(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの製造方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、
前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、
前記補助ホールパターンは、前記コンタクトホールパターンの周期方向に対して垂直な方向における前記コンタクトホールパターンとの距離が、前記周期だけ離れた補助ホールと、前記周期の倍だけ離れた補助ホールとを含み、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い補助ホールの中心と当該所定のコンタクトホールの中心とを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であり、
前記通常の配置及び前記ずれた配置において、前記距離が前記周期の倍だけ離れた補助ホールは、前記コンタクトホールの中心に交点がある格子であって前記コンタクトホールパターンの周期方向の線と前記周期方向に対して垂直な方向の線が前記コンタクトホールパターンの周期で構成される格子の交点上にあることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記選択ステップでは、前記コンタクトホールパターンの半周期を以下の式で表されるｋ１で換算した場合に、当該ｋ１換算値に基づいて、
前記補助ホールパターンの配置を、前記通常の配置と前記ずれた配置とから選択することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
ｋ１＝ＨＰ（ＮＡ／λ）
但し、ＨＰ：前記コンタクトホールパターンの半周期  λ：前記光の波長  ＮＡ：前記投影光学系の開口数
【請求項３】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．２５乃至０．３２の場合に、前記通常の配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．３５乃至０．３８の場合に、前記ずれた配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
前記マスクはバイナリマスク又はハーフトーンマスクであることを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの設計方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、
前記補助ホールパターンは、前記コンタクトホールパターンの周期方向に対して垂直な方向における前記コンタクトホールパターンとの距離が、前記周期だけ離れた補助ホールと、前記周期の倍だけ離れた補助ホールとを含み、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い補助ホールの中心と当該所定のコンタクトホールの中心とを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であり、
前記通常の配置及び前記ずれた配置において、前記距離が前記周期の倍だけ離れた補助ホールは、前記コンタクトホールの中心に交点がある格子であって前記コンタクトホールパターンの周期方向の線と前記周期方向に対して垂直な方向の線が前記コンタクトホールパターンの周期で構成される格子の交点上にあることを特徴とする設計方法。
【請求項７】
請求項６記載の設計方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項８】
コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助ホールパターンの解像が抑制されるように請求項１乃至５のいずれか一項に記載の製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
十字型の遮光部を有する有効光源を用いて前記マスクを照明することを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク及びその製造方法、並びに、露光方法に関する。ここで、マイクロメカニクスは、半導体集積回路製造技術を微細構造体の製作に応用し、高度な機能を持ったミクロン単位の機械システムやそれを作る技術をいう。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いてデバイスを製造する際に、マスク（レチクル）に描画されたパターンを投影光学系によってウェハに投影してパターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
マスクパターンは、近接した周期的なライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）パターン、近接及び周期的な（即ち、ホール径と同レベルの間隔で並べた）コンタクトホール列、近接せずに孤立した孤立コンタクトホールその他の孤立パターン等を含む。しかし、高解像度でパターンを転写するためには、パターンの種類に応じて最適な露光条件（照明条件や露光量など）を選択する必要がある。
【０００４】
投影露光装置の解像度Ｒは、光源の波長λと投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて以下のレーリーの式で与えられる。
【０００５】
【数１】
0004684584.tif 000002
【０００６】
ここで、ｋ１は現像プロセスなどによって定まる定数であり、通常露光の場合にはｋ１は約０．５乃至０．７である。数式１は見方を変えれば、解像すべきパターンサイズを（λ／ＮＡ）で規格化してｋ１で換算することが可能であることを示している。
【０００７】
近年のデバイスの高集積化に対応して、転写されるパターンの微細化、即ち、高解像度化が益々要求されている。高解像力を得るためには、上式から開口数ＮＡを大きくすること、及び、波長λを小さくすることが有効であるが、これらの改善は現段階では限界に達しており、通常露光の場合にウェハに０．１５μｍ以下のパターンを形成することは困難である。
【０００８】
そこで、投影露光装置の結像性能を向上させる手段の一つとしてマスクの改良が提案されている。例えば、孤立コンタクトホールパターンに対して焦点深度を向上させるマスクにハーフトーンマスクというマスクがある。ハーフトーンマスクとは、バイナリーマスクの遮光部に相当する部分を、光強度を減衰させ、且つ、透光部との位相差を１８０度に保つようにしたマスクである。
【０００９】
また、解像力を飛躍的に向上させるマスクとして位相シフトマスクがある。位相シフトマスクとは、マスクに入射する光が互いに隣り合った透光部を透過する際に、互いにある一定の位相差を持つように設計されたマスクであり、一般には、かかる位相差を１８０度になるように設計する。位相シフトマスクには、様々な種類が提案されており、位相シフトマスクの種類によっては、バイナリーマスクよりも約半分の線幅を実現することができる。これは、互いに隣り合う光が位相差を１８０度に保つことによって、互いに隣り合う光の中心部の振幅を打ち消し合うためである。
【００１０】
このように、微細なパターンを形成するために様々な提案がなされているが、それでもなお微細コンタクトホールパターンを形成することは非常に困難である。現在では、製作及び検査が困難な位相シフトマスクではなく、バイナリーマスク又はハーフトーンマスクを用いて解像限界に近い微細なコンタクトホールパターンの形成に向けた研究が行われている。
【００１１】
本発明者らは、バイナリーマスクの所望パターン周辺に、その所望パターンより寸法が小さく、解像しないくらいの大きさの補助パターンを配置した。さらに、特殊な斜入射照明を行うことによって微細なコンタクトホールパターンをウェハ等の被露光体に露光することに成功している（例えば、特許文献１参照。）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、所望のパターンに対する最適な補助パターンの配置は、所望のパターンのホール径及び周期（ピッチ）によって異なり、所望のパターンに対する最適な補助パターンの配置方法はよくわかっていなかった。従って、最適な補助パターンで露光を行うことができず、必ずしも高解像度を得られないという問題があった。
【００１３】
また、補助パターンの配置を変更しながら実際に露光を行い、最適な補助パターンの配置を求めることも可能であるが、そのためには多大な時間がかかるし、その結果開発コストも増加してしまう。
【００１４】
そこで、本発明は、微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）ホール径を持ち、一又は複数のホールを有するパターンを、高解像度で露光可能なマスク及びその製造方法、並びに、露光方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一側面としての製造方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの製造方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、前記補助ホールパターンは、前記コンタクトホールパターンの周期方向に対して垂直な方向における前記コンタクトホールパターンとの距離が、前記周期だけ離れた補助ホールと、前記周期の倍だけ離れた補助ホールとを含み、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い補助ホールの中心と当該所定のコンタクトホールの中心とを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であり、前記通常の配置及び前記ずれた配置において、前記距離が前記周期の倍だけ離れた補助ホールは、前記コンタクトホールの中心に交点がある格子であって前記コンタクトホールパターンの周期方向の線と前記周期方向に対して垂直な方向の線が前記コンタクトホールパターンの周期で構成される格子の交点上にあることを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の側面としての設計方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に用いられる前記マスクの設計方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、前記補助ホールパターンは、前記コンタクトホールパターンの周期方向に対して垂直な方向における前記コンタクトホールパターンとの距離が、前記周期だけ離れた補助ホールと、前記周期の倍だけ離れた補助ホールとを含み、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い補助ホールの中心と当該所定のコンタクトホールの中心とを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であり、前記通常の配置及び前記ずれた配置において、前記距離が前記周期の倍だけ離れた補助ホールは、前記コンタクトホールの中心に交点がある格子であって前記コンタクトホールパターンの周期方向の線と前記周期方向に対して垂直な方向の線が前記コンタクトホールパターンの周期で構成される格子の交点上にあることを特徴とする。
【００１９】
本発明の別の側面としてのプログラムは、上記設計方法をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２０】
本発明の別の側面としての露光方法は、コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助ホールパターンの解像が抑制されるように上記製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記被露光体を露光することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、微細な（例えば、０．１５μｍ以下の）ホール径を持ち、一又は複数のホールを有するパターンを、高解像度で露光可能なマスク及びその製造方法、並びに、露光方法を提供することができる。
【００２４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下、露光装置として仮定されているものは、特に断らない限り、光源がＫｒＦエキシマレーザー（露光波長λ＝２４８ｎｍ）でその投影光学系の開口数ＮＡが０．７３であり、縮小比４：１の縮小露光装置とする。投影露光装置は、縮小投影露光が一般的である。縮小投影露光の場合、形成したいパターンサイズとマスクパターンは露光装置に依存した倍率だけ異なる。露光装置の倍率は、それぞれの機種において様々であるので、以下においては、マスク上のパターンサイズをウェハ上の寸法に換算する。例えば、投影露光装置の倍率が０．２５倍の場合、１２０ｎｍのパターンを形成したいとき、実際にはマスク上に４８０ｎｍのパターンを作成しなければならない。また、投影露光装置の倍率が０．２０倍の場合はマスク上に６００ｎｍのパターンを作成しなくてはならない。しかし、以下では、これらの状況に対する区別をなくすためマスクパターンの大きさをウェハ上の寸法に換算し、１２０ｎｍのパターンと呼ぶ。また、各パターンは一又は複数のコンタクトホールから構成されているが、本出願においては、「パターン」という用語はパターンの一部又は一のコンタクトホールを意味する場合もある。
【００２６】
本発明者らは、所望のパターンと補助パターン（補助ホールパターン）の形成されたマスクを、所望のパターンを解像するために解像力の強い照明光と、補助パターンの解像を抑制する解像力の弱い照明光で照明した。そして、微細なコンタクトホールパターンを露光することに既に成功したのは上述した通りである。一例をあげると、図２（ｃ）のような所望のパターン３４があったとし、かかる所望のパターン３４のホール径は１１０ｎｍ、最小ホール間隔も１１０ｎｍであったとする。
【００２７】
上述の露光装置を使用した場合、通常では、図２（ａ）に示したように、所望のパターン３４に応じて透光部（所望のパターン）３１と遮光部３３を配置したマスクを用いて、円形状の照明分布の有効光源を有する照明でそのマスクを照明する。そして、ウェハを露光するが、この方法ではパターンは解像しない。対して、図２（ｂ）に示す所望のパターン３４に対する透光部３１の周囲に微小透光部（補助パターン）３２を遮光部３３に配置したマスクと、図３（ａ）に示す十字型の遮光部４２を持つ有効光源形状を有する照明系により、ウェハを露光した。そうしたところパターンが解像した。
【００２８】
図２（ｂ）に示すマスクは、所望のパターン３１と、その所望のパターン３１の縦横方向に周期的に配置され、その所望のパターン３１よりも寸法が小さく解像しないくらいの大きさの補助パターン３２とを有するバイナリーマスクである。図３（ａ）において、白抜きの部分が透光部４１を表し、黒で塗りつぶした部分は遮光部４２を表す。
【００２９】
かかる露光方法は、所望のコンタクトホールパターンと、当該パターンのホール径よりも小さなホール径を有するダミーコンタクトホールパターンとが配置されたマスクを形成し、所望のコンタクトホールパターンのみを解像させる。本出願では、かかる露光方法を露光方法Ｉと呼ぶ場合もある。また、本発明者らは、露光方法Ｉに使用される有効光源形状として、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）、図３（ｆ）に示したような照明を用いても同様の結果を得られることを確認した。
【００３０】
図３（ｂ）に示す有効光源形状は、図３（ａ）に示す有効光源形状において、遮光部４２に対応する透光部４１の一部を略正方形にカットしたような形状となる。より具体的に図３（ｂ）に示す有効光源形状を表せば、図３（ａ）に示す有効光源形状の寸法を図７のように規定した場合、図３（ａ）において一辺の長さが２ａ以上２ｃ以下の略正方形でカットしたような形状になる。図３（ａ）に示す有効光源形状は所望のコンタクトホールパターンの周期が細かい場合、図３（ｂ）に示す有効光源形状は所望のコンタクトホールパターンの周期が粗い場合に適している。
【００３１】
図３（ｄ）に示す有効光源形状を説明する。まず、図３（ａ）に示す有効光源形状の寸法を図７のように規定した場合において、ａをｃ以上にすると有効光源が４箇所に分割される。さらに、幅がｃ−ｂ以下で高さが２ｂの四角形をその中心のｘ方向の座標がｂ以上ｃ以下で、ｙ方向の座標が０になるように配置した。また、幅が２ｂで高さがｃ−ｂ以下の四角形をその中心のｘ方向の座標が０で、ｙ方向の座標がｂ以上ｃ以下になるように配置し、その四角形を透光領域にしたものである。こうすれば、図３（ｃ）も同様に定義することができる。図３（ｃ）は図３（ｄ）を一般的にしたものである。図３（ｃ）の場合は、まず、図３（ａ）に示す有効光源形状の寸法を図７のように規定した場合において、ａをｃ以上にすると有効光源が４箇所に分割される。さらに、適当な幅と高さがある四角形をその中心が（ｄ，０）（ただし、ｄはｃより大きい）になるように配置し、前記四角形を９０度回転した四角形をその中心が（０，ｄ）になるように配置し、それら四角形を透光領域にしたものである。図３（ｅ）に示す有効光源形状は輪帯照明、図３（ｆ）に示す有効光源形状は四重極輪帯照明であり、中心部が暗い照明を用いることが補助パターンを配列したマスクに対しては効果的である。
【００３２】
更に、本発明者らは、所望のパターンの縦横方向ではなく、斜め方向に補助パターンを配置しても所望のパターンが解像することを発見した。例えば、図２（ｄ）に示したように、図２（ｂ）のマスクにおいて、補助パターン３２を一行おきに周期の半分だけずらした場合も所望のパターン３１が解像する。特に、所望のパターンのホール径が１２０ｎｍ、最小ホール間隔も１２０ｎｍであるときは縦横方向に補助パターン３２を配置するよりも結像性能がよいことがわかった。
【００３３】
つまり、縦横方向に補助パターンを配置した方が結像性能がよいパターンと、斜め方向に補助パターンを配置した方が結像性能がよいパターンとがあり、所望のパターンに対して補助パターンを最適に配置する必要がある。本発明では、所望のパターンをパターン周期で分類し、補助パターンを最適に配置する原理について説明する。このとき、パターン周期の半分、すなわち半周期をＨＰとしたとき、半周期ＨＰをλ／ＮＡで規格化（ｋ１で換算）して、周期を区別することにする。
【００３４】
さて、図４（ａ）に模式的に示すように、所望のパターン３１が１列に並んでおり、横方向にパターン周期を有する場合を考える。縦方向及び横方向に対称性をもたせるため、かかるパターン周期で格子３６を形成し、その格子点上に補助パターン３２を配置する。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望のパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン（補助ホール）３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度で配置されている（第１の補助パターン）。通常、所望のパターン３１のまわりに２周分だけ補助パターン３２を配置すればよい。このような補助パターン３２の配置を「通常の配置」と定義する。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に模式的に示すように、通常の配置において１行おきに補助パターン３２を周期の半分だけ横方向にずらした補助パターン３２の配置を「ずれた配置」と定義する。当然のことながら、所望のパターン３１の配置によっては通常の配置から１列おきに補助パターン３２を周期の半分だけ縦方向にずらした補助パターン３２の配置もずれた配置である。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望パターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度より大きくかつ４５度より小さくなるように補助パターン３２が配置されている（第２の補助パターン）。
【００３６】
最後に、所望のパターン３１のパターン周期がある程度大きくなると、図４（ｃ）に模式的に示すように、通常の配置における格子３６を４５度傾けた格子３７の格子点上に補助パターン３２を配置することが可能になる。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望パターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが４５度となるように補助パターン３２が配置されている（第３の補助パターン）。このような補助パターン３２の配置を「対角配置」と定義する。
【００３７】
以上のように、所望のパターン３１に対して３種類の補助パターン３２の配置があるが、本発明者らは、所望のパターン３１のパターン周期に対して何れの補助パターン３２の配置が最適であるかを特定したので、その結果を以下に示す。
【００３８】
本実施形態では、所望のパターン３１として、図５に示すように、コンタクトホールが５つ並んでいるパターンとする。コンタクトホールの大きさは１２０ｎｍで、パターン周期はｐであるとする。パターン周期ｐの値を２２０ｎｍ乃至４４０ｎｍまで変化させた際に、上述の３種類の補助パターン３２の配置を比較した。
【００３９】
比較の対象となった値は、縦横方向（ｘｙ方向）のコントラスト及び焦点深度である。縦横方向のコントラストの比較を、それぞれ図６（ａ）及び図６（ｂ）に示す。図６（ａ）及び図６（ａ）の縦軸は、通常の配置においてパターン周期ｐが２４０ｎｍであるときの値でそれぞれ規格化した値、横軸は半周期をｋ１に換算した値を採用している。より具体的には、図６（ａ）の縦軸は０．３２で、図６（ｂ）の縦軸は０．４８で規格化されている。
【００４０】
焦点深度の結果を、図６（ｃ）に示す。図６（ｃ）の縦軸は、焦点深度を見積もったもので通常の配置においてパターン周期ｐが２４０ｎｍであるときの値で規格化した値、横軸は半周期をｋ１に換算した値を採用している。より具体的には、図６（ｃ）の縦軸は０．３１μｍで規格化されている。
【００４１】
図６（ａ）乃至図６（ｃ）の結果から、所望のパターンの各パターン周期において最適な補助パターンの配置がわかる。図６（ａ）乃至図６（ｃ）の結果を導く際に用いた照明系は、図７に示すように、十字型の遮光部４２においてａ＝０．６、ｂ＝０．５、透光部４１及び遮光部４２においてｃ＝０．９２とした有効光源形状である。
【００４２】
図６（ａ）乃至図６（ｃ）において、パターン周期ｐが２４０ｎｍにおける値を基準にしているのは、本発明者らが実験的にその条件で露光に成功しているからである。かかる実験結果を図８に示す。図８を参照するに、デフォーカス−０．２０μｍ、０．００μｍ、０．２５μｍのいずれにおいても、１２０ｎｍのコンタクトホールが解像していることがわかる。このとき、ウェハとしてのシリコン基板に反射防止膜を塗布し、厚さ３５０ｎｍのＴＯＫ−ＤＰ７４６ＨＣをレジストとして塗布してある。
【００４３】
このように、所望のパターンのパターン周期に応じて最適な補助パターンの配置があるわけだが、この理由は各パターンの配置における回折光をみればわかる。例えば、図５において、パターン周期ｐが３６０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．５２）であるとする。このとき、通常の配置による回折光は図９（ａ）に示すようになり、ずれた配置による回折光は図９（ｂ）に示すようになり、対角配置による回折光は図９（ｃ）に示すようになる。図９に示した座標の値は、ＮＡ／λで規格化してあり、半径１の円は瞳を表している。図９を参照するに、高次回折光が瞳に入るとパターンの形状はよくなるが、それだけ焦点深度が小さくなる。パターン周期ｐが３６０ｎｍのとき半周期のｋ１換算値は約０．５２であり、このとき一番焦点深度がよいのは対角配置であることが図６（ｃ）からわかるが、これは図９の回折光の分布を見てもわかるだろう。
【００４４】
図９（ａ）では、瞳内に一直線上に３つの回折光が入ることによる３光束干渉が発生していることがわかる。例えば、規格化された座標において、（０，１．９）と（０，０．９５）と（０，０）の位置にある３つの一直線上にある回折光が３光束干渉している。一直線上にある３光束干渉は、デフォーカスに依存する干渉である。同様に、図９（ｂ）でも、一直線上に並んだ３光束干渉があることがわかる（例えば、規格化された座標において、（０，１．９）と（０，０．９５）と（０，０）の位置にある３つの一直線上にある回折光が３光束干渉している）。しかし、図９（ｃ）では、一直線上に並んだ３光束干渉はなく、２光束干渉だけである。２光束干渉は、３光束干渉に比べてデフォーカスに強いため、ｋ１換算値が約０．５２では対角配置が一番焦点深度がよいことになる。しかし、パターン周期が小さくなっていくと対角配置ができなくなる。この場合、通常の配置とずれた配置とを比較するわけであるが、通常の配置では２光束干渉で像を形成するが、ずれた配置では一直線上にない３光束が干渉して像を形成する。このことは、図９（ｂ）で６角形状に回折光が発生していることから予想されることである。この場合、単純な２光束干渉よりも、一直線上にない３光束干渉の方がコントラストが高いため、結果として、焦点深度がよくなる。それゆえ、ｋ１換算値が０．３５近傍では、ずれた配置がよいのである。
【００４５】
本実施形態において、あるパターン周期の所望のパターンに対して最適な補助パターンの配置（即ち、通常の配置、ずれた配置、対角配置のいずれか）が明らかになった。以下、パターン周期の決定方法を図１０を参照して説明する。ここで、図１０は、パターン周期の決定方法を説明するためのフローチャートである。
【００４６】
投影露光装置の解像力は、０．２５と√２という数字を境に変化することが多い。そのため、図１０においては、解像する最小ホール径を決定するｇ１を０．２５以上０．２５×√２以下とすればよい。通常の露光方法で解像できるかできないかを判断するｇ２を０．２５×√２以上０．５以下とすればよい。２光束干渉と３光束干渉を判断するｇ３を１．０以上√２以下とすればよい。パターンの密度を判断するｇ４を０．５×√２以上１．０以下とすればよい。パターン間隔を判断するｇ５を０．２５以上０．２５×√２以下とすればよい。なお、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５、ｇ６の値は、例えば、それぞれ０．２９、０．４０、１．２０、０．８０、０．２５としてもよい。孤立コンタクトホールパターン（孤立ホールパターン）に対しては、基本的にホール径を半周期とし、前述した周期パターンと同様の方法で正方格子を形成していけばよい。しかしながら、孤立パターンに対して「ずれた配置」を適用する場合には、図１８に示したように、所望の孤立コンタクトホールパターン１８１を中心に補助パターン１８２が略正六角形形状の格子１８３を形成するように補助パターン１８２を配置すると良い。この時も、所望のパターン１８１からそのホール径を半周期として、補助パターン１８２を配置すると良い。図１８は、孤立ホールに対する補助パターンの配置を示した図である。
【００４７】
まず、所望のパターンのホール径Ｄがｇ１未満であるかどうかを判断する（ステップ１００２）。ステップ１００２が、そうであると判断すれば異常終了する（ステップ１００４）。一方、ステップ１００２がそうでないと判断すれば、所望のパターンのホール径がｇ２以下であるかどうかを判断する（ステップ１００６）。ここで、所望のパターンの周期をＰ１とし、補助パターン半周期の初期値P２をP１に設定する。
【００４８】
ステップ１００６でＰ１がｇ２以下であると判断した場合フローチャートは第１の部と呼ばれる手続きをとる。第１の部では初めに、Ｐ２をｋ１で換算した場合にｇ３以上であるかどうかを判断する（ステップ１０１０）。
【００４９】
ステップ１０１０がｇ３以上ではないと判断した場合に、Ｐ２を周期として採用する（ステップ１０１２）。ステップ１０１０がｇ３以上であると判断すれば、ｉ＝ｉ＋１とおいて（ステップ１０１４）、Ｐ１をｉ分割したものをＰ２として（ステップ１０１６）、ステップ１０１０に帰還する。最終的には、Ｐ２を周期として採用する（ステップ１０１２）。
【００５０】
ステップ１００６でＰ１がｇ２以下でないと判断した場合フローチャートは第２の部と呼ばれる手続きをとる。Ｐ２をｋ１で換算した場合にｇ４以上であるかどうかを判断する（ステップ１０２０）。ステップ１０２０がｇ４以上であると判断した場合には、Ｐ２からホール径を引いた値のｋ１がｇ５以下であるかどうかを判断し（ステップ１０２２）、そうでなければ孤立パターンとして扱うか第１の部の手続きをとる（ステップ１０２６）。一方、ステップ１０２０がｇ４以上でないと判断した場合又はステップ１０２２がｇ５以下であると判断した場合には、Ｐ２を周期として採用する（ステップ１０２４）。
【００５１】
所望のパターンが１次元的に並んでいるときは、図１０に示すフローチャートからパターン周期を求めることができる。所望のパターンが２次元的に並んでおり、且つ、パターンの配置が四角形状の格子を基本にしているときは、原則的には、所望のパターンの縦方向及び横方向のそれぞれについて周期を求め、それぞれの方向のパターン周期に適した補助パターンの配置をとればよい。
【００５２】
補助パターンは、基本的に、所望のパターンのまわりに２周分、若しくは、３周分配置すれば十分であるが、１周でも効果が得られる。そのため、ある所望のパターンから所望パターンのホール径の１２倍以上離れたところに存在する所望のパターンに対しては、別の所望のパターンとみなすべきである。例えば、図１１に示すように、隣接するコンタクトホール５１の中心間隔が、ホール径の１２倍以下であるパターンをまとめてパターン群Ａとし、同様に、パターン群Ｂを定義する。このとき、パターン群Ａとパターン群Ｂとの間隔ｄがホール径の１２倍以上であれば、それぞれのパターン群で独立にパターン周期を求めればよい。ここで、図１１は、所望のパターンのパターン群を定義するための模式図である。
【００５３】
補助パターンの一辺の長さが所望のパターンの５０％から９０％以内にあればよいことが確かめられているが、通常は、７５％程度でよい。もしくは、補助パターンの面積が所望パターンの２５％から８０％以内であればよい。
【００５４】
これらの原理は様々なパターンに応用することができる。それらの例は、以下の実施例において明らかにされるであろう。
【実施例１】
【００５５】
図６に示す結果を検討し、更にパターン周期を半分にした通常の配置を考えたところ、図１２に示すような結論を得ることができた。図１２の結論が正しいのかどうかを調べるために、図５において、ホール径を１２０ｎｍ、パターン周期ｐが２５０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．３７に相当）であるパターンを考える。図１２を参照するに、ずれた配置が一番結像性能がよいことが予想される。実際に、補助パターンの大きさを９０ｎｍとしたときの２次元強度分布の空中像を図１３に示す。図１３は、ベストフォーカス、デフォーカス０．１０μｍ、０．２０μｍ、０．３０μｍそれぞれの場合を示している。図１３を参照するに、焦点深度が一番よいのは、ずれた配置であることがわかる。この結果、図１２に示す結論が正しいことがわかる。
【実施例２】
【００５６】
実施例１では、あるパターンに対して１種類の格子状に並べた補助パターンの配置を提案してきたが、複数種類の格子状に並べた補助パターンの配置を混在させてもよい。例えば、図１４に示したように、ホール径が１２０ｎｍ、横方向にパターン周期が３４０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．５０に相当）、縦方向にパターン周期が２８０ｎｍ（半周期のｋ１換算値は約０．４１に相当）の所望のパターン３１があるとする。まずは、補助パターン３２ａを４つのコンタクトホールパターン３１のそれぞれの中心を頂点とした四角形の対角線が交わる位置及びその周辺に配置する。
【００５７】
さて、ここで、補助パターン３２ａは、ｋ１換算値が約０．５０のときに対角配置が非常に有効であることが図６及び図１２からわかるためそのような配置にした。しかし、ｋ１換算値が約０．４１のときは対角配置はそれほど効果をなさないこともそれらの図から分かる。ここで、図６及び図１２を更に検討すると、ｋ１換算値が約０．４１のときの対角配置より、ｋ１換算値が約０．４１のときの通常の配置の方が結像性能がよい。更にそれよりも、ｋ１換算値が約０．３５のとき（即ち、パターン周期がホール径の２倍の２４０ｎｍのとき）の通常の配置の方が結像性能がよいことが分かる。そこで、技巧的ではあるが、補助パターンは解像しないので自由に配置してよいという性質より、ｋ１換算値が約０．３５で通常の配置をとるように補助パターンを更に配置すればよい。図１４では、所望のパターン３１のまわりにｋ１換算値が約０．３５になるように、補助パターン３２ｂを通常配置した。こうした方が結像性能がよくなった。ここで、図１４は、複数種類の配置が混在したマスクを模式的に示した平面図である。
【００５８】
なお、この実施例では、横方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンと、ホール径に応じて配置した補助パターンとを混在させた。しかし、横方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンと、縦方向のパターン周期に応じて配置した補助パターンとを混在させてもよい。
【実施例３】
【００５９】
図１０に示したフローチャートに従って、パターン周期を決定した例を示す。所望パターン３１として、図１５（ａ）に示すように、ホール径が１２０ｎｍで縦方向のパターン周期が２５０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３７に相当）でホールが１３個並んでいる。なお、図１５（ａ）では中心の３つのホールだけを表示している。また、横方向にはホール中心の間隔が１０４０ｎｍ離れているとする。まず、図１０に示したフローチャートにおいて、ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ４、ｇ５の値はそれぞれ０．２９、０．４０、１．２０、０．８０、０．２５とする。縦方向に関しては、Ｐ２が２５０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３７）であることが求められ、横方向に関してはＰ２が２６０ｎｍ（半周期のｋ１換算値が約０．３８）であることがわかる。これらの周期に対してはずれた配置がよいので、図１５（ｂ）に示すように大きさ９０ｎｍの補助パターン３２を配置した。
【００６０】
補助パターン３２を配置しない場合と、配置した場合の空中像を比較したので、結果を図１５（ｃ）に示す。補助パターン３２を配置した方が明らかに結像性能がよいことがわかる。
【００６１】
以上のことから、コンタクトホールパターンのパターン周期に応じて補助パターンを最適に配置することにより、例えば、０．１５μｍ以下の微細なホール径を有するパターンを高解像度で露光可能なマスクを製造することができることが分かる。即ち、コンタクトホールパターンの周期に応じて、コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、そのあるコンタクトホールパターンから垂直方向に最も近い補助パターンの中心とそのあるコンタクトホールのパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度を最適に設定することにより高解像度で露光可能なマスクを製造することができる。より具体的には、コンタクトホールパターンの半周期を数式１で表されるｋ１で換算し、換算されたｋ１に基づいて、補助パターンの配列を、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度となるように配置する第１の補助パターン（即ち、通常の配置）、又は、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなるように配置する第２の補助パターン（即ち、ずれた配置）、又は、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が４５度となるように配置する第３の補助パターン（即ち、対角配置）のいずれかを決定すればよい。
【００６２】
例えば、図６（ａ）及び図１２から、パターンの半周期のｋ１換算値が０．２５乃至０．３４の範囲を第１の領域とする。また、そのｋ１換算値が０．３４乃至０．４２の範囲を第２の領域とする。ｋ１換算値が０．４２乃至０．６２の範囲を第３の領域とする。所望のパターンのｋ１換算値が第１の領域の範囲にある場合には第１の補助パターンを、第２の領域の範囲にある場合には第２の補助パターンを、第３の領域の範囲にある場合には第３の補助パターンを選択するようにする。
【００６３】
更に、図６（ｃ）及び図１２から、第２の領域のうち、ｋ１換算値が０．４乃至０．４５の範囲を第４の領域とし、所望のパターンのｋ１換算値が第４の領域の範囲にある場合には第１の補助パターンを選択するようにしてもよい。
【００６４】
また、図１２より明らかなように、ｋ１換算値が０．２５乃至０．３２の範囲では、第1の補助パターンを、ｋ１換算値が０．４５乃至０．６２の範囲では、第３の補助パターンを、選択するのが最適である。
【００６５】
これにより、所望のパターンに対して最適な補助パターンの配置がわかり、最適な補助パターンで高解像な露光を行うことが可能となる。また、最適な補助パターンの配置を求めるための露光を行う必要がないため、開発時間を短縮でき、その結果開発コストを低下させることができる。
【００６６】
なお、以上の実施例においては、所望のパターンとして正方形のコンタクトホールパターンを示したが、それ以外にも長方形等のその他の形状をしたコンタクトホールパターン等にも、本発明は適用可能である。
【００６７】
以下、図１を参照して、本発明のマスクを露光する露光装置３００について説明する。ここで、図１は、本発明の例示的な露光装置３００の概略ブロック断面図である。露光装置３００は、図１に示すように、上述のマスクを照明する照明装置３１０と、照明されたマスクパターンから生じる回折光をプレート３４０に投影する投影光学系３３０と、プレート３４０を指示するステージ３４５とを有する。
【００６８】
露光装置３００は、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク３２０に形成された回路パターンをプレート３４０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００６９】
照明装置３１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスク３２０を照明し、光源部３１２と、照明光学系３１４とを有する。
【００７０】
光源部３１２は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長約１５７ｎｍのＦ２レーザーなどを使用することができる。しかし、光源の種類は限定されないし、その光源の個数も限定されない。また、光源部３１２にレーザーが使用される場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。
【００７１】
照明光学系３１４は、マスク３２０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。例えば、コンデンサーレンズ、ハエの目レンズ、開口絞り、コンデンサーレンズ、スリット、結像光学系の順で整列する等である。照明光学系３１４は、軸上光、軸外光を問わずに使用することができる。ライトインテグレーターは、ハエの目レンズや２組のシリンドリカルレンズアレイ（又はレンチキュラーレンズ）板を重ねることによって構成されるインテグレーター等を含むが、光学ロッドや回折素子に置換される場合もある。
【００７２】
マスク３２０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージに支持及び駆動される。マスク３２０から発せられた回折光は、投影光学系３３０を通りプレート３４０上に投影される。マスク３２０とプレート３４０は、光学的に共役の関係にある。本実施形態の露光装置３００は、スキャナーであるため、マスク３２０とプレート３４０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりマスク３２０のパターンをプレート３４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、マスク３２０とプレート３４０とを静止させた状態で露光が行われる。かかるマスク３２０には、上述の所望のパターンと補助パターンが形成される。
【００７３】
投影光学系３３０は、屈折系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（反射屈折系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、反射系の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。
【００７４】
プレート３４０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程であるが現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００７５】
ステージ３４５は、プレート３４０を支持する。ステージ３４５は、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージ３４５は、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレートを移動することができる。マスク３２０とプレート３４０とは、例えば、同期走査され、ステージ３４５と図示しないマスクステージの位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ステージ３４５は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持されるステージ定盤上に設けられ、マスクステージ及び投影光学系３３０は、例えば、床等に載置されたベースフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない鏡筒定盤上に設けられる。
【００７６】
露光において、光源部３１２から発せられた光束は、照明光学系３１４によりマスク３２０を、例えば、ケーラー照明する。マスク３２０を通過してマスクパターンを反映する光は、投影光学系３３０によりプレート３４０に結像される。露光装置３００が使用するマスク３２０は、補助パターンが所望のパターンの結像性能を高め（例えば、円形に近づける）、焦点深度を増加するので作業性を高めて従来よりも高品位なデバイスを提供することができる。
【００７７】
次に、図１６及び図１７を参照して、上述の露光装置３００を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１６は、デバイスの製造方法を実行するためのプログラムを説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターン形成に適したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７８】
図１７は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上述の露光装置３００によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位なデバイスを製造することができる。
【００７９】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本実施形態のマスクは、バイナリーマスクとしたが、ハーフトーンマスクであってもよい。なお、ハーフトーンマスクとは、バイナリーマスクの遮光部にあたる部分を、光強度を減衰させ、且つ、透光部との位相差を１８０度に保つように変えたマスクである。同様に、隣合う開口部を透過した光に互いに１８０度の位相差を設けるようにしたいわゆる位相シフトマスクも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態としての露光装置の単純化された光路図である。
【図２】通常のマスクと本発明の一側面としての露光方法に用いられるマスクの概略平面図、及び、所望のコンタクトホールパターンを示す図である。
【図３】本発明の露光方法に適用可能な照明系の有効光源の形状を示す図である。
【図４】本発明の露光方法に適用可能なマスクパターンを模式的に示した平面図である。
【図５】所望のコンタクトホールパターンを模式的に示した平面図である。
【図６】図５に示すコンタクトホールパターンのパターン周期を変えた際に、３種類の補助パターンの配置によって結像性能がどのように変化したかを示すグラフである。
【図７】図６の結果を得る際に用いた有効光源形状を模式的に示した平面図である。
【図８】図７に示す有効光源形状の照明でパターン周期２４０ｎｍのコンタクトホールパターンを露光した結果を示す図である。
【図９】図５に示すマスクから生じた瞳面上での回折光の分布及び結像を模式的に示す図である。
【図１０】パターン周期の決定方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】所望のパターンのパターン群を定義するための模式図である。
【図１２】所望のパターンのｋ１と複数種類の補助パターンとの関係を表す図である。
【図１３】ホール径１２０ｎｍ、パターン周期２５０ｎｍの所望のパターンに大きさ９０ｎｍの補助パターンをずれた配置で配置したときの２次元強度分布の空中像を示す図である。
【図１４】複数種類の配置が混在したマスクを模式的に示した平面図である。
【図１５】所望のパターンと補助パターンとの配置の関係を示す平面図、及び、かかるパターンの２次元強度分布の空中像を示す図である。
【図１６】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１７】図１６に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである
【図１８】孤立ホールに対する補助パターンの配置を示した図である
【符号の説明】
【００８１】
３１                  所望のパターン（透過部）
３２                  補助パターン（微小透過部）
３３                  遮光部
３４                  所望のパターン
３６、３７            格子
４１                  透光部
４２                  遮光部
５１                  コンタクトホール
３００                露光装置
３１０                照明装置
３２０                マスク
３３０                投影光学系
３４０                プレート
３４５                ステージ
【図１４】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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