(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第２の導電パターンから形成される支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第１の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第１の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが前記第２の導電パターンを上側にして固着された導電箔パターンを埋め込んだ第２の絶縁性樹脂と、
前記第２の導電パターン上に実装された第２の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの前記支持基板における前記第２の導電パターンと同一の面に設けられた取り出し電極と前記導電箔パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記導電箔パターンに形成された外部接続電極とを有することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、ＬＳＩであることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記導電箔パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項７】
前記第１の導電パターン、前記第２の導電箔パターンおよび前記導電箔パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項８】
前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項９】
第１の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第２の導電パターンから形成される第１の支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第１の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第１の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
第３の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けた第４の導電パターンを有し、前記半導体モジュールが第２の導電パターンを上側にして第３の導電パターンに固着された第２の支持基板と、
前記第２の導電パターン上に実装された第２の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの前記第１の支持基板における前記第２の導電パターンと同一の面に設けられた取り出し電極と前記第３の導電パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記半導体モジュール、前記裏面チップ部品および前記金属細線を被覆し、且つ全体を支持する第２の絶縁性樹脂と、
前記第４の導電パターンに形成された外部接続電極とを有することを特徴とする回路モジュール。
【請求項１０】
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、ＬＳＩであることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１１】
前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１２】
前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１３】
前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１４】
前記第３の導電パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１５】
前記第１の導電パターン、前記第２の導電パターン、第３の導電パターンおよび第４の導電パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【請求項１６】
前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路モジュールに関し、特に回路モジュール内部に於いて、半導体素子を立体的に実装することを可能とする回路モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器にセットされる回路モジュールは、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。
【０００３】
例えば、回路モジュールとして半導体装置を例にして述べると、一般的な半導体装置として、従来通常のトランスファーモールドで封止されたパッケージ型半導体装置がある。この半導体装置は、図１５のように、プリント基板ＰＳに実装される。
【０００４】
またこのパッケージ型半導体装置は、半導体チップ２の周囲を樹脂層３で被覆し、この樹脂層３の側部から外部接続用のリード端子４が導出されたものである。
【０００５】
しかしこのパッケージ型半導体装置１は、リード端子４が樹脂層３から外に出ており、全体のサイズが大きく、小型化、薄型化および軽量化を満足するものではなかった。
【０００６】
そのため、各社が競って小型化、薄型化および軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰ、またはチップサイズよりも若干大きいサイズのＣＳＰが開発されている。
【０００７】
図１６は、支持基板としてガラスエポキシ基板５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板５にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明していく。
【０００８】
このガラスエポキシ基板５の表面には、第１の電極７、第２の電極８およびダイパッド９が形成され、裏面には第１の裏面電極１０と第２の裏面電極１１が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、前記第１の電極７と第１の裏面電極１０が、第２の電極８と第２の裏面電極１１が電気的に接続されている。またダイパッド９には前記ベアのトランジスタチップＴが固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極７が金属細線１２を介して接続され、トランジスタのベース電極と第２の電極８が金属細線１２を介して接続されている。更にトランジスタチップＴを覆うようにガラスエポキシ基板５に樹脂層１３が設けられている。
【０００９】
前記ＣＳＰ６は、ガラスエポキシ基板５を採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴから外部接続用の裏面電極１０、１１までの延在構造が簡単であり、安価に製造できるメリットを有する。
【００１０】
また前記ＣＳＰ６は、図１５のように、プリント基板ＰＳに実装される。プリント基板ＰＳには、電気回路を構成する電極、配線が設けられ、前記ＣＳＰ６、パッケージ型半導体装置１、チップ抵抗ＣＲまたはチップコンデンサＣＣ等が電気的に接続されて固着される。
【００１１】
そしてこのプリント基板で構成された回路は、色々なセットの中に取り付けられる。
【００１２】
つぎに、このＣＳＰの製造方法を図１７および図１８を参照しながら説明する。
【００１３】
まず基材（支持基板）としてガラスエポキシ基板５を用意し、この両面に絶縁性接着剤を介してＣｕ箔２０、２１を圧着する。（以上図１７（Ａ）を参照）
続いて、第１の電極７，第２の電極８、ダイパッド９、第１の裏面電極１０および第２の裏面電極１１対応するＣｕ箔２０、２１に耐エッチング性のレジスト２２を被覆し、Ｃｕ箔２０、２１をパターニングする。尚、パターニングは、表と裏で別々にしても良い（以上図１７（Ｂ）を参照）
続いて、ドリルやレーザを利用してスルーホールＴＨのための孔を前記ガラスエポキシ基板に形成し、この孔にメッキを施し、スルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴＨにより第１の電極７と第１の裏面電極１０、第２の電極８と第２の裏面電極１０が電気的に接続される。（以上図１７（Ｃ）を参照）
更に、図面では省略をしたが、ボンデイングポストと成る第１の電極７，第２の電極８にＡｕメッキを施すと共に、ダイボンディングポストとなるダイパッド９にＡｕメッキを施し、トランジスタチップＴをダイボンディングする。
【００１４】
最後に、トランジスタチップＴのエミッタ電極と第１の電極７、トランジスタチップＴのベース電極と第２の電極８を金属細線１２を介して接続し、樹脂層１３で被覆している。（以上図１７（Ｄ）を参照）
以上の製造方法により、支持基板５を採用したＣＳＰ型の電気素子が完成する。この製造方法は、支持基板としてフレキシブルシートを採用しても同様である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
図１６に於いて、トランジスタチップＴ、接続手段７〜１２および樹脂層１３は、外部との電気的接続、トランジスタの保護をする上で、必要な構成要素であるが、これだけの構成要素で小型化、薄型化、軽量化を実現する回路素子を提供するのは難しかった。
【００１６】
また、支持基板となるガラスエポキシ基板５は、前述したように本来不要なものである。しかし製造方法上、電極を貼り合わせるため、支持基板として採用しており、このガラスエポキシ基板５を無くすことができなかった。
【００１７】
そのため、このガラスエポキシ基板５を採用することによって、コストが上昇し、更にはガラスエポキシ基板５が厚いために、回路素子として厚くなり、小型化、薄型化、軽量化に限界があった。
【００１８】
更にまた、従来の回路モジュールでは、実装基板に平面的に半導体素子が実装されており、実装密度を向上させることが難しかった。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路モジュールは、前述した課題に鑑みて成され、第１に、絶縁樹脂に埋め込まれた第１の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第２の導電パターンから形成される支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第１の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第１の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
前記半導体モジュールが前記第２の導電パターンを上側にして固着された導電箔パターンを埋め込んだ第２の絶縁性樹脂と、
前記第２の導電パターン上に実装された第２の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記導電箔パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記導電箔パターンに形成された外部接続電極とを有することで解決するものである。
【００２０】
第２に、前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、ＬＳＩであることで解決するものである。
【００２１】
第３に、前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子よりも大きいことで解決するものである。
【００２２】
第４に、前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【００２３】
第５に、前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【００２４】
第６に、前記第導電箔パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることで解決するものである。
【００２５】
第７に、前記第１の導電パターン、前記第２の導電箔パターンおよび前記導電箔パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることで解決するものである。
【００２６】
第８に、前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることで解決するものである。
【００２７】
第９に、絶縁樹脂に埋め込まれた第１の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けられた第２の導電パターンから形成される第１の支持基板を有し、前記第１の導電パターンにフリップチップボンディングにより固着された第１の半導体素子および内部チップ部品を有し、前記半導体素子および前記内部チップ部品を被覆する第１の絶縁性樹脂を有する半導体モジュールと、
絶縁樹脂に埋め込まれた第３の導電パターンおよび層間絶縁膜を介して設けた第４の導電パターンを有し、前記半導体モジュールが第２の導電パターンを上側にして第３の導電パターンに固着された第２の支持基板と、
前記第２の導電パターン上に実装された第２の半導体素子および裏面チップ部品と、
前記半導体モジュールの取り出し電極と、前記第３の導電パターンとの電気的接続を行う金属細線と、
前記半導体モジュール、前記裏面チップ部品および前記金属細線を被覆し、且つ全体を支持する第２の絶縁性樹脂と、
前記第４の導電パターンに形成された外部接続電極とを有することで解決するものである。
【００２８】
第１０に、前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、ＬＳＩであることで解決するものである。
【００２９】
第１１に、前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子よりも大きいことで解決するものである。
【００３０】
第１２に、前記内部チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【００３１】
第１３に、前記裏面チップ部品は、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードであることで解決するものである。
【００３２】
第１４に、前記第３の導電パターンには、前記半導体モジュールの他にコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが実装されることで解決するものである。
【００３３】
第１５に、前記第１の導電パターン、前記第２の導電箔パターン、第３の導電パターンおよび第４の導電パターンは銅、アルミニウムまたは鉄−ニッケルのいずれかを主材料として構成されることで解決するものである。
【００３４】
第１６に、前記取り出し電極は、前記半導体モジュールの周辺部に設けられることで解決するものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】
回路モジュールの構造を説明する第１の実施の形態
先ず、本発明の回路モジュール３０について、図１を参照しながら説明する。図１（Ａ）は回路モジュール３０の断面図であり、図１（Ｂ）はその上面図である。本実施の形態では、第２の絶縁性樹脂３５Ｂに導電箔パターン３９が埋め込まれた、単層配線の導電箔パターン３９を有する回路モジュール３０を説明する。
【００３６】
図１（Ａ）を参照して、本発明に係る回路モジュール３０は、導電箔パターン３９と、導電箔パターン３９上に実装されたチップ部品３３および半導体モジュール４０と、半導体モジュール４０が有する第２の導電パターン３７上に実装された第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６と、半導体モジュール４０の取り出し電極４２と導電箔パターン３９との電気的接続を行う金属細線３４と、上記要素を被覆し且つ全体を支持する第２の絶縁性樹脂３５Ｂとから構成されている。
【００３７】
上記した回路モジュール３０を構成する各要素の説明を行う。
【００３８】
半導体モジュール４０は、第１の導電パターン４１に第１の半導体素子３１をフリップチップで実装して構成されている。そして、この半導体モジュール４０は導電箔パターン３９に、絶縁性接着剤を用いてフェイスアップで実装されている。半導体モジュール４０の取り出し電極４２と導電箔パターン３９との電気的接続は金属細線４０で行われている。また、半導体モジュール４０には第２の導電パターン３７に第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６が実装され、実装基板の働きも有する。半導体モジュール４０の詳細な構成および製造方法は後述する。
【００３９】
導電箔パターン３９としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を用いることができる。もちろん、他の導電材料でも可能であり、特にエッチングできる導電材、レーザで蒸発する導電材が好ましい。また、この導電箔パターン３９は、第２の絶縁性樹脂３５Ｂに埋め込まれている。従って、回路モジュール３０は、従来に於ける支持基板を必要としないので非常に薄型・軽量にすることができる。
【００４０】
チップ部品３３としては、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩがフェイスダウンで導電箔パターン３９に実装される。ここで、チップ部品３３は、半導体モジュール４０と電気的に接続される場合と、半導体モジュール４０と電気的に接続されない場合とがある。
【００４１】
裏面チップ部品３６としては、チップ部品３９と同じく、コンデンサ、抵抗、トランジスタ、またはダイオードが採用される。また、第２の半導体素子４７としてはＬＳＩが採用される。そして、裏面チップ部品３６および第２の半導体素子４７は、フェイスダウンで半導体モジュール４０の第２の導電パターン３７上に実装される。このように、半導体モジュール４０の裏面を実装基板として利用することにより、回路モジュール３０の実装密度を向上させることが可能となる。従って、回路モジュール３０を小型化・薄型化することができる。
【００４２】
ここで、第２の半導体素子４７、チップ部品３３および裏面チップ部品３６の接続は、金属接続板、ロウ材から成る導電ボール、半田等のロウ材、Ａｇペースト等の導電ペーストを用いて行う。
【００４３】
第２の絶縁性樹脂３５Ｂとしては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また絶縁性樹脂は、金型を用いて固める樹脂、ディップ、塗布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。本発明に於いて、絶縁性樹脂３５は半導体素子等を封止すると同時に、回路モジュール全体を支持する働きも有する。
【００４４】
図１（Ｂ）を参照して、取り出し電極４２は半導体モジュール４０の周辺部に設けられる。取り出し電極４２を介して、半導体モジュール４０と導電箔パターン３９は、金属細線３４で電気的に接続される。この図では取り出し電極４２は２０個程度だが、実際には多数設けられる。
【００４５】
次に、図２を参照して、導電箔パターン３９に実装される半導体モジュール４０の構造について説明する。図２（Ａ）は半導体モジュール４０の断面図であり、図２（Ｂ）はその上面図であり、図２（Ｃ）は裏面図である。
【００４６】
図２（Ａ）を参照して、半導体モジュール４０は、絶縁樹脂に埋め込まれた第１の導電パターン４１と、層間絶縁膜３８を介して設けた第２の導電パターン３７と、第１の導電パターンに固着された第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８と、第２の導電パターンに固着された第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６と、第２の導電パターンで形成される取り出し電極４２とから構成される。
【００４７】
次に、半導体モジュール４０を構成する各要素の説明を行う。
【００４８】
層間絶縁膜３８は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。また、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイト、窒化ボロン等が使用される。第１の導電パターン４１および第２の導電パターン３７はこの層間絶縁膜３８を介して接合され、支持基板の働きを有する。従って、従来の半導体装置で使用された実装基板を不要としていることから、半導体モジュール４０は薄型・軽量となっている。
【００４９】
第１の半導体素子３１としてはＬＳＩが採用され、第２の導電パターン３７から形成される接続電極４３にフリップチップ実装される。
【００５０】
内部チップ部品４８としては、コンデンサ、抵抗、トランジスタまたはダイオードが採用され、第１の半導体素子３１と同じように第２の導電パターン上にフリップチップ実装される。
【００５１】
第１の絶縁性樹脂３５Ａとしては、前述した第２の絶縁性樹脂３５Ｂと同じく、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。第１の絶縁性樹脂３５Ａは、第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８を被覆し、半導体モジュール４０全体を支持する働きを有する。
【００５２】
ここで、半導体モジュール４０は、第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６を実装する支持基板の働きを有する。従って、半導体モジュール４０を大きくするほど、より多数の半導体素子およびチップ部品を支持基板４６に実装することが可能となり、回路モジュール３０の実装密度を向上させることができる。
【００５３】
図２（Ｂ）を参照して、第２の導電パターン３７は、パッド４５および取り出し電極４２を形成する。そして、パット４５には、裏面チップ部品３６および第２の半導体素子４７が実装される。更に、第２の導電パターン３７は、パッド４５と取り出し電極４２を電気的に接続するパターンも形成する。また、反対の面に設けられた接続電極４３と、取り出し電極４２を電気的に接続するパターンも設けられる。このパターンは、スルーホール４４を介して、電気的接続を行っている。このことにより、より複雑な導電パターンを作成することができる。
【００５４】
図２（Ｃ）を参照して、第１の導電パターンは、主に、第１の半導体素子３１および内部チップ部品をフリップチップ実装するための接続電極４３を形成する。また、パット４５と取り出し電極４２の電気的接続を行うパターンも形成する。なお、第１の導電パターンおよび第２の導電パターン３７の材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔、またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が使用される。また、第１の導電パターン４１が第１の半導体素子３１とショートするのを防止するために、第１の導電パターン４１は絶縁性樹脂で部分的に覆われる。
【００５５】
本発明にかかる回路モジュール３０の特徴は、図１（Ａ）に示す如く、立体的に半導体素子が実装されることにある。
【００５６】
この特徴を具体的に説明する。半導体モジュール４０は、第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８を内蔵し、更に、その裏面には第２の導電パターン３７を有する。従って、第２の導電パターン３７で形成されるパッドに第２の半導体素子４７およびチップ部品３６を実装することができる。つまり、導電箔パターン３９に実装される半導体モジュール４０に、更に、第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６を実装することができる。このことから、従来に於いては実装基板上に平面的に半導体素子実装したが、本発明の回路モジュール３０は半導体素子を立体的に内蔵している。
【００５７】
また、半導体モジュール４０の支持基板は第１の導電パターン４１と第２の導電パターン３７を有するので、多層配線が可能となり、複雑な導電パターンを形成することができる。このことにより、第２の半導体素子４７としてＬＳＩ等の入力・出力端子の多い半導体素子を採用することが可能となる。
【００５８】
更に、半導体モジュール４０は複数の半導体素子を内蔵しており、その裏面の面積は半導体素子１つの大きさよりも大きい。従って、第２の半導体素子３７としては、第１の半導体素子３１と同等以上の大きさのＬＳＩを採用することができる。そして、複数の半導体素子を半導体モジュール４０の裏面に実装することができる。また、半導体モジュール４０は多層配線を有し、第２の半導体素子４７を実装する位置が規制されないので、任意の位置に第２の半導体素子４７を実装することができる。
【００５９】
更に、本発明の回路モジュール３０は、絶縁性樹脂３５Ｂで全体が支持されているので、必要最小限の構成要素で形成されている。
【００６０】
以上のことから、本発明の回路モジュール３０は薄型・軽量となっている。
回路モジュールの構造を説明する第２の実施の形態
本発明の回路モジュール５０について、図３を参照しながら説明する。図３（Ａ）は回路モジュール５０の断面図であり、図３（Ｂ）はその上面図である。ここで、図３に於いて、図１と同一の符号を付した部分は同一物を表している。
【００６１】
本実施の形態では、層間絶縁膜５３を介して設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電パターン５２を備えた回路モジュール５０を説明する。
【００６２】
図３（Ａ）を参照して、本発明に係る回路モジュール５０は、層間絶縁膜５３を介して設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電パターン５２と、第３の導電パターン５１上に実装されたチップ部品３３および半導体モジュール４０と、半導体モジュール４０が有する第２の導電パターン３７上に実装された第２の半導体素子４７および裏面チップ部品３６と、半導体モジュール４０の取り出し電極４２と導電パターン３９との電気的接続を行う金属細線３４と、上記要素を被覆し且つ全体を支持する第２の絶縁性樹脂３５Ｂとから構成されている。
【００６３】
このように、回路モジュール５０の構成要素は、第１の実施の形態で説明した回路モジュール３０と基本的に同一である。回路モジュール５０のポイントは、層間絶縁膜５３を介して設けられた第３の導電パターン５１および第４の導電パターン５２にある。従って、本実施の形態に於いては、このポイントのみについて説明を行い、それ以外の要素の説明は割愛する。
【００６４】
層間絶縁膜５３は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が望ましい。ペースト状のものを塗ってシートとするキャスティング法の場合、その膜厚は１０μｍ〜１００μｍ程度である。また、シートとして形成する場合、市販のものは２５μｍが最小の膜厚である。また、熱伝導性が考慮されて中にフィラーが混入されても良い。材料としては、ガラス、酸化Ｓｉ、酸化アルミニウム、窒化Ａｌ、Ｓｉカーバイト、窒化ボロン等が使用される。
【００６５】
第３の導電パターン５１は、シート状の導電膜をエッチングして形成される。第１の導電膜は厚さが５〜３５μｍ程度に形成され、エッチングによりボンディングパッドや配線が形成される。ボンディングパッドの数は、半導体モジュール４０の取り出し電極４２の数が多いほど、ファインパターン化が要求される。また、第３の導電パターンの、金属細線３４またはチップ部品３３の電極と接続する部分は、ボンディングが行えるように金あるいは銀メッキが表面に施されている。
【００６６】
第４の導電パターン５２は、第３の導電パターン５１と同様に、シート状の導電膜をエッチングして形成される。第４の導電パターン５２の厚さは７０μｍから２００μｍ程度であり、ファインパターンには適さないが、外部接続電極３２を形成するのが主であり、必要に応じて多層配線を形成する。
【００６７】
半導体モジュール４０は、第３の導電パターン５１を被覆する絶縁性樹脂５４上に接着剤で固着され、半導体モジュール４０と第３の導電パターン５１は電気的に絶縁されている。この結果、半導体モジュール４０の下方にはファインパターンの第３の導電パターン５１が自由に配線でき、配線の自由度が大幅に増大する。
【００６８】
図３に示す回路モジュール５０は、２層の多層配線を有するが、必要に応じて３層以上の導電パターンを設けることも可能となる。導電パターンの層数を増やすことにより、より複雑な導電パターンを形成することが可能となり、回路モジュールの実装密度を向上させることができる。
回路モジュールの製造方法を説明する第３の実施の形態
次に、図４〜図１４を参照して、回路モジュール３０の製造方法を説明する。ここでは、実装部品である半導体モジュール４０を製造し、さらに回路モジュール３０を製造するまでの工程を説明する。
【００６９】
本実施例では、図１に示す回路モジュール３０の製造方法を説明する。図３に示す回路モジュール５０の製造方法も、導電箔パターン３９を製造する工程以外は、図１の回路モジュール３０と同一である。
【００７０】
図４に、回路モジュールを製造するフローを示す。このフローに示す如く、半導体モジュールのフローで半導体モジュールが製造される。Ｃｕ箔、Ａｇメッキ、ハーフエッチングの３つのフローで導電箔パターンの形成が行われる。ダイボンドのフローでは各搭載部への半導体モジュールおよびチップ部品の固着が行われる。それと同時に、半導体モジュールの裏面に第２の半導体素子４７および裏面チップ部品が実装される。ワイヤーボンディングのフローでは半導体モジュールと導電箔パターンとの電気的接続が行われる。トランスファーモールドのフローでは絶縁性樹脂による共通モールドが行われる。裏面Ｃｕ箔除去のフローでは絶縁性樹脂が露出するまで導電箔の裏面全域のエッチングが行われる。測定のフローでは各搭載部に組み込まれた半導体素子の良品判別や特性ランク分けが行われる。ダイシングのフローでは絶縁性樹脂からダイシングで個別の回路モジュールへの分離が行われる。
【００７１】
以下に、本発明の回路モジュールを製造する各工程を図５〜図１４を参照して説明する。
【００７２】
第１の工程は、図５から図６に示すように、回路モジュール３０に内蔵される半導体モジュール４０を製造することにある。
【００７３】
本工程では、まず図５（Ａ）を参照して、層間絶縁膜３８を介して接着された第１の導電パターン４１および第２の導電パターン３７を有する支持基板４６を用意する。なお、第１の導電パターン４１は上方に第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８が実装されるので、樹脂層でオーバーコートされている。そして、第１の導電パターン４１から形成される外部接続電極４３には、第１の半導体素子３１との電気的接続のために、表面にメッキが施されている。
【００７４】
次に、図５（Ｂ）を参照して、支持基板４６上に第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８を実装する。ここで、第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８はフリップチップ実装で支持基板４６に実装される。
【００７５】
次に、図６（Ａ）を参照して、第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８を第１の絶縁性樹脂３５Ａで封止する。
【００７６】
次に、図６（Ｂ）を参照して、第１の半導体素子３１および内部チップ部品４８が内蔵された支持基板４６を、ダイシングブレード４９を用いて、個々の半導体モジュール４０に分離する。
【００７７】
最後に、図６（Ｃ）を参照して、半導体モジュール４０が完成する。半導体モジュール４０は、後の工程で導電箔パターン３９に実装される。また、第２の導電箔パターン３７上には、第２の半導体素子４７および裏面チップ部品が実装される。
【００７８】
第２の工程は、図７から図９に示すように、導電箔６０を用意し、少なくとも半導体モジュール４０およびチップ部品３３の搭載部を多数個形成する導電箔パターン３９を除く領域の導電箔６０に導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝を化学的エッチングにより形成して導電箔パターン３９を形成することにある。
【００７９】
本工程では、まず図７（Ａ）の如く、シート状の導電箔６０を用意する。この導電箔６０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。
【００８０】
導電箔の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましい。しかし、後述するように、導電箔６０の厚みよりも浅い分離溝６１が形成できる厚さであれば良い。
【００８１】
尚、シート状の導電箔６０は、所定の幅、例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた短冊状の導電箔６０が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。
【００８２】
具体的には、図７（Ｂ）に示す如く、短冊状の導電箔６０に多数の搭載部が形成されるブロック６２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック６２間にはスリット６３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔６０の応力を吸収する。また導電箔６０の上下周端にはインデックス孔６４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。
【００８３】
続いて、導電箔パターンを形成する。
【００８４】
まず、図８に示す如く、Ｃｕ箔６０の上に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、導電箔パターン３９となる領域を除いた導電箔６０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。そして、ホトレジストＰＲを介して導電箔６０を選択的にエッチングする。
【００８５】
具体的に、この化学的エッチングにより形成された分離溝６１の深さは、例えば５０μｍであり、その側面は、粗面となり、非異方性にエッチングされるためにその側面は湾曲構造となり、第２の絶縁性樹脂３５Ｂとの接着性が向上される。
【００８６】
なお、図８に於いて、ホトレジストの代わりにエッチング液に対して耐食性のある導電被膜（図示せず）を選択的に被覆しても良い。導電路と成る部分に選択的に被着すれば、この導電被膜がエッチング保護膜となり、レジストを採用することなく分離溝をエッチングできる。この導電被膜として考えられる材料は、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等である。しかもこれら耐食性の導電被膜は、ダイパッド、ボンディングパッドとしてそのまま活用できる特徴を有する。
【００８７】
例えばＡｇ被膜は、Ａｕと接着するし、ロウ材とも接着する。よってチップ裏面にＡｕ被膜が被覆されていれば、そのまま導電箔パターン３９上のＡｇ被膜にチップを熱圧着でき、また半田等のロウ材を介してチップを固着できる。またＡｇの導電被膜にはＡｕ細線が接着できるため、ワイヤーボンディングも可能となる。従ってこれらの導電被膜をそのままダイパッド、ボンディングパッドとして活用できるメリットを有する。
【００８８】
図９に具体的な導電箔パターンを示す。本図は図７（Ｂ）で示したブロック６２の１個を拡大したもの対応する。黒く塗られた部分の１個が１つの搭載部６５であり、導電箔パターン３９を構成し、１つのブロック６２にはマトリックス状に多数の搭載部６５が配列され、各搭載部６５毎に同一の導電箔パターン３９が設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン６６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク６７が設けられている。枠状のパターン６６はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔６０の裏面エッチング後には第２の絶縁性樹脂３５Ｂの補強をする働きを有する。
【００８９】
また、上記の説明では単層の導電箔パターンを形成する方法を説明したが、導電パターンは層間絶縁膜を用いた多層のものでも良い。
【００９０】
第３の工程は、図１０に示す如く、各搭載部の所望の導電箔パターン３９に半導体モジュール４０およびチップ部品３６を固着し、更に、半導体モジュール４０裏面に第２の半導体素子および裏面チップ部品３６を実装することにある。図１０（Ａ）は１つの搭載部の平面図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【００９１】
半導体モジュール４０は、フェイスアップで実装される。そして、チップ部品３３としてはコンデンサ、抵抗、トランジスタ、ダイオードまたはＬＳＩが実装される。ここでは、半導体モジュール４０が導電箔パターン３９に絶縁性接着剤で実装され、チップ部品３３は半田等のロウ材または導電ペーストで導電箔パターン３９に固着される。
【００９２】
図１０（Ｂ）を参照して、本発明のポイントは、半導体モジュール４０に第２の半導体素子および裏面チップ部品３６を実装することにある。半導体モジュール４０の実装基板である支持基板は、その裏面に、第２の導電パターン３７を有する。第２の導電パターンはパッドを有しており、このパッドに第２の半導体素子および裏面チップ部品３６を実装することができる。このことから、本発明の回路モジュール３０では、その内部に於いて半導体素子を立体的に実装することができる。なお、図１０（Ａ）に於いては、半導体モジュール４０上に３つの半導体素子が実装されているが、実際には多数の半導体素子を実装することができる。
【００９３】
第４の工程は、図１１に示す如く、各搭載部６５の半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所望の導電箔パターン３９とをワイヤボンディングすることにある。図１１（Ａ）は１つの搭載部の平面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＡ−Ａ線での断面図である。
【００９４】
本工程では、ブロック６２内の各搭載部の半導体モジュール４０の取り出し電極４２と所望の導電箔パターン３９を、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行う。
【００９５】
また本発明では、各搭載部毎にクランパを使用してワイヤボンディングを行っていた従来の回路装置の製造方法と比較して、極めて効率的にワイヤボンディングを行うことができる。
【００９６】
第５の工程は、図１２に示す如く、各搭載部６５の半導体モジュール４０等を一括して被覆し、分離溝６１に充填されるように第２の絶縁性樹脂３５Ｂで共通モールドすることにある。
【００９７】
本工程では、図１２（Ａ）に示すように、第２の絶縁性樹脂３５Ｂは半導体モジュール４０、チップ部品３３および裏面チップ部品３６を完全に被覆し、導電箔パターン３９間の分離溝６１には第２の絶縁性樹脂３５Ｂが充填されて、導電箔パターンの側面の湾曲構造と嵌合して強固に結合する。そして第２の絶縁性樹脂３５Ｂにより導電箔パターン３９が支持されている。
【００９８】
また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【００９９】
更に、本工程でトランスファーモールドあるいはインジェクションモールドする際に、図１２（Ｂ）に示すように各ブロック６２は１つの共通のモールド金型に搭載部６５を納め、各ブロック毎に１つの第２の絶縁性樹脂３５Ｂで共通にモールドを行う。このために従来のトランスファーモールド等の様に各搭載部を個別にモールドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れる。
【０１００】
導電箔６０表面に被覆された第２の絶縁性樹脂３５Ｂの厚さは、金属細線３４の最頂部から約１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。
【０１０１】
本工程の特徴は、第２の絶縁性樹脂３５Ｂを被覆するまでは、導電箔パターン３９となる導電箔６０が支持基板となることである。尚、本発明では、支持基板となる導電箔６０は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【０１０２】
また分離溝６１は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔６０が導電箔パターン３９として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔６０として一体で取り扱え、第２の絶縁性樹脂３５Ｂでモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。
【０１０３】
第６の工程は、図１２（Ａ）に示す如く、第２の絶縁性樹脂３５Ｂが露出するまで、導電箔６０の裏面全域をエッチングすることにある。
【０１０４】
本工程は、導電箔６０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電箔パターン３９として分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。
【０１０５】
実験では研磨装置または研削装置により全面を３０μｍ程度削り、分離溝６１から第２の絶縁性樹脂３５Ｂを露出させている。この露出される面を図１２（Ａ）では点線で示している。その結果、約４０μｍの厚さの導電箔パターン３９となって分離される。また、第２の絶縁性樹脂３５Ｂが露出する手前まで、導電箔６０を全面ウェトエッチングし、その後、研磨または研削装置により全面を削り、第２の絶縁性樹脂３５Ｂを露出させても良い。更に、導電箔６０を点線で示す位置まで全面ウェトエッチングし、第２の絶縁性樹脂３５Ｂを露出させても良い。
【０１０６】
この結果、第２の絶縁性樹脂３５Ｂに導電箔パターン３９の裏面が露出する構造となる。すなわち、分離溝６１に充填された第２の絶縁性樹脂３５Ｂの表面と導電箔パターン３９の表面は、実質的に一致している構造となっている。従って、本発明の回路モジュール３０は図１６に示した従来の裏面電極１０、１１のように段差が設けられないため、マウント時に半田等の表面張力でそのまま水平に移動してセルフアラインできる特徴を有する。
【０１０７】
更に、導電箔パターン３９の裏面処理を行い、図１に示すような回路モジュール３０を得る。
【０１０８】
第７の工程は、図１３に示す如く、第２の絶縁性樹脂３５Ｂで一括してモールドされた各搭載部６５の半導体素子の特性の測定を行うことにある。
【０１０９】
前工程で導電箔６０の裏面エッチングをした後に、導電箔６０から各ブロック６２が切り離される。このブロック６２は第２の絶縁性樹脂３５Ｂで導電箔６０の残余部と連結されているので、切断金型を用いず機械的に導電箔６０の残余部から剥がすことで達成できる。
【０１１０】
各ブロック６２の裏面には図１３に示すように導電箔パターン３９の裏面が露出されており、各搭載部６５が導電箔パターン３９形成時と全く同一にマトリックス状に配列されている。この導電箔パターン３９の第２の絶縁性樹脂３５Ｂから露出した外部接続電極３２にプローブ６８を当てて、回路モジュール３０の特性パラメータ等を個別に測定して良不良の判定を行い、不良品には磁気インク等でマーキングを行う。
【０１１１】
本工程では、各搭載部６５の回路モジュール３０は第２の絶縁性樹脂３５Ｂでブロック６２毎に一体で支持されているので、個別にバラバラに分離されていない。従って、テスターの載置台に置かれたブロック６２は搭載部６５のサイズ分だけ矢印のように縦方向および横方向にピッチ送りをすることで、極めて早く大量にブロック６２の各搭載部６５の回路モジュール３０の測定を行える。すなわち、従来必要であった半導体装置の表裏の判別、電極の位置の認識等が不要にできるので、測定時間の大幅な短縮を図れる。
【０１１２】
第８の工程は、図１４に示す如く、第２の絶縁性樹脂３５Ｂを各搭載部６５毎にダイシングにより分離することにある。
【０１１３】
本工程では、ブロック６２をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード６９で各搭載部６５間のダイシングライン７０に沿って分離溝６１の第２の絶縁性樹脂３５Ｂをダイシングし、個別の回路モジュール３０に分離する。
【０１１４】
本工程で、ダイシングブレード６９はほぼ第２の絶縁性樹脂３５Ｂを切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック６２を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第１の工程で設けた各ブロックの周辺の枠状のパターン６６の内側の相対向する位置合わせマーク６７を認識して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングライン７０をダイシングをした後、載置台を９０度回転させて横方向のダイシングライン７０に従ってダイシングを行う。
【０１１５】
上記した製造方法によるメリットの１つは、既存の技術および設備で本発明の回路モジュール３０が製造できることにある。つまり、既存の技術および設備で、回路モジュール３０内部に於いて、立体的にＬＳＩ等を配置できることである。このことにより、回路モジュール３０の実装密度を向上させることができる。従って、回路モジュールの薄型化・軽量化を実現できる。
【０１１６】
【発明の効果】
本発明の回路モジュールによれば、以下に示すような効果を奏することができる。
【０１１７】
第１に、複数の半導体素子が絶縁性樹脂で封止された半導体モジュールを導電箔パターンにフェイスアップで実装し、半導体モジュールの裏面に半導体素子および裏面チップ部品を実装することにより、立体的に半導体素子を実装することができる。半導体モジュールは、第１の導電パターンと第２の導電パターンが層間絶縁膜で接着された支持基板を有し、第１の導電パターンに複数の半導体素子が実装されたものである。従って、第２の導電パターン上に複数の半導体素子を実装することができる。このことから、回路モジュールの実装密度を向上させることができ、更に、回路モジュールを小型化・軽量化することができる。
【０１１８】
第２に、半導体モジュールは複数の半導体素子が内蔵されているので、内蔵される半導体素子よりも大きいサイズの半導体素子を、半導体モジュールの裏面に実装することができる。また、半導体モジュールの支持基板は多層配線を有するので、半導体モジュール裏面の任意の位置に半導体素子を実装することができる。
【０１１９】
第３に、本発明の回路モジュールは、半導体モジュール等を被覆する絶縁性樹脂で全体が支持されており、実装基板を使用しない薄型・軽量のものである。このことにより、回路モジュールを更に薄型・軽量化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路モジュールを説明する図である。
【図２】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールを説明する図である。
【図３】本発明の回路モジュールを説明する図である。
【図４】本発明の回路モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。
【図５】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールの製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の回路モジュールを構成する半導体モジュールの製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図８】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図９】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１０】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１１】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１２】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１３】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１４】本発明の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１５】従来の回路モジュールを説明する図である。
【図１６】従来の回路モジュールを説明する図である。
【図１７】従来の回路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図１８】従来の回路モジュールの製造方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
３０            回路モジュール
３１            ＬＳＩ
４０            半導体モジュール
３３            チップ部品
３６            裏面チップ部品
３８            層間絶縁膜
【図１】
0004803931.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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