(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理体の周縁部を処理液により処理する処理装置であって、
前記被処理体を載置保持可能なテーブルと、
前記処理液を保持可能かつ前記被処理体の前記周縁部を挿入可能な処理液保持空間を有
する処理液ユニットと、
前記処理液保持空間に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液ユニットを回転させる回転手段とを有し、
前記処理液ユニットは、前記処理液保持空間内の前記処理液ユニットの回転による遠心力により形成された処理液の液面の最大液面レベルを規定するオーバーフロードレインポートを有し、前記オーバーフロードレインポートは、その一端が前記処理液保持空間における開口寄りの部分に通じていること、
を特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記オーバーフロードレインポートは、前記処理液保持空間に通じる部分から径外方に延在して形成されたことを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記処理液ユニットは、前記処理液保持空間から前記処理液を排出する処理液排出口を有することを特徴とする請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記処理液排出口に遮断弁を設けたことを特徴とする請求項３記載の処理装置。
【請求項５】
前記テーブルを前記処理液ユニットの回転方向とは逆方向に回転させる回転手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の処理装置。
【請求項６】
前記処理液供給手段は処理液ノズルであって、この処理液ノズルの一端は処理液供給源に接続され、他端は前記処理液供給ユニットの処理液保持空間に向けて延び、かつその先端側は前記処理液ユニットの回転方向側に傾いていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の処理装置。
【請求項７】
被処理体の周縁部を処理液により処理する処理方法であって、
前記処理液が保持可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットの回転中心と、前記被処理体の中心とがほぼ同軸となるように、かつ前記周縁部が前記処理液保持空間に挿入されるように前記被処理体を載置保持する工程と、
前記処理液ユニットを回転させる工程と、
前記処理液ユニットを回転させた状態で、前記処理液を前記処理液保持空間に供給する
工程とを備え、
前記処理液を前記処理液保持空間に供給する際、前記処理液保持空間内の前記処理液ユニットの回転による遠心力により形成された処理液の液面の最大液面レベルが、一端が前記処理液保持空間における開口寄りの部分に通じたオーバーフロードレインポートにより規定されるようにしたこと、
を特徴とする処理方法。
【請求項８】
前記処理液ユニットを回転させるとともに前記被処理体をその逆方向に回転させる工程を含んでいることを特徴とする請求項７記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置及び処理方法に関し、例えば、半導体ウェーハなどの被処理体の周縁部を処理液によって処理するための処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置やその他の電子デバイスなど、略円形の基板を用いるプロセスにおいて、基板の周縁部に傷や亀裂が生じたり、あるいは不要な堆積物が形成されてしまうことがある。このような傷、亀裂などは、例えば、基板を搬送する際の保持具との接触で発生し、また、不要な堆積物は、例えば、エッチング工程や成膜工程などで生じる反応副生成物が付着したりすることで発生することが知られている。
【０００３】
そして、このような傷、亀裂、堆積物などが生じると、その後の工程において周縁部に応力集中が起こりやすくなり、その結果、部分的な割れや欠けを生じたり、最悪の場合、基板自体が割れたりしてしまい半導体装置や電子デバイスなどの製造ができなくなる問題が発生する。また、割れた破片が以後に処理をする他の基板に載ってしまった場合にも、配線不良などの不具合を生じる。
【０００４】
そのため、基板の周縁部の傷、亀裂、堆積物などの発生を低減すべく種々のプロセス上の改良が加えられているが、これらの発生を完全になくすことはできない。そこで、基板の周縁部を処理液で処理する技術が提案されている（例えば、特許文献１〜３）。
【０００５】
特許文献１に開示されている技術は、回転する基板の周縁部が通過可能な処理液供給手段を設け、所定の処理液を処理液供給手段に供給するとともに基板を回転させて、基板周縁部を所定の処理液で処理するものである。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されているような技術においては、所定の処理液を回転する基板の周縁部付近に供給するだけのため、処理領域寸法の精度の高い制御ができなかった。そのため、処理すべきでない領域までにも処理液が付着したり、反対に、処理すべき領域に処理液が付着しないなどの問題を生じていた。また、処理液供給手段は基板周縁部に部分的に設けるものなので処理効率も低いものとなっていた。
【０００７】
特許文献２に開示されている技術は、回転する基板の周縁部が通過可能な処理液タンクを設け、所定の処理液を処理液タンクに基板表面をつたわせるようにして供給するとともに、基板を回転させて、基板周縁部を所定の処理液で処理するものである。
【０００８】
しかしながら、特許文献２に開示されているような技術においては、処理液を基板全体に供給しているためそのままでは周縁部のみを選択的に処理することができない。そのため、処理に先立ち、処理が不要な非処理領域の保護のためのコーティングが必要になるなどの手間がかかっていた。
【０００９】
特許文献３に開示されている技術は、基板の周縁部に環状の処理槽を設け、処理槽の処理液に基板周縁部を接触させて、基板周縁部の処理をおこなうものである。
【００１０】
しかしながら、特許文献３に開示されているような技術においては、単に処理槽の処理液に基板周縁部を接触させるようにしているだけなので、処理領域寸法の精度の高い制御ができなかった。そのため、処理すべきでない領域までにも処理液が付着したり、反対に、処理すべき領域に処理液が付着しないなどの課題を有していた。また、一度に基板の片側のみしか処理ができず、処理効率に課題を有していた。
【特許文献１】特開２００１−３１９８４９号公報
【特許文献２】特開２００１−４６９８５号公報
【特許文献３】特開２００５−１０１０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、基板などの周縁部を選択的に処理液により処理するとともに、処理領域寸法の精度の高い制御ができ処理効率も高い、処理装置及び処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
処理体の周縁部を処理液により処理する処理装置であって、
前記被処理体を載置保持可能なテーブルと、
前記処理液を保持可能かつ前記被処理体の前記周縁部を挿入可能な処理液保持空間を有
する処理液ユニットと、
前記処理液保持空間に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理液ユニットを回転させる回転手段とを有し、
前記処理液ユニットは、前記処理液保持空間内の前記処理液ユニットの回転による遠心力により形成された処理液の液面の最大液面レベルを規定するオーバーフロードレインポートを有し、前記オーバーフロードレインポートは、その一端が前記処理液保持空間における開口寄りの部分に通じていること、を特徴とする処理装置が提供される。
【００１３】
また、本発明の他の一態様によれば、
被処理体の周縁部を処理液により処理する処理方法であって、
前記処理液が保持可能な処理液保持空間を有する処理液ユニットの回転中心と、前記被処理体の中心とがほぼ同軸となるように、かつ前記周縁部が前記処理液保持空間に挿入されるように前記被処理体を載置保持する工程と、
前記処理液ユニットを回転させる工程と、
前記処理液ユニットを回転させた状態で、前記処理液を前記処理液保持空間に供給する
工程とを備え、
前記処理液を前記処理液保持空間に供給する際、前記処理液保持空間内の前記処理液ユニットの回転による遠心力により形成された処理液の液面の最大液面レベルが、一端が前記処理液保持空間における開口寄りの部分に通じたオーバーフロードレインポートにより規定されるようにしたこと、を特徴とする処理方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板などの周縁部を選択的に処理液により処理するとともに、処理領域寸法の精度の高い制御ができ処理効率も高い、処理装置及び処理方法を提供することができる。そのため、産業上のメリットは多大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の第一の実施の形態について、具体例を参照しつつ詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第一の実施の形態にかかる処理装置１の部分断面斜視図である。  
図２は、図１における要部の拡大図である。  
図３は、同処理装置１の平面図である。  
図４は、図３におけるＡ−Ｏ−Ａ線拡大断面図である。  
図５は、処理液ユニット４の処理液保持部４ｃから上面板４ａが離隔した状態を表す図４と同様の断面図である。  
図６は、処理液Ｌが保持された処理液保持空間４ｉ付近の要部拡大断面図である。
【００１７】
処理装置１には、基板（被処理体）Ｗを載置した状態で保持するためのテーブル２が備えられている。テーブル２の基板載置面には、基板Ｗを保持するための図示しないバキュームチャックが備えられている。テーブル２において、基板載置面の反対側の面にはシャフト３が一体に設けられている。シャフト３の内部にはバキューム用の通路１７が形成されており、この通路１７の一端は図示しないバキュームチャックに連通するとともに、他端はこれも図示しない真空ポンプなどの排気装置に接続されている。
【００１８】
なお、バキュームチャックの代わりに、例えば、静電チャックのような他の保持手段を設けてもよい。シャフト３の下方には図示しない上下手段が接続されており、その上下手段によりシャフト３を介してテーブル２が上下動可能とされている。
【００１９】
また、処理装置１は、処理液ユニット４を備える。処理液ユニット４は、断面コの字状の処理液保持空間４ｉを有する。処理液保持空間４ｉには、テーブル２上に保持された状態の基板Ｗの周縁部が挿入可能となっている。処理液保持空間４ｉは、基板Ｗの周縁部に沿った環状の溝として設けられている。
【００２０】
処理液ユニット４は回転可能に配設され、その回転中心と、テーブル２の中心と、はほぼ同軸となっている。後に詳述するように、処理液ユニット４が回転すると、遠心力によって、処理液保持空間４ｉに処理液が保持され、基板Ｗの周縁部は、この処理液の中に沈積された状態となる。このようにして、基板Ｗの周縁部のみにエッチングなどの処理をすることができる。処理液ユニット４の下面には、これを支えるためのハウジング５が固着されており、さらにハウジング５の底面５ａの中央には、処理液ユニット４の中心とほぼ同軸になるように回転シャフト６が一体に設けられている。回転シャフト６は筒状を呈し、その内部には、前述のシャフト３が通されている。回転シャフト６には、図示しない電気モータなどを含む回転手段が連結されており、処理液ユニット４はその回転手段により、基板Ｗの周縁部に沿った方向に回転可能となっている。
【００２１】
処理液ユニット４の外側を覆うように、上面が開放した処理液飛散防止用のカバー７が備えられている。カバー７の底板７ａの中央には、シャフト３及び回転シャフト６が通される貫通孔が形成されている。また、底板７ａには、図示しない処理液排出用の穴が設けられており、その処理液排出用の穴は、回収タンクなどの回収手段と接続されている。
【００２２】
ハウジング５の底面５ａの下方には、処理液ユニット４の後述する上面板４ａを処理液保持部４ｃから離隔させるための上下機構８が設けられている。上下機構８はリング状を呈し、その中央孔を、回転シャフト６及びシャフト３が貫通している。上下機構８は図示しない上下手段に接続されており、この上下手段により、上下機構８は後述する上下シャフト１９ａ〜１９ｄ（図３、４に図示）の下端面を押圧可能となっている。
【００２３】
処理液ユニット４は、相互に分離可能な２つの組み合わせ体である処理液保持部４ｃと上面板４ａとを有する。上面板４ａはリング状を呈し、この下方には、同じくリング状の処理液保持部４ｃが設けられている。処理液保持部４ｃは、ハウジング５のリング状の上端面上に固定支持されている。処理液保持部４ｃは、その外周側の部分が、内周側の部分よりも凸状で上方に（上面板４ａ側に）突出した形状をしており、その外周側の部分が突出した分、内周側すなわち基板Ｗの周縁部に向き合う側に段差が形成されている。
【００２４】
図２に表されるように、処理液保持部４ｃの凸状部上面４ｈには、環状の凹溝４ｅが形成され、この凹溝４ｅにはＯリング４ｂが嵌入されている。その処理液保持部４ｃの凸状部上面４ｈには、上面板４ａの下面が当接され、それら両者の合わせ面の内周側と外周側とは、Ｏリング４ｂによって液密に遮断される。ただし、Ｏリング４ｂは必須の構成要素ではなく、上面板４ａと凸状部上面４ｈが当接することによりある程度の液漏れが防止できれば、これを省くこともできる。
【００２５】
処理液保持部４ｃに上面板４ａが当接した際にできる環状コの字型の空間が処理液保持空間４ｉとなる。また、図６に表されるように、処理液保持部４ｃには、処理液保持空間４ｉと、処理液保持部４ｃの外部とを連通させる処理液排出口４ｄが形成されている。図３に表されるように、処理液排出口４ｄは、処理液ユニット４の周方向に沿って例えば等間隔で配置され、また複数形成されている。尚、処理液排出口４ｄは等間隔配置に限ることはなく、また個数も適宜選択が可能である。また、処理液排出口４ｄに図示しない遮断弁を接続し、処理液Ｌの排出を制御可能としてもよい。
【００２６】
図４に表されるように、処理液保持部４ｃ及びこの下のハウジング５を貫通して上下シャフト１９ａ、１９ｂが設けられている。図４では、２本の上下シャフト１９ａ、１９ｂのみが図示されているが、図３に表されるように、例えば全部で４本の上下シャフト１９ａ〜１９ｄが、処理液ユニット４の周方向に沿って配置されて設けられている。上下シャフト１９ａと１９ｃとが、処理液ユニット４及びテーブル２の中心Ｏを挟んで対向し、上下シャフト１９ｂと１９ｄとが、上記中心Ｏを挟んで対向している。なお、上下シャフトの本数、配置は適宜選択が可能である。各上下シャフト１９ａ〜１９ｄの上端部は、上面板４ａに固定されている。
【００２７】
図４に表されるように、各上下シャフト１９ａ〜１９ｄの下端部には受け座４ｇが設けられ、その受け座４ｇとハウジング５との間には、各上下シャフト１９ａ〜１９ｄを下方に付勢するコイルバネ４ｆが設けられている。このコイルバネ４ｆの付勢力により、上面板４ａは、Ｏリング４ｂを介して処理液保持部４ｃに押し付けられ、処理液保持空間４ｉからの処理液の漏れが防止される。
【００２８】
ハウジング５内には、処理液供給手段として、例えば２本の処理液ノズル９が設けられている。２本の処理液ノズル９は、シャフト３の周囲に１８０°間隔で配置されている。処理液ノズル９の一端は図示しない処理液供給源に接続されており、他端（先端）は処理液保持空間４ｉに向けて処理液が供給できる位置に配置されている。
【００２９】
処理液ノズル９は、シャフト３と回転シャフト６との間を通され、さらに処理液ユニット４の回転中心Ｏ（図３参照）から径外方に延び、さらにここから上方に延び、さらに処理液保持空間４ｉに向けて延びている。処理液ノズル９の先端は、テーブル２に載置保持された基板Ｗの下方に位置する。また、図３に表されるように、処理液ノズル９の先端側の部分は、回転中心Ｏから径外方に延びる部分に対して、処理液ユニット４の回転方向ｒ側に傾いている。
【００３０】
処理液ノズル９は、２本に限らず、３本以上または１本だけでもよい。また、その配置も必ずしも均等割り付けでなくともよい。また、処理液ノズル９は必ずしも処理液ユニット４の内側に設ける必要はなく、例えば、処理液排出口４ｄのように処理液保持部４ｃに設けてもよいし、処理液排出口４ｄに切り替え弁を設けて処理液Ｌの供給と排出を切り替えて処理液Ｌを供給するようにしてもよい。さらには、基板Ｗの上方に設けることもできる。
【００３１】
次に、処理装置１の動作について説明する。
【００３２】
まず、図示しない上下手段により上下機構８を上昇させ、上下機構８を、上下シャフト１９ａ〜１９ｄの下端面に当接させ、さらに上下機構８が上昇することで、コイルバネ４ｆの付勢力に打ち勝ち、上下シャフト１９ａ〜１９ｄを上方に持ち上げる。これにより、図５に表されるように、上下シャフト１９ａ〜１９ｄの上端部に固定された上面板４ａが処理液保持部４ｃの凸状部上面４ｈから離隔上昇する。
【００３３】
次に、図示しない上下手段によりシャフト３を介してテーブル２を上昇させる。このとき、テーブル２の上昇端において、上面板４ａの下面と、テーブル２の上面との間に、基板Ｗの搬入搬出が可能となるようなスペースができる。
【００３４】
その状態で、基板Ｗを、図３に表されるフォーク１５などの搬送装置により、カバー７に形成された図示しない開口を介してカバー７の内部に搬入し、さらに上面板４ａの下面と、テーブル２の上面との間に搬入し、テーブル２上に載置する。上下シャフト１９ａと１９ｂとの間の間隔、及び上下シャフト１９dと１９ｃとの間の間隔は、基板Ｗの直径より大きいため、上下シャフト１９ａ〜１９ｄは基板Ｗの搬出入の妨げにはならない。
【００３５】
上面板４ａの下面と、テーブル２の上面との間に搬入された基板Ｗは、図示しない位置決め手段などで、処理液ユニット４の回転中心と、基板Ｗの中心とがほぼ同軸になるようにテーブル２上に載置される。載置後、バキューム用通路３に接続された図示しない排気手段を動作させることにより、テーブル２に内蔵されたバキュームチャックで基板Ｗを保持する。
【００３６】
次に、シャフト３及びテーブル２を下降させ、さらに上下機構８を下降させる。コイルバネ４ｆの付勢力に抗して上下シャフト１９ａ〜１９ｄ及び上面板４ａを持ち上げていた上下機構８が下降することにより、図４に表されるように、コイルバネ４ｆの下方への付勢力によって、上面板４ａは処理液保持部４ｃの凸状部上面４ｈに圧接する。ここで、凸状部上面４ｈにはＯリング４ｂが備えられているので、上面板４ａと凸状部上面４ｈとの圧接部からの処理液の漏れが防止できる。
【００３７】
上面板４ａが処理液保持部４ｃに圧接することで、上面板４ａ及び上下シャフト１９ａ〜１９ｄのそれ以上の下降が停止され、また、上下機構８は上下シャフト１９ａ〜１９ｄの下端面から離隔する位置まで下降して停止される。また、シャフト３及びテーブル２の下降により、基板Ｗの周縁部は、処理液保持部４ｃにおける径内方に突き出た部分と、上面板４ａの内周側部分との間で挟まれた処理液保持空間４ｉ内に配置される。基板Ｗの周縁部は、処理液保持部４ｃ及び上面板４ａに接触していない。
【００３８】
次に、図示しないモータなどの回転手段により回転シャフト６を回転させ、回転シャフト６に固定されているハウジング５及び処理液ユニット４を所定の回転数（例えば、１００〜１５００ｒｐｍ（revolutions per minute））で回転させる。基板Ｗは、回転されず静止している。また、処理液ユニット４は、基板Ｗに接触しない状態で回転させられる。以上の状態で、図６に表されるように、処理液ノズル９より処理液Ｌを処理液保持空間４ｉに所定量供給する。
【００３９】
処理液ユニット４が回転しているため、処理液保持空間４ｉに供給された処理液Ｌは、遠心力により外側に付勢される。そのため、処理液Ｌは、基板Ｗの径内方側に流れ出ることがない。また、処理液保持空間４ｉの開口側の液面（側面）Ｌａがほぼ鉛直となる上、環状の処理液保持空間４ｉの全周にわたり処理液の深さ（径方向の幅）Ｄがほぼ一定となる。
【００４０】
そして、前述のように処理液ユニット４の回転中心と、基板Ｗの中心とがほぼ同軸となっているので、基板Ｗの表裏とも周縁部全周にわたって均一な範囲（基板Ｗの端面から一定の寸法の範囲）に処理液Ｌを付着させることができる。また、処理液Ｌの深さＤは、処理液Ｌの供給量により簡単に調節できるので、処理領域が変更になった場合にも迅速な対応が可能となる。例えば、処理液保持空間４ｉの高さと径方向の幅は１０ミリメータほどであり、基板Ｗの端面から５ミリメータほどの部分が処理液Ｌに浸けられる。
【００４１】
また、図３に表されるように、処理液ノズル９の先端側の部分を、処理液ユニット４の回転方向ｒ側に傾けることで、回転している処理液保持空間４ｉ内に処置液を円滑に収めて遠心力を作用させることができ、液面の乱れを抑えることができる。
【００４２】
ここで、基板Ｗの具体例としては、例えば、半導体装置の製造に用いられるシリコン基板や液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板のようなものがあるがこれに限定されるものではない。処理液Ｌの具体例としては、例えば、エッチング処理に用いられるエッチング液として、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸などの無機酸または有機酸もしくはこれらの混合物などがあり、洗浄処理に用いられる洗浄液として、純水、脱イオン化された純水などがある。しかし、処理液Ｌはこれらに限定されるものではなく、基板Ｗ自体の材質やその上に形成された薄膜の材質、処理条件などにより適宜選択が可能である。
【００４３】
また、処理液Ｌを切り替えることにより処理を切り替えることもできる。例えば、前述のエッチング処理に用いられる液を供給しエッチング処理をおこなった後、洗浄に用いられる液に切り替えて洗浄処理をおこない、さらには、窒素ガスや乾燥空気などの乾燥ガスに切り替え乾燥処理をおこなうこともできる。尚、これらの処理は同一の処理液ノズル９を用いて、供給する流体を切り替えるようにしてもよいし、別途独立に専用のノズルを設けるようにしてもよい。なお、これらの処理は必ずしもすべてをおこなう必要はなく、必要に応じて適宜選択の上、おこなわれるようにしてもよい。
【００４４】
処理液保持空間４ｉ内の処理液Ｌは、遠心力の作用によって、処理液排出口４ｄを通って、処理液ユニット４の外部に排出され、回収された後に不純物除去などの必要な処置を施し再利用される。処理液排出口４ｄを介して処理液Ｌの排出をおこないつつ、処理液ノズル９から新しい処理液Ｌが供給されてその新しい処理液Ｌが基板Ｗの処理面に付着するので処理の効率を上げることができる。
【００４５】
もしくは、処理液排出口４ｄに遮断弁を設け、処理中はその遮断弁を閉じて、処理液が処理液保持空間４ｉに保持されるようにし、処理が終わった後、その遮断弁を開くことにより処理液Ｌの排出を行ってもよい。この場合、処理液ユニット４が回転しているので、遠心力により処理液Ｌは簡単に排出することができるが、排出をより容易にするために排出ポンプなどを併せて用いるようにしてもよい。
【００４６】
必要な処理が終了した後は、図示しない回転手段を停止させ、処理液ユニット４を停止させる。前述の基板載置時と反対の手順で基板Ｗを搬出する。すなわち、上下機構８を上昇させ、上面板４ａを処理液保持部４ｃの凸状部上面４ｈから離隔上昇させる。次に、テーブル２を上昇させる。そして、上面板４ａの下面と、テーブル２の上面との間のスペースから、フォーク１５（図３）などの搬送装置により基板Ｗを搬出する。以後、必要があれば前述の手順を繰り返すことにより連続して基板処理をおこなうことができる。
【００４７】
次に、本発明の第二の実施の形態について説明する。本実施形態においては、基本的な構成は前述の第一の実施の形態と同じである。そのため、異なる部分のみを説明することとする。
【００４８】
本実施形態においては、シャフト３の下方に図示しない回転手段が接続されている。この回転手段によりシャフト３を介してテーブル２が回転可能となっている。前述の第一の実施の形態においては、シャフト３には図示しない上下手段が接続されていたが、本実施形態では図示しない搬送装置側に上下手段を設け、テーブル２上への基板Ｗの載置をおこなうようにしている。そのため、本実施形態ではテーブル２の上下動作はおこなわず、搬送装置側の上下動作により基板Ｗをテーブル２へ載置する。なお、シャフト３の下方に図示しない上下手段と回転手段の双方を設けるようにして、第一の実施形態と同様の基板Ｗの受け渡しをすることもできる。
【００４９】
本実施形態においては前述のような構成をとっているため、テーブル２を回転させることができる。例えば、処理液ユニット４とテーブル２とを互いに逆方向に回転させた場合には、処理液Ｌと基板Ｗの周縁部との接触を容易にするとともに、攪拌による物理的作用をも加えることにより処理の効率をあげることができる。また、処理液ユニット４とテーブル２とを同方向に同期回転させた場合には、攪拌の影響を低減させ、処理液の液面Ｌａの変動を抑えることにより、より厳格な寸法範囲での処理が可能となる。
【００５０】
基板Ｗを静止させた状態で、処理液ユニット４を回転させて基板Ｗの周縁部をエッチングした場合、処理液が表面張力によって基板Ｗの中心に向けて浸透して、エッチングするべきでない部分をエッチングしてしまう可能性がある。これに対して、基板Ｗも回転させれば、そのときに生ずる遠心力で、処理液が基板Ｗの中心に向けて浸透するのを抑制することが可能となる。
【００５１】
また、エッチング後は、基板Ｗが酸性になっているため純水などでリンスして乾燥させることを必要とすることが多い。このとき、基板Ｗを回転させれば、遠心力で水分を飛ばし、乾燥（スピン乾燥）させることが可能になる。
【００５２】
また、前述のように乾燥処理をする場合は、基板Ｗを回転させ遠心力で付着した液を飛ばし、乾燥時間を短縮することができる。この場合、基板Ｗの周縁部には処理液保持空間４ｉがあるので、遠心力で飛ばされた液が飛散することもない。尚、回転方向や回転速度は適宜選択が可能であるし、処理中に回転方向の切り替えや回転速度の変速をするようにしてもよい。
【００５３】
次に、図７を参照して、処理液ユニット４の他の具体例について説明する。  
図７は、図６と同様な部分の断面図であるが、図６と異なるのは、上面板４ａと処理液保持部４ｃのそれぞれに、処理液保持空間４ｉ内の処理液Ｌの最大液面レベルを規定するオーバーフロードレインポート２１ａ、ｂを設けている点である。
【００５４】
オーバーフロードレインポート２１ａ、ｂのそれぞれの一端は、処理液保持空間４ｉにおける開口寄りの部分に通じ、他端はそれぞれ上面板４ａと処理液保持部４ｃの外部に通じている。処理液保持空間４ｉ内の処理液Ｌの液面（開口寄りの側面）Ｌａがオーバーフロードレインポート２１ａ、ｂに至ると、処理液Ｌはオーバーフロードレインポート２１ａ、ｂを通じて処理液保持空間４ｉから排出される。したがって、処理液保持空間４ｉ内の処理液Ｌは、オーバーフロードレインポート２１ａ、ｂよりも径内方側にはあふれ出すことがなく、基板Ｗ周縁部の処理領域寸法の精度の高い制御を行える。オーバーフロードレインポート２１ａ、ｂは、処理液保持空間４ｉに通じる部分から径外方に延在して形成されているため、処理液ユニット４の回転による遠心力により、処理液Ｌを簡単に排出することができる。
【００５５】
オーバーフロードレインポート２１ａ、ｂは、前述した処理液排出口４ｄと同様に、環状の処理液保持空間４ｉの周方向に沿って複数設けられている。また、オーバーフロードレインポート２１ａ、ｂは、上面板４ａと処理液保持部４ｃのどちらか一方だけに設けてもよい。
【００５６】
以上具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５７】
例えば、本発明において用いる処理液ユニット、テーブル、処理液保持空間、処理液ノズル、処理液飛散防止用のカバーなどの要素は、前述した形状、サイズのものには限定されず、その断面形状、壁面厚、開口の形状やサイズなどは適宜変更して同様の作用効果が得られ、本発明の範囲に包含される。
【００５８】
なお、上下機構８はハウジング５の底面５ａに上下動自在に取り付けられるようにしたものであってもよい。また、上下機構８を設けずに処理液ユニット４を下降させ、固定されたブロックなどに上下シャフト１９ａ〜１９ｄの下端面を押し当て、上面板４ａを処理液保持部４ｃから離隔させるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第一の実施の形態にかかる処理装置の部分断面斜視図である。
【図２】図１における要部の拡大図である。
【図３】本実施形態にかかる処理装置の平面図である。
【図４】図３におけるＡ−Ｏ−Ａ線拡大断面図である。
【図５】図４と同様な断面図であり、基板を搬出入するときの状態を表す。
【図６】処理液が保持された処理液保持空間付近の要部拡大断面図である。
【図７】本発明の他の具体例にかかる、図６と同様な要部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  処理装置
２  テーブル
４  処理液ユニット
４ａ  上面板
４ｃ  処理液保持部
４ｄ  処理液排出口
４ｈ  凸状部上面
４ｉ  処理液保持空間
５  ハウジング
６  回転シャフト
７  カバー
８  上下機構
９  処理液ノズル
１９ａ〜１９ｄ  上下シャフト
２１ａ，ｂ  オーバーフロードレインポート
Ｄ  処理液の深さ
Ｌ  処理液
Ｌａ  処理液の液面（側面）
Ｗ  基板（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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