(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アミン化合物とＡｌＨ３との錯体および（Ｂ）大気圧下での沸点が（Ａ）の分解温度より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体（Ａ）と反応しない媒体を含有するコーティング用組成物であって、前記（Ｂ）媒体がジフェニルエーテル、ドデシルベンゼンおよび流動パラフィンよりなる群から選ばれる少なくとも１種である前記コーティング用組成物を基体上に塗布する工程、
形成された塗膜を熱処理および／または光照射してアルミニウム膜に変換する工程および、
次いで、形成されたアルミニウム膜から該膜上に残存している前記媒体（Ｂ）を除去する工程からなることを特徴とする、アルミニウム膜の形成方法。
【請求項２】
前記媒体（Ｂ）の大気圧下での沸点が３００℃より高い請求項１に記載のアルミニウム膜の形成方法。
【請求項３】
基体が、表面にチタン、パラジウムおよびアルミニウムよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属原子を有する有機金属化合物の塗膜を有するものである請求項１または２に記載のアルミニウム膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法により形成されたアルミニウム膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コーティング用組成物を用いて基体上にアルミニウム膜を形成する方法および形成されたアルミニウム膜に関する。さらに詳しくは、コーティング用組成物を用いて電子デバイスの配線または電極の形成に好適に用いることができるアルミニウム膜を形成する方法および形成されたアルミニウム膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムは、各種電子機器の配線や電極部等に使用されている。
従来、アルミニウム配線や電極を形成するには、まず高真空下における蒸着法やスパッタ法により基板全面にアルミニウム膜を形成した後、該アルミニウム膜の上にフォトリソグラフィーによってパターン状レジスト膜を形成し、次いでエッチング法によってアルミニウム膜のパターニングを行い、その後不要のレジスト膜を除去する方法が一般的に採用されていた。しかし、このような方法では真空プロセスを用いるため生産性が低いのみならず、大型基板への対応が困難であり、また、形成されるアルミニウム膜のパターンの自由度が低い等の問題があった。
【０００３】
近年、高真空装置を要しないアルミニウム膜の形成方法として、アラン・アミン錯体を前駆体として、熱処理及び／又は光処理でアルミニウム膜を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。
この方法によると、高価な装置を要しない利点はあるが、前駆体が空気又は水分と接触すると不安定であることから、酸素濃度及び水分濃度共に５０ｐｐｍ以下に厳しく制御された不活性雰囲気下の取り扱いを要するというハンドリング上の問題があった。
【特許文献１】特開２００４−６１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
それ故、本発明の目的は、アルミニウム膜を容易に形成するために用いられるコーティング組成物を用いて、アルミニウム膜を例えばパターン状に、簡易に形成する方法および形成されたアルミニウム膜を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかになろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に
（Ａ）アミン化合物とＡｌＨ３との錯体および（Ｂ）大気圧下での沸点が（Ａ）の分解温度より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体（Ａ）と反応しない媒体を含有するコーティング用組成物であって、前記（Ｂ）媒体がジフェニルエーテル、ドデシルベンゼンおよび流動パラフィンよりなる群から選ばれる少なくとも１種である前記コーティング用組成物を基体上に塗布する工程、
形成された塗膜を熱処理および／または光照射してアルミニウム膜に変換する工程および、
次いで、形成されたアルミニウム膜から該膜上に残存している前記媒体（Ｂ）を除去する工程からなることを特徴とする、アルミニウム膜の形成方法によって達成される。
【０００９】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に上記方法で形成されたアルミニウム膜によって達成される。
【発明の効果】
【００１０】
以上詳述したように本発明によれば、従来のスパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの真空プロセスによる導電性のアルミニウム膜の形成方法と異なり、特定の処理を施した基板および特定のＮ含有化合物とアランとの錯体をスピンコート法、インクジェット法などの溶液塗布法で塗布膜を形成し、次いで熱処理および／または光照射することで簡便に導電性を有する膜を形成する工業的方法が提供される。また従来のＣＶＤ法のような気相からの堆積ではなく、塗布法で形成した前駆体膜を熱処理および／または光照射することにより低コストでしかも均一且つ緻密な膜質の導電性膜およびそれを用いた配線または／および電極を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
先ず、本発明に用いられるコーティング用組成物について説明する。
【００１２】
本発明の方法に使用される水素化アルミニウム（以下、「アラン」と称することもある）はアルミニウムと水素原子とからなる化合物であり、一般的にはＡｌＨ３で表される。
本発明の方法に使用される水素化アルミニウムとアミン化合物との錯体（以下、「アラン・アミン錯体」と称することもある）は、Ｊ．Ｋ．Ｒｕｆｆら、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８２巻，２１４１ページ，１９６０年、Ｇ．Ｗ．Ｆｒａｓｅｒら、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，３７４２ページ，１９６３年、Ｊ．Ｌ．Ａｔｗｏｏｄら、Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１３巻，８１８３ページ，１９９１年等の方法に準じて合成できる。
【００１３】
本発明の方法に使用されるアラン・アミン錯体を構成するアミン化合物は下記式（１）で表される。
Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｎ      ・・・（１）
（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、環式アルキル基又はアリール基である。）
式（１）中Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の具体例としては、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基の如きアルキル基；メタアリル基の如きアルケニル基；フェニルエチニル基の如きアルキニル基；シクロプロピル基の如き環式アルキル基；フェニル基、ベンジル基の如きアリール基を有する基などを好適なものとして挙げることができる。またこれらアルキル基、アルケニル基、アルキニル基は直鎖状でもよく、環状でもよく、また分岐していてもよい。
【００１４】
式（１）で示されるアミン化合物の具体例としては、アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、トリシクロプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｔ−ブチルアミン、トリ−２−メチルブチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリ（２−エチルヘキシル）アミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルフェニルアミン、ジエチルフェニルアミン、ジイソブチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミン、エチルジフェニルアミン、イソブチルジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジシクロプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｔ−ブチルアミン、メチルエチルアミン、メチルブチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジオクチルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、メチルフェニルアミン、エチルフェニルアミン、イソブチルフェニルアミン、メチルメタクリルアミン、メチル（フェニルエチニル）アミン、フェニル（フェニルエチニル）アミン、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、シクロプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、２−メチルブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、オクチルアミン、フェニルアミン、ベンジルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、１，７−ジメチル−１，４，７−トリアザヘプタン、１，７−ジエチル−１，４，７−トリアザヘプタン、トリエチレンテトラアミン、フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノベンゼン、１−アザ−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１−アザ−ビシクロ［２．２．２］オクタン（キヌクリジン）、１−アザシクロヘキサン、１−アザ−シクロヘキサン−３−エン、Ｎ−メチル−１−アザシクロヘキサン−３−エン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、ピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチル−１，３，５−トリアザ−シクロヘキサン等を挙げることができる。これらのアミン化合物は、単独でも、あるいは２種以上混合して使用することもできる。
【００１５】
本発明で使用される（Ｂ）大気圧下での沸点が（Ａ）の分解温度より高く、２３℃で液体であり且つ前記錯体（Ａ）と反応しない媒体（以下、「（Ｂ）媒体」または「（Ｂ）成分」と称す）は、アラン・アミン錯体に対して不活性で、大気圧下での沸点が錯体（Ａ）の分解温度より高く、２３℃で液体であるものである。さらに、（Ｂ）媒体の大気圧下での沸点は３００℃より高いことが好ましい。
本発明に使用される（Ｂ）媒体は、ジフェニルエーテル、ドデシルベンゼン、流動パラフィンである。
これらのうち、特に流動パラフィンが好ましい。これらの（Ｂ）媒体は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用することができる。
アラン・アミン錯体は、（Ｂ）媒体に溶解あるいは懸濁して用いられる。
アラン・アミン錯体の濃度は、好ましくは０．１〜５０重量％である。濃度は所望の膜厚に応じて適宜調整することができる。
【００１６】
また、組成物の塗布対象物への濡れ性を良好化し、塗布した膜のレベルリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などを防止するため、本発明の組成物が目的とする機能を損なわない範囲で、必要に応じて、フッ素系、シリコーン系、非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤を少量添加することができる。添加することのできる非イオン系界面活性剤としては、例えばフッ化アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤、またはオキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界面活性剤を挙げることができる。前記フッ素系界面活性剤としては、例えばＣ９Ｆ１９ＣＯＮＨＣ１２Ｈ２５、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２ＮＨ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）６Ｈ、Ｃ９Ｆ１７Ｏ（プルロニックＬ−３５）Ｃ９Ｆ１７、Ｃ９Ｆ１７Ｏ（プルロニックＰ−８４）Ｃ９Ｆ１７などを挙げることができる。ここで、プルロニックＬ−３５は旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量１，９００であり、プルロニックＰ−８４は旭電化工業（株）製、ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量４，２００であり、テトロニック−７０４は旭電化工業（株）製、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロック共重合体、平均分子量５，０００である。これらのフッ素系界面活性剤の具体例としては、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３（大日本インキ（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０（旭硝子（株）製）、フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、同１１００（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌｕｏｒ（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）などを挙げることがでる。又ポリエーテルアルキル系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックポリマーなどを挙げることができる。これらのポリエーテルアルキル系界面活性剤の具体例としては、エマルゲン１０５、同４３０、同８１０、同９２０、レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマノール３１９９、同４１１０、エキセルＰ−４０Ｓ、ブリッジ３０、同５２、同７２、同９２、アラッセル２０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６０、マージ４５（いずれも（株）花王製）、ノニボール５５（三洋化成（株）製）などを挙げることができる。上記以外の非イオン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体などがあり、具体的にはケミスタット２５００（三洋化成工業（株）製）、ＳＮ−ＥＸ９２２８（サンノプコ（株）製）、ノナール５３０（東邦化学工業（株）製）などを挙げることができる。
【００１７】
次に、本発明方法によれば、上記コーティング用組成物は基板上に塗布されアラン・アミン錯体からなる塗膜を形成する。基板の材質、形状等は特に制限はないが、材質は次工程の熱処理に耐えられるものが好ましく、また塗膜を形成する基板は平面でもよく段差のある非平面でもよく、その形態は特に限定されるものではない。これらの基板の材質の具体例としては、ガラス、金属、プラスチック、セラミックスなどを挙げることができる。ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラスが使用できる。金属としては、例えば金、銀、銅、ニッケル、シリコン、アルミニウム、鉄の他ステンレス鋼などが使用できる、プラスチックとしては、例えばポリイミド、ポリエーテルスルホン等を挙げることができる。さらにこれらの材質形状はバルク形状、板状、フィルム形状などで特に制限されるものではない。また、上記溶液の塗布に際しては、塗布方法は特に限定されずスピンコート、ディップコート、カーテンコート、ロールコート、スプレーコート、インクジェット、印刷法などにより実施することができる。塗布は１回で、または複数回、重ね塗りすることもできる。
【００１８】
また、本発明において、上記基板は、Ｔｉ、ＰｄおよびＡｌよりなる群から選ばれる金属原子を含有する有機金属化合物を含有する溶液で予め塗布された、該有機金属化合物からなる塗膜（下地層）を有する基板として準備することもできる。このような下地層を有することにより、基板とアルミニウム膜との接着が安定に保持される。
チタン原子を含む有機金属化合物としては、例えばチタニウムアルコキシド、アミノ基を含有するチタニウム化合物、β−ジケトンとのチタニウム錯体、シクロペンタジエニル基を含有するチタニウム化合物、ハロゲン基を含有するチタニウム化合物等を挙げることができる。
Ｐｄ原子を含む有機金属化合物としては、例えばハロゲン基を有するパラジウム錯体、アセテート類、β−ジケトンとのパラジウム錯体、共役カルボニル基を有する化合物とのパラジウム錯体、ホスフイン系Ｐｄ錯体、アルミニウムアルキレート、β−ジケトンとのアルミニウム錯体等を挙げることができる。
また、アルミニウム原子を含む有機金属化合物としては、アラン・アミン錯体を除いて、例えばアルミニウムアルコキシド、アルミニウムアルキレート、β−ジケトンとのアルミニウム錯体等を挙げることができる。
【００１９】
かかる有機金属化合物としては、さらに具体的に例えばチタニウムメトキシド、チタニウムエトキシド、チタニウム−ｎ−プロポキシド、チタニウム−ｎ−ノニルオキシド、チタニウムステアリルオキシド、チタニウムイソプロポキシド、チタニウム−ｎ−ブトキシド、チタニウムイソブトキシド、チタニウム−ｔ−ブトキシド、チタニウムテトラキス（ビス−２,２−（アリルオキシメチル）ブトキシド、チタニウムトリイソステアロイルイソプロポキシド、チタニウムトリメチルシロキシド、チタニウム−２−エチルヘキソキシド、チタニウムメタクリレートトリイソプロポキシド、（２−メタクリルオキシエトキシ）トリイソプロポキシチタネート、チタニウムメトキシプロポキシド、チタニウムフェノキシド、チタニウムメチルフェノキシド、ポリ（ジブチルチタネート）、ポリ（オクチレングリコールチタネート）、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキシド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルホネート）イソプロポキシド、チタニウムトリメタクリレートメトキシエトキシエトキシド、チタニウムトリス（ジオクチルピロホスフェート）イソプロポキシド、チタニウムラクテートの如きチタニウムアルコシド；テトラキス（ジメチルアミノ）チタニウム、テトラキス（ジエチルアミノ）チタニウムの如きアミノ基を含有するチタニウム化合物；チタニウムビス（エチルアセトアセテート）ジイソプロポキシド、トリス（２，２，６，６−テトラメチルー３，５−ヘプタンジオネート）チタニウム、チタニウムオキシドビス（ペンタンジオネート）、チタニウムオキシド（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムメタクリルオキシアセトアセテートトリイソプロポキシド、チタニウムジ−ｎ−ブトキシド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキシド（ビス−２，４−ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキシドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキシドビス（エチルアセトアセテート）、ジ（ｉｓｏ−プロポキシド）ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）チタニウム、チタニウムアリルアセトアセテートトリイソプロポキシドの如きβ−ジケトンとのチタニウム錯体；チタノセンジクロライド、（トリメチル）ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウム、ジメチルビス（ｔ−ブチルシクロペンタジエニル）チタニウムの如きシクロペンタジエニル基を含有するチタニウム化合物；インデニルチタニウムトリクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリクロライド、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド、トリクロロトリス（テトラヒドロフラン）チタネート、テトラクロロビス（テトラヒドロフラン）チタニウム、チタニウムクロライドトリイソプロポキシド、チタニウムイオダイドトリイソプロポキシド、チタニウムジクロライドジエトキシド、ジクロロビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）チタニウム、テトラクロロビス（シクロヘキシルメルカプト）チタニウム、塩化チタニウムの如きハロゲン原子を含有するチタニウム化合物；塩化パラジウム、アリルパラジウムクロライド、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウムの如きハロゲン原子を有するパラジウム錯体；パラジウムアセテートの如きアセテート類；パラジウム２，４−ペンタンジオネート、パラジウムヘキサフルオロペンタンジオネートの如きβ−ジケトンとのパラジウム錯体；ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウムの如き共役カルボニル基を有する化合物とのパラジウム錯体；ビス［１，２−ビス（ジフェニルホスフイノ）エタン］パラジウム、ビス（トリフェニルホスフイン）パラジウムクロライド、ビス（トリフェニルホスフイン）パラジウムアセテート、ジアセテートビス（トリフェニルホスフイン）パラジウム、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフイン）エタン］パラジウム、トランス−ジクロロビス（トリシクロヘキシルホスフイン）パラジウム、トランス−ジクロロビス（トリフェニルホスフイン）パラジウム、トランス−ジクロロビス（トリ−ｏ−トリルホスフイン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフイン）パラジウムの如きホスフイン系Ｐｄ錯体；アルミニウムエトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウム−ｎ−ブトキシド、アルミニウム−ｓ−ブトキシド、アルミニウム−ｔ−ブトキシド、アルミニウムエトキシエトキシエトキシド、アルミニウムフェノキシド、アルミニウムラクテートの如きアルミニウムアルコキシド；アルミニウムアセテート、アルミニウムアクリレート、アルミウムメタクリレート、アルミニウムシクロヘキサンブチレートの如きアルミニウムアルキレート；アルミニウム−２，４−ペンタンジオネート、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウム−２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート、アルミニウム−ｓ−ブトキシドビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムジ−ｓ−ブトキシドエチルアセトアセテート、アルミニウムジイソプロポキシドエチルアセトアセテートの如きβ−ジケトンとのアルミニウム錯体等を挙げることができる。
【００２０】
これらのうちで、チタニウムイソプロポキシド、アルミニウムイソプロポキシド、チタニウムビス（エチルアセトアセテート）ジイソプロポキシド、パラジウム−２，４−ペンタンジオネート、パラジウムヘキサフルオロペンタンジオネート、アルミニウム−２，４−ペンタンジオネート、アルミニウムヘキサフルオロペンタンジオネートを用いるのが好ましい。
【００２１】
これらのチタン、パラジウム、およびアルミニウムよりなる群から選ばれる金属原子を含有する有機金属化合物の溶液に用いられる溶媒としては、それら単独でまたは水との混合溶媒で該有機金属化合物を溶解できれば何れの溶媒も使用することができる。これら溶媒としては、例えば水、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルの如きエーテル類、メタノール、エタノール、プロパノールの如きアルコール類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホアミド、γ−ブチロラクトンの如き非プロトン性極性溶媒を用いることができる。これら溶媒は、単独でまたは水との混合溶剤として用いることができる。
【００２２】
これらの有機金属化合物の溶液の基板への塗布は、アミン・アラン錯体溶液を塗布する前記塗布方法と同様の方法で行うことができる。塗膜（下地層）の厚みは、溶媒除去後の膜厚として０．００１〜１０μｍが好ましく、０．００５〜１μｍがさらに好ましい。厚すぎると膜の平坦性が得られ難く、薄すぎると基板または接する膜との密着性に劣ることがある。下地層は上記溶液を塗布したのち乾燥して溶媒を除去することによって形成される。
【００２３】
本発明に用いられる基板は、さらに、同一基板上に疎水性部分と親水性部分を有する基板として準備することもできる。それによって基板上の特定部分のみにアルミニウム膜を形成することもできる。
【００２４】
本発明に用いられる同一基板上に疎水性部分と親水性部分を有する基板の疎水性部分に該当する部分は、例えばヘキサメチルジシラザンと前記フッ素系界面活性剤等を含有する溶液を該当する部分のみに塗布した後、１００〜５００℃で焼成することによって形成される。ヘキサメチルジシラザンと、前記フッ素系界面活性剤等を含有する溶液を該当する疎水性部分のみに塗布するためには、あらかじめ基板の全面を後述の親水性に処理した後、必要とする親水性部分をカバーしそしてカバーされなかった親水性部分を疎水性になるよう処理する。親水性部分をカバーする方法は特に限定される訳ではない。例えば公知のフオトリソ法でパターニングし疎水性部分に該当しない部分を公知のレジストでカバーする方法やマスキングテープを用いて疎水性部分に該当しない部分をカバーした後疎水性部分に該当する部分に本発明の導電性膜を形成し、次いで公知の方法で使用したレジストまたはマスキングテープを剥離する方法等が用いられる。また、同様な方法で基板全面を疎水性に処理した後、特定部分を親水性処理することもできる。
【００２５】
また、本発明に用いられる同一基板上に疎水性部分と親水性部分を有する基板の親水性部分に該当する部分は、基板の親水性部分に該当する部分をチタン、パラジウムおよびアルミニウムよりなる群から選ばれる金属原子を含有する有機金属化合物の溶液を塗布および乾燥して得ることができる。
かかる有機金属化合物としては、下地膜について上記した有機金属化合物と同じ化合物を好ましく使用することができる。
【００２６】
本発明では、次いでアラン・アミン錯体を含有する組成物の塗布膜を熱処理および／または光照射することによりアルミニウム膜に変換する。熱処理の温度は、４０℃以上とするのが好ましく、７０℃〜１５０℃とするのがさらに好ましい。加熱時間は３０秒から１２０分程度で十分である。また、熱処理する時の雰囲気はできる限り酸素のない且つ水素が存在する雰囲気とすると良質の導電性膜を得ることができるので好ましい。上記焼成雰囲気の水素は、例えば窒素、ヘリウム、アルゴンなどとの混合ガスとして用いてもよい。また、アミン・アラン錯体を含有する溶液の塗布膜を光照射しアルミニウム膜を形成することもできる。光照射には、例えば低圧あるいは高圧の水銀ランプ、重水素ランプあるいはアルゴン、クリプトン、キセノンの如き希ガスの放電光の他、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源としては、好ましくは１０〜５，０００Ｗの出力のものが用いられる。通常１００〜１，０００Ｗで十分である。これらの光源の波長は特に限定されない。好ましくは１７０ｎｍ〜６００ｎｍである。また導電性膜の改質効果の点でレーザー光の使用が特に好ましい。これらの光照射時の温度は、好ましくは室温〜２００℃である。また光照射に際しては、特定部位のみを照射するためにマスクを介して照射してもよい。好適な導電性膜の厚みは塗布方法、固形分濃度に依存して適宜変動する。膜厚として０．０１〜１００μｍが好ましく、０．０５〜１０μｍであるのがさらに好ましい。厚すぎると膜の平坦性が得られ難く、薄すぎると基板または接する膜との密着性に劣ることがある。
【００２７】
かくして得られたアルミニウム膜上には、高沸点媒体（Ｂ）が残っているため、溶剤で洗浄除去する工程が必要となる。
洗浄に用いられる溶剤は、高沸点媒体（Ｂ）を十分に溶かしうる溶剤が用いられる。例えばヘキサン、ペプタン等の脂肪族類、シクロヘキサン、シクロオクタン等の脂環族類、トルエン、キシレン等の芳香族類、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル等のエーテル類などが挙げられる。これらのうち、ヘキサン、トルエン、メタノール、エタノール、アセトン、シクロヘキサン等が好適に用いられる。
これらは単独で、あるいは２種類以上を混合して用いることもできる。
【００２８】
高沸点媒体（Ｂ）の洗浄除去方法は、アルミニウム膜基板を上記溶剤の中に浸漬して高沸点媒体を洗い流す方法、あるいは上記溶剤でアルミニウム膜基板をスプレー洗浄する方法等があるが、特にこれらの方法に限定されるものではない。
アルミニウム膜基板は、上記工程の後、更に熱処理を行うのが好ましい。熱処理することにより膜密度が向上し、より電気的特性を向上することが出来る。
熱処理について、その温度は、１００℃以上とするのが好ましく、１５０℃〜５００℃とするのがさらに好ましい。加熱時間は３０秒から１２０分程度で十分である。
【実施例】
【００２９】
以下に、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
以下の実施例で採用したアラン・アミン錯体は次のようにして合成した。
【００３０】
トリエチルアミン２０ｇのエチルエーテル（１００ｍｌ）溶液に、５倍モルの塩化水素ガスをバブリングさせ、反応しそして沈殿した塩をフィルターで濾別後、１００ｍｌのエチルエーテルで洗浄し、乾燥させて２４ｇのトリエチルアミン塩酸塩を合成した。得られたトリエチルアミン塩酸塩１４ｇをテトラヒドロフラン５００ｍｌに溶解し、３．８ｇのリチウムアルミニウムハイドライドと５００ｍｌのエチルエーテルの懸濁液中へ窒素下室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後更に６時間室温で反応させた。反応溶液を０．２μｍのメンブレンフイルターで濾過し、濾液を窒素下で減圧濃縮し、濃縮中に析出した塩を０．２μｍのメンブレンフイルターで濾別した。更に３００ｍｌのトルエンを添加後溶媒を窒素下で飛散させ減圧濃縮し、濃縮中に析出する塩を再度０．２μｍのメンブレンフイルターで濾過・精製し、最終的にトルエンの留出がなくなるまで減圧を続け、液状のアラン・アミン錯体を得た。
【００３１】
実施例１
ガラス基板をチタニウムビス（エチルアセトアセテート）ジイソプロポキシドの１％トルエン溶液に１時間浸漬した後１００℃で３０分間および３００℃で３０分間乾燥させ親水性基板を作製した。このガラス基板上へ、酸素濃度が０．１％の酸素・窒素雰囲気中でアラン・アミン錯体１０ｇを９０ｇの流動パラフィンに懸濁した液を５００ｒｐｍでスピンコートを行ない、直ちに１００℃で５分間熱処理を行ないアルミニウム膜を形成した。
【００３２】
このアルミニウム膜が形成されたガラス基板をトルエンでスプレー洗浄し、流動パラフィンを除去した。
このアルミニウム膜を酸素濃度が０．１％の酸素・窒素雰囲気中でさらに２５０℃で３０分間加熱して目的とするアルミニウム膜を得た。
この基板上の膜の膜厚をαｓｔｅｐ（Ｔｅｎｃｈｏｒ社製）で測定したところ5００ｎｍであった。この膜のＥＳＣＡを測定した所、７３．５ｅＶにＡｌ２ｐのアルミニウムに帰属されるピークが観察された。また、この膜の導電性を調べた所、４．２μΩ・ｃｍの抵抗値を示す導電性を有する膜であることがわかった。
【００３３】
実施例２
実施例１で用いたと同じ親水性処理したガラス基板を用い、実施例１の流動パラフィンの替わりにドデシルベンゼンを用いた以外は実施例１と同様にして焼成膜を作成した。この基板上のアルミニウム膜の膜厚をαｓｔｅｐ（Ｔｅｎｃｈｏｒ社製）で測定したところ５００ｎｍであった。また、この膜の導電性を調べた所、４．５μΩ・ｃｍの抵抗値を示す導電性を有する膜であることがわかった。
【００３４】
実施例３
実施例１で用いたと同じ親水性処理したガラス基板を用い、実施例１の操作雰囲気を1％の酸素・窒素雰囲気中に替えた以外は実施例１と同様にして焼成膜を作成した。この基板上のアルミニウム膜の膜厚をαｓｔｅｐ（Ｔｅｎｃｈｏｒ社製）で測定したところ５００ｎｍであった。また、この膜の導電性を調べた所、６．５μΩ・ｃｍの抵抗値を示す導電性を有する膜であることがわかった。
【００３５】
比較例１
実施例１で用いたと同じ親水性処理したガラス基板を用い、実施例１の流動パラフィンの替わりにメチルアニソールを用いた以外は実施例１と同様にスピンコート塗布をしたが、塗布中に白煙を生じながらアミン・アラン錯体が激しく分解し、ガラス基板には酸素と反応した多量の酸化アルミニウムの粉末が生じ、成膜することが出来なかった。