(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有するＥＬ装置であって、
各画素は、
基板と、
前記基板上に形成され、各画素を駆動する薄膜トランジスタを有する回路層と、
前記回路層上に形成された第１導電層と、
前記第１導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成され、画素ごとに独立し、前記薄膜トランジスタによって制御される第２導電層と、
を備え、
前記第１導電層は、
隣接する画素形成領域同士で共通の第１配線層と、
導電性を有し、前記第１配線層上に形成されて前記第１配線層を保護する第１保護層と、
前記第１保護層上に形成され、光反射率が前記第１保護層よりも大きい第１電極層と、
を有するとともに、
前記第１配線層及び前記第１電極層は、アルミニウム、銀、ロジウム、金、及び銅の少なくともいずれか一つを含み、
前記第１保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなることを特徴とするEL装置。
【請求項２】
請求項１に記載のEL装置において、
前記第１配線層、前記第１保護層及び前記第１電極層が金属材料により形成されていることを特徴とするEL装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のEL装置において、
前記第２導電層と電気的に接続され、前記第１導電層に対して離間した領域に形成され、前記回路層の前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第３導電層をさらに備え、
前記第３導電層は、
第２配線層と、
導電性を有し、前記第２配線層上に形成されて前記第２配線層を保護する第２保護層と、
を有し、
前記第２導電層の一部が、前記第２保護層上まで延びて前記第２保護層に電気的に接続されるとともに、
前記第２配線層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金又は銅の少なくともいずれか一つを含み、
前記第２保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなることを特徴とするEL装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のEL装置において、
前記基板上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁、
をさらに備えたことを特徴とするEL装置。
【請求項５】
請求項４に記載のEL装置において、
前記有機層の端部は、前記隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されていることを特徴とするEL装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のEL装置において、
前記隔壁の断面形状は、下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成し、
前記有機層の端部は、前記隔壁の上面の直下領域内まで延設されていることを特徴とするEL装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層が前記第１電極層の端面を被覆していることを特徴とするEL装置。
【請求項８】
請求項７に記載のEL装置において、
前記有機層が前記第１電極層の外周に沿った端面の全面を被覆していることを特徴とするEL装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載のEL装置において、
前記有機層は前記第１電極層よりも厚みが大きいことを特徴とするEL装置。
【請求項１０】
請求項６に記載のEL装置において、
前記隔壁は、前記画素形成領域を個別に囲むように形成され、
前記第１電極層、前記有機層及び前記第２導電層が略矩形状を有し、
前記隔壁上面の直下領域内まで延設された前記有機層の端部、並びに、前記隔壁上面の直下領域もしくはその近傍まで延設された前記第１電極層及び前記第２導電層の端部は、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２導電層の４辺のうちの少なくとも３辺に対応する端部であることを特徴とするEL装置。
【請求項１１】
請求項４ないし請求項１０のいずれかに記載のEL装置において、
前記基板と前記第１導電層との間に形成された層間絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第１電極層から前記層間絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のEL装置において、
前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されていることを特徴とするEL装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層は、前記第１電極層、前記第１保護層及び前記第１配線層の端面を被覆することを特徴とするEL装置。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載のEL装置において、
前記第１保護層と前記第１導電層との間に介在される絶縁層をさらに備え、
前記有機層は、前記第１電極層から前記絶縁層上まで延設されていることを特徴とするEL装置。
【請求項１５】
請求項３に記載のEL装置において、
前記基板と前記第１配線層との間に、前記回路層と、該回路層上に配設され、コンタクトホールを有する層間絶縁層と、を更に備え、
前記前記第３導電層が、前記コンタクトホール内に被着されていることを特徴とするEL装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のEL装置において、
前記第３導電層は、前記コンタクトホールの内面から前記層間絶縁層上にかけて被着されることを特徴とするEL装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６に記載のEL装置において、
前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記コンタクトホール内に位置することを特徴とするEL装置。
【請求項１８】
請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載のEL装置において、
前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記層間絶縁層上に位置することを特徴とするEL装置。
【請求項１９】
請求項１５ないし請求項１８のいずれかに記載のEL装置において、
前記回路層は、薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を有することを特徴とするEL装置。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項１９のいずれかに記載のEL装置において、
前記第１電極層及び前記有機層は、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されていることを特徴とするEL装置。
【請求項２１】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成されていることを特徴とするEL装置。
【請求項２２】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のEL装置において、
前記有機層は、前記基板に対して斜め方向から蒸着されたことを特徴とするEL装置。
【請求項２３】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のEL装置において、
前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成され、
前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記基板に対して略垂直方向から蒸着されて形成されていることを特徴とするEL装置。
【請求項２４】
請求項１ないし請求項２３のいずれかに記載のEL装置の製造方法であって、
前記第１電極層を減圧状態のチャンバ内で形成する工程と、
前記第１電極層の形成後に、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で前記有機層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のEL装置の製造方法であって、
前記有機層の構成材料が載置された蒸着源から前記第１電極層に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、前記蒸着源もしくは前記基板の少なくともいずれか一方を移動させながら前記有機層の蒸着を行う工程を備えることを特徴とするEL装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明は、EL（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
EL装置は、ガラス基板と、そのガラス基板上に積層された第１導電層、発光層を含む有機層及び第２導電層を備えて構成されている。その第１導電層の導電材が薬液、水、大気等との接触によって酸化すると、その酸化膜が電気抵抗となって、装置駆動時の消費電力の増大、画素間の発光輝度のバラツキの原因となる場合がある。
【０００３】
これに対する従来の対策として、第１導電層の導電材の表面をモリブデン等からなる保護膜で被覆し、導電材の酸化を防止するようにした技術がある（特許文献１）。
【０００４】
また、トップエミッション型のEL装置では、有機層で発光された光が第２導電層を透過して外部に放出されるため、第１導電層の表面は、有機層で発光された光を効率良く反射することが求められる。
【０００５】
なお、ボトムエミッション型のEL装置に関する電極構造としては、特許文献２に記載のものがある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１８５３６３号公報
【特許文献２】特開２００３−１１５３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、保護膜は導電材に対する保護機能を重視して材料等の選択が行われるため、保護層を設けることにより第１導電層表面の光反射効率が低下し、光の取出効率の低下を招く場合がある。
【０００８】
そこで、本発明の解決すべき課題は、第１導電層表面の光反射効率を高く維持しつつ、
第１導電層の導電材の酸化を防止して第１導電層の電気抵抗を抑制できるEL装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明では、複数の画素を有するＥＬ装置であって、各画素は、基板と、前記基板上に形成され、各画素を駆動する薄膜トランジスタを有する回路層と、前記回路層上に形成された第１導電層と、前記第１導電層上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、画素ごとに独立し、前記薄膜トランジスタによって制御される第２導電層と、を備え、前記第１導電層は、隣接する画素形成領域同士で共通の第１配線層と、導電性を有し、前記第１配線層上に形成されて前記第１配線層を保護する第１保護層と、前記第１保護層上に形成され、光反射率が前記第１保護層よりも大きい第１電極層とを有するとともに、前記第１配線層及び前記第１電極層は、アルミニウム、銀、ロジウム、金、及び銅の少なくともいずれか一つを含み、前記第１保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなる。
【００１０】
また、請求項２の発明では、請求項１の発明に係るEL装置において、前記第１配線層、前記第１保護層及び前記第１電極層が金属材料により形成されている。
【００１１】
また、請求項３の発明では、請求項１又は請求項２の発明に係るEL装置において、前記第２導電層と電気的に接続され、前記第１導電層に対して離間した領域に形成され、前記回路層の前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第３導電層をさらに備え、前記第３導電層は、第２配線層と、導電性を有し、前記第２配線層上に形成されて前記第２配線層を保護する第２保護層とを有し、前記第２導電層の一部が、前記第２保護層上まで延びて前記第２保護層に電気的に接続されるとともに、前記第２配線層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金又は銅の少なくともいずれか一つを含み、前記第２保護層は、モリブデン又はモリブデン合金からなる。
【００１４】
また、請求項４の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれかの発明に係るEL装置において、前記基板上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁とをさらに備えた。
【００１５】
また、請求項５の発明では、請求項４の発明に係るEL装置において、前記有機層の端部は、前記隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されている。
【００１６】
また、請求項６の発明では、請求項４又は請求項５の発明に係るEL装置において、前記隔壁の断面形状は、下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成し、前記有機層の端部は、前記隔壁の上面の直下領域内まで延設されている。
【００１８】
また、請求項７の発明では、請求項１ないし請求項６のいずれかの発明に係るEL装置において、前記有機層が前記第１電極層の端面を被覆している。
【００１９】
また、請求項８の発明では、請求項７の発明に係るEL装置において、前記有機層が前記第１電極層の外周に沿った端面の全面を被覆している。
【００２０】
また、請求項９の発明では、請求項７又は請求項８の発明に係るEL装置において、前記有機層は前記第１電極層よりも厚みが大きい。
【００２１】
また、請求項１０の発明では、請求項６の発明に係るEL装置において、前記隔壁は、前記画素形成領域を個別に囲むように形成され、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２導電層が略矩形状を有し、前記隔壁上面の直下領域内まで延設された前記有機層の端部、並びに、前記隔壁上面の直下領域もしくはその近傍まで延設された前記第１電極層及び前記第２導電層の端部は、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２導電層の４辺のうちの少なくとも３辺に対応する端部である。
【００２２】
また、請求項１１の発明では、請求項４ないし請求項１０のいずれかの発明に係るEL装置において、前記基板と前記第１導電層との間に形成された層間絶縁層をさらに備え、前記有機層は、前記第１電極層から前記層間絶縁層上まで延設されている。
【００２３】
また、請求項１２の発明では、請求項１ないし請求項１１のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されている。
【００２４】
また、請求項１３の発明では、請求項１ないし請求項１２のいずれかの発明に係るEL装置において、前記有機層は、前記第１電極層、前記第１保護層及び前記第１配線層の端面を被覆する。
【００２５】
また、請求項１４の発明では、請求項１ないし請求項１３のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１保護層と前記第１電極層との間に介在される絶縁層をさらに備え、前記有機層は、前記第１電極層から前記絶縁層上まで延設されている。
【００２６】
また、請求項１５の発明では、請求項３の発明に係るEL装置において、前記基板と前記第１配線層との間に、前記回路層と、該回路層上に配設され、コンタクトホールを有する層間絶縁層とを更に備え、前記前記第３導電層が、前記コンタクトホール内に被着されている。
【００２７】
また、請求項１６の発明では、請求項１５の発明に係るEL装置において、前記第３導電層は、前記コンタクトホールの内面から前記層間絶縁層上にかけて被着される。
【００２８】
また、請求項１７の発明では、請求項１５又は請求項１６の発明に係るEL装置において、前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記コンタクトホール内に位置する。
【００２９】
また、請求項１８の発明では、請求項１５ないし請求項１７のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第２導電層と前記第３導電層との接続部は、前記層間絶縁層上に位置する。
【００３０】
また、請求項１９の発明では、請求項１５ないし請求項１８のいずれかの発明に係るEL装置において、前記回路層は、薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を有する。
【００３３】
また、請求項２０の発明では、請求項１ないし請求項１９のいずれかの発明に係るEL装置において、前記第１電極層及び前記有機層は、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されている。
【００３４】
また、請求項２１の発明では、請求項４ないし請求項６のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記有機層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成されている。
【００３５】
また、請求項２２の発明では、請求項４ないし請求項６のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記有機層は、前記基板に対して斜め方向から蒸着された。
【００３６】
また、請求項２３の発明では、請求項４ないし請求項６のいずれかの発明に係るEL装置であって、前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記隔壁を蒸着マスクの全部もしくは一部として利用して形成され、前記第１電極層及び前記第２導電層は、前記基板に対して略垂直方向から蒸着されて形成されている。
【００３７】
また、請求項２４の発明では、請求項１ないし請求項２３のいずれかの発明に係るEL装置の製造方法において、前記第１電極層を減圧状態のチャンバ内で形成する工程と、前記第１電極層の形成後に、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で前記有機層を形成する工程とを備える。
【００３８】
また、請求項２５の発明では、請求項４ないし請求項６のいずれかの発明に係るEL装置の製造方法であって、前記有機層の構成材料が載置された蒸着源から前記第１電極層に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、前記蒸着源もしくは前記基板の少なくともいずれか一方を移動させながら前記有機層の蒸着を行う工程を備える。
【発明の効果】
【００３９】
請求項１ないし請求項１９に記載の発明によれば、第１保護層は第１配線層の保護に適した材料や厚み等を採用しつつ、第１電極層に光反射特性に優れた材料等の構成を採用することができる。これによって、第１導電層表面の光反射効率を高く維持しつつ、第１配線層の酸化等のダメージを防止して第１導電層の電気抵抗の増加を抑制できる。その結果、EL装置の光取出効率を維持しつつ、EL装置駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
【００４０】
請求項２に記載の発明によれば、第１配線層、第１保護層及び第１電極層が金属材料により形成されているため、第１導電層の電気抵抗を小さく抑えることができる。
【００４１】
請求項３に記載の発明によれば、第２導電層に対する導電路として機能する第３導電層において、その第２配線層が第２保護層で保護されているため、第２配線層の酸化を防止することができ、これによって第３導電層の電気抵抗を抑制できる。その結果、EL装置駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
【００４２】
請求項３に記載の発明によれば、第２配線層及び第２保護層が金属材料により形成されているため、第３導電層の電気抵抗を小さく抑えることができる。
【００４４】
請求項５に記載の発明によれば、有機層の端部が、隔壁の側壁もしくはその近傍まで延設されているため、第２導電層の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層と第１電極層との短絡の発生率を低下することができる。それ故、EL装置の生産性を向上させることが可能となる。
【００４５】
請求項６に記載の発明によれば、前記隔壁の断面形状が下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成している場合であっても、有機層の端部が隔壁の上面の直下領域内まで延設されているため、有機層の端部が側壁もしくはその近傍まで配置されることとなる。従って、第２導電層の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層と第１電極層とが直接接触して短絡することが良好に防止される。それ故、EL装置の生産性を向上させることが可能となる。
【００４７】
請求項７に記載の発明によれば、有機層が第１電極層の端面を被覆しているため、第２導電層の形成箇所が所望の位置からずれたとしても、第２導電層が第１電極層に直接接触して短絡することが良好に防止される。その結果、第２導電層に要求されるパターニング精度を緩和することができる。
【００４８】
請求項８に記載の発明によれば、有機層が第１電極層の外周に沿った端面の全面を覆っているため、第２導電層と第１電極層との短絡をより確実に防止できる。
【００４９】
請求項９に記載の発明によれば、有機層が第１電極層よりも厚みが大きいため、第１電極層の端面の被覆が容易となり、EL装置の生産性向上に寄与することができる。
【００５０】
請求項１０に記載の発明によれば、隔壁によって取り囲まれた領域内のスペースを有効に利用して、画素を形成することができ、有機発光素子の発光面積を広く確保することが可能となる。
【００５１】
請求項１１に記載の発明によれば、有機層は、前記第１電極層から基板と第１導電層との間に配置される層間絶縁層上まで延設されているため、第２導電層が第１電極層と直接接触して短絡するのを確実に防止できる。また層間絶縁層が有機樹脂から形成されている場合、層間絶縁層と有機層との密着性が良好であるため、有機層の端部の剥離を良好に防止することができる。
【００５２】
請求項１２に記載の発明によれば、前記第１電極層の端部が、前記第１配線層及び前記第１保護層の端部よりも外側まで延設されているため、第１電極層の形成によって発光領域を拡大することができる。
【００５３】
請求項１３に記載の発明によれば、第１保護層や第１配線層の端面と第２導電層とが直接接触して短絡することが良好に防止される。
【００５４】
請求項１４に記載の発明によれば、第２導電層と第１電極層とが直接接触して短絡することを良好に防止することができる。また絶縁層が有機樹脂から形成されている場合、絶縁層と有機層との密着性が良好であるため、有機層の端部の剥離を良好に防止することができる。
【００５５】
請求項２０に記載の発明によれば、第１電極層及び有機層が、チャンバ内の真空状態を保持した状態で続けて形成されているため、第１電極層の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層の電気抵抗を小さく抑えることができる。
【００５６】
請求項２２に記載の発明によれば、有機層の端部を隔壁の側壁まで延設させることができる。
【００５７】
請求項２３に記載の発明によれば、第１電極層及び第２導電層の端部を隔壁上面の直下領域もしくはその近傍に位置するように容易に形成することができる。
【００５８】
請求項２４に記載の発明によれば、第１電極層及び有機層が、チャンバ内の減圧状態を保持した状態で続けて形成されているため、第１電極層の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層の電気抵抗を小さく抑えることができる。
【００５９】
請求項２５に記載の発明によれば、有機層の端部を隔壁の側壁まで延設させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
＜第１実施形態＞
図１は本発明の第１実施形態に係るEL装置の平面図であり、図２は図１のＡ１−Ａ１断面図であり、図３は図１のＡ２−Ａ２断面図であり、図４は図２のＡ３−Ａ３断面図である。
【００６１】
本実施形態に係るEL装置１は、図１ないし図４に示されるように、基板２と、回路層３と、層間絶縁層４と、第１ないし第３導電層５〜７と、有機層８と、隔壁９とを備えている。基板２の上面側には複数の画素形成領域１１が形成され、その各画素形成領域１１内に、第１導電層５、有機層８及び第２導電層６によって有機発光素子１２が形成されている。隔壁９は、その画素形成領域１１同士の間を仕切るように略格子状に形成されている。そして、有機発光素子１２は、発光領域１３（図４の点線ハッチング付した領域）を形成している。
【００６２】
このEL装置１は、有機層８が発光した光を上面側の第２導電層６を介して外部に取り出すトップエミッション型の構造を採用している。また、このEL装置１の構成は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成となっているが、パッシブマトリクス駆動方式に対応した構成を採用してもよい。また、第１導電層５と第２導電層６のいずれをアノード側に設定してもよい。また、本実施形態では、第１導電層５を隣接する画素形成領域１１同士において電気的に接続するようにしているが、第３導電層７を隣接する画素形成領域１１同士において電気的に接続するようにしてもよい。
【００６３】
基板２はガラス基板等により構成される。回路層３は、図示しない薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を構成している。層間絶縁層４は、回路層３と有機発光素子１０との間を絶縁するように、これらの間に形成されている。なお、層間絶縁層４は、絶縁性を有するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機材料や絶縁性を有する有機樹脂により形成されている。
【００６４】
第１導電層５は、基板２側から順に、第１配線層１６、第１保護層１７及び第１電極層１８を有している。第１配線層１６は、導電性の高い金属材料からなり、層間絶縁層４上に形成されている。第１保護層１７は、導電性を有する材料からなり、第１配線層１６上に形成されて第１配線層１６を保護する。第１電極層１８は、光反射率が第１保護層１７よりも大きい導電材料からなり、第１保護層１７上に形成される。これによって、第１導電層５表面の光反射効率を高く維持しつつ、第１配線層１１の酸化等のダメージを防止して第１導電層５の電気抵抗の増加を抑制できる。その結果、EL装置１の光取出効率を維持しつつ、EL装置１駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
【００６５】
また、第１配線層１６の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。第１保護層１７の材料の具体例としては、モリブデン又はモリブデン合金が挙げられる。第１電極層１８の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。このような材料を用いることにより、電気抵抗が低く、表面の光反射効率が高い第１導電層５を実現できる。
【００６６】
有機層８は、第１導電層５上に形成され、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成されている。有機層８は、単層構造もしくは機能別に積層した多層構造のいずれも採用することができる。例えば、有機層８が発光層のみの単層からなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電荷輸送特性が付与された材料を用いる方法などを採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、歩留まりを向上させることができ、低コストのEL装置１を提供できるという利点がある。
【００６７】
また、有機層８の構造として多層構造を採用する場合、例えば発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層のうち、単数もしくは複数を選択して有機層８を構成する。例えば、有機層８が発光層と正孔阻止層とからなる多層構造である場合には、両電極層１８，１９からの電荷の注入量を制御するため、正孔注入電極として働く電極層１８，１９のいずれか一方と電子輸送層との間に正孔輸送層を設けた構造としてもよい。また、同様にして、電子注入電極となる電極層１８，１９のいずれか他方と正孔輸送層との間に電子阻止層を設けることも可能である。なお、正孔注入層、電子注入層については無機材料が使用されることもあるが、その場合であっても、正孔注入層、電子注入層を含めて有機層と呼ぶ。
【００６８】
第２導電層６は、有機層８上に形成された第２電極層１９を備え、有機層８の上面側から光りを取り出すために、インジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）、錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて形成されている。また第２導電層６が、マグネシウム、銀、アルミニウム等の基本的には光透過性を有さない材料により形成されていたとしても、１００nm以下の膜厚程度に薄くすることによって導電性をある程度確保したまま、第２導電層６に光を透過させることができる。また第２導電層６は、マグネシウム、銀及びアルミニウム等を複数組み合わせて構成したり、あるいは、多層構造としても良い。
【００６９】
第３導電層７は、層間絶縁層４上における第１導電層５と離間した領域に形成され、第２導電層６と電気的に接続されている。第３導電層７は、第２配線層２１と第２保護層２２とを備えている。第２導電層６の一部が第２保護層２２上まで延びて第３導電層７に電気的に接続されている。第２導電層６と第３導電層７との主な電気接続部２０は、例えば層間絶縁層４上における第１電極層１８の端部１８ｂから所定間隔をあけた位置に設けられる。また、層間絶縁層４には、各画素形成領域１１内にコンタクトホール４ａが設けられ、このコンタクトホール４ａを介して第３導電層７が回路層３に電気的に接続されている。
【００７０】
このように、第２導電層６に対する導電路として機能する第３導電層７において、第２配線層２１が第２保護層２２で保護されているため、第２配線層２１が酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、これによって第３導電層７の電気抵抗を抑制できる。その結果、EL装置１駆動時の消費電力の抑制、及び画素間の発光輝度のバラツキ抑制が図れる。
【００７１】
第２配線層２１の材料の具体例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀合金、ロジウム、金、又は銅が挙げられる。第２保護層２２の材料の具体例としては、モリブデン又はモリブデン合金が挙げられる。このような材料を用いることにより、電気抵抗が低い第３導電層７を実現できる。
【００７２】
第１導電層５の第１配線層１６及び第１保護層１７と、第３導電層７の第２配線層２１及び第２保護層２２とは同じ材料により、同一の成膜及びパターニング工程により形成される。これによって、製造工程の効率化が図れる。
【００７３】
隔壁９は絶縁樹脂により形成され、その断面形状は下部よりも上部が幅広な略逆テーパを成している。また本実施形態では、隔壁９は第１及び第２保護層１７，２２の上から形成されている。隔壁９によって仕切られる各画素形成領域１１は、略矩形の平面形状を有している。これに対応して、第１電極層１８、有機層８、第２導電層６、及びこれらによって形成される有機発光素子１２も略矩形の平面形状を有している。
【００７４】
次に、各画素形成領域１１内に形成される第１電極層１８、有機層８及び第２導電層６の構成について説明する。第１電極層１８は、その３辺の端部１８ａが隔壁９の上面９ａのエッジ９ｂの直下もしくはその近傍（エッジ９ｂの直下から３μｍ以内の領域）まで延設されており、残りの１辺の端部１８ｂが、隔壁９から離反して位置されている。有機層８は、その３辺の端部８ａが隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設されており（すなわち、エッジ部９ｂの直下よりも隔壁９の壁面に近接して位置されており）、残りの１辺の端部８ｂが、第１電極層１８の端部１８ｂの外側にはみ出すように延設されている。これに伴って、有機層８が、第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を被覆している。
【００７５】
このように、有機層８の端部８ａが隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設されているため、有機層８の端部８ａが隔壁９の側壁もしくはその近傍まで配置されることとなる。従って、第２導電層６の形成位置が所望の位置からずれたとしても、第２導電層６と第１電極層１８とが直接接触して短絡することが良好に防止され、EL装置１の生産性向上が図れるようになっている。また、有機層８が第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を被覆しているため、第２導電層６の形成位置ずれによる第２導電層６と第１電極層１８との短絡をより確実に防止できるようになっている。なお、有機層８は第１電極層１８よりも厚みが大きいことが望ましい。これによって、有機層８による第１電極層１８の端面１８ｃの被覆が容易になる。
【００７６】
第２導電層６は、その４辺の端部６ａが隔壁９の上面９ａのエッジ９ｂの直下もしくはその近傍（エッジ９ｂの直下から３μｍ以内の領域）まで延設されている。このように、第１電極層１８及び第２導電層６（第２電極層１９）の端部１８ａ，６ａが隔壁９の上面９ａの直下領域もしくはその近傍まで延設されていることから、有機発光素子１２の発光面積を広く確保することができ、有機発光素子１２の発光効率を向上させることが可能となる。
【００７７】
また、第１電極層１８の端部１８ｂは、第１配線層１６及び第２保護層１７の端部１６ａ，１７ａから外方にはみ出し、層間絶縁層４上まで延設されている。また、第２導電層６も、そのような第１電極層１８と対向するように形成されている。このため、第１電極層１８の形成により、有機発光素子１１の発光面積が拡大されている。
【００７８】
また、これに対応して、有機層８の端部８ｂは、第１電極層１８の端部１８ｂから外方にはみ出し、層間絶縁層４上まで延設されている。これによって、有機層８の端部８ｂによって第１電極層１８の端部１８ｂの端面１８ｃを確実に被覆することができる。また、層間絶縁層４が有機樹脂から形成されている場合、層間絶縁層４と有機層８との密着性が良好であるため、有機層８の端部８ｂの剥離を良好に防止することができる。
【００７９】
なお、本実施形態では、有機層８の３辺の端部８ａを隔壁９の上面９ａの直下領域内まで延設するようにしたが、変形例として、端部８ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍まで延設し、上面９ａの直下領域内に入り込まない構成としてもよい。このような構成でも、第１電極層１８と第２導電層６との短絡の発生率を低下させることができる。
【００８０】
次に、本実施形態に係るEL装置１の製造工程について説明する。
【００８１】
EL装置１の製造工程は、以下の工程を備える。
【００８２】
（Ｓ１）  基板２上に回路層３を形成する。なお、回路層３は、CVDやスパッタリング等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
【００８３】
（Ｓ２）  回路層３上に層間絶縁層４を形成する。なお、層間絶縁層４は、スピンコート法、CVD等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
【００８４】
（Ｓ３）  層間絶縁層４上に第１及び第２配線層１６，２１及び第１及び第２保護層１７，２２を形成する。なお、第１及び第２配線層１６，２１及び第１及び第２保護層１７，２２は、CVDやスパッタリング等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
【００８５】
（Ｓ４）  第１及び第２保護層１７，１９の上から、隔壁９を形成する。なお、隔壁９は、スピンコート法等の薄膜形成技術やフォトリソグラフィー等の薄膜加工技術を採用することにより所定パターンに形成される。
【００８６】
（Ｓ５）  隔壁９によって仕切られた各画素形成領域１１内に第１電極層１８を形成する。この工程では、図５（ａ）に示すマスク２６の開口部２６ａにより図１に示すような蒸着領域２７が形成され、この蒸着領域２７内の全面に第１電極層形成用の材料が蒸着される。この蒸着領域２７は、一列に並ぶ複数の画素形成領域１８を横断するようにライン状に延設されている。そして、基板２に対して略垂直方向Ｂ１から材料物質の蒸着が行われ、隔壁９の上面９ａの一部がマスクとして利用されるようになっている。即ち、第１電極層１８の３辺の端部１８ａの部分は、隔壁９の上面９ａがマスクとして用いられて形成され、残りの１辺の端部１８ｂはマスク２６の開口部２６ａがマスクとして用いられて形成される。これによって、マスク２６の精度に依存することなく、第１電極層１８の端部１８ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍に位置するように容易に形成できる。
【００８７】
（Ｓ６）  第１電極層１８の形成に続き、チャンバ内の減圧状態（例えば、真空状態）を解除することなく、第１電極層１８上に有機層８を形成する。これによって、第１電極層１８の表面が大気等に触れて酸化等のダメージを受けるのを防止することができ、第１電極層１８の電気抵抗を小さく抑えることができる。
【００８８】
また、この工程では、例えば、図５（ｂ）に示すように図５（ａ）のマスク２６と同一のマスク２６により設定された基板２上のライン状の蒸着領域２７に対して有機材料物質の蒸着が行われる（なお、図５（ａ）のマスク２６と異なるマスクを用いるようにしてもよい）。そして、基板２に対して斜め方向を含む種々の方向Ｂ２から有機材料物質の蒸着が行われ、図５（ａ）の工程とほぼ同様に隔壁９の上面９ａの一部がマスクとして利用されるようになっている。即ち、有機層８の３辺の端部８ａの部分は、隔壁９の上面９ａがマスクとして用いられて形成され、残りの１辺の端部８ｂはマスク２６の開口部２６ａがマスクとして用いられて形成される。これによって、マスク２６の精度に依存することなく、有機層８の端部１８ａを隔壁９の上面９ａの直下領域内における側壁又はその近傍まで延設することができるとともに、有機層８の端部８ｂを第１電極層１８の端部１８ｂの外側まで延設することができる。これによって、第１電極層１８の外周に沿った端面１８ｃの全面を有機層１８によって容易に被覆できる。
【００８９】
ここで、材料物質を蒸着させる方向Ｂ２を変化させるための構成としては、有機層の構成材料が載置された図示しない蒸着源から第１電極層１８側に向かって飛翔する蒸着物質の入射角が蒸着中に変化するように、蒸着源もしくは基板２の少なくともいずれか一方を移動させながら有機層８の蒸着を行う構成が考えられる。
【００９０】
（Ｓ７）  有機層８の上から第２導電層６を形成する。この工程では、例えば図５（ｃ）に示すように、隔壁９の上面９ａ全体を蒸着マスクとして利用し（即ち、専用の蒸着マスクを使用せずに）、材料物質を基板２に対して略垂直方向Ｂ３から蒸着することにより、第２導電層６が形成される。これによって、第２導電層６の４辺の端部６ａを隔壁９の上面９ａのエッジ部９ｂの直下又はその近傍に位置するように容易に形成できる。
【００９１】
なお、パッシブマトリクス方式を採用する場合等には、上述の工程（Ｓ５）、（Ｓ６）において、マスク２６を使用せずに、隔壁９の上面９ａ全体をマスクとして使用し、第１電極層１８及び有機層８の蒸着を行うようにしてもよい。またマスク２６を使用しつつ、隔壁９の上面９ａ全体をマスクとして使用し、第１電極層１８及び有機層８の蒸着を行うようにしてもよい。
【００９２】
＜第２実施形態＞
図６は本発明の第２実施形態に係るEL装置の断面図であり、図７は図６のＡ４−Ａ４断面図である。本実施形態に係るEL装置１ａの構成において、第１実施形態に係るEL装置１の構成と対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００９３】
本実施形態に係るEL装置１ａでは、図６及び図７に示すように、第１及び第２保護層１７，２２の上から有機樹脂からなる絶縁層３１が形成され、その絶縁層３１の上から第１電極層１８、有機層８及び第２導電層６が形成されている。そして、第１電極層１８及び第２導電層６が、絶縁層３１に設けられたコンタクトホール３１ａ，３１ｂ（図７の点線ハッチングを付した部分）を介して第１保護層１７及び第２保護層２２に電気的に接続されている。このコンタクトホール３１ａ，３１ｂを介した第１配線層１６及び第１保護層１７と第１電極層１８との電気接続部、及び第２導電層６と第３導電層７との電気接続部は、層間絶縁層４上に形成に隔壁９は絶縁層３１上に形成されている。
【００９４】
第１電極層１８は、その外周の全周における端部１８ａ，１８ｂがコンタクトホール３１ａを介して露出した第２保護層１７の露出部分上から絶縁層３１上にはみ出すように延設され、有機発光素子１２の発光面積が拡大されている。
【００９５】
有機層８は、第１電極層１８上から絶縁層３１上にはみ出すように延設され、第１電極層１８の外周の全周における端面１８ｃを被覆している。これによって、第２導電層６が第１導電層５と直接接触して短絡するのが確実に防止できるようになっている。また、有機樹脂製の絶縁層３１と有機層８の端部１８ａ，１８ｂとの密着性が良好であるため、有機層８の端部１８ａ，１８ｂの剥離を防止できるようになっている。
【００９６】
各層６，８，１８の配設位置と隔壁９との位置関係は、第１実施形態に係るEL装置１とほぼ同様である。このため、隔壁９の上面９ａ等を用いた各層６，８，１８の形成工程についても第１実施形態に係る工程とほぼ同様である。
【００９７】
＜変形例＞
以下では、上述の第１及び第２実施形態に係るEL装置１，１ａの変形例について記載する。
【００９８】
図８に示すEL装置１ｃでは、第２実施形態の構成において、絶縁層３１のコンタクトホール３１ａの開口面積が小さくされ、有機発光素子１２の発光領域１３のうちの絶縁層３１上に位置する部分の割合が拡大されている。これによって、有機樹脂製の絶縁層３１の表面の平坦性が高いため、第１電極層１８の表面の平坦性が高められ、第１電極層１８の表面の光反射効率が向上する。
【００９９】
図９に示すEL装置１ｄでは、第１実施形態の構成において、各画素形成領域１１内の層間絶縁層４にコンタクトホール４ｂが追加され、そのコンタクトホール４ｂを介して第１導電層５が回路層３と電気的に接続されている。これに伴って、隣接する画素形成領域１１間で第１配線層１６及び第１保護層１７同士、及び第３導電層７同士が分離されて形成され、それらの間を仕切るようにして隔壁９が層間絶縁層４上に形成されている。
【０１００】
図１０に示すEL装置１ｅは、第２実施形態の構成と、図９に示す構成とを組み合わせたものである。
【０１０１】
図１１に示すEL装置１ｆは、図９に示す構成から、隔壁９、第３導電層７及び各画素形成領域１１内に設けた層間絶縁層４のコンタクトホール４ａを省略し、第２導電層６を複数の画素形成領域１１に渡ってベタパターンで形成している。
【０１０２】
図１２に示すEL装置１ｇは、図１１に示す構成において、第１保護層１７と、第１電極層、有機層８及び第２導電層６との間に絶縁層３１を設けている。
【０１０３】
本発明は、上述の実施形態、変形例に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、種々の変更・改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るEL装置の平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１断面図である。
【図３】図１のＡ２−Ａ２断面図である。
【図４】図２のＡ３−Ａ３断面図である。
【図５】図５（ａ）ないし図５（ｃ）は図１のEL装置の製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るEL装置の断面図である。
【図７】図６のＡ４−Ａ４断面図である。
【図８】実施形態に係るEL装置の変形例を示す断面図である。
【図９】実施形態に係るEL装置の変形例を示す断面図である。
【図１０】実施形態に係るEL装置の変形例を示す断面図である。
【図１１】実施形態に係るEL装置の変形例を示す断面図である。
【図１２】実施形態に係るEL装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１，１ａ〜１ｇ  EL装置、２  基板、３  回路層、４  層間絶縁層、５  第１導電層、６  第２導電層、６ａ  端部、７  第３導電層、８  有機層、８ａ，８ｂ  端部、９    隔壁、９ａ  上面、９ｂ  エッジ部、１１  画素形成領域、１２  有機発光素子、１３  発光領域、１６  第１配線層、１７  第１保護層、１８  第１電極層、１８ａ，１８ｂ  端部、１８ｃ  端面、１９  第２電極層、２１  第２配線層、２２  第２保護層、２６  マスク、２７  蒸着領域、３１  絶縁層、３１ａ，３１ｂ  コンタクトホール。
【図１】
0004823685.tif 000002
【図２】
0004823685.tif 000003
【図３】
0004823685.tif 000004
【図４】
0004823685.tif 000005
【図５】
0004823685.tif 000006
【図６】
0004823685.tif 000007
【図７】
0004823685.tif 000008
【図８】
0004823685.tif 000009
【図９】
0004823685.tif 000010
【図１０】
0004823685.tif 000011
【図１１】
0004823685.tif 000012
【図１２】
0004823685.tif 000013