(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｃｏ含有量が４０〜８０ａｔ％、Ｆｅ含有量が１５〜４０ａｔ％、Ｎｉ含有量が５〜２０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％であり、飽和磁束密度が１．８Ｔ以上、保磁力が８Ｏｅ以下であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜。
【請求項２】
保磁力が３Ｏｅ以下であることを特徴とする請求項１記載の軟磁性薄膜。
【請求項３】
Ｃｏ含有量が５０〜７０ａｔ％、Ｆｅ含有量が２０〜３０ａｔ％、Ｎｉ含有量が１０〜１５ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜２ａｔ％であることを特徴とする請求項１または２記載の軟磁性薄膜。
【請求項４】
Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、総金属塩濃度が０．５モル／リットル以下である無電解めっき浴を用いて形成された請求項１〜３のいずれか１項記載の軟磁性薄膜。
【請求項５】
ホウ素含有還元剤としてジメチルアミンボランを０．０１〜０．３モル／リットルで用いることを特徴とする請求項４記載の軟磁性薄膜。
【請求項６】
めっき浴を定量的に撹拌することによって得られたことを特徴とする請求項４または５記載の軟磁性薄膜。
【請求項７】
Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、総金属塩濃度が０．５モル／リットル以下である無電解めっき浴中に基板を浸漬して無電解めっきを行い、上記基板上に請求項１、２または３記載の軟磁性薄膜を形成することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項８】
ホウ素含有還元剤としてジメチルアミンボランを０．０１〜０．３モル／リットルで用いることを特徴とする請求項７記載の軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項９】
めっき浴を定量的に攪拌することを特徴とする請求項７または８記載の軟磁性薄膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１項記載の軟磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部もしくは全部に用いた薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッド、さらには薄膜インダクタや薄膜トランスなどの磁気デバイスの磁極材料として好適な軟磁性薄膜およびその製造方法、並びに磁気記憶装置用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
軟磁性薄膜は、薄膜磁気ヘッドや薄膜インダクタ、薄膜トランスなどの工業分野などで広く用いられている。薄膜磁気ヘッドにおいては、高密度磁気記録を行うために、ますます強くかつ高速に変化する書き込み磁界を発生させる必要がある。特に高記録密度を達成するためには、ヘッドにはヘッドそのものの微細化とヘッドコア先端の書き込み部の微細化が必要とされている。また、微細なヘッドでは、そのコア材料からの書き込み能力が減少するために、高い書き込み能力を得るためには高飽和磁束密度Ｂｓが必要である。無電解めっき法は、現行の電気めっき法に比べ、外部電源を用いず成膜が可能という特徴から、微細で複雑なパターンにおいても均一な膜厚、均一な組成が得やすい成膜方法である。そのために、無電解めっき法による磁気ヘッドコアの作製が期待される。また、薄膜インダクタ、薄膜トランスなどにおいても、ヘッド同様に高飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が求められており、より微細なパターンが求められている。
【０００３】
無電解めっき法によるヘッドコア作製の試みは、たとえば、日本応用磁気学会誌２３巻、４−２号、１３９７〜１４００ページにより報告されている。
【０００４】
高Ｂｓを有する軟磁性薄膜としては、たとえば、特許第２８２１４５６号に電気めっき法によるＢｓが１．７〜２．１Ｔを有するＣｏＮｉＦｅ軟磁性薄膜の製造方法が示されている。
【０００５】
無電解めっき法による高Ｂｓを有する軟磁性薄膜としては、たとえば特開平７−２２０９２１号公報において、Ｂｓ＝１．６−１．８Ｔを有するＣｏＦｅＢ軟磁性薄膜の作製方法が示されている。
【０００６】
Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙの２０００年４９１号１９７〜２０２ページには、無電解めっき法によるＣｏ77Ｎｉ13Ｆｅ9Ｂ1軟磁性薄膜の作製方法が示されているが、Ｂｓは１．５Ｔ〜１．７Ｔ程度と高くない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、無電解めっき法により得られたＢｓが１．７Ｔ以上の値を有する軟磁性薄膜、その製造方法、その軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、高い書き込み能力を有する微細なヘッドを作るためには、無電解めっき法により高Ｂｓを有する軟磁性薄膜を作製する必要がある点に鑑み、鋭意検討を行った結果、無電解めっき法によりＣｏ、Ｎｉ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｃｏ含有量が４０〜８０ａｔ％、Ｆｅ含有量が１５〜４０ａｔ％、Ｎｉ含有量が５〜２０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％である薄膜を、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含み、総金属塩濃度が０．５モル／リットル以下、特にホウ素含有還元剤としてジメチルアミンボランが０．０１〜０．２モル／リットルである無電解めっき浴を用いて、Ｂｓが１．８Ｔ以上、保磁力が８Ｏｅ以下の軟磁性薄膜の作製が可能であること、また、めっき液の撹拌を行うことで、より低保磁力を有する軟磁性薄膜の作製も可能であることを知見し、本発明をなすに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｃｏ含有量が４０〜８０ａｔ％、Ｆｅ含有量が１５〜４０ａｔ％、Ｎｉ含有量が５〜２０ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％であり、保磁力が８Ｏｅ以下、特に３Ｏｅ以下、飽和磁束密度が１．８Ｔ以上であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜を提供する。また、本発明は、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤、ホウ素含有還元剤を含有し、総金属塩濃度が０．５モル／リットル以下である無電解めっき浴中に基板を浸漬して無電解めっきを行い、上記基板上に上記軟磁性薄膜を形成することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法を提供する。さらに、上記軟磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部もしくは全部に用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。本軟磁性薄膜を薄膜磁気記録ヘッドの磁極材料の一部もしくは全部に用いた薄膜磁気ヘッドは、より微細で高い書き込み能力を付与することが可能であり、高密度、高速記録が可能となる。
【００１０】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
【００１１】
本発明の軟磁性薄膜は、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅおよびＢを含有し、Ｃｏ含有量が４０〜８０ａｔ％、好ましくは５０〜７０ａｔ％、Ｆｅ含有量が１５〜４０ａｔ％、好ましくは２０〜３０ａｔ％、Ｎｉ含有量が５〜２０ａｔ％、好ましくは１０〜１５ａｔ％、Ｂ含有量が０．５〜５ａｔ％、好ましくは０．５〜２ａｔ％であり、保磁力が８Ｏｅ以下、好ましくは５Ｏｅ以下、更に好ましくは３Ｏｅ以下である。
【００１２】
また、Ｂｓは１．８Ｔ以上である。
【００１３】
本発明の軟磁性薄膜のうち、Ｎｉ含有量が１０ａｔ％以上と高いめっき膜は、良好な耐食性を示す。また、異方性磁界を２５〜３０ｅと高く付与することが可能である。軟磁性薄膜に適度の磁気異方性を付与したい場合には、めっき中に直交磁場をかけることが好ましい。また、成膜後に磁場中で熱処理を行うことでも異方性を付与することが可能である。
【００１４】
本発明の軟磁性薄膜は、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン、錯化剤およびホウ素含有還元剤を含有するめっき浴を用いる無電解めっき法により、容易に形成可能である。
【００１５】
めっき浴中におけるＣｏイオン濃度、Ｆｅイオン濃度およびＮｉイオン濃度は、目的とする膜組成や要求される膜形成速度などに応じて適宜決定するが、Ｃｏイオン、Ｆｅイオン、Ｎｉイオン濃度の合計は０．５モル／リットル以下、好ましくは０．２モル／リットル以下である。この場合、通常、Ｃｏイオン濃度を０．０２〜０．２モル／リットル、Ｆｅイオン濃度を０．００５〜０．０５モル／リットル、Ｎｉイオン濃度を０．００１〜０．０１モル／リットルとする。好ましくはＣｏイオン濃度を０．０４〜０．１モル／リットル、Ｆｅイオン濃度を０．０２〜０．０６モル／リットル、Ｎｉイオン濃度を０．０２〜０．０６モル／リットルとする。
【００１６】
これらの金属イオンの供給源は、硫酸塩、スルファミン酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の水溶性の塩から選択することが好ましく、特に硫酸塩を用いることが好ましい。
【００１７】
還元剤としてはホウ素系還元剤を用いる必要がある。ホウ素系還元剤としては、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、水素化硼素ナトリウム等が好ましく、特にジメチルアミンボランが好ましい。ホウ素系還元剤の濃度は、０．０１〜０．５０モル／リットルであることが好ましい。特にジメチルアミンボランの場合は０．０１〜０．３モル／リットルが好ましく、０．０２５〜０．２モル／リットルが特に好ましい。
【００１８】
めっき浴中には、錯化剤イオンが必要である。錯化剤イオンとしては有機酸イオンが好ましく、具体的には、酒石酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、リンゴ酸、グルコン酸などのカルボン酸や、これらの塩を錯化剤としてめっき浴に添加することが好ましく、特に酒石酸もしくはその塩およびクエン酸もしくはその塩、とりわけ酒石酸ナトリウムおよびクエン酸ナトリウムを用いることが好ましい。錯化剤濃度は高くなると析出速度が減少し、それに伴い軟磁気特性が劣化するために、ある程度低いことが必要である。錯化剤イオンの濃度は、用いる錯化剤に応じて適宜決定するが、好ましくは２．０モル／リットル以下、より好ましくは０．１〜０．８モル／リットルである。
【００１９】
めっき浴中には、アンモニア源が含まれることが好ましい。アンモニア源としては硫酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどのアンモニウム塩が好ましい。アンモニアは添加することで析出速度が増加し、軟磁気特性が向上するが、添加量が多いと逆に析出速度が減少するために適量添加することが必要である。添加濃度は組み合わされる錯化剤と析出速度により適宜決定するが、０．０５モル／リットル以上が好ましく、より好ましくは０．１〜０．５モル／リットルである。
【００２０】
めっき浴には亜燐酸イオン等の結晶調整剤を用いても良く、このときの濃度は０．０１モル／リットル以上、特に０．０１〜０．２モル／リットルが好ましい。
【００２１】
めっき浴には、必要に応じ、硼酸等の緩衝剤などを添加してもよい。
【００２２】
なお、めっき浴のｐＨは２〜１０、特に６〜１０とすることが好ましい。
【００２３】
上記めっき浴を用いて軟磁性薄膜を形成する場合は、軟磁性薄膜を形成すべき所用の基板に、その基板に応じた公知の前処理、活性化処理を施した後、この基板を上記めっき浴に浸漬するものである。なお、軟磁性薄膜を析出させる基板は用途に応じて適宜選択すればよく、導電層の有無を問わない。
【００２４】
この無電解めっきにおいて、めっき温度は４０〜９５℃が好ましく、特に６０〜８０℃がより好ましい。
【００２５】
また、めっき反応を促進させ、析出速度を増加させることにより軟磁気特性が得られ易いために、めっき液の撹拌を行うことが好ましい。このときの撹拌方法は基板の揺動や、回転ディスク電極撹拌めっき装置、めっき浴循環濾過装置によるめっき液の撹拌、パドルめっき装置による撹拌など、定量的な撹拌が好ましい。このときの撹拌速度は、撹拌手法により異なるが、撹拌を行わないときに比べ析出速度を増加させる撹拌速度で行うことが好ましく、特に析出速度が１０％以上増加する範囲で行うことが好ましい。めっき浴の攪拌を行わないと、特に膜中の鉄含有量が１５ａｔ％を超えるような高鉄含有量の軟磁性薄膜において、５Ｏｅ以下の低保磁力が得がたいものである。
【００２６】
なお、めっき膜（軟磁性薄膜）の厚さは適宜選定されるが、通常０．３〜５μｍ、特に０．５〜３μｍの範囲である。
【００２７】
以下、本軟磁性薄膜（めっき膜）のヘッドへの応用方法について図面を参照して説明する。
【００２８】
図１は、本発明の磁気ヘッドの一実施形態であり、図１（ａ）は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース（ＡＢＳ）と垂直な断面図及び図１（ｂ）は、ＡＢＳから見た断面図である。
【００２９】
ここで、１は基板、２は被覆層、３は下シールド層、４はギャップ層、５は磁気抵抗効果素子、６は下部磁性層、６’は上シールド層、７は下部磁極端、８はギャップ層、９は上部磁極端、１０は書き込みコイル、１１は絶縁層、１２は上部磁性層、１３は被覆層を示す。
【００３０】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層６とギャップ層８が積層され、その上にパターニングされた上部磁極端９を配置し、パターニングした絶縁層１１と導体層からなる書き込みコイル１０を配置し、それらの上に上部磁性層１２が積層されて成る記録用ヘッドと、下シールド層３の上に２つのギャップ層４に挟まれた磁気抵抗効果素子５を配置し、それらの上に上シールド層６’が積層されて成る再生用ヘッドとからなる。本第１の実施の形態では、下部磁性層６と上シールド層６’は同一のものである。ここで、下シールド層３は基板１上にスパッタ等により形成されたアルミナからなる被覆層２上に形成されている。さらに、上部磁性層１２上は、スパッタ等によって形成されたアルミナからなる被覆層１３によって覆われている。
【００３１】
薄膜磁気ヘッドは、インダクティブヘッド素子を形成する上部磁性層１２、上部磁極端９および下部磁性層６のうち全部もしくは一部に本発明の軟磁性薄膜（ＣｏＮｉＦｅＢめっき膜）を配置可能である。この場合、無電解めっき法で作製するために、絶縁層４、１１もしくはギャップ層８上に電気めっきに必要な導通層を用いる必要性が無く、非常に薄い金属層もしくはＰｄ活性化などを用いれば良い。その上に無電解めっき法により本発明の薄膜を形成することができ、無電解めっき法であるために非常な微細部においても、均一に再現性よく成膜が可能である。
【００３２】
なお、どの部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いるかは、組み合わせる軟磁性薄膜のＢｓ、比抵抗、及び膜厚により異なる。
【００３３】
本発明のＢｓが高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かすのならば、上部磁極端９のみに用いればよい。他の下部磁極６及び上部磁極１２には、電気めっき及び無電解めっきによるパーマロイ薄膜などを用いることができる。
【００３４】
さらに、本発明のＢｓが高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かし、上部磁極端９、下部磁極６及び上部磁極１２のすべてのインダクティブヘッド用磁極材料に用いてもよい。
【００３５】
本発明よりＢｓが高い軟磁性薄膜と組み合わされる場合、上部磁極端９に本発明より高いＢｓを有する軟磁性薄膜を用い、下部磁極６及び上部磁極１２の片方もしくは両方に、本発明のＣｏＮｉＦｅＢ膜を用いてもよい。
【００３６】
上部磁性層１２および下部磁性層６の膜厚は、うず電流による高周波での透磁率低下を避けるため５μｍ以下であり、３μｍ以下が好ましい。
【００３７】
図２は、本発明の磁気ヘッドの他の実施形態であり、図２（ａ）は、磁気ヘッドのエアベアリングサーフェース（ＡＢＳ）と垂直な断面図及び図２（ｂ）は、ＡＢＳから見た断面図である。
【００３８】
図２に示す薄膜磁気ヘッドは、下部磁性層６、パターニングされた下部磁極端７とギャップ層８が積層され、その上にパターニングされた上部磁極端９を配置し、パターニングした絶縁層１１と導体層からなる書き込みコイル１０を配置し、それらの上に上部磁性層１２が積層されて成る記録用ヘッドと、下シールド層３の上に２つのギャップ層４に挟まれた磁気抵抗効果素子５を配置し、それらの上に上シールド層６’が積層されて成る再生用ヘッドとからなる。本第２の実施の形態では、下部磁性層６と上シールド層６’は同一のものである。ここで、下シールド層３は基板１上にスパッタ等により形成されたアルミナからなる被覆層２上に形成されている。さらに、上部磁性層１２上は、スパッタ等によって形成されたアルミナからなる被覆層１３によって覆われている。
【００３９】
薄膜磁気ヘッドは、インダクティブヘッド素子を形成する上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち全部もしくは一部に本発明のＣｏＮｉＦｅＢめっき膜を配置可能である。この場合も、無電解めっき法で作製するために、絶縁層４、１１もしくはギャップ層８上に電気めっきに必要な導通層を用いる必要性が無く、非常に薄い金属層もしくはＰｄ活性化などを用いれば良い。その上に無電解めっき法により本発明の薄膜を形成することができ、無電解めっき法であるために非常な微細部においても、均一に再現性よく成膜が可能である。
【００４０】
どの部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いるかは、組み合わせる軟磁性薄膜のＢｓ、比抵抗、及び膜厚により異なる。本発明のＢｓが高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かすのならば上部磁極端９及び下部磁極端７の両方もしくは片方のみに用いればよい。上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち本発明であるＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いなかった部分には、電気めっき及び無電解めっきによるパーマロイ薄膜などを用いることができる。本発明のＢｓが高く微細パターンの作製が容易であるという点を活かし、上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のすべてのインダクティブヘッド用磁極材料に用いてもよい。本発明よりＢｓが高い軟磁性薄膜と組み合わされる場合、上部磁極端９及び下部磁極端７の両方もしくは片方のみに本発明より高いＢｓを有する軟磁性薄膜を用い、上部磁性層１２、上部磁極端９、下部磁性層６及び下部磁極端７のうち本発明より高いＢｓを有する膜を用いなかった部分にＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を用いることができる。
【００４１】
なお、上部磁性層１２および下部磁性層６の膜厚は、うず電流による高周波での透磁率低下を避けるため５μｍ以下であり、３μｍ以下が好ましい。
【００４２】
以上のように構成された薄膜磁気ヘッドは、本発明のＢｓが高いＣｏＮｉＦｅＢ薄膜を有する効果で、従来のヘッドに比べて高い書き込み能力を持つ。また、上部磁極端９や下部磁極端７を無電解めっき法で作製すれば、磁極端幅を容易に微細化が可能である。その結果、保磁力の大きな磁気ディスク媒体に低ノイズで分解能の高い磁気記録パターンを書き込むことができる。
【００４３】
【実施例】
以下、実施例と参考例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００４４】
[実施例１〜４、比較例１，２、参考例１〜４]
表１に示す組成の無電解めっき浴を調製し、これを用いて表１に示す条件で無電解めっきを行った。
【００４５】
なお、表１において、ＩＥＩＣＥ  ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  １９９５年Ｅ７８−Ｃ巻第１１号の１５３０〜１５３５ページに示されるＮｉＦｅＢ軟磁性薄膜、特開平７−２２０９２１号公報に示されるＣｏＦｅＢ軟磁性薄膜、Ｔｈｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙの２０００年４９１号１９７〜２０２ページに示されるＣｏ77Ｎｉ13Ｆｅ9Ｂ1軟磁性薄膜をそれぞれ参考例１〜３として示す。
【００４６】
この場合、基板としては、Ｃｕ／Ｔｉをスパッタしたガラスウェハもしくはシリコンウェハを用いた。この基板を１０％硫酸に１分間浸漬した。更に、１０ｐｐｍ塩化パラジウム溶液に５秒間浸漬して活性化処理を行なった。この基板に、表１に示すめっき浴を用いて無電解めっきにより１μｍ成膜を行った。めっき中の基板には交番直交磁場を印加した。すなわち、永久磁石を２つ対にして向かい合わせることで直流磁場を起こし、磁場中にて成膜を行った。なお、撹拌はパドル撹拌装置にて行った。
【００４７】
各薄膜について、厚さを重量法で、飽和磁束密度（Ｂｓ）および保磁力（Ｈｃ）をＶＳＭで、透磁率（μ）を１ターンコイル法で測定した。各薄膜の組成分析は蛍光Ｘ線分析により含有金属組成比を、また硝酸により溶解した後プラズマ発光分析を行ない、膜中の金属含有率とＢ含有率を定量した。耐食性試験には、２．５重量％の食塩水中にて毎秒１０ｍＶで走引し、溶け出し電位から求めた。このとき基準電極には、銀／塩化銀電極を用いた。つまり、より正な電位ほど優れた耐食性を示している。
【００４８】
結果を表２に示す。
【００４９】
【表１】
0004645784.tif 000002
【００５０】
【表２】
0004645784.tif 000003
【００５１】
表１および表２に示される結果から、本発明の効果が明らかである。すなわち、参考例４と本発明に係る実施例１〜４は、８Ｏｅ以下の良好な軟磁気特性を示すが、本発明の範囲をはずれると、良好な軟磁気特性は得られない。更に詳述すると、参考例４と比較例１より、Ｆｅ含有量を比較的低くおさえれば、撹拌なしでＨｃ＜８Ｏｅが得られる。また、参考例４と参考例２より、Ｎｉを膜中に含有するために耐食性がよいめっき薄膜が得られている。参考例４と参考例１及び３を比較することで、本めっき膜はＣｏが多く、更にＦｅが１５ａｔ％なので、Ｂｓ≧１．７Ｔが得られている。また、参考例１と同様に高い耐食性が得られている。
【００５２】
更に、実施例１〜４と比較例１及び２より、鉄含有量が高いときは低保磁力が得られないが、撹拌を行うことで、８Ｏｅ以下、特に５Ｏｅ以下の低保磁力が得られることがわかる。
【００５３】
一方、実施例１と実施例２及び３を比較して、撹拌を効果的に行うためには浴組成に適した撹拌速度がある。また、実施例２及び３と実施例４から、撹拌速度には最適値があることがわかる。
【００５４】
以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである。
【００５５】
なお、図１、２の薄膜磁気ヘッドに示すようにヘッドコアの作製を試みたところ、高い飽和磁束密度を持つ軟磁性薄膜を有した微細なヘッドを作製できた。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の軟磁性薄膜は、良好な低保磁力、高いＢｓを有し、この軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッドは、高い書き込み能力を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】上部コアの一部に本発明である高飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ軟磁性薄膜を無電解めっき法により作製した薄膜磁気ヘッドを示し、（ａ）は磁気ヘッドのエアベアリングサーフェースと垂直な断面図、(ｂ)は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図２】上部コア及び下部コアの一部に本発明である高飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅ軟磁性薄膜を無電解めっき法により作製した薄膜磁気ヘッドを示し、（ａ）は磁気ヘッドのエアベアリングサーフェースと垂直な断面図、(ｂ)は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１    基板
２    被覆層
３    下シールド層
４    ギャップ層
５    磁気抵抗効果素子
６    下部磁性層
６’  上シールド層
７    下部磁極端
８    ギャップ層
９    上部磁極端
１０    書き込みコイル
１１    絶縁層
１２    上部磁性層
１３    被覆層
【図１】
0004645784.tif 000004
【図２】
0004645784.tif 000005