(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１不純物が導入された第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、第２導電型の第２不純物が導入された第２導電型ウエルと、
前記第２導電型ウエルに内包され、平面形状が長方形であり、第１不純物が導入された第１導電型ウエルと、
前記第１導電型ウエルの底部に接し、前記第２導電型ウエルを貫通して、前記第２導電型ウエル外の前記第１導電型半導体基板に接続する、第１不純物が導入された貫通領域と、を備え、
前記第１導電型半導体基板に電位が与えられ、
前記貫通領域は、前記第１導電型半導体基板に与えられた電位を、前記第２導電型ウエルで囲まれた前記第１導電型ウエルに供給し、
前記貫通領域は行列状の配列を組んでおり、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が前記第１導電型ウエルの辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されており、
前記貫通領域の形状が正方形状または長方形状であって、
前記貫通領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかが前記第１導電型ウエルの辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかと平行な向きであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の第１不純物が導入された第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、第２導電型の第２不純物が導入された第１の第２導電型ウエルと、
前記第１の第２導電型ウエルに平面的に囲まれ、平面形状が長方形であり、前記第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて形成されている、第１不純物が導入された第１導電型ウエルと、
前記第１の第２導電型ウエル及び前記第１導電型ウエルの底部から前記第１導電型半導体基板内部に向けて形成されている、第２不純物が導入された第２の第２導電型ウエルと、
平面的に前記第２の第２導電型ウエルと重なって配置されており、前記第２の第２導電型ウエルを貫通する、第１不純物が導入された貫通領域と、を備え、
前記第１導電型半導体基板に電位が与えられ、
前記貫通領域は、前記第１導電型半導体基板に与えられた電位を、前記第１の第２導電型ウエルで囲まれた前記第１導電型ウエルに供給し、
前記貫通領域の中心点が平面的に行列状の配列を組んでおり、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が前記第１導電型ウエルの辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されており、
前記貫通領域の形状が正方形状または長方形状であって、
前記貫通領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかが前記第１導電型ウエルの辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかと平行な向きであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の第１不純物が導入された第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて画定されている第２導電型ウエルの形成予定領域に対して、平面的に重なるように、前記第１導電型半導体基板の表面に、貫通領域に対応した、孤立レジストパターンを形成する工程と、
前記第２導電型ウエルの形成予定領域に対して、前記孤立レジストパターンをマスクに、イオン注入により第２導電型の第２不純物を導入して所定の深さに第２の第２導電型ウエルを形成する工程と、
前記第２導電型ウエルの形成予定領域に対して、イオン注入により第２不純物を導入して前記第２の第２導電型ウエルよりも浅い第１の第２導電型ウエルを形成する工程と、
前記第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて画定されており、平面的に前記第１の第２導電型ウエルに包含される平面形状が長方形の第１導電型ウエルの形成予定領域に、第１不純物を導入して第１導電型ウエルを形成する工程と、を備え、
前記第１導電型半導体基板に電位が与えられ、
前記貫通領域は、前記第１導電型半導体基板に与えられた電位を、前記第１の第２導電型ウエルで囲まれた前記第１導電型ウエルに供給し、
前記孤立レジストパターンは行列状の配列を組んでおり、かつ、前記行列状の配列に対する列方向の軸が前記第１導電型ウエルの辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されており、
前記貫通領域の形状が正方形状または長方形状であって、
前記貫通領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかが前記第１導電型ウエルの辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかと平行な向きであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に、トリプルウエル構造を有し、半導体基板と同一導電型のウエルが存在する半導体基板から、半導体基板と逆導電型のウエル内にある、同一導電型のウエルに対して電源を供給するために、半導体基板と逆導電型のウエルの底部から、逆導電型のウエル内部にある同一導電型ウエルの底部に向けて、逆導電型ウエルを貫通する導電穴を設けたことを特徴とする半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳトランジスタ等の能動素子、例えば、ＣＭＯＳ回路を含む半導体集積回路装置において、いわゆるトリプルウエル構造が採用されている。
トリプルウエル構造とは、例えば、Ｐ型シリコン基板内に、Ｐ型ウエル領域と、Ｎ型ウエル領域と、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域とが形成されている状態をいう。
そして、トリプルウエル構造を採用する理由の一つは、Ｎ型ウエル領域内に形成されたＭＯＳトランジスタのバックバイアス電位の安定性、及び、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域内に形成されたＭＯＳトランジスタのバックバイアス電位の安定性が確保されることにある。また、トリプルウエル構造を採用する他の理由は、Ｐ型ウエル領域及びＰ型シリコン基板中に発生した少数キャリヤーがＭＯＳトランジスタ等に注入するのを抑制することにある。その結果、ＣＭＯＳ回路の安定動作、及び、フリップフロップ等のメモリ機能を有する回路におけるデータ保持特性の向上が達成されている。
【０００３】
ここで、上記のようなトリプルウエル構造を有する半導体装置において、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域内に、電位を供給する端子を配置する必要がある。従って、電位を供給する端子領域を確保するため、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域の平面的な大きさが大きくなる問題点があった。
そこで、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域の底部に接続し、Ｎ型ウエル領域を貫通して、Ｎ型ウエル領域の底部にあるＰ型不純物領域に達する、Ｐ型不純物が導入されている貫通領域を設けることが提案された（例えば、特許文献１）。
【０００４】
この構造では、上記の貫通領域を通じて、Ｐ型シリコン基板に与えた電位が、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域に供給される。一方、上記のＮ型ウエル領域は、貫通領域を除いて、Ｐ型ウエル領域を囲むことになるため、基板中に発生した少数キャリヤーがＭＯＳトランジスタ等に注入するのを抑制する効果を保持する。
従って、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域に電位を供給する端子を、上記のＰウエル領域内にある半導体基板の表面に配置する必要がない。そうすると、Ｎ型ウエル領域で囲まれたＰ型ウエル領域が大きくなることがない。
【特許文献１】特開平１０−１９９９９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
Ｎ型ウエル領域内に複数のＰ型ウエル領域が配置されており、かつ、特許文献１に記載されているような貫通領域がＮ型ウエル領域の底部を形成するＮ型不純物領域内に配置されているトリプルウエル構造を有する半導体装置を製造するには、順次、次のような工程を行う。
すなわち、初めに、Ｐ型シリコン基板内に、Ｎ型ウエル領域、及び、そのＮ型ウエル領域を貫通する、Ｐ型不純物が導入されている貫通領域を形成する工程を行う。次に、複数のＰ型ウエル領域をＮ型ウエル領域内に形成する工程を行うことにより、上記の半導体装置は形成される。
そこで、上記のＮ型ウエル領域内に、お互いに一定の間隔となるように上記の貫通領域が配置されているとすると、任意の形状のＰ型ウエル領域を、任意の位置に配置した場合に、貫通領域とＰ型ウエル領域が重ならない場合が想定される。その場合、Ｐ型ウエル領域のウエル電位が貫通領域を通じて供給されなくなる問題が生じる。
従って、本発明の目的は、Ｎ型ウエル領域内に配置され、Ｐ型ウエル領域と半導体基板を電気的に接続する貫通領域と、Ｎ型ウエル領域内に配置される複数のＰ型ウエル領域が容易に重なり電位供給路が容易に確保されるように、貫通領域が配置されている半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
半導体装置の一態様には、第１導電型の第１不純物が導入された第１導電型半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、第２導電型の第２不純物が導入された第２導電型ウエルと、前記第２導電型ウエルに内包され、平面形状が長方形であり、第１不純物が導入された第１導電型ウエルと、前記第１導電型ウエルの底部に接し、前記第２導電型ウエルを貫通して、前記第２導電型ウエル外の前記第１導電型半導体基板に接続する、第１不純物が導入された貫通領域と、が設けられている。前記第１導電型半導体基板に電位が与えられ、前記貫通領域は、前記第１導電型半導体基板に与えられた電位を、前記第２導電型ウエルで囲まれた前記第１導電型ウエルに供給する。前記貫通領域は行列状の配列を組んでおり、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が前記第１導電型ウエルの辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されている。前記貫通領域の形状が正方形状または長方形状であって、前記貫通領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかが前記第１導電型ウエルの辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかと平行な向きである。
【発明の効果】
【０００７】
第１領域、例えば、Ｎ型ウエル領域内に形成されている貫通領域の行列状の配列に対する列方向の軸は、第２領域、例えば、Ｐ型ウエル領域の辺又は中心軸に対して傾いている。従って、一定の長さを持つＰ型ウエル領域がＮ型ウエル領域内に配置されたときは、かならず、Ｐ型ウエル領域と貫通領域は接続する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施例１、実施例２（参考例１）、実施例３（参考例２）、及び、実施例４について説明する。
【実施例１】
【０００９】
実施例１は、Ｎ型ウエル領域を備え、Ｎ型ウエル領域内において、貫通領域が行列状の配列を組んで配置されており、その行列状の配列に対する列方向の軸がＰ型ウエル領域の辺又は中心軸に対して傾いていることを特徴とする半導体装置の実施例である。そして、実施例１を、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、及び、図２Ｂを用いて説明する。
【００１０】
図１Ａは、実施例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図である。
実施例１の半導体装置は、Ｎ型ウエル領域１、Ｎ型ウエル領域１内のＰ型ウエル領域２ａ、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ、貫通領域３、半導体基板４ａ、および、Ｐ型ウエル領域２ｂに電位を与える端子４ｂから構成されている。
Ｐ型ウエル領域２ｂに電位を与える端子４ｂは、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ内に配置されている。すなわち、Ｐ型ウエル領域２ｂに電位を与える端子４ｂは半導体基板４ａと電気的にオーミックに接続された場所に配置されている。また、半導体基板４ａと同様の導電型の不純物が導入されている。
Ｎ型ウエル領域１は、例えば、矩形の領域である。また、Ｎ型ウエル領域１は複数のＰ型ウエル領域２ａを含む。そして、Ｎ型ウエル領域１には、Ｎ型不純物が導入されている。
Ｐ型ウエル領域２ａは矩形の領域である。また、Ｐ型ウエル領域２ａはＮ型ウエル領域１に内包されている。すなわち、Ｐ型ウエル領域２ａは、平面的にも、半導体基板の深さ方向においても、Ｎ型ウエル領域１に囲まれている。また、Ｐ型ウエル領域２ａには、Ｐ型不純物が導入されている。
【００１１】
貫通領域３の形状は正方形又は長方形をしている。貫通領域３は、Ｎ型ウエル領域１内に行列状に、複数個配列を組んで配置されている。そして、その行列上の配列の列方向の軸は、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は中心軸の方向、すなわち、縦方向から傾いている。しかし、正方形状である貫通領域３の辺の中点を結ぶ中心軸の一方は、縦方向を向いている。すなわち、貫通領域３の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸の内のいずれかの方向は、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸の内のいずれかの方向と平行な向きである。そして、貫通領域３には、Ｐ型不純物が導入されている。ここで、貫通領域３の行列状の配列とは、縦方向に複数個の貫通領域３を並べて構成した列を、横方向へ複数列配置した状態をいう。
【００１２】
図１Ｂは、実施例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域１内における貫通領域３の配列を示す断面図である。なお、図１Ｂの断面図は、図１ＡのＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
そして、実施例１の半導体装置は、Ｎ型ウエル領域１、Ｎ型ウエル領域１内のＰ型ウエル領域２ａ、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ、貫通領域３、半導体基板４ａ、及び、Ｐ型ウエル領域２ｂに電位を与える端子４ｂに加え、素子分離領域５をさらに含む。
Ｎ型ウエル領域１は、半導体基板４ａ表面から半導体基板４ａの深さ方向へ向けて形成されている。また、Ｎ型ウエル領域１の深さはＰ型ウエル領域２ａの深さより深い。
Ｐ型ウエル領域２ａは、半導体基板４ａ表面から半導体基板４ａの深さ方向へ向けて形成されている。そして、Ｐ型ウエル領域２ａは、Ｎ型ウエル領域１に内包されており、Ｎ型ウエル領域１の深さより、Ｐ型ウエル領域２ａの深さは浅い。
Ｐ型ウエル領域２ｂは、Ｎ型ウエル領域１の外にある。そして、Ｐ型ウエル領域２ｂは半導体基板４ａ表面から半導体基板４ａの深さ方向へ向けて形成されている。
Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子４ｂは、半導体基板４ａの表面に形成された領域であって、Ｐ型不純物が拡散されている領域である。そして、そのＰ型不純物の濃度は、金属配線とオーミック接続ができる程に濃い。
【００１３】
貫通領域３は、Ｐ型ウエル領域２ａの底部にあたる深さから半導体基板４ａの深さ方向へ向けて形成されている。そして、貫通領域３の深さは、Ｎ型ウエル領域１の底部に達している。従って、貫通領域３は、Ｎ型ウエル領域１の底部に位置する、半導体基板４ａの一部の領域に接続している。また、貫通領域３は、平面的に、Ｐ型ウエル領域２ａに重なったときは、Ｐ型ウエウル領域２ａの底部に接する。すなわち、Ｎ型ウエル領域１を、Ｐ型ウエル領域２ａの周囲にあり、かつ、半導体基板４ａの表面から深さ方向へ形成されている部分と、Ｐ型ウエル領域２ａの底部から半導体基板４ａの深さ方向へ形成されている、層状の部分に分けたとするなら、貫通領域３は、Ｐ型ウエル領域２ａの底部から半導体基板４ａの深さ方向へ形成されている、層状の部分を貫通する領域である。
素子分離領域５は、ＭＯＳトランジスタ等の半導体素子を形成する領域を絶縁分離する領域である。そして、素子分離領域５は、半導体基板４ａの表面に形成された溝と、その溝に埋め込まれた絶縁物から形成されている。
【００１４】
さらに、図１Ａによると、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３を含む全ての図形が正方形状または長方形状であり、かつ、辺の向きが０度方向と９０度方向の二方向に統一されている。この配置は、ＣＡＤ（computer aided design）の設計環境の下で、製図・図形処理・検証等を簡便かつ容易に行うことが出来るようにする効果を奏する。本実施例においては、この効果が、一定の長さを持つＰ型ウエル領域２ａがＮ型ウエル領域１内に配置されると必ずＰ型ウエル領域２ａと貫通領域３が接続する効果と、ともに両立して実現している。
【００１５】
図２Ａは、従来の半導体装置のＮ型ウエル領域１内において、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａと貫通領域３の配置を示す平面図である。そして、図２Ａは貫通領域３が行列状に配列されているところを示している。また、図２Ａは、Ｐ型ウエル領域２ａが縦に細長い矩形であることを示している。
図２Ａによれば、Ｐ型ウエル領域２ａの中心軸の方向と貫通領域３の行列状の配列における列の方向が一致している。従って、図２Ａによれば、Ｐ型ウエル領域２ａが貫通領域３の隙間に入り込む場合があるため、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とが重ならない場合があることがわかる。
【００１６】
図２Ｂは、実施例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１内において、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａと貫通領域３の配置を示す平面図である。そして、図２Ｂは、貫通領域３が行列状に配列されており、かつ、配列の列方向の軸が縦方向から斜めに傾いていることを示している。また、図２Ｂは、Ｐ型ウエル領域２ａが縦に細長い矩形であっても、ある程度の長さがある場合には、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とが重なることを示している。
図２Ｂによれば、矩形のＰ型ウエル領域２ａの中心軸が縦方向に向いているのに対して、貫通領域３の行列状の配列おいて列方向の軸が縦方向から斜めに傾いており、上記の中心軸と上記の列方向の軸は交差する。従って、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とは、その交差部分において、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とがかならず重なることがわかる。
【００１７】
そうすると、図２Ａと図２Ｂによれば、実施例１の半導体装置においては、貫通領域３の行列状の配列における列方向の軸が、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は中心軸の方向から傾いている。そのため、Ｎ型ウエル領域１内において、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とが容易に重なる効果がある。
【００１８】
すなわち、Ｎ型ウエル領域１内に、Ｐ型ウエル領域２ａを辺又は中心軸が縦方向に向くように配置したときに、貫通領域３とＰ型ウエル領域２ａが重なる確率が高くなる効果がある。
さらに、貫通領域３の辺又は辺の中点を結ぶ中心軸の内のいずれかの方向は、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は中心軸の内のいずれかの方向と平行な向きであるため、Ｐ型ウエル領域２ａを辺又は中心軸が縦方向に向くように配置したときに、貫通領域３とＰ型ウエル領域２ａが重なる領域が大きくなる効果がある。
【実施例２】
【００１９】
実施例２（参考例１）は、Ｎ型ウエル領域を備え、貫通領域がＮ型ウエル領域内に行列状に配列されており、その貫通領域の形状が正方形状であり、さらに、貫通領域自体が縦方向に対して傾きを持つ半導体装置の実施例である。そして、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、及び、図４Ｂを用いて、参考例１の半導体装置の実施例について説明する。
【００２０】
図３Ａは、参考例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図である。
参考例１の半導体装置は、Ｎ型ウエル領域１、Ｎ型ウエル領域１内のＰ型ウエル領域２ａ、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ、貫通領域３、及び、半導体基板４ａから構成されている点では、実施例１の半導体装置と同様である。従って、同様な構成要素には、同様な番号を付した。
参考例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１は、実施例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様である。
参考例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａは、実施例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａと同様である。
参考例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ｂは、実施例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ｂと同様である。
Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子４ｂは、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ内に配置されている。すなわち、Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子４ｂは半導体基板４ａと電気的にオーミックに接続された場所に配置されている。また、半導体基板４ａと同様の導電型の不純物が導入されている。
【００２１】
参考例１の半導体装置の貫通領域３は、Ｎ型ウエル領域１内に行列状に、複数個配列されている点で実施例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様である。また、参考例１の半導体装置の貫通領域３の形状が正方形又は長方形であることも同様である。しかし、正方形状である貫通領域３の辺の中点を結ぶ中心軸の一方が、行列の列方向を向いている点で異なる。すなわち、貫通領域３自体が縦方向に対して傾きを持ち、さらに、貫通領域３の中心点も、縦方向から傾いている線に沿って配置されている。なお、参考例１の半導体装置の貫通領域３には、Ｐ型不純物が導入されている。
【００２２】
図３Ｂは、参考例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域１内における貫通領域３の配置を示す断面図である。なお、図３Ｂの断面図は、図３ＡのＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
そして、参考例１の半導体装置が、さらに、素子分離領域５を含む点では、実施例１の半導体装置と同様である。
参考例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１は、実施例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様に半導体基板４ａの深さ方向に形成されている。
参考例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａは、実施例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａと同様に半導体基板４ａの深さ方向に形成されている。
【００２３】
参考例１の半導体装置の貫通領域３は、実施例１の半導体装置の貫通領域３と、貫通領域３の平面的な形状を除いて同様な領域である。
参考例１の半導体装置の素子分離領域５は、実施例１の半導体装置の素子分離領域５と同様である。
【００２４】
図４Ａは、従来の半導体装置のＮ型ウエル領域１内において、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａと貫通領域３の配置を示す平面図である。そして、図４Ａは貫通領域３が行列状に配列されているところを示している。また、図４Ａは、Ｐ型ウエル領域２ａが縦に細長い矩形であることを示している。
図４Ａによれば、Ｐ型ウエル領域２ａの中心軸の方向と貫通領域３の行列状の配列における列の方向が一致している。従って、図４Ａによれば、Ｐ型ウエル領域２ａが貫通領域３の隙間に入り込む場合があるため、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とが重ならない場合があることがわかる。
【００２５】
図４Ｂは、参考例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１内において、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａと貫通領域３の配置を示す平面図である。そして、図４Ｂは、貫通領域３が行列状に配列されており、かつ、配列の列方向の軸が垂直方向から斜めに傾いていることを示している。また、図４Ｂは、Ｐ型ウエル領域２ａが縦に細長い矩形であっても、ある程度の長さがある場合には、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とが重なることを示している。
図４Ｂによれば、矩形のＰ型ウエル領域２ａの中心軸が垂直方向に向いているのに対して、貫通領域３の行列状の配列おいて列方向の軸が垂直方向から斜めに傾いており、上記の中心軸と上記の列方向の軸は交差する。従って、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とは、その交差部分において、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とがかならず重なることがわかる。
【００２６】
参考例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域１内に貫通領域３が行列状態の配列を組んで配置されている。そして、その行列上の配列の列方向の軸は、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は中心軸の方向から傾いている。そうすると、矩形のＰ型ウエル領域２ａの中心軸と、貫通領域３の行列状の配列における列方向の軸とは交差する。従って、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とは、その交差部分において、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とがかならず重なることがわかる。
従って、Ｎ型ウエル領域１内に、Ｐ型ウエル領域２ａを辺又は中心軸が垂直方向に向く様に配置したときに、貫通領域３とＰ型ウエル領域２ａが重なる確率が高くなる効果がある。
【実施例３】
【００２７】
実施例３（比較例２）は、Ｎ型ウエル領域を備え、貫通領域がＮ型ウエル領域内に行列状に配列されており、その貫通領域の形状が円形であることを特徴とする半導体装置の実施例である。そして、図５Ａ及び図５Ｂを用いて、比較例２の半導体装置について説明する。
【００２８】
図５Ａは、比較例２の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図である。
比較例２の半導体装置は、Ｎ型ウエル領域１、Ｎ型ウエル領域１内のＰ型ウエル領域２ａ、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ、貫通領域３、及び、半導体基板４ａから構成されている点では、比較例１の半導体装置と同様である。従って、同様な構成要素には、同様な番号を付した。
比較例２の半導体装置のＮ型ウエル領域１は、比較例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様である。
比較例２の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａは、比較例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａと同様である。
比較例２の半導体装置のＰ型ウエル領域２ｂは、比較例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ｂと同様である。
Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子４ｂは、Ｎ型ウエル領域１外のＰ型ウエル領域２ｂ内に配置されている。すなわち、Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子４ｂは半導体基板４ａと電気的にオーミックに接続された場所に配置されている。また、半導体基板４ａと同様の導電型の不純物が導入されている。
【００２９】
比較例２の半導体装置の貫通領域３は、Ｎ型ウエル領域１内に行列状に、複数個配列されている点で比較例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様である。しかし、比較例２の半導体装置の貫通領域３の形状は円形である点では比較例１の半導体装置の貫通領域３とは異なる。なお、比較例２の半導体装置の貫通領域３には、Ｐ型不純物が導入されている。
【００３０】
図５Ｂは、比較例２の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域１内における貫通領域３の配置を示す断面図である。なお、図５Ｂの断面図は、図５ＡのＡ−Ｂ線に沿った断面図である。
そして、比較例２の半導体装置が、さらに、素子分離領域５を含む点では、比較例１の半導体装置と同様である。
比較例２の半導体装置のＮ型ウエル領域１は、比較例１の半導体装置のＮ型ウエル領域１と同様に半導体基板４ａの深さ方向に形成されている。
比較例２の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａは、比較例１の半導体装置のＰ型ウエル領域２ａと同様に半導体基板４ａの深さ方向に形成されている。
【００３１】
比較例２の半導体装置の貫通領域３は、比較例１の半導体装置の貫通領域３と、貫通領域３の平面的な形状を除いて同様な領域である。
比較例２の半導体装置の素子分離領域５は、比較例１の半導体装置の素子分離領域５と同様である。
【００３２】
比較例２の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域１内に貫通領域３が行列状態の配列を組んで配置されている。そして、その行列上の配列の列方向の軸は、Ｐ型ウエル領域２ａの辺又は辺の中点を結ぶ中心軸の方向から傾いている。そうすると、矩形のＰ型ウエル領域２ａの中心軸と、貫通領域３の行列状の配列における列方向の軸とは交差する。従って、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とは、その交差部分において、Ｐ型ウエル領域２ａと貫通領域３とがかならず重なることがわかる。
従って、Ｎ型ウエル領域１内に、Ｐ型ウエル領域２ａを辺又は中心軸が垂直方向に向く様に配置したときに、貫通領域３とＰ型ウエル領域２ａが重なる確率が高くなる効果がある。
【００３３】
さらに、貫通領域３が行列状に配列されている場合、貫通領域３の形状を円形とすると、次の点で効果がある。まず、貫通領域３用のマスクとなる、レジストパターンを形成するためには、レジストを露光するための露光マスクが必要である。そして、露光マスクは、透明な石英基板と、その石英基板上に形成されてマスクパターンから構成されている。従って、マスクパターンを作成するにあたり、ＣＡＤ装置上でマスクパターン用のデータを作成する必要がある。そこで、貫通領域３の形状を円形とすると、頂点の数が少なく、単純な形状であるため、マスクパターン用のデータ作成が、容易、かつ、データ量を少なくできる効果がある。
【実施例４】
【００３４】
実施例４は、実施例１の半導体装置の製造方法の実施例である。そして、図６Ａ乃至図６Ｄを用いて実施例４の半導体装置の製造方法を説明する。
【００３５】
図６Ａ乃至図６Ｄは実施例４の半導体装置の断面図であり、製造工程の初期段階から最終段階までを４段階に分けて示したものである。
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄは、素子分離領域６、半導体基板７、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８、レジスト開口パターン９、貫通領域10、レジスト開口パターン11、不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12、Ｎ型ウエル領域内のＰ型ウエル領域13a、Ｎ型ウエル領域外のＰ型ウエル領域13b、及び、レジストパターン14を示す。なお、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域8と不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12とは、一体としてＮ型ウエル領域を形成する。すなわち、このN型ウエル領域は一体として、実施例１乃至実施例３のＮ型ウエル領域１に相当する。
【００３６】
図６Ａは素子分離のため、素子分離領域６を形成したところを示す。素子分離領域６は、以下のようにして形成する。まず、半導体基板７中に0.5μm程度の溝を形成する。次に、半導体基板７の表面を酸化する。次に、半導体基板７上に、上記の溝が絶縁物で埋まるように、絶縁層を堆積させる。次に、上記の溝以外の場所にある絶縁層をＣＭＰ（chemicalmechanical polishing）にて除去すると素子分離領域６が完成する。
【００３７】
図６Ｂは半導体基板７の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程をおこなって、レジスト開口パターン９を形成し、後に示すイオン注入方法により、貫通領域10及び不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８を形成したところを示す。レジスト開口パターン９は不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８に対応した開口を有する。すなわち、レジスト開口パターン９は、Ｎ型ウエル領域上にはレジストパターンを有しないが、貫通領域10に対応する部分にはレジストパターンを有する。従って、貫通領域10は不純物の注入が上記のレジストパターンで遮蔽されたことにより出来上がる。なお、貫通領域10に対応する部分に配置されるレジストパターンは、孤立パターンであり、そのパターンの中心点が行列状に、Ｎ型ウエル領域内に配列を組んで配置されていることはいうまでもない。
【００３８】
ところで、レジスト開口パターン９が貫通領域10を遮蔽するレジストパターン部分を有しなくても、貫通領域10を形成することができる。その際、貫通領域10の形成は以下のようにして行う。まず、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８にＮ型不純物をイオン注入する。その際、貫通領域10にも、Ｎ型不純物が導入される。そこで、再び、レジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程をおこなって、貫通領域10に対応する部分が開口されているレジストパターンを形成し、Ｎ型不純物を補償するＰ型の不純物を注入する。その結果、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８中にＰ型の不純物の補償により、貫通領域10が出来上がる。なお、上記の貫通領域10に対応するレジストパターンの開口は、その開口の中心点が行列状に、Ｎ型ウエル領域内に配列を組んで配置されていることはいうまでもない。
【００３９】
図６Ｃは不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12を形成し、Ｎ型ウエル領域を形成したところを示す図である。不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12を形成するには、まず、レジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を行って、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８と平面的に重なるように、レジスト開口パターン11を形成する。次に、イオン注入により、不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12を形成する。その結果、不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域８と不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域12とが接続して、Ｎ型ウエル領域が形成される。
【００４０】
図６Ｄは、Ｎ型ウエル領域に囲まれたＰ型ウエル領域13a及びＮ型ウエル領域の外にあるＰ型ウエル領域13bを形成したところを示す図である。Ｐ型ウエル領域13a及びＰ型ウエル領域13bを形成するためには、はじめに、Ｎ型不純物領域12を覆うレジストパターン14を、レジストを塗布し、フォトリソグラフィー工程を行って形成する。次に、レジストパターン14をマスクとして、Ｐ型不純物をイオン注入する。その後、レジストパターン14を除去する。
実施例４の半導体装置の製造方法によれば、Ｎ型ウエル領域が不純物の注入深さが深いN型不純物領域８と不純物の注入深さが浅いN型不純物領域12とを接続して構成されるため、Ｐ型ウエル領域13aを形成するために、N型不純物を補償するようなイオン注入量をする必要がない。すなわち、Ｐ型ウエル領域13aを形成するためのP型不純物の注入量を低く抑える効果がある。
【００４１】
以下に本発明の特徴を付記する。
（付記１）
第１不純物が導入された半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、第２不純物が導入された第１領域と、
前記第１領域に内包され、第１不純物が導入された第２領域と、
前記第２領域の底部に接し、第１領域を貫通して、第１領域外の半導体基板に接続する、第１不純物が導入された貫通領域と、を備え、
前記貫通領域は行列状の配列を組んでおり、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が第２領域の辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されていることを特徴とする半導体装置
（付記２）
前記貫通領域の形状が正方形状、長方形状、又は、円形状であることを特徴とする付記１に記載した半導体装置。
（付記３）
前記貫通領域の形状が正方形状または長方形状であって、
前記貫通領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかが前記第２領域の辺又は辺の中点同士を結ぶ中心軸のいずれかと平行な向きであることを特徴とした付記１に記載した半導体装置。
（付記４）
第１不純物が導入された半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、第２不純物が導入された第１領域と、
前記第１領域に平面的に囲まれ、前記半導体基板の表面から内部に向けて形成されている、第１不純物が導入された第２領域と、
前記第１領域及び前記第２領域の底部から半導体基板内部に向けて形成されている、第２不純物が導入された第３領域と、
平面的に前記第３領域と重なって配置されており、前記第３領域を貫通する、第１不純物が導入された貫通領域と、を備え、
前記貫通領域の中心点が平面的に行列状の配列を組んでおり、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が第２領域の辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されていることを特徴とする半導体装置。
（付記５）
第１不純物が導入された半導体基板の表面から内部に向けて形成されている第１領域に対して、平面的に重なるように、前記半導体基板の表面に、貫通領域に対応した、孤立レジストパターンを形成する工程と、
前記第１領域に対して、前記孤立レジストパターンをマスクに、イオン注入により第２不純物を導入する工程と、
前記半導体基板の表面から内部に向けて形成されており、平面的に前記第１領域に包含される第２領域に第１不純物を導入する工程と、を備え、
前記孤立レジストパターンは行列状の配列を組んでおり、かつ、前記行列状の配列に対する列方向の軸が第２領域の辺又は中心軸に対して傾くように前記行列状の配列が配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明によれば、例えば、Ｎ型ウエル領域内に形成されている貫通領域が行列状に配列を組んで配置されており、かつ、その行列状の配列に対する列方向の軸が、第２領域、例えば、Ｐ型ウエル領域の辺又は中心軸に対して傾くように上記の配列が配置されていることを特徴とする半導体装置を提供する。すなわち、上記の行列状の配列に対する列方向の軸とＰ型ウエル領域の辺又は中心軸とが交差するため、例えば、Ｐ型ウエル領域をＮ型ウエル領域内に配置したときに、貫通領域とＰ型ウエル領域が容易に重なる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図及び断面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、従来の半導体装置のＮ型ウエル領域内及び実施例１の半導体装置のＮ型ウエル領域内における、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａ及び貫通領域３の配置を示す平面図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、実施例２（比較例１）の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図及び断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、従来の半導体装置のＮ型ウエル領域内及び実施例２（比較例１）の半導体装置のＮ型ウエル領域内における、細長い矩形であるＰ型ウエル領域２ａ及び貫通領域３の配置を示す平面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、実施例３（比較例２）の半導体装置において、Ｎ型ウエル領域内における貫通領域の配置を示す平面図及び断面図である。
【図６】図６Ａ乃至図６Ｄは実施例４の半導体装置の断面図であり、製造工程の初期段階から最終段階までを４段階に分けて示したものである。
【符号の説明】
【００４４】
１  Ｎ型ウエル領域
２ａ  Ｐ型ウエル領域
２ｂ  Ｐ型ウエル領域
３  貫通領域
４ａ  半導体基板
４ｂ  Ｐ型ウエル領域に電位を与える端子
５、６  素子分離領域
７  半導体基板
８  不純物の注入深さが深いＮ型不純物領域
９  レジスト開口パターン
10  貫通領域
11  レジスト開口パターン
12  不純物の注入深さが浅いＮ型不純物領域
13a  Ｎ型ウエル領域内のＰ型ウエル領域
13b  Ｎ型ウエル領域外のＰ型ウエル領域
14  レジストパターン
【図１】
0004777082.tif 000002
【図２】
0004777082.tif 000003
【図３】
0004777082.tif 000004
【図４】
0004777082.tif 000005
【図５】
0004777082.tif 000006
【図６】
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