(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
（１）第１電極が形成された基板を準備し、前記基板の前記第１電極上に発光層を含む有機層、および第２電極を順に積層して積層膜を形成する工程と、
（２）前記積層膜全体を被覆する第１の封止膜を形成する工程と、
（３）前記第１の封止膜の表面上に、所定のパターンを有する第２の封止膜を形成する工程と、
（４）前記所定のパターンを有する第２の封止膜をマスクとしてドライエッチングを行うことで、前記第１の封止膜をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の封止膜と前記第２の封止膜とを異なる材料で形成し、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との封止膜材料の違いによるエッチング速度の差を利用して、前記第１の封止膜をパターニングすることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１の封止膜と前記第２の封止膜とを異なる膜厚に形成し、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との膜厚の差を利用して、前記第１の封止膜をパターニングすることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記工程（１）において、前記積層膜は発光部と端子電極部とを備えるように形成され、
前記工程（２）において、前記発光部と前記端子電極部とを備える前記積層膜全体を被覆するように前記第１の封止膜を形成し、
前記工程（３）において、前記端子電極部に対応する部分が開口部となる前記第２の封止膜を形成し、
前記工程（４）において、前記端子電極部上の前記第１の封止膜を除去することによって前記端子電極部を露出させる、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程（３）において、前記第１の封止膜の表面上にマスキングテープを貼り付けることでマスクパターンを形成し、前記マスクパターンが形成された前記第１の封止膜の表面上に前記第２の封止膜を形成し、次いで、前記マスキングテープをはがすことにより前記所定のパターンの開口部を有する第２の封止膜が形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１の封止膜が窒化珪素により形成され、前記第２の封止膜が酸化珪素により形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１の封止膜が多層膜であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程（４）において、前記ドライエッチングは、エッチングガスとしてＮＦ３を用いることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に陽極、有機層、および陰極を順に積層することにより形成される有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、適宜エレクトロルミネッセンスをＥＬと記載する）は、有機層や電極が大気中の酸素や水分等の作用により劣化するのを防止するために、通常、その表面上に封止膜が設けられている。
また、一方で、有機ＥＬ素子に直流電圧を供給するためには、有機ＥＬ素子の各電極の端子電極部を露出させて、外部駆動電源からの配線を接続できる状態にする必要がある。つまり、有機ＥＬ素子を構成する各層、例えば、封止膜をパターニングして端子電極部を露出させることが必要となる。
【０００３】
特許文献１には、透明基板上に、第１の電極、有機膜、第２の電極材料膜、および保護膜を順に形成した有機ＥＬ素子において、保護膜上に所望形状のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、保護膜、第２の電極材料膜および有機膜をパターニングする技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１１３９８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、特許文献１に記載の方法では、レジストの塗布、露光、現像、レジストの除去等を行う必要があるため、有機ＥＬ素子の製造工程が複雑になるという問題がある。また、保護膜上に設けられたレジストを所望形状にパターニングする際には現像液を使用するので、このウェットプロセスが有機膜にダメージを与える可能性がある。
【０００６】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、このようなウェットプロセスを用いることなく、封止膜をパターニングすることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意研究、開発を遂行した結果、上記課題を解決するためには、基板上に積層形成された、第１電極、発光層を含む有機層、および第２電極を被覆するように第１の封止膜を形成し、次いで所定のパターンを有する第２の封止膜を第１の封止膜の表面上に形成し、第２の封止膜をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、第１の封止膜をパターニングすることが有効であることに想到し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、以下の工程、
（１）第１電極が形成された基板を準備し、前記基板の前記第１電極上に発光層を含む有機層、および第２電極を順に積層して積層膜を形成する工程と、
（２）前記積層膜全体を被覆する第１の封止膜を形成する工程と、
（３）前記第１の封止膜の表面上に、所定のパターンを有する第２の封止膜を形成する工程と、
（４）前記所定のパターンを有する第２の封止膜をマスクとしてドライエッチングを行うことで、前記第１の封止膜をパターニングする工程と、
を含むものである。
【０００９】
第１の封止膜と第２の封止膜とを異なる材料で形成し、第１の封止膜と第２の封止膜との封止膜材料の違いによるエッチング速度の差を利用して、第１の封止膜をパターニングすることが好ましい。
第１の封止膜と第２の封止膜とを異なる膜厚に形成し、第１の封止膜と第２の封止膜との膜厚の差を利用して、第１の封止膜をパターニングすることが好ましい。
また、工程（１）において、積層膜は発光部と端子電極部とを備えるように形成され、工程（２）において、発光部と端子電極部とを備える積層膜全体を被覆するように第１の封止膜を形成し、工程（３）において、端子電極部に対応する部分が開口部となる第２の封止膜を形成し、工程（４）において、端子電極部上の第１の封止膜を除去することによって端子電極部を露出させる、としてもよい。
さらに、工程（３）において、第１の封止膜の表面上にマスキングテープを貼り付けることでマスクパターンを形成し、マスクパターンが形成された第１の封止膜の表面上に第２の封止膜を形成し、次いで、マスキングテープをはがすことにより所定のパターンの開口部を有する第２の封止膜が形成されることが好ましい。
第１の封止膜が窒化珪素により形成され、第２の封止膜が酸化珪素により形成されることが望ましい。
第１の封止膜が多層膜であるとしてもよい。
工程（４）において、ドライエッチングは、エッチングガスとしてＮＦ３を用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウェットプロセスを用いることなく、封止膜をパターニングすることができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明により製造される有機ＥＬ素子の一実施形態を示す部分断面模式図である。
図１（ｅ）において、有機ＥＬ素子１０は、基板１上に形成された第１電極２、第１電極２上に形成された発光層を含む有機層３、および有機層３上に形成された第２電極４を備えており、第１電極２、発光層を含む有機層３、および第２電極４の表面全体を被覆するように、第１の封止膜５が形成され、第１の封止膜の表面の所望の部分のみを被覆する第２の封止膜６が形成されている。
【００１２】
本実施の形態では、まず、工程（１）において、第１電極２が形成された基板１を準備し、この基板１の第１電極２上に発光層を含む有機層３、および第２電極４を順に積層して積層膜７を形成する。この実施の形態では、第１電極２が陽極を、第２電極４が陰極を構成している。また、この時、積層膜７は発光部８と端子電極部９とを備えるように形成される。ここで、「発光部８」とは有機ＥＬ素子１０の発光面を構成する部分であり、「端子電極部９」とは第１電極２及び第２電極４に直流電圧を供給するために外部電源からの配線を接続する部分である。
基板１は、有機ＥＬ素子１０を支えるための板状の部材である。光の取り出し方向が基板１側である場合は、例えば、ガラス基板やアクリル樹脂基板等の取り出す光に対して高い透過率を示す透明基板が用いられる。光の取り出し方向が基板１と反対側である場合は、上記の透明基板に加えて、シリコン基板、金属基板等の不透明基板を用いることができる。
第１電極２には、公知の電極材料が用いられ、光の取り出し方向が基板１側である場合は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明電極材料が用いられる。
第２電極４には、公知の電極材料が用いられ、光の取り出し方向が基板１側である場合は、金属や合金等を用いることができ、例えば、ＡｇやＡｌ等が用いられる。
なお、光の取り出し方向が基板１と反対側である場合は、逆に、第１電極２には金属や合金等が用いられ、第２電極４には上記のような透明電極材料が用いられる。
上記の第１電極２と第２電極４との間に設けられる発光層を含む有機層３は、例えば、発光層単層から構成される場合や、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、バッファー層等のうちの１層以上と発光層との組み合わせにより構成される場合等がある。また、発光層にはＡｌｑ３等の公知の発光材料が用いられ、赤色、緑色、青色、黄色等の単色光を示す構成のものや、それらの組み合わせによる発光色、例えば、白色発光を示す構成のもの等が用いられる。
【００１３】
このような積層膜７は、公知の適切な方法により形成されればよく、より具体的には、第１電極が形成された基板１上に、発光層を含む有機層３、第２電極４、およびその他の必要な層を、スパッタリング法、スピンコーティング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の方法により積層させることにより形成される。
【００１４】
工程（２）は、図１（ａ）に示すように、工程（１）において形成された積層膜７全体を被覆して、積層膜７が酸素、水分等と接触することを防ぐ第１の封止膜５を形成する工程である。
第１の封止膜５には、公知の封止膜材料が用いられ、例えば、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、炭化珪素等が挙げられ、好ましくは窒化珪素である。このような封止膜材料（原料）を用いて形成された第１の封止膜５は、積層膜７を酸素や水分等から保護し、有機ＥＬ素子１０の性能がこれらにより悪化することを防ぐことができる。
第１の封止膜５は、例えば、窒化珪素の単層膜であってもよく、窒化珪素および酸化珪素の二層膜であってもよく、あるいは、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、炭化珪素等を積層した多層膜であってもよい。
このような第１の封止膜５は、公知の薄膜形成方法によって形成され、例えば、ＣＶＤ法により、工程（１）で形成された積層膜７全体を被覆するように形成される。
【００１５】
工程（３）は、図１（ｂ）〜（ｄ）に示すように、工程（２）において形成された第１の封止膜５の表面上に、所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６を形成する工程である。
第２の封止膜６には、公知の封止膜材料が用いられ、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、炭化珪素等が挙げられ、好ましくは酸化珪素である。
この工程（３）における所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６の形成方法としては、例えば、図１（ｂ）に示すように、第１の封止膜５の表面上にマスキングテープを貼り付けることでマスクパターン１２を形成する。そして、図１（ｃ）に示すように、マスクパターン１２が形成された第１の封止膜５の表面上に第２の封止膜６を形成する。次いで、図１（ｄ）に示すように、マスキングテープをはがすことにより所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６を形成するという方法が挙げられる。具体的には、マスキングテープによりマスクパターン１２が形成された第１の封止膜５の表面上に、第２の封止膜６の形成材料であるポリシラザンを塗布し、その後、ポリシラザンを硬化させて酸化珪素膜とし、次いで、マスキングテープをはがす。これにより、マスクパターン１２が設けられていた部分、つまり、マスキングテープが貼り付けられていた部分が開口部１１となる第２の封止膜６が得られる。このような第２の封止膜６の形成は、印刷法によりなされてもよい。
上記のようにマスキングテープを使用する場合、第２の封止膜６が所定のパターンの開口部１１を有するように、マスキングテープは第１の封止膜５の表面上に貼り付けられる。第２の封止膜６に設けられる開口部１１は、後述する工程（４）において第１の封止膜５がドライエッチングにより除去されるべき部分に対応する。例えば、第１の封止膜５上に積層膜７の端子電極部９と対応するマスクパターン１２を形成し、このマスクパターン１２に従って第２の封止膜６を形成した場合は、積層膜７の端子電極部９と対応する部分が開口部１１となる第２の封止膜６が形成される。
【００１６】
工程（４）は、図１（ｅ）に示すように、所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６をマスクとしてドライエッチングを行い、第１の封止膜５をパターニングする工程である。この工程（４）では、第１の封止膜のうち、第２の封止膜６の開口部１１に対応する部分が除去される。ドライエッチングには、公知のエッチング方法が用いられ、例えば、反応性イオンエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエッチング、プラズマエッチング等が用いられる。好ましくは、反応性イオンエッチングが用いられる。反応性イオンエッチングは異方性エッチングであるため、サイドエッチングの影響を小さくすることができ、第２の封止膜に設けられた開口部１１に従って、第１の封止膜５を非常に精度良くパターニングをすることができる。
エッチングガスとしては、第１の封止膜５と反応するガスが用いられ、例えば、ＮＦ３、ＣＯＦ２、Ｃ３Ｆ８、ハロゲン化炭化水素等が使用される。
工程（４）におけるドライエッチングにより、工程（２）において形成された第１の封止膜５が、工程（３）において形成された第２の封止膜６のパターンに従ってドライエッチングされる。工程（３）において、第２の封止膜６の開口部１１と積層膜７の端子電極部９とが対応するように第２の封止膜６をパターニングした場合は、工程（４）において、第１の封止膜５のうち端子電極部９上の第１の封止膜５が部分的に除去されることとなり、端子電極部９が露出する。
【００１７】
一般に、同一のエッチングガスを用いて異なる材料をエッチングした場合は、材料によってエッチングされる速度が異なる。そこで、第１の封止膜５と第２の封止膜６とを異なる材料で形成し、封止膜材料の違いによるエッチング速度の差を利用して、第１の封止膜５をパターニングするとしてもよい。この方法では、第１の封止膜５と第２の封止膜６とが同一の膜厚を有する場合であっても、これらのエッチング速度の差を利用してパターニングすることが可能となる。
【００１８】
このような場合として、例えば、第１の封止膜５の材料が窒化珪素であり、第２の封止膜６の材料が酸化珪素である場合が挙げられる。
封止膜に用いられる材料としては、窒化珪素、酸化珪素、炭化珪素等が挙げられる。例えば、これら封止膜材料のＮＦ３ガスとの反応性、つまりエッチングされる速度は、
炭化珪素＞窒化珪素＞酸化珪素
の順に低下する。そのため、第１の封止膜５を窒化珪素で、第２の封止膜６を酸化珪素でそれぞれ形成して、エッチングガスとしてＮＦ３ガスを用いてドライエッチングを行えば、第２の封止膜６をマスクとして第１の封止膜５をエッチングできる。
また、酸化珪素と、ＮＦ３ガス等のフッ素系ガスとの反応性は、
ＳｉＯａ＞ＳｉＯｂ（ａ＜ｂ）
となる。そこで、第１の封止膜５の材料をＳｉＯａとし、第２の封止膜６の材料をＳｉＯｂ（ａ＜ｂ）として、エッチングガスとしてＮＦ３ガスを用いてドライエッチングを行ってもよい。
【００１９】
また、第１の封止膜５と第２の封止膜６とを異なる膜厚に形成すれば、第１の封止膜５と第２の封止膜６とが同一の材料により形成される場合であっても、これらの膜厚の差を利用して、第１の封止膜５をパターニングすることが可能となる。
【００２０】
第２の封止膜６をマスクとしたドライエッチングによる第１の封止膜５のパターニングには、上記の封止膜材料の違いによるエッチング速度の差を利用することと膜厚の差を利用することとを組み合わせても良い。また、ドライエッチング条件を調整することによっても、第１の封止膜５と第２の封止膜６とのエッチング速度を調節することができる。
【００２１】
上記のように、第１の封止膜５のうち、積層膜７の端子電極部９に対応する部分のみがドライエッチングにより完全に除去され、積層膜７の他の部分が第１の封止膜５と第２の封止膜６とにより完全に被覆された有機ＥＬ素子１０が製造される。
【００２２】
以上から、本実施の形態によれば、第１電極２、発光層を含む有機層３、および第２電極４からなる積層膜７全体を第１の封止膜５により一旦被覆した後、更に、マスキングテープを使用するなどして所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６を形成し、その後、第２の封止膜６をマスクとしてドライエッチングを行うため、製造される有機ＥＬ素子１０の所望部分を精度良く露出させることが可能である。この高い精度は、工程（３）における第２の封止膜６の所定のパターンの開口部１１を形成する精度、例えば、マスキングテープの配置のずれ（配置の誤差）等のみを考慮すればよいことに起因する。
【００２３】
このような方法により、第２の封止膜６をマスクとして利用しつつ、第１の封止膜５のパターニングが実施されることになり、結果として、封止膜を有する有機ＥＬ素子の生産工程を簡素化することが可能であり、より良い生産性が得られる。
【００２４】
また、本実施の形態では、所定のパターンの開口部１１を有するように形成された第２の封止膜６をマスクとしたドライエッチングを行っており、いわゆる「レジスト法」におけるようなウェットプロセスを経ないため、水分等による悪影響を被ることなく、有機ＥＬ素子１０を製造することができる。それゆえ、各種性能に優れた有機ＥＬ素子１０を製造することができる。
【００２５】
また、本実施の形態では、レジスト塗布、露光、現像、レジスト除去等の多数の工程が必要である「レジスト法」に比較して要する工程数も少なく、非常に簡潔な方法であると言える。工程数を減らせるということは、簡潔であるのみならず、パターニング精度の誤差を生じる機会も少ないことになる。
【００２６】
本実施の形態では、例えば、製造される有機ＥＬ素子１０の端子電極部９を精度良く露出させることができ、逆に、該有機ＥＬ素子１０の封止されるべき部分を、複数の封止膜によって均一に封止することができる。
【００２７】
また、本方法により、一枚の基板１上に、第１の封止膜５を備える複数の有機ＥＬ素子１０を形成した場合は、より多くの有機ＥＬ素子１０を形成することが可能となる。すなわち、基板として、第１電極が形成された一枚の大きな基板１（マザーガラス）を使用し、該マザーガラス上に、それぞれ独立した複数の積層膜７（各積層膜７は、それぞれ発光部８及び端子電極部９を備える）を形成する。次いで、複数の積層膜７全体を覆うように第１の封止膜５を形成する。その後、第１の封止膜５上に、マスキングテープにより、マスクパターン１２を形成する。そして、マスクパターン１２上に第２の封止膜６を形成し、マスクパターン１２を取り除くことで、所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６を得る。その後、所定のパターンの開口部１１を有する第２の封止膜６をマスクとしてドライエッチングを行い、開口部１１のパターンに従って第１の封止膜５をパターニングする。この時、第２の封止膜６に、各積層膜７の端子電極部９に対応する開口部１１を設けることで、該マザーガラス上に、各端子電極部９が完全に露出されており、それ以外の部分が第１の封止膜５及び第２の封止膜６で完全に覆われている複数の有機ＥＬ素子１０を形成することができる。ドライエッチングによるパターニングの精度は非常に高い。このため、本方法により、一枚の大きな基板１に複数の有機ＥＬ素子１０を形成する場合においては、端子電極部９を完全に露出させるために、公差や誤差等の累積を考慮してあらかじめ端子電極部９を大きく形成しておく必要がない。そのため、一つの有機ＥＬ素子の周りの無駄な部分を小さくすることができ、より多くの有機ＥＬ素子１０を形成することが可能となる。
【００２８】
以上から、本発明の方法は有利なことに、封止膜を有する有機ＥＬ素子の製造において、前記した先行技術の欠点を排除しつつ、該封止膜のパターニングを行うことを可能にする。
【００２９】
本発明の他の利点は、限定せずにその応用を示すために与えられる以下の実施例を読めば、当業者には更に明らかになるであろう。
事実、本発明者らは、各種性能に優れた有機ＥＬ素子を製造しており、これは以下の実施例に示される通りである。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明の実施例について記すが、本発明は以下の実施例に限定して解釈されるものでないことは当然である。
【００３１】
［実施例１］
有機ＥＬ素子１０を、以下のように製造した。
まず、陽極として膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ層（第１電極２）が一方の面上に形成されたガラス基板（基板１）を用意し、これを洗浄した。アルカリ洗浄および純水洗浄を順次行い、これらの洗浄後、乾燥および紫外線オゾン洗浄を順次行った。
【００３２】
これらの洗浄を行った基板１を真空蒸着装置内へと移し、第１電極２上に、発光層を含む有機層３、第２電極４を順に積層して積層膜７を形成した。この実施例１では、発光層を含む有機層３を、有機層３ａ、３ｂ、３ｃ、および３ｄから構成する。
基板１上に形成された第１電極２の表面上には、ホール注入層として、カーボンるつぼにより、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚１０ｎｍの銅フタロシアニンの有機層３ａを形成した。
【００３３】
該ホール注入層上に、ホール輸送層として、カーボンるつぼにより、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚５０ｎｍのトリフェニルアミン４量体の有機層３ｂを形成した。
【００３４】
該ホール輸送層上に、発光層として、カーボンるつぼにより、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚３０ｎｍのＤＰＶＢｉの有機層３ｃを形成した。  
【００３５】
該発光層上に、電子輸送層として、カーボンるつぼにより、蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚３０ｎｍのＡｌｑ３の有機層３ｄを形成した。
【００３６】
該電子輸送層上には、電子注入層として、カーボンるつぼにより、蒸着速度０．０３ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚０．５ｎｍのフッ化リチウムの無機層を形成した。
【００３７】
そして、該電子注入層上に、陰極として、タングステンボートにより、蒸着速度１ｎｍ／ｓ、真空度約５．０×１０−５Ｐａで、膜厚１５０ｎｍのアルミニウムの無機層（第２電極４）を形成した。
なお、このようにして積層膜７を形成する際に、有機ＥＬ素子１０の発光面を構成する発光部８と、第１電極２及び第２電極４に直流電圧を供給するために外部電源からの配線を接続する部分としての端子電極部９とを、メタルマスクを用いたパターニングにより形成する。
【００３８】
上記のように、第１電極２が形成された基板１上に、発光層を含む有機層３、第２電極４を順に積層して積層膜７を形成した後、積層膜７全体を覆うように、プラズマＣＶＤ装置により、第１の封止膜５としての窒化珪素膜を形成した。すなわち、積層膜７をプラズマＣＶＤ装置のＣＶＤチャンバー内に移し、圧力１×１０−３Ｐａまで排気し、ＳｉＨ４を１００ｍＬ、ＮＨ３を５０ｍＬ、およびＮ２を１０００ｍＬ流し、圧力を７５Ｐａに調整した。次に、ギャップ２０ｍｍの一対の電極に１３．５６ＭＨｚ、６００Ｗの高周波電力を供給し、ガス放電させることにより、厚さ１μｍの窒化珪素膜を堆積させた。
【００３９】
第１の封止膜５が設けられた有機ＥＬ素子１０を該ＣＶＤチャンバー内から取り出した後、有機ＥＬ素子１０の端子電極部９に対応する部分のみが覆われるように、マスキングテープを第１の封止膜５表面上に張り付け、マスクパターン１２を形成した。次いで、回転数５００ｒｐｍのスピナーを使用して、第１の封止膜５の表面全体に、濃度２０重量％のポリシラザン（ＮＬ−１２０：クラリアントジャパン社製）を塗布し、次いで、温度９０℃のホットプレートを使用して、該ポリシラザンを３０分間乾燥させ、膜厚０．５μｍの酸化珪素膜を形成した。
その後、該マスキングテープをはがして、端子電極部９に対応する開口部１１が設けられた第２の封止膜６を形成した。次いで、有機ＥＬ素子１０をドライエッチング用チャンバー内に移し、エッチングガスとしてＮＦ３を該チャンバー内へと導入してドライエッチングを行うことにより、第１の封止膜５のパターニングを行った。エッチング条件としては、ＮＦ３の流量４５０ｓｃｃｍ、チャンバー内の圧力８０Ｐａ、高周波電力８００Ｗとした。
ドライエッチング後、端子電極部９上の第１の封止膜５は完全に除去されていた。逆に、端子電極部９以外の全ての部分は、第１の封止膜５および第２の封止膜６により完全に被覆されていた。
このようにして、端子電極部９のみが完全に露出した有機ＥＬ素子１０を得た。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明により製造される有機ＥＬ素子の一実施形態を示す部分断面模式図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  基板、２  第１電極、３  発光層を含む有機層、４  第２電極、５  第１の封止膜、６  第２の封止膜、７  積層膜、８  発光部、９  端子電極部、１０  有機ＥＬ素子、１１  開口部、１２  マスクパターン。
【図１】
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