(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの表面に配列された入力パッド及び出力パッドと、
前記入力パッド及び前記出力パッド上にそれぞれ配置された入力バンプ及び出力バンプと、を備えた半導体装置であって、
前記半導体チップの長辺、短辺のうち、少なくとも長辺であって、マーキング用インクが塗布されるインクマーキング打点領域を挟む辺部にダミーバンプが形成され、
前記入力バンプ、前記出力バンプ、及び前記ダミーバンプのそれぞれの側面には凹凸面が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーバンプは、前記半導体チップの表面上に配列された電気的に未接続のダミーパッド上に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は液晶表示装置または固体撮像装置の駆動用ＩＣであることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの短辺はマーキング用インクの径程度であることを特徴とする請求項１、請求項２、または請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記入力バンプと前記出力バンプと前記ダミーバンプとからなる全てのバンプはその間隔が均等となるように配置されていることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、または請求項４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に液晶表示装置や固体撮像装置の駆動用ドライバー等、入力バンプと出力バンプとの数が異なることを特徴とする半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）デバイスの製造工程では、先ず前工程において、半導体結晶を薄くスライスしたウエハ上に、成膜工程、リソグラフィ工程、エッチング工程、不純物添加工程、拡散工程、メタライズ工程、洗浄工程等を経て多数の素子を含む半導体チップを得る。
【０００３】
次に、Ｇ／Ｗ（Ｇｏｏｄ  Ｃｈｉｐ／Ｗａｆｅｒ）チェック工程において、ダイシング前の半導体ウエハ段階で、半導体ウエハ上に形成された各半導体チップの良否判定が行われる。その際、斯かるテストで不良と判定された半導体ウエハ上の各半導体チップに対して、不良の識別マークとなるマーキング用インクが塗布される。
【０００４】
次に後工程において、これら各半導体チップを半導体ウエハから切断分離（ダイシング）した後、上述したＧ／Ｗチェック工程で良品と判定されたチップのみが、マウント工程、ボンディング工程、封入工程等を経て半導体装置が完成する。
【０００５】
しかしながら、Ｇ／Ｗチェック工程において半導体ウエハ１０上に形成された不良と判定された駆動用ＩＣ１にマーキング用インク７が打点される際に、図７に示す如く、隣接する良品の半導体チップ１２にまで前記マーキング用インク７が流れて、本来良品である半導体チップが外観不良品となっていた。
【０００６】
また、斯かる問題を回避するために前記マーキング用インク７の吐出量を減少させるとマーキングが不明確となるため、インクの吐出量を一定量以下にすることはできない。
【０００７】
そこで、ＩＣデバイスの表面部分に形成される保護膜の形状を変更することにより、マーキング用インクの拡がりを防止する技術が開発された。関連した技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開平４−２４０７４５
【特許文献２】特開平１１−２９７７７１  すなわち、特許文献１では、図８に示す如く、マーキング用インク７は保護膜１３に形成された凹部１４に流れ込み外側への広がりが妨げられる。
【０００８】
また、特許文献２では、図９に示す如く、マーキング用インク７は保護膜１３のマーキング外周部に形成された堀１５の表面張力により高さが制御され、外側への広がりが妨げられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ＩＣチップのサイズは、塗布される前記マーキング用インク７の径と同程度まで微細化されてきた。そのため、前記マーキング用インク７は保護膜１０の形状を工夫しただけでは堰き止められなくなってきた。
【００１０】
また、液晶表示装置や固体映像装置等の駆動用ドライバーでは、上記の問題が顕著となってきた。すなわち、図１０に示す如く、一般的な液晶表示装置や固体映像装置等の駆動用ドライバーは、長辺２と短辺３との長さが著しく異なり、更にその長辺２の外周上に形成される入力バンプ５と出力バンプ４との本数が著しく異なる。例えば、前記マーキング用インク７の径が０．５ｍｍ程度とする。また、前記駆動用ＩＣ１の形状は、前記長辺２の長さ１０ｍｍ、前記短辺３の長さ０．５ｍｍ、前記出力バンプ４の本数６０本、前記入力バンプ５の本数１０本、とする。このとき、塗布されたマーキング用インク７は前記入力バンプ５の間の隙間を介して隣接する良品のチップにまで広がっていた。
【００１１】
本発明の目的は、バンプ配置密度の不均一性に基づくマーキング用インク７流れを、電気的に不接続なダミーバンプ６を形成して制御することにより、良品の半導体チップにまでインクが流れることを防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題に鑑み、本発明に係る半導体装置は、半導体チップの表面に配列された入力パッド及び出力パッドと、前記入力パッド及び前記出力パッド上にそれぞれ配置された入力バンプ及び出力バンプと、を備えた半導体装置であって、前記半導体チップの長辺、短辺のうち、少なくとも長辺であって、マーキング用インクが塗布されるインクマーキング打点領域を挟む辺部にダミーバンプが形成され、前記入力バンプ、前記出力バンプ、及び前記ダミーバンプのそれぞれの側面には凹凸面が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、前記ダミーバンプは、前記半導体チップの表面に配列された電気的に未接続のダミーパッド上に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、前記半導体装置は液晶表示装置または固体撮像装置の駆動用ＩＣであることを特徴とする。
【００１５】
また、前記半導体チップの短辺はマーキング用インクの径程度であることを特徴とする。
【００１６】
また、前記入力バンプと前記出力バンプと前記ダミーバンプとからなる全てのバンプはその間隔が均等となるように配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
ダミーバンプを形成して各バンプ間の隙間を設計することによりインクの流れが制御されるため、隣接する半導体チップへのマーキング用インクの広がりが妨げられる。
【００１８】
また、半導体チップ上に入力バンプと出力バンプとダミーバンプとからなる全てのバンプが全面に均等に配置されることにより、機械的衝撃に対する耐性の向上につながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、例えば液晶表示装置の駆動用ＩＣを例に挙げ、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は、不図示の半導体ウエハ１０上に形成された、液晶表示装置の駆動用ＩＣ１の平面図を示す。該駆動用ＩＣ１は、例えば、長辺２が１０ｍｍ、短辺３が０．５ｍｍの矩形であって、前記長辺２の外周上に、高さ５０μｍ、外径７０μｍの出力バンプ４が６０本程度、同形状の入力バンプ５が１０本程度、それぞれ対向して設けられている。また、後に説明するマーキング用インク７が塗布される前記駆動用ＩＣ１の中心に隣接する前記入力バンプ５間の隙間において、その間隔が５０μｍ程度以下となるように、電気的に不接続なダミーバンプ６が複数形成されている。
【００２１】
この場合、図２に示す様に、例えば前記駆動用ＩＣ１の中心に径０．５ｍｍのマーキング用インク７が塗布された場合、前記長辺２は１０ｍｍであるため前記短辺３側に隣接した半導体チップにまで前記マーキング用インク７が広がることは問題とならない。
【００２２】
一方、前記短辺３は０．５ｍｍしかないため、前記マーキング用インク７が塗布された位置から前記長辺２側に隣接した半導体チップまでの最短距離は前記マーキング用インク７の径と殆ど等しい。しかしながら、前記マーキング用インク７が塗布される位置の近傍における前記長辺２の外周には、前記出力バンプ４と前記ダミーバンプ６とが、隙間の間隔が５０μｍとなるように密に設置されている。この場合、前記マーキング用インク７には各バンプによる表面張力が働くため、前記マーキング用インク７は前記長辺２側には広がらず、距離に余裕のある前記短辺３側に偏重して流れる。
【００２３】
尚、従来技術に係る保護膜１３を加工して得られる凹部１４又は堀１５等も、表面張力により前記マーキング用インク７の広がりを妨げる効果を有する。しなしながら、バンプの高さ５０μｍに対して、前記凹部１４又は堀１５の高さは０．１ｍｍ程度にしか形成されないため、本実施例の様に短辺の長さが０．５ｍｍ程度しかない場合は、前記マーキング用インクの広がりは完全には妨げられない。
【００２４】
また、前記出力バンプ４、入力バンプ５、及びダミーバンプ６の側面に凹凸面があるものを用いれば、前記表面張力の効果は増すため有効である。
【００２５】
前記ダミーバンプ６は、前記駆動用ＩＣ１の内部回路及び外部端子と電気的に接続されない。
【００２６】
すなわち、前記駆動用ＩＣ１の表面上には、内部回路と電気的に接続された入力パッド及び出力パッドと、内部回路と電気的に接続されないダミーパッドとが配置される。前記入力バンプ５、前記出力バンプ４、前記ダミーバンプは、それぞれ前記入力パッド、前記出力パッド、前記ダミーパッド上に形成される。したがって、前記ダミーバンプは前記駆動用ＩＣ１の内部回路と電気的に接続されない。尚、前記ダミーバンプ６は電気的に接続されないため、前記駆動用ＩＣ１上に前記ダミーパッドを形成しなくてもよい。この場合、前記ダミーバンプ６は前記駆動用ＩＣ１上に直接設置される。
【００２７】
また、図３に示すように、前記入力バンプ５、前記出力バンプ４は、それぞれ入力端子８、出力端子９を介して前記駆動用ＩＣ１の外部と電気的に接続される。一方、前記ダミーバンプ６は外部端子と接続されない。したがって、前記ダミーバンプ６の形状、位置等の設計は端子の位置、形状等による制約を受けないため自由度が高い。
【００２８】
尚、本実施形態では、前記短辺３の外周には前記ダミーバンプ６は形成されていない。しかしながら、図４に示すように、前記長辺２の長さが前記マーキング用インク７の径程度まで微細化されていれば、前記マーキング用インク７は、全方向に隣接する半導体チップにまで広がる可能性がある。したがって、この様な場合は、前記短辺３の外周にも前記ダミーバンプ６が形成される必要がある。
【００２９】
また、前記マーキング用インク７の塗布される位置に応じて、前記ダミーバンプ６の配置を自由に設計することも有効である。例えば、図５に示すように、前記マーキング用インク７の塗布される位置から前記マーキング用インク７の径程度のスペースを確保し、且つ前記マーキング用インク７の塗布される位置と前記駆動用ＩＣ１の端との距離が前記マーキング用インク７の径程度しかない方向のみに前記ダミーバンプ６を形成する。その結果、前記マーキング用インク７は、バンプの形成されていない方向（隣接する半導体チップまでの距離が長い方向）にのみ流れる。本発明の有効性は、前記駆動用ＩＣ１の前記短辺３の長さが前記マーキング用インク７の径と同程度である場合に限られない。すなわち、前記短辺３の長さが前記マーキング用インク７の径と比べて十分に長くても、その塗布される位置が前記駆動用ＩＣ１の端の近傍であれば、前記マーキング用インク７は隣接する半導体チップにまで流れる。したがって、この場合、当該端の部分にダミーバンプを形成すれば同様の効果が得られる。
【００３０】
更に、前記出力バンプ４と前記入力バンプ５とダミーバンプ６とからなる全てのバンプが、その間隔が均等となるように配置されるようにすれば、前記駆動用ＩＣ１の機械的衝撃に対する耐性が向上する。特に、図６に示すように、前記ダミーバンプの形成位置を前記マーキング用インクの塗布される位置の近傍に限定せず、前記出力バンプ４と前記入力バンプ５とダミーバンプ６とからなる全てのバンプが前記駆動用ＩＣ１の全面に均等に配置されるようにすれば、当該機械的特性は著しく向上する。
【００３１】
本実施形態では液晶表示装置の駆動用ＩＣについて説明したが、前記マーキング用インク７の径と同程度のＩＣデバイスであれば、前記ダミーバンプ６により前記マーキングインク７の流れを同様に制御することは有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置の平面図を示す。
【図７】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【図８】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【図９】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【図１０】従来技術に係る半導体装置の平面図を示す。
【符号の説明】
【００３３】
１    駆動用ＩＣ
２    長辺
３    短辺
４    出力バンプ
５    入力バンプ
６    ダミーバンプ
７    マーキング用インク
８    入力端子
９    出力端子
１０  半導体ウエハ
１１  不良と判定された半導体チップ
１２  良品の半導体チップ
１３  保護膜
１４  凹部
１５  堀
【図１】
0004828238.tif 000002
【図２】
0004828238.tif 000003
【図３】
0004828238.tif 000004
【図４】
0004828238.tif 000005
【図５】
0004828238.tif 000006
【図６】
0004828238.tif 000007
【図７】
0004828238.tif 000008
【図８】
0004828238.tif 000009
【図９】
0004828238.tif 000010
【図１０】
0004828238.tif 000011