(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが対向配置されると共に、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第１基板のうち前記第２基板との対向面上に設けられた第１電極と、前記第２基板のうち前記第１基板との対向面上に設けられた第２電極と、前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜とを具備し、前記保護膜が、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記保護膜中の前記ＢａＯの濃度が、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電ガスが、Ｘｅを１０体積％以上含有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記ＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下となる保護膜を前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程とを具備し、前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
第１基板に設けられた第１電極上及び第２基板に設けられた第２電極上のうち少なくとも一方に、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記ＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、前記保護膜形成部に接続され、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部と、前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−６０℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段とを具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、維持電極および走査電極が形成された前面基板と、アドレス電極および蛍光体が形成された背面基板とを備えている。両基板は周縁部に配置された封着材によって貼り合わされており、両基板の間には放電ガスが封入されている。各電極の間に電圧を印加すると、放電ガスがプラズマ化して紫外線が放射される。この紫外線が蛍光体に入射して蛍光体が励起され、可視光が放出されるようになっている。
【０００３】
維持電極及び走査電極は誘電体層によって覆われており、誘電体層を覆うように保護膜が形成されている。この保護膜は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層を保護するものであり、一般的にはＭｇＯによって形成された保護膜が知られている。近年では、ＭｇＯの他にＳｒＯ、ＣａＯ等のアルカリ土類金属の酸化物によって保護膜を形成するなど、種々の試みが行われている（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開２００２−２３１１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＤＰの放電時の電圧（放電電圧）は、保護膜の２次電子放出係数に依存することが知られている。すなわち、保護膜の２次電子放出係数が大きいほど（仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど）、放電電圧を低電圧化することが知られている。  
放電電圧が高くなると、ＰＤＰの消費電力が増加する、保護膜の耐スパッタ性が低下して保護膜としての機能が低下する、ＰＤＰを駆動させるため従来のドライバ回路よりも高電圧対応のドライバ回路が必要となるためコストが高くなる、という問題がある。これに対して、電子放出特性に優れた保護膜を有する、放電電圧のより低いＰＤＰが求められている。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、放電電圧のより低いプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、プラズマディスプレイパネルに形成される保護膜において、主成分にＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを含有し、保護膜中のＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下である場合に、放電電圧が低電圧化することを見出した。
そこで、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、第１基板と第２基板とが対向配置されると共に、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第１基板のうち前記第２基板との対向面上に設けられた第１電極と、前記第２基板のうち前記第１基板との対向面上に設けられた第２電極と、前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜とを具備し、前記保護膜が、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記保護膜中の前記ＢａＯの濃度が、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする。
【０００６】
具体的には、前記放電ガスが、Ｘｅを１０体積％以上含有することが好ましい。  
プラズマディスプレイパネルに用いる放電ガスにおいては、Ｘｅの濃度が高濃度、特に１０体積％以上の場合に高輝度になることが知られている。一方で、Ｘｅの濃度を１０体積％以上にすると、放電電圧が上昇することが知られている。
【０００７】
これに対して、本発明によれば、保護膜が、主成分にＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを含有し、保護膜中のＢａＯの濃度が、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることとし、放電ガスのＸｅを１０体積％以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。
【０００８】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１電極が設けられた第１基板と第２電極が設けられた第２基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記ＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下となる保護膜を前記第１電極上及び前記第２電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着工程とを具備し、前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うことを特徴とする。
本発明によれば、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
【０００９】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、第１基板に設けられた第１電極上及び第２基板に設けられた第２電極上のうち少なくとも一方に、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯからなり、前記ＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、前記保護膜形成部に接続され、前記第１基板と前記第２基板との間に放電ガスが封入されるように当該第１基板と当該第２基板とを貼り合せる封着部と、前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−６０℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段とを具備することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、保護膜の形成から封着までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うことができるので、プラズマディスプレイパネルの内部を低湿度状態に維持することができる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、保護膜が主成分にＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを含有し、保護膜中のＢａＯの濃度が５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることとしたので、放電電圧の低電圧化が可能となる。また、放電ガスのＸｅを１０体積％以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。さらに、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−６０℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となり、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。  
（プラズマディスプレイパネル）  
図１は、３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。  
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）１００は、背面基板（第１基板）１と前面基板（第２基板）２とが対向配置され、当該背面基板１と前面基板２との間に複数の放電室１６を有する構成になっている。
【００１３】
背面基板１の内面（前面基板２との対向面）には、複数のアドレス電極（第１電極）１１が所定の間隔でストライプ状に配置されている。この複数のアドレス電極１１の表面上には、誘電体層１９が設けられている。誘電体層１９は、アドレス電極１１上を含めた背面基板１の全面に設けられており、誘電体層１９の表面は平坦になっている。
【００１４】
誘電体層１９の表面上のうち隣接するアドレス電極１１の間の領域には、当該アドレス電極１１の延在方向に沿って隔壁（リブ）１５がそれぞれ設けられている。隣接する隔壁１５間には、それぞれ誘電体層１９の上面および隔壁１５の側面を覆うように、赤色、緑色又は青色の蛍光を発光する蛍光体１７が配置されている。
【００１５】
一方、前面基板２の内面（背面基板１との対向面）には、表示電極（第２電極）１２を構成する走査電極１２ａと維持電極１２ｂとが交互に所定の間隔でストライプ状に配置されている。表示電極１２は、ＩＴＯ等の透明導電性材料によって構成され、アドレス電極１１と直交する方向に延在している。このアドレス電極１１と表示電極１２との交点が、ＰＤＰ１００の画素になっている。交点において、アドレス電極１１と表示電極１２との間の距離（放電ギャップ）は、８０μｍ程度になっている。
【００１６】
表示電極１２上には、当該表示電極１２及び前面基板２の内面を覆うように誘電体層１３が形成されている。誘電体層１３上には、当該誘電体層１３を覆うように保護膜１４が形成されている。保護膜１４は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層１３を保護するものであり、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを含んでいる。
【００１７】
保護膜１４にＳｒＯを含有させることで、ＭｇＯに比べて放電電圧が低下するという利点がある。一方、ＳｒＯのみでは耐スパッタ性が低いため、保護膜１４にＣａＯを含有させて耐スパッタ性の向上を図っている。また、本実施形態では、保護膜１４にＳｒＯ、ＣａＯに加えてＢａＯを含有させている。ＢａＯを含有させることにより、ＳｒＯ及びＣａＯのみの場合に比べて放電電圧が低くなる。
【００１８】
保護膜１４中のＳｒＯの濃度はほぼ５０ｍｏｌ％になっており、保護膜１４中のＢａＯの濃度は５％ｍｏｌ〜２５ｍｏｌ％になっている。ＢａＯの濃度を５％ｍｏｌ〜２５ｍｏｌ％に設定した理由に関しては［実施例］において詳述する。保護膜１４の膜厚は、８０００Å程度になっている。
【００１９】
このように構成された背面基板１と前面基板２とが例えば封着材によって貼り合わされ、隣接する隔壁１５の間に放電室１６が形成されている。この放電室１６の内部には、ＮｅおよびＸｅの混合ガス等の放電ガスが４００Ｔｏｒｒ程度の圧力で封入されている。放電ガス中には、Ｘｅガスが１０体積％以上、例えば１２体積％程度含まれている。
【００２０】
画素を点灯する場合には、アドレス電極１１と走査電極１２ａとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極１２ａと維持電極１２ｂとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。放電により放電室１６内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体１７が励起され、可視光が前面基板２から放出されるようになっている。このときの放電電圧は第１セル点灯電圧と呼ばれている。
【００２１】
（プラズマディスプレイパネルの製造装置）  
次に、図２に基づいて、本実施形態に係るＰＤＰ製造装置を説明する。  
同図に示すように、ＰＤＰ製造装置３０は、前面基板２と背面基板１とを導入し、真空処理によってＰＤＰ１００を製造するものであり、前面基板ロード室３１、蒸着室（保護膜形成部）３２、冷却室３３、背面基板ロード室３４、脱ガス室３５、搬送室３６、アライメント・封着室（封着部）３７、アンロード室３８を有している。これら各室は、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなどの真空排気機構（調節手段）４８に接続されている。
【００２２】
前面基板ロード室３１は、前面基板２を搬入するスペースであり、蒸着室３２に接続されている。前面基板ロード室３１に搬入された前面基板２を蒸着室３２に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
蒸着室３２は、前面基板２に保護膜１４を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室３１及び冷却室３３に接続されている。蒸着室３２には、前面基板２を加熱する加熱機構４１と、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを主成分とする蒸発材料４２と、当該蒸発材料４２に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃４３とが配置されている。蒸発材料４２に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料４２を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室３２には、蒸着時に当該蒸着室３２内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構（図示しない）が設けられている。
【００２３】
冷却室３３は、蒸着室３２において加熱された前面基板２を冷却するスペースであり、上述の蒸着室３２及び搬送室３６に接続されている。冷却室３３には、前面基板２を支持する支持台４４と当該支持台４４内に設けられた冷却機構４５とが設けられている。冷却機構４５には図示しない制御部が設けられており、支持台４４によって支持された前面基板２の基板温度を冷却し、所定の温度に制御することができるようになっている。
【００２４】
背面基板ロード室３４は、背面基板１を搬入するスペースであり、脱ガス室３５に接続されている。背面基板ロード室３４に搬入された背面基板１を脱ガス室３５に搬送する搬送機構（図示しない）が設けられている。  
脱ガス室３５は、背面基板１を加熱して当該背面基板１に吸着したガス（水蒸気など）を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室３４及び搬送室３６に接続されている。脱ガス室３５内には、背面基板１を加熱する加熱機構４６が設けられている。
【００２５】
搬送室３６は、上述の冷却室３３及び脱ガス室３５に接続されており、冷却室３３からの前面基板２と脱ガス室３５からの背面基板１とが合流するスペースである。この搬送室３６は、アライメント・封着室３７にも接続されており、合流した前面基板２及び背面基板１をアライメント・封着室３７に搬送するスペースでもある。また、搬送室３６は、アンロード室３８にも接続されており、アライメント・封着室３７からのＰＤＰ１００をアンロード室３８に搬送するスペースでもある。このため、搬送室３６には、前面基板２、背面基板１及びＰＤＰを搬送する搬送ロボット（図示しない）が設けられている。
【００２６】
アライメント・封着室３７は、前面基板２及び背面基板１の位置決めをし、両基板を封着材を用いて封着すると共に、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスを封入して、ＰＤＰ１００を完成させるスペースである。アライメント・封着室３７は、上述の搬送室３６に接続されている。
【００２７】
アライメント・封着室３７には、前面基板２と背面基板１の位置決めをする位置決め機構（図示しない）と、放電ガスを供給する放電ガス供給部（図示しない）が設けられている。また、アライメント・封着室３７には、室内に拡散した放電ガスを純化する放電ガス純化器４７が取り付けられており、放電ガス純化器４７によって純化された放電ガスを再利用することができるようになっている。  
アンロード室３８は、アライメント・封着室３７において完成されたＰＤＰ１００を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室３６に接続されている。
【００２８】
（プラズマディスプレイパネルの製造方法）  
次に、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造方法を、図３に沿って説明する。図３は、本実施形態に係るＰＤＰ１００の製造の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、前面基板２と背面基板１とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でＰＤＰ１００を製造する。
【００２９】
前面基板２を形成する手順を説明する。  
まず、前面基板２に表示電極１２及び誘電体層１３を形成する（ＳＴ１１）。この状態で、前面基板２をＰＤＰ製造装置３０の前面基板ロード室３１に搬入する。前面基板２が搬入されたら、前面基板ロード室３１内の搬送機構が前面基板２を蒸着室３２に搬送する。
【００３０】
蒸着室３２では、保護膜１４を形成する（ＳＴ１２：保護膜形成工程）。  
まず、真空排気機構によって蒸着室３２内を真空排気する。蒸着室３２内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室３２内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が３．０×１０−２Ｐａ程度になるように制御する。同時に、前面基板２の基板温度が２５０℃程度になるように調節する。
【００３１】
酸素ガスの分圧及び前面基板２の基板温度を調節しながら、電子ビーム銃４３から蒸発材料４２に向けて電子ビームを照射して蒸発材料４２を蒸発させると、蒸発した蒸発材料４２は、蒸着室３２内を蒸気流となって循環し、４０Å／ｓ程度の成膜レートで前面基板２上に堆積する。この蒸発材料４２の堆積物が保護膜１４となる。なお、蒸発材料４２中のＳｒＯの濃度はほぼ５０ｍｏｌ％になっており、蒸発材料４２中のＢａＯの濃度は５％ｍｏｌ〜２５ｍｏｌ％になっている。
【００３２】
保護膜１４を形成したら、前面基板２を冷却室３３の支持台４４上に搬送する。冷却室３３では、真空雰囲気下で、冷却機構４５によって、蒸着時に加熱した前面基板２を所定の温度まで冷却する（ＳＴ１３）。  
このようにして、前面基板２を形成する。
【００３３】
次に、背面基板１を形成する手順を説明する。  
まず、背面基板１の内面にアドレス電極１１、誘電体層１９、隔壁１５、蛍光体１７を形成し（ＳＴ２１）、さらに図示しない封着材を形成する（ＳＴ２２）。この状態で、ＰＤＰ製造装置３０の背面基板ロード室３４に搬入する。背面基板１が搬入されたら、背面基板ロード室３４内の搬送機構が背面基板を脱ガス室３５に搬送する。脱ガス室３５では、真空中で背面基板１を加熱することによって、当該背面基板１の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う（ＳＴ２３）。
【００３４】
脱ガス処理が終了した背面基板１は、搬送室３６へ搬送され、搬送室３６からアライメント・封着室３７へと搬送される。  
アライメント・封着室３７では、真空雰囲気下において、前面基板２と背面基板１とを貼り合わせるための位置決めをする（ＳＴ３１）。位置決めが完了したら、アライメント・封着室３７内に放電ガスを導入する（ＳＴ３２）。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板２と背面基板１とを貼り合わせる（ＳＴ３３）。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板２と背面基板１との間に放電ガスが封入された状態で前面基板２と背面基板１との間を封着する（ＳＴ３４）。このように、アライメント・封着室３７では封着工程を行い、ＰＤＰ１００を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器４７によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。  
その後、ＰＤＰ１００は、搬送室３６を経由してアンロード室３８に搬送され、アンロード室３８から取り出される。
【００３５】
本実施形態によれば、ＰＤＰ１００に形成される保護膜１４の主成分にＳｒＯ、ＣａＯ及びＢａＯを含有し、保護膜１４中のＢａＯの濃度が、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下であることとしたので、ＰＤＰ１００の放電電圧の低電圧化が可能となる。  
また、本実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととしたので、保護膜１４の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、ＰＤＰ１００の長寿命化を図ることができる。
【００３６】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととして説明したが、これに限られることは無い。例えば、保護膜形成工程から封着工程までを露点−６０℃以下の乾燥雰囲気中で行っても構わない。この場合、ＰＤＰ製造装置３０内（特に、蒸着室３２内、冷却室３３内、脱ガス室３５内、搬送室３６内、アライメント・封着室３７内）にＣＤＡ（Clean Dry Air）を供給するＣＤＡ供給機構と、ＰＤＰ製造装置３０内からＣＤＡを排出するＣＤＡ排出機構とを有していることが好ましい。ＰＤＰ製造装置３０内にＣＤＡを供給することによって、当該ＰＤＰ製造装置３０内を容易に露点−６０℃以下の乾燥雰囲気にすることができる。このように、露点−６０℃以下の乾燥雰囲気であっても、保護膜１４の吸湿を十分に防ぐことが可能である。  
また、上記実施形態では、保護膜１４を背面基板１にのみ形成する構成であったが、これに限られることは無い。例えば、背面基板１と前面基板２との両方に保護膜１４を形成する構成であっても、勿論構わない。
【実施例】
【００３７】
次に、上述の保護膜１４の組成と放電電圧との関係についての実施例を説明する。  
図４は、ＳｒＯ（５０ｍｏｌ％）、ＣａＯ及びＢａＯを含有する保護膜中のＢａＯの濃度と、当該ＢａＯ濃度に対応する第１セル点灯電圧、第１セル消灯電圧との関係を示すものである。「第１セル消灯電圧」は、セルが点灯状態から消灯状態になるときの電圧である。図４のグラフのうち、縦軸は放電電圧（第１セル点灯電圧、第１セル消灯電圧）の大きさ（単位はＶ）であり、横軸はＢａＯ濃度（単位はｍｏｌ％）である。ＢａＯ濃度を０ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％に５ｍｏｌ％ずつ変化させたときの値を測定した。
【００３８】
ここで、セルについては、上述したＰＤＰ１００とほぼ同じ条件のパネルである。セルの放電ギャップは８０μｍであり、放電ガスはＮｅとＸｅとの混合ガスであり、放電ガス中のＸｅの濃度は１２体積％であり、放電ガスの圧力は４００Ｔｏｒｒであり、周波数は４０ｋＨｚであるものとした。
【００３９】
図４に示すように、保護膜中のＢａＯ濃度が０ｍｏｌ％の場合、すなわち、ＢａＯが含まれない保護膜では、第１セル点灯電圧が１６２Ｖであり、消灯電圧が１１２Ｖであった。  
これに対して、保護膜中のＢａＯ濃度が５ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１５０Ｖであり、消灯電圧が１０５Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。
【００４０】
保護膜中のＢａＯ濃度が１０ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１３８Ｖであり、消灯電圧が９６Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、消灯電圧については、ＢａＯ濃度を０ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％に変化させた中で最も低い値を示した。
【００４１】
保護膜中のＢａＯ濃度が１５ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１３６Ｖであり、消灯電圧が９８Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、第１セル点灯電圧については、ＢａＯ濃度を０ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％に変化させた中で最も低い値を示した。
【００４２】
保護膜中のＢａＯ濃度が２０ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１４９Ｖであり、消灯電圧が１０３Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。  
保護膜中のＢａＯ濃度が２５ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１６０Ｖであり、消灯電圧が１１２Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧が僅かながら低い値を示した。消灯電圧については、ＢａＯが含まれない場合と同値を示した。
【００４３】
保護膜中のＢａＯ濃度が３０ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１６７Ｖであり、消灯電圧が１１７Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。  
保護膜中のＢａＯ濃度が４０ｍｏｌ％の場合には、第１セル点灯電圧が１７２Ｖであり、消灯電圧が１２４Ｖであった。保護膜中にＢａＯが含まれない場合に比べて、第１セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。  
これらのことから、保護膜中にＢａＯを５ｍｏｌ％〜２５ｍｏｌ％含有させることによって、放電電圧を低下させることが可能となることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態に係るＰＤＰの構成を示す断面図。
【図２】本実施形態に係るＰＤＰ製造装置の構成を示す平面図。
【図３】本実施形態に係るＰＤＰの製造過程を示すフローチャート。
【図４】保護膜中のＢａＯ濃度と放電電圧との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４５】
１…背面基板  ２…前面基板  １１…アドレス電極  １２…表示電極  １２ａ…走査電極  １２ｂ…維持電極  １３…誘電体層  １４…保護膜  １６…放電室  ３０…ＰＤＰ製造装置  ３２…蒸着室  ３７…アライメント・封着室  １００…ＰＤＰ
【図１】
0004777827.tif 000002
【図２】
0004777827.tif 000003
【図３】
0004777827.tif 000004
【図４】
0004777827.tif 000005