(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本となる第１のパターンが繰り返し配列されたパターン群を複数の露光マスクを用いて形成するパターン形成方法であって、第１の露光マスクで露光される第１の領域と、第２の露光マスクで露光される第２の領域との間に挟まれた第３の領域を、前記第１の露光マスク及び前記第２の露光マスクで相補的に露光するに際し、前記第３の領域を露光する繰り返し単位パターンを前記第１のパターンとは異なるパターンのみとし、
前記単位パターンは、一の前記第１のパターンを分割した一部分と、隣接する他の前記第１のパターンを分割した一部分をあわせたパターンであることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法を用いて、ゲートバスライン及びドレインバスラインの少なくともいずれかを形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
境界部を重ね合わせてパターンを繋ぎ合わせ、基本となる第１のパターンが繰り返し配列されたパターン群を形成する複数枚からなる露光マスクであって、境界部のパターン形成領域は前記複数枚の露光マスクで相補的に形成され、前記パターン形成領域の露光パターンは前記第１のパターンとは異なるパターンのみであることを特徴とする露光マスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法及びＴＦＴ（薄膜トランジスタ）マトリクス基板の製造方法に関し、より詳しくは、パターンをつなぎ合わせて一つの全体パターンを形成するパターン形成方法と、そのパターン形成方法を用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、パソコンのディスプレイや壁掛けテレビとして、ＴＦＴマトリクス型カラー液晶表示装置が普及してきた。そして、それに伴い、液晶表示装置は大画面化が進められてきている。
【０００３】
この表示装置を安価に製造するためには、より少ない工程で、かつ歩留り良く、ＴＦＴマトリクスを形成することが重要であり、多数のパターンを同時に転写できるレチクル（露光マスク）を用いたフォトリソグラフィー技術が主流となっている。通常、一つのパターニング工程あたり一つのレチクル（一つの層と称する。）が用いられる。
【０００４】
ところが、大画面のものになってくると基板が大型化してくるため、露光装置の構造上、一つの層の全体のパターンを一度に転写することが困難になってくる。このため、一つの層の全体のパターン領域を複数の部分領域に分割してその部分領域毎に複数のレチクルを作成する。そして、全体のパターンを形成する場合には、同じレジスト膜に対して露光すべき部分領域以外の他の領域を遮光し、部分領域毎に別々に露光して全体のパターンを形成するようにしている。
【０００５】
図４に、簡略化したＴＦＴマトリクス基板５０を示す。図４では画素数を簡略化して示しており、ＴＦＴ３６により駆動される基本画素単位４０が縦６行×横９列のマトリクス状に配置されている。構成を簡単に説明すると、ガラス基板３０上に、ゲートバスライン３２とドレインバスライン３４が互いに垂直となるように配置され、ゲートバスライン３２とドレインバスライン３４の交点付近にＴＦＴ３６（構成は後述）が配置される。ＴＦＴ３６のゲートがゲートバスライン３２に接続され、ドレインがドレインバスライン３４に接続される。さらに、ＴＦＴ３６のソース電極が画素電極３８に接続される。この互いに接続されるＴＦＴ３６、画素電極３８、ゲートバスライン３２及びドレインバスライン３４からなる単位領域を、ここでは基本画素単位、あるいは、その領域内のパターンを基本単位パターンと呼ぶ。
【０００６】
この図４に示すようなＴＦＴマトリクスを二枚のレチクルを用いて形成する場合、第１〜第４列の領域（左領域）と第５〜第９列の領域（右領域）の２つの領域に、直線的な境界線で単純に二分割する方法が考えられる。ここで、図５の平面図及び図６の断面図（図５のＡ−Ａ線断面図）から分かるように、ＴＦＴ３６は位置合わせ精度を考慮してゲート電極３２（ゲートバスライン３２が兼ねる）とソース電極３６Ｓ及びドレイン電極３６Ｄがオーバラップするように形成されているため、ゲート電極３２とソース電極３６Ｓの間に浮遊容量Ｃｇｓが生じる。そこで、上記左領域と右領域を別々に位置合わせすると、左領域ＴＦＴ３６と右領域のＴＦＴ３６でソース電極３６Ｓとゲート電極３２との重なり幅が異なってくる場合がある。この場合、左領域と右領域のＴＦＴ３６のＣｇｓが異なるため、各領域でソース電圧に差が生じ、ひいては、透過率の差を生みだす。これにより、二つの領域間で輝度差が生じて表示ムラとなってしまう。なお、上記の例では、左右に分割したが、実際には画素数が多いため、左右方向の分割のみではなく上下方向での分割もあり、あらゆる方向で位置合わせずれが生じる可能性がある。
【０００７】
この表示ムラを解決する方法として、特開平９−２３６９３０号公報等に、異なる露光マスクで形成する単位パターン群の繋ぎ合わせ部において、異なる露光マスクに係る単位パターンを入り混じって並ばせるパターン形成方法が開示されている。
【０００８】
図７は、上記文献に記載された従来技術の概略を示す図であり、二つの（一組の）レチクルを示している。レチクルＲＴａ３，ＲＴｂ３は、縦６行×横６列のＴＦＴマトリクスを形成するためのものである。なお、実際には複数層の露光工程があり各層で露光パターンは異なるが、ここでは説明の簡単化のために、基本画素単位７２が分かるように、ゲートバスライン６６、ドレインバスライン、ＴＦＴ７０及び画素電極の簡略パターンを図示した。
【０００９】
横６列のＴＦＴマトリクスは、２列ごとに、第１の領域（第１列，第２列）、第２の領域（第５列，第６列）及び第３の領域（第３列，第４列）に分けられ、第３の領域が２つのレチクルでパターンを形成する際の繋ぎ合わせ部である境界部となる。よって、レチクルＲＴａ３には、第１の領域に対応する領域１００に基本画素単位７２を露光するためのパターン形成領域７８が設けられ、第３の領域に対応する領域３００ａ´に、パターン形成領域７８と、露光を行わないパターン非形成領域である遮光領域７６が千鳥状に設けられている。また、レチクルＲＴａ３には、第２の領域に対応する領域２００に基本画素単位７２を露光するためのパターン形成領域７８が設けられ、第３の領域に対応する領域３００ａ´に、パターン形成領域７８と、露光を行わないパターン非形成領域である遮光領域７６がレチクルＲＴａ３とは逆の千鳥状に（相補うように）設けられている。したがって、第３の領域の基本画素単位７２は、レチクルＲＴａ３，ＲＴｂ３の一方を用いた時に露光されてパターンが形成され、他方を用いた時には遮光領域により露光されない。
【００１０】
このように、境界部を設けて、異なる露光マスクにかかる単位パターンを境界部内で入り混じるように配置することで、異なる露光マスクで形成されたパターン間で輝度差が生じても、その明確な境界を認識することが困難となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図８及び図９は、図７に示したパターン形成方法を具体的なパターン形成に適用する時に使用されるレチクルの一部を示している。レチクルＲＴａ４，ＲＴｂ４は、図４に示すような横方向に９列並んだＴＦＴマトリクスのパターンを形成するものであり、それぞれ、第１列，第２列が第１の領域、第８列，第９列が第２の領域、第３列〜第７列が第３の領域となる。
【００１２】
図８に示すレチクルＲＴａ４は、第１の領域及び第３の領域にパターンを形成するもので、第１の領域（第１列，第２列）に対応する部分には、基本画素単位７２に対応するパターン形成領域７８が設けられている。また、第３の領域（第３列〜第７列）に対応する部分には、基本画素単位７２の領域に対応するパターン形成領域７８と同様に基本画素単位７２の領域に対応する遮光領域７６が千鳥状に設けられている。
【００１３】
一方、図９に示すレチクルＲＴｂ４は、第２の領域及び第３の領域にパターンを形成するもので、第３の領域（第８列，第９列）に対応する部分には、基本画素単位７２に対応するパターン形成領域７８が設けられている。また、第３の領域（第３列〜第７列）に対応する部分には、基本画素単位７２の領域に対応するパターン形成領域７８と同様に基本画素単位７２の領域に対応する遮光領域７６がレチクルＲＴａ４とは相補的に千鳥状に設けられている。
【００１４】
レチクルＲＴａ４，ＲＴｂ４は、具体的には、ＴＦＴマトリクスの製造工程におけるドレイン電極、ソース電極、ドレインバスライン及び蓄積容量の対向電極をパターニングする際に使用されるものである。つまり、詳細な工程は後述するが、図８及び図９における対向電極４２とソース電極３６Ｓ、ドレイン電極３６Ｄおよびドレインバスライン３４は、同一工程でパターニングされるものである。そして、基本画素単位７２（パターン形成領域７８）内には、対向電極４２、ソース電極３６Ｓ、ドレイン電極３６Ｄおよびドレインバスライン３４に対応する遮光パターンが形成されている。
【００１５】
図１０において、（ａ）図は図８において丸印で囲った部分の拡大図であり、（ｂ）図は（ａ）図のＸ−Ｘ線における断面図である。
【００１６】
図１０（ａ）より、遮光領域７６が左に、パターン形成領域７８が右に隣接して配置される部分では、遮光領域７６の遮光パターンの右側に、その遮光パターンのエッジに沿って延びる、所望のドレインバスラインパターンに対応するパターン形成領域７８の遮光パターンが近接配置されている。さらにその右側に所望の蓄積容量の対向電極パターンに対応する所望の遮光パターンが形成されている。また、図１０（ｂ）より、レチクルＲＴａ４は、ガラス等の透明な基板８０にクロム等の遮光性の金属膜等で遮光パターンが形成されている。
【００１７】
次に、図１１より、遮光領域７６が右側に、パターン形成領域７８が左に隣接して配置される部分では、遮光領域７６の遮光パターンの左側に、パターン形成領域７８の所望の対向電極パターンに対応する遮光パターンが形成されている。また、レチクルＲＴｂ４もレチクルＲＴａ４と同様に、ガラス等の透明な基板８０にクロム等の遮光性の金属膜等で遮光パターンが形成されている。
【００１８】
図１２は、図１１に示したレチクルＲＴｂ４の遮光パターンに図１０のレチクルＲＴａ４のパターン形成領域の遮光パターンを重ね合わせた図である。レチクルＲＴａ４のデータバスラインに対応する遮光パターンのエッジと、レチクルＲＴｂ４の遮光領域の遮光パターンのエッジとの間隔Ｌは、所望パターン、すなわち、対向電極とデータバスラインのパターン間隔Ｇに関係する。したがって、パターンが微細になり間隔Ｇがより狭くなると間隔Ｌも小さくなる。さらに、レチクルの位置合わせずれによっても間隔Ｌが小さくなる場合がある。
【００１９】
間隔Ｌが小さくなると、一方のレチクル（例えばレチクルＲＴｂ４）で露光を行っている時に遮光領域７６の遮光パターンのパターンエッジから回折光が回り込み、本来露光すべきでない領域まで露光してしまうことになる。したがって、例えばデータバスラインであれば、所望のパターン幅より縮小した細いパターンとなってしまうことがあった。
【００２０】
本発明は、上記の従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、複数枚の露光マスクを用いて全体のパターン群を形成する際に、繋ぎ合わせを行う境界部で、パターンの縮小などが発生しない、所望の良好なパターン形成を行うことが可能なパターン形成方法、および、ＴＦＴマトリクス基板の形成方法を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、上記課題は以下の特徴を持つパターン形成方法によって解決される。
【００２２】
すなわち、基本単位となる第１のパターンが繰り返し配列されたパターン群を複数の露光マスクを用いて形成するパターン形成方法であって、
第１の露光マスクで露光される第１の領域と、第２の露光マスクで露光される第２の領域との間に挟まれた第３の領域を、第１の露光マスク及び第２の露光マスクで相補的に露光するに際し、第３の領域を露光する繰り返し単位パターンを第１のパターンとは異なるパターンとしたパターン形成方法である。
【００２３】
本発明の第１の観点によれば、第３の領域を露光する時には露光マスクにパターン形成領域と遮光領域を設けるが、パターン形成領域の所望のパターンが、他のマスクで露光を行うときの遮光領域により影響を受けないパターンとなり、不必要な露光によるパターンの縮小化などが生じないため、所望のパターンを得られる。
【００２４】
また、本発明の第２の観点によれば、上記課題は以下の特徴を持つ薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法によって解決される。
【００２５】
すなわち、上記第１の観点によるパターン形成方法を用いて、ゲートバスライン及びドレインバスラインの少なくともいずれかを形成する工程を有する薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法である。
【００２６】
本発明の第２の観点によれば、ゲートバスラインやドレインバスラインなどは基本画素単位の領域内で端部に配置されている。したがって、第３の領域に繰り返し配置されるパターン形成領域を基本画素単位のパターンで設けると、複数の露光マスクで露光しているうちに、ゲートバスラインやドレインバスラインのパターンが影響を受けてしまうが、基本画素単位とは異なるパターンとすれば影響を受けることなく、所望のパターンを得られる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００２８】
図１は本発明の基本原理を示すものであり、一組のレチクル（露光マスク）ＲＴａ１，ＲＴｂ１を示している。
【００２９】
レチクルＲＴａ１，ＲＴｂ１は、縦６行×横６列のＴＦＴマトリクスを形成するものである。なお、実際には複数層の露光工程があり各層で露光パターンは異なるが、ここでは説明の簡単化のために、基本画素単位１０が分かるように、ゲートバスライン１６、ドレインバスライン１８、ＴＦＴ１２及び画素電極１４を示す簡略パターンを図示した。
【００３０】
横６列のＴＦＴマトリクスは、２列ごとに、第１の領域（第１列，第２列）、第２の領域（第５列，第６列）及び第３の領域（第３列，第４列）に分けられ、第３の領域が２つのレチクルでパターンを形成する際の繋ぎ合わせ部である境界部となっている。よって、レチクルＲＴａ１には、第１の領域に対応する領域１００に、基本となる第１のパターンである基本画素単位１０のパターン（基本単位パターン１０ともいう）を露光するためのパターン形成領域が設けられている。また、第３の領域に対応する領域３００ａには、３種類のパターン形成領域２２，２２ａ，２２ｂ、露光を行わないパターン非形成領域である３種類の遮光領域２０，２０ａ，２０ｂが設けられている。本発明のパターン形成領域及び遮光領域は、従来のような基本単位パターン１０とは異なっている。すなわち、パターン形成領域２２は、１つの基本単位パターン１０の右半分のパターンと隣接するもう１つの基本単位パターンの左半分のパターンを合わせたものとなっている。さらに、パターン形成領域２２ａは基本単位パターン１０の右半分のみのパターンとなっており、パターン形成領域２２ｂは基本単位パターン１０の左半分のみのパターンとなっている。そして、遮光領域２０，２０ａ，２０ｂは、それぞれパターン形成領域２２，２２ａ，２２ｂに対応する領域を遮光するものとなっている。
【００３１】
また、レチクルＲＴｂ１には、第２の領域に対応する領域２００に、基本となる第１のパターンである基本画素単位１０のパターン（基本単位パターン１０ともいう）を露光するためのパターン形成領域が設けられている。また、第３の領域に対応する領域３００ａには、レチクルＲＴａ１と同様に３種類のパターン形成領域２２，２２ａ，２２ｂ、露光を行わないパターン非形成領域である３種類の遮光領域２０，２０ａ，２０ｂが設けられている。
【００３２】
レチクルＲＴａ１及びレチクルＲＴｂ１のそれぞれに形成される遮光領域２０，２０ａ，２０ｂ、および、パターン形成領域２２，２２ａ，２２ｂは、相補的な位置に配置されており、図１の例では、各レチクル内では千鳥状に配置されている。
【００３３】
図２及び３は本発明の一実施例である、ＴＦＴマトリクス基板の製造方法に用いられる一組のレチクル（露光マスク）の一部を示す図であり、図７に示すような横方向に９列の画素が並んだＴＦＴマトリクス基板のパターンを形成する場合に使用される。また、図７において、第１列，第２列が第１の領域１００、第８列，第９列が第２の領域２００、第３列〜第７列が境界部の第３の領域３００となる。
【００３４】
なお、図２及び図３のレチクルＲＴａ２，ＲＴｂ２は、後述する製造工程において、ＴＦＴのソース／ドレイン電極、ドレインバスライン及び蓄積容量の対向電極をパターニングする際に用いられる。
【００３５】
図２に示すレチクルＲＴａ２は、第１の領域１００及び第３の領域３００にパターンを形成するもので、第１の領域（第１列，第２列）に対応する部分には、基本単位パターン１０に対応するパターン形成領域１０−１が設けられている。パターン形成領域１０−１には、ＴＦＴのソース／ドレイン電極、ドレインバスライン及び蓄積容量の対向電極に対応するパターンが設けられており、ドレインバスラインに対応するパターンが領域内の縁部に設けられている。
【００３６】
また、第３の領域（第３列〜第７列）に対応する部分には、３種類のパターン形成領域２２−１，２２ａ−１，２２ｂ−１、及び、露光を行わないパターン非形成領域である３種類の遮光領域２０−１，２０ａ−１，２０ｂ−１が設けられている。
【００３７】
パターン形成領域２２−１には、隣合う２つのパターン形成領域１０−１のパターンが分割されて半分ずつのパターンを合わせたパターンが設けられており、ドレインバスラインに対応するパターンが領域内の中央部に配置され、遮光パターンエッジからは離れて配置されている。また、パターン形成領域２２ａ−１には、パターン形成領域１０−１の右半分のパターン、すなわち、ソース／ドレイン電極、ドレインバスライン及び対向電極の一部のパターンが設けられている。パターン形成領域２２ｂ−１には、パターン形成領域１０−１の左半分のパターン、すなわち、対向電極の一部のパターンが設けられている。
【００３８】
また、遮光領域２０−１，２０ａ−１，２０ｂ−１は、それぞれパターン形成領域２２−１，２２ａ−１，２２ｂ−１に対応する領域を遮光するものとなっており、パターン形成領域２２−１，２２ａ−１，２２ｂ−１、及び、遮光領域２０−１，２０ａ−１，２０ｂ−１は千鳥状に配置されている。
【００３９】
一方、図３に示すレチクルＲＴａ２は、第２の領域２００及び第３の領域３００にパターンを形成するもので、第２の領域（第８列，第９列）に対応する部分には、基本単位パターン１０に対応するパターン形成領域１０−１が設けられている。パターン形成領域１０−１には、図２のレチクルＲＴａ２のパターン形成領域１０−１と同様なパターンが設けられている。
また、第３の領域（第３列〜第７列）に対応する部分には、３種類のパターン形成領域２２−１，２２ａ−１，２２ｂ−１、及び、露光を行わないパターン非形成領域である３種類の遮光領域２０−１，２０ａ−１，２０ｂ−１が設けられているが、これも図２のレチクルＲＴａ２と同様なパターンが設けられている。
【００４０】
また、レチクルＲＴａ２及びレチクルＲＴｂ２のそれぞれに形成される遮光領域２０−１，２０ａ−１，２０ｂ−１、および、パターン形成領域２２−１，２２ａ−１，２２ｂ−１は、相補的な位置に配置されており、図２及び図３の例では、各レチクル内では千鳥状に配置されている。
【００４１】
上記実施の形態では、基本単位パターンを分割して組み合わせているので、他方のレチクルの遮光パターンによる回折光の影響を受けやすいパターン、例えば、ドレインバスラインのパターンのように細長く、本来、基本単位パターン内ではエッジ近傍に配置されるようなパターンを、パターン形成領域の中央近傍に配置することが可能である。よって、図１５での間隔Ｌを大きくとることができ、遮光パターンのエッジから回折してくる光の影響を受けずに済む。よって、形状が良好な所望のパターンを得ることができる。
【００４２】
さらに、上記実施の形態では、本来、一体の連続パターンであるものを分割しているので、分割されたそれぞれのパターンは遮光領域の遮光パターンと接続された遮光パターンとなる。レチクルの位置合わせ精度や遮光パターンの形状についてのマージンに余裕ができる。
【００４３】
次に、図２及び図３のレチクルＲＴａ２，ＲＴｂ２が使用される、ＴＦＴマトリクス基板の製造方法について説明する。
【００４４】
図８は、図７のＴＦＴマトリクス基板５０の基本画素単位４０を示す図であり、図９は図８におけるＡ−Ａ線での断面図である。
【００４５】
画素４０は、ゲートバスライン３２とドレインバスライン３４が基板３０上に絶縁膜を介して直交して設けられ、その交点付近にＴＦＴ３６が形成される。ＴＦＴ３６のドレイン電極３６Ｄは、ドレインバスライン３４から延びゲート電極を兼ねるゲートバスライン３２上に、ゲート絶縁膜や半導体膜等を介して配置される。さらにソース電極３６Ｓがドレイン電極３６Ｄに対向するように離間して配置される。ソース電極３６Ｓはコンタクトホール４４を介して画素電極３８と接続される。画素領域の中心部近傍には、ゲートバスラインと同層に設けられた蓄積容量バスライン４１が配置される。蓄積容量バスライン４１上に、ゲート絶縁膜や動作半導体膜等を介して対抗電極４２が設けられる。また、ここで蓄積容量が形成される。対抗電極４２はコンタクトホールを介して画素電極３８と接続される。
【００４６】
次に、図９の断面図も参照しながら、製造工程を説明する。
【００４７】
まず、ガラス基板３０上にクロム等の金属層を堆積し、第１のフォト工程によりパターニングして、ゲートバスライン３２及び蓄積容量バスライン４１を形成する。
【００４８】
次に、窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜５２、アモルファスシリコン層、窒化シリコン膜を連続的に堆積し、第２のフォト工程により、上層の窒化シリコン膜をゲートバスライン３２上に残し、チャネルストッパ５６を形成する。
【００４９】
次に、ｎ+ 型アモルファスシリコン層、クロム等の金属膜を堆積し、第３のフォト工程で、金属膜、ｎ+ 型アモルファスシリコン層及びアモルファスシリコン層までをパターニングして、動作半導体層５４Ｔ、ｎ+ 型アモルファスシリコン層５８Ｄ及び金属層６０Ｄからなるドレイン電極、ｎ+ 型アモルファスシリコン層５８Ｓ及び金属層６０Ｓからなるソース電極３６Ｓ、ｎ+ 型アモルファスシリコン層５８Ｃ及び金属層６０Ｃからなる蓄積容量の対向電極４２が形成される。
また、図９には図示されないドレインバスラインも同時に形成される。
【００５０】
図２及び図３のレチクルＲＴａ２，ＲＴｂ２は、この第３のフォト工程で使用される。具体的には、上記工程で金属膜を堆積した後、全面にレジストが塗布される。その後、まずレチクルＲＴａ２を使用し、ＴＦＴマトリクスの第１の領域１００及び第３の領域を露光する。次いで、レチクルＲＴｂ２を使用し、第２の領域及び第３の領域を露光する。そしてレジストを現像し、エッチングによりパターニングを行う。
【００５１】
次いで、窒化シリコン膜からなる保護膜６２を形成し、第４のフォト工程により、コンタクトホール４４，４６を形成する。
【００５２】
次いで、ＩＴＯからなる透明導電膜を堆積し、第５のフォト工程により、ＩＴＯを画素電極３８の形状にパターニングする。
【００５３】
そして、配向膜６４を全面に形成して、ＴＦＴマトリクス基板が完成する。さらに、ＩＴＯからなる共通電極、さらに必要に応じてカラーフィルタが形成された対向基板（ＣＦ基板）を貼りあわせ、液晶を注入すれば液晶パネルとなる。
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明によれば、複数の露光マスクによりパターンを繋ぎ合わせる境界部において、遮光パターンエッジ部の回折光による影響を受けやすい所望のパターンを、影響を受けにくい位置に移動させているのと同じであるため、回折光によるパターンの細りなどを回避することが可能となり、よって、良好なパターン形成を実現できると言う効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態のレチクルを示す図である。（その１）
【図３】本発明の一実施形態のレチクルを示す図である。（その２）。
【図４】ＴＦＴマトリクス基板を示す図である。
【図５】画素領域を示す図である。
【図６】図５でのＡ−Ａ線断面図示す図である。
【図７】従来例を示す図である。
【図８】従来例のレチクルを示す図である。（その１）
【図９】従来例のレチクルを示す図である。（その２）
【図１０】従来の問題点を説明する図。（その１）
【図１１】従来の問題点を説明する図。（その２）
【図１２】従来の問題点を説明する図。（その３）
【符号の説明】
ＲＴａ１，ＲＴａ２，ＲＴａ３，ＲＴａ４  レチクル
ＲＴｂ１，ＲＴｂ２，ＲＴｂ３，ＲＴｂ４  レチクル
１０，４０  基本単位パターン
２０，２０ａ，２０ｂ  遮光領域
２２，２２ａ，２２ｂ  パターン形成領域
【図１】
0004619508.tif 000002
【図２】
0004619508.tif 000003
【図３】
0004619508.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004619508.tif 000006
【図６】
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【図７】
0004619508.tif 000008
【図８】
0004619508.tif 000009
【図９】
0004619508.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0004619508.tif 000012
【図１２】
0004619508.tif 000013