(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、
６面体の隣り合う２つの面同士が接する線の箇所を当該線の長さ方向に渡って２つの面が現れるように切り欠いた形状を有する絶縁体と、
前記絶縁体の切り欠いた部分に収められ、当該切り欠いた部分の長さ方向に沿って前記レーザ光が通過するように配置される前記電気光学結晶と、
前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の一方の面に対向する前記電気光学結晶の面の反対側にある電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極と、
前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の前記一方の面に形成された絶縁体上電極と
を有することを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
前記電気光学結晶が前記絶縁体の切り欠いた部分に過不足なく収められるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の電気光学素子。
【請求項３】
前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の他方の面に隣合う前記絶縁体の面に形成された絶縁体上電極と、
この絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極とに渡された導電性材料と
を有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学素子。
【請求項４】
６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、
絶縁体に溝を形成する工程と、
前記溝の底にレジストを加える工程と、
前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、
この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、
前記電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する工程と、
前記電気光学結晶上電極の反対側にある前記電気光学結晶の面を前記絶縁体上電極に対向させる工程と
を有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程であることを特徴とする請求項４記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項６】
６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、
絶縁体に溝を形成する工程と、
前記溝の底の箇所にレジストを加える工程と、
前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、
この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、
前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟む工程と
を有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子およびこれを量産できる製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界による電気光学結晶の光学的性質の変化をレーザ光で検出する電気光学素子を用いることで、微弱な電界の変化を測定することができる。例えば、生体等の表面を伝送経路とする電界通信において、電気光学素子を用いて情報を伝達する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
電界光学素子は、ミリメートルオーダーのサイズで比較的大きなものであることから、手作業によって、直方体の電気光学結晶からリッジを削りだし、この電気光学素子を製造していた。
【０００４】
しかしながら、手作業によって加工した場合には、大量に生産することが困難であるという問題がある。また、加工しようとする電気光学結晶はミリメートルオーダーのサイズで、従来の半導体素子に比べて、パターンが大きいことから、ドライエッチングなどの高価な微細加工技術を用いることなく、低コストで加工することが望ましい。
【０００５】
これらの改善を目的として、作製の再現性、効率化を図るために、ダイシング、劈開技術を用いた手法により、図１７に示すようなリッジ２０を薄型にした小型の電気光学素子の量産が可能となった（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７７７１９号公報
【特許文献２】特開２００７−１８３５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ダイシング、劈開技術を用いて、性能を維持して小型の電気光学素子を効率的に作製しても、台座部分が電気光学結晶で作られており、リッジの部分も電気光学結晶を削り出して製造するため、高価な電気光学結晶を効率的に使用しておらず、コストという観点からは、安価に製造できる見通しが十分ではなかった。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電気光学結晶の体積が少ない電気光学素子およびこれを量産できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項１の本発明は、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、６面体の隣り合う２つの面同士が接する線の箇所を当該線の長さ方向に渡って２つの面が現れるように切り欠いた形状を有する絶縁体と、前記絶縁体の切り欠いた部分に収められ、当該切り欠いた部分の長さ方向に沿って前記レーザ光が通過するように配置される前記電気光学結晶と、前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の一方の面に対向する前記電気光学結晶の面の反対側にある電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極と、前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の前記一方の面に形成された絶縁体上電極とを有することを特徴とする電気光学素子をもって解決手段とする。
【０００９】
請求項２の本発明は、前記電気光学結晶が前記絶縁体の切り欠いた部分に過不足なく収められるように構成されたことを特徴とする請求項１記載の電気光学素子をもって解決手段とする。
【００１０】
請求項３の本発明は、前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の他方の面に隣合う前記絶縁体の面に形成された絶縁体上電極と、この絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極とに渡された導電性材料とを有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学素子をもって解決手段とする。
【００１１】
請求項４の本発明は、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底にレジストを加える工程と、前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、前記電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記電気光学結晶上電極の反対側にある前記電気光学結晶の面を前記絶縁体上電極に対向させる工程とを有することを特徴とする電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【００１２】
請求項５の本発明は、前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程であることを特徴とする請求項４記載の電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【００１３】
請求項６の本発明は、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底の箇所にレジストを加える工程と、前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に形成された絶縁体上電極と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟む工程とを有することを特徴とする電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の電気光学素子によれば、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、６面体の隣り合う２つの面同士が接する線の箇所を当該線の長さ方向に渡って２つの面が現れるように切り欠いた形状を有する絶縁体と、前記絶縁体の切り欠いた部分に収められ、当該切り欠いた部分の長さ方向に沿って前記レーザ光が通過するように配置される前記電気光学結晶と、前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の一方の面に対向する前記電気光学結晶の面の反対側にある電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極と、前記絶縁体の切り欠いた部分に現れている２つの面の前記一方の面に形成された絶縁体上電極とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。
【００１５】
また、電気光学結晶が絶縁体の切り欠いた部分に過不足なく収められるように構成されたことで、リッジがなくなり、よって、リッジの欠損を防止でき、取り扱いの容易な電気光学素子を提供できる。
【００１６】
また、本発明の電気光学素子の製造方法によれば、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、絶縁体に溝を形成する工程と、前記溝の底にレジストを加える工程と、前記溝の一方の内壁面と底を残すようにして前記絶縁体の一部を切り離す工程と、前記溝の一方の内壁面であった面に絶縁体上電極を形成する工程と、この工程において前記レジストの上に付いた絶縁体上電極を前記レジストを除去することにより除去する工程と、前記電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記電気光学結晶上電極の反対側にある前記電気光学結晶の面を前記絶縁体上電極に対向させる工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。
【００１７】
また、溝を複数形成してそれを１つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の電気光学素子およびその製造方法の実施形態を図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。
【００２０】
電気光学素子は、電気光学結晶１と、電気光学結晶１の表裏の一方の面１ａ（電気光学結晶面１ａという）と他方の面１ｂ（電気光学結晶面１ｂという）とにそれぞれ形成された電気光学結晶上電極３、３ａと、絶縁体であって、その絶縁体の角の位置に、電気光学結晶面１ｂに対向する第１面５１（絶縁体面５１という）ならびに電気光学結晶１の１つの端面１ｃ（電気光学結晶面１ｃという）に対向する第２面５２（絶縁体面５２という）を有するもの（絶縁体５という）と、絶縁体面５１に形成された絶縁体上電極７とを有する。
【００２１】
ここでは、電気光学結晶面１ｂに電気光学結晶上電極３ａが形成されているが、これは必須でなく、よって、これを考慮せず、上記のように絶縁体面５１が電気光学結晶面１ｂに対向するというように表現したのである。
【００２２】
また、絶縁体面５２に隣合う絶縁体５の第３面５３（絶縁体面５３という）を含む面内に電気光学結晶面１ａが含まれる。そして、絶縁体面５１に隣合う絶縁体５の第４面５４（絶縁体面５４という）を含む面内に、電気光学結晶面１ｃに対向する端面１ｄ（電気光学結晶面１ｄという）が含まれる。つまり、絶縁体５の角の部分が電気光学結晶１、電気光学結晶上電極３および３ａで構成され、全体として凹凸がない。
【００２３】
絶縁体面５３を含む面内に電気光学結晶面１ａが含まれるか否か、絶縁体面５４を含む面内に電気光学結晶面１ｄが含まれるか否かは、厳密に判断すべきものでなく、全体として凹凸がなければ、かかる条件を満たしていると判断すればよい。
【００２４】
また、絶縁体上電極７は、絶縁体面５１と絶縁体面５４を覆うように形成されている。  絶縁体面５４の上の絶縁体上電極７は、必須でないが、この絶縁体上電極７にリード線などを接続できるあったほうが好ましい。また、製造上でも都合がよい。
【００２５】
また、絶縁体面５３に絶縁体上電極７ａが形成され、絶縁体上電極７ａと電気光学結晶上電極３の間を渡すように銀ペーストなどの導電性材料１５が加えられ、これにより、電極間の導通が図られている。また、電気光学結晶１、電気光学結晶上電極３および３ａが接着剤１６により絶縁体５に固定されている。
【００２６】
例えば、絶縁体５の幅は、例えば、１．５ｍｍである。例えば、電気光学結晶１の幅、高さ、長さはそれぞれ０．２ｍｍ、０．５ｍｍ（または１．０ｍｍ）、７．０ｍｍである。
【００２７】
この電気光学素子では、検出対象の電界変化が生じる場所を挟む一方の場所に電気光学結晶上電極３および絶縁体上電極７ａが電気的に接続され、他方の場所に電気光学結晶上電極３ａおよび絶縁体上電極７が電気的に接続され、これにより、電気光学結晶上電極３、３ａ間に電圧が印加される。すると、電気光学結晶１内の電界強度が電界変化に応じて変化し、電気光学結晶１の光学的特性が変化する。こうした電気光学結晶１の長手方向に垂直な一方の端面から、しかも電界の方向に垂直に入射したレーザ光２１は、光学的特性の変化により変調され、他方の端面から出射する。この変調されたレーザ光を処理することにより、上記の検出対象の電界変化が検出される。
【００２８】
次に、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の製造方法を説明する。
【００２９】
この製造方法は、絶縁体５に溝を形成する第１工程と、溝の底にレジストを加える第２工程と、溝の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体５の一部を切り離す第３工程と、溝の一方の内壁面であった絶縁体面５１とレジストの上に絶縁体上電極７を形成する第４工程と、第４工程においてレジストの上に付いた絶縁体上電極７をレジストを除去することにより除去する第５工程と、電気光学結晶面１ａに電気光学結晶上電極３を形成する第６工程と、絶縁体面５１に形成された絶縁体上電極７に電気光学結晶面１ｂを対向させる第７工程とを有する。
【００３０】
第１工程、第２工程、第３工程、第４工程、第５工程では、図２に示すような矩形平板状の絶縁体５を処理加工していく。
【００３１】
図３（ａ）は、図２の符号１１の部分を示す図であり、図３（ｂ）〜（ｄ）、図４（ａ）、（ｂ）は、その部分の製造過程での変化を示す図である。これら図を参照して行う説明に係る処理加工は、この部分だけでなく、他の部分にも適用される。
【００３２】
第１工程では、まず、図３（ｂ）に示すように、絶縁体３の上において全体的に、金属の電極材料による絶縁体上電極７を形成する。ここでは、スパッタリングで、例えば、ＣｒとＡｕやＣｒとＡｌを蒸着させる。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁体上電極７の上に全体的にレジスト６を塗布するする。こうして、絶縁体上電極７を保護するのである。
【００３４】
次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、０．２２ｍｍ幅のダイシングブレード１３を移動させ、かかるダイシングにより、図４（ａ）に示すように、レジスト６の上から絶縁体上電極７を分割するとともに、絶縁体５に溝９を形成する。図示しないものも含め、こうして形成される複数の溝１は平行であり、ピッチは例えば３．０ｍｍである。
【００３５】
なお、ダイシングに代えて、ワイヤーカット、レーザカット、マイクロドリルを用いてもよい。
【００３６】
続く第２工程では、まず、図４（ｂ）に示すようにレジスト６Ａを溝９に塗布する。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば、０．２２ｍｍ幅のダイシングブレード１３を溝９の長さ方向に移動させ、かかるダイシングにより、図４（ｄ）に示すように、溝９の底の箇所のレジスト６Ａより上の部分のレジスト６Ａを除去する。
【００３８】
続く第３工程では、図４（ｅ）に示すように、ダイシングブレード１３により、溝９の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体５の一部を一方の絶縁体上電極７およびレジスト６Ａとともに切り離す。
【００３９】
実際には、図５に示すように、絶縁体５に絶縁体上電極７（図示せず）とレジスト６Ａ（図示せず）を設けたものを複数得る。例えば、この絶縁体５の幅、高さ、長さは、それぞれ１．５ｍｍ、３．０ｍｍ、７．０ｍｍである。
【００４０】
次に、得られた処理加工後の各絶縁体５を図６に示すように並べる。
【００４１】
続く第４工程では、図７（ａ）に示すように、溝９の一方の内壁面であった絶縁体面５１に絶縁体上電極７を形成する。ここでは、スパッタリングで、例えば、ＣｒとＡｕやＣｒとＡｌを蒸着させる。これに伴い、溝９の底であった絶縁体面５２に付いたレジスト６Ａの上ならびに第３工程で絶縁体５の一部を切り離したときに現れた面である絶縁体面５３の上にも絶縁体上電極７が形成される。絶縁体面５３の上の絶縁体上電極７は、図１など絶縁体上電極７ａと称しているものである。
【００４２】
続く第５工程では、図７（ｂ）に示すレジスト６Ａを融解して除去することにより、絶縁体面５２に付いたレジスト６Ａの上に付いた絶縁体上電極７の部分を、図７（ｂ）に示すように除去し、洗浄する。つまり、除去される絶縁体上電極７の部分が支えを失って除去されるのである。これにより、図８に示すような、絶縁体５を処理加工して絶縁体上電極７、７ａを設けたものが得られる。
【００４３】
第６工程では、まず、例えば、図９（ａ）に示すように、Ａｕの蒸着源１７と、Ｃｕの蒸着源１８とを用いたスパッタリングにより、ＺｎＴｅまたは閃亜鉛鋼型を有する化合物半導体結晶（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅなど）またはシレナイト化合物（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０など）を材料とした平板状の電気光学結晶１の表面全体に金属の電極材料を蒸着させる。蒸着されたものがすなわち電気光学結晶上電極３，３ａである。
【００４４】
このとき、電気光学結晶１を回転させることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。また、低温で蒸着することで一層と効果が増す。
【００４５】
あるいは、図９（ｂ）に示すように、平板状の電気光学結晶１を電解液１９に浸す無電解メッキにより、電気光学結晶１の表面全体に金属の電極材料を付着させる。付着されたものがすなわち電気光学結晶上電極３，３ａである。メッキでは、応力が発生しにくいので、反りや割れを発生しにくくできる。
【００４６】
次に、電気光学結晶１に電気光学結晶上電極３，３ａを形成したものを矩形にカットする。これがさらに分割されて、図１に示す電気光学結晶１に電気光学結晶上電極３，３ａを形成したもの（電気光学結晶部品１Ａという）が得られるのである。
【００４７】
ここでは、まず、図１０に示すように、その分割前の電気光学結晶部品１Ａにおける表裏の一方の面をスクライブ用のヘッドＨでスクライブする。ここでは、同図に示すように、一方の１００面である端面９１に接する複数箇所のそれぞれから端面９１に垂直に少しだけスクライブする。スクライブのピッチは電気光学結晶部品１Ａの長さと同じなので、それは例えば、７．０ｍｍである。また、端面９１に対向する端面（１００面）に接する複数の箇所からも同様にスクライブを行う。
【００４８】
次に、表裏のスクライブしていない面から劈開バー２２により衝撃を与え、これにより、分割前の電気光学結晶部品１Ａをスクライブの位置で劈開する。端面９１とこの端面９１に対向する端面以外の面は１１０面なので、この劈開は容易に行える。電気光学結晶部品１Ａはさらに分割する必要があり、この状態でもまだ途中である。
【００４９】
次に、図１１に示すように、この状態の電気光学結晶部品１Ａの表裏でない端面のうちの互いに対向する端面（ここでは、劈開により現れた端面とこの端面に対向する端面）に反射防止のためのコート（Anti-Reflection Coatといい、以下、略して「ＡＲコート」という）を施す。ＡＲコートを施した端面の一方は、レーザ光の入射面となり、他方はそのレーザ光の出射面となるものである。
【００５０】
次に、図１２に示すように、ＡＲコートを施した端面に垂直に電気光学結晶部品１Ａをダイシングして分割し、または劈開して分割し、図１３に示すような電気光学結晶部品１Ａ、すなわち、電気光学結晶１と電気光学結晶上電極３，３ａとを含むものを複数得る。  なお、ＡＲコートは、途中にでなく、このように複数得られたものに施してもよい。
【００５１】
続く、第７工程では、図１３に示すように、絶縁体面５１に形成された絶縁体上電極７に電気光学結晶面１ｂを対向させる。そして、図１に示すように、導電性材料１５を加え、これにより、電極間の導通を図る。また、接着剤１６を加え、これを紫外線で凝固させ、電気光学結晶部品１Ａを固定する。
【００５２】
なお、上記の説明では、図１に示すように、絶縁体面５４を含む面内に電気光学結晶面１ｄを含めたが、図１４に示すように、絶縁体面５４を含む面内に電気光学結晶面１ｄを含めなくてもよい。また、上記の説明では、図１に示すように、絶縁体面５３を含む面内に電気光学結晶面１ａを含めたが、絶縁体面５３を含む面内に電気光学結晶面１ａを含めなくてもよい。つまり、電気光学結晶１は、図１に示すものより大きいものであってもよく、また、小さいものであってもよい。
【００５３】
なお、このような電気光学素子の製造方法は、上記の製造方法と同様なので、重複説明および製造過程の図示を省略する。
【００５４】
また、上記の第６工程、第７工程に代えて、絶縁体面５１に形成された絶縁体上電極７と予め用意した他の電極とで予め用意した電気光学結晶を挟んでもよい。
【００５５】
詳しくは、図１５（ａ）に示すように、絶縁体５に絶縁体上電極７を形成し、絶縁体面５３に突出部５３１を設けたものと、絶縁体３０に電極３１と溝３２を設けたものとを用意する。
【００５６】
また、図１５（ｂ）に示すように、上記の製造方法と同様に製造した電気光学結晶１を用意する。
【００５７】
そして、図１５（ｃ）に示すように、絶縁体上電極７と電極３１とで電気光学結晶１を挟む。このとき、溝３２に突出部５３１を挿入することで、絶縁体５と絶縁体３０とが互いにずれないようし、接着剤１６により固定する。
【００５８】
次に、この電気光学素子の利用例を図１６の模式図を用いて説明する。電界検出光学装置１１０は、レーザー光と電気光学素子１００を用いた電気光学的手法により電界を検出するものであり、レーザダイオード１２１、フォトダイオード１４３ａ、１４３ｂおよび電気光学素子１００を有する。電気光学素子１００の電極３０ａ、３０ｂはそれぞれ、上記の説明における電気光学結晶１を挟む一方の電極、他方の電極であり、信号電極１２９、グランド電極１３１にそれぞれ接続されている。また、電気光学素子１００の両端には、第一波長板１３５と第二波長板１３７が接続されている。電気光学素子１００とレーザダイオード１２１の間には、コリメートレンズ１３３を有し、電気光学素子１００とフォトダイオード１４３ａ、１４３ｂの間には、偏光ビームスプリッタ１３９、集光レンズ１４１ａ、１４１ｂを有する。
【００５９】
レーザダイオード１２１から出力されるレーザー光は、コリメートレンズ１３３、第一波長板１３５を介して電気光学素子１００の電気光学結晶に入射する。入射したレーザー光は、信号電極１２９からの電界によって変調し、放射される。
【００６０】
電気光学素子１００から放射されたレーザー光は、第二波長板１３７を介し、偏光ビームスプリッタ１３９によってＰ波成分およびＳ波成分に分離され、集光レンズ１４１ａ、１４１ｂで集光されてから、フォトダイオード１４３ａ、１４３ｂにおいて電気信号に変換される。
【００６１】
したがって、本実施形態に係る電気光学素子によれば、電気光学結晶１と、電気光学結晶１の表裏の一方の面（１ａ）に形成された電気光学結晶上電極３と、絶縁体５すなわち角の位置に電気光学結晶１の表裏の他方の面（１ｂ）に対向する第１面（５１）ならびに電気光学結晶１の１つの端面（１ｃ）に対向する第２面（５２）を有するもの（５）と、第１面（５１）に形成された絶縁体上電極７とを有することで、電気光学結晶１としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。
【００６２】
また、第２面（５１）に隣合う第３面（５３）を含む面内に一方の面（１ａ）が含まれ、第１面（５１）に隣合う第４面（５４）を含む面内に端面（１ｃ）に対向する端面（１ｄ）が含まれることで、リッジがなくなり、よって、リッジの欠損を防止でき、取り扱いの容易な電気光学素子を提供できる。
【００６３】
また、第２面（５２）に隣合う第３面（５３）に形成された絶縁体上電極７ａと、この絶縁体上電極７ａと電気光学結晶上電極３とに渡された導電性材料１５とを有することで、これらの電極間の抵抗を小さくなり、正確な検出が行える。
【００６４】
また、本実施形態に係る電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体５に溝９を形成する工程と、溝９の底にレジスト６Ａをコートする工程と、溝９の一方の内壁面と底を残すようにして絶縁体５の一部を切り離す工程と、溝９の一方の内壁面であった面（５１）に絶縁体上電極７を形成する工程と、この工程において溝９の底のレジスト６Ａの上に付いた絶縁体上電極７をレジスト６Ａを除去することにより除去する工程と、電気光学結晶１の表裏の一方の面に電気光学結晶上電極３を形成する工程と、溝９の一方の内壁面であった面（５１）に形成された絶縁体上電極７に電気光学結晶１の表裏の他の方の面（１ｂ）を対向させる工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。
【００６５】
また、溝を複数形成してそれを１つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。
【００６６】
また、電気光学結晶上電極３を設ける工程は、電気光学結晶１を回転させながら電気光学結晶上電極３を蒸着により設ける工程であることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。
【００６７】
また、他の電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体５に溝９を形成する工程と、溝９の底にレジスト６Ａをコートする工程と、溝９の底の幅方向における一方の端部または該端部に至るまでの底の位置で絶縁体５の一部を切り離す工程と、溝９の一方の内壁面であった面（５１）に絶縁体上電極７を形成する工程と、この工程において溝９の底のレジスト６Ａの上に付いた絶縁体上電極７をレジスト６Ａを除去することにより除去する工程と、溝９の一方の内壁面であった面（５１）に形成された絶縁体上電極７と予め用意した他の電極３１とで予め用意した電気光学結晶１を挟む工程とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、高価な電気光学結晶を効率的に使用でき、コストを低減できる。
【００６８】
また、溝を複数形成してそれを１つの溝を含む単位に分割し、また、電気光学結晶も同様に削り出し加工などせずに分割することで、一度に多くの電気光学素子を作製することができ、低コストで大量生産が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。
【図２】電気光学素子で使用される絶縁体の斜視図である。
【図３】絶縁体の加工処理の過程の一部での１部分の変化の様子を示す正面図である。
【図４】絶縁体の加工処理の残りの過程での１部分の変化の様子を示す正面図である。
【図５】分割により処理加工途中の絶縁体を複数得るときの様子を示す斜視図である。
【図６】複数の絶縁体を継続して処理加工するときの様子を示す斜視図である。
【図７】継続して処理加工される１つの絶縁体の変化の様子を示す正面図である。
【図８】処理加工を終えた絶縁体の斜視図である。
【図９】電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する様子を示す斜視図である。
【図１０】分割前の電気光学結晶部品が分割される様子を示す斜視図である。
【図１１】電気光学結晶部品にＡＲコートを施す様子を示す斜視図である。
【図１２】ダイシングされた電気光学結晶部品の斜視図である。
【図１３】絶縁体に電気光学結晶部品を組み合わせる様子を示す斜視図である。
【図１４】変形例に係る電気光学素子の斜視図である。
【図１５】他の変形例に係る電気光学素子の斜視図である。
【図１６】電気光学素子の利用例を示す模式図である。
【図１７】従来の電気光学素子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１…電気光学結晶
１Ａ…電気光学結晶部品
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ…電気光学結晶面
３、３０…絶縁体
３，３ａ…電気光学結晶上電極
５…絶縁体
６…レジスト
６Ａ…レジスト
７、７ａ…絶縁体上電極
９、３２…溝
１５…導電性材料
１６…接着剤
１７、１８…蒸着源
１９…電解液
２０…リッジ
２１…レーザ光
２２…劈開バー
３０…絶縁体
３０ａ、３０ｂ、３１…電極
５１…絶縁体５の第１面（絶縁体面）
５２…絶縁体５の第２面（絶縁体面）
５３…絶縁体５の第３面（絶縁体面）
５４…絶縁体５の第４面（絶縁体面）
９１…電気光学結晶の１００面
１００…電気光学素子
１１０…電界検出光学装置
１２１…レーザダイオード
１２９…信号電極
１３１…グランド電極
１３３…コリメートレンズ
１３５…第一波長板
１３７…第二波長板
１３９…偏光ビームスプリッタ
１４１ａ…集光レンズ
１４３ａ…フォトダイオード
５３１…突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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