(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波駆動型ランプにおいて、
光反射性キャビティ、
前記光反射性キャビティ内に包含されておりマイクロ波により励起された場合にそれから光を射出する無電極バルブ、
前記無電極バルブを励起するためのマイクロ波を供給するマグネトロン、
前記無電極バルブを励起するために前記マグネトロンにより射出されたマイクロ波を前記光反射性キャビティへ結合させる導波管、
前記マグネトロン及び前記導波管を収容するハウジング、
前記マグネトロンの動作期間中に前記バルブへ結合されることのないマイクロ波を検知し且つ受取ったマイクロ波のレベルを表わす信号を出力する前記導波管内に配設されている検知器、
前記検知器へ結合されており、受取ったマイクロ波のレベルが前記無電極バルブが点火されていないことを表すスレッシュホールドを超えていることを前記信号のレベルが表わす場合に前記マグネトロンをターンオフさせるマグネトロン制御器、
を有しており、前記検知器が、マグネトロン動作期間中に前記バルブが点火されていない時を検知するのに充分な前記バルブへ結合されていないマイクロ波に対する応答を発生する位置であって前記導波管内おける電界最大値の位置に配設されている電界プローブを有しており、且つ前記マグネトロン制御器が、前記スレッシュホールドを超えている場合に前記マグネトロンから電気的パワーを除去することにより前記マグネトロンをターンオフさせるための制御信号を発生する制御回路であることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項２】
請求項１において、前記検知器が、マグネトロン動作期間中に前記無電極バルブが点火されていない時を検知するのに充分な偶発的マイクロ波に対する応答を発生する前記マグネトロン、導波管又は光反射性キャビティのうちの少なくとも１つから漏洩する偶発的マイクロ波を受取るハウジング内に位置されているアンテナを有しており、且つ前記マグネトロン制御器が、前記スレッシュホールドを超える場合に前記マグネトロンから電気的パワーを除去することにより前記マグネトロンをターンオフさせるための制御信号を発生する制御回路であることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項３】
請求項１において、前記マグネトロン制御器が、前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合に前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーが減少されることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項４】
請求項１において、前記マグネトロン制御器が、前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合に前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーが減少されることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項５】
請求項１において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合に前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーが減少されることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項６】
請求項２において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合には前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーが減少されることを特徴とするマイクロ波駆動型ランプ。
【請求項７】
光反射性キャビティと、無電極バルブがマイクロ波により励起される場合にそれから光が射出される前記光反射性キャビティ内に包含されている無電極バルブと、前記無電極バルブを励起するためのマイクロ波を供給するマグネトロンと、前記マグネトロンにより射出されたマイクロ波を前記無電極バルブを励起するために前記光反射性キャビティへ結合させる導波管と、前記マグネトロン及び前記導波管を収容するハウジングと、前記マグネトロンの動作期間中に前記バルブへ結合されることのないマイクロ波を検知する前記導波管内に配設されている検知器と、前記マグネトロンの活性化を制御するために前記検知器へ結合されているマグネトロン制御器とを包含しているマイクロ波駆動型ランプの制御方法において、
検知したマイクロ波のレベルを表わす信号を前記検知器から供給し、
前記信号のレベルが検知されたマイクロ波のレベルが前記無電極バルブが点火されていないことを表すスレッシュホールドを超えることを表わす場合に前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンへのパワーを減少させ、
前記検知器が、マグネトロン動作期間中に前記バルブが点火されていない時を検知するのに充分な前記バルブへ結合されていないマイクロ波に対する応答を発生する位置であって前記導波管内における電界最大値の位置に配設されている電界プローブを有しており、且つ前記マグネトロン制御器は、前記スレッシュホールドを超える場合に前記マグネトロンから電気的パワーを除去することにより前記マグネトロンをターンオフするための制御信号を発生する制御回路であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７において、前記検知器が、マグネトロン動作期間中に前記バルブが点火されていない時を検知するのに充分な前記バルブに結合されていないマイクロ波に対する応答を発生する位置において前記導波管内に配設されている電界プローブを有しており、且つ前記マグネトロン制御器が、前記スレッシュホールドを超える場合に前記マグネトロンから電気的パワーを除去することにより前記マグネトロンをターンオフさせるための制御信号を発生する制御回路であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項７において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合に前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーを減少させることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合に前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーを減少させることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項７において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合には前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーを減少させることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項８において、前記マグネトロン制御器が前記マグネトロンの電源を有しており、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間前記スレッシュホールドを超えることを前記信号が表わす場合には前記電源から前記マグネトロンへの電気的パワーを減少させることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ波駆動型ランプに関するものであって、更に詳細には、バルブの損傷又は性能劣化を信頼性を持って検知するマイクロ波駆動型ランプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１は本願の譲受人により販売されており且つ譲受人の米国特許第６，４４５，１３８号に記載されているタイプの従来のマイクロ波駆動型ランプ１０を例示しており、尚上記米国特許の全体を引用によって本明細書に取込む。該マイクロ波駆動型ランプは、これに制限されるものではないが、例えば表面コーティングの硬化等の適用例に依存して紫外線（ＵＶ）又は可視光を発生するために使用することが可能である。マグネトロン１２はマイクロ波キャビティ／導波管１４を介して送信されるマイクロ波をマイクロ波励起型バルブ１６へ供給し、該バルブは、上述した如く、適用例に依存してＵＶ又は可視光スペクトルのいずれかにおける光を出力する。空気供給源１８が、マグネトロン１２、マイクロ波キャビティ／導波管１４、マイクロ波励起型バルブ１６を収容するハウジング２２を介して空気２０を流させる。図示した如く、空気２０は該ハウジングを介してマグネトロン１２の周りを流れてそれに冷却を与え且つマイクロ波キャビティ／導波管１４内へ及びバルブ１６の周りへ流れてバルブの冷却を与える。ランプハウジング２２は、開口２４を介してマグネトロン１２の冷却フィン２３と接触して空気２０を流し、次いでリフレクタ２６における開口（不図示）を介して上述した如くバルブ１６を通過し且つハウジング２２から流れ出るように構成されている。マグネトロン１２及びバルブ１６により加熱された空気２０はマイクロ波維持用スクリーン（不図示）により被覆されている開口２９を介して流出し、該スクリーンを介して光反射性キャビティ２８により反射された後に光が出力される。
【０００３】
光バルブ１６が不動作状態となるとマグネトロン１２は損傷を被る。フォトセルと接触するためにリフレクタ２８内の開口を介して通過するバルブ１６から射出された光３４を検知するフォトセルの抵抗値における変化を検知するフォトセル３２及び関連する回路３３の組立体を使用して不動作状態のバルブを検知する。関連する回路３３により検知されるフォトセル３２の抵抗値が変化して制御信号を発生し、該制御信号はマグネトロン制御器（不図示）へ印加される。マグネトロン制御器は、光を受取っていないことをフォトセルが表わす場合に、マグネトロン１２から電気的パワーを切断すべく機能してマグネトロン１２をターンオフさせる。
【０００４】
典型的なマイクロ波駆動型ＵＶランプは長さが６又は１０インチであり且つ、図１及び２に例示した如く、１個又はそれ以上のマグネトロン１２を組込んでおり、バルブ１６を励起するためのマイクロ波パワーを供給する。ランプ１０が最初にターンオンされると、マグネトロン１２によって見られる高い電圧定在波比（ＶＳＷＲ）が存在している。何故ならば、バルブ１６は冷えており且つマイクロ波周波数におけるバルブのインピーダンスは良好に整合されていないからである。バルブ１６が温まるに従い、ＶＳＷＲは、図８に例示したように、次第に定常状態値へ減少する。高いＶＳＷＲ過渡的状態はプラズマで充填されたバルブ１６の点火開始の通常の部分である。この過渡的期間中に、マイクロ波キャビティ／導波管１４内においてアークが発生する場合があり、それはマグネトロンを破損する場合がある。マグネトロンもこの過渡的期間中に厳しい陽極損を被る場合がある。
【０００５】
フォトセル３２及び保護回路３３により与えられる保護が存在しない場合には、マグネトロンが破壊されるまでＶＳＷＲは許容不可能に高いままとなる。マグネトロン１２の電源（不図示）はマグネトロンへ高い電圧を印加する。マグネトロン制御器は保護回路３３からの信号に応答する。設定された時間期間内の点火を表わす信号を受取ることがない場合には、バルブが点火に失敗したものとマグネトロン制御器が解釈し且つ無点火の欠陥条件表示が与えられ電気的パワーを切断してマグネトロン１２を保護する。
【０００６】
フォトセル３２及び保護回路３３の使用は、バルブ１６からの光３４とその他の供給源からハウジング２２へ入る周囲の迷光との間を区別することが不可能なものである。周囲光の存在は、フォトセル３２及び保護回路３３が、別の供給源からの周囲光をバルブが点火したことの表示として検知する場合がある。実際に、バルブ１６が点火しなかった場合には、マグネトロン１２がバルブ１６へ継続して出力パワーを供給しそれがバルブ１６内のプラズマにより吸収されることがないことによりマグネトロン１２に対する損傷が発生する。更に、フォトセル３２及び制御回路３３は機能障害を発生して修復を必要とする場合があり、その結果マイクロ波駆動型ランプの動作に依存するシステムに対してコスト高なダウンタイムを発生する場合があり、更に、修復がなされない場合には、マグネトロン１２に対してパワーが印加されることによりマグネトロン１２が永久的に損傷されることの蓋然性が高い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠点を解消し、改良したマイクロ波駆動型ランプ及びマイクロ波駆動型ランプの制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、従来のフォトセル及び制御回路を、マイクロ波駆動型ランプのハウジング内に配設されている検知器で置換しており、該検知器はマグネトロンの動作期間中にマイクロ波により励起されるランプへ結合されることのないマイクロ波を検知し且つ受取ったマイクロ波のレベルを表わす信号を出力する。マグネトロン制御器が該検知器へ結合されており、受取ったマイクロ波のレベルがスレッシュホールドを超えることを検知信号のレベルが表示する場合にマグネトロンをターンオフさせる。マイクロ波駆動型バルブの点火はマグネトロンに対する電気的負荷を表わすので、マイクロ波キャビティ／導波管の内側か又はマイクロ波ハウジングの内側かに拘わらず検知器により受取られるマイクロ波エネルギのレベルは降下する。通常のバルブ動作期間中における検知されるマイクロ波エネルギは、例えばバルブの機能障害により発生されるようなバルブの無点火と関連するレベルより低い。マグネトロン電源をターンオフさせる誤ったトリガ信号を供給する場合のあるバルブの最初のターンオン期間中に発生する過渡的電圧スイング期間中のマグネトロン電源のターンオフを回避するために検知されるマイクロ波のレベルが安定化するために設定された時間期間が与えられる。本発明の場合には、従来のフォトセル及び制御回路の場合におけるよりもバルブの点火条件（オン又はオフのいずれか）の検知をより迅速に信頼性を持って行われる。
【０００９】
更に、バルブ内のプラズマによりパワーが吸収されることがないことから何等かの損傷が発生する前に無点火条件の信頼性のある検知はマグネトロンからパワーを迅速に除去することを可能とする。このことはマイクロ波出力がバルブ内のプラズマにより吸収されることのない結果としてマグネトロンの高いストレス及び熱的負荷を取り除く。
【００１０】
更に、マイクロ波駆動型ランプのハウジング内の周囲光の存在は、従来技術におけるようにバルブ点火の誤った表示を発生することはない。
【００１１】
本発明はマイクロ波駆動型ランプである。本発明に基づくマイクロ波駆動型ランプは、光反射性キャビティと、マイクロ波により無電極バルブが励起される場合に光が射出される該光反射性キャビティ内に包含されている無電極バルブと、該無電極バルブを励起するためのマイクロ波を供給するマグネトロンと、該無電極バルブを励起するために該マグネトロンにより射出されたマイクロ波を該光反射性キャビティへ結合される導波管と、該ランプを収容するハウジングと、該ハウジング内に配設されており該マグネトロンの動作期間中に該バルブへ結合されることのないマイクロ波を検知し且つ受取ったマイクロ波のレベルを表わす信号を出力する検知器と、該検知器へ結合されており受取ったマイクロ波のレベルがスレッシュホールドを超えていることを該信号のレベルが表わす場合に該マグネトロンをターンオフさせるマグネトロン制御器とを包含している。該検知器は、マグネトロン動作期間中に該バルブが点火していない時を検知するのに充分な該バルブへ結合されていないマイクロ波に対する応答を発生する位置において該導波管内に配設されている電界プローブを有することが可能であり、且つ該マグネトロン制御器は、該スレッシュホールドを越える場合に該マグネトロンから電気的パワーを除去することにより該マグネトロンをターンオフさせるための制御信号を発生する制御回路とすることが可能である。該電界プローブは該導波管内の電界最大値に位置させることが可能である。該検知器は、マグネトロン動作期間中に無電極バルブが点火されていない時を検知するのに充分な偶発的マイクロ波に対する応答を発生するマグネトロン、導波管、又は光反射性キャビティのうちの少なくとも１つのいずれから漏洩する偶発的マイクロ波を受取る該ハウジング内に位置されているアンテナを有することが可能であり、且つ該マグネトロン制御器は、該スレッシュホールドを超える場合に該マグネトロンから電気的パワーを除去することにより該マグネトロンをターンオフするための制御信号を発生する制御回路とすることが可能である。該マグネトロン制御器は、マグネトロンの電源を有することが可能であり、且つ受取られたマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間スレッシュホールドを超えることを該信号が表わす場合に、該電源から該マグネトロンへの電気的パワーを減少させるか又はターンオフさせることが可能である。
【００１２】
本発明は、又、マイクロ波駆動型ランプの制御方法を提供している。マイクロ波駆動型ランプは、光反射性キャビティと、無電極バルブがマイクロ波により励起された場合に光が射出される光反射性キャビティ内に包含されている無電極バルブと、該無電極バルブを励起するためのマイクロ波を供給するマグネトロンと、該無電極バルブを励起するために該マグネトロンにより射出されたマイクロ波を該光反射性キャビティへ結合させる導波管と、該ランプを収容するハウジングと、該ハウジング内に配設されておりマグネトロンの動作期間中に該バルブへ結合されることのないマイクロ波を検知する検知器と、該検知器に結合されており該マグネトロンの活性化を制御するマグネトロン制御器とを包含しており、該マイクロ波駆動型ランプの制御方法は、検知したマイクロ波のレベルを表わす検知器からの信号を供給することを包含しており、且つ該マグネトロン制御器は、該信号のレベルが検知されたマイクロ波のレベルがスレッシュホールドを超えていることを表わす場合に該マグネトロンへのパワーを減少させる。該検知器は、マグネトロン動作期間中に該バルブが点火されていない時を検知するのに充分な該バルブへ結合されることのないマイクロ波に対する応答を発生する位置において該導波管内に配設されている電界プローブを有することが可能であり、且つ該マグネトロン制御器は、該スレッシュホールドを超える場合に該マグネトロンから電気的パワーを除去することにより該マグネトロンをターンオフするための制御信号を発生する制御回路とすることが可能である。該電界プローブは、該導波管内の電界最大値に位置させることが可能である。該検知器は、マグネトロン動作期間中に該無電極バルブが点火されていない時を検知するのに充分な偶発的マイクロ波に対する応答を発生するマグネトロン、導波管、又は光反射性キャビティのうちのいずれか１つのいずれかから漏洩する偶発的マイクロ波を受取るハウジング内に位置しているアンテナを有することが可能であり、且つ該マグネトロン制御器は、該スレッシュホールドを超える場合に該マグネトロンから電気的パワーを除去することにより該マグネトロンをターンオフするための制御信号を発生する制御回路とすることが可能である。該マグネトロン制御器は、該マグネトロンの電源を有することが可能であり、且つ受取ったマイクロ波のレベルが設定した時間期間の間スレッシュホールドを超えることを該信号が表わす場合に該電源から該マグネトロンへの電気的パワーを減少させるかまたはターンオフさせることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は多数のマイクロ波駆動型ランプ構成において実施することが可能であり、１つの許容可能な構成は、図３及び４及び５及び６に夫々例示した第一及び第二実施例１００及び２００に関連して説明するように、図１及び２に例示した従来のマイクロ波駆動型ランプ構成である。本発明の場合には、従来技術のフォトセル３２及び制御回路３３はマイクロ波検知器で置換されており、それは、夫々、図３及び４及び５及び６に例示したように、マイクロ波駆動型ランプ１００又は２００のマイクロ波キャビティ／導波管１４内又はハウジング２２内に位置されている。該ハウジング内の検知器位置は、図３及び４における実施例１００に例示されるように、ＶＳＷＲが検知されるマイクロ波キャビティ／導波管１４内へ延在する検知器、又は図５及び６に例示されるように、マイクロ波キャビティ／導波管１４外部であるがハウジング２２内とすることが可能である。図３及び４に例示したように、第一実施例１００においては、マイクロ波プローブ１０２がマイクロ波キャビティ／導波管１４内へ延在しており、且つ、図５及び６に例示した第二実施例においては、ループアンテナ２０２が図５及び６の第二実施例２００のマグネトロン１２、マイクロ波キャビティ／導波管１４又は光反射性キャビティ２０４のうちの少なくとも１つのいずれかから漏洩する偶発的マイクロ波を受取る。
【００１４】
各実施例において、マイクロ波キャビティ／導波管１４内から検知されるか又はハウジング２２内において検知されるかに拘わらず、検知されたマイクロ波はＶＳＷＲ検知回路３００により処理され、それは、図７の構成によれば、マイクロ波の検知を行い且つこれに制限されるものではないが、例えば、４乃至２０ｍＡの間の範囲の可変電流を供給し、それはスレッシュホールド制御回路３０２を駆動してＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号３０４を発生し、該信号はマグネトロン電源３０６へ印加される。このＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号は、マイクロ波プローブ１０２又はループアンテナ２０２又はその他の検知器構成によって検知されるマイクロ波信号が、設定された時間間隔より長い間図３を参照して以下に詳細に説明するようにスレッシュホールドを超えて上昇する場合にマグネトロン１２をターンオフさせる。この設定された時間期間は１秒未満とすることが可能であり、その間に、過渡的なＶＳＷＲ変動の効果が無電極バルブ１６の通常の点火を反映する条件へ治まる。
【００１５】
図３及び４の実施例においては、マイクロ波プローブ１０２が図７のＶＳＷＲ検知器回路３００と関連している。フランジ１０４が適宜のコネクタ１０８によって導波管／マイクロ波キャビティ１４の側壁１０６へ取付けられている。マイクロ波プローブはＥ（電気的）フィールド検知器として機能し、且つ、好適には、マイクロ波キャビティ／導波管１４内の電界最大値に位置されている。マイクロ波プローブ１０２の位置は、マイクロ波キャビティ／導波管１４内の電界最大値におけるもの以外のその他の位置とすることも可能であるが、Ｅフィールド最大値における位置は検知された電圧を向上させる。
【００１６】
図５及び６における本発明の第二実施例２００は、第一実施例と同一の態様で機能し、その差異は、ＶＳＷＲ検知回路３００がマイクロ波キャビティ／導波管１４、光反射性キャビティ２０４又はマグネトロン１２から漏洩する充分な偶発的マイクロ波エネルギが、バルブ１６が点火された場合に、検知される位置においてハウジング２２の内部側壁２０６のうちの１つの上に装着されている点である。適切なバルブ動作が発生すると、マグネトロン１２からの出力の負荷がＶＳＷＲ検知回路３００により発生される信号レベルを図８に関連して以下に説明するようにスレッシュホールド未満に維持する。スレッシュホールド未満のＶＳＷＲ検知回路３００により発生される信号レベルはＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号３０４をスレッシュホールド制御回路３０２からマグネトロン電源３０６へ印加させマグネトロン電源３０４をターンオフさせることはない。
【００１７】
図７は本発明を実施する場合に使用することが可能なＶＳＷＲ検知回路３００の１実施例を例示している。Ｅフィールドプローブ１０２及びループアンテナ２０２が例示されているが、本発明はいずれかのタイプのマイクロ波検知器へ制限されるものでないことを理解すべきである。Ｅフィールドプローブ１０２又はループアンテナ２０２はマイクロ波キャビティ／導波管１４内か又はハウジング２２内のいずれかにおける検知されたマイクロ波のレベルを表わす非常に小さな電圧信号を発生する。このＥフィールドプローブ１０２又はループアンテナ２０２により発生された小さな電圧信号は、カップリングコンデンサＣ４及び抵抗Ｒ４によって集積回路３１０へ結合され、該集積回路はこの小さな電圧信号入力を出力信号３１２へ増幅し、該出力信号は３００ｍＶと１，０００ｍＶとの間の電圧範囲を有する場合がある。出力信号３１２はオペアンプ３１４へ印加され、該オペアンプは更なる出力電圧利得を発生する。信号３１６は電圧対定電流変換用集積回路３１８を駆動するために充分な利得を有している。該電圧対電流変換用集積回路３１８により発生される出力信号３２０は定電流出力を発生し、それは、該出力信号をスレッシュホールド制御回路３０２を包含する遠隔のマグネトロン電源３０６へ結合させることから発生する場合のある線路電圧降下により影響を受けることはない。出力信号３２０はスレッシュホールド制御回路３０２へ結合され、それは、上述した如く、Ｅフィールドプローブ１０２又はループアンテナ２０２により検知された電圧が無電極バルブ１６の機能障害を表わす信号レベルを表示するスレッシュホールドより高いか否かを検知する。機能障害は、マグネトロン１２の初期的なターンオンの結果として過渡的状態が治まった後に、ＶＳＷＲ信号をして許容不可能に高いＶＳＷＲ比がマイクロ波キャビティ／導波管１４内に存在するか又は充分な大きさの偶発的なマイクロ波リークがハウジング２２内に存在するかのいずれかを表わす定常状態レベルへ到達させる。スレッシュホールド制御回路３０２は、出力信号３２０が、マイクロ波駆動型ランプの通常動作期間中に定常状態動作が発生する場合を表わすべく選択された時間期間の間図８に例示したように設定したスレッシュホールドレベルより高いか否かを判別し、その期間は、図８に例示したように、１秒の一部又はそれより長いものとすることが可能である。スレッシュホールド制御回路３０２はＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号３０４を発生し、それは模式的に示してあり且つ実際には高電圧３０９をマグネトロン１２への接続を制御する任意のタイプのスイッチング装置とすることが可能なスイッチ３０７を夫々閉成及び開成する２つのレベルのうちの１つを有している。第一レベルは、スイッチ３０９を閉じた状態（不図示）とさせるマグネトロン１２に対する適切な電気的負荷を表わす無電極バルブ１６を表示しており、且つ第二レベルは、該スイッチを例示した如く開いた状態とさせ、無電極バルブ１６の機能障害を表わし、それはマイクロ波キャビティ／導波管１４又はハウジング２２内のＶＳＷＲ比を許容不可能に高いものとさせる。第二レベル信号は、マグネトロン電源のインターロック機��としてマグネトロン電源３０６をターンオフさせる。
【００１８】
図８は図３及び４に例示したようなマイクロ波駆動型ランプにおける本願出願人の９ｍｍＨ＋バルブの場合の本発明の動作を例示している。理解されるように、約３秒において、電源３０６がターンオンされ、それはマグネトロン１２をしてマイクロ波を発生させ、該マイクロ波は無電極バルブ１６を励起し且つマイクロ波キャビティ／導波管１４内に定在波を発生し、それは迅速にレベルがランプアップする。図８の右下における注釈に示されるように、スレッシュホールド制御回路３０２は、出力信号３２０が約３．４Ｖのスレッシュホールドレベルに到達する時を検知する。９ｍｍＨ＋バルブの適切な動作の場合に表示されるように、小円からなる曲線で示されるように、バルブが徐々に温まると、信号レベルが変動し且つ実際に小さな時間期間の間スレッシュホールドを超える。その後に、電圧はスレッシュホールド値より下側に安定し、そのことはＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号３０４を第一レベルとさせ、そのことはマグネトロン電源３０６が継続してマグネトロン１２へパワーを印加することを許容する。然しながら、９ｍｍＨ＋バルブが破裂した場合には、小さなダイヤモンドからなる曲線により示されるように、信号３２０の出力電圧はスレッシュホールドを超えて定常状態で増加する。
【００１９】
バルブの機能障害を表わすために従来技術、フォトセル３２及び回路検知器３３内に組込まれた時間経過を表わすほぼ８秒の時間経過が図８に示されているが、実際には、バルブ機能障害の信頼性のある表示は一層早期に得ることが可能である。この時間経過は、０．５秒から１秒とすることが可能である。何故ならば、信号３２０の定常状態出力電圧に鑑みスレッシュホールドを超える初期レベルに到達する期間はその時間枠で到達するからである。その点において（一方、約８秒のより長い時間期間が経過することが許されるものであるが）、ＩＮＴＥＲＬＯＣＫ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＳＩＧＮＡＬ信号３０４の第二レベルを使用してマグネトロン電源３０６をターンオフさせることが可能である。時間遅れ及びスレッシュホールドレベルは特定の回路及びＥフィールドプローブ１０２又はループアンテナ２０２又はＶＳＷＲを検知するために使用することが可能なその他の検知器の設計パラメータである。
【００２０】
本発明はキャビティ２２内又はマイクロ波キャビティ／導波管１４内の検知された許容不可能に高いＶＳＷＲ比により表示され且つ機能障害を起こした無電極バルブの検知は光検知に依存するものではないので他の光源からの光から発生する誤った表示に影響を受けることのない無電極バルブ１６の機能障害を検知する信頼性のあるメカニズムを提供している。
【００２１】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ制限されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本願出願人により製造されているタイプの従来のマイクロ波駆動型ランプを示した側面図。
【図２】図１に示したランプの正面図。
【図３】本発明の第一実施例を示した側面図。
【図４】本発明の第一実施例を示した正面図。
【図５】本発明の第二実施例を示した側面図。
【図６】本発明の第二実施例を示した正面図。
【図７】本発明に基づいて無電極バルブの点火の動作状態を表わす信号を発生するために使用されるＶＳＷＲ検知器の回路を示した回路図。
【図８】図７を使用した本願出願人の９ｍｍＨ＋バルブの動作及び機能障害から得られる動作データを示したグラフ図。
【符号の説明】
【００２３】
１００，２００  マイクロ波駆動型ランプ
１４  マイクロ波キャビティ／導波管
２２  ハウジング
１０２  マイクロ波プローブ
２０２  ループアンテナ
２０４  光反射性キャビティ
３００  ＶＳＷＲ検知回路
３０２  スレッシュホールド制御回路
３０６  マグネトロン電源
１２  マグネトロン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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