(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、
前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記基板素板を露出させて前記外形と前記溝部とのエッチング形成を行うための第１層と、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための第２層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための第３層と、を用いて、
前記第２層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、前記第３層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させながら、前記第１層を用いて前記外形と前記溝部とを形成するために前記基板素板上の前記外形および前記溝部に該当する部分を露出させて前記外形と前記溝部とをエッチング形成する基板形成工程を有し、
前記基板形成工程は、
前記基板素板の主面に前記第１層を形成する第１層形成工程と、
前記第１層形成工程後に、前記第１層上に前記第２層を形成する第２層形成工程と、
前記第２層形成工程後に、予め設定した前記基板の形状に基づいて前記第２層に前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程後に、露出した前記第１層および前記第２層上に前記第３層を形成する第３層形成工程と、
前記第３層形成工程後に、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するために、前記外形パターン上の前記第３層を除去し、かつ、前記第１層を除去する第１除去工程と、
前記第１除去工程後に、前記外形をエッチング形成し、かつ、前記溝パターン上の前記第３層を除去する第２除去工程と、
前記第２除去工程後に、前記溝パターン上の前記第１層を除去する第３除去工程と、
前記第３除去工程後に、前記溝部をエッチング形成する溝部形成工程と、
前記第３除去工程後に、前記基板から前記第１層と第２層とを除去する第４除去工程と、を含むことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
前記第１層は、金属層であり、
前記第２層は、ネガレジスト層であり、
前記第３層は、ポジレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
前記第１層は、金属層であり、
前記第２層は、前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第３層は、ネガレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
前記第１層は、金属層であり、
前記第２層は、前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第３層は、ポジレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項６】
前記第１層は、金属層であり、
前記第２層は、ポジレジスト層であり、
前記第３層は、前記第２層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項７】
前記第１層は、金属層であり、
前記第２層は、前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、
前記第３層は、前記第２層と比較して硬度が低い金属層であることを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項８】
前記第２除去工程では、前記外形をエッチング形成した後に、前記溝パターン上の前記第３層を除去することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項９】
前記第２除去工程では、前記溝パターン上の前記第３層を除去した後に、前記外形をエッチング形成することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項１０】
前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項１１】
前記圧電振動片は、厚みすべり振動系の振動片であることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項１２】
前記第１層は、金属膜であり、前記第１層を引き出し電極の少なくとも一部として用いることを特徴とする請求項１０または１１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項１３】
さらに、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらのパターンの位置検出を行うために画像認識工程を有し、
前記第１層は、金属膜であり、前記第１層を残して前記画像認識工程において画像認識部として用いることを特徴とする請求項１０または１１に記載の圧電振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、圧電振動デバイスとして、例えば、水晶発振器や水晶振動子などが挙げられる。この種の圧電振動デバイスでは、その本体筐体が直方体のパッケージで構成されている。このパッケージはベースと蓋とから構成され、このパッケージ内部には少なくとも水晶振動片などの圧電振動片が導電性接合材によりベースに保持接合されている。そして、ベースと蓋とが接合材により接合されることで、パッケージの内部の圧電振動片が気密封止されている。
【０００３】
ここでいう圧電振動片には、音叉型水晶振動片やＡＴカット水晶振動片などがある。例えば、音叉型水晶振動片の場合、その基板が基部とこの基部の一端面から突出した２本の脚部とから構成され、脚部には両主面に溝部が形成されている。また、これら基部および脚部（溝部を含む）には、異電位で構成された励振電極と、励振電極を基部で外部電極と電気的に接続させるために励振電極から引き出された引出電極とが形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
下記する特許文献１の圧電振動片（水晶振動片）の製造方法では、基板に水晶素板を用い、水晶振動片の外形を形成する外形パターンと、溝部を形成する溝パターンとの形成を別々の工程で行なっている。具体的に、下記する特許文献１の圧電振動片（水晶振動片）の製造方法を、以下に図１３〜図１５を用いて説明する。
【０００５】
人工水晶（図示省略）から複数個の板状の水晶素板９０に切出し形成し（図１３（ａ）参照）、水晶素板９０から複数個の水晶振動片の基板９１を形成する（図１５（ｍ）参照）。
【０００６】
まず、図１３（ａ）に示す水晶素板９０の両主面９２上に、図１３（ｂ）に示すように、金属層９５を形成する。そして、図１３（ｃ）に示すように、金属層９５上にフォトレジスト層９６（ポジレジスト層）を形成する。
【０００７】
この状態で、水晶振動片の基板９１の形状のうち外形９３（図１５（ｍ）参照）を形成するために、図１４（ｄ）に示すように、フォトレジスト層９６を露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、フォトレジスト層９６における水晶振動片の外形パターン９７を形成する。そして、フォトレジスト層９６における基板９１の外形パターン９７を形成することで露出した金属層９５をメタルエッチングによりエッチング除去し（図１４（ｅ）参照）、金属層９５をエッチング除去した部分の水晶素板９０を露出させる。水晶素板９０の一部（金属層９５をエッチング除去した部分）を露出させた後に、図１４（ｆ）に示すように、全てのフォトレジスト層９６を剥離液を用いて剥離する。
【０００８】
続いて、基板９１の形状のうち溝部９４（図１５（ｍ）参照）を形成するために、図１４（ｇ）に示すように、基板９１の両主面９２（剥離していない金属層９５も含む）上にフォトレジスト層９８（ポジレジスト層）を形成する。そして、溝部９４を形成するためにフォトレジスト層９８の一部（溝部９４に相当する部分）を露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、フォトレジスト層９８における水晶振動片の溝パターン９９を形成する（図１４（ｈ）参照）。この際、基板９１の外形パターン９７に相当する部分のフォトレジスト層９８もあわせて露光現像して剥離する。
【０００９】
基板９１の外形パターン９７と溝パターン９９を形成した後に、図１４（ｉ）に示すよ
うに、基板９１の外形９３をエッチング形成する。そして、基板９１の外形９３をエッチング形成した後に、溝パターン９９上の金属層９５をメタルエッチングにより除去する（図１５（ｊ）参照）。
【００１０】
溝パターン９９上の金属膜９５を除去した後に、水晶素板９０からフォトレジスト層９８を剥離液を用いて除去（剥離）する（図１５（ｋ）参照）。
【００１１】
そして、フォトレジスト層９８を除去した後に図１５（ｌ）に示すように溝部９４をエッチング形成し、溝部９４をエッチング形成した後に水晶素板９０から金属層９５をメタルエッチングによりエッチング除去して図１５（ｍ）に示す水晶振動片の基板９１を形成する。
【特許文献１】特許第３７２９２４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記したように、特許文献１では、基板９１の外形パターン９７と溝パターン９９を形成するためのフォトレジスト層９６，９８の露光現像工程がそれぞれ個別に２度行われる。すなわち、まず、フォトレジスト層９６における基板９１の外形パターン９７を形成し、外形パターン９７を形成した後にフォトレジスト層９６を全て剥離して再度基板９１の両主面９２全面にフォトレジスト層９８を新たに形成する。ここで形成したフォトレジスト層９８を用いて、フォトレジスト層９８における溝パターン９９を形成する。そのため、圧電振動片（水晶振動片）の大量製造において、外形パターン９７を形成した状態の基板９１上に溝パターン９９を形成する際に、外形パターン９７に対する溝パターン９９のパターンずれが生じる場合がある。この形状パターンのパターンずれは、圧電振動片（水晶振動片）の形状不良や発振周波数のバラツキの原因となる。
【００１３】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、当該圧電振動片を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制する圧電振動片の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
また、上記の目的を達成するため、本発明にかかる圧電振動片の製造方法は、基板素板の両主面に複数の形成層を積層して、この積層した前記形成層を用いて圧電振動片の基板の外形を形成し、かつ、前記基板の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成する圧電振動片の製造方法において、前記基板の形状を形成するための前記形成層として、少なくとも、前記基板素板を露出させて前記外形と前記溝部とのエッチング形成を行うための第１層と、前記外形の外形パターンと前記溝部の溝パターンとの形状パターンを同時に形成するための第２層と、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するための第３層と、を用いて、前記第２層により前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時に形成した後に、前記第３層により前記外形パターンと前記溝パターンとを区別させながら、前記第１層を用いて前記外形と前記溝部とを形成するために前記基板素板上の前記外形および前記溝部に該当する部分を露出させて前記外形と前記溝部とをエッチング形成する基板形成工程を有し、前記基板形成工程は、前記基板素板の主面に前記第１層を形成する第１層形成工程と、前記第１層形成工程後に、前記第１層上に前記第２層を形成する第２層形成工程と、前記第２層形成工程後に、予め設定した前記基板の形状に基づいて前記第２層に前記外形パターンと前記溝パターンとの形状パターンを同時形成するパターン形成工程と、前記パターン形成工程後に、露出した前記第１層および前記第２層上に前記第３層を形成する第３層形成工程と、前記第３層形成工程後に、前記外形パターンと前記溝パターンとを区別するために、前記外形パターン上の前記第３層を除去し、かつ、前記第１層を除去する第１除去工程と、前記第１除去工程後に、前記外形をエッチング形成し、かつ、前記溝パターン上の前記第３層を除去する第２除去工程と、前記第２除去工程後に、前記溝パターン上の前記第１層を除去する第３除去工程と、前記第３除去工程後に、前記溝部をエッチング形成する溝部形成工程と、前記第３除去工程後に、前記基板から前記第１層と第２層とを除去する第４除去工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、前記形成層として前記第１層と前記第２層と前記第３層とを用いて、基板形成工程を有するので、当該圧電振動片を製造する際の前記基板の形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。その結果、前記形状パターンのパターンずれが原因となる当該圧電振動片の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制することが可能となる。特に、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらの前記外形パターンと前記溝パターンとの位置検出を周知の画像認識工程により行う場合、前記位置検出がずれて前記外形パターンと前記溝パターンとの正確な位置を検出することができない場合が多い。この場合、周知の圧電振動片の製造方法では前記位置検出のずれが前記形状パターンのパターンずれに直接作用するが、本発明によれば前記位置検出がずれた場合であっても前記形状パターンのパターンずれが生じなくなる。また、本発明によれば、前記形成層として前記第１層と前記第２層と前記第３層との３層を用いて前記基板形成工程を有するので、前記第２層による前記外形パターンと前記溝パターンとの形成時、および前記第３層による前記外形パターンと前記溝パターンとの区別時において、前記第１層により前記基板素板を被覆させることが可能となり、前記形状パターンと前記溝パターンとの形成時および区別時において前記基板素板への不要なエッチングを防止することが可能となる。また、本発明によれば、前記基板形成工程は、前記第１層形成工程と前記第２層形成工程と前記パターン形成工程と前記第３層形成工程と前記第１除去工程と前記第２除去工程と前記第３除去工程と前記溝部形成工程と前記第４除去工程とを含むので、前記パターン形成工程において前記外形パターンと前記溝パターンとの間隔を一定にすることが可能となり、前記外形パターンに対する前記溝パターンの位置ずれ（もしくは、前記溝パターンに対する前記外形パターンの位置ずれ）が起こるのを抑制することが可能となる。また、前記パターン形成工程の後に前記第３層形成工程および前記第１除去工程により、前記溝パターン上に前記第３層を覆っているので、前記第２除去工程において前記溝部のエッチング形成を全くせずに前記外形だけのエッチング形成を確実に行うことが可能となる。
【００１８】
前記方法において、前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成してもよい。
【００１９】
この場合、前記基板形成工程では、前記外形と前記溝部とをそれぞれ個別にエッチング形成するので、前記基板の外形をエッチング形成するときのエッチング量と、前記溝部をエッチング形成するときのエッチング量を可変させることが可能となり、前記基板の外形と前記溝部とをそれぞれ任意の形状に形成することが可能となる。
【００２２】
前記方法において、前記第１層は金属層であり、前記第２層はネガレジスト層であり、前記第３層はポジレジスト層であってもよい。
【００２３】
この場合、前記第１層は金属層であり、前記第２層はネガレジスト層であり、前記第３層はポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第１除去工程において前記第１層と前記第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第２除去工程において前記第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第３除去工程において前記第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第４除去工程において前記第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第２層であるネガレジスト層を除去（剥離除去）する際に用いる剥離液は、ネガレジスト層だけでなく前記第３層であるポジレジスト層も除去（剥離除去）する。これに対して、前記第３層であるポジレジスト層を除去（剥離）する際に用いる剥離液は、前記第２層であるネガレジスト層を除去することはできない。これは、ネガレジスト層の材料が、ポジレジスト層の材料よりも粘着力があるゴム系材料であることに関係し、この粘着力の差を用いて前記第１，２除去工程を行うことが可能となる。また、前記第１層は、前記第２，３層とは材料が異なる金属層であり、前記第１層は前記第２，３層とは異なる除去方式（メタルエッチング）により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第１〜４除去工程を行うことが可能となる。
【００２４】
前記方法において、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層はネガレジスト層であってもよい。
【００２５】
この場合、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層はネガレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第１除去工程において前記第１層と前記第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第２除去工程において前記第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第３除去工程において前記第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第４除去工程において前記第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第１，２層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても前記第１，２層の除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合前記第２層のほうが前記第１層よりも除去量が多い。また、前記第３層は、前記第１，２層とは材料が異なるネガレジスト層であり、前記第３層は前記第１，２層とは異なる除去方式（剥離液による除去）により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第１〜４除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第１，２層の硬度に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることが可能となる。
【００２６】
前記方法において、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層はポジレジスト層であってもよい。
【００２７】
この場合、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層はポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第１除去工程において前記第１層と前記第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第２除去工程において前記第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第３除去工程において前記第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第４除去工程において前記第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第１，２層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても前記第１，２層の除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合前記第２層のほうが前記第１層よりも除去量が多い。また、前記第３層は、前記第１，２層とは材料が異なるポジレジスト層であり、前記第３層は前記第１，２層とは異なる除去方式（剥離液による除去）により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第１〜４除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第１，２層の硬度に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることが可能となる。
【００２８】
前記方法において、前記第１層は金属層であり、前記第２層はポジレジスト層であり、前記第３層は前記第２層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であってもよい。
【００２９】
この場合、前記第１層は金属層であり、前記第２層はポジレジスト層であり、前記第３層は前記第２層と比較して粘着力が低いポジレジスト層であるので、前記パターン形成工程において前記第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第１除去工程において前記第１層と前記第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第２除去工程において前記第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第３除去工程において前記第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第４除去工程において前記第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第２，３層であるポジレジスト層ではその粘着力が異なるために同じ除去方式（剥離液による除去）を用いた場合であっても前記第２，３層の除去量（剥離量）は異なり、この構成の場合前記第３層のほうが前記第２層よりも除去量が多い。また、前記第１層は、前記第２，３層とは材料が異なる金属層であり、前記第１層は前記第２，３層とは異なる除去方式（メタルエッチング）により除去する。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第１〜４除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを前記第２，３層の粘着量に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることが可能となる。
【００３０】
前記方法において、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層は前記第２層と比較して硬度が低い金属層であってもよい。
【００３１】
この場合、前記第１層は金属層であり、前記第２層は前記第１層と比較して硬度が低い金属層であり、前記第３層は前記第２層と比較して硬度が低い金属層であるので、前記パターン形成工程において前記第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第１除去工程において前記第１層と前記第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第２除去工程において前記第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第３除去工程において前記第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、前記第４除去工程において前記第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。前記第１〜３層である金属層ではそれぞれその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても前記第１〜３層の除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合前記第２層のほうが前記第１層よりも除去量が多く、前記第３層のほうが前記第２層よりも除去量が多い。そのため、本構成によれば、前記パターン形成工程と前記第１〜４除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準を前記第１〜３層の硬度に設定して除去量（エッチング量）の設定を容易にすることが可能となる。
【００３２】
前記方法において、前記第２除去工程では、前記外形をエッチング形成した後に、前記溝パターン上の前記第３層を除去してもよい。または、前記方法において、前記第２除去工程では、前記溝パターン上の前記第３層を除去した後に、前記外形をエッチング形成してもよい。
【００３３】
前記方法において、前記圧電振動片は、音叉型圧電振動片であってもよい。または、前記方法において、前記圧電振動片は、厚みすべり振動系の振動片であってもよい。
【００３４】
前記方法において、前記第１層は金属膜であり、前記第１層を引き出し電極の少なくとも一部として用いてもよい。
【００３５】
この場合、前記第１層は金属膜であり、前記第１層を引き出し電極の少なくとも一部として用いるので、前記引き出し電極の重要箇所（例えば、圧電振動片からみて外部となるベースの電極パッドと直接接触する部分）の形成をさらに不具合なく確実に行うことが可能となる。
【００３６】
前記方法において、さらに、前記外形パターンと前記溝パターンの形成の際、これらのパターンの位置検出を行うために画像認識工程を有し、前記第１層は、金属膜であり、前記第１層を残して前記画像認識工程において画像認識部として用いてもよい。
【００３７】
この場合、さらに、前記画像認識工程を有し、前記第１層は金属膜であり、前記第１層を残して前記画像認識工程において画像認識部として用いるので、新たに前記画像認識部を形成する工程を必要せずに、その結果製造工程の短縮を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明にかかる圧電振動片の製造方法によれば、圧電振動片を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施例では、圧電振動デバイスとして水晶振動子に本発明を適用した場合を示す。
【実施例１】
【００４４】
本実施例１（以下、本実施例ともいう）にかかる水晶振動子１では、図１，２に示すように、音叉型の水晶振動片２（本発明でいう圧電振動片）と、この水晶振動片２を保持するベース３と、ベース３に保持した水晶振動片２を気密封止するための蓋４と、が設けられている。
【００４５】
この水晶振動子１では、ベース３と蓋４とから本体筐体５が構成されている。これらベース３と蓋４とが本体筐体用接合材６１（以下、接合材６１ともいう）を介して接合されて本体筐体５の内部空間が形成され、この本体筐体５の内部空間内のベース３上に水晶振動片用導電性接合材６２（以下、導電性接合材ともいう）を介して水晶振動片２が保持接合されるとともに、本体筐体５の内部空間が気密封止されている。この際、図１，２に示すように、ベース３と水晶振動片２とは導電性接合材６２を用いてＦＣＢ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  ＢｏｎＤｉｎｇ）法により超音波接合されるとともに電気機械的に接合されている。本実施例で用いる導電性接合材６２は、金などの金属材料からなる接続バンプである。なお、本実施例では接合材６１に金（もしくは銀）と錫とからなる低融点材料が用いられている。次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００４６】
ベース３は、図１，２に示すように、底部３１と、この底部３１から上方に延出した堤部３２とから構成される箱状体に形成されている。このベース３は、セラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板上に、セラミック材料の直方体が積層して凹状に一体的に焼成されている。また、堤部３２は、図１に示す底部３１の表面外周に沿って成形されている。この堤部３２の上面は、蓋４との接合領域となり、この接合領域には、蓋４と接合するためのメタライズ層（図示省略）が設けられている。なお、メタライズ層は、例えば、タングステンメタライズ層、あるいはモリブデンメタライズ層上にニッケル，金の順でメッキした構成とからなる。
【００４７】
このベース３には、水晶振動片２の励振電極２６それぞれと電気機械的に接合する複数の電極パッド３４が形成されている。これら電極パッド３４は、ベース３の外周裏面に形成される端子電極３５にそれぞれ電気機械的に接合されている。これら端子電極３５から外部部品や外部機器と接続される。なお、これら電極パッド３４および端子電極３５は、タングステン、モリブデン等のメタライズ材料を印刷した後にベース３と一体的に焼成して形成される。そして、これら電極パッド３４および端子電極３５のうち一部のものについては、メタライズ上部にニッケルメッキが形成され、その上部に金メッキが形成されて構成される。
【００４８】
蓋４は、金属材料からなり、図２に示すように、平面視矩形状の一枚板に成形されている。この蓋４の下面にはろう材からなる接合材６１が形成されている。この蓋４は、シーム溶接やビーム溶接等の手法により接合材６１を介してベース３に機械的に接合されて、蓋４とベース３とによる水晶振動子１の本体筐体５が構成される。なお、蓋４は、例えば、４層の熱膨張係数の異なる金属材料から形成されている。具体的に、ベース３との接合面となる蓋４の下面から、接合材６１である錫と金（錫と金の割合を約２対８とする）、あるいは錫と銀の層、ニッケル層、コバール層及びニッケル層が順に積層されている。なお、本実施例では、接合材６１が、蓋４の下面外周縁に沿った環状層に成形されている。
【００４９】
水晶振動片２は、図１に示すように、音叉型水晶振動片であり、異方性材料の水晶素板２０（図３〜５参照）からエッチング形成された水晶Ｚ板である。水晶振動片２の基板２１は、２本の脚部２２と基部２３とから構成された外形２８からなり、２本の脚部２２が基部２３から突出して形成されている。また、２本の脚部２２の両主面２４には、水晶振動片２の小型化により劣化する直列共振抵抗値を改善させるために、溝部２５が形成されている。この水晶振動片２の両主面２４には、異電位で構成された２つの励振電極２６と、これらの励振電極２６をベース３の電極パッド３４に電気機械的に接合させるための引き出し電極２７とが形成されている。この引き出し電極２７は励振電極２６から基部２３に引き出されている。そして、基部２３に形成された引き出し電極２７とベース３の電極パッド３４が導電性接合材６２により接合されて、励振電極２６と電極パッド３４とが電気機械的に接合される。なお、水晶振動片２の励振電極２６、引き出し電極２７は、例えば、クロムの下地電極層と、金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。この薄膜は、真空蒸着法やスパッタリング法等の手法により全面に形成された後、フォトリソグラフィ法によりメタルエッチングして所望の形状に形成される。
【００５０】
ところで、上記した水晶振動片２の基板２１の形状のうち外形２８および溝部２５は、その両主面２４に３つの形成層Ａ,Ｂ,Ｃ（図３〜５に示す第１〜３層）を積層して、この積層した第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃを用いて形成する。なお、本実施例では、基板２１の形状を形成するための形成層Ａ,Ｂ,Ｃとして、基板２１を露出させて基板２１の外形２８と溝部２５とのエッチング形成を行うための第１層Ａと、基板２１の外形パターンＤと溝部２５の溝パターンＥとの形状パターンを同時に形成するための第２層Ｂ（本発明でいう同時形成層）と、基板２１の外形パターンＤと溝部２５の溝パターンＥとを区別するための第３層Ｃ（本発明でいう区別層）と、を用いる。なお、本実施例では、第１層ＡとしてＣｒ（クロム）とＡｕ（金）とからなる金属層を用い、第２層Ｂとしてキシレンを主成分とするネガレジスト層を用い、第３層Ｃとして乳酸エチルと酢酸ブチルとを主成分とするポジレジスト層を用いる。
【００５１】
そして、水晶振動片２の基板２１の形成工程では、上記した形成層Ａ,Ｂ,Ｃを用いて、第２層Ｂにより外形パターンＤと溝パターンＥとの形状パターンを同時に形成した後に、第３層Ｃにより外形パターンＤと溝パターンＥとを区別させながら、第１層Ａを用いて基板２１の外形２８と溝部２５とに該当する基板部分を露出させて基板２１の外形２８と溝部２５とをそれぞれ個別にエッチング形成して（本発明でいう基板形成工程）、水晶振動片２の基板２１を形成する。
【００５２】
この基板形成工程を更に詳説すると、人工水晶（図示省略）から複数個の板状の水晶素板２０（本発明でいう基板素板）に切出し形成し（図３（ａ）参照）、水晶素板２０から複数個の水晶振動片２の基板２１を形成する（図５（ｍ）参照）。なお、図３〜５では、水晶素板２０および基板２１の一部側面を示し、図１に示す基板２１のＡ３-Ａ３線断面図に相当する図である。そして、この水晶素板２０は水晶Ｚ板であり、人工水晶から切出し形成する際、直交座標系においてＸ軸とＹ軸とからなるＸＹ平面をＸ軸回りに傾けたものである。
【００５３】
まず、図３（ａ）に示す水晶素板２０の両主面２４上に、図３（ｂ）に示すように、第１層Ａを形成する（本発明でいう第１層形成工程）。そして、図３（ｂ）に示すように形成した第１層Ａ上に、図３（ｃ）に示すように、第２層Ｂを形成する（本発明でいう第２層形成工程）。
【００５４】
第２層形成工程後に、図４（ｄ）に示すように、予め設定した基板２１の形状に基づいて、第２層Ｂに外形パターンＤと溝パターンＥとの形状パターンを同時形成する（本発明でいうパターン形成工程）。具体的に、基板２１の外形２８および溝部２５を形成するために、水晶素板２０上の基板２１の外形２８および溝部２５に該当する部分（該当箇所）の第２層Ｂを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、第２層Ｂにおける水晶振動片２の外形パターンＤおよび溝パターンＥを形成する。なお、本実施例では、基板２１の外形２８と溝部２５の形状を基板２１の形状として設定している。
【００５５】
パターン形成工程後に、図４（ｅ）に示すように、露出した第１層Ａおよび第２層Ｂ上に第３層Ｃを形成する（本発明でいう第３層形成工程）。
【００５６】
第３層形成工程後に、第２層Ｂにおける外形パターンＤと溝パターンＥとを区別するために、図４（ｆ）に示すように、外形パターンＤ上の第３層Ｃを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、かつ、第２層Ｂにおける溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去せずに形成した状態とする。この状態で、図４（ｇ）に示すように、露出した第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去する（本発明でいう第１除去工程）。
【００５７】
第１除去工程後に、図４（ｈ），図４（ｉ）に示すように、外形２８をエッチング形成
し、かつ、溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去する（本発明でいう第２除去工程）。なお、本実施例にかかる第２除去工程を詳説すると、まず、溝パターンＥ上の第３層Ｃを剥離液を用いて除去（剥離）し（図４（ｈ）参照）、その後に外形２８をエッチング形成する（図４（ｉ）参照）。
【００５８】
第２除去工程後に、図５（ｊ）に示すように、溝パターンＥ上の第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去する（本発明でいう第３除去工程）。
【００５９】
第３除去工程後に、水晶素板２０から第２層Ｂを剥離液を用いて除去（剥離）し（図５（ｋ）参照）、第２層Ｂを除去した後に溝部２５をエッチング形成し（図５（ｌ）参照）、溝部２５をエッチング形成した後に水晶素板２０から第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去して図５（ｍ）に示す水晶振動片２の基板２１を形成する（本発明でいう溝部形成工程と第４除去工程）。
【００６０】
なお、本実施例では、上記した第２層Ｂを剥離（現像）させるために用いる剥離液や現像液と、第３層Ｃを剥離（現像）させるために用いる剥離液や現像液とは異なる材料を用いる。具体的に、第２層Ｂであるネガレジスト層を除去する際に用いる剥離液（現像液）は、ネガレジスト層だけでなく第３層Ｃであるポジレジスト層も除去する材料である。これに対して、第３層Ｃであるポジレジスト層を除去する際に用いる剥離液（現像液）は、第２層Ｂであるネガレジスト層を除去することはできない材料である。
【００６１】
また、上記した第１層Ａのメタルエッチングには、ウェットエッチングやドライエッチングや電界エッチングなどがある。
【００６２】
上記したように、本実施例にかかる水晶振動片２の製造方法によれば、形成層として同時形成層（第２層Ｂ）と区別層（第３層Ｃ）とを用いて、同時形成層により外形パターンＤと溝パターンＥとの形状パターンを同時に形成した後に、区別層により外形パターンＤと溝パターンＥとを区別させるので、水晶振動片２を製造する際の基板２１の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。その結果、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片２の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制することができる。特に、外形パターンＤと溝パターンＥの形成の際、これらの外形パターンＤと溝パターンＥとの位置検出を周知の画像認識工程により行う場合、位置検出がずれて外形パターンＤと溝パターンＥとの正確な位置を検出することができない場合が多い。この場合、上記した図１３〜１５に示すような従来例（周知）の水晶振動片の製造方法では位置検出のずれが形状パターンのパターンずれに直接作用するが、本実施例によれば位置検出がずれた場合であっても形状パターンのパターンずれが生じなくなる。
【００６３】
また、本実施例にかかる水晶振動片２の製造方法によれば、形成層として第１層Ａと第２層Ｂと第３層Ｃとを用い、基板形成工程を有するので、上記した作用効果を有するだけなく、第２層Ｂによる外形パターンＤと溝パターンＥとの形成時、および第３層Ｃによる外形パターンＤと溝パターンＥとの区別時において、第１層Ａにより水晶素板２０を被覆させることができ、形状パターンＤおよび溝パターンの形成時および区別時において水晶素板２０への不要なエッチングを防止することができる。
【００６４】
また、基板形成工程では、外形２８と溝部２５とをそれぞれ個別にエッチング形成するので、基板２１の外形２８をエッチング形成するときのエッチング量と、溝部２５をエッチング形成するときのエッチング量を可変させることができ、基板２１の外形２８と溝部２５とをそれぞれ任意の形状に形成することができる。
【００６５】
また、基板形成工程は、第１層形成工程と第２層形成工程とパターン形成工程と第３層形成工程と第１除去工程と第２除去工程と第３除去工程と溝部形成工程と第４除去工程とを含むので、パターン形成工程において外形パターンＤと溝パターンＥとの間隔を一定にすることができ、外形パターンＤに対する溝パターンＥの位置ずれ（もしくは、溝パターンＥに対する外形パターンＤの位置ずれ）が起こるのを抑制することができる。また、パターン形成工程の後に第３層形成工程および第１除去工程により、溝パターンＥ上に第３層Ｃを覆っているので、第２除去工程において溝部２５のエッチング形成を全くせずに外形２８だけのエッチング形成を確実に行うことができる。
【００６６】
また、第１層は金属層であり、第２層はネガレジスト層であり、第３層はポジレジスト層であるので、パターン形成工程において第２層Ｂの該当箇所のみを除去することができ、第１除去工程において第１層Ａと第３層Ｃとの該当箇所のみを除去することができ、第２除去工程において第３層Ｃの該当箇所のみを除去することができ、第３除去工程において第１層Ａの該当箇所のみを除去することができ、第４除去工程において第１，２層Ａ，Ｂを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第２層Ｂであるネガレジスト層を除去（剥離除去）する際に用いる剥離液は、ネガレジスト層だけでなく第３層Ｃであるポジレジスト層も除去（剥離除去）する。これに対して、第３層Ｃであるポジレジスト層を除去（剥離）する際に用いる剥離液は、第２層Ｂであるネガレジスト層を除去することはできない。これは、ネガレジスト層の材料が、ポジレジスト層の材料よりも粘着力があるゴム系材料であることに関係し、この粘着力の差を用いて第１，２除去工程を行うことができる。また、第１層Ａは、第２，３層Ｂ，Ｃとは材料が異なる金属層であり、第１層Ａは第２，３層Ｂ，Ｃとは異なる除去方式（メタルエッチング）により除去する。そのため、本実施例によれば、パターン形成工程と第１〜４除去工程を行うことができる。
【００６７】
また、本実施例にかかる水晶振動片２によれば、上記した水晶振動片２の製造方法により製造されるので、上記した水晶振動片２の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、水晶振動片２を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。つまり、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片２の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した水晶振動片を得ることができる。
【００６８】
また、本実施例にかかる水晶振動子１によれば、蓋４とベース３との接合により成形される本体筐体５の内部空間のベース３上に、少なくとも上記した水晶振動片２が気密封止されるので、上記した水晶振動片２の製造方法と同様の作用効果を有し、その結果、水晶振動片２を製造する際の形状パターンのパターンずれを抑制することができる。つまり、形状パターンのパターンずれが原因となる水晶振動片２の形状不良や発振周波数のバラツキを抑制した水晶振動子１を得ることができる。
【００６９】
なお、本実施例では、本体筐体５の内部空間のベース３上に水晶振動片２を気密封止した状態で設けているが、本体筐体５の内部空間のベース３上に設ける部材は水晶振動片２単体だけに限定されるものではなく、さらに集積回路素子や別の水晶振動片などの電子部品を設けてもよい。
【００７０】
また、本実施例では、図１，図２に示すように、平面視矩形上の一枚板の直方体に成形された蓋４と、凹状に成形されたベース３とを用いているが、これに限定されるものではない。ベース３と蓋４とにより水晶振動片２を気密封止できれば、ベース３と蓋４の形状は任意に設定してもよい。すなわち、ベース３の接合領域は底部３１の表面外周に沿って成形された堤部３２上に限定されず、蓋４とベース３との接合を行い、かつ、本体筐体５の内部空間を形成するとともに内部空間を気密封止することが可能であれば、任意に設計してもよい。
【００７１】
また、本実施例では、接合材６１が蓋４に設けられているが、これに限定されるものではなく、ベース３に設けられてもよい。また、蓋４とベース３とのどちらにも設けられずに、蓋４とベース３との接合の際に用いられてもよい。
【００７２】
また、本実施例では、水晶振動片２を導電性接合材６２により直接ベース３に接合しているが、これに限定されるものではなく、他の部材を介して水晶振動片２をベース３に間接的に接合してもよい。たとえば、水晶振動片２への外的な応力を軽減させるためにサポート材を介して水晶振動片２をベース３に接合してもよい。
【００７３】
また、上記した本実施例にかかる水晶振動子１では、導電性接合材６２として金などの金属材料からなる接続バンプのみを用いているが、他の金属材料の接続バンプからなってもよい。また、接続バンプに限らずシリコーン樹脂などからなる導電性樹脂接着剤を用いてもよい。
【００７４】
また、本実施例では、第１除去工程後に、図４（ｈ），図４（ｉ）に示すように第２除
去工程を行なっているが、これに限定される工程ではなく、外形２８をエッチング形成し、かつ、溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去すればよく、例えば、図６（ｈ’），図６（ｉ
’）に示すように、まず、外形２８をエッチング形成し（図６（ｈ’）参照）、その後に溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去してもよい（図６（ｉ’）参照）。
【００７５】
また、本実施例では、第３除去工程後に、図５に示すように溝部形成工程と第４除去工程とを行なっているが、これら溝部形成工程と第４除去工程はこれに限定されるものではなく、第３除去工程後に溝部形成工程と第４除去工程を行なえればよい。そのため、溝部形成工程と第４除去工程との工程順は任意に変更してもよく、例えば、第３除去工程後にまず溝部２５をエッチング形成し、溝部２５をエッチング形成した後に基板２１から第２層Ｂを除去し、第２層Ｂを基板２１から除去した後に基板２１から第１層Ａを除去して水晶振動片２の基板２１を形成してもよい。
【００７６】
また、本実施例では、基板２１の両主面２４に溝部２５を形成するが、これに限定されるものではなく、基板２１の少なくとも一主面に少なくとも一つの溝部を形成すればよい。
【００７７】
また、本実施例では、基板２１の両主面２４に溝部２５を形成するが、本発明でいう溝部２５の定義はこれに限定されるものではなく両主面２４からその基板２１内側に窪んでいればよく、例えば、基板２１の両主面２４を貫通する貫通孔であってもよい。
【００７８】
また、本実施例では、基板２１の形状を形成するための形成層として、第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃのみを用いているが、これに限定されるものではなく、第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃを含む４層以上の複数層からなる形成層であってもよい。
【００７９】
また、本実施例では、図４（ｆ）に示すように、第３層形成工程後に、第２層Ｂにおける外形パターンＤと溝パターンＥとを区別するために、第２層Ｂにおける溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去せずに形成した状態としているが、これに限定されるものではなく、第２層Ｂにおける溝パターンＥを被覆し、かつ、第２層Ｂにおける外形パターンＤを被覆しないように第３層Ｃを形成すれば、第３層Ｃの除去しない箇所は任意に設定してもよい。例えば、第３層Ｃの除去しない箇所は、第２層Ｂにおける溝パターンＥ及び、第２層Ｂ上としてもよく、この場合、耐フッ酸性を向上させることができる。
【００８０】
また、本実施例では、第１層Ａを全てメタルエッチングにより除去しているが、これに限定されるものではなく、第１層Ａの一部を残して第１層Ａを引き出し電極２７の少なくとも一部として用いてもよい。この場合、引き出し電極２７の重要箇所（例えば、水晶振動片２からみて外部となるベース３の電極パッド３４と直接接触する部分）の形成をさらに不具合なく確実に行うことができる。
【００８１】
また、本実施例では、第１層Ａを全てメタルエッチングにより除去しているが、これに限定されるものではなく、第１層Ａの一部を残して第１層Ａを外形パターンＤと溝パターンＥの形成の際にこれらのパターンＤ，Ｅの位置検出を行う（画像認識工程）ための画像認識部として用いてもよい。この場合、新たに画像認識部を形成する工程を必要せずに、その結果製造工程の短縮を図ることができる。
また、本実施例では、第１層Ａとして金属層を用い、第２層Ｂとしてネガレジスト層を用い、第３層Ｃとしてポジレジスト層を用いているが、これら第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃの材料はこれに限定されるものではなく、以下にその具体例を示す。
【００８２】
第１例として、第１層Ａに金属層を用い、第２層Ｂに第１層Ａと比較して硬度が低い金属層を用い、第３層Ｃにネガレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第２層Ｂの該当箇所のみを除去することができ、第１除去工程において第１層Ａと第３層Ｃとの該当箇所のみを除去することができ、第２除去工程において第３層Ｃの該当箇所のみを除去することができ、第３除去工程において第１層の該当箇所のみを除去することができ、第４除去工程において第１，２層Ａ，Ｂを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第１，２層Ａ，Ｂである金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても第１，２層Ａ，Ｂの除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合第２層Ｂのほうが第１層Ａよりも除去量が多い。また、第３層Ｃは、第１，２層Ａ，Ｂとは材料が異なるネガレジスト層であり、第３層Ｃは第１，２層Ａ，Ｂとは異なる除去方式（剥離液による除去）により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第１〜４除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準の一つを第１，２層の硬度に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることができる。
【００８３】
第２例として、第１層Ａに金属層を用い、第２層Ｂに第１層Ａと比較して硬度が低い金属層を用い、第３層Ｃにポジレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第２層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第１除去工程において第１層と第３層との該当箇所のみを除去することが可能となり、第２除去工程において第３層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第３除去工程において第１層の該当箇所のみを除去することが可能となり、第４除去工程において第１，２層を除去することが可能となる。このことは次に示す作用によるものである。第１，２層である金属層ではその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても第１，２層の除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合第２層のほうが第１層よりも除去量が多い。また、第３層は、第１，２層とは材料が異なるポジレジスト層であり、第３層は第１，２層とは異なる除去方式（剥離液による除去）により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第１〜４除去工程を行うことが可能となる。また、この場合、除去量の基準の一つを第１，２層の硬度に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることが可能となる。
【００８４】
第３例として、第１層Ａに金属層を用い、第２層Ｂにポジレジスト層を用い、第３層Ｃに第２層Ｂと比較して粘着力が低いポジレジスト層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第２層Ｂの該当箇所のみを除去することができ、第１除去工程において第１層Ａと第３層Ｃとの該当箇所のみを除去することができ、第２除去工程において第３層Ｃの該当箇所のみを除去することができ、第３除去工程において第１層Ａの該当箇所のみを除去することができ、第４除去工程において第１，２層Ａ，Ｂを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第２，３層Ｂ，Ｃであるポジレジスト層ではその粘着力が異なるために同じ除去方式（剥離液による除去）を用いた場合であっても第２，３層Ｂ，Ｃの除去量（剥離量）は異なり、この構成の場合第３層Ｃのほうが第２層Ｂよりも除去量が多い。また、第１層Ａは、第２，３層Ｂ，Ｃとは材料が異なる金属層であり、第１層Ａは第２，３層Ｂ，Ｃとは異なる除去方式（メタルエッチング）により除去する。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第１〜４除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準の一つを第２，３層Ｂ，Ｃの粘着量に設定して除去量（剥離量）の設定を容易にすることができる。
【００８５】
第４例として、第１層Ａに金属層を用い、第２層Ｂに第１層Ａと比較して硬度が低い金属層を用い、第３層Ｃに第２層Ｂと比較して硬度が低い金属層を用いてもよい。この場合、パターン形成工程において第２層Ｂの該当箇所のみを除去することができ、第１除去工程において第１層Ａと第３層Ｃとの該当箇所のみを除去することができ、第２除去工程において第３層Ｃの該当箇所のみを除去することができ、第３除去工程において第１層Ａの該当箇所のみを除去することができ、第４除去工程において第１，２層Ａ，Ｂを除去することができる。このことは次に示す作用によるものである。第１〜３層Ａ，Ｂ，Ｃである金属層ではそれぞれその硬度が異なるために同じ除去方式（メタルエッチング）を用いた場合であっても第１〜３層Ａ，Ｂ，Ｃの除去量（エッチング量）は異なり、この構成の場合第２層Ｂのほうが第１層Ａよりも除去量が多く、第３層Ｃのほうが第２層Ｂよりも除去量が多い。そのため、本構成によれば、パターン形成工程と第１〜４除去工程を行うことができる。また、この場合、除去量の基準を第１〜３層Ａ，Ｂ，Ｃの硬度に設定して除去量（エッチング量）の設定を容易にすることができる。
【００８６】
また、上記した第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃの材料の変形例では、少なくとも２つの層に金属層を用いた場合、それぞれの硬度を異ならせて除去工程の差異を図っているが、これに限定されるものではなく、それぞれの金属材料個別に対応した対応エッチング液を用いて各金属層のメタルエッチングを行ってもよい。例えば、金属層にＣｒ（クロム）を用いた場合、過塩素酸水溶液を用いて金属層のメタルエッチングを行い、金属層にＡｕ（金）を用いた場合、よう素水溶液を用いて金属層のメタルエッチングを行いて、除去工程の差異を図ってもよい。
【実施例２】
【００８７】
次に、本実施例２にかかる水晶振動子１を図面を用いて説明する。なお、本実施例２にかかる水晶振動子１は、上記した実施例１に対して、水晶振動片が異なる。そこで、本実施例２では、上記した実施例１と異なる構成について説明し、同一の構成についての説明を省略する。そのため、同一構成による作用効果及び変形例は、上記した実施例１と同様の作用効果及び変形例を有する。
【００８８】
水晶振動片７は、図７，８に示すように、厚みすべり振動系の振動片であり、本実施例ではＡＴカット水晶片を用いる。この水晶振動片７は、ＡＴカット水晶片の基板７１からなり、平面視矩形状の一枚板の直方体に成形されている。すなわち、基板７１の外形７６は、直方体形状からなる。
【００８９】
この基板７１の両主面７２には、水晶振動片７の高周波化に対応するため、例えば、エッチングなどの手法により溝部７５（凹部ともいう）が形成されており水晶振動片７の一部が薄肉に構成されている。この薄肉の水晶振動片７の両主面７２（溝部７５の内部底面）にはそれぞれ励振電極７３が形成され、これらの励振電極７３を導電性接合材６２により外部電極（本実施例では、ベース３の電極パッド３４）と電気機械的に接合するために励振電極７３から引き出された引き出し電極７４が形成されている。
【００９０】
なお、これらの励振電極７３及び引き出し電極７４は、フォトリソグラフィ法により形成され、例えば、基板７１側からクロム、金（Ｃｒ−Ａｕ）の順に、あるいはクロム、金、クロム（Ｃｒ−Ａｕ−Ｃｒ）の順に、あるいはクロム、金、ニッケル（Ｃｒ−Ａｕ−Ｎｉ）の順に、あるいはクロム、銀、クロム（Ｃｒ−Ａｇ−Ｃｒ）の順に、あるいはクロム、ニッケル（Ｃｒ−Ｎｉ）の順に、あるいはニッケル、クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）の順に積層して形成されている。
【００９１】
上記した水晶振動片７の基板７１の形状のうち外形７６および溝部７５は、その両主面７４に第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃ（図９〜１１参照）を積層して、この積層した第１〜３層Ａ,Ｂ,Ｃを用いて形成する。
【００９２】
そして、水晶振動片７の基板７１の形成工程では、上記した形成層Ａ,Ｂ,Ｃを用いて、第２層Ｂにより外形パターンＤと溝パターンＥとの形状パターンを同時に形成した後に、第３層Ｃにより外形パターンＤと溝パターンＥとを区別させながら、第１層Ａを用いて基板７１の外形７６と溝部７５とに該当する基板部分を露出させて基板７１の外形７６と溝部７５とをそれぞれ個別にエッチング形成して（本発明でいう基板形成工程）、水晶振動片７の基板７１を形成する。
【００９３】
この基板形成工程を更に詳説すると、人工水晶（図示省略）から複数個の板状の水晶素板７０（本発明でいう基板素板）に切出し形成し（図９（ａ）参照）、水晶素板７０から複数個の水晶振動片７の基板７１を形成する（図１１（ｍ）参照）。なお、図９〜１１では、水晶素板７０および基板７１の一部側面を示し、図７に示すＢ３-Ｂ３線断面図の基板７１に相当する図である。そして、この水晶素板７０は水晶Ｚ板であり、人工水晶から切出し形成する際、直交座標系においてＸ軸とＹ軸とからなるＸＹ平面をＸ軸回りに傾けたものである。
【００９４】
まず、図９（ａ）に示す水晶素板７０の両主面７４上に、図９（ｂ）に示すように、第１層Ａを形成する（本発明でいう第１層形成工程）。そして、図９（ｂ）に示すように形成した第１層Ａ上に、図９（ｃ）に示すように、第２層Ｂを形成する（本発明でいう第２層形成工程）。
【００９５】
第２層形成工程後に、図１０（ｄ）に示すように、予め設定した基板７１の形状に基づいて、第２層Ｂに外形パターンＤと溝パターンＥとの形状パターンを同時形成する（本発明でいうパターン形成工程）。具体的に、基板７１の外形７６および溝部７５を形成するために、水晶素板７０上の基板７１の外形７６および溝部７５に該当する部分（該当箇所）の第２層Ｂを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、第２層Ｂにおける水晶振動片７の外形パターンＤおよび溝パターンＥを形成する。なお、本実施例では、基板７１の外形７６と溝部７５の形状を基板７１の形状として設定している。
【００９６】
パターン形成工程後に、図１０（ｅ）に示すように、露出した第１層Ａおよび第２層Ｂ上に第３層Ｃを形成する（本発明でいう第３層形成工程）。
【００９７】
第３層形成工程後に、第２層Ｂにおける外形パターンＤと溝パターンＥとを区別するために、図１０（ｆ）に示すように、外形パターンＤ上の第３層Ｃを露光し、現像液を用いて現像して露光した箇所を除去し、かつ、第２層における溝パターンＥ上の第３層Ｃは除去せずに形成した状態とする。この状態で、図１０（ｇ）に示すように、露出した第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去する（本発明でいう第１除去工程）。
【００９８】
第１除去工程後に、図１０（ｈ），図１０（ｉ）に示すように、外形７６をエッチング
形成し、かつ、溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去する（本発明でいう第２除去工程）。なお、本実施例にかかる第２除去工程を詳説すると、まず、溝パターンＥ上の第３層Ｃを剥離液を用いて除去（剥離）し（図１０（ｈ）参照）、その後に外形７６をエッチング形成する（図１０（ｉ）参照）。
【００９９】
第２除去工程後に、図１１（ｊ）に示すように、溝パターンＥ上の第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去する（本発明でいう第３除去工程）。
【０１００】
第３除去工程後に、水晶素板７０から第２層Ｂを剥離液を用いて除去（剥離）し（図１１（ｋ）参照）、第２層Ｂを除去した後に溝部７５をエッチング形成し（図１１（ｌ）参照）、溝部７５をエッチング形成した後に水晶素板７０から第１層Ａをメタルエッチングによりエッチング除去して図１１（ｍ）に示す水晶振動片７の基板７１を形成する（本発明でいう溝部形成工程と第４除去工程）。
【０１０１】
上記した本実施例では、第１除去工程後に、図１０（ｈ），図１０（ｉ）に示すように
第２除去工程を行なっているが、これに限定される工程ではなく、外形７６をエッチング形成し、かつ、溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去すればよく、例えば、図１２（ｈ’），図１２（ｉ’）に示すように、まず、外形７６をエッチング形成し（図１２（ｈ’）参照
）、その後に溝パターンＥ上の第３層Ｃを除去してもよい（図１２（ｉ’）参照）。
【０１０２】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明にかかる圧電振動片の材料として、水晶を用いることが好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図１は、本実施例１にかかる水晶振動子の概略構成図であり、水晶振動子の内部を公開した図２のＡ１−Ａ１線断面から見た概略平面図である。
【図２】図２は、本実施例１にかかる水晶振動子の概略構成図であり、図１のＡ２−Ａ２線断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本実施例１にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。
【図４】図４（ｄ）〜図４（ｉ）は、本実施例１にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図３に示す製造工程の後工程を示す図である。
【図５】図５（ｊ）〜図５（ｍ）は、本実施例１にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図４に示す製造工程の後工程を示す図である。
【図６】図６（ｈ’），図６（ｉ’）は、本実施例１の他の例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図６（ｈ’），図６（ｉ’）に示す工程は、図４（ｈ），図４（ｉ）に示す工程の変形例である。
【図７】図７は、本実施例２にかかる水晶振動子の概略構成図であり、水晶振動子の内部を公開した図８のＢ１−Ｂ１線断面から見た概略平面図である。
【図８】図８は、本実施例２にかかる水晶振動子の概略構成図であり、図７のＢ２−Ｂ２線断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｃ）は、本実施例９にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。
【図１０】図１０（ｄ）〜図１０（ｉ）は、本実施例２にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図９に示す製造工程の後工程を示す図である。
【図１１】図１１（ｊ）〜図１１（ｍ）は、本実施例２にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図１０に示す製造工程の後工程を示す図である。
【図１２】図１２（ｈ’），図１２（ｉ’）は、本実施例２の他の例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図１２（ｈ’），図１２（ｉ’）に示す工程は、図１０（ｈ），図１０（ｉ）に示す工程の変形例である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図である。
【図１４】図１４（ｄ）〜図１４（ｉ）は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図１３に示す製造工程の後工程を示す図である。
【図１５】図１５（ｊ）〜図１５（ｍ）は、従来例にかかる水晶振動片の基板の製造工程を示した図であり、図１４に示す製造工程の後工程を示す図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１  水晶振動子
２、７  水晶振動片
２０，７０  水晶素板
２１，７１  基板
２４，７２  両主面
２５，７５  溝部
２８，７６  外形
３  ベース
４  蓋
５  本体筐体
Ａ  第１層
Ｂ  第２層
Ｃ  第３層
Ｄ  外形パターン
Ｅ  溝パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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