(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にボロンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させ、かつ前記基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しないで形成し、前記一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成することを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
【請求項２】
前記原料ガスに含ませるＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの全原料ガスに対する体積濃度を、０ｖｏｌ．％より大きく１０ｖｏｌ．％以下の範囲の濃度とすることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド膜の製造方法。
【請求項３】
前記ボロンのドープを、ダイヤモンド膜の電気抵抗率が２０℃で１０７Ω・ｃｍ以下の範囲となるよう調整することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のダイヤモンド膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法で製造されたダイヤモンド膜。
【請求項５】
請求項４に記載のダイヤモンド膜を利用したマスク基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイヤモンド膜の製造方法及びダイヤモンド膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンドの有する特異な性質を利用して、基材上にダイヤモンド膜を形成したものが広く検討されている。例えば半導体デバイス製造に際して用いられるリソグラフィ技術における露光用マスク部材、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス用基板、また、研削研磨用工具としてなどである。
【０００３】
近年、ダイヤモンド膜は高ヤング率、エッチング耐性、高エネルギー線照射耐性等の性質を利用して、１００ｎｍ以下の超微細パターン形成が可能なＸ線リソグラフィおよび電子線リソグラフィにおけるマスクメンブレンとしての利用が注目されている。
【０００４】
ダイヤモンド膜の製造方法としては、ＤＣアーク放電、ＤＣグロー放電、燃焼炎、高周波（Ｒ．Ｆ．）、マイクロ波、熱フィラメント等をエネルギー源として用いた気相反応により基材上に堆積させる方法が知られているが、これら製法の内、マイクロ波ＣＶＤ法および熱フィラメントＣＶＤ法は、大面積でしかも結晶性の良い膜が形成できるため一般に用いられている。
【０００５】
ところで、上記気相反応により基材上に堆積させる方法において使用される原料ガスは、一般にメタン、エチレン、アセチレン、一酸化炭素等の炭素含有ガスを水素ガスで希釈した混合ガスである。この水素希釈炭素含有ガスを原料ガスとして気相反応を行って得られるダイヤモンド膜の電気抵抗率は、１０９〜１０１５Ω・ｃｍの範囲にある。
【０００６】
そして、このような範囲の電気抵抗率を示すダイヤモンド膜を例えばリソグラフィ用マスク、特にＸ線または電子線リソグラフィ用マスクとする場合には、電子ビームを照射する欠陥検査を行う必要が有るが、この場合に抵抗が高すぎて荷電粒子が蓄積されてチャージアップ現象が起こり易く、かかる欠陥検査を迅速かつ精密に実施できないことが多い。
【０００７】
また、電子線リソグラフィ用マスクとして実際に用いる場合にも、抵抗が高いとチャージアップで転写に問題が起こる。
【０００８】
そこで、この様なチャージアップ現象を回避すべく、ダイヤモンド膜の電気抵抗率を低下させるため、ダイヤモンド膜を製膜する時に、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）またはホスフィン（ＰＨ３)等のドーパントガスを前記水素希釈炭素含有ガスに添加し、気相反応を行うことが提案されている。
【０００９】
具体的には、ボロンのドープ源としてＢ２Ｈ６を、原料ガスである水素希釈メタンガスに添加し、該原料混合ガスをチャンバーに導入して気相反応を行いＰ型のダイヤモンド膜を製造すると、該ダイヤモンド膜の電気抵抗率の値が１０−２Ω・ｃｍに低減できることが報告されている（非特許文献１参照。）。
【００１０】
【非特許文献１】
Ｋ．Ｍａｒｕｍｏｔｏ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３１（１９９２）４２０５−４２０９）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにボロンのドープ源としてＢ２Ｈ６を使用した場合、許容濃度は０．１ｐｐｍであるため人体への影響が懸念される。また、リンのドープ源としてＰＨ３を用いた場合も、許容濃度が０．３ｐｐｍであるため同様に人体への影響が懸念される。即ち、これらのガスを用いたドープでは、僅かな漏洩も許されない。更に、人体への影響のみならず爆発性も有しているため取り扱い上も問題がある。従って、これらのガスを用いたドープでは、僅かな漏洩もないとともに、防爆機能も有する装置とする必要があり、設備コストが著しくかさむ。
【００１２】
この様な問題からの回避の目的でＢ２Ｏ３をメタノール、エタノール、アセトンなどで溶解した溶液を気化して、水素希釈炭素含有ガスに添加し、原料混合ガスとしてボロンを添加する方法も提案されているが、均一な溶液の作製や溶液の温度管理が困難で、再現性良く均一なダイヤモンド膜を得るのが困難である問題がある。
【００１３】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、ドープ工程で人体への悪影響や爆発などの取り扱い危険性の問題が少なく、かつ容易に再現性良く均一に、低電気抵抗率のダイヤモンド膜を低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にボロンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【００１５】
このように、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを用いれば、簡単かつ均一にボロンをドープすることができ、得られたダイヤモンド膜の電気抵抗率を低減できる。すなわち、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスは、人体への悪影響や爆発などの取り扱い上の危険性が少なく、しかも、ダイヤモンド膜に、容易に、再現性良く、均一にボロンをドープすることが可能である。したがって、このダイヤモンド膜を、例えばリソグラフィ用マスクとして使用した場合には、電子ビームを用いた欠陥検査で、チャージアップ現象を回避できるし、安全対策上の特別な装置も不要であることから安価なものとすることができる。
【００１６】
この場合、前記原料ガスに含ませるＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの全原料ガスに対する体積濃度を、０ｖｏｌ．％より大きく１０ｖｏｌ．％以下の範囲の濃度とするのが好ましい。
【００１７】
このように、原料ガスに含ませるＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの全原料ガスに対する体積濃度を、０ｖｏｌ．％より大きく１０ｖｏｌ．％以下の範囲の濃度とすることで、ダイヤモンドの高結晶性を維持しつつ電気抵抗率を所望の値とすることができる。
【００１８】
この場合、前記ボロンのドープを、ダイヤモンド膜の電気抵抗率が２０℃で１０７Ω・ｃｍ以下の範囲となるよう調整するのが好ましい。
【００１９】
このように、前記ボロンのドープを、ダイヤモンド膜の電気抵抗率が２０℃で１０７Ω・ｃｍ以下の範囲となるよう調整すれば、該ダイヤモンド膜をリソグラフィ用マスク、特にＸ線又は電子線リソグラフィ用マスクに使用した場合に、該マスクの電子ビームを用いた欠陥検査において、確実にチャージアップ現象を回避できるので、かかる欠陥検査を迅速かつ精密に実施できる。したがって、このダイヤモンド膜を用いて高品質のリソグラフィ用ダイヤモンドマスクを作製することが容易にできる。
また、このマスクを電子線リソグラフィ用マスクとして実際に用いる場合にも、チャージアップ現象を回避できるので、高精度な転写が高効率で行うことが可能となる。
【００２０】
この場合、前記基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しないで形成することができる。
【００２１】
このように、前記原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しないで形成することで、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの使用量を少なくでき、そのためダイヤモンドの結晶性の低下を最小限に抑えつつ所望特性を有するダイヤモンド膜とすることができるし、コスト低減を図ることもできる。
【００２２】
特に、前記Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら形成する一部の層は、ダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するものであって、厚み２０μｍ以下の範囲で形成するものとするのが好ましい。
【００２３】
このようにすれば、ダイヤモンド膜の全表面又は一部表面に形成される低電気抵抗率のダイヤモンドによって、チャージアップ現象の問題を十分に解消できる。すなわち、ダイヤモンド膜を例えばリソグラフィ用マスクとして利用した場合に問題となるのは、電子ビームが照射される側のダイヤモンド膜表面に電荷が蓄積されるチャージアップ現象が問題となっているのであるから、表面の厚さ２０μｍ以下の範囲で抵抗率を下げれば、この問題を解消できる。また、バルク部は、良好な結晶性を維持することができ、ダイヤモンド膜全体として、非常に高品質なものとすることができる。
【００２４】
さらに、本発明によれば前記製造方法で製造された、均一にボロンがドープされたダイヤモンド膜が提供される。また、このダイヤモンド膜は、電気抵抗率が低く、欠陥検査の際や実際に使用する際にチャージアップ現象が起こりにくいマスク基板として利用できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者は、電気抵抗率が低減されたダイヤモンド膜とすることができ、ドープ工程で人体への甚大な悪影響や爆発などの取り扱い危険性の問題が少なく、かつ容易に再現性良く均一に、低電気抵抗率のダイヤモンド膜を製造するためには、気相合成ダイヤモンドを形成する際に、ボロンのドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３を用いれば良いことに想到し、本発明を完成させたものである。
【００２６】
ここで、図１は、代表的なダイヤモンド膜の製造装置であるマイクロ波ＣＶＤ装置に、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３の気化供給装置を設置したマイクロ波ＣＶＤ装置を示した概略図である。
【００２７】
このマイクロ波ＣＶＤ装置１は、ガス導入管２とガス排出管３とを備えたチャンバー４内にヒーター等の加熱体が装着された基材台５が配置されている。そして、チャンバー４内にプラズマを発生できるように、マイクロ波電源６が導波管７を介してマイクロ波導入窓８に接続されている。更に、ガス導入管２の上流には各ガスの供給装置が接続されており、水素ガス供給タンク１４、炭素含有ガス供給タンク１５、及び、特に本発明で使用するＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの供給装置９を設置している。供給装置９内には、液体Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３のタンク１０、室温で液体であるＢ（ＯＣ２Ｈ５）３を気化するためのヒーター１１、そして精密にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３の流量を制御するためのマスフローコントローラー１２が備え付けられている。
【００２８】
以下、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスをボロンのドープ源として原料ガスに添加してダイヤモンド膜を製造する方法について、図１を参照して説明する。
【００２９】
まず、ダイヤモンド膜を基材１３上に製膜する際には、基材表面上にダイヤモンド粒子を存在させることで、ダイヤモンドの核発生密度を高くでき、気相合成ダイヤモンド膜の形成が容易となる。そこで、薄くても均一な連続膜を得るために、基材表面にダイヤモンド懸濁液の塗布、ダイヤモンド懸濁液での超音波処理、ダイヤモンド粒子でのスクラッチ処理等によって、ダイヤモンド粒子を基材表面に種付ける前処理を行うことが有効である。
【００３０】
このような前処理をした基材上に、例えば、ＤＣアーク放電、ＤＣグロー放電、燃焼炎、高周波（Ｒ．Ｆ．）、マイクロ波、熱フィラメント等をエネルギー源として用いた気相反応によりダイヤモンド膜を製造することができるが、特に、マイクロ波ＣＶＤ法および熱フィラメントＣＶＤ法は、ダイヤモンド製膜用の基材上に大面積でしかも結晶性良い膜が形成できるので好ましい。
【００３１】
図１では、これら気相合成法の一例として、マイク波ＣＶＤ法を用いている。
先ず、上記のようにして前処理した基材１３を基材台５の上に置き、その後チャンバー４内を不図示のロータリーポンプで排気して１０−３Ｔｏｒｒ以下に減圧する。
【００３２】
次に、所望流量の主構成原料ガス、例えばメタン、エチレン、アセチレン、一酸化炭素等の炭素含有ガスを炭素含有ガス供給タンク１５より供給し、水素ガス供給タンク１４より供給される水素ガスで希釈した原料ガスに、本発明で規定するＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを所定濃度となるだけ添加した原料混合ガスを導入管２からチャンバー４内に導入する。
【００３３】
この時、前記原料ガスに含ませるＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの全原料ガスに対する体積濃度を、０ｖｏｌ．％より大きく１０ｖｏｌ．％以下の範囲の濃度とするのが好ましい。例えば、メタン、エチレン、アセチレン、一酸化炭素等の炭素含有ガスを水素ガスで希釈した原料ガスのみで気相反応を行って得られるダイヤモンド膜は、電気抵抗率が１０９〜１０１５Ω・ｃｍの範囲であるのに対して、０ｖｏｌ．％を超えてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加した原料混合ガスを用いて気相反応を行えば、得られるダイヤモンド膜の電気抵抗率の値を急激に低下させることができ、例えば２０℃で１０７Ω・ｃｍ以下とすることができる。また、１０ｖｏｌ．％以下の範囲にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの濃度を制御することで、高結晶性を維持しつつ、電気抵抗率を所望の値とすることが確実にできる。一方、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの濃度が１０ｖｏｌ．％を超えるとダイヤモンド膜中のボロン濃度が飽和状態となり、それを超えるボロン濃度のドープは困難で、できたとしても結晶性が大幅に低下し、また欠陥発生が増加する恐れがある。
【００３４】
次に、ガス排出管３のバルブを調節してチャンバー４内を２０Ｔｏｒｒにした後、マイクロ波電源６及び導波管７からマイクロ波を印加してチャンバー４内にプラズマを発生させ基材１３上にダイヤモンド膜を製膜する。
この時、ダイヤモンド膜の膜応力を調整するため、基材１３を例えば基材台５に内蔵させた焼結ＳｉＣヒーター等のヒーターで加熱してもよい。
【００３５】
尚、ダイヤモンド膜の使用条件によっては、ダイヤモンド膜の全てのダイヤモンドをボロンドープダイヤモンドとする必要がない場合もある。この場合、基材上にダイヤモンド膜を製造する際に、前記原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら一部の層のみを形成し、他の層は、原料ガス中にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しないで形成することができる。これによって、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスの使用量を少なくでき、結晶性の低下が最小限に抑えられ、かつコストを低減することができる。
【００３６】
特に、ダイヤモンド膜を、電子ビームを照射する欠陥検査で検査する際や、電子線マスクとして実際に用いる際に、ダイヤモンド膜の、電子線が照射される側の表面（基材との界面側）に電荷が蓄積されるチャージアップ現象が問題となるのであるから、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを添加しながら形成する一部の層は、ＣＶＤ反応の初期の堆積でダイヤモンド膜の全表面もしくは一部表面に形成するようにし、厚み２０μｍ以下の範囲、例えば１μｍで形成するものとするのが好ましい。このようにすることで、電荷の蓄積をより効果的に防止することができる。また、ダイヤモンド膜のその他の部分（その後のＣＶＤ反応による堆積）、特にバルク部は純度の高いダイヤモンドとすることができるため、ダイヤモンドの、高ヤング率、エッチング耐性、高エネルギー線照射耐性等の優れた特性をそのまま利用することができる。ＣＶＤ反応の終期においてもＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを導入し、ダイヤモンド膜の反対側の表面の抵抗率を下げるようにしても良い。
【００３７】
この様に、ドープ源を従来一般的に使用されているＢ２Ｈ６やＰＨ３に代えてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３とすることで、ドープ工程で人体への甚大な悪影響や爆発などの取り扱い危険性の問題が少なくなり、安全対策上の特別な装置が不要となる。また、安全性重視の観点から使用されているＢ２Ｏ３をメタノール、エタノール、アセトンなどで溶解した溶液を気化してドープ源に用いるよりも、容易に、再現性良く、かつ均一にドープすることが可能となる。
【００３８】
また、原料ガスに添加するＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガス濃度を調整することによって、生成するダイヤモンド膜の電気抵抗率の値を制御することができる。特に、ダイヤモンド膜の電気抵抗率値が１０７Ω・ｃｍ以下になるように調整すれば、当該ダイヤモンド膜をリソグラフィ用マスク、特にＸ線または電子線リソグラフィ用マスクにする際に必要とされるマスクの欠陥検査において、チャージアップ現象を確実に回避できる。従って、高品質のリソグラフィ用ダイヤモンドマスクを製造することが可能となる。また、電子線リソグラフィ用ダイヤモンドマスクとして実際に使用した場合にも、チャージアップ現象を回避できるので、高精度な転写を高効率で行うことが可能となり、半導体デバイスの更なる高精度化、高集積化を図ることができる。
【００３９】
以下、本発明の具体例を挙げて具体的に説明する。
（具体例）
直径１００ｍｍ、厚さが２ｍｍで方位＜１００＞の両面研磨単結晶シリコンウェーハを基材として用意し、ダイヤモンドの核発生密度を向上させるために、前処理を行う。先ず、基材をスピン塗布装置に真空吸着し、表面にダイヤモンド粒子の懸濁液（平均粒径５０ｎｍクラスターダイヤモンド）を５０ｍｌ滴下した。ウェーハを３０００ｒ．ｐ．ｍ．で３０秒間回転させて表面のダイヤモンド粒子の懸濁液を均一塗布状態とした。その後自然乾燥させて基材表面にダイヤモンドの種付け層を形成した。上記前処理をした後、図１に示したマイクロ波ＣＶＤ装置のチャンバー内の基材台上に基材をセットした。
【００４０】
次に、ロータリーポンプで１０−３Ｔｏｒｒ以下の減圧状態に排気した後、メタンガス、水素ガス、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスからなる原料混合ガスをガス導入管から供給した。各ガスは、メタンガスを４０.０ｓｃｃｍ、水素ガスを９３０.０ｓｃｃｍ、Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを３０.０ｓｃｃｍでチャンバー内に導入し、体積比率を、メタンガス／水素ガス／Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３ガス＝４.０／９３.０／３.０とした。その後、ガス排出管のバルブを調節してチャンバー内を２０Ｔｏｒｒとして、３０００Ｗのマイクロ波を印加してプラズマを発生させ、基材上に、ボロンドープのダイヤモンド膜の製膜を７時間おこなった。
製膜時に基材はマイクロ波吸収で発熱し、表面温度は８６０℃に達していた。
【００４１】
この様にして得られたボロンドープされたダイヤモンド膜を、研磨加工して仕上げた。基材中央３５ｍｍ角領域では、膜厚が２.０μｍ±０.１μｍ、応力９０ＭＰａ±１３ＭＰａ、表面粗さがＲａで２ｎｍであり、実用性の高いレベルにあった。しかも製膜バッチ間のバラツキがほとんどなく実用上極めて有利である。
【００４２】
更にこのダイヤモンド膜形成基板を電子線リソグラフィ用マスク基板に加工し、当該マスク基板を用いてステンシル型の電子線リソグラフィ用マスクを作製した。次に、当該ダイヤモンド膜の電気抵抗率の値を測定したところ、０．８Ω・ｃｍであり、当該マスクの欠陥検査を行ってもチャージアップ現象は発生しなかった。また、実際に電子線リソグラフィ用マスクとして使用しても、チャージアップ現象がなく安定して高精度な転写が可能であった。
【００４３】
（比較例１）
ドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを使わずにＢ２Ｏ３をエタノールで溶解した溶液を気化して原料ガスに添加する他は、実施例１と同様の方法でダイヤモンド膜を製膜した。即ち、シリコンウェーハ上にダイヤモンド懸濁液のスピン塗布をする前処理を行った基材表面に、実施例１と同レベルの結晶性（ラマン分光分析で確認）および電気抵抗率（四端子法で確認）のダイヤモンドを得るガス組成条件（メタンガス／水素ガス／Ｂ２Ｏ３＝１.０／９７.０／２.０ｖｏｌ．％）の原料混合ガスをチャンバーに導入し、２０Ｔｏｒｒで３０００Ｗのマイクロ波を印加してプラズマを発生させ、基材上にボロンドープのダイヤモンド膜の製膜を１３時間おこなった。その後研磨加工して得られたダイヤモンド膜は電気抵抗率が３０Ω・ｃｍまで低下したものの、基材中央３５ｍｍ角領域内の膜厚は２.０μｍ±０.５μｍ、応力１８７ＭＰａ±７７ＭＰａと均一性が不良であった。
【００４４】
また、Ｂ２Ｏ３のエタノール溶液を使用するにつれてＢ２Ｏ３溶液濃度の変化が見られることやプロセス中の温度管理が厳しく求められ、面内およびバッチ間で均一にドープされたダイヤモンド膜を得ることは極めて困難であった。更に、Ｂ２Ｏ３生成粒子が大量に付着してしまい、欠陥発生抑止の点からも不利であった。
【００４５】
（Ｂ２Ｈ６ドープ）
ドープ源としてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３ガスを使わずにＢ２Ｈ６ガスを用いて同レベルの特性のダイヤモンド膜を製膜する場合、先ず、用意すべき装置の安全対策が実施例１の場合と全く異なるものとなる。即ち、Ｂ２Ｈ６の人体への許容濃度は０．１ｐｐｍであるのに加え、爆発限界が０.９〜９８.０ｖｏｌ．％であり、極めて高い爆発性も有しているため、Ｂ２Ｈ６の漏洩対策設備に莫大な費用がかかることになる。また、実際に実施例１と同レベルの導電性を得るにはＢ２Ｈ６を数ｖｏｌ．％添加することになるがこれは極めて危険な濃度である。
結局、経済性、安全性、得られるダイヤモンドの特性を考慮すると、あまりに実用的ではないので、比較実験を行うことを断念した。
【００４６】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４７】
例えば、本発明のダイヤモンド膜の用途については、主としてＸ線や電子線リソグラフィ用のマスク部材に用いられる場合について説明したが、本発明はこの用途に限られるものではない。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ドープ源として、従来一般的に使用されているＢ２Ｈ６やＰＨ３に代えてＢ（ＯＣ２Ｈ５）３とすることで、ドープ工程で人体への悪影響や爆発などの取り扱い危険性の問題が少なくなり、安全対策上の特別な装置が不要となる。また、安全性重視の観点から使用されているＢ２Ｏ３をメタノール、エタノール、アセトンなどで溶解した溶液を気化してドープ源に用いるよりも、容易に、再現性良く、かつ均一にドープすることが可能となる。
【００４９】
この様にＢ（ＯＣ２Ｈ５）３を使用し、ボロンのドープ量をダイヤモンド膜の電気抵抗率が１０７Ω・ｃｍ以下になる様に調整すれば、当該ダイヤモンド膜をリソグラフィ用マスク、特にＸ線または電子線リソグラフィ用マスクにする際に必要とされるマスクの欠陥検査において、チャージアップ現象を確実に回避できる。従って、高品質のリソグラフィ用ダイヤモンドマスクを製造することが可能となる。また、電子線リソグラフィ用ダイヤモンドマスクとして実際に使用した場合にも、チャージアップ現象を回避できるので、高精度な転写が高効率で行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いたマイクロ波ＣＶＤ装置の概略図である。
【符号の説明】
１…マイクロ波ＣＶＤ装置、  ２…ガス導入管、  ３…ガス排出管、
４…チャンバー、  ５…基材台、  ６…マイクロ波電源、７…導波管、
８…マイクロ波導入窓、  ９…Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３供給装置、
１０…Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３タンク、  １１…ヒーター、
１２…マスフローコントローラー、  １３…基材、
１４…水素ガス供給タンク、  １５…炭素含有ガス供給タンク。
【図１】
0004828089.tif 000002