(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスプレートを有し、
このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形成されている前側プレートと、後側プレートと、前記前側プレートと後側との間に形成される共に隔壁により分離されているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート及び後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複数の電極とを具えるプラズマ画像スクリーンにおいて、
前記保護層にＵＶ光反射層が形成され、
前記ＵＶ光反射層が２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子を含み、前記ＵＶ光反射層は、０．５μｍから５μｍの厚さを有することを特徴とするプラズマ画像スクリーン。
【請求項２】
前記ＵＶ光反射層が、Ｌｉ２Ｏのような組成Ｍ２Ｏの酸化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＰａのグループから選択した場合の組成ＭＯの酸化物、又はＭをＢ，Ａｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ２Ｏ３の酸化物、又はＭをＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆのグループから選択した場合の組成ＭＯ２の酸化物、Ｍ’をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択し、Ｍ”をＡｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”２Ｏ４の酸化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ及びＡｇのグループから選択した場合の組成ＭＦのフッ化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合の組成ＭＦ２のフッ化物、又はＭをＬａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕから選択した場合の組成ＭＦ３のフッ化物、又はＭ’をＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択し、Ｍ”をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”Ｆ３のフッ化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合の組成Ｍ３Ｐ０４のフォスフェート類、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択した場合に組成Ｍ３（ＰＯ４）２のフォスフェート類、又はＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合の組成ＭＰＯ４のフォスフェート類、又はＭをＴｉ，Ｚｒ，及びＨＦのグループから選択した場合の組成Ｍ３（ＰＯ４）４のフォスフェート類、又は３と９との間の鎖長Ｍを有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合にｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合にｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にＸ＝１／４とした場合に、組成（ＭＸＰＯ３）nを有するメタフォスフェート類、又は１０１と１０６との間の鎖長を有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合Ｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合ｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にｘ＝１／４とした場合に組成（ＭＸＰＯ３）nを有するポリフォスフェート類、又は、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合に組成ＭＨ２ＰＯ４の１次フォスフェート類、又はＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、又はダイヤモンドを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ画像スクリーン。
【請求項３】
前記ＵＶ光反射層が、前記保護層を部分的に又は完全に覆うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ画像スクリーン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ガラスプレートを有し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形成されている前側プレートと、後側プレートと、前記前プレートと後側との間に形成される共に隔壁により分離されているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート及び後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複数の電極とを具えるプラズマ画像スクリーンに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ画像スクリーンは、小型な構造で高解像度のカラー画像を形成することができる。プラズマ画像スクリーンは、ガスが充填されている密封したガラスセルを具え、電極はグリッド構造を有している。電圧が印加されると、ガス放電が発生し、これにより紫外域の光が放出される。このＵＶ光は蛍光体により可視光に変換され、ガラスセルの前側スクリーンを経て観客に向けて放射する。
【０００３】
原理的にプラズマ画像スクリーンは２つの形式、すなわちマトリックス型とコプレナ型とに分類される。マトリックス型の装置において、ガス放電は前側プレートの電極と後側プレートの電極との交点において発生及び維持される。コプレナ型の装置において、ガス放電は前側プレート上の電極間で維持され、いわゆる後側プレートのアドレス電極との交点で発生する。この場合、アドレス電極は蛍光層の下側に存在する。このコプレナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ光のうち半分の光が前側プレートに入射し、前側プレートに存在する層で吸収される。この効果はＵＶ光の一部に対して増強される。この理由は、ＵＶ光がガス空間で再吸収されガス原子が基底状態からより高いエネルギーレベルに励起されるからである。この光はその後再び放出されるが、オリジナルの方向から発散するため、蛍光層に向けて進行した光が前側プレートに入射してしまう。
【０００４】
プラズマ画像スクリーンの輝度はＵＶ光が蛍光体を励起する効率に強く依存する。輝度を増強することは、ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１において記載されており、そのプラズマ画像スクリーンにおいては、前側プレートは誘電体層及び放電電極だけでなくＵＶ光反射層をも有している。前側プレートの同様な構造は、ＩＤＷ，１９９８，５３９−５４２において同一の著者により記載されている。この既知のプラズマ画像スクリーンにおいては、前側プレートはＭｇＯの保護層を具え、ＵＶ光反射層が誘電体層と保護層との間に存在している。いずれの場合においても、この層は蛍光体に向けて前側プレートの方向に放出されたＵＶ光を反射する役割を果たしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、コプレナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ光の全てが蛍光層に入射しないため、発光効率を一層高めることが強く要請されている。
従って、本発明の目的は、改良された輝度を有するプラズマ画像スクリーンを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決する手段】
上記の目的は、ガラスプレートを有し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形成されている前側プレートと、後側プレートと、前記前プレートと後側との間に形成される共に隔壁により分離されているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート及び後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複数の電極とを具えるプラズマ画像スクリーンにおいて、前記保護層にＵＶ光反射層が形成されていることを特徴とするプラズマ画像スクリーンにより達成される。
【０００７】
ＩＤＷ，１９９８，５３９−５４２に記載の前側プレートとは異なり、本発明のＵＶ光反射層は誘電体層と保護層との間に存在しない。この構成を採用することにより、ＵＶ光は保護層を透過せず前側プレートの下側面で直接反射する利点がある。このように構成することにより、保護層におけるＵＶ光の吸収が回避される。本発明によるプラズマ画像スクリーンの保護層は、ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１に記載のプラズマスクリーンと比較して、高放電開始電圧並びにプラズマ放電に必要な温度及びプラズマ放電中に生ずる熱から隣接する層を保護する付加的な利点がある。
【０００８】
ＵＶ光反射層が、ＬｉＯのような組成Ｍ２Ｏの酸化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＰａのグループから選択した場合の組成ＭＯの酸化物、又はＭをＢ，Ａｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ２Ｏ３の酸化物、又はＭをＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆのグループから選択した場合の組成Ｍ２Ｏの酸化物、Ｍ’をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択し、Ｍ”をＡｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”２Ｏ４の酸化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ及びＡｇのグループから選択した場合の組成ＭＦのフッ化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合の組成ＭＦ２のフッ化物、又はＭをＬａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕから選択した場合の組成ＭＦ３のフッ化物、又はＭ’をＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択し、Ｍ”をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”Ｆ３のフッ化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合の組成Ｍ３Ｐ０４のフォスフェート類、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループから選択した場合に組成Ｍ３（ＰＯ４）２のフォスフェート類、又はＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合の組成ＭＰＯ４のフォスフェート類、又はＭをＴｉ，Ｚｒ，及びＨＦのグループから選択した場合の組成Ｍ３（ＰＯ４）４のフォスフェート類、又は３と９との間の鎖長Ｍを有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合にｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合にｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にＸ＝１／４とした場合に、組成（ＭＸＰＯ３）nを有するメタフォスフェート類、又は１０１と１０６との間の鎖長を有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合Ｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合ｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にｘ＝１／４とした場合に組成（ＭＸＰＯ３）nを有するポリフォスフェート類、又は、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合に組成ＭＨ２ＰＯ４の１次フォスフェート類、又はＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、又はダイヤモンドを含むことが好適である。
【０００９】
これらの組成の粒子は１４７〜７００ｎｍの波長域においてほとんど吸収せず又は僅かな吸収しか示さず、しかもプラズマ画像スクリーンの製造中に生ずる高温度に対しても耐久性を有している。さらに、これらの粒子は１０ｎｍと５００ｎｍと間の粒子直径を有する粒子として製造することができる。
【００１０】
ＵＶ光反射層は、２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子で構成することができる。
【００１１】
このような直径の粒子は、ＵＶ波長域において可視波長域よりも一層大きな光散乱性を示す。この実施例においては、ＵＶ光反射層は０．５〜５μｍの厚さを有することが好適である。
【００１２】
個々の粒子の散乱性及びその波長依存性に加えて、散乱性粒子層の厚さも重要な役割を果たす。すなわち、強い散乱性を有していない粒子層であっても、その膜厚が厚い場合その層の反射性が高くなるからである。２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子を用い、これら粒子から０．５〜５μｍの膜厚の層を形成することにより、プラズマ放出の波長域で強く反射すると共に蛍光体から放出された可視光を透過させるＵＶ光反射層が得られる。
【００１３】
ＵＶ光反射層が１０ｎｍと２００ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子の凝集塊を有することも好適である。
【００１４】
１０ｎｍと２００ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子はＵＶ光に対して散乱性を有していないので、このような粒子で構成される層は反射性を示さない。しかしながら、これらの粒子が１００ｎｍよりも大きな凝集塊を形成する方策を講じられれば、この層は、光学的にはあたかも大きな粒子で構成される層のように作用する。光と凝集塊との間の相互作用は、凝集塊のサイズ及び凝集塊を形成する粒子の直径の両方により決定される。凝集塊の密度及び屈折率の変化も反射の波長依存性に作用する。この実施例においては、ＵＶ光反射層は０．２〜１０μｍの厚さを有することが好適である。
【００１５】
さらに、ＵＶ光反射層は保護層を全体として又は部分的に覆うことが好ましい。
保護層をＵＶ光反射層により部分的に覆うことにより、輝度が相当改善される。これは、通常ＭｇＯで構成される保護層がその一部だけが覆われている場合、プラズマ放電に対して有益である。この理由は、プラズマを発生させるために必要な電圧がＭｇＯ層により低下するからである。
【００１６】
以下、図面及び実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１において、平面型のＡＣプラズマ画像スクリーンのプラズマセルは、前側プレート１及び後側プレート２を具える。前側プレート１はガラスプレート３を具え、このガラスプレート上に誘電体層４が形成され、その上に保護層５を形成する。保護層５は好ましくはＭｇＯで作り、誘電体層４は例えばＰｂＯを含むガラスで作ることができる。ガラスプレート３上に平行なストライプ状の放電電極６，７を形成し、これら電極は誘電体層４により覆う。放電電極６，７は、例えば金属又はＩＴＯで作る。紫外域の放射１２を反射し可視光１４を透過する紫外光反射層８を保護層５上に形成する。後側プレート２はガラスで構成され、このガラスプレート２上に例えばＡｇの平行てストライプ状のアドレス電極１１を放電電極６，７と直交するように形成する。これらアドレス電極は、基本色である赤、緑、又は青のうちの１つの色お蛍光体層１０で覆う。個々の蛍光体層１０は、好ましくは誘電体材料で構成され所謂バリャである区画壁１３により分離する。
【００１８】
好ましくは、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、又はＫｒのようなき希ガスの混合体であるガスが放電キャビィティ内及び放電電極６と７との間に存在する。これら放電電極は、交互に一方の電極をカソードと他方の電極をアノードとする。面放電が生ずると、放電電極６と７間との間のプラズマ空間内に存在する放電経路に沿って電荷が流れるので、プラズマ空間にプラズマが形成され、ガスの組成に応じてＵＶ域特にＶＵＶ域の放射１２が発生する。このＵＶ放射１２は蛍光層１０を発光レベルに励起するので、３つの基本カラーの可視光１４が放出され、前側プレートを経て外部に出射し、画像スクリーンに発光画素が形成される。
【００１９】
ＡＣプラズマ画像スクリーンの透明放出電極６，７上に存在する誘電体層４は、導電性材料の放電電極６，７間に直接放電が生ずるのを阻止するように、つまり放電中にアークが形成されるのを阻止するように作用する。
【００２０】
ＵＶ光反射層８を有する前側プレート１を製造するため、初めに放電電極６，７をガラスプレート３上に気相堆積処理により形成し、ガラスプレートの大きさは所望の画像スクリーンサイズに対応させる。次に、誘電体層４を形成し、この誘電体層４上に保護層５を形成する。
【００２１】
所望の粒径を有する粒子の懸濁液ＵＶ光反射層８用に用意する。用いることができる粒子は、例えば種々のメイングループ金属又はサブグループ金属の酸化物、フッ化物、メタフォスフェート類、又はポリフォスフェート類である。用いられる酸化物は、例えば、Ｌｉ２Ｏのような第１のメイングループの酸化物、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，及びＢａＯのような第２のメイングループの酸化物、例えばＢ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３のような第３のメイングループの酸化物、Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブグループの酸化物、例えばＳｉＯ２及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブグループの酸化物、例えばＳｉＯ２，ＧｅＯ２及びＳｎＯ２のような第４のメイングループの酸化物、ＴｉＯ２，ＺｒＯ２及びＧｆＯ２のような第４のサブグループの酸化物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４，ＣａＡｌ２Ｏ４又はＢａＡｌ２Ｏ４のような混合酸化物とすることができる。用いられるフッ化物は、例えばＬｉＦ，ＮａＦ，ＫＦ，ＲｂＦ及びＣ３Ｆのような第１のメイングループのフッ化物、ＡｇＦのような第１のサブグループのフッ化物、ＭｇＦ２，ＳｒＦ２及びＢａＦ２のような第２のメイングループのフッ化物、ＳｎＦ２及びＰｂＦ２のような第４のメイングループのフッ化物、ＣｕＦ２のような第１のサブグループのフッ化物、ＺｎＦ２のような第２のサブグループのフッ化物、ＬａＦ３，ＰｒＦ３，ＳｍＦ３，ＥｕＦ３，ＧｄＦ３，ＹｂＦ３及びＬｕＦ３のようなランタニドのフッ化物、又はＬｉＭｇＦ３及びＫＭｇＦ３のような混合フッ化物とすることができる。用いられるフォスフェート類は、例えば、ＬｉＰＯ４，Ｎａ３ＰＯ４，ＫＰＯ４，ＲｂＰＯ４及びＣｓ３ＰＯ４のような第１のメイングループのフォスフェート類、Ｍｇ３（ＰＯ４）２，Ｓｒ３（ＰＯ４）２又はＢａ３（ＰＯ４）２のような第２のメイングループのフォスフェート類、ＡｌＰＯ４のような第３のメイングループのフォスフェート類、ＳｃＰＯ４，ＹＰＯ４及びＬａＰＯ４のような第３のサブグループのフォスフェート類、ＬａＰＯ４，ＰｒＰＯ４，ＳｍＰＯ４，ＥｕＰＯ４，ＧｄＰＯ４，ＹｂＰＯ４及びＬｕＰＯ４のようなランタニドのフォスフェート類、又はＴｉ３（ＰＯ４），Ｚｒ３（ＰＯ４）４，及びＨｆ３（ＰＯ４）４のような第４のサブグループのフォスフェート類とすることができる。３と９との間の鎖長ｎを有するメタフォスフェート類は、例えばＬｉ３（ＰＯ３）３，Ｎａ３（ＰＯ４）３，Ｋ３（ＰＯ３）３，Ｒｂ３（ＰＯ３）３及びＣｓ３（ＰＯ３）３のような第１のメイングループのメタフォスフェート類、Ｍｇ（ＰＯ３）２，Ｃａ（ＰＯ３）２，Ｓｒ（ＰＯ３）２及びＢａ（ＰＯ３）２のような第２のメイングループのメタフォスフェート類、Ａｌ（ＰＯ３）３のような第３のメイングループのメタフォスフェート類、Ｓｃ（ＰＯ３）３，Ｙ（ＰＯ３）３及びＬａ（ＰＯ３）３のような第３のサブグループのフタフォスフェート類、Ｔｉ３（ＰＯ３）４，Ｚｒ３（ＰＯ３）４及びＨｆ３（ＰＯ３）４のような第４のサブグループのメタフォスフェート類、又はＺｎ（ＰＯ３）２とすることができる。用いられるポリフォスフェート類は、例えば１０１と１０６との間の鎖長及び用いる金属の酸化値に応じて０．２５と１との間の値ｘを有するＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ又はＬｕのポリフォスフェート類とすることができる。これら全てのポリフォスフェート類において、金属カチオンは部分的にプロトンで置換することができる。或いは、例えばＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４及びＮＨ４Ｈ２ＰＯ４のようなフォスフェート類又はダイアモンドをＵＶ光反射層８として用いることができる。
【００２２】
或いは、懸濁液は本発明による粒子の前駆物質を含むことができ、これら前駆物質は熱処理により所望の粒子に変換することができる。従って、例えばＭｇ（ＰＯ）２を含む懸濁液は、保護層５上に形成した後、ＭｇＯ層に熱的に変換する個とができる。
【００２３】
好ましくは、懸濁液は水溶液として用意する。例えば、用いられる粉末が水と化学的に反応する場合、又は水に溶解する場合、無機溶剤を用いることが必要である。
【００２４】
懸濁液の用意は、材料及び粒子径に応じて種々の方法により行われる。粒子は適当な前駆物質から合成することも可能である。別の方法として、粒子を直接用いることも可能である。
【００２５】
懸濁液を用意するに際し、前駆物質から粒子を形成するために金属塩類を水に溶解する。金属塩はＭＸｎ・ｙＨ２Ｏの組成を有し、ここでＭは例えばＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｃ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｔ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ及び２ｎのグループから選択した１つの金属又は数個の金属とする。Ｘ例えばＮＯ３−，ＲＯ−，−Ｏ２−ＣＯ２−の１つ又は数個のアニオンとし、ｙは零に等しいか又はそれ以上の数とし、ｎは金属カチオンＭｎ＋の酸化値に基づく１と４との間の整数とする。用いるアルコキシＲＯ−は、例えばプロポキサイド及びブトキシサイドとすることができる。
【００２６】
例えば酢酸の添加による酸処理、苛性ソーダ液の添加のようなアルカリ処理によるリフロー処理における加熱により、或いはアンモニアガスの導入及び／又は所望の補足的イオンの添加のような熱処理により２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒径の本発明による粒子が得られる。補足的イオンは塩の形態で金属塩水溶液に添加され、この補足的なイオンは例えばＮＨ４Ｆのようなアンモニウム塩、ナトリウムメタフォスフェート類の又は長鎖ポリフォスフェート類の様なようなフォスフェート類とすることができる。
このようにして得られた懸濁液は関連する増粘剤及び／又は分散剤と共に混合する。
【００２７】
変形例として、例えば２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒径のＬｉ２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＧｅＯ２，ＳｎＯ，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２又はＭｇＡｌ２Ｏ４の粒子を水溶液に直接懸濁し、関連する増粘剤及び／又は分散剤と共に混合することができる。
【００２８】
用いられる粒子が２００ｎｍ以下の平均粒子直径を有する場合、これらの粒子は制御された態様で凝集する。このため、当該粒子の粉末を液相に分散し、この液相は好ましくは水溶液とする。この液相は分散された粒子のコロイド安定性を制御する添加物も含む。用いる添加物は、例えば静電的又は立体的分散剤、又はアンモニウムハライド、有機アンモニウム塩又は酢酸塩、クエン酸塩、修酸塩及び硝酸塩のような有機酸塩のような電解質とすることができる。
【００２９】
これらの粒子は、ボールミル中での攪拌機付き又は攪拌機なしでの混合、ディソルバ中での攪拌、ウルトラトラックス（ultraturrax ）装置，超音波浴又は超音波ソノトロードにおける剪断による分散により混合する。分散力により粉末の凝集がこわれ、規定された凝集サイズが得られる。
【００３０】
さらに４懸濁液は、当該懸濁液の流動特性を変成しチキソトロピック性を与える添加物と共に混合する。この目的のために用いる添加物は、関連する増粘剤又は全分散コロイダル物質として作用するポリビニルアルコール，ポリアクリレート誘導体のような少量の有機可溶性ポリマとすることができる。
【００３１】
約１０ｎｍの粒径の極めて微細な粒子コロイドも用いて凝集を制御すことができ、この水溶液中のコロイドは用いる粒子の表面電荷とは反対の表面電荷を呈する
【００３２】
これら種々の方法により得られた懸濁液は種々の処理により前側プレート１の保護層５上に形成することができる。スピンコーティング、メニスカスコーティング、又はブレードコーティングにより連続した層を形成することができる。構造的な層が望まれる場合、シルクスクリーンプリンティング又はフレクソ（fiexo ）プリンティングのようなプリント処理を用いることができる。
【００３３】
このようにして形成した層は、エァーフロー、赤外線放射又はこれらの組合せにより処理して乾燥することができる。収縮により層中にクラックが生ずるのを防止するため、乾燥処理は十分にゆっくり行う。この層は加熱による後処理を行って、電解物、分散剤又はポリマのような添加物を除去する。これらの添加物は４５０°Ｃで加熱することにより残留物を生ずることなく除去される。ある場合においては、６００°Ｃの温度を用いてポリマを全熱分解する必要がある。用意された懸濁液が本発明による粒子の前駆物質を含む場合、その変換も熱処理中に行われる。
【００３４】
次に、例えば赤、緑及び青の３原色のうちの１つである蛍光層１０で覆われているアドレス電極を有する後側プレート２及び希ガスの混合体共に前側プレート１を用いてＡＣ画像スクリーンを製造する。
【００３５】
好ましくは、プラズマセルがＡＣ電圧により励起され放電電極６，７が誘電体層４により覆われているＡＣプラズマ画像スクリーンにＵＶ光反射層８を用いる。一方、原理的に、ＵＶ光反射層は、放電電極６，７が誘電体層４により覆われていないＤＣプラズマ画像スクリーンにも用いることができる。
【００３６】
図２は１０ｎｍと１１０ｎｍとの間の粒子直径及び３μｍの層厚さを有するＳｉＯ２から成る本発明によるＵＶ光反射層の反射特性を示す。この層の反射率の最大値は１７０ｎｍの範囲にある。これは特に有益である。この理由は、キセノン放電のＵＶ放射の大部分は１７２ｎｍで放出されるからである。このＵＶ光反射層の反射率は、可視光に対応する波長域において明らかに一層低くなっている。
【００３７】
以下、実際に本発明をいかに実施するかを例示して本発明を詳細に説明する。
【００３８】
実施例１
４時間にわたってＮＨ３を導入することにより１００ｍｌのＨ２Ｏに４ｇのＭｇ（ＮＯ３）２  ・６Ｈ２Ｏを溶解した溶液のｐＨ値を１１．０に設定した。これにより、３５０ｎｍの平均粒子直径のコロイダルＭｇ（ＯＨ）２ の粒子が形成された。この懸濁液を１０ｍｌの１０％顔料分散剤溶液及び１０ｍｌの１０％増粘剤溶液と共に攪拌器のもとで混合した。スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＭｇ（ＯＨ）２ 粒子の層を形成した。尚、この前側プレートはガラスプレート３、ＰｂＯ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護層５、及びＩＴＯから成る２個の放電電極６，７を具える。次に、前側プレート１全体を乾燥し、４５０℃で２時間の後処理を行ない、Ｍｇ（ＯＨ）２ をＭｇＯに変成した。このＭｇＯのＵＶ光反射層８の層厚は１．５μｍであった。次に、この前側プレート１を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立てた。このスクリーンは良好に増強された輝度を示した。
【００３９】
実施例２
２００ｎｍの平均粒子直径を有するＳｉＯ２粒子の１０％コロイダル懸濁液１００ｍｌを、１０％顔料分散剤溶液１０ｍｌと１０％の関連の増粘剤溶液２０ｍｌと共に混合した。混合物全体も混合した。ＳｉＯ２粒子層を、スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８として形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５、及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。この前側プレート１全体を乾燥し、４５０℃で２時間の後処理を行った。このＳｉＯ２のＵＶ光反射層８の層厚は０．５μｍであった。次に、この前側プレート１を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、増強された輝度を示すスクリーンが得られた。
【００４０】
実施例３
前もって７０℃に加熱した１５０ｍｌのＨ２Ｏに１０ｇのアルミニウムイソプロピレートを添加した。この混合物をリフロー処理として２時間加熱し、その後０．５ｍｌの氷酢酸を混合した。次に、この混合物をリフロー処理として１０時間加熱した。３００ｎｍの平均粒径のＡｌ２Ｏ３粒子を含む懸濁液が得られた。１０％の増粘剤溶液１０ｍｌを添加した後、得られた懸濁液をラフに混合した。スピンコーティングにより、前側プレート１の保護層５上にＡｌ２Ｏ３粒子層をＵＶ光反射層８として形成した。この前側プレートはガラスプレート３、ＰｂＯ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護層５、及び２個ＩＴＯの放電電極６，７を有している。この前側プレート１全体を乾燥し、４５０℃２時間の後処理を行った。このＡｌ２Ｏ３のＵＶ光反射層８の層厚は０．８μｍであった。この前側プレート１を用いて増強された輝度を示すプラズマ画像スクリーンを組み立てた。
【００４１】
実施例４
４ｇのＭｇ（ＮＯ３  ）２  ・Ｈ２  Ｏと１．２ｇのＮＨ４  Ｆとを１００ｍｌのＨ２  Ｏに溶解した溶液を２Ｍの苛性ソーダを添加することにより７．５のｐＨ値に設定した。このｐＨ値はＮＨ３  を４時間導入することにより１１．０まで上昇した。平均４００ｎｍの粒子直径を有するＭＧＦ２  粒子が形成された。得られた懸濁液は、１０％の顔料分散剤溶液１０ｍｌ及び１０％の増粘剤溶液１０ｍｌと混合した。スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＭＧＦ２  粒子層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１全体を乾燥し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。ＭｇＦ２  のＵＶ光反射層８の層厚は１．０μｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４２】
実施例５
５０ｍｌのＨ２  Ｏに２．０ｇのＣａ（ＮＯ３  ）２  ・４Ｈ２  Ｏに溶解した溶液のｐＨ値を２Ｍの苛性ソーダを添加することにより７．５に設定した。この溶液を、５０ｍｌのＨ２  Ｏに１．７ｇのソーダメタフォスフェート（グロームス塩）を溶解した溶液中にゆっくり滴下した。１時間攪拌した後、粒子径が２７０ｎｍから２９０ｎｍのカルシウムフォスフェート粒子が存在する懸濁液が得られた。この懸濁液は、１０％の顔料分散剤溶液１０ｍｌと共に攪拌しながら混合した。スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＭＧＦ２  粒子層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１全体を乾燥し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。Ｃａ（ＰＯ４  ）２  のＵＶ光反射層８の層厚は０．７μｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４３】
実施例６
火炎熱分解により用意され、２００ｎｍ又はそれ以下の粒子径を有する１５０ｇのＡｌ２  Ｏ３  を、５００ｍｌの蒸留水に溶解した０．００５モルの酢酸アンモニウム溶液中で攪拌機を用いて攪拌した。上述したものから得られた懸濁液を超音波ソノトロードで１５分間処理した。この懸濁液に、４．７％のポリビニルアルコールの水溶液２５ｍｌを攪拌しながら混合した。次に、この懸濁液を濾過した。
【００４４】
スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＡｌ２  Ｏ３  粒子の層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで２時間の熱後処理を行った。Ａｌ２  Ｏ３  のＵＶ光反射層８の層厚は２．０μｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４５】
実施例７
４００ｇの蒸留水に２１．４ｍｇの塩化アンモニウムを溶解した溶液を室温で攪拌し、１０ｎｍと１００ｎｍとの間の粒子径を有する２００ｇの発熱性の珪酸とゆっくり混合した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を超音波浴に６０分間配置し、その間に連続的に攪拌した。攪拌の後、この懸濁液に、アンモニアガスにより９．５のｐＨ値に設定された関連する増粘剤の１％の水溶性ポリマ溶液５．０ｍｌ混合した。このようにして得られた懸濁液を濾過した。
【００４６】
スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２  粒子の層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで２時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２  のＵＶ光反射層８の層厚は３．０μｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４７】
さらに、この懸濁液をスピンコーティングにより清浄にされた石英プレート上にコートした。乾燥炉内で乾燥し４５０°Ｃの空気中で後処理した後、３．０μｍの膜厚の透明なＳｉＯ２  層が得られた。このＳｉＯ２  層の反射率を１００ｎｍから６００ｎｍの波長の関数として図２に示す。
【００４８】
実施例８
蒸留水中の０．００３モルのフッ化アンモニア２５０ｇの溶液を室温で攪拌機を用いて攪拌し、１００ｇの２０ｎｍの粒子径のアモルファスＳｉＯ２  をゆっくり混合した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を超音波攪拌ロッドを用いて１０分間処理した。攪拌中、この懸濁液に粒子径が１０ｎｍと２０ｎｍとの間の十分に分散した発熱性珪酸の１０％水溶液を５０ｍｌ混合した。この攪拌中に当該懸濁液に３３ｇのポリアクリルアミドの水溶液を添加した。次に、得られた懸濁液を濾過した。
【００４９】
スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２  粒子の層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１を乾燥し、４９０°Ｃで２時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２  のＵＶ光反射層８の層厚は２．５μｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】単一プレートセルの構造及び動作原理を示す線図である。
【図２】本発明によるＵＶ光反射層の反射特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１  前側プレート
２  後側プレート
３  ガラスプレート
４  誘電体層
５  保護層
６  放電電極
７  放電電極
８  ＵＶ光反射層
１０  蛍光層
【図１】
0004808307.tif 000002
【図２】
0004808307.tif 000003