(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体上に前記パターニングデバイスを保持する方法であって、
前記支持体上に前記パターニングデバイスを保持するために、実質上静的力を加える工程と、
前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する工程と、を含み、
前記励振工程が、共振周波数を含む周波数帯内の雑音バーストを前記パターニングデバイスに加えることを含むデバイス製造方法。
【請求項２】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体上に前記パターニングデバイスを保持する方法であって、
前記支持体上に前記パターニングデバイスを保持するために、実質上静的力を加える工程と、
前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する工程と、を含み、
前記励振工程が、共振周波数を含む周波数掃引を前記パターニングデバイスに加えることを含むデバイス製造方法。
【請求項３】
前記共振周波数が、パターニングデバイスねじれ共振モード、パターニングデバイスアンブレラ共振モード、あるいはパターニングデバイスデカップリングモードを含む請求項１又は２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記共振周波数が、支持体ねじれ共振モード、支持体アンブレラ共振モード、あるいは支持体デカップリングモードを含む請求項１又は２に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体と、
前記パターニングデバイスを励振するように構成されたアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御するように構成された制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記パターニングデバイスを位置合わせする前に前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数帯内の雑音バーストを前記パターニングデバイスに加えることによってなされるリソグラフィ装置。
【請求項６】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体と、
前記パターニングデバイスを励振するように構成されたアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御するように構成された制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記パターニングデバイスを位置合わせする前に前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数掃引を前記パターニングデバイスに加えることによってなされるリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記共振周波数が、パターニングデバイスねじれ共振モード、パターニングデバイスアンブレラ共振モード、あるいはパターニングデバイスデカップリングモードを含む請求項５又は６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記共振周波数が、支持体ねじれ共振モード、支持体アンブレラ共振モード、あるいは支持体デカップリングモードを含む請求項５又は６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体であって、
前記パターニングデバイスを励振するアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御する制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記パターニングデバイスを位置合わせする前に前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数帯内の雑音バーストを前記パターニングデバイスに加えることによってなされる支持体。
【請求項１０】
パターニングデバイスを保持するように構成された支持体であって、
前記パターニングデバイスを励振するアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御する制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記パターニングデバイスを位置合わせする前に前記パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記パターニングデバイスを励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数掃引を前記パターニングデバイスに加えることによってなされる支持体。
【請求項１１】
前記共振周波数が、パターニングデバイスねじれ共振モード、パターニングデバイスアンブレラ共振モード、あるいはパターニングデバイスデカップリングモードを含む請求項９又は１０に記載の支持体。
【請求項１２】
前記共振周波数が、支持体ねじれ共振モード、支持体アンブレラ共振モード、あるいは支持体デカップリングモードを含む請求項９又は１０に記載の支持体。
【請求項１３】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板を励振するように構成されたアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御するように構成された制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記基板を位置合わせする前に前記基板の微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記基板を励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数帯内の雑音バーストを前記パターニングデバイスに加えることによってなされるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板を励振するように構成されたアクチュエータと、
前記アクチュエータを制御するように構成された制御ユニットと、
を含み、
前記制御ユニットが、前記基板を位置合わせする前に前記基板の微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって前記基板を励振する前記アクチュエータを駆動するように設けられ、
前記励振が、共振周波数を含む周波数掃引を前記パターニングデバイスに加えることによってなされるリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記共振周波数が、パターニングデバイスねじれ共振モード、パターニングデバイスアンブレラ共振モード、あるいはパターニングデバイスデカップリングモードを含む請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記共振周波数が、支持体ねじれ共振モード、支持体アンブレラ共振モード、あるいは支持体デカップリングモードを含む請求項１３又は１４に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターニングデバイスを保持するように構成された支持体を含むリソグラフィ装置と、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ装置と、そのような支持体と、パターニングデバイスからパターンを基板上に転写する工程を含むデバイス製造方法と、パターニングデバイスを保持するように構成された支持体にパターニングデバイスを取り付ける方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、通常、基板のターゲット部分上に任意のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。集積回路製造に使用する場合は、あるいはマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを使って、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコンウェハ）上のターゲット部分（たとえば、１つまたはいくつかのダイの一部分を含む）上に投影することができる。パターンは、一般に、基板上に設けられた放射線感応材料（レジスト）層上に投影することによって転写される。一般に単一基板は、順次パターン形成される隣接のターゲット部分の回路網を含むことになる。従来のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することによって、各ターゲット部分に放射線を照射するいわゆるステッパと、放射線ビームを通してパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンすると同時に、基板をこのスキャン方向に対して平行または逆平行に同期的にスキャンすることによって、各ターゲット部分に放射線を照射するいわゆるスキャナとを含む。リソグラフィ装置はまた、基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板へ転写することもできる。
【０００３】
リソグラフィ装置においては、パターニングデバイスは、支持体によって保持される場合がある。通常、支持体は、支持体を移動させることができる（リニアモータのような）駆動装置を備えており、そのため、支持体によって保持されているパターニングデバイスを移動させることができる。このようにして、パターニングデバイスを簡単に交換する機能を備えることができる。したがって、別のパターンを基板上に転写するために、パターニングデバイスを別のパターニングデバイスと交換することが可能になる。通常、取り付け機構が設けられており、パターニングデバイスを支持体に取り付けることができるようになっている。そのような取り付け機構は、機械式クランプ、減圧すなわち真空吸着装置、静電気クランプ、または他のあらゆる適切な構築物を含むことができる。その結果、力（一般に実質上静的力）がパターニングデバイスと支持体との間に加えられ、パターニングデバイスを保持することができる。
【０００４】
高い生産量を得ることができ、かつリソグラフィ装置の性能を向上させるためには、リソグラフィ装置の処理速度を上げることが望ましい。一方、リソグラフィ工程の性能は、投影パターンの分解能を上げることによって改善される。処理速度を上げることができるために、パターニングデバイスおよび支持体は、結果的により速い加速にさらされる。こうして、パターニングデバイスをより高速で位置付けかつ移動させることができる。しかしながら、結果として、パターニングデバイスは、より大きい加速であるがゆえに、より大きい力にさらされる。また、チップ構造または他の半導体構造のより高い複雑性によって、一般に結果的にパターニングデバイスにより大きいサイズがもたらされる。しかしながら、より大きいパターニングデバイスを使ってパターン投影の分解能および精度を達成することは、さらに難しくなる可能性がある。パターニングデバイスのサイズの増加は、パターニングデバイスが被る力に二重の重大性を有する。最初は、パターニングデバイスの質量の増加によって、（パターニングデバイスの特定の加速が与えられ）パターニングデバイス上に力が増加されることになる。さらに、パターニングデバイスのそのような大きなサイズによってもまた結果としてパターニングデバイスの大きな変位、したがって、結果としてパターニングデバイスの加速のさらなる増加、したがって、パターニングデバイス上の力のさらなる増加がもたらされることになる。
【０００５】
前述のとおり、リソグラフィ装置には、通常クランプ機構または他の保持機構が使われ、パターニングデバイスが支持体によって保持される。前述のとおり、パターン支持体の速度の増加によって、結果としてパターニングデバイス上の力の増加が生じることになる。通常、パターニングデバイスおよび支持体は、結果的にパターニングデバイスの表面に実質上同時に起きるより多くの軸線の１つに沿った加速にさらされ、それによって、たとえば、スキャン、ステッパ、または他の挙動を起こす。その結果として、パターニングデバイスは、パターニングデバイスの傾向を平行移動させ、支持体に対してずらされる可能性がある（たとえば、パターニングデバイスの慣性による）パターニングデバイスの表面に平行な力にさらされ、それによって、パターニングデバイスの達成可能な加速および最大サイズおよび重量が制限され、したがって、そのような滑りを防止するためにリソグラフィ装置の性能が制限される。
【０００６】
なお、支持体に対するパターニングデバイスの変位は、基板上のパターンの位置決め精度に悪影響を与え、それによって、リソグラフィ装置の性能が劣化するおそれがあるので、パターニングデバイスの滑りは望ましくない。さらに、なお、この明細書において、用語滑り、ズレ、および滑り量が使われているが、これらの用語が同じ現象を表わしていることは明らかである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
リソグラフィ装置などの支持体（または基板テーブルのような他の支持装置）によって保持されているパターニングデバイス（または基板のような他のデバイス）の滑りを低減させることが望ましい。パターニングデバイスの滑りを検出することもまた望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の好ましい実施形態によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写する工程を含むデバイス製造方法が提供されており、パターニングデバイスは、支持体によって保持されており、該方法は、ａ）パターニングデバイスと支持体とを接合させる工程、ｂ）パターニングデバイスと支持体との間に実質上静的力を加えてパターニングデバイスを保持する工程、ｃ）実質上動的力によってパターニングデバイスを励振してパターニングデバイスの微小滑りを可能にする工程、ｄ）パターニングデバイスを位置決めする工程、およびｅ）パターンをパターニングデバイスから基板上に転写する工程を含む。
【０００９】
本発明の別の好ましい実施形態によれば、パターニングデバイスを保持するように構成された支持体にパターニングデバイスを取り付ける方法が提供されており、該方法は、パターニングデバイスと支持体とを接合させる工程、パターニングデバイスと支持体との間に実質上静的力を加えてパターニングデバイスを保持する工程、実質上動的力によってパターニングデバイスを励振してパターニングデバイスの微小滑りを可能にする工程、およびパターニングデバイスを位置決めする工程を含む。
【００１０】
本発明のさらなる好ましい実施形態によれば、パターニングデバイスを保持するように構成された支持体を含むリソグラフィ装置が提供されており、該リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを励振するアクチュエータと、該アクチュエータを制御する制御ユニットとを含み、該リソグラフィ装置内においては、パターニングデバイスを位置合わせする工程に先立って、パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によってパターニングデバイスを励振するアクチュエータを駆動すべく、制御ユニットが配置されている。
【００１１】
本発明のさらなる好ましい実施形態によれば、パターニングデバイスを保持するように構成された支持体が提供されており、該リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを励振するアクチュエータと、該アクチュエータを制御する制御ユニットとを含み、該リソグラフィ装置内においては、パターニングデバイスを位置合わせする工程に先立って、パターニングデバイスの微小滑りを可能にするために、実質上動的力によってパターニングデバイスを励振するアクチュエータを駆動すべく、制御ユニットが配置されている。
【００１２】
本発明のさらなる好ましい実施形態によれば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写する工程を含むデバイス製造方法が提供されており、該基板は、基板テーブルによって保持されており、該方法は、ａ）パターニングデバイスと支持体とを接合させる工程、ｂ）パターニングデバイスと支持体との間に実質上静的力を加えてパターニングデバイスを保持する工程、ｃ）実質上動的力によって基板を励振して基板の微小滑りを可能にする工程、ｄ）基板を位置決めする工程、およびｅ）パターンをパターニングデバイスから基板上に転写する工程からなる。
【００１３】
本発明のさらなる好ましい実施形態によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ装置が提供されており、該リソグラフィ装置は、基板を励振するアクチュエータと、該アクチュエータを制御する制御ユニットとを含み、該リソグラフィ装置内においては、基板を位置合わせする工程に先立って、基板の微小滑りを可能にするために、実質上動的力によって基板を励振するアクチュエータを駆動すべく、制御ユニットが配置されている。
【００１４】
そして、本発明は以上の構成に加えて、励振工程あるいは励振が、共振周波数を含む周波数帯内の雑音バースト、共振周波数を有する周波数掃引周期信号、あるいは共振周波数を有する単一周波数周期信号を前記パターニングデバイスに加えることを含むものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、対応する参照符号によって対応部品を示す添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００１６】
図１は、本発明の好ましい一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。該装置は、放射線ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射線またはあらゆる他の適切な放射線）を調整するように構成された照射システム（イルミネータ）ＩＬと、特定のパラメータに応じてパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１位置決め装置ＰＭに連結され、かつパターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構成されたマスク支持構造体（たとえば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。該装置は、また特定のパラメータに応じて基板を正確に位置付けるように構成された第２位置決め装置ＰＷに連結され、かつ基板（たとえば、レジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成された基板テーブル（たとえば、ウェハテーブル）ＷＴすなわち「基板支持体」を含む。該装置は、さらにパターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１７】
照射システムは、放射線を誘導、形成、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他の型の光学部品、またはそれらのあらゆる組合せといったさまざまな型の光学部品を含むことができる。
【００１８】
マスク支持構造体は、パターニングデバイスの重量を支持するもの、すなわち支えるものである。マスク支持構造体は、たとえばパターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、およびパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。マスク支持構造体は、機械式、真空式、静電式、またはパターニングデバイスを保持する他のクランプ技術を使うことができる。マスク支持構造体は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができる架台またはテーブルであってもよい。マスク支持構造体は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えるとよい。
【００１９】
本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射線ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆる装置を指していると広く解釈されるべきである。なお、放射線ビームに付けたパターンは、たとえば、パターンに位相シフト特性またはいわゆるアシスト特性が含まれる場合、基板のターゲット部分内にある任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射線ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２０】
パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型位相シフト、および減衰型位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射線ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。ミラーマトリックスによって反射される放射線ビーム内に、傾斜されるミラーによってパターンが付けられる。
【００２１】
本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている照射放射線にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって、適切な屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００２２】
本明細書において示すとおり、装置は、透過型（たとえば、透過マスクが採用されている）のものである。あるいは、装置は、反射型（たとえば、上述のような型のプログラマブルミラーアレイが採用されている、または反射型マスクが採用されている）のものである。
【００２３】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルすなわち「基板支持体」（および／または２つ以上のマスクテーブルすなわち「マスク支持体」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルすなわち支持体は、並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブルすなわち支持体上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルすなわち支持体を照射用に使うこともできる。
【００２４】
リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板との間の空間を満たすように、少なくとも基板の一部を比較的高屈折率を有する液体、たとえば、水によって覆うことができる型のものであってもよい。リソグラフィ装置内の別の空間に、たとえば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口度を増すために使うことができる。本明細書において使われる用語「液浸」は、基板のような構造物が液体中に沈められなければならないということを意味しているのではなく、むしろ照射中、液体が投影システムと基板との間にあるということを意味している。
【００２５】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射線源がエキシマレーザーである場合、別個の存在物であってもよい。そのような場合には、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射線ビームは、放射線源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダを含むビームデリバリーシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射線源は、たとえば、放射線源が水銀灯である場合、リソグラフィ装置の一体型部品とすることもできる。放射線源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリーシステムとともに放射線システムと呼んでもよい。
【００２６】
イルミネータＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側径方向範囲（通常、それぞれσ−アウタおよびσ−インナと呼ばれる）を調節することができる。さらにイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコレクタＣＯといったさまざまな他の部品を含むことができる。イルミネータは、放射線ビームの調整に使われ、放射線ビームの断面に任意の均一性および強度分布を備えさせることができる。
【００２７】
放射線ビームＢは、マスク支持構造体（たとえば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（たとえば、マスクＭＡ）上に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射線ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳによって、ビームは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび（図１には明確に示されていない）別の位置センサは、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射線ビームＢの経路に対して正確に位置付けるために使うことができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗位置決め）およびショートストロークモジュール（微細位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに連結でき、または固定できる。マスクＭＡおよび基板Ｗをマスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２、および基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせできる。たとえ基板位置合わせマークが例示のように専用ターゲット部分を占有する場合でも、基板位置合わせマークをターゲット部分の間の空間内に置くことができる（これらは、けがき線位置合わせマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスク位置合わせマークをダイの間に置くことができる。
【００２８】
例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。
【００２９】
１．  ステッパモードにおいては、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を基本的に静止状態に保ちつつ、放射線ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。つぎに基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」をＸおよび／またはＹ方向に移動し、それによって別のターゲット部分Ｃの照射が可能になる。ステッパモードにおいては、照射領域の最大サイズよって、単一静的露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３０】
２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」および基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を同期的にスキャンする一方で、放射線ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」に対する基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決まる。スキャンモードにおいては、照射領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３１】
３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルＭＴすなわち「マスク支持体」を基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」を動かしすなわちスキャンする一方で、放射線ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射線源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴすなわち「基板支持体」の移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射線パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
上述の使用モードの組合せおよび／または変形、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３３】
図２は、この事例におけるパターニングデバイスすなわちマスクＭＡを保持するマスクテーブルＭＴなどの支持体を示す。図１を参照しながら前述したとおり、支持体は、リソグラフィ装置の静止部分に対して移動が可能であり、そのため、該支持体によって保持されているパターニングデバイスＭＡを移動させることができるので、スキャンまたはステッパ動作を実行することができる、または基板のさまざまな部分に放射線を照射することができる、あるいは、支持体からパターニングデバイスを引き出すことができるハンドラの動作範囲内にパターニングデバイスを移動できるといった別の理由の場合には、該パターニングデバイスを別のパターニングデバイスと交換することができる。支持体ＭＴを移動させるために、多くのモータまたは他のアクチュエータの中の１つを備えていてもよい。
【００３４】
前述のとおり、パターニングデバイスＭＡと支持体ＭＴとの間の滑りは、支持体ＭＴを加速させたとき発生する可能性がある。パターニングデバイスＭＡを支持体に保持するためには、力が加えられ、この例においては、パターニングデバイスを支持体ＭＴに対して保持できるように静的力Ｆｓが加えられている。力Ｆｓは、さまざまな方法で、たとえば、真空吸引、クランプ機構、または適切な保持機構を使って創出できる。静的力Ｆｓは、たとえば、普通の力を含むことができる。力Ｆｓは、パターニングデバイスを支持体に対して押し付け、またはパターニングデバイスを支持体に対して引き付けるので、Ｘで示される方向に支持体が加速された場合、支持体によって保持されるパターニングデバイスは、パターニングデバイスと支持体との間の摩擦、より正確には、相互に接触しているパターニングデバイスおよび支持体の表面間の摩擦に依拠することになる。
【００３５】
第一に、Ｆｓが加えられたとき、パターニングデバイスと支持体との間に得られる摩擦は、最適ではない可能性があると該発明者らは考えた。その理由としては、相互に対して保持されるとき、支持体の表面構造およびパターニングデバイスの表面構造は、これらの表面のそれぞれの平面度が完全でないために相互に完全には合致しない可能性があるからである。さらに重力によって、パターニングデバイスおよび支持体の中の片方または両方が変形される可能性がある。しかも変形は、パターニングデバイス上に作用する別の力によっても、たとえば、レチクル／パターニングデバイスグリッパによっても生じる可能性がある。
【００３６】
この結果、いくつかの現象に気付く可能性がある。第一に、力Ｆｓによって相互に対して保持されている表面の平面度が完全でない結果、パターニングデバイスおよび／または支持体内に機械的張力が創出される可能性がある。そのような張力は、局部的な力に変化を局部的にもたらし、該局部的な力によって、この力が増加するいくつかの箇所において、またこの力が減少する別の箇所において、パターニングデバイスおよび基板が局部的に緊密に押し付けられることになる。しかしながら、パターニングデバイスと支持体との間に得られる局部的な摩擦は、これらの要素を局部的に緊密に保持する力に左右される。したがって、摩擦は、たとえば、緊密に保持されている表面の平面度が完全でないために発生する張力によって、局部的に増加または減少される可能性がある。
【００３７】
利用可能な摩擦量のこの局部的な差異のせいで、局部的な滑りが発生する可能性がある。換言すれば、パターニングデバイスが支持体に対して保持されているパターニングデバイスの表面のいくつかの領域において、パターニングデバイス内に変形、ひずみ、または他の現象が結果として生じる可能性があるいくつかの滑り量が発生する可能性がある。この明細書においては、局部的滑りのこの現象、すなわち、支持体に対するパターニングデバイスの一部の滑りを、支持体に対するパターニングデバイスの微小滑りと呼ぶ。言うまでもなく、パターニングデバイスは、全体として、まだ支持体によって保持されているので、微小滑りが結果として大きな変位をまねく可能性はない。微小滑りによって創出される局部的変位のせいで、パターニングデバイスの変形が発生する可能性があり、パターニングデバイスの該変形によって、パターニングデバイスから基板へパターンを転写する精度が悪影響を受ける可能性がある。なお、微小滑りによって、必ずしも必要ではないが、結果として最小限の局部変位を招くことができる。パターニングデバイスが全体として支持体に対して同じ位置を保つことができ、しかしながら、微小滑りによって、パターニングデバイス内の局部張力を取り去ることができ、それによって、パターニングデバイスと支持体との間で摩擦が全体的に改善され、したがって、支持体によるパターニングデバイスの保持が改善されるばかりでなく、パターンを基板上に転写するためにパターニングデバイスを使っている間、微小滑りのせいで起こる可能性のある定着が低減される。
【００３８】
パターニングデバイスを加速させた後、微小滑りの現象が低減される可能性があると該発明者らは考えた。該可能性に対する可能な説明を発見できると該発明者らが認識した事実は、ある程度の微小滑りを可能にすることができる十分高い（しかしながら、全体として、パターニングデバイスの滑りを防ぐことができる十分低い）レベルでパターニングデバイスを加速させることによって、パターニングデバイスを支持体に対して「定着させる」ことが可能になり、それによって、パターニングデバイス内の張力の低減が作り出され、さらにその結果として、パターニングデバイスと支持体との間の接触面にわたって、これらパターニングデバイスと支持体とを緊密に保持している圧力をより均等に分布させることができることになるという事実である。その結果、パターニングデバイスと支持体との間の摩擦が接触領域の表面にわたってより均等に分布されることになり、該均等分布の結果として、微小滑りのリスクが低減されることになる。
【００３９】
該発明の好ましい実施形態によれば、パターニングデバイスと支持体とが接合され、さらにパターニングデバイスと支持体との間に実質上静的力Ｆｓが加えられた後、パターニングデバイスを実質上動的力によって励振してパターニングデバイスの微小滑りを可能にすることができる。パターニングデバイスと支持体との間の接触領域におけるパターニングデバイスおよび支持体それぞれの表面が完全でないために、図２のＦｄにより例示されている動的力によって、パターニングデバイス内の局部的張力の低減が結果的にもたらされ、パターニングデバイスを支持体に対して「定着させる」ことができ、したがって、パターニングデバイスの接触領域の表面の間により均等に分布された摩擦が結果的にもたらされることになる。その後、位置合わせを実行することができ、用語位置合わせは、本明細書においては、パターニングデバイスとパターンが転写される基板とを相互に対して位置付けるあらゆる手順と解釈されるべきである。この手順は、パターニングデバイスおよび基板の片方または両方の相互に対する変位によるもの、たとえば、基板テーブルおよび／または支持体の移動によるもの、または、あらゆる他の光学手段によるもの、たとえば、パターンを基板の表面の適切な部分上に投影させる投影システム内のあらゆる適切な動作によるものであってよい。この明細書に関連して、用語静的力は、たとえば、パターンをパターニングデバイスから基板上に転写する際、実質上静止している力と理解するとよい。
【００４０】
一般に、静的力は、パターニングデバイスが、たとえば、クランプ機構、真空吸引機構などによって支持体に保持された瞬間からパターニングデバイスが解放される、たとえば、パターニングデバイスを支持体から取り去ることができる瞬間まで実質上同じ値を有するものである。この明細書に関連して、用語動的力は、一方では短い継続時間を有する力、他方では、パターニングデバイスおよび支持体が接合された後、さらに実質上静的力がパターニングデバイスおよび支持体に加えられた後、加えられる力であると理解するとよいと同時に、動的力は、パターニングデバイスが位置合わせされ、さらにパターンが基板上に転写される前に停止される可能性がある。したがって、動的力は、パターニングデバイスを支持体に取り付ける工程とパターニングデバイスを使ってパターンを基板上に転写する工程との間にパターニングデバイスに加えられる力と理解するとよい。動的力は、どんな特徴を有してもよく、たとえば、動的力は、インパルスの形状、衝撃波を有してもよく、動的力は、周期的に経時変化してもよい（たとえば、交番信号）など。特に有利な事例を後述する。動的力は、パターニングデバイスに直接的に加えられてもよい、しかしながら、それは、動的力が支持体に加えられることと十分同等の可能性がある。動的力があらゆる種類の機構によってパターニングデバイスに直接的に加えられたとき、発生する可能性があると思われる、パターニングデバイスを損傷させるリスクが、動的力を支持体に加えることによって、低減されるという利点を、動的力を支持体に加えることによって得ることができる。この利点は、支持体に力を加えることによって、支持体を介して力の分布が生じることになるので、したがって、パターニングデバイス上に比較的均等に分布された力が与えられる。力が、たとえば、押し付け機構、励振機構などによって、パターニングデバイスに直接的に与えられた場合、そのとき、パターニングデバイスに損傷を与えるいくつかのリスクが現れる可能性があり、特に力が高い値の場合、パターニングデバイスの損傷によって、リソグラフィ装置の操作員は、リソグラフィ装置が一部を形成している製造ラインまたは鋳造設備を停止させることが必要になると思われるので、損傷のリスクは、避けられるべきである。
【００４１】
動的力は、図２のアクチュエータＡＣＴなどの別個のアクチュエータによって作り出すことができる。しかしながら、たとえば、１つ以上のリニアモータを含む１つ以上の既存のアクチュエータを使って、支持体を移動させることもまた可能である。アクチュエータまたはモータを、たとえば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロコンピュータ、または他のプログラム可能な装置を含む制御装置によって駆動してもよい。コントローラは、別個のコントローラであってもよいが、コントローラが、たとえば、マルチタスキング環境で機能し、マルチタスキング環境のタスクが本明細書に記載のアクチュエータＡＣＴまたは他のモータの制御である既存のコントローラ内に含まれている場合も同様に十分である可能性がある。
【００４２】
さらなる好ましい実施形態において、動的力によるパターニングデバイスの励振によるさらなる効果としては、支持体に対するパターニングデバイスのいくらかの滑りすなわちズレによって汚染物質領域が減少し、それによって、パターニングデバイスと支持体との間に効果的な接触が増えることになる。したがって、該発明の好ましい実施形態によれば、ある程度高いレベルの動的力をパターニングデバイスに加えることができ、該パターニングデバイスによって、上述のように微小滑りが生じることになるばかりでなく、ある程度のズレをもまねく可能性があり、本明細書に記載された汚染の減少を得ることができる。その結果汚染が減少されるだけでなく、前述の通り微小滑りも前述と同様の態様で減らされるはずであることを該発明者らは発見した。
【００４３】
図３ａ〜図３ｅは、動的力Ｆｄの例を示すタイムチャートを示す。図３ａにおいては、この例では計測時間にわたって正弦波パターンを有して交番している動的力が示されているが、あらゆる他の交番パターンが適用可能である。交番する力によって、結局支持体の交番加速、さらにその結果としてパターニングデバイスの交番加速が生じることになるはずである。それによって、強い励振、したがって、強い力を、パターニングデバイスの小範囲の動きによって得ることができる。さらにその上、交番する力が交互に方向を変えるので、緩むことによって、パターニングデバイスを支持体から紛失するリスクを防ぐことができる。したがって、動的力による支持体の不用意な脱落によってパターニングデバイスが損傷を受けることを著しく低減させることができる。パターニングデバイスが緩むリスクをさらに低減させるためには、加速の段階の際に加速のレベルを上げてもよく、その例を、図３ｂに示す。図３ｂにおいては、動的力の計測時間にわたる正弦波形が示されており、該正弦波形のレベルは、計測時間にわたって増加しているが、該正弦波形の代わりに、または該正弦波形に加えて、あらゆる他の、たとえば、交番するグラフを適用することができる。パターニングデバイス内の張力を十分低減させるためには、支持体の約５０動作サイクルが適切であり、そのため、支持体には好ましくは約４５〜５５動作サイクルの範囲を設けるのがよいと該発明者らは考えた。あまり必要としない用途の場合、またはパターニングデバイスおよび支持体のそれぞれが高度に平坦な場合、低サイクル、たとえば、少なくとも約２５サイクルで十分である可能性がある。交番加速の例が示された図３ａおよび図３ｂに示されている例においては、パターニングデバイスに振動が効果的に与えられている。しかしながら、交番加速は、振動によって形成されるだけでなく、しかしながら、該振動の代わりにまたは該振動に加えて、該交番加速は、リソグラフィ装置の通常運転の間に、パターニングデバイスがさらされるスキャン動作、ステッパ動作、または他の動作サイクルの機能をも含むことができる。該交番加速は、通常の動作条件下のパターニングデバイスと類似または同一であるパターニングデバイスに力を加える利点を有し、したがって、たとえば、ステッパサイクルの段階の約４５〜５５スキャンの励振は、たとえば、約４５〜５５サイクルの振動の励振より著しく長時間をもたらすことになるので、時間が長くかかるが、パターニングデバイスと支持体との相互に対する良好な定着が備わる。
【００４４】
たとえば、所定の周波数帯内に雑音バーストを含む動的力の例を示すさらなる例を図３ｃに示す。雑音（たとえば、ピンクノイズ）を加える利点は、共振周波数（後述することになっている）で励振する場合、特に現れてくる。雑音を加えることによって、周波数帯内で励振が働き、該励振によって、その帯域内において共振周波数で励振が生じることになる。それによって、共振周波数が雑音の周波数帯内にある限り、その周波数において励振が起こることになるので、励振は、そのような共振周波数の変動に影響されない状態にされている。
【００４５】
交番する力が周波数掃引を含む交番する力がパターニングデバイスに加えられているさらなる好ましい実施形態を図３ｄに示す。雑音バーストに関して前述と類似の利点を周波数掃引にも適用できる可能性がある。
【００４６】
たとえば、図３ｃおよび図３ｄに示すとおり多重周波数周期信号の代わりにまたはそれに加えて、図３ｅに示すとおり、単一周波数周期信号をパターニングデバイスに加えることも可能である。
【００４７】
図３ａ〜図３ｅに示す動的力の好ましい実施形態の例に加えて、のこぎり歯状パターンを加え、それによって、一方の方向に速い動作を、他方の反対方向に遅い動作を作り出すこともまた可能である。それによって、支持体に対するパターニングデバイスの変位が発生した場合、あらゆる適切な測定位置決めシステムによる測定工程によってズレの発生を検出することが可能になる。前述の典型的な好ましい実施形態において、動的力は、あらゆる周波数または周波数帯を含むことができる。周波数が高いほど、対応する加速に達するのに必要な力が強くなるので、最大周波数は、加速に必要な力によって決まることになる。したがって、目下の実施において、最大周波数は、たとえば、約１５０Ｈｚであってもよい。
【００４８】
さらなる好ましい実施形態において、励振は、パターニングデバイス、支持体、またはパターニングデバイスと支持体との両方の共振周波数で実行されてもよい。それによって、大きい加速を比較的小さい動的力を用いて達成することができる。したがって、比較的小さい力しか必要とせずにパターニングデバイスの十分強い加速を得ることができ、前述のとおり効果的な定着が可能になる。共振周波数での励振は、複数の方法、たとえば、前述のとおり所定の周波数帯（共振周波数を含む周波数帯）内に雑音バーストを加える方法、周波数掃引周期信号（共振周波数を含む周波数掃引）を加える方法、または共振周波数を有する単一周波数周期信号を加える方法によって実行することができる。前述のとおりさらなる好ましい実施形態は、共振周波数で励振を実行して、類似の利点を同様に提供できる事例にも適用することができる。
【００４９】
今から図４ａ〜図４ｆに関して、さまざまな有用な共振モードを説明する。ここで、図４ａ〜図４ｃは、パターニングデバイス共振モード、同じくレチクル共振モードとも表される、を示す一方、図４ｄ〜図４ｆは、支持体共振モードを示し、ここではチャック共振モードと表される。なお、図４ａ〜図ｆには、また、本明細書で言及することになるＸ、Ｙ、およびＺ軸の表示が示されている。パターニングデバイスの平面は、ＸおよびＹ軸によって画定される平面と実質上平行であることを前提にしている。
【００５０】
図４ａ〜図４ｃは、それぞれパターニングデバイスねじれモード、同じくＲｘ−デカップリングモードとも表される、レチクルアンブレラモード、同じくＺ−デカップリングモードとも表される、およびレチクルＹ−デカップリングモードを示す。目下の実施において、これらの共振周波数は、たとえば、それぞれ５００〜６００Ｈｚの間、７００〜９００ＨＺの間、および２０００Ｈｚ以上に発見できる。同様に、図４ｄ〜４ｆは、それぞれ支持体ねじれモード、ここではチャックねじれモードと表される、支持体Ｒｘ−曲げモード、および支持体Ｙ−引っ張りモードを示す。目下の実施例において、これらの共振の周波数は、たとえば、それぞれ３００〜６００Ｈｚの間、４００〜８００ＨＺの間、および１０００〜２５００Ｈｚの間に発見できる。これらの共振モードによって、パターニングデバイスと支持体との間に比較的大きい変形が創出され、そのため、比較的限定された励振を使って共振を創出することが可能になる。したがって、パターニングデバイスと支持体との両方によって、結局パターニングデバイスと支持体との間に摩擦が生じることになり、それによって、支持体に対するパターニングデバイスの微小滑りの発生が可能になるので、パターニングデバイスおよび／または支持体を共振させることによって、変形を得ることができる。パターニングデバイスおよび／または支持体の共振特性次第で、特定用途に対する適切な共振モードを選択することが可能になる。
【００５１】
該発明のさらなる好ましい実施形態を図５を参照しながら説明する。図５は、図２と同様に、支持体ＭＴによって保持されているパターニングデバイスＭＡを示す。パターニングデバイスを支持体に保持するために、実質上静的力Ｆｓが加えられている。また、図２と同様に、支持体ＭＴを励振するためにアクチュエータＡＣＴが示されており、該アクチュエータは、コントローラＣＯＮによって制御される。該発明の好ましいこの実施形態によれば、支持体によるパターニングデバイスの保持を試験することができる。それによって、パターニングデバイスと支持体との間の摩擦が十分であるかを試験することができる。この試験は、たとえば、測定システムＭによって、支持体に対するパターニングデバイスの位置を測定することによって実行することができる。この測定システムＭは、光学測定システムなどのあらゆる適切な位置測定システムを含むことができ、該測定システムの例は、技術分野の当業者には公知であろう。支持体に対するパターニングデバイスの位置が測定された後、図５内にＦｐによって示されるとおり、実質上二次元力がパターニングデバイスに加えられる。二次元力が漸進的に増やされると同時に、パターニングデバイスの位置が再度、たとえば、繰り返し測定される。ここで、支持体に対するパターニングデバイスの変位が測定されるまで、二次元力が漸進的に増やされる。変位が起こる力Ｆｐの大きさによって、支持体によるパターニングデバイスの保持に対する基準が与えられる。パターニングデバイスの変位が、二次元力Ｆｐの高値においてのみ起こった場合、該二次元力は、支持体を移動させるとき通常の動作状態中では到達されないと思われる値を有し、その結果、支持体によるパターニングデバイスの保持は、十分良好であると考えることができる。他方、支持体およびパターニングデバイスの通常の動作状態中で到達される範囲内にある二次元力の値で、パターニングデバイスの変位の創出が早くも現れた場合、十分な保持が得られていないことになる。この場合、パターニングデバイスを支持体に対して定着させるためには、前述のように励振を実行するとよい。さらに、パターニングデバイス、支持体、またはそれらの両方に付着している可能性があり、かつ結局パターニングデバイスと支持体との間の摩擦の減少を引き起こすことになる可能性があるあらゆる残滓または汚染物質を取り除くためには、パターニングデバイス、支持体、またはそれらの両方の洗浄が必要になる場合がある。
【００５２】
二次元力Ｆｐは、あらゆる適切なアクチュエータによって、加えることができ、たとえば、パターニングデバイスＭＡの側面を押し付けるために、押し付け機構を備えることが可能である。しかしながら、アクチュエータＡＣＴを使って、支持体ＭＴを移動させ、それによって、支持体の慣性によってパターニングデバイス上に二次元力Ｆｐを発生させることも同様に十分可能性がある場合がある。一般に、支持体の位置決めには、リニアモータなどの既存のアクチュエータが使われてもよい。すなわち、このモータを駆動させることによって、支持体を移動させることができ、それによって、慣性により、およびパターニングデバイスと支持体との間の摩擦によりパターニングデバイス上に力が作り出され、パターニングデバイスを励振することができる。あるいは、パターニングデバイスおよび支持体の中の少なくとも１つに直接的または間接的に作用するあらゆる他のアクチュエータを適用することも可能である。一例としては、アクチュエータを支持体上に配置してアクチュエータを励振することによって、支持体および／またはパターニングデバイスを振動させることができる。別の例においては、アクチュエータをリニアモータ（またはロングストロークおよびショートストロークモータの組合せなどのモータ組合せ）の一部分上に配置して支持体を駆動してアクチュエータを振動させることによって、支持体および／またはパターニングデバイスを振動させることができる。さらに、アクチュエータの励振によって、結局パターニングデバイスおよび支持体の１つまたは両方の励振が創出されることになる可能性があるあらゆる他の位置にアクチュエータを配置することができる（一例として、アクチュエータは、拡声器を含み、リソグラフィ装置内のガスを介して拡声器を励振することによって、パターニングデバイスおよび／または支持体上に力を伝達することができる）。
【００５３】
その上、この明細書に関連して、動的力によるパターニングデバイスの励振の表現または類似の用語、すなわち、動的力がパターニングデバイスに直接的または間接的に作用できるということは、あらゆる種類の励振を含むことが明らかである。前述のとおり、たとえば、支持体に直接的または間接的に作用するアクチュエータによって、支持体が励振されるということなので、パターニングデバイスが（たとえば、パターニングデバイスに作用するアクチュエータによって）直接的または間接的に励振されてもよい。あらゆるこれらの構成内に、（たとえば、支持体に対する）パターニングデバイスの励振の形が得られるので、あらゆるこれらまたは他の構成がパターニングデバイスを励振するという用語内に含まれることは明らかである。
【００５４】
該発明のさまざまな好ましい実施形態は、パターニングデバイスの支持体への保持に適用できるばかりでなく、しかしながら、該パターニングデバイスの保持の代わりにまたはそれに加えてもよく、基板テーブルＷＴによる基板Ｗの保持にも適用できる。したがって、支持体によるパターニングデバイスの保持が前に記述されている場合、この記述は、基板テーブルＷＴによる基板Ｗの保持と同様に十分読むことができる。それによって、基板テーブルＷＴを加速させたとき、基板テーブルＷＴに対する基板Ｗのズレすなわち微小滑りの低減といった同様の利点を達成することができる。したがって、図２〜図５を参照しながら述べた上の説明および好ましい実施形態もまた、図６に示したとおり基板テーブルによって保持された基板にも適用できる。
【００５５】
ＩＣ製造においてリソグラフィ装置を使うための具体的で詳細な参考資料が本明細書中に記載されているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することは、明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、照射の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、さらに照射されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用できるのであれば、本明細書中の開示物を上記のような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよい、そのため、本明細書で使われる用語基板が、すでに多重処理層を包含している基板を表わすものとしてもよい。
【００５６】
光学リソグラフィの分野での本発明の好ましい実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって基板上に創出されたパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５７】
本明細書で使われている用語「放射線」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射線（たとえば、約３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）放射線（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含している。
【００５８】
用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学部品を含むさまざまな種類の光学系のどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００５９】
以上、本発明の具体的で詳細な好ましい実施形態を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法で実行することが可能であることが明らかである。たとえば、本発明は、前述の方法を記載した機械可読命令の１つ以上のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、またはコンピュータプログラム内に格納されたそのようなコンピュータプログラムを含むデータ保存媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光学ディスク）を採用することもできる。
【００６０】
上記の説明は、制限ではなく例示を目的とし、したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】本発明の好ましい実施形態によるパターニングデバイスおよび支持体の側面図を示す。
【図３ａ】本発明の態様によるパターニングデバイスの励振の時間グラフを示す。
【図３ｂ】本発明の態様によるパターニングデバイスの励振の時間グラフを示す。
【図３ｃ】本発明の態様によるパターニングデバイスの励振の時間グラフを示す。
【図３ｄ】本発明の態様によるパターニングデバイスの励振の時間グラフを示す。
【図３ｅ】本発明の態様によるパターニングデバイスの励振の時間グラフを示す。
【図４ａ−ｆ】本発明の好ましい実施形態によるパターニングデバイスおよび支持体の組立品の共振モードを示す。
【図５】本発明の好ましい実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。
【図６】本発明の好ましい実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。
【図１】
0004667404.tif 000002
【図２】
0004667404.tif 000003
【図３ａ】
0004667404.tif 000004
【図３ｂ】
0004667404.tif 000005
【図３ｃ】
0004667404.tif 000006
【図３ｄ】
0004667404.tif 000007
【図３ｅ】
0004667404.tif 000008
【図４ａ−ｆ】
0004667404.tif 000009
【図５】
0004667404.tif 000010
【図６】
0004667404.tif 000011