(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系よりも低い排気圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系および減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーションバルブと、接ガス面が非金属の耐食性材料により形成され前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧力を基にそれぞれのコンビネーションバルブを制御する制御部と、予めインプットされた熱処理方法のプログラムレシピに従って常圧排気系を用いた常圧ないし微減圧酸化処理、処理炉内を減圧排気しながら不活性ガスの供給と停止を交互に繰り返して処理炉内の急速な減圧と置換を行うサイクルパージ、減圧排気系を用いた拡散処理又は減圧ＣＶＤ処理を連続して行う制御装置とを備え、前記処理炉の炉内環境に晒される金属製部材の接ガス面に、金属製部材の腐食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制するためのクロム酸化物被膜をコーティングしたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
配管およびバルブを少なくとも含む前記常圧排気系および減圧排気系の金属製部材の接ガス面に金属製部材の腐食および副生成物の付着を抑制するためのフッ素樹脂被膜をコーティングしたことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記常圧排気系および減圧排気系に通じる排気管部の内面に副生成物の付着を抑制するためのコーティングを施したことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体ウエハを処理する装置として、酸化処理工程を行う酸化処理装置やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理工程を行うＣＶＤ装置がある。従来、酸化処理装置では主にテフロン系配管よりなる常圧および減圧排気系が設けられており、また、ＣＶＤ装置では主にステンレス系配管よりなる減圧排気系が設けられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、酸化処理とＣＶＤ処理とを同一の装置で連続して行いたいという要求が出てきた。しかし、テフロン系配管を排気系に用いた酸化処理装置でＣＶＤ処理までを行おうとした場合、コスト面などから配管の口径が制限されることで、排気コンダクタンスが足りなくなったり、ガス透過性の面から真空排気が不適当になったりするため、そのままでは適用できないという問題があった。
また、ステンレス系配管を排気系に用いたＣＶＤ装置で酸化処理までを行おうとすると、処理ガスによる配管内面の腐食という問題が出てきた。特に、酸化処理とＣＶＤ処理の連続処理等においては、塩素系の腐食ガスと水分による強い腐食環境にされられるため、同様にＣＶＤ処理における反応管内面の副生成物の付着に対する確実な対策が望まれていた。
【０００４】
また、これらの熱処理装置では、処理炉自体は石英で構成されているものの、加工の困難な炉蓋やマニホールド等には金属が使われているため、ウエハの金属汚染（メタルコンタミネーション）を防止する目的で、それらの部分を石英のカバーで覆ったり、その上で更に不活性ガスを局部的に供給したりして、金属部分が炉内ガスに接触しないような対策を講じている場合があるが、その場合、石英カバーを設けたり不活性ガスを供給したりする分だけ、構成が複雑になり、コストアップになっていた。
【０００５】
本発明は、前記事情を考慮してなされたもので、過酷な腐食環境であっても腐食の心配がなく、また、副生成物の付着の抑制を図ることができ、しかも、金属汚染の問題を解消することができて、何時でも安定したプロセスを行うことができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のうち、請求項１に係る発明は、処理炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系よりも低い排気圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系および減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーションバルブと、接ガス面が非金属の耐食性材料により形成され前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧力を基にそれぞれのコンビネーションバルブを制御する制御部と、予めインプットされた熱処理方法のプログラムレシピに従って常圧排気系を用いた常圧ないし微減圧酸化処理、処理炉内を減圧排気しながら不活性ガスの供給と停止を交互に繰り返して処理炉内の急速な減圧と置換を行うサイクルパージ、減圧排気系を用いた拡散処理又は減圧ＣＶＤ処理を連続して行う制御装置とを備え、前記処理炉の炉内環境に晒される金属製部材の接ガス面に、金属製部材の腐食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制するためのクロム酸化物被膜をコーティングしたことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱処理装置において、配管およびバルブを少なくとも含む前記常圧排気系および減圧排気系の金属製部材の接ガス面に金属製部材の腐食および副生成物の付着を抑制するためのフッ素樹脂被膜をコーティングしたことを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１記載の熱処理装置において、前記常圧排気系および減圧排気系に通じる排気管部の内面に副生成物の付着を抑制するためのコーティングを施したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を添付図面に基いて詳述する。図１は、本発明を主として酸化処理工程を行う酸化処理装置に適用した第１実施の形態の構成図である。
【００１０】
本実施の形態の酸化処理装置（熱処理装置）は、常圧処理および減圧処理可能型として構成されている。図１において、１は半導体ウエハ（被処理体）Ｗを収容し、処理ガスとして水蒸気を供給して例えば８５０℃程度の高温下で熱処理する縦型でバッチ式の処理炉で、この処理炉１は上端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐熱性を有する例えば石英製の反応管（処理容器）２を備えている。
【００１１】
この反応管２は、炉口として開放した下端開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性の高い処理炉１を構成するようになっている。前記蓋体３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する基板支持具である例えば石英製のウエハボート４が保温筒６を介して載置されている。
【００１２】
蓋体３は、図示しない昇降機構により、処理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならびにアンロード（搬出）および炉口の開閉を行うように構成されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を所定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な抵抗発熱体からなるヒーター８が設けられている。ヒーター８の周囲は冷却ジャケット９で覆われている。
【００１３】
反応管２の下側部には、ガス導入管部１０が適宜個数設けられており、その一つには、処理ガス供給手段（水蒸気供給手段）として、水素ガスＨ2と酸素ガスＯ2の燃焼反応により水蒸気を発生させて供給する燃焼装置（外部燃焼装置）１１が接続されている。なお、他のガス導入管部には、その他の処理ガス例えば一酸化窒素ガスＮＯや一酸化二窒素ガスＮ2Ｏ、塩化水素ＨＣｌあるいは不活性ガス例えばＮ2等を供給するガス供給源が接続されている（図示省略）。
【００１４】
また、前記石英製の反応管２の下側壁には、反応管２内を排気するための排気管部１３が一体に設けられており、この排気管部１３には、減圧排気系１４を構成する排気管１５が接続されている。なお、蓋体３は金属製（主にステンレス製）のものであるが、高温の炉内環境および処理ガスに晒される箇所であるから、その接ガス面には、金属製部材の腐食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制するためのコーティングが施されている。ここでは、セラミックの一種であるクロム酸化物被膜がコーティングされている。また、排気管部１３の内面には、炉内副生成物が冷却されることによって付着するのを抑制するためのコーティングが施されている。ここでは、耐熱性の高いクロム酸化物被膜もしくはフッ素樹脂被膜がコーティングされている。
【００１５】
前記排気管１５は、高真空度での減圧排気が可能な大口径例えば内径が３インチ程度の配管からなっている。また、排気管１５は、耐食性配管からなり、例えば金属製好ましくはステンレス製の配管の内周面に、耐食性樹脂であるフッ素樹脂の被膜をコーティングしてなるものである。前記排気管１５の下流端は、処理炉１内を例えば最大−１Ｐａ程度に減圧可能な減圧ポンプ（真空ポンプ）１６に接続され、この減圧ポンプ１６の下流には除害装置１７が接続されている。除害装置１７への配管の内面にもフッ素樹脂の被膜がコーティングされている。減圧ポンプ１６としては、例えばドライポンプが好ましい。
【００１６】
前記排気管１５の途中には、図示しない除害装置や排気ブロワを備えた工場排気系の排気ダクトに通じる常圧排気系１８を構成する常圧排気管１９が分岐接続されており、常圧ないし微陰圧での処理が可能になっている。常圧排気管１９も前記排気管１５と同様に、金属製好ましくはステンレス製の配管の内周面に耐食性樹脂であるフッ素樹脂被膜をコーティングしてなるものである。排気管１５および常圧排気管１９の外周には、腐食の原因となる配管内の水分を飛ばす（蒸発させる）べく加熱するための加熱手段例えば抵抗発熱体が設けられていることが好ましい。
【００１７】
そして、前記常圧排気系１８および減圧排気系１４には、それぞれ開閉および圧力調節の可能なコンビネーションバルブ２０，２１が設けられている。減圧排気系１４においては、排気管１５における常圧排気管１９の分岐接続部よりも下流位置にコンビネーションバルブ２１が取付けられている。これらのコンビネーションバルブ２０，２１は、例えば電気信号を空気圧に変換して弁体の位置制御を行うようになっていると共に、弁体の着座部にＯリングを有しシャットオフができるようになっている。これらのコンビネーションバルブ２０，２１は、排気と接する部品が耐食性を有する材料例えばフッ素樹脂により形成されているか、あるいは、金属で構成した場合には、排気と接する接ガス面がフッ素樹脂の被膜でコーティングされている。
【００１８】
前記排気管１５における減圧処理用コンビネーションバルブ２１よりも上流位置には、常圧処理時の排気圧力を検出するための圧力センサ２２と、減圧処理時（減圧排気時）の排気圧力を検出する圧力センサ２３とが、空気圧制御式の弁２４，２５を介して設けられている。前記圧力センサ２２，２３は、水分Ｈ２Ｏと腐食性ガス例えばＨＣｌが存在する過酷な腐食環境下での使用を可能とするために、排気と接する接ガス面がフッ素樹脂により形成されている。
【００１９】
前記常圧排気系１８および減圧排気系１４にそれぞれ設けられたコンビネーションバルブ２０，２１は、前記圧力センサ２２，２３の検出圧力を基に共通の制御部（コントローラ）３２により制御されるようになっている。すなわち、この制御部３２は、常圧処理時には常圧排気系１８のコンビネーションバルブ２０に切換えてこれを常圧処理時用の圧力センサ２２の検出圧力を基に制御し、減圧処理時には減圧排気系１４のコンビネーションバルブ２１に切換えてこれを減圧処理時用の圧力センサ２３の検出圧力を基に制御するというように、二系統の制御が可能になっている。
【００２０】
以上の構成からなる酸化処理装置は、処理炉１の排気系の各接続部にシール手段である例えばＯリングを設けるなど、高減圧排気が可能なリークタイトな高気密構造とされている。また、酸化処理装置は、予め所望の熱処理方法のプログラムレシピがインプットされた制御装置（図示省略）により燃焼装置１１、ヒーター８、コンビネーションバルブ２０，２１の制御部３２等が制御されて所望の熱処理方法を自動で実施するように構成されている。
【００２１】
前記クロム酸化物被膜のコーティング方法としては、例えば特開昭６３−３１７６８０号公報に記載されているクロム酸化物被膜の形成方法等が利用できる。この方法は、無水酸化水溶液にＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３粉末を加えて調整したスラリーを金属表面に塗布した後、これを加熱して多孔質膜を形成し、これにクロム酸アンモンまたは重クロム酸アンモンを１０重量％以下添加した無水クロム酸水溶液を含浸させ、加熱処理する。このクロム酸含浸と加熱処理を繰り返すことにより耐熱性および耐食性に富むクロム酸化物被膜が得られる。
【００２２】
前記排気管１５、１９やバルブ２０、２１にコーティングするフッ素樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ＝ポリテトラフルオロエチレン（四フッ化エチレン樹脂）、ＰＦＡ＝テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（パーフルオロアルコキシ樹脂）、ＥＴＦＥ＝テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体（四フッ化エチレン−エチレン共重合樹脂）等が利用できる。排気系の接ガス面に対するフッ素樹脂のコーティング方法としては、吹き付け、どぶづけ、刷毛塗り、ライニングなどがある。前記フッ素樹脂のコーティングにより、排気系の腐食防止と、その表面平滑性による反応副生成物の付着防止が可能となる。
【００２３】
次に、前記酸化処理装置の作用および熱処理方法について説明する。まず、処理炉１内は、大気に開放されていると共にヒーター８により予め所定の温度例えば３００℃に加熱制御されており、この状態で多数枚の半導体ウエハＷが保持されたウエハボート４を処理炉１内にロードして処理炉１の炉口を蓋体３で密閉し、処理炉１内を減圧排気系１４による真空引きにより減圧する。この減圧ないし真空引きは、サイクルパージを含むことが好ましい。前記ロードおよびサイクルパージの際には、半導体ウエハＷの表面に自然酸化膜が形成されないように処理炉内に不活性ガス例えばＮ2が供給されており、また、Ｎ2が１００％であると、半導体ウエハＷの表面が窒化してしまい、この後の酸化工程にて半導体ウエハＷの表面が酸化されにくくなるため、これを防止すべくＯ2が少量例えば１％程度供給されている。
【００２４】
前記サイクルパージは、処理炉１内を真空引きしながら不活性ガス例えばＮ2の供給と停止を交互に繰り返すことにより行われる。この場合、排気系をコンビネーションバルブ２１により減圧排気系１４に切換え、減圧ポンプ１６の作動状態で圧力センサ２３により圧力を検知しつつコンビネーションバルブ２１の制御により処理炉１内を所定の圧力例えば−１Ｐａ程度に減圧排気する。この減圧排気状態で、所定流量に制御された不活性ガス例えばＮ2を不活性ガス供給弁の開閉の繰り返しにより間欠的に供給することにより、サイクルパージが行われ、処理炉１内を迅速に減圧して不活性ガスで十分に置換することができる。すなわち、このサイクルパージによって急速な減圧（真空到達時間の短縮）と置換が可能となる。
【００２５】
次に、前記減圧排気状態でヒーター８の制御により処理炉１内を所定の処理温度例えば８５０℃まで昇温させ、排気系をコンビネーションバルブ２０にて常圧排気系１８に切換えることにより処理炉１内を常圧ないし微減圧に制御し、この状態でリカバリー（半導体ウエハの温度を安定させる）をしてから、所望の熱処理例えばＨＣｌ酸化を行う。この熱処理は、酸素ガスＯ2と水素ガスＨ2を燃焼装置１１に供給して燃焼させ、発生する水蒸気を塩化水素ガスＨＣｌおよび不活性ガス例えばＮ2と共に処理炉１内に供給することにより、微減圧状態で行われる。
【００２６】
熱処理工程を終了したなら、排気系を減圧排気系１４に切換えて、処理炉１内を再度真空引きにより減圧してから、ヒーター８の制御により処理炉１内の温度を所定の温度例えば３００℃程度に降温させ、これと並行して処理炉１内を常圧に戻し、処理炉１内からウエハボート４をアンロードし、クーリング（半導体ウエハを搬送可能な温度に冷却すること）を行えばよい。前記熱処理工程終了後の減圧ないし真空引きも、サイクルパージを含むことが好ましい。
【００２７】
このように予め所定の温度に加熱された処理炉１内に半導体ウエハＷを収容し、処理炉１内を所定の処理温度まで昇温させ、処理ガスである水蒸気を供給して半導体ウエハＷを熱処理するに際して、前記昇温の工程を減圧下で行うようにしたので、酸化種を排除した状態で半導体ウエハＷを所定の処理温度まで昇温させることができ、昇温工程での自然酸化膜の形成を抑制することができ、品質の優れた極薄酸化膜を形成することができる。また、所望の熱処理の工程前だけでなく工程後にも処理炉１内を真空引きにより減圧するようにしたので、所望の熱処理工程以外の部分での余計な酸化種を十分に排除して自然酸化膜の形成を十分に抑制することができ、膜質および膜厚が均一で品質の優れた極薄酸化膜を形成することができる。因みに、膜厚が２ｎｍ程度のＳｉＯ2膜を形成することが可能である。
【００２８】
前記処理炉１を減圧ないし真空引きする工程では、いわゆるサイクルパージを含んでいるため、迅速な減圧と置換が可能となり、スループットの向上が図れる。また、前記酸化処理装置においては、処理炉１内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段である燃焼装置１１と、熱処理の工程で処理炉１内を常圧ないし微減圧で排気する常圧排気系１８と、熱処理工程の前後に処理炉１内を真空引き可能な減圧排気系１４とを備え、前記常圧排気系１８と減圧排気系１４の切換えをコンビネーションバルブ２０，２１により行うようにしているため、前述した熱処理方法を確実かつ容易に実施することできる。
【００２９】
このように減圧処理可能な酸化処理装置（熱処理装置）によれば、処理炉１内に半導体ウエハＷを収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、前記処理炉１内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気系１８よりも低い圧力で減圧排気する減圧排気系１４と、常圧排気系１８および減圧排気系１４のそれぞれに設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーションバルブ２０，２１と、前記排気圧力を検出する絶対圧型の圧力センサ２２，２３と、この圧力センサ２２，２３の検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，２１を制御する制御部３２とを備えているため、常圧排気系１８を用いた常圧ないし微減圧酸化処理および減圧排気系１４を用いたサイクルパージや減圧ＣＶＤ処理等の連続処理が可能となる。常圧排気系１８では、大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく安定な制御が可能になると共に、排気系の構造が簡素化され、不活性ガス例えばＮ2のランニングコストを無くすことができ、コストの低減が図れる。
【００３０】
特に、常圧排気系１８の圧力センサおよび減圧排気系１４の圧力センサとして、絶対圧型の圧力センサ２２，２３を用いているため、低気圧等の大気圧の変動に左右されることなく例えば大気圧付近での安定した絶対圧制御および減圧下での安定した絶対圧制御が可能となり、何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成することが可能となると共に薄膜の形成が可能となる。
【００３１】
また、金属製の蓋体３の接ガス面には蓋体３の腐食および蓋体３からのウエハｗの金属汚染を抑制するためのクロム酸化物被膜がコーティングされているので、高温の炉内環境に晒される金属部分を石英カバーで覆ったり、不活性ガスを局部的に供給して金属部分に炉内ガスが接触しないようにする等の、コストのかかる対策を講じなくてよく、安価に耐食性の改善と金属汚染の防止を図ることができる。
【００３２】
また、反応炉２の出口である排気管部１３の内面や、排気管１５、１９およびコンビネーションバルブ２０、２１の接ガス面にもフッ素樹脂被膜をコーティングしたので、炉内副生成物の付着を抑制することができると共に、安定した耐食性を確保することができる。従って、メンテナンスの負荷を軽減することができる。
【００３３】
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態では、処理炉として、縦型炉が例示されているが、横型炉であってもよく、また、バッチ式が例示されているが、枚葉式であってもよい。被処理体としては、半導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であってもよい。上記水蒸気供給手段としては、燃焼式に限定されず、例えば気化器式、触媒式、沸騰式等であってもよい。
【００３４】
また、前記実施の形態では、本発明を酸化処理装置に適用した場合が示されているが、本発明は、酸化処理装置以外に、例えば、拡散処理装置、ＣＶＤ処理装置、アニール処理装置等、あるいはこれらの複合型装置にも適用可能である。
【００３５】
図２はＣＶＤ処理装置に適用した場合の実施の形態を示す図である。このＣＶＤ処理装置の処理炉５１においては、内管５２Ａと外管５２Ｂよりなる反応管５２の下部に金属製のマニホールド５３が設けられており、そのマニホールド５３にガス導入管部５４および排気管部５５が設けられている。処理ガスは、内管５２Ａの内部下方から供給されて上昇し、上端で折り返して、内管５２Ａと外管５２Ｂの隙間を下降した後、排気管部５５から減圧排気系１４へと排気される。
【００３６】
この処理炉５１においては、高温の炉内ガスに晒される金属製部材の接ガス面として、蓋体３とマニホールド５３の内面（接ガス面）、内管５２Ａの受け部材５６や保温筒５７を受けるベース５８の表面、および、ガス導入管部５４や排気管部５５の接ガス面が、クロム酸化物被膜でコーティングされている。また、減圧排気系１４を構成するステンレス製の排気管１５の内面やコンビネーションバルブ２１の金属部品の接ガス面が、フッ素樹脂被膜でコーティングされている。これにより、炉内ガスに晒される金属部材（蓋体３およびマニホールド５３など）の腐食防止を図ることができると共に、それら金属製部材による金属汚染を防止することができる。また、排気管部５５にクロム酸化物被膜をコーティングすると共に、減圧排気系１４の金属の接ガス面にフッ素樹脂被膜をコーティングしたので、腐食防止を図ることができると共に、ガスの冷却による副生成物の付着を抑制することができ、メンテナンスの負荷を軽減できる。なお、図１の装置とほぼ同じ機能を果たす部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３７】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
【００３８】
（１）請求項１に係る発明によれば、処理炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系よりも低い排気圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系および減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーションバルブと、接ガス面が非金属の耐食性材料により形成され前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧力を基にそれぞれのコンビネーションバルブを制御する制御部と、予めインプットされた熱処理方法のプログラムレシピに従って常圧排気系を用いた常圧ないし微減圧酸化処理、処理炉内を減圧排気しながら不活性ガスの供給と停止を交互に繰り返して処理炉内の急速な減圧と置換を行うサイクルパージ、減圧排気系を用いた拡散処理又は減圧ＣＶＤ処理を連続して行う制御装置とを備え、前記処理炉の炉内環境に晒される金属製部材の接ガス面に、金属製部材の腐食および金属製部材からの被処理体の金属汚染を抑制するためのクロム酸化物被膜をコーティングしたので、炉内環境に晒される金属製部材の耐食性を向上させることができると共に、それら金属製部材からの被処理体の金属汚染を防止することができる。
【００３９】
（２）請求項２に係る発明によれば、配管およびバルブを少なくとも含む前記常圧排気系および減圧排気系の金属製部材の接ガス面に金属製部材の腐食および副生成物の付着を抑制するためのフッ素樹脂被膜をコーティングしたので、前記常圧排気系および減圧排気系の耐食性を向上させることができると共に、副生成物の付着を抑制することができ、メンテナンス時のクリーニング負荷を軽減することができる。
【００４０】
（３）請求項３に係る発明によれば、常圧排気系および減圧排気系に通じる排気管部の内面に副生成物の付着を抑制するためのコーティングを施したので、処理炉の排気管部の内面における副生成物の付着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を酸化処理装置に適用した実施の形態の構成を示す図である。
【図２】本発明をＣＶＤ処理装置に適用した実施の形態の構成を示す図である。
【符号の説明】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
１  処理炉
３  蓋体（金属製部材）
１３  排気管部
１４  減圧排気系
１５  排気管
１８  常圧排気系
１９  排気管
２０，２１  コンビネーションバルブ
５１  処理炉
５３  マニホールド（金属製部材）
５５  排気管部（金属製部材）
【図１】
0004640891.tif 000002
【図２】
0004640891.tif 000003