【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱処理装置および加熱処理方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、基板の中央部に対応する位置に配置され、前記加熱プレートによる加熱時に、前記基板の中央部に配置され、前記加熱プレートからの熱の一部を蓄熱する蓄熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】前記蓄熱部材は、基板加熱時に基板の中央部に密着されることを特徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項３】前記基板と前記蓄熱部材とが、同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】搬入された基板を昇降して前記加熱プレートに載置するための複数のリフトピンをさらに具備し、前記蓄熱部材は、これらリフトピンのうち基板中央部に対応するものの先端部に配置され、前記蓄熱部材および基板が、互いに密着した状態でリフトピンによって降下されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の加熱処理装置。
【請求項５】前記蓄熱部材は、前記加熱プレートの加熱面に埋設されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】基板を加熱するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する部分に予め加熱されて配置され、前記加熱プレートによる加熱前に、基板の周縁部を予備加熱するための予備加熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項７】前記予備加熱部材は、基板加熱時に基板の周縁部に密着されることを特徴とする請求項６に記載の加熱処理装置。
【請求項８】前記基板と、前記予備加熱部材とは、同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の加熱処理装置。
【請求項９】搬入された基板を昇降して前記加熱プレートに載置するための複数のリフトピンをさらに具備し、前記予備加熱部材は、前記加熱プレートにより予め加熱されて、これらリフトピンにより上昇された後、これらリフトピンに載置された基板と共に降下されながら、基板の周縁部を予備加熱することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の加熱処理装置。
【請求項１０】基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置して加熱プレートからの熱の一部を蓄熱させることを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１１】基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置することを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１２】前記加熱処理は、基板を加熱プレートに接触させずに行われることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の加熱処理方法。
【請求項１３】基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、前記基板の中央部に対応する位置に配置され、前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくするための蓄熱部材と、
を具備することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１４】前記蓄熱部材は前記加熱プレートによって処理される基板と同じ材質で形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の加熱処理装置。
【請求項１５】基板を加熱プレートにより加熱処理するための加熱処理方法であって、
所定の蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくして、前記基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ前記基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることを特徴とする加熱処理方法。
【請求項１６】前記基板および前記蓄熱部材は前記加熱プレートから離間した状態で加熱処理されることを特徴とする請求項１５に記載の加熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、ＬＣＤ基板等の基板のフォトリソグラフィー工程において基板をプリベークまたはポストベーク処理する加熱処理装置および加熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成されている。
【０００３】
このフォトリソグラフィー工程においては、矩形のＬＣＤ基板（以下、基板という）に対して、まず、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理が施され、次いでレジスト塗布処理が施される。レジスト塗布処理は、基板を回転させながらその表面中心部にレジスト液が供給され、遠心力によってレジスト液が拡散されることによって基板の表面全体にレジスト膜を塗布する。このレジスト液が塗布された基板は、基板の周縁の余分なレジストが除去されて、プリベーク処理される。
【０００４】
次いで、基板は、冷却された後、所定の回路パターンが露光され、必要に応じてポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理が施された後、現像処理されて、所定の回路パターンが形成される。その後、ポストベーク処理が施され、冷却されて一連の工程が終了する。
【０００５】
このような塗布・現像工程において、プリベーク処理およびポストベーク処理等の加熱処理は、図９に示すように、加熱処理ユニットにおいて、加熱プレート６２に設けられた複数のリフトピン６４に基板Ｇを載置した後、これらリフトピン６４を降下させ、基板Ｇが加熱プレート６２によって加熱されることにより行われる。近年は、基板へのパーティクル等の悪影響を排除するために、加熱プレート６２と基板Ｇとの直接の接触を避け、加熱プレート６２からの輻射熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティ方式が多用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９に示すように、加熱プレート６２により基板Ｇがベーク処理される際、ガラス製のＬＣＤ基板Ｇには、その中央部のほうが周縁部よりも温度が高くなり、その結果、基板Ｇの周縁部に反りが発生する場合がある。この反りは特に上記プロキシミティ方式の場合に著しい。このような反りは、近時の基板の大型化に対応して益々大きくなる傾向にあり、このような反りが現像処理後に、回路パターンの線幅の変動につながるおそれがある。
【０００７】
このような反りを防止するため、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、リフトピン６４により基板Ｇを載置して降下する際、基板Ｇを段階的に降下して、基板Ｇを段階的に加熱プレート６２に近づけるようにしている。つまり、基板Ｇを徐々に加熱して、基板Ｇの面内温度が均一になるようにすることにより、基板Ｇの急激な温度変化を避け、反りの発生を極力抑制しようとしている。
【０００８】
しかしながら、加熱処理ユニットにおけるベーク処理の処理時間には制約があるため、基板Ｇを段階的に降下する時間も制限され、その結果、上記のような基板Ｇの反りを十分に防止することができない。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板の加熱処理時、基板の反りを効果的に防止することができる加熱処理装置および加熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、基板の中央部に対応する位置に配置され、前記加熱プレートによる加熱時に、前記基板の中央部に密着して、前記加熱プレートからの熱の一部を蓄熱する蓄熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１１】
本発明の第２の観点によれば、基板を加熱するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する部分に予め加熱されて配置され、前記加熱プレートによる加熱前に、基板の周縁部を予備加熱するための予備加熱部材と
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１２】
本発明の第３の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱処理するにあたり、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置して加熱プレートからの熱の一部を蓄熱させることを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱するにあたり、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置することを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１４】
本発明の第５の観点によれば、基板を加熱処理するための加熱処理装置であって、
基板を加熱する加熱プレートと、
前記加熱プレートと基板との間の、前記基板の中央部に対応する位置に配置され、前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくするための蓄熱部材と、
を具備することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【００１５】
本発明の第６の観点によれば、基板を加熱プレートにより加熱処理するための加熱処理方法であって、
所定の蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に前記基板と密着させることにより前記基板の略中央部における熱容量を大きくして、前記基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ前記基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることを特徴とする加熱処理方法が提供される。
【００１６】
上記第１および第３の観点によれば、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置し、この蓄熱部材に加熱プレートからの熱を蓄熱させるため、基板の中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、中央部の温度上昇が抑制されて基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００１７】
この場合に、蓄熱部材が、基板加熱時に基板の中央部に密着されることにより、蓄熱部材による熱容量増大効果が大きくなり、温度上昇を一層効果的に抑制することができる。
【００１８】
また、基板と蓄熱部材とが同じ材質で形成されていることにより、これらが密着したとしても、剥離帯電しにくくすることができ、静電気の影響を小さくすることができる。
【００１９】
この場合に、搬入された基板を昇降して加熱プレートに載置するための複数のリフトピンのうち基板中央部に対応するものの先端部に前記蓄熱部材を配置し、前記蓄熱部材および基板が、互いに密着した状態でリフトピンによって降下するように構成することにより、基板中央部の温度上昇を有効に抑制することができる。
【００２０】
さらに、蓄熱部材を加熱プレートの加熱面に埋設させることにより、基板の昇降の度に、蓄熱部材を昇降する必要がなく、基板を蓄熱部材上に載せるだけで基板中央部の温度上昇を有効に抑制することができる。
【００２１】
さらにまた、加熱処理は、基板を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましい。これにより、加熱プレートからの基板の汚染を防止することができる。
【００２２】
本発明の第２および第４の観点によれば、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置するので、相対的に中央部よりも加熱され難い基板の周縁部を有効に加熱することができ、基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００２３】
この場合に、予備加熱部材が、基板加熱時に基板の周縁部に密着されることにより基板周縁部を有効に予備加熱することができる。
【００２４】
また、基板と予備加熱部材とが同じ材質で形成されていることにより、これらが密着したとしも、剥離帯電しにくくすることができ、静電気の影響を小さくすることができる。
【００２５】
さらに、搬入された基板を昇降して加熱プレートに載置するための複数のリフトピンにより基板が上昇された後、これらリフトピンに載置された基板と共に予備加熱部材が降下されながら、基板の周縁部を予備加熱することにより、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００２６】
さらにまた、この場合にも、加熱処理は基板を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましい。これにより、加熱プレートからの基板の汚染を防止することができる。
【００２７】
上記第５および第６の観点によれば、蓄熱部材を中央部に密着させることによって、実質的に基板の略中央部における熱容量を大きくすることができるために、基板の中央部の温度上昇を抑制しつつ、基板の中央部と周縁部との温度を均一化させることができる。つまり、基板の面内温度の均一化を図ることができ、これによって基板の反りを防止することができる。
【００２８】
この場合において、基板と蓄熱部材とが同じ材質で形成されていると、剥離帯電しにくくなる。また加熱処理は、基板および蓄熱部材を加熱プレートに直接接触させないで行うことが好ましく、これにより蓄熱部材の加熱プレートからの直接加熱による温度上昇を抑制することができ、しかも加熱プレートからの基板の汚染も防止される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００３０】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェース部３が配置されている。
【００３１】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送部１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送機構１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３２】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００３３】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５、それぞれ上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）２７が配置されている。
【００３４】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバー（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、二段積層されてなる加熱処理ユニット（ＨＰ）２８、加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）２９、およびアドヒージョン処理ユニットと冷却ユニットとが上下に積層されてなるアドヒージョン処理・冷却ユニット（ＡＤ／ＣＯＬ）３０が配置されている。
【００３５】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には上下２段に積層されてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理ユニットと冷却処理ユニットが上下に積層されてなる２つの加熱処理・冷却ユニット（ＨＰ／ＣＯＬ）３２、３３が配置されている。
【００３６】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００３７】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置の出し入れが可能なスペース３５が設けられている。
【００３８】
上記主搬送装置１７は、搬送部１０の搬送機構１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェース部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５、１６は冷却プレートとしても機能する。
【００３９】
インターフェース部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファーステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００４０】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００４１】
このように構成される塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射・冷却ユニット（ＵＶ／ＣＯＬ）２５で表面改質・洗浄処理およびその後の冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、加熱処理ユニット（ＨＰ）２６の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）２７の一つで冷却される。
【００４２】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、エッジリムーバー（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００４３】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェース部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェース部３を介して搬入され、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１１によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００４４】
次に、図２を参照して、加熱処理ユニット（ＨＰ）について説明する。図２は、加熱処理ユニット（ＨＰ）の概略断面図である。
プレイベーク処理またはポストベーク処理を行うための加熱処理ユニット（ＨＰ）は、図２に示すように、昇降自在のカバー４１を有し、このカバー４１の下側には、基板Ｇを加熱するための加熱プレート４２がその加熱面を水平にして配置されている。この加熱プレート４２には、ヒーター（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能となっている。
【００４５】
加熱プレート４２には複数の孔が形成されており、これらの孔を通挿して、複数のリフトピン４４ａおよび４４ｂが昇降自在に設けられている。これらリフトピン４４ａおよび４４ｂの下部は、支持部材４５により、水平方向移動自在に支持されており、この支持部材４５は、昇降機構４６により昇降されるように構成されている。
【００４６】
リフトピン４４ａはプレート４２の外側部分に配置されており、リフトピン４４ｂはプレート４２の内側部分に配置されている。そして、リフトピン４４ａは基板Ｇを直接支持し、リフトピン４４ｂは後述する蓄熱部材５１を介して基板Ｇを支持するようになっている。
【００４７】
加熱処理は、好ましくは図２に示すように、リフトピン４４ａ，４４ｂ上に基板Ｇおよび蓄熱部材５１が載置され、加熱プレート４２から基板Ｇおよび蓄熱部材５１が離間した状態で行われる。このように、加熱プレート４２と基板Ｇとの直接の接触を避けるいわゆるプロキシミティ方式を採用することにより、加熱プレート４２からの輻射熱によって、基板Ｇが加熱処理され、加熱プレート４２からの基板Ｇの汚染が防止される。
【００４８】
次に、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）および図４を参照して、加熱処理ユニット（ＨＰ）における加熱処理工程を説明する。図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図であり、図４は、その断面図である。
【００４９】
本実施の形態では、加熱処理ユニット（ＨＰ）により基板Ｇがプリベーク処理またはポストベーク処理等の加熱処理される際には、基板Ｇの中央部の下側に、ガラス製の蓄熱部材５１が設けられ、この蓄熱部材５１により、加熱プレート４２からの熱が蓄熱される。
【００５０】
すなわち、図３（ａ）に示すように、リフトピン４４ａ，４４ｂを突出させ、中央部側のリフトピン４４ｂの先端に予め蓄熱部材５１を載置しておき、基板Ｇが主搬送装置により加熱処理ユニット（ＨＰ）に搬入された際に蓄熱部材５１がこの基板Ｇの中央部の下側に配置されるようにする。
【００５１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、リフトピン４４ａ上に基板Ｇを載置し、その際に基板Ｇと蓄熱部材５１とが密着された状態となるようにする。なお、この場合には、図示しない位置合わせ機構により、予めリフトピン４４ａおよび４４ｂの高さ調整をしておく。
【００５２】
次いで、図３（ｃ）に示すように、蓄熱部材５１が密着された状態の基板Ｇが加熱プレート４２近傍の加熱処理位置に配置され、加熱処理が行われる。この加熱処理に際しては、蓄熱部材５１が基板Ｇの中央部と加熱プレート４２との間に配置されることとなる。
【００５３】
この場合に、図３（ｃ）および図４に示す加熱プレート４２による基板Ｇの加熱時には、加熱プレート４２からの熱が蓄熱部材５１に蓄熱されるから、基板Ｇの略中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、結果として基板Ｇの中央部の温度上昇が抑制され、基板Ｇの中央部と周縁部とが均等な温度に加熱される。したがって、基板Ｇの面内温度の均一化を図ることができ、基板Ｇの反りを有効に防止することができる。
【００５４】
また、基板Ｇおよび蓄熱部材５１はいずれもガラス製であり、同じ材質であるから、図４に示すように、蓄熱部材５１を基板Ｇの中央部の下側に密着させた後、これらを分離する際の剥離帯電を効果的に防止することができる。
【００５５】
さらに、図５または図６に示すように、プロキシミティ方式において、ガラス製の蓄熱部材５１が加熱プレート４２の加熱面に載置または埋設されていてもよい。この場合には、基板Ｇの昇降の度に、蓄熱部材５１を昇降する必要がない。また、加熱プレート４２にプロキシミティ用の固定ピンを配置し、その上に基板Ｇを載置して加熱処理を行ってもよい。
【００５６】
なお、上述したように基板Ｇの汚染防止の観点からプロキシミティ方式を採用することが好ましいが、必ずしもプロキシミティ方式を採用しなくてもよい。この場合には、基板Ｇがプレート４２に載置されることとなるが、その際に、図６に示すように、ガラス製の蓄熱部材５１が加熱プレート４２の加熱面に埋設されていてもよい。この場合にも、基板Ｇの昇降の度に、蓄熱部材５１を昇降する必要がない。
【００５７】
次に、図７（ａ）（ｂ）（ｃ）および図８を参照して、他の実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を説明する。図７（ａ）（ｂ）（ｃ）は、他の実施の形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理を順次示す斜視図であり、図８はその断面図である。
【００５８】
本実施の形態では、ガラス製の予備加熱板５２が、基板Ｇの周縁部の下側に予め加熱されて配置され、加熱プレート４２による加熱前に、基板Ｇの周縁部を予備加熱するようになっている。
【００５９】
すなわち、予備加熱板５２は、基板Ｇの搬入前に、図７（ａ）に示すように、リフトピン４４ａにより支持されて加熱プレート４２の上方に配置され、予め加熱されており、その状態で基板Ｇが搬入される。図７（ｂ）に示すように、基板Ｇはリフトピン４４ｂ上に載置される。この場合に、基板Ｇが予備加熱板５２に密着するようにリフトピン４４ａおよび４４ｂの位置関係を調整しておく。このとき、基板Ｇの周縁部は予備加熱板５２により予備的に加熱されることとなる。
【００６０】
このように基板Ｇが予備加熱されている状態でリフトピン４４ａおよび４４ｂを降下させることにより、図７（ｃ）および図８に示すように、基板Ｇおよび予備加熱板５２が加熱プレート４２に近接した位置に配置され、基板Ｇの加熱処理が実施される。
【００６１】
このように、基板Ｇの加熱前に、基板Ｇの周縁部が予備加熱部材５２によって予備加熱されるため、従来加熱され難い基板Ｇの周縁部の加熱を促進することができ、基板Ｇの中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板Ｇの面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００６２】
また、この場合にも、基板Ｇおよび予備加熱板５２はいずれもガラス製であり、同じ材質であるから、図８に示すように、予備加熱板５２を基板Ｇの周縁部の下側に密着させた後、これを分離する際の剥離帯電を効果的に防止できる。
【００６３】
さらに、この実施形態の場合にも、加熱プレート４２にプロキシミティ用の固定ピンを配置し、その上に基板Ｇを載置して加熱処理を行ってもよい。また、基板Ｇの汚染防止の観点からプロキシミティ方式を採用することが好ましいが、必ずしもプロキシミティ方式を採用しなくてもよい。
【００６４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。上記実施の形態では、蓄熱部材および予備加熱部材を基板に密着させたが、必ずしも密着させる必要はなく、近接した位置に配置することにより一定の効果を得ることができる。また、蓄熱部材および予備加熱板は、基板と同じ材質である必要はなく、蓄熱部材および予備加熱部材として機能すれば材質は問わない。さらに、上記実施の形態ではＬＣＤ基板用の塗布・現像処理システムについて説明したが、ＬＣＤ基板用の以外の他の被処理基板、例えば半導体ウエハ用の塗布・現像処理システムにも本発明を適用できるし、塗布・現像処理システム以外の加熱処理にも適用することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、蓄熱部材を基板の加熱プレート側の面の中央部に配置し、この蓄熱部材に加熱プレートからの熱を蓄熱させるため、基板の中央部における熱容量が大きくなったのと同じ効果を得ることができ、中央部の温度上昇が抑制されて基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【００６６】
また、本発明によれば、基板の加熱前に、予熱された予備加熱部材を前記加熱プレートと基板との間の基板周縁部に対応する位置に予め配置するので、相対的に中央部よりも加熱され難い基板の周縁部を有効に加熱することができ、基板の中央部と周縁部とを均等の温度に加熱することができる。したがって、基板の面内温度の均一化を図ることができ、基板の反りを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】加熱処理ユニット（ＨＰ）の概略断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【図４】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を示す断面図。
【図５】図４に示す加熱処理工程の変形例を示す断面図。
【図６】図４に示す加熱処理工程の他の変形例を示す断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【図８】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニットによる加熱処理工程を示す断面図。
【図９】従来の加熱処理ユニットによる加熱処理工程を順次示す斜視図。
【符号の説明】
ＨＰ；加熱処理ユニット
４２；加熱プレート
４４ａ，４４ｂ；リフトピン
５１；蓄熱部材
５２；予備加熱板
Ｇ；ＬＣＤ基板


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000058238.tif 000001