(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧環境下、且つ、高温条件下で、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧環境下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備した真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、前記アンロード室内の基板に対して、表裏の両面側から冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第１の冷媒吐出部は、基板面内の第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２の冷媒吐出部は、第２方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２方向は、前記基板面内にて前記第１方向に直交する方向である真空処理システム。
【請求項２】
減圧環境下、且つ、高温条件下で、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧環境下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備した真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、前記アンロード室内の基板に対して、表裏の両面側から冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付け、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第１の冷媒吐出部は、前記アンロード室の底面から上へ向かう方向である前記基板面内の第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２の冷媒吐出部は、前記第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第１の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置と、前記第２の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置とは、前記基板面内で互いに重ならないように交互である真空処理システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、基板の中央部に冷媒を吹き付ける真空処理システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載された真空処理システムであって、
前記冷媒吐出装置は、
前記第１の冷媒吐出部に冷媒を供給する第１冷媒供給源と、
前記第２の冷媒吐出部に冷媒を供給する第２冷媒供給源と、
を有し、
前記第１冷媒供給源が前記第１の冷媒吐出部に冷媒を供給する経路と、前記第２冷媒供給源が前記第２の冷媒吐出部に冷媒を供給する経路とは、別個に独立である真空処理システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載された真空処理システムであって、
前記基板は、前記表面側に製膜されており、
前記第１の冷媒吐出部は、
更に、
基板の前記表面側に設けられた複数の第１吐出管と、
ガス誘導プレートとを有し、
前記複数の第１吐出管の各々には、前記基板とは反対側へ冷媒を吐出する複数の第１吐出口が設けられ、
前記ガス誘導プレートは、前記複数の第１吐出口の各々の周囲に設けられ、
前記ガス誘導プレートは、前記各第１吐出口から吐出された冷媒を、前記基板側へ誘導するように設けられ、
前記第２の冷媒吐出部は、基板の前記裏面側に設けられた複数の第２吐出管を有し、
前記複数の第２吐出管の各々は、基板側へ冷媒を吐出する複数の第２吐出口を有している真空処理システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載された真空処理システムであって、
更に、
前記アンロード室内に接続され、前記アンロード室内を排気する真空ポンプ部、
を具備し、
前記真空ポンプ部は、前記アンロード室内を大気圧下から減圧状態にするための少なくとも一の排気ラインと、前記各排気ラインよりも小さな断面積を持ち、前記アンロード室内を大気圧から真空引きし、ベントガスが吐出された状態においても排気が可能であるリークラインと、を有する真空処理システム。
【請求項７】
減圧雰囲気下、且つ高温条件下において、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧雰囲気下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備し、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第１の冷媒吐出部は、基板面内の第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２の冷媒吐出部は、第２方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２方向は、前記基板面内にて前記第１方向に直交する方向である真空処理システムにおいて、前記アンロード室内をベントするベント方法であって、
前記真空処理室で処理された基板を前記アンロード室内へ搬入する搬入ステップと、
前記アンロード室内に搬入された基板に対して、表裏の両面側から、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付けるベントステップと、
を具備したベント方法。
【請求項８】
減圧雰囲気下、且つ高温条件下において、基板を処理する真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を減圧雰囲気下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室と、
前記アンロード室内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置と、
を具備し、
前記冷媒吐出装置は、
基板の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部と、
基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部と、
を有し、
前記第１の冷媒吐出部は、前記アンロード室の底面から上へ向かう方向である前記基板面内の第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第２の冷媒吐出部は、前記第１方向に平行な複数の線状に冷媒を吹き付け、
前記第１の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置と、前記第２の冷媒吐出部が冷媒を吹き付ける位置とは、前記基板面内で互いに重ならないように交互である真空処理システムにおいて、前記アンロード室内をベントするベント方法であって、
前記真空処理室で処理された基板を前記アンロード室内へ搬入する搬入ステップと、
前記アンロード室内に搬入された基板に対して、表裏の両面側から、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付けるベントステップと、
を具備したベント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理システムに関し、特にアンロード室を有する真空処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
減圧環境下で基板に処理を行う真空処理システムが知られている。その真空処理システムとしては、プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置等の基板に製膜を行う製膜装置や、ドライエッチング装置などが知られている。このような真空処理システムは、基板に処理を行う真空処理室と、その真空処理室にて処理された基板を受け入れて、大気圧下である装置外部へ搬出するためのアンロード室と、を備えている。
【０００３】
真空処理室での処理は、減圧環境下で、更に、高温環境下で行われることがある。真空処理室での処理が終了した基板は、減圧環境下のままで、アンロード室に搬送される。
【０００４】
アンロード室は、減圧環境下において、真空処理室で処理された基板を受け入れる。基板が搬入されると、ゲート弁などが閉じられて室内が密閉される。続いて、室内にベントガスが吐出され、減圧環境下から大気圧環境下になる。基板は、アンロード室内が大気圧環境下となった後に、外部へと搬出される。
【０００５】
真空処理室での処理が、高温環境下で行われた場合には、アンロード室へ搬入された基板も高温状態となっていることがある。この場合、アンロード室内でのベントガスは、基板を冷却する役割も兼ねる。
【０００６】
ここで、基板がアンロード室内で冷却する際に、冷却の仕方によっては、基板の反りが発生したり、基板が割れることがある。このような基板の反りや割れは、例えば太陽電池パネル等の大型の基板を処理する際に、特に懸念される。アンロード室内の処理時に、基板の反りや割れを発生させない技術の提供が望まれる。
【０００７】
また、アンロード室内を大気圧下にベントする際には、スループット向上の観点から、速やかに大気圧環境下へ昇圧することが求められる。よって、処理時間を長くしないで、基板の反りや割れを防止する技術の提供が望まれる。
【０００８】
上記と関連して、特許文献１は、アンロード室に、送りこまれた基板の幅方向に沿って配設され、長手方向に沿って間隔を空けて複数の噴出孔を有したベント管が設けられ、そのベント管へ送りこまれたベントガスがその噴出孔から基板の高さ方向略中央部分に噴出されることを特徴とする製膜装置、を開示している。
【０００９】
また、特許文献２は、冷却対象である基板の中央部に冷媒を吹き付けることで、その基板の冷却を行うことを特徴とする基板冷却方法、を開示している。特許文献２には、更に、基板の片面又は両面から冷媒を吹き付けることが記載されている。
【００１０】
しかしながら、真空処理室における処理時の温度が更に高温となると、アンロード室へ搬送される基板の温度も更に高温状態となる。よって、上述の技術よりも更に高い効率で、基板の冷却を行う技術の提供が望まれる。
【特許文献１】特開２００３−６４４７８号  公報
【特許文献２】特開２００５−１２３２１３号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
即ち、本発明の目的は、アンロード室内の処理時に、基板の反りや割れを発生させない真空処理システム及びベント方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の更に他の目的は、よって、処理時間を短縮させた上で、基板の反りや割れが防止される真空処理システム及びベント方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の更に他の目的は、高効率で、基板の冷却を行うことのできる真空処理システム及びベント方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１５】
本発明に係る真空処理システム（１）は、減圧環境下、且つ、高温条件下で、基板を処理する真空処理室（２）と、真空処理室（２）で処理された基板（Ｋ）を減圧環境下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室（３）と、アンロード室（３）内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置（４）と、を具備した真空処理システム（１）である。冷媒吐出装置（１）は、アンロード室（３）内の基板（Ｋ）に対して、表裏の両面側から冷媒を吹き付ける。また、冷媒吐出装置（４）は、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付ける。
【００１６】
上述の構成に依れば、基板（Ｋ）の両面側から冷媒が吹き付けられるので、基板（Ｋ）の表裏での温度差を抑制することができる。基板（Ｋ）の表裏での温度差が抑制されるので、基板（Ｋ）の反りが抑制される。
また、基板（Ｋ）の表裏で、異なる位置に冷媒が吹き付けられるので、基板面内での局所的な温度ばらつきが抑制される。基板（Ｋ）の表裏で、同じ位置に冷媒を吹き付けた場合、冷媒が吹き付けられた位置と、吹き付けられていない位置との間に局所的な温度ばらつきが発生する。このような、基板面内での局所的な温度ばらつきは、反りの要因となる。よって、局所的な温度ばらつきを抑制することで、基板（Ｋ）の反りが更に抑制される。
【００１７】
本発明に係る真空処理システム（１）において、冷媒吐出装置（４）は、基板（Ｋ）の中央部（５）に冷媒を吹き付ける。
【００１８】
上述の構成に依れば、基板（Ｋ）の中央部（５）に冷媒が吹き付けられるので、基板の中央部（５）が外周部よりも優先的に冷却される。基板（Ｋ）を自然放熱によって冷却した場合、外周部の方が中央部（５）よりも冷却され易い。外周部が中央部（５）よりも低温となった場合には、外周部において中央部から外周部へ引っ張る力（引張応力）が発生し、基板（Ｋ）が割れ易い。中央部（５）を優先的に冷却することで、このような引張応力の発生による基板の割れが防止される。
【００１９】
本発明に係る真空処理システム（１）において、冷媒吐出装置（４）は、基板の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部（４１）と、基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部（４２）と、を有する。第１の冷媒吐出部（４１）は、基板面内の第１方向（Ｘ方向）に平行な複数の線状に冷媒を吹き付ける。第２の冷媒吐出部（４２）は、第２方向（Ｙ方向）に平行な複数の線状に冷媒を吹き付ける。第２方向（Ｙ方向）は、基板面内にて第１方向（Ｘ方向）に直交する方向である。
【００２０】
本発明に係る真空処理システム（１）において、冷媒吐出装置（４）は、基板（Ｋ）の表面側から冷媒を吹き付ける第１の冷媒吐出部（４１）と、基板の裏面側から冷媒を吹き付ける第２の冷媒吐出部（４２）と、を有する。第１の冷媒吐出部（４１）は、基板面内の第１方向（Ｘ方向）に平行な複数の線状に冷媒を吹き付ける。第２の冷媒吐出部（４２）は、第１方向（Ｘ方向）に平行な複数の線状に冷媒を吹き付ける。第１の冷媒吐出部（４１）が冷媒を吹き付ける位置（４１１）と、第２の冷媒吐出部（４２）が冷媒を吹き付ける位置（４２１）とは、基板面内で交互である。
【００２１】
本発明に係る真空処理システム（１）において、冷媒吐出装置（４）は、第１の冷媒吐出部（４１）に冷媒を供給する第１冷媒供給源（４１３）と、第２の冷媒吐出部（４２）に冷媒を供給する第２冷媒供給源（４２３）と、を有する。第１冷媒供給源（４１３）が第１の冷媒吐出部（４１）に冷媒を供給する経路と、第２冷媒供給源（４２３）が第２の冷媒吐出部（４２）に冷媒を供給する経路とは、別個に独立である。
【００２２】
上述の構成に依れば、基板の表裏に冷媒を吹き付けるにあたり、表裏で別々の冷媒供給源から吹き付けが行われる。これにより、単位時間あたりでアンロード室（３）内へ供給される冷媒量が、単一の冷媒供給源を用いた場合の２倍となる。アンロード室（３）内のベントに要する時間は半分ですみ、ベントに係るスループットが向上する。
【００２３】
本発明に係る真空処理システム（１）において、基板（Ｋ）は、表面側に製膜されている。第１の冷媒吐出部（４１）は、更に、基板（Ｋ）の表面側に設けられた複数の第１吐出管（４１５ａ〜ｃ）と、ガス誘導プレート（４３）とを有する。複数の第１吐出管（４１５ａ〜ｃ）の各々には、基板（Ｋ）とは反対側へ冷媒を吐出する複数の第１吐出口（４１６）が設けられている。ガス誘導プレート（４３）は、複数の第１吐出口（４１６）の各々の周囲に設けられている。ガス誘導プレート（４３）は、各第１吐出口（４１６）から吐出された冷媒を、基板（Ｋ）側へ誘導するように設けられている。第２の冷媒吐出部（４２）は、基板（Ｋ）の裏面側に設けられた複数の第２吐出管（４２５ａ〜ｃ）を有する。複数の第２吐出管の各々（４２５）は、基板（Ｋ）側へ冷媒を吐出する複数の第２吐出口（４１７）を有している。
【００２４】
基板（Ｋ）が表面に製膜処理の施されたものであった場合、吐出される冷媒を直接に吹き付けると、冷媒の微粒子が勢いよく基板（Ｋ）の製膜面に衝突することになり、製膜面を傷つける場合がある。これに対して、上述の構成に依れば、製膜面（表面）側に設けられた第１吐出管（４１５ａ〜ｃ）からは、一旦基板（Ｋ）の反対側に冷媒が吐出される。吐出された冷媒の流れを、ガス誘導プレート（４３）で基板（Ｋ）側に向けさせるので、基板（Ｋ）に吹き付けられる時点では、冷媒の勢いが緩和されている。よって、微粒子の衝突により製膜面が傷つけられることがない。
一方、冷媒が勢いよく吹き付けられても傷の生じる恐れの無い裏面側には、第２吐出管（４２５ａ〜ｃ）から基板（Ｋ）に直接冷媒が吹き付けられる。これにより、冷却速度が向上する。
【００２５】
本発明に係る真空処理システム（１）は、更に、アンロード室（３）内に接続され、アンロード室（３）内を排気する真空ポンプ部（６）、を備える。真空ポンプ部（６）は、アンロード室（３）内を大気圧下から減圧状態にするための少なくとも一の減圧ライン（Ｂ）と、各減圧ライン（Ｂ）よりも小さな断面積を持つリークライン（Ｌ）と、を有する。
【００２６】
本発明に係る真空処理システム（１）において、減圧ライン（Ｂ）は、アンロード室（３）内を大気圧から真空引きし、ベントガスが吐出された状態においても排気が可能である粗引きライン（Ｂ１）を有する。
【００２７】
本発明に係るベント方法は、減圧雰囲気下、且つ高温条件下において、基板（Ｋ）を処理する真空処理室（２）と、真空処理室（２）で処理された基板（Ｋ）を減圧雰囲気下で受け入れて、大気圧下へ戻すとともに冷却して外部へ搬出するアンロード室（３）と、アンロード室（３）内に冷媒を吐出する冷媒吐出装置（４）と、を具備した真空処理システムにおいて、アンロード室（３）内をベントするベント方法である。本発明に係るベント方法は、真空処理室（２）で処理された基板（Ｋ）をアンロード室（３）内へ搬入する搬入ステップ（ステップＳ１０）と、アンロード（３）内に搬入された基板（Ｋ）に対して、表裏の両面側から、表裏で基板面内の異なる位置に冷媒を吹き付けるベントステップ（ステップＳ２０）と、を具備する。
【００２８】
本発明に係るベント方法において、真空処理システム（１）は、更に、アンロード室（３）内に接続され、アンロード室（３）内を排気する真空ポンプ部（６）を備える。ベントステップ（Ｓ２０）は、真空ポンプ部（６）によってアンロード室（３）内を排気する排気ステップ（ステップＳ２１）と、アンロード室（３）内の排気を終了する排気終了ステップ（ステップＳ２３）と、を含む。
【００２９】
上述のように、ベントステップ（Ｓ２０）を実行する間に、アンロード室（３）内を排気することで、アンロード室（３）の容積以上の量の冷媒を供給することができる。従来、アンロード室（３）内をベントするにあたっては、アンロード室（３）内部を密閉とした状態で、アンロード室（３）の容積と同じ量の冷媒を吐出していた。基板（Ｋ）を冷却するにあたり、基板（Ｋ）が失う熱量は、冷媒の体積に依存する。即ち、従来の方法では、基板（Ｋ）から冷媒に移動する熱量は、アンロード室（３）の容積分の冷媒が受け取ることのできる熱量までに限られていた。これに対し、上述のようにアンロード室（３）の容積以上の量の冷媒を吐出することができるので、基板（Ｋ）から冷媒へ移動する熱量は、アンロード室（３）の容積によって限定されない。よって基板（Ｋ）を冷却する能力が向上する。
但し、排気を行った状態では完全な大気圧下までは昇圧されないので、ベントステップ（Ｓ２０）の途中で排気を終了する。
【００３０】
本発明に係るベント方法において、真空ポンプ部（６）は、アンロード室（３）内を真空状態にする少なくとも一の減圧ライン（Ｂ）と、各減圧ライン（Ｂ）よりも小さな断面積を持つリークライン（Ｌ）と、を有している。排気ステップ（Ｓ２０）は、リークライン（Ｌ）により排気されるステップ（ステップＳ２５）を含む。
【００３１】
上述のように、真空ポンプ部（６）が減圧ライン（Ｂ）よりも小さな断面積を持つリークライン（Ｌ）を有しており、このリークライン（Ｌ）を排気ステップ（Ｓ２０）において使用することで、アンロード室（６）内を大気圧下に近い環境まで昇圧した際でも、アンロード室（６）内を排気することができる。既述のように、ベントステップ（Ｓ２０）で冷媒が吐出されている間にも排気を行うことで、アンロード室（３）へ供給する冷媒の量を増加させることができるが、ここで大気圧下に近い圧力まで昇圧された状態まで排気を行うと、排気を行う経路を閉じて排気を終了させることが困難となる。これは、アンロード室（３）側と真空ポンプ部（６）側との間に大きな圧力差が発生し、排気の経路を開閉する弁がこの圧力差によって動かなくなるからである。ここで、小さな断面積を持つリークライン（Ｌ）を設けて、ベント時の排気をこのリークライン（Ｌ）で行うことで、その圧力差がリークライン（Ｌ）の弁に与える力は小さくなる。よって、大気圧下に近い状態でもリークライン（Ｌ）の開閉を制御することができる。即ち、長時間に渉り、ベントガスの噴出しと、排気とを平行実施することができるので、基板（Ｋ）の温度を所望の温度まで自在に冷却することが可能となる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明に依れば、アンロード室内の処理時に、基板の反りや割れを発生させない真空処理システム及びベント方法が提供される。
【００３３】
本発明によれば、更に、処理時間を短縮させた上で、基板の反りや割れが防止される真空処理システム及びベント方法が提供される。
【００３４】
本発明に依れば、更に、高効率で、基板の冷却を行うことのできる真空処理システム及びベント方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（第１の実施形態）
（構成）
以下に、図面を参照して、本発明の第１の実施形態に係る真空処理システム１の構成について説明する。本実施の形態にかかる真空処理システム１としては、減圧環境下において、基板に処理行うものとして、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、ドライエッチング装置などが例示されるが、以下では、大型（１ｍ×１ｍ以上）のガラス基板の表面に太陽電池膜を製膜するプラズマＣＶＤ装置を例として説明を行う。
【００３６】
まず、真空処理システム１の全体構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る真空処理システム１全体を示す斜視図（部分透視図）である。真空処理システム１は、ロード室１１、アンロード室３、ローダ１２、アンローダ１３、共通搬送室１４、台車移動待機室１５Ａ〜１５Ｈ、搬送台車１６Ａ〜１６Ｆ、真空処理室２Ａ〜２Ｅ、予備室１７、真空ポンプ部６、及び冷媒吐出装置４を備えている。尚、真空ポンプ部３及び冷媒吐出装置４は、図１においては省略されている。また、以下の説明において、真空処理システム１は、基板Ｋの表面側に製膜するものとして説明を行う。
【００３７】
共通搬送室１４は、真空処理システム１の中央に設けられている。５つの真空処理室２Ａ〜２Ｅ、ロード室１１、アンロード室３、及び予備室１７は、共通搬送室１４の周囲を取囲むように配置され、共通搬送室１４と連通している。図示しないが、ロード室１１、アンロード室３、予備室１７、及び各真空処理室７７Ａ〜７７Ｅと、共通搬送室１４との接続部分には、ゲート弁が設けられている。
【００３８】
共通搬送室１４は、中央に配置された中央室１４Ａと、中央室７３Ａの周囲に配置された台車移動待機室１５Ａ〜１５Ｇとで形成された空間である。各台車移動待機室１５Ａ〜１５Ｇは、各真空処理室２Ａ〜２Ｅ、ロード室１１、アンロード室３、及び予備室１７に対応して配置され、ゲート弁を介してこれらの室と接続されている。一方、各台車移動待機室１５Ａ〜１５Ｇと中央室１４との間にはゲート弁は設けられていない。尚、台車移動待機室１５Ａ〜１５Ｇは、搬送台車１６Ａ〜１６Ｆが基板Ｋを保持した状態で待機していられるだけのスペースを有している。
【００３９】
２台の搬送台車１６Ａ、１６Ｂは、ローダ１２で基板Ｋを受け取り、ロード室１１へ搬送する。２台の搬送台車１６Ｅ、１６Ｆは、ロード室１１で基板Ｋを受け取り、共通搬送室１４経由で各真空処理室２Ａ〜２Ｅ（予備室１７）へ基板Ｋを搬送する。また、各真空処理室２Ａ〜２Ｅで処理が行われた基板Ｋを受け取り、他の各真空処理室２Ａ〜２Ｅ（予備室８０）、又は、アンロード室３へ搬送する。２台の搬送台車１６Ｃ、１６Ｄは、アンロード室３で基板Ｋを受け取り、アンローダ１３へ搬送する。
【００４０】
各真空処理室２Ａ〜２Ｅとしては、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、ドライエッチングなどの、減圧環境下、且つ、高温環境下で処理を行う機能を有するものが挙げられる。尚、以下の説明にあたっては、真空処理室は、ガラス基板である基板Ｋの表面側を製膜面として、太陽電池膜の製膜を行うプラズマＣＶＤ装置であるとして説明を行う。
【００４１】
上述の構成を有する真空処理システム１において、被処理基板Ｋはまずロード室１１に搬入される。ロード室１１内で大気圧下から高真空排気状態まで減圧された後に、共通搬送室７３を介して真空処理室２Ａ〜Ｅへ搬送される。真空処理室２Ａ〜Ｅでの処理が終了した基板Ｋは、再び共通搬送室７３を介してアンロード室３へ搬送される。ここで、真空処理室２Ａ〜２Ｅ、共通搬送室７３は減圧環境下に保たれている。また、アンロード室３も、基板Ｋが搬入される際は、減圧環境下に保たれている。真空処理室２において、プラズマＣＶＤ処理の行われた基板Ｋは、１００℃以上の高温状態となっている。
【００４２】
アンロード室３では、基板Ｋが搬送されてくると、共通搬送室１４側のゲート弁を閉じて室内が密閉される。そしてアンロード室３内にベントガス（冷媒）が吐出され、減圧環境下から大気圧環境下へ昇圧される。即ち、ベントされる。ベントが終了すると、アンローダ１３側に設けられたゲート弁が開かれて、基板Ｋが外部へ搬出される。
【００４３】
アンロード室３内に吐出される冷媒としては、窒素、空気、Ａｒが挙げられる。安価な点から、窒素及び空気が好ましい。冷媒は、常温で吐出され、高温状態の基板Ｋが冷却される。
【００４４】
本実施の形態に係る真空処理システム１では、このアンロード室３内のベントに関して工夫がされている。アンロード室３の構成について以下に詳述する。
【００４５】
図２は、アンロード室３内の構成を透視させて示す斜視図である。アンロード室３は筐体１８で囲まれた空間である。既述のように、アンロード室３は、共通搬送室１４とゲート弁（図示せず）を介して連通している。一方、共通搬送室１４の反対側では、ゲート弁（図示せず）を介して外部（アンローダ１３上部の空間）と連通している。
【００４６】
アンロード室３内には、２本のレールＲが設けられている。各レールＲ上では、基板Ｋを鉛直方向から傾けて保持する搬送台車１６が移動するようになっている。尚、共通搬送室１４側にもレールが設けられており、搬送台車１６は、基板Ｋを保持した状態でレールＲ上を走行して、共通搬送室１４側からアンロード室３内へ基板Ｋを搬送する。図２では、２本のレールＲの夫々の上で、搬送台車１６が基板Ｋを保持している状態を示している。
【００４７】
また、アンロード室３内には、冷媒吐出装置４が、基板Ｋの両面側から冷媒を吐出するように設けられている。冷媒吐出装置４によって吐出された冷媒によって、基板Ｋが冷却されるとともに、アンロード室３内が昇圧される。尚、図２においては、２台の搬送台車１６によって保持された２枚の基板Ｋのうち、１枚の基板Ｋの両側にのみ冷媒吐出装置４が描いているが、実際には他方の基板Ｋの両側にも冷媒吐出装置４が設けられている。
【００４８】
以下に、冷媒吐出装置４の構成について、図３Ａを参照しながら説明する。尚、説明にあたり、基板Ｋの対向する２辺の方向をＸ方向とし、これに直交する２辺の方向をＹ方向として説明する。
【００４９】
冷媒吐出装置４は、第１の冷媒吐出部４１と、第２の冷媒吐出部４２と、第１の冷媒供給源４１３と、第２の冷媒供給源４２３と、冷媒管路Ｃ１、Ｃ２とを有している。
【００５０】
第１の冷媒吐出部４１は、基板Ｋの中央部５の表面側に、基板Ｋと対向するように設けられている。第１の冷媒吐出部４１は、冷媒管路Ｃ１を介して第１の冷媒供給源４１３に接続されている。また、第２の冷媒吐出部４２は、基板Ｋの中央部５の裏面側に、基板Ｋと対向するように設けられている。第２の冷媒吐出部４２は、冷媒管路Ｃ２を介して第２の冷媒供給源４２３に接続されている。第１の冷媒供給源４１３と、第２の冷媒供給源４２３とは、別々に設けられている。即ち、第１の冷媒供給源４１３から第１の冷媒吐出部４１までの経路と、第２の冷媒供給源４２３から第２の冷媒吐出部４２までの経路とは、独立している。
【００５１】
第１の冷媒吐出部４１は、３本の第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃ、ガス誘導プレート４３（図３Ａでは図示されていない）、マニホールド４１５ｄ、及び支持部材４１５ｅを有している。マニホールド４１５ｄは、Ｙ方向に延びるように配置されている。各第１吐出管４１５ａ〜ｃは、マニホールド４１５ｄからＸ方向に延びるように設けられている。３本の第１吐出管４１５は、マニホールド４１５ｄの反対側で支持部材４１５ｅに接続され、固定されている。マニホールド４１５ｄは、冷媒管路Ｃ１に接続されている。
【００５２】
マニホールド４１５ｄ内部と、各第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃの内部は中空であり、連通している。即ち、冷媒は、第１の冷媒供給源４１３から、冷媒管路Ｃ１及びマニホールド４１５ｄを介して、各第１吐出管４１５ａ〜ｃに供給されるようになっている。
【００５３】
各第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃには、複数の第１吐出口４１６が設けられている。各第１吐出管に供給された冷媒は、各第１吐出口４１６から吐出されるようになっている。複数の第１吐出口４１６の口径は、第１吐出管の内径よりも十分に小さい。これにより、各第１吐出口からは、同じ圧力で冷媒が吐出されるようになっている。
【００５４】
第１吐出口４１６の周囲にはガス誘導プレート４３が配置されている。ガス誘導プレート４３によって、吐出された冷媒は基板Ｋに吹き付けられるようになっているが、詳細は後述する。
【００５５】
第２の冷媒吐出部４２は、第１の冷媒吐出部４１と同様に、３本の第２吐出管４２５ａ〜４２５ｃ、マニホールド４１５ｄ、及び支持部材４１５ｅを有している。但し、ガス誘導プレート４３は有していない。マニホールド４２５ｄは、Ｘ方向に延びるように配置されている。各第２吐出管４２５ａ〜ｃは、マニホールド４２５ｄからＹ方向に延びるように設けられている。３本の第２吐出管４２は、マニホールド４２５ｄの反対側で支持部材４２５ｅに接続され、固定されている。マニホールド４２５ｄは、冷媒管路Ｃ２に接続されている。即ち、第２吐出管４２５a〜ｃは、基板平面に投影させたときに、第２吐出管４２５a〜ｃと直交するように配置されている。
【００５６】
マニホールド４２５ｄ内部と、各第２吐出管４２５ａ〜４２５ｃの内部は中空であり、連通している。即ち、冷媒は、第２の冷媒供給源４２３から、冷媒管路Ｃ２及びマニホールド４２５ｄを介して、各第２吐出管４２５ａ〜ｃに供給されるようになっている。
【００５７】
各第２吐出管４２５a〜４２５ｃには、複数の第２吐出口４２６が設けられている。各第２吐出管４２５に供給された冷媒は、各第２吐出口４２６から吐出されるようになっている。ここで、第１の冷媒吐出部４１とは異なり、第２の冷媒吐出部４２にはガス誘導プレート４３が設けられていない。各第２吐出口４２６から吐出された冷媒は、そのまま基板Ｋに吹き付けられるようになっている。
【００５８】
上述のように設けられた冷媒吐出装置４によって、基板Ｋの中央部５に、表裏の両面側から冷媒が吹き付けられる。表裏の両面側から冷媒が吹き付けられるので、基板Ｋの表裏温度差の発生が抑制される。
【００５９】
ここで、基板の反り発生の１要因である、基板表裏温度差について説明する。図５は、基板の反り発生のメカニズムを説明する図である。図５のように、反りが発生する前の基板の辺の長さをＬとし、熱膨張により基板の片面の長さが他面の長さよりも２δ長くなり、反り量がＸであるとする。この時、表裏の温度差をΔＴ、基板の熱膨張係数をαとすると、「Ｘ２≒（Ｌ／２＋δ）２−（２／Ｌ）２」という式が近似できる。「δ＝Ｌ／２×αΔＴ」であるので、基板の反り量Ｘは、「Ｘ≒（Ｌ／２）×（２αΔＴ）１／２」という式で近似される。即ち、ΔＴが大きく、Ｌが大きいほど、基板の反り量が大きくなる。図６は、辺の長さが１１００ｍｍであるガラス基板において、表裏の温度差と基板の凸変形量との関係を示すグラフである。基板の表裏温度差が大きくなるに従い、基板の凸変形量も大きくなっていることを示している。
【００６０】
基板Ｋの両面側から冷媒を吹き付けることで、表裏温度差の発生が抑制され、基板の凸変形量が抑制される。即ち、基板Ｋの反り発生が抑制される。
【００６１】
一方、基板Ｋの中央部５に冷媒が吹き付けられるので、基板の割れが防止される。この基板割れの防止について、図７を参照して説明する。基板Ｋの全面に冷媒を吹き付けた場合には、放熱し易い外周部ほど、温度が低くなる。外周部が低温となると、強度の弱い基板端部で引っ張り応力が働くようになる。これに対し、本実施の形態では、中央部５に冷媒が吹き付けられるので、中央部５と外周部で同程度の温度であるか、又は中央部５のほうが低温となる。この場合、基板端部に働く力は、外周部から中央部５へ向かう圧縮応力となるので、基板Ｋが割れるにくくなる。即ち、基板Ｋの割れが防止される。
【００６２】
更に、第１の冷媒吐出部４１へ冷媒供給が行われる経路と、第２の冷媒吐出部４２へ冷媒の供給が行われる経路とが、独立していることによって、アンロード室３内へ供給される冷媒の量が増加する。冷媒の供給源が単一であった場合には、例え冷媒供給管の本数を増やしたり、吐出口の数を増やしたりしたとしても、圧力損失が生じてしまうので、単位時間あたりの冷媒供給量には限界がある。これに対し、複数の冷媒供給源を設けて、夫々独立の経路で冷媒を供給することで、単位時間あたりの冷媒供給量を増加させることができる。よって、減圧環境下から、速やかに大気圧環境下へベントさせることができる。これにより、冷媒を吹き付けている時間も短縮されてしまうが、基板の両面側から吹き付けることで単位時間あたりの冷却能力が上がっているので、大気圧環境下までベントする間に基板Ｋを冷却する能力としては低下しない。
【００６３】
図３Ｂを参照して、基板Ｋ上での冷媒が吹き付けられる位置について説明する。冷媒は、基板の中央部５内において吐出管に対応する位置に吹き付けられる。従って、図３Ｂに示される様に、表面側では、第１吐出管４１５の配置に対応して、Ｘ方向に平行な複数本の線状（４１１）となるように冷媒が吹き付けられる。一方、裏面側では、第２吐出管４２５の配置に対応して、Ｙ方向に平行な複数の線状（４２１）に冷媒が吹き付けられる。即ち、基板Ｋの表側と裏側とで、異なる領域（４１１と４２１）に冷媒が吹き付けられる。
【００６４】
このようにして、基板Ｋの表裏で異なる位置に冷媒が吹き付けられることによって、中央部５を満遍なく均一に冷却することができる。基板Ｋの表裏で同じ位置に冷媒が吹き付けられた場合、冷媒が吹き付けられた領域のみが集中的に冷却されるので、その周囲の冷媒が直接には吹き付けられない領域との間に局所的な温度差を生じることがある。このような局所的な温度差は、基板の割れ、反りの一因となり得る。これに対し、本実施の形態では、基板Ｋの表裏で異なる位置に冷媒を吹き付けることで、基板Ｋの割れや反りを、より確実に防止することができる。
【００６５】
続いて、図４Ａ、Ｂを参照して、吐出された冷媒が基板に吹き付けられるまでの流れについて説明する。図４Ａは、第１吐出管４１５の断面形状を示す図である。第１吐出管４１５は、断面が円形状の管であり、既述のように第１吐出口４１６が設けられている。ここで、第１吐出口４１６は、基板Ｋの反対側を向いて設けられている。第１吐出管４１５の基板Ｋ側の周囲で、基板Ｋの反対側にあたる位置には、ガス誘導プレート４３が設けられている。ガス誘導プレート４３は断面が半円状であり、第１吐出口４１６を閉塞しないように配置されている。ガス誘導プレート４３は、第１吐出管４１５と同様に、マニホールド４１５ｄと支持部材４１５eとによって固定されている。
【００６６】
第１吐出口４１６が基板Ｋの反対側を向いており、更にガス誘導プレート４３が設けられていることによって、冷媒は、まず第１吐出口４１６から基板Ｋの反対側に吐出される。そしてガス誘導プレート４３によってその流れが２通りに分けられ、何れも基板Ｋ側へと変えられる。ガス誘導プレート４３によって流れの向きが変えられた冷媒は、基板Ｋに吹き付けられる。
【００６７】
このように、一度基板Ｋの反対側に向けて冷媒を吐出し、ガス誘導プレート４３によってその流れを２つに分けて基板Ｋ側へ変えることによって、冷媒の勢いを減衰させることができる。基板Ｋは、既述のように表面が製膜されており、第１吐出口４１６からの冷媒がそのまま吹き付けられると、冷媒中に含まれる微粒子の衝突によって膜面に損傷が生じることがある。よって、冷媒の勢いを減衰させることで、このような微粒子の衝突による膜の損傷を防止することができる。
【００６８】
これに対し、図４Ｂに示されるように、第２の冷媒吐出部４２にはガス誘導プレート４３は設けられていない。また、第２吐出口４１７は、基板Ｋ側を向いて設けられている。即ち、冷媒は基板Ｋ側へ吐出され、そのまま吹き付けられる。第２の冷媒吐出部４２が冷媒を吹き付ける基板Ｋの裏面はガラス面であるので、微粒子の衝突による膜の損傷は発生しない。よって、第１の吐出部４１のように冷媒の勢いを減衰させるためのガス誘導プレート４３は不要である。ガス誘導プレート４３は、冷媒の勢いを減衰させる効果を奏するものの、アンロード室３内がベントを行う以前において高温状態となるプロセスを経ていた場合には、熱を持つことがある。このような場合、冷媒はガス誘導プレート４３によって温められてしまうために、冷却能力が低下する場合がある。よって、冷媒の勢いを減衰させる必要の無い裏面側に対しては、吐出部から直接に冷媒を吹き付けることで、冷却能力が低下することが無い。また、構成も簡略化されるので、コストダウンとなる。
【００６９】
続いて、真空ポンプ部６の構成について説明する。図８は、真空ポンプ部６の構成を概略的に示す図である。真空ポンプ部６は、ドライポンプ６１及びターボ分子ポンプ６２を有している。これらがバルブを介してアンロード室３に接続されることで、２つの排気ラインＢ（粗引きラインＢ１及び高真空排気ラインＢ２）を形成している。粗引きラインＢ１及び高真空排気ラインＢ２の切替えは、図示しない制御装置によって行われる。尚、本実施の形態では、高真空排気ラインＢ２が設けられている場合について説明するが、高真空排気ラインＢ２は設けられず、粗引きラインＢ１のみでアンロード室３内の真空引きが行われる場合もある。少なくとも、ベントガスを吐出させている状態でも稼動することのできる粗引きラインＢ１が設けられていて、ベントガスを吐出させている状態でも排気を行うことができるように構成されていればよい。
【００７０】
粗引きラインＢ１は、アンロード室３とドライポンプ６１とを直接つなぐラインであり、その間にはラフバルブ６３が設けられている。
【００７１】
一方、高真空排気ラインＢ２は、アンロード室３を、ターボ分子ポンプ６２を介して、粗引きラインＢ２の途中に接続するラインである。高真空排気ラインＢ２には、ターボ分子ポンプよりアンロード室３側にＭＶ６４が、ドライポンプ側にはＴＶ６５が設けられている。
【００７２】
排気ラインＢは、アンロード室３内を減圧環境下とするためのものである。アンロード室３内に基板が搬入される際には、共通搬送室１４側と同程度の減圧環境下（高真空排気状態）となっている必要がある。大気圧下から減圧環境下までの減圧を行う際に、ドライポンプ６１のみを用いた粗引きラインＢ１では、高真空排気状態までの減圧を行うことができない。従って、粗引きラインＢ１である程度の減圧環境下までの減圧がなされた後に、ターボ分子ポンプ６２を用いた高真空排気ラインＢ２によって高真空排気状態までの減圧が行われる。
【００７３】
粗引きラインＢ１と高真空排気ラインＢ２との切替えは、バルブ（ＲＶ、ＭＶ、ＴＶ）が制御装置（図示せず）によって開閉されることで行われる。ここで、ベント時に、冷媒吐出装置４が冷媒の吐出を開始してからしばらくの間、ＲＶを開として、粗引きラインＢ１でアンロード室３内を排気する。そして、所定の圧力、又は所定の時間が経過した段階で、ＲＶを閉として、アンロード室３内が気密となるようにする。
【００７４】
通常、ベント時において、アンロード室３内は密閉されているので、吐出される冷媒の量はアンロード室３内の容積と大気圧下で同じ体積を持つ量となる。基板Ｋを冷却する能力も、吐出される冷媒の総量、即ちアンロード室３内の容積によって決まってしまう。これに対し、冷媒の吐出が開始されてからもしばらくの間、アンロード室３内の排気を行うことで、吐出される冷媒の総量をアンロード室３の容積以上とすることができる。即ち、ＲＶを閉にするタイミングを、冷媒の吐出が開始された時点よりも後にすることで、ベント時における基板Ｋの冷却能力を向上させることができる。
【００７５】
尚、ＲＶを閉とするタイミングが遅くなると、ＲＶのアンロード室３側と、ドライポンプ６１側との間で、大きな圧力差が生じることになる。この圧力差は、ＲＶ６３をドライポンプ側に吸引する力を発生させ、ＲＶ６３の開閉を行うことが困難となる。従って、ＲＶ６３を開から閉に切り替えるタイミングは、アンロード室３内が昇圧してＲＶ６３の開閉が困難となる前に行われる必要がある。
【００７６】
（動作方法）
続いて、本実施の形態に係るベント方法について説明する。図９は、本実施の形態に係るベント方法のフローチャートである。本実施の形態にかかるベント方法は、基板を搬入するステップ（ステップＳ１０）、粗引きラインへ切り替えるステップ（ステップＳ１５）、冷媒の供給を開始するステップ（ステップＳ２２）、排気を終了するステップ（ステップＳ２３）、冷媒の供給を終了するステップ（ステップＳ２４）、及び基板を搬出するステップ（ステップＳ３０）を有している。各ステップの詳細について以下に説明する。尚、これらの動作は、全て、図示しない制御装置（コンピュータ）による指示で実行される。
【００７７】
ステップＳ１０；基板の搬入
アンロード室３と共通搬送室１４との間に設けられたゲート弁が開いて、真空処理室２での処理が終了した基板Ｋが、共通搬送室１４からアンロード室３内へ搬送される。アンロード室３内に基板Ｋが搬入されると、ゲート弁が閉じられる。この時、真空ポンプ部６は、アンロード室３内を高真空排気ラインＢ１によって高真空排気状態を保つように制御している。尚、既述のように、高真空排気ラインＢ１が設けられていない場合には、粗引きラインＢ２によって真空状態とされている。基板が搬入されて所定の位置で停止すると、次ぎのステップＳ１５へ進む。
【００７８】
ステップＳ１５；粗引きラインへ切替え
真空ポンプ部６は、ＭＶ６４及びＴＶ６５を閉とし、ＲＶ６３を開にする。即ち、高真空排気ラインＢ１を閉じて粗引きラインＢ２を開にする。これにより、アンロード室３内部が粗引きラインＢ２により排気された状態となる（排気ステップＳ２１）。尚、高真空排気ラインＢ１が設けられていない場合は、粗引きラインＢ２のままである。
【００７９】
ステップＳ２２；冷媒の供給開始
アンロード室３内を粗引きラインＢ２によって排気している状態で、冷媒吐出装置４から冷媒が吐出される。冷媒の吐出は、アンロード室３内が大気圧に昇圧するまで行われる。
【００８０】
ステップＳ２３；排気を終了するステップ
冷媒の吐出開始から終了までの間において、真空ポンプ部６はＲＶ６３を閉にする。これにより、粗引きラインＢ２による排気が終了し、アンロード室３内は密閉された状態となる。
【００８１】
ステップＳ２４；冷媒吐出の終了
アンロード室３内が大気圧まで昇圧すると、冷媒の吐出が終了する。
【００８２】
ステップＳ３０；基板の搬出
続いて、アンローダ１３側のゲート弁が開いて、搬送台車１６によって基板Ｋがアンローダ１３側へ搬出される。
【００８３】
以上により、本実施の形態に係るベント方法の一連の動作が終了する。
【００８４】
本実施の形態に依れば、アンロード室３においてベントを行う際に、冷媒を基板Ｋの両面側から、表裏で互いに異なる位置に吹き付けることによって、基板Ｋに局所的な温度ばらつきが発生することを抑制することができる。
【００８５】
また、冷媒を吐出を開始する際に、アンロード室３内を粗引きラインＢ２によって排気した状態で開始することで、アンロード室３内へ供給される冷媒の総量を、アンロード室３の容積以上とすることができる。基板Ｋに吹き付けられる冷媒の量をふやすことができるので、ベント時における冷却能力が向上する。
【００８６】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。本実施の形態に係る真空処理システム１では、第１の実施形態と比較して、冷媒吐出装置４の構成が工夫されている。これ以外の構成、動作は第１の実施形態と同様であり、説明を省略する。
【００８７】
図１２Ａは、冷媒吐出装置４の構成を示す図である。第１の実施形態と同様に、冷媒吐出装置４は、第１の冷媒吐出部４１、第２の冷媒吐出部４２を有している。ここで、基板Ｋの表裏両面に対向するように設けられている点、基板Ｋの中央部５に冷媒を吹き付けるように設けられている点、第１の冷媒吐出部４２にガス誘導プレート４３が設けられている点、及び冷媒供給源から独立した別々の経路で冷媒が供給される点についても、第１の実施形態と同様である。但し、本実施の形態では、第１吐出管４１５と第２吐出管４２５の相対的な位置関係が第１の実施形態と異なっている。
【００８８】
第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃは、第１の実施形態と同様に、Ｙ方向に延びるマニホールド４１５ｅからＸ方向に向かって延びている。これに対して、第２の冷媒吐出部４２においては、マニホールド４２５ｄがＹ方向に延びており、第２吐出管４２５ａ〜４２５ｃはＸ方向に向かって延びている。即ち、第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃと、第２吐出管４２５ａ〜４２５ｃとは、基板Ｋ平面に投影させたときに平行となるように配置されている。またこのように基板Ｋ平面に投影したとき、３本の第１吐出管４１５ａ〜４１５ｃと、３本の第２吐出管４２５ａ〜４２５ｃとは互いに重ならないように、交互となるように配置されている。
【００８９】
図１２Ｂは、基板Ｋ平面において第１の冷媒吐出部４１によって冷媒が吹き付けられる領域（４１１）と、第２の冷媒吐出部４２によって冷媒が吹き付けられる領域（４１２）との位置を説明する図である。冷媒は、基板Ｋの表裏の両側から、基板Ｋの中央部５内に吹き付けられる。領域（４１１）は、第１吐出管４１５の配置に対応しており、Ｘ方向に平行な複数の線状の領域である。領域（４１２）は、第２吐出管４２５の配置に対応しており、Ｘ方向に平行な複数の線状の領域である。領域（４１１）と領域（４１２）は、いずれもＸ方向に平行であるが、互いに交互になっている。
【００９０】
冷媒吐出装置４の構成を上述のようにしても、基板Ｋの表裏において異なる位置に冷媒が吹き付けられるので、基板Ｋの中央部５内での局所的な温度ばらつきが抑制される。更に、第１の冷媒吐出部４１を支持する冷媒管路Ｃ１と第２の冷媒吐出部４２を支持する冷媒管路Ｃ２とは、アンロード室３の底面から冷媒吐出部（４１、４２）へ向かってまっすぐに伸びるように構成することができる。即ち、第１の実施形態では、第２の冷媒吐出部４２を支持するために、冷媒管路Ｃ１は底面から上方向に延び、これを基板中央部５の高さの位置で直角に曲げる必要があったが、本実施の形態では、冷媒管路Ｃ２も底面から上方へ真っ直ぐに伸びるような構成とすることができる。よって、構成が簡略化されるので、冷媒吐出装置４に係る製作コストが低減される。
【００９１】
（第３の実施形態）
第３の実施形態について、以下に詳述する。本実施の形態では、真空ポンプ部６の構成が工夫されている。尚、真空ポンプ部６以外の構成は、第１、２の実施形態に記載のものを用いることができるので、説明を省略する。
【００９２】
図１０は本実施の形態に係る真空ポンプ部６の構成を示す図である。真空ポンプ部６は、第１の実施形態と同様に、排気ラインＢとして、粗引きラインＢ１と、高真空排気ラインＢ２とを有している。但し、本実施の形態では、真空ポンプ部６にリークラインＬが追加されている。
【００９３】
リークラインＬは、一端でアンロード室３に接続され、他端で粗引きラインＢ１におけるＲＶ６３の下流側（ドライポンプ６１側）に接続されている。また、リークラインＬには、リークバルブ（ＬＶ）６７が介装されている。
【００９４】
リークラインＬの断面積は、粗引きラインＢ１や高真空排気ラインＢ２の断面積よりも小さくなっている。
【００９５】
続いて、上述の構成を有する真空処理システム１のベント方法について説明する。図１１は、本実施の形態に係るベント方法のフローチャートを示している。本実施の形態に係るベント方法の各ステップについて、以下に説明する。
【００９６】
ステップＳ１０；基板の搬入
アンロード室３と共通搬送室１４との間に設けられたゲート弁が開いて、真空処理室２での処理が終了した基板Ｋが、共通搬送室１４からアンロード室３内へ搬送される。アンロード室３内に基板Ｋが搬入されると、ゲート弁が閉じられる。この時、真空ポンプ部６は、アンロード室３内を高真空排気ラインＢ１によって高真空排気状態を保つように制御している。基板が搬入されて所定の位置で停止すると、次ぎのステップＳ１５へ進む。
【００９７】
ステップＳ１６；リークラインへ切替え
真空ポンプ部６は、ＭＶ６４及びＴＶ６５を閉とし、ＬＶ６７を開にする。即ち、高真空排気ラインＢ１（排気ラインＢ）からリークラインＬへと切り替える。これにより、アンロード室３内部がリークラインＬにより排気された状態となる（排気ステップＳ２１）。
【００９８】
ステップＳ２２；冷媒の供給開始
アンロード室３内をリークラインＬによって排気している状態で、冷媒吐出装置４から冷媒が吐出される。冷媒の吐出は、アンロード室３内が大気圧に昇圧するまで行われる。
【００９９】
ステップＳ２３；排気を終了するステップ
冷媒の吐出開始から終了までの間において、真空ポンプ部６はＬＶ６７を閉にする。これにより、リークラインＬによる排気が終了し、アンロード室３内は密閉された状態となる。
【０１００】
本ステップにおいて、リークラインＬによる排気を終了させるタイミングとしては、第１の実施形態でのタイミングよりも高圧（大気圧に近い圧力）で行うことができる。これは、リークラインＬの断面積が、粗引きラインＢ１の断面積より小さいためである。リークラインＬの断面積が小さいことによって、アンロード室３側とドライポンプ側との間の圧力差が、ＬＶを吸引する力の総量を低減することが出きる。よって、より大気圧に近い状態まで昇圧された段階でも、ＬＶの開閉を行うことができる。
【０１０１】
ステップＳ２４；冷媒吐出の終了
続いて、アンロード室３内が大気圧まで昇圧すると、冷媒の吐出が終了する。
【０１０２】
ステップＳ３０；基板の搬出
続いて、アンローダ１３側のゲート弁が開いて、搬送台車１６によって基板Ｋがアンローダ１３側へ搬出される。
【０１０３】
以上で、本実施の形態に係るベント方法の一連の動作が終了する。
【０１０４】
尚、本実施の形態においても、高真空排気ラインＢ１が設けられている場合について説明した。高真空排気ラインＢ１が設けられていない場合は、リークラインＬへ切り替えるステップ（ステップＳ１６）の以前では粗引きラインＢ２による排気が行われ、リークライン切り替え（ステップＳ１６）によって粗引きラインからリークラインＬへの切り替えが行われればよい。
【０１０５】
本実施の形態に依れば、断面積の小さいリークラインＬを設けることによって、冷媒の吐出と排気とを長時間に渉って平行実施することができる。これにより、基板Ｋの温度を所望の温度まで自在に冷却することが可能である。
【０１０６】
また、本実施の形態において、冷媒の吐出開始時（ステップＳ２２）の段階でリークラインＬによる排気が行われている例について説明したが、冷媒の吐出開始時にはアンロード室３内は排気されていない状態としておき、冷媒が吐出されている最中においてＬＶ６７を開として排気してもよい。また、冷媒の吐出開始時には、排気ラインＢによる排気を行い、所定の圧力、又は時間が経過した段階でリークラインＬへ切り替えるように動作させてもよい。このように動作させたとしても、同様の効果を得ることができる。
【０１０７】
以上、第１〜第３の実施形態について説明したが、これらは独立したものではなく、必要に応じて組み合わせて使用してもよい。また、真空処理システム１として、中央に共通搬送室１４が配置され、これを取囲むように複数の真空処理室２やアンロード室３が配置された、クラスタ型のものについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、複数の真空処理室を直列に接続したタイプの真空処理システムにおいても、本発明の工夫を用いれば同様の作用・効果が得られることは、当業者にとっては自明的である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】真空処理システムの全体構成を示す図である。
【図２】アンロード室の構成を示す透視斜視図である。
【図３Ａ】第１の実施形態での冷媒吐出装置４の構成を示す図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態において、冷媒が吹き付けられる位置を示す図である。
【図４Ａ】第１吐出管の断面構成を示す図である。
【図４Ｂ】第２吐出管の断面構成を示す図である。
【図５】基板反りについて説明する図である。
【図６】基板の表裏温度差と凸変形量の関係を示すグラフである。
【図７】基板面内の温度差と、発生する応力との関係を説明する図である。
【図８】第１の実施形態における真空ポンプ部の構成を示す図である。
【図９】第１の実施形態におけるベント方法のフローチャートである。
【図１０】第３の実施形態における真空ポンプ部の構成を示す図である。
【図１１】第３の実施形態におけるベント方法のフローチャートである。
【図１２Ａ】第２の実施形態での冷媒吐出装置４の構成を示す図である。
【図１２Ｂ】第２の実施形態において、冷媒が吹き付けられる位置を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１    真空処理システム
２    真空処理室
３    アンロード室
４    冷媒吐出装置
４１  第１の冷媒吐出部
４１３    第１冷媒供給源
４１５ａ〜ｃ  第１吐出管
４１５ｄ      マニホールド
４１５ｅ      支持部材
４２  第２の冷媒吐出部
４２３    第２冷媒供給源
４２５ａ〜ｃ  第２吐出管
４２５ｄ    マニホールド
４２５ｅ    支持部材
４３  ガス誘導プレート
５    中央部
６    真空ポンプ部
６１  ドライポンプ
６２  ターボ分子ポンプ
６３  ラフバルブ
６４  ＭＶ
６５  ＴＶ
６６  真空ポンプ制御装置
６７  リークバルブ
１１  ロード室
１２  ローダ
１３  アンローダ
１４  共通搬送室
１５  台車移動待機室
１６  搬送台車
１７  予備室
１８  筐体
Ｋ    基板
Ｂ    排気ライン
Ｂ１    粗引きライン
Ｂ２    高真空排気ライン
Ｌ    リークライン
Ｒ    レール
Ｃ    冷媒管路
【図１】
0004838601.tif 000002
【図２】
0004838601.tif 000003
【図３Ａ】
0004838601.tif 000004
【図３Ｂ】
0004838601.tif 000005
【図４Ａ】
0004838601.tif 000006
【図４Ｂ】
0004838601.tif 000007
【図５】
0004838601.tif 000008
【図６】
0004838601.tif 000009
【図７】
0004838601.tif 000010
【図８】
0004838601.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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