(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをモールド樹脂で封止してモールド部を形成し、このモールド部の表面にレーザーによって標印が行われる標印領域を有するモールド型電子部品において、
前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さを、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さよりも大きくし、
前記標印領域における前記モールド部の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域を前記標印領域に接続して設けるとともに、この低表面粗さ領域を前記標印領域に対して突出状に設けたことを特徴とするモールド型電子部品。
【請求項２】
半導体チップをモールド樹脂で封止してモールド部を形成し、このモールド部の表面にレーザーによって標印が行われる標印領域を有するモールド型電子部品において、
前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さを、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さよりも大きくし、
前記標印領域における前記モールド部の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域を前記標印領域に接続して突出状に設けたことを特徴とするモールド型電子部品。
【請求項３】
半導体チップと、
前記半導体チップを封止するモールド部と、
前記モールド部の表面にレーザー標印される標印領域と、
前記モールド部の表面で、前記標印領域に接続して突出状に設けた低表面粗さ領域と、を有し、
前記標印領域における前記モールド部の表面粗さは前記低表面粗さ領域の表面粗さと同じであり、かつ、前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さよりも低いことを特徴とするモールド型電子部品。
【請求項４】
前記標印領域における前記モールド部の表面粗さは３μｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のモールド型電子部品。
【請求項５】
前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さは１０μｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のモールド型電子部品。
【請求項６】
前記低表面粗さ領域は、前記標印領域の横方向の中央部を最頂部として、前記標印領域上下方向に向けて突出させた三角状の領域であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のモールド型電子部品。
【請求項７】
前記低表面粗さ領域には、押し当て部材を押し当てるための押下領域が形成されたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のモールド型電子部品。
【請求項８】
前記押下領域は、モールド部の対角線上に配置されることを特徴とする請求項７に記載のモールド型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂によって封止されたモールド型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定形状に加工したリードフレームに半導体チップを装着し、この半導体チップとリードとをワイヤーボンディングなどで導通させた後、モールド樹脂で半導体チップを被覆して絶縁封止したモールド型電子部品が知られている。
【０００３】
モールド樹脂による封止作業では、半導体チップ部分を凹状に窪ませて樹脂注入空間を形成した下金型と上金型とで半導体チップが載設されたリードフレームを挟持し、樹脂注入空間に加熱溶融させたモールド樹脂を圧入して行っている。
【０００４】
ここで、樹脂注入空間における下金型及び上金型の表面には、圧入されたモールド樹脂との接触面に比較的大きな凹凸を形成して、モールド型電子部品のモールド部分の表面の表面粗さが大きくなるようにしている。
【０００５】
このように、モールド部分の表面粗さを大きくすることによって、下金型及び上金型からモールド型電子部品のモールド部分を容易に離型させやすくすることができるとともに、モールド部分の表面に生じたキズやシミを目立たなくして外観の向上を図ることができる。
【０００６】
このようなモールド型電子部品では、モールド部分の上面に標印領域を設けている場合が多く、この標印領域に印刷あるいはレーザー照射を行って所要の標印を行っている。
【０００７】
特にレーザー照射で標印を行う場合には、レーザーによって標印部に溝状の段差を形成して標印しているため、モールド部分の表面の表面粗さが大きいと、標印の段差との差が少なくなって標印の視認性が悪くなるおそれがあるので、モールド部分の表面の表面粗さをできるだけ小さくすることによって標印の視認性を向上させることが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平０６−１４３３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、モールド部分の表面の表面粗さを小さくした場合には、モールド封止時の下金型あるいは上金型からの離型性が悪くなり、離型不良によって作業中断が生じるおそれがあった。
【０００９】
そこで、モールド部分の表面の表面粗さを大きくして離型性を向上させると標印の視認性が悪くなり、標印の視認性とモールド部分の離型性とがトレードオフの関係となって、作業効率の向上を阻害することとなっていた。
【００１０】
本発明者は、このような現状に鑑み、標印の視認性を高めながらモールド部分の離型性を高めるべく研究開発を行って、本発明を成すに至ったものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、請求項１に記載の発明は、半導体チップをモールド樹脂で封止してモールド部を形成し、このモールド部の表面にレーザーによって標印が行われる標印領域を有するモールド型電子部品において、前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さを、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さよりも大きくし、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域を前記標印領域に接続して設けるとともに、この低表面粗さ領域を前記標印領域に対して突出状に設けたことを特徴とするモールド型電子部品である。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、半導体チップをモールド樹脂で封止してモールド部を形成し、このモールド部の表面にレーザーによって標印が行われる標印領域を有するモールド型電子部品において、前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さを、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さよりも大きくし、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域を前記標印領域に接続して突出状に設けたことを特徴とするモールド型電子部品である。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、半導体チップと、前記半導体チップを封止するモールド部と、前記モールド部の表面にレーザー標印される標印領域と、前記モールド部の表面で、前記標印領域に接続して突出状に設けた低表面粗さ領域と、を有し、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さは前記低表面粗さ領域の表面粗さと同じであり、かつ、前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さよりも低いことを特徴とするモールド型電子部品である。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記標印領域における前記モールド部の表面粗さは３μｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のモールド型電子部品である。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記標印領域以外における前記モールド部の表面粗さは１０μｍ以上としたことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のモールド型電子部品である。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記低表面粗さ領域は、前記標印領域の横方向の中央部を最頂部として、前記標印領域上下方向に向けて突出させた三角状の領域であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のモールド型電子部品である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記低表面粗さ領域には、押し当て部材を押し当てるための押下領域が形成されたことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のモールド型電子部品である。
【００１８】
前記押下領域は、モールド部の対角線上に配置されることを特徴とする請求項７に記載のモールド型電子部品である。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、半導体チップをモールド樹脂で封止してモールド部を形成し、このモールド部の表面にレーザーによって標印が行われる標印領域を有するモールド型電子部品において、標印領域以外におけるモールド部の表面粗さを、標印領域におけるモールド部の表面粗さよりも大きくしたことによって、標印領域では標印の視認性を高めて品質の向上を図ることができるとともに、標印領域以外のモールド部は金型からの離型性を高めて生産性の向上を図ることができる。
【００２０】
また、この発明によれば、標印領域におけるモールド部の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域を標印領域に接続して設けるとともに、この低表面粗さ領域を標印領域に対して突出状に設けたことによって、モールド部の離型時に、突出状の低表面粗さ領域に離型にともなう応力を集中させて表面粗さの小さい領域の離型を促しやすくすることができ、標印領域を容易に離型させることができる。
【００２１】
さらに、この発明によれば、標印領域におけるモールド部の表面粗さは３μｍ以下とし、標印領域以外におけるモールド部の表面粗さは１０μｍ以上としたことによって、標印の視認性と、モールド部の離型性とをバランスさせたモールド型電子部品を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明のモールド型電子部品では、モールド樹脂によって半導体チップを封止したモールド部の表面に標印を行うための標印領域を設けているものであって、モールド部では標印領域におけるモールド部表面の表面粗さは小さくする一方で、標印領域以外のモールド部表面の表面粗さは、標印領域部分の表面粗さよりも大きくしているものである。
【００２３】
このように、１つのモールド型電子部品に異なる表面粗さの領域を設けることにより、標印の視認性と、モールド部の金型からの離型性をバランスさせることができる。
【００２４】
以下において、図面に基づいて本発明の実施形態を詳説する。本実施形態のモールド型電子部品では、図１に模式的に示すように、リードフレームのアイランド11に半導体チップ12を着設して、この半導体チップ12に設けた外部接続端子とリードフレームの各リード13,13とを金属線14,14によってワイヤーボンディングしており、このように半導体チップ12が載設されたリードフレームをモールド用下金型15とモールド用上金型16とで上下方向に挟持して、半導体チップ１２をモールド樹脂によってモールディングしている。
【００２５】
本実施形態では、モールド用下金型15に下部モールド部形成用凹部15aを設けるとともに、モールド用上金型16に上部モールド部形成用凹部16aを設けて、下部モールド部形成用凹部15aと上部モールド部形成用凹部16aとで樹脂注入空間17を形成しており、この樹脂注入空間17の内部に半導体チップ12が位置するようにして樹脂注入空間17に溶融したモールド樹脂を圧入するようにしている。
【００２６】
図１中、16bはモールド用上金型16に設けた離型補助ロッドであって、上部モールド部形成用凹部16aからモールド型電子部品を離型させる際に、離型補助ロッド16bをモールド用上金型16に対して降下させることによりモールド型電子部品を押し下げて、上部モールド部形成用凹部16aからの離型を促すようにしている。
【００２７】
本実施形態では、下部モールド部形成用凹部15aの表面、及び上部モールド部形成用凹部16aの表面には表面処理を行って所要の凹凸を設け、下部モールド部形成用凹部15a及び上部モールド部形成用凹部16aからのモールド型電子部品の離型性を向上させている。
【００２８】
そして、モールド型電子部品のモールド部には、下部モールド部形成用凹部15aの表面と当接したモールド部の下面側に、下部モールド部形成用凹部15aの表面の凹凸が転写されて凹凸が形成され、同様に上部モールド部形成用凹部16aの表面と当接したモールド部の上面側に、上部モールド部形成用凹部16aの表面の凹凸が転写されて凹凸が形成され、この凹凸の大きさがモールド部における表面粗さを規定することとなっている。
【００２９】
特に、本実施形態では、図２に模式的に示すように、モールド部20の上面に標印が形成される標印領域Ｒを設けており、この標印領域Ｒにおけるモールド部20の表面粗さを、標印領域Ｒ以外におけるモールド部20の表面粗さよりも小さくしている。
【００３０】
すなわち、標印領域Ｒ以外におけるモールド部20の表面粗さは、下部モールド部形成用凹部15a及び上部モールド部形成用凹部16aからのモールド型電子部品の十分な離型性が確保できる程度の凹凸が形成されるようにするために、標印領域Ｒにおけるモールド部20の表面粗さよりも大きい表面粗さとしている。
【００３１】
本実施形態では、標印領域Ｒに形成されるレーザー標印での標印の深さを１０μｍ程度としているので、標印領域Ｒでは、モールド部20の表面粗さを３μｍ以下としている。３μｍ以上とした場合には、標印の視認性が大きく低下するために望ましくない。
【００３２】
一方、標印領域Ｒ以外におけるモールド部20の表面粗さは１０μｍ以上としている。１０μｍ以上とすることによって十分な離型性を得ることができる。なお、１０μｍ以下とした場合には、モールド用下金型15またはモールド用上金型16からモールド部20が離型できずに離型不良を生じる場合があった。
【００３３】
モールド部20を上記した表面粗さとするために、本実施形態では、上部モールド部形成用凹部16a表面を、表面粗さが３μｍ以下となるようにサンドブラストで表面処理を行い、次いで、上部モールド部形成用凹部16aの標印領域Ｒの対応部分にマスクを貼着して、さらに表面粗さが１０μｍ以上となるようにサンドブラストで表面処理を行って、モールド用上金型16によって異なる表面粗さを有するモールド部20が形成されるようにしている。
【００３４】
下部モールド部形成用凹部15aは、表面粗さが１０μｍ以上となるようにサンドブラストで表面処理を行っている。上部モールド部形成用凹部16a及び下部モールド部形成用凹部15aの表面処理はサンドブラストによる処理に限定するものではなく、適宜の処理によって上記した表面粗さが得られるようにしてよい。
【００３５】
このように、標印が行われる標印領域Ｒのモールド部20の表面は、表面粗さを小さくして標印の認識性を高める一方で、標印領域Ｒ以外のモールド部20の表面は、表面粗さを大きくすることによって、モールド用下金型15及びモールド用上金型16からのモールド型電子部品の離型性を向上させることができる。
【００３６】
本実施形態では、標印領域Ｒは、図３に示すように、モールド部20の上面中央部に略矩形状に設けているが、標印領域Ｒは、矩形形状に限定するものではなく適宜の形状としてよい。図３中、標印領域Ｒの「ＢＵ１２３４５」は、標印例を示しているものである。
【００３７】
特に、標印領域Ｒには、図４に示すように、標印領域Ｒにおけるモールド部20の表面粗さと同じ表面粗さとした低表面粗さ領域Ｓを標印領域Ｒに接続させて設け、この低表面粗さ領域Ｓを標印領域Ｒに対して突出状に設けてもよい。
【００３８】
本実施形態では、低表面粗さ領域Ｓは、図４における標印領域Ｒの横方向の中央部から標印領域Ｒの上下方向の下方に向けて突出している。
【００３９】
このように、低表面粗さ領域Ｓを設けることによって、上部モールド部形成用凹部16aからモールド部20を離型させる場合に、表面粗さが小さいことによって離型しにくい標印領域Ｒ部分及び低表面粗さ領域Ｓ部分のモールド部20が最後まで上部モールド部形成用凹部16aに張り付いた状態となった時に、モールド部20の離型のために加えた引き剥がしの力に起因した応力を、標印領域Ｒに対して突出状となっている低表面粗さ領域Ｓに集中させて作用させることができ、低表面粗さ領域Ｓ部分から速やかに引き剥がしを開始させることができるので、標印領域Ｒを上部モールド部形成用凹部16aから容易に離型させることができる。
【００４０】
なお、低表面粗さ領域Ｓは、図４に示したように、矩形状とした標印領域Ｒの横方向の中央部において下方向あるいは上方向、あるいはその両方に突出状に設けてもよいし、あるいは、図５に示すように、標印領域R'の横方向の中央部を最頂部として、標印領域R'の上下方向に向けてそれぞれ漸次細幅としながら突出させた三角状低表面粗さ領域S'を設けてもよい。
【００４１】
三角状低表面粗さ領域S'を設けることにより、表面粗さの小さい領域を増やすことができるので、標印の視認性を向上させることができるとともに、低表面粗さ領域S'及び標印領域R'で形成される矩形状の領域の角部を、モールド部20の隣り合った２つの角部から等距離に配置できる。
【００４２】
したがって、低表面粗さ領域S'及び標印領域R'で形成される矩形状の領域の角部に、モールド部20の離型のために加えた引き剥がしの力に起因した応力を集中させて作用させることができ、モールド部20を上部モールド部形成用凹部16aから容易に離型させることができる。
【００４３】
あるいは、図６に示すように、低表面粗さ領域S"は、モールド用上金型16に設けた離型補助ロッド16bによるモールド部20の押下領域Ｔと、モールド部20の上面中央に設けた矩形状の標印領域Ｒとを接続するように標印領域Ｒから突出させて設けてもよい。押下領域Ｔは、低表面粗さ領域S"内に含まれるように低表面粗さ領域S"を設けることが望ましい。
【００４４】
特に、押下領域Ｔは、通常、平面視矩形状のモールド部20の対角線上に配置されることが多く、低表面粗さ領域S"は、モールド部20の対角線に沿って伸延させて設けることが望ましい。
【００４５】
このように、離型補助ロッド16bによって押下されるモールド部20の押下領域Ｔに低表面粗さ領域S"を位置させていることにより、離型補助ロッド16bによるモールド部20の押し下げにともなって、上部モールド部形成用凹部16aから比較的引き剥がしにくい低表面粗さ領域S"を離型補助ロッド16bによって速やかに引き剥がすことができ、しかも、低表面粗さ領域S"に沿って引き剥がしを進行させることができるので、そのまま標印領域Ｒまで上部モールド部形成用凹部16aから容易に離型させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明にかかるモールド型電子部品のモールド工程の説明図である。
【図２】本発明の実施形態にかかるモールド型電子部品の断面概略模式図である。
【図３】標印領域の形成状態を示すモールド型電子部品の平面模式図である。
【図４】他の実施形態のモールド型電子部品の平面模式図である。
【図５】他の実施形態のモールド型電子部品の平面模式図である。
【図６】他の実施形態のモールド型電子部品の平面模式図である。
【符号の説明】
【００４７】
11 アイランド
12 半導体チップ
13 リード
14 金属線
15 モールド用下金型
15a 下部モールド部形成用凹部
16 モールド用上金型
16a 上部モールド部形成用凹部
16b 離型補助ロッド
17 樹脂注入空間
20 モールド部
Ｒ 標印領域
Ｓ 低表面粗さ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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