(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネルの第１の側に配置されており、放射線を、前記光電変換部が感知可能な第１の光に変換する波長変換体と、
前記センサーパネルの側方に配置されており、前記第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を発する光源と、
前記センサーパネルの前記第１の側と反対側の第２の側に配置されており、前記第１の光を吸収し且つ前記第２の光を前記光電変換部に導光する波長選択性導光層と、
前記センサーパネルと前記波長選択性導光層との間に配置されており、前記第２の光を拡散させる拡散層と、
を備え、
前記拡散層は、光散乱粒子を含有し、
前記拡散層は、前記センサーパネルから遠い部分より前記センサーパネルの近傍の方が前記光散乱粒子の含有量が高いことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記波長選択性導光層は、有機色素を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記有機色素は、耐光性改良剤を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記耐光性改良剤は、アミニウム塩化合物又はジイモニウム塩化合物を含む
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記波長選択性導光層の前記センサーパネルの側とは反対側の面に配置された反射層を更に備えた
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記波長変換体を覆う保護膜を更に備えた
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、
を備えたことを特徴とする放射線検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出装置及び放射線検出システムに係り、特に、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線検出装置及び放射線検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、光電変換素子の特性変動やＳ／Ｎ低下を改善するために、光電変換素子に光を照射する発光層又は光電変換素子に照射する光を導光する導光層が設けられた放射線検出装置が知られている（特許文献１を参照）。
【０００３】
図７は、従来の放射線検出装置７００の断面図である。センサパネル７０１には、光電変換素子に対向する位置に蛍光体層７０２が形成されている。センサパネル７０１は、ガラス基板上に、配線部、光電変換部、電極取り出し部、センサーパネル表面を保護する保護層を配置して構成されている。
【０００４】
センサパネル７０１の裏面側には、光源としての発光層７０４又は光源からセンサーパネル裏面に光を導光する導光層７０４が設けられている。さらに、光源の光をセンサパネル７０１にムラなく伝播するために拡散層７０５が設けられている（特許文献２、３を参照）。
【０００５】
さらに、蛍光体層７０２からの光が反射して再度光電変換素子に入射することによって発生するノイズを低減するために、蛍光波長を吸収する蛍光体光吸収層７０６が設けられることが知られている（特許文献２、３を参照）。
【特許文献１】特開２００２−０４０１４４号公報
【特許文献２】米国特許第５９７３３２７号
【特許文献３】米国特許第６６５５６７５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の放射線検出装置は、拡散層や蛍光体光吸収層を追加しているため、放射線検出装置全体が厚くなり、可搬用途で使用するには大きさ、重さともに不向きであるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、軽量且つ薄型の放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の側面は、放射線検出装置に係り、前記放射線検出装置は、光電変換部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネルの第１の側に配置されており、放射線を、前記光電変換部が感知可能な第１の光に変換する波長変換体と、前記センサーパネルの側方に配置されており、前記第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を発する光源と、前記センサーパネルの前記第１の側と反対側の第２の側に配置されており、前記第１の光を吸収し且つ前記第２の光を前記光電変換部に導光する波長選択性導光層と、前記センサーパネルと前記波長選択性導光層との間に配置されており、前記第２の光を拡散させる拡散層とを備え、前記拡散層は、光散乱粒子を含有し、前記拡散層は、前記センサーパネルから遠い部分より前記センサーパネルの近傍の方が前記光散乱粒子の含有量が高いことを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の側面は、放射線検出システムに係り、上記の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録する記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示する表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送する伝送処理手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、軽量且つ薄型の放射線検出装置及び放射線検出システムを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置について図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明の好適な実施の形態において、放射線には、Ｘ線、α線、β線、γ線などの電磁波が含まれる。
【００１３】
図１は、本発明の好適な実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す図である。本実施形態に係る放射線検出装置１００は、センサーパネル１０１を有しており、センサーパネル１０１には波長変換体１０２が形成され、センサーパネル１０１を挟んで波長変換体１０２と対向する位置には波長選択性導光層１０３が形成されている。放射線検出装置１００はまた、センサーパネル１０１と波長選択性導光層１０３との間に拡散層１０４を有する。
【００１４】
センサーパネル１０１は、基板１０５を有しており、基板１０５上には各種の構成要素が形成されている。例えば、基板１０５上には、光電変換部１０６、光電変換部１０６に接続された配線部１０７、配線部１０７に接続された電極取り出し部（電極パッド部）１０８等が形成されている。また、光電変換部１０６及び配線部１０７の上には、第１の保護層１０９が形成されている。
【００１５】
波長変換体１０２は、第１の保護層１０９（又は後述するする第２の保護層１１０）の上に形成されている。波長変換体１０２は、放射線を光電変換部１０６が感知可能な波長帯域の第１の光に変換するシンチレータで構成されている。波長変換体層１０２の形成方法としては、波長変換体層１０２を第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の上に直接形成してもよいし、支持基板上に波長変換体層１０２を形成し、これを貼り合わせることによって形成してもよい。波長変換体層１０１の材料としては、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等の粒子波長変換体やハロゲン化アルカリ波長変換体等を用いることが好ましい。また、波長変換体層１０１の材料としては、蒸着により形成可能なＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリ柱状結晶構造を有する波長変換体を用いることがより好ましい。波長変換体１０２が放射線の照射によって発光する波長領域は、４００−６００ｎｍである。波長変換体１０２の波長は、光電変換部１０６の感度波長に合わせて設定される。また、波長変換体層１０２の密着性を向上させるために、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の表面に表面処理を施すことが望ましい。このような表面処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、ＵＶ照射処理等を用いることができる。波長変換体１０２の表面は、防湿性、遮光性に優れた保護層１１１で覆われることが好ましい。
【００１６】
波長選択性導光層１０３は、センサーパネル１０１を挟んで波長変換体１０２と対向する位置に配置され、光電変換部１０６が感知可能な第１の光とは波長帯域が異なる第２の光を光電変換部１０６に導光する。さらに、波長選択性導光層１０３は、光電変換部１０６が感知可能な第１の光を吸収する。第１の光を吸収するのは、波長変換体１０２からの光のうち光電変換部１０６で確保されなかった漏れ光がセンサーパネル１０１の裏面で反射し、再度、光電変換部１０６に入射してノイズとなることを防止するためである。このようなノイズを防止するためには、波長変換体１０２の発光波長光を吸収する層が必要である。
【００１７】
本発明の好適な実施の形態では、波長変換体１０２の発光波長光を吸収する機能を波長選択性導光層１０３で兼ねることによって、放射線検出装置１００の厚さを薄くし、かつ、放射線検出装置１００を軽量化することができる。波長選択性導光層１０３は、センサーパネル１０１の側面に配置された光源からの光を導光する。波長選択性導光層１０３の光源としては、ＬＥＤ光源、冷陰極管、ＥＬ光源等、フラットパネルのバックライトに使用できる光源であれば、いずれを用いてもよい。特に、コストが安く薄く形成することが可能なＬＥＤ光源が好ましい。例えば、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、青緑色ＬＥＤ（４９３−４９８ｎｍ）、緑色ＬＥＤ（５２０−５３５ｎｍ）、黄色ＬＥＤ（５９０ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）、赤色ＬＥＤ（６３０ｎｍ、６４４ｎｍ、６６０ｎｍ）を用いることができる。また、ＬＥＤ光源としては、これらのＬＥＤの他、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いることができる。図３は、白色ＬＥＤ光源の発光波長強度を示す図である。白色ＬＥＤ光源では、４５０−５００ｎｍ、５００−６００ｎｍ、６００−７００ｎｍの３つの領域に蛍光体発光波長ピークが存在する。従って、白色ＬＥＤ光源であれば、波長変換体１０２から光を吸収する波長選択性導光板１０３があっても、他の領域での発光があるので、光源としての役割を効率良く果たすことができる。
【００１８】
波長選択性導光板１０３の材料としては、波長変換体１０２の発光波長領域よりも少なくとも広い領域で光を吸収可能な材料を用いることが好ましい。波長変換体１０２がＣｓＩ（Ｔｌ）の場合には、５００〜５５０ｎｍ付近にブロードなピークが存在する。従って、このような材料としては、例えば、有機色素を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ＣｓＩ（Ｔｌ）からの発光光を吸収するマゼンタ色の染料・顔料（色素）を樹脂に溶融又は分散させた樹脂を成型した、所謂マゼンタフィルターを用いることができる。このような樹脂としては、成型が容易であるものが好ましく、光学特性に優れているアクリル樹脂を用いることがより好ましい。波長変換体１０２の発光光を全て吸収することが好ましいが、全ての発光光を吸収できなくてもよい。この場合、波長変換体１０２からの発光光は、センサーパネル１０１の裏面で反射して、再度、光電変換部１０６に到達するまでに波長選択性導光板１０３を２度通過する。そのため、大きな減衰効果が得られるため、実質的には極めて低いノイズレベルにまで戻り光を低減することができる。
【００１９】
波長選択性導光板１０３に用いられる樹脂に色素を含有させる方法としては、例えば、波長選択性導光板１０３の導光板を成型する樹脂に対し、色素を０．１重量％〜１０重量％含有させる方法を用いることができる。樹脂の成型方法としては、インジェクション法やキャスティング法を用いることができる。色素の耐光性を向上させるために、アミニウム塩化合物又はジイモニウム塩化合物等の耐光性改良剤を色素の重量に対して１−３０重量％含有させる方法を用いることができる。
【００２０】
また、波長選択性導光層１０３からの光は、光電変換部１０６の特性変動を改善するために照射されるため、適量な照射光量が必要である。従って、波長選択性導光層１０３が吸収する波長領域は、可能な限り波長変換体１０２からの発光光の波長領域と一致することが好ましい。従って、波長選択性導光層１０３の光源からの発光光を吸収しないか、或いは、波長選択性導光層１０３の光源の発光波長領域が拡散層１０４の波長吸収領域より広いことが好ましい。
【００２１】
波長変換体１０２としてＣｓＩヨウ化セシウムを用いる場合には、図４に示すように、５５０−６５０ｎｍの領域に蛍光体発光波長ピークが存在する。従って、同波長領域を吸収する波長選択性導光板１０３を選択し、逆に光源として波長変換体１０２の発光ピークとは異なる発光波長をもつ、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）や、特に望ましくは、赤色ＬＥＤ（６６０ｎｍ）などが好適である。また、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いてもよい。
【００２２】
同様にして、波長変換体１０２がＧＯＳ酸化硫化ガドリニウムであれば  図５のように細い発光波長ピークが存在する。従って、同波長領域を吸収する波長選択性導光板１０３を選択し、波長変換体１０２の発光ピークとは異なる発光波長をもつ全てのＬＥＤを光源として用いることができる。例えば、青色ＬＥＤ（４６５−４７５ｎｍ）、青緑色ＬＥＤ（４９３−４９８ｎｍ）、黄色ＬＥＤ（５９０ｎｍ）、橙色ＬＥＤ（６１１ｎｍ）、赤色ＬＥＤ（６３０ｎｍ、６４４ｎｍ、６６０ｎｍ）などの他、各色を混合した白色ＬＥＤ等を用いることができる。
【００２３】
基板１０５としては、波長選択性導光層１０３から導光された光が透過するガラス等の絶縁性基板を用いることが好ましい。
【００２４】
光電変換部１０６は、基板１０５上に１次元又は２次元状に配置されている。光電変換部１０６は、光電変換素子とスイッチング素子で構成される。光電変換素子としては、例えば、ｐｎフォトダイオード、ｐｉｎフォトダイオード、ＭＩＳセンサ等のフォトセンサーを用いることができる。また、スイッチング素子としては、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等を用いることができる。光電変換素子をスイッチング素子と共に用いて画素が構成されている。また、光電変換部１０６の材料としては、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコン又は有機材料等を用いることができる。光電変換部１０６の材料として、単結晶シリコンを用いる場合には、光電変換素子として、ＣＣＤやＣＭＯＳセンサ等を用いることもできる。
【００２５】
第１の保護層１０９は、光電変換部１０６及び配線部１０７を覆い、これらを保護する。第１の保護層１０９の材料としては、例えば、窒化シリコン等を用いることができる。第１の保護層１０９の上には、必要に応じて、第２の保護層１１０を設けてもよい。第１の保護層１０９又は第２の保護層１１０としては、例えば、ＳｉＮ、ＴｉＯ2 、ＬｉＦ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ等を用いることができる。これらの他、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶ポリマー、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアミドイミド樹脂を用いることができる。さらに、これらの他、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等を用いることができる。第１の保護層１０９又は第２の保護層１１０は、放射線照射時に波長変換体１０２で変換された光が通過することから、波長変換体１０２が放出する光の波長に対し、高い透過率を示すものが好ましい。
【００２６】
拡散層１０４は、センサーパネル１０１と波長選択性導光層１０３との間に配置され、波長選択性導光層１０３により導光される第２の光を拡散させる。第２の光を拡散させるのは、光を拡散させてセンサーパネル１０１面内の光量ムラを低減し、光電変換部１０６の特性変動及びＳ／Ｎを改善するために、センサーパネル１０１に一様に光を照射するためである。
【００２７】
拡散層１０４の厚さとしては、波長選択効果及び拡散効果が満足されるのであれば、どのような厚みでもよいが、パネルの可搬性や軽量化のために厚みがより薄いことが好ましく、例えば０．２ｍｍ〜１０ｍｍが好ましく、２〜６ｍｍがより好ましい。
【００２８】
拡散層１０４に拡散効果をもたせるためには、例えば、拡散層１０４の表面を粗面にする方法を用いることができる。これによって、波長選択性導光層１０３から拡散層１０４に進行してきた光が効率的に分散され、波長選択性導光層１０３からの光のムラを低減することができる。拡散層１０４の表面を粗面にして拡散効果を得る場合、センサーパネル１０１の裏面に配置された波長選択性導光層１０３から入射する光を拡散させるために、拡散層１０４のセンサーパネル１０１側の面を粗面にすることが好ましい。このような粗面を形成する方法としては、例えば、サンドブラスト、エッチング等を用いることができる。このような粗面の平均粗さとしては、Ｒｚ＝２〜２０μｍであることが好ましい。拡散層１０４の拡散層としての効果は、波長選択性導光層１０３から導光された光をより均一にすることを目的としているため、面粗度は面内で均一であることが好ましい。
【００２９】
また、拡散層１０４に拡散効果をもたせるためには、拡散層１０４に光拡散機能を有する光拡散粒子を分散・含有させてもよい。光拡散粒子の大きさは、例えば、５〜２００μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましい。光拡散粒子の材料としては、例えば、ポリポロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料、さらには一般的に知られているガラス粒子や酸化チタン粒子のような金属微粒子等を用いることができる。拡散層１０４の拡散層としての効果は、波長選択性導光層１０３から導光された光をより均一にすることを目的としているため、光拡散粒子は面内で均一に拡散されることが好ましい。拡散層１０４の厚さ方向に対しては、光拡散粒子が全層に均一に分散されてもよいが、波長選択性導光層１０３からの光が減衰しないように、センサパネル１０１の近傍の含有量が高くなるように拡散粒子を充填してもよい。なお、拡散粒子の含有量は、拡散層１０４自体の自己保持性を考慮すると３０％vol以下であることが好ましい。
【００３０】
また、図２に示すように、波長選択性導光層１０３に反射層２０１を配置してもよい。反射層２０１は、波長選択性導光層１０３の表面に波状、プリズム状などの形状を有する所謂マイクロリフレクター形状を形成してもよいし、反射性インクでマイクロドット印刷を施してもよい。また、異なる反射機能をもつ層を形成することによっても反射機能を付加することがきる。例えば、反射性の粒子を含有する樹脂フィルムを貼り付けて設けてもよい。具体的には、一般に知られている白ＰＥＴフィルムを貼り付けることで容易に形成することができる。また、例えば、センサーパネル１０１を支持する筐体が波長選択性導光層１０３からの光を反射するような反射面をもつ支持体であれば、直接この筐体に積層することによって反射層２０１の機能を付加できる。反射層２０１は、波長選択性導光層１０３の光源の光を効率良く導光させるために使用するものであって、波長選択性導光層１０３の下面を覆うように形成されることが好ましい。さらに波長選択性導光層１０３の光源の下面を覆うように形成されることがより好ましく、さらに波長選択性導光層１０３の導光層の側面を覆うように形成されることが更に好ましい。従って、反射層２０１の材料としては、印刷インク、樹脂フィルム等の被覆が容易な材料が望ましい。
【００３１】
また、放射線検出装置１００には、波長変換体１０２の上に耐湿保護層、反射層を兼ねた防湿保護層１１１を設けてもよく、防湿保護層１１１は、電磁シールド層を兼ねてもよい。このような耐湿保護層１１１は、波長変換体１０２をその上部表面から側面にかけて覆うように形成され、波長変換体１０２がセンサーパネル１０１の表面と外部から遮断されるように少なくとも端部がセンサーパネル１０１の表面に直接形成されることが望ましい。
【００３２】
波長変換体１０２に設けられる反射層は、波長変換体１０２からの光を反射し、且つ、外部からの水分の浸入を防止する材料が望ましく、特に金属材料が望ましい。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕ等の反射率の高い金属が望ましい。さらに、この反射層には、剛性保護の目的で樹脂層（不図示）を積層することが望ましい。
【００３３】
また、放射線検出装置１００において、センサーパネル１０１の電極取り出し部１０８には、駆動用もしくは検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板（不図示）の端子部が異方導電性接着剤（不図示）を介して貼り合わされる。
【００３４】
以下、本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る製造方法における、各構成の配置、材料、性質、大きさ、製法等は、上述した放射線検出装置の各構成で説明したものを適用することが可能である。
【００３５】
先ず、図１に示すようにセンサーパネル１０１を形成する。具体的には、基板１０５上に光電変換部１０６及び配線部１０７並びに電極取り出し部１０８を形成する。
【００３６】
次いで、センサーパネル１０１の上に第１の保護層１０９を形成し、さらにその上に波長変換体１０２を形成する。ここで、必要があれば、第１の保護層１０９上に第２の保護層１１０を形成してもよい。
【００３７】
次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）上に表面処理を施す。例えば、表面処理としてプラズマ処理を用いる場合、大気圧プラズマ洗浄装置を用いて、反応管幅７５ｍｍ、被照射距離５ｍｍ、操作速度７５ｍｍ、出力０．８ｋｗで行うことができる。
【００３８】
次いで、第１の保護層１０９（又は第２の保護層１１０）の画素領域に対応する位置に波長変換体１０２を形成する。波長変換体１０２としては、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム活性化ヨウ化セシウム）等を厚さ５００μｍで蒸着することができる。
【００３９】
次いで、波長変換体１０２の上に保護層１１１を積層する。保護層１１１としては、例えば、Ａｌ４０μｍ、ＰＥＴ５０μｍを積層してなるＡｌ／ｐｅｔシートのＡｌ面側に、厚さ１００μｍのアクリル粘着シートを配置した構成を用いることができる。
【００４０】
次いで、表面をサンドブラスト法等により粗面とした拡散層１０４を形成する。なお、上述したように、拡散層１０４に拡散効果をもたせるためには、拡散層１０４に光拡散機能を有する光拡散粒子を分散・含有させてもよい。
【００４１】
次いで、波長選択性導光層１０３を拡散層１０４に重ね合わせる。ここで、波長選択性導光層１０３の裏面に反射層２０１（例えば、白ＰＥＴフィルム（厚さ１８８μｍ）等）を形成してもよい。波長選択性導光板１０３の作製方法としては、まず、ポリメチルメタアクリレート前駆体に触媒性色素を１重量％含有させた樹脂溶液を、２枚のガラスからなるキャスティングセル内に注入する。次いで、１３０℃でキャスティング成型し、厚さ４ｍｍのPMMA（ポリメチルメタアクリレート）を有する導光板を作製する。導光板の透過率は、例えば、波長５４０ｎｍで１０％、波長６５０ｎｍで８０％である。
【００４２】
次いで、センサーパネル１０１上の電極取り出し部１０４に、異方導電性接着剤（不図示）を介してフレキシブル回路基板（不図示）の端子部を熱圧着し、放射線検出装置を得る。
【００４３】
[応用例]
図６は本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置を放射線撮影システムに応用したシステム図である。
【００４４】
本放射線撮影システムの特徴は、以下の点である。すなわち、Ｘ線発生源としてのＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者あるいは被検体６０６１の胸部などの観察部分６０６２を透過し、放射線検出装置１００、２００に入射する。この入射したＸ線６０６０には被検体６０６１の内部の情報が含まれている。Ｘ線６０６０の入射に対応して放射線検出装置１００、２００は電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され、信号処理手段としてのイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室（コントロールルーム）にある表示手段としてのディスプレイ６０８１で観察可能となる。
【００４５】
画像処理された情報は、電話回線や無線６０９０等の伝送処理手段により遠隔地などへ転送でき、ディスプレイ６０８１に表示されたり、フィルムなどに出力されたりして、コントロールルームとは別の場所の遠隔地にいる医師が診断することも可能である。このようにして、ドクタールームで得られた情報は、フィルムプロセッサなどの記録手段としての記録部６１００により光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクなどの各種記録材料を用いた記録媒体に記録や保存することもできる。また、フィルム又は紙などの記録媒体６１１０に記録や保存することもできる。
【００４６】
以上説明したように、本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置及び放射線撮影システムによれば、波長変換体光源からの漏れ光が原因となるノイズの発生を低減し、波長選択性導光層より導光される光によって、光電変換部の特性を向上させることができる。
【００４７】
また、放射線検出装置の積層構造の簡略化が可能となり、放射線検出装置の構成層が薄くなるため、装置及びシステム全体の軽量・薄型化が可能となる。その結果、低コストで耐久性の高い放射線検出装置及び放射線撮影システムを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の好適な実施形態に係る放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の好適な実施形態に係る他の放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【図３】白色ＬＥＤ光源の発光波長強度を示す図である。
【図４】ＣｓＩヨウ化セシウムの発光波長ピークを示す図である。
【図５】ＧＯＳ酸化硫化ガドリニウムの発光波長ピークを示す図である。
【図６】本発明の応用例に係る放射線撮影システムの構成を示す概念図である。
【図７】従来の放射線検出装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１００  放射線検出装置
１０１  センサーパネル
１０２  波長変換体
１０３  波長選択性導光層
１０４  拡散層
１０６  光電変換部
【図１】
0004693617.tif 000002
【図２】
0004693617.tif 000003
【図３】
0004693617.tif 000004
【図４】
0004693617.tif 000005
【図５】
0004693617.tif 000006
【図６】
0004693617.tif 000007
【図７】
0004693617.tif 000008