(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に導電層が形成されたテープ基材を長手方向に沿って分割して得られる、半導体素子を実装するための実装用テープキャリアを複数備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記テープ基材の両縁部に、分割前の前記テープ基材を搬送するためのテープ基材搬送孔を形成する工程と、
前記テープ基材搬送孔よりも幅方向内側に、分割後の前記実装用テープキャリアを搬送するための実装用搬送孔を形成する工程とを同一工程で行い、
前記テープ基材搬送孔を形成する工程と、前記実装用搬送孔を形成する工程とを同一工程で行った後、前記テープ基材搬送孔よりも幅方向内側の部分に、前記実装用搬送孔上も含めてドライフィルムをラミネートし、これを露光現像して前記実装用搬送孔を覆うレジストパターンを形成した後、エッチングすることで導電層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記導電層の厚さを１２μｍ以下とし、前記絶縁層の厚さを５０μｍ以下としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
分割前の前記テープ基材の幅を、９６ｍｍ以上としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記ドライフィルムと前記導電層との総厚を、前記配線パターンの配線ピッチ未満としたことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、特に、長手方向に沿って実装用テープキャリアを複数備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法として、所定ピッチで断続的に搬送される長尺状の半導体装置用テープキャリア上に、随時配線パターンを形成するとともに半導体素子を実装していくといった方法が主流となっている。そして、前述の半導体装置用テープキャリアには、テープ幅方向両縁部のみにテープ送り用の搬送孔（パーフォレーション孔）が形成されていることが一般的である（例えば、特許文献１，２）。
【０００３】
ところで、近年においては、半導体装置用テープキャリアを長手方向に沿って分割して、半導体素子を実装するための長尺状の実装用テープキャリアを多条取りする方法が知られている。かかる方法においては、分割前の半導体装置用テープキャリアに、テープ幅方向両縁部のみならず、テープ幅方向両縁部の内側部分にも搬送孔が形成される。
【０００４】
以下に、従来技術における、実装用テープキャリアを多条取りするための半導体装置用テープキャリアの製造方法を説明する。なお、以下の説明では、一例として、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で使用する半導体装置用テープキャリア（以下、「ＴＡＢテープ母材」という）の製造方法について説明する。ここで、前記ＴＡＢテープ母材を長手方向に沿って分割して得られる実装用テープキャリア（以下、「ＴＡＢテープ」という）は、ＣＯＦ（Chip On Film）技術を適用したＬＣＤ（Liquid Crystal Display：液晶表示装置）等に利用される。なお、ＴＡＢ方式とは、半導体装置用テープキャリアにワイヤレスボンディングで半導体素子を実装させる方式をいう。
【０００５】
まず、図５に、ＴＡＢテープ母材２０の材料として用いられるテープ基材２０’の断面構造を示す。テープ基材２０’は、絶縁層としてのポリイミド樹脂テープ２１の片面上に、導電層としての銅層２２をＣｒ(クロム）等を介してＣｕ（銅）メッキにより形成し、他面側に補強フィルム２３を貼り付けた構造を有する。そして、このテープ基材２０’を以下に示す手順で加工することで、長手方向に沿ってＴＡＢテープ２６（図示しない）を複数備えたＴＡＢテープ母材２０が製造される。
【０００６】
以下に、ＴＡＢテープ母材２０の製造方法について説明する。
図６および図７（ａ）に示すように、まず、パンチング加工により、テープ基材２０’の両縁部分にテープ基材搬送孔ＰＨ１を形成する（パンチング工程Ｓ１）。ここで、テープ基材搬送孔ＰＨ１とは、テープ基材２０’を搬送するために使用される搬送孔である。
【０００７】
その後、レジストコートＳ２、露光Ｓ３、現像Ｓ４、エッチングＳ５、レジスト剥膜Ｓ６の各工程（サブトラクティブ法）を行うことで、銅層２２上に配線パターンＷＰを形成する（図７（ｂ），（ｃ）参照）。ここで、レジストコート工程Ｓ２では、ファインピッチ形成のために、液体レジストが用いられている。
【０００８】
配線パターンＷＰが形成された後は、半導体素子（図示しない）と液晶ガラス（図示しない）との接続のために、配線パターンＷＰ上にＳｎ（すず）メッキを施す（メッキ工程Ｓ７）。続いて、裏側の補強フィルム２３を剥がしてから（剥離工程Ｓ８）、絶縁と機械的強度向上のためにソルダーレジスト印刷を行う（印刷工程Ｓ９）。
【０００９】
その後、図７（ｄ）に示すように、パンチング加工により、実装用搬送孔ＰＨ２を形成し、多条取り用のＴＡＢテープ母材２０の製造が完了する（パンチング工程Ｓ１０）。なお、ここで実装用搬送孔ＰＨ２とは、ＴＡＢテープ母材２０を長手方向に沿って分割して得られるＴＡＢテープ２６を搬送するために使用される搬送孔である。また、実装用搬送孔ＰＨ２は、テープ基材搬送孔ＰＨ１よりもテープ幅方向内側部分に形成される。
【００１０】
ＴＡＢテープ母材２０の製造完了後は、ＴＡＢテープ母材２０を長手方向に沿って略三等分に分割し（スリット工程Ｓ１１）、合計三つの長尺状のＴＡＢテープ２６を製造する。その後、ＴＡＢテープ２６は、各種点検が行われてから出荷される（点検工程Ｓ１２、出荷工程Ｓ１３）。その後、ＴＡＢテープ２６には、半導体素子（図示しない）が実装される。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−２０３０６４号公報（図１）
【特許文献２】特開２００１−２８４１２号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、前記したＴＡＢテープ母材２０の製造方法では、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２とが別工程で形成されるため、これらテープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２との相対位置がずれて形成されることがあった。そして、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２との相対位置がずれて形成されると、テープ基材搬送孔ＰＨ１を基準にして形成された配線パターンＷＰと実装用搬送孔ＰＨ２との相対位置がずれてしまうため、その後の半導体素子の実装を良好に行えなくなるおそれがあった。
また、二回もパンチング加工を行うため、二回目のパンチング加工時に、製品に傷、異物が発生することがあり、この場合には、歩留まりが低下するおそれがあった。
【００１３】
そこで、本発明は、テープ基材搬送孔と実装用搬送孔との相対的な位置ずれを抑制するとともに、パンチング加工による傷、異物の発生を抑制することができる半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を解決する本発明は、絶縁層上に導電層が形成されたテープ基材を長手方向に沿って分割して得られる、半導体素子を実装するための実装用テープキャリアを複数備えた半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、
前記テープ基材の両縁部に、分割前の前記テープ基材を搬送するためのテープ基材搬送孔を形成する工程と、前記テープ基材搬送孔よりも幅方向内側に、分割後の前記実装用テープキャリアを搬送するための実装用搬送孔を形成する工程と、を備え、前記テープ基材搬送孔を形成する工程と、前記実装用搬送孔を形成する工程とを同一工程で行う。
【００１５】
本発明によれば、テープ基材搬送孔と実装用搬送孔とを同一工程で形成する。そのため、テープ基材搬送孔と実装用搬送孔との相対的な位置ずれを抑制することができるとともに、搬送孔の形成（例えば、パンチング加工）に伴う傷、異物の発生をも抑制することができる。さらには、従来行っていた実装用搬送孔のパンチング工程が不要となるので、製造時間の短縮を図ることもできる。
【００１６】
また、本発明においては、前記導電層の厚さを１２μｍ以下とし、前記絶縁層の厚さを５０μｍ以下としてもよいし、分割前の前記テープ基材の幅を、９６ｍｍ以上としてもよい。さらに、前記ドライフィルムと前記導電層との総厚を、前記配線パターンの配線ピッチ未満としてもよい。
【００１７】
導電層の厚さを１２μｍ以下とし、前記絶縁層の厚さを５０μｍ以下とすることにより、半導体装置用テープキャリアの折り曲げ特性の向上や配線パターンのファインピッチの確保を実現できる。ここで、折り曲げ特性の向上は、例えばＣＯＦ技術を適用したＬＣＤに半導体装置用テープキャリアを利用する際に、ＬＣＤ側の端子と接続させるべく半導体装置用テープキャリアを折り曲げる場合に有効となる。
また、分割前の前記テープ基材（半導体装置用テープキャリア）の幅を、９６ｍｍ以上とすることにより、例えば３５ｍｍ幅の実装用テープキャリアや４８ｍｍ幅の実装用テープキャリアを少なくとも二つ分確保することができる。
さらに、ドライフィルムと導電層との総厚を、配線ピッチ未満とすることで、配線パターンの微細化を実現することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記テープ基材搬送孔を形成する工程と、前記実装用搬送孔を形成する工程とを同一工程で行った後、前記テープ基材搬送孔よりも幅方向内側の部分に、前記実装用搬送孔上も含めてドライフィルムをラミネートして、前記導電層に配線パターンを形成してもよい。
【００１９】
これによれば、前記導電層に配線パターンを形成する際に、実装用搬送孔の周りに導電層を残すことができるので、実装用搬送孔の機械的強度を上げることができる。それにより、半導体素子の実装ライン等において、補強された実装用搬送孔を用いて実装用テープキャリアを良好に搬送することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、テープ基材搬送孔と実装用搬送孔が一工程でまとめて形成されるので、テープ基材搬送孔と実装用搬送孔の位置ずれや、搬送孔の形成に伴う傷、異物の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
参照する図面において、図１は、本実施形態に係るＴＡＢテープ母材およびＴＡＢテープの製造方法を示す製造工程図である。また、図２は、テープ基材からＴＡＢテープ母材およびＴＡＢテープを形成する様子を示す断面図であり、（ａ）は製造ラインに投入されるテープ基材を示し、（ｂ）は搬送孔形成工程、（ｃ）はドライフィルムラミネート工程、（ｄ）は露光工程、（ｅ）は現像工程、（ｆ）はエッチング工程、（ｇ）はレジスト剥膜工程、（ｈ）はメッキ工程、（ｉ）は剥離工程、（ｊ）は印刷工程、（ｋ）はスリット工程をそれぞれ示している。さらに、図３は、テープ基材からＴＡＢテープ母材を形成する様子を示す平面図であり、（ａ）は全ての搬送孔を形成した状態、（ｂ）はドライフィルムをラミネートした状態、（ｃ）は配線パターンを形成した状態をそれぞれ示している。
なお、本実施形態においては、前述のＴＡＢテープ母材の製造方法に本発明を適用することとする。また、ＴＡＢテープ母材２０の材料であるテープ基材２０’は、従来と同様の構造、すなわち、図２（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂テープ（絶縁層）２１と、銅層（導電層）２２と、補強フィルム２３とを備えた構造となっているものとする。ここで、ポリイミド樹脂テープ２１と、銅層２２との接合は接着剤を用いてもよく、用いなくてもよい。接着剤を用いない方法としては、銅層２２にワニス状の樹脂を塗りつけるキャスティング法、銅層２２とポリイミド樹脂テープ２１とを熱で圧着するラミネート法、ポリイミド樹脂テープ２１にＣｒ等を介して銅をめっきする法、ポリイミド樹脂テープ２１に銅を蒸着する方法がある。
【００２２】
本実施形態に係るＴＡＢテープ母材（半導体装置用テープキャリア）２０の製造方法では、図１に示すように、従来の製造工程（図６参照）と異なる工程である搬送孔形成工程Ｓ１’と、ドライフィルムラミネート工程Ｓ２’とが行われるとともに、従来の製造工程と同様の工程Ｓ３〜Ｓ９，Ｓ１１〜Ｓ１３が行われるようになっている。以下に、従来とは異なる工程のみ説明する。
【００２３】
搬送孔形成工程Ｓ１’とは、図２（ｂ）に示すように、テープ基材２０’に対して、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２とをプレスにより同一工程で形成するパンチング工程である。すなわち、この搬送孔形成工程Ｓ１’は、従来のパンチング工程Ｓ１とパンチング工程Ｓ１０とを合わせた工程となっている。なお、搬送孔形成工程Ｓ１’においては、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２の形成が同時に行われることが好ましいが、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２の形成が連続して行われる限り、いずれかの孔の形成が先に行われても良い。
【００２４】
ここで、テープ基材搬送孔ＰＨ１は、図３（ａ）に示すように、テープ基材２０’の両縁部にテープ長手方向へ沿って所定ピッチで一列ずつ形成され、実装用搬送孔ＰＨ２は、テープ基材搬送孔ＰＨ１よりも幅方向内側の部分にテープ基材搬送孔ＰＨ１と略同ピッチとなるように六列形成されている。なお、実装用搬送孔ＰＨ２の各列は、テープ幅方向において、配線パターンＷＰ（図３（ｃ）参照）を形成するためのスペースを挟んで配置される二列を一組としたときに、この組が合計三組となるように配置されており、さらに、これらの組はテープ幅方向に所定ピッチで配置されるようになっている。
【００２５】
一方、ドライフィルムラミネート工程Ｓ２’とは、図２（ｃ）に示すように、薄膜のドライフィルム１０を、テープ基材搬送孔ＰＨ１の幅方向内側の部分に貼り付ける（ラミネートする）工程であり、この際、全ての実装用搬送孔ＰＨ２がドライフィルム１０で覆われることとなる（図３（ｂ）参照）。なお、ドライフィルム１０ではなく、液体レジストを使用した場合には、各実装用搬送孔ＰＨ２を覆うレジストパターンを形成することができないため、後述するエッチング工程Ｓ５の際、実装用搬送孔ＰＨ２の内部にエッチング液が入り込んでしまい、実装用搬送孔ＰＨ２の周りの銅層２２が除去されてしまう。しかし、本実施形態のようにドライフィルム１０を採用することで、その問題が解消されている。
【００２６】
次に、前記した製造方法によりＴＡＢテープ母材２０を製造する様子を図１〜図３を参照して説明する。
まず、図２（ｂ）および図３（ａ）に示すように、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２をプレスにより同一工程で形成する（搬送孔形成工程Ｓ１’；図１参照）。その後、図２（ｃ）および図３（ｂ）に示すように、テープ基材２０’の両縁部に形成されたテープ基材搬送孔ＰＨ１の幅方向内側の部分に、各実装用搬送孔ＰＨ２上も含めてドライフィルム１０をラミネートする（ドライフィルムラミネート工程Ｓ２’；図１参照）。
【００２７】
続いて、露光工程Ｓ３において、各実装用搬送孔ＰＨ２の幅方向内側の部分の銅層２２に配線パターンＷＰを形成し、かつ、各実装用搬送孔ＰＨ２の周りに銅層２２を残すように、フォトマスクを介してパターン光を照射（露光）し、ドライフィルム１０に所定のレジストパターンを形成する（図２（ｄ）参照）。その後、現像、エッチング、レジスト剥膜の各工程Ｓ４〜Ｓ６を行うことで、銅層２２に配線パターンＷＰを形成するとともに（図３（ｃ）参照）、各実装用搬送孔ＰＨ２の周りに補強用の銅層２２を残す（図２（ｅ）〜（ｇ）参照）。
【００２８】
その後は、従来と同様に、すなわち図２（ｈ）〜（ｋ）に示すように、Ｓｎメッキ２４を施してから（メッキ工程Ｓ７）、補強フィルム２３を剥離し（剥離工程Ｓ８）、ソルダーレジスト２５を印刷し（印刷工程Ｓ９）、図３（ｃ）に示すＴＡＢテープ母材２０の製造を完了する。
【００２９】
ＴＡＢテープ母材２０の製造完了後は、ＴＡＢテープ母材２０を、長手方向に沿って分割して、所定幅の三つのＴＡＢテープ２６を製造する（スリット工程Ｓ１１）。その後、ＴＡＢテープ２６は、それぞれ各種点検が行われてから出荷される（点検工程Ｓ１２、出荷工程Ｓ１３）。
【００３０】
以上によれば、本実施形態において以下のような効果を得ることができる。
搬送孔形成工程Ｓ１’において、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２がまとめて形成されるので、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２の位置ずれを抑制することができる。また、パンチング加工が一回で済むので、従来のような二回のパンチング加工に伴う傷、異物の発生をも抑制することができる。さらには、従来別途行っていた実装用搬送孔ＰＨ２のパンチング工程が不要となるので、製造時間の短縮を図ることもできる（図３、図７参照）。
さらに、ドライフィルム１０を採用することで、実装用搬送孔ＰＨ２の周りに銅層２２を残すことができるので、実装用搬送孔ＰＨ２の機械的強度を上げることができる。それにより、半導体素子の実装ラインにおいて、補強された実装用搬送孔ＰＨ２を用いてＴＡＢテープ２６を良好に搬送することができる。
【００３１】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、以下に例示するように様々な形態で利用できる。
すなわち、前記実施形態では、ＴＡＢ方式で使用する半導体装置用テープキャリアについて本発明を適用したが、本発明はこれに限定されず、どのような方式の半導体装置用テープキャリアにも適用できる。
また、テープ幅、材料、搬送孔のピッチ、搬送孔の列数等は特に限定されるものではなく、任意に設定できる。
【実施例】
【００３２】
以下に、前記した実施形態についての実施例を説明する。
本実施例における各種条件は、以下のようになっている。
（１）分割前のテープ基材２０’（ＴＡＢテープ母材２０）の幅：１５８ｍｍ
（２）分割後のＴＡＢテープ２６の幅：４８ｍｍ
（３）ポリイミド樹脂テープ２１の厚さ：３８μｍ
（４）銅層２２の厚さ：８μｍ
（５）ドライフィルム１０の厚さ：５μｍ
（６）配線パターンＷＰ中の配線ピッチ：４０μｍ
【００３３】
以上の条件にて、従来の製造方法と前記実施形態の製造方法のそれぞれを用いてＴＡＢテープ母材２０を製造した。その結果、図４に示すように、従来の製造方法では、最大位置ずれが３５μｍになるのに対し、前記実施形態の製造方法では、５μｍ程度に抑えられることが分かった。すなわち、前記実施形態の製造方法では、最大位置ずれが飛躍的に改善されることが確認された。
【００３４】
なお、前記した最大位置ずれの測定方法としては、以下のような方法を採用した。
まず、ＴＡＢテープ母材２０の実装用搬送孔ＰＨ２を基準として、製品パターン（配線パターン；テープ基材搬送孔ＰＨ１基準で形成）のアライメントマークの位置を工場顕微鏡にて測定し、図面値とのずれを評価することで、テープ基材搬送孔ＰＨ１と実装用搬送孔ＰＨ２との位置ずれを測定した。そして、この測定を３０回以上行い、そのときの最大値を最大位置ずれとした。
【００３５】
ちなみに、前記した各種条件でＴＡＢテープ母材２０を製造することで、以下のような効果を得ることができる。
（i）銅層２２の厚さを１２μｍ以下とし、ポリイミド樹脂テープ２１の厚さを５０μｍ以下とすることにより、ＴＡＢテープ母材２０（およびＴＡＢテープ２６）の折り曲げ特性の向上や、配線パターンＷＰのファインピッチの確保を実現できる。
（ii）分割前のテープ基材２０’（ＴＡＢテープ母材２０）の幅を、９６ｍｍ以上である１５８ｍｍとすることにより、例えば３５ｍｍ幅のＴＡＢテープ２６や４８ｍｍ幅のＴＡＢテープ２６を少なくとも二つ分確保することができる。
（iii）ドライフィルム１０と銅層２２との総厚を、配線パターンＷＰの配線ピッチ４０μｍ未満とすることで、配線パターンＷＰの微細化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本実施形態に係るＴＡＢテープ母材およびＴＡＢテープの製造方法を示す製造工程図である。
【図２】テープ基材からＴＡＢテープ母材およびＴＡＢテープを形成する様子を示す断面図であり、（ａ）は製造ラインに投入されるテープ基材を示し、（ｂ）は搬送孔形成工程、（ｃ）はドライフィルムラミネート工程、（ｄ）は露光工程、（ｅ）は現像工程、（ｆ）はエッチング工程、（ｇ）はレジスト剥膜工程、（ｈ）はメッキ工程、（ｉ）は剥離工程、（ｊ）は印刷工程、（ｋ）はスリット工程をそれぞれ示している。
【図３】テープ基材からＴＡＢテープ母材を形成する様子を示す平面図であり、（ａ）は全ての搬送孔を形成した状態、（ｂ）はドライフィルムをラミネートした状態、（ｃ）は配線パターンを形成した状態をそれぞれ示している。
【図４】本実施形態の製造方法と従来の製造方法により製造した各ＴＡＢテープ母材のテープ基材搬送孔と実装用搬送孔との最大位置ずれを比較した表である。
【図５】従来のテープ基材の構造を示す断面図である。
【図６】従来のＴＡＢテープ母材の製造方法を示す製造工程図である。
【図７】テープ基材からＴＡＢテープ母材を形成する様子を示す平面図であり、（ａ）はテープ基材搬送孔を形成した状態、（ｂ）は液体レジストを塗布した状態、（ｃ）は配線パターンを形成した状態、（ｄ）は実装用搬送孔を形成した状態をそれぞれ示している。
【符号の説明】
【００３７】
Ｓ１    パンチング工程（テープ基材搬送孔ＰＨ１）
Ｓ２    レジストコート工程
Ｓ３    露光工程
Ｓ４    現像工程
Ｓ５    エッチング工程
Ｓ６    レジスト剥膜工程
Ｓ７    メッキ工程
Ｓ８    剥離工程
Ｓ９    印刷工程
Ｓ１０  パンチング工程（実装用搬送孔ＰＨ２）
Ｓ１１  スリット工程
Ｓ１２  点検工程
Ｓ１３  出荷工程
Ｓ１’  搬送孔形成工程
Ｓ２’  ドライフィルムラミネート工程
１０    ドライフィルム
２０    ＴＡＢテープ母材（半導体装置用テープキャリア）
２０’  テープ基材
２１    ポリイミド樹脂テープ
２２    銅層
２３    補強フィルム
ＰＨ１  テープ基材搬送孔
ＰＨ２  実装用搬送孔
ＷＰ    配線パターン
２４    Ｓｎメッキ
２５    ソルダーレジスト
２６    ＴＡＢテープ（実装用テープキャリア）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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