(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線垂直面上のポリマー沈着物を減少させる方法において、
前記金属被覆層上にハードマスク層を形成し、
前記ハードマスク層上にフォトレジストマスクを設け、
前記ハードマスク層からハードマスクを形成するフォトレジストマスクを用いて、前記ハードマスクが後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで前記金属線を生成するための形状構成されたパターンを有し、
前記フォトレジストマスクを除去し、かつ
前記ハードマスクおよびＣｌ2と少なくとも１種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いてプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行い、その際、腐食ガスがＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ4であり、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＮ2付加率は２〜３０％であり、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＣＨ4付加率は１〜１０％であること
を特徴とする、金属線垂直面上のポリマー沈着物を減少させる方法。
【請求項２】
前記プラズマエンハンス金属被覆エッチングの実施が反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）方法を用いる前記金属被覆層のエッチングを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ハードマスク層がＳｉＯ2層およびＳｉＯＮ層の少なくとも一つを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ハードマスクが前記金属線上に後に形成される絶縁層の一部として利用される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線を製造する方法において、
前記金属被覆層をその上に有する前記基板を設けて、前記金属被覆層が電気化学的特性が異なる少なくとも二つの層を含み、
前記金属被覆層上にハードマスク層を形成し、
前記ハードマスク層上にフォトレジスト層を設け、
前記ハードマスク層からハードマスクを生成するために前記フォトレジストマスクを用いて、前記ハードマスクが後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで前記金属線を生成するための形状構成されたパターンを有し、
前記フォトレジストマスクを除去し、
前記ハードマスクおよびＣｌ2と少なくとも１種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いてプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行い、その際、腐食ガスがＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ4であり、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＮ2付加率は２〜３０％であり、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＣＨ4付加率は１〜１０％であり、かつ
その後湿式エッチングを行って、前記ハードマスクが前記金属線上に配置されている間に該湿式エッチングが行われること
を特徴とする、金属線を製造する方法。
【請求項６】
前記の少なくとも二層のうち一層がＴｉＮ層に該当する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記の少なくとも二層のうち他層がアルミニウム含有層に該当する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
金属被覆層中に金属フィーチャを製造する方法において、該方法が、
前記金属被覆層上にハードマスクを設け、
前記ハードマスクを用いて前記金属被覆層をエッチングし、該エッチングが前記のエッチングされた金属フィーチャを形成し、その際腐食ガスとしてＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ4を使用し、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＮ2付加率は２〜３０％であり、Ｃｌ2流とＢＣｌ3流との合計に対するＣＨ4付加率は１〜１０％であり、
その後に前記ハードマスクを配置させたままで湿式洗浄を行い、
前記エッチングがフォトレジストマスクを使用しないで行われること
を特徴とする、金属被覆層中に金属フィーチャを製造する方法。
【請求項９】
前記湿式洗浄を行う前にさらにプラズマパッシベーションが行われる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ハードマスクが前記金属フィーチャ上に後で形成される絶縁層の一部として用いられる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記ハードマスクがＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＳｉＮまたはＦＯＸの少なくとも一つを含むハードマスク材から生成される、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記金属被覆層のエッチング工程が金属線の形成を含む、請求項８記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上の金属被覆層を通してのエッチング方法に関する。さらに具体的には、本発明は従来の金属被覆層エッチングプロセスで生成した副生物に起因する腐食を減少させて金属被覆層をエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の製作では、集積回路上のデバイス間の導電経路として金属線が頻用される。金属線および金属フィーチャを形成するために、金属層をウェーハ表面上にブランケット蒸着するのが標準的である。次ぎに、適切なフォトレジストマスクを利用して金属層部分をエッチング除去して、あとに金属線および金属フィーチャを残存させる。
【０００３】
集積回路の密度が増加しフィーチャの寸法が減少するにつれ、種々の技術が開発されて集積回路の少さくなり続けるフィーチャを適切にエッチングしてきた。これらの技術の一つがプラズマエンハンスエッチングである。考察を容易にするために、基板１０４上に配置させた金属層１０２を図１に示す。基板１０４はウェーハ自体でもよいが、通常は酸化層などの金属層を配置させた層である。図１の例では、金属層１０２は標準的にチタンなどの金属からなるバリア層１０６を含む。場合によっては、バリア層１０６は複合層のこともあり、複合層はチタン層を被覆する窒化チタン（ＴｉＮ）を含む。金属層１０８は、標準的には、アルミニウム、或いはアルミニウム／銅またはアルミニウム／銅／シリコンなどの合金の一つからなる。金属層１０８とフォトレジストマスク１１０との間にバリア／ＡＲＣ（反射防止膜）層１１２が配置される。バリア／ＡＲＣ層１１２は、例えば反射防止膜で被覆されていてもよく、反射防止膜は有機質または無機質のこともある。当業者にとって、反射防止膜層は主にリソグラフィーを目的に提供されることは承知のはずである。チタンおよび／または窒化チタンのバリア層は上記の反射防止膜層の下に配置されてもよい。図は金属層１０２にバリア／ＡＲＣ層１１２、金属層１０８およびバリア層１０６を包含して示してあるが、当業者にとって、バリア／ＡＲＣ層１１２およびバリア層１０６が両方とも任意であり、一部のＩＣでは一方あるいは両方とも省かれることは容易に理解されるであろう。
【０００４】
フォトレジストマスク１１０は適宜なフォトレジストプロセスを用いて形成されたフォトレジストマスクの一部分を表す。金属層１０２のエッチング時に、フォトレジストマスク１１０がフォトレジストフィーチャの下に配置された金属層１０２部分を保護する。これによって下部に存在する金属層からフィーチャを生成させる。一例として、金属層１０２のエッチングにより図１の紙面に垂直に配置した線が創製される。
【０００５】
図２では、エッチングが完了してフォトレジストフィーチャで保護されない金属層１０２部分が除去されている。標準的に、アルミニウム含有金属層のエッチングは、例えば、Ｃｌ2／ＢＣｌ3、Ｃｌ2／ＨＣｌ、Ｃｌ2／Ｎ2などの腐食ガスを用いるプラズマ反応器内で行われる。エッチングは、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）として知られるプラズマエンハンスエッチングプロセスに拠って行われることもある。図２に、金属フィーチャ２０４の垂直面を被覆するポリマー側壁２０２Ａおよび２０２Ｂを示す。ポリマー側壁は標準的に、フォトレジストマスク１１０からスパッタされたフォトレジストなどの有機物、金属被覆層（アルミニウム、チタンなど）からの再スパッタ物、下の層（基板１０４など）からのスパッタ物および腐食ガスからの僅かな量の塩素および／または塩素含有化合物を含有する。本明細書に後述するように、金属被膜の後処理段階の一部としてポリマー側壁を除去する必要がある。
【０００６】
図３ではフォトレジストマスクが取り除かれている。標準的なプラズマエンハンスプロセスでは、フォトレジストの除去は、例えばＯ2／Ｈ2Ｏ蒸気またはＯ2を灰化剤として用いる下流側の灰化プラズマ反応器内でフォトレジスト物を剥離させることで行われる。通常の場合、ポリマー側壁はフォトレジスト剥離工程で、たとえ除去されたとしても、極めて少量しか除去されない。この結果、ポリマー側壁はフォトレジスト剥離工程で残留し、あとの工程で除去される必要がある。側壁ポリマーが金属線に付着して残留すると、残留物中に存在する塩素が雰囲気の水分と反応して金属線を浸食する腐食性酸化物を生成するので、ポリマー側壁の完全除去が極めて所望される。当業者とって容易に理解されるように、金属線の浸食は金属線の導電特性を変化させ、例えばその比抵抗を増加させる。浸食が甚大で導電通路を切断して予期しない開回路を形成することもある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
既に説明したように、フォトレジストの剥離工程後に残留するポリマー側壁を除去するために、従来技術は通常、別の工程を必要とする。プラズマエンハンスエッチングでは、蒸着ポリマーの除去が比較的不十分であるということが分かっているので、従来技術は標準的に湿式エッチングプロセスによってポリマー側壁の除去を行う。湿式エッチングがパッシベーションプラズマプロセスおよび／または脱イオン水リンスプロセスを先行させることもある。湿式エッチングプロセスでは、適宜な湿式腐食剤を使用する。標準的な腐食剤には第二クロム燐酸過酸化物、希釈硫酸過酸化物、EKC Technology Inc.（カリホルニア州、ヘイワード）から市販されている有機溶媒ＥＫＣ２６５、或いはAshland Chemical Company（オハイオ州、コロンブス）の有機溶媒ＡＣＴ９２５がある。図４に湿式エッチングを実施してポリマー側壁を除去した後の図３に示した金属被覆フィーチャを示す。
【０００８】
湿式エッチングプロセスでポリマー側壁を除去する目的は達成されるが、欠点がある。例えば、湿式エッチングプロセスは通常アルミニウムに高い選択性を持たない腐食性化学薬品を標準的に使用する。湿式エッチングプロセスを慎重に制御しないと、湿式腐食剤が特に上側および／または下側のバリア層の界面、或いはアルミニウム線とその下のタングステン植え込みボルトとの界面でアルミニウム線を浸食する。例えば製造許容差に由来する金属線と心ずれした植え込みボルトがあり、金属線で完全に被覆されていないと、植え込みボルト関連の腐食は特に甚大である。一方、湿式エッチングプロセスでは、前述した腐食問題を防止するために、実質的に全ての側壁ポリマーが除去されるようにプロセスを進行させる必要がある。プロセスのウインドウが比較的狭いので、ポリマー側壁除去のための湿式エッチングプロセスはプロセスエンジニアに多くの難題を投げかけている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施例は基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線の垂直面上のポリマー沈着を減少させる方法を開示する。この方法は金属被覆層上にハードマスク層を形成し、ハードマスク層上にフォトレジストマスクを具備させることを含む。この方法には、さらにフォトレジストマスクを用いてハードマスク層からハードマスクを形成することが含まれる。ハードマスクは後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで金属線を生成する構成パターンを有する。フォトレジストマスクの除去もこの方法に含まれる。さらに、ハードマスクおよびＣｌ2と少なくとも１種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いるプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行うことが含まれる。このプラズマエンハンス金属被覆エッチングでは、フォトレジストを用いずに金属被覆エッチングが行われ、プラズマエンハンス金属被覆エッチング時のポリマー沈着を減少させることができる。
【００１０】
別の実施例では、本発明は基板上に配置した金属被覆層からエッチングされた金属線の腐食を減少させる方法に関連し、この方法は金属被覆層を上面に持つ基板を提供する。金属被覆層は電気化学特性が異なる少なくとも２種類の層を含む。この方法はさらに、金属被覆上にハードマスク層を生成させ、ハードマスク層上にフォトレジストマスクを具備させることを含む。さらに、フォトレジストマスクを用いてハードマスク層からハードマスクを形成することが含まれる。ハードマスクは後のプラズマエンハンス金属被覆エッチングで金属線を生成する構成パターンを有する。フォトレジストマスクの除去もこの方法に含まれる。この方法はさらにハードマスクおよびＣｌ2と少なくとも１種類のパッシベーション形成化学品とを含む腐食ガスを用いるプラズマエンハンス金属被覆エッチングを行うことを含み、フォトレジストを用いずに金属被覆エッチングが行われプラズマエンハンス金属被覆エッチング時のフォトレジストに基づくポリマー沈着を減少させる。この方法はさらに湿式エッチングを行ってプラズマエンハンス金属被覆エッチング中に生成したポリマー側壁を除去することを含む。湿式エッチングは金属線上にハードマスクを配置して湿式エッチング時に少なくとも２種類の金属間で起こる電気分解反応に由来する腐食を減少させながら行われる。
【００１１】
その他の実施例では、本発明は金属被覆層から先にエッチングされるエッチング金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法に関連する。湿式洗浄は側壁パッシベーションおよびエッチング金属フィーチャの垂直面上に沈着したポリマーの少なくとも一つを減少させるために行われる。この方法では、金属被覆層上にハードマスクを具備させる。この方法には、ハードマスクを使用するプラズマ加工室での金属被覆層のエッチングも含まれる。エッチングでエッチング金属フィーチャが形成される。この方法には、さらにハードマスクを除去しないで湿式洗浄を行うことが含まれ、ハードマスクがエッチング金属フィーチャの表面をキャップし、金属フィーチャが湿式洗浄に用いられるエッチング液に曝露されるのを減少させる。
【００１２】
本発明を完全に理解するために、本発明のこれら特徴およびその他の特徴を以下の実施例で図面に関連させて詳細に説明する。本発明を全体的に理解するために数件の特定な詳細を記載する。しかし、当業者にとって、これらの説明の全て或いは一部がなくても、本発明を実施できることは明白である。また周知な構造および／またはプロセス段階は本発明を不必要に不明瞭にしないために詳細には記載されていない。
【００１３】
本発明の一態様に拠って、プラズマエンハンスエッチング時にフォトレジストに基づく金属線上のポリマー沈着を実質的に排除した改良金属被覆エッチング法が提供される。標準的にフォトレジストマスクを用いて金属エッチングで金属線を規定する従来技術による金属被覆エッチング法と対照的に、本発明は代わりにハードマスクを用いてフォトレジスト破片に由来するポリマー沈着を除去するプラズマエンハンスエッチング法を使用するのが利点である。さらに重要なのは、エッチング用のガスが少なくとも１種類の側壁パッシベーション剤を含むように選択されて異方性エッチングを容易にし、側壁プロファイルを保存することである。側壁パッシベーション剤は金属被覆エッチング時にフォトレジストマスク除去で取り除かれた随伴物であるポリマー沈着物を補償する側壁パッシベーションを創製するために与えられる。側壁パッシベーション剤の容積は標準的な通常のプラズマエッチング機器で微細に制御されるので、一方で側壁プロファイルの要件を満たしつつ側壁パッシベーション剤の容積を最小にするようにプロセスの微細調整が可能になる。したがって、湿式エッチングの必要性を減少または完全に排除することができ、このことで繊細なエッチング金属フィーチャが腐食性湿式エッチング液に曝露することを制限し、湿式洗浄の必要性も排除することができる。
【００１４】
縮小した湿式エッチングプロセスが金属エッチングの後に残留する側壁パッシベーションを除去するために所望される範囲で、本発明は非自明的な方法で湿式エッチング時における腐食の減少にも役立つ。なぜならば、多くの場合にそうであるように金属被覆層が２種類以上の異なる金属層から形成されていると、湿式エッチング液中に存在する異なる金属が電気化学反応による腐食を増長するからである。本発明の特に有益な態様に拠ると、ハードマスクは湿式エッチング中に金属線上に残存して金属線をキャップし、金属線が腐食性湿式エッチングに曝露するのを低減している。湿式エッチングプロセスにおける金属線のキャッピングによって、一つの金属層のさらに少ない表面が湿式エッチング液に曝露する。こうして、極めて非自明的に腐食が減少する。
【００１５】
本発明の有利な一実施例に拠ると、ハードマスクは後でエッチングされる金属線上に蒸着される絶縁層、誘電層として部分的に機能する材料から形成される。したがって、エッチング後にハードマスクを除去する必要はない。その代わり、ハードマスクは後で金属線上に蒸着される絶縁層、誘電層の一部として残存する。後で蒸着された層がエッチングされて金属線を与える場合には、ハードマスク材料は後で蒸着される誘電性材料と共に単一ステップでエッチングされるのに有利なように選好されるのが好ましい。この方法では、フォトレジストに基づくポリマー沈着の低減に関連する利点が金属被覆エッチング後のハードマスクの除去を別に必要としないことで達成される。このことは、多層金属プロセスでは金属線が絶縁材料の層で被覆されることが多いので、ＩＣ製造に特に重要である。
【００１６】
本発明の態様および利点の考察を容易にするために、発明になるフォトレジスト無しプラズマエンハンス金属被覆エッチング方法の特殊例を図５−８に示す。図５は基板１０４上に配置した金属層５０２を示す。この特殊例では、金属層５０２はバリア層５０４、金属層５０６およびバリア／反射防止膜（ＡＲＣ）層５０８の別々の３層を含む。バリア層５０４およびバリア／ＡＲＣ層５０８は任意であり、全ての場合に必要なものでなく、金属層５０２および／またはそれに隣接する層の材料の特異な選択に依存することは当業者に容易に理解されるであろう。
【００１７】
図５を参照して説明すると、バリア層５０４はＴｉ層を覆うＴｉＮ層からなる。金属層５０６はアルミニウム含有層で代表され、好ましくはアルミニウムまたはＡｌ／Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｕ／Ｓｉなどのアルミニウム合金の一つから形成される。バリア／ＡＲＣ層５０８もＴｉ層を覆うＴｉＮ層からなる。金属層を通してのエッチングを容易にするために、ハードマスク層５１０はＳｉＯＮ、酸化物、ＳｉＮ、ＦＯＸ、或いはそれらの複合材などのマスク材から形成される。特に有利な一実施例では、ハードマスク材はＳｉＯＮで、付加的な有機ＡＲＣ層を必要としないで深層紫外線リソグラフィーを利用することができる。
【００１８】
通常の場合には、有機ＡＲＣ層をハードマスク層５１０と後で形成される有機フォトレジストマスク５１４との間に設ける。有機ＡＲＣ層は光リソグラフプロセスに必要な場合にだけ設けられることに留意すべきである。フォトレジスト有機マスクは究極的に金属層に転送される金属線のパターンを包含する。しかし、第１ステップとして、フォトレジストマスクはハードマスク層を通してエッチングハードマスク層上にパターンを転送するために用いられる。このエッチングによってハードマスクが形成される。一実施例では、ハードマスクはＳｉＯ2とＳｉＯＮとの二重層からなり、反応性イオンエッチングプロセスでＣＦ4／ＣＨＦ3／Ａｒを用いてエッチングされる。一例として、ハードマスクのＲＩＥはApplied Materials Inc.（カリホルニア州サンタクララ）が提供するＭＸＰプラズマ加工システムで行われる。図６にハードマスクの一部を参照番号５１２として示す。
【００１９】
次ぎに、灰化剤としてＯ2またはＯ2／Ｈ2Ｏ蒸気を用いるプラズマエンハンス灰化などの通常のフォトレジスト剥離プロセスでフォトレジストマスクを除去する。この方法では、フォトレジストマスクはハードマスク層を通して金属層までのエッチングのみに用いられる。フォトレジスト剥離後の結果を図７に示す。
【００２０】
この結果、ハードマスクのパターンが適宜な腐食剤を用いて金属層に転送される。使用される特殊な腐食剤は当然ながら金属層を構成する層の組成に依存する。腐食剤はハードマスク材に選択性を有し、アルミニウム層をエッチングするものが望ましい。例として、Ｃｌ2を含有する腐食剤がアルミニウム含有層のエッチングに適切であることが判明した。
【００２１】
本発明の一態様に拠ると、金属被覆エッチングプロセスからフォトレジストマスクを除くことは、マスクのアンダカットを保護するＰＲベースのポリマー側壁が存在しないので、プラズマエンハンスエッチングプロセス（例えば、ＲＩＥ）のエッチング異方性（例えば、所望の縦方向エッチングプロファイル）に悪影響を与えることが分かっている。エッチングプロファイルを保存するために、金属層を通してのエッチングに使用される腐食剤ガスは、本発明の一実施例に拠ると、少なくとも１種類の側壁パッシベーション剤を含むのが有利である。側壁パッシベーション剤は、例えばＮ2、ＣＨ4、ＣＨＦ3である。したがって、Ｃｌ2／ＨＣｌ／Ｎ2、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／Ｎ2、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨ4、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／Ｎ2／ＣＨ4などの腐食剤がアルミニウム含有層のエッチングに利用される。金属被覆エッチングの後の結果が図８に描画されてあり、形成された金属フィーチャ５１６が示されている。
【００２２】
側壁パッシベーション剤の投入量を制御することで、プロセスを微調整して十分な側壁パッシベーションを形成させ、後で除去することが難しい必要以上に厚い側壁パッシベーション層を創製することなくエッチングの方向性を改善することが可能である。これは従来技術と対照的な点であり、従来技術ではフォトレジスト破片が極めて高レベルの炭素含有ポリマー沈着の原因となり、調整がより困難である。ＣＣｌ2などの炭素含有ポリマー前駆体の生成は本発明では実質的に排除されると確信する。ポリマーが減少することで、金属線の近傍に存在して腐食を引き起こす吸収塩素がさらに減少する。
【００２３】
有利なことに、側壁パッシベーション薄膜は金属被覆エッチング後の湿式エッチングプロセスの要件を低減し、或いは、好ましくは、完全に排除することができる。全ての側壁パッシベーションを除去するために湿式エッチングが必要な場合でも、短時間のエッチング、或いは腐食性の少ない腐食剤で十分である。
【００２４】
金属エッチングの後、プラズマパッシベーション（例えば、Ｈ2Ｏ／Ｏ2プラズマを用いる）などの通常の後処理および／または脱イオン水リンスを用いることができる。プラズマパッシベーションはウェーハの表面を清浄にし、且つ／または残留塩素を全て除去する。この後に通常の付加的な加工が行われて、コンピュータまたは消費者向け／商業用電化製品など多くの電子機器に使用されるＩＣ最終製品が生産される。
【００２５】
【実施例】
以下に例示するエッチングでは、ＴＣＰTM９６００ＳＥプラズマ加工反応器内でアルミニウム含有層をエッチングする。このプラズマ加工反応器はLam Research Corp.（カリホルニア州、フレモント）から市販されている。以下に特異なパラメータが開示され、本発明に拠る有機ベースのフォトレジストマスクを使用しないアルミニウム含有層のエッチングに適切であることが証明されるが、特定機器または特定基板に要求される正確なパラメータは変化すると思われ、この開示が為されることで当業者によって導出されることであろう。
【００２６】
エッチングの一例で使用される腐食剤はＣｌ2／ＢＣｌ3／Ｎ2／ＣＨ4である。プラズマ反応器内の圧力は約１ｍＴから約１００ｍＴの間、好ましくは約３ｍＴから約３０ｍＴ、より好ましくは６ｍＴから１６ｍＴの間である。トップパワーとバイアスパワーとの比は約５：１−約１：５の間であり、好ましくは約３：１−１：３、より好ましくは１．５：１−１：１．５である。Ｃｌ2ガス流とＢＣｌ3ガス流との比は約１２：１から約１：３の間、好ましくは８：１から約１：２、より好ましくは約６：１から１：１．５の間である。Ｃｌ2ガス流とＢＣｌ3ガス流との合計に対するＮ2ガス付加率は約０−５０％、好ましくは約２−３０％、より好ましくは約３−２５％の間である。Ｃｌ2ガス流とＢＣｌ3ガス流との合計に対するＣＨ4ガスの付加率は約０−２０％、好ましくは約１−１０％、より好ましくは約２−約８％の間である。エッチングは２段階以上のステップ（例えば、ブレークスルー、主エッチング、オーバーエッチング）で行われることもある。
【００２７】
別のエッチング例では、Ｃｌ2／ＨＣｌ／Ｎ2が用いられる。プラズマ反応器内の圧力は約１ｍＴから約３０ｍＴの間、好ましくは約３ｍＴから約２０ｍＴ、より好ましくは６ｍＴから１６ｍＴの間である。トップパワーとバイアスパワーとの比は約５：１−約１：５の間であり、好ましくは約２：１−約１：２、より好ましくは１：１−１：１．５である。Ｃｌ2ガス流とＨＣｌガス流との比は約１０：１から約１：３の間、好ましくは８：１から約１：２、より好ましくは約５：１から約２：１の間である。Ｃｌ2ガス流とＨＣｌガス流との合計に対するＮ2ガス付加率は約１−５０％、好ましくは約５−３０％、より好ましくは約１０−２５％の間である。エッチングは２段階（またはそれ以上）のステップ（例えば、主エッチング、オーバーエッチング）で行われることもある。
【００２８】
好ましい数例の実施例で本発明を説明したが、本発明の範囲内に属する変更例、変形例、等価な例が存在する。また、本発明の方法および機器を実施する変更方法が多くあることにも留意すべきである。したがって、既に記載したクレームはかかる変更例、変形例および等価な例の全てが本発明の精神および範囲に属するものと解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に配置した金属層を表し、金属層上に配置した金属被覆エッチングのためのフォトレジストマスクを含む。
【図２】金属被覆層がエッチングされた後の図１の基板を表す。
【図３】フォトレジストマスクが除去された後の図２の基板を表す。
【図４】湿式エッチングが行われてポリマー側壁が除去された後の図３に示す金属被覆のフィーチャを表す。
【図５】基板上に配置した金属層を表し、ハードマスク層、金属層上に配置し金属被覆エッチングを促進するためのフォトレジストマスクを含む。
【図６】図５の基板を表し、ハードマスク層からエッチングで除去されたハードマスクを含む。
【図７】図６の基板を表し、フォトレジストマスクが除去された後のハードマスクを含む。
【図８】金属被覆エッチングが行われた後の図７の金属被覆フィーチャを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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