(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被処理体を被処理体保持具に多段に支持させて処理容器内へ導入し、前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした成膜装置において、
前記被処理体の成膜時間を実測する成膜時間計測手段と、
堆積された膜の膜厚を求める下記に示す膜厚計算式を記憶する膜厚計算式記憶手段と、
前記膜厚計算式と前記実測された実測成膜時間とに基づいて堆積された膜の膜厚を求める膜厚演算手段と、
前記膜厚計算式で求めた膜厚の累積値を求める累積値演算手段と、
前記累積値を記憶する累積値記憶手段と、
前記累積値が適切な範囲内であるか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段の判断結果を報知する報知手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ
ここでＤは膜厚、Ａは補正値、Ｂは成膜レート、Ｔは実測成膜時間である。
【請求項２】
前記膜厚計算式記憶手段には、成膜条件が異なることに対応させた複数の膜厚計算式が記憶されていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記報知手段は、前記累積値が閾値の所定の範囲内に入ったことを知らせる第１の報知と前記累積値が閾値を越えたことを知らせる第２の報知の２段階で報知することを特徴とする請求項１または２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記被処理体保持具には、補充用被処理体が支持され、前記膜厚累積値は異なる膜種の成膜処理に対しては異なる被処理体保持具及び異なる補充用被処理体が用いられることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項５】
複数の被処理体を被処理体保持具に多段に支持させて処理容器内へ導入し、前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした成膜装置の累積膜厚の管理方法において、
前記成膜時間を実測して実測成膜時間を求める工程と、
前記実測成膜時間と予め定められた下記に示す膜厚計算式とに基づいて堆積された膜厚を求める工程と、
前記膜厚の累積値を求める工程と、
前記膜厚の累積値が適正な範囲内であるか否かを判断する工程と、
前記判断結果を報知する工程とを備えたことを特徴とする成膜装置の累積膜厚の管理方法。
Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ
ここでＤは膜厚、Ａは補正値、Ｂは成膜レート、Ｔは実測成膜時間である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に薄膜を堆積させてその累積膜厚を管理する手段を備えた成膜装置及びその累積膜厚の管理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処理等の各種の熱処理が行なわれる。これらの熱処理を縦型の、いわゆるバッチ式の熱処理装置にて行う場合には、まず、半導体ウエハを複数枚、例えば２５枚程度収容できるカセットから、半導体ウエハを縦型のウエハボートへ移載してこれに多段に支持させる。このウエハボートは、例えば最大１５０枚程度のウエハを載置できる。また、ガスの流れを均一化させたり、或いは高さ方向の温度プロファイルを調整するために、必要に応じて所定の位置に製品ウエハとは異なる補充用被処理体となるダミーウエハを支持させる。
【０００３】
このように各種のウエハを多段に支持した状態でウエハボートは、真空引き可能な処理容器内にその下方より搬入（ロード）された後、処理容器内が気密に維持される。そして、予め作成されているプロセスプログラムが実行され、処理ガスの流量、プロセス圧力、プロセス温度等の各種のプロセス条件を上記プロセスプログラムに従って制御しつつ所定の熱処理が施される。
ここで熱処理として薄膜を堆積させる成膜処理を例にとって説明すると、この場合、上記ダミーウエハは、同一膜種の成膜処理に対しては、一般的には多数回繰り返し使用されるために、ウエハボートに常駆されたり、或いはウエハ待機場所のストッカ等に常駆されたりする。そして、繰り返し使用の結果、薄膜が積層されてこのダミーウエハに閾値以上の膜が累積したならば、膜剥がれによるパーティクルの発生の防止、累積膜によるウエハの変形やそりの発生防止、或いは累積膜によるコンタミネーションの発生防止等を目的として、上記ダミーウエハは新規なものと交換される。
また、ウエハボート、処理容器の内壁、保温筒等の表面にも、上記した累積膜が付着するので、例えば定期的に上記累積膜を除去するクリーニング処理が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ダミーウエハは、比較的高価なものであることから、できるだけ有効に、且つ効率的に使用しなければならない。上記累積膜の厚さの管理方法は、例えば特開平４−２０６７１４号公報、特開平１１−１７６９０５号公報、特開平１１−１２１５８７号公報等に種々開示されているが、これらの公報の技術はいずれも膜厚の累積値を的確に管理しているとは言い難かった。
また、特開平１１−８１９７号公報では、クリーニングのタイミングを決定するために、成膜処理を行う毎にその時の膜厚を実測する技術が開示されているが、この場合には、成膜処理毎に膜厚の実測を行わなければならないので、非常に煩雑になる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、膜厚の累積値を適正に求めるようにして、これを適正に管理することが可能な成膜装置及び累積膜厚の管理方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に規定する発明は、複数の被処理体を被処理体保持具に多段に支持させて処理容器内へ導入し、前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした成膜装置において、前記被処理体の成膜時間を実測する成膜時間計測手段と、堆積された膜の膜厚を求める下記に示す膜厚計算式を記憶する膜厚計算式記憶手段と、前記膜厚計算式と前記実測された実測成膜時間とに基づいて堆積された膜の膜厚を求める膜厚演算手段と、前記膜厚計算式で求めた膜厚の累積値を求める累積値演算手段と、前記累積値を記憶する累積値記憶手段と、前記累積値が適切な範囲内であるか否かを判断する判断手段と、前記判断手段の判断結果を報知する報知手段とを備えたことを特徴とする成膜装置である。
Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ
ここでＤは膜厚、Ａは補正値、Ｂは成膜レート、Ｔは実測成膜時間である。
これにより、実測された成膜時間を用いて膜厚計算式によりその成膜処理の膜厚を求め、この膜厚を累積して管理するようにしたので、適正な膜厚の累積値を求めることができ、従って、この累積値に基づいて例えば補充用被処理体となるダミーウエハの交換時期等を適正に管理することが可能となる。
また同様に、例えば処理容器及びこの容器内構造物、例えば被処理体保持具となるウエハボートや保温筒等のクリーニング時期についても適正に管理することが可能となる。
【０００６】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記膜厚計算式記憶手段には、成膜条件が異なることに対応させた複数の膜厚計算式が記憶されている。
また、例えば請求項３に規定するように、前記報知手段は、前記累積値が閾値の所定の範囲内に入ったことを知らせる第１の報知となるワーニングレベルと前記累積値が閾値を越えたことを知らせる第２の報知となるアラームレベルの２段階で報知する。
また、例えば請求項４に規定するように、前記被処理体保持具には、補充用被処理体が支持され、前記膜厚累積値は異なる膜種の成膜処理に対しては異なる被処理体保持具及び異なる補充用被処理体が用いられる。
また、請求項５に規定する発明は、上記成膜装置で行われる方法発明を規定したものであり、すなわち、複数の被処理体を被処理体保持具に多段に支持させて処理容器内へ導入し、前記被処理体に対して成膜処理を施すようにした成膜装置の累積膜厚の管理方法において、前記成膜時間を実測して実測成膜時間を求める工程と、前記実測成膜時間と予め定められた下記に示す膜厚計算式とに基づいて堆積された膜厚を求める工程と、前記膜厚の累積値を求める工程と、前記膜厚の累積値が適正な範囲内であるか否かを判断する工程と、前記判断結果を報知する工程とを備えたことを特徴とする成膜装置の累積膜厚の管理方法である。
Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ
ここでＤは膜厚、Ａは補正値、Ｂは成膜レート、Ｔは実測成膜時間である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る成膜装置及びその累積膜厚の管理方法の一実施例について添付図面を参照して説明する。
図１は本発明の成膜装置を示す概略構成図、図２は被処理体保持具に載置されている被処理体（補充用被処理体を含む）の載置状態の一例を示す図、図３は成膜装置の制御系を示すブロック構成図、図４は膜厚計算式記憶手段の記憶状態を示す模式図、図５は累積値記憶手段の記憶状態を示す模式図である。
この成膜装置２は、内筒４と外筒６とよりなる石英製の２重管構造の縦型の所定の長さの処理容器８を有している。上記内筒４内の処理空間Ｓには、被処理体を保持するための被処理体保持具としての石英製のウエハボート１０が収容されており、このウエハボート１０には被処理体としての半導体ウエハＷが所定のピッチで多段に保持される。尚、このウエハボート１０には、後述するように補充用被処理体としてのダミーウエハ等も保持される。
【０００８】
この処理容器８の下方を開閉するためにキャップ１２が設けられ、これには磁性流体シール１４を介して回転する回転軸１６が設けられる。そして、この回転軸１６の上端に回転テーブル１８が設けられ、このテーブル１８上に保温筒２０を設け、この保温筒２０上に上記ウエハボート１０を載置している。そして、上記キャップ１２は昇降可能なボートエレベータ２２のアーム２４に取り付けられており、上記回転軸１６やウエハボート１０等と一体的に昇降可能にしており、ウエハボート１０は処理容器８内へその下方から挿脱可能になされている。尚、ウエハボート１０を回転せずに、これを固定状態としてもよい。
上記処理容器８の下端開口部は、例えばステンレス製のマニホールド２６が接合されており、このマニホールド２６には、成膜に必要な種々のガスを処理容器８内へ導入するための複数、図示例では３つのガスノズル２８Ａ、２８Ｂ、２８Ｃが貫通させて設けられている。そして、各ガスノズル２８Ａ〜２８Ｃには、それぞれガス供給系３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃが接続されると共に、各ガス供給系３０Ａ〜３０Ｃには、ガス流量を制御する例えばマスフローコントローラのような流量制御器３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃが介設されている。ここでは３つのガスノズル２８Ａ〜２８Ｃを設けたが、必要に応じてガスノズルの数は増減できるのは勿論である。
【０００９】
そして、上記各ガスノズル２８Ａ〜２８Ｃより供給された各ガスは、内筒４内の処理空間Ｓであるウエハの収容領域を上昇して天井部で下方へ折り返し、そして内筒４と外筒６との間隙内を流下して排出されることになる。また、マニホールド２６の側壁には、排気口３４が設けられており、この排気口３４には、排気路３６に圧力制御弁３８と真空ポンプ４０を介設してなる真空排気系４２が接続されており、処理容器８内を真空引きするようになっている。
また、処理容器８の外周には、断熱層４４が設けられており、この内側には、加熱手段として加熱ヒータ４６が設けられて内側に位置するウエハＷを所定の温度に加熱するようになっている。
【００１０】
ここで、処理容器８の全体の大きさは、例えば成膜すべきウエハＷのサイズを８インチ、ウエハボート１０に保持されるウエハ枚数を１７０枚程度（製品ウエハを１５０枚程度、ダミーウエハ等を２０枚程度）とすると、内筒４の直径は略２６０〜２７０ｍｍ程度、外筒６の直径は略２７５〜２８５ｍｍ程度、処理容器８の高さは略１２８０ｍｍ程度である。
尚、図中、４８はキャップ１２とマニホールド２６との間をシールするＯリング等のシール部材であり、５０はマニホールド２６と外筒６の下端部との間をシールするＯリング等のシール部材である。
【００１１】
そして、上記ウエハボート１０には、図２にも示すように、その上下端部には、それぞれ複数枚、例えば１０枚程度の補充用被処理体であるダミーウエハＤＷが載置されて、温度プロファイルやガス流の均一化・安定化を図るようになっている。尚、図２中のウエハの枚数は模式的に示されており、正確な枚数を示すものではない。そして、両ダミーウエハＤＷ間には、多数の製品ウエハＷが多段に載置されている。そして、この製品ウエハＷ間には、製品ウエハが、いわゆる歯抜けになった場合などにこれを埋めるためのエクストラダミーウエハＥＤＷが必要に応じて載置されている。これらのダミーウエハＤＷやエクストラダミーウエハＥＤＷは、後述するように同一膜種に対しては同一のものが用いられ、異種の膜に対しては異なるものが用いられる。尚、エクストラダミーウエハＥＤＷはダミーウエハＤＷの一種であり、上述のように製品ウエハの、いわゆる歯抜け部分に補充するものを言う。
【００１２】
次に、図３を参照してこの成膜装置の累積膜厚の管理制御系について説明する。上記成膜装置は、周知のように動作制御コンピュータ（図示せず）によって制御され、このコンピュータの一部を上記管理制御系が占めることになる。
図３に示すように、この管理制御系６０において、６２は半導体ウエハＷの実際の成膜時間を実測するための成膜時間計測手段であり、６４は種々の膜厚計算式を記憶する、例えばＲＯＭよりなる膜厚計算式記憶手段であり、６６は上記膜厚計算式と上記実測の成膜時間とに基づいて堆積された膜厚を演算により求める膜厚演算手段であり、６８は上記演算で得た膜厚の累積値を求める累積値演算手段であり、７０は上記累積値を記憶する例えばＲＡＭよりなる累積値記憶手段であり、７２は上記累積値が適切な範囲内に入っているか否かを判断する判断手段であり、７４は上記判断手段の判断結果をオペレータに知らせる報知手段である。
【００１３】
この報知手段７４は、オペレータに対する所望のメッセージを表示する、例えば液晶表示装置よりなる表示部７６と、ランプを点灯させる報知ランプ７８とを有している。そして、報知ランプ７８は、２段階点灯可能になされており、例えば緊急度が低いワーニングレベルの時に点滅する黄色灯７８Ａと、緊急度の高いアラームレベルの時に点滅する赤色灯７８Ｂとを有している。
【００１４】
上記成膜時間計測手段６２は、上述のように実際の成膜時間を測定するが、これは成膜用のプロセスプログラムの開始から終了までの時間を計測するのではなく、このプロセスプログラム中の特定の成膜のためのステップ、すなわちウエハＷを所定の温度に維持しつつ処理容器８内へ成膜用のガスを実際に流して膜を堆積する時の実際の時間を計測する。この成膜時間の計測は、プロセスプログラムの実行時に上記成膜用のステップの開始時刻と終了時刻とを監視することにより容易に求めることができる。
また、上記膜厚計算式記憶手段６４には、図４にも示すように、プロセス温度、プロセス圧力及びガス流量等のプロセス条件が異なることに対応させて、また、堆積させる膜種に対応させて、それぞれ異なる膜厚計算式が用意されて記憶されている。
【００１５】
上記膜厚計算式は、一般式として以下のように与えられる。
Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ
ここでＤは膜厚（ｎｍ）、Ａは補正値（ｎｍ）、Ｂは成膜レート（ｎｍ／ｍｉｎ）、Ｔは実測成膜時間である。図４では全部でｎ個の膜厚計算式が示されている。上記補正値Ａは、膜を堆積させるウエハの下地膜や成膜時の大気圧変動等によって膜付きの状態が変化するので、その点を加味している値であり、過去の経験則によって求められる。また、上記成膜レートは、過去の経験則によって求められる値であり、経験によってかなりの正確な値が求められている。上記複数の膜厚計算式の内のどの膜厚計算式を用いるかという点については、プロセスプログラムを実行する際に、自動的に選択される。
【００１６】
また、上記累積値記憶手段７０には、図５にも示すように、各膜種の今までの累積値ＡＣが記憶されており、図示例ではｍ種類の膜種に対する累積値が記憶されている。
ここでは用いるダミーウエハＤＷ、或いはエクストラダミーウエハＥＤＷは、同一膜種に対して同一のダミーウエハＤＷ及びエクストラダミーウエハＥＤＷを用い、異なる膜種に対しては異なるダミーウエハＤＷ及びエクストラダミーウエハＥＤＷを用いる。また、当然のこととしてダミーウエハＤＷ或いはエクストラダミーウエハＥＤＷを新しいものと交換した場合には、対応する累積値ＡＣをリセットしてゼロに戻す。
また、上記判断手段７２は、各膜種に対応したそれぞれの閾値を有しており、前述したように上記累積値が適正な範囲内にあるか否かを判断する。
【００１７】
次に、以上のように構成された成膜装置を用いて行なわれる本発明方法について説明する。
所定のプロセスプログラムが開始されると、まず、未処理の多数枚の半導体ウエハＷ、ダミーウエハＤＷ、エクストラダミーウエハＥＤＷ等をウエハボート１０に所定のピッチで例えば図２に示すように多段に保持させ、この状態でボートエレベータ２２を上昇駆動することにより、ウエハボート１０を処理容器８内へその下方より挿入し、処理容器８内を密閉する。この処理容器８内は予め予熱されている。
【００１８】
上述のようにウエハＷが挿入されたならば、加熱ヒータ４６への供給電力を増加してウエハＷを所定のプロセス温度まで昇温すると共に、真空排気系４２により処理容器８内を真空引きする。
そして、成膜ステップが開始されると、各ガスノズル２８Ａ〜２８Ｃからは流量制御された成膜に必要な各ガスが安定的に処理容器８内へ供給されて膜の堆積が始まる。そして、所定の時間の膜付け処理が終了すると、成膜に必要なガスの処理容器８内への供給が断たれ成膜処理が終了する。上記実際の膜付け処理が行われている時間が実測されて実測成膜時間となる。そして、成膜処理が完了したウエハＷは、処理容器８内からアンロードされて、プロセスプログラムの実行が完了することになる。
【００１９】
このように、プロセスプログラムは、膜種を同一にしたまま、或いは膜種を変えながら順次実行される。図６は複数のプロセスプログラムが順次行われる時の状態の一例を示しており、ここでは５つのプロセスプログラムＡ〜Ｅが実行される場合を示している。ここでは理解を容易にするために、プロセス圧力、プロセス温度、ガス流量等のプロセス条件は異なるが全て同一膜種を堆積するものと仮定する。
各プロセスプログラムＡ〜Ｅが順次行われるに従って、それぞれにおいて実測成膜時間Ｔ１〜Ｔ５の成膜処理が行われる。そして、各成膜処理時において堆積される薄膜の膜厚は、膜厚計測式に基づいてそれぞれ求められて膜厚Ａ〜Ｅとなる。
【００２０】
この膜厚は、累積値演算手段６８により最初より順次加算されて累積され、その累積値はその都度、累積値記憶手段７０に記憶される。そして、新たな累積値を計算する毎に、判断手段７４ではこの累積値と閾値とを比較判断して所定の範囲内に入っているか否かを判断する。その結果、膜厚の累積値が閾値の、例えば８０％以下ならば、パーティクル等の発生する確率が極めて少ないので報知手段７４は、オペレータに対して正常である旨の報知を行い、また、膜厚の累積値が８０％に達したならば、パーティクル等の発生する確率が大きくなる直前なので報知手段７４は第１の報知であるワーニングの報知を行う。尚、上記８０％の値は、一例を示したに過ぎず、これに限定されない。
【００２１】
このワーニングの報知は、例えば上記旨を表示部７６にメッセージとして表示すると共に、報知ランプ７８の黄色灯７８Ａを点滅させてその旨をオペレータに知らせることになる。これにより、オペレータは、様子を見ながら必要な場合には、対応するダミーウエハＤＷやエクストラダミーウエハＥＤＷにかなりの膜厚が堆積したことを知り、これを新しいものと交換する。
更に、膜厚の累積値が閾値（１００％）に達したならば、報知手段７４は第２の報知であるアラームの報知を行う。このアラームの報知は、例えば上記旨を表示部７６にメッセージとして表示すると共に、報知ランプ７８の赤色灯７８Ｂを点滅させてその旨をオペレータに知らせることになる。これにより、オペレータは、累積した膜厚が限度以上に付着したことを知り、対応するダミーウエハＤＷやエクストラダミーウエハＥＤＷを必ず新しいものと交換する。また、交換しない場合には、成膜装置自体が次のプロセスプログラムを実行しないように制御系が動作する。
【００２２】
以上の動作を図７に示す方法発明のフローを参照して説明する。
まず、この装置の制御系は、プロセスプログラムがスタートしたか否かを判断し（Ｓ１）、このプロセスプログラムがスタートしたならば、次に、成膜ステップが開始されたか否かを判断する（Ｓ２）。ここで成膜ステップが開始されたならば、実際に処理容器８内へ成膜用ガスが供給されたことを意味するので、成膜時間計測手段６２は成膜時間の計測を開始する（Ｓ３）。
次に、上記成膜ステップが終了したか否かが判断され（Ｓ４）、ＮＯの場合には、成膜処理が継続して行われているので成膜時間の計測を続行する。そして、ステップ４において、ＹＥＳならば成膜ステップが終了して成膜用ガスの処理容器８内への供給が停止されたことを意味するので、成膜時間計測手段６２は成膜時間の計測を終了する（Ｓ５）。そして、上記成膜時間の計測の終了時刻と開始時刻とを比較することにより実測の成膜時間Ｔを求める（Ｓ６）。
【００２３】
次に、膜厚演算手段６６は、膜厚計算式記憶手段６４に記憶されている複数の膜厚計算式から堆積した膜種及びプロセス条件に対応した膜厚計算式（Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ）を選択し、これと上記実測の成膜時間Ｔとに基づいて上記１回の成膜プロセスで堆積した膜厚を計算により求める（Ｓ７）。
次に、累積値演算手段６８は、上記求めた膜厚と、累積値記憶手段７０に記憶されている同じ膜種の今までの累積値ＡＣとを加算して新たな累積値ＡＣを求め（Ｓ８）、これを累積値記憶手段７０に更新させて記憶させると共に、この新たな累積値ＡＣを判断手段７２に送る。
【００２４】
次に、この判断手段７２は、上記新たな累積値ＡＣとこれに対応する閾値Ｈとを比較する（Ｓ９）。この結果、新たな累積値ＡＣが閾値Ｈの８０％以下の場合には（ＡＣ≦０．８）、報知手段７４は、正常の報知を行い（Ｓ１０）、新たな累積値ＡＣが閾値Ｈの８０％よりも大きくて閾値Ｈ以下の場合には（０．８・Ｈ＜ＡＣ≦Ｈ）、報知手段７４はワーニングの報知を行ってオペレータに注意を促す（Ｓ１１）。これにより、オペレータは所定の対応処理を行い、例えばワーニングになったばかりならばもう少し余裕があるものとして、ダミーウエハＤＷ等を交換することなく次のプロセスプログラムを実行したり、或いは、次に実行すべきプロセスプログラムの成膜ステップが長くて大きな膜厚の堆積が予定されるならば、ここでダミーウエハ等の交換を行う。
【００２５】
また、ステップ９にて比較の結果、新たな累積値ＡＣが閾値Ｈを越えた場合には（ＡＣ＞Ｈ）、報知手段７４は、アラームの報知を行ってオペレータに警報を発する（Ｓ１３）。これにより、オペレータは所定の対応処理を行い、例えば必ずダミーウエハＤＷやエクストラダミーウエハＥＤＷを新しいものと交換する（Ｓ１４）。この場合、制御系は、上記したようにダミーウエハ等を新しいものと交換するまでは、次のプロセスプログラムは開始しないように制限を加えることになる。尚、ダミーウエハ（エクストラダミーウエハも含む）を交換した時は、累積値記憶手段７０に記憶されている累積値をリセットするのは勿論である。
【００２６】
このように、膜厚の累積値を、実際の成膜時間（成膜ステップ）を計測してこれに基づいて求めるようにしているので、適正な膜厚の累積値を求めることができ、従って、この累積値に基づいて例えばダミーウエハ（エクストラダミーウエハも含む）の交換時期を適正に管理することが可能となる。従って、パーティクルの発生も抑制することができる。
図８は温度を途中で変化させながら成膜を行うプロセスプログラムの一例を示す図であるが、プロセスプログラムによっては、図８に示すように、成膜ステップを複数、例えば成膜ステップ１と成膜ステップ２とに分けて温度を変化させながら、連続的に膜を堆積させる場合もある。このような場合は、この２つの成膜ステップ１、２を１つのステップと仮定して１つの膜厚計算式を経験的に求め、この２つのステップ全体の時間を実測成膜時間Ｔとすればよい。
【００２７】
また、図９は既存のプロセスプログラムをベースとして新たなプロセスプログラムを作成する時の過程を示す図であるが、図９（Ａ）は既存のあるプロセスプログラムＸの温度変化を示すグラフであり、ここで成膜される膜厚をＸ１と仮定する。このようなプロセスプログラムＸに図９（Ｂ）に示すような温度変化を示すプロセスプログラムＹを組み合わせて、図９（Ｃ）に示すような１つのプロセスプログラムＺを作成するものとする。この場合、プロセスプログラムＺにおける膜厚計算式（Ｄ＝Ａ＋Ｂ・Ｔ）を作る時に、膜厚Ｘ１を補正値Ａとして使用するようにしてもよい。この場合、プロセスプログラムＹに対応する部分のステップが実行している時間を実測成膜時間Ｔとして計測することになる。
【００２８】
また、前述したように異なる膜種、例えば酸化膜用、或いは窒化膜用には、それぞれ専用のダミーウエハ、エクストラダミーウエハ、ウエハボートを用い、それぞれ別々に管理するのは勿論である。更に、同じ酸化膜でも種々の膜種が存在し、例えばＴＥＯＳを用いた酸化膜、ＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  ＴｅｍｐｒａｔｕｒｅＯｘｉｄｅ）酸化膜等をそれぞれ異種の膜として取り扱う。
また、ここではダミーウエハ（エクストラダミーウエハも含む）の交換時期を管理する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、処理容器８、ウエハボート１０、保温筒２０のクリーニング時期の管理にも、本発明方法を適用することができる。この場合は、ダミーウエハの管理の場合とは異なり、累積値は膜種を区別することなく全ての堆積膜の膜厚を累積する。
また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜装置及びその累積膜厚の管理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
実測された成膜時間を用いて膜厚計算式によりその成膜処理の膜厚を求め、この膜厚を累積して管理するようにしたので、適正な膜厚の累積値を求めることができ、従って、この累積値に基づいて例えば補充用被処理体の交換時期等を適正に管理することができる。
また同様に、例えば処理容器及びこの容器内構造物、例えばウエハボートや保温筒等のクリーニング時期についても適正に管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置を示す概略構成図である。
【図２】被処理体保持具に載置されている被処理体（補充用被処理体を含む）の載置状態の一例を示す図である。
【図３】成膜装置の制御系を示すブロック構成図である。
【図４】膜厚計算式記憶手段の記憶状態を示す模式図である。
【図５】累積値記憶手段の記憶状態を示す模式図である。
【図６】複数のプロセスプログラムが順次行われる時の状態の一例を示す図である。
【図７】方法発明のフローを示す図でる。
【図８】温度を途中で変化させながら成膜を行うプロセスプログラムの一例を示す図である。
【図９】既存のプロセスプログラムをベースとして新たなプロセスプログラムを作成する時の過程を示す図である。
【符号の説明】
２  熱処理装置
４  内筒
６  外筒
８  処理容器
１０  ウエハボート（被処理体保持具）
２８Ａ〜２８Ｃ  ガスノズル
３４  排気口
６２  成膜時間計測手段
６４  膜厚計算式記憶手段
６６  膜厚演算手段
６８  累積値演算手段
７０  累積値記憶手段
７２  判断手段
７４  報知手段
７６  表示部
７８  報知ランプ
７８Ａ  黄色灯
７８Ｂ  赤色灯
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
ＥＤＷ  エクストラダミーウエハ（補充用被処理体）
ＤＷ    ダミーウエハ（補充用被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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