(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上のうち無機絶縁材料からなる無機バンク及び有機絶縁材料によって形成される有機バンクを含むバンク部によって囲まれた複数の所定領域上に、第１電極と、正孔注入層及び発光層を含む機能層と、透光性を有する第２電極とが順に積層されてなる発光素子がそれぞれ設けられた電気光学装置の製造方法であって、
前記基体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面のうちそれぞれの前記所定領域上を部分的に除去し、該絶縁膜表面のそれぞれの前記所定領域について当該所定領域の全体に亘って湾曲する一の湾曲面を有する凹部を形成する工程と、
前記絶縁膜のうち前記凹部上に、当該凹部に倣って湾曲された形状となるように、前記発光層で生じる光を反射させる反射電極層を形成する工程と、
前記反射電極層上に、前記反射電極層に倣って湾曲された形状となるように、前記第１電極の一部を構成する透明電極層を、無機材料によって形成する工程と、
前記透明電極層の湾曲された前記表面を部分的に開口させるように当該透明電極層の周縁部を覆い、かつ、前記所定領域上を囲うように、前記基体上に前記無機バンクをパターニングすることと、前記無機バンクに形成される開口部に対して壁面が外側に配置されるように前記発光素子の仕切部材としての前記有機バンクを形成することと、によって前記バンク部を形成する工程と、
前記透明電極層のうち前記バンク部によって囲われた領域であって前記反射電極層とは反対側の湾曲された表面が、前記有機バンクに比べて、前記正孔注入層を構成する材料を含む液状体及び前記発光層を構成する材料を含む第二液状体に対して親液性となるように、前記有機バンクの前記壁面と前記透明電極層の前記表面とを含む前記基体上の一面側全体に対してフッ素系化合物を用いて前記液状体及び前記第二液状体に対する撥液処理を行う工程と、
前記透明電極層のうち前記撥液処理によって前記液状体に対して前記有機バンクに比べて親液性となるように改質された部分、及び、前記撥液処理によって前記液状体に対して撥液性となるように改質された前記有機バンクの前記壁面、に亘って前記液状体が溜まるように当該液状体を滴下し、溜まった前記液状体が、前記有機バンクの前記壁面で生じる撥液作用によって前記壁面側から前記透明電極層の外周側に引き寄せられるように、かつ、前記液状体が前記バンク部に残らないように前記液状体を乾燥させ、前記正孔注入層を構成する材料を前記透明電極層の表面全体に定着させることで、前記透明電極層に倣って湾曲された形状の前記正孔注入層を形成する工程と、
前記第二液状体が前記正孔注入層のうち湾曲された表面上の部分、及び、前記撥液処理によって前記第二液状体に対して撥液性となるように改質された前記有機バンクの壁面に亘って溜まるように当該第二液状体を滴下し、溜まった前記第二液状体が、前記有機バンクの前記壁面で生じる前記第二液状体に対する撥液作用によって前記壁面側から前記正孔注入層上の外周側に引き寄せされるように、かつ、前記第二液状体が前記バンク部に残らないように前記第二液状体を乾燥させ、前記発光層を構成する材料を前記正孔注入層の表面全体に定着させることで、前記正孔注入層に習って湾曲された形状の前記発光層を、前記正孔注入層の湾曲部分に形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基体上に絶縁膜を形成する工程は、前記絶縁膜として感光性樹脂材料からなる絶縁膜を形成することを含み、
前記凹部を形成する工程は、前記感光性樹脂材料からなる前記絶縁膜をハーフ露光し、その後現像することで該絶縁膜表面を部分的に除去し、該絶縁膜表面を凹面状に加工することを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜表面を部分的に除去するに際して、
前記絶縁膜上にグレーマスクを形成し、該グレーマスクを介したエッチング処理により該絶縁膜表面を凹面状に加工することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
平面型の表示装置（フラットパネルディスプレイ）として、陽極と陰極との間に有機発光材料からなる発光層を形成した、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が知られている。有機化合物を含んだ従来の発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子；有機ＥＬ素子）の構造は、陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極というそれぞれの機能層が積層された構成である。この有機化合物を含む発光層において生じた光は、等方的に発光するため、それぞれの機能層が平面状に積層される従来の構造では積層平面の法線方向に発光した光は直接ないし所定の反射面で反射させることで基板の外部に取り出すことが可能であるが、積層平面に略平行方向に発光した光は基板の外側に取り出すのが困難であり、これが発光素子の効率を低下させる原因となっていた。
そこで、特許文献１では、画素の領域内に凹凸を設けることで光の取り出し効率を高めることが提案されている。また特許文献２では、画素周辺部の反射電極をエッチングする際に反射壁面を形成することで光の取り出し効率を高めることが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２０２７３７号公報
【特許文献２】特開２００２−１７２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記各特許文献に開示されている技術によれば、機能層の面方向に伝搬する光を部分的にでも取り出すことが可能であるため、確かに発光効率の向上は可能であると考えられる。しかし、特許文献１に記載の技術では、画素内に発光部分と非発光部分とが設けられるため、発光部分での光取り出し効率は向上するものの、非発光部分を含めた画素全体の効率はそれほど向上しないという課題がある。また特許文献２に記載の技術では、光の取り出し効率が反射壁面のテーパー角度に依存するため、製造時に前記テーパー角度を高精度に管理する必要があり、製造の困難性が高くなるという課題がある。さらに、テーパー角度が大きい場合には、発光素子を構成する機能層を形成するに際して、開口領域の側面において膜厚が薄くなって輝度ムラが生じたり、電極間の短絡が生じるという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、発光素子の光取り出し効率を向上させることができ、かつ簡便な製造プロセスにより製造可能な電気光学装置、及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基体上に、第１電極と、発光層を含む機能層と、透光性を有する第２電極とを順に積層してなる発光素子が設けられた電気光学装置であって、前記機能層の前記基体側に、前記発光層で生じた光を反射させる反射層が設けられ、前記機能層と前記反射層の反射面とが、前記基体上で凹面状を成しており、前記反射面の凹面深さが、該機能層の膜厚以上であることを特徴とする。
この構成によれば、凹面状の反射面を具備した反射層上に機能層が配されているので、機能層で発光して等方的に散乱する光のうち、基体の面方向に散乱する成分を、機能層の背面側（基体側）に設けられた反射層によって反射させて取り出し、機能層の層厚方向に散乱する光とともに表示に寄与する光として利用することができる。これにより、明るい表示を得られる電気光学装置とすることができる。また光取り出し効率の向上により、従来と同等の明るさをより小さい電力で得られるようになり、電気光学装置の低消費電力化にも寄与する。
また、本構成では、機能層及び反射面はなだらかな曲面形状の凹面状であるため、画素電極の周縁部にテーパー部を設けた構成のようにテーパー角度の精密な管理が不要であり、また膜の付き回りが良好であるため、製造の容易性に優れ、かつ点欠陥等の生じ難い高信頼性の電気光学装置となる。
【０００６】
本発明の電気光学装置では、前記第１電極が光反射性を有しており、前記反射層を兼ねている構成とすることもできる。この構成によれば、製造に係る工数を削減でき、装置の低コスト化を実現できる。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、前記発光素子が、前記基体上に設けられた絶縁膜上に設けられており、前記反射面及び機能層が、前記絶縁膜表面に設けられた凹部に倣う凹面状を成している構成とすることが好ましい。この構成によれば、製造工程を複雑化することなく上記形状を具備した反射層及び機能層を得られ、また高精度に凹面の形状を制御できるので、容易に製造可能な電気光学装置となる。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基体上に、第１電極と、発光層を含む機能層と、透光性を有する第２電極とを順に積層してなる発光素子が設けられた電気光学装置の製造方法であって、前記基体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を部分的に除去し、該絶縁膜表面を凹面状に加工する工程と、前記凹面状に加工された絶縁膜上に反射層を形成する工程と、前記反射層上に前記機能層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
この製造方法によれば、上記凹面形状を有する反射層及び機能層を容易に形成することができる。また、絶縁膜表面をなだらかな曲面形状の凹面状に加工するので、その上層に形成される反射層や機能層の膜の付き回りや膜厚の均一性が損なわれることが無く、高歩留まりかつ高効率に信頼性に優れた電気光学装置を製造することができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記反射層を形成する工程に先立って、前記基体上に感光性樹脂材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をハーフ露光した後、現像することで該絶縁膜表面を部分的に除去し、該絶縁膜表面を凹面状に加工する工程とを含むこともできる。この製造方法によれば、基体上に形成した感光性樹脂からなる絶縁膜を直接に露光・現像して前記凹面形状を形成できるので、製造工程の効率化を図ることができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記反射層を形成する工程に先立って、前記基体上に感光性材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を露光、現像する工程とを含み、前記絶縁膜を、該絶縁膜の露光に用いる露光装置の焦点深度以上の膜厚にて前記基体上に形成することもできる。
係る製造方法によっても上記絶縁膜表面の凹面形状は良好に形成することができる。すなわち、露光装置の焦点深度以上の膜厚を有する絶縁膜であれば、通常の露光処理によっても絶縁膜はハーフ露光された状態となり、容易かつ高精度に凹面状の加工を施すことができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記絶縁膜表面を部分的に除去するに際して、前記絶縁膜上にグレーマスクを形成し、該グレーマスクを介したエッチング処理により該絶縁膜表面を凹面状に加工することもできる。この製造方法では、加工される絶縁膜は感光性樹脂材料に限らず無機絶縁材料や樹脂絶縁材料等により形成することができるため、絶縁膜に係る製造上の制限が無く、柔軟な装置設計が可能である。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記機能層を液相法により形成することができる。液体材料を電極上に配して乾燥固化させる方法により機能層を形成する場合、画素電極の周縁部にのみテーパー部が形成された構造では、発光領域の全域で機能層を均一化することができず、輝度ムラや短絡を生じることとなるが、本発明の如く絶縁膜表面になだらかな凹面状を形成し、係る領域に反射層や電極、機能層を形成するならば、比較的容易に均一な膜厚の機能層を得ることができ、明るくかつムラのない高品質の発光表示を得ることができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記絶縁膜表面の凹面形状に倣って凹面状を成す前記反射層の凹面深さが、前記機能層の層厚以上となるように前記絶縁膜表面を凹面状に加工することが好ましい。この製造方法によれば、凹面状を成す反射面の内側に機能層が配されることとなるため、機能層で生じた光のうち基体の面方向に散乱する光を確実に反射層で反射させることができ、良好な光取り出し効率を得られる電気光学装置を製造できる。
【００１４】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、明るい表示が得られる低消費電力の表示部を具備した電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
（電気光学装置）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の電気光学装置の一実施の形態として、有機ＥＬ素子を画素として基体上に配列してなる有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）を例示して説明する。この有機ＥＬ装置は、例えば電子機器等の表示手段として好適に用いることができるものである。
【００１６】
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の回路構成図、図２は、同有機ＥＬ装置の平面構成図、図３は、同有機ＥＬ装置に備えられた画素領域７１の断面構造を示す図、図４は、図３に示す有機ＥＬ素子を拡大して示す部分断面構成図である。
【００１７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置７０は、透明の基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２と並列に延びる複数の電源線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に画素領域７１が設けられた構成を備えている。
【００１８】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路７３が設けられている。また、画素領域７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号が供給されるゲート電極を含むスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号（電力）を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号が供給されるゲート電極を含む駆動用ＴＦＴ１４３と、この駆動用ＴＦＴ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１（第１電極）と、この画素電極１４１と共通電極（第２電極）１５４との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。そして、前記画素電極１４１と共通電極１５４と、発光部１４０とによって構成される素子が有機ＥＬ素子である。
【００１９】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１４２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１４３のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて共通電極１５４に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【００２０】
図１に示す回路構成を具備した有機ＥＬ装置７０は、図２に示すように、電気絶縁性お
よび透光性を有する基板２０１上に、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画
素電極が基板２０１上にマトリクス状に配置されてなる平面視略矩形の画素部３（図２中
の一点鎖線枠内）を具備して構成される。画素部３は、中央部分の表示領域４（図２中、
画素部３の内側の一点鎖線枠内）と、表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５とに区
画されている。表示領域４には、それぞれ画素電極を有する３色の表示ドットＲ、Ｇ、Ｂ
が、紙面の縦方向および横方向にそれぞれ離間してマトリクス状に配置されている。また
、図２における表示領域４の左右には走査線駆動回路７３が配置される一方、図２におけ
る表示領域４の上下にはデータ線駆動回路７２が配置されている。これら走査線駆動回路
７３、データ線駆動回路７２はダミー領域５の周縁部に配置されている。
【００２１】
さらに、図２におけるデータ線駆動回路７２の上側には、検査回路９０が配設されている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置７０の作動状況を検査する回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥を検査できるようになっている。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下層側に配置されている。また、基板２０１には、フレキシブルプリント基板等からなる駆動用外部基板１０１が接続され、駆動用外部基板１０１上に外部駆動回路１００が搭載されている。
【００２２】
次に、図３及び図４を用いて有機ＥＬ装置７０の断面構造について説明する。
図３は、図２の表示領域４に設けられた画素領域７１の断面構成図である。有機ＥＬ装置７０の画素領域７１には、ガラス等の透光性を有する基板２０１上に、駆動用ＴＦＴ１４３が設けられており、駆動用ＴＦＴ１４３を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板２０１上に、有機ＥＬ素子２００が形成されている。有機ＥＬ素子２００は、基板２０１上に立設されたバンク（隔壁部材）１５０に囲まれる区画領域１５１内に設けられた有機機能層１４０を主体としてなり、この有機機能層１４０を画素電極（第１電極）１４１と共通電極（第２電極）１５４との間に挟持した構成を備える。
【００２３】
駆動用ＴＦＴ１４３は、下地絶縁膜２１５を介して基板２０１上にパターン形成された半導体層２１０を備えており、この半導体層２１０に形成されたソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂ、及びチャネル領域１４３ｃと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜２２０を介してチャネル領域１４３ｃに対向するゲート電極１４３Ａとを主体として構成されている。符号２３１を付して示す部材は、ゲート電極１４３Ａと同層に設けられた配線であり、例えば図１に示した保持容量ｃａｐの電極を構成するものである。
【００２４】
半導体層２１０及びゲート絶縁膜２２０上には、これらを覆う形にて層間絶縁膜２３０が形成されており、この層間絶縁膜２３０を貫通して半導体層２１０に達するコンタクトホール２３２，２３４内に、それぞれソース電極２３６、ドレイン電極２３８が埋設され、各々の電極はソース領域１４３ａ、ドレイン領域１４３ｂに導電接続されている。ソース電極２３６及びドレイン電極２３８を覆う層間絶縁膜２３０上には保護絶縁膜２３５が形成され、保護絶縁膜２３５を覆って平坦化絶縁膜２４０が形成されている。平坦化絶縁膜２４０に貫設されたコンタクトホール２４０ｂに画素電極１４１の一部が埋設されている。そして画素電極１４１とドレイン電極２３８とが導電接続されることで、駆動用ＴＦＴ１４３と画素電極１４１（有機ＥＬ素子２００）とが電気的に接続されている。本実施形態の場合、画素電極１４１は、アルミニウムや銀等の光反射性の金属膜からなる反射層１４１ａと、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電膜からなる透明電極１４１ｂとを積層した構造を備える。
【００２５】
平坦化絶縁膜２４０には、画素電極１４１の形成領域であって、有機機能層１４０が形成される領域において選択的に凹部２４０ａが形成されている。凹部２４０ａは、平坦化絶縁膜２４０表面にてなだらかな曲面形状（凹面状）を成して形成されており、画素７１の中心から外側に放射状に広がる形の傾斜面として形成されている。前記凹部２４０ａの傾斜角は、画素領域７１のサイズにもよるが、基板２０１の主面に対して５°〜６０°程度とされる。
また、平坦化絶縁膜２４０の凹部２４０ａに倣って画素電極１４１にも凹面形状が付与され、さらに画素電極１４１の凹面形状に倣って有機機能層１４０も基板２０１上で凹面状を成している。
【００２６】
平坦化絶縁膜２４０上には、画素電極１４１の周縁部に一部乗り上げるようにして無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９が形成されている。また、無機バンク１４９上には、有機材料からなるバンク（第２隔壁層）１５０が積層され、この有機ＥＬ装置７０における隔壁部材を成している。
【００２７】
上記有機ＥＬ素子２００は、画素電極１４１の平面領域のうち、凹部２４０ａに倣う凹面状を成している領域に、正孔注入層（電荷輸送層）や発光層、電子注入層等を含む有機機能層１４０を積層し、さらにバンク１５０を覆う共通電極１５４を前記有機機能層１４０上に形成することで構成されている。有機機能層１４０は、画素電極１４１を覆い、バンク１５０の下層側に設けられた無機バンク１４９の内側に形成されている。有機機能層１４０の具体的な構成については、後段の製造方法の説明において詳述する。
【００２８】
本実施形態の有機ＥＬ装置７０は、有機ＥＬ素子２００が配設された側から光を取り出すトップエミッション型であるので、基板２０１としては、ガラス等の透明基板のほか、不透明基板も用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。
【００２９】
本実施形態の場合、画素電極１４１は、上記の如く反射層１４１ａと透明電極１４１ｂとを積層した構造であるが、反射層１４１ａを電極として機能しない別部材とすることもでき、画素電極１４１として光反射性の金属膜を用いることもできる。
共通電極１５４は、有機機能層１４０とバンク１５０の上面、さらにはバンク１５０の側面部を形成する壁面を覆った状態で基板２０１上に形成される。この共通電極１５４を形成するための材料としては透光性導電材料が用いられる。係る透光性導電材料としてはＩＴＯが好適であるが、他の透光性導電材料であっても構わない。
【００３０】
共通電極１５４の上層側には、陰極保護層を形成してもよい。係る陰極保護層を設けることで、製造プロセス時に共通電極１５４が腐食されるのを防止する効果が得られ、無機化合物、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン窒酸化物等のシリコン化合物により形成できる。このように共通電極１５４を無機化合物からなる陰極保護層で覆うことにより、無機酸化物からなる共通電極１５４への酸素等の侵入を良好に防止することができる。なお、この陰極保護層は、平面的には、図２に示した基板２０１の外周部まで延設され、その厚みは１０ｎｍから３００ｎｍ程度とされる。
【００３１】
上記構成を備えた本実施形態の有機ＥＬ装置７０では、図４の拡大断面図に示すように、平坦化絶縁膜２４０の表面に凹部２４０ａが形成され、それに倣って反射層１４１ａ及び有機機能層１４０が凹面状を成して形成されている。なお、図４では透明電極１４１ｂの図示を省略している。
有機機能層１４０に含まれる発光層において生じる光は、発光位置から等方的に散乱するため、従来構成の如く反射層及び有機機能層が平面形状である場合には、基板２０１の法線方向（図示上方向）に散乱する光は、直接又は反射層で反射した後に表示光として取り出すことが可能であるが、基板２０１の面方向（図示左右方向）に散乱する光は、そのまま画素外へ放射されてしまうため、表示に寄与する光として取り出すことができなかった。また先の特許文献２に記載の技術では、画素の周縁部にテーパー部を形成し、上記面方向に散乱する光を取り出すようになっているが、テーパー角度の管理が困難である等の製造上の課題を有していた。
【００３２】
これに対して、本発明の有機ＥＬ装置７０では、上記の如く反射層１４１ａ及び有機機能層１４０の双方が凹面状を成して形成されているので、有機機能層１４０の法線方向に散乱する光（図４に示す光Ｌ１）を良好に取り出せるのは勿論のこと、有機機能層１４０の面方向に散乱する光（図４に示す光Ｌ２）も、有機機能層１４０を取り囲むように配された反射層１４１ａにより反射させ、観察者側（図示上方）へ取り出すことができるようになっている。このように、上記構成を備えた有機ＥＬ素子２００によれば、有機機能層１４０で生じた光を高効率に出力することができ、明るい表示を得ることができる。あるいは、有機ＥＬ素子２００では、同一の輝度を得るための消費電力を従来に比して低減でき、換言すれば、同一の注入電流に対して明るい表示を得られるものである。
また、有機機能層１４０は全体が曲面形状を成しているため、基板面方向に散乱され、反射面１４１ｒで反射されて取り出される光Ｌ２は、その発光位置の近傍で反射され、表示光として取り出される。すなわち、有機機能層１４０の外周部に反射層のテーパー部を設けて光を取り出す構造に比して反射されるまでの経路が短くなっているので、経路中の吸収、散乱等が生じ難く、より大きな光取り出し効率を得ることができる。
【００３３】
上記有機ＥＬ素子２００においては、有機機能層１４０で発光した光のうち、有機機能層１４０の面方向に散乱する光は、上記の如く凹面状を成す反射面１４１ｒにて反射されて有機ＥＬ素子２００から射出される。したがって係る光Ｌ２の取り出し効率を高めるためには、有機機能層１４０は反射面１４１ｒの内側に配置されることとなる。つまり、図４に示す反射面１４１ｒの凹面深さｄは、有機機能層１４０の層厚より大きい深さとされる。この凹面深さｄを大きくするほど、有機機能層１４０の側端部から無機バンク１４９側へ放射される光量が減少し、反射面１４１ｒで反射されて表示に寄与する光量が増加する傾向となる。ただし、凹面深さｄが大きすぎると、画素電極１４１の周縁部で、画素電極を構成する反射層１４１ａや透明電極１４１ｂ、有機機能層１４０の膜の付き回りが悪化して点欠陥を生じやすくなる。
なお、有機機能層１４０の層厚が変更された場合にも、反射面１４１ｒの凹面深さｄを変更することで良好な光取り出し効率を容易に得ることができる。
【００３４】
また、画素電極１４１及び有機機能層１４０が形成される平坦化絶縁膜２４０の凹部２４０ａは、後述する製造方法によってなだらかな曲面の凹面状に形成されるものであるため、反射電極（反射層）の外周部にエッチングによってテーパー部を形成する場合のように、テーパー角度の管理が製造上の問題となることもない。さらに、凹部内に電極や有機機能層を形成する構造では、凹部の側壁が急峻な角度であると、電極や有機機能層の付き回りが悪くなり、発光領域に点欠陥を生じやすくなるという問題があるが、本発明ではなだらかな曲面状に画素電極１４１や有機機能層１４０を成膜するので、膜の付き回りは良好であり、信頼性の高い有機ＥＬ装置を得ることができる。
【００３５】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態として、先の実施形態の有機ＥＬ装置７０を製造する方法について説明する。本実施形態では、液滴吐出ヘッドから所定の液体材料を吐出し、基板上に選択的に配置する液滴吐出法を用いて有機機能層１４０を形成する場合を挙げて説明する。
【００３６】
＜液滴吐出ヘッド＞
まず、有機ＥＬ装置７０の具体的な製造方法の説明に先立ち、液滴吐出法に用いられる吐出ヘッドの一例について説明する。図５（ａ）、（ｂ）に示すように吐出ヘッド３４は、例えばステンレス製のノズルプレート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１４によって複数のキャビティ１５…とリザーバ１６とが形成されており、これらキャビティ１５…とリザーバ１６とは流路１７を介して連通している。
【００３７】
各キャビティ１５とリザーバ１６の内部とは液体材料で満たされるようになっており、これらの間の流路１７はリザーバ１６からキャビティ１５に液体材料を供給する供給口として機能するようになっている。また、ノズルプレート１２には、キャビティ１５から液体材料を噴射するための孔状のノズル１８が縦横に整列した状態で複数形成されている。一方、振動板１３には、リザーバ１６内に開口する孔１９が形成されており、この孔１９には図示略の液状体タンクがチューブを介して接続され、液体材料の供給を行うようになっている。
【００３８】
また、振動板１３のキャビティ１５に向く面と反対の側の面上には、図５（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２０は、一対の電極２１、２１間に挟持され、通電により外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。
【００３９】
このような構成のもとに圧電素子２０が接合された振動板１３は、圧電素子２０と一体になって同時に外側へ撓曲し、これによりキャビティ１５の容積を増大させる。すると、キャビティ１５内とリザーバ１６内とが連通しており、リザーバ１６内に液体材料が充填されている場合には、キャビティ１５内に増大した容積分に相当する液体材料が、リザーバ１６から流路１７を介して流入する。
そして、このような状態から圧電素子２０への通電を解除すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に戻る。よって、キャビティ１５も元の容積に戻ることから、キャビティ１５内部の液体材料の圧力が上昇し、ノズル１８から所定量の液体材料の液滴２２が吐出される。
【００４０】
本実施形態に係る製造方法では、このように所定量の液滴を所定位置に吐出配置可能な液滴吐出ヘッド３４を用いることで、バンク１５０に囲まれる区画領域１５１内に、有機機能層１４０の形成材料を含む液体材料を選択的に配置し、所定膜厚の有機機能層１４０を形成する。
【００４１】
なお、吐出ヘッドの吐出手段としては、前記の圧電素子（ピエゾ素子）２０を用いた電気機械変換体以外でもよく、例えば、エネルギー発生素子として電気熱変換体を用いた方式や、帯電制御型、加圧振動型といった連続方式、静電吸引方式、さらにはレーザーなどの電磁波を照射して発熱させ、この発熱による作用で液状体を吐出させる方式を採用することもできる。
【００４２】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、上述した液滴吐出ヘッドを用いた有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の製造方法について説明するが、以下に示す手順や液体材料の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。
【００４３】
以下、上記有機ＥＬ装置７０の製造方法について図６から図８を参照しながら説明する。なお、図６から図８には、説明を簡略化するために単一の画素領域７１についてのみ図示しているが、有機ＥＬ装置７０の各画素領域７１は、共通の構成を具備しているものとする。
【００４４】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０１上に駆動用ＴＦＴ１４３を形成する。トップエミッション型では、基板は不透明であってもよいため、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂なども用いることができるが、従来から液晶装置等に用いられているガラス基板であってもよい。
【００４５】
ここで、図３を参照して駆動用ＴＦＴ１４３の作製手順を簡単に説明する。
まず、基板２０１に対し、必要に応じてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２１５を形成しておく。その後、基板温度を３５０℃程度に設定して基板２０１の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成し、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで半導体層２１０を形成する。そしてこの半導体層２１０を、レーザアニールまたは固相成長法などによる結晶化工程に供することで結晶化してポリシリコン膜とする。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザであってビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用いることができ、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２である。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００４６】
次いで、半導体層２１０及び基板２０１の表面に対して、ＴＥＯＳや酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜または窒化膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する。なお、半導体層２１０は、図１に示した駆動用ＴＦＴ１４３のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においてはスイッチング用ＴＦＴ１４２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、駆動用ＴＦＴ１４３を作製する工程では、２種類のトランジスタ１４２、１４３が同時に作製される。
【００４７】
次に、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜、ないしこれらの積層膜からなる導電膜をスパッタ法等により形成した後、パターニングすることで、ゲート電極１４３Ａを形成する。続いて、半導体層２１０に対して、高濃度のリンイオンを打ち込むことで、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４３ａ、１４３ｂを形成する。このとき、ゲート電極１４３Ａにより遮蔽されて不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４３ｃとなる。その後、半導体層２１０及び基板２０１表面を覆う層間絶縁膜２３０を形成する。
【００４８】
次に、層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホール２３２及び２３４を形成し、これらコンタクトホール２３２及び２３４内にソース電極２３６及びドレイン電極２３８を埋め込むように形成し、駆動用ＴＦＴ１４３を得る。ここで、層間絶縁膜２３０上においてソース電極２３６に接続するように、不図示の共通給電線（配線）や走査線も形成しておく。さらに、層間絶縁膜２３０、及び各配線の上面を覆うように保護絶縁膜２３５を形成し、さらにその上層に、感光性樹脂材料を用いて平坦化絶縁膜２４０を形成する。
【００４９】
図６に戻り、駆動用ＴＦＴ１４３上に感光性樹脂材料からなる平坦化絶縁膜２４０を形成したならば、図６（ｂ）に示すように、平坦化絶縁膜２４０を選択的に露光し、露光部２４０ｘ、２４０ｙを形成する。これらの露光部のうち、露光部２４０ｘはハーフ露光により平坦化絶縁膜２４０の表面を部分的に露光してなる部位であり、露光部２４０ｙは、平坦化絶縁膜２４０の層厚に渡って露光された部位である。
【００５０】
次いで、図６（ｃ）に示すように、平坦化絶縁膜２４０を現像することにより、露光部２４０ｘ、２４０ｙを除去し、凹部２４０ａ及びコンタクトホール２４０ｂを形成する。凹部２４０ａは、平坦化絶縁膜２４０表面でなだらかな曲面形状の凹面を成しており、コンタクトホール２４０ｂは、平坦化絶縁膜２４０を貫通して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン電極２３８（図示略）に達している。
【００５１】
次に、図６（ｄ）に示すように、凹部２４０ａ、及びコンタクトホール２４０ｂを含む領域に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて画素電極１４１をパターン形成する。具体的には、アルミニウムや銀等の反射性金属膜からなる反射層１４１ａと、ＩＴＯ等の透光性導電材料からなる透明電極１４１ｂとを積層形成し、その後パターニングすることで２層構造の画素電極１４１を得る。これにより、図３に示したようなドレイン電極２３８を介して駆動用ＴＦＴ１４３のドレイン領域１４３ｂと導電接続された画素電極１４１が形成される。なお、本実施の形態では、画素電極１４１には、上記平坦化絶縁膜２４０の凹部２４０ａに倣う形にて、基板２０１上で凹面状を成すこととなる。
【００５２】
本実施形態の場合、有機ＥＬ装置７０はトップエミッション型であるため、画素電極１４１は透明導電膜である必要はなく、金属材料により形成された反射層１４１ａを含むものとされ、画素電極に入射した光を反射させて観察者側へ射出できるようになっている。有機ＥＬ装置７０では、画素電極１４１は陽極として機能するので、仕事関数が４．８ｅＶ以上の材料で形成することが好ましく、本実施形態の如く、ＩＴＯ／Ａｌの積層膜とすることで、有機機能層１４０への正孔注入を円滑に行えるようになっている。なお、この画素電極１４１の形成に先立って、平坦化絶縁膜２４０の表面を清浄化する処理（例えば酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン処理等）を施しておいてもよい。これにより、画素電極１４１（反射層１４１ａ）と平坦化絶縁膜２４０との密着性を向上させることができる。
【００５３】
次に、図７（ａ）に示すように、画素電極１４１の周縁部と一部平面的に重なるように、酸化シリコン等の無機絶縁材料からなる無機バンク（第１隔壁層）１４９を形成する。具体的には、画素電極１４１及び平坦化絶縁膜２４０を覆うように酸化シリコン膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて酸化シリコン膜をパターニングし、画素電極１４１の表面を部分的に開口させることで形成できる。なお、無機バンク１４９の開口領域にて露出された画素電極１４１の表面は、なだらかな凹面状を成す領域となっている。
【００５４】
さらに、図７（ｂ）に示すように、無機バンク１４９上に、アクリル、ポリイミド等の有機絶縁材料からなるバンク（第２隔壁層）１５０を形成する。バンク１５０の高さは、例えば１〜２μｍ程度に設定され、基板２０１上で有機ＥＬ素子の仕切部材として機能する。このような構成のもと、有機ＥＬ素子の正孔注入層や発光層の形成場所、すなわちこれらの形成材料の塗布位置とその周囲のバンク１５０との間に十分な高さの段差からなる開口部（区画領域）１５１が形成される。また、このバンク１５０を形成するに際しては、バンク１５０の壁面を、無機バンク１４９の開口部から若干外側へ後退させて形成するのがよい。すなわち、バンク１５０に囲まれる区画領域１５１内に無機バンク１４９を一部露出させておくことで、バンク１５０内での液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることができる。
【００５５】
バンク１５０を形成したならば、次に、バンク１５０及び画素電極１４１を含む基体上の領域に対して撥液処理を施す。バンク１５０は、有機ＥＬ素子を区画する仕切部材として機能するので、液滴吐出ヘッド３４から吐出される液体材料に対して非親和性（撥液性）を示すものであることが好ましく、前記撥液処理により、バンク１５０に選択的に非親和性を発現させることができる。係る撥液処理として、例えばバンクの表面をフッ素系化合物などで表面処理するといった方法を採用できる。フッ素化合物としては、例えばＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３などがあり、表面処理としては、例えばプラズマ処理、ＵＶ照射処理などが挙げられる。
【００５６】
このような撥液処理では、基体の一面側全体に処理を施したとしても、ＩＴＯ膜や金属膜からなる無機材料の画素電極１４１表面は有機材料からなるバンク１５０の表面よりも撥液化されにくく、バンク１５０の表面のみが選択的に撥液化され、バンク１５０に囲まれる領域内に液体材料に対する親和性の異なる複数の領域が形成される。なお、区画領域１５１内に表面特性（撥液／親液性）の異なる複数の領域を形成するには、上記撥液処理によるほか、バンク１５０の形成材料としてフッ素化合物等を混入した樹脂材料を用いることもできる。この場合、上記撥液処理を施すことなくバンク１５０表面に撥液性を発現させることができる。
【００５７】
次に、図７（ｃ）に示すように、基板２０１の上面を上に向けた状態で正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａを液滴吐出ヘッド３４によりバンク１５０に囲まれた塗布位置に選択的に塗布する。正孔注入層を形成するための液体材料１１４ａは、正孔注入層形成材料及び溶媒を含むものである。
【００５８】
正孔注入層形成材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、バイトロンＰ、ポリスチレンスルフォン酸等を例示することができる。また、溶媒としては、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−イミダゾリノン等の極性溶媒を例示することができる。
【００５９】
上述した正孔注入層形成材料を含む液体材料１１４ａが液滴吐出ヘッド３４より基板２０１上に吐出されると、流動性が高いため水平方向に広がろうとするが、塗布された位置を囲んでバンク１５０が形成されているので、液体材料１１４ａはバンク１５０を越えてその外側に広がらないようになっている。また本実施形態では、画素電極１４１の表面が親液領域となっており、その表面は凹面状を成しているので、画素電極１４１上に塗布された液体材料１１４ａは、画素電極１４１上に良好に保持される。
【００６０】
続いて、加熱あるいは光照射により液体材料１１４ａの溶媒を蒸発させて画素電極１４１上に固形の正孔注入層１４０Ａを形成する（図８（ａ）参照）。または、大気環境下又は窒素ガス雰囲気下において所定温度及び時間（一例として２００℃、１０分）焼成するようにしてもよい。あるいは大気圧より低い圧力環境下（真空環境下）に配置することで溶媒を除去するようにしてもよい。
図８（ａ）に示すように、画素電極１４１上に形成される正孔注入層１４０Ａは、画素電極１４１の表面形状に倣う凹面状に形成される。本実施形態のように凹部内に液体材料を配して乾燥固化させる場合、凹んだ部分に液体材料が溜まり易くなるが、同時に液体材料１１４ａには、画素電極１４１を取り囲む無機バンク１４９及びバンク１５０による表面張力も作用し、画素電極１４１の周縁部側へ液体材料が引き寄せられる。その結果、得られる正孔注入層１４０Ａは概略均一な膜厚を有して画素電極１４１上に形成され、画素電極１４１の表面形状に倣う凹面状を成すこととなる。
【００６１】
続いて、図８（ａ）に示すように、基板２０１の上面を上に向けた状態で液滴吐出ヘッド３４から発光層形成材料と溶媒とを含む液体材料１１４ｂをバンク１５０内の正孔注入層１４０Ａ上に選択的に塗布する。この発光層形成材料としては、例えば共役系高分子有機化合物の前駆体と、得られる発光層の発光特性を変化させるための蛍光色素とを含んでなるものを好適に用いることができる。共役系高分子有機化合物の前駆体は、蛍光色素等とともに液滴吐出ヘッド３４から吐出されて薄膜に成形された後、加熱硬化されることによって共役系高分子有機ＥＬ層となる発光層を生成し得るものをいい、例えば前駆体のスルホニウム塩の場合、加熱処理されることによりスルホニウム基が脱離し、共役系高分子有機化合物となるもの等である。
【００６２】
このような共役系高分子有機化合物は固体で強い蛍光を持ち、均質な固体超薄膜を形成することができる。しかも形成能に富みＩＴＯ電極との密着性も高い。さらに、このような化合物の前駆体は、硬化した後は強固な共役系高分子膜を形成することから、加熱硬化前においては前駆体溶液を後述する液滴吐出パターニングに適用可能な所望の粘度に調整することができ、簡便かつ短時間で最適条件の膜形成を行うことができる。
【００６３】
上記前駆体としては、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））またはその誘導体の前駆体が好ましい。ＰＰＶまたはその誘導体の前駆体は、水あるいは有機溶媒に可溶であり、また、ポリマー化が可能であるため光学的にも高品質の薄膜を得ることができる。さらに、ＰＰＶは強い蛍光を持ち、また二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化している導電性高分子でもあるため、高性能の有機ＥＬ素子を得ることができる。このようなＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体として、例えばＰＰＶ（ポリ（パラ−フェニレンビニレン））前駆体、ＭＯ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビニレン））前駆体、ＣＮ−ＰＰＶ（ポリ（２，５−ビスヘキシルオキシ−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）））前駆体、ＭＥＨ−ＰＰＶ（ポリ［２−メトキシ−５−（２'−エチルヘキシルオキシ）］−パラ−フェニレンビニレン）前駆体等が挙げられる。
【００６４】
ＰＰＶまたはＰＰＶ誘導体の前駆体は、前述したように水に可溶であり、成膜後の加熱により高分子化してＰＰＶ層を形成する。前記ＰＰＶ前駆体に代表される前駆体の含有量は、液体材料組成物全体に対して０．０１〜１０．０ｗｔ％が好ましく、０．１〜５．０ｗｔ％がさらに好ましい。前駆体の添加量が少な過ぎると共役系高分子膜を形成するのに不十分であり、多過ぎると液体材料組成物の粘度が高くなり、液滴吐出法（インクジェット法）による精度の高いパターニングに適さない場合がある。
【００６５】
さらに、発光層形成材料としては、少なくとも１種の蛍光色素を含むのが好ましい。これにより、発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効率の向上、または光吸収極大波長（発光色）を変えるための手段としても有効である。
【００６６】
蛍光色素としては、赤色発光層を形成する場合、赤色に発光するローダミンまたはローダミン誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく、均一で安定した発光層の形成が容易である。このような蛍光色素として具体的には、ローダミンＢ、ローダミンＢベース、ローダミン６Ｇ、ローダミン１０１過塩素酸塩等が挙げられ、これらを２種以上混合したものであってもよい。また、緑色発光層を形成する場合、緑色に発光するキナクリドンおよびその誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。さらに、青色発光層を形成する場合、青色に発光するジスチリルビフェニルおよびその誘導体を好ましく用いることができる。これらの蛍光色素は前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水・アルコール混合溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
【００６７】
また、青色に発色する他の蛍光色素としては、クマリンおよびその誘導体を挙げることができる。これらの蛍光色素は、前記赤色蛍光色素と同様、低分子であるため水溶液に可溶であり、またＰＰＶと相溶性がよく発光層の形成が容易である。
【００６８】
これらの蛍光色素については、前記共役系高分子有機化合物の前駆体固型分に対し、０．５〜１０ｗｔ％添加するのが好ましく、１．０〜５．０ｗｔ％添加するのがより好ましい。蛍光色素の添加量が多過ぎると発光層の耐候性および耐久性の維持が困難となり、一方、添加量が少なすぎると、前述したような蛍光色素を加えることによる効果が十分に得られないからである。
また、前記前駆体および蛍光色素については、極性溶媒に溶解または分散させて液体材料とし、この液体材料を液滴吐出ヘッド３４から吐出するのが好ましい。極性溶媒は、前記前駆体、蛍光色素等を容易に溶解または均一に分散させることができるため、液滴吐出ヘッド３４のノズル孔での発光層形成材料中の固型分が付着したり目詰りを起こすのを防止することができる。
【００６９】
このような極性溶媒として具体的には、水、メタノール、エタノール等の水と相溶性のあるアルコール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルイミダゾリン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、２，３−ジヒドロベンゾフラン等の有機溶媒または無機溶媒が挙げられ、これらの溶媒を２種以上適宜混合したものであってもよい。
【００７０】
上記、液体材料１１４ｂを液滴吐出ヘッド３４から吐出することによる発光層の形成は、赤色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、緑色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料、青色の発色光を発光する発光層形成材料を含む液体材料を、それぞれ対応する画素領域７１（区画領域１５１）に吐出し塗布することによって行う。なお、各色に対応する画素領域７１は、これらが規則的な配置となるように予め決められている。
【００７１】
このようにして各色の発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂを吐出し塗布したならば、液体材料１１４ｂ中の溶媒を蒸発させる。この工程により、図８（ｂ）に示すように正孔注入層１４０Ａ上に固形の発光層１４０Ｂが形成され、これにより正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂとからなる有機機能層１４０が得られる。この発光層１４０Ｂも正孔注入層１４０Ａと同様に、概略均一な膜厚にて正孔注入層１４０Ａ上に形成され、正孔注入層１４０Ａ上でなだらかな曲面形状を構成する。
【００７２】
ここで、発光層形成材料を含む液体材料１１４ｂ中の溶媒の蒸発については、必要に応じて加熱あるいは減圧等の処理を行うが、発光層形成材料は通常乾燥性が良好で速乾性であることから、特にこのような処理を行うことなく、したがって各色の発光層形成材料を順次吐出塗布することにより、その塗布順に各色の発光層１４０Ｂを形成することができる。
【００７３】
その後、図８（ｃ）に示すように、基板２０１の表面全体に、あるいはストライプ状に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる共通電極１５４を形成する。こうして、有機ＥＬ素子２００を製造することができる。なお、本実施形態において有機ＥＬ素子２００は画素電極１４１と正孔注入層１４０Ａと発光層１４０Ｂと共通電極１５４とを含むものである。
【００７４】
このような有機ＥＬ素子の製造方法において、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂといった有機ＥＬ素子の構成要素となる薄膜は、液滴吐出ヘッドから吐出される液体材料により形成されるので、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂの形成材料となる液体材料のロスは少なく、正孔注入層１４０Ａや発光層１４０Ｂは比較的安価にしかも安定して形成される。
【００７５】
以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、基板２０１上にバンク１５０及び有機ＥＬ素子２００を形成するに際して、平坦化絶縁膜２４０表面になだらかな曲面の凹面状を成す凹部２４０ａを形成し、係る凹部２４０ａ上に、反射層１４１ａを含む画素電極１４１、及び有機機能層１４０を形成しているので、画素電極１４１や有機機能層１４０の膜の付き回りや傾斜角度の管理につき問題を生じることが無く、これにより点欠陥等の発生を防止して高信頼性の優れる有機ＥＬ素子２００を製造することができる。
このように本実施形態の製造方法によれば、上記反射層１４１及び有機機能層１４０の形状によって高効率に光を取り出すことができ、明るい表示を得ることができ、かつ信頼性にも優れた有機ＥＬ装置を容易に製造することができる。
【００７６】
上記実施形態では、液滴吐出ヘッド３４を用いた液滴吐出法により液体材料を塗布することで有機機能層１４０を形成する場合について説明したが、液滴吐出法に限らず、例えばスピンコート法、スリットコート（或いはカーテンコート）、ダイコート法など他の塗布方法を用いることもできる。また、液体材料の生成工程や成膜工程は大気環境下で行ってもよいし窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。なお、液体材料の調製工程や液滴吐出ヘッド３４による成膜工程はクリーンルーム内でパーティクル及びケミカル的にクリーン度を維持された環境下で行うのが望ましい。
【００７７】
さらには、上記実施形態では液体材料を塗布することで有機機能層１４０を形成する製造方法の例を挙げたが、低分子系の有機材料においては真空雰囲気中でのマスク蒸着により有機機能層１４０を形成することも可能である。この場合にも、上記反射層１４１及び有機機能層１４０の形状によって高効率に光を取り出すことができ、明るい表示を得られることは云うまでも無い。
【００７８】
＜製造方法の他の形態＞
上記実施の形態では、感光性樹脂材料を用いて形成した平坦化絶縁膜２４０をハーフ露光することにより凹部２４０ａを形成する場合について説明したが、上記凹部２４０ａの形成方法は、先の実施形態に限定されず、例えば図９にその工程を示す方法によっても形成できる。
図９は、係る凹部２４０ａの形成方法を示す断面工程図である。本実施形態の場合、図９（ａ）に示すように、所定の凹部４００ｘ及び貫通孔４００ｙが形成されたマスク材４００を用いて平坦化絶縁膜２４０のエッチングを行う。すなわち、いわゆるグレーマスクを用いて平坦化絶縁膜２４０をパターニングし、図９（ｂ）に示すような凹部２４０ａとコンタクトホール２４０ｂとを形成する。
【００７９】
この場合にも、平坦化絶縁膜２４０表面に所定の凹面形状を有する凹部２４０ａを容易に形成することができ、係る基板２０１を先の実施形態と同様の工程に供することで、本発明に係る有機ＥＬ装置７０を製造することができる。
また、この他のグレーマスクを使った実施形態としては、図９のマスク材４００を透過光量に濃淡（グラデーション）のあるパターンとして、一括露光することによっても同一の凹部２４０ａとコンタクトホール２４０ｂを形成することができる。更には、マスクの一部を回折格子状にすることによって、感光性樹脂である平坦化絶縁膜２４０に照射する光量を調整し、エッチングによって凹部２４０ａを形成することも可能である。
【００８０】
（電子機器）
図１０は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
図１０に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態の有機ＥＬ装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先の有機ＥＬ装置７０により高画質でムラの少ない表示が可能である。
【００８１】
上記実施の形態の有機ＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るい表示が得られるものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】図１は、実施形態に係る有機ＥＬ装置の回路構成図。
【図２】図２は、同、平面構成図。
【図３】図３は、同、画素領域の部分断面構成図。
【図４】図４は、有機ＥＬ素子を拡大して示す断面構成図。
【図５】図５は、液滴吐出ヘッドの概略構成図。
【図６】図６は、実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。
【図７】図７は、実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。
【図８】図８は、実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示す断面構成図。
【図９】図９は、有機ＥＬ装置の他の製造工程を示す断面工程図。
【図１０】図１０は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００８３】
７０  有機ＥＬ装置（電気光学装置）、７１  画素領域、１３１  走査線、１３２  信号線、１３３  電源線、１４０  有機機能層（機能層）、１４１  画素電極（第１電極）、１４１ａ  反射層、１４１ｂ  透明電極、１４１ｒ  反射面、１５０  バンク（隔壁部材）、１５４  共通電極（第２電極）、１４２  スイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）、１４３  駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）、２００  有機ＥＬ素子（発光素子）、２０１  基板（基体）、２４０  平坦化絶縁膜、２４０ａ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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