(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向膜を第１の方向にラビングする工程と、
前記第１の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第１の方向とは反対の方向にラビングする工程と
を有し、
前記第１の方向へのラビングと、前記第１の方向とは反対の方向へのラビングとが等しい強度で行われる低ティルト配向膜の製造方法。
【請求項２】
（ａ）電極を備える第１の基板上に配向膜を形成する工程と、
（ｂ）電極を備える第２の基板上に配向膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１の基板上の配向膜を第１の方向にラビングした後、前記第１の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第１の方向とは反対の方向にラビングする工程と、
（ｄ）前記第２の基板上の配向膜を第２の方向にラビングした後、前記第２の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第２の方向とは反対の方向にラビングする工程と、
（ｅ）前記第１及び第２の基板を、配向膜を向き合わせ、略平行に対向配置し接着する工程と
を有し、
前記工程（ｃ）において、１回目のラビングと２回目のラビングとを等しい強度で行う液晶表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｄ）において、１回目のラビングと２回目のラビングとが等しい強度で行われる請求項２に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｅ）において接着された前記第１及び第２の基板間に液晶を注入したとき、前記工程（ｃ）におけるラビングの方向と、前記工程（ｄ）におけるラビングの方向とが、前記注入された液晶をスプレイ配向させる方向である請求項２または３に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｅ）において接着された前記第１及び第２の基板間に液晶を注入したとき、前記工程（ｃ）におけるラビングの方向と、前記工程（ｄ）におけるラビングの方向とが、前記注入された液晶を９０°ツイストさせる方向である請求項２〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の基板の電極は、それぞれ一方向に長い複数のスリットを備え、
前記第１及び第２の基板は、各基板の前記複数のスリットが、前記第１及び第２の基板の法線方向から見たとき、前記複数のスリットの幅方向に交互に配置されるように接着され、
前記第１及び第２の方向が、前記第１及び第２の基板の法線方向から見たとき、前記工程（ｅ）において、前記スリットの幅方向を中心に、等しい角度で互いに逆方向に回転した方向である請求項２〜５のいずれか１項に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記スリットの幅方向を中心に、互いに逆方向に回転する角度が４５°である請求項６に記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラビングにより配向処理の施された配向膜の製造方法、及びラビングによる配向膜への配向処理工程を含む液晶表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
視角特性改善のために、スリットを設けた電極で発生させる斜め電界を利用する２ドメインタイプのツイストネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ，ＴＮ）型液晶表示素子の提案がなされている。（たとえば、特許文献１参照。）この液晶表示素子は、良好な視角特性を有するほか、製造に当たって、透明電極に加工を施す以外には、特別な工程の追加が不要であるという点においても優れている。
【０００３】
この液晶表示素子においては、斜め電界に対する液晶分子の応答の対称性を確保するために、プレティルト角は小さいことが望ましく、理想的には０°であることが望ましい。プレティルト角が付与されていると、スリットによる斜め電界が有効に作用せず、プレティルト角方向から一律に液晶分子が立ち上がり、良好な２ドメイン配向を実現することが困難となる結果、視角依存性の解消が妨げられる場合がある。
【０００４】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶表示素子の基板に施すラビング処理の方向を示す概略的な平面図であり、（Ｃ）は、液晶分子の配向状態を示す概略的な断面図である。図３（Ａ）及び（Ｂ）はともに、完成した液晶表示素子を、相互に略平行配置された上側基板及び下側基板の法線方向から見た図である。すなわち、紙面垂直方向が基板の法線方向となる。上側基板に施されるラビング処理の方向を点線の矢印で、下側基板に施されるそれを実線の矢印で示した。なお、液晶表示素子の電極にストライプ状のスリットが設けられているとき、図の左右方向がスリットの長さ方向と平行となるように図示してある。
【０００５】
図３（Ａ）は、通常施されるラビング処理の方向の一例を示す。上下基板には、スリットの長さ方向（図の左右方向）を挟んで互いに逆向きの４５°方向であって、互いに直交する２方向へラビング処理が施される。
【０００６】
両基板間に左ツイストの液晶を注入すると、下基板のラビング方向に沿って配向した液晶分子が左ツイストして上基板に達すると、液晶分子のプレティルトは上基板のプレティルトと適合する方向となり、プレティルト角に関して平行な配向が実現される。したがって、このような方向へラビング処理を施した場合、液晶層の厚さ方向の中央部でプレティルト角を小さくすることは難しい。
【０００７】
図３（Ｂ）は、特許文献１に開示されているラビング処理の方向の一例を示す。上下基板のうちの一方に施されるラビング処理の方向を、図３（Ａ）に示したものと逆向きにしている。すなわち、上下基板には、スリットの幅方向（図の上下方向）を挟んで互いに逆向きの４５°方向であって、互いに直交する２方向へラビング処理を施す。両基板間に左ツイストの液晶を注入する。下基板に接する液晶分子が矢印方向にプレティルトをもって配向し、９０°ツイストしつつ上基板に達すると、配向方向は適合するが、プレティルト角は左向きになる。したがって液晶分子は、液晶層の厚さ方向に関してスプレイ配向し、液晶層の厚さ方向中央部でのプレティルト角はほぼ０°となる。このように、図示の方向にラビング処理を行うことで、上下基板間で９０°ツイストした液晶分子をスプレイ配向させ、液晶層中央部の液晶分子のティルト角を０°にすることができる。
【０００８】
図３（Ｃ）を参照する。図３（Ｃ）には、理解を容易にするため、上下基板間でツイストしていない液晶について、その配向状態を示した。上下基板に同じ方向（矢印方向）にラビング処理を施すと、基板に接する液晶分子はラビング方向に沿って斜めに持ち上がる（上基板上では斜めに引き下がる）ため、スプレイ配向となり、液晶層中央部の液晶分子は水平方向を向く（ティルト角は０°となる）。
【０００９】
これから推測されるように、上下基板間で９０°ツイストする液晶材料を用いる場合は、図３（Ｂ）に示す方向にラビングすることで、液晶層中央部の液晶分子のティルト角を０°とすることができる。
【００１０】
【特許文献１】特許第３１０８７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、ラビング処理で低ティルト角の配向膜を製造する方法、及び低ティルト角を付与することのできるラビング工程を含む液晶表示素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、配向膜を第１の方向にラビングする工程と、前記第１の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第１の方向とは反対の方向にラビングする工程とを有し、前記第１の方向へのラビングと、前記第１の方向とは反対の方向へのラビングとが等しい強度で行われる低ティルト配向膜の製造方法が提供される。
【００１３】
この配向膜の製造方法によれば、たとえば同じ配向膜に、１度だけラビング処理を施した場合に比べて、低ティルト角の配向膜を製造することができる。
【００１４】
また、本発明の他の観点によれば、（ａ）電極を備える第１の基板上に配向膜を形成する工程と、（ｂ）電極を備える第２の基板上に配向膜を形成する工程と、（ｃ）前記第１の基板上の配向膜を第１の方向にラビングした後、前記第１の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第１の方向とは反対の方向にラビングする工程と、（ｄ）前記第２の基板上の配向膜を第２の方向にラビングした後、前記第２の方向にラビングされた配向膜の領域を、前記第２の方向とは反対の方向にラビングする工程と、（ｅ）前記第１及び第２の基板を、配向膜を向き合わせ、略平行に対向配置し接着する工程とを有し、前記工程（ｃ）において、１回目のラビングと２回目のラビングとを等しい強度で行う液晶表示素子の製造方法が提供される。
【００１５】
この液晶表示素子の製造方法によれば、低ティルト角の配向膜を備える液晶表示素子を製造することができる。また、表示品質の良好な液晶表示素子を製造することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ラビング処理で低ティルト角の配向膜を製造する方法、及び低ティルト角を付与することのできるラビング工程を含む液晶表示素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本願発明の開示に先立って、本願発明者らが行った液晶表示素子の表示品質に関する実験について説明する。
【００１８】
図３（Ｂ）に示した方向にラビング処理を行った場合であっても、上下基板におけるラビング条件のわずかな違いにより、液晶層中央部の液晶分子のティルト角が０°近くにならないことがあることがわかった。これは配向膜上での液晶のプレティルト角が大きいときに、顕著に発生することも判明した。この場合、スリットによる斜め電界が有効に作用せず、プレティルト角方向から一律に液晶分子が立ち上がり、良好な２ドメイン配向が形成されず、視角依存性が十分に解消されない。液晶表示素子の全面に渡ってこのようになることは多くはないが、表示素子の一部に視角依存性が現れるだけでもその液晶表示素子は見づらいものになってしまう。
【００１９】
これを防止するために、可能な限りプレティルト角を小さくして、上下基板間のプレティルト角に差が生じた場合でも、液晶層中央部の液晶分子のティルト角を０°に近くする方法が有効である。しかし、通常のラビング処理を行う限り、プレティルト角を小さくすることは困難である。
【００２０】
図４は、約１°のプレティルト角が出現する低プレティルト角配向膜を用い、図３（Ｂ）に示した方向にラビング処理を行って作製した２ドメインタイプのＴＮ型液晶表示素子の表示部を撮影した顕微鏡写真である。
【００２１】
作製した液晶表示素子には、上下スリット間をつなぐディスクリネーションラインに囲まれた、本来の方向とは逆方向から液晶分子が立ち上がる微小領域が多数（２〜１０個／ｍｍ２）存在することが認められた。図４の顕微鏡写真では、そのような欠陥部分を円で囲んで示してある。
【００２２】
この液晶表示素子の表示を目視観察すると、表示がざらついて見えた。
【００２３】
図５は、図４に示した液晶表示素子を、通電状態で高温槽の中に放置した後に撮影した顕微鏡写真である。高温槽の温度を約８５℃、放置時間を５００時間とした。図４の円中に示した欠陥が増加し、ほとんどのスリットエッジで認められるようになったのがわかる。
【００２４】
この液晶表示素子の表示は、甚だ見づらかった。
【００２５】
本願発明者らは、図３（Ｂ）に示した方向にラビング処理を行い、液晶表示素子のサンプルを３つ（第１〜第３のサンプル）作製し、その各々についてプレティルト角の測定及び表示の観察を行った。作製した液晶表示素子のサンプルは、上下電極に設けた矩形状のスリットにより、斜め電界を発生させて２ドメイン構造を実現する、単純セグメントタイプのＴＮ型液晶表示素子である。
【００２６】
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ作製した第１〜第３のサンプルの電極の一部を示す平面図及び斜視図である。
【００２７】
図６（Ａ）を参照する。図示したのは、数字の「１」を表す電極部分である。
【００２８】
基板の法線方向から見たとき、上側基板の透明電極３５には略長方形状のスリット３５ａが形成され、下側基板の透明電極３６にはスリット３６ａが形成される。たとえば両透明電極３５、３６の１つ１つのスリット状開口部（スリット３５ａ、及びスリット３６ａ）は合同である。また、両電極３５、３６のスリット３５ａ、３６ａは、ともに等しい同一ピッチで２次元面内方向（長さ方向及び幅方向）に形成されている。
【００２９】
スリット３５ａと、スリット３６ａとは、スリットの幅方向（図６（Ａ）においては上下方向）に交互に並ぶように形成、配置される。また、２つの透明電極３５、３６のスリット３５ａ、３６ａは、長さ方向のスリットエッジ（開口部の縁）がスリットの幅方向（図６（Ａ）の上下方向）に沿って揃うように形成、配置される。
【００３０】
なお、表示特性を均一に近づけるために、交互に配置される両スリット３５ａ、３６ａ間の幅方向間隔はほぼ一定とするのが望ましい。
【００３１】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した電極部分の斜視図である。スリット３５ａ，３６ａは、たとえば透明電極３５、３６の「１」の文字の輪郭線で囲まれた内部に形成される。
【００３２】
図７（Ａ）〜（Ｆ）は、発明者らが作製した液晶表示素子のサンプル（第１〜第３のサンプル）の製造方法を説明するための概略図である。上述のように、第１〜第３のサンプルは、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示したようなスリット３５ａ、３６ｂを備える透明電極３５、３６を有する液晶表示素子である。
【００３３】
まず、第１のサンプルの製造方法について説明する。
【００３４】
図７（Ａ）を参照する。たとえば透明なガラス基板である透明基板３３上に、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である透明導電材料膜を、たとえばスパッタリングで製膜する。その後、透明導電材料膜をエッチングし、所定の形状にパターニングすることで、透明基板３３上に、スリット３５ａを備える透明電極３５を形成する。透明基板３３上に透明電極３５を覆うように配向膜３７を、厚さ５００Åに塗布焼成する。配向膜３７として、低プレティルト配向膜である日産化学工業製  ＳＥ−４５４０を用いた。
【００３５】
図７（Ｂ）を参照する。図７（Ａ）を参照して説明した工程と同様の工程で、透明基板３４上にスリット３６ａを備える透明電極３６を形成し、それを覆うように透明基板３４上に配向膜３８を塗布焼成した。透明基板、透明電極を形成する材料、及び配向膜材料とその厚さは図７（Ａ）の場合と同様とした。
【００３６】
なお、図７（Ａ）及び（Ｂ）においては、矩形状のスリット３５ａ、３５ｂの長さ方向が紙面垂直方向となるように示してある。
【００３７】
図７（Ｃ）を参照する。図７（Ｃ）は、図７（Ａ）を参照して説明した工程によって形成された一方の基板を配向膜３７（ラビング面）の鉛直上方から見た図である。ただし矩形状のスリット３５ａの長さ方向が、図７（Ｃ）の左右方向となるように示してある。
【００３８】
配向膜３７にラビング処理を施す。ラビング方向は、図に点線の矢印で示した方向であり、スリット３５ａの幅方向（スリット３５ａの長さ方向と直交する方向、図７（Ｃ）においては上下方向）から反時計回りに４５°回転した方向である。
【００３９】
こうして上側基板３１を得る。
【００４０】
図７（Ｄ）を参照する。図７（Ｄ）は、図７（Ｂ）を参照して説明した工程によって形成された他方の基板を配向膜３８（ラビング面）の鉛直上方から見た図である。ただし矩形状のスリット３６ａの長さ方向が、図７（Ｄ）の左右方向となるように示してある。
【００４１】
配向膜３８にラビング処理を施して下側基板３２を得る。ラビング方向は、図に実線の矢印で示した方向であり、スリット３６ａの幅方向（スリット３６ａの長さ方向と直交する方向、図７（Ｄ）においては上下方向）から反時計回りに４５°回転した方向であって、後工程で上側基板３１と下側基板３２とを対向配置し接着した後に、基板（上側基板３１及び下側基板３２）の法線方向から見たとき、スリット３５ａ、３６ａの幅方向を挟んで上側基板３１に施されたラビング処理の方向と直交する方向である。
【００４２】
図７（Ｅ）を参照する。上側基板３１と下側基板３２とを、配向膜３７、３８が形成された面を向き合わせ略平行に対向配置し接着する。
【００４３】
接着はセル周辺に紫外線硬化型のメインシール剤を塗布し、ギャップコントロール剤を散布した後、重ね合わせ、紫外線を照射してメインシール剤を硬化させることにより行った。ギャップコントロール剤としては直径６．０μｍの触媒化成工業製シリカビーズを用いた。こうして空セルを作製した。
【００４４】
空セルをセル単位で切断し、真空注入法で液晶材料を注入し、液晶層３９を形成した。注入する液晶材料として、メルク製、複屈折率Δｎ＝０．１５、左ツイストの液晶材料を用いた。その後、注入口を封止して、液晶セルを完成させた。
【００４５】
図７（Ｆ）は、図７（Ｅ）を参照して説明した接着工程における上下基板のラビング方向の関係を表す平面図である。上側基板３１の鉛直上方から見た図を示した。矩形状のスリット３５ａ、３６ａの長さ方向を図の左右方向としてある。点線の矢印は、上側基板３１に施されたラビング処理の方向を示し、実線の矢印は、下側基板３２に施されたラビング処理の方向を示す。
【００４６】
上下基板は、ラビング方向がスリットの幅方向（図の上下方向）を挟んで互いに逆向きの４５°方向であって、互いに直交する２方向となるように対向配置され、接着される。液晶層３９の液晶分子３９ａは、スプレイ配向となり、上下基板間で９０°ツイストする。
【００４７】
上述のようにして、２ドメイン構造のＴＮ型液晶表示素子の第１のサンプルを作製した。
【００４８】
第１のサンプルに電圧を印加したところ、一部の領域ではスリットによる斜め電界のために２ドメイン配向が実現され、視角特性が改善されたが、その他の領域ではスリットによる斜め電界が有効に作用せず、ラビング方向により規定されたティルト方向から液晶分子が立ち上がり、視角特性をもってしまった。視角特性が改善された領域は、全体の約１／３であり、セル全体として表示は見づらかった。
【００４９】
また、第１のサンプルのプレティルト角を測定した結果、３．１４°という値を得た。
【００５０】
次に、第２のサンプルを作製した。
【００５１】
第２のサンプルは、第１のサンプルよりも更に低プレティルト角が得られる低プレティルト角配向膜を、配向膜３７、３８に用いた点のみが第１のサンプルと異なる。その他の製造条件や工程は、すべて第１のサンプルと等しい。第２のサンプルにおいては、配向膜として、日産化学工業製  ＳＥ−５１０を使用した。
【００５２】
第２のサンプルに電圧を印加したところ、パネル全面に渡って２ドメイン配向が実現され、視角特性が改善された。しかし表示を入念に観察すると「ざらつき」が感じられ、これが図４の顕微鏡写真に示された欠陥に由来するということが確認された。
【００５３】
また、第２のサンプルを、通電状態で高温槽（８５℃程度）の中に放置すると、５１４時間経過後に表示が甚だ見づらくなり、これが図５の顕微鏡写真に示されたような多数の欠陥に由来するということが確認された。
【００５４】
更に、第２のサンプルのプレティルト角を測定したところ、１．０７°という値を得た。
【００５５】
続いて第３のサンプルを作製した。
【００５６】
第３のサンプルは、第１及び第２のサンプルよりも更に低プレティルト角が得られる低プレティルト角配向膜を、配向膜３７、３８に用いた点のみが異なる。その他の製造条件や工程は、すべて第１及び第２のサンプルと等しい。第３のサンプルにおいては、配向膜として、日産化学工業製  ＲＮ−１１９９を使用した。
【００５７】
第３のサンプルに電圧を印加し観察したところ、第２のサンプルと同様の表示及び欠陥が認められた。通電状態で高温槽（８５℃程度）の中に放置すると、４２０時間経過後に表示が甚だ見づらくなった点が第２のサンプルの場合と異なった。
【００５８】
第３のサンプルのプレティルト角を測定したところ、０．９８°という値が得られた。
【００５９】
図８に第１〜第３のサンプルについて上述の結果をまとめ、一覧を可能とした。
【００６０】
高性能の低プレティルト角配向膜を用い、図３（Ｂ）に示す方向にラビング処理を施した場合（第２のサンプル及び第３のサンプル）であっても、十分に満足な表示を得ることはできないことが確認された。また、高温通電状態において配向欠陥が増加することも確認された。これは、たとえば季節により温度が上昇する自動車中に用いられる液晶表示素子としては不適当であることを示す結果である。
【００６１】
本願発明者らは、配向膜のラビング方法を工夫し、液晶表示素子のサンプルを３つ（第４〜第６のサンプル）作製し、その各々についてプレティルト角の測定及び表示の観察を行った。作製した液晶表示素子のサンプル（第４〜第６のサンプル）は、第１〜第３のサンプルと同様、上下電極に設けた矩形状のスリットにより、斜め電界を発生させて２ドメイン構造を実現する、単純セグメントタイプのＴＮ型液晶表示素子である。
【００６２】
第４〜第６のサンプルの製造方法は、第１〜第３のサンプルのそれと比較したとき、配向膜のラビング処理の方法のみが異なる。また、それと関連して、上下基板の接着工程における基板の対向配置について言及すべき点が存する。
【００６３】
なお、第４〜第６のサンプルに用いた配向膜は、それぞれ第１〜第３のサンプルに用いた配向膜と同じものである。したがって第４〜第６のサンプルは、それぞれ第１〜第３のサンプルに対応する液晶表示素子である。対応するサンプル間においては、ラビング処理の方法と接着工程における上下基板の配置以外についての製造条件や工程はすべて等しい。
【００６４】
図１（Ａ）〜（Ｃ）は、発明者らが作製した液晶表示素子のサンプル（第４〜第６のサンプル）の製造方法を説明するための概略図である。なお、上述のように、第４〜第６のサンプルは、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示したようなスリット３５ａ、３６ｂを備える透明電極３５、３６を有する液晶表示素子である。
【実施例１】
【００６５】
第４のサンプルの製造方法について説明する。
【００６６】
第１のサンプルを作製した製造条件及び工程と同じ製造条件及び工程により、透明基板３３、３４上にそれぞれ所定の形状を備える透明電極３５、３６を形成し、透明電極３５、３６を覆うように各透明基板３３、３４上に配向膜３７、３８（日産化学工業製  ＳＥ−４５４０）を塗布、焼成する。
【００６７】
図１（Ａ）を参照する。図１（Ａ）は、図７（Ｃ）に対応する図であり、透明基板３３、透明電極３５、及び配向膜３７を含んで構成される基板を、配向膜３７（ラビング面）の鉛直上方から見た図である。透明電極３５の矩形状のスリット３５ａの長さ方向が、図１（Ａ）の左右方向となるように示してある。
【００６８】
配向膜３７にラビング処理を施す。ラビング処理は、相互に反対方向に、たとえば各１度ずつ行う。ラビング方向は、図に点線の矢印で示した方向である。１回目のラビング処理の方向を矢印ａで表し、２回目のラビング処理の方向を矢印ｂで表した。１回目のラビング処理の方向は、スリット３５ａの幅方向（図１（Ａ）においては上下方向）から反時計回りに４５°回転した方向であり、２回目のラビング処理の方向は、１回目のそれと反対方向である。２回目のラビング強度は、１回目のラビング強度と等しくした。等しいラビング強度とは、同一のプレティルト角を与えるラビング強度のことである。
【００６９】
こうして上側基板３１を得た。
【００７０】
図１（Ｂ）を参照する。図１（Ｂ）は、図７（Ｄ）に対応する図であり、透明基板３４、透明電極３６、及び配向膜３８を含んで構成される基板を配向膜３８（ラビング面）の鉛直上方から見た図である。透明電極３６の矩形状のスリット３６ａの長さ方向が、図１（Ｂ）の左右方向となるように示してある。
【００７１】
配向膜３８にラビング処理を施して下側基板３２を得た。ラビング処理は、相互に反対方向に、たとえば各１回ずつ行う。２回目のラビング強度は、１回目のラビング強度と等しくした。
【００７２】
ラビング方向は、図に実線の矢印で示した方向であり、１回目及び２回目のラビング処理の方向をそれぞれ矢印ａ及び矢印ｂで表した。１回目のラビング処理の方向は、スリット３６ａの幅方向（図１（Ａ）においては上下方向）から反時計回りに４５°回転した方向であって、後工程で上側基板３１と下側基板３２とを対向配置し接着した後に、基板（上側基板３１及び下側基板３２）の法線方向から見たとき、スリット３５ａ、３６ａの幅方向を挟んで上側基板３１に施された１回目のラビング処理の方向と直交する方向である。なお、ラビング処理の方向は４５°に限定されず、両基板の法線方向から見たとき、スリット３５ａ、３６ａの幅方向を中心に等しい角度で互いに逆方向に回転した方向であればよい。２回目のラビング処理の方向は、１回目のそれと反対方向である。
【００７３】
図１（Ｃ）は、図７（Ｆ）に対応する図であり、接着工程における上下基板のラビング方向の関係を表す平面図である。上側基板３１の鉛直上方から見た図を示した。矩形状のスリット３５ａ、３６ａの長さ方向を図の左右方向としてある。点線の矢印ｂは、上側基板３１に施された２回目のラビング処理の方向を示し、実線の矢印ｂは、下側基板３２に施された２回目のラビング処理の方向を示す。
【００７４】
上下基板は、２回目のラビング方向同士がスリットの幅方向（図の上下方向）を挟んで互いに逆向きの４５°方向であって、互いに直交する２方向となるように対向配置され、接着される。
【００７５】
図には、２回目のラビング方向のみを示したが、１回目のラビング方向は２回目のそれと反対向きであるため、接着工程における対向配置では、１回目のラビング方向同士もスリットの幅方向（図の上下方向）を挟んで互いに逆向きの４５°方向であって、互いに直交する２方向となる。
【００７６】
なお、前述のように４５°に限定されず、一般的にはスリットの幅方向を中心に等しい角度で互いに逆方向に回転した方向となるように対向配置し、接着する。
【００７７】
図示するように上下基板を配置し、第１のサンプル作製時と同じ製造条件及び工程によって接着、液晶材料の注入を行って、２ドメイン構造のＴＮ型液晶表示素子の第４のサンプルを作製した。液晶層３９の液晶分子３９ａは、スプレイ配向となり、上下基板間で９０°ツイストする。また、液晶層３９の中央部において、液晶分子３９ａのプレティルト角は０°となる。
【００７８】
第４のサンプルに電圧を印加したところ、パネル全面に渡って２ドメイン配向が実現され、視角特性が改善された。しかし表示を入念に観察すると「ざらつき」が感じられ、これが図４の顕微鏡写真に示された欠陥に由来するということが確認された。
【００７９】
しかし、第４のサンプルを、通電状態で高温槽（８５℃程度）の中に１０００時間放置しても、表示が甚だ見づらくなるというようなことはなかった。
【００８０】
また、第４のサンプルのプレティルト角を測定したところ、１．２７°という値を得た。
【実施例２】
【００８１】
次に、第５のサンプルを作製した。
【００８２】
第５のサンプルは、第４のサンプルよりも更に低プレティルト角が得られる低プレティルト角配向膜（日産化学工業製  ＳＥ−５１０）を、配向膜３７、３８に用いた点のみが第４のサンプルと異なる。その他の製造条件や工程は、ラビング処理の方向や接着工程における基板の配置も含めて、すべて第４のサンプルの場合と等しい。
【００８３】
第５のサンプルに電圧を印加したところ、パネル全面に渡って２ドメイン配向が実現され、視角特性が改善され、しかも「ざらつき」の感じられない良好な表示が得られた。
【００８４】
第５のサンプルを、通電状態で高温槽（８５℃程度）の中に１０００時間放置したが、「ざらつき」は発生せず、表示は良好なままだった。
【００８５】
第５のサンプルのプレティルト角を測定したところ、０．７１°という値を得た。
【実施例３】
【００８６】
次に、第６のサンプルを作製した。
【００８７】
第６のサンプルは、日産化学工業製  ＲＮ−１１９９を、配向膜３７、３８に用いた点のみが第４及び第５のサンプルと異なる。その他の製造条件や工程は、ラビング処理の方向や接着工程における基板の配置も含めて、すべて第４及び第５のサンプルの場合と等しい。
【００８８】
第６のサンプルに電圧を印加したところ、パネル全面に渡って２ドメイン配向が実現され、視角特性が改善され、しかも「ざらつき」の感じられない良好な表示が得られた。
【００８９】
また、第６のサンプルを、通電状態で高温槽（８５℃程度）の中に１０００時間放置したが、「ざらつき」は発生せず、表示は良好なままだった。
【００９０】
第６のサンプルのプレティルト角を測定したところ、０．５１°という値を得た。
【００９１】
図２に第１〜第６のサンプルについての結果をまとめた。第１〜第３のサンプルについては、図８の記載と重複するが、一覧を可能とするため併記した。
【００９２】
第１〜第３のサンプルと、それぞれ順に対応する第４〜第６のサンプルとを比較すると、同じ配向膜を使用しても、ラビング処理を２度行うことで、付与されるプレティルト角を小さくすることができることがわかる。また、欠陥の少ない、良好な表示が可能な液晶表示素子が製造されていることがわかる。
【００９３】
実施例においては、セグメントタイプの液晶表示素子を取り上げたが、これに限らず、たとえばドットマトリクスタイプの液晶表示素子にも適用することができる。また、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）駆動の液晶表示素子にも適用が可能である。
【００９４】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、逆方向２回目のラビングの強度を変えることも可能であろう。２回目のラビング強度を弱くしていくと、プレティルト角は次第に減少すると期待される。ある程度以下に２回目のラビング強度を減少させると、１回目のラビングに従う配向を示すと考えられる。実用上は、配向方向は一定でプレティルト角の小さい２回のラビングを行えばよいであろう。ラビングローラの種類等を変えることも可能であろう。その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
配向膜のプレティルト角が小さいことが好適な種々の製品、たとえば斜め電界を用いた２ドメインタイプの液晶表示素子等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、発明者らが作製した液晶表示素子のサンプル（第４〜第６のサンプル）の製造方法を説明するための概略図である。
【図２】第１〜第６のサンプルについて、用いた配向膜、付与されたプレティルト角、視角特性の改善、及び高温（８５℃程度）通電状態における配向欠陥の増加をまとめた表である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、液晶表示素子の基板に施すラビング処理の方向を示す概略的な平面図であり、（Ｃ）は、液晶分子の配向状態を示す概略的な断面図である。
【図４】約１°のプレティルト角が出現する低プレティルト角配向膜を用い、図３（Ｂ）に示した方向にラビング処理を行って作製した２ドメインタイプのＴＮ型液晶表示素子の表示部を撮影した顕微鏡写真である。
【図５】図４に示した液晶表示素子を、通電状態で高温槽の中に放置した後に撮影した顕微鏡写真である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ作製した第１〜第３のサンプルの電極の一部を示す平面図及び斜視図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｆ）は、発明者らが作製した液晶表示素子のサンプル（第１〜第３のサンプル）の製造方法を説明するための概略図である。
【図８】第１〜第３のサンプルについて、用いた配向膜、付与されたプレティルト角、視角特性の改善、及び高温（８５℃程度）通電状態における配向欠陥の増加をまとめた表である。
【符号の説明】
【００９７】
３１  上側基板
３２  下側基板
３３、３４  透明基板
３５、３６  透明電極
３５ａ、３６ａ  スリット
３７、３８  配向膜
３９  液晶層
３９ａ  液晶分子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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【図５】
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