(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドを搭載したアクチュエータを駆動部により駆動して記憶媒体の目標トラックにヘッドをシークし位置決めを行う記憶装置であって、
位置決め完了後にアクチュエータに加わる外力を除去するためのバイアス電流の前記駆動部への付与を待たせる待ち時間の値と、前記待ち時間が経過すると前記駆動部に付与するためのバイアス電流値と、をトラック位置に関連付けて予め記憶する記憶部と、
前記位置決めが完了すると、前記記憶部から待ち時間を取得し、取得した待ち時間の経過を計測する時間計測部と、
前記待ち時間が経過すると、前記記憶部から前記バイアス電流値を取得し、前記駆動部にバイアス電流を付与するバイアス電流付与部と、で構成されてなることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
前記ヘッドの目標トラックへの位置決めの完了後に発生した残留振動によりヘッド位置が所定の位置誤差範囲外になったときには、前記位置決め完了から位置誤差範囲内に前記ヘッド位置が収束するまでの待ち時間を測定し前記記憶部に格納する時間測定部と、
前記位置誤差範囲内に収束した場合には、前記ヘッドをその位置に維持するためのバイアス電流を測定し記憶部に格納するバイアス電流測定部と、を有することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】
前記待ち時間測定部は、目標トラックへのシーク距離を変化させて、待ち時間を測定することを特徴とする請求項２記載の記憶装置。
【請求項４】
複数の温度において、待ち時間、バイアス電流をそれぞれ測定することを特徴とする請求項３記載の記憶装置。
【請求項５】
所定の第１のトラックから第２のトラックへのシーク開始から、第２のトラックでの位置決め完了後前記待ち時間を経過させ、その経過後に駆動部にバイアス電流を付与し、その後所定のセクタを検出するまでの経過時間を測定する経過時間測定部と、
測定された時間を予め設定された基準値と比較する比較部と、
比較した結果、測定された時間が、基準値を超える場合には、測定を再開する測定再開部と、を有することを特徴とする請求項４記載の記憶装置。
【請求項６】
ヘッドを搭載したアクチュエータに加わる外力を除去するためのバイアス電流の値と、アクチュエータを駆動する駆動部への前記バイアス電流の付与を待たせる待ち時間の値と、をトラック位置に関連付けて予め記憶する記憶部を備える記憶装置のシーク制御方法において、  
アクチュエータの駆動によりヘッドを記憶媒体の目標トラックに向けて移動制御するステップと、
移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラック中心とヘッド位置との位置誤差を所定範囲内に収束するように位置決め制御するステップと、
位置決めが完了すると、記憶部から取得された待ち時間を計測するステップと、
待ち時間が経過すると、記憶部から取得されたバイアス電流値を前記駆動部に付与するステップと、で構成されてなることを特徴とするシーク制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記憶装置のヘッドを記録媒体上に位置決めをして整定する位置制御に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置は、磁気ヘッドにより磁気ディスクに対してデータのリード／ライトを行う。
そして、データのリード／ライトを行うために、磁気ヘッドを磁気ディスク上の所定のトラックに位置づける必要がある。このため、トラック上のデータセクタ間に設けられたサーボセクタに、サーボトラックライタ等によりサーボ情報が予め記録されている。
そして、磁気ディスクに対してデータをリード／ライトする際、まず現在位置の情報に基づいて目標のトラック位置まで磁気ヘッドをシークさせる。
次に目標のトラック位置に到達すると、トラック中心への位置決めを行い、この位置決めが確定すると、データのリード／ライトをおこなう。
この位置決めは、磁気ヘッドから読取られるサーボ情報をもとに行われる。しかし、磁気ヘッドを搭載するアクチュエータに加わる外力、例えば、風圧、フレキシブルケーブル等の影響を受けるため、磁気ヘッドの位置が変動する。その影響を除去するために、外力を除去するバイアス電流を予め測定してテーブルに格納しておく。そして、位置決めの際に、アクチュエータを駆動するボイスコイルモータにバイアス電流を付与することで、磁気ヘッド位置の変動を調整する方法が提案されている (特許文献１)。
【特許文献１】特開平０３−２３７６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
バイアス電流の測定による位置変動のキャリブレーションにおいては、位置決め完了直後に、バイアス電流の測定を行う方法が考えられる。そして、その測定結果に基づき、位置決めの際のバイアス電流値をテーブル化している。しかし、位置決め完了直後に、バイアス電流の測定をした場合に、残留振動の再発により、バイアス電流値が安定した値ではなく、変動中の値になる場合がある。例えば、車載などに搭載される磁気記憶装置では、動作温度条件が、−３０℃ 〜８５℃と広くなっているため、特に低温においては、キャリブレーションとして取得したシーク完了直後のバイアス電流値は、変動することがある。
このため、変動するバイアス電流値を取得しても、真のバイアス電流値との間にずれが生ずる。そして、このずれのある値で、位置決め完了後のバイアス補正をすると、再発した残留振動が大きくなり、位置決めの整定時間が延びるため、パフォーマンスが悪くなるという問題がある。
【０００４】
本発明は、位置決め完了後の適切なタイミングで測定されたバイアス電流を、位置決め完了後の適切なタイミングで付与する記憶装置、シーク制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の記憶装置の記憶部には、位置決め完了後にアクチュエータに加わる外力を除去するためのバイアス電流の駆動部への付与を待たせる待ち時間の値と、前記待ち時間が経過すると前記駆動部に付与するためのバイアス電流値と、がトラック位置に関連付けて予め記憶されている。
【０００６】
記憶装置は、ヘッドを搭載したアクチュエータを駆動部により駆動して記憶媒体の目標トラックにヘッドをシークし位置決めを行う。そして、記憶装置は、位置決めが完了すると、前記記憶部から待ち時間を取得し、取得した待ち時間の経過を計測する時間計測部と、前記待ち時間が経過すると、前記記憶部から前記バイアス電流値を取得し、前記駆動部にバイアス電流を付与するバイアス電流付与部と、を有する構成である。
【０００７】
この構成により、記憶装置は、位置決め完了後に発生する残留振動を避けて、バイアス電流を付与することができるため、パフォーマンスを改善できる。
【０００８】
また、記憶装置は、前記ヘッドの目標トラックへの位置決めの完了後に発生した残留振動によりヘッド位置が所定の位置誤差範囲外になったときには、前記位置決め完了から位置誤差範囲内に前記ヘッド位置が収束するまでの待ち時間を測定し前記記憶部に格納する時間測定部と、前記位置誤差範囲内に収束した場合には、前記ヘッドをその位置に維持するためのバイアス電流を測定し記憶部に格納するバイアス電流測定部と、を有する構成である。
【０００９】
この構成により、記憶装置は、位置決め完了後に発生する残留振動を避けるための待ち時間と、バイアス電流を測定できるので、装置毎にキャリブレーションが可能となる。
【００１０】
また、時間測定部は、目標トラックへのシーク距離を変化させて、待ち時間を測定する構成である。
【００１１】
この構成により、シーク距離に応じた待ち時間を測定できる。
【００１２】
また、複数の温度において、待ち時間、バイアス電流をそれぞれ測定する構成である。
【００１３】
この構成により、幅広い温度条件の待ち時間とバイアス電流を取得できる。
【００１４】
また、記憶装置は、所定の第１のトラックから第２のトラックへのシーク開始から、第２のトラックでの位置決め完了後前記待ち時間を経過させ、その経過後に駆動部にバイアス電流を付与し、その後所定のセクタを検出するまでの経過時間を測定する経過時間測定部と、測定された時間を予め設定された基準値と比較する比較部と、比較した結果、測定された時間が、基準値を超える場合には、測定を再開する測定再開部と、を有する構成である。
【００１５】
この構成により、パフォーマンスを劣化させない待ち時間とバイアス電流値の取得の精度を上げることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、位置決め完了後に残留振動が発生しても、適切なタイミングでバイアス電流の付与をするので、位置決め完了後に発生する残留振動によるリードエラー／ライトエラーの発生を防止できるので、パフォーマンスを改善できる。
また、キャリブレーションのみにより、最適のバイアス電流を得られるので、温度変化によるバイアス変化が少ない高価な機構部品等を使用することが不要となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施例）
図１に本発明の記憶装置の一例である磁気記憶装置の構成図を示す。磁気記憶装置１は、磁気ヘッド２、プリアンプＩＣ（ヘッドＩＣ）３、リードチャネル４（以降ＲＤＣ４）、ハードディスクコントローラ５（以降ＨＤＣ５）、マイクロコントローラユニット６（以降ＭＣＵ６）、アクチュエータ７、ボイスコイルモータ８（以降ＶＣＭ８）、ＶＣＭ駆動部９、スピンドルモータ１１（以降ＳＰＭ１１）、ＳＰＭ駆動部１２、磁気ディスク１３、メモリ１４、温度検出器１５、フレキシブルケーブル１６（以降ＦＰＣ）、固定具１７を有する。
【００１８】
磁気ヘッド２は、磁気ディスク１３にデータをライトし、また、磁気ディスク１３からデータをリードする。磁気ヘッド２は、ライトヘッドとリードヘッドが一体化されて搭載されている。
プリアンプＩＣ３は、リードアンプを有する。リードアンプは、磁気ヘッド２のリードヘッドからの信号を電圧変換してリード信号として、ＲＤＣ４に渡す。ライトドライバは、ＲＤＣ４からのライト信号にしたがってライトヘッドを駆動する。その他に各ヘッドをセレクトするヘッドセレクト回路等を内蔵する。
ＲＤＣ４は、プリアンプＩＣ３からのリード信号を復調したリードデータをＨＤＣ５へ渡す。また、ＨＤＣ５から受け取ったライトデータ信号を磁気ディスク１３にライトするためのコード変調を行なう。そして、コード変調されたライト信号をプリアンプＩＣ３へ渡す。またＲＤＣ４にはサーボ復調部が設けられ、磁気ディスクの記録面のトラック方向に一定間隔で記録しているサーボ情報の読取信号からサーボアドレス信号、バースト信号等を取得しＭＣＵ６に渡す。
ＨＤＣ５は、ホスト５１からのライトコマンドまたはリードコマンドを受信する。そして、ライトコマンドにより前記磁気ディスク１３にライトする場合には、ライトデータをＲＤＣ４に渡す。また、リードコマンドにより、磁気ディスク１３をリードする場合には、ＲＤＣ４からのリードデータを取得しホスト５１に送信する。
ＭＣＵ６は、サーボ制御、磁気ディスク１３へのデータのリード／ライト制御等、磁気記憶装置１の全体を制御する制御部６１を有する。
【００１９】
アクチュエータ７は、磁気ヘッド２を搭載する。ＶＣＭ８により駆動される。
ＶＣＭ８は、ボイスコイルモータであり、ＭＣＵ６により指定された磁気ディスク１３上の目標のトラック位置に磁気ヘッド２を位置決めするように、アクチュエータ７を駆動する。
【００２０】
ＶＣＭ駆動部９は、ＭＣＵ６からの駆動信号によりＶＣＭ８を駆動する。
ＳＰＭ１１は、スピンドルモータであり、回転軸に磁気ディスク１３を装着し一定回転速度例えば５４００ｒｐｍ（回転数／分）で回転する。
ＳＰＭ駆動部１２は、ＭＣＵ６からの駆動信号によりＳＰＭ１１を駆動する。
磁気ディスク１３は、磁気ヘッド２の位置決めのためのサーボ情報とユーザデータなどを記憶する記憶媒体である。
メモリ１４は、温度、トラック、待ち時間、バイアス電流等を記憶する。
【００２１】
温度検出部１５は、磁気記憶装置１内の温度を測定し、その値をＭＣＵ６に通知する。
ＦＰＣ１６は、磁気ヘッド２からのリード／ライト信号について固定具１７を中継にしてＲＤＣ４と接続するためのケーブルである。磁気ヘッド２が磁気ディスク１３上を移動することにより、ＦＰＣ１６の曲がりによるバネ力が発生する。そのバネ力は、磁気ヘッド２が磁気ディスク１３のトラック中心へ整定するのを妨げる外力となる。
【００２２】
図２に制御部の構成図を示す。
【００２３】
ＭＣＵ６の制御部６１は、速度制御部２１、位置制御部２２、バイアス制御部２３、プロセス制御部２４等の処理機能をプログラムにより実現する。
【００２４】
速度制御部２１は、ＶＣＭ８によるアクチュエータ７の駆動により磁気ヘッド２を磁気ディスク１３上の目標トラックに向けて移動制御する。
移動制御は、加速、定速、減速と速度のモードを切り替えて行う。加速モードは、電流を流し、速度を速くする制御である。定速モードは、速度を一定速度に保つ制御である。減速モードは、電流を加速モード時とは反対方向に流し、速度を目標位置付近でゼロに近くする制御である。シーク距離が短い場合は、定速モードは省略される。
移動制御により目標トラック付近に磁気ヘッド２が到着すると、トラックの中心に位置決めをする位置決め制御に移行する。
【００２５】
位置制御部２２は、移動中の磁気ヘッド２が目標トラックに達した際に、トラック中心に対する磁気ヘッド２の位置との偏差を所定のしきい値（以降スライスと呼ぶ）範囲内になるようにＶＣＭ８を駆動してアクチュエータ７を位置制御する。シーク完了すると、バイアス制御部２３に通知する。バイアス制御部２３からバイアス電流の付与の指示を受けると、ＶＣＭ駆動部９にバイアス電流を付与する。
【００２６】
バイアス制御部２３は、バイアス電流制御部３１、待ち時間制御部３２、パフォーマンス制御部３３を有する。
バイアス電流制御部３１は、工場の製造段階でバイアス電流を測定するために使用される測定モードと、通常の運用で使用する運用モードとを有する。そして、バイアス電流制御部３１は、測定モードの処理のために、バイアス電流測定部４１、測定モードのパフォーマンス制御の処理または運用モードの処理のためにバイアス電流付与部４２を有する。
【００２７】
測定モードでは、バイアス電流測定部４１は、シーク完了後のバイアス電流を測定する。そして、その測定された値をメモリ１４に格納する。
バイアス電流とは、アクチュエータ７に付与される外力を打ち消すための電流をいう。ここで外力とは、ディスクの回転による一定の風圧や磁気ヘッド２とＭＣＵ６等の回路とを接続するＦＰＣ１６のバネ力等による力をいう。
バイアス電流を測定するときには、位置制御部２２によるシークが完了したときのバイアス電流値を測定する。シークが完了した時点では、磁気ヘッド２は、トラック中心から一定のスライス範囲内にあるため、理想的には、ＶＣＭ８に流す電流は、０になるはずである。したがって、トラック中心から一定のスライス範囲内の位置に維持するための電流が必要とするときには、それは、外力を打ち消すためのバイアス電流である。また、所定トラックについて、例えば、５温度、摂氏３０度、０度、２５度、６０度、８５度毎のバイアス電流を求める。
【００２８】
運用モードまたは測定モードのパフォーマンスの測定において、所定トラックにシークする場合には、バイアス電流付与部４２は、メモリ１４からトラック位置に対応する外力を打ち消すためのバイアス電流値を温度、シーク距離をキーにして求める。そして、求めた電流値をＶＣＭ駆動部９に付与する。このとき、メモリ１４に該当するトラック位置のデータがない場合は、線形補間計算を行い、バイアス電流値を求める。
また、バイアス電流付与部４２は、バイアス電流の付与のときに、待ち時間制御部３２からＶＣＭ駆動部９への付与の禁止の通知を受けるとバイアス電流の付与を禁止する。そして、バイアス電流付与部４２は、一定時間後に、バイアス電流の付与禁止の解除通知を待ち時間制御部３２から受けると、バイアス電流の付与を開始する。
【００２９】
待ち時間制御部３２は、工場の製造段階でシーク完了から残留振動の収束までの時間を測定するために使用される測定モードの処理のための時間測定部４４と、測定モードのパフォーマンス制御の処理または通常の運用で使用する運用モードを処理するための時間計測部４５を有する。
【００３０】
測定モードのときに、時間測定部４４は、シーク完了後のフォロイング中にヘッド位置信号が振動によりスライス範囲外になり、その後、スライス範囲内に収束するのを監視し、シーク完了からヘッド位置信号が収束するまでの時間をタイマにより待ち時間として測定する。
この測定のため、最アウタから最インナに向けて、所定の等間隔で、磁気ヘッド２をシークする。そして、各トラック位置での待ち時間を測定する。待ち時間は、フォロイングのまま１回転させて、測定する。
また、この測定は、各トラック位置について、例えば、５温度、摂氏３０度、０度、２５度、６０度、８５度にて待ち時間を測定する。
また、この測定は、各トラック位置についてシーク距離ごとに待ち時間を測定する。
【００３１】
運用モードまたは測定モードのパフォーマンスの測定においては、時間計測部４５は、メモリ１４から待ち時間を取得する。次に、バイアス電流制御部３１に、バイアス電流のＶＣＭ駆動部９への付与の禁止を通知するとともに、所定時間の計測を開始する。計測時間が経過すると、バイアス電流制御部３１に、バイアス電流のＶＣＭ駆動部９への付与の禁止の解除を通知する。
【００３２】
パフォーマンス制御部３３は、パフォーマンスを測定する制御を行う。
パフォーマンス制御部３３は、経過時間測定部４６と、比較部４７を有する。
経過時間測定部４６は、最アウタから最インナに向けて、開始トラックから目標トラックにシークし、所定セクタを検出するまでの経過時間を複数回測定する。このとき、バイアス電流、待ち時間は、測定によりメモリ１４に格納されている値を用いる。パフォーマンスの測定は、例えば、５温度、摂氏３０度、０度、２５度、６０度、８５度にて測定する。
比較部４７は、第１の測定方法で測定された経過時間と第２の測定方法で測定された経過時間とを比較する。比較した結果は、プロセス制御部２４に渡す。
第１の測定方法による経過時間は、開始トラックから目標トラックへの移動時間＋整定時間＋所定セクタへの待ち時間を指す。第１の測定方法による経過時間は、予め測定されたものが基準値として使用される。この第１の測定方法においては、開始トラックから目標トラックへシーク完了直後にＶＣＭ駆動部９にバイアス電流が付与される。このバイアス電流の値は、予め常温において、所定のトラックへシーク完了直後に取得されたものが使用される。
第２の測定方法による経過時間は、開始トラックから目標トラックへの移動時間＋整定時間＋バイアス電流付与の待ち時間＋所定セクタへの待ち時間を指す。
【００３３】
プロセス制御部２４は、測定モードにおける各測定についての処理、運用モードにおける処理を制御する。測定モードにおいては、バイアス電流の測定、待ち時間の測定、パフォーマンスの測定をバイアス制御部２３に順次指示する。また、パフォーマンスが劣化している場合には、測定再開の指示を行う。
（動作概要）
磁気記憶装置１は、測定モードと運用モードを有する。モード毎に説明を行う。
＜測定モード＞
磁気記憶装置１の製造工程の中で、バイアス電流のキャリブレーションを行う。このキャリブレーションは、３ステップを有する。
第１のステップは、アクチュエータ７にかかる外力を打ち消すためのバイアス電流を所定のトラック位置で測定することである。温度を変更して測定する。
第２のステップは、所定のトラック位置での、待ち時間を測定することである。温度、シーク距離を変更して測定する。
第３ステップは、第１ステップで測定されたバイアス電流と第２ステップで測定された待ち時間を使用して、シーク動作のパフォーマンス測定を行うことである。そして、この第２の測定方法で測定された結果を第１の測定方法で測定されたパフォーマンスと比較する。比較してパフォーマンスが劣化していなければ、測定された値を磁気ディスク１３に記録して、運用時に使用する。第１の測定方法で測定されたパフォーマンスと比較して、劣化していたら、測定をやりなおす。
【００３４】
（詳細説明）
図３に制御部の処理の流れ図を示す。
バイアス電流のキャリブレーションのフローチャートの一例を示す。プロセス制御部２４が各プロセスを制御する。
バイアス電流のキャリブレーションは、工場出荷前の装置組立て試験の通常工程に追加することで対応可能である。
磁気記憶装置１は、恒温槽に入れられており、例えば、５温度、摂氏−３０度、０度、２５度、６０度、８５度が順次設定される。
プロセス制御部２４は、設定された温度を検出する（Ｓ１ステップ）。
次に、バイアス電流測定部４１は、最アウタから最インナまでを等間隔に分割した各トラック位置において、ヘッド位置信号が整定後のバイアス電流を測定する（Ｓ２ステップ）。
（バイアス電流の測定の説明）
図４にバイアス電流の説明図を示す。
トラック位置とバイアス電流を示す一例である。
図４に示すように、バイアス電流はトラック位置によって変化する。このように、バイアス電流は、各トラック位置で異なるため、各トラック位置でのバイアス電流値を求める必要がある。
また、バイアス電流は、さらに温度によっても異なる。すなわち、温度により、アクチュエータ７、ＦＰＣ１６の振動も変化するため、温度パラメータも変動させて所定トラック位置で測定する。
温度が高くなれば、図４に示すＨ側に、温度が低くなれば、Ｌ側にトラック位置とバイアス電流を示す線は、移動する。
しかし、すべての温度、トラックで測定することは、困難のため、サンプル位置にてバイアス電流の値が取得される。そのため、測定しない温度、測定しないトラックは、線形補間等により、データが取得される。
バイアス電流の測定値の取得は、目標トラックにおける位置制御の際に、トラック中心からの偏差を補正するために位置制御部２２がＶＣＭ駆動部９に付与する電流値が測定値として取得されメモリ１４に保存される。
【００３５】
次に、あるトラックでのバイアス電流の測定の一例を示す。
図５、図６の目標トラックへ移動までのバイアス電流は、直前に測定したバイアス電流値を用いる。
図５に常温時のヘッド位置信号とバイアス電流の説明図を示す。
常温時の一例である。
まず、常温時のヘッド位置信号、バイアス電流について説明する。
ｔ０のタイミングで、開始トラックからシークを開始する。
ｔ０からｔ１までは、速度制御の処理のときのヘッド位置信号、バイアス電流を示す。
次に、ｔ１のタイミングで位置制御を開始する。磁気ヘッド２は、目標トラックに達しているものとする。
ｔ１からｔ２の期間は、位置制御の処理のときのヘッド位置信号、バイアス電流を示す。
ｔ２に達すると、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ内に入っており、トラック中心に位置付けられたため、シーク動作を完了とする。
ｔ２以降は、フォロイング動作であり、バイアス電流は、一定であることを示す。この位置でのバイアス電流の値を数サンプル取得して平均値をとり、メモリ１４に記憶する。
【００３６】
図６に低温時のヘッド位置信号とバイアス電流の説明図を示す。
低温時の一例である。
まず、低温時のヘッド位置信号について説明する。
ｔ０のタイミングで、開始トラックからシークを開始する。
ｔ０からｔ１までは、速度制御のときのヘッド位置信号、バイアス電流を示す。
次に、ｔ１のタイミングで位置制御を開始する。磁気ヘッドは、目標トラックに達している。
ｔ１からｔ２の期間は、位置制御の処理のときのヘッド位置信号、バイアス電流を示す。
ｔ２に達すると、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ内に入り、トラック中心に位置付けられたため、シーク動作を完了とする。
しかし、ｔ２〜ｔ３の間で、再度振動により、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ外になっている。そして、ｔ３においては、所定のスライス範囲内に戻っている。
このとき、バイアス電流も点線で囲んだ部分に示すように、ヘッド位置信号の所定の位置スライス範囲Ｈ外への振動にともない、変動し、その後、ヘッド位置信号が所定の位置スライス範囲Ｈ内に戻ると安定している。
従って、ｔ３の位置においては、バイアス電流は安定しているので、その値を数サンプル取得して平均値をとり、メモリ１４に記憶する。
この振動は、低温時におけるアクチュエータ７等の機構部品の特性により発生している。
【００３７】
次に、待ち時間の測定を行う。
（待ち時間の測定の説明）
待ち時間は、バイアス電流を測定する際に同時に測定される。
すなわち、時間測定部４４は、各トラック位置において、シーク完了後から時間の測定する（図３のＳ３ステップ）。
そして、時間測定部４４は、ヘッド位置信号が、変動により位置スライス範囲Ｈ外となり、その後、位置スライス範囲Ｈ内に収束するのを監視する。そして、そして、シーク完了から、収束完了までの時間を待ち時間として測定する。そして、求めた時間は、メモリ１４に記録する。
この待ち時間の測定のため、トラックを１回転させて、ヘッド位置信号がスライス範囲Ｈ外に変動するか否かを確認する。
さらに、時間測定部４４は、トラック位置へのシーク距離を変動させて測定する（図３のＳ４ステップ）。シーク距離により、磁気ヘッド２の振動量が異なるためである。
【００３８】
図７にシーク距離と待ち時間の説明図を示す。
ある温度、あるトラックでのシーク距離と待ち時間の関係を示す。
２００００トラックシークしたときには、待ち時間は、２０サンプル値であるが、６００００トラックシークしたときには、待ち時間は、８０サンプルである。ここで、１サンプル値は、１サーボフレーム間隔をいう。例えば、回転数：５４００ｒｐｍ、サーボフレーム数：１３４個の場合は、１サンプルの時間は、８２．９２μｓである。
従って、シーク距離が３倍に対して、サンプル値は、４倍であり、シーク距離が長いほど、待ち時間が増加することがわかる。
これは、シーク距離が大きければ、目標トラックへ停止時のアクチュエータ７の振動が大きくなるためと考えられる。
さらに、温度により、アクチュエータ７の振動も変動するため、温度パラメータも変動させて各トラック位置で測定する。
【００３９】
図５に戻り、常温時のヘッド位置信号と待ち時間の関係について説明する。
常温時の一例である。
先に説明したように、ｔ０のタイミングで、開始トラックからシークを開始する。
そして、ｔ２に達すると、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ内に入っており、トラック中心に位置付けられたため、シーク動作を完了とする。その後、フォロイング中に、ヘッド位置信号の再振動はないため、待ち時間は、「０」として、メモリ１４に格納する。
【００４０】
次に、図６に戻り、低温時のヘッド位置信号と待ち時間の関係を説明する。
低温時の一例である。
ｔ０のタイミングで、磁気ヘッド２は、開始トラックから目標トラックに向けてシークを開始する。そして、ｔ１で目標トラックに到達し、位置制御に変わる。
ｔ２に達すると、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ内に入り、トラック中心に位置付けられたため、一旦シーク動作を完了とする。
しかし、ｔ２〜ｔ３の間で、再度振動により、ヘッド位置信号は、所定のスライス範囲Ｈ外になっている。そして、ｔ３においては、所定のスライス範囲Ｈ内に戻っている。
従って、タイマにより測定されるｔ２〜ｔ３までを待ち時間としてメモリ１４に記憶する。
【００４１】
図８に温度と待ち時間との説明図を示す。
あるトラック、所定のシーク距離での温度と待ち時間との関係を示す。
温度が低いほど待ち時間が大きく、温度が上昇するにつれて待ち時間が減少していくことを示す。
例えば、温度−３０℃のときには、待ち時間は、８０サンプル、温度０℃で、待ち時間が、２０サンプルである。ここで、１サンプル値は、１サーボフレーム間隔をいう。例えば、回転数：５４００ｒｐｍ、サーボフレーム数：１３４個の場合は、１サンプルの時間は、８２．９２μｓである。従って、温度が低くなればなるほど、待ち時間が増加することがわかる。
このようにして磁気記憶装置１の製造段階で、測定されたバイアス電流の値は、温度、トラック位置に対応付けられてメモリ１４に格納される。また、待ち時間の値は、温度、トラック位置、シーク距離と対応づけられてメモリ１４に格納される。
【００４２】
次に、パフォーマンス制御部３３は、磁気記憶装置１のパフォーマンスの測定を行う（図３のＳ５ステップ）。
（パフォーマンス測定の説明）
磁気記憶装置１のパフォーマンスを測定のため、第１の測定方法による経過時間と第２の測定方法による経過時間とを比較する。ここで、経過時間は、開始トラックでのシーク開始から、目標トラックの所定セクタに到着までの時間を示すものとする。
第１の測定方法による経過時間は、予め測定されているものが使用される。この第１の測定方法の経過時間の値を基準値とよぶ。
第２の測定方法による経過時間の取得について説明を行う。
磁気記憶装置１は、メモリ１４に格納されたバイアス電流の測定値と待ち時間の測定値を使用する。そして最アウタから最インナに向けて、所定のトラックへのシークを行う。そして、シーク開始から所定トラックで整定完了し所定セクタを検出するまでの経過時間を測定する。
例えば、最アウタから最インナに向けて、１／４、２／４、３／４、４／４の距離においてのパフォーマンスを測定する。
【００４３】
パフォーマンス測定の手順について、以下に説明する。
パフォーマンス制御部３３の経過時間測定部４６は、目標のトラック位置と開始トラック位置との差によりシーク距離を求める。
次に、経過時間測定部４６は、速度制御部２１に指示して磁気ディスク１３の目標トラックに磁気ヘッド２をシークさせる。シーク完了すると、位置制御部２２が位置決めを行う。
次に、位置決めが完了すると、経過時間測定部４６は、時間計測部４５、バイアス電流付与部４２に処理の指示を行う。
時間計測部４５は、メモリ１４から、測定された温度、シーク距離、トラック位置をキーとして、待ち時間を取得し、待ち時間の経過を計測する。なお、トラック位置は、そのトラックが属する、複数のトラックの群で規定されるゾーンのゾーン位置を含むもであり、ゾーン処理により制御を簡略化しても良い。
バイアス電流付与部４２は、メモリ１４から、測定された温度、トラック位置をキーとして、バイアス電流値を取得する。
そして、時間の経過を検知すると、取得したバイアス電流値を基に、バイアス電流付与部４２は、位置制御部２２を経由してＶＣＭ駆動部９にバイアス電流を付与する。
その後、経過時間測定部４６は、フォロイングにより所定セクタが検出されると、開始トラックでのシーク開始から目標トラックの所定セクタに到着までの経過時間を測定する。
すなわち、開始トラックから目標トラックへの移動時間＋整定時間＋バイアス電流付与の待ち時間＋所定セクタへの待ち時間を経過時間として測定する。
【００４４】
次に比較部４７は、その値が、待ち時間を適用しない第１の測定方法の経過時間である基準値と比較してパフォーマンスが劣化しているか否かを比較する（図３のＳ６ステップ）。
【００４５】
次に、プロセス制御部２４は、パフォーマンスの劣化の有無を判断し、パフォーマンスが劣化していれば、Ｓ２ステップへ処理を戻し、測定再開とし、再試験を行う。機構的な要因等により、一時的に劣化を示す場合があるためである。
所定回数リトライしても劣化する場合には、その磁気記憶装置１を廃棄する。
【００４６】
パフォーマンスが劣化していなければ、次に、プロセス制御部２４は、全温度測定したか否かをチェックする（図３のＳ７ステップ）。
温度測定ポイントは、例えば摂氏−３０度、０度、２５度、６０度、８５度の５温度である。
すべての温度で完了していない場合は、Ｓ１ステップへ行く。
【００４７】
すべての温度で完了していたら、プロセス制御部２４は、装置用キャリブレーションテーブルを作成する（図３のＳ８ステップ）。すなわち最終的に今まで測定してきたキャリブレーション値を元に、温度毎に各トラック位置に対しての各シーク距離、バイアス電流値、待ち時間の値の装置用キャリブレーションテーブルを作成し、キャリブレーション情報として磁気ディスク１３上のシステムエリア（ＳＡ領域）または不揮発性メモリ等に記録して格納保存する。プロセス制御部２４は、測定された温度以外の温度条件においては、線形補間等の関数補間によってそれぞれのキャリブレーション値を計算する。
【００４８】
また、−３０℃以下および８５℃以上の温度に関しては、動作保証外になるが、それぞれ−３０℃と８５℃のキャリブレーション値で動作するように設定する。また、温度による変化が、急激なところは、線形補間ではスライスが大きくなる場合があり、その場合は測定温度テーブルをさらに増やして、より細かく測定することで対応可能である。
【００４９】
＜運用モード＞
プロセス制御部２４は、予め、測定モードで作成されたキャリブレーション情報を磁気ディスク１３から読み出してメモリ１４に展開する。
目標トラックの所定セクタのデータをリードする場合、または所定セクタにデータをライトする場合を説明する。測定モードで測定された待ち時間の値、バイアス電流の値を使用する。
まず、プロセス制御部２４は、温度検出器１５により温度を測定する。
次に、プロセス制御部２４は、目標のトラック位置と開始トラック位置との差によりシーク距離を求める。
次に、プロセス制御部２４は、速度制御部２１に指示して磁気ディスク１３の目標トラックに磁気ヘッド２をシークさせる。シーク完了すると、位置制御部２２が位置決めを行う。
次に、位置決めが完了すると、プロセス制御部２４は、時間計測部４５、バイアス電流付与部４２に処理の指示を行う。
時間計測部４５は、メモリ１４の装置用キャリブレーションテーブルから、測定された温度、シーク距離、目標のトラック位置をキーとして、待ち時間を取得し、待ち時間の経過を計測する。
バイアス電流付与部４２は、メモリ１４に展開された装置用キャリブレーションテーブルから、測定された温度、目標のトラック位置をキーとして、バイアス電流値を取得する。
そして、時間の経過を検知すると、取得したバイアス電流値を基に、バイアス電流付与部４２は、位置制御部２２を経由してＶＣＭ駆動部９にバイアス電流を付与する。
その後、フォロイングにより所定セクタを検出すると、データのリードまたはライトを行う。
【００５０】
このように、様々な温度条件におけるシーク後のバイアス変動を最適化することで、残留振動量を低減することができ、幅広い温度条件においてパフォーマンスを改善する制御が可能となった。
一般的な残留振動対策は、温度変化によるバイアス変化が少ない機構部品(高価な材料)やモータを使うことであるが、本実施例では、キャリブレーションのみにより、最適化することだけで対策できるので、コストがほとんどかからないというメリットがある。
また、一つ一つの機構部品には製造バラツキというものがあり、これはキャリブレーションなしでは吸収できないバラツキであり、これもキャリブレーションで最適化することができる。
【００５１】
なお、磁気記憶装置を例として説明したが、光ディスクや光磁気（熱磁気）ディスクを使用する光磁気記憶装置においても応用可能である。
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）ヘッドを搭載したアクチュエータを駆動部により駆動して記憶媒体の目標トラックにヘッドをシークし位置決めを行う記憶装置であって、位置決め完了後にアクチュエータに加わる外力を除去するためのバイアス電流の前記駆動部への付与を待たせる待ち時間の値と、前記待ち時間が経過すると前記駆動部に付与するためのバイアス電流値と、をトラック位置に関連付けて予め記憶する記憶部と、前記位置決めが完了すると、前記記憶部から待ち時間を取得し、取得した待ち時間の経過を計測する時間計測部と、前記待ち時間が経過すると、前記記憶部から前記バイアス電流値を取得し、前記駆動部にバイアス電流を付与するバイアス電流付与部と、で構成されてなることを特徴とする記憶装置。
（付記２）前記ヘッドの目標トラックへの位置決めの完了後に発生した残留振動によりヘッド位置が所定の位置誤差範囲外になったときには、前記位置決め完了から位置誤差範囲内に前記ヘッド位置が収束するまでの待ち時間を測定し前記記憶部に格納する時間測定部と、前記位置誤差範囲内に収束した場合には、前記ヘッドをその位置に維持するためのバイアス電流を測定し記憶部に格納するバイアス電流測定部と、を有することを特徴とする付記１記載の記憶装置。
（付記３）前記待ち時間測定部は、目標トラックへのシーク距離を変化させて、待ち時間を測定することを特徴とする付記２記載の記憶装置。
（付記４）複数の温度において、待ち時間、バイアス電流をそれぞれ測定することを特徴とする付記３記載の記憶装置。
（付記５）所定の第１のトラックから第２のトラックへのシーク開始から、第２のトラックでの位置決め完了後前記待ち時間を経過させ、その経過後に駆動部にバイアス電流を付与し、その後所定のセクタを検出するまでの経過時間を測定する経過時間測定部と、測定された時間を予め設定された基準値と比較する比較部と、比較した結果、測定された時間が、基準値を超える場合には、測定を再開する測定再開部と、を有することを特徴とする付記４記載の記憶装置。
（付記６）測定温度以外の温度では、関数補間によってキャリブレーション値を計算することを特徴とする付記４記載の記憶装置。
（付記７）測定されたバイアス電流と待ち時間とを温度、トラック位置、シーク距離に対応して、キャリブレーション値として、記憶媒体に格納することを特徴とする付記４記載の記憶装置。
（付記８）ヘッドを搭載したアクチュエータに加わる外力を除去するためのバイアス電流の値と、アクチュエータを駆動する駆動部への前記バイアス電流の付与を待たせる待ち時間の値と、トラック位置に関連付けて予め記憶する記憶部を備える記憶装置のシーク制御方法において、アクチュエータの駆動によりヘッドを記憶媒体の目標トラックに向けて移動制御するステップと、移動中のヘッドが目標トラックに達した際に、トラック中心とヘッド位置との位置誤差を所定範囲内に収束するように位置決め制御するステップと、位置決めが完了すると、記憶部から取得された待ち時間を計測するステップと、待ち時間が経過すると、記憶部から取得されたバイアス電流値を前記駆動部に付与するステップと、で構成されてなることを特徴とするシーク制御方法。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】磁気記憶装置の構成図
【図２】制御部の構成図
【図３】制御部の処理の流れ図
【図４】バイアス電流の説明図
【図５】常温時のヘッド位置信号とバイアス電流の説明図
【図６】低温時のヘッド位置信号とバイアス電流の説明図
【図７】シーク距離と待ち時間の説明図
【図８】温度と待ち時間の説明図
【符号の説明】
【００５３】
１  磁気記憶装置
２  磁気ヘッド
３  プリアンプＩＣ
４  ＲＤＣ
５  ＨＤＣ
６  ＭＣＵ
７  アクチュエータ
８  ＶＣＭ
９  ＶＣＭ駆動部
１１  ＳＰＭ
１２  ＳＰＭ駆動部
１３  磁気ディスク
１４  メモリ
１５  温度検出器
２１  速度制御部
２２  位置制御部
２３  バイアス制御部
２４  プロセス制御部
３１  バイアス電流制御部
３２  待ち時間制御部
３３  パフォーマンス制御部
４１  バイアス電流測定部
４２  バイアス電流付与部
４４  時間測定部
４５  時間計測部
４６  経過時間測定部
４７  比較部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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