(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）後に、ボンディングをはがすことが可能な接着手段を用いて、支持部（１０２）上に基板をボンディングする段階と、
ｂ）基板内において、基板の領域（１１０）を定めるトレンチ（１０６，１０６ａ，１０６ｂ）を形成する段階と、
ｃ）前記ボンディング材料の受容トレーを形成するために、除去可能な境界（１１２）を、前記ボンディング材料がボンディングしないような材料によってウエハの周囲に形成し、固体状態のときに、固化し、かつ基板（１００）にボンディングすることができるように、液体ボンディング材料（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）をトレンチ内に配置する段階と、
ｄ）ボンディング材料の固化の段階とを備えることを特徴とする基板（１００）の領域（１１０）の物理的絶縁プロセス。
【請求項２】
ボンディングをはがすことによって前記段階ｄ）の後に、基板の絶縁と支持部とを分離することをさらに備えることを特徴とする請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
トレンチは、切削によって形成されることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のプロセス。
【請求項４】
ボンディング材料（１２０，１２０ａ，１２６）は、誘電体物質であることを特徴とする請求項１あるいは２に記載のプロセス。
【請求項５】
上記誘電体物質は、ポリマーまたはゾル−ゲルまたはエポキシ物質であることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
トレンチの外へ押し出されるボンディング材料のばり取りを段階ｃ）の後に行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
トレンチが切削された後に、トレンチの側面が滑らかにされることを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項８】
ボンディング材料が注入される前に、トレンチの少なくとも一端に、少なくとも一つのフレアー（１２６，１２６ａ，１２６ｂ）が形成されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
上記フレアー（１２６）を形成するために、斜めの側面を持った溝が作られることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
上記フレアー（１２６）は、エッチングまたは切削で形成されることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１１】
上記フレアー（１２６）は、トレンチの前に形成されることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１２】
上記のフレアー（１２６）は、トレンチの後に形成されることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１３】
上記フレアー（１２６ａ，１２６ｂ）は、基板の２つの反対の面（１３０ａ，１３０ｂ）上の、トレンチの両端に形成されることを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１４】
基板の第１の面（１３０ａ）上に、フレアーの側面を持った第１溝（１２６ａ）を形成する段階と、
基板内で、上記の第１の面から始まり、貫通しない第１トレンチ（１０６ａ）を、上記第１溝と一致させて形成する段階と、
第１トレンチ（１０６ｃ）上にボンディング材料（１２０ａ）のコーティングを施す段階と、
基板と支持部とを分離する段階と、
２つの溝が、上記第１溝と同一直線上にあるように、基板の第２の面（１３０ｂ）のフレアー端部を持った第２溝（１２６ｂ）を、上記第１の面と対向して形成する段階と、
上記第２の面（１３０ｂ）から始まり、上記の第２溝と一致させて上記の第１の溝に導くような第２のトレンチ（１０６ｂ）を形成する段階と、
上記第２溝（１０６ｂ）上に、ボンディング材料のコーティングを施す段階とを備えることを特徴とする請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
ボンディング材料がトレンチ内に配置される前に、トレンチの側面がコーティング（１３４）で内側が覆われることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項１６】
上記コーティング（１３４）は、電気伝導性のある材料の被膜であることを特徴とする請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
上記コーティング（１３４）は、光学的多層被膜であることを特徴とする請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１８】
請求項１に記載のプロセスを使用して、前記プロセスの導入の前あるいは後に基板の領域内の部品を形成する方法。
【請求項１９】
請求項１に記載のプロセスを使用して、互いから絶縁された帯状または格子状のダイオードあるいはトランジスタを作る方法。
【請求項２０】
請求項１に記載のプロセスを使用して、互いから絶縁された帯状または格子状の電子回路を作る方法。
【請求項２１】
請求項１に記載のプロセスを使用して、互いに絶縁された、ダイオードもしくはトランジスタ、電子回路、またはセンサーもしくはアクチュエータから成る部品を形成する方法。
【請求項２２】
請求項１に記載のプロセスを使用して、マイクロレンズの格子を作り、基板の各領域は格子状のマイクロレンズを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サブストレート基板の製造のための処理に関するものであり、さらに詳細には、サブストレート基板の領域の物理的絶縁プロセスに関する。
【０００２】
本発明の目的からして、領域を物理的に絶縁するというのは、様々な領域を電気的におよび／または光学的におよび／または磁気的におよび／または機械的に（特に圧電性的に）上記領域を絶縁することを意味する。
【０００３】
本発明は、設計された絶縁の種類に応じて、産業界において非常に広く様々な応用範囲で使用される。
【０００４】
例えば、電気的に絶縁された領域を持つ半導体サブストレート基板が、電子部品または特に電力切換部品を作るのに使用できる。
【０００５】
同様にして、透明な複屈折物質の領域を含んだサブストレート基板は、導波管やレンズや光学的スイッチを作るのに使用され得る。同様にして、圧電性的あるいは電子光学的な物質の領域を備えたサブストレート基板は、センサーや格子型アクチュエータを作るのに使用され得る。
【０００６】
本発明は、また圧力センサや加速センサや磁場センサあるいは他のセンサなどの様々なセンサーを集積する、機械的あるいは磁界的な領域において使用され得る。
【０００７】
【従来の技術】
集積された電力領域における装置を製造は、サブストレート基板の層を通して形成される個別部品の使用を減らす。マイクロエレクトロニクスに特有の集積技術が好ましく、そこでは、部品や部品間の接続は、サブストレートの表面に形成される。これらの技術は、通常「スマートパワー」と呼ばれる。
【０００８】
部品間の電気的絶縁を十分に与えるために取られる特別な処置によって、部品を形成するのに必要な変更と、集積を支えるためのしばしば複雑となる工程とが生み出される。
【０００９】
さらに、絶縁の制約は、しばしば、増加する高密度の集積の要求に反する。
【００１０】
支持サブストレートの厚さ方向に形成される、さらに従来からの電気部品の絶縁には、また、サブストレートの複雑な処理工程を必要とする。例えば、これらの工程には、ポテンシャル障壁をその中に形成するために、サブストレートの選択された領域に不純物を注入する拡散工程が含まれる。これらの作業には、また、部品が作られる前に、誘電体の障壁を形成することも含まれる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
様々な部品間の拡散光（parasite light）のいかなる拡散あるいは伝搬をも防ぐのに必要な光学的回路においても、部品の絶縁の問題が発生する。
【００１２】
最後に、磁気的あるいは機械的なセンサーあるいは変換器を製造する場合には、複雑な磁気的あるいは機械的な絶縁の予防措置を取らなければならない。
【００１３】
異なる範疇の部品が同一のサブストレート基板上に集積される時に、もし部品同士に異なる絶縁の要求があれば、上述した困難は、さらに問題となる。例えば、マイクロエレクトロニクス回路と電力回路、電子回路と光学回路、あるいは、センサーなどが互いに結合する場合などである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上述した困難を伴うことなく、サブストレート基板の領域を物理的に絶縁するプロセスを提供することである。
【００１５】
特に、本発明の一つの目的は、注目した回路の製造上の必要条件に従って、電気的、光学的、機械的、および／または磁気的な絶縁を作るこの種のプロセスを提供することである。
【００１６】
他の目的は、高電圧における絶縁を行うことが可能な電力回路に特に適するようなプロセスを提供することである。
【００１７】
他の目的は、使い易く、サブストレート基板の領域の中または上に部品を形成している間またはその後に導入することができ、大規模部品集積の制約と矛盾しないような絶縁システムを提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
これらの目的を達成するために、本発明の目的は、さらに特化して、以下の段階を含むサブストレート基板の領域を物理的に絶縁する処理である：
ａ）その後に上にボンディングを剥がすことができる接着手段を用いて、サブストレートを支持部上にボンディングする処理をする段階
ｂ）サブストレート内に、サブストレートの領域を取り除くトレンチを形成する処理をする段階
ｃ）固体状態のとき、固化し、かつサブストレート基板にボンディングすることが可能な、トレンチ内に液体ボンディング物質を配する処理をする段階
ｄ）ボンディング物質を凝固する処理
【００１９】
ボンディング物質の選択は、必要な絶縁の種類の一機能として適合させることができる。特に、例として、ポリマー、ゾル−ゲル、エポキシのような誘電体物質が電気的絶縁を与えるものとして選択され得る。
【００２０】
必ずではないが、トレンチはトレンチを通ることができる。トレンチは、好ましくは、切削で形成されるが、化学的にエッチングしたり、切削処理とエッチング処理の組み合わせによって得ることもできる。トレンチは、またレーザー切断や水噴射切断の技術などの他の技術を用いて形成することもできる。
【００２１】
処理ａ）で用いられる支持部は、ボンディング材料の配置と固化がなされるまでサブストレート基板の領域を効果的に凝固させておく。
【００２２】
本発明の特別な具現例によると、特にサブストレートの異なる領域間の電位差を絶縁するのに応用できるが、フレアー(flare)がサブストレート基板の表面にトレンチと一致するように形成することができる。
【００２３】
特に、上記のフレアーを形成する斜面を持った溝をサブストレート基板に形成することができる。
【００２４】
フレアーは、トレンチの前または後に形成することができ、明らかにトレンチの終端がフレアーと一致するように与えられる。
【００２５】
フレアーは、トレンチの一端または両端に形成することができる。サブストレートの隣接する領域間の電位差が反転し得るときに、特に、トレンチの両端に形成される。
【００２６】
トレンチの双端のフレアーは、以下の動作処理の段階を用いて作ることができる。動作処理を順に示す：
−フレアー面を持つ第１溝を、サブストレート基板の第１の表面上に形成する段階
−第１の表面から始まり、第１溝と一致する、基板上の貫通しない第１のトレンチを形成する段階
−第１トレンチ上にボンディング物質の被膜を与える段階
−サブストレートと支持部を分離する段階
−フレアー端を持った第２溝をサブストレート基板の第１の表面と反対側の第２の表面上に形成する段階、ここでは２つの溝は第１溝と同一直線上にある。
−第２の表面から第１のトレンチに入っていき、第２溝と一致する第２溝を形成する段階
−第２溝の上にボンディング材料の被膜を作る段階
【００２７】
ボンディング材料の被膜を作ることは、ボンディング材料の配置と固化を意味する。
【００２８】
サブストレート基板の様々な領域内に作られる部品の種類を絶縁するために、トレンチの表面は、ボンディング材料を配置する前に適切なコーティングでトレンチの表面に線を引くことができる。
【００２９】
例えば、電場をより良く与えるために、トレンチの側面は、与えられた伝導率を持った物質の薄膜で被覆することができる。
【００３０】
光学部品を作る際のサブストレートの一つの使用例として、側面が鏡を形成する金属被膜で、または光学的な非反射コーティングを形成する誘電多層構造によって線が引かれる。
【００３１】
本発明は、また、互いに他と絶縁された線状または格子状のダイオードまたはトランジスタの製造に関して、あるいは互いに他と電気的に絶縁された線状または格子状の電子回路の製造に関して、あるいは互いに他と絶縁されたダイオードおよび／またはトランジスタおよび／または電子回路および／またはセンサーまたはアクチュエータから成る部品の製造に関して上述された処理に従ったサブストレート基板の使用に関する。
【００３２】
本発明の他の特徴と利点は、添付した図面の中の図を参照した以下の記述からさらに明らかになる。この記述は、図解の目的のためのみで与えられており、何ら制約は与えるものではない。
【００３３】
【発明の実施の形態】
−  図１の（ａ）から（ｅ）は、サブストレート基板を通しての概略図であり、本発明によるプロセスの特殊な方法における様々な段階を図示している。
−  図２と図３は、絶縁トレンチの可能な形状を図示し、サブストレート基板の断面の細部を示している。
−  図４の（ａ）から（ｃ）は、サブストレート基板の細部の断面であり、本発明によるプロセスの一つの可能な特別の実施形態に従った、トレンチを作りそれに線を引く連続的な段階を図示したものである。
−  図５の（ａ）から（ｅ）は、サブストレート基板の細部の断面であり、本発明による処理の他の可能な特別の実施形態に従って、トレンチを作り、それに線を引く様々な段階を図示したものである。
−  図６の（ａ）から（ｆ）は、サブストレート基板の細部の断面であり、本発明によるプロセスのさらに他の可能な特別の実施形態に従って、トレンチを作りそれに線を引く様々な段階を図示したものである。
−  図７の（ａ）から（ｅ）は、サブストレート基板の断面の図であり、本発明による処理に対する一つの可能な改良を図示したものである。
−  図８は、本発明に従って処理されたサブストレート基板の断面図であり、微細光学的領域におけるこの基板の応用を図示している。
−  図９は、図８は、本発明に従って処理されたサブストレート基板を通した断面図であり、誘導光学領域におけるこの基板の応用を図示している。
【００３４】
図面に示され以下の記述で述べられる、全く同一の、または近似した、または等価な部品は、単純化の理由から、同じ参照番号で識別される。
【００３５】
図１は、本発明によるプロセスの特殊な実施形態を示している。
図の（ａ）に対応する第１段階において、例えばシリコンウエハのようなサブストレートウエハ１００は、ボンディング層１０４によるガラス板または金属板のような支持部１０２上に固定される。好ましくは、支持部１０２は、サブストレート材料１００と同一になるように選ぶことができる。これによって、いくつかの問題がなくなる。というのは拡張の係数が同じだからである。特に、サブストレート１００がシリコンウエハであるときには、支持部１０２に使用される材料は、シリコンでよい。
【００３６】
例えば、ボンディング層１０４は、反転ボンディング（ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅｂｏｎｄｉｎｇ）が可能なワックスまたは樹脂の被膜でよい。ワックス被膜の場合、次の分離は、ボンディング層の温度を数十度上げることで容易に引き起こすことができる。樹脂層は、適切な溶剤を用いて取り除くことができる。
【００３７】
前記サブストレートウエハの直径は、数センチメートルから数十デシメートルの範囲にあり、厚さは、１００μｍから数ミリメートルのオーダーにある。前もって作られる部品もあるかもしれず、あるいは部品の無いこともあるかもしれないが、その場合については図に示されている。
【００３８】
前記ウエハ１００を支持部１０２上に配置した後に、ウエハ上に切り欠き部を形成するために切削され、本明細書の後の部分ではトレンチとして記載されている。いくつかのトレンチが、いくつかの刃を持った切削装置（ｓａｗ）を用いて同時に作られる。
【００３９】
図１（ｂ）に示されるように、例示されたトレンチ１０６は、サブストレートウエハ１００を一側から他側に貫通する。
【００４０】
前記トレンチは、通常の間隔で作られるか、サブストレート上に作られた部品の機能として前もって決定された方向と距離に従って単に作られるかする。
【００４１】
例えば、前記トレンチ１０６の幅は、数十ミクロンメートルから数百ミクロンメートルの範囲にある。
【００４２】
前記トレンチの幅は、切削に使われる刃の厚さを変更することにより、あるいは同じ刃を、毎回少しオフセットさせて可変な回数だけ連続的に行き来させることにより調整される。
【００４３】
前記トレンチは、サブストレート１００の中でサブストレート１１０の領域を区切っていることが分かる。これらの領域は、続いて製造する部品に使用される。
【００４４】
前記トレンチが形成される前に部品が作られるという本発明の特殊な実施形態において、部品の無い場所が、トレンチが形成されるサブストレートの表面上に形成される。
【００４５】
図１（ｃ）は、サブストレート基板の周囲に境界１１２を配置する場合を示している。上述した例において、サブストレート基板は、円盤の形状であり、境界は、単一の輪から成り、内部の直径は、サブストレート基板の直径に合うように調整される。
【００４６】
境界１１２は、ウエハ１００とともにトレイを形成し、そこにおいて、固化しウエハにボンディングする液体ボンディング材料を保つことができる。
【００４７】
図１の参照番号１２０のボンディング材料は、トレンチ１０６を満たしている。この材料は、最初、液状であり、使用される量は、液面がサブストレート基板の自由面とちょうど面一であり、その上にあふれないようにすることが好ましい。使用される液体の粘性に依存して、トレンチでの配置は、支持部１０２を例えば超音波で振動させて促進される。
【００４８】
境界１１２を形成する輪の表面は、ボンディング材料が凝固するときにボンディングしないテフロンのような材料から作られるのが好ましい。
【００４９】
使用されるボンディング材料に応じて、例えば、加熱または紫外線照射による交叉結合または重合によって、または化学的な触媒によって、または材料に含まれる溶剤の気化によって固化する。
【００５０】
固化の後、サブストレート基板１００を支持部１０２から分離するために、ボンディング層１０４は、加熱され、かつ除去される。
【００５１】
図１（ｄ）において、サブストレート基板の領域は、今度はボンディング材料１２０によって相互に分離されるということが分かる。さらに、ボンディング材料は、サブストレート１１０の領域を互いに接触させておくことにより、基板の機械的結合を行う。
【００５２】
また、ボンディング材料は、最初、支持部にボンディングされていたサブストレートウエハの表面にわずかに突出しているということが分かる。これは、切削の不正確さのせいで、サブストレートに形成された貫通したトレンチが、ボンディング層の中にわずかに突出したという事実による。
【００５３】
ばり取りによって、サブストレート１１０の物理的に絶縁された領域と同じ平面で、完全に平らなサブストレート基板１００を作り出すことができ、これは図１（ｅ）に示されている。ばり取りのあとに、軽い研磨を行ってもよい。
【００５４】
前記サブストレート基板の前記製造プロセスにおいて、基板の形状を修正しなかったことに注意したい。この結果、大きさは標準的なデバイスと同じとなる。それゆえ、従来からの方法で、領域内に部品を作るのに使用することができる。
【００５５】
さらに、前記基板をその支持部から解放するのに特に使用される熱処理は、低温処理であり、従って先にサブストレート基板に形成された部品に損傷を与えない。
【００５６】
前記サブストレートの領域の電気的絶縁に対するプロセスを適用する場合において、異なる領域間で耐えられる高電圧を得るために、トレンチ内のボンディング材料の厚さを、増加する必要があるということが分かる。
【００５７】
しかし、効率と製造コストの原因を改善するために、トレンチの幅を最小化するのが望ましい。
【００５８】
これら２つの制約の間の妥協は、図２と図３で示されるトレンチを形成することによってメリットがあることを理解することができる。
【００５９】
これらの図面によれば、前記トレンチ１０４には、サブストレート基板の表面の開口端にフレアー１２６が設けられている。フレアーは、トレンチの各側面にあるサブストレート基板の端部間の距離をさらに増加させることを可能にし、電場を集め易いこれらの端部を通して放電するのを防ぐ。
【００６０】
前記トレンチの端部の角度は、図２に示されるように可能な限り尖っていないか、図３に示されるように丸みを持っているのが望ましい。
【００６１】
図２のフレアーは、面取り部の形状をしている。この種の面取り部は、切削装置によって形成することができる。そこでは、刃の輪郭によって切断部の形状が決まる。
【００６２】
一変形例として、図３のフレアーは、エッチングによっても得られる。例えば、樹脂エッチングマスクを、サブストレート基板の表面に形成することができ、トレンチ以外は、マスクがクリープ(creep)するように作られ、異方性のエッチングが実施される。
【００６３】
トレンチの側面を滑らかにすることで、ボンディング材料の耐電圧特性（ｖｏｌｔａｇｅ  ｗｉｔｈｓｔａｎｄ）も高くなる。
【００６４】
この滑らかにする処理は、切削装置の刃を２回目に（ａ  ｓｅｃｏｎｄ  ｔｉｍｅ）通過させることで、またはボンディング材料を配置する前に、トレンチ内部に別の、より微粒な刃を使用することで行うことができる。それにより、サブストレート内の異なる領域間のトレンチの各側面上にあり、電場を集中させる可能性があるトレンチの側面の点または粗い端部を除去する。
【００６５】
トレンチの終端部に形成されたフレアーまたは面取り部は、トレンチ自身の前または後に作ることができる。一つの実施形態の例が図４に示されている。
【００６６】
図４（ａ）は、サブストレート基板１００の一つの面上の溝１２６の形成を示している。この溝１２６は、溝の鋭い端部を切断することによって、面取り部を得るために、斜めに切られた刃を用いて切削によって形成される。
【００６７】
図４（ｂ）は、トレンチが面取りされた溝の中に開くように、溝に一致するようにトレンチ１０６がどのように切削されるかを示している。トレンチの幅は、溝１２６のフレアー部の幅よりも小さい。最後に、ボンディング材料１２０が、トレンチの中だけではなく、溝によって形成される上部の中も一緒に満たすように加えられる。この後者の段階は、図４（ｃ）に対応する。
【００６８】
図５は、トレンチが切削とエッチングとによって形成されるプロセスの一変形実施形態である。
【００６９】
図５（ａ）に示される第１の段階は、サブストレートの中に溝１２６を形成することから成る。既に図４（ａ）を参照して述べられたこの工程は、ここで再述はしない。しかし、この段階は、ボンディング材料が高電圧に耐えるように設計されていない場合には、省略してもよい。
【００７０】
図５（ｂ）に示される第２段階は、溝１２６が形成されるサブストレートの表面にマスク層１２８を与えることから成る。マスク層は、上記の溝の中に延びる。例えば、このマスク層は、樹脂層でもよい。
【００７１】
図５（ｃ）に示されるようなトレンチを切削することで、溝の底にあるマスクを除去する。注意したいのは、切削は、得られるトレンチ１０６が基板を貫通しないように行われ、材料を少量だけ残して、反対面から少々の距離のところで止まる。残った材料の厚さは、例えば１０μｍのオーダーにある。これにより、切削装置がサブストレート基板を突き抜けるのを防ぐ。
【００７２】
前記トレンチ１０６は、切削の後に残った残留物質をドライ異方性エッチングすることで完了する。このエッチングの間、マスク１２８は、サブストレートの表面を保護する。
【００７３】
特に、エッチングは、トレンチを切削よりも鋭い状態にして終了する。
【００７４】
この処理は、図５（ｄ）に対応する。
図５（ｅ）に示される最終段階は、上述したようにマスクを取り除いて、トレンチ内部にライニングを施すことから成る。
【００７５】
図６は、電圧反転を受け易いサブストレートの領域を絶縁するプロセスの、他の変形実施形態を示している。この変形例で、トレンチの鋭い端部は、サブストレート基板の両側面上で除去される。
【００７６】
図６（ａ）で示される第１段階は、サブストレートの第１面１３０ａにフレアー状の第１溝１２６ａを形成することから成る。溝の端部は、示された例では丸くされている。
【００７７】
図６（ｂ）で示されるように、この段階の後には、溝と一致する、トレンチ１０６ａの第１の非貫通部を切削することが続く。
【００７８】
前記トレンチ１０６ａは、パッシベーションのために第１面１３０ａ上に流れ出るのを許されるボンディング材料１２０ａで満たされる。この工程は、図６（ｃ）に示される。
【００７９】
前記サブストレートは、図６（ｄ）に示すように、その後にひっくり返される。溝１２６ｂとトレンチ部１０６ｂとは、第１の部分１０６ａと一致するように、第１の面１３０ａの反対の位置にあるサブストレートの第２の面１３０ｂに形成される。トレンチの第２の部分１０６ｂは、トレンチの第１の部分に設けられたボンディング材料１２０ａと同じだけ延びる。
【００８０】
トレンチの第２の部分１０６ｂも、また第２の面１３０ｂ上に拡がるボンディング材料１２０ｂで満たされる。この結果は、図６（ｅ）に示されるサブストレートウエハである。
【００８１】
図６（ｆ）は、ボンディング材料１２０ａ，１２０ｂが、サブストレート面１３０ａ，１３０ｂ上に拡がらないような同じサブストレートウエハを示している。
【００８２】
例えば、この種のウエハは、（ｅ）に示されるウエハの面１３０ａ，１３０ｂを取り除くことで得られる。
【００８３】
図７は、本発明によるプロセスの特定な実施形態を示しており、例えばそれによって特別な光学的絶縁あるいは電気的絶縁の特性をトレンチに与えることができる。
【００８４】
図内の（ａ）で図示される第１段階は、サブストレートウエハ１００の表面１３０上の保護層１３２の形成から成る。
【００８５】
例えば、前記保護層は、選択的な化学的エッチングによって除去することができる樹脂あるいは他の物質であってもよい。
【００８６】
図７（ｂ）で図示される第２段階は、図２から図６を参照して既述したように、トレンチ１０６を形成することから成る。
【００８７】
図７（ｃ）で図示される第３段階は、保護層の自由表面とトレンチの側面とを覆うような、一つまたは幾つかのライニング物質層１３４を置くことから成る。
【００８８】
前記層１３４は、電気分野における制御された抵抗率を持った物質層であってもよい。
【００８９】
光学的な分野においては、前記層１３４は、反射物質層でもよいし、あるいは反射防止特性を備えた誘電体多層構造で形成してもよい。
【００９０】
通常、前記層１３４は、サブストレートの異なる領域間で必要な絶縁の種類に依存して、特定の物理的特性をトレンチに割り当てることが意図されている。
【００９１】
図７（ｄ）で図示される次の段階は、トレンチ内にボンディング材料を配置することから成る。
【００９２】
最後に、図７（ｅ）で図示される最後の段階は、保護層およびトレンチの外にはみ出したライニング物質層１３４の一部を除去することから成る。保護層は、化学的エッチングで除去でき、ライニング層１３４は、剥離によって自動的に除去される。
【００９３】
その上に異なる範疇の部品が形成されるサブストレートウエハの製造中に、各範疇の部品によって指示された異なる絶縁の要求に対応して、異なるライニング層をトレンチに形成することが可能である。
【００９４】
図２から図７の記載は、特に、はっきりさせるという理由から単一のトレンチに関したものである。しかし、注意したいのは、たくさんのトレンチを同時に一つのサブストレート基板に形成することができ、例えば、サブストレート内の幾つかの領域を絶縁する直交ネットワークの形状で形成することができる。
【００９５】
図８は、微小光学領域における本発明の特別な応用を示している。
【００９６】
格子状に並べられた一組のマイクロレンズは、光透過性の物質からできたサブストレート１００の領域１１０から成る。各領域１１０の上面１３０は、湾曲しておりレンズの特性を与える。上述した例では、マイクロレンズの組は、検出器の行列１に関連し、そこでは各検出器１０は領域１１０に関連し、言い換えるとマイクロレンズの一つに関連する。
【００９７】
前記トレンチにライニングをするのに使用されるボンディング材料１２０は、検出器１０上に拡散する寄生光を除去するのに使われる不透明な吸収物質である。
【００９８】
図９は、誘導光学の領域における本発明の他の応用例である。
【００９９】
この応用例も、また光に対して透過性のある物質からできているサブストレート１００を使用しているが、トレンチはウエハを通り抜けることはなく、単にウエハの厚みの一部を通り抜けるだけである。トレンチには、光の伝搬を防ぐ、不透明なボンディング材料１２０が満たされる。トレンチは、このようにしてダイヤフラムに似た光学的分離のための障壁を形成する。トレンチを持たないサブストレートの部分は、スーパーストレートと呼ばれ、参照番号１５０で識別される。
【０１００】
光学部品１５４を互いに接続する光学的ガイド１５２は、サブストレート１５０に形成される。例えば、これらの部品は、鏡またはネットワークまたは光学的分割器でよい。
【０１０１】
光波が部品１５４を通り抜けるとき、光線１５６の形で図示的に図の中に示されている光学的損失が発生する。
【０１０２】
従来からの誘導光学部品において、光学的損失の合計は、複雑な光学部品に有害である暗騒音を生み出すことになる。
【０１０３】
図９によるサブストレートが、様々な領域間の光学的絶縁（隔壁）と共に使用されるとき、光学的損失による光は、止められて、結果として部品にとって、より良好な信号対雑音比となることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  サブストレート基板を通しての概略図であり、本発明によるプロセスの特殊な方法における様々な段階を図示している。
【図２】  絶縁トレンチの可能な形状を図示し、サブストレート基板の断面の細部を示している。
【図３】  絶縁トレンチの可能な形状を図示し、サブストレート基板の断面の細部を示している。
【図４】  サブストレート基板の細部の断面であり、本発明によるプロセスの一つの可能な特別の実施形態に従った、トレンチを作りそれに線を引く連続的な段階を図示したものである。
【図５】  サブストレート基板の細部の断面であり、本発明によるプロセスの他の可能な特別の実施形態に従って、トレンチを作り、それに線を引く様々な段階を図示したものである。
【図６】  サブストレート基板の細部の断面であり、本発明によるプロセスのさらに他の可能な特別の実施形態に従った、トレンチを作りそれに線を引く様々な段階を図示したものである。
【図７】  サブストレート基板の断面の図であり、本発明によるプロセスに対する一つの可能な改良を図示したものである。
【図８】  本発明に従って処理されたサブストレート基板の断面図であり、微細光学的領域におけるこの基板の応用を図示している。
【図９】  本発明に従って処理されたサブストレート基板の断面図であり、誘導光学領域におけるこの基板の応用を図示している。
【符号の説明】
１００…サブストレートストレートウエハ
１０２…支持部
１０４…ボンディング層
１０６…トレンチ
１１０，１５０…サブストレート
１１２…境界
１２０…ボンディング材料
１２６…フレアー
１２８…マスク
１３４…ライニング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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