(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素子の下地電極上に無電解ニッケルめっきを行う工程を備え、
前記工程では、前記セラミック素子を、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、かつ、ｐＨが７〜１０である無電解めっき液と接触させ、
前記セラミック素子はＺｎＯを主成分とするセラミック層を有し、
前記セラミック層の少なくとも一部が前記セラミック素子の表面に露出し、
前記下地電極はガラス成分を含む金属材料であり、
前記下地電極及び前記セラミック層の露出部上に金属触媒が付与されており、
前記接触により、前記セラミック層の露出部上に付与された金属触媒をアンモニアにより前記セラミック層の表面から脱離させる、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記無電解めっき液の還元剤の濃度が０．１〜２ｍｏｌ／Ｌである請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記無電解めっき液のアンモニアの濃度が０．０１〜２ｍｏｌ／Ｌである請求項１又は２記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記無電解めっき液のニッケル濃度は３．０〜５．５ｇ／Ｌである請求項１〜３のいずれか一項記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記無電解めっき液が、さらに、アンモニア以外の錯化剤を含み、ニッケルのモルに対するアンモニア以外の錯化剤のモル比が１／２以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記還元剤は次亜リン酸塩を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記工程において、前記無電解めっき液の温度が２０〜５０℃である請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層チップコンデンサ、バリスタ等、セラミック層中に電極板等の導電材料が埋め込まれるとともにセラミック層の表面に端子電極が形成されたセラミック電子部品が知られている。このようなセラミック電子部品においては、セラミック層の表面に表面実装用の端子電極を形成する必要がある。このような端子電極は、具体的には、セラミック層の表面の一部の上に下地電極を金属ペースト塗布及び焼結等により形成し、下地電極の上に無電解めっきを行うことにより行われることがある。
【０００３】
無電解めっきにおいては、予めめっきの核となるパラジウム等の金属触媒をめっき対象物となる下地電極上に付着させる場合が多い。このような触媒付与処理は、通常、対象物を触媒含有溶液に浸漬することにより行われるので、めっきをしたい部分である下地電極だけでなく、めっきをしたくないセラミック層の表面にも金属触媒が付着してしまう。セラミック層の表面に金属触媒が付着していると、セラミック層の表面にもめっきがなされてしまう。そうすると、めっき層が下地電極上から下地電極以外のところまで大きく伸びてしまう「めっき伸びの増大」や、めっき層が下地電極から離れたセラミック層の上に孤立して形成されてしまう「めっき付着」等が発生し、好ましくない。
【０００４】
したがって、特許文献１に記載されているように、めっき前にセラミック層の表面に付着した触媒を除去する触媒除去工程を行うことが考えられる。
【０００５】
また、無電解めっきにおいては、セラミック層からセラミック成分がめっき液に溶出することをなるべく抑制したいという要望があり、例えば、特許文献２に記載されているようにセラミック成分を予めめっき液に溶かしておくという方法がある。
【特許文献１】特開２００３−２９３１４３号公報
【特許文献２】特開２００３−２６８５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の技術では、触媒除去工程を行うために工程数が増えて煩雑である。また、特許文献２の方法では、セラミック成分は無電解めっきの触媒毒となりやすく好ましくない。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、めっき伸びやめっき付着を効率よく抑制でき、かつ、セラミック層の溶出を十分に抑制できる無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、セラミック素子の下地電極上に無電解ニッケルめっきを行う工程を備え、この工程では、セラミック素子を、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、かつ、ｐＨが７〜１０である無電解めっき液と接触させる。本発明に係る製造方法は、セラミック層の少なくとも一部が表面に露出しているセラミック素子に好適である。さらに、セラミック層及び下地電極が表面に露出すると共に当該表面上に金属触媒が付与されたセラミック素子の無電解めっきに特に好適である。
【０００９】
本発明に係る無電解めっき液は、セラミック層の少なくとも一部が表面に露出しているセラミック素子に無電解めっきを行うための無電解めっき液であり、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、かつ、ｐＨが７〜１０である。本無電解めっき液は、セラミック層及び下地電極が表面に露出し、さらに、この表面に金属触媒が付与されたセラミック素子に無電解めっきを行うために用いると効果的である。
【００１０】
本発明によれば、無電解めっき液中において、セラミック層表面に付与された金属触媒はアンモニアにより錯化されてセラミック層表面から脱離する一方、下地電極上の金属触媒は錯化されずに下地電極上に残る。これは、セラミック層と金属触媒との結合力が、下地電極と金属触媒との結合力よりも小さいことによるものと考えられる。したがって、残った金属触媒を核としてセラミック素子の下地電極上に選択的にめっき層が形成され、セラミック層表面上へのめっき層の形成が抑制される。したがって、金属触媒を除去するための前処理工程が不要となる。
【００１１】
さらに、めっき液のｐＨが７〜１０とされているので、セラミック層のめっき液への溶出が抑制される。とくに、セラミックがＺｎＯであると、めっき液による溶出が著しいが、本めっき液によれば溶出が十分に抑制される。また、下地電極がガラス成分を含んでいる場合には、この下地電極からのガラス成分の溶出も問題となるが、本めっき液によれば、ガラス成分の溶出も抑制され、特に、鉛を含まないガラスフリットを含む下地電極の場合にその効果が高い。ｐＨが７より小さくなるとめっき速度が低下して好ましくない。温度を上げるとめっき速度は速くなるが、素体のエッチング量も増大するので好ましくない。ｐＨが１０を超えるとめっき液が不安定になり、液ライフが短くなるので好ましくない。
【００１２】
ここで、還元剤は次亜リン酸塩を含むことが好ましい。このような還元剤を用いると、特に、下地電極以外のセラミック表面にめっき層が形成されることを特に抑制できる。
【００１３】
また、アンモニア以外の錯化剤を含み、ニッケルのモル比に対するアンモニア以外の錯化剤のモル比が１／２以下であることが好ましい。
【００１４】
アンモニア以外の錯化剤はセラミックスやガラス成分を溶出させる傾向があるが、上述の条件を満たすとこれらの溶出を極めて低く維持できる。
【００１５】
また、ニッケル濃度は５．５ｇ／Ｌ以下、好ましくは、４．５ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。ニッケル濃度が５．５ｇ／Ｌ以下であると、めっき液の寿命を延ばすことができる。また、セラミックの溶出量もより少なくできる。
【００１６】
また、めっき工程において、無電解めっき液の温度が２０〜５０℃であることが好ましい。これによりセラミックやガラス成分の溶出をより一層抑制できる。
【発明の効果】
【００１７】
めっき伸びやめっき付着を効率よく抑制でき、かつ、セラミック層の溶出を十分に抑制できる無電解めっき液及びセラミック電子部品の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
まず、本実施形態に係る無電解めっき液について説明する。
【００１９】
本発明に係る無電解めっき液は、ニッケル、還元剤、及び、アンモニアを含有し、ｐＨが７〜１０、好ましくは、８〜９である。この無電解めっき液は、好ましくは、さらに、錯化剤、ｐＨ緩衝剤（バッファー剤）及びｐＨ調整剤等の添加剤を含むことができる。
【００２０】
ニッケル源としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、酢酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル等のニッケル塩が挙げられ、これらを単独又は適宜混合して水に溶解することにより使用することができる。ニッケルは、めっき液中のニッケル濃度が５．５ｇ／Ｌ以下、好ましくは４．５ｇ／Ｌ以下となるようにめっき液中に含有されていると好ましい。この場合には、ニッケルの沈殿が発生し難く、錯化剤の量を減らすことができる。
【００２１】
還元剤は、ニッケルを還元させるものであり、リン酸塩やホウ素化合物、ヒドラジン等が挙げられる。リン酸塩としては、次亜リン酸カリウム、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、亜リン酸カリウム、亜リン酸ナトリウム等の亜リン酸塩が好ましく、特に、チップ本体でなく下地電極上に選択的にめっきを行う観点から、次亜リン酸塩が好ましい。ホウ素化合物としては、ジメチルヘキサボラン、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、ジエチルアミンボラン、モルホリンボラン、ピリジンアミンボラン、ピペリジンボラン、エチレンジアミンボラン、エチレンジアミンビスボラン、ｔ−ブチルアミンボラン、イミダゾールボラン、メトキシエチルアミンボラン、及びホウ水素化ナトリウム等が挙げられる。
【００２２】
還元剤のめっき液中の濃度は０．１〜２ｍｏｌ／Ｌ、特に０．１〜１ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。
【００２３】
アンモニアの好ましい濃度は、０．０１〜２ｍｏｌ／Ｌである。アンモニアの添加は、例えば、めっき液中に、アンモニア水を添加することにより行われる。
【００２４】
めっき液は、さらに、錯化剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調整剤を含むことができる。
【００２５】
例えば、錯化剤としては、グリシン等のアミノ酸、クエン酸ナトリウムやクエン酸アンモニウム等のクエン酸塩、乳酸、シュウ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、グルコン酸等のナトリウム塩もしくはアンモニウム塩、アンモニア等が挙げられる。特に、アンモニアはセラミックの溶出を増加させ難く、ｐＨ調整剤としても用いることができ、さらに、上述のアンモニア源ともなるので好適である。アンモニア以外の錯化剤の量は、ニッケルのモル濃度よりも小さいことが好ましく、ニッケルのモル濃度の半分以下であることがより好ましい。アンモニア以外の錯化剤の量が増えると、セラミックやガラス成分の溶出量が増える傾向がある。クエン酸塩は特にセラミックやガラス成分の溶出量を少なくできる。
【００２６】
ｐＨ緩衝剤としては、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、ホウ酸、酢酸ナトリウム等が挙げられる。
【００２７】
ｐＨ調整剤としては、酸やアルカリを使用でき、アンモニア、ＮａＯＨ，炭酸Ｎｉ、硫酸、塩酸等が挙げられる。アンモニアはアンモニア水として供給することができる。特に、アンモニアをｐＨ調整剤として用いたいわゆるアンモニアアルカリ浴では、アンモニアが錯化剤としても機能して好ましい。また、液寿命や、セラミックやガラス成分の溶出の低減の観点からも好ましい。
【００２８】
めっき液のｐＨは、ｐＨ調整剤により７〜１０、好ましくは、８〜９に調製される。ｐＨが７未満及びｐＨが１０超では、セラミックやガラス成分の溶出量が増えすぎる傾向がある。
【００２９】
（セラミック電子部品）
続いて、上述の無電解めっき液を用いてセラミック電子部品を製造する方法について説明する。
【００３０】
まず、製造対象となるセラミック電子部品の例について図１を参照して説明する。
【００３１】
セラミック電子部品１００は、チップ本体３とこのチップ本体３の端部に設けられた外部電極７とを有している。
【００３２】
このセラミック電子部品１００において、チップ本体３は、セラミック層１と、セラミック層１内に埋設された内部電極２ａ，２ｂとを備える。また、外部電極７は、チップ本体３側から、下地電極４、Ｎｉめっき層５及びＳｎめっき層６をこの順に有している。さらに、内部電極２ａ、２ｂは、それぞれ一端部がチップ本体３における対向する端面の異なる側にそれぞれ露出するように形成されて（引き出されて）おり、それぞれ下地電極４に接続されている。
【００３３】
セラミック層１としては、セラミック電子部品に必要とされる種々の特性を発揮できる焼結金属酸化物等のセラミック材料から構成されるものであれば特に制限なく適用できる。より具体的には、例えば、バリスタとして用いる場合には、ＺｎＯを主成分とし、このＺｎＯ中にＰｒ等の希土類元素やＢｉ等の副成分、Ａｌ等の微量添加物等を配合したものが好適な例として挙げられる。また、ＮｉＣｕＺｎ、Ａｌ２Ｏ３等でも良い。また、セラミック層１の表面に、バリスタ等の半導体の場合で表面リーク電流が問題になるような場合にはＬｉ、Ｎａ等のアルカリ金属を表面にドープして表面の抵抗を上げることも好ましく行われる。
【００３４】
内部電極２ａ，２ｂとしては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｇ等の金属単体又はこれらの合金や化合物から構成されるものが例示でき、ＰｄやＰｔの金属単体や、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金が好ましい。内部電極２ａ，２ｂの厚みは、通常０．５〜５μｍである。このような積層型素体としては、具体的には、コンデンサ、バリスタ、サーミスタ等が例示できる。なお、複数の板状の内部電極２ａ、２ｂに代えて、コイル等の導電材料をセラミック層中に埋設したものでも良い。このような積層型素体としては、具体的には、インダクタ等が例示できる。
【００３５】
下地電極４としては、上記内部電極２ａ，２ｂと同様の電極材料、例えば、Ａｇ単体やＡｇ−Ｐｄ合金から構成されるものが例示できる。また、下地電極４を焼結法で形成する場合は、上記の金属に加え、通常ガラスフリット等のガラス物質を更に含んでいる。このように下地電極４がガラスフリットを含有していると、チップ本体３への接合性が向上するようになって好ましい。ガラスフリットは、鉛フリーであることが好ましい。鉛フリーのガラスフリットは、無電解めっき液に溶出しやすいが、本発明に係る無電解めっき液により溶出を十分に低減できる。ガラスフリットとしては、Ｂａ珪酸ガラス、Ｓｒ珪酸ガラス等が挙げられる。
【００３６】
下地電極４の厚さとしては、例えば、１〜５０μｍ程度とすることができる。
【００３７】
本明細書では、チップ本体３及び下地電極４を含み、Ｎｉめっき層５、Ｓｎめっき層６を含まない状態のものをセラミック素子８と呼ぶ。
【００３８】
上述の無電解めっき液によってめっきされるＮｉめっき層５は、例えば、セラミック電子部品１００をリフローにより基板等に搭載する際のはんだ食われを防止する機能を発揮する。また、Ｓｎめっき層６は、例えば、リフロー時におけるはんだ濡れ性を向上させる特性を発揮することができ、Ｓｎ以外に、はんだ、金等、はんだとの親和性の良好な金属材料から構成されていてもよい。
【００３９】
なお、本明細書におけるめっき伸びＬとは、図１のように、セラミック層１の表面上において、下地電極４の端部からＳｎめっき層６の端部までの距離である。なお、Ｓｎめっき層６を形成しない場合には、下地電極４の端部からＮｉめっき層５の端部までの距離である。
【００４０】
また、めっき付着とは、図２に示すように、外部電極７とは孤立してセラミック層１の表面に付着しためっき層７ｂの軸方向長さＸ及び周方向の長さＹの内の最大値が１００μｍ以上であるものの個数である。
【００４１】
（製造方法）
次に、セラミック電子部品の製造方法の一例について説明する。まず、公知の方法により、セラミック層用グリーンシート及び内部電極層用グリーンシートを適切に積層してなるグリーンシート積層チップを形成し、これを焼結することによりチップ本体３を得る。各グリーンシートは印刷法やシート法等により形成できる。
【００４２】
次に、チップ本体３の両端部に、内部電極２ａ，２ｂのそれぞれに接するように、例えばＡｇ及びガラスフリットを含むペーストを塗布した後、このペーストの焼き付け処理を行い、導電性の下地電極４を形成する。
【００４３】
これにより、チップ本体３及び下地電極４を含むセラミック素子８が形成される。ここで、チップ本体３のセラミック層１の一部及び下地電極４が表面に露出している。この後、このセラミック素子８を例えばパラジウム（Ｐｄ）等の金属触媒を含む事前処理液に接触させて、下地電極４上に金属触媒を付与する。
【００４４】
その後、下地電極４の表面に、上述の電解液を用いて無電解めっき法によりＮｉめっき層５を形成し、その後、公知の方法により、Ｓｎめっき層６を形成して、セラミック電子部品１００を得る。めっき時のめっき液の温度は、２０〜５０℃が好ましい。
【００４５】
本発明の作用について説明する。アンモニアを含む無電解めっき液中において、セラミック層１の表面に付与されたＰｄ触媒はアンモニアにより錯化されてセラミック層１の表面から脱離する一方、下地電極４上の金属触媒は置換反応により電極表面に強固に固定されており、錯化されずに下地電極４上に残る。これは、セラミック層１とＰｄ等の金属触媒とは分子間力で穏やかに結合しているが、下地電極４とＰｄ等の金属触媒とが置換反応により強固に結合していることによるものと考えられる。したがって、残ったＰｄ等の金属触媒を核としてセラミック素子８の下地電極４上に選択的にめっき層５が形成され、セラミック層１の表面上へのめっき層の形成が抑制され、「めっき伸びの増大」や「めっき付着」が低減される。したがって、Ｐｄ等の金属触媒を除去する触媒除去工程が不要となる。
【００４６】
さらに、めっき液のｐＨが７〜１０とされているので、セラミック層１のめっき液への溶出が抑制される。とくに、セラミック層がＺｎＯを主成分として含むと、めっき液による溶出が著しいが、本めっき液によれば溶出が十分に抑制される。また、下地電極４がガラス成分を含んでいる場合には、この下地電極４からのガラス成分の溶出も問題となるが、本めっき液によれば、ガラス成分の溶出も抑制され、特に、鉛を含まないガラスフリットを含む下地電極４の場合にその効果が高い。
【実施例】
【００４７】
（実施例Ａ−１〜Ａ−５及び比較例Ａ−１）
各実施例及び比較例毎にめっき液を用意した。具体的には、硫酸ニッケル：２５ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：１５ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：２５ｇ／Ｌ、グリシン：２５ｇ／Ｌ、及び、所定量のアンモニア水を含む水溶液を調製し、さらに、ＮａＯＨ又は硫酸を用いて室温においてｐＨをそれぞれ９に調整した。
【００４８】
（セラミック層のエッチング深さ、めっき伸びＬ、めっき付着の検討）
ＺｎＯを主成分とするセラミック層を有し、下地電極としてＢａを含むＰｂフリーフリットを含有するＣｕ下地電極を焼付けたチップサイズ１００５（長さ１．０ｍｍ、幅及び厚さ０．５ｍｍ）のバリスタ素体を各実施例及び各比較例に対して１００００個ずつ用意した。セラミック層中には複数の内部電極が埋設されている。そして、このバリスタ素体を洗浄し、奥野製薬工業のＮＮＰアクセラにディップすることにより表面にパラジウム触媒を付着させた。この条件は、奥野製薬工業社ＮＮＰプロセス標準条件（ただし、ポストディップ工程は行わなかった）で行った。続いて、各実施例及び比較例のめっき液を１０Ｌ貯留するめっき槽中に、バリスタ素体を１００００個投入した容量１Ｌのバレルをそれぞれ投入してめっき液温度５０℃、バレル回転数１０ｒｐｍ、めっき時間２０分で２μｍのＮｉめっき層を下地電極上に形成した。
【００４９】
めっき後に、１００個のバリスタ素体をランダムに抽出して、めっき伸びＬ及びめっき付着の個数を取得した。さらに、ランダムに選んだ１００個の素体を断面研磨して各素体毎に１０点のエッチング深さを取得し、その平均値としてセラミック層エッチング深さを取得した。
【００５０】
（溶出の検討）
各実施例及び比較例のめっき液を１０ｍＬ貯留するバレル中に上述のバリスタ素体をそれぞれ１００個投入し、めっき液温度５０℃で２００分放置して浸漬させた。
【００５１】
その後、Ｂａ成分の濃度をフリット溶出量として取得した。また、バリスタ素体の浸漬後のめっき液のＺｎ成分の濃度をセラミック溶出量として取得した。結果を図３に示す。
【００５２】
アンモニアを含むとめっき伸びやめっき付着が非常に少なくなることが理解される。
【００５３】
（実施例Ｂ−１〜Ｂ−５、比較例Ｂ−１）
実施例Ｂ−１〜Ｂ−５、比較例Ｂ−１では、図４に示すように、還元剤として次亜リン酸ナトリウムに代えてジメチルヘキサボランを２５ｇ／Ｌ添加した以外は実施例Ａ−１〜Ｃ−５、比較例Ａ−１と同様にした。
【００５４】
本実施例の系でも、アンモニアを含むとめっき伸びＬ及びめっき付着が抑制できる。還元剤としては、次亜リン酸塩のほうが好ましい。
【００５５】
（実施例Ｃ−１〜Ｃ−４及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３）
ＮａＯＨ又は硫酸による室温でのｐＨの最終調整値を、図５に示すように変えた以外は実施例Ａ−４と同様にした。アンモニアの量も図５に示す。なお、実施例Ｃ−３と実施例Ａ−４とは同一である。
【００５６】
セラミック層エッチング深さを５μｍ以下に維持するには、ｐＨを７〜１０にする必要があることが理解される。
【００５７】
（実施例Ｄ−１〜Ｄ−６、Ｅ−１、Ｆ−１、Ｇ−１）
実施例Ｄ−１〜Ｄ−６では、塩酸ニッケルを添加せず、グリシンの量をそれぞれ変化させ、及び、ｐＨ調整剤として硫酸を用いない以外は実施例Ａ−４と同様にした。実施例Ｄ−１〜Ｄ−５では、グリシン及びアンモニアが錯化剤として機能する。実施例Ｄ−６では、アンモニアが錯化剤として機能する。
実施例Ｅ−１では、グリシンに変えてクエン酸ナトリウムを２５．０ｇ／Ｌ用い、ｐＨ調整剤としてアンモニアのみを用いる以外は実施例Ｄ−１と同様にした。
実施例Ｆ−１では、硫酸Ｎｉに代えて３０．７ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケルを用いる以外は実施例Ｅ−１と同じにした。
実施例Ｇ−１では、クエン酸ナトリウムに代えてクエン酸アンモニウムを１９．２ｇ／Ｌ用いる以外は実施例Ｅ−１と同様にした。
【００５８】
アンモニア以外の錯化剤を用いる場合には、そのモル濃度を金属のモル濃度の１／２以下に抑えることでセラミック層の溶出を十分に抑えることが出来る（例えば、実施例Ｄ−１〜Ｄ−６参照）。
【００５９】
また、アンモニアアルカリ浴（ｐＨ調整をすべてアンモニアで行ったアルカリ性めっき液であり、実施例Ｅ−１，Ｆ−１，Ｇ−１に対応）の場合、実施例Ｄ−１等と比較してセラミック層の溶出を抑えやすい。
【００６０】
アンモニア以外の錯化剤を用いる場合、セラミック層の溶出を抑えるにはクエン酸ナトリウムが好ましいことが分かる（実施例Ｅ−１と実施例Ｇ−１との比較）。
【００６１】
Ｎｉ供給源として硫酸Ｎｉとスルファミン酸Ｎｉを比較すると硫酸Ｎｉのほうがセラミック層の溶出が小さい（実施例Ｅ−１と実施例Ｆ−１との比較）。
【００６２】
アンモニア以外の錯化剤の中で、セラミック層やフリットの溶出を抑える観点からクエン酸ナトリウムが好ましい。
【００６３】
（実施例Ｈ−１〜Ｈ−７）
Ｎｉ供給源として硫酸Ｎｉと塩化Ｎｉ（１５ｇ／Ｌ）とを用い、ニッケル濃度が、図７のようになるように硫酸Ｎｉ濃度を変化させ、アンモニア以外の錯化剤として、グリシンに代えてクエン酸ナトリウムを５ｇ／Ｌ添加し、めっき時の液温を４０℃とし、めっき時間を３０分とする以外は、実施例Ｅ−１と同様にした。
【００６４】
本実施例では、液の寿命も測定した。液量１Ｌで、１０ｃｍ×１０ｃｍ×１ｍｍのＮｉ板に繰り返しめっきを行った。このとき、めっき液の補給は、金属濃度が初期値の１０％低下する毎に、硫酸Ｎｉ及び次亜リン酸ナトリウムの１０倍濃縮液を補給することにより行った。めっき速度が初期値から１０％低下するか、沈殿ができ始めた時点のターン数を測定した。１ターンとは、初期めっき液の全金属がめっきにより消費されたことを意味する。
【００６５】
めっき伸びは殆ど発生せず、また、めっき付着も無かった。また、溶出量は、ニッケルの濃度が低下するにつれて低下する傾向があった。液寿命を１ターン以上確保するには、ニッケル濃度が５．５ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。
【００６６】
（実施例Ｉ−１からＩ−５）
チップ本体の種類を図８の如く変えるとともに、実施例Ｈ−３に記載のめっき液を用いた。また、実施例Ｉ−１及び実施例Ｉ−２においては、めっき前後の端子間抵抗の変化も測定した。端子間抵抗は、１Ｖの印加により測定し、２０チップの平均値とした。
【００６７】
特に、実施例Ｉ−２では、絶縁抵抗の低下を十分に抑制できた。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、本実施形態に係る無電解めっき液によりめっきされたセラミック電子部品の概略断面図である。
【図２】図２は、めっき付着の定義を示すためのセラミック電子部品の上面図である。
【図３】図３は、実施例Ａ−１〜Ａ−５及び比較例Ａ−１のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【図４】図４は、実施例Ｂ−１〜Ｂ−５及び比較例Ｂ−１のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【図５】図５は、実施例Ｃ−１〜Ｃ−４及び比較例Ｃ−１〜Ｃ−３のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【図６】図６は、実施例Ｄ−１〜Ｄ−６、Ｅ−１，Ｆ−１，Ｇ−１のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【図７】図７は、実施例Ｈ−１〜Ｈ−７のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【図８】図８は、実施例Ｉ−１〜Ｉ−５のめっき液の条件及び結果を示す表である。
【符号の説明】
【００６９】
１…セラミック層、４…下地電極、３…チップ本体、８…セラミック素子、１００…セラミック電子部品。
【図１】
0004605074.tif 000002
【図２】
0004605074.tif 000003
【図３】
0004605074.tif 000004
【図４】
0004605074.tif 000005
【図５】
0004605074.tif 000006
【図６】
0004605074.tif 000007
【図７】
0004605074.tif 000008
【図８】
0004605074.tif 000009