(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクに用いて前記化合物半導体層をエッチングする工程または前記化合物半導体層に不純物を導入する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングする工程は、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングして半導体発光装置のリッジ部を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜上に前記窒化シリコン膜よりも緻密な保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜の屈折率が２．０以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記窒化シリコン膜のみまたは前記窒化シリコン膜と前記保護膜との積層体をマスクに、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングし半導体発光装置のリッジ部を形成する工程を有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記リッジ部上の前記マスクの少なくとも一部を除去し、コンタクト電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項２または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２の流量比が３〜１０：５〜１０：１０００およびＲＦ周波数が２ＭＨｚ以上の条件により形成されることを特徴とする請求項１または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記Ｇａを含む化合物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰのいずれかであることを特徴とする請求項１または３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体層上に窒化シリコン膜を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば光通信等や光記憶媒体装置の分野において、光を発光する半導体レーザや発光ダイオード（ＬＥＤ）等の半導体発光装置、または光を受光するフォトダイオード等の半導体受光装置である光半導体装置が用いられている。例えば、特許文献１には、光半導体装置としてリッジ型ストライプ構造を有する半導体レーザが開示されている。半導体レーザにおいては、レーザ発光する層である活性層が、例えばｎ型半導体層およびｐ型半導体層に挟まれており、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に電流を流すことにより、レーザ光を発光させる。また、フォトダイオードにおいては、例えばｎ型半導体層およびｐ型半導体層に挟まれた受光層に照射された光により励起されたキャリアによるｎ型半導体層とｐ型半導体層との間を流れる電流を検知することにより、光を検知する。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３１７５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置においては、化合物半導体層内の導電層であるｎ型半導体層またはｐ型半導体層と電極との接触抵抗等の導電層の抵抗の低減が求められている。また、化合物半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流の抑制が求められている。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または、化合物半導体層と絶縁膜との間のリーク電流の抑制を行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜をマスクに用いて前記化合物半導体層をエッチングする工程または前記化合物半導体層に不純物を導入する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または化合物半導体層の窒化シリコン膜との界面のリーク電流の抑制が可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【０００８】
上記構成において、前記エッチングする工程は、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングして半導体発光装置のリッジ部を形成する工程である構成とすることができる。この構成によれば、素子抵抗が小さいリッジ部を有する半導体発光装置を製造することができる。
【０００９】
本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜上に前記窒化シリコン膜よりも緻密な保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または化合物半導体層の窒化シリコン膜との界面のリーク電流の抑制が可能でかつ耐湿性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００１０】
上記構成において、前記保護膜の屈折率が２．０以上である構成とすることができる。この構成によれば、耐湿性をより向上させることができる。
【００１１】
上記構成において、前記窒化シリコン膜のみまたは前記窒化シリコン膜と前記保護膜との積層体をマスクに、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングし半導体発光装置のリッジ部を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、素子抵抗が小さいリッジ部を有する半導体発光装置を製造することができる。
【００１２】
上記構成において、前記リッジ部上の前記マスクの少なくとも一部を除去し、コンタクト電極を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、コンタクト電極と化合物半導体層との接触抵抗が小さいリッジ部を有する半導体発光装置を製造することができる。
【００１３】
上記構成において、前記窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２の流量比が３〜１０：５〜１０：１０００およびＲＦ周波数が２ＭＨｚ以上の条件により形成される構成とすることができる。この構成によれば、屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成することができる。
【００１４】
上記構成において、前記Ｇａを含む化合物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰのいずれかである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または、化合物半導体層と絶縁膜との間のリーク電流の抑制を行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照に本発明に係る実施例について説明する。
【実施例１】
【００２２】
実施例１は発振波長が６６０ｎｍでありリッジ部を有する半導体レーザの例である。図１は実施例１に係る半導体レーザの斜視図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。図１、図２（ａ）および図２（ｂ）を参照に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に化合物半導体層２０としてｎ型クラッド層１２、活性層１４、ｐ型クラッド層１６およびｐ型コンタクト層１８が設けられている。
【００２３】
図２（ａ）を参照に、ｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６の一部が除去され窪み部３７が設けられ、窪み部３７の間にｐ型クラッド層１６の一部およびｐ型コンタクト層１８からなるリッジ部３６が設けられている。つまり、化合物半導体層２０はリッジ部３６を有する。ｐ型グラット層１６上およびリッジ部３６の側面および上面には屈折率が１．８５以下の窒化シリコン層とその上にこの窒化シリコン膜より緻密な保護膜である窒化シリコン膜との積層体である窒化シリコン膜２６が接して設けられている。窒化シリコン膜２６はリッジ部３６の最上層の少なくとも一部接して設けられており、窒化シリコン膜２６のｐ型コンタクト層１８上には開口部３８が設けられている。窒化シリコン膜２６および開口部３８には電極３２が設けられている。電極３２は開口部３８を介しｐ型コンタクト層１８とオーミック接触している。図２（ａ）および図２（ｂ）を参照に、化合物半導体層２０のＢ−Ｂ方向の端部には拡散領域３０が設けられている。
【００２４】
図２（ａ）を参照に、活性層１４は屈折率の低いｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１６に挟まれているため、化合物半導体層２０を伝搬する光は、活性層１４近傍に閉じ込められる。一方、リッジ部３６下の活性層１４近傍を伝搬する光に対する等価屈折率は、リッジ部３６両側の窪み部３７下の活性層１４近傍を伝搬する光に対する等価屈折率より大きい。このため、活性層１４近傍を伝搬する光はリッジ部３６下の活性層１４近傍に閉じ込められる。活性層１４近傍を伝搬する光を閉じ込める部分を導波路３４という。また、リッジ部３６は導波路３４を形成するための化合物半導体層２０に形成された凸部である。電極３２と基板１０との間に電流を流すことにより、活性層１４で発光した光は、前述のように導波路３４に閉じ込められる。図２（ｂ）を参照に、導波路３４内の光は化合物半導体層２０の両側の端面２７および２８で反射される。このようにして、導波路３４内で誘導放出された光はレーザ光として、端面２７から出力光として出射される。
【００２５】
図３（ａ）から図５（ｃ）を用い、実施例１に係る半導体レーザの製造方法について説明する。図３（ａ）から図３（ｃ）、図４（ａ）並びに図４（ｃ）から図５（ｃ）は図２のＡ−Ａ断面に相当する断面図である。図３（ｄ）および図４（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面に相当する断面図である。
【００２６】
図３（ａ）を参照に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０上に、ＭＯＣＶＤ法を用い、化合物半導体層２０として、ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型グリット層１２、ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰのＭＱＷ（多重量子井戸）からなる活性層１４、ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型クラッド層１６およびＧａＡｓ層からなるＺｎをドープしたｐ型コンタクト層１８を成長する。つまり化合物半導体層２０は最上層に導電層であるｐ型コンタクト層１８を形成する。
【００２７】
図３（ｂ）を参照に、ｐ型コンタクト層１８上に接して窒化シリコン膜２２を、例えばプラズマＣＶＤ法を用い形成する。つまり、導電層であるｐ型コンタクト層１８に接するように窒化シリコン膜２２を形成する。このときの窒化シリコン膜２２の成膜条件は、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２の流量比が３：７：１０００、真空度が９００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ周波数が１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーが５０Ｗ、基板温度が３００℃である。なお、窒化シリコン膜の屈折率を低下させる方法としては、ＲＦパワーを高くする、ＮＨ３のガス流量比を上げる等がある。屈折率が１．８５以下の同様の窒化シリコン膜を形成するためには、例えば、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２の流量比を３〜１０：５〜１０：１０００、真空度を８００〜１０００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを５０〜１００Ｗ、基板温度を３００〜３５０℃とすることができる。
【００２８】
図３（ｃ）および図３（ｄ）を参照に、窒化シリコン膜２２上に拡散領域を形成すべき開口部を有するフォトレジスト４２を形成する。フォトレジスト４２をマスクに窒化シリコン膜２２を除去する。フォトレジスト４２を全面除去した後、および窒化シリコン膜２２をマスクに化合物半導体層２０内にＺｎ等を拡散させた拡散領域３０を形成する。
【００２９】
図４（ａ）および図４（ｂ）を参照に、窒化シリコン膜２２を除去する。以上により化合物半導体層２０のＢ−Ｂ方向（出力光の出射する方向）の端部に拡散領域３０が形成される。図４（ｃ）を参照に、ｐ型コンタクト層１８上に接するように窒化シリコン膜２４を形成する。窒化シリコン膜２４は窒化シリコン膜２２と同じ成膜条件で形成する。なお、窒化シリコン膜２４は、窒化シリコン膜２２と同じ成膜条件で形成した窒化シリコン膜とこの窒化シリコン膜より緻密な窒化シリコン膜との積層体としてもよい。窒化シリコン膜２４上に、窪み部３７を形成するためのフォトレジスト４４を形成する。図４（ｄ）を参照に、フォトレジスト４４をマスクに窒化シリコン膜２４を除去する。
【００３０】
図５（ａ）を参照に、フォトレジスト４４を除去する。窒化シリコン膜２４をマスクにｐ型クラッド層１６に達するようにｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６の一部を除去する。これにより、化合物半導体層２０に窪み部３７と、窪み部３７に挟まれたリッジ部３６が形成される。言い換えれば、窒化シリコン膜２４をマスクに、マスク以外の領域に露出した化合物半導体層２０の一部であるｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６の一部をエッチングし、リッジ部３６を形成している。なお、図５（ｂ）を参照に、ｐ型クラッド層１６の表面、リッジ部３６の側面およびｐ型コンタクト層１８の表面に接するように窒化シリコン膜２６を形成する。つまり、リッジ部３６の最上層の少なくとも一部に窒化シリコン膜を形成する。窒化シリコン膜２６は、窒化シリコン膜２２と同じ成膜条件で形成した下層と、保護膜との２層構造である。保護膜は窒化シリコン膜２６より緻密な膜であり、屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜である。図５（ｃ）を参照に、窒化シリコン膜２６上にフォトレジスト４６を形成する。フォトレジスト４６のリッジ部３６の上面に開口部を設ける。フォトレジスト４６をマスクに窒化シリコン膜２６をエッチングする。フォトレジスト４６を除去し、蒸着法またはスパッタ法を用い電極３２（コンタクト電極）をＴｉ、Ｍｏ、Ａｕを順に形成する。言い換えれば、リッジ部３６上の窒化シリコン膜２６を除去し、電極３２を形成している。図５（ｂ）において、窒化シリコン膜２６の全部または一部を残し、電極３２を窒化シリコン膜２６の一部を除去し形成してもよい。以上により実施例１に係る半導体レーザが完成する。
【００３１】
半導体レーザにおいては、例えば７０℃以上の高温あるいは２５０ｍＷ以上の高出力動作させた場合、特許文献１の図３のように光出力−電流特性にキンクが発生することがある。このようなキンクの１つの原因として、導波路３４内の温度上昇が考えられる。導波路３４内の温度の上昇により導波路３４と他の領域の間の屈折率の差が大きくなる。このため導光路３４での光閉じ込めが強くなるが、より光密度の高い導光路３４の中心部で誘導放出によって、注入キャリア密度の増加が抑えられる。よって、周囲よりキャリア密度が相対的に低下する現象が現れる。このため、端面の発光パターンが横方向にシフトしたり、光出力強度のピークが複数に分離し、光出力−電流特性におけるキンクが発生する。導波路３４の温度上昇の一因として電極３２と基板１０との間の素子抵抗が考えられる。素子抵抗が高いと、高出力時には導波路３４の温度が上昇してしまう。
【００３２】
図６は導波路３４の長さ、つまりリッジ部３６の長さが２０００μｍ、リッジ部３６の幅が２μｍのときの、電極３２と基板１０との間の素子抵抗と窒化シリコン膜２２、２４および２６の屈折率との関係を示した図である。ここで、酸化シリコン膜はＳｉＨ４とＯ２の流量比を１：５〜１２で成膜した膜である。屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜は、ＲＦ周波数が１３．５６ＭＨｚ、ガス流量比がＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２＝３〜１０：５〜１０：１０００の条件でプラズマＣＶＤ法を用い成膜した膜である。屈折率が２．３以上の窒化シリコン膜は、ＲＦ周波数が３７５ｋＨｚ、ガス流量比がＳｉＨ４：Ｎ２＝１：３０でプラズマＣＶＤ法を用い成膜した膜である。図６のように、窒化シリコン膜２２、２４および２６の屈折率が小さくなると素子抵抗は小さくなる。
【００３３】
一般的には屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜が用いられる。これは、屈折率が２．０以上の場合には、緻密な膜が形成され耐湿性に優れている。よって、保護膜として使用するのに適しているためである。例えば、図５（ａ）のようなエッチングマスク、図３（ｄ）のような拡散マスク等の選択処理マスクにおいても、屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜が用いられる。保護膜として屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜を使用した場合、選択処理マスクにおいても同じ条件の窒化シリコン膜を用いれば、製造工程において、複数の条件を成膜する必要がなく有利なためである。
【００３４】
しかしながら、発明者は、下記のような知見により、屈折率１．８５以下の窒化シリコン膜を用いた。図６のように、窒化シリコン膜２２、２４および２６の屈折率が小さくなると素子抵抗が小さくなる原因としては以下が考えられる。屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜が例えばＧａＡｓ層上に形成されると、ＧａＡｓ層中のＧａが窒化シリコン膜に拡散し、ＧａＡｓ層中にＧａ空孔が生成する。Ｇａ空孔のような点欠陥はｎ型不純物準位となるため、ｐ型キャリアを保障することでキャリア密度が低下し、結果として素子抵抗が高くなる。一方、窒化シリコン膜２２、２４および２６の屈折率が小さくなると、窒化シリコン膜へのＧａＡｓ層中のＧａの拡散が抑制される。このため、ＧａＡｓ層中の点欠陥は減少し、ｐ型キャリアの補償が低減することから、結果として素子抵抗は低くなる。また、プラズマＣＶＤ法におけるＲＦ周波数は、低周波ほどプラズマ中のイオンの平均自由工程が長くなる。このため、窒化シリコン膜が堆積される特に初期において、イオン衝撃により、ｐ型コンタクト層１８へ結晶欠陥を導入し、ｐ型キャリア密度の低下をもたらす。このため、ＲＦ周波数は２ＭＨｚ以上が好ましく、１０ＭＨｚ以上がより好ましい。図６のように、ＲＦ周波数が２ＭＨｚ未満の場合には、上記屈折率の効果も相まって素子抵抗は１０Ωと高くなってしまう。
【００３５】
図６より、窒化シリコン膜の代わりに酸化シリコン膜を設けた場合、素子抵抗は約３Ωである。酸化シリコン膜を用いた場合に、酸化シリコン膜へのＧａ拡散がほとんどないものと考えると、素子抵抗が３Ω以下となる屈折率１．８５以下の窒化シリコン膜が好ましいことがわかる。また、より好ましくは屈折率が１．８以下の窒化シリコン膜である。さらに、窒化シリコン膜へのＧａの拡散を抑制するためには屈折率は１．７以下であることがより好ましい。
【００３６】
また、化合物半導体層２０に接する窒化シリコン膜２２、２４および２６の屈折率を１．８５以下とすることにより、化合物半導体層２０と窒化シリコン膜２２、２４および２６との間の例えばＧａの空孔を抑制することができる。これにより、化合物半導体層２０と窒化シリコン膜２６との界面を流れるリーク電流を抑制することができる。よって、電極３２と基板１０との間のリーク電流を抑制することができる。このように、化合物半導体層２０の窒化シリコン膜２２、２４および２６と接する層が導電層でない場合は、リーク電流を抑制することができる。なお、窒化シリコン膜２２、２４および２６は全て屈折率を１．８５以下とすることがより好ましいが、少なくとも１つの窒化シリコン膜の屈折率を１．８５以下とすることもできる。
【００３７】
さらに、導電層であるｐ型コンタクト層１８にオーミック接触する電極３２を有することにより、電極３２とｐ型コンタクト層１８との接触抵抗を低減することができる。
【００３８】
化合物半導体層２０がリッジ部３６を有し、窒化シリコン膜２２、２４および２６は、リッジ部３６の最上層の少なくも一部に接して設けられている。これにより、リッジ部を有する光半導体装置において、化合物半導体層内の導電層の抵抗の低減、または、化合物半導体層と絶縁膜との間のリーク電流の抑制を行うことができる。
【００３９】
化合物半導体層２０の窒化シリコン膜２２、２４および２６と接する層はＧａを含む化合物半導体層であれば良い。化合物半導体層としては、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰまたはＩｎＧａＰのいずれか含む化合物半導体層とすることができる。これらの化合物半導体層においては、特にＧａの空孔が発生することを抑制することができ、素子抵抗の削減およびリーク電流を抑制することができる。
【００４０】
実施例１においては、屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜をマスクに化合物半導体層を選択処理する工程として、図３（ｄ）のように、窒化シリコン膜２２をマスクには化合物半導体層２０に不純物を導入する拡散工程および、図５（ａ）のように、窒化シリコン膜２４をマスクに化合物半導体層２０のうちにｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６をエッチングし半導体発光装置のリッジ部３６を形成する工程を説明した。選択処理する工程としては、イオン注入工程等の工程とすることもできる。
【００４１】
また、図５（ｂ）のように、屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜の上に、この窒化シリコン膜より緻密な（すなわち水分の浸透性の低い）保護膜として窒化シリコン膜を形成している。これにより、電極３２と基板１０との間のリーク電流を抑制し、耐湿性を確保することができる。特に屈折率が２．０より低い窒化シリコン膜を用いることにより、緻密な窒化シリコン膜となり、よいり耐湿性を向上させることができる。
【００４２】
実施例１は波長６６０ｎｍの端面発光型半導体レーザの一例を示したが、本発明は、その他の端面発光型半導体レーザ、面発光半導体レーザ等の半導体レーザおよび発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子並びにｐｎ接合、ｐｉｎ接合を有するフォトダイオードおよびアバランシェフォトダイオード等の光検出器等の光半導体装置に適用することができる。さらに、光半導体装置以外に、ＦＥＴ等のトランジスタに適用することもできる。ＦＥＴに適用した場合は、例えば、ゲートとドレイン間の化合物半導体層上に屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を設けることができる。これにより、化合物半導体層と窒化シリコン膜との界面のリーク電流を抑制することができる。また、屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜の上にこの窒化シリコン膜より緻密な窒化シリコン膜を設けることにより、耐湿性を確保することもできる。
【００４３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は実施例１に係る半導体レーザの斜視図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は実施例１に係る半導体レーザの断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は実施例１に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は実施例１に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は実施例１に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図（その３）である。
【図６】図６は窒化シリコン膜の屈折率と、実施例１に係る半導体レーザの素子抵抗との関係を示した図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０                ＧａＡｓ基板
１２                ｎ型クラッド層
１４                活性層
１６                ｐ型クラッド層
１８                ｐ型コンタクト層
２０                化合物半導体層
２２、２４、２６    窒化シリコン膜
３０                拡散領域
３２                電極
３４                導波路
３６                リッジ部
３７                窪み部
３８                開口部
【図１】
0004690206.tif 000002
【図２】
0004690206.tif 000003
【図３】
0004690206.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004690206.tif 000006
【図６】
0004690206.tif 000007