(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタと並列に接続される第１のコンデンサと、前記インダクタの一端とグランドとの間に接続される第２のコンデンサと、前記インダクタの他端とグランドとの間に接続される第３のコンデンサとを備え、前記インダクタと前記第１、第２、第３のコンデンサを電極パターンにより誘電体層に形成し、当該誘電体層と電極パターンを積層してなる積層ローパスフィルタにおいて、
前記誘電体層は、少なくとも３つのグランド電極パターンを有し、他のグランド電極パターンよりも小面積の第１のグランド電極パターンが形成された誘電体層と第２のグランド電極パターンが形成された誘電体層の間に前記インダクタを形成する電極パターンが配置され、
前記第１のグランド電極パターンの、前記インダクタを形成する電極パターンとは反対側に、第１のコンデンサ及び第２のコンデンサを形成する電極パターンが配置され、
前記第２のグランド電極パターンと第３のグランド電極パターンとの間に、第３のコンデンサを形成する電極パターンが配置され、
もって、第２コンデンサと第３のコンデンサとは第１のグランド電極パターンと第２のグランド電極パターンとを介して積層方向の異なる部位に構成され、
前記第１のコンデンサ、第２のコンデンサ、及び第３のコンデンサを形成する電極パターンが、前記積層体を積層方向から見て重なるように形成されるが、前記インダクタを形成する電極パターンは、前記第１のグランド電極パターン側に配置される、いずれのグランド電極パターンとも重ならないように形成されていることを特徴とする積層ローパスフィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載の積層ローパスフィルタを送信信号経路に接続するスイッチ回路を含み、
前記スイッチ回路を構成するスイッチ素子を積層ローパスフィルタに搭載することを特徴とする高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
前記スイッチ回路と接続するハイパスフィルタを備え、
前記ハイパスフィルタは、受信信号経路とグランドとの間に接続されたインダクタとコンデンサとでなる直列共振回路を含み、前記直列共振回路は共振周波数を１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの間としたことを特徴とする請求項２に記載の高周波スイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、携帯端末などの移動体通信機器に使用される積層ローパスフィルタ及びそれを用いた高周波スイッチモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層ローパスフィルタは、単体、あるいはそれを用いた高周波スイッチモジュールとして移動体通信機器に組み込まれている。π型回路のローパスフィルタの一例を図５に示す。
本出願人は、図５に示すように、インダクタＬと、このインダクタＬの一端をグランドに接地するコンデンサＣ２と、インダクタＬの他端をグランドに接地するコンデンサＣ３、及びインダクタＬに並列接続されたコンデンサＣ１とでなるローパスフィルタの積層小型化を継続して手がけ、挿入損失の少ないものを提供してきた（例えば特許文献１参照）。
図６に、その各層毎の電極パターン図を示す。最下層の誘電体層５１Ａ上にグランド電極５２が形成され、誘電体層５１Ｂ上に電極５２ａ、５２ｂが形成されている。誘電体層５１Ｃ上に電極５３が形成され、誘電体層５１Ｄ上に電極５４ａ、５４ｂが形成されている。誘電体層５１Ｅ上にグランド電極５５が形成され、誘電体層５１Ｆ上に電極５６が形成されている。誘電体層５１Ｇ上にライン電極５７が形成され、誘電体層５１Ｈ上にライン電極５８が形成され、誘電体層５１Ｉ上にライン電極５９が形成されている。ライン電極５７とライン電極５８、およびライン電極５８とライン電極５９はビアホール（Ｖｉａ−ｈｏｌｅ）で接続されている。誘電体層５１Ｊ上に電極６０が形成され、誘電体層５１Ｋ上にグランド電極６１が形成され、さらに最上層に誘電体層５１Ｌが形成されている。
そして、ライン電極５７、５８、５９及びそれぞれを接続するビアホールによってインダクタLが構成される。
また、電極５２ｂとグランド電極５２との間のコンデンサ、及び電極５４ｂとグランド電極５５との間のコンデンサ、及び電極５６とグランド電極５５との間のコンデンサによってコンデンサＣ２が構成される。
また、電極５２ａとグランド電極５２との間のコンデンサ、及び電極５４ａとグランド電極５５との間のコンデンサ、及び電極６０とグランド電極６１との間のコンデンサによってコンデンサＣ３が構成される。
更に、電極５２ａと電極５３との間のコンデンサ、及び電極５２ｂと電極５３との間のコンデンサ、及び電極５４ａと電極５３との間のコンデンサ、及び電極５４ｂと電極５３との間のコンデンサによってコンデンサＣ１が構成される。
ここで、電極５２ｂと５４ｂはコンデンサＣ２の電極として働くとともに、コンデンサＣ１の電極としても働く。また、電極５２ａと５４ａもコンデンサＣ３の電極として働くとともに、コンデンサＣ１の電極としても働く。
そして、積層体の側面には複数の外部電極が形成され、これらの外部電極によって各層に形成された電極の接続が行われ、ローパスフィルタが形成される。
【０００３】
ローパスフィルタにおける高調波に対する減衰量は重要な特性である。それについて説明する。ここで、高調波とは通過域（通過周波数帯域）の中心周波数である基本波ｆ０（例えば、１．８ＧＨｚ）の２倍波（３．６ＧＨｚ）、３倍波（５．４ＧＨｚ）などの周波数をもつ不要輻射である。
この高調波は主としてパワーアンプから発生される。移動体通信機器の小型化に伴ってパワーアンプの小型化も進んだことにより、パワーアンプの非線形性が顕著になってきており、そのため高調波の発生が増大し問題となっていた。
高調波の減衰が不十分であると、高調波がアンテナから不要輻射として発射され、システムに要求されたアイソレーション特性（例えば、ＧＳＭ系で−３０ｄＢｍ以下）を充足できないという不具合が生じる。
【０００４】
ローパスフィルタや、それを用いた高周波スイッチモジュールが組み込まれる携帯電話の一例として、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ、ＰＣＳの３システムに対応したトリプルバンドの携帯電話がある。ここで、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅｓ）は、ヨーロッパ標準のディジタル携帯電話システムであって、周波数９００ＭＨｚ帯 を使うＧＳＭ９００、周波数１．８ＧＨｚ帯を使うＧＳＭ１８００システムがあり、ＧＳＭ１８００システムはＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  ）と呼ばれることが多い。また、ＰＣＳ（ｐｕｌｓｅ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）は、パルス通信方式である。ここで、ＧＳＭ９００システムは、送信周波数８８０〜９１５ＭＨｚで、受信周波数９２５〜９６０ＭＨｚである。ＤＣＳシステムは、送信周波数１７１０〜１７８５ＭＨｚで、受信周波数１８０５〜１８８０ＭＨｚである。ＰＣＳシステムは、送信周波数１８５０〜１９１０ＭＨｚで、受信周波数１９３０〜１９９０ＭＨｚである。
このように、複数の周波数帯域に一台の携帯電話機で対応するために、ローパスフィルタを含むフィルタや高周波スイッチモジュールに課せられた要求特性は、日に日に厳しさを増している。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１３４００１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ローパスフィルタが用いられる移動体通信機器の小型化、高性能化により、従来の例えば特許文献１記載のローパスフィルタにおいては、高調波の減衰量が未だ不十分な場合が生じるようになってきた。
すなわち、留まることの無い小型化により、パワーアンプから発生する高調波の影響が従来よりも大きくなってきた。このことは、ローパスフィルタが組み込まれる高周波スイッチモジュールにおいても同様である。
【０００７】
そこで、本発明は、小型のまま、或いはより小型にしても、高調波の減衰量が十分なローパスフィルタ及び高周波スイッチモジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔手段１〕
本発明は、誘電体層（Ｓ１〜Ｓ１０）と電極パターン（ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ３１〜ＥＬ３４，ＥＬ４，ＧＮＤ１〜ＧＮＤ３）を積層し、前記電極パターンによりインダクタ（Ｌ）とコンデンサ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３）が積層体に一体化されるローパスフィルタであって、
前記インダクタ（Ｌ）と並列に接続される第１のコンデンサ（Ｃ１）と、前記インダクタ（Ｌ）の一端とグランドとの間に接続される第２のコンデンサ（Ｃ２）と、前記インダクタ（Ｌ）の他端とグランドとの間に接続される第３のコンデンサ（Ｃ３）とを備える積層ローパスフィルタにおいて、
前記積層体は、少なくとも３つのグランド電極パターン（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３）を有し、他のグランド電極パターンよりも小面積の第１のグランド電極パターン（ＧＮＤ１）が形成された誘電体層と第２のグランド電極パターン（ＧＮＤ２）が形成された誘電体層の間に前記インダクタ（Ｌ）を形成する電極パターン（ＥＬ３１〜ＥＬ３４）が配置され、前記第１のグランド電極パターン（ＧＮＤ１）の、前記インダクタ（Ｌ）を形成する電極パターン（ＥＬ３１〜ＥＬ３４）とは反対側に、第１のコンデンサ（Ｃ１）及び第２のコンデンサ（Ｃ２）を形成する電極パターン（ＥＬ１及びＥＬ２）が配置され、
前記第２のグランド電極パターン（ＧＮＤ２）と第３のグランド電極パターン（ＧＮＤ３）との間に、第３のコンデンサ（Ｃ３）を形成する電極パターン（ＥＬ４）が配置され、
もって、第２コンデンサ（Ｃ２）と第３のコンデンサ（Ｃ３）とは第１のグランド電極パターン（ＧＮＤ１）と第２のグランド電極パターン（ＧＮＤ２）とを介して積層方向の異なる部位に構成され、
前記第１のコンデンサ（Ｃ１）、第２のコンデンサ（Ｃ２）、及び第３のコンデンサ（Ｃ３）を形成する電極パターンが、前記積層体を積層方向から見て重なるように形成されるが、前記インダクタ（Ｌ）を形成する電極パターン（ＥＬ３１〜ＥＬ３４）は、前記第１のグランド電極パターン（ＧＮＤ１）側に配置される、いずれのグランド電極パターンとも重ならないように形成されていることを特徴とする積層ローパスフィルタである。
【０００９】
〔手段２〕
本発明は、前記積層ローパスフィルタを送信信号経路に接続するスイッチ回路を含み、前記スイッチ回路を構成するスイッチ素子を積層ローパスフィルタに搭載することを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
【００１０】
〔手段３〕
また本発明は、前記スイッチ回路と接続するハイパスフィルタを備え、前記ハイパスフィルタは、受信信号経路とグランドとの間に接続されたインダクタとコンデンサとでなる直列共振回路を含み、前記直列共振回路は共振周波数を１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの間としたことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、小型のまま、或いはより小形にしても、高調波の減衰量が十分な積層ローパスフィルタ及び高周波スイッチモジュールを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明者は、〔手段１〕〜〔手段３〕記載の構成により、インダクタＬと第１乃至第３のコンデンサＣ１〜Ｃ３において発生する寄生容量を従来より減少できる結果、高調波の減衰量が十分なローパスフィルタ及び高周波スイッチモジュールの得られることを知見した。
減衰量に対する寄生容量の影響は、ローパスフィルタにおける場合のほうが、ハイパスフィルタにおける場合よりも大きい。前者では基本周波数より周波数の高い、高調波の周波数が減衰域（非通過周波数帯域）となるからである。従って、ローパスフィルタにおいて〔手段１〕記載の構成を採用する意義は大きい。
また、〔手段１〕記載のローパスフィルタを組み込んだ〔手段３〕記載の高周波スイッチモジュールも小型のままで高調波の減衰量の大きいものが得られる。
【００１３】
図１を用いて、本発明に係るローパスフィルタを説明する。図１は、図５に示したπ型回路のローパスフィルタを積層体で構成した場合の各層の電極パターンを示したものである。
本発明に係るローパスフィルタは、インダクタＬとコンデンサＣ１〜Ｃ３で構成される。インダクタＬを構成する電極パターンは、誘電体の第４〜７層（Ｓ４〜Ｓ７）の上に形成される。インダクタＬを構成する第４〜７層（Ｓ４〜Ｓ７）は、上下をグランド電極ＧＮＤ１、ＧＮＤ２で挟まれる。コンデンサＣ１、Ｃ２を構成する電極パターンＥＬ１、ＥＬ２は、グランド電極ＧＮＤ１が形成された第３層（Ｓ３）の上側に形成され、コンデンサＣ１は、第１層（Ｓ１）の上に形成される電極パターンＥＬ１と、第３層（Ｓ３）の上に形成されるグランド電極ＧＮＤ１との間で形成され、コンデンサＣ２は、第２層（Ｓ２）の上に形成される電極パターンＥＬ２とグランド電極ＧＮＤ１との間で形成される。
一方、コンデンサＣ３は第９層（Ｓ９）の上に形成される電極パターンＥＬ４とグランド電極ＧＮＤ２との間、及び電極パターンＥＬ４と第１０層（Ｓ１０）の上に形成されるグランド電極ＧＮＤ３との間で形成される。
各電極パターンの層間は、黒点で示されたビアホールによって接続されてローパスフィルタを構成している。グランド電極ＧＮＤ１〜ＧＮＤ３の相互の電極パターンとの層間も、図示しないビアホールで接続されている。
【００１４】
図１に例示した実施形態では、インダクタＬを第４〜第７層（Ｓ４〜Ｓ７）に分割してスパイラル状のコイルで形成したため、同一層上にミアンダ状にコイルを形成する場合に比べて、線路長が短くて済む。
コンデンサＣ３を構成する電極パターンＥＬ４は、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２を構成する電極パターンＥＬ１及びＥＬ２の下方に、第３層（Ｓ３）と第８層（Ｓ８）に各々形成されるＧＮＤ電極パターンＧＮＤ１、ＧＮＤ２を隔てて配置される。従って、コンデンサＣ１、Ｃ２とコンデンサＣ３の間のアイソレーションは、大きく改善され、高調波の減衰量が大きく出来る。
なお、本発明に係るローパスフィルタにおいて、コンデンサＣ３とコンデンサＣ２とは置換可能である。すなわち、図１において、第２層（Ｓ２）にコンデンサＣ２を構成する電極パターンＥＬ２ではなくコンデンサＣ３を構成する電極パターンＥＬ４を配置し、逆に第９層（Ｓ９）にコンデンサＣ３を構成する電極パターンＥＬ４ではなくコンデンサＣ２を構成する電極パターンＥＬ２を配置しても良い。
【００１５】
誘電体層Ｓ１〜Ｓ１０は、誘電体材料でなるグリーンシート（未焼成の生シート）に銀ペーストなどで伝送線路用の電極パターンやコンデンサ用の電極パターンを印刷して積層した後に共に焼成する低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）で構成する。層間の接続は、ビアホールに導電性ペーストを充填することにより行なえる。ビアホールに限定するものではなく、積層体の外部に設けた外部電極で層間の接続を行うことも出来るし、ビアホールと外部電極とを併用することも出来る。
なお、インダクタＬを構成する電極パターン（ＥＬ３１〜ＥＬ３４）と、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を構成する電極パターン（ＥＬ１，ＥＬ２、ＥＬ４）とは、積層体の積層方向から見て重なるように配置してもよい。例えば特許文献１に示したような従来構造のローパスフィルタではコンデンサＣ２、Ｃ３を横に並べて配置する必要があるためローパスフィルタを形成するのに必要な面積が大きくなる。本発明の構造では各々の電極パターンを縦方向から見て重ねて配置できるためより少ない面積でローパスフィルタを形成することが可能となり、小型多機能化が進む高周波部品の開発に有利である。
他の電極パターンとの配置、寸法関係、扱う周波数帯域などにより、最適のフィルタ特性が得られるように、設計者が適宜に選択できる。
本発明に係るローパスフィルタは、高調波を減衰させるために、各高調波に応じたローパスフィルタを多段に縦続する必要が無いため、小型化できる。デュアルバンド、トリプルバンド化などにより高周波モジュールに使用されるローパスフィルタの数が増大するので、これによる小型化効果は大きい。
【００１６】
本発明に係るローパスフィルタは、単体のみならず、高周波スイッチモジュールなどの他の回路と積層体に内蔵して一体化することができる。
次に、高周波スイッチモジュールについて詳細に説明する。
図２は、本発明に係る高周波スイッチモジュールの等価回路を示す。図５で説明した本発明に係るローパスフィルタ、例えばＬＰＦ２は図２では図面のほぼ中央部にあり、図５の符号Ｌが符号Ｌｄ３、図５の符号Ｃ１が符号Ｃｄ７、図５の符号Ｃ２が符号Ｃｄ４、図５の符号Ｃ３が符号Ｃｄ３に対応する。この部分のローパスフィルタに〔手段１〕記載の構成を採用する。
図２に示した高周波スイッチモジュールは、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ、ＰＣＳの３システムに対応したトリプルバンドの場合を一実施形態として例示したものである。
この高周波スイッチモジュールにより、アンテナ端子Ａｎｔと、ＧＳＭ、ＤＣＳ、ＰＣＳのそれぞれの送信回路と受信回路への接続の切り換えが行われる。この実施形態では、ＤＣＳの送信回路とＰＣＳの送信回路は共用にしている。
ここで、図２の右端に示された符号の説明をする。符号Ｔｘ１はＧＳＭ９００の送信端子、符号Ｒｘ１はＧＳＭ９００の受信端子を示す。符号Ｔｘ２はＤＣＳとＰＣＳに共通する送信端子、符号Ｒｘ２はＤＣＳの受信端子、符号Ｒｘ３はＰＣＳの受信端子を示す。
図２に例示した高周波スイッチモジュールは、
（ａ）低周波側フィルタ及び高周波側フィルタとで構成される分波回路と、
（ｂ）分波回路の低周波側フィルタの後段に配置され、制御端子Ｖｇから供給される電圧により、送信端子Ｔｘ１と受信端子Ｒｘ１とを切り換える第１のスイッチ回路と、
（ｃ）分波回路の高周波側フィルタの後段に配置され、制御端子Ｖｄ、Ｖｐから供給される電圧により、送信端子Ｔｘ２と受信端子Ｒｘ２と受信端子Ｒｘ３とを切り換える第２のスイッチ回路とを具備する。
【００１７】
〔１〕高周波スイッチモジュールの回路構成
（Ａ）分波回路（ＤＩＰ）
分波回路は、低周波側フィルタ及び高周波側フィルタとで構成される。すなわち、ＧＳＭ９００の送受信信号を通過させるとともにＤＣＳ及びＰＣＳの送受信信号を減衰させる低周波側（ＧＳＭ９００  Ｓｉｄｅ）フィルタとしてローパスフィルタを備え、ＤＣＳ及びＰＣＳの送受信信号を通過させるとともにＧＳＭ９００の送受信信号を減衰させる高周波側（ＤＣＳ／ＰＣＳ  Ｓｉｄｅ）フィルタとしてハイパスフィルタを備えている。
アンテナ端子Ａｎｔと接続されている低周波側フィルタ及び高周波側フィルタは、それぞれ伝送線路とコンデンサにより構成されている。なお、前記低周波側フィルタと高周波側フィルタは、バンドパスフィルタ、ノッチフィルタで構成することも出来る。
低周波側（ＧＳＭ９００  Ｓｉｄｅ）フィルタとしてのローパスフィルタについて説明する。
伝送線路Ｌｆ１は、低周波側のＧＳＭ帯域の信号を低損失で通過させ、高周波側のＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号に対して高インピーダンスとなるようにしてＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号の回り込みを防止する。
伝送線路Ｌｆ２とコンデンサＣｆ１とは直列共振回路を構成し、ＤＣＳ及びＰＣＳ帯域に共振周波数を持つように設計して、ＤＣＳ及びＰＣＳ帯域の信号をグランドに落とし、回り込みを防止する。
ここで、伝送線路Ｌｆ１は、ＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号の周波数にとって高インピーダンスになるようにある程度の長さに設定するのが好ましい。これによりＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号がＧＳＭ系の経路へ伝送され難くなる。
高周波側（ＤＣＳ／ＰＣＳ  Ｓｉｄｅ）フィルタとしてのハイパスフィルタについて説明する。
コンデンサＣｆ２、Ｃｆ３は、高周波側のＤＣＳ、ＰＣＳ帯域の信号を低損失で通過させ、低周波側のＧＳＭ帯域の信号に対して高インピーダンスとなるようにしてＧＳＭ帯域の信号の回り込みを防止する。
伝送線路Ｌｆ４とコンデンサＣｆ４とは直列共振回路を構成し、ＧＳＭ９００帯域に共振周波数を持つように設計して、ＧＳＭ９００帯域の信号をグランドに落とし、回り込みを防止する。
【００１８】
スイッチ回路について説明する。
分波回路の後段に配置された送信端子Ｔｘ１と受信端子Ｒｘ１とを切り換える第１のスイッチ回路と、送信端子Ｔｘ２と受信端子Ｒｘ２と受信信号Ｒｘ３とを切り換える第２のスイッチ回路とは、いずれもスイッチ素子と伝送線路を主要素子とする。このスイッチ素子としては、ＰＩＮダイオードが好適である。他にＧａＡｓスイッチも使用できる。一般的にＰＩＮダイオードを使用したスイッチ回路は、ＧａＡｓスイッチと比較して低コストで回路を構築できるという利点があり、逆にＧａＡｓスイッチは、ＰＩＮダイオードを使用したスイッチ回路と比較すると低消費電力化が可能になるという利点があるので、これらの特徴を生かすように選択できる。
【００１９】
（Ｂ）第１のスイッチ回路
第１のスイッチ回路は、図２の上段にあり、ＧＳＭ９００の送信端子Ｔｘ１とＧＳＭ９００の受信端子Ｒｘ１とを切り換えるものであり、２つのダイオードＤｇ１、Ｄｇ２及び２つの伝送線路Ｌｇ１、Ｌｇ２を主要素子とする。
ダイオードＤｇ１は、分波回路の低周波側フィルタと送信端子Ｔｘ１との間に介挿され、ダイオードＤｇ１のアノードは分波回路の低周波側フィルタに接続され、ダイオードＤｇ１のカソードは、伝送線路Ｌｇ３とコンデンサＣｇ７，Ｃｇ４、Ｃｇ３とにより構成されたπ型のローパスフィルタＬＰＦ１に接続される。
このローパスフィルタＬＰＦ１を構成する伝送線路Ｌｇ３の他端とグランドとの間には伝送線路Ｌｇ１が接続されている。
このローパスフィルタＬＰＦ１は、ＧＳＭ９００側のパワーアンプ（図示しない）から入力される送信信号に含まれる高次の高調波歪みを抑制するため、ＧＳＭ９００送信信号を通過し、ＧＳＭ９００送信信号の２倍以上の周波数を十分に減衰するような特性を持つことが好ましい。
インダクタＬｇ３とコンデンサＣｇ７は並列共振回路を構成し、その共振周波数はＧＳＭ９００の送信周波数の２倍もしくは３倍の周波数に設定する。それにより、図示しないパワーアンプから入力されるＧＳＭ９００側の送信信号に含まれる高調波歪みを十分に減衰できる。
コンデンサＣｇ６、Ｃｇ２、Ｃｇ１は、直流分を除去してダイオードＤｇ１およびＤｇ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサである。
ダイオードＤｇ１のアノードと受信端子Ｒｘ１との間には伝送線路Ｌｇ２が介挿され、伝送線路Ｌｇ２の一端とグランドとの間にダイオードＤｇ２が接続され、ダイオードＤｇ２のアノードとグランドとの間にコンデンサＣｇ１が接続されている。また、ダイオードＤｇ２のアノードと制御端子Ｖｇとの間には抵抗Ｒｇが直列に接続されている。
制御端子Ｖｇとグランドとの間に接続されたコンデンサＣｖｇは、制御用の電源へのノイズ混入を阻止して、制御を安定化する。
伝送線路Ｌｇ１及び伝送線路Ｌｇ２は、いずれも共振周波数がＧＳＭ９００の送信信号の周波数帯域内となるような線路長を有するのが好ましい。例えば、それぞれの共振周波数をＧＳＭ９００の送信信号周波数のほぼ中間周波数（８９７．５ＭＨｚ）とすると、所望の周波数帯域内で優れた挿入損失特性を得ることができる。
【００２０】
（Ｃ）第２のスイッチ回路
第２のスイッチ回路は、図２の下段にあるスイッチ回路であり、ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２と、ＰＣＳの受信端子Ｒｘ３と、ＤＣＳ及びＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２とを切り換える。
第２のスイッチ回路は、４つのダイオードＤｄ１，Ｄｄ２，Ｄｐ１、及びＤｐ２と、４つの伝送線路Ｌｄ１、Ｌｄ２、Ｌｐ１、Ｌｐ２とを主要素子とする。
ダイオードＤｄ１は、分波回路の高周波側フィルタと送信端子Ｔｘ２との間に介挿され、ダイオードＤｄ１のアノードは分波回路の高周波側フィルタに接続され、ダイオードＤｄ１のカソードは伝送線路Ｌｄ３とコンデンサＣｄ３、Ｃｄ４、Ｃｄ７とにより構成されたπ型のローパスフィルタＬＰＦ２に接続される。このローパスフィルタを構成する伝送線路Ｌｄ３の他端とグランドとの間には伝送線路Ｌｄ１が接続されている。
ここで、ローパスフィルタＬＰＦ２は、ＤＣＳおよびＰＣＳ側のパワーアンプ（図示しない）から入力される送信信号に含まれる高次高調波歪みを抑制するため、ＤＣＳあるいはＰＣＳ送信信号を通過し、ＤＣＳあるいはＰＣＳ送信信号の２倍以上の周波数を十分に減衰するような特性を持つことが好ましい。
ローパスフィルタＬＰＦ２を構成する伝送線路Ｌｄ３の線路長は、λ／８〜λ／１２（ただしλはＤＣＳ及びＰＣＳの送受信系における送信信号の中間周波数の波長）とするのが好ましい。ＤＣＳ及びＰＣＳの送受信系における送信信号の中間周波数λは、ＤＣＳの送信信号１７１０〜１７８５ＭＨｚとＰＣＳの送信信号１８５０〜１９１０ＭＨｚとの中間の周波数（１８１０ＭＨｚ）となる。中間周波数の波長λに対し、伝送線路Ｌｄ３の線路長がλ／８超であると、通過帯域特性が狭帯域となり、ＤＣＳの送信信号の下限周波数近傍及びＰＣＳの送信信号の上限周波数近傍で所望の挿入損失特性が得られない。また伝送線路Ｌｄ３の線路長がλ／１２未満であると、２倍波、３倍波等の高周波数域における減衰量が劣化する。このように、いずれの場合も高周波スイッチモジュールとしての特性が劣化するため好ましくない。
ダイオードＤｄ１に並列接続されたインダクタＬｓとコンデンサＣｓの機能を説明する。これは、ダイオードＤｄ１のＯＦＦ時、送信端子Ｔｘ２とアンテナ端子Ａｎｔ間、送信端子Ｔｘ２と受信端子Ｒｘ２間および送信端子Ｔｘ２と受信端子Ｒｘ３間のアイソレーション確保を目的として、インダクタＬｓとコンデンサＣｓの直列回路をダイオードＤｄ１に対して並列接続し、ＯＦＦ時のダイオードの容量成分を相殺している。
【００２１】
伝送線路Ｌｄ１及びＬｄ２は、それらの共振周波数がＤＣＳとＰＣＳの送受信系の送信信号の周波数帯域の最大周波数から最小周波数までの範囲内に入るような線路長を有するのが好ましく、特に最大周波数と最小周波数の中間の周波数となるような線路長を有するのが好ましい。例えば、伝送線路Ｌｄ１及びＬｄ２の共振周波数を、ＤＣＳ帯域とＰＣＳ帯域の送信信号周波数のほぼ中間周波数（１８１０ＭＨｚ）とすると、それぞれのモードにおいて優れた電気的特性を得ることができ、２つの送信信号を１つの回路で扱うことができる。
コンデンサＣｄ２は、直流分を除去してダイオードＤｄ１およびＤｄ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサであり、コンデンサＣｄ５、Ｃｐ１、Ｃｐ４、およびＣｐ２は、ダイオードＤｐ１およびＤｐ２を含む回路に制御用の直流電圧を印加できるようにしたＤＣカットコンデンサである。
伝送線路Ｌｄ２の一端は分波回路の高周波側フィルタを構成するコンデンサＣｆ３に接続される。伝送線路Ｌｄ２の他端とグランドの間にはダイオードＤｄ２とコンデンサＣｄ１が接続される。ダイオードＤｄ２のアノードには抵抗Ｒｄを介して制御端子Ｖｄが接続される。コンデンサＣｖｄは、制御用の電源へのノイズ混入を阻止して制御を安定化する。
伝送線路Ｌｄ２と伝送線路Ｌｐ２との間には２〜１０ｐＦの大きさのＤＣカット用のコンデンサＣｄ５が接続される。
伝送線路Ｌｐ２の一端はコンデンサＣｄ５に接続され、伝送線路Ｌｐ２の他端とグランドとはダイオードＤｐ２とコンデンサＣｐ１を介してグランドに接続される。
ダイオードＤｐ２とコンデンサＣｐ１の接続点は、抵抗Ｒｐを経て制御端子Ｖｐに接続されている。コンデンサＣｖｐは、制御用の電源へのノイズ混入を阻止して制御を安定化する。
ダイオードＤｐ１のアノードは、コンデンサＣｄ５と伝送線路Ｌｐ２との接続点に接続される。ダイオードＤｐ１のカソードとグランドとの間には伝送線路Ｌｐ１とコンデンサＣｐ３の並列共振回路が接続され、ＰＣＳ受信信号のグランドへの信号の漏れ込みを防止している。
なお、受信端子Ｒｘ２，Ｒｘ３に接続されたＤＣカット用のコンデンサＣｐ４、Ｃｐ２は、ＳＡＷフィルタを用いる場合には、ＳＡＷフィルタ自体が直流成分を除去することができるため、取り除いても良い。
【００２２】
（Ｄ）ＥＳＤ対策回路
以上説明した（Ａ）分波回路、（Ｂ）第１のスイッチ回路、（Ｃ）第２のスイッチ回路により本発明に係る高周波スイッチモジュールが構成される。
しかし、高周波スイッチモジュールとして携帯機器に組み込まれる場合、静電気の放電による静電サージによりモジュールの破壊を防止するためにＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）対策を施すことが望ましい。以下、図２に例示した実施形態におけるＥＳＤ対策回路について説明する。
図２の左端、アンテナ端子Ａｎｔとグランドの間に接続されたインダクタＬｅは、ＥＳＤ対策の為に介挿される。これらインダクタの値を適宜選択することによって、静電サージをグランドへ逃がして無害化できる。
図２の右上部分において、コンデンサＣｅｃ、インダクタＬｅｎとコンデンサＣｅｎの直列共振回路、及びインダクタＬｅｓで構成されるπ型のハイパスフィルタも、ＥＳＤ対策の為に介挿される。これらインダクタとコンデンサの値を適宜選択することによって、静電サージをグランドへ逃がし、高周波信号は低損失で伝達できる。ここでＬｅｓは５０ｎＨ以下、Ｃｅｃは１０ｐＦ以下が望ましい。また、インダクタＬｅｎとコンデンサＣｅｎの直列共振回路は、その共振周波数が１００ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの間に設定されるようにインダクタやコンデンサの値を設定する。この場合、Ｌｅｎは５０ｎＨ以下、Ｃｅｎは３３ｐＦ以下が望ましい。
これにより静電破壊で問題となる共振周波数帯での静電サージをグランドへ吸収することができ、静電サージ対策をより効率的に行うことが出来る。
すなわち、通信周波数よりも少なくとも低い周波数の交流成分および直流成分の通過を阻止するハイパスフィルタを構成することにより、アンテナ端子Ａｎｔから高周波スイッチモジュール内に静電サージが侵入しても、その直流成分および通信周波数よりも低い周波数の交流成分を、インダクタＬｅｎ，Ｌｅｓによりグランド側に逃がすことができる。
ＧＳＭの受信回路にＥＳＤ対策用のハイパスフィルタを介挿した理由は、静電サージで最初に破壊されるのがＧＳＭの受信回路だからである。
ＥＳＤ対策用のハイパスフィルタの介挿する位置は、図３で例示した位置に限定されるものではないが、アンテナ端子Ａｎｔの前段に入れるよりは最終段に入れたほうが、挿入損失が小さい。
【００２３】
［２］高周波スイッチモジュールの動作説明
本発明に係る高周波スイッチモジュールは、制御端子Ｖｇ，Ｖｐ，Ｖｄに電圧を印加してダイオードスイッチをＯＮ状態／ＯＦＦ状態に制御することにより、ＧＳＭ、ＤＣＳ、及びＰＣＳの送受信系のいずれか一つを選択するようになっている。
図２に示す等価回路の高周波スイッチモジュールについて、その動作を説明する。
（ａ）ＧＳＭ 送信モード
ＧＳＭ９００の送信端子Ｔｘ１からアンテナ端子Ａｎｔに送信信号を送出する場合、制御端子ＶｇをＨｉｇｈ（例えば２．６Ｖ）に、制御端子ＶｄをＬｏｗ（例えばゼロ電圧），ＶｐをＨｉｇｈあるいはＬｏｗとする。
ここで、制御端子に印加する制御電圧がＨｉｇｈとは、＋１〜＋５Ｖ，Ｌｏｗとは−０．５〜＋０．５Ｖが望ましい。
制御端子Ｖｇに印加する制御電圧がＨｉｇｈの時、コンデンサＣｇ１、Ｃｇ２、Ｃｇ６によりＤＣ（直流）分がカットされて、ダイオードＤｇ１及びＤｇ２を含む回路に印加される。それにより、制御端子Ｖｇに印加された制御電圧により流れる電流が、ダイオードＤｇ１及びＤｇ２を含む回路にのみ流れるように電流経路を制限し、他の部分に影響を及ぼさないようにできる。その結果、ダイオードＤｇ１及びＤｇ２はＯＮ状態となる。ダイオードＤｇ１がＯＮ状態となることにより、ＧＳＭの送信端子Ｔｘ１と、コンデンサＣｇ６とダイオードＤｇ１のアノードとの接続点との間でＧＳＭ帯域内におけるインピーダンスが低くなる。またＯＮ状態となったダイオードＤｇ２及びコンデンサＣｇ１により伝送線路Ｌｇ２は高周波的にグランド（接地）されて共振し、コンデンサＣｇ６とダイオードＤｇ１のアノードとの接続点からＧＳＭの受信端子Ｒｘ１を見たインピーダンスはＧＳＭ帯域内において非常に大きくなる。従って、ＧＳＭの送信端子Ｔｘ１から送出される送信信号は、ＧＳＭの受信端子Ｒｘ１に漏洩することなく、アンテナ端子Ａｎｔに送出される。
ここで、伝送線路Ｌｇ１、Ｌｇ２はＧＳＭの送信周波数帯においてλ／４共振器となるように伝送線路の長さを設定する。
なお、伝送線路Ｌｇ１は、ＧＳＭの送信周波数においてグランドレベルがオープン（高インピーダンス状態）に見える程度のチョークコイルでも代用可能である。この場合インダクタンス値は１０〜１００ｎＨ程度が望ましい。
抵抗Ｒｇは制御端子ＶｇがＨｉｇｈ状態でのダイオードＤｇ１、Ｄｇ２に流れる電流を制限する。この電流は、過小であると信号の挿入損失が大きくなり、過大であると高周波スイッチモジュールの消費電力が大きくなるので適正値に制限する。
【００２４】
（ｂ）ＤＣＳ／ＰＣＳ 送信モード
ＤＣＳ、ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２からアンテナ端子ＡｎｔにＤＣＳ、ＰＣＳいずれかの送信信号を送出する場合、制御端子ＶｄをＨｉｇｈ、制御端子ＶｐをＨｉｇｈ（あるいはＬｏｗ），制御端子ＶｇをＬｏｗとする。
その結果、ダイオードＤｄ１およびＤｄ２はＯＮ状態となる。ダイオードＤｄ１がＯＮ状態となると、ＤＣＳおよびＰＣＳの送信端子Ｔｘ２と、高周波側のハイパスフィルタを構成するコンデンサＣｆ３とダイオードＤｄ１のアノードとの接続点との間でＤＣＳ／ＰＣＳ帯域におけるインピーダンスが低くなる。
また、ＯＮ状態となったダイオードＤｄ２及びコンデンサＣｄ１により伝送線路Ｌｄ２は高周波的に接地されて共振し、高周波側のハイパスフィルタを構成するコンデンサＣｆ３とダイオードＤｄ１のアノードとの接続点からＤＣＳの受信端子Ｒｘ２側およびＰＣＳの受信端子Ｒｘ３側を見たインピーダンスはＤＣＳ／ＰＣＳ帯域において非常に大きくなる。その結果、ＤＣＳ（あるいはＰＣＳ）の送信端子Ｔｘ２から送出される送信信号は、受信端子Ｒｘ２及び受信端子Ｒｘ３に漏洩することなく、アンテナ端子Ａｎｔに送出される。
【００２５】
（ｃ）ＧＳＭ 受信モード
ＧＳＭの受信端子Ｒｘ１にアンテナ端子Ａｎｔからの信号を受信する場合、制御端子Ｖｇ、Ｖｐ、Ｖｄは全てＬｏｗとする。このことにより、ダイオードＤｇ１，Ｄｇ２はＯＦＦ状態となる。
ダイオードＤｇ１がＯＦＦ状態となることにより、コンデンサＣｇ６とダイオードＤｇ１のアノードとの接続点からＴｘ１側を見たインピーダンスはＧＳＭ帯域において大きくなり、送信端子Ｔｘ１との接続が断たれる一方、伝送線路Ｌｇ２を介してコンデンサＣｇ６とダイオードＤｇ１のアノードとの接続点とＧＳＭの受信端子Ｒｘ１が接続される。
その結果、アンテナ端子Ａｎｔを経て分波回路から入る受信信号は、送信端子Ｔｘ１に漏洩することなく受信端子Ｒｘ１に伝送される。
【００２６】
（ｄ）ＤＣＳ 受信モード
ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２にアンテナ端子Ａｎｔからの信号を受信する場合、制御端子Ｖｄ、Ｖｇ、Ｖｐは全てＬｏｗとする。
それにより、ダイオードＤｄ１、Ｄｄ２、Ｄｐ１、Ｄｐ２は全てＯＦＦ状態となる。ダイオードＤｄ１がＯＦＦ状態となることにより、高周波側のハイパスフィルタを構成するコンデンサＣｆ３とダイオードＤｄ１のアノードとの接続点からＤＣＳ／ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２側を見たインピーダンスがＤＣＳ帯域において大きくなり、送信端子Ｔｘ２との接続が断たれる一方、伝送線路Ｌｄ２を介して、高周波側のハイパスフィルタを構成するコンデンサＣｆ３とダイオードＤｄ１のアノードとの接続点と、伝送線路Ｌｄ２とダイオードＤｄ２のカソードとの接続点とが接続される。
更に、ダイオードＤｐ１がＯＦＦ状態となることにより、伝送線路Ｌｐ２とダイオードＤｐ１のカソードとの接続点からＰＣＳの受信端子Ｒｘ３を見たインピーダンスがＤＣＳ帯域において大きくなりＰＣＳの受信端子Ｒｘ３との接続が断たれる。一方、伝送線路Ｌｐ２を介して、伝送線路Ｌｐ２とダイオードＤｐ２のカソードとの接続点と、ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２とが接続される。
その結果、アンテナ端子Ａｎｔを経て分波回路から入るＤＣＳの受信信号は、ＤＣＳ／ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２、及びＰＣＳの受信端子Ｒｘ３に漏洩することなく、ＤＣＳの受信端子Ｒｘ２に伝送される。
【００２７】
（ｅ）ＰＣＳ 受信モード
この場合、制御端子ＶｐはＨｉｇｈ、制御端子Ｖｄ、ＶｇはＬｏｗとする。
制御端子Ｖｐに印加された正の電圧は、コンデンサＣｄ５、Ｃｐ１、Ｃｐ２、Ｃｐ４により直流分がカットされて、ダイオードＤｐ１及びＤｐ２を含む回路に印加される。
その結果、ダイオードＤｐ１及びＤｐ２がＯＮ状態となる。
ダイオードＤｄ１およびＤｄ２がＯＦＦ状態であることにより、伝送線路Ｌｄ２を介して、コンデンサＣｆ３とダイオードＤｄ１との接続点と、コンデンサＣｄ５と伝送線路Ｌｐ２との接続点とが接続される。
またダイオードＤｐ１がＯＮ状態となることにより、伝送線路Ｌｐ２とダイオードＤｐ１との接続点からＰＣＳの受信端子Ｒｘ３側を見たインピーダンスはＰＣＳ帯域において低くなる。
またＯＮ状態となったダイオードＤｐ２及びコンデンサＣｐ１により、伝送線路Ｌｐ２は高周波的に接地されて、ＰＣＳの受信信号周波数帯域で共振し、伝送線路Ｌｐ２とダイオードＤｐ１との接続点からＤＣＳの受信端子Ｒｘ２を見たインピーダンスは、ＰＣＳの受信信号帯域で非常に大きくなる。
その結果、アンテナ端子Ａｎｔを経て分波回路から入るＰＣＳの受信信号は、ＤＣＳ／ＰＣＳ共通の送信端子Ｔｘ２、及びＤＣＳの受信端子Ｒｘ２に漏洩することなく、ＰＣＳの受信端子Ｒｘ３に伝送される。
【００２８】
次に、図３を用いて、図１で示した本発明に係るローパスフィルタを組み込んで、高周波スイッチモジュールを積層基板で構成した場合を説明する。
分波回路やスイッチ回路、フィルタを構成する伝送線路およびコンデンサの一部を誘電体積層基板に内蔵し、スイッチ回路の一部を構成するＰＩＮダイオードやＧａＡｓスイッチなどのスイッチ素子、および抵抗、コンデンサ、インダクタなどのチップ部品を誘電体積層基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られる。
先ず、本発明に係る高周波スイッチモジュールの積層体を示す図３と、本発明に係るローパスフィルタの積層体を示す図１との対応について説明する。
図１に示すグランドの３つの電極パターン、すなわち電極パターンＧＮＤ１は図３の誘電体層Ｓ６に、電極パターンＧＮＤ２は誘電体層Ｓ１３に、電極パターンＧＮＤ３は誘電体層Ｓ１５に、それぞれ形成される。
図１に示すコンデンサＣ１に対応する電極パターンＥＬ１は図３の誘電体層Ｓ３に、コンデンサＣ２に対応する電極パターンＥＬ２は誘電体層Ｓ５に、コンデンサＣ３に対応する電極パターンＥＬ４は誘電体層Ｓ１４に、それぞれ形成される。
図１に示すインダクタＬの電極パターンＥＬ３１〜ＥＬ３４は、図３の誘電体層Ｓ９〜Ｓ１２に、それぞれ形成される。
なお、図２において、低周波側のローパスフィルタ（インダクタＬｇ３，コンデンサＣｇ７，Ｃｇ４，Ｃｇ３で構成）は、必ずしも本発明の〔手段１〕の構成とする必要は無い。
すなわち、図２に例示した実施形態では、コンデンサＣｇ３とコンデンサＣｇ４を夫々構成する電極パターンＥＬＣＧ３、ＥＬＣＧ４は、第１４層（Ｓ１４）上に並置することで従来の手法図６と同様の構成とした。これは、図２に示した実施形態においてはインダクタＬｇ３，コンデンサＣｇ７，Ｃｇ４，Ｃｇ３で構成されたローパスフィルタを用いてＧＳＭ送信帯域の３倍波の減衰を取っており、インダクタＬｆ１，Ｌｆ２，コンデンサＣｆ１で構成されたローパスフィルタを用いてＧＳＭ送信帯域の２倍波の減衰を取っているため、本発明を適用しなくとも高調波の減衰をとりやすい構成となっているからである。
【００２９】
次に、本発明に係る高周波スイッチモジュールの積層体を示す図３の全体を説明する。
誘電体層Ｓ１には、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタを搭載するためのランド電極が印刷されている。
図２に示した等価回路のうち、この実施形態では、ダイオード（Ｄｄ１、Ｄｄ２，Ｄｇ１，Ｄｇ２，Ｄｐ１，Ｄｐ２）、抵抗（Ｒｇ，Ｒｐ、Ｒｄ）の他、インダクタＬｓと、コンデンサ（Ｃｇ２，Ｃｇ６，Ｃｄ２，Ｃｄ５、Ｃｖｇ，Ｃｖｄ）、及びＥＳＤ対策の為に介挿されるインダクタＬｅ、同じくＥＳＤ対策の為に介挿されるπ型ハイパスフィルタを構成するコンデンサＣｅｃ、及びインダクタＬｅｎとコンデンサＣｅｎの直列共振回路、及びインダクタＬｅｓも積層体の外付け部品とした。
図３において、黒丸はビアホールであって、誘電体層Ｓ１〜Ｓ１５の各層に形成された電極パターンを電気的に接続して、図２に等価回路を示した高周波スイッチモジュールを構成する。以下、図２で示した符号を用いて説明する。
【００３０】
誘電体層Ｓ２には、誘電体層Ｓ１に形成されたランド電極と、誘電体層Ｓ３〜Ｓ１５に形成された電極パターンとを電気的に接続するための電極パターンが形成される。
誘電体層Ｓ３には、コンデンサとなる電極パターンが印刷されており、コンデンサＣｄ１，Ｃｄ７、Ｃｆ２，Ｃｇ７，Ｃｐ３，Ｃｐ５が形成される。
誘電体層Ｓ４には、コンデンサとなる電極パターンが印刷されており、コンデンサＣｆ２，Ｃｆ３、Ｃｇ７，Ｃｓが形成される。
誘電体層Ｓ５には、コンデンサとなる電極パターンが印刷されており、コンデンサＣｄ１，Ｃｄ４，Ｃｆ３、Ｃｇ５，Ｃｇ７，Ｃｐ１，Ｃｓが形成される。
誘電体層Ｓ６には、グランド電極パターンとなるＧＮＤ１と、コンデンサＣｆ２，Ｃｆ３、Ｃｓとなる電極パターンが印刷されている。
誘電体層Ｓ７には、コンデンサＣｆ２となる電極パターンが印刷されている。
誘電体層Ｓ８には、インダクタとなる電極パターンが印刷されており、インダクタＬｆ１，Ｌｆ２，Ｌｆ３，Ｌｇ１，Ｌｇ３が形成される。
誘電体層Ｓ９には、インダクタとなる電極パターンが印刷されており、インダクタＬｄ１，Ｌｄ２，Ｌｄ３，Ｌｆ１，Ｌｆ２，Ｌｆ３，Ｌｇ１，Ｌｇ２，Ｌｇ３，Ｌｐ１が形成される。
誘電体層Ｓ１０には、インダクタとなる電極パターンが印刷されており、インダクタＬｄ１，Ｌｄ２，Ｌｄ３，Ｌｆ１，Ｌｆ２，Ｌｆ３，Ｌｇ１，Ｌｇ２，Ｌｇ３，Ｌｐ１，Ｌｐ２が形成される。
誘電体層Ｓ１１には、インダクタとなる電極パターンが印刷されており、インダクタＬｄ１，Ｌｄ２，Ｌｄ３，Ｌｆ１，Ｌｆ２，Ｌｆ３，Ｌｇ１，Ｌｇ２，Ｌｇ３，Ｌｐ１，Ｌｐ２が形成される。
誘電体層Ｓ１２には、インダクタとなる電極パターンが印刷されており、インダクタＬｄ１，Ｌｄ３，Ｌｆ１，Ｌｆ２，Ｌｆ３，Ｌｇ１，Ｌｇ２，Ｌｇ３，Ｌｐ１，Ｌｐ２が形成される。
誘電体層Ｓ１３には、グランド電極パターンとなるＧＮＤ２が形成される。
誘電体層Ｓ１４には、コンデンサとなる電極パターンが印刷されており、コンデンサＣｄ３，Ｃｆ１，Ｃｆ４、Ｃｇ１，Ｃｇ３，Ｃｇ４，Ｃｖｐが形成される。
誘電体層Ｓ１５には、グランド電極パターンとなるＧＮＤ３が形成される。
【００３１】
図３において、誘電体層Ｓ１〜Ｓ１５は、上から順番に積層されている。誘電体層Ｓ１５が一番下の層となる。誘電体層Ｓ１５の下に「裏面」と図示した面は、誘電体層Ｓ１５の裏面であり、符号Ｖｄ，Ｖｇ，Ｖｐは各々、図２の制御端子Ｖｄ，Ｖｇ，Ｖｐに対応する端子電極を示す。
符号Ｔｘ１はＧＳＭ９００の送信端子に接続された端子電極、符号Ｒｘ１はＧＳＭ９００の受信端子に接続された端子電極を示す。符号Ｔｘ２はＤＣＳとＰＣＳに共通する送信端子に接続された端子電極、符号Ｒｘ２はＤＣＳの受信端子に接続された端子電極、符号Ｒｘ３はＰＣＳの受信端子に接続された端子電極を示す。符号Ａｎｔは、アンテナ端子Ａｎｔに接続された端子電極を示す。これらの端子電極は、外部回路との接続に用いる。
ハッチング表示した端子電極は、グランド電極である。アンテナ端子電極Ａｎｔ、送信端子電極Ｔｘ１，Ｔｘ２、受信端子電極Ｒｘ１〜Ｒｘ３、及び制御端子の端子電極Ｖｇ，Ｖｐ，Ｖｄをグランド電極ＧＮＤで挟む電極配置としたため、各々の端子間のアイソレーションが改善される。
【実施例】
【００３２】
以下、具体的な実施例を用いて本発明に係るローパスフィルタと高周波スイッチモジュールについて説明する。なお、本発明の技術的思想は、具体的な実施例に限定されるものではない。
〔実施例１〕
本発明に係るローパスフィルタについて説明する。
図１に積層基板の構造を示し、図５に等価回路を示した。なお、図５は従来から用いられているπ型のローパスフィルタの等価回路と同じになる。
誘電体層Ｓ１〜Ｓ１０は、９５０℃以下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料（ＬＴＣＣ）を用い、伝送線路、コンデンサを形成しやすいように、シート厚みが４０〜２００μｍのものを使用した。この誘電体層Ｓ１〜Ｓ１０を積層し、ビアホールに導電ペーストを充填した後、９５０℃で焼成することにより、ローパスフィルタの積層体を得た。
図６に示した従来のローパスフィルタに比べて、高調波に対する減衰量が大きく増大することが確認できた。なお、定量的な比較試験は、〔実施例２〕に示す高周波スィッチモジュールで行った。ローパスフィルタ単体よりもモジュールとして使用されることが多いからである。
【００３３】
〔実施例２〕
本発明に係る高周波スイッチモジュールについて説明する。
図２に等価回路、図３に積層基板の構造を示した。ここで、比較例は、図６に示した従来のローパスフィルタを一体に組み込んだ高周波スイッチモジュールである。
減衰量の測定方法を説明する。すなわち、０．１〜６ＧＨｚの信号をＤＣＳ／ＰＣＳ共通送信端子Ｔｘ２に入力し、アンテナ端子Ａｎｔに出てくる信号を、スペクトラムアナライザを用いて測定した。
図４を用いて、〔実施例２〕における減衰量の測定結果を説明する。図４（Ａ）に示す本発明に係る高周波スイッチモジュールの減衰量は、図４（Ｂ）に示す比較例の高周波スィッチモジュールの減衰量に比べて、中心周波数をｆ０（１．８ＧＨｚ）としたとき、２ｆ０（３．６ＧＨｚ）、３ｆ０（５．４ＧＨｚ）の高調波における減衰量は、格段な改善のなされたことが分かる。すなわち、２倍波においては比較例が−３０（ｄｂ）に対して本発明では−３７（ｄｂ）、３倍波においては比較例が−３５（ｄｂ）に対して本発明では−４５（ｄｂ）と、高調波の減衰量には格段の増加が見られた。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明によると、小型のまま高調波の減衰量が十分な積層ローパスフィルタ及びそれを用いた高周波スイッチモジュールを提供できるので、移動体通信機器の小型、高性能化への寄与は大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係るローパスフィルタを積層基板で構成した場合の、各層の電極パターンを示す図である。
【図２】本発明に係る高周波スイッチモジュールの等価回路図である。
【図３】本発明に係る高周波スイッチモジュールを積層基板で構成した場合の、各層の電極パターンを示す図である。
【図４】本発明に係る高周波スイッチモジュールにおける本発明の場合（図５（Ａ））と比較例の場合（図５（Ｂ））の減衰量の周波数特性図である。
【図５】一般的なローパスフィルタの等価回路図である。
【図６】従来のローパスフィルタを積層基板で構成した場合の、各層の電極パターンを示す図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ａｎｔ：アンテナ端子
Ｃｄ１〜Ｃｄ５、Ｃｆ１〜Ｃｆ４、Ｃｇ１〜Ｃｇ６、Ｃｐ１〜Ｃｐ５：コンデンサ
Ｃｖｄ，Ｃｖｇ，Ｃｖｐ：コンデンサ
Ｄｄ１、Ｄｄ２、Ｄｇ１，Ｄｇ２、Ｄｐ１，Ｄｐ２：ダイオード
ＤＩＰ：分波回路
ＥＬ１，ＥＬ２，ＥＬ４：電極パターン
ＥＬ３１〜ＥＬ３４：電極パターン
ＥＬＣＧ３，ＥＬＣＧ４：電極パターン
ＥＬＣＧ７１〜ＥＬＣＧ７３：電極パターン
ＥＬＬＧ３１〜ＥＬＬＧ３４：電極パターン
ＧＮＤ１〜ＧＮＤ３：グランド電極パターン
Ｌｄ１〜Ｌｄ５、Ｌｆ１〜Ｌｆ４、Ｌｇ１〜Ｌｇ３、Ｌｐ１，Ｌｐ２：伝送線路
ＬＰＦ１，ＬＰＦ２：ローパスフィルタ
Ｐ１：出力端子
Ｐ２：入力端子
Ｒｄ，Ｒｇ，Ｒｐ：抵抗
Ｒｘ１：ＧＳＭ受信端子
Ｒｘ２：ＤＣＳ受信端子
Ｒｘ３：ＰＣＳ受信端子
Ｓ１〜Ｓ１５：誘電体層
Ｔｘ１：ＧＳＭ送信端子
Ｔｘ２：ＤＣＳ／ＰＣＳ共通送信端子
Ｖｄ、Ｖｇ、Ｖｐ：制御端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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