(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン液体からなる電解液中で、導電性高分子モノマーと細孔径０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの細孔を有する金属構造体を用いたナノポーラス弁作用金属とをパルス定電流電解することにより、酸化被膜と前記ナノポーラス弁作用金属の細孔内部まで均一な厚さの導電性高分子膜とを生成させることを特徴とする電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項２】
前記イオン液体として、アンモニウムカチオン及び／又はヘテロ環オニウムカチオンを含むイオン液体を用いる請求項１記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項３】
前記イオン液体として、四フッ化ホウ素アニオン、フッ化リンアニオン、及び、パーフルオロメタンスルホニルイミドアニオンよりなる群から選ばれる少なくとも一種のアニオンを含むイオン液体を用いる請求項１又は２記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項４】
前記導電性高分子モノマーとして、ピロール骨格を有するモノマー及び／又はチオフェン骨格を有するモノマーを用いる請求項１から３いずれか記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項５】
前記ナノポーラス弁作用金属として、タンタル、アルミニウム、及び、ニオブよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を用いる請求項１から４いずれか記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項６】
前記パルス定電流電解を、電流値１μＡ〜１００ｍＡ、パルス幅１Ｓ〜１０００Ｓ、緩和時間１Ｓ〜１０００Ｓ、及び、パルス回数１〜１０００の条件で行う請求項１から５いずれか記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項７】
前記酸化皮膜と前記導電性高分子膜とを、同時に生成させる請求項１から６いずれか記載の電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項８】
予備導電層形成処理が施されたナノポーラス弁作用金属を、導電性高分子モノマーを含むイオン液体からなる電解液中でパルス定電流電解することにより、酸化皮膜と前記ナノポーラス弁作用金属の細孔径０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの細孔内部まで均一な厚さの導電性高分子膜とを生成させることを特徴とする電解コンデンサ素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８いずれか記載の電解コンデンサ素子の製造方法で得られる電解コンデンサ素子を用いたキャパシタ。
【請求項１０】
細孔径０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの細孔を有する素子基板と、前記細孔内部及び前記素子基板の表面に均一に形成され膜厚がナノレベルである酸化皮膜と、前記酸化皮膜上に均一に形成され膜厚がナノレベルであるとともに、前記細孔内部まで均一な厚さの導電性高分子膜と、を備え、
前記酸化皮膜及び前記導電性高分子膜は、イオン液体からなる電解液中で、導電性高分子モノマーと前記素子基板とをパルス定電流電解することにより生成されたものであることを特徴とする電解コンデンサ素子。
【請求項１１】
前記細孔内部に形成された酸化皮膜及び導電性高分子膜の合計膜厚に対する、前記素子基板の表面に形成された酸化皮膜及び導電性高分子膜の合計膜厚比が１〜１０である請求項１０記載の電解コンデンサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサ素子の製造方法に関する。より詳細には、ナノポーラスな陽極素子基板に、導電性の高いナノレベルの厚さの導電性高分子を均一に形成することができ、携帯電話、パソコン、デジタルカメラ等、電子機器における非常用電源やバックアップ電源に用いられる高容量の電解コンデンサに好適に使用される素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の表面実装デバイスの小型化技術の発展に伴い、携帯電話、パソコン、デジタルカメラ等、電子機器における部品基板への実装技術が高密度化している。こうした中、電子部品であるコンデンサ素子においても、その小型化、大容量化の要求に対して、特に小型大容量化が可能であるアルミニウム、タンタル、ニオブ電解コンデンサについて、盛んに研究がなされている。
【０００３】
電解コンデンサは、高表面積ナノポーラス陽極と、陽極上の酸化皮膜誘電体、誘電体上の導電性高分子からなる陰極導電層で構成されている。電解コンデンサの容量は誘電体の面積に比例して増大することから、近年では、例えばタンタルではナノ粒子を焼結した平均細孔径１００ｎｍ〜５００ｎｍのナノポーラスタンタル等が用いられている。
【０００４】
従来の電解コンデンサ素子の形成方法は、ナノポーラス陽極を水溶液電解液中で電解酸化し、酸化皮膜誘電体（２０ｎｍ〜２００ｎｍ）を形成させる。続いて酸化皮膜上に化学重合法により予備導電層である二酸化マンガン膜もしくは導電性高分子膜を形成させる（１００ｎｍ〜１０００ｎｍ）。その予備導電層を陽極として、導電性高分子膜を電解重合する（１μｍ〜１０μｍ）という煩雑なものである。
【０００５】
今後の容量の向上を考慮すると、平均細孔径１００ｎｍ以下のナノポーラス陽極が用いられると考えられるが、このような細孔径の小さい陽極基板を用いる場合、陰極層である導電性高分子を既存の化学重合法を用いた予備導電層を形成する手法で細孔内まで均一な厚さで形成させるのは困難であり、容量出現率の低下、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増加が懸念される。
［０００６］
そこで、予備導電層を用いずに陽極基板上に直接導電性高分子膜を形成できる手法として、本発明者らは、界面活性剤塩を含んだ水溶液を電解質とし、ナノポーラスタンタル陽極上で酸化皮膜とポリピロールを、電解により同時に生成させる方法を提案した（例えば、非特許文献１、特許文献１及び２参照）。この方法によれば、細孔内部までポリピロールを形成させることが可能となったものの、細孔内部のポリピロールは不均一な島上の膜形態を呈していた。このため、細孔内部まで均一にポリマーを重合させることが必要と考えられる。
［０００７］
一方、有機溶媒に電解質塩類を溶解した電解液においては、有機溶媒が揮発しやすく引火点が低いという問題点や、漏液が発生し易く、長期間の信頼性に欠けるという問題点があることから、これらの問題点を改善することができる材料として、室温で液状のイオン液体をイオン伝導体に使用する電気化学デバイスが検討されている。特に、導電性高分子として、イオン液体中でピロールやチオフェン等の重合性化合物（モノマー）を電解重合して得たものを用いることにより、充放電サイクル特性が優れ、且つ長寿命の電気化学デバイスが提案されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、イオン液体電解質を用いて作製した導電性高分子膜の電解コンデンサへの応用はまだ試みられていない。
非特許文献１：電気化学会第７１回大会講演要旨集、ｐ．２７９（２００４）
特許文献１：特開２００１−２２３１３９号公報
特許文献２：特開２００１−２２３１４０号公報
特許文献３：特開２００３−２４３０２８号公報
［発明の開示］
［発明が解決しようとする課題］
［０００８］
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁金属ポーラス陽極上に形成した酸化皮膜、もしくはこの酸化皮膜上に形成された二酸化マンガンや化学重合導電性ポリマー等の予備導電層の上に、ポリピロール、ポリピロール誘導体、ポリチオフェン誘導体等の導電性高分子を均一に形成させた電解コンデンサ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の要旨は、イオン液体電解液中で導電性高分子モノマーとナノポーラス弁作用金属をパルス定電流電解することにより、酸化皮膜と導電性高分子膜とを生成させることを特徴とする電解コンデンサ素子の製造方法である。
【００１０】
従来の液体を電解液に用いた手法では、１００ｎｍ以下の細孔を有する陽極基板に導電性高分子を形成することは困難であるが、イオン液体電解液中で、パルス電解法を用いてナノポーラス陽極上に導電性高分子を形成すると、ナノポーラス基板の細孔内部まで均一に導電性高分子膜が形成され、高い容量出現率、及び低いＥＳＲを有する電解コンデンサ素子が作製できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ナノポーラスな陽極素子基板に、導電性の高い均一なナノレベルの厚さで導電性高分子を形成することができ、携帯電話、パソコン、デジタルカメラ等、電子機器における非常用電源やバックアップ電源に用いられる高容量の電解コンデンサに好適に使用される素子を提供できる。また、電気自動車、燃料電池自動車の電子制御部分のコンバータやインバータへの応用も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】パルス定電流法のパラメータを示す模式図である。
【図２】実施例１で得られたサンプルのＳＥＭ像を示す写真である。
【図３】実施例１で得られたサンプルのＦＴＩＲスペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を詳細に説明する。本発明においては、電解液としてイオン液体を使用する。本発明でいうイオン液体とは、静電気的引力で結合したカチオンとアニオンのみから構成され、常温で液体である有機塩を意味する。より具体的には、オニウムカチオンを有する常温溶融塩であり、通常−４０℃〜１００℃の範囲で液状を示すものである。このように、イオン液体は液体状態を保つ温度範囲が極めて広く、不揮発性、難燃性、導電性、耐熱性、低粘性等の特徴を有する。
【００１４】
オニウムカチオンとしては、アンモニウムカチオン及びヘテロ環オニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。また、アンモニウムカチオンとしては、例えば、トリメチルプロピルアンモニウムイオン、トリメチルヘキシリルアンモニウムイオン、テトラペンチルアンモニウムイオン、ジエチルトリメチル（２−メトキシエチル）アンモニウムイオン等の脂肪族４級アンモニウムイオン、Ｎ−ブチル−Ｎ−メチルピロリジニウムイオン等の脂環式４級アンモニウムイオン等が挙げられる。
【００１５】
ヘテロ環オニウムカチオンとしては、例えば、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。イミダゾリウムカチオンの具体例としては、１，３−エチルメチルイミダゾリウム、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムイオン、１−プロピル−３−メチルイミダゾリウムイオン等のジアルキルイミダゾリウムカチオン、１，２，３−トリメチルイミダゾリウムイオン、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウムイオン等のトリアルキルイミダゾリウムカチオンが挙げられる。
【００１６】
ピリジニウムカチオンとしては、Ｎ−プロピルピリジニウムイオン、Ｎ−ブチルピリジニウムイオン、１−ブチル−４−メチルピリジニウムイオン、１−ブチル−２，４−ジメチルピリジニウムイオン等が挙げられる。
【００１７】
一方、イオン液体を構成するアニオンとしては、例えば、パーフルオロアルキル基を有するスルホン酸アニオン、具体的にはトリフルオロアルキルスルホン酸アニオン（ＣｎＦｎ＋１ＳＯ３−、ｎ＝１〜１２）や、イミドアニオン、具体的にはビス−パーフルオロエタンスルホニルイミド（ＢＥＴＩ）等が挙げられる。好ましくは、四フッ化ホウ素アニオン（ＢＦ４−）、フッ化リンアニオン（ＰＦ６−）、パーフルオロメタンスルホニルイミド（ＴＦＳＩ）等が挙げられる。
【００１８】
イオン液体に求められる好ましい性質は、（ｉ）導電性高分子モノマーを溶解できること、（ｉｉ）イオン伝導度がある程度高いこと、（ｉｉｉ）粘性が高すぎないこと、（ｉｖ）電気化学的に安定であること、（ｖ）熱的に安定であること、である。従って、上記で例示したカチオン及びアニオンのうち、これらの性質を具備するアンモニウム系カチオン、及び、四フッ化ホウ素アニオンやパーフルオロメタンスルホニルイミド系のアニオンが好適に用いられる。
【００１９】
本発明においては、上記の様なイオン液体からなる電解液（以下、イオン液体電解液という）中で、導電性高分子モノマーとナノポーラス弁作用金属をパルス定電流電解して、酸化皮膜と導電性高分子膜を生成させる。導電性高分子膜は、導電性高分子モノマーをイオン液体電解液中でパルスを用いた定電位法や定電流法で電解重合させることにより得られる。パルス定電流電解は、酸化皮膜の生成と導電性高分子膜の生成を別々に行ってもよいが、導電性高分子モノマーの存在下にパルス定電流電解して同時に生成させる方法が、細孔内部まで均一に導電性高分子膜が形成されるので好ましい。
［００２０］
導電性高分子モノマーとしては、ピロール骨格を有するモノマー、チオフェン骨格を有するモノマーが挙げられる。具体的にはピロール、チオフェン、３，４−エチレンジオキシチオフェン、３−アルキルチオフェン（Ｃ４Ｈ３Ｓ−ＣｎＨｎ＋１、ｎ＝１〜１２）等が挙げられる。酸化皮膜を形成させるナノポーラス弁作用金属としては、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、ハフニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム、ケイ素、アンチモン等、もしくはこれらの２種以上の合金からなるナノポーラス体が挙げられる。
［００２１］
ナノポーラス体としては、細孔径が０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの細孔を有する構造体で、例えば、エッチング処理により１ｎｍ〜５００ｎｍの細孔を有するアルミニウム箔や、粒子径５０ｎｍ〜３００ｎｍのタンタルやニオブ粒子を焼結・圧延して得られるペレット材料等が挙げられる。タンタルペレットは、次のような方法で作製される。先ず、フッ化タンタルカリウムを還元してタンタルパウダー粉末を調製した後、そのパウダーとバインダーを混合して、プレス・焼結することによりペレットとされる。市販品としても入手可能であり、キャボット社、高純度物質研究所、スタルクヴィテック社で市販されている。
［００２２］
本発明の製造方法においては、上記の様な導電性高分子モノマーとナノポーラス弁作用金属を、イオン液体電解液中でパルス定電流電解する。パルス定電流電解法としては、陽極に弁作用金属を用い、電解質にイオン液体を使用し、電流値ｉを１μＡ〜１００ｍＡとし、パルス幅を１Ｓ〜１０００Ｓとし、緩和時間を１Ｓ〜１０００Ｓ、パルス回数を１〜１０００とした定電流電解が挙げられる。
［００２３］
生成する酸化皮膜としては、上記したナノポーラス弁作用金属、もしくはこれらの２種以上の合金上に生成した２価から５価までの酸化物が挙げられる。酸化皮膜の膜厚は通じた電荷量に比例し、約１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度まで成長する。密度は１．５ｇｃｍ−３〜８ｇｃｍ−３程度であり、金属上に比較的緻密に生成する。それに伴って電圧が上昇する。生成した酸化皮膜は誘電性を有し、比誘電率は７〜５５と幅広い。
【００２４】
生成する導電性高分子膜は、上記した導電性高分子モノマーを重合したものからなる。膜厚はモノマーの濃度、重合温度、通じた電荷量がパラメータになり、約５０ｎｍから１００μｍ程度まで成長する。密度は約０．５ｇｃｍ−３〜１．５ｇｃｍ−３程度であり、比較的ポーラスな構造で酸化物上に生成する。電気伝導度は約０．１Ｓｃｍ−１〜２００Ｓｃｍ−１を示す。電気伝導度が高いほどコンデンサ特性（ＥＳＲ、周波数特性等）が向上する。
【００２５】
本発明の電解コンデンサ素子は、ナノポーラス内部に形成された酸化皮膜及び導電性高分子膜の合計膜厚に対する、素子基板の表面に形成された酸化皮膜及び導電性高分子膜の合計膜厚比が１〜１０であることが好ましい。即ち、従来の水系電解液系では、ナノポーラス内部における合計膜厚に比して素子基板の表面における合計膜厚が非常に厚く、膜が表面に支配的に形成されていたのに対して、本発明ではナノポーラス内部まで均一な厚さで膜が形成される。
【００２６】
また、本発明の電解コンデンサ素子は、予備導電層を備えたものであってもよい。この予備導電層は、従来公知の方法により形成される。即ち、予備導電層形成処理が施されたナノポーラス弁作用金属を、導電性高分子ポリマーを含むイオン液体からなる電解液中でパルス定電流電解して得られたものであってもよい。
【００２７】
本発明で作製された電解キャパシタデバイスは、陰極導電層となる導電性高分子が高い電気伝導度を示し、且つナノポーラス構造を有する弁作用金属／酸化皮膜上にフェイスフルに均一に形成されるため、低ＥＳＲの特性が得られる。例えば後述する実施例では、１００ｋＨｚにおけるＥＳＲはｍΩオーダーであり、ラボレベルのキャパシタサンプルとしては非常に低い値である。また、後述するＳＥＭ像の観察結果から分かる様に、導電性高分子が緻密に且つフェイスフルに酸化皮膜上に形成されるため、高い容量出現率（静電容量／理論静電容量）が得られる。後述する実施例でのサンプルキャパシタは９８％という非常に高い容量出現率を示す。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２９】
＜実施例１＞
ガラスセルに３Ｍのピロールを溶解したイオン液体（１，３−エチルメチルイミダゾリウム四フッ化ホウ素（以下、ＥＭＩＢＦ４という））を入れ、陽極（ナノポーラス基板：（５０，０００μＦＶｇ−１）（４，０００ｃｍ２ｇ−１））と陰極（白金ワイヤー）を浸し、ポテンシオスタットと制御装置を用いて、電流ｉ＝０．１Ａ〜１０Ａ、パルス幅χ＝４２ｓ〜４２０ｓ、緩和時間ｙ＝１０ｓ〜２７００ｓ、パルス回数ｎ＝１〜５００回の電解条件で、パルス定電流電解を行った。これらのパラメータを模式的に図１に示す。電解終了後、エタノールで数回洗浄して陽極素子サンプルを得た。
【００３０】
得られたサンプルの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、従来の定電流法（パルスなし）に比べて、ナノポーラスタンタル表面、細孔内部ともに均一に緻密にポリピロールが形成されていた（図２参照）。
【００３１】
＜比較例１＞
実施例１において、３Ｍのピロールを溶解したイオン液体に代えて、１Ｍのピロールを溶解した０．１Ｍドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＳＤＢＳ）水溶液を用いた他は、実施例１と同様にして、陽極素子サンプルを得た。
【００３２】
実施例１及び比較例１で得た陽極素子サンプルについて、ポリピロール膜の膜厚（表面膜厚：ｄｓｕｒ、細孔内部膜厚：ｄｉｎｎ）を概算した結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
表１の結果から、従来の水系電解液系では、ｄｉｎｎと比べてｄｓｕｒの膜厚が非常に大きく、表面に支配的にポリピロールが形成されたのに対し、イオン液体電解液を用いた場合では、ｄｉｎｎとｄｓｕｒの膜厚が等しく、タンタル陽極の細孔内部まで均一な厚さで膜が形成されていることが分かった。
【００３５】
ここで、ＥＭＩＢＦ４中で基板上に均一で高密度なポリピロール膜が形成された第１の理由として、ＥＭＩＢＦ４の高粘性が挙げられる。即ち、基板上におけるポリピロール核の発生は、通常、溶解しきれなくなったオリゴマーが基板に析出することにより開始される。それと同時に、オリゴマーはバルク側へ拡散もしくは泳動するが、粘性の高いＥＭＩＢＦ４中ではオリゴマーの拡散や泳動が起こりにくく、電極界面にとどまるものと考えられる。このため、ポリピロール核の発生が基板全体に均一に起こり、基板上に均一で高密度なポリピロール膜が得られたと考えられる。
【００３６】
第２の理由として、界面における電気二重層の構造の相違によるポリピロール核生成の違いが挙げられる。溶媒、支持電解質、及び、モノマーからなる通常の電解液では、電極／電解液界面に溶媒分子、部分的に存在する特異吸着アニオン、中性分子（モノマー分子）からなる固定層（内部ヘルムホルツ層）が形成される。そして、カチオンと溶媒分子、中性分子、アニオンで拡散層が形成される。一方、イオン液体とモノマーのみからなる電解液では、溶媒が存在しないため、モノマーの吸着層、アニオン、カチオンで固定層が形成されると考えられる。即ち、モノマーは電解を行う前に基板表面へ固定されていると見なせる。この状態で電極に定電流を印加すると、電極界面に固定されたモノマーが酸化され、オリゴマーとなり、核となることが考えられる。モノマーが分子レベルで固定されているため、ナノポーラス電極基板においても基板へ均一に核発生が起こると言える。そして、この核が生成することにより、基板に均一で高密度なポリピロール膜が形成されると考えられる。
【００３７】
これらの赤外吸収スペクトルを図３に示す。図３に示す通り、イオン液体中でパルス法により得られたポリピロール膜は、従来の水系電解液中、定電流法で得られたポリピロール膜と同様な、電気的に活性な（導電性のある）ポリマー構造であり、高い電気伝導性を有していると言える。
【００３８】
次に、ナノポーラスタンタル陽極上に生成したポリピロールの表面抵抗を評価した。具体的には、ペレット表面に析出したポリピロール膜の抵抗（Ｒｓｕｒｆ）と、細孔内部に析出したポリピロール膜の抵抗（Ｒｉｎｎ）を測定した。測定結果を表２に示す。
【００３９】
【表２】
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【００４０】
表２に示す通り、ナノポーラスタンタル表面部に析出した膜の抵抗値（Ｒｓｕｒｆ）、細孔中心部に析出した膜の抵抗値（Ｒｉｎｎ）いずれにおいても、イオン液体中で得られたポリピロール膜は、ＳＤＢＳ系で得られたポリピロール膜に比べて約１桁小さい表面抵抗値を示した。このことから、イオン液体中で得られたポリピロール膜は高い電気伝導度を有していることが示唆された。
【００４１】
ここで、電解キャパシタへの応用を考慮した場合、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の低減や高周波特性の向上のためには、陰極導電層となるポリピロールの電気伝導度が高いことが条件となる。従って、ＥＭＩＢＦ４中で得られた表面抵抗値の低いポリピロール膜、即ち電気伝導度が高いポリピロール膜は、電解キャパシタの陰極導電層として適していると言える。ポリピロールの電気伝導度は、マクロに考えると膜のモルフォロジー、膜の密度等に影響すると考えられている。ＥＭＩＢＦ４中で生成したポリピロール膜は、平滑で高密度であることがＳＥＭ観察と膜厚評価から示唆されており、これが高い電気伝導度を発現した１つの要因であると考えられる。
【００４２】
また、電気伝導度の因子を分子レベルで考えると、重合度、ブランチング（α−βカップリング）の度合い、ドーパントアニオンの種類等に依存することが考えられる。図３に示したＦＴＩＲスペクトル解析から、ＢＦ４−アニオンのポリピロール膜内への混入が非常に多いことが確認されている。このため、ＥＭＩＢＦ４中で生成したポリピロール膜はドープ率が高い、即ち重合度が高い可能性が考えられ、これも高電気伝導度の要因の１つになっていると考えられる。水やアセトニトリルを溶媒として用いたポリピロールの電解重合では、孤立電子対を有する水分子やアセトニトリル分子がポリピロール未満のα位端度に求核付加し、それがポリマー成長の停止反応となって、ある程度の分子量（Ｍｗ＝６０，０００〜）で成長が停止する。これに対してＥＭＩＢＦ４中では、孤立電子対を有する窒素原子を持つＥＭＩは、カチオン化しているため求核付加しにくく、また他の分子としてはフッ素で安定化されたＢＦ４−アニオンしか存在しない。従って、ＥＭＩＢＦ４中では求核反応が起こりにくくなる結果、重合度が高くなり、電気伝導度が増加したと考えられる。
【００４３】
＜実施例２＞
実施例１において、硫酸水溶液中で１０Ｖまで化成したナノポーラスタンタルを使用した他は、実施例１と同様にして得た陽極素子サンプルに、カーボンペーストを塗布し、乾燥した。続いて銀ペーストを塗布、乾燥し、銅端子を接合して電解キャパシタサンプルを作製した。サンプルの交流インピーダンスを測定し、１２０Ｈｚでの容量出現率を評価したところ、ＳＤＢＳ系では３０％であったのに対し、９８％という高い値を示した。また、１００ｋＨｚでのＥＳＲは５００ｍΩと低抵抗であった。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明による陽極素子を使用することにより、高い容量出現率、及び低いＥＳＲを有する電解コンデンサ素子が作製できることから、本発明は、電解コンデンサ素子の製造方法として優れていると言える。タンタル電解コンデンサだけではなく、アルミ電解コンデンサ、ニオブコンデンサ等の作製プロセスとしても有用であると考えられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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