(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生器と、これに連通した処理室とを含むプラズマ処理装置において、前記処理室内に配置されるガス分散プレートであって、
(a)ガスの通過を可能にする複数の開口を有する平坦な中央部分を備える下部バッフル板と、
(b)前記下部バッフル板内に配置され、前記開口に対して垂直方向に延在し、かつ前記ガス分散プレートの作動温度を下げるための冷却媒体の流れを受け入れる冷却通路と、
(c)冷却媒体の循環を可能にするために、前記冷却通路に連結された冷却媒体用の入口及び出口と、
(d)前記下部バッフル板の上方に所定の距離離れて配置され、前記下部バッフル板よりも小さいプレートを形成し、かつ複数の開口を有する平坦な上部バッフル板と、
(e)前記上部バッフル板の中央部分に設けた開口を覆うように配置された開口のないプレートと、を含むことを特徴とするガス分散プレート。
【請求項２】
前記下部バッフル板の中央部分は、フランジによって囲まれており、前記冷却通路は、前記フランジから前記下部バッフル板の開口を有する前記中央部分に伸びていることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項３】
前記ガス分散プレートは、低合金アルマイト処理のアルミニウムからなり、前記冷却通路は、前記ガス分散プレートに機械加工されていることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項４】
前記冷却媒体は、液体であることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項５】
前記冷却媒体は、水であることを特徴とする請求項４記載のガス分散プレート。
【請求項６】
前記冷却媒体は、ガスであることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項７】
前記冷却媒体は、ヘリウムまたは窒素であることを特徴とする請求項６記載のガス分散プレート。
【請求項８】
前記上部バッフル板の開口は、前記ガス分散プレートの開口よりもわずかに大きいことを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項９】
前記上部バッフル板は、石英からなることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的にフォトレジストアッシャーのような半導体プラズマ処理装置の分野に関し、特にこのような装置において使用する反応性ガスの温度を減少させる、強力に冷却したガス分散プレートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路の製造において、フォトリソグラフィ技術は、基板上に集積回路パターンを形成するために使用される。典型的には、基板は、フォトレジストで被覆され、このフォトレジスト上に所望の回路パターンを描写するために、フォトレジスト部分がマスクを介して紫外線（UV）で照射される。この紫外線照射に曝されずに残された部分は、基板上の曝された部分のみを残して、溶解処理によって取り去られる。残された部分は、露光安定処理中に焼き付けられ、フォトレジストを次の処理に耐えることができるようにする。
【０００３】
このような処理の後に、集積回路の各要素が形成されるが、一般的に、焼きつけられたフォトレジストをウエハから取り除くことが必要である。加えて、エッチングのような工程を介して基板表面に持ち込まれた残存物は、取り除かれねばならない。一般的に、フォトレジストは、“アッシング（灰化）”されるか“焼きつけ”られ、残留物に沿ってアッシングされあるいは焼きつけられたフォトレジストは、基板の表面から“はがされ”、あるいは“清浄化”される。
【０００４】
フォトレジストや残留物を取り去る一つの方法は、真空室内でフォトレジストで覆われた基板を設定温度に急速に加熱し、さらに、加熱された基板表面に向けてマイクロ波エネルギを有する反応性プラズマ処理を行なうものである。このフォトレジストアッシング工程において、反応性プラズマは、フォトレジストと反応し、プラズマ内の高温の反応性ガスが基板の表面に対流により熱を与える。平方センチメートル当り１００ミリワット（ｍＷ／ｃｍ2）のオーダーの熱エネルギーが、基板表面の反応の結果としてウエハに付加される。ウエハ表面上の過度の熱は、ウエハ内部またはウエハ上に形成される素子またはその一部に損傷を与える。さらに、ウエハ表面上の過度の熱によって、例えば、高密度でイオンが注入されるウエハアッシング処理中にフォトレジストにクラックが生じる。
【０００５】
処理室内のアッシング処理の温度を減少することにより、反応速度がゆっくり進み、この結果、ウエハの表面での反応によって熱量がウエハに付加される。しかし、付加されたマイクロ波出力とガス混合物に従うガスの温度は、減少した処理温度によって影響を受けないで維持される。この問題は、処理が４フッ化ケイ素（CF4）等の反応性触媒を含む場合に悪化する。この４フッ化炭素は、酸素原子が増加することにより反応速度が増加する傾向がある。
【０００６】
一般的なプラズマ装置は、チャング(Chang)他に付与された米国特許第５４４９４１０号に開示されており、ここでアルミニウム製バッフル板またはシャワーヘッドがプラズマ室にガスを分散させるために設けられている。しかし、このガスの温度を制御する手段は示されていない。従って、ここで示された装置は、上述した高温度ガスの逆効果を被る。
【０００７】
さらに、個々のウエハは、公知の単一ウエハ処理室によって連続的に処理されるので、米国特許第５４４９４１０号に示したようなシステムは、第１ウエハ効果として知られる現象を示す。この効果は、第１処理されたウエハの加熱により間接的に生じた、次に続くウエハの二次加熱に関係する。特に、第１ウエハの処理の完了により、加熱されたウエハ及び処理室の側壁から、ガス分散（バッフル）プレート（一般的に石英により作られる。）に熱を放射する。そして、加熱された石英プレートは、間接的に二次加熱機構となり、処理室内で次に続くウエハが処理される。結局、第１ウエハと次に続くウエハは、非均一な処理を示すシステムによって処理される。
【０００８】
公知のバッフル板を使用する場合、さらに別の問題は、温度勾配を有するガスがバッフル板の表面を横切って展開することである。このようなバッフル板は、一般的に高温処理温度に耐える能力を有する石英(quartz)で作られ、望ましくない赤外線（ＩＲ）波長吸収特性ととともに低い温度伝導性を示す傾向にある。さらに、赤外線波長エネルギーがウエハに吸収され、吸収された放射エネルギーを減少または消散させる手段がないので、石英のバッフル板の温度を制御することが難しい。その結果、処理の均一性とシステムの処理能力に影響を及ぼす。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、フォトレジストアッシャー等のウエハ処理装置に使用されるガスの温度を減少させ、アッシング処理中にウエハを損傷させないプラズマ処理装置用のガス分散プレートを提供することである。
【００１０】
本発明の更なる目的は、冷却手段に、ガス分散プレートまたはそれに使用されるバッフル板を包含させることにより、低温度処理に必要とされる反応性ガスの温度を減少させることである。
【００１１】
本発明の更なる目的は、このような処理において、第１ウエハ効果によって生じる二次加熱を取り除くことにより、ウエハ対ウエハ処理の均一性を向上させることである。
【００１２】
また、更なる本発明の目的は、ガス分散プレートまたはバッフル板の表面を横切る比較的平坦な温度プロフィルを与えるための機構を提供することであり、これにより、高温度及び低温度の両方のウエハ内における処理の均一性を向上させることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明のプラズマ処理装置は、ウエハの処理中に、その作業温度を低下させるための冷却通路を備えた、処理室および／またはガス分散プレートまたはバッフル板を有する。冷却媒体用の入口と出口が冷却通路に接続されて、冷却通路を通る冷却媒体の循環を可能にする。好ましくは、処理室の壁面とガス分散プレートまたはバッフル板がアルミニウムで作られ、冷却通路は、この部材に直接機械加工される。冷却媒体は、液体（例えば、水）またはガス（例えば、ヘリウムまたは窒素）のいずれかが可能である。
【００１４】
ガス分散プレートは、平坦で開口を有し、フランジにより囲まれたガス分散中央部分と、ガス分散プレートの作業温度を低下させるために冷却媒体の流れを受け入れるための冷却通路と、冷却通路に接続されて冷却媒体の循環を可能にする冷却媒体用の入口と出口とを有している。
【００１５】
処理室の壁とバッフル板の冷却通路は、互いに連通し、単一の冷却循環システムを構成する。代わりに上記冷却通路を連通させなくても良く、その場合、（ガスまたは液体）の各々の独立の循環システムを設けて、独立に温度制御と流量制御を個別に行うことができる。作業において、壁に設けた冷却通路内の冷媒は、ほぼ１５℃〜３０℃に維持され、バッフル板に設けた冷却通路内の冷媒は、ほぼ１５℃〜８０℃に維持される。周期的に下部バッフル板は、２５０℃まで作動させることができ、このバッフル板の表面から、１５℃〜８０℃の下部作業温度で表面上に圧縮されかつ残される処理残留物を取り除く。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、図１において、従来のフォトレジスト用アッシャー装置１０が示されており、この装置は、ガスボックス１２、マイクロ波プラズマ発生器１４、ウエハ１８等の半導体基板を加熱する内部キャビティ１７を形成する処理室１６、および、この処理室１６の底部に配置されてウエハ１８を加熱する放射加熱アセンブリ２０とを含んでいる。真空ポンプ２６は、必要な真空状態を処理するために処理室１６を排気するのに使用される。
【００１７】
モノクロメータ２８は、処理室内のガスの光放出特性を監視してアッシング処理における終了点を決定するために使用される。ウエハ１８は、適切なロードロック機構（図示略）により入口／出口用通路３０を介して処理室に導入されかつ排出される。本発明は、フォトレジストアッシャー内で実現されるように示されているが、残留物の除去およびストリップ処理等の他の半導体製造設備に使用することもできる。
【００１８】
作業において、所望のガスの混合物は、ガスボックス１２から入口導管３４を介してプラズマ管３２内に導かれる。プラズマ管３２は、アルミナまたはサファイアで作られ、エッチングまたは他のデグラデーション（degradation）なしでフッ素化学反応に対して適応する。所望の混合物を形成するガスは、別個の供給源(図示略）に貯蔵され、バルブ３６とパイプ手段３８によりガスボックス１２内で混合される。所望のガス混合物の一例は、形成ガス（一般的に数パーセントの水素ガスを含む主として窒素ガス）、および酸素ガスを含んでいる。４フッ化炭素等のフッ素含有ガスが、このガス混合物に付加されて所定の処理に対するアッシング速度を速めることができる。
【００１９】
所望のガス混合物は、マイクロ波プラズマ発生器１４によって励起されて、反応性プラズマを形成する。このプラズマは、放射加熱アセンブリ２０によって加熱されるとき、処理室１６内でウエハ(基板）１８上のフォトレジストをアッシングする。マグネトロン４０は、導波管４２に結合されてマイクロ波エネルギーを発生する。マイクロ波エネルギーは、導波管からプラズマ管３２を取り囲むマイクロ波エンクロージャ４４内の開口(図示略）を介して供給される。
【００２０】
石英でできた外側管４６は、わずかに離れたプラズマ管３２を取り囲んでいる。圧縮空気が管３２、４６の間の隙間に供給され、作業中、プラズマ管３２を効果的に冷却する。マイクロ波エンクロージャ４４は、想像線４５によって示される部分を仕切っている。このエンクロージャ４４の区分により、アルミナまたはサファイア製のプラズマ管の長さ方向に対して横断する均一なマイクロ波出力分布を可能にし、かつ適当な入力が供給されたとき、受入れがたい大きな温度勾配のガスが長手軸線方向に沿って展開するのを防止することにより、過熱からプラズマ管を保護する。エンクロージャの各部分は、石英管４６を介して通過するマイクロ波エネルギーを分離して供給しており、かつアルミナまたはサファイア製のプラズマ管３２は、エンクロージャを貫通する。
【００２１】
プラズマ管３２内のガス混合物は、プラズマを作り出すために励起される。マイクロ波トラップ４８,５０がマイクロ波エンクロージャ４４の両端部に設けられ、マイクロ波の漏れを防止する。励起されたプラズマ（一般的に約１５０℃の温度を有する）は、処理室の上部壁５２に設けた開口５１を介して処理室１６に入る。
【００２２】
プラズマ室１６の上部壁５２とウエハ１８の間には、本発明の特徴である第１実施形態のガス分散（バッフル）プレート５４が設けられている。単一部材のバッフル板として示されているが、このバッフル板は、上層と下層のバッフル板からなる二重層のバッフル板アセンブリ１５４（図３〜図７）の形式を採用することができる。いずれの実施形態でも、すなわち、バッフル板５４（図１,２）およびバッフル板アセンブリ１５４（図３〜７）は、処理されるウエハ１８の表面を横断する反応性プラズマを均等に分散させ、かつ所望の処理結果を達成するためにプラズマ内のガスを冷却するための手段を備えている。
【００２３】
図１に関して、反応性プラズマは、バッフル板５４を通過し、そして、ウエハ１８上のフォトレジストをアッシングする。放射加熱アセンブリ２０は、リフレクタ（集光反射器）５６内に複数のタングステンハロゲンランプ５８を含み、リフレクタは、ランプが放射した熱を反射し、そしてこの反射した熱を処理室１６内で石英またはセラミック製のピン６８(図１参照）上に配置されたウエハ１８の裏面に戻すように仕向ける。サーモカップル等の１つまたはそれ以上の温度センサ７２が、壁面温度の表示を与えるために処理室の側壁５３の内部に取り付けられる。
【００２４】
図１のフォトレジストアッシャー１０内に示されるバッフル板５４は、図２において、より詳細に示されており、これは、２００ミリメータ（ｍｍ）のウエハ処理装置内に包含される設計となっている。このバッフル板５４は、ほぼ平らなガス分散中央部分７４を有し、この中央部分は、フランジ７８により囲まれ、その中に開口７６を有する。フランジ７８は、中央部分を取り囲み、処理室の側壁５３と上部壁５２（図１参照）の中間に位置する。シール７９,８１がそれぞれ、フランジ７８と側壁５３の間およびフランジ７８と上部壁５２の間の接続を気密にする。これらのシール７８,８１は、それぞれフランジ７８内に配置された溝８３,８５内に置かれる（図２参照）。フランジ７８は、上部壁５２と側壁５３に取り付けるための取り付け穴８４を備えている。
【００２５】
バッフル板５４の中央開口部分７４には、冷却媒体用の入口８２と出口８６に接続される内部冷却通路８０が設けられている。この冷却通路（第２冷却通路）８０は、バッフル板５４の作動温度を低下させ、かつ開口７６との交差を避ける形状で中央部分７４の回りに伸びている。好ましい実施形態では、高熱量を有する他の液体（例えば、オイル）またはガス（例えば、ヘリウムまたは窒素）が考えられるが、冷却媒体として水が使用される。反応性ガスが開口７６を通過すると、冷却されたバッフル板は、熱交換器として機能し、熱を反応性ガスから取り除き、その結果、反応性ガスの温度を低下させる。このバッフル板５４は、ウエハ素子に損傷を与え、例えば、ゲート酸化物の誘電体特性を弱める移動性イオンの汚染物質を最小にする。
【００２６】
バッフル板は、好ましくは低合金アルマイト処理したアルミニウム（アルコア[Alcoa]タイプＣ−２７６）の単一片から形成され、これは、公知の石英製バッフル板以上にバッフル板の熱変換特性に優れている。このアルミニウムの使用は、また、穴あけまたは直接機械加工された冷却通路を形成することができる。これは、反射型加熱システムとウエハからの寄生加熱における不一致により、バッフル板の感度を弱めさせるが、ほぼ均一な温度で作業することを可能する。
【００２７】
アルミニウムの使用は、プラズマ管から放出される紫外線（UV)エネルギーの大部分を阻止する。さもなければ、温度制御を難しくし、ウエハ素子の損傷を与えることになる。均一な表面温度で作業しかつ紫外線放射を受ける量を最小にすることによって、公知の石英製バッフル板を通りウエハの表面を横切るガスの反応速度の均一性が改善される。さらに、連続するウエハが処理室内に置かれて、放射加熱装置によって処理温度に加熱されるとき、調和したバッフル板の温度を維持することは、バッフル板の寄生加熱による「第１ウエハ効果」を取り除く。
【００２８】
図３は、本発明の第２実施形態を示し、ここでは、バッフル板がバッフル板アセンブリ１５４の形式であり、３００ミリメートル（mm)のウエハ処理装置内に包含されている。図３は、部分的に切断したもので、フォトレジストアッシャー室アセンブリ１００（関連した放射加熱アセンブリなしで図示）の斜視図であり、この中にバッフル板アセンブリ１５４を含んでいる。バッフル板アセンブリ１５４は、ほぼ平坦な上部バッフル板１５５と下部バッフル板１５７を含み、これらのバッフル板は、互いにほぼ平行に位置決められ、互いに離れている。バッフル板アセンブリ１５４は、３００ｍｍ処理室に取り付けられている。上部及び下部バッフル板１５５，１５７は、それぞれ、開口１７５，１７６を備えている。上部バッフル板の開口１７５は、下部バッフル板の開口１７６よりもわずかに大きい。処理室へのアクセスポート１２８は、真空ポンプまたはモノクロメータのいずれかに接続するために設けられている。
【００２９】
本発明のこの第２実施形態において、バッフル板アセンブリ１５４と処理室１１６の両方は、アクティブ冷却機構を備えるようにしてもよい。この処理室１１６に関して、内部冷却通路１５６は、側壁１５３内に設けられている。冷却媒体の入口１５８，１６０はそれぞれ、水等の冷却媒体及び冷却通路からの入口と出口となるように設けられている。処理室の側壁１５３は、好ましくは、低合金アルマイト処理したアルミニウム（アルコア[Alcoa]タイプＣ−２７６）から形成され、この部材に穴あけ又は直接機械加工により冷却通路（第１冷却通路）１５６を形成することができ、これにより、反射型加熱システムとは調和しない側壁の感度を低下させるが、ほぼ均一な処理温度で作業することを可能する。
【００３０】
下部バッフル板１５７は、以下で説明するようにアクティブな冷却効果を与えるが、上部バッフル板１５５は、アクティブな冷却機構を備えていない。この上部バッフル板１５５は、単に硬い、開口を有する石英板からなり、取り付け点１５９に設けたポスト１６１によって下部バッフル板に取り付けられる（図４及び図６参照）。サファイアで被膜された上部バッフル板は、半径方向外側の開口１７５を通過しないホットガス状のプラズマの一部分をそらす機能を有し、ウエハの半径方向内側部分が過熱状態で処理されないようにし、西、かつ反応速度を均一化させることを促進する。開口していないサファイア板１７７（図５および図６）は、上部バッフル板１５５の中心部分を覆う。
【００３１】
下部バッフル板１５７によって設けられるアクティブな冷却機構は、図４において部分的に切断した斜視図により明確に示されている。下部バッフル板１５７は、ほぼ平坦なガス分散中央部分１７４を含み、これは、フランジ１７８によって取り囲まれた開口１７６を有する。このフランジ１７８の表面には、処理室１６の頂部壁１８１が取付穴１８４を用いて取り付けることができる。シール１７９が、フランジ１７８内の溝１８３内に設けられる（図４）。
【００３２】
バッフル板１５７の中央開口部分１７４には、内部冷却通路１８０が設けられ、この通路は冷却媒体用の入口１８２と出口１８６に接続される（図３）。図４及び図６に示すように、冷却通路１８０は、フランジ１７８から中央部分１７４内にまたその回りに伸びており、この形状は、開口１７６のいずれとも交差しないようになっている。１つの好ましい形状は、図７に示されている。
【００３３】
さらに、冷却通路は、処理室の頂部壁に延びるようにすることもできる。これらの構造要素（バッフル板、側壁、および頂部壁）の個々の冷却サブシステムは、その作動温度を低下させる機能を有する。この冷却サブシステムは、単一ガスまたは液体冷却剤の冷却システムのいずれかに分与することができる。また、独立した循環サブシステム（ガスまたは液体）を設けることもでき、これにより、独立した温度制御と独立の流量制御を与えることができる。また、本発明の実施形態では、処理室の側壁及び頂部壁のアクティブな冷却を備えて、この処理室の表面を１５℃〜３０℃（丁度露点以上）に維持することにより、ウエハは、十分に冷却され、例えば、高密度イオン注入された（HDII)ウエハのアッシング処理中、フォトレジストのクラッキングが防止される。
【００３４】
冷却通路は、下部バッフル板１５７の表面を横切る空間温度勾配を最小にし、バッフル板の全表面を均一な温度に維持する。水等（例えば、１５℃〜８０℃に維持された）の冷却媒体は、空気冷却された冷却アセンブリを含む脱イオン化した水再循環システムを用いて、入口１８２を介して通路１８０を流れて出口１８６から排出される（図５及び図７）。冷却アセンブリは、ウエハの急速加熱中でさえ、処理室の熱発生率よりも大きな熱除去容量を有する。
【００３５】
好ましい実施形態では、水が冷却媒体として使用されるが、下部バッフル板の要求される作業温度に従って、他の高熱容量液体または気体を使用することができる。例えば、下部バッフル板は、この板の表面から処理残留物を除去するために、２５０℃までの温度で作動させることができる。これらの残留物は、圧縮することもでき、ウエハ処理中のより高い温度に周期的に露出されなければ下部バッフル板の表面上にとどまる。開口１７６を通過する反応性ガスのような下方作業温度（例えば、１５℃〜８０℃）である場合、下部バッフル板１５７は、反応性ガスから熱を除去するための熱交換器として機能し、これにより、温度を下げることができる。
【００３６】
下部バッフル板１５７は、好ましくは、低合金アルマイト処理したアルミニウム（アルコア[Alcoa]タイプＣ−２７６）の単一片から形成され、この部材は、公知の石英製バッフル板以上にバッフル板の熱変換特性に優れている。また、アルミニウムの使用により、冷却通路を穴あけまたは直接機械加工することができる。これは、反射型加熱システムとウエハからの寄生加熱における不一致により、バッフル板の感度を弱めさせるが、ほぼ均一な温度で作業することを可能する。
【００３７】
アルミニウムの使用は、プラズマ管から放出される紫外線（UV)エネルギーの大部分を阻止し、さもなければ、温度制御を難しくし、かつウエハ素子の損傷を与える。均一な表面温度で作業し、かつ紫外線放射を受ける量を最小にすることによって、公知の石英製バッフル板上のウエハの表面を横切る反応速度の均一性を改善する。さらに、連続するウエハが処理室内に置かれて、放射加熱装置によって処理温度に加熱されるとき、調和したバッフル板の温度を維持することは、バッフル板の寄生加熱による「第１ウエハ効果」を取り除く。
【００３８】
下部バッフル板１５７を横断するガスの圧力降下により、ガスがバッフル板の上面を横切って流れるように分配され、さらに、ガスとバッフル板表面との間の熱変換率を増加させる。石英の上部バッフル板１５５と組み合わせると、この同一の効果は、移動性イオンの汚染物質を減少させ、ゲート酸化物の誘電体特性を損なうような装置の損傷を生じさせる。二重層のバッフル板アセンブリ１５４における石英製の上部バッフル板１５５とアルミニウム製の下部バッフル板１５７との組み合わせは、CF4等の腐食性物質を生じさせるガスが用いられるときでさえ、フォトレジストを除去するために用いられる処理室内に見られる腐食状態で使用するのが適切であることがわかった。
【００３９】
操作において、システム１０（２００mm）とシステム１００（３００mm）は、水冷却バッフル板１５７とバッフル板アセンブリ１５４を用いて、各々、最小予想処理温度、一般的に８０℃以下に低下したガス温度の状態下での最大マイクロ波出力において作動させた。また、これにより、処理中ウエハの表面を横切って比較的平坦な温度プロフィールを得ることができ、ガスによる不均一な処理を減少させて冷却された下部バッフル板の放射冷却効果を生じさせることが可能になる。下部バッフル板のアクティブ冷却は、最初に処理されたウエハによってバッフル板の温度負荷を減少させ、ウエハ対ウエハの均一処理を改善する。
【００４０】
一例では、分単位当たり０．４ガロン（ｇｐｍ）の流量率で下部バッフル板１５７を通って３０℃の水を流しながら、２７０℃のアッシング処理が実施された。分単位当たり５．５９ミクロンのアッシング率は、ウエハの直径を不均一にガスが横断する２．２５％のアッシング速度が達成された。従来の石英製の非活性の冷却されたバッフル板を用いて、ウエハを不均一に横断する６．２％のアッシング速度を有する分単位当たり５．６６ミクロンのアッシング率が得られた。このテストは、アクティブに冷却されたバッフル板を用いると、アッシング率における最小の作用により不均一な処理領域に対する改善が見られることを示している。
【００４１】
以上、ウエハを処理するとともにプラズマ処理装置において反応性ガスを冷却するための方法及び装置の好ましい実施形態をこれまで説明してきた。しかし、上述の記載において、この説明は、単に例示のためになされたものであり、本発明は、ここに記載した実施形態に限定されるものではなく、種々の再構成、修正、および置換を含み、添付された特許請求の範囲またはその技術的思想から逸脱しない上述の記載を含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従って構成されたバッフル板の第１実施形態を包含するフォトレジストアッシャーの断面図である。
【図２】図１のバッフル板の第１実施形態の部分的に切断した斜視図である。
【図３】本発明に従って構成されたバッフル板アセンブリの第２実施形態を包含するフォトレジストアッシャーのチャンバーアセンブリの部分的に切断した斜視図である。
【図４】図３のバッフル板アセンブリの第２実施形態の下部バッフル板の部分的に切断した斜視図である。
【図５】図３に示したバッフル板アセンブリの平面図である。
【図６】図５の線６−６に沿って見たバッフル板アセンブリの断面図である。
【図７】図６の線７−７に沿って見たバッフル板アセンブリの断面図である。
【符号の説明】
１０    アッシャー装置
１２    ガスボックス
１４    マイクロ波プラズマ発生器
１６    処理室
１７    内部室
１８    ウエハ
２０    放射加熱アセンブリ
２２    コントローラ
５２    上部壁
５３    側壁
５４    ガス分散プレート
７４    ガス分散中央部分
７６    開口
８０    冷却通路
８２、１５８    入口
８６、１６０    出口
１５６    冷却通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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