(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に、導電性材料でなる前記凸状部を形成し、
前記薄膜トランジスタ及び前記凸状部上に平坦な層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、前記凸状部上の前記層間絶縁膜を除去して前記凸状部を露出し、
前記層間絶縁膜及び前記凸状部上に前記露出した凸状部と接する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有する材料でなる前記凸状部を形成し、
前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタのソース配線またはドレイン配線上に予め形成した柱状の凸状部を利用して、前記ソース配線または前記ドレイン配線と、画素電極とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線上に前記凸状部を形成し、
前記凸状部にプラズマ処理を行い、前記凸状部が、後に形成する層間絶縁膜の形成に用いる溶媒に対して撥液性を有するようにし、
前記薄膜トランジスタ上に、塗布法により前記溶媒を用いて平坦な前記層間絶縁膜を形成し、
前記凸状部を除去して前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて、前記薄膜トランジスタの前記ソース配線または前記ドレイン配線と接続する前記画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、前記導電性材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、またはＡｌの金属の粒子を主成分とした組成物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記凸状部は、液滴吐出法による組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは逆スタガ型薄膜トランジスタまたは順スタガ型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記半導体装置は液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００４】
従来より、画像表示装置として液晶表示装置が知られている。パッシブ型の液晶表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
【０００５】
このようなアクティブマトリクス型の電気光学装置の用途は広がっており、画面サイズの大面積化とともに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。
【０００６】
これまで、一枚のマザーガラス基板から複数の液晶表示パネルを切り出して、大量生産を効率良く行う生産技術が採用されてきた。マザーガラス基板のサイズは、１９９０年初頭における第１世代の３００×４００ｍｍから、２０００年には第４世代となり６８０×８８０ｍｍ若しくは７３０×９２０ｍｍへと大型化して、一枚の基板から多数の表示パネルが取れるように生産技術が進歩してきた。
【０００７】
また、画面サイズの大面積化と同時に、生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記アクティブマトリクス型の電気光学装置を製造する際には、ＣＶＤ法やスパッタ法等により薄膜を形成し、、写真蝕刻（フォトリソグラフィー）技術によりパターニングを行うプロセスを繰り返すことでＴＦＴを作製している。フォトリソグラフィーの技術において、フォトマスクは、エッチング工程のマスクとするフォトレジストパターンを基板上に形成するために用いる。
【０００９】
このフォトマスクを１枚使用することによって、レジスト塗布、プレベーク、露光、現像、ポストベークなどの工程と、その前後の工程において、被膜の成膜およびエッチングなどの工程、さらにレジスト剥離、洗浄や乾燥工程などが付加される。従って、製造プロセスの煩雑化が避けられず、歩留まりの低下や製造コスト高を招いていた。
【００１０】
特に母材となる基板が大型化すればするほど、成膜とエッチングとを繰り返すことによる製造プロセス時間の延長、エッチング溶液などの廃棄物の処理コスト増大、材料利用効率の低下が顕著になってしまう。
【００１１】
そこで、本発明は、製造コストを低減する電気光学装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、フォトマスクを用いることなく、液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、材料層のパターン、代表的には、配線（または電極）パターン、絶縁層パターン、または所定のパターンを形成するためのマスクパターンを形成する工程を少なくとも１つ、もしくはそれ以上有することを特徴とする。
【００１３】
液滴吐出法（その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。）を用いて材料層のパターンを形成する。
【００１４】
加えて、本発明は、多層配線間の接続を容易に実現することができる技術を提供する。
【００１５】
アスペクト比（コンタクトホールの径と深さの比）の高いコンタクトホールをフォトリソグラフィー技術を用いて形成することなく、多層配線間の接続を行う方法を提供する。上層配線と下層配線の導通をとる箇所において、下層配線に凸状部（以下、この凸状部、もしくは導電性部材を「プラグ」若しくは「ピラー」ともいう。）を設ける。なお、凸状部は、柱状の導電性部材、或いは液滴吐出法を繰り返すことにより積層された部材であってもよい。そして、塗布法による層間絶縁膜を形成した後、エッチバックを行って凸状部を露出させ、その凸状部を介して上層配線との電気的な接続を行う。
【００１６】
また、他の方法として、層間絶縁膜を液滴吐出法により選択的に形成することによって、層間絶縁膜の形成と同時にコンタクトホールの形成が可能となる。
【００１７】
また、他の方法として、上層配線と下層配線の導通をとる箇所において、下層配線に撥液性有機膜からなる凸状部を設ける。そして、塗布法による層間絶縁膜を形成した後、凸状部のみを除去することによってコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホールを塞ぐように上層配線を形成する。
【００１８】
本明細書で開示する発明の構成は、
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法により形成されたゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極上に液滴吐出法により形成された柱状の導電膜と、
前記柱状の導電膜に接続された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置である。
【００１９】
上記構成において、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、または前記柱状の導電膜は、金、銀、銅、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、ビスマス、鉛、インジウム、錫、亜鉛、チタン、又はアルミニウムを含むことを特徴としている。
【００２０】
また、上記各構成において、前記薄膜トランジスタは、非晶質半導体、又はセミアモルファス半導体を有することを特徴としている。
【００２１】
また、上記各構成において、前記液晶表示装置は、表示画面を構成したことを特徴とするテレビ受像機である。
【００２２】
また、上記構造を実現するための発明の構成は、
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の導電膜を形成し、
前記柱状の導電膜及び前記薄膜トランジスタを覆うように、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上において、前記柱状の導電膜と接続するように画素電極を形成し、
液晶またはシール材を液滴吐出法により形成し、
減圧下で対向基板と貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
【００２３】
また、他の作製方法に関する本発明の構成は、
下地前処理を行った領域に、液滴吐出法によりゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜に下地前処理を行い、
前記下地前処理を行った半導体膜上に、液滴吐出法によりソース電極及びドレイン電極を形成することにより薄膜トランジスタを形成し、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極上に柱状の有機膜を形成し、
前記柱状の有機膜及び前記薄膜トランジスタを覆うように、第２の絶縁膜を形成し、
前記柱状の有機膜を除去し、
前記第２の絶縁膜上において、前記ソース電極又はドレイン電極と接続するように画素電極を形成し、
液晶またはシール材を液滴吐出法により形成し、
減圧下で対向基板と貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
【００２４】
上記構成において、前記第２の絶縁膜は、前記柱状の有機膜に対して撥液性を有することを特徴としている。また、上記構成において、水洗により、前記柱状の有機膜を除去することを特徴としている。
【００２５】
また、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート型ＴＦＴや、ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
【００２６】
また、ＴＦＴの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにＴＦＴの活性層として、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいるセミアモルファス半導体膜（微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体膜とも呼ばれる）も用いることができる。セミアモルファス半導体膜は、少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶粒を含んでおり、ラマンスペクトルが５２０ｃｍ-1よりも低波数側にシフトしている。また、セミアモルファス半導体膜は、Ｘ線回折ではＳｉ結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。また、セミアモルファス半導体膜は、未結合手（ダングリングボンド）の中和剤として水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。セミアモルファス半導体膜の作製方法としては、珪化物気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪化物気体としては、ＳｉＨ4、その他にもＳｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＳｉＦ4などを用いることが可能である。この珪化物気体をＨ2、又は、Ｈ2とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈しても良い。希釈率は２〜１０００倍の範囲とすればよい。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚとすればよい。基板加熱温度は３００℃以下でよく、好ましくは１００〜２５０℃とすればよい。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０20／ｃｍ3以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０19／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０19／ｃｍ3以下とする。なお、セミアモルファス半導体膜を活性層としたＴＦＴの電界効果移動度μは、１〜１０ｃｍ2／Ｖｓｅｃである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、フォトマスクを用いることなく材料層のパターニングを行うことができるため、材料の利用効率が向上する。また、液晶表示装置の製造方法における露光現像工程を減らすことによって、作製工程を簡略化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００２９】
（実施の形態１）
ここでは逆スタガ型ＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を示す。なお、図１は作製工程の断面を示している。
【００３０】
まず、基板１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるための下地膜１１を形成する。下地膜１１は、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良く、下地前処理とみなすこともできる。スプレーによって光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯX）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化タングステン（ＷＯ3））を全面に滴下、またはインクジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に水素、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いた塗布絶縁膜）を選択的に形成してもよい。
【００３１】
光触媒物質は、光触媒機能を有する物質を指し、紫外光領域の光（波長４００ｎｍ以下、好ましくは３８０ｎｍ以下）を照射し、光触媒活性を生じさせるものである。光触媒物質上に、インクジェット法により、溶媒に混入された導電体を吐出すると、微細な描画を行うことができる。
【００３２】
例えば、ＴｉＯXに光照射する前、親油性はあるが、親水性はない、つまり撥水性の状態にある。光照射を行うことにより、光触媒活性が起こり、親水性にかわり、逆に親油性がない状態、つまり撥油性となる。なお光照射時間により、親水性と親油性を共に有する状態にもなりうる。
【００３３】
なお、親水性とは、水に濡れやすい状態を指し、接触角が３０度以下、特に接触角が５度以下を超親水性という。一方撥水性とは、水に濡れにくい状態を指し、接触角が９０度以上のものを指す。同様に親油性とは、油に濡れやすい状態を指し、撥油性とは油に濡れにくい状態を指す。なお接触角とは、滴下したドットのふちにおける、形成面と液滴の接線がなす角度のことを指す。
【００３４】
すなわち、光照射を行った領域（以下、照射領域と表記する）は、親水性領域、又は超親水性（合わせて単に親水性と表記する）となる。このとき、照射領域の幅を所望の配線幅となるように光照射を行う。その後、インクジェット法により、照射領域上から又は照射領域にむかって、水系の溶媒に導電体が混入したドットを吐出する。すると、単にインクジェット法により吐出されたドットの径より小さな、つまり幅の狭い配線を形成することができる。これは所望の配線幅となるように照射領域が形成されるため、吐出されたドットが形成表面で広がることを抑制できるからである。更に、ドットが多少ずれて吐出された場合であっても、照射領域に沿って配線を形成することができ、配線形成の正確な位置制御が可能となる。
【００３５】
なお、水系の溶媒を用いる場合、インクジェットのノズルからスムーズに吐出できるように界面活性剤を添加すると好ましい。
【００３６】
また、油（アルコール）系の溶媒に混入された導電体を吐出する場合、光照射が行われない領域（以下、非照射領域と表記する）に導電体を吐出し、非照射領域上から又は非照射領域にむかってドットを吐出することにより、同様に配線を形成することができる。すなわち、配線を形成したい領域の両端、つまり配線を形成したい領域を囲むような周囲に光照射を行い、照射領域を形成すればよい。このとき照射領域は撥油性を有するため、油（アルコール）系の溶媒に混入された導電体を有するドットは、選択的に非照射領域に形成されるからである。すなわち、非照射領域の幅を所望の配線幅となるように光照射を行う。
【００３７】
なお、油（アルコール）系の溶媒は、非極性溶剤又は低極性溶剤を用いることができる。例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、又はシクロオクタンを用いることができる。
【００３８】
更に光触媒物質へ遷移金属（Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｅ、Ｍｏ、Ｗ等）をドーピングすることにより、光触媒活性を向上させたり、可視光領域（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光により光触媒活性を起こすことができる。遷移金属は、広いバンドギャップを持つ活性な光触媒の禁制帯内に新しい準位を形成し、可視光領域まで光の吸収範囲を拡大しうるからである。例えば、ＣｒやＮｉのアクセプター型、ＶやＭｎのドナー型、Ｆｅ等の両性型、その他Ｃｅ、Ｍｏ、Ｗ等をドーピングすることができる。このように光の波長は光触媒物質によって決定することができるため、光照射とは光触媒物質の光触媒活性化させる波長の光を照射することを指す。
【００３９】
また、光触媒物質を真空中又は水素環流中で加熱し還元させると、結晶中に酸素欠陥が発生する。このように遷移元素をドーピングしなくても、酸素欠陥は電子ドナーと同等の役割を果たす。特に、ゾルゲル法により形成する場合、酸素欠陥が最初から存在するため、還元しなくともよい。またＮ2等のガスをドープすることにより、酸素欠陥を形成することができる。
【００４０】
また、ここでは基板上に導電性材料を吐出する場合に密着性を良くする下地前処理を行う例を示したが、特に限定されず、材料層（例えば、有機層、無機層、金属層）、或いは、吐出した導電性層の上にさらに液滴吐出法で材料層（例えば、有機層、無機層、金属層）を形成する場合において、材料層と材料層との密着性向上のためのＴｉＯX成膜処理を行っても良い。つまり、液滴吐出法で導電性材料を吐出して描画する場合、その導電性材料層の上下界面で下地前処理を挟み、その密着性を良くすることが望ましい。
【００４１】
なお、基板１０は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。また、反射型の液晶表示装置とする場合、単結晶シリコンなどの半導体基板、ステンレスなどの金属基板、またはセラミック基板の表面に絶縁層を設けた基板を適用しても良い。
【００４２】
次いで、液滴吐出法、代表的にはインクジェット法により滴下した後、酸素雰囲気で焼成を行い、ゲート電極またはゲート配線となる金属配線１２を形成する。また、同様に端子部に伸びる配線４０も形成する。なお、ここでは図示しないが、保持容量を形成するための容量電極または容量配線をも形成する。
【００４３】
これらの配線材料としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、若しくはアルミニウム（Ａｌ）、これらからなる合金、これらの分散性ナノ粒子、又はハロゲン化銀の微粒子を用いる。特に、ゲート配線は、低抵抗化することが好ましいので、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。但し、銀、銅を用いる場合には、不純物拡散防止対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【００４４】
液滴吐出法において用いるノズルの径は、０．０２〜１００μｍ（好適には３０μｍ以下）に設定し、該ノズルから吐出される組成物の吐出量は０．００１ｐｌ〜１００ｐｌ（好適には１０ｐｌ以下）に設定することが好ましい。液滴吐出法には、オンデマンド型とコンティニュアス型の２つの方式があるが、どちらの方式を用いてもよい。さらに液滴吐出法において用いるノズルには、圧電体の電圧印加により変形する性質を利用した圧電方式、ノズル内に設けられたヒータにより組成物を沸騰させ該組成物を吐出する加熱方式があるが、そのどちらの方式を用いてもよい。被処理物とノズルの吐出口との距離は、所望の箇所に滴下するために、出来る限り近づけておくことが好ましく、好適には０．１〜３ｍｍ（好適には１ｍｍ以下）程度に設定する。ノズルと被処理物は、その相対的な距離を保ちながら、ノズル及び被処理物の一方が移動して、所望のパターンを描画する。また、組成物を吐出する前に、被処理物の表面にプラズマ処理を施してもよい。これは、プラズマ処理を施すと、被処理物の表面が親水性になったり、疎液性になったりすることを活用するためである。例えば、純水に対しては親水性になり、アルコールを溶媒したペーストに対しては疎液性になる。
【００４５】
組成物を吐出する工程は、減圧下で行っても良い。これは、組成物を吐出して被処理物に着弾するまでの間に、該組成物の溶媒が揮発し、後の乾燥と焼成の工程を省略又は短くすることができるためである。組成物の吐出後は、常圧下又は減圧下で、レーザ光の照射や瞬間熱アニール、加熱炉等により、乾燥と焼成の一方又は両方の工程を行う。乾燥と焼成の工程は、両工程とも加熱処理の工程であるが、例えば、乾燥は１００度で３分間、焼成は２００〜３５０度で１５分間〜１２０分間で行うもので、その目的、温度と時間が異なるものである。乾燥と焼成の工程を良好に行うためには、基板を加熱しておいてもよく、そのときの温度は、基板等の材質に依存するが、１００〜８００度（好ましくは２００〜３５０度）とする。本工程により、組成物中の溶媒の揮発又は化学的に分散剤を除去し、周囲の樹脂が硬化収縮することで、融合と融着を加速する。雰囲気は、酸素雰囲気、窒素雰囲気又は空気で行う。但し、金属元素を分解又は分散している溶媒が除去されやすい酸素雰囲気下で行うことが好適である。
【００４６】
上記下地膜の形成または下地前処理を行うことによって、後に形成する液滴吐出法での金属層の密着性が大幅に向上され、希フッ酸（１／１００希釈）に浸けても１分以上耐えることができ、テープ剥がし試験でも十分な密着性が確保されている。
【００４７】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法や塗布法を用いて、ゲート絶縁膜１３を単層又は積層構造で形成する。望ましくは、ゲート絶縁膜１３として、窒化珪素からなる絶縁体層、酸化珪素からなる絶縁体層、窒化珪素からなる絶縁体層の３層の積層とする。また、ゲート絶縁膜１３として、窒化珪素からなる絶縁体層と、ポリイミドからなる絶縁体層の２層の積層を用いてもよい。なお、ゲートリーク電流が少ない緻密な絶縁膜を低い成膜温度で形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。
【００４８】
次いで、半導体膜１４ａを形成する。半導体膜１４ａは、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成する。
【００４９】
アモルファス半導体膜としては、ＳｉＨ4、若しくはＳｉＨ4とＨ2の混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるアモルファスシリコン膜を用いることができる。また、セミアモルファス半導体膜としては、ＳｉＨ4をＨ2で３倍〜１０００倍に希釈した混合気体、Ｓｉ2Ｈ6とＧｅＦ4のガス流量比を２０〜４０：０．９（Ｓｉ2Ｈ6：ＧｅＦ4）で希釈した混合気体、或いはＳｉ2Ｈ6とのＦ2混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるセミアモルファスシリコン膜を用いることができる。なお、セミアモルファスシリコン膜は、下地との界面により結晶性を持たせることができるため好ましい。
【００５０】
次いで、絶縁体層１６をプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法で形成する。なお、パターニングは、液滴吐出法で形成されたマスクを用いたエッチング、またはフォトリソグラフィ技術を用いればよい。この絶縁体層１６は、ゲート電極層と相対して半導体層上に残存させて、チャネル保護層とするものである。また、絶縁体層１６としては、界面の清浄性を確保して、有機物や金属物、水蒸気などの不純物で半導体層が汚染されることを防ぐ効果を得るために、緻密な膜で形成することが好ましい。グロー放電分解法においても、珪化物気体をアルゴンなどの珪化物気体で１００倍〜５００倍に希釈して形成された窒化珪素膜は、１００℃以下の成膜温度でも緻密な膜を形成可能であり好ましい。
【００５１】
次いで、絶縁体層１６を覆うマスク１５を液滴吐出法で形成する。（図１（Ａ））マスク１５は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、フレア、透過性を有するポリイミドなどの有機材料、シロキサン系ポリマー等の重合によってできた化合物材料、水溶性ホモポリマーと水溶性共重合体を含む組成物材料等を用いて液滴吐出法で形成する。或いは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【００５２】
次いで、マスク１５で覆われた領域以外の半導体膜１４ａをドライエッチングまたはウェットエッチングにより除去して活性層となる半導体層１４ｂを形成する。
【００５３】
次いで、マスク１５を除去した後、ｎ型の半導体膜１７を全面に形成する。なおｎ型の半導体膜を設ける場合、半導体膜と電極とのコンタクト抵抗が低くなり好ましいが、必要に応じて設ければよい。ｎ型の半導体膜１７は、シランガスとフォスフィンガスを用いたＰＣＶＤ法で形成すれば良く、アモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成することができる。
【００５４】
次いで、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース配線またはドレイン配線１８ａ、１８ｂを形成する。なお、同様に、端子部において接続配線４１も形成する。（図１（Ｂ））
【００５５】
次いで、ソース配線またはドレイン配線１８ａ、１８ｂをマスクとして自己整合的にｎ型の半導体膜１７をエッチングして、ソース領域またはドレイン領域１９ａ、１９ｂを形成する。この段階でチャネルストップ型のＴＦＴ３０が完成する。絶縁体層１６は、ｎ型の半導体膜のエッチングストッパーとして機能させる。
【００５６】
次いで、シャドーマスクを用いて端子部以外をレジストなどの樹脂で覆い、端子部においては、接続配線４１をマスクとしたゲート絶縁膜１３のエッチングを行って配線４０の一部を露呈させる。また、シャドーマスクに代えてスクリーン印刷法によりレジストマスクを形成してエッチングマスクとしてもよい。なお、端子部以外をレジストで覆うことなくゲート絶縁膜１３のエッチングを行ってもよいが、画素部において、ソース配線またはドレイン配線１８ａ、１８ｂと重ならない領域のゲート絶縁膜がエッチングされてしまう点と、絶縁体層１６がエッチングされて半導体層が露呈してしまう恐れがある点で問題がある。
【００５７】
次いで、端子部に伸びる配線４０と接続配線４１との接続を行うための導電物４２を形成する。導電物４２は印刷法または液滴吐出法により形成すればよい。液滴吐出法を用いる場合、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して導電物４２を形成する。
【００５８】
次いで、ソース配線またはドレイン配線１８ａ上の一部に導電性部材からなる凸状部（ピラー）２０を形成する。凸状部（ピラー）２０は、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって積み重ねる。また、同様に接続配線４１上にも凸状部（ピラー）４３を形成する。或いは、凸状部（ピラー）２０は、スパッタ法により得た金属膜をパターニングすることで形成してもよく、この場合、凸状部（ピラー）は柱状となる。
【００５９】
次いで、塗布法による平坦な層間絶縁膜２１を形成する。（図１（Ｃ））塗布法による平坦な層間絶縁膜とは、液状の組成物を塗布して形成する層間絶縁膜を指す。塗布法による平坦な層間絶縁膜としては、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂、有機溶媒中に溶かされた絶縁膜材料を塗布した後熱処理により被膜を形成する所謂、塗布珪素酸化膜（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、以下「ＳＯＧ」ともいう。）、シロキサンポリマーなどの焼成によりシロキサン結合を形成する材料などが挙げられる。また、層間絶縁膜２１は、塗布法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。
【００６０】
また、液滴吐出法により層間絶縁膜２１を形成してもよい。また、凸状部（ピラー）２０、４３を本焼成する前に層間絶縁膜２１を液滴吐出法により形成し、同時に本焼成してもよい。
【００６１】
なお、塗布法や液滴吐出法による平坦な層間絶縁膜２１を形成する際、スキージではなく、エアナイフで表面におけるミクロの凹凸を平坦化させた後、本焼成を行うことが好ましい。
【００６２】
次いで、全面エッチバックにより凸状部（ピラー）２０、４３上の層間絶縁膜を除去して凸状部（ピラー）２０、４３を露出させる。また、他の方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）により、層間絶縁膜を研削し、その後、層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、凸状部（ピラー）２０、４３を露出させることができる。
【００６３】
次いで、層間絶縁膜２２上に凸状部（ピラー）２０と接する画素電極２３を形成する。（図１（Ｄ））なお、同様に凸状部（ピラー）４３と接する端子電極４４も形成する。透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法または印刷法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、焼成して画素電極２３および端子電極４４を形成しても良い。また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、画素電極２３および端子電極４４を液滴吐出法によりＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いて形成することができる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて画素電極を形成しても良い。なお、エッチバックやＣＭＰにより層間絶縁膜２２の表面は平坦化されており、平坦な画素電極２３を形成することができる。
【００６４】
なお、図１０に画素部の一部を拡大した上面図を示す。また、図１０は画素電極の形成途中を示しており、左側の画素においては画素電極が形成されているが、右側の画素においては画素電極を形成していない状態を示している。図１０において、実線Ａ−Ａ’で切断した図が、図１（Ｄ）の画素部の断面と対応しており、図１（Ｄ）と対応する箇所には同じ符号を用いている。また、容量配線３１が設けてあり、保持容量は、ゲート絶縁膜を誘電体とし、画素電極２３と、該画素電極と重なる容量配線３１とで形成されている。
【００６５】
以上の工程により、基板１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴおよび画素電極が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【００６６】
次いで、画素電極２３を覆うように、配向膜２４ａを形成する。なお、配向膜２４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜２４ａの表面にラビング処理を行う。
【００６７】
そして、対向基板２５には、着色層２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）２６ｂ、及びオーバーコート層２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極２８と、その上に配向膜２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。ここでは液晶２９を滴下するため、閉パターンのシール材を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶２９を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
【００６８】
次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。液晶の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射から出射に向かって９０°ツイスト配向したＴＮモードを用いる場合が多い。ＴＮモードの液晶表示装置を作製する場合には、基板のラビング方向が直交するように貼り合わせる。
【００６９】
なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。
【００７０】
次いで、必要でない基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる。
【００７１】
そして、異方性導電体層４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図１（Ｅ））また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【００７２】
以上示したように、本実施の形態では、凸状部（ピラー）２０、４３を用いてフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易に液晶表示パネルを製造することができる。
【００７３】
また、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。
【００７４】
（実施の形態２）
ここでは実施の形態１とは接続方法が異なる例を示す。図２に逆スタガ型ＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程の断面を示す。
【００７５】
まず、実施の形態１に示した工程に従って、図１（Ａ）と同じ状態を得る。基板２１０上に下地膜２１１、金属配線２１２、端子部に伸びる配線２４０を形成し、さらにゲート絶縁膜２１３、半導体膜２１４ａ、絶縁体層２１６を順次形成する。そして、絶縁体層２１６を覆うマスク２１５を液滴吐出法で形成する。（図２（Ａ））
【００７６】
次いで、マスク２１５で覆われた領域以外の半導体膜２１４ａをドライエッチングまたはウェットエッチングにより除去して活性層となる半導体層２１４ｂを形成する。
【００７７】
次いで、マスク２１５を除去した後、ｎ型の半導体膜２１７を全面に形成する。ｎ型の半導体膜２１７は、シランガスとフォスフィンガスを用いたＰＣＶＤ法で形成すれば良く、アモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成することができる。
【００７８】
次いで、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース配線またはドレイン配線２１８ａ、２１８ｂを形成する。なお、同様に、端子部において接続配線２４１も形成する。（図２（Ｂ））なお、ドレイン配線２１８ｂは画素電極（反射電極）として機能するため、反射性の高いＡｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等を用いることが好ましい。液滴吐出法により画素電極を形成するため、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成しやすい。従来では、画素電極を形成した後、サンドブラスト法やエッチング法等の工程を追加して表面を凹凸化させて、鏡面反射を防ぎ、反射光を散乱させることによって白色度を増加させていた。
【００７９】
次いで、ソース配線またはドレイン配線２１８ａ、２１８ｂをマスクとして自己整合的にｎ型の半導体膜２１７をエッチングして、ソース領域またはドレイン領域２１９ａ、２１９ｂを形成する。この段階でチャネルストップ型のＴＦＴ２３０が完成する。絶縁体層２１６は、ｎ型の半導体膜のエッチングストッパーとして機能させる。
【００８０】
次いで、シャドーマスクを用いて端子部以外をレジストなどの樹脂で覆い、端子部においては、接続配線２４１をマスクとしたゲート絶縁膜２１３のエッチングを行って配線２４０の一部を露呈させる。
【００８１】
次いで、端子部に伸びる配線２４０と接続配線２４１との接続を行うための導電物２４２を形成する。導電物２４２は印刷法または液滴吐出法により形成すればよい。液滴吐出法を用いる場合、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して導電物２４２を形成する。
【００８２】
次いで、液滴吐出法により層間絶縁膜２２１を選択的に形成する。（図２（Ｃ））画素部においては画素電極となる領域以外の領域を覆って形成する。なお、層間絶縁膜としての膜厚をかせぐために複数回の液滴吐出および焼成を繰り返してもよい。また、端子部においては後に端子電極を形成する部分には形成しない。すなわち、接続を行う部分や層間絶縁膜が不要な領域には、最初から層間絶縁膜を設けない。従って、ここではコンタクトホールの形成が不要となる。
【００８３】
層間絶縁膜２２１としては液滴吐出法が可能な絶縁材料、例えば、感光性又は非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン）、シロキサン、ポリシラザン、及びそれらの積層構造を用いることができる。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、を出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料、いわゆるポリシラザンを含む液体材料を出発原料として形成される。
【００８４】
次いで、接続配線２４１と接する端子電極２４４を液滴吐出法または印刷法により形成する。（図２（Ｄ））端子電極２４４は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物を用いる。
【００８５】
なお、端子電極２４４の形成工程は、層間絶縁膜２２１の形成工程よりも前に行ってもよいし、液滴吐出法により異なる材料を同時に吐出できるヘッドで同時に描画してもよいし、焼成のみを共通の工程としてもよい。
【００８６】
以上の工程により、基板２１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴおよび画素電極が形成された反射型の液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【００８７】
次いで、画素電極２１８ａを覆うように、配向膜２２４ａを形成する。なお、配向膜２２４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜２２４ａの表面にラビング処理を行う。
【００８８】
そして、対向基板２２５には、着色層２２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）２２６ｂ、及びオーバーコート層２２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極２２８と、その上に配向膜２２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。ここでは液晶２２９を滴下するため、閉パターンのシール材を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶２２９を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
【００８９】
次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。液晶の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射から出射に向かって９０°ツイスト配向したＴＮモードを用いる場合が多い。ＴＮモードの液晶表示装置を作製する場合には、基板のラビング方向が直交するように貼り合わせる。
【００９０】
なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。
【００９１】
次いで、必要でない基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる。
【００９２】
そして、異方性導電体層２４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ２４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図２（Ｅ））また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【００９３】
以上示したように、本実施の形態では、層間絶縁膜を液滴吐出法により選択的に形成してフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易に液晶表示パネルを製造することができる。
【００９４】
また、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。
【００９５】
（実施の形態３）
ここでは実施の形態１とは接続方法が異なる例を示す。図３に逆スタガ型ＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製工程の断面を示す。
【００９６】
まず、実施の形態１に示した工程に従って、図１（Ｃ）と同じ状態を得る。基板３１０上に下地膜３１１、金属配線３１２、端子部に伸びる配線３４０を形成し、さらにゲート絶縁膜３１３、半導体膜、絶縁体層３１６を順次形成する。そして、絶縁体層３１６を覆うマスクを液滴吐出法で形成する。次いで、マスクで覆われた領域以外の半導体膜をドライエッチングまたはウェットエッチングにより除去して活性層となる半導体層３１４を形成する。次いで、マスクを除去した後、ｎ型の半導体膜を全面に形成する。次いで、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース配線またはドレイン配線３１８ａ、３１８ｂ、接続配線３４１を形成する。次いで、ソース配線またはドレイン配線３１８ａ、３１８ｂをマスクとして自己整合的にｎ型の半導体膜をエッチングして、ソース領域またはドレイン領域３１９ａ、３１９ｂを形成する。この段階でチャネルストップ型のＴＦＴ３３０が完成する。絶縁体層３１６は、ｎ型の半導体膜のエッチングストッパーとして機能させる。次いで、シャドーマスクを用いて端子部以外をレジストなどの樹脂で覆い、端子部においては、接続配線３４１をマスクとしたゲート絶縁膜３１３のエッチングを行って配線３４０の一部を露呈させる。次いで、端子部に伸びる配線３４０と接続配線３４１との接続を行うための導電物３４２を形成する。
【００９７】
次いで、ソース配線またはドレイン配線３１８ａ上の一部に撥液性（撥水性、撥油性）からなる凸状部（ピラー）３２０を液滴吐出法により形成する。凸状部（ピラー）３２０は、撥液性材料（フルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）などのフッ素系樹脂）を含む組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって積み重ねる。また、同様に接続配線３４１上にも凸状部（ピラー）３４３を形成する。なお、凸状部（ピラー）３２０、３４３として、撥液性を有しない材料を用い、後にＣＦ4プラズマ処理などを行って撥液性を得るようにしてもよい。例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のような水溶性樹脂を用いて凸状部（ピラー）を形成した後、ＣＦ4プラズマ処理を行って撥液性を持たせればよい。
【００９８】
また、ＣＦ4プラズマ処理を行わずに撥液性材料を用いてコンタクトホールを形成することができる。撥液性材料（フルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）などのフッ素系樹脂）を全面に塗布した後、ポリイミドやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のような水溶性樹脂でマスクを形成する。そして、マスクが設けられた領域以外の撥液性材料をＯ2アッシングなどで除去し、マスクを除去する。ここで、マスクを除去した箇所のみが撥液性を有した状態となる。その後、全面に絶縁材料を塗布すると、マスクを除去した箇所（撥液性を有する領域）には絶縁膜が形成されない。こうして、所望の箇所のみを露呈させた絶縁膜が得られる。
【００９９】
次いで、平坦な層間絶縁膜３２２を形成する。塗布法を用いて平坦な膜を得てもよいし、液滴吐出法により形成した後、エアナイフで表面におけるミクロの凹凸を平坦化させてもよい。平坦な層間絶縁膜３２２としては、アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂、有機溶媒中に溶かされた絶縁膜材料を塗布した後、熱処理により被膜を形成する所謂、塗布珪素酸化膜（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ、以下「ＳＯＧ」ともいう。）、シロキサンポリマーなどの焼成によりシロキサン結合を形成する材料などが挙げられる。
【０１００】
なお、層間絶縁膜の形成の際に用いる溶媒に対して撥液性を有している凸状部（ピラー）３２０、３４３として、凸状部上には層間絶縁膜が形成されないようにする。（図３（Ａ））
【０１０１】
次いで、凸状部（ピラー）３２０、３４３のみを除去することによってコンタクトホールを形成する。（図３（Ｂ））
【０１０２】
次いで、ドレイン配線３１８ａと接する画素電極３２３を形成する。（図３（Ｃ））なお、同様に接続配線３４１と接する端子電極３４４も形成する。
【０１０３】
透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、焼成して画素電極３２３および端子電極３４４を形成しても良い。また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて画素電極を形成しても良い。
【０１０４】
以上の工程により、基板３１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴおよび画素電極が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１０５】
次いで、画素電極３２３を覆うように、配向膜３２４ａを形成する。なお、配向膜３２４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜３２４ａの表面にラビング処理を行う。
【０１０６】
そして、対向基板３２５には、着色層３２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）３２６ｂ、及びオーバーコート層３２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極３２８と、その上に配向膜３２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。ここでは液晶３２９を滴下するため、閉パターンのシール材を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶３２９を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
【０１０７】
次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。液晶の配向モードとしては、液晶分子の配列が光の入射から出射に向かって９０°ツイスト配向したＴＮモードを用いる場合が多い。ＴＮモードの液晶表示装置を作製する場合には、基板のラビング方向が直交するように貼り合わせる。
【０１０８】
なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材にフィラーを含ませることによって維持すればよい。上記柱状のスペーサは、アクリル、ポリイミド、ポリイミドアミド、エポキシの少なくとも１つを主成分とする有機樹脂材料、もしくは酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素のいずれか一種の材料、或いはこれらの積層膜からなる無機材料であることを特徴としている。
【０１０９】
次いで、必要でない基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる。
【０１１０】
そして、異方性導電体層３４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ３４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図３（Ｄ））また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１１１】
以上示したように、本実施の形態では、撥液性を有する凸状部（ピラー）３２０、３４３を用いてフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。また、液滴吐出法を用いて基板上に直接的に各種のパターンを形成することにより、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易に液晶表示パネルを製造することができる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。
【０１１３】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【実施例１】
【０１１４】
本実施例では、チャネルエッチ型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製例を示す。なお、図４は本実施例の作製工程の断面を示している。
【０１１５】
まず、実施の形態１に示した工程に従って、基板４１０上に下地膜４１１、金属配線４１２、端子部に伸びる配線４４０を形成し、さらにゲート絶縁膜４１３を形成する。
【０１１６】
次いで、半導体膜４１４ａ、ｎ型の半導体膜４１７を積層形成する。半導体膜４１４ａは、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成する。アモルファス半導体膜としては、ＳｉＨ4、若しくはＳｉＨ4とＨ2の混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるアモルファスシリコン膜を用いることができる。また、セミアモルファス半導体膜としては、ＳｉＨ4をＨ2で３倍〜１０００倍に希釈した混合気体、Ｓｉ2Ｈ6とＧｅＦ4のガス流量比を２０〜４０：０．９（Ｓｉ2Ｈ6：ＧｅＦ4）で希釈した混合気体、或いはＳｉ2Ｈ6とのＦ2混合気体を用いたＰＣＶＤ法により得られるセミアモルファスシリコン膜を用いることができる。なお、セミアモルファスシリコン膜は、下地との界面により結晶性を持たせることができるため好ましい。また、ｎ型の半導体膜４１７は、シランガスとフォスフィンガスを用いたＰＣＶＤ法で形成すれば良く、アモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成することができる。なお、ＰＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜４１３、半導体膜４１４ａ、ｎ型の半導体膜４１７を大気にさらすことなく連続的に成膜することも可能である。大気に曝さないようにすることで不純物の混入を防止できる。
【０１１７】
次いで、半導体層をパターニングするためのマスク４１５を液滴吐出法で形成する。（図４（Ａ））マスク４１５は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いる。いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。
【０１１８】
次いで、マスク４１５で覆われた領域以外の半導体膜４１４ａおよびｎ型の半導体膜４１７をドライエッチングまたはウェットエッチングにより除去して活性層となる半導体層を形成する。
【０１１９】
次いで、液滴吐出法により、カバレッジを良好にするため、半導体層のエッジをカバーする絶縁材料または導電材料からなる層４１６を形成する。
【０１２０】
次いで、液滴吐出法により、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース配線またはドレイン配線４１８ａ、４１８ｂを形成する。
【０１２１】
次いで、ゲート電極である金属配線４１２とゲート絶縁膜４１３を介して重なる半導体層の一部を除去するためのマスクを液滴吐出法で形成する。エッチングにより、金属配線４１２とゲート絶縁膜４１３を介して重なる一部が除去された半導体層４１４ｂを形成すると同時にｎ型の半導体膜４１９ａ、４１９ｂを形成する。この段階でチャネルエッチ型のＴＦＴ４３０が完成する。
【０１２２】
次いで、シャドーマスクを用いて端子部以外をレジストなどの樹脂で覆い、端子部においては、接続配線４４１をマスクとしたゲート絶縁膜４１３のエッチングを行って配線４４０の一部を露呈させる。（図４（Ｂ））また、シャドーマスクに代えてスクリーン印刷法によりレジストマスクを形成してエッチングマスクとしてもよい。
【０１２３】
以降の工程は、実施の形態１と同様に行えばよい。本実施例は実施の形態１とＴＦＴ構造が異なるだけで他の構成は同一である。
【０１２４】
次いで、端子部に伸びる配線４４０と接続配線４４１との接続を行うための導電物４４２を形成する。導電物４４２は印刷法または液滴吐出法により形成すればよい。
【０１２５】
次いで、ソース配線またはドレイン配線４１８ａ上の一部に導電性部材からなる凸状部（ピラー）４２０を形成する。また、同様に接続配線４４１上にも凸状部（ピラー）４４３を形成する。
【０１２６】
次いで、塗布法による平坦な層間絶縁膜４２１を形成する。（図４（Ｃ））また、層間絶縁膜４２１は、塗布法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。
【０１２７】
また、液滴吐出法により層間絶縁膜４２１を形成してもよい。また、凸状部（ピラー）４２０、４４３を本焼成する前に層間絶縁膜４２１を液滴吐出法により形成し、同時に本焼成してもよい。
【０１２８】
次いで、全面エッチバックにより凸状部（ピラー）４２０、４４３上の層間絶縁膜を除去して凸状部（ピラー）４２０、４４３を露出させる。また、他の方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）により、層間絶縁膜を研削し、その後、層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、凸状部（ピラー）４２０、４４３を露出させることができる。
【０１２９】
次いで、平坦化させた層間絶縁膜４２２上に凸状部（ピラー）４２０と接する画素電極４２３を形成する。（図４（Ｄ））なお、同様に凸状部（ピラー）４４３と接する端子電極４４４も形成する。透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法または印刷法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、焼成して画素電極４２３および端子電極４４４を形成しても良い。また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、画素電極４２３および端子電極４４４を液滴吐出法によりＡｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いて形成することができる。
【０１３０】
以上の工程により、基板４１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴおよび画素電極が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１３１】
次いで、画素電極４２３を覆うように、配向膜４２４ａを形成する。なお、配向膜４２４ａは、液滴吐出法やスクリーン印刷法やオフセット印刷法を用いればよい。その後、配向膜４２４ａの表面にラビング処理を行う。
【０１３２】
そして、対向基板４２５には、着色層４２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）４２６ｂ、及びオーバーコート層４２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極４２８と、その上に配向膜４２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。本実施例では液晶４２９を滴下するため、閉パターンのシール材を描画する例を示すが、開口部を有するシールパターンを設け、ＴＦＴ基板を貼りあわせた後に毛細管現象を用いて液晶４２９を注入するディップ式（汲み上げ式）を用いてもよい。
【０１３３】
次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。閉ループのシールパターン内に液晶を１回若しくは複数回滴下する。
【０１３４】
なお、一対の基板間隔は、球状のスペーサを散布したり、樹脂からなる柱状のスペーサを形成したり、シール材にフィラーを含ませることによって維持すればよい。
【０１３５】
次いで、必要でない基板の分断を行う。多面取りの場合、それぞれのパネルを分断する。また、１面取りの場合、予めカットされている対向基板を貼り合わせることによって、分断工程を省略することもできる。
【０１３６】
そして、異方性導電体層４４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ４４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図４（Ｅ））また、必要があれば光学フィルムを貼り付ける。透過型の液晶表示装置とする場合、偏光板は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１３７】
また、本実施例では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。例えば、チャネル形成領域のサイズが決定する半導体層の一部を除去するパターニング工程でフォトマスクを利用すると、精密にサイズを決定することができる。
【０１３８】
また、本実施例は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【実施例２】
【０１３９】
本実施例は、チャネルエッチ型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製例を示す。なお、図５は本実施例の液晶表示装置の断面を示している。
【０１４０】
なお、本実施例は、チャネルストップ型のＴＦＴである実施の形態２とＴＦＴの構造が異なるのみであるので、ここでは簡単な説明のみとする。
【０１４１】
また、チャネルエッチ型のＴＦＴ５３０は、実施例１と同じ工程に従って形成すればよい。ドレイン配線のパターンが実施例１と異なり、そのまま画素電極（反射電極）とする点以外は実施例１と同じ工程である。
【０１４２】
また、層間絶縁膜５２１は、実施の形態２と同様に液滴吐出法で選択的に形成する。画素部においては画素電極となる領域以外の領域を覆って形成する。なお、層間絶縁膜としての膜厚をかせぐために複数回の液滴吐出および焼成を繰り返してもよい。また、端子部においては後に端子電極を形成する部分には形成しない。すなわち、接続を行う部分や層間絶縁膜が不要な領域には、最初から層間絶縁膜を設けない。従って、ここではコンタクトホールの形成が不要となる。
【０１４３】
次いで、接続配線５４１と接する端子電極５４４を液滴吐出法または印刷法により形成する。
【０１４４】
以上の工程により、基板５１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴおよび画素電極が形成された反射型の液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１４５】
以降の工程は、実施の形態２と同一であるため、簡単な説明のみとする。次いで、画素電極を覆うように、配向膜５２４ａを形成する。その後、配向膜５２４ａの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板５２５には、着色層５２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）５２６ｂ、及びオーバーコート層５２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極５２８と、その上に配向膜５２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶５２９の滴下を行う。そして、両方の基板を貼り合わせる。次いで、必要でない基板の分断を行う。そして、異方性導電体層５４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ５４６を貼りつける。以上の工程で反射型の液晶モジュールが完成する。（図５）
【０１４６】
以上示したように、本実施例では、層間絶縁膜を液滴吐出法により選択的に形成してフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。
【０１４７】
また、本実施例では、ドレイン配線パターンの一部が画素電極であるため、ドレイン配線と画素電極とのコンタクトを設ける必要がなく、工程の簡素化ができる。
【０１４８】
また、本実施例では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。例えば、チャネル形成領域のサイズが決定する半導体層の一部を除去するパターニング工程でフォトマスクを利用すると、精密にサイズを決定することができる。
【０１４９】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例１と自由に組み合わせることができる。
【実施例３】
【０１５０】
本実施例は、チャネルエッチ型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製例を示す、なお、図６は本実施例の液晶表示装置の断面を示している。
【０１５１】
なお、本実施例は、チャネルストップ型のＴＦＴである実施の形態３とＴＦＴの構造が異なるのみであるので、ここでは簡単な説明のみとする。
【０１５２】
また、本実施例のチャネルエッチ型のＴＦＴ６３０は、実施例１と同じ工程に従って形成すればよい。
【０１５３】
実施例１に従って、ソース配線またはドレイン配線を形成する工程まで行った後、実施の形態３と同様にソース配線またはドレイン配線上の一部に撥液性（撥水性、撥油性）からなる凸状部（ピラー）を液滴吐出法により形成する。
【０１５４】
次いで、平坦な層間絶縁膜６２２を形成する。塗布法を用いて平坦な膜を得てもよいし、液滴吐出法により形成した後、エアナイフで表面におけるミクロの凹凸を平坦化させてもよい。なお、実施の形態３と同様に、層間絶縁膜の形成の際に用いる溶媒に対して撥液性を有している凸状部（ピラー）として、凸状部上には層間絶縁膜が形成されないようにする。次いで、凸状部（ピラー）のみを除去することによってコンタクトホールを形成する。次いで、ドレイン配線と接する画素電極６２３を形成する。なお、同様に接続配線６４１と接する端子電極６４４も形成する。
【０１５５】
透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、焼成して画素電極６２３および端子電極６４４を形成しても良い。
【０１５６】
また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて画素電極を形成しても良い。
【０１５７】
以上の工程により、基板６１０上にボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）のＴＦＴ６３０および画素電極６２３が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１５８】
以降の工程は、実施の形態３と同一であるため、簡単な説明のみとする。次いで、画素電極を覆うように、配向膜６２４ａを形成する。その後、配向膜６２４ａの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板６２５には、着色層６２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）６２６ｂ、及びオーバーコート層６２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極６２８と、その上に配向膜６２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶６２９の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。次いで、必要でない基板の分断を行う。そして、異方性導電体層６４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ６４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図６）
【０１５９】
以上示したように、本実施例では、撥液性を有する凸状部（ピラー）を用いてフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。
【０１６０】
また、本実施例では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。例えば、チャネル形成領域のサイズが決定する半導体層の一部を除去するパターニング工程でフォトマスクを利用すると、精密にサイズを決定することができる。
【０１６１】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態３、実施例１と自由に組み合わせることができる。
【実施例４】
【０１６２】
本実施例では、液滴吐出法により作製される順スタガ型のＴＦＴをスイッチング素子とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法を示す。なお、図７は本実施例の液晶表示装置の断面構造を示している。
【０１６３】
まず、基板７１０上に後に形成する液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるための下地膜７１１を形成する。下地膜７１１は、極薄く形成すれば良いので、必ずしも層構造を持っていなくても良く、下地前処理とみなすこともできる。スプレーによって光触媒物質（酸化チタン（ＴｉＯX）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、タンタル酸カリウム（ＫＴａＯ3）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化タングステン（ＷＯ3））を全面に滴下、またはインクジェット法やゾルゲル法を用いて有機材料（ポリイミド、アクリル、或いは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成され、置換基に水素、フッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料を用いた塗布絶縁膜）を選択的に形成してもよい。
【０１６４】
次いで、下地膜７１１上に液滴吐出法により、ソース配線層及びドレイン配線層７１８ａ、７１８ｂを形成する。また、端子部において端子電極７４０を形成する。これらの層を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。特に、ソース及びドレイン配線層は、低抵抗化することが好ましのいで、比抵抗値を考慮して、金、銀、銅のいずれかの材料を溶媒に溶解又は分散させたものを用いることが好適であり、より好適には、低抵抗な銀、銅を用いるとよい。溶媒は、酢酸ブチル等のエステル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、アセトン等の有機溶剤等に相当する。表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。また、第１の実施の形態と同様に下地層を形成しても良い。
【０１６５】
次いで、ｎ型の半導体層を全面に形成した後、ソース配線層及びドレイン配線層７１８ａ、７１８ｂの間にあるｎ型の半導体層をエッチングして除去する。
【０１６６】
次いで、半導体膜を全面に形成する。半導体膜は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製されるアモルファス半導体膜、或いはセミアモルファス半導体膜で形成する。
【０１６７】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、半導体膜とｎ型の半導体層のパターニングを行って、図７に示す半導体層７１４、ｎ型の半導体層７１９ａ、７１９ｂを形成する。半導体層７１４は、ソース配線層及びドレイン配線層７１８ａ、７１８ｂの両方に跨るように形成される。また、ソース配線層及びドレイン配線層７１８ａ、７１８ｂと半導体層７１４の間にはｎ型の半導体層７１９ａ、７１９ｂが介在している。
【０１６８】
次いで、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて、ゲート絶縁膜を単層又は積層構造で形成する。特に好ましい形態としては、窒化珪素からなる絶縁層、酸化珪素からなる絶縁層、窒化珪素からなる絶縁層の３層の積層体をゲート絶縁膜として構成させる。
【０１６９】
次いで、液滴吐出法により形成したマスクを形成し、ゲート絶縁膜をパターニングし、ゲート絶縁層７１３を形成する。
【０１７０】
次いで、ゲート配線７１２を液滴吐出法で形成する。ゲート配線７１２を形成する導電性材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅））、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。ゲート配線７１２は端子部まで延在させ、対応する端子部の端子電極７４０と接して形成される。
【０１７１】
次いで、実施の形態１と同様にソース配線層及びドレイン配線層７１８ａ、７１８ｂ上の一部に導電性部材からなる凸状部（ピラー）７２０を形成する。凸状部（ピラー）７２０は、導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物の吐出と焼成を繰り返すことによって積み重ねる。また、同様に端子電極７４０上にも凸状部（ピラー）７４３を形成する。
【０１７２】
次いで、塗布法による平坦な層間絶縁膜を形成する。また、層間絶縁膜は、塗布法に限定されず、気相成長法やスパッタリング法により形成された酸化珪素膜などの無機絶縁膜も用いることができる。また、保護膜として窒化珪素膜をＰＣＶＤ法やスパッタ法で形成した後、塗布法による平坦な絶縁膜を積層してもよい。
【０１７３】
また、液滴吐出法により層間絶縁膜を形成してもよい。また、凸状部（ピラー）７２０、７４３を本焼成する前に層間絶縁膜を液滴吐出法により形成し、同時に本焼成してもよい。
【０１７４】
次いで、全面エッチバックにより凸状部（ピラー）７２０、７４３上の層間絶縁膜を除去して凸状部（ピラー）７２０、７４３を露出させる。また、他の方法としては、化学的機械研磨（ＣＭＰ）により、層間絶縁膜を研削し、その後、層間絶縁膜を全面エッチバックすることにより、凸状部（ピラー）７２０、７４３を露出させることができる。
【０１７５】
次いで、層間絶縁膜７２２上に凸状部（ピラー）７２０と接する画素電極７２３を形成する。なお、同様に凸状部（ピラー）７４３と接する端子電極７４４も形成する。
【０１７６】
以上の工程により、基板７１０上にトップゲート型（順スタガ型）のＴＦＴ７１３および画素電極７２３が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１７７】
以降の工程は、実施の形態１と同一であるため、簡単な説明のみとする。次いで、画素電極７２３を覆うように、配向膜７２４ａを形成する。その後、配向膜７２４ａの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板７２５には、着色層７２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）７２６ｂ、及びオーバーコート層７２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極７２８と、その上に配向膜７２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶７２９の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。次いで、必要でない基板の分断を行う。そして、異方性導電体層７４５を介し、公知の技術を用いて端子電極７４４にＦＰＣ７４６を貼りつける。以上の工程で反射型の液晶モジュールが完成する。（図７）
【０１７８】
また、本実施例では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。
【０１７９】
また、本実施例は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【実施例５】
【０１８０】
本実施例は、順スタガ型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製例を示す。なお、図８は本実施例の液晶表示装置の断面を示している。
【０１８１】
なお、本実施例は、チャネルストップ型のＴＦＴである実施の形態２とＴＦＴの構造が異なるのみであるので、ここでは簡単な説明のみとする。
【０１８２】
また、順スタガ型のＴＦＴ８３０は、実施例４と同じ工程に従って形成すればよい。ドレイン配線のパターンが実施例４と異なり、そのまま画素電極（反射電極）とする点以外は実施例４と同じ工程である。
【０１８３】
また、層間絶縁膜８２１は、実施の形態２と同様に液滴吐出法で選択的に形成する。画素部においては画素電極となる領域以外の領域を覆って形成する。なお、層間絶縁膜としての膜厚をかせぐために複数回の液滴吐出および焼成を繰り返してもよい。また、端子部においては後に端子電極を形成する部分には形成しない。すなわち、接続を行う部分や層間絶縁膜が不要な領域には、最初から層間絶縁膜を設けない。従って、ここではコンタクトホールの形成が不要となる。
【０１８４】
次いで、接続配線８４０と接する端子電極８４４を液滴吐出法または印刷法により形成する。
【０１８５】
以上の工程により、基板８１０上にトップゲート型（順スタガ型）のＴＦＴ８３０および画素電極が形成された反射型の液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１８６】
以降の工程は、実施の形態２と同一であるため、簡単な説明のみとする。次いで、画素電極を覆うように、配向膜８２４ａを形成する。その後、配向膜８２４ａの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板８２５には、着色層８２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）８２６ｂ、及びオーバーコート層８２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極８２８と、その上に配向膜８２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶８２９の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。次いで、必要でない基板の分断を行う。そして、異方性導電体層８４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ８４６を貼りつける。以上の工程で反射型の液晶モジュールが完成する。（図８）
【０１８７】
以上示したように、本実施例では、層間絶縁膜を液滴吐出法により選択的に形成してフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。
【０１８８】
また、本実施例では、ドレイン配線パターンの一部が画素電極であるため、ドレイン配線と画素電極とのコンタクトを設ける必要がなく、工程の簡素化ができる。
【０１８９】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施例４と自由に組み合わせることができる。
【実施例６】
【０１９０】
本実施例は、順スタガ型のＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の作製例を示す、なお、図９は本実施例の液晶表示装置の断面を示している。
【０１９１】
なお、本実施例は、チャネルストップ型のＴＦＴである実施の形態３とＴＦＴの構造が異なるのみであるので、ここでは簡単な説明のみとする。
【０１９２】
また、本実施例のチャネルエッチ型のＴＦＴ９３０は、実施例４と同じ工程に従って形成すればよい。
【０１９３】
実施例４に従って、ゲート配線を形成する工程まで行った後、実施の形態３と同様にソース配線またはドレイン配線上の一部に撥液性（撥水性、撥油性）からなる凸状部（ピラー）を液滴吐出法により形成する。
【０１９４】
次いで、平坦な層間絶縁膜９２２を形成する。塗布法を用いて平坦な膜を得てもよいし、液滴吐出法により形成した後、エアナイフで表面におけるミクロの凹凸を平坦化させてもよい。なお、実施の形態３と同様に、層間絶縁膜の形成の際に用いる溶媒に対して撥液性を有している凸状部（ピラー）として、凸状部上には層間絶縁膜が形成されないようにする。次いで、凸状部（ピラー）のみを除去することによってコンタクトホールを形成する。次いで、ドレイン配線と接する画素電極９２３を形成する。なお、同様に接続配線９４０と接する端子電極９４４も形成する。
【０１９５】
透過型の液晶表示パネルを作製する場合には、液滴吐出法によりインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）などを含む組成物からなる所定のパターンを形成し、焼成して画素電極９２３および端子電極９４４を形成しても良い。
【０１９６】
また、反射型の液晶表示パネルを作製する場合には、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属の粒子を主成分とした組成物を用いることができる。他の方法としては、スパッタリング法により透明導電膜、若しくは光反射性の導電膜を形成して、液滴吐出法によりマスクパターンを形成し、エッチングを組み合わせて画素電極を形成しても良い。
【０１９７】
以上の工程により、基板９１０上にトップゲート型（順スタガ型）のＴＦＴ９３０および画素電極９２３が形成された液晶表示パネル用のＴＦＴ基板が完成する。
【０１９８】
以降の工程は、実施の形態３と同一であるため、簡単な説明のみとする。次いで、画素電極９２３を覆うように、配向膜９２４ａを形成する。その後、配向膜９２４ａの表面にラビング処理を行う。そして、対向基板９２５には、着色層９２６ａ、遮光層（ブラックマトリクス）９２６ｂ、及びオーバーコート層９２７からなるカラーフィルタを設け、さらに透明電極からなる対向電極９２８と、その上に配向膜９２４ｂを形成する。そして、閉パターンであるシール材（図示しない）を液滴吐出法により画素部と重なる領域を囲むように形成する。次いで、気泡が入らないように減圧下で液晶９２９の滴下を行い、両方の基板を貼り合わせる。次いで、必要でない基板の分断を行う。そして、異方性導電体層９４５を介し、公知の技術を用いてＦＰＣ９４６を貼りつける。以上の工程で液晶モジュールが完成する。（図９）
【０１９９】
以上示したように、本実施例では、撥液性を有する凸状部（ピラー）を用いてフォトマスクを利用した光露光工程を削減することにより、工程を単純化するとともに、工程時間を短縮することができる。
【０２００】
また、本実施例では、フォトマスクを利用した光露光工程を用いていない工程を示したが、特に限定されず、一部のパターニングをフォトマスクを利用した光露光工程により行ってもよい。
【０２０１】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態３、実施例４と自由に組み合わせることができる。
【実施例７】
【０２０２】
本実施例では、液晶滴下を液滴吐出法を用いる例を示す。本実施例では、大面積基板を用い、パネル４枚取りの作製例を図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）に示す。
【０２０３】
図１１（Ａ）は、インクジェットによる液晶層形成の途中の断面図を示しており、シール材１１２で囲まれた画素部１１１を覆うように液晶材料１１４をインクジェット装置１１６のノズル１１８から吐出、噴射、または滴下させている。インクジェット装置１１６は、図１１（Ａ）中の矢印方向に移動させる。なお、ここではノズル１１８を移動させた例を示したが、ノズルを固定し、基板を移動させることによって液晶層を形成してもよい。
【０２０４】
また、図１１（Ｂ）には斜視図を示している。シール１１２で囲まれた領域のみに選択的に液晶材料１１４を吐出、噴射、または滴下させ、ノズル走査方向１１３に合わせて滴下面１１５が移動している様子を示している。
【０２０５】
また、図１１（Ａ）の点線で囲まれた部分１１９を拡大した断面図が図１１（Ｃ）、図１１（Ｄ）である。液晶材料１１４の粘性が高い場合は、連続的に吐出され、図１１（Ｃ）のように繋がったまま付着される。一方、液晶材料１１４の粘性が低い場合には、間欠的に吐出され、図１１（Ｄ）に示すように液滴が滴下される。
【０２０６】
なお、図１１（Ｃ）中、１２０は逆スタガ型ＴＦＴ、１２１は画素電極をそれぞれ指している。画素部１１１は、マトリクス状に配置された画素電極と、該画素電極と接続されているスイッチング素子、ここでは逆スタガ型ＴＦＴと、保持容量（図示しない）とで構成されている。
【０２０７】
ここで、図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）を用いて、パネル作製の流れを以下に説明する。
【０２０８】
まず、絶縁表面に画素部１０３４が形成された第１基板１０３５を用意する。第１基板１０３５は、予め、配向膜の形成、ラビング処理、球状スペーサ散布、或いは柱状スペーサ形成、またはカラーフィルタの形成などを行っておく。次いで、図１２（Ａ）に示すように、不活性気体雰囲気または減圧下で第１基板１０３５上にディスペンサ装置またはインクジェット装置でシール材１０３２を所定の位置（画素部１０３４を囲むパターン）に形成する。半透明なシール材１０３２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度４０〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶１０３３に溶解しないシール材料を選択することが好ましい。シール材１０３２としては、アクリル系光硬化樹脂やアクリル系熱硬化樹脂を用いればよい。また、簡単なシールパターンであるのでシール材１０３２は、印刷法で形成することもできる。
【０２０９】
次いで、シール材１０３２に囲まれた領域に液晶１０３３をインクジェット法により滴下する。（図１２（Ｂ））液晶１０３３としては、インクジェット法によって吐出可能な粘度を有する公知の液晶材料を用いればよい。また、液晶材料は温度を調節することによって粘度を設定することができるため、インクジェット法に適している。インクジェット法により無駄なく必要な量だけの液晶１０３３をシール材１０３２に囲まれた領域に保持することができる。
【０２１０】
次いで、画素部１０３４が設けられた第１基板１０３５と、対向電極や配向膜が設けられた第２基板１０３１とを気泡が入らないように減圧下で貼りあわせる。（図１２（Ｃ））ここでは、貼りあわせると同時に紫外線照射や熱処理を行って、シール材１０３２を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。
【０２１１】
また、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に貼り合わせ時または貼り合わせ後に紫外線照射や熱処理が可能な貼り合わせ装置の例を示す。
【０２１２】
図１３（Ａ）中、１０４１は第１基板支持台、１０４２は第２基板支持台、１０４４は窓、１０４８は下側定盤、１０４９は光源である。なお、図１３において、図１２と対応する部分は同一の符号を用いている。
【０２１３】
下側定盤１０４８は加熱ヒータが内蔵されており、シール材を硬化させる。また、第２基板支持台１０４２には窓１０４４が設けられており、光源１０４９からの紫外光などを通過させるようになっている。ここでは図示していないが窓１０４４を通して基板の位置アライメントを行う。また、対向基板となる第２の基板１０３１は予め、所望のサイズに切断しておき、台１０４２に真空チャックなどで固定しておく。図１３（Ａ）は貼り合わせ前の状態を示している。
【０２１４】
貼り合わせ時には、第１基板支持台１０４１と第２基板支持台１０４２とを下降させた後、圧力をかけて第１基板１０３５と第２基板１０３１を貼り合わせ、そのまま紫外光を照射することによって硬化させる。貼り合わせ後の状態を図１３（Ｂ）に示す。
【０２１５】
次いで、スクライバー装置、ブレイカー装置、ロールカッターなどの切断装置を用いて第１基板１０３５を切断する。（図１２（Ｄ））こうして、１枚の基板から４つのパネルを作製することができる。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
【０２１６】
なお、第１基板１０３５、第２基板１０３１としてはガラス基板、石英基板、またはプラスチック基板を用いることができる。
【０２１７】
以上の工程によって得られた液晶モジュールの上面図を図１４（Ａ）に示すとともに、他の液晶モジュールの上面図の例を図１４（Ｂ）に示す。
【０２１８】
非晶質半導体膜（アモルファスシリコン膜）で活性層を形成したＴＦＴは、電界効果移動度が小さく１ｃｍ2／Ｖｓｅｃ程度しか得られていない。そのために、画像表示を行うための駆動回路はＩＣチップで形成され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）方式で実装することとなる。
【０２１９】
図１４（Ａ）中、１１０１は、アクティブマトリクス基板、１１０６は対向基板、１１０４は画素部、１１０５はＦＰＣである。なお、液晶をインクジェット法により吐出させ、減圧下で一対の基板１１０１、１１０６をシール材１１０７で貼り合わせている。
【０２２０】
セミアモルファスシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴを用いた場合、駆動回路の一部を作製することができ、図１１（Ｂ）のような液晶モジュールを作製することができる。なお、セミアモルファスシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴで形成できない駆動回路は、ＩＣチップ（図示しない）を実装する。
【０２２１】
図１４（Ｂ）中、１１１１は、アクティブマトリクス基板、１１１６は対向基板、１１１２はソース信号線駆動回路、１１１３はゲート信号線駆動回路、１１１４は画素部、１１１７は第１シール材、１１１５はＦＰＣである。なお、液晶をインクジェット法により吐出させ、一対の基板１１１１、１１１６を第１シール材１１１７および第２シール材で貼り合わせている。駆動回路部１１１２、１１１３には液晶は不要であるため、画素部１１１４のみに液晶を保持させており、第２シール材１１１８はパネル全体の補強のために設けられている。
【０２２２】
また、得られた液晶モジュールにバックライト１２０４、導光板１２０５を設け、カバー１２０６で覆えば、図１５にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリクス型液晶表示装置（透過型）が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板１２０３は、アクティブマトリクス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０２２３】
なお、図１５中、１２００は基板、１２０１は画素電極、１２０２は柱状スペーサ、１２０７はシール材、１２２０は着色層、遮光層が各画素に対応して配置されたカラーフィルタ、１２２１は対向電極、１２２２、１２２３は配向膜、１２２４は液晶層、１２１９は保護膜である。
【０２２４】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１乃至６のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例８】
【０２２５】
本実施例では、液滴吐出法を行う装置の例を図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）に示す。図１６（Ａ）は上面図であり、図１６（Ｂ）はそのＡ−Ａ’における断面図であり、図１６（Ｃ）はそのＢ−Ｂ’における断面図である。
【０２２６】
図１６（Ａ）において、１６０１は基板であり、その上に薄膜トランジスタ及び画素電極等を形成する。当該基板１６０１は、基板ステージ（図示しない）により固定している。搬送時には図中の矢印の方向に搬送させる。
【０２２７】
また、基板１６０１の表面側上方には溶液吐出装置のヘッド部１６０３が移動し、組成物（金属配線や絶縁層やマスクを形成する材料）を含む溶液の吐出が行われる。ヘッド部１６０３の移動により、基板１６０１は相対的に走査されることになる。ヘッド部１６０３の目詰まりを防ぐため、溶媒の入った容器１６０５にヘッド部を浸しておき、走査する前には、試運転台１６０７である程度、吐出させて液滴サイズなどを安定させる。安定な液滴が得られるようになったら、ヘッド部を基板上方に移動させて吐出を行う。
【０２２８】
勿論、ヘッド部１６０３を固定し、基板１６０１を移動させて走査させることも可能である。吐出された組成物１６０４、１６０６は、焼成により溶媒が揮発して（焼成されて）所望のパターン（金属配線や絶縁層やマスクなど）となる。
【０２２９】
また、ここでは単純に並列に２つのヘッド部１６０３の一回の走査により全面塗布を完了する例を示したが、ヘッド部１６０３を数回往復移動させ、複数回の重ね塗りを行っても良い。
【０２３０】
また、ここでは、溶媒の入った容器１６０５と試運転台１６０７を別々とした例を示したが、溶媒の入った容器１６０５のみとして液滴が安定するまで容器１６０５に吐出するようにしてもよい。
【０２３１】
また、図１７に液滴吐出装置のノズルおよび制御系の一例を示す。
【０２３２】
液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５ａ、１４０５ｂは制御手段１４０７に接続され、それがコンピュータ１４１０で制御することにより予めプログラミングされたパターンを描画することができる。描画するタイミングは、例えば、基板１４００上に形成されたマーカー１４１１を基準に行えば良い。或いは、基板１４００の縁を基準にして基準点を確定させても良い。これをＣＣＤなどの撮像手段１４０４で検出し、画像処理手段１４０９にてデジタル信号に変換したものをコンピュータ１４１０で認識して制御信号を発生させて制御手段１４０７に送る。勿論、基板１４００上に形成されるべきパターンの情報は記憶媒体１４０８に格納されたものであり、この情報を基にして制御手段１４０７に制御信号を送り、液滴吐出手段１４０３の個々のヘッド１４０５ａ、１４０５ｂを個別に制御することができる。
【０２３３】
図１７でのヘッド１４０５ａ、１４０５ｂは、走査方向に対して２列とした例であるが、走査方向に対して３列とし、大型基板に対応させた例を図１８に示す。
【０２３４】
図１８において、１５００は大型基板、１５０４は撮像手段、１５０７はステージ、１５１１はマーカー、１５０３は１つのパネルが形成される領域を示している。１つのパネルの幅と同じ幅のヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０５ｃを備え、このヘッドをジグザグまたは往復させたりして適宜、材料層のパターンを形成する。
【０２３５】
図１８において、走査方向に対して３列としたヘッド１５０５ａ、１５０５ｂ、１５０５ｃはそれぞれ異なる材料層を形成することを可能としてもよいし、同一材料を吐出してもよい。３つのヘッドで同一材料を吐出して層間絶縁膜をパターン形成する場合にはスループットが向上する。
【０２３６】
なお、図１８に示す装置は、ヘッド部を固定し、基板１５００を移動させて走査させることも、基板１５００を固定し、基板１５００を固定させて走査させることも可能である。
【０２３７】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１乃至７のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例９】
【０２３８】
本実施例では、金属配線を形成する金属粒子の例を図１９に示す。この金属粒子を溶媒に分散、または溶かして液滴吐出法により金属配線を形成する。
【０２３９】
図１９（Ａ）に示す金属粒子は、１７０１が銅（Ｃｕ）成分、１７０２が銀（Ａｇ）で構成されている。銅の周りを銀でコーティングすることによって、下地膜または下地前処理を行った場合の密着性向上を図ることができる。また、銅の凹凸を銀でコーティングすることによって滑らかなものとする。
【０２４０】
また、図１９（Ｂ）に示す金属粒子は、１７１１が銅（Ｃｕ）成分、１７１２が銀（Ａｇ）で構成され、その間にバッファ層１７１３としてＮｉＢが設けられている例である。バッファ層１７１３は、銅（Ｃｕ）成分１７１１と１７１２銀（Ａｇ）との密着性を上げるために設けられている。
【０２４１】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１乃至８のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例１０】
【０２４２】
図２０には、電気メッキ処理を行う状態を示し、大型マザーガラス基板から４つのパネルを得る多面取りを行う場合について説明する。
【０２４３】
図２０（Ａ）に示すように、基板１３００には、ゲート電極１３０３と同一レイヤー、例えば液滴吐出法によりＡｇを数μｍ幅で描画して、電流を供給するための導電膜１３８０を形成する。該導電膜１３８０は、ゲート電極と異なる材料から形成してもよく、電解メッキ処理により形成したいＣｕから形成してもよい。このとき、Ａｇからなるゲート電極上にもＣｕを形成するとよい。その結果、メッキ処理により、Ｃｕを均一に形成することができる。
【０２４４】
図２０（Ｂ）に示すように、基板１３００はステージ１３８４に固定され、基板に対して、金属の溶けた水溶液を滴下するためのヘッド１３８１と、該金属の溶けた水溶液を水洗するためのヘッド１３８２と、乾燥させるために気体が噴出するためのヘッド１３８３と、が順に配置される。このように複数のノズルを配置することにより、連続処理ができ、スループットを高めることができる。電気メッキ法によりＣｕを形成する場合、金属の溶けた水溶液として硫酸銅と希硫酸からなる溶液を用いることができる。乾燥させるための気体は、酸素、窒素、それらの混合物を用いることができる。さらに乾燥を早めるため、温風を噴出してもよい。
【０２４５】
この状態で、基板１３００を矢印方向に移動させ、大型マザーガラス基板に対して、電気メッキ処理を行うことができる。もちろん基板１３００とヘッド１３８１、１３８２、１３８３とは相対的に移動すればよい。
【０２４６】
電気メッキ法によりＣｕを形成する場合、メッキにより銀の周りを覆うようにＣｕが設けられる。銀は高価な材料であるので、このように銅メッキを行うことで製造コストを低減できる。また、大画面の液晶パネルを形成する場合、このように銅メッキを行うことで配線抵抗を低くすることができる。
【０２４７】
また、銅メッキを行った場合には、銅メッキした配線にはバリア層として窒化珪素、またはＮｉＢで覆うことが好ましい。
【０２４８】
このとき、図２０（Ｃ）に示すように、基板１３００は、ステージ１３８４に固定され、角度θとなるように斜めに配置する。角度θは、０°＜θ＜９０°、好ましくは４５°＜θ＜８０°の範囲をとることができる。また角度θは、９０°＜θ＜１２０°とし、圧力を高くしてヘッド１３８１からの水溶液を噴出することもできる。同様に、圧力を高くしてヘッド１３８２から水洗の水、及びヘッド１３８３からの気体を噴出する。この場合、水溶液は基板１３００上を垂れることなく、そのまま落ちるため、水溶液のムラを防止することができる。このように、基板を斜めに配置することにより、マザーガラス基板の大型化に伴うメッキ処理装置の大型化を防ぐことができる。
【０２４９】
また、ステージ１３８４は、導電体、及び絶縁体１３８５からなり、一方の導電体を陽極、他方の導電体を陰極とし、基板１３００に形成された導電膜１３８０に接続している。これらに電流を流すことにより、メッキ処理を行うことができる。もちろん、ステージ１３８４に、導電体及び絶縁体を設置してもよい。
【０２５０】
また、メッキを行う配線は全て繋がったパターンとなっており、メッキ処理を行った後は不要であるので除去することが好ましい。例えば、パネル毎の基板の分断で各配線が分断されるようにする。
【０２５１】
なお、基板１３００を金属の溶けた水溶液の浴槽に浸けてメッキ処理を行ってもよい。
【０２５２】
また、溶液中の金属イオンの還元作用により電流を流すことない無電解メッキ法により、ゲート電極の周囲に導電膜１３０２を形成してもよい。この場合、電流を流すための導電膜１３８０を形成することがない。
【０２５３】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１乃至９のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【実施例１１】
【０２５４】
本発明の液晶表示装置、及び電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、大型画面を有する大型テレビ等に本発明を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図２１に示す。
【０２５５】
図２１（Ａ）は２２インチ〜５０インチの大画面を有する大型の表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、ビデオ入力端子２００５等を含む。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。本発明により、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、比較的安価な大型表示装置を実現できる。
【０２５６】
図２１（Ｂ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明により、比較的安価なノート型パーソナルコンピュータを実現できる。
【０２５７】
図２１（Ｃ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。本発明により、比較的安価な画像再生装置を実現できる。
【０２５８】
以上の様に、本発明を実施して得た液晶表示装置は、あらゆる電子機器の表示部として用いても良い。なお、本実施例の電子機器には、最良の形態、実施例１乃至８のいずれの構成を用いて作製された液晶表示装置を用いても良い。
【０２５９】
また、本実施例は、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、実施例１乃至１０のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２６０】
本発明により、液滴吐出法によって主な複数の工程が行われるため、製造装置に関する製造コストが低減できる。
【０２６１】
また、フォトマスクを用いることなく材料層のパターニングを行うことができるため、材料の利用効率が向上する。また、液晶表示装置の製造方法における露光現像工程を減らすことによって、作製工程を簡略化できる。また、１辺が１０００ｍｍを超える第５世代以降のガラス基板を用いても、容易に液晶表示パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２６２】
【図１】実施の形態１を示す図。
【図２】実施の形態２を示す図。
【図３】実施の形態３を示す図。
【図４】実施例１の作製工程を示す図。
【図５】実施例２の液晶表示装置を示す断面図。
【図６】実施例３の液晶表示装置を示す断面図。
【図７】実施例４の作製工程を示す図。
【図８】実施例５の作製工程を示す図。
【図９】実施例６の作製工程を示す図。
【図１０】実施の形態１を示す画素上面図。
【図１１】液晶滴下を液滴吐出法で行う斜視図および断面図。（実施例７）
【図１２】プロセス上面図を示す図。（実施例７）
【図１３】貼りあわせ装置および貼りあわせ工程を示す断面図。（実施例７）
【図１４】液晶モジュールの上面図。（実施例７）
【図１５】アクティブマトリクス型液晶表示装置を示す断面図。（実施例７）
【図１６】液滴吐出装置を示す図。（実施例８）
【図１７】液滴吐出装置を示す図。（実施例８）
【図１８】液滴吐出装置を示す図。（実施例８）
【図１９】金属粒子の断面を示す図。（実施例９）
【図２０】メッキを行う装置を示す図。（実施例１０）
【図２１】電子機器の一例を示す図。（実施例１１）
【符号の説明】
【０２６３】
１０  基板
１１  下地膜
１２  金属配線
１３  ゲート絶縁膜
１４ａ  半導体膜
１４ｂ  半導体層
１５  マスク
１６  絶縁体層
１７  ｎ型の半導体膜
１８ａ  ソース配線またはドレイン配線
１８ｂ  ソース配線またはドレイン配線
１９ａ  ソース領域またはドレイン領域
１９ｂ  ソース領域またはドレイン領域
２０  凸状部
２１  層間絶縁膜
２２  層間絶縁膜
２３  画素電極
２４ａ  配向膜
２４ｂ  配向膜
２５  対向基板
２６ａ  着色層
２６ｂ  遮光層
２７  オーバーコート層
２８  対向電極
２９  液晶
３０  ＴＦＴ
３１  容量配線
４０  配線
４１  接続配線
４２  導電物
４３  凸状部
４４  端子電極
４５  異方性導電体層
４６  ＦＰＣ
１１０  大面積基板
１１１  画素部
１１２  シール材
１１３  ノズル操作方向
１１４  液晶材料
１１５  滴下面
１１６  液滴吐出装置
１１８  ノズル
１１９  点線で囲まれた部分
１２０  逆スタガ型ＴＦＴ
１２１  画素電極
２１０  基板
２１１  下地膜
２１３  ゲート絶縁膜
２１４ａ  半導体膜
２１４ｂ  半導体層
２１５  マスク
２１６  絶縁体層
２１７  ｎ型の半導体膜
２１８ａ  ソース配線またはドレイン配線
２１８ｂ  ソース配線またはドレイン配線
２１９ａ  ソース領域またはドレイン領域
２１９ｂ  ソース領域またはドレイン領域
２２１  層間絶縁膜
２２４ａ  配向膜
２２４ｂ  配向膜
２２５  対向基板
２２６ａ  着色層
２２６ｂ  遮光層
２２７  オーバーコート層
２２８  対向電極
２２９  液晶
２３０  ＴＦＴ
２４０  配線
２４１  接続配線
２４２  導電物
２４４  端子電極
２４５  異方性導電体層
２４６  ＦＰＣ
３１０  基板
３１４  半導体層
３１６  絶縁体層
３１８ａ  ソース配線またはドレイン配線
３１８ｂ  ソース配線またはドレイン配線
３１９ａ  ソース領域またはドレイン領域
３１９ｂ  ソース領域またはドレイン領域
３２０  凸状部
３２２  層間絶縁膜
３２３  画素電極
３２４ａ  配向膜
３２４ｂ  配向膜
３２５  対向基板
３２６ａ  着色層
３２６ｂ  遮光層
３２７  オーバーコート層
３２８  対向電極
３２９  液晶
３３０  ＴＦＴ
３４０  配線
３４１  接続配線
３４２  導電物
３４３  凸状部
３４４  端子電極
３４５  異方性導電体層
３４６  ＦＰＣ
４１０  基板
４１１  下地膜
４１２  金属配線
４１３  ゲート絶縁膜
４１４ａ  半導体膜
４１４ｂ  半導体層
４１５  マスク
４１６  絶縁材料または導電材料からなる層
４１７  ｎ型の半導体膜
４１８ａ  ソース配線またはドレイン配線
４１８ｂ  ソース配線またはドレイン配線
４１９ａ  ｎ型の半導体膜
４１９ｂ  ｎ型の半導体膜
４２０  凸状部
４２１  層間絶縁膜
４２２  層間絶縁膜
４２３  画素電極
４２４ａ  配向膜
４２４ｂ  配向膜
４２５  対向基板
４２６ａ  着色層
４２６ｂ  遮光層
４２７  オーバーコート層
４２８  対向電極
４２９  液晶
４３０  ＴＦＴ
４４０  配線
４４１  接続配線
４４２  導電物
４４３  凸状部
４４４  端子電極
４４５  異方性導電体層
４４６  ＦＰＣ
５１０  基板
５２１  層間絶縁膜
５２４ａ  配向膜
５２４ｂ  配向膜
５２５  対向基板
５２６ａ  着色層
５２６ｂ  遮光層
５２７  オーバーコート層
５２８  対向電極
５２９  液晶
５３０  ＴＦＴ
５４４  端子電極
５４５  異方性導電体層
５４６  ＦＰＣ
６１０  基板
６２２  層間絶縁膜
６２３  画素電極
６２４ａ  配向膜
６２４ｂ  配向膜
６２５  対向基板
６２６ａ  着色層
６２６ｂ  遮光層
６２７  オーバーコート層
６２８  対向電極
６２９  液晶
６３０  ＴＦＴ
６４１  接続配線
６４４  端子電極
６４５  異方性導電体層
６４６  ＦＰＣ
７０６  対向基板
７１０  基板
７１１  下地膜
７１２  ゲート配線
７１３  ゲート絶縁層
７１４  半導体層
７１８ａ  ソース配線層及びドレイン配線層
７１８ｂ  ソース配線層及びドレイン配線層
７１９ａ  ｎ型の半導体層
７１９ｂ  ｎ型の半導体層
７２０  凸状部
７２２  層間絶縁膜
７２３  画素電極
７２４ａ  配向膜
７２４ｂ  配向膜
７２５  対向基板
７２６ａ  着色層
７２６ｂ  遮光層
７２７  オーバーコート層
７２８  対向電極
７２９  液晶
７３０  ＴＦＴ
７４０  端子電極
７４３  凸状部
７４４  端子電極
７４５  異方性導電体層
７４６  ＦＰＣ
８２４ａ  配向膜
８２４ｂ  配向膜
８２５  対向基板
８２６ａ  着色層
８２６ｂ  遮光層
８２７  オーバーコート層
８２８  対向電極
８２９  液晶
８３０  ＴＦＴ
８４０  接続配線
８４４  端子電極
８４５  異方性導電体層
８４６  ＦＰＣ
９２４ａ  配向膜
９２４ｂ  配向膜
９２５  対向基板
９２６ａ  着色層
９２６ｂ  遮光層
９２７  オーバーコート層
９２８  対向電極
９２９  液晶
９３０  ＴＦＴ
９４０  接続配線
９４４  端子電極
９４５  異方性導電体層
９４６  ＦＰＣ
１０３１  第２基板
１０３２  シール材
１０３３  液晶
１０３４  画素部
１０３５  第１基板
１０４１  第１基板支持台
１０４２  第２基板支持台
１０４４  窓
１０４８  下側定盤
１０４９  光源
１１０１  基板
１１０４  画素部
１１０５  ＦＰＣ
１１０７  シール材
１１１１  基板
１１１２  ソース信号線駆動回路
１１１３  ゲート信号線駆動回路
１１１４  画素部
１１１５  ＦＰＣ
１１１６  対向基板
１１１７  第１シール材
１１１８  第２シール材
１２００  基板
１２０１  画素電極
１２０２  スペーサ
１２０３  偏光板
１２０４  バックライト
１２０５  導光板
１２０６  カバー
１２０７  シール材
１２１９  保護膜
１２２０  ＣＦ
１２２１  対向電極
１２２２  配向膜
１２２３  配向膜
１２２４  液晶層
１３００  基板
１３０２  導電膜
１３０３  ゲート電極
１３８０  導電膜
１３８１  ヘッド
１３８２  ヘッド
１３８３  ヘッド
１３８４  ステージ
１３８５  ステージ
１４００  基板
１４０３  液滴吐出手段
１４０４  撮像手段
１４０５ａ  ヘッド
１４０５ｂ  ヘッド
１４０７  制御手段
１４０８  記憶媒体
１４０９  画像処理手段
１４１０  コンピュータ
１４１１  マーカー
１５００  大型基板
１５０３  領域
１５０４  撮像手段
１５０５ａ  ヘッド
１５０５ｂ  ヘッド
１５０５ｃ  ヘッド
１５０７  ステージ
１５１１  マーカー
１６０１  基板
１６０３  ヘッド部
１６０４  組成物
１６０５  溶媒の入った容器
１６０６  組成物
１６０７  試運転台
１７０１  銅
１７０２  銀
１７１１  銅
１７１２  銀
１７１３  バッファ層
２００１  筐体
２００２  支持台
２００３  表示部
２００５  ビデオ入力端子
２２０１  本体
２２０２  筐体
２２０３  表示部
２２０４  キーボード
２２０５  外部接続ポート
２２０６  ポインティングマウス
２４０１  本体
２４０２  筐体
２４０３  表示部Ａ
２４０４  表示部Ｂ
２４０５  記録媒体読込部
２４０６  操作キー
２４０７  スピーカー部
【図１】
0004684625.tif 000002
【図２】
0004684625.tif 000003
【図３】
0004684625.tif 000004
【図４】
0004684625.tif 000005
【図５】
0004684625.tif 000006
【図６】
0004684625.tif 000007
【図７】
0004684625.tif 000008
【図８】
0004684625.tif 000009
【図９】
0004684625.tif 000010
【図１０】
0004684625.tif 000011
【図１１】
0004684625.tif 000012
【図１２】
0004684625.tif 000013
【図１３】
0004684625.tif 000014
【図１４】
0004684625.tif 000015
【図１５】
0004684625.tif 000016
【図１６】
0004684625.tif 000017
【図１７】
0004684625.tif 000018
【図１８】
0004684625.tif 000019
【図１９】
0004684625.tif 000020
【図２０】
0004684625.tif 000021
【図２１】
0004684625.tif 000022