(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の投光素子を有する投光器と、
前記複数の投光素子を所定の投光周期で順次発光させる投光スキャン動作を所定のスキャン周期で繰り返す投光制御手段と、
前記複数の投光素子とそれぞれ対向して光軸を構成するように配置された複数の受光素子を有する受光器と、
前記複数の投光素子のうちのいずれかが発光するときに、それと対をなして前記光軸を構成する前記受光素子について、前記受光素子からの受光信号を検出することで前記光軸の遮光判定を行う遮光判定手段と、
前記複数の投光素子のうちのいずれかが発光するときに、それと対をなして前記光軸を構成する前記受光素子について、前記投光素子の発光期間の直前及び直後の少なくともいずれか一方の検査期間おいて、前記受光素子からの受光信号を検出することに基づいて各光軸毎に外乱光の有無を検出する外乱光検出手段と、
前記外乱光検出手段によって前記外乱光が検出されたことを条件に、その外乱光が検出された光軸の次の光軸における前記投光素子の発光を行わないと共にこの投光素子と対向する前記受光素子が受光を行わずに、前記外乱光が検出された光軸における前記受光素子において再度受光をさせる受光リトライ動作を行い、前記受光リトライ動作の際に前記検査期間において前記外乱光が検出された光軸を構成する前記受光素子について受光信号が検出されたか否かに基づいて外乱光の種別を判定する外乱光種別判定手段と、
前記外乱光種別判定手段によって前記受光信号が検出された場合には次回の前記スキャン周期を変更し前記外乱光種別判定手段によって前記受光信号が検出されない場合には次回の前記スキャン周期を変更しない周期調整手段と、
を備える多光軸光電センサ。
【請求項２】
前記外乱光種別判定手段は、前記外乱光検出手段によって前記外乱光が検出された光軸における前記受光リトライ動作を行う際に、少なくとも最初の前記受光リトライ動作において、前記外乱光が検出された光軸における前記投光素子の発光を行わずに、この投光素子と対向する前記受光素子が受光動作を行う請求項１記載の多光軸光電センサ。
【請求項３】
前記外乱光検出手段は、前記投光素子の発光期間の直前及び直後の期間おいて、前記受光素子からの受光信号を検出することに基づいて各光軸毎に外乱光の有無を検出し、前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直前の期間において検出した場合と前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直後の期間において検出した場合とでは、前記周期調整手段が前記スキャン周期をそれぞれ異なる周期に変更する請求項１又は請求項２記載の多光軸光電センサ。
【請求項４】
前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直前において検出した場合には、前記周期調整手段が前記スキャン周期を短くし、前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直後において検出した場合には、前記周期調整手段が前記スキャン周期を長くする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多光軸光電センサ。
【請求項５】
前記受光リトライ動作を予め定めたリトライ可能回数を限度として行わせる受光リトライ動作制限手段を備える請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多光軸光電センサ。
【請求項６】
前記リトライ可能回数は、全光軸についての合計リトライ動作回数である請求項５記載の多光軸光電センサ。
【請求項７】
前記受光リトライ動作の回数が前記リトライ可能回数に到達しかつ最後の前記受光リトライ動作を行ったときに前記外乱光判定手段によって前記外乱光が検出された場合には、前記外乱光を検出した異常状態であることを知らせる異常検出信号を出力する異常検出信号出力手段を備える請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の多光軸光電センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多光軸光電センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、物体が検出エリアに侵入したことを検出する多光軸光電センサが知られている。この多光軸光電センサは、複数の投光素子を有する投光器と、この複数の投光素子とそれぞれ対向して光軸を構成するように配置された複数の受光素子を有する受光器とを備えている。この多光軸光電センサは、各投光素子が対向する受光素子に対して所定の投光周期で順次発光してこの受光素子が受光する投受光動作を繰り返すと共にこの受光素子の受光信号に基づいて各光軸の遮光を検出し、検出エリア内への侵入物体を検出するものである。
【０００３】
この多光軸光電センサは、より広い領域で物体が侵入したことを検出するため、複数台数が近接して配置されることがある。このように、多光軸センサを複数台配置する場合には、近接して配置された同種類の多光軸光電センサが放つ光が受光素子に入射して誤動作することが懸念される。
【０００４】
しかも、この外乱光には同種類の多光軸光電センサが放つ光の他にも様々なものがある。例えば、この外乱光には、工場内の照明のように侵入物体の検出に対して継続的に影響を与えるものや、溶接作業の際に発生する一時的な光、警告灯のように周期的に発生させる光があり、これらの光は、多光軸光電センサの一部の受光素子だけに入光することがある。また、この外乱光には、工場内を巡回する搬送車の回転灯が発する光のように、不特定の方向から受光素子に入光するものがある。従って、このような外乱光が受光素子に入光して誤動作することを防止する必要があり、そのための技術として特許文献１及び特許文献２が知られている。
【０００５】
特許文献１に記載された多光軸光電センサにおいては、各投光素子の発光期間の直前及び直後のいずれか一方の所定期間内に外乱光の有無を判定し、外乱光が検出されたと判断したときに、外乱光が検出された光軸を再度投受光させるリトライ動作を、予め設定されたリトライ可能回数を限度として繰り返し行うものである。この多光軸光電センサは、リトライ動作の際の受光信号の受光レベルに基づいて外乱光が検出されないと判断されたときに、次の光軸の投受光動作を行うようにし、外乱光の影響を受けて物体が検出エリアにないと判断して誤動作することを防止している。
【０００６】
また、特許文献２に記載された多光軸光電センサにおいては、各投光素子の投光期間の直近の期間内に所定回数を超える外乱光が検出されたときは前記投受光動作の周期を変更し、外乱光の発光周期と前記投受光動作の周期とが一致することを防ぎ、この外乱光によって、物体が検出エリアにないと判断して誤動作することを防止している。
【特許文献１】特開２００３−３４７９１６公報
【特許文献２】特開２００５−１１４５５１公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された多光軸光電センサにおいては、一時的に発生する外乱光を、単一の光軸の投光素子の投光動作の直前等で検出した場合であっても、リトライ動作の際には一時的に発生した外乱光が検出されないから、外乱光の影響を排除して次の光軸以降の投受光動作を順次行うことができるが、同種類の多光軸光電センサが放つ光にように周期的に発生する外乱光に対しては、次の投受光動作の際にも前記投光素子の投光動作の直前等で再び同種類の多光軸光電センサが放つ光が検出されてリトライ動作を行わなければならないという問題がある。特に、外乱光が繰り返して検出される光軸においては、リトライ動作を繰り返すことにより投光素子が投光を繰り返すことになり、この投光素子が、他の光軸を構成する投光素子に比べて著しく劣化していまうという問題がある。
【０００８】
さらに、特許文献２に記載された多光軸光電センサでは、同種類の多光軸光電センサが近接して配置される状況によっては、同種類の多光軸光電センサが放つ光が単一の光軸の投光素子の投光期間の直近の期間内に所定回数を超えて検出されることがあり、この同種類の多光軸光電センサが放つ光が他の光軸において検出されない場合であっても、すべての光軸の投光素子の投光期間の直近の期間内に同種類の多光軸光電センサが放つ光が検出されることになると判断し、前記投受光動作の周期を変更してしまうことになる。
【０００９】
本発明は、このような状況に鑑み提案されたものであって、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光であることを判定すると共に、この同種類の多光軸光電センサが放つ光によって誤動作することを防止することができる多光軸光電センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、複数の投光素子を有する投光器と、前記複数の投光素子を所定の投光周期で順次発光させる投光スキャン動作を所定のスキャン周期で繰り返す投光制御手段と、前記複数の投光素子とそれぞれ対向して光軸を構成するように配置された複数の受光素子を有する受光器と、前記複数の投光素子のうちのいずれかが発光するときに、それと対をなして前記光軸を構成する前記受光素子について、前記受光素子からの受光信号を検出することで前記光軸の遮光判定を行う遮光判定手段と、前記複数の投光素子のうちのいずれかが発光するときに、それと対をなして前記光軸を構成する前記受光素子について、前記投光素子の発光期間の直前及び直後の少なくともいずれか一方の検査期間おいて、前記受光素子からの受光信号を検出することに基づいて各光軸毎に外乱光の有無を検出する外乱光検出手段と、前記外乱光検出手段によって前記外乱光が検出されたことを条件に、その外乱光が検出された光軸の次の光軸における前記投光素子の発光を行わないと共にこの投光素子と対向する前記受光素子が受光を行わずに、前記外乱光が検出された光軸における前記受光素子において再度受光をさせる受光リトライ動作を行い、前記受光リトライ動作の際に前記検査期間において前記外乱光が検出された光軸を構成する前記受光素子について受光信号が検出されたか否かに基づいて外乱光の種別を判定する外乱光種別判定手段と、前記外乱光種別判定手段によって前記受光信号が検出された場合には次回の前記スキャン周期を変更し前記外乱光種別判定手段によって前記受光信号が検出されない場合には次回の前記スキャン周期を変更しない周期調整手段と、を備える多光軸光電センサである。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１において、前記外乱光種別判定手段は、前記外乱光検出手段によって前記外乱光が検出された光軸における前記受光リトライ動作を行う際に、少なくとも最初の前記受光リトライ動作において、前記外乱光が検出された光軸における前記投光素子の発光を行わずに、この投光素子と対向する前記受光素子が受光動作を行う多光軸光電センサである。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２において、前記外乱光検出手段は、前記投光素子の発光期間の直前及び直後の期間おいて、前記受光素子からの受光信号を検出することに基づいて各光軸毎に外乱光の有無を検出し、前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直前の期間において検出した場合と前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直後の期間において検出した場合とでは、前記周期調整手段が前記スキャン周期をそれぞれ異なる周期に変更する多光軸光電センサである。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかにおいて、前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直前において検出した場合には、前記周期調整手段が前記スキャン周期を短くし、前記外乱光検出手段が前記外乱光を前記投光素子の発光期間の直後において検出した場合には、前記周期調整手段が前記スキャン周期を長くする多光軸光電センサである。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかにおいて、前記受光リトライ動作を予め定めたリトライ可能回数を限度として行わせる受光リトライ動作制限手段を備える多光軸光電センサである。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項５において、前記リトライ可能回数は、全光軸についての合計リトライ動作回数である多光軸光電センサである。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかにおいて、前記受光リトライ動作の回数が前記リトライ可能回数に到達しかつ最後の前記受光リトライ動作を行ったときに前記外乱光判定手段によって前記外乱光が検出された場合には、前記外乱光を検出した異常状態であることを知らせる異常検出信号を出力する異常検出信号出力手段を備える多光軸光電センサである。
【発明の効果】
【００１７】
＜請求項１の発明＞
本発明によれば、外乱光が検出された光軸の次の光軸における投光素子の発光を行わないと共にこの投光素子と対向する前記受光素子が受光を行わずに、外乱光が検出された光軸における受光素子において再度受光をさせる受光リトライ動作を行い、受光リトライ動作の際に検査期間において外乱光が検出された光軸を構成する受光素子について受光信号が検出されたか否かに基づいて外乱光の種別を判定する外乱光種別判定手段を設けたから、前記受光リトライ動作の際に検出された受光信号に基づいて、所定の投光周期毎に発光する光（例えば同種類の多光軸光電センサが放つ光）を検出した否かを判定することができる。
また、外乱光種別判定手段によって受光信号が検出された場合には、周期調整手段が次回のスキャン周期を変更するから、変更後のスキャン周期を、例えば同機種の多光軸光電センサのスキャン周期とは異なるものにすることができ、受光素子の受光時間と同種類の多光軸光電センサが放つ光の発光時間とが一致しないようにし、検出エリア内に侵入物体があるにもかかわらず、近接して配置された同種類の多光軸光電センサが放つ光を受光し、検出エリア内に物体がないと判断して誤動作することを防止することができる。
【００１８】
＜請求項２の発明＞
請求項２の発明によれば、外乱光種別判定手段は、外乱光検出手段によって外乱光が検出された光軸における受光リトライ動作を行う際に、少なくとも最初の前記受光リトライ動作において、外乱光が検出された光軸における投光素子の発光を行わずに、この投光素子と対向する受光素子が受光動作を行うから、外乱光が検出された光軸の受光素子が、この受光素子と対向する投光素子が放つ光を受光することなく外乱光を受光することができ、外乱光に起因した受光信号に基づいて、この外乱光が所定の投光周期毎に発光する光（例えば同種類の多光軸光電センサが放つ光）であるか否かを判定することができる。
また、受光リトライ動作を行う際には、少なくとも最初の前記受光リトライ動作において、外乱光が検出された光軸の投光素子を発光させないから、従来の多光軸光電センサのように、外乱光が検出された光軸の投光素子が再投光を繰り返すことがなく、投光素子の劣化が著しく進むことを抑えることができる。
【００１９】
＜請求項３，４の発明＞
請求項３の発明によれば、外乱光検出手段が外乱光を投光素子の発光期間の直前の期間において検出した場合と外乱光検出手段が外乱光を投光素子の発光期間の直後の期間において検出した場合とでは、周期調整手段がスキャン周期をそれぞれ異なる周期に変更することが望ましく、特に請求項４の発明のように、外乱光検出手段が外乱光を投光素子の発光期間の直前において検出した場合に、周期調整手段がスキャン周期を短くすれば、各投光素子の発光地点を、外乱光が各投光素子の発光地点に接近する方向とは反対の方向に移動されることができ、短縮されたスキャン周期が同種類の多光軸光電センサのスキャン周期に一致することを避けることができる。
一方、外乱光検出手段が外乱光を投光素子の発光期間の直後において検出した場合には、周期調整手段がスキャン周期を長くするから、各投光素子の発光地点を、外乱光が各投光素子の発光地点に接近する方向とは反対の方向に移動させることができ、広げられたスキャン周期が同種類の多光軸光電センサのスキャン周期に一致することを避けることができる。
【００２０】
＜請求項５の発明＞
請求項５の発明によれば、受光リトライ動作を予め定めたリトライ可能回数を限度として行わせる受光リトライ動作制限手段を備えるから、複数の受光リトライ動作において、外乱光の種類が、例えば蛍光灯や警告灯が発する光であるか同種類の多光軸光電センサが放つ光であるかを判定し、同種類の多光軸光電センサが放つ光を検出する確率を高めることができる。
【００２１】
＜請求項６の発明＞
請求項６の発明によれば、リトライ可能回数は、全光軸についての合計リトライ動作回数であるから、外乱光が集中して検出される光軸についても、継続して受光リトライ動作を行うことができ、各光軸毎にリトライ可能回数を定める場合に比べて、全光軸における受光リトライ動作を、外乱光の検出状態に応じて効率的に行うことができる。
【００２２】
＜請求項７の発明＞
請求項７の発明によれば、受光リトライ動作の回数がリトライ可能回数に到達しかつ最後の前記受光リトライ動作を行ったときに外乱光判定手段によって外乱光が検出された場合には、外乱光を検出した異常状態であることを知らせる異常検出信号を出力する異常検出信号出力手段を備えるから、異常状態となって遮光判定動作を行うことができなくなるおそれがあることを知らせて多光軸光電センサの点検を促すようにさせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を、図１ないし図６を参照しつつ説明する。本実施形態の多光軸光電センサ１は、図１に図示するように、投光器１０が、所定の検出エリアを挟んで受光器３０と対向して配置されている。投光器１０には、例えば１０個の投光素子Ｔ（Ｔ１〜Ｔ１０、例えば発光ダイオード）が一列に配列されている。
【００２４】
受光器３０には、図示するように、１０個の投光素子Ｔのそれぞれと対向する１０個の受光素子Ｊ（Ｊ１〜Ｊ１０、例えばフォトダイオード）が配列されている。なお、以下の説明で用いる文字Ｎは、図示する光軸Ｌ（Ｌ１〜Ｌ１０）の任意の順位（１〜１０）を示す。光軸Ｌの任意の順位は、後述するシフトレジスタ１３，３５のカウンタの値と対応するものである。
【００２５】
各投光素子Ｔはそれぞれ駆動回路１１に接続され、この駆動回路１１は、ＡＮＤ回路１２及び投光側シフトレジスタ１３を介して投光側ＣＰＵ１４に接続されている。投光側ＣＰＵ１４は、受光器３０が備える受光側ＣＰＵ３４が出力する同期信号Ｄを受信し、投光信号Ｅ（図１参照。）をＡＮＤ回路１２に送信すると共に、駆動回路制御信号を投光側シフトレジスタ１３に送信する。
【００２６】
投光信号Ｅは、各投光素子Ｔを所定の周期Ｕ（図３参照。）で投光させるための信号である。駆動回路制御信号は、各投光素子Ｔの投光タイミングを決定するための信号である。投光側シフトレジスタ１３は、駆動回路制御信号を受信すると、カウンタの値に対応させて選択信号を各ＡＮＤ回路１２に送信する。
【００２７】
各ＡＮＤ回路１２は、投光信号Ｅ及び選択信号を受信すると、各駆動回路１１に信号を出力する。各駆動回路１１は、各ＡＮＤ回路１２からの信号を受信すると、各投光素子Ｔに駆動電流を供給する。各投光素子Ｔは、駆動電流が供給されることにより投光する。この多光軸光電センサ１は、投光信号Ｅ、駆動回路制御信号及び選択信号よって、１０個の投光素子Ｔ１〜Ｔ１０を所定の周期Ｕで順次投光させる投光スキャン動作を繰り返して行う。本実施形態では、上述したように、投光スキャン動作が、駆動回路１１、ＡＮＤ回路１２、投光側シフトレジスタ１３ 、投光側ＣＰＵ１４、受光側ＣＰＵ３４によって行われる。従って、駆動回路１１、ＡＮＤ回路１２、投光側シフトレジスタ１３ 、投光側ＣＰＵ１４、受光側ＣＰＵ３４は、本発明の投光制御手段を構成する。
【００２８】
各受光素子Ｊは、それぞれ受光アンプ３１に接続されると共に、各スイッチ素子３２を介してＡ／Ｄ変換器３３に接続されている。受光側ＣＰＵ３４は、Ａ／Ｄ変換器３３から出力される信号を受信し、この信号に基づいて受光があったか否かを検出する。
【００２９】
受光側ＣＰＵ３４は、メモリ（図示せず。）に記憶されたプログラムによって、各投光素子Ｔに対する前記投光信号Ｅと周期及び位相を一致させた遮光検出タイミング、この遮光検出タイミング信号よりも位相が僅かに進んだ外乱光検出タイミング（後述する第１外乱光検出期間ｔ５、検査期間）と、この遮光検出タイミング信号よりも位相が僅かに遅れた外乱光検出タイミング（第２外乱光検出期間ｔ８、検査期間）とを含んだ時間に亘り各スイッチ素子３２をＯＮ状態にするゲート制御信号を、受光側シフトレジスタ３５に送信する。受光側シフトレジスタ３５は、前記投光側シフトレジスタ１３と同様に、選択信号を順次各スイッチ素子３２に送信する。これにより、各受光素子Ｊからの受光信号が、Ａ／Ｄ変換器３３を介して受光側ＣＰＵ３４に送信される。
【００３０】
受光側ＣＰＵ３４は、遮光検出タイミングにおいては、各投光素子Ｔが投光動作を行っており、Ａ／Ｄ変換器３３から送信された受光信号（受光量）が物体検出用閾値を超過した否かを判断して遮光判定を行う。この遮光判定は、受光アンプ３１、スイッチ素子３２、Ａ／Ｄ変換器３３、受光側ＣＰＵ３４、受光側シフトレジスタ３５を用いて行われる。従って、受光アンプ３１、スイッチ素子３２、Ａ／Ｄ変換器３３、受光側ＣＰＵ３４、受光側シフトレジスタ３５は、本発明の遮光判定手段を構成する。
【００３１】
また、受光側ＣＰＵ３４は、外乱光検出タイミングにおいては、各投光素子Ｔが投光動作を行っておらず、Ａ／Ｄ変換器３３から送信された受光信号（受光量）が外乱光検知閾値を超過した否かを判断して外乱光の有無を検出する。この外乱光の有無の検出をする外乱光検出手段は、受光アンプ３１、スイッチ素子３２、Ａ／Ｄ変換器３３、受光側ＣＰＵ３４、受光側シフトレジスタ３５によって構成される。
【００３２】
この受光側ＣＰＵ３４は、外乱光を各光軸Ｌにおいて検出したと判断した場合には、外乱光検出信号Ｇを投光側ＣＰＵ１４に送信する。この投光側ＣＰＵ１４は、外乱光検出信号Ｇを受信すると、カウンタロック信号を投光側シフトレジスタ１３に送信し、カウンタの値が繰り上がること阻止する。その後、受光側ＣＰＵ３４は、外乱光を検出した光軸Ｌの投光素子Ｔが投光したときから前記周期Ｕが経過した遮光検出タイミング及び前記外乱光検出タイミングに亘り、ゲート制御信号を受光側シフトレジスタ３５に送信する。シフトレジスタ３５は、カウンタの値に対応した光軸（ここでは、外乱光が検出された光軸）に接続されるスイッチ素子３２に選択信号を送信する。これにより、外乱光が検出された光軸の受光素子Ｊが再度受光する受光リトライ動作を行い、この受光素子Ｊからの受光信号が、Ａ／Ｄ変換器３３を介して受光側ＣＰＵ３４に送信され、受光側ＣＰＵ３４は、この受光信号に基づいて、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光であるか否かを判断する。この受光リトライ動作は、上述したように、受光アンプ３１、スイッチ素子３２、Ａ／Ｄ変換器３３、受光側ＣＰＵ３４、受光側シフトレジスタ３５を用いて行われる。従って、受光アンプ３１、スイッチ素子３２、Ａ／Ｄ変換器３３、受光側ＣＰＵ３４、受光側シフトレジスタ３５は、本発明の外乱光種別判定手段に相当する。その後、受光側ＣＰＵ３４は、同期信号Ｄを投光側ＣＰＵ１４に送信し、投光側ＣＰＵ１４が、投光信号ＥをＡＮＤ回路１２に送信する。このとき、投光信号Ｅが、投光側シフトレジスタ１３によって選択信号が送信されて外乱光を検出した光軸Ｌに接続されたＡＮＤ回路１２に送信され、外乱光が検出された光軸Ｌの投光素子Ｔを投光させる。
【００３３】
受光側ＣＰＵ３４は、いずれかの光軸Ｌで外乱光を検出した場合には、メモリ（図示せず。）に記憶されたプログラムによって、スキャン周期Ｔを変更し、前記同期信号Ｄを投光側ＣＰＵ１４に送信するタイミングを変更する。この受光側ＣＰＵ３４は、本発明の周期調整手段に相当する。
【００３４】
次に、本実施形態の多光軸光電センサ１の制御方法を説明する。投光側ＣＰＵ１４は、図２に示す各処理を実行する。多光軸光電センサ１の電源を投入すると、投光側ＣＰＵ１４が、投光側シフトレジスタ１３のカウンタの値Ｎを「１」にセットする（Ｓ１）。このカウンタの値Ｎを「１」にセットすると、投光側シフトレジスタ１３が、選択信号を、駆動回路１１を介して投光素子Ｔ１と接続されたＡＮＤ回路１２に送信する。
【００３５】
Ｓ１の後には、投光側ＣＰＵ１４が受光側ＣＰＵ３４によって送信される同期信号Ｄを受信することを待つ待機状態となり、この同期信号Ｄを受信したか否かが判断される（Ｓ２）。Ｓ２において同期信号Ｄを受信したと判断したときは、投光側ＣＰＵ１４が投光信号Ｅ（図１参照。）をＡＮＤ回路１２に出力する投光信号出力処理を行う（Ｓ３）。この投光信号出力処理（Ｓ３）によって、前記選択信号と投光信号Ｅとを受信したＡＮＤ回路１２及び前記駆動回路１１に接続された投光素子Ｔ１が、図３（ａ）に図示するように、第１光軸Ｌ１の投光動作を行う。
【００３６】
投光信号出力処理（Ｓ３）の後には、後述するように受信側ＣＰＵ３４によって送信される外乱光検出信号Ｇを受信したか否かが判断される（Ｓ４）。Ｓ４において外乱光検出信号Ｇ（図１参照。）を受信しない（外乱光を検出しない）と判断したときは、投光側ＣＰＵ１４が、投光側シフトレジスタ１３のカウンタの値Ｎに１を加算してこのカウンタの値Ｎを「２」にセットし（Ｓ５）、続いてこのカウンタの値Ｎが１０を超過したか否かが判断される（Ｓ６）。
【００３７】
Ｓ６において、カウンタの値Ｎが１０を超過していない（ここではカウンタの値Ｎが２）と判断したときは、投光側シフトレジスタ１３が、選択信号を、駆動回路１１を介して投光素子Ｔ２と接続されたＡＮＤ回路１２に送信し、待機状態となる。その後前記同期信号Ｄを受信したか否かが判断され（Ｓ２）、この同期信号Ｄを受信したときは、前記投光信号出力処理（Ｓ３）によって、投光素子Ｔ２が、図３（ｂ）に図示するように、第２光軸Ｌ２の投光動作を行う。
【００３８】
さらに、前記Ｓ４において外乱光検出信号Ｇを受信したか否かが判断され、外乱光検出信号Ｇを受信しないと判断したときは、投光側ＣＰＵ１４が、投光側シフトレジスタ１３のカウンタの値Ｎに１を加算してこのカウンタの値Ｎが「３」にセットされ（Ｓ５）、前記投光信号出力処理（Ｓ３）によって、投光素子Ｔ３が、図３（ｃ）に図示するように、第３光軸Ｌ３の投光動作を行う。このようにして、投光側ＣＰＵ１４が外乱光検出信号Ｇを受信しないと判断したときは、図３（ａ）ないし（ｊ）から理解できるように、投光素子Ｔ１からＴ１０が、前記投光信号Ｅの出力タイミングに同期して順番に１回ずつ投光動作を行って１周期（スキャン周期Ｔ１５）の投光スキャン動作が終了する。
【００３９】
また、前記Ｓ４において外乱光検出信号Ｇを受信したと判断したときは、投光動作待機処理（Ｓ７）を行う。この投光動作待機処理（Ｓ７）では、投光側ＣＰＵ１４が、メモリに記憶されたプログラムによって、前記投光信号Ｅを送信しないように制御する。投光側ＣＰＵ１４は、前記投光信号出力処理（Ｓ３）において、投光信号Ｅを送信しない状態に制御されているか否かを判断し、投光信号Ｅを送信しない状態に制御されていると判断したときは、この投光信号ＥをＡＮＤ回路１２に出力しない。
【００４０】
一方、受光側ＣＰＵ３４は、図４及び図５に示す各処理を実行する。多光軸光電センサ１の電源を投入すると、受光側ＣＰＵ３４は、待機時間ｔ２が経過したか否かを判断する（Ｓ９）。このＳ９においては、受光側ＣＰＵ３４が、図３（Ａ）及び（Ｊ）に図示するように、次の周期の投光スキャン動作が開始されるまでの時間（待機時間ｔ２）が経過したか否かを判断する。
【００４１】
Ｓ９において、待機時間ｔ２が経過したと判断したときは、スキャン周期初期化処理（Ｓ１０）を行う。このスキャン周期初期化処理（Ｓ１０）では、受光側ＣＰＵ３４が、スキャン周期をＴ１５に設定する。
【００４２】
スキャン周期初期化処理（Ｓ１０）の後には、受光側ＣＰＵ３４が、受光側シフトレジスタ３５のカウンタの値Ｎを「１」にセットする（Ｓ１１）。このカウンタの値Ｎを「１」にセットすると、受光側シフトレジスタ３５が、選択信号Ｓ１（図１参照。）を、受光アンプ３１を介して受光素子Ｊ１に接続されたスイッチ素子３２に送信する。 これによって、スイッチ素子３２がオン状態となり、図１及び図３（Ａ）から理解できるように、受光素子Ｊ１（第１光軸Ｌ１）の受光信号が、Ａ／Ｄ変換器３３に送信される。
【００４３】
Ｓ１１では、さらにリトライ回数Ｋ（再投光回数）を「０」にセットし、その後待機状態となる。Ｓ１１の後には、受光側ＣＰＵ３４が、予め定めた受光タイミングになったか否を判断し（Ｓ１２）、受光側ＣＰＵ３４が受光タイミングになったと判断したときは、第１非投光時受光信号読込取処理（Ｓ１３）を行う。この第１非投光時受光信号読込取処理（Ｓ１３）では、受光側ＣＰＵ３４がＡ／Ｄ変換器３３によって送信される前記受光信号をメモリ（図示せず。）に読み込む。読み込まれた受光信号の大きさは、投光素子Ｔ１が投光動作を開始する前（図６（Ａ）中の第１外乱光検出期間ｔ５）の受光素子Ｊ１の受光量（非投光時受光レベル）である。
【００４４】
第１非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３）の後には、物体検出処理（Ｓ１４）を行う。この物体検出処理（Ｓ１４）では、受光側ＣＰＵ３４が前記同期信号Ｄを投光側ＣＰＵ１４に送信する。この場合には、図２の投光信号出力処理（Ｓ３）によって、図３（ａ）に図示するように、投光素子Ｔ１が投光動作を行う。さらに、この物体検出処理（Ｓ１４）では、受光側ＣＰＵ３４が、投光素子Ｔ１の投光動作に同期してＡ／Ｄ変換器３３によって送信される受光信号（図３（Ａ）参照。）をメモリ（図示せず。）に読み込む。読み込まれた受光信号の大きさは、投光素子Ｔ１が投光動作を開始したときの受光素子Ｊ１の受光量（投光時受光レベル）である。そして、この物体検出処理（Ｓ１４）では、メモリに読み込まれた投光時受光レベルを予め定めた物体検出用閾値と比較する。この受光側ＣＰＵ３４は、前記投光時受光レベルが物体検出用閾値を超過したと判断したときは物体が検出エリア内で検出されないと判断し、前記投光時受光レベルが物体検出用閾値を下回ったときは物体が検出エリア内で検出されたと判断する。
【００４５】
物体検出処理（Ｓ１４）の後には、外乱光を検出したか否かが判断される（Ｓ１５）。Ｓ１５では、受光側ＣＰＵ３４が、前記第１非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３）によってメモリに読み込まれた非投光時受光レベルを予め定めた外乱光検知閾値と比較し、非投光時受光レベルが外乱光検知閾値を超過した場合には、外乱光を検出したと判断する。
【００４６】
Ｓ１５において、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を検出しないと判断したときは、受光側シフトレジスタ３５のカウンタの値Ｎに１を加算してこのカウンタの値Ｎが「２」にセットされ（Ｓ１６）、続いてこのカウンタの値Ｎが１０を超過したか否かが判断される（Ｓ１７）。
【００４７】
Ｓ１７において、カウンタの値Ｎが１０を超過していない（ここではカウンタの値Ｎが２）と判断したときは、図３（Ｂ）ないし（Ｊ）から理解できるように、各光軸Ｌ２〜Ｌ１０に対し、上述した受光タイミングになったか否かの判断（Ｓ１２）、第１非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３）、物体検出処理（Ｓ１４）、外乱光を検出したか否かの判断（Ｓ１５）、受光側シフトレジスタ３５のカウンタの値Ｎに１を加算する処理（Ｓ１６）をそれぞれ行う。このようにして、外乱光を検出しないと判断したときは、図３（Ａ）〜（Ｊ）から理解できるように、前記同期信号Ｄの出力タイミングに同期して順番に１回ずつ受光動作を行って１周期の受光動作が終了する。
【００４８】
受光側ＣＰＵ３４は、前記Ｓ１５において外乱光を検出したときに、図５のフローチャートに示すように、以下の処理を行う。ここでは、外乱光を、図６（ａ１）に図示するように、本実施形態の多光軸光電センサ１と同種類の多光軸光電センサが放つ光を例に挙げて説明する。この外乱光は、図示するように、スキャン周期がＴ１５である投光スキャン動作によって発生する。
【００４９】
前記Ｓ１５において、受光側ＣＰＵ３４が、図６（ａ１）、（ｂ）及び（Ｂ）に例示するように、外乱光を投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前（第１外乱光検出期間ｔ５）で検出したと判断したときは、後述するＳ２２において設定されたリトライ（再受光）回数Ｋが、すべての光軸Ｌ１〜Ｌ１０のリトライ可能回数（ここでは９回）を超過しているか否かを判断する（Ｓ１８）。
【００５０】
Ｓ１８において、受光側ＣＰＵ３４によって、リトライ回数Ｋが前記可能回数を超過していないと判断されたときは、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ５内において検出したか否かが判断される（Ｓ１９）。Ｓ１９においては、受光側ＣＰＵ３４が、前記第１非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３）によってメモリに読み込まれた非投光時受光レベルを予め定めた外乱光検知閾値と比較し、非投光時受光レベルが外乱光検知閾値を超過したと判断した場合には、外乱光を投光素子Ｔ１の投光動作の直前（第１外乱光判定期間ｔ５）で検出したと判断する。
【００５１】
Ｓ１９において、外乱光を投光素子Ｔ１の投光動作の直前（第１外乱光判定期間ｔ５）で検出したと判断したときは、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０）を行う。このリトライ（再受光）処理（Ｓ２０）では、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光検出信号Ｇを投光側ＣＰＵ１４に送信し、投光素子Ｔ２，Ｔ３が投光を中止している期間（投光中止期間ｔ６、図６（Ｂ）参照。）内における受光素子Ｊ２の受光信号の検出時間を、メモリ（図示せず。）に読み込む。投光中止期間ｔ６は、各受光素子Ｊが受光動作を行う時間と同じ時間（外乱光判別時間）である。
【００５２】
Ｓ２０の後には、受光側ＣＰＵ３４が、このリトライ（再受光）処理（Ｓ２０）での受光信号の検出時間が、第１外乱光検出期間ｔ５において外乱光を検出した時から所定の時間が経過した時間であるか否かが判断される（Ｓ２１）。ここでは、図６（Ｂ）に図示するように、外乱光を検出してから第１外乱光判定期間ｔ７が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かが判断される。この第１外乱光判定期間ｔ７は、図６（ａ１），（ａ）等から理解できるように、各投光素子Ｔの投光間隔Ｕ（投光周期）と同じ期間に設定されている。
【００５３】
Ｓ２１において、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ７が経過したときに再び検出したと判断したときは、図６（ａ１），（ａ）及び（ｂ）から理解できるように、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光であると判断し、第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）を行う。この第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）では、図３（ａ）及び図６（ａ）から理解できるように、各光軸間の投光間隔Ｕを変更することなく前記スキャン周期をＴ１５からＴ１５−αに変更する。スキャン周期の関係は、Ｔ１５＞Ｔ１５−αである。このαは、適宜の値に変更して定めることができる。なお、前記Ｓ１９において、外乱光を投光素子Ｔ１の投光動作の直前で検出しないと判断したときは、前記Ｓ１６及び前記Ｓ１７のそれぞれの処理を行う。
【００５４】
第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）の後には、受光側ＣＰＵ３４のリトライカウンタの値に１を加算し（Ｓ２２）、続いて再投受光処理（Ｓ２３）を行う。この再投受光処理（Ｓ２３）では、受光側ＣＰＵ３４が、前記同期信号Ｄを投光側ＣＰＵ１４に送信する。これによって、図６（ｂ）に図示するように、投光素子Ｔ２（外乱光が検出された第２光軸Ｌ２）が再び投光動作を行う。さらに、この再投受光処理（Ｓ２３）では、受光側ＣＰＵ３４が、図６（Ｂ）から理解できるように、投光素子Ｔ２の投光動作に同期して、この投光素子Ｔ２が投光を開始したときの受光素子Ｊ２の受光量をメモリに読み込む。
【００５５】
この再投受光処理（Ｓ２３）の後には、再受光物体検出処理（Ｓ２４）を行う。この再受光物体検出処理（Ｓ２４）では、受光側ＣＰＵ３４が、再投受光処理（Ｓ２３）によってメモリに読み込まれた受光素子Ｊ２の受光量を、予め定めた物体検出用閾値と比較する。この再受光物体検出処理（Ｓ２４）では、上述した物体検出処理（Ｓ１４）と同様の処理を行う。
【００５６】
この再受光物体検出処理（Ｓ２４）の後には、受光側ＣＰＵ３４が、上述したＳ１６及びＳ１７のそれぞれの処理を行う。なお、Ｓ２１において、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ７が経過したときに検出しないと判断したときは、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光ではないと判断し、上述した第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）を行わず、上述した各処理（Ｓ２２〜Ｓ２４）を行う。
【００５７】
また、前記Ｓ１８において、受光側ＣＰＵ３４が、リトライ回数Ｋが前記可能回数（ここでは９回）を超過していると判断したときは、異常検出信号出力処理（Ｓ２６）を行う。この異常検出信号出力処理（Ｓ２６）では、異常検出信号を、例えば動作表示灯の作動装置に送信し、この作動装置を駆動させて動作表示灯が点灯するように制御する。本実施形態の多光軸光電センサは、動作表示灯を点灯させることにより、リトライ回数が前記可能回数を超過したことを報知する。
【００５８】
本実施形態の多光軸光電センサ１では、受光側ＣＰＵ３４が、図５中のＳ１９によって、外乱光を投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前（第１外乱光検出期間ｔ５）で検出したと判断したときに、図５中のＳ２１によって、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０）での受光信号の検出時間に基づき、外乱光を検出してから第１外乱光判定期間ｔ７（前記投光間隔Ｕ）が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かを判断する。このように、第１外乱光判定期間ｔ７を、同種類の多光軸光電センサが備える投光素子の投光間隔Ｕと同じ期間に設定し、投光素子Ｔ２，Ｔ３の投光を中止させた状態で、受光側ＣＰＵ３４が、前記Ｓ２１によって、再び外乱光を検出したか否かを判断すれば、受光側ＣＰＵ３４が、投光間隔Ｕで投光する同種類の多光軸センサが放つ光を検出したか否かを判断することができる。この多光軸光電センサでは、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０）の際に、外乱光が検出された第２光軸Ｌ２の投光素子Ｔ２が投光を中止させ、前記Ｓ２１によって、この投光素子Ｔ２が投光を中止している期間（投光中止期間ｔ６、図６（Ｂ）参照。）内における受光素子Ｊ２の受光信号の検出時間に基づき、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光であるか否かを判断するようにした。このため、受光素子Ｊ２が投光素子Ｔ２が放つ光を受光することなく外乱光を受光することができ、外乱光に起因した受光素子Ｊ２の受光信号に基づいて、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光であるか否かを判定することができる。加えて、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０）の際には外乱光が検出された第２光軸Ｌ２の投光素子Ｔ２が投光を中止させるから、従来の多光軸光電センサとは異なり、外乱光が検出された光軸の投光素子が再投光を繰り返すことがなく、投光素子の劣化が著しく進むことを抑えることができる。
【００５９】
さらに、この多光軸光電センサ１においては、受光側ＣＰＵ３４が、前記Ｓ２１によって、同種類の多光軸センサが放つ光を検出したと判断したときは、前記第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）によって、スキャン周期をＴ１５からＴ１５−αに変更する。このため、この多光軸光電センサ１においては、変更後のスキャン周期（Ｔ１５−α）を、同種類の多光軸光電センサのスキャン周期（Ｔ１５）と異ならせることができ、同種類の多光軸光電センサが放つ光が、投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前で検出されることを防ぐことができる。そこで、この多光軸光電センサ１においては、検出エリア内に物体があるにもかかわらず、同種類の多光軸光電センサが放つ光を受光素子Ｊ２が受光し、前記物体検出処理（Ｓ１４）によって、物体が検出エリア内で検出されないと判断することを防止することができる。なお、この多光軸光電センサ１においては、スキャン周期（Ｔ１５−α）を同種類の多光軸光電センサのスキャン周期（Ｔ１５）と異ならせた状態に保つため、図６（ａ）から理解できるように、前記スキャン周期初期化処理（Ｓ１０）によって、スキャン周期をＴ１５−αからＴ１５に変更し、投光スキャン動作を行う。
【００６０】
本実施形態の多光軸光電センサ１においては、受光側ＣＰＵ３４が、図５中のＳ１８によって、リトライ可能回数（ここでは９回）を超過していないと判断したときは、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０）によって、受光素子Ｊ２（外乱光が検出された第２光軸Ｌ２）が再び受光動作を行うようにした。そこで、複数回（ここでは９回）の受光リトライ動作（図５中のＳ１８〜Ｓ２０）において、外乱光の種類が、例えば蛍光灯や警告灯が発する光であるか同種類の多光軸光電センサが放つ光であるかを判定し、同種類の多光軸光電センサが放つ光を検出する確率を高めることができる。加えて、この多光軸光電センサ１においては、例えば、外乱光が投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前（第１外乱光検出期間ｔ５）で集中して検出されることがあっても、図５中のＳ１８〜Ｓ２０によって、受光素子Ｊ２の受光リトライ動作をリトライ可能回数を超過しない範囲で継続して行うことができ、受光リトライ動作を、外乱光が検出される光軸に対して効率的に行うことができる。
【００６１】
本実施形態の多光軸光電センサ１においては、受光側ＣＰＵ３４が、図４中のＳ１５によって、外乱光を検出したと判断し、図５中のＳ１８によって、リトライ回数Ｋがリトライ可能回数（ここでは９回）を超過したと判断したときに、異常検出信号出力処理（Ｓ２６）によって、異常検出信号を、例えば動作表示灯の作動装置に送信し、この作動装置を駆動させて動作表示灯が点灯するように制御する。そこで、この多光軸光電センサ１においては、動作表示灯を点灯させることによって、外乱光を連続して検出して侵入物体の検出ができなくなるおそれがあることや装置故障が生じることにより受光側ＣＰＵ３４が前記リトライ回数を超過したと判断して侵入物体の検出ができなくなるおそれがあることを知らせ、この多光軸光電センサ１の点検を促すようにさせることができる。
【００６２】
また、本実施形態の多光軸光電センサ１においては、従来の多光軸光電センサとは異なり、外乱光検出期間（ここでは、第１外乱光検出期間ｔ５）を、一般的に採用されている外乱光検出期間に比べて長くする必要がなく、外乱光検出期間を含むスキャン周期が長くなり、各光軸における遮光判定のための応答時間が遅れることを避けることができる。
【００６３】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を、図１及び図２，図７ないし図１０を参照しつつ説明する。ここでは、実施形態１と同一の構成や制御方法は同一の符号を付しその説明を省略する。本実施形態の多光軸光電センサ１Ａにおいては、外乱光を各投光素子Ｔ１〜Ｔ１０の投光動作の直前及び直後で検出したか否かを判断する。投光側ＣＰＵ１４は、上述したように、図２に示す各処理を実行する。
【００６４】
一方、受光側ＣＰＵ３４は、図７及び図８に示す各処理を実行する。図７に示すフローチャートは、第２非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３Ａ）が、図４（実施形態１）に示すフローチャートとは異なる。この第２非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３Ａ）では、受光側ＣＰＵ３４が、各投光素子Ｔの投光動作の直後（例えば、図１０（Ｂ）中の第２外乱光検出期間ｔ８）における各投光素子Ｔと対向する各受光素子Ｊの受光量（非投光時受光レベル）をメモリ（図示せず。）に読み込む。
【００６５】
図７中のＳ１５において、受光側ＣＰＵ３４が、前記第１及び第２非投光時受光信号読込処理（Ｓ１３，Ｓ１３Ａ）によってメモリに読み込まれた非投光時受光レベルを予め定めた外乱光検知閾値と比較し、非投光時受光レベルが外乱光検知閾値を超過したと判断した場合には、外乱光を検出したと判断する。このＳ１５において、例えば第２光軸Ｌ２において外乱光を検出したと判断したときは、受光側ＣＰＵ３４が、前記リトライ回数Ｋがリトライ可能回数を超過しているか否かを判断し（Ｓ１８）、リトライ回数Ｋが前記可能回数を超過していないと判断したときは、Ｓ１９において、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ５内において検出したか否かを判断する。
【００６６】
Ｓ１９において、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ５内において検出したと判断し、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を投光素子Ｔ２の投光動作の直前で検出したと判断したときは、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ａ）を行う。このリトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ａ）では、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光検出信号Ｇを投光側ＣＰＵ１４に送信し、投光素子Ｔ２，Ｔ３が投光を中止している期間（投光中止期間ｔ９、図９（Ｂ）参照。）内における受光素子Ｊ２の受光信号の検出時間を、メモリ（図示せず。）に読み込む。投光中止期間ｔ９は、各受光素子Ｊが受光動作を行う時間と同じ時間（外乱光判別時間）である。
【００６７】
リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ａ）の後に、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ａ）での受光信号の検出時間に基づき、外乱光を検出してから第１外乱光判定期間ｔ７（図９（Ｂ）参照。）が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かが判断される（Ｓ２１Ａ）。
【００６８】
Ｓ２１Ａにおいて、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ７が経過したときに再び検出し、同種類の多光軸光電センサが放つ光を投光素子Ｔ２の投光動作の直前で検出することになると判断したときは、上述した第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）及び上述した各処理（Ｓ２２〜Ｓ２４）を行い、図９（ａ）に図示するように、スキャン周期をＴ１５からＴ１５−αに変更する。なお、Ｓ２１Ａにおいて、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ７が経過したときに検出しないと判断したときは、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光ではないと判断し、第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）を行わず、上述した各処理（Ｓ２２〜Ｓ２４）を行う。
【００６９】
これに対し、Ｓ１９において、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第１外乱光判定期間ｔ５内において検出しないと判断したときは、外乱光検出判断処理（Ｓ２７）を行う。この外乱光検出判断処理（Ｓ２７）では、外乱光を第２外乱光検出期間ｔ８内において検出し、外乱光を投光素子Ｔ２の投光動作の直後で検出したことを判断する。この外乱光検出判断処理（Ｓ２７）の後に、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ｂ）を行う。このリトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ｂ）では、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光検出信号Ｇを投光側ＣＰＵ１４に送信し、投光素子Ｔ２，Ｔ３が投光を中止している期間（投光中止期間ｔ９、図１０（Ｂ）参照。）内における受光素子Ｊ２の受光信号の検出時間を、メモリ（図示せず。）に読み込む。
【００７０】
リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ｂ）の後に、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ｂ）での受光信号の検出時間に基づき、外乱光を検出してから第２外乱光判定期間ｔ１１（図１０（Ｂ）参照。）が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かを判断する（Ｓ２８）。なお、この第２外乱光判定期間ｔ１１は、各投光素子Ｔの投光間隔Ｕと同じ期間に設定されている。
【００７１】
Ｓ２８において、受光側ＣＰＵ３４が、外乱光を第２外乱光判定期間ｔ１１が経過したときに再び検出し、同種類の多光軸光電センサが放つ光を投光素子Ｔ２の投光動作の直後で検出することになると判断したときは、第２スキャン周期変更処理（Ｓ３０）を行う。この第２スキャン周期変更処理（Ｓ３０）では、図１０（ａ）から理解できるように、各光軸間の投光間隔Ｕを変更することなく前記スキャン周期をＴ１５からＴ１５＋αに変更する。スキャン周期の関係は、Ｔ１５＋α＞Ｔ１５＞Ｔ１５−αである。なお、Ｓ２８において、外乱光を第２外乱光判定期間ｔ１１が経過したときに検出しないと判断したときは、外乱光が同種類の多光軸光電センサが放つ光ではないと判断し、第２スキャン周期変更処理（Ｓ３０）を行わず、上述した各処理（Ｓ２２〜Ｓ２４）を行う。
【００７２】
本実施形態の多光軸光電センサ１Ａでは、受信側ＣＰＵ３４が、図８中のＳ１９によって、図９（ａ１），（ｂ）及び（Ｂ）から理解できるように、外乱光を投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前（第１外乱光検出期間ｔ５）で検出したと判断したときに、図８中のＳ２１によって、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ａ）での受光信号の検出時間に基づき、外乱光を検出してから第１外乱光判定期間ｔ７（前記投光間隔Ｕ）が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かを判断する。この多光軸光電センサ１Ａは、受光側ＣＰＵ３４が、前記Ｓ２１によって、外乱光を再び検出し、この外乱光が同種類の多光軸センサが放つ光であると判断したときは、前記第１スキャン周期変更処理（Ｓ２５）によって、スキャン周期をＴ１５からＴ１５−αに変更する。このため、この多光軸光電センサ１Ａにおいては、変更後のスキャン周期（Ｔ１５−α）を、同種類の多光軸光電センサのスキャン周期（Ｔ１５）と異ならせることができ、同種類の多光軸光電センサが放つ光が、投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前で検出されることを防ぐことができる。そこで、この多光軸光電センサ１Ａにおいては、検出エリア内に物体があるにもかかわらず、同種類の多光軸光電センサが放つ光を受光素子Ｊ２が受光し、前記物体検出処理（Ｓ１４）によって、物体が検出エリア内で検出されないと判断することを防止することができる。
【００７３】
一方、この多光軸光電センサ１Ａでは、受信側ＣＰＵ３４が、図８中の外乱光検出判断処理（Ｓ２７）によって、図１０（ａ１），（ｂ）及び（Ｂ）から理解できるように、外乱光を投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直後（第２外乱光判定期間ｔ８）で検出したと判断したときに、図８中のＳ２８によって、リトライ（再受光）処理（Ｓ２０Ｂ）での受光信号の検出時間に基づき、外乱光を検出してから第２外乱光判定期間ｔ１１（前記投光間隔Ｕ）が経過したときに、再び外乱光を検出したか否かを判断する。この多光軸光電センサ１Ａは、受光側ＣＰＵ３４が、前記Ｓ２８によって、外乱光を再び検出し、この外乱光が同種類の多光軸センサが放つ光であると判断したときは、前記第２スキャン周期変更処理（Ｓ３０）によって、スキャン周期をＴ１５からＴ１５＋αに変更する。このため、この多光軸光電センサ１Ａにおいては、変更後のスキャン周期（Ｔ１５＋α）を、同種類の多光軸光電センサのスキャン周期（Ｔ１５）と異ならせることができ、同種類の多光軸光電センサが放つ光が、投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直後で検出されることを防ぐことができる。そこで、この多光軸光電センサ１Ａにおいては、同種類の多光軸光電センサが放つ光を投光素子Ｔ２（第２光軸Ｌ２）の投光動作の直前で検出した場合と同様に、前記物体検出処理（Ｓ１４）によって、物体が検出エリア内で検出されないと判断することを防止することができる。
【００７４】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。なお、以下の説明では、上述した実施形態１及び実施形態２と同一の構成は同一の符号を付しその説明を省略する。
（１）上述した実施形態１及び実施形態２においては、例えば、外乱光を、各投光素子Ｔ１〜Ｔ１０の投光動作の直前又は各投光素子Ｔ１〜Ｔ１０の直前及び直後で検出するようにしたが、図１１（ａ１）及び（ｂ）に図示するように、例えば、同種類の多光軸センサが放つ光を第２光軸Ｌ２の投光動作の直後（第２外乱光検出期間ｔ８）で検出したと判断したときに、（ａ）に図示するように、スキャン周期をＴ１５からＴ１５＋αに変更するようにしてもよい。これによって、変更後のスキャン周期（Ｔ１５＋α）を、同種類の多光軸光電センサのスキャン周期（Ｔ１５）と異ならせることができ、同種類の多光軸光電センサが放つ光を受光素子Ｊ２が受光し、物体が検出エリア内で検出されないと判断することを防止することができる。
（２）上述した実施形態１及び実施形態２においては、リトライ（再受光）処理を行う毎に受光側ＣＰＵ３４のリトライカウンタの値に１を加算したが、再投受光処理を行う毎にこのリトライカウンタの値に１を加算するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施形態１，２に係る多光軸光電センサの電気的構成図
【図２】実施形態１，２に係る多光軸光電センサの投光側ＣＰＵの制御を示すフローチャート
【図３】実施形態１に係る多光軸光電センサのタイミングチャート
【図４】受光側ＣＰＵの制御を示す第１フローチャート
【図５】その第２フローチャート
【図６】第２光軸における投光動作の直前で外乱光を検出したときのタイミングチャート
【図７】実施形態２に係る多光軸光電センサの受光側ＣＰＵの制御を示す第１フローチャート
【図８】その第２フローチャート
【図９】第２光軸における投光動作の直前で外乱光を検出したときのタイミングチャート
【図１０】第２光軸における投光動作の直後で外乱光を検出したときのタイミングチャート
【図１１】他の実施形態に係る多光軸光電センサのタイミングチャート
【符号の説明】
【００７６】
１，１Ａ…多光軸光電センサ
１０…投光器
１１…駆動回路（投光制御手段）
１２…ＡＮＤ回路（投光制御手段）
１３…投光側シフトレジスタ（投光制御手段）
１４…投光側ＣＰＵ（投光制御手段）
３０…受光器
３１…受光アンプ（遮光判定手段，外乱光検出手段，外乱光種別判定手段）
３２…スイッチ素子（遮光判定手段，外乱光検出手段，外乱光種別判定手段）
３３…Ａ／Ｄ変換器（遮光判定手段，外乱光検出手段，外乱光種別判定手段）
３４…受光側ＣＰＵ（投光制御手段，遮光判定手段，外乱光検出手段，外乱光種別判定手段，周期調整手段）
３５…受光側シフトレジスタ（遮光判定手段，外乱光検出手段，外乱光種別判定手段）
Ｊ１〜Ｊ１０…受光素子
Ｌ１〜Ｌ１０…光軸
Ｔ１〜Ｔ１０…投光素子
Ｔ１５＋α，Ｔ１５，Ｔ１５−α…スキャン周期
ｔ５…第１外乱光検出期間（検査期間）
ｔ６，ｔ９…投光中止期間（外乱光判別時間）
ｔ７…第１外乱光判定期間
ｔ８…第２外乱光検出期間（検査期間）
ｔ１１…第２外乱光判定期間
Ｕ…投光間隔（投光周期）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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