(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配置された検出器と、
前記検出器の受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記検出器の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行う制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、
前記制御手段は更に、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しは前記受光前における電気信号の読み出しよりも長い時間で行うことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、その後前記検出器の受光に応じて該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、
前記制御手段は更に、前記電荷蓄積状態に移行する直前に行われる前記電気信号の読み出しを前記受光後における前記電気信号の読み出しと実質的に同一の時間で行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記受光前に前記電気信号を所定間隔で繰り返し読み出した後、外部からの入力として曝射を指示する信号を受信したことに応じて前記電気信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出す制御を行った後、前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記検出器が前記電荷蓄積状態において受光することで得られた電気信号に基づいて画像データを取得する取得手段を更に有することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記受光により得られた電気信号の読み出しを行った後、前記検出器を受光させることなく、前記受光前の読み出し及び前記受光後の読み出しと実質的に同一の読み出しを再び行い、
前記取得手段は、前記実質的に同一の読み出しにより得られた電気信号に基づいて前記画像データの補正に用いる暗電流データを取得することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記検出器では撮像領域内に前記複数の画素が行列状に配置されており、
前記複数の画素を行毎に選択する信号を伝送するための複数の行選択線と、
前記選択される行の画素のアナログ信号を読み出すための複数の列信号線と、を有し、
前記制御手段は、前記行選択線をスイッチング素子により所定時間だけ選択状態とすることで前記電気信号の読み出しを行い、
前記制御手段は、前記受光前において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間を、前記受光後において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間よりも短くすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
複数の画素が撮像領域内に配置された検出器と、
被写体の撮像の前に前記撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記撮像領域１面分の画素の信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出した後前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御と、を行う制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
前記制御手段は前記検出器内における電荷のリセット動作を行うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、所定の列方向に信号を読み出し、所定の行単位方向に所定の周期で駆動を行うことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
複数の画素が配置された検出器による受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記検出器の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、
前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする撮像方法。
【請求項１３】
前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、
更に、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うことを特徴とする請求項１２に記載の撮像方法。
【請求項１４】
前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しは、前記受光前における電気信号の読み出しよりも長い時間で行うことを特徴とする請求項１３に記載の撮像方法。
【請求項１５】
前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、その後、前記検出器の受光に応じて該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、
更に、前記電荷蓄積状態に移行する直前に行われる前記電気信号の読み出しを前記受光後における前記電気信号の読み出しと実質的に同一の時間で行うことを特徴とする請求項１２に記載の撮像方法。
【請求項１６】
前記受光前に前記電気信号を所定間隔で繰り返し読み出した後、外部からの入力として曝射を指示する信号を受信したことに応じて前記電気信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出す制御を行った後、前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御を行うことを特徴とする請求項１２に記載の撮像方法。
【請求項１７】
前記検出器が前記電荷蓄積状態において受光することで得られた電気信号に基づいて画像データを取得することを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれか１項に記載の撮像方法。
【請求項１８】
前記受光により得られた電気信号の読み出しを行った後、前記検出器を受光させることなく、前記受光前の読み出し及び前記受光後の読み出しと実質的に同一の読み出しを再び行い、
前記実質的に同一の読み出しにより得られた電気信号に基づいて前記画像データの補正に用いる暗電流データを取得することを特徴とする請求項１７に記載の撮像方法。
【請求項１９】
前記検出器では撮像領域内に前記複数の画素が行列状に配置されており、
前記複数の画素を行毎に選択する信号を伝送するための複数の行選択線と、
前記選択される行の画素のアナログ信号を読み出すための複数の列信号線と、を有し、
前記行選択線をスイッチング素子により所定時間だけ選択状態とすることで前記電気信号の読み出しを行い、
前記受光前において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間を、前記受光後において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間よりも短くすることを特徴とする請求項１２に記載の撮像方法。
【請求項２０】
被写体の撮像の前に、撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記撮像領域１面分の画素の信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出した後、複数の画素が前記撮像領域内に配置された検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御と、を行うことを特徴とする撮像方法。
【請求項２１】
前記検出器内における電荷のリセット動作を行うことを特徴とする請求項１２乃至２０のいずれか１項に記載の撮像方法。
【請求項２２】
所定の列方向に信号を読み出し、所定の行単位方向に所定の周期で駆動を行うことを特徴とする請求項１２乃至２１のいずれか１項に記載の撮像方法。
【請求項２３】
請求項１に記載の撮像装置を構成する各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２４】
請求項９に記載の撮像装置を構成する各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２５】
放射線を発生させる放射線発生装置と、
複数の画素が配置され、被写体を透過した前記放射線を受光する検出器と、
前記放射線の受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記放射線の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行う制御手段と、
前記受光後に読み出された電気信号に基づく被写体の画像を表示する表示手段と、を有し、
前記制御手段は、前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項２６】
放射線を発生させる放射線発生装置と、
複数の画素が撮像領域内に配置された検出器と、
被写体の撮像の前に前記撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御と、を行う制御手段と、
前記撮像により得られた被写体の画像を表示する表示手段と、を有し、
前記制御手段は、前記撮像の前における前記１面分の信号の読み出しを前記撮像時における前記１面分の信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする放射線撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被写体像の撮像する撮像装置及び撮像方法に関し、特に、Ｘ線を曝射することにより被写体像を撮像するＸ線撮像装置を主な対象とする。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＸ線撮像装置では、Ｘ線源から医療患者のような被分析対象を通してＸ線ビームを投射する。通常、ビームが被検体を通過した後、イメージ倍増管がＸ線放射を可視光像に変換し、ビデオカメラが可視像からアナログビデオ信号を作成し、モニタに表示する。アナログビデオ信号を作成するので、自動輝度調節及び画像強調のための画像処理がアナログ領域で行われる。
【０００３】
既に、高分解能の固体Ｘ線検出器が提案されており、これは各次元に３０００〜４０００個のフォトダイオードなどに代表される検出素子を用いた２次元アレーで構成される。各素子は検出器に投射されるＸ線像の画素輝度に対応する電気信号を作成する。各検出素子からの信号は個別に読み出されてディジタル化され、その後で画像処理、記憶及び表示される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、大画面Ｘ線検出器を使って医療用Ｘ線画像を得る際に、Ｘ線検出器では、実Ｘ線曝射までに多少の時間を要するが、この時間を小さくするためにＸ線検出器は準備状態で駆動される。
【０００５】
検出器の準備状態では、暗電流が徐々に蓄積されて検出器内部素子が飽和状態で保持されることを避けるため、専用の読み出し駆動を所定間隔で繰り返す。この繰り返す駆動を以後「アイドリング駆動」と呼ぶ。このアイドリング駆動期間は、どの程度続くかが実使用上、未定義のため、アイドリング期間が長く続くと、装置の寿命を短縮させたり、検出に関する諸特性の経年変化を促進することになる。
【０００６】
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、実使用上、規定が困難であるアイドリング駆動期間が長く続いても、装置の命短縮や検出に関する諸特性の経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現することを可能とする撮像装置及び撮像方法を提供することを目標とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る撮像装置は、複数の画素が配置された検出器と、
前記検出器の受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記検出器の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行う制御手段とを有し、前記制御手段は、前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、前記制御手段は更に、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行う。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しは前記受光前における電気信号の読み出しよりも長い時間で行う。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、その後前記検出器の受光に応じて該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、前記制御手段は更に、前記電荷蓄積状態に移行する直前に行われる前記電気信号の読み出しを前記受光後における前記電気信号の読み出しと実質的に同一の時間で行う。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記受光前に前記電気信号を所定間隔で繰り返し読み出した後、外部からの入力として曝射を指示する信号を受信したことに応じて前記電気信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出す制御を行った後、前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御を行う。
本発明の撮像装置の一態様では、前記検出器が前記電荷蓄積状態において受光することで得られた電気信号に基づいて画像データを取得する取得手段を更に有する。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記受光により得られた電気信号の読み出しを行った後、前記検出器を受光させることなく、前記受光前の読み出し及び前記受光後の読み出しと実質的に同一の読み出しを再び行い、前記取得手段は、前記実質的に同一の読み出しにより得られた電気信号に基づいて前記画像データの補正に用いる暗電流データを取得する。
本発明の撮像装置の一態様では、前記検出器では撮像領域内に前記複数の画素が行列状に配置されており、前記複数の画素を行毎に選択する信号を伝送するための複数の行選択線と、前記選択される行の画素のアナログ信号を読み出すための複数の列信号線と、を有し、前記制御手段は、前記行選択線をスイッチング素子により所定時間だけ選択状態とすることで前記電気信号の読み出しを行い、前記制御手段は、前記受光前において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間を、前記受光後において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間よりも短くする。
本発明の撮像装置は、複数の画素が撮像領域内に配置された検出器と、被写体の撮像の前に前記撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記撮像領域１面分の画素の信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出した後前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御とを行う制御手段とを有することを特徴とする。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は前記検出器内における電荷のリセット動作を行う。
本発明の撮像装置の一態様では、前記制御手段は、所定の列方向に信号を読み出し、所定の行単位方向に所定の周期で駆動を行う。
本発明の撮像方法は、複数の画素が配置された検出器による受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記検出器の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする。
本発明の撮像方法の一態様では、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、更に、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行う。
本発明の撮像方法の一態様では、前記外部からの入力に応じた電気信号の読み出しは、前記受光前における電気信号の読み出しよりも長い時間で行う。
本発明の撮像方法の一態様では、前記検出器の受光前における外部からの入力に応じて前記複数の画素の信号を読み出す制御を行った後に前記複数の画素を電荷蓄積状態に移行させる制御を行い、その後、前記検出器の受光に応じて該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行い、更に、前記電荷蓄積状態に移行する直前に行われる前記電気信号の読み出しを前記受光後における前記電気信号の読み出しと実質的に同一の時間で行う。
本発明の撮像方法の一態様では、前記受光前に前記電気信号を所定間隔で繰り返し読み出した後、外部からの入力として曝射を指示する信号を受信したことに応じて前記電気信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出す制御を行った後、前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御を行う。
本発明の撮像方法の一態様では、前記検出器が前記電荷蓄積状態において受光することで得られた電気信号に基づいて画像データを取得する。
本発明の撮像方法の一態様では、前記受光により得られた電気信号の読み出しを行った後、前記検出器を受光させることなく、前記受光前の読み出し及び前記受光後の読み出しと実質的に同一の読み出しを再び行い、前記実質的に同一の読み出しにより得られた電気信号に基づいて前記画像データの補正に用いる暗電流データを取得する。
本発明の撮像方法の一態様では、前記検出器では撮像領域内に前記複数の画素が行列状に配置されており、前記複数の画素を行毎に選択する信号を伝送するための複数の行選択線と、前記選択される行の画素のアナログ信号を読み出すための複数の列信号線と、を有し、前記行選択線をスイッチング素子により所定時間だけ選択状態とすることで前記電気信号の読み出しを行い、前記受光前において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間を、前記受光後において前記行選択線のそれぞれを選択状態とする時間よりも短くする。
本発明の撮像方法は、被写体の撮像の前に、撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記撮像領域１面分の画素の信号を前記所定間隔よりも短い間隔で繰り返し読み出した後、複数の画素が前記撮像領域内に配置された検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御とを行うことを特徴とする。
本発明の撮像方法の一態様では、前記検出器内における電荷のリセット動作を行う。
本発明の撮像方法の一態様では、所定の列方向に信号を読み出し、所定の行単位方向に所定の周期で駆動を行う。
本発明の記録媒体は、前記撮像装置を構成する各手段としてコンピュータを機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能なものである。
本発明の放射線撮像システムは、放射線を発生させる放射線発生装置と、複数の画素が配置され、被写体を透過した前記放射線を受光する検出器と、記放射線の受光前に前記複数の画素の電気信号を読み出し、前記放射線の受光後に該受光により得られた前記複数の画素の電気信号を読み出す制御を行う制御手段と、前記受光後に読み出された電気信号に基づく被写体の画像を表示する表示手段とを有し、前記制御手段は、前記受光前における電気信号の読み出しを前記受光後における電気信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする。
本発明の放射線撮像システムは、放射線を発生させる放射線発生装置と、複数の画素が撮像領域内に配置された検出器と、被写体の撮像の前に前記撮像領域１面分の画素の信号を所定間隔で繰り返し読み出す制御と、外部からの入力に応じて前記検出器を電荷蓄積状態に移行させる制御と、前記電荷蓄積状態で被写体を撮像し得られた前記撮像領域１面分の画素の信号を読み出す制御とを行う制御手段と、前記撮像により得られた被写体の画像を表示する表示手段とを有し、前記制御手段は、前記撮像の前における前記１面分の信号の読み出しを前記撮像時における前記１面分の信号の読み出しよりも短い時間で行うよう制御することを特徴とする。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明を適用した好適な実施形態を詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の一実施形態を示すＸ線撮像システムの構成ブロック図である。
図１において、１０はＸ線室、１２はＸ線制御室、１４は診断室である。
Ｘ線制御室１２には、本Ｘ線撮像システムの全体的な動作を制御するシステム制御器２０が配置される。Ｘ線曝射要求スイッチ（ＳＷ）、タッチパネル、マウス、キーボード、ジョイスティック及びフットスイッチなどからなる操作者インターフェース２２は、操作者２１が種々の指令をシステム制御器２０に入力するために使用される。操作者２１の指示内容は、例えば、撮影条件（静止画／動画、Ｘ線管電圧、管電流及びＸ線照射時間など）、撮影タイミング、画像処理条件、被検者ＩＤ及び取込み画像の処理方法などがある。撮像制御器２４は、Ｘ線室１０に置かれるＸ線撮像系を制御し、画像処理器２６はＸ線室１０のＸ線撮像系による画像を画像処理する。画像処理器２６における画像処理は、例えば、画像データの補正、空間フィルタリング、リカーシブ処理、階調処理、散乱線補正及びダイナミックレンジ（ＤＲ）圧縮処理などである。
【００３５】
２８は、画像処理器２６により処理された基本画像データを記憶する大容量高速の記憶装置であり、例えば、（ＲＡＩＤ）等のハードディスクアレーからなる。３０は映像を表示するモニタディスプレイ（以下、モニタと略す。）、３２はモニタ３０を制御して種々の文字及び画像を表示させる表示制御器、３４は、大容量の外部記憶装置（例えば、光磁気ディスク）、３６はＸ線制御室１２の装置と診断室１４の装置を接続し、Ｘ線室１０での撮影画像などを診断室１４の装置に転送するＬＡＮボードである。
【００３６】
Ｘ線室１０には、Ｘ線を発生するＸ線発生器４０が置かれる。Ｘ線発生器４０は、Ｘ線を発生するＸ線管球４２、撮像制御器２４により制御されてＸ線管球４２を駆動する高圧発生源４４、及びＸ線管球４２により発生されたＸ線ビームを所望の撮像領域に絞り込むＸ線絞り４６からなる撮影用寝台４８上に被検体としての患者５０が横たわる。撮影用寝台４８は、撮像制御器２４からの制御信号に従って駆動され、Ｘ線発生器４０からのＸ線ビームに対する患者の向きを変更できる。撮影用寝台４８の下には、被検体５０及び撮影用寝台４８を透過したＸ線ビームを検出するＸ線検出器５２が配置されている。
【００３７】
Ｘ線検出器５２は、グリッド５４、シンチレータ５６、光検出器アレー５８及びＸ線露光量モニタ６０の積層体と、光検出器アレー５８を駆動する駆動器６２とからなる。グリッド５４は、被検体５０を透過することによって生じるＸ線散乱の影響を低減するために設けられている。グリッド５４はＸ線低吸収部材と高吸収部材とから成り、例えば、ＡＬとＰｂのストライプ構造から構成される。光検出器アレー５８とグリッド５４との格子比の関係によりモアレが生じていることがないように、Ｘ線照射時には、Ｘ線検出器５２は、撮像制御器２４からの設定に基づいて駆動器６２の制御信号に従いグリッド５４を振動させる。
【００３８】
シンチレータ５６では、エネルギーの高いＸ線によって蛍光体の母体物質か励起（吸収）され、その再結合エネルギーにより可視領域の蛍光が発生する。即ち、Ｘ線を可視光に変換する。その蛍光はＣａＷｏ4やＣｄＷｏ4などの母体自身によるものや、ＣｓＩ：ＴｉやＺｎＳ：Ａｇなどの母体内に付加された発光中心物質によるものがある。光検出器アレー５８は、シンチレータ５６による可視光を電気信号に変換する。
【００３９】
また、本実施形態では、シンチレータ５６と光検出器アレー５８とを別々の構成としたが、勿論、直接Ｘ線を電子に変換する検出器で構成するものにも適用される。例えば、アモルファスＳｅやＰｂＩ2などの受光部とアモルファスシリコンＴＦＴなどからなる放射線（Ｘ線）検出器である。
【００４０】
Ｘ線露光量モニタ６０は、Ｘ線透過量を監視する目的で配置される。Ｘ線露光量モニタ６０としては、結晶シリコンの受光素子などを用いて直接Ｘ線を検出しても良いし、シンチレータ５６による蛍光を検出してもよい。本実施形態では、Ｘ線露光量モニタ６０は、光検出器アレー５８の基板裏面に成膜されたアモルファス・シリコン受光素子からなり、光検出器アレー５８を透過した過視光（Ｘ線量に比例）を検知して、その光量情報を撮像制御器２４に伝達する撮像制御器２４は、Ｘ線露光量モニタ６０からの情報に基づいて高圧発生電源４０を制御し、Ｘ線量を調節する。
【００４１】
駆動器６２は、撮像制御器２４の制御下で光検出器アレー５８を駆動し、各画素から信号を読み出す。光検出器アレー５８及び駆動器６２の動作については、後で詳細に説明する。
【００４２】
診断室１４には、ＬＡＮボード３６からの画像を画像処理したり診断支援する画像処理端末７０、ＬＡＮボード３６からの画像（動画像／静止画）を映像表示モニタ７２、イメージ・プリンタ７４及び画像データを格納するファイルサーバ７６が設けられている。
【００４３】
なお、システム制御器２０からの各機器に対する制御信号は、Ｘ線制御室１２内の操作者インターフェース２２、或いは、診断室１４内にある画像処理端末７０からの指示により発生可能である。
【００４４】
次に、システム制御器２０の基本的な動作を説明する。
システム制御器２０は、Ｘ線撮像系のシーケンスを制御する撮像制御器２４に、操作者２１の指示に基づいて撮影条件を指令し、撮像制御器２４はその指令に基づき、Ｘ線発生器４０、撮影用寝台４８及びＸ線検出器５２を駆動して、Ｘ線像を撮影させる。Ｘ線検出器５２から出力されるＸ線画像信号は、画像処理器２６に供給され、操作者２１指定の画像処理を施されてモニタ３０に画像表示され、同時に、基本画像データとして記憶装置２８に格納される。システム制御器２０は更に、操作者２１の指示に基づいて、再画像処理とその結果の画像表示、ネットワーク上の装置への画像データの転送、保存、映像表示及びフィルム印刷等を実行する。
【００４５】
次に、信号の流れに従って、図１に示すシステムの基本的な動作を説明する。
Ｘ線発生器４０の高圧電圧源４４は、撮像制御器２４からの制御信号に従いＸ線管球４２にＸ線発生のための高圧を印加する。これにより、Ｘ線管球４２はＸ線ビームを発生する。発生されたＸ線ビームはＸ線絞り４６を介して被検体たる患者５０に照射される。Ｘ線絞り４６は、Ｘ線ビームを照射すべき位置に応じて撮像制御器２４により制御される。即ち、Ｘ線絞り４６は、撮像領域の変更に伴い、不必要なＸ線照射を行わないようにＸ線ビームを整形する。
【００４６】
Ｘ線発生器４０が出力するＸ線ビームは、Ｘ線透過性の撮影用寝台４８の上に横たわった被検体５０、及び撮影用寝台４８を透過してＸ線検出器５２に入射する。なお、撮影用寝台４８は、被検体の異なる部位又は方向でＸ線ビームが透過するように撮像制御器２４により制御される。
【００４７】
Ｘ線検出器５２のグリッド５４は、被検体５０を透過することによって生じるＸ線散乱の影響を低減する。撮像制御器２４は、光検出器アレー５８とグリッド５４との格子比の関係によりモアレが生じないように、Ｘ線照射時にグリッド５４を振動させる。シンチレータ５６では、エネルギーの高いＸ線によって蛍光体の母体物質が励起（Ｘ線を吸収）され、その際に発生する再結合エネルギーにより可視領域の蛍光を発生する。シンチレータ５６に隣接して配置された光検出器アレー５８は、シンチレータ５６で発生する蛍光を電気信号に変換する。
【００４８】
即ち、シンチレータ５６がＸ線像を過視光像に変換し、光検出器アレー５８が過視光像を電気信号に変換する。Ｘ線露光量モニタ６０は、光検出器アレー５８を透過した過視光（Ｘ線量に比例）を検出し、その検出量情報を撮像制御器２４に供給する。撮像制御器２４は、このＸ線露光量情報に基づき高圧発生電源４４を制御して、Ｘ線を遮断又は調節する。駆動器６２は、撮像制御器２４の制御下で光検出器アレー５８を駆動し、各光検出器から画素信号を読み出す。光検出器アレー５８と駆動器６２の詳細については、後述する。
【００４９】
Ｘ線検出器５２から出力される画素信号は、Ｘ線制御室１２内の画像処理器２６に印加される。Ｘ線室１０内はＸ線発生に伴うノイズが大きいので、Ｘ線検出器５２から画像処理器２６への信号伝送路は耐雑音性の高いものである必要があり、具体的には、高度の誤り訂正機能を具備するディジタル伝送系としたり、差動ドライバによるシールド付きより対線又は光ファイバを用いることが望ましいことはいうまでもない。
【００５０】
画像処理器２６は、詳細は後述するが、システム制御器２０からの指令に基づき画像信号の表示形式を切り換える。その他には、画像信号の補正、空間フィルタリング及びリカーシブ処理などをリアルタイムで行ない、階調処理、散乱線補正及びＤＲ圧縮処理などを実行できる。画像処理器２６により処理された画像は、モニタ３０の画面に表示される。
【００５１】
リアルタイム画像処理と同時に、画像補正のみが施された画像情報（基本画像）は、記憶装置２８に保存される。また、操作者２１の指示に基づいて、記憶装置２８に格納される画像情報は、所定の規格（例えば、Ｉｍａｇｅ  Ｓａｖｅ＆Ｃａｒｒｙ（ＩＳ＆Ｃ））を満たすように再構成された後に、外部記憶装置３４及びファイル・サーバ７６内のハードディスクなどに格納される。
【００５２】
Ｘ線制御室１２の装置は、ＬＡＮボード３６を介してＬＡＮ（又はＷＡＮ）に接続する。
ＬＡＮには、複数のＸ線撮像システムを接続できることは勿論である。ＬＡＮボード３６は、所定のプロトコル（例えば、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ａｎｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ｉｎ  Ｍｅｄｉｃｉｎｅ（ＤＩＣＯＭ））に従って、画像データを出力する。ＬＡＮ（又はＷＡＮ）に接続されたモニタ７２の画面にＸ線画像を高解像静止画及び動画を表示することにより、Ｘ線撮影とほぼ同時に、医師によるリアルタイム遠隔診断が可能になる。
【００５３】
図２は、光検出器アレー５８の構成単位の等価回路図である。
１つの素子は、光検出部８０と電荷の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）８２とからなり、一般には、ガラス基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により形成される。光検出部８０は更に、光ダイオード８０ａとコンデンサ８０ｂの並列回路、及び、前記コンデンサ８０ｂと直列に接続されたコンデンサ８０ｃとからなる。また、光電効果による電荷を定電流源８１として記述している。コンデンサ８０ｂは光ダイオード８０ａの寄生容量でも、光ダイオード８０ａのダイナミックレンジを改善する追加的なコンデンサでもよい。光検出部８０の共通バイアス電極（以下Ｄ電極）はバイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８４に接続する。光検出部８０のスイッチングＴＦＴ８２側電極（以下Ｇ電極）は、スイッチングＴＦＴ８２を介してコンデンサ８６及び電荷読出し用プリアンプ８８に接続する。プリアンプ８８の入力はまた、リセット用スイッチ９０及び信号線バイアス電源９１を介してアースに接続する。
【００５４】
ここで、図３を用いて光検出部８０のデバイス動作について説明する。
図３（ａ），（ｂ）はそれぞれ本実施形態のリフレッシュ及び光電変換モード動作を示す光電変換素子のエネルギバンド図であり、各層の厚さ方向の状態を表している。
３０１はＣｒで形成された下部電極（Ｇ電極）である。３０２は電子、ホール共に通過を阻止するＳｉＮからなる絶縁層であり、その厚みは、トンネル効果により電子、ホールが移動できないほどの厚みである５０ｎｍ程度以上に設定される。３０３は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の真性半導体ｉ層で形成された光電変換半導体層、３０４は光電変換半導体層３０３へのホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ層の注入阻止層、３０５はＡｌで形成される上部電極（Ｄ電極）である。本実施例ではＤ電極はｎ層を完全には覆っていないがＤ電極とｎ層との間は電子の移動が自由に行われるためＤ電極とｎ層の電位は常に同電位であり、以下の説明ではそれを前提としている。光電変換素子にはＤ電極、Ｇ電極の電圧の印加の仕方によりリフレッシュモードと光電変換モードとの２種類の動作がある。
【００５５】
図３（ａ）において、Ｄ電極はＧ電極に対して負の電位が与えられており、ｉ層３０３中の黒丸で示されたホールは電界によりＤ電極に導かれる。同時に白丸で示された電子はｉ層３０３に注入される。このとき、一部のホールと電子はｎ層３０４、ｉ層３０３において再結合して消滅する。十分に長い時間、この状態が続けば、ｉ層３０３内のホールはｉ層３０４から掃き出される。
【００５６】
この状態から光電変換モードの図３（ｂ）にするには、Ｄ電極に、Ｇ電極に対する正の電位を与える。すると、ｉ層３０３中の電子は瞬時にＤ電極に導かれる。しかしながら、ホールはｎ層３０４が注入阻止層として働くため、ｉ層３０３に導かれる事はない。この状態でｉ層３０３に光が入射すると、光は吸収され電子・ホール対が発生する。この電子は電界によりＤ電極に導かれ、ホールはｉ層３０３内を移動し、ｉ層３０３と絶縁層３０２との界面に達する。ところが、絶縁層３０２内には移動できないため、ｉ層３０３内の絶縁層３０２界面に移動し、素子内の電気的中性を保つため電流がＧ電極から流れる。この電流は光により発生した電子・ホール対に対応するため、入射した光に比例する。
【００５７】
ある期間、光電変換モードの図３（ｂ）の状態を保った後、再びリフレッシュモードの図３（ａ）の状態になると、ｉ層３０３に留まっていたホールは前述のようにＤ電極に導かれ、同時にこのホールに対応した電流が流れる。このホールの量は光電変換モード期間に入射した光の総量に対応する。この時、ｉ層３０３内に注入される電子の量に対応した電流も流れるが、この量はおよそ一定なため差し引いて検出すればよい。つまり、本実施例においての光電変換素子はリアルタイムに入射する光の量を出力すると同時に、ある期問に入射した光の総量も出力する事もできる。
【００５８】
しかしながら、何等かの理由により光電変換モードの期間が長くなったり、入射する光の照度が強い場合、光の入射があるにもかかわらず電流が流れない事がある。これは図３（ｃ）のように、ｉ層３０３内にホールが多数留まり、このホールのためｉ層３０３内のホールと再結合してしまうからである。この状態で光の入射の状態が変化すると、電流が不安定に流れる事もあるが、再びリフレッシュモードにすればｉ層３０３のホールは掃き出され、次の光電変換モードでは再び光に比例した電流が流れる。
【００５９】
また、前述の説明において、リフレッシュモードでｉ層３０３内のホールを掃き出す場合、全てのホールを掃き出すのが理想的であるが、一部のホールを引き出すだけでも効果はあり、前述と等しい電流が得られ、問題はない。つまり、次の光電変換モードでの検出機会において図３（ｃ）の状態になっていなければよく、リフレッシュモードでのＤ電極のＧ電極に対する電位、リフレッシュモードの期間及びｎ層３０４の注入阻止層の特性を決めればよい。
【００６０】
また、更にリフレッシュモードにおいてｉ層３０３への電子の注入は必要条件ではなく、Ｄ電極のＧ電極に対する電位は負に限定されるものでもない。ホールが多数ｉ層３０３に留まっている場合には、たとえＤ電極のＧ電極に対する電位が正であっても、ｉ層３０３内の電界はホールをＤ電極に導く方向に加わるからである。ｎ層３０４の注入阻止層の特性も同様に電子をｉ層３０３に注入できる事が必要条件ではない。
【００６１】
図２に戻り、１画素の信号の読み出しについて述べる。
先ず、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を一時的にオンにし、バイアス電源８４をリフレッシュモード時の電位に設定する。コンデンサ８０ｂ，８０ｃがリセットされた後に、バイアス電源８４を光電変換モード時の電位に設定し、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を順次オフにする。その後、Ｘ線を発生させて、被検体５０に曝射する。シンチレータ５４が被検体５０を透過してＸ線像を可視光線像に変換し、光ダイオード８０ａは、その可視光線像により導通状態になり、コンデンサ８０ｂの電荷を放電させる。スイッチングＴＦＴ８２をオンにして、コンデンサ８０ｂとコンデンサ８６を接続する。これにより、コンデンサ８０ｃの情報がコンデンサ８６にも伝達される。プリアンプ８８によりコンデンサ８６の蓄積電荷による電圧の増幅、もしくは点線で示されたコンデンサ８９により電荷一電圧変換され、外部に出力される。
【００６２】
図４は、光検出器アレー５８の構成単位の等価回路図である。
１つの素子は、光検出部８０と電荷の蓄積及び読み取りを制御するスイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）８２とからなり、一般には、ガラス基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）により形成される。光検出部８０は更に、光ダイオード８０ａとコンデンサ８０ｂの並列回路からなり、光電効果による電荷を定電流源８１として記述している。コンデンサ８０ｂは光ダイオード８０ａの寄生容量でも、光ダイオード８０ａのダイナミックレンジを改善する追加的なコンデンサでもよい。光検出部８０（光ダイオード８０ａ）のカソードは共通電極（Ｄ電極）であるバイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８５に接続する。光検出部８０（光ダイオード８０ａ）のアノードは、ゲート電極（Ｇ電極）からスイッチングＴＦＴ８２を介してコンデンサ８６及び電荷読出し用プリアンプ８８に接続する。プリアンプ８８の入力はまた、リセット用スイッチ９０及び信号線バイアス電源９１を介してアースに接続する。
【００６３】
先ず、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０を一時的にオンにして、コンデンサ８０ｂをリセットし、スイッチングＴＦＴ８２とリセット用スイッチ９０をオフにする。その後、Ｘ線を発生させて、被検体５０に曝射する。シンチレータ５４が被検体５０を透過してＸ線像を可視光線像に変換し、光ダイオード８０ａは、その可視光線像により導通状態になり、コンデンサ８０ｂの電荷を放電させる。スイッチングＴＦＴ８２をオンにして、コンデンサ８０ｂとコンデンサ８６を接続する。これにより、コンデンサ８０ｂの放電量の情報がコンデンサ８６にも伝達される。プリアンプ８８によりコンデンサ８６の蓄積電荷による電圧の増幅、もしくは点線で示されたコンデンサ８９により電荷一電圧変換され、外部に出力される。
【００６４】
次に、図２、図４に示す光電変換素子を２次元に拡張して構成した場合の光電変換動作を説明する。
図５は、２次元配列の光電変換素子を具備する光検出器アレー５８の等価回路図である。
２次元読み出し動作は前記２種類の等価回路において同様であるので、図５は、図４に示した等価回路を用いて現している。
【００６５】
光検出器アレー５８は、２０００×２０００〜４０００×４０００程度の画素から構成され、アレー面積は２００ｍｍ×２００ｍｍ〜５００ｍｍ×５００ｍｍ程度である。図３では、光検出器アレー５８は４０９６×４０９６の画素から構成され、アレー面積は４３０ｍｍ×４３０ｍｍである。従って、１画素のサイズは約１０５μｍ×１０５μｍである。横方向に配置した４０９６個の画素を１ブロックとし、４０９６個のブロックを縦方向に配置して、２次元構成としている。
【００６６】
図５では、４０９６×４０９６画素からなる光検出器アレーを１枚の基板で構成しているが、２０４８×２０４８画素を持つ４枚の光検出器アレーを組み合わせてもよいことは勿論である。この場合、４つの光検出器アレーを組み付ける手間がかかるものの、各光検出器アレーの歩留まりが向上するので、全体としても歩留まりが向上するという利点がある。
【００６７】
図２、図４で説明したように、１画素は、１つの光検出部８０とスイッチングＴＦＴ８２とからなる。光電変換素子ＰＤ（１，１）〜（４０９６，４０９６）は光検出部８０に対応し、転送用スイッチＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）はスイッチングＴＦＴ８２に対応する。光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）のゲート電極（Ｇ電極）は、対応するスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）を介してその列に対する共通の列信号線Ｌｃｍに接続する。例えば、第１列の光電変換素子ＰＤ（１，１）〜（４０９６，１）は、第１の列信号線Ｌｃ１に接続する。各光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）の共通電極（Ｄ電極）は全て、バイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源８５に接続する。
【００６８】
同じ行のスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）の制御端子は、共通の行選択線Ｌｒｎに接続する。例えば、第１行のスイッチＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）は、行選択線Ｌｒ１に接続する。行選択線Ｌｒ１〜４０９６は、ラインセレクタ９２を介して撮像制御器２４に接続する。
【００６９】
ラインセレクタ９２は、撮像制御器２４からの制御信号を解読し、どのラインの光電変換素子の信号電荷を読み出すべきかを決定するアドレスデコーダ９４と、アドレスデコーダ９４の出力に従って開閉される４０９６個のスイッチ素子９６から構成される。この構成により、任意のラインＬｒｎに接続するスイッチＳＷ（ｍ，ｎ）に接続する光電変換素子ＰＤ（ｍ，ｎ）の信号電荷を読み出すことができる。ラインセレクタ９２は、最も簡単な構成としては、単に液晶ディスプレイなどに用いられているシフトレジスタによって構成してもよい。
【００７０】
列信号線Ｌｃ１〜４０９６は、撮像制御器２４により制御される信号読出し回路１００に接続する。信号読出し回路１００で、１０２−１〜４０９６はリセット用スイッチであり、それぞれ列信号線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位１０１にリセットする。１０６−１〜４０９６は、それぞれ列信号線Ｌｃ１〜４０９６からの信号電位を増幅するプリアンプ、１０８−１〜４０９６はそれぞれプリアンプ１０６−１〜４０９６の出力をサンプルホールドするサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）回路１０８−１〜４０９６の出力を時間軸上で多重化するアナログ・マルチプレクサ、１１２はマルチプレクサ１１０のアナログ出力をディジタル化するＡ／Ｄ変換器である。Ａ／Ｄ変換器１１２の出力は画像処理器２６に供給される。
【００７１】
図５に示す光検出器アレーでは、４０９６×４０９６個の画素を列信号線Ｌｃ１〜４０９６により４０９６個の列に分け、１行あたりの４０９６画素の信号電荷を同時に読み出し、各列信号線Ｌｃ１〜４０９６、プリアンプ１０６−１〜４０９６及びＳ／Ｈ回路１０８−１〜４０９６を介してアナログ・マルチプレクサ１１０に転送し、ここで時間軸多重化して、順次、Ａ／Ｄ変換器１１２によりディジタル信号に変換する。
【００７２】
図５では、信号読出し回路１００が、１つのＡ／Ｄ変換器１１２のみを具備するように図示されているが、実際には４〜３２系統で同時にＡ／Ｄ変換を実行する。これは、アナログ信号帯域とＡ／Ｄ変換レートを不必要に大きくすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求されるためである。信号電荷の蓄積時間とＡ／Ｄ変換時間とは密接な関係にある。高速にＡ／Ｄ変換を行なうと、アナログ回路の帯域が広くなり所望のＳ／Ｎを達成することが難しくなるので、通常は、Ａ／Ｄ変換速度を不必要に速くすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求される。多くのＡ／Ｄ変換器でマルチプレクサ１１０の出力をＡ／Ｄ変換すればよいが、Ａ／Ｄ変換器の数を増せば、それだけ、コストが高くなる。よって、上述の点を考慮して適当な数のＡ／Ｄ変換器を用いる。
【００７３】
Ｘ線の照射時間はおよそ１０〜５００ｍｓｅｃであるので、全画面の取り込み時間あるいは電荷蓄積時間を１００ｍｓｅｃのオーダーあるいはやや短めにすることが適当である。
【００７４】
例えば、全画素を順次駆動して、１００ｍｓｅｃで画像を取り込むためには、アナログ信号帯域を５０ＭＨｚ程度にし、例えば、１０ＭＨｚのサンプリングレートでＡ／Ｄ変換を行なうと、最低でも４系統のＡ／Ｄ変換器が必要になる。本実施形態は、１６系統で同時にＡ／Ｄ変換を行なう。１６系統のＡ／Ｄ変換器の出力はそれぞれに対応する１６系統の図示しないメモリ（ＦＩＦＯなど）に入力される。そのメモリを選択して切り替えることにより、連続した１ラインの走査線にあたる画像データが画像処理器２６に転送される。
【００７５】
図６はセンサ読み出しの概要を示すタイミングチャートであり、図５と併せて１回のＸ線照射により静止画撮像を行う場合の二次元駆動について述べる。
【００７６】
６０１は、Ｘ線への曝射要求制御信号、６０２はＸ線の曝射状態、６０３はセンサ内電流源８１の電流、６０４は行選択線Ｌｒｎの制御状態、６０５はＡＤ変換器１１２へのアナログ入力をそれぞれ模式的に現している。
【００７７】
図２参照の等価回路センサでは、先ず、駆動器６２はバイアス配線をリフレッシュモード時のバイアス値Ｖｒにし、全ての列信号配線Ｌｃ１〜４０９６を、列信号配線Ｌｃの初期バイアス値に初期化するためにリセット基準電位１０１に接続し、全ての行選択配線Ｌｒ１〜４０９６に正電圧Ｖｇｈを印加する。すると、ＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）がＯＮし、全ての光電変換素子のＧ電極はＶｂｔに、Ｄ電極はＶｒにリフレッシュされる。
【００７８】
その後、駆動器６２はバイアス配線Ｌｂを光電変換時のバイアス値Ｖｓにし、全ての列信号配線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位１０１から開放にし、ＳＷ（１，１）〜（４０９６，４０９６）をオフにするために全ての行選択配線Ｌｒ１〜４０９６に電圧Ｖｇ１を印加する。これにより、光電変換モードヘ移行する。
【００７９】
ここからは図２、図４参照のそれぞれの等価回路センサに共通の動作であるので、同時に説明を加える。
バイアス配線を光電変換時のバイアス値Ｖｓのまま、全ての列信号配線Ｌｃをリセット基準電位１０１に接続し、列信号線をリセットする。その後、行選択配線Ｌｒ１に正電圧Ｖｇｈを印加し、ＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）をオンとし、第１列の光電変換素子のＧ電極をＶｂｔにリセットする。次に行選択配線Ｌｒ１を正電圧Ｖｇ１にしてＳＷ（１，１）〜（１，４０９６）をオフとする。行の選択を順次繰り返し、全ての画素のリセットを行い撮影準備が完了する。以上の動作は信号電荷の読み出し操作と同じであり、信号電荷を取り込むか否かの差しかないので、このリセット操作を以後「空読み」と呼ぶ。この空読み動作中で、行選択配線Ｌｒを全て同時にＶｇｈにする事は可能であるが、この場合では読み出し準備完了時に、信号配線電位がリセット電圧Ｖｂｔから大きくずれることなり、高Ｓ／Ｎの信号を得ることが難しい。また、前述の例では、行選択配線Ｌｒを１から４０９６ヘリセットしたが、撮像制御器２４の設定に基づいた駆動器６２の制御により任意の順番でリセットを行うことが可能である。
【００８０】
空読み動作を繰り返して、Ｘ線の曝射要求を待つ。
曝射要求が発生すると、画像取得準備のために、再度空読み動作を行い、Ｘ線曝射に備える。画像取得準備が整った時に、撮像制御機２４の指示に従いＸ線が曝射される。
【００８１】
Ｘ線曝射後、光電変換素子８０の信号電荷を読み出す。まず、光電変換素子アレーのある行（例えばＬｒ１）に対する行選択配線ＬｒにＶｇｈを印加し、蓄積電荷信号を信号配線Ｌｃ１〜４０９６に出力する。列信号配線Ｌｃ１〜４０９６から１列ずつ４０９６画素分の信号を同時に読み出す。
【００８２】
次に、異なる行選択配線Ｌｒ（例えばＬｒ２）にＶｇｈを印加し、蓄積電荷信号を信号配線Ｌｃ１〜４０９６に出力する。列信号配線Ｌｃ１〜４０９６から１列ずつ４０９６画素分の信号を同時に読み出す。この動作を４０９６の列信号配線に順次繰り返す事により、すべての画像情報を読み出す。
【００８３】
上記動作中、各センサの電荷蓄積時間はリセット動作が完了した時、即ち空読み時のＴＦＴ８２をオフとしてから、次に電荷読み出しが行われるためにＴＦＴ８２がオンにするまでの間である。従って、各行選線毎に蓄積時間・時刻が異なる。
【００８４】
Ｘ線画像を読み出した後、補正用画像を取得する。これは、Ｘ線画像の補正に使用するためであり、高画質の画像を取得するために必要な補正データである。基本的な画像取得方法はＸ線を曝射しない点以外は同じである。電荷蓄積時間は、Ｘ線画像を読み出す際と、補正画像を読み出す際とで同じにする。
【００８５】
また、高分解能の画像情報が必要でない場合や画像データ取り迅速度を速くしたい場合には、すべての画像情報を常に取り込む必要はなく、操作者２１の撮影方法の選択により、撮像制御器２４は、間引き、画素平均、領域抽出の駆動指示を駆動器６２に設定する。
【００８６】
間引きを行うには、まず、行選択配線Ｌｒ１を選択し、列信号配線Ｌｃから信号を出力する際に、例えばＬｃ２ｎ−１（ｎ：自然数）のｎを０から一つずつ増加させるように１列の読み出しを行い、その後、行を選択する際、行選択配線Ｌｒ２ｍ−１（ｍ：自然数）のｍを１から一つずつ増加させて、１行の信号を読み出す事により行われる。この例では画素数を１／４に間引いたことになるが、撮像制御器２４の設定指示に従って駆動器６２は、１／９，１／１６などに画素数を間引く。
【００８７】
また、画素平均について、上述の動作中、行選択配線Ｌｒ２ｍとＬｒ２ｍ＋１とに同時にＶｇｈを印加する事により、ＴＦＴ２ｍ，２ｎとＴＦＴ２ｍ＋１，２ｎとが同時にターンオンし、列方向の２画素のアナログ加算を行う事が可能である。これは２画素の加算に限ったものではなく、列信号配線方向の複数画素のアナログ加算を容易に行う事ができることを表している。更に、行方向の加算については、Ａ／Ｄ変換出力後に隣り合う画素（Ｌｃ２ｎとＬｃ２ｎ＋１）をディジタル加算する事により、上述のアナログ加算と合わせて、２×２の正方形画素の加算値を得る事ができる。これにより、照射されたＸ線を無駄にすることなく、高速にデータを読み出す事が可能である。その他、総画素数を減らして高速化を目指す方法として、画像の取込領域を制限する方法がある。
【００８８】
これは、操作者２１が必要な領域を操作者インターフェース２２から入力し、それに基づいて撮像制御器２４は駆動器６２に指示を出し、駆動器６２はデータ取込範囲を変更して二次元検出器アレーを駆動する。
【００８９】
本実施形態では、高速取込モードでは１０２４×１０２４の画素を３０Ｆ／Ｓで取り込む。
即ち、２次元検出器アレーの全領域では４×４画素の加算処理を行い、１／１６に間引き、最も小さい範囲では１０２４×１０２４の領域で間引きなしで撮像する。
このように撮像する事で、ディジタルズーム画像が得られる。
【００９０】
図７は、Ｘ線検出器５２の撮像動作を含むタイミングチャートである。図７を中心にＸ線検出器５２の動作について説明する。
７０１は操作者インターフェース２２に対する撮像要求信号、７０２は実Ｘ線曝射状態、７０３は操作者２１の指示に基づいた撮像制御器２４から駆動器６２への撮影要求信号、７０４はＸ線検出器５２の撮影レディ信号、７０５はグリッド５４の駆動信号、７０６はＸ線検出器５２内のパワー制御信号、７０７はＸ線検出器の駆動状態（特に光検出器アレー５８からの電荷読み出し動作）をそれぞれ現している。７０８は画像データの転送状態や、画像処理や表示の状態を概念的に表している。
【００９１】
操作者２１からの検出器準備要求または撮影要求があるまで駆動器６２は７０６に示すようにパワー制御をオフ状態で待機する。具体的には、図５において、行選択線Ｌｒ、列信号線Ｌｃ、バイアス配線Ｌｂの電位を図示しないスイッチにより同電位（特に信号ＧＮＤレベル）に保ち、光検出器アレー５８にバイアスを印加しない。更には、信号読出し回路１００、ラインセレクタ９２、バイアス電源８４または８５を含む電源を遮断することにより、前記行選択線Ｌｒ、列信号線Ｌｃ、バイアス配線Ｌｂの電位をＧＮＤ電位に保っても良い。
【００９２】
操作者２１の操作者インターフェース２２に対する撮影準備の要求指示（７０１：１ｓｔＳＷ）により、撮像制御器２４はＸ線発生器４０を撮影レディ状態に遷移させるとともに、Ｘ線検出器５２に対して撮影準備状態へ移行させる指示を出す。指示を受けた駆動器６２は光検出器アレー５８にバイアスを印加するとともに、（リフレッシュ及び）空読みフレームＦｉを繰り返す。要求指示は、例えば、Ｘ線発生装置への曝射要求ＳＷの１ｓｔスイッチ（通常は管球のロータアップなどが開始される。）や、Ｘ線検出器５２が撮影準備のために所定時間（数秒以上）を要する場合などは、Ｘ線検出撃５２の準備を開始するための指示である。この場合、操作者２１が、Ｘ線検出器５２に対して意識的に撮影準備の要求指示を出さなくても良い。即ち、操作者インターフェース２２に対して、患者情報、撮影情報などが入力されたことをもって、撮像制御機２４は検出器準備の要求指示と解釈して、Ｘ線検出器５２を検出器準備状態へ移行させても良い。
【００９３】
検出器準備状態では、光電変換モードにおいて、空読み後、光検出部８０に暗電流が徐々に蓄積されてコンデンサ８０ｂ（ｃ）が飽和状態で保持されることを避けるため、（リフレッシュＲ及び）空読みフレームＦｉを所定間隔で繰り返す。この操作者２１からの撮影準備要求が有りながら実際のＸ線曝射要求が発生していない期間に行う駆動、即ち、検出器準備状態に行う空読みフレームＦｉを所定時間間隔Ｔ１で繰り返す駆動を以後「アイドリング駆動」と呼び、アイドリング駆動を行っている検出器準備状態の期間を「アイドリング駆動期間」と呼ぶ。このアイドリング駆動期間は、どの程度続くかが実使用上、未定義（未規定）のため、光検出器アレー５８（特にＴＦＴ８２）に負荷のかかる読み出し動作は極力少なくすることを考慮して、Ｔ１は通常の撮影動作時よりも長く設定し、通常の読み出し駆動ＦｒよりもＴＦＴ８２のＯＮ時間の短いアイドリング専用空読みフレームＦｉを行う。また、リフレッシュＲ動作が必要なセンサの場合には、空読みフレームＦｉ数回に対して１回リフレッシュＲ動作を行うようにする。
【００９４】
次に、Ｘ線検出器５２を中心としたＸ線画像取得について述べる。
Ｘ線検出器５２のＸ線画像取得時の駆動は大きく二つの画像取得からなる。７０７に示した通り、１つはＸ線画像取得駆動であり、残りは補正用暗画像取得駆動である。それぞれの駆動は概ね同じであり、Ｘ線曝射が行われる動作が有るか否かが主な違いである。更にそれぞれの駆動とも、撮像準備シーケンス、電荷蓄積（曝射ウインドウ）、画像読み出しの３つの部分から構成される。
【００９５】
以下順を追ってＸ線画像取得について述べる。
操作者２１から操作者インターフェース２２に対する撮影要求指示（７０１：２ｎｄＳＷ）により、撮像制御器２４はＸ線発生器４０とＸ線検出器５２との同期を取りながら撮影動作を制御する。撮影要求指示（７０１：２ｎｄＳＷ）に従いＸ線曝射要求信号７０３に示すタイミングでＸ線検出器に対し、撮像要求信号をアサートする。駆動器は撮像要求信号に呼応して撮像駆動状態７０７に示すように所定の撮像準備シーケンス駆動を行う。
【００９６】
具体的には、リフレッシュが必要な場合はリフレッシュを行い、そして、撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームＦＰを所定回数及び電荷蓄積開始専用空読みフレームＦＰｆを行って、電荷蓄積状態（撮像ウインドウ：Ｔ４）に遷移する。その際、撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームＦｐの回数及び時間間隔Ｔ２は、撮像制御機２４から撮像要求に先んじて予め設定された値に基づいて行う。これは操作者２１の要求により、操作性重視なのか画質重視なのか、または撮像部位により自動的に最適な駆動を選択して切り替える。
【００９７】
通常は、曝射要求に対する応答性を向上させるために、１ｍｓ程度の短時間で駆動する。曝射要求から撮影準備完了までの期間（Ｔ３）は所用時間が短いことが実使用上要求されるので、そのために撮像準備シーケンス電荷吐き出し空読みフレームＦｐを行う。さらに、アイドリング駆動のいかなる状態からも曝射要求が発生した場合は、即時に撮像準備シーケンス駆動に入ることにより曝射要求から撮影準備完了までの期間（Ｔ３）を短くすることにより、操作性の向上を図る。
【００９８】
駆動器６２は、検出器アレー５８の撮像準備を行うのと同期して、グリッド５４を移動させ始める。これは実Ｘ線曝射７０２に同期してグリッドを最適な移動状態で撮像を行うためである。この場合も、駆動器６２は撮像制御器により設定された、最適グリッド移動開始タイミング、最適グリッド移動速度で動作する。
【００９９】
本実施形態では、グリッド５４の動作による振動を問題としているため、加速度の変化が小さくなるようにグリッド５４の始動を制御するとともに、振動の影響を受けやすい電荷蓄積開始専用空読みフレームＦｐｆを行う際にはグリッド５４は定速運動を行うように制御することが望ましい。
【０１００】
Ｘ線検出器５２の撮像準備が整った時点で、駆動器６２は撮像制御器２４に対し、Ｘ線検出器レディ信号７０４を返し、撮像制御器２４はこの信号の遷移を元にして、Ｘ線発生要求信号７０２としてＸ線発生器４０にアサートする。Ｘ線発生器４０は、Ｘ線発生要求信号７０２が与えられている間、Ｘ線を発生する。所定Ｘ線量を発生したら撮像制御器２４はＸ線発生要求信号７０２をネゲートするとともにＸ線撮像要求信号７０３をネゲートすることによりＸ線検出器５２へ画像取得タイミングを通知する。このタイミングを元にして、駆動器６２は直ちにグリッド５４を静止し、それまで待機状態だった信号読出し回路１００の動作を開始させる。グリッド５４静止時間及び信号読み出し回路１００の安定のための所定ウェイト時間後、駆動器６２に基づいてＸ線検出器アレー５８から画像データを読み出して画像処理器２６に生画像を取得する。転送が完了すると駆動器６２は読み出し回路１００を再び待機状態に遷移させる。
【０１０１】
本実施形態では、グリッド５４の動作による振動を問題としているため、最も振動ノイズの影響を受けやすいＸ線画像取得フレームＦｒｘｏ駆動前にグリッド５４が（静止を含む）定速運動をしていることが望ましい。更に、Ｘ線検出器５２内に振動を測定するための振動センサを取り付けて、グリッドもしくはその他の要因による振動が所定値以下に収まったことを確認した後に、Ｘ線画像取得フレームＦｒｘｏ駆動を開始しても良い。
【０１０２】
引き続き、Ｘ線検出器５２は補正画像取得する。即ち、先の撮像のための撮像シーケンスを繰り返し、Ｘ線照射の無い暗画像を取得し、画像処理器２６に補正用暗画像を転送する。
【０１０３】
この時、撮像シーケンスは撮影の度にＸ線曝射時間など若干異なる可能性が有るが、それも含めて全く同じ撮影シーケンスを再現して暗画像を取得することにより、より高画質な画像が得られる。但し、グリッド５４の動作はこの限りでなく、暗画像取得時には振動の影響を抑えるために静止させておく。暗画像取得後、画質に影響しない所定のタイミングでグリッド５４の初期化動作を行う。
【０１０４】
図８は画像処理器２６であり、画像データの流れを示している。
８０１はデータパスを選択するマルチプレクサ、８０２及び８０３はそれぞれＸ線画像用及び暗画像用フレームメモリ、８０４はオフセット補正回路、８０５はゲイン補正データ用フレームメモリ、８０６はゲイン補正用回路、８０７は欠陥補正回路、８０８はその他の画像処理回路を代表してそれぞれ現している。
【０１０５】
図７において、Ｘ線画像取得フレームＦｒｘｏフレームで取得されたＸ線画像が、マルチプレクサ８０１を経由してＸ線画像用フレームメモリ８０２に記憶され、続いて補正画像取得フレームＦｒｎｏフレームで取得された補正画像が、同様にマルチプレクサ８０１を経由し、暗略画像用フレームメモリ８０３に記憶される。暗画像の記憶完了から、オフセット補正回路８０４によりオフセット補正（例えばＦｒｘｏ−Ｆｒｎｏ）が行われ、引き続き、予め取得されゲイン補正用フレームメモリに記憶してあるゲイン補正用データＦｇを用いて、ゲイン補正回路８０６がゲイン補正（例えば、（Ｆｒｘｏ−Ｆｒｎｏ）／Ｆｇ）を行う。
【０１０６】
引き続き、欠陥補正回路８０７に転送されたデータは、不感画素や複数パネルで構成されたＸ線検出器５２のつなぎ目部位などに違和感を生じないように画像を連続的に補間して、Ｘ線検出器５２に由来するセンサ依存の補正処理を完了する。更に、その他の画像処理回路８０８にて、一般的な画像処理、例えば、階調処理、周波数処理、強調処理などの処理を施した後、表示制御機３２に処理済データを転送して、モニタ３０に撮影画像を表示する。
【０１０７】
本実施形態の第７図の専用フレームの駆動を述べるにあたり、図９を用いて画像取得について再度解説を加える。
９０１−１，２，３，…はＴＦＴ用スイッチ素子９６−１，２，３，…の出力、９０２はプリアンプ１０６−ｎのアナログ出力、９０３はサンプルホールド回路１０８−ｎの制御信号、９０４は列信号線Ｌｃのリセット用スイッチ１０２−ｎの制御信号をそれぞれ現している。
【０１０８】
まず、列信号線Ｌｃ−ｎをリセットしておき、信号電荷を列信号線Ｌｃ−ｎに出力可能な状態にしておく。次に、９０１−１をオンとして、行選択線Ｌｒ−１を選択する。すると、電荷信号が列信号線Ｌｃ−ｎに出力されプリアンプ出力９０２は受光線量に応じた出力を出す。この信号出力が安定するまでの時間は、ＴＦＴ８２の電荷転送能力（オン抵抗：数ＭΩ程度）、信号線容量（コンデンサ８６：数ｐＦ〜数十ｐＦ）などによって決まるが、本実施形態では、数１０μｓ〜数１００μｓの時間を要し、通常この期間ＴＦＴを導通状態とする。電荷転送の落ち着いた辺りでサンプルホールド回路１０８−ｎを制御（９０３）して線量信号をサンプルホールド回路１０８−ｎに取り込む。サンプルホールド以降の取り込み系についてはここでは割愛する。
【０１０９】
引き続き、行選択線Ｌｒ−２の電荷を読み出すために、列信号線Ｌｃをリセットする（９０４）。リセットが完了するタイミングで、行選択線Ｌｒ−２を選択する（９０１−２）。同様に線量に応じた電荷信号が列信号では緯線Ｌｃ−ｎに出力される。以下、同様にしてＬｒ−４０９６までの線量データを読み出す。空読み動作では、上述の動作を、画像を取得しない場合に行うことにより光検出器部８０の電荷リセットを行うことになる。
【０１１０】
図１０は、電荷蓄積開始専用空読みフレームＦｐｆ，Ｘ線画像取得フレームＦｒｘｏ、補正画像取得フレームＦｒｎｏを、図１１はアイドリング専用空読みフレームＦｉを、図１２は撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームＦｐのＴＦＴ８２の動作をそれぞれ示している。
【０１１１】
Ｘ線画像取得フレームＦｒｘｏと補正画像取得フレームＦｒｎｏとの駆動が同じであることは述べるまでも無いが、電荷蓄積開始専用空読みフレームＦｐｆでは、それぞれの行選択線のＴＦＴがオフした後、その行選択線Ｌｒに接続された光検出器８０の蓄積が開始される。そのため、蓄積時間を各行間でそろえるためには、必然的に画像取得フレームと電荷蓄積開始フレームとが同じ駆動であることを要する。
【０１１２】
次に、アイドリング専用空読みフレームＦｉでは、ＴＦＴのオン時間を短くするように駆動している。図１１では１ライン当たりの読み取り時間も半分にしている。これは、本実施例の場合、ＴＦＴのオン電圧は１２〜２０Ｖであるのに対して、オフ電圧は−５Ｖ〜ＧＮＤレベルであり、ＴＦＴのオン時間が長い方がＴＦＴの閾値電圧が遷移し、ＴＦＴ転送能力の性能劣化につながる。
【０１１３】
ここで、アイドリング駆動期間は実使用上どれだけ続くかが不明であるため、出来るだけＴＦＴのオン時間が短い駆動が望ましい。図７で述べた通り、アイドリング専用空読みフレームＦｉ間隔Ｔ１を長く（＞１秒）取ることは勿論、ＴＦＴのオン時間が短くなるようにアイドリング専用空読みフレームＦｉでは通常撮影駆動の半分の時間で駆動している。ＴＦＴのオン時間が当然半分になっているが、転送される電荷は暗電流によるもののみのため、上述のような駆動でも特性上問題が無い。参考までに図１３に示したように、１ラインあたりの時間は通常画像取得フレームと同じで、ＴＦＴのオン時間のみが短くなるように駆動しても良い。また、リフレッシュＲ動作が必要なセンサの場合においても、暗電流が蓄積されてセンサ飽和状態に達するまでには数分から数十分の時間を要するので、アイドリング専用空読みフレームＦｉ複数回に対して１回の割合でリフレッシュＲ動作を行えば良い。
【０１１４】
撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームＦＰは、光検出部８０内の電荷の吐き出しが主な目的である点と、Ｘ線曝射までの時間を小さくするために、１ラインの駆動に要する時間は短く設定し（図１２では通常画像取得フレームの１／２）、電荷吐き出しのためにＴＦＴのオン時間は１ラインの駆動時間の全体にわたるようにする。
【０１１５】
以上説明したように、本実施形態によれば、実使用上、規定が困難であるアイドリング駆動期間が長く続いても、Ｘ線撮像装置（システム）の命短縮や検出に関する諸特性の経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現することを可能がなる。
【０１１６】
図１４は、一般的なパーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。図１４において、１２００はコンピュータＰＣである。ＰＣ１２００は、ＣＰＵ１２０１を備え、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、あるいはフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行し、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【０１１７】
上記ＰＣ１２００のＣＰＵ１２０１、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶されたプログラムにより、本実施形態のＸ線撮像装置（システム）を構成する各構成要素の機能が実現される。
【０１１８】
１２０３はＲＡＭで、ＣＰＵ１２０１の主メモリ、ワークエリア等として機能する。１２０５はキーボードコントローラ（ＫＢＣ）で、キーボード（ＫＢ）１２０９や不図示のデバイス等からの指示入力を制御する。
【０１１９】
１２０６はＣＲＴコントローラ（ＣＲＴＣ）で、ＣＲＴディスプレイ（ＣＲＴ）１２１０の表示を制御する。１２０７はディスクコントローラ（ＤＫＣ）で、ブートプログラム（起動プログラム：パソコンのハードやソフトの実行（動作）を開始するプログラム）、複数のアプリケーション、編集ファイル、ユーザファイルそしてネットワーク管理プログラム等を記憶するハードディスク（ＨＤ）１２１１、及びフレキシブルディスク（ＦＤ）１２１２とのアクセスを制御する。
【０１２０】
１２０８はネットワークインタフエースカード（ＮＩＣ）で、ＬＡＮ１２２０を介して、ネットワークプリンタ、他のネットワーク機器、あるいは他のＰＣと双方向のデータのやり取りを行う。
【０１２１】
本実施形態で説明したＸ線撮像方法の手順は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明の実施形態に含まれる。
【０１２２】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、上記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワーク（ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等）システムにおける通信媒体（光ファイバ等の有線回線や無線回線等）を用いることができる。
【０１２３】
また、コンピュータが供給されたプログラムを実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）あるいは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合や、供給されたプログラムの処理の全てあるいは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明の実施形態に含まれる。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明の撮像装置及び撮像方法によれば、実使用上、規定が困難であるアイドリング駆動期間が長く続いても、装置の命短縮や検出に関する諸特性の経年変化を抑止して信頼性の高い撮像を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示すＸ線撮像システムの構成ブロック図である。
【図２】光検出器アレーの構成単位の等価回路図である。
【図３】光検出部のデバイス動作について説明するための模式図である。
【図４】光検出器アレーの構成単位の等価回路図である。
【図５】２次元配列の光電変換素子を具備する光検出器アレーの等価回路図である。
【図６】センサ読み出しの概要を示すタイミングチャートである。
【図７】Ｘ線検出器の撮像動作を含むタイミングチャートである。
【図８】画像処理器の概略構成を示すブロック図である。
【図９】専用フレームの駆動を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】電荷蓄積開始専用空読みフレームＦｐｆ，Ｘ線画像取得フレームＦｒｘｏ、補正画像取得フレームＦｒｎｏを示すタイミングチャートである。
【図１１】アイドリング専用空読みフレームＦｉを示すタイミングチャートである。
【図１２】撮像シーケンスのための電荷吐き出し空読みフレームＦｐのＴＦＴ８２の動作を示すタイミングチャートである。
【図１３】１ラインあたりの時間は通常画像取得フレームと同じとし、ＴＦＴのオン時間のみが短くなるように駆動する一例を示すタイミングチャートである。
【図１４】一般的なパーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１０：Ｘ線室
１２：Ｘ線制御室
１４：診断室
２０：システム制御器
２１：操作者
２４：撮像制御器
２６：画像処理器
３０：モニタ
４０：Ｘ線発生器
４８：撮影用寝台
５０：患者
５２：Ｘ線検出器
５４：グリッド
５８：光検出器アレー
６２：駆動器
８０：光検出部
８２：スイッチング薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
８４：バイアス電源
８５：バイアス電凋
９２：ラインセレクタ
１００：信号読出し回路
【図１】
0004746762.tif 000002
【図２】
0004746762.tif 000003
【図３】
0004746762.tif 000004
【図４】
0004746762.tif 000005
【図５】
0004746762.tif 000006
【図６】
0004746762.tif 000007
【図７】
0004746762.tif 000008
【図８】
0004746762.tif 000009
【図９】
0004746762.tif 000010
【図１０】
0004746762.tif 000011
【図１１】
0004746762.tif 000012
【図１２】
0004746762.tif 000013
【図１３】
0004746762.tif 000014
【図１４】
0004746762.tif 000015