(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源装置から所定の電圧を印加されてエレクトロンを放出する電極と、前記エレクトロンと衝突するガスを閉じ込めるキャビティと、基板上に磁性層が形成された磁気記録媒体を前記キャビティ内で支持する手段とを備え、ＣＶＤ法により前記磁性層上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、
前記キャビティ内の所定の金属部分と前記電極の間に介在する絶縁体を備え、
該絶縁体には、前記所定の金属部分または前記電極と接触する部位の近傍に、前記所定の金属部分または前記電極に対して１．０〜１．５ｍｍ離間する第１空隙部および前記所定の金属部分または前記電極に対して１．５ｍｍよりも長く離間し且つ該第１空隙部と連通する第２空隙部からなる空隙部が形成されており、前記接触する部位と前記第１空隙部の間に前記第２空隙部が位置することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記絶縁体にはさらに、前記接触する部位を挟んで前記第１空隙部および前記第２空隙部とそれぞれ対向する位置に、前記接触する部位に対して対称な形状の前記第３空隙部および前記第４空隙部が連通して形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマＣＶＤ装置において、
前記第２空隙部は、前記１．５ｍｍよりも長く前記所定の金属部分または前記電極から離間する離間長にわたって、前記第１空隙部の離間長である１．０〜１．５ｍｍと同一の幅を有していることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
電源装置から高周波電圧を印加されてエレクトロンを放出する電極と、前記エレクトロンと衝突するガスを閉じ込めるキャビティと、基板上に磁性層が形成された磁気記録媒体を前記キャビティ内で支持する手段とを備え、ＣＶＤ法により前記磁性層上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、
前記キャビティ内の所定の金属部分と前記電極の間に介在する絶縁体を備え、
該絶縁体はコの字状の断面形状を有しており、該コの字状の一方の側が前記所定の金属部分と接触し、該コの字状の別の側が前記電極と接触し、および、開口部の幅が１．０〜１．５ｍｍである空隙部を形成されてなることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置において、前記所定の金属部分はアース電位とされることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の保護膜形成方法であって、
前記支持する手段を用いて前記磁気記録媒体を前記キャビティ内の所定の位置で支持する第１ステップと、
前記電極に前記所定の電圧または前記高周波電圧を印加して前記磁性層上に前記保護膜を成膜する第２ステップと、
前記第２ステップにおいて成膜された前記保護膜上に液体潤滑層を形成する第３ステップ
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体の保護膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマＣＶＤ装置および磁気記録媒体の保護膜形成方法に関し、特に、現在、コンピュータの外部記録装置として主流となっている磁性膜を具えたハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気記録媒体に保護膜（記録層を形成する磁性膜をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有するカーボン保護膜）を形成するためのプラズマＣＶＤ装置、および当該装置を用いて当該磁気記録媒体に当該保護膜を形成する磁気記録媒体の保護膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、ＨＤＤ（ハードディスクズライブ装置）に用いられる磁気記録媒体の面記録密度は、２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２まで達し、年率１００％で向上している。このような磁気記録の一層の高密度化により、一層小さな磁化領域を高いＳＮ比で読み込むためには書き込み／読み出しヘッドを記録媒体表面に一層近づけることが要求されるようになった。現在、ヘッド浮上量は５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２で１５ｎｍ以下と見積もられている。そして、今後も磁気記録の高密度化に対応して磁気記録媒体とデータ書き込み／読み出しヘッドとの浮上間隔を狭くすることが求められると予想される。したがって、保護膜に関しても当然、薄膜化が必要となる。
【０００３】
保護膜は、従来、スパッタ法により成膜が行われている。スパッタ法は耐久性および耐食性を有する保護膜を成膜することができるが、膜厚を８ｎｍ以下にすることは困難である。そこで、スパッタ法に代わる次世代カーボン保護膜の成膜プロセスとして、より高密度な膜が得られるというプラズマＣＶＤ法が注目され活発に研究が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プラズマＣＶＤ法による成膜を長時間連続運転すると、装置の絶縁性を保つための絶縁物にカーボン膜が成膜されてしまい、絶縁物としての役割を果たさなくなる。そして、その絶縁物に成膜されたカーボン膜が電流パスのひとつとなり、電流が流れるときにアーキングを発生させてしまう。アーキングが発生すると、媒体上にパーティクルを増加させ、良品率の低下を招くとともに、装置のメンテナンスの頻度を多くしなければならなくなり、稼働率の低下も招くという課題がある。
【０００５】
上記の課題を解消するには、装置を長期稼動してもアーキングを発生させないことで、パーティクルの増加を抑制し、良品率・稼働率を上げる必要がある。そこで、本発明者らは、装置内の絶縁物の形状を改善してアーキングを抑制することで、装置を長期稼動してもパーティクルの増加を抑制できることを見出した。
【０００６】
本発明の目的は、この原理にしたがってカーボン保護膜成膜時のパーティクルを減少させて上記の課題を解決したプラズマＣＶＤ装置、および当該装置を用いて磁気記録媒体にパーティクルが抑制された保護膜を形成する磁気記録媒体の保護膜形成方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明装置の第１の態様では、電源装置から所定の電圧を印加されてエレクトロンを放出する電極と、前記エレクトロンと衝突するガスを閉じ込めるキャビティと、基板上に磁性層が形成された磁気記録媒体を前記キャビティ内で支持する手段とを備え、ＣＶＤ法により前記磁性層上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記キャビティ内の所定の金属部分と前記電極の間に介在する絶縁体を備え、該絶縁体には、前記所定の金属部分または前記電極と接触する部位の近傍に、前記所定の金属部分または前記電極に対して１．０〜１．５ｍｍ離間する第１空隙部および前記所定の金属部分または前記電極に対して１．５ｍｍよりも長く離間し且つ該第１空隙部と連通する第２空隙部からなる空隙部が形成されており、前記接触する部位と前記第１空隙部の間に前記第２空隙部が位置する形態のプラズマＣＶＤ装置を実施した。
【０００８】
上記第１の態様において、前記絶縁体にはさらに、前記接触する部位を挟んで前記第１空隙部および前記第２空隙部とそれぞれ対向する位置に、前記接触する部位に対して対称な形状の前記第３空隙部および前記第４空隙部が形成されていてよい。
【０００９】
また上記第１の態様において、前記第２空隙部は、前記１．５ｍｍよりも長く前記所定の金属部分または前記電極から離間する離間長にわたって、前記第１空隙部の離間長である１．０〜１．５ｍｍと同一の幅を有していてよい。
【００１０】
また、本発明装置の第２の態様では、電源装置から高周波電圧を印加されてエレクトロンを放出する電極と、前記エレクトロンと衝突するガスを閉じ込めるキャビティと、基板上に磁性層が形成された磁気記録媒体を前記キャビティ内で支持する手段とを備え、ＣＶＤ法により前記磁性層上に保護膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記キャビティ内の所定の金属部分と前記電極の間に介在する絶縁体を備え、該絶縁体はコの字状の断面形状を有しており、該コの字状の一方の側が前記所定の金属部分と接触し、該コの字状の別の側が前記電極と接触し、および、開口部の幅が１．０〜１．５ｍｍである空隙部を形成されてなる形態のプラズマＣＶＤ装置を実施した。
【００１１】
上記第１および第２の態様において、前記所定の金属部分はアース電位とされていてよい。
【００１２】
上記の目的を達成するために本発明方法では、上記第１乃至第２の態様のプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の保護膜形成方法であって、前記支持する手段を用いて前記磁気記録媒体を前記キャビティ内の所定の位置で支持する第１ステップと、前記電極に前記所定の電圧または前記高周波電圧を印加して前記磁性層上に前記保護膜を成膜する第２ステップと、前記第２ステップにおいて成膜された前記保護膜上に液体潤滑層を形成する第３ステップを備えた磁気記録媒体の保護膜形成方法を実施した。
【００１３】
上記各形態の本発明によれば、各請求項に記載の通りに形状改善された絶縁物を使用して磁性層上に保護膜を成膜することにより、長時間成膜を行った際にも、絶縁物に成膜されたＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等による電流パスを形成することなく、パーティクルの原因となるアーキングが抑制される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置および磁気記録媒体の保護膜形成方法によって形成される磁気記録媒体は、非磁性基板上に順次積層された磁性層、カーボン保護膜、および液体潤滑層を有する。
【００１５】
本発明で使用される非磁性基板は、アルミ合金、ガラス、プラスチック基板など、当業者が一般的に使用可能ないかなる非磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板としては、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどから成る基板を使用することができる。
【００１６】
基板は、２．５インチ、３インチ、３．３インチ、３．５インチ、５インチ、のいずれの大きさのディスク基板状であってもよい。また、その形態もディスク状に限らず、カード状、帯状などいかなる形態であってもよい。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技術において汎用されているものであると理解されるべきである。
【００１７】
本発明で使用される磁性膜は、記録層として使用できる強磁性金属を含む。具体的には、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＺｒＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ａｌ２Ｏ３などを成分とする磁性膜を使用できる。
【００１８】
磁性層の厚さは２０ｎｍ以下とする必要があり、好ましくは１０〜２０ｎｍである。磁性膜を複数用いた多層構造の記録層としてもよい。
【００１９】
また、磁性層と基板の間に下地層を形成してもよい。下地層は、下地層を形成するため当業者が一般的に使用可能ないかなる成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔなどから形成される。
【００２０】
下地層の厚さは２０ｎｍ以下とする必要があり、好ましくは１０〜２０ｎｍである。
【００２１】
潤滑剤には、液体潤滑剤であるパーフルオロ・ポリエーテルが使用され、その中でもＺ−ｄｏｌ（商品名、アウジモント社製）が望ましい。
【００２２】
保護膜は、ヘッドによる衝撃や外界の腐食性物質などの腐食から、記録層を形成する磁性膜を保護する機能を有する。保護膜の厚さは８ｎｍ以下とする必要があり、好ましくは３〜８ｎｍである。
【００２３】
保護膜は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜して得ることができる。プラズマＣＶＤ法とは、原料となるガスを、熱エネルギではなく、電磁気的なエネルギを加えて電子によって分解し、低温で薄膜を形成する方法である。具体的には、気相成長によって成膜成長を行うＣＶＤに放電を行わせる装置を組み合わせた装置を用いて、プラズマＣＶＤ法による薄膜形成を行なうことができる。プラズマＣＶＤ法として、例えば、フィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤ、ホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤ、高周波−ＣＶＤ、電子ビーム励起プラズマ−ＣＶＤなどを挙げることができ、いずれの方法でＤＬＣを成膜してもよい。
【００２４】
ＤＬＣを成膜する際の原料ガスには、炭化水素系ガス、例えば、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、トルエン（Ｃ７Ｈ８）などを用いる。
【００２５】
本出願人は、装置内の絶縁物の形状改善によって、記録媒体上のパーティクルを減少できることを見出した。すなわち、図１に示したように、電極面との接触部分の少なくとも一部分に最大で１．０〜１．５ｍｍの隙間を設けた種々形状の絶縁物１０ａ〜１０ｄを使用してアーキングを抑制することで、記録媒体上で０．３μｍ以上の大きさのパーティクルが１００個／（３．５インチ基板）以下となることが見出された。これら絶縁物１０ａ〜１０ｄは、バルク材の加工、または焼結によって作製した。
【００２６】
アーキングの有無については、電流制御回路に電流計を接続してモニタリングし、１５Ａ以上の電流を検出したときにアーキングと判断した。また、保護膜表面のパーティクル数測定には光学式外観試験機を使用した。
【００２７】
本発明で使用される絶縁物には、電極面との接触部分の少なくとも一部分に最大で１．０〜１．５ｍｍの隙間を有する種々形状の間隙部１５ａ〜１５ｄが形成されている（図１参照）。隙間が１．０ｍｍ以下であるとカーボン膜の堆積により隙間が容易に埋まってしまい、隙間を設けていないときと同様にアーキングを発生させ、保護膜上のパーティクルを増加させてしまう。一方、隙間が１．５ｍｍ以上であるとプラズマが存在しやすい空間となってしまい、絶縁物の形状に沿ってカーボン膜が堆積してしまう。この結果アーキングを発生させ、やはり保護膜上のパーティクルを増加させることになる。
【００２８】
以下、本発明に係る実施形態について詳細に説明するが、本発明はここに開示された実施形態のみに限定されるものではない。
【００２９】
（実施形態１）
図２は本実施形態において用いる磁気記録媒体の一部の概略断面図である。
図２に示すように、磁気記録媒体１は、アルミ合金基板上２にＮｉ−Ｐめっき３を施し、その上にスパッタ法で２０ｎｍのＣｒ下地層４および２０ｎｍのＣｏ磁性層５を成膜し、さらにその上に、以下に詳細に説明するフィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチレン（Ｃ２Ｈ４）を原料に用いてＤＬＣ保護膜６を成膜したものである。
【００３０】
図３はフィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤ装置の原理図であって、エチレンガス（Ｃ２Ｈ４）を閉じ込めるキャビティ、磁気記録媒体をキャビティ内で所定位置に支持する手段、その他、プラズマＣＶＤ装置の周知の構成要素は図示を省略した。
【００３１】
本実施形態の装置は、電力制御装置１１６より通電されるフィラメント１１０、パルス電源１１４より通電されるアノード電極１１１、支持手段（図示せず）により支持される基板１１３にバイアスを付与するバイアス電源１１５、マグネット１１２等を備える。
【００３２】
上記構成を備えた本実施形態の装置が稼動すると、フィラメント１１０より発生した熱電子（エレクトロン）はアノード電圧によりアノード電極１１１側に引き付けられ、アノード電極１１１側から導入されたＣ２Ｈ４ガスと衝突する。このとき、プラズマを発生させる。マグネット１１２の磁力は、熱電子の飛行距離を長くして、ガスとの衝突回数を増加させる。プラズマ中のイオンはアノード電圧で後押しされ、さらに、予め支持されている基板１１３に印加された負のバイアスによって基板１１３に対し引き付けられる。
【００３３】
図３では省略されているが、アノード電極１１１とマグネット１１２の間には絶縁物とアース電位金属が介在する。この様子を図３中、矢印Ａ方向から示したものが図４（ａ）である。
【００３４】
図４（ａ）において、４００は形状変更をした絶縁物であり、アノード電極１１１とアース電位金属の間に介在する。ここで用いた絶縁物４００は、大文字アルファベット「Ｅ」に類似の形状とされ、隙間距離ｄが１ｍｍのものである。
【００３５】
このような構成の装置を用いて膜厚８ｎｍのＤＬＣ保護膜６を成膜した後、ＤＬＣ保護膜６の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層を形成した。
【００３６】
得られた磁気記録媒体を用いて信頼性試験をしたところ、３．５インチ基板で０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数が４０〜５０個／面程度のものが多く、磁気ヘッドの浮上特性を示すＧＨＴ（Ｇｌｉｄｅ  Ｈｅｉｇｈｔ  Ｔｅｓｔ）の良品率も約９０％であった。また、アーキング発生が抑制されるためにメンテナンス回数を減少できて、装置の稼働率も向上した。
【００３７】
（実施形態２）
本実施形態では、実施形態１と同様に、アルミ合金基板上２に、Ｎｉ−Ｐめっき３を施し、その上にスパッタ法で２０ｎｍのＣｒ下地層４および２０ｎｍのＣｏ磁性層５を成膜した。さらにその上に、実施形態１のフィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤに代えて、以下に詳細に説明するホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチレン（Ｃ２Ｈ４）を原料ガスに用いて磁気記録媒体１にＤＬＣ保護膜６を成膜した（図２参照）。
【００３８】
図５はホローカソード方式−ＣＶＤ装置の原理図であって、エチレンガス（Ｃ２Ｈ４）を閉じ込めるキャビティ、磁気記録媒体をキャビティ内で所定位置に支持する手段、その他、プラズマＣＶＤ装置の周知の構成要素は図示を省略した。
【００３９】
本実施形態の装置は、電源２１４により通電されるホローカソード２１０、アノード電極２１１、マグネット２１２等を備える。
【００４０】
上記構成を備えた本実施形態の装置が稼動すると、ホローカソード２１０より発生した熱電子はアノード電圧によりアノード電極２１１側に引き付けられ、アノード電極２１１側から導入されたＡｒガスと衝突し、Ａｒ＋を発生させ、アノード電圧により押し出されたＡｒ＋Ｃ２Ｈ４と衝突する。このとき、プラズマを発生させる。マグネット２１２の磁力は、プラズマ密度を制御する。プラズマ中のイオンはアノード電圧で予め支持されている基板２１３側へ押し出される。
【００４１】
図５において、アース電位金属は図示を省略してあり、２１５および２１６は絶縁物であり、図中矢印Ｄ方向から見て同心円状に配置される。絶縁物２１５を例にとって詳細に示したものが図４（ｂ）であり、図４（ｂ）は図５中の破線Ｂ部分の拡大図である。図中２つある絶縁物２１６のうち左側について示すと、図４（ｂ）を水平方向に反転した図となる。
【００４２】
図４（ｂ）において、アノード電極２１１とアース電位金属間に絶縁物２１５が介在する。絶縁物２１５は、カタカナの「コ」の字状の部分と、「コ」の字状部分の一端に垂直に連続する直線状部分からなる形状とされ、隙間距離ｄが１ｍｍのものである。
【００４３】
このような構成の装置を用いて膜厚８ｎｍのＤＬＣ保護膜６を成膜した後、ＤＬＣ保護膜６の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層を形成した。
【００４４】
得られた磁気記録媒体を用いて信頼性試験をしたところ、３．５インチ基板で０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数が４０〜５０個／面程度のものが多く、磁気ヘッドの浮上特性を示すＧＨＴの良品率も約９０％であった。また、アーキング発生が抑制されるためにメンテナンス回数を減少できて、装置の稼働率も向上した。
【００４５】
（実施形態３）
本実施形態では、実施形態１および２と同様に、アルミ合金基板上２に、Ｎｉ−Ｐめっき３を施し、その上にスパッタ法で２０ｎｍのＣｒ下地層４および２０ｎｍのＣｏ磁性層５を成膜した。さらにその上に、実施形態１のフィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤに代えて、以下に説明する高周波−ＣＶＤにより、エチレン（Ｃ２Ｈ４）を原料ガスを用いてＤＬＣ保護膜６を成膜した（図２参照）。
【００４６】
図６は高周波−ＣＶＤ装置の原理図であって、エチレンガス（Ｃ２Ｈ４）を閉じ込めるキャビティ、磁気記録媒体をキャビティ内で所定位置に支持する手段、その他、プラズマＣＶＤ装置の周知の構成要素は図示を省略した。
【００４７】
本実施形態の装置は、高周波電源３１４ａ，ｂより高周波電圧を印加される高周波電極３１１ａ，ｂを対向配置されており、支持手段（図示せず）により支持される基板３１３にバイアスを付与するバイアス電源３１５等を備える。高周波電極３１１ａ，ｂはメッシュ状にガス吹き出し口を持つ。
【００４８】
上記構成を備えた本実施形態の装置が稼動すると、基板３１３を挟んで平行に向かい合った高周波電極３１１間に、高周波電源３１４からパワーが印加される。そして、高周波電極３１１ａ，ｂのガス吹き出し口からエチレンガス（Ｃ２Ｈ４）を導入し、プラズマを発生させる。プラズマ中のイオンは基板３１３に印加された負のバイアスにより引き付けられる。
【００４９】
図６では省略されているが、高周波電極３１１ａ，ｂの図中外側には絶縁物とアース電位金属が設けられる。この様子を高周波電極３１１ｂを例に、図６中破線Ｃ部分について拡大して示したものが図４（ｃ）である。なお、絶縁物は高周波電極３１１ａ，ｂの外側のどの位置に設けても良いし、各電極について複数設けても良い。
【００５０】
図４（ｃ）において、高周波電極３１１ｂとアース電位金属間に絶縁物４１０が介在する。絶縁物４１０は、カタカナの「コ」の字に類似の形状とされ、隙間距離ｄが１ｍｍのものである。
【００５１】
このような構成の装置を用いて膜厚８ｎｍのＤＬＣ保護膜６を成膜した後、ＤＬＣ保護膜６の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層を形成した。
【００５２】
得られた磁気記録媒体を用いて信頼性試験をしたところ、３．５インチ基板で０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数が４０〜５０個／面程度のものが多く、磁気ヘッドの浮上特性を示すＧＨＴの良品率も約９０％であった。また、アーキング発生が抑制されるためにメンテナンス回数を減少できて、装置の稼働率も向上した。
【００５３】
なお、実施形態１〜３では絶縁体の隙間部が直線状で、かつ、その対向面が平行な例を実施したが、図１を参照して説明した形状でも上記各実施形態と同様の効果が得られる。
【００５４】
（比較例１）
本比較例は、形状改善をしていない絶縁物（図７）を用いてカーボン保護膜の成膜を行ったものである。この絶縁物は、図７中に矢印で示すように絶縁体上に電流パスができ、アーキングが多発し、このときに成膜されたサンプルはパーティクルが多くなる。
【００５５】
次に、ＤＬＣ保護膜表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層を形成した。
【００５６】
得られた磁気記録媒体を用いて信頼性試験をしたところ、３．５インチ基板で０．３μｍ以上の大きさのパーティクル数が１０００個／面と非常に多く、ＧＨＴの良品率は０％であった。
【００５７】
【発明の効果】
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置および磁気記録媒体の保護膜形成方法によれば、プラズマＣＶＤ法による磁気記録媒体のカーボン保護膜成膜において、装置内の絶縁物の形状を改善することにより、絶縁物に成膜されたカーボン膜が電流のパスとなることを防ぎ、アーキングの発生を抑制して、カーボン保護膜上のパーティクルを減少させ、ヘッド浮上特性の良品率を向上させることができる。さらに、カーボン膜の堆積が原因であるアーキング発生を抑制することにより、装置のメンテナンス回数を少なくすることができ、稼働率を向上させることができる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置に適用可能な絶縁物の断面形状を示す断面図である。
【図２】本発明に適用される磁気記録媒体の断面概略図である。
【図３】フィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤ装置の原理図である。
【図４】各実施形態における絶縁物と電極の関係を示す説明図である。
【図５】ホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤ装置の原理図である。
【図６】高周波−ＣＶＤ装置の原理図である。
【図７】形状改善無し絶縁物と電極との関係と電流パスを比較のために示す説明図である。
【符号の説明】
１  磁気記録媒体
２  非磁性基板（アルミ合金）
３  めっき層（Ｎｉ−Ｐめっき）
４  下地層（Ｃｒ）
５  磁性層（Ｃｏ）
６  ＤＬＣ保護膜
１０ａ〜１０ｄ，２１５，２１６，４００，４１０  絶縁物
１５ａ〜１５ｄ  間隙部
１１０  フィラメント
１１１  アノード電極
１１２，２１２  マグネット
１１３，２１３，３１３  基板
１１４，２１４  電源
１１５，３１５  バイアス電源
１１６  電力制御装置
２１０  ホローカソード
２１１  アノード電極
３１１ａ，ｂ  高周波電極
３１４ａ，ｂ  高周波電源
【図１】
0004696405.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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