(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、シリコンからなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された１個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体のそれぞれの表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び、又は下部配線とを有しているインターポーザを製造するに当たって、
シリコンからなる平板状の基体を作製し、
前記基体の貫通配線形成部位に１個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
絶縁材料を前記スルーホールに充填するとともに、前記基体の表面に所定の厚さで塗布して絶縁材料の層を形成し、
配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写し、
前記ナノ金型を前記基体から分離して前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンを得、そして
前記配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項２】
前記配線予備パターンを、配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付け、前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写するナノインプリント技術によって付形することを特徴とする請求項１に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項３】
前記貫通配線、上部配線及び、又は下部配線を、前記配線材料のスクリーン印刷、インクジェット印刷又はその組み合わせによって形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項４】
配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、シリコンからなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された１個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体のそれぞれの表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び、又は下部配線とを有しているインターポーザを製造するに当たって、
シリコンからなる平板状の基体を作製し、
絶縁材料を前記基体の表面に所定の厚さで塗布して第１の絶縁材料の層を形成し、
第１の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第１のナノ金型を前記第１の絶縁材料の層に押し付けることによって、前記凹凸構造パターンを前記第１の絶縁材料の層に転写して第１の配線予備パターンを付形し、
前記基体の貫通配線形成部位に１個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
前記基体の第１の絶縁材料の層とは反対側の表面に絶縁材料を所定の厚さで塗布して、その絶縁材料で前記スルーホールを充填するとともに第２の絶縁材料の層を形成し、
第２の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第２のナノ金型を前記第２の絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記第２の絶縁材料の層に転写し、
前記第２のナノ金型を前記基体から分離して前記第２の絶縁材料の層に付形された第２の配線予備パターンを得、そして
前記第１及び第２の配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法。
【請求項５】
前記配線予備パターンを、配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付け、前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写するナノインプリント技術によって付形することを特徴とする請求項４に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項６】
前記貫通配線、上部配線及び、又は下部配線を、前記配線材料のスクリーン印刷、インクジェット印刷又はその組み合わせによって形成することを特徴とする請求項４又は５に記載のインターポーザの製造方法。
【請求項７】
前記基体の作製工程に続く一連の加工工程を反復して前記基体の表面に複数の配線層が絶縁層を介して積層された多層構造体を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のインターポーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザに関し、さらに詳しく述べると、配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子（例えば、半導体チップ）との間に介挿されて半導体装置やその他の電子装置を構成するために用いられるインターポーザ（インターポーザ基板とも呼ばれる）に関する。本発明は、また、そのようなインターポーザの製造方法と、そのようなインターポーザを組み込んだ、半導体装置やその他の電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、半導体装置は、例えば多層回路基板のような配線基板の上にＩＣチップ、ＬＳＩチップのような半導体チップを搭載して構成されている。また、半導体装置の小型化に対応するため、配線基板と、半導体チップの間にインターポーザを介挿することがしばしば行なわれている。例えば、特許文献１は、半導体チップをフェイスダウンして半田バンプによりインターポーザと接続し、半導体チップの表面とインターポーザの間隙にアンダーフィル材を充填した半導体装置を記載している。インターポーザは、その内部を貫通して貫通電極を備えるとともに、その一方の表面において、半導体チップの電極に対応する位置に配線電極を有し、かつその他方の表面において、配線基板と接続するための外部接続端子（電極パッド）を有している。
【０００３】
従来、インターポーザは、エポキシ樹脂基板を基体として使用し、その基体にスルーホールを開けた後にそれぞれのスルーホールに導電性ペーストを充填するかもしくは銅の電解めっきにより貫通電極を形成するのが一般的であった。しかし、最近では、半導体装置の小型化、薄型化、高性能化などを実現するために高密度実装が要求されるようになっており、この要求を満たすため、エポキシ樹脂基板に代えて硬質で耐熱性のあるシリコン基板が使用されるようになっている。シリコン基板は特に、薄型化が可能であり、硬質であることに由来して半導体チップの実装時やボンディング時の信頼性を高めることができ、また、耐熱性であることに由来して、半導体装置の製造過程で高温度にさらされることがあっても、反りや変形などを生じないからである。
【０００４】
シリコン基板からなるインターポーザの製造において、スルーホールは、通常、リアクティブ・イオン・エッチング法（ＲＩＥ）やレーザードリリング法を用いて形成されている。また、貫通電極や配線の形成には、微細加工が可能であるため、ダマシン方式やＷＬＰ（Wafer Level Package）方式を使用することが提案されている。ダマシン方式は、例えば、予め形成されたスルーホールにＣＶＤ法（化学的気相成長法）やスパッタ法によってシード層を形成した後、スルーホールに電解めっきによって銅を充填し、最後に表面の余分な銅を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去することからなっている（例えば、非特許文献１を参照されたい）。また、ＷＬＰ方式は、例えば、シード層の形成、レジストのパターニング、電解めっき、レジストの剥離、そしてシード層の除去を順次実施することからなっている。しかし、これらの方式を実施する場合には、プロセスが長く複雑であり、製造コストも増加するという問題がある。また、特にＣＭＰ研磨機、ＣＶＤ装置、スパッタ装置などを使用しなければならないので、装置コストが高いという問題がある。さらに、プロセスが複雑であるので、多層化によるパッケージの小型化が難しいという問題もある。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１３４５号公報（特許請求の範囲、図１）
【非特許文献１】K. Takahashi et al., Process Integration of 3D Chip Stack with Vertical Interconnection, p. 601-609, 2004 Electronic Components and Technology Conference
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上述のような従来のシリコン基板からなるインターポーザの問題点を解決して、製造プロセスが短くかつ簡潔であり、ＣＭＰ研磨機、ＣＶＤ装置、スパッタ装置などの高価な装置を使用することなく製造を実施することが可能であり、さらには多層化も容易に可能であり、パッケージの小型化に寄与し得るインターポーザを提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、上記のようなインターポーザを、高価な製造装置に代えて安価で汎用の製造装置を使用して、短くかつ簡単な工程で製造できる方法を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の目的は、インターポーザを備えた、小型、薄型、高性能、高密度実装等の要件を満たした電子装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の上記した目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上述のような目的を達成すべく鋭意研究した結果、配線のパターニングにいわゆる「インプリント技術」を使用し、かつ配線の形成に印刷技術を使用するのが有効であるということを発見し、本発明を完成した。
【００１１】
本発明は、その１つの面において、配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、
無機材料からなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された１個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体の表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び（又は）下部配線とを有しており、そして
前記貫通配線、上部配線及び下部配線は、それぞれ、前記基体の配線形成部位に少なくとも適用された絶縁材料の層に一括してあるいは順を追って付形された配線予備パターンの上に形成されており、かつ前記配線予備パターンの形成に使用された金型そのものからなるかもしくは、前記金型の微細構造パターンの転写により前記絶縁材料の層に形成された配線予備パターンの上に印刷、めっきもしくは蒸着によって適用された配線材料の層からなることを特徴とするインターポーザにある。
【００１２】
本発明のインターポーザにおいて、配線予備パターンは、いろいろな技術によって絶縁材料の層に付形することができるが、ナノインプリント技術によって付形することが好ましい。ナノインプリント技術とは、以下に詳細に説明するように、所望とする配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を用意した後、そのナノ金型をすでに形成してある絶縁材料の層に押し付け、凹凸構造パターンを絶縁材料の層に転写する技術である。
【００１３】
また、本発明のインターポーザにおいて、例えば貫通配線、上部配線、下部配線などの配線パターン及び必要に応じて電極パッド、外部接続端子などの導体パターンは、めっき、印刷、蒸着などの成膜法を使用して有利に形成することができるが、選ばれた材料からスクリーン印刷、インクジェット印刷などの印刷法を使用して形成するのが有利である。印刷法は、必要ならば、２種類以上の方法を組み合わせてもよい。また。めっき、印刷、蒸着などの成膜法を任意に組み合わせて使用してもよい。
【００１４】
さらに、本発明のインターポーザにおいて、基体の形成にはいろいろな無機材料を使用することができるが、好適な無機材料は、例えばシリコンなどの半導体材料やガラスであり、とりわけシリコンが有用である。
【００１５】
さらにまた、本発明のインターポーザは、いろいろな形態を有することができ、基体の少なくとも一方の表面に配線層が単層で形成されていてもよく、さもなければ、２層もしくはそれ以上の配線層が絶縁層を介して積層された多層構造で形成されていてもよい。
【００１６】
本発明は、そのもう１つの面において、配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、無機材料からなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された１個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体のそれぞれの表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び（又は）下部配線とを有しているインターポーザを製造するに当たって、
前記基体の配線形成部位に絶縁材料を少なくとも適用し、得られた絶縁材料の層に一括してあるいは順を追って配線予備パターンを付形した後、その配線予備パターンの上に前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成し、かつ、その際、前記配線予備パターンの形成に金型を使用し、使用された金型そのものを前記貫通配線、上部配線及び下部配線として利用するかもしくは、前記金型の微細構造パターンの転写により前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法にある。
【００１７】
本発明の製造方法において、配線予備パターンは、いろいろな技術によって絶縁材料の層に付形することができるが、上記した通り、ナノインプリント技術によって付形することが好ましい。また、貫通配線、上部配線、下部配線などは、上記した通り、選ばれた材料からスクリーン印刷、インクジェット印刷などの印刷法を使用して形成するのが有利である。
【００１８】
本発明によるインターポーザの製造方法は、好ましい１態様によると、下記の工程：
無機材料からなる平板状の基体を作製し、
前記基体の貫通配線形成部位に１個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
絶縁材料を前記スルーホールに充填するとともに、前記基体の表面に所定の厚さで塗布して絶縁材料の層を形成し、
配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写し、
前記ナノ金型を前記基体から分離して前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンを得、そして
前記配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成すること
によって有利に実施することができる。ここで、平板状の基体は、必要ならば、肉厚のものを準備し、バックグラインディングによって背面研磨を行い、所要の厚さに調整してもよい。
【００１９】
また、本発明によるインターポーザの製造方法は、もう１つの好ましい態様によると、下記の工程：
無機材料からなる平板状の基体を作製し、
絶縁材料を前記基体の表面に所定の厚さで塗布して第１の絶縁材料の層を形成し、
第１の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第１のナノ金型を前記第１の絶縁材料の層に押し付けることによって、前記凹凸構造パターンを前記第１の絶縁材料の層に転写して第１の配線予備パターンを付形し、
前記基体の貫通配線形成部位に１個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
前記基体の第１の絶縁材料の層とは反対側の表面に絶縁材料を所定の厚さで塗布して、その絶縁材料で前記スルーホールを充填するとともに第２の絶縁材料の層を形成し、
第２の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第２のナノ金型を前記第２の絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記第２の絶縁材料の層に転写し、
前記第２のナノ金型を前記基体から分離して前記第２の絶縁材料の層に付形された第２の配線予備パターンを得、そして
前記第１及び第２の配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成すること
によって有利に実施することができる。ここで、平板状の基体は、必要ならば、肉厚のものを準備し、バックグラインディングによって背面研磨を行い、所要の厚さに調整してもよい。また、第２の絶縁材料の層の形成に使用される絶縁材料は、所望ならば第１の絶縁材料の層の形成に使用された絶縁材料とは異なっていてもよいが、得られる絶縁性や製造コストなどの面から、第１及び第２の絶縁材料の層は同一の絶縁材料から形成するのが好ましい。
【００２０】
さらに、上記したような製造方法は、必要ならば、基体の表面に複数の配線層が絶縁層を介して積層された多層構造体を得るため、基体の作製工程に続く一連の加工工程を反復して実施してもよい。
【００２１】
本発明は、そのもう１つの面において、少なくとも１個の電子素子を備えた電子装置であって、配線基板の上部に本発明によるインターポーザを介して前記電子素子が搭載されていることを特徴とする電子装置にある。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、以下の詳細な説明から理解されるように、従来のシリコン基板からなるインターポーザの製造方法と違って、インプリント技術、特にナノインプリント技術を導入したことにより、インターポーザを短くかつ簡潔な製造プロセスで製造できる。また、製造に当たって、従来のように、ＣＭＰ研磨機や真空プロセスを利用したＣＶＤ装置、スパッタ装置などの高価な装置を使用する必要がなくなるので、製造コストの低減に大きく貢献ことができる。さらに、貫通配線などを微細パターンで形成することができ、寸法誤差も極く低いレベルに抑えることができるので、配線密度及びデバイスの信頼性を高めることができる。さらにまた、インターポーザの多層化が容易に可能であり、パッケージの高密度実装、小型化などに寄与することができる。
【００２３】
また、本発明によれば、インターポーザを備えた、小型、薄型、高性能、高密度実装等の要件を満たした電子装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明は、上記したように、配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザとその製造方法、そして本発明のインターポーザを備えた電子装置にある。ここで、「配線基板」とは、広義で使用されていて、電子素子等を搭載することが意図されている各種の実装基板、例えば多層配線基板などのようにすでに配線が作り込まれている配線基板、半導体基板（例えば、シリコン基板等）、ガラス基板、絶縁性樹脂基板などのように、後段の工程で配線の形成が予定されている基板などを意味している。また、「電子素子」は、例えば半導体素子（例えば、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等）などの能動素子、キャパシタ、レジスタなどの受動素子、あるいはその他の電子部品を意味し、また、したがって、「電子装置」は、各種の電子素子を搭載した装置（電子デバイス）を意味し、その典型例が、半導体装置である。
【００２５】
以下、本発明の好ましい実施の形態を添付の図面を参照しながら説明する。なお、下記の形態は一例であって、本発明はこれらの形態に限定されるものではないことを理解されたい。
【００２６】
図１は、本発明による半導体装置用インターポーザの一例を示したものである。図示のインターポーザ１０は、無機材料からなる平板状の基体１と、基体１を貫通して形成されたスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線５と、基体１の表面に予め定められたパターンで形成されかつ貫通配線５を介して電気的に導通された上部配線６とを有している。
【００２７】
図示していないが、上部配線６には、例えばＬＳＩチップのような半導体素子を搭載可能である。例えば、半導体素子の下面に外部端子として予め形成されたはんだバンプとインターポーザ１０の上部配線６に形成された電極パッドとを、はんだバンプを介して接合できる。また、配線基板の電極とインターポーザ１０の貫通配線５の端面に形成された電極パッドとをはんだバンプを介して接合できる。さらに、配線基板とインターポーザ１０の間、そしてインターポーザ１０と半導体素子の間には、それぞれ、絶縁性の封止樹脂（アンダーフィル材）を充填するのが一般的である。
【００２８】
貫通配線５及び上部配線６は、基体１のスルーホールや上部表面に直接的に形成されたものではなく、基体の配線形成部位に少なくとも適用された絶縁材料の層３の上に形成されている。本発明のインターポーザ１０では特に、かかる絶縁材料の層３の上に所望とする配線パターンに対応させて配線予備パターンをインプリント法によって形成した後、得られた配線予備パターンの凹凸の上やスルーホールの内部に配線材料を印刷、めっき、蒸着などによって適用し、それぞれの配線を形成したことを特徴とする。配線の形成には、特に、導体ペーストのスクリーン印刷、導電性インクのインクジェット印刷などを有利に使用することができる。なお、配線予備パターンは、絶縁材料の層に一括して付形してもよく、所望とするインターポーザの構成や製造方法によっては、段階を追って順次形成してもよい。別法によれば、貫通配線５及び上部配線６は、インプリント法に使用した金型を、基体から取り外さないで、そのまま配線として利用してもよい。
【００２９】
さらに具体的に説明すると、本発明によるインターポーザにおいて、その主体を構成する基体は、通常、耐熱性及び絶縁性を有する無機材料から形成される好ましい。これは、半導体装置用インターポーザは、半導体装置等の製造（例えば、スパッタリング工程）において一般的には高温環境にさらされることから、反りや変形の発生を防止するために、さらには、配線基板と電子素子の間の電気的な導通を確実なものとするために望ましいからである。適当な基体材料としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えばシリコン等の半導体材料、ガラスなどを挙げることができる。なお、最近においてインターポーザに求められている特性や加工の容易性などを考慮すると、シリコンから基体を形成するのがとりわけ有利である。
【００３０】
基体は、通常、平板の形で使用される。基体の大きさは、特に限定されるものではなく、所望とするインターポーザの機能や大きさなどに応じて任意に変更することができる。基体の厚さは、通常、約３０〜３００μｍの範囲であり、好ましくは、約５０〜２００μｍの範囲である。インターポーザの薄型化のため、通常、５０μｍの近傍で基体を使用することが推奨される。また、基体の大きさ（一辺の長さ）は、基体の主たる表面が正方形であると仮定して、通常、約２．０〜３０．０ｍｍの範囲である。なお、基体は、例えばシリコンウエハのような円板をダイシングなどで個々の小片に切り出すことによって容易に作製することができる。個々の基体の切り出しは、通常、シリコンウエハ上にインターポーザの実質的な部分を形成した後、一括取りで有利に行われる。また、最初にインターポーザを肉厚で切り出し、引き続いていわゆるバックグラインディングによって背面研磨を行い、所要の厚さに調整してもよい。
【００３１】
本発明のインターポーザでは、基体を貫通した貫通配線を形成するため、基体の所定の位置（１個所もしくは２個所以上）に基体を貫通する細孔（スルーホール）を形成することが必要である。スルーホールは、いろいろな技法を使用して形成することができる。例えば、基体としてシリコン基板を使用した場合には、ＹＡＧレーザあるいはエキシマレーザ等により、所要の大きさの複数個のスルーホールを形成することができる。スルーホールの形成後、ポリッシングにより基体の表面を平滑化するのが一般的である。また、ガラス基板を使用した場合には、スルーホールは、マスクを用いてエッチングにより孔明け加工するか、マスクを用いてサンドブラストにより孔明け加工するとよい。ガラス基板の場合も、表面が平滑であることが好適である。
【００３２】
また、スルーホールは、所望とするインターポーザの構成に応じていろいろな大きさで形成することができる。スルーホールの大きさは、通常、φ１０〜３００μｍ程度であり、好ましくはφ３０〜１００μｍ程度であり、最も好ましくはφ５０μｍ程度である。
【００３３】
従来の方法の場合、スルーホールの形成後にめっきなどによって導体金属（例えば、銅、アルミニウム等）を充填し、貫通配線を形成するのが一般的であるが、本発明の場合、上記したように、基体の配線形成部位に少なくとも絶縁材料を適用して、スルーホールをその絶縁材料で充填するとともに、基体の表面にも同じ絶縁材料を所要の厚さで堆積する。ここで、絶縁材料としてはいろいろな材料を使用することができるが、通常、熱可塑性樹脂、紫外線硬化性樹脂など、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。また、絶縁材料の層は、いろいろな手法を使用して形成することができる。適当な成膜法として、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。また。絶縁材料の層は、いろいろな厚さで形成することができるが、通常、約５〜５０μｍの範囲であり、好ましくは、約１０〜２０μｍの範囲である。なお、本発明の実施において、スルーホールを絶縁材料で充填するとともに、基体の表面にも同じ絶縁材料で所要の厚さの層を形成するのが一般的であるが、スルーホールの充填と絶縁材料の層の形成は、同時に行なってもよく、それぞれ独立して行なってもよい。スルーホールの充填と絶縁材料の層の形成を独立に行なう場合、以下に説明するように、最低で２回のインプリント工程が必要となるであろう。
【００３４】
上記のようにして絶縁材料でスルーホールを充填したり基体の表面に絶縁材料の層を形成した後、スルーホールの内部及び絶縁材料の層の上に所望とする配線パターンに対応させて配線予備パターンを形成する。配線予備パターンは、本発明に従いインプリント技術、特にナノインプリント技術によって絶縁材料の層に付形することが好ましい。ナノインプリント技術を使用することによって、所望とする配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を絶縁材料の層に押し付け、凹凸構造パターンを絶縁材料の層に転写すことができる。ナノ金型の材質としては、例えば、ニッケル、シリコン、ガラスなどを挙げることができる。この技術によれば、ナノ金型の凸部をスルーホールの内部に挿入することで、ナノ金型の引き出し後、貫通配線を形成するのに有用なやや小ぶりの第２のスルーホールを再び基体に形成することができる。なお、配線予備パターンは、絶縁材料の層に一括して付形してもよく、さもなければこれを変形して、最初の段階で絶縁材料の層にのみ配線予備パターンを形成し、後段の任意の段階でスルーホールに絶縁材料を充填してもよい。
【００３５】
引き続いて、得られた配線予備パターンの凹凸の上や第２のスルーホールの内部に配線材料（例えば、銀、銅などの導体金属）を印刷、めっき、蒸着などによって適用し、貫通配線、上部配線、そして下部配線を形成する。配線の形成には、特に、銀、銅などの導体ペーストのスクリーン印刷、銀、銅などの導電性インクのインクジェット印刷などを有利に使用することができる。また、銀、銅などをめっきによって第２のスルーホールに充填して貫通配線を形成するとともに、上部配線、下部配線などを形成してもよい。別法によれば、貫通配線、上部配線及び下部配線を上記のような手法によって形成することを省略して、インプリント技術に使用した金型を、基体から取り外さないで、そのまま配線として利用することができる。この場合の金型の材料としては、例えば、ニッケル、銅などを有利に使用することができる。
【００３６】
本発明のインターポーザは、その基体に貫通配線、上部配線及び下部配線を備えることに加えて、インターポーザの分野で一般的な追加の要素を任意に有することができる。例えば、貫通配線の両端面、すなわち、基体の表裏面に露出した配線層は、電極パッドの形に形成するか、あるいは形成後の配線層をパターニングして電極パッドを形成することができる。電極パッドの形は特に制限されないけれども、一般的にはランドの形に突出させることが好ましく、また、はんだバンプ等を収納しやすいように受け皿形状に加工することが好ましい。また、貫通配線の両端面は、このように電極パッドを形成してそのまま使用してもよいけれども、先に説明したように、はんだバンプやその他の接合手段をさらに備えることが好ましい。はんだバンプ等を介在させることによって、インターポーザとその他の部品との接合をより確実にかつ強固に行うことができるからである。
【００３７】
さらに加えて、本発明のインターポーザにおいて、基体の表面及び（又は）裏面に、一体的に作り込まれた追加の機能素子を薄膜の形で形成してもよい。ここで、機能素子は、例えば半導体素子などの能動素子であってもよく、さもなければ、キャパシタ、レジスタ、インダクタ等の受動素子であってもよい。また、機能素子は、例えば再配線層のような特定の配線などであってもよい。これらの機能素子は、単独で使用してもよく、２種以上を任意に組み合わせて使用してもよい。
【００３８】
図２は、本発明による半導体装置用インターポーザのもう１つの形態を示した断面図である。インターポーザ２０は、図１のインターポーザ２０と同様な構成を有しているけれども、上部の絶縁層２１に加えて下部の絶縁層２４を有し、かつ貫通配線に接続した上部配線２６に加えて下部配線２７を有する点で相違し、また、以下に説明するように、製造プロセスにも違いがある。しかし、インターポーザ２０の特性等は、図１のインターポーザ２０の特性等と比較可能である。
【００３９】
図３は、本発明による半導体装置用インターポーザのさらにもう１つの形態を示した断面図である。インターポーザ３０は、基体１の周囲においては図２のインターポーザ２０と同様な構成を有しているけれども、図から理解される通り、複数の配線層が絶縁層を介して積層された多層構造を有する点で相違する。
【００４０】
具体的に説明すると、インターポーザ３０は、例えば、シリコンからなる基体１（厚さ２００μｍ）からなり、そのスルーホール（直径５０μｍ）に銅インクのインクジェット印刷で形成された貫通配線５を有している。また、貫通配線５の上端面は上部配線６に、下端面は下部配線７に、それぞれ一体化している。また、これらに配線は、基体１の上に直接に形成されたものではなくインプリント技術で形成された層間絶縁樹脂層（厚さ１μｍのポリイミド膜）３を介して形成されている。なお、層間絶縁樹脂層３において、これらの配線を有しない領域の厚さは、１０μｍである。ここまでは、図２のインターポーザ２０と同様な構成である。
【００４１】
図３のインターポーザ３０は、本発明に従い再びインプリント技術が実施されている。すなわち、例えば基対の上部について説明すると、次のような手順で追加の配線が形成されている。
（１）インプリント技術による、配線予備パターンを有する層間絶縁樹脂層３３の形成、
（２）層間絶縁樹脂層３３の所定の部位におけるビアホールの形成、
（３）銅インクのインクジェット印刷による、貫通配線３５及び上部配線３６の形成、
（４）ソルダーレジストによるパッシベーション膜の形成（ポリイミド膜やＳｉＮ膜であってもよい）、及び
（５）ボード接続端子（はんだボール）の形成。
【実施例】
【００４２】
引き続いて、添付の図面を参照して本発明のインターポーザとその製造方法を説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
【００４３】
実施例１
本例では、図１に示した半導体装置用インターポーザの製造を図４及び図５を参照して説明する。
【００４４】
まず、図４（Ａ）に示すように、所定のサイズをもったシリコンウエハ１（本例では、厚さ６２５μｍ）を用意する。
【００４５】
次いで、シリコンウエハ１の厚さを２００μｍとなすため、図４（Ｂ）に示すように背面研磨を行なう。背面研磨は、市販の背面研磨機を使用して実施できる。図中、点線で示した部分が除去される。
【００４６】
厚さ２００μｍのシリコンウエハ１を作製した後、シリコンウエハ１の表面にエッチング耐性に優れたレジストを塗布し、硬化後にパターニングする。図４（Ｃ）に示すように、レジストパターン２を備えたシリコンウエハ１が得られる。ここで、レジストパターン２の開口２ａは、後段の工程で貫通配線を形成するためのものであり、その直径は、例えば、約５０〜１５０μｍの範囲で任意に変更可能である。
【００４７】
レジストパターン２の形成後、そのレジストパターンをマスクとして下地のシリコンウエハ１をエッチングし、図４（Ｄ）に示すように、微細の貫通孔（スルーホール）１１を形成する。エッチングには、シリコンウエハのエッチングに一般的に使用されている技術、例えばプラズマエッチング、スパッタエッチング、リアクティブイオンエッチング（ＲIＥ）などを使用することができる。例えば、プラズマエッチングは、ＣＦ４やＳＦ６をエッチングガスとして使用して実施することができる。また、このようなドライエッチングプロセスに代えて、エッチング液を使用したウエットエッチングプロセスを使用してもよい。さらに、例えばＣＯ２レーザやＹＡＧレーザを使用したレーザ加工によってスルーホールを形成してもよく、このような方法を使用すると上述のレジストプロセスも省略することができる。
【００４８】
次いで、配線予備パターンを備えた層間絶縁膜を後段の工程で形成するため、インプリントプロセスに移行する。まず、図４（Ｅ）に示すように、シリコンウエハ１の上面とスルーホール１１に例えば熱可塑性の樹脂又は紫外線硬化性樹脂（本例では、ポリイミド樹脂）をスクリーン印刷で塗布して絶縁樹脂の層３を形成する。
【００４９】
上記のようにして絶縁樹脂の層３を形成した後、図５（Ｆ）に示すように、別に用意しておいた、所望とする配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型４を絶縁樹脂の層３に押し付ける。ナノ金型４は、例えば、ニッケル、シリコン、ガラスなどを微細加工して作製したものである。ここで、ナノ金型４とシリコンウエハ１の位置合わせが肝要であるので、例えば上下カメラ（図示せず）を使用して入念なアライメントを行なう。さらに続けて、図５（Ｇ）に示すように、ナノ金型４をシリコンウエハ１の絶縁樹脂の層３に押し込み、この状態のままで絶縁樹脂を硬化させる。
【００５０】
絶縁樹脂の層３の硬化が確認された後、ナノ金型４をシリコンウエハ１から分離する。図５（Ｈ）に示すように、ナノ金型４の凹凸構造パターンが絶縁樹脂の層３に転写された、換言すると、配線予備パターンが絶縁樹脂の層３に付形されたシリコンウエハ１が得られる。配線予備パターンの開口１３は、貫通配線を形成するための空間として機能することができる。
【００５１】
上記のようにして配線予備パターンを形成した後、銅ペーストのスクリーン印刷によって配線の形成を行なう。図５（Ｉ）に示すように、層間絶縁膜３を介して銅の貫通配線５と銅の上部配線６を備えたインターポーザ１０が得られる。なお、本例ではスクリーン印刷を用いて配線を形成したが、代わりにインクジェット印刷を利用することも推奨される。また、必要ならば、従来一般的に使用されているめっき法を用いて配線を形成してもよい。
【００５２】
実施例２
本例では、図２に示した半導体装置用インターポーザの製造を図６〜図８を参照して説明する。
【００５３】
まず、図６（Ａ）に示すように、所定のサイズをもったシリコンウエハ１（本例では、厚さ５０μｍ）を用意する。
【００５４】
次いで、第１の配線予備パターンを備えた第１の層間絶縁膜を後段の工程で形成するため、１回目のインプリントプロセスに移行する。まず、図６（Ｂ）に示すように、シリコンウエハ１の上面に例えば熱可塑性の樹脂又は紫外線硬化性樹脂（本例では、ポリイミド樹脂）をスクリーン印刷で塗布して第１の絶縁樹脂の層２１を厚さ５μｍで形成する。
【００５５】
上記のようにして絶縁樹脂の層２１を形成した後、別に用意しておいた第１のナノ金型４１を第１の絶縁樹脂の層２１に押し付ける。第１のナノ金型４１は、例えば、ニッケル、シリコン、ガラスなどを微細加工して作製したものであり、図６（Ｃ）に示すように、第１の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有している。この第１のナノ金型４１を第１の絶縁樹脂の層２１に押し付け、そのままの状態で絶縁樹脂の層２１を硬化させる。絶縁樹脂の層２１の硬化が確認された後、第１のナノ金型４１をシリコンウエハ１から分離する。図６（Ｃ）に示すように、第１のナノ金型４１の凹凸構造パターンが絶縁樹脂の層２１に転写された、換言すると、第１の配線予備パターン２１ａが絶縁樹脂の層２１に付形されたシリコンウエハ１が得られる。
【００５６】
次いで、図６（Ｄ）に示すように、シリコンウエハ１の表面にエッチング耐性に優れたレジストを塗布し、硬化後にパターニングする。図示するように、レジストパターン２２を備えたシリコンウエハ１が得られる。ここで、レジストパターン２２の開口２２ａは、後段の工程で貫通配線を形成するためのものであり、その直径は、例えば、約５０〜１５０μｍの範囲で任意に変更可能である。
【００５７】
次いで、レジストパターン２２の存在において下地の絶縁樹脂の層２１をアッシングし、露出部分を選択的に除去する。マスクとして使用したレジストパターン２２を除去すると、図６（Ｅ）に示すように、開口２１ｂが絶縁樹脂の層２１に形成されたシリコンウエハ１が得られる。
【００５８】
引き続いて、絶縁樹脂の層２１をマスクとして下地のシリコンウエハ１をエッチングし、図７（Ｆ）に示すように、貫通配線形成のためのスルーホール１１を形成する。エッチングには、上記したように、例えばプラズマエッチング、スパッタエッチング、リアクティブイオンエッチング（ＲIＥ）などを使用することができる。
【００５９】
次いで、第２の配線予備パターン（貫通配線部も含む）を備えた第２の層間絶縁膜を後段の工程で形成するため、２回目のインプリントプロセスに移行する。まず、図７（Ｇ）に示すように、シリコンウエハ１のスルーホール１１に充填された絶縁樹脂のストッパーとして使用するため、シリコンウエハ１の上面に市販のマスキングテープ２３を貼付する。次いで、シリコンウエハ１の下面に例えば熱可塑性の樹脂又は紫外線硬化性樹脂（本例では、第１の絶縁樹脂の層２１の形成に使用したものと同一のポリイミド樹脂）をスクリーン印刷で塗布する。図示されるように、第２の絶縁樹脂の層２４が形成される。
【００６０】
上記のようにして第２の絶縁樹脂の層２４を形成した後、図７（Ｈ）に示すように、別に用意しておいた第２のナノ金型４２を第２の絶縁樹脂の層２４に押し付ける。第２のナノ金型４２は、例えば、ニッケル、シリコン、ガラスなどを微細加工して作製したものであり、図示されるように、第２の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有している。この第２のナノ金型４２を第２の絶縁樹脂の層２４に押し付け、そのままの状態で絶縁樹脂の層２４を硬化させる。
【００６１】
第２の絶縁樹脂の層２４の硬化が確認された後、第２のナノ金型４２をシリコンウエハ１から分離すると、図７（Ｉ）に示すように、第２のナノ金型４２の凹凸構造パターンが第２の絶縁樹脂の層２４に転写された、換言すると、第２の配線予備パターン２４ａが第２の絶縁樹脂の層２４に付形されたシリコンウエハ１が得られる。なお、第２の配線予備パターン２４ａは、貫通配線形成のための第２のスルーホール２９の内壁にも延在している。
【００６２】
上記のようにして配線予備パターンをシリコンウエハの両面に形成した後、銅ペーストのスクリーン印刷によって配線の形成を行なう。本例では、図８（Ｊ）及び（Ｋ）に示すように、シリコンウエハ１に片面ずつ配線を形成した。図８（Ｋ）に示すように、層間絶縁膜２１及び２４を介してそれぞれ銅の上部配線２６及び銅の下部配線２７が形成され、さらにこれらの配線を銅通した銅の貫通配線２５を備えたインターポーザ２０が得られる。なお、本例ではスクリーン印刷を用いて配線を形成したが、代わりにインクジェット印刷を利用することも推奨される。また、必要ならば、従来一般的に使用されているめっき法を用いて配線を形成してもよい。
【００６３】
さらに、図示されていないが、図６（Ｂ）〜図８（Ｋ）に示した一連の加工工程を繰り返すことで、例えば図３に示したような多層配線をもったインターポーザも作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明による半導体装置用インターポーザの１形態を示した断面図である。
【図２】本発明による半導体装置用インターポーザのもう１つの形態を示した断面図である。
【図３】本発明による半導体装置用インターポーザのさらにもう１つの形態を示した断面図である。
【図４】図１に示したインターポーザの製造方法（その１）を順を追って示した断面図である。
【図５】図１に示したインターポーザの製造方法（その２）を順を追って示した断面図である。
【図６】図２に示したインターポーザの製造方法（その１）を順を追って示した断面図である。
【図７】図２に示したインターポーザの製造方法（その２）を順を追って示した断面図である。
【図８】図２に示したインターポーザの製造方法（その３）を順を追って示した断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１    基体
３    絶縁材料の層
５    貫通配線
６    上部配線
１０    インターポーザ
２０    インターポーザ
３０    インターポーザ
【図１】
0004716819.tif 000002
【図２】
0004716819.tif 000003
【図３】
0004716819.tif 000004
【図４】
0004716819.tif 000005
【図５】
0004716819.tif 000006
【図６】
0004716819.tif 000007
【図７】
0004716819.tif 000008
【図８】
0004716819.tif 000009