(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、
半導体レーザと、
前記半導体レーザを点灯させるための電流を供給する電源と、
前記半導体レーザにコレクタが接続される第１のトランジスタを有し、第１の入力信号に基づいて前記電源からの電流を前記第１のトランジスタの第１の主電極に導く第１のカレントミラー回路と、
前記第１のトランジスタの第２の主電極に第２の主電極が接続される第２のトランジスタを有し、前記第１の入力信号に対して極性が反転した第２の入力信号に基づいて前記電源からの電流を前記第２のトランジスタの第１の主電極に導く第２のカレントミラー回路と、
を有し、
前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトランジスタのエミッタとの接続部は前記電源と抵抗を介して接地されることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】
前記第１のカレントミラー回路および前記第２のカレントミラー回路からの出力電流のうち一方の回路からの出力電流はアノードコモンの前記半導体レーザに供給され、他方の回路からの出力電流は抵抗に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項３】
前記第１のカレントミラー回路および前記第２のカレントミラー回路からの出力電流のうち一方の回路からの出力電流はカソードコモンの前記半導体レーザにバイパス電流として供給され、他方の回路からの出力電流は前記半導体レーザの抵抗に供給されることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回路。
【請求項４】
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、
半導体レーザと、
前記半導体レーザを点灯させるための電流を供給する電源と、
前記半導体レーザにコレクタが接続される第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのエミッタにエミッタが接続される第２のトランジスタと、
第１の入力信号がベースに入力され、前記電源がコレクタに接続され、前記第１のトランジスタのベースにエミッタが接続される第３のトランジスタと、
前記第１の入力信号に対して極性が反転した第２の入力信号がベースに入力され、前記電源がコレクタに接続され、前記第２のトランジスタのベースにエミッタが接続される第４のトランジスタと、
前記第３のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第５のトランジスタと、
前記第４のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第６のトランジスタと、
を有し、
前記第５のトランジスタのエミッタは第１の抵抗を介して接地され、
前記第６のトランジスタのエミッタは第２の抵抗を介して接地され、
前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトランジスタのエミッタとの接続部は前記電源と第３の抵抗を介して接地されることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【請求項５】
前記電源がコレクタに接続され、前記第３のトランジスタのベースにエミッタが接続される第７のトランジスタと、
前記電源がコレクタに接続され、前記第４のトランジスタのベースにエミッタが接続される第８のトランジスタと、
前記第７のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第９のトランジスタと、
前記第８のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第１０のトランジスタと、
前記第９のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第１１のトランジスタと、
前記第１０のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第１２のトランジスタと、
を有し、
前記第１１のトランジスタのエミッタは第４の抵抗を介して接地され、
前記第１２のトランジスタのエミッタは第５の抵抗を介して接地され、
前記第１の入力信号が前記第３のトランジスタのベースには入力されず、前記第７のトランジスタのベースに入力され、
前記第２の入力信号が前記第４のトランジスタのベースには入力されず、前記第８のトランジスタのベースに入力されることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザビームプリンタや複写機に用いて好適な、半導体レーザを駆動制御する半導体レーザ駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本発明に対する従来の技術を説明する前にまず、半導体レーザ駆動回路を使用するレーザビームプリンタ（以下ＬＢＰと記す）について説明する。
【０００３】
従来、レーザビームを用いて画像出力を行うＬＢＰは一例として図７のような構成となっている。
【０００４】
図７中、フォトダイオード７０１は、レーザ光源としての半導体レーザ７０２が出力するレーザ光のモニタリングを行う。半導体レーザ７０２はレーザドライバ回路７０３によって駆動される。レーザドライバ回路７０３中に構成されている光量制御部はモニタされた光量にもとづいて半導体レーザ７０２への供給電流を制御し、フォトダイオード７０１からの出力が所定値となるようにレーザドライバ回路７０３を制御する。
【０００５】
ポリゴンミラー７０４は、半導体レーザ７０２から照射されたレーザビームＩを偏光するためのものであり、モータ軸に固定されて図７中矢印方向への回転を行い、感光ドラム７０５上にビームＩを走査する。ｆ−θレンズ７０６は偏光されたレーザビームＩを感光ドラム７０５上に集光するものである。
【０００６】
受光ダイオードからなるビームディテクタ７０７は、レーザビームＩにより感光ドラム７０５上の情報書込み開始位置を検出し、水平同期信号発生回路７０８はビームディテクタ７０７の出力にもとづいて水平同期信号Ｈｓｙｎｃ（以下ＨＤと記す）を発生する。
【０００７】
ブランキング回路７０９は、水平同期信号にもとづいて、次にビームディテクタがレーザビームＩを検出すべきタイミングで半導体レーザ７０２をオンさせるアンブランキング信号ＵＮＢＬを発生し、これをオア回路７１０に供給する。
【０００８】
画素変調データ発生源７１１は、水平同期信号ＨＤに同期して画素クロックＳＣＫを発生し、更に、この画素クロックＳＣＫに同期して例えば８ビットで画素階調を表す画素変調データＤＶを出力する。
【０００９】
画素変調回路７１２は、画素変調データ発生源７１１より発生する画素変調データにもとづいて、水平同期信号ＨＤに同期して発生された画素クロックに同期してパルス幅変調された信号を発生する。
【００１０】
オア回路７１０には画素変調回路７１２から供給されるパルス幅変調された画信号も入力される。オア回路７１０からの出力がレーザドライバ回路７０３に与えられ、これにより前記光量制御部によって設定された電流が半導体レーザ７０２に供給される。
【００１１】
このようなシステムにより階調を表現することで、高精細な画像出力を得ることができる。
【００１２】
（従来例１）
前述のＬＢＰにおいて、レーザドライバ回路は、通常半導体集積回路内で構成され、図３のような回路になっている。図３において、アノードコモンタイプの半導体レーザを駆動するときには、図５（ａ）のようにレーザＬＤのアノードを電源に接続し、カソードを図３中トランジスタＱ３０４のコレクタに接続する。
【００１３】
図３においてトランジスタＱ３０１＝Ｑ３０２＝Ｑ３０３、抵抗Ｒ３０１＝Ｒ３０２である。トランジスタＱ３０１〜Ｑ３０３、抵抗Ｒ３０１，Ｒ３０２はウイルソン型のカレントミラー回路を構成し、その入力電流Ｉｓ１にもとづいた電流をトランジスタＱ３０４および抵抗Ｒ３０３からなる電流源に発生させる。ここでトランジスタＱ３０１〜Ｑ３０３とＱ３０４のサイズ比を１：Ｎ（Ｎは正の整数）とし、抵抗Ｒ３０１およびＲ３０２とＲ３０３の抵抗比を１：１／Ｎ（Ｎは正の整数）とすれば抵抗Ｒ３０３およびトランジスタＱ３０４を流れる電流ＩｘにはＮ＊Ｉｓ１という電流が発生し、これが半導体レーザＬＤへの供給電流Ｉｏ１となる。これによりトランジスタＱ３０４および抵抗Ｒ３０３からなるレーザ供給電流出力部以外は小電流で動作させることができ、回路の低消費電力化につながる。
【００１４】
電流Ｉｓ１は図示していないレーザ変調信号に応じて、半導体レーザＬＤの発光がオン／オフするように、電流制御信号Ｉｓｃ１により制御される。このようにして得られる電流Ｉｏ１は、通常レーザＬＤと対で構成される図示していないフォトダイオードＰＤの出力を用いて、図示していない光量制御回路により一定期間毎に所望の発光量が得られる電流となるように制御される。
【００１５】
（従来例２）
図４は第２の従来のレーザドライバ回路の構成を示すものである。この回路においてアノードコモンタイプの半導体レーザを使用する場合は図５（ｂ）のように構成されたレーザＬＤおよび抵抗Ｒ１を、図４のトランジスタＱ４０４のコレクタおよびＱ４０６のコレクタに夫々接続する。図４中、Ｐｉｎ，Ｎｉｎは半導体レーザ変調信号であり、互いに極性の反転した差動信号である。トランジスタＱ４０４，Ｑ４０６は半導体レーザＬＤへ電流の供給、非供給を切り替えるスイッチ回路を構成する。トランジスタＱ４０１，Ｑ４０３，Ｑ４０５，Ｑ４０８および抵抗Ｒ４０１，Ｒ４０２，Ｒ４０３，Ｒ４０４はカレントミラー回路を構成し、その入力電流Ｉｓ２にもとづいた電流をトランジスタＱ４０３，Ｑ４０５，Ｑ４０８のコレクタに発生させる。トランジスタＱ４０５のコレクタ電流Ｉｘは、Ｐｉｎ，Ｎｉｎにより制御されるスイッチ回路のトランジスタＱ４０４またはＱ４０６の出力電流となりレーザＬＤへの供給電流Ｉｏ１または抵抗Ｒ１を流れる電流Ｉｏ２となる。また素子Ｑ４０２，Ｑ４０３，Ｒ４０２およびＱ４０７，Ｑ４０８，Ｒ４０４からなる回路はレーザ変調信号Ｐｉｎ，Ｎｉｎをバッファリングするバッファ回路である。
【００１６】
レーザ供給電流Ｉｏ１または抵抗Ｒ１を流れる電流Ｉｏ２は、前述と同様にトランジスタＱ４０１とＱ４０５のサイズ比を１：Ｎ（Ｎは正の整数）、抵抗Ｒ４０１とＲ４０３の抵抗比を１：１／Ｎ（Ｎは正の整数）とすることでトランジスタＱ４０５のコレクタ電流ＩｘにはＮ＊Ｉｓ２という電流を発生させることができる。これにより回路の省電力化が可能である。またトランジスタＱ４０３およびＱ４０８とＱ４０５のサイズ比を１：Ｍ（Ｍは正の整数）、抵抗Ｒ４０２およびＲ４０４とＲ４０３の抵抗比を１：１／Ｍ（Ｍは正の整数）としてバッファ回路のバッファリング能力を決定できる。
【００１７】
レーザ変調信号ＰｉｎがハイレベルのときはトランジスタＱ４０４がオン、Ｑ４０６がオフしてＱ４０５のコレクタ電流Ｉｘが、電流Ｉｏ１として、レーザＬＤに流れることでレーザは発光する。このときの発光量は入力電流Ｉｓ２の電流値で決まり、このＩｓ２は図示しない光量制御回路により所望のレーザ光量が得られる電流となるように電流制御信号Ｉｓｃ２によって、一定期間毎に制御される。ＰｉｎがローレベルのときはトランジスタＱ４０６がオン、Ｑ４０４がオフしトランジスタＱ４０５のコレクタ電流Ｉｘが、電流Ｉｏ２として、抵抗Ｒ１に流れるためにレーザＬＤは発光を停止する。このように回路を差動構成とすることでノイズによる影響は低減される。
【００１８】
従来のＬＢＰやデジタル複写機では前述のアノードコモンタイプの半導体レーザが主に使用されてきたが、近年の高速化に伴い半導体レーザは出力パワーの大きいものが望まれてきている。
【００１９】
しかし、半導体レーザはその特性上出力パワーが大きくなければそれだけ発熱量も大きくなる。従って発熱によるドループ現象をできるだけ抑制するためには放熱が必要となる。このとき、半導体レーザのケースを筐体に接地するのが良く、そのためにはカソードコモンの半導体レーザを使用することになる。
【００２０】
図４の回路でカソードコモンタイプの半導体レーザを使用する場合には、図５（ｃ）のように構成した回路をトランジスタＱ４０４およびＱ４０６のコレクタに接続する。アノードコモン使用時との違いは、信号Ｖｍ、トランジスタＱ５０１および抵抗Ｒ２が追加されていることである。素子Ｑ５０１，Ｒ２からなる電流源の電流値を信号Ｖｍで制御してこれをレーザＬＤの最大発光量を規定する電流Ｉｍとする。従ってレーザＬＤが最大発光するのはトランジスタＱ４０４がオフのとき、すなわちレーザ変調信号Ｐｉｎがローレベルのときである。このときにはトランジスタＱ４０６がオンすることでトランジスタＱ４０５のコレクタ電流Ｉｘが、電流Ｉｏ２として、抵抗Ｒ１に流れる。ＰｉｎがハイレベルのときにはトランジスタＱ４０４がオンして電流Ｉｓ２にもとづいた電流Ｉｘ＝Ｎ＊Ｉｓ２が、電流Ｉｏ１として、トランジスタＱ５０１のコレクタ電流Ｉｍより引かれる。従って電流Ｉｓ２を適正な値に設定することにより半導体レーザＬＤのオン／オフ制御が可能となる。なおこの場合には最大発光量を決定する電圧Ｖｍを光量制御回路により制御する。電流ＩｘはレーザＬＤの発光を停止させるための電流を得ることができれば良く、この値をどのような環境条件下でも完全に発光が停止するように充分大きくしておけば、電流Ｉｓ２は制御しなくても問題はない。
【００２１】
更に図３に示した回路でも、図５（ｃ）の素子Ｑ５０１，Ｒ２からなる部分を用いて、前述のように半導体レーザＬＤに流し込む電流を発生、制御することでカソードコモンタイプの半導体レーザを駆動することが可能である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、カソードコモンタイプの半導体レーザにおいて、そのオン電圧は、供給電流によっても変化するが、最小で２ｖ以下である。図４の回路において、カソードコモンタイプのレーザを使用する場合、その動作を確実にするためにはトランジスタＱ４０４およびＱ４０６のベース入力信号のハイレベルはレーザＬＤのオン電圧以下にする必要があり、このオン電圧の変動およびバラツキ等を考慮するとベース入力信号のハイレベルは１．５ｖ程度とするのが望ましい。
【００２３】
またトランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅはおよそ−２ｍＶ／℃という温度特性を持っており、室温（２５℃）でＶｂｅ＝０．７５ｖと考えると、−２５℃の低温時にはＶｂｅ＝０．８５ｖとなる。従ってこのときには、図４において、トランジスタＱ４０４およびＱ４０６のベース入力信号のハイレベルを１．５ｖとすると、トランジスタＱ４０５のコレクタ電圧は０．６５ｖとなる。更に大パワー出力が可能であるカソードコモンタイプの半導体レーザでは、レーザへ供給する電流は、アノードコモンタイプのレーザに比べて、大きな電流が必要となる。このためレーザ消灯時にＩｍから差し引く電流Ｉｏ１も大きな電流が必要である。従って図４の回路でアノードコモン，カソードコモン両タイプの半導体レーザを使用する場合、電流Ｉｏ１のダイナミックレンジを考慮すると抵抗Ｒ４０３の端子間電圧はＩｏ１が最大のときで最低でも０．５ｖは確保する必要がある。しかしトランジスタＱ４０５のコレクタ電圧は０．６５ｖであるので、低温（−２５℃）で出力電流Ｉｏ１が最大のときには、トランジスタＱ４０５のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅは０．１５ｖとなってしまい、このトランジスタは飽和して制御不能となってしまう。
【００２４】
次に図３の回路構成では、出力電流Ｉｏ１が最大となったときのトランジスタＱ３０４のベース電圧を１．５ｖとすると、低温時（−２５℃）にトランジスタのＶｂｅが０．８５ｖとなったとしても抵抗Ｒ３０３の端子間電圧は０．６５ｖ確保できるのでバイアス的にはカソードコモンタイプの半導体レーザを使用することができる。しかし、出力電流Ｉｏ１は非常に大きな電流であるため、トランジスタＱ３０４のサイズは大きなものである必要がある。このためこのトランジスタのコレクタ容量は大きなものとなってしまう。従って、トランジスタＱ３０４がオフするときのレーザＬＤ供給電流Ｉｏ１の波形は、そのコレクタ容量の影響により、立ち下がりエッジが非常になまったものとなる。この電流で半導体レーザＬＤを駆動しても光波形がなまってしまうため、ＬＢＰおよびデジタル複写機等で使用できるような高精度の光パルスは得ることができない。更にこの回路の出力部はシングルエンド構成となっているため、差動構成の回路に比べ、ノイズの影響を受け易い。
【００２５】
よって図３および図４に示した従来例１，２の回路構成ではカソードコモンタイプの半導体レーザを安定かつ高精度に駆動させることはできないという問題がある。
【００２６】
本発明は、このような状況のもとでなされたもので、カソードコモン，アノードコモン両タイプの半導体レーザを安定かつ高精度に駆動できる半導体レーザ駆動回路を提供することを目的とするものである。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明では、半導体レーザ駆動回路を次の（１）又は（２）のとおりに構成する。
【００２８】
（１）半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、半導体レーザと、前記半導体レーザを点灯させるための電流を供給する電源と、前記半導体レーザに第１の主電極が接続される第１のトランジスタを有し、第１の入力信号に基づいて前記電源からの電流を前記第１のトランジスタの第１の主電極に導く第１のカレントミラー回路と、前記第１のトランジスタの第２の主電極に第２の主電極が接続される第２のトランジスタを有し、前記第１の入力信号に対して極性が反転した第２の入力信号に基づいて前記電源からの電流を前記第２のトランジスタの第１の主電極に導く第２のカレントミラー回路と、を有し、前記第１のトランジスタの第２の主電極と前記第２のトランジスタの第２の主電極との接続部は前記電源と抵抗を介して接地されることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
（２）半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路において、半導体レーザと、前記半導体レーザを点灯させるための電流を供給する電源と、前記半導体レーザにコレクタが接続される第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタのエミッタにエミッタが接続される第２のトランジスタと、第１の入力信号がベースに入力され、前記電源がコレクタに接続され、前記第１のトランジスタのベースにエミッタが接続される第３のトランジスタと、前記第１の入力信号に対して極性が反転した第２の入力信号がベースに入力され、前記電源がコレクタに接続され、前記第２のトランジスタのベースにエミッタが接続される第４のトランジスタと、前記第３のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第５のトランジスタと、前記第４のトランジスタのエミッタがコレクタおよびベースに接続される第６のトランジスタと、を有し、前記第５のトランジスタのエミッタは第１の抵抗を介して接地され、前記第６のトランジスタのエミッタは第２の抵抗を介して接地され、前記第１のトランジスタのエミッタと前記第２のトランジスタのエミッタとの接続部は前記電源と第３の抵抗を介して接地されることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を半導体レーザ駆動回路の実施例により詳しく説明する。
【００３５】
（実施例１）
図１に実施例１である“半導体レーザ駆動回路”の回路構成図を示す。本実施例においては、入力されたレーザ変調信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１をバッファリングするバッファ回路と半導体レーザＬＤへの電流の供給，非供給を切り替えるスイッチ回路とでカレントミラー回路を構成し、レーザ変調信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１のハイレベル電圧でレーザＬＤへの供給電流値を決定する。
【００３６】
この回路において、カソードコモンタイプのレーザを使用する場合には図５（ｃ）の回路をトランジスタＱ１０３およびＱ１０４のコレクタに接続すれば良い。
【００３７】
図１において、レーザ変調信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１は夫々トランジスタＱ１０１，Ｑ１０５のベースに入力され、それら両トランジスタのエミッタはダイオード接続されたトランジスタＱ１０２，Ｑ１０６のコレクタ・ベース接続点に入力される。トランジスタＱ１０２，Ｑ１０６のエミッタは抵抗Ｒ１０１，Ｒ１０３を介して接地される。トランジスタＱ１０２およびＱ１０６のコレクタ・ベース接続点は夫々トランジスタＱ１０３およびＱ１０４のベースに接続される。トランジスタＱ１０３，Ｑ１０４のエミッタは互いに接続され、抵抗Ｒ１０２を介して接地される。トランジスタＱ１０３のコレクタは、図５（ｃ）に示したように半導体レーザＬＤのアノードおよびトランジスタＱ５０１のコレクタに接続される。トランジスタＱ１０４のコレクタは抵抗Ｒ１を介して電源に接続される。トランジスタＱ５０１のエミッタは抵抗Ｒ２を介して電源に接続され、そのベースには光量制御回路の出力信号Ｖｍが入力されて、この信号ＶｍによりトランジスタＱ５０１のコレクタ電流Ｉｍが制御される。トランジスタＱ１０２，Ｑ１０３およびＱ１０４，Ｑ１０６は夫々カレントミラー回路を構成する。またこの回路においてＱ１０１＝Ｑ１０５、Ｑ１０２＝Ｑ１０６、Ｑ１０３＝Ｑ１０４、Ｒ１０１＝Ｒ１０３である。
【００３８】
図１中、抵抗Ｒ１０１およびＲ１０３に流れる電流Ｉｂは、変調信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１のハイレベルをＶｓ、抵抗Ｒ１０１およびＲ１０３の抵抗値をＲ、トランジスタのベース・エミッタ間電圧をＶｂｅとすると、
Ｉｂ＝（Ｖｓ−２＊Ｖｂｅ）／Ｒ
で決定される。また抵抗Ｒ１０１およびＲ１０２の抵抗比を１：１／Ｎ（Ｎは正の整数）、トランジスタＱ１０２およびＱ１０６とＱ１０３およびＱ１０４のサイズ比を１：Ｎ（Ｎは正の整数）とすることで抵抗Ｒ１０２を流れる電流Ｉｘは
Ｉｘ＝Ｎ＊（Ｖｓ−２＊Ｖｂｅ）／Ｒ
となる。Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１は互いに極性の反転した差動信号なので、トランジスタＱ１０３，Ｑ１０４からなるスイッチはこの電流ＩｘをＩｏ１またはＩｏ２として出力し、半導体レーザＬＤは電流Ｉｏ１をトランジスタＱ５０１のコレクタ電流Ｉｍから引く（バイパスする）ことでオン／オン制御される。
【００３９】
Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１のレベル制御は一例として図６のような回路で実現できる。図６中、Ｐｉｎ，Ｎｉｎはそのレベルが変換される前のレーザ変調信号であり、ＶｓはレーザＬＤ供給電流Ｉｘを決定するための基準電圧である。レーザ変調信号Ｐｉｎ，Ｎｉｎは互いにエミッタの接続されたトランジスタＱ６０１，Ｑ６０２のベースに入力され、それらのコレクタは抵抗Ｒ６０１，Ｒ６０２を介して基準電圧Ｖｓに接続される。なおトランジスタＱ６０１，Ｑ６０２のエミッタ接続点は電流源Ｉ１に接続される。
【００４０】
従って入力されたレーザ変調信号Ｐｉｎ，ＮｉｎはそのハイレベルがＶｓに変換されＰｉｎ１，Ｎｉｎ１となって出力される。またその振幅は、抵抗Ｒ６０１，Ｒ６０２の抵抗値をＲａとすると、Ｒａ＊Ｉ１となる。なお入力レーザ変調信号Ｐｉｎ，Ｎｉｎは、基準電圧Ｖｓの変動に対しても回路が動作するように、そのハイレベルをＶｓの最低電圧よりも小さくして入力する。
【００４１】
このように基準電圧Ｖｓを適正に設定することで、環境変化に対して安定に、カソードコモンタイプの半導体レーザを駆動できる。
【００４２】
アノードコモンタイプのレーザを使用するときには、図５（ｂ）に示すレーザＬＤおよび抵抗Ｒ１をトランジスタＱ１０３およびＱ１０４のコレクタに夫々接続する。この場合には光量制御回路の出力を図６の基準電圧Ｖｓに入力してレーザＬＤの発光量に応じてこの電圧を制御する。また図１のトランジスタＱ１０３がオンのときにレーザＬＤは発光するのでＰｉｎ，Ｎｉｎの極性は、カソードコモンタイプのレーザを使用する場合に対して、反転させる。従って図１の回路でアノードコモンタイプの半導体レーザを駆動することも可能である。
【００４３】
以上説明したように、本実施例によれば、アノードコモン，カソードコモンどちらのタイプの半導体レーザを使用した場合でも安定に所望の光量を得ることができる。
【００４４】
（実施例２）
図２に実施例２である“半導体レーザ駆動回路”の回路構成図を示す。本実施例においては、レーザ変調信号をバッファリングするバッファ回路を２段用いて構成する（２段縦続接続する）ことで出力電流の波形特性を改善する。また１段目のバッファと２段目のバッファおよび２段目のバッファとレーザ変調電流切り替えスイッチ夫々においてカレントミラー回路を構成する。
【００４５】
図６の回路によりレーザ変調信号Ｐｉｎ，Ｎｉｎがレベル変換された信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１は、図２中のトランジスタＱ２０１，Ｑ２１０のベースに夫々入力される。Ｑ２０１，Ｑ２１０のエミッタはダイオード接続されたトランジスタＱ２０２およびＱ２１１のコレクタ・ベース接続点に接続される。Ｑ２０２，Ｑ２１１のエミッタはダイオード接続されたトランジスタＱ２０３，Ｑ２１２のコレクタ・ベース接続点に接続され、Ｑ２０３，Ｑ２１２のエミッタは抵抗Ｒ２０１，Ｒ２０５を介して接地される。ダイオード接続されたトランジスタＱ２０２，Ｑ２１１のコレクタ・ベース接続点はトランジスタＱ２０４，Ｑ２０８のベースにも接続される。トランジスタＱ２０４〜Ｑ２０９および抵抗Ｒ２０２〜Ｒ２０４は図１で示した回路と同様の構成である。従ってこの回路は、図１の回路の前段に、素子Ｑ２０１，Ｑ２０２，Ｑ２０３，Ｒ２０１およびＱ２１０，Ｑ２１１，Ｑ２１２，Ｒ２０５からなるバッファ回路を追加したものである。またトランジスタＱ２０２，Ｑ２０４およびＱ２０８，Ｑ２１１は夫々カレントミラー回路を構成している。この回路においてトランジスタＱ２０１＝Ｑ２１０、Ｑ２０２＝Ｑ２１１、Ｑ２０３＝Ｑ２１２、Ｑ２０４＝Ｑ２０８、Ｑ２０５＝Ｑ２０９、Ｑ２０６＝Ｑ２０７、Ｒ２０１＝Ｒ２０５、Ｒ２０２＝Ｒ２０４である。
【００４６】
いま抵抗Ｒ２０１，Ｒ２０２，Ｒ２０４，Ｒ２０５の抵抗値をＲ、トランジスタＱ２０１〜Ｑ２０５、Ｑ２０８〜Ｑ２１２を同一サイズとして、抵抗Ｒを流れる電流をＩｂとする。実施例１と同様に変調信号Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１のハイレベルをＶｓ、トランジスタのベース・エミッタ間電圧をＶｂｅとすると、電流Ｉｂは
Ｉｂ＝（Ｖｓ−３＊Ｖｂｅ）／Ｒ
で決定され、抵抗Ｒ２０１，Ｒ２０２，Ｒ２０４およびＲ２０５とＲ２０３の抵抗比を１：１／Ｎ（Ｎは正の整数）、トランジスタＱ２０１〜Ｑ２０５およびＱ２０８〜Ｑ２１２とＱ２０６およびＱ２０７のサイズ比を１：Ｎ（Ｎは正の整数）とすることで抵抗Ｒ２０３を流れる電流Ｉｘは
Ｉｘ＝Ｎ＊（Ｖｓ−３＊Ｖｂｅ）／Ｒ
となり、この電流が出力電流Ｉｏ１またはＩｏ２となる。
【００４７】
図２に示したようにバッファを２段構成とすることで、この部分でのゲインが大きくなり、出力電流Ｉｏ１の立ち上がりおよび立ち下がり波形特性が改善される。従ってこの電流でレーザを発光させることで、より高精度なレーザ発光波形を得ることができる。なお本実施例における光量制御回路の出力電圧レベルは、実施例１のときよりも、トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖｂｅ１つ分だけ上昇させておけば良い。
【００４８】
本実施例では、トランジスタＱ２０１〜Ｑ２０３、抵抗Ｒ２０１およびトランジスタＱ２１０〜Ｑ２１２、抵抗Ｒ２０５からなる１段目バッファと、トランジスタＱ２０４，Ｑ２０５、抵抗Ｒ２０２およびトランジスタＱ２０８，Ｑ２０９、抵抗Ｒ２０４からなる２段目バッファの電流値は同一のものとしたが、これらのトランジスタサイズ比および抵抗比を変えて１段目，２段目のバッファのドライブ能力を変えて更にゲインを大きくするように回路を構成しても良い。またバッファの段数は２段によるものだけでなくそれ以上の段数を用いて回路を構成しても良い。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、カソードコモン，アノードコモン両タイプの半導体レーザを、環境条件に対して安定に駆動できる半導体レーザ駆動回路を提供することができる。
【００５０】
また、半導体レーザ駆動時に、より高精度な発光波形を得ることができる半導体レーザ駆動回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１の回路図
【図２】  実施例２の回路図
【図３】  従来例１の回路図
【図４】  従来例２の回路図
【図５】  半導体レーザの接続例を示す図
【図６】  Ｐｉｎ１，Ｎｉｎ１を生成する回路例を示す図
【図７】  ＬＢＰの要部構成を示す図
【符号の説明】
Ｑ１０１〜Ｑ１０６  トランジスタ
Ｒ１０１〜Ｒ１０３  抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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