(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド酸樹脂を含有してなるアルカリ可溶性の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド樹脂をベースフィルムとした回路基板であって、
該ポリイミド樹脂の平均厚みが１９μｍ以上２１μｍ以下、幅１０ｍｍの試験片のＪＩＳ  Ｃ  ２１５１で測定した伸び率が１５％以上であり、
前記ポリイミド樹脂のガラス転移温度が３００℃以下であり、
前記感光性樹脂組成物が、
（Ａ）一般式（１）
【化１】
0004605899.tif 000009
及び／又は一般式（２）
【化２】
0004605899.tif 000010
（式（１），（２）中、Ｒは構造式（３）
【化３】
0004605899.tif 000011
からなる群より選ばれる４価の基である。）で表される繰り返し単位を有するポリアミド酸１００質量部と、
（Ｂ）アルコール性水酸基を含有し３つ以上のＣ−Ｃ不飽和２重結合を有するアクリレート化合物、及びポリエチレングリコールジアクリレート化合物１５質量部以上１００質量部以下と、
（Ｃ）光重合開始剤と、
を含有してなることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
ベースフィルムの９０％以上の面積をもつ連続支持体がないことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のテープ状回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリアミド酸樹脂を含有してなるアルカリ可溶性の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド樹脂をベースフィルムとする回路基板であって、該ポリイミド樹脂の平均厚み19μｍ以上21μｍ以下、幅１０ｍｍの試験片のJIS C 2151で測定した伸び率が１５％以上、ガラス転移温度が３００℃以下のポリイミド樹脂である回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリイミドをベースフィルムとする回路基板は小型化、薄型化を要求される機器の半導体パッケージ、回路基板などとして広く利用されている。こうした回路基板の加工にあたっては、通常、ポリイミド（以下、ＰＩと略する）部分にデバイスホールやビアホールなどの開口を行うが、従来、開口形成は（Ａ）金型打ち抜きによる方法、（Ｂ）フォトマスクを形成させた後にＰＩ層をケミカルエッチングする方法、ないしは（Ｃ）レーザー照射によりＰＩを昇華ないし燃焼させる方法により行われてきた。しかしながら、（Ａ）の方法には加工精度や微小な開口の形成の点で、（Ｂ）の方法には工程数の増大や薬液の安全性の点で、（Ｃ）の方法には設備費、ランニングコストや加工効率の点で各々問題があるのが実状である。
こうした問題点を解決する手段として、感光性をもつＰＩ系樹脂（以下、感光性をもち、加熱によりＰＩ系樹脂ないし樹脂組成物に転化するポリアミド酸系樹脂ないし樹脂組成物を「感光性ＰＩ前駆体」、これを加熱して得られるＰＩ系の樹脂ないし樹脂組成物を「感光性ＰＩ」と称する）をベースフィルムとして用いる方法が特開昭６３−３４９３７号や特開平７−２３５５６９号（特許第２９００７８５号）に開示されている。この方法を用いれば、典型的には▲１▼銅箔上に感光性ＰＩ前駆体ワニスを塗布（ドライフィルム状に加工した感光性ＰＩ前駆体を用いる場合にはラミネート）し、▲２▼これを８０℃前後で乾燥し、▲３▼所望のパターンで露光し、▲４▼アルカリ、溶剤、ないしは有機添加剤を添加したアルカリにより未露光部を溶除し、▲５▼熱処理により露光部の感光性ＰＩ前駆体をイミド化するとともに残留溶媒・水を蒸発除去して感光性ＰＩからなるベースフィルムを形成した後、▲６▼銅箔面をフォトレジスト法によって回路化する、という工程によって、ベースフィルムに微小な開口を高精度で形成する操作が前述の従来手法と比べて極めて簡単に実施できる。とりわけ、特開平７−２３５５６９号のように、感光性ＰＩ前駆体として有機添加剤のないアルカリ液による現像が可能なタイプのものを用いると、広範囲で使用されているエッチング用フォトレジストの現像装置と同様の装置で現像ができること、現像液が安価であること、廃液処理が容易であることなどの利点があり好ましい。
しかしながら、従来の一般的な感光性ＰＩをベースフィルムとして用いる場合には２つの大きな問題点がある。その第１は、感光性ＰＩ前駆体をイミド化する際の熱処理温度が高いことである。特開昭６３−３４９３７号の実施例では、使用した感光性ＰＩ前駆体の銘柄等の詳細は記載されていないが、溶剤現像型の感光性ＰＩ前駆体を窒素気流中４００℃で熱処理している。また、特開平７−２３５５６９号の実施例ではアルカリ現像型である日立化成（株）製の感光性ＰＩ前駆体「ＰＬ−３０００」を使用し、１００℃、２００℃、３５０℃で各１時間という長時間の熱処理を行っている。
一般にＰＩ前駆体に熱処理を施してＰＩに転化させる場合の熱処理温度は、相当するＰＩのガラス転移温度よりも幾分高めとするのが良い。これが困難な場合には次善の策としてガラス転移温度を若干下回る温度で熱処理を行うこともあるが、この場合には長時間の処理が必要である上に溶剤や水が残留し、製品の信頼性に悪影響を及ぼしがちである。従来の一般的な感光性ＰＩ前駆体、とりわけアルカリ現像型のものは、その硬化膜のガラス転移温度がいずれも３００℃超（通常は３５０℃以上）であり、このため一般には３５０℃前後ないしそれ以上の高温での熱処理が行われている。
３００℃以上、とりわけ３５０℃以上の高温での熱処理を空気中で行うこと、特にこれを銅が露出した状態で行うことは、銅（たいていの場合に以後の工程で配線とされる）のベース材からの剥がれなど、製品信頼性の確保の上で深刻な問題を引き起こしがちである。この高温処理による製品信頼性の低下は加熱装置内を十分に窒素雰囲気化すればある程度までは避けることができる。しかしながら、この方法は小スケールの実験的な回路基板製造では比較的容易に実施可能であるものの、工業的スケールでの生産においては窒素雰囲気化に時間がかかる、一般的なトンネル型加熱炉の使用による自動ライン化が困難であるという問題があり、現実的とは言い難い。また、現在の一般的な回路基板製造所においては３５０℃以上まで昇温できる乾燥装置を所有していることは少なく、高温での熱処理を行うためには、多くの場合、それに見合う装置を新たに購入する必要がある。この点でも、高温での熱処理が必要なことは実用基板の製造上好ましくない。
従来技術の第２の問題点は、感光性ＰＩの可とう性が低いことである。一般に回路基板の工業的製造においては、設備・コスト・廃液処理・安全性などの問題のため現像工程で有機系の溶剤や添加剤を用いることは実質的に困難であり、アルカリ水溶液で現像できる感光性ＰＩ前駆体を使用する必要がある。しかるに、従来のアルカリ現像タイプの感光性ＰＩ前駆体は硬化膜の伸び率が小さい。たとえば、特開平７−２３５５６９号の実施例で使用されている日立化成（株）製「ＰＬ−３０００」は硬化膜特性が良好なアルカリ現像型の感光性ＰＩ前駆体とされるものであるが、このイミド化された２０μｍ厚のフィルムの伸び率は８％であり、汎用的な非感光性ＰＩフィルム、たとえば東レデュポン社製カプトンＥ（２５μｍ厚）の伸び率５０％と比較して脆く弱い。
特開昭６３−３４９３７号や特開平７−２３５５６９号では、これらの実施例において、感光性ＰＩが連続支持体のないベースフィルムとなっていて、この上に銅配線が形成された回路基板を例示している。しかしながら、上述の伸び率から考えると、実際にこのような方法で得られるテープ状基板は基板の欠け、破れなどに関して実用上十分な信頼性を得ることは難しいと思われる。実際、特許第２９００７８５号においては、その実施例の全てにおいて感光性ＰＩの裏面側（銅回路と反対の側）に銅薄膜層を形成し、これが連続支持体となっている。こうした工法が採用された理由の１つには、従来技術においては、銅箔などの連続支持体層がない感光性ＰＩ単独のフィルムでは実用的な機械強度が得られないことがあるものと推察される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、感光性ＰＩをベースとする回路基板に関わる前記の問題点を解決し、感光性ＰＩが他の連続支持体のないベースフィルムでありながら十分な実用強度を持ち、感光性ＰＩ前駆体を現像する工程において有機系の溶剤ないし添加剤を用いる必要がなく、かつ、低い加工温度で製造できて銅部分が酸化等のダメージを受けていない回路基板を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、
（１） ポリアミド酸樹脂を含有してなるアルカリ可溶性の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド樹脂をベースフィルムとした回路基板であって、該ポリイミド樹脂の平均厚み１９μｍ以上２１μｍ以下、幅１０ｍｍの試験片のJIS C 2151で測定した伸び率が１５％以上であり、ガラス転移温度が300℃以下のポリイミド樹脂であることを特徴とする回路基板。
（２）感光性樹脂組成物が
（Ａ）一般式（１）
【０００５】
【化４】
0004605899.tif 000002
【０００６】
及び／又は一般式（２）
【０００７】
【化５】
0004605899.tif 000003
【０００８】
（式（１），（２）中、Ｒは構造式（３）
【０００９】
【化６】
0004605899.tif 000004
【００１０】
からなる群より選ばれる４価の基である。）で表される繰り返し単位を有するポリアミド酸１００質量部、
（Ｂ）少なくとも1種以上の光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物１５質量部以上１００質量部以下と、
（Ｃ）光重合開始剤０．１質量部以上２０質量部以下、
を含有してなることを特徴とする（１）に記載の回路基板。
（３） ベースフィルムの９０％以上の面積をもつ連続支持体がないことを特徴とする（１）又は（２）に記載の回路基板。
（４） （１）乃至（３）いずれかに記載のテープ状回路基板。
に関する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のポリイミド系感光性樹脂ないし樹脂組成物（感光性ＰＩ）とは、感光性をもち、熱処理によりＰＩ系の樹脂ないし樹脂組成物に転化するポリアミド酸系樹脂ないし樹脂組成物（感光性ＰＩ前駆体）を熱処理してイミド化することにより得られるものである。感光性ＰＩ前駆体としては、ポリアミド酸にエステル結合やイオン結合等により感光基を付加したものやポリアミド酸に光架橋性の成分を配合したものなどが考えられるが、（Ａ）一般式（１）及び／又は一般式（２）で表される繰り返し単位を有するポリアミド酸１００質量部、
（Ｂ）光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物１５質量部以上１００質量部以下と、
（Ｃ）光重合開始剤０．１質量部以上２０質量部以下、
を含有してなる感光性樹脂組成物は本発明の用途に好適である。
本発明でいう伸び率とは平均厚みが１９〜２１μｍ、厚みの最大値と最小値との差が３μｍ以下、幅が１０ｍｍである試験片を用いて、ＪＩＳ Ｃ２１５１で規定された方法（引張速度は５ｍｍ／分とする）により測定されたもののことをいう。本発明の回路基板にベースフィルムとして用いるポリイミド系感光性樹脂ないし樹脂組成物は、これをフィルム化したときの伸び率が１５％以上であり、２０％以上であることがより好ましい。
また、本発明でいうガラス転移温度はＤＭＡ法により測定されるものであり、３００℃以下、好ましくは２７０℃以下である。
【００１２】
本発明で用いる感光性ＰＩ前駆体の溶媒は、含窒素系有機溶剤である。溶剤の具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどが挙げられる。また、溶剤としてグリコールエーテル系有機溶剤を併用すると、感光性ＰＩ前駆体現像時のクラックが発生しにくくなり好ましい。感光性ＰＩ前駆体ワニスの固形分比率は塗膜形成が行いやすいように調整するが、通常、２０〜６０質量パーセントとするのがよい。本発明でいう光重合可能なＣ−Ｃ不飽和２重結合を有する化合物（以下、光架橋成分と称する）は、ポリアミド酸との相溶化が可能なものであれば特に種類は問わず、単一組成であっても混合物であってもよい。光架橋成分がポリアミド酸と単純混合で相溶しない場合には、各種の相溶化剤を添加して相溶させてもよい。この場合の相溶化剤は、たとえばモノエタノールアミンなど、光架橋成分とポリアミド酸との両方に親和性をもつ化合物をポリアミド酸１００質量部に対して０．１〜１０質量部添加すると効果的である。
【００１３】
一例を挙げると、全ポリアミド酸を１００質量部に対して、アルコール性水酸基を含有し３つ以上のＣ−Ｃ不飽和２重結合を有するアクリレート化合物１０〜９５質量部と、ポリエチレングリコールジアクリレート化合物５〜９０質量部との混合物を光架橋成分として用い、光架橋成分の合計が１５〜１００質量部となるようにすると、ポリアミド酸との相溶性が良好であり、かつアルカリ水溶液による現像で十分な未露光部溶解性、解像性が得られる。
本発明でいう光重合開始剤は、公知のものを単独で、または２種以上混合して用いる。一例としては、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンゾインおよびベンゾインエーテル類、アセトフェノン置換体、プロピオフェノン置換体、アントラキノン置換体などが挙げられる。また、エタノールアミン類、プロパノールアミン類、４−ジメチルアミノ安息香酸置換体などの光重合開始助剤を１種または２種以上混合して使用しても良い。これら光重合開始剤の添加量は、樹脂固形分総質量に対して０．１〜２０質量％が良く、１〜１０質量％がより好ましい。本発明の感光性ＰＩ前駆体には、誘電率の調整、熱膨張係数の低減、応力緩和性の付与、ないしＰＩと配線材料との密着性向上などの目的で、フィラーを配合してもよい。この場合のフィラー配合量は、感光性ＰＩ前駆体固形分１００質量部に対して５〜６０質量部が良い。フィラーとしては、通常、シリカなど無機系のものを用いるが、場合によってはゴム系などの有機フィラーを用いることもできる。
また、フィラーには樹脂との密着性を向上するためにシランカップリング剤等による各種の表面処理を施してもよい。
【００１４】
本発明において、感光性ＰＩ前駆体を原料として用いて回路基板を製造するにあたり、まず、銅箔や銅板などのベース上に感光性ＰＩ前駆体層が形成された中間製品を製造する。この際、感光性ＰＩ前駆体はワニスの状態でベースに塗布してもよいし、ポリエステルやポリプロピレン等の樹脂に感光性ＰＩ前駆体のワニスを塗布してドライフィルムを作製し、これをベースに圧着してもよい。ここで、ワニスの塗布厚みは、乾燥後の感光性ＰＩ前駆体層の膜厚が５〜１００μｍ、好ましくは５〜４０μｍとなるようにする。
ワニスをベースに塗布した後、ないしはドライフィルム作製の段階で、有機溶剤の大部分を揮発させる。この際の乾燥温度は５０〜１２０℃、より好ましくは６０〜１００℃、乾燥時間は１０〜６０分間である。ドライフィルム化した場合のベースへの圧着は、平型プレスやロールプレスを用いて、４０〜１２０℃に加熱しながら９８〜４９０ｋＰａの圧力で行う。
つづいて、感光性ＰＩ前駆体層（加工後、ベースフィルムとなる）にビアホール等の開口を行うため、露光、現像の操作を行う。露光操作では、紫外線やＸ線ないしは電子線、好ましくは紫外線を用いて所望のネガ型パターンを形成する。現像は水酸化ナトリウム水溶液や炭酸ナトリウム水溶液等を用いて、スプレー法ないし浸漬法で行う。現像後は希硫酸などの酸性液によるリンスを行うのが望ましい。
【００１５】
次に、感光性ＰＩ前駆体のアミド酸部分を脱水縮合によりイミド化させること、および感光性ＰＩ層に残存する溶媒や前記の脱水縮合により生成する水を揮発させることを目的として熱処理を行う。熱処理温度は感光性ＰＩ硬化膜のガラス転移温度よりも０〜５０℃高い温度とするのがよい。この熱処理温度は使用する感光性ＰＩ前駆体中のポリアミド酸の構造により異なるが、２００〜３００℃が好ましい。３００℃超での熱処理は、前述の如く銅にダメージを与えるので好ましくない。熱処理の際の昇温は連続昇温でもよいが、階段状のパターンで昇温することがより好ましい。なお、所有装置の能力などの問題で前記条件の熱処理が不可能な場合には、硬化膜のガラス転移温度よりも０〜５０℃程度低い温度で１時間程度ないしこれ以上の時間熱処理を行う方法もある。ただし、この場合には溶媒や水が硬化膜内に残存しがちとなるので、なるべく避けたほうがよい。
イミド化の後、銅箔面のフォト加工で回路パターンを形成することにより、感光性ＰＩを連続支持体のないベースフィルムとする回路基板の概形が得られる。なお、本発明でいう連続支持体とは、感光性ＰＩフィルムを支持するための支持体で、十分な強度をもつ２次元的に連続な材料が感光性ＰＩと平行な面に形成されたもので、感光性ＰＩフィルムの９０％以上の面積をもつもののことをいい、典型的にはベタ形成された銅箔や銅のメッキ層など、あるいはこれに感光性ＰＩフィルム面積の１０％未満の開口を形成したものが挙げられる。なお、回路パターン上に形成されるカバー層や多層積層する場合の層間絶縁層は、機械強度確保のために特別な工夫をされたものを除き、その面積が感光性ＰＩフィルム面積の９０％以上であっても本発明の連続支持体には該当しない。
回路パターン形成は、感光性ＰＩ層形成の際にベースとした銅箔などに行うのが普通であるが、感光性ＰＩ層の裏面（感光性ＰＩが露出している側の面）にメッキや蒸着により新たな銅薄膜を形成し、裏面側に形成しても良い。また、表裏両面に回路を形成することもできる。さらに、裏面側にアディティブ法で回路を形成する方法も考えられる。このほか、回路が形成された面に前記と同様の方法で新たな感光性ＰＩ層を形成し、ここに前記のプロセスにより必要な開口を設けた後、新たな銅薄膜を形成してパターン加工を施し回路を形成する、という操作を反復することにより、多層板を作製することもできる。この場合の新たな回路の形成はアディティブ法で行ってもよい。この多層化の工法においては、上記の如く本発明の感光性樹脂を層間絶縁材として用いるのが好適であるが、無論、他の感光性樹脂や場合によっては非感光性樹脂を代わりに用いることも可能である。表面に露出した回路パターンで貴金属メッキが施されない部分には、通常、配線等の保護のためカバーコート層を設ける。このカバー層としては、本発明の感光性ＰＩを用いるのが望ましいが、エポキシ系など他のカバー材を用いることもできる。
【００１６】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
実施例１
［感光性ＰＩ前駆体ワニスの製造］
１，３−ビス（３−アミノフェノキシベンゼン）と３，３’−４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを原料として、下記式（４）に示す単位構造のポリアミド酸ＰＡ−１Ａ（樹脂固形分３０重量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒）を合成した。このポリアミド酸０．５ｇを１００ｍＬのＮ，Ｎジメチルアセトアミドに溶解した液について、３５℃での対数粘度を測定したところ、対数粘度１．３１であった。
ＰＡ−１Ａ１００質量部にペンタエリスリトールトリアクリレート３０質量部、ポリエチレングリコールジアクリレート２０質量部、チバガイギー社製ＩＲＵＧＡＣＵＲＥ９０７（以下、ＩＧＣと略称する）３質量部、および日本化薬社製カヤキュアーＤＥＴＸ（以下、ＤＥＴＸと略称する）１質量部を混合し相溶させることにより感光性ＰＩ前駆体ワニスを得た。
【００１７】
【化７】
0004605899.tif 000005
【００１８】
［評価用フィルムの製造・評価］
市販の表面処理をしていない１８μｍ銅箔の片面に塩酸−ギ酸系処理液による表面粗化処理を施し、この処理面上に上記で製造したワニスを、バーコーターを用いて乾燥後膜厚が約２０μｍとなるように塗工した。これを８０℃で３０分間乾燥した後、さらに１４０℃−１０分、１８０℃−１０分、２３０℃−１０分の熱処理を施して感光性ＰＩ前駆体をイミド化させた。こうして得られた感光性ＰＩと銅箔との積層体を一部切りとり、ＪＩＳ−Ｃ６４８１の方法でＰＩフィルムの引き剥がし強さを測定したところ、１．３ｋＮ／ｍであった。
次に、ベースの銅箔を全面エッチング除去し、感光性ＰＩフィルムを得た。こうして得られたフィルムの伸び率をＪＩＳ−Ｋ７１６１の方法で測定したところ、２５〜２９％であった（有効測定数７）。また、熱機械分析法によりこのフィルムのガラス転移温度を測定したところ、２００℃であった。
［テスト製品の製造］
市販の３５μｍ銅箔の片面に塩酸−ギ酸系処理液による表面粗化処理を施し、この処理面上に前記の感光性ＰＩ前駆体ワニスを、バーコーターを用いて乾燥後膜厚が約１２μｍとなるように塗工した。これを８０℃で３０分間乾燥してタック性をなくした後、感光性ＰＩ前駆体塗膜側の面に波長３６５ｎｍのＵＶ光、露光量１５００ｍＪ／ｃｍ2でビアホール型テストパターンのネガ露光を施した。このテストパターンは、直径０．０５ｍｍの円形ビアホールが縦横ともに３ｍｍ間隔で並ぶように設計されたものである。その後、スプレー型の現像機を用いて、３０℃の０．５％水酸化ナトリウム水溶液により、滞留時間４０秒、スプレー圧０．０５ＭＰａの条件で現像を行い、未露光部、すなわちビアホール部分を溶除した。さらに、この塗膜付き銅箔を０．５％硫酸に３０秒間浸漬し、水洗、水切りを行った後、熱風循環式乾燥機を用いて１４０℃で１０分、１８０℃で１０分、２５０℃で１０分のホールドタイムをもつ階段状の昇温パターンで熱処理を行った。ここで、昇温速度は毎分５℃、最終温度は２５０℃である。
次に、上記で得られた感光性ＰＩ／銅箔積層体の銅箔面側にフォトプロセスによる回路加工を施し、３ｍｍピッチ、線幅０．４ｍｍの碁盤目状の配線パターンを形成した。この際、前述のビアホール部が配線の交点部に重なるようにした。最後に、上記で得られた配線付きフィルムの銅部分に４μｍのニッケルメッキおよび１μｍの金メッキを施した。
なお、このテスト製品において、銅回路はその面積の総計が感光性ＰＩフィルムの約２５％であり、したがって本発明でいう連続支持体は存在しない。
［テスト製品の評価］
上記の方法により５０ｍｍ×５０ｍｍサイズのテスト製品５枚を作成し、−２５℃〜１２５℃、５００サイクルの冷熱サイクル試験を行ったところ、銅−感光性ＰＩフィルム間の剥がれは全く発生しなかった。また、加工工程および製品のハンドリングに際して感光性ＰＩフィルムの欠け、破れは全く発生しなかった。
実施例２
１，３−ビス（３−アミノフェノキシベンゼン）の代わりに４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルを用いて合成した下記式（５）に示す単位構造のポリアミド酸ＰＡ−１Ｂ（樹脂固形分３０重量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒、対数粘度１．４２）を用いたほかは実施例１と同様の方法で感光性ＰＩ／銅箔積層体および評価用フィルムを製造した。実施例１と同様の評価を行ったところ、上記積層体の引き剥がし強さは１．３ｋＮ／ｍ、感光性ＰＩフィルムの伸び率は２４〜３０％（有効測定数９）、ガラス転移温度は２３０℃であった。
【００１９】
【化８】
0004605899.tif 000006
【００２０】
また、ニッケルメッキ、金メッキを施していないテスト製品の製造を実施例１と同様の工程（配線パターンの形成まで）で行った。この加工に際して、フィルムの欠け、破れは全く発生しなかった。
実施例３
３，３’−４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の代わりに３，３’−４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を用いて合成した下記式（６）に示す単位構造のポリアミド酸ＰＡ−２Ａ（樹脂固形分３０質量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒、対数粘度１．２１）を用いたほかは実施例２と同様の加工および評価を行った。感光性ＰＩ／銅箔積層体の引き剥がし強さは１．５ｋＮ／ｍ、感光性ＰＩフィルムの伸び率は１３〜１６％（有効測定数６）、ガラス転移温度は２００℃であった。また、配線パターン形成までのテスト製品製造を行った際、フィルムの欠け、破れは全く発生しなかった。
【００２１】
【化９】
0004605899.tif 000007
【００２２】
実施例４
１，３−ビス（３−アミノフェノキシベンゼン）の代わりに４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルを用いて合成した下記式（７）に示す単位構造のポリアミド酸ＰＡ−２Ｂ（樹脂固形分３０重量％、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶媒、対数粘度１．４８）を用いたほかは実施例３と同様の加工および評価を行った。感光性ＰＩ／銅箔積層体の引き剥がし強さは１．５ｋＮ／ｍ、感光性ＰＩフィルムの伸び率は１２〜１６％（有効測定数６）、ガラス転移温度は２４０℃であった。また、配線パターン形成までのテスト製品製造を行った際、フィルムの欠け、破れは全く発生しなかった。
【００２３】
【化１０】
0004605899.tif 000008
【００２４】
【発明の効果】
本発明の回路基板は、アルカリ現像型の感光性ＰＩをベースフィルムとするものでありながら、高くとも３００℃以下の低い加工温度で製造することができる。このため、感光性ＰＩをベースフィルムとする従来の製品（以下、従来製品という）で問題となりがちであった銅配線部のダメージが実質的になく、高い信頼性を有している。このほか、低温加工が可能であるために加工装置の制約が小さく、多くの場合に現有の設備をそのまま利用して製造することができる。
本発明の回路基板のもう１つの利点は、従来製品と比べてベースフィルムである感光性ＰＩ膜の可とう性が大きいことである。このため、銅薄膜などの連続支持体層がなくても、感光性ＰＩフィルム単独で、非感光性のＰＩフィルムに近い、実用上十分な機械強度を持っている。このような利点を活かして、たとえば、感光性ＰＩをベースフィルムとして基板の両側に回路が形成されたテープ状基板を作製することができるし、また、支持体層がない分、いっそうの薄型化が可能である。
このように、本発明の回路基板は従来製品が持っていた問題点を解決し、感光性ＰＩベースのテープ状回路基板が可能とした基板の薄型化、高精度で微小なビアホール形成、および効率のよい加工をより現実的にするものである。本発明の基板は携帯機器用など小型化を要求される電気製品向けの半導体パッケージ、回路基板として広く利用できると考えられる。