(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、
第１昇降アクチュエータの第１昇降ロッドに連結されて昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理体を支持する第１昇降ベースと、
前記第１昇降ベースの下方に配置され、第２昇降アクチュエータの第２昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第２昇降ベースと、
前記第２昇降ベースより起立されてその先端が前記第１昇降ベースの上方まで延び、その先端で前記被処理体を支持する複数のリフトピンと、
前記第１及び第２昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、
前記第１昇降ロッドと前記第２昇降ロッドとは同軸構造になされていると共に、前記第１昇降ベース及び前記リフトピンは水平状態で前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記第１昇降ベース又は前記リフトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記第１、第２昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構。
【請求項２】
被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、
第１昇降アクチュエータの第１昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第１昇降ベースと、
前記第１昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理体を支持する複数の第１のリフトピンと、
前記第１昇降ベースの下方に配置され、第２昇降アクチュエータの第２昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第２昇降ベースと、
前記第２昇降ベースより起立されてその先端が前記第１昇降ベースの上方まで延び、その先端で前記被処理体を支持する複数の第２のリフトピンと、
前記第１及び第２昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、
前記第１昇降ロッドと前記第２昇降ロッドとは同軸構造になされていると共に、前記第１及び第２のリフトピンはそれぞれ水平状態で前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記第１のリフトピン又は前記第２のリフトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記第１、第２昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構。
【請求項３】
前記同軸構造は、回転可能になされていることを特徴とする請求項１又は２記載の被処理体の支持機構。
【請求項４】
前記各昇降ベース及び前記各リフトピンは、真空引き可能になされた気密室内に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能になされたベローズが介在されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の被処理体の支持機構。
【請求項５】
前記被処理体の昇降領域の外側に配置されて、昇降可能になされた一対の補助昇降ロッドと、
前記各補助昇降ロッドにそれぞれ連結されて、これより水平方向へ延在されてその上面が前記被処理体を支持する一対の補助被処理体支持板とを備え、
前記一対の補助被処理体支持板は、前記各昇降ベースまたは前記各リフタピンが前記被処理体を支持する位置よりも上方で前記被処理体を支持することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の被処理体の支持機構。
【請求項６】
外部の搬送室との間で、その両端に気密に開閉可能になされたゲートバルブを介して接合され且つ大気圧雰囲気と真空雰囲気とに必要に応じて択一的に設定できる中間搬送室と、
前記中間搬送室内に設けられた請求項１乃至５のいずれか一項に記載の被処理体の支持機構と、
を備えたことを特徴とするロードロック室。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理を施すためにこれを搬送する時に用いる被処理体の支持機構及びロードロック室に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すことなく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラスタ化された処理システム装置が、例えば特開２０００−２０８５８９号公報や特開２０００−２９９３６７号公報等に開示されているように、すでに知られている。
【０００３】
この場合、上述のようにクラスタ化された処理システム装置内にて半導体ウエハを、例えばカセットから処理装置側へ、或いはこの逆に搬送するために、この処理システム装置内には、通常は、屈伸、旋回、或いは水平移動等が可能になされた複数の搬送アームが設けられており、これらの搬送アーム間を順次受け渡すことにより、上記半導体ウエハを搬送するようになっている。
一般的に、搬送アーム間でウエハを受け渡す場合には、搬送アーム間同士でウエハを直接的に受け渡すことはせず、ウエハを昇降する支持機構や、この支持機構を有するバッファ台に一時的にウエハを保持させ、この支持機構やバッファ台を介在させて、ウエハを順次搬送して行く。
【０００４】
また、ウエハの処理態様によっては、搬送途中に設けられる搬送室内において、一時的にウエハを待避させておいて、他のウエハを優先的に搬送させたい場合もあり、このような場合にも、上記したような支持機構やバッファ台を設けて、これらにウエハを保持させたまま待避させる場合もある。
このような支持機構やバッファ台としては、例えば特開平４−６９９１７号公報、特開平９−２２３７２７号公報、特開２００１−１７６９４７号公報等にて開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体ウエハを取り扱う場合、例えば成膜処理を例にとれば処理済みの半導体ウエハは、その表面は勿論のこと、場合によっては裏面にも薄膜が付着している場合があり、この裏面に昇降ピン等を直接接触させて未処理の半導体ウエハを取り扱うと、上記昇降ピン等に付着した膜片等により未処理の半導体ウエハが汚染される場合もある。
また、上記した各公報に開示されている装置例にあっては、ウエハを昇降させるために２つのリフタを有しているが、ウエハ搬送時には、これらの２つのリフタを同時に使用する構造となっているため、状況に応じた自由度の高い使用が困難であった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、状況に応じて択一的な使用が可能な被処理体の支持機構及びロードロック室を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の関連技術は、被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結されて昇降可能になされた複数の昇降ベースと、前記各昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理体を支持する複数のリフトピンと、前記昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記各昇降ベースのリフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各昇降ベースのリフトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。
これにより、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースを設けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベースに設けたリフトピンで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
【０００７】
この場合、例えば前記リフトピンは、前記昇降ベースに対して少なくとも３本設けられる。
本発明の関連技術は、被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結されて昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理体を支持する複数の昇降ベースと、前記各昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記各昇降ベースは水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各昇降ベースが択一的に前記被処理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。  これにより、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースを設けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベースで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
【０００８】
また、例えば前記各昇降ベースは、上下方向への移動に対して互いに干渉しないようにするために平面的に見て互いに重ならないように配置されている。
この場合には、各昇降ベースが平面的に重ならないように配置されているので上下方向のサイズを小さくでき、従って、真空引き可能な気密室に支持機構が配置された場合には、この気密室の上下方向のサイズを小さくでき、真空引きに要する時間を短縮できる。
また、例えば前記各昇降ベースは、真空引き可能になされた気密室内に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能になされたベローズが介在される。
【０００９】
請求項１に係る発明は、被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、第１昇降アクチュエータの第１昇降ロッドに連結されて昇降可能になされると共に、その上面で前記被処理体を支持する第１昇降ベースと、前記第１昇降ベースの下方に配置され、第２昇降アクチュエータの第２昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第２昇降ベースと、前記第２昇降ベースより起立されてその先端が前記第１昇降ベースの上方まで延び、その先端で前記被処理体を支持する複数のリフトピンと、前記第１及び第２昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記第１昇降ロッドと前記第２昇降ロッドとは同軸構造になされていると共に、前記第１昇降ベース及び前記リフトピンは水平状態で前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記第１昇降ベース又は前記リフトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記第１、第２昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。
請求項２に係る発明は、被処理体を移載するための前記被処理体の支持機構において、第１昇降アクチュエータの第１昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第１昇降ベースと、前記第１昇降ベースより起立されてその先端が前記被処理体を支持する複数の第１のリフトピンと、前記第１昇降ベースの下方に配置され、第２昇降アクチュエータの第２昇降ロッドに連結されて昇降可能になされた第２昇降ベースと、前記第２昇降ベースより起立されてその先端が前記第１昇降ベースの上方まで延び、その先端で前記被処理体を支持する複数の第２のリフトピンと、前記第１及び第２昇降アクチュエータを独立して制御する昇降制御部とを備え、前記第１昇降ロッドと前記第２昇降ロッドとは同軸構造になされていると共に、前記第１及び第２のリフトピンはそれぞれ水平状態で前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記第１のリフトピン又は前記第２のリフトピンが択一的に前記被処理体を支持するように前記第１、第２昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。
この場合、例えば請求項３に規定するように、前記同軸構造は、回転可能になされている。
【００１０】
本発明の関連技術は、被処理体を移載するために前記被処理体を保持して昇降させる被処理体の支持機構において、前記被処理体を昇降させる昇降領域の下方に配置された複数の昇降アクチュエータと、前記複数の昇降アクチュエータの各昇降ロッドに設けられて、その先端が前記被処理体を支持するリフトピンと、前記複数の昇降アクチュエータを複数のグループに分け、各グループ毎に独立して動作可能に制御すると共に、同一グループ内の前記各昇降アクチュエータは同期させて制御する昇降制御部とを備え、前記各リフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各リフトピンが前記グループ毎に択一的に前記被処理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。
これにより、複数の昇降アクチュエータに個別にリフトピンを設けて、このリフトピンをグループ毎に独立して動作可能とすると共に、グループ内では同時させて昇降するようにしたので、状況に応じてグループ毎にリフトピンを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して用いるリフトピングループと処理済みの被処理体に対して用いるリフトピングループとを区別して使用することが可能となる。
【００１１】
この場合、例えば前記昇降アクチュエータは、少なくとも６本設けられると共に、前記１つのグループには少なくとも３つの昇降アクチュエータが含まれる。
また、例えば前記各リフトピンは、各グループ毎に実質的に同一円周上に実質的に等ピッチ間隔で配置される。
また、例えば前記各リフトピンは、真空引き可能になされた気密室内に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能になされたベローズが介在される。
【００１２】
本発明の関連技術は、被処理体を移載するために前記被処理体を保持して昇降させる被処理体の支持機構において、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に連結されて昇降可能になされると共に、その上面が前記被処理体を支持する複数の昇降ベースと、複数の昇降アクチュエータの昇降ロッドに個別に設けられて、その先端が前記被処理体を支持する複数のリフトピンと、前記一の昇降ベースの昇降アクチュエータと前記一のリフトピンの昇降アクチュエータとが同一グループに属するように、前記各昇降アクチュエータを複数のグループに分け、各グループ毎に独立して動作可能に制御すると共に、同一グループ内の前記昇降アクチュエータは同期させて制御する昇降制御部とを備え、前記各昇降ベース及び前記各リフトピンは水平座標における実質的に同一領域にある前記被処理体を支持可能であり、前記昇降制御部は前記各昇降ベース及び前記各リフトピンが前記グループ毎に択一的に前記被処理体を支持するように前記昇降アクチュエータを制御することを特徴とする被処理体の支持機構である。
【００１３】
これにより、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースとリフトピンをそれぞれ設けて、これらの組み合わせを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースとリフトピンとの組み合わせを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせと、処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
【００１４】
この場合、例えば前記各昇降ベースは、上下方向への移動に対して互いに干渉しないようにするために平面的に見て互いに重ならないように配置されている。
また、例えば請求項４に規定するように、前記各昇降ベース及び前記各リフトピンは、真空引き可能になされた気密室内に設けられており、前記各昇降ロッドは、前記気密室の底部を貫通させて設けられると共に、前記底部の貫通部には前記気密室内の気密性を保持するために伸縮可能になされたベローズが介在される。
また、例えば請求項５に規定するように、前記被処理体の昇降領域の外側に配置されて、昇降可能になされた一対の補助昇降ロッドと、前記各補助昇降ロッドにそれぞれ連結されて、これより水平方向へ延在されてその上面が被処理体の裏面と直接的に接して保持する一対の補助被処理体支持板と、を備える。
これによれば、一対の補助被処理体支持板により、更に他の被処理体を支持させることが可能となり、被処理体の取り扱いの自由度を更に向上させることができる。
請求項６に係る発明は、外部の搬送室との間で、その両端に気密に開閉可能になされたゲートバルブを介して接合され且つ大気圧雰囲気と真空雰囲気とに必要に応じて択一的に設定できる中間搬送室と、前記中間搬送室内に設けられた請求項１乃至５のいずれか一項に記載の被処理体の支持機構と、を備えたことを特徴とするロードロック室である。
【００１５】
本発明の関連技術は、上記被処理体の支持機構を用いた被処理体の支持方法であって、被処理体を支持する前記各昇降ベースまたは前記各リフトピンが支持する前記被処理体の枚数が略等しくなるように制御することを特徴とする被処理体の支持方法である。
本発明の関連技術は、上記被処理体の支持機構を用いた被処理体の支持方法であって、前記被処理体の状態に応じて被処理体を支持する前記各昇降ベースまたは前記各リフトピンが使い分けられることを特徴とする被処理体の支持方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の被処理体の支持機構及びロードロック室によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、複数の昇降アクチュエータに個別に第１と第２昇降ベースを設けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベース自体で、或いは昇降ベースに設けたリフトピンで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
特に請求項６に係る発明によれば、一対の補助被処理体支持板により、更に他の被処理体を支持させることが可能となり、被処理体の取り扱いの自由度を更に向上させることができる。
本発明の関連技術明によれば、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースを設けて、これらを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベースで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベースと処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベースとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
【００１７】
本発明の関連技術によれば、各昇降ベースが平面的に重ならないように配置されているので上下方向のサイズを小さくでき、従って、真空引き可能な気密室に支持機構が配置された場合には、この気密室の上下方向のサイズを小さくでき、真空引きに要する時間を短縮できる。
本発明の関連技術によれば、複数のアクチュエータに個別にリフトピンを設けて、このリフトピンをグループ毎に独立して動作可能とすると共に、グループ内では同時させて昇降するようにしたので、状況に応じてグループ毎にリフトピンを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して用いるリフトピングループと処理済みの被処理体に対して用いるリフトピングループとを区別して使用することができる。
【００１８】
本発明の関連技術によれば、複数の昇降アクチュエータに個別に昇降ベースとリフトピンをそれぞれ設けて、これらの組み合わせを独立的に昇降可能とすることにより、昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせで被処理体を支持させるようにしたので、状況に応じて昇降ベースとリフトピンとの組み合わせを択一的に使用でき、例えば未処理の被処理体に対して専用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせと、処理済みの被処理体に対して専用に用いる昇降ベース及びリフトピンとの組み合わせとを区別して使用することが可能となる。その結果、被処理体の取り扱いの自由度を大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る被処理体の支持機構及びロードロック室の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
＜第１の実施例＞
まず、本発明の第１の実施例について説明する。
図１は本発明に係る被処理体の支持機構を有する処理システムの一例を示す概略平面図、図２は支持機構が取り付けられたロードロック機能を有する搬送室を示す断面図、図３は支持機構を示す斜視図、図４は支持機構を示す平面図、図５は支持機構の昇降ロッドの取付部を示す部分拡大図である。
図示するように、この処理システム２は、複数、例えば４つの処理装置４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄと、略六角形状の共通搬送室６と、ロードロック機能を有する第１及び第２の中間搬送室（ロードロック室）８Ａ、８Ｂと、細長い導入側搬送室１０と、上記各中間搬送室８Ａ、８Ｂ内に設けられた本発明の第１の実施例である支持機構１２Ａ、１２Ｂとを主に有している。尚、上記共通搬送室６や第１及び第２の中間搬送室８Ａ、８Ｂは、真空引き可能な気密室となっている。
【００２０】
具体的には、略六角形状の上記共通搬送室６の４辺に上記各処理装置４Ａ〜４Ｄが接合され、他側の２つの辺に、上記第１及び第２の中間搬送室８Ａ、８Ｂがそれぞれ接合される。そして、この第１及び第２の中間搬送室８Ａ、８Ｂに、上記導入側搬送室１０が共通に接続される。
上記共通搬送室６と上記４つの各処理装置４Ａ〜４Ｄとの間及び上記共通搬送室６と上記第１及び第２の中間搬送室８Ａ、８Ｂとの間は、それぞれ気密に開閉可能になされたゲートバルブＧ１〜Ｇ４及びＧ５、Ｇ６が介在して接合されて、クラスタツール化されており、必要に応じて共通搬送室６内と連通可能になされている。また、上記第１及び第２の各中間搬送室８Ａ、８Ｂと上記導入側搬送室１０との間にも、それぞれ気密に開閉可能になされたゲートバルブＧ７、Ｇ８が介在されている。
【００２１】
上記４つの処理装置４Ａ〜４Ｄでは、被処理体である半導体ウエハＷに対して同種の、或いは異種の処理を施すようになっている。そして、この共通搬送室６内の一側においては、上記２つの各中間搬送室８Ａ、８Ｂ及び４つの各処理装置４Ａ〜４Ｄにアクセスできる位置に、屈伸、昇降及び旋回可能になされた多関節アームよりなる第１の搬送手段１４が設けられており、これは、互いに反対方向へ独立して屈伸できる２つのピック１４Ａ、１４Ｂを有しており、一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。尚、上記第１の搬送手段１４として１つのみのピックを有しているものも用いることができる。
【００２２】
上記導入側搬送室１０は、Ｎ２ ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される横長の箱体により形成されており、この横長の一側には、カセット容器を載置する１つ乃至複数の、図示例では３台のカセット台１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃが設けられ、ここにそれぞれ１つずつカセット１８Ａ〜１８Ｃを載置できるようになっている。各カセット１８Ａ〜１８Ｃには、最大例えば２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており、内部は例えばＮ２ ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして、導入側搬送室１０内へは、各カセット台１６Ａ〜１６Ｃに対応させて設けたゲートドア２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃを介してウエハを搬出入可能になされている。
【００２３】
この導入側搬送室１０内には、ウエハＷをその長手方向に沿って搬送するための導入側搬送手段２２が設けられる。この導入側搬送手段２２は、導入側搬送室１０内の中心部を長さ方向に沿って延びるように設けた案内レール２４上にスライド移動可能に支持されている。この案内レール２４には、移動機構として例えばリニアモータが内蔵されており、このリニアモータを駆動することにより上記導入側搬送手段２２は案内レール２４に沿ってＸ方向へ移動することになる。
また、導入側搬送室１０の他端には、ウエハの位置合わせを行なう位置合わせ装置としてのオリエンタ２６が設けられ、更に、導入側搬送室１０の長手方向の途中には、前記２つの中間搬送室８Ａ、８Ｂがそれぞれ開閉可能になされた前記ゲートバルブＧ７、Ｇ８を介して設けられる。
【００２４】
上記オリエンタ２６は、駆動モータ（図示せず）によって回転される回転台２８を有しており、この上にウエハＷを載置した状態で回転するようになっている。この回転台２８の外周には、ウエハＷの周縁部を検出するための光学センサ３０が設けられ、これによりウエハＷのノッチやオリエンテーションフラットの位置方向や位置ずれを検出できるようになっている。
また、上記導入側搬送手段２２は、上下２段に配置された多関節形状になされた２つの搬送アーム３２、３４を有している。この各搬送アーム３２、３４の先端にはそれぞれ２股状になされたピック３２Ａ、３４Ａを取り付けており、このピック３２Ａ、３４Ａ上にそれぞれウエハＷを直接的に保持するようになっている。従って、各搬送アーム３２、３４は、この中心より半径方向へ向かうＲ方向へ屈伸自在になされており、また、各搬送アーム３２、３４の屈伸動作は個別に制御可能になされている。上記搬送アーム３２、３４の各回転軸は、それぞれ基台３６に対して同軸状に回転可能に連結されており、例えば基台３６に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回転できるようになっている。
【００２５】
次に、上記各中間搬送室８Ａ、８Ｂに設けられた本発明の支持機構１２Ａ、１２Ｂについて説明する。
これらの両支持機構１２Ａ、１２Ｂは、全く同様に形成されているので、ここでは一方の支持機構、例えば支持機構１２Ａを例にとって説明する。
図２乃至図４に示すように、この支持機構１２Ａは、数字の”７”のように屈曲して成形された薄い、例えばアルミニウム製、或いはセラミック製の複数、図示例では２つの昇降ベース３８、４０を有している。これらの両昇降ベース３８、４０は、これらが上下方向へ移動した際に互いに衝突して干渉しないように、平面的に見て互いに重なり合わないような状態で相互に屈曲部に組み込ませて配置されている。
【００２６】
そして、各昇降ベース３８、４０からは、それぞれ複数本の、図示例にあってはそれぞれ３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃが上方へ起立させて設けられている。これらのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは例えばＡｌ２ Ｏ３ 等のセラミックスよりなり、図４にも示すように、各グループ毎のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは、同一の円周４２上にそれぞれグループ毎に等ピッチ（略１２０度間隔）となるように設定されており、これらのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃの先端が上記半導体ウエハＷの裏面に直接的に接してウエハＷを支持できるようになっている。図４では、同一の円周４２上に両グループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃを配置しているが、これらをグループ毎に異なる円周上に配置するようにしてもよい。尚、このリフトピンは、上記１つの昇降ベース３８、或いは４０に、それぞれ少なくとも３本以上設けるようにする。
【００２７】
そして、この中間搬送室８Ａを区画する底部４４（図２参照）の下方には、２つの上記昇降ベース３８、４０の数に対応させて、ここでは２つの昇降アクチュエータ４６、４８が設けられており、各昇降アクチュエータ４６、４８の昇降ロッド５０、５２は、上記底部４４に設けた貫通孔５４、５６を挿通されて、その先端が上記各昇降ベース３８、４０の下面に取り付け固定されている。これにより、上記昇降アクチュエータ４６、４８を駆動することにより、上記各昇降ベース３８、４０を別個独立して上下方向へ昇降させ得るようになっている。
そして、上記各昇降ロッド５０、５２の底部４４に対する貫通部には、例えば金属製の伸縮可能な蛇腹管よりなるベローズ５８、６０が設けられる。具体的には、図５にも示すように、上記各昇降ロッド５０、５２をそれぞれベローズ５８、６０内に挿通させた状態で、各ベローズ５８、６０の上端は上記昇降ベース３８、４０の下面にそれぞれ気密状態で取り付け、その下端は、底部４４の下面に、シール部材６２と取り付けリング６４を介して、ネジ６６により気密性を維持して取り付け固定されている。
【００２８】
このベローズ５８、６０を取り付けることにより、この中間搬送室８Ａ内の気密性を維持しつつ上記昇降ロッド５０、５２を昇降することができる。そして、上記各昇降アクチュエータ４６、４８は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる昇降制御部６８によりその動作が制御されることになる。
また、各中間搬送室８Ａ、８Ｂの例えば底部には、Ｎ２ ガス等の不活性ガス導入口７０と、図示しない真空系に接続された排気口７２が設けられており、室内を真空雰囲気と大気圧雰囲気とに必要に応じて択一的に設定できるようになっている。
【００２９】
次に、以上のような処理システムの動作について説明する。
まず、半導体ウエハＷの概略的な流れについて説明する。３つのカセット台１６Ａ〜１６Ｃの内のいずれか１つのカセット台、例えばカセット台１６Ｃ上のカセット容器１８Ｃ内から未処理の半導体ウエハＷを、導入側搬送手段２２のいずれか一方の搬送アーム、例えば搬送アーム３２を駆動することによってこのピック３２Ａで取り上げて保持し、この導入側搬送手段２２をＸ方向へ移動することによってこのウエハＷをオリエンタ２６まで搬送する。
【００３０】
次に、すでに先に搬送されてオリエンタ２６にて位置合わせされている回転台２６上の未処理の半導体ウエハＷを、空状態の他方の搬送アーム３４を駆動することによってこのピック３４Ａで取り上げて保持し、これによって回転台２６上を空にする。
次に、搬送アーム３２のピック３２Ａに保持していた未処理のウエハを、先に空状態になった回転台２６上に載置する。尚、このウエハは次に別の未処理のウエハが搬送されてくるまでに位置合わせされることになる。
次に、上述のように他方の搬送アーム３４で保持された未処理のウエハは、導入側搬送手段２２をＸ方向へ移動させることにより、２つの中間搬送室８Ａ、８Ｂの内のいずれか一方の中間搬送室、例えば８Ａまで移動される。
【００３１】
この中間搬送室８Ａ内のいずれか一方のグループのリフトピン、例えばリフトピン４０Ａ〜４０Ｃ上には、すでに処理装置内にて所定の処理、例えば成膜処理やエッチング処理等が施された処理済みのウエハが支持されて待機しており、ここでゲートバルブＧ７を開くことによってすでに圧力調整されている中間搬送室８Ａ内を開放する。そして、まず、空状態の搬送アーム３２を駆動してこのピック３２Ａ側に待機している処理済みのウエハＷを移載して保持する。次に、他方の搬送アーム３４を駆動してこのピック３４Ａに保持していた未処理のウエハＷを他方のグループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ上に移載してウエハを置き替える。尚、上記処理済みのウエハは導入側搬送手段２２により元のカセットへ戻される。
【００３２】
このように、リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ上へ未処理のウエハＷを移載したならば、ゲートバルブＧ７を閉じることによってこの中間搬送室８Ａ内を密閉した後に、この中間搬送室８Ａ内を真空引きして圧力調整した後、ゲートバルブＧ５を開放することにより、予め真空雰囲気になされている共通搬送室６内と連通する。そして、上記未処理のウエハＷは、共通搬送室６内の第１の搬送手段１４によって受け取られる。この際、この第１の搬送手段１４は２つのピック１４Ａ、１４Ｂを有しているので、処理済みのウエハを保持している場合には、この処理済みのウエハと上記未処理のウエハとの置き替えが行われる。
【００３３】
未処理のウエハＷは、次に例えば各処理装置４Ａ〜４Ｄにおいて、順次必要な処理が行われる。そして、必要な処理が完了したならば、この処理済みのウエハＷは、前述したと逆の経路を通って元のカセットに戻される。
この場合、２つある中間搬送室８Ａ、８Ｂの内、何れを通ってもよいし、また、各中間搬送室８Ａ、８Ｂ内にて処理済みのウエハＷを保持する場合には、未処理のウエハＷを保持したグループとは異なったグループのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃで保持するようにし、未処理のウエハＷが薄膜等の汚染物により汚染されることをできるだけ抑制する。
ここで、具体的に中間搬送室８Ａ内におけるウエハＷの受け渡しについて説明する。尚、他方の中間搬送室８Ｂ内においても同様にウエハの受け渡しが行われる。
【００３４】
本実施例では、上述したように、未処理のウエハＷと処理済みのウエハＷとでは異なるグループのリフトピンを用いてウエハＷの汚染を防止するようになっている。
ここでは、例えば一方の昇降ベース３８に設けた３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃで未処理のウエハＷを専用に支持し、他方の昇降ベース４０に設けた３本のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃで処理済みのウエハＷを専用に支持するようになっている。具体的には、導入側搬送室１０側より未処理のウエハＷを導入して処理済みのウエハＷと未処理のウエハとを差し替える場合を例にとって説明する。まず、処理済みのウエハＷを支持している一方の昇降ベース４０のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃを上昇させ、他方の昇降ベース３８の空のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを降下させておく。
【００３５】
そして、この状態で、空のピック３２Ａを中間搬送室８Ａ内へ水平方向に進出させて、これを上昇されている処理済みのウエハＷの下方（ウエハＷと昇降ベース４０との間）に挿入する。次に、このリフトピン４０Ａ〜４０Ｃを降下させることにより処理済みのウエハＷをピック３２Ａ側へ移し替える。そして、このピック３２Ａを後退させて中間搬送室８Ａ内から撤去する。次に、未処理のウエハＷを保持している他方のピック３４Ａを中間搬送室８Ａ内へ水平方向に進出させる。次に、今まで降下していた他方の昇降ベース３８を上昇させて、このリフトピン３８Ａ〜３８Ｃにより未処理のウエハＷをその下方より突き上げて支持することにより、このウエハＷを移し替えることができる。そして、空になったピック３４Ａを後退させて中間搬送室８Ａ内から撤去する。
このように、第１の搬送手段１４又は導入側搬送手段２２からリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ又はリフトピン４０Ａ〜４０Ｃのいずれか一方に移載されたウエハＷは、その後に第１の搬送手段１４又は導入側搬送手段２２に移載されるまでは，そのリフトピンによって継続的に支持される。つまり、この間、他方のリフトピンはウエハＷを支持することはない。この点に関しては、後述する各実施例も同様である。
【００３６】
このようにして、処理済みのウエハＷと未処理のウエハＷとを差し替えることができる。尚、共通搬送室６との間でウエハＷを移し替える場合も、基本的には上述したと同様な動きとなる。
このように、複数、例えば２つの昇降ベース３８、４０を設けて、各昇降ベース３８、４０に複数、例えば３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ、４０Ａ〜４０Ｃをそれぞれ設け、一方のグループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを未処理のウエハＷに対して専用に用いるようにし、他方のグループのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃを処理済みのウエハＷに対して専用に用いるようにしたので、未処理のウエハＷが薄膜の物質やパーティクルによって汚染されることを防止することが可能となる。
【００３７】
また万一、一方の昇降ベースや昇降アクチュエータが故障しても、他方の昇降ベースを連続的に昇降させることにより、上述したと同様なウエハＷの移し替えを行うことができ、従って、自由度の大きな使用形態をとることができる。
この第１の実施例では２つの昇降ベース３８、４０を設けたが、両昇降ベース３８、４０と干渉しないように更に第３番目、或いはそれ以上の昇降ベースを設置して、それらに、同様なリフトピンを設けて使用するようにしてもよい。
また、前述した各公報に開示されている装置例にあっては、ウエハを昇降させるために２つのリフタを有しているが、ウエハ搬送時には、これらの２つのリフタを同時に使用する構造となっているため、状況に応じた自由度の高い使用が困難であった。具体的には、例えば特開平９−２２３７２７号公報等においては、独立に動作する２組の被処理体の支持手段（支持ピン）を有しており、そして、それらの２組の支持手段は、協働して同時に１枚の被処理体を支持したり、又は一方の支持手段が処理前の被処理体を支持すると同時に他方の支持手段が処理後の被処理体を支持するようになっている。
【００３８】
それに対して、上述した本発明に係る被処理体の支持機構では、水平座標における実質的に同一領域にある被処理体Ｗを搬送装置との間で移載し、且つそれを支持するために、水平座標における実質的に同一領域内に互いに干渉しないように２組（複数）の被処理体の支持手段（ここでは２つ昇降ベース３８、４０が対応）を設けている。この２組（複数）の被処理体の支持手段は、択一的に被処理体を支持する（同時には一の支持手段のみが被処理体を支持する）。つまり、一方の支持手段が被処理体を支持しているときには、他方の支持手段は被処理体を支持しない構造となっており、従って、本願の支持機構は上記先行技術とは構造的に全く異なった構成になっている。この点に関しては、後述する各実施例も同様である。
【００３９】
＜第２の実施例＞
上記した第１の実施例にあっては、昇降アクチュエータ４６、４８にそれぞれが連結された２つの昇降ベース３８、４０を設けて、それぞれに３本ずつのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃを設けるようにしたが、これに限定されず、各リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃに対して１対１で昇降アクチュエータを設けるようにしてもよい。
図６はこのような第２の実施例の昇降アクチュエータの配列を模式的に示す図、図７はこの第２の実施例のリフトピンの配列を示す平面図である。尚、図１〜図５を参照して先に説明した部分と同一構成部分については、同一参照符号を付してその説明を省略する。
図示するように、各リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは２つのグループ、すなわち第１のグループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃと第２のグループのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃとに分けられ、各リフトピンの下方、すなわちこれらの昇降領域の下方には、各リフトピンに対応させて昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜８２Ｃが配置されている。
【００４０】
各昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜８２Ｃは同一円周上に配置されているが、図６では理解を用意にするために平面的に配置して記載している。尚、また、一方の昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ同士及び他方のアクチュエータ８２Ａ〜８２Ｃ同士をそれぞれ異なる同心円上に配置してもよい。そして、上記各リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃは、上記各昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜８２Ｃの各昇降ロッド８４Ａ〜８４Ｃ及び８６Ａ〜８６Ｃの先端にそれぞれ連結されている。そして、各昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び８２Ａ〜８２Ｃは、昇降制御部６８によりその昇降動作が制御される。尚、各昇降ロッド８４Ａ〜８４Ｃ及び８６Ａ〜８６Ｃの中間搬送室底部４４に対する貫通部には、それぞれベローズ８８が設けられる。
【００４１】
この場合、一方のグループ内のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃに連結される昇降アクチュエータ８０Ａ〜８０Ｃ及び他方のグループ内のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃに連結される昇降アクチュエータ８２Ａ〜８２Ｃは、それぞれ同期して昇降させるのに対して、各グループ毎は、別個独立して昇降動作が制御できるようになっている。
この場合にも、リフトピンを１グループ毎に、すなわちリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ毎、或いはリフトピン４０Ａ〜４０Ｃ毎にその昇降動作を同期させて制御することにより、先の第１の実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができ、例えば一方のグループのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを、未処理のウエハＷの移載時専用に用い、他方のグループのリフトピン４０Ａ〜４０Ｃを処理済みのウエハＷの移載時専用に用いるようにすればよい。
【００４２】
＜第３の実施例＞
また、前述した第１の実施例にあっては、昇降アクチュエータ４６、４８にそれぞれが連結された２つの昇降ベース３８、４０を設けて、それぞれに３本ずつのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃを設けるようにしたが、これに限定されず、全てのリフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃを設けないでおき、この昇降ベース３８、４０の上面を、ウエハＷの裏面に直接的に接するようにして、このウエハＷを支持するようにしてもよい。
図８はこのような第３の実施例の昇降ベースを示す平面図である。尚、図４を参照して先に説明した部分と同一構成部分については、同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００４３】
図示するように、この第３の実施例の場合には、２つの昇降ベース３８、４０の表面には何らリフトピンを設けておらず、この上面をウエハＷの裏面に直接的に接触させて、このウエハＷを支持するようになっている。ただし、ここで注意されたい点は、ウエハの移載時に両昇降ベース３８、４０とピック、例えばピック３２Ａとが干渉しないようにするために、図８に示す昇降ベース３８、４０は、図３に示す第１の実施例の昇降ベース３８、４０よりもサイズが小さく設定されている。この場合にも、先の第１の実施例と同様な作用効果を発揮することができる。
【００４４】
＜第４の実施例＞
また、先の第２の実施例では昇降ベースを設けずに、リフトピンを直接的に昇降ロッドに接合し、先の第３の実施例ではリフトピンを設けずに昇降ベースで直接的にウエハを支持させるようにしたが、これらの両者を組み合わせてもよい。
図９はこのような第４の実施例の昇降アクチュエータの配列を示す図、図１０はこの第４の実施例の平面図である。
図示するように、この第４の実施例にあっては、リフトピン３８Ａ、４０Ａに関連する構造に関しては、図６及び図７に示したと同様な構造になっており、すなわち、両リフトピン３８Ａ、４０Ａはそれぞれ昇降アクチュエータ８０Ａの昇降ロッド８４Ａ及び昇降アクチュエータ８２Ａの昇降ロッド８６Ａに直接的に連結されている。これに対して、他のリフトピン３８Ｂ、３８Ｃ及び４０Ｂ、４０Ｃ（図３参照）は設けておらず、この部分の機能を図８の第３の実施例にて説明したと同様に昇降ベース３８、４０で行うようにしており、ウエハＷの裏面を昇降ベース３８、４０の裏面で直接的に支持するようになっている。ただし、この場合、各昇降ベース３８、４０は図４に示すような数字の”７”のような形状ではなく、上記リフトピン３８Ａ、４０Ａを支持した部分を削除して取り除いたような、例えば”コ”字状の形状となっている。
【００４５】
この場合には、一方のリフトピン３８Ａと昇降ベース３８とがグループ化されて同期して昇降し、また、他方のリフトピン４０Ａと昇降ベース４０とがグループ化されて同期して昇降する。この場合にも、先の第１の実施例の場合と同様な作用効果を発揮することができる。
【００４６】
＜第５の実施例＞
以上の第１〜第４の各実施例にあっては、常に１枚のウエハしか取り扱うことができず、同時には２枚のウエハを取り扱うことができなかったが、別途に補助的にウエハを支持する部分を設けて、同時に複数枚、例えば２枚のウエハを取り扱うことができるようにしてもよい。
図１１はこのような第５の実施例を示す斜視図、図１２は第５の実施例を示す平面図である。尚、先に説明した構成部分と、同一構成部分については同一参照符号を付してその説明を省略する。
【００４７】
図示するように、この第５の実施例の場合には、中間搬送室８Ａの中央部に、前記第１の実施例〜第４の実施例の内の、いずれか１つの実施例の構成を設けており、この実施例の構成でウエハＷが昇降される昇降領域の外側に一対の補助昇降ロッド９０、９２を設けている。各補助昇降ロッド９０、９２は、この中間搬送室８Ａの両側に設けた各ゲートバルブＧ５、Ｇ６とは９０度異ならせた方向に配置されており、ウエハ搬出入時に挿入されるピック１４Ａ、１４Ｂ及び３４Ａ、３４Ｂと干渉しないようになっている。尚、図示例の場合には、中間搬送室８Ａの中央部に先の第１実施例の構成を配置している場合を示している。そして、この補助昇降ロッド９０、９２の中間搬送室底部４４の貫通部には、この室内の気密性を保持しつつ補助昇降ロッド９０、９２の昇降を許容するベローズ９４、９６がそれぞれ介設されている。
【００４８】
この両補助昇降ロッド９０、９２の下部には、これらを昇降させる図示しない昇降アクチュエータがそれぞれ設けられて、両者は同期して昇降される。ここで、両補助昇降ロッド９０、９２は、前記各昇降ロッド５０、５２よりも大きいストロークで昇降される。尚、この場合、補助昇降ロッド９０、９２の下端部を連結して昇降アクチュエータは１基だけ設けるようにしてもよい。
そして、上記各補助昇降ロッド９０、９２の上端部には、中間搬送室８Ａの中心に向けて水平方向へ延在された、例えばセラミックス製の補助被処理体支持板９８、１００がそれぞれ取り付け固定されている。各補助被処理体支持板９８、１００は、図示例にあっては”Ｔ”字状に成形されており、その上面でウエハＷの裏面と直接的に接してこのウエハＷを保持し得るようになっている。尚、他方の中間搬送室８Ｂの支持機構についても、上記した中間搬送室８Ａの支持機構と同様に構成されている。
【００４９】
このように構成されたこの第５の実施例にあっては、図１１にも示すように、例えば未処理のウエハＷを、上記一対の補助被処理体支持板９８、１００により保持し、これを上方に高く持ち上げた状態で、リフトピン３８Ａ〜３８Ｃ及び４０Ａ〜４０Ｃで、先に第１の実施例で説明したような動作を行うことができる。すなわち、特定のウエハＷを補助被処理体支持板９８、１００で高く持ち上げて待機させた状態で、この下方で他のウエハの搬出入を行うことができる。従って、被処理体の取り扱いの自由度を向上させることができる。
【００５０】
＜第６の実施例＞
上記各実施例においては、複数、具体的には２個の昇降ベース３８、４０を用いた場合には、これらが平面的に見て重ならないような位置に配置するようにしたが、これに限定されず、平面的な占有スペースを減少させるために、両昇降ベース３８、４０を平面的に見て重なるように、すなわち上下方向で両昇降ベース３８、４０が重なるように配置してもよい。
図１３はこのような本発明の第６の実施例を示す図であり、図１３（Ａ）は斜視図を示し、図１３（Ｂ）は平面図を示す。
【００５１】
図示するように、この第６の実施例では、第１昇降ベース、例えば昇降ベース３８と第２昇降ベース、例えば昇降ベース４０とは上下方向に重なるように配置されており、図示例では第１昇降ベース３８が第２昇降ベース４０の上方に位置されている。そして、上記第１昇降ベース３８は、その中央部で第１昇降ロッド、例えば昇降ロッド５０により支持され、また、上記第２昇降ベース４０は、その中央部で第２昇降ロッド、例えば昇降ロッド５２により支持される。また、上記両第１及び第２昇降ロッド５０、５２は同軸構造になって、互いに上下方向へ個別に昇降可能になされている。そして、上記第１昇降ロッド５０の下端は、第１昇降アクチュエータ、例えば昇降アクチュエータ４６（図２参照）に連結され、第２昇降ロッド５２の下端は、第２昇降アクチュエータ、例えば昇降アクチュエータ４８（図２参照）に連結される。
【００５２】
そして、上記第１昇降ベース３８と上記第２昇降ベース４０との間には、上記第１昇降ロッド５０を覆うようにして伸縮可能になされた第１ベローズ１１０が介設されており、また、上記第２昇降ベース４０と搬送室の底部（図示せず）との間には上記第２昇降ロッド５２を覆うようにして伸縮可能になされた第２ベローズ１１２が介設されている。
上記第２昇降ベース４０は略円板状に形成されており、その周縁部より起立された複数本、図示例では３本のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃが設けられて、その上端は上記第１昇降ベース３８よりも上方へ延びていてこの上端でウエハＷを支持できるようになっている。上記リフトピン４０Ａ〜４０Ｃは、上記第２昇降ベース４０の周縁部に、その周方向へ略等間隔で配置されている。
【００５３】
これに対して、上記第１昇降ベース３８は、上記３本のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃと干渉しないように、例えば正三角形の各辺を中心側へ屈曲して成形したような変形三角形状になされている。そして、この第１昇降ベース３８の上面でウエハＷと接触してこれを支持できるようになっている。この実施例においては、下方の第２昇降ベース４０のリフトピン４０Ａ〜４０Ｃの上端は、ウエハＷを移載・支持するときには、第１昇降ベース３８の上方まで上昇することになる。
この第６の実施例の場合にも、第１の実施例で説明したと同様な動作を行うことができる。すなわち、第１昇降ベース３８の上面と、第２昇降ベース４０に設けたリフトピン４０Ａ〜４０Ｃとで、ウエハＷを択一的に支持することができる。
【００５４】
また、２つの昇降ベース３８、４０を上下方向に重なるように配置したため、各昇降ベース３８、４０を小さく且つその占める平面的な領域を小さくできる。この結果、ウエハを移載するときにピック先端の開きの小さいピックを使用しても、ピックと昇降ベース３８、４０とが干渉しない。また、ウエハ移載の際に支持機構の昇降制御が容易になる。
また、上記第６の実施例では、第１昇降ベース３８の上面でウエハＷを支持するようにしたが、これに限定されず、図１４に示す第６の実施例の変形例のように、第１昇降ベース３８の周縁部に複数、図示例では３本のリフトピン３８Ａ〜３８Ｃを起立させて設け、この上端でウエハＷを支持させるようにしてもよい。  尚、上記各実施例では、真空引き可能な気密室である中間搬送室８Ａ、８Ｂ内に支持機構を設ける場合について説明したが、これに限定されず、導入側搬送室１０内の空いた空間や共通搬送室６内の空いた空間等に設置して、半導体ウエハの一時待機場所として用いるようにしてもよい。
【００５５】
また、以上の各実施例では、昇降ベース３８、４０又は補助被処理体支持板９８、１００でウエハＷを支持する場合には、それらの上面でウエハＷの裏面と直接的に接してウエハＷを支持する側について示したが、それらの上面に高さ１ｍｍ程度、直径５ｍｍ程度の複数の凸部を設け、この凸部でウエハの裏面を支持するようにしてもよい。また、それらの上面に凹部を設け、ウエハＷを凹部内に収容して支持してもよい。
また、以上の各実施例では、一方のリフトピン又は昇降ベースで未処理のウエハＷを支持し、他のリフトピン又は昇降ベースで処理済みのウエハを支持する場合について示したが、共通搬送室６等で本発明の支持機構を使用する場合も含めると、ウエハＷに施される処理の種類（成膜、エッチング等）に応じて、或いはウエハＷの温度に応じて（ウエハＷの加熱の前後または冷却の前後）、或いはその他ウエハＷの状態に応じて複数のリフトピン又は昇降ベースを使い分けてもよい。
【００５６】
また、以上の各実施例では、各リフトピン又は昇降ベースの材質は同じである場合について示したが、支持されるウエハＷの状態に応じて、リフトピン又は昇降ベース毎に材質（例えば耐熱性のある材質、伝熱性の良い材質等）を使い分けてもよい。
また、各リフトピン又は昇降ベースが支持するウエハの枚数が略等しくなるように制御してもよい。これにより、ウエハ接触部のクリーニングサイクルを長くすることができ、ベローズなどの支持機構の部材の寿命を長くすることができる。また、本発明の支持機構にウエハＷを回転させる機構を付加してもよい。
また、以上の各実施例では被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係る被処理体の支持機構を有する処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】支持機構が取り付けられたロードロック機能を有する搬送室を示す断面図である。
【図３】支持機構を示す斜視図である。
【図４】支持機構を示す平面図である。
【図５】支持機構の昇降ロッドの取付部を示す部分拡大図である。
【図６】第２の実施例の昇降アクチュエータの配列を模式的に示す図である。
【図７】第２の実施例のリフトピンの配列を示す平面図である。
【図８】第３の実施例の昇降ベースを示す平面図である。
【図９】第４の実施例の昇降アクチュエータの配列を示す図である。
【図１０】第４の実施例の平面図である。
【図１１】第５の実施例を示す斜視図である。
【図１２】第５の実施例を示す平面図である。
【図１３】第６の実施例を示す図である。
【図１４】第６の実施例の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
２  処理システム
４Ａ〜４Ｄ  処理装置
６  共通搬送室
８Ａ，８Ｂ  中間搬送室（気密室）
１０  導入側搬送室
１２Ａ，１２Ｂ  支持機構
３８，４０  昇降ベース
３８Ａ〜３８Ｃ，４０Ａ〜４０Ｃ  リフトピン
４６，４８  昇降アクチュエータ
５０，５２  昇降ロッド
５８，６０  ベローズ
６８  昇降制御部
８０Ａ〜８０Ｃ，８２Ａ〜８２Ｃ  昇降アクチュエータ
８４Ａ〜８４Ｃ，８６Ａ〜８６Ｃ  昇降ロッド
８８  ベローズ
９０，９２  保持昇降ロッド
９４，９６  ベローズ
９８，１００  補助被処理体支持板
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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