(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているとともに該デバイスを囲繞する余剰領域を備えたウエーハを、ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの表面を保持し、ウエーハの裏面側からストリートに沿ってウエーハの厚さの略半分の深さの第１の切削溝を形成する第１の切削工程と、
該チャックテーブルにウエーハの裏面を保持し、ウエーハの表面側からストリートに沿って該第１の切削溝に達しない深さの第２の切削溝を形成する第２の切削工程と、
該第１の切削溝および該第２の切削溝が形成されたウエーハのストリートに沿って外力を付与し、該第１の切削溝と該第２の切削溝との間の未切削部を破断する分割工程と、を含み、
該第１の切削工程においてウエーハを保持する該チャックテーブルは中央部上面に形成された円形の凹部と該円形の凹部の外側に形成された環状の吸引保持部を備えており、
該第１の切削工程は、該環状の吸引保持部にウエーハの表面におけるデバイスを囲繞する余剰領域を保持し、該チャックテーブルに形成された円形の凹部に流体を供給して実施する、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを所定のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード、CCD等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって実施されている。この切削装置は、半導体ウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段を加工送り方向に相対移動せしめる加工送り手段とを具備している。そして、切削装置によってウエーハを切断する際には、切断され個々に分割されたチップがバラバラにならないようにウエーハは予め環状のダイシングフレームに装着されたダイシングテープに貼着されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００２−２９９２９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、ウエーハをダイシングテープに貼着して切削するためには、消耗品としてのダイシングテープおよびこのダイシングテープが装着される環状のダイシングフレームが必要となる。また、ウエーハをダイシングテープに貼着するとともにダイシングテープをダイシングフレームに装着するためのテープ装着装置が必要となるとともに、テープ装着工程を実施しなければならない。
なお、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着せずにウエーハを表面側から完全切断することも考えられるが、この場合にはウエーハを保持するチャックテーブルには切削ブレードの逃げ溝を設ける必要があり、しかもストリートの間隔に対応した複数のチャックテーブルを用意しなければならない。
また、ウエーハの表面からストリートに沿って所定深さの切削溝を形成してウエーハの裏面側に未切削部を残し、その後ストリートに沿って外力を作用せしめて未切削部を破断する方法も考えられるが、この場合個々に分割されたチップの裏面に欠けが生じてチップの抗折強度が著しく低下するという問題が発生する。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハをダイシングテープに貼着することなくストリートに沿って切削することができるとともに、分割されたチップの抗折強度の低下を招かないウエーハの分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されているウエーハを、ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
切削装置のチャックテーブルにウエーハの表面を保持し、ウエーハの裏面側からストリートに沿ってウエーハの厚さの略半分の深さの第１の切削溝を形成する第１の切削工程と、
該チャックテーブルにウエーハの裏面を保持し、ウエーハの表面側からストリートに沿って該第１の切削溝に達しない深さの第２の切削溝を形成する第２の切削工程と、
該第１の切削溝および該第２の切削溝が形成されたウエーハのストリートに沿って外力を付与し、該第１の切削溝と該第２の切削溝との間の未切削部を破断する分割工程と、を含み、
該第１の切削工程においてウエーハを保持する該チャックテーブルは中央部上面に形成された円形の凹部と該円形の凹部の外側に形成された環状の吸引保持部を備えており、
該第１の切削工程は、該環状の吸引保持部にウエーハの表面におけるデバイスを囲繞する余剰領域を保持し、該チャックテーブルに形成された円形の凹部に流体を供給して実施する、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ウエーハの裏面と表面から未切削部を残して第１の切削溝と第２の切削溝を形成するので、ウエーハをダイシングテープに貼着する必要がなく、従って、ダイシングテープおよびダイシングテープを装着する環状のダイシングフレームが不要となるとともに、テープ装着装置およびテープ装着工程が不要となる。
また、本発明によれば、ウエーハはストリートに沿って形成された第１の切削溝と第２の切削溝との間の未切削部が破断され個々のチップに分割されるが、未切削部はチップの厚さ方向中央部であるため、未切削部に欠けが生じても応力が集中せず抗折強度の低下を招かない。
また、本発明においては、第１の切削工程においてウエーハを保持するチャックテーブルは中央部上面に形成された円形の凹部と該円形の凹部の外側に形成された環状の吸引保持部を備えており、第１の切削工程は、環状の吸引保持部にウエーハの表面におけるデバイスを囲繞する余剰領域を保持し、チャックテーブルに形成された円形の凹部に流体を供給して実施するので、外周部の余剰領域だけが環状の吸引保持部に保持されているウエーハの中央部が下方に湾曲するのを規制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１０】
図１には、本発明によるウエーハの分割方法によって個々のチップに分割される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａには格子状の分割予定ライン１０１が形成されており、この格子状の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にデバイス１０２が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ１０の外周部には、デバイス１０２を囲繞する余剰領域１０３が設けられている。
【００１１】
次に、半導体ウエーハ１０をストリート１０１に沿って分割する分割方法について説明する。
ここで、半導体ウエーハ１０をストリート１０１に沿って切削する切削装置について、図２を参照して説明する。
図２に示された切削装置１は、静止基台２と、該静止基台２に加工送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に割り出し送り方向である矢印Ｙで示す方向（加工送り方向である矢印Ｘで示す方向に直交する方向）に移動可能に配設されたスピンドル支持機構６と、該スピンドル支持機構６に切り込み送り方向である矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設された切削手段としてのスピンドルユニット７が配設されている。
【００１２】
上記チャックテーブル機構３は、被加工物を保持する第１のチャックテーブル４aと、該第１のチャックテーブル４aと矢印Ｘで示す加工送り方向に隣接して配設された第２のチャックテーブル４bと、第１のチャックテーブル４aと第２のチャックテーブル４bを支持し矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構５とからなっている。チャックテーブル移動機構５は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された共通の一対の案内レール５１、５１と、該案内レール５１、５１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設されたチャックテーブル支持基台５２と、該チャックテーブル支持基台５２を一対の案内レール５１、５１に沿って移動せしめる加工送り手段５３を具備している。
【００１３】
上記チャックテーブル支持基台５２は矩形状に形成され、その下面には上記一対の案内レール５１、５１と嵌合する被案内溝５２１、５２１が形成されている。この被案内溝５２１、５２１を一対の案内レール５１、５１に嵌合することにより、チャックテーブル支持基台５２は一対の案内レール５１、５１に沿って移動可能に配設される。
【００１４】
上記加工送り手段５３は、上記一対の案内レール５１と５１の間に平行に配設された雄ネジロッド５３１と、該雄ネジロッド５３１を回転駆動するためのサーボモータ５３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド５３１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック５３３に回転自在に支持されており、その他端が上記サーボモータ５３２の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド５３１は、チャックテーブル支持基台５２の中央部に形成された雌ネジ５２２に螺合されている。従って、サーボモータ５３２によって雄ネジロッド５３１を正転および逆転駆動することにより、チャックテーブル支持基台５２は案内レール５１、５１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
【００１５】
次に、上記第１のチャックテーブル４aおよび第２のチャックテーブル４bについて説明する。
先ず、第１のチャックテーブル４aについて、図２および図３を参照して説明する。第１のチャックテーブル４aは、チャックテーブル支持基台５２の上面に配設された円筒状の支持筒体５５aに図３に示すように軸受５６aを介して回転可能に支持されている。なお、支持筒体５５a内には図示しないパルスモータが配設されており、このパルスモータによって第１のチャックテーブル４aが所定角度毎に回動せしめられるようになっている。第１のチャックテーブル４aは、図３に示すように本体部４１aと支持部４２aとからなっており、支持部４２aが上記円筒状の支持筒体５５aに軸受５６aを介して回転可能に支持される。本体部４１aは、中央部上面に形成された円形の凹部４１１aと、該円形の凹部４１１aの外側に形成された環状の吸引保持部４１２aとからなっている。円形の凹部４１１aは支持部４２aに形成された通路４２１aを通して図示しない流体供給手段に連通されている。また、凹部４１１aの底面には、複数の赤外線ランプ４３が配設されている。本体部４１aの環状の吸引保持部４１２aには、上面である吸引保持面に開口する複数の吸引孔４１３aが形成されており、この複数の吸引孔４１３aが支持部４２aに形成された通路４２２aを通して図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段を作動することにより、環状の吸引保持部４１２aの上面である吸引保持面に載置された被加工物を吸引保持する。
【００１６】
次に、第２のチャックテーブル４bについて、図２を参照して説明する。
第２のチャックテーブル４bは、切削装置に一般に用いられているチャックテーブルと同様の構成でよく、本体部４１bと該本体部４１bの上面に装着された吸着チャック４２bとからなっている。本体部４１bは上記チャックテーブル支持基台５２の上面に配設された円筒状の支持筒体５５bに回転可能に支持されており、支持筒体５５bに配設された図示しないパルスモータによって所定角度毎に回動せしめられるようになっている。吸着チャック４２bはポーラスなセラミックス等の多孔性部材によって形成されており、図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段を作動することにより、吸着チャック４２bの上面である吸引保持面に載置された被加工物を吸引保持する。
【００１７】
図２を参照して説明を続けると、上記スピンドル支持機構６は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール６１、６１と、該案内レール６１、６１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台６２を具備している。この可動支持基台６２は、案内レール６１、６１上に移動可能に配設された移動支持部６２１と、該移動支持部６２１に取り付けられた装着部６２２とからなっている。移動支持部６２１の下面には案内レール６１、６１と嵌合する一対の被案内溝６２１a、６２１aが形成されており、この被案内溝６２１a、６２１aを案内レール６１、６１に嵌合することにより、可動支持基台６２は案内レール６１、６１に沿って移動可能に構成される。また、装着部６２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール６２２a、６２２aが平行に設けられている。
【００１８】
図示の実施形態におけるスピンドル支持機構６は、可動支持基台６２を一対の案内レール６１、６１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための割り出し送り手段６３を具備している。割り出し送り手段６３は、上記一対の案内レール６１、６１の間に平行に配設された雄ネジロッド６３１と、該雄ねじロッド６３１を回転駆動するためのパルスモータ６３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド６３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ６３２の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド６３１は、可動支持基台６２を構成する移動支持部６３１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ６３２によって雄ネジロッド６３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台６２は案内レール６１、６１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態のおけるスピンドルユニット７は、ユニットホルダ７１と、該ユニットホルダ７１に取り付けられたスピンドルハウジング７２と、該スピンドルハウジング７２に回転可能に支持された回転スピンドル７３を具備している。ユニットホルダ７１は、上記装着部６２２に設けられた一対の案内レール６２２a、６２２aに摺動可能に嵌合する一対の被案内溝７１ａ、７１ａが設けられており、この被案内溝７１ａ、７１ａを上記案内レール６２２a、６２２aに嵌合することにより、矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動可能に支持される。上記回転スピンドル７３はスピンドルハウジング７２の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル７３の先端部に切削ブレード７４が装着されている。切削ブレード７４を装着した回転スピンドル７３は、サーボモータ７５等の駆動源によって回転駆動せしめられる。なお、切削ブレード７４の両側には、切削ブレード７４による切削部に切削水を供給する切削水供給ノズル７６が配設されている。上記スピンドルハウジング７２の先端部には、上記第１のチャックテーブル４aおよび第２のチャックテーブル４b上に保持された被加工物を撮像し、上記切削ブレード７４によって切削すべき領域を検出するための撮像手段７７を具備している。この撮像手段７７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、上記第１のチャックテーブル４aに配設された赤外線ランプ４３によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２０】
図示の実施形態におけるスピンドルユニット７は、ホルダ７１を一対の案内レール６２２a、６２２aに沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための切込み送り手段７８を具備している。切込み送り手段７８は、上記加工送り手段５３および割り出し送り手段６３と同様に案内レール６２２a、６２２a の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ７８２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ７６２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ７１とスピンドルハウジング７２および回転スピンドル７３を案内レール６２２a、６２２a に沿って矢印Ｚで示す切り込み送り方向に移動せしめる。
【００２１】
図示の実施形態における切削装置１は以上のように構成されており、以下、切削装置１を用いて上記半導体ウエーハ１０をストリート１０１に沿って切削する加工方法について説明する。
先ず、第１のチャックテーブル４aの本体部４１a上に半導体ウエーハ１０の表面１０aを載置する（従って、半導体ウエーハ１０は裏面１０bが上側となる）。具体的には、図４に示すように第１のチャックテーブル４aの本体部４１aを構成する環状の吸引保持部４１２aの上面である吸引保持面上に半導体ウエーハ１０の外周部に形成された余剰領域１０３を載置する。このとき、半導体ウエーハ１０の表面１０aには保護テープを貼着しない。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０は環状の吸引保持部４１２aの上面である吸引保持面に吸引保持される。このように、半導体ウエーハ１０はデバイス１２０が形成されていない余剰領域１０３が環状の吸引保持部４１２aの上面である吸引保持面に吸引保持されるので、デバイス１０２を損傷させることはない。
【００２２】
このようにして第１のチャックテーブル４a上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、加工送り手段５３を作動して第１のチャックテーブル４aを撮像手段７７の直下まで移動せしめる。第１のチャックテーブル４aが撮像手段７７の直下に位置付けられると、撮像手段７７および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７７および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿って切削する切削ブレード７４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削加工すべき加工領域のアライメントを遂行する。このとき、第１のチャックテーブル４aに配設された赤外線ランプ４３を附勢（ON）する。従って、半導体ウエーハ１０のストリート１０１が形成されている表面１０ａは下側に位置しているが、撮像手段７７が上述したように赤外線を捕らえる光学系と該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂから透かしてストリート１０１を撮像することができる。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート１０１に対しても、同様に切削加工すべき加工領域のアライメントが遂行される。
【００２３】
上述したように、半導体ウエーハ１０の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行したならば、ウエーハの裏面側からストリートに沿ってウエーハの厚さの略半分の深さの第１の切削溝を形成する第１の切削工程を実施する。
なお、第１の切削工程を実施するに際しては、図示しない流体供給手段を作動して第１のチャックテーブル４aの本体部４１aに形成された円形の凹部４１１aに例えば圧力が大気圧よりも０．００１から０．０００１メガパスカル(MPa)高い空気を通路４２１aを介して供給する。このように凹部４１１aに圧縮空気を供給するのは、半導体ウエーハ１０は上述したように外周部の余剰領域１０３だけが環状の吸引保持部４１２aに保持されているので、中央部が下方に湾曲するのを規制するためである。
【００２４】
、
次に、第１のチャックテーブル４aを切削領域に移動し、図４に示すように所定のストリート１０１の一端部（図４において左端部）を切削ブレード７４の直下に位置付ける。具体的には、所定のストリート１０１の左端が切削ブレード７４の直下より僅かに左側になるように位置付ける。そして、切削ブレード７４を回転しつつ切削ブレード７４を矢印Ｚ１で示す方向に所定量切り込み送りし、上記加工送り手段５３を作動して第１のチャックテーブル４aを図４において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動する。なお、上記切り込み送り量は、厚さが７００μmの半導体ウエーハ１０の裏面１０bから例えば３４０μmに設定されている。そして、第１のチャックテーブル４aに保持された半導体ウエーハ１０の所定のストリート１０１の他端（図４において右端）より僅かに左の位置が切削ブレード７４の直下に達したら、第１のチャックテーブル４aの移動を停止するとともに、切削ブレード７４を矢印Ｚ２で示す方向に後退せしめる。この結果、半導体ウエーハ１０には、図５に示すように所定のストリート１０１に沿って、半導体ウエーハ１０の厚さの略半分の深さ（本実施形態の場合は、半導体ウエーハ１０の裏面１０bから３４０μm）の第１の切削溝１１０が形成される。この第１の切削溝１１０は、半導体ウエーハ１０の外周まで達していない。なお、第１の切削溝１１０は、必要に応じて半導体ウエーハ１０の外周まで達するように形成してもよい。上述した第１の切削工程においては、切削ブレード７７による切削部には切削水供給ノズル７６から切削水が供給される。
【００２５】
上述した第１の切削工程を半導体ウエーハ１０の所定方向に形成された全てのストリート１０１に沿って実施したならば、第１のチャックテーブル４aを９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０１に沿って上述した第１の切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０には、全てのストリート１０１に沿って裏面１０aから深さが３４０μmの第１の切削溝１１０が形成される。
【００２６】
半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０１に沿って第１の切削工程を実施したならば、第１のチャックテーブル４aを最初に半導体ウエーハ１０を載置した位置に戻し、上述した第１の切削工程が実施された半導体ウエーハ１０を第１のチャックテーブル４aから搬出し、隣接して配設された第２のチャックテーブル４bの吸着チャック４２bに裏面１０bを載置する（従って、半導体ウエーハ１０は表面１０aが上側となる）。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０は吸着チャック４２b上に吸引保持面に吸引保持される。このとき、半導体ウエーハ１０の裏面１０bには保護テープを貼着しない。
【００２７】
このようにして第２のチャックテーブル４b上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、加工送り手段５３を作動して第２のチャックテーブル４bを撮像手段７７の直下まで移動せしめる。第２のチャックテーブル４bが撮像手段７７の直下に位置付けられると、撮像手段７７および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７７および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿って切削する切削ブレード７４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削加工すべき加工領域のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート１０１に対しても、同様に切削加工すべき加工領域のアライメントが遂行される。
【００２８】
上述したように、半導体ウエーハ１０の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行したならば、ウエーハの表面側からストリートに沿って第１の切削溝に達しない深さの第２の切削溝を形成する第２の切削工程を実施する。
即ち、第２のチャックテーブル４bを切削領域に移動し、図６に示すように所定のストリート１０１の一端を切削ブレード７４の直下より図６において僅かに右側に位置付ける。そして、切削ブレード７４を回転しつつ切削ブレード７４を矢印Ｚ１で示す方向に所定量切り込み送りし、上記加工送り手段５３を作動して第１のチャックテーブル４aを図６において矢印X1で示す方向に所定の切削送り速度で移動する。なお、上記切り込み送り量は、厚さが７００μmの半導体ウエーハ１０の表面１０aから例えば３４０μmに設定されている。そして、第２のチャックテーブル４bに保持された半導体ウエーハ１０の所定のストリート１０１の他端が図６に示すように切削ブレード７４の直下より僅かに左側に達したら、第２のチャックテーブル４bの移動を停止するとともに、切削ブレード７４を矢印Ｚ２で示す方向に後退せしめる。この結果、半導体ウエーハ１０には、図７に示すように所定のストリート１０１に沿って、半導体ウエーハ１０の厚さの略半分の深さ（本実施形態の場合は、半導体ウエーハ１０の表面１０aから３４０μm）の第２の切削溝１２０が形成される。この第２の切削溝１２０は、半導体ウエーハ１０の外周まで達して形成される。従って、半導体ウエーハ１０は、第１の切削溝１１０と第２の切削溝１２０との間、即ち厚さ方向中央部に厚さ２０μmの未切削部１３０が残される。なお、上述した第２の切削工程においては、切削ブレード７４による切削部には切削水供給ノズル７６から切削水が供給される。しかるに、半導体ウエーハ１０は第１の切削溝１１０が形成された裏面１０bが第２のチャックテーブル４b上に吸引保持されているが、第１の切削溝１１０は半導体ウエーハ１０の外周まで達していないので、第１の切削溝１１０への切削水の浸入が防止でき、半導体ウエーハ１０の裏面の汚染を防止することができる。
【００２９】
上述した第２の切削工程を半導体ウエーハ１０に所定方向に形成された全てのストリート１０１に沿って実施したならば、第２のチャックテーブル４bを９０度回動する。そして、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート１０１に沿って上述した第２の切削工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０には、全てのストリート１０１に沿って表面１０aから深さが３４０μmの第２の切削溝１２０が形成される。従って、半導体ウエーハ１０は、全てのストリート１０１に沿って第１の切削溝１１０と第２の切削溝１２０との間、即ち厚さ方向中央部に厚さ２０μmの未切削部１３０が残される。このように、未切削部１３０が残されるので、切削水が半導体ウエーハ１０の裏面に入り込み汚染されることがない。
【００３０】
半導体ウエーハ１０に形成された全てのストリート１０１に沿って第２の切削工程を実施したならば、第２のチャックテーブル４bを最初に半導体ウエーハ１０を載置した位置に戻し、上述した第１の切削工程および第２の切削工程が実施された半導体ウエーハ１０を第２のチャックテーブル４bから搬出する。このとき、搬出手段としては半導体ウエーハ１０の全面を吸着保持する全面吸引パッドを使用することが望ましい。
【００３１】
上述したように第２のチャックテーブル４bから搬出された半導体ウエーハ１０は、図8に示すように分割装置９のゴム等の弾性体からなる弾性パッド９１上に載置される。そして、弾性パッド９１上に載置され半導体ウエーハ１０上を弾性ローラ９２によって押圧しつつ転動する。この結果、半導体ウエーハ１０のストリートに沿って曲げ荷重が作用し、第１の切削溝１１０と第２の切削溝１２０との間の未切削部１３０が破断され、半導体ウエーハ１０は図9に示すように個々の半導体チップ１００に分割される。このようにして分割された半導体チップ１００は図８に示すように未切削部１３０が破断されるが、未切削部１３０は半導体チップ１００の厚さ方向中央部であるため、未切削部１３０に欠けが生じても応力が集中せず抗折強度の低下を招かない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの分割方法においてウエーハをストリートに沿って切削するための切削装置の要部斜視図。
【図３】図２に示す切削装置に装備される第１のチャックテーブルの要部断面図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法における第１の切削工程の説明図。
【図５】本発明によるウエーハの分割方法における第１の切削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法における第２の切削工程の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法における第１の切削工程および第２の切削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。
【図８】本発明によるウエーハの分割方法における分割工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法によって分割された半導体チップの斜視図。
【符号の説明】
【００３３】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：チャックテーブル
４a：第１のチャックテーブル
４ｂ：第２のチャックテーブル
５：チャックテーブル移動機構
５１：案内レール
５２：チャックテーブル支持基台
５３：加工送り手段
６：スピンドル支持機構
６２：可動支持基台
７：スピンドルユニット
７１：ユニットホルダ
７２：スピンドルハウジング
７３：回転スピンドル
７４：切削ブレード
９：分割装置
９１：弾性パッド
９２：弾性ローラ
１０：半導体ウエーハ
１００：半導体チップ
１０１：ストリート
１０２：デバイス
１１０：第１の切削溝
１２０：第２の切削溝
１３０：未切削部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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