(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波半導体素子と、該高周波半導体素子が搭載される誘電体基板と、回路基板とを少なくとも備え、前記誘電体基板を回路基板に実装して成る高周波半導体装置であって、
高周波半導体素子から、誘電体基板を経て回路基板にいたる伝熱経路が形成され、
誘電体基板の前記回路基板に臨む一表面部には、平面アンテナが設けられ、
前記回路基板には、前記平面アンテナを開放するように貫通孔が形成され、
前記伝熱経路は、誘電体基板の前記一表面部に設けられ、前記貫通孔を囲繞するように配設されるグランド層を含むことを特徴とする高周波半導体装置。
【請求項２】
前記伝熱経路は、誘電体基板および回路基板にそれぞれ設けられるグランド層を含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波半導体装置。
【請求項３】
前記伝熱経路は、誘電体基板に設けられるグランド層と、回路基板に設けられるグランド層との間に設けられる導電性材料から成る層を含むことを特徴とする請求項２に記載の高周波半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の高周波半導体装置を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項５】
請求項１記載の高周波半導体装置を備えることを特徴とする受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波半導体装置、送信装置および受信装置に係り、たとえばアンテナ機能を有するマイクロ波通信用のアンテナ一体化無線通信装置などに適用される技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理装置の処理速度の向上および、画像処理装置の高解像度化などに伴い、たとえばマイクロ波のような高周波による高速、大容量のパーソナル通信が注目されている。特にミリ波帯では、アンテナと高周波回路との接続部での電力の損失が大きくなるため、アンテナと高周波回路とを一体化したアンテナ一体化無線通信装置の開発が試みられている（たとえば特開平８−２５０９１３号公報（第５頁、第１０図）参照）。
【０００３】
図９は、従来の高周波半導体装置の断面図である。アンテナ一体化無線通信装置は、誘電体層１，２と、これら誘電体層１，２間に挟まれたグランド層３とを有するベース４を備えている。前記グランド層３には、スロット部４ａが設けられている。パッケージ５のうち外方に臨む一表面部には、平面アンテナ６が形成される。誘電体層１のパッケージの内部空間に臨む一表面部には、給電用マイクロストリップ線路７が形成されている。この給電用マイクロストリップ線路７と、モノリシックマイクロ波集積回路８（略称ＭＭＩＣ：Monolithic Microwave Integrated Circuit）の出力端子９および入力端子１０との間を、ボンディングワイヤ１１で電気的に接続している。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−２５０９１３号公報（第５頁、第１０図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のマイクロストリップに代表される高周波伝送線路は、特性インピーダンスを５０Ωとするため、数百μｍ程度の幅しかない。前述のアンテナ一体化無線通信装置では、ＭＭＩＣに接続された狭幅の給電用マイクロストリップ線路７で、ＭＭＩＣの発する熱を放熱させなければならない。それ故、ＭＭＩＣなどの高周波半導体素子の発する熱を十分に放熱することができず、蓋体１２で閉ざされた空間に熱がこもってしまう。その結果、高周波半導体素子は、高周波半導体素子自体の発する熱によって高温化動作となり、誤作動または特性劣化を生じる。
【０００６】
本発明の目的は、高周波半導体素子の特性劣化を防止し、該高周波半導体素子を安定して動作させることができる高周波半導体装置、送信装置および受信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、高周波半導体素子と、該高周波半導体素子が搭載される誘電体基板と、回路基板とを少なくとも備え、前記誘電体基板を回路基板に実装して成る高周波半導体装置であって、
高周波半導体素子から、誘電体基板を経て回路基板にいたる伝熱経路が形成され、
誘電体基板の前記回路基板に臨む一表面部には、平面アンテナが設けられ、
前記回路基板には、前記平面アンテナを開放するように貫通孔が形成され、
前記伝熱経路は、誘電体基板の前記一表面部に設けられ、前記貫通孔を囲繞するように配設されるグランド層を含むことを特徴とする高周波半導体装置である。
【０００８】
本発明に従えば、高周波半導体装置は、高周波半導体素子と該誘電体基板と回路基板とを少なくとも備え、前記誘電体基板を回路基板に実装して成る。前記誘電体基板には、高周波半導体素子が搭載されている。また誘電体基板の前記回路基板に臨む一表面部には、平面アンテナが設けられている。前記回路基板には、前記平面アンテナを開放するように貫通孔が形成されている。高周波半導体素子から、誘電体基板を経て回路基板にいたる伝熱経路が形成されている。したがって高周波半導体素子から発生した熱は、伝熱経路によって伝導される。つまり熱は、高周波半導体素子から順次、誘電体基板、回路基板に伝導される。また前記伝熱経路は、誘電体基板の前記一表面部に設けられ、前記貫通孔を囲繞するように配設されるグランド層を含む。
【０００９】
また本発明は、前記伝熱経路は、誘電体基板および回路基板にそれぞれ設けられるグランド層を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明に従えば、高周波半導体素子から発生した熱は、誘電体基板および回路基板にそれぞれ設けられるグランド層によって伝導される。これによって、高周波半導体素子周辺部に熱が滞留することを防止することが可能となる。
【００１１】
また本発明は、前記伝熱経路は、誘電体基板に設けられるグランド層と、回路基板に設けられるグランド層との間に設けられる導電性材料から成る層を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、高周波半導体素子から発生した熱は、誘電体基板に設けられるグランド層、導電性材料から成る層および回路基板に設けられるグランド層によって伝導される。これによって、高周波半導体素子周辺部に熱が滞留することを防止することが可能となる。
【００１８】
また本発明は、前記高周波半導体装置を備えることを特徴とする送信装置である。
また本発明は、前記高周波半導体装置を備えることを特徴とする受信装置である。
本発明に従えば、受信装置は、放熱効果の高い高周波半導体装置を備えているので、放熱対策としての放熱部品を省略し得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高周波半導体装置には、高周波半導体素子から、誘電体基板を経て回路基板にいたる伝熱経路が形成されているので、デバイスから発生した熱は、伝熱経路によって伝導される。つまり熱は、高周波半導体素子から順次、誘電体基板、回路基板に伝導される。したがって発生した熱が、高周波半導体素子周辺部に滞留することを防止することができる。換言すれば、高周波半導体素子から発生した熱が、誘電体基板外へ抜けていく。それ故、熱による高周波半導体素子の特性劣化を防止し、該高周波半導体素子を安定して動作させることができる。
また誘電体基板の回路基板に臨む一表面部には、平面アンテナが設けられ、回路基板には、平面アンテナを開放するように貫通孔が形成されており、伝熱経路は、誘電体基板の該一表面部に設けられ、かつ貫通孔を囲繞するように配設されるグランド層を含んでいる。したがって、効率よく熱伝導が行われるとともに、誘電体基板と回路基板との接続において、誘電体基板と回路基板とが広い面積で接続されることによって、強い機械的強度が得られる。
【００２０】
本発明によれば、デバイスから発生した熱は、誘電体基板および回路基板にそれぞれ設けられるグランド層によって伝導される。これによって、高周波半導体素子周辺部に熱が滞留することを防止することが可能となる。
【００２１】
本発明によれば、高周波半導体素子から発生した熱は、誘電体基板に設けられるグランド層、導電性材料から成る層および回路基板に設けられるグランド層によって伝導される。これによって、高周波半導体素子周辺部に熱が滞留することを防止することが可能となる。
【００２６】
本発明によれば、送信装置は、放熱効果の高い高周波半導体装置を備えているので、放熱対策としての、ヒートシンク、ヒートパイプ、放熱シートといった放熱部品を省略し得る。それ故、システム設計の自由度を下げることなく機器の小形化を図ることができる。これによって送信装置の汎用性を高くすることができる。
【００２７】
また本発明によれば、受信装置は、放熱効果の高い高周波半導体装置を備えているので、放熱対策としてヒートシンク、ヒートパイプ、放熱シートといった放熱部品を省略し得る。それ故、システム設計の自由度を下げることなく機器の小形化を図ることができる。これによって受信装置の汎用性を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波半導体装置２０を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。第１の実施形態に係る高周波半導体装置２０（第１半導体装置２０という）は、たとえばマイクロ波通信用のアンテナ一体化無線通信装置に適用される。この第１半導体装置２０は、高周波半導体素子２１と、該高周波半導体素子２１が搭載された誘電体基板２２と、回路基板２３とを有する。誘電体基板２２は、第１，第２，第３の誘電体層２２ａ，２２ｂ，２２ｃを備える。前記誘電体基板２２の一表面部には、高周波半導体素子２１がフリップチップボンディング実装により搭載されている。
【００２９】
誘電体基板２２の前記一表面部には、信号伝送用マイクロストリップ線路２４が設けられている。高周波半導体素子２１に付設される信号端子２５は、この信号伝送用マイクロストリップ線路２４に接続されている。高周波半導体素子２１に付設されるグランド端子２６は、接地用ビアホール２７を介して第１のグランド層２８に接続されている。この第１のグランド層２８は、第１および第２の誘電体層２２ａ，２２ｂ間に形成されている。換言すれば第１のグランド層２８は、誘電体基板２２内に設けられている。誘電体基板２２の一表面部は、蓋体２９によって覆われ封止されている。
【００３０】
前記第２および第３の誘電体層２２ｂ，２２ｃを貫通するように、第１のビアホール３０が形成され、第１のグランド層２８は、この第１のビアホール３０を介して第１の補助グランド層３１に接続されている。第１の補助グランド層３１は、誘電体基板２２の裏面部に形成されている。
【００３１】
誘電体基板２２の外部には、回路基板２３が設けられている。つまり誘電体基板２２に臨む回路基板２３の一表面部には、第２のグランド層３２が形成されている。前記第２のグランド層３２は、第２のビアホール３３を介して、回路基板２３の裏面部に形成された第３のグランド層３４に接続されている。つまり回路基板２３には、第２および第３のグランド層３２，３４を接続するための第２のビアホール３３が、回路基板２３の厚み方向に貫通するように形成されている。誘電体基板２２の裏面部を回路基板２３の一表面部に対向させて、第１の補助グランド層３１と第２のグランド層３２とを、導電性の接着材たとえば「はんだ」から成る接着材層３５によって接続させることによって、回路基板２３に誘電体基板２２を電気的かつ物理的に接続させている。前記接地用ビアホール２７、第１のグランド層２８、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、導電性の接着材から成る接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３および第３のグランド層３４が、伝熱経路に相当する。
【００３２】
図２Ａは、回路基板２３に臨む誘電体基板２２の一表面部を示す平面図であり、図２Ｂは、誘電体基板２２に臨む回路基板２３の一表面部の実装部周辺を示す平面図である。図１も参照しつつ説明する。回路基板２３に臨む誘電体基板２２の一表面部つまり裏面部には、平面アンテナ３６が設けられている。この平面アンテナ３６は、複数の導体パッチ３６ａ（図１では４つのみ示す）をアレイ状に並ベて形成される。第２および第３の誘電体層２２ｂ，２２ｃ間には、アンテナ給電用マイクロストリップ線路３７（給電線路３７と称す）が形成され、前記第１のグランド層２８には、給電のためのスロット孔３８が形成されている。また、第１のグランド層２８が給電線路３７のグランド層かつ平面アンテナ３６の導体パッチ３６ａのグランド層となっている。さらに高周波半導体素子２１とのグランド導体も第１のグランド層２８であり、共通のグランド導体層で構成されている。そのため該高周波半導体素子２１と平面アンテナ３６のグランド導体が同一層で一致しているため、高周波特性に優れ、安定した動作特性を実現することができる。
【００３３】
前記回路基板２３には、略矩形状の貫通孔３９が形成され、誘電体基板２２の裏面部に設けられた平面アンテナ３６を前記貫通孔３９によって開放するようになっている。前記略矩形状は、矩形状を含む。つまり回路基板２３のうち、平面アンテナ３６全体を覆う領域よりもやや大きい矩形領域に臨む部分に、貫通孔３９が形成されている。平面アンテナ３６は、この貫通孔３９を介して電波のやり取りをするように構成されている。
【００３４】
誘電体基板２２の裏面部には、第１の補助グランド層３１が複数の導体パッチ３６ａを含む平面アンテナ３６を囲繞するように配設されている。つまり第１の補助グランド層３１は、平面アンテナ３６全体を覆う領域３６Ａを囲繞するような矩形枠状領域に形成されている。誘電体基板２２の裏面部の一側縁部側には、複数の第１端子４０が一定間隔おきに形成されている。これら第１端子４０は、信号および高周波半導体素子２１へのバイアスを印加するためのものである。誘電体基板２２に臨む回路基板２３の一表面部には、複数の第２端子４１が一定間隔おきに形成されている。これら第２端子４１は、第２のグランド層３２の一側縁部からやや離隔して形成されている。第１および第２端子４０，４１は、導電性の接着材から成る接着材層３５を介して接続されている。
【００３５】
以上説明した第１半導体装置２０によれば、高周波半導体素子２１から発生した熱は、接地用ビアホール２７を介して、順次、第１のグランド層２８、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３および第３のグランド層３４へと伝導する。そのため、高周波半導体素子２１から発生した熱は、蓋体２９で覆われる空間４２に滞留することはない。したがって高周波半導体素子２１は、この高周波半導体素子２１付近に熱が滞留する（こもる）ことに起因する特性劣化を未然に防止することができる。それ故、高周波半導体素子２１を安定して動作させることができる。また蓋体２９で覆われる空間４２に熱が滞留するのを防止することができるので、蓋体２９で覆われるべき空間４２を従来技術のものよりも狭くすることが可能となる。したがって蓋体２９の小形化ひいては第１半導体装置２０の小形化を図ることができる。
【００３６】
また第１半導体装置２０によれば、誘電体基板２２の裏面部に設けられるべき第１の補助グランド層３１は、平面アンテナ３６全体を覆う領域３６Ａを囲繞するような矩形枠状領域に配設されているので、次のような効果を奏する。平面アンテナ３６のサイズおよび特性に影響を与えることなく、平面アンテナ３６周辺における広範囲の矩形枠状領域にわたり、接着材層３５および回路基板２３との接続面が形成されることになる。したがって効率よく熱伝導が行われるとともに、誘電体基板２２と回路基板２３との接続において、強い機械的強度が得られる。誘電体基板２２および回路基板２３のグランド同士が広い面積で接続されることによって、誘電体基板２２の第１のグランド層２８は高周波的にも良好なグランド（低グランドインダクタンスで第２および第３のグランド層に接続される。）となる。したがって高周波半導体素子２１を安定に動作させることができる。
【００３７】
図３は、第１の実施形態を部分的に変更した変更形態に係る回路基板２３Ａの実装部周辺を示す平面図である。第１の実施形態に係る高周波半導体装置２０によれば、回路基板２３には、平面アンテナ３６を開放するための略矩形状の貫通孔３９が形成されているが、この貫通孔３９は略矩形状に必ずしも限定されるものではない。たとえば変更形態に係る回路基板２３Ａでは、第２端子４１が設けられる回路基板２３Ａの一側縁部以外の回路基板２３Ａの他側縁部自体を除去し、元の略矩形状の貫通孔を凹状の貫通孔３９Ａに形成している。このように回路基板２３の一部を除去する（切欠く）ことも可能である。この場合には、電磁波の放射または入射効率をやや高めることができる。本第１の実施形態においては、平面アンテナ３６を導体パッチ３６ａいわゆるパッチアンテナによって実現しているが、パッチアンテナに必ずしも限定されるものではない。たとえばスロットアンテナを適用することも可能である。また複数の導体パッチ３６ａを単数の導体パッチ３６ａにする場合もある。また単数の導体パッチ３６ａまたは複数の導体パッチ３６ａを一次放射源として、二次放射源にレンズアンテナを構成することも可能である。
【００３８】
前記第１半導体装置２０を備える送信装置によれば、高周波半導体素子２１から出力された高周波信号は、信号伝送用マイクロストリップ線路２４を通り、スロット孔３８を介してアンテナ給電用マイクロストリップ線路３７に伝送され、このアンテナ給電用マイクロストリップ線路３７の先端部に伝送される。前記アンテナ給電用マイクロストリップ線路３７の先端部は、第３の誘電体層２２ｃを介して導体パッチ３６ａに電磁的に結合するため、前記先端部に伝送された高周波信号は、導体パッチ３６ａへとそれぞれ伝送される。各導体パッチ３６ａの一表面部では、高周波信号が共振し、大きな電流が流れて、電磁波が空間に放射される。前記送信装置によれば、送信装置は、放熱効果の高い第１半導体装置２０を備えているので、放熱対策としての、ヒートシンク、ヒートパイプ、放熱シートといった放熱部品を省略し得る。それ故、システム設計の自由度を下げることなく機器の小形化を図ることができる。これによって送信装置の汎用性を高くすることができる。以上、導体パッチ３６ａから放射する送信装置の機能を説明したが、アンテナ部は、空間からの入力波を受信する場合も可逆作用により同じ指向性および効率を有するため、高周波半導体素子２１の構成を変えることにより、受信装置を構成することも可能である。
【００３９】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ａを、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。ただし第１の実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第２の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ａ（第２半導体装置２０Ａという）は、誘電体基板２２Ａと回路基板２３とを有する。前記誘電体基板２２Ａのうち第１の誘電体層２２ｄにキャビティ４３が形成され、該第１の誘電体層２２ｄのキャビティ４３を利用して、第２の誘電体層２２ｂに高周波半導体素子２１が搭載されている。この高周波半導体素子２１は、そのグランド端子４４がダイボンディングにより第１のグランド層２８に直接接続されている。高周波半導体素子２１の信号端子４５は、ワイヤ４６によって信号伝送用マイクロストリップ線路２４に接続されている。第２の実施形態においては、第１のグランド層２８、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３および第３のグランド層３４が、伝熱経路に相当する。
【００４０】
以上説明した第２半導体装置２０Ａによれば、高周波半導体素子２１から発生した熱は、第１のグランド層２８に臨む高周波半導体素子２１の裏面つまりグランド面から、第１のグランド層２８を介し、順次、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３、第３のグランド層３４へと伝導する。そのため高周波半導体素子２１から発生した熱は、蓋体２９で覆われる空間４２に滞留ことはない。したがって高周波半導体素子２１は、この高周波半導体素子付近に熱が滞留する（こもる）ことに起因する特性劣化を未然に防止することができる。それ故、高周波半導体素子２１を安定して動作させることができる。しかも第１の誘電体層２２ｄのキャビティ４３を利用して、第２の誘電体層２２ｂに高周波半導体素子２１が搭載されるので、第１半導体装置２０よりも第２半導体装置２０Ａを基板厚み方向に小形化することが可能となる。加えて、高周波半導体素子２１は、該高周波半導体素子２１の裏面と第１のグランド層２８とが直接面して接続されるので、第１の実施形態と比較して放熱効果はさらに向上する。加えて、上記のように放熱の効果のみならず、電気的特性も優れる。つまり本実施形態でも、第１のグランド層２８が給電線路３７と平面アンテナ３６の導体パッチ３６ａのグランド導体層となっており、該高周波半導体素子２１のグランド導体層も第１のグランド層であるため、高周波特性に優れ、安定した動作特性を実現することができる。本実施形態では、高周波半導体素子２１の裏面が、第１のグランド層と直接面して接続されるので、第１の実施形態と比較して、より優れた高周波特性と安定した動作特性とを有している。その他第１半導体装置２０と同様の効果を奏する。
【００４１】
図５は本発明の第３の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ｂを、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。ただし第１または第２実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第３の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ｂ（第３半導体装置２０Ｂという）は、誘電体基板２２と回路基板２３とを有する。誘電体基板２２の一表面部には、高周波半導体素子２１がフリップチップボンディング実装により搭載されている。誘電体基板２２の一表面部のうち、少なくとも高周波半導体素子２１および信号伝送用マイクロストリップ線路２４を覆う一部分は、蓋体２９によって覆われ封止されている。前記一部分は、誘電体基板２２の一表面部のうち矩形枠状の外縁部を除く中央付近に配設されている。
【００４２】
誘電体基板２２のうち、第３の誘電体層２２ｃの外方に臨む裏面部には、平面アンテナ３６が設けられている。この平面アンテナ３６は、複数の導体パッチ３６ａをアレイ状に並べて形成される。誘電体基板２２の一表面部のうち外縁部には、第２の補助グランド層４７が、該第２の補助グランド層４７を基板厚み方向に見て略矩形枠状に形成されている。前記略矩形枠状は、矩形枠状を含む。第１のグランド層２８は、第３のビアホール４８を介して誘電体基板２２の一表面部に形成される前記第２の補助グランド層４７に接続されている。前記第３のビアホール４８は、第１の誘電体層２２ａを貫通するように形成されたビアホールであって、第１の誘電体層２２ａの外縁部側に形成され、該高周波半導体素子２１の接地用ビアホール２７とは周波数的に異なる機能を有する。
【００４３】
高周波半導体素子２１が搭載されるべき誘電体基板２２の一表面部を、回路基板２３の一表面部に対向させて、第２の補助グランド層４７と第２のグランド層３２とは、接着材層３５によって接続されている。回路基板２３には、蓋体２９との干渉を防ぐ貫通状の凹所２３ａが形成されている。該凹所２３ａは、蓋体２９の外壁部２９ａから離隔して形成されている。換言すれば、回路基板２３には、蓋体２９の外壁部２９ａより大きい凹所２３ａが形成されている。前記接着材層３５は、導電性の接着材たとえば「はんだ」から成る。このように回路基板２３に誘電体基板２２を電気的かつ物理的に接続させている。
【００４４】
以上説明した第３半導体装置２０Ｂによれば、高周波半導体素子２１から発生した熱は、接地用ビアホール２７を介して、順次、第１のグランド層２８、第３のビアホール４８、第２の補助グランド層４７、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３、第３のグランド層３４へと伝導する。そのため、高周波半導体素子２１から発生した熱は、蓋体２９で覆われる空間に滞留することはない。したがって高周波半導体素子２１は、この高周波半導体素子付近に熱が滞留する（こもる）ことに起因する特性劣化を未然に防止することができる。それ故、高周波半導体素子２１を安定して動作させることができる。
【００４５】
また第３半導体装置２０Ｂによれば、回路基板２３に、蓋体２９との干渉を防ぐ凹所２３ａが形成されたうえで、誘電体基板２２の一表面部のうち外縁部を、回路基板２３の一表面部に対向状に接続しているので、第１半導体装置２０よりもこの第３半導体装置２０Ｂを基板厚み方向に小さくすることができる。したがって第３半導体装置２０Ｂの小形化を図ることができる。回路基板２３に形成される凹所２３ａおよび接着材層３５は、蓋体２９の外壁部２９ａから離隔して形成されているので、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３および第３のグランド層３４から、蓋体２９および高周波半導体素子２１に熱伝導されることを、確実に防止することができる。また第３半導体装置２０Ｂによれば、第２および第３の誘電体層２２ｂ，２２ｃにビアホールを形成する必要がなくなるので、その分第１半導体装置２０よりも製作コストの低減を図ることができる。
【００４６】
図６は、第３の実施形態を部分的に変更した変更形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。第３の実施形態では、回路基板２３に貫通状の凹所２３ａが形成されているが、必ずしもこの形態に限定されるものではない。たとえば図６に示すように、回路基板２３Ｂに非貫通状の凹所２３ｂを形成することも可能である。この場合には、誘電体基板２２の一表面部を覆う蓋体２９を省略することができる。これによって部品点数を削減し、高周波半導体装置の製作コストの低減を図ることができる。また回路基板２３Ｂの凹所自体を省略することも可能である。
【００４７】
図７は、本発明の第４の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ｃを、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。ただし第１〜第３のいずれかの実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第４の実施形態に係る高周波半導体装置２０Ｃ（第４半導体装置２０Ｃという）は、高周波半導体素子２１が搭載された誘電体基板２２と、回路基板２３と、外部筐体４９とを有する。外部筐体４９は、高熱伝導率であるアルミニウム合金またはマグネシウム合金などの金属材料から成る。前記外部筐体４９に、誘電体基板２２および回路基板２３が収められた構造になっている。すなわち回路基板２３の第３のグランド層３４が外部筐体４９の内壁面部４９ａに接続された状態となっている。ただし、外部筐体４９には、誘電体基板２２の一表面部の面積よりもやや小さい孔部４９ｂが形成されている。平面アンテナ３６は、貫通孔３９および孔部４９ｂを介して電波のやり取りをするように構成されている。この孔部４９ｂを利用して誘電体基板２２および回路基板２３を、外部筐体４９に収容し得る構成になっている。
【００４８】
以上説明した第４半導体装置２０Ｃによれば、高周波半導体素子２１から発生した熱は、接地用ビアホール２７を介して、順次、第１のグランド層２８、第１のビアホール３０、第１の補助グランド層３１、接着材層３５、第２のグランド層３２、第２のビアホール３３、第３のグランド層３４へと伝導する。さらに熱は第３のグランド層３４から外部筐体４９へと伝導する。この外部筐体４９は、少なくとも誘電体基板２２および回路基板２３を収容可能な構成になっているので、空気と接する表面積も大きく、放熱効果も高い。そのため、高周波半導体素子２１から発生した熱は、蓋体２９で覆われる空間に滞留することはない。したがって高周波半導体素子２１は、熱による特性劣化を未然に防止することができる。それ故、高周波半導体素子２１を安定して動作させることができる。外部筐体４９の材料としては、前述の金属材料が好ましいが、その他の金属材料、ＡＢＳまたはアクリルなどの樹脂材料およびその他の樹脂材料の少なくともいずれか１つでもよい。
【００４９】
図８は、本発明の実施形態に係る送信装置５０および受信装置５１の構成を概略示す図である。送信装置５０は、変調信号源５２、偶高調波ミキサ５３、帯域通過フィルタ５４、パワーアンプ５５、平面アンテナ５６、逓倍器５７および基準信号源５８を有する。変調信号源５２は、映像およびデータを出力するものであり、たとえば放送衛星、通信衛星の中間周波数信号を出力する機能を有する。受信装置５１は、チューナ５９、偶高調波ミキサ６０、帯域通過フィルタ６１、ローノイズアンプ６２、平面アンテナ６３、逓倍器６４および基準信号源６５を有する。
【００５０】
前記送信装置５０のうち逓倍器５７、偶高調波ミキサ５３、帯域通過フィルタ５４、パワーアンプ５５および平面アンテナ５６が第１のミリ波パッケージ６６内に収容されている。これとともに受信装置５１のうちの逓倍器６４、偶高調波ミキサ６０、帯域通過フィルタ６１、ローノイズアンプ６２および平面アンテナ６３が第２のミリ波パッケージ６７内に収容されている。第１および第２のミリ波パッケージ６６，６７が、高周波半導体装置に相当する。
【００５１】
前記送信装置５０において、変調信号源５２で生成される中間周波信号は、０．５ＧＨｚ以上２ＧＨｚ以下を占めており、偶高調波ミキサ５３の中間周波信号用端子に入力される。基準信号源５８で発生する周波数３．７５ＧＨｚの正弦波信号は、８逓倍器５７によって周波数が８倍された３０ＧＨｚの正弦波の局発信号となり、偶高調波ミキサ５３の局発信号用端子に入力される。そして中間周波信号と局発信号とは偶高調波ミキサ５３内で混合される。この偶高調波ミキサ５３から発生する信号のうち、周波数６０．５ＧＨｚ以上６２ＧＨｚ以下の高周波信号のみが帯域通過フィルタ５４を通過し、パワーアンプ５５に入力されて増幅され、平面アンテナ５６から高周波電波として放射される。
【００５２】
前記送信装置５０の平面アンテナ５６から放射された高周波電波は、受信装置５１の平面アンテナ６３で受信されて高周波信号となり、ローノイズアンプ６２で増幅される。この増幅された高周波信号は、帯域通過フィルタ６１を通過して、偶高調波ミキサ６０の高周波信号用端子に入力される。この受信装置５１においては、前記送信装置５０と同様に、基準信号源６５と８逓倍器６４とによって生成された周波数３０ＧＨｚの正弦波の信号は、偶高調波ミキサ６０の局発信号端子に入力される。そして入力された高周波信号は、偶高調波ミキサ６０の内部で局発信号と混合され、周波数０．５ＧＨｚ以上２ＧＨｚ以下の中間周波信号に再び変換される。前記偶高調波ミキサ６０で変換された中間周波信号は、チューナ５９に入力されて、該チューナ５９により所望の情報に変換される。
【００５３】
送信装置５０の平面アンテナ５６と受信装置５１の平面アンテナ６３とを、共用することも可能である。送信装置５０の８逓倍器５７と受信装置５１の８逓倍器６４とを、共用することも可能である。すなわちアンテナ一体化無線通信装置である高周波半導体装置以外の部分は、送信装置５０および受信装置５１で共用することも可能である。
【００５４】
以上説明した送信装置５０および受信装置５１では、高周波半導体素子から、誘電体基板を経て回路基板にいたる伝熱経路が形成される高周波半導体装置を備えているので、次のような効果を奏する。送信装置５０および受信装置５１は、高い放熱効果を有し、放熱対策としてのヒートシンク、ヒートパイプ、放熱シートといった放熱部品を使用する必要がない。そのため、システム設計の自由度を下げることなく機器の小形化を図ることが可能となる。
【００５５】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。
【図２Ａ】回路基板に臨む誘電体基板の一表面部を示す平面図である。
【図２Ｂ】誘電体基板に臨む回路基板の一表面部の実装部周辺を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態を部分的に変更した変更形態に係る回路基板の実装部周辺を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。
【図６】第３の実施形態を部分的に変更した変更形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る高周波半導体装置を、基板の厚み方向に延びる仮想平面で切断して見た断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る送信装置および受信装置の構成を概略示す図である。
【図９】従来の高周波半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
２０  第１半導体装置
２１  高周波半導体素子
２２  誘電体基板
２３  回路基板
２７  接地用ビアホール
２８  第１のグランド層
３０  第１のビアホール
３１  第１の補助グランド層
３２  第２のグランド層
３３  第２のビアホール
３４  第３のグランド層
３５  接着材層
３６  平面アンテナ
４９  外部筐体
５０  送信装置
５１  受信装置
６６  第１のミリ波パッケージ
６７  第２のミリ波パッケージ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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