(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にチャネルとなる複数のカーボンナノチューブが各々孤立して配置された状態とする工程と、
前記基板の上に各々の前記カーボンナノチューブに接続して各々ソース電極及びドレイン電極が形成された状態とする工程と、
各々の前記カーボンナノチューブに電界を印加するゲート電極が形成された状態とする工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの中の所望とする特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のトランジスタの製造方法において、
前記特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とし、前記特定カーボンナノチューブの電気伝導性を、金属的な状態から半導体的な状態へと変化させる
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のトランジスタの製造方法において、
前記特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とし、半導体的な電気伝導性の前記特定カーボンナノチューブのオフ領域が拡大された状態とする
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項４】
請求項２記載のトランジスタの製造方法において、
前記特定カーボンナノチューブは、光の照射により両極性伝導形の半導体的とされる
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載のトランジスタの製造方法において、
前記特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とし、前記特定カーボンナノチューブに電気伝導に対するエネルギーバリアーが形成された状態とする
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のトランジスタの製造方法において、
前記光の照射の照射線量により、前記特定カーボンナノチューブの電気伝導性の状態を制御する
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のトランジスタの製造方法において、
前記光のエネルギーは、炭素原子の１ｓ電子の吸収端エネルギーに相当するものである
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のトランジスタの製造方法において、
前記光のエネルギーは、高々１００ｅＶである
ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光子を照射することで電気伝導性制を制御されたカーボンナノチューブをチャネルとして用いたトランジスタの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、筒状の巻かれたグラファイト面（グラフェンシート）から構成されており、筒が一層のもの（単層カーボンナノチューブ：ＳＷＮＴ）あるいは多層のもの（多層カーボンナノチューブ：ＭＷＮＴ）が存在する。また、カーボンナノチューブの直径は、数ｎｍから数十ｎｍの範囲で、長さは数μｍにおよぶ細線状構造を有している。カーボンナノチューブは、電気伝導性を有することから、デバイス等への応用に関する研究開発が進められている。
【０００３】
カーボンナノチューブは、グラフェンシートが筒状に巻かれた構造となっているが、巻かれた状態によって電気伝導特性が異なり、半導体的になる場合と金属的になる場合の２つに大別される。概略を規則的に示すと、図５において原点（０，０）を点（ｎ，ｍ）に重ねるように巻いて得られるカーボンナノチューブを（ｎ，ｍ）とすると、２ｎ＋ｍが３の倍数になるときバンドギャップがゼロになり、金属的になるが、３の倍数にならないときはバンドギャップが発生し、半導体的になることが知られている（非特許文献１参照）。
【０００４】
例えば、（０，０）の二重丸と（９，０）の二重丸とが重なるように巻かれているカーボンナノチューブは、金属的になる。また、（０，０）の二重丸と（６，４）の黒丸とが重なるように巻かれているカーボンナノチューブは、半導体的になる。図５において、二重丸同士が重なるように巻かれているカーボンナノチューブは、金属的（金属的電気伝導性）になり、二重丸と黒丸とが重なるように巻かれているカーボンナノチューブは、半導体的（半導体的電気伝導性）となる。しかしながら、これら種々の巻き性を制御してカーボンナノチューブを合成する技術は、現在開発されておらず、半導体的なカーボンナノチューブと金属的なカーボンナノチューブとを、合成によって直接的に作り分けることは不可能な状態である。
【０００５】
一方、金属的なカーボンナノチューブを選択的に除去することで、半導体的なカーボンナノチューブを得る技術が提案されている（非特許文献２参照）。非特許文献２に示された技術について簡単に説明する。この技術では、まず、図６（ａ）の平面図に示すように、基板６０１の上に配列された金属電極６０２の間に、金属的なカーボンナノチューブ６０３と半導体的なカーボンナノチューブ６０４とが混在して形成された状態とする。この状態で、各金属電極６０２の間に大電流を流し、金属的なカーボンナノチューブ６０３のみを焼き切り、図６（ｂ）に示すように、半導体的なカーボンナノチューブ６０４が残る状態とする。例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などには、半導体的なカーボンナノチューブ６０４を用いるため、非特許文献２の方法は、半導体的なカーボンナノチューブのみを残す方法としての効果が期待できる。
【０００６】
【非特許文献１】R. Saito, et al.,"Electric structure of chiral grafene tubules", Applied Physics Letters, vol. 60, pp.2204-2206, (1992).
【非特許文献２】P.G.Collins et al., "Engineering carbon nanotubes and nanotube circuits using electronical breakdown", Science, vol.292, pp.706-709, (2001).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、半導体的カーボンナノチューブと金属的カーボンナノチューブとは、ランダムに分布しているため、非特許文献２の技術では、図６（ｂ）に示すように、半導体的なカーボンナノチューブ６０４が残っている部分のみしか、ＦＥＴとして利用できない。また、所望の位置に配置されたカーボンナノチューブがすべて金属的である場合、これらは破壊されるため、所望とするＦＥＴを得ることができない。
【０００８】
また、図７に示すように、電極７０１の間に複数のカーボンナノチューブ７０２が存在する場合、各々のカーボンナノチューブ７０２が異なる導電性を有しているため、金属的なカーボンナノチューブだけを除去するための電流値の条件制御が難しく、手間がかかるうえに歩留まりが悪い。例えば、図７（ｂ）に示すように、電流値が大きすぎると、すべてのカーボンナノチューブ７０２ａが焼き切れた状態となる。また、図７（ｃ）に示すように、半導体的なカーボンナノチューブ７０２ａを残せたとしても、熱的なダメージが懸念される。さらに、集積化を考えた場合は、上述のように制御性に乏しい。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、所望の半導体特性を備えたカーボンナノチューブを用いたＦＥＴが容易に得られるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るトランジスタの製造方法は、基板の上にチャネルとなる複数のカーボンナノチューブが各々孤立して配置された状態とする工程と、基板の上に各々のカーボンナノチューブに接続して各々ソース電極及びドレイン電極が形成された状態とする工程と、各々のカーボンナノチューブに電界を印加するゲート電極が形成された状態とする工程と、複数のカーボンナノチューブの中の所望とする特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とする工程とを少なくとも備えるようにしたものである。従って、配置されたカーボンナノチューブが金属的な電気伝導性を備えるものであっても、光の照射により半導体的な電気伝導性を備える状態となる。また、カーボンナノチューブが、半導体的な電気伝導性を備えていれば、光の照射によりバリアーが形成され、電流が流れないゲート電圧領域（オフ領域）が広がるように、半導体特性が変更される
【００１１】
上記トランジスタの製造方法において、特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とすることで、特定カーボンナノチューブの電気伝導性を、金属的な状態から半導体的な状態へと変化させることができる。また、特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とすることで、半導体的な電気伝導性の特定カーボンナノチューブのオフ領域を拡大された状態とすることができる。また、電気的な状態から半導体的な状態とする場合、特定カーボンナノチューブは、光の照射により両極性伝導形の半導体的とすることができる。また、特定カーボンナノチューブに光が照射された状態とすれば、特定カーボンナノチューブに電気伝導に対するエネルギーバリアーが形成された状態となる。また、光の照射の照射線量により、カーボンナノチューブの電気伝導性の状態を制御することができる。なお、光のエネルギーは、炭素原子の１ｓ電子の吸収端エネルギーに相当するものであればよい。また、光のエネルギーは、高々１００ｅＶであればよい。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、各々孤立して配置されたチャネルとなる複数カーボンナノチューブの中の所望とする特定カーボンナノチューブに光を照射するようにしたので、カーボンナノチューブを用いたＦＥＴが容易に得られるようになるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるトランジスタの製造方法の一部を説明するための工程図である。図１は、カーボンナノチューブの電気伝導性を制御する段階を説明する工程図である。まず、図１（ａ）の平面図に示すように、基板１０１の上に配列された金属電極１０２の間に、金属的（電気伝導的）なカーボンナノチューブ１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃと半導体的なカーボンナノチューブ１０４とが混在して形成された状態とする。
【００１４】
次に、半導体的な状態とするカーボンナノチューブ１０３ａ，１０３ｂ及び半導体的特性の変更対象であるカーボンナノチューブ１０４に、選択的に光子（光）が照射された状態とする。例えば、カーボンナノチューブ１０４は、より顕著な半導体的特性へと変更する対象である。この光照射において、変更対象外のカーボンナノチューブ１０３ｃには、光子が照射されないように、マスクを用いる。マスクを用いることで、所望の領域のみに光子を照射することが可能となる。
【００１５】
上述した光子の照射は、荷電粒子の照射に比較し、一般的に広範囲に一括照射することが可能であり、照射の工程の時間短縮が図れるようになる。この選択的な光子の照射により、図１（ｂ）の平面図に示すように、半導体的なカーボンナノチューブ１１３ａ，１１３ｂと、半導体的特性が変更されたカーボンナノチューブ１１４とが得られる。光子の照射対象外であるカーボンナノチューブ１０３ｃは、金属的な状態が変更されていない。このようにして得られた半導体的なカーボンナノチューブの近傍にゲート電極が配置された状態とし、２つの金属電極１０２をソース電極・ドレイン電極とすれば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）が得られる。ゲート電極は、半導体的なカーボンナノチューブに対して電界が印加できる箇所に配置されていればよく、トップゲート型，サイドゲート型，及びバックゲート型のいずれでもよい。
【００１６】
例えば、チャネルの部分にカーボンナノチューブを使ったＦＥＴの場合では、金属的カーボンナノチューブが混在することで特性が著しく劣化するが、上述した製造方法によれば、カーボンナノチューブを金属的から半導体的伝導特性に変換させることができるので、良好なＦＥＴ特性の電界効果トランジスタが容易に得られる。また、以降に説明するように、照射量（照射線量）により電気伝導性が制御可能であるため、本実施の形態における製造方法によれば、例えば上述したＦＥＴの特性の制御も可能である。
【００１７】
以下、光子の照射によるカーボンナノチューブの状態変化についてより詳細に説明する。まず、照射する光子は、例えば、近紫外線，紫外線，真空紫外線，軟Ｘ線，Ｘ線，硬Ｘ線，及びγ線などである。また、シンクロトロン放射光のように、ある程度波長が分散した光でもよく、また、これらを分光して更に狭い波長分布とした光を照射してもよい。これらの光子照射により、カーボンナノチューブ中に欠陥損傷が与えられた状態となる。このような欠陥損傷は、電気伝導においてエネルギーバリアーとして働く。ここでのエネルギーバリアーは、チャネル中を流れる電荷の電気伝導を阻害する障壁の高さを意味する。この障壁以上のエネルギーを持つ電荷が、フェルミ準位近傍に存在する場合は、チャネルにおける導通が保たれ、存在しない場合は導通が切れることになる。
【００１８】
このように、本来は金属的な電気伝導性を有するカーボンナノチューブに光子照射を行うことで、エネルギーバリアーが形成された状態とし、動作温度，ソース・ドレイン間電圧，及びゲート電圧などを制御することで、照射前の金属的特性から、半導体的特性に変化させることができる。例えば、動作温度を低くしてフェルミ準位近傍の電荷エネルギー分が小さくなる状態とし、また、ソース・ドレイン間の電圧を下げ、また、ゲート電圧を下げてチャネル（カーボンナノチューブ）に誘起される電荷を減少させるなどのことにより、エネルギーバリアーを超えることができる電荷を減少させればよい。これらのことにより、金属的特性から半導体的特性、半導体的特性からより顕著な半導体的特性へと、カーボンナノチューブを制御することが可能である。
【００１９】
また、光子の照射線量を変えてバリアーのエネルギーの大きさを制御することを組み合わせることによっても、金属的特性から半導体的特性への制御が可能である。例えば、照射量を増加させることで、もとの導電形の状態でより広いバンドギャップを備えた状態に変化させることができる。また、これらの光子照射によるバンドギャップの制御は、単層のカーボンナノチューブに限らず、多層のカーボンナノチューブに対しても適用可能である。
【００２０】
次に、本発明の実施の形態におけるトランジスタの製造方法例についてより詳細に説明する。まず、図２（ａ）及び図２（ａ’）に示すように、表面に膜厚が１００〜５００ｎｍの酸化膜（ＳｉＯ2）２０２が形成されたシリコン基板２０１を用意する。シリコン基板２０１は、バックゲートとしての役割も持つ。なお、酸化膜２０２の膜厚は、ゲート電圧による電界効果がカーボンナノチューブに対して及ぶ厚さであればよい。ついで、酸化膜２０２の上に蒸着により触媒金属の層が形成された状態とする。触媒金属は、Ｆｅ、Ｃｏなどのカーボンナノチューブの成長触媒として働く金属を用いる。また、蒸着は、電子ビーム蒸着などの極薄膜を均一に蒸着できる方法を用いればよい。触媒金属の層は、例えば、Ｃｏから構成され、平均膜厚０．０１ｎｍ程度に形成されていればよい。
【００２１】
次に、ＣＶＤ法により、酸化膜２０２の上にカーボンナノチューブ２０３が形成された状態とする。カーボンナノチューブ２０３は、１本ずつ孤立に分離して存在する程度の密度で形成された状態とする。カーボンナノチューブが形成される密度は、触媒金属層の膜厚や、反応温度などのＣＶＤ法の条件により制御可能である。ＣＶＤ法によるカーボンナノチューブ２０３の形成について説明すると、まず、ＣＶＤ装置のチャンバー内をアルゴンガスなどの不活性ガスで圧力６６ｋＰａ程度に保ち、基板を９００℃まで昇温する。ついで、メタン，エタノールなどの炭素含有ガスからなる原料ガスを上記チャンバー内に５〜１０分間程度流し、原料ガスが基板上に供給された状態とする。このとき、原料ガスの注入と同時にポンプで吸引することで、チャンバー内の圧力が６６ｋＰａに保持された状態とする。この原料ガスの供給を行った後、基板温度を室温まで冷却し、チャンバー内より基板を搬出する。
【００２２】
次に、形成したカーボンナノチューブ２０３に接続する電極が形成された状態とする。まず、フォトリソグラフィー用のレジストをシリコン基板２０１（酸化膜２０２）の上にスピンコートし、露光装置により所定の光像を露光し、この後、現像することで、図２（ｂ）及び図２（ｂ’）に示すように、幅１〜５μｍ程度の溝を備えたパターン２０４が酸化膜２０２の上に形成された状態とする。パターン２０４に形成されている２つの溝の間に、カーボンナノチューブ２０３が配置された状態とする。
【００２３】
次に、形成されたパターン２０４の上からチタンを蒸着し、さらにこの上から金を蒸着し、この後パターン２０４を除去することで、図２（ｃ）及び図２（ｃ’）に示すように、チタン層２０５と金層２０６とからなるソース電極２０７及びドレイン電極２０８が形成された状態とする。この結果、カーボンナノチューブ２０３の両端部に、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８が接続し、カーボンナノチューブ２０３の下方に、ゲート絶縁層となる酸化膜２０２を介してゲート電極となるシリコン基板２０１が配置された状態が得られる。これは、バックゲート構造となる。
【００２４】
次に、室温から低温（４０Ｋ以下）の範囲で、カーボンナノチューブ２０３の導電特性を測定する。例えば、シリコン基板２０１の上に図２（ｃ）に示す構成とした複数の素子が形成されている場合、半導体的特性を示すカーボンナノチューブ及び金属的特性を示すカーボンナノチューブが観測されるが、これらの中より、金属的特性を示すもので、半導体的に変えたい部分を特定する。例えば、基板にあらかじめマーキングしておき、位置を把握できるようにするなどの工夫をし、探す際にカーボンナノチューブに光子が照射されないようにする。
【００２５】
ついで、基板をシンクロトロン放射光照射装置などの光子照射可能な装置にセットし、マスクなどを使用して所望のカーボンナノチューブに真空中（減圧排気中）で光子を照射し、当該カーボンナノチューブに欠陥損傷を与え、エネルギーバリアーが形成された状態とする。このことにより、金属的特性を示すカーボンナノチューブが、半導体的特性を示すようになる。この照射における放射光のエネルギーは、例えば、炭素炭素（カーボンナノチューブを構成する炭素）の１ｓ電子の吸収端エネルギー値に相当する状態となっていれば、照射した光がカーボンナノチューブに効率よく吸収されるようになり、効率よく欠陥が形成された状態が得られる。これは、一般に、内殻電子の吸収端閾値で吸収係数が増大し、欠陥生成確率も増大するものと考えられるためである。炭素の１ｓ電子の吸収端エネルギー値は、２８５ｅＶ程度であるが、カーボンナノチューブの状態により吸収端エネルギー値にバラツキがあり、２８５±１ｅＶの範囲であれば十分な効果が得られる。
【００２６】
また、一般に、照射する光のエネルギーが低いほど（波長が長いほど）、価電子の励起確率が増大するため、照射する光は、高々１００ｅＶ、例えば数十ｅＶとすることにより、より効率よくカーボンナノチューブに欠陥を発生させることができる。例えば、光源としてリング型の高エネルギー加速器を用いる場合、リング型の高エネルギー加速器より放射されるシンクロトロン放射光より、回折格子などを利用し、２０ｅＶ程度の光を取り出して用いればよい。２０ｅＶ程度のエネルギーの光は、真空紫外領域の光であり、重水素ランプや希ガスエキシマランプなどの光源からも得ることができる。
【００２７】
また、照射線量は、例えば、２０ｅＶのエネルギーで１×１０18ｃｍ-2程度とすればよい。照射線量の決定については、光子照射に対する感度が、カーボンナノチューブの質にもよる点を考慮する。例えば、欠陥が多いなどの質の低いカーボンナノチューブの方が、欠陥の少ない質の高いカーボンナノチューブよりも、光子照射に対してより変化が大きいので、これらの点を考慮して光子量を決定・調節する。ところで、上述したリソグラフィー技術による電極の形成は、フォトリソグラフィー技術に限らず、電子線や短波長レーザなどを光源としたリソグラフィーを用いるようにしてもよく、電極の間隔や寸法などが異なっても同様に利用できる。また、電極材料も、チタン及び金に限らず、他の金属や合金などの導電性材料を用いるようにしてもよい。
【００２８】
なお、本発明は、図２に例示する構成に限らず、例えば、図３に示す構成とされた素子に対しても適用可能である。例えば、図３（ａ）に示すように、基板３０１の上に形成された２つの電極３０２と、これらの間に架設されたカーボンナノチューブ３０３とから構成された素子に対しても、前述同様に光子を照射することで、電気伝導特性が制御できる。また、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、３個以上の電極３１２とこれらに接続するカーボンナノチューブ３０３とから構成された素子に対しても、前述同様に光子を照射することで、カーボンナノチューブ３０３の電気伝導特性を制御できる。これらの構成とされたカーボンナノチューブ３０３の近傍にゲート電極を配置することで、カーボンナノチューブ３０３を用いたＦＥＴが得られる。これらの場合においても、ゲート電極の配置は、バックゲート構造に限らず、サイドあるいはトップゲート構造であってもよい。
【００２９】
また、カーボンナノチューブの形成も、上述したＣＶＤ法に限るものではなく、合成済みのカーボンナノチューブを基板の上に配置するようにしてもよい。例えば、分散液中にカーボンナノチューブを分散した後、基板上に展開して分散液を乾燥させるようにしてもよい。また、１本あるいは数本単位のカーボンナノチューブを、微小なプローブ等を使って、電極位置などの所望の位置に運ぶようにしてもよい。
【００３０】
次に、実際に作成した素子を測定した結果を以下に示す。前述したようにすることで、図２（ｃ）に示す構成としたカーボンナノチューブ素子を形成し、この素子における電流電圧特性を測定する。測定対象の素子は、形成直後のカーボンナノチューブ２０３が金属的な状態のものである。金属状態のカーボンナノチューブ２０３に対し、ゲート電圧を変化させていくと、図４（ｂ）に示すように、印加した電圧の範囲全域において、電流が流れる状態が観測される。
【００３１】
また、４０Ｋ以下とした極低温状態では、金属状態のカーボンナノチューブ２０３に対し、ゲート電圧変化させていくと、図４（ａ）に示すように、印加した電圧の範囲全域において、離散的に電流が流れる状態が観測される。これらの電流の流れる状態は、主に、動作温度と、２つの電極における接合障壁あるいはカーボンナノチューブ中の障壁とのバランスにより変化し、通常では、４０Ｋ程度の極低温になるほど、離散的な特性（クーロン振動）が顕在化する。なお、図４（ａ），図４（ｃ），及び図４（ｅ）は、離散的に電流が流れる場合を示し、図４（ｂ），図４（ｄ），及び図４（ｆ）は、連続的に電流が流れる場合を示している。
【００３２】
ついで、金属状態のカーボンナノチューブ２０３に対して、光子を照射した後、同様に、ゲート電圧を変化させ、ソース・ドレイン間に流れる電流を測定する。この状態では、光子を照射することで半導体状態となったため、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示すように、０Ｖ付近でソース・ドレイン間に電流が流れない領域（オフ領域）が観察される。このように、光子を照射することで、両極性伝導を示すトランジスタへと変化させることが可能となる。
【００３３】
また、上述した光子量の光子照射をした後、再度光子を照射すると、図４（ｅ）及び図４（ｆ）に示すように、ソース・ドレイン間に電流が流れない領域がより広くなる。この電流が流れないオフ領域の幅は、光子の照射によって生じるエネルギーバリアーの大きさを反映し、光子の照射量を増やすことで、オフ領域はより広がり、カーボンナノチューブの半導体性は増加する。このように、光子の照射量により、カーボンナノチューブの半導体的特性が制御できる。
【００３４】
また、初期状態で半導体的なカーボンナノチューブに対して光子を照射することで、当該カーボンナノチューブの半導体性を制御することも可能である。この際、初期状態の半導体的特性は、ｐ形，ｎ形，及び両極性のいずれでも適用可能である。
【００３５】
一般には、カーボンナノチューブを用いたＦＥＴでは、ｐ形の伝導形を示すものが多く、両極性伝導形を示すものは非常に希である。これに対し、前述したように、金属的カーボンナノチューブに対して光子を照射することで、ｐ形伝導形性とｎ形伝導形の両方の特性を持つ、両極性伝導形を作製することが可能となる。光子を照射するときに、照射線量と半導体性の変化の関係について、検量線のような方法によりあらかじめ把握しておくことで、所望の変化量に対応する照射線量を照射すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態におけるトランジスタの製造方法例について説明するための工程図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるトランジスタの製造方法例について説明する工程図である。
【図３】本発明の実施の形態における製造方法が適用可能な構成例を示す構成図である。
【図４】カーボンナノチューブを用いた素子の特性について説明する説明図である。
【図５】グラフェンシートを筒状に巻かれた状態とするときの重ね合わせを説明するための説明図である。
【図６】半導体的なカーボンナノチューブを得る従来技術を説明するための平面図である。
【図７】半導体的なカーボンナノチューブを得る従来技術を説明するための斜視図である
【符号の説明】
【００３７】
１０１…基板、１０２…金属電極、１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ…金属的なカーボンナノチューブ、１０４…半導体的なカーボンナノチューブ、１１３ａ，１１３ｂ…半導体的なカーボンナノチューブ、２０１…シリコン基板、２０２…酸化膜（ＳｉＯ2）、２０３…カーボンナノチューブ、２０４…パターン、２０５…チタン層、２０６…金層、２０７…ソース電極、２０８…ドレイン電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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