(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された薄膜に設けられ、かつ、この薄膜をレーザ光によってスクライブする際の位置基準となるアライメントマークを、パターンマッチングにより認識する方法において、
前記パターンマッチングに用いる前記アライメントマークについての基準パターンに、様々な様相を呈する複数の基準パターンを用い、
照明器での照明下においてスクライブ対象の基板の前記アライメントマークを撮像したＣＣＤカメラの撮像出力から前記アライメントマークについての被認識パターンを、前記照明器の光量調節により前記ＣＣＤカメラの視野の照度を種々に変化させた条件下で抽出し、
こうして抽出された複数の被認識パターンと前記複数の基準パターンとのパターンマッチングをすること特徴とする薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法。
【請求項２】
既に行われたパターンマッチングでマッチングが成立した際の照度を、次に行われるアライメントマーク認識の際の最初の照度とし、この照度を変化させながら前記パターンマッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法。
【請求項３】
薄膜が形成されているとともに、この薄膜をレーザ光によってスクライブする際の位置基準となるアライメントマークが前記薄膜に設けられている基板が載置されるテーブルと、
前記薄膜をスクライブするレーザ光を出力するレーザ発振器と、
このレーザ発振器を前記基板上で相対的に走査させる駆動手段と、
前記レーザ発振器に取付けられ前記アライメントマークを撮像するＣＣＤカメラと、
前記レーザ発振器に取付けられ前記ＣＣＤカメラの視野を照明する照明器と、
この照明器の光量を調節する調光手段と、
前記ＣＣＤカメラの撮像出力から前記アライメントマークについての被認識パターンを抽出するパターン抽出手段と、
様々な様相を呈したアライメントマークに基づいて予め得た複数の基準パターンを記録した基準パターンメモリと、
このメモリから読み出される前記複数の基準パターンメモリと前記調光手段により変化される各種の照明条件下において前記パターン抽出手段で抽出された前記被認識パターンとを比較照合するパターンマッチング手段と、
を具備したことを特徴とする薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池モジュール等の製造において、基板に形成された薄膜をレーザ光によって例えば所定の幅寸法の帯状にスクライブする際の位置基準となるアライメントマークを、パターンマッチングにより認識する薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池モジュールは、図３に示すように四角いガラス等の透明な基板１に、薄膜として透明電極膜２、半導体層３、及び裏面電極層４が順次積層形成され、これらは夫々レーザ光によりスクライブされる。
【０００３】
つまり、透明電極膜２はその製膜の後に、レーザ光によって形成される複数の互いに平行な第１分断溝５により帯状に分断される。この後に透明電極膜２上に製膜された半導体層３についても、レーザ光によって形成される複数の互いに平行な第２分断溝６により帯状に分断される。更に、この半導体層３及びその上に製膜された裏面電極層４についても、レーザ光によって形成される複数の互いに平行な第３分断溝７により帯状に分断される。又、この他に前記薄膜については、周縁絶縁領域を確保するための分断溝８がレーザ光によって形成される。
【０００４】
こうした各分断溝の形成と前記各製膜とにより、基板１の一面には透明電極膜２と半導体層３とによって電気的に直列に接続された複数の光電変換部としてのセル９が形成され、これらのセル９は図示しない封止部材により封止されるとともに、セル９群の両端には出力取出し用の電極が接続される。なお、図３中矢印は光入射方向を示している。
【０００５】
以上の各レーザスクライブを行う際には、その基準位置を定める必要があり、そのために四角い基板１の一辺の両端に位置して透明電極膜２にアライメントマークが設けられている。この２ヵ所のアライメントマークはレーザ加工により通常十の字形状に形成されている。
【０００６】
そして、この一対のアライメントマークを認識するために、アライメントマークを照明下においてＣＣＤカメラで撮像し、このカメラの撮像出力を信号処理部で処理している。この処理では、適正なアライメントマークについて予め登録されている単一の基準パターンと、スクライブ対象の基板のアライメントマークの撮像出力をもとに抽出した被認識パターンとを比較照合するパターンマッチングが行われる。それにより、前記２点のアライメントマークを認識し、それに基づくアライメント補正をソフト上で行い、こうして補正され位置データに従って前記レーザスクライブの基準位置を定めている。
【０００７】
しかし、透明電極膜２上に製膜される薄膜としての半導体層３及び裏面電極層４の層の色の違いや濃淡差、アライメントマークの直線性や幅のむら、アライメントマークの途切れ、又はアライメントマークに傷がある場合等により、アライメントマークは様々な様相を呈する。その上、照明光の投射角度や電源電圧の変動に伴う光量変動等による照度差、基板の反りや撓みによりアライメントマークを撮像するＣＣＤカメラが得るアライメントマーク像が微妙に異なる。これらの因子によって抽出される被認識パターンも様々な様相を呈する。
【０００８】
そのため、このように様々な様相を呈する被認識パターンと前記単一の基準パターンとをパターンマッチングしてアライメントマークを認識しようとする従来の構成では、アライメントマークの認識不良（認識不能又は誤認を含む）が発生する場合が多々ある。
【０００９】
こうした認識不良が発生すると、その時のエラー情報に従い、レーザ加工機が停止してスクライブ加工ができなかったり、基板の一辺に対して平行にスクライブできなかったりする。特に、太陽電池モジュールの製造をインラインでの自動化設備で行う場合に、以上のような事態が発生すると、自動化設備の稼働率の低下や不良率の増加を招くので、好ましくなく、そうしたことがないようにする配慮が求められている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、アライメントマークの認識率を向上できる薄膜のレーザスクライブ用アライメントマークの認識方法及び装置を得ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために請求項１に係る発明方法は、基板に形成された薄膜に設けられ、かつ、この薄膜をレーザ光によってスクライブする際の位置基準となるアライメントマークを、パターンマッチングにより認識する方法において、前記パターンマッチングに用いる前記アライメントマークについての基準パターンに、様々な様相を呈する複数の基準パターンを用い、照明器での照明下においてスクライブ対象の基板の前記アライメントマークを撮像したＣＣＤカメラの撮像出力から前記アライメントマークについての被認識パターンを、前記照明器の光量調節により前記ＣＣＤカメラの視野の照度を種々に変化させた条件下で抽出し、こうして抽出された複数の被認識パターンと前記複数の基準パターンとのパターンマッチングをすること特徴とする。
【００１９】
この発明においては、パターンマッチングの際に使用する基準パターンが単一ではなく、様々な様相を呈する複数の基準パターンを使用している。言い換えれば、透明電極膜上に製膜された半導体層及び裏面電極層の色の違いや濃淡差、アライメントマークの直線性や幅のむら、アライメントマークの途切れ、又はアライメントマークの傷等に基づく種々異なる様相のアライメントマークについて、それらを基にした様々な様相の基準パターン、並びに基板の反りや撓みに基づく様々な様相の基準パターン、及びＣＣＤカメラの視野の照度差に基づく様々な様相の基準パターンを使用している。
【００２０】
そして、ＣＣＤカメラの視野の照度を何段階かに変えながら認識すべきアライメントマークについて抽出された被認識パターンと前記複数の基準パターンとをパターンマッチングするため、認識すべきアライメントマークを基に得られる被認識パターンが様々な様相を呈していても、それが基準パターンと一致する確率が高まるので、アライメントマークの認識不良を減らすことができる。
【００２１】
請求項２に係る発明方法は、既に行われたパターンマッチングでマッチングが成立した際の照度を、次に行われるアライメントマーク認識の際の最初の照度とし、この照度を変化させながら前記パターンマッチングを行うことを特徴とする。
【００２２】
この発明においては、複数の基準パターンと被認識パターンとを比較照合する際に、学習方式により、ＣＣＤカメラの視野の照度の第１順位を既に行われたパターンマッチングで被認識パターンとのマッチングが成立した時の照度を、はじめの照度として用い、それから段階的に照度を変化させながらパターンマッチングを行う。このように照度を切換えながら得られる複数の被認識パターンの夫々を、複数の基準パターンを比較照合するので、例えば製膜条件等により近似する様相が連続してあらわれ易い場合などに、アライメントマークが認識されるまでに要する時間を短くできる。
【００２３】
請求項３に係る発明装置は、薄膜が形成されているとともに、この薄膜をレーザ光によってスクライブする際の位置基準となるアライメントマークが前記薄膜に設けられている基板が載置されるテーブルと、前記薄膜をスクライブするレーザ光を出力するレーザ発振器と、このレーザ発振器を前記基板上で相対的に走査させる駆動手段と、前記レーザ発振器に取付けられ前記アライメントマークを撮像するＣＣＤカメラと、前記レーザ発振器に取付けられ前記ＣＣＤカメラの視野を照明する照明器と、この照明器の光量を調節する調光手段と、前記ＣＣＤカメラの撮像出力から前記アライメントマークについての被認識パターンを抽出するパターン抽出手段と、様々な様相を呈したアライメントマークに基づいて予め得た複数の基準パターンを記録した基準パターンメモリと、このメモリから読み出される前記複数の基準パターンメモリと前記調光手段により変化される各種の照明条件下において前記パターン抽出手段で抽出された前記被認識パターンとを比較照合するパターンマッチング手段と、を具備したことを特徴とする。
【００２４】
この発明においては、前記請求項２の発明方法を実施して、ＣＣＤカメラの視野の照度を何段階かに変えながら認識すべきアライメントマークについて抽出された複数の被認識パターンの夫々を、複数の基準パターンとパターンマッチングして、アライメントマークの認識を行う。そのため、認識すべきアライメントマークを基に得られる被認識パターンが様々な様相を呈していても、それが基準パターンと一致する確率が高まるので、アライメントマークの認識不良を減らすことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態を説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施形態に係るアライメントマーク認識装置を備えるレーザ加工機の概略構成を示す図であって、この加工機は、太陽電池モジュールのスクライブ装置として使用され、この装置が備えるレーザ発振器１１は支持バー１２に支持されており、この発振器１１から出射されたレーザ光１１ａの進行方向にはＸＹテーブル１３が配設されている。
【００２７】
ＸＹテーブル１３は、ベース１４を有し、このベース１４上にＸテーブル１５とともに、このＸテーブル１５上にＹテーブル１６を設けている。Ｘテーブル１５はＸ駆動源１７によりＸ方向に往復移動され、Ｙテーブル１６はＹ駆動源１８によりＹ方向に往復移動される。両駆動源１７、１８の駆動は、レーザ加工機全般の動作についての制御を担う制御装置１９に予め設定されているプログラムに基づき制御され、それにより、Ｙテーブル１６はベース１４上でＸ方向とＹ方向とに往復移動されるようになっている。
【００２８】
Ｙテーブル１６上には太陽電池モジュールの透明ガラス製の基板１が載置される。この基板１の上面には図３を用いて既に説明した透明電極膜２だけが全面に渡って形成されている。図２に示すように透明電極膜２には基板１の一辺の両端部に位置してアライメントマーク（以下マークと略称する。）２０が夫々設けられている。このマーク２０は、レーザ加工により形成され、例えば４０μｍより大きい十の字状をなしているが、その情報量を増やして後述の認識をし易くするために、井の字状や田の字状とすることができる。
【００２９】
透明電極膜２は一対の前記マーク２０を位置基準としてレーザ光１１ａにより以下のようにスクライブされて図３に示した前記第１分断溝５が作られる。なお、基板１に形成された透明電極膜２は、図２に示すようにセルとして使用される有効領域２ａと、この有効領域２ａの周辺部のマージン領域２ｂとに分けられ、そのマージン領域２ｂにマーク２０が設けられている。又、基板１を照射するレーザ光１１ａは、図示しないレンズによって集束され、このレンズのほぼ焦点位置に透明電極膜２が位置するよう高さ方向に位置決めが行われる。
【００３０】
まず、透明電極膜２が形成された面を上にして基板１をＹテーブル１６上に載置した後、後述のマーク認識に基づいて、レーザ発振器１１から出力されるレーザ光１１ａの照射位置が、図２にＡで示す基板１の長手方向一端でマージン領域２ｂ内に位置するようにＹテーブル１６を位置決めして、レーザ光１１ａをスクライブのスタート点Ａに位置決めする。
【００３１】
この後、レーザ光１１ａの照射を途中で中断させることなく、Ｘ駆動源１７によるＸテーブル１５の移動と、Ｙ駆動源１８によるＹテーブル１６の移動とを適宜行なって、レーザ光１１ａを透明電極膜２上で一筆書きの要領で連続して屈曲蛇行状に走査することにより、透明電極膜２を所定の幅寸法の帯状にスクライブする。
【００３２】
つまり、図２において符号２１は有効領域２ａを横切って点Ａから点Ｂに至るＸ方向第１スクライブ線、２２はマージン領域２ｂにおいて点Ｂから所定寸法Ｐだけ離れた点Ｃに至るＹ方向第２スクライブ線、２３は有効領域２ａを第１Ｘ方向スクライブ線２１とは逆方向に横切って点Ｃから点Ｄに至るＸ方向第３スクライブ線、２４はマージン領域２ｂにおいて点Ｄから所定寸法Ｐだけ離れた点Ｅに至るＹ方向第４スクライブ線、２５は点ＥからＸ方向に第１、第３のＸ方向スクライブ線２１、２３と平行に形成されようとしているＸ方向第５スクライブ線である。そして、このような一筆書きの要領でのレーザ光１１ａの走査を以下同様に繰返すことで、透明電極膜２を基板１の幅方向に沿って所定の幅寸法Ｐの帯状にスクライブできる。
【００３３】
このようなスクライブにおいてＸ方向の各スクライブ線２１、２３、２５等は、前記二つのマーク２０の個々の交点を結んだ直線に平行に走査され、そのために、以上のスクライブに先立ってマーク２０が後述のようにして認識される。又、太陽電池モジュールにおいては、以上のようにスクライブされた透明電極膜２上に形成される半導体層３（図３参照）についても、又、この半導体層３及びその上に形成される裏面電極層４（図３参照）についても、前記と同様に一対のマークを位置基準としたスクライブが行われる。なお、半導体層３及び裏面電極層４を同時に加工するレーザスクライブは、これらの層３、４が形成された面とは反対側の面からレーザ光りを照射してスクライブが行われる。
【００３４】
次に、前記レーザ加工機が備えるアライメントマーク認識装置を説明する。この装置は、図１に示すように前記レーザ発振器１１、前記ＸＹテーブル１３、これら両者を相対的に移動させて基板１上にレーザ光１１ａを走査させる前記Ｘ駆動源１７及びＹ駆動源１８、マーク検出用のＣＣＤカメラ３１、このカメラ３１の視野を照明する照明器３２、調光手段としての調光回路３３、Ａ／Ｄ変換器３４、フレームメモリ３５、パターン抽出手段としてのパターン抽出回路（以下抽出回路と略称する。）３６、基準パターンメモリ（以下基準メモリと略称する。）３７、及びパターンマッチング手段としてのパターンマッチング回路（以下マッチング回路と略称する。）３８を備えている。
【００３５】
ＣＣＤカメラ３１は前記レーザ光１１ａの照射位置を視野とするようにレーザ発振器１１に取付けられている。カメラ３１には、その光電変換素子にＣＣＤイメージセンサを用いたものであり、例えばリニアＣＣＤカメラが使用されるが、これに代えてシャッタ付きのエリアＣＣＤカメラを使用することもできる。
【００３６】
照明器３２はレーザ発振器１１に取付けられている。この照明器３２は、ＣＣＤカメラ３１の回りに配置された照明部３２ａと、点灯回路を含む光源装置３２ｂと、この光源装置３２ｂで発生した光を照明部３２ａに導くライトガイド３２ｃとを有してなり、照明部３２ａはそれに導かれた光を下方に投射して、ＣＣＤカメラ３１の視野を照明する。
【００３７】
調光回路３３は光源装置３２ｂの点灯回路に電気的に接続して設けられ、照明器３２の光量を多段階に調節して、前記視野の照度を種々に変化させるために設けられている。この調光回路３３は前記制御装置１９の調光制御部により制御される。制御装置１９の調光制御部は、後述のパターンマッチングにおいて、既に行われたパターンマッチングでマッチングが成立した際の照度（調光段階）を記録して置いて、この照度を次に行われるパターンマッチングによるアライメントマーク認識の際の最初の照度とし、前記次のパターンマッチングにおいて前記最初の照度から段階的に照度が変化するように調光回路３３を制御する。このように制御装置１９における調光制御部は、学習機能を有しており、調光回路３３を介して既述のように照明器３２を制御する。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換器３４、フレームメモリ３５、抽出回路３６、基準メモリ３７、及びマッチング回路３８は、制御装置１９及び調光回路３３とともに信号処理部をなしており、図示しない制御盤に設けられており、この信号処理部は制御装置１９により制御される。
【００３９】
Ａ／Ｄ変換器３４は、リニアＣＣＤカメラ３１から供給される撮像出力をデジタルデータに変換する。フレームメモリ３５は、Ａ／Ｄ変換器３４から供給されるデジタルデータを、次々に蓄積し前記視野の大きさに相当する一画面分の画像データを一時的に蓄えるもので、前記一画面分の画像データは制御装置１９により抽出回路３６に転送される。抽出回路３６は、転送された画像データに含まれる前記マーク２０についてのパターンを抽出するもので、ここで得られた抽出パターンは制御装置１９により基準メモリ３７又はマッチング回路３８に選択的に転送される。基準メモリ３７に転送される抽出パターンは基準パターンとして用いられ、又、マッチング回路３８に転送される抽出パターンを被認識パターンとして用いられる。
【００４０】
基準メモリ３７には、パターンマッチングにおいて比較の基準となる前記マーク２０についての基準パターンが複数記録されている。このメモリ３７には、マーク２０を撮像した前記ＣＣＤカメラ３１の出力を基に、Ａ／Ｄ変換器３４、フレームメモリ３５、及び抽出回路３６を経て得た抽出パターンが基準パターンとして記録（登録）される。
【００４１】
こうして予め基準メモリ３７に登録された複数の基準パターンは、夫々様々に異なる様相を呈するものであって、透明電極膜２上に製膜された半導体層及び裏面電極層の色の違いや濃淡差、マーク２０の直線性や幅のむら、マーク２０の途切れ、又はマーク２０の傷等に基づく種々異なる様相のマーク２０について、それらを基にして得た基準パターン、ＣＣＤカメラ３１の視野の照度差に対応するため同じマーク２０について前記照明器３２の光量を複数段階に変化させて得た基準パターン、及び基板の反りや撓みに対応するため同一照明条件でもＣＣＤカメラ３１のフォーカスを違えて得た基準パターン等である。なお、図１においてＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮは基準メモリ３７に記録された複数の基準パターンを示している。
【００４２】
マッチング回路３８は、制御装置１９により基準メモリ３７から読み出される基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮと、この読み出しと同期して抽出回路３６から転送される被認識パターンとを比較照合して、両パターンが一致するかどうかのパターンマッチングを行うものであって、そのマッチングが成立する（両パターンが一致する）場合に、マーク２０を認識したものとされる。そして、この認識されたマーク２０についてそのマークの交点が制御装置１９により求められるようになっている。
【００４３】
予め様々な様相を呈するマーク２０についての基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮが基準メモリ３７に記録された前記マーク認識装置は、前記スクライブに先立って、スクライブ対象の基板１のマーク２０の認識処理を行う。この処理は、はじめに、ＸＹテーブル１３を駆動して、その上に載置されたスクライブ対象の基板１の一方のマーク２０が付されている角部をＣＣＤカメラ３１の視野内に移動させ、前記一方のマーク２０を撮像することに基づいて行われ、次に、再びＸＹテーブル１３を駆動して、スクライブ対象の基板１の他方のマーク２０が付されている角部をＣＣＤカメラ３１の視野内に移動させ、前記他方のマーク２０を撮像することに基づいて行われる。
【００４４】
この認識処理では、スクライブ対象の基板１のマーク２０を照明器３２での照明下においてＣＣＤカメラ３１で撮像し、その撮像出力をＡ／Ｄ変換してフレームメモリ３５に蓄積し、このメモリ３５に蓄積されたデジタルデータから抽出回路３６により、前記マーク２０についての被認識パターンを形成し、このパターンがマッチング回路３８において基準パターンとパターンマッチングされて前記マーク２０の認識が行われる。
【００４５】
このパターンマッチングの際、スクライブ対象の基板１のマーク２０が、透明電極膜２上に製膜された半導体層及び裏面電極層の色の違いや濃淡差、マーク２０の直線性や幅のむら、マーク２０の途切れ、又はマーク２０の傷、並びに基板の反りや撓み等に基づく種々異なる様相を呈していても、このパターンマッチングの際に使用する基準パターンは単一ではなく、前記各様相に対応する様々な様相を呈する複数の基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮを使用している。そのため、以上のように認識すべきマークを基に得られる被認識パターンが様々な様相を呈していても、それが基準パターンと一致する確率が高まるので、マーク２０の認識不良を減らすことができる。
【００４６】
しかも、以上のようなマーク２０の認識において、制御装置１９は、同じマーク２０について様相が異なる複数の被認識パターンを作って、それらについて既述のようにパターンマッチングを行わせる。この場合に様相が異なる複数の被認識パターンは、調光回路３３を介して照明器３２の光量を段階的に変化させることに伴い、ＣＣＤカメラ３１の視野の照度を段階的に変化させ、その各段階での撮像に基づいて、Ａ／Ｄ変換器３４、フレームメモリ３５、及び抽出回路３６を経て作られる。このように同一のマーク２０について照明差により被認識パターンの様相を変えることにより、それが基準パターンと一致する確率が更に高まるので、マーク２０の認識不良を減らすことができる。
【００４７】
更に、制御装置１９は、その照度記憶部に、既述のように照度を変化させながら行われたパターンマッチングでマッチングが成立した際の照度を更新して記憶しておき、次に、他方のマーク２０の認識を行う際、記憶された前記照度を最初の照度とするように調光回路３３を介して照明器３２の光量を制御し、そして、この照度を既述のように段階的に変化させながら前記他方のマーク２０についてのパターンマッチングを行わせる。
【００４８】
マーク２０の様相は製膜条件等により近似する様相が連続してあらわれることがあるので、前記のようにパターンマッチングが成立してマーク２０を認識した際の照度をはじめに用いて次のパターンマッチングを行わせることにより、次のマーク２０が認識されるまでに要する時間を短くできる。
【００４９】
又、制御装置１９は、以上の照明順位の他に、被認識パターンと逐次比較照合する各種の基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮの比較順位を学習方式により設定し、２度目以降のパターンマッチングにおいて実行する。つまり、既に行われたパターンマッチングで被認識パターンとのマッチングが成立した基準パターンを、次に行われるパターンマッチングに際して複数の基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮの中から第１比較順位として最初に用いて被認識パターンとのパターンマッチングを行わせる。そして、このマッチングが不成立の場合に、前記第１比較順位の基準パターンにパターンの様相が近い順に前記複数の基準パターンＭ１、Ｍ２，Ｍ３…ＭＮを用いてパターンマッチングを行わせる。
【００５０】
このようなパターンマッチングにより、既述のように例えば製膜条件等により近似する様相が連続してあらわれ易い場合などに、マーク２０が認識されるまでに要する時間を更に短くできる。
【００５１】
したがって、図１に示されたレーザ加工機を用いて太陽電池モジュールの製造をインラインでの自動化設備で行う場合には、既述のようにアライメントマーク２０の認識不良を抑制してその認識率を向上できることにより、自動化設備の稼働率向上や不良率の低下をもたらすことができ、生産性の向上に有効である。
【００５２】
なお、本発明においてレーザ光の走査は、基板をＸＹ駆動手段により移動させる代りに、レーザ発振器をＸＹ方向に移動させて行うようにしてもよい。
【００５３】
【発明の効果】
請求項１及び３の発明方法及び装置によれば、認識すべきアライメントマークが様々な様相を呈していても、同位置アライメントマークについて照度を変えながら得た複数の被認識パターンを用いることにより、被認識パターンが基準パターンと一致する確率が高まり、前記アライメントマークの認識不良が減るので、認識率を向上することができる。
【００５６】
請求項２の発明方法によれば、複数の基準パターンと照度を変えながら得られる被認識パターンとを比較照合するので、例えば製膜条件等により近似する様相のパターンが連続してあらわれ易い場合などに、アライメントマークが認識されるまでに要する時間を短くできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るアライメントマーク認識装置を備えるレーザ加工機の概略構成を示す図。
【図２】図１のレーザ加工機により基板に走査されたレーザ光の軌跡を示す図。
【図３】一般的な太陽電池モジュールの構成の一部を示す断面図。
【符号の説明】
１…基板
２…透明電極膜（薄膜）
３…半導体層（薄膜）
４…裏面電極層（薄膜）
１１…レーザ発振器
１１ａ…レーザ光
１３…ＸＹテーブル
１７…Ｘ駆動源（駆動手段）
１８…Ｙ駆動源（駆動手段）
１９…制御装置
２０…アライメントマーク
３１…ＣＣＤカメラ
３２…照明器
３３…調光回路（調光手段）
３６…パターン抽出回路（パターン抽出手段）
３７…基準パターンメモリ
３８…パターンマッチング回路（パターンマッチング手段）
【図１】
0004672833.tif 000002
【図２】
0004672833.tif 000003
【図３】
0004672833.tif 000004