記絶縁体膜を形成する工程では、前記ジルコニウム層をＤＣスパッタ法により形成することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第４の態様では、表面の（００２）面配向度が８０％以上であるジルコニウム層を比較的容易に形成できる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記ジルコニウム層を形成する際のスパッタ出力を５００Ｗ以下としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第５の態様では、スパッタ出力を調整することで、結晶性に優れたジルコニウム層を形成することができる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第４又は５の態様において、前記ジルコニウム層を形成する際の加熱温度を１００℃以上としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第６の態様では、スパッタ時の加熱温度を調整することで、結晶性に優れたジルコニウム層を形成することができる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、第４〜６の何れかの態様において、前記ジルコニウム層を形成する際のスパッタ圧力を０．５Ｐａ以下としたことを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第７の態様では、スパッタ圧力を調整することで、結晶性に優れたジルコニウム層を形成することができる。
【００１５】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの製造方法によって形成されたアクチュエータ装置の変位によって、前記圧力発生室が連通するノズル開口から液滴を吐出させることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第８の態様では、信頼性の高いアクチュエータ装置を備えた液体噴射ヘッドを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るアクチュエータ装置を備えたインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ１〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１７】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
【００１８】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５が形成されている。なお、詳しくは後述するが、本発明の絶縁体膜５５は、（００２）面配向度が８０％以上であるジルコニウム層を熱酸化することにより形成されて、弾性膜５０との密着性が向上されている。
【００１９】
また、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、本実施形態では、弾性膜、絶縁体膜及び下で極膜が振動板として作用するが、勿論、弾性膜及び絶縁体膜のみが振動板として作用するようにしてもよい。
そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２０】
また、流路形成基板１０上の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。さらに、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域にリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。
【００２１】
また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これら下電極膜６０及びリード電極９０には、図示しないが、駆動ＩＣから延設される接続配線の一端が接続される。
なお、保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２２】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２３】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２４】
ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。なお、図３〜図５は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２５】
次いで、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、まず、弾性膜５０上に、スパッタ法、例えば、本実施形態では、ＤＣスパッタ法によりジルコニウム層を形成する。このとき、所定のスパッタ条件でジルコニウム層を形成して、ジルコニウム層の表面の（００２）面配向度が８０％以上、好ましくは９０％以上となるようにする。
【００２６】
ここで、「配向度」とは、Ｘ線回折広角法によってジルコニウム層を測定した際に生じる回折強度の比率をいう。具体的には、ジルコニウム層をＸ線回折広角法により測定すると、（１００）面、（００２）面及び（１０１）面に相当する回折強度のピークが発生する。例えば、図６に示すＸ線回折測定結果は（００２）面配向度が約７０％であるジルコニウム層のものであり、（００２）面に相当する位置と共に、（１００）面及び（１０１）面に相当する位置に強度のピークが発生していることが分かる。そして、「（００２）面配向度」とは、これら各面に相当するピーク強度の和に対する（００２）面に相当するピーク強度の比率を意味する。
【００２７】
そして、本実施形態に係るジルコニウム層の場合、図７に示すように、実質的に（００２）面に相当する強度ピークしか発生していなかった。すなわち、（００２）面に相当する強度のピークは極めて大きく、これと比較すると（１００）面及び（１０１）面に相当する強度のピークは極めて小さく実質的に零に等しい程度であった。この結果から、本実施形態に係るジルコニウム層は、（００２）面配向度が極めて高いということが確認された。なお、本実施形態に係るジルコニウム層の（００２）面配向度は、具体的には、約９９．７％であった。
【００２８】
また、このように（００２）面配向度が８０％以上であるジルコニウム層を得るためには、ジルコニウム層をＤＣスパッタ法により形成する際の出力を５００Ｗ以下とすることが好ましい。また、スパッタ時の加熱温度は１００℃以上とすることが好ましい。ただし、加熱温度はあまり高すぎると流路形成基板１０に割れ等が生じる虞があるため、１００〜３００℃程度とするのが望ましい。さらに、スパッタ圧力は０．５Ｐａ以下とするのが好ましい。このように成膜条件を適宜選択してＤＣスパッタ法によりジルコニウム層を形成することにより、表面の（００２）面配向度が８０％以上であるジルコニウム層を比較的容易に形成することができる。
【００２９】
なお、このように形成したジルコニウム層を形成した後は、例えば、８５０〜１０００℃に加熱した拡散炉内に、例えば、３００ｍｍ／ｍｉｎ以上、好ましくは５００ｍｍ／ｍｉｎ以上のスピードで流路形成基板用ウェハ１１０を挿入してジルコニウム層を熱酸化させる。これにより、結晶状態が良好な絶縁体膜５５を得ることができる。すなわち、絶縁体膜５０を構成する酸化ジルコニウムの結晶が、下面から上面まで連続的な柱状結晶となり、弾性膜５０と絶縁体膜５５との密着性が著しく向上する。
【００３０】
ここで、（００２）面配向度が８０％、９０％、９９．７％であるジルコニウム層をそれぞれ熱酸化することによって形成した酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）層（絶縁体膜）の断面ＳＥＭ像を図８に示す。なお、図８（ｂ）及び（ｃ）では、図中右側が酸化ジルコニウム層の上面側である。図８（ａ）に示すように、（００２）面配向度が８０％であるジルコニウム層を熱酸化した場合、団子状の結晶も見られるが、基本的には柱状結晶となっていた。また、図８（ｂ）に示すように、（００２）面配向度が９０％のジルコニウム層を熱酸化した場合、団子状の結晶が、例えば、下面側の一部等に若干見られるものの、ほとんどが柱状結晶となった。さらに、図８（ｃ）に示すように、（００２）面配向度が９９．７％のジルコニウム層を熱酸化した場合、団子状の結晶は見られず、ほぼ完全に柱状結晶となった。
【００３１】
この結果からも明らかなように、（００２）面配向度が８０％以上であるジルコニウム層を熱酸化して絶縁体膜５５（酸化ジルコニウム層）を形成することで、下面から上面まで連続的な柱状結晶を有する絶縁体膜５５（酸化ジルコニウム層）を形成することができる。また、ジルコニウム層の（００２）面配向度をより高くすることで、好ましくは９０％以上とすることで、柱状結晶の割合の高い良好な絶縁体膜（酸化ジルコニウム層）を形成することができる。
これにより、弾性膜５０と絶縁体膜５５との密着性が大幅に向上するため、振動板の剥離等の発生を防止することができ、耐久性及び信頼性を向上したアクチュエータ装置及びそれを備えたインクジェット式記録ヘッドを実現することができる。
【００３２】
なお、このような絶縁体膜５５を形成した後は、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次いで、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。ここで、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成している。そして、このように圧電体層７０を形成すると、焼成時に圧電体層７０の鉛成分が弾性膜５０に拡散する虞があるが、圧電体層７０の下側には酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５が設けられているため、圧電体層７０の鉛成分が弾性膜５０に拡散することはない。
【００３３】
次いで、図４（ａ）に示すように、圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。次に、リード電極９０を形成する。具体的には、図４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を各圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０が形成される。
【００３４】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００３５】
次いで、図４（ｄ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、更に弗化硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。次いで、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００３６】
なお、その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００３７】
（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、弾性膜５０上に絶縁体膜５５を形成するようにしたが、絶縁体膜５５は、弾性膜５０よりも圧電体層７０側に設けられていればよく、例えば、弾性膜５０と絶縁体膜５５との間に他の層が設けられていてもよい。また、上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００３８】
また、本発明の製造方法は、液体噴射ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）に搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエータ装置に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図。
【図６】ジルコニウム層のＸ線回折測定結果の一例を示す図。
【図７】本発明に係るジルコニウム層のＸ線回折測定結果を示す図。
【図８】本発明に係る酸化ジルコニウム層の断面を示すＳＥＭ像。
【符号の説明】
【００４０】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  圧電素子保持部、  ３２  リザーバ部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体膜、  ８０  上電極膜、  １００  リザーバ、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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