Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤーロープの矯正固定方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】ワイヤーロープの先端を垂直に固定する構成、ワイヤーロープを上部の中心にワイヤーロープの先端を垂直に固定する為にワイヤーロープの先端と楔をＵターンしてソケットの上部中心から出ているロープを固定する金具とソケットを合体させ１ッの金具にしたり、ワイヤーロープの先端を垂直に固定する矯正金具を３ッ連結方法と、矯正金具と楔を連結させワイヤーロープを固定する。ワイヤーロープの根本を矯正して固定する図５の金具の発明。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔産業上の利用分野〕本発明はワイヤーロープの先端を固定する方法を創作した、クレーンの装置に関するものである。
【０００２】
〔従来の技術〕従来のワイヤーロープの固定方法はフイヤーロープを固定するソケットとワイヤーロープの先端と根本を固定する金具が別々の金具でありロープを金具の上部中心で垂直に固定する事が出来なかった
【０００３】
〔発明が解決しようとする課題〕上記のように従来の技術に欠点があります。
【０００４】
ワイヤーロープを矯正して固定する金具の作り別々の金具を連結しワイヤーロープを金具の上部中心に垂直に矯正して固定が出来る
【０００５】
〔実施例〕図１の第１図Ｗの吊りロープを１と２を連結した１ッの金具の中で楔の４と矯正金具によってロープの先端とロープの根本を固定する。第２図Ｗの吊りロープを２と５の矯正金具を連結させ吊りロープを垂直に固定すると１ッの形の金具を２ッ組合せによってコストダウンが出来る。第３図Ｗの吊りロープを５の矯正金具と４の楔を連結した１ッの金具に合わせて２の金具と２コのネジで固定し１のソケットの中心のロープを引くと楔もどうじに引く事に成り増々ロープがしめつけられる
【０００６】
〔作用〕ワイヤーロープを垂直に固定が出来てロープが安定して静かに回転するように成る。
【０００７】
【図面の簡単な説明】
【図１】１のソケットと２の固定金具の合体によってロープをソケットの上部中心で垂直に固定する断面図。
【図２】２の金具と５の金具でＷのロープを垂直に矯正して固定する断面。
【図３】４の楔と５の矯正金具を連結させ２の金具でＷのロープを固定する断面図。
【０００８】
〔図面の部品番号の説明〕
Ｗ、ワイヤーロープ、
１、ワイヤーロープの固定ソケット、
２、ワイヤーロープの先端と根本を固定する金具、
３、ワイヤーロープの先端と根本を固定するＵ字形の金具のネジ、
４、ワイヤーロープを固定する楔、
５、ワイヤーロープを垂直に矯正する矯正金具、
６、従来の吊り具本体、




【手続補正２】
【補正対象項目名】手続補正２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999217181.tif 000001
【図２】
1999217181.tif 000002
【図３】
1999217181.tif 000003
【手続補正３】
【補正対象項目名】手続補正３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＰＰＳ樹脂による摺動部材としては黒鉛、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ樹脂）、芳香族ポリアミド繊維、無機化合物、固体潤滑剤、金属酸化物及び潤滑油等の任意の組み合わせによる組成物が知られている。例えば特開昭59-215353におけるＰＰＳ樹脂にチタン酸カリウム繊維を添加した組成物、特開昭58-152051におけるＰＰＳ樹脂にチタン酸カリウム繊維と鉱物油を添加した組成物、特開平4-63866におけるＰＰＳ樹脂にアラミド繊維及び／またはチタン酸カリウム繊維及びＰＴＦＥ樹脂、硫化モリブデン、超高分子量ポリエチレンからなる樹脂組成物、特公昭60-11061におけるＰＰＳ樹脂にＰＴＦＥ樹脂、金属酸化物、芳香族ポリアミド繊維、金属粉末を配合してなる樹脂組成物、特公平4-65866 におけるＰＰＳ樹脂にフッ素樹脂と芳香族ポリアミド繊維からなる樹脂組成物等が知られている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、導電性樹脂材料としては炭素繊維、カーボンブラック及び導電性を付与した無機化合物または無機物繊維の添加による方法が知られている。例えば特開平2-67358における熱可塑性樹脂に導電性チタン酸カリウム繊維と導電性カーボンブラックを添加した樹脂組成物、特公平4-68348における熱可塑性樹脂に導電性チタン酸カリウム繊維と導電性カーボンブラック及びガラス繊維及び／または炭素繊維が配合された樹脂組成物、特公平5-61306におけるＰＰＳ樹脂にニッケルで表面を被覆した雲母とニッケルで表面を被覆したワラストナイトまたはチタン酸カリウム繊維、炭素繊維、ＰＴＦＥ樹脂、二硫化モリブデンを添加してなる樹脂組成物等が知られている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以上本発明における樹脂組成物に於いては、前記した全ての添加材を添加することにより所望する効果が実現できる。つまり、導電性チタン酸カリウム繊維が添加されると必要な導電性と補強効果は得られ、ＰＴＦＥ樹脂を添加ことにより耐摩擦摩耗特が向上する。また、金属酸化物を添加することによりアルミなど軟質相手材に対する耐摩耗性と安定した導電性が得られ、芳香族ポリアミド繊維を添加することによりアルミなど軟質相手材に対する安定した摺動特性の向上が望める。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【実施例】
以下に実施例を挙げ発明の具体化例及び具体的効果について記述する。
実施例１〜９，比較例１〜９
ＰＰＳ樹脂（東レ（株）製：ＰＰＳ原末Ｍ−２９００）、ＰＴＦＥ樹脂（三幸商事：ＳＧ−１０００）、亜鉛華（丸尾カルシウム製：亜鉛華ＺＡ−１００）、芳香族ポリアミド繊維（デュポン東レ製：ＫＣ−２０）、導電性チタン酸カリウム繊維（大塚化学製：“デントール”ＢＫ−３００）を下表−１に示す配合組成で配合し、まず原材料全てをヘンシェルミキサーにより混合した後シリンダ温度３００℃に設定された二軸押出機に供給し毎分７０〜１００回転で溶融混練し押出造粒した。次に得られた組成物をインラインスクリュウ式射出成形機を用いて金型温度１４０℃、成形温度３１０℃の成形条件下に於いて図１に示す形状の軸受け試験片及び物性測定用テストピースを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのデータ列要素の周波数が他のデータ列要素の伝送周波数と異なる複数のデータ列要素のデータが多重化されてなるデータ列に対してフィルタ処理を行うディジタルフィルタ回路であって、
上記データ列の伝送周波数をｆ１、上記データ列に含まれるデータ列要素のうちその伝送周波数が最小のデータ列要素の周波数をｆ２、タップ数をＮとしたとき、（ｆ１／ｆ２）×（Ｎ−１）個のＤフリップフロップからなる遅延線と、
上記遅延線の複数のタップのうち、中心タップ以外の二つ以上のタップから一つを選択して出力する選択回路と、
上記複数の選択回路の出力データと中心タップのデータにそれぞれ係数を乗ずる複数の乗算器と、
上記各乗算器の出力を足し合わせる加算器とから構成され、
上記遅延線を上記データ列の伝送周波数で動作させると共に、上記選択回路はデータ列の伝送周波数をｆ１、上記選択回路によって選択される時刻に中心タップに出力されるデータが属するデータ列要素の伝送周波数をｆ３としたとき、タップの間隔が、中心タップを基準にしてＤフリップフロップでｆ１／ｆ３個分であるように乗算器に接続するタップを切り替えて上記複数のデータ列要素を処理することを特徴とするディジタルフィルタ回路。
【請求項２】
上記ディジタルフィルタ回路は、半導体チップ上に形成される請求項１に記載のディジタルフィルタ回路。
【請求項３】
上記ディジタルフィルタ回路は、
上記加算器の出力信号を受けるように配置され、かつ上記加算器の出力信号に従う第２データ列を少なくとも１ライン分格納する容量を有するＦＩＦＯメモリと、
上記ＦＩＦＯメモリの入力と、該ＦＩＦＯメモリの入力からｎライン（ｎは１以上の整数）分のデータ間隔の位置とをタップとし、上記複数のタップに対してそれぞれ係数を乗ずる複数の第２乗算器と、
上記複数の第２乗算器の各出力を足し合わせる第２加算器とからなる第２ディジタルフィルタ回路をさらに含み、
上記ＦＩＦＯメモリを上記第２加算器の出力信号の伝送周波数で動作させると共に、上記複数データ列要素の処理を時分割に行う請求項１に記載のディジタルフィルタ回路。
【請求項４】
上記データ列のデータ列要素は、輝度信号Ｙと、二つの色差信号Ｃｂ，Ｃｒであり、かつ、上記データ列は上記輝度信号と二つの色差信号の標本化周波数の比Ｙ：Ｃｂ：Ｃｒが４：２：２からなるディジタルビデオデータ信号である請求項１に記載のディジタルフィルタ回路。
【請求項５】
第１の方向に１ライン分の複数データ列要素のデータがインターリーブされ、該第１の方向に直交する第２の方向に上記複数のデータ列要素のうち同じデータ列要素のデータが並ぶように構成された２次元構造を有するデータの単位に対し、第１フィルタ回路で第１方向に対しフィルタ処理を行った後、第２フィルタ回路で第２方向にフィルタ処理を行うディジタルフィルタ回路であって、
上記第１フィルタ回路は、
データ列の伝送周波数をｆ１、上記データ列に含まれるデータ列要素のうちその伝送周波数が最小のデータ列要素の伝送周波数をｆ２、タップ数をＮとしたとき、（ｆ１／ｆ２）×（Ｎ−１）個のＤフリップフロップからなる第１遅延線と、
上記第１遅延線の複数のタップのうち、中心タップ以外の二つ以上のタップから一つを選択して出力する複数の選択回路と、
上記複数の選択回路の出力データと中心タップのデータにそれぞれ係数を乗ずる複数の第１乗算器と、
上記各第１乗算器の出力を加算する第２加算器と、を含み、
上記第２フィルタ回路は、
上記第１加算器の出力信号を受けるようにされ、上記第１加算器の出力信号に従う第２データ列を少なくとも１ライン分格納する容量を有するラインメモリと、
上記ＦＩＦＯメモリの入力と、該ラインメモリの入力からｎライン（ｎは１以上の整数）分のデータ間隔の位置をタップとし、上記複数のタップに対してそれぞれ係数を乗ずる複数の第２乗算器と、
上記複数の第２乗算器の各出力を加算する第２加算器とを含む、
ことを特徴とするディジタルフィルタ回路。
【請求項６】
上記データ列のデータ列要素は、輝度信号Ｙと、二つの色差信号Ｃｂ，Ｃｒであり、かつ、上記データ列は上記輝度信号と二つの色差信号の標本化周波数の比Ｙ：Ｃｂ：Ｃｒが４：２：２からなるディジタルビデオデータ信号である請求項５に記載のディジタルフィルタ回路。
【請求項７】
上記ディジタルフィルタ回路は、半導体チップ上に形成される請求項５に記載のディジタルフィルタ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
勧告ＢＴ．６０１では、人間が色にそれほど敏感でないことを利用して色情報を水平方向に半分に削減している。輝度信号Ｙの標本化周波数は１３．５ＭＨｚであり、二つの色差信号ＣｂとＣｒはその半分の標本化周波数６．７５ＭＨｚである。従って、輝度信号Ｙ、色差信号Ｃｂ、色差信号Ｃｒの標本化周波数の比は４：２：２となる。このことから、このフォーマットは４：２：２符号化方式または４：２：２ディジタルコンポーネント信号と呼ばれる。ここで、輝度信号Ｙ、色差信号Ｃｂ、色差信号Ｃｒは、１画素について、それぞれ８ビットのディジタルデータである。すなわち、量子化精度は、８ビットとされる。なお、色差信号Ｃｂ，Ｃｒは、原色信号をＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）としたとき、色差信号Ｃｂは差（Ｂ−Ｙ）、色差信号Ｃｒは差（Ｒ−Ｙ）のそれぞれディジタル信号である。ＢＴ．６０１のフォーマットにおいては、４：２：２符号化方式ばかりでなく、４：４：４符号化方式や各信号Ｙ、Ｃｒ、Ｃｂの量子化精度を１０ビットとする方式なども規定されているが、一般によく利用されている８ビット、４：２：２方式について説明する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記勧告ＢＴ．６０１のデータ列に対し、水平方向に公知のトランスバーサルフィルタでフィルタ演算を行う場合を例にとって説明すると、以下のように説明される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実施の形態例のディジタルフィルタ回路では、上述のように一つのディジタルフィルタ回路を輝度信号Ｙ、色差信号ＣｂとＣｒのフィルタ処理に時分割に用いることが可能である。そのため、図２に示されるディジタルフィルタ回路に比べ、ディジタルフィルタ回路の乗算器と加算器の回路規模を１／３に低減できる。言い換えるならば、ディジタルフィルタ回路内の上記複数の乗算器及び上記加算器が、輝度信号Ｙ、色差信号ＣｂとＣｒのフィルタ処理時に、共用されることになる。このことは、ディジタルフィルタ回路の回路規模が少なくされることを意味する。したがって、上記構成のディジタルフィルタ回路を半導体集積回路装置内に形成しても、半導体集積回路装置の形成される半導体チップ上における上記ディジタルフィルタ回路の専有面積が低減されるので、結果的に、半導体集積回路装置の価格を低減することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及びＴＦＴアレイ基板、並びに投射型表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
該一対の基板の一方の基板上の画像表示領域に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に対応して設けられた第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極とを備えており、
前記画像表示領域の周辺に位置する前記一方の基板上の周辺領域に周辺回路を備えており、
前記画像表示領域において前記複数の第１薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う位置には導電性の遮光膜が配置されてなり、前記導電性の遮光膜は、前記周辺回路を構成する複数の薄膜トランジスタのいずれかの少なくともチャネル領域を覆う位置には設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記周辺回路は、サンプリング制御信号に応じて画像信号をサンプリングして前記複数のデータ線に夫々供給する複数の第２薄膜トランジスタを有するサンプリング回路を含み、
前記導電性の遮光膜は、前記複数の第２薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板側から見て覆う位置には設けられていないことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記周辺回路は、前記複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を前記画像信号に先行して夫々供給する複数の第３薄膜トランジスタを有するプリチャージ回路を含み、
前記導電性の遮光膜は、前記複数の第３薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板側から見て覆う位置には設けられていないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記周辺回路は、前記サンプリング回路に対して前記サンプリング制御信号を供給する複数の第４薄膜トランジスタを有するデータ線駆動回路を含み、
前記導電性の遮光膜は、前記複数の第４薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板側から見て覆う位置には設けられていないことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記周辺回路は、前記複数の走査線に対して走査信号を夫々供給する複数の第５薄膜トランジスタを含み、
前記導電性の遮光膜は、前記複数の第５薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記一方の基板側から見て覆う位置には設けられていないことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１薄膜トランジスタと前記周辺回路を構成する複数の薄膜トランジスタとは、同一製造プロセスにより同時に製造された薄膜トランジスタから夫々なることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１薄膜トランジスタは、Ｐチャネル型薄膜トランジスタ或いはＰチャネル型薄膜トランジスタの何れか一方からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第４薄膜トランジスタは、相補型薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第５薄膜トランジスタは、相補型薄膜トランジスタからなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記導電性の遮光膜は、前記周辺回路のうち少なくとも一つの入出力配線を少なくとも部分的に構成することを特徴とする請求項２から請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
少なくとも前記データ線駆動回路及び前記走査線駆動回路を前記一対の基板の外側から覆う遮光性のケースを更に備えたことを特徴とする請求項２から請求項１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記一対の基板の他方の基板上に前記画像表示領域の周辺を規定する他の遮光膜を更に備えており、前記サンプリング回路及び前記プリチャージ回路は、前記他方の基板の側から見て該他の遮光膜の下に隠れて配置されたことを特徴とする請求項２から請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記電気光学物質は液晶であることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置と、前記電気光学装置から出射された光を投射する投射光学手段とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１５】
基板上の画像表示領域に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に対応して設けられた第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極とを備えており、
前記画像表示領域の周辺に位置する前記基板上の周辺領域に周辺回路を備えており、
前記画像表示領域において前記複数の第１薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う位置には導電性の遮光膜が配置されてなり、前記導電性の遮光膜は、前記周辺回路を構成する複数の薄膜トランジスタのいずれかの少なくともチャネル領域を覆う位置には設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該一対の基板の一方の基板上の画像表示領域に、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に対応して設けられた第１薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタに対応して設けられた画素電極とを備えており、前記画像表示領域の周辺に位置する前記一方の基板上の周辺領域に周辺回路を備えており、前記画像表示領域において前記複数の第１薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う位置には導電性の遮光膜が配置されてなり、前記導電性の遮光膜は、前記周辺回路を構成する複数の薄膜トランジスタのいずれかの少なくともチャネル領域を覆う位置には設けられていないことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この電気光学装置によれば、遮光膜は、複数の第１薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う位置において一方の基板の画像表示領域に設けられている。従って、第１薄膜トランジスタのチャネル領域は、一方の基板の側から入射される戻り光等については、遮光膜により遮光されており、第１薄膜トランジスタの戻り光等による特性劣化を防止できる。そして、画像表示領域の周辺に位置する周辺領域には、周辺回路が形成されているので、本発明の電気光学装置は、周辺回路内蔵型の電気光学装置として構築され、外付けの周辺回路が不要であり装置全体の小型化が図れる等の他、画像表示領域内の第１薄膜トランジスタ及び周辺領域内の周辺回路を構成する複数の薄膜トランジスタを同時に形成できるという製造上の利点が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メルカプト基、アミノ基、ヒドロキシ基、スルホ基、カルボキシ基、カルバモイル基、チオカルバモイル基またはスルファモイル基を含む置換基を、少なくとも一つ有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物もしくはその縮合化合物の存在下で銀錯塩拡散転写法を利用する平版印刷版を処理する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月9日(2003.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電器によって初期充電された初段コンデンサからの放電でパルストランスにパルス電流を発生させるパルス発生回路と、前記パルス電流を可飽和リアクトルとコンデンサによってパルス幅を圧縮して負荷に供給する磁気パルス圧縮回路とを備えたパルス電源装置において、
前記パルストランスは、一次巻線に中間タップをもつ構造または３巻線の一次側２巻線を互いに接続して中間タップとする構造とし、前記中間タップに前記初段コンデンサを接続し、一次巻線の一方の巻線にはオン動作で前記パルス電流を発生させるための半導体スイッチ素子を設け、一次巻線の他方の巻線には前記負荷からのキックバック電流で前記初段コンデンサをその初期充電極性に充電させるためのダイオードを設けたことを特徴とするパルス電源装置。
【請求項２】
前記初段コンデンサは、可飽和リアクトルを直列接続して前記パルストランスの中間タップに接続したことを特徴とする請求項１に記載のパルス電源装置。
【請求項３】
前記充電器は、前記初段コンデンサを直接に充電する構成、
または、前記可飽和リアクトルを介して前記初段コンデンサを充電する構成を特徴とする請求項２に記載のパルス電源装置。
【請求項４】
前記半導体スイッチ素子は可飽和リアクトルを直列接続して前記パルストランスに接続した構成、
または、前記半導体スイッチ素子は第１の可飽和リアクトルを直列接続して前記パルストランスに接続し、前記ダイオードは第２の可飽和リアクトルを直列接続して前記パルストランスに接続した構成を特徴とする請求項１に記載のパルス電源装置。
【請求項５】
前記パルストランスは、前記半導体スイッチ素子が接続される一次巻線の巻数Ｎ１に対し、前記ダイオードが接続される一次巻線の巻数Ｎ１’を大きくしてエネルギー移行効率を高めたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のパルス電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、パルストランスが一次巻線に中間タップをもつ構造または３巻線の一次側２巻線を互いに接続して中間タップとする構造とし、この中間タップ側にコンデンサを接続し、一次巻線の一方の巻線を通した半導体スイッチ素子のオン制御でコンデンサを放電させるパルス発生動作を得、一次巻線の他方の巻線からダイオードを通したキックバック電流でコンデンサをその初期充電極性に充電する回生動作を得るようにしたもので、以下の構成を特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
充電器によって初期充電された初段コンデンサからの放電でパルストランスにパルス電流を発生させるパルス発生回路と、前記パルス電流を可飽和リアクトルとコンデンサによってパルス幅を圧縮して負荷に供給する磁気パルス圧縮回路とを備えたパルス電源装置において、
前記パルストランスは、一次巻線に中間タップをもつ構造または３巻線の一次側２巻線を互いに接続して中間タップとする構造とし、前記中間タップに前記初段コンデンサを接続し、一次巻線の一方の巻線にはオン動作で前記パルス電流を発生させるための半導体スイッチ素子を設け、一次巻線の他方の巻線には前記負荷からのキックバック電流で前記初段コンデンサをその初期充電極性に充電させるためのダイオードを設けたことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、可飽和リアクトルＳＩ０２は、配線がもつインダクタンスで代用すること、または空心の小型のインダクタでもよい。図１１は配線がもつインダクタンスで代用した図８の回路図の変形例を示し、図１１が図８と異なる部分は可飽和リアクトルＳＩ０２を省略した点にある。
また、コンデンサＣ２→Ｃ１，Ｃ１→Ｃ０への逆移行を段階的に円滑に進めるために、Ｃ２→Ｃ１への逆移行が終了した時点で右方向に飽和するような電圧時間積を持つ可飽和リアクトルＳＩ０２を設けた方が望ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
なお、以上までの実施形態では、中間タップ付きパルストランスＰＴとする場合を示すが、これと同等の３巻線をもつパルストランスを使って図１又は図８の結線構成とすることができる。図１２は、図８の変形例を示し、図８の構成でパルストランスＰＴに代えて３巻線Ｎ１〜Ｎ３をもつパルストランスＰＴ３を使い、図１１と同様に可飽和リアクトルＳＩ０２を省略した回路図を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によれば、パルストランスが一次巻線に中間タップをもつ構造または３巻線の一次側２巻線を互いに接続して中間タップとする構造とし、この中間タップ側に初段コンデンサを接続し、一次巻線の一方の巻線を通した半導体スイッチ素子のオン制御でコンデンサを放電させるパルス発生動作を得、一次巻線の他方の巻線からダイオードを通したキックバック電流でコンデンサをその初期充電極性に充電する回生動作を得るようにしたため、１つの半導体スイッチ素子を使ってパルス発生とキックバックエネルギーの回生ができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す回路図。
【図２】実施形態の動作説明図（モードＡ）
【図３】実施形態の動作説明図（モードＢ）
【図４】実施形態の動作説明図（モードＣ）
【図５】実施形態の動作説明図（モードＤ）
【図６】実施形態の動作説明図（モードＥ）
【図７】実施形態の動作説明図（モードＦ）
【図８】本発明の他の実施形態を示す回路図。
【図９】パルス電源装置の従来例（その１）。
【図１０】パルス電源装置の従来例（その２）。
【図１１】図８の変形例（その１）。
【図１２】図８の変形例（その２）。
【符号の説明】
１…パルス発生回路
２…充電器
３…磁気パルス圧縮回路
４…負荷
５…磁化リセット回路
ＩＧＢＴ１…半導体スイッチ素子
Ｃ０…初段コンデンサ
Ｃ１〜Ｃｎ…コンデンサ
ＣＰ…ピーキングコンデンサ
ＳＩ０〜ＳＩ２、ＳＩｎ、ＳＩ０１、ＳＩ０２…可飽和リアクトル
ＰＴ…パルストランス
Ｄ１…ダイオード
ＰＴ３…３巻線をもつパルストランス
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001036173.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図１１】
2001036173.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図１２】
2001036173.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤレス通信方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信方法であって、
（Ａ）  ワイヤレス通信システムの第１基地局で１つまたは複数の逆方向リンクチャネルの受信を開始するステップと、
（Ｂ）  前記第１基地局により他の順方向リンク伝送から切り離された順方向リンクチャネルを用いて、前記第１基地局により、パワー制御サブチャネルに対応する順方向リンクパワー制御信号を送信するステップと
を有するワイヤレス通信方法。
【請求項２】
前記切り離された順方向リンクチャネルは、共通パワー制御チャネルである
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルは移動局から受信され、
前記パワー制御信号はパワー制御ビットを有し、
あるビット値は、前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルについて、伝送パワーレベルを低下させるように前記移動局に指示するために設計され、
別のビット値は、前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルについて、伝送パワーレベルを増加させるように前記移動局に指示するために設計される請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルは移動局から受信され、
前記移動局の動作中の前記順方向リンクの組は、対応する前記移動局の動作中の前記逆方向リンクの組とは異なる請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１基地局は、前記移動局に対応する前記切り離された順方向リンクチャネルのみを送信し、
前記ワイヤレス通信システムの第２基地局は、前記移動局に対応する１つまたは複数の順方向チャネルを送信し、
前記１つまたは複数の順方向チャネルは、前記第２基地局に対応するパワー制御信号を有し、
前記第１と第２の基地局は、前記移動局により送信された前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルを受信及び処理し、
前記第１と第２の基地局により送信される前記パワー制御信号は、前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルについて送信パワーレベルをいかに制御するかを前記移動局に対し指示するために設計される請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２基地局により送信される前記１つまたは複数の順方向リンクチャネルは、前記第２基地局に対応するパワー制御信号を含む第２の切り離された順方向リンクチャネルを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第２基地局により送信される前記１つまたは複数の順方向リンクチャネルは、前記第２基地局に対応する多重化されたパワー制御信号を具備する順方向リンクトラフィックチャネルを含む請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記第２基地局は、前記移動局に対応し、前記第２基地局に対応するパワー制御信号を含む、第２の切り離された順方向リンクチャネルのみを送信する請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記第２基地局が、主基地局であり、前記第１基地局が補助基地局であり、前記主基地局及び前記補助基地局は、前記移動局に対応する逆方向リンクソフト・ハンドオフ状態で動作する請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルは移動局から受信され、
前記パワー制御信号は、前記１つまたは複数の逆方向リンクチャネルについて送信パワーレベルをいかに制御するかを前記移動局に対し指示するために設計される請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも内線端末を有し、発信者番号情報を送ることができる網の回線に接続できる交換システムにおいて、
前記内線端末から前記網へ発信するとき、前記網の回線毎に割り振られている加入者番号と前記発信内線端末のダイヤルイン番号とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較の結果、前記加入者番号と前記ダイヤルイン番号が一致した場合に該ダイヤルイン番号を前記発信者番号情報として前記網に送出し、一致しなければ予め前記網の回線毎に設定した代表番号を前記発信者番号情報として送出する手段と、
を具備することを特徴とする交換システム。
【請求項２】
少なくとも内線端末を有し、複数の網の各回線に接続できる交換システムにおいて、
前記内線端末から網への発信が生じた場合、前記内線端末にダイレクトダイヤルイン番号が設定されているか判断する手段と、
前記内線端末にダイレクトダイヤルイン番号が設定されている場合、該内線端末の内線番号から発信者番号を作成する作成手段と、
前記内線端末から前記網への発信に応答して捕捉された局線番号を検索する第１の検索手段と、
各局線番号に対応して加入者番号が各々記述された加入者番号テーブルと、
前記加入者番号テーブルを参照して、前記捕捉された局線番号に対応する加入者番号を検索する第２の検索手段と、
前記作成手段により作成された前記発信者番号と前記第２の検索手段により検索された加入者番号とを比較する比較手段と、
前記比較手段の比較の結果、前記発信者番号と加入者番号が一致した場合、該発信者番号を前記網に送出し、一致しなければ予め前記網の回線に設定した代表番号を該発信者番号として送出する手段と、
を具備することを特徴とする交換システム。
【請求項３】
前記作成手段は、各内線端末のポート番号に対応して種別及びプレヒックスが記述されたプレヒックステーブルと、
前記内線端末にダイレクトダイヤルイン番号が設定されている場合、前記プレヒックステーブルに記述された該内線端末の前記種別及びプレヒックスを用いて発信者番号を作成する手段とを具備することを特徴とする請求項２記載の交換システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は網の回線を収容する交換システムに関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで本発明は、発信先の網にて加入者番号をダイレクトダイヤルイン番号として設定されていない端末が該網へ発信する場合でも、回線が正常に接続される交換システムを提供することを目的とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決する為に本発明は、少なくとも内線端末を有し、発信者番号情報を送ることができる網の回線に接続できる交換システムにおいて、前記内線端末から前記網へ発信するとき、前記網の回線毎に割り振られている加入者番号と前記発信内線端末のダイヤルイン番号とを比較する比較手段と、前記比較手段の比較の結果、前記加入者番号と前記ダイヤルイン番号が一致した場合に該ダイヤルイン番号を前記発信者番号情報として前記網に送出し、一致しなければ予め前記網の回線毎に設定した代表番号を前記発信者番号情報として送出する手段と、を具備する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
交換システムが収容する複数の例えばＩＳＤＮ網の中の１つのＩＳＤＮ網に対して端末が発呼すると、該ＩＳＤＮ網に設定されているＩＳＤＮ回線に割り振られた加入者番号と発信端末のダイヤルイン番号とが比較される。加入者番号と発信端末のダイヤルイン番号が一致すれば該ダイヤルイン番号を、一致しなければ予め設定した該ＩＳＤＮの代表番号つまり代表加入者番号を発信者番号情報として該ＩＳＤＮ網に送出する。加入者番号と発信端末のダイヤルイン番号が一致しなかった場合に送出される加入者番号は、この交換システムに接続された各局線、つまり各ＩＳＤＮ回線の局線番号に対応して加入者番号が記述されたテーブルを参照することにより求められる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
本発明により、複数の網（例えばＩＳＤＮ網）と契約している場合でも、回線毎に契約された加入者番号を発信者番号として網へ通知するため、スクリーニングによる呼の切断を防ぐことが出きる。また、必ず正しい加入者番号を発信者情報として送出するため、着信元からのコールバック(call back)も可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体部材と該半導体部材上に形成されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と該半導体部材に形成されたソース及びドレイン拡散層とを備えるＭＯＳ型トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体部材上に形成された第１熱酸化膜と該第１熱酸化膜上に形成された第２熱酸化膜と該第２熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜と、で構成されることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体部材は、Ｓｉ基板であることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタ。
【請求項３】
請求項１において、前記半導体部材は、多結晶Ｓｉであることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタ。
【請求項４】
請求項１において、前記半導体部材は、アモルファスＳｉであることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタ。
【請求項５】
半導体部材と該半導体部材上に形成されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と該半導体部材に形成されたソース及びドレイン拡散層とを備えるＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、
前記ゲート絶縁膜は、以下の工程で形成されることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
（Ａ）前記半導体部材上に第１熱酸化膜を形成する工程
（Ｂ）前記第１熱酸化膜上にＣＶＤ酸化膜を形成する工程
（Ｃ）Ｎ２雰囲気中でアニール処理を行う工程
（Ｄ）前記第１熱酸化膜の下方に第２熱酸化膜を形成する工程
【請求項６】
請求項５のＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｃ）工程は、前記（Ｂ）工程のＣＶＤ酸化膜形成時の温度よりも高い温度でアニール処理を行うことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項５、又は、６のＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｄ）の工程は、水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれかのＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｄ）の工程の後に、（Ｅ）Ｎ２雰囲気中でアニール処理を行うことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれかのＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、Ｓｉ基板であることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項５〜８のいずれかのＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、多結晶Ｓｉであることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
請求項５〜８のいずれかのＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、アモルファスＳｉであることを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
請求項５〜１１のいずれかのＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ａ）の工程の後に、前記（Ｂ）の工程を行うことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決する手段】
本発明のＭＯＳ型トランジスタは、半導体部材と該半導体部材上に形成されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と該半導体部材に形成されたソース及びドレイン拡散層とを備えるＭＯＳ型トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体部材上に形成された第１熱酸化膜と該第１熱酸化膜上に形成された第２熱酸化膜と該第２熱酸化膜上に形成されたＣＶＤ酸化膜と、で構成されることを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタは、前記ＭＯＳ型トランジスタにおいて、前記半導体部材は、Ｓｉ基板であることを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタは、前記ＭＯＳ型トランジスタにおいて、前記半導体部材は、多結晶Ｓｉであることを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタは、前記ＭＯＳ型トランジスタにおいて、前記半導体部材は、アモルファスＳｉであることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、半導体部材と該半導体部材上に形成されたゲート絶縁膜と該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と該半導体部材に形成されたソース及びドレイン拡散層とを備えるＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜は、以下の工程で形成されることを特徴とする。（Ａ）前記半導体部材上に第１熱酸化膜を形成する工程（Ｂ）前記第１熱酸化膜上にＣＶＤ酸化膜を形成する工程（Ｃ）Ｎ２雰囲気中でアニール処理を行う工程（Ｄ）前記第１熱酸化膜の下方に第２熱酸化膜を形成する工程
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｃ）工程は、前記（Ｂ）工程のＣＶＤ酸化膜形成時の温度よりも高い温度でアニール処理を行うことを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｄ）の工程は、水蒸気雰囲気中で行うことを特徴とするＭＯＳ型トランジスタの製造方法。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ｄ）の工程の後に、（Ｅ）Ｎ２雰囲気中でアニール処理を行うことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、Ｓｉ基板であることを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、多結晶Ｓｉであることを特徴とする。
また、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記半導体部材は、アモルファスＳｉであることを特徴とする。
さらに、本発明のＭＯＳ型トランジスタの製造方法は、前記ＭＯＳ型トランジスタの製造方法において、前記（Ａ）の工程の後に、前記（Ｂ）の工程を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動化調整増幅器回路であって、
入力と、該入力に存在する信号を増幅した信号を出力する第１出力と、前記増幅回路の第１調整指示信号を出力する指第２出力とを有する増幅回路と、
前記第１および第２出力ならびに前記入力に接続され、前記第１および第２出力ならびに前記入力に存在する信号を用いて複数の調整指示信号を抽出する抽出回路と、
前記複数の調整指示信号及び前記増幅回路に接続され、前記複数の調整指示信号に応答して、前記増幅回路の制御変数を調節するために少なくとも１つの制御信号を出力する制御回路とを有することを特徴とする自動化調整増幅器回路。
【請求項２】
前記制御回路は、前記増幅回路の利得を調節することを特徴とする請求項１に記載の増幅器回路。
【請求項３】
前記制御回路は、前記第１出力において出力される信号の相互変調歪みを最小にすることを特徴とする請求項２に記載の増幅器回路。
【請求項４】
前記制御回路は、前記第１出力において出力される信号のスペクトル再成長を最小にすることを特徴とする請求項２に記載の増幅器回路。
【請求項５】
前記増幅回路は、
前記入力に存在する前記信号を第１および第２入力信号部分に分割する第１カプラと、
前記第１入力信号部分を増幅して、所望信号部分および不要信号部分を有する第１の増幅された信号を生成する第１増幅器と、
前記第１の増幅された信号の位相をシフトして第２信号を形成する移相回路と、
前記第２入力信号部分を前記第２信号と足し合わせて第３信号を形成する第２カプラと、
前記第３信号を増幅して、所望信号部分および不要信号部分を有する第２の増幅された信号を生成する第２増幅器と、
前記第１の増幅された信号と第２の増幅された信号の不要信号部分どうしを実質的に相殺しながら、前記第１の増幅された信号と第２の増幅された信号の所望信号部分を足し合わせて第４信号を形成して前記第１出力に出力するコンバイナとを有することを特徴とする請求項１に記載の増幅器回路。
【請求項６】
ワイヤレス通信システム用の送信機であって、
キャリア成分を有する入力信号を受け取るように接続され、第１出力を有する送信機回路と、
増幅器回路であって、
増幅回路であり、前記第１出力に接続された入力と、該入力に存在する信号を増幅した信号を出力する第２出力と、前記増幅回路の第１調整指示信号を出力する第３出力とを有する増幅回路と、
前記第２および第３出力ならびに前記入力に接続され、前記第２および第３出力ならびに前記入力に存在する信号を用いて複数の調整指示信号を抽出する抽出回路と、
前記複数の調整指示信号及び前記増幅回路に接続され、前記複数の調整指示信号に応答して、前記増幅回路の制御変数を調節する少なくとも１つの制御信号を出力する制御回路とを有する増幅器回路と、
第２出力に現れる信号を送信するアンテナとを有することを特徴とする送信機。
【請求項７】
前記増幅回路は、
前記入力に存在する前記信号を第１および第２入力信号部分に分割する第１カプラと、
前記第１入力信号部分を増幅して、所望信号部分および不要信号部分を有する第１の増幅された信号を生成する第１増幅器と、
前記第１の増幅された信号の位相をシフトして第２信号を形成する移相回路と、
前記第２入力信号部分を前記第２信号と足し合わせて第３信号を形成する第２カプラと、
前記第３信号を増幅して、所望信号部分および不要信号部分を有する第２の増幅された信号を生成する第２増幅器と、
前記第１の増幅された信号と第２の増幅された信号の不要信号部分どうしを実質的に相殺しながら、前記第１の増幅された信号と第２の増幅された信号の所望信号部分を足し合わせて第４信号を形成して前記第２出力に出力するコンバイナとを有することを特徴とする請求項６に記載の送信機。
【請求項８】
増幅器回路の制御設定を、該回路の所望の動作を生じる設定に調整する自動化調整方法において、
ａ）前記増幅器回路の制御変数設定を各々が有する少なくとも２つの調整テストを前記増幅器回路に対して実行するステップと、
ｂ）各テストごとに前記増幅器回路から指示信号のセットを抽出するステップと、
ｃ）前記抽出された指示信号のセットを所定しきい値と比較するステップと、
ｄ）前記抽出された指示信号のセットが前記所定しきい値より小さいかどうかを判断するステップと、
ｅ）前記増幅器回路の制御設定を、前記所定しきい値より小さい前記抽出された指示信号のセットに関連づけられる前記テストの前記制御変数設定を用いて設定するステップとを有することを特徴とする、自動化調整方法。
【請求項９】
前記抽出された指示信号のセットのうちのいずれも前記所定しきい値より小さくない場合、
ｆ）前記抽出指標信号に基づいて、どのテストが最悪の結果を有するかを判断するステップと、
ｇ）前記最悪の結果を有するテストを捨てるステップと、
ｈ）前記増幅器回路の新たな制御変数設定を有する新たなテストを作成するステップと、
ｉ）前記新たなテストを前記増幅器回路に対して実行するステップと、
ｊ）前記新たなテストについて指示信号のセットを前記増幅器回路から抽出するステップと、
ｋ）前記新たなテストに関連づけられる前記抽出された指示信号のセットが前記所定しきい値より小さいかどうかを判断するステップと、
ｌ）前記新たなテストに関連付けられる前記抽出された指示信号が前記所定しきい値より小さい場合、前記増幅器回路の制御設定を、前記新たなテストの制御変数設定を用いて設定するステップとをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
増幅器回路の制御設定を、該回路により出力される信号が最小の歪みをもつ所望の信号レベルを有するように調整する自動化調整方法において、
ａ）キャリア成分を有する信号を前記増幅器回路に入力するステップと、
ｂ）前記増幅器回路の制御変数設定を各々が有する少なくとも２つの調整テストを前記増幅器回路に対して実行するステップと、
ｃ）各テストごとに前記増幅器回路から、前記入力信号に対する前記増幅器回路の動作を示す指示信号のセットを抽出するステップと、
ｄ）前記抽出された指示信号のセットを所定しきい値と比較するステップと、
ｅ）前記抽出された指示信号のセットが前記所定しきい値より小さいかどうかを判断するステップと、
ｆ）前記所定しきい値より小さい前記抽出された指示信号のセットに関連づけられるテストの制御変数設定を用いて前記増幅器回路の制御設定を設定するステップとを有することを特徴とする、自動化調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄水タンクと、該洗浄水における細菌成長を抑止するための装置とを含む写真処理機であって、該装置は、該タンクから該洗浄水を受けるための流体入口手段と、該洗浄水を該タンクへ戻すための流体出口手段とを有する容器を含み、該入口手段及び該出口手段は内部チャンバーと、該装置の使用時に該入口手段を介して該内部チャンバーに入る流体が該チャンバー内を流れて該出口手段を介して該容器から出ていくように、連通しており、そして該内部チャンバーは、高分子支持体の表面に固定化された有機殺生剤を含む殺生材料であって該支持体が水不溶性であり、かつ、該殺生剤が該支持体に、加水分解に対して安定な共有結合で結合されている殺生材料を保持していることを特徴とする写真処理機。
【請求項２】
前記殺生剤がイソチアゾリノンである、請求項１に記載の写真処理機。
【請求項３】
前記高分子支持体がポリウレタン、ポリアミド又はポリウレアである、請求項１又は２に記載の写真処理機。
【請求項４】
シート状、繊維状又は粒子状の水不溶性高分子支持体の表面に固定化された有機殺生剤を含む殺生材料であって、該殺生剤が該支持体に、加水分解に対して安定な共有結合で結合されている殺生材料と、写真処理機の洗浄水とを接触させる工程を含む、写真処理機の洗浄水における細菌成長を抑止するための方法。
【請求項５】
前記殺生剤がイソチアゾリノンである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記高分子支持体がポリウレタン、ポリアミド又はポリウレアである、請求項４又は５に記載の方法。