(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧又は真空空間を構成する絶縁基板間の間隙を所定値に保持するスペーサであって、
前記スペーサは、遷移金属元素を含み、２０〜４０ｗｔ％のＶ2Ｏ5、３０〜４５ｗｔ％のＰ2Ｏ5、１〜２０ｗｔ％のＷＯ3、５〜２０ｗｔ％のＢａＯを含有したリン酸系ガラスで構成されて、前記絶縁基板間を橋絡することを特徴とするスペーサ。
【請求項２】
減圧又は真空空間を構成する絶縁基板間の間隙を所定値に保持するスペーサであって、
前記スペーサは、遷移金属元素を含み、２０〜４５ｗｔ％のＷＯ3、２５〜４０ｗｔ％のＰ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ％のＶ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ％のＢａＯ、５〜１５ｗｔ％のＭｏＯ3を含有したリン酸系ガラスで構成されて、前記絶縁基板間を橋絡することを特徴とするスペーサ。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記リン酸系ガラスが、価数の異なる同一元素を含むことを特徴とするスペーサ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかにおいて、
前記遷移金属元素が、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）のうちの少なくとも一種であることを特徴とするスペーサ。
【請求項５】
請求項１乃至３の何れかにおいて、
前記スペーサの表面電気抵抗が、１×１０8〜１×１０10Ω／□であり、３点曲げ強度が３５０ＭＰａ以上であることを特徴とするスペーサ。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかにおいて、
１〜１０ｗｔ％のＳｒＯ、１〜５ｗｔ％のＧｄ2Ｏ3、０．１〜１．０ｗｔ％のＣｅＯ2を含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れかにおいて、
Ｓｂ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＧｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＥｒＯ2、ＣａＯ、ＴｉＯ2より選ばれた化合物を０．５〜１０ｗｔ％含有することを特徴とするスペーサ。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかにおいて、
前記アルカリ金属元素含有率が、酸化物換算（Ｒ2Ｏ）で０．５重量％以下であることを特徴とするスペーサ。
【請求項９】
絶縁基板と、該絶縁基板の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルと、
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板の主面に設けられて、前記電子源のそれぞれと対を成す蛍光体と、陽極とを有する前面パネルと、
所定の間隔で主面同士を対向させた前記背面パネルと前記前面パネルの端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの前記間隔を保持するスペーサとを備え、
前記スペーサが、遷移金属元素を含み、２０〜４０ｗｔ％のＶ2Ｏ5、３０〜４５ｗｔ％のＰ2Ｏ5、１〜２０ｗｔ％のＷＯ3、５〜２０ｗｔ％のＢａＯを含有するリン酸系ガラスで構成されることを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１０】
絶縁基板と、該絶縁基板の主面に設けられて、第１方向に延在し該第１方向と交差する第２方向に並設された複数の走査線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設された複数の信号線と、前記走査線と前記信号線の交差部近傍に設けられた電子源を有する背面パネルと、
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板の主面に設けられて、前記電子源のそれぞれと対を成す蛍光体と、陽極とを有する前面パネルと、
所定の間隔で主面同士を対向させた前記背面パネルと前記前面パネルの端部内周に介挿して、両パネルと共に減圧容器を形成する封止枠と、
前記背面パネルと前記前面パネルの前記間隔を保持するスペーサとを備え、
前記スペーサが、遷移金属元素を含み、２０〜４５ｗｔ％のＷＯ3、２５〜４０ｗｔ％のＰ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ％のＶ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ％のＢａＯ、５〜１５ｗｔ％のＭｏＯ3を含有したリン酸系ガラスで構成されることを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記リン酸系ガラスが、価数の異なる同一元素を含むことを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１２】
請求項９乃至１１の何れかにおいて、
前記遷移金属元素が、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）のうちの少なくとも一種であることを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１３】
請求項９又乃至１２の何れかにおいて、
前記スペーサの表面電気抵抗が、１×１０8〜１×１０10Ω／□であり、３点曲げ強度が３５０ＭＰａ以上であることを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１４】
請求項９乃至１３の何れかにおいて、
１〜１０ｗｔ％のＳｒＯ、１〜５ｗｔ％のＧｄ2Ｏ3、０．１〜１．０ｗｔ％のＣｅＯ2を含有することを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１５】
請求項９乃至１４の何れかにおいて、
Ｓｂ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＧｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＥｒＯ2、ＣａＯ、ＴｉＯ2より選ばれた化合物を０．５〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする画像表示パネル。
【請求項１６】
請求項９乃至１５の何れかにおいて、
前記アルカリ金属元素含有率が、酸化物換算（Ｒ2Ｏ）で０．５重量％以下であることを特徴とする画像表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減圧空間を構成する絶縁基板間の間隙を所定値に保持するスペーサと、このスペーサを用いて構成した画像表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
構造材としてのガラス材には、特に圧縮あるいは挫屈、剪断あるいは破断等の機械的強度を要求される場合がある。例えば、平板型の二枚の絶縁基板を貼り合わせて内部を減圧又は真空状態とした形式の画像表示パネルにおける当該絶縁基板間の間隔を所定値に保持するために両絶縁基板間に介在されるスペーサ（間隙保持部材）がある。ここでは、このようなスペーサを想定して説明するが、本発明はこれに限定されるものでないことは言うまでもない。
【０００３】
平板状の二枚の絶縁基板（背面基板および前面基板）を貼り合わせた画像表示パネルを用いた画像表示装置、所謂平板型ディスプレイとして多様な形式が知られている。例えば、マトリクス状に配置した電子源を有する画像表示パネル（平板型ディスプレイ、フラットパネルディスプレイ:ＦＰＤ）が注目されており、その一つとして、微少で集積可能な冷陰極を利用する電界放出型画像表示パネル（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や電子放出型画像表示パネルが知られている。これらの陰極には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源などがある。
【０００４】
電子放出型のＦＰＤは、上記のような電子源を備えた背面基板と、蛍光体層とこの蛍光体層に電子源から放出される電子を射突させるための加速電圧を形成する陽極を備えた前面基板とを貼り合わせて両パネルの対向する内部空間を所定の減圧又は真空状態に封止する。背面基板にはマトリクス配列した多数の電子源を有し、前面基板は蛍光体層と電子源から放出された電子を蛍光体層に射突させる電界を形成するための加速電圧を形成する陽極を有する。
【０００５】
個々の電子源は、対応する蛍光体層と対になって単位画素を構成する。通常は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の単位画素で一つの画素（カラー画素、ピクセル）が構成される。なお、カラー画素の場合、単位画素は副画素（サブピクセル）とも呼ばれる。
【０００６】
背面基板と前面基板の間隔は、表示領域内に両基板を支えるように配置される隔壁と称する部材（間隔保持部材、以下ではスペーサ）で所定間隔に保持される。このスペーサはガラスやセラミックスなどの絶縁材あるいは幾分かの導電性を有する部材で形成した板状体からなり、通常、複数の画素ごとに画素の動作を妨げない位置に設置される。
【０００７】
また、補強板で補強した背面基板と前面基板を用いたもの、枠ガラスで高真容器を形成するものが特許文献１に開示されている。そして、ガラス板の封着に用いるフリットガラスとしての無鉛低融点ガラスに関しては特許文献２に開示がある。特許文献２は、環境汚染の原因となるＰｂＯ‐Ｂ2Ｏ3に代えてＢ2Ｏ3又はＶ2Ｏ5、ＢａＯを用いた無鉛低融点ガラスを開示する。また、特許文献３には、Ｖ2Ｏ5‐ＴｅＯ2系ガラスが開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２０６９０５号公報
【特許文献２】特開２００３−１９２３７８号公報
【特許文献３】特開２００４−２５０２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＭＩＭ電子源を用いた画像表示パネルは、電子源（カソード）と陽極（アノード）の間隔が１ｍｍ〜５ｍｍ程度で、両者間に３ｋＶ〜１０ｋＶの電位差となる高電圧がアノードに印加される。そのため、両基板間に橋絡して所定の間隔を保持するスペーサに電荷が帯電して放電が起こり、カソードや他の構造部の破壊を招く。これを回避するため、スペーサには、上記の電荷を逃すためにある程度の導電性が必要である。
【０００９】
このようなスペーサとして、従来は、
（１）ＴｉＣ粒子分散Al2O3セラミックス、あるいは導電性酸化物粒子を分散したガラスセラミックス等の導電性セラミックス材料
（２）絶縁材料でできたスペーサ表面にゾルゲル法により導電膜をコートしたもの
（３）絶縁材料でできたスペーサ表面にスパッタ法により導電膜をコートしたもの
（４）Ｎｂ系ガラス
などが用いられている。
【００１０】
しかし、（１）は、セラミックスの焼結体やガラスセラミックスのグリーンシートを切断する必要があり、非常に高価なものとなる。（２）では、ゾルゲル法による導電膜が信頼性に乏しく、また電気特性が安定しない。（３）のスパッタ法によるコートは非常に高価なものとなる。
【００１１】
本発明の目的は、画像表示パネルに用いるスペーサ用途として十分なヤング率を有し、電気抵抗値を自在に調整できるスペーサと、このスペーサを用いた画像表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のスペーサは、遷移金属元素を含むリン酸系ガラスを用いた。そして、リン酸系ガラスとして価数の異なる同一遷移金属元素が含まれるものを用いる。電気伝導に関して、価数の異なる同一遷移金属元素を含むことで、該価数の異なる遷移金属原子間のホッピング伝導を利用することができ、電気抵抗率の調整が比較的容易になる。
【００１３】
採用される遷移金属元素は、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、鉄（Ｆｅ）のうち少なくとも一種とする。これにより、従来導電性の付与に用いられているような絶縁体材料で作成したスペーサ基体の表面に導電層を付ける工程が不要となり、安価で特性が安定したスペーサを提供できる。ＷＯ3、Ｖ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5の量比を調整して電気特性を制御することができる。
【００１４】
スペーサを画像表示パネルに組み込む工程温度は４００℃〜５００℃程度であるため、同温度条件で耐熱性を有するガラス(ガラス転移点が５００℃以上)が必要である。この対策として、ＷＯ3、Ｖ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5、ＢａＯの量比の調整で耐熱性を制御する。また、スペーサを搭載するパネルガラスの熱膨張係数に合わせてＢａＯ量を調整することで、W系ガラスの熱膨張係数を調整する。
【００１５】
本発明者等が検討した結果、Ｖ2Ｏ5を主成分とするガラスを用いる場合は、重量百分率で１〜２０ｗｔ％ＷＯ3、２０〜４０ｗｔ％Ｐ2Ｏ5、５〜２５ｗｔ％ＢａＯ、２５〜４５ｗｔ％Ｖ2Ｏ5を含有するガラスを用いることが望ましいことが分かった。
【００１６】
また、本発明者等が検討した結果、ＷＯ3を主成分とするガラスを用いる場合は、重量百分率で２０〜４５ｗｔ%のＷＯ3、２５〜４０ｗｔ%のＰ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ%のＶ2Ｏ5、１０〜２５ｗｔ%のＢａＯ、５〜１５ｗｔ％のＭｏＯ3を含有するガラスを用いて作製したガラスを用いることが望ましいことが分かった。
【００１７】
なお、本発明は、
（１）電気的特性を制御するために、ＧｅＯ2、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2を添加することができる。
（２）耐熱性を向上するために、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＭｇＯを添加することができる。
（３）耐水性を向上するために、Ｇｄ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3を添加することができる。
（４）機械強度を高めるために、Ｇｄ2Ｏ3または希土類元素を添加することができる。
（５）ブラーニング対策としてＣｅＯ2を添加することができる。
【００１８】
また、アルカリ金属元素を０．５重量％以下にすることで、イオン伝導による電子伝導の阻害を防止することができる。
【００１９】
上記ガラススペーサの表面や端部を薄膜等で修飾することにより、更に機能を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の最良の実施形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
実施例１では、Ｖ2Ｏ5−ＷＯ3系導電性ガラスの作製例を説明する。実施例１では、導電性を有し、熱膨張係数が６０〜８０×１０-7／℃、ガラス転移温度が４５０℃以上となるＶ2Ｏ5−ＷＯ3系ガラスの溶融例を紹介する。
【００２２】
出発原料は、ＷＯ3 (和光試薬製、純度９９．９％)、Ｖ2Ｏ5 (高純度化学研究所製、純度９９．９％)、ＢａＯ (和光試薬製、純度９９．９％)、Ｐ2Ｏ5 (高純度化学研究所製、純度、９９．９％)、Ｓｂ2Ｏ3 (高純度化学研究所製、99.9%)、Ｃｒ2Ｏ3 (高純度化学研究所、９９．９%)、Ａｌ2Ｏ3 (和光試薬、９９．９%)、ＧｅＯ2 (高純度化学研究所、純度９９．９％)である。Ｖ2Ｏ5−ＷＯ3系導電性ガラスを作製するには、まず各原料を表1に示す重量比で混合する。
【表１】
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【００２３】
Ｖ2Ｏ5−ＷＯ3系導電性ガラスにおいて、ＷＯ3の含有率を高くすることにより、耐熱温度を高めることができる。ＷＯ3の含有率の高いＶ2Ｏ5−ＷＯ3系導電性ガラスとして、表1のＴＷＳシリーズのガラスとした。原料にWO3を用いることにより耐熱温度を高めることができる。
【００２４】
いずれのシリーズのガラスを作製する場合も、Ｐ2Ｏ5を除く全ての原料をあらかじめ混合しておく。Ｐ2Ｏ5は吸湿性が高いため、長時間大気中に放置しないためである。Ｐ2Ｏ5以外の混合粉末をアルミナるつぼに入れ、アルミナるつぼごと秤に乗せ、P2O5を所定量秤量し、同時に金属製のスプーンで混合する。このとき、大気中の水分の影響を抑えるため、乳鉢やボールミルを用いた混合はしない。
【００２５】
上記の原料混合粉末が入ったアルミナるつぼをガラス溶解炉に設置し、加熱を開始する。昇温速度を５℃／ｍｉｎとし、目標温度に到達した時点から1時間保持する。実施例１では、目標温度を１０００℃〜１３５０℃にしている。溶解しているガラスを撹神しながら1時間保持し、保持後はアルミナるつぼを溶解炉から取り出し、あらかじめ３００℃に加熱していた黒鉛鋳型に鋳込む。黒鉛鋳型に鋳込んだガラスは、あらかじめ歪取り温度に加熱している歪取り炉に移動し、１時間保持により歪を除去した後、１℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却した。得られたガラスは３０×４０×８０ｍｍの大きさである。このような手順で、表1に示す組成のガラスを作製した。
【００２６】
得られたガラスブロックの表面抵抗を評価した後、ガラスブロックを４×４×１５ｍｍの大きさに切断し、熱膨張係数を評価した。残材を粉砕した粉末を用いて、ＤＴＡ分析をおこなった。
【００２７】
本実施例のように、表1のようにガラス組成を変化させることにより、熱膨張係数を６０〜８０×１０-7／℃、表面抵抗を１０8〜１０10Ω／□の範囲で変化させることができ、またガラス転移点を４５０℃以上とすることができる。一部の試料は結晶化したため、スペーサ用ガラスとしては不適切と判断された。
【００２８】
実施例１における本発明のガラスのヤング率評価結果も併せて表1に示す。また、スペーサの形状にも依存するが、ヤング率より計算される同スペーサの挫掘強度はおおむね１０〜２０ｋＮ／ｍであり、パネルを組み立てるには充分な強度を有する。ガラススペーサの熱膨張係数を６０〜８０×１０-7／℃の範囲外にしたい場合は、適度な比率でフィラー材を混合すればよい。
【００２９】
ＷＯ3原料粉末は高価であるため、出発原料のＷＯ3の使用量を低減したスペーサ用ガラスを、ＶＳシリーズのガラスとした。熱膨張特性、電気的特性、機械特性はＴＷＳシリーズのガラスと等価であり、耐熱温度はやや低くなるが、安価に作製できる魅力がある。ＶＳシリーズのガラス組成を表２に示す。
【表２】
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【００３０】
ガラスサンプルの作製方法はＴＷＳシリーズと全く同じであり、評価手段も同じである。評価結果も併せて表２に記載した。ＶＳシリーズのガラスでは、少なくとも耐熱温度４００℃以上にすることができる。一部の試料は結晶化したため、スペーサ用ガラスとしては不適切と判断された。
【実施例２】
【００３１】
実施例２では、Ｖ2Ｏ5−ＷＯ3系ガラススペーサを搭載した本発明による画像表示パネルの構成例を説明する。表１において、実施例1にて作製したＶ2Ｏ5−ＷＯ3系ガラスの中からＴＷＳ−５を選定し、溶融量７５０ｃｃ対応のガラス溶解炉を用いて、２００×５０×３０ｍｍの直方体形状のガラスバルクを作製した。作製要領は実施例１と同じであるが、ガラスのサイズが大きいため、歪取り工程の時間を３時間とした。
【００３２】
歪取り後のガラスバルクを高精度切断機によって１１Ｏｍｍ×３．０ｍｍ×０．２ｍｍの形状に切断し、１１０ｍｍ×３．０ｍｍの面を鏡面研磨することにより、Ｖ2Ｏ5−ＷＯ3系ガラススペーサとした。このようにして作製したスペーサを用い、以下のような画像表示パネルを構成した。
【００３３】
図１は、本発明による画像表示パネルの１具体例を説明する図である。図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した概略断面図である。図１において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１の内面には信号線（データ線、カソード電極線）ＣＬと走査線（ゲート電極線）ＧＬを有し、信号線ＣＬと走査線ＧＬの交差部分に電子源ＥＬＳが形成されている。走査線ＧＬの端部には図示しない走査線引出線が形成され、信号線ＣＬの端部には図示しない信号線引出線が形成されている。
【００３４】
また、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２の内面には、遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭ、陽極（メタルバック、アノード）ＡＤ及び蛍光体層ＰＨ等が形成されている。背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と、前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２とは、その周縁部に封止枠（枠ガラス）ＭＦＬを介在させて封着部材ＦＧＭにより貼り合わされる。この貼り合わせた間隙を所定値に保持するため、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＰＮＬ２の間に上記したスペーサＳＰＣが導電性接合材（導電性ガラスフリットＦＧＳ等、図２、図３参照）で接合されて植立される。
【００３５】
なお、背面パネルＰＮＬ１と前面パネルＰＮＬ２および封止枠ＭＦＬで密封された内部空間は、背面パネルＰＮＬ１の一部に設けた図示しない排気管から排気して所定の真空状態に保持される。これらの構成については後述する。
【００３６】
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。また、図３は、図２の要部拡大断面図である。図２、図３において、背面パネルＰＮＬ１を構成する背面基板ＳＵＢ１と前面パネルＰＮＬ２を構成する前面基板ＳＵＢ２は、周縁に設置した枠ガラスＭＦＬを介して一体化される。図１と同一符号は同一機能部分に対応する。枠ガラスＭＦＬと背面基板ＳＵＢ１および前面基板ＳＵＢ２は封着部材ＦＧＭで、例えば約３ｍｍ程度に間隔を保持して固定される。また、表示領域において、背面基板ＳＵＢ１と前面基板ＳＵＢ２の間の感覚を保持するスペーサＳＰＣは導電性接合材ＦＧＳで固定される。
【００３７】
スペーサＳＰＣは、前記したような遷移金属元素を含むリン酸系ガラスで構成されたものを基本とし、前記実施例で説明した材料からなる。なお、このガラスに熱膨張係数調整用フィラーを含有させることもできる。
【００３８】
図４は、本発明の画像表示パネルを用いた画像表示装置の等価回路例を説明する図である。図４中に破線で示した領域は表示領域ＡＲであり、この表示領域ＡＲにｎ本の信号線ＣＬとｍ本の走査線ＧＬが互いに交差して配置されてｎ×ｍのマトリクスが形成されている。マトリクスの各交差部は副画素（単位画素、サブピクセル）を構成し、図中の３つのサブピクセル"Ｒ"，"Ｇ"，"Ｂ"の１グループでカラー１画素（カラーピクセル）を構成する。信号線ＣＬは、信号線引出端子ＣＬＴで画像信号駆動回路ＤＤＲに接続され、走査線ＧＬは走査線引出端子ＧＬＴで走査信号駆動回路ＳＤＲに接続されている。画像信号駆動回路ＤＤＲには外部信号源から画像信号ＮＳが入力され、走査信号駆動回路ＳＤＲには同様に走査信号ＳＳが入力される。
【００３９】
これにより、順次選択される走査線ＧＬに交差する信号線ＣＬに画像信号を供給することで、二次元のフルカラー画像を表示することができる。本構成例の画像表示パネルを用いることにより、比較的低電圧で高効率の自発光平面型の画像表示装置が実現される。
【００４０】
本発明による画像表示パネルは、背面基板基板と前面基板の間に上記した実施例で説明したスペーサを植立させることで、スペーサにチャージアップしようとする電荷が基板側に吸収され、高品質な画像表示が可能な画像表示装置を提供できる。
【００４１】
なお、前記実施例では、電子源にＭＩＭ型を用いた構造を例として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述した各種の電子源を用いた自発光型の画像表示パネルに適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による画像表示パネルの１具体例を説明する図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面の詳細構造を説明する模式図である。
【図３】図２の要部拡大断面図である。図４の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の画像表示パネルを用いた画像表示装置の等価回路例を説明する図である。
【符号の説明】
【００４３】
ＰＮＬ１・・・背面パネル、ＳＵＢ１・・・背面基板、ＰＮＬ２・・・前面パネル、ＳＵＢ２・・・前面基板、ＳＰＣ・・・スペーサ、ＧＬ・・・走査線、ＣＬ・・・信号線、ＥＬＳ・・・電子源、ＡＤ・・・陽極、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＨ・・・蛍光体層、ＳＤＲ・・・走査信号線駆動回路、ＤＤＲ・・・画像信号線駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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