(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、
前記コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設し、
前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、導電性ペーストが塗布されており、
前記複数個の上層ビアは、複数個の外部接続端子にそれぞれ接続されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けたことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記コンデンサの表面に、粗化処理を施したことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性改善処理を施したことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記下層ビアは、めっきが充填されてなる表面が平坦なフィルドビアであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記下層ビアは、内部に樹脂が充填されて表面に金属膜が形成されて成るフィルドビアであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記コンデンサは、前記コア基板に形成された凹部の中に１個収容されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記コンデンサは、前記コア基板に形成された凹部の中に複数個収容されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記コア基板と前記コンデンサの間に、前記コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記樹脂は、無機フィラーを含有していることを特徴とする請求項９に記載のプリント配線板。
【請求項１１】
前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請求項１〜請求項１０の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】
前記表面のチップコンデンサの静電容量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であることを特徴とする請求項１１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】
前記表面のチップコンデンサのインダクタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以上であることを特徴とする請求項１２に記載のプリント配線板。
【請求項１４】
前記コンデンサとして、外縁の内側に電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１５】
前記コンデンサとして、マトリクス状に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１４の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１６】
前記コンデンサとして、多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特徴とする請求項１〜請求項１５の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１７】
少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを内臓する工程；
（ｂ）前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｅ）前記層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工程；
（ｆ）該複数個の上層ビアにそれぞれ接続された複数個の外部接続端子を設ける工程。
【請求項１８】
前記（ａ）工程の前に、前記コア基板に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを１個収容する工程を備えることを特徴とする請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１９】
前記（ａ）工程の前に、前記コア基板に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを複数個収容する工程を備えることを特徴とする請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２０】
前記（ａ）工程の前に、樹脂板に通孔を形成し、前記通孔を形成した樹脂板に、樹脂板を貼り付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２１】
前記下層ビアを形成する際に、めっきを充填して表面の平坦なフィルドビアを形成することを特徴とする請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２２】
前記下層ビアを形成する際に、内部に樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設してなるフィルドビアを形成することを特徴とする請求項１７に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項２３】
前記（ａ）工程の後に、前記凹部内の前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えることを特徴とする請求項１９に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
ＩＣチップなどの電子部品を載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、チップコンデンサを表面実装することがある。
【０００３】
チップコンデンサからＩＣチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチップの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面実装させても十分な効果を得ることができなかった。このため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号にて、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。
【０００４】
特開平６−３２６４７２号には、ガラスエポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現在必要とされるようにインダクタンスを低減することができなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達成することができなかった。
【０００６】
一方、特願平１１−２４８３１１号の発明では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサからＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあった。
【０００７】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明では、コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、
前記コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設し、
前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、導電性ペーストが塗布されており、
前記複数個の上層ビアは、複数個の外部接続端子にそれぞれ接続されていることを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項１では、コア基板にコンデンサを内蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コンデンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子と下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサからＩＣチップへの電力供給を確実に行うことができる。また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したことにより、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高まり、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。さらに、配線長を短縮することができるので、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００１０】
凹部内には、樹脂を充填させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和することができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイグレーションの低下させるという効果も有する。
【００１１】
また、コンデンサのメタライズからなる電極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるビアとの接続信頼性を高めることができる。
【００１２】
請求項２では、コンデンサの電極の導電性ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。
【００１３】
請求項１３では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００１４】
請求項４では、コンデンサの表面に、シランカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコンデンサと接続層、層間樹脂絶縁層との密着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面での接続層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。
【００１５】
請求項５、６では、下層ビアとして表面が平坦なフィルドビアが用いられている。これにより、１の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続することが可能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの接続性を高めることができ、コンデンサからＩＣチップへの電力供給を確実に行うことが可能となる。
【００１６】
請求項７では、コア基板に形成された凹部の中に１個のコンデンサを収容している。これにより、コア基板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００１７】
請求項８では、凹部に多数個のコンデンサを収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００１８】
請求項９では、コア基板とコンデンサとの間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
【００１９】
請求項１１では、基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあるので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能となる。
【００２０】
請求項１２では、表面のコンデンサの静電容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２１】
請求項１２では、表面のコンデンサのインダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上であるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチップの動作が確保される。
【００２２】
請求項１４では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるため、ビアを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。
【００２３】
請求項１５では、マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。そのため、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
【００２４】
請求項１６では、コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それによって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩＣチップを動作させることができる。
【００２５】
請求項１７のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペーストを塗布したコンデンサを内臓する工程；
（ｂ）前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｅ）前記層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工程；
（ｆ）該複数個の上層ビアにそれぞれ接続された複数個の外部接続端子を設ける工程。
【００２６】
請求項１７では、コア基板にコンデンサを内蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コンデンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子と下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサからＩＣチップへの電力供給を確実に行うことができる。また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したことにより、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高まり、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。さらに、配線長を短縮することができるので、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００２７】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるビアとの接続信頼性を高めることができる。
【００２８】
請求項１８では、コア基板に形成された凹部の中に１個のコンデンサを収容している。これにより、コア基板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００２９】
請求項１９では、凹部に多数個のコンデンサを収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００３０】
請求項２０では、心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔を形成し、通孔を形成した樹脂材料に、樹脂材料を貼り付けて、凹部を有するコア基板を形成している。これにより、底部が平坦な凹部を有するコア基板を形成することができる。
【００３１】
請求項２１、請求項２２では、下層ビアとして表面が平坦なフィルドビアが用いられている。これにより、１の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続することが可能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの接続性を高めることができ、コンデンサからＩＣチップへの電力供給を確実に行うことが可能となる。
【００３２】
請求項２３の発明では、凹部内の複数個のコンデンサの上面に圧力を加え、もしくは叩くことによりコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデンサの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることができ、コア基板を平滑にすることができる。よって、コア基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができるので、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
【００３３】
本発明の層間樹脂絶縁層、接続層において使用する熱硬化型樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００３４】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００３５】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００３６】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００３７】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００３８】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００３９】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００４０】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００４１】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００４２】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００４３】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００４４】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００４５】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００４６】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００４７】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００４８】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００４９】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００５０】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【００５１】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。
【００５２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について、図７〜図９を参照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチップ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態を示している。図９（Ａ）は、図７中のビア５２の拡大図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）中のビア５２に複数個のビア６９を配設した状態を矢印Ｂ側からた見た状態を示す模式図である。
【００５３】
図７に示すようにプリント配線板１０は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。コア基板３０に収容された複数個のチップコンデンサ２０の端子２１、２２には、相対的に大きなビア５２が接続されている。また、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶縁層６０、１６０からなる。層間樹脂絶縁層６０には、導体回路６８および相対的に小さなビア６９が形成され、層間樹脂絶縁層１６０には、導体回路１６８および相対的に小さなビア１６９が形成されている。層間樹脂絶縁層１６０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。
【００５４】
チップコンデンサ２０は、図１０（Ａ）に示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面には、導電性ペースト２６を被覆させてある。
【００５５】
ここで、第１電極２１及び第２電極２２は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無くすことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚みが最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能である。
【００５６】
チップコンデンサの電極２１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層を剥き出した状態で用いると、樹脂絶縁層４０にレーザで開口４２を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、第２電極２１，２２とビア５２との接続不良が発生する。本実施形態においては、導電性ペースト２６によって第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極上に被覆された開口４２を穿設した際に、樹脂残さが残らず、ビア５２を形成した際の電極２１，２２との接続信頼性を高めることができる。
【００５７】
更に、チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０の剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成できる。
【００５８】
図８に示すように上側のビルドアップ配線層８０Ａのビア１６９には、ＩＣチップ９０のパッド９２へ接続するための半田バンプ７６Ｕ（外部接続端子）が形成されている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂのビア１６９には、ドータボード９４のパッド９５へ接続するための半田バンプ７６Ｄが形成されている。
【００５９】
コア基板としては、樹脂からなるものを用いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フェノール樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いられる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容することができないことがあり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうからである。
【００６０】
また、チップコンデンサ２０を、コア基板３０に形成された凹部３２に複数個収容するため、チップコンデンサ２０を高密度に配置することができる。さらに、凹部３２に複数個のチップコンデンサ２０を収容するため、チップコンデンサ２０の高さを揃えることができる。このため、チップコンデンサ２０上の樹脂層４０を均一の厚さにできるため、ビア５２を適切に形成することが可能となる。その上、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなるため、ループインダクタンスを低減することができる。
【００６１】
また、図７及び、図７のビア５２の拡大図である図９（Ａ）に示すように上側のビルドアップ配線層８０Ａのビア６９は、１のビア５２に複数個接続している。図９（Ｂ）に示すよう大きなビア５２は、内径１２５μｍ、ランド径１６５μｍに、小さなビア６９は、内径２５μｍ、ランド径６５μｍに形成してある。一方、チップコンデンサ２０は、矩形に形成されており、第１端子２１及び第２端子２１も一辺２５０μｍの矩形に形成されている。このため、チップコンデンサ２０の配設位置が数十μｍずれていても、チップコンデンサ２０の第１端子２１及び第２端子２２とビア５２との接続を取ることが可能となり、チップコンデンサ２０からＩＣチップ９０への電力供給を確実に行うことができる。また、ビア６９を複数個配設したことにより、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高まり、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるＩＣチップの誤動作を防止することが可能となる。さらに、ＩＣチップからチップコンデンサ２０までの配線長を短縮することができるので、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００６２】
図７に示すように、ビア５２には、めっきを充填して表面が平坦なフィルドビアとして形成されている。これにより、ビア５２上に複数個のビア６９を直接接続することが可能となる。よって、ビア５２とビア６９との接続性を高めることができ、チップコンデンサ２０からＩＣチップ９０への電力供給を確実に行うことが可能となる。なお、本実施形態では、めっき充填でフィルドビアを形成したが、この代わりに、ビア５２としては、内部に樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設されたフィルドビアを用いてもよい。
【００６３】
なお、樹脂充填剤３６及びチップコンデンサ２０下部の接着材料３４の熱膨張率を、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０よりも小さく、即ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いように設定してある。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０及び樹脂絶縁層４０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。
【００６４】
また、チップコンデンサ２０間の樹脂層３６に、スルーホール５４を形成してあるため、セラミックから成るチップコンデンサ２０を信号線が通過しないので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。
【００６５】
引き続き、図７を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００６６】
（１）先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基板３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工、もしくは絶縁樹脂に通孔を設けてプレス、貼り合わせによって、コンデンサ配設用の凹部３２を形成する（図１（Ｂ）参照）。このとき、凹部３２は複数個のコンデンサを配設できるエリアよりも、広く大きく形成する。これにより、複数個のコンデンサをコア基板３０へ確実に配設することができる。
【００６７】
（２）その後、凹部３２に、印刷機を用いて接着材料３４を塗布する（図１（Ｃ）参照）。あるいは、ポッティング、ダイボンディング、接着シートを貼り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗ることができる。接着材料３４は、熱膨張率がコア基板よりも小さなものを用いる。次に、凹部３２にセラミックから成る複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３４を介して接着する（図１（Ｄ）参照）。ここで、底部が平滑な凹部３２に複数個のチップコンデンサ２０を配設することにより、複数個のチップコンデンサ２０の高さが揃う。よって、後述する工程で、コア基板３０の上に樹脂絶縁層４０を均一の厚みに形成でき、ビア５２を適切に形成することが可能となる。
【００６８】
そして、複数個のチップコンデンサ２０の上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ２０の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（図１（Ｅ）参照）。この工程により、凹部３２内に複数個のチップコンデンサ２０を配設した際に、複数個のチップコンデンサ２０の大きさにばらつきがあっても、高さを完全に揃えることができ、コア基板３０を平滑にすることができる。
【００６９】
（３）その後、凹部３２内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３６を形成する（図２（Ａ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３２内のチップコンデンサ２０を固定することができる。樹脂層３６は、熱膨張率がコア基板よりも小さなものを用いる。
【００７０】
それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用いてもよい。また、樹脂中に熱膨脹率を整合させるために、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例としては、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィラーなどがある。
【００７１】
（４）さらに、その上から前述したエポキシ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁層４０を形成する（図２（Ｂ）参照）。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。
【００７２】
それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を１種以上用いることができる。それらを２層構成にしてもよい。
【００７３】
（５）次に、レーザにより樹脂絶縁層４０に相対的に大きなビア用開口４２を形成する（図２（Ｃ）参照）。この際に、導電性ペースト２６によりチップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であるため、樹脂が電極上に残ることがない。その後、デスミヤ処理を行う。レーザの代わりに露光・現像処理を用いることもできる。そして、樹脂層３６にドリルまたはレーザにより、スルーホール用の通孔４４を形成し、加熱硬化する（図２（Ｄ）参照）。場合によっては、酸あるいは酸化剤もしくは薬液による粗化処理、プラズマ処理による粗化処理を施してもよい。それによって、粗化層の密着性が確保される。
【００７４】
（６）その後、無電解銅めっきにより銅めっき膜４６を樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３（Ａ）参照）。無電解めっきの代わりに、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよい。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適正に銅めっき膜４６を形成することができる。
【００７５】
（７）次に、銅めっき膜４６の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト４８を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、銅めっき膜４６を介して電流を流し、めっきレジスト４８非形成部に電解めっき５０を充填する（図３（Ｂ）参照）。
【００７６】
（８）ついで、めっきレジスト４８を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４８下の銅めっき膜４６を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、銅めっき膜４６と電解銅めっき５０からなるフィルドビア構造である相対的に大きなビア５２及びスルーホール５４を形成する。その大きなビア径は、１００〜６００μｍの範囲であることが望ましい。特に、１２５〜３５０μｍであることが望ましい。この場合は、１６５μｍで形成させた。スルーホールは、２５０μｍで形成させた。そして、基板３０の両面にエッチング液をスプレイで吹きつけ、ビア５２の表面及びスルーホール５４のランド表面とをエッチングすることにより、ビア５２及びスルーホール５４の全表面に粗化面５２αを形成する（図３（Ｃ）参照）。
【００７７】
（９）その後、スルーホール５４内にエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤５６を充填して、乾燥する（図３（Ｄ）参照）。
【００７８】
（１０）上記工程を経た基板３０の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４（Ａ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。樹脂フィルムとして、エポキシ系樹脂、オレフィン系樹脂を用いることができる。
【００７９】
（１１）次に、ＣＯ2ガスレーザにて、層間樹脂絶縁層６０に６５μｍの相対的に小さなビア用開口６１を設ける（図４（Ｂ）参照）。相対的に小さなビア径は、２５〜１００μｍの範囲であることが望ましい。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００８０】
（１２）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ―４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層６０の表面を粗化し、粗化面６０αを形成する（図４（Ｃ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【００８１】
（１３）次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層６２を層間樹脂絶縁層６０の表面に形成する。このとき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層６２の厚さは０．２μｍである（図４（Ｄ）参照）。無電解めっきなどのめっき膜、あるいはスパッタの上にめっき膜を施してもよい。
【００８２】
（１４）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト６４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜６６を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００８３】
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【００８４】
（１５）めっきレジスト６４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のＮｉ／Ｃｕ金属層６２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層６２と電解めっき膜６６からなる導体回路６８およびビア５２上に接続した複数個の相対的に小さなビア６９を形成する（図５（Ｂ）参照）。本実施形態では、ビア５２をフィルドビア構造にすることにより、ビア５２に複数個のビア６９を直接接続することが可能となる。
【００８５】
（１６）次に、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路６８の表面をエッチングすることにより、導体回路６８の全表面に粗化面６８αを形成する（図５（Ｃ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００８６】
（１７）次いで、上記（１０）〜（１６）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０及び導体回路１６８（ビア１６９を含む）を形成する（図５（Ｄ）参照）。
【００８７】
（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【００８８】
（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する（図６（Ａ）参照）。また、ＬＰＳＲなどの市販のソルダーレジストを用いてもよい。
【００８９】
（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。
【００９０】
（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。
【００９１】
次に、上述した工程で完成したプリント配線板１０へのＩＣチップの載置および、ドータボードへの取り付けについて、図８を参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９４のパッド９５が対応するように、リフローすることで、ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。
【００９２】
引き続き、本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板について、図１１を参照して説明する。上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ９８が実装されている。
【００９３】
図１０（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポリイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
【００９４】
また、第１改変例では、導電性ペースト２６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の金属膜を形成することも可能である。
【００９５】
第１改変例では、コンデンサ２０の電極２１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けてあるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減することができる。メタライズからなる電極２１、２２は、表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすことができ、ビア５２との密着性を高め、接続抵抗を下げることができる。
【００９６】
ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ９８を備えてある。このチップコンデンサによる効果について、図１２を参照して説明する。
【００９７】
図１２は、縦軸にＩＣチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃは、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合には、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示している。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込まないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が降下している。また、二点鎖線Ｂは、図７を参照して上述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容することができないため、電圧が変動している。ここで、実線Ｅは、図１１を参照して上述したコア基板内のチップコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ９８を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ９８を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。
【００９８】
引き続き、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１１０について、図２０を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第２実施形態では、第１実施形態とほぼ同様であるが、図２０に示すように導電性ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【００９９】
続いて、図２０を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１３〜図２０を参照して説明する。
【０１００】
（１）先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレク３１を４枚積層してなる積層板３０αに、チップコンデンサ収容用の通孔３３ａを形成する。また、その一方で、プリプレク３１を２枚積層してなる積層板３０βを用意する（図１３（Ａ）参照）。ここで、プリプレク３１としては、エポキシ以外にも、ＢＴ、フェノール樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有したものを用い得る。
【０１０１】
（２）次に、積層板３０αと積層板３０βとを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチップコンデンサ２０を収容可能な凹部３３を備えた、コア基板３０を形成する（図１３（Ｂ）参照）。
【０１０２】
（３）そして、凹部３３のコンデンサ配設位置にポッテング（ディスペンサー）を用いて接着材料３４を塗布する（図１３（Ｃ）参照）。あるいは、印刷、ダイボンディグ、接着シートを貼り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗ることができる。その後、凹部３３内にセラミックから成る複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３４を介して収容する（図１３（Ｄ）参照）。
【０１０３】
（４）その後、凹部３３内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３６を形成する（図１４（Ａ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３３内のチップコンデンサ２０を固定することができる。
【０１０４】
（５）さらに、その上から前述したエポキシ系もしくはポリオレフィン系からなる樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁層４０を形成する（図１４（Ｂ）参照）。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを貼り付けてもよい。
【０１０５】
（６）次に、露光・現像処理又はレーザにより樹脂絶縁層４０に相対的に大きなビア用開口４２を形成する（図１４（Ｃ）参照）。その大きなビア径は、１００〜６００μｍの範囲であることが望ましい。特に、１２５〜３５０μｍであることが望ましい。この場合は、１６５μｍで形成させた。そして、樹脂層３６にドリルまたはレーザにより、２５０μｍ径のスルーホール用の通孔４４を形成し、加熱硬化する（図１４（Ｄ）参照）。
【０１０６】
（７）そして、基板３０にパラジウム触媒を付与してから、無電解めっき液にコア基板を浸漬し、均一に無電解めっき膜４５を析出させる（図１５（Ａ）参照）。その後、無電解めっき膜４５を形成した開口４２の内部に樹脂充填剤を充填し、乾燥する。これにより、開口４２の内部に樹脂層４７を形成する（図１５（Ｂ）参照）。
【０１０７】
（８）その後、無電解めっき膜４５の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト４８を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬し、無電解めっき膜から成る蓋めっき５１を形成する（図１５（Ｃ）参照）。
【０１０８】
（９）上記工程の後、めっきレジスト４８を５％のＮａＯＨで剥離した後、めっきレジスト４８下の無電解めっき膜４５を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングをして除去し、フィルドビア構造である相対的に大きなビア５３及びスルーホール５４を形成する（図１５（Ｄ）参照）。ビア５３をフィルドビア構造にすることにより、後述する工程で１のビア５３に複数個のビア６９を直接接続することが可能となる。
【０１０９】
（１０）そして、基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、ビア５３の表面とスルーホール５４のランド表面と内壁とをエッチングして、ビア５３及びスルーホール５４の全表面に粗化面５３αを形成する（図１６（Ａ）参照）。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。
【０１１０】
（１１）次に、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤５６を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
その後、スルーホール５４内に樹脂充填剤５６を充填して、乾燥する（図１６（Ｂ）参照）。
【０１１１】
（１２）次に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９，油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５，大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０，大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。
【０１１２】
（１３）基板の両面に、（１２）で作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層６０を形成する（図１６（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させる。
【０１１３】
（１４）次に、層間樹脂絶縁層６０上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔５７ａが形成されたマスク５７を介して、ＣＯ2 ガスレーザで層間樹脂絶縁層６０に、６５μｍの相対的に小さなビア用開口６１を形成する（図１６（Ｄ）参照）。相対的に小さなビア径は、２５〜１００μｍの範囲であることが望ましい。
【０１１４】
（１５）ビア用開口６１を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層６０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、ビア用開口６１の内壁を含む層間樹脂絶縁層６０の表面を粗化面６０αとする（図１７（Ａ）参照）。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。
【０１１５】
（１６）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層６０の表面およびビア用開口６１の内壁面に触媒核を付着させる。
【０１１６】
（１７）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面６０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜６３を形成する（図１７（Ｂ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【０１１７】
（１８）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜６３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト６４を設ける。次いで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜６６を形成する（図１７（Ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【０１１８】
（１９）めっきレジスト６４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト６４下の無電解めっき膜６３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜６３と電解銅めっき膜６６からなる厚さ１８μｍの導体回路６８および相対的に小さなビア６９を形成する（図１７（Ｄ）参照）。その後、（１０）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面６８αを形成する（図１８（Ａ）参照）。
【０１１９】
（２０）続いて、上記（１３）〜（１９）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０及び導体回路１６８およびビア１６９を形成する（図１８（Ｂ）参照）。
【０１２０】
（２１）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ.３によった。
【０１２１】
（２２）次に、多層配線基板の両面に、（２１）で調製したソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬化させ、開口７１Ｕ、７１Ｄを有する、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図１９（Ａ）参照）。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０１２２】
（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図１９（Ｂ）参照）。
【０１２３】
（２４）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕにスズ−鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の面の開口部７１Ｄ内に導電性接着剤９７として半田ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン９６を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン９６の固定部９８を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン９６を導電性接着剤９７に固定する。また、導電性接続ピン９６の取り付け方法としては、導電性接着剤９７をボール状等に形成したものを開口部７１Ｄ内に入れる、あるいは、固定部９８に導電性接着剤９７を接合させて導電性接続ピン９６を取り付け、その後にリフローさせてもよい。
【０１２４】
その後、プリント配線板１１０の開口７１Ｕ側の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う（図２０参照）。
【０１２５】
引き続き、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板について、図２１を参照して説明する。第３実施形態のプリント配線板２１０は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、この第３実施形態のプリント配線板２１０では、コア基板３０に形成された凹部３５に一個のチップコンデンサ２０が収容されている。コア基板３０内にチップコンデンサ２０を配置するため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可能となる。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２６】
引き続き、本発明の第４実施形態に係るプリント配線板の構成について図２２を参照して説明する。
この第４実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図２２は、チップコンデンサの平面図を示している。図２２（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述した第１実施形態のプリント配線板では、図２２（Ｂ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。図２２（Ｃ）は、第４実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。第４実施形態のプリント配線板では、図２２（Ｄ）に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２７】
この第４実施形態のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。
【０１２８】
引き続き、第４実施形態の第１改変例に係るプリント配線板について図２３を参照して説明する。
図２３は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１２９】
この第１改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１３０】
図２４を参照して第２改変例に係るプリント配線板について説明する。図２４（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖線は、通常の裁断線を示し、図２４（Ｂ）は、チップコンデンサの平面図を示している。図２４（Ｂ）に示すように、この第２改変例では、多数個取り用のチップコンデンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。
【０１３１】
この第２改変例では、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがない。
【０１３２】
上述した第４実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデンサを用いることも可能である。
【０１３３】
ここで、第１実施形態のプリント配線板について、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタンスとを測定した値を以下に示す。
コンデンサ単体の場合
埋め込み形          １３７pH
裏面実装形          ２８７pH
コンデンサを８個並列に接続した場合
埋め込み形            ６０pH
裏面実装形            ７２pH
以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデンサを内蔵することでインダクタンスを低減できる。
【０１３４】
次に、信頼性試験を行った結果について説明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板において、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定した。
0004697828.tif 000003
【０１３５】
Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置した。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０分放置する試験を１０００回線り返した。
【０１３６】
上記信頼性試験において、チップコンデンサを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力が発生しても、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。
【０１３７】
【発明の効果】
本発明の構成では、導体回路とコンデンサの間に、本願発明のビアが形成されているので、電源供給不足による動作の遅延をすることがなく、所望の性能を保つことができ、信頼性試験を行っても問題を引き起こさなかった。
また、該ビアにより、層間絶縁層のビアを形成しても、位置ずれを引き起こしても、その許容範囲が広くなるために、電気接続性が確保される。
【０１３８】
また、コンデンサの電極の表面に導電性ペーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっきによるビアとの接続性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図９】（Ａ）は、図７中のビア５２の拡大図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＢ矢印図である。
【図１０】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサの断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例のチップコンデンサの断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の断面図である。
【図１２】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示すグラフである。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１８】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図１９】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。
【図２２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第４実施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図２３】第４実施形態に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【図２４】（Ａ）、（Ｂ）は、第４実施形態の改変例に係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図である。
【符号の説明】
２０  チップコンデンサ
２１  第１電極
２２  第２電極
２３  誘電体
２３ａ  粗化面
２３ｂ  ポイリミド膜
２６  導電性ペースト
２８ａ  無電解銅めっき膜
２８ｂ  電解銅めっき膜
２８  複合金属膜
３０  コア基板
３２  凹部
３３  凹部
３５  凹部
３６  樹脂層
４０  樹脂絶縁層
５２  ビア
５３  ビア
６０  層間樹脂絶縁層
６８  導体回路
６９  ビア
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口部
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７６  半田バンプ（外部接続端子）
９０  ＩＣチップ
９２  半田パッド（ＩＣチップ側）
９４  ドータボード
９５  半田パッド（ドータボード側）
９６  導電性接続ピン
９７  導電性接着剤
９８  固定部
１６０  層間樹脂絶縁層
１６８  導体回路
１６９  ビア
【図１】
0004697828.tif 000004
【図２】
0004697828.tif 000005
【図３】
0004697828.tif 000006
【図４】
0004697828.tif 000007
【図５】
0004697828.tif 000008
【図６】
0004697828.tif 000009
【図７】
0004697828.tif 000010
【図８】
0004697828.tif 000011
【図９】
0004697828.tif 000012
【図１０】
0004697828.tif 000013
【図１１】
0004697828.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
0004697828.tif 000016
【図１４】
0004697828.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
0004697828.tif 000019
【図１７】
0004697828.tif 000020
【図１８】
0004697828.tif 000021
【図１９】
0004697828.tif 000022
【図２０】
0004697828.tif 000023
【図２１】
0004697828.tif 000024
【図２２】
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【図２３】
0004697828.tif 000026
【図２４】
0004697828.tif 000027