(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ディスクと、前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、装置内部の温度を検出する温度センサとを備え、
前記温度センサが検出した測定温度と、前記測定温度を用いて算出した温度変化量に基づいて、将来到達する予測温度を算出し、第１の基準温度より前記測定温度が高く、かつ、前記第１の基準温度より高い第２の基準温度より前記予測温度が高い場合に、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する際の判定条件の変更を行うディスク記憶装置。
【請求項２】
前記測定温度と前記温度勾配から将来到達する予測温度を算出し、第３の基準温度より前記測定温度が低く、かつ、前記第３の基準温度より低い第４の基準温度より前記予測温度が低い場合に前記判定条件の変更を行う請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定は、前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量を閾値と比較することにより行うものであって、
前記判定条件の変更は、前記閾値を変更することにより行う請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記ヘッドを支持するキャリッジと、
機械的な衝撃を検出する衝撃センサと、
前記衝撃センサの出力が反映された駆動電圧又は駆動電流により駆動され、前記キャリッジを揺動するボイス・コイル・モータと、
前記駆動電圧又は前記駆動電流を検出する検出部とをさらに備え、
前記検出部が検出した前記駆動電圧又は前記駆動電流が閾値を越えたか否かによって、前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定を行い、
前記電圧と比較する前記閾値を変更することによって前記判定条件の変更を行う請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
記録ディスクと、
前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、
装置内部の温度を検出する温度センサと、
前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量の変動を検出し、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する判定処理部と、
前記判定処理部に適用する判定条件の変更を行う条件変更処理部とを備え、
前記条件変更処理部は、前記温度センサが検出した測定温度と、前記測定温度を用いて算出した温度変化量に基づいて、熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域にあるか否かを判定し、熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域であると判定した場合に前記判定処理部に適用する前記判定条件の変更を行うディスク記憶装置。
【請求項６】
前記測定温度と前記温度変化量を用いて将来到達する予測温度を算出する予測温度算出部をさらに備え、
前記条件変更処理部は、第１の基準温度より前記測定温度が高く、かつ、前記第１の基準温度より高い第２の基準温度より前記予測温度が高い場合に前記判定条件の変更を行う請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
前記測定温度と前記温度変化量を用いて将来到達する予測温度を算出する予測温度算出部をさらに備え、
前記条件変更処理部は、第３の基準温度より前記測定温度が低く、かつ、前記第３の基準温度より低い第４の基準温度より前記予測温度が低い場合に前記判定条件の変更を行う請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
前記判定処理部は、２以上の前記測定量の変動を検出し、検出結果に基づいて前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
前記判定処理部は、前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量を閾値と比較することによって、前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定を行うものであり、
前記条件変更処理部は、前記閾値を変更することにより前記判定条件の変更を行う請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項１０】
前記ヘッドを支持するキャリッジと、前記キャリッジを揺動するボイス・コイル・モータと、前記ボイス・コイル・モータの駆動電圧又は駆動電流を検出する検出部を備え、
前記判定処理部は、前記検出部が検出した前記駆動電圧又は前記駆動電流が閾値を越えたか否かによって、前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定を行い、
前記条件変更処理部は、前記電圧と比較する前記閾値を変更することによって、前記判定条件の変更を行う請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項１１】
熱歪みによる振動を検出可能な衝撃センサをさらに備え、
前記衝撃センサによって振動を検出した場合に前記温度センサの測定温度を記憶し、記憶した測定温度によって、前記熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域にあるか否かを判定する際の境界温度条件を変更する請求項５に記載のディスク記憶装置。
【請求項１２】
記録ディスクと、前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、装置内部の温度を検出する温度センサとを備えるディスク記憶装置の制御方法であって、
前記温度センサが検出した測定温度を用いて過去の温度からの温度変化量を算出し、
前記測定温度と前記温度変化量に基づいて、将来到達する予測温度を算出し、
第１の基準温度より前記測定温度が高く、かつ、前記第１の基準温度より高い第２の基準温度より前記予測温度が高い場合に、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する際の判定条件を変更するディスク記憶装置の制御方法。
【請求項１３】
前記測定温度と前記温度勾配から将来到達する予測温度を算出し、
第３の基準温度より前記測定温度が低く、かつ、前記第３の基準温度より低い第４の基準温度より前記予測温度が低い場合に前記判定条件の変更を行う請求項１２に記載のディスク記憶装置の制御方法。
【請求項１４】
前記測定温度が基準温度より高く、前記温度変化量が正であり、かつ、前記温度変化量の絶対値が基準量より大きい場合に前記判定条件の変更を行う請求項１２に記載のディスク記憶装置の制御方法。
【請求項１５】
前記測定温度が基準温度より低く、前記温度変化量が負であり、かつ、前記温度変化量の絶対値が基準量より大きい場合に前記判定条件の変更を行う請求項１２に記載のディスク記憶装置の制御方法。
【請求項１６】
前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定は、前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量を閾値と比較することにより行い、
前記判定条件の変更は、前記閾値を変更することにより行う請求項１２に記載のディスク記憶装置の制御方法。
【請求項１７】
前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定は、前記ヘッドを支持するキャリッジを揺動するボイス・コイル・モータの駆動電圧又は駆動電流が閾値を越えたか否かにより行い、
前記判定条件の変更は、前記駆動電圧又は前記駆動電流と比較する前記閾値を変更することにより行う請求項１２に記載のディスク記憶装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置に代表されるディスク記憶装置に関し、特に、ディスク記憶装置を構成する部品の熱歪みにより発生する振動の影響による誤書き込みを防止する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
異なる熱膨張率を持つ複数の部品から構成される磁気ディスク装置においては、部品間の熱膨張の差によって部品の接合部分に応力、すなわち熱歪みが発生する。熱歪みによる応力が集中すると、"びびり振動"又は"スティック・スリップ（stick-slip）と呼ばれる振動を生ずる。この熱歪みに起因するスティック・スリップは、一定の温度勾配を超える急激な温度変化があった場合に発生しやすいことが知られている。ここで、温度勾配とは、単位時間当たりの温度変化量を意味する。近年、磁気ディスク装置の高記録密度化が進んでいることから、わずかなスティック・スリップによっても記録ヘッドが振動してオフトラック・ライトが生じ、隣接トラックの記録データを破壊してしまうという問題がある。
【０００３】
このような構成部品の熱膨張率の差から生じる熱歪みを低減させることを目的として、例えば、特許文献１には、磁気ディスク装置に用いるマグネシウム合金製キャリッジの熱膨張率を低減し、他の組合せ材料との熱膨張率差から生じる熱応力、熱歪みを低減し、信頼性の高いキャリッジを提供する技術が開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示された技術は、熱歪みを緩和するものとして効果があるものの、高記録密度化された磁気ディスク装置では、わずかなスティック・スリップによって記録データの破壊を引き起こす可能性があること、また、磁気ディスク装置は、多数の部品から構成されるため、熱歪みによるスティック・スリップの発生を完全に抑止することは困難であることから、依然としてスティック・スリップによって記録データの破壊を引き起こす可能性がある。
【０００５】
一方、磁気ディスク装置に代表されるディスク記憶装置において、温度環境によらず記録データの保護、及び装置の信頼性向上を行うことを目的とした技術に関しては、数多くの特許出願が行われている。例えば、特許文献２には、ディスク装置の温度を検出する温度センサを備え、磁気ディスク装置の動作保証温度の範囲内であるか否かに応じて、書き込み処理方法を変更する技術が開示されている。具体的には、磁気ディスク装置内の温度が動作保証温度の範囲外である場合には、ディスクへの書き込み後にベリファイを実施して書き込みが正常であるかを確認し、ベリファイによってエラーを発見した後に書き込みのリトライを行い、リトライ回数が規定回数に達すると書き込み処理を禁止するものである。
【０００６】
また、特許文献３には、アクセスタイムが長くなることを防止するため、磁気ディスク装置の周囲環境の温度（以下、環境温度と呼ぶ）を検出し、一定温度以上では、ロングシーク動作を止めること、信号処理ＩＣの転送レートを下げること、一定温度以上では書き込み動作を禁止することが開示されている。また、特許文献３には、過去の温度変化から１分後の到達温度を予測し、これに基づいて周辺のファン、ヒーター等を制御すること、磁気ディスク装置の制御を行うことが開示されている。具体的には、高温が予想されるときは磁気ディスク装置の制御及びファンの制御を行い、低温が予想されるときはヒーターの制御を行うことが開示されている。なお、高温が予想される時の磁気ディスク装置の具体的な制御内容は、書込み禁止やロングシーク動作の禁止といった高温検出時の制御内容と同様である。
【０００７】
しかし、複数の異なる熱膨張率を持つ部品から構成されるディスク記憶装置においては、装置の動作保証温度の範囲内においても、一定の温度勾配を超える急激な温度変化があった場合には、スティック・スリップが発生してしまう。上述した特許文献２及び３に開示された技術は、いずれも磁気ディスク装置の動作補償温度を検出するものであり、熱歪みに起因するスティック・スリップを問題としておらず、スティック・スリップによるオフトラック・ライトを抑止する手段は開示していない。
【０００８】
このため、磁気ディスク装置の動作保証温度の検出を行う特許文献２及び３に開示されたような従来技術では、スティック・スリップによるオフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができない。
【特許文献１】特開平６−３２５５０８号公報
【特許文献２】特開２００３−２９７０２５号公報
【特許文献３】特開平１０−１９９１２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、複数の異なる熱膨張率を持つ部品から構成されるディスク記憶装置においては、装置の動作保証温度の範囲内においても、一定の温度勾配を超える急激な温度変化があった場合に、熱歪によるスティック・スリップが発生し、オフトラック・ライトによる記録データの破壊が生じやすいという問題がある。
【００１０】
本発明は、上記の問題を考慮してなされたものであり、本発明の目的は、熱歪みによるスティック・スリップを原因とするオフトラック・ライトを抑止することが可能ディスク記憶装置及びディスク記憶装置の制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明にかかるディスク記憶装置は、記録ディスクと、前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、装置内部の温度を検出する温度センサとを備える磁気ディスク装置である。さらに、前記温度センサが検出した測定温度と、前記測定温度を用いて算出した温度変化量に基づいて、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する際の判定条件の変更を行うことを特徴とする。
【００１２】
熱歪みによるスティック・スリップの発生し易さは、測定温度及び温度変化量から判定することが可能である。このため、上記の構成により、測定温度及び温度変化量が熱歪みによるスティック・スリップの発生しやすい状況を示す場合に、書き込み禁止条件を変更することができる。例えば、熱歪みによるスティック・スリップが発生しやすい場合には、ヘッドの位置変動と相関を有する測定量の変動が小さい場合にも書込み禁止とするように、書込み禁止の判定条件を変更すればよい。これにより、スティック・スリップ発生初期の微小な測定量の変化に応じて記録ディスクへの書込みを禁止できるため、スティック・スリップによるオフトラック・ライトの発生を抑制することができる。
【００１３】
なお、前記ディスク記憶装置は、前記測定温度と前記温度変化量から将来到達する予測温度を算出し、第１の温度より前記測定温度が高く、かつ、前記第１の温度より高い第２の温度より前記予測温度が高い場合に前記判定条件の変更を行うよう構成することができる。スティック・スリップは、所定温度以上の高温領域における急な温度上昇によって発生しやすい。上記の構成によれば、測定温度と第１の基準温度の比較によってスティック・スリップを生じ易い温度領域であることを判定し、予測温度と第２の基準温度の比較によって急激な温度上昇を予測できるため、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い高温領域であることを確実に判定し、書き込み禁止条件を変更することができる。これにより、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【００１４】
また、前記ディスク記憶装置は、前記測定温度と前記温度勾配から将来到達する予測温度を算出し、第３の温度より前記測定温度が低く、かつ、前記第３の温度より低い第４の温度より前記予測温度が低い場合に前記判定条件の変更を行うよう構成することができる。スティック・スリップは、温度降下時の所定温度以下の低温領域における急な温度低下によって発生しやすい。上記の構成によれば、測定温度と第３の基準温度の比較によってスティック・スリップを生じ易い温度領域であることを判定し、予測温度と第４の基準温度の比較によって急激な温度低下を予測できるため、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い低温領域であることを確実に判定し、書き込み禁止条件を変更することができる。これにより、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【００１５】
さらに、前記ディスク記憶装置においては、前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定は、前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量を閾値と比較することにより行うものとし、前記判定条件の変更は、前記閾値を変更することにより行うよう構成することができる。
【００１６】
またさらに、前記ディスク記憶装置は、前記ヘッドを支持するキャリッジと、機械的な衝撃を検出する衝撃センサと、前記衝撃センサの出力が反映された駆動電圧又は駆動電流により駆動され、前記キャリッジを揺動するボイス・コイル・モータと、前記駆動電圧又は前記駆動電流を検出する検出部を備えるものとし、前記検出部が検出した電圧が閾値を越えたか否かによって、前記磁気ディスクへの書き込みを禁止するか否かの判定を行い、前記判定条件の変更は、前記電圧と比較する前記閾値を変更することにより行うよう構成することができる。ボイス・コイル・モータの駆動電圧又は駆動電流には、スティック・スリップによってヘッド位置が変動するより早くスティック・スリップの振動が反映されることが多い。したがって、ボイス・コイル・モータの駆動電圧の変動を監視し、スティック・スリップが発生し易いと判断した場合に、駆動電圧の微小な変動を契機に書き込みを禁止することにより、ヘッド位置の変動を示す位置誤差信号等を検知する場合に比べて早いタイミングでスティック・スリップを検知できる。このため、オフトラック・ライトの発生を確実に抑止することができる。
【００１７】
本発明の別態様にかかるディスク記憶装置は、記録ディスクと、前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、装置内部の温度を検出する温度センサと、前記ヘッドの位置変動と相関を有する測定量の変動を検出し、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する判定処理部と、前記判定処理部に適用する判定条件の変更を行う条件変更処理部とを備えるディスク記憶装置である。さらに、前記条件変更処理部は、前記温度センサが検出した測定温度と、前記測定温度を用いて算出した温度変化量に基づいて、熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域にあるか否かを判定し、熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域であると判定した場合に前記判定条件の変更を行うものである。
【００１８】
このような構成により、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易さを判定し、その判定結果に応じて書き込み禁止条件を変更することができる。例えば、熱歪みによるスティック・スリップが発生しやすいと判定した場合には、測定量の変動が小さい場合にも書込み禁止とするように判定処理部の判定条件を変更すればよい。これにより、スティック・スリップ発生初期の微小な測定量の変化に応じて記録ディスクへの書込みを禁止できるため、スティック・スリップによるオフトラック・ライトの発生を抑制することができる。また、熱歪みによるスティック・スリップの発生しにくい場合には、書込み禁止とする判定条件を緩やかに設定することにより、スティック・スリップ等の振動を誤検出することを防止できる。
【００１９】
前記判定処理部は、２以上の前記測定量の変動を検出し、検出結果に基づいて前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定することが望ましい。２以上の測定量の変動によって判定することにより、１の測定量の変動が検知できない場合に、他の測定量の変動を検知して書込み禁止を判定することが可能となるため、判定の精度を向上することができる。
【００２０】
また、前記ディスク記憶装置は、熱歪みによる振動を検出可能な衝撃センサをさらに備えるものとし、前記衝撃センサによって振動を検出した場合に前記温度センサの測定温度を記憶し、記憶した測定温度によって、前記熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域にあるか否かを判定する際の境界温度条件を変更することができる。このような構成により、前記熱歪みによる振動が生じる可能性が高い温度領域にあるか否かの判定を最適化することができる。
【００２１】
本発明にかかるディスク記憶装置の制御方法は、記録ディスクと、前記記録ディスクに対する書き込みを行うヘッドと、装置内部の温度を検出する温度センサとを備えるディスク記憶装置の制御方法であって、前記温度センサが検出した測定温度を用いて過去の温度からの温度変化量を算出し、前記測定温度と前記温度変化量に基づいて、前記ヘッドによる前記記録ディスクへの書き込みを禁止するか否かを判定する際の判定条件を変更するもものである。
【００２２】
上述したように、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易さは、測定温度及び温度変化量から判定することが可能である。このため、上記の制御方法によって、測定温度及び温度変化量が熱歪みによるスティック・スリップの発生しやすい状況を示す場合に、書き込み禁止条件を変更することができる。例えば、熱歪みによるスティック・スリップが発生しやすい場合には、ヘッドの位置変動と相関を有する測定量の変動が小さい場合にも書込み禁止とするように、書込み禁止の判定条件を変更すればよい。これにより、スティック・スリップ発生初期の微小な測定量の変化に応じて記録ディスクへの書込みを禁止できるため、スティック・スリップによるオフトラック・ライトの発生を抑制することができる。
【００２３】
なお、前記制御方法は、前記測定温度と前記温度変化量から将来到達する予測温度を算出し、第１の温度より前記測定温度が高く、かつ、前記第１の温度より高い第２の温度より前記予測温度が高い場合に前記判定条件の変更を行うこととしてもよい。これにより、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い高温領域において書き込み禁止条件を変更することができるため、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【００２４】
また、前記制御方法は、前記測定温度と前記温度勾配から将来到達する予測温度を算出し、第３の温度より前記測定温度が低く、かつ、前記第３の温度より低い第４の温度より前記予測温度が低い場合に前記判定条件の変更を行うこととしてもよい。これにより、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い低温領域において書き込み禁止条件を変更することができるため、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【００２５】
さらに、前記制御方法は、前記測定温度が基準温度より高く、前記温度変化量が正であり、かつ、前記温度変化量の絶対値が基準量より大きい場合に前記判定条件の変更を行うこととしてもよい。これにより、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い高温領域において書き込み禁止条件を変更することができるため、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【００２６】
またさらに、前記制御方法は、前記測定温度が基準温度より低く、前記温度変化量が負であり、かつ、前記温度変化量の絶対値が基準量より大きい場合に前記判定条件の変更を行うこととしてもよい。これにより、熱歪みによるスティック・スリップの発生し易い低温領域において書き込み禁止条件を変更することができるため、オフトラック・ライトの発生を効果的に抑止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、熱歪みによるスティック・スリップを原因とするオフトラック・ライトを抑止することが可能なディスク記憶装置及びディスク記憶装置の制御方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略する。なお、以下に説明する実施の形態は、磁気ディスク装置に対して本発明を適用したものである。
【００２９】
発明の実施の形態１．
本実施の形態にかかる磁気ディスク装置１の構成を図１に示す。図１において、磁気ディスク装置１は、データを記録する記録メディアとしての磁気ディスク１０を備えている。磁気ディスク１０は、磁性層が磁化されることによってデータを記録する不揮発性メモリである。磁気ディスク１０は、ＳＰＭ１６のハブに固定されている。ＳＰＭ１６は所定の速度で磁気ディスク１０を回転する。
【００３０】
ヘッド１１は、磁気ディスク１０への記憶データに応じて電気信号を磁界に変換する記録素子及び磁気ディスク１０からの磁界を電気信号に変換する再生素子を有している。ヘッド１１は、キャリッジ１３の先端部分に保持されている。
【００３１】
キャリッジ１３は、ボイス・コイル・モータ（ＶＣＭ）１４に固定されている。ＶＣＭ１４は、ヘッド１１を磁気ディスク１０上の任意のトラック上に移動するためのアクチュエータ機構である。ＶＣＭ１４が揺動することによって、ヘッド１１が磁気ディスク１０上を移動する。モータ制御回路１７は、マイクロ・プロセッサ（ＭＰＵ）１８からの制御信号に従って、ＶＣＭ１４及びＳＰＭ１６を駆動する。
【００３２】
Ｒ／Ｗ制御回路１２は、磁気ディスク１０への書き込みデータに対する変調処理及び直並列変換処理等を行って、ライトドライバ（不図示）を介して書き込み信号をヘッド１１に送出する。また、Ｒ／Ｗ制御回路１２は、ヘッド１１が磁気ディスク１０から読み出した再生信号に対する復調処理を行って、復元した読み出しデータをＭＰＵ１８に出力する。
【００３３】
ＭＰＵ１８は、磁気ディスク装置１の全体を制御するプロセッサであり、ヘッド１１の位置決め制御、Ｒ／Ｗ制御回路１２に対するデータ書き込み／データ読み出しの許可、障害管理等を行う。また、本実施の形態のＭＰＵ１８は、温度センサ２０の出力をＡ／Ｄ変換器２１を介して入力し、磁気ディスク装置１内部の温度を取得することができる。さらに、ＭＰＵ１８は、取得した温度データを用いて温度勾配及び将来の磁気ディスク装置１内部の予測温度を算出し、磁気ディスク１０に対する書込み禁止条件の変更処理を実行する。これらの処理の詳細は後述する。
【００３４】
インタフェース制御回路１９は、装置外部の上位システム又は他の磁気ディスク装置とのインタフェースを制御する。磁気ディスク装置１の外部から入力される書き込みデータは、Ｉ／Ｆ制御回路１９を介してＭＰＵ１８によって受信され、Ｒ／Ｗ制御回路１２を介して、ヘッド１１によって磁気ディスク１０に書き込まれる。また、磁気ディスク１０に記憶されているデータは、ヘッド１１によって読み出され、Ｉ／Ｆ制御回路１９を介して外部に出力される。
【００３５】
衝撃センサ２２は、磁気ディスク装置１に加わる機械的な衝撃を検出する可能なセンサである。衝撃センサ２２は、例えば、変位、速度又は加速度を検出することにより、衝撃を検出するセンサである。衝撃センサ２２の出力はモータ制御回路１７に入力され、ＶＣＭ１４の駆動電圧に反映される。
【００３６】
次に、ＭＰＵ１８が行う書込み禁止条件の変更処理について説明する。書込み禁止条件の変更処理のフローチャートを図２に示す。まず、ステップＳ１１では、温度センサ２０の出力値を取り込み、取り込んだ出力値つまり現在温度の値を用いて将来の到達温度を予測した予測温度を算出する。
【００３７】
ここで、予則温度算出処理の処理フローの一例を図３に示す。まず、ステップＳ２１において、温度センサ２０の出力値を取得する。ステップＳ２２では、ステップＳ２１で取得した温度センサの出力値つまり現在温度と、ＭＰＵ１８が備える又はＭＰＵ１８の外部に接続されるＲＡＭ（図示せず）等の記憶部に保持しておいた過去の温度を用いて温度勾配を算出する。具体的には、例えば、現在温度と過去の温度の差を演算した結果は、温度取得周期を単位時間とする温度勾配となる。ステップＳ２３では、現在温度及び温度勾配を用いて予測温度を算出する。
【００３８】
図２に戻り、ステップＳ１２では、書込み禁止条件の変更が必要であるか否かを判定する。具体的には、ステップＳ１１で算出した温度勾配及び予想温度が、熱歪みによるスティック・スリップによってオフトラック・ライトが発生する可能性が高い領域にある場合に、厳しい書き込み禁止条件に変更する。逆に、オフトラック・ライトが発生する可能性が高い領域を脱した場合には、相対的に緩やかな通常の書込み禁止条件に変更する。
【００３９】
ステップＳ１３では、ステップＳ１２において書込み禁止条件の変更有りと判定した場合に、書込み禁止条件の変更を実施する。ステップＳ１１乃至Ｓ１３の処理を所定の時間間隔で繰り返し行うことにより、書込み禁止条件を温度条件に応じて適応的に変更することができる。
【００４０】
ここで、書込み禁止条件とは、磁気ディスク１０に対する書き込みを許可するか、禁止するかの閾値条件である。本明細書では、上記のような閾値条件を書き込み禁止条件と呼ぶが、書き込許可条件と呼ばれる場合もある。また、厳しい書込み禁止条件とは、書込み禁止の状態に遷移する閾値を低くし、書込み禁止の状態に遷移しやすい条件とすることを意味する。書込み禁止条件として設定する閾値条件には、様々な条件が考えられる。例えば、ＶＣＭ１４の駆動電圧の変動量、ＶＣＭ１４の電流変動量、磁気ディスク１０のトラックの中心とヘッド１１の位置のズレを示す位置誤差信号の大きさ、磁気ディスク装置内に設けた衝撃センサが検出した振動振幅の大きさ等に対して設定した閾値を書込み禁止条件とすることができる。また、これらを複数組み合わせて書込み禁止条件とすることもできる。要するに、スティック・スリップ振動によってヘッド１１が磁気ディスク１のトラック中心から大きくずれた場合に、書き込み動作を継続しているとオフトラック・ライトを生じることになる。したがって、上述した条件以外にも、ヘッド１１の位置変動と直接的又は間接的に相関を有する測定量に対して設定した閾値条件を書込み禁止条件とすることができる。
【００４１】
なお、図２及び図３を用いて説明した書き込み禁止条件の変更処理は、ＭＰＵ１８が内部に備える又はＭＰＵ１８の外部に接続されるＲＯＭ又はフラッシュメモリ等の記憶部（図示せず）に、書き込み禁止条件の変更処理の手順を記録したファームウェア・プログラムを格納しておき、当該ファームウェア・プログラムをＭＰＵ１８で実行し、ＭＰＵ１８による演算処理と温度センサ２０、モータ制御回路１７及びＲ／Ｗ制御回路１２等の制御を協調して行うことによって実現することができる。
【００４２】
以下では、上述した予測温度算出処理の具体的な実施例を図４乃至図８を用いて説明する。本実施例では、５分毎に温度センサ２０から取得する現在温度Ｔnowと、５分間の温度変化量ΔＴとを用いて、将来到達すると予想される予測温度Ｔestimateを以下の（１）式に示す簡略式より算出する。また、ΔＴは（２）で表される。
Ｔestimate＝Ｔnow ＋ Ｃ × ΔＴ            （１）
ΔＴ＝Ｔnow − Ｔprevious                  （２）
ここで、係数Ｃは、温度変化量ΔＴに重み付けを行う係数であり、Ｔpreviousは、現在温度Ｔnowの取得時刻から５分前に温度センサ２０から取得した温度である。
【００４３】
本実施例では、（１）式の係数Ｃを、ΔＴの値に応じて決定することとし、磁気ディスク装置の実際の温度変化を示す図４及び図５のＴnowのグラフに適応するよう定めている。具体的には、ΔＴの絶対値｜ΔＴ｜が０．８以上の場合はＣ＝２．０とし、｜ΔＴ｜が０．８未満の場合は、Ｃ＝１．０とした。Ｃ＝２．０は、将来の温度変化の割合つまり将来の温度勾配が、過去５分間の２倍と想定したことを意味する。また、Ｃ＝１．０は、将来の温度勾配が、過去５分間の温度勾配と同一と想定したことを意味する。
【００４４】
図４の実線で示すＴnowは、ある磁気ディスク装置を低温（５℃）の環境においたときに、磁気ディスク装置の内部温度を５分毎に取得してプロットしたグラフである。また、図４の破線は、上記（１）式を用いて５分毎に算出した予測温度Ｔestimateをプロットしたグラフである。図４から分かるように、（１）式によると、低温環境下に磁気ディスク装置を置いた最初の２０分程度は、特に、予測温度を過剰に見積もっていることが分かる。これは、先の（１）式の係数Ｃの値として２．０を選択しているためである。予測温度又は将来の温度勾配を過剰に見積もることによって、厳しい書込み禁止条件への変更をいち早く行うことができるため、オフトラック・ライトを防止する観点から有効である。Ｔnowの値が収束していくにつれてΔＴがゼロに近づくため、ＴestimateもＴnowと同様に収束する。
【００４５】
一方、図５の実線で示すＴnowは、ある磁気ディスク装置を高温（５５℃）の環境においたときに、磁気ディスク装置の内部温度を５分毎に取得してプロットしたグラフである。また、図５の破線は、上記（１）式を用いて５分毎に算出した予測温度Ｔestimateをプロットしたグラフである。この場合も、図４と同様に、高温環境下に磁気ディスク装置を置いた最初の２０分程度は、予測温度を過剰に見積もっていることが分かる。
【００４６】
次に、５分毎に（１）式を用いて予測温度Ｔestimateを算出する過程の一例を図６のフローチャートに示す。図６は、図３に示した予測温度算出処理の具体例を示すものである。まず、ステップＳ３１では、現在温度を示す変数Ｔnowに、温度センサ２０の出力値を格納する。ステップＳ３２では、５分前の温度センサ出力値が格納された変数Ｔpreviousと現在温度を示す変数Ｔnowを用いて温度変化量ΔＴを算出する。ステップＳ３３乃至Ｓ３５では、算出したΔＴの絶対値の大きさに応じて係数Ｃを決定する。上述したように、本実施例では、絶対値｜ΔＴ｜が０．８以上の場合はＣ＝２．０とし、｜ΔＴ｜が０．８未満の場合は、Ｃ＝１．０とする。ステップＳ３６では、上述した（１）式により、予測温度Ｔestimateを算出する。ステップＳ３７では、次の所定時間（５分間）経過後の予測温度を算出するため、変数Ｔnowの値を過去（５分前）の温度を示す変数Ｔpreviousに格納する。
【００４７】
次に、上述した具体的な予測温度算出処理によって算出した予測温度、温度勾配及び現在温度に応じて、書き込み禁止条件を変更する具体例を図７及び図８を用いて説明する。
【００４８】
図７は、図６に示したフローチャートの処理によって得られる現在温度Ｔnow、予想温度Ｔestimate及び温度変化量（温度勾配）ΔＴと書込み禁止条件の関係を定めたテーブルである。本実施例では、係数Ｃが２．０、つまり、過去の５分間での温度変化が０．８℃以上であり、ΔＴが負であり、現在温度が３２℃以下であり、かつ、予測温度Ｔestimateが２８℃以下である場合に、厳しい書込み禁止条件に変更する。さらに、係数Ｃが２．０、つまり、過去の５分間での温度変化が０．８℃以上であり、ΔＴが正であり、現在温度が４０℃以上であり、かつ、予測温度Ｔestimateが５０℃以下である場合に、厳しい書込み禁止条件に変更する。図７のテーブルの２つの網掛け領域が書込み禁止条件を厳しくする領域である。図７の網掛けのない領域は、通常の書込み禁止条件を設定して磁気ディスク装置に対する書き込み動作を行う領域である。
【００４９】
基本的には、温度上昇時の所定温度以上の高温部分、温度下降時の所定温度以下の低温部分においては、熱歪みによるスティック・スリップが発生しやすいため、これらの環境下に入る場合に厳しい書込み禁止条件を適用することすればよい。このため、本実施例では、上述したように、現在温度が第１の基準温度（例えば４０℃）より高く、かつ、温度勾配を用いて算出した予測温度が第１の基準温度より高い第２の基準温度（例えば５０℃）以上となる場合に、厳しい書込み禁止条件に変更する。また、現在温度が第３の基準温度（例えば３２℃）より低く、かつ、温度勾配を用いて算出した予測温度が第３の基準温度より低い第４の基準温度（例えば２８℃）以下となる場合にも、厳しい書込み禁止条件に変更する。第１の基準温度及び第３の基準温度は、スティック・スリップを生じ易い温度領域の境界温度を表す。また、第１基準温度と第２の基準温度の差及び第３の基準温度と第４の基準温度の差は、スティック・スリップを生じ易い温度勾配を表す。
【００５０】
図８は、上述した図７のテーブルに従って書込み禁止条件の変更を行う場合に、温度サイクル環境下に置いた磁気ディスク装置１に対して厳しい書き込み禁止条件が適用される領域を示すグラフである。図の実線は、温度センサ２０による測定値Ｔnowを示しており、図の破線は予測温度Ｔestimateを示している。図のＲ１及びＲ３の領域では、現在の内部温度が高温（４０℃以上）であり、かつ、５分後の予測温度がさらに高温（５０℃以上）であり、かつ、温度勾配の絶対値が大きい（予測係数＝２．０）ため、厳しい書き込み禁止条件に変更する。図のＲ２の領域では、現在の温度が低温（３２度以下）であり、かつ、５分後の予測温度がさらに低温（２８度以上）であり、かつ、温度勾配の絶対値が大きい（予測係数＝２．０）ため、厳しい書き込み禁止条件に変更する。
【００５１】
上述したように、書込み禁止条件としては、ＶＣＭ１４の駆動電圧の変動量、ＶＣＭ１４の電流変動量、磁気ディスク１０のトラックの中心とヘッド１１の位置のズレを示す位置誤差信号（ＰＥＳ：Position Error Signal）の大きさ、磁気ディスク装置内に設けた衝撃センサが検出した振動振幅の大きさ等に対して設定した閾値条件を用いることができる。位置誤差信号とは、トラック中心からのヘッド１１のずれを表す信号であり、主に、ヘッド１１の位置決め制御に利用される信号である。
【００５２】
なお、書込み禁止条件に対して、スティック・スリップによるオフトラック・ライトを防止するために、全ての温度環境下で常に厳しい閾値条件を設定することも可能である。しかしながら、常に厳しい閾値を設定すると、振動の誤検出が多くなるため磁気ディスク装置のアクセス性能を損なうという問題が生じる。
【００５３】
これに対して、本実施の形態の磁気ディスク装置１のように、熱歪みによるスティック・スリップが発生しやすい温度領域にある場合にのみ厳しい書込み禁止条件を適用し、それ以外の場合は、通常のより緩やかな書込み禁止条件を適用することによって、スティック・スリップによるオフトラック・ライトを抑止し、かつ、磁気ディスク装置１のアクセス性能を維持することができる。
【００５４】
続いて以下では、書込み禁止条件の具体例と、書込み禁止条件の条件変更の具体例を説明する。以下では、書込み禁止条件をＶＣＭ１４の駆動電圧（以下、ＶＣＭ電圧と呼ぶ）の振幅に設定した閾値条件とし、ＶＣＭ電圧が閾値を超えて大きく変動したときに、磁気ディスク１０への書き込みを禁止する場合を具体的に説明する。図９は、この場合の磁気ディスク装置１の主要部の構成を示したものである。
【００５５】
図９において、モータ制御回路１７が備えるＶＣＭ駆動部１７１は、ＶＣＭ１４のコイルに電流を供給して、ＶＣＭ１４を駆動する。ＶＣＭ１４に対する駆動電流は、ＭＰＵ１８が備える位置制御処理部１８１が出力する制御信号をＤ／Ａ変換器１７２を介してＶＣＭ駆動部１７１に入力することによって制御される。さらに、図９に示すように、位置制御処理部１８５からＶＣＭ駆動部１７１に入力される制御信号には、衝撃センサ２２の出力信号が重畳され、衝撃センサ２２が検出した衝撃による振動を打ち消すように、ＶＣＭ駆動電圧が制御される。このように、ＶＣＭ駆動部１７１がＶＣＭ１４に供給する電流及び駆動電圧には、衝撃センサ２２が検出した衝撃が反映されるため、ＶＣＭ電圧の変動を監視することによって、衝撃を検知することが可能である。
【００５６】
ＶＣＭ駆動電圧検出部１７３は、ＶＣＭ１４の駆動電圧（ＶＣＭ電圧）を検出する。ＶＣＭ駆動電圧検出部１７３の出力は、Ａ／Ｄ変換器１７４を介してＭＰＵ１８に入力される。
【００５７】
ＭＰＵ１８が備える位置制御処理部１８１は、ヘッド１１の位置決め制御を行う。ヘッド１１の位置決め制御は概ね以下のように行われる。まず、ヘッド１１の再生素子が磁気ディスク１０から読み出したデータをＲ／Ｗ制御回路１２に入力してサーボ・データを検出し、検出したサーボ・データからヘッド位置情報を取得する。位置制御処理部１８１は、Ｒ／Ｗ制御回路が取得したヘッド位置情報を入力し、ヘッド位置情報を用いてヘッド位置及びヘッド速度を算出する。さらに、位置制御処理部１８１は、算出したヘッド位置及びヘッド速度に応じて、ＶＣＭ駆動部１３に与える制御信号を決定する。なお、磁気ディスク装置１１が行うヘッド位置決め制御は従来の制御方法と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００５８】
閾値判定処理部１８２は、ＶＣＭ駆動電圧検出部１７３によって検出されたＶＣＭ電圧の変動量が閾値を超えた場合に、書込み禁止信号をＲ／Ｗ制御回路１２に出力し、磁気ディスク１０に対する書き込みを禁止する。つまり、閾値判定処理部１８２に適用するＶＣＭ電圧の変動量に対する閾値を小さくするほど書込み禁止の状態に遷移しやすい条件となる。このため、閾値判定処理部１８２に適用する閾値を小さくすることは、厳しい書込み禁止条件に変更することに対応する。
【００５９】
予測温度算出処理部１８３は、温度センサ２０が出力する温度検出信号をＡ／Ｄ変換器２１を介して入力し、図３又は図６を用いて説明した予測温度算出処理を行って、温度勾配及び予測温度を算出する。条件変更処理部１８４は、予測温度算出処理部１８３が算出した温度勾配及び予測温度並びに温度センサ２０が検出した現在温度を用いて、図２のステップＳ１２及びＳ１３に示した書込み禁止条件の変更の判定を行う。条件変更処理部１８４は、書込み禁止条件を変更する場合には、閾値判定処理部１８２に対して閾値の変更を指示する。具体的には、条件変更処理部１８４は、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生しやすい温度領域と判断した場合に、ＶＣＭ電圧のより小さい電圧変動によって書込み禁止とするように、閾値判定処理部１８２の閾値の変更を指示する。逆に、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生し難い温度領域と判断した場合は、ＶＣＭ電圧のより大きな変動を許容するように、閾値判定処理部１８２の閾値を変更する。
【００６０】
なお、上述したように、閾値判定処理部１８２、予測温度算出処理部１８３及び条件変更処理部１８４は、ファームウェア・プログラムをＭＰＵ１８で実行することによって実現可能である。
【００６１】
図１０は、スティック・スリップ発生時おける衝撃センサ２２による衝撃検出、ＶＣＭ電圧、位置誤差信号（ＰＥＳ）及びＭＰＵ１８がＲ／Ｗ制御回路１２に出力する書込み禁止信号の関係を示した概念図である。ＰＥＳ信号に矢印で示した位置は、スティック・スリップによってヘッド１１が振動した結果、ＰＥＳが大きく変動した時刻を示している。このようなＰＥＳの変動を、以下では、ＰＥＳジャンプと呼ぶ。ＰＥＳジャンプが生じたときにヘッド１１が書込みを行っていると、オフトラック・ライトが発生する。
【００６２】
いま、通常時におけるＶＣＭ電圧の変動量に設定する閾値を図１０のＴｈ２とし、温度センサ２０による測定温度及びこれから求めた温度勾配に基づいてスティック・スリップが発生しやすい温度領域と判定した場合にＶＣＭ電圧の変動量に対する閾値を図１０のＴｈ１に変更する。このように、スティック・スリップの発生可能性に応じて、書込み禁止を判定する際に使用するＶＣＭ電圧の閾値を変更することにより、ＰＥＳジャンプが発生するより早い時刻（図１０のＴ１）において、書込み禁止信号を出力してＲ／Ｗ制御回路１２及びヘッド１１が行う磁気ディスク１０に対する書込み動作を停止することができる。
【００６３】
このように、本実施の形態にかかる磁気ディスク装置1は、ＶＣＭ電圧の検出値に応じて書き込みを禁止する機構を有し、温度センサ２０による測定温度及びこれから算出した温度勾配に基づいて書き込みを禁止する際の閾値を動的に変更するものである。つまり、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生しやすい温度領域では、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生し難い温度領域に比べて、相対的に小さいＶＣＭ電圧の変動を契機に書込み禁止とするよう閾値を変更する。これにより、スティック・スリップによる振動をより早く検出し、書込み禁止に遷移するタイミングを早くできるため、オフトラック・ライトの発生を抑制できる。逆に、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生し難い温度領域では、相対的に大きいＶＣＭ電圧の変動を許容するように閾値を変更する。これにより、ＶＣＭ電圧による振動検出条件を緩和してアクセス性能を向上することができる。
【００６４】
また、上述したＶＣＭ電圧の変動を検出して磁気ディスク１０に対する書き込みを禁止する方法は、従来からよく行われている位置誤差信号の変動を検出して書き込みを禁止する方法に比べて、より早い時点で書き込みを禁止できる点で有効である。位置誤差信号は、ヘッド１１によるサーボ・データの読み取り後に出力される信号であるため、振動の影響が出力値に現れるまでのタイムラグが比較的大きい。これに対して、ＶＣＭ電圧は振動の影響をより直接的に検出できるため、位置誤差信号の変動を検出する場合に比べてより早く振動発生を検出することができる。このように、ＶＣＭ電圧の変動を検出して書込み禁止を行うこととし、ＶＣＭ電圧の変動に対す判定閾値をスティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生に応じて変更することにより、スティック・スリップによる振動をいち早く検出できる。このため、オフトラック・ライトをより効果的に防止することができる。なお、ＶＣＭ電圧の変動ではなくＶＣＭ１４の駆動電流の変動を検出することとしてもよい。これによっても、位置誤差信号の変動を検出して書き込みを禁止する方法に比べて、より早い時点で書き込みを禁止することができる。
【００６５】
さらに以下では、別の具体例として、書込み禁止条件をＶＣＭ１４の駆動電圧（ＶＣＭ電圧）の振幅に設定した閾値条件及び位置誤差信号の大きさに設定した閾値条件の２つとした場合について説明する。図１１は、この場合の磁気ディスク装置１の主要部の構成を示したものである。図９に示した構成に加えて、Ｒ／Ｗチャネル１２が出力する位置誤差信号を入力して閾値判定処理を行う閾値判定部１８５をさらに備えている。条件変更処理部１８３は、書込み禁止条件を変更する場合には、閾値判定処理部１８２及び１８５に対して閾値の変更を指示する。
【００６６】
例えば、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生しやすい状況ではない場合は、ヘッド位置がトラック中心から±４０ｎｍの範囲にあるときに書き込みを許可するものとする。この場合は、ヘッドとトラック中心との距離が±４０ｎｍを超える場合に書き込みを禁止するよう位置誤差信号に対する閾値を設定する。これに対して、スティック・スリップによるオフトラック・ライトが発生しやすい状況では、書き込みを許可する範囲をより厳しい条件に変更する。例えば、書き込みを許可する範囲をトラック中心から±３０ｎｍの範囲により狭くするよう変更し、これに合わせて位置誤差信号の閾値を変更する。
【００６７】
磁気ディスク装置内でスティック・スリップが発生する場所や、スティク・スリップの振動の大きさによっては、ＶＣＭ電圧が変化する前に位置誤差信号の変動が起きる場合が考えられる。このため、ＶＣＭ電圧に対する書込み禁止条件と位置誤差信号に対する書込み禁止条件の二重の条件を設定することによって、ＶＣＭ電圧が変化する前に位置誤差信号の変動が起きた場合にも、いち早く書き込みを禁止することができる。このため、単独の条件で書込み禁止の判定を行う場合に比べて、より確実にスティック・スリップによるオフトラック・ライトを防止することができる。
【００６８】
なお、温度センサ２０は、スティック・スリップが発生するとオフトラック・ライトを引き起こす可能性が高い部品の温度又は部品周辺の温度を検出することが望ましい。例えば、キャリッジ１３やＶＣＭ１４といったアクチュエータ機構を構成する部品でスティック・スリップが発生するとヘッドの位置の変動に強く影響するため、これらの部品の温度又は部品周辺の環境温度を測定するとよい。
【００６９】
上述した具体例では、ＶＣＭ電圧の変動又は位置誤差信号の変動に対する閾値条件を書込み禁止条件とし、これらの判定閾値を変更する具体例を説明した。しかしながら、上述したように、ＶＣＭ１４の電流変動量、衝撃センサ２２が検出する加速度の変動量等その他の書込み禁止条件を用いることも可能である。要するに本実施の形態の磁気ディスク装置は、ヘッド１１の位置変動をもたらす振動の大きさを直接的又は間接的に検出する検出手段と、当該検出手段によって検出した振動の大きさに対する閾値判定を行って磁気ディスクへの書き込みを禁止する手段と、磁気ディスク装置の内部温度とその温度変化量に応じて前記閾値判定を行う際の閾値を変更する手段を備えるものである。
【００７０】
例えば、ＭＰＵ１８の処理能力に余裕があれば、衝撃センサ２２の出力をＡ／Ｄ変換器を介してＭＰＵ１８に入力し、衝撃センサ２２が検出する加速度の変動に対して閾値判定を行うこととしてもよい。スティック・スリップ振動を直接的に検出可能な衝撃センサ２２の出力信号に対する閾値判定を行うことにより、ＶＣＭ電圧を監視する場合に比べてより早いタイミングでスティック・スリップ振動の発生を検知できる。
【００７１】
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる磁気ディスク装置２の構成を図１２に示す。磁気ディスク装置２は、衝撃センサ２２の出力をＡ／Ｄ変換器２３を介してＭＰＵ１８に入力し、ＭＰＵ１８が衝撃センサ２２による衝撃検出結果に応じて書込み禁止条件の変更を判定する際の判定条件の変更を行う点が、発明の実施の形態１にかかる磁気ディスク装置１と異なる。また、本実施の形態の衝撃センサ２２は、ＶＣＭ電圧や位置誤差信号（ＰＥＳ）によって振動発生を検出してもよい。
【００７２】
ＭＰＵ１８が実行する判定条件の変更処理を図１３のフローチャートを参照して説明する。ステップＳ４１では、衝撃センサ２２の出力によって、スティック・スリップ振動の発生を検出する。ステップＳ４２では、振動検出を契機として温度センサ２０による測定温度を取得し、取得した測定温度と過去の温度から温度勾配を算出し、測定温度と温度勾配をＲＡＭ（不図示）等に保持する。ステップＳ４３では、ステップＳ４２で保持した測定温度と温度勾配により判定条件の変更を行う。これにより厳しい書き込み禁止条件を適用している領域外において、スティック・スリップを検知した場合は、書き込み禁止条件を変更する境界となる温度及び温度勾配を、ステップＳ４２で保持した値によって更新する。これにより、判定条件を最適化して、オフトラック・ライトをより確実に防止することができる。
【００７３】
また逆に、厳しい書き込み禁止条件を適用している領域内のより狭い領域でのみスティック・スリップを検知した場合にも、書き込み禁止条件を変更する境界となる温度及び温度勾配を、ステップＳ４２で保持した値によって更新することにより、磁気ディスク装置２のアクセス性能を向上することができる。
【００７４】
その他の実施の形態．
上述した実施の形態１では、書き込み禁止条件を変更する際の判定条件の具体例を図７に示した。しかしながら、当該判定条件及び判定に使用するパラメータは、様々な変形が可能である。熱歪みによるスティック・スリップの発生は、発生時の温度と当該温度に至るまでの温度勾配に依存するものである。従って、より直接的には、将来の予測温度と、そこに至るまでに予想される温度勾配を推定し、これらの値に応じて書込み禁止条件の変更を行えば良い。しかしながら、これらに限らず、これらに類似する他のパラメータによっても、将来の予測温度と、そこに至るまでに予想される温度勾配を間接的に推定できる。例えば、（１）現在温度と現在温度に至るまでの温度勾配、（２）現在温度と将来予想される温度勾配、（３）現在温度と将来の予測温度、又は、（４）現在温度、将来の予測温度及び将来の予測温度に至るまでの予想温度勾配といったパラメータの組合せに基づいて判定を行うことが可能である。なお、将来の予測温度及び将来の予想温度勾配を算出するためには、温度センサ２０によって取得した現在を含む過去の温度及びこれらから算出した過去の温度勾配を用いる必要がある。
【００７５】
また、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明にかかる磁気ディスク装置の構成図である。
【図２】本発明における書込み禁止条件の変更処理を示すフローチャートである。
【図３】本発明における予測温度算出処理を示すフローチャートである。
【図４】本発明における予測温度算出結果を示すグラフである。
【図５】本発明における予測温度算出結果を示すグラフである。
【図６】本発明における予測温度算出処理を示すフローチャートである。
【図７】書込み禁止条件の変更する際の判定条件の一例を示す図である。
【図８】書込み禁止条件の変更処理の具体例を説明するためのグラフである。
【図９】本発明にかかる磁気ディスク装置の要部構成図である。
【図１０】本発明の磁気ディスク装置の動作を説明するためのタイミング図である。
【図１１】本発明にかかる磁気ディスク装置の要部構成図である。
【図１２】本発明にかかる磁気ディスク装置の構成図である。
【図１３】本発明における判定条件を変更する処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７７】
１、２  磁気ディスク装置
１０  磁気ディスク
１１  ヘッド
１２  Ｒ／Ｗ制御回路
１３  キャリッジ
１４  ＶＣＭ
１６  ＳＰＭ
１７  モータ制御回路
１８  マイクロ・プロセッサ（ＭＰＵ）
１９  Ｉ／Ｆ制御回路
２０  温度センサ
２１、２３  Ａ／Ｄ変換器
２２  衝撃センサ
１７１  ＶＣＭ駆動部
１７２  Ｄ／Ａ変換器
１７３  ＶＣＭ駆動電圧検出部
１７４  Ａ／Ｄ変換器
１８１  位置制御処理部
１８２、１８５  閾値判定処理部
１８３  予測温度算出処理部
１８４  条件変更処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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