(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内壁面と外壁面とを有すると共にマイクロ波導入用のＲＦ窓を持つ円筒体からなるプラズマチャンバと、該プラズマチャンバの円筒体の両端部の外壁に配設されたコイルまたは永久磁石による一対のミラー磁石と、該一対のミラー磁石の間に設けられて前記プラズマチャンバ内に前記マイクロ波を導入するための導波管とを備えたイオン源において、
前記プラズマチャンバは前記導波管の開口部分から上流側にも下流側にも長く構成するとともに、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間である前記ＲＦ窓を、前記プラズママチャンバ内の前記導波管と当該プラズマチャンバとが接続される部分にはさみ込んで形成して、前記プラズマチャンバ内における前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間にプラズマを生成して、イオンビームを前記プラズマチャンバの一端側に設けた引き出し電極により引き出すようにし、
前記一対のミラー磁石はそれぞれ、前記コイルまたは永久磁石がヨークに収容されて成り、前記引き出し電極側のミラー磁石におけるヨーク端面には前記イオンビームを通すための開口が設けられ、該開口の形状を、鉛直方向の開口内径が水平方向の開口内径より大きな縦長の長円形、楕円形のような回転非対称形状とし、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅の幅長さを、前記イオンビームを通すための開口の前記鉛直方向の開口内径よりも大きくし、
前記プラズマチャンバの内壁側には更に、前記導波管の短軸側の２つの内壁に対応する位置からそれぞれ前記プラズマチャンバの端部側に延びる円筒体を形成するか、又は、前記導波管の短軸側の２つの内壁に対応する２つの位置の少なくとも一方に、周方向に沿うように仕切り体を設けたことを特徴とするイオン源。
【請求項２】
請求項１記載のイオン源において、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と相似な円形状とし、しかも前記内壁面の断面形状が前記外壁面の断面形状に対して偏芯した形状となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
【請求項３】
請求項１記載のイオン源において、前記内壁面の断面形状を円形とし、前記外壁面の断面形状は前記内壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
【請求項４】
請求項１記載のイオン源において、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とするイオン源。
【請求項５】
請求項１記載のイオン源において、前記プラズマチャンバを、前記引き出し電極と反対側の端部を閉じた有底円筒形状としたことを特徴とするイオン源。
【請求項６】
請求項１記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、コイルを前記ヨークに収容して成るミラー電磁石であり、前記コイルは、巻線を１層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線と外周側の引き出し線とを前記ヨークの外に導出して成り、前記ヨークには、前記内周側の引き出し線を導出するための溝あるいは貫通孔が形成されていることを特徴とするイオン源。
【請求項７】
請求項１記載のイオン源において、前記マイクロ波導入用のＲＦ窓は、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とするイオン源。
【請求項８】
請求項１記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成り、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石を貫通させて同軸線路を前記導波管に結合したことを特徴とするイオン源。
【請求項９】
請求項１記載のイオン源において、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成り、前記導波管を前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石に設けた切り欠き部を通してミラー磁石の外側に導出したことを特徴とするイオン源。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入装置用のイオン源に適したイオン源に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２２を参照して、イオン源の概略構成について説明する。このイオン源１００は、マイクロ波導入用の窓を持つプラズマチャンバ１０１と、プラズマチャンバ１０１の両端部の外周に配設された一対のミラー磁石１０２と、これらのミラー磁石１０２の間に設けられてプラズマチャンバ１０１内にマイクロ波を導入するための導波管１０３とを備え、プラズマチャンバ１０１内にプラズマを生成して、イオンビームをプラズマチャンバ１０１の一端側に設けた引き出し電極により引き出すものである。
【０００３】
イオン生成用のガスが、プラズマチャンバ１０１の中心軸上の他端側に設けられた供給口１０４からプラズマチャンバ１０１内に導入される。プラズマチャンバ１０１内にはまた、ＲＦ発振器を備えたマイクロ波電源からのマイクロ波が導波管１０３を通して導入される。
【０００４】
プラズマチャンバ１０１は、通常、円筒形状であり、その側面に導波管１０３が接続されてプラズマチャンバ１０１内にその半径方向よりマイクロ波が導入される。導波管１０３とプラズマチャンバ１０１とが接続される部分にはＲＦ窓がはさみ込まれる。ＲＦ窓はマイクロ波を大気中からプラズマチャンバ１０１内に透過させるが、プラズマチャンバ１０１の真空は保持する。
【０００５】
一対のミラー磁石１０２はプラズマチャンバ１０１内にミラー磁場を作るためのものであり、通常、ソレノイドコイルで実現される。なお、ミラー磁石１０２は、複数の棒状永久磁石により構成される場合もある。
【０００６】
プラズマチャンバ１０１の一端側にイオンビーム引出し用のケーシングが設けられ、このケーシング内には引き出し電極とアノード電極とが設けられる。
【０００７】
このようなイオン源１００は、イオン注入装置に適用されるものであり、その一例は特願平１０−３４３３２４号に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のようなイオン源の各部に様々な改良を加えることにより、その性能の向上を図ろうとするものである。
【０００９】
本発明は特に、他の構成部材を組み込み易くすることのできるイオン源を提供しようとするものである。
【００１０】
本発明は更に、装置回りの必要スペースを小さくすることのできるイオン源を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の形態は、内壁面と外壁面とを有すると共にマイクロ波導入用のＲＦ窓を持つ円筒体からなるプラズマチャンバと、該プラズマチャンバの円筒体の両端部の外壁に配設されたコイルまたは永久磁石による一対のミラー磁石と、該一対のミラー磁石の間に設けられて前記プラズマチャンバ内に前記マイクロ波を導入するための導波管とを備えたイオン源において、前記プラズマチャンバは前記導波管の開口部分から上流側にも下流側にも長く構成するとともに、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間である前記ＲＦ窓を、前記プラズママチャンバ内の前記導波管と当該プラズマチャンバとが接続される部分にはさみ込んで形成して、前記プラズマチャンバ内における前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅と同じ長さの空間にプラズマを生成して、イオンビームを前記プラズマチャンバの一端側に設けた引き出し電極により引き出すようにし、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、前記コイルまたは永久磁石がヨークに収容されて成り、前記引き出し電極側のミラー磁石におけるヨーク端面には前記イオンビームを通すための開口が設けられ、該開口の形状を、鉛直方向の開口内径が水平方向の開口内径より大きな縦長の長円形、楕円形のような回転非対称形状とし、前記導波管の開口部分の長軸方向の内幅の幅長さを、前記イオンビームを通すための開口の前記鉛直方向の開口内径よりも大きくし、前記プラズマチャンバの内壁側には更に、前記導波管の短軸側の２つの内壁に対応する位置からそれぞれ前記プラズマチャンバの端部側に延びる円筒体を形成するか、又は、前記導波管の短軸側の２つの内壁に対応する２つの位置の少なくとも一方に、周方向に沿うように仕切り体を設けたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の形態は、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と相似な円形状とし、しかも前記内壁面の断面形状が前記外壁面の断面形状に対して偏芯した形状となるように前記プラズマチャンバを形成したことを特徴とする。
【００１４】
なお、前記内壁面の断面形状を円形とし、前記外壁面の断面形状は前記内壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成するようにしても良い。
【００１５】
また、前記外壁面の断面形状を円形とし、前記内壁面の断面形状は前記外壁面の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるように前記プラズマチャンバを形成するようにしても良い。
【００１８】
また、前記プラズマチャンバを、前記引き出し電極と反対側の端部を閉じた有底円筒形状としても良い。
【００１９】
本発明の第４の形態においては、前記一対のミラー磁石はそれぞれ、コイルを前記ヨークに収容して成るミラー電磁石であり、前記コイルは、巻線を１層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線と外周側の引き出し線とを前記ヨークの外に導出して成り、前記ヨークには、前記内周側の引き出し線を導出するための溝あるいは貫通孔が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明の第５の形態は、前記マイクロ波導入用のＲＦ窓が、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の第６の形態は、前記一対のミラー磁石がそれぞれ、永久磁石を前記ヨークに収容して成る場合、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石を貫通させて同軸線路を前記導波管に結合したことを特徴とする。
【００２２】
上記第６の形態の変形例として、前記導波管を前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、前記引き出し電極とは反対側の前記ミラー磁石の永久磁石に設けた切り欠き部を通してミラー磁石の外側に導出するようにしても良い。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１〜図３を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、ＥＣＲイオン源（以下、イオン源と呼ぶ）における一対のミラー磁石のうち、下流側、すなわち引き出し電極１１０（図２）側のミラー磁石１０を引き出し電極１１０側から見た図である。なお、以下の説明では、上流側、下流側という語句はイオンの流れ方向に関して用いられる。ここでは、ミラー磁石１０は、ヨーク１１にソレノイドコイル１２を収容して構成されている。ヨーク１１は、２つの側面ヨーク１１−１、１１−２と外周ヨーク１１−３を有し、上流側の側面ヨーク１１−２にはプラズマチャンバ２０を通すための貫通穴が設けられている。一方、下流側の側面ヨーク１１−１の内面側にはプラズマチャンバ２０の一端部が接しており、この側面ヨーク１１−１にはイオンビームを通すための開口１１−１ａが設けられている。図１の１１−４はソレノイドコイル１２への通電用端子であり、図２の１２０はアノードである。
【００２４】
本形態においては、開口１１−１ａの形状を回転非対称形状としたことを特徴とする。ここでは、回転非対称形状として、楕円形状を採用している。特に、引き出し電極１１０の縦長のスリットの長手方向に対応する方向（鉛直方向）の開口内径を大きくして長径とし、引き出し電極１１０のスリットの長手方向と直角な方向（水平方向）の開口内径は小さくして短径とする。更に、長径、短径の方向は多重極の発生磁場の特定の方向に合わせたものとする。勿論、長径、短径のサイズはイオンビーム（図１に斜線を付けた部分）の断面形状より大きなものとする。なお、回転非対称形状の他の例としては、長円形、長四角形等が考えられる。例えば、開口１１−１ａの形状を引き出し電極１１０の断面形状に対応させるようにしても良い。
【００２５】
更に言えば、プラズマチャンバ２０を形成している円筒体を、その内壁面の断面形状が開口１１−１ａと同じ形状になるように作製しても良い。
【００２６】
本形態による効果として、以下のような点があげられる。
【００２７】
▲１▼プラズマチャンバ２０の中心軸に近い部分でのミラー磁場の分布はあまり変化せず、磁場の半径方向の成分はほとんど生じないため、一般的な円形状の開口のときと磁場の分布も変わらない。
▲２▼縦長のスリットを持つ引き出し電極が組み込み易くなる。
▲３▼イオンビームと開口との間に余分な空間が生じないため、イオンビームの流れがスムーズとなる。
【００２８】
図４を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、プラズマチャンバ２０の断面形状を示し、プラズマチャンバ２０は外壁面（すなわち外周面）２０−１と、内壁面（すなわち内周面）２０−２とで規定される。本形態では、外壁面２０−１の断面形状を円形とし、内壁面２０−２の断面形状は外壁面２０−１の断面形状と相似な円形状とし、しかも内壁面２０−２が外壁面２０−１に対して偏芯した形状となるようにプラズマチャンバ２０を形成したことを特徴とする。これは、プラズマチャンバ２０の肉厚を一様に薄くすると、プラズマの無い部分の空間まで拡大されてＲＦ窓３１や水冷のための通路２０ａが窮屈になる一方、一様に厚くするとプラズマが縮小されてしまうという事情に基づいている。
【００２９】
この第２の実施の形態の効果は、以下の通りである。
【００３０】
▲１▼冷却水を流し易い。すなわち、プラズマチャンバ２０の肉厚部に、冷却水を通すための通路２０ａを作り易くなる。
▲２▼マイクロ波導入用のＲＦ窓を作り易い。すなわち、プラズマチャンバ２０の肉厚部に、ＲＦ窓３１を作り易くなる。
【００３１】
図５〜図７はそれぞれ、第２の実施の形態の変形例を示している。これらの変形例は、プラズマチャンバ２０の外壁面２０−１の断面形状を円形とし、内壁面２０−２の断面形状は外壁面２０−１の断面形状と異なる形状とし、しかも同心的な関係となるようにプラズマチャンバ２０を形成している。例えば、図５の変形例では内壁面２０−２の断面形状を楕円形状にしており、図６の変形例では内壁面２０−２の断面形状を略小判形の形状にしている。更に、図７の変形例では内壁面２０−２の断面形状を略長方形の形状にしている。なお、内壁面２０−２は軸方向の全長にわたって同一の断面形状である必要はない。
【００３２】
これらの変形例の効果は、以下の通りである。
【００３３】
▲１▼第２の実施の形態と同じ理由で、冷却水を流し易い。
▲２▼第２の実施の形態と同じ理由で、マイクロ波導入用のＲＦ窓を作り易い。
▲３▼内壁面２０−２の断面形状を、第１の実施の形態で説明したヨーク１１の開口１１−１ａと類似の形状とすることにより、プラズマチャンバ２０内の無駄な空間を省き、プラズマのチャンバとしての機能を充実できる。
【００３４】
図８〜図１０はそれぞれ、第２の実施の形態の他の変形例を示している。これらの変形例は、プラズマチャンバ２０の内壁面２０−２の断面形状を円形とし、外壁面２０−１の断面形状は内壁面２０−２の断面形状と異なる回転非対称形状とし、しかも同心的な関係となるようにプラズマチャンバを形成している。例えば、図８の変形例では外壁面２０−１の断面形状を略小判形の形状にしており、図９の変形例では外壁面２０−１の断面形状を楕円形の形状にしている。更に、図１０の変形例では外壁面２０−１の断面形状を略長方形の形状にしている。
【００３５】
これらの変形例によれば、図５〜図７の変形例と同様の効果を得ることができるうえに、プラズマチャンバ２０の軸心を中心とする回転方向の位置決めがし易くなる。
【００３６】
なお、第２の実施の形態の変形例と他の変形例の組合わせ、すなわち外壁面２０−１と内壁面２０−２をともに回転非対称形状にしても良い。
【００３７】
図１１〜図１３を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。この第３の実施の形態では、プラズマチャンバ２０の内径側に更に、導波管３０の開口の短軸側の２つの内壁に対応する位置からそれぞれプラズマチャンバ２０の端部側に延びる一対の円筒体４０を形成したことを特徴とする。
【００３８】
この第３の実施の形態においては、プラズマチャンバ２０内に、導波管３０の開口の長軸方向の内幅と同じ長さの空間を形成するようにしている。このようにして、できるだけマイクロ波の反射を減らし、プラズマチャンバ２０内に生成されるプラズマ（あるいはＥＣＲ共鳴点）の近くまで、マイクロ波を導くことができる。
【００３９】
なお、円筒体４０の形成は、ここでは、一対の円筒体４０のうち、下流側の円筒体４０をプラズマチャンバ２０と一体に形成し、上流側の円筒体４０については別個の作製したものをプラズマチャンバ２０の上流側の開口から挿入固定して形成している。
【００４０】
また、プラズマチャンバ２０の引き出し電極１１０と反対側の端面は閉じていてもよい（つまり、有底円筒形状）。また、プラズマチャンバ２０は導波管３０の開口よりも上流側にも下流側にも長い。
【００４１】
この第３の実施の形態によれば、プラズマチャンバ２０内に生成されるプラズマがＲＦ窓３１の内周に近づくことを防止でき、ＲＦ窓３１の内面側が汚れにくくなる。
【００４２】
図１４、図１５を参照して、第３の実施の形態の変形例について説明する。この変形例では、プラズマチャンバ２０の内壁側に、導波管３０の開口の短軸側の２つの内壁に対応する位置にそれぞれ、周方向に沿うように仕切り体４１を設けるようにしている。
【００４３】
仕切り体４１はプラズマチャンバ２０内を導波管３０の開口の長軸の内幅と一致する部分を仕切る位置に配置する。図１４のように上流側、下流側の２箇所に設けても良いし、一方が導波管３０の内幅と一致していれば１箇所だけでも良い。仕切り体４１は冷却の関係で、プラズマチャンバ２０と一体であることが望ましいが、別体でも良い。
【００４４】
仕切り体４１は、板状（例えば厚さ１ｍｍ程度の板）でも良いし、ある程度厚み（例えば仕切り体４１の直径程度）を持つ円筒状であっても良い。仕切り体４１には開口があり、その断面形状は略ドーナツ形状か、周方向の一部が切れた略Ｃ形状でも良い。開口の大きさは任意であるが、プラズマチャンバ２０内のＥＣＲゾーンの最大径より一回り（最低５ｍｍ前後）大きくしておく。上流側、下流側の仕切り体４１の形や配置が同一である必要は無い。
【００４５】
この変形例は、プラズマチャンバ２０の内部に仕切り体４１を入れてプラズマチャンバ２０内を３つに仕切ったものであり、プラズマチャンバ２０の内部まで導波管３０が延長されたものとみなすことができる。仕切られた空間のうち、中央の部分はその幅Ｗ１が導波管３０の内壁側の幅Ｗ２と同じである。
【００４６】
この変形例によれば、第３の実施の形態と同じ効果を得ることができる。
【００４７】
図１６、図１７を参照して、本発明の第４の実施の形態について説明する。この第４の実施の形態では、一対のミラー磁石はそれぞれ、コイル５０をヨークに収容して成るミラー電磁石である。特に、コイル５０は、ソレノイドコイルとは異なり、巻線を１層のリング状に巻回して成ると共に、内周側の引き出し線５１と外周側の引き出し線５２とをヨークの外に導出するようにしている。そして、ヨークにおける２つの側面ヨークの一方（ここでは、５３で示す）の内壁には、内周側の引き出し線５１を導出するための溝５３−１が形成されていることを特徴とする。なお、溝５３−１に代えて、側面ヨーク５３内に内周側の引き出し線５１を通すための貫通孔を設けるようにしても良い。
【００４８】
上記のように、第４の実施の形態では、一対のミラー電磁石における下流側のコイル５０を薄くするために、１層だけのパンケーキ形状としている。そして、コイル５０を囲む鉄による側面ヨークは、その一部に溝や貫通孔を設けることで、コイル５０の内周側から引き出される引き出し線５１を、外側まで導く。その結果、コイル５０を薄くすることができる。溝や貫通孔を側面ヨーク５３に設けても、溝や貫通孔の無い時とほとんど同じ磁場を発生することができる。
【００４９】
図１８、図１９を参照して、本発明の第５の形態について説明する。この第５の実施の形態では、プラズマチャンバ２０におけるマイクロ波導入用のＲＦ窓３１が、内側に向けて径が大きくなるようなホーン形状にされていることを特徴とする。なお、ＲＦ窓３１は、導波管３０の先端部にはんだ付けにより設けるようにしても良い。
【００５０】
図２０を参照して、本発明の第６の形態について説明する。この第６の形態は、一対のミラー磁石１０がそれぞれ、棒状永久磁石をヨーク１１に収容して成る場合に適用される。特に、引き出し電極とは反対側のミラー磁石１０のヨーク１１及びその内部の永久磁石を貫通させて同軸線路６１を導波管３０に結合するようにしたことを特徴とする。
【００５１】
マイクロ波をプラズマチャンバ２０に導入する場合、インプランターのイオン源では半径方向のスペース確保に制約が多い。このような場合に、永久磁石でできたミラー磁石を採用したイオン源では、図２０のような同軸線路６１を利用することにより、装置の半径方向のスペースを大きく取らずに済む。永久磁石に貫通孔を設けても磁場はほぼ回転対称を保ち、影響は少ない。特に、ＲＦ電力が約３００Ｗ以下の場合、図２０のように同軸線路６１に変換することで、ミラー磁石１０の断面を大きく保ったまま、簡単に貫通させることができる。
【００５２】
図２１を参照して、上記第６の形態の変形例について説明するう。この変形例では、導波管３０を引き出し電極とは反対側のミラー磁石１０側に折り曲げて形成し、折り曲げた導波管部分を、引き出し電極とは反対側のミラー磁石１０のヨーク１１及び永久磁石に設けた切り欠き部７０を通してミラー磁石１０の外側に導出するようにしている。このような導波管は一体のものでも良いし、分割できるように構成されていても良い。
【００５３】
以上、本発明を各種の実施の形態について説明したが、更に、例えばミラー磁場の強度を固定とする場合、アークが点火しにくくなるので、点火用アノード電極を鉄にすることが望ましい。
【００５４】
【発明の効果】
以上、本発明を複数の実施の形態を例示して説明したが、本発明によるイオン源は、他の構成部材、例えば引き出し電極や冷却系統を組込み易くなり、また、装置回りの必要スペースが小さくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態が適用されたミラー磁石を引き出し電極側から見た図である。
【図２】図１のミラー磁石の縦断面図である。
【図３】図１のミラー磁石の横断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの断面形状を示した図である。
【図５】図４の第２の実施の形態の変形例を示した図である。
【図６】図４の第２の実施の形態の変形例を示した図である。
【図７】図４の第２の実施の形態の変形例を示した図である。
【図８】図４の第２の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図９】図４の第２の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図１０】図４の第２の実施の形態の他の変形例を示した図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの断面図である。
【図１２】図１１のプラズマチャンバを引き出し電極側から見た図である。
【図１３】図１１のＡ−Ａ´線による断面図である。
【図１４】図１１の第３の実施の形態の変形例を示した図である。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ´線による断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施の形態が適用されたミラー磁石におけるコイルを示した図である。
【図１７】図１６のコイルを収容するためのヨークにおける側面ヨークの内壁側を示した図である。
【図１８】本発明の第５の実施の形態が適用されたプラズマチャンバの一部を示した断面図である。
【図１９】図１８に示されたプラズマチャンバの断面形状を示した図である。
【図２０】本発明の第６の実施の形態が適用されたＥＣＲイオン源を説明するための図で、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
【図２１】図２０の形態の変形例によるＥＣＲイオン源を説明するための図で、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は側面図である。
【図２２】従来のイオン源の概略構成を示した図である。
【符号の説明】
１０    ミラー磁石
１１    ヨーク
１１−１、１１−２    側面ヨーク
１１−１ａ    開口
１１−３    外周ヨーク
１１−４    通電用端子
１２    ソレノイドコイル
２０    プラズマチャンバ
２０ａ    冷却水用の通路
２０−１    外壁面
２０−２    内壁面
３０    導波管
３１    ＲＦ窓
４０    円筒体
４１    仕切り体
６１    同軸線路
７０    切り欠き部
１１０    引き出し電極
１２０    アノード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004667553.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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