(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を所定深さにエッチングしてトレンチを形成するステップと、
酸化工程によりトレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後、全体構造の上部に第１酸化膜を形成するステップと、
フッ素が含まれたエッチングガスを利用して前記第１酸化膜を全面エッチングし、前記第１酸化膜の上部に不純物が残留するステップと、
酸素または水素が含まれたエッチングガスを利用したエッチング工程により前記不純物を除去するステップと、
前記不純物が除去された結果物の全体構造の上部に第２酸化膜を形成した後、全面エッチング工程を行って素子分離膜を形成するステップと、
を備えることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項２】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、ＮＦ３ガスとＨｅガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項３】
前記ＮＦ３ガスは５０ないし２００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項４】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、５００ないし１０００Ｗ程度のＨＦパワーと３０００ないし４０００Ｗ程度のＬＦパワーを印加して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項５】
前記不純物除去工程は、酸素ガスとＨｅガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項６】
前記酸素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項７】
前記不純物除去工程は、５００ないし２０００ＷのＨＦパワーと１０００ないし８０００ＷのＬＦパワーを印加して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項８】
前記不純物除去工程は水素ガスとＨｅガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項９】
前記水素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１０】
半導体基板上部にトンネル酸化膜、ポリシリコン膜及び窒化膜を順次形成した後、前記膜の所定領域をエッチングして半導体基板を露出させるステップと、
前記露出した半導体基板を所定の深さにエッチングしてトレンチを形成するステップと、
酸化工程によりトレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後、全体構造の上部に第１酸化膜を形成するステップと、
フッ素が含まれたエッチングガスを利用して前記第１酸化膜を全面エッチングし、これにより前記第１酸化膜の上部に不純物が残留するステップと、
酸素または水素プラズマを用いたエッチング工程により前記不純物を除去するステップと、
前記不純物が除去された結果物の全体構造の上部に第２酸化膜を形成した後、全面エッチング工程を行って素子分離膜を形成するステップと、
を備えることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１１】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、前記第１酸化膜の上面が前記トンネル酸化膜と前記ポリシリコン膜の界面よりも上に位置するように行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１２】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、ＮＦ３ガスとＨｅガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１３】
前記ＮＦ３ガスは５０ないし２００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１４】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、５００ないし１０００Ｗ程度のＨＦパワーと３０００ないし４０００Ｗ程度のＬＦパワーを印加して行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１５】
前記不純物除去工程は、酸素ガスとＨｅガスの混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１６】
前記酸素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１７】
前記不純物除去工程は、５００ないし２０００ＷのＨＦパワーと１０００ないし８０００ＷのＬＦパワーを印加して行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１８】
前記不純物除去工程は水素とＨｅ混合ガスを用いて行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項１９】
前記水素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いることを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の素子分離膜形成方法に関し、特にＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程により素子分離膜を形成するＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、次世代の高集積半導体素子において、最小線幅が狭くなり、素子を分離させるためのトレンチ型素子分離膜の間隔が短くなるにつれ、一回の工程により酸化膜、好ましく高密度プラズマ酸化膜でトレンチを埋め込む場合は、図１に示すように、素子分離膜の上部に気泡(ボイド)１０が生じる。これを解決するために、図２に示すように第１酸化膜２１を形成した後に全面エッチングし、第２酸化膜２２を形成する方法でトレンチを埋め込んでいる。ところが、第１酸化膜２１のエッチング工程で第１酸化膜２１の上部に不純物が残留し、この不純物が後続する工程で素子の内部に拡散されて素子の劣化を招く。
【０００３】
以下、このような素子分離膜の形成工程をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の製造工程に採用した場合を図３Ａ及び図３Ｂを用いて概略的に説明する。
【０００４】
図３Ａを参照すると、半導体基板３１の上部にトンネル酸化膜３２、ポリシリコン膜３３及び窒化膜３４を順次形成した後、素子分離マスクを用いたリソグラフィ工程及びエッチング工程によりこれらをパターニングして半導体基板３１の所定領域を露出させる。そして、露出した半導体基板３１を所定の深さにエッチングしてトレンチを形成する。トレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後に第１酸化膜３５を形成してトレンチを埋め込む。そして、フッ素(Ｆ)を含むガスを用いて第１酸化膜３５をエッチングする。ところが、第１酸化膜３５のエッチング工程で第１酸化膜３５の上部にエッチングガスに含まれたフッ素による不純物、例えばＦＳＧ膜３６が生成される。
【０００５】
図３Ｂを参照すると、全体構造の上部に第２酸化膜３７を形成した後に全面エッチングして素子分離膜を形成する。
【０００６】
ところが、前記のような工程により形成される素子分離膜は後続する熱工程を経て第１酸化膜３５の上部に形成されたＦＳＧ膜３６のフッ素が素子の内部に拡散するため、素子の特性を劣化させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を、酸素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、第１酸化膜のエッチング時に生成されるＦＳＧ膜を水素を利用したエッチング工程により除去することによって、フッ素の拡散を防止して、素子の特性劣化を防止できる半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体素子の素子分離膜形成方法は、半導体基板を所定深さにエッチングしてトレンチを形成するステップと、酸化工程によりトレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後、全体構造の上部に第１酸化膜を形成するステップと、フッ素が含まれたエッチングガスを利用して前記第１酸化膜を全面エッチングし、前記第１酸化膜の上部に不純物が残留するステップと、酸素または水素が含まれたエッチングガスを利用したエッチング工程により前記不純物を除去するステップと、前記不純物が除去された結果物の全体構造の上部に第２酸化膜を形成した後、全面エッチング工程を行って素子分離膜を形成するステップと、を備えることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
【００１０】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、前記第１酸化膜の上面が前記トンネル酸化膜と前記ポリシリコン膜の界面よりも上に位置するように行う。
【００１１】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、ＮＦ３とＨｅの混合ガスを用いて行う。
【００１２】
前記ＮＦ３ガスは５０ないし２００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍ程度を用いる。
【００１３】
前記第１酸化膜の全面エッチング工程は、５００ないし１０００Ｗ程度のＨＦパワーと３０００ないし４０００Ｗ程度のＬＦパワーを印加して行う。
【００１４】
前記酸素プラズマを利用した不純物除去工程は、酸素とＨｅ混合ガスを用いて行う。
【００１５】
前記酸素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍを用いる。
【００１６】
前記酸素プラズマを利用した不純物除去工程は、５００ないし２０００ＷのＨＦパワーと１０００ないし８０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００１７】
前記水素プラズマを利用した不純物除去工程は、水素とＨｅ混合ガスを用いて行う。
【００１８】
前記水素ガスは１００ないし１０００ｓｃｃｍ、前記Ｈｅガスは２００ないし５００ｓｃｃｍを用いる。
【００１９】
前記水素プラズマを利用した不純物除去工程は、５００ないし２０００ＷのＨＦパワーと１０００ないし８０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００２０】
また、本発明に係る半導体素子の素子分離膜形成方法は、半導体基板上部にトンネル酸化膜、ポリシリコン膜及び窒化膜を順次形成した後、前記膜の所定領域をエッチングして半導体基板を露出させるステップと、前記露出した半導体基板を所定の深さにエッチングしてトレンチを形成するステップと、酸化工程によりトレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後、全体構造の上部に第１酸化膜を形成するステップと、フッ素が含まれたエッチングガスを利用して前記第１酸化膜を全面エッチングし、これにより前記第１酸化膜の上部に不純物が残留するステップと、酸素または水素プラズマを用いたエッチング工程により前記不純物を除去するステップと、前記不純物が除去された結果物の全体構造の上部に第２酸化膜を形成した後、全面エッチング工程を行って素子分離膜を形成するステップと、を備える。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、トレンチに第１酸化膜を形成した後にフッ素を含むガスを利用した第１酸化膜のエッチング工程において第１酸化膜の上部に残留する不純物を酸素プラズマまたは水素プラズマを用いて除去することによって、装備の追加なく、不純物の拡散による素子特性の劣化を防止できるため、次世代素子の信頼性を向上できるという、効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付する図面を参照しつつ本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００２３】
図４Ａないし図４Ｃは、本発明の一実施の形態に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するために順序的に示す素子の断面図であり、フラッシュメモリ素子の製造工程に採用した場合を説明するための素子の断面図である。
【００２４】
図４Ａを参照すると、半導体基板４１の上部にトンネル酸化膜４２、ポリシリコン膜４３及び窒化膜４４を順次形成した後に素子分離マスクを利用したリソグラフィ工程及びエッチング工程によりそれらをパターニングして半導体基板４１の所定領域を露出させる。
【００２５】
そして、露出した半導体基板４１を所定の深さにエッチングしてトレンチを形成する。トレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後に、第１酸化膜４５、好ましく高密度プラズマ酸化膜を形成してトレンチを埋め込む。
【００２６】
そして、フッ素(Ｆ)を含むガス、例えばＮＦ３とＨｅの混合ガスを用いて第１酸化膜４５の全面をエッチングする。ここで、第１酸化膜４５のエッチング工程は５０〜２００ｓｃｃｍのＮＦ３ガスと２００〜５００ｓｃｃｍのＨｅガスを用い、５００〜１０００ＷのＨＦパワーと３０００〜４０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００２７】
このとき、第１酸化膜４５のエッチング工程は第１酸化膜４５の上面がトンネル酸化膜４２とポリシリコン膜４３の界面よりも上に位置するようにし、プラズマチャージがトンネル酸化膜４２に流入しないようにすることによって、プラズマチャージがポリシリコン膜４３とトンネル酸化膜４２の界面に沿って伝導されて、発生するトンネル酸化膜４２のチャージダメージを低減することができる。ところが、エッチング工程の後に第１酸化膜４５の上部面にエッチングガスに含まれたフッ素による不純物、例えばＦＳＧ膜４６が形成される。
【００２８】
図４Ｂを参照すると、酸素プラズマを利用したエッチング工程によりＦＳＧ膜４６を除去する。ここで、ＦＳＧ膜４６の除去工程（不純物除去工程）は１００〜１０００ｓｃｃｍの酸素ガスと２００〜５００ｓｃｃｍのＨｅガスとの混合ガスを用い、５００〜２０００ＷのＨＦパワーと１０００〜８０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００２９】
図４Ｃを参照すると、全体構造の上部に第２酸化膜４７、好ましく高密度プラズマ酸化膜を形成した後に全面エッチングして素子分離膜を形成する。
【００３０】
図５Ａないし図５Ｃは、本発明の他の実施の形態に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するために順序的に示す素子の断面図である。
【００３１】
図５Ａを参照すると、半導体基板５１の上部にトンネル酸化膜５２、ポリシリコン膜５３及び窒化膜５４を順次形成した後、素子分離マスクを利用したリソグラフィ工程及びエッチング工程によりこれらをパターニングして半導体基板５１の所定領域を露出させる。そして、露出した半導体基板５１を所定の深さエッチングしてトレンチを形成する。
【００３２】
トレンチ内部に側壁酸化膜を形成した後に第１酸化膜５５、好ましく高密度プラズマ酸化膜を形成してトレンチを埋め込む。そして、フッ素(Ｆ)を含むガス、例えばＮＦ３とＨｅの混合ガスを用いて第１酸化膜５５を全面エッチングする。ここで、第１酸化膜５５のエッチング工程は５０〜２００ｓｃｃｍのＮＦ３ガスと２００〜５００ｓｃｃｍのＨｅガスを用い、５００〜１０００ＷのＨＦパワーと３０００〜４０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００３３】
このとき、第１酸化膜５５のエッチング工程は第１酸化膜５５の上面がトンネル酸化膜５２とポリシリコン膜５３の界面よりも上に位置するようにし、プラズマチャージがトンネル酸化膜５２に流入しないようにすることによって、プラズマチャージがポリシリコン膜５３トンネル酸化膜５２の界面に沿って伝導されて、発生するトンネル酸化膜５２のチャージダメージを低減することができる。ところが、エッチング工程の後に第１酸化膜５５の上部面にエッチングガスに含まれたフッ素による不純物、例えばＦＳＧ膜５６が形成される。
【００３４】
図５Ｂを参照すると、水素プラズマを利用したエッチング工程によりＦＳＧ膜５６を除去する。ここで、ＦＳＧ膜５６の除去工程（不純物除去工程）は１００〜１０００ｓｃｃｍの水素ガスと２００〜５００ｓｃｃｍのＨｅガスとの混合ガスを用い、５００〜２０００ＷのＨＦパワーと１０００〜８０００ＷのＬＦパワーを印加して行う。
【００３５】
図５Ｃを参照すると、全体構造の上部に第２酸化膜５７、好ましく高密度プラズマ酸化膜を形成した後に全面エッチングして素子分離膜を形成する。
【００３６】
図６Ａは従来の第１酸化膜蒸着、ＮＦ３を利用した全面エッチング及び第２酸化膜蒸着後のシリコン(Ｓｉ)、フッ素(Ｆ)及び酸素(Ｏ)の分布を示しており、図６Ｂは熱処理工程後にフッ素(Ｆ)イオンが素子分離膜の界面に拡散することを示すＳＩＭＳプロファイルである。一方、図７Ａは本発明に係る第１酸化膜蒸着、ＮＦ３を利用した全面エッチング、酸素プラズマを利用したエッチング及び第２酸化膜蒸着後のシリコン(Ｓｉ)、フッ素(Ｆ)及び酸素(Ｏ)の分布を示すものであり、図７Ｂは熱処理工程後にもフッ素(Ｆ)イオンが素子分離膜の界面に拡散しないことを示すＳＩＭＳプロファイルである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】一回の工程により高密度プラズマ酸化膜をトレンチに埋め込んで素子分離膜を形成した場合に素子分離膜の上部に形成されたボイドを示す写真である。
【図２】第１酸化膜を形成し、全面エッチングした後に第２酸化膜を形成する方法で素子分離膜を形成した場合の断面写真である。
【図３】従来の半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するために示す素子の断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するために順序的に示す素子の断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するために順序的に示す素子の断面図である。
【図６】従来のＳＩＭＳプロファイルである。
【図７】本発明に係るＳＩＭＳプロファイルである。
【符号の説明】
【００３８】
３１、４１、５１    半導体基板
３２、４２、５２    トンネル酸化膜
３３、４３、５３    ポリシリコン膜
３４、４４、５４    窒化膜
３５、４５、５５    第１酸化膜
３６、４６、５６    ＦＳＧ膜
３７、４７、５７    第２酸化膜
【図１】
0004803975.tif 000002
【図２】
0004803975.tif 000003
【図３】
0004803975.tif 000004
【図４】
0004803975.tif 000005
【図５】
0004803975.tif 000006
【図６】
0004803975.tif 000007
【図７】
0004803975.tif 000008