(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、
前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなる第１の過程と、
前記第１の過程における最初の撮像過程により得られた画像に基づき、前記チップ群における前記半導体チップの配列の傾きを判定する第２の過程と、
前記第２の過程により、前記半導体チップの配列が傾いていると判定された場合には、この傾きを修正すべく前記フィルムの姿勢を修正する第３の過程と、
前記第３の過程において姿勢が修正された前記フィルム上の前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第４の過程と、
前記第４の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第５の過程と、
前記第５の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第６の過程と、
を備える半導体チップの画像取得方法。
【請求項２】
半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、
前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなる第１の過程と、
前記第１の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第２の過程と、
前記第２の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第３の過程と、
を備え、
前記第１の過程においては、前記複数の撮像過程のうちの一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定するものである半導体チップの画像取得方法。
【請求項３】
半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、
前記フィルム上の前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第１の過程と、
前記第１の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第２の過程と、
前記第２の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第３の過程と、
を備え、
前記第３の過程は、前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなり、
前記第３の過程においては、前記複数の撮像過程のうちの一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定するものである半導体チップの画像取得方法。
【請求項４】
前記第１の過程により取得された画像に基づいて、各半導体チップの座標を決定する過程を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体チップの画像取得方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの画像取得方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ或いはその他の半導体チップは、多数の半導体チップが縦横に配列されてなるウェハの状態で製造される。
【０００３】
このウェハは、以下に説明するようにして個々の半導体チップに分離される。
【０００４】
図１はウェハを半導体チップに分離する工程を説明するための図である。
【０００５】
図１に示すように、ウェハ１をフィルム２上に貼り付けた状態で、該フィルム２を、図１に矢印を示すように、周囲に引き延ばす。すると、ウェハ１を構成する個々の半導体チップが互いに分離する。
【０００６】
図２に斜視図を示すように、分離された多数の半導体チップからなるチップ群３が貼り付けられた状態のフィルム２は、適度な張力でリング状の枠状体４の一方の開口端に貼り付けられる。
【０００７】
半導体チップは、上記のようにフィルム２を引き延ばすことにより分離される際に、割れや欠けを生じたり、キズを生じたり、隣り合う半導体チップどうしが分離されないままの状態となったり、或いは、分離後の半導体チップどうしが重なり合った状態となったりする問題が生じることがある。これらの問題が生じた半導体チップは欠陥品として扱う必要がある。
【０００８】
このため、分離後の半導体チップは、欠陥が生じているか否かの検査に供される。
【０００９】
従来、分離後の半導体チップの検査は、作業者が目視で行っていた。
【００１０】
なお、分離後の半導体チップの検査に関する先行技術文献は見つけることができなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、半導体チップは寸法が非常に小さく、しかも、１枚のウェハを構成する半導体チップの数は非常に多いため、分離後の半導体チップの検査を作業者が目視で行うには、大変な労力が必要であった。
【００１２】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、半導体チップの検査における労力の軽減に寄与する半導体チップの画像取得方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
半導体チップの検査の労力を軽減するためには、画像認識技術を採り入れて検査を行うことが考えられる。
【００１４】
画像認識技術を用いて半導体チップを検査するには、図２に示すようにリング４上にフィルム２を貼り付けた状態で、該フィルム２上のチップ群３の画像を取得し、該取得した画像を解析することが挙げられる。
【００１５】
画像の取得は、例えば、ラインセンサカメラをフィルム２上において走査させることにより行う。
【００１６】
ここで、半導体チップは微細なものである。このため、半導体チップの精密な検査には、高解像度の画像を取得する必要がある。
【００１７】
チップ群３には極めて多数の半導体チップが含まれているため、チップ群３の全ての半導体チップについて高解像度の画像を取得し、更に、取得した全ての画像を用いて半導体チップの欠陥の検査を行うには、多くの時間を要する。
【００１８】
ところで、高解像度の画像を用いなくとも半導体チップに明らかな欠陥があることが認識できる場合がある。
【００１９】
すなわち、例えば、半導体チップに生じた割れや欠けが大きかったり、隣り合う半導体チップどうしが分離されないままの状態となっていたり、或いは、分離後の半導体チップどうしが重なり合った状態となっていたりする場合は、比較的低解像度の画像を用いるだけで半導体チップの欠陥を認識することができる。
【００２１】
本発明は、半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなる第１の過程と、前記第１の過程における最初の撮像過程により得られた画像に基づき、前記チップ群における前記半導体チップの配列の傾きを判定する第２の過程と、前記第２の過程により、前記半導体チップの配列が傾いていると判定された場合には、この傾きを修正すべく前記フィルムの姿勢を修正する第３の過程と、前記第３の過程において姿勢が修正された前記フィルム上の前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第４の過程と、前記第４の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第５の過程と、前記第５の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第６の過程と、を備える半導体チップの画像取得方法を提供する。
【００２２】
さらに、本発明は、半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなる第１の過程と、前記第１の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第２の過程と、前記第２の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第３の過程と、を備え、前記第１の過程においては、前記複数の撮像過程のうちの一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定するものである半導体チップの画像取得方法を提供する。
【００２３】
さらに、本発明は、半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより前記半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、前記複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、前記半導体チップの検査用の画像を取得する方法において、前記フィルム上の前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する第１の過程と、前記第１の過程により取得された画像に基づき、比較的高解像度での画像の取得が必要な領域を決定する第２の過程と、前記第２の過程において決定された領域において前記半導体チップの画像を比較的高解像度で取得する第３の過程と、を備え、前記第３の過程は、前記フィルム上において前記複数の半導体チップからなるチップ群が存在する領域を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に前記半導体チップの画像を比較的低解像度で取得する複数の撮像過程からなり、前記第３の過程においては、前記複数の撮像過程のうちの一の撮像過程により得られた画像内に、当該画像から一部がはみ出している半導体チップが存在する場合には、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程では、前記はみ出した半導体チップの全体を含むような画像を撮像できるように、前記一の撮像過程の次に行われる撮像過程での撮像範囲を設定するものである半導体チップの画像取得方法を提供する。
【００２４】
本発明の半導体チップの画像取得方法においては、前記第１の過程により取得された画像に基づいて、各半導体チップの座標を決定する過程を更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体ウェハが貼り付けられたフィルムを引き延ばすことにより半導体ウェハが複数の半導体チップに分割された結果、複数の半導体チップの配列が乱れた状態において、例えば、低解像度の画像を用いるだけで半導体チップに明らかな欠陥があることが認識できる場合には、その半導体チップについては高解像度の画像を取得することを省略することができる。或いは、低解像度の画像から、半導体チップの存在しない余白領域の存在を判断し、その余白領域については高解像度の画像を取得することを省略することができる。よって、半導体チップの欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００２７】
本実施形態では、本発明に係る半導体チップの画像取得方法の好適な一例として、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）チップの画像取得方法について説明する。
【００２８】
図３はＬＥＤチップの平面図である。
【００２９】
図３に示すように、ＬＥＤチップ７は、基板８と、この基板８上に形成されたプラス電極９及びマイナス電極１０と、を備えている。
【００３０】
このようなＬＥＤチップ７は、多数のＬＥＤチップ７が縦横に配列されてなるウェハ１（図１参照）の状態で製造される。
【００３１】
このウェハ１は、図１に示すように、フィルム２上に貼り付けた状態で、該フィルム２を周囲に引き延ばすことにより、個々のＬＥＤチップ７に分離される。
【００３２】
更に、分離された多数のＬＥＤチップ７からなるチップ群３が貼り付けられた状態のフィルム２は、図２に示すように、適度な張力でリング状の枠状体４の一方の開口端に貼り付けられる。
【００３３】
本実施形態では、例えば、ラインセンサカメラを用いて、フィルム２上のＬＥＤチップ７の画像を取得する。例えば、フィルム２を下方より照明しながら、フィルム２の上方よりラインセンサカメラによりＬＥＤチップ７を撮像することにより、好適に画像を撮像することができる。なお、ラインセンサカメラとしては、解像度を低解像度及び高解像度に切り替え可能なものを用いる。
【００３４】
ＬＥＤチップ７は微細なものであるため、ＬＥＤチップ７の精密な検査には、高解像度の画像を取得する必要がある。
【００３５】
チップ群３には極めて多数のＬＥＤチップ７が含まれているため、チップ群３のＬＥＤチップ７について高解像度の画像を取得し、更に、取得した全ての画像を用いてＬＥＤチップ７の欠陥の検査を行うには、多くの時間を要する。
【００３６】
ところで、高解像度の画像を用いなくともＬＥＤチップ７に明らかな欠陥があることが認識できる場合がある。
【００３７】
すなわち、例えば、ＬＥＤチップ７に生じた割れや欠けが大きかったり、隣り合うＬＥＤチップ７どうしが分離されないままの状態となっていたり、或いは、分離後のＬＥＤチップ７どうしが重なり合った状態となっていたりする場合は、比較的低解像度の画像を用いるだけでＬＥＤチップ７の欠陥を認識することができる。
【００３８】
そこで、本実施形態においては、先ず、比較的低解像度（例えば、２０μｍ程度の分解能）でフィルム２の面上のＬＥＤチップ７の画像を取得する。
【００３９】
次に、取得された低解像度の画像に基づき、フィルム２の面上において比較的高解像度（例えば、１μｍ程度の分解能）での画像の取得が不要な領域を画像解析により判定する。
【００４０】
すなわち、例えば、比較的低解像度の画像を確認するだけで明らかに欠陥が分かるようなＬＥＤチップ７については、比較的高解像度の画像を用いて改めて欠陥の有無を調べる必要がない。このため、比較的低解像度の画像を確認するだけで明らかに欠陥が分かるようなＬＥＤチップ７の存在領域は、比較的高解像度での画像の取得が不要な領域であると判定する。
【００４１】
次に、比較的高解像度での画像の取得が不要と判定された領域を除く領域のＬＥＤチップ７の画像を比較的高解像度で取得する。
【００４２】
そして、比較的高解像度の画像を用いて、各ＬＥＤチップ７について、欠陥の有無を検出する。
【００４３】
なお、比較的低解像度の画像を取得する処理、得られた比較的低解像度の画像に基づく画像解析により比較的高解像度の画像の取得が不要な領域を判定する処理、比較的低解像度の画像を取得する処理、及び、比較的高解像度の画像を用いて各ＬＥＤチップ７の欠陥の有無を検出する処理は、何れもコンピュータ処理により自動的に行う。
【００４４】
図４はフィルム２上に貼り付けられた状態のチップ群３を示す平面図である。
【００４５】
図４に示すように、ラインセンサカメラによる比較的低解像度の撮像は、フィルム２上においてチップ群３が存在する領域を複数の領域に分割し、個々の領域毎に、順次、ラインセンサカメラを走査させることにより行う。
【００４６】
すなわち、例えば、チップ群３を４つの領域に分割する場合は、先ず、図４の矢印Ａに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群３の第１領域３Ａの画像を取得し、次に、矢印Ｂに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群３の第２領域３Ｂの画像を取得し、矢印Ｃに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群３の第３領域３Ｃの画像を取得し、矢印Ｄに沿ってラインセンサカメラを走査させることによりチップ群３の第４領域３Ｄの画像を取得することにより、チップ群３の全領域について、比較的低解像度の画像を取得することができる。
【００４７】
ここで、図５はチップ群３を構成するＬＥＤチップ７の配列を示す平面図である。なお、図５においては、一部のＬＥＤチップ７にのみ符号を付している。また、図５においては、簡単のため、チップ群３における一部の領域のみを示す。
【００４８】
ＬＥＤチップ７は、図５に示すようにフィルム２上において整然と縦横に配列された状態となることが理想的である。
【００４９】
このようにＬＥＤチップ７が整然と配列されている場合は、例えば、図４及び図５に示す境界線６に沿って第１領域３Ａ（図３）と第２領域３Ｂ（図３）とを分割し、それぞれの領域を順次に比較的低解像度で撮像し、同様に、第３領域３Ｃ及び第４領域３Ｄの画像も順次に取得すれば良い。
【００５０】
ところで、ＬＥＤチップ７を分離させるためにフィルム２を引き伸ばす結果、ＬＥＤチップ７の配列が乱れた状態となる場合がある。
【００５１】
例えば、図６は、ＬＥＤチップ７の配列が傾いた場合を示す平面図である。
【００５２】
図６に示す例の場合、図６に示す境界線６に沿って第１領域３Ａ（図３参照）と第２領域３Ｂ（図３参照）とを分割し、それぞれの領域を別個に撮像したのでは、ＬＥＤチップ７の配列が傾いているために、欠陥の検査が困難となる。
【００５３】
また、各ＬＥＤチップ７は、取得した低解像度の画像に基づいて、各々の座標を決定し、以後の工程で管理することが好ましいが、ＬＥＤチップ７の配列が傾いていると、座標の決定に不都合である。
【００５４】
そこで、本実施形態では、図４に示す４つの領域３Ａ〜３Ｄのうち、最初に取得する第１の領域３Ａの画像に基づく画像認識処理により、チップ群３の配列の傾きを判定する。
【００５５】
例えば、図６に示すようにチップ群３の配列が傾いている場合は、その旨を第１の領域３Ａの画像に基づき判定することができるので、図７に示すようにフィルム２をリング状の枠状体４（図２）ごと矢印Ｅ方向に回転させることにより、チップ群３の配列の傾きを修正することができる。
【００５６】
ここで、リング状の枠状体４は、水平面において回転可能なステージ上に水平に配置されている。
【００５７】
従って、このステージをモータなどの駆動手段により回転駆動させることにより、フィルム２をリング状の枠状体４ごと矢印Ｅ方向に回転させてフィルム２の姿勢を修正することができる。
【００５８】
このようにフィルム２の姿勢を修正した後は、第１の領域３Ａの画像を比較的低解像度で再度取得し、続いて、第２乃至第４の領域３Ｂ〜３Ｄの画像も同様に比較的低解像度で順次取得する。
【００５９】
ところで、図５においてはＬＥＤチップ７が規則的に縦横に配列されており傾きもない例を示し、図６においてはチップ群３が傾いているもののＬＥＤチップ７は規則的に配列されている例を示したが、実際には、フィルム２上のＬＥＤチップ７が不規則な配列となることも多い。
【００６０】
図８は、チップ群３を構成するＬＥＤチップ７の列のうち、不規則に配列された１つの列のみを示す平面図である。
【００６１】
図８に示すＬＥＤチップ７の列において、ＬＥＤチップ７Ａは列からずれている。
【００６２】
このため、例えば、図８に示す境界線６に沿って第１領域３Ａ（図３）と第２領域３Ｂ（図３）とを分割し、それぞれの領域を順次に比較的低解像度で撮像したのでは、ＬＥＤチップ７Ａの画像を１枚の画像の中に取り込むことができない。
【００６３】
ここで、個々のＬＥＤチップ７の画像の全体像は、１枚の画像の中に取り込むことが必要である。なぜなら、ＬＥＤチップ７の一部分ずつの画像を複数回の走査により切れ切れに取得し、それら取得した複数の画像を後で合成するのでは、ラインセンサカメラの機械的な動作の誤差などの影響により画像に誤差が生じ、欠陥の検査に不都合が生じるためである。
【００６４】
そこで、図８に示すように、境界線６を跨ぐような配置のＬＥＤチップ７Ａが存在する場合には、これらＬＥＤチップ７Ａは、例えば、第１領域３Ａ（図３）の撮像では得られていない（未処理）と判断し、次回の撮像により得られる第２領域３Ｂ（図３）の画像内に含めることとする。
【００６５】
すなわち、図８に示す境界線６を境として第１領域３Ａ（図３）の画像を取得するのに続いて、図８に示す境界線８を境として第２領域３Ｂ（図３）の画像を取得する。
【００６６】
つまり、例えば第１領域３Ａ（図３）の画像内から一部がはみ出しているＬＥＤチップ７Ａが存在する場合には、次に撮像される第２領域３Ｂ（図３）の画像にＬＥＤチップ７Ａの全体像が含まれるように、第２領域３Ｂの範囲を設定する処理をコンピュータ処理により自動的に行う。
【００６７】
このように、複数の領域（例えば、第１乃至第４領域３Ａ〜３Ｄの４つの領域）の画像を取得することにより、チップ群３の全ての領域について、比較的低解像度の画像が得られる。
【００６８】
続いて、上記のようにして得られた比較的低解像度の画像に基づき、各ＬＥＤチップ７の座標を決定する処理をコンピュータ処理により自動的に行う。
【００６９】
すなわち、例えば、各ＬＥＤチップ７の幾何学重心を画像から求めることにより、その重心位置を個々のＬＥＤチップ７の座標とすることができる。なお、画像から対象物の幾何学重心を画像から求めて座標化する技術は、画像解析技術において周知の技術である。
【００７０】
更に、以下に説明するようにして、比較的低解像度の画像から、ＬＥＤチップ７の欠陥を判定する処理を自動的に画像解析により行う。
【００７１】
図９は、実際の撮像により得られる比較的低解像度の画像の一例を示す図である。
【００７２】
図９に示すＬＥＤチップ７Ｂなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、明らかに割れが生じていることが分かり、欠陥品であると判定することができる。
【００７３】
また、図９に示すＬＥＤチップ７Ｃなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、２枚のＬＥＤチップ７が重なっていることが明らかに分かり、欠陥品であると判定することができる。
【００７４】
更に、図９に示すＬＥＤチップ７Ｄなどは、比較的低解像度の画像を解析するだけで、２枚のＬＥＤチップ７が分離されないままとなっていることが明らかに分かり、欠陥品であると判定することができる。
【００７５】
このように、比較的低解像度の画像から明らかに欠陥品であると分かるＬＥＤチップ７については、その座標を管理し、高解像度の画像を用いた欠陥の検査は省略する。
【００７６】
また、図示は省略するが、例えば、チップ群３の一部の領域内に存在するＬＥＤチップ７の全てが、比較的低解像度の画像から明らかに欠陥品であると分かるような場合には、その領域については比較的高解像度の画像はそもそも取得しないこととする。
【００７７】
すなわち、比較的低解像度の画像を解析することにより、フィルム２の面上において比較的高解像度での画像の取得が不要な領域を判定し、比較的高解像度での画像の取得が不要と判定された領域を除く領域の半導体チップの画像のみを比較的高解像度で取得すれば良い。
【００７８】
なお、比較的高解像度での画像の取得についても、比較的低解像度での画像の取得と同様に、チップ群３を複数の領域に分割し、分割された個々の領域毎に順次に画像取得を行う。
【００７９】
また、比較的高解像度での画像の取得についても、図８に示すようにＬＥＤチップ７Ａの一部が画像からはみ出した場合には、次回の撮像では、このＬＥＤチップ７Ａの全体を含むような画像が撮像できるように撮像範囲を設定する。
【００８０】
また、ウェハは、図１に示すような矩形状のものに限らず、円形状の場合もある。
【００８１】
図１０は、円形状のウェハを個々のＬＥＤチップ７に分離させて得られるチップ群３を示す平面図である。
【００８２】
この場合も、図４に示したのと同様に、例えば、第１乃至第４領域３Ａ〜３Ｄの４つの領域の画像を比較的低解像度で順次に取得し、得られた画像に基づきＬＥＤチップ７の欠陥の判定や、比較的高解像度での画像の取得領域の決定を行う。
【００８３】
ここで、図１０に示すように円形状のチップ群３の周囲には、ＬＥＤチップ７が存在しない余白領域１１が存在するため、これら余白領域１１についても比較的高解像度での画像の取得領域としてしまうと、ロスが生じてしまう。
【００８４】
そこで、図１０に示すように円形状のチップ群３の画像を取得する場合には、比較的低解像度で取得された画像に基づく判定に基づき、極力余白領域１１については画像を取得しないように、比較的高解像度での画像の取得領域の計画を決定する処理をコンピュータにより自動的に行う。
【００８５】
すなわち、例えば図１０に示す第５の領域３Ｅ、第６の領域３Ｆ、第７の領域３Ｇ・・・といったように余白領域１１を極力含まない領域を設定して、順次に比較的高解像度での画像を取得することにより、余白領域１１については高解像度の画像をなるべく取得しないで済む。
【００８６】
以上のような第１の実施形態によれば、例えば、低解像度の画像を用いるだけでＬＥＤチップ７に明らかな欠陥があることが認識できる場合には、そのＬＥＤチップ７については高解像度の画像を取得することを省略することができるので、ＬＥＤチップ７の欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。
【００８７】
また、チップ群３の周囲に余白領域１１が存在する場合には、余白領域１１については高解像度の画像をなるべく取得しないで済み、ＬＥＤチップ７の欠陥の検査に要する時間を短縮することができる。
【００８８】
なお、上記の実施形態では、ＬＥＤチップ７の画像取得方法を説明したが、本発明はこの例に限らず、その他の半導体チップの画像を取得する方法にも同様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】ウェハをＬＥＤチップに分離する工程を説明するための平面図である。
【図２】分離された多数のＬＥＤチップからなるチップ群が貼り付けられた状態のフィルムが貼り付けられたリング状の枠状体を示す斜視図である。
【図３】ＬＥＤチップの平面図である。
【図４】フィルム上に貼り付けられた状態のチップ群を示す平面図である。
【図５】チップ群を構成するＬＥＤチップの配列を示す平面図である。
【図６】ＬＥＤチップの配列が傾いた場合を示す平面図である。
【図７】ＬＥＤチップの配列の傾きを修正した状態を示す平面図である。
【図８】チップ群を構成するＬＥＤチップの列のうち、不規則に配列された１つの列のみを示す平面図である。
【図９】実際の撮像により得られる比較的低解像度の画像の一例を示す図である。
【図１０】円形状のウェハを個々のＬＥＤチップに分離させて得られるチップ群を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１    ウェハ（半導体ウェハ）
２    フィルム
３    チップ群
７    ＬＥＤチップ（半導体チップ）
【図１】
0004768477.tif 000002
【図２】
0004768477.tif 000003
【図３】
0004768477.tif 000004
【図４】
0004768477.tif 000005
【図５】
0004768477.tif 000006
【図６】
0004768477.tif 000007
【図７】
0004768477.tif 000008
【図８】
0004768477.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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