(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜デバイス層を有するアクティブ基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、前記アクティブ基板と前記対向基板との間に液晶を封入する工程とを備え、
前記アクティブ基板を形成する工程は、
第１基板上に偏光膜を含む薄膜デバイス層を形成した後に前記薄膜デバイス層上に第１  接着層を介してもしくは被覆層と第１接着層とを介して第２基板を接着する工程と、
化学処理および機械的研磨処理および紫外線照射処理の少なくとも一つの処理を含む工
程により前記第１基板を完全または部分的に分離または除去する工程と、
前記薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した第１基板を、
第２接着層を介して複屈折を有するプラスチック基板からなる第３基板に接着する工程と、
前記第２基板を分離または除去する工程とを含み、
前記対向基板を形成する工程は、
複屈折を有するプラスチック基板からなる支持基板に偏光膜を形成する工程を含み、
前記アクティブ基板と前記対向基板との間に液晶を封入する工程は、
前記アクティブ基板と前記対向基板とを、前記液晶側に前記アクティブ基板および前記対向基板の前記偏光膜が配置されるように張り合わせる工程と、
前記アクティブ基板と前記対向基板との間に液晶を注入する工程とを含む
液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記偏光膜は前記リオトロピック液晶を塗布した後に硬化させることによって形成される、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板としてガラス基板または石英基板を用いる、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板を用いる液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、使用機器の小型化の影響を受けて、薄型化、軽量化、堅牢化に対する要求を受けている。しかしながら、液晶表示装置に使われる薄膜デバイスは、高温、真空という環境で作製されるために、製造に使われる基板に制限がある。例えば、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置では、１０００℃の温度に耐える石英基板、５００℃の温度に耐えるガラス基板が使われている。これらの基板の薄型化も検討されているが、石英基板、ガラス基板を用いる限り、基板の剛性が低下することを考慮して基板サイズを縮小せざるを得ず、それによって生産性が低下する。また、基板が薄くなれば堅牢さも急激に低下するため、実用上の問題点となる。
【０００３】
このように、製造基板に要求されている性能と実際に使用する際に求められている性能とが異なる。また、薄型、軽量、堅牢化が可能なプラスチック基板上に直接、薄膜デバイスを作製しようという試みもある。この場合、アクティブ素子を用いないパッシブ方式の液晶表示装置は、モノクロ型で量産化されているが、薄膜トランジスタや薄膜ダイオードを使用するアクティブ方式の液晶表示装置は、基板の耐熱温度の点から困難さが高い。
【０００４】
そこで、耐熱温度の高い製造基板上に形成した薄膜デバイスを実使用基板に転写する技術が検討されている。転写する方法としては、剥離層を設けてデバイス作製後に剥離層から剥離する方法（例えば、特許文献１参照。）や、エッチングによりガラス基板を除去してしまう方法（例えば、特許文献２参照。）などが検討されている。これらの方法を使用することによって、プラスチック基板上に薄膜デバイスを形成することが可能となる。
【０００５】
しかしながら、膨張係数の高い通常のプラスチック基板に薄膜デバイス層を形成すると、主に無機層で形成されている薄膜デバイス層とプラスチック基板の膨張係数が違うため、形成後に加熱すると、反るという問題がある。また、反った状態でさらに温度を上げると、薄膜層にクラックが入って破壊することもある。そのため、薄膜デバイス層をプラスチック基板上に形成するためには、熱膨張係数の低いプラスチック基板を使用しなければならない。
【０００６】
熱膨張係数の低いプラスチック基板で、工業的に生産されているものでは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのように延伸され複屈折を持っている基板、ガラスフィラーやガラスクロスなどを含んだ基板、ポリイミドのように着色している基板もしくは不透明な基板などがある。ガラスフィラーやガラスクロスなどを含んでいると、基板成形時に応力がかかりやすく複屈折を持ちやすい。着色している基板もしくは不透明な基板は、反射型の一方の基板としては使用できる可能性があるが透過型での使用は難しい。複屈折を持っている基板は、以下のような問題点がある。
【０００７】
まず、図１７および図１８に透過型液晶表示装置の光透過の概略図を示す。図１７および図１８は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置においてＴＮ液晶に電圧をかけ黒表示をしようとしているものである。
【０００８】
図１７は、複屈折を持たない基板を使用した場合の光透過概略図である。図１７に示すように、バックライト（図示せず）から出た光Ｌは、自然光で、偏光はしていない。その光Ｌは、第１偏光板５６０で直線偏光に変化し、そのまま複屈折がないアクティブ基板５１０、液晶層５２０、複屈折がない対向基板５３０を透過し、第２偏光板５７０まで到達し、第２偏光板５７０の偏光軸は第１偏光板５６０の偏光軸に垂直であるため、第２偏光板５７０により完全に遮断され透過されない。
【０００９】
また、図１８は、複屈折を持つ基板を使用した場合の光透過概略図である。図１８に示すように、バックライト（図示せず）から出た光Ｌは、自然光で、偏光はしていない。その光Ｌが、第１偏光板６６０で直線偏光に変わるが、アクティブ基板６１０が複屈折を持っていると、アクティブ基板６１０において直線偏光が楕円偏光に変化する。そのため、第２偏光板６７０の偏光軸が第１偏光板６６０の偏光軸に垂直であっても、光Ｌは、アクティブ基板６１０、液晶層６２０、対向基板６３０を透過し、さらに第２偏光板６７０を透過する。この結果、光Ｌは液晶表示装置を透過することになる。
【００１０】
また、延伸により複屈折を有する基板（例えば図１８に示したアクティブ基板）は、場所によって複屈折率が異なるため、パネル内で光の透過する量が異なり、均一な表示を行うことが困難となる。そのため、黒表示を行うことができず、またパネル内で明るさのバラツキも起こるため、液晶表示装置として正常な表示ができない。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３０号公報
【特許文献２】特開２００３−６８９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
解決しようとする問題点は、延伸により複屈折を持つ基板は、場所によって複屈折率が異なるため、パネル内で光の透過する量が異なり、均一な表示を行うことが困難となる点である。そのため、黒表示を行うことができず、またパネル内で明るさのバラツキも起こるため、液晶表示装置として正常な表示ができない点である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、薄膜デバイス層を有するアクティブ基板を形成す
る工程と、対向基板を形成する工程と、アクティブ基板と対向基板との間に液晶を封入す
る工程とを備え、アクティブ基板を形成する工程は、第１基板上に偏光膜を含む薄膜デバ
イス層を形成した後に薄膜デバイス層上に第１接着層を介してもしくは被覆層と第１接着
層とを介して第２基板を接着する工程と、化学処理および機械的研磨処理および紫外線照
射処理の少なくとも一つの処理を含む工程により第１基板を完全または部分的に分離また
は除去する工程と、薄膜デバイス層の第１基板が形成されていた側または部分的に残した
第１基板を、第２接着層を介して複屈折を有するプラスチック基板からなる第３基板に接
着する工程と、第２基板を分離または除去する工程とを含み、対向基板を形成する工程は、複屈折を有するプラスチック基板からなる支持基板に偏光膜を形成する工程を含み、アクティブ基板と対向基板との間に液晶を封入する工程は、アクティブ基板と対向基板とを、液晶側にアクティブ基板および対向基板の偏光膜が配置されるように張り合わせる工程と、アクティブ基板と対向基板との間に液晶を注入する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、アクティブ基板および対向基板の液晶側に偏光膜を形成するため、アクティブ基板および対向基板に複屈折を有する基板を用いることができる。よって、安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
安価な２軸延伸プラスチック基板を使用するという目的を、対向する１対の基板の少なくとも一方に液晶駆動用電極が形成され、基板間の間隔を保って形成された空間に液晶が封止された液晶表示装置の製造方法において、一対の基板の少なくとも一方の基板の液晶側に偏光膜を形成し、一対の基板の少なくとも一方の基板に複屈折を有する基板を用いることで、正常表示を実現した。
【００２２】
次に、具体的に本発明の液晶表示装置およびその製造方法に係る実施の形態例を、図１の模式断面図によって説明する。
【００２３】
図１に示すように、対向する１対の基板、すなわち、アクティブ基板１１と対向基板１２とを対向して設けて、その少なくとも一方に液晶駆動用電極（図示せず）を形成し、その基板間に設けたスペーサー（図示せず）により基板間の間隔を保って形成された空間に液晶層１３を封止した液晶表示装置１である。上記一対の基板のうち、少なくとも一方の基板には樹脂基板を用いている。図面の構成では一例として、アクティブ基板１１に複屈折を有する樹脂基板を用いる。また、図示はしないが、上記対向基板１２に樹脂基板を用いることもできる。さらに、上記一対の基板の少なくとも一方の上記液晶側に偏光膜を備える。図面では、アクティブ基板１１の液晶側に第１偏光膜１４を設け、対向基板１２の液晶側に第２偏光膜１５を設け、第１偏光膜１４の偏光軸と第２偏光膜１５の偏光軸とが垂直方向になるように、上記第１偏光膜１４と上記第２偏光膜１５とを配置する。
【００２４】
上記液晶表示装置の光透過の概略を図２によって説明する。図２に示すように、バックライト（図示せず）から出た光は、自然光で、偏光はしていない。その光は、まずアクティブ基板１１に入射するが、もともと偏光されてない光なので、複屈折を有するアクティブ基板１１に侵入しても変化はない。次に第１偏光膜１４により直線偏光に偏光され、そのまま第２偏光膜１５に到達するが、第２偏光膜１５の偏光軸は第１偏光膜１４の偏光軸に対して垂直な方向となっているため、光を通過させない。そのため、黒表示が可能となる。
【００２５】
次に、液晶層１３に電圧をかけない場合は、バックライト（図示せず）から出た光は、まずアクティブ基板１１に入射するが、もともと偏光されてない光なので、複屈折を有するアクティブ基板１１に侵入しても変化はない。次に第１偏光膜１４により直線偏光に偏光される。液晶層１３を通過する際に偏光軸が回転するため、第２偏光膜１５を通過することができる。次に、対向基板１２を通過する際に、楕円偏光になるが、明るさは変化しないため問題とはならない。
【００２６】
また、上記第１偏光膜１４、第２偏光膜１５は、自然光を直線偏光に変換できれば、どのようなものでもよい。一例としては、リオトロピック液晶を塗布した後に、硬化させることで作製することができる。これにより、複屈折を有する基板をアクティブ基板１１や対向基板１２に使用しても、正常な表示を行うことができる液晶表示装置となる。
【００２７】
上記液晶表示装置およびその製造方法では、アクティブ基板１１の液晶側に第１偏光膜１４を設け、対向基板１２の液晶側に第２偏光膜１５を設け、第１偏光膜１４の偏光軸と第２偏光膜１５の偏光軸とが垂直方向になるように、上記第１偏光膜１４と上記第２偏光膜１５とを配置するため、アクティブ基板１１および対向基板１２に複屈折を有する基板を用いることができるので、安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。
【実施例１】
【００２８】
本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を、図３〜図９によって説明する。本実施例では、プラスチック基板に透過型液晶用のアクティブ基板を作製した。
【００２９】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図３によって説明する。図３に示すように、第１基板１０１上に、後に行うフッ酸によるエッチング時における第１基板１０１の保護層１０２を形成する。上記第１基板１０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。上記保護層１０２は、フッ酸に耐えられる材料を用いて形成するもので、例えばモリブデン（Ｍｏ）層を用い、例えば５００ｎｍの厚さに形成した。今回、モリブデン層の膜厚を５００ｎｍとしたが、フッ酸に耐えられるならば、厚さを適宜変更しても問題ない。このモリブデンの保護層１０２は、例えばスパッタリング法によって成膜することができる。その後、絶縁層１０３を形成する。この絶縁層１０３は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）膜を５００ｎｍの厚さに成膜して形成する。この絶縁層１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００３０】
次に、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００３１】
まず、第１基板１０１上に保護層１０２を介して形成された絶縁層１０３上にゲート電極１０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極１０４に形成した。このゲート電極１０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極１０４上を被覆するようにゲート絶縁膜１０５を形成した。ゲート絶縁膜１０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００３２】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層１０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層１０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層１０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層１０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層１０９を形成した。このストッパー層１０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００３３】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなるパッシベーション膜１１０を形成した。このパッシベーション膜１１０上に、各ポリシリコン層１０８に接続するソース電極１１１およびドレイン電極１１２を形成した。各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
【００３４】
各ソース電極１１１およびドレイン電極１１２形成した後、カラーフィルター１１３を形成した。カラーフィルター１１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター１１３には、ソース電極１１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール１１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜１１４を形成した。保護膜１１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜１１４には、ソース電極１１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール１１４Ｃを形成した。
【００３５】
その後、ソース電極１１１に接続する画素電極１１５を形成した。この画素電極１１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００３６】
次に、上記画素電極１１５表面に第１偏光膜１１６を形成した。上記第１偏光膜１１６は、透過光の減衰が小さく、自然光を直線偏光に変換する機能があれば、どのような偏光膜であってもよい。今回は、一例として、リオトロピック液晶を主体とする液晶材料を塗布し硬化させることによって、上記第１偏光膜１１６を作製した。これは、水溶液の状態にてリオトロピック液晶となる液晶材料であり、水溶液状態で液晶分子の配向を一方向にそろえたまま硬化させることにより、偏光機能を持つことができるものである。液晶分子を配向させる方法としては、応力によるもの、直線偏光光を照射するもの、下地をラビングするものなどがあるが、今回はワイヤーバーを移動させることにより応力をかけながら塗布し、液晶を配向させた。その他に、ドクターブレードなどで塗布してもよい。塗布後に、液晶を硬化させるために加熱を行った。
【００３７】
以上の工程により、第１基板１０１上に第１偏光膜１１６を備えたアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００３８】
次に、第１基板１０１上の薄膜デバイス層１２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００３９】
図４（１）に示すように、第１基板１０１上に保護層１０２、絶縁層１０３、薄膜デバイス層１２１を形成したものをホットプレート１２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤１２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板１２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板１２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板１２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に保護層１０２から薄膜デバイス層１２１が形成された第１基板１０１の薄膜デバイス層１２１側を載せてもよい。上記第１接着剤１２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００４０】
次に、図４（２）に示すように、第２基板１２４を貼り付けた第１基板１０１をフッ酸（ＨＦ）１２５に浸漬して、第１基板１０１のエッチングを行った。このエッチングは、保護層１０２であるモリブデン層がフッ酸１２５にエッチングされないため、このエッチングは保護層１０２で自動的に停止する。ここで用いたフッ酸１２５は、一例として、重量濃度が５０％のもので、このエッチング時間は３．５時間とした。フッ酸１２５の濃度とエッチング時間は、第１基板１０１のガラスを完全にエッチングすることができるならば、変更しても問題はない。
【００４１】
上記フッ化水素酸１２５によるエッチングの結果、図５（３）に示すように、第１基板１０１〔前記図４（２）参照〕が完全にエッチングされ、保護層１０２が露出される。
【００４２】
次に、混酸〔例えば、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）７２wt％と硝酸（ＨＮＯ3）３wt％と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）１０wt％〕により、保護層１０２〔前記図５（３）参照〕であるモリブデン層（厚さ：５００ｎｍ）をエッチングした。これは、透過型の液晶パネルを作製するために、不透明なモリブデン層があると問題となるためである。上記混酸で５００ｎｍの厚さのモリブデン層をエッチングするのに必要な時間は約１分である。このエッチングの結果、図５（４）に示すように、この混酸は第１絶縁層１０３である酸化珪素をエッチングしないため、第１絶縁層１０３で自動的にエッチングが停止する。
【００４３】
次に、図５（５）に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層１２１の裏面側、すなわち絶縁層１０３表面に、第２接着層１２６を、例えばスピンコート法により形成した。第２接着層１２６には例えば紫外線硬化型接着剤を用いた。
【００４４】
続けて、上記第２接着層１２６に第３基板１２７を貼り付けた。第３基板１２７には、複屈折を有するプラスチック基板を用いることができ、例えばポリエチレンナフタレート基板を用いることができる。このポリエチレンナフタレート基板は、２軸延伸させて形成されているため、複屈折を有しており、線膨張係数は１３ｐｐｍである。上記第３基板１２７の厚さは、１０μｍ〜５００μｍが望ましく、今回は第３基板１２７の厚さは２００μｍのものを用いた。その後、紫外線を照射して第２接着層１２６を硬化させた。なお、上記第２接着層１２６を上記第３基板１２７側に塗布して、絶縁層１０３を貼り合わせてもよい。上記第３基板１２７には、ポリエチレンナフタレート基板の他に、２軸延伸処理をしたポリエチレンテレフタレート基板を用いることができ、また、繊維を含有する基板を用いることもできる。この繊維としては、ガラス繊維、芳香族ポリアミド系繊維、アラミド系繊維、ポリエステル繊維、ナイロン繊維、ポリベンゾール繊維、炭素繊維をあげることができ、好ましくはガラス繊維を用いる。またこれらの繊維は、平織り、ななこ織り、朱子織り、綾織り等の種々の織り方で織られた布として用いることができ、好ましくは平織りを用いる。
【００４５】
次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層１２３〔前記図４（１）参照〕を溶かして第２基板１２４〔前記図４（１）参照〕を外した。その結果、図６（６）に示すように、第３基板１２７上に第２接着層１２６、絶縁層１０３を介して第１偏光膜〔前記図３参照〕を含む薄膜デバイス層１２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）１００を得た。
【００４６】
次に、対向基板の製造例を、図７の概略構成断面図によって説明する。
【００４７】
図７に示すように、対向基板１３０としては、支持基板１３１にプラスチック基板を用意し、さらに上記支持基板１３１側の全面に透明電極１３２、第２偏光膜１３３を順に形成したものである。上記支持基板１３１には、例えば上記第３基板１２７と同様なプラスチック基板を用いることができ、例えばポリエチレンナフタレート基板を用いた。この支持基板１３１には、ポリエチレンナフタレート基板の他に、例えばポリエチレンテレフタレート基板も用いることができ、また、その他の２軸延伸させて形成されているために複屈折を有しているプラスチック基板を用いることもできる。上記透明電極１３２には、例えばＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）を用いた。このＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法により成膜した。また、上記第２偏光膜１３３は、透過光の減衰が小さく、自然光を直線偏光に変換する機能があれば、どのような偏光膜であってもよく、例えば上記第１偏光膜１１６と同様なものを用いることができる。
【００４８】
次に、図８に示すように、上記対向基板１３０とアクティブ基板１００とに図示はしないが配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布してラビング処理を行う配向処理を行った。ラビング方向は、アクティブ基板１００と対向基板１３０とで互いに垂直になるように行った。今回は、ノーマリーホワイトモードとしたが、ノーマリーブラックモードにするには、２つの偏光膜（第１、第２偏光膜１１６、１３３）の偏光軸を垂直になるように変更を行えばよい。
【００４９】
次に、図９に示すように、アクティブ基板１００にはシール剤（図示せず）を塗布し、対向基板１３０には多数のスペーサー１４０を散布した。
【００５０】
そして、アクティブ基板１００と対向基板１３０とを張り合わせた後、例えば１ｋｇ／ｃｍ2で加圧しながら紫外線を照射してシール剤を硬化させた。次に、レーザー加工によりパネルの大きさに切断した後、注入口（図示せず）から液晶１５０を注入して、注入口をモールド樹脂で覆い、モールド樹脂を硬化させ、液晶表示パネル１を作製した。今回は液晶にはＴＮ液晶を用いた。
【００５１】
上記工程により作製した液晶表示装置は、第１基板１０１上に第１偏光膜１１６を含む薄膜デバイス層１２１を形成するため、第３基板１２７に複屈折を有する基板を用いることができるので、第３基板１２７に安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。また、基板の線膨張係数が低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。また、第３基板１２７、対向基板１３０の支持基板１３１に複屈折を有するプラスチック基板を使用しているが、第１、第２偏光膜１１６、１３３がプラスチック基板の内側（液晶層１５０側）にあるため、通常と同じ表示ができる。
【実施例２】
【００５２】
本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を、図１０〜図１１の断面図によって説明する。第２実施例では、プラスチック基板上に反射型液晶用のアクティブ基板を作製した。
【００５３】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図１０によって説明する。図１０に示すように、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２を形成する。上記第１基板２０１には、例えば厚さ０．４ｍｍ〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。また上記アモルファスシリコン層２０２の膜厚は、例えば５０ｎｍとした。この膜厚は１０ｎｍ〜５００ｎｍであるならば問題はない。アモルファスシリコン層２０２の成膜方法は、プラズマＣＶＤ法を用いた。プラズマＣＶＤ法では、アモルファスシリコン層２０２中に、水素を多く含むように、また製造途中で薄膜デバイス層が剥がれない限りの低温が望ましい。今回は１５０℃にて成膜を行った。また、低圧ＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、スパッタ法によりアモルファスシリコン層２０２を成膜しても問題はない。
【００５４】
次いで、上記アモルファスシリコン層２０２上に保護絶縁層２０３を成膜する。この保護絶縁層２０３は、例えば１００ｎｍの厚さに形成した。この保護絶縁層２０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって成膜することができる。
【００５５】
その後、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００５６】
まず、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２を介して形成された保護絶縁層２０３上にゲート電極２０４を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜をゲート電極２０４に形成した。このゲート電極２０４は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極２０４上を被覆するようにゲート絶縁膜２０５を形成した。ゲート絶縁膜２０５は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００５７】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層２０６を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層２０７、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層２０８を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層２０６上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層２０９を形成した。このストッパー層２０９は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００５８】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなるパッシベーション膜２１０を形成した。このパッシベーション膜２１０上に、各ポリシリコン層２０８に接続するソース電極２１１およびドレイン電極２１２を形成した。各ソース電極２１１およびドレイン電極２１２は例えばアルミニウム、アルミニウム合金、高融点金属等の導電性材料で形成した。
【００５９】
各ソース電極２１１およびドレイン電極２１２形成した後、カラーフィルター２１３を形成した。カラーフィルター２１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。カラーフィルター２１３には、ソース電極２１１と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール２１３Ｃを形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次に、平坦化を行うために保護膜２１４を形成した。保護膜２１４は例えばポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により形成した。また保護膜２１４には、ソース電極２１１と液晶駆動用電極とが接続されるようにコンタクトホール２１４Ｃを形成した。
【００６０】
その後、ソース電極２１１に接続する画素電極２１５を形成した。この画素電極２１５は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００６１】
次に、上記画素電極２１５表面に第１偏光膜２１６を形成した。上記第１偏光膜２１６は、透過光の減衰が小さく、自然光を直線偏光に変換する機能があれば、どのような偏光膜であってもよい。今回は、一例として、リオトロピック液晶を主体とする液晶材料を塗布し硬化させることによって、上記第１偏光膜２１６を作製した。これは、水溶液の状態にてリオトロピック液晶となる液晶材料であり、水溶液状態で液晶分子の配向を一方向にそろえたまま硬化させることにより、偏光機能を持つことができるものである。液晶分子を配向させる方法としては、応力によるもの、直線偏光光を照射するもの、下地をラビングするものなどがあるが、今回はワイヤーバーを移動させることにより応力をかけながら塗布し、液晶を配向させた。その他に、ドクターブレードなどで塗布してもよい。塗布後に、液晶を硬化させるために加熱を行った。
【００６２】
以上の工程により、第１基板２０１上に第１偏光膜２１６を備えたアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００６３】
次に、第１基板２０１上の薄膜デバイス層をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００６４】
図１１（１）に示すように、第１基板２０１上にアモルファスシリコン層２０２、保護絶縁層２０３を介して形成されている薄膜デバイス層２２１に、第１接着剤２２２を介して第２基板２２３を貼り付ける。この第２基板２２３には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板２２３にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板２２３上に第１接着剤２２２を形成して、その上にアモルファスシリコン層２０２から薄膜デバイス層２２１までが形成された第１基板２０１の薄膜デバイス層２２１側を載せてもよい。上記第１接着剤２２２には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００６５】
次に、ガラス基板からなる第１基板２０１側からキセノン塩素（ＸｅＣｌ）エキシマレーザー光を照射した。ガラスは上記エキシマレーザー光を透過させるため、レーザー光は、アモルファスシリコン層２０２で吸収される。アモルファスシリコン層２０２に紫外線が吸収されると水素が発生し、アモルファスシリコン層２０２を境として薄膜デバイス層２２１と第１基板２０１との分離が起きる。この技術の詳細は、特開平１０−１２５９３０号公報に開示されている。その結果、図１０（２）に示すように、保護絶縁層２０３が露出された。
【００６６】
次に、図１１（３）に示すように、保護絶縁層２０３に第２接着層２２４を形成した。この第２接着層２２４は、例えば紫外線硬化接着剤を塗布により形成される。塗布方法は、スプレーコーティング、ディップコーティングもしくはスピンコーティングを用いることができる。
【００６７】
続けて、上記第２接着層２２４に第３基板２２５を貼り付けた。第３基板２２５には、複屈折を有するプラスチック基板を用いることができ、例えばポリエチレンナフタレート基板を用いることができる。このポリエチレンナフタレート基板は、２軸延伸させて形成されているため、複屈折を有しており、線膨張係数は１３ｐｐｍである。上記第３基板２２５の厚さは、１０μｍ〜５００μｍが望ましく、今回は第３基板２２５の厚さは２００μｍのものを用いた。その後、紫外線を照射して第２接着層２２４を硬化させた。なお、上記第２接着層２２４を上記第３基板２２５側に塗布して、保護絶縁層２０３を貼り合わせてもよい。上記第３基板２２５には、ポリエチレンナフタレート基板の他に、２軸延伸処理をしたポリエチレンテレフタレート基板を用いることができ、また、繊維を含有する基板を用いることもできる。この繊維としては、第１実施例で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００６８】
次に、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層２２３〔前記図１１（１）参照〕を溶かして第２基板２２３〔前記図１１（１）参照〕を外した。その結果、第３基板２２５上に第２接着層２２４、保護絶縁層２０３を介して第１偏光膜〔前記図３参照〕を含む薄膜デバイス層２２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板）を得た。
【００６９】
その後の液晶表示装置に組み立てる工程は、第１実施例で説明したのと同様である。
【００７０】
上記工程により作製した液晶表示装置は、第１基板２０１上に第１偏光膜２１６を含む薄膜デバイス層２２１を形成するため、第３基板２２５に複屈折を有する基板を用いることができるので、第３基板２２５に安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。また、基板の線膨張係数が低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。また、液晶表示装置に組み立てる工程は、第１実施例で説明したのと同様であるので、第３基板２２５、対向基板の支持基板に複屈折を有するプラスチック基板を使用しても、第１、第２偏光膜がプラスチック基板の内側（液晶層側）となるため、通常と同じ表示ができる。
【実施例３】
【００７１】
次に、本発明の液晶表示装置およびその液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を、図１２〜図１６の製造工程図によって説明する。この第３実施例では、反射型の液晶表示装置用のアクティブ基板を作製する。
【００７２】
まず、薄膜デバイス層の形成方法を図１２によって説明する。図１２に示すように、第１基板３０１として、例えば厚さ０．４〜１．１ｍｍ程度、例えば０．７ｎｍ厚のガラス基板を用いる。このガラス基板のかわりに石英基板を用いてもよい。
【００７３】
その後は、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。薄膜デバイス層の形成方法の一例を以下に説明する。
【００７４】
まず、第１基板３０１上にゲート電極３０２を形成するための導電膜を形成した。この導電膜には例えば厚さが１００ｎｍのモリブデン（Ｍｏ）膜を用いた。モリブデン膜の形成方法としては例えばスパッタリング法を用いた。そして上記導電膜を加工してゲート電極３０２を形成した。このゲート電極３０２は、一般的なフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングして形成した。次いで、ゲート電極３０２上を被覆するようにゲート絶縁膜３０３を形成した。ゲート絶縁膜３０３は、例えばプラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体で形成した。さらに連続的に非晶質シリコン層(厚さ３０ｎｍ〜１００ｎｍ)を形成した。
【００７５】
この非晶質シリコン層に波長３０８ｎｍのＸｅＣlエキシマレーザパルスを照射し熔融再結晶化し結晶シリコン層（ポリシリコン層）を作製した。このポリシリコン層を用いて、チャネル形成領域となるポリシリコン層３０４を形成し、その両側にｎ-型ドープ領域からなるポリシリコン層３０５、ｎ+型ドープ領域からなるポリシリコン層３０６を形成した。このように、アクティブ領域は高いオン電流と低いオフ電流を両立するためのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造とした。またポリシリコン層３０４上にはｎ-型のリンイオン打込み時にチャネルを保護するためのストッパー層３０７を形成した。このストッパー層３０７は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）層で形成した。
【００７６】
さらに、プラズマＣＶＤ法によって、酸化珪素（ＳｉＯ2）層、または酸化珪素（ＳｉＯ2）層と窒化珪素（ＳｉＮx）層との積層体からなるパッシベーション膜３０８を形成した。このパッシベーション膜３０８上に、各ポリシリコン層３０６に接続するソース電極３０９およびドレイン電極３１０を形成した。各ソース電極３０９およびドレイン電極３１０は例えばアルミニウムで形成した。
【００７７】
上記各ソース電極３０９およびドレイン電極３１０を形成した後、素子を保護するためと平坦化を行うためにポリメチルメタクリル酸樹脂系の樹脂により保護膜３１１を形成した。保護膜３１１は、この次に形成する反射層３１２に凹凸がつくように、凹凸をつけ、またソース電極３０９と画素電極３１４が接続されるようにコンタクトホール３１１Ｃを形成した。その後、反射層３１２を形成した。この反射層３１２は、例えば、スパッタリングによって銀（Ａｇ）を堆積することで形成した。
【００７８】
その後、カラーフィルター３１３を形成した。カラーフィルター３１３は、カラーレジストを全面に塗布した後、リソグラフィー技術でパターニングを行って形成した。このカラーフィルターの形成工程を３回行って、ＲＧＢの３色（赤、緑、青）を形成した。次いで、カラーフィルター３１３に、ソース電極３０９と後に形成する液晶駆動用電極が接続されるようにコンタクトホール３１３Ｃを形成した。
【００７９】
次に、ソース電極３０９に反射層３１２を介して接続する画素電極３１４を形成した。この画素電極３１４は、例えば、透明電極で形成される。透明電極としては、例えばインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）により形成され、その形成方法としてはスパッタリング法が用いられる。
【００８０】
以上の工程により、ガラス上に透過型のアクティブマトリックス基板が作製できた。また、今回は、ボトムゲート型ポリシリコンＴＦＴを作製したが、トップゲート型ポリシリコンＴＦＴやアモルファスＴＦＴでも同じように実施できる。
【００８１】
次に、第１基板３０１上の薄膜デバイス層３２１をプラスチック基板上に移載する工程を説明する。
【００８２】
図１３（１）に示すように、第１基板３０１上に薄膜デバイス層３２１を形成したものをホットプレート３２２で８０℃〜１４０℃に加熱しながら、第１接着剤３２３を厚さ１ｍｍ程度に塗布し、第２基板３２４を上に載せ、加圧しながら、室温まで冷却した。第２基板３２４には、例えば厚さ１ｍｍのモリブデン基板を用いた。または、第２基板３２４にガラス基板を用いてもよい。または、第２基板１２４上に第１接着剤１２３を塗布して、その上に第１基板３０１の薄膜デバイス層３２１が形成された側を載せてもよい。上記第１接着剤３２３には、例えばホットメルト接着剤を用いた。
【００８３】
次に、図１３（２）に示すように、第２基板３２４を貼り付けた第１基板３０１をフッ酸（フッ化水素酸）溶液３２５に浸漬して、第１基板３０１の一部をエッチングした。このエッチングでは、一例として、重量濃度が１５％〜２５％のフッ酸溶液を用い、エアーブローによるバブリングによりフッ酸溶液を攪拌しながら室温で約３時間行った。フッ酸溶液３２５の濃度とエッチング時間は、第１基板３０１のガラスが所定の厚さだけ残る状態であるならば、変更しても問題はない。
【００８４】
上記フッ酸溶液３２５によるエッチングの結果、図１４（３）に示すように、第１基板３０１が所望の厚さだけ残される。例えば、第１基板３０１は３０μｍ程度の厚さだけ残す。上記第１基板３０１の部分除去工程は上記説明したように化学的なエッチングにより行うこともできるが、化学的機械研磨、化学研磨、機械研磨等により行うこともできる。
【００８５】
次に、図１４（４）に示すように、上記エッチング後に、薄膜デバイス層３２１の裏面側、すなわち第１基板３０１表面に、第２接着層３２６を形成した。上記第２接着層３２６は、例えば紫外線硬化接着剤を用いて形成される。紫外線硬化接着剤は、スピンコートにより塗布した。続けて、上記第２接着層３２６に第３基板３２７を貼り付けた。第３基板３２７には、複屈折を有するプラスチック基板を用いることができ、例えばポリエチレンナフタレート基板を用いることができる。このポリエチレンナフタレート基板は、２軸延伸させて形成されているため、複屈折を有しており、線膨張係数は１３ｐｐｍである。上記第３基板３２７の厚さは、１０μｍ〜５００μｍが望ましく、今回は第３基板３２７の厚さは２００μｍのものを用いた。上記第３基板３２７には、ポリエチレンナフタレート基板の他に、２軸延伸処理をしたポリエチレンテレフタレート基板を用いることができ、また、繊維を含有する基板を用いることもできる。この繊維としては、第１実施例で説明したのと同様なものを用いることができる。
【００８６】
そして紫外線を照射して上記第２接着層３２６を硬化させ、第１基板３０１と第３基板３２７とを接着した。ここでは、第１基板３０１側に第２接着層３２６を塗布したが、プラスチック基板の第３基板３２７に第２接着層３２６を塗布形成した後、第１基板３０１に第２接着層３２６を介して第３基板３２７を貼り合わせてよい。
【００８７】
次に、図１４（５）に示すように、上記基板をアルコール（図示せず）中に浸漬し、ホットメルト接着剤からなる第１接着層３２３〔前記図１４（４）参照〕を溶かして第２基板３２４〔前記図１４（４）参照〕を外した。その結果、第３基板３２７上に第２接着層３２６、第１基板３０１を介して薄膜デバイス層３２１が載った薄膜デバイス（アクティブ基板３００）を得た。
【００８８】
次に、対向基板の製造例を、図１５の概略構成断面図によって説明する。
【００８９】
図１５に示すように、対向基板３３０としては、支持基板３３１にプラスチック基板を用意し、さらに上記支持基板３３１側の全面に透明電極３３２、偏光膜３３３、位相差膜３３４を順に形成したものである。上記支持基板３３１には、例えば上記第３基板３２７と同様なプラスチック基板を用いることができ、例えばポリエチレンナフタレート基板を用いた。この支持基板３３１には、ポリエチレンナフタレート基板の他に、例えばポリエチレンテレフタレート基板も用いることができ、また、その他の２軸延伸させて形成されているために複屈折を有しているプラスチック基板を用いることもできる。上記透明電極３３２には、例えばＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）を用いた。このＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法により成膜した。また、上記偏光膜３３３は、透過光の減衰が小さく、自然光を直線偏光に変換する機能があれば、どのような偏光膜であってもよく、前記第１実施例で説明した第１偏光膜１１６と同様なものを用いることができる。上記位相差膜３３４は、偏光膜３３３上にネマチック相を示す紫外線硬化性の液晶モノマーを塗布し、紫外線を照射することで硬化させ、液晶ポリマーとさせることにより形成した。また、上記位相差膜３３４の位相差はλ／４（λは波長）とした。
【００９０】
次に、図１６に示すように、上記対向基板３３０とアクティブ基板３００とに図示はしないが配向膜（例えばポリイミド膜）を塗布してラビング処理を行う配向処理を行った。対向基板３３０のラビング方向は対向の偏光膜３３３の偏光軸と同じ方向とし、アクティブ基板３００のラビング方向は、セル構成がアンチパラレルとなるようにした。
【００９１】
その後の工程は、前記第１実施例と同様である。
【００９２】
上記工程により作製した液晶表示装置は、反射型のアクティブ基板３００であり、対向基板３３０に偏光膜３３３を形成するため、第３基板３２７および支持基板３３１に複屈折を有する基板を用いることができるので、第３基板３２７および支持基板３３１に安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。また、基板の線膨張係数が低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。また、第３基板３２７および支持基板３３１に複屈折率を有するプラスチック基板を使用しているが、偏光膜３３３がプラスチック基板の内側（液晶層側）にあるため、通常と同じ表示ができる。
【実施例４】
【００９３】
次に、本発明の液晶表示装置およびその液晶表示装置の製造方法に係る第４実施例を説明する。
【００９４】
第４実施例の液晶表示装置は、アクティブ基板として、ガラス基板上に、一般的な低温ポリシリコン技術、例えば「２００３  ＦＰＤテクノロジー大全」（電子ジャーナル２００３年３月２５日発行、ｐ．１６６−１８３およびｐ．１９８−２０１）、「'９９最新液晶プロセス技術」（プレスジャーナル１９９８年発行、ｐ．５３−５９）、「フラットパネル・ディスプレイ１９９９」（日経ＢＰ社、１９９８年発行、ｐ．１３２−１３９）等に記載されているような低温ポリシリコンボトムゲート型薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと記す）プロセスでＴＦＴを含む薄膜デバイス層を形成した。この薄膜デバイス層を形成する工程は、前記第１実施例と同様である。その後、前記第１実施例ではフッ酸によるエッチングで第１基板（ガラス基板）を薄くし、その後のプロセスで薄膜デバイス層をプラスチック基板の第３基板に移載したが、第４実施例では、第１基板をフッ酸でエッチングせずにアクティブ基板として使用した。また、対向基板として第１実施例で使用したポリエチレンナフタレート基板を用いた。その他の工程は、前記第１実施例と同様である。
【００９５】
上記工程により作製した液晶表示装置は、薄膜デバイス層を形成する工程が前記第１実施例と同様であるため、アクティブ基板に複屈折を有する基板を用いることができるので、アクティブ基板に安価な２軸延伸プラスチック基板を使用することができ、コストが安くなるという利点がある。また、基板の線膨張係数が低いため、温度を上げてもクラック等は発生しない。また、アクティブ基板および対向基板に複屈折を有するプラスチック基板を使用しているが、前記第１実施例と同様であるため、第１、第２偏光膜がプラスチック基板の内側（液晶層側）に形成されるため、通常と同じ表示ができる。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法は、プラスチック基板を用いた液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に適用するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る実施の形態を示した模式断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置に係る光透過の概略を示した説明図である。
【図３】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図４】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略斜視図である。
【図９】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第１実施例を示した概略構成断面図である。
【図１０】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を示した断面図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第２実施例を示した断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を示した断面図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を示した断面図である。
【図１４】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を示した断面図である。
【図１５】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を示した断面図である。
【図１６】本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に係る第３実施例を示した概略斜視図である。
【図１７】従来の液晶表示装置の光透過の概略を示した説明図である。
【図１８】従来の液晶表示装置の光透過の概略を示した説明図である。
【符号の説明】
【００９８】
１…液晶表示装置、１１…アクティブ基板、１２…対向基板、１３…液晶層、１４…第１偏光膜、１５…第２偏光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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