(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の走査信号線とデータ信号線との交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続され、ドレイン電極がドレイン引出し配線に接続された薄膜トランジスタと、
該ドレイン引出し配線及び画素電極に接続された保持容量上電極と、
該保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、
該保持容量配線は、ドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有し、
該保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつドレイン引出し配線は、保持容量上電極との少なくとも１つの接続部分に保持容量配線の延伸部と重畳しない分離用領域を有し、
該保持容量上電極は、該画素電極と導通されるコンタクトホールが形成され、
該ドレイン引き出し配線は、コンタクトホールが形成されていないことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
基板上の走査信号線とデータ信号線との交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続され、ドレイン電極がドレイン引出し配線に接続された薄膜トランジスタと、
ドレイン引出し配線及び画素電極に接続された保持容量上電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、
該走査信号線は、保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する構造を有し、かつ該保持容量上電極に接続されたドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有し、
該保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつドレイン引出し配線は、保持容量上電極との少なくとも１つの接続部分に走査信号線の延伸部と重畳しない分離用領域を有し、
該保持容量上電極は、該画素電極と導通されるコンタクトホールが形成され、
該ドレイン引き出し配線は、コンタクトホールが形成されていないことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記保持容量配線の延伸部は、略線状であり、かつドレイン引出し配線の線幅は、保持容量配線の延伸部の線幅よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記走査信号線の延伸部は、略線状であり、かつドレイン引出し配線の線幅は、走査信号線の延伸部の線幅よりも小さいことを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
前記ドレイン引出し配線は、２以上の経路を有するものであることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
前記ドレイン引出し配線は、２以上の経路を有するものであることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記保持容量配線の延伸部は、ドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
前記走査信号線の延伸部は、ドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
前記保持容量配線の延伸部は、液晶表示装置における液晶配向制御用突起及び電極非形成部のうち少なくとも一方に重畳する構造を有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
前記走査信号線の延伸部は、液晶表示装置における液晶配向制御用突起及び電極非形成部のうち少なくとも一方に重畳する構造を有することを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１１】
前記保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつ保持容量配線の延伸部は、保持容量配線との境界にドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】
前記保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつ走査信号線の延伸部は、保持容量配線との境界にドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】
請求項１記載のアクティブマトリクス基板を備えてなることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項２記載のアクティブマトリクス基板を備えてなることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１記載のアクティブマトリクス基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項２記載のアクティブマトリクス基板を備えてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記液晶表示装置は、対向電極が形成された対向基板をアクティブマトリクス基板と対向する位置に備えたものであり、
該アクティブマトリクス基板に形成された保持容量配線の延伸部は、アクティブマトリクス基板及び対向基板のうち少なくとも一方に形成された液晶配向制御用突起、画素電極非形成部及び対向電極非形成部のうち少なくとも１つと重畳する構造を有することを特徴する請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記液晶表示装置は、対向電極が形成された対向基板をアクティブマトリクス基板と対向する位置に備えたものであり、
該アクティブマトリクス基板に形成された走査信号線の延伸部は、アクティブマトリクス基板及び対向基板のうち少なくとも一方に形成された液晶配向制御用突起、画素電極非形成部及び対向電極非形成部のうち少なくとも１つと重畳する構造を有することを特徴する請求項１６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板及び表示装置に関する。より詳しくは、液晶層の駆動を制御するための薄膜トランジスタと保持容量素子とを各画素に配設したアクティブマトリクス基板、及び、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス基板は、液晶表示装置、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ；エレクトロルミネッセンス）表示装置等のアクティブマトリクス型表示装置において幅広く用いられている。従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、基板上に交差するように配置された複数本の走査信号線と、複数本のデータ信号線との各交点に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔａｎｓｉｓｔｏｒ；薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子のスイッチング機能により、各画素部に画像信号が伝達される。また、各画素部に保持容量素子を設けることについても開示されている（例えば、特許文献１参照。）。このような保持容量素子は、ＴＦＴ等をオフにしている期間中の液晶層の自己放電又はＴＦＴ等のオフ電流による画像信号の劣化を防止している。また、保持容量素子は、ＴＦＴ等をオフにしている期間中の映像信号保持だけではなく、液晶駆動における各種変調信号の印加経路等にも使用され、保持容量素子を備えた液晶表示装置は、低消費電力と高画質とを実現することができる。【０００３】
ここで、従来のアクティブマトリクス基板の構造の一例を図面に基づいて説明する。
図１６は、従来の保持容量素子を備えてなるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
図１６において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極５１がマトリクス状に設けられており、これらの画素電極５１の周囲を通り、走査信号を供給するための走査信号線５２とデータ信号を供給するためのデータ信号線５３とが互いに交差するように設けられている。また、これらの走査信号線５２とデータ信号線５３との交差部において、画素電極５１に接続されるスイッチング素子としてＴＦＴ５４が設けられている。このＴＦＴ５４のゲート電極には走査信号線５２が接続されており、ゲート電極に入力される走査信号によってＴＦＴ５４が駆動制御される。また、ＴＦＴ５４のソース電極にはデータ信号線５３が接続され、ＴＦＴ５４のソース電極にデータ信号が入力される。更に、ＴＦＴ５４のドレイン電極には、ドレイン引出し配線５５と、ドレイン引出し配線５５を介して保持容量素子の一方の電極（保持容量上電極）５５ａと、保持容量上電極５５ａ及びコンタクトホール５６を介して画素電極５１とが接続されている。保持容量配線５７は、保持容量素子の他方の電極（保持容量下電極）として機能する。【０００４】
図１７は、図１６に示すアクティブマトリクス基板を線分Ｘ−Ｘ’にて切断した断面を示す断面模式図である。
図１７においては、ガラス、プラスチック等の透明絶縁性基板（絶縁基板）６１上に、走査信号線５２に接続されたゲート電極６２が設けられている。走査信号線５２、ゲート電極６２は、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等の金属膜や、それらの合金膜、積層膜で形成される。保持容量素子の他方の電極（保持容量下電極）を構成する保持容量配線５７は、走査信号線５２やゲート電極６２と同一材料により形成されている。それらの上を覆ってゲート絶縁膜６３が設けられている。ゲート絶縁膜６３は、窒化シリコンや酸化シリコン等の絶縁膜により形成される。その上には、ゲート電極６２と重畳するように、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる高抵抗半導体層６４と、更にソース電極６６ａ及びドレイン電極６６ｂとなるリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とが設けられる。また、ソース電極６６ａと接続するように、データ信号線５３が形成されている。更に、ドレイン電極６６ｂと接続するように、ドレイン引出し配線５５が設けられ、ドレイン引出し配線５５は延伸されて、保持容量上電極５５ａと接続されている。画素電極５１はコンタクトホール５６を介して保持容量上電極５５ａと接続され、更にドレイン引出し配線５５を経由してドレイン電極６６ｂと繋がっている。【０００５】
データ信号線５３、ドレイン引出し配線５５、保持容量上電極５５ａは、同一材料により形成され、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等の金属膜や、それらの合金膜、積層膜が用いられる。画素電極５１は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明性を有する導電膜で形成される。コンタクトホール５６は、データ信号線５３、ＴＦＴ５４及びドレイン引出し配線５５の上部を覆うように形成された層間絶縁膜６８を貫くように形成されている。層間絶縁膜６８の材料としては、例えば、アクリル樹脂や、窒化シリコン、酸化シリコン等が挙げられる。図１６、１７に示すような構造のアクティブマトリクス基板については、例えば、特許文献２において開示されている。【０００６】
このような構造のアクティブマトリクス基板においては、製造プロセスの簡略化、製造コスト低減を目的として、保持容量配線（保持容量下電極）５７を走査信号線５２と同一工程にて形成し、保持容量上電極５５ａをデータ信号線５３やドレイン引出し配線５５と同一工程にて形成している。また、図１７のように、画素電極５１を層間絶縁膜６８の上に形成すると、画素電極５１を各信号線５２、５３と重畳させることができるので、高開口率化が図れるとともに、更に画素電極５１への各信号線５２、５３からの電界をシールドできる効果もある。このとき、画素電極５１とドレイン電極６６ｂとの接続は、保持容量配線５７又は走査信号線５２のパターン上の層間絶縁膜６８にコンタクトホール５６を形成して、画素電極５１と保持容量上電極５５ａとを接続し、ドレイン引出し配線５５を介することで導通を図っている。コンタクトホール５６の位置は、特に保持容量上電極５５ａ上に限定されるものではなく、ドレイン引出し配線５５上でも可能であるが、図１６のように、保持容量配線５７のパターン上の保持容量上電極５５ａに形成すれば、新たに開口率を落とすことがない。【０００７】
図１６、１７のようなアクティブマトリクス基板の保持容量配線においては、保持容量素子の機能を担保するために液晶容量Ｃｌｃと保持容量素子の容量Ｃｃｓとの比、Ｃｃｓ／Ｃｌｃが所定の値以上となるように構成される必要がある。そのため、保持容量上電極と保持容量配線との間の絶縁膜が同種で絶縁膜の膜厚が同じであれば、保持容量上電極と保持容量配線との重なり面積を一定以上確保することにより、保持容量をある程度確保する必要がある。しかしながら、保持容量を確保するために、保持容量配線の一部の線幅を大きくする等の方法により、保持容量上電極と保持容量配線との重なり面積を広げると開口率が低下してしまう。液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板においては、可視光領域の電磁波が透過する透過領域の面積、及び、画素に占める透過領域の面積比率である開口率は表示輝度を確保するうえで極めて重要である。【０００８】
これに対し、開口率を低下させずに、保持容量素子の面積を広げる方法としては、データ信号線と保持容量上電極との間隔（ＳＤギャップ）Ｌｓｄを狭くすることが挙げられるが、その場合には、データ信号線と保持容量上電極との間において、データ信号線及び保持容量上電極のパターニングを行った際のレジストの膜残りに起因する短絡が発生しやすくなり、製造歩留りが低下するため、ある距離以下には安易にＳＤギャップを狭められない。【０００９】
したがって、従来においては、保持容量素子の容量を確保するために保持容量配線の線幅を大きくする構造が用いられ、開口率が犠牲にされることがあった。このような構造は、配線抵抗の観点からも必要とされる線幅よりも大きくなっており、配線幅を狭くする余地があった。例えば、特許文献３の図１１、１３、１４に記載の保持容量配線（補助容量配線）においては、保持容量上電極（補助容量電極）との保持容量をある程度確保する必要があるため、配線抵抗により規定される線幅よりも一部の線幅が太くされている。
そこで、保持容量を確保するために大きくされる保持容量上電極及び保持容量配線の配線幅を狭くすることにより、遮光領域を減らし、開口率の向上を図るという点で改善の余地があった。
なお、特許文献４には、画素電極をドレイン電極に直接接続する構成において、保持容量配線（補助容量配線）に、画素電極の外周に沿った延長部を設ける技術が開示されている。しかしながら、画素電極を層間絶縁膜上に形成する構成では、画素電極の外周に沿ってデータ信号線等を配置することで、開口率の向上が図られており、このような構成において開口率の更なる向上を実現することができる技術ではなかった。
【特許文献１】特開平６−９５１５７号公報
【特許文献２】特開平９−１５２６２５号公報
【特許文献３】特開２００４−７８１５７号公報
【特許文献４】特開平１１−５２４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、製造歩留りの低下及び製造工程の増加を抑制しつつ、保持容量の充分な確保と画素の開口率の向上とを両立することができるアクティブマトリクス基板、及び、それを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、保持容量を充分に確保し、かつ開口率の減少を抑制することができるアクティブマトリクス基板の基板構成について種々検討したところ、保持容量素子を形成する保持容量上電極に接続され、保持容量上電極と同一工程にて形成されるドレイン引出し配線に着目した。そして、ドレイン引出し配線と重畳する領域が形成されるように保持容量下電極から延伸させた部分（延伸部）を新たに設けることで、ドレイン引出し配線と保持容量下電極の延伸部とにより、新たな保持容量素子の容量を形成することができ、ドレイン引出し配線を保持容量素子の一部として活用することが可能となることを見いだし、これにより、新たに形成された容量に相当する保持容量下電極の一部及び保持容量上電極の一部が不要になり、保持容量下電極の配線抵抗を許容値以下に抑えたうえで、開口率を向上させることができ、保持容量の充分な確保と画素の開口率の向上とを両立することが可能となることを見いだした。更に、保持容量下電極として保持容量配線を用いるＣｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式、及び、走査信号線を用いるＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式のいずれにおいても、このような作用効果を奏することが可能であり、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達したものである。【００１２】
すなわち本発明は、基板上の走査信号線とデータ信号線との交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続され、ドレイン電極がドレイン引出し配線に接続された薄膜トランジスタと、上記ドレイン引出し配線及び画素電極に接続された保持容量上電極と、上記保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記保持容量配線は、ドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有するアクティブマトリクス基板である。【００１３】
本発明はまた、基板上の走査信号線とデータ信号線との交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続され、ドレイン電極がドレイン引出し配線に接続された薄膜トランジスタと、ドレイン引出し配線及び画素電極に接続された保持容量上電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記走査信号線は、（接続相手のゲート電極を含む画素の隣接画素から延伸している）保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する構造を有し、かつ上記保持容量上電極に接続されたドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有するアクティブマトリクス基板でもある。
以下に本発明を詳述する。【００１４】
本発明のアクティブマトリクス基板は、薄膜トランジスタと、保持容量上電極と、保持容量配線とを備えたものである。本発明における薄膜トランジスタは、基板上の走査信号線とデータ信号線との交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続され、ドレイン電極がドレイン引出し配線に接続されたものであり、複数本のデータ信号線に同時に供給されるデータ信号を、データ信号線と交差する複数本の走査信号線に順次供給される走査信号でサンプリングさせるためのスイッチとして用いることができる。なお、本明細書において、上記ドレイン引出し配線とは、薄膜トランジスタのドレイン電極と保持容量上電極とを接続する配線のことをいう。【００１５】
上記保持容量上電極は、ドレイン引出し配線及び画素電極に接続されたものであり、保持容量配線と少なくとも絶縁膜を介して重畳するように設けられ、これらと保持容量素子を構成するものである。このようなＣｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式における保持容量配線の好ましい形態としては、走査信号線と同一工程にて形成され、走査信号線と平行に配置された複数本の保持容量配線からなる形態が挙げられる。【００１６】
また、本発明において、上記保持容量配線は、保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する構造を有するとともに、ドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有するものである。すなわち、本発明のアクティブマトリクス基板では、保持容量配線から延伸された配線（延伸部）が形成されており、保持容量配線の延伸部が絶縁膜を介してドレイン引出し配線と重畳することで、保持容量素子の容量を拡大している。このような保持容量素子は、保持容量上電極がドレイン引出し配線を通じて薄膜トランジスタに接続されていることから、データ信号線に供給されたデータ信号を保持する機能を果たすことができる。
なお、保持容量配線の延伸部は、ドレイン引出し配線の少なくとも一部と絶縁膜を介して重畳する構造を有していれば特に限定されず、保持容量配線の延伸部がドレイン引出し配線の全体と絶縁膜を介して重畳していなくてもよいし、保持容量配線の延伸部の全体がドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳していなくてもよい。【００１７】
本発明のアクティブマトリクス基板の構成としては、このような構成要素を必須として構成されるものである限り、その他の構成により特に限定されるものではなく、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよい。例えば、画素電極は、薄膜トランジスタと電気的に接続されていれば、ドレイン引出し配線に直接接続されていてもよく、保持容量上電極に直接接続されていてもよい。【００１８】
本発明のアクティブマトリクス基板においては、保持容量配線の延伸部が絶縁膜を介してドレイン引出し配線と重畳し、保持容量素子を形成することから、新たに形成された容量に相当する保持容量配線の一部及び保持容量上電極の一部を削減することができる。これにより、保持容量配線の配線抵抗を許容値以下に抑えることができる範囲内であれば、容量形成のために付加していた保持容量配線や保持容量上電極のパターンを縮小することができ、基板設計（回路構成）の自由度が向上する。したがって、保持容量配線の細線化等を行うことにより、充分な保持容量を確保しながら開口率を向上させることが可能となる。なお、本発明において、ドレイン引出し配線は、通常、データ信号線と同一工程にて形成され、保持容量配線の延伸部は、走査信号線や保持容量配線と同一工程にて形成することができるため、新たに工程を増加させることなく、本発明の構造を形成することが可能である。
このように、本発明のアクティブマトリクス基板は、保持容量を充分に確保しつつ、画素の開口率の向上が可能であることから、液晶表示装置等の表示装置の基板として用いた場合には、表示装置における表示品位の向上、輝度の向上、及び、消費電力の低減が可能であり、高い表示品位及び性能が要求される大型液晶テレビ等に用いられる液晶表示パネルや液晶表示装置に好適に用いることができる。【００１９】
本発明において、保持容量素子は、走査信号線と保持容量上電極とが少なくとも絶縁膜を介して重畳する構造を有するものであってもよい。このような保持容量素子における保持容量下電極として走査信号線を利用する方式（Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式）に対して本発明を適用する場合においては、上記走査信号線は、保持容量上電極と絶縁膜を介して重畳する構造を有し、かつ該保持容量上電極に接続されたドレイン引出し配線と絶縁膜を介して重畳する延伸部を有することとなる。このように、（特定の）走査信号線と重畳する（特定の）保持容量上電極に接続されたドレイン引出し配線と、当該（特定の）走査信号線の延伸部とが重畳することにより、保持容量素子の容量を拡大させることができ、Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式においても、保持容量下電極として保持容量配線を設けるＣｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式と同様に、本発明の作用効果を得ることが可能となる。【００２０】
本発明のアクティブマトリクス基板における好ましい形態について以下に説明する。
本発明において、上記保持容量配線又は走査信号線の延伸部は、略線状であり、かつドレイン引出し配線の線幅は、保持容量配線又は走査信号線の延伸部の線幅よりも小さいことが好ましい。ドレイン引出し配線と保持容量配線又は走査信号線の延伸部とをフォトリソグラフィ法によりパターン形成する際に、保持容量配線又は走査信号線の延伸部のパターン端部は、段差（テーパ）の存在に起因して絶縁膜の被覆性が低く、保持容量配線や走査信号線よりも後に形成されるドレイン引出し配線と短絡を生じやすい部分であるが、ドレイン引出し配線の線幅を保持容量配線又は走査信号線の延伸部の線幅よりも小さくすることで、ドレイン引出し配線のパターンが延伸部のパターン端部に重畳することを防止することができ、短絡を効果的に防止することができる。
また、フォトリソグラフィ法の露光工程におけるアライメントずれやスキャンずれ等により、ドレイン引出し配線のパターンが保持容量配線の延伸部のパターンから外れた位置に形成される可能性を低減することも可能であり、ドレイン引出し配線と保持容量配線の延伸部との重なり部の面積の変動による容量変化を効果的に防止することができる。【００２１】
本発明において、上記ドレイン引出し配線は、２以上の経路を有する（複線化された）ものであることが好ましい。なお、本願明細書における「以上」は、当該数値を含むものである。このようなドレイン引出し配線の形態としては、（１）薄膜トランジスタと接続された１本のドレイン引出し配線が２本以上に分岐して保持容量上電極に接続される形態、（２）薄膜トランジスタと接続された２本以上のドレイン引出し配線が１本に合流して保持容量上電極に接続される形態、（３）薄膜トランジスタと接続された２本以上のドレイン引出し配線が橋架されて、又は、橋架されることなく保持容量上電極に接続される形態が挙げられ、中でも、（３）の形態が好ましい。ドレイン引出し配線を上記（１）〜（３）の形態とすることにより、薄膜トランジスタからのデータ信号が２以上の導通経路を経て保持容量上電極に送られることとなるため、ドレイン引出し配線の一部の断線により、薄膜トランジスタと保持容量上電極とが絶縁されてしまう可能性を低減することができる。また、ドレイン引出し配線が複線化されていない場合と比較して、ドレイン引出し配線と保持容量配線又は走査信号線の延伸部とで形成される保持容量を大きくし易くなる。
すなわち、上記形態のアクティブマトリクス基板を液晶表示装置等の表示装置用基板として用いることで、ドレイン引出し配線の断線に起因する表示画像における点欠陥（画素欠陥）の発生を効果的に抑制し、歩留りを向上させることができるともに、保持容量を充分に確保しながら、画素の開口率の向上を図ることができる。【００２２】
本発明において、上記保持容量配線又は走査信号線の延伸部は、ドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することが好ましい。なお、ドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域とは、レーザ照射等により、ドレイン引出し配線を断線させることなく、保持容量配線又は走査信号線の延伸部を電気的に分割することが可能な領域である。このような分離用領域を設けることにより、保持容量配線又は走査信号線の延伸部とドレイン引出し配線との間の絶縁膜に導電性異物やピンホールが存在し、保持容量配線又は走査信号線の延伸部がドレイン引出し配線と短絡した場合や、保持容量配線の延伸部と保持容量配線（及び延伸部）と同一工程にて形成された走査信号線との間に発生した膜残り等により、保持容量配線の延伸部が走査信号線と短絡した場合であっても、延伸部のドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域にて、短絡箇所を含む延伸部の一部を電気的に分離することで、残りの延伸部を保持容量素子の一部として有効に機能させ、保持容量素子の機能を維持させることが可能となる。【００２３】
本発明において、上記保持容量配線又は走査信号線の延伸部は、液晶表示装置における液晶配向制御用突起及び電極非形成部のうち少なくとも一方に重畳する構造を有することが好ましい。すなわち、本発明においては、保持容量配線の延伸部のパターンの少なくとも一部と、液晶表示装置における液晶配向制御用突起及び／又は電極非形成部のパターンの少なくとも一部とを重畳させることが好ましい。なお、液晶配向制御用突起及び電極非形成部は、液晶表示装置を構成する本発明のアクティブマトリクス基板に形成されていてもよいし、アクティブマトリクス基板に対向する基板（以下、対向基板ともいう）に形成されていてもよい。保持容量配線又は走査信号線の延伸部と液晶配向制御用突起及び電極非形成部とが重畳しているとは、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせて液晶表示パネルを形成した状態で、パネル面法線方向から見たときに、保持容量配線又は走査信号線の延伸部のパターンと液晶配向制御用突起及び電極非形成部のパターンとが重複している状態のことをいう。
液晶配向制御用突起としては、アクティブマトリクス基板の画素電極上、又は、対向基板の共通電極上に形成されたリブ形状等の突起構造物等が挙げられる。また、電極非形成部としては、アクティブマトリクス基板の画素電極、又は、対向基板の共通電極に形成されたスリット形状等の電極開口部等が挙げられる。これらの構造は、電圧無印加時に液晶分子が一対の基板間で垂直配向し、かつ、１画素内が複数のドメインに分割されたＭＶＡ（マルチドメイン垂直配向；Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置に本発明のアクティブマトリクス基板を適用する場合に好適に用いられるものであり、この場合、液晶配向制御用突起及び電極非形成部は、液晶分子の配向制御に利用されるものであることが好ましい。
本発明においては、これらの液晶表示装置において、通常では開口部（光の透過領域）として寄与が小さい（効果的に用いられない）液晶配向制御用突起及び／又は電極非形成部に相当する位置に、通常では遮光領域となる保持容量配線又は走査信号線の延伸部を設けることにより、延伸部に起因する開口率の低下を防止することができる。【００２４】
なお、ＭＶＡ方式は、垂直配向型液晶表示装置の視角特性を改善するために、１画素内を複数のドメインに分割する方式であり、ドメインを分割形成する方法としては、アクティブマトリクス基板の画素電極やカラーフィルタ基板の対向電極に電極の切除パターン（電極開口部）を設ける方法や、基板に液晶配向制御用突起を設ける方法が採用されている。このＭＶＡ方式では、電極開口部や液晶配向制御用突起によって形成されるフリンジフィールド（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ）効果や突起傾斜部における液晶分子の傾斜配向を利用して、画素内において液晶分子の配向方向を複数の方向に分散させることで、広視野角化を実現することができる。【００２５】
本発明において、上記保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつドレイン引出し配線は、保持容量上電極との少なくとも１つの接続部分に保持容量配線の延伸部と重畳しない分離用領域を有することが好ましい。これにより、保持容量上電極の一部と保持容量配線との間で短絡が発生し、画素欠陥が生じた場合であっても、短絡の生じた保持容量上電極を薄膜トランジスタから電気的に絶縁分離することで、画素欠陥を修復することができる。【００２６】
本発明において、上記保持容量上電極は、画素内で、２以上に分割されたものであり、それぞれの分割部分がドレイン引出し配線に接続され、かつ保持容量配線の延伸部は、保持容量配線との境界にドレイン引出し配線と重畳しない分離用領域を有することが好ましい。これにより、保持容量配線の延伸部と走査信号線とが短絡した場合や、ドレイン引出し配線と保持容量配線の延伸部とが短絡した場合には、短絡した保持容量配線の延伸部の一部を保持容量配線から溶融分離することができ、短絡の生じた画素を欠陥画素とすることなく正常画素に修復することができる。また、保持容量配線の延伸部にドレイン引出し配線と重畳しない領域を保持容量配線との境界に設けることにより、ドレイン引出し配線と保持容量配線の延伸部とが、どこで短絡したとしても、保持容量配線の延伸部とドレイン引出配線とを電気的に絶縁分離することができるため、短絡の生じた画素を欠陥画素とすることなく正常画素に修復することができる。【００２７】
本発明はまた、上記アクティブマトリクス基板を備えてなる表示装置及び液晶表示装置でもある。本発明の表示装置及び液晶表示装置によれば、本発明のアクティブマトリクス基板を構成部材として用いるので、製造歩留りの低下及び製造工程の増加を抑制しつつ、保持容量の充分な確保と画素の開口率の向上とを両立することができ、表示品位に優れた表示装置を提供することができる。
なお、本発明の液晶表示装置は、通常では画素電極を備えたアクティブマトリクス基板と、対向電極及びカラーフィルタを備えた対向基板との間に液晶物質を挟持した構造を有するものであり、画素電極と対向電極との間に電圧を印加することで形成される電界によって液晶物質中の液晶分子の配向を制御し、この配向制御によりバックライト等からの光の透過量を調整することで、画像を表示する装置である。【００２８】
本発明において、上記液晶表示装置は、対向電極が形成された対向基板をアクティブマトリクス基板と対向する位置に備えたものであり、上記アクティブマトリクス基板に形成された保持容量配線又は走査信号線の延伸部は、アクティブマトリクス基板及び対向基板のうち少なくとも一方に形成された液晶配向制御用突起、画素電極非形成部及び対向電極非形成部のうち少なくとも１つと重畳する構造を有することが好ましい。これにより、保持容量配線又は走査信号線の延伸部に起因する開口率の低下を防止することができる。【００２９】
本発明の表示装置及び液晶表示装置の構成としては、上述した特徴を有し、更に表示装置が通常有する構成要素を備えたものであればよく、その他の構成において特に限定されるものではない。なお、本発明においては、保持容量配線又は走査信号線の延伸部を備える画素により全ての画素が構成されることが好ましいが、保持容量配線又は走査信号線の延伸部を備える画素を主体として構成されていればよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のアクティブマトリクス基板は、上述のような構成であるので、製造歩留りの低下及び製造工程の増加を抑制しつつ、保持容量を充分に確保することが可能であり、保持容量配線の配線抵抗を許容値以下に抑えることができる範囲内であれば、容量確保のために付加していた保持容量配線や保持容量上電極の面積を縮小することにより、開口率を向上させることができる。また、本発明では、Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式のように、保持容量配線の代わりに、走査信号線を保持容量電極として使用する形態においても、走査信号線に延伸部を設けることで、同様の作用効果を得ることが可能である。
このような本発明のアクティブマトリクス基板を液晶表示装置等の表示装置用基板として用いれば、優れた表示品位を確保したうえで、輝度の向上や消費電力の低減が可能となる。したがって、本発明のアクティブマトリクス基板は、高い表示品位及び性能が要求される大型液晶テレビ等の液晶表示パネルや液晶表示装置に好適に用いることができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に実施例を掲げ、図面を参照して本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。【００３２】
（実施例１）
図１は、実施例１におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板を線分Ａ−Ａ’にて切断した断面を示す断面模式図である。
図１において、アクティブマトリクス基板には、複数の画素電極２１がマトリクス状に配列されている。これらの画素電極２１の周囲を通り、互いに交差するように、走査信号を供給するための走査信号線２２と、データ信号を供給するためのデータ信号線２３が設けられている。また、これらの走査信号線２２とデータ信号線２３との交差部分において、画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴ２４が設けられている。このＴＦＴ２４のゲート電極３２には走査信号線２２が接続され、ゲート電極３２に入力される走査信号によってＴＦＴ２４が駆動制御される。またＴＦＴ２４のソース電極３６ａにはデータ信号線２３が接続され、ＴＦＴ２４のソース電極３６ａにデータ信号が入力される。更に、ドレイン電極３６ｂには、ドレイン引出し配線２５と、それを介して保持容量素子の一方の電極（保持容量上電極）２５ａと、それら及びコンタクトホール２６を介して画素電極２１とが接続されている。保持容量配線２７は、この保持容量素子の他方の電極（保持容量下電極）として機能する（Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式）。
保持容量配線２７からは、ドレイン引出し配線２５と一部が重畳するように保持容量配線の延伸部２７ａが延伸され、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとの間に保持容量が形成されている。なお、保持容量配線の延伸部２７ａとドレイン引出し配線２５とが重畳している領域には、図中に色を付して表示している。【００３３】
図２において、ガラス、プラスチック等の透明絶縁性基板３１上に、走査信号線２２に接続されたゲート電極３２が設けられている。走査信号線２２、ゲート電極３２は、公知のスパッタリング法等により、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン等の金属膜や、それらの合金膜又は積層膜を１０００〜３０００Åの膜厚で成膜した後、フォトエッチング法等の方法でパターン形成される。保持容量素子の他方の電極（保持容量下電極）を構成する保持容量配線２７及び保持容量配線の延伸部２７ａは、走査信号線２２やゲート電極３２と同一工程にて同一材料により形成される。
また、ゲート電極３２、走査信号線２２、保持容量配線２７及び保持容量配線の延伸部２７ａの上を被覆するように、基板全面にゲート絶縁膜３３が設けられている。ゲート絶縁膜３３は、窒化シリコン、酸化シリコン、金属酸化膜等の絶縁膜により形成される。ゲート絶縁膜３３の上にはゲート電極３２と重畳するように、アモルファスシリコンやポリシリコン等からなる高抵抗半導体層３４が設けられ、更にその上に、ソース電極３６ａ及びドレイン電極３６ｂとなる、アモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層がオーミックコンタクト層として設けられている。ゲート絶縁膜３３、高抵抗半導体層３４及び低抵抗半導体層は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学蒸着）法等により成膜された後、フォトエッチング法等によりパターニングされて形成される。ゲート絶縁膜３３の膜厚は、例えば、窒化シリコン膜で３０００〜４０００Å、高抵抗半導体層３４の膜厚は、アモルファスシリコン膜で１５００〜２５００Å、低抵抗半導体層の膜厚は、ｎ＋アモルファスシリコン膜で３００〜５００Å程度に形成されることが好ましい。【００３４】
更に、ソース電極３６ａと接続されるように、データ信号線２３が設けられている。またドレイン電極３６ｂと接続されるように、ドレイン引出し配線２５及び保持容量上電極２５ａが設けられ、保持容量上電極２５ａは、層間絶縁膜３８を貫通するコンタクトホール２６を介して画素電極２１と接続されている。データ信号線２３、ドレイン引出し配線２５及び保持容量上電極２５ａは、同一工程により形成される。データ信号線２３、ドレイン引出し配線２５及び保持容量上電極２５ａは、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅等の金属膜や、それらの合金膜又は積層膜を１０００〜３０００Åの膜厚でスパッタリング法等の方法にて成膜した後、フォトエッチング法等にて必要な形状にパターン形成される。
そして、ＴＦＴ２４は、上述の高抵抗半導体層３４及び低抵抗半導体層に対して、データ信号線２３及びドレイン引出し配線２５のパターンをマスクにし、ドライエッチングにてチャネルエッチングを行うことで形成する。【００３５】
層間絶縁膜３８としては、感光性アクリル樹脂等の樹脂膜、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機絶縁膜、それらの積層膜等が用いられ、例えば、プラズマＣＶＤ法等により成膜した２０００Åの膜厚の窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜の上にダイコート（塗布）法により形成した３００００Åの膜厚の感光性アクリル樹脂膜との積層膜を用いることができる。
コンタクトホール２６は、ＴＦＴ２４、データ信号線２３及びドレイン引出し配線２５の上部を覆うように形成された層間絶縁膜３８を貫くように設けられている。コンタクトホール２６は、例えば、層間絶縁膜３８を構成する感光性アクリル樹脂膜をフォトリソグラフィ法（露光及び現像）によりパターニングした後、パターニングされた感光性アクリル樹脂膜をマスクにし、ドライエッチング法により、窒化シリコン膜をエッチングすることにより形成される。
画素電極２１は、層間絶縁膜３８の上層に形成され、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；酸化インジウム亜鉛）、酸化亜鉛、酸化スズ等の透明性を有する導電膜や、それらの合金膜又は積層膜をスパッタリング法等により５００〜２０００Å程度の膜厚で成膜し、これをフォトエッチング法等にて必要な形状にパターニングすることで形成される。
なお、後述する図９のＭＶＡ方式のアクティブマトリクス基板を製造するためには、画素電極２１をパターン形成する際に、画素内に画素電極非形成部（電極スリット）を形成したり、画素電極２１上に更に液晶配向制御用突起を形成したりするプロセスが必要となる。【００３６】
本実施例の構成によれば、保持容量配線の延伸部２７ａを形成し、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとの間に保持容量を形成することで、保持容量配線２７及び保持容量上電極２５ａの一部（図１中、点線で囲まれる領域Ｓ）が不要になり、保持容量配線２７の配線抵抗を許容値内に抑えながら、開口率を向上させることが可能となった。例えば、本実施例の構成を３２型ＷＸＧＡのアクティブマトリクス基板（画素サイズ＝走査信号線２２のピッチ×データ信号線２３のピッチ＝５２０μｍ×１７３μｍ）に適用した場合においては、Ｃｃｓ／Ｃｌｃを０．８以上確保し、開口率を約０．５％向上させることに成功した。また、ＳＤギャップＬｓｄを１０μｍ以上確保したことで、データ信号線２３と保持容量上電極２５ａとの間の短絡による歩留まりの低下を防止することができた。【００３７】
（実施例２及び３）
図３及び４は、実施例２及び３におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
実施例２及び３においては、図３及び４に示すように、保持容量配線の延伸部２７ａに、ドレイン引出し配線２５と互いに重なり合わない分離用領域（以下、「非重畳部」ともいう）２７ｘが形成されている。実施例２では、図３に示すように、略線状である保持容量配線の延伸部２７ａの屈曲部分が非重畳部２７ｘとなっている。一方、実施例３では、図４に示すように、略線状であるドレイン引出し配線２５の屈曲部分に対応する保持容量配線の延伸部２７ａの直線部分が非重畳部２７ｘとなっている。このような非重畳部２７ｘを含むパターンは、ドレイン引出し配線２５及び保持容量配線の延伸部２７ａをフォトリソグラフィ法により形成する際に、露光パターンを変更するだけで容易に形成することができる。
実施例２及び３では、非重畳部２７ｘが形成されていることから、例えば膜残り９８により保持容量配線の延伸部２７ａと走査信号線２２とが短絡した場合や、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとの間のゲート絶縁膜中にピンホールや導電性異物９９が存在し、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとが短絡した場合には、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ；イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ、エキシマレーザ等によりレーザ照射し、レーザ照射箇所９１で短絡した保持容量配線の延伸部２７ａの一部を保持容量配線２７から溶融分離することができ、これにより、短絡の生じた画素を欠陥画素とすることなく正常画素に修復することができる。
なお、実施例２及び３は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００３８】
（実施例４）
図５は、実施例４におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例においては、図５に示すように、ドレイン引出し配線２５の線幅（Ｌｄ）が保持容量配線の延伸部２７ａの線幅（Ｌｃｓ’）よりも小さく形成されている。通常、保持容量配線の延伸部２７ａ及びドレイン引出し配線２５は、フォトリソグラフィ法によりパターン形成され、ドレイン引出し配線２５は、保持容量配線２７や走査信号線２２の形成よりも後に形成されることとなるが、保持容量配線の延伸部２７ａのパターン端部では、段差（テーパ）が存在するために、ゲート絶縁膜３３の被覆性（カバレッジ）が低下して短絡しやすい。これに対し、本実施例では、ドレイン引出し配線の線幅Ｌｄを保持容量配線の延伸部の線幅Ｌｃｓ’よりも小さく形成することで、保持容量配線の延伸部２７ａのパターン端部にドレイン引出し配線２５のパターンがかかることを最低限に抑制しており、保持容量配線の延伸部２７ａとドレイン引出し配線２５との短絡の可能性を低減している。
また、フォトリソグラフィ法の露光工程におけるアライメントずれやスキャンずれ等により、ドレイン引出し配線２５のパターンが保持容量配線の延伸部２７ａのパターンから踏み外す可能性を低減することができるので、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとの重なり面積が変化することによる容量変化を防止することもできる。
なお、本発明においては、Ｌｃｓ’−Ｌｄ＞３μｍとなるような線幅で形成することが好ましい。
また、実施例４は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００３９】
（実施例５）
図６は、実施例５におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例では、図６に示すように、保持容量を保持容量上電極２５ａと（次段の）走査信号線２２’との間で形成する、いわゆるＣｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式が採用されている。Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式を採用した実施例１〜４においては、保持容量配線が形成され、保持容量配線の延伸部とドレイン引出し配線との間で保持容量が付加されたが、本実施例では、（次段の）走査信号線の延伸部２２ａを形成することで、ドレイン引出し配線２５と（次段の）走査信号線の延伸部２２ａとの間に新たな保持容量を形成している。このような実施例５の構成によっても、実施例１と同様の作用効果を奏することができる。【００４０】
（実施例６）
図７は、実施例６におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例においては、図７に示すように、ドレイン引出し配線２５は部分的に複線化され、保持容量上電極２５ａとの電気的な導通は複数の経路２５’、２５”にて可能となっている。このような冗長化構造によれば、ドレイン引出し配線２５の一方の経路において断線不良が生じた場合でも、画素電極２１とＴＦＴのドレイン電極３６ｂとが絶縁することを防止することができる。また、保持容量配線の延伸部２７ａも複数のドレイン引出し配線２５’、２５”に重畳するように複数形成することで、保持容量配線の延伸部２７ａとドレイン引出し配線２５’、２５”との間の重なり面積を拡大することができ、保持容量配線の延伸部２７ａとドレイン引出し配線２５との間の保持容量を充分に確保することができる。
なお、実施例６は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４１】
（実施例７）
図８は、実施例７におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例においては、図８に示すように、ドレイン引出し配線２５は部分的に複線化され、保持容量上電極２５ａとの電気的な導通は複数の経路にて可能となっており、更に保持容量上電極２５ａも複数個に分割されている。そして、複数個に分割された保持容量上電極２５ａ’、２５ａ”にそれぞれドレイン引出し配線２５’、２５”が接続され、保持容量配線の延伸部２７ａ’、２７ａ”がドレイン引出し配線２５’、２５”のそれぞれに重畳するように配置されている。
本実施例においては、保持容量上電極２５ａが２個に分割されていることから、一方の保持容量上電極２５’と保持容量配線２７との間で短絡が発生し、画素欠陥が生じた場合であっても、（１）レーザ照射箇所９１にＹＡＧレーザ等を照射し、短絡の生じた保持容量上電極２５ａ’をＴＦＴ２４から電気的に絶縁分離し、（２）保持容量上電極２５ａ’と画素電極２１とを導通させているコンタクトホール２６上の領域の画素電極２１をＹＡＧレーザ等により除去することで、画素欠陥を修復することが可能である。なお、レーザ照射箇所９１にて溶融分離されたドレイン引出し配線２５’において、ＴＦＴ２４に近い側は、保持容量配線の延伸部２７ａ’が重畳しているため、溶融分離後においても、ドレイン引出し配線２５ａ’の一部と保持容量配線の延伸部２７ａ’とは保持容量素子を形成する。そのため、レーザ照射により画素欠陥を修復した場合であっても、保持容量の低下を抑制し、正常画素として修復することができるので、歩留りを向上することができる。
なお、実施例７は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４２】
（実施例８）
図９は、実施例８におけるＭＶＡ方式用のアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例においては、図９に示すように、保持容量配線の延伸部２７ａ及びドレイン引出し配線２５は、画素電極２１に形成された画素電極スリット（画素電極非形成部）２９ａに重畳するように形成されている。これにより、画素電極スリット２９ａが形成された領域は、開口率への寄与が小さいため、保持容量配線の延伸部２７ａ及びドレイン引出し配線２５を形成することによる新たな開口率の低下を防止することができる。
なお、実施例８は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４３】
（実施例９〜１１）
図１０、１１及び１２は、実施例９、１０及び１１における液晶表示装置の断面模式図である。
実施例９においては、図１０に示すように、アクティブマトリクス基板３０及び対向基板４０ともに液晶配向制御用突起２９ｂが形成されている。実施例１０においては、図１１に示すように、アクティブマトリクス基板３０及び対向基板４０ともに電極非形成部２９ａが形成されている。実施例１１においては、図１２に示すように、アクティブマトリクス基板３０には電極非形成部２９ｂ、対向基板４０には液晶配向制御用突起２９ｂが形成されている。
これらの実施例においては、アクティブマトリクス基板３０の保持容量配線の延伸部２７ａ及びドレイン引出し配線２５がアクティブマトリクス基板３０及び／又は対向基板４０上に形成された液晶配向制御用突起２９ｂ又は電極非形成部２９ａに重畳するように形成されている。液晶配向制御用突起２９ｂ又は電極非形成部２９ａは、ＭＶＡ方式の液晶表示装置において一般的に形成される構造物で、開口率への寄与が小さいことから、保持容量配線の延伸部２７ａ及びドレイン引出し配線２５を重畳するように形成することで、その形成に伴う新たな開口率の低下を防止することができる。
なお、実施例９〜１１は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４４】
（実施例１２）
図１３は、実施例１２におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
本実施例においては、図１３に示すように、ドレイン引出し配線２５、２５’は部分的に複線化され、保持容量上電極２５ａとの電気的な導通は複数の経路２５、２５’にて可能となっており、更に保持容量上電極２５ａも複数個に分割されている。そして、複数個に分割された保持容量上電極２５ａ、２５ａ’にそれぞれドレイン引出し配線２５、２５’が接続され、保持容量配線の延伸部２７ａがドレイン引出し配線２５に重畳するように配置されている。本実施例においては、保持容量上電極２５ａが２個に分割されていることから、一方の保持容量上電極２５ａ’と保持容量配線２７との間で短絡が発生し、画素欠陥が生じた場合であっても、（１）レーザ照射箇所９１にＹＡＧレーザ等を照射し、短絡の生じた保持容量上電極２５ａ’をＴＦＴ２４から電気的に絶縁分離し、（２）保持容量上電極２５ａ’と画素電極２１とを導通させているコンタクトホール２６上の領域の画素電極２１をＹＡＧレーザ等により除去することで、画素欠陥を修復することが可能である。
なお、実施例１２は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４５】
（実施例１３）
図１４及び１５は、実施例１３におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
実施例１３においては、図１４に示すように、保持容量配線の延伸部２７ａに、非重畳部２７ｘが形成されている。実施例１３では、図１４に示すように、ドレイン引出し配線２５、２５’、２５”の屈曲部分２５’、２５”に対応する保持容量配線の延伸部２７ａの直線部分が非重畳部２７ｘとなっており、非重畳部２７ｘは保持容量配線２７と保持容量配線の延伸部２７ａの境界部に設けられている。実施例１３では、非重畳部２７ｘが形成されていることから、例えば図１４に示すように、膜残り９８により保持容量配線の延伸部２７ａと走査信号線２２とが短絡した場合や、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとの間のゲート絶縁膜中にピンホールや導電性異物９９が存在し、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとが短絡した場合には、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等によりレーザ照射し、レーザ照射箇所９１で短絡した保持容量配線の延伸部２７ａの一部を保持容量配線２７から溶融分離することができ、これにより、短絡の生じた画素を欠陥画素とすることなく正常画素に修復することができる。また、非重畳部２７ｘを保持容量配線の延伸部２７ａの途中ではなく保持容量配線２７との境界に設けることにより、ドレイン引出し配線２５と保持容量配線の延伸部２７ａとが、どこで短絡したとしても、保持容量配線の延伸部２７ａとドレイン引出配線２５とを電気的に絶縁分離することができるため、短絡の生じた画素を欠陥画素とすることなく正常画素に修復することができる。【００４６】
また、本実施例においては、図１５に示すように、ドレイン引出し配線２５、２５’、２５”は、部分的に複線化され、保持容量上電極２５ａとの電気的な導通が複数の経路２５’、２５”にて可能となっており、更に保持容量上電極２５ａも２個に分割されている。そして、２個に分割された保持容量上電極２５ａ’、２５ａ”にそれぞれドレイン引出し配線２５’、２５”が接続され、保持容量配線の延伸部２７ａがドレイン引出し配線２５に重畳するように配置されている。
本実施例においては、保持容量上電極２５ａが２個に分割されていることから、一方の保持容量上電極２５ａ”と保持容量配線２７との間で短絡が発生し、画素欠陥が生じた場合であっても、（１）レーザ照射箇所９１にＹＡＧレーザ等を照射し、短絡の生じた保持容量上電極２５ａ”をＴＦＴ２４から電気的に絶縁分離し、（２）保持容量上電極２５ａ”と画素電極２１とを導通させているコンタクトホール２６上の領域の画素電極２１をＹＡＧレーザ等により除去することで、画素欠陥を修復することができる。
なお、実施例１３は、実施例１における本発明の構成を含んでいることから、実施例１と同様の作用効果についても奏することができるものである。【００４７】
なお、本願は、２００４年１１月１７日に出願された日本国特許出願第２００４−３３２８８９号、及び、２００５年６月１７日に出願された日本国特許出願第２００５−１７８２１７号を基礎として、（合衆国法典３５巻第１１９条に基づく）優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施例１（Ｃｓ−ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ方式）におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図２】図１に示すアクティブマトリクス基板を線分Ａ−Ａ’にて切断した断面を示す断面模式図である。
【図３】実施例２におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図４】実施例３におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図５】実施例４におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図６】実施例５（Ｃｓ−ｏｎ−Ｇａｔｅ方式）におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図７】実施例６におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図８】実施例７におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図９】実施例８におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図１０】実施例９における液晶表示装置を示す断面模式図である。
【図１１】実施例１０における液晶表示装置を示す断面模式図である。
【図１２】実施例１１における液晶表示装置を示す断面模式図である。
【図１３】実施例１２におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図１４】実施例１３におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図１５】実施例１３におけるアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である（図１４とは異なる部分で短絡が発生した場合）。
【図１６】従来のアクティブマトリクス基板の一画素の構成を示す平面模式図である。
【図１７】図１６に示すアクティブマトリクス基板を線分Ｘ−Ｘ’にて切断した断面を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
２１：画素電極（太線内）
２２：走査信号線
２２’：（次段の）走査信号線
２２ａ：（次段の）走査信号線の延伸部
２３：データ信号線
２４：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２５、２５’、２５”：ドレイン引出し配線
２５ａ、２５ａ’、２５ａ”：保持容量上電極
２６：コンタクトホール
２７：保持容量配線（保持容量下電極）
２７ａ、２７ａ’、２７ａ”：保持容量配線の延伸部
２７ｘ：非重畳部（保持容量配線の延伸部の一部）
２９ａ：電極非形成部（画素電極スリット、対向電極スリット）
２９ｂ：液晶配向制御用突起（リブ）
３０：アクティブマトリクス基板
３１：基板
３２：ゲート電極
３３：ゲート絶縁膜
３４：高抵抗半導体層（活性半導体層）
３６ａ：ソース電極（低抵抗半導体層）
３６ｂ：ドレイン電極（低抵抗半導体層）
３８：層間絶縁膜
４０：対向基板（カラーフィルタ基板）
４１：（対向基板側）基板
４２：ブラックマトリクス層
４３ａ、４３ｂ、４３ｃ：着色層
４４：対向電極
４５：液晶層
４６：オーバコート層
５１：画素電極（太線内）
５２：走査信号線
５３：データ信号線
５４：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５５：ドレイン引出し配線
５５ａ：保持容量上電極
５６：コンタクトホール
５７：保持容量配線（保持容量下電極）
６１：基板
６２：ゲート電極
６３：ゲート絶縁膜
６４：高抵抗半導体層（活性半導体層）
６６ａ：ソース電極（低抵抗半導体層）
６６ｂ：ドレイン電極（低抵抗半導体層）
６８：層間絶縁膜
９１：レーザカット部
９８：膜残り
９９：（ゲート絶縁膜中の）ピンホール、導電性異物
Ｌｓｄ：ＳＤギャップ（データ信号線と保持容量上電極との間隔）
Ｌｄ：ドレイン引出し配線の線幅
Ｌｃｓ’：保持容量配線の延伸部の線幅
Ｓ：本発明の構成により、新たに形成された透過領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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