(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に対して異なる処理を施すための複数の処理室と、
前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、
前記共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされると共に基準原点マークが形成されて前記被処理体を直接的に保持するピックを有する搬送機構と、
前記共通搬送室に設けられ、前記被処理体に前記異なる処理を施すべき処理工程の順序に従って１つ置きの処理室の搬出入口に対応させて設置された画像センサ手段と、
前記ピックで保持されて移動中の前記被処理体の画像を前記画像センサ手段により取り込むことにより得られた画像情報に基づいて前記基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する位置ずれ量演算部と、
前記位置ずれ量を相殺するように前記搬送機構を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする処理システム。
【請求項２】
前記共通搬送室には、前記画像センサ手段の設定位置に対応させて光透過窓が設けられていることを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記被処理体の基準点は、前記被処理体の周辺部に方向認識のために設けた切り欠き部によって形成される角部であることを特徴とする請求項１又は２記載の処理システム。
【請求項４】
前記画像センサ手段は、前記ピックが通る軌跡上に設置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項５】
前記画像センサ手段は、対応する前記処理室に対して前記被処理体が搬入される時、又は搬出される時に前記画像を取り込むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項６】
被処理体に対して異なる処理を施すための複数の処理室と、
前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、
前記共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされると共に基準原点マークが形成されて前記被処理体を直接的に保持するピックを有する搬送機構と、
前記共通搬送室に設けられ、前記被処理体に前記異なる処理を施すべき処理工程の順序に従って１つ置きの処理室の搬出入口に対応させて設置された画像センサ手段とを有する処理システムで被処理体を搬送する方法において、
前記画像センサ手段が対応させて設置されている前記処理室に対して前記ピックで保持された前記被処理体を搬入する移動中又は搬出する移動中に前記被処理体の画像を取り込む工程と、
前記画像を取り込むことにより得られた画像情報に基づいて前記基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する工程と、
前記算出された位置ずれ量を相殺するように前記搬送機構を制御して前記被処理体を搬送する工程と、
を有することを特徴とする被処理体の搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の処理システム及び被処理体の搬送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣ等のような半導体集積回路を製造するには、シリコン基板等の半導体ウエハの表面に、成膜、酸化拡散、エッチング、アニール等の各種の処理を繰り返し行なう必要がある。この場合、処理効率を向上させるために、それぞれの処理を行なう処理室を１つの共通搬送室に連結させて設けて、いわゆるクラスタツール装置化し、ウエハを各処理室間に渡り歩くように搬送しながら一連の上述したような処理を行なうようにしている。
【０００３】
図７は上述したような従来の処理システムの一例を示す概略構成図である。図示するように、この処理システム２は、例えば真空引き可能になされた共通搬送室４にそれぞれゲートバルブ６Ａ〜６Ｃを介して複数、ここでは３つの処理室８Ａ〜８Ｃを連結して構成される。各処理室８Ａ〜８Ｃ内には、ウエハを上面に載置するための載置台１０Ａ〜１０Ｃが設けられる。また、この共通搬送室４には、ゲートバルブ１２Ａ、１２Ｂを介して、略円板状の半導体ウエハを収容したカセットを収納する２つのカセット室１４Ａ、１４Ｂが連結される。そして、上記共通搬送室４内に、旋回及び屈伸可能になされた例えば多関節アームよりなる搬送機構１６が設けられており、この搬送機構１６により半導体ウエハＷを保持し、これを各カセット室１４Ａ、１４Ｂと各処理室８Ａ〜８Ｃとの間及び各処理室８Ａ〜８Ｃ間で受け渡して搬送するようになっている。また、この共通搬送室４内には、ウエハを適正な方向で、且つ適正な位置で搬送機構１６に保持させるためのオリエンタ１７が設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記各処理室８Ａ〜８Ｃ内においては、ガス圧の変化等によってウエハが載置台１０Ａ〜１０Ｃ上を滑ったり、ウエハの受け渡し時に、ウエハが載置台１０Ａ〜１０Ｃ上を滑ったり、更には、静電チャックを用いている場合には、載置台１０Ａ〜１０ＣからウエハＷを受け取る際、ウエハＷを十分に除電するが、この除電が不十分の時には受け渡しの時に、残留電荷によってウエハが跳ね上がってしまう場合もあり、このような場合には、ウエハは位置ずれを生じたまま搬送機構に保持される場合がある。この場合、位置ずれが生じたままこのウエハを次の処理室の載置台に載置すると、処理に悪影響を与えるので、この位置ずれ量を補正して、次の載置台上の適正な正しい位置にウエハを載置する必要がある。
【０００５】
このために、従来にあっては、例えば特開平１０−２２３７３２号公報や特開平１０−２４７６８１号公報や米国特許第５４８３１３８号公報等に開示されたような位置ずれ検出装置が提案されている。この一例として、例えば図７に示すような検出装置について説明すると、共通搬送室４内において、各処理室８Ａ〜８Ｃのゲートバルブ６Ａ〜６Ｃの近傍に所定の間隔を隔ててそれぞれ一対のラインセンサ２０、２２を配置し、ここにウエハＷが通過する時に一旦これを所定の位置で停止させ、そして、ウエハの２箇所のエッジ（周辺輪郭の位置）を検出し、この検出値に基づいてその時のウエハ中心が基準原点からどの程度位置ずれを生じているかを求めるようになっている。そして、この時求められた位置ずれ量を相殺して補正するように上記搬送機構１６の回転量及び伸縮量を調整して、載置台上の適正な位置にウエハＷを載置するようになっている。
【０００６】
しかしながら、上記したような位置ずれ検出装置にあっては、位置ずれ量を検出する際に各ラインセンサ２０、２２の設置位置にてウエハＷの搬送を一旦停止しなければならなかった。この停止時間は、ラインセンサ２０、２２の性能にもよるが、例えば２〜３秒程度を要しており、このため、ウエハ搬送の迅速化が妨げられてスループットが低下してしまう、といった問題があった。
特に、１つの処理システム２内において、処理室を変更しながら多数の処理をウエハに施す場合には、各処理室にウエハを搬入する毎に上述したように位置ずれ量検出のためにウエハの搬送を一旦停止しなければならず、スループットを一層低下させてしまう、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、被処理体の搬送動作を停止することなく、この被処理体の位置ずれ量を検出するようにして、被処理体の処理のスループットを向上させることが可能な処理システム及び被処理体の搬送方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の関連技術は、周辺部に方向認識のための切り欠き部が形成された円盤状の被処理体を保持している搬送機構に対する前記被処理体の位置ずれを検出する検出装置において、前記搬送機構と前記搬送機構に保持されている前記被処理体との画像を取り込む画像センサ手段と、前記画像センサ手段にて取り込まれた前記画像情報に基づいて、前記搬送機構の予め定められた基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する位置ずれ量演算部とを備えるように構成する。
これにより、搬送機構によって保持されている被処理体は、画像センサ手段の設置場所を停止させることなく、通過するだけでその画像が取り込まれて、位置ずれ量演算部によって搬送機構の基準原点マークと被処理体の基準点とを参照することによって、被処理体の位置ずれ量を求めることが可能となる。
従って、被処理体の搬送に要する時間を、一旦停止しない分だけ短くして迅速な搬送を行うことが可能となる。
【０００８】
この場合、例えば前記画像センサ手段は、前記搬送機構の動作を停止させることなく移送中に前記画像を取り込むことができる程度に高速動作が可能である。
また、例えば前記搬送機構は、前記被処理体を直接的に保持するピックを有しており、前記基準原点マークは前記ピックに予め形成されている。
【０００９】
更に、例えば前記被処理体の基準点は、前記被処理体の周辺部に方向認識のために設けた切り欠き部によって形成される角部である。
請求項１に規定する発明は、上記位置ずれ検出装置を設けた処理システムに関する発明であり、すなわち、被処理体に対して異なる処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、前記共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされると共に基準原点マークが形成されて前記被処理体を直接的に保持するピックを有する搬送機構と、前記共通搬送室に設けられ、前記被処理体に前記異なる処理を施すべき処理工程の順序に従って１つ置きの処理室の搬出入口に対応させて設置された画像センサ手段と、前記ピックで保持されて移動中の前記被処理体の画像を前記画像センサ手段により取り込むことにより得られた画像情報に基づいて前記基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する位置ずれ量演算部と、前記位置ずれ量を相殺するように前記搬送機構を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする処理システムである。
これによれば、被処理体の搬送動作を、位置ずれ量検出のために一旦停止することなく行うことができるので、被処理体の搬送動作を迅速に行うことができ、その分、被処理体の処理のスループットを向上させることが可能となる。
【００１０】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記共通搬送室には、前記画像センサ手段の設定位置に対応させて光透過窓が設けられている。
また例えば請求項３に規定するように、前記被処理体の基準点は、前記被処理体の周辺部に方向認識のために設けた切り欠き部によって形成される角部である。
また例えば請求項４に規定するように、前記画像センサ手段は、前記ピックが通る軌跡上に設置される。
また例えば請求項５に規定するように、前記画像センサ手段は、対応する前記処理室に対して前記被処理体が搬入される時、又は搬出される時に前記画像を取り込む。
請求項６に規定する発明は、被処理体に対して異なる処理を施すための複数の処理室と、前記複数の処理室の搬出入口に共通に連結された共通搬送室と、前記共通搬送室内に設けられて前記各処理室との間で前記被処理体を保持して搬送すべく旋回及び屈伸可能になされると共に基準原点マークが形成されて前記被処理体を直接的に保持するピックを有する搬送機構と、前記共通搬送室に設けられ、前記被処理体に前記異なる処理を施すべき処理工程の順序に従って１つ置きの処理室の搬出入口に対応させて設置された画像センサ手段とを有する処理システムで被処理体を搬送する方法において、前記画像センサ手段が対応させて設置されている前記処理室に対して前記ピックで保持された前記被処理体を搬入する移動中又は搬出する移動中に前記被処理体の画像を取り込む工程と、前記画像を取り込むことにより得られた画像情報に基づいて前記基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する工程と、前記算出された位置ずれ量を相殺するように前記搬送機構を制御して前記被処理体を搬送する工程と、を有することを特徴とする被処理体の搬送方法である。
本発明の関連技術は、上記処理システムによって行われる位置ずれ検出方法であり、すなわち周辺部に方向認識のための切り欠き部が形成された円盤状の被処理体を保持している搬送機構に対する前記被処理体の位置ずれを検出する検出方法において、前記搬送機構と前記搬送機構に保持されている前記被処理体との画像を取り込む工程と、前記取り込まれた前記画像情報に基づいて、前記搬送機構の予め定められた基準原点マークと前記被処理体の予め定められた少なくとも２つの基準点とを求めて前記被処理体の位置ずれ量を算出する工程とを有することを特徴とする被処理体の位置ずれ検出方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る処理システム及び被処理体の搬送方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る処理システムを示す概略平面図、図２は位置ずれ検出装置と搬送機構の制御系を示すブロック図、図３は位置ずれ検出装置の画像センサ手段の設置箇所を示す部分拡大断面図、図４は被処理体を搬送機構のピックの適正な位置に載置した状態を示す平面図である。
図示するように、この処理システム２４は、真空引き可能になされた略正八角形状の共通搬送室２６を有しており、この共通搬送室２６の８つのポートの内の４つには、それぞれ搬出入口に設けたゲートバルブ２８Ａ〜２８Ｄを介して複数、ここでは４つの処理室３０Ａ〜３０Ｄが連結されて、いわゆるクラスタツール装置になされている。また、この共通搬送室２６の他の１つのポートには、共通搬送室２６内に開放されているクーリング処理室３２が設けられ、他の残りの１つのポートは閉鎖されている。各処理室３０Ａ〜３０Ｄ内には、被処理体である半導体ウエハＷを保持する載置台３４Ａ〜３４Ｄが設けられる。これらの各処理室３０Ａ〜３０Ｄは、ウエハに対してどのように処理を行なう装置でもよく、プラズマ或いは熱ＣＶＤ成膜処理、アニール処理、プラズマ或いはプラズマレスエッチング処理、酸化拡散処理等を必要に応じて行なう処理室を設ける。
【００１２】
本実施例では、例えば第１の処理室３０Ａでは第１のタンタル酸化膜を形成する第１のＣＶＤ処理、第２の処理室３０Ｂでは上記第１のタンタル酸化膜を紫外線で改質する第１の改質処理、第３の処理室３０Ｃでは第２のタンタル酸化膜を形成する第２のＣＶＤ処理、第４の処理室３０Ｄでは上記第２のタンタル酸化膜を紫外線で改質する第２の改質処理をそれぞれ施す。
また、この共通搬送室２６には、ゲートバルブ３６Ａ、３６Ｂを介して２つのカセット室３８Ａ、３８Ｂが連結されており、各カセット室３８Ａ、３８Ｂ内には、略円盤状のウエハＷを収容したカセット４０が収容されている。そして、この共通搬送室２６内の略中央には、旋回及び屈伸可能になされた例えば多関節アームよりなる搬送機構４２が設けられており、この搬送機構４２の屈曲アーム４４の先端には、両端側に２つ割りになされたピック４６を有する回転アーム４８が回転可能に取り付けられている。そして、各ピック４６には、例えば４つの短い突起５０（図３及び図４参照）が設けられており、この上にウエハＷを直接的に載置して保持するようになっている。また、各ピック４６の基部には、保持されているウエハＷの過度の横滑りを防止するすべり防止段部５２（図３及び図４参照）が形成されている。また、この各ピック４６の基部には、予め微少な基準原点マーク５４が形成されている。この基準原点マーク５４は、後述する画像センサ手段で画像が読み取れる程度の大きさでよく、例えば直径が０．１〜０．５ｍｍ程度で、深さが０．５ｍｍ程度の穴を形成することによって設ける。そして、この搬送機構４２により半導体ウエハＷを保持し、これを各カセット室３８Ａ、３８Ｂと各処理室３０Ａ〜３０Ｄ、３２との間及び各処理室３０Ａ〜３０Ｄ、３２間で受け渡して搬送するようになっている。
【００１３】
また、上記共通搬送室２６内の上記カセット室３８Ａ、３８Ｂ側には、ウエハを保持して回転する回転テーブル５６とこの時のウエハＷの周縁部の輪郭の位置変動を検出するラインセンサ５８等を含む位置合わせ機構（オリエンタ）６０が設けられており、ウエハＷの位置合わせを行なうようになっている。尚、この位置合わせ機構６０を共通搬送室内に設けないで、処理システムの外側に設ける場合もある。
そして、この共通搬送室２６には、本発明の特徴とする位置ずれ検出装置６２、６４が設けられる。本実施例では、この位置ずれ検出装置６２、６４は、処理工程の順序に従って、１つ置きの処理室３０Ｂ及び３０Ｄの各搬出入口に対応させて全部で２個設けられている。図２にも示すように、各位置ずれ検出装置６２、６４は、被処理体である半導体ウエハＷとこれを保持している搬送機構４２のピック４６との画像を撮影して取り込む画像センサ手段６２Ａ、６４Ａと、このセンサ手段６２Ａ、６４Ａによって取り込まれた画像情報に基づいて、半導体ウエハＷの位置ずれ量を算出する位置ずれ量演算部６２Ｂ、６４Ｂとをそれぞれ有している。上記各位置ずれ量演算部６２Ｂ、６４Ｂの出力は、上記搬送機構４２の動作を制御する、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御手段６６へ接続されており、上記位置ずれ量を相殺して補正するように、上記搬送機構４２の駆動モータ系６８を回転駆動し得るようになっている。
【００１４】
ここで、上記両位置ずれ検出装置６２、６４は、共に全く同じように構成されているので、ここでは、代表として一方の位置ずれ検出装置６２を例にとって説明する。
図３にも示すように、共通搬送室２６を区画する天井板２６Ａの一部には直径が３０ｍｍ程度の監視孔７０が形成されており、この監視孔７０には、Ｏリング等のシール部材７２を介して、例えば石英等の透明材料よりなる光透過窓７４が気密に取り付けられている。そして、この光透過窓７４の上方に、上記画像センサ手段６２Ａが取り付けられており、上記光透過窓７４を介して共通搬送室２６内を撮像し得るようになっている。この画像センサ手段６２Ａにて撮影した画像情報は、ライン７６を介して上述したように位置ずれ演算部６２Ｂへ伝送するようになっている（図２参照）。
【００１５】
この画像センサ手段６２Ａは、搬送機構４２が処理室３０Ｂに対してウエハＷを搬出入させる際にピック４６が通る軌跡７８の直上に位置するように設置される。この画像センサ手段６２Ａの動作速度は、ピック４６によりウエハＷを移送中にこの動作を停止させることなく画像を精度良く取り込むことができる程度に高速動作が可能になされている。このように、画像センサ手段６２Ａとしては、例えばＣＣＤカメラを用いることができ、具体的には高速・高精度モニタ内蔵画像センサＣＶ−５００（株式会社：キーエンス）等を用いることができる。この画像センサ手段６２Ａによって取り込まれる画像の内、実際に位置ずれ量検出のために使用される画像はピック４６の基準原点マーク５４（図４参照）を中心とした近傍であり、この画像には、ウエハＷの周辺部に形成されている方向認識のための切り欠き部である扇状に切り欠いたノッチ８０も含まれるような撮像エリアを有している。このノッチ８０の最大幅は１ｍｍ程度である。
【００１６】
次に、以上のように構成された位置ずれ検出装置６２、６４及び処理システム２４の動作について図５も参照して説明する。
図５は画像センサ手段により取り込まれた画像の処理状態を模式的に座標上に示す図である。本実施例では、ピック４６上におけるウエハＷの載置状態を認識するために、ウエハＷに予め２つの基準点を定めており、ここでは一例として、上記切り欠き部である扇状のノッチ８０によって形成される両端の角部８４、８６（図４参照）を基準点として定めており、この基準点とピック４６の基準原点マーク５４とを認識することによって、ウエハＷの位置ずれ量を検出する。図５中において、基準原点マーク５４の座標（ｘ０、ｙ０）、基準点８４の座標（ｘ１、ｙ１）、基準点８６の座標（ｘ２、ｙ２）で示される画像がピック上の適正な位置にウエハが載置されている場合を示し、これに対して、基準原点マーク５４の座標（ｘ０、ｙ０）、基準点８４の座標（ｘ１’、ｙ１’）、基準点８６の座標（ｘ２’、ｙ２’）で示される画像がピック上に位置ずれ状態でウエハが載置されている場合の一例を示している。
【００１７】
本実施例では、先に説明したように、第１の処理室３０Ａでは第１のタンタル酸化膜を形成する第１のＣＶＤ処理、第２の処理室３０Ｂでは上記第１のタンタル酸化膜を紫外線で改質する第１の改質処理、第３の処理室３０Ｃでは第２のタンタル酸化膜を形成する第２のＣＶＤ処理、第４の処理室３０Ｄでは上記第２のタンタル酸化膜を紫外線で改質する第２の改質処理をそれぞれ施す場合を例にとって説明する。
【００１８】
まず、半導体ウエハＷの一般的な流れから説明する。いずれか一方のカセット室、例えば３８Ａに収容されている未処理の半導体ウエハＷは、搬送機構４２を旋回及び屈伸させることにより、開放されたゲートバルブ３６Ａを介してピック４６の先端に保持され、共通搬送室２６内に取り込む。そして、この搬送機構４２を旋回させることにより、このウエハＷを位置合わせ機構６０の回転テーブル５６上に載置して保持させる。そして、このウエハＷを回転させてラインセンサ５８にてそのエッジを検出することにより、ウエハの位置ずれを求め、次に、このウエハをピック４６で保持する時に、上記位置ずれを相殺するように保持し、これによりウエハは適正に位置合わせされた状態でピック４６上に保持される。ちなみに、この時のピック４６の基準原点マーク５４とウエハＷのノッチ８０の角部８４、８６との位置関係は、図５中において、座標（ｘ０、ｙ０）、（ｘ１、ｙ１）及び（ｘ２、ｙ２）で表されるような位置ずれのない適正に載置された状態となっている。この位置合わせされたウエハＷは、搬送機構４２により、まず所定の処理室３０Ａに方向付けされる。そして、この搬送機構４２を伸ばして開放されているゲートバルブ２８Ａを介して処理室３０Ａ内にウエハＷを搬入し、これを載置台３４Ａ上に載置する。
【００１９】
このように、ウエハＷの搬入が終了したならば、処理室３０Ａ内にてウエハＷに対して所定の処理、すなわち第１のタンタル酸化膜の成膜処理を行なうことになる。この処理が終了したならば、搬送機構４２を伸長させて、開放されたゲートバルブ２８Ａを介してピック４６を処理室３０Ａ内に侵入させ、この先端のピック４６に処理済みのウエハＷを保持させる。そして、搬送機構４２を縮退させることにより、ウエハＷを共通搬送室２６内に取り込む。この時点で、ピック４６上にはウエハＷが位置ずれした状態で載置されている可能性がある。
そして、このウエハＷに対して次の処理を施す場合には、搬送機構４２を旋回させて、このウエハＷを次の処理室、例えば３０Ｂに方向付けする。そして、先程、処理室３０Ａ内へウエハＷを搬入させた時と同様にして処理室３０Ｂ内へウエハＷを搬入し、これを載置台３４Ｂ上に載置する。この際、搬入時には位置ずれ検出装置６２によりウエハＷの位置ずれ量が求められるので、この位置ずれ量を相殺するように搬送機構４２の動作、すなわちこの回転量や屈伸量を制御し、載置台３４Ｂの適正な位置にウエハＷを載置することになる。尚、この相殺補正については後述する。
【００２０】
次に、この処理室３０Ｂ内にてウエハＷに対して所定の処理、すなわち第１の改質処理を施したならば、このウエハＷを搬送機構４２により取りに行き、ウエハＷを共通搬送室２６内に取り込む。この時、ピック４６のウエハＷは再度、位置ずれ状態で載置されている可能性があるが、この位置ずれ量は位置ずれ検出装置６２によって検出される。そして、このウエハＷを次の処理のために処理室３０Ｃ内に搬入する場合には、先に求めた位置ずれ量を補正して相殺するように搬送機構４２の動作、すなわちこの回転角や屈伸量を制御し、載置台３４Ｃの適正な位置にウエハＷを載置することになる。
そして、この処理室３０Ｃ内で所定の処理、すなわち第２のタンタル酸化膜の成膜処理が終了して、このウエハＷを処理室３０Ｃから処理室３０Ｄへ移載する場合には、ウエハＷを搬送機構４２により処理室３０Ｃから取り出し、これを処理室３０Ｄ内の載置台３４Ｄ上に載置することになる。この時の関係は、上記処理室３０Ａから処理室３０ＢへウエハＷを移載する時と同じである。すなわち、処理室３０ＤにウエハＷが搬入される過程で、位置ずれ検出装置６４によりピック６４上のウエハＷの位置ずれ量が求められ、この位置ずれ量を補正して相殺するようにして載置台３４Ｄの適正な位置にウエハＷは載置されることになる。
【００２１】
このようにして、第２の改質処理を行うことによって、完全にウエハＷの処理が完了したならば、この完全に処理済みのウエハＷを、例えば他方のカセット室３８Ｂ内のカセットに収容することになる。この場合には、第２の改質処理が終了した時点でウエハＷがかなり高温になっているので、ウエハＷをクーリング処理室３２内へ一旦搬送してここで冷却し、その後、ウエハＷをカセット室３８内へ収容する。
この時、ウエハの処理は完了しているので、ピック４６上のウエハＷを位置ずれが生じたまま搬送してもよいが、より搬送の精度を上げるためには、第４の処理室３０ＤからウエハＷを搬出する際に、位置ずれ検出装置６４によってウエハＷの位置ずれ量を検出し、これを相殺するようにウエハＷをクーリング処理室３２内へ搬入させるようにしてもよい。
【００２２】
このように、上記位置ずれ検出装置６２、６４の各画像センサ手段６２Ａ、６４Ａの設置場所の真下を、ピック４６に保持されたウエハＷが処理室３０Ｂ、３０Ｄに対する搬入・搬出のために停止することなく通過する際に、ピック４６上のウエハＷの位置ずれ量が求められるが、その時の算出手順について図５も参照して説明する。
各画像センサ手段６２Ａ、６４Ａの真下を、停止することなくピック４６に保持されたウエハＷが通過する毎に、ピック４６の基準原点マーク５４とウエハＷの基準点８４、８６とが含まれた画像情報が取り込まれ、これを各位置ずれ量演算部６２Ｂ、６４Ｂで画像処理することにより、上記マーク５４及び基準点８４、８６の座標が高精度で求められ、その位置決めを行う。そして、各位置ずれ量演算部６２Ｂ、６４Ｂには、ピック４６上に、位置ずれなしで適正な位置にウエハＷが保持されている時の基準原点マーク５４及び基準点８４、８６の座標が予め記憶されている。図５中において、この座標は点（ｘ０、ｙ０）、点（ｘ１、ｙ１）、点（ｘ２、ｙ２）として表されている。そして、この適正に保持されているウエハＷの座標と、実際のウエハ搬送時に上述のように測定して得た座標とを、基準原点マーク５４の座標同士が同一となるようにして、その位置ずれ量を求める。
【００２３】
図５中では、測定により得られたウエハＷの基準点８４、８６の座標をそれぞれ（ｘ１’、ｙ１’）及び（ｘ２’、ｙ２’）として表されており、座標（ｘ１、ｙ１）と点（ｘ１’、ｙ１’）のずれ量Δｔ１及び座標（ｘ２、ｙ２）と点（ｘ２’、ｙ２’）のずれ量Δｔ２が全体の位置ずれ量であり、これを相殺するように、ウエハＷは載置台上に載置されることになる。
このように、ウエハＷの搬送動作を停止させることなくピック４６上におけるウエハＷの位置ずれ量を検出することができるので、その分、ウエハ搬送動作を迅速に行うことができ、従って、ウエハ処理のスループットを向上させることが可能となる。
本実施例では、ウエハの処理工程の順序に従って、１つ置きの処理室に対応させて複数、具体的には２個の位置ずれ検出装置６２、６４を設けて、ウエハ搬送効率を最大限に向上させるようにしたが、これに限定されず、位置ずれ検出装置を１個のみ設けるようにしてもよい。この場合には、ピック６４上にウエハＷが位置ずれ状態で保持されている可能性のある時に、この位置ずれ検出装置の画像センサ手段の設置場所にウエハＷを通過させることで、その位置ずれ量を検出することができる。
【００２４】
また、ここでは搬送機構４２が２本のピック４６を有する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、１本のピック４６を有する搬送機構であっても構わない。
更に、ここではウエハＷの切り欠き部として微少な扇状のノッチ８０が形成されている場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図６に示すように、切り欠き部としてウエハ周縁部の円弧の一部を直線状に切り取るようにして形成したオリエンテーションフラット９０を用いたウエハＷにも適用することができる。この場合には、直線状のオリエンテーションフラット９０の両端が角部（基準点）９２、９４となる。このようなオリエンテーションフラット９０の長さは、一般的には上記ノッチ８０よりもかなり大きくて６０〜７０ｍｍ程度の長さになるので、その分、画像センサ手段による撮像エリアを広く設定するのは勿論である。
【００２５】
また、ここでは、処理室における処理として成膜処理と改質処理とを例にとって説明したが、これらは単に一例を示したに過ぎず、どのような処理を行うようにしてもよい。更に、ウエハのサイズも特に限定されず、６インチ、８インチ及び１２インチのすべてのウエハサイズに本発明は適用できるのは勿論である。
また、以上の各実施例にあっては、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、例えばＬＣＤ基板、ガラス基板にも本発明を適用できるのは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システム及び被処理体の搬送方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、搬送機構によって保持されている被処理体は、画像センサ手段の設置場所を停止させることなく、通過するだけでその画像が取り込まれて、位置ずれ量演算部によって搬送機構の基準原点マークと被処理体の基準点とを参照することによって、被処理体の位置ずれ量を求めることができる。従って、被処理体の搬送に要する時間を、一旦停止しない分だけ短くして迅速な搬送を行うことができる。
また、被処理体の搬送動作を、位置ずれ量検出のために一旦停止することなく行うことができるので、被処理体の搬送動作を迅速に行うことができ、その分、被処理体の処理のスループットを向上させることができる。
更に、画像センサ手段は、全ての処理室に対応させて設ける必要がなく、処理の順序に従って１つ置きに設けるようにしたので、コストの低減に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理システムを示す概略平面図である。
【図２】位置ずれ検出装置と搬送機構の制御系を示すブロック図である。
【図３】位置ずれ検出装置の画像センサ手段の設置箇所を示す部分拡大断面図である。
【図４】被処理体を搬送機構のピックの適正な位置に載置した状態を示す平面図である。
【図５】画像センサ手段により取り込まれた画像の処理状態を模式的に座標上に示す図である。
【図６】切り欠き部としてオリエンテーションフラットを有する被処理体を保持するピックを示す平面図である。
【図７】従来の処理システムの一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
２４  処理システム
２６  共通搬送室
３０Ａ〜３０Ｄ  処理室
３４Ａ〜３４Ｄ  載置台
３８Ａ，３８Ｂ  カセット室
４２  搬送機構
４６  ピック
５４  基準原点マーク
６０  位置合わせ機構
６２，６４  位置ずれ検出装置
６２Ａ，６４Ａ  画像センサ手段
６２Ｂ，６４Ｂ  位置ずれ量演算部
６６  制御手段
７４  光透過窓
８０  ノッチ（切り欠き部）
８４，８６  角部
９０  オレエンテーションフラット（切り欠き部）
９２，９４  角部（基準点）
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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