(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の上部壁または側壁を構成する誘電体壁と、
前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記誘電体壁の内側に前記誘電体壁を覆うように設けられ、誘電体で形成された、前記誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するカバー部材と、
前記カバー部材と前記誘電体壁との間に設けられ、前記カバー部材を加熱する加熱手段と、
前記誘電体壁と前記加熱手段との間を断熱する断熱手段と
を具備し、
前記加熱手段は、ローパスフィルタを介して電源に接続されたヒータを有し、
前記誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記断熱手段は、前記誘電体壁と前記加熱手段との間に介装された断熱部材を有することを特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記断熱手段は、前記誘電体壁と前記加熱手段との間に設けられた空隙を有することを特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ヒータはシート状をなすことを特徴とする請求項３に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項５】
被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、
前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、
前記誘電体壁の内側に前記誘電体壁を覆うように設けられ、誘電体で形成された、前記誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するカバー部材と、
前記カバー部材の前記誘電体壁側の面に設けられたシート状のヒータと、
前記誘電体壁と前記シート状のヒータとの間に設けられ、前記誘電体壁と前記ヒータとの間を断熱する断熱部材と
を具備し、
前記ヒータは、ローパスフィルタを介して電源に接続されており、
前記誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記ローパスフィルタは処理室の壁部に固定されたシールドケースに収容されていることを特徴とする請求項５に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記誘電体壁と前記処理室の他の壁部とをシールするシール部材をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の被処理基板に対して誘導結合プラズマによりドライエッチング等のプラズマ処理を施す誘導結合プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に対して、エッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等のプラズマ処理が多用されている。
【０００３】
このようなプラズマ処理を行うためのプラズマ処理装置としては、種々のものが用いられているが、その中で、高密度プラズマを発生することができるものとして誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理装置が知られている。
【０００４】
誘導結合プラズマ処理装置は、典型的には、真空に保持可能なプラズマ処理を行うための処理室の天井が誘電体壁で構成され、その上に高周波（ＲＦ）アンテナが配設されている。そして、この高周波アンテナに高周波電力が供給されることにより、処理室内に誘導電界が形成され、この誘導電界により処理室に導入された処理ガスがプラズマ化し、このようにして形成された処理ガスのプラズマによりエッチング等のプラズマ処理が施される。
【０００５】
このような誘導結合プラズマ処理装置においては、処理に伴って処理室内で生成される反応生成物が上記誘電体壁へ堆積し、この堆積した反応生成物がパーティクルの原因となる。このような反応生成物の付着を防止する技術として、誘電体壁にヒータ等を設置して誘電体壁を所定温度に加熱するものが知られている（特開平１１−４５８７８号公報、特開平９−１９９４８７号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、誘電体壁を加熱して高温に温度調節する場合には、誘電体壁の熱容量が大きいとともに大気側への放熱量が大きく、消費電力が大きくなり、エネルギー効率が悪い。特に、近時、ＬＣＤガラス基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものが要求されており、これに伴う処理装置の大型化により誘電体壁も大型化せざるを得ず、消費電力が益々大きくなって、エネルギー効率が極めて悪いものとなる。
【０００７】
一方、誘電体壁への堆積を有効に防止するためには加熱温度が高いほうが有利であるが、誘電体壁と処理室側壁との間はＯリング等のシール材によりシールされているため、その加熱温度はシール材の耐熱温度に制限されてしまうといった問題点がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、反応生成物の堆積を防止する加熱を行う際のエネルギー効率の高い誘導結合プラズマ処理装置を提供することを目的とする。また、このようにエネルギー効率が高いことに加えて、誘電壁と処理室とをシールするシール部材の耐熱性を考慮することなく加熱することができる誘導結合プラズマ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の上部壁または側壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、前記誘電体壁の内側に前記誘電体壁を覆うように設けられ、誘電体で形成された、前記誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するカバー部材と、前記カバー部材と前記誘電体壁との間に設けられ、前記カバー部材を加熱する加熱手段と、前記誘電体壁と前記加熱手段との間を断熱する断熱手段とを具備し、前記加熱手段は、ローパスフィルタを介して電源に接続されたヒータを有し、前記誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【００１０】
上記プラズマ処理装置において、前記断熱手段として、前記誘電体壁と前記加熱手段との間に介装された断熱部材、または前記誘電体壁と前記加熱手段との間に設けられた空隙を用いることができる。また、ヒータとしてはシート状をなすものが好ましい。
【００１１】
また、本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施す処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記処理室内を排気する排気系と、前記処理室の上部壁を構成する誘電体壁と、前記処理室外の前記誘電体壁に対応する部分に設けられ、高周波電力が供給されることにより前記処理室内に誘導電界を形成するための高周波アンテナと、前記誘電体壁の内側に前記誘電体壁を覆うように設けられ、誘電体で形成された、前記誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するカバー部材と、前記カバー部材の前記誘電体壁側の面に設けられたシート状のヒータと、前記誘電体壁と前記シート状のヒータとの間に設けられ、前記誘電体壁と前記ヒータとの間を断熱する断熱部材とを具備し、前記ヒータは、ローパスフィルタを介して電源に接続されており、前記誘導電界により処理ガスをプラズマ化して被処理基板にプラズマ処理を施すことを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【００１２】
前記ローパスフィルタは処理室の壁部に固定されたシールドケースに収容されていることが好ましい。
【００１３】
上記いずれの発明においても、前記誘電体壁と前記処理室の他の壁部とをシールするシール部材をさらに具備することができる。
【００１４】
本発明によれば、誘電体壁の内側にこの誘電体壁を覆うように設けられた誘電体からなるカバー部材を加熱手段により加熱し、誘電体壁と加熱手段とを断熱手段により断熱するので、実質的にカバー部材のみが加熱され、誘電体壁はほとんど加熱されない。この場合に、カバー部材は誘電体壁の内側に設けられているため、カバー部材が加熱されることにより、反応生成物の堆積を有効に防止することができる。また、カバー部材は誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有するため、加熱に要するエネルギー自体を誘電体壁を加熱する際よりも小さくすることができ、かつ誘電体壁がほとんど加熱されないため、誘電体壁から大気側への放熱を著しく小さくすることができる。したがって、エネルギー効率を極めて高くすることができる。
【００１５】
また、誘電体壁と前記処理室の他の壁部とをシールするシール部材を設ける場合には、従来は誘電体壁が加熱されていたため、加熱温度は通常樹脂製のシール部材の耐熱温度に制限されていたが、本発明では誘電体壁は実質的に加熱されないためシール部材も加熱されず、したがって、シール部材の耐熱性を考慮することなく反応生成物付着防止のための加熱を行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図である。この装置は、例えばＬＣＤの製造においてＬＣＤガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際に、メタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等をエッチングするために用いられる。
【００１７】
このプラズマ処理装置は、導電性材料、例えば、内壁面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な本体容器１を有する。この本体容器１は分解可能に組み立てられており、接地線１ａにより接地されている。本体容器１は、誘電体壁２により上下にアンテナ室３および処理室４に区画されている。したがって、誘電体壁２は処理室４の天井壁を構成している。誘電体壁２は、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス、石英等で構成されている。
【００１８】
本体容器１におけるアンテナ室３の側壁３ａと処理室４の側壁４ａとの間には内側に突出する支持棚５が設けられており、この支持棚５の上に誘電体壁２が載置される。したがって、支持棚５は処理室４の壁部の一部として機能する。誘電体壁２と支持棚５はビス６によって固定されており、誘電体壁２と支持棚５との間には、樹脂製のシールリング７（例えば商品名バイトン）が介装されている。
【００１９】
誘電体壁２の下面の略全面は、セラミックス、石英等の誘電体で構成されたカバー部材１０で覆われており、誘電体壁２とカバー部材１０との間には断熱部材８が介装されている。また、断熱部材８とカバー部材１０との間には、カバー部材１０を加熱するためのシート状ヒータ９が介装されている。ヒータ９への給電はヒータ電源部５０によって行われる。ヒータ９のリード線は絶縁部材４１の内部に収容され、そこから配線端子が処理室４の側壁４ａを通って本体容器１の外側へ導出される。絶縁部材４１の外側はアルミニウム製のカバー４２で覆われている。なお、これらの構造の詳細は後述する。
【００２０】
誘電体壁２は組み立て構造となっており、その内部には、処理ガス供給用のシャワー筐体１１が内蔵されている。シャワー筐体１１は十字状に設けられており、誘電体壁２を下から支持する構造となっている（図２参照）。なお、上記誘電体壁２を支持するシャワー筐体１１は、複数本のサスペンダ（図示せず）により本体容器１の天井に吊された状態となっている。
【００２１】
このシャワー筐体１１は導電性材料、望ましくは金属、例えば汚染物が発生しないようにその内面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムで構成されている。このシャワー筐体１１には水平に伸びるガス流路１２が形成されており、このガス流路１２には、下方に向かって延び、誘電体壁２の底面、断熱部材８、シート状ヒータ９およびカバー部材１０を経て開口する複数のガス吐出孔１２ａが連通している。一方、誘電体壁２の上面中央には、このガス流路１２に連通するようにガス供給管２０ａが設けられている。ガス供給管２０ａは、本体容器１の天井からその外側へ貫通し、処理ガス供給源およびバルブシステム等を含む処理ガス供給系２０に接続されている。したがって、プラズマ処理においては、ガス供給系２０から供給された処理ガスがガス供給管２０ａを介してシャワー筐体１１内に供給され、その下面のガス供給孔１２ａから処理室４内へ吐出される。
【００２２】
アンテナ室３内には誘電体壁２の上に誘電体壁２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３が配設されている。この高周波アンテナ１３は略角形渦巻き状をなす平面型のコイルアンテナからなる。高周波アンテナ１３は渦巻きの中心端部が本体容器１の天井からその外側へ導出され、整合器１４を介して高周波電源１５に接続される。一方、渦巻きの外側端部は本体容器１に接続され、これにより接地されている。
【００２３】
プラズマ処理中、高周波電源１５からは、誘導電界形成用の例えば周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力が高周波アンテナ１３へ供給される。このように高周波電力が供給された高周波アンテナ１３により、処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界によりシャワー筐体１１から供給された処理ガスがプラズマ化される。この際の高周波電源１５の出力は、プラズマを発生させるのに十分な値になるように適宜設定される。
【００２４】
処理室４内の下方には、誘電体壁２を挟んで高周波アンテナ１３と対向するように、ＬＣＤガラス基板Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ２２が設けられている。サセプタ２２は、導電性材料、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムで構成されている。サセプタ２２に載置されたＬＣＤガラス基板Ｇは、静電チャック（図示せず）によりサセプタ２２に吸着保持される。
【００２５】
サセプタ２２は絶縁体枠２４内に収納され、さらに、中空の支柱２５に支持される。支柱２５は本体容器１の底部を気密状態を維持しつつ貫通し、本体容器１外に配設された昇降機構（図示せず）に支持され、基板Ｇの搬入出時に昇降機構によりサセプタ２２が上下方向に駆動される。なお、サセプタ２２を収納する絶縁体枠２４と本体容器１の底部との間には、支柱２５を気密に包囲するベローズ２６が配設されており、これにより、サセプタ２２の上下動によっても処理容器４内の気密性が保証される。また処理室４の側壁４ａには、基板Ｇを搬入出するためのゲートバルブ２７が設けられている。
【００２６】
サセプタ２２には、中空の支柱２５内に設けられた給電棒により、整合器２８を介して高周波電源２９が接続されている。この高周波電源２９は、プラズマ処理中に、バイアス用の高周波電力、例えば周波数が６ＭＨｚの高周波電力をサセプタ２２に印加する。このバイアス用の高周波電力により、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に基板Ｇに引き込まれる。
【００２７】
さらに、サセプタ２２内には、基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通して本体容器１外に導出される。
【００２８】
処理室４の底部には、排気管３１を介して真空ポンプ等を含む排気機構３０が接続される、この排気機構３０により、処理室４が排気され、プラズマ処理中、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐａ）に設定、維持される。
【００２９】
次に、誘電体壁２周囲の構造およびシート状ヒータへの給電機構の詳細について、図３に示す拡大図を参照して説明する。上述したように、誘電体壁２の下面の略全面はセラミックス、石英等の誘電体で構成されたカバー部材１０に覆われており、誘電体壁２よりも十分に薄く構成されている。カバー部材１０の上面の略全面にはシート状ヒータ９が設けられており、このシート状ヒータ９は、図４に示すように、例えばポリイミドシート（商品名カプトン）のような樹脂シート６１，６２の間に、所定パターンの発熱体６３を挟んで構成され、可撓性を有している。誘電体壁２とシート状ヒータ９との間の略全面には断熱部材８が介装されており、この断熱部材８は、例えばポリテトラフルオロエチレン（商品名テフロン）のような樹脂で構成されている。なお、これらの実際の寸法の一例を挙げると、誘電体壁２が長さ１２０ｃｍ、厚さ４０ｍｍ、カバー部材１０の厚さ５ｍｍ、断熱部材８の厚さ３ｍｍ、シート状ヒータ９の厚さ０．５ｍｍである。誘電体壁２とカバー部材１０とは同一または類似の材料で形成されており、略同面積である。したがって、カバー部材１０の熱容量は誘電体壁２の熱容量より小さく、上記厚さの割合からするとカバー部材１０の熱容量は誘電体壁２の熱容量の略１／１０、悪くみても１／５以下となる。
【００３０】
シート状ヒータ９のリード線４４は例えばポリイミドからなる絶縁部材４１の中を通り、真空の処理室４内には露出されないようになっており、真空中でスパークが発生することが防止される。この絶縁部材４１の内部では配線端子７１が各リード線４４に接続されており、処理室４の側壁４ａに設けられた接続部７０内を通って本体容器１の外側へ導出され、ヒータ電源部５０に接続されている。ヒータ電源部５０においては、これら配線端子７１はそれぞれローパスフィルタ７５の入力側に接続されている。ローパスフィルタ７５は接地された処理室４の側壁にねじ等で固定された導電性のシールドケース７６内に収容されている。そして、ローパスフィルタ７５の出力側は配線７２を介して６０Ｈｚ交流電源７３に接続されている。交流電源７３は電源調整器７４によりその出力が調整可能となっている。これにより高周波電源１５からの１３．５６ＭＨｚの高周波電力が配線７２を通って外部に放出されることが防止され、また、交流電源７３に高周波が到達して交流電源７３が損傷することが防止される。
【００３１】
次に、以上のように構成される誘導結合プラズマエッチング装置を用いてＬＣＤガラス基板Ｇに対してプラズマエッチング処理を施す際の処理動作について説明する。
【００３２】
まず、ゲートバルブ２７を開にした状態でそこから搬送機構（図示せず）により基板Ｇを処理室４内に搬入し、サセプタ２２の載置面に載置した後、静電チャック（図示せず）により基板Ｇをサセプタ２２上に固定する。次に、処理室５内にガス供給源２０からエッチングガスを含む処理ガスをシャワー筐体１１のガス吐出孔１２ａから処理室内に吐出させるとともに、排気機構３０により排気管３１を介して処理室４内を真空排気することにより、処理室内を例えば１．３３Ｐａ程度の圧力雰囲気に維持する。
【００３３】
次に、高周波電源１５から１３．５６ＭＨｚの高周波をアンテナ１３に印加し、これにより誘電体壁２を介して処理室４内に均一な誘導電界を形成する。このようにして形成された誘導電界により、処理室４内で処理ガスがプラズマ化し、高密度の誘導結合プラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマ中のイオンは、高周波電源２９からサセプタ２２に対して印加される６ＭＨｚの高周波電力によって基板Ｇに効果的に引き込まれ、基板Ｇに対して均一なエッチング処理が施される。
【００３４】
このプラズマ処理の際には、ヒータ電源部５０の交流電源７３からシート状ヒータ９に給電され、カバー部材１０が所定温度に加熱され、処理室４内の反応生成物がカバー部材１０に付着することが有効に防止される。この際に、断熱部材８の存在により、加熱されるのはほとんどカバー部材１０であり、誘電体壁２はほとんど加熱されない。カバー部材１０は誘電体壁２よりも十分に薄いため、誘電体壁２自体を加熱していた従来技術の場合よりも加熱に要するエネルギー自体を小さくすることができ、かつ誘電体壁２がほとんど加熱されないため、誘電体壁２から大気側への放熱を著しく小さくすることができる。したがって、エネルギー効率を従来技術の場合よりも著しく高くすることができる。また、従来技術では誘電体壁２を加熱していたため、加熱温度がシールリング７の耐熱温度、例えば１２０℃よりも低い温度に制限されていたが、このように誘電体壁２がほとんど加熱されないことから、シールリング７の耐熱温度を考慮することなくカバー部材１０を加熱することができ、反応生成物を有効に除去することができる。
【００３５】
さらに、カバー部材１０を加熱するのにシート状ヒータ９を用いたため、取扱いが容易であるとともに構造を単純化することができる。
【００３６】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では誘電体壁２とカバー部材１０との間の断熱を断熱部材８で行ったが、これに限らず、図５に示すように、誘電体壁２とシート状ヒータ９との間にスペーサ７７を介在させて断熱用の空隙７８を設けるようにしてもよい。
【００３７】
また、上記実施の形態では、誘電体壁２を処理室４の天壁を構成するように水平に設け、その上に平面上のアンテナ１３を設けた場合について示したが、図６に示すように、処理室４の上部の側壁を構成するように誘電体壁２′を設け、その内側にカバー部材１０′を設けて、誘電体壁２′の周囲にコイル状の高周波アンテナ１３′を設けるようにしてもよい。図６の装置においては、誘電体壁２′の内側に断熱部材８′が設けられ、カバー部材１０′の外側にシート状ヒータ９′が設けられている。また、天壁にはアルミニウム等の金属材料からなるガス導入用のシャワーヘッド１１′が設けられ、その中のガス流路１２′を経てガス吐出孔１２ａ′からガスが吐出されるようになっている。また、シート状ヒータ９′のリード線は絶縁部材４１′に収容されている。絶縁部材４１′はアルミニウムカバー４２′で覆われている。さらに、誘電体壁２′と処理室４の壁部はシールリング７′でシールされている。他の部材は図１と同様であるから同じ符号を付して説明を省略する。
【００３８】
また、上記実施形態では、カバー部材の加熱手段としてシート状ヒータを用いたがこれに限らず石英ヒータやセラミックスヒータ等他の加熱手段を用いてもよい。
【００３９】
さらに、上記実施形態では、本発明をエッチング装置に適用した場合について示したが、エッチング装置に限らず、スパッタリングや、ＣＶＤ成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができる。さらにまた、被処理基板としてＬＣＤ基板を用いたが、本発明はこれに限らず半導体ウエハ等他の基板を処理する場合にも適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、誘電体壁の内側にこの誘電体壁を覆うように設けられた誘電体からなるカバー部材を加熱手段により加熱して反応生成物の堆積を防止し、誘電体壁と加熱手段とを断熱手段により断熱するので、実質的にカバー部材のみが加熱され、誘電体壁はほとんど加熱されない。この場合に、カバー部材は誘電体壁の熱容量よりも小さい熱容量を有することができるため、加熱に要するエネルギー自体を誘電体壁を加熱する際よりも小さくすることができ、かつ誘電体壁がほとんど加熱されないため、誘電体壁から大気側への放熱を著しく小さくすることができる。したがって、エネルギー効率を極めて高くすることができる。
【００４１】
また、誘電体壁と前記処理室の他の壁部とをシールするシール部材を設ける場合には、従来は誘電体壁が加熱されていたため、加熱温度は通常樹脂製のシール部材の耐熱温度に制限されていたが、本発明では誘電体壁は実質的に加熱されないためシール部材も加熱されず、したがって、シール部材の耐熱性を考慮することなく反応生成物付着防止のための加熱を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置に用いられるカバー部材をサセプタ側から見た図。
【図３】図１の装置の要部を拡大して示す断面図。
【図４】図１の装置に用いられるシート状ヒータを示す断面図。
【図５】図１の装置の変形例に係る装置の要部を示す断面図。
【図６】本発明の他の実施形態に係る誘導プラズマエッチング装置を示す断面図。
【符号の説明】
１；本体容器
２，２′；誘電体壁
４；処理室
７，７′；シールリング（シール部材）
８，８′；断熱部材
９，９′；シート状ヒータ（加熱手段）
１０，１０′；カバー部材
１３，１３′；高周波アンテナ
１５；高周波電源
２０；処理ガス供給系
２２；サセプタ
３０；排気機構
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
0004672113.tif 000002
【図２】
0004672113.tif 000003
【図３】
0004672113.tif 000004
【図４】
0004672113.tif 000005
【図５】
0004672113.tif 000006
【図６】
0004672113.tif 000007