(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、蓋部材とを用意する工程と、
前記圧電基板の一方主面においてＩＤＴ電極及び配線電極が設けられる部分に溝を形成する工程と、
前記圧電基板の前記一方主面において、少なくとも前記溝内に金属膜を形成する工程と、
前記溝内の金属膜及び該溝の周辺の圧電基板部分において、前記圧電基板の主面側から圧電基板の一部を除去するようにして凹部を形成し、前記溝内に位置している金属膜により前記ＩＤＴ電極及び前記配線電極を形成する工程と、
前記圧電基板の前記一方主面に蓋部材を接合する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】
前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面からＣＭＰ処理を施すことにより行われる、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面にマスクを適用しつつドライエッチングを施すことにより行われる、請求項１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】
前記圧電基板に前記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】
前記圧電基板と、前記蓋部材とを直接接合するに際し、前記圧電基板の前記一方主面及び／または前記蓋部材の前記圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜を形成しておくことを特徴とする、請求項４に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項６】
前記圧電基板に、前記配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項７】
前記蓋部材に、前記配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項８】
前記蓋部材として、前記圧電基板と同様にしてＩＤＴ電極及び配線電極が一方主面に形成されている圧電基板を用いることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項９】
一方主面に凹部が形成されており、該凹部内においてＩＤＴ電極に応じた平面形状を有する溝が形成されている圧電基板と、
前記溝内に埋め込まれたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の前記一方主面に接合されている蓋部材と、
前記圧電基板に設けられており、かつ前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されているスルーホール電極と、
前記圧電基板に設けられており、前記スルーホール電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続されるように配置されている端子電極とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置。
【請求項１０】
前記蓋部材が、前記圧電基板及び前記ＩＤＴ電極からなる構造と同じ構造を有し、圧電基板の一方主面同士が重ね合わされている、請求項９に記載の弾性表面波装置。
【請求項１１】
前記圧電基板の一方主面において、前記凹部とは異なる位置に、配線電極に応じた平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている、請求項９または１０に記載の弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レイリー波、ラブ波、リーキー波などの弾性表面波を利用した弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタとして用いられる弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関し、より詳細には、弾性表面波が励振される部分に空隙を形成する工程が改良された弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話などの移動体通信機器では、小型化が強く求められている。そのため、この種の通信機器に用いられる帯域フィルタにおいても小型化が求められている。【０００３】
小型の帯域フィルタとして、従来、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタが広く用いられている。下記の特許文献１には、小型化を図り得る弾性表面波フィルタ装置が開示されている。【０００４】
図７に示すように、特許文献１に記載の弾性表面波装置１０１の製造方法では、先ず圧電基板１０２を用意する。圧電基板１０２の上面には、ＩＤＴ電極１０３などの電極が形成されて、弾性表面波フィルタが構成されている。ＩＤＴ電極１０３が形成されている圧電基板部分は、使用に際して励振され、弾性表面波が伝搬する。従って、上記ＩＤＴ電極１０３が臨む空隙Ａを形成しなければならない。そのため、図７に示されているように、圧電基板１０２の上面を覆い、かつ空隙Ａを残すようにして、蓋材１０４が圧電基板１０２に接合されている。【０００５】
特許文献１に記載の製造方法では、上記蓋材１０４の接合が、接着剤を用いない直接接合により行われている。直接接合とは、圧電基板１０２と蓋材１０４とを接触させた状態で、加熱し、両者の間に水素結合を形成して、直接接合する方法である。従って、圧電基板１０２及び蓋材１０４の接合面に臨む部分の表面が親水基を有することが必要であり、該親水基が湿気等による水分子の水素結合を介して結合されることになる。【０００６】
直接接合により接合が果たされるので、接着剤を使用する必要がなく、蓋材１０４と圧電基板１０２との接合部分のシール性を高めることができるとされている。
【特許文献１】特開平７−１１５３４３号公報
【発明の開示】
【０００７】
特許文献１に記載のような弾性表面波フィルタ装置１０１では、空隙Ａを形成する必要があるため、パッケージ全体が大型にならざるを得なかった。
【０００８】
また、蓋材１０４に、空隙Ａを形成するための凹部を形成したり、凹部を有するキャップ状の蓋材１０４を用意しなければならなかった。従って、コストが高くつくという問題もあった。
【０００９】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、複雑な加工工程を必要とせず、かつ複雑な形状の蓋材などの部品を用意する必要がなく、安価であり、しかも小型化を進めることが可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板と、蓋部材とを用意する工程と、前記圧電基板の一方主面においてＩＤＴ電極及び配線電極が設けられる部分に溝を形成する工程と、前記圧電基板の前記一方主面において、少なくとも前記溝内に金属膜を形成する工程と、前記溝内の金属膜及び該溝の周辺の圧電基板部分において、前記圧電基板の主面側から圧電基板の一部を除去するようにして凹部を形成し、前記溝内に位置している金属膜により前記ＩＤＴ電極及び前記配線電極を形成する工程と、前記圧電基板の前記一方主面に蓋部材を接合する工程とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面からＣＭＰ処理を施すことにより行われる。
【００１２】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面にマスクを適用しつつドライエッチングを施すことにより行われる。
【００１３】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板に前記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる。
【００１４】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のより限定的な局面では、前記圧電基板と、前記蓋部材とを直接接合するに際し、前記圧電基板の前記一方主面及び／または前記蓋部材の前記圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜が形成される。
【００１５】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板に、前記配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程がさらに備えられている。
【００１６】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記蓋部材に、前記配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極を形成する工程がさらに備えられている。
【００１７】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記蓋部材として、前記圧電基板と同様にしてＩＤＴ電極及び配線電極が一方主面に形成されている圧電基板が用いられる。
【００１８】
本発明に係る弾性表面波装置は、一方主面に凹部が形成されており、該凹部内においてＩＤＴ電極に応じた部分の平面形状を有する溝が形成されている圧電基板と、前記溝内に埋め込まれたＩＤＴ電極と、前記圧電基板の前記一方主面に接合されている蓋部材と、前記圧電基板に設けられており、かつ前記ＩＤＴ電極に電気的に接続されているスルーホール電極と、前記圧電基板に設けられており、前記スルーホール電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続されるように配置されている端子電極とを備えることを特徴とする。
本発明の弾性表面波装置では、前記蓋部材が、前記圧電基板及び前記ＩＤＴ電極からなる構造と同じ構造を有し、圧電基板の一方主面同士が重ね合わされていてもよい。
【００１９】
本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、前記圧電基板の一方主面において前記凹部とは異なる位置に、配線電極に対応した平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている。
（発明の効果）
【００２０】
本発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電基板の一方主面において溝を形成した後に、少なくとも溝内に金属膜を形成し、さらに圧電基板の一方主面側から一部を除去するようにして凹部が形成される。そして、この凹部の形成により、溝内に位置している金属膜によりＩＤＴ電極及び配線電極が形成されることになる。この場合、溝の周りに金属膜が至っていたとしても、凹部の形成に際し、周りの金属膜部分は除去されるように凹部が形成される。従って、圧電基板の一方主面上において、該一方主面よりも低い位置にＩＤＴ電極が形成されることになる。よって、例えば平板状の蓋部材を用いたとしても、蓋部材を該一方主面に接合することにより、ＩＤＴ電極の臨む空隙を上記凹部により形成することができる。そのため、複雑な形状の蓋部材を必要としない。また、蓋部材に空隙を形成するための複雑な加工を施す必要もない。
【００２１】
上記凹部の形成に際し空隙の大きさを高精度にかつ容易に調整することができるので、また上記凹部の形成により空隙を形成することができるので、小型化を図ることができる。よって、安価でありかつ小型の弾性表面波装置を提供することができる。
【００２２】
凹部の形成が、圧電基板の一方主面からＣＭＰ処理により行われる場合には、圧電基板の変質を招くことなく、凹部を高精度にかつ容易に形成することができる。
【００２３】
凹部の形成が、マスクを適用しつつドライエッチングを施することにより行われる場合には、凹部の平面形状に応じたマスクを用意しドライエッチングを施すだけで、凹部を容易に形成することができる。
【００２４】
上記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる場合には、接着剤等の接合剤を必要としない。従って、コストを低減することができる。加えて、直接接合により蓋部材が圧電基板に接合されるので、低背化を進めることができる。さらに、接合部分のばらつきが生じ難く、特性ばらつきの少ない、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。
【００２５】
圧電基板及び蓋部材の直接接合に際し、圧電基板の一方主面及び／または蓋部材の圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜を形成する場合には、圧電基板または蓋部材が親水性基を表面に有しない場合であっても、上記親水性絶縁薄膜の形成により、圧電基板と蓋部材とを直接接合によって、確実に接合することができる。
【００２６】
圧電基板に、配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える場合には、上記配線電極と外部との接続などをスルーホール電極を用いて行うことができる。同様に、蓋部材に配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極が形成される工程をさらに備える場合にも、配線電極を該スルーホール電極を利用して外部などと容易に電気的に接続することができる。
【００２７】
蓋部材として、圧電基板と同様にしてＩＤＴ電極及び配線電極が一方主面に形成されている構造を用いる場合には、本発明に従って、２個の弾性表面波素子が積層された弾性表面波装置を提供することができる。従って、弾性表面波装置が実装される電子機器や回路の小型化及び高密度化を図ることができる。
【００２８】
本発明の弾性表面波装置では、上記圧電基板の一方主面に凹部が形成されており、凹部内にＩＤＴ電極が形成される部分の平面形状を有する溝が形成されており、ＩＤＴ電極が該溝内に埋め込まれて形成されている。従って、上記圧電基板の一方主面に蓋部材が接合された構造において、凹部においてＩＤＴ電極の振動を阻害しない空隙が形成されることになる。よって、弾性表面波装置の小型化を進めることができる。しかも、上記凹部により空隙が形成されるので、平板状の蓋部材を用いることができ、蓋部材のコストを低減することができる。
【００２９】
また、圧電基板及び／または蓋部材に、スルーホール電極が形成されており、該スルーホール電極に電気的に接続されかつ外部と電気的に接続されるように配置される端子電極が設けられている場合には、スルーホール電極及び端子電極により、ＩＤＴ電極を外部と容易に電気的に接続することが可能とされている。
【００３０】
従って、小型かつ安価であり、かつプリント回路基板などに容易に実装することが可能な弾性表面波装置を得ることができる。
【００３１】
圧電基板の一方主面に上記凹部とは異なる位置に、配線電極に応じた平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている場合には、配線電極もまた、ＩＤＴ電極と同一工程で形成することができ、弾性表面波装置の小型化及び低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の正面断面図及びその要部を説明するための部分切欠拡大正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、ドライエッチング法により凹部を形成する変形例を説明するための各模式的正面断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、ドライエッチング法により凹部を形成する変形例を説明するための各模式的正面断面図である。
【図６】図６は、本発明の他の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の正面断面図である。
【図７】図７は、従来の弾性表面波装置の一例を説明するための正面断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…弾性表面波フィルタ装置
２…圧電基板
２ａ…上面（一方主面）
２ｂ…溝
２ｃ…溝
２ｄ…凹部
２ｅ…下面
２ｆ，２ｇ…貫通孔
３…マスク
６…ＩＤＴ電極
５，７…配線電極
９，１０…スルーホール電極
１１，１２…端子電極
１３…蓋部材
２１…圧電基板
２１ａ…上面（一方主面）
２１ｂ…溝
２１ｃ…凹部
２２…マスク
２３…金属膜
２４…ＩＤＴ電極
２５…マスク
３１…弾性表面波フィルタ装置
３２，３３…端子電極
３４，３５…端子電極
Ａ…間隙
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００３５】
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の正面断面図及びその要部を拡大して示す部分切欠正面断面図である。本実施形態の弾性表面波フィルタ装置１の製造方法を、図２（ａ）〜図３（ｄ）を参照して説明する。【００３６】
まず、図２（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。圧電基板２は、圧電単結晶または圧電セラミックスにより形成することができ、本実施形態では、水晶を用いて構成されている。圧電基板２の一方主面としての上面２ａ上に、フォトリソグラフィー技術によりマスク３を形成する。レジストマスク３は、ＩＤＴ電極及び配線電極が形成される部分が開口部とされている。なお、レジストマスク３に代えて、ＮｉやＣｒなどからなる金属マスクを用いてもよい。【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、エッチング法によりレジストマスク３の開口部に臨んでいる圧電基板部分をエッチングし、溝２ｂ，２ｃ，２ｃを形成する。溝２ｂは、ＩＤＴ電極が形成される平面形状に相当する平面形状を有する。溝２ｃ，２ｃは、後述する配線電極が形成される部分に設けられている。【００３８】
エッチングに際しては、レジストマスク３を溶かさない適宜のエッチャントを用いることができ、圧電基板２が水晶からなる場合、エッチャントとしてＣＦ４やＳＦ６などのフッ素系ガスや、ＢＣｌ３などの塩素系ガスを用いることができる。なお、圧電基板２が、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３の場合、上記フッ素系ガスや、Ａｒなどをエッチング用ガスとして用いることができる。【００３９】
次に、レジストマスク３を、レジスト剥離液を用いて溶解させ、剥離する。このようにして、図２（ｃ）に示すように、溝２ｂ，２ｃ，２ｃが上面２ａに形成された圧電基板２が用意される。【００４０】
次に、蒸着、スパッタリングまたはめっき等の適宜の薄膜形成方法により、図２（ｄ）に示すように、圧電基板２の上面２ａの全面に金属膜Ｍを成膜する。この金属膜Ｍは、電極構成材料であるため、適宜の金属材料により形成することができ、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔａ、Ｗまたはこれらの合金もしくはこれらの２種以上の積層した積層金属膜により形成することができる。【００４１】
しかる後、図２（ｅ）に示すように、ＣＭＰ処理により、圧電基板２の上面２ａ側から、その一部を除去し、凹部２ｄを形成する。凹部２ｄは、前述した溝２ｂが凹部２ｄ内に位置するように、すなわちＩＤＴ電極が形成される領域が凹部２ｄ内に位置するように形成される。ＣＭＰ処理を施した場合、凹部２ｄが形成され、ＩＤＴ電極６が形成されている部分の周囲の金属膜部分は除去される。また、凹部２ｃ，２ｃに残存している金属膜により配線電極５，７が形成される。ＣＭＰ処理による圧電基板２の上面２ａの一部を除去する加工は、ＩＤＴ電極６及び配線電極５，７が設けられている部分を除いて金属膜が除去されるように行われる。従って、ＩＤＴ電極６は溝２ｂに埋め込まれている。同様に、配線電極５，７も、溝２ｃ，２ｃに埋め込まれている。【００４２】
ＣＭＰ処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）は、半導体装置の層間絶縁膜の形成等に際して研磨方法として広く用いられている。ＣＭＰ処理は、研磨ヘッドにより研磨を行うにあたり、研磨液を供給し、研磨ヘッドによる機械的な研磨と、研磨液による化学的な研磨を併用する処理方法である。【００４３】
上記ＣＭＰ処理の条件については、使用する圧電基板２及び形成する凹部２ｄの深さ及び大きさ等により適宜形成すればよく、特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えば、ニッタハース製のＩＣ１０００からなる研磨パッドを数十〜数百ｒｐｍの回転数で、１００ｇ／ｃｍ２程度の研磨圧力を付加しつつ、研磨液として、フジミインコーポレッド製のプレーナライト７１０２を純水で５倍希釈したものなどを供給することにより行うことができる。【００４４】
上記のようなＣＭＰ処理を行うと、エロージョンという現象により凹部２ｄが形成されるが、凹部２ｄの内面は、凹部２ｄの周縁付近において曲面状となる。また、溝２ｃに充填されていた金属膜表面も、ディッシングという現象により図示のように湾曲することとなる。すなわち、周縁部に比べて中央部がより多く研磨されるように配線電極５，７の上面が湾曲することとなる。【００４５】
次に、図３（ａ）に示すように、圧電基板２の下面２ｅから上面２ａ側の配線電極５，７に至るようにスルーホール電極を形成するための貫通孔２ｆ，２ｇを形成する。貫通孔２ｆ，２ｇの形成は、特に限定されるわけではないが、レーザーやサンドブラストを利用した適宜の加工方法により行うことができる。例えば、圧電基板２の下面２ｅにマスクを形成し、マスクの開口部を貫通孔２ｆ，２ｇが設けられる部分としておき、サンドブラスト加工を行うことにより、貫通孔２ｆ，２ｇを形成することができる。【００４６】
次に、図３（ｂ）に示すように、貫通孔２ｆ，２ｇに、めっき法などにより金属材料を充填することにより、スルーホール電極９，１０を形成する。【００４７】
しかる後、図３（ｃ）に示すように、圧電基板２の下面２ｅにおいて、スルーホール電極９，１０に電気的に接続されるように、端子電極１１，１２を形成する。端子電極１１，１２の形成は、めっきや金属バンプの印刷等の適宜の方法により行い得る。【００４８】
しかる後、図３（ｄ）に示すように、平板状の蓋部材１３を圧電基板２の上面に当接させる。この場合、蓋部材１３としては、水晶、ガラスまたはＳｉ系材料などの適宜の絶縁性材料を用いることができる。好ましくは、蓋部材１３は、表面に親水性基を有することが望ましい。【００４９】
しかる後、直接接合により、蓋部材１３を圧電基板２の上面２ａに接合する。この直接接合は、例えば２００〜４００℃の温度に加熱し、１時間程度維持することにより行われ得る。直接接合とは、前述した特許文献１にも記載されているように、接着剤等の接合剤を用いることなく、水素結合を利用して蓋部材１３と圧電基板２とを接合する方法である。【００５０】
すなわち、圧電基板２及び蓋部材１３の接合面に親水性基が存在する場合、加熱すると、空気中の湿気等から供給される水分子が結合し、水素結合により、両者が接合される。【００５１】
なお、予め接合に先立ち、圧電基板２の表面を、アンモニアと過酸化水素の混合液に浸漬し、それによって、親水化処理を行ってもよい。【００５２】
また、蓋部材１３及び圧電基板２の表面が親水性基を有しない場合には、好ましくは、親水性絶縁薄膜を、圧電基板２及び／または蓋部材１３の接合される面に形成しておいてもよい。【００５３】
直接接合法によれば、蓋部材と圧電基板２とが接触して接合される部分の全領域において、蓋部材１３と圧電基板２とが強固に接合される。従って、上記ＩＤＴ電極が形成されている部分が臨む凹部２ｄを確実にかつ強固に気密封止することができ、弾性表面波装置の信頼性を高めることも可能となる。【００５４】
なお、上記実施形態において、温度特性や周波数特性の調整のため、ＩＤＴ電極上にＳｉＯ２、ＳｉＮなどの誘電体膜を設ける際、圧電基板全面にわたって設けてもよい。この場合、誘電体膜に適宜親水化処理を行ってから直接接合すればよい。【００５５】
このようにして、図１（ａ），（ｂ）に示す弾性表面波フィルタ装置１が得られる。【００５６】
図１（ａ），（ｂ）から明らかなように、本実施形態では、ＩＤＴ電極６が臨む空隙は、上記凹部２ｄをＣＭＰ処理に際して形成することにより設けられている。従って、平板状の蓋部材１３、少なくとも下面が平坦面である蓋部材を用いることができ、複雑な形状の蓋部材を用意する必要がなく、また蓋部材の煩雑な加工も必要としない。よって、弾性表面波フィルタ装置１のコストを低減することができる。【００５７】
しかも、上記凹部２ｄは、ＣＰＭ処理に際しての処理条件を調整することにより、高精度にかつ容易に形成することができるので、凹部２ｄの深さも小さくすることができる。従って、弾性表面波フィルタ装置１では、小型化、特に低背化を果たすことができる。【００５８】
さらに、接合は直接接合により行われており、接着剤を用いていないため、接合部分のばらつきによる特性の劣化が生じ難く、かつ低背化も進め得る。【００５９】
なお、本実施形態では、スルーホール電極により配線電極を端子電極と接合していたが、スルーホール電極を設けず、圧電基板の外表面に設けられた配線パターンにより配線電極と端子電極とを電気的に接続してもよい。【００６０】
また、スルーホール電極は、圧電基板側に設けられず、蓋部材側に設けられていてもよい。【００６１】
また、上記実施形態では、ＣＭＰ処理により、凹部２ｄが形成され、それによってＩＤＴ電極が臨む空隙が形成されていたが、本発明においては、ＩＤＴ電極を臨み、かつＩＤＴ電極が臨む凹部を形成するに際し、ドライエッチング法を用いてもよい。図４（ａ）〜図５（ｃ）を参照して、ドライエッチング法を用いて凹部を形成する変形例の方法を説明する。【００６２】
本変形例では、図４（ａ）に略図的に示すように、圧電基板２１の上面２１ａ上に、マスク２２を形成する。マスク２２は、ＩＤＴ電極及び配線電極（図示せず）が形成される部分が開口部２２ａとされている。【００６３】
すなわち、ドライエッチング法により、図４（ｂ）に示すように、圧電基板２１の一方主面としての上面２１ａに、溝２１ｂを形成する。溝２１ｂは、ＩＤＴ電極の平面形状に応じた平面形状とされている。【００６４】
しかる後、図４（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極を形成するための金属膜２３を全面に付与する。これにより、溝２１ｂ内に、金属膜が充填され、ＩＤＴ電極用金属膜２３が形成されることになる。【００６５】
しかる後、マスク２２を除去する溶剤を用いて、マスク２２及びマスク２２上に積層されている金属膜２３をリフトオフ法により除去する。このようにして、図５（ａ）に示すように、溝２１ｂに埋め込まれたＩＤＴ電極用金属膜２３を有する圧電基板２１が得られる。【００６６】
上記マスク２２については、前述した実施形態の場合のレジストマスク３や金属膜Ｍと同様の材料で形成することができる。また、ドライエッチングにより溝２１ｂを形成する方法についても、圧電基板２１の材質に応じて、適宜のエッチャントを用いてドライエッチングを行うことにより果たされ得る。【００６７】
次に、図５（ｂ）に示すように、圧電基板２１の上面２１ａに、再度マスク２５を載置する。マスク２５は、ＩＤＴ電極用金属膜２３が形成されている部分を含む部分が開口部とされている。このマスク２５を載置した状態で、ドライエッチング法により、圧電基板２１の上面２１ａ側の一部と、ＩＤＴ電極用金属膜２３の上方部分を除去し、凹部２１ｃを形成する。しかる後、マスク２５を溶剤で除去する。このようにして、図５（ｃ）に示すように、上面２１ａに凹部２１ｃを有する圧電基板２１が得られる。この凹部２１ｃ内において、ＩＤＴ電極２４が配置されている。【００６８】
なお、図４及び図５では、ＩＤＴ電極２４が形成される部分の製造方法のみを略図的に示したが、配線電極が形成される部分も同様にして同時に形成される。そして、図５（ｃ）に示すように凹部２１ｃを形成した後に、前述した実施形態の場合と同様にして、スルーホール電極及び端子電極等を形成し、さらに蓋部材を接合することにより、弾性表面波フィルタ装置を得ることができる。【００６９】
図６は、本発明の弾性表面波フィルタ装置のさらに他の実施形態を説明するための正面断面図である。図１に示した弾性表面波フィルタ装置１では、圧電基板２の上面２ａに蓋部材１３が接合されていたが、図６に示す弾性表面波フィルタ装置３１では、圧電基板２の上面にもう１枚の圧電基板２が上下逆転されて積層され、直接接合により接合されている。言い換えれば、第１の実施形態の蓋部材１３に代えて、圧電基板２と同様に構成された他の圧電基板２が用いられている。そして、一対の圧電基板２，２のＩＤＴ電極６が形成されている主面同士が重ね合わされて、直接接合により接合されている。【００７０】
よって、本実施形態では、２素子の弾性表面波フィルタ素子が積層された積層型の弾性表面波フィルタ装置３１が形成されている。【００７１】
なお、上方の圧電基板２の上面には、スルーホール電極９，１０に接続された端子電極３２，３３が形成されている。端子電極３２，３３は、圧電基板２，２を積層してなる積層体の側面を経て、下方の圧電基板２の下面に至っている。下方の圧電基板２の下面には、さらに、端子電極３２，３３に接続される端子電極３４，３５が形成されている。従って、端子電極３４，３５と端子電極１１，１２を利用して、回路基板などに容易に表面実装することができる。【００７２】
本実施形態から明らかなように、本発明においては、蓋部材は、常にケース材として機能を有するものでなく、電子部品素子として機能するものであってもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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