(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの表面に液状樹脂を被覆する液状樹脂被覆装置であって、
液状樹脂を貯留する液状樹脂プールと、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を該液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して樹脂被膜をウエーハの表面に被覆するウエーハ浸漬手段と、を具備し、
該ウエーハ浸漬手段は、ウエーハの裏面が貼着された保護テープが装着されている環状のフレームを保持する保持手段と、該保持手段に装着され該保護テープにおけるウエーハが貼着されている領域を押圧する押圧手段とを具備している、
ことを特徴とする液状樹脂被覆装置。
【請求項２】
該ウエーハ浸漬手段は、該保持手段を回転する回転駆動手段を備えている、請求項1記載の液状樹脂被覆装置。
【請求項３】
ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
液状樹脂を貯留する液状樹脂プールと、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を該液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して樹脂被膜をウエーハの表面に被覆するウエーハ浸漬手段とを具備し、該ウエーハ浸漬手段がウエーハの裏面が貼着された保護テープが装着されている環状のフレームを保持する保持手段と、該保持手段に装着され該保護テープにおけるウエーハが貼着されている領域を押圧する押圧手段とを具備している液状樹脂被覆装置と、
該液状樹脂被覆装置の該ウエーハ浸漬手段に保持され表面に樹脂被膜が被覆されたウエーハを該ウエーハ浸漬手段から受け取りウエーハの裏面を該チャックテーブルに載置するウエーハ搬送手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの表面（加工面）に液状樹脂を被覆する液状樹脂被覆装置および液状樹脂被覆機能を備えたレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って切断することによって個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、ストリートに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
このような半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物であるウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切削手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。このような切削ブレードによってウエーハを切削すると、切断されたチップの切断面に欠けやクラックが発生するため、この欠けやクラックの影響を見込んでストリートの幅は５０μｍ程度に形成されている。しかるに、半導体チップのサイズが小型化されると、チップに占めるストリートの割合が大きくなり、生産性が低下する原因となる。また、切削ブレードによる切削においては、送り速度に限界があるとともに、切削屑の発生によりチップが汚染されるという問題がある。
【０００４】
また、近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをより微細に形成するために、シリコンウエーハの如き半導体ウエーハ本体の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハや、テスト  エレメント
グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハが実用化されている。低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、低誘電率絶縁体が剥離するという問題がある。また、テスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、金属パターンが銅等の粘りのある金属によって形成されているためにバリが発生するという問題がある。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【０００６】
レーザー加工は切削加工に比して加工速度を速くすることができるとともに、サファイヤのように硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、レーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成する方法は、低誘電率絶縁体層が剥離する問題を解消することができるとともに、バリが発生するという問題も解消することができる。しかしながら、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがチップの表面に付着してチップの品質を低下させるという新たな問題が生じる。
【０００７】
上記デブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にポリビニルアルコール等の保護被膜を被覆し、保護被膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００４−１８８４７５号公報
【０００８】
また、レーザー加工を効率的に実施するためウエーハの加工面に保護被膜を被覆する保護被膜形成手段を備えたレーザー加工装置が提案されている（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特開２００４−３２２１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記公報に開示された保護被膜形成方法は、ウエーハをスピンナーテーブルに保持し、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面にポリビニルアルコール等の液状樹脂を滴下してスピンナーテーブルを高速で回転することにより、ウエーハの表面に保護被膜を被覆する。
しかるに、上記保護被膜形成方法は、ウエーハの表面に滴下された液状樹脂の多くが遠心力によって飛散するため有効に利用することができず、液状樹脂の使用量が増加して不経済であるという問題がある。
【００１０】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面に被覆する液状樹脂を有効に利用することができる液状樹脂の被覆装置および液状樹脂被覆機能を備えたレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの表面に液状樹脂を被覆する液状樹脂被覆装置であって、
液状樹脂を貯留する液状樹脂プールと、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を該液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して樹脂被膜をウエーハの表面に被覆するウエーハ浸漬手段と、を具備し、
該ウエーハ浸漬手段は、ウエーハの裏面が貼着された保護テープが装着されている環状のフレームを保持する保持手段と、該保持手段に装着され該保護テープにおけるウエーハが貼着されている領域を押圧する押圧手段とを具備している、
ことを特徴とする液状樹脂被覆装置が提供される。
【００１２】
上記ウエーハ浸漬手段は、保持手段を回転する回転駆動手段を備えている。
【００１３】
また、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
液状樹脂を貯留する液状樹脂プールと、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を該液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して樹脂被膜をウエーハの表面に被覆するウエーハ浸漬手段とを具備し、該ウエーハ浸漬手段がウエーハの裏面が貼着された保護テープが装着されている環状のフレームを保持する保持手段と、該保持手段に装着され該保護テープにおけるウエーハが貼着されている領域を押圧する押圧手段とを具備している液状樹脂被覆装置と、
該液状樹脂被覆装置の該ウエーハ浸漬手段に保持され表面に樹脂被膜が被覆されたウエーハを該ウエーハ浸漬手段から受け取りウエーハの裏面を該チャックテーブルに載置するウエーハ搬送手段と、を具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による液状樹脂被覆装置においては、ウエーハの裏面を保持しウエーハの表面を液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬して液状樹脂をウエーハの表面に被覆するので、液状樹脂が液状樹脂プールの外に飛散することがなく、液状樹脂プール内に落下した液状樹脂は再度使用することができるため経済的である。
また、本発明によるレーザー加工装置は、上記液状樹脂被覆機能を備えているので、レーザー加工を効率的に実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に従って構成された液状樹脂被覆装置およびレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１には、本発明に従って構成された液状樹脂被覆機能を備えたレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図１に示すレーザー加工装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物であるウエーハを保持するウエーハ保持手段としてのチャックテーブル３が加工送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に装着された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の表面である載置面上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回動可能に構成されている。このように構成されたチャックテーブル３の吸着チャック支持台３１には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。
【００１７】
図示のレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４を備えている。レーザー光線照射手段４は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４１を含んでいる。ケーシング４１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２が装着されている。
【００１８】
図示のレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３の吸着チャック３２上に保持されたウエーハの表面を撮像し、上記レーザー光線照射手段４の集光器４２から照射されるレーザー光線によって加工すべき領域を検出する撮像手段５を具備している。この撮像手段５は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、図示のウエーハの分割装置は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。
【００１９】
図示のレーザー加工装置は、被加工物である半導体ウエーハ１０を収容するカセットが載置されるカセット載置部１３ａを備えている。カセット載置部１３ａには図示しない昇降手段によって上下に移動可能にカセットテーブル１３１が配設されており、このカセットテーブル１３１上にカセット１３が載置される。半導体ウエーハ１０は、環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２の表面に貼着されており、保護テープ１２を介して環状のフレーム１１に支持された状態で上記カセット１３に収容される。なお、半導体ウエーハ１０は、図３に示すように表面１０ａに格子状に形成された複数の分割予定ライン１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図1に示すように環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２に表面１０ａを上側にして裏面が貼着される。
【００２０】
図示のレーザー加工装置は、上記カセット１３に収納された加工前の半導体ウエーハ１０を搬出するとともに加工後の半導体ウエーハ１０をカセット１３に搬入するウエーハ搬出搬入手段１４と、該ウエーハ搬出搬入手段１４によって搬出された加工前の半導体ウエーハ１０を仮置きする仮置きテーブル１５を具備している。また、図示のレーザー加工装置は、チャックテーブル３に保持された加工後の半導体ウエーハ１０を洗浄する洗浄手段１６を具備している。この洗浄手段１６は、従来一般に用いられている構成でよく、スピンナーテーブルと洗浄水を供給する洗浄ノズルおよびエアーを噴射するエアーノズル等を備えている。
【００２１】
図示のレーザー加工装置は、加工前の半導体ウエーハ１０の表面に被覆する液状樹脂を貯留するための液状樹脂プール７を備えている。この液状樹脂プール７には、例えばPVA(Poly  Vinyl  Alcohol)、ＰＥＧ（Poly  Ethylene  Glycol）、PEO(Poly  Ethylene
Oxide)等の水溶性の液状樹脂７０が貯留されている。なお、液状樹脂プール７に貯留されている液状樹脂７０の液面が常に所定の高さ位置に維持されるように、液面検出センサーを配設し、該液面検出センサーからの検出信号に基づいて図示しない液状樹脂タンクから適宜液状樹脂を補給するように構成することが望ましい。この液状樹脂プール７に隣接して液状樹脂プール７の上面を覆う蓋７１が配設されている。この蓋７１は、支持部７２が旋回軸７３に取付けられている。なお、旋回軸７３は、図示しない正転・逆転可能な電動モータの駆動軸に連結されている。従って、図示しない電動モータを例えば正転駆動すると、蓋７１は図１に示す状態から矢印７１aで示す方向に旋回せしめられ、液状樹脂プール７の上面を覆う。
【００２２】
図示のレーザー加工装置は、半導体ウエーハ１０を搬送するウエーハ搬送手段８を具備している。ウエーハ搬送手段８は、上記環状のフレーム１１を吸引保持する保持手段８１と、該保持手段８１を上下に反転する反転モータ８２と、該反転モータ８２を上下方向に昇降可能で且つ旋回可能に支持する支持手段８３とからなっている。このように構成されたウエーハ搬送手段８は、保持手段８１を仮置きテーブル１５と洗浄手段１６とチャックテーブル３の上方に選択的に位置付けることができる。
【００２３】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、チャックテーブル３と洗浄手段１６および液状樹脂プール７に半導体ウエーハ１０を搬送するとともに、半導体ウエーハ１０の裏面を保持し半導体ウエーハ１０の表面を上記液状樹脂プール７に貯留された液状樹脂７０の液面に浸漬して半導体ウエーハ１０の表面に樹脂被膜を被覆するウエーハ浸漬手段９を具備している。ウエーハ浸漬手段９は、上記環状のフレーム１１を吸引保持する保持手段９１と、該保持手段９１を支持する支持手段９２と、該支持手段９２を矢印９０a、９０b方向に移動せしめる図示しない移動手段とからなっている。保持手段９１は、図２に示すようにハット状に形成された保持部材９１１と、該保持部材９１１の外周部下面に装着された複数の吸引パッド９１２とからなっており、複数の吸引パッド９１２が図示しない吸引手段に接続されている。このように構成された支持手段９２の保持部材９１１の中央部下面にはエアシリンダ９３が装着されており、このエアシリンダ９３のピストンロッド９３１に押圧部材９４が取付けられている。この押圧部材９４は、エアシリンダ９３の作動によって上記環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２における半導体ウエーハ１０が貼着されている領域を押圧する。従って、エアシリンダ９３および押圧部材９４は、環状のフレームに装着された保護テープにおけるウエーハが貼着されている領域を押圧する押圧手段として機能する。上記支持手段９２は、エアシリンダ９２１と回転モータ９２２と、該回転モータ９２２の一端が連結され支持アーム９２３と、該支持アーム９２３の他端に駆動軸が連結された旋回モータ９２４とからなっており、該旋回モータ９２４が図示しない移動手段に連結されている。エアシリンダ９２１は、そのピストンロッド９２１aが上記保持手段９１の保持部材９１１に取付けられている。上記回転モータ９２２は、その駆動軸がエアシリンダ９２１に連結されており、エアシリンダ９２１を介して保持部材９１１を回転せしめる。従って、回転モータ９２１は、保持部材９１１を回転せしめる回転駆動手段として機能する。上記旋回モータ９２４は、支持アーム９２３の他端を中心として旋回し、該支持アーム９２３と回転モータ９２２およびエアシリンダ９２１を介して連結されている保持部材９１１を上記洗浄手段１６と液状樹脂プール７に選択的に位置付ける。
【００２４】
図示のレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作動について説明する。
図１に示すように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された加工前の半導体ウエーハ１０（以下、単に半導体ウエーハ１０という）は、加工面である表面１０ａを上側にしてカセット１３の所定位置に収容されている。カセット１３の所定位置に収容された加工前の半導体ウエーハ１０は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル１３１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出搬入手段１４が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１５に搬出する。仮置きテーブル１５に搬出された半導体ウエーハ１０は、中心位置を合わせる中心位置合せ工程が実施される。
【００２５】
次に、ウエーハ搬送手段８を作動しての保持手段８１を仮置きテーブル１５で中心位置を合わせされた半導体ウエーハ１０の上方に位置付け、更に保持手段８１を下降し図示しない吸引手段を作動して図４に示すように半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持する。そして、保持手段８１を上昇させ、図５に示すように反転モータ８２を作動して半導体ウエーハ１０の表裏を反転する。従って、半導体ウエーハ１０は、表面が下側となる。次に、保持手段８１を下降し、更に旋回して洗浄手段１６の上方に位置付ける。ウエーハ浸漬手段９の保持手段９１は、洗浄手段１６の上方に位置付けられている。従って、ウエーハ搬送手段８の保持手段８１に保持された半導体ウエーハ１０は、洗浄手段１６とウエーハ浸漬手段９の保持手段９１との間に位置付けられる。
【００２６】
次に、図６に示すようにウエーハ浸漬手段９のエアシリンダ９２１を作動して保持手段９１を下降し、図示しない吸引手段を作動して吸引パッド９１２により半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持する。そして、ウエーハ搬送手段８の保持手段８１による環状のフレーム１１の吸引保持を解除する。
【００２７】
上述したように洗浄手段１６の上方においてウエーハ浸漬手段９の保持手段９１が半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持したならば、旋回モータ９２４を作動して保持手段９１を液状樹脂プール７の上方に位置付ける。このとき、液状樹脂プール７の上面を覆う蓋７１は、図１に示す開放位置に位置付けられている。
【００２８】
上述したように半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持したウエーハ浸漬手段９の保持手段９１が液状樹脂プール７の上方に位置付けられたならば、図７に示すようにエアシリンダ９２１を作動して保持手段９１を下降せしめる。そして、エアシリンダ９３を作動し、ピストンロッド９３１に連結された押圧部材９４を下降する。この結果、押圧部材９４が環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２における半導体ウエーハ１０が貼着されている領域を押圧し、半導体ウエーハ１０の表面１０aが液状樹脂プール７に貯留された液状樹脂７０の液面に浸漬せしめられる（ウエーハ浸漬工程）。次に、図８に示すようにエアシリンダ９３を作動して押圧部材９４を上昇させ、回転モータ９２１を作動して保持手段９１を３００〜１０００rpm回転速度で回転する。この結果、保持手段９１に保持されている半導体ウエーハ１０の表面１０aに付着している液状樹脂７０が遠心力によって外周に移動し飛散されことにより、半導体ウエーハ１０の表面１０aには図９に示すように１〜１０μmの樹脂被膜７００が形成される。このように、液状樹脂７０を貯留する液状樹脂プール７およびウエーハ浸漬手段９は、半導体ウエーハ１０の表面に樹脂被膜７００を被覆する液状樹脂被覆装置として機能する。なお、上述した保持手段９１の回転時に半導体ウエーハ１０に付着されている液状樹脂７０は遠心力によって飛散するが、飛散した液状樹脂７０は液状樹脂プール７に落下するので再度使用することができる。
【００２９】
上述したように半導体ウエーハ１０の表面に樹脂被膜７００を被覆したならば、エアシリンダ９２１を作動して保持手段９１を上昇させる。ウエーハ浸漬手段９の旋回モータ９２４を作動して保持手段９１を洗浄手段１６の上方に位置付けられているウエーハ搬送手段８の保持手段８１の上側に位置付ける。次に、図示しない吸引手段を作動しウエーハ搬送手段８の保持手段８１によって、ウエーハ浸漬手段９の保持手段９１に保持されている半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持する。そして、ウエーハ浸漬手段９の保持手段９１による環状のフレーム１１の吸引保持を解除する。
【００３０】
次に、ウエーハ搬送手段８を旋回し保持手段８１をチャックテーブル３の上方位置に位置付ける。そして、保持手段８１を上昇させ、図１０に示すように反転モータ８２を作動して半導体ウエーハ１０の表裏を反転する。この結果、半導体ウエーハ１０は、樹脂被膜７００が被覆された表面１０aが上側となる。このようにして、半導体ウエーハ１０の表裏を反転したならば、ウエーハ搬送手段８の保持手段８１を下降して保持している半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３の吸着チャック３２上に載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０は吸着チャック３２に吸引保持される。このようにして、半導体ウエーハ１０がチャックテーブル３に吸引保持されたならば、ウエーハ搬送手段８は図１に示す位置に戻される。
【００３１】
上述したように半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、図示しない移動手段によってレーザー光線照射手段４に配設された撮像手段５の直下に位置付けられる。次に、撮像手段５および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａには樹脂被膜７００が形成されているが、樹脂被膜７００が透明でない場合は赤外線で撮像して表面からアライメントすることができる。
【００３２】
以上のようにしてチャックテーブル３上に保持されている半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図１１の（ａ）で示すようにチャックテーブル３をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４の集光器４２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート１０１を集光器４２の直下に位置付ける。このとき、図１１の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０は、ストリート１０１一端(図１１の（ａ）において左端)が集光器４２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段４の集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３即ち半導体ウエーハ１０を図１１の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（レーザー光線照射工程）。そして、図１１の（ｂ）で示すようにストリート１０１の他端（図１１の（ｂ）において右端）が集光器４２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３即ち半導体ウエーハ１０の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをストリート１０１の表面付近に合わせる。
【００３３】
上述したレーザー光線照射工程を実施することにより、半導体ウエーハ１０のストリート１０１には図１２に示すようにレーザー加工溝１２０が形成される。このとき、図１２に示すようにレーザー光線の照射によりデブリ１３０が発生しても、このデブリ１３０は樹脂被膜７００によって遮断され、デバイス１０２およびボンディングパッド等に付着することはない。そして、上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に実施する。
【００３４】
なお、上記レーザー光線照射工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数      ：２０ｋＨｚ
出力                ：３W
パルス幅            ：０．１ns
集光スポット径      ：φ５μm
加工送り速度        ：１００ｍｍ／秒
【００３５】
上述したレーザー光線照射工程を半導体ウエーハ１０の全てのストリート１０１に沿って実施したならば、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、ウエーハ浸漬手段９を作動して保持手段９１をチャックテーブル３に載置されている下降後の半導体ウエーハ１０の上方に位置付け、保持手段９１によって半導体ウエーハ１０を吸引保持し、洗浄手段１６に搬送する。洗浄手段１６に搬送された加工後の半導体ウエーハ１０は、ここで洗浄水によって洗浄され乾燥される（洗浄工程）。なお、洗浄手段１６による洗浄においては、半導体ウエーハ１０の表面１０ａに被覆された樹脂被膜７００が上述したように水溶性の樹脂によって形成されているので、樹脂被膜７００を容易に洗い流すことができるとともに、レーザー加工時に発生したデブリ１３０も除去される。
【００３６】
上述した洗浄工程が終了したら、ウエーハ搬送手段８を作動し保持手段８１によって加工後の半導体ウエーハ１０を保護テープを介して支持している環状のフレーム１１を吸引保持する。そして、ウエーハ搬送手段８は、吸引保持した半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１５に搬送する。仮置きテーブル１５に搬送された加工後の半導体ウエーハ１０は、被加工物搬出手段１４によってカセット１３の所定位置に収納される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるウエーハ浸漬手段の断面図。
【図３】図１に示すレーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【図４】図１に示すレーザー加工装置に装備されるウエーハ搬送手段によって仮置きテーブルに搬出された半導体ウエーハを保持した状態を示す斜視図。
【図５】図４に示すようにウエーハ搬送手段によって保持された半導体ウエーハの表裏を反転した状態を示す斜視図。
【図６】ウエーハ搬送手段に保持された半導体ウエーハをウエーハ浸漬手段によって吸引保持する状態を示す斜視図。
【図７】ウエーハ浸漬手段によって保持された半導体ウエーハの表面を液状樹脂プールに貯留された液状樹脂の液面に浸漬した状態を示す断面図。
【図８】ウエーハ浸漬手段によって保持され表面に液状樹脂が付着された半導体ウエーハを回転している状態を示す断面図。
【図９】表面に樹脂皮膜が被覆された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図１０】ウエーハ搬送手段によって保持され表面に樹脂皮膜が被覆された半導体ウエーハの表裏を反転した状態を示す斜視図。
【図１１】図１に示すレーザー加工装置によるレーザー光線照射工程を示す説明図。
【図１２】図１１に示すレーザー光線照射工程によってレーザー加工された被加工物としての半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【符号の説明】
【００３８】
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：レーザー光線照射手段
４１： ケーシング
４２：集光器
５：撮像機構
６：表示手段
７：液状樹脂プール
７０：液状樹脂
７００：樹脂被膜
７１：蓋
８：ウエーハ搬送手段
８１：保持手段
８２：反転モータ
８３：支持手段
９：ウエーハ浸漬手段
９１：保持手段
９１１：保持部材
９１２：吸引パッド
９２：支持手段
９２１：エアシリンダ
９２２：回転モータ
９２３：支持アーム
９２４：旋回モータ
９３：エアシリンダ
９４：押圧部材
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：デバイス
１１０：保護被膜
１１：環状のフレーム
１２：保護テープ
１３：カセット
１４：被加工物搬・搬入手段
１５：仮置きテーブル
１６：洗浄手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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