【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、並びにフッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムを含むフッ化物塩混合物、並びに任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する、基体からポリマー物質を除去するための組成物。
【請求項２】
ポリオール化合物が、（Ｃ２−Ｃ２０）アルカンジオール、置換（Ｃ２−Ｃ２０）アルカンジオール、（Ｃ２−Ｃ２０）アルカントリオールまたは置換（Ｃ２−Ｃ２０）アルカントリオールから選択される請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ポリオールが組成物の全重量に基づいて約５重量％から約８５重量％の量において存在する請求項１記載の組成物。
【請求項４】
グリコールエーテルが、（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオール（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルまたは（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオールジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルから選択される請求項１記載の組成物。
【請求項５】
グリコールエーテルが組成物の全重量に基づいて約５重量％から約８０重量％の量において存在する請求項１記載の組成物。
【請求項６】
フッ化物塩混合物が組成物の全重量に基づいて約１重量％から約５重量％の量において存在する請求項１記載の組成物。
【請求項７】
任意の添加剤が、腐食抑制剤、界面活性剤、補助溶剤またはキレート化剤から選択される請求項１記載の組成物。
【請求項８】
除去されるポリマー物質を有する基体を請求項１〜７のいずれか１項記載の組成物と接触させる工程を含む、基体からポリマー物質を除去する方法。
【請求項９】
除去される１またはそれ以上のポリマー物質を有する集積回路を、請求項１〜７の何れか１項記載の組成物と接触させる工程を含む、１またはそれ以上の金属と１またはそれ以上の誘電体を含む集積回路の調製法。
【請求項１０】
除去されるポリマーを含有する磁気薄膜ヘッド前駆体を、請求項１〜７の何れか１項記載の組成物と接触させる工程を含む、磁気薄膜ヘッドの調製法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本願発明は以下の態様を包含する。
１）１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、アンモニウム−フッ化水素テトラメチルアンモニウムまたはそれらの混合物から選択されるフッ化物塩、および任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する、基体からポリマー物質を除去するための組成物。
２）ポリオール化合物が、（Ｃ２−Ｃ２０）アルカンジオール、置換（Ｃ２−Ｃ２０）アルカンジオール、（Ｃ２−Ｃ２０）アルカントリオールまたは置換（Ｃ２−Ｃ２０）アルカントリオールから選択される項１）記載の組成物。
３）ポリオールが、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、２−メチル−１，３−プロパンジオール、ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、またはグリセロールから選択される項１）記載の組成物。
４）ポリオールが組成物の全重量に基づいて約５重量％から約８５重量％の量において存在する項１）記載の組成物。
５）グリコールエーテルが、（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオール（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルまたは（Ｃ１−Ｃ２０）アルカンジオールジ（Ｃ１−Ｃ６）アルキルエーテルから選択される項１）記載の組成物。
６）グリコールエーテルが、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルまたはトリプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択される項１）記載の組成物。
７）グリコールエーテルが組成物の全重量に基づいて約５重量％から約８０重量％の量において存在する項１）記載の組成物。
８）フッ化物塩がフッ化アンモニウムである項１）記載の組成物。
９）フッ化物塩が組成物の全重量に基づいて約１重量％から約５重量％の量において存在する項１）記載の組成物。
１０）任意の添加剤が、腐食抑制剤、界面活性剤、補助溶剤またはキレート化剤から選択される項１）記載の組成物。
１１）腐蝕抑制剤が、カテコール、（Ｃ１−Ｃ６）アルキルカテコール、ベンゾトリアゾール、ヒドロキシアニソール、（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルベンゾトリアゾール；（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロキシアルキルベンゾトリアゾール；２−メルカプトベンゾイミダゾール、没食子酸；または没食子酸エステルから選択される項１０）記載の組成物。
１２）補助溶剤が、極性非プロトン性溶剤、アミノアルコール、Ｎ−（Ｃ１−Ｃ１０）アルキルピロリドン、またはアミドから選択される項１０）記載の組成物。
１３）補助溶剤が、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホン、ジメチルスルホン、アミノエチルアミノエタノール、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチルピロリドン、Ｎ−シクロヘキシルピロリドン、またはジメチルアセトアミドから選択される項１２）記載の組成物。
１４）除去されるポリマー物質を有する基体を項１）の組成物と接触させる工程を含む基体からポリマー物質を除去する方法。
１５）１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、アンモニウム−フッ化水素テトラメチルアンモニウムまたはそれらの混合物から選択されるフッ化物塩、１またはそれ以上の腐食抑制剤および任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する、基体からポリマー物質を除去するための組成物。
１６）１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、アンモニウム−フッ化水素テトラメチルアンモニウムまたはそれらの混合物から選択されるフッ化物塩、１またはそれ以上の界面活性剤および任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する基体からポリマー物質を除去するための組成物。
１７）除去される１またはそれ以上のポリマー物質を有する集積回路を、１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、アンモニウム−フッ化水素テトラメチルアンモニウムまたはそれらの混合物から選択されるフッ化物塩、および任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する組成物と接触させる工程、および基体をリンスする工程を含む、１またはそれ以上の金属と１またはそれ以上の誘電体を含む集積回路の調製法。
１８）除去されるポリマーを含有する磁気薄膜ヘッド前駆体を、１またはそれ以上のポリオール化合物、１またはそれ以上のグリコールエーテル、水、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、アンモニウム−フッ化水素テトラメチルアンモニウムまたはそれらの混合物から選択されるフッ化物塩、および任意に１またはそれ以上の添加剤を含み、水が組成物の全重量に基づいて少なくとも５重量％の量において存在する組成物とポリマー物質を除去するのに十分な時間接触させる工程、および基体をリンスする工程を含む、磁気薄膜ヘッドの調製法。
以下の実施例は本発明のさらなる種々の態様を説明するためのものであって、本発明の範囲をいかなる態様においても制限するものではない。