(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に設置される基板に対して成膜を行う成膜装置と前記成膜装置の上部に配置されクリーニングガスを活性化して前記チャンバに供給する遠隔プラズマ生成装置との間の配管に配置されるゲートバルブであって、
前記配管に対して固定されたケーシングと、
前記ケーシング内に設置され、前記配管に対して進出・退避可能な弁体と、
前記弁体の主面に設けられたＯリングと、
前記遠隔プラズマ生成装置によって活性化されたクリーニングガスが前記チャンバに供給されている間、前記弁体を前記配管から退避させた状態で、前記Ｏリングを前記ケーシングの内面に押圧させる弁体制御手段とを備え、
前記弁体の前記主面において、前記Ｏリングの外側にガードリングが設けられており、
前記弁体の前記主面から突出する前記Ｏリングの突出量は、前記主面から突出する前記ガードリングの突出量よりも大きいことを特徴とするゲートバルブ。
【請求項２】
前記ガードリングは、ポリテトラフルオロエチレンによって形成されていることを特徴とする請求項１記載のゲートバルブ。
【請求項３】
前記弁体制御手段は、前記成膜装置によって前記基板に対する成膜が行われている間、前記弁体を前記配管に進出させて前記Ｏリングを前記ケーシングの前記内面に押圧させ、前記Ｏリングが前記内面に押圧された状態において、前記ガードリングと前記内面との間に間隙が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のゲートバルブ。
【請求項４】
前記弁体制御手段は、前記遠隔プラズマ生成装置へ供給されるクリーニングガスの供給バルブの開閉を制御するバルブ制御手段によってなされる前記供給バルブの開閉に同期して前記弁体を進出・退避させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のゲートバルブ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のゲートバルブを備えることを特徴とする成膜システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲートバルブ及びこれを用いた成膜システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チャンバ内に設置される基板に対して成膜を行う成膜装置と、成膜装置の上部に配置され、クリーニングガスを活性化してチャンバに供給する遠隔プラズマ生成装置とを備えた成膜システムがある（例えば、特許文献１参照）。かかるシステムにおいては、クリーニングを繰り返し実行すると、活性化されたクリーニングガス中のフッ素ラジカル等と遠隔プラズマ生成装置の内面を構成する陽極酸化アルミニウム等とに起因して生成されるフッ化アルミニウム等の粉体が遠隔プラズマ生成装置の内面に付着していく。そのため、成膜中に粉体が落下し、基板を汚染してしまうという問題があった。そこで、成膜装置と遠隔プラズマ生成装置との間の配管には、粉体の落下を防ぐためのゲートバルブが設けられている。
【特許文献１】特開２０００−３２３４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したゲートバルブでは、遮蔽性を高めるため、配管に対して進出・退避させる弁体の主面にＯリングを設けている。しかしながら、従来のゲートバルブでは、弁体が配管に対して退避したときに、活性化されたクリーニングガスにＯリングが曝露され、劣化しやすいという問題があった。そのため、ゲートバルブの遮蔽性の維持が困難であった。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、弁体におけるＯリングの劣化を抑制することにより、遮蔽性を長期間維持できるゲートバルブ、及びこのようなゲートバルブを備えた成膜システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の課題を解決するため、本発明に係るゲートバルブは、チャンバ内に設置される基板に対して成膜を行う成膜装置と成膜装置の上部に配置されクリーニングガスを活性化してチャンバに供給する遠隔プラズマ生成装置との間の配管に配置されるゲートバルブであって、配管に対して固定されたケーシングと、ケーシング内に設置され、配管に対して進出・退避可能な弁体と、弁体の主面に設けられたＯリングと、遠隔プラズマ生成装置によって活性化されたクリーニングガスがチャンバに供給されている間、弁体を配管から退避させた状態で、Ｏリングをケーシングの内面に押圧させる弁体制御手段とを備えたことを特徴とする。
【０００６】
このゲートバルブは、基板に対して成膜が行われている間、弁体を配管に進出させることにより、フッ素ラジカル等と遠隔プラズマ生成装置の内面材料とに起因して生成される粉体の落下をブロックし、成膜中の基板に対する汚染を防止する。一方、このゲートバルブでは、遠隔プラズマ生成装置による活性化されたクリーニングガスがチャンバに供給されている間、弁体を配管から退避させた状態で、Ｏリングをケーシングの内面に押圧させる。これにより、クリーニング中において、配管を流れる活性化されたクリーニングガスにＯリングが曝露される面積を小さくすることができる。従って、Ｏリングの劣化が抑制され、クリーニングを繰り返し実行した場合でも、ゲートバルブの遮蔽性を長時間維持できる。
【０００７】
また、弁体の主面において、Ｏリングの外側にガードリングが設けられていることが好ましい。これにより、ケーシングの内面に押圧されたＯリングに対する活性化されたクリーニングガスの流入を抑制できる。従って、Ｏリングの劣化がさらに抑制され、クリーニングを繰り返し実行した場合でも、ゲートバルブの遮蔽性を一層長時間維持できる。
【０００８】
また、ガードリングは、ポリテトラフルオロエチレンによって形成されていることが好ましい。ポリテトラフルオロエチレンは、クリーニングガスとして頻繁に用いられるフッ素ラジカル等に対して、特に耐腐食性に優れている。従って、クリーニングを繰り返し実行した場合でも、Ｏリングの劣化をさらに効果的に防止できる。
【０００９】
また、弁体制御手段は、成膜装置によって基板に対する成膜が行われている間、弁体を配管に進出させてＯリングをケーシングの内面に押圧させ、Ｏリングが内面に押圧された状態において、ガードリングと内面との間に間隙が形成されていることが好ましい。ガードリングがケーシングの内面に当たると、Ｏリングとケーシングの内面との密着性が損なわれ、弁体によるゲートバルブの遮蔽性が十分に得られなくなる。従って、ガードリングと内面との間に間隙が形成されていることで、Ｏリングの外側にガードリングを設けた場合であっても、ゲートバルブの遮蔽性を好適に担保できる。
【００１０】
また、弁体の主面から突出するＯリングの突出量は、主面から突出するガードリングの突出量よりも大きいことが好ましい。クリーニングが繰り返し実行され、Ｏリングがケーシングの内面に何度も押圧されると、Ｏリングが磨耗することがある。Ｏリングが磨耗して、ガードリングがケーシングの内面に当たるようになると、Ｏリングとケーシング内面との密着性が損なわれ、ゲートバルブの遮蔽性が十分に得られなくなる。そこで、Ｏリングの突出量をガードリングの突出量よりも大きくすることで、Ｏリングの外側にガードリングを設けた場合であっても、ゲートバルブの遮蔽性を長時間維持できる。
【００１１】
また、弁体制御手段は、遠隔プラズマ生成装置へ供給されるクリーニングガスの供給バルブの開閉を制御するバルブ制御手段によってなされる供給バルブの開閉に同期して弁体を進出・退避させることが好ましい。この場合、弁体の進出・退避を最適のタイミングで行うことができる。
【００１２】
また、本発明に係る成膜システムは、上述したゲートバルブを備えることを特徴とする。この成膜システムでは、基板に対して成膜が行われている間、弁体を配管に進出させることにより、フッ素ラジカル等と遠隔プラズマ生成装置の内面材料に起因して生成される粉体の落下をブロックし、成膜中の基板に対する汚染を防止する。一方、この成膜システムでは、遠隔プラズマ生成装置による活性化されたクリーニングガスがチャンバに供給されている間、弁体を配管から退避させた状態で、Ｏリングをケーシングの内面に押圧させる。これにより、クリーニング中において、配管を流れる活性化されたクリーニングガスにＯリングが曝露される面積を小さくすることができる。従って、Ｏリングの劣化が抑制され、クリーニングを繰り返し実行した場合でも、ゲートバルブの遮蔽性を長時間維持できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るゲートバルブ、及びこれを用いた成膜システムによれば、弁体におけるＯリングの劣化を抑制することにより、ゲートバルブの遮蔽性を長期間維持できる。さらに、Ｏリングの劣化に伴うＯリング組成物の分解・剥離も抑制でき、かかる分解・剥離に起因する基板へのパーティクル飛散も低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係るゲートバルブを適用した成膜システムの一実施形態を概略的に示す図である。図１に示すように、成膜システム１０は、成膜を行うＣＶＤ（化学的気相成長）装置（成膜装置）２０と、遠隔プラズマ生成装置４０と、これらの装置２０，４０を連結する配管６０とを備えている。
【００１６】
ＣＶＤ装置２０は、チャンバ２２の内部に、ステージ２４と、フェイスプレート２６とを有している。チャンバ２２は、金属製の箱型容器である。チャンバ２２の内部は、図示しない排気手段により、使用状態において排気される。ステージ２４の上面は、基板Ｗが設置される載置面となっている。ステージ２４は、支柱２８によって、チャンバ２２内の略中央に配置されている。
【００１７】
フェイスプレート２６は、ステージ２４の載置面に対向するように、チャンバ２２の上面側の内壁に配置されている。フェイスプレート２６の底面には、成膜ガス及びクリーニングガスを導入するための複数の導入口（図示せず）が形成されている。
【００１８】
また、ＣＶＤ装置２０は、成膜ガス供給管３０を備えている。成膜ガス供給管３０は、配管６０におけるＣＶＤ装置２０側の側部に接続されている。ＣＶＤ装置２０と成膜ガス供給管３０との間には、成膜ガス供給バルブ３２が配置されている。
【００１９】
ＣＶＤ装置２０による成膜工程では、成膜ガス供給バルブ３２が開放され、成膜ガス供給管３０からＣＶＤ装置２０に成膜ガスが供給される。成膜ガスには、所望の薄膜組成（例えばＳｉＯ２）に対応するガス（例えばＴＥＯＳ及びＯ２、或いはＳｉＨ４及びＯ２）が使用され、フェイスプレート２６の導入口からチャンバ２２に導入される。ＣＶＤ装置２０では、ステージ２４に接続されたヒータ（図示せず）により予め加熱された基板Ｗ上において、成膜ガスの化学反応によって薄膜が生成される。
【００２０】
遠隔プラズマ生成装置４０は、ＣＶＤ装置２０の上部に配置されており、クリーニングガス供給バルブ４２，４４と、クリーニングガス供給管４６，４８と、クリーニングガスバルブ制御部（バルブ制御手段）５０とを備えている。遠隔プラズマ生成装置４０は、クリーニングガス供給バルブ４２，４４を介してクリーニングガス供給管４６，４８と接続されている。クリーニングガスとしては、例えばＡｒ及びＮＦ３の混合ガスが用いられ、クリーニングガス供給管４６からＡｒが供給され、クリーニングガス供給管４８からＮＦ３が供給される。クリーニングガスバルブ制御部５０は、クリーニングガス供給バルブ４２，４４の開閉を制御する。
【００２１】
遠隔プラズマ生成装置４０による、クリーニング工程では、クリーニングガス供給バルブ４２，４４が開放され、クリーニングガス供給管４６，４８から遠隔プラズマ生成装置４０にクリーニングガスが供給される。遠隔プラズマ生成装置４０では、クリーニングガスに対してマイクロ波又は高周波等によってエネルギーが与えられることにより、クリーニングガスが解離・活性化され、フッ素ラジカル等が生成される。そして、フッ素ラジカル等を含む活性化されたクリーニングガスは、フェイスプレート２６の導入口からＣＶＤ装置２０のチャンバ２２に導入され、成膜ガスに起因してチャンバ２２の内面等に付着した物質を分解・除去する。
【００２２】
配管６０は、例えば金属製の円筒状部材である。配管６０は、ＣＶＤ装置２０と遠隔プラズマ生成装置４０との間に略鉛直に配置されている。
【００２３】
ところで、一般にチャンバ２２のクリーニング工程を繰り返し実行すると、活性化されたクリーニングガス中のフッ素ラジカル等と遠隔プラズマ生成装置４０の内面を構成する陽極酸化アルミニウム等とに起因して生成される粉体が遠隔プラズマ生成装置４０の内面に付着していく。そのため、上述した成膜システム１０において、配管６０が開放されたままになっていると、遠隔プラズマ生成装置４０の内面に付着したフッ化アルミニウム等の粉体が、成膜工程において遠隔プラズマ生成装置４０から配管６０を通って落下し、ＣＶＤ装置２０におけるチャンバ２２内の基板Ｗを汚染してしまうおそれがある。そこで、配管６０の略中間部分には、このような粉体の落下を防ぐためのゲートバルブ６２が設けられている。
【００２４】
以下、ゲートバルブ６２について詳細に説明する。図２は、ゲートバルブの平面図であり、図３は、図２に示したゲートバルブを一部破断して示す側面図である。
【００２５】
図２及び図３に示すように、ゲートバルブ６２は、配管６０に気密に固定されたケーシング６４と、機構部６６と、機構部６６に接続された駆動軸６８と、駆動軸６８の先端に固定された弁体７０とを有している。略直方体形状のケーシング６４は、機構部６６を収容する第１の部分６４ａと、機構部６６及び弁体７０を収容する第２の部分６４ｂとによって構成されている。
【００２６】
第１及び第２の部分６４ａ，６４ｂは、金属によって一体的に形成され、内部に連続した空間を有している。第２の部分６４ｂの上面及び底面には、配管６０とケーシング６４の内部空間とを連通させる連通孔７２ａ，７２ｂがそれぞれ形成されている。
【００２７】
機構部６６は、第１の部分６４ａの内部に配置されており、ケーシング６４の外部の弁体制御部（弁体制御手段）７４と接続されている。機構部６６は、弁体制御部７４からの信号により動作が制御されている。機構部６６は、駆動軸６８を水平方向及び鉛直方向に移動させる機能を有している。このような機構としては、例えば単一のエア等を動力源として、駆動軸６８の運動方向をカムにより切り替える機構や、水平方向へのエア動力源及び鉛直方向へのエア動力源をそれぞれ備えた機構等を用いることができる。
【００２８】
弁体制御部７４は、クリーニングガスバルブ制御部５０に接続されている。弁体制御部７４は、クリーニングガスバルブ制御部５０から出力されるクリーニングガス供給バルブ４２の開閉信号に基づいて駆動軸６８の動作を制御し、弁体７０を配管６０に対して進出・退避させる。
【００２９】
次に、弁体７０について説明する。図４は、弁体の主面を示す平面図であり、図５は、図４における弁体のＶ―Ｖ線断面の要部拡大図である。図４に示すように、弁体７０は、円盤部材７６と、Ｏリング７８と、ガードリング８０とによって構成される。
【００３０】
円盤部材７６の底面、すなわち、弁体７０の底面７０ａには、図５に示すように、円盤部材７６と同心となるように凹部７０ｂと凹部７０ｃとが形成されている。凹部７０ｂと凹部７０ｃとは、例えばリング状をなしており、凹部７０ｃは、凹部７０ｂよりも外側に形成されている。
【００３１】
Ｏリング７８は、例えばパーフロロエラストマー等の合成ゴム材料によって形成される。Ｏリング７８は、円盤部材７６との協働により連通孔７２ｂを密閉し、ゲートバルブ６２の遮蔽性を向上させる機能を有している。
【００３２】
ガードリング８０は、活性化されたクリーニングガスに対して耐腐食性を有する材料、例えばポリテトラフルオロエチレンによって形成されている。ガードリング８０は、凹部７０ｃにはめ込まれる部分と、弁体７０の底面７０ａから突出する平坦部分とによって一体的に形成されている。なお、上述した円盤部材７６は、一般には金属で形成されているが、例えばポリテトラフルオロエチレンでガードリング８０と一体成形してもよい。
【００３３】
また、図５に示すように、弁体７０の底面７０ａから突出するＯリング７８の突出量ｈ１は、弁体７０の底面７０ａから突出するガードリング８０の突出量ｈ２よりも０．３ｍｍ程度大きくなっている。本実施の形態においては、例えばｈ１が０．８ｍｍ、ｈ２が０．３ｍｍとなっており、ｈ１がｈ２に対して０．５ｍｍ程度大きくなっている。
【００３４】
次に、上述した構成を有するゲートバルブ６２の動作について説明する。図６及び図７は、ゲートバルブの動作を示す断面図である。
【００３５】
成膜工程において、弁体７０は、図６（ａ）に示すように、配管６０に進出しており、ケーシング６４におけるＣＶＤ装置２０側の連通孔７２ｂを密閉している。ゲートバルブ６２の遮蔽性は、ケーシング６４の内面６４ｃにおいて、連通孔７２ｂの周囲にＯリング７８が押圧されることによって確保されている。成膜工程において、ゲートバルブ６２が配管６０を遮蔽することにより、遠隔プラズマ生成装置４０の内面に付着した粉体が配管６０を通って落下することが防止され、チャンバ２２内の基板Ｗを汚染することが抑制される。
【００３６】
また、Ｏリング７８は、図５に示すように、弁体７０の底面７０ａからガードリング８０よりも大きく突出している。従って、連通孔７２ｂの周囲にＯリング７８が押圧された状態において、ガードリング８０とケーシング６４の内面６４ｃとの間には、間隙が存在している。本実施の形態において、間隙は例えば０．３ｍｍ程度であった。
【００３７】
成膜工程が終了した後、成膜ガス供給バルブ３２が遮蔽されると、ＣＶＤ装置２０への成膜ガスの供給が止められる。次に、ＣＶＤ装置２０のチャンバ２２内から基板Ｗが外部に搬出される。基板Ｗが搬出されると、クリーニングガスバルブ制御部５０は、クリーニングガス供給バルブ４２を開放する。これにより、クリーニングガス供給管４６から遠隔プラズマ生成装置４０にＡｒガスが供給される。
【００３８】
また、クリーニングガスバルブ制御部５０からの信号により、クリーニングガス供給バルブ４２の開放と同期して、弁体制御部７４は、機構部６６を動作させる。機構部６６は、図６（ｂ）に示すように、弁体７０を上方へ向かって移動させる。さらに、機構部６６は、図７（ａ）に示すように、弁体７０を機構部６６側に向かって水平移動させ、配管６０から退避させる。
【００３９】
次に、機構部６６は、図７（ｂ）に示すように、弁体７０を下方へ向かって移動させる。ここで、上述したようにＯリング７８は、弁体７０の底面７０ａからガードリング８０よりも大きく突出している。このため、弁体７０が下方へ向かって移動すると、Ｏリング７８がガードリング８０に先立ってケーシング６４の内面６４ｃに接触して押圧される。なお、内面６４ｃにＯリング７８が押圧された状態において、図６（ａ）の場合と同様に、ガードリング８０とケーシング６４の内面６４ｃとの間には間隙が存在しており、本実施の形態において間隙は０．３ｍｍ程度であった。
【００４０】
クリーニングガス供給バルブ４２の開放から所定時間（例えば３秒）が経過した後、クリーニングガス供給バルブ４４が開放され、クリーニングガス供給管４８から遠隔プラズマ生成装置４０にＮＦ３が供給される。以上により、Ａｒ及びＮＦ３の混合ガスが遠隔プラズマ生成装置４０に供給され、クリーニング工程が開始される。
【００４１】
以上説明したように、成膜システム１０に用いられているゲートバルブ６２は、成膜工程において弁体７０を配管６０に進出させることにより、活性化されたクリーニングガス中のフッ素ラジカル等と遠隔プラズマ生成装置４０の内面を構成する陽極酸化アルミニウム等とに起因して遠隔プラズマ生成装置４０の内部に生成される粉体の落下をブロックし、成膜中の基板Ｗに対する汚染を防止する。一方、このゲートバルブ６２では、遠隔プラズマ生成装置４０による活性化されたクリーニングガスがチャンバ２２に供給されている間、弁体７０を配管６０から退避させた状態で、Ｏリング７８をケーシング６４の内面６４ｃに押圧させる。これにより、クリーニング工程において、配管６０を流れる活性化されたクリーニングガスにＯリング７８が曝露される面積を小さくすることができる。従って、Ｏリング７８の劣化が抑制され、クリーニング工程を繰り返し実行した場合でも、ゲートバルブ６２の遮蔽性を長時間維持できる。さらに、Ｏリング７８の劣化に伴うＯリング７８の組成物の分解・剥離も抑制でき、かかる分解・剥離に起因する基板Ｗへのパーティクル飛散も低減できる。
【００４２】
また、ゲートバルブ６２では、弁体７０の底面７０ａにおいて、Ｏリング７８の外側にガードリング８０が設けられている。これにより、ケーシング６４の内面６４ｃに押圧されたＯリング７８に対する活性化されたクリーニングガスの流入を抑制できる。従って、Ｏリング７８の劣化がさらに抑制され、クリーニングを繰り返し実行した場合でも、ゲートバルブ６２の遮蔽性を一層長時間維持できる。
【００４３】
また、ゲートバルブ６２では、ガードリング８０がポリテトラフルオロエチレンによって形成されている。ポリテトラフルオロエチレンは、クリーニングガスとして頻繁に用いられるフッ素ラジカル等に対して、特に耐腐食性に優れている。従って、クリーニング工程を繰り返し実行した場合でも、Ｏリング７８の劣化をさらに効果的に防止できる。
【００４４】
また、ゲートバルブ６２では、弁体制御部７４は、ＣＶＤ装置２０によって基板Ｗに対する成膜が行われている間、弁体７０を配管６０に進出させてＯリング７８をケーシング６４の内面６４ｃに押圧させ、Ｏリング７８が内面６４ｃに押圧された状態において、ガードリング８０と内面６４ｃとの間に間隙が形成されている。ガードリング８０がケーシング６４の内面６４ｃに当たると、Ｏリング７８とケーシング６４の内面６４ｃとの密着性が損なわれ、弁体７０によるゲートバルブ６２の遮蔽性が十分に得られなくなる。従って、ガードリング８０と内面６４ｃとの間に間隙が形成されていることで、Ｏリング７８の外側にガードリング８０を設けた場合であっても、ゲートバルブ６２の遮蔽性を好適に担保できる。
【００４５】
また、ゲートバルブ６２では、弁体７０の底面７０ａから突出するＯリング７８の突出量ｈ１は、底面７０ａから突出するガードリング８０の突出量ｈ２よりも大きく設定されている。クリーニング工程が繰り返し実行され、Ｏリング７８がケーシング６４の内面６４ｃに何度も押圧されると、Ｏリング７８が磨耗することがある。Ｏリング７８が磨耗して、ガードリング８０がケーシング６４の内面６４ｃに当たるようになると、Ｏリング７８とケーシング６４の内面６４ｃとの密着性が損なわれ、ゲートバルブ６２の遮蔽性が十分に得られなくなる。そこで、Ｏリング７８の突出量ｈ１をガードリング８０の突出量ｈ２よりも大きくすることで、Ｏリング７８の外側にガードリング８０を設けた場合であっても、ゲートバルブ６２の遮蔽性をさらに長時間維持できる。
【００４６】
なお、上述のように、ガードリング８０の突出量ｈ２をＯリング７８の突出量ｈ１よりも大きくした結果、図７（ｂ）の状態においても、ケーシング６４の内面６４ｃとガードリング８０との間にも間隙が存在している。弁体７０が退避した際にこの間隙が小さいことが望ましいが、活性化されたクリーニングガスにＯリング７８が曝露される面積は、押圧によってそもそも小さくなっており、かつガードリング８０により活性化されたクリーニングガスがＯリング７８側に流れこむこと自体が抑制されている。従って、ガードリング８０とケーシング内面６４ｃとの間隙が、弁体７０を進出した際と退避した際とで同じであっても、言い換えれば、弁体７０を進出した時と退避した時とでＯリング７８のケーシング内面６４ｃへの押圧が同じであっても、十分なＯリング７８の劣化防止効果を発揮できる。よって、ゲートバルブ６２の遮蔽性と活性化されたクリーニングガスに対するＯリング７８の劣化防止効果とを共に得ることができ、機構部６６の構成や駆動方法、あるいは弁体制御部７４における制御方法等の簡便化、ひいては低コスト化に貢献できる。
【００４７】
また、ゲートバルブ６２では、弁体制御部７４は、クリーニングガスバルブ制御部５０によってなされるクリーニングガス供給バルブ４２の開閉に同期して弁体７０を進出・退避させている。この場合、弁体７０の進出・退避を最適のタイミングで行うことができる。
【００４８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ゲートバルブ６２の開閉動作において、弁体７０がケーシング６４の連通孔７２ｂに対して進出・退避する例を示したが、弁体７０がケーシング６４の連通孔７２ａに対して進出・退避してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明に係るゲートバルブを適用した成膜システムの一実施形態を概略的に示す図である。
【図２】ゲートバルブの平面図である。
【図３】図２に示したゲートバルブを一部破断して示す側面図である。
【図４】弁体の主面を示す平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線断面の要部拡大図である。
【図６】ゲートバルブの動作を示す断面図である。
【図７】図６の後続の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０…成膜システム、２０…ＣＶＤ装置（成膜装置）、２２…チャンバ、４０…遠隔プラズマ生成装置、４２，４４…クリーニングガス供給バルブ、５０…クリーニングガスバルブ制御部（バルブ制御手段）、６０…配管、６２…ゲートバルブ、６４ａ，６４ｂ…ケーシング、６４ｃ…ケーシングの内面、７０…弁体、７０ａ…弁体の底面（主面）、７４…弁体制御部（弁体制御手段）、７８…Ｏリング、８０…ガードリング、Ｗ…基板、ｈ１…Ｏリングの突出量、ｈ２…ガードリングの突出量。
【図１】
0004696135.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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