(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）側にアルミニウムを主成分とするパッド（１３）を有し、このパッド（１３）の表面に金を主成分とする第１のバンプ（３１）を備える基板（１０）と、一面（２１）側に金を主成分とする第２のバンプ（３２）を有する半導体素子（２０）とを用意し、
前記基板（１０）の一面（１１）上に、前記半導体素子（２０）の一面（２１）を対向させ前記第１のバンプ（３１）と前記第２のバンプ（３２）とを接触させた状態で、これら両バンプ（３１、３２）に超音波を印加して超音波接合を行う半導体素子の実装方法において、
前記基板（１０）は、前記第１のバンプ（３１）との間に補強層（２００）を有さない前記パッド（１３）の下地としてシリコン酸化膜系絶縁層（１２）を有するものであり、
前記第１のバンプ（３１）として、前記第２のバンプ（３２）の先端面（３２ａ）が接触する接触面（３１ａ）の面積が前記第２のパンプ（３２）の先端面（３２ａ）の面積よりも大きいものを用いて、前記両バンプ（３１、３２）の接触および超音波接合を行うことを特徴とする半導体素子の実装方法。
【請求項２】
前記第２のバンプ（３２）と接触する前に、前記第１のバンプ（３１）における前記接触面（３１ａ）を、塑性変形により平坦化することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の実装方法。
【請求項３】
前記第１のバンプ（３１）の前記接触面（３１ａ）の面積は、前記第２のパンプ（３２）の先端面（３２ａ）の面積よりも１．４倍以上大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を基板上に搭載し、これら両者を金を主成分とするバンプを介して超音波接合することによりフリップチップ実装を行う半導体素子の実装方法に関し、種々の電子装置やセンサを構成する半導体素子の実装に適用される。
【背景技術】
【０００２】
従来より、一面側にアルミニウムを主成分とするパッドを有し該パッドの表面に金を主成分とする第１のバンプを備える基板と、一面側に金を主成分とする第２のバンプを有する半導体素子とを用意し、基板の一面と半導体素子の一面とを対向させ、これら両バンプを接合した実装構造が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。そして、従来では、このような実装構造を形成するにあたって、両バンプを接触させた状態でこれらを超音波接合することが行われている。
【特許文献１】特開１１−８２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、従来の超音波接合による実装は、パッド下の基板部分に対して超音波によるエネルギーが印加されるため、振幅、荷重、発振時間、温度などの超音波接合条件を制御することにより、基板に対してダメージが無いような条件範囲を設定して接合を行っている。
【０００４】
しかしながら、基板が脆い場合には、上記ダメージの無いような条件範囲は狭くなり、それゆえ、当該条件範囲を広くできるような接合方法が要望されている。
【０００５】
特に、基板として、シリコンＩＣ基板のように、アルミニウムを主成分とするパッドの下地に層間絶縁膜などのシリコン酸化膜系絶縁層からなる脆い絶縁層を持つ半導体基板を用いた場合は、上記ダメージの無い条件範囲は極めて狭く、実用化は困難であった。
【０００６】
このような問題に対して、本発明者は、図８に示されるような基板１０を試作し、検討を行った。この基板１０は、シリコン半導体基板からなるＩＣ基板である。基板１０の内部には、シリコン酸化膜などからなる絶縁層１２が設けられ、その上にパッド１３が形成されている。
【０００７】
そして、パッド１３の上には、金を主成分とする第１のバンプ３１が、メッキやワイヤボンディング法などを用いて形成されている。ここで、パッド１３と第１のバンプ３１との間には、Ｎｉ−Ａｕメッキなどからなる補強層２００が介在設定されている。このような補強層２００を介在させることにより、超音波接合時の負荷を緩和して、パッド１３の下地、たとえば絶縁層１２などへのダメージを軽減することができる。
【０００８】
しかしながら、このような補強層２００を介在させるには、たとえば、そのための形成工程が必要であり、工程数の増加やコストアップの恐れなどがある。
【０００９】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子を基板上に搭載し、金を主成分とするバンプを介して超音波接合するようにした半導体素子の実装方法において、補強層を用いることなく超音波による基板のダメージを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、半導体素子から基板へ加わる負荷を緩和するには、広い面積で半導体素子側すなわち第２のバンプの負荷を受ければよいと考え、基板側の第１のバンプにおいて第２のバンプの先端面が接触する接触面の面積を、大きくすることに着目し、実験検討を行った。
【００１１】
本発明は、この実験検討の結果、実験的に見出されたものであり、基板（１０）を、第１のバンプ（３１）との間に補強層（２００）を有さないパッド（１３）の下地としてシリコン酸化膜系絶縁層（１２）を有するものとし、基板（１０）側の第１のバンプ（３１）として、半導体素子（２０）側の第２のバンプ（３２）の先端面（３２ａ）が接触する接触面（３１ａ）の面積が第２のパンプ（３２）の先端面（３２ａ）の面積よりも大きいものを用いて、両バンプ（３１、３２）の接触および超音波接合を行うことを第１の特徴とする。
【００１２】
それによれば、後述する図４に示されるように、第１のバンプ（３１）の接触面（３１ａ）の面積を、これに接触する第２のパンプ（３２）の先端面（３２ａ）の面積よりも大きいものとすることにより、補強層を用いることなく超音波による基板のダメージを抑制することができる。
【００１３】
また、本発明は、上記第１の特徴を有する実装方法において、第２のバンプ（３２）と接触する前に、第１のバンプ（３１）における接触面（３１ａ）を、塑性変形により平坦化することを、第２の特徴とする。
【００１４】
それによれば、第１のバンプ（３１）における接触面（３１ａ）が塑性変形により平坦化されているため、第１のバンプ（３１）は、接合時において、さらに変形しにくいものにできる。
【００１５】
また、本発明は、上記第１または第２の特徴を有する実装方法において、あらかじめ第１のバンプ（３１）と第２のバンプ（３２）との間に樹脂部材（４０）を介在させ、この樹脂部材（４０）を介して両バンプ（３１、３２）を接触させた状態とし、続いて、樹脂部材（４０）を軟化させるとともに、半導体素子（２０）を基板（１０）に押しつけて両バンプ（３１、３２）を直接接触させて超音波接合を行うことを、第３の特徴とする。
【００１６】
それによれば、後述する図７に示されるように、超音波接合条件を強くしても、基板（１０）にダメージを与えないようにできる。
【００１７】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体素子の実装構造の概略断面構成を示す図である。基板１０は、たとえば一般的なシリコンＩＣ基板であり、半導体プロセスによって図示しないトランジスタ素子などが形成されたものである。
【００２０】
基板１０の一面１１（図１中の上面）側の内部には、層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜系絶縁層１２が形成されている。この絶縁層１２は、シリコン酸化膜あるいはシリコン酸化物に他の元素が含有された膜からなるもので、たとえば、ＢＰＳＧなどから構成されている。
【００２１】
そして、絶縁層１２の上には、アルミニウムを主成分とするパッド１３が設けられている。このパッド１３は、アルミニウム単体もしくはアルミニウムを９０％以上含有するものである。たとえば、パッド１３としては、Ａｌまたは、Ａｌが９９％以上で残部がＳｉおよびＣｕからなるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕなどを採用することができる。
【００２２】
さらに、基板１０において、パッド１３の表面には、金を主成分とする第１のバンプ３１が設けられている。この第１のバンプ３１は、純金もしくは金を９９％以上含有するもので、一般的なワイヤボンディング法を用いたバンプ形成方法により形成されたものである。
【００２３】
また、基板１０の一面１１上においてパッド１３を除く領域は、シリコン窒化膜やポリイミドなどからなる保護膜１４が形成され、当該一面１１を被覆している。
【００２４】
半導体素子２０は、たとえば一般的なフリップチップやＩＣチップなどであり、この半導体素子２０の一面（図１中の下面）２１には、金を主成分とする第２のバンプ３２が設けられている。
【００２５】
この第２のバンプ３２も、第１のバンプ３１と同様に、純金もしくは金を９９％以上含有するもので、一般的なワイヤボンディング法を用いたバンプ形成方法により形成されたものである。
【００２６】
そして、これら基板１０および半導体素子２０は、互いの一面１１、２１を対向させた状態となっており、第１のバンプ３１と第２のバンプ３２とが超音波接合により、互いに金属接合されている。こうして、基板１０と半導体素子２０とは、バンプ３１、３２を介して機械的・電気的に接続されている。
【００２７】
次に、図１に示される実装構造を形成するための実装方法について、図２を参照して述べる。図２は、本実装方法を示す概略断面図であり、それぞれバンプ３１、３２を有する基板１０と半導体素子２０とを対向させた状態を示す概略断面図である。
【００２８】
ここで、図２では、超音波接合装置におけるステージ１００上にて、真空吸引などにより基板１０を支持し、ツール１１０にて真空吸引などにより半導体素子２０を支持している。
【００２９】
本実施形態の超音波接合装置は、通常のものと同様、基板１０および半導体素子２０を加熱するためにステージ１００およびツール１１０の温度を制御することが可能であり、また、ツール１１０は、図２中の矢印に示されるように、半導体素子２０に荷重を加えながら超音波を印加できるようになっている。
【００３０】
まず、基板１０の一面側に、フォトリソグラフ技術およびスパッタ法を用いてアルミニウムからなるパッド１３を形成する。このパッド１３の膜厚はたとえば０．７μｍ程度である。
【００３１】
次に、このパッド１３の表面上に、一般的な金ワイヤを用いたワイヤボンディング法により金からなる第１のバンプ３１を形成する。次に、本実施形態では、第１のバンプ３１の先端部を塑性変形させ平坦化させ、この平坦化された面３１ａを、半導体素子２０側の第２のバンプ３２の先端面３２ａが接触する接触面３１ａとする。
【００３２】
図３は、この塑性変形により平坦化された第１のバンプ３１の接触面３１ａの形成方法の一例を示す図である。
【００３３】
パッド１３の表面上に第１のバンプ３１を形成した後、この第１のバンプ３１の先端部に対して、シリコンやガラスなどからなるプレート１２０を介して上記ツール１１０にて、超音波は印加しない状態で荷重を加えることにより、当該先端部を塑性変形させ、平坦化する。なお、この塑性変形による平坦化処理を、以下、レベリング処理という。
【００３４】
一方、半導体素子２０の一面側にて、基板１０の第１のバンプ３１と対向する位置に、一般的な金ワイヤを用いたワイヤボンディング法により金からなる第２のバンプ３２を形成する。これらバンプ３１、３２は、一般的なものと同様に、先端部に向かって次第に細くなった円柱形状をなし、高さは、たとえば数十μｍ程度である。
【００３５】
ここで、本実施形態では、第１のバンプ３１として、第２のバンプ３２の先端面３２ａが接触する接触面３１ａの面積が、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとする。
【００３６】
このような接触面３１ａを有する第１のバンプ３１の形成は、バンプ形成用のワイヤの径や、上記レベリング処理を行うときの荷重すなわちツール１１０の加圧力を変えてやることにより、実現できる。
【００３７】
本例では、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積は、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも１．４倍以上大きくする。限定するものではないが、具体的には、第２のパンプ３２の先端面３２ａの径ｄ２（図２参照）を６０μｍとし、第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１（図２参照）を、７０μｍ以上とする。
【００３８】
こうして、基板１０および半導体素子２０にそれぞれ、バンプ３１、３２を形成した後、図２に示されるように、基板１０および半導体素子２０をそれぞれ、ステージ１００およびツール１１０に固定し、基板１０の一面１１上に、半導体素子２０の一面２１を対向させる。
【００３９】
そして、ツール１１０によって、半導体素子２０を基板１０に近づけ、第１のバンプ３１の接触面３１ａと第２のバンプ３２の先端面３２ａとを接触させた状態で、半導体素子２０の搭載を行う。
【００４０】
続いて、ステージ１００およびツール１１０によって、基板１０および半導体素子２０を加熱しながら、ツール１１０から半導体素子２０へ超音波を印加し、両バンプ３１、３２の超音波接合を行う。それにより、両バンプ３１、３２の先端部は、図２に示される状態よりも多少押しつぶされた形で金属接合し、上記図１に示されるような実装構造ができあがる。
【００４１】
次に、本実施形態において、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとした根拠について述べる。
【００４２】
本発明者は、サンプルとして、半導体素子２０において先端面３２ａの径ｄ２が６０μｍである第２のパンプ３２を形成し、これに対して、レベリング処理によって第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１を６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍと変えた基板１０を作製した。また、レベリング処理を行わずに第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１を６０μｍとした基板１０も作製した。
【００４３】
そして、各サンプルについて、超音波接合を行った。超音波接合条件は、振幅：２．８μｍ、発振時間：０．３秒、ピーク荷重：４Ｎ／４バンプ、ツールおよびステージ温度：１５０℃とした。
【００４４】
接合後、塩酸（約３５％、室温）に浸漬することにより、基板１０におけるパッド１３をエッチングし、下地の絶縁層１２を露出させ、顕微鏡観察が可能な状態とした。そして、各サンプルについて各パッド１３毎に、絶縁層１２のダメージを調査した。
【００４５】
なお、光学顕微鏡によって、絶縁層１２のクラックが観察されたり、絶縁層１２の歪みが干渉縞として観察される場合をダメージ発生とした。そして、調査した複数個のパッド１３のうち、ダメージが発生したパッド数の割合をダメージ発生率（％）とした。ダメージの調査結果を図４に示す。
【００４６】
図４は、第１のバンプ３１の径ｄ１とダメージ発生率との関係を示す図である。図４に示されるように、第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１を第２のバンプ３２の先端面３２ａの径ｄ２よりも大きくする、すなわち、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きくするにつれて、ダメージ発生率が低減する傾向が見られる。
【００４７】
この傾向は、基板１０側の第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、上記のように大きくすることにより、第２のバンプ３２から受ける接合時の荷重が広く分散するため、パッド１３の下へ加わる応力が緩和されることによると考えられる。このようなことから、ダメージ発生率の低減効果を発揮させるには、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとすればよいと考えた。
【００４８】
また、図４では、第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１を第２のバンプ３２の先端面３２ａの径ｄ２よりも１０μｍ大きくすると、ダメージ発生率をほぼ０にできている。このことは、本検討においては、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも、おおよそ１．４倍以上大きくすることに相当する。
【００４９】
つまり、本実施形態においては、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとする、好ましくは１．４倍以上大きくして、両バンプ３１、３２の接触および超音波接合を行うことにより、上述した補強層を用いることなく超音波による基板１０のダメージを抑制することができる。
【００５０】
そして、このことにより、本実施形態では、ダメージを防止できる超音波接合条件の範囲を、従来よりも広くすることができる。
【００５１】
また、図４に示されるように、レベリング処理を行った場合には、行わなかった場合に比べて、ダメージ発生率が大幅に低減されている。これは、第１のバンプ３１における接触面３１ａが塑性変形により平坦化されていることから、第１のバンプ３１は接合時にさらに変形しにくいものとなっていることによると考えられる。
【００５２】
接合の荷重により、第１のバンプ３１が変形すると、その変形によって基板１０に対して部分的な応力集中が発生し、それによって、基板１０にダメージが発生しやすくなると考えられるが、レベリング処理によって、そのような応力集中が発生する可能性を低くできる。
【００５３】
また、本実施形態では、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとすることで、第１のバンプ３１の接触面３１ａ外形を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの外形よりも大きいものにできる。そのため、両バンプ３１、３２の位置あわせが容易になり、互いのバンプ３１、３２の位置ずれを抑制できる。
【００５４】
この位置ずれ抑制の具体的効果について、図５を参照して示しておく。図５では、上記図４と同様のサンプルおよび超音波接合条件とした。そして、Ｘ線透視観察により、両バンプ３１、３２の位置ずれを調査した。
【００５５】
ここでは、両バンプ３１、３２のうち一方が他方からはみ出している量が４０μｍ以上のとき、位置ずれが発生しているとした。この図５に示されるように、本実施形態によれば、両バンプ３１、３２の位置ずれを抑制することができる。
【００５６】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る半導体素子の実装方法を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第１実施形態において、さらに樹脂部材４０を付加した形で超音波接合を行うものである。なお、図６では、ステージ１００およびツール１１０は省略してある。
【００５７】
本実施形態の実装方法においても、上記実施形態と同様に、基板１０に対して第１のバンプ３１を形成し、半導体素子２０に対して第２のバンプ３２を形成する。また、第１のバンプ３１の接触面３１ａの面積を、第２のパンプ３２の先端面３２ａの面積よりも大きいものとすることも同様である。
【００５８】
次に、本実施形態では、図６（ａ）に示されるように、あらかじめ第１のバンプ３１と第２のバンプ３２との間に、非導電性樹脂からなる樹脂部材４０を介在させ、この樹脂部材４０を介して第１のバンプ３１と第２のバンプ３２とを接触させた状態で、半導体素子２０の搭載を行う。
【００５９】
本例では、樹脂部材４０として、超音波接合時に軟化する非導電性樹脂層としてのＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いる。そして、この樹脂部材４０は、その密着性を利用して、第２のバンプ３２を覆うように、半導体素子２０の一面２１に圧着する。
【００６０】
続いて、上記ステージ１００およびツール１１０から、基板１０および半導体素子２０を介して、樹脂部材４０を加熱することにより樹脂部材４０を軟化させる。それとともに、ツール１１０によって、半導体素子２０を基板１０に押しつける。それによって、軟化した樹脂部材４０が押しのけられ、両バンプ３１、３２が直接接触する。
【００６１】
そして、この状態で、上記実施形態と同様、基板１０および半導体素子２０を加熱しながら半導体素子２０へ超音波を印加し、両バンプ３１、３２の超音波接合を行う。それにより、図６（ｂ）に示されるように、両バンプ３１、３２が金属接合された本実施形態の実装構造ができあがる。
【００６２】
次に、本実施形態において、樹脂部材４０を介在させて超音波接合するようにした根拠について述べる。
【００６３】
本発明者は、サンプルとして、半導体素子２０において先端面３２ａの径ｄ２が６０μｍである第２のパンプ３２を形成し、これに対して、レベリング処理によって第１のバンプ３１の接触面３１ａの径ｄ１を８０μｍとした基板１０を作製した。
【００６４】
そして、各サンプルについて、樹脂部材４０を介在させた場合と介在させない場合とで、超音波接合を行った。超音波接合条件は、振幅：２．５〜３．５μｍ、発振時間：０．２〜０．５秒、ピーク荷重：６Ｎ／４バンプ、ステージ温度：１５０℃、ツール温度：１３０℃とした。
【００６５】
接合後、発煙硝酸（約７０〜９０℃）に浸漬し、樹脂部材４０を溶解除去した後、塩酸（約３５％、室温）に浸漬することにより、基板１０におけるパッド１３をエッチングし、下地の絶縁層１２を露出させ、顕微鏡観察が可能な状態とした。
【００６６】
そして、各サンプルについて各パッド１３毎に、絶縁層１２のダメージを調査した。このダメージの尺度としては、上記同様にダメージ発生率（％）を用いた。このダメージの調査結果を図７に示す。
【００６７】
図７は、樹脂部材４０の有る場合と無い場合とについて、超音波接合条件によるダメージの発生状況を示す図である。超音波接合条件の強さは、振幅（μｍ）と発振時間（秒）により変化させた。これら振幅が大きいほど、また、発振時間が長いほど、条件は強くなり、ダメージが発生しやすくなる。
【００６８】
図７に示されるように、樹脂部材４０を介在させた場合の方が、介在させない場合よりも、強めの接合条件まで、基板１０のダメージ発生が防止されている。また、図７中、「樹脂部材無し」、「樹脂部材有り」として示される破線は、それぞれ、樹脂部材４０を介在させない場合、介在させた場合について、基板１０のダメージが発生しない接合条件のおおよその上限を示す。
【００６９】
このように、樹脂部材４０を介在させた場合の方が、超音波接合条件を強くしても、基板１０にダメージを与えないようにできるため、図７中の上記破線に示されるように、実施可能な超音波接合条件の範囲を、強めの方向へ広げることができる。
【００７０】
こうして、本実施形態では、樹脂部材４０を介在させる実装方法を採用することによって、さらに基板１０へのダメージ抑制を効果的に行える。これは、バンプ３１、３２から基板１０へ印加される超音波振動エネルギーが、樹脂部材４０によって緩和されるためと考えられる。
【００７１】
（他の実施形態）
なお、上述したように、バンプの超音波接合は、ツール１１０によって超音波を印加し両バンプ３１、３２を金属接合させるものであるが、可能ならば、上記実施形態において、両バンプ３１、３２の接合が完了した瞬間に、ツール１１０による超音波の印加を停止するか、もしくは、低減するようにしてもよい。
【００７２】
たとえば、半導体素子２０を固定しているツール１１０に掛かる負荷（力）をモニタし、この負荷が変化した瞬間に、超音波発振を停止、または、低減する。従来の超音波接合装置では、予め時間を設定しておくことで発振時間の制御を行っており、超音波接合が完了しても、超音波の発振を停止させることはできず、ダメージ発生の原因になっていた。そこで、超音波接合が完了した瞬間に、超音波発振を停止、または、低減させることにより、余分な超音波エネルギーが加わるのを防止でき、ダメージ発生を防止できる。
【００７３】
また、上記実施形態では、樹脂部材４０として、ＮＣＦなどのフィルム状のものを用いていたが、樹脂部材４０としては、ペーストを塗布することにより形成されたものであってもよい。
【００７４】
また、上記実施形態では、レベリング処理を超音波接合装置のツール１１０にて行った例を示したが、このレベリング処理は、それ以外にも、何らかの荷重印加が可能な装置を用いて行ってもよい。
【００７５】
また、バンプ３１、３２の形成は、ワイヤボンディング法によるもの以外にも、たとえばマスクを用いたメッキなどにより行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体素子の実装構造の概略断面図である。
【図２】上記第１実施形態における実装方法を示す概略断面図である。
【図３】塑性変形により平坦化された第１のバンプ３１の接触面３１ａの形成方法の一例を示す図である。
【図４】第１のバンプの径ｄ１とダメージ発生率との関係を示す図である。
【図５】上記第１実施形態におけるバンプの位置ずれ抑制の効果を具体的に示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体素子の実装方法を示す概略断面図である。
【図７】樹脂部材４０の有る場合と無い場合とについて超音波接合条件によるダメージの発生状況を示す図である。
【図８】本発明者の試作品としての基板の概略断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１０…基板、１１…基板の一面、１２…シリコン酸化膜系絶縁層、１３…パッド、
２０…半導体素子、２１…半導体素子の一面、３１…第１のバンプ、
３１ａ第１のバンプの接触面、３２…第２のバンプ、
３２ａ…第２のバンプの先端面、４０…樹脂部材、
ｄ１…第１のバンプの接触面の径、ｄ２…第２のバンプの先端面の径。
【図１】
0004768343.tif 000002
【図２】
0004768343.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004768343.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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