(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に電子ビームを照射させる電子ビーム処理装置において、前記試料における予め定められた領域に前記電子ビームを照射させるべく前記電子ビームを偏向する第１偏向器の偏向歪みを補正する電子ビーム補正方法であって、
前記第１偏向器が前記電子ビームを偏向することにより、第１の方向に沿って設けられた複数の第１マーク部に前記電子ビームを照射させ、前記複数の第１マーク部の位置をそれぞれ検出する第１検出段階と、
ステージを移動させることで、前記第１の方向に対して略垂直な方向である第２の方向に、前記複数の第１マーク部を移動させる第１移動段階と、
前記第１偏向器が前記電子ビームを偏向することにより、前記第１移動段階において移動した前記複数の第１マーク部に前記電子ビームを照射させ、前記複数の第１マーク部の位置をそれぞれ検出する第２検出段階と、
前記第１偏向器が前記電子ビームを偏向することにより、前記第２の方向に沿って設けられた複数の第２マーク部に前記電子ビームを照射させ、前記複数の第２マーク部の位置をそれぞれ検出する第３検出段階と、
前記ステージを移動させることで、前記第１の方向に、前記複数の第２マーク部を移動させる第２移動段階と、
前記第１偏向器が前記電子ビームを偏向することにより、前記第２移動段階において移動した前記複数の第２マーク部に前記電子ビームを照射させ、前記複数の第２マーク部の位置をそれぞれ検出する第４検出段階と、
前記第１検出段階及び前記第２検出段階において検出された前記複数の第１マーク部の位置を用いて、前記複数の第１マーク部のそれぞれにおける測定ずれを算出し、前記第３検出段階及び前記４検出段階において検出された前記複数の第２マーク部の位置を用いて、前記複数の第２マーク部のそれぞれにおける測定ずれを算出し、前記複数の第１マーク部のそれぞれにおける測定ずれと、前記複数の第２マーク部のそれぞれにおける測定ずれとに基づいて、偏向器の偏向歪による照射ずれを算出し、前記偏向器の偏向歪による照射ずれに基づいて、前記第１偏向器の前記偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する補正値算出段階と
を備えることを特徴とする電子ビーム補正方法。
【請求項２】
前記第１検出段階、前記第２検出段階、前記第３検出段階、及び第４検出段階は、前記第１偏向器の偏向量より小さい偏向量である第２偏向器が電子ビームを偏向することにより、前記複数の第１マーク部又は前記複数の第２マーク部を走査し、前記複数の第１マーク部又は前記複数の第２マーク部の前記位置を検出する段階を含むことを特徴とする
請求項１に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項３】
前記第１検出段階、前記第２検出段階、前記第３検出段階、及び第４検出段階は、前記第２偏向器の偏向幅より小さい間隔隔てて設けられた前記複数の第１マーク部又は前記複数の第２マーク部を走査し、前記複数の第１マーク部又は前記複数の第２マーク部の前記位置を検出する段階を含むことを特徴とする
請求項２に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項４】
前記第１検出段階は、前記複数の第１マーク部における基準位置と、前記電子ビームの照射位置との差である第１測定ずれを検出する段階を含み、
前記第２検出段階は、前記複数の第１マーク部における前記基準位置と、前記電子ビームの照射位置との差である第２測定ずれを検出する段階を含み、
前記第３検出段階は、前記複数の第２マーク部における基準位置と、前記電子ビームの照射位置との差である第３測定ずれを検出する段階を含み、
前記第４検出段階は、前記複数の第２マーク部における前記基準位置と、前記電子ビームの照射位置との差である第４測定ずれを検出する段階を含み、
前記補正値算出段階は、前記第１測定ずれ、前記第２測定ずれ、前記第３測定ずれ、及び前記第４測定ずれに基づいて、前記第１偏向器の前記偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する段階を含むことを特徴とする
請求項２または請求項３に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項５】
前記第１偏向器によって偏向された前記電子ビームが照射しうる主偏向領域内における複数の位置において所定のマーク部の位置を検出することにより、前記第１偏向器の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する予備補正段階をさらに備え、
前記第１検出段階、前記第２検出段階、前記第３検出段階、及び前記第４検出段階は、前記予備補正値に基づいて前記第１偏向器が前記電子ビームを偏向することにより、前記電子ビームを前記複数の第１マーク部又は前記複数の第２マーク部に照射させ、前記複数の第１マーク部及び前記複数の第２マーク部の位置を検出することを特徴とする
請求項１から請求項４までの何れか一項に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項６】
前記予備補正段階は、前記第１の方向及び前記第２の方向と異なる方向に前記所定のマーク部を移動させながら、前記所定のマーク部の前記位置を検出することを特徴とする
請求項５に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項７】
前記補正値算出段階は、前記ステージが移動する場合に生じる移動ずれ、または、前記複数の第１マーク部および前記複数の第２マーク部の作り込みずれが統計的に０であると仮定して、前記偏向器の偏向歪による照射ずれを算出する段階を含む、
請求項１から請求項６までの何れか一項に記載の電子ビーム補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム補正方法に関する。特に本発明は、ウェハに電子ビームを照射させる電子ビーム露光装置において、ウェハにおける所望の領域に電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向する偏向器の偏向歪みを補正する電子ビーム補正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置では、ウェハの所望の領域に電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向する主偏向器の偏向歪みを補正する場合、ウェハが載置されるウェハステージを移動することにより、ウェハステージに設けられた１つのマーク部材を移動させる。そして、所定の位置に移動されたマーク部材に、主偏向器によって偏向された電子ビームを照射することによって、主偏向器の偏向によって照射されうる領域内の複数の位置において、マーク部材の位置を検出する。そして、検出されたマーク部材の位置と、主偏向器による電子ビームの照射位置との位置ずれに基づいて、主偏向器の偏向歪みを補正する補正値を算出する。そして、主偏向器は、算出された補正値に基づいて電子ビームの偏向量を調整し、ウェハにおける所望の領域に電子ビームを照射してパターンを露光する。
【０００３】
また、他の例による従来の電子ビーム露光装置では、主偏向器の偏向によって照射されうる領域内に複数のマーク部材を設け、主偏向器によって電子ビームを偏向することによって複数のマーク部材の位置を順に検出する。そして、検出されたマーク部材の位置と、主偏向器による電子ビームの照射位置との位置ずれに基づいて、主偏向器の偏向歪みを補正する補正値を算出する。そして、主偏向器は、算出された補正値に基づいて電子ビームの偏向量を調整し、ウェハにおける所望の領域に電子ビームを照射してパターンを露光する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、当該半導体デバイスが有する配線などの幅は１００ナノメートル以下となり、また、当該配線などの形成するための露光パターンの位置ずれも非常に高い精度が要求されている。しかしながら、従来の電子ビーム露光装置では、ウェハステージの移動を基準として、主偏向器の偏向歪みを補正する補正値を算出するため、ウェハステージの位置精度が直接主偏向器の補正精度に影響してしまうという問題が生じている。また、他の例による従来の電子ビーム露光装置では、複数のマーク部材を用いて主偏向器の偏向歪みを補正する補正値を算出するため、マーク部材の作り込み誤差が直接主偏向器の補正精度に影響してしまうという問題が生じている。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子ビーム補正方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、試料に電子ビームを照射させる電子ビーム処理装置において、試料における所望の領域に電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向する第１偏向器の偏向歪みを補正する電子ビーム補正方法であって、第１偏向器が電子ビームを偏向することにより、第１の方向に沿って設けられた複数の第１マーク部に電子ビームを照射させ、複数の第１マーク部の位置をそれぞれ検出する第１検出段階と、第１の方向に対して略垂直な方向である第２の方向に、複数の第１マーク部を移動させる第１移動段階と、第１偏向器が電子ビームを偏向することにより、第１移動段階において移動した複数の第１マーク部に電子ビームを照射させ、複数の第１マーク部の位置をそれぞれ検出する第２検出段階と、第１偏向器が電子ビームを偏向することにより、第２の方向に沿って設けられた複数の第２マーク部に電子ビームを照射させ、複数の第２マーク部の位置をそれぞれ検出する第３検出段階と、第１の方向に、複数の第２マーク部を移動させる第２移動段階と、第１偏向器が電子ビームを偏向することにより、第２移動段階において移動した複数の第２マーク部に電子ビームを照射させ、複数の第２マーク部の位置をそれぞれ検出する第４検出段階と、第１検出段階及び第２検出段階において検出された複数の第１マーク部の位置と、第３検出段階及び４検出段階において検出された複数の第２マーク部の位置とに基づいて、第１偏向器の偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する補正値算出段階とを備える。
【０００７】
第１検出段階、第２検出段階、第３検出段階、及び第４検出段階は、第１偏向器の偏向量より小さい偏向量である第２偏向器が電子ビームを偏向することにより、第１マーク部又は第２マーク部を走査し、第１マーク部又は第２マーク部の位置を検出する段階を含んでもよい。
【０００８】
第１検出段階、第２検出段階、第３検出段階、及び第４検出段階は、第２偏向器の偏向幅より小さい間隔隔てて設けられた複数の第１マーク部又は複数の第２マーク部を走査し、第１マーク部又は第２マーク部の位置を検出する段階を含んでもよい。
【０００９】
第１検出段階は、第１マーク部における基準位置と、電子ビームの照射位置との差である第１測定ずれを検出する段階を含み、第２検出段階は、第１マーク部における基準位置と、電子ビームの照射位置との差である第２測定ずれを検出する段階を含み、第３検出段階は、第２マーク部における基準位置と、電子ビームの照射位置との差である第３測定ずれを検出する段階を含み、第４検出段階は、第２マーク部における基準位置と、電子ビームの照射位置との差である第４測定ずれを検出する段階を含み、補正値算出段階は、第１測定ずれ、第２測定ずれ、第３測定ずれ、及び第４測定ずれに基づいて、第１偏向器の偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する段階を含んでもよい。
【００１０】
第１偏向器によって偏向された電子ビームが照射しうる主偏向領域内における複数の位置において所定のマーク部の位置を検出することにより、第１偏向器の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する予備補正段階をさらに備え、第１検出段階、第２検出段階、第３検出段階、及び第４検出段階は、予備補正値に基づいて第１偏向器が電子ビームを偏向することにより、電子ビームを第１マーク部又第２マーク部に照射させ、複数の第１マーク部及び複数の第２マーク部の位置を検出してもよい。
【００１１】
予備補正段階は、第１の方向及び第２の方向と異なる方向に所定のマーク部を移動させながら、所定のマーク部の位置を検出してもよい。
【００１２】
第１測定ずれ、第２測定ずれ、第３測定ずれ、及び第４測定ずれは、第１マーク部又は第２マーク部がウェハステージに作り込まれるべき位置からのずれである作り込みずれと、第１移動段階又は第２移動段階における移動ずれと、第１偏向器の偏向歪みによる照射ずれとを含み、補正値算出段階は、複数の第１マーク部及び複数の第２マークにおいて、第１移動段階及び第２移動段階における移動ずれの平均は実質的に零であると仮定して、第１偏向器の偏向歪みによる照射ずれを算出し、照射ずれに基づいて偏向補正値を算出してもよい。
【００１３】
第１測定ずれ、第２測定ずれ、第３測定ずれ、及び第４測定ずれは、第１マーク部又は第２マーク部の作り込みずれと、第１移動段階又は第２移動段階における移動ずれと、第１偏向器の偏向歪みによる照射ずれとを含み、補正値算出段階は、複数の第１マーク部及び複数の第２マークにおいて、第１移動段階及び第２移動段階における作り込みずれの平均は実質的に零であると仮定して、第１偏向器の偏向歪みによる照射ずれを算出し、照射ずれに基づいて偏向補正値を算出してもよい。
【００１４】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成である。電子ビーム処理装置の一例である電子ビーム露光装置１００は、電子ビームにより、試料の一例であるウェハ６４に所定の露光処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構成の動作を制御する制御系１４０とを備える。
【００１７】
露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを偏向するとともに、電子ビームのマスク３０近傍における結像位置を調整するマスク用投影系１１２と、電子ビームのマスク通過前後の結像条件を調整する焦点調整レンズ系１１４と、マスク３０を通過した電子ビームをウェハステージ６２に載置されたウェハ６４の所定の領域に偏向するとともに、ウェハ６４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系１１６を含む電子光学系を備える。
【００１８】
また、露光部１５０は、ウェハ６４に露光すべきパターンをそれぞれ形成された複数の開口パターンを有するマスク３０を載置するマスクステージ７２と、マスクステージ７２を駆動するマスクステージ駆動部６８と、パターンを露光すべきウェハ６４を載置するウェハステージ６２と、ウェハステージ６２を駆動するウェハステージ駆動部７０とを含むステージ系を備える。さらに、露光部１５０は、電子光学系の調整のために、ウェハステージ６２側から飛散する電子を検出して、飛散した電子量に相当する電気信号に変換する電子検出器６０を有する。
【００１９】
電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを発生させる電子ビーム発生部の一例である電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発生するのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを発生してもよい。スリットは、マスク３０に形成された所定の開口パターンの形状に合わせて形成されるのが好ましい。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
【００２０】
マスク用投影系１１２は、電子ビームを偏向するマスク用偏向系としての第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６と、電子ビームの焦点を調整するマスク用焦点系としての第２電子レンズ２０、さらに、第１ブランキング電極２４を有する。第１偏向器１８及び第２偏向器２２は、電子ビームをマスク３０上の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領域は、ウェハ６４に転写するパターンを有する開口パターン群であってよい。電子ビームが開口パターンを通過することにより、電子ビームの断面形状は、開口パターンと略同一の形状になる。所定の形状の開口パターンを通過した電子ビームの像をパターン像と定義する。第３偏向器２６は、第１偏向器１８及び第２偏向器２２を通過した電子ビームの軌道を光軸Ａに略平行に偏向する。第２電子レンズ２０は、スリット部１６の開口の像を、マスクステージ７２上に載置されるマスク３０上に結像させる機能を有する。
【００２１】
第１ブランキング電極２４は、マスク３０に形成された開口パターンに電子ビームが当たらないように電子ビームを偏向する。第１ブランキング電極２４は、マスク３０に電子ビームが当たらないように電子ビームを偏向することが好ましい。電子ビームが照射されるにつれてマスク３０に形成された開口パターンは劣化するので、第１ブランキング電極２４は、パターンをウェハ６４に転写するとき以外は、電子ビームを偏向する。従って、マスク３０の劣化を防止することができる。焦点調整レンズ系１１４は、第３電子レンズ２８と、第４電子レンズ３２とを有する。第３電子レンズ２８及び第４電子レンズ３２は、マスク３０通過前後の電子ビームの結像条件を合わせる。
【００２２】
ウェハ用投影系１１６は、第５電子レンズ４０と、第６電子レンズ４６と、第７電子レンズ５０と、第８電子レンズ５２と、第９電子レンズ６６と、第４偏向器３４と、第５偏向器３８と、第６偏向器４２と、主偏向器５６と、副偏向器５８と、第２ブランキング電極３６と、ラウンドアパーチャ部４８とを有する。
【００２３】
電界や磁界の影響を受けてパターン像は回転してしまう。第５電子レンズ４０は、マスク３０の所定の開口パターンを通過した電子ビームのパターン像の回転量を調整する。第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０は、マスク３０に形成された開口パターンに対する、ウェハ６４に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第８電子レンズ５２及び第９電子レンズ６６は、対物レンズとして機能する。第４偏向器３４及び第６偏向器４２は、電子ビームの進行方向に対するマスク３０の下流において、電子ビームを光軸Ａの方向に偏向する。第５偏向器３８は、電子ビームを光軸Ａに略平行になるように偏向する。主偏向器５６及び副偏向器５８は、ウェハ６４上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電子ビームを偏向する。本実施形態では、主偏向器５６は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために用いられる。また、副偏向器５８は、主偏向器５６よりも偏向量が小さく、サブフィールドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。
【００２４】
ラウンドアパーチャ部４８は、円形の開口（ラウンドアパーチャ）を有する。第２ブランキング電極３６は、ラウンドアパーチャの外側に当たるように電子ビームを偏向する。従って、第２ブランキング電極３６は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビームが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、第２ブランキング電極３６は、ウェハ６４に転写するパターンを変更するとき、更には、パターンを露光するウェハ６４の領域を変更するときに、ラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビームが進行しないように電子ビームを偏向することが望ましい。
【００２５】
制御系１４０は、統括制御部１３０及び個別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、主偏向位置座標出力部の一例である偏向制御部８２と、マスクステージ制御部８４と、ブランキング電極制御部８６と、電子レンズ制御部８８と、反射電子処理部９０と、ウェハステージ制御部９２とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。また、統括制御部１３０は、主偏向器５６の偏向歪みを補正する補正値を算出する。
【００２６】
偏向制御部８２は、第１偏向器１８、第２偏向器２２、第３偏向器２６、第４偏向器３４、第５偏向器３８、第６偏向器４２、主偏向器５６、及び副偏向器５８の偏向量及び補正量を制御する。マスクステージ制御部８４は、マスクステージ駆動部６８を制御して、マスクステージ７２を移動させる。
【００２７】
ブランキング電極制御部８６は、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。本実施形態では、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６は、露光時には、電子ビームをウェハ６４に照射させ、露光時以外には、電子ビームをウェハ６４に到達させないように制御されるのが望ましい。電子レンズ制御部８８は、第１電子レンズ１４、第２電子レンズ２０、第３電子レンズ２８、第４電子レンズ３２、第５電子レンズ４０、第６電子レンズ４６、第７電子レンズ５０、第８電子レンズ５２、及び第９電子レンズ６６に供給する電力を制御する。反射電子処理部９０は、電子検出器６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを検出する。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２を所定の位置に移動させる。
【００２８】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作について説明する。マスクステージ７２上には、所定のパターンを形成された複数の開口パターンを有するマスク３０が載置され、マスク３０は、所定の位置に固定されている。また、ウェハステージ６２上には、露光処理が施されるウェハ６４が載置されている。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２を移動させて、ウェハ６４の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置するようにする。また、電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、露光の開始前において、スリット部１６の開口を通過した電子ビームがマスク３０及びウェハ６４に照射されないように、ブランキング電極制御部８６が第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。マスク用投影系１１２において、電子レンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４に転写するパターンが形成された開口パターンに電子ビームを照射できるように調整される。焦点調整レンズ系１１４において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのウェハ６４に対する焦点が合うように調整される。また、ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整される。
【００２９】
マスク投影系１１２、焦点調整レンズ系１１４及びウェハ用投影系１１６が調整された後、ブランキング電極制御部８６が、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６による電子ビームの偏向を停止する。これにより、以下に示すように、電子ビームはマスク３０を介してウェハ６４に照射される。
【００３０】
また、電子ビーム露光装置１００は、主偏向器５６の偏向歪みの補正処理を行う。主偏向器５６は、電子銃１２が発生した電子ビームを偏向し、ウェハステージ６２に設けられた複数のマーク部に電子ビームを照射させる。そして、電子検出器６０は、マーク部に照射された電子ビームの反射電子量を検出する。そして、反射電子処理部９０は、電子検出器６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを統括制御部１３０に出力する。そして、統括制御部１３０は、受け取ったデジタルデータに基づいて、ウェハステージ６２に設けられたマーク部の位置を検出する。そして、統括制御部１３０は、検出されたマーク部の位置と、主偏向器５６に偏向されてマーク部に照射された電子ビームの照射位置とに基づいて、主偏向器５６の偏向歪みを補正する補正値を算出する。
【００３１】
主偏向器５６の偏向歪みの補正処理を行った後、算出された補正値に基づいて、ウェハステージ６２に載置されたウェハ６４に露光処理が開始される。まず、電子銃１２が電子ビームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビームの焦点位置を調整して、スリット部１６に照射させる。そして、第１偏向器１８及び第２偏向器２２がスリット部１６の開口を通過した電子ビームをマスク３０の転写すべきパターンが形成された所定の領域に照射するように偏向する。スリット部１６の開口を通過した電子ビームは、矩形の断面形状を有している。第１偏向器１８及び第２偏向器２２により偏向された電子ビームは、第３偏向器２６により光軸Ａと略平行になるように偏向される。また、電子ビームは、第２電子レンズ２０により、マスク３０上の所定の領域にスリット部１６の開口の像が結像するように調整される。
【００３２】
そして、マスク３０に形成された開口パターンを通過した電子ビームは、第４偏向器３４及び第６偏向器４２により光軸Ａに近づく方向に偏向され、第５偏向器３８により、光軸Ａと略平行になるように偏向される。また、電子ビームは、第３電子レンズ２８及び第４電子レンズ３２により、マスク３０に形成された開口パターンの像がウェハ６４の表面に焦点が合うように調整され、第５電子レンズ４０によりパターン像の回転量が調整され、第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０により、パターン像の縮小率が調整される。それから、電子ビームは、主偏向器５６及び副偏向器５８により、ウェハ６４上の所定のショット領域に照射されるように偏向される。本実施形態では、主偏向器５６が、ショット領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向し、副偏向器５８が、サブフィールドにおけるショット領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に偏向された電子ビームは、電子レンズ５２及び電子レンズ６６によって調整されて、ウェハ６４に照射される。これによって、ウェハ６４上の所定のショット領域には、マスク３０に形成された開口パターンの像が転写される。
【００３３】
所定の露光時間が経過した後、ブランキング電極制御部８６が、電子ビームがマスク３０及びウェハ６４を照射しないように、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプロセスにより、ウェハ６４上の所定のショット領域に、マスク３０に形成された開口パターンの形状を有するパターンが露光される。次のショット領域に、マスク３０に形成された開口パターンの形状を有するパターンを露光するために、マスク用投影系１１２において、電子レンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４に転写すべきパターンを有する開口パターンに電子ビームを照射できるように調整される。焦点調整レンズ系１１４において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのウェハ６４に対する焦点が合うように調整される。また、ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整される。
【００３４】
具体的には、副偏向器５８は、マスク用投影系１１２により生成されたパターン像が、次のショット領域に露光されるように電界を調整する。この後、上記同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サブフィールド内のパターンを露光すべきショット領域のすべてにパターンを露光した後に、主偏向器５６は、次のサブフィールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返し実行することによって、所望の回路パターンを、ウェハ６４に露光することができる。
【００３５】
本発明による電子ビーム露光装置１００は、可変矩形を用いた電子ビーム露光装置であってもよく、また、ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイスを用いた電子ビーム露光装置であってもよい。また、本発明による電子ビーム処理装置は、複数の電子ビームにより、ウェハにパターンを露光するマルチビーム露光装置でもよい。
【００３６】
図２は、本実施形態に係る統括制御部１３０の構成である。統括制御部１３０は、位置検出部２００と、算出部２０２とを備える。位置検出部２００は、ウェハステージに設けられたマーク部に照射された電子ビームの反射電子に基づいて反射電子処理部９０が出力するデジタルデータを、反射電子処理部９０から受け取る。そして、位置検出部２００は、受け取ったデジタルデータに基づいて、ウェハステージ６２に設けられたマーク部における基準位置と、主偏向器５６によって偏向されてマーク部に照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する。そして、位置検出部２００は、検出した測定ずれを算出部２０２に出力する。そして、算出部２０２は、位置検出部２００から受け取った測定ずれに基づいて、主偏向器５６の偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する。そして、算出部２０２は、算出した偏向補正値を偏向制御部８２に出力する。そして、偏向制御部８２は、受け取った偏向補正値に基づいて、主偏向器５６の偏向動作を制御し、主偏向器５６は、ウェハ６４における所望の位置に電子ビームを照射する。
【００３７】
図３は、本実施形態に係るマーク検出方法を説明する図である。図３（ａ）は、ウェハステージ６２上に設けられたマーク部２０４及び２０６の配置例を示す。図３（ｂ）は、電子ビームを照射させることによりマーク部を検出すべき検出位置２０８を示す。図３（ａ）に示すように、ウェハステージ６２上には、第１の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０４と、第１の方向に対して略垂直な方向である第２の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０６とが設けられる。複数のマーク部２０４と複数のマーク部２０６とに含まれるマーク部２１６は、ウェハステージ６２を移動する場合に、基準マークとして使用される。また、マーク部２０４及び２０６は、副偏向器５８の偏向幅より小さい間隔隔てて設けられることが好ましい。また、複数のマーク部２０４及び２０６は、ウェハステージ６２に設けられるべき位置からのずれである作り込みずれを有しているが、実質的に一直線上に設けられる。
【００３８】
また、図３（ｂ）に示すように、マーク部２０４又は２０６を検出すべき検出位置２０８は、電子光学系により偏向されない場合の電子ビームの光軸Ａを中心に、主偏向器５６にり偏向可能な領域であるメインフィールド内に複数設けられる。光軸Ａの位置を座標の中心（０，０）とし、複数の検出位置２０８の位置座標を（ｍ，ｎ）で表す。なお、本実施形態においては、ｍ及びｎは、−６以上６以下の整数である。また、マーク部２０４又は２０６を検出すべき複数の検出位置２０８は、副偏向器５８の偏向幅と略等しい間隔で設けられることが好ましい。また、マーク部２０４又は２０６を検出すべき複数の検出位置の間隔は、複数のマーク部２０４及び２０６の配置の間隔であり、ウェハステージ６２を移動させることにより、マーク部２０４又は２０６を検出すべき検出位置にマーク部２０４及び２０６を移動させ、図３（ｂ）に示す複数の検出位置においてマーク部２０４及び２０６の検出を行う。
【００３９】
本実施形態による電子ビーム補正方法によれば、複数のマーク部２０４及び２０６を移動して検出することを繰り返し行うことにより、メインフィールド内における所望の複数の位置においてマーク部２０４及び２０６を検出するため、ウェハステージ６２の移動量を低減させることができ、マーク部の検出に要する時間を短縮することができる。
【００４０】
図４は、本実施形態に係る電子ビーム補正方法のフローチャートである。また、図５は、予備補正段階（Ｓ１００）におけるマーク部の移動方法を示す。また、図６は、第１移動段階（Ｓ１０６）及び第２移動段階（Ｓ１１４）におけるマーク部の移動方法を示す。以下、図４、図５、及び図６を参照しながら、本実施形態に係る電子ビーム補正方法について説明する。
【００４１】
まず、電子ビーム露光装置１００は、主偏向器５６の偏向歪みを補正する予備補正を行う（Ｓ１００）。予備補正段階（Ｓ１００）は、主偏向器５６により電子ビームを偏向しうる主偏向領域であるメインフィールド内における複数の検出位置２０８においてマーク部２１０の位置を検出することにより、主偏向器５６の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する。具体的には、図５（ａ）に示すように、ウェハステージ６４は、マーク部２１０を検出位置２０８ａ付近に移動させる。そして、主偏向器５６は、電子ビームを偏向し、マーク部２１０に電子ビームを照射させる。そして、副偏向器５８は、電子ビームを偏向することによりマーク部２１０を走査する。
【００４２】
次に、電子検出器６０は、マーク部２１０に照射された電子ビームの反射電子量を検出する。そして、反射電子処理部９０は、電子検出器６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを位置検出部２００に出力する。そして、位置検出部２００は、受け取ったデジタルデータに基づいて、マーク部２１０における基準位置と、主偏向器５６によって偏向されてマーク部２１０に照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する。そして、算出部２０２は、位置検出部２００が検出した測定ずれに基づいて、主偏向器５６が検出位置２０８ａに電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向した場合の偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する。
【００４３】
そして、図５（ｂ）に示すように、ウェハステージ６４は、マーク部２１０を検出位置２０８ｂ付近に移動させる。そして、上述した処理と同様の方法で、主偏向器５６が検出位置２０８ｂに電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向した場合の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する。そして、図５（ｃ）に示すように、ウェハステージ６４は、マーク部２１０を検出位置２０８ｃ付近に移動させる。そして、上述した処理と同様の方法で、主偏向器５６が検出位置２０８ｃに電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向した場合の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する。そして、図５（ｄ）に示すように、ウェハステージ６４は、マーク部２１０を検出位置２０８ｄ付近に移動させる。そして、上述した処理と同様の方法で、主偏向器５６が検出位置２０８ｄに電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向した場合の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する。
【００４４】
同様に、メインフィールドの矩形領域内に格子状に配列された複数の検出位置２０８において、矩形領域の辺と異なる方向に、マーク部２１０が設けられたウェハステージ６２を移動させながら、検出位置２０８ｅ、２０８ｆ、・・・２０８ｇのそれぞれにおいて、マーク部２１０に電子ビームを照射させる。そして、主偏向器５６が検出位置２０８のそれぞれに電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向した場合の偏向歪みを補正する予備補正値を算出する。そして、後述する第１検出段階（Ｓ１０４）、第２検出段階（Ｓ１０８）、第３検出段階（Ｓ１１２）、及び第４検出段階（Ｓ１１６）において、主偏向器５６は、予備補正段階（Ｓ１００）で算出された予備補正値に基づいて電子ビームを偏向することにより、電子ビームをマーク部に照射させ、マーク部の位置を検出する。
【００４５】
次に、図６（ａ）に示すように、ウェハステージ６２は、マーク部２１６を基準として、第１の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０６を、複数の検出位置２０８を含む検出位置列２１２ａ付近に移動させる（Ｓ１０２）。そして、主偏向器５６は、電子ビームを偏向し、複数のマーク部２０６のそれぞれに電子ビームを照射させる。そして、副偏向器５８は、複数のマーク部２０６のそれぞれにおいて電子ビームを偏向することにより複数のマーク部２０６のそれぞれを走査する。電子検出器６０は、複数のマーク部２０６のそれぞれに照射された電子ビームの反射電子量を検出する。そして、反射電子処理部９０は、電子検出器６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを位置検出部２００に出力する。そして、位置検出部２００は、受け取ったデジタルデータに基づいて、複数のマーク部２０６のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０６のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する（Ｓ１０４）。
【００４６】
次に、図６（ｂ）に示すように、ウェハステージ６２は、マーク部２１６を基準として、第１の方向に対して略垂直な方向である第２の方向に所定の距離移動し、複数のマーク部２０６を複数の検出位置２０８を含む検出位置列２１２ｂ付近に移動させる（Ｓ１０６）。第２の方向は、予備補正段階（Ｓ１００）における移動方向とは異なる方向であることが望ましい。そして、上述した処理と同様の方法で、主偏向器５６は、電子ビームを偏向し、複数のマーク部２０６のそれぞれに順に電子ビームを照射させることにより、複数のマーク部２０６のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０６のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する（Ｓ１０８）。
【００４７】
そして、複数のマーク部２０６を第２の方向に所定の距離移動する第１移動段階（Ｓ１０６）と、複数のマーク部２０６のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０６のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する第２検出段階（Ｓ１０８）とを繰り返し行う。そして、検出位置列２１２ｃ付近における検出が終了したら、Ｓ１１０に進む。
【００４８】
次に、図６（ｃ）に示すように、ウェハステージ６２は、マーク部２１６を基準として、第２の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０４を、複数の検出位置２０８を含む検出位置行２１４ａ付近に移動させる（Ｓ１１０）。そして、主偏向器５６は、電子ビームを偏向し、複数のマーク部２０４のそれぞれに順に電子ビームを照射させる。そして、副偏向器５８は、複数のマーク部２０４のそれぞれにおいて電子ビームを偏向することにより複数のマーク部２０４のそれぞれを走査する。電子検出器６０は、複数のマーク部２０４のそれぞれに照射された電子ビームの反射電子量を検出する。そして、反射電子処理部９０は、電子検出器６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを位置検出部２００に出力する。そして、位置検出部２００は、受け取ったデジタルデータに基づいて、複数のマーク部２０４のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０４のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する（Ｓ１１２）。
【００４９】
次に、図６（ｄ）に示すように、ウェハステージ６２は、マーク部２１６を基準として、第１の方向に所定の距離移動し、複数のマーク部２０４を複数の検出位置２０８を含む検出位置行２１４ｂ付近に移動させる（Ｓ１１４）。第１の方向は、予備補正段階（Ｓ１００）における移動方向とは異なる方向であることが望ましい。そして、上述した処理と同様の方法で、主偏向器５６は、電子ビームを偏向し、複数のマーク部２０４のそれぞれに順に電子ビームを照射させることにより、複数のマーク部２０４のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０４のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する（Ｓ１１６）。
【００５０】
そして、複数のマーク部２０４を第１の方向に所定の距離移動する第２移動段階（Ｓ１１４）と、複数のマーク部２０４のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０４のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれを検出する第２検出段階（Ｓ１１６）とを繰り返し行う。そして、検出位置行２１４ｃ付近における検出が終了したら、Ｓ１１８に進む。
【００５１】
次に、算出部２０２は、第１検出段階（Ｓ１０４）及び第２検出段階（Ｓ１０８）において検出された複数のマーク部２０６のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０６のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれＥｘ（ｍ，ｎ）と、第３検出段階（Ｓ１１２）及び第４検出段階（Ｓ１１６）において検出された複数のマーク部２０４のそれぞれにおける基準位置と、主偏向器５６によって偏向されて複数のマーク部２０４のそれぞれに照射された電子ビームの照射位置との差である測定ずれＥｙ（ｍ，ｎ）とに基づいて、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれを算出する（Ｓ１１８）。以下に、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれの具体的は算出方法を説明する。
【００５２】
測定ずれＥｘ（ｍ，ｎ）は、ウェハステージ６２が第２の方向に移動する場合の移動ずれＳｘ（ｍ，ｎ）と、複数のマーク部２０６の作り込みずれＭｘ（ｍ，ｎ）と、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれＤ（ｍ，ｎ）とを含み、また、測定ずれＥｙ（ｍ，ｎ）は、ウェハステージ６２が第１の方向に移動する場合の移動ずれＳｙ（ｍ，ｎ）と、複数のマーク部２０４の作り込みずれＭｙ（ｍ，ｎ）と、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれＤ（ｍ，ｎ）とを含んでおり、下記の式によって表される。
Ex(m,n) = Sx(m,n) + Mx(m,n) + D(m,n)  ・・・（１）
Ey(m,n) = Sy(m,n) + My(m,n) + D(m,n)  ・・・（２）
【００５３】
また、ウェハステージは、第１の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０６を同時に移動させるため、ウェハステージ６２が第２の方向に移動する場合の移動ずれＳｘ（ｍ，ｎ）はＳｘ（ｍ，０）と等しく、Ｍｘ（ｍ，ｎ）はＭｘ（０，ｎ）と等しい。また、第２の方向に沿って設けられた複数のマーク部２０４を同時に移動させるため、ウェハステージ６２が第１の方向に移動する場合の移動ずれＳｙ（ｍ，ｎ）は、Ｓｙ（０，ｎ）と等しく、Ｍｙ（ｍ，ｎ）は、Ｍｙ（ｍ，０）と等しい。したがって、式（１）及び（２）は、下記の式によって表される。
Ex(m,n) = Sx(m,0) + Mx(0,n) + D(m,n)  ・・・（３）
Ey(m,n) = Sy(0,n) + My(m,0) + D(m,n)  ・・・（４）
【００５４】
次に、式（３）及び（４）から、
Ex(m,n) - Ey(m,n) = Sx(m,0) - Sy(0,n) + Mx(0,n) - My(m,0)  ・・・（５）
が得られる。式（５）においてｎ＝０の場合と、ｍ＝０の場合とを考えると、
Ex(m,0) - Ey(m,0) = Sx(m,0) - Sy(0,0) + Mx(0,0) - My(m,0)  ・・・（６）
Ex(0,n) - Ey(0,n) = Sx(0,0) - Sy(0,n) + Mx(0,n) - My(0,0)  ・・・（７）
が得られる。また、ウェハステージ６２は、マーク部２１６を基準として移動されるので、
S(0,0) = 0
M(0,0) = 0
であり、式（６）及び（７）は、下記の式によって表される。
Ex(m,0) - Ey(m,0) = Sx(m,0) - My(m,0)  ・・・（８）
Ex(0,n) - Ey(0,n) = - Sy(0,n) + Mx(0,n)  ・・・（９）
【００５５】
次に、式（３）、（４）、（８）、及び（９）から、Ｍｘ及びＭｙを消去し、
D(m,n) = Ex(m,n) - Sx(m,0) - Ex(0,n) + Ey(0,n) - Sy(0,n)  ・・・（１０）
D(m,n) = Ey(m,n) - Sy(0,n) + Ex(m,0) - Ey(m,0) - Sx(m,0)  ・・・（１１）
が得られる。さらに、式（１０）及び（１１）から、
2D(m,n) = Ex(m,n) + Ey(m,n) - Ex(0,n) + Ex(m,0) - Ey(0,n) - Ey(m,0) - 2Sx(m,0) - 2Sy(0,n)  ・・・（１２）
が得られる。
【００５６】
ここで、Ｓｘ（ｎ，ｍ）及びＳｙ（ｎ，ｍ）は、それぞれ正規分布になると考えられるため、Ｓｘ（ｎ，ｍ）のｍについての平均と、Ｓｙ（ｎ，ｍ）のｎについての平均とは、零になると仮定する。また、Ｄ（ｎ，ｍ）も、正規分布になると考えられるため、Ｄ（ｎ，ｍ）の平均も、零になると仮定する。そして、式（１２）において、ｎ及びｍのそれぞれについて和をとると、
26Ux(n) = Σ(Ex(m,n) + Ey(m,n) - Ex(0,n) + Ex(m,0) + Ey(0,n) - Ey(m,0))= - 26Sy(0,n)  ・・・（１３）
26Uy(m) = Σ(Ex(m,n) + Ey(m,n) - Ex(0,n) + Ex(m,0) + Ey(0,n) - Ey(m,0))= - 26Sx(m,0)  ・・・（１４）
が得られる。そして、式（１２）、（１３）、及び（１４）から、Ｓｘ及びＳｙを消去し、
D(n,m) = E(n,m) + Ey(n,m) - Ex(0,n) + Ey(0,n) + Ex(m,0) - Ey(m,0) + 2Ux(m) +2Uy(n)  ・・・（１５）
が得られる。したがって、算出部２０２は、式（１５）を用いて、第１検出段階（Ｓ１０４）及び第２検出段階（Ｓ１０８）において検出された測定ずれＥｘ（ｍ，ｎ）と、第３検出段階（Ｓ１１２）及び第４検出段階（Ｓ１１６）において検出された測定ずれＥｙ（ｍ，ｎ）とに基づいて、複数の検出位置２０８における主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれＤ（ｍ，ｎ）を算出する。
【００５７】
次に、算出部２０２は、主偏向歪み算出段階（Ｓ１１８）において算出した主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれに基づいて、主偏向器５６の偏向歪みを補正する偏向補正値を算出する（Ｓ１２０）。以上で、電子ビーム補正方法のフローを終了する。そして、露光処理において、偏向制御部８２は、補正値算出段階（Ｓ１２０）において算出された偏向補正値に基づいて、主偏向器５６の偏向動作を制御し、主偏向器５６は、ウェハ６４における所望の位置に電子ビームを照射する。
【００５８】
本実施形態に係る電子ビーム補正方法によれば、ウェハステージ６２の移動ずれの平均が、主偏向器５６による偏向によって照射可能な領域であるメインフィールド内の複数の検出位置において一律に加算されるため、複数の検出位置間の相対位置精度が向上する。また、マーク部の作り込みずれは、算術的に消去することができるため、座標測定機等によりマーク部の位置予め校正することなく、主偏向器５６の偏向歪みを補正することができる。
【００５９】
上述した主偏向歪み算出段階（Ｓ１１８）における主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれの算出方法では、マーク部の作り込みずれＭを算術的によって消去し、ウェハステージ６２の移動ずれＳを統計的に０と仮定することにより、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれを算出したが、ウェハステージ６２の移動ずれＳを算術的によって消去し、マーク部の作り込みずれＭを統計的に０と仮定することにより、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれを算出してもよい。
【００６０】
図７は、他の例に係るマーク検出方法を説明する図である。図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、ウェハステージ６２は、第１移動段階（Ｓ１０６）において、第１の方向に沿って設けられた複数のマーク部２１８を、第１の方向と異なる方向である第２の方向に所定の距離移動させてもよい。そして、複数の検出位置２０８において、電子ビームを複数のマーク部２１８に照射させることにより、測定ずれＥｘ（ｎ，ｍ）を検出してもよい。また、図７（ｃ）及び（ｄ）に示すように、ウェハステージ６２は、第２移動段階（Ｓ１１４）において、複数のマーク部２１８を、第２の方向に対して略垂直な方向である第３の方向に所定の距離移動させてもよい。そして、複数の検出位置２０８において、電子ビームを複数のマーク部２１８に照射させることにより、測定ずれＥｙ（ｎ，ｍ）を検出してもよい。
【００６１】
本実施形態に係る電子ビーム補正方法によれば、ウェハステージ６２の移動ずれ及びマーク部の作り込みずれに関わらず、主偏向器５６の偏向歪みによる照射ずれを精度よく算出し、主偏向器５６の偏向歪みを補正する偏向補正値を正確に求めることができる。ひいては、本実施実施形態に係る電子ビーム露光装置１００は、本実施形態に係る電子ビーム補正方法により算出された偏向補正値に基づいて電子ビームを偏向しウェハ６４に照射させることにより、ウェハ６４にパターンを精度良く露光することができる。
【００６２】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６３】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明の電子ビーム補正方法によれば、ウェハにおける所望の領域に電子ビームを照射させるべく電子ビームを偏向する偏向器の偏向歪みを精度良く補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成図である。
【図２】本実施形態に係る統括制御部１３０の構成図である。
【図３】本実施形態に係るマーク検出方法を説明する図である。
【図４】本実施形態に係る電子ビーム補正方法のフローチャートである。
【図５】予備補正段階（Ｓ１００）におけるマーク部の移動方法を示す。
【図６】第１移動段階（Ｓ１０６）及び第２移動段階（Ｓ１１４）におけるマーク部の移動方法を示す。
【図７】他の例に係るマーク検出方法を説明する図である。
【符号の説明】
１０・・・筐体、１２・・・電子銃、１４・・・第１電子レンズ、１６・・・スリット部、１８・・・第１偏向器、２０・・・第２電子レンズ、２２・・・第２偏向器、２４・・・第１ブランキング偏向器、２６・・・第３偏向器、２８・・・第３電子レンズ、３０・・・マスク、３２・・・第４電子レンズ、３４・・・第４偏向器、３６・・・第２ブランキング偏向器、３８・・・第５偏向器、４０・・・第５電子レンズ、４２・・・第６偏向器、４６・・・第６電子レンズ、４８・・・ラウンドアパーチャ、５０・・・第７電子レンズ、５２・・・第８電子レンズ、５６・・・主偏向器、５８・・・副偏向器、６０・・・電子検出器、６２・・・ウェハステージ、６４・・・ウェハ、６６・・・第９電子レンズ、６８・・・マスクステージ駆動部、７０・・・ウェハステージ駆動部、７２・・・マスクステージ、８２・・・偏向制御部、８４・・・マスクステージ制御部、８６・・・ブランキング電極制御部、８８・・・電子レンズ制御部、９０・・・反射電子処理部、９２・・・ウェハステージ制御部、１００・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電子ビーム照射系、１１２・・・マスク用投影系、１１４・・・焦点調整レンズ系、１１６・・・ウェハ用投影系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統括制御部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、２００・・・位置検出部、２０２・・・算出部、２０４・・・マーク部、２０６・・・マーク部、２０８・・・検出位置、２１０・・・マーク部、２１２・・・検出位置列、２１４・・・検出位置行、２１６・・・マーク部、２１８・・・マーク部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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