(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に導電性薄膜を形成する工程と、該絶縁性基板表面に形成された前記導電性薄膜上にリン酸系ガラスを構成要素とする厚膜絶縁層をパターン形成する工程と、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜を前記厚膜絶縁層と一体にガラス化する焼成工程を有することを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁性基板上に導電性薄膜を形成する工程と前記導電性薄膜を絶縁性に変化させたい部分にリン酸系ガラス粉末を構成要素とするペーストを印刷して厚膜絶縁層をパターン形成する工程と、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜を前記厚膜絶縁層と一体にガラス化する焼成工程を有することにより絶縁性薄膜領域と導電性薄膜領域にパターン化することを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性薄膜の厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２の導電性薄膜パターン基板の製造方法。
【請求項４】
前記導電性薄膜がＩｎＳｎＯ系、ＳｎＳｂＯ系、ＺｎＡｌＯ系又はＡｌであることを特徴とする請求項２又は３の導電性薄膜パターン基板の製造方法。
【請求項５】
前記リン酸系ガラスがＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラスであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１つの導電性薄膜パターン基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面に形成された導電性薄膜と、リン酸系ガラスを構成要素とする厚膜絶縁層が前記導電性薄膜上にパターン形成され、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜領域を焼成によりガラス化して絶縁性薄膜領域とする導電性薄膜領域を有することを特徴とする導電性薄膜パターン基板。
【請求項７】
前記、導電性薄膜の厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６の導電性薄膜パターン基板。
【請求項８】
前記、導電性薄膜がＩｎＳｎＯ系、ＳｎＳｂＯ系、ＺｎＡｌＯ系又はＡｌであることを特徴とする請求項６又は７の導電性薄膜パターン基板。
【請求項９】
前記リン酸系ガラスがＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系、ＺｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラスであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１つの導電性薄膜パターン基板。
【請求項１０】
少なくとも、前記導電性薄膜パターン領域の一部にエミッタ層を設けた領域を形成したことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１つの導電性薄膜パターン基板を用いた表示素子用基板。
【請求項１１】
少なくとも、前記導電性薄膜領域の一部に蛍光体層を設けた領域を形成したことを特徴とする請求項６乃至９いずれか１つの導電性薄膜パターン基板を用いた表示素子用基板。
【請求項１２】
請求項６乃至９いずれか１つの導電性薄膜パターン基板を有することを特徴とする表示素子。
【請求項１３】
カソード基板が請求項１０の表示素子用基板及び／またはアノード基板が請求項１１の表示素子用基板からなることを特徴とする表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は厚膜印刷による、導電性薄膜（ＩＴＯ、ＳｎＳｂＯ及びＺｎＡｌＯ等の透明導電性薄膜又はＡｌ等の金属薄膜を含む）パターンを形成する方法及びに該方法を用いた導電性薄膜パターンを有する導電性薄膜パターン基板及び該導電性薄膜パターン基板を使用した表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばグラフィック表示用の蛍光表示管では、ガラス基板表面にＩｎＳｎＯ（以下ＩＴＯという）等の透明導電膜又はＡｌ等の金属薄膜を成膜して、この導電性薄膜の上にフォトレジストを積層コートする。前記積層コートしたフォトレジストを露光、現像、エッチングして導電性薄膜パターンを形成するフォトリソ工程により薄膜導電性パターンを形成する。
前記薄膜導電性パターンの間隙に厚膜印刷法等により絶縁層を形成する。更に、前記導電性薄膜の表示領域に蛍光体層を電着、厚膜印刷等により形成してアノード電極を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した方法では、フォトリソ工程でのＩＴＯ、ＳｎＳｂＯ、ＺｎＡｌＯ又はＡｌ（以下導電性薄膜という。）のパターニング工程が多く、加えて、洗浄水やエッチング廃液の排水処理等の面倒な後処理工程が必要であった。
【０００４】
粉末のエッチング材料をガラスの表面に印刷して、焼成、反応後水洗い等してエッチング材料を除去するものも公知である。また、スクリーン印刷可能で焼成により分解してＩＴＯ膜が得られる様なペースト材料も開発されているが、スパッタ膜と同等な導電性が得られるまでには至っていない。
【０００５】
また、ネサ膜としてしられているＳｎＳｂＯ系薄膜である、ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３は機械的強度、化学的強度が大きく透明導電膜、特に表示素子用透明導電膜として有望であるが、パターン形成が困難であることが問題とされている。
【０００６】
本件発明者等は、蛍光表示管の研究開発を進めている中で、蛍光表示管の外囲器を構成する際の封着剤として使用されるリン酸系のフリットガラスのペーストをＩＴＯの上に成膜して焼成すると、前記リン酸系ガラスの下に位置するＩＴＯが導電性を無くした状態になるという現象を見出した。
【０００７】
そこで、本発明は、上記現象を利用して前述の従来の問題点に鑑みてなされたものであり、従来の様な面倒な後処理が不要で環境にも優しいローコストなプロセスで実現できるパターニング方法及びその方法を用い導電性薄膜、該導電性薄膜から成る基板、表示素子用基板並びに該表示素子用基板を用いた表示素子を提供することにある。
【０００８】
前記現象について鋭意検討した結果、絶縁性基板表面に形成されたＩＴＯからなる導電性薄膜表面に積層形成されたリン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラスの軟化点は４２５℃であり、５００℃での空気雰囲気中の焼成時にはガラスの粘度が低くなってＩＴＯ膜との界面では、ＩＴＯ膜の導電性を持たせる構成要素であるＩｎＯ２及びＳｎＯ２がガラスに溶け込むことによりＩＴＯが消失する。これにより、ＩＴＯ膜の導電性を持たせる構成要素であるＩｎＯ２及びＳｎＯ２が無くなり、その結果、導電性が無くなるものと推慮される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者等は、前記現象の、リン酸系ガラスの下に位置するＩＴＯが導電性を無くした領域の顕微鏡観察においても、前記ＩＴＯ膜が軟化したガラスの中に溶け込んでいることが観察され、前記理論が証明された（図１、２、３）。
【００１０】
又、前記、リン酸系ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラスを主成分とする絶縁性ペーストをＩＴＯ上に積層形成したガラス基板を５００℃の空気雰囲気で焼成して絶縁層に変化させたガラス基板のＩＴＯの導電性領域に蛍光体層を積層して、蛍光表示管を作成したところ、前記絶縁層を設けたことにより、隣接電極の抵抗が２〜５ＭΩ以上であることがわかった。これにより、絶縁性は優れていることを知見した。
【００１１】
前記課題を解決するため、請求項１の発明は、絶縁性基板上に導電性薄膜を形成する工程と、該絶縁性基板表面に形成された前記導電性薄膜上にリン酸系ガラスを構成要素とする厚膜絶縁層をパターン形成する工程と、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜を前記厚膜絶縁層と一体にガラス化する焼成工程を有することを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法である。
【００１２】
請求項２の発明は、絶縁性基板上に導電性薄膜を形成する工程と前記導電性薄膜を絶縁性に変化させたい部分にリン酸系ガラス粉末を構成要素とするペーストを印刷して厚膜絶縁層をパターン形成する工程と、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜を前記厚膜絶縁層と一体にガラス化する焼成工程を有することにより絶縁性薄膜領域と導電性薄膜領域にパターン化することを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法である。
【００１３】
請求項３の発明は、前記導電性薄膜の厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法であり、請求項４の発明は、前記導電性薄膜がＩｎＳｎＯ系、ＳｎＳｂＯ系、ＺｎＡｌＯ系又はＡｌであることを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法である。
請求項５の発明は、前記リン酸系ガラスがＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラスであることを特徴とする導電性薄膜パターン基板の製造方法である。
【００１４】
請求項６の発明は、絶縁性基板と、該絶縁性基板の表面に形成された導電性薄膜と、リン酸系ガラスを構成要素とする厚膜絶縁層が前記導電性薄膜上にパターン形成され、前記厚膜絶縁層領域の下層の導電性薄膜領域を焼成によりガラス化して絶縁性薄膜領域とする導電性薄膜領域を有することを特徴とする導電性薄膜パターン基板である。
【００１５】
請求項７の発明は、前記導電性薄膜の厚さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする導電性薄膜パターン基板であり、請求項８の発明は、前記導電性薄膜がＩｎＳｎＯ系、ＳｎＳｂＯ系、ＺｎＡｌＯ系又はＡｌであることを特徴とする導電性薄膜パターン基板であり、請求項９の発明は、前記リン酸系ガラスがＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系、ＺｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラスであることを特徴とする導電性薄膜パターン基板である。
【００１６】
請求項１０の発明は、少なくとも、前記導電性薄膜パターン領域の一部にエミッタ層を設けた領域を形成したことを特徴とする導電性薄膜パターン基板を用いた表示素子用基板である。
【００１７】
請求項１１の発明は、少なくとも、前記導電性薄膜領域の一部に蛍光体層を設けた領域を形成したことを特徴とする導電性薄膜パターン基板を用いた表示素子用基板である。
【００１８】
請求項１２の発明は、本発明の導電性薄膜パターン基板を有することを特徴とする表示素子である。請求項１３の発明は、カソード基板が本発明の表示素子用基板及び／またはアノード基板が本発明の表示素子用基板からなることを特徴とする表示素子である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明者等は、本発明による導電性薄膜パターンの特性を図３に示すような以下のテストパターンを作成して評価した。テストパターンは以下の通りである。
▲１▼ＩＴＯをガラス基板上面にスパッタリングにより、約３００ｎｍの厚みに成膜する。
▲２▼前記ＩＴＯ薄膜の上面にリン酸系ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストを１辺５ｍｍ内辺とする正方形とし、内辺の外側に１ｍｍ線幅の枠状テストパターンを厚膜印刷法により形成する。
▲３▼前記絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板を４５０〜５００℃の大気雰囲気で焼成して前記ＩＴＯを絶縁膜化させる。
▲４▼前記テストパターンの中心点Ｏと絶縁パターンに囲まれた点ＡすなわちＩＴＯ薄膜上の２点と、前記テストパターンの中心点Ｏと枠状の絶縁パターン外側近傍の点Ｂ間すなわち、絶縁膜化したＩＴＯ薄膜を介した２点の、抵抗値を、絶縁計を用いて測定した。
▲５▼更に、ガラス基板と、ＩＴＯ薄膜と絶縁層の界面の断面部についての３００００倍の顕微鏡をもちいて観察した。
【００２０】
以下に今回の発明に関し確認した結果を説明する。
図１について、説明すると、（ａ）に示すように絶縁基板であるガラス基板１表面の全面にスパッタリングの手法で形成されたＩＴＯ薄膜２を成膜する。次に（ｂ）で示すように前記ＩＴＯ薄膜の表面にリン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペースト３をスクリーン印刷法で所定の部分に積層形成する。その後、前記前記ＩＴＯ薄膜の表面にリン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板を空気雰囲気の炉中で４３０℃〜５００℃温度で焼成すると（ｃ）に示すように絶縁ペースト３の下層のＩＴＯ膜が前記絶縁ペースト中に溶け込み一体の絶縁層３Ａを形成した。
前記、ガラス基板のＩＴＯ薄膜２と絶縁層３Ａの界面４、及び絶縁層を形成していない領域のＩＴＯ断面を３００００倍の顕微鏡で観察した。
【００２１】
前記３００００倍顕微鏡で観察した結果、前記絶縁層３が積層された領域では前記ＩＴＯ薄膜４はほぼ無くなっているが、前記絶縁層３が積層されていない領域の前記ＩＴＯ薄膜は残っていることを確認した。
上記の様に、絶縁層３の積層された領域のＩＴＯ薄膜はほぼ無くなることにより、非導電性領域４を形成し、絶縁層の積層さない領域のＩＴＯが導電性領域２Ａを形成しすることにより、導電性薄膜パターン基板が形成されることになる。
【００２２】
一方、絶縁基板表面に形成されたＩＴＯ薄膜にリン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板を前記低融点ガラスの軟化点である４２５℃より低温である４００℃で１０〜３０分間、大気雰囲気中の炉で焼成した絶縁層を形成したが、ＩＴＯ薄膜はガラス化しておらず、前記絶縁層に拡散しない状態で残っていた。
【００２３】
本発明者等は、導電性薄膜として、ＳｎＳｂＯ系、ＺｎＡｌＯ系、Ａｌ薄膜についても、それぞれ前記ＩＴＯ薄膜と同様に焼成温度、焼成時間における、導電性薄膜の抵抗値、焼成後の抵抗値、前記テストパターンの中心点Ｏと絶縁パターンに囲まれた点Ａと、前記テストパターンの中心点Ｏと絶縁パターン外側近傍の点Ｂ間の、抵抗値を、絶縁計を用いて測定した。
更に、ガラス基板と、ＩＴＯ薄膜と絶縁層の界面の断面部についての３００００倍の顕微鏡で確認した。
その結果を以下に示す。
【００２４】
ＩＴＯ薄膜を３００ｎｍに成膜した薄膜上に設けた枠状絶縁テストパターンに囲まれた中心点Ｏと絶縁テストパターン外側近傍の点Ｂ間の抵抗値は２０ＭΩ以上であり、絶縁パターンに囲まれた中心点ＯとＩＴＯ薄膜上点Ａの２点間の抵抗値は１００Ωであった。
【００２５】
ＳｎＳｂＯ系薄膜を２００ｎｍに成膜した薄膜上に設けた絶縁パターンに囲まれた中心点Ｏと絶縁テストパターン外側近傍の点Ｂ間の抵抗値は２０ＭΩ以上であり、絶縁パターンに囲まれた中心点ＯとＩＴＯ薄膜上点Ａの２点間の抵抗値は５００Ωであった。
前記リン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板の焼成条件は、５００℃、１０分間であった。
【００２６】
ＺｎＡｌＯ系薄膜を２５０ｎｍに成膜した薄膜上に設けた絶縁パターンに囲まれた中心点Ｏと枠状絶縁テストパターン外側近傍の点Ｂ間の抵抗値は２０ＭΩ以上であり、絶縁パターンに囲まれた中心点ＯとＩＴＯ薄膜上点Ａの２点間の抵抗値は３００Ωであった。
前記リン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラスを主成分とする絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板の焼成条件は、大気雰囲気中４５０℃、３０分間であった。
【００２７】
Ａｌを１００ｎｍに成膜した薄膜上に設けた絶縁パターンに囲まれた中心点Ｏと絶縁テストパターン外側近傍の点Ｂ間の抵抗値は２０ＭΩ以上であり、絶縁パターンに囲まれた中心点ＯとＩＴＯ薄膜上点Ａの２点間の抵抗値は１００Ωであった。
前記リン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストを積層形成したガラス基板の焼成条件は、大気雰囲気中５００℃、１０分間であった。
【００２８】
前記の様に、ＩＴＯ薄膜、ＳｎＳｂＯ系薄膜、ＺｎＡｌＯ系薄膜、Ａｌ薄膜上面に積層した前記リン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス主成分とする絶縁性ペーストと絶縁基板に挟持された領域の導電性を持たせる構成要素であるＩｎ、Ｓｎ、Ｓｂの酸化物ないしＡｌが、４５０℃３０分乃至５００℃１０分の大気雰囲気中の焼成により、前記リン酸系低融点ガラスであるＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系ガラス中に溶け込んでしまった絶縁性領域とＩＴＯ、ＳｎＳｂＯ、ＺｎＡｌＯ、Ａｌ薄膜からなる導電性領域に連続的に区分けされることになる。
【００２９】
以下、本件発明の具体的な構成を図１及び図２を参照しながら作成工程の手順に沿って更に詳し説明する。
図１は本発明の第１実施の形態を示す図であって、表示素子をなす蛍光表示管の作成工程の概略を示す図、図２は本発明の第２実施の形態を示す図であって、表示素子をなす電界放出表示素子の作成工程の概略を示す図である。
【００３０】
（第１実施の形態）
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス等の耐熱性及び絶縁性を有する基板１上に、例えばＩＴＯ等からなる酸化インジウムを主成分とする透明導電膜２をスパッタリング法などの手法により所定の膜厚（例えば約３００ｎｍ程度）で成膜する。
【００３１】
次に、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系の低軟化点ガラス（ＳｎＯ２：６２ｗｔ%、Ｐ２Ｏ５：３５ｗｔ%、ＺｎＯ：３ｗｔ%）の粉砕による平均粒径５μｍの粉末８０部と、エチルセルロースのブチルカルビトールアセテート溶液２０部とを混練して低軟化点ガラスペースト（絶縁ペースト）を作成する。
なお、流動性フィラーとして用いられる酸化物を入れる場合もある。その例はアルミナやＴｉＯ２等がある。
【００３２】
次に、図１（ｂ）に示すように、透明導電膜２上の導電性が不要な部分（絶縁性を持たせたい部分）、すなわち、表示パターンの発光領域及び配線部分を除く部分に対し、上記低軟化点ガラスペースト３を例えば２００メッシュＳＵＳの版を用いてスクリーン印刷によりパターン印刷する。本例において、低軟化点ガラスペースト３は、例えば下地となる透明電極の厚さが１００〜３００ｎｍに対して、２０μｍ〜２５μｍの厚さで印刷形成される。その後、５００℃、１０分の大気雰囲気中で焼成を行う。これにより、図１（ｃ）に示すように、低軟化点ガラスの絶縁層３Ａの下に位置する透明導電膜２部分が前記低軟化点ガラスと一体化して導電性を無くした絶縁層４となる。そして、基板１の上には、配線を含め、表示パターンの発光領域を形作るように、透明導電膜２からなるアノード電極２Ａが形成される。
【００３３】
また、Ｐ２Ｏ５系ガラスフリットとしては、上記ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系以外に、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系、ＺｎＯ−Ｐ２Ｏ５系等をガラス主成分として用いることができる。
【００３４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、透明導電膜２からなるアノード電極２Ａ上の表示パターンをなす領域に対し、例えばＺｎＯ：Ｚｎ等の蛍光体ペーストをスクリーン印刷して蛍光体層５を形成する。そして、基板１の外周部分に封着用のシールガラスを印刷形成した後、５００℃、１０分間の焼成を行う。これによりアノード基板６が完成する。
【００３５】
そして、完成したアノード基板６に対し、絶縁性及び透明性を有する全面板７と不図示の側面版からなる容器部、グリッド（制御電極）８、フィラメント状のカソード電極（陰極）９を位置合わせし、アノード基板６と容器部の外周部を封着して外囲器を構成する。その後、排気工程を経て外囲器内を高真空状態にすることにより蛍光表示間１０が完成する（図１（ｅ））。
【００３６】
（第２実施の形態）
まず、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、印刷法等の手法を用いて、図２（ａ）に示すように、例えばＩＴＯ等からなる酸化インジウムを主成分とする透明導電膜２を耐熱性及び絶縁性を有する基板１１の上にベタに形成する。続いて、図２（ｂ）に示すように、透明導電膜２の上に所定厚さの低軟化点ガラスペースト３を所定間隔のストライプ状に印刷形成する。
【００３７】
次に、図２（ｃ）に示すように、低軟化点ガラスペースト３の各ストライプの溝部内にエミッタ層１２を形成する。エミッタ層１２は、例えばカーボンナノチューブ、グラファイト、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンド粉末、窒化物等の粉末を主成分としている。
【００３８】
上記のようにエミッタ層１２を形成した後、５００℃、１０分間の大気雰囲気中で焼成を行う。前記大気焼成時の焼成温度及び時間は、その一例であり第１実施例の形態と同様、使用される低軟化点ガラスペースト３の成分比に応じて条件は変わるものであり、所定のパターン形状を維持するため、低軟化点ガラスペースト３が軟化して流動しない程度の温度及び時間であればよい。
【００３９】
上記焼成により、図２（ｄ）に示すように、硬化した低軟化店ガラスの絶縁層３Ａの下に位置する透明導電膜２が導電性を無くして絶縁膜４となり、隣接するライン間の絶縁が保たれたカソードストライプライン１３が形成される。
【００４０】
そして、硬化した低軟化点ガラスの絶縁層３Ａ上に、カソードストライプライン１３とマトリクスを形成するようにゲート電極（引き出し電極）１４をストライプ状に形成する。ゲート電極１４は、例えばＡｌ、Ａｇ、Ｎｂ等の金属材料のメッシュ状薄膜からなり、エミッタ層１２から放出された電子をメッシュ状の開口から通過させている。これにより、電界放出のカソード基板１５の作成が完了する。
【００４１】
そして、上記カソード基板１５とは別工程で作成されたアノード基板２１の外周部分をシールガラスで封着して外囲器を構成する。その後、排気工程を経て外囲器内を高真空状態にすることにより電界放出表示素子１６が完成する（図２（ｅ））。
【００４２】
なお、上記アノード基板２１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜がベタに形成されたアノード電極２２と、アノード電極２２上の全面にベタに形成されてカソード基板１５のエミッタ層１２から放出される電子により所定の色で発光する蛍光体層２３から構成される。
【００４３】
上記の様に形成される電界放出表示素子１６では、カソードストライプライン１３のカソード電極１３Ａ（エミッタ層１２の下に位置する透明導電膜からなる）に走査信号を与えて順次走査し、これに同期してゲート電極１５に選択信号を与える。これにより、発光させる画素の選択がなされる。そして、画素の選択がなされると、カソード電極１３Ａ上のエミッタ層１２から電子が放出され、この放出された電子がゲート電極１４の開口部を通過してアノード電極２２上の蛍光体層２３に射突して発光し、そのときの発光がアノード基板１の外側から観察される。
【００４４】
なお、上記電界放出表示素子１６では、カソード電極１３Ａとゲート電極１４によって発光させる画素の選択を行う構成であるが、例えばカソード電極１３Ａ及びエミッタ層１２を基板１１の全面にベタに形成し、蛍光体層２３の被着されたアノード電極２２とゲート電極１４とを直交させてストライプ状に形成し、アノード電極２２とゲート電極１４によって発光させる画素の選択を行う構成とすることもできる。この場合のアノード電極２１としては、第１実施の形態で説明した手順で作成されたものが用いられる。
【００４５】
ここで、透明導電膜２の上にリン酸系の低軟化点ガラスペースト３を印刷して焼成すると、一体化した低軟化点ガラス３Ａの下に位置する透明導電膜２が導電性を無くするという現象は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００４６】
このように、本実施の形態によれば、基板１（又は１１）の上に成膜された酸化インジウムを主成分とする透明導電膜２上の導電性が不要な部分（絶縁性を持たせたい部分）にリン酸系の低軟化点ガラス３Ａの下に位置する透明導電膜２部分の導電性を無くして絶縁膜４にすることができる。
【００４７】
これにより、厚膜印刷により透明導電膜による電極（アノード電極２Ａ又はカソード電極１３Ａ）のパターニング及び焼成工程により絶縁化が同時に行え、従来のフォトリソ工程のようにレジスト塗布、露光、現像、エッチングの工程が不要となり、作業工数を削減したプロセスで素子基板や表示素子を作成できる。
【００４８】
しかも、エッチングペーストのスクリーン印刷法と比較して、エッチング材の除去が不要であり、環境にも優しいローコストなプロセスで表示素子用基板や表示素子を作成することができる。
【００４９】
（第３実施の形態）
ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３膜をスプレー熱分解法で約２００ｎｍの膜厚で成膜した以外は第１実施の形態の実施例と同様である。
本実施の形態により、エッチング法等でパターニングの困難なＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３膜を表示素子等に有効に使用できるようになった。
【００５０】
（第４実施の形態）
ＺｎＡｌＯ膜をスパッタリング法等で約２５０ｎｍの膜厚で成膜した以外は第１実施の形態の実施例と同様である。
本実施の形態により、エッチング法等以外で簡易にパターニングに表示素子等に有効に使用できるようになった。
【００５１】
（第５実施の形態）
Ａｌ膜をスパッタリング法等で約１００ｎｍの膜厚で成膜した以外は第１実施の形態の実施例と同様である。
本実施の形態により、エッチング法等以外で簡易にパターニングに表示素子等に有効に使用できるようになった。
なお、約１００ｎｍの膜厚のＡｌ膜は光を遮ることから、前記Ａｌ薄膜から表示等を確認するためには、透光性を得るために網目状等のパターンを形成することも有効である。
【００５２】
前記の実施の形態においては、表示素子、特に蛍光表示管及び電界放出表示素子について説明したが、蛍光表示管においては、厚膜印刷等により形成される立体グリッド、プラズマ表示素子の隔壁などの低融点ガラスを使用使用する表示素子について適応できることは言うまでも無く、
その他、ガラス等の絶縁基板を、低軟化点ガラスの軟化点以上の雰囲気で焼成する工程を含む材料の導電性薄膜のパターニングに使用できることは言うまでも無い。
【００５３】
【発明の効果】
以上で明らかなように、本発明によれば、硬化した低軟化点ガラスの下に位置する透明導電膜部分の導電性がなくなって絶縁膜となり、厚膜印刷により電極のパターニングと絶縁を同時に行うことができるので、従来のフォトリソ法のようにレジスト塗布、露光、現像、エッチングの工程が不要で、作業工数を削減したプロセスで表示素子用基板や表示素子を作成することができた事は産業上有用である。
【００５４】
また、エッチングペーストのスクリーン印刷法と比較して、エッチング材の除去が不要なので、環境にも優しいローコストなプロセスで表示素子や表示素子用基板を作成することができた事は産業上有用である。
【００５５】
さらに、機械的、化学的強度が大きく透明導電膜として有望なネサ膜として知られているＳｎＳｂＯ薄膜を本発明により容易にパターニングできるようになった事は産業上有効である。
【００５６】
また本願発明によって形成された導電性領域と絶縁性領域は絶縁基板側並びにパターン側から観察したとき、パターン形成時に精密な位置合わせを行わなくても、連続的なパターンが得られるようになった事は産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｅ）本発明の第１実施の形態を示す図であって、蛍光表示管の作成工程の概略を示す図
【図２】（ａ）〜（ｅ）本発明の第２実施の形態を示す図であって、電界放出形表示装置の作成工程の概略を示す図
【図３】本発明の絶縁領域により遮られた導電性薄膜の抵抗値の測定テストパターンを表す図
【符号の説明】
１、１１    …基板
２          …透明導電膜
２Ａ        …アノード電極
３          …低軟化点ガラスペースト
３Ａ        …低軟化点ガラスからなる絶縁層
４          …低軟化点ガラスの絶縁層下層の導電性薄膜が導電性を無くした絶縁膜
５，２３    …蛍光体層
６，２１    …アノード基板
１０        …蛍光表示管（表示素子）
１２        …エミッタ層
１３        …カソードストライプライン
１３Ａ      …カソード電極
１４        …ゲート電極
１５        …カソード基板
１６        …電界放出形表示装置（表示素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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