(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム材料からなり反射領域及び電極パターンが形成された基板と、
前記電極パターンと前記基板との間に形成されたアノダイジング絶縁層と、
前記基板の上面の凹溝に形成された前記反射領域上に装着され前記電極パターンに電気的に連結された光源と、
前記光源のＬＥＤ素子の下部面に形成されて放熱性能を向上させるアルミニウム放熱部と、
前記基板の光源上に覆われるレンズ部と、を含み、
前記基板の下面に形成された前記アノダイジング絶縁層は一部が前記凹溝に露出されて前記光源が装着され、
前記アルミニウム放熱部は、前記アノダイジング絶縁層に囲まれて前記基板と電気的に絶縁される
ＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記基板は、青色ＬＥＤ素子、赤色ＬＥＤ素子および緑色ＬＥＤ素子を備えて白色光を発散する光源を反射領域に装着したものである請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記基板は、反射領域に隣接して前記光源を電極パターンに電気的に連結するためのワイヤが配置された電極連結溝を形成する請求項１または請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記基板は、反射領域に隣接して基板に対するレンズ部の位置を設定することが出来るレンズ固定溝を形成し、前記レンズ部は前記レンズ固定溝に挿入可能な突起を各々外面に形成して結合する請求項１から３の何れか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記電極連結溝には、アノダイジング絶縁層が形成された請求項３に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
基板一側の外表面をエッチングして凹溝の反射領域を形成する段階と、
前記基板をアノダイジング処理して前記基板の上面と下面にそれぞれアノダイジング絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層に囲まれて前記基板と電気的に絶縁されるアルミニウム放熱部を前記絶縁層内に形成する段階と、
前記絶縁層上に電極パターンを形成する段階と、
前記アルミニウム放熱部上に光源を装着し前記電極パターンに電気的連結を成す段階と、
前記基板にレンズ部を装着する段階と、を含み、
前記基板の下面に形成された前記アノダイジング絶縁層は一部が前記凹溝に露出されて前記光源が装着され、前記アルミニウム放熱部は上面が露出されて前記アノダイジング絶縁層内に形成され、前記光源は前記アルミニウム放熱部の露出された上面に装着されることを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記基板一側の外表面をエッチングして反射領域を形成する段階においては、反射領域に隣接して前記光源を電極パターンに電気的に連結するためのワイヤが配置される電極連結溝と、前記基板に対するレンズ部の位置を設定することが出来るレンズ固定溝とを形成する請求項６に記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項８】
一つの母基板からダイシング処理され多数個の基板が生産される段階をさらに含む請求項６または請求項７に記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項９】
前記アノダイジング絶縁層は、前記基板の上面および前記基板の下面にそれぞれ形成される請求項１から５の何れか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１０】
前記アノダイジング絶縁層は、前記基板の前記反射領域を除いた表面に形成される請求項１から５または請求項９の何れか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１１】
前記絶縁層は、前記基板の前記反射領域を除いた表面に形成される請求項６から８の何れか一項に記載のＬＥＤパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源としてＬＥＤ素子を使用する高輝度および高出力の発光ＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関するものであって、より詳しくは、アルミニウム基板の反射領域に光源を装着し、アルミニウム基板をアノダイジング処理して絶縁層を形成し、光源に電源を供給させることにより発光作用中にＬＥＤ素子から放熱効果を高めることができ、これによってＬＥＤ素子の使用寿命を伸ばし、高輝度および高出力を維持できるように成っているアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、光源としてＬＥＤ素子を有する従来のＬＥＤパッケージ２００は、図１に図示された通り、基板２１０上にＬＥＤ素子２１５を実装し、これを電源に電気的に連結した後に発光させて作動する。
【０００３】
このようなＬＥＤパッケージ２００においてＬＥＤ素子２１５は、その特性に応じて光を発生させると同時に熱を発生させ、その熱の外部放出がきちんとされず過熱されると、その使用寿命および出力効率を維持することが出来ない。
【０００４】
従来のＬＥＤパッケージ２００は、固定用電極パターン２０５を有する回路基板２１０にＬＥＤ素子２１５を実装し、上記基板２１０の前面としては、基板２１０と外形のサイズが大体類似で、内側に放射状の反射面２２２を有する反射部材２２０をエポキシレジンなどで一体化して固定させた構造である。
【０００５】
このような従来のＬＥＤパッケージ２００は、反射部材２２０に凹んだ反射面２２２を有するもので、このような反射面２２２を通じてＬＥＤ素子２１５からの光を前面へ反射させる。
【０００６】
ところが、上記のような従来のＬＥＤパッケージ２００は、基板２１０の材料として熱伝導性の高い、即ち放熱機能に優れた金属材料、例えばアルミニウムなどを使用していないため、ＬＥＤ素子２１５の発光作動中に優れた放熱効果を得ることが出来ない。
【０００７】
また従来のＬＥＤパッケージ２００は、上記基板２１０に反射部材２２０を別途の工程で固定させるべきであるため、製造工程の簡略化が困難である。さらに、反射部材２２０を基板２１０に一体化する工程は、正確に行われるのが困難なため、製品の不良をもたらす重大な原因となり、それによる組み立て費用の上昇を招いた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記のような従来の問題点を解消するためのものであって、基板を通じたＬＥＤ素子の優れた放熱効果が得られることにより、使用寿命と発光効率を大きく増大できるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
そして本発明は、基板と反射部材との別途の接合工程が不要で、基板上にレンズ部を位置整列させる作業が非常に容易に行われることにより、製作工程の単純化を通じた製作費用の低減を成すことが出来るアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記のような目的を達成すべく、本発明は、アルミニウム材料からなり反射領域が形成された基板と、上記基板上に装着され電極パターンに電気的に連結された光源と、上記電極パターンと基板との間に形成されたアノダイジング絶縁層と、上記基板の光源上に覆われるレンズ部と、を含み、上記光源のＬＥＤ素子は、その下部面にアルミニウム放熱部を形成して発熱性能に優れるよう構成されたアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを提供する。
【００１１】
そして好ましくは、上記基板は、青色ＬＥＤ素子、赤色ＬＥＤ素子および緑色ＬＥＤ素子を備えて白色光を発散する光源を反射領域に装着したものであることを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを提供する。
【００１２】
また好ましくは、上記基板は、反射領域に隣接して上記光源を電極パターンに電気的に連結するためのワイヤが配置される電極連結溝を形成することを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを提供する。
【００１３】
そして好ましくは、上記基板は、反射領域に隣接して基板に対するレンズ部の位置を設定することが出来るレンズ固定溝を形成し、上記レンズ部は上記レンズ固定溝に挿入可能な突起を各々外面に形成して結合することを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを提供する。
【００１４】
また好ましくは、上記電極連結溝には、アノダイジング絶縁層が形成されたことを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを提供する。
【００１５】
そして本発明は、基板一側の外表面をエッチングして反射領域を形成する段階と、上記基板をアノダイジング処理して絶縁層を形成する段階と、上記基板上に電極パターンを形成する段階と、上記基板に光源を装着し電極パターンに電気的連結を成す段階と、上記基板にレンズ部を装着する段階と、を含むアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【００１６】
また好ましくは、上記基板一側の外表面をエッチングして反射領域を形成する段階においては、反射領域に隣接して上記光源を電極パターンに電気的に連結するためのワイヤが配置される電極連結溝と、上記基板に対するレンズ部の位置を設定することが出来るレンズ固定溝と、を形成することを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【００１７】
そして本発明は、好ましくは、一つの母基板からダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）処理され多数個の上記基板が生産される段階をさらに含むことを特徴とするアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、基板がアルミニウム材料からなることにより、これを通じたＬＥＤ素子の優れた放熱効果を得ることができ、これによってＬＥＤパッケージの使用寿命と発光効率を大きく増大できる効果を有する。
【００１９】
そして本発明は、反射領域を基板に凹溝の形態で形成するため、別途の従来の反射部材などのような接合工程が不要で、製作工程の単純化を成すことが出来る。
【００２０】
さらに、レンズ部と基板との付着作業時にレンズ部には突起を形成し、上記突起が位置する突起固定溝を基板に備えて装着位置の設定を容易に成すことが出来るため、基板上にレンズ部を位置整列させる作業が非常に容易に行われることにより、これを通じた製作費用の低減を成すことが出来る効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照にさらに詳しく説明する。本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１は、図２に図示された通り、アルミニウム材料からなる基板１０が提供される。上記基板１０は、相対的に低価かつ製作が容易なアルミニウム材料である。
【００２２】
このような基板１０には、一側面の中央に反射領域２０が形成される。上記反射領域２０は、基板１０をエッチングして形成された凹溝からなるものであって、図３に図示された通り、以後に説明される光源３０が安着する平らな中央反射領域２２、即ちダイボンディング（Ｄｉｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）反射領域と、上記中央反射領域２２を囲う傾斜反射領域２４、即ちリフレクター（Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）反射面を形成する。
【００２３】
そして上記基板１０の反射領域２０には、その傾斜反射領域２４に隣接して、四方に各々光源３０を成すＬＥＤ素子の電極をワイヤ４０を通じて連結するための電極連結溝５２と、以後に説明されるレンズ部７０の位置を容易に設定して固定することが出来るレンズ固定溝５４とを形成している。
【００２４】
上記電極連結溝５２とレンズ固定溝５４は、各々凹んで形成されたものであって、上記反射領域２０を形成する傾斜反射領域２４ほど深くはないが基板１０の表面から凹んで形成された構造である。そして好ましくは、上記電極連結溝５２の深さがレンズ固定溝５４の深さよりやや深く形成される。このような構造を通じて上記電極連結溝５２に上記ワイヤ４０が容易に位置することが出来る。
【００２５】
さらに、上記電極連結溝５２とレンズ固定溝５４は、各々その数が本発明により制限されるのではない。
【００２６】
上記電極連結溝５２の場合、光源３０を成すＬＥＤ素子のタイプによって一つもしくは２つで形成されることができ、また基板１０上に装着されるＬＥＤ素子の数に応じて多数形成されることが出来る。
【００２７】
そして上記レンズ固定溝５４の場合にも、レンズ部７０を容易に装着することが出来る基準溝を形成すれば良く、その形成数が本発明により制限されるのではない。
【００２８】
また上記基板１０には、光源３０に電源を供給するための電極パターン１２ａ、１２ｂが形成される。上記電極パターン１２ａ、１２ｂは、反射領域２０が形成された基板１０の一側面と、その反対面に形成されるもので、上記基板１０の一側面に形成された電極パターン１２ａは、光源３０であるＬＥＤ素子と電気的連結を成すためのものであり、その反対面に形成された電極パターン１２ｂは、本ＬＥＤパッケージが表面実装（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型として他の基板（未図示）の表面に実装され電気的連結を成すためのパッドを形成するものである。
【００２９】
また、上記のような一側面とその反対面の電極パターン１２ａ、１２ｂは、基板１０を貫通する多数の貫通孔１６を通じて電気的に連結されている。
【００３０】
そして本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１は、上記基板１０上に装着され電極パターン１２ａ、１２ｂに電気的に連結されたＬＥＤ素子の光源３０を備え、上記電極パターン１２ａ、１２ｂと基板１０との間に形成されたアノダイジング絶縁層３５を備える。
【００３１】
上記アノダイジング絶縁層３５は、上記電極パターン１２ａ、１２ｂが基板１０に対して絶縁であるよう形成されたものであって、これは上記基板１０をアノダイジング或いは陽極酸化処理して基板１０を局所的或いは部分的に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）処理したものである。
【００３２】
このようなアノダイジング絶縁層３５は、伝熱性能はやや衰えるが絶縁性能は非常に優れたものであり、上記電極パターン１２ａ、１２ｂと基板１０との間に形成され、上記電極パターン１２ａ、１２ｂが光源３０の発光作用に必要な電源を供給することが出来るようにする。
【００３３】
一方、このようなアノダイジング絶縁層３５は、上記電極連結溝５２にも形成され基板１０と電気的絶縁を成し、上記基板１０の反射領域２０には形成されないことにより、光源３０の光を外部へ反射させるに如何なる障害も起こさないよう構成されたものである。
【００３４】
そして、本発明によるアノダイジング絶縁層３５を有するＬＥＤパッケージ１は、上記基板１０の光源３０上に覆われるレンズ部７０を含む構造である。上記レンズ部７０は、一側面が膨らんだ断面形状を有するもので、図４に図示された通り、上記レンズ固定溝５４に挿入可能な突起７２を各々外面に形成している。
【００３５】
このような突起７２は、上記レンズ固定溝５４に各々対応するものであって、このような突起７２とレンズ固定溝５４とにより、作業者は基板１０上にレンズ部７０を付着しようとする場合、容易に装着位置もしくは基準位置を見つけることが出来る。このようなレンズ部７０は、基板１０上に透明な接着樹脂を通じて付着される。
【００３６】
上記のように基板１０に付着されたレンズ部７０は、図５に断面で図示された通り、基板１０の電極連結溝５２には位置しない。このように電極連結溝５２にレンズ部７０が位置しないことにより、電極連結溝５２を通じたワイヤ４０の配置が可能でワイヤ４０の結線部分に障害を与えない。
【００３７】
上記のような本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１の製造方法は下記のような工程段階で行われる。
【００３８】
本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１の製造方法は、先ず、基板１０の一側外表面をエッチングして反射領域２０を形成する段階が行われる。
【００３９】
上記反射領域２０は、光源３０が安着する平らな中央反射領域２２と、上記中央反射領域２２を囲う傾斜反射領域２４とを形成し、上記反射領域２０の形成段階は、上記反射領域２０を成す傾斜反射領域２４に隣接して、四方に各々光源３０を成すＬＥＤ素子の電極をワイヤ４０を通じて連結するための電極連結溝５２と、レンズ部７０の位置を容易に設定して固定することが出来るレンズ固定溝５４とを形成する段階をさらに含む。
【００４０】
このような電極連結溝５２とレンズ固定溝５４も全てエッチングを通じて形成することができる。
【００４１】
次に、上記基板１０をアノダイジング処理して絶縁層３５を形成する段階が行われる。このような場合、上記基板１０は、上記反射領域２０を除いた表面がアノダイジング処理され、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層３５を基板１０の上下面に形成することが出来る。
【００４２】
特に、上記電極連結溝５２とレンズ固定溝５４とにも各々絶縁層３５が形成され、電極パターン１２ａ、１２ｂと光源３０との電気的連結がより確実に成されるようにする。
【００４３】
そして本発明は、上記基板１０上に電極パターン１２ａ、１２ｂを形成する段階が行われる。このような場合、光源３０を成すＬＥＤ素子のタイプ、即ちＬＥＤ素子のワイヤ４０配線が上部面から両側に成される水平電極タイプであるか、または一つのワイヤ４０配線がＬＥＤ素子の上部面で成され、もう一つはＬＥＤ素子の下部面で成される垂直電極であるなどのＬＥＤ素子のタイプに応じて、それに合わせて電極パターン１２ａ、１２ｂを基板１０上に形成することになる。
【００４４】
また、このように電極パターン１２ａ、１２ｂを形成した後には、上記基板１０に光源３０を装着して電極パターン１２ａ、１２ｂに電気的連結を成す段階が行われる。このような段階はワイヤ４０を通じた電気的連結を成す。
【００４５】
そして上記のように光源３０と電極パターン１２ａ、１２ｂとの電気的連結の後には、基板１０にレンズ部７０を装着する段階が行われる。このような段階では、基板１０の反射領域２０内に透明な接着樹脂を塗布した後、レンズ部７０を付着させることになる。
【００４６】
このような過程においてレンズ部７０は、その外周面に形成された突起７２を基板１０に備えられたレンズ固定溝５４に一致させた後、接着樹脂を用いて付着させることになり、このような作業工程は非常に容易に行われる。
【００４７】
また本発明は、上記のように基板１０とレンズ部７０とを各々一つずつ別個で製作することが出来るが、これとは異なって図６に図示された通り、上記基板１０を一つの大きな母基板８０からダイシング処理して形成することが出来る。
【００４８】
即ち、一つの大きな母基板８０を多数個の基板１０に区切り、各々の基板１０に対して上記のような製作工程を実施した後、多数のレンズ部７０を各々の基板１０に合わせて付着し、これらレンズ部７０と基板１０とを各々ダイシング処理して個別に本発明のＬＥＤパッケージ１を構成することが出来る。
【００４９】
このような母基板８０を用いて多数のＬＥＤパッケージ１を同時に生産する工程は、当業界では周知のことであるため、これに関するより詳しい説明は省略する。
【００５０】
上記のような工程を通じて製作された本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１は、基板１０がアルミニウム材料からなり、このようなアルミニウム材料の基板１０は、優れた伝熱特性を有するものであるため、ＬＥＤ素子の発光途中に発生する熱の高い放熱効果を得ることが出来る。
【００５１】
さらに、基板１０に反射領域２０をエッチングにより形成し、レンズ部７０を基板１０に容易に付着させることが出来るため、製作工程の単純化を通じて低価のＬＥＤパッケージを得ることが出来る。
【００５２】
図７および図８には、本発明の変形実施例によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１’が図示されている。
【００５３】
図７および図８に図示された本発明のアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１’は、図２乃至図６に説明したＬＥＤパッケージ１の構成と非常に類似であり、その技術思想を同一に有するため、以下では同一構成要素には同一参照符号を与え、それに添え字（’）を付けて区別する。
【００５４】
図７および図８に図示された本発明のアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１’は、白色光を発散するために多数個の、即ち青色ＬＥＤ素子、赤色ＬＥＤ素子および緑色ＬＥＤ素子を光源３０’として備えている。
【００５５】
上記ＬＥＤ素子は、基板１０’から（＋）または（−）極性の電気端子が提供されてワイヤ４０’により連結され、上記基板１０’にアノダイジング絶縁層３５’を通じて絶縁状態を維持する電極パターン１２ａ’、１２ｂ’から上記基板１０’の極性とは異なる（−）または（＋）極性の電気端子が提供されてワイヤ４０’を通じて光源３０’に連結される。
【００５６】
そしてこのような多数個のＬＥＤ素子は、その下部面で優れた発熱作用が得られるようにするため、ヒートスラグの役割をするアルミニウム放熱部６５’を各々形成している。このようなヒートスラグ部分のアルミニウム放熱部６５’は、アノダイジング絶縁層３５’に囲まれて基板１０’の他の部分と電気的に絶縁を成し、アルミニウム材料の優れた伝熱特性によりＬＥＤ素子の優れた放熱効果を得ることが出来る。
【００５７】
さらに、このようなＬＥＤパッケージ１’も上記電極連結溝５２’とレンズ固定溝５４’とに各々絶縁層３５’が形成され、電極パターン１２ａ’、１２ｂ’と光源３０’との電気的連結がさらに確実に行われるようにする。
【００５８】
図９および図１０には、本発明のまた異なる変形実施例によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１’’が図示されている。
【００５９】
このような構造も図２乃至図６に説明したＬＥＤパッケージ１の構成に非常に類似で、その技術思想を同一に有するため、以下では同一構成要素には同一参照符号を与え、それに添え字（’’）を付けて区別する。
【００６０】
図９および図１０に図示された本発明のアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージ１’’は、白色光を発散するために多数個の、即ち青色ＬＥＤ素子、赤色ＬＥＤ素子および緑色ＬＥＤ素子を備え、これは何れも基板１０’’上にアノダイジング絶縁層３５’’を通じて絶縁状態を維持する電極パターン１２ａ’’、１２ｂ’’から（−）または（＋）極性の電気端子が提供されてワイヤ４０’’により連結された構造である。
【００６１】
このような多数個のＬＥＤ素子も、その下部面で優れた発熱作用が得られるようにするため、ヒートスラグの役割をするアルミニウム放熱部６５’’を各々形成している。このようなヒートスラグ部分のアルミニウム放熱部６５’’もアルミニウム材料の優れた伝熱特性によりＬＥＤ素子の優れた放熱効果を得ることが出来る。
【００６２】
そしてこのようなＬＥＤパッケージ１’’も上記電極連結溝５２’’とレンズ固定溝５４’’とに各々絶縁層３５’’が形成され、電極パターン１２ａ’’、１２ｂ’’と光源３０’’との電気的連結がより確実に行われる。
【００６３】
本発明は、特定の実施例に関して図示し説明したが、これは単なる例示として本発明を説明するために記載されたものであって、本発明をこのような特定構造に制限するのではない。当業界において通常の知識を有している者であれば、以下の特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域を外れない範囲内で本発明を多様に修正および変更できることが分かる。ところが、このような修正および変形構造は何れも本発明の権利範囲内に含まれることを明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】従来の技術によるＬＥＤパッケージを図示した分解斜視図である。
【図２】本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを図示した分解斜視図である。
【図３】本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを図示した平面図である。
【図４】本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージに備えられたレンズ部を図示した外観斜視図である。
【図５】本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを図示した断面図である。
【図６】本発明によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージが母基板から分離された状態を図示した外観斜視図である。
【図７】本発明の変形実施例によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを図示した平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図９】本発明のまた異なる変形実施例によるアノダイジング絶縁層を有するＬＥＤパッケージを図示した平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  本発明によるＬＥＤパッケージ
１０  基板
１２ａ、１２ｂ  電極パターン
１６  貫通孔（Ｖｉａ）
２０  反射領域
２２  中央反射領域
２４  傾斜反射領域
３０、３０’、３０’’  光源
３５、３５’、３５’’  アノダイジング絶縁層
４０  ワイヤ
５２  電極連結溝
５４  レンズ固定溝
６５’、６５’’  アルミニウム放熱部
７０  レンズ部
７２  突起
８０  母基板
２００  従来のＬＥＤパッケージ
２０５  電極パターン
２１０  基板
２１５  ＬＥＤ素子
２２０  反射部材
２２２  反射面
【図１】
0004787783.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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