(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、上記突部を環状の突条として形成するとともに、この環状の突条表面に複数条の回路パターンとなる複数の導電性金属層を間隔を置いて形成していることを特徴とするＩＣ実装用基板。
【請求項２】
上記突条表面に間隔を置いて複数の小突部を形成しているとともに導電性金属層を各小突部表面に設けていることを特徴とする請求項１記載のＩＣ実装用基板。
【請求項３】
基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、基板の裏面における上記突部対応位置に凹所を設けていることを特徴とするＩＣ実装用基板。
【請求項４】
突部が導電性材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＣ実装用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣを直接実装するためのＩＣ実装用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの実装用の基板として、特開昭６３−２２０５３３号公報には基板の基材表面に突部を設けて該突部表面に導電金属層を形成することでバンプとし、該バンプに導電ペーストを介してＩＣを載せて加熱することで上記バンプにＩＣの端子部を接合するものが示されている。
【０００３】
また、特表平９−５１１８７３号公報には、ポリマー樹脂からなる立体成形回路基板（ＭＩＤ基板）の成形時に突部を同時に成形して、突部表面に回路パターンを構成する導電性金属層を形成することでＩＣ実装用の端子部であるバンプとすることが開示されている。
【０００４】
上記のように形成されたバンプを備えるＩＣ実装用基板は、ＩＣ側に半田バンプを設けなくともＩＣの実装が可能であるが、バンプの高さが揃っていないと接続不良を招くことになる。一方で、基板上の突部は、金型の寸法精度や金型から成形品への転写性などの影響で、各バンプの上面高さには約数μｍのばらつきが生じてしまう上に、基板の成形後の反りなどで約１０μｍ程度のばらつきが生じてしまう。
【０００５】
この時、ＩＣ実装時の加圧力を利用すれば基板の反りの矯正を行うことができ、しかもバンプそのものが弾性を有する構成となっておれば、高さの違いも吸収することができることになり、接続不良の発生を低減させることができる。特に、上記のポリマー樹脂からなる立体成形回路基板の場合、突部を基板の成形時に同時に形成することができる上に、ポリマー樹脂製の突部は弾性を有することから、この点においても都合が良い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際にはＩＣ側にもその端子部にバンプを形成していないと、ＩＣの接合強度等の点で多々問題点が生じているのが現状であり、バンプを設けていないＩＣの実装には弾性を有する突部をベースとするバンプを設けただけでは対応できていない。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みなされたものであって、その目的とするところはＩＣ側にバンプが無くともＩＣの実装を簡便に且つ高い信頼性のもとに行うことができ、ＩＣ側にバンプがあればさらに高い信頼性のもとにＩＣの実装を行うことができるＩＣ実装用基板を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明にかかるＩＣ実装用基板は、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したものにおいて、上記突部を環状の突条として形成するとともに、この環状の突条表面に複数条の回路パターンとなる複数の導電性金属層を間隔を置いて形成していることに第１の特徴を有している。
【０００９】
上記突条表面に間隔を置いて複数の小突部を形成するとともに導電性金属層を各小突部表面に設けてもよい。
【００１０】
また本発明は、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、基板の裏面における上記突部対応位置に凹所を設けていることに第２の特徴を有している。
【００１１】
上記突部は導電性材料で形成してもよい。
【００１２】
このほか、上記バンプ表面を表面粗さＲａ０．１μｍ〜３μｍの微小凹凸が連続する面としてもよい。
【００１３】
バンプ表面の上記微小凹凸はメッキによる導電性金属層で形成しても、基材の突部表面に設けたものとして形成してもよい。
【００１４】
また、上記突部を長方形状とするとともに該突部側面に導電性金属層で覆われていない開放面を形成しているものとしてもよい。
【００１５】
さらに、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、実装されるＩＣに先端面が当接する突起部を基板に一体成形で設けたものとするのも好ましく、ここにおける突起部はバンプで囲まれた領域の内部と周囲とに夫々設けていることが好ましい。
【００１６】
基板の表面に凹所を設けて、この凹所内に突部と導電性金属層とからなるバンプを設けてもよい。上記凹所内に設けた突部は基材よりも柔らかい材料で形成しておくことが好ましく、基材よりも柔らかい材料で形成した別部品としての突部は凹所内に圧入固定したものであってもよい。また、突部は低融点フィラーからなるものとし、突部表面を覆う導電性金属層は上記低融点フィラーが外部に漏れ出すことを許す開口部を備えたものとするのも好ましい。
【００１７】
そして、上記の基材はバンプの形成領域を囲む溝を表面に備えていたり、基材のバンプ形成領域にトランスファー成形にて載せたアンダーフィルを設けていたりしてもよく、上記アンダーフィルはその断面形状を中央が盛り上がった円弧状としておくのが好ましい。
【００１８】
そして基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板の製造にあたっては、突部形成のための金型に紫外線透過材料からなるものを用いて、突部を紫外線照射により金型内で硬化させる方法を好適に用いることができる。
【００１９】
このほか、射出成形した基材の上に二次成形材料層をコートし、その後、突部成形用の金型にて圧縮成形することで突部を形成するようにしてもよい。
【００２０】
また、射出成形した基材の上にディスペンスまたはインクジェットにより突部を形成してもよく、この場合、ディスペンスまたはインクジェットを複数回繰り返してもよい。
【００２１】
さらに、射出成形した基材の上に二次成形材料層をコートし、次いで二次成形材料層の上にさらに突部形成用の樹脂材料を載せ、その後、突部成形用の金型にて圧縮成形することで突部を形成するようにしてもよい。
【００２２】
突部を形成するとともに該突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成した後、バンプ形成領域にトランスファー成形にてアンダーフィルを載せるようにしてもよく、この時、アンダーフィルの断面形状を中央が盛り上がった円弧状とすれば、さらに好ましい結果を得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は参考例におけるＩＣ実装用基板１の概略構成を示しており、基材１０の表面に複数（多数）の突部１１を設けているとともに、突部１１の表面を回路パターンを構成している導電金属層１２で被覆して、ＩＣの実装用端子部であるバンプ２を形成している。
【００２４】
ここにおける基材１０は、図では平板状のもので示しているが、立体成形回路基板（ＭＩＤ基板）として形成されるものを好適に用いることができる。なお、突部１１は幅が１００μｍ程度、高さが１００μｍ程度のものであり、めっきで形成されて回路パターンを構成している導電金属層１２は、５〜１０μｍ程度厚の銅めっき１２ａ上に５〜１０μｍ程度厚のニッケルめっき１２ｂを施し、さらにこの上に０．３〜０．５μｍ厚程度の金めっき１２ｃを施すことで形成してある。そして、上記バンプ２の表面は、表面粗さＲａ０．１μｍ〜３μｍの微小凹凸２０が連続する面としている。
【００２５】
このような微小凹凸２０は、平滑面として形成した突部１１に導電金属層１２を形成するにあたり、表面層となっている金メッキ２ｃの下層のニッケルめっき１２ｂを無光沢で行うことで得ることができるが、図２に示すように、表面にめっきで導電金属層１２が形成される突部１１表面そのものを微小凹凸２０’が連続するものとしておき、導電金属層１２をこの表面に形成した時、導電金属層１２の表面に微小凹凸２０が現れるようにしていてもよい。なお、突部１１表面に微小凹凸２０’を設けることは、例えば図２(b) に示すように、突部１１の成形材料（図示例の場合は基材１０に一体に突部１１を設けているために基材１０の成形材料）として、フィラー１９入りのものを用いて、突部１１を備えた基材１０の成形後にエッチングで突部１１表面に存在しているフィラー１９を除去することにより得ることができる。この場合、上記めっきによる導電金属層１２で微小凹凸２０を形成する場合に比して、表面粗さがより大である微小凹凸２０を得ることができる。
【００２６】
ところで、バンプ２表面に微小凹凸２０を設けた場合と設けていない場合とにおいて、銀ペーストを用いてＩＣの実装（サンプリング数各５０）を行ったところ、図３に示すように、微小凹凸２０を設けることで接続抵抗値を大きく下げることができた。すなわち、表面粗さＲａ０．１３μｍの微小凹凸２０を設けた場合、接続抵抗値を５０ｍΩ以下とすることができたが、微小凹凸２０を設けていないもの（表面粗さＲａ０．０６μｍ）では、接続抵抗値がほぼ５０ｍΩ以上となってしまうものであり、低い接続抵抗値のＩＣ実装を行うことができた。
【００２７】
接続抵抗値に上記のような差が生じるのは、図４(a)に示すように、銀ペーストにおける銀粒子９との接触面積が増大したためと考えられる。なお、図４(b)はバンプ２の表面粗さがＲａ０．０１μｍの場合の銀粒子９との接触面積を示している。
【００２８】
また、微小凹凸２０を設けた場合、図５に示すように、ＩＣ３のアルミニウム製パッドとして形成された端子部３０の表面の酸化被膜層３１をパッド２表面の微小凹凸２０が突き破ってバンプ２の金めっき１２ｃの層が酸化被膜層３１を介することなく端子部３０のアルミニウム部分に多点で直接接触することになる。
【００２９】
図６にバンプ２の他例を示す。ここにおけるバンプ２は、そのベースとなっている突部１１が平面視で長方形状となっているとともに、回路パターンを構成している導電金属層１２は、突部１１の上面と二つの側面とを覆っているものの、突部１１の他の二つの側面は覆っていないものとして形成してある。この場合、丸形の突部１１をベースとするバンプ２と比較して、長方形状のバンプ２の長手方向において、ＩＣ３の端子部３０の位置ずれの許容量Ｚを大きくすることができるものであり、しかも図７に示すようにバンプ２の短手方向におけるバンプ２間の距離（ピッチ）Ｐを小さくすることができる。
【００３０】
さらに、突部１１の二つの側面を導電金属層１２で覆っていない開放面としているために、突部１１に弾性を持たせてＩＣ３の実装時の加圧力で突部１１が撓むようにしている時、突部１１の全表面を導電金属層１２で覆っている場合に比して、突部１１の変形性が高くなっており、これ故に突部１１の高さばらつきの吸収性を高くすることができる。
【００３１】
図８に示すものは、突部１１を突条１１’として形成するとともに、この突条１１’表面に複数条の回路パターンとなる複数の導電性金属層１２を間隔を置いて形成したものを示している。回路ピッチが狭くなっていくにつれて超微細な突部１１を金型で作ることは困難となるが、突条１１’として形成するとともに該表面に複数条の回路パターンを形成することで、狭ピッチ化が容易となる。
【００３２】
突条１１’は、ＩＣ３がその４辺に端子部を備えている場合、図８(b)に示すように、環状に形成しておくのが好ましい。熱ストレスによる「うねり」の発生に対して、４つの独立した突条１１’を設ける場合に比して、環状の突条１１’はリブとなって拘束するために「うねり」を防止することができる。
【００３３】
また、図９に示すように、突条１１’表面に間隔を置いて複数の小突部１３を形成し、導電性金属層１２を各小突部１３表面に設ければ、導電金属層１２間の沿面距離が長くなって絶縁の確保が容易となるために、さらに回路ピッチを狭くすることができる。
【００３４】
図１０及び図１１に別の例を示す。これは基材１０におけるバンプ２の形成領域の外側に突起部１４を設けて、バンプ２に端子部３０を接合することで実装されるＩＣ３に上記突起部１４先端面を当接させるようにしたものである。突起部１４がストッパーとして機能するものであり、ＩＣ３の実装時の加圧力がバンプ２に過剰にかかってしまうことを防ぐ。突起部１４は図１０(b)に示すように、バンプ２の形成領域を囲む環状のものであってもよい。
【００３５】
また、図１２に示すように、バンプ２の形成領域内にも突起部１４を設けておくことで、基材１０に反りやうねりがあってもギャップを全面にわたって一定にすることができ、実装時の加圧力が局部のバンプ２に過剰に集中することを防ぐことができる。
【００３６】
図１３に示すものは、突部１１を表面に備えた基材１０の裏面側で突部１１に対応する位置に凹所１５を設けたものを示している。該凹所１５の面積は突部１１の断面積よりも大きいものが好ましい。このような凹所１５の存在は、基材１０における突部１１（バンプ２）の部分の剛性を低下させるために、ＩＣ３の実装時に低荷重で実装面の高さばらつきを抑制することができるものとなる。
【００３７】
図１４に示すように、基材１０の表面に凹所１６を設けて、この凹所１６内に突部１１と導電性金属層１２とからなるバンプ２を設けてもよい。基材１０の裏面からのバンプ２の高さを抑えることができるために、ＩＣ３の実装時の応力緩和効果を確保しつつ薄型化を図ることができる。
【００３８】
この場合、突部１１は基材１０に一体に形成するのではなく、基材１０よりも柔らかい材料からなるものを図１５に示すように基材１０の凹所１６内に形成すれば、さらに応力緩和効果を高めることができる。この場合の突部１１は基材１０に対して２色成形で形成することで得ることができるほか、凹所１６内に突部１１の材料となる樹脂をディスペンスしたり、インクジェット式で滴下させることで形成することができる。また、別部品として形成した突部１１を図１６(a)あるいは図１６(b)に示すように凹所１６内に圧入固定してもよい。この場合、突部１１の位置決めが可能となる。
【００３９】
図１７に別の例を示す。ここにおける突部１１は低融点フィラーで形成したものであり、また、突部１１の表面を覆う導電性金属層２はその上面に溝２５を備えるほか、側面に開口部２６を備えている。ここにおける開口部２６は、ＩＣ３の実装時の加熱加圧により突部１１を形成している低融点フィラーを外部に漏れ出させるためのものであり、凹所１６内に漏れ出た低融点フィラーは凹所１６を埋めるとともに上記溝２５に侵入し、ＩＣ３の仮固定に寄与する。ペースト先塗り法に対して、バンプ２が封止樹脂（アンダーフィル）で覆われていないために実装にあたってバンプ２上にある封止樹脂を排除する必要がなく、導通信頼性を高くすることができる。
【００４０】
また、図１８に示すように、アンダーフィル８をＩＣ３の実装面に載せ、その後、ＩＣ３の実装を行う場合には、バンプ２の形成領域を囲む溝１８を基材１０の表面に設けておくと、アンダーフィル８の流れ出しを溝１８で防止することができる。
【００４１】
さらにＩＣ３の実装に際してアンダーフィル８を用いる場合、ペーストの塗布でアンダーフィル８を載せた時、図１９に示すように、バンプ２上とバンプ２間とにおいて、アンダーフィル８の上面に高さの差が生じ、ＩＣ３の実装後、バンプ２間の部分にボイド８０が生じる虞がある。これを防ぐにはバンプ２を備えた基材１に対するトランスファー成形で固化状態のアンダーフィル８を形成すればよい。図２０に示すように、アンダーフィル８の表面の高さを均一にすることができるために、上記ボイド８０が生じることはない。なお、固化状態で成形したアンダーフィル８は室温〜５０℃程度の環境下に放置することでペースト状態となるから、この時点でＩＣ３の実装を行う。
【００４２】
アンダーフィル８のトランスファー成形にあたっては、図２１に示すように、アンダーフィル８を中央が盛り上がった円弧状の断面となるように成形すれば、さらに確実にボイドの発生を抑制することができる。
【００４３】
ところで、基材１０における突部１１は、基材１０が立体成形回路基板（ＭＩＤ基板）として形成されるものである時には、図２２に示すように基材１０の射出成形時に突部１１を同時に形成すればよいが、このほか、図２３に示すように、突部１１を有していない基材１０をいったん射出成形した後、突部１１の成形用の金型７に基材１０を入れて、再溶融圧縮成形することで突部１１を形成することができる。
【００４４】
また、突部１１を基材１０よりも弾性に富んだ（あるいは基材１０よりも柔らかい）材料で形成する場合、突部１１の材料として熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、２液性の硬化性樹脂などを用いることができ、特に基材１０を無機物フィラーを配合したポリフタルアミド樹脂で構成する場合、突部１１の形成用材料として、フィラー強化されていないポリフタルアミド樹脂を好適に用いることができる。そして、突部１１の成形にあたっては、図２４に示すように射出成形した基材１０に対してインサート射出成形を行うことで突部１１を形成するとともに冷却固化（熱可塑性樹脂）もしくは加熱硬化（熱硬化性樹脂）させる一般的な二色成形法のほか、図２５に示すように、突部１１の形成のための金型７としてガラスのようなＵＶ透過材料からなるものを用いて、金型７外からの紫外線照射で硬化させるようにしてもよい。
【００４５】
また、図２６や図２７に示すように、射出成形した基材１０に対してディスペンス、スピンコート、ドクターブレード等を用いて、二次成形材料層を基材１０上にコートし、次いで突部１１の成形用の金型７にて圧縮成形及び硬化させることで突部１１を形成してもよい。尚、図２７は上記ＵＶ透過材料からなる金型７外からの紫外線照射による硬化を行う場合を示している。
【００４６】
このほか、図２８及び図２９に示すように、射出成形した基材１０上にディスペンスやインクジェットで突部１１のための樹脂材料を載せて樹脂材料の表面張力で球面形状を保持させ、次いで固化（図ではＵＶ照射による硬化）させることで突部１１を形成してもよいのは前述の通りである。なお、ディスペンスによって突部１１を形成する場合、前述の突条１１’も図３１に示すように形成することができるほか、前述の小突部１３を備えた突部１１（突条１１’）も図３２に示すようにディスペンスと硬化とを複数回繰り返すことで形成することができる。また、硬化後に基材１０よりも相対的に弾性率の低いゴム状やゲル状のものを用いるようにしてもよい。
【００４７】
図３０に示すように射出成形した基材１０に対してディスペンス、スピンコート、ドクターブレード等を用いて、二次成形材料層を基材１０上にコートし二次成形材料層をコートし、この二次成形材料層の上にさらにディスペンスまたはインクジェットで突部１１のための樹脂材料を載せ、その後、突部成形用の金型７にて圧縮成形することで突部１１を形成するようにしてもよい。図３０(b)はこの時の突部１１の硬化を紫外線照射によって行うことができるように、金型７として紫外線透過材料、例えばガラスからなるものを用いた場合を示している。
【００４８】
また、金型７を使用せずに突部１１を形成する場合、その大きさや高さを金型７で規定することができないが、この場合、カメラなどの画像処理や非接触距離測定などを併用して突部１１の大きさ（直径及び高さ）をコントロールすることが好ましい。なお、画像処理でコントロールを行う場合、突部１１の形成材料の色を基材１０の色と異なる色とすることで、画像処理が容易となる。
【００４９】
さらに、金型７を使用するか否かにかかわらず、形成した突部１１は導電金属層１２の形成に先立ち、ＩＣ３と同程度の平面を持った部材を押し当てて熱もしくは超音波振動といった突部１１の材料を溶融変形させることができるエネルギーを与えることで、突部１１の先端面の平面度を高めておくと、さらに好ましい結果を得ることができる。
【００５０】
このほか、突部１１を導電性材料、たとえば導電性樹脂、はんだ混入プラスティック、粉末金属射出成形用材料などで形成してもよく、この場合、めっきにて形成する導電金属層１２の付着量を突部１１において多くすることができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように本発明に係るＩＣ実装用基板は、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したものにおいて、金型における微細構造の成形についての制限を受けることなく回路パターンとなる導電性金属層による回路パターンの狭ピッチ化を図ることができるものであり、殊に環状に突条を設けているために、熱ストレスによる「うねり」の発生を拘束リブとして機能する突条によって防止することができる。
【００５２】
上記突条表面に間隔を置いて複数の小突部を形成しているとともに導電性金属層を各小突部表面に設けておけば、導電金属層間の沿面距離が長くなって絶縁の確保が容易となるために、さらに回路ピッチを狭くすることができる。
【００５３】
また本発明は、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、基板の裏面における上記突部対応位置に凹所を設けているために、基材における突部（バンプ）の部分の剛性を凹所で低下させることができ、ＩＣの実装時に低荷重で実装面の高さばらつきを抑制することができる。
【００５４】
上記突部を導電性材料で形成してもよい。導電性金属層をめっきで形成する時、ＩＣ実装用端子部となる突部（バンプ）における導電性金属層の厚みを大きくすることができる。
【００５５】
このほか、次のようなものとするのも好ましい。すなわち、上記バンプ表面を表面粗さＲａ０．１μｍ〜３μｍの微小凹凸が連続する面としていると、ＩＣ実装時の接続抵抗値を大きく低下させることができるものであり、ＩＣ側にバンプがなくてもＩＣの実装を高い信頼性のもとに行うことができ、ＩＣ側にバンプがあれば、さらに高い信頼性のもとにＩＣの実装を行うことができる。
【００５６】
バンプ表面の上記微小凹凸はメッキによる導電性金属層で形成してもよいが、基材の突部表面に設けたものとして形成すれば、表面粗さが大である微小凹凸をより簡便に得ることができる。
【００５７】
また、上記突部を長方形状とするとともに該突部側面に導電性金属層で覆われていない開放面を形成していると、突部に弾性を持たせてＩＣの実装時の加圧力で突部が撓むようにしている時、突部の全表面を導電金属層で覆っている場合に比して、突部の変形性が高くなっているものであり、これ故に突部の高さばらつきの吸収を低加圧力で得ることができる。
【００５８】
さらに、基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板において、実装されるＩＣに先端面が当接する突起部を基板に一体成形で設けたものとしてもよく、ここにおける突起部はバンプで囲まれた領域の内部と周囲とに夫々設けていることが好ましい。
【００５９】
また、基板の表面に凹所を設けて、この凹所内に突部と導電性金属層とからなるバンプを設けていると、基材の裏面からのバンプの高さを抑えることができ、ＩＣの実装時の応力緩和効果を確保しつつ薄型化を図ることができる。
【００６０】
この場合、凹所内に設けた突部を基材よりも柔らかい材料で形成することで、応力緩和効果をさらに高めることができる。また、基材よりも柔らかい材料で形成した別部品としての突部を凹所内に圧入固定したものであってもよい。実装面の高さばらつきの吸収に有効な突部を容易に得ることができる。
【００６１】
また、突部は低融点フィラーからなるものとし、突部表面を覆う導電性金属層は上記低融点フィラーが外部に漏れ出すことを許す開口部を備えたものでは、ＩＣの実装時に凹所内の空間を低融点フィラーが埋めるとともにＩＣの仮固定に寄与するものとなり、しかもペースト先塗り法に対して、バンプが封止樹脂（アンダーフィル）で覆われていないために実装にあたってバンプ上にある封止樹脂を排除する必要がなく、導通信頼性を高くすることができる。
【００６２】
そして、上記の基材がバンプの形成領域を囲む溝を表面に備えていれば、アンダーフィルの流れ出しを溝で防止することができる。
【００６３】
基材のバンプ形成領域にトランスファー成形にて載せたアンダーフィルを設けておけば、アンダーフィルの表面の高さを均一にすることができるために、ＩＣの実装面側にボイドが生じる虞を無くすことができる。上記アンダーフィルはその断面形状を中央が盛り上がった円弧状としておけば、さらに確実にボイドの発生を抑制することができる。
【００６４】
基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってＩＣ実装用端子部としてのバンプを形成したＩＣ実装用基板の製造にあたっては、突部形成のための金型に紫外線透過材料からなるものを用いて、突部を紫外線照射により金型内で硬化させると、突部を備えた基板の製造を簡便に行うことができる。
【００６５】
射出成形した基材の上に二次成形材料層をコートし、その後、突部成形用の金型にて圧縮成形することで突部を形成しても、やはり突部を備えた基板の製造を簡便に行うことができる。
【００６６】
また、射出成形した基材の上にディスペンスまたはインクジェットにより突部を形成すれば、突部成形用の金型を必要とすることなく、突部を備えた基板の製造をより簡便に行うことができる。この場合、ディスペンスまたはインクジェットを複数回繰り返すことで、上記小突部を有する突部を備えた基板の製造を簡便に行うことができる。
【００６７】
さらに、射出成形した基材の上に二次成形材料層をコートし、次いで二次成形材料層の上にさらに突部形成用の樹脂材料を載せ、その後、突部成形用の金型にて圧縮成形することで突部を形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  参考例を示すもので、(a)はＩＣ実装時の状態を示す説明図、(b)は同上の微小凹凸を備えたバンプの拡大断面図である。
【図２】  微小凹凸を備えたバンプの他例を示すもので、(a)は拡大断面図、(b)は該バンプにおける突部に微小凹凸を形成する方法の説明図である。
【図３】  同上の表面粗さと接続抵抗値との相関を示す説明図である。
【図４】  (a)(b)はバンプと銀ペーストにおける銀粒子との接触面積を説明する断面図である。
【図５】  ＩＣ実装時における微小凹凸とＩＣの端子部の酸化被膜層との関係を示す断面図である。
【図６】  他例を示すもので、(a)は部分斜視図、(b)は断面図である。
【図７】  同上のバンプ間距離（ピッチ）についての説明図である。
【図８】  (a)(b)は参考例と本願の実施の形態の一例の斜視図である。
【図９】  (a)(b)は参考例のさらに別の例の斜視図と断面図である。
【図１０】  (a)(b)は夫々異なる例の斜視図である。
【図１１】  同上の作用を示す説明図である。
【図１２】  同上の他例における作用を示す説明図である。
【図１３】  本願の他の実施の形態の一例における作用を示す説明図である。
【図１４】  別の参考例における作用を示す説明図である。
【図１５】  異なる例における作用を示す説明図である。
【図１６】  (a)(b)は夫々別の例の断面図である。
【図１７】  (a)(b)は夫々別の例の斜視図、(c)は作用を示す説明図である。
【図１８】  異なる例の作用を示す説明図である。
【図１９】  従来例の作用を示す説明図である。
【図２０】  参考例における一例の作用を示す説明図である。
【図２１】  同上の他例の断面図である。
【図２２】  製造方法の一例についての説明図である。
【図２３】  同上の他例についての説明図である。
【図２４】  同上の更に他例についての説明図である。
【図２５】  同上の別の例についての説明図である。
【図２６】  同上のさらに別の例についての説明図である。
【図２７】  同上の異なる例についての説明図である。
【図２８】  同上の他の例についての説明図である。
【図２９】  同上のさらに他の例についての説明図である。
【図３０】  (a)(b)は夫々製造方法の一例についての説明図である。
【図３１】  別の例の説明図である。
【図３２】  さらに別の例の説明図である。
【符号の説明】
２ バンプ
１０ 基材
１１ 突部
１２ 導電性金属層
２０ 微小凹凸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004604387.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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