(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリテトラフルオロエチレン混合粉末をペースト押出して得られる絶縁被覆層を高分子量ポリテトラフルオロエチレンの高温側の最大ピーク温度以下の温度で焼成する高周波ケーブルの製法であり、前記ポリテトラフルオロエチレン混合粉末が、テトラフルオロエチレンを乳化重合して得られる低分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末と、テトラフルオロエチレンを乳化重合して得られる高分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末とを混合することによって得られる混合粉末であって、該低分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末が１００万±５０万の数平均分子量と３２７±５℃の示差走査熱量計による結晶融解曲線上に現れる吸熱カーブの最大ピーク温度を有し、該高分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末が４５０万±１００万の数平均分子量と３４０±７℃の示差走査熱量計による結晶融解曲線上に現れる吸熱カーブの最大ピーク温度を有し、かつ混合粉末がその示差走査熱量計による結晶融解曲線上に現れる吸熱カーブとして３２７±５℃および３４０±７℃に明確なピーク温度を有することを特徴とする高周波ケーブルの製法。
【請求項２】
前記混合粉末が、低分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末と高分子量ポリテトラフルオロエチレン粉末を共凝析して得られたものである請求項１記載の高周波ケーブルの製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波の誘電損失が少なく、しかも末端加工性にも優れた高周波信号伝送用製品、およびこの製品の絶縁層の形成に好適なポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）混合粉末に関する。
【０００２】
【従来の技術】
同軸ケーブルやＬＡＮケーブルのような高周波信号を伝送するケーブルには常に誘電損失が生ずる。同じく高周波信号を伝送する各種伝送機器に使用されるプリント配線基板についても、誘電損失が重要なファクターとなっている。
【０００３】
誘電損失は誘電率（ε）と誘電正接（tan  δ）との関数であり、いずれも小さい方が好ましい。誘電損失を低減するため、これらの電気的特性に優れたＰＴＦＥを絶縁被覆層材料として使用している高周波ケーブルが提案されている（特開平１１−３１４２２号公報、特開平１１−２８３４４８号公報、特開２０００−２１２５０号公報）。
【０００４】
ＰＴＦＥは熱処理（焼成処理）することによって融点、誘電率、誘電正接、さらには機械的強度が変化する。たとえば未焼成のＰＴＦＥは融点が３４０±７℃と高く誘電率（ε）は１．８、誘電正接（tan  δ）は０．５×１０-4（いずれも１２ＧＨｚでの測定値。以下同様）と低いが、不完全に焼成（半焼成）すると融点が３２７±５℃と下がり誘電率（ε）は２．０、誘電正接（tan  δ）は０．７×１０-4と高くなる。完全に焼成すると、融点は３２３±５℃とさらに低くなり、誘電率（ε）は２．１、誘電正接（tan  δ）は２．０×１０-4と高くなる。また、機械的強度は焼成することにより向上する。
【０００５】
したがって、誘電損失の点からは未焼成または半焼成ＰＴＦＥを使用することが有利であり、一方、末端加工や強度面からは焼成ＰＴＦＥを使用することが有利である。
【０００６】
そこで前記公報では、誘電率や誘電正接といった電気的特性を維持しつつ、加工性を向上させるために焼成ＰＴＦＥ、半焼成ＰＴＦＥおよび未焼成ＰＴＦＥを組み合せた絶縁被覆層が提案されている。
【０００７】
特開平１１−３１４４２号公報では、未焼成ＰＴＦＥ絶縁被覆層の焼成の仕方を外表面側の焼成度を高くする（ラジアル方向のＰＴＦＥの焼成度の傾斜化）方法を提案している。
【０００８】
特開平１１−２８３４４８号公報では、絶縁被覆層を基本的に未焼成または半焼成ＰＴＦＥとし、加工すべき末端部分（末端から１０ｃｍ程度）のみ完全焼成ＰＴＦＥを使用すること（芯線の長手方向での焼成度の傾斜化）を提案している。
【０００９】
さらに特開２０００−２１２５０号公報では、絶縁被覆層としてＰＴＦＥの多孔質層を用い、さらに表面部分を焼成して結晶化率を７５〜９２％と高くしている（ラジアル方向での焼成度の傾斜化）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしケーブルの末端を加工するときの末端加工性は、ラジアル方向での焼成度の傾斜化では、末端をニッパなどで剥離したり切断したとき未焼成または半焼成ＰＴＦＥでは綺麗に切れず繊維化し、糸を引いた状態となる。
【００１１】
したがって、前記特開平１１−２８３４４８号公報のように完全焼成ＰＴＦＥを使用しない限り、末端加工を綺麗に行なうことはできないと考えられていた。
【００１２】
このように従来は、高周波ケーブルの絶縁被覆層用のＰＴＦＥについては、焼成度や結晶化度などの検討は種々行なわれているが、分子量に関しての検討はされていない。本発明は今まで未検討であった分子量にも着目し、低分子量ＰＴＦＥが繊維化しにくい点を考慮し、さらに焼成度を加味して、電気的特性だけではなく加工性、特に末端加工性にも優れたＰＴＦＥ絶縁被覆層用の材料を開発した。
【００１３】
本発明は、ＰＴＦＥを絶縁被覆層として有する高周波ケーブルの末端加工をスムーズに行なうことができ、しかも誘電損失が少ない高周波ケーブル、さらにそうしたＰＴＦＥ絶縁被覆層を与えるＰＴＦＥ粉末を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）を乳化重合して得られる低分子量ＰＴＦＥ粉末と高分子量ＰＴＦＥ粉末とを混合することによって得られる混合粉末であることを特徴とする高周波信号伝送用製品の絶縁用ＰＴＦＥ混合粉末に関する。
【００１５】
両ＰＴＦＥ粉末の混合は、共凝析法で行なうのが好ましい。
【００１６】
かかる混合粉末のうちの低分子量ＰＴＦＥ粉末は、数平均分子量が１００万±５０万であり、示差走査熱量計による結晶融解曲線上に現れる吸熱カーブの最大ピーク温度（以下、「最大吸熱ピーク温度」という）が３２７±５℃の粉末である。一方の高分子量ＰＴＦＥ粉末は数平均分子量が４５０万±１００万であり、最大吸熱ピーク温度が３４０±７℃である粉末である。また、共凝析して得られる混合粉末が、その示差走査熱量計による結晶融解曲線上に現れる吸熱カーブのピーク温度（以下、「吸熱ピーク温度」という）として３２７±５℃および３４０±７℃に明確なピークをもっていることを特徴とする。
【００１７】
さらに、前記混合粉末は、その示差走査熱量計による結晶融解曲線上の３２７±５℃に現れる吸熱カーブのピークＰ327と３４０±５℃に現れる吸熱カーブのピークＰ340の基線からの高さの比Ｐ327／Ｐ340が、１／９〜９／１であることが好ましい。
【００１８】
本発明はまた、前記のＰＴＦＥ混合粉末を用いて成形して得られる高周波ケーブルなどの高周波信号伝送用製品にも関する。
【００１９】
かかる高周波ケーブルは、たとえば前記ＰＴＦＥ混合粉末をペースト押出して得られる絶縁被覆層を高分子量ＰＴＦＥの高温側の最大ピーク温度以下の温度で焼成することにより製造できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のＰＴＦＥ混合粉末は低分子量ＰＴＦＥ粉末と高分子量ＰＴＦＥ粉末とからなる。これらのＰＴＦＥ粉末は、ＴＦＥの単独重合体であっても、他の単量体で変性された変性ＰＴＦＥであってもよい。
【００２１】
本発明で用いる低分子量ＰＴＦＥ粉末の数平均分子量は、１００万±５０万である。数平均分子量が大きくなると繊維化現象が現れてき始め、小さすぎるとたとえば共凝析時に未凝析粒子の残存率が増大するので工業生産的に好ましくない。
【００２２】
この低分子量ＰＴＦＥは、乳化重合法で重合し製造された粉末である。その１次平均粒径（重力沈降法によって測定される濁度計の値から算出される粒径。以下同様）としては、通常約０．０２〜０．５μｍ、好ましくは０．１〜０．３μｍである。
【００２３】
また、最大吸熱ピーク温度（結晶融点）は３２７±５℃であり、このものの誘電率（ε）は２．０〜２．２、誘電正接（tan  δ）は２．０×１０-4〜２．７×１０-4である。
【００２４】
一方の高分子量ＰＴＦＥ粉末は、４５０万±１００万、好ましくは３５０万〜５００万の数平均分子量をもつ。数平均分子量が大きくなると成形性がわるくなり、少なすぎると機械的強度や電気的特性が低下していく。
【００２５】
この高分子量ＰＴＦＥは、乳化重合法で重合し製造された粉末である。その１次平均粒径としては、通常約０．１〜０．５μｍ、好ましくは０．２〜０．３μｍである。
【００２６】
また、最大吸熱ピーク温度（結晶融点）は３４０±７℃であり、このものの誘電率（ε）は２．０〜２．２、誘電正接（tan  δ）は１．９×１０-4〜２．４×１０-4と低い。
【００２７】
なお、両ＰＴＦＥ粉末の平均粒径がほぼ同じであることが、均一な混合、特に均一な共凝析ができ、均一に分散した混合粉末が得られる点から好ましい。乳化重合法は従来と同様の条件でよい。
【００２８】
つぎに低分子量ＰＴＦＥと高分子量ＰＴＦＥとを混合して混合粉末を製造するのであるが、本発明においては、混合法として乾式混合法（ドライブレンド法）でも、低分子量ＰＴＦＥの水性分散液と高分子量ＰＴＦＥ水性分散液同士を混合し共凝析する方法でもよい。特に、乳化重合法で得られる微細なＰＴＦＥ粒子（いわゆるファインパウダー）を使用するときは、共凝析法が好ましい。共凝析法は従来の条件でよく、２つの水性分散液を混合したのち機械的な撹拌力を作用させる方法が好ましい。その際、塩酸や硝酸などの無機酸類またはその金属塩を凝析剤として併用してもよい。また、有機液体を存在させたり、要すればフィラーを共存させたりしてもよい。ただし、これらの方法に限定されるものではない。共凝析後、脱水、乾燥して本発明の混合粉末が得られる。この混合粉末の平均粒径は、たとえば２００〜１０００μｍ程度とするのが、成形のし易さの点から好ましい。
【００２９】
低分子量ＰＴＦＥ粉末と高分子量ＰＴＦＥ粉末の混合割合は、前記吸熱ピーク温度の基線からの高さの比Ｐ327／Ｐ340が１／９〜９／１となるような割合とすることが好ましい。低分子量ＰＴＦＥの量が多くなると押出成形加工性がわるくなり、少なくなると混合状態が区分けされにくくなる傾向にある。好ましくはＰ327／Ｐ340は２／８〜８／２、さらに好ましくは２．５／７．５〜７．５／２．５である。
【００３０】
吸熱ピーク温度の基線からの高さとは、たとえば図１に示すように、吸熱カーブのベースラインの沿って基線１を引き、その基線からの各ピークの頂点２の高さをいう。
【００３１】
重量比としては、たとえば低分子量ＰＴＦＥ／高分子量ＰＴＦＥが１／９〜８／２、好ましくは２／８〜７／３、さらに好ましくは３／７〜６／４である。低分子量ＰＴＦＥが少なすぎると末端加工性の向上効果が小さくなり、多すぎると電気的特性（誘電損失など）が悪化する。
【００３２】
かくして得られる本発明のＰＴＦＥ混合粉末の誘電率（ε）は、通常、約１．７〜２．３、誘電正接（tan  δ）は通常、約０．５×１０-4〜２．５×１０-4の範囲にある。
【００３３】
本発明のＰＴＦＥ混合粉末は、従来公知の成形法にしたがって、各種の高周波信号伝送機器用の各種部品や絶縁層に成形加工される。
【００３４】
高周波信号伝送機器用の各種部品としては、たとえば携帯電話、各種コンピュータ、通信機器、その他の電子回路のプリント配線基板、ケーシング、アンテナのコネクタなどが代表例としてあげられるが、これらのみに限られるものではない。プリント配線基板などの成形品は、本発明のＰＴＦＥ混合粉末を圧縮成形、押出圧延成形などの従来公知の成形法によって製造できる。
【００３５】
高周波信号伝送機器用の絶縁層としては、同軸ケーブル、ＬＡＮケーブル、フラットケーブルなどの高周波信号伝送用ケーブルの絶縁被覆層などが代表例としてあげられるが、これらのみに限られるものではない。
【００３６】
高周波信号伝送用の同軸ケーブルの一般的な構造は、金属の芯線の周囲に絶縁被覆層を設け、さらにその外側に外皮として金属製の被覆層が設けられた構造となっている。本発明のＰＴＦＥ混合粉末は絶縁被覆層用の材料として有用である。以下、同軸ケーブルの絶縁被覆層をぺースト押出法で形成する方法について説明するが、この製法に限られるものではない。
【００３７】
本発明のＰＴＦＥ混合粉末を公知のペースト押出助剤と混合して圧縮予備成形して円筒状の予備成形体とする。ついでこの予備成形体をペースト押出機に装填し、芯線上に押出し、加熱（１５０〜２５０℃）乾燥したのち、焼成処理を少なくとも低分子量ＰＴＦＥの融点以上に加熱して行なう。さらには、高分子量ＰＴＦＥの高温側の最大ピーク温度以下で行なうことが好ましい。その後、外皮を常法にしたがって被覆する。
【００３８】
本発明のＰＴＦＥ混合粉末は、このペースト押出工程および焼成工程においても、優れた特性を発揮する。
【００３９】
すなわち、従来は未焼成のＰＴＦＥ粉末をペースト押出して絶縁被覆層を形成していたが、未焼成のＰＴＦＥ粉末は容易に繊維化してしまうため、押出圧を高くする必要があり、また被覆層の表面がウネることがあった。本発明のＰＴＦＥ混合粉末は繊維化しない低分子量ＰＴＦＥ粉末を混合しているため、押出成形時の繊維化が抑えられ、押出圧を小さくすることができ、得られる被覆層表面を平滑にすることができる。
【００４０】
この焼成処理は、高分子量ＰＴＦＥの優れた電気的特性を維持するため、できるだけ未焼成または半焼成の段階で止める必要がある。しかし、従来の高分子量ＰＴＦＥ単独の場合、誘電率や誘電正接などの電気的特性が焼成温度の影響を大きく受けるため焼成温度管理を慎重にしなければならなかった。ところが本発明のＰＴＦＥ混合粉末では、低分子量ＰＴＦＥの共存により焼成温度の電気的特性への影響が緩和されるため、多少焼成温度がブレても電気的特性が比較的類似したものが得られるので、焼成温度の管理が容易になり、また歩留も向上する。
【００４１】
本発明においては、結晶化率は、全体で１０〜９０％、好ましくは２０〜８０％である。
【００４２】
このように焼成の加熱条件は重要なファクターであり、製品の特性に影響を与えるので、できるだけ正確に温度管理できる方法が好ましい。本発明では、限定されるものではないが、溶融塩中にペースト押出後のケーブルを通して加熱焼成する、いわゆるソルトバス法が好適に採用される。使用する溶融塩としては硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの１／１混合物などが好ましい。
【００４３】
かくして得られる絶縁被覆層の誘電率（ε）は１．５〜２．３、好ましくは１．８〜２．２であり、誘電正接（tan  δ）は０．７×１０-4〜２．０×１０-4、好ましくは０．８×１０-4〜１．２×１０-4である。
【００４４】
本発明のＰＴＦＥ混合粉末を使用して製造したプリント配線基板や高周波信号伝送ケーブルなどの本発明の高周波信号伝送用製品は、低分子量ＰＴＦＥの働きにより末端加工や剥離時に基板や絶縁被覆層が繊維化を起こしにくく、現場での作業性が向上する。
【００４５】
【実施例】
つぎに本発明を実施例および比較例をあげて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００４６】
実施例１
（ＰＴＦＥ混合粉末の製造）
乳化重合で得られた低分子量ＰＴＦＥ粒子（数平均分子量６０万、最大吸熱ピーク温度３２９℃、平均粒径０．２μｍ。ダイキン工業（株）製のポリフロンＬ−５）の水性分散液（濃度２０％）と乳化重合で得られた高分子量ＰＴＦＥ粒子（数平均分子量４６０万、最大吸熱ピーク温度３４５℃、平均粒径０．２５μｍ。ダイキン工業（株）製のポリフロンＦ１０４）の水性分散液（濃度２５％）とを固形部重量比で１／１にて混合し、攪拌しながら共凝析し、乾燥してＰＴＦＥ混合粉末を得た。
【００４７】
このＰＴＦＥ混合粉末の結晶融解曲線を示差走査熱量計（セイコー電子（株）製のＲＤＣ２２０）により、昇温速度１０℃／分の条件で描き、吸熱ピークを調べたところ、３２９℃と３４５℃にピーク温度をもつ吸熱ピークが存在した（他にもピークはあった）。ついで３２９℃と３４５℃の吸熱ピークの基線からの高さを調べたところ、Ｐ329／Ｐ345は４／６であった。なお、この示差走査熱量計による測定法は、原料ＰＴＦＥの最大ピーク温度の測定にも使用した。
【００４８】
（高周波ケーブルの絶縁被覆層の形成）
上記で製造したＰＴＦＥ混合粉末１００重量部にペースト押出助剤（アイソパーＥ。エクソン社製の石油系溶剤）を２４重量部配合し２４時間熟成した後、専用の予備プレス成形機（内径３８ｍｍとマンドレル外径１６ｍｍの円筒金型をもつ）に充填し、面圧力１．９６ＭＰａで加圧して円筒状予備成形体（長さ５００ｍｍ、外径３８ｍｍ、内径１６ｍｍ）を作製した。
【００４９】
この円筒状予備成形体をペースト押出機（ジェニングス社製。シリンダー径８ｍｍ、マンドレル径１６ｍｍ、ダイオリフィス径１．３２ｍｍ）に装填し、芯線（アメリカンワイヤーゲージサイズ２４：直径０．１２７ｍｍの銀メッキ銅線１９本の撚り線、見掛け外径０．６５ｍｍ）上に巻取り速度１５ｍ／分でペースト押出して被覆し、１５０℃のオーブン（通過時間１０秒）ついで２５０℃のオーブン（通過時間１０秒）にて押出助剤を乾燥除去し、ついで３４０℃のソルトバス（硝酸カリウム／硝酸ナトリウム＝１／１）中を２０秒間通過させて加熱処理（焼成処理）し、外径１．１５ｍｍの絶縁被覆層を有するＰＴＦＥ被覆ケーブルを作製した。
【００５０】
得られた被覆ケーブルの表面は平滑でウネリは見とめられなかった。また、ペースト押出時のラム圧力は６０ＭＰａと低圧であった。
【００５１】
この被覆ケーブルから芯線を抜き取り、２ｍごとに前記の条件で示差走査熱量計により結晶吸熱カーブを調べたところ、吸熱ピークの位置は混合粉末の位置と同じであった。また、原料混合粉末と被覆層との結晶融解熱量変化から算出した結晶転化率は、０．５０〜０．５３の範囲に入っていた。
【００５２】
さらに末端加工性を調べるため、ワイヤーストリッパーで被覆を剥がしたところ、繊維化せずに容易に絶縁層を切断でき、しかも綺麗な切断面であった。
【００５３】
なお、加熱（焼成）処理後の誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を、以下に示す測定法により調べたところ、１２ＧＨｚでの誘電率（ε）は２．２８、誘電正接（tan  δ）は１．７６×１０-4であった。
【００５４】
誘電率および誘電正接の測定
ＰＴＦＥ粉末１００重量部と押出助剤（アイソパーＥ）２４重量部とを混合し、押出機（シリンダー径１３０ｍｍ、金型ダイス内径１２ｍｍ）によりペースト押出して丸棒を得、これを７０℃のカレンダーロール（２８ｍ／分）にて圧延してフィルム化し、２００℃の熱風乾燥炉で乾燥して厚さ１５０μｍのＰＴＦＥ未焼成フィルムとする。この未焼成フィルムを前記ソルトバス中に２０秒間浸漬した加熱処理ＰＴＦＥフィルムを５０ｍｍに切断し、ネットワークアナライザー（ヒューレットパッカード社製のＨＰ８５１０）により空洞共振器法で共振周波数およびＱ値を測定し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求める。
【００５５】
比較例１
実施例１において高分子量ＰＴＦＥを単独で使用したほかは同様にしてペースト押出し、ＰＴＦＥ被覆ケーブルを作製した。ペースト押出時のラム圧力は７３ＭＰａであった。
【００５６】
また、実施例１と同様に吸熱ピークを調べたところ原料ＰＴＦＥ粉末と同じ位置にピークを有しており、結晶転化率は０．２０〜０．２３であった。また、この加熱処理後の絶縁被覆の１２ＧＨｚでの誘電率（ε）は２．１５、誘電正接（tan  δ）は０．９４×１０-4であった。
【００５７】
さらに末端加工性を調べるため、ワイヤーストリッパーで被覆を剥がしたところ、切断面で繊維化が生じた。
【００５８】
実施例２
乳化重合で得られた低分子量ＰＴＦＥ粒子（ダイキン工業（株）製のポリフロンＬ−５）の水性分散液（濃度２０％）と乳化重合で得られた高分子量ＰＴＦＥ粒子（数平均分子量４８０万、最大吸熱ピーク温度３４７℃、平均粒径０．２８μｍ）の水性分散液（濃度２５％）とを固形部重量比で１／１にて混合し、攪拌しながら共凝析し、乾燥してＰＴＦＥ混合粉末を得た。
【００５９】
このＰＴＦＥ混合粉末の結晶融解曲線を示差走査熱量計により、吸熱ピークを調べたところ、３２９℃と３４７℃にピーク温度をもつ吸熱ピークが存在した。ついで３２９℃と３４７℃の吸熱ピークの基線からの高さを調べたところ、Ｐ329／Ｐ347は４．５／５．５であった。
【００６０】
このＰＴＦＥ混合粉末１００重量部と押出助剤（アイソパーＥ）２４重量部とを混合し、押出機（シリンダー径１３０ｍｍ、金型ダイス内径１２ｍｍ）によりペースト押出して丸棒を得、これを７０℃のカレンダーロール（２８ｍ／分）にて圧延してフィルム化し、１９０℃の熱風乾燥炉で乾燥して厚さ５００μｍのＰＴＦＥ未焼成フィルムとした。このフィルムを５０ｍｍに切断し、前記ネットワークアナライザーにより空洞共振器法で共振周波数およびＱ値を測定し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６１】
さらに前記未焼成ＰＴＦＥフィルムを３３０℃、３３５℃、３４０℃、３４５℃および３６０℃に維持されたソルトバスに３０秒間浸漬し、空気中で放冷して加熱処理ＰＴＦＥフィルムを作製した。
【００６２】
これらの加熱処理ＰＴＦＥフィルムについて示差走査熱量計により融解熱量を測定し、加熱処理前後の融解熱量から結晶転化率を求めた。結果を表１に示す。
【００６３】
ついで前記ネットワークアナライザーを用いて空洞共振器法で共振周波数およびＱ値を測定し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６４】
比較例２
高分子量ＰＴＦＥ粉末を単独で使用したほかは実施例２と同様にして未焼成ＰＴＦＥフィルムを作製し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６５】
ついで実施例２と同様に３３０℃、３３５℃、３４０℃、３４５℃および３６０℃に維持されたソルトバスに３０秒間浸漬し、空気中で放冷して加熱処理ＰＴＦＥフィルムを作製し、示差走査熱量計により融解熱量を測定し、加熱処理前後の融解熱量から結晶転化率を求めた。結果を表１に示す。
【００６６】
ついで前記ネットワークアナライザーを用いて空洞共振器法で共振周波数およびＱ値を測定し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６７】
実施例３
実施例２において、低分子量ＰＴＦＥとして（数平均分子量３８０万、最大吸熱ピーク温度３３８℃、平均粒径０．２４μｍ。ダイキン工業（株）製のポリフロンＦ２０１）を使用したほかは実施例２と同様にして未焼成ＰＴＦＥフィルムを作製し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００６８】
ついで実施例２と同様に３３０℃、３３５℃、３４０℃、３４５℃および３６０℃に維持されたソルトバスに３０秒間浸漬し、空気中で放冷して加熱処理ＰＴＦＥフィルムを作製し、示差走査熱量計により融解熱量を測定し、加熱処理前後の融解熱量から結晶転化率を求めた。結果を表１に示す。
【００６９】
ついで前記ネットワークアナライザーを用いて空洞共振器法で共振周波数およびＱ値を測定し、１２ＧＨｚにおける誘電率（ε）および誘電正接（tan  δ）を求めた。結果を表１に示す。
【００７０】
【表１】
0004617538.tif 000002
【００７１】
表１から明らかなように、加熱（焼成）処理温度が３３５℃に設定されているとき、加熱温度がプラスマイナス５℃変動した場合（３３０℃〜３４０℃）、高分子量ＰＴＦＥ粉末を単独で使用したもの（比較例２）では誘電率が０．３３と大きく変動するが、低分子量ＰＴＦＥ粉末を配合することにより、誘電率の変動を０．０３（実施例２）および０．１５（実施例３）と低く抑えることができる。
【００７２】
このことは、加熱（焼成）処理温度管理を緩やかにすることがでできることを示している。
【００７３】
【発明の効果】
本発明によれば、成形性に優れ、かつ焼成温度管理がしやすい絶縁層形成用のＰＴＦＥ混合粉末を提供できる。本発明のＰＴＦＥ混合粉末を使用して形成された高周波信号伝送機器の絶縁層は、低い値の誘電率や誘電正接をもち、しかも末端加工性が向上したものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】示差走査熱量計で測定したときの吸熱ピーク温度の基線からの高さを決定する方法を説明するための仮想の結晶融解曲線である。
【符号の説明】
１  基線
２  吸熱ピークの頂点
【図１】
0004617538.tif 000003