(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを照射してウェハに予め定められた電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設けられるマスクであって、
前記予め定められた電子回路パターンと断面形状が略同一の電子ビームを生成するために用いられるパターンブロックと、
前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整用ブロックと、
前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に前記電子ビームが照射される位置に形成される基準ブロックと、
前記調整用ブロックを検出するために用いられる誘導ブロックとを備え、
前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブロックを結ぶ直線上に配置されることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記調整用ブロックと前記誘導ブロックとの間隔は、前記誘導ブロックから前記調整用ブロックに前記電子ビームを偏向した場合に、前記電子ビームが偏向されるべき位置と前記電子ビームが実際に偏向され得る位置の差である偏向誤差と、前記誘導ブロックと前記電子ビームが偏向されるべき位置の間隔との差より狭いことを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項３】
前記間隔で前記誘導ブロックを複数有することを特徴とする請求項２に記載のマスク。
【請求項４】
前記基準ブロック及び複数の前記誘導ブロックは、それぞれ異なる開口面積であることを特徴とする請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記調整用ブロックを複数備え、前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブロックのそれぞれを結ぶ直線上に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項６】
電子ビームを照射してウェハに予め定められた電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設けるマスクの予め定められた位置に電子ビームを偏向する偏向部を調整する校正方法であって、
前記予め定められた電子回路パターンと同一の形状の電子ビームを生成するために用いられるパターンブロックと、前記偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整用ブロックと、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に前記電子ビームが照射される位置に形成される基準ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用いられる誘導ブロックとを有し、前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブロックを結ぶ直線上に配置されるマスクを前記電子ビーム露光装置に取り付けるステップと、
前記基準ブロックを検出する基準ブロック検出ステップと、
前記基準ブロック検出ステップにより検出された前記基準ブロックから前記電子ビームを偏向して前記誘導ブロックを検出する誘導ブロック検出ステップと、
前記誘導ブロック検出ステップにより検出された前記誘導ブロックから前記電子ビームを偏向して前記調整用ブロックを検出する調整用ブロック検出ステップと、
前記調整用ブロック検出ステップが前記調整用ブロックを検出した場合の、前記偏向部の前記偏向量に基づいて前記偏向部を調整するステップと、
を備えることを特徴とする校正方法。
【請求項７】
前記マスクは第１の誘導ブロックと、第２の誘導ブロックとを含む複数の前記誘導ブロックを有し、前記誘導ブロック検出ステップは、前記第１の誘導ブロックを検出した後、前記第１の誘導ブロックから前記電子ビームを偏向して前記第２の誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項６に記載の校正方法。
【請求項８】
前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量である基準電子量を検出するステップを更に備え、前記誘導ブロック検出ステップは、前記基準電子量と前記誘導ブロックを通過した電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項６又は７に記載の校正方法。
【請求項９】
前記誘導ブロックのマスクにおける位置と、前記誘導ブロックの電子ビームを通過させる開口部の開口面積に関する開口情報とを対応付けて格納するステップを更に備え、
前記開口情報は、前記基準ブロックの開口面積と、前記誘導ブロックの開口面積との面積比であって、
前記誘導ブロック検出ステップは、前記基準電子量と前記面積比から算出される理想電子量と、電子量測定部で測定した電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出する請求項８に記載の校正方法。
【請求項１０】
電子ビームを照射してウェハに予め定められた電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置であって、
前記予め定められた電子回路パターンと同一の形状の電子ビームを生成するのに用いるパターンブロックと、前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量を調整するために用いる調整用ブロックと、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に前記電子ビームが照射される位置に形成される基準ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用いる誘導ブロックとを有し、前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブロックを結ぶ直線上に配置されるマスクを載置するマスクステージと、
前記電子ビームを偏向する偏向部と、
前記マスクを前記マスクステージに載置した場合に、前記偏向部が、前記マスクの任意のブロックに前記電子ビームを偏向するように前記偏向部の調整をするために用いる校正関数を算出する校正関数算出部と、
前記電子ビームにより前記ウェハに像を結ばせる電子レンズとを備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項１１】
前記電子ビームの電子量を測定する電子量測定部を更に備え、
前記校正関数算出部は、
前記マスクにおける前記誘導ブロックの位置と、前記マスクにおける前記調整用ブロックの位置を格納するブロック位置格納部と、
前記基準ブロックから、前記ブロック位置格納部に格納された前記誘導ブロックの位置に基づいて特定される前記マスクステージにおける位置へ前記電子ビームを偏向して、前記電子量に基づいて前記誘導ブロックを検出する誘導ブロック検出部と、
前記誘導ブロック検出部が検出した前記誘導ブロックから、前記ブロック位置格納部に格納された前記調整用ブロックの位置に基づいて特定される前記マスクステージにおける位置へ前記電子ビームを偏向して、前記電子量に基づいて前記調整用ブロックを検出する調整用ブロック検出部と、
前記調整用ブロック検出部が検出した前記調整用ブロックの位置へ、前記電子ビームを偏向する偏向量に基づいて前記校正関数を算出する算出部と、
を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１２】
前記校正関数算出部は、
前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量である基準電子量を格納する基準電子量格納部を更に有し、
前記誘導ブロック検出部は、前記基準電子量と、前記誘導ブロックを通過した前記電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項１１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１３】
前記ブロック位置格納部は前記誘導ブロックのマスクにおける位置と、前記誘導ブロックの電子ビームを通過させる開口部の開口面積に関する開口情報とを対応付けて格納し、
前記誘導ブロック検出部は、前記開口情報と、前記電子量測定部で測定した電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１４】
前記開口情報は、前記基準ブロックの開口面積と、前記誘導ブロックの開口面積との面積比であって、
前記誘導ブロック検出部は、基準電子量と前記面積比から算出される理想電子量と、前記電子量測定部で測定した電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出することを特徴とする請求項１３に記載の電子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスク、校正方法及び電子ビーム露光装置に関する。特に本発明は、電子ビーム露光装置に設けられるマスク、マスクに形成されたブロックに電子ビームを偏向する偏向器に与える偏向量を調整する校正方法及び、当該マスクを設け、当該校正方法により電子ビームの偏向量を調整する電子ビーム露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビーム露光装置のマスクステージにマスクを載置した場合、マスクに形成されたブロックに電子ビームを偏向するように偏向器の偏向量を調整する校正関数を算出する。マスクに形成された調整用ブロックを、オペレータが偏向器を手動で操作することで探し出し、調整用ブロックを探し出したときに偏向器に与える偏向データに基づいて、校正関数を算出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
マスクに形成された調整用ブロックは、オペレータが手動で偏向器の偏向量を調整して探し出す必要があった。手動で調整用ブロックを探し出すので、調整用ブロックを探し出すのに時間が掛かってしまった。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるマスク、校正方法及び電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第一の形態は、電子ビームを照射してウェハに所定の電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設けられるマスクであって、前記所定の電子回路パターンと断面形状が同一の電子ビームを生成するために用いられるパターンブロックと、前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整用ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用いられる誘導ブロックとを備えることを特徴とするマスクを提供する。
【０００６】
第一の形態の別の態様は、調整用ブロックと誘導ブロックとの間隔は、誘導ブロックから調整用ブロックに電子ビームを偏向した場合に、電子ビームが偏向されるべき位置と電子ビームが実際に偏向され得る位置との差である偏向誤差と、誘導ブロックと電子ビームが偏向されるべき位置の間隔との差より狭い間隔で配置されてよい。また、前記間隔で前記誘導ブロックを複数有してよい。また、前記調整用ブロックと複数の前記誘導ブロックは直線状に配置されてよい。また、前記複数の誘導ブロックの少なくとも１つは、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより照射される位置に配置される基準ブロックであってよい。
【０００７】
また、前記基準ブロックと前記誘導ブロックは、同一の開口率であってよい。また、前記誘導ブロックは、それぞれ異なる開口率であってよい。また、前記調整用ブロックを複数備え、前記誘導ブロックは、前記基準ブロックと前記調整用ブロックのそれぞれを結ぶ直線上に配置されてよい。
【０００８】
本発明の第二の形態は、ウェハに所定の電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置に設けるマスクの所定の位置に電子ビームを偏向する偏向部を調整する校正方法であって、前記所定の電子回路パターンと同一の形状の電子ビームを生成するために用いられるパターンブロックと、前記偏向部の偏向量を調整するために用いられる調整用ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用いられる誘導ブロックとを有するマスクを前記電子ビーム露光装置に取り付けるステップと、前記電子ビームを偏向して前記誘導ブロックを検出する誘導ブロック検出ステップと、前記誘導ブロック検出ステップにより検出された前記誘導ブロックから前記電子ビームを偏向して前記調整用ブロックを検出する調整用ブロック検出ステップと、前記調整用ブロック検出ステップが前記調整用ブロックを検出した場合の、前記偏向部の前記偏向量に基づいて前記偏向部を調整するステップとを備えることを特徴とする校正方法を提供する。
【０００９】
本発明の第二の形態の別の態様は、前記マスクは第１の誘導ブロックと、第２の誘導ブロックとを含む複数の前記誘導ブロックを有し、前記誘導ブロック検出ステップは、前記第１の誘導ブロックを検出した後、前記第１の誘導ブロックから前記電子ビームを偏向して前記第２の誘導ブロックを検出してもよい。また、前記複数の誘導ブロックの少なくとも１つは、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより照射される位置に配置される基準ブロックであり、前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量である基準電子量を検出するステップを更に備え、前記誘導ブロック検出ステップは、前記基準電子量と前記誘導ブロックを通過した前記電子ビームの電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出してもよい。
【００１０】
本発明の第三の形態は、電子ビームを照射してウェハに所定の電子回路パターンを露光する電子ビーム露光装置であって、前記所定の電子回路パターンと同一の形状の電子ビームを生成するのに用いるパターンブロックと、前記電子ビームを偏向する偏向部の偏向量を調整するために用いる調整用ブロックと、前記調整用ブロックを検出するために用いる誘導ブロックとを有するマスクを載置するマスクステージと、前記電子ビームを偏向する偏向部と、前記マスクを前記マスクステージに載置した場合に、前記偏向部が、前記マスクの任意のブロックに前記電子ビームを偏向するように前記偏向部の調整をするために用いる校正関数を算出する校正関数算出部と、前記電子ビームにより前記ウェハに像を結ばせる電子レンズと、を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置を提供する。
【００１１】
本発明の第三の形態の別の態様は、前記電子ビームの電子量を測定する電子量測定部を更に備え、前記校正関数算出部は、前記マスクにおける前記誘導ブロックの位置と、前記マスクにおける前記調整用ブロックの位置を格納するブロック位置格納部と、前記ブロック位置格納部に格納された前記誘導ブロックの位置と、前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出する誘導ブロック検出部と、前記誘導ブロック検出部が検出した前記誘導ブロックから、前記ブロック位置格納部に格納された前記調整用ブロックの位置に基づいて特定される前記マスクステージにおける位置へ前記電子ビームを偏向して前記調整用ブロックを検出する調整用ブロック検出部と、前記調整用ブロック検出部が検出した前記調整用ブロックの位置へ、前記電子ビームを偏向する前記偏向量に基づいて前記校正関数を算出する算出部とを有してもよい。
【００１２】
また、前記マスクは、前記偏向部が前記電子ビームを偏向しない場合に、前記電子ビームにより照射される位置に配置される基準ブロックを有し、前記校正関数算出部は、前記基準ブロックを検出する基準ブロック検出部と、前記基準ブロックを通過した前記電子ビームの電子量である基準電子量を格納する基準電子量格納部とを更に有し、前記誘導ブロック検出部は、前記基準電子量と、前記誘導ブロックを通過した前記電子ビームの前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出してもよい。
【００１３】
また、前記ブロック位置格納部は前記誘導ブロックの前記マスクにおける位置と、前記誘導ブロックの前記電子ビームを通過させる開口部の開口面積に関する開口情報とを対応付けて格納し、前記誘導ブロック検出部は、前記開口情報と、前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出してもよい。また、前記開口情報は、前記基準ブロックの前記開口面積と、前記誘導ブロックの前記開口面積との面積比であって、前記誘導ブロック検出部は、前記基準電子量と前記面積比から算出される理想電子量と、前記電子量とに基づいて前記誘導ブロックを検出してもよい。
【００１４】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１６】
図１は、本発明の１実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成図である。電子ビーム露光装置１００は、電子ビームによりウェハ６４に所定の露光処理を施すための露光部１５０と、露光部１５０の各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００１７】
露光部１５０は、筐体１０内部に、所定の電子ビームを照射する電子ビーム照射系１１０と、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームを偏向するとともに、電子ビームのマスク３０近傍における結像位置を調整するマスク用投影系１１２と、電子ビームのウェハ６４近傍における結像位置を調整する焦点調整レンズ系１１４と、マスク３０を通過した電子ビームをウェハステージ６２に載置されたウェハ６４の所定の領域に偏向するとともに、ウェハ６４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系１１６を含む電子光学系を備える。
【００１８】
また、露光部１５０は、ウェハ６４に露光すべきパターンをそれぞれ形成された複数のブロックを有するマスク３０を載置するマスクステージ７２と、マスクステージ７２を駆動するマスクステージ駆動部６８と、パターンを露光すべきウェハ６４を載置するウェハステージ６２と、ウェハステージ６２を駆動するウェハステージ駆動部７０とを含むステージ系を備える。さらに、露光部１５０は、電子光学系の調整のために、ウェハステージ６２側から飛散する電子を検出して、飛散した電子量に相当する電気信号に変換する電子検出器６０を有する。ウェハステージ６２は、電子ビームの焦点、偏向量及び／又はビーム形状を調整するために用いられるターゲットマーク部材１６０と、電子ビームの電子量を検出するために用いられるファラデーカップ１７０を有する。
【００１９】
電子ビーム照射系１１０は、電子ビームを発生させる電子銃１２による、電子ビームの焦点位置を定める第１電子レンズ１４と、電子ビームを通過させる矩形形状の開口（スリット）が形成されたスリット部１６とを有する。電子銃１２は、安定した電子ビームを発生するのに所定の時間がかかるので、電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを発生してもよい。スリットは、マスク３０に形成された所定のパターンを含むブロックの形状に合わせて形成されるのが好ましい。図１において、電子ビーム照射系１１０から照射された電子ビームが、電子光学系により偏向されない場合の電子ビームの光軸を、一点鎖線Ａで表現する。
【００２０】
マスク用投影系１１２は、電子ビームを偏向するマスク用偏向系としての第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６と、電子ビームの焦点を調整するマスク用焦点系としての第２電子レンズ２０、さらに、第１ブランキング電極２４を有する。第１偏向器１８及び第２偏向器２２は、電子ビームをマスク３０上の所定の領域に照射する偏向を行う。例えば、所定の領域は、ウェハ６４に転写するパターンを有するブロックであってよい。電子ビームがパターンを通過することにより、電子ビームの断面形状は、パターンと同一の形状になる。所定のパターンが形成されたブロックを通過した電子ビームの像をパターン像と定義する。第３偏向器２６は、第１偏向器１８及び第２偏向器２２を通過した電子ビームの軌道を光軸Ａに略平行に偏向する。第２電子レンズ２０は、スリット部１６の開口の像を、マスクステージ７２上に載置されるマスク３０上に結像させる機能を有する。
【００２１】
焦点調整レンズ系１１４は、第３電子レンズ２８と、第４電子レンズ３２とを有する。第３電子レンズ２８及び第４電子レンズ３２は、電子ビームのクロスオーバ像の焦点を対物絞り上に合わせる。ウェハ用投影系１１６は、第５電子レンズ４０と、第６電子レンズ４６と、第７電子レンズ５０と、第８電子レンズ５２と、第９電子レンズ６６と、第４偏向器３４と、第５偏向器３８と、第６偏向器４２と、主偏向器５６と、副偏向器５８と、第２ブランキング電極３６と、ラウンドアパーチャ部４８とを有する。
【００２２】
レンズ強度の設定値に依存してパターン像は回転する。第５電子レンズ４０は、マスク３０の所定のブロックを通過した電子ビームのパターン像の回転量を調整する。第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０は、マスク３０に形成されたパターンに対する、ウェハ６４に転写されるパターン像の縮小率を調整する。第８電子レンズ５２及び第９電子レンズ６６は、対物レンズとして機能する。第４偏向器３４及び第６偏向器４２は、電子ビームの進行方向に対するマスク３０の下流において、電子ビームを光軸Ａの方向に偏向する。第５偏向器３８は、電子ビームを光軸Ａに略平行になるように偏向する。主偏向器５６及び副偏向器５８は、ウェハ６４上の所定の領域に電子ビームが照射されるように、電子ビームを偏向する。本実施形態では、主偏向器５６は、１ショットの電子ビームで照射可能な領域（ショット領域）を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向するために用いられ、副偏向器５８は、サブフィールドにおけるショット領域間の偏向のために用いられる。
【００２３】
ラウンドアパーチャ部４８は、円形の開口（ラウンドアパーチャ）を有する。第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極３６は、電子ビームを高速に同期してオン／オフすることができ、具体的には、電子ビームをラウンドアパーチャの外側に当たるように偏向する機能を有する。すなわち、第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極３６は、ウェハ６４上に結像されるパターン像に変位をもたらすことなく、ウェハ６４上に到達する電子ビームの量を制御することができる。従って、第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極３６は、電子ビームの進行方向に対してラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビームが進行することを防ぐことができる。電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、第１ブランキング電極２４および第２ブランキング電極３６は、ウェハ６４に転写するパターンを変更するとき、更には、パターンを露光するウェハ６４の領域を変更するときに、ラウンドアパーチャ部４８から下流に電子ビームが進行しないように電子ビームを偏向することが望ましい。
【００２４】
制御系１４０は、統括制御部１３０及び個別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、偏向制御部８２と、マスクステージ制御部８４と、ショット制御部８６と、電子レンズ制御部８８と、反射電子処理部９０と、ウェハステージ制御部９２と、電子量検出部９３と、校正関数算出部２００とを有する。統括制御部１３０は、例えばワークステーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。偏向制御部８２は、第１偏向器１８、第２偏向器２２、第３偏向器２６、第４偏向器３４、第５偏向器３８、第６偏向器４２、主偏向器５６、及び副偏向器５８を制御する。マスクステージ制御部８４は、マスクステージ駆動部６８を制御して、マスクステージ７２を移動させる。
【００２５】
ショット制御部８６は、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。本実施形態では、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６は、露光時には、電子ビームをウェハ６４に照射させ、露光時以外には、電子ビームをウェハ６４に到達させないように制御されるのが望ましい。電子レンズ制御部８８は、第１電子レンズ１４、第２電子レンズ２０、第３電子レンズ２８、第４電子レンズ３２、第５電子レンズ４０、第６電子レンズ４６、第７電子レンズ５０、第８電子レンズ５２および第９電子レンズ６６に供給する電流を制御する。反射電子処理部９０は、電子検出部６０により検出された電気信号に基づいて電子量を示すデジタルデータを検出する。
【００２６】
ウェハステージ制御部９２は、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２を所定の位置に移動させる。電子量検出部９３は、ファラデーカップ１７０により検出された電気量に基づいて電子量を示すデジタルデータを検出する。校正関数算出部２００は、マスク３０に形成された所望のブロックに電子ビームを照射するように偏向器の調整をするのに用いる校正関数を算出する。マスク３０をマスクステージ７２に載置した場合に、マスク３０は理想の載置位置に対して、ずれ量をもって載置される。校正関数算出部２００は、マスク３０のずれ量を校正する校正関数を算出する。例えば、第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６は、マスクステージ座標系の所定の座標位置に電子ビームを偏向できる。マスク３０をマスクステージ７２に載置した場合に、マスク座標系とマスクステージ座標系とが一致すれば、所望するブロックのマスク座標系における座標値と、マスクステージ座標系における所望するブロックの位置とが一致するので、マスク座標系における座標値を電子ビームの偏向位置として偏向制御部８２に供給すれば、所望するブロックに電子ビームを照射することができる。しかしながら、所望するブロックのマスク座標系における座標値と、マスクステージ座標系における所望するブロックの位置とが一致しないので、マスク座標系における座標値を電子ビームの偏向位置として偏向制御部８２に供給すると、所望するブロックと異なる位置に電子ビームを照射してしまう。
【００２７】
校正関数算出部２００は、マスクステージ座標系に対するマスク座標系のずれ量に基づいて、マスク座標系における所望するブロックの座標値を、マスクステージ座標系の座標値に変換する校正関数を算出する。校正関数算出部２００が校正関数を算出することにより、所望するブロックの位置へ電子ビームを偏向することができる。
【００２８】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作について説明する。電子ビーム露光装置１００は、露光処理を行う前に、電子光学系などの構成を予め調整する調整処理を行う。以下において、まず、露光処理前の電子光学系の調整処理について説明する。ウェハステージ６２は、電子ビームの焦点および偏向度などを調整するために用いられるターゲットマーク部材１６０を備える。ターゲットマーク部材１６０は、ウェハステージ６２上において、ウェハを載置する領域以外の場所に設けられるのが好ましい。
【００２９】
まず、電子ビームの焦点合わせを行うために、ウェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２に設けられた焦点調整用のターゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動させる。次いで、各レンズの焦点位置を所定の位置に調整し、偏向器により電子ビームをターゲットマーク部材１６０のマーク上を走査させるとともに、電子検出器６０が、ターゲットマーク部材１６０に電子ビームが照射されることにより発生する反射電子に応じた電気信号を出力し、反射電子処理部９０が反射電子量を検出し、統括制御部１３０に通知する。統括制御部１３０は、検出された電子量に基づいて、レンズ系の焦点が合っているか否かを判断する。統括制御部１３０は、反射電子の検出波形の微分値が最大となるように、各電子レンズに供給する電流を制御する。
【００３０】
例えば、高精度な露光処理を行うために電子ビーム露光装置１００の座標系をレーザ干渉計などを基準として構成するとき、電子ビームの偏向座標系とレーザ干渉計を基準とした直交座標系とが厳密に校正されていることが必要である。そのため、電子ビームの焦点を行った後、偏向量を調整（校正）するために、ウェハステージ制御部９２が、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２に設けられた偏向量調整用の所定のマークを形成されたターゲットマーク部材１６０を光軸Ａ近傍に移動させる。
【００３１】
偏向器が、電子ビームで、ターゲットマーク部材１６０の偏向量調整用マーク上を複数回走査させ、電子検出器６０が、ターゲットマーク部材１６０から反射した反射電子の変化を検出し、統括制御部１３０に通知する。統括制御部１３０は、反射電子の検出波形に基づいて、マークのエッジを定め、マーク座標の中心位置を求めることができる。以上のマーク検出を行うことによって、偏向座標系と直交座標系の校正を実現することができ、偏向器が、ウェハ上の所定の領域に高精度に電子ビームを照射させることが可能となる。
【００３２】
また、校正関数算出部２００は、マスク３０に形成されたブロックに電子ビームを偏向するための校正関数を算出する。校正関数算出部２００が校正関数を算出することにより、マスク３０に形成された所望のブロックへ電子ビームを偏向することができる。
【００３３】
次に、電子ビーム露光装置１００が露光処理を行う際の各構成の動作について説明する。マスクステージ７２上には、所定のパターンを形成された複数のブロックを有するマスク３０が載置され、マスク３０は、所定の位置に固定されている。また、ウェハステージ６２上には、露光処理が施されるウェハ６４が載置されている。ウェハステージ制御部９２は、ウェハステージ駆動部７０によりウェハステージ６２を移動させて、ウェハ６４の露光されるべき領域が光軸Ａ近傍に位置するようにする。また、電子銃１２は、露光処理期間において常に電子ビームを照射するので、露光の開始前において、スリット部１６の開口を通過した電子ビームがウェハ６４に照射されないように、ショット制御部８６が第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御する。マスク用投影系１１２において、電子レンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４に転写するパターンが形成されたブロックに電子ビームを照射できるように調整される。焦点調整レンズ系１１４において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのウェハ６４に対する焦点が合うように調整される。また、ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整される。
【００３４】
マスク投影系１１２、焦点調整レンズ系１１４及びウェハ用投影系１１６が調整された後、ショット制御部８６が、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６による電子ビームの偏向を停止する。これにより、以下に示すように、電子ビームはマスク３０を介してウェハ６４に照射される。電子銃１２が電子ビームを生成し、第１電子レンズ１４が電子ビームの焦点位置を調整して、スリット部１６に照射させる。そして、第１偏向器１８及び第２偏向器２２がスリット部１６の開口を通過した電子ビームをマスク３０の転写すべきパターンが形成された所定の領域に照射するように偏向する。スリット部１６の開口を通過した電子ビームは、矩形の断面形状を有している。第１偏向器１８及び第２偏向器２２により偏向された電子ビームは、第３偏向器２６により光軸Ａと略平行になるように偏向される。また、電子ビームは、第２電子レンズ２０により、マスク３０上の所定の領域にスリット部１６の開口の像が結像するように調整される。
【００３５】
そして、マスク３０に形成されたパターンを通過した電子ビームは、第４偏向器３４及び第６偏向器４２により光軸Ａに近づく方向に偏向され、第５偏向器３８により、光軸Ａと略平行になるように偏向される。また、電子ビームは、第３電子レンズ２８及び第４電子レンズ３２により、マスク３０に形成されたパターンの像がウェハ６４の表面に焦点が合うように調整され、第５電子レンズ４０によりパターン像の回転量が調整され、第６電子レンズ４６及び第７電子レンズ５０により、パターン像の縮小率が調整される。それから、電子ビームは、主偏向器５６及び副偏向器５８により、ウェハ６４上の所定のショット領域に照射されるように偏向される。本実施形態では、主偏向器５６が、ショット領域を複数含むサブフィールド間で電子ビームを偏向し、副偏向器５８が、サブフィールドにおけるショット領域間で電子ビームを偏向する。所定のショット領域に偏向された電子ビームは、電子レンズ５２及び電子レンズ６６によって調整されて、ウェハ６４に照射される。これによって、ウェハ６４上の所定のショット領域には、マスク３０に形成されたパターンの像が転写される。
【００３６】
所定の露光時間が経過した後、ショット制御部８６が、電子ビームがウェハ６４を照射しないように、第１ブランキング電極２４及び第２ブランキング電極３６を制御して、電子ビームを偏向させる。以上のプロセスにより、ウェハ６４上の所定のショット領域に、マスク３０に形成されたパターンが露光される。次のショット領域に、マスク３０に形成されたパターンを露光するために、マスク用投影系１１２において、電子レンズ２０及び偏向器（１８、２２、２６）は、ウェハ６４に転写するパターンを有するブロックに電子ビームを照射できるように調整される。焦点調整レンズ系１１４において、電子レンズ（２８、３２）は、電子ビームのウェハ６４に対する焦点が合うように調整される。また、ウェハ用投影系１１６において、電子レンズ（４０、４６、５０、５２、６６）及び偏向器（３４、３８、４２、５６、５８）は、ウェハ６４の所定の領域にパターン像を転写できるように調整される。
【００３７】
具体的には、副偏向器５８は、マスク用投影系１１２により生成されたパターン像が、次のショット領域に露光されるように電界を調整する。この後、上記と同様に当該ショット領域にパターンを露光する。サブフィールド内の露光すべきショット領域のすべてにパターンを露光した後に、主偏向器５６は、次のサブフィールドにパターンを露光できるように磁界を調整する。電子ビーム露光装置１００は、この露光処理を、繰り返し実行することによって、所望の回路パターンを、ウェハ６４に露光することができる。
【００３８】
図２は、マスク３０の一例である。マスク３０は、パターンブロックＰ、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１、Ｂ２・・・）、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）、基準ブロックＯを備える。パターンブロックＰは、ウェハ６４に露光すべき電子回路パターンを有する。基準ブロックＯは、所定の開口面積を有し、マスク３０の所定の位置に形成される。例えば、基準ブロックＯは、マスク用投影系１１２が有する第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを偏向しない場合に、電子ビームが照射される位置に形成されてもよい。
【００３９】
誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は、調整用ブロックＡを検出するために用いられる。誘導ブロックＡ１は、基準ブロックＯから所定の距離に形成される。例えば、所定の距離は、第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを偏向すべき位置と、第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを実際に偏向した位置との差である偏向誤差により、基準ブロックＯから誘導ブロックＡ１へ偏向した場合に、電子ビームが誘導ブロックＡ１を照射しないことが無いような距離であってよい。また、所定の距離は、基準ブロックＯから誘導ブロックＡ１へ電子ビームを偏向した場合に、電子ビームが偏向されるべき位置と電子ビームが実際に偏向され得る位置との差である偏向誤差と、基準ブロックＯと電子ビームが偏向されるべき位置の間隔との差より短い距離であってよい。例えば、所定の距離は、基準ブロックＯから誘導ブロックＡ１へ電子ビームを偏向した場合に、少なくとも誘導ブロックＡ１の一部を電子ビームが照射する距離であることが好ましい。
【００４０】
例えば、所定の距離は、マスクステージ座標系とマスク座標系とのずれにより生じる誤差の影響が少ない距離であってよい。例えば、所定の距離は、第一の位置からマスク座標系における第二の位置にあるブロックに電子ビームを偏向させる場合に、第二の位置に該当するブロックの一部に電子ビームが照射される距離であってよい。例えば、マスクステージ座標系の原点と、マスク座標系の原点とが一致し、マスクステージ座標系に対して、マスク座標系がθラジアン回転しており、誘導ブロックＡ１が、一辺の長さがＷの矩形の開口部を有する場合に、所定の距離ｌは、ｌ・θ＜Ｗ／２を満たしてもよい。
【００４１】
また、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３は、基準ブロックＯと調整用ブロックＡとの間に形成されることが好ましい。また、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３は、直線状に配置されてもよい。また、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３は、基準ブロックＯと、調整用ブロックＡとを結ぶ直線上に配置されてもよい。他の形態において、誘導ブロックは、基準ブロックと調整用ブロックとの間に複数形成されてよい。また、基準ブロック、誘導ブロック、及び調整用ブロックのそれぞれの間隔は、所定の距離であることが好ましい。更に、基準ブロック、誘導ブロック、及び調整用ブロックのそれぞれの間隔が、所定の距離より短いことが好ましい。基準ブロック、誘導ブロック及び調整用ブロックのそれぞれの間隔が、所定の距離であることにより、基準ブロック、誘導ブロック及び調整用ブロックのいずれかのブロックから、このブロックに最も近い基準ブロック、誘導ブロック及び調整用ブロックのいずれかに電子ビーム偏向した場合に、ブロックの少なくとも一部に電子ビームを照射することができる。
【００４２】
誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３はそれぞれ異なる開口面積の開口部を有する。例えば、誘導ブロックＡ２及びＡ３は、誘導ブロックＡ１の開口面積の整数倍の開口面積の開口部を有してもよい。例えば、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３を通過する電子ビームの電子量が、それぞれ異なるように開口部が形成されることが好ましく、誘導ブロックＡ１、Ａ２、Ａ３を通過する電子ビームの電子量が明確に異なるように開口部が形成されることが好ましい。
【００４３】
調整用ブロックＢ、Ｃ、Ｄと基準ブロックＯとの間にも、それぞれ誘導ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３が形成される。それぞれのブロックの配置などは誘導ブロックＡ１で説明した配置と同一なので説明を省略する。
【００４４】
図３は、校正関数算出部２００の一つの実施形態における機能ブロック図である。校正関数算出部２００は、図２を用いて説明したマスク３０をマスクステージ７２に載置した場合に、校正関数を算出する。校正関数算出部２００は、ブロック位置格納部２０２、ブロック検出部２１０、基準電子量格納部２１８、偏向データ格納部２２０及び算出部２２２を備える。ブロック位置格納部２０２は、基準ブロック位置格納部２０４、誘導ブロック位置格納部２０６及び調整用ブロック位置格納部２０８を有する。ブロック検出部２１０は、基準ブロック検出部２１２、誘導ブロック検出部２１４及び調整用ブロック検出部２１６を有する。
【００４５】
基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブロックＯのマスクにおける位置情報を格納する。例えば、基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブロックＯのマスク座標系における座標値を格納してもよい。例えば、基準ブロック位置格納部２０４は、基準ブロックＯの位置情報と、開口面積に関する情報とを対応付けて格納してもよい。例えば、開口面積に関する情報は、開口率であってよい。
【００４６】
誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）のマスクにおける位置情報を格納する。例えば、誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）のマスク座標系における座標値を格納する。例えば、誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）の位置情報と、それぞれの誘導ブロックの開口面積に関する情報とを対応付けて格納してもよい。例えば、開口面積に関する情報は、開口率であってよい。
【００４７】
調整用ブロック位置格納部２０８は、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマスクにおける位置情報を格納する。例えば、調整用ブロック位置格納部２０８は、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）のマスク座標系における座標値を格納する。例えば、調整用ブロック位置格納部２０８は、調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の位置情報と、それぞれの調整用ブロックの開口面積に関する情報とを対応付けて格納してもよい。例えば、開口面積に関する情報は、開口率であってよい。
【００４８】
基準ブロック検出部２１２は、基準ブロックＯを検出して、検出した基準ブロックを通過した電子ビームの電子量を基準電子量格納部２１８に格納させる。基準ブロック検出部２１２は、基準ブロック位置格納部２０４に格納された基準ブロックＯの位置情報に基づいて、偏向制御部８２に電子ビームを偏向させる。図２を用いて説明したマスク３０の基準ブロックＯは、マスク用投影系１１２が有する第１偏向器１８、第２偏向器２２及び第３偏向器２６が電子ビームを偏向しない場合に、電子ビームが照射される位置に形成されているので、基準ブロック検出部２１２は、電子ビームを偏向しないことを偏向制御部８２に指示する。基準ブロック検出部２１２は、電子量検出部９３から供給される電子量に基づいて、基準ブロックＯを通過した電子量が最大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。電子量検出部９３から供給される電子量が最大になった場合に、基準ブロック検出部２１２は、電子量検出部９３から供給された電子量を基準電子量として基準電子量格納部２１８に格納させる。また、基準ブロック検出部２１２は、電子量検出部９３から供給される電子量が最大になった場合に、誘導ブロックの検出を開始することを誘導ブロック検出部２１４に指示する。
【００４９】
誘導ブロック検出部２１４は、基準ブロック検出部２１２から誘導ブロックの検出を開始することを指示された場合に、誘導ブロックを検出する処理を開始する。誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）の位置情報に基づいて、電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示する。図２を用いて説明したマスク３０は、偏向誤差の影響を受けた場合にも、誘導ブロックの少なくとも一部を電子ビームが照射するように誘導ブロックを有するので、誘導ブロック検出部２１４が誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導ブロック（Ａ１、Ａ２・・・）の位置情報に基づいて、電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示した場合にも、電子ビームは、誘導ブロックの少なくとも一部を照射する。
【００５０】
誘導ブロック検出部２１４は、電子量が最大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。電子量が最大になった場合に、検出した電子量と、基準電子量格納部２１８に格納されている電子量と、誘導ブロック位置格納部２０６に格納されている開口面積に関する情報とに基づいて、検出した誘導ブロックが所望する誘導ブロックか否かを判定する。例えば、誘導ブロックの開口面積が、基準ブロックの開口面積の半分の場合に、検出した誘導ブロックを通過した電子ビームの電子量は、基準電子量格納部２１８に格納された基準電子量のほぼ半分になる。それぞれ異なる開口面積の開口部を誘導ブロックに形成することにより、電子量検出部９３から供給される電子量がそれぞれ異なる。電子量がそれぞれ異なることにより、誘導ブロック検出部２１４は検出した誘導ブロックがいずれの誘導ブロックかを判定することができる。
【００５１】
検出した誘導ブロックが所望する誘導ブロックであると判定した場合に、偏向制御部８２に指示した偏向データを偏向データ格納部２２０に格納させる。また、電子量が最大になった場合に、誘導ブロックＡ１から誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導ブロックＡ２の位置へ電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示する。誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロックを順次検出して、検出した時の偏向データを偏向データ格納部２２０に格納させる。所定の調整用ブロックを検出するために設けられた全ての誘導ブロックを検出した場合に、誘導ブロック検出部２１４は、調整用ブロックの検出を開始することを調整用ブロック検出部２１６に指示する。例えば、図２を用いて説明したマスクの場合、調整用ブロックＡを検出するために設けられた、誘導ブロックＡ１、Ａ２及びＡ３を検出した倍に、誘導ブロック検出部２１４は、調整用ブロックＡの検出を開始することを調整用ブロック検出部２１６に指示する。
【００５２】
調整用ブロック検出部２１６は、誘導ブロック検出部２１４から調整用ブロックの検出を開始することを指示された場合に、調整用ブロックを検出する処理を開始する。調整用ブロック検出部２１６は、調整用ブロック位置格納部２０８に格納された調整用ブロックの位置情報に基づいて、電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示する。図２を用いて説明したマスク３０は、偏向誤差の影響を受けた場合にも、調整用ブロックの少なくとも一部を電子ビームが照射するように誘導ブロックを有するので、調整用ブロック検出部２１６が調整用ブロック位置格納部２０８に格納された調整用ブロック（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）の位置情報に基づいて、電子ビームを偏向することを偏向制御部８２に指示した場合にも、電子ビームは、調整用ブロックの少なくとも一部を照射する。
【００５３】
調整用ブロック検出部２１６は、電子量が最大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。電子量が最大になった場合に、検出した電子量と、基準電子量格納部２１８に格納されている電子量と、調整用ブロック位置格納部２０８に格納されている開口面積に関する情報とに基づいて、検出した調整用ブロックが所望する調整用ブロックか否かを判定する。調整用ブロックであると判定した場合に、偏向データを偏向データ格納部２２０に格納する。校正関数を算出するのに必要な全ての調整用ブロックの偏向データを偏向データ格納部２２０に格納した場合に、算出部２２２は、偏向データ格納部２２０に格納されている偏向データに基づいて校正関数を算出する。算出部２２２は算出した校正関数を統括制御部１３０に出力する。従って、図２を用いて説明したマスク３０と、校正関数算出部２００により校正関数を算出することができる。
【００５４】
図４は、誘導ブロック検出部２１４の一つの実施形態における機能ブロック図である。誘導ブロック検出部２１４は、粗偏向指示部２２４、調整部２２６及び比較部２２８を有する。比較部２２８は、電子量検出部９３から供給される電子量を一時的に格納する電子量一時格納部２２９を有する。粗偏向指示部２２４は、誘導ブロック位置格納部２０６に格納されている誘導ブロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。比較部２２８は、電子量検出部９３から供給される電子量と、電子量一時格納部２２９に格納されている電子量とを比較して、比較結果を調整部２２６に出力する。調整部２２６は、比較部２２８から供給される比較結果に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。例えば、調整部２２６は、電子量検出部９３から供給される電子ビームの電子量が最大になるように偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する。
【００５５】
電子量が最大になった場合に、検出した電子量と、基準電子量格納部２１８とを比較して所望の誘導ブロックか否かを判定する。所望の誘導ブロックであると判定した場合に、比較部２２８は、偏向データを偏向データ格納部２２０に格納することを調整部２２６に指示する。調整部２２６は、偏向データを格納することを指示された場合に、偏向データ格納部２２０に偏向データを格納する。従って、誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロックを検出することができる。図３を用いて説明した基準ブロック検出部２１２及び調整用ブロック検出部２１６は、図４を用いて説明した誘導ブロック検出部２１４の機能ブロックと同一の構成を有してもよく、同一の構成を有する場合、粗偏向指示部２２４が位置情報を取得する格納部が異なる。
【００５６】
図５及び図６は、校正関数算出部２００における校正関数を算出するまでのフローチャートである。また、図５及び図６において、図５のＡと図６Ａ’の処理がつながり、図５のＢと図６Ｂ’の処理がつながる。基準ブロック検出部２１２は基準ブロックＯを検出する（ステップＳ１０）。基準ブロックＯを検出した後、基準ブロック検出部２１２は、誘導ブロックを検出することを誘導ブロック検出部２１４に指示する。誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロック位置格納部２０６に格納された誘導ブロックの位置情報に基づいて、偏向制御部８２に電子ビームを偏向する指示をする（ステップＳ１２）。例えば、誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブロックの位置情報を基準ブロックＯから近い順に格納してよく、誘導ブロック検出部２１４は、誘導ブロック位置格納部２０６に格納された順番に、誘導ブロックを検出してもよい。例えば、図２を用いて説明したマスク３０の場合、誘導ブロック位置格納部２０６は、誘導ブロックＡ１、誘導ブロックＡ２、誘導ブロックＡ３の順番でマスク３０における位置情報を格納してもよい。
【００５７】
誘導ブロック検出部２１４が、誘導ブロック位置格納部２０６に格納されている誘導ブロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示した後、電子量検出部９３は、電子ビームの電子量を測定する（ステップＳ１４）。比較部２２８は、電子量検出部９３から供給される電子量と、電子量一時格納部２２９に格納されている電子量とを比較して、電子量が最大か否かを判定する（ステップＳ１６）。また、比較部２２８は、電子量一時格納部２２９に電子量が格納されていない場合に、電子量検出部９３から供給される電子量を電子量一時格納部２２９に格納する。電子量が最大の場合、調整部２２６は、偏向データを偏向データ格納部２２０に格納する（ステップＳ１８）。電子量が最大ではない場合、調整部２２６は偏向制御部８２に電子ビームを偏向量を調整することを指示する（ステップＳ２２）。
【００５８】
偏向データを偏向データ格納部２２０に偏向した後、粗偏向指示部２２４は所望の調整用ブロックを検出するために設けられた誘導ブロックの全てを検出したか否かを判定する（ステップＳ２０）。例えば、図２を用いて説明したマスク３０の場合、誘導ブロックＡ１、誘導ブロックＡ２及び誘導ブロックＡ３を検出したか否かを判定する。誘導ブロックＡ３を検出した後、誘導ブロック検出部２１４は、調整用ブロックを検出することを調整用ブロック検出部２１６に指示する。調整用ブロック検出部２１６は、調整用ブロック位置格納部２０８に格納された調整用ブロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向する指示をする（ステップＳ２４）。調整用ブロック検出部２１６が、調整用ブロック位置格納部２０８に格納されている調整用ブロックの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示した後、電子量検出部９３は電子ビームの電子量を測定する（ステップＳ２６）。
【００５９】
調整用ブロック検出部２１６は、電子量検出部９３から供給される電子量が最大か否かを判定する（ステップＳ２８）。電子量が最大ではない場合に、調整用ブロック検出部２１６は、偏向制御部８２に電子ビームを偏向する偏向量を調整することを指示する（ステップＳ３２）。調整用ブロック検出部２１６は、電子量が最大の場合に、偏向データを偏向データ格納部２２０に格納する（ステップＳ３０）。調整用ブロック検出部２１６は、校正関数を算出することができるか否かを判定する（ステップＳ３４）。例えば、調整用ブロック検出部２１６は、調整用ブロック位置格納部２０８に格納された全ての調整用ブロックに対応する偏向データを偏向データ格納部２２０に格納したか否かに基づいて、校正関数を算出するのに用いる偏向データがあるか否かを判定してもよい。校正関数を算出できないと判定した場合に、調整用ブロック検出部２１６は、誘導ブロック検出部２１４にステップＳ１２の処理を開始させる。例えば、調整ブロックＡの偏向データを偏向データ格納部２２０に格納した後、調整用ブロック検出部２１６は、調整ブロックＢを検出するために設けられた誘導ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３を検出することを誘導ブロック検出部２１４に指示してもよい。
【００６０】
ステップＳ３４において、校正関数を算出できる判定した場合に、調整用ブロック検出部２１６は、算出部２２２に校正関数を算出することを指示する。算出部２２２は、偏向データ格納部２２０に格納された偏向データに基づいて校正関数を算出する（ステップＳ３６）。従って、図２を用いて説明したマスク３０と校正関数算出部２００により校正関数を算出することができる。
【００６１】
図７は、図５を用いて説明した基準ブロックを検出する処理のフローチャートである。基準ブロックを検出する場合に、基準ブロック検出部２１２は、基準ブロック位置格納部２０４に格納された基準ブロックＯの位置情報に基づいて偏向制御部８２に電子ビームを偏向することを指示する（ステップＳ４０）。例えば、図２を用いて説明したマスク３０の場合、基準ブロック検出部２１２は、偏向制御部８２に電子ビームを偏向しないことを指示する。電子量検出部９３を電子ビームの電子量を測定する（ステップＳ４２）。基準ブロック検出部２１２は、電子量が最大か否かを判定する（ステップＳ４４）。電子量が最大と判定した場合に、基準ブロック検出部２１２は、検出した電子量を基準電子量として基準電子量格納部２１８に格納する（ステップＳ４６）。また、基準ブロック検出部２１２は、誘導ブロックを検出することを誘導ブロック検出部２１４に指示する。ステップＳ４４において、電子量が最大ではないと判定した場合に、基準ブロック検出部２１２は、偏向制御部８２に電子ビームを偏向する偏向量を調整することを指示する（ステップＳ４８）。他の形態において、ステップＳ４４において、電子量が最大ではないと判定した場合に、基準ブロック検出部２１２は、マスクステージ制御部８４にマスクステージ７２を移動することを指示してもよい。例えば、基準ブロック検出部２１２は、電子ビームを偏向しない状態で、電子量が最大になるようにマスクステージ７２を移動してもよい。
【００６２】
図８（ａ）は、マスク３０の他の例である。マスク３０は、基準ブロックＯ’、誘導ブロック（Ｅ１、Ｅ２・・・）、調整用ブロック（Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ）を有する。調整用ブロックＥを検出するために、誘導ブロックＥ１及びＥ２が形成される。調整用ブロックＦを検出するために、誘導ブロックＦ１及びＦ２が形成される。調整用ブロックＧを検出するために、誘導ブロックＧ１及びＧ２が形成される。調整用ブロックＨを検出するために、誘導ブロックＨ１及びＨ２が形成される。
【００６３】
図８（ｂ）は、図８（ａ）を用いて説明したマスク３０が有する誘導ブロックＥ１である。誘導ブロックＥ１は、中心開口部２５０及び周辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を有する。周辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）は、中心開口部２５０の周囲に形成される。中心開口部２５０を誘導ブロックＥ１の中心部分に形成することにより、誘導ブロックＥ１の中心に電子ビームを偏向することができる。例えば、中心開口部２５０の開口面積を小さくすることにより、電子ビームを誘導ブロックＥ１の中心に偏向することができる。しかしながら、中心開口部２５０だけでは偏向誤差により、電子ビームが中心開口部２５０に照射されない場合がある。そこで、中心開口部２５０の周辺に周辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を形成することにより、偏向誤差により電子ビームが誘導ブロックからずれた場合でも、少なくとも電子ビームの一部が周辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）に照射されるようにできる。従って、誘導ブロックＥ１により電子ビームを誘導ブロックＥ１の中心に偏向することができる。図８（ａ）を用いて説明したそれぞれの誘導ブロックが図８（ｂ）を用いて説明した誘導ブロックＥ１と同様に中心開口部２５０及び周辺開口部（２５２ａ、２５２ｂ、２５２ｃ及び２５２ｄ）を備えてよい。図８（ｂ）において、それぞれの誘導ブロックがそれぞれ異なる開口面積の中心開口部２５０を有してもよい。誘導ブロックが図８（ｂ）を用いて説明した構成であることにより、電子ビームを図２を用いて説明したマスクを用いた場合より誘導ブロックの中心に変更することができる。
【００６４】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６５】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば偏向部の偏向量を容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子露光装置の一つの実施形態における機能ブロック図である。
【図２】マスクの一例である。
【図３】校正関数算出部２００の一つの実施形態における機能ブロック図である。
【図４】誘導ブロック検出部２１４の一つの実施形態における機能ブロック図である。
【図５】校正関数算出部２００における校正関数を算出する処理のフローチャートである。
【図６】校正関数算出部２００における校正関数を算出する処理のフローチャートである。
【図７】基準ブロックを検出する処理のフローチャートである。
【図８】マスクの他の例である。
【符号の説明】
１０・・・筐体、１２・・・電子銃、１４・・・第１電子レンズ、１６・・・スリット部、１８・・・第１偏向器、２０・・・第２電子レンズ、２２・・・第２偏向器、２４・・・第１ブランキング偏向器、２６・・・第３偏向器、２８・・・第３電子レンズ、３０・・・マスク、３２・・・第４電子レンズ、３４・・・第４偏向器、３６・・・第２ブランキング偏向器、３８・・・第５偏向器、４０・・・第５電子レンズ、４２・・・第６偏向器、４６・・・第６電子レンズ、４８・・・ラウンドアパーチャ、５０・・・第７電子レンズ、５２・・・第８電子レンズ、５６・・・主偏向器、５８・・・副偏向器、６０・・・電子検出器、６２・・・ウェハステージ、６４・・・ウェハ、６６・・・第９電子レンズ、６８・・・マスクステージ駆動部、７０・・・ウェハステージ駆動部、７２・・・マスクステージ、８２・・・偏向制御部、８４・・・マスクステージ制御部、８６・・・ブランキング電極制御部、８８・・・電子レンズ制御部、９０・・・反射電子処理部、９２・・・ウェハステージ制御部、１００・・・電子ビーム露光装置、１１０・・・電子ビーム照射系、１１２・・・マスク用投影系、１１４・・・焦点調整レンズ系、１１６・・・ウェハ用投影系、１２０・・・個別制御部、１３０・・・統括制御部、１４０・・・制御系、１５０・・・露光部、２２０・・・増幅部、２２２・・・微分処理部、２２４・・・平均化処理部、２２６・・・信号出力部、２３０・・・増幅信号、２３２・・・微分信号、２５０・・・検出パターンビーム生成マスク、２５２・・・透過領域、３００・・・電子銃、３０２・・・マスク、３０４・・・電子レンズ、３０６・・・マーク、３０８・・・テーブル、３１０・・・反射電子検出部、３１２・・・電子レンズ制御部、３１４・・・反射電子、３１５・・・矩形ビーム、３１６・・・焦点判定部、９３・・・電子量検出部、１７０・・・ファラデーカップ、２００・・・校正関数算出部、２０２・・・ブロック位置格納部、２０４・・・基準ブロック位置格納部、２０６・・・誘導ブロック位置格納部、２０８・・・調整用ブロック位置格納部、２１０・・・ブロック検出部、２１２・・・基準ブロック検出部、２１４・・・誘導ブロック検出部、２１６・・・調整用ブロック検出部、２１８・・・基準電子量格納部、２２０・・・偏向データ格納部、２２２・・・算出部、２２４・・・粗偏向指示部、２２６・・・調整部、２２８・・・比較部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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