(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含み、該ガラスセラミックスは酸化物基準の質量百分率で、
ＳｉＯ2 ４０〜６０％
ＭｇＯ １０〜２０％
Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満
ＣａＯ ０．５〜４％
ＳｒＯ ０．５〜４％
ＢａＯ ０．５〜５％
ＺｒＯ2 ０〜５％
ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで
Ｂi2Ｏ3 ０〜６％
Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％
Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％
の範囲の各成分を含有し、
ヤング率が１１５〜１６０ＧＰａであることを特徴とする、高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項２】
主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を、第１相より析出比の少ない相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスは酸化物基準の質量百分率で、
ＳｉＯ2 ４０〜６０％
ＭｇＯ １０〜２０％
Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満
ＣａＯ ０．５〜４％
ＳｒＯ ０．５〜４％
ＢａＯ ０．５〜５％
ＺｒＯ2 ０〜５％
ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで
Ｂi2Ｏ3 ０〜６％
Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％
Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％
の範囲の各成分を含有し、
ヤング率が１１５〜１６０ＧＰａであることを特徴とする、高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項３】
該ガラスセラミックスは、Ｌｉ2Ｏ, Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏを実質上含有しないことを特徴とする、請求項１または２に記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項４】
前記ガラスセラミック基板において、研磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が８Å以下、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項５】
前記ガラスセラミック基板において、−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、４０×１０-7〜６０×１０-7／℃の範囲であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項６】
該主結晶相は、結晶粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項７】
前記ガラスセラミック基板において、ビッカース硬度が６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項８】
該ガラスセラミックスは、Ｐ，Ｗ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｙ,Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物換算で３重量％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を酸化物換算で２重量％まで含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項９】
ガラス原料を溶融，成型および徐冷後、結晶化熱処理条件として、核形成温度が６５０℃〜７５０℃，核形成時間が１〜１２時間，結晶化温度が８５０℃〜１０００℃，結晶化時間が１〜１２時間で熱処理させ得られることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板上に、磁気記憶媒体被膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高剛性ガラスセラミックス基板に関する。特に、ランプロード方式で主に用いられるニアコンタクトレコーディングあるいはコンタクトレコーディングに対応した、超平滑な基板表面を有し、しかも高速回転に対応し得る高ヤング率・低比重特性を備えた、情報磁気記憶装置等に用いられる情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板、およびこのガラスセラミックス基板に成膜プロセスを施し形成される情報磁気記憶媒体に関するものである。尚、本明細書において「情報磁気記憶媒体」とは、パーソナルコンピュータのハードディスクとして使用される、固定型ハードディスク，リムーバル型ハードディスク，カード型ハードディスクや、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ・デジタルカメラ、携帯通信機器等において使用可能なディスク状情報磁気記憶媒体を意味し、またスピネル結晶とは、（Ｍｇおよび／またはＺｎ）Ａｌ2Ｏ4，（Ｍｇおよび／またはＺｎ）2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合物の中から選ばれる少なくとも１種以上を、スピネル結晶固溶体とは、前記各結晶にその他の成分が一部、置換および／または侵入したものを意味する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータのマルチメディア化や、デジタルビデオカメラ・デジタルカメラ等のように動画や音声等の大きなデータが扱われるようになり、大容量の情報磁気記憶装置が必要となっている。その結果、情報磁気記憶媒体は面記録密度を大きくするために、ビットセルのサイズを縮小化させてビットおよびトラック密度を増加させる傾向にある。このため、磁気ヘッドはディスク表面により近接して作動するようになっている。このように、磁気ヘッドが情報磁気記憶媒体基板に対し、低浮上状態または接触状態（コンタクト）にて作動する場合、磁気ヘッドおよび情報磁気記憶媒体の起動・停止技術として、情報磁気記憶媒体の特定部分（ディスク内径側もしくは外径側の未記憶部）に吸着防止加工を施し、その部分で磁気ヘッドおよび情報磁気記憶媒体の起動・停止動作を行うという、ランディングゾーン方式等の技術が開発されてきた。
【０００３】
現在の情報磁気記憶装置において、磁気ヘッドは、（１）装置起動前は情報磁気記憶媒体に接触しており、（２）装置始動時には情報磁気記憶媒体より浮上するといった動作を繰り返す、所謂ＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式を行っている。この時、両者の接触面が必要以上に鏡面であると吸着（スティクション）が発生し、摩擦係数の増大に伴う回転始動の不円滑、情報磁気記憶媒体表面もしくは磁気ヘッド自体の損傷という問題が発生する。この様に情報磁気記憶媒体は、記憶容量の増大に伴う磁気ヘッドの低浮上化と、情報磁気記憶媒体上での磁気ヘッド吸着防止という、相反する要求が以前から要望されている。この様な相反する要望に対する解答のひとつとして、稼働中は磁気ヘッドを完全に接触させつつも、磁気ヘッドの起動・停止動作を情報磁気記憶媒体基板上から外す、ランプロード技術が開発され、情報磁気記憶媒体表面への要求は、よりスムーズな方向へ進行している。
【０００４】
また、今日磁気記憶装置の情報磁気記憶媒体基板を高速回転化する事で情報の高速化を計る技術開発が進んでいるが、基板の回転数が高速化する事で、たわみや変形が発生するために、基板材には高ヤング率化が要求されている。加えて、現在の固定型情報磁気記憶装置に対し、リムーバブル方式やカード方式等、更に基板材自体の強度を要求される情報磁気記憶装置が検討・実用化段階にあり、ＨＤＴＶ、デジタルビデオカメラ，デジタルカメラ，携帯通信機器等への用途展開が始まりつつある。
【０００５】
この様に、高強度基板材が求められている状況において、アルミニウム合金基板では十分な強度を確保することができず、強度を得ようとして基板材の厚さを厚くすると、小型軽量化が困難になるという問題を有している。このためこれらアルミニウム合金基板材の問題点を解消する材料として、化学強化ガラス（アルミノシリケート（ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ）ガラス：特開平８−４８５３７，特開平５−３２４３１等）が知られているが、この材料は、（１）研磨は化学強化後に行なわれるため、ディスクの薄板化における強化層の不安定要素が高い（２）化学強化相は、長期の使用において経時変化を発生するため、これにより磁気特性を悪化させてしまう（３）ガラス中にＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分を必須成分として含有するため、これらアルカリ成分が成膜時に形成された膜内に拡散し、情報記憶媒体の磁気特性を悪化させてしまう。これを防止するには、Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ溶出防止のための全面バリアコート処理が必要であり、製品の低コスト安定生産性が難しいという欠点がある。（４）ガラスの機械的強度を向上させるために化学強化を行っているが、基本的に表面相と内部相の強化応力を利用するものであり、ヤング率は通常のアモルファスガラスと同等である８３ＧＰａ以下と高速回転ドライブへの使用に限界がある等、やはり高密度磁気記憶媒体用基板としての特性は不十分である。
【０００６】
これらアルミニウム合金基板や化学強化ガラス基板に対して、いくつかの結晶化ガラスが知られている。例えば、特開平９−３５２３４号公報，ＥＰ０７８１７３１Ａ１号公報に開示される磁気ディスク用ガラスセラミックス基板は、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系組成から成り、結晶相は二珪酸リチウムとβ−スポジューメン、あるいは二珪酸リチウムとβ−クリストバライトを析出させたものであるが、高速回転に対するヤング率と比重の関係を全く検討しておらず、何の示唆も与えていない。尚、これらの系のガラスセラミックスのヤング率は１００ＧＰａが限界である。
【０００７】
前述のような基板材の低ヤング率を改善すべく、特開平９−７７５３１号公報にはＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラスが開示されている。この結晶化ガラスは、主結晶相が多量のスピネル結晶であり、副結晶としてＭｇＴｉ2Ｏ5他複数の結晶を含み、ヤング率が９６．５〜１６５．５ＧＰａである結晶化ガラスおよびこの結晶化ガラスからなる磁気記憶媒体用剛性ディスク基板であるが、この材料は主結晶相が（Ｍｇ／Ｚｎ）Ａｌ2Ｏ4および／または（Ｍｇ／Ｚｎ）2ＴｉＯ4で表されるスピネルのみであり、副結晶相については特定の結晶相を限定するものではなく広範囲に明記してある。また、Ａｌ2Ｏ3を多量に含むものであり、本発明のようなＡｌ2Ｏ3の比較的少ない、耐失透性と高ヤング率特性を兼ね備えたガラスセラミックス基板材とは異なるものである。尚、この様にＡｌ2Ｏ3を多量に含むと、原ガラスの溶融性が低下したり、耐失透性が悪化する等の問題を生じ、生産性に問題を有している。したがって、単に硬質な材料を提案しているにすぎない。しかもこの系の結晶化ガラスは表面硬度（ビッカース硬度）が高くなり過ぎるため、加工性が低く、量産性に劣るという問題も有している。以上のように、この基板材では高密度情報磁気記憶媒体用基板としての改善効果は不十分なものである。
【０００８】
また、ＷＯ９８／２２４０５には、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｒＯ2−ＴｉＯ2−Ｌｉ2Ｏ系結晶化ガラスが開示されている。この結晶化ガラスは、β−石英固溶体を主結晶相とし、副結晶相としてとエンスタタイト、スピネル、その他複数の特定されない結晶を含み、それら結晶粒径が１０００Å以下のものであるが、この材料には原料組成にＬｉ2Ｏが必須であり、更に主結晶相として必ずβ−石英固溶体を含むものであり、本発明とは完全に異なるものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高密度記録のためのランプロード方式（磁気ヘッドのコンタクトレコーディング）にも十分対応し得る良好な表面特性と、高速回転化に耐え得る高ヤング率特性と加工性に優れた表面硬度特性を兼ね備えた、情報磁気記憶媒体用ガラスセラミックス基板およびその製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、主結晶相を構成する結晶相において、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少なくとも１種以上が含まれ、且つ各析出結晶粒子は、いずれも微細粒子（より好ましくは球状粒子）であり、原ガラスの溶融性・耐失透性および研磨加工性に優れ、研磨後の表面もより平滑性に優れ、高速回転に対応した高ヤング率な情報磁気記憶媒体用ガラスセラミック基板が得られることを見い出し、本発明に至った。
【００１１】
すなわち、請求項１に記載の発明は、主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含み、該ガラスセラミックスは酸化物基準の質量百分率で、
ＳｉＯ2 ４０〜６０％
ＭｇＯ １０〜２０％
Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満
ＣａＯ ０．５〜４％
ＳｒＯ ０．５〜４％
ＢａＯ ０．５〜５％
ＺｒＯ2 ０〜５％
ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで
Ｂi2Ｏ3 ０〜６％
Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％
Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％
の範囲の各成分を含有し、
ヤング率が１１５〜１６０ＧＰａであることを特徴とする、高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項２に記載の発明は、主結晶相を有するガラスセラミックスからなる基板であって、該主結晶相は、最も析出比の多い第１相として、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を、第１相より析出比の少ない相として、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上を含み、該ガラスセラミックスは酸化物基準の質量百分率で、
ＳｉＯ2 ４０〜６０％
ＭｇＯ １０〜２０％
Ａｌ2Ｏ3 １０〜２０％未満
ＣａＯ ０．５〜４％
ＳｒＯ ０．５〜４％
ＢａＯ ０．５〜５％
ＺｒＯ2 ０〜５％
ＴｉＯ2 ８％を越え１２％まで
Ｂi2Ｏ3 ０〜６％
Ｓｂ2Ｏ3 ０〜１％
Ａｓ2Ｏ3 ０〜１％
の範囲の各成分を含有し、
ヤング率が１１５〜１６０ＧＰａであることを特徴とする、高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項３に記載の発明は、該ガラスセラミックスは、Ｌｉ2Ｏ, Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏを実質上含有しないことを特徴とする、請求項１または２に記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項４に記載の発明は、前記ガラスセラミック基板において、研磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が８Å以下、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項５に記載の発明は、前記ガラスセラミック基板において、−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、４０×１０-7〜６０×１０-7／℃の範囲であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項６に記載の発明は、該主結晶相は、結晶粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項７に記載の発明は、前記ガラスセラミック基板において、ビッカース硬度が６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項８に記載の発明は、該ガラスセラミックスは、Ｐ，Ｗ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｙ,Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物換算で３重量％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を酸化物換算で２重量％まで含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項９に記載の発明は、ガラス原料を溶融，成型および徐冷後、結晶化熱処理条件として、核形成温度が６５０℃〜７５０℃，核形成時間が１〜１２時間，結晶化温度が８５０℃〜１０００℃，結晶化時間が１〜１２時間で熱処理させ得られることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板であり、請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれかに記載の高剛性ガラスセラミックス基板上に、磁気記憶媒体被膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスクである。
【００１２】
本発明の本発明の基板を構成するガラスセラミックの物理的特性，主結晶相と結晶粒径，表面性状，組成範囲を上記のように限定した理由を以下に示す。尚、組成については、酸化物基準で表示する。
【００１３】
まずは、ヤング率ついて述べる。前述のように、記録密度およびデータ転送速度を向上するために、情報磁気記憶媒体基板の高速回転化傾向が進行しているが、これに対応するには、基板材は高速回転（特に１００００ｒｐｍ以上）時のたわみによるディスク振動を防止するために高剛性，低比重でなければならない。これは、単に高剛性であっても、比重が大きければ、高速回転時にその重量が大きいことによってたわみが生じ、振動を発生し、逆に低比重でも剛性が低ければ、同様に振動が生じるためである。
【００１４】
ところが、前記主結晶相を有する本発明のガラスセラミックス基板は、剛性を著しく向上させるべく成分の調整を行うと高比重となってしまい、逆に比重を著しく低減すべく成分の調整を行うと剛性が低下してしまうという傾向を持っている。したがって、高剛性でありながら、低比重という一見相反する特性のバランスをとらなければならない。この観点から各種検討を行った結果、低比重であってもヤング率は１１５ＧＰａ以上を有するものでなければならず、一方高ヤング率であっても比重とのバランスにより、ヤング率は１６０ＧＰａ以下でなければならない。より好ましくは、１２０ＧＰａ以上、１５０ＧＰａ以下が好ましい。ヤング率／比重の値としては、３７ＧＰａ以上が好ましく、３９ＧＰａ以上がより好ましい。また、比重については、３．３以下が好ましく、３．１以下がより好ましい。
【００１５】
また、一般的に材料を高ヤング率化すると材料の表面硬度が硬質化する傾向にあり、あまり硬質化し過ぎると、加工研磨において加工時間が長時間化してしまい、生産性や低コスト化を著しく悪化させてしまう。加工性に起因する生産性を考慮すると、基板の表面硬度（ビッカース硬度）は６８６０〜８３３０Ｎ／ｍｍ2の範囲以内であることが好ましい。
【００１６】
次にＬｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分についてであるが、磁性膜（特に垂直磁化膜）の高精度化，微細化において、材料中にＬｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ成分を含有すると、これらのイオンが成膜工程中に拡散し、磁性膜粒子の異常成長を生じたり配向性が悪化するため、これらの成分を実質的に含有しないことが重要である。
【００１７】
次に、本発明の基板を構成するガラスセラミックスの主結晶相についてであるが、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の中から選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴としている。これは上記結晶相が剛性増加に寄与し、更に析出結晶粒径も比較的小さくすることができ、更に研磨加工における加工性も十分に備えているという有利な面があるためである。
【００１８】
特に、析出比の多い第１相としてエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）若しくははエンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）、又はチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）若しくはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）が析出しているものが、前記所望の物理特性を得るためには好ましい。更に、第１相より析出比の少ない相については、第１相がエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）またはエンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）の場合には、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ましく、第１相がチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）またはチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）の場合には、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上であることが好ましい。
【００１９】
スピネル結晶としては、ＭｇＡｌ2Ｏ4，Ｍｇ2ＴｉＯ4，前記２結晶間の固溶体としての混合物の中から選ばれる少なくとも１種以上、好ましいスピネル結晶固溶体としては、前記各結晶にその他の成分が一部、置換および／または侵入したものが挙げられる。
【００２０】
本発明の基板を構成するガラスセラミックスの結晶相の形態としては、析出比のもっとも多い第１相としてチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5）又はチタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体）を含有し、第１相より析出比の少ない相としてエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3）又はエンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）を含有し、かつ、スピネル結晶，スピネル結晶固溶体を含有しない形態が、種々の特性及び加工性の点から特に好ましい。この形態のガラスセラミックスは、ＢａＯを２〜５％、ＺｒＯ2を０．５〜５％含有する組成から得ることができる。
【００２１】
次に析出結晶粒径と表面粗度についてであるが、先に述べたように、記録密度向上のためのニアコンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方式に対応するには、情報磁気記憶媒体の表面の平滑性が従来品よりも良好でなければならない。従来レベルの平滑性では、磁気媒体への高密度入出力を行おうとしても、ヘッドと媒体間の距離が大きいため、高密度磁気記録を行うことができない。またこの距離を小さくしようとすると、媒体の突起とヘッドが衝突し、ヘッド破損や媒体破損を引き起こしてしまうという問題も生じてくる。この様な理由から、ニアコンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方式に対応するためのディスク用基板表面の平滑性は、表面粗度（Ｒａ）＝８Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝１００Å以下であることが必要である。好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝６Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝７０Å以下であり、更に好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝４Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝５０Å以下であり、最も好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝２．５Å以下，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝３５Å以下である。
【００２２】
次に熱膨張率についてであるが、ビットおよびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮小化するにおいては、媒体と基板の熱膨張係数の差が大きく影響する。しかしこの物性は、析出する全結晶相の種類とその析出比や量により左右される。したがって、媒体の熱膨張係数と本発明のガラスセラミックス基板における結晶相を勘案すると、−５０〜＋７０℃の温度範囲における熱膨張係数は、４０×１０-7〜６０×１０-7／℃とするのが適正範囲である。
【００２３】
次に組成限定理由について述べる。まずＳｉＯ2成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体）結晶を生成する極めて重要な成分であるが、その量が４０％未満では、得られたガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組織が粗大化し、更に原ガラスの耐失透性を低下させる。また６０％を超えると原ガラスの溶融・成形性が困難になる。
【００２４】
ＭｇＯ成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ3），エンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉ2Ｏ5），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０％未満では、所望とする結晶が得られず、例え得られたとしても、ガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、加えて溶融性も悪化する。また２０％を超えると失透性が悪化する。
【００２５】
Ａｌ2Ｏ3成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するエンスタタイト固溶体（ＭｇＳｉＯ3固溶体），チタン酸マグネシウム固溶体（ＭｇＴｉ2Ｏ5固溶体），スピネル結晶，スピネル結晶固溶体を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０％未満では、所望の結晶相が得られず、例え得られたとしても、ガラスセラミックスの析出結晶相が不安定で組織が粗大化しやすく、加えて溶融性も悪化する。また２０％以上では原ガラスの溶融性および失透性が悪化し、更にスピネル結晶相が第１相として支配的となり、これが原因で基板の硬度が著しく上昇するため、加工性の点からも好ましくない。好ましい範囲は１０〜１８％未満、特に好ましい範囲は１０〜１７％である。
【００２６】
ＣａＯ成分は、ガラスの溶融性を向上させるのと同時に析出結晶相の粗大化を防止する成分であるが、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、また４％を超えると析出結晶の粗大化、結晶相の変化および化学的耐久性が悪化する。
【００２７】
ＳｒＯはガラスの溶融性を向上させるために添加するが、その量が０．５％未満では上記効果が得られない。またその添加量は４％以下で十分である。ＢａＯ成分もガラスの溶融性を向上させるために添加することが好ましい。その量は０．５％以上が好ましく、２％以上がより好ましく、５％以下で十分である。
【００２８】
ＺｒＯ2成分およびＴｉＯ2成分は、ガラスの結晶核形成剤として機能する上に、析出結晶相の微細化と材料の機械的強度向上、および化学的耐久性の向上に効果を有する事が見出された極めて重要な成分である。ＺｒＯ2成分は０．５％以上含有することが好ましく、５％以内で十分である。ＴｉＯ2成分については、８％以下では結晶化時に軟化を引き起こす場合があり、１２％を超えると原ガラスの溶融が困難となり、耐失透性が悪化する。
【００２９】
Ｂｉ2Ｏ3成分は、原ガラスの溶融・成形性を損なわずにガラスの耐失透性を抑制させる効果のある成分であるが、６％を超えると溶融器であるＰｔ，ＳｉＯ2などへの侵食が著しくなる。
【００３０】
Ｓｂ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3成分は、ガラス溶融の際の清澄剤として使用するが、それぞれ１％以内で十分である。
【００３１】
各種特性の調整もしくは他の目的のために、本発明の特性を損なわせない範囲で、Ｐ，Ｗ，Ｎｂ，Ｌａ，Ｙ，Ｐｂから選択される任意の元素を酸化物換算で３％まで、および／またはＣｕ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｖから選択される任意の元素を酸化物換算で２％まで含有させることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施例について説明する。表１〜４本発明の高剛性ガラスセラミック基板の実施組成例（No.１〜３）、参考例（No.１〜６）および比較組成例として従来の化学強化ガラスのアルミノシリケートガラス（特開平８−４８５３７号公報）：比較例１，Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックス（特開平９−３５２３４号公報）：比較例２，ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系結晶化ガラス（特開平９−７７５３１号公報）：比較例３について、核形成温度，結晶化温度，結晶相，結晶粒子径，ヤング率，ビッカース硬度、比重，研磨後の表面粗度（Ｒａ），最大表面粗さ（Ｒｍａｘ），−５０〜＋７０℃における熱膨張係数を示す。尚、各結晶相の析出比については、それぞれの結晶種の１００％結晶標準試料を準備し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）装置により、内部標準法を使った回折ピーク面積により求めた。結晶粒子径（平均）については、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により求めた。各結晶粒子の結晶種はＴＥＭ構造解析により同定した。表面粗度（Ｒａ：算術平均粗さ）は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により求めた。結晶相の記載は、析出比の大きいものから順に記載している。析出比の順位の決定は、Ｘ線回折による各主結晶相のメインピークの高さの順で決定した。また実施例の表１において、チタン酸マグネシウム固溶体はチタン酸マグネシウムＳＳ、スピネル結晶固溶体はスピネル結晶ＳＳ、その他の結晶の固溶体については結晶名の後にある固溶体の部分をＳＳ（例えば、β−石英固溶体であれば、β−石英ＳＳ）と表示した。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
【表２】
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【００３５】
【表３】
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【００３６】
【表４】
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【００３７】
本発明の上記実施例のガラスは、いずれも酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原料を混合し、これを通常の溶解装置を用いて約１３５０〜１４９０℃の温度で溶解し攪拌均質化した後、ディスク状に成形して冷却し、ガラス成形体を得た。その後これを６５０〜７５０℃で約１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、８５０〜１０００℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラスセラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平均粒径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピングし、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュームまたはジルコニアにて約３０分〜６０分間研磨し仕上げた。
【００３８】
表１〜３に示されるとおり、本発明と従来のアルミノシリケート化学強化ガラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックス、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスの比較例とでは、ガラスセラミックスの結晶相が異なり、ヤング率の比較においても、アルミノシリケート化学強化ガラス，Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2系ガラスセラミックスに比べて高剛性である。また比較例３のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ2系ガラスセラミックスは、非常に硬質な材料である（表面硬度ビッカース硬度が９８００Ｎ／ｍｍ2）ため、通常の研磨加工では表面粗度において所望の値を得る事が出来なかった。これに対し本発明のガラスセラミックスは目的とする表面硬度ビッカース硬度が８３３０Ｎ／ｍｍ2以下と通常の研磨加工において平滑性が充分得られ、加えて結晶異方性，異物，不純物等の欠陥がなく組織が緻密で均質，微細（析出結晶の粒径はいずれの場合も０．３μｍ以下）であり、種々の薬品や水による洗浄、あるいはエッチングにも耐え得る化学的耐久性を有するものであった。
【００３９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、高記憶密度のコンタクトレコーディング化に対応した基板表面の平滑性に優れると同時に、高速回転ドライブに対応した高ヤング率特性に兼ね備えた情報磁気記憶媒体用基板として好適な高剛性ガラスセラミック基板およびその製造方法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる情報磁気記憶媒体を提供することができる。