(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の反り量を調整する回路基板の反り量調整装置において、
可撓性のダイアフラムと、
そのダイアフラムの後背側に形成され、密閉された加圧室と、
前記加圧室内を加圧する加圧手段と、
前記回路基板の平面周縁部を保持しつつ、前記ダイアフラムに面接触されるように前記回路基板を固定する回路基板固定手段と、
前記回路基板固定手段により固定された前記回路基板の反り量を測定する測定手段と、
その測定手段による前記反り量の測定値とその目標値との偏差に応じて前記加圧室の内圧を制御する制御手段と、
を備え、前記制御手段は、前記測定手段による前記反り量の測定値を取得するステップと、前記取得した前記測定値と前記目標値との偏差に基づいて前記加圧室内の加圧目標値を算出するステップと、前記算出された加圧目標値に基づき前記加圧手段を制御して前記加圧室内を加圧するステップと、を順次繰り返し実行しつつ、前記加圧室の内圧の制御を行うことを特徴とする回路基板の反り量調整装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記回路基板の平面中央部及びその平面周縁部における基板表面に垂直な方向における当該回路基板の変位量をそれぞれ測定する複数の変位センサを備えて構成されてなる
請求項１に記載の回路基板の反り量調整装置。
【請求項３】
回路基板の反り量を調整する回路基板の反り量調整装置において、
可撓性のダイアフラムと、
そのダイアフラムの後背側に形成され、密閉された加圧室と、
前記加圧室内を加圧する加圧手段と、
前記回路基板の平面周縁部を保持しつつ、前記ダイアフラムに面接触されるように前記回路基板を固定する回路基板固定手段と、
前記回路基板固定手段により固定された前記回路基板の反り量を測定する測定手段と、
その測定手段による前記反り量の測定値とその目標値との偏差に応じて前記加圧室の内圧を制御する制御手段と、
を備え、前記測定手段は、前記回路基板の平面中央部及びその平面周縁部における基板表面に垂直な方向における当該回路基板の変位量をそれぞれ測定する複数の変位センサを備えて構成されてなることを特徴とする回路基板の反り量調整装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記測定手段による前記反り量の測定値を取得するステップと、前記取得した前記測定値と前記目標値との偏差に基づいて前記加圧室内の加圧目標値を算出するステップと、前記算出された加圧目標値に基づき前記加圧手段を制御して前記加圧室内を加圧するステップと、を順次繰り返し実行しつつ、前記加圧室の内圧の制御を行う
請求項３に記載の回路基板の反り量調整装置。
【請求項５】
前記回路基板の半導体素子の実装予定位置となる部分を含んで面接触される前記ダイアフラムの前記加圧室側の面のうち、前記半導体素子の実装予定位置に対応する部分に剛体からなる補助ブロックが固定されてなる
請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板の反り量調整装置。
【請求項６】
前記回路基板固定手段に固定される前記回路基板の面のうちの前記ダイアフラムに面接触される面と反対の面側に、該回路基板の反り量が一定量を超えたときに同回路基板の半導体素子の実装予定位置の裏面部分に当接する剛体からなるリミッタブロックを更に備える
請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板の反り量調整装置。
【請求項７】
前記リミッタブロックは、前記回路基板固定手段に固定される前記回路基板に近接・離間するように可動支持されてなる
請求項６に記載の回路基板の反り量調整装置。
【請求項８】
当該回路基板の反り量調整装置は、加熱による導体ボールのリフローを通じて半導体素子の実装される回路基板について、その実装時の加熱による前記回路基板の反りと逆方向の反りを前記実装に先立ち与えるべく前記反り量の調整を行うものである
請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路基板の反り量調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の反り量を調整する回路基板の反り量調整装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１４は、電子機器の回路基板等に実装される半導体パッケージの一例について、その分解斜視構造を示したものである。同図１４に示すように、半導体素子１０１が実装された半導体パッケージの回路基板１０２の上表面１０２ａには、四角状の開口部を中央部に有する枠板であるスティフナー１０３が接合され、更にその上面には、その開口部を塞ぐ蓋板であるリッド１０４が接合されている。こうして半導体素子１０１は、回路基板１０２、スティフナー１０３及びリッド１０４により囲繞された閉空間に封止されるようになっている。
【０００３】
なお半導体素子１０１が実装された上記回路基板１０２の上表面１０２ａの中央部には、半導体素子１０１の外部接続端子にそれぞれ対応する位置に、半田等の導体ボール１０５が設けられている。また、図１５（ａ）に示すように、外部基板に接続される回路基板１０２の裏面１０２ｂには、上記導体ボール１０５と同数のランド１０６が形成されており、各ランド１０６は、回路基板１０２内に形成された回路を通じて対応する導体ボール１０５に電気的に接続されている。
【０００４】
こうした半導体パッケージの製造は、以下の工程（１）〜（３）を通じて行われる。
（１）スティフナー１０３の下面を回路基板１０２の上表面１０２ａに接合する。
（２）対応する導体ボール１０５の搭載位置に外部接続端子を合わせるように半導体素子１０１を回路基板１０２上に載置し、熱処理による導体ボール１０５のリフローを行って、半導体素子１０１を回路基板１０２とを電気的、且つ機械的に接続する。
（３）スティフナー１０３上面の開口部を塞ぐように、同スティフナー１０３に対してリッド１０４を接合する。
【０００５】
こうして製造された半導体パッケージは、そのランド１０６と外部基板のランドとを接続するように外部基板に実装され、それにより半導体パッケージ内に封止された半導体素子１０１と外部基板との電気的接続が図られるようになっている。
【０００６】
また近年では、導体箔からなる回路パターンの形成された熱可塑性の樹脂フィルムに導電ペーストの充填されたビアホールを形成したものを複数重ね、真空プレス機で加熱加圧して一体化することで、多層回路基板を形成する技術も実用化されている。こうした多層回路基板は、比較的安価でありながらも、回路の微細化が容易で、多数のランドを高密度で容易に形成することが可能である。そのため、上記のような半導体パッケージの回路基板１０２として、こうした多層回路基板の採用が有望視されている。
【特許文献１】特開２００４−１２７９７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体パッケージの回路基板１０２として上記多層回路基板のような樹脂製回路基板を採用する場合には、上記導体ボール１０５のリフロー時の加熱によって、図１５（ｂ）に示すように、回路基板１０２に熱歪みが生じて、大きく反り変形してしまうことがある。ちなみに搭載される導体ボール１０５の増加に応じて、そのリフロー時に回路基板１０２への伝熱量も増加するため、端子数の多い半導体素子の実装される回路基板ほど、そうしたリフロー時の反り変形量は大きくなる傾向にある。例えば、半導体パッケージのサイズ：３８×３８ｍｍ、半導体素子のサイズ：１２×１２ｍｍ、半導体素子の外部接続用端子数：２０００個といった条件のもとでは、その反り量ｅが０．２ｍｍ程度となった事例も確認されている。
【０００８】
もっとも、封止後の半導体素子１０１はリッド１０４によって上方から押さえつけられることから、上記のような回路基板１０２の反りはある程度は矯正されるようになる。しかしながら、それによっても回路基板１０２は、図１５（ｃ）に示されるようなＷ字状に湾曲した形状となってしまう。特に近年には、半導体素子１０１の高機能化に応じて外部接続用端子数が増加する傾向にあり、半導体パッケージのサイズも大きくなる傾向にあることから、リッド１０４の押し付けのみでは、回路基板１０２の反りを十分に矯正することが困難となっている。また半導体パッケージのサイズが大型化すると、リッド１０４の剛性を十分に確保することが困難ともなる。こうしたリッド１０４の押し付けによる反りの矯正が不十分であると、各ランド１０６の底面位置が不揃いとなって、外部基板に実装されたとき、ランド１０６の接触不良が生じるおそれがある。そうした場合、上記のような樹脂製回路基板に比して熱歪みは生じ難いが高価なセラミック製回路基板を採用せざるおえないのが実状である。
【０００９】
なお従来、特許文献１には、電子部品が半田付けで実装される金属製回路基板において、その実装に先立ち、先端が湾曲面となったパンチにて回路基板をプレス加工して、上記実装時の熱歪みによる反りとは逆方向に予め反り変形させておくことで、実装後の回路基板の平坦化を図る技術が開示されている。これと同様に、半導体素子１０１の実装に先立ち、その実装時に生じる反りとは逆方向に上記半導体パッケージの回路基板１０２を予め反り変形させるようにすれば、上記のような接触不良の発生を回避することは可能ではある。
【００１０】
しかしながら、近年には、半導体素子１０１や回路基板１０２の高密度化に応じてランド１０６のサイズやピッチも微細化されており、上記のような接触不良を回避するには、数十μｍオーダーの高い精度で回路基板１０２を予め反らせておくことが必要とされており、プレス加工ではそうした高精度の加工は困難となっている。特に上記のような樹脂製の回路基板では、除荷後の弾性戻りが大きく、プレス加工による反り変形の精度の確保は極めて難しいものとなっている。
【００１１】
ちなみに、例えば反りを矯正して回路基板を平坦化する場合などにも、同様の反り量調整が必要となることがある。また上記のような樹脂以外の材料で形成された回路基板や、半導体パッケージ以外の用途に用いられる回路基板についても、反り量の調整が必要となることがある。いずれにせよ、除荷後の弾性戻りの大きい材料からなる回路基板の反り量を調整する場合や、反り量を極めて高い精度で調整する場合等には、それを容易且つ適切に実現する手法が未だ無いのが現状であり、そうした手法の確立が求められている。
【００１２】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、除荷後の弾性戻りの大きい材料によって形成された回路基板であれ、その反り量を容易且つ高精度に調整することのできる回路基板の反り量調整装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、回路基板の反り量を調整す
る回路基板の反り量調整装置として、可撓性のダイアフラムと、そのダイアフラムの後背側に形成され、密閉された加圧室と、該加圧室内を加圧する加圧手段と、上記回路基板の平面周縁部を保持しつつ、上記ダイアフラムに面接触されるように上記回路基板を固定する回路基板固定手段と、上記回路基板固定手段により固定された上記回路基板の反り量を測定する測定手段と、その測定手段による上記反り量の測定値とその目標値との偏差に応じて上記加圧室の内圧を制御する制御手段と、を備え、上記制御手段は、上記測定手段による上記反り量の測定値を取得するステップと、上記取得した上記測定値と上記目標値との偏差に基づいて上記加圧室内の加圧目標値を算出するステップと、上記算出された加圧目標値に基づき上記加圧手段を制御して上記加圧室内を加圧するステップと、を順次繰り返し実行しつつ、上記加圧室の内圧の制御を行う構成とした。
また、請求項３に記載の発明では、回路基板の反り量を調整する回路基板の反り量調整装置として、可撓性のダイアフラムと、そのダイアフラムの後背側に形成され、密閉された加圧室と、該加圧室内を加圧する加圧手段と、上記回路基板の平面周縁部を保持しつつ、上記ダイアフラムに面接触されるように上記回路基板を固定する回路基板固定手段と、上記回路基板固定手段により固定された上記回路基板の反り量を測定する測定手段と、その測定手段による上記反り量の測定値とその目標値との偏差に応じて上記加圧室の内圧を制御する制御手段と、を備え、上記測定手段は、上記回路基板の平面中央部及びその平面周縁部における基板表面に垂直な方向における当該回路基板の変位量をそれぞれ測定する複数の変位センサを備える構成とした。
【００１４】
上記構成では、回路基板固定手段により回路基板を固定した状態で、加圧手段が加圧室内を加圧すると、その内圧で可撓性のダイアフラムが基板側に凸状に変形し、回路基板固定手段によって保持されていない回路基板の平面中央部を押圧する。そしてその押圧により、回路基板が反るように塑性変形するようになる。このときの回路基板に印加される押圧の大きさは、加圧室内の内圧の制御により、容易且つ高精度に調整することができる。そのため、除荷後の弾性戻りの大きい材料によって形成された基板、例えば樹脂製の回路基板であれ、その反り量を容易且つ高精度に調整することができるようになる。
【００１５】
また、制御手段により、測定手段による回路基板の反り量の測定値とその目標値との偏差に応じて、加圧室の内圧がフィードバック制御されるため、回路基板に印加される押圧をより的確に制御して、回路基板の反り量を高精度に調整することができるようになる。
【００１６】
さらに、上記請求項１に記載の発明では、このような加圧室の内圧の制御は、上記制御手段が、上記測定手段による上記反り量の測定値を取得するステップと、上記取得した上記測定値と上記目標値との偏差に基づいて上記加圧室内の加圧目標値を算出するステップと、上記算出された加圧目標値に基づき上記加圧手段を制御して上記加圧室内を加圧するステップと、を順次繰り返し実行しつつ、上記加圧室の内圧の制御を行うことにより実現される。制御手段によるこうした制御を通じて、塑性変形による回路基板の反り量を確認しつつ、加圧室内の加圧による回路基板に対する押圧の印加が繰り返し実行されるため、回路基板の反り量を更に高精度に調整することができるようになる。
なお、請求項３に記載の回路基板の反り量調整装置においても、請求項４に記載の発明によるように、このような加圧室の内圧の制御を行うようにするとよい。
【００１７】
また、上記請求項３に記載の発明では、上記測定手段が、上記回路基板の平面中央部及びその平面周縁部における基板表面に垂直な方向における当該回路基板の変位量をそれぞれ測定する複数の変位センサを備えて構成されるようにすることにより、これら複数の変位センサを通じて回路基板の反り量を容易且つ的確に測定することができるようになる。
なお、請求項１に記載の回路基板の反り量調整装置においても、請求項２に記載の発明によるように、このような測定手段の構成を採用するとよい。
【００１８】
また、請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板の反り量調整装置において、請求項５に記載の発明によるように、回路基板の半導体素子の実装予定位置となる部分を含んで面接触される上記ダイアフラムの上記加圧室側の面のうち、上記半導体素子の実装予定位置に対応する部分に剛体からなる補助ブロックが固定されてなる構成とすれば、回路基板の反り量の調整にあたって、同回路基板の半導体素子の実装予定位置については平坦な状態が保持されることとなる。このため、半導体素子を回路基板に安定した状態で載置することができるようになり、ひいては半導体素子の回路基板への実装を容易に行うことができるようになる。
【００１９】
また、請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板の反り量調整装置において、請求項６に記載の発明によるように、上記回路基板固定手段に固定される上記回路基板の面のうちの上記ダイアフラムに面接触される面と反対の面側に、該回路基板の反り量が一定量を超えたときに同回路基板の半導体素子の実装予定位置の裏面部分に当接する剛体からなるリミッタブロックを更に備えるようにすることも有効である。このようにすれば、回路基板の反り量の調整にあたって、回路基板の裏面とリミッタブロックとが接触するため、同回路基板の半導体素子の実装予定位置については平坦な状態が保持されるようになる。したがって、上記請求項５に記載の発明と同様、半導体素子の回路基板への実装を容易に行うことができるようになる。
【００２０】
またこの場合、請求項７に記載の発明によるように、上記リミッタブロックを、上記回路基板固定手段に固定される上記回路基板に近接・離間するように可動支持されてなる構成とすれば、回路基板の裏面部分がリミッタブロックに当接する反り量を調整することができ、回路基板の反り量の目標値が変わっても、半導体素子の実装位置の平坦化を最適な状態で行うことができるようになる。
【００２１】
なお、当該回路基板の反り量調整装置は、例えば請求項８に記載の発明によるように、加熱による導体ボールのリフローを通じて半導体素子の実装される回路基板について、その実装時の加熱による上記回路基板の反りと逆方向の反りを上記実装に先立ち与えるべく上記反り量の調整を行うものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、前述の半導体パッケージを構成する回路基板の反り量を調整する反り量調整装置として本発明を具体化した第１の実施の形態について、図１〜図８を参照しつつ説明する。本実施の形態では、反り量を調整する回路基板として、曲げ応力除荷後の弾性戻りの大きい樹脂製の回路基板を想定している。なお、回路基板の上表面、すなわち半導体素子の実装面には、本実施の形態の反り量調整装置による反り量調整に先立って、半導体素子の外部接続端子と接合される導体ボールが載置されるとともに、枠状のスティフナーが接合されている。また、回路基板の裏面にも、外部基板への電気接続用のランドを、反り量の調整前に予め設けておくようにしている。
【００２３】
図１に示されるように、本実施の形態の反り量調整装置は、水平に固定された平板状のベース１０を中央に備えて構成されている。ベース１０の両側の上面には、上方に向かって延伸された円柱状のガイドポスト１１、１２が立設され、更にそれらガイドポスト１１、１２の上端には、平板状の天板１３が固定されている。
【００２４】
天板１３の下面中央には、矩形枠状のフレーム２２が固定されている。このフレーム２２は、その中空部の横断面積が回路基板Ｗの表面積よりも一回り大きく形成されており、可撓性を有するダイアフラム２０が張設されている。なお、本実施の形態では、上記ダイアフラム２０として、低摩擦で防塵性や柔軟性に優れたフッ素樹脂シートを複数枚積層したものを用いている。
【００２５】
こうしたダイアフラム２０の後背側には、同ダイアフラム２０とフレーム２２の内周と天板１３の下面とによって密閉された加圧室２１が区画形成されている。なお、天板１３には、この加圧室２１に連通する圧力供給口１３ａが透設されている。そして加圧室２１は、この圧力供給口１３ａを介して、加圧室２１内の圧力を調節する電空レギュレータ６１、及び加圧室２１内に加圧空気を供給する加圧エア源６０に連結されている。
【００２６】
一方、上記ベース１０の中央部には、上下方向に貫通する開口部１０ａが形成されている。またベース１０の開口部１０ａの両側には、軸心方向がベース１０の上面と垂直となった円筒状のリニアガイド３０、３１がベース１０を上下方向に貫通して固定されている。そしてそれらリニアガイド３０、３１には、円柱状のガイドシャフト３２、３３が同リニアガイド３０、３１の内周面に沿って上下方向に直動可能にそれぞれ挿通されている。
【００２７】
ガイドシャフト３２、３３の上端には、平板状の基板保持プレート３８が水平に固定されている。この基板保持プレート３８の中央部には、開口部３８ａが透設されている。そして、基板保持プレート３８の上面には、この開口部３８ａを囲繞するように基板固定枠３８ｂが設けられている。この基板固定枠３８ｂは、上記加圧室２１のフレーム２２の開口部に嵌合するような形状にその外形が形成されている。また、基板固定枠３８ｂの上部には、回路基板Ｗの平面周縁部を保持するための切欠部３８ｃが形成されている。詳しくは、この切欠部３８ｃは、回路基板Ｗの裏面の平面周縁部に当接する水平部分と、この回路基板Ｗの外周縁に当接する側壁部分とから構成されている。切欠部３８ｃの深さは、回路基板Ｗの厚さと同一、あるいは同厚さよりも若干浅く形成されている。なお、同図１及び後述の図２〜４においては、回路基板Ｗの上表面及び裏面に設けられた上記導体ボールやスティフナー、ランドの図示は省略されている。
【００２８】
一方、上記ガイドシャフト３２、３３の下端には、平板状のセンサ保持プレート３６が水平に固定されている。またガイドシャフト３２、３３の側方におけるベース１０の下面には、空気圧や油圧により上下方向に伸縮可能な基板クランプシリンダ３４、３５がそれぞれ固定されており、それら基板クランプシリンダ３４、３５によってセンサ保持プレート３６が吊設されている。こうした基板クランプシリンダ３４、３５の伸縮により、上記基板保持プレート３８とセンサ保持プレート３６とは、水平に保持された状態で一体となって上下動されるようになっている。
【００２９】
また、センサ保持プレート３６の上面中央には、箱形状のセンサ固定台３７が固定されている。このセンサ固定台３７はその上面が、上記開口部１０ａを通じてベース１０の上面よりも上方まで突出可能とされている。センサ固定台３７の上部には、往復動可能な接触針４０ａを有する複数の変位センサ４０が、同接触針４０ａの移動方向が上下方向となるように固定されている。これら変位センサ４０は、接触針４０ａの先端に当接している物体の変位量を同接触針４０ａの往復動の変位量に基づき検出するように構成されている。ここでは、各変位センサ４０は、上記基板固定枠３８ｂの切欠部３８ｃに回路基板Ｗが載置された際に、この回路基板Ｗの背面に上記接触針４０ａの先端が当接して、その当接部分における回路基板Ｗの厚さ方向の変位量をそれぞれ検出するように配置されている。
【００３０】
各変位センサ４０の検出信号は、制御部５０にそれぞれ入力されるようになっている。制御部５０は、マイクロコンピュータやメモリを備えて構成されており、各変位センサ４０の検出結果に基づいて上記加圧エア源６０、電空レギュレータ６１の動作を制御する。
【００３１】
さて、以上のように構成された本実施の形態の反り量調整装置では、基板クランプシリンダ３４、３５を短縮させて基板保持プレート３８と共に基板固定枠３８ｂ上部の切欠部３８ｃに固定された回路基板Ｗを上昇させると、図２に示すように、回路基板Ｗの上面が上記ダイアフラム２０に当接される。
【００３２】
この状態で、電空レギュレータ６１に信号を送り加圧室２１内を加圧すると、ダイアフラム２０が下方に凸状に撓んで回路基板Ｗの上面に密接し、回路基板Ｗを押圧するようになる。このとき、上述のように柔軟性を有したフッ素樹脂シートを積層して形成されたダイアフラム２０は、導体ボールやスティフナー等による段差に倣って回路基板Ｗの上表面に密接する。そのため、基板表面や導体ボール等を損傷させることなく、回路基板Ｗの上表面全体にほぼ均等な面圧を印加することができるようになっている。
【００３３】
こうして面変形された回路基板Ｗの反り量ｅは、上記各変位センサ４０の検出結果に基づき測定される。この反り量ｅの測定は、具体的には以下の態様で行われる。すなわち、各変位センサ４０の接触針４０ａは、図３に示すように、回路基板Ｗの平面中央部Ｐ０、及びその四隅における平面周縁部Ｐ１〜Ｐ４にそれぞれ当接するように配設されている。そのため、図４に示すように、ダイアフラム２０からの押圧により面変形された回路基板Ｗの反り量ｅは、回路基板Ｗの平面中央部Ｐ０の厚さ方向の変位量と平面周縁部Ｐ１〜Ｐ４の厚さ方向の変位量との偏差として測定することができる。より詳しくは、平面中央部Ｐ０と各平面周縁部Ｐ１〜Ｐ４のそれぞれとの厚さ方向の変位量の偏差の平均値、或いはそれらの最大値を、回路基板Ｗの反り量ｅとして求めるようにしている。
【００３４】
制御部５０は、こうした反り量ｅの測定結果を参照しつつ加圧室２１内の圧力を制御してダイアフラム２０を介した回路基板Ｗへの印加圧力Ｐｆを調整するようにしている。そしてこれにより、半導体素子実装に際しての導体ボールのリフロー時の熱歪みによる上方凸側への回路基板Ｗの反り量と相殺するだけ、回路基板Ｗを下方凸側に予め反り変形させるようにしている。
【００３５】
以下、そうした制御部５０の制御に基づく本実施の形態の反り量調整装置における回路基板Ｗの反り量調整の詳細について、図５〜図７を併せ参照して説明する。
制御部５０のメモリには、反り量矯正目標値Ｅが予め登録されている。この反り量矯正目標値Ｅは、上述した半導体素子実装時に生じる上方凸側への回路基板Ｗの反り量の推定値に設定されており、その値は、半導体素子と回路基板Ｗとの組合せ毎に予め実験やシミュレーションを行って求めている。
【００３６】
また、やはり実験やシミュレーション等を行うことで、加圧室２１に印加する圧力とその圧力の印加に応じて回路基板Ｗに付与される反り量との対応関係が予め求められてもいる。この求められた対応関係に基づいて、回路基板Ｗの反り量ｅを反り量矯正目標値Ｅとするために必要な圧力を算出し、その圧力に加圧室２１内を加圧すれば、理論上は一度の加圧のみで回路基板Ｗの反り量調整を行うことができる。しかしながら、実際には、加圧による回路基板Ｗの反り量ｅにはある程度のばらつきが存在するため、一度の加圧のみで回路基板Ｗを反り量矯正目標値Ｅまで反らせようとすると、回路基板Ｗが反り量矯正目標値Ｅを超えて過剰に反ってしまうおそれがある。そして一旦、回路基板Ｗが過剰に反ってしまうと、基板固定枠３８ｂに回路基板Ｗを上下反対に固定し、通常とは逆方向に圧力を加えて過剰分の反りを戻さなければならなくなる。
【００３７】
そこで本実施の形態では、本来、回路基板Ｗを反り量矯正目標値Ｅまで反らせるために必要な圧力よりも低い圧力から徐々に圧力を増大させながら、加圧室２１への圧力印加を繰り返し行うことで、反り量調整中に回路基板Ｗが過剰に反ってしまうことを防止するようにしている。具体的には、本実施の形態での反り量調整は、図５に示す反り量調整制御を制御部５０が実行することで行われている。この反り量調整制御は、基板固定枠３８ｂに固定された回路基板Ｗの上面をダイアフラム２０に当接させた後に開始される。なおこの開始時点には、加圧室２１の内部は大気圧に開放された状態とされている。
【００３８】
同図に示すように、反り量調整制御が開始されると、制御部５０はまずステップＳ１０の処理として、上記各変位センサ４０を通じて、反り調整開始時点の回路基板Ｗの反り量ｅの測定結果を取得する。そして制御部５０は、ステップＳ１１の処理として、その測定結果に基づき、推定加圧目標値Ｐｔを算出する。この推定加圧目標値Ｐｔは、上記実験等で求められた加圧室２１の印加圧力と回路基板Ｗの反り量との対応関係から求められた、回路基板Ｗを反り量矯正目標値Ｅに反らせるために必要な加圧室２１の圧力を示している。制御部５０のメモリには、そうした対応関係が予めマップ形式で記憶されており、制御部５０は、ここでの推定加圧目標値Ｐｔの算出をそのマップを用いて行っている。
【００３９】
更に制御部５０は、続くステップＳ１２の処理として、上記推定加圧目標値Ｐｔよりも低い圧力を、実際に加圧室２１に印加する圧力である実加圧目標値Ｐａとして設定する。なお、この実加圧目標値Ｐａは、加圧後の回路基板Ｗの反り量のばらつきを考慮した上で、回路基板Ｗが確実に反り量矯正目標値Ｅよりも大きく反ることの無い、上記推定加圧目標値Ｐｔよりも十分小さい圧力にその値が設定されている。
【００４０】
そして制御部５０は、ステップＳ１３の処理として、電空レギュレータ６１を制御して加圧室２１内を実加圧目標値Ｐａまで加圧する。そして、制御部５０では、続くステップＳ１４において、加圧時間Ｔが経過するまで加圧室２１内の圧力を上記加圧目標値に維持した後、ステップＳ１５の処理にて加圧室２１内を大気圧に開放するとともに、続くステップＳ１６の処理として、その状態で上記各変位センサ４０を通じて測定された現時点の回路基板Ｗの反り量ｅを取得する。
【００４１】
その後、制御部５０では、ステップＳ１７の処理として、上記取得した回路基板Ｗの反り量ｅが反り量矯正目標値Ｅに等しいか否かを判断する。なお実際には、反り量矯正目標値Ｅには、その前後にある程度の許容範囲が設けられており、反り量ｅの測定値がその許容範囲内にあれば、等しいと判断するようにしている。ここで反り量ｅが上記反り量矯正目標値Ｅに等しいと判断した場合、制御部５０は、今回の反り量調整制御を完了する。
【００４２】
一方、制御部５０は、同ステップＳ１７において反り量ｅが上記反り量矯正目標値Ｅと等しくないと判断した場合、ステップＳ１８の処理として、実加圧目標値Ｐａを増加補正する。このときの増加補正量は、固定値としても、上記測定された現時点の回路基板Ｗの反り量ｅと反り量矯正目標値Ｅとの偏差に応じた可変値としてもよい。いずれにせよ、増加補正量は、その増加補正後の実加圧目標値Ｐａによる加圧によって回路基板Ｗが過剰に反ってしまうことのない程度の値に設定する必要がある。
【００４３】
こうして実加圧目標値Ｐａを増加補正した後、制御部５０は、処理を上記ステップＳ１３に戻る。その後、制御部５０は、回路基板Ｗの反り量ｅが反り量矯正目標値Ｅに達するまで、上記ステップＳ１３からステップＳ１７の処理を繰り返し実行する。以上により、制御部５０は、加圧室２１の加圧及びその大気圧開放を繰り返しながら、回路基板Ｗの反り量ｅを徐々に反り量矯正目標値Ｅに近づけていくようにしている。
【００４４】
なお、当初から回路基板Ｗが半導体素子の実装方向に対して反り量矯正目標値Ｅ以上に凸状に反っている場合には、回路基板Ｗの裏面（半導体素子の実装面と反対の面）がダイアフラム２０と対向するように基板保持プレート３８の切欠部３８ｃに載置する。そしてその状態で上記反り量調整制御を実行して、回路基板Ｗの反り量ｅを反り量矯正目標値Ｅまで低減させるようにすればよい。
【００４５】
以上のような反り量調整制御中の加圧室２１内の圧力及び回路基板Ｗの反り量ｅの推移態様の一例を、図６に示す。なお同図の例では、反り量調整前の回路基板Ｗは、その反り量ｅが「０」、すなわち平坦となっている。
【００４６】
同図６のタイミングｔ１、すなわち反り量調整制御の開始時には、上記のように回路基板Ｗの反り量ｅが「０」となっている。そしてこのタイミングｔ１には、加圧室２１内は、反り量ｅと反り量矯正目標値Ｅとの偏差（＝Ｅ）に応じた上記推定加圧目標値Ｐｔよりも低い圧力Ｐ１に加圧されている。この加圧室２１内の加圧によって回路基板Ｗの反り量ｅは時間の経過共に増大し、やがて飽和する。
【００４７】
その後、加圧時間Ｔが経過したタイミングｔ２において、加圧室２１内が大気圧に開放されると、ダイアフラム２０による回路基板Ｗへの押圧が解除される。このため、このタイミングｔ２以降、回路基板Ｗの反り量ｅは、弾性戻りにより、塑性変形による永久歪みに相当する反り量ｅ１まで徐々に減少する。
【００４８】
その後のタイミングｔ３には、２回目の加圧が開始されている。このときの加圧室２１内は、実加圧目標値Ｐａが増加補正されることから、上記圧力Ｐ１よりも高い圧力Ｐ２に加圧される。そのため、このときの加圧中に回路基板Ｗは、１回目の加圧時よりも大きく反り変形するようになる。そして加圧時間Ｔが経過したタイミングｔ４にて、加圧室２１内が大気圧開放されると、回路基板Ｗの反り量ｅは、弾性戻り分減少する。ただしこのときの回路基板Ｗの反り量ｅ２は、上記反り量ｅ１よりも大きな値となる。
【００４９】
そしてさらに、タイミングｔ５には、３回目の加圧が開始されている。このときの実加圧目標値Ｐａは上記２回目の加圧時よりも更に増加補正されるため、加圧室２１内は、上記２回目の加圧中の圧力Ｐ２よりも更に高い圧力Ｐ３に加圧される。そしてその結果、今回の加圧中に回路基板Ｗは更に大きく反り変形し、タイミングｔ６での加圧室２１の大気圧開放後に弾性戻りを経て、回路基板Ｗに残留した反り量ｅ３は、上記反り量ｅ２よりも更に大きくなる。ここでは、この時点の反り量ｅ３は、反り量矯正目標値Ｅに一致しているため、この回路基板Ｗの反り量調整はここで完了する。
【００５０】
以上のように本実施の形態では、加圧を間欠的に解除して弾性変形分を除いた塑性変形のみによる回路基板Ｗの反り量ｅを測定しつつ、回路基板Ｗを段階的に反らせているため、高い精度で反り量ｅを調整することができる。その結果、回路基板Ｗには、半導体素子実装時に先立ってその実装時の熱応力による回路基板Ｗの反りと同量で逆方向の反りが、予め正確に付与されるようになる。ちなみに、サイズ：４５×４５ｍｍ、実装される半導体素子のサイズ：２０×２０ｍｍ、半導体素子の外部接続用端子数（＝導体ボールの載置数）：５０００個といった回路基板において、反り量矯正目標値Ｅを０．２５ｍｍとして反り量調整を行ったとき、±０．０２ｍｍの誤差範囲で反り量を調整することができた。
【００５１】
こうした反り量調整後の回路基板Ｗは、図７に示すように、その上表面７２ａに、その中央部に設けられた導体ボール７５のリフローを通じて半導体素子７１を実装し、更にそのスティフナー７３上にリッド７４を接合して、実装された半導体素子７１を封止した半導体パッケージに形成される。ここでの半導体素子７１の実装に際しては、図８（ａ）に示すように、回路基板Ｗは、外部基板への電気接続用のランド７６の設けられたその裏面７２ｂが凸状となるように予め反らされており、またその反り量は、上記反り量矯正目標値Ｅとなるように正確に調整されている。
【００５２】
こうした回路基板Ｗに半導体素子７１を実装すると、熱処理による導体ボール７５のリフローに伴う熱歪みのため、回路基板Ｗは上表面７２ａ側に凸となる側に反り変形するようになる。ただし、回路基板Ｗは、上記のように予めその裏面７２ｂ側に凸となる側に予め反らされていることから、このときの熱歪みによる反り変形によっては、そうした回路基板Ｗの裏面７２ｂ側への反り量が減少していくこととなる。そして、上記反り量矯正目標値Ｅが、このときの熱歪みによる上表面７２ａ側への反り量の推定値とされていることから、最終的には、図８（ｂ）に示されるように、回路基板Ｗは平坦となる。ちなみに、上述したサイズが４５Ｘ４５ｍｍの回路基板では、比較的サイズの大きい回路基板でありながらも、上記反り調整を行った結果、半導体素子実装後の回路基板の反り量は０．０５ｍｍ以下と、外部基板に対するランドの接続に十分問題の無いレベルに留めることができた。
【００５３】
こうして半導体素子７１の実装された回路基板Ｗには、図８（ｃ）に示すように、リッド７４が接合されるが、このときの回路基板Ｗは既に平坦化されていることから、リッド７４による上方から押さえつけで回路基板Ｗの反りを矯正する必要は無く、そうした矯正に必要なだけ、リッド７４の剛性を高めることも不要となる。
【００５４】
このように、上記のような反り量調整によれば、半導体パッケージの大型化や導体ボールの載置数の増加に伴う回路基板Ｗの反り量の増大を抑えて、半導体パッケージと外部基板との接触不良を好適に抑制することができる。
【００５５】
なお、こうした本実施形態では、加圧エア源６０及び電空レギュレータ６１が上記加圧手段に、基板保持プレート３８、基板固定枠３８ｂ、及び切欠部３８ｃが回路基板固定手段に、変位センサ４０及び接触針４０ａが測定手段に、制御部５０が制御手段にそれぞれ相当する構成となっている。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態にかかる反り量調整装置によれば、以下のような効果を得ることができるようになる。
（１）可撓性のダイアフラム２０と基板保持プレート３８に固定された回路基板Ｗとを面接触させ、同ダイアフラム２０の後背側に形成された加圧室２１内を加圧するようにした。またこのとき、変位センサ４０によって測定された反り量ｅと反り量矯正目標値Ｅとの偏差に応じて加圧室２１の内圧を制御部５０により制御するようにした。これにより、加圧室２１の内圧で可撓性のダイアフラム２０が回路基板Ｗ側に凸状に変形するため、回路基板Ｗの平面中央部が押圧され、回路基板Ｗは反るように塑性変形する。こうした回路基板Ｗへの押圧は、間に回路基板Ｗの反り量ｅの測定を行いつつ、数回に分けて実行される。このため、回路基板Ｗの反り量が、反り量調整装置によって徐々に反り量矯正目標値Ｅに近づいていくこととなり、回路基板Ｗの反り量を高精度に調整することができるようになる。
【００５７】
（２）加圧室２１に微圧を印加した状態で回路基板Ｗの反り量を測定するようにした。これにより、回路基板Ｗが変形することなくダイアフラム２０に密着した状態での回路基板Ｗの反り量ｅが測定されることから、弾性戻り分を除いた、塑性変形による回路基板Ｗの反り量ｅを的確に確認することができる。そして、このように塑性変形による回路基板Ｗの反り量ｅを確認しつつ、加圧室２１内の加圧による回路基板Ｗに対する押圧の印加が繰り返し実行されるため、回路基板Ｗの反り量ｅを更に高精度に調整することができるようになる。
【００５８】
（３）回路基板Ｗの反り量ｅを、回路基板Ｗの背面に当接させた５つの変位センサ４０によって測定するようにした。このため、これら複数の変位センサ４０を通じて回路基板Ｗの反り量ｅを容易且つ的確に測定することができるようになる。
（第２実施形態）
次に、本発明の回路基板の反り量調整装置を具体化した第２の実施の形態について説明する。なお本実施の形態において、第１の実施の形態と同様或いはそれに準じた構造及び機能を有する部材については、同一の符号を付してその説明は割愛する。
【００５９】
上述したように半導体素子の実装に先立って、実装時の導体ボールのリフローに伴う熱歪みにより生じる反りとは逆方向に回路基板を予め反らせておけば、実装後の回路基板の反りを抑制することができる。しかしながら、回路基板が反らされていると、半導体素子の実装に際して、その外部接続端子と回路基板の導体ボールとの位置合わせが困難となるおそれがある。
【００６０】
そこで本実施の形態の回路基板の反り量調整装置では、反り量の調整に際して回路基板を押圧するダイアフラムにおいて、その回路基板の半導体素子の実装位置に面接触される部分に剛体からなる補助ブロックを固定することで、回路基板を反らせながらも、その半導体素子の実装領域については平坦面に保持するようにしている。そしてこれにより、半導体素子をより的確に実装可能としている。
【００６１】
図９（ａ）に示されるように、本実施の形態にかかる回路基板の反り量調整装置は、そのダイアフラム２０の後背面に、剛体からなる四角柱状の補助ブロック８０が固定されている。この補助ブロック８０は、金属やセラミクス等の、ダイアフラム２０に対して十分に剛性の高い材料によって形成されており、上記加圧室２１の加圧によるダイアフラム２０の撓みによっては、殆ど変形しないようになっている。
【００６２】
こうした補助ブロック８０の固定されたダイアフラム２０に回路基板Ｗを面接触させて加圧室２１内を加圧すると、図９（ｂ）に示されるように、ダイアフラム２０が回路基板Ｗ側に凸状に変形する。ただし、上述のように、ダイアフラム２０の後背面には補助ブロック８０が固定されているため、この際のダイアフラム２０は、補助ブロック８０の固定されている領域が平坦に保持された状態で面変形する。このため、回路基板Ｗは、その平面中央部を平坦に維持した状態で反り変形させられることとなる。
【００６３】
なお、図１０に示すように、ダイアフラム２０にあって上記補助ブロック８０は、回路基板Ｗにおける半導体素子の実装領域Ｓと当接される位置に固定されている。そしてその面積は、半導体素子の実装領域Ｓの面積と同じかそれよりも若干大きくされている。
【００６４】
そのため、図１１に示すように、半導体素子７１の実装時に回路基板Ｗは、全体としては、その実装時の熱歪みによる反りと反対方向に反らされていながらも、半導体素子７１の実装領域Ｓについてのみは、二点鎖線にて示されるように平坦な面になっている。このため、半導体素子７１の実装を、より容易且つ確実に行うことができる。
【００６５】
以上説明したように、本実施の形態にかかる反り量調整装置によれば、上記（１）〜（３）の効果に加え、以下のような新たな効果を得ることができるようになる。
（４）回路基板Ｗの半導体素子の実装領域Ｓの実装位置に面接触させられるダイアフラム２０の後背面に、補助ブロック８０を固定した。これにより、回路基板Ｗの反り量の調整にあたって、同回路基板Ｗの半導体素子７１の実装位置については平坦な状態が保持されることとなる。このため、半導体素子７１の回路基板Ｗへの実装をより容易且つ確実に行うことができるようになる。
（第３実施形態）
次に、本発明の回路基板の反り量調整装置を具体化した第３の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる回路基板の反り量調整装置も、先の第２の実施の形態における回路基板の反り量調整装置と同様、回路基板を反らせながらも、その半導体素子の実装領域については平坦面に保持し、半導体素子をより的確に実装可能としている。以下、こうした回路基板の反り量調整装置について、図１２，１３を参照して説明する。なお本実施の形態において、第１の実施の形態と同様、あるいはそれに準じた構造及び機能を有する部材については、同一の符号を付してその説明は割愛する。
【００６６】
本実施の形態にかかる回路基板の反り量調整装置では、回路基板の半導体素子の実装位置に対応する同回路基板の裏面における部位と一定の距離を保って、剛体からなるリミッタブロックを設けることで、回路基板を反らせながらも、その半導体素子の実装領域については平坦面に保持するようにしている。
【００６７】
図１２（ａ）に示されるように、この回路基板の反り量調整装置は、先の第１の実施の形態あるいは第２の実施の形態における基板保持プレート３８に代えて、変位センサ４０の接触針４０ａが挿通可能な開口部３８ｄ、および開口部３８ｅがそれぞれ透設された基板保持プレート３８Ａを備えている。また、基板保持プレート３８Ａの上面には、加圧室２１のフレーム２２の開口部に嵌合するような形状に形成された基板固定枠３８ｂが設けられるとともに、その基板固定枠３８ｂの上部には、回路基板Ｗの平面周縁部を保持するための切欠部３８ｃが形成されている。
【００６８】
こうした基板保持プレート３８Ａにおいて、上記開口部３８ｄは、基板固定枠３８ｂに回路基板Ｗが固定された際にその回路基板Ｗの平面周縁部と対応する位置に設けられている。また、この基板保持プレート３８Ａにおいて、上記開口部３８ｅには、金属等の剛体からなるリミッタブロック９０が上下方向に位置調整可能に設けられている。すなわち、リミッタブロック９０は、回路基板Ｗに近接・離間するように可動支持されている。詳しくは、リミッタブロック９０は、上下方向に延伸された略円柱状をなしており、その下端面部にねじ部９０ｂが設けられている。このねじ部９０ｂの周面には、ねじ山が形成されている。一方、基板保持プレート３８Ａの裏面には、開口部３８ｅを囲繞するように、上記ねじ部９０ｂに対応するねじ溝が内周面に形成されたリング３８ｆが固定されている。上記リミッタブロック９０は、ねじ部９０ｂのねじ山と上記リング３８ｆのねじ溝とが嵌合することにより、上下方向に位置調整可能となっている。また、このリミッタブロック９０の上端面には、四角柱状の接触部９０ａが水平に設けられている。そして、このリミッタブロック９０は、基板固定枠３８ｂに回路基板Ｗが載置された状態において、この回路基板Ｗの裏面から距離ｇだけ隔てた位置に上記接触部９０ａの上面が位置するように位置調整されている。この距離ｇは、上記反り量矯正目標値Ｅで示される距離よりも短い距離に設定されており、本実施の形態では、反り量矯正目標値Ｅだけ回路基板Ｗを反らせたときに、接触部９０ａの上面全体が回路基板Ｗの裏面にほぼ接触するような大きさに設定されている。
【００６９】
また、この回路基板の反り量調整装置は、先の第１の実施の形態あるいは第２の実施の形態におけるセンサ固定台３７に代えて、センサ固定台３７Ａを備えている。このセンサ固定台３７Ａも、箱形状をなし、その上面が、開口部１０ａを通じてベース１０の上面よりも上方まで突出可能とされている。そして、センサ固定台３７Ａの上部には、変位センサ４０が、その接触針４０ａが上記基板保持プレート３８Ａの開口部３８ｄを貫通して、回路基板Ｗの平面周縁部に当接するように固定されている。ただし、本実施の形態では、変位センサ４０の個数を１つとしている。
【００７０】
こうした構成のもと、ダイアフラム２０に回路基板Ｗを面接触させて加圧室２１内を加圧すると、図１２（ｂ）に示されるように、ダイアフラム２０が回路基板Ｗ側に凸状に変形する。そして、ダイアフラム２０の変形とともに回路基板Ｗはリミッタブロック９０側に凸状に変形し、回路基板Ｗの反り量が距離ｇを超えたとき、回路基板Ｗの裏面部分がリミッタブロック９０に当接することとなる。このため、この際の回路基板Ｗは、リミッタブロック９０の接触部９０ａと当接している領域が平坦に保持された状態で面変形する。すなわち、回路基板Ｗは、その平面中央部を平坦に維持した状態で反り変形させられることとなる。
【００７１】
なお、図１３に示すように、上記基板保持プレート３８Ａにあってリミッタブロック９０は、その接触部９０ａが、回路基板Ｗにおける半導体素子の実装領域Ｓと対応する回路基板Ｗの裏面と対向するように設けられている。そして接触部９０ａの面積は、半導体素子の実装領域Ｓの面積と同じかそれよりも若干大きくされている。
【００７２】
そのため、本実施の形態にかかる回路基板の反り量調整装置においても、先の図１１に示すように、半導体素子７１の実装時に回路基板Ｗは、全体としては、その実装時の熱歪みによる反りと反対方向に反らされていながらも、半導体素子７１の実装領域Ｓについてのみは、二点鎖線にて示されるように平坦な面となる。
【００７３】
以上説明したように、本実施の形態にかかる反り量調整装置によれば、上記（１）〜（３）の効果に加え、以下のような新たな効果を得ることができるようになる。
（５）回路基板Ｗの半導体素子７１の実装領域Ｓの実装位置に対応する当該回路基板Ｗの裏面部分と一定の距離ｇを保って対向するように、剛体からなるリミッタブロック９０を設けた。そして、この距離ｇを、反り量矯正目標値Ｅだけ回路基板Ｗを反らせたときに、接触部９０ａの上面全体が回路基板Ｗの裏面にほぼ接触するような大きさに設定した。これにより、回路基板Ｗの反り量の調整にあたって、同回路基板Ｗの半導体素子７１の実装位置については平坦な状態が保持されることとなる。このため、半導体素子７１の回路基板Ｗへの実装をより容易且つ確実に行うことができるようになる。
【００７４】
（６）リミッタブロック９０を上下方向に位置調整可能に設け、回路基板Ｗに近接・離間するようにした。このため、回路基板Ｗの裏面部分がリミッタブロック９０に当接する反り量を調整することができ、回路基板Ｗの反り量の目標値が変わっても、半導体素子７１の実装位置の平坦化を最適な状態で行うことができるようになる。
【００７５】
なお、この発明にかかる反り量調整装置は上記実施の形態に限定されるものではなく、同実施の形態を適宜変更した例えば次のような形態として実施することもできる。
・上記第３実施形態において、反り量矯正目標値Ｅが一定に固定されている場合など、リミッタブロック９０の位置調整が不要な場合には、リミッタブロック９０を基板保持プレート３８Ａに一体に固定するようにしてもよい。
【００７６】
・回路基板Ｗの変位量を測定するための変位センサ４０の数は任意である。例えば、回路基板Ｗの反り変形の態様に応じて、変位センサ４０の配設数を増加、あるいは減少させてもよい。
【００７７】
・上記実施の形態の反り量調整装置に採用されるような接触式の変位センサ４０に代えて、非接触式の変位センサ等の他の検出手段を用いて、回路基板の反り量を測定するようにしてもよい。
【００７８】
・回路基板Ｗに反り量と加圧室２１の印加する圧力との対応関係が正確に求められているのであれば、１回の加圧のみで反り量調整を行うようにしてもよい。この場合にも、可撓性を有するダイアフラム２０を介して回路基板Ｗを押圧すれば、加圧室２１内の圧力制御を通じてその押圧の大きさを容易且つ高精度に調整することができるため、回路基板Ｗの反り量ｅを容易且つ高精度に調整することができる。また表面に段差のある回路基板についても、十分な柔軟性を有するダイアフラム２０を用いれば、ダイアフラム２０を回路基板の表面全体に密着した状態で押圧を行うことができ、表面全体にほぼ均一な面圧を与えて回路基板を適正に反らせることができる。
【００７９】
・上記対応関係が正確に求められており、反り量の調整中に反り量を測定せずとも回路基板Ｗの反り量を適宜調整可能な場合には、変位センサ４０を割愛するようにしてもよい。また反り量調整中に反り量の測定を行う場合にも、回路基板Ｗを反り量調整装置からその都度取り外して測定するのであれば、反り量調整装置には変位センサ４０を設けない構成とすることもできる。
【００８０】
・上記実施の形態において加圧室２１内に微圧を印加して回路基板Ｗを切欠部３８ｃに密着させたが、加圧室２１内に重りを設けて上記回路基板Ｗを切欠部３８ｃに密着させるようにしてもよい。
【００８１】
・上記各実施の形態においては、フッ素樹脂シートを複数枚積層して形成されたダイアフラム２０を用いていたが、ゴムシート等のそれ以外の材質からなるダイアフラムを用いるようにしてもよい。要は、空気を通過させず、且つ十分な柔軟性を有する材質であれば、反り量調整装置のダイアフラムとして採用することができる。
【００８２】
・本発明の反り量調整装置は、樹脂製以外の材質の基板からなる回路基板についても、同様に適用可能であり、除荷後の弾性戻りの大きい材質によって回路基板が形成されている場合や反り量を極めて高い精度で調整する場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明にかかる反り量調整装置の第１実施形態についてその全体構造を示す断面図。
【図２】同実施形態の反り量調整装置についてその加圧室近傍の拡大断面構造を示す断面図。
【図３】図１のＡ矢視図。
【図４】同実施形態の反り量調整装置での回路基板の反り量測定態様を示す断面図。
【図５】第１及び第２実施形態にかかる反り量調整装置についてその制御部の実行する反り量調整制御の処理手順を示すフローチャート。
【図６】同反り量調整制御の実行中の回路基板の反り量及び加圧室内の圧力の推移を示すタイムチャート。
【図７】第１実施形態の反り量調整装置により反り量の調整された回路基板を用いた半導体パーケージについてその形成態様を示す斜視図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、上記半導体パッケージについてその形成手順を示す断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態にかかる反り量調整装置のダイアフラム周辺の断面構造を示す断面図。
【図１０】図９（ａ）のＢ矢視図。
【図１１】第２実施形態の反り量調整装置により反り量の調整された回路基板を用いた半導体パッケージについてその分解構造を示す断面図。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態にかかる反り量調整装置のダイアフラム周辺の断面構造を示す断面図。
【図１３】図１２（ａ）のＣ矢視図。
【図１４】従来の半導体パッケージについてその分解斜視構造を示す斜視図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、同じく従来の半導体パッケージについてその製造手順を示す断面図。
【符号の説明】
【００８４】
１０…ベース、１０ａ、３８ａ、３８ｄ、３８ｅ…開口部、３８ｆ…リング、１１、１２…ガイドポスト、１３…天板、１３ａ…圧力供給口、２０…ダイアフラム、２１…加圧室、２２…フレーム、３０、３１…リニアガイド、３２、３３…ガイドシャフト、３４、３５…基板クランプシリンダ、３６…センサ保持プレート、３７、３７Ａ…センサ固定台、３８、３８Ａ…基板保持プレート、３８ｂ…基板固定枠、３８ｃ…切欠部、４０…変位センサ、４０ａ…接触針、５０…制御部、６０…加圧エア源、６１…電空レギュレータ、７１、１０１…半導体素子、Ｗ、１０２…回路基板、７２ａ、１０２ａ…上表面、７２ｂ、１０２ｂ…裏面、７３、１０３…スティフナー、７４、１０４…リッド、７５、１０５…導体ボール、７６、１０６…ランド、８０…補助ブロック、９０…リミッタブロック、９０ａ…接触部、９０ｂ…ねじ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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