(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持台に固定され、電力増幅部を含む高周波伝送回路と、この高周波伝送回路に離間して前記電力増幅部の電力を制御する制御信号を送出する制御回路と、表裏面に地導体を有し、内層に設置した信号線にオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている帯域阻止回路を設けた多層基板と、この多層基板の前記信号線の一端側と電気接続すると共に前記多層基板に固定したピン電極と、このピン電極を含む前記信号線における前記多層基板の前記信号線の一端側を前記高周波伝送回路に接続する第１電気接続手段と、前記ピン電極を含む前記信号線の前記ピン電極側を前記制御回路に接続する第２電気接続手段とを備え、前記信号線を通過する所望帯域周波数以外の不要波周波数を前記帯域阻止回路で阻止する送受信モジュール。
【請求項２】
金属支持台に固定され、電力増幅部を含む高周波伝送回路と、この高周波伝送回路に離間して前記電力増幅部の電力を制御する制御信号を送出する制御回路と、表裏面に地導体を有し、表面側の地導体に隣接した第１内層に設置した第１信号線にオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている第１帯域阻止回路を設け、前記第１内層の反対面に隣接した第２内層を地導体とし、この第２内層に隣接し、反対面を裏面側の地導体と隣接した第３内層に設置した第２信号線に前記第１帯域阻止回路のオープンスタブ長とは異なる長さのオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている第２帯域阻止回路を設けた多層基板と、この多層基板の前記第１信号線と前記第２信号線とを共通接続する前記多層基板のスルーホール部と、共通接続された前記第１信号線と前記第２信号線の一端側と電気接続すると共に前記多層基板に固定したピン電極と、このピン電極を含む前記第１信号線及び前記第２信号線における前記多層基板の共通接続された前記第１信号線及び前記第２信号線の一端側を前記高周波伝送回路に接続する第１電気接続手段と、前記ピン電極を含む前記第１信号線及び前記第２信号線の前記ピン電極側を前記制御回路に接続する第２電気接続手段とを備え、前記第１信号線及び前記第２信号線を通過する所望帯域周波数以外の不要波周波数を前記第１帯域阻止回路及び前記第２帯域阻止回路で帯域阻止する送受信モジュール。
【請求項３】
前記ピン電極は、外周が電波吸収材で覆われている請求項１又は請求項２に記載の送受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フェーズドアレイアンテナの送受信部や送受信用レーダ装置などに用いられる送受信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にレーダ装置などに用いられる送受信モジュールでは、ＲＦ（高周波）回路と制御回路との二つの回路部をパッケージなどにまとめて実装する場合には、ＲＦ回路と制御回路との相互を介してＲＦ信号側に不要波が混入し、ＲＦ回路特性が不安定になるという問題がある。例えば、特開２００６−１４０８８号公報図３（特許文献１参照）には外部端子としての複数の導体パッド１５が設けられ、制御信号は外部の制御基板から供給される。また、内部導体パッド１０には、複数のグランドビア３０ａを形成することで不要波の進入を抑制する伝送線路基板及び半導体パッケージに関するものが開示されている。
【０００３】
実開平５−４５９２号公報図１（特許文献２参照）には、高周波数帯域用電子機器の内部回路に設けられた電波遮蔽用の金属シールド函内部における電波の反射現象を抑止することにより、回路破壊やノイズの発生を防止するため、発振回路や増幅回路の電波発生源を外被する樹脂絶縁層とこれを外装する電波遮蔽用の金属シールド函との間に、反射防止材としての電波吸収体を部分的にあるいは全体にわたって介在させた高周波数帯域用電子機器内部回路の反射防止構造に関するものが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０８８号公報（第３図）
【０００５】
【特許文献２】実開平５−４５９２号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載のものは、ＲＦ回路と制御回路基板とが同一パッケージに収納されていないため、送受信モジュールとして使用する場合には、大型化するという課題があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載のものは、電波吸収体を金属シールドや樹脂モールドの表面に比較的大きな表面積に亘り塗布又は貼り付けをする必要があるので不要波に対する抑制を安価に構成できないという問題のほかに特定の不要波に対する大幅な抑制は困難であるという課題があった。
【０００８】
この発明は、ＲＦ回路と制御回路とを離間し、例えば層別配置した場合であっても、ＲＦ回路や制御回路で相互発生する不要波や、外部から層別配置されているＲＦ回路と制御回路空間に対する不要波や広域ノイズの混入による不都合を防止することにより安定したＲＦ回路特性を維持し、小型化も可能な送受信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る送受信モジュールは、金属支持台に固定され、電力増幅部を含む高周波伝送回路と、この高周波伝送回路に離間して前記電力増幅部の電力を制御する制御信号を送出する制御回路と、表裏面に地導体を有し、内層に設置した信号線にオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている帯域阻止回路を設けた多層基板と、この多層基板の前記信号線の一端側と電気接続すると共に前記多層基板に固定したピン電極と、このピン電極を含む前記信号線における前記多層基板の前記信号線の一端側を前記高周波伝送回路に接続する第１電気接続手段と、前記ピン電極を含む前記信号線の前記ピン電極側を前記制御回路に接続する第２電気接続手段とを備え、前記信号線を通過する所望帯域周波数以外の不要波周波数を前記帯域阻止回路で阻止するものである。
【００１１】
請求項２に係る送受信モジュールは、金属支持台に固定され、電力増幅部を含む高周波伝送回路と、この高周波伝送回路に離間して前記電力増幅部の電力を制御する制御信号を送出する制御回路と、表裏面に地導体を有し、表面側の地導体に隣接した第１内層に設置した第１信号線にオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている第１帯域阻止回路を設け、前記第１内層の反対面に隣接した第２内層を地導体とし、この第２内層に隣接し、反対面を裏面側の地導体と隣接した第３内層に設置した第２信号線に前記第１帯域阻止回路のオープンスタブ長とは異なる長さのオープンスタブでパターン形成され、前記オープンスタブの形成面周囲は前記表裏面の地導体と共通接続された地導体パターンで形成されている第２帯域阻止回路を設けた多層基板と、この多層基板の前記第１信号線と前記第２信号線とを共通接続する前記多層基板のスルーホール部と、共通接続された前記第１信号線と前記第２信号線の一端側と電気接続すると共に前記多層基板に固定したピン電極と、このピン電極を含む前記第１信号線及び前記第２信号線における前記多層基板の共通接続された前記第１信号線及び前記第２信号線の一端側を前記高周波伝送回路に接続する第１電気接続手段と、前記ピン電極を含む前記第１信号線及び前記第２信号線の前記ピン電極側を前記制御回路に接続する第２電気接続手段とを備え、前記第１信号線及び前記第２信号線を通過する所望帯域周波数以外の不要波周波数を前記第１帯域阻止回路及び前記第２帯域阻止回路で帯域阻止するものである。
【００１３】
請求項３に係る送受信モジュールは、前記ピン電極は、外周が電波吸収材で覆われている請求項１又は請求項２に記載のものである。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に係る送受信モジュールによれば、高周波伝送回路と制御回路との間に、内層をオープンスタブとした帯域阻止機能を有する多層基板を設置したので、高周波伝送回路、特に電力増幅部などで発生する歪による不要波や、制御回路から高周波伝送回路に混入する不要波を軽減することが可能となり、さらには帯域阻止回路のオープンスタブ周辺が地導体で覆われるので不要な分布定数回路の発生が無くなると共に多層基板の積層領域を介して放射・混入する不要波を除去でき、結果、不要な干渉波の抑制が確保できるので良好な高周波特性を維持できる。
【００１６】
請求項２に係る送受信モジュールによれば、高周波伝送回路と制御回路との間に、内層をオープンスタブとした周波数の異なる帯域阻止機能を有する多層基板を設置したので、高周波伝送回路、特に電力増幅部などで発生する歪による比較的帯域幅の広い不要波、制御回路から高周波伝送回路に混入する帯域幅の広い不要波を軽減することが可能となり、さらには第１及び第２帯域阻止回路のオープンスタブ周辺が地導体で覆われるので不要な分布定数回路の発生が無くなると共に多層基板の積層領域を介して放射・混入する比較的帯域幅の広い不要波を除去でき、結果、不要な干渉波の抑制が確保できる。
【００１８】
請求項３に係る送受信モジュールによれば、ピン電極は、外周が電波吸収材で覆われて
いるのでピン電極の表面もしくは外被を介して放射・混入するマイクロ波周波数帯域のノ
イズを除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールについて説明する。図１は、実施の形態１に係る送受信モジュールの断面構成図である。図１において、１は電力増幅部や送受信切換回路などを搭載した高周波回路（高周波伝送回路）であり、１ａは第１系統の送受信系ＲＦ回路、１ｂは第２系統の送受信系ＲＦ回路である。２は高周波回路１の電力増幅部などから放散される熱の放熱を兼ね、高周波回路１ａ、１ｂなどを支持する金属支持台、３は高周波回路１に送受信電力や送受信切換信号などのパルス制御信号や電源を供給する制御回路であり、３ａは制御回路３を構成するプリント配線板やセラミック基板などで構成された基板である。４は制御回路３から送出される制御信号を通過させると共に不要波を除去するフィルタを装備した３層の多層基板、５は多層基板４の信号線から延在するピン電極、６は多層基板４の表面に露出した信号線と高周波回路１とを接続する金リボン又は金ワイヤで構成した第１電気接続手段である。７はピン電極５と制御回路３とを接続するフォーミング線又は金ワイヤもしくはニッケル（Ｎｉ）リボンなどで構成した第２電気接続手段である。
【００２０】
８は高周波回路１や制御回路３を収納又は保持する筐体、８ａは高周波回路１と制御回路３とを層別構成区分する筐体８と一体化された中板、８ｂは中板８ａに設けられたピン電極５を貫通させる貫通穴、８ｃはピン電極５を通過させる基板３ａに設けられた貫通穴、９は制御回路３に搭載した制御用ＡＳＩＣや電源回路などの電子部品、１０は筐体８に部材を固定するネジである。
【００２１】
図２は、実施の形態１に係る送受信モジュールの機能ブロック図である。図２において、１１はＲＦ信号の移相制御を行う移相器、１２は送受信の信号経路の切換を行う送受信切換回路、１３は送信信号の電力を増幅する送信電力増幅部、１４は受信信号の電力を増幅する受信電力増幅部、１５はサーキュレータや方向性結合器などの受動回路で構成した送受信切換部、１６は多層基板４の信号線に接続され、ピン電極５をはんだ材などで多層基板４に固定し、離間して設置された高周波回路１と制御回路３との筐体８内の立体空間を接続するものでフィルタ装荷接続ピンと呼称する。１７は送受信モジュールの外側に設けられた送受信アンテナであり、通常、多数のフェーズドアレイアンテナなどが送受信系ＲＦ回路毎に併設される。図１及び図２中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００２２】
次に機能について説明する。図１において、筐体８は、高周波回路１と制御回路３とを層別構造で収納するので、上層と下層を中板８ａで仕切った構造となっている。すなわち、上層は高周波回路１を収納し、下層は制御回路３を収納する。高周波回路１は発熱部があるので放熱効果を高めるために筐体８にネジ止めされた金属支持台２に導電材で接着され、筐体８の中板８ａ位置に固定される。また、基板３ａに搭載された制御回路３も筐体８の中板８ａ位置に基板３ａの端部に取り付け穴を設けてネジ１０で固定される。
【００２３】
また、多層基板４から延在するピン電極５は、筐体８の中板８ａに貫通穴８ｂを設け、制御回路３側の基板３ａにも対応する貫通穴８ｃを設けることで高周波回路１と制御回路３との接続を行う。
【００２４】
このようにして高周波回路１と制御回路３とは空間的に離間して配置されていてもピン電極５を介して接続される。本実施の形態１では、フィルタ装荷接続ピン１６の接続向きは、多層基板４の一方の面にピン電極５が固定された側が制御回路３の接続先になり、多層基板４の他方の表面から高周波回路１と接続するようにしている。金属支持台２と多層基板４とは接着材やろう付けなどにより固定する。最終的に高周波回路１の複数の接続用パッドはフィルタ装荷接続ピン１６の信号線と第１電気接続手段６で接続され、制御回路３の複数の制御端子は先端だけ露出されたピン電極５の信号線と第２電気接続手段７で接続される。
【００２５】
図３は、フィルタ装荷接続ピン１６の内部構成を説明する図であり、１８は多層基板４の内層に設置され、マイクロストリップ線路で構成したオープンスタブである。オープンスタブ１８は信号線近傍に設置され、その線路長は不要波周波数の１／４λｇ実効長に設定され、図４に示すようにマイクロ波帯域における帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）の役目を果たし、パターン形成されたオープンスタブ１８の周囲は地導体パターンとなっている。
【００２６】
図５は、フィルタ装荷接続ピン１６の外観図であり、１９は多層基板４の表面に露出した信号パターンであり、オープンスタブ１８を介してピン電極５と電気接続される。
【００２７】
図６は、多層基板４のパターンを層別に説明する図であり、図６（ａ）は、一方の表層パターン、図６（ｂ）は内層パターン、図６（ｃ）は他方の表層パターンである。図６において、２０は表層と内層の信号線を共通接続するスルーホール部、２１はピン電極５を多層基板４に電気接続するピン接続部であり、ピン電極５の固定部分でもある。２２は表層の信号パターン及びピン接続部２１を除き全面を地導体とし、内層の地導体と共通接続するグランドビアであり、多層基板４の端部周囲にオープンスタブ１８に沿って設置されている。
【００２８】
図７は、フィルタ装荷接続ピンの図６に示すＡ−Ａ部の部分断面図であり、ピン電極５は表層パターンランドにはんだ付け又はろう付けにより接続される。
【００２９】
次に多層基板４の内層に設置したオープンスタブ１８について説明する。多層基板４は３層構造であり、材質はＢＴレジン又はフッ素樹脂を用いた誘電損失の少ないものを用いる。ＢＴレジンの実効誘電率（εｒ）は４．２、フッ素樹脂のεｒは２．６であり、それらの基材を使用する場合には、それぞれの基板厚、ストリップライン幅（Ｗ）などを考慮して、トリプレート線路を形成するオープンスタブ長を決める。また、内層パターン面に対してストリップ線路を形成するオープンスタブ１８と遮蔽形成した地導体との隔離距離はオープンスタブ１８のライン幅（Ｗ）よりも大きくすることが好ましい。また、上記に限らずセラミック基板のようなεｒが９．０程度の高誘電率のものであれば、さらにマイクロ波周波数の高い領域であってもコンパクトな構造で帯域阻止回路をセラミック多層基板に収納できる。
【００３０】
以上からフィルタ装荷接続ピン１６を用いることによって、高周波回路１と制御回路３との間の空間のアイソレーションを確保するフィルタ（チョーク）回路として働き、筐体８内での正帰還による発振を抑えることができる。また、送受信系が同一筐体内に２つ以上ある場合に系間の混信などが抑制されるので系間のアイソレーションを高める効果もある。
【００３１】
また、オープンスタブ１８を多層基板４の内層に設置することで、オープンスタブ１８を高周波回路１から独立させることになるので高周波回路１の構造に関わらず、オープンスタブ１８を地導体パターンにより遮へいする構造とすることが容易である。
【００３２】
従って、電磁シールド効果が高められるため、オープンスタブ１８から空間への信号の放射も防ぐことができる。これにより、比較的放射が起こりやすいピン電極５のような細長の立体的接続構造であっても、送受信モジュールの高周波特性を安定化させる利点もある。
【００３３】
また、ピン電極５に示すような構造によればその前後の接続段に対しては、通常、集中定数によるフィルタが用いられるが、このピン電極５と分布定数によるオープンスタブ１８を内装した多層基板４を組合わせた構造においては、集中定数回路を必要とすることなくフィルタ特性を得ることができる効果がある。
【００３４】
さらに、３次元的配置の実装方法により、回路実装を空間的に行えるため、モジュールの小型化・実装の高密度化が行える。
【００３５】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２に係る送受信モジュールについて説明する。図８は、実施の形態２におけるフィルタ装荷接続ピンの外観図であり、４０は５層構造の多層基板である。
【００３６】
図９は、多層基板４０のパターンを層別に説明する図であり、図９（ａ）は、一方の表層パターン、図９（ｂ）は一方の表層に隣接する内層パターン、図９（ｃ）は内層地導体パターン、図９（ｄ）は内層地導体パターンに隣接する内層パターン、図９（ｅ）は他方の表層パターンをそれぞれ示す。図９において、１８０は第１オープンスタブ、１８１は第２オープンスタブであり、表層パターンと内層地導体パターンとはスルーホール部２０や一部の信号線１９やピン接続部２１を除き全面地導体となっており、それぞれの地導体は実施の形態１同様にグランドビア２２で電気接続される。なお、図６と同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３７】
次に層構成について詳述する。ピン電極５を固定する一方の表面側の地導体に隣接した第１内層に設置した第１信号線にオープンスタブパターン１８１を形成した第１帯域阻止回路を設け、第１内層の反対面に隣接した第２内層を地導体とし、第２内層に隣接し、反対面を裏面側地導体とした第３内層に設置した第２信号線に第１帯域阻止回路のオープンスタブ１８１のスタブ長とは異なるオープンスタブ１８０を形成し、第２帯域阻止回路を設けた多層基板４０とする。
【００３８】
また、多層基板４０の第１信号線と第２信号線とは共通接続するスルーホール部２０で電気接続される。さらに、共通接続された第１信号線と第２信号線の一端は多層基板４０のピン接続部２１で固定されるピン電極５と電気接続する。
【００３９】
図１０は、フィルタ装荷接続ピンの図９に示すＢ−Ｂ部の部分断面図であり、ピン電極５は表層パターンランドにはんだ付け又はろう付けにより接続される。
【００４０】
次に多層基板４０の内層に設置したオープンスタブ１８０、１８１について説明する。多層基板４０は５層構造であり、第１内層に設置したオープンスタブ１８１のスタブ長はＬ２とし、不要波周波数の設計値をｆ１とする。また、第３内層に設置したオープンスタブ１８０のスタブ長はＬ１とし、不要波周波数の設計値をｆ２とする。すなわち第１内層のスタブ長を第３内層のスタブ長より長くすることにより、不要波周波数帯域の阻止帯域が広くなる。
【００４１】
図１１はマイクロ波周波数帯域にオープンスタブ１８０、１８１を用いて、送受信モジュールの伝送損失を説明する図であり、１５ｄＢ以上の伝送損失を有する帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）を形成していることが解かる。
【００４２】
本実施の形態２では、帯域阻止周波数ｆ１、ｆ２を接近させたが、幅広いマイクロ波周波数帯域においては独立した帯域阻止領域を設けても良く、５層の多層基板４０でなくとも実施の形態１同様に３層の多層基板構造とし、図１２に示すように内層に相互に不要波周波数の異なるオープンスタブを設置し、それぞれのオープンスタブ周辺を遮蔽する地導体パターンをグランドビア２２を用いて表面地導体と接続しても帯域阻止回路としての機能を有し相応の効果を奏する。
【００４３】
以上から高周波伝送回路と制御回路との間に、内層をオープンスタブとした周波数の異なる帯域阻止機能を有する多層基板を設置したので、高周波伝送回路で発生する電力増幅部などで発生する歪による比較的帯域幅の広い不要波や、制御回路から高周波伝送回路に混入する比較的帯域幅の広い不要波を軽減することが可能となる。
【００４４】
実施の形態３．
以下、この発明の実施の形態３に係る送受信モジュールについて説明する。図１３は、実施の形態３におけるフィルタ装荷接続ピンの外観図であり、２００は実施の形態１で説明した３層構造の多層基板４のピン電極５の周囲に設置した電波吸収材である。図１３において、電波吸収材２００はピン電極５の先端を除く周囲にディップ塗布もしくはシートを巻き付けることにより、不要なノイズを除去することが可能である。なお、電波吸収材２００は、粒径１０μｍ以下に粉砕加工したカーボン材や金属粉をエチルセルローズなどの合成樹脂バインダと混合後、ローラで分散させたものをペースト状もしくは乾燥させてシート状にしたものを使用する。
【００４５】
本実施の形態３では、実施の形態１及び２同様に細長のピン電極５を使用するのでピン電極５に混入する不要なノイズを電波吸収材で熱に変換することでピン電極５からの電磁放射を防止する。特に高周波特性が不安定な状態が観測された後でも電波吸収材２００をピン電極５に付加することで対処可能であり、特定の不要波周波数以外の単発ノイズ周波数に対して効果を奏する。同様に図１４は、実施の形態２で説明した多層基板４０を用いた場合であり、いずれもノイズに関して同様の効果を奏する。
【００４６】
なお、実施の形態１〜３では、２系統の送受信ＲＦ回路について説明した。通常、アクティブフェーズドアレイアンテナ装置では、多数の系統の送受信ＲＦ回路を用いるが、これに限らず１系統の高周波回路とするような一般の高周波モジュールとしての使用も可能である。
【００４７】
また、実施の形態１〜３では、送受信モジュールについて説明したが、送信又は受信のみの機能を適用する場合には、電力増幅部以外の送受信切換回路１２や送受信切換部１５は不要である。
【００４８】
また、多層基板４、４０に固定した細長のピン電極５は、細長の金属ブロックであれば良く、また、燐青銅材などを使用してその弾性機能を利用することにより多層基板４、４０のピン接続部２１に挿入することで電気接続及びピン電極５を固定する。この場合にははんだ付けや、ろう付け工程は不要である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールの断面構成図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールの機能ブロック図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールのフィルタ装荷接続ピンの内部構成を説明する図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールのマイクロ波帯域における帯域阻止フィルタ（ＢＲＦ）について説明する図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールのフィルタ装荷接続ピンの外観図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールの多層基板のパターンを層別に説明する図であり、図６（ａ）は、一方の表層パターン、図６（ｂ）は内層パターン、図６（ｃ）は他方の表層パターンを示す。
【図７】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールのフィルタ装荷接続ピンの部分断面図である。
【図８】この発明の実施の形態２に係る送受信モジュールのフィルタ装荷接続ピンの外観図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係る送受信モジュールの多層基板のパターンを層別に説明する図であり、図９（ａ）は、一方の表層パターン、図９（ｂ）は内層パターン、図９（ｃ）は内層地導体パターン、図９（ｄ）は内層パターン、図９（ｅ）は他方の表層パターンをそれぞれ示す。
【図１０】この発明の実施の形態２に係る送受信モジュールのフィルタ装荷接続ピンの部分断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に係る送受信モジュールの伝送損失を説明する図である。
【図１２】この発明の実施の形態１に係る送受信モジュールの３層の多層基板の内層にに２個のオープンスタブを設けた場合の内層パターン図である。
【図１３】この発明の実施の形態３に係る送受信モジュールの３層の多層基板を用いたフィルタ装荷接続ピンの外観図である。
【図１４】この発明の実施の形態３に係る送受信モジュールの５層の多層基板を用いた場合のフィルタ装荷接続ピンの外観図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・高周波伝送回路（高周波回路）  １ａ・・第１系統の送受信系ＲＦ回路
１ｂ・・第２系統の送受信系ＲＦ回路  ２・・金属支持台
３・・制御回路  ３ａ・・基板  ４・・多層基板  ５・・ピン電極
６・・金ワイヤ（第１電気接続手段）  ７・・Ｎｉリボン（第２電気接続手段）
８・・筐体  ８ａ・・中板  ８ｂ・・貫通部  ８ｃ・・貫通部
９・・電子部品  １０・・ネジ  １１・・移相器  １２・・送受信切換回路
１３・・送信電力増幅部、  １４・・受信電力増幅部  １５・・送受信切換部
１６・・フィルタ装荷接続ピン  １７・・アンテナ
１８・・オープンスタブ  １９・・信号パターン
２０・・スルーホール部  ２１・・ピン接続部  ２２・・グランドビア
４０・・多層基板
１８０・・オープンスタブ  １８１・・オープンスタブ  ２００・・電波吸収材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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