(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を実装可能であり、さらに該半導体素子を実装した状態で支持基板に実装可能なサブマウント基板であって、
前記サブマウント基板が導電性を備える材質で構成されており、
前記サブマウント基板は第１の折曲片と第２の折曲片とを有し、前記第１の折曲片と第２の折曲片とが折曲されて連結されており、
第１の折曲片が支持基板に実装される被実装面を有し、
第２の折曲片が、半導体素子を実装するための配線部を形成した素子実装面を有しており、
前記被実装面と素子実装面とが、折曲前の状態で前記サブマウント基板の同一面に位置するように構成してなることを特徴とするサブマウント基板。
【請求項２】
請求項１に記載のサブマウント基板であって、
第１の折曲片と第２の折曲片とが一体に構成されており、折曲することによって前記第１の折曲片と第２の折曲片とで断面Ｌ字状を構成してなることを特徴とするサブマウント基板。
【請求項３】
請求項２に記載のサブマウント基板であって、
前記被実装面と素子実装面が、折曲前のサブマウント基板の同一面に位置することを特徴とするサブマウント基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一に記載のサブマウント基板であって、
前記サブマウント基板が、Ａｌ、Ｆｅ又はＣｕ−Ｗ製の基板であることを特徴とするサブマウント基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一に記載のサブマウント基板であって、さらに
前記サブマウント基板と熱伝導状態に接続されたヒートシンク部材を備えることを特徴とするサブマウント基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一に記載のサブマウント基板であって、
前記ヒートシンク部材が、前記サブマウント基板を載置した筐体であることを特徴とするサブマウント基板。
【請求項７】
半導体発光素子と、
前記発光発光素子を実装したサブマウント基板と、
前記サブマウント基板を実装するための支持基板と、
を備える発光装置であって、
前記サブマウント基板がアルミニウム基板で構成され、
前記アルミニウム基板は第１の折曲片と第２の折曲片を有し、
前記第１の折曲片は支持基板に実装される被実装面を有し、
前記第２の折曲片は半導体素子を実装するための配線部を形成した素子実装面を有し、
前記第１の折曲片と第２の折曲片との間で折曲して断面をＬ字状に形成しており、
前記被実装面と素子実装面とが、折曲前の状態で前記サブマウント基板の同一面に位置するように構成してなることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を支持基板等に対してダイボンディングする際に介在させて使用するサブマウント基板、及び発光ダイオード等の発光素子をサブマウント基板に実装した発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光素子に半導体素子を用いた発光装置は、小型で電力効率が良く鮮やかな色の発光をする。また、半導体素子である発光素子は球切れ等の心配がない。さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子を用いる発光装置は、各種の光源として利用されている。特に、ＧａＮ系化合物半導体を利用した高輝度の青色発光のＬＥＤが開発され、その輝度性を活用して白色発光の発光装置が実現されている。この白色発光の発光装置は、青色に発光する発光素子の周りを黄緑色に発光する蛍光物質を含む樹脂で被覆して、白色光を得るというものである。
【０００３】
また半導体素子には、このような発光素子以外にも、スイッチング用途や電力制御等のため、トランジスタやサイリスタ等が利用されている。このような半導体素子の実装においては、作業性を高めるために、小型の基板であるサブマウント基板に一旦実装した上で、より大きな支持基板に実装する構成が採用されている。
【０００４】
半導体素子は、出力を大きくするためには、入力電流を大きくする必要がある。特に近年の高出力化の要求に伴い、大出力のＬＥＤが開発され、また一方ではこのような半導体素子を複数組み合わせて使用することも行われており、例えば一パッケージにＲＧＢのＬＥＤチップを配置してフルカラーに発光可能とした発光素子が開発されている。このような半導体素子の高出力化、あるいは使用個数の増加に伴って、発熱量も増大している。半導体素子の発熱により、半導体の素子機能が低下するのを防止するため、何らかの放熱対策を講じる必要がある。
【特許文献１】特開２００２−３６８２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、電子回路基板の材料としてはガラスエポキシ、エポキシ、ポリイミド、ＢＴレジン等の樹脂が使用されてきた。ガラスエポキシ基板等は、絶縁性のガラスエポキシ表面に導電パターンを実装できる上、多層構造とすることができるので、多層構造の内部で配線を交差させることができ、実装基板としては好都合である。しかしながら、ガラスエポキシ基板は、熱伝導性が悪く、放熱性に劣るという欠点を有していた。そこで、熱伝導性の高いアルミニウムや銅などで構成した放熱体であるヒートシンク部材を熱伝導状態で接続し、熱を外部に放散させる構成が知られている。ヒートシンクは、半導体素子に直接装着し、熱膨張差を緩和するための緩衝材としてサブマウントを介して半導体素子に装着し、半導体素子の熱を熱伝導の作用により除去する。
【０００６】
しかしながら、これらの樹脂材料基板はそれ自体の熱伝導性が劣るため、熱伝導リードなどを介在させてヒートシンク部材を接続しても、十分な放熱性を発揮できるものでない。また別部材のヒートシンク部材を熱伝導状態に接続することで、構成が複雑になり工数やコストが余計にかかるという問題もある。
【０００７】
一方、熱伝導性に優れたＡｌ等の金属基板も開発されているが、これらの基板では基板自体が導電性を備えるため、配線を交差できず、また仮に多層基板を構成してスルーホールで接続しても端面で短絡するおそれがあり、両面基板のような多層化ができず、表面実装が困難であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものである。本発明の主な目的は、導電性を備える材質で構成しつつ表面実装が可能なサブマウント基板及びこれを備える発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の目的を達成するために本発明の第１のサブマウント基板は、半導体素子を実装可能であり、さらに該半導体素子を実装した状態で支持基板に実装可能なサブマウント基板であって、サブマウント基板が導電性を備える材質で構成されており、サブマウント基板は第１の折曲片と第２の折曲片とを有し、第１の折曲片と第２の折曲片とが折曲されて連結されており、第１の折曲片が支持基板に実装される被実装面を有し、第２の折曲片が、半導体素子を実装するための配線部を形成した素子実装面を有しており、被実装面と素子実装面とが、折曲前の状態で前記サブマウント基板の同一面に位置するように構成している。これにより、導電性基板などの導電性を有する材質で構成されたサブマウント基板の表面実装が可能となり、ハンドリング性が向上する。
【００１０】
また、第２のサブマウント基板は、第１の折曲片と第２の折曲片とが一体に構成されており、折曲することによって第１の折曲片と第２の折曲片とで断面Ｌ字状を構成している。これにより、容易にかつ安価に断面Ｌ字状のサブマウント基板を構成できる。
【００１１】
さらに第３のサブマウント基板は、被実装面と素子実装面が、折曲前のサブマウント基板の同一面に位置する。これにより、サブマウント基板を片面基板とし、配線等の作業を同一面に対して行えば足りるので、作業性を向上できる。
【００１２】
なおサブマウント基板は、好ましくは表面を平滑に加工した基板とする。これにより、半導体素子の実装を確実に行うことができる。またサブマウント基板を熱伝導性に優れた基板とすることで、サブマウント基板をヒートシンク等に熱伝導状態に接続して放熱性を向上でき、半導体素子の安定駆動を図ることができる。さらに金属製の導電基板をサブマウント基板として利用しつつ、表面実装可能とできる。特に半導体素子にＬＥＤやＬＥＤ等の半導体発光素子を利用し、これらの実装に適したサブマウント基板を提供できる。
【００１３】
さらにまた、第４のサブマウント基板は、サブマウント基板が、Ａｌ、Ｆｅ又はＣｕ−Ｗ製の基板である。これにより、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ−Ｗ製の導電基板をサブマウント基板として表面実装可能とすることができる。
【００１４】
さらにまた、第５のサブマウント基板はさらに、サブマウント基板と熱伝導状態に接続されたヒートシンク部材を備える。これにより、サブマウント基板に実装された半導体素子で発生した熱を、サブマウント基板を介してヒートシンク部材に熱伝導でき、特に高出力化の際にも放熱性を発揮できるので、半導体素子の安定動作が図られる。
【００１５】
さらにまた、第６のサブマウント基板は、ヒートシンク部材が、サブマウント基板を載置した筐体である。これにより、別部材のヒートシンクを用意することなく筐体自体をヒートシンクとして機能させ、コスト低減と構成の簡素化を図ることができる。
【００１６】
さらにまた、第７の発光装置は、半導体発光素子と、発光発光素子を実装したサブマウント基板と、サブマウント基板を実装するための支持基板とを備える発光装置であって、サブマウント基板がアルミニウム基板で構成され、アルミニウム基板は第１の折曲片と第２の折曲片を有し、第１の折曲片は支持基板に実装される被実装面を有し、第２の折曲片は半導体素子を実装するための配線部を形成した素子実装面を有し、第１の折曲片と第２の折曲片との間で折曲して断面をＬ字状に形成しており、被実装面と素子実装面とが、折曲前の状態で前記サブマウント基板の同一面に位置するように構成している。これにより、導電性基板などの導電性を有する材質で構成されたサブマウント基板の表面実装が可能となり、ハンドリング性が向上する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のサブマウント基板及びこれを備える発光装置によれば、導電性基板などの導電性を有する材質で構成されたサブマウント基板の表面実装が可能となり、ハンドリング性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのサブマウント基板及びこれを備える発光装置を例示するものであって、本発明はサブマウント基板及びこれを備える発光装置を以下のものに特定しない。また、本明細書は特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するものでは決してない。特に実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。
（実施の形態１）
【００１９】
図１Ａ及び図１Ｂに、本発明の実施の形態１に係るサブマウント基板１０に、半導体素子３０を実装したサブマウント構造体を、さらに支持基板２０に実装した状態を示す。図１Ａは正面から見た図、図１Ｂは図１ＡのＢ−Ｂ線における断面図を、それぞれ示している。これらの図に示すサブマウント基板１０は、断面をＬ字状に折曲しており、第１の折曲片１１と第２の折曲片１２とでＬ字状を構成する。第１の折曲片１１は支持基板２０に実装される被実装面１３を有し、第２の折曲片１２は半導体素子３０を実装するための配線部を形成した素子実装面１４を有している。これらの第１の折曲片１１と第２の折曲片１２とは、基板を折曲して構成されるが、別部材とすることも可能である。
【００２０】
サブマウント基板１０は、熱伝導性に優れた部材で構成し、好ましくは金属製基板とする。金属材料としては、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｕ−Ｗ等が利用でき、中でも安価で軽量であり、導電率、放熱性にも優れたアルミニウム基板が特に好ましい。またサブマウント基板１０の表面には絶縁層１５を設け、この上に被実装面１３と素子実装面１４を各々形成している。絶縁層１５で被覆することにより、導電性サブマウント基板１０による短絡を防止する。
【００２１】
半導体素子３０を搭載する素子実装面１４には、銅製のヒートスプレッダ等をハンダ付けする。素子実装面１４には、半導体素子３０等の電子部品を実装する。また、配線のため、配線部から銅パターンなどの配線パターン１６を被実装面１３まで延長する。
【００２２】
従来、Ａｌ等の金属基板では、基板自体が導電性を備えるため、配線を交差できず回路構成上不利であった。また仮に多層基板を構成してスルーホールで接続しても端面で短絡するおそれがあり、多層化が困難であった。このため両面基板とできず、表面実装し辛いという問題があった。これに対し、本実施の形態によれば、支持基板２０に実装される被実装面１３と、半導体素子３０を実装する素子実装面１４とを物理的に分離しているため、このような短絡を回避できる。また、アルミニウム基板を折曲することで、被実装面１３と同一面上から素子実装面１４を排除し、半導体素子３０を実装するための空間を確保している。図１Ｂの例では、第１の折曲片１１と第２の折曲片１２との連結部分の断面形状をＬ字状に折曲させることで、被実装面１３と略直交する素子実装面１４は支持基板２０の面から離間されて、半導体素子３０の実装空間を確保している。
【００２３】
また、被実装面１３と素子実装面１４が、折曲前の状態でサブマウント基板１０の同一面に位置するようにすることが好ましい。これによりサブマウント基板１０を片面基板とでき、片面基板に被実装面１３と素子実装面１４とをサブマウント基板１０の同一面に形成した後、被実装面１３と素子実装面１４との境界部分で折曲することにより支持基板２０上に実装できるので、これらの作業を容易に行うことができる。
【００２４】
図１Ｂの例では、アルミニウム基板の絞り加工やフォーミングによって、折曲された第１の折曲片１１と第２の折曲片１２とを構成する。サブマウント基板１０にアルミニウム基板を使用する場合は、基板表面の段差を低減するために、表面を平滑化することが好ましい。
【００２５】
このようにして支持基板２０上にサブマウント基板１０を実装した後、サブマウント基板１０を筐体やアース等に熱伝導可能な状態に接続する。筐体は一般に外部に表出する表面積が広いので、ヒートシンクとして機能させることができる。これにより、別部材のヒートシンクを用意することなく筐体自体をヒートシンクとして機能させ、コスト低減と構成の簡素化を図ることができる。
【００２６】
なお本明細書において、熱伝導可能な状態で固定するとは、接合面が直接接触している状態のみならず、必要に応じて間に絶縁層等を介在させた状態も包含する意味で使用する。
（半導体素子３０）
【００２７】
半導体素子３０は、ＬＥＤやＬＤ（半導体レーザ）などの半導体発光素子が利用できる。これらの半導体発光素子は、入力に対する出力のリニアリティが良く、効率に優れ、長寿命で安定して使用できる利点が得られる。特にＬＥＤは安価で入手容易であり、好ましい。また半導体発光素子は、表面実装型（ＳＭＤ）の他、砲弾型（ランプタイプ）等が好適に利用できる。
【００２８】
半導体発光素子の材料として、ＢＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅやＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＡｌＧａＮ、ＢＩｎＡｌＧａＮなど種々の半導体を挙げることができる。同様に、これらの元素に不純物元素としてＳｉやＺｎなどを含有させ発光中心とすることもできる。発光層の材料として、窒化物半導体（例えば、ＡｌやＧａを含む窒化物半導体、ＩｎやＧａを含む窒化物半導体としてＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ＜１、Ｘ＋Ｙ≦１）等が利用できる。また、半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やｐｎ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることでより出力を向上させることもできる。
【００２９】
図１Ａ、Ｂの例は、半導体発光素子をサイドビュータイプのＬＥＤとしている。この例では、中央を凹状に形成したリフレクタ１７の底面にＬＥＤチップを固定している。ＬＥＤチップの周囲をリフレクタ１７で囲むことにより、ＬＥＤチップの側面から放出される光をリフレクタ１７で上面に反射させることで、光出力を増すと共に指向性を高める。リフレクタ１７は、中央部分を貫通開口し、開口部内面の反射効率が高くなるようにコーティング等を施したものとし、ＬＥＤチップと別部材として実装する他、予め開口されたリフレクタの底面にＬＥＤチップを配置したパッケージを利用しても良い。
【００３０】
従来より、サイドビュータイプのものはパッケージそのものの放熱経路が確保し難いため、高出力化が困難であるという問題があったが、本実施の形態ではサブマウント基板１０に熱伝導性基板を使用し、また放熱経路を確保することで、高出力化にも対応可能とできる。これにより、信号用、プロジェクタ用、大型ディスプレイ用など、比較的大型のパワー系の素子にも適用可能となる。また強指向としてコントラストを向上できるという副次的な効果も得られる。
【００３１】
なお上記の例では、ＬＥＤチップはｎ電極とｐ電極を基板の同一面側に設け、これらを上面とする姿勢でサブマウント基板１０に実装した後ワイヤボンディングによって配線しているが、電極面を下面の姿勢としてバンプ等で実装するフリップチップ型あるいはフェイスダウン型とすることもできる。また成長基板にＧａＮ基板等の導電性基板を使用し、成長基板の対向する面にｎ電極とｐ電極とを形成する構成とすることもできる。
【００３２】
このようにして得られたサブマウント基板１０は、導電性、熱伝導性に優れた金属基板を利用して確実な放熱経路が形成できるので、放熱性を大幅に向上でき安定した動作が得られる。またサブマウント基板１０は両面基板とせず、片面のみに素子実装面１４と被実装面１３を形成しているため面積が相対的に広くなり、小型化には不向きであるが、反面十分な機械的強度を有し、実装時に把持しやすいという利点も得られる。
（実施の形態２）
【００３３】
サブマウント基板の放熱性をさらに向上させるために、さらにヒートシンク部材を備えることもできる。図２Ａ及び図２Ｂに、本発明の実施の形態２に係るサブマウント基板１０Ｂとして、ヒートシンク部材４０を固定した状態を示す。図２Ａは正面から見た図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線における断面図を、それぞれ示している。これらの図に示すサブマウント基板１０Ｂは、図１Ａ〜図１Ｂに示すサブマウント基板１０と同様のタイプを使用しており、参照符号を同じとする部材については、図１Ａ〜図１Ｂと同様であるから、詳細説明を省略する。
【００３４】
このサブマウント基板１０Ｂは、第１の折曲片１１Ｂと第２の折曲片１２Ｂとを折曲した状態で、被実装面１３Ｂと素子実装面１４Ｂとを設けた面と反対側の対向面に、ヒートシンク部材４０を固定している。ヒートシンク部材４０は、少なくとも素子実装面１４Ｂの反対面でサブマウント基板１０Ｂと熱伝導可能な状態に固定される。主な発熱源は半導体素子３０Ｂであるため、半導体素子３０Ｂが実装される素子実装面１４Ｂのほぼ裏側の空間を利用してヒートシンク部材４０を配置することにより、半導体素子３０Ｂで発生した熱をサブマウント基板１０Ｂを介してヒートシンク部材４０に熱伝導できるので、熱の伝導経路を短縮でき、放熱効果を高めることができる。
【００３５】
また図２Ｂの例では素子実装面１４Ｂの反対面に加えて、被実装面１３Ｂの反対面でもサブマウント基板１０Ｂに熱伝導可能な状態で固定されている。このように１カ所でなく複数箇所で接続することにより、より均一な熱伝導が図られ、より確実な放熱効果が期待できる。
【００３６】
ヒートシンク部材４０の固定は、ダイボンディング等によって行える。サブマウント基板１０Ｂの上面には、チタン、プラチナ、金あるいはこれらを組み合わせた多層構造等によるダイボンディング用電極膜を形成する。なおヒートシンク部材４０の固定は、素子実装面１４Ｂへのリフロー等の実装作業を行った後に行う。
（ヒートシンク部材４０）
【００３７】
ヒートシンク部材４０は、例えばＣｕまたはＡｌなど、熱伝導性に優れた金属で構成する。また放熱フィンを設けることで表面積を大きくして、空気との接触面積を増やして放熱性を向上できる。このようなヒートシンク部材４０を設けることで放熱性が向上される結果、半導体素子３０Ｂを高出力としても安定して動作でき、動作の信頼性向上と素子の長寿命化を図ることができる。
【００３８】
またヒートシンク部材４０を、上記と同様に筐体やアース等に熱伝導可能な状態に接続することもでき、これによってさらに確実な放熱経路を形成して放熱性を一層向上できる。
（変形例）
【００３９】
図２Ａ、Ｂの例では、図１Ａ、Ｂと同様にサブマウント基板１０Ｂの表面に絶縁層１５Ｂを被覆している。ただ、絶縁層１５Ｂを部分的に除去して、サブマウント基板上に直接半導体素子３０Ｂを固定し、これらを導通させることもできる。例えば図３Ａ、Ｂの例では、ＬＥＤチップである半導体素子３０Ｃの載置面の絶縁層１５Ｃを部分的に除去して露出させ、アルミニウム製サブマウント基板１０Ｃ上にダイレクトボンディングしている。間に絶縁層を介在させないことにより、この部分でのヒートシンク部材４０Ｃとの熱伝導性を高めてさらなる放熱性が図られる。また、上記の例とは逆にＬＥＤチップの下面をアルミニウム基板と意図的に導通させて、サブマウント基板１０Ｃを配線に利用することができる。
（実施の形態３）
【００４０】
また上記の例では半導体素子として一のチップのみを実装する例を示したが、複数の半導体素子をサブマウント基板上に実装することもできる。図４Ａ、Ｂに、本発明の実施の形態３として、ＲＧＢに各々発光するＬＥＤチップを実装して、これらの発光の組み合わせによってフルカラーに発光可能な発光装置とした例を示す。このように、一のサブマウント基板１０Ｄ上に複数の半導体素子３０Ｄを実装し、半導体素子３０Ｄの使用数に応じて発熱量が多くなる態様において、ヒートシンク部材４０Ｄ等で放熱性を高めた本実施の形態は好適に適用できる。
【００４１】
図４Ａ、Ｂの例では、各ＬＥＤチップの端子をサブマウント基板１０Ｄと電気的に接続するために、銀などで配線パターン１６Ｄを構成する。また、配線パターン１６Ｄに応じてサブマウント基板１０Ｄ上の素子実装面にも、配線部が形成される。この例では、配線パターン１６Ｄとして５つの端子を形成し、左右をカソード、中央の３つをＲＧＢ各々のアノードと、それぞれ配線している。
（変形例）
【００４２】
さらにこの例においても、上記図３と同様に、サブマウント基板表面に被覆した絶縁層の一部を除去して、半導体素子をサブマウント基板上にダイレクトボンディングすることもできる。特に使用する半導体素子が多くなるにつれて発熱量も多くなるため、サブマウント基板と直接接続する半導体素子を増やして、熱伝導をより向上させることは意義がある。図５Ａ、Ｂに、このようなダイレクトボンディングを行うサブマウント基板１０Ｅの例を示す。ダイレクトボンディングにより、ヒートシンク部材４０Ｅから効率よく放熱できる。
【００４３】
以上の例では、第１の折曲片と第２の折曲片との連結部分の断面形状をＬ字状とする構成について説明した。ただ、本発明はこのような断面Ｌ字状に限られず、図６に示すように断面Ｖ字状のサブマウント基板１０Ｖや図７に示すように断面Ｕ字状（あるいはコ字状）のサブマウント基板１０Ｕとすることもできる。このように、サブマウント基板の同一面に被実装面と素子実装面とを形成し、且つサブマウント基板を折曲することで被実装面の水平面上から素子実装面を除くことができれば、表面実装が可能となる。したがって本発明は、サブマウント基板の断面をＬ字状に限定するものでなく、他の形状も適宜利用できる。さらに、一のサブマウント基板を折曲して第１の折曲片と第２の折曲片とを形成する構成のみならず、これらを別部材で構成し、溶接や接着、ねじ止めなどによってこれらを連結する構成でも、同様に被実装面と素子実装面とを物理的に離間しつつ、表面実装を可能とできるので、適宜採用し得る。
【００４４】
また上記では、半導体素子としてＬＥＤを実装したサブマウント基板の例を説明しているが、このような半導体発光素子に限られず、フォトダイオード等の受光素子、トランジスタ、サイリスタ等のスイッチング素子など、他の半導体素子にも本発明を適用できる。特に、発熱量の多いパワー系の半導体素子に対して、効果的に放熱性を向上して安定動作させ長寿命化を図ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明のサブマウント基板及びこれを備える発光装置は、信号用、プロジェクタ用等、比較的大型のパワー系の素子に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１Ａは、本発明の実施の形態１に係るサブマウント基板を支持基板に実装した状態を示す正面図、図１Ｂは図１ＡのＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２】図２Ａは、本発明の実施の形態２に係るサブマウント基板を示す正面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線における断面図である。
【図３】図３Ａは、図２Ａに示すサブマウント基板の変形例を示す正面図、図３Ｂは図３ＡのＢ−Ｂ線における断面図である。
【図４】図４Ａは、本発明の実施の形態３に係るサブマウント基板を示す正面図、図４Ｂは図４ＡのＢ−Ｂ線における断面図である。
【図５】図５Ａは、図４Ａに示すサブマウント基板の変形例を示す正面図、図５Ｂは図５ＡのＢ−Ｂ線における断面図である。
【図６】他の変形例に係るサブマウント基板の変形例を示す断面図である。
【図７】さらに他の変形例に係るサブマウント基板の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｖ、１０Ｕ…サブマウント基板
１１、１１Ｂ…第１の折曲片
１２、１２Ｂ…第２の折曲片
１３、１３Ｂ…被実装面
１４、１４Ｂ…素子実装面
１５、１５Ｂ、１５Ｃ…絶縁層
１６、１６Ｄ…配線パターン
１７…リフレクタ
２０…支持基板
３０、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ…半導体素子
４０、４０Ｃ、４０Ｄ、４０Ｅ…ヒートシンク部材
【図１】
0004821343.tif 000002
【図２】
0004821343.tif 000003
【図３】
0004821343.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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