(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板上に供給すると共に、窒素を含むガスを前記基板上に供給し、
前記ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、前記窒素を含むガスとしてのＮＨ３ガスとＨ２ガスとを前記基板上に供給した後、前記窒素を含むガスとしてのＮＨ３ガスとＮ２ガスとを前記基板上に供給することを特徴とする窒化物系半導体の製造方法。
【請求項２】
窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板上に供給すると共に、窒素を含むガスを前記基板上に供給し、
前記ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、Ｈ２ガスのみを前記基板上に供給した後、前記窒素を含むガスとしてのＮＨ３とＨ２とを前記基板上に供給することを特徴とする窒化物系半導体の製造方法。
【請求項３】
窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板上に供給すると共に、窒素を含むガスを前記基板上に供給し、
前記ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、最初にＨ２ガスのみを前記基板上に供給し、次に前記窒素を含むガスとしてのＮＨ３とＨ２とを前記基板上に供給し、その後前記窒素を含むガスとしてのＮＨ３とＮ２とを前記基板上に供給することを特徴とする窒化物系半導体の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、単結晶ＧａＮ基板であると共に、前記ＩＩＩ族原料ガスは、Ｇａを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物系半導体の製造方法。
【請求項５】
前記窒化物系化合物半導体層は、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の窒化物系半導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物系半導体の製造方法に係り、特に、レーザダイオード等に利用される窒化物系半導体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
窒化物系化合物半導体層を用いた発光ダイオードやレーザダイオードといった発光デバイスは、紫外光から青緑色の領域といった短波長の発光が得られるため、照明や表示装置、また次世代デジタルビデオディスク用光源として期待されている。なかでも、ＧａＮに注目が集まっている。このようなデバイス用の基板としては、本来は、ＧａＮ層をエピタキシャル成長させる際に格子定数が一致するＧａＮ単結晶基板を用いることが好ましいが、従来ＧａＮ単結晶基板の製造は困難であると考えられており、代わりに、ＧａＮと格子定数が比較的近く、化学的に安定したサファイア基板が用いられていた。
【０００３】
しかし、サファイア基板を使用することには、以下のような問題があった。すなわち、サファイア基板はＧａＮ層と格子定数が一致しないため、サファイア基板とＧａＮ層との界面で格子不整合による転移等の多くの欠陥が導入されてしまう。この欠陥は成長方向に伸びて、エピタキシャル層表面に多数の貫通欠陥として現出していた。これらの欠陥は、発光デバイスの特性や寿命の著しい劣化を招いてしまう。また、サファイア基板はＧａＮ層と熱膨張率が大きく異なるため、エピタキシャル成長後の基板には大きな反りが発生する。更に、サファイア基板は劈開性がないため、劈開面によって反射面を形成するレーザダイオードの製造には適さない。
【０００４】
このような状況を鑑み、本発明者らは窒化物系化合物半導体層の形成に適する単結晶ＧａＮ基板を鋭意開発し、初めて量産化に成功した。この方法（特開２０００−５１９４６２号公報参照）は、ＧａＡｓ基板上にストライプや円形の形状をしたマスクを形成し、その上にＧａＮ層を気相成長させた後、ＧａＡｓ基板を除去することによりＧａＮ基板を得るものである。なお、上記の公報には、ＧａＮ基板上にさらにＧａＮ層を成長させることによりインゴットを作製し、インゴットからＧａＮ基板を複数枚切り出すことにより、ＧａＮ基板を量産する方法も含まれている。
【０００５】
ところで、ＧａＮ基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる方法としては、有機金属化合物気相成長法（ＯＭＶＰＥ法）がよく用いられている。しかしながら、この方法での成長は技術的に難しく、良質な窒化物系化合物半導体層を得るには、特別な製造装置や製造方法の採用が必要である。技術的に難しい理由の一つには、成長させる際の基板温度が１０００℃もの高温になることである。このような高温では、ＧａＮからの窒素の解離圧が大気圧を超えてしまい、成長したＧａＮ膜は、多数の窒素空孔を含む化学量論的組成からずれた膜になりやすい。
【０００６】
この問題を解決するために、ツーフロー型ＯＭＶＰＥ装置が開発された（Applied Letters Vol.58, p.2021(1991)）。この装置では、基板に平行に原料ガス（トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3））をキャリアガス（Ｈ2）と共に流し、更に基板に垂直にサブフロー（Ｈ2＋Ｎ2）を流している。原料ガスは、サブフローによって基板に押しつけられるため、通常よりも多くの窒素源であるＮＨ3を基板に供給することができ、平坦で高品質なＧａＮ膜を得ることができる。
【０００７】
また、別の方法として常圧より高い圧力で成長を行う方法がある（特開平１１−７４２０３号公報参照）。この方法では、ＯＭＶＰＥ法における成長圧力を１．２気圧以上１．８気圧以下といった常圧より高い圧力に設定することにより、窒素原料種の濃度を高めてＧａＮの結晶性を向上させる。この方法により、エッチピット密度のような結晶欠陥密度を低減させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したいずれの方法においても、ＧａＮ層（窒化物系化合物半導体層）の結晶欠陥密度はせいぜい１０6〜１０7／ｃｍ2までにしか低減できない。そのため、良好な結晶品質が求められる長寿命のレーザダイオードを作製することが困難であった。
【０００９】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、結晶品質が良好な窒化物系化合物半導体層を形成することができる窒化物系半導体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る窒化物系半導体の製造方法は、窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板上に供給すると共に、窒素を含むガスを基板上に供給することを特徴とする。
【００１１】
この窒化物系半導体の製造方法によれば、基板上には、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスが間欠的に供給されると共に、窒素を含むガスが供給される。そのため、ＩＩＩ族原料ガスが基板へ供給されている期間には、基板上において窒化物系化合物半導体層の結晶成長が進行し、ＩＩＩ族原料ガスの基板への供給が停止している期間には、窒化物系化合物半導体層の上面におけるエネルギー的に不安定な結晶欠陥部が分解及び脱離すると共に、結晶表面に吸着した不純物が脱離する。そのため、ＩＩＩ族原料ガスの供給停止後、ＩＩＩ族原料ガスが再び基板へ供給されると、窒化物系化合物半導体層の上面における結晶欠陥の引き継ぎやその他の欠陥の発生が減少した状態で結晶成長が再開される。したがって、ＩＩＩ族原料ガスの間欠的供給を繰り返すことにより、基板上に結晶欠陥の少ない窒化物系化合物半導体層が形成される。
【００１２】
また、基板は、単結晶ＧａＮ基板であると共に、ＩＩＩ族原料ガスは、Ｇａを含むことが好ましい。この場合、ＧａＮ単結晶で構成された基板と、基板上に形成されるＧａを含む窒化物系化合物半導体層との格子定数の差が小さいため、結晶欠陥の発生を抑制することができる。
【００１３】
また、窒化物系化合物半導体層は、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で構成されていることが好ましい。
【００１４】
また、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、窒素を含むガスとしてのＮＨ3ガスとＨ2ガスとを基板上に供給することが好ましい。この場合、結晶表面における例えばＧａの液滴（ドロップレット）の発生を抑制することができる。
【００１５】
また、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、窒素を含むガスとしてのＮＨ3ガスとＨ2ガスとを基板上に供給した後、窒素を含むガスとしてのＮＨ3ガスとＮ2ガスとを基板上に供給することが好ましい。この場合、結晶表面への不純物の再吸着を、Ｈ2ガスからＮ2ガスに切り替えることによって抑制することができる。
【００１６】
また、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、Ｈ2ガスのみを基板上に供給することが好ましい。この場合、基板表面の結晶欠陥や不純物が減少する。
【００１７】
また、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、Ｈ2ガスのみを基板上に供給した後、窒素を含むガスとしてのＮＨ3とＨ2とを基板上に供給することが好ましい。この場合、Ｈ2ガスの供給に加えて、ＮＨ3を供給することにより、Ｈ2ガスの供給過多に伴うＧａドロップレットの発生を抑制することができる。
【００１８】
また、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間は、最初にＨ2のみを基板上に供給し、次に窒素ガスを含むガスとしてのＮＨ3とＨ2とを基板上に供給し、その後窒素ガスを含むガスとしてのＮＨ3とＮ2とを基板上に供給することが好ましい。この場合、Ｈ2ガスの供給に加えて、ＮＨ3を供給することにより、Ｈ2ガスの供給過多に伴うＧａドロップレットの発生が抑制される上、更に、Ｈ2ガスに代えてＮ2ガスを供給することにより基板表面を窒素リッチな状態にすることで、表面への不純物の再吸着が抑制される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明に係る窒化物系半導体の製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
本発明の第１実施形態に係る窒化物系半導体の製造方法の概要を、図１（ａ）及び図１（ｂ）の製造工程図を用いて説明する。
【００２１】
まず、図１（ａ）に示すように、ＧａＮ単結晶からなる基板２を気相成長装置の反応容器内に設置する。そして、図１（ｂ）に示すように、当該基板２上に、窒化物系化合物半導体層であるＧａＮ成長層３を形成する。このように、基板２と基板２上に積層させるＧａＮ成長層３とをＧａＮで形成し、互いの格子定数を一致させることによって、基板２とＧａＮ成長層３の間における結晶欠陥の発生が抑制される。基板２上にＧａＮ成長層３を積層させたこのような窒化物系半導体１は、発光ダイオードやレーザダイオード等の発光デバイスの製造中間体であり、この上に適当なｐｎ接合、好ましくはダブルヘテロ接合、更に好ましくは量子井戸構造を形成すると共に、電流供給用の電源を取り付けることによって、発光デバイスが完成する。なお、窒化物系化合物半導体層を構成する材料として、ＧａＮ以外にも、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される２〜４元系の化合物半導体が適宜選択される。
【００２２】
次に、本実施形態において用いる有機金属化学気相成長装置（ＯＭＶＰＥ装置）について説明する。
【００２３】
図２に示すように、ＯＭＶＰＥ装置１０は、流路が水平方向に形成された石英製のフローチャネル１１を有する、いわゆる横型ＯＭＶＰＥ装置である。基板２は、ヒータ１２を有するサセプタ１３上に設置され、サセプタ１３は基板２を回転自在に支持する。ＧａＮ成長層３の製造に必要なガスは、フローチャネル１１の３層ノズル１４から導入され、基板２の直前で混合される。以下、説明の便宜上、３層ノズルをその上段から、上段ノズル１４Ａ、中段ノズル１４Ｂ、下段ノズル１４Ｃとする。
【００２４】
ＧａＮ成長層３の製造に必要なガスには、ＧａＮ成長層３の原料用ガスとして、ＩＩＩ族源の有機金属（ＴＭＧ）を含むガス及びＮＨ3を含むガスが用いられ、キャリアガスとして、水素ガス（Ｈ2）や窒素ガス（Ｎ2）等が用いられる。そして、上段ノズル１４ＡからはＨ2ガス又はＮ2ガス（又はＨ2ガスとＮ2ガスとの混合ガス）、中段ノズル１４ＢからはＴＭＧとＨ2ガスとの混合ガス（ＩＩＩ族原料ガス）、また下段ノズル１４ＣからはＮＨ3ガスとＨ2ガスとＮ2ガスとの混合ガス（アンモニア混合ガス）が基板２上に供給されるようになっている。基板２上の反応で発生した残余ガスは、排気口１５から排気される。なお、上段ノズル１４Ａから、Ｈ2ガスやＮ2ガスを供給することにより、フローチャネル１１上面への堆積物の付着が防止される。
【００２５】
続いて、窒化物系半導体の製造方法、つまり、基板２上にＧａＮ成長層３を形成する方法について説明する。
【００２６】
まず、フローチャネル１１内をＮＨ3ガスを含む混合ガス雰囲気にすると共に、ヒータ１２によってサセプタ１３及び基板２を加熱し、１０００℃程度の基板温度で所定時間だけ加熱処理する。このように適当な条件で加熱処理を行うことにより、基板２の表面の汚染物質が取り除かれると共に、基板２の表面の平面度が向上する。
【００２７】
このような準備が整った後、ＧａＮ成長層３を形成し始める。つまり、所定の基板温度（１０５０℃程度）に到達した後、ＩＩＩ族原料としてＴＭＧを含むＩＩＩ族原料ガス、窒素原料としてＮＨ3、キャリアガスとしてＨ2及びＮ2を３層ノズル１４から基板２上に供給する。
【００２８】
このときの各ノズルのガス供給状態を図３に示す。すなわち、中段ノズル１４ＢからはＴＭＧを含有するＩＩＩ族原料ガスが間欠的に基板２上に供給され、下段ノズル１４ＣからはＮＨ3を含有するアンモニア混合ガスが継続的に基板２上に供給される。なお、ここでは、上段ノズル１４Ａからガスを供給しないものとして説明する。
【００２９】
このようにＩＩＩ族原料ガス及びアンモニア混合ガスを供給した場合、ＩＩＩ族原料ガスが基板２上に供給されていない期間Ｔ１はＧａＮ成長層３の結晶成長が止まり、ＩＩＩ族原料ガスが基板２上に供給されている期間Ｔ２はＧａＮ成長層３が結晶成長する。また、ＩＩＩ族原料ガスが基板２上に供給されていない期間Ｔ１には、基板２上に積層したＧａＮ成長層３の上面におけるエネルギー的に不安定な結晶欠陥部は、分解及び脱離によって除去されると共に、ＧａＮ成長層３上面に吸着した不純物（例えば、炭素や酸素など）が除去される。つまり、図４に示すように、ＧａＮ成長層３ａの形成後に、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止させると、ＧａＮ成長層３ａ上面の欠陥が減少する。そして、このＧａＮ成長層３ａ上に再びＩＩＩ族原料ガスが供給し、ＧａＮ成長層３ｂを結晶成長させると、ＧａＮ成長層３ａ上面からのＧａＮ成長層３ｂへの結晶欠陥の引き継ぎが減少し、また、ＧａＮ成長層３ａ，３ｂ中に取り込まれる不純物が減少する。
【００３０】
一方、アンモニア混合ガスを、下段ノズル１４Ｃから基板２上に継続的に供給することにより、下記反応式：
ＧａＮ＋３／２Ｈ2＝Ｇａ＋ＮＨ3
で表されるＧａＮ成長層３におけるＧａＮの分解の進みすぎを抑えることができる。ＧａＮの分解の過度の進行を抑えることで、窒素の脱離を防止し、更には窒素の脱離に伴う結晶品質の劣化を防止することができる。以上のように、基板２上に、ＩＩＩ族原料ガスを間欠的に供給し、アンモニア混合ガスを継続的に供給することによって、結晶欠陥や不純物の少ない、すなわち結晶品質が良好なＧａＮ成長層３を形成することができる。
【００３１】
また、このような窒化物系半導体の製造方法を採用することにより、気相中でＮＨ3ガスと反応しやすいＴＭＡ等のＩＩＩ族源の有機金属原料を使用して、ＧａＮ成長層３を成長させる際に、当該有機金属の組成の制御性と結晶品質とを両立させることができる。
【００３２】
次に、本発明の第１の実施形態係る窒化物系半導体の製造方法の別の態様について説明する。
【００３３】
図５に示すように、図３に示したガス供給状態において、ＴＭＧやＮＨ3のキャリアガスとしてのＨ2に加えて、上段ノズル１４ＡからＨ2ガスを基板２上に供給し、Ｈ2ガスの分圧を高めてもよい。一般に、ＧａＮをＨ2ガス雰囲気中で熱処理すると、ＧａＮの分解が促進することが知られている。しかしながら、前述の反応式からもわかるとおり、Ｈ2のみの供給では分解後のＧａが結晶表面に残ってしまい、これらが集合してＧａドロップレットになりやすい。Ｇａドロップレットが形成されると、結晶品質が劣化してしまう。したがって、ＩＩＩ族原料ガスが供給されていない期間Ｔ３に、Ｈ2ガスとアンモニアガスの両方を供給することにより、Ｇａドロップレットの発生を抑制できるため、結晶品質が更に良好なＧａＮ成長層３を形成することができる。
【００３４】
また、図６に示すように、図３に示したガス供給状態におけるＩＩＩ族原料ガスが供給されていない期間に、上段ノズル１４Ａから基板２上に、まずＨ2ガスを供給し、次にＮ2ガスを供給してもよい。この場合、ＩＩＩ族原料ガスが供給されていない期間に、下段ノズル１４Ｃのアンモニア混合ガスと上段ノズル１４ＡのＨ2ガスが基板２上に供給されている状態で結晶欠陥や不純物の除去を行った後は、結晶表面は活性な状態となっており、再び不純物の吸着が起こりやすい状態となっている。そこで、上段ノズル１４Ａにおいて、Ｈ2ガスのガス供給（Ｔ４）からＮ2ガスのガス供給（Ｔ５）に切り替えることにより、結晶表面を窒素が豊富な状態にし、結晶表面を不活性な状態にする。それにより、上述のＧａドロップレットの発生を抑制しつつ、結晶表面への不純物の再吸着を防止することができる。従って、このようなガス供給状態で形成したＧａＮ成長層３は、図３に示したガス供給状態により形成されたＧａＮ成長層３より結晶欠陥が少なくなっている。
【００３５】
また、図７に示すように、ＩＩＩ族原料ガス及びアンモニア混合ガスを同じタイミングで間欠的に供給させてもよい。上述したように、ＩＩＩ族原料ガスが基板２上に供給されていない期間（Ｔ６）に結晶表面にＨ2ガスのみが供給されると、Ｇａドロップレットが発生しやすいが、一般に、Ｇａドロップレットが発生する直前の適切なタイミングでＩＩＩ族原料ガス及びアンモニア混合ガスの供給を再開することによりＧａドロップレットの発生を防止することができる。この場合、Ｈ2ガス雰囲気中で基板２表面の結晶欠陥等が除去されることにより、結晶品質が良好なＧａＮ成長層３を形成できる。
【００３６】
また、図８に示すように、図７に示したガス供給状態におけるＩＩＩ族原料ガスが供給されていない期間の途中から、アンモニア混合ガスを供給してもよい。この場合、上段ノズル１４ＡからのＨ2ガスの供給のみでは結晶品質が不十分でも、中段ノズル１４Ｂからアンモニア混合ガスを供給することにより、すなわち、Ｈ2ガスの供給に加えて、ＮＨ3を供給することにより、Ｈ2ガスの供給過多に伴うＧａドロップレットの発生を抑制することができ、結晶品質の向上が図られる。
【００３７】
また、図９に示すように、図８に示したガス供給状態におけるＩＩＩ族原料ガスが供給されていない期間で、且つアンモニア混合ガスが供給されている期間に、上段ノズル１４Ａから基板２上に、まずＨ2ガスを供給し、次にＮ2ガスを供給してもよい。この場合、基板２表面を窒素リッチな状態にすることにより、表面への不純物の再吸着が抑制されるため、図８に示したガス供給状態により形成したＧａＮ成長層３より結晶欠陥を少なくすることができる。
【００３８】
次に、図１０を参照して、本発明の第２実施形態に係る窒化物系半導体の製造方法について説明する。
【００３９】
第２実施形態に係る窒化物系半導体の製造方法は、基板２２をサファイアとし、該基板２２上にバッファ層２３を形成する点で第１実施形態に係る窒化物系半導体の製造方法と異なる。以下、本実施形態の製造方法を詳説する。
【００４０】
まず、Ｈ2ガス雰囲気中で、１１００℃程度の基板温度で所定時間だけ加熱処理を行うことにより、基板２２の表面の汚染物質を取り除く。次に、基板温度を５５０℃程度まで降温させた後、ＩＩＩ族原料としてＴＭＧ、窒素原料としてＮＨ3、キャリアガスとしてＨ2を基板２２上に供給して、ＧａＮからなる低温バッファ層２３を形成する。このバッファ層２３は、基板２２とバッファ層に積層される層との格子不整合を緩和する。
【００４１】
その後、第１実施形態と同様に、ＩＩＩ族原料ガスを基板２２上に間欠的に供給して、窒化物系化合物半導体層２４を形成する。なお、第２実施形態において、ＩＩＩ族原料ガスは、ＴＭＧ、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）等の有機金属とＨ2ガスとの混合ガスであり、基板２２の温度は１０５０℃程度とする。このように、ＧａＮからなるバッファ層２３上に窒化物系化合物半導体層２４を形成させる場合にも、間欠供給により基板２に窒化物系化合物半導体層３を形成させる場合と同様に、結晶欠陥や不純物が除去されることはいうまでもない。以上のように、窒化物系化合物半導体層２４と格子定数が完全には一致しないサファイア基板２２を利用しても、結晶品質が良好な窒化物系化合物半導体層２４を形成することができる。
【００４２】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００４３】
例えば、基板を構成する材料として、ＧａＮ単結晶やサファイアの他、ＳｉＣ等の非窒化物を用いることもできる。また、ＩＩＩ族原料ガスは、ＴＭＧを含有するガス以外にも、ＴＭＡ、ＴＭＩなど、ＩＩＩ族原料である有機金属を含有するガスであればよい。特に、気相中でＮＨ3と反応しやすいＴＭＡを使用する場合、この気相反応を抑制させるために、反応炉内を減圧させる必要があり、ＮＨ3の濃度が下がってしまう。それに伴い結晶欠陥が増加してしまうが、本発明に係る窒化物系半導体の製造方法を採用することにより、ＩＩＩ族原料ガスの供給を停止している期間に、アンモニア混合ガスの供給によって窒素原料を補給することができるので、高品質な窒化物系化合物半導体層を得ることができる。さらに、ＩＩＩ族原料ガスやキャリアガスを供給するノズル１４は、３層に限らず、ガスの種類、ガスの組み合わせにより、２層や４層以上でもよい。なお、各ノズル１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃから供給されるガスの種類が、上記実施形態に限定されないことはいうまでない。
【００４４】
【発明の効果】
本発明に係る窒化物系半導体の製造方法は、窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板上に供給すると共に、窒素を含むガスを基板上に供給されるため、結晶品質が良好な窒化物系化合物半導体層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ），図１（ｂ）は、第１実施形態に係る窒化物系半導体の製造工程図である。
【図２】本発明で用いた有機金属化学気相成長装置の一例を示す図である。
【図３】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係る窒化物系化合物半導体層の積層状態を示した図である。
【図５】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図６】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図７】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図８】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図９】各ノズルにおけるガス供給状態の一例を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第２実施形態に係る窒化物系半導体の製造工程図である。
【符号の説明】
１，２１…窒化物系半導体、２，２２…基板、３，３ａ，３ｂ…ＧａＮ成長層（窒化物系化合物半導体層）、１０…有機金属化学気相成長装置、２４…窒化物系化合物半導体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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