(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素からなる第１または第２導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層（２）の上に、該ドリフト層（２）よりも高不純物濃度で構成された第１導電型の炭化珪素からなる電流分散層（３０）と、
前記電流分散層（３０）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
前記ベース領域（３）の上に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、
前記ソース領域（４）と前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記電流分散層（３０）もしくは前記ドリフト層（３）まで達し、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）が両側に配置されるように形成されるトレンチ（６）と、
前記トレンチ（６）の側壁に位置する第１導電型の炭化珪素からなるチャネル層（７）と、
前記チャネル層（７）の表面において、前記ベース領域（３）から所定距離離間するように形成されたゲート絶縁膜（８）と、
前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜（８）の上に形成されたゲート電極（９）と、
前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１３）と、
前記ベース領域（３）の下方において、前記電流分散層（３０）を貫通して前記ドリフト層（２）に達し、前記トレンチ（６）よりも深い位置まで形成され、前記トレンチ（６）の側面に対する法線方向に延設された複数の第２導電型のディープ層（１０）と、を備え、
前記ゲート電極（９）への印加電圧を制御することで前記チャネル層（７）に形成される蓄積型のチャネルを制御し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（１１）および前記ドレイン電極（１３）の間に電流を流す蓄積型のＭＯＳＦＥＴを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記基板（１）を用意し、該基板（１）上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）を形成する工程と、
前記ドリフト層（２）の表面にマスク（２０）を配置した後、該マスク（２０）を用いたイオン注入を行うことにより、一方向に延設されるように第２導電型のディープ層（１０）の下層部分（１０ａ）を形成する工程と、
前記ドリフト層（２）の表面に、前記ドリフト層（２）よりも高濃度となる第１導電型の電流分散層（３０）を形成する工程と、
前記電流分散層（３０）の表面にマスク（２１）を配置した後、該マスク（２１）を用いたイオン注入を行うことにより、前記下層部分（１０ａ）と対応する位置に、前記下層部分（１０ａ）と接続されるように前記ディープ層（１０）の上層部分（１０ｂ）を形成する工程と、
前記電流分散層（３０）および前記ディープ層（１０）の表面に第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
炭化珪素からなる第１または第２導電型の基板（１）と、
前記基板（１）の上に形成され、前記基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）と、
前記ドリフト層（２）の上に、該ドリフト層（２）よりも高不純物濃度で構成された第１導電型の炭化珪素からなる電流分散層（３０）と、
前記電流分散層（３０）の上に形成された第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）と、
前記ベース領域（３）の上に形成され、前記ドリフト層（２）よりも高濃度の第１導電型の炭化珪素からなるソース領域（４）と、
前記ソース領域（４）と前記ベース領域（３）よりも深く、かつ、前記電流分散層（３０）もしくは前記ドリフト層（３）まで達し、前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）が両側に配置されるように形成されるトレンチ（６）と、
前記トレンチ（６）の表面に形成されたゲート絶縁膜（８）と、
前記トレンチ（６）内において、前記ゲート絶縁膜（８）の上に形成されたゲート電極（９）と、
前記ソース領域（４）および前記ベース領域（３）に電気的に接続されたソース電極（１１）と、
前記基板（１）の裏面側に形成されたドレイン電極（１３）と、
前記ベース領域（３）の下方において、前記電流分散層（３０）を貫通して前記ドリフト層（２）に達し、前記トレンチ（６）よりも深い位置まで形成され、前記トレンチ（６）の側面に対する法線方向に延設された複数の第２導電型のディープ層（１０）と、を備え、
前記ゲート電極（９）への印加電圧を制御することで前記トレンチ（６）の側面に位置する前記ベース領域（３）の表面部に反転型のチャネル領域を形成し、前記ソース領域（４）および前記ドリフト層（２）を介して、前記ソース電極（１１）および前記ドレイン電極（１３）の間に電流を流す反転型のＭＯＳＦＥＴを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記基板（１）を用意し、該基板（１）上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）を形成する工程と、
前記ドリフト層（２）の表面にマスク（２０）を配置した後、該マスク（２０）を用いたイオン注入を行うことにより、一方向に延設されるように第２導電型のディープ層（１０）の下層部分（１０ａ）を形成する工程と、
前記ドリフト層（２）の表面に、前記ドリフト層（２）よりも高濃度となる第１導電型の電流分散層（３０）を形成する工程と、
前記電流分散層（３０）の表面にマスク（２１）を配置した後、該マスク（２１）を用いたイオン注入を行うことにより、前記下層部分（１０ａ）と対応する位置に、前記下層部分（１０ａ）と接続されるように前記ディープ層（１０）の上層部分（１０ｂ）を形成する工程と、
前記電流分散層（３０）および前記ディープ層（１０）の表面に第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ディープ層（１０）の上層部分（１０ｂ）を形成する工程では、複数の前記ディープ層（１０）における前記上層部分（１０ｂ）の間隔（Ｌ２）が前記下層部分（１０ａ）の間隔（Ｌ１）よりも広くなるようにすることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ディープ層（１０）の上層部分（１０ｂ）を形成する工程では、前記上層部分（１０ｂ）のうちの底部の幅（Ｗ２）が前記下層部分（１０ａ）の幅（Ｗ１）よりも狭く、前記上層部分（１０ｂ）のうちの表面部の幅（Ｗ３）が前記下層部分（１０ａ）の幅（Ｗ１）よりも広くなるようにすることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチゲートを有する炭化珪素（以下、ＳｉＣという）半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高い電界破壊強度が得られるパワーデバイスの素材としてＳｉＣが注目されている。ＳｉＣ半導体装置では電界破壊強度が強いため、大電流の制御を行うことができる。そのため、ハイブリットカー用のモーターの制御への活用が期待されている。
【０００３】
ＳｉＣ半導体装置において、より大電流を流すには、チャネル密度を高くすることが有効である。このため、シリコントランジスタにおいて、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが採用され実用化されている。このトレンチゲート構造は当然ＳｉＣ半導体装置にも適用できる構造であるが、ＳｉＣに応用する場合、大きな問題がある。すなわち、ＳｉＣは破壊電界強度がシリコンの１０倍あるため、ＳｉＣ半導体装置にはシリコンデバイスの１０倍近い電圧をかけた状態で使用される。そのため、ＳｉＣの中に入り込んだトレンチ内に形成されたゲート絶縁膜にもシリコンデバイスの１０倍強度の電界がかかり、トレンチのコーナー部においてゲート絶縁膜が容易に破壊してしまうという問題がある。これについてシミュレーションで計算したところ、ドレインに６５０Ｖ印加した場合、トレンチ内のゲート絶縁膜には４．９ＭＶ／ｃｍの電界が集中していた。実際の使用に耐えるには３ＭＶ／ｃｍ以下にする必要があり、長期の信頼性まで考えると２ＭＶ／ｃｍ以下にすることが望まれる。
【０００４】
このような問題を解決するものとして、特許文献１に示されるＳｉＣ半導体装置がある。このＳｉＣ半導体装置では、トレンチゲートの底部を側面より厚くなるように設計することにより、トレンチの底部での電界集中を緩和している。具体的には、４Ｈ−ＳｉＣの（０００−１）ｃ面基板を用いてａ（１１２０）面のトレンチゲート構造を作製する。このようにｃ面基板を用いてトレンチ側面がａ面で底面がｃ面となるトレンチ内にゲート絶縁膜を熱酸化で作製した場合、ｃ面の酸化レートはａ面の５倍であるため、トレンチ底部の酸化膜は側面と比べて、膜厚を５倍にできる。これにより、トレンチ底部での電界集中を緩和することが可能となる。
【特許文献１】特開平９−１９９７２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようにトレンチ底部においてゲート絶縁膜を厚くした構造において、例えば、トレンチ側面の膜厚を４０ｎｍとし、トレンチ底部の膜厚を２００ｎｍに設計してシミュレーションで計算したところ、ドレインに６５０Ｖ印加した場合、トレンチ内のゲート絶縁膜の電界集中を３．９ＭＶ／ｃｍに低減できることが確認できたが、まだ十分ではなく、更なる電界緩和が必要であることが判った。
【０００６】
そこで、本発明者らは更なる電界緩和が行える構造として、先に、トレンチゲートの長手方向に沿って延設され、ｎ+型ソース領域やｐ型ベース領域を挟んでトレンチゲートとは反対側、つまりｐ型ベース領域とソース電極との電気的な接続を図るｐ+型コンタクト領域の下方位置において、トレンチゲートの底面よりも深くなるｐ型ディープ層を形成するという構造を出願している（特願２００７−２８８５４５参照）。
【０００７】
しかしながら、この構造のＳｉＣ半導体装置では、トレンチゲートとｐ型ディープ層との形成工程が別工程であるため、これらの位置合わせが難しく、トレンチゲートの側面からｐ型ディープ層までの距離にバラツキが発生する。このため、製品特性にバラツキが生じ、歩留まりが悪いという問題がある。
【０００８】
このため、本発明者らは、さらに、トレンチの側面のうちチャネル領域が構成される部分に対する法線方向にｐ型ディープ層を延設する構造を出願している（特願２００８−３１７０４参照）。このような構造によれば、ｐ型ディープ層とｎ-型ドリフト層とのＰＮ接合部での空乏層がｎ-型ドリフト層側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜に入り込み難くなる。このため、ゲート酸化膜内での電界集中、特にゲート酸化膜のうちのトレンチの底部での電界集中を緩和することが可能となり、ゲート酸化膜が破壊されることを防止できる。また、トレンチの長手方向とｐ型ディープ層の長手方向とが垂直とされているため、これらを形成するためのマスクずれがデバイス特性に影響を与えることはない。
【０００９】
また、このような構造において、さらなるオン抵抗の低減を図るべく、ｎ-型ドリフト層とｐ型ベース層の間にｎ型電流分散層を配置した構造を提案している。このようなｎ型電流分散層を備えることにより、チャネル領域を通過して電流がより広範囲に分散されてｎ-型ドリフト層内を流れるようにできるため、よりオン抵抗を低減することが可能となる。そして、このようにｎ型電流分散層を備えた構造において、ｎ型電流分散層によってンｐ型ベース層とｐ型ディープ層とが分断されると、ｐ型ディープ層をソース電位に固定できなくなり、電界緩和効果が弱まることから、ｎ型電流分散層を形成した後でｎ型電流分散層の表面からｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型ディープ層を形成することを提案している。
【００１０】
ところが、ｎ型電流分散層を形成した後でｎ型電流分散層の表面からｐ型不純物をイオン注入してｐ型ディープ層を形成する場合、ｐ型ディープ層の深さが浅くなってしまう。このため、ｐ型ディープ層の底部の位置とトレンチの底部の位置との深さの差が小さくなり、電界緩和効果が小さくなるという問題が発生すると共に、トレンチが深く形成され過ぎるとｐ型ディープ層よりも深くなりかねないため、トレンチの深さ制御が難しくなるという問題が発生する。なお、ｐ型ディープ層の深さはイオン注入時のエネルギーによって決まるため、そのエネルギーを高くすれば良いが、ＳｉＣのように硬い材質だとｐ型ディープ層を所望の深さにするためには莫大なエネルギーが必要になり、それを実現できるイオン注入装置が必要になり、設備投資の面から他の手法が求められる。
【００１１】
本発明は上記点に鑑みて、トレンチ内に形成するゲート酸化膜での電界集中をより緩和できるようにしたＳｉＣ半導体装置の製造方法において、ディープ層とベース層とを接続する構造にしつつ、ディープ層が確実にトレンチよりも深くできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、ゲート電極（９）への印加電圧を制御することでチャネル層（７）に形成される蓄積型のチャネルを制御し、ソース領域（４）およびドリフト層（２）を介して、ソース電極（１１）およびドレイン電極（１３）の間に電流を流す蓄積型のＭＯＳＦＥＴを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、基板（１）を用意し、該基板（１）上に、該基板（１）よりも低不純物濃度とされた第１導電型の炭化珪素からなるドリフト層（２）を形成する工程と、ドリフト層（２）の表面にマスク（２０）を配置した後、該マスク（２０）を用いたイオン注入を行うことにより、一方向に延設されるように第２導電型のディープ層（１０）の下層部分（１０ａ）を形成する工程と、ドリフト層（２）の表面に、ドリフト層（２）よりも高濃度となる第１導電型の電流分散層（３０）を形成する工程と、電流分散層（３０）の表面にマスク（２１）を配置した後、該マスク（２１）を用いたイオン注入を行うことにより、下層部分（１０ａ）と対応する位置に、下層部分（１０ａ）と接続されるようにディープ層（１０）の上層部分（１０ｂ）を形成する工程と、電流分散層（３０）およびディープ層（１０）の表面に第２導電型の炭化珪素からなるベース領域（３）を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。
【００１３】
このように、ディープ層（１０）を下層部分（１０ａ）と上層部分（１０ｂ）とに分けて形成しているため、一度にディープ層（１０）を形成する場合と比べて深く形成することが可能となる。また、ディープ層（１０）を下層部分（１０ａ）と上層部分（１０ｂ）とに分けて形成することにより、イオン注入時のエネルギーを高くしなくても済むため、莫大なエネルギーでのイオン注入が行えるイオン注入装置を備える必要も無くなる。
【００１４】
また、このようにディープ層（１０）を深く形成できることから、トレンチ（６）の底部の位置よりもディープ層（１０）の底部の位置の方が確実に深い位置に形成されるようにできるため、難しいトレンチの深さ制御を行う必要もない。
【００１５】
なお、ここでは蓄積型のＭＯＳＦＥＴを有するＳｉＣ半導体装置について説明したが、請求項２に記載したように、ゲート電極（９）への印加電圧を制御することでトレンチ（６）の側面に位置するベース領域（３）の表面部にチャネル領域を形成し、ソース領域（４）およびドリフト層（２）を介して、ソース電極（１１）およびドレイン電極（１３）の間に電流を流す反転型のＭＯＳＦＥＴを備えたＳｉＣ半導体装置に対しても、上記と同様の製造方法を採用することができる。
【００１６】
上述したディープ層（１０）は、下層部分（１０ｂ）と上層部分（１０ｂ）それぞれの幅が同じであっても良いが、請求項３に示すように、上層部分（１０ｂ）の間隔（Ｌ２）が下層部分（１０ａ）の間隔（Ｌ１）よりも広くなるようにすることもできる。また、請求項４に示すように、上層部分（１０ｂ）のうちの底部の幅（Ｗ２）が下層部分（１０ａ）の幅（Ｗ１）よりも狭く、上層部分（１０ｂ）のうちの表面部の幅（Ｗ３）が下層部分（１０ａ）の幅（Ｗ１）よりも広くなるようにすることもできる。
【００１７】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。ここではＳｉＣ半導体装置に備えられる素子として蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴについて説明する。
【００２０】
図１は、本実施形態にかかるトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの斜視断面図である。この図は、ＭＯＳＦＥＴの１セル分を抽出したものに相当する。本図ではＭＯＳＦＥＴの１セル分しか記載していないが、図１に示すＭＯＳＦＥＴと同様の構造のＭＯＳＦＥＴが複数列隣り合うように配置されている。また、図２−ａ〜図２−ｄは、図１のＭＯＳＦＥＴの断面図であり、図２−ａは、図１中のＡ−Ａ線においてｘｚ平面と平行に切断したときの断面、図２−ｂは、図１中のＢ−Ｂ線においてｘｚ平面と平行に切断したときの断面、図２−ｃは、図１中のＣ−Ｃ線においてｙｚ平面と平行に切断したときの断面、図２−ｄは、図１中のＤ−Ｄ線においてｙｚ平面と平行に切断したときの断面である。
【００２１】
図１および図２−ａ〜図２−ｄに示すＭＯＳＦＥＴは、リン等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3で厚さ３００μｍ程度のＳｉＣからなるｎ+型基板１が半導体基板として用いられており、このｎ+型基板１の表面にリン等のｎ型不純物濃度が例えば３．０〜７．０×１０15／ｃｍ3で厚さ１０〜１５μｍ程度のＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２が形成されている。このｎ-型ドリフト層２の不純物濃度は深さ方向において一定であっても良いが、濃度分布に傾斜を付け、ｎ-型ドリフト層２のうちｎ+型基板１側の方がｎ+型基板１から離れる側よりも高濃度となるようにすると好ましい。例えば、ｎ-型ドリフト層２のうちｎ+型基板１の表面から３〜５μｍ程度の部分の不純物濃度が２．０×１０15／ｃｍ3程度他の部分よりも高くなるようにすると良い。このようにすると、ｎ-型ドリフト層２の内部抵抗を低減できるため、オン抵抗を低減することが可能となる。
【００２２】
このｎ-型ドリフト層２の表層部には後述するｎ型電流分散層３０を介してｐ型ベース領域３が形成されていると共に、このｐ型ベース領域３の上層部分にｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５が形成されている。
【００２３】
ｐ型ベース領域３は、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度が例えば５．０×１０16〜２．０×１０19／ｃｍ3、厚さ２．０μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、表層部におけるリン等のｎ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。ｐ+型ボディ層５は、例えば表層部におけるボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、後述するトレンチゲート構造の両側に配置されており、ｐ+型ボディ層５は、ｎ+型ソース領域４を挟んでトレンチゲート構造と反対側に備えられている。
【００２４】
また、ｐ型ベース領域３とｎ+型ソース領域４および後述するｎ型電流分散層３０を貫通してｎ-型ドリフト層２に達するように、例えば幅が１．４〜２．０μｍ、深さが２．０μｍ以上（例えば２．４μｍ）のトレンチ６が形成されている。このトレンチ６の側面と接するように上述したｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４が配置されている。また、トレンチ６の内壁面には、リン等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０16／ｃｍ3とされたｎ型チャネル層７が形成されている。ｎ型チャネル層７はチャネル領域を構成するためのものであり、ノーマリオフ型となる厚さに設定され、例えばトレンチ６の底面上で０．３〜１．０μｍ、トレンチ６の側面上で０．１〜０．３μｍとされている。
【００２５】
さらに、ｎ型チャネル層７の表面はゲート酸化膜８にて覆われており、ゲート酸化膜８の表面に形成されたドープトＰｏｌｙ−Ｓｉにて構成されたゲート電極９により、トレンチ６内が埋め尽くされている。ゲート酸化膜８は、ｎ型チャネル層７の表面を熱酸化することで形成されており、ゲート酸化膜８の厚みはトレンチ６の側面側と底部側共に１００ｎｍ程度となっている。
【００２６】
このようにして、トレンチゲート構造が構成されている。このトレンチゲート構造は、図１中のｙ方向を長手方向として延設されている。そして、複数のトレンチゲート構造が図１中のｘ方向に平行に並べられた構造とされている。また、上述したｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５もトレンチゲート構造の長手方向に沿って延設された構造とされている。
【００２７】
また、ｎ-型ドリフト層２とｐ型ベース領域３の間に、ｎ型チャネル層７と接するようにｎ型電流分散層３０が備えられている。ｎ型電流分散層３０は、リン等のｎ型不純物濃度がｎ-型ドリフト層２よりも高濃度、好ましくはｎ型チャネル層７よりも高濃度とされ、例えば２．０×１０15／ｃｍ3〜１．０×１０17／ｃｍ3とされている。ｎ型電流分散層３０の厚さに関しては任意であるが、本実施形態ではトレンチ６がｎ型電流分散層３０を貫通する程度の厚みとされており、例えば０．３μｍ程度とすることができる。
【００２８】
さらに、ｎ-型ドリフト層２のうちｐ型ベース領域３よりも下方位置において、ｎ型電流分散層３０を貫通してｎ-型ドリフト層２の所定深さの位置まで、トレンチゲート構造におけるトレンチ６の側面のうちチャネル領域が構成される部分に対する法線方向（図１中のｘ方向）、つまりトレンチ６の長手方向に対する垂直方向に延設されたｐ型ディープ層１０が備えられている。
【００２９】
ｐ型ディープ層１０は、ｎ-型ドリフト層２内に形成された下層部分１０ａとｎ型電流分散層３０内に形成された上層部分１０ｂと有して構成され、トレンチ６の底部、つまりｎ型チャネル層７の底部よりも深くされており、ｎ-型ドリフト層２の表面からの深さが例えば２．６〜３．０μｍ程度（ｐ型ベース領域３の底部からの深さが例えば０．９〜１．３μｍ）とされている。また、ｐ型ディープ層１０の幅（図１中のｙ方向寸法）は、０．６〜１．０μｍとされている。このｐ型ディープ層１０におけるボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度は、例えば１．０×１０17／ｃｍ3〜１．０×１０19／ｃｍ3とされている。このｐ型ディープ層１０は、トレンチゲート構造の長手方向に沿って複数本平行に並べられており、隣り合うｐ型ディープ層１０同士の間隔は、例えば２〜３μｍとされている。
【００３０】
また、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５の表面やゲート電極９の表面には、ソース電極１１やゲート配線（図示せず）が形成されている。ソース電極１１およびゲート配線は、複数の金属（例えばＮｉ／Ａｌ等）にて構成されており、少なくともｎ型ＳｉＣ（具体的にはｎ+型ソース領域４やｎドープの場合のゲート電極９）と接触する部分はｎ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成され、少なくともｐ型ＳｉＣ（具体的にはｐ+型ボディ層５やｐドープの場合のゲート電極９）と接触する部分はｐ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。なお、これらソース電極１１およびゲート配線は、層間絶縁膜１２上に形成されることで電気的に絶縁されており、層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホールを通じてソース電極１１はｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５と電気的に接触させられ、ゲート配線はゲート電極９と電気的に接触させられている。
【００３１】
そして、ｎ+型基板１の裏面側にはｎ+型基板１と電気的に接続されたドレイン電極１３が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成されている。
【００３２】
このような蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴは、以下のように動作する。
【００３３】
まず、ゲート電極９にゲート電圧を印加する前の状態では、ＳｉＣは不純物濃度が１．０×１０19／ｃｍ3のように高い場合、約３Ｖの内在電位を有しているため、ソース電極１１が０Ｖであってもｐ型ベース領域３は−３Ｖのように振舞う。このため、ｐ型ベース領域３から空乏層が広がり、ｐ型ベース領域３の近傍は絶縁体のように振舞う。したがって、ドレイン電極１３に正の電圧を加えたとしても、ｎ型チャネル層７は絶縁体のように振舞うため、電子はｎ型チャネル層７に到達することはできず、ソース電極１１とドレイン電極１３との間に電流が流れない。
【００３４】
次に、オフ時（ゲート電圧＝０Ｖ、ドレイン電圧＝６５０Ｖ、ソース電圧＝０Ｖ）には、ドレイン電極１３に電圧を加えるても逆バイアスになるため、ｐ型ベース領域３とｎ-型ドリフト層２（ｎ型チャネル層７を含む）の間より、空乏層が広がる。このとき、ｐ型ベース領域３の濃度がｎ-型ドリフト層２より、遥かに高いので、空乏層はほとんどｎ-型ドリフト層２側に広がる。例えば、本実施形態のように、ｐ型ベース領域３の不純物濃度をｎ-型ドリフト層２の不純物濃度の１０倍とした場合、ｐ型ベース領域３側に約０．７μｍ伸び、ｎ-型ドリフト層２側に約７．０μｍ伸びるが、ｐ型ベース領域３の厚みを２．０μｍと空乏層の伸び量よりも大きくしてあるため、パンチスルーしないようにできる。そして、ドレイン０Ｖの場合より空乏層が広がっているため、絶縁体として振舞う領域は更に広がっているので、ソース電極１１とドレイン電極１３との間に電流が流れない。
【００３５】
また、ゲート電圧が０Ｖになっているため、ドレイン−ゲート間にも電界がかかる。このため、ゲート酸化膜８の底部にも電界集中が発生し得る。しかしながら、トレンチ６よりも深いｐ型ディープ層１０を備えた構造としているため、ｐ型ディープ層１０とｎ-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。特に、ｐ型ディープ層１０の不純物濃度をｐ型ベース領域３よりも高濃度とすれば、よりｎ-型ドリフト層２側への空乏層の伸び量が大きくなる。これにより、ゲート酸化膜８内での電界集中、特にゲート酸化膜８のうちのトレンチ６の底部での電界集中を緩和することが可能となり、ゲート酸化膜８が破壊されることを防止することが可能となる。
【００３６】
シミュレーションにより確認したところ、ドレイン電極１３に６５０Ｖを印加した場合において、ゲート酸化膜８のうちのトレンチ６の底部での電界強度が２．０ＭＶ／ｃｍであった。この電界強度はゲート酸化膜８が電界集中で破壊されないレベルである。このため、ドレイン電極１３に６５０Ｖを印加してもゲート酸化膜８は破壊されず、耐圧６５０Ｖを達成できる。
【００３７】
そして、本実施形態では、このような電界緩和効果を得るために備えられるｐ型ディープ層１０がｎ型電流分散層３０にも形成されるようにし、ｐ型ディープ層１０がｐ型ベース領域３に接続されるようにすることでソース電位に固定されるようにしている。このため、電界緩和効果が弱まることを防止できる。また、ｐ型ディープ層１０とｐ型ベース領域３とがｎ型電流分散層３０にて分断された場合、サージ電流が流れた際にｐ型ディープ層１０から直接ｐ型ベース層３に引抜くことができなくなため、これらによって構成されるＰＮＰ接合部を含んだ部分に電流が流れ、この部分がトランジスタとして作用することで大電流が流れ、素子破壊が起こる可能性がある。しかしながら、ｐ型ディープ層１０がｐ型ベース領域３に接続されるようにしているため、このような素子破壊が起こることを防止することも可能となる。
【００３８】
一方、オン時（ゲート電圧＝２０Ｖ、ドレイン電圧＝１Ｖ、ソース電圧＝０Ｖ）には、ゲート電極９にゲート電圧として２０Ｖが印加されるため、ｎ型チャネル層７が蓄積型チャネルとして機能する。このため、ソース電極１１から注入された電子はｎ+型ソース領域４からｎ型チャネル層７を通った後、ｎ-型ドリフト層２に到達する。これにより、ソース電極１１とドレイン電極１３との間に電流を流すことができる。
【００３９】
なお、この場合のオン抵抗を計算したところ、４．９ｍΩ・ｃｍ2になっており、本実施形態のような構造のｐ型ディープ層１０を形成しない場合のオン抵抗４．３ｍΩ・ｃｍ2に対してオン抵抗が１５％増大していた。これは、ｐ型ディープ層１０が形成された位置において、トレンチゲート構造の側面にチャネルが形成されないためである。しかしながら、オン抵抗の増加は大きくなく、かつ、ｐ型ディープ層１０の幅や間隔に応じて調整可能なものであるため、問題になるものではない。
【００４０】
次に、図１に示すトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造方法について説明する。図３〜図５は、図１に示すトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造工程を示した断面図である。図３〜図５中、左側に図１中のＡ−Ａ線においてｘｚ平面と平行に切断した断面図（図２−ａと対応する場所）を示してあり、右側に図１中のＤ−Ｄ線においてｙｚ平面と平行に切断した断面図（図２−ｄと対応する場所）を示してある。以下、これらの図を参照して説明する。
【００４１】
〔図３（ａ）に示す工程〕
まず、リン等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3で厚さ３００μｍ程度のｎ+型基板１を用意する。このｎ+型基板１の裏面側にドレイン電極１３を形成したのち、ｎ+型基板１の表面にリン等のｎ型不純物濃度が例えば３．０〜７．０×１０15／ｃｍ3で厚さ１５μｍ程度のＳｉＣからなるｎ-型ドリフト層２をエピタキシャル成長させる。
【００４２】
〔図３（ｂ）に示す工程〕
ｎ-型ドリフト層２の表面にＬＴＯなどで構成されるマスク２０を形成したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ型ディープ層１０の形成予定領域においてマスク２０を開口させる。そして、マスク２０上からｐ型不純物（例えばボロンやアルミニウム）のイオン注入および活性化を行うことで、例えばボロンもしくはアルミニウム濃度が１．０×１０17／ｃｍ3〜１．０×１０19／ｃｍ3、厚さが０．６〜１．０μｍ程度、幅が０．６〜１．０μｍ程度となるｐ型ディープ層１０の下層部分１０ａを形成する。その後、マスク２０を除去する。
【００４３】
〔図３（ｃ）に示す工程〕
ｎ-型ドリフト層２およびｐ型ディープ層１０の表面に例えば０．３μｍｎ程度の厚みの型電流分散層３０をエピタキシャル成長させる。このとき、ｎ型電流分散層３０に含まれるリン等のｎ型不純物濃度を例えば２．０×１０15／ｃｍ3〜１．０×１０17／ｃｍ3とすることで、ｎ-型ドリフト層２よりも高濃度、好ましくはｎ型チャネル層７よりも高濃度とする。
【００４４】
〔図４（ａ）に示す工程〕
ｎ型電流分散層３０の表面にマスク２１を形成したのち、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ型ディープ層１０の形成予定領域においてマスク２１を開口させる。そして、マスク２０上からｐ型不純物（例えばボロンやアルミニウム）のイオン注入および活性化を行うことで、ｐ型ディープ層１０の上層部分１０ｂを形成する。このとき、上層部分１０ｂのｐ型不純物濃度および幅が下層部分１０ａと同等になるようにする。これにより、下層部分１０ａおよび上層部分１０ｂが繋がったｐ型ディープ層１０が形成される。その後、マスク２１を除去する。
【００４５】
〔図４（ｂ）に示す工程〕
ｎ-型ドリフト層２の表面に、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度が例えば５．０×１０16〜２．０×１０19／ｃｍ3、厚さ２．０μｍ程度となるｐ型不純物層をエピタキシャル成長させることにより、ｐ型ベース領域３を形成する。
【００４６】
〔図４（ｃ）に示す工程〕
ｐ型ベース領域３の上に、例えばＬＴＯ等で構成されるマスク（図示せず）を成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て、ｎ+型ソース領域４の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｎ型不純物（例えば窒素）をイオン注入する。続いて、先程使用したマスクを除去した後、再びマスク（図示せず）を成膜し、フォトリソグラフィ工程を経て、ｐ+型ボディ層５の形成予定領域上においてマスクを開口させる。その後、ｐ型不純物（例えば窒素）をイオン注入する。そして、注入されたイオンを活性化することで、リン等のｎ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度のｎ+型ソース領域４を形成すると共に、ボロンもしくはアルミニウム等のｐ型不純物濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度のｐ+型ボディ層５を形成する。その後、マスクを除去する。
【００４７】
〔図５（ａ）に示す工程〕
ｐ型ベース領域３、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５の上に、図示しないエッチングマスクを成膜したのち、トレンチ６の形成予定領域の形成予定領域においてエッチングマスクを開口させる。そして、エッチングマスクを用いた異方性エッチングを行ったのち、必要に応じて等方性エッチングや犠牲酸化工程を行うことで、トレンチ６を形成する。この後、エッチングマスクを除去する。
【００４８】
〔図５（ｂ）に示す工程〕
トレンチ６内を含む基板表面全面に、リン等のｎ型不純物濃度が例えば１．０×１０16／ｃｍ3のｎ型チャネル層７をエピタキシャル成長させる。このとき、エピタキシャル成長の面方位依存性などにより、ｎ型チャネル層７はトレンチ６の底面の方が側面よりも厚く形成される。続いてｎ型チャネル層７のうちの不要部分、つまりｐ型ベース領域３、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５の上に形成された部分を除去した後、ゲート酸化膜形成工程を行うことでゲート酸化膜８を形成する。具体的には、ウェット雰囲気を用いたパイロジェニック法によるゲート酸化（熱酸化）によりゲート酸化膜８を形成する。
【００４９】
続いて、ゲート酸化膜８の表面にｎ型不純物をドーピングしたポリシリコン層を例えば６００℃の温度下で４４０ｎｍ程度成膜したのち、エッチバック工程等を行うことにより、トレンチ６内にゲート酸化膜８およびゲート電極９を残す。
【００５０】
この後の工程に関しては、従来と同様であるため図示しないが、層間絶縁膜１２を成膜したのち、層間絶縁膜をパターニングしてｎ+型ソース領域４やｐ+型ボディ層５に繋がるコンタクトホールを形成すると共に、ゲート電極９に繋がるコンタクトホールを別断面に形成する。続いて、コンタクトホール内を埋め込むように電極材料を成膜したのち、これをパターニングすることでソース電極１１やゲート配線を形成する。これにより、図１に示したＭＯＳＦＥＴが完成する。
【００５１】
以上説明した製造方法によれば、ｐ型ディープ層１０を下層部分１０ａと上層部分１０ｂとに分けて形成しているため、一度にｐ型ディープ層１０を形成する場合と比べて深く形成することが可能となる。また、ｐ型ディープ層１０を下層部分１０ａと上層部分１０ｂとに分けて形成することにより、イオン注入時のエネルギーを高くしなくても済むため、莫大なエネルギーでのイオン注入が行えるイオン注入装置を備える必要も無くなる。
【００５２】
また、このようにｐ型ディープ層１０を深く形成できることから、トレンチ６の底部の位置よりもｐ型ディープ層１０の底部の位置の方が確実に深い位置に形成されるようにできるため、難しいトレンチの深さ制御を行う必要もない。
【００５３】
さらに、ｎ型電流分散層３０のの表面からイオン注入することで深いｐ型ディープ層１０を形成するような場合、高いエネルギーによるイオン注入にてｐ型ディープ層１０になるため、イオン注入による欠陥発生が懸念されるが、本実施形態によれば、高いエネルギーによるイオン注入の必要がないため、イオン注入よる欠陥発生を防止することも可能となる。
【００５４】
なお、トレンチ６の長手方向とｐ型ディープ層１０の長手方向とを平行にした場合、これらの間隔が一定にならないとデバイス特性に影響を与えることになるため、トレンチ６の形成の際に用いられるマスクとｐ型ディープ層１０の形成の際に用いられるマスクの位置合わせが重要になる。しかしながら、一定量のマスクずれは必然的に発生するため、完全にマスクずれによるデバイス特性の影響を排除することはできない。これに対し、本実施形態のＳｉＣ半導体装置によれば、トレンチ６の長手方向とｐ型ディープ層１０の長手方向とが垂直とされているため、これらを形成するためのマスクずれがデバイス特性に影響を与えることはない。これにより、製品特性のバラツキを防止でき、歩留まり向上を図ることができる。したがって、本実施形態のような構造とすることにより、製品特性のバラツキを防止でき、歩留まり向上を図ることができる構造のＳｉＣ半導体装置とすることが可能となる。
【００５５】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１実施形態に対してｐ型ディープ層１０のうちの下層部分１０ａと上層部分１０ｂとの関係を第１実施形態に対して変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【００５６】
図６は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置に備えられるトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。ただし、第１実施形態に示した図１、図２−ａ〜図２−ｃと対応する部分の構造に関しては本実施形態もほぼ同様であり、図２−ｄに対してのみ異なっているため、図６において図２−ｄと対応する断面図のみを示してある。
【００５７】
この図に示すように、ｐ型ディープ層１０のうち各下層部分１０ａの間隔Ｌ１と比べて各上層部分１０ｂの間隔Ｌ２の方が長くなるようにしている。このようにすることで、電流分散層３０の電流経路を広く確保してオン電流を稼ぐことができる。なお、このような構造のＳｉＣ半導体装置を製造するには、マスク２１に形成される開口部の寸法および間隔を第１実施形態に対して変更するだけで良い。
【００５８】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置も、第１実施形態に対してｐ型ディープ層１０のうちの下層部分１０ａと上層部分１０ｂとの関係を第１実施形態に対して変更したものであり、基本構造に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【００５９】
図７は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置に備えられるトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。ただし、第１実施形態に示した図１、図２−ａ〜図２−ｃと対応する部分の構造に関しては本実施形態もほぼ同様であり、図２−ｄに対してのみ異なっているため、図７において図２−ｄと対応する断面図のみを示してある。
【００６０】
この図に示すように、ｐ型ディープ層１０のうち下層部分１０ａの幅Ｗ１と比べて上層部分１０ｂにおける底部側の幅Ｗ２が短く、表面部側の幅Ｗ３が長くなるようにしている。このようにすることで、電流分散層３０の電流経路を広く確保しつつ、サージ電流の抵抗値を小さくすることができる。なお、このような構造のＳｉＣ半導体装置を製造するには、第１実施形態で説明したマスク２１に形成される開口部をテーパ形状にするだけで良い。例えば、開口部形成時のフォトリソグラフィをウェットエッチングなどの等方性エッチングにて行うことで、マスク２１の開口部をテーパ形状にすることができる。
【００６１】
（第４実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態のＳｉＣ半導体装置は、第１〜第３実施形態と同様の構造のＭＯＳＦＥＴを反転型としたものであり、基本構造に関しては第１〜第３実施形態と同様であるため、第１〜第３実施形態と異なっている部分に関してのみ説明する。
【００６２】
図８は、本実施形態にかかるＳｉＣ半導体装置に備えられるトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの斜視断面図である。なお、図８は、第１実施形態の構造に対してＭＯＳＦＥＴを反転型とする構造について示してあるが、第２、第３実施形態の構造に対してもＭＯＳＦＥＴを反転型にできる。
【００６３】
図８に示されるように、本実施形態では、トレンチ６の表面にゲート酸化膜８が形成されており、第１実施形態で示したｎ型チャネル層７は形成されていない構造とされている。このため、トレンチ６の側壁において、ゲート酸化膜８とｐ型ベース領域３およびｎ+型ソース領域４が接触した構造となっている。
【００６４】
このように構成されたＭＯＳＦＥＴは、ゲート電極９に対してゲート電圧を印加すると、ｐ型ベース領域３のうちトレンチ６の側面に配置されたゲート酸化膜８と接する部分が反転型チャネルとなり、ソース電極１１とドレイン電極１３との間に電流を流すという動作を行う。
【００６５】
このような反転型のＭＯＳＦＥＴについても、上述したようにｐ型ディープ層１０を形成しているため、第１実施形態と同様に、ドレイン電圧として高電圧が印加される時には、ｐ型ディープ層１０とｎ-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜８に入り込み難くなる。このため、ゲート酸化膜８内での電界集中、特にゲート酸化膜８のうちのトレンチ６の底部での電界集中を緩和することが可能となる。これにより、ゲート酸化膜８が破壊されることを防止することが可能となる。
【００６６】
そして、このようなｐ型ディープ層１０を下層部分１０ａと上層部分１０ｂとに分けて形成しているため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【００６７】
なお、このような反転型のＭＯＳＦＥＴの製造方法に関しては、基本的に第１実施形態と同様であり、第１実施形態に示した製造方法に対してｎ型チャネル層７の形成工程をなくし、トレンチ６の表面に直接ゲート酸化膜８を形成すればよい。
【００６８】
（他の実施形態）
（１）上記各実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたｎチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたｐチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴに対しても本発明を適用することができる。また、上記説明では、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴを例に挙げて説明したが、同様のトレンチゲート構造のＩＧＢＴに対しても本発明を適用することができる。ＩＧＢＴは、第１、第２実施形態に対して基板１の導電型をｎ型からｐ型に変更するだけであり、その他の構造や製造方法に関しては第１実施形態と同様である。
【００６９】
（２）また、上記各実施形態では、トレンチ６を形成する前にｐ型ベース領域３やｎ+型ソース領域４等を形成したが、トレンチ６を形成した後にｐ型ベース領域３やｎ+型ソース領域４等をイオン注入にて形成しても良い。また、上記実施形態においてｎ+型ソース領域４をイオン注入にて形成するのであれば、ｎ+型ソース領域４がゲート酸化膜８と接する状態であっても構わない。さらに、ｐ型ベース領域３をイオン注入で形成するのであれば、トレンチ６の側面からｐ型ベース領域３を離間させることができるため、トレンチ６の側面からｐ型ベース領域３の間に残るｎ-型ドリフト層２をｎ型チャネル層７として機能させることも可能である。勿論、この場合にも、ｐ型ベース領域３やｎ+型ソース領域４等をトレンチ６の形成前後のいずれで形成しても構わない。
【００７０】
（３）上記各実施形態では、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型ボディ層５をイオン注入にて形成する場合について説明したが、これらのうちのいずれか一方をエピタキシャル成長させることにより形成することもできる。
【００７１】
（４）上記各実施形態に示した構造は単なる一例を示したものであり、適宜設定変更などが可能である。例えば、ｐ+型ボディ層５を介してｐ型ベース領域３がソース電極１１に電気的に接続される構造としたが、ｐ+型ボディ層５を単なるコンタクト部としてｐ型ベース領域３がソース電極１１に電気的に接続される構造であっても構わない。また、ゲート絶縁膜として熱酸化によるゲート酸化膜８を例に挙げて説明したが熱酸化によらない酸化膜もしくは窒化膜などを含むものであっても構わない。また、ドレイン電極１３の形成工程に関しても、ソース電極１１の形成後などとしても構わない。
【００７２】
（５）なお、結晶の方位を示す場合、本来ならば所望の数字の上にバー（−）を付すべきであるが、パソコン出願に基づく表現上の制限が存在するため、本明細書においては、所望の数字の前にバーを付すものとする。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図２−ａ】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図２−ｂ】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図２−ｃ】図１のＣ−Ｃ断面図である。
【図２−ｄ】図１のＤ−Ｄ断面図である。
【図３】図１に示すトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造工程を示した断面図である。
【図４】図３に続くトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造工程を示した断面図である。
【図５】図４に続くトレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造工程を示した断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる蓄積型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態にかかる反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴの断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１          ｎ+型基板
２          ｎ-型ドリフト層
３          ｐ型ベース領域
４          ｎ+型ソース領域
５          ｐ+型ボディ層
６          トレンチ
７          ｎ型チャネル層
８          ゲート酸化膜
９          ゲート電極
１０        ｐ型ディープ層
１１        ソース電極
１２        層間絶縁膜
１３        ドレイン電極
２０、２１  マスク
３０        ｎ型電流分散層
【図１】
0004640436.tif 000002
【図２−ａ】
0004640436.tif 000003
【図２−ｂ】
0004640436.tif 000004
【図２−ｃ】
0004640436.tif 000005
【図２−ｄ】
0004640436.tif 000006
【図３】
0004640436.tif 000007
【図４】
0004640436.tif 000008
【図５】
0004640436.tif 000009
【図６】
0004640436.tif 000010
【図７】
0004640436.tif 000011
【図８】
0004640436.tif 000012