(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される遷移金属錯体（１）を含むオレフィン重合用触媒。
一般式（１）
0004604346.tif 000052
（式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、Ｒ5は、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｘはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示し、これらは結合して環を形成してもよい。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４族遷移金属原子、８族遷移金属原子又は１０族遷移金属原子であり、Ｍが４族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１もしくは２、ｒは０もしくは２、ｓは０もしくは２であり、
Ｍが８族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１、ｒは１、ｓは０であり、
Ｍが１０族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１、ｒは０もしくは２、ｓは１もしくは２である。）
【請求項２】
前記一般式（１）で示される遷移金属錯体（１）が、一般式（２）
0004604346.tif 000053
（式中、Ｒ1〜Ｒ４、Ｘ、Ｌ、Ｍ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ前記と同じ意味を表わす。Ｒ５は水素原子を表す。Ｒ8〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。）
で示される化合物である請求項1に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項３】
一般式（２）で示される化合物が、一般式（３）
0004604346.tif 000054
（式中、Ｒ1〜Ｒ5、Ｒ8、Ｒ9、Ｌ、Ｍ、Ｘ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ前記と同じ意味を表わす。Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。）
で示される化合物である請求項１又は２記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項４】
一般式（３）で示される化合物において、Ｒ1がアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基である請求項３に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項５】
一般式（３）で示される化合物において、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つが、Ｎ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含むことを特徴とする請求項3または4に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項６】
一般式（３）で示される化合物において、Ｒ12、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ21のうち少なくとも１つがアルコキシ基である請求項３または４に記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項７】
一般式（１）、（２）または（３）で示される化合物において、ｑ＝1である請求項１〜６のいずれかに記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項８】
化合物（１）、（２）または（３）で示される化合物において、Ｍは４族遷移金属原子、であり、ｐは２、ｑは１もしくは２、ｒは０もしくは２、ｓは０もしくは２である請求項１〜６のいずれかに記載のオレフィン重合用触媒。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の触媒と下記化合物（Ｂ）を用いることを特徴とするオレフィン重合用触媒。
化合物（Ｂ）は、下記化合物（Ｂ１）〜（Ｂ３）のいずれか、あるいはそれらの混合物。
（Ｂ１）：一般式    （Ｅ１）aＡｌＺ(3-a)で示される有機アルミニウム化合物；
（Ｂ２）：一般式    ｛−Ａｌ（Ｅ２）−Ｏ−｝bで示される環状のアルミノキサン；
（Ｂ３）：一般式    ｛−Ａｌ（Ｅ３）−Ｏ−｝cＡｌ（Ｅ３）2で示される線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ１〜Ｅ３は同一または相異なり、炭素原子数１〜８の炭化水素基を示し、Ｚは同一または相異なり、水素原子またはハロゲン原子を示し、ａは０＜ａ≦３の整数、ｂは２以上の整数、ｃは１以上の整数を示す。）
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の触媒、化合物（Ｂ）および化合物（Ｃ）を用いることを特徴とするオレフィン重合用触媒。
化合物（Ｂ）は前記と同じ。化合物（Ｃ）は下記化合物（Ｃ１）〜（Ｃ３）のいずれか、あるいはそれらの混合物。
（Ｃ１）：一般式    Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）で示されるホウ素化合物；
（Ｃ２）：一般式    Ｚ+｛Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）（Ｑ４）-｝で示されるホウ素化合物；
（Ｃ３）：一般式    （Ｌ−Ｈ）+｛Ｂ（Ｑ１）（Ｑ２）（Ｑ３）（Ｑ４）-｝で示されるホウ素化合物
（式中、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ１〜Ｑ４は同一または相異なり、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０の炭化水素基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化炭化水素基、炭素原子数１〜２０の炭化水素置換シリル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基または炭素原子数２〜２０の炭化水素２置換アミノ基を示す。）
【請求項１１】
請求項１〜10のいずれかに記載のオレフィン重合用触媒の存在下に、オレフィンを重合または共重合することを特徴とするオレフィン系重合体の製造方法。
【請求項１２】
一般式（４）
0004604346.tif 000055
（式中、Ｒ1はアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基を示す。Ｒ2〜Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、Ｒ5は水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つはＮ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含む。Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜２０の（置換）炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示す。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４族遷移金属原子、８族遷移金属原子又は１０族遷移金属原子であり、Ｍが４族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１もしくは２、ｒは０もしくは２、ｓは０もしくは２であり、
Ｍが８族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１、ｒは１、ｓは０であり、
Ｍが１０族遷移金属原子の場合、ｐは２、ｑは１、ｒは０もしくは２、ｓは１もしくは２である。）
で示される遷移金属錯体。
【請求項１３】
一般式（４）で示される遷移金属化合物において、Ｒ12、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ21のうち少なくとも１つがアルコキシ基である請求項12に記載の遷移金属錯体。
【請求項１４】
一般式（４）で示される遷移金属化合物において、Ｍが４族遷移金属である請求項12または13に記載の遷移金属錯体。
【請求項１５】
一般式（４）で示される遷移金属化合物において、Ｍが８族遷移金属である請求項12または13に記載の遷移金属錯体。
【請求項１６】
一般式（４）で示される遷移金属化合物において、Ｍが１０族遷移金属である請求項12または13に記載の遷移金属錯体。
【請求項１７】
一般式（５）
0004604346.tif 000056
（式中、Ｒ1はアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基を示す。Ｒ2〜Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つはＮ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含む。Ｒ5は水素原子または置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
で示されるシッフベース型アルコールと
一般式（６）
ＭＸ(r+2)ＬS
（式中、Ｍは４族遷移金属原子、８族遷移金属原子又は１０族遷移金属原子であり、Ｘはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示し、
Ｍが４族遷移金属原子の場合、ｒは０もしくは２、ｓは０もしくは２であり、
Ｍが８族遷移金属原子の場合、ｒは１、ｓは０であり、
Ｍが１０族遷移金属原子の場合、ｒは０もしくは２、ｓは１もしくは２である。）
で示される遷移金属化合物とを塩基の存在下に反応させることを特徴とする一般式（４）
0004604346.tif 000057
（式中、Ｒ1〜Ｒ５、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21、Ｍ、Ｘ、Ｌ、ｒ及びｓは前記と同じ意味を示し、Ｍが４族遷移金属原子の場合、ｑは１もしくは２であり、
Ｍが８族遷移金属原子の場合、ｑは１であり、
Ｍが１０族遷移金属原子の場合、ｑは１である。）
で示される遷移金属化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な重合触媒およびこの触媒を用いるオレフィン系重合体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メタロセン錯体を用いるオレフィン重合体の製造法については多くの報告がなされている。例えば、特開昭５８−１９３０９号公報において、メタロセン錯体とアルミノキサンを用いたオレフィン重合体の製造方法に関して報告されている。 また、最近、メタロセン構造をもたない重合触媒も報告されおり、例えば、シッフベース型配位子をもつ遷移金属化合物を用いる重合触媒（ＥＰ0874005号公報）なども報告されている。しかしながら、アミノアルコールとケトフェノールとから合成される下記一般式（１）で示されるような配位子をもつ遷移金属錯体を重合触媒として用いる例は知られていない。該錯体は、容易に収率よく合成可能であり、また、光学活性なアミノアルコールを用いることにより、容易に光学活性な遷移金属錯体を得ることも可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、新規な重合触媒およびこれを用いるオレフィン重合体の製造方法を提供しようとするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、新規重合触媒およびこれを用いるオレフィン系重合体の製造方法を見出し、本発明に至った。
【０００５】
すなわち、本発明は下記遷移金属錯体（１）を用いることを特徴とするオレフィン重合用触媒、およびこれを用いることを特徴とするオレフィン重合体の製造方法を提供するものである。
一般式（１）
0004604346.tif 000002
（式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、Ｒ5は、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｘはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示し、これらは結合して環を形成してもよい。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４〜１０族遷移金属原子を示し、ｐは１〜６までの整数、ｑは１以上の整数、ｒおよびｓはＭの価数を満たす０以上の整数を示す。）
【０００６】
また、一般式（４）
0004604346.tif 000003
（式中、Ｒ1はアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基を示す。Ｒ2〜Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、Ｒ5は水素原子または置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つはＮ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含む。Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜２０の置換基を有していてもよい炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示す。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４〜１０族遷移金属原子を示す。ｑは１以上の整数、ｒおよびｓはそれぞれＭの価数を満たす０以上の整数を示す。）
で示される遷移金属錯体およびその製造方法をも提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で提供されるオレフィン重合触媒は
一般式（１）
0004604346.tif 000004
（式中、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、Ｒ5は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｘはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示し、これらは結合して環を形成してもよい。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４〜１０族遷移金属原子を示し、ｐは１〜６までの整数、ｑは１以上の整数、ｒおよびｓはＭの価数を満たす０以上の整数を示す。）
で示される遷移金属錯体を含むことを特徴とする。
一般式（１）で示される化合物において、好ましくは、、一般式（２）
0004604346.tif 000005
（式中、Ｒ1〜Ｒ5、Ｘ、Ｌ、Ｍ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ前記と同じ意味を表わす。Ｒ8〜Ｒ11はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。）
で示される化合物、より好ましくは、一般式（３）
0004604346.tif 000006
（式中、Ｒ1〜Ｒ5、Ｒ8、Ｒ9、Ｌ、Ｍ、Ｘ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ前記と同じ意味を表わす。Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。）
で示される化合物が挙げられる。
【０００８】
上記一般式（１）、（２）、（３）で示される遷移金属化合物において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。
【０００９】
置換基を有していてもよい炭化水素基としてはメチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基 、ｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロへキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、アダマンチル基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンジル基、ジメチルベンジル基、ジエチルベンジル基、ベンジルオキシメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ヨウドフェニル基、メトキシフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ピリジル基などが例示される。
【００１０】
炭化水素置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、トリベンジルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基などが例示される。
【００１１】
炭化水素置換シロキシ基としては、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、トリベンジルシロキシ基、ジメチルイソプロピルシロキシ基、ジエチルイソプロピルシロキシ基、t-ブチルジメチルシロキシ基、t-ブチルジフェニルシロキシ基などが例示される。
【００１２】
アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ベンジル基などが例示される。アリールオキシ基、としてはフェノキシ基、メチルフェノキシ基、ナフトキシ基などが例示される。
【００１３】
アシル基としてはホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基などが例示される。アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、としては、アセトキシ基、ベンゾイロキシ基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基などが例示される。
【００１４】
アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基が例示される。アリールチオ基としてはフェニルチオ基などが例示される。スルホンエステル基としては、アセチルチオ基、ベンゾイルチオ基などが例示される。スルホンアミド基としては、Ｎ−メチルスルホンアミド基、フェニルスルホンアミド基などが例示される。
【００１５】
炭化水素置換アミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジニル基などが例示される。イミノ基としては、メチルイミノ基、エチルイミノ基、プロピルイミノ基、シクロへキシルイミノ基、フェニルイミノ基などが例示される。
【００１６】
ホスフィノ基としてはジメチルホスフィノ基、ジエチルホスフィノ基、ジ−ｔ−ブチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基などが例示される。ホスフィンオキシド基としてはジメチルホスフィンオキシド基、ジエチルホスフィンオキシド基、ジ−ｔ−ブチルホスフィンオキシド基、ジフェニルホスフィンオキシド基などが例示される。ホスファイト基としてはジメチルホスファイト基、ジエチルホスファイト基、ジフェニルホスファイト基などが例示される。ホスフェート基としてはジメチルホスフェート基、ジエチルホスフェート基、ジフェニルホスフェート基などが例示される。チオホスフェート基としてはジメチルチオホスフェート基、ジエチルチオホスフェート基、ジフェニルチオホスフェート基などが例示される。ホスフォリックアミド基としてはテトラメチルホスフォリックアミド基などが例示される。
【００１７】
Ｌとしてはテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテル、トリエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミンなどのアミン、アセトニトリルなどのニトリル、トリフェニルホスフィンなどのホスフィンなどが例示される。
【００１８】
ＭとしてはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの４族遷移金属、Ｆｅ，Ｒｕなどの８族遷移金属、Ｎｉ，Ｐｄなどの１０族遷移金属、Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎなどが例示される。
【００１９】
以下に一般式（１）で示される遷移金属化合物の具体的な例を示すが、これらに限定されるものではない。Ｍとしては４〜１０族遷移金属原子を示し、好ましくは４、８または１０族遷移金属原子を示し、より好ましくはＺｒを示す。Ｘはハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示す。
また、Ｘが複数ある場合、これらは同じであっても異なっていてもよい。ビナフトキシ基などのように２座配位であってもよい。
【００２０】
また、一般式（１）で示される遷移金属錯体はアキラルであってもキラルであってもよい。
【００２１】
具体的化合物を、以下に例示する。
【００２２】
0004604346.tif 000007
【００２３】
0004604346.tif 000008
【００２４】
0004604346.tif 000009
【００２５】
本発明のオレフィン重合触媒には、下記化合物（Ｂ）、さらに化合物（Ｃ）を共存させるとよりよい触媒効果を発揮し得る。
化合物（Ｂ）としては、公知の有機アルミニウム化合物が使用でき、好ましくは、（Ｂ１）一般式  Ｅ1 a ＡｌＺ3-a で示される有機アルミニウム化合物、
（Ｂ２）一般式  ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン、及び
（Ｂ３）一般式  Ｅ3 ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c ＡｌＥ3 2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン
（式中、Ｅ1 、Ｅ2 、Ｅ3 は、炭素数１〜８の炭化水素基であり、Ｅ1 、Ｅ2、Ｅ3 は同じであっても異なっていてもよい。Ｚは水素原子又はハロゲン原子を示し、Ｚは同じであっても異なっていてもよい。ａは０＜ａ≦３の整数で、ｂは２以上の整数を、ｃは１以上の整数を示す。）
のうちのいずれか、あるいはそれらの２〜３種の混合物を例示することができる。
【００２６】
一般式  Ｅ1 a ＡｌＺ3-a で示される有機アルミニウム化合物（Ｂ１）の具体例としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム；ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムハクロライド、ジヘキシルアルミニウムクロライド等のジアルキルアルミニウムクロライド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジクロライド、ヘキシルアルミニウムジクロライド等のアルキルアルミニウムジクロライド；ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライド等を例示することができる。
好ましくは、トリアルキルアルミニウムであり、より好ましくは、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムである。
【００２７】
一般式  ｛−Ａｌ（Ｅ2 ）−Ｏ−｝b で示される構造を有する環状のアルミノキサン（Ｂ２）、一般式  Ｅ3 ｛−Ａｌ（Ｅ3 ）−Ｏ−｝c ＡｌＥ3 2 で示される構造を有する線状のアルミノキサン（Ｂ３）における、Ｅ2 、Ｅ3 の具体例としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基等のアルキル基を例示することができる。ｂは２以上の整数であり、ｃは１以上の整数である。好ましくは、Ｅ2 及びＥ3 はメチル基、イソブチル基であり、ｂは２〜４０の整数、ｃは１〜４０の整数である。
【００２８】
上記のアルミノキサンは各種の方法で造られる。その方法については特に制限はなく、公知の方法に準じて造ればよい。例えば、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を適当な有機溶剤（ベンゼン、脂肪族炭化水素など）に溶かした溶液を水と接触させて造る。また、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウムなど）を結晶水を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物など）に接触させて造る方法が例示できる。
【００２９】
〔化合物Ｃ〕
本発明の重合触媒には、化合物（Ｃ）を共存させることができ、かかる化合物（Ｃ）としては、（Ｃ１）一般式ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で示されるホウ素化合物、（Ｃ２）一般式Ｚ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示されるホウ素化合物、（Ｃ３）一般式（Ｌ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示されるホウ素化合物のいずれかを用いることができる。
【００３０】
一般式  ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 で示されるホウ素化合物（Ｃ１）において、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化水素基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基または２〜２０個の炭素原子を含む２置換アミノ基であり、それらは同じであっても異なっていてもよい。好ましいＱ1 〜Ｑ3 はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含む炭化水素基、１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化炭化水素基である。
【００３１】
ホウ素化合物（Ｃ１）の具体例としては、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボラン等が挙げられるが、より好ましくは、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランである。
【００３２】
一般式Ｚ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示されるホウ素化合物（Ｃ２）において、Ｚ+ は無機または有機のカチオンであり、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記の（Ｃ１）におけるＱ1 〜Ｑ3 と同様である。
【００３３】
一般式  Ｚ+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示される化合物の具体例としては、無機のカチオンであるＺ+ には、フェロセニウムカチオン、アルキル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンなどが、有機のカチオンであるＺ+ には、トリフェニルメチルカチオンなどが挙げられる。（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４ートリフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボレ−ト、テトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどが挙げられる。
【００３４】
これらの具体的な組み合わせとしては、フェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、より好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【００３５】
また、一般式（Ｌ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示されるホウ素化合物（Ｃ３）ＮＩおいては、Ｌは中性ルイス塩基であり、（Ｌ−Ｈ）+ はブレンステッド酸であり、Ｂは３価の原子価状態のホウ素原子であり、Ｑ1 〜Ｑ4 は上記の（Ｃ１）におけるＱ1 〜Ｑ3 と同様である。
【００３６】
一般式（Ｌ−Ｈ）+ （ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- で示される化合物の具体例としては、ブレンステッド酸である（Ｌ−Ｈ）+ には、トリアルキル置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、ジアルキルアンモニウム、トリアリールホスホニウムなどが挙げられ、（ＢＱ1 Ｑ2 Ｑ3 Ｑ4 ）- には、前述と同様のものが挙げられる。
【００３７】
これらの具体的な組み合わせとしては、トリエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ジメチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどを挙げることができるが、より好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、もしくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００３８】
以下、重合方法について説明する。
重合に用いる各触媒成分の使用量は、通常、化合物（Ｂ）／遷移金属錯体（１）のモル比は、通常、０．１〜１００００、好ましくは５〜２０００であり、化合物（Ｃ）／遷移金属錯体（１）のモル比は通常、０．０１〜１００、好ましくは０．５〜１０の範囲にあるように、各成分を用いることが好ましい。
【００３９】
本発明において、重合に使用するモノマーは、炭素原子数２〜２０個からなるオレフィン、ジオレフィン及びカルボン酸、エステル、アミノ基、等の極性の置換基をもつオレフィン等のいずれをも用いることができ、同時に２種類以上のモノマーを用いることもできる。かかるモノマーを以下に例示するが、本発明は下記化合物に限定されるべきものではない。かかるオレフィンの具体例としては、エチレン、プロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、ヘプテン−１、オクテン−１、ノネン−１、デセン−１、５−メチル−２−ペンテン−１、ビニルシクロヘキセン等が挙げられ、ジオレフィン化合物としては、炭化水素化合物の共役ジエン、非共役ジエンが挙げられ、かかる化合物の具体例としては、非共役ジエン化合物の具体例として、１，５−ヘキサジエン、１，４−ヘキサジエン、１，４−ペンタジエン、１，７−オクタジエン、１，８−ノナジエン、１，９−デカジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、ノルボルナジエン、５−メチレン−２−ノルボルネン、１，５−シクロオクタジエン、５，８−エンドメチレンヘキサヒドロナフタレン等が例示され、共役ジエン化合物の具体例としては、１，３−ブタジエン、イソプレン、１，３−ヘキサジエン、１，３−オクタジエン、１，３−シクロオクタジエン、１，３−シクロヘキサジエン等を例示することができ、極性の置換基をもつオレフィンの具体例としては、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、酢酸ビニル等が例示される。より好ましくは、エチレンが挙げられる。
【００４０】
共重合体を構成するモノマーの具体例としては、エチレンとプロピレン、エチレンとブテン−１、エチレンとヘキセン−１、プロピレンとブテン−１等が例示されるが、本発明は、上記化合物に限定されるべきものではない。
【００４１】
重合方法も、特に限定されるべきものではないが、例えば、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、又はメチレンジクロライド等のハロゲン化炭化水素を溶媒として用いる溶媒重合、又はスラリー重合、ガス状のモノマー中での気相重合等が可能であり、また、連続重合、回分式重合のどちらでも可能である。
【００４２】
重合温度は、通常、−５０℃〜２００℃程度の範囲を取り得るが、特に、−２０℃〜１００℃程度の範囲が好ましく、重合圧力は、常圧〜６０ｋｇ／ｃｍ２  Ｇ（６ＭＰａ）程度が好ましい。重合時間は、目的とするポリマーの種類、反応装置により適宜決定されるが、一般的に、１分間〜２０時間程度の範囲とすることができる。また、本発明は共重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加することもできる。
【００４３】
一般式（４）
0004604346.tif 000010
（式中、Ｒ1はアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基を示す。Ｒ2〜Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つはＮ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含む。Ｒ5は水素原子または置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜２０の（置換）炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示す。Ｌは０価の配位性基を示す。Ｍは４〜１０族遷移金属原子を示す。ｑは１以上の整数、ｒおよびｓはそれぞれＭの価数を満たす０以上の整数を示す。）
で示される遷移金属錯体はEur.  J.  Org.  Chem.（1998）,(6),1063、J.  Org.  Chem.（1993）,58(6),1515、EP0874005号などに記載されている方法に準じて合成できる。
例えば塩基の存在下、一般式（５）
0004604346.tif 000011
（式中、Ｒ1はアリール基、３級アルキル基、３級アラルキル基または炭化水素置換シリル基を示す。Ｒ2〜Ｒ4、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基、炭化水素置換シリル基、炭化水素置換シロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミノ基、炭化水素置換アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シアノ基、ホスフィノ基、ホスフィンオキシド基、ホスファイト基、ホスフェート基、チオホスフェート基またはホスフォリックアミド基を示し、これらは結合して環を形成していてもよい。Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21の少なくとも１つはＮ、Ｏ、ＰまたはＳ原子を含む。Ｒ5は水素原子または置換基を有していても良い炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。Ｘはハロゲン原子、炭素数１〜２０の（置換）炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホン、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル基、スルホンアミド基、炭化水素置換アミノ基を示す。）
で示されるシッフベース型アルコールと
一般式（６）
ＭＸ(r+2)ＬS
（式中、Ｍ、Ｘ、Ｌ、ｒおよびｓは前記と同じ。）
で示される遷移金属化合物とを反応させることにより製造することができる。
【００４４】
反応の方法は特に限定されないが通常、窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気において、溶媒の存在下、 一般式（５）で示されるシッフベース型アルコールと有機アルカリ（土類）金属および／または有機塩基と接触させた後、遷移金属化合物（６）を反応させることにより実施できる。
【００４５】
上記反応において、有機アルカリ（土類）金属としては、メチルリチウム、n-ブチルリチウム、sec-ブチルリチウム、tert-ブチルリチウム、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソウロピルアミド、メチルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムブロミド、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウムなどが例示される。
【００４６】
有機塩基としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、メチルピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ジメチルアニリン、ジイソプロピルエチルアミン、1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデカ-7-エン（ＤＢＵ）、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]ノナ-5-エン（ＤＢＮ）、テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）などが例示される。
【００４７】
塩基の仕込み比はシッフベース型アルコール（４）に対して、通常０．５〜１０モル倍であり、好ましくは、１〜４モル倍である。
【００４８】
シッフベース型アルコール（５）に対する遷移金属化合物（６）の仕込み比は、通常０．１〜５モル倍であり、好ましくは、０．２〜２モル倍である。
【００４９】
かかる溶媒は特に限定されないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素、ジクロロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチル ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類およびこれらの混合物が例示される。
その使用量は、 通常、シッフベース型アルコール（５）の１〜２００重量倍であり、好ましくは３〜３０重量倍である。
【００５０】
反応温度としては、通常は−100℃〜溶媒の沸点において実施され、好ましくは−80〜30℃程度である。
【００５１】
反応後、例えば不溶固体を除去し、溶媒を留去することにより遷移金属錯体（４）を得ることができる。必要に応じ、再結晶、昇華など通常の方法により精製することができる。
【００５２】
一般式（５）で示されるシッフベース型アルコールは特開昭50-29535号公報、Pure＆Appl.Chem.,vol.57,No12,1839(1985)、などに記載の方法に従い製造することができる。
【００５３】
すなわちアミノ酸エステルに過剰のGrignard試薬を反応させることにより、一般式（７）
0004604346.tif 000012
（式中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ12〜Ｒ21は、前記と同じ意味を表す。）
で示されるアミノアルコールを製造することができる。
なお、原料に光学活性アミノ酸エステルを用いると、光学活性なアミノアルコール（７）が得られる。
【００５４】
上記反応の方法は特に限定されないが、窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気において、溶媒の存在下、アミノ酸エステルに過剰のGrignard試薬を反応させることにより製造することができる。
【００５５】
Grignard試薬の仕込比はアミノ酸エステルに対し、通常２モル倍以上であり、好ましくは３〜５モル倍である。
【００５６】
溶媒は特に限定されないが、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類あるいはヘキサン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素類、あるいはこれら２種以上よりなる混合溶媒系が好ましい。
【００５７】
反応温度としては、通常、-100℃〜溶媒の沸点において実施され、好ましくは-80℃〜50℃である。
【００５８】
得られたアミノアルコール（７）と一般式（８）
0004604346.tif 000013
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は、前記と同じ意味を表す。）
で示されるフェノール類縁体を反応させることによりシッフベース型アルコール（５）を得ることができる。
【００５９】
上記反応の方法は特に限定されないが、溶媒の存在下、アミノアルコール（７）とフェノール類縁体（８）とを反応させることにより製造することができる。
【００６０】
溶媒は特に限定されないが、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素、ジクロロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチル ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類およびこれらの混合物が例示される。
【００６１】
反応温度としては、通常-100℃〜溶媒の沸点において実施され、好ましくは０℃〜50℃程度である。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の遷移金属錯体は、高いオレフィン重合能を持ち、オレフィン重合用触媒として有用である。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例をあげて、本発明をより詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６４】
(触媒合成)
（実施例１）
0004604346.tif 000014
（Ａ）
不活性ガス雰囲気下、光学活性な（Ｒ）−シッフベース型アルコール（Ａ）（０．１１７ｇ）およびトリエチルアミン（０．０８４ｍｌ）のトルエン（３．０ｍｌ）溶液を、四塩化チタン（０．０２８ｇ）のトルエン（３．０ｍｌ）溶液に０℃で滴下し、１時間攪拌した。その後、２５℃に昇温し、１２時間攪拌した。不溶物をろ過により除き、減圧下、溶媒を留去することにより、（Ａ−Ｉ）０．１５ｇを得た。
0004604346.tif 000015
（Ａ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6）：δ８．３２−５．８１（ｍ，２４Ｈ），８．２０（ｓ，２Ｈ），６．０２（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），３．１５（ｓ，６Ｈ），３．０３（ｓ，６Ｈ），１．８１（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ：８２６（Ｍ＋）
【００６５】
（実施例２）
不活性ガス雰囲気下、（Ｒ）−シッフベース型アルコール（Ａ）（０．１１７ｇ）およびトリエチルアミン（０．０８４ｍｌ）のトルエン（３．０ｍｌ）溶液を、四塩化ジルコニウムのテトラヒドロフラン錯体（０．０５７ｇ）のトルエン（３．０ｍｌ）溶液に０℃で滴下し、１時間攪拌した。その後、２５℃に昇温し、１２時間攪拌した。不溶物をろ過により除き、減圧下、溶媒を留去することにより、化合物（Ａ−II）０．１５ｇを得た。
0004604346.tif 000016
（Ａ−II）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．３４−６．５０（ｍ，２４Ｈ），８．２３（ｓ，２Ｈ），５．７２（ｑ，２Ｈ），３．２５（ｓ，６Ｈ），３．２０（ｓ，６Ｈ），１．７１（ｄ，６Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：８６９（Ｍ＋）
【００６６】
（実施例３）
0004604346.tif 000017
（Ｂ）
アルゴン置換したシュレンク管中に、四塩化チタン0.21g（1.1mmol）をとり、10mlのトルエンに溶かした。-30℃に冷却した後、（Ｒ）−シッフベース型アルコール（Ｂ）0.50g（1.1 mmol）、トリエチルアミン0.33ml（2.4mmol）を溶解したトルエン溶液（10ml）を滴下した。室温に昇温し、20時間攪拌後、濾過し、残さをトルエンで洗浄した。濾洗液を合わせ、濃縮し、0.24gの錯体（Ｂ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000018
（Ｂ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．４４−６．３０（ｍ，１１Ｈ）、４．８０（ｍ，１Ｈ）、３．４２（ｓ，３Ｈ）、３．３４（ｓ，３Ｈ）、１．７５（ｓ，９Ｈ）、１．３２（ｂｒ，１Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：５６４（Ｍ＋）
【００６７】
（実施例４）
アルゴン置換したシュレンク管中に、四塩化チタン0.04g（0.22mmol）をとり、4.0mlのトルエンに溶かした。0℃に冷却した後、（Ｒ）シッフベース型アルコール（Ｂ）0.20g（0.45mmol）、トリエチルアミン0.13ml（0.94mmol）を溶解したトルエン溶液を滴下した。20時間攪拌後、濾過し、残さをトルエンで洗浄した。
濾洗液を合わせ、濃縮し、0.22gの錯体（Ｂ−IIを得た。
0004604346.tif 000019
（Ｂ−II）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１５（ｓ，２Ｈ），７．９２−６．２５（ｍ，２２Ｈ），５．８５（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ），３．１９（ｓ，６Ｈ），２．９５（ｓ，６Ｈ），１．４１（ｓ，１８Ｈ），１．２３（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．８）
ＦＤ−ＭＳ：９３８（Ｍ＋）
【００６８】
（実施例５）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｂ）0.11g（0.26mmol）をＴＨＦ2.0mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.36ml（1.50M ヘキサン溶液、0.54mmol）を滴下した。室温まで昇温し、４時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム0.031g（0.13mmol）のＴＨＦ溶液（2.0ml）に滴下した。室温まで昇温した後、４時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.13gの錯体（Ｂ−III）を得た。
0004604346.tif 000020
（Ｂ−III）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１４（ｓ，２Ｈ），７．４２−６．２５（ｍ，２２Ｈ），４．７０（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．４９（ｓ，６Ｈ），３．３５（ｓ，６Ｈ），１．６７（ｓ，１８Ｈ），１．３０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．４）
ＦＤ−ＭＳ：６０６（Ｍ＋）
【００６９】
（実施例６）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｂ）0.715g（1.60mmol）をＴＨＦ10mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム2.24ml（1.50M ヘキサン溶液、3.35mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム0.184g（0.77mmol）のＴＨＦ溶液(10ml)に滴下した。室温まで昇温した後、４時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.967gの錯体（Ｂ−IV）を得た。
0004604346.tif 000021
（Ｂ−IV）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１９（ｓ，２Ｈ）、７．５３−５．８３（ｍ、２２Ｈ）、３．４１（ｂｒ，２Ｈ）、３．３０（ｓ，３Ｈ）、３．１３（ｓ，３Ｈ）、１．６２（ｂｒ，６Ｈ）、０．８６（ｓ，１８Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：９８１（Ｍ＋）、４４７
【００７０】
（実施例７）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｂ）0.200g（0.44mmol）をＴＨＦ3.0mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.57ml（1.60M ヘキサン溶液、0.91mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化鉄0.085g（0.52mmol）のＴＨＦ溶液(3.0ml)に滴下した。室温まで昇温した後、5時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.273gの錯体（Ｂ−Ｖ）を得た。
0004604346.tif 000022
（Ｂ−Ｖ）
ＦＤ−ＭＳ：５３６
【００７１】
実施例８
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｂ）0.270g（0.59mmol）をＴＨＦ4.0mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.78ml（1.60M ヘキサン溶液、1.24 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却したビス（トリフェニルホスフィン）塩化ニッケル（II）0.462g（0.71mmol）のＴＨＦ溶液(4.0ml)に滴下した。室温まで昇温した後、20時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.727gの粗生成物を得た。ヘキサンから再結晶し、0.316gの錯体（Ｂ−VI）を得た。
0004604346.tif 000023
（Ｂ−VI）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１０−６．３６（ｍ，２９Ｈ）、５．３９（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、３．２８（ｓ，３Ｈ）、３．０７（ｓ，３Ｈ）、１．３２（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）、０．６９（ｓ，９Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：７６６、７６５
【００７２】
（実施例９）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｂ）0.135g（0.29mmol）をＴＨＦ2.0mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.39ml（1.60M ヘキサン溶液、0.91mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却したビス（アセトニトリル）塩化パラジウム0.092g（0.35mmol）のＴＨＦ溶液(2.0ml)に滴下した。室温まで昇温した後、20時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.199gの粗生成物を得た。へキサンから再結晶し、0.175gの錯体（Ｂ−VII）を得た。
0004604346.tif 000024
（Ｂ−VII）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．５３−６．２５（ｍ，１２Ｈ）、４．９２（ｑ，１Ｈ，ｄ＝６．４Ｈｚ）、３．１１（ｓ，３Ｈ）、２．９４（ｓ，３Ｈ）、１．５７（ｓ，９Ｈ）、１．２７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ：５９３（Ｍ＋）、４４７
【００７３】
（実施例１０）
0004604346.tif 000025
（Ｃ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｃ）0.188g（0.49mmol）をＴＨＦ2.8mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.68ml（1.50M ヘキサン溶液、1.02 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.210g（0.87mmol）のＴＨＦ溶液(2.8ml)に滴下した。室温まで昇温した後、4時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.545gの粗生成物を得た。トルエンから再結晶し、0.310gの錯体（Ｃ−I）を得た。
0004604346.tif 000026
（Ｃ−I）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．９５（ｓ，１Ｈ）、７．５０−６．７６（ｍ，１３Ｈ）、４．５６（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、１．５７（ｓ，９Ｈ）、１．１３（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ： ５４８、５４６（Ｍ＋）
【００７４】
（実施例１１）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｃ）0.169g（0.44mmol）をＴＨＦ2.5mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.61ml（1.50M ヘキサン溶液、0.92 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.052g（0.22mmol）のＴＨＦ溶液(2.5ml)に滴下した。室温まで昇温した後、6時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.151gの錯体（Ｃ−II）を得た。
0004604346.tif 000027
（Ｃ−II）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．０８（ｓ，２Ｈ）、７．７２−６．６３（ｍ，２６Ｈ）、４．７１（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）、１．４８（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）、０．７９（ｓ，１８Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：８６１（Ｍ＋）
【００７５】
（実施例１２）
0004604346.tif 000028
（Ｄ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｄ）0.095g（0.23mmol）をＴＨＦ1.4mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.32ml（1.50M ヘキサン溶液、0.48 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.055g（0.23mmol）のＴＨＦ溶液(1.4ml)に滴下した。室温まで昇温した後、5時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.150gの錯体（Ｄ−I）を得た。
0004604346.tif 000029
（Ｄ−I）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．９３（ｓ，１Ｈ）、７．４２−６．７０（ｍ，１３Ｈ）、３．５４（ｍ，１Ｈ）、１．５６（ｓ，９Ｈ）、１．４０（ｍ，１Ｈ）、０．７０（ｍ，３Ｈ）、０．１７（ｍ，３Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：５７４
【００７６】
（実施例１３）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｄ）0.175g（0.40mmol）をＴＨＦ2.6mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.59ml（1.50M ヘキサン溶液、0.88 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.048g（0.20mmol）のＴＨＦ溶液(2.6ml)に滴下した。室温まで昇温した後、4時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.219gの粗生成物を得た。粗生成物をヘキサン洗浄し、0.040gの錯体（Ｄ−II）を得た。
0004604346.tif 000030
（Ｄ−II）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１９（ｓ，２Ｈ）、７．７３−６．６２（ｍ，２６Ｈ）、４．５０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．１Ｈｚ）、２．８５（ｍ，２Ｈ）、１．４０（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、０．７６（ｓ，１８Ｈ）、０．６１（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．９）
ＦＤ−ＭＳ：９１７
【００７７】
（実施例１４）
0004604346.tif 000031
（Ｅ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｅ）0.228g（0.48mmol）をＴＨＦ3.4mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.67ml（1.50M ヘキサン溶液、1.01 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.115g（0.48mmol）のＴＨＦ溶液(3.4ml)に滴下した。室温まで昇温した後、5時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.361gの錯体（Ｅ−I）を得た。
0004604346.tif 000032
（Ｅ−I）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．４１−６．４０（ｍ，１９Ｈ）、４．７９（ｍ，１Ｈ）、３．７５（ｍ，１Ｈ）、２．４９（ｍ，１Ｈ）、１．５４（ｓ，９Ｈ）ＦＤ−ＭＳ：６２２
【００７８】
（実施例１５）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｅ）0.235g（0.51mmol）をＴＨＦ3.5mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.71ml（1.50M ヘキサン溶液、1.06 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、3時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.061g（0.25mmol）のＴＨＦ溶液(3.5ml)に滴下した。室温まで昇温した後、4時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.300gの錯体（Ｅ−II）を得た。
0004604346.tif 000033
（Ｅ−II）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．８７−６．４４（ｍ，３８Ｈ）、５．００（ｍ，２Ｈ）、４．２５（ｍ．２Ｈ）、３．０６（ｍ，１Ｈ）、０．７４（１８Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：１０１３
【００７９】
実施例１６
0004604346.tif 000034
（Ｆ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｆ）0.320g（0.71mmol）をＴＨＦ4.8mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム1.00 ml（1.50M ヘキサン溶液、1.50 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.206g（0.86mmol）のＴＨＦ溶液(4.8ml)に滴下した。室温まで昇温した後、5時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.589gの粗生成物を得た。トルエン／へキサンから再結晶し、0.294gの錯体（Ｆ−I）を得た。
0004604346.tif 000035
（Ｆ−I）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．８４（ｓ，１Ｈ）、７．５２−６．４９（ｍ，１１Ｈ）、４．５０（ｍ，１Ｈ）、３．４３（ｓ，３Ｈ）、３．１５（ｓ，３Ｈ）、１．５７（ｓ，９Ｈ）１．１６（ｍ，３Ｈ）
【００８０】
（実施例１７）
0004604346.tif 000036
（Ｇ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｇ）0.330g（0.74 mmol）をＴＨＦ5.0 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム1.03 ml（1.50M ヘキサン溶液、1.55 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.213g（0.88mmol）のＴＨＦ溶液(5.0ml)に滴下した。室温まで昇温した後、5時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.596gの粗生成物を得た。トルエン／へキサンから再結晶し、0.114gの錯体（Ｇ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000037
（Ｇ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１３−６．５６（ｍ，１２Ｈ）、４．５３（ｍ，１Ｈ）、３．２７（ｓ，３Ｈ）、３．２１（ｓ，３Ｈ）、１．５９（ｓ，９Ｈ）、１．１９（ｍ，３Ｈ）
【００８１】
（実施例１８）
0004604346.tif 000038
（Ｈ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｈ）0.585g（1.16 mmol）をＴＨＦ8.8 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム1.63 ml（1.50M ヘキサン溶液、2.44 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.335g（1.39mmol）のＴＨＦ溶液(8.8ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.951gの粗生成物を得た。得られた粗生成物をへキサン洗浄し、0.761gの錯体（Ｈ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000039
（Ｈ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１８（ｍ，１Ｈ）、７．７５（ｓ，１Ｈ）、７．４２−６．２１（ｍ，９Ｈ）、４．７１（ｍ，１Ｈ）、３．４９（ｓ，３Ｈ）、３．４０（ｓ，３Ｈ）、１．７３（ｓ，９Ｈ）、１．３２（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．２７（ｓ，９Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：６６３（Ｍ＋），６６１
【００８２】
（実施例１９）：（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−フルオロベンズアルデヒドの合成）
アルゴン置換したフラスコ中、４−フルオロフェノール５．００ｇ（４４．２mmol）を臭化ｔ−ブチル６．１７ｇ（４４．２mmol）を加え、６０℃に加温し溶解した。ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物を加え、２０時間攪拌した。反応の途中で３．６４ｇ（２６．６mmol）の臭化ｔ−ブチルを滴下した。反応後、水２５ｍｌ加え、ヘキサン抽出した。硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（へキサン：酢酸エチル＝１５：１）にて精製し、４．２１ｇ（純度９３．６％、収率５３．１％）の２−ｔ−ブチル−４−フルオロフェノールを得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．０５−７．０１（ｍ，１Ｈ）、６．６２−６．５５（ｍ，１Ｈ）、５．７８−５．７４（ｍ，１Ｈ）、３．７３（ｓ，１Ｈ）、１．３３（ｓ，９Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ：１６８（Ｍ＋）、１５３、１２５
ついで、アルゴン置換したフラスコ中、２−ｔ−ブチル−４−フルオロフェノール３．０ｇ（１６mmol）のＴＨＦ溶液（３０ｍｌ）をＭｅＭｇＢｒのＴＨＦ溶液（２０mmol）に滴下した。２時間攪拌後、トルエン１７０ｍｌを加えＴＨＦを留去し、溶媒交換をおこなった。パラホルムアルデヒド１．３２ｇ（４１．７mmol）、トリエチルアミン２．５６ｇ（２５．０mmol）のトルエン溶液（３０ｍｌ）を滴下し、100℃で90分攪拌した。０℃に冷却し、塩酸中に滴下した。トルエン抽出後、飽和食塩水で洗浄し、濃縮した。へキサンから再結晶し、１．０８５ｇ（純度９６．０％、収率３１．８％）の２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−フルオロベンズアルデヒドを得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ１１．９５（ｓ，１Ｈ）、８．９２（ｓ，１Ｈ）、７．０９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．１，１０．４Ｈｚ）、６．３０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．１，７．１Ｈｚ）、１．２９（ｓ，９Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ：１９６（Ｍ＋）、１８１、１５３
次に、窒素置換したフラスコ中、２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−フルオロベンズアルデヒド０．７０ｇ（３．４mmol）をエタノール溶媒（１４ｍｌ）に溶解し、（Ｒ）−２−アミノ−１，１ジ（ｏ−アニシル）プロパノール１．１０ｇ（３．４mmol）加えた。１５時間攪拌後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（へキサン：酢酸エチル＝２０：１）にて精製し、１．３６ｇ（収率８５％）のシッフベース型アルコール（Ｉ）を得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．９１（ｓ，１Ｈ）、７．８５−６．２７（ｍ，１０Ｈ）、５．３９（ｂｒ，１Ｈ）、４．９７（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、２．９２（ｓ，３Ｈ）、２．８７（ｓ，３Ｈ）、１．４５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ）、１．４３（ｓ，９Ｈ）
【００８３】
（実施例２０）
0004604346.tif 000040
（Ｉ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｉ）0.310g（0.67 mmol）をＴＨＦ4.7 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.87 ml（1.60M ヘキサン溶液、1.40 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.192g（0.80 mmol）のＴＨＦ溶液(4.7 ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.525gの粗生成物を得た。得られた粗生成物をＴＨＦ／へキサンから再結晶し、0.402gの錯体（Ｉ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000041
（Ｉ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１０（ｍ，１Ｈ）、７．４２−６．２９（ｍ，１０Ｈ）、４．６７（ｍ，１Ｈ）、３．４９（ｓ，３Ｈ）、３．３６（ｓ，３Ｈ）、１．５６（ｓ，９Ｈ）、１．２９（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ：６２５（Ｍ＋）、６２３、３９０
【００８４】
（実施例２１）（シッフベース型アルコールＪの合成）
窒素置換したフラスコ中、トルエン溶媒（５０ｍｌ）中、ｐ−クレゾール５．４０ｇ（４９．４mmol）、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物１．４２ｇ（７．４２mmol）を加え、１００℃に加熱した。２−フェニルプロペンのトルエン溶液（１．０Ｍ、４９．４mmol）を２時間かけて滴下し滴下後さらに２時間攪拌した。
冷却後、水１００ｍｌ加え、トルエンで分液抽出した。硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮し、１３．５０ｇ（純度６３．８％、収率７７％）の２−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−メチルフェノールの粗生成物を得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．２５−６．４７（ｍ，８Ｈ）、２．２４（ｓ，３Ｈ）、１．５４（ｓ，６Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ：２２６（Ｍ＋）、２２１、１３３
ついで、アルゴン置換したフラスコ中、２−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−メチルフェノールの粗生成物３．５５ｇ（１０mmol）のＴＨＦ溶液（２０ｍｌ）をＭｅＭｇＢｒのＴＨＦ溶液（１２mmol）に滴下した。１時間攪拌後、トルエン１００ｍｌを加えＴＨＦを留去し、溶媒交換をおこなった。パラホルムアルデヒド０．７９ｇ（２５mmol）、トリエチルアミン１．５３ｇ（１５mmol）のトルエン溶液（５ｍｌ）を滴下し、100℃で２時間攪拌した。０℃に冷却し、塩酸中に滴下した。トルエン抽出後、飽和食塩水で洗浄し、濃縮後、２−ヒドロキシ−３−（１−メチル−１−フェニルエチル）−５−メチルベンズアルデヒドの粗生成物４．０２ｇを得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ１１．６９（ｓ，１Ｈ）、９．１７（ｓ，１Ｈ）、７．３３−６．４９（ｍ、７H）、２．０２（ｓ，３Ｈ）、１．６９（ｓ，６Ｈ）ＥＩ−ＭＳ：２５４（Ｍ＋）、２３９、１６１
さらに、窒素置換したフラスコ中、２−ヒドロキシ−３−（１−メチル−１−フェニルエチル）−５−メチルベンズアルデヒドの粗生成物０．５００ｇをエタノール／トルエン混合溶媒（１０ｍｌ）に溶解し、（Ｒ）−２−アミノ−１，１ジ（ｏ−アニシル）プロパノール０．６３ｇ加えた。６時間攪拌後、濃縮した。トルエンから再結晶し、０．３６ｇ（３工程収率２１％）のシッフベース型アルコール（Ｊ）を得た。
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．０７（ｓ，１Ｈ）、７．８２−６．２４（ｍ，１５Ｈ）、５．３３（ｓ，１Ｈ）、４．８５（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）、２．８９（ｓ，３Ｈ）、２．８２（ｓ，３Ｈ）、２．１５（ｓ，３Ｈ）、１．８３（ｓ，３Ｈ）、１．７６（ｓ，３Ｈ）、１．４０（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ）
【００８５】
（実施例２２）
0004604346.tif 000042
（Ｊ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｊ）0.295g（0.56 mmol）をＴＨＦ4.4 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.79 ml（1.50M ヘキサン溶液、1.18 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.162g（0.68 mmol）のＴＨＦ溶液(4.4 ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.497gの粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエンから再結晶し、0.211gの錯体（Ｊ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000043
（Ｊ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．１４−６．１８（ｍ，１７Ｈ）、４．６７（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）、３．３４（ｓ，３Ｈ）、２．７７（ｓ，３Ｈ）、２．１５（ｓ，６Ｈ）、１．５５（ｓ，３Ｈ）、１．３４（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ：６８３（Ｍ＋），６８１
【００８６】
（実施例２３）
0004604346.tif 000044
（Ｋ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｒ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｋ）0.286g（0.53 mmol）をＴＨＦ4.3 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.74 ml（1.50M ヘキサン溶液、1.11 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.152g（0.63 mmol）のＴＨＦ溶液(4.3 ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.432gの粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエンから再結晶し、0.049gの錯体（Ｋ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000045
（Ｋ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．２５−６．３０（ｍ，１０Ｈ）、４．７２（ｍ，１Ｈ）、３．６５（ｓ，３Ｈ）、３．４０（ｓ，３Ｈ）、２．８２−２．６５（ｍ，４Ｈ）、１．９１（ｓ，３Ｈ）、１．８０（ｓ，３Ｈ）、１．４０−１．３０（ｍ，７Ｈ）、１．１３（ｓ，３Ｈ）、１．１０（ｓ，３Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：７０３（Ｍ＋）、７０１、６２４
【００８７】
（実施例２４）
0004604346.tif 000046
（Ｌ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｌ）0.163g（0.34 mmol）をＴＨＦ2.4 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.48 ml（1.50M ヘキサン溶液、0.72 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.099g（0.41 mmol）のＴＨＦ溶液(2.4 ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.254gの錯体（Ｌ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000047
（Ｌ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ８．２３−６．３９（ｍ，１２Ｈ）、４．３３（ｂｒ，１Ｈ）、３．４５（ｓ，３Ｈ）、３．３１（ｂｒ，３Ｈ）、１．７０（ｓ，９Ｈ）、０．９３（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、０．４７（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）
ＦＤ−ＭＳ：６３５，６３３
【００８８】
（実施例２５）
0004604346.tif 000048
（Ｍ）
アルゴン置換したシュレンク管中に（Ｓ）−シッフベース型アミノアルコール（Ｍ）0.190g（0.38 mmol）をＴＨＦ2.9 mlに溶解した。-78℃にてn-ブチルリチウム0.54 ml（1.50M ヘキサン溶液、0.81 mmol）を滴下した。室温まで昇温し、2時間攪拌した。この溶液を-78℃に冷却した塩化ジルコニウム（IV）0.111g（0.46 mmol）のＴＨＦ溶液(2.9 ml)に滴下した。室温まで昇温した後、3時間攪拌し、濃縮した。トルエン可溶部を濃縮して0.308gの錯体（Ｍ−Ｉ）を得た。
0004604346.tif 000049
（Ｍ−Ｉ）
1ＨＮＭＲ（ Ｃ6Ｄ6）：δ７．７２−６．５８（ｍ，１９Ｈ）、４．７７（ｍ，１Ｈ）、４．５２（ｂｒ，１Ｈ）、４．４０（ｂｒ、１Ｈ）、４．１９（ｂｒ，１Ｈ）、３．７４（ｂｒ，１Ｈ）、１．６４（ｓ，９Ｈ）
ＦＤ−ＭＳ：６５３，６５１
【００８９】
（重合）
（実施例２６〜５０）
以下に示す手順で重合をおこなった。重合結果は表１に示す。
ジャケット付きセパラブルフラスコ中に窒素下で、トルエン１００ｍｌを仕込み、２５℃で安定させた後、エチレンを常圧下、バブリングさせた。ここに、ＭＭＡＯのヘキサン溶液（2mmol）、および錯体2μmolを加え、重合を開始した。攪拌後、エチレンを止め、５％塩酸水溶液を加え重合を停止した。得られた混合物にメタノールを加え、不溶物をろ過し、減圧下で乾燥し、ポリマーを得た。
【表１】
0004604346.tif 000050
【００９０】
（実施例５１−８０）
ジャケット付きセパラブルフラスコ中に窒素下で、トルエン１００ｍｌを仕込み、２５℃で安定させた後、エチレンを常圧下、バブリングさせた。ここに、トリイソブチルアルミニウム（ＴＩＢＡ）のヘキサン溶液（２mmo）、錯体５μmol、および１５μmolのＣ成分（トリフェニルカルベニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート（ＴＢ）またはジメチルアニリニウムテトラキスペンタフルオロフェニルボレート（ＡＢ））を加え、重合を開始した。攪拌後、エチレンを止め、５％塩酸水溶液を加え重合を停止した。得られた混合物にメタノールを加え、不溶物をろ過し、減圧下で乾燥し、ポリマーが得られた。結果を表２にまとめた。
【表２】
0004604346.tif 000051