(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、
溝が形成された絶縁体と、
前記絶縁体上の前記溝の両側に設けられた絶縁体上電極と、
前記電気光学結晶と前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極とを含むものであり且つ前記溝に挿入されている電気光学結晶部品と
を有することを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
前記絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極に渡された導電性材料
を有することを特徴とする請求項１記載の電気光学素子。
【請求項３】
前記電気光学結晶上電極と前記絶縁体の隙間に挿入されたバネまたは楔を有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学素子。
【請求項４】
６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に対し前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、
絶縁体上に絶縁体上電極を形成する工程と、
前記絶縁体上電極を分割するとともに分割の箇所の前記絶縁体に溝を形成する工程と、
前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に電気光学結晶上電極を形成する工程と、
前記電気光学結晶と前記電気光学結晶上電極とを含む電気光学結晶部品を前記溝に挿入する工程と
を有することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極に導電性材料を渡す工程
を有することを特徴とする請求項４記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記電気光学結晶上電極と前記絶縁体の隙間にバネまたは楔を挿入する工程を有することを特徴とする請求項４または５記載の電気光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程または前記電気光学結晶上電極をメッキにより設ける工程であることを特徴とする請求項４ないし５のいずれかに記載の電気光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子およびこれを量産できる製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電界による電気光学結晶の光学的性質の変化をレーザ光で検出する電気光学素子を用いることで、微弱な電界の変化を測定することができる。例えば、生体等の表面を伝送経路とする電界通信において、電気光学素子を用いて情報を伝達する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
電界光学素子は、ミリメートルオーダーのサイズで比較的大きなものであることから、手作業によって、直方体の電気光学結晶からリッジを削りだし、この電気光学素子を製造していた。
【０００４】
しかしながら、手作業によって加工した場合には、大量に生産することが困難であるという問題がある。また、加工しようとする電気光学結晶はミリメートルオーダーのサイズで、従来の半導体素子に比べて、パターンが大きいことから、ドライエッチングなどの高価な微細加工技術を用いることなく、低コストで加工することが望ましい。
【０００５】
これらの改善を目的として、作製の再現性、効率化を図るために、ダイシング、劈開技術を用いた手法により、図１５に示すようなリッジ２０を薄型にした小型の電気光学素子の量産が可能となった（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−２７７７１９号公報
【特許文献２】特開２００７−１８３５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ダイシング、劈開技術を用いて、性能を維持して小型の電気光学素子を効率的に作製しても、台座部分が電気光学結晶で作られており、リッジの部分も電気光学結晶を削り出して製造するため、高価な電気光学結晶を効率的に使用しておらず、コストという観点からは、安価に製造できる見通しが十分ではなかった。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、電気光学結晶の体積が少ない電気光学素子およびこれを量産できる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、請求項１の本発明は、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、溝が形成された絶縁体と、前記絶縁体上の前記溝の両側に設けられた絶縁体上電極と、前記電気光学結晶と前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極とを含むものであり且つ前記溝に挿入されている電気光学結晶部品とを有することを特徴とする電気光学素子をもって解決手段とする。
【０００９】
請求項２の本発明は、前記絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極に渡された導電性材料を有することを特徴とする請求項１記載の電気光学素子をもって解決手段とする。
【００１０】
請求項３の本発明は、前記電気光学結晶上電極と前記絶縁体の隙間に挿入されたバネまたは楔を有することを特徴とする請求項１または２記載の電気光学素子をもって解決手段とする。
【００１１】
請求項４の本発明は、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に対し前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、絶縁体上に絶縁体上電極を形成する工程と、前記絶縁体上電極を分割するとともに分割の箇所の前記絶縁体に溝を形成する工程と、前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記電気光学結晶と前記電気光学結晶上電極とを含む電気光学結晶部品を前記溝に挿入する工程とを有することを特徴とする電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【００１２】
請求項５の本発明は、前記絶縁体上電極と前記電気光学結晶上電極に導電性材料を渡す工程を有することを特徴とする請求項４記載の電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【００１３】
請求項６の本発明は、前記電気光学結晶上電極と前記絶縁体の隙間にバネまたは楔を挿入する工程を有することを特徴とする請求項４または５記載の電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【００１４】
請求項７の本発明は、前記電気光学結晶上電極を設ける工程は、前記電気光学結晶を回転させながら前記電気光学結晶上電極を蒸着により設ける工程または前記電気光学結晶上電極をメッキにより設ける工程であることを特徴とする請求項４ないし５のいずれかに記載の電気光学素子の製造方法をもって解決手段とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電気光学素子によれば、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子であって、溝が形成された絶縁体と、前記絶縁体上の前記溝の両側に設けられた絶縁体上電極と、前記電気光学結晶と前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に形成された電気光学結晶上電極とを含むものであり且つ前記溝に挿入されている電気光学結晶部品とを有することで、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、必要な電気光学結晶の体積を少なくでき、電気光学結晶を効率的に使用できる。
【００１６】
本発明の電気光学素子の製造方法によれば、６面体の電気光学結晶の長手方向に沿って設けた電極間に電圧を印加して当該電気光学結晶内に電界を生じさせ、前記電気光学結晶内に対し前記長手方向に進むレーザ光を通過させ、前記電気光学結晶を出射したレーザ光により、前記電圧の変化に応じた前記電界の変化を検出するようにした電気光学素子の製造方法であって、絶縁体上に絶縁体上電極を形成する工程と、前記絶縁体上電極を分割するとともに分割の箇所の前記絶縁体に溝を形成する工程と、前記電気光学結晶の１つの面および該１つの面の反対側にある前記電気光学結晶の面に電気光学結晶上電極を形成する工程と、前記電気光学結晶と前記電気光学結晶上電極とを含む電気光学結晶部品を前記溝に挿入する工程とを有することで、電気光学素子を量産でき、量産効果によるコスト低減を期待することができる。
また、電気光学結晶としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、必要な電気光学結晶の体積を少なくでき、電気光学結晶を効率的に使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の電気光学素子およびその製造方法の実施形態を図面を参照して説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。
【００１９】
電気光学素子は、溝１が形成された絶縁体３と、絶縁体３上の溝１の両側に設けられた絶縁体上電極５，５と、電気光学結晶７とこの電気光学結晶７の表裏の両面に形成された電気光学結晶上電極８，８とを含むものであり且つ溝１に挿入されている電気光学結晶部品９とを有する。溝１の両側のそれぞれのおいて、そこに位置する絶縁体上電極５および電気光学結晶上電極８の間を渡すように銀ペーストなどの導電性材料１５が加えられ、これにより、電極間の導通が図られている。また、接着剤１６により電気光学結晶部品９が絶縁体３に固定されている。
【００２０】
例えば、絶縁体３の幅は、例えば、１．５ｍｍである。例えば、電気光学結晶７の幅、高さ、長さはそれぞれ０．２ｍｍ、１．０ｍｍ、７．０ｍｍである。
【００２１】
この電気光学素子では、検出対象の電界変化が生じる場所を挟む一方の場所に一方の絶縁体上電極５および電気光学結晶上電極８が電気的に接続され、他方の場所に他方の絶縁体上電極５および電気光学結晶上電極８が電気的に接続され、これにより、電気光学結晶上電極８，８間に電圧が印加される。すると、電気光学結晶７内の電界強度が電界変化に応じて変化し、電気光学結晶７の光学的特性が変化する。こうした電気光学結晶７の長手方向に垂直な一方の端面から、しかも電界の方向に垂直に入射したレーザ光２１は、光学的特性の変化により変調され、他方の端面から出射する。この変調されたレーザ光を処理することにより、上記の検出対象の電界変化が検出される。
【００２２】
次に、本発明の一実施形態に係る電気光学素子の製造方法を説明する。
【００２３】
この製造方法は、絶縁体３上に絶縁体上電極５を形成する第１工程と、絶縁体上電極５を分割するとともに分割の箇所の絶縁体３に溝１を形成する第２工程と、電気光学結晶７の表裏の両面に電気光学結晶上電極８，８を形成する第３工程と、電気光学結晶７とこの電気光学結晶上電極８，８とを含む電気光学結晶部品９を溝１に挿入する第４工程とを有する。
【００２４】
第１工程、第２工程では、図２に示すような矩形平板状の絶縁体３を処理加工していく。
【００２５】
図３（ａ）は、図２の符号１１の部分を示す図であり、図３（ｂ）〜（ｄ）、図４（ａ）、（ｂ）は、その部分の製造過程での変化を示す図である。これら図を参照して行う説明に係る処理加工は、この部分だけでなく、他の部分にも適用される。
【００２６】
第１工程では、まず、図３（ｂ）に示すように、絶縁体３の上において全体的に、金属の電極材料による絶縁体上電極５を形成する。ここでは、スパッタリングで、例えば、ＣｒとＡｕやＣｒとＡｌを蒸着させる。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁体上電極５の上に全体的にレジスト６を塗布する。こうして、絶縁体上電極５を保護するのである。
【００２８】
続く、第２工程では、図３（ｄ）に示すように、例えば、０．２２ｍｍ幅のダイシングブレード１３を移動させ、かかるダイシングにより、図４（ａ）に示すように、レジスト６の上から絶縁体上電極５を分割するとともに、絶縁体３に溝１を形成する。図示しないものも含め、こうして形成される複数の溝１は平行であり、ピッチは例えば１．５ｍｍである。
【００２９】
なお、ダイシングに代えて、ワイヤーカット、レーザカット、マイクロドリルを用いてもよい。
【００３０】
次に、図５に示すような分割により、処理加工後の絶縁体３を複数得る。例えば、この絶縁体３の幅、高さ、長さは、それぞれ１．５ｍｍ、１．５ｍｍ、７．０ｍｍである。
【００３１】
次に、得られたもののそれぞれを洗浄することにより、図４（ｂ）に示すようにレジスト６を除去する。
【００３２】
第３工程では、まず、例えば、図６（ａ）に示すように、Ａｕの蒸着源１７と、Ｃｕの蒸着源１８とを用いたスパッタリングにより、ＺｎＴｅまたは閃亜鉛鋼型を有する化合物半導体結晶（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＣｄＴｅなど）またはシレナイト化合物（Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０など）を材料とした平板状の電気光学結晶７の表面全体に金属の電極材料を蒸着させる。蒸着されたものがすなわち電気光学結晶上電極８である。
【００３３】
このとき、電気光学結晶７を回転させることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。また、低温で蒸着することで一層と効果が増す。
【００３４】
あるいは、図６（ｂ）に示すように、平板状の電気光学結晶７を電解液１９に浸す無電解メッキにより、電気光学結晶７の表面全体に金属の電極材料を付着させる。付着されたものがすなわち電気光学結晶上電極８である。メッキでは、応力が発生しにくいので、反りや割れを発生しにくくできる。
【００３５】
次に、電気光学結晶７に電気光学結晶上電極８を形成したものを矩形にカットする。これがさらに分割されて、電気光学結晶部品９が得られるのである。
【００３６】
ここでは、まず、図７に示すように、その分割前の電気光学結晶部品９における表裏の一方の面をスクライブ用のヘッドＨでスクライブする。ここでは、同図に示すように、一方の１００面である端面９１に接する複数箇所のそれぞれから端面９１に垂直に少しだけスクライブする。スクライブのピッチは電気光学結晶部品９の長さと同じなので、それは例えば、７．０ｍｍである。また、端面９１に対向する端面（１００面）に接する複数の箇所からも同様にスクライブを行う。
【００３７】
次に、表裏のスクライブしていない面から劈開バー２２により衝撃を与え、これにより、電気光学結晶部品９をスクライブの位置で劈開する。端面９１とこの端面９１に対向する端面以外の面は１１０面なので、この劈開は容易に行える。電気光学結晶部品９はさらに分割する必要があり、この状態でもまだ途中である。
【００３８】
次に、図８に示すように、この状態の電気光学結晶部品９の表裏でない端面のうちの互いに対向する端面（ここでは、劈開により現れた端面とこの端面に対向する端面）に反射防止のためのコート（Anti-Reflection Coatといい、以下、略して「ＡＲコート」という）を施す。ＡＲコートを施した端面の一方は、レーザ光の入射面となり、他方はそのレーザ光の出射面となるものである。
【００３９】
次に、図９に示すように、ＡＲコートを施した端面に垂直に電気光学結晶部品９をダイシングして分割し、または劈開して分割し、図１０（ａ）に示すような、処理加工後の電気光学結晶部品９を複数得る。
【００４０】
なお、ＡＲコートは、途中の電気光学結晶部品９にでなく、この最終的な電気光学結晶部品９に施してもよい。
【００４１】
続く、第４工程では、まず、図１０（ｂ）に示すように、電気光学結晶部品９を、処理加工後の絶縁体３の溝１に挿入する。ここでは、一方の電気光学結晶上電極８を一方の絶縁体上電極５側にし、他方の電気光学結晶上電極８を他方の絶縁体上電極５側にする。
【００４２】
こうして溝１に電気光学結晶部品９を挿入したら、図１０（ｃ）に示すように、導電性材料１５を加え、これにより、電極間の導通を図る。また、接着剤１６を加え、これを紫外線で凝固させ、電気光学結晶部品９を固定する。
【００４３】
なお、図１１（ａ）に示すように、電気光学結晶上電極８と絶縁体３に隙間があっても、その隙間に弦巻バネ３１を挿入することで、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００４４】
また、図１１（ｂ）に示すように、板バネ３２を有する金属やプラスチックの部品３３を作成し、図１１（ｃ）に示すように、その部品の板バネ３２を隙間に挿入することによっても、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００４５】
また、図１２に示すように、楔３５を隙間に挿入することによっても、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００４６】
また、絶縁体３上に絶縁体上電極５を形成するのでなく、図１３に示すように、絶縁体上電極５，５を作製し、それらを絶縁体３に組み合せてもよい。このとき、絶縁体上電極５，５の一部を板バネ３６，３６とし、それらを溝１に挿入し、絶縁体上電極５，５の一部であるツメ３７，３７で絶縁体上電極５，５を絶縁体３に固定する。そして、溝１に電気光学結晶部品９を溝に挿入する。
【００４７】
これにより、板バネ３６，３６が電気光学結晶上電極８，８と絶縁体３の隙間に挿入され、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００４８】
また、電気光学結晶部品９をカバー３８で覆ってもよい。このとき、カバー３８に板バネ３９，３９を設け、それらで電気光学結晶部品９の上部を固定し、カバー３８に設けたツメ４０，４０でカバー３８を絶縁体３に固定する。
【００４９】
こうして電気光学結晶部品９の上部を固定することで、電気光学結晶部品９を一層強固に固定することができる。
【００５０】
次に、この電気光学素子の利用例を図１４の模式図を用いて説明する。電界検出光学装置１１０は、レーザー光と電気光学素子１００を用いた電気光学的手法により電界を検出するものであり、レーザダイオード１２１、フォトダイオード１４３ａ、１４３ｂおよび電気光学素子１００を有する。電気光学素子１００の電極３０ａ、３０ｂはそれぞれ、上記の説明における電気光学結晶７を挟む一方の電極、他方の電極であり、信号電極１２９、グランド電極１３１にそれぞれ接続されている。また、電気光学素子１００の両端には、第一波長板１３５と第二波長板１３７が接続されている。電気光学素子１００とレーザダイオード１２１の間には、コリメートレンズ１３３を有し、電気光学素子１００とフォトダイオード１４３ａ、１４３ｂの間には、偏光ビームスプリッタ１３９、集光レンズ１４１ａ、１４１ｂを有する。
【００５１】
レーザダイオード１２１から出力されるレーザー光は、コリメートレンズ１３３、第一波長板１３５を介して電気光学素子１００の電気光学結晶に入射する。入射したレーザー光は、信号電極１２９からの電界によって変調し、放射される。
【００５２】
電気光学素子１００から放射されたレーザー光は、第二波長板１３７を介し、偏光ビームスプリッタ１３９によってＰ波成分およびＳ波成分に分離され、集光レンズ１４１ａ、１４１ｂで集光されてから、フォトダイオード１４３ａ、１４３ｂにおいて電気信号に変換される。
【００５３】
したがって、本実施形態に係る電気光学素子によれば、溝１が形成された絶縁体３と、絶縁体３上の溝１の両側に設けられた絶縁体上電極５，５と、電気光学結晶７と電気光学結晶７の表裏の両面に形成された電気光学結晶上電極８，８とを含むものであり且つ溝１に挿入されている電気光学結晶部品９とを有することで、電気光学結晶７としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、必要な電気光学結晶７の体積を少なくでき、電気光学結晶７を効率的に使用できる。
【００５４】
また、絶縁体上電極５と電気光学結晶上電極８に渡された導電性材料１５を有することで、これらの電極間の抵抗を小さくなり、正確な検出が行える。
【００５５】
また、電気光学結晶上電極８と絶縁体３の隙間に挿入されたバネ（３１，３２）または楔３５を有することで、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００５６】
また、本実施形態に係る電気光学素子の製造方法によれば、絶縁体３上に絶縁体上電極５を形成する工程と、絶縁体上電極５を分割するとともに分割の箇所の絶縁体３に溝１を形成する工程と、電気光学結晶７の表裏の両面に電気光学結晶上電極８，８を形成する工程と、電気光学結晶７と電気光学結晶上電極８，８とを含む電気光学結晶部品９を溝１に挿入する工程とを有することで、電気光学素子を量産でき、量産効果によるコスト低減を期待することができる。
【００５７】
また、電気光学結晶７としては、従来の電気光学素子におけるリッジの部分の体積ほどしか必要でなく、よって、必要な電気光学結晶７の体積を少なくでき、電気光学結晶７を効率的に使用できる。
【００５８】
また、絶縁体上電極５と電気光学結晶上電極８に導電性材料１５を渡す工程を有することで、これらの電極間の抵抗を小さくなり、正確な検出が行える。
【００５９】
また、電気光学結晶上電極８と絶縁体３の隙間にバネ（３１，３２）または楔３５を挿入する工程を有することで、電気光学結晶部品９を固定することができる。
【００６０】
また、電気光学結晶上電極８を設ける工程は、電気光学結晶７を回転させながら電気光学結晶上電極８を蒸着により設ける工程または電気光学結晶上電極８をメッキにより設ける工程であることで、応力を均一にでき、これにより、反りや割れを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気光学素子の斜視図である。
【図２】電気光学素子で使用される絶縁体の斜視図である。
【図３】絶縁体の加工処理の過程の一部での１部分の変化の様子を示す正面図である。
【図４】絶縁体の加工処理の残りの過程での１部分の変化の様子を示す正面図である。
【図５】分割により処理加工後の絶縁体を複数得るときの様子を示す斜視図である。
【図６】電気光学結晶に電気光学結晶上電極を形成する様子を示す斜視図である。
【図７】分割前の電気光学結晶部品が分割される様子を示す斜視図である。
【図８】電気光学結晶部品にＡＲコートを施す様子を示す斜視図である。
【図９】ダイシングされた電気光学結晶部品の斜視図である。
【図１０】絶縁体の溝に電気光学結晶部品を挿入する様子などを示す斜視図である。
【図１１】電気光学結晶上電極と絶縁体３の隙間にバネが挿入された様子を示す正面図である。
【図１２】電気光学結晶上電極と絶縁体３の隙間に楔が挿入された様子を示す正面図である。
【図１３】絶縁体上電極を絶縁体に組み合わせた一例の様子を示す正面図である。
【図１４】電気光学素子の利用例を示す模式図である。
【図１５】従来の電気光学素子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…溝
３…絶縁体
５…絶縁体上電極
６…レジスト
７…電気光学結晶
８…電気光学結晶上電極
９…電気光学結晶部品
１６…導電性材料
１６…接着剤
１７、１８…蒸着源
１８…蒸着源
１９…電解液
２０…リッジ
２１…レーザ光
２２…劈開バー
３０ａ、３０ｂ…電極
３１…弦巻バネ
３２、３６、３９…板バネ
３５…楔
３８…カバー
９１…電気光学結晶の１００面
１００…電気光学素子
１１０…電界検出光学装置
１２１…レーザダイオード
１２９…信号電極
１３１…グランド電極
１３３…コリメートレンズ
１３５…第一波長板
１３７…第二波長板
１３９…偏光ビームスプリッタ
１４１ａ…集光レンズ
１４３ａ…フォトダイオード
【図１】
0004729540.tif 000002
【図２】
0004729540.tif 000003
【図３】
0004729540.tif 000004
【図４】
0004729540.tif 000005
【図５】
0004729540.tif 000006
【図６】
0004729540.tif 000007
【図７】
0004729540.tif 000008
【図８】
0004729540.tif 000009
【図９】
0004729540.tif 000010
【図１０】
0004729540.tif 000011
【図１１】
0004729540.tif 000012
【図１２】
0004729540.tif 000013
【図１３】
0004729540.tif 000014
【図１４】
0004729540.tif 000015
【図１５】
0004729540.tif 000016