【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板上に半導体層を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体層上に、前記半導体層の一部に対応したコンタクトホールを有する絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜及び前記半導体層上に不純物が注入されたシリコン膜を形成する工程と、
（ｄ）前記シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記基板を９００℃以上の温度で熱処理する工程と を具備することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記半導体層には不純物が注入され、該不純物は前記（ｅ）工程により活性化されることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
（ｆ）前記（ｄ）工程後であって前記（ｅ）工程前に、前記シリコン膜及び高融点金属シリサイド膜を所定の形状にパターニングし、配線を形成する工程
を更に具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程で形成されるシリコン膜はアモルファスシリコン膜であり、前記（ｅ）工程により、前記アモルファスシリコン膜はポリシリコン化されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
複数の走査線と、該走査線と交差してなる複数のデータ線と、前記各走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する電気光学装置の製造方法において、
（ａ）基板上に、前記薄膜トランジスタのソース領域、チャネル領域及びドレイン領域となる半導体層を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体層を覆ってゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に前記走査線を形成する工程と、
（ｄ）前記ドレイン領域に対応した前記ゲート絶縁膜に第１コンタクトホールを形成する工程と、
（ｅ）前記走査線及び前記ゲート絶縁膜上に、不純物が注入されたシリコン膜を形成する工程と、
（ｆ）前記シリコン膜上に高融点金属シリサイド膜を形成する工程と、
（ｇ）前記シリコン膜及び高融点金属シリサイド膜をパターニングし、前記第１コンタクトホールと電気的に接続された導電層を形成する工程と、
（ｈ）前記（ｇ）工程後、９００℃以上の温度にて加熱処理を行う工程と、
（ｉ）前記加熱処理を経た導電層を含む前記ゲート絶縁膜上に、前記ソース領域に対応した第２コンタクトホールを有する絶縁膜を形成する工程と、
（ｊ）前記絶縁膜上に、前記第２コンタクトホールを介して前記ソース領域と電気的に接続された前記データ線を形成する工程と、
（ｋ）前記データ線を含む前記絶縁膜上に、前記導電層に対応した第３コンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｌ）前記層間絶縁膜上に、前記第３コンタクトホールを介して前記導電層と電気的に接続された前記画素電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体層は不純物が注入されて形成され、前記（ｈ）工程により該不純物が活性化されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｅ）工程で形成されるシリコン膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記（ｈ）工程により、前記アモルファスシリコン膜はポリシリコン化されることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記高融点金属シリサイド膜は遮光膜であることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電気光学装置は、前記走査線と同層で、かつ平行に配置された容量線と、該容量線を覆うように形成された誘電体層と、を更に具備し、
前記誘電体層を介して配置された前記容量線と前記導電層とにより容量が形成されてなることを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電気光学装置は、前記半導体層が延在された容量用電極を更に具備し、
前記ゲート電極を介して配置された容量用電極及び前記容量線とにより容量が形成されてなることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｋ）工程は、
前記データ線を含む前記絶縁膜上に、前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を、前記導電層の高融点金属シリサイド層をストッパーとしてエッチングして前記第３コンタクトホールを形成する工程と
からなることを特徴とする請求項５から請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記高融点金属シリサイド膜は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔa、Ｍｏ、Ｖの少なくとも１つから選択された金属のシリサイド膜であることを特徴とする請求項５から請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
（ｍ）前記（ｋ）工程後であって、前記（ｌ）工程前に、前記基板をフッ酸系の処理液にて処理する工程
を具備することを特徴とする請求項５から請求項１３のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項１６】
請求項５から請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
複数の走査線と、該走査線と交差してなる複数のデータ線と、前記各走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する電気光学装置において、
前記走査線と同層で、かつ平行に配置された容量線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン領域の半導体層が延長されて形成され、前記容量線との間に第1の誘電体層を挟むことにより容量を形成する容量電極と、
前記容量線上に前記容量線を覆うように形成された第２の誘電体層と、
シリコン膜及び前記シリコン膜上の高融点金属シリサイド膜をパターニングされて設けられ、前記薄膜トランジスタのドレイン領域の半導体層に第１のコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記容量線と前記第２の誘電体層を介して容量を形成する導電層と、
前記導電層上に配置された層間絶縁膜に設けられた第３のコンタクトホールを介して前記導電層と前記画素電極が電気的に接続される事を特徴とする電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と、該走査線と交差してなる複数のデータ線と、前記各走査線とデータ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する電気光学装置において、
前記走査線と同層で、かつ平行に配置された容量線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン領域の半導体層が延長されて形成され、前記容量線との間に第1の誘電体層を挟むことにより容量を形成する容量電極と、
前記容量線上に前記容量線を覆うように形成された第２の誘電体層と、
シリコン膜及び前記シリコン膜上の高融点金属シリサイド膜をパターニングされて設けられ、前記薄膜トランジスタのドレイン領域の半導体層に第１のコンタクトホールを介して電気的に接続され、前記容量線と前記第２の誘電体層を介して容量を形成する導電層と、
前記導電層上に配置された層間絶縁膜に設けられた第３のコンタクトホールを介して前記導電層と前記画素電極が電気的に接続される事を特徴とする。
かかる構成によれば、導電層は、容量電極も兼ね、２つの容量を積み重ねて形成することができるので、画素開口率を保持しつつ容量を増大させることが出来るという効果を奏する。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。