(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器の外側に設けられ、周方向に沿って磁極が多数配列された外輪部と、
前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する内輪部と、
前記内輪部と処理容器との間に介設された軸受部と、
前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体を載置するための載置部と、を備え、
要求される被処理体の向きの許容範囲に応じた、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差において、前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値よりも大きく、
前記処理容器内にて被処理体を載置部により回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置において、
前記内輪部及び外輪部の磁極数は、
前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差と、の関係を示すトルク曲線であって、内輪部及び外輪部の極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トルクの中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であり、かつトルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌにおけるトルク曲線の上昇部分の傾きよりも大きい極数であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記軸受け部は、セラミックスよりなる転動体と自己潤滑性がある保持器とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差が０．３度であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
外輪部側の磁極及び内輪部側の磁極の一方がネオジム系磁石であり、他方がマルテンサイト系ステンレス鋼であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の熱処理装置。
【請求項５】
加熱手段は被処理体を輻射熱により加熱するものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の熱処理装置。
【請求項６】
処理容器内の載置部に対して被処理体を所定の向きで載置し、当該載置部を回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置と、この熱処理装置の処理容器にゲ−トバルブを介して気密に接続された搬送室と、この搬送室にゲ−トバルブを介して気密に接続された処理容器を備えた他の熱処理装置と、を備え、一の熱処理装置にて被処理体に対して熱処理を行い、次いでその被処理体を前記搬送室を介して他の熱処理装置に搬送して熱処理を行う熱処理システムにおいて、
前記一の熱処理装置は、請求項１ないし５のいずれか一項に記載された熱処理装置であることを特徴とする熱処理システム。
【請求項７】
他の熱処理装置の載置部の位置決め部に被処理体が嵌合することにより被処理体の向きが位置決めされることを特徴とする請求項６記載の熱処理システム。
【請求項８】
処理容器の外側に設けられ、周方向に沿って磁極が多数配列された外輪部と、
前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する内輪部と、
前記内輪部と処理容器との間に介設された軸受部と、
前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体を載置するための載置部と、を有し、
要求される被処理体の向きの許容範囲に応じた、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差において、前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値よりも大きく、
前記内輪部及び外輪部の磁極数は、
前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差と、の関係を示すトルク曲線であって、内輪部及び外輪部の極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トルクの中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であり、かつトルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌにおけるトルク曲線の上昇部分の傾きよりも大きい極数である熱処理装置を用い、
前記載置部に被処理体を載置する工程と、
次いで外輪部を回転させることにより載置部を回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハなどの被処理体を磁気カップリングを利用して回転させながら当該被処理体に対して熱処理を行う装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置の一つとして、半導体ウエハ（以下ウエハという）をランプにより加熱して熱処理例えばアニール、ＣＶＤ、酸化処理を行う枚葉式熱処理装置がある。この場合ウエハ全面を均一に加熱するためにウエハを加熱ランプに対して相対的に回転する必要がある。この種の装置は、例えば米国特許第５７５５５１１号公報に記載されており、次のように構成されている。即ち処理容器の上に透過窓を介して加熱ランプが配置されると共に、処理容器の下部においてその外側の外輪部と処理容器の内側の内輪部とが磁気カップリングを介して結合され、外輪部及び内輪部は処理容器に固定された固定部に対して夫々軸受部を介して回転自在に設けられている。前記軸受部は夫々内輪部と外輪部とに直接接触する金属製のボ−ルにより構成され、グリ−スを潤滑剤としている。そして駆動部により外輪部を回転させ、その回転力を磁気カップリングを介して内輪部に伝達することにより、内輪部に設けられたウエハ載置部が回転することになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述の装置ではグリ−スを潤滑剤とした軸受部を用いているので摩擦トルクが小さく、このため磁気カップリングにおける磁力が小さくても内輪部が外輪部に精度良く追従し、外輪部を停止させたときにウエハが高い精度で所定の位置に停止する。しかしグリ−スを軸受部の潤滑剤として用いているのでグリ−スの蒸気によりウエハが汚染される懸念があり、また内輪部が軸受部のボ−ルの上で転がるので高速回転に向かないという課題がある。
【０００４】
そこで本発明者はグリ−スを用いないセラミックス軸受部を検討しているが、セラミックス軸受部はグリ−スを用いた軸受部に比べて摩擦トルクが大きく、外輪部を停止させたときに内輪部が所定の位置からずれてつまり内輪部側の磁極及び外輪部側の磁極の中心がずれた状態で停止する。
【０００５】
一方最近においてｉｎ−ｓｉｔｕ連続処理や、スル−プットの向上を図るために、搬送ア−ムを備えた搬送室に複数の熱処理部を気密に接続し、ウエハに対して連続して熱処理を行うクラスタツ−ルと呼ばれているシステムが開発されている。クラスタツールにおいては、均一なプロセスを行うため、一部の熱処理部ではウエハを載置台により回転させながら熱処理を行うが、この場合載置台にウエハの形状に適合する係合部である凹部を形成し、この凹部にウエハを嵌め込んで回転させるようにしている。
【０００６】
ウエハには結晶の方向の指標となるオリエンテ−ションフラット（オリフラ）やＶ字状のノッチがあるため、一の熱処理部においてウエハの停止位置が狂うと、ウエハが所定の向きに向いていない状態で次の熱処理部の処理容器内に搬入されることになり、載置台の凹部に嵌め合わせることができなくなる。
【０００７】
なお予めウエハの停止位置（停止したときの向き）のずれ分（角度）を見込んでモ−タを制御することも考えられるが、摩擦トルクの大きさが例えばわずかながら経時的に変化すると、その変化分が停止位置に反映されるなど、得策ではない。
【０００８】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、いわゆる磁気カップリングを用いて被処理体の載置部を回転させながら加熱処理を行うにあたり、被処理体を高精度で所定の向きに停止させることができ、例えば複数の熱処理装置を用いて連続処理を行う場合に、被処理体を後続の熱処理装置内に所定の向きで搬入することができる技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の熱処理装置は、処理容器の外側に設けられ、周方向に沿って磁極が多数配列された外輪部と、
前記処理容器の内側に設けられ、前記磁極の夫々の間で磁力が作用するように周方向に沿って多数の磁極が配列されると共に前記磁力により外輪部に追従して回転する内輪部と、
前記内輪部と処理容器との間に介設された軸受部と、
前記処理容器内にて前記内輪部と共に回転し、被処理体を載置するための載置部と、を備え、
要求される被処理体の向きの許容範囲に応じた、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差において、前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値よりも大きく、
前記処理容器内にて被処理体を載置部により回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う熱処理装置において、
前記内輪部及び外輪部の磁極数は、
前記外輪部を回転させたときの内輪部のトルクと、外輪部及び内輪部の対応する磁極同士の回転中心に対する角度差と、の関係を示すトルク曲線であって、内輪部及び外輪部の極数ごとに得られる各トルク曲線の最大トルクの中で最大値を持つ極数Ｌよりも多い極数であり、かつトルク曲線の上昇部分の傾きが前記極数Ｌにおけるトルク曲線の上昇部分の傾きよりも大きい極数であることを特徴とする。
【００１１】
そしてこの発明は、搬送室に複数の処理容器を気密に接続したいわゆるクラスタ−ツ−ルに好適に適用でき、一の処理容器で被処理体に対して熱処理をおこなった後、当該被処理体に対して次の処理容器で熱処理を行う場合に所定の向きで載置部に載置することができる。
【００１２】
また本発明の熱処理方法は、上述の熱処理装置（熱処理部）を用い、熱処理部の載置部に被処理体を載置する工程と、
次いで外輪部を回転させることにより載置部を回転させながら、加熱手段により加熱しかつ処理容器内に所定のガスを供給して被処理体に対して熱処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る熱処理装置の実施の形態を示す縦断面図である。１は例えばアルミニウム（Ａ５０５２）からなる偏平な処理容器であり、加熱処理空間における内側面の横断面形状が円形に形成されている。処理容器１の底部の周縁側はリング状の溝部１１として形成されており、この溝部１１の中には内輪部２が設けられている。内輪部２は前記溝部１１の内壁に軸受部３１を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。この軸受部３１は真空用のセラミックス軸受部であり、耐摩擦性、耐高熱性、耐腐食性に優れた窒化ケイ素よりなる転動体であるボ−ル３１ａを自己潤滑性がある材質例えばフッ素樹脂よりなる保持器３１ｂの中に収納して構成されている。
【００１４】
内輪部２の上端部には、被処理体であるウエハＷの周縁部を保持するリング状の載置部１２が設けられており、内輪部２と一体となって回転する。載置部１２の表面には、オリフラタイプウエハの場合図２に示すようにウエハＷを位置決めした状態で載置するために、位置決め部である段部（ザグリ）１２ａがウエハＷと同一形状に形成されている。図２中、１２ｂはウエハＷのオリフラＯＦに相当する個所である。
【００１５】
一方処理容器１の一部である前記溝部１１を形成するハウジング１３が下方側に伸びており、当該ハウジング１３の外側には外輪部４が例えば上下２段に設けられた軸受部３２、３３を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。この軸受部３１、３２は処理容器１の外側にあるので、例えばグリ−スを用いた軸受部などを用いればよい。
【００１６】
前記内輪部２及び外輪部４には夫々磁極２１及び４１が設けられ、これら磁極２１、４１は互いに前記ハウジング１３の隔壁１４の内側及び外側に配置されて磁気カップリングを構成している。隔壁１４は非磁性材料である例えばアルミニウムや非磁性鋼（例えばＳＵＳ３０４）から構成される。図３は、図１においてＡ−Ａ線で切った断面図のうち内輪部２、隔壁１４及び外輪部４を示したものであり、この図を用いて説明すると、内輪部２は高透磁率材料であるマルテンサイト系ステンレス鋼（ＳＵＳ４４０Ｃ）により構成され、外周に沿って多数例えば６０個の矩形状の突起２２が形成されている。この突起２２は前記磁極２１に相当するものである。
【００１７】
また外輪部４には、周方向に沿って磁極４１に相当するネオジム系磁石よりなる永久磁石４２が前記内輪部２の磁極２１に対応して例えば６０個設けられている。各磁極４１（永久磁石４２）については、図４に示すように一個おきに内側及び外側に夫々Ｎ極及びＳ極が着磁がされると共にそれら一個おきの磁極４１の間にある磁極４１は内側及び外側に夫々Ｓ極及びＮ極が着磁されている。つまり磁極４１の配列においてＮ極及びＳ極が交互に着磁されている関係になっている。従って内輪部２の磁極２１については、一個おきに内側及び外側に夫々Ｎ極及びＳ極が発生し、それら一個おきの磁極２１の間にある磁極２１は内側及び外側に夫々Ｓ極及びＮ極が発生することになる。内輪部２の外径及び外輪部４の内径は例えば夫々およそ３７０ｍｍ、３８０ｍｍに設定されている。
【００１８】
このように本実施例で使用する磁気カップリングの磁極数（磁極２１、４１の数）は６０極としているが、その選定の理由について図５を参照しながら述べておく。図５は外輪部４を回転させたときの内輪部２のトルクと外輪部４及び内輪部２の対応する磁極２１、４１同士の角度差（回転角度差）との関係を示すトルク曲線を、４０極、６０極及び８０極の夫々の場合についてコンピュ−タを使って求めたものである。この図５から分かるようにいずれの極数においても、前記角度差がゼロのところではトルクは発生しないが、角度差を大きくしていくとトルクも増加していき、やがてある角度差でトルクが最大になり、その後角度差を大きくしていくとトルクは減少する。各磁極におけるトルクの最大値を最大伝達トルクと呼ぶことにすると、最大伝達トルクは極数を増やすことにより大きくなるが、極数がある程度以上になると磁極間の反発力が大きくなり、逆に小さくなっていく。例えば１極から順に極数を増やしていけば極数の増加に伴って最大伝達トルクが大きくなることは容易に理解できるところであり、４０極に比べて６０極の最大伝達トルクが小さいということは、このことを裏付けている。一方最大伝達トルクは小さくなっても、トルク曲線の上昇部分の傾きは大きくなっていき、極数がある値を越えると、その傾きも小さくなっていく。即ち４０極に比べて６０極の上昇部分の傾きが大きく、６０極に比べて８０極の上昇部分の傾きが小さくなっている。
【００１９】
この発明では、ウエハの停止時に要求される位置決め精度、つまり所定の向きに対して許容される角度におけるトルクをいかに大きくとるかということが重要であり、その角度は例えば０．３度と小さいので、図５から分かるように前記最大伝達トルクの大きさが問題ではなく、トルク曲線の上昇部分の傾きが大きいほど確実にウエハを位置決め精度内で停止させることができる。このような理由から６０極を選定している。
【００２０】
この場合磁極カップリングの最大伝達トルクは３６５ｋｇｆ．ｃｍ以上であり、内輪部２と外輪部４とのずれ（角度差）が０．３度のときの伝達トルクはおよそ１３２ｋｇｆ．ｃｍである。前記セラミックス軸受部３１の摩擦トルクはおよそ６８ｋｇｆ．ｃｍであり、前記角度差が０．３度のときの伝達トルクは摩擦トルクの２倍弱である。
【００２１】
図１に説明を戻すと、前記外輪部４の外周面にはギヤ部４３が形成されており、このギヤ部４３は駆動部であるステッピングモ−タ４４のギヤ部と４５と歯合していて、ステッピングモ−タ４４の駆動により外輪部４が回転するように構成されている。
【００２２】
処理容器１の前記溝部１１を形成するハウジング１３の外部寄りの部位にはパ−ジガス例えばＮ2 ガスの供給路５１が形成されており、その先端は溝部１１における軸受部３１の直ぐ上に連通している。またハウジング１３の内部よりの部位には、パ−ジガスの排気路５２が例えば周方向に複数形成されている。パ−ジガスは図示しないガス供給管から前記供給路５１を介して前記溝部１１内に入り込み、軸受部３１内を通って排気路５２を介して図示しない排気管から排気される。このようにパ−ジガスを流すようにすれば、、処理容器１内に位置する軸受部３１から発塵したとしてもパ−ジガスにより外部に排気されるのでウエハＷのプロセスには影響しないし、また軸受部３１が冷却される効果もある。
【００２３】
前記ウエハＷの下方側の処理容器１の底部には、図示しないがウエハＷを突き上げて処理容器１の外の搬送ア−ムとの間で受け渡しを行うためのリフトピンが設けられている。前記処理容器１のウエハＷよりも少し上側の側壁には、処理ガスを供給するための例えば横長のスリット状のガス供給路６１及び処理ガスを排気する排気路６２が互いに対向する位置に形成されている。排気路６２は、処理容器１の側壁から外側に突出する排気室６３を介して排気管６４に接続されている。
【００２４】
前記処理容器１の天井部には例えば石英よりなる透過窓７１が設けられており、この透過窓７１の上側には加熱手段である例えばリング状のハロゲンランプ７２が同心円状に設けられている。図中７３はハロゲンランプ７２の電力供給系を収納した筐体である。
【００２５】
次に上述実施の形態の作用について述べる。先ず処理容器１の図示しない搬送口から搬入された図示しない搬送ア−ムから載置部１２にウエハＷを受け渡す。続いてステッピングモ−タ４４を駆動して外輪部４を回転させる。このとき外輪部４の磁極４１と内輪部２の磁極２１との間に磁力が働いているので、磁極２１が磁極４１に吸引されようとするが、内輪部２の軸受部３１に摩擦があるため、内輪部２に働くトルクが軸受部３１における摩擦トルクを越えるまでは外輪部４側の磁極４１のみが回転し、内輪部２に働くトルク（伝達トルク）が前記摩擦トルクを越えたときに内輪部２側の磁極２１が遅れて回転するする。図６は外輪部４を例えば反時計方向に回転させたときに上述の理由から外輪部４に遅れて内輪部２が回転する様子を模式的に示した図であり、外輪部４が内輪部２に対して角度θだけ進んだときに内輪部２が回転し始める。なおこの角度θは磁極２１の中心軸に対する磁極４１の中心軸のずれ分つまり内輪部２側の摩擦トルクがゼロのときの磁極４１の停止位置からのずれ分である。このようにしてウエハＷが回転する。
【００２６】
そしてウエハＷを例えば７０ｒｐｍ（ｍａｘ２８８ｒｐｍ可能）で回転させながらランプ７２からの輻射熱によりウエハＷを加熱し更にガス供給路６１から処理ガスを供給して所定の熱処理が行われる。この熱処理としては、ウエハＷを例えば１０００℃まで昇温すると共に不活性ガス例えばＮ2 ガスを供給しながら行うアニ−ル処理や、ウエハＷを例えば６００℃まで昇温すると共に成膜ガスを供給しながら行う成膜処理（ＣＶＤ）などが挙げられる。そして熱処理を終了した後、ランプ７２をオフにしてウエハＷを降温させ、ウエハＷが所定温度になった後、ステッピングモ−タ４４を停止する。外輪部４が停止すると、内輪部２も停止するが、既述のように摩擦トルクがあるため、内輪部２は外輪部４に対して角度θだけ遅れた位置に停止する。処理後のウエハＷは図示しない搬送ア−ムにより処理容器１から搬出される。
【００２７】
上述の実施の形態によれば、載置部の軸受部としてグリ−スを用いないセラミックス軸受部を使用しているので軸受部によるウエハＷの汚染を防止できる。そしてこのセラミックス軸受部は摩擦トルクが大きいが、磁気カップリングの極数ごとのトルク曲線の最大伝達トルクの中で最大値を持つ極数よりも多い極数を選定し、トルク曲線の上昇部分の傾きを大きくして、要求されるウエハＷの向きの許容範囲（ウエハＷを処理容器１から搬出するときの向きが決められていて、その決められた向きに対してウエハＷの向きのずれが許容される角度）に対応する角度差において大きな伝達トルクを確保するようにし、例えば０．３度のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を大幅に越えるようにしている。従って例えばスル−プットを稼ぐために載置部を回転するときの加速度、減速度を大きくしても、載置部１２を停止したときにウエハＷの向きのずれが前記許容範囲内に確実に収まる。このため例えば後述のように、後工程に上述の加熱装置が控えている場合にもウエハＷ載置部１２の段部１２ａに嵌合して載置することができるし、後工程の処理装置がウエハＷを載置部の上に単に載せるだけの場合でも、常に一定の向きにおくことにより膜厚、パ−ティクルなどの処理結果の解析に役立つ。
【００２８】
なお要求されるウエハＷの向きの許容範囲は０．３度に限られるものではないが、本発明では例えば１．０度までを対象としている。また極数の選定の仕方は、トルク曲線における最大伝達トルクの最大値やトルク曲線の上昇部分が大きくなくとも、要求される載置部に対する被処理体の向きの許容範囲に対応する角度差のときのトルクの値が前記軸受部の摩擦トルクの値を越えていれば、例えば８０極を選定しても本発明の範囲に含まれるが、加速度、減速度をある程度大きくする設計を考えるなら、前者の値が摩擦トルクの値の１．２倍以上が好ましい。
【００２９】
上述の技術を適用したクラスターツール（熱処理システム）の一例を図７に示しておく。この熱処理システムは、搬送アーム８０を備えた気密構造の搬送室８の周囲に例えば２個のカセット室８１と４個の処理容器８２とをゲートバルブＧを介して気密に接続して構成され、各処理容器８２の内部構造は既述の実施の形態と同じ構造である。言い換えれば既述の実施の形態に係る熱処理装置（熱処理部）を４個用意し、各処理容器のウエハ搬出入口をゲートバルブＧを介して搬送室８に接続したものである。
【００３０】
このような熱処理システムでは、複数枚のウエハＷを保持したウエハカセットＣを外部から図示しないゲートドアを開いてカセット室８１内に搬入し、そのゲートドアを閉じ、ゲートバルブＧを開いて搬送アーム８０によりカセットＣ内のウエハＷを−の処理容器８２に搬送し、所定の熱処理を行う。その後当該ウエハＷを搬送アーム８０により他の処理容器８２に搬送し、所定の熱処理を行い、こうしてウエハＷに対して連続処理を行った後、搬送アーム８０により例えばもとのカセットＣ内にあるいは他のカセット室８１のカセットＣ内に受け渡される。連続処理の一例を挙げると、−の処理容器８２にて急速加熱酸化プロセスが行われ、他の処理容器８２にてポリシリコン形成のためのＣＶＤプロセスが行われる。
【００３１】
このような熱処理装置では、載置部１２の段部１２ａ（図１、図２参照）にウエハＷが嵌合し、ウエハＷを例えば許容範囲±０．３度で所定の向きに向けておかないと載置部１２に載せることができない制約があるが、熱処理後のウエハＷの停止位置は予定の停止位置からわずかにずれているもののそのずれ分は０．３度よりも少ないので、次の処理容器８２の載置部にウエハＷを載せることができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、被処理体を高精度で所定の向きに停止させることができ、例えば複数の熱処理部を用いて連続処理を行う場合に、被処理体を後続の熱処理部内に所定の向きで搬入することができる。そして内輪部の軸受部としてセラミックス軸受部を用いているので載置部の軸受部による被処理体の汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る熱処理装置の実施の形態を示す縦断面図である。
【図２】上記の実施の形態に用いられる載置部を示す斜視図である。
【図３】上記の実施の形態に用いられる内輪部及び外輪部を示す横断面図である。
【図４】内輪部及び外輪部の磁極の配列を拡大して示す平面図である。
【図５】上記の実施の形態で用いられる磁気カップリングのトルク曲線を示す特性図である。
【図６】外輪部と内輪部との角度差を示す説明図である。
【図７】上記の実施の形態の熱処理装置を含むクラスターツールを示す平面図である。
【符号の説明】
Ｗ                半導体ウエハ
１                処理容器
１１              溝部
１２              ウエハの載置部
１３              ハウジング
１４              隔壁
２                内輪部
２１              磁極
３１、３２、３３  軸受部
４                外輪部
４１              磁極
４４              ステッピングモ−タ
５１              パ−ジガスの供給路
５２              パ−ジガスの排気路
６１              ガス供給路
６２              排気路
７２              ランプ
８                搬送室
８１              カセット室
８２              処理容器
【図１】
0004605853.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004605853.tif 000005
【図５】
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【図６】
0004605853.tif 000007
【図７】
0004605853.tif 000008