(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板の良否判定を前記各チップ抵抗体のトリミング後に行なう方法であって、
前記各チップ抵抗体のトリミング時に得られる抵抗値が所定の範囲にある場合に前記チップ抵抗体基板が良品であると判定し、前記抵抗値が所定の範囲にない場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定する第１判定ステップと、
前記第１判定ステップにおいて良品であると判断された場合に行われるステップであって、前記チップ抵抗体の画像と、予め準備しておいた前記チップ抵抗体における複数の不良パターンと、を比較し、前記画像が前記不良パターンに適合する場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定する第２判定ステップと、
前記不良パターンに対応する不良が確認されたときの当該不良パターンに関する画像データと、当該不良パターンに対応する前記チップ抵抗体における前記電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積する蓄積ステップと、
を含み、かつ、
前記第１判定ステップにおいてはさらに、前記第１判定において、トリミング時に測定された電気的特性データが前記蓄積データ中に対応する電気的特性データが含まれている場合に前記チップ抵抗体基板が不良でると判定し、
前記第１判定ステップまたは前記第２判定ステップにおいて不良であると判断された場合に、前記チップ抵抗体基板が不良であると判断することを特徴とする、チップ抵抗体基板の不良検出方法。
【請求項２】
前記不良パターンは、前記各チップ抵抗体に対するトリミング方法、および前記チップ抵抗体または前記チップ抵抗体基板の形状に応じて選択される、請求項１に記載のチップ抵抗体基板の不良検出方法。
【請求項３】
複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板の良否判定を前記各チップ抵抗体のトリミング後に行なう装置であって、
前記チップ抵抗体の画像を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段と、
前記画像に関する画像データを記憶した第１記憶手段と、
予め準備しておいた前記チップ抵抗体における複数の不良パターンに関する不良データを記憶した第２記憶手段と、
前記チップ抵抗体のトリミング時に得られる前記チップ抵抗体の電気的特性に関する電気的特性データを記憶する第３記憶手段と、
前記不良パターンに対応する不良が確認されたときに、当該不良パターンに関する画像データと、当該不良パターンに対応する前記チップ抵抗体における前記電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積して記憶する第４記憶手段と、
前記各チップ抵抗体のトリミング時に得られる抵抗値に基づいて前記チップ抵抗体基板の良否判定を行う第１判定、および前記第１判定ステップにおいて良品であると判断された場合に、前記画像データと前記不良データとを比較する第２判定を行い、かつ前記第１判定または前記第２判定において不良であると判断された場合に、前記チップ抵抗体基板が不良であると判断する検出手段と、
を備え、
前記検出手段はさらに、前記第１判定において、トリミング時に測定された電気的特性データが前記蓄積データ中に対応する電気的特性データが含まれている場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定することを特徴とする、チップ抵抗体基板の不良検出装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記各チップ抵抗体に対するトリミング方法、および前記チップ抵抗体または前記チップ抵抗体基板の形状に応じて前記不良パターンを選択するとともに、選択された前記不良パターンに関する前記不良データと、前記画像データと、を比較して前記チップ抵抗体の不良の検出を行なう、請求項３に記載のチップ抵抗体基板の不良検出装置。
【請求項５】
複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板について、前記各チップ抵抗体のトリミングを行なう装置であって、
前記チップ抵抗体基板の良否判定を行なうための不良検出装置をさらに備えており、
前記不良検出装置は、請求項３または４に記載のものであることを特徴とする、トリミング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板の不良をチップ抵抗体のトリミング後に検出する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型厚膜抵抗器は、セラミック基板上に厚膜材料を塗布・焼成した後に、セラミック基板を分割することにより製造される。基板上には、多数個のチップ抵抗体が同時に形成されるが、これらのチップ抵抗体の抵抗値は分布を持っており、また基板毎にその分布が異なる。このため、チップ抵抗体の抵抗値を一定に揃えるためにレーザトリミングが一般的に行なわれている。
【０００３】
レーザトリミングは、チップ抵抗体の抵抗値を計測しながら繰り返しＱスイッチパルスレーザをチップ抵抗体に集光照射して切り込みを入れてトリミング溝を形成し、所定の抵抗値に到達したところでレーザ照射を停止することにより行なわれる。基板上の個々のチップ抵抗体の良否判定は、トリミング直後の電気的な抵抗値で判断することが一般的に行なわれている。ところが、トリミング後の抵抗値は正常であるが、経年的に電気的特性が変化する恐れがあるなど、抵抗値のみに依らず、トリミング溝の形状から不良と判断すべき場合も多い。これは、チップ型厚膜抵抗器を製造する場合に限らず、チップ型薄膜抵抗器を製造する場合にも同様である。
【０００４】
トリミング溝の形状不良は、トリミング抵抗値不良に関連する場合と関連しない場合がある。したがって、トリミング抵抗値のみではチップ型抵抗器の不良選別を行なうことが出来なかった。
【０００５】
これらのトリミング溝の形状不良を検出する方法としては、レーザトリミング装置で行なう抵抗値測定による電気的な測定と併せて、個々のチップ抵抗体を画像処理して良否判定する方法が提案されている（たとえば特許文献１，２参照）。
【０００６】
このような方法は、チップ抵抗体（トリミング溝）を撮影し、その画像からトリミング溝の幅やトリミング溝形成時の加工軌跡を計測して良否判定を行なう方法であり、個々のチップ抵抗体や回路パターンのトリミング溝の形状不良を検出することを目的としている。
【０００７】
一方、近年のチップ型抵抗器は小型化が進み、母材となる１枚のセラミック基板に形成される抵抗器の個数は益々多くなっている。このようなチップ型抵抗器は高い生産性が要求されるために、１つのチップ抵抗体当たりのトリミング所要時間は短縮されていく。したがって、個々のチップ抵抗体についてトリミング溝の形状や軌跡の良否判定を行なうことは現実的ではない。仮に実現できたとしても、高速で画像処理可能な高価な画像処理装置を採用せざるを得なないため、コスト的に不利となる。
【０００８】
また、個々のチップ抵抗体のトリミング溝等の良否判定を行うことができたとしても、後工程で基板をブレークしてから不良抵抗器を選別して取り出すことは工程を増やすこととなり、生産性の面から好ましくないばかりか、このような工程の追加は、抵抗器の単価が低いことを考慮すれば生産性の悪化が避けられず、コスト面からも好ましくない。
【０００９】
【特許文献１】特許第３７４８７０３号公報
【特許文献２】特開昭６０−８６８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、チップ抵抗体基板の不良を簡易かつ効率良く判定し、チップ型抵抗器の生産性を高く維持することができるようにすることを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明の第１の側面では、複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板の良否判定を前記各チップ抵抗体のトリミング後に行なう方法であって、前記各チップ抵抗体のトリミング時に得られる抵抗値が所定の範囲にある場合に前記チップ抵抗体基板が良品であると判定し、前記抵抗値が所定の範囲にない場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定する第１判定ステップと、前記第１判定ステップにおいて良品であると判断された場合に行われるステップであって、前記チップ抵抗体の画像と、予め準備しておいた前記チップ抵抗体における複数の不良パターンと、を比較し、前記画像が前記不良パターンに適合する場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定する第２判定ステップと、前記不良パターンに対応する不良が確認されたときの当該不良パターンに関する画像データと、当該不良パターンに対応する前記チップ抵抗体における前記電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積する蓄積ステップと、を含み、かつ、前記第１判定ステップにおいてはさらに、トリミング時に測定された電気的特性データが前記蓄積データ中に対応する電気的特性データが含まれている場合に前記チップ抵抗体基板が不良でると判定し、前記第１判定ステップまたは前記第２判定ステップにおいて不良であると判断された場合に、前記チップ抵抗体基板が不良であると判断することを特徴とする、チップ抵抗体チップ抵抗体基板の不良検出方法が提供される。【００１４】
前記不良パターンは、前記各チップ抵抗体に対するトリミング方法、および前記チップ抵抗体または前記チップ抵抗体基板の形状に応じて選択するようにしてもよい。
【００１５】  本発明の第２の側面では、複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板の良否判定を前記各チップ抵抗体のトリミング後に行なう装置であって、前記チップ抵抗体の画像を撮像する撮像手段と、前記撮像手段により撮像された画像を処理する画像処理手段と、前記画像に関する画像データを記憶した第１記憶手段と、予め準備しておいた前記チップ抵抗体における複数の不良パターンに関する不良データを記憶した第２記憶手段と、前記チップ抵抗体のトリミング時に得られる前記チップ抵抗体の電気的特性に関する電気的特性データを記憶する第３記憶手段と、前記不良パターンに対応する不良が確認されたときに、当該不良パターンに関する画像データと、当該不良パターンに対応する前記チップ抵抗体における前記電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積して記憶する第４記憶手段と、前記各チップ抵抗体のトリミング時に得られる抵抗値に基づいて前記チップ抵抗体基板の良否判定を行う第１判定、および前記第１判定において良品であると判断された場合に、前記画像データと前記不良データとを比較する第２判定を行い、かつ前記第１判定または前記第２判定において不良であると判断された場合に、前記チップ抵抗体基板が不良であると判断する検出手段と、を備え、前記検出手段はさらに、前記第１判定において、トリミング時に測定された電気的特性データが前記蓄積データ中に対応する電気的特性データが含まれている場合に前記チップ抵抗体基板が不良であると判定することを特徴とする、チップ抵抗体チップ抵抗体基板の不良検出装置が提供される。【００１６】
本発明の第３の側面では、複数のチップ抵抗体を含むチップ抵抗体基板について、前記各チップ抵抗体のトリミングを行なう装置であって、前記チップ抵抗体基板の良否判定を行なうための不良検出装置をさらに備えており、前記不良検出装置は、本発明の第２の側面に係るものであることを特徴とする、トリミング装置が提供される。
【００１９】
好ましくはまた、前記検出手段は、前記各チップ抵抗体に対するトリミング方法、および前記チップ抵抗体または前記チップ抵抗体基板の形状に応じて前記不良パターンを選択するとともに、選択された前記不良パターンに関する前記不良データと、前記画像データと、を比較して前記チップ抵抗体の不良の検出を行なうようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、チップ抵抗体の画像と、予め準備しておいたチップ抵抗体における複数の不良パターンと、を比較してチップ抵抗体基板の不良の検出を行なうものであるため、トリミング形状や成膜・焼成不良に起因する不良を、効率的かつ精度良く検出することができる。また、画像処理には高速性や高精度さは要求されないので、高速・高精度な画像処理装置を採用する必要がなくなり、装置自体の製造コストも抑えることが出来る。
【００２１】
本発明において、チップ抵抗体のトリミング時に取得した電気的特性データを考慮して、チップ抵抗体基板の不良の検出を行なうようにすれば、トリミング形状不良などに起因するチップ抵抗体基板の不良に加えて、電気的特性に起因する不良をも検出することができる。すなわち、電気的特性的には不良でないと判定される場合であってもトリミング形状などの形状不良から基板の不良として判定することが可能となる一方で、トリミング形状などが不良でないと判定される場合であっても電気的特性から不良として判定することが可能となる。その結果、チップ抵抗体基板の良否判定精度をより高めることが出来る。
【００２２】
本発明において、不良パターンに対応する不良が確認されたときに、不良パターンに関するデータと、不良パターンに対応する電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積し、この関連データを考慮してチップ抵抗体基板の不良の検出を行なうようにすることもできる。この場合には、不良パターンとの照合を行なうまでもなく、電気的特性データのみからトリミング不良や成膜・焼成不良などの形状不良を検出することが可能となる。これにより、不良基板を早期かつ効率的に検出することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下においては、本発明の実施の形態を図１ないし図６を参照しつつ説明する。
【００２４】
本発明を説明するに当たって、まず厚膜チップ抵抗体基板について図１を参照して説明する。チップ抵抗体基板１は、セラミック基板１０上に、複数の帯状導体層１１および複数の抵抗体層１２を形成したものである。このチップ抵抗体基板１では、図中のスクライブライン１３によって規定される個々の領域がチップ抵抗体を構成しており、スクライブライン１３に沿って切断することにより多数個のチップ型抵抗器が得られるものである。複数の帯状導体層１１は、一定幅を有するものであり、図中の左右方向に等間隔で配置されている。複数の抵抗体層１２は、一定幅を有するものであり、図中の上下方向に等間隔で配置されている。複数の抵抗体層１２は、一部が帯状導体層１１に覆われて帯状導体層１１と導通しているとともに、残部が矩形状の領域（抵抗体露出部）１４として露出している。このようなチップ抵抗体基板１は、セラミック基板１０上に抵抗体材料および導体材料の被膜を形成した後に焼成することで形成することができる。抵抗体材料を塗布する厚みは、目的とする特性に応じて選択すればよい。
【００２５】
図２は、本発明に係るトリミング装置の一例を示すブロック図である。
【００２６】
トリミング装置２は、チップ抵抗体基板１にトリミング処理を施す機能と、チップ抵抗体基板１の良否判定を行なう機能を併せもつものである。このトリミング装置２は、トリミング部３、撮影部４、画像処理部５および中央処理部６を備えており、図外の搬送機構よってチップ抵抗体基板１がトリミング部３および撮影部４に搬送された後に、中央処理部６における良否判定の結果に基づいて良品基板１′と不良基板１″を分別するように構成されている。
【００２７】
トリミング部３は、チップ抵抗体基板１における抵抗体露出部１４の抵抗値を所定の抵抗値に調整するためのものである。このトリミング部３は、たとえばＱスイッチパルスレーザを用いて、抵抗体露出部１４にレーザ光を繰り返し照射してトリミング溝を形成することにより行なわれる。図３に示したように、トリミング溝１５は、たとえばＬカットと呼ばれる形状に形成される。もちろん、トリミング溝１５の形状は、Ｌカット形状に限らず、その他の形状であってもよい。
【００２８】
抵抗体露出部１４のトリミングは、抵抗体露出部１４の抵抗値を計測しながら行なわれ、抵抗値が所定値に到達したところでレーザ照射を停止することにより終了する。図２に示したように、トリミング部３は、測定された抵抗値に基づいて電気的特性データを生成し、それを中央処理部６に伝送する。電気的特性データは、要求される判定精度と全体の処理速度にも依存するが、たとえばチップ抵抗体基板１におけるトリミング不良のチップ抵抗体の番号とＨｉｇｈ側不良、Ｌｏｗ側不良等の判定データから構成される。
【００２９】
撮影部４は、チップ抵抗体の画像を撮像するためのものであり、照明４０およびＣＣＤカメラ４１を備えている。照明４０は、トリミング溝１５のコントラストが最も明瞭となるように、たとえば透過照明あるいは落射照明が選択され、さらには照明波長の選択が行われる。ＣＣＤカメラ４１において撮影した画像のデータは、撮影データとして画像処理部５に伝送される。もちろん、ＣＣＤカメラ４１に代えて、他種類のカメラを利用することもできる。
【００３０】
画像処理部５は、撮影部４によって撮影された撮影データを、多値化あるいは２値化して画像データとするものである。この画像データは、トリミング溝１５の形状および位置が特定可能なものであり、中央処理部６に伝送される。
【００３１】
中央処理部６は、チップ抵抗体基板１の良否判定を行なうものであり、図４に示したように基板良否判定部６０およびデータベース６１を備えている。この中央処理部６はまた、照明４０やＣＣＤカメラ４１の動作を制御する他、基板良否判定部６０の判定結果に基づいて基板搬送機構７の動作を制御し、チップ抵抗体基板１を良品１′と不良品１″とに分別する動作をも制御する。
【００３２】
基板良否判定部６０は、画像処理部５からの画像データやトリミング部３からの電気特性データに基づいて、必要に応じて、データベース６１に蓄積された関連データをも考慮して、チップ抵抗体基板１の良否判定を行なうものである。この基板良否判定部６０は、チップ抵抗体基板６０の良否判定に必要なプログラムと、予め準備しておいたチップ抵抗体における複数の不良パターンに関する不良データとを記憶したものである。基板良否判定部６０はさらに、画像データおよび電気特性データを記憶可能とされている。
【００３３】
ここで、基板良否判定部６０において記憶される不良データに対応する不良パターンとしては、図５（ａ）ないし図５（ｆ）および図６（ａ）ないし図６（ｃ）を挙げることができる。
【００３４】
図５（ａ）ないし図５（ｆ）は、トリミング溝１５をＬカット形状に形成する場合におけるトリミング溝１５の形状不良の例である。もちろん、トリミング溝１５としてＬカット形状以外のものを採用すれば、不良形状パターンも変わることは言うまでも無い。
【００３５】
図５（ａ）のトリミング不良は、Ｌターン後に帯状導体層１１までレーザ加工を行ってしまったもので、通常所定の抵抗値まで到達していない（アンダーカットとなる）場合が多い。
【００３６】
図５（ｂ）のトリミング不良は、Ｌターン前の切り込みが深く入り過ぎたもので、トリミング後の抵抗値は正しいが、残った抵抗体露出部１４に幅の狭い部分ができるため、定格電流に耐えられず、あるいは長期の抵抗ドリフト発生を起こす場合がある。この形状不良の場合は、トリミング直後の抵抗値が目標抵抗値に対してオーバーシュートする量が一般的に多くなるという特徴を持つ。
【００３７】
図５（ｃ）のトリミング不良は、トリミング開始位置が抵抗体露出部１３の内部となっているものである。この不良は、トリミング後の抵抗値が所定の値となっていても、トリミング開始位置にわずかに残った抵抗体露出部１４の細幅の部分が経年変化で断線したりすると、電気特性が変わってしまう。
【００３８】
図５（ｄ）のトリミング不良は抵抗体の切れ残りが存在するものであり、図５（ｅ）の形状不良はトリミング溝１４内に抵抗体の残渣が残ったものである。これらの形状不良では、抵抗体の切れ残りや残渣が経年変化により抵抗特性に悪影響を及ぼす。
【００３９】
図５（ｆ）のトリミング不良は、トリミング装置の誤作動などが原因でＬターン角度が変わってしまったものである。
【００４０】
一方、図６（ａ）ないし図６（ｃ）は、導体層１１や抵抗体層１２を形成するときの成膜・焼成不良の例であり、スクライブライン１３によって規定される区画内にチップ抵体
が収まらず、はみ出してしまったものである。
【００４１】
図４に示したデータベース６１は、不良パターンに対応する不良が確認されたときに、不良パターンに関するデータと、不良パターンに対応するトリミング部３からの電気的特性データと、を関連付けた関連データを蓄積するものである。
【００４２】
次に、トリミング装置２の動作について説明する。
【００４３】
トリミング装置２を動作させるに当たっては、必要に応じて、チップ抵抗体に対するトリミング方法、供給されるチップ抵抗体基板１や、チップ抵抗体基板１におけるチップ抵抗体の形状を選択する。このような選択がなされた場合には、中央処理部６は、基板良否判定部６０において画像データと照合すべき不良パターンを選択する。
【００４４】
トリミング装置２に対しては、基板搬送機構７によって一定時間毎に連続してチップ抵抗体基板１が供給される。チップ抵抗体基板１は、まずトリミング部３に搬送される。
【００４５】
トリミング部３では、チップ抵抗体基板１が所定の抵抗値となるように、たとえばレーザ光を用いてトリミングされる。トリミング時におけるチップ抵抗体（抵抗体露出部１４）の抵抗値は、電気特性データとして中央処理部６に伝送される。電気特性データは、チップ抵抗体基板１における個々のチップ抵抗体（スクライブライン１３により区画される領域）が所要の抵抗値まで仕上がったかどうかを示すデータである。
【００４６】
トリミングの終了したチップ抵抗体基板１は、トリミング部３から撮影部４に搬送される。
【００４７】
ここで、中央処理部６は、電気特性データに基づいて、チップ抵抗体基板１における全てのチップ型抵抗体の抵抗値が所定の範囲となっているか否かを判断する。中央処理部６はさらに、抵抗値が所定の範囲にないと判断した場合には、電気回路的な観点からトリミング不良のチップ抵抗体が発生していると判定する。このような判定をした場合には、中央処理部６は、基板搬送機構７の動作を制御して、チップ抵抗体基板１を不良基板１″として不良品排出部に搬送する。中央処理部６は、必要に応じて、データベース６１に蓄積された関連データと電気特性データを照合し、チップ抵抗体基板１の良否判定を行なってもよい。
【００４８】
一方、中央処理部６は、抵抗値が所定の範囲にあると判断した場合には、チップ抵抗体基板１が電気的に良品であると判断し、撮影部４においてチップ抵抗体の画像撮影を行なう。画像撮影は、照明４０によってチップ抵抗体基板１を照らしつつ、ＣＣＤカメラ４１によって行なわれる。この画像撮影は、チップ抵抗体基板１の全体を一括して行なってもよいし、複数のチップ抵抗体ついて一括して行なってもよい。
【００４９】
ＣＣＤカメラ４１において撮影した画像のデータは、撮影データとして画像処理部５に伝送される。画像処理部５では、撮影データを多値化あるいは２値化した後に画像データとして中央処理部６に伝送する。
【００５０】
中央処理部６では、基板良否判定部６０において予め記憶されている不良データと画像データとを照合する。必要に応じて、中央処理部６は、データベース６１に蓄積された関連データと、画像データとを照合する。中央処理部６での照合結果は、照合データとして生成されるが、この照合データは、基本的には不良箇所と形状不良パターンの登録番号が含まれるが、判定精度を向上させる目的で、パターンマッチング度を示す指標等も含む場合がある。
【００５１】
中央処理部６ではさらに、照合データに基づいて、トリミング形状不良が発生しているかどうか判定する。この場合、判定精度を向上させるために、補助データとしてトリミング時の電気特性データをさらに考慮してもよい。中央処理部６における判定結果は、基板搬送機構７に送信され、これを受信した搬送機構７は、受信したデータに応じて、チップ抵抗体基板１を不良品排出部もしくは良品排出部に搬送して、１つのチップ抵抗体基板１のトリミングを終了する。
【００５２】
先にも述べたように、チップ型抵抗器の小型化によりチップ抵抗体基板１当たりのチップ型抵抗体の数が大幅に増えている。このため、１基板のトリミング時間は２０〜３０秒程度必要とする場合が多い。その一方、撮影部４へのトリミング済みチップ抵抗体基板１の搬送や良品・不良品判定後のチップ抵抗体基板１の排出時間を差し引いても、チップ抵抗体基板１の撮影および画像処理に１０秒以上の時間を割り当てることが出来る。
【００５３】
これに対して、トリミング装置２は、チップ抵抗体の画像と、予め準備しておいたチップ抵抗体における複数の不良パターンと、を比較してチップ抵抗体基板１の不良の検出を行なうものである。そのため、トリミング形状に起因する不良や成膜・焼成不良を、精度良く、かつ安価で比較的低速の画像処理手段を用いて検出することができる。
【００５４】
トリミング装置２において、チップ抵抗体のトリミング時に取得した電気的特性データを考慮して、チップ抵抗体基板１の不良の検出を行なうようにすれば、トリミング形状不良などに起因するチップ抵抗体基板１の不良に加えて、電気的特性に起因する不良をも検出することができる。すなわち、電気的特定的には不良でないと判定される場合であっても不良として判定することが可能となる一方で、トリミング形状などが不良でないと判定される場合であっても不良として判定することが可能となる。その結果、チップ抵抗体基板１の良否判定精度をより高めることが出来る。
【００５５】
トリミング装置２において、不良パターンに対応する不良が確認されたときの不良パターンに関するデータと、不良パターンに対応する電気的特性データとを関連付けた関連データを蓄積し、この関連データを考慮してチップ抵抗体基板の不良の検出を行なうようにすれば、不良パターンとの照合を行なうまでもなく、電気的特性データのみからトリミング不良や成膜・焼成不良を検出することが可能となる。これにより、不良基板を早期かつ効率的に検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】チップ抵抗体基板の一例を示す平面図である。
【図２】本発明に係るトリミング装置の一例を示すブロック図である。
【図３】チップ抵抗体基板におけるチップ抵抗体に形成するトリミング溝の一例を示す平面図である。
【図４】中央処理部の構成を説明するためのブロック図である。
【図５】チップ抵抗体基板におけるチップ抵抗体のトリミング溝の不良パターンの例を示す平面図である。
【図６】チップ抵抗体基板における成膜不良パターンの例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  チップ抵抗体基板
２  トリミング装置
４  撮影部（撮像手段）
５  画像処理部（画像処理手段）
６０  基板良否判定部（検出手段）
６１  データベース（第４記憶手段）
【図１】
0004716229.tif 000002
【図２】
0004716229.tif 000003
【図３】
0004716229.tif 000004
【図４】
0004716229.tif 000005
【図５】
0004716229.tif 000006
【図６】
0004716229.tif 000007