(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路面にイニシャライズ用パッド及びコイル用パッドを形成し、前記イニシャライズ用パッド上に絶縁保護膜を介して前記コイル用パッドと接続された非接触通信用のコイルを形成したことを特徴とする半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、「コイルオンチップ」と呼称されるコイル一体型の半導体チップに係り、特に、当該半導体チップの製造過程で使用されるイニシャライズ用パッドの配置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば非接触通信式ＩＣカード等の情報担体に適用される半導体チップとして、半導体チップの絶縁保護層上に非接触通信用のコイルを形成し、当該コイルと半導体チップに形成された回路とを電気的に接続してなるコイルオンチップが提案されている。この半導体チップは、前記絶縁保護層上に形成されたコイルと外部装置に備えられたコイルとを電磁結合させることによって、外部装置から半導体チップへの電力の供給と、外部装置と半導体チップとの間の信号の送受信を行うことができる。
【０００３】
ところで、この種の半導体チップを非接触通信式ＩＣカードなどの情報担体に適用する場合には、情報担体の信頼性を高めるため、半導体チップの製造過程の各段階においては、半導体チップ内に形成されたメモリに対するアクセスを自由にして半導体チップの特性を検査する必要があり、また、検査後においては、情報担体のセキュリティを確保するため、コイルから半導体チップ内に形成されたメモリへのアクセスを制限する処理を行う必要がある。本明細書においては、これらの検査や処理を総称して「イニシャライズ」といい、これに使用するためのパッドをイニシャライズ用パッドという。
【０００４】
従来、イニシャライズ用パッドを有するコイルオンチップとしては、図４及び図５に示すように、イニシャライズ用パッド１４がコイル１３と共に半導体チップ１１の絶縁保護層１２上に形成されたものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、イニシャライズ用パッド１４が絶縁保護層１２上に露出していると、当該パッド１４を利用することによって、半導体チップ１１の回路部に形成されたメモリに容易にアクセスすることができ、当該メモリに記憶されたデータの盗用、破壊及び改竄が可能になるので、十分なセキュリティ特性を確保することができない。なお、コイル１３及びイニシャライズ用パッド１４の表面を第２絶縁保護層で覆えば、イニシャライズ用パッド１４を非露出の状態にすることができるが、第２絶縁保護層を剥離すれば、イニシャライズ用パッド１４を容易に露出させることができ、かつ、コイル１３を用いた通信も可能であることから、実用上十分なセキュリティ対策とはいえない。また、イニシャライズ用パッド１４をコイル１３と共に半導体チップ１１の絶縁保護層１２上に形成すると、コイル１３の設置面積が減少するために、外部装置との通信距離が小さくなったり、半導体チップ１１における回路の配列が困難になるという不都合を生じる。なお、チップサイズを大型化すれば、かかる不都合を回避することができるが、チップ単価が高価になったり、半導体チップ１１が搭載される装置が大型化するという別の不都合を生じる。
【０００６】
本発明は、かかる技術的課題を解決するためになされたものであって、その目的は、小型かつ高性能にしてセキュリティ特性に優れたコイルオンチップを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の目的を達成するため、回路面にイニシャライズ用パッド及びコイル用パッドを形成し、前記イニシャライズ用パッド上に絶縁保護膜を介して前記コイル用パッドと接続された非接触通信用のコイルを形成したことを特徴とする。
【０００８】
かように、非接触通信用コイルの下層にイニシャライズ用パッドを配置すると、イニシャライズ用パッドを非露出の状態に形成することができるので、イニシャライズ用パッドを利用したメモリに記憶されたデータの盗用、破壊及び改竄が困難になり、コイルオンチップのセキュリティ特性を高めることができる。また、非接触通信用コイルを剥離すれば、イニシャライズ用パッドを露出させることができ、メモリに記憶されたデータの盗用、破壊及び改竄が可能になるが、コイルが剥離されているので、以後はコイルオンチップとして利用することができず、盗用または改竄されたデータの悪用を防止することができる。さらに、非接触通信用コイルの下層にイニシャライズ用パッドを配置すると、イニシャライズ用パッドを設定するための特別のスペースを半導体チップ上に設ける必要がないので、コイルの設置面積が減少されず、外部装置との通信距離を確保できると共に、半導体チップにおける回路の設計を容易化することができる。加えて、チップサイズを大型化する必要がないことから、チップ単価の上昇や半導体チップが搭載される装置の大型化を防止することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体チップの一実施形態例を、図１乃至図３に基づいて説明する。図１は実施形態例に係る半導体チップの上面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は実施形態例に係る半導体チップの製造方法を示すフローチャートであって、図中の符号１は半導体チップ、符号２は半導体チップ１の回路面に形成されたイニシャライズ用パッド、符号３は半導体チップ１の回路面に形成されたコイル用パッド、符号４はイニシャライズ用パッド２及びコイル用パッド３の形成部を除く半導体チップ１の回路面に形成された絶縁保護層、符号５は絶縁保護層３上に形成されたコイルを示している。
【００１０】
図１及び図２から明らかなように、本例の半導体チップ１は、半導体チップ１の回路面にイニシャライズ用パッド２及びコイル用パッド３を形成し、前記イニシャライズ用パッド２上に絶縁保護層４を介してコイル用パッド３と接続されたコイル５を形成したことを特徴とする。前記イニシャライズ用パッド２及びコイル用パッド３は、アルミニウム等の金属膜をパターニングすることによって形成され、前記絶縁保護層４は、絶縁性の樹脂をコーティングすることによって形成することができる。
【００１１】
本例の半導体チップ１は、図３に示すように、まず手順Ｓ−１で通常のプロセス技術にしたがって回路面にイニシャライズ用パッド２とコイル用パッド３とを有する半導体チップを作製し、次いで手順Ｓ−２でイニシャライズ用パッド２を利用して所要のイニシャライズを行い、次いで手順Ｓ−３で所要の特性を有する良品について、前記イニシャライズ用パッド３上に絶縁保護層４を形成し、最後に手順Ｓ−４で前記絶縁保護層４上にコイル５の形成を行うことによって作製される。なお、前記イニシャライズ用パッド２、絶縁保護層４及びコイル５の形成は、スクライブ以前のシリコンウエハの状態で行うことができる。
【００１２】
本例の半導体チップ１は、チップ完成以前にイニシャライズ用パッド２を用いて所要のイニシャライズを実行することができるので、信頼性及びセキュリティ特性に優れた半導体チップを得ることができる。また、本例の半導体チップ１は、コイル５の下層にイニシャライズ用パッド２を配置したので、イニシャライズ用パッド２を非露出の状態に形成することができ、イニシャライズ用パッド２を利用したデータの盗用、破壊及び改竄が困難になり、コイルオンチップのセキュリティ特性を高めることができる。また、コイル５を剥離すれば、イニシャライズ用パッド２を露出させることができ、メモリに記憶されたデータの盗用、破壊及び改竄が可能になるが、コイル５が剥離されているので、以後はコイルオンチップとして利用することができず、盗用または改竄されたデータの悪用を防止することができる。さらに、本例の半導体チップ１は、絶縁保護層４を介してコイル５の下層にイニシャライズ用パッド２を形成したので、イニシャライズ用パッド２を設定するための特別のスペースをコイル５の形成面に設ける必要がなく、コイル５の設置面積が減少されないことから、外部装置との通信距離を確保できると共に、半導体チップ１における回路の設計を容易化することができる。加えて、チップサイズを大型化する必要がないので、チップ単価の上昇や半導体チップが搭載される装置の大型化を防止することができる。
【００１３】
なお、前記コイル５の外面には、第２絶縁保護膜を設けることもできる。
【００１４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、非接触通信用コイルの下層にイニシャライズ用パッドを配置したので、イニシャライズ用パッドを非露出の状態に形成することができ、イニシャライズ用パッドを利用したデータの盗用、破壊及び改竄が困難になり、コイルオンチップのセキュリティ特性を高めることができる。また、非接触通信用コイルを剥離すれば、イニシャライズ用パッドを露出させることができ、メモリに記憶されたデータの盗用、破壊及び改竄が可能になるが、コイルが剥離されているので、以後はコイルオンチップとして利用することができず、盗用または改竄されたデータの悪用を防止することができる。さらに、コイルの下層にイニシャライズ用パッドを配置したので、イニシャライズ用パッドを設定するための特別のスペースをコイルの形成面に設ける必要がなく、コイルの設置面積の減少を防止できて外部装置との通信距離を確保できると共に、半導体チップにおける回路の設計を容易化することができる。加えて、チップサイズを大型化する必要がないので、チップ単価の上昇や半導体チップが搭載される装置の大型化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例に係る半導体チップの上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】実施形態例に係る半導体チップの製造方法を示すフローチャートであ
【図４】従来例に係る半導体チップの上面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  イニシャライズ用パッド
３  コイル用パッド
４  絶縁保護層
５  コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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