(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004693332.tif 000015
（式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ1 が水素原子のとき、Ｒ2 は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ1 がメチル基のとき、Ｒ2 は炭素原子数２〜８のアルキル基を示す。）
で表される４−置換フェニルフェノール類。
【請求項２】
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）フェニル）フェノール。
【請求項３】
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）フェニル）フェノール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な４−置換フェニルフェノール類に関し、詳しくは、フェニル置換基の４位にフェニル置換非対称アルキル基を有する４−置換フェニルフェノール類に関する。
【０００２】
このような４−置換フェニルフェノール類は、液晶ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン等の合成樹脂の原料や、種々の電子表示素子の原料、半導体等のフォトレジストの原料等として有用である。
【０００３】
【従来の技術】
従来、４−置換フェニルフェノール類等の４−フェニルベンゼン誘導体に関しては、例えば、特開平１−１６８６３２号公報に、１，４−シクロヘキサンジオンとフェノールから１，１，４，４−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを製造し、これを分解脱水素して、４，４”−ジヒドロキシフェニル−ｐ−ターフェニルを製造することが記載されている。
【０００４】
また、特開平２−２１２４４９号公報には、４−メトキシ−４’−ブロムビフェニルと４−メトキシブロムフェニルをグリニヤールカップリングし、次いで、脱メチルして、４，４”−ジヒドロキシ−３−フェニル−ｐ−ターフェニルを製造することが記載されている。
【０００５】
４−フェニルベンゼン誘導体は、上述したように、液晶ポリエステルやポリカーボネート等の合成樹脂の原料、種々の電子表示素子の原料、半導体等のフォトレジストの原料等の分野において有用である。しかし、これらの分野においては、原料としての４−フェニルベンゼン誘導体についても、要求される性能が益々多様化、高度化してきているところ、上述したような従来より知られているものは、例えば、耐熱性、親油性、溶剤への溶解性等において十分ではない。
【０００６】
そこで、近年、溶剤への溶解性等の性能が改善された４−フェニルベンゼン誘導体が強く要望されている。
【０００７】
本発明者らは、上述した要望に応えるべく、鋭意、研究した結果、フェニル置換基の４位にフェニル置換非対称アルキル基を導入することによって、溶剤への溶解性や、更には、耐熱性や親油性の改善が期待できる新規な４−フェニルフェノール類を得ることができることを見出して、本発明に至ったものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、フェニル置換基の４位に非対称アルキル置換フェノール基を有する新規な４−置換フェニルフェノール類を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による新規な４−置換フェニルフェノール類は、一般式（Ｉ）
【００１０】
【化２】
0004693332.tif 000002
【００１１】
（式中、Ｒ1 は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ1 が水素原子のとき、Ｒ2 は炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ1 がメチル基のとき、Ｒ2 は炭素原子数２〜８のアルキル基を示す。）
で表される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明による新規な４―置換フェニルフェノール類は、上記一般式（Ｉ）で表される。ここに、Ｒ1 は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2 は、Ｒ1 が水素原子のとき、炭素原子数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ1 がメチル基のとき、炭素原子数２〜８のアルキル基である。Ｒ2 は、具体的には、メチル基（Ｒ1 が水素原子のときのみ）、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基又はオクチル基であり、炭素原子数３以上のアルキル基であるとき、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
【００１３】
特に、本発明によれば、上記一般式（Ｉ）で表される４―置換フェニルフェノール類において、Ｒ2 は、好ましくは、エチル基、プロピル基又はブチル基である。
【００１４】
従って、本発明による４−置換フェニルフェノール類の具体例としては、例えば、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）エチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロピル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，３−ジメチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−エチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−４，４−ジメチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）オクチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルヘプチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−エチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−５−メチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメチルプロピル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，４−ジメチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２，３−トリメチルブチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘプチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル−３−エチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，４，４−トリメチルペンチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルオクチル）シフェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルヘプチル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル−３−エチルヘキシル）フェニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，５−ジメチルヘキシル）フェニル）フェノール
等を挙げることができる。
【００１５】
このような、本発明による４−置換フェニルフェノール類は、例えば、一般式（II）
【００１６】
【化３】
0004693332.tif 000003
【００１７】
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じである。）
で表される４−置換シクロヘキセニルフェノール類を脱水素触媒の存在下にそのシクロヘキセン環を脱水素することによって得ることができる。
【００１８】
また、上記４−置換シクロヘキセニルフェノール類は、例えば、一般式（III)
【００１９】
【化４】
0004693332.tif 000004
【００２０】
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じである。）
で表される４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を、好ましくは、アルカリ触媒の存在下に、熱分解することによって得ることができる。
【００２１】
従って、本発明による４−置換フェニルフェノール類は、１つの方法として、上記４−置換シクロヘキセニルフェノール類を脱水素化することによって得ることができる。
【００２２】
また、別の方法として、上記一般式（III)で表される４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を熱分解して、４−置換シクロヘキセニルフェノール類を含む反応混合物を得、ここに、この熱分解にアルカリ触媒を用いた場合には、反応終了後、得られた反応混合物に酸を加えてアルカリを中和した後、晶析、濾過等の精製を施すことなく、そのまま、脱水素触媒の存在下に脱水素することによって、本発明による４−置換フェニルフェノール類を得ることができる。
【００２３】
他方、上記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解にアルカリ触媒を用いなかった場合には、反応終了後、得られた４−置換シクロヘキセニルフェノール類を含む反応混合物に晶析、濾過等の精製を施すことなく、そのまま、これを脱水素触媒の存在下に脱水素すれば、本発明による４−置換フェニルフェノール類を得ることができる。
【００２４】
上記一般式（II）で表される４−置換シクロヘキセニルフェノール類の具体例として、前述した本発明による４−置換フェニルフェノール類の具体例に対応して、例えば、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）エチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘキシル））−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，３−ジメチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３―メチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−エチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−４，４−ジメチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）オクチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルヘプチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−エチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−５−メチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，４−ジメチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２，３−トリメチルブチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘプチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル−３−エチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，４，４−トリメチルペンチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルオクチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジメチルヘプチル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチル−３−エチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール、
４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，５−ジメチルヘキシル）−１−シクロヘキセニル）フェノール
等を挙げることができる。
【００２５】
また、上記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の具体例として、例えば、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ブチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−（２−メチルプロピル））シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ペンチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）ヘプチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）オクチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルブチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルペンチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２−ジメチルブチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルヘプチル）シクロヘキサン
等を挙げることができる。
【００２６】
このような４−置換シクロヘキセニルフェノール類の脱水素、詳しくは、シクロヘキセン環の脱水素反応によって、本発明による４−置換フェニルフェノール類を得るには、例えば、脱水素触媒の存在下に、溶媒中、４−置換シクロヘキセニルフェノール類か、又は４−置換シクロヘキシリデンビスフェノールの熱分解によって得られた４−置換シクロヘキセニルフェノール類を含む反応混合物を１００〜２５０℃の範囲の温度にて、脱水素反応すればよい。
【００２７】
上記脱水素触媒としては、従来より知られているものが適宜に用いられる。従って、例えば、ラネーニッケル、還元ニッケル、坦持触媒等のニッケル触媒、ラネーコバルト、還元コバルト、コバルト担持触媒等のコバルト触媒、ラネー銅等の銅触媒、酸化パラジウム、パラジウム黒、カーポン担持パラジウム等のパラジウム触媒、プラチナ黒、カーボン担持プラチナ等のプラチナ触媒、ロジウム触媒、クロム触媒、鋼クロム触媒等が用いられる。これらのなかでは、特に、パラジウム等の白金族触媒が好ましく、特に、パラジウム触媒が好ましく用いられる。
【００２８】
このような脱水素触媒は、原料である４−置換シクロヘキセニルフェノール類１００重量部に対して、通常、０．１〜２０重量部、好ましくは、０．２〜１０重量部の範囲で用いられる。
【００２９】
また、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を出発原料とする場合は、出発原料である４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類１００重量部に対して、通常、０．１〜２０重量部、好ましくは、０．２〜１０重量部の範囲で用いられる。
【００３０】
上述したような４−置換シクロヘキセニルフェノール類の脱水素か、又は４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解によって得られた反応混合物の脱水素反応においては、水素受容体を共存させても、させなくてもよいが、より高収率にて目的物を得るためには、水素受容体を共存させることが好ましい。このような水素受容体としては、特に限定されるものではないが、例えば、α−メチルスチレン等のスチレン類、ニトロベンゼン、メチルイソブチルケトン、フェノール等が好ましく用いられる。
【００３１】
脱水素反応の温度は、通常、１００〜２５０℃の範囲、好ましくは１３０〜２００℃の範囲である。
【００３２】
脱水素反応は、気相においても行うことができるが、用いる原料と反応生成物の融点が高いので、その液状性の改善を図るため、更には、反応生成物の熱重合を防止するため、反応溶媒を用いて、溶液中で行うのが好ましい。この反応溶媒としては、前記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解によって得られた反応混合物を脱水素反応に付す場合は、工程の簡略化の観点から、熱分解反応において用いた溶媒をそのまま用いることが好ましい。
【００３３】
また、反応は、好ましくは、常圧下で行われる。このような反応条件において、脱水素反応は、通常、３〜６時間で終了する。
【００３４】
上記溶媒としては、脱水素反応において、不活性であると共に、留出せず、また、原料である４−置換シクロヘキセニルフェノール類や、得られる４−置換フェニルフェノール類が溶解しやすいという理由から、例えば、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール等のポリエチレングリコール類、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングリコール等のポリプロピレングリコール類、グリセリン等の多価アルコール類、これらの混合物が用いられる。また、市販の有機熱媒体である「サームエス」（新日鐵化学（株）製）や「ＳＫ−ＯＩＬ」（綜研化学（株）製）も用いられる。
【００３５】
このような溶媒は、用いる４−置換シクロヘキセニルフェノール類に対して、又は４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解によって得られた反応混合物に対して、通常、１〜１５０重量部、好ましくは、３〜５０重量部の範囲で用いられる。
【００３６】
本発明によれば、上記溶媒を用いることによって、４−置換シクロヘキセニルフェノール類の転化率が高く、しかも、自的とする４−置換フェニルフェノール類の選択率も高くすることができるので、目的とする４−置換フェニルフェノール類を高収率で得ることができる，
４−置換シクロヘキセニルフェノール類の脱水素は、反応器内を窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスで置換した後、行うことが望ましい。
【００３７】
このようにして、４−置換シクロヘキセニルフェノール類を脱水素し、かくして、得られた４−置換フェニルフェノール類は、必要に応じて、精製される。４−置換フェニルフェノール類を精製するには、例えば、上記反応によって得られた反応混合物から触媒を濾過分離して除去した後、常法に従って、晶析、濾過等を行えばよい。必要に応じて、再溶解、晶析、濾過、乾燥等の方法にて精製すれば、更に、高純度品を得ることができる。
【００３８】
４−置換シクロヘキセニルフェノール類の製造に用いる前記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、例えば、一般式（IV）
【００３９】
【化５】
0004693332.tif 000005
【００４０】
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じである。）
で表される置換シクロヘキサノン類とフェノールを反応溶媒中、酸触媒の存在下に、脱水縮合反応することによって得ることができる。
【００４１】
上記置換シクロヘキサノン類の具体例としては、例えば、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、
２−（４−オキソシクロヘキシル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン
等を挙げることができる。
【００４２】
上記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解は、触媒の不存在下に行ってもよいが、好ましくは、アルカリ触媒の存在下に行われる。このアルカリ触媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸水素塩、ナトリウムフェノキシド、カリウムフェノキシド等のアルカリ金属フェノキシド、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ土類金属水酸化物等を挙げることができる。これらのなかでは、特に、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが好ましく用いられる。
【００４３】
このように、上記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解において、アルカリ触媒を用いる場合、そのアルカリ触媒は、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類１００重量部に対して、通常、０．０１〜３０重量部、好ましくは、０．１〜１０重量部の範囲で用いられる。
【００４４】
このようなアルカリ触媒は、どのような形態で用いられてもよいが、仕込み操作が容易である点から、好ましくは、通常、１０〜５０重量％の水溶液として用いられる。
【００４５】
上記４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解は、原料である４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類及び／又はその熱分解による反応生成物の融点が高いので、その液状性を改善し、更には、その熱分解反応生成物の熱重合を防止するために、好ましくは、反応溶媒の存在下に行われる。
【００４６】
上記反応溶媒としては、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解反応に際して、不活性であると共に、反応混合物から留出しない溶媒であれば、特に限定されるものではないが、例えば、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール等のポリエチレングリコール類、トリプロピレングリコール、テトラプロピレングリコール等のポリプロピレングリコール類、グリセリン等の多価アルコール類等が好ましく用いられる。また、市販の有機熱媒体である「サームエス」（新日鉄化学（株）製）や「ＳＫ−ＯＩＬ」（綜研化学（株）製）等も用いられる。
【００４７】
このような溶媒は、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類１００重量部に対して、通常、１０〜１５０重量部、好ましくは、３０〜１００重量部の範囲で用いられる。
【００４８】
４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解は、通常、１５０〜３００℃の範囲、好ましくは、１８０〜２５０℃の範囲の温度で行われる。熱分解温度が低すぎるときは、反応速度が遅すぎ、他方、熱分解温度が高すぎるときは、望ましくない副反応が多くなるからである。また、熱分解の反応圧力は、特に限定されるものではないが、通常、常圧乃至減圧下の範囲であり、例えば、１〜７６０ｍｍＨｇゲージ圧の範囲、好ましくは、３０〜５０ｍｍＨｇゲージ圧の範囲である。
【００４９】
このような反応条件において、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解は、通常、１〜６時間程度で終了する。ここに、熱分解反応は、例えば、熱分解反応によって生成するフェノールの留出がなくなった時点をその終点とすることができる。
【００５０】
好ましい態様によれば、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の熱分解反応は、例えば、反応容器に４―置換シクロヘキシリデンビスフェノール類とアルカリ触媒とテトラエチレングリコール等の溶媒を仕込み、温度１９０〜２２０℃、圧力３０〜５０ｍｍＨｇゲージ圧で３〜６時間程度、分解反応によって生成したフェノールを留出させながら、攪拌することによって行われる。
【００５１】
このようにして、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を熱分解し、反応終了後、通常、得られた反応混合物から分解生成物であるフェノールを留去することによって、反応生成物を含む残留物を得る。そこで、この残留物に酸を加えて、アルカリを中和した後、必要に応じて、これを晶析、濾過等により精製すれば、４−置換シクロヘキセニルフェノール類を得ることができる。
【００５２】
このようにして、４−置換シクロヘキシリデンピスフェノールを熱分解し、次いで、得られた４−置換シクロヘキセニルフェノール類を含む反応混合物を脱水素反応に付することによって、本発明による４−置換フェニルフェノール類を得ることができる。
【００５３】
前記一般式（IV）で表される置換シクロヘキサノン類は、例えば、一般式（Ｖ）
【００５４】
【化６】
0004693332.tif 000006
【００５５】
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記と同じである。）
で表されるビス（４−ヒドロキシフェニル）アルカン類を反応溶媒中、パラジウム触媒の存在下に選択的水素化することによって得ることができる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、フェニル置換基の４位に非対称アルキル置換フェノール基を有する新規な４−置換フェニルフェノール類が提供される。このような４−置換フェニルフェノール類は、溶剤への溶解性や、更には、耐熱性や親油性にすぐれることが期待され、かくして、新規な液晶ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン等の合成樹脂の原料として有用である。また、種々の電子表示素子の原料、半導体等のフォトレジストの原料等としても有用である。
することを
【００５７】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。以下において、反応生成物の純度は、液体クロマトグラフィー分析による純度である。
【００５８】
参考例１
（１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの製造）
１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１００ｇ（０．４３９モル）と酢酸エチル１５０ｇと共に、ナトリウム約１．５重量％とパラジウム５重量％とをカーボン粉末に担持させてなるパラジウム・カーボン触媒３．０ｇ（含水触媒の乾燥重量換算量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕込み、オートクレーブ内を７０℃まで昇温した後、内圧を解放して、圧力（ゲージ圧）を０ＭＰａとした。
【００５９】
次いで、オートクレーブを密閉し、内温を1 4 ０℃まで昇温した後、オートクレーブ内に水素を０．５ＭＰａまで導入した。この後、オートクレーブ内の水素圧力を０．５ＭＰａに保つように、水素を適宜、オートクレーブ内に補充しながら、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）プロパンの水素化を行い、オートクレーブ内の水素吸収量が理論水素吸収量（原料モル量の２倍モル量）の１．１倍量となった時点（反応の開始から５時間後）で反応を終了した。その結果、原料の転化率は９４．２％であり、目的物の選択率は９２．２％であった。
【００６０】
反応終了後、オートクレーブ内を７０℃まで降温し、窒素ガス置換した後、６５℃で触媒を濾別した。得られた濾液を加熱濃縮し、酢酸エチル５０ｇを留出させた後、濃縮物を室温まで冷却し、析出した結晶を濾取し、乾燥して、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５８．０ｇを白色結晶として得た。純度は９９．２％（ガスクロマトグラフィー分析による。）であり、収率は５６．５％であった。
【００６１】
参考例２
（１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル〕シクロヘキサンの製造）
温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ容量四つ口フラスコにフェノール３０７．２ｇ（３．２モル）と３５％塩酸２４３．１ｇを仕込み、反応容器内を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。
【００６２】
参考例１で得た１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン１５０．０ｇ（０．６５モル）をフェノール１９３．０ｇ（２．１モル）に溶解して、溶液を調製した。上記フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、この溶液を１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、温度４０℃において１６時間撹拌下に反応を行った。
【００６３】
反応終了後、得られた反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液を加えて、中和した。中和後の反応混合物から水層を分液除去し、油層混合物を得た。次いで、この油層混合物から減圧蒸留にてフェノールを除去して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル〕シクロヘキサンを含む蒸留残留物を得た。これにトルエンとメチルイソブチルケトンと水との混合溶液を加え、晶析濾過し、更に、晶析物を乾燥して、目的物である１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル〕シクロヘキサン１１０ｇを白色結晶として得た。純度は９４．９％であった。
【００６４】
これを更にヘプタン、メチルイソブチルケトン及び水の混合物を加え、晶析、濾過し、乾燥して、純度９９．０％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル〕シクロヘキサンの精製物を白色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）プロパンに対する収率は４０．２モル％であった。
【００６５】
融点（示差熱分析法）：１４９℃、１３３℃
分子量（質量分析法、Ｍ+）：４０２
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）：
水酸基：３５１０．２ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１２．４〜１５１０．２ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４５１．３ｃｍ-1
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００６６】
【化７】
0004693332.tif 000007
【００６７】
【表１】
0004693332.tif 000008
【００６８】
実施例１
（４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）フェニル）フェノールの製造）
参考例２で得られた１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）シクロヘキサン２０ｇ（０．０５モル）、テトラエチレングリコール７７ｇ及び４８％水酸化ナトリウム水溶液０．１ｇを反応容器（３００ｍＬ容量４つ口フラスコ）に仕込んだ後、反応容器内を窒素置換した。次いで、温度２００℃、圧力５．３ＫＰａでフェノールを留出しつつ、３時間熱分解反応を行って、４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノールを含む蒸留残留物を得た。
【００６９】
この残留物に７．５％リン酸水溶液を加えて中和した後、α−メチルスチレン１４．８ｇ（０．１３モル）とカーボン坦持５％パラジウム触媒１．５ｇ（含水品、エヌ・イー・ケムキャット（株）製）を加え、大気圧下の窒素気流中、温度１６２℃で３時間脱水素反応を行った。
【００７０】
このようにして得られた反応混合物にメタノールを加え、触媒を濾別、除去し、更に、触媒を除去した後の濾液からメタノールとα−メチルスチレンを蒸留にて留去して、目的物を含む蒸留残留物を得た。これにメチルイソブチルケトンとイオン交換水を加え、洗浄、分液を２回繰り返した。この洗浄、分液後の油層からメチルイソブチルケトンを留去した後、これにトルエンを加え、冷却し、晶析、濾過、乾燥して、目的物である４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）フェニル）フェノール１０．９ｇを淡褐色粉末として得た。純度は８５．１％であり、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）プロピル）シクロヘキサンに対する収率は６２．１モル％であった。
【００７１】
融点（示差熱分析法）：１６８℃
分子量（質量分析法）：３０４（Ｍ+）
赤外線吸収スペクトル分析（ＫＢｒ法）
水酸基：３２４６．９ｃｍ−１
ベンゼン環：１６０７．６〜１４９７．６ｃｍ-1
プロトンＮＭＲスペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ―ｄ）：
【００７２】
【化８】
0004693332.tif 000009
【００７３】
【表２】
0004693332.tif 000010
【００７４】
参考例３
（２−（４−オキソシクロヘキシル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）ブタンの製造）
２，２−ジ（４−ヒドロキシフェニル）ブタン１００ｇ（０．４１３モル）を原料として用いると共に、反応溶媒を酢酸エチルから２−ブタノールに代え、更に、水素化触媒として、パラジウム５重量％をカーボン粉末に担持させたパラジウム・カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥重量換算量）と助触媒として炭酸ナトリウム０．１ｇを用い、反応圧力を０．４ＭＰａとした以外は、参考例１と同様にして、２．５時間反応を行った。その結果、原料の転化率は９５．５％であり、目的物の選択率は９４．９％であった。
【００７５】
反応終了後、オートクレーブ内を9 ０℃まで降温し、窒素ガス置換した後、8 ０℃で触媒を濾別した。得られた濾液を加熱、濃縮して２−ブタノール７５ｇを留出させた後、濃縮物を室温まで冷却し、析出した結晶を濾取し、乾燥して、２−（４−オキソシクロヘキシル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン５７．９ｇを白色結晶として得た。純度は９８．８％（ガスクロマトグラフィー分析による。）であり、収率は５６．３％であった。
【００７６】
参考例４
（４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノールの製造）
フェノール２３５ｇ（２．５モル）と３５％塩酸３７．６ｇ（フェノールに対して１０重量％）を反応容器（１Ｌ容量四つ口フラスコ）に仕込み、反応容器を窒素置換した後、塩化水素ガスで置換し、フラスコ内の温度を４０℃とした。
【００７７】
これに参考例３で得た２−（４−オキソシクロヘキシル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）ブタン１２３ｇ（０．５モル）をフェノール１４１ｇ（１．５モル）に溶解した溶液を４０℃にて撹拌下に１時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、撹拌下に、同じ温度で３時間反応させた。
【００７８】
反応終了後、得られた反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液を加えて、中和した。中和終了後、反応混合物から水層を分液し、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）シクロヘキサンを含む油層を得た。
【００７９】
次に、この油層に４８％水酸化ナトリウム水溶液０．７５ｇを加えた後、反応容器を窒素置換し、反応容器内を圧力５．３ＫＰａの減圧とし、温度２００℃において、３時間熱分解反応を行った。留出物の留出がなくなった時点を反応の終点とした。
【００８０】
反応終了後、得られた反応混合物にメチルイソブチルケトン１５６．３ｇとイオン交換水１５６．３ｇを加え、更に、７．５％リン酸水溶液を加えて中和した後、イオン交換水で２回洗浄し、得られた油層からメチルイソブチルケトンを蒸留により留去した。得られた残留物にトルエンを加え、冷却し、晶析濾過を行い、得られた結晶を乾燥して、４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール１３０．７ｇを黄色結晶として得た。純度は９２．８％であり、２−（４−オキソシクロヘキシル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）ブタンに対する収率は７５．３モル％であった。
【００８１】
融点（示差熱分析法）：１３０℃
分子量（質量分析法）：３２２（Ｍ+）
赤外線吸収スペクトル分析（ＫＢｒ法）：
水酸基：３２４２．１ｃｍ-1
ベンゼン環：１６０８．５〜１５１３．１ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４４８．４ｃｍ-1
プロトンＮＭＲスペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００８２】
【化９】
0004693332.tif 000011
【００８３】
【表３】
0004693332.tif 000012
【００８４】
実施例２
（４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）フェニル）フェノールの製造）
参考例４で得られた４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノール１０ｇ（０．２９モル）、α−メチルスチレン９．２ｇ、テトラエチレングリコール５０ｇ及びカーポン坦持５％パラジウム触媒０．５ｇ（乾燥品、エヌ・イー・ケムキャット（株）製）を反応容器（３００ｍＬ容量の４つ口フラスコ）に仕込んだ後、反応容器内を窒素置換した。次いで、大気圧下の窒素気流中で、温度１８５℃において、４時間、脱水素反応を行った。
【００８５】
得られた反応混合物にメタノールを加え、触媒を濾別、除去し、更に、触媒を除去した後の濾液からメタノールとα−メチルスチレンを蒸留により留去して、目的物を含む蒸留残留物を得た。これにメチルイソブチルケトン２００ｇとイオン交換水１００ｇを加え、洗浄、分液を２回繰り返した。洗浄、分液後の油層からメチルイソブチルケトンを留去した後、これにトルエンを加え、冷却し、晶析濾過、乾燥して、目的物である４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）フェニル）フェノール６．７ｇを白色結晶として得た。純度は９０．９％であり、４−（４−（１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルプロピル）−１−シクロヘキセニル）フェノールに対する収率は６６．４モル％であった。
【００８６】
融点（示差熱分析法）：１３６℃
分子量（質量分析法）：３１８（Ｍ+）
赤外線吸収スペクトル分析（ＫＢｒ法）：
水酸基：３２５３．７ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１２．４〜１４９７．６ｃｍ-1
プロトンＮＭＲスペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００８７】
【化１０】
0004693332.tif 000013
【００８８】
【表４】
0004693332.tif 000014