(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのパワー半導体素子と
半導体モジュールの内面部において回路キャリア（１３０、１３１）および／または配線を有し、半導体モジュールの外部（Ａ）に対する電流接続部として、あるいは少なくとも１つのパワー半導体素子に対する直接接続部として設計されている、少なくとも１つの金属製の電流接続素子（１００；１００ａ；１００ｂ）と
を備えた半導体モジュールであって、
該電流接続素子は、半導体モジュールの外部（Ａ）まで続く外部接続部（１１１）から、１つまたは複数のモジュール内部接触部まで通され、半導体モジュールの動作中および／またはその組み立て時において作用する機械力に関して、該電流接続素子のモジュール内部接触部または接触部群の１つまたは複数を開放するために、半導体モジュールの動作中に変形し得る、上記外部接続部の平面に対して、あるいは、上記外部接続部と上記モジュール内部接触部または接触部群との間において、上記モジュール内部接触部または接触部群の平面に対して屈曲または傾斜した少なくとも１つの拡張補正屈曲部（Ｄ）を有しており、かつ
該電流接続素子（１００；１００ａ、１００ｂ）は、複数の金属層（１、２、３、…、ｎ）の半導体モジュールの外部までの外部接続部（１１１）から、直接または金属製の仲介層を介してのいずれかによって、１つまたは複数のモジュール内部接触部または接触部群（１０１、１０２、１０３；１１０）まで続く長辺の一部が、少なくとも互いに重なるように載置され、互いに電気的に接続されている、Ｓ字型または階段状の多層金属片により形成されており、
前記複数の金属層は、外部からまたは熱拡張の結果としての力の影響を受ける部分においては互いに結合されておらず、それゆえにこれらの部分においてスライド可能である、半導体モジュール。
【請求項２】
前記電流接続素子（１００）の金属層（１、２、３、…、ｎ）は、少なくとも前記外部接続部（１１１）において互いに直接重なるように載置されている、請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記電流接続素子（１００）は、少なくとも１つの中央部（１０８、１０９）を有し、
該中央部は、前記外部接続部（１１１）および前記モジュール内部接触部または接触部群（１０１、１０２、１０３；１１０）の間において、前記外部接続部（１１１）の平面、およびモジュール内部接触部または接触部群の平面に対して、屈曲または傾斜しており、該中央部（１０８）、（１０９）により、前記拡張補正屈曲部（Ｄ）が定義される、請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記外部接続部（１１１）の平面、および前記モジュール内部接触部または接触部群（１０１、１０２、１０３；１１０）の平面は、互いに平行に配置されており、少なくとも１つの中央部（１０８、１０９）は、それらに対して略９０度の傾きを帯びている、請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記電流接続素子（１００）の金属層（１、２、３、…、ｎ）は、外部から力が働いたとき、または熱拡張の結果として、互いにスライドすることのない部分において、リベット（ｒｉｖｅｔｓ）留め、スポット溶接、またはポート接続によって、互いに機械的および電気的に接続されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記電流接続素子の金属層（１、２、３、…、ｎ）の数は、少なくとも伝達される力によって調節される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記電流接続素子（１００）の前記モジュール内部接触部または接触部群（１０１、１０２、１０３；１１０）は、回路キャリアおよび／または配線（１３０、１３１）と接触するように設計された複数の足部（１０１、１０２、１０３；１１０）を形成している、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記電流接続素子（１００）の金属層（１、２、３、…、ｎ）は、溶接によって完全な金属の束を形成するために、外部接続部（１１１）において結合しており、モジュール内において複数の層に分割されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記金属層（１、２、３、…、ｎ）は、銅または銅合金からなる電流接続素子（１００）である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記金属層（１、２、３、…、ｎ）は、表面処理金属である、スズ、ニッケル、および銀のうちのいずれかによって表面が覆われている、請求項９に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのパワー半導体素子と、半導体モジュール内部において回路キャリアおよび／または配線を有し、半導体モジュールの外部に対する電流接続部として、あるいは少なくとも１つのパワー半導体素子に対する直接接続部として設計されている、少なくとも１つの金属製の電流接続素子とを備えた半導体モジュールであって、電流接続素子は、半導体モジュールの動作中および／またはその組み立て中に作用する機械力に関して、電流接続素子の１つまたは複数のモジュール内部接触部または接触部群を開放するために、半導体モジュールの動作中に変形し得る少なくとも１つの拡張補正屈曲部を有している半導体モジュールに関するものである。
【０００２】
パワー半導体素子は、通常、半導体モジュール内の回路キャリア上に、セラミック絶縁体（ＤＣＢ基板、ＡＭＢ基板等）と共に形成される。半導体モジュール周囲の領域に電流を接続することを可能にする接続素子は、半導体モジュール内において、回路キャリアに、または直接パワー半導体素子に接続されている。これらの電流接続素子は、例えば、モジュールの外部にねじ留めされており、動作中と同様に処理時に発生する機械力および回転力に耐えなければならない。このため、電流接続素子は、ハウジング部分に取り付けられている。機械力はまた、温度変化、および半導体モジュールまたは電力−電子回路の異なる構成要素の異なる拡張の結果によっても生じる。半導体モジュール内の回路キャリアおよび半導体の損傷を避けるために、これらの電流接続素子の内部接触部は、上述したような力から開放されていなければならない。
【０００３】
近年、異なる形状の拡張補正屈曲部を有するこのような電流接続素子が、上記の目的で使用されている（例えばＤＥ１９６０１３７２Ａ１；ＥＰ０７０６２２１Ａ２、参照のこと）。このような拡張補正屈曲部の欠点は、電流接続素子を長くしてしまい、その導電体断面を減少させる場合もあることである。したがって、このような電流接続素子においては、その電流伝達能および寿命の間で歩み寄らなければならない。このような電流接続素子の電流伝達能は、これらの長さに厳密に依存している。このような素子は、半導体モジュールの端部においてのみ冷却され、半導体モジュールの外部までの経路において、断熱性が比較的良く、絶縁性を与える封止化合物によって囲まれている。さらに、拡張補正屈曲部は、半導体モジュールにおける浮遊インダクタンスを増加させる。
【０００４】
本発明の目的は、基板平面までの導電体断面が大きい電流接続素子であって、浮遊インダクタンスを低減させると同時に、従来よりもさらに効果的に、半導体モジュールの設置および動作中に生じる力を低減させることが可能な電流接続素子を備えた半導体モジュールを提供することにある。
【０００５】
この目的を達成するために、本発明の基本概念は、要求される電流伝達能を提供する一方で、要求される拡張保証屈曲部を提供するように設計された形状および大きさを有する多層片の形態からなる電流接続素子による。
【０００６】
結果的に、主要な一形態によると、上記の目的は、少なくとも１つのパワー半導体素子と、半導体モジュールの内部に回路キャリアおよび／または配線を有し、半導体モジュールの外部に電流を接続する、あるいは少なくとも１つのパワー半導体素子に直接接続される、少なくとも１つの金属製の電流接続素子とを備えた半導体モジュールによって達成される。上記半導体モジュールの電流接続素子は、１つまたは複数のモジュール内部接触部または接触部群の電流接続素子の機械力を開放するために、半導体モジュールの動作中に変形し得る少なくとも１つの拡張補正屈曲部を有している。上記機械力は、半導体モジュールの動作中および／またはその組み立て中に作用する。そして、この電流接続素子は、半導体モジュールの外部まで続く外部接続部から、直接または金属製の仲介層を介して、そのモジュール内部接触部または接触部群までの長辺の一部において少なくとも互いに重なるように載置された多層金属片の形態からなる。
【０００７】
好ましい一例示実施形態において、電流接続素子の金属層は、その全長において、互いに直接重なるように載置されている。
【０００８】
他の例示実施形態において、電流接続素子の金属層は、少なくともその外部接続部において、互いに直接接するように載置されている。
【０００９】
さらに、特徴的な一例示実施形態において、電流接続素子は、少なくとも１つの中央部を備えることが可能である。この中央部は、外部接続部の平面に対して屈曲または傾斜している、あるいは外部接続部とモジュール内部接触部または接触部群との間において、モジュール内部接触部または接触部群の平面に対して屈曲または傾斜している。そして、電流接続素子は、中央部とともに拡張補正屈曲部を定義している。例えば、このようにして設計された電流接続素子において、モジュール内部接触部または接触部群および外部接続部のそれぞれの平面を互いに平行になるように設置し、少なくとも１つの中央部がそれらに対してほぼ９０度の一定の角度をつけることが可能である。
【００１０】
ある有効な実施形態によれば、電流接続素子の金属層は、外部からまたは熱拡張の結果として力が作用したとき、互いにスライドしない部分において、例えばリベット留め、スポット溶接、またはポート接続によって、互いに機械的におよび電気的に接続されている。
【００１１】
本発明に係る電流接続素子の場合、金属層の数は、少なくとも伝達される力によって制御される。それゆえに、３つの力による推測によれば、伝達される力は、金属片の数によって制御される要因によって低減される（金属片ごとの厚さ減少量）。しかしながら、仲介接続が要求される可能性があるので、伝達される力は、少なくとも４つの要因によって低減される。
【００１２】
本発明に係る電流接続素子のモジュール内部接触部の有効な一設計形態において、これらの内蔵部接触部または内蔵部接触部群は、半導体モジュールの回路キャリアおよび／または配線と接触部を形成するように設計された複数の足を形成する。
【００１３】
本発明に係る電流接続素子の構成は、その金属層を、外部接続部において完全な金属束を形成するように、例えば溶接することによって接続し、モジュール内において複数の層に分けることによって好適に提供される。これらの分割層は、半導体モジュールの内部において、互いに分離しており、すなわち接続されていなくてもよい。
【００１４】
電流接続素子の金属層は、例えば、銅または銅合金のように、銅の導電率の０．１５よりも大きい導電率を有する、金属または合金から好適に構成される。
【００１５】
これらの金属層は、例えばスズ、ニッケルまたは銀により表面がコーティングされていてもよい。
【００１６】
本発明に係る半導体モジュールの上記およびさらなる有効な機能を、以下に示す様々な例示実施形態および図面を参照にして、より詳細に説明する。
【００１７】
本発明の半導体モジュールの電流接続素子の様々な模式的な実施形態について以下に記載する前に、初めに、少なくとも１つのパワー半導体素子を備えた半導体モジュールにおける電流接続素子の従来の構成について説明する。半導体モジュールについて、基板または搭載台７０によって概略的に示す。パワー半導体素子１０、２０の接続パッドは、基板または搭載台７０の中またはそれに沿って配置されており、それら自体が、ボンディングワイヤによって配線３０に接続されている。このモジュール内、つまりモジュールの内部Ｉでは、モジュール内部接触部４２上の電流接続素子４０が配線３０に接触している。図１Ａに示した電流接続素子４０は、変形可能な拡張補正屈曲部Ｄを含んだ部分を備えている。これにより、上記電流接続素子の内部接触部４２から、動作中および／または半導体モジュールを組み立てている間に上記半導体モジュールに作用する機械力を除去することができる。例えば、矢印ａ１、ａ２、ａ３で方向を示している力が、半導体モジュールの外部Ａへの電流接続部として用いられる接続部４１に作用する。半導体モジュールを組み立てている間に生じるこのような外力が、変形可能な拡張補正屈曲部Ｄによって吸収、または少なくとも低減されるようになっている。しかしながら、温度変化と、半導体モジュールにおける素子または該半導体モジュールに位置するパワーエレクトロニクスによって拡張が異なることとにより、さらに機械力が生じる。
【００１８】
図１Ｂは、図１Ａに示した構成とは異なる、モジュール内部接触部５２、５３を備えた電流接続素子５０の異なる一形態を示している。該モジュール内部接触部は、搭載台または基板７０に位置する２つの配線３０、３１を互いに接続すると共に、電流接続素子５０の外部接続部５１を介して半導体モジュールの外部Ａに接続している。矢印ａ１、ａ２、ａ３の方向で示した力を補正するために拡張補正屈曲部Ｄを用いることにより、電流接続素子５０のモジュール内部接触部から該力を除去する。
【００１９】
最後に、図１Ｃは、従来の電流接続素子６０の第３の構成を示している。該電流接続素子は、モジュール内部接触部６２を備えており、該モジュール内部接触部６２は、半導体モジュール７０の配線３０と、該モジュール７０のハウジング部７１に装着された、または、装着されうる、外部接続部６１と、さらには、該外部接続部６１と該モジュール内部接触部６２との間の変形可能な拡張補正屈曲部Ｄとに接続されている。
【００２０】
図１Ａ、１Ｂ、１Ｃを参照しながら記載した従来の電流接続素子の不都合な点は、これらの図の拡張補正屈曲部Ｄによって、各電流接続素子４０、５０、６０が長くなるという点である。さらに、図１Ｂに示した電流接続素子５０のように、導体の断面に制限が生じる恐れがある。
【００２１】
このような電流接続素子の通電容量は、該電流接続素子の長さに強く依存している。なぜなら、該電流接続素子は、半導体モジュール内の該電流接続素子の端部においてのみ冷却され、モジュールの外側Ａへの経路に沿って、断熱性が比較的良く、絶縁性を与える封止化合物（シリコンゲル）によって囲まれているからである。さらに、電流接続素子の長さが、該電流接続素子の拡張補正屈曲部の長さと共に長くなることにより、半導体モジュールの浮遊インダクタンスが高くなる。
【００２２】
半導体モジュールの基板面までの導体の断面が大きい電流接続素子を提供するために、および、伝達された力を著しく低減するために、本発明の原理は、細片の形状をした電流接続素子を提供し、複数の金属層を用いて通電容量に必要な厚さを得ることである。
【００２３】
本発明の半導体モジュールに用いられる電流接続素子１００の第１の模式的な実施形態について、図２の透視図で示す。この電流接続素子１００は、ほぼＳ字型の素子を構成するために接続または接合された複数の金属層１、２、３、・・・、ｎを含んでいる。この電流接続素子１００は、モジュール内部接触部１１０と、外部接続部１１１と、屈曲または傾斜した中央部１０７、１０８、１０９とを備えている。上記モジュール内部接触部は、半導体モジュール（図示せず）の内部Ｉにおいて回路キャリア（図示せず）および／または配線に接続するためのものであり、あるいは他に、パワー半導体素子（図示せず）に直接接続するためのものである。外部接続部１１１は、該半導体モジュールの外部Ａに接続するためのものである。上記屈曲または傾斜した中央部１０７、１０８、１０９は、上記外部接続部１１１と上記モジュール内部接触部１１０との間において変形可能な拡張補正屈曲部Ｄを構成しており、上記Ｄは、モジュール内部接触部１１０から、動作中および／または上記半導体モジュールを組み立てている間に上記半導体モジュールに作用する機械力を除去するために用いられる。温度変化に起因する機械的応力も、上記機械力に影響を与えている。変形可能な拡張補正屈曲部によって補正される上記力の方向を、２つの矢印ａ１、ａ２によって示す。
【００２４】
図２に示した電流接続素子がほぼＳ字型であるのに対して、図３に示した電流接続素子は階段状であり、配線１３０または回路キャリアに直接接続された、または、パワー半導体素子の電極に接続された上記電流接続素子のモジュール内部接触部１１０は、２つに分かれている。図２および図３に示した本発明の上記２つの電流接続素子は、該電流接続素子の個別の金属層１、２、３、・・・、ｎが、該電流接続素子全体にわたって互いに直接接して位置しており、拡張補正屈曲部Ｄの比較的わずかな部分が、（例えば互いに直角に）傾斜している点において、他と異なっている。図２および図３に示した、個別の金属層の厚さ、および、電流接続素子１００全体の厚さは、適切な通電容量を供給するように選択される。このことは、個別の金属層の数にも当てはまる。全体としては、電流接続素子１００の厚さは、例えば２ｍｍまたは３ｍｍである。
【００２５】
同様に、電流接続素子１００は、図４の透視図によって示した第３の模式的な実施形態では、複数の金属層１、２、３に分かれている。外部接続部１１１では、金属層１、２、３が順に重ねて積層されていることにより、共通の接合領域が形成され、装置（図示せず）と接続するために、上記金属層全体を例えばねじ（図示せず）によって共に接触させている。内部Ｉでは、電流接続素子１００の金属層１、２、３がモジュール内部接触部１０１、１０２、１０３に分かれていることにより、配線または電極１３０、１３１に接触している。つまり、各金属層１、２、３は、異なる内部接触部１０１、１０２、１０３を有している。したがって、各モジュール内部接触部１０１、１０２、１０３の厚さは、単一の金属層１、２、３の厚さと同じである。その結果、半導体モジュールの内部に位置する、チップ１３２、配線１３０、１３１、または、基板（図示せず）も、薄い金属足部１０１、１０２、１０３によってのみ接続されており、したがって、熱膨張から生じる応力が低減される。上記足部およびモジュール内部接触部１０１、１０２、１０３の大きさは、異なっていてもよい。
【００２６】
図５の透視図に示したように、本発明にしたがって設計された電流接続素子１００の第４の模式的な実施形態は、２つの個別の金属層１、２が半導体モジュールの外部領域において共に接続されており、内部では分かれた状態であるという点において、他と異なっている。それゆえに、着地点（つまりモジュール内部接触部１０１、１０２）は、任意に、浮遊インダクタンスによって力学上いくぶん離れている。このことは、寄生共振を回避するために、有効である。モジュール内部Ｉのモジュール内部接触部１０１は、第１の基板または第１の配線１３１に接触し、モジュール内部Ｉのモジュール内部接触部１０２は、第２の基板または第２の配線１３０に接触している。この場合、各個別の金属層１、２の中央部１０７、１０８、１０９も、それら自体の直角部分においてそれぞれ変形され得るけれども、変形可能な拡張補正屈曲部Ｄを構成している。
【００２７】
図６Ａに示したように、本発明の電流接続素子１００の第５の模式的な実施形態は、図５に示した電流接続素子１００と同様に設計されているが、上記モジュール（図示せず）の内部に位置する５つの個別の金属層１、２、３、４、５は、異なる基板またはチップＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５に接触している。これにより、基板またはチップが、異なる金属層を介して電気的に結合され、結合インダクタンスおよび／または結合抵抗が生じる。これにより、接触が形成されるチップまたは基板部分の並列接続が改善される。これにより、寄生共振を抑制し、図６Ｂに示した等価回路図に示したように、抵抗によって分かれている定常状態の電流図を改善することができる。この図では、トランジスタＴ１、Ｔ２は、それぞれ、パワー半導体素子を表し、抵抗器Ｒ１、Ｒ２は、図６Ａに示した電流接続素子１００の個別の金属層（例えば、１および２）を示している。
【００２８】
図７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、２つの金属層からなる本発明の電流接続素子１００の製造工程の例を示している。初めに、図７Ａから分かるように、右側の細片部分１のモジュール内部接触部１０１と、左側の細片部分２のモジュール内部接触部１０２とを除いて、点破線によって示した対称中心線に対して鏡像対称にある金属細片が、図示した形状で打ち抜かれている。次に、図７Ｂの屈曲ステップＢ１に示したように、対称中心線においてこの金属細片を両方とも折り畳み、最後に、図７Ｃに示したように、上記金属細片を屈曲ステップＢ２によってパターン形成して、複数の屈曲部を有する２つの層の電流接続素子１００を構成する。
【００２９】
図８Ａ、８Ｂ、８Ｃは、２つの極（例えば、パワー半導体素子の２つの電極、または、ハーフブリッジの陽極と陰極との）間のインダクタンスを低減するために、本発明したがって設計された２つの電流接続素子１００ａ、１００ｂをどのようにして互いに噛み合わせることができるか、および、特定の点Ｖ１、Ｖ２（図８Ｃ）においてどのようにして互いに溶接、リベット留め、または、押圧することができるかについて、概略的に示している。最後に挙げた手段により、１つの部分として扱われる互いにかみ合わさった、金属層および電流接続素子１００ａ、１００ｂの積層を実現できる。
【００３０】
図９Ａから分かるように、本発明にしたがって設計された電流接続素子１００の金属層は、特定の接続点Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３において、例えばリベット留め、スポット溶接、または、押圧によって、互いに接続されている。上記接続点Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は、電流接続素子１００の金属層が、熱膨張（死点）によって外力または力を受けることによって互いにスライドする必要のない所に、位置している。変形可能な拡張補正屈曲部Ｄを構成している中間部分では、電流接続素子１００の金属層は、図９Ａに示しているように、距離ｌ１、ｌ２だけ隔てられている。図９Ｂは、拡張補正屈曲部Ｄの領域に形成された接続点Ｖｘが所望の目的を満たさず、したがって、用いられるべきではないということを示している。
【００３１】
図２〜図９Ａを参照しながら記載した模式的な実施形態全体において、電流接続素子または電流接続素子１００、１００ａ、１００ｂのモジュール内部接触部は、回路キャリアおよび／または配線ならびに／あるいはパワー半導体の電極に接触するために設計された複数の足部１０１、１０２、１０３、１１０を構成していてもよい。個々の足部を、はんだ付けしてもよいし、超音波によって溶接してもよいし、または、モジュールの内部においてレーザーによって溶接してもよい。個々の足部が、基板上の配線の端部から少なくとも１ｍｍのところに、金属（例えば、ＤＣＢ方法によってセラミック上に供給された銅配線）に接続されていることが有効である。個々の足部も、ニッケルメッキされた、金メッキされた、または、銀メッキされた銅トラックに接続できる。
【００３２】
すでに説明してきた、本発明にしたがって設計された電流接続素子１００、１００ａ、１００ｂの個別の金属層１、２、３、・・・、ｎは、導電率の高い（例えば、銅の導電率の０．１５よりも高い）金属または合金（例えばアルミニウム、銅、銀、または、それらの合金）からなることが有効である。金属層には、銅を用いることが好ましい。本発明の電流接続素子の金属層を、例えば、スズ、ニッケル、または、銀によって表面被覆してもよい。
【００３３】
理論上、本発明の電流接続素子を介して伝達される力が、細片の数によって規定された因子（例えば、３つの力）によって低減される（＝細片ごとの厚さの低減）。しかし、中間接続が必要であるので、上記伝達された力は、少なくとも４つの因子によって低減される。
【００３４】
図１０Ａ、１０Ｂは、本発明の半導体モジュールのハウジングまたは被覆部３００における、接続素子の外部接続部の位置をそれぞれ示している。図１０Ａは、接続レールまたはバスレール２００の挿入口を備えた電流接続素子１００の２つの金属層または細片を示している。該金属層は、ハウジング３００の外部ＡのねじＳｃｈによって、互いに電気的に接続されており、該ハウジング３００に機械的に固定されている。これにより、接触領域が２倍になる。図１０Ｂに示したように、本発明の電流接続素子１００の２つの金属層を、ハウジング３００の外部領域Ａにおいて、２つのねじ接触部Ｓｃｈ１とＳｃｈ２とに分けることができ、したがって、共通の接続レールまたはバスレール２００に電気的または機械的に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】図１Ａは、従来技術では標準的な異なる電流接続素子を備えた、設計の異なる半導体モジュールを示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来技術では標準的な異なる電流接続素子を備えた、設計の異なる半導体モジュールを示す図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、従来技術では標準的な異なる電流接続素子を備えた、設計の異なる半導体モジュールを示す図である。
【図２】図２は、本発明の半導体モジュールにおいて用いられる電流接続素子の第１の模式的な実施形態を示す透視図である。
【図３】図３は、本発明の半導体モジュールにおいて用いられる電流接続素子の第２の模式的な実施形態を示す透視図である。
【図４】図４は、本発明の半導体モジュールにおいて用いられる電流接続素子の第３の模式的な実施形態を示す透視図である。
【図５】図５は、本発明の半導体モジュールにおいて用いられる電流接続素子の第４の模式的な実施形態を示す透視図である。
【図６Ａ】図６Ａは、５つの金属層を含む、図５に示した電流接続素子の一形態を示す図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、例えば図５に示したような、半導体モジュールの外側に向かって、本発明の電流接続素子によって接続されているパワー半導体素子を示す回路図である。
【図７Ａ】図７Ａは、例えば図３に示したような、本発明の電流接続素子の製造工程を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、例えば図３に示したような、本発明の電流接続素子の製造工程を示す図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、例えば図３に示したような、本発明の電流接続素子の製造工程を示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明に係る構成からなる２つの電流接続素子の上記模式的な実施形態を示す透視図である。該電流接続素子は、本発明にしたがって、互いに噛み合わせることにより、所要面積を縮小した本発明の半導体モジュールのパワー半導体素子の電流接続部を実現でき、それによってインダクタンスを低減するように設計されている。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本発明に係る構成からなる２つの電流接続素子の上記模式的な実施形態を示す透視図である。該電流接続素子は、本発明にしたがって、互いに噛み合わせることにより、所要面積を縮小した本発明の半導体モジュールのパワー半導体素子の電流接続部を実現でき、それによってインダクタンスを低減するように設計されている。
【図８Ｃ】図８Ｃは、本発明に係る構成からなる２つの電流接続素子の上記模式的な実施形態を示す透視図である。該電流接続素子は、本発明にしたがって、互いに噛み合わせることにより、所要面積を縮小した本発明の半導体モジュールのパワー半導体素子の電流接続部を実現でき、それによってインダクタンスを低減するように設計されている。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明に従って設計された、特定の部分において互いに接続されている金属層を含んだ電流接続素子の他の一実施形態を示す透視図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、電流接続素子を示す、図９Ａとの比較例を示す図である。該電流接続素子は複数の金属層からなるが、該金属層は、外側から（あるいは結果として熱膨張から）力の作用を受けると互いにスライドする必要がある部分において、互いに接続されている。
【図１０Ａ】図１０Ａは、正確には、電流接続素子の外部接続部においてバス接続レールにねじによって接続された、本発明の半導体モジュールに用いられる電流接続素子のさらに他の２つの模式的な実施形態を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、正確には、電流接続素子の外部接続部においてバス接続レールにねじによって接続された、本発明の半導体モジュールに用いられる電流接続素子のさらに他の２つの模式的な実施形態を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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