(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導物質を有するスイッチ区間と、このスイッチ区間を事前設定された作動温度へ冷却する冷却手段と、スイッチ区間を超伝導状態から常伝導状態に転移させるために超伝導物質の臨界値の少なくとも１つを制御により超過させる手段とを備えた超伝導スイッチ装置であって、
前記スイッチ区間（４）の超電導物質の作動温度（Ｔa）が、４０Ｋ以下であり、
前記スイッチ区間（４）が、円形または長方形の断面をもつ線材で構成されており、
スイッチ区間（４）が、その両端部に冷却される中実なブロック（５、６）で構成されたヒートシンク手段を有し、
スイッチ区間（４）が、ヒートシンク手段（５、６）の間に冷媒なしで配置されており、
スイッチ区間（４）の超伝導物質として二硼化マグネシウム（ＭｇＢ2）が用いられていることを特徴とする超伝導スイッチ装置。
【請求項２】
線材として、二硼化マグネシウムからなる超伝導コア（３ａ）と非超伝導性の金属シース（３ｂ）とを有する線材（３）が用いられていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
シース（３ｂ）が鉄または鋼でできていることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
超伝導物質の臨界値の少なくとも１つを制御により超過させる手段が、スイッチ区間（４）を包囲する制御巻線（７）であることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の装置。
【請求項５】
制御巻線（７）によって、超伝導物質が超伝導状態から常伝導状態へ転移するために温度上昇及び／又は磁場にさらされることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
冷却手段が冷媒を用いないように設計されていることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の装置。
【請求項７】
冷却手段がスイッチ装置（２）の冷却されるべき部分に熱的に結合されていることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超伝導物質を有するスイッチ区間と、このスイッチ区間を事前設定された作動温度へ冷却する冷却手段と、スイッチ区間を超伝導状態から常伝導状態に転移させるために超伝導物質の臨界値の少なくとも１つを制御により超過させる手段とを備えた超伝導スイッチ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のスイッチ装置は特許文献１から公知である。
【０００３】
古典的な（金属性の）超伝導物質からなる導体を用いた超伝導技術のさまざまな機器のために、超伝導スイッチ装置が開発されている。例えば、超伝導マグネットを励起させる流体ポンプのためのスイッチ装置が公知である（例えば非特許文献１参照）。また、このようなスイッチ装置は、例えばＭＲＩ装置やエネルギー蓄積装置などのマグネットを短絡させるためにも用いられる。同様のスイッチ装置は、一般に、超伝導体で構成され事前設定された温度へ冷却されるスイッチ区間を含んでいる。このスイッチ区間は、使用された超伝導物質の臨界値の少なくとも１つ、特に臨界温度及び／又は臨界磁界を的確に超過することによって、超伝導状態から常伝導状態へ転移させることができる。上述の特許文献１に記載されたスイッチ装置はこの型式のものである。
【０００４】
金属酸化物をベースとする新たな高Ｔc超伝導物質（ＨＴＳ物質）の開発とともに、古典的な超伝導物質で可能であるよりも明らかに高い温度での作動を可能にする超伝導装置用の導体も利用できるようになっている。このような超伝導装置についても超伝導スイッチ装置が構想されている。ＨＴＳ物質からなるスイッチ区間を備え、このスイッチ区間が相応のＨＴＳ物質からなる２つの導体部分の間に配置されているマイクロ波スイッチは公知である（例えば、特許文献２参照）。超伝導状態から常伝導状態への転移を引き起こすために、スイッチ区間に加熱手段が付設されている。特許文献３に記載されたスイッチ装置もこれに対応する型式のものである。特許文献４に記載されたＨＴＳ物質を用いたスイッチ装置では、磁場によってスイッチングプロセスが惹起される。
【０００５】
ＨＴＳ導体を用いたいくつかの装置は、約７７Ｋである窒素の液化温度よりも下で作動させるのが望ましい。このような装置についても、超伝導状態から常伝導状態へ一時的に転移することができる超伝導スイッチ区間を備えるスイッチ装置が必要となる場合がある。同様のスイッチ区間の超伝導物質としては、従来一般に、スイッチ区間に接続された超伝導装置のＨＴＳ物質が用いられている。この場合、ＨＴＳ物質は層の形態で、これに適した支持体の上に塗布されるのが普通である。
【０００６】
【特許文献１】
西独特許出願公開第３５２５９３８号明細書
【特許文献２】
米国特許第５３５０７３９号明細書
【特許文献３】
特開平１１−３４０５３３号公報
【特許文献４】
米国特許第５８０５０３６号明細書
【非特許文献１】
「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ」，Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．４，１９９６年７月、２６９９頁〜２７０２頁
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＨＴＳスイッチ区間の同様な実施例では、特に次のようないくつかの問題が発生することが判明している。
−ＨＴＳ物質のために使用される支持体や基板の質量が比較的大きいという理由、および、例えば４０Ｋ以下の選定された作動温度と、約９０Ｋまたはそれ以上であるＨＴＳ物質の臨界温度との間に場合により比較的大きな差異があるいう理由から、熱的慣性が生じる。
−使用されたＨＴＳ物質からなる層と、その上に塗布されるべき例えば金のような電気的接触材料からなる薄い被覆層とが敏感であるために電気的接触が難しい。
−薄すぎる層が断線する危険がある。
−材料の製作に比較的高いコストがかかる。
−熱ヒータなどの切換手段を、スイッチングされるべきＨＴＳ層に結合するのが難しい。
【０００８】
したがって本発明の課題は、前述した問題点が少なくとも部分的に回避されるように、冒頭に述べた構成要件を備える超伝導スイッチ装置を構成することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題は本発明によれば、スイッチ区間の超伝導物質として二硼化マグネシウム（ＭｇＢ2）を用いることによって解決される。
【００１０】
超伝導化合物ＭｇＢ2は、約３９Ｋの臨界温度ＴCを有している（「Ｎａｔｕｒｅ」，Ｖｏｌ．４１０，２００１年３月１日、６３頁，６４頁参照）。この物質は、特に冷媒を使わずに冷却をする作動が意図されている場合、４０Ｋ以下の作動温度を持つ超伝導スイッチ装置に特に良く適することが認識されている。この物質からは、スイッチ区間として利用する線材または薄い層を容易に製造することができる。また、公知の超伝導物質ないしはこれを包囲するシース材料を、大きな問題なく電気的接触させることができることも利点である。
【００１１】
本発明によるスイッチ装置の有利な実施態様は従属請求項に記載されている。
【００１２】
例えば超伝導スイッチ区間には、特に、円形または長方形の断面をもつ線材が用いられていてよい。この線材として、二硼化マグネシウムからなる超伝導コアと非超伝導性の金属シースとを有する線材を用いることができる。この場合、シースは鉄または鋼でできているのが好ましい。
【００１３】
超伝導物質の臨界値の少なくとも１つを制御により超過させる手段が、スイッチ区間を包囲する制御巻線であると特に好ましい。このような制御巻線によって、簡単に、超伝導物質が超伝導状態から常伝導状態へ転移するために十分な温度上昇及び／又は磁場にさらされる。
【００１４】
冷却手段が冷媒を用いないように設計されている場合、この冷却手段がスイッチ装置の冷却されるべき部分に熱的に結合されていると好ましい。
【００１５】
さらに、スイッチ区間を限定するという観点から、スイッチ区間がヒートシンク手段の間に配置されていると好都合である。それにより、超伝導物質のスイッチング領域の好ましくない拡大を防ぐことができる。ヒートシンク手段としては熱伝導性の良い材料からなる中実なブロックまたはその他の中実体が適しており、このような中実体が、例えば超伝導物質を包囲する超伝導物質と熱伝導の良好な接触をするのが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明をさらに詳しく説明するために、本発明に基づいて構成されたスイッチ装置が概略的に示されている図面を参照する。
【００１７】
本発明によるスイッチ装置の超伝導スイッチ区間は超伝導物質として化合物ＭｇＢ2を有しているのが望ましい。この材料から線材を製作することができる（「Ｎａｔｕｒｅ」，Ｖｏｌ．４１１，２００１年５月３１日、５６３頁〜５６５頁参照）。また、この材料は薄い層の製作にも適している（「Ｎａｔｕｒｅ」，Ｖｏｌ．４１１，２００１年５月３１日、５５８頁〜５６０頁参照）。特にＨＴＳ線材の製造から公知である特にいわゆるパウダー・イン・チューブ法に基づいて線材を製作する場合、特に鉄や鋼からなるシース材料が有利であると考えられる。このとき線材は円形または矩形の断面を有していてよい。
【００１８】
ＭｇＢ2からなるこのような線材を、図１に示す全体に符号２を付したスイッチ装置に用いるものとする。このとき線材３は超伝導化合物ＭｇＢ2からなるコア３ａを有しており、このコア３ａが例えば鉄や鋼からなる金属シース３ｂで包囲されている。線材３の、軸線方向長さＬSをもつ部分領域は、超伝導スイッチ区間４である。そのために線材３は、このスイッチ区間４のそれぞれの端部で、容積が比較的大きいヒートシンク手段５，６によって包囲されている。このヒートシンク手段５，６は例えば銅などの熱伝導性の良い材料からなる２つの中実ブロックである、これらのヒートシンク手段５，６は、特に、冷却機に熱的に結合され、例えば冷却機の冷却ヘッドに熱的に結合されており、それによりスイッチ区間４の各端部では、超伝導コア材料の約３９Ｋの臨界温度ＴCを下回る動作温度または作動温度Ｔaが保証される。
【００１９】
さらにスイッチ区間４の領域には、そこで超伝導物質の臨界値の少なくとも１つすなわち臨界温度ＴC及び／又は臨界磁場ＨCを制御により超過させる手段が設けられている。図１に示された実施例では、例えばスイッチ区間４の領域で線材３に巻き付けられ加熱コイルまたは電磁石コイルとして働くことができる制御巻線７が設けられている。この制御巻線７は比較的簡単に線材３に巻き付けることができ、それゆえ熱的に良好に線材と結合することができる。
【００２０】
スイッチ装置２つまりそのスイッチ区間４を作動させるには、
ａ）「熱式のスイッチング」、
ｂ）「磁気式のスイッチング」または
ｃ）「熱および磁気式のスイッチング」
と名づけることができる作動方式が考えられる。
【００２１】
制御巻線７に電流ＩSが流れていないとき、スイッチ装置２のスイッチ区間４の領域における温度はＴS＜ＴCとなるので、スイッチ装置２はその線材３が超伝導状態になり、スイッチ装置２における電圧降下は記録されなくなる。それに対して制御巻線７に電流ＩSが印加されると、方式ａ）の場合には熱による加熱によってスイッチ区間４の温度ＴSが制御巻線７の領域で高くなり［ＴS＞ＴC］、もしくは方式ｂ）の場合には制御巻線７で生成される磁場によって臨界温度が低下し［ＴS＞ＴC（Ｂ）］、あるいは方式ｃ）の場合には熱および磁場の作用によってスイッチ区間４の温度が高くなるとともに臨界温度が低下して、それぞれスイッチ区間４が超伝導状態から常伝導状態に転移し、それによって外部電圧や外部電流を線材３のスイッチ区間４の端部に印加すると抵抗に基づく電圧降下が生じる。
【００２２】
スイッチ装置２の定格電流ＩNは、定められた動作温度ＴNのとき、線材３のコア３ａの超伝導物質の超伝導体断面積ＡSLを適当に選定することによって、次のように設定することができる。
ＩN≦ＩC（ＴN）≒ＡSL・ＪC（ＴN）
このとき、ＩC（ＴN）は温度ＴNのときの超伝導物質ＭｇＢ2の温度に依存する臨界電流、ＪC（ＴN）は温度に依存する臨界電流密度である。常伝導状態のとき、スイッチ装置２を通って流れる電流ＩNLと、スイッチ区間４に亘って降下する電圧ＵNLは次式
ＵNL＝ＲNL・ＩNL
によって与えられる。このときＲNLは線材３の常伝導抵抗である。ＲNLの具体的な値は、金属シース３ｂを適宜選定することによって、例えばシース３ｂの断面積及び／又はシース３ｂの材料を適宜選定することによって、ならびに、スイッチ装置２のスイッチ区間４の被制御領域の長さＬSによって、設定することができる。
【００２３】
図１において、超伝導線材３およびそのスイッチ区間４を４０Ｋの最高作動温度以下に冷却する低温化手段は、一般に公知なので図示されていない。このスイッチ装置２は、約１０Ｋ〜４０Ｋの温度範囲で、冷媒を用いずに作動させるのに好適である。このような冷媒を用いない作動は例えばいわゆるクライオクーラ等の冷却機で維持することができ、その場合この冷却機の低温部分がスイッチ装置２の冷却されるべき部分に、例えばスイッチ装置２のヒートシンク手段５，６に熱的に結合される。あるいは、スイッチ装置２の超伝導部分を気体状または液体状の冷媒によって、要求された温度に維持することも当然ながら可能である。このような冷媒は例えば気体ヘリウム（ＧＨｅ）であってよく、あるいは２７Ｋ以下の作動温度の場合には液体ネオン（ＬＮｅ）であってよい。
【００２４】
図示した実施例とは異なり、超伝導物質の臨界値の少なくとも１つを制御により超過させる別の手段も適用可能または配置可能である。例えば、熱による加熱のために設けられる制御巻線は必ずしも超伝導線材のスイッチング可能な領域を包囲している必要はない。また、スイッチ区間に接近する永久磁石によって臨界磁場の超過を惹起することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づいて構成されたスイッチ装置の概略図である。
【符号の説明】
２  スイッチ装置
３  線材
３ａ  線材コア
３ｂ  線材シース
４  スイッチ区間
５、６  ヒートシンク手段（Ｃｕブロック）
７  制御巻線
Ｔa  動作温度
ＩS  制御電流
ＬS  スイッチ区間の長さ
ＴS  スイッチ区間の温度
【図１】
0004612991.tif 000002