(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、４つの配線を有する導体パターンと、前記絶縁層内に埋設される金属箔とを備え、
前記金属支持基板には、前記導体パターンと対向する開口部が形成されており、
前記金属箔は、少なくとも一部が、前記開口部内に前記導体パターンと対向するように配置されており、前記開口部の端縁と重ならないように、前記絶縁層から露出されており、
前記金属支持基板における前記開口部の端縁の少なくとも一部が、前記絶縁層に直接接触していることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記金属箔は、
前記開口部内に配置される第１金属箔部分と、
前記金属支持基板における前記開口部の端縁と前記絶縁層との接触部分を挟むように、前記第１金属箔部分と間隔を隔てて配置され、前記金属支持基板と対向する第２金属箔部分とを備えていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記金属支持基板と前記第２金属箔部分との間には、金属薄膜が介在されていることを特徴とする、請求項２に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
前記金属支持基板が、ステンレスからなり、
前記金属箔が、銅または銅合金からなり、
前記絶縁層が、ポリイミドからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板に関し、詳しくは、高密度化や高速化に対応した回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板は、通常、金属支持基板と、金属支持基板の上に形成されたベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成された導体パターンと、ベース絶縁層の上に導体パターンを被覆するように形成されたカバー絶縁層とを備えている。また、このような回路付サスペンション基板には、導体パターンの特性インピーダンスを調整したり、部分的にフレキシブル性を向上させるために、導体パターンと対向するように、金属支持基板に開口部を形成することが知られている。
【０００３】
また、このような回路付サスペンション基板には、近年、高密度や高速化に対応して、導体パターンの伝送損失を低減するため、導体パターンの下層に絶縁層を挟んで下部導体を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、従来より知られている、金属支持基板に開口部が形成されている回路付サスペンション基板に、特許文献１に記載されるような下部導体を設けると、図８に示すように、金属支持基板２２に形成される開口部２７の端縁２８が、カバー絶縁層２６に被覆される導体パターン２５の下層に、ベース絶縁層２４を挟んで設けられた下部導体２３の表面と、重なるように配置される場合がある。このように開口部２７の端縁２８が、下部導体２３の表面と重なるように配置されれば、その重なっている部分では、金属支持基板２２と下部導体２３との密着性が低いので、回路付サスペンション基板２１の折り曲げ時などに、開口部２７の端縁２８において、金属支持基板２２が金属箔２３から剥離するという不具合がある。
【０００５】
本発明の目的は、簡易な構成により、金属支持基板に形成される開口部の端縁において、金属支持基板の密着性を向上させることにより、金属支持基板の剥離を防止することのできる回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、４つの配線を有する導体パターンと、前記絶縁層内に埋設される金属箔とを備え、前記金属支持基板には、前記導体パターンと対向する開口部が形成されており、前記金属箔は、少なくとも一部が、前記開口部内に前記導体パターンと対向するように配置されており、前記開口部の端縁と重ならないように、前記絶縁層から露出されており、前記金属支持基板における前記開口部の端縁の少なくとも一部が、前記絶縁層に直接接触していることを特徴としている。
【０００７】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、金属箔は、少なくとも一部が、開口部内に配置され、開口部の端縁と重ならないように、絶縁層から露出されており、金属支持基板における開口部の端縁の少なくとも一部が、絶縁層に直接接触している。そのため、金属支持基板における開口部の端縁の密着性を向上させることができる。その結果、簡易な構成により、導体パターンの特性インピーダンスの調整や伝送損失の低減を図りつつ、金属支持基板の剥離を有効に防止することができる。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属箔は、前記開口部内に配置される第１金属箔部分と、前記金属支持基板における前記開口部の端縁と前記絶縁層との接触部分を挟むように、前記第１金属箔部分と間隔を隔てて配置され、前記金属支持基板と対向する第２金属箔部分とを備えていることが好適である。
本発明の回路付サスペンション基板によれば、金属箔は、開口部内に配置される第１金属箔部分と、金属支持基板における開口部の端縁と絶縁層との接触部分を挟むように、第１金属箔部分と間隔を隔てて配置され、金属支持基板と対向する第２金属箔部分とを備えている。そのため、金属支持基板における開口部の端縁の密着性を向上させながら、金属箔の設置面積を十分に確保することができる。その結果、簡易な構成により、導体パターンの伝送損失の低減をより一層図ることができる。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属支持基板と前記第２金属箔部分との間には、金属薄膜が介在されていることが好適である。
本発明の回路付サスペンション基板によれば、簡易な層構成により、金属支持基板と第２金属箔部分との密着性を向上させることができる。そのため、金属支持基板の剥離をより一層有効に防止することができる。
【００１０】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属支持基板が、ステンレスからなり、前記金属箔が、銅または銅合金からなり、前記絶縁層が、ポリイミドからなることが好適である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の回路付サスペンション基板によれば、金属支持基板における開口部の端縁の密着性を向上させることができる。その結果、簡易な構成により、導体パターンの特性インピーダンスの調整や伝送損失の低減を図りつつ、金属支持基板の剥離を有効に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態の要部断面図、図２は、その要部底面図を示す。なお、図１は、図２のＡ−Ａ’線における断面図対応する。また、図１および図２において、後述する保護薄膜１７（図３（ｉ）参照）は、省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン５と、ベース絶縁層３内に埋設される金属箔６とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１には、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層３の上にカバー絶縁層４が形成されている。
【００１３】
金属支持基板２は、図２に示すように、長手方向（図２における上下方向。以下、「長手方向」とする。）に延びる平板状をなし、金属箔や金属薄板から形成されている。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
【００１４】
ベース絶縁層３は、図１に示すように、金属箔６を埋設し、金属支持基板２の上に形成されている。ベース絶縁層３を形成する絶縁体としては、回路付サスペンション基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、ポリイミドが好ましく用いられ、感光性のポリイミドがさらに好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１５μｍであり、好ましくは、８〜１０μｍである。
【００１５】
導体パターン５は、図１および図２に示すように、ベース絶縁層３の上に、互いに間隔を隔てて長手方向に沿って平行に配置される複数の配線（幅方向（長手方向に直交する方向、以下同じ。）最外側に配置される２つの配線５ａおよび５ｄと、その２つの配線５ａおよび５ｄの内側にそれぞれ配置される２つの配線５ｂおよび５ｃ）からなる配線回路パターンとして形成されている。導体パターン５を形成する導体としては、回路付サスペンション基板の導体として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍであり、各配線の幅（幅方向の長さ）の長さは、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍであり、各配線間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。
【００１６】
金属箔６は、図１に示すように、ベース絶縁層３の下面（金属支持基板２との接触面）に、後述する金属薄膜１１を介して面するように、ベース絶縁層３内に埋設されている。金属箔６を形成する金属としては、例えば、クロム、銅、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またそれらの酸化物などが用いられる。これらのうち、銅または銅合金が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、２〜５μｍであり、好ましくは、２〜４μｍである。
【００１７】
金属箔６は、第１金属箔部分９と、第２金属箔部分１０とを備えるパターンとして形成されている。
第１金属箔部分９は、図２に示すように、第２金属箔部分１０と隙間Ｓ１を隔てて、第２金属箔部分１０内に形成されている。この第１金属箔部分９は、導体パターン５の長手方向途中と対向するように設けられ、後述する開口部７よりもやや小さな底面視矩形状に形成されている。
【００１８】
この第１金属箔部分９は、その幅（幅方向の長さ）が、幅方向最外側に配置される配線５ａおよび５ｄの外側端縁の間の長さに相当する長さで形成され、その長さ（長手方向の長さ）が、所望の長さで、形成されている。
より具体的には、この第１金属箔部分９は、その幅が、例えば、０．０５〜１０ｍｍ、好ましくは、０．１〜２ｍｍで形成され、その長さが、例えば、０．０５〜１０ｍｍ、好ましくは、０．１〜２ｍｍで形成されている。
【００１９】
第２金属箔部分１０は、第１金属箔部分９を、隙間Ｓ１を隔てて囲み、導体パターン５の長手方向途中と対向するように設けられている。
この第２金属箔部分１０は、その幅が、配線５ａおよび５ｄの外側端縁の間の長さよりも幅広く、かつ、金属支持基板２よりも幅狭い長さで形成され、その長さが、第１金属箔部分９よりも長い所望の長さで、形成されている。
【００２０】
なお、第１金属箔部分９と第２金属箔部分１０との間に設けられる隙間Ｓ１は、底面視矩形枠状をなし、幅方向に沿う隙間Ｓ１の開口幅は、例えば、２０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜５０μｍであり、長手方向に沿う隙間Ｓ１の開口幅は、例えば、２０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜５０μｍである。
また、金属箔６の下面には、図１に示すように、金属薄膜１１が形成されている。
【００２１】
金属薄膜１１は、第２金属箔部分１０の下面においては、金属支持基板２との間に介在されるように形成され、第１金属箔部分９の下面においては、後述する開口部７から露出するように形成されている。金属薄膜１１を形成する金属としては、例えば、上記した金属箔６と同様の金属が用いられ、好ましくは、銅やクロムが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００２２】
金属薄膜１１は、特に、第２金属箔部分１０の下面においては、金属支持基板２と第２金属箔部分１０との密着性を考慮して、例えば、金属支持基板２の表面と接触するように、金属支持基板２との密着性の高い金属からなる第１の金属薄膜１１と、金属箔部分１０の表面と接触するように、第２金属箔部分１０との密着力の高い金属からなる第２の金属薄膜１１とを積層するなど、多層で形成することもできる。
【００２３】
カバー絶縁層４は、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されている。カバー絶縁層４を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜１０μｍ、好ましくは、４〜５μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１には、金属支持基板２に、開口部７が形成されている。
【００２４】
開口部７は、図２に示すように、導体パターン５の長手方向途中と対向し、その開口端縁８が第１金属箔部分９と第２金属箔部分１０との間の隙間Ｓ１に配置されるように、第１金属箔部分９よりもやや大きな底面視矩形状に形成されている。これによって、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８は、図１に示すように、ベース絶縁層３の下面に直接接触している。また、第１金属箔部分９は、開口部７内に配置され、開口部７の開口端縁８と重ならないようにベース絶縁層３から露出される。また、第２金属箔部分１０は、開口部７の開口端縁８とベース絶縁層３との接触部分を挟むように、第１金属箔部分９と隙間Ｓ１を隔てて配置され、金属支持基板２と対向配置される。
【００２５】
なお、隙間Ｓ１における開口部７の開口端縁８と第１金属箔部分９の端縁との間の間隔Ｓ２は、幅方向において、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍであり、長手方向において、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。また、隙間Ｓ１における開口部７の開口端縁８と第２金属箔部分１０の端縁との間の間隔Ｓ３は、幅方向において、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍであり、長手方向において、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１５〜３０μｍである。
【００２６】
そして、このような回路付サスペンション基板１は、例えば、図３に示す方法によって製造することができる。
まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意し、その金属支持基板２の表面全面に、スパッタリングまたは電解めっきにより、金属薄膜１１を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、めっきレジスト１６を上記した金属箔６の反転パターンで形成する。めっきレジスト１６の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いて露光および現像する、公知の方法が用いられる。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、めっきレジスト１６から露出する金属薄膜１１の表面に、金属箔６を、上記した第１金属箔部分９および第２金属箔部分１０が形成されるパターンとして、形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、めっきレジスト１６およびめっきレジスト１６が形成されていた部分の金属薄膜１１を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
【００２８】
次に、図３（ｅ）に示すように、金属箔６および金属薄膜１１の表面（金属箔６の上面および側面と、金属薄膜１１の側面との各面）に保護薄膜１７を形成する。保護薄膜１７の形成は、例えば、スパッタリングまたはめっきなどの公知の方法が用いられ、好ましくは、無電解めっきが用いられる。保護薄膜１７を形成する金属としては、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またそれらの酸化物などが用いられる。これらのうち、ニッケルまたはニッケル合金が好ましく用いられる。また、保護薄膜１７の厚みは、例えば、０．０５〜０．２μｍである。この保護薄膜１７は、金属箔６および金属薄膜１１とベース絶縁層３との密着性を向上させ、金属箔６および金属薄膜１１を形成する金属が、ベース絶縁層３の内方へ拡散することを防止する。
【００２９】
なお、無電解めっきによる保護薄膜１７の形成においては、金属支持基板２の表面が不動態化されるので、保護薄膜１７は、金属箔６から露出する金属支持基板２の表面には形成されず、金属箔６および金属薄膜１１の表面（金属箔６の上面および側面と、金属薄膜１１の側面との各面）に選択的に形成される。
次に、図３（ｆ）に示すように、金属箔６、金属薄膜１１および保護薄膜１７を被覆するように、金属支持基板２の上に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、ベース絶縁層３を形成する。なお、ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂を露光および現像することにより、パターンとして、形成することもできる。さらに、ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属箔６、金属薄膜１１および保護薄膜１７を被覆するように、金属支持基板２の上に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
【００３０】
次に、図３（ｇ）に示すように、導体パターン５を、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により、上記した配線回路パターンとして形成する。
例えば、アディティブ法により、導体パターン５を形成する場合には、まず、ベース絶縁層３の表面全面に、例えば、真空成膜法やスパッタリング法などにより、下地となる導体薄膜を形成し、その導体薄膜の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像し、導体パターン５の反転パターンでめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、導体パターン５を形成し、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の導体薄膜をエッチングまたは剥離などにより除去する。なお、めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、電解銅めっきがさらに好ましく用いられる。
【００３１】
また、例えば、サブトラクティブ法により、導体パターン５を形成する場合には、まず、ベース絶縁層３の表面全面に、導体層を形成する。導体層を形成するには、特に制限されず、例えば、ベース絶縁層３の表面全面に、公知の接着剤層を介して、導体層を貼着する。次いで、その導体層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像し、導体パターン５と同一のパターンでエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体層を化学エッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去する。
【００３２】
次いで、図３（ｈ）に示すように、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、カバー絶縁層４を形成する。なお、カバー絶縁層４は、感光性の合成樹脂を露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層４の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
【００３３】
次いで、図３（ｉ）に示すように、金属支持基板２に、エッチングなどの公知の方法により、上記した開口部７を形成する。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、図１および図２に示すように、第１金属箔部分９が、開口部７内に配置され、開口部７の開口端縁８と重ならないように、ベース絶縁層３から露出されており、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８が、ベース絶縁層３に直接接触している。そのため、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８の密着性を向上させることができる。その結果、簡易な構成により、導体パターン５の特性インピーダンスの調整や伝送損失の低減を図りつつ、金属支持基板２の剥離を有効に防止することができる。
【００３４】
また、この回路付サスペンション基板１では、金属箔６が、開口部７内に配置される第１金属箔部分９と、金属支持基板２と対向する第２金属箔部分１０とを備えている。そのため、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８の密着性を向上させながら、金属箔６の設置面積を十分に確保することができる。その結果、簡易な構成により、導体パターン５の伝送損失の低減をより一層図ることができる。
【００３５】
また、この回路付サスペンション基板１では、金属支持基板２と第２金属箔部分１０との間には、金属薄膜１１が介在されており、簡易な層構成により、金属支持基板２と第２金属箔部分１０との密着性を向上させることができる。そのため、金属支持基板２の剥離をより一層有効に防止することができる。
なお、上記した回路付サスペンション基板１では、金属箔６を、第１金属箔部分９と第２金属箔部分１０とを備えるパターンとして形成したが、図４および図５に示すように、金属箔６を、第２金属箔部分１０を備えずに、第１金属箔部分９のみからなるパターンとして形成してもよい。金属箔６を第１金属箔部分９のみから形成しても、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８を、ベース絶縁層３に直接接触させることができる。そのため、金属支持基板２における開口部７の開口端縁８の密着性を向上させることができる。その結果、簡易な構成により、導体パターン５の特性インピーダンスの調整や伝送損失の低減を図りつつ、金属支持基板２の剥離を有効に防止することができる。
【００３６】
なお、図４および図５において、図１および図２と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、上記した保護薄膜１７（図３（ｉ）参照）は、省略されている。
また、上記の説明においては、開口部７を底面視矩形状に形成したが、開口部７の形状は特に制限されず、底面視円形状などであってもよい。
【実施例】
【００３７】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らこれら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
金属支持基板として、厚み２５μｍのステンレス基板の上に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した（図３（ａ）参照）。次いで、金属箔の反転パターンでめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した（図３（ｂ）参照）。次いで、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、金属箔として、厚み４．０μｍの銅箔を、硫酸銅水溶液を用いて電解銅めっきにより形成した（図３（ｃ）参照）。なお、この銅箔は、第１金属箔部分としての第１銅箔部分と、第２金属箔部分としての第２銅箔部分とを備えるパターンとして形成した（図２参照）。次いで、めっきレジストを、水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離により除去した後、めっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜をエッチングにより除去し（図３（ｄ）参照）、金属箔および金属薄膜の表面（金属箔の上面および側面と、金属薄膜の側面との各面）に、保護薄膜として、厚み０．１μｍのニッケル薄膜を無電解めっきにより形成した（図３（ｅ）参照）。次いで、金属箔、金属薄膜、および、保護薄膜を被覆するように、金属支持基板の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図３（ｆ）参照）。次いで、そのベース絶縁層の表面に、アディティブ法によって、厚み１０μｍの導体パターンを形成した（図３（ｇ）参照）。次いで、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図３（ｈ）参照）。次いで、ステンレス基板に、エッチングにより、開口部を底面視矩形状に形成した（図３（ｉ）、図１、図２参照）。その後、金属支持基板をエッチングにより切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。
【００３８】
なお、得られた回路付サスペンションにおいて、開口部の開口端縁と第１金属箔部分の端縁との間の間隔Ｓ２は、幅方向において、２０μｍであり、長手方向において、２０μｍであった。また、開口部の開口端縁と第２金属箔部分の端縁との間の間隔Ｓ３は、幅方向において、２０μｍであり、長手方向において、２０μｍであった（図２参照）。
得られた回路付サスペンション基板を、開口部で折り曲げても、回路付サスペンション基板は、その開口部において、金属支持基板がベース絶縁層から剥離しなかった。
【００３９】
比較例１
実施例１において、金属箔を、第１金属箔部分と第２金属箔部分との間に隙間Ｓ１を設けることなく第１金属箔部分と第２金属箔部分とが連続するように形成し、かつ、金属支持基板における開口部を、その開口端縁がベース絶縁層に接触せず、金属箔と重なるように形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図６および図７参照）。
【００４０】
なお、図６および図７において、図１および図２と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、上記した保護薄膜１７（図３（ｉ）参照）は、省略されている。
得られた回路付サスペンション基板を、開口部で折り曲げたところ、回路付サスペンション基板は、その開口部において、金属支持基板がベース絶縁層から剥離した。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の要部底面図である。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板の上に、金属薄膜を形成する工程、 （ｂ）は、金属箔の反転パターンで、めっきレジストを形成する工程、 （ｃ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、金属箔を形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を除去する工程、（ｅ）は、金属箔および金属薄膜の表面に保護薄膜を形成する工程、 （ｆ）は、金属箔、金属薄膜および保護薄膜を被覆するように、金属支持基板の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｈ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程、（ｉ）は、金属支持基板に開口部を形成する工程を示す。
【図４】本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態を示す要部断面図である。
【図５】図４に示す回路付サスペンション基板の要部底面図である。
【図６】比較例１の回路付サスペンション基板を示す要部断面図である。
【図７】図６に示す回路付サスペンション基板の要部底面図である。
【図８】従来の回路付サスペンション基板を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１      回路付サスペンション基板
２      金属支持基板
３      ベース絶縁層
５      導体パターン
６      金属箔
７      開口部
８      開口端縁
９      第１金属箔部分
１０    第２金属箔部分
１１    金属薄膜
【図１】
0004640802.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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