(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属の酸化物の原料としてのチタニウムアルコキシド及びジルコニウムアセチルアセトナートと、酢酸とを、酢酸／ジルコニウムアセチルアセトナート（モル比）が２より大きくなり且つＰｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１.０〜１.２：０.５１〜０.５６：０.４４〜０.４９（モル比）となるように、加熱せずに混合することによりコロイド溶液からなる鉛含有複合酸化物形成用組成物を得ることを特徴とする鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法。
【請求項２】
前記酢酸鉛を溶媒に混合した後、前記酢酸及び前記ジルコニウムアセチルアセトナートを混合することを特徴とする請求項１に記載の鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛含有複合酸化物、例えば、強誘電体薄膜を形成するのに用いられ優れた分散安定性を有する鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等に代表される結晶を含む強誘電体薄膜は、自発分極、高誘電率、電気光学効果、圧電効果、焦電効果等を有しているため、圧電素子等の広範なデバイス開発に応用されている。このような強誘電体薄膜の成膜方法としては、例えば、ＭＯＤ（Metal  Organic  Deposition）法、ゾル−ゲル法、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法、スパッタリング法等が知られているが、特に、ＭＯＤ法及びゾル−ゲル法は、強誘電体薄膜を比較的低コストで且つ簡便に成膜することができるという利点を有する。
【０００３】
強誘電体薄膜は、ＭＯＤ法によって成膜する場合、一般的に、金属アルコキシドやアセチルアセトナート錯体等の有機金属化合物をアルコールに溶解し、これにアルカノールアミン等を加えて得たコロイド溶液を被対象物上に塗布した後、これを乾燥して焼成することで成膜される。一方、ゾル−ゲル法によって成膜する場合には、有機金属化合物をアルコール等の溶媒に溶解し、加水分解させて得たコロイド溶液を被対象物上に塗布した後、これを乾燥して焼成することで成膜される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようなコロイド溶液は、長期間保存するとゾルが凝集して析出してしまい、保存安定性が悪いという問題がある。特に、有機金属化合物としてアセチルアセトナート錯体を用いると、アセチルアセトナート錯体は分解し難く析出し易いため分散安定性が悪いという問題がある。このように析出が生じると、強誘電体薄膜形成用組成物の組成が変動し、これが原因となって、強誘電体薄膜の膜成分が不均一に分散し、強誘電体薄膜を有する圧電素子の圧電特性が変動してしまう。さらに、圧電素子をアクチュエータ装置として備えた液体噴射ヘッドにおいては、このような圧電素子の圧電特性の変動が、液体吐出特性のばらつきの原因となってしまう。なお、上述したアセチルアセトナート錯体の分散安定性が悪いという問題は、強誘電体薄膜形成用組成物だけでなく、アセチルアセトナート錯体を含有する鉛含有複合酸化物形成用組成物においても同様に存在する。
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−５９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好で保存安定性を長期に亘って維持することができる鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様は、酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属の酸化物の原料としてのチタニウムアルコキシド及びジルコニウムアセチルアセトナートと、酢酸とを、酢酸／ジルコニウムアセチルアセトナート（モル比）が２より大きくなり且つＰｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１.０〜１.２：０.５１〜０.５６：０.４４〜０.４９（モル比）となるように、加熱せずに混合することによりコロイド溶液からなる鉛含有複合酸化物形成用組成物を得ることを特徴とする鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法にある。
かかる第１の態様では、アセチルアセトナート錯体であるジルコニウムアセチルアセトナートの分散安定性が良好で且つ保存安定性に優れた鉛含有複合酸化物形成用組成物を比較的容易な方法で製造することができる。
【００１６】
本発明の第２の態様は、前記酢酸鉛を溶媒に混合した後、前記酢酸及び前記ジルコニウムアセチルアセトナートを混合することを特徴とする第１の態様に記載の鉛含有複合酸化物形成用組成物の製造方法にある。
かかる第２の態様では、添加された酢酸により、アセチルアセトナート錯体であるジルコニウムアセチルアセトナートの分散安定性が良好になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、強誘電体薄膜等の鉛含有複合酸化物を形成するのに用いられるコロイド溶液（ゾル）であり、具体的には、酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属酸化物の原料としての金属アルコキシド及びアセチルアセトナート錯体と、酢酸とを含有するコロイド溶液からなり、当該コロイド溶液中の酢酸とアセチルアセトナート錯体とのモル比、すなわち、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）が２より大きいものである。ここで、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）中の「酢酸」とは、コロイド溶液中に含まれる酢酸、すなわち、原料として添加した酢酸及び酢酸鉛から遊離した酢酸を意味する。本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、酢酸を添加することにより、アセチルアセトナート錯体に酢酸が弱い相互作用で結合するため、アセチルアセトナート錯体の分散性安定性が顕著に向上し、鉛含有複合酸化物形成用組成物の保存安定性が良好になる。このように本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は分散安定性及び保存安定性に優れているため、これを用いて鉛含有複合酸化物を形成すると、金属成分が略均一な複合酸化物を得ることができる。なお、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）はさらに好ましくは４以上である。また、本発明において、酢酸の含有量は、アセチルアセトナート錯体の分散安定性を高める点においては特に上限はないが、塗布、乾燥及び焼成等の複合酸化物形成プロセスの条件に対する鉛含有複合酸化物形成用組成物の粘度を考慮することが好ましい。
【００１８】
金属アルコキシドとしては、チタニウムアルコキシド、チタニウムイソプロポキシド等が挙げられる。また、アセチルアセトナート錯体としては、ジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、ジルコニウムビスアセチルアセトナート等が挙げられる。なお、金属アルコキシドがチタニウムアルコキシドで、アセチルアセトナート錯体がジルコニウムアセチルアセトナートであることが好ましい。
【００１９】
金属アルコキシドやアセチルアセトナート錯体中の金属と鉛のモル比は特に限定されないが、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）形成用組成物の場合は、Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１.０〜１.２：０.５１〜０.５６：０.４４〜０.４９（モル比）となるように、酢酸鉛、金属アルコキシド及び金属アセチルアセトナートを含有することが好ましい。
【００２０】
本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物に含有される溶媒としては、アルコール系溶媒が挙げられる。このアルコール系溶媒として、例えば、２−ｎ−ブトキシアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、２−フェニルエタノール、２−フェノキシエタノール、メトキシエタノール、エチレングリコールモノアセテート、トリエチレングリコール、トリメチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、酢酸イソアミルを挙げることができ、これらの溶媒は単独で用いても複数種用いてもよい。
【００２１】
本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、さらに、アルカノールアミンを含有していてもよい。アルカノールアミンを含有すると、金属アルコキシド及び酢酸鉛の分散安定性を良好にすることができる。アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンを挙げることができる。これらのアルカノールアミンは、単独で用いても複数種用いてもよい。
【００２２】
また、必要に応じて、鉛含有複合酸化物を安定化させるため、また、形成される強誘電体薄膜のクラックの発生を防止するための安定化剤として、例えば、ポリエチレングリコール等を添加物として加えてもよく、その他の添加剤として、増粘剤等を加えてもよい。
【００２３】
本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、ＭＯＤ法に好適に適用することができる。なお、ＭＯＤ（Metal  Organic  Deposition）法とは、ゲル化反応（加水分解反応）を起こさず、単に金属アルコキシドやアセチルアセトナート錯体等を原料とした有機金属材料の溶液の塗布、乾燥、熱処理だけで膜などを得る方法をいう。本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物はＭＯＤ法に適用することができるため、強誘電体薄膜等の鉛含有複合酸化物を比較的低コストで且つ簡便に成膜することができる。
【００２４】
以下、本発明の鉛含有複合後酸化物形成用組成物について、下記試験例に基づいてさらに詳細に説明する。
（試験例）  Ｚｒアセチルアセトナートの分散安定性
ジルコニウムアセチルアセトナート２７．５ｇを２−ｎ−ブトキシエタノール（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）１１８ｇに添加し、ジルコニウムアセチルアセトナート（Ｚｒ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）４）の濃度が０．３ｍｏｌ／Ｌの溶液を作製した。この溶液に、酢酸（ＣＨ３ＣＯＯＨ）、水（Ｈ２Ｏ）及びイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を、ジルコニウムアセチルアセトナート１モルに対して、下記表１のモル数となるように混合した。上記操作は全て室温下で行った。各混合液を容器に入れ開封状態で１０日間室温で保存し、析出の有無を観察した。結果を表１に示す。なお、酢酸鉛３水和物（Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・３Ｈ２Ｏ）に由来する水、及び、チタニウムテトライソプロポキシド（Ｔｉ（（ＣＨ３）２ＣＨＯ）４）に由来するＩＰＡを想定して、水及びＩＰＡを表１に示すモル数で混合した。具体的には、Ｐｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝１．２：０．５５：０．４５（モル比）のチタン酸ジルコン酸鉛形成用組成物を製造する際に生じる酢酸鉛３水和物に由来する水６．６モルと、チタニウムテトライソプロポキシドに由来するＩＰＡ３．２モルとを混合したものがサンプル１及び４であり、その他のサンプルについては、サンプル１及び４と同量又はそれよりも少ない量をそれぞれ混合した。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
表１に示すように、酢酸／アセチルアセトネート錯体（モル比）が２であるサンプル１〜３は１０日後にはジルコニウムアセチルアセトネート等が析出し、特に水の添加量を少なくしていくにしたがって、析出量が多くなった（サンプル２及３）。一方、酢酸／アセチルアセトネート錯体（モル比）が４であるサンプル４〜８は、１０日間経過後も析出は全く無く、水の含有量を少なくしたサンプル５及び６や、ＩＰＡの含有量を少なくしたサンプル７及び８も、分散安定性が非常に良好だった。
【００２７】
この試験結果から、鉛含有複合酸化物形成用組成物において、酢酸／アセチルアセトネート錯体（モル比）が２より大きい場合は、ジルコニウムアセチルアセトネートの分散安定性が良く、また、長期間保存しても析出が生じないため、非常に優れたジルコニウムアセチルアセトネートの分散安定性及び保存安定性を有することが分かった。また、酢酸／アセチルアセトネート錯体（モル比）が２より大きい場合は、鉛含有複合酸化物形成用組成物の調整中又は保存中に水やＩＰＡが減少しても、水やＩＰＡに関係なく保存安定性に優れていることが分かった。
【００２８】
このような、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属酸化物の原料としての金属アルコキシド及びアセチルアセトナート錯体と、酢酸とを、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）が２より大きくなるように混合することによりコロイド溶液として得ることができる。また、アルカノールアミンも混合してもよい。酢酸を添加することにより、アセチルアセトナート錯体に酢酸が弱い相互作用で結合するため、アセチルアセトナート錯体の分散安定性が顕著に向上し、製造される鉛含有複合酸化物形成用組成物の保存安定性が良好になる。このように、金属酸化物の原料に酢酸を添加して酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）が２より大きくなるように配合するという比較的容易な方法で、アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好で且つ保存安定性に優れた鉛含有複合酸化物形成用組成物を製造することができる。ここで、上述のように鉛含有複合酸化物形成用組成物には酢酸鉛も混合されるため、この酢酸鉛から遊離する酢酸を考慮すると、例えば、アセチルアセトナート錯体に対して原料としての酢酸を２モル以上混合することにより、アセチルアセトナート錯体の分散安定性が向上し、製造される鉛含有複合酸化物形成用組成物の保存安定性が良好になる。なお、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物においては、酢酸を添加することにより金属アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好になるため、加熱しなくてもアルコール系溶媒等の溶媒中に分散可能である。従って、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は加熱せずに製造することができ、望まない反応が起こらず不純物が混入しないという利点も有する。
【００２９】
ここで、各成分を混合する順番は、酢酸鉛を溶媒に混合して酢酸鉛を溶媒に分散させた後、酢酸とアセチルアセトナート錯体を混合することが好ましい。具体的には、例えば、溶媒に金属アルコキシドを混合した後、必要に応じてアルカノールアミンを混合し、この混合液に酢酸鉛を混合した後、アセチルアセトナート錯体と酢酸を混合する方法を挙げることができる。なお、酢酸の添加はアセチルアセトナート錯体の添加の前後のどちらでもよい。また、アルカノールアミンの添加も酢酸の添加の前後のどちらでもよいが、酢酸の添加の前にアルカノールアミンを添加するのが好ましい、アセチルアセトナート錯体の分散安定性が良好になる傾向があるためである。
【００３０】
また、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物により、強誘電体薄膜を形成することができる。本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物は、アセチルアセトナート錯体の分散安定性に優れ、鉛含有複合酸化物形成用組成物の保存安定性を長期に亘って維持することができるため、これを用いて形成される強誘電体薄膜は、膜成分が略均一に分散、すなわち、強誘電体薄膜の膜質が略均一となり、安定した圧電特性を発揮することができる。
【００３１】
ここで、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物により形成される強誘電体薄膜は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性材料（圧電性材料）やこれにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイッテルビウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等の結晶を含むものである。その組成としては、例えば、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。
【００３２】
このような強誘電体薄膜は、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物を被対象物上に塗布し、これを乾燥して焼成することにより製造することができる。なお、被対象物上に鉛含有複合酸化物形成用組成物を塗布する塗布工程においては、鉛含有複合酸化物形成用組成物が貯留されたタンク内に乾燥不活性ガスを所定流量で導入し、鉛含有複合酸化物形成用組成物をタンクに接続されたノズルまで搬送して、鉛含有複合酸化物形成用組成物をそのノズルから回転する被対象物上に滴下するのが好ましい。これにより、膜成分が略均一に分散した強誘電体薄膜の前駆体膜を比較的容易に製造することができる。
【００３３】
なお、以上説明した本発明に係る鉛含有複合酸化物形成用組成物及びこの鉛含有複合酸化物形成用組成物を用いて成膜された強誘電体薄膜は、広範なデバイス開発に応用することができ、その用途等は特に限定されないが、例えば、マイクロアクチュエータ、フィルタ、遅延線、リードセレクタ、音叉発振子、音叉時計、トランシーバ、圧電ピックアップ、圧電イヤホン、圧電マイクロフォン、ＳＡＷフィルタ、ＲＦモジュレータ、共振子、遅延素子、マルチストリップカプラ、圧電加速度計、圧電スピーカ等に応用することができる。
【００３４】
（実施形態２）
以下、図１及び図２を参照して、本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物を圧電アクチュエータに適用した液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドについて詳細に説明する。図１は、液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びＡ−Ａ’断面図である。図１及び図２に示すように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００３５】
この流路形成基板１０には、シリコン単結晶基板をその一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が複数並設されている。また、圧力発生室１２の並設方向（幅方向）とは直交する方向（長手方向）の一方の端部の外側には、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通される連通部１３が形成されている。また、この連通部１３は、各圧力発生室１２の長手方向一端部でそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。
【００３６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、圧力発生室１２を形成する際のマスク膜５１が設けられており、このマスク膜５１上には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。
【００３７】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側の弾性膜５０の上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成され、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１μｍの強誘電体薄膜（圧電体層）７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、本実施形態の強誘電体薄膜７０は、酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属の酸化物の原料としての金属アルコキシド及びアセチルアセトナート錯体と、酢酸とを含有するコロイド溶液からなり、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）が２より大きい本発明の鉛含有複合酸化物形成用組成物を用いて、ＭＯＤ法により形成されている。
【００３８】
なお、圧電素子３００とは、下電極膜６０、強誘電体薄膜７０、及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び強誘電体薄膜７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び強誘電体薄膜７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室１２毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、本実施形態では、弾性膜５０、絶縁体膜５５及び下電極膜６０が振動板として作用する。振動板として下電極膜６０だけを設けるようにしてもよい。
【００３９】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側には、圧電素子３００に対向する領域にその運動を阻害しない程度の空間を確保可能な圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接着剤を介して接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。なお、圧電素子保持部３１は、空間が密封されていてもよいし密封されていなくてもよい。
【００４０】
また、保護基板３０には、各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられ、このリザーバ部３２は、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０は、その端部近傍が貫通孔３３内で露出されている。
【００４１】
さらに、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００４２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの駆動信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に駆動電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５、下電極膜６０及び強誘電体薄膜７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００４３】
以上説明した本実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、強誘電体薄膜７０が、酸化鉛の原料としての酢酸鉛と、鉛以外の金属酸化物の原料としての金属アルコキシド及びアセチルアセトナート錯体と、酢酸とを含有するコロイド溶液からなり、酢酸／アセチルアセトナート錯体（モル比）が２より大きい鉛含有複合酸化物形成用組成物、すなわち、分散安定性及び保存安定性に優れた組成物によって形成されているので、強誘電体薄膜７０の膜成分が略均一に分散し、強誘電体薄膜７０の膜質が略均一となる。したがって、ヘッドのインク吐出特性が安定し、且つヘッドの信頼性を高めることができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、液体噴射ヘッドとしてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッドを一例として説明したが、これに限定されず、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等を挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態２に係る記録ヘッドの概略を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態２に係る記録ヘッドの平面図及びＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  流路形成基板、１２  圧力発生室、２０  ノズルプレート、２１  ノズル開口、３０  保護基板、３１  圧電素子保持部、３２  リザーバ部、４０  コンプライアンス基板、６０  下電極膜、７０  強誘電体薄膜（圧電体層）、８０  上電極膜、９０  リード電極、１００  リザーバ、３００  圧電素子
【図１】
0004821974.tif 000003
【図２】
0004821974.tif 000004