(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極を備えた発光素子と、前記発光素子を駆動するトランジスタとが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、
前記発光素子と同一の構造を有し、第１電極及び第２電極を備える第１および第２のモニター素子と、
前記モニター素子に一定の電流を供給する電流源と、
前記電流源と前記第１および第２のモニター素子とを導通又は非導通にする第１および第２のスイッチと、
バッファアンプと、を有し、
前記第１および第２のモニター素子の第２電極及び前記発光素子の第２電極には固定電位が供給され、
前記第１および第２のモニター素子の第１電極は、それぞれ前記第１および第２のスイッチを介して前記電流源および前記バッファアンプの入力端子と接続され、
前記発光素子の第１電極は、前記トランジスタを介して前記バッファアンプの出力端子と接続され、
複数の前記発光素子は、面積が前記副画素毎に異なり、
前記第１および第２のモニター素子の面積は、前記発光素子のいずれか一つの面積と略々等しく、
前記第１および第２のモニター素子に交互に電流が流れるように前記第１および第２のスイッチを制御する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、複数の前記発光素子は、前記副画素の面積の関係が等比２の等比数列の関係を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、前記モニター素子の面積は、前記発光素子のうち、最も小さい発光素子の面積と略々等しいことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の表示装置を表示部に有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、特にアクティブマトリクス型に配置された発光素子を有する表示装置に関する。また、表示装置を具備する電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＶ、ＰＣモニター、モバイル用端末等を主な用途として、薄型ディスプレイの需要が急速に広がり、更なる開発が進められている。薄型ディスプレイとしては、液晶表示装置（ＬＣＤ）や発光素子を具備した表示装置があり、特に発光素子を用いたアクティブマトリクス型ディスプレイは、既存のＬＣＤが持つ薄型、軽量、高画質等の利点と併せて、応答速度が速い、視野特性が広い等の特徴を有しているため、次世代ディスプレイとして期待されており、一部実用化されている。
【０００３】
発光素子は有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  ：  ＯＬＥＤ）ともよばれ、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に、有機化合物や無機化合物を含み、陽極・陰極間に電界を印加すると発光する層（以下、電界発光層と表記する）を有している。この発光素子に流れる電流量と、発光素子の輝度は一定の関係があり、発光素子は電界発光層に流れる電流量に応じた輝度で発光を行っている。
【０００４】
しかしながら発光素子は、周囲の温度（以下環境温度と表記）により、その抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質を有する。具体的には、室温を通常の温度としたとき、環境温度が通常の温度よりも高くなると抵抗値が低下し、環境温度が通常よりも低くなると抵抗値が上昇する。そのため、環境温度が高くなると電流値が増加して所望の輝度よりも高い輝度となり、環境温度が低くなると電流値が低下して所望の輝度よりも低い輝度となる。このような発光素子の性質は、発光素子の電圧電流特性と温度の関係のグラフ（図３０（Ａ）参照）に示す通りである。また、発光素子は、経時的にその電流値が減少する性質を有する。このような発光素子の性質は、発光素子の電圧電流特性と時間の関係のグラフ（（図３０（Ｂ）参照））に示す通りである。
【０００５】
そのため発光素子が有する性質により、環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。このような実情を鑑み、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による影響を抑制する表示装置が提案されている（例えば特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開２００２−７２９６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に記載の発明においては、モニター用素子と表示部の画素に設けられた発光素子とが、同じ環境温度による両電極間の印加電圧と発光素子を流れる電流との関係が同じになるよう作製されている。しかしながら、表示部の画素サイズが大きくなるにつれてモニター用素子の大きさも同サイズにする必要があった。そのため、表示パネルの小型化の弊害の問題があった。
【０００７】
本発明の表示装置は上記課題を鑑み、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制し、かつ表示部の画素サイズが大きくなった際にモニター素子のサイズを大型化することなく設計することが可能な表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、面積が副画素毎に異なり、モニター素子の面積は、いずれか一の発光素子の面積と略々等しい構成とする。
【０００９】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、モニター素子の第２電極の電位を保持する容量素子と、容量素子と電流源とを導通又は非導通にする第１のスイッチと、電流源とモニター素子とを導通又は非導通にする第２のスイッチと、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、面積が副画素毎に異なり、モニター素子の面積は、いずれか一の発光素子の面積と略々等しい構成とする。
【００１０】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、副画素の面積の関係が等比２の等比数列の関係を有し、モニター素子の面積は、複数の発光素子のうち、面積が最も小さい発光素子の面積と略々等しい構成とする。
【００１１】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、モニター素子の第２電極の電位を保持する容量素子と、容量素子と電流源とを導通又は非導通にする第１のスイッチと、電流源とモニター素子とを導通又は非導通にする第２のスイッチと、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、面積が副画素毎に異なり、モニター素子の面積は、発光素子のうち、最も小さい発光素子の面積と略々等しい構成とする。
【００１２】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、発光強度が副画素毎に異なり、モニター素子の発光強度は、いずれか一の発光素子の発光強度と略々等しい構成とする。
【００１３】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、モニター素子の第２電極の電位を保持する容量素子と、容量素子と電流源とを導通又は非導通にする第１のスイッチと、電流源とモニター素子とを導通又は非導通にする第２のスイッチと、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、発光強度が副画素毎に異なり、モニター素子の発光強度は、いずれか一の発光素子の発光強度と略々等しい構成とする。
【００１４】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、副画素の発光強度の関係が等比２の等比数列の関係を有し、モニター素子の発光強度は、複数の発光素子のうち、最も小さい発光強度と略々等しい構成とする。
【００１５】
さらに別の本発明の表示装置の一は、第１電極及び第２電極を備えた発光素子及び前記発光素子を駆動するトランジスタが複数の副画素のそれぞれに設けられた画素と、第１電極及び第２電極を備えるモニター素子と、モニター素子に電流を供給する電流源と、モニター素子の第２電極の電位を保持する容量素子と、容量素子と電流源とを導通又は非導通にする第１のスイッチと、電流源とモニター素子とを導通又は非導通にする第２のスイッチと、バッファアンプと、を有し、モニター素子の第１電極及び発光素子の第１電極は電源線に接続され、モニター素子の第２電極は、バッファアンプの入力端子と接続され、発光素子の第２電極は、トランジスタを介してバッファアンプの出力端子と接続され、複数の発光素子は、発光強度が副画素毎に異なり、モニター素子の発光強度は、発光素子のうち、最も小さい発光強度と略々等しい構成とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の表示装置を用いることで、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、本発明の表示装置ではモニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がない。そのため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の態様、実施例について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
なお本明細書において、各素子間の接続は、電気的に接続されていることを示す。そのため、接続関係を有する素子間に、半導体素子やスイッチング素子等を介して接続することもありうる。
【００１９】
また本明細書において、トランジスタのソース電極及びドレイン電極は、トランジスタの構成上、ゲート電極以外の電極を便宜上区別するために採用されている名称である。本発明において、トランジスタの極性に限定されない構成の場合、その極性を考慮すると、ソース電極及びドレイン電極の名称は変化する。そのため、ソース電極又はドレイン電極を、一方の電極及び他方の電極のいずれかとして記載することがある。
【００２０】
（実施の形態１）
本実施の形態においては、本発明による表示装置における温度及び劣化補償の基本原理について説明する。図１は温度及び劣化補償回路を有する表示装置の模式図を示したものである。
【００２１】
本発明の表示装置は、ゲートドライバ１０７、ソースドライバ１０８及び画素部１０９を備える。画素部１０９は複数の画素１０６から構成される。画素部１０９において画素１０６は複数の副画素１０６ａ，１０６ｂ、１０６ｃで構成されている。なお複数の副画素のそれぞれは、駆動用のトランジスタ１０４（駆動ＴＦＴ）、発光素子１０５が設けられている。また、複数の副画素１０６ａ，１０６ｂ、１０６ｃは図１においては３つの副画素で構成しているがこれに限定されず、１つの画素において副画素が２つ以上設けられていればよいことを付記する。
【００２２】
なお、本明細書においては、画素とは一つの画像を構成する色要素を具備するものであり、発光素子及び発光素子を駆動する素子（例えばトランジスタで構成される回路）を有する副画素を複数含むものとする。また本明細書においては、絵素とは、一つの最小の画像を表示するための色要素を構成する画素を具備するものであるとする。よって、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるフルカラー表示装置の場合には、絵素とはＲの色要素、Ｇの色要素、Ｂの色要素を含む画素から構成されているものとする。また、画素において、副画素を呼称する場合については、第１の副画素、第２の副画素といったように呼称するものとする。また、各副画素は、その面積の大きさが異なっていてもよいし、異なっていなくてもよい。
【００２３】
温度及び劣化補償回路（以下補償回路という）の基本構成について説明する。電流源１０１、モニター素子１０２、バッファアンプ１０３、駆動用のトランジスタ１０４、発光素子１０５を有する。なお、モニター素子１０２は複数の副画素１０６ａ，１０６ｂ、１０６ｃのいずれかに設けられた発光素子と同一の電流特性を持つ発光素子で形成する。例えばＥＬ素子で発光素子を形成する場合には、モニター素子１０２のＥＬ素子と複数の副画素１０６ａ，１０６ｂ、１０６ｃのいずれかに設けられたＥＬ素子は同じＥＬ材料を、同じ条件で作製するようにする。例えば本実施の形態では第１の副画素に設けられた発光素子と同じ材料で、同じ条件で、同じ大きさに作製されたものであるとする。なお、本明細書におけるモニター素子と副画素の電気特性が等しいとは、全く同じである必要はなく概略同じであればよいものとする。また、本明細書においては、一つのモニター素子の面積と一つの発光素子の面積は、全く同じである必要はなく略々同じであればよいものとする。さらに、本明細書において、一つのモニター素子の面積と一つの発光素子の面積の差が、そのモニター素子の面積の２０％、好ましくは５％以内であれば、そのモニター素子の面積とその発光素子の面積は略々等しいとみなすことができる。同様に、一つのモニター素子の発光強度と一つの発光素子の発光強度は、全く同じである必要はなく、略々同じであればよいものとする。また、本明細書において、一つのモニター素子の発光強度と一つの発光素子の発光強度との差が、そのモニター素子の発光強度の２０％、好ましくは５％以内であれば、そのモニター素子の発光強度とその発光素子の発光強度は略々等しいとみなすことができる。
【００２４】
電流源１０１はモニター素子１０２に一定の電流を供給する。つまりモニター素子１０２の電流値は常に一定である。この状態で環境温度が変化すると、モニター素子１０２自体の抵抗値が変化する。モニター素子１０２の抵抗値が変化すると、当該モニター素子１０２の電流値は一定であることから、モニター素子１０２の両電極間の電位差が変化する。このモニター素子１０２の両電極間の電位差を検出することで環境温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１０２の一定の電位に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極１１０の電位は変わらないので、電流源１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１１１側の電位の変化を検出する。
【００２５】
ここで本発明の表示装置において、従来の構成とは異なる構成を想到するに至る経緯について述べる。本発明の表示装置の画素部を構成する画素は、複数の副画素により構成されている。図２６に画素に複数の副画素として、第１の副画素、第２の副画素が設けられた例について述べる。第１の副画素、第２の副画素において第１の副画素の発光素子が設けられた面積をＳ、第２の副画素の発光素子が設けられた面積を第１の副画素に設けられた発光素子の面積の２倍にあたる２Ｓとして説明する。本発明の表示装置における補償回路は、副画素における電源線の電位を補正することで発光素子の劣化を補償することができる。第１の副画素及び第２の副画素における発光素子は、同じ材料であり、同じ膜厚で作製されたものであるとすると、発光素子自体の抵抗値の関係は、第１の副画素においてＲ、第２の副画素においてＲ／２となる。第１の副画素及び第２の副画素における発光素子は、同じ電源線に接続されており、且つ同じ対向電極に接続されているため、第１の副画素に設けられた発光素子にはＩの電流が流れ、第２の副画素においては第１の副画素に流れる電流Ｉの２倍の２Ｉの電流が流れることとなる。第１の副画素及び第２の副画素に設けられた発光素子は、電流密度によって発光の強度が決まるため、第１、第２の副画素における発光素子の発光強度は第１の副画素及び第２の副画素の発光素子の面積に比例する。そのため、第１の副画素の発光素子の発光強度をＬとすると、第２の副画素の発光強度は第１の副画素の発光強度Ｌの２倍にあたる２Ｌの発光強度を有することとなる。つまり、第１の副画素及び第２の副画素に設けられたいずれか一方の発光素子と同じ材料で、同じ条件で、同じ大きさに作製されたモニター素子を補償回路に設けさえすれば、第１の副画素及び第２の副画素の電源線の電位を同時に補正することができる。そして第１の副画素及び第２の副画素に設けられたいずれか一方の発光素子と同じ材料で、同じ条件で、同じ大きさに作製されたモニター素子に基づいた補正を行うことを見出した着眼点こそが、本発明の画素の大きさよりもモニター素子を小さくするという思想に帰着する要因である。
【００２６】
また本発明は、表示装置における画素部を構成する画素の大きさに比べて、モニター素子の大きさを小型化することを特徴とするものである。また、単に画素の発光素子を小型化してモニター素子とすることとは思想が異なることについて説明する。基本的には補償回路において、画素に設けられた発光素子とモニター素子との劣化の割合を同じにするためには、同じ材料で、同じ条件で、同じ大きさに作製することが必要である。ここで、単に画素の発光素子を小型化してモニター素子とする例について、図２７を用いて説明する。図２７において、図２７（Ａ）を画素に設けられた発光素子、図２７（Ｂ）はモニター素子であるとし、同じ材料で、同じ条件で作製されているが、画素に設けられた発光素子より、モニター素子の方が小さいものとする。また、図２７において駆動用のトランジスタ２７０１、第１の電極２７０２、電界発光層２７０３、第２の電極２７０４である。なお、本明細書においては、第１の電極、第２の電極、及び電界発光層を併せて、単に発光素子、モニター素子と呼ぶこととする。また、本明細書において発光素子の面積、モニター素子の面積とは、第１の電極、電界発光層、及び第２の電極が重畳した領域のことをいうものとする。
【００２７】
発光素子を劣化させる要因の一つに、外部から発光素子の電界発光層に侵入する水分や酸素などがあげられる。そのため、発光素子はシュリンクとも呼ばれる画素の端（エッジ）から輝度が劣化する現象を引き起こす。図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）における２７０５ａ、２７０５ｂで示した部分（シュリンク部という）では、特に発光素子における電界発光層の密着性等の問題からシュリンクが起こりやすいことが経験的に知られている。そこで図２７の（Ａ）と（Ｂ）を比較すると、画素における発光素子における電界発光層の面積に対しシュリンクが起こりやすい領域の割合が異なることがわかる。つまり、画素における発光素子の面積とモニター素子の面積の大きさを異ならせることはシュリンク形成部の大きさが異なることによる劣化の進行度が異なるため、画素の発光素子における電界発光層とモニター素子における電界発光層との劣化の進行度が異なり、発光素子の劣化補償が難しくなる。そのため、従来の思想においては、単にモニター素子の小型化を達成することは難しかった。
【００２８】
なお、上述の図２６のように第１の副画素、第２の副画素の発光素子の面積を等比２の等比数列の関係に設けることで、それらの発光素子の面積の組み合わせによって２×２＝４の階調を表現することができるため好適である。第１の副画素、第２の副画素の２つの副画素に限らず、画素に設けられた複数の副画素の発光素子の面積を等比２の等比数列の関係に設けることで、それらの組み合わせにより表示装置の多階調化を実現することができ好適である。換言すれば、複数の複数の副画素において、発光強度が等比２の等比数列の関係に設けることで多階調化を実現することができ好適である。もちろん必ずしも複数の副画素に設けられた発光素子の面積または発光強度を、等比２の等比数列の関係に設ける必要はない。
【００２９】
図２はモニター素子の電圧電流特性の温度依存性を示す図である。低温（例えば−２０℃）、室温（例えば２５℃）、高温（例えば７０℃）でのモニター素子１０２の電圧電流特性をそれぞれ線２０１、２０２、２０３に示す。電流源１０１からモニター素子１０２へ流れる電流値がＩ０であるとき、室温ではモニター素子にＶ０の電圧がかかっていることになる。そして、低温時ではＶ１の電圧となり、高温時ではＶ２の電圧となる。
【００３０】
このようなモニター素子１０２の電圧の変化を含む情報は、バッファアンプ１０３に供給され、陽極１１１の電位に基づき当該バッファアンプ１０３で発光素子１０５に供給する電位を設定する。つまり図２のように環境温度が低温となった場合には発光素子１０５にＶ１の電圧がかかるように電位を設定し、高温となった場合には発光素子１０５にＶ２の電圧がかかるように電位を設定する。そうすると、温度変化に合わせて、発光素子１０５に入力する電源電位を補正することができる。つまり、温度変化に起因した電流値の変動を抑制することができる。
【００３１】
また、図３はモニター素子１０２の電圧電流特性の経時変化を示す図である。モニター素子１０２の初期特性を線３０１、劣化後の特性を３０２で表している。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件で測定したものとする。初期特性の状態でモニター素子１０２に電流Ｉ０が流れるとモニター素子１０２にかかる電圧はＶ３、劣化後のモニター素子１０２にかかる電圧はＶ４となる。よって、このＶ４の電圧を、同様に劣化した発光素子１０５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１０５の劣化を低減することができる。このように、モニター素子１０２も発光素子１０５とともに劣化するため、発光素子１０５の劣化に対しても補償することができる。
【００３２】
このようにモニター素子１０２の陽極１１１の電位の変化に合わせて、発光素子１０５の陽極にモニター素子１０２の陽極１１１の電位と同じ電位を印加するバッファアンプ１０３には、オペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスであるため入力端子と出力端子を同電位とし、電流源１０１の電流がボルテージフォロワ回路に流れ込むことなく出力端子からは電流を流すことができるからである。
【００３３】
本実施の形態の補償回路を有する表示装置の具体的構成について図１１を用いて説明する。図１１においては、１つの画素が第１の副画素、第２の副画素で構成されている場合について示す。表示装置はゲートドライバ１１０７、ソースドライバ１１０８、画素部１１０９を有する。画素部には画素１１０６が設けられ、画素１１０６内にはスイッチング用トランジスタ１１１２、駆動トランジスタ１１０４及び発光素子１１０５を有する第１の副画素１１０６ａ、第２の副画素１１０６ｂが設けられている。ソースドライバはパルス出力回路１１１９、第１のラッチ回路１１１０、第２のラッチ回路１１１１を有する。第１のラッチ回路に入力を行っている時に第２のラッチ回路では出力を行うことができる。そして、ゲートドライバ１１０７から信号が入力されるゲート線により選択された画素１１０６のスイッチング用トランジスタ１１１２がオンする。そして、第２のラッチ回路１１１１により出力された信号をソース信号線Ｓ１〜Ｓｍから保持容量１１１３に書き込む。この保持容量１１１３に書き込まれた信号によって、駆動トランジスタ１１０４がオンオフし、発光素子の点灯、非点灯が決まる。つまり、電源線Ｖ１〜Ｖｍの電位が、オンしている駆動トランジスタ１１０４を介して、発光素子１１０５の第１の電極である陽極に印加され、発光素子１１０５に電流が供給され発光する。
【００３４】
本発明は、基本電流源１１０１から、並列接続したモニター素子１１０２ａ〜１１０２ｎに電流を流す。これらのモニター素子１１０２ａ〜１１０２ｎの第１の電極である陽極の電位を検出し、ボルテージフォロワ回路１１０３により電源線Ｖ１〜Ｖｍの電位を設定する。こうして、温度及び劣化補償の機能を備えた表示装置を提供することができる。
【００３５】
このように温度及び劣化補償の機能を備えた駆動方法のことをコンスタントブライトネスともいう。
【００３６】
なお、モニター素子の数は適宜選択することができる。もちろん、一個でも構わないし、図１１の様に各行毎に配置しても構わない。モニター素子を一つだけ用いるときには基本電流源１１０１に流す電流値は各画素の発光素子１１０５に流したい電流値を設定すればよいため消費電力が少なくてすむ。また、複数のモニター素子を配置すればモニター素子毎の特性のばらつきを平均化することができる。
【００３７】
なお、図１１の構成では各画素の発光素子１１０５の陰極はＧＮＤに設定されているがこれに限定されない。
【００３８】
また、ＲＧＢの画素毎に電源線の電位を設定することもできる。その一例を図１２に示す。図１１の表示装置と共通のところは共通の符号を用いている。また、詳しい動作については、図１１と同じなので省略する。
【００３９】
図１２の表示装置において信号線Ｓ１に接続されている画素がＲの発光をする画素、信号線Ｓ２に接続されている画素がＧの発光をする画素、信号線Ｓ３の接続されている画素がＢの発光をする画素とする。基本電流源１２０１ａはモニター素子１２０２ａに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路１２０３ａがモニター素子１２０２ａの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ１の電位に設定する。基本電流源１２０１ｂはモニター素子１２０２ｂに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路１２０３ｂがモニター素子１２０２ｂの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ２の電位に設定する。基本電流源１２０１ｃはモニター素子１２０２ｃに電流を供給し、ボルテージフォロワ回路１２０３ｃがモニター素子１２０２ｃの陽極の電位を検出し、この電位を電源線Ｖ３の電位に設定する。こうして、ＲＧＢ毎に電位を設定することができるため、例えば、ＲＧＢ毎のＥＬ材料によって温度特性や劣化特性が異なるときに、所望の電位を発光素子に設定することができる。つまりＲＧＢ毎に電源電位を補正することができる。
【００４０】
本実施の形態によれば、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【００４１】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた表示装置とは別の構成について述べる。本実施の形態では劣化補償の精度をさらに高めた構成について説明する。
【００４３】
表示装置を長期間使用し続けると、モニター素子と発光素子には劣化の進行に誤差が生じてくる。この誤差は使用期間が長ければ長いほど大きくなり、劣化補償の機能が低下することになる。
【００４４】
ここで、劣化の進行に差が生じた場合について図４を用いて説明する。モニター素子１０２及び発光素子１０５の電圧電流（ＶＩ）特性の初期特性を線４０１、表示装置をある期間使用したときのモニター素子１０２の劣化後のＶＩ特性を線４０２、発光素子１０５の劣化後のＶＩ特性を線４０３で表している。このようにモニター素子１０２の劣化と発光素子１０５の劣化の進行には差が生じる。なぜならば、表示装置が表示を行っている時には常にモニター素子１０２には電流が流れ続けている。ところが画素のそれぞれの発光素子１０５は発光している期間と非発光期間が存在するためモニター素子１０２と発光素子１０５の経時劣化には誤差が生じてくる。つまり、モニター素子の劣化に比べ、発光素子の劣化の進行は遅れることになる。
【００４５】
ここで、モニター素子１０２の初期特性において、モニター素子１０２に電流値Ｉ０の電流が流れるとき、初期特性ではモニター素子にはＶ５の電圧がかかることになる。そして、発光素子１０５の劣化後ではＶ６、モニター素子１０２の劣化後ではＶ７の電圧がかかることになる。逆に言えば劣化後の発光素子１０５に電流値Ｉ０を流すためにはＶ６の電圧を印加する必要があり、劣化後のモニター素子１０２に電流値Ｉ０を流すためにはＶ７の電圧を印加する必要がある。
【００４６】
この状態でモニター素子１０２の陽極１１１の電位Ｖ７を検出し、バッファアンプ１０３によって発光素子にこの電位Ｖ７が設定されると、発光素子に電流値Ｉ０を流すために必要な電圧Ｖ６以上の電圧が印加されることになり消費電力が大きくなってしまう。また、画素の各々の発光素子は劣化の進行が異なるため、必要以上の電圧が加わると焼きつきが目立つようになる。
【００４７】
そこで、本実施の形態では、各々の発光素子の劣化とモニター素子の劣化の進行をより近いものにして、劣化補償の精度を向上させるものである。
【００４８】
そのため、本実施の形態では、表示装置の各画素の発光素子の発光期間の平均した期間をモニター素子に流す電流の期間に設定する。好ましくは、表示装置が表示を行っている期間の１０％から７０％の期間をモニター素子に電流が流れるようにする。
【００４９】
ここで、表示装置において各画素の発光素子の発光期間と非発光期間の比の平均値は３：７の比であることが経験的に得られる。よって、より好ましくは表示装置が表示を行っている期間のうち３０％の期間をモニター素子に電流を流すようにする。
【００５０】
モニター素子の発光期間を設定することができる補償回路の構成を図５に示す。電流源５０１、モニター素子５０２、ボルテージフォロワ回路５０３、容量素子５０６、第一のスイッチ５０７、第二のスイッチ５０８及び画素５１０を有する。画素５１０は複数の副画素５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃを有し、それぞれ駆動トランジスタ５０４、発光素子５０５を有する。また、複数の副画素５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃは図５において、３つの副画素で構成しているがこれに限定されず、１つの画素において副画素が２つ以上設けられていればよいことを付記する。また実施の形態１と同様であるが、例えばＥＬ素子で発光素子を形成する場合には、モニター素子５０２のＥＬ素子と複数の副画素５１０ａ，５１０ｂ、５１０ｃのいずれかに設けられたＥＬ素子は同じＥＬ材料を、同じ条件で作製するようにする。本発明の表示装置では画素を構成する副画素と同じ大きさにモニター素子を作製し、表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がない。そのため、モニター素子を表示部の画素の大きさに比べ小型化することができる。
【００５１】
モニター素子５０２に定電流を流すときには第一のスイッチ５０７及び第二のスイッチ５０８をオンにする。するとモニター素子５０２に電流が流れ、モニター素子５０２の陽極５０９側の電位が容量素子５０６に蓄積されるとともに、ボルテージフォロワ回路５０３の非反転入力端子にこの電位が入力され、出力端子に同電位が出力される。こうして、環境温度の変化により電圧電流特性の変化した発光素子５０５に所望の電位を設定することができる。
【００５２】
そして、モニター素子５０２を非発光とするときには、第一のスイッチ５０７及び第二のスイッチ５０８をオフにし、モニター素子５０２の陽極５０９側の電位を容量素子５０６に保持させる。このとき第二のスイッチ５０８は第一のスイッチ５０７と同時にオフさせるか、少なくとも先にオフさせる。第一のスイッチ５０７が第二のスイッチ５０８より先にオフしてしまうと、モニター素子５０２の陽極側の電位を蓄積していた容量の電位が変動してしまうからである。
【００５３】
こうして非発光期間においても、第二のスイッチ５０８をオフにした瞬間のモニター素子５０２の陽極５０９側の電位が、ボルテージフォロワ回路５０３の非反転入力端子に入力される。そしてボルテージフォロワ回路５０３の出力端子には同電位が出力され、第二のスイッチ５０８をオフにした瞬間のモニター素子５０２に流れていた電流を発光素子に流すことができる。
【００５４】
この構成においてはモニター素子に電流を流している期間に温度補償機能を果たすことができるので、劣化補償と温度補償の両方を実現することができる。本実施の形態においては、特に劣化補償の機能が優れている。
【００５５】
ここで、表示装置の階調表示において、１フレーム期間あたりの各画素の発光と非発光の比の平均値は３０：７０の比であることが経験的に知られている。よって、表示装置の表示を行っている間中、電流を流し続けるモニター素子に流れる電流量と、各発光素子に流れる電流量の平均の比は１００：３０になることが分かる。よって、モニター素子に電流を流す期間を１フレーム期間あたり３０％に設定することでモニター素子と、画素の発光素子の劣化の進行を近づけることができる。つまり劣化補償の精度を向上させることができる。
【００５６】
また、上記構成においてＲＧＢ毎に劣化補償のモニター素子を設け、さらなる精度の向上した劣化補償及び温度補償機能を実現することができる。ＲＧＢ毎にＥＬの劣化進行や寿命が異なる場合や、ＲＧＢ毎にＥＬ素子の温度特性が異なる場合に、それぞれのＲＧＢ毎の発光素子に対応したモニター素子を設けて温度補償及び劣化補償を行うとよい。さらにＲＧＢのそれぞれの発光素子の発光期間と非発光期間の比の平均値（デューティー比）に合わせてそれぞれのＲＧＢ毎のモニター素子の発光期間を設定することでさらなる劣化補償の精度が向上する。つまり、モニター素子の劣化進行と各発光素子の劣化の進行の平均値が概ね等しくなるので、より劣化補償の精度が高くなる。さらに、モニター素子も同色のＥＬ材料を用いることができるので発光素子の温度補償の精度も向上させることができる。そのような構成としては、図１２に示した表示装置に適用することで実現できる。
【００５７】
このように、本実施の形態によれば、モニター素子の劣化の度合いを予め設定しておくことにより、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００５９】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた表示装置とは別の構成について述べる。本実施の形態では温度補償の精度を維持しつつ、劣化補償の精度を高めた表示装置の構成について図６を用いて説明する。
【００６０】
表示装置は電流源６０１、モニター素子６０２ａ及びモニター素子６０２ｂ、ボルテージフォロワ回路６０３、スイッチ６０６ａ、スイッチ６０６ｂ及び画素６１０を有する。画素６１０は複数の副画素６１０ａ、６１０ｂ、６１０ｃを有し、それぞれ駆動トランジスタ６０４、発光素子６０５を有する。また、複数の副画素６１０ａ、６１０ｂ、６１０ｃは、図６において３つの副画素で構成しているがこれに限定されず、１つの画素において副画素が２つ以上設けられていればよいことを付記する。また実施の形態１と同様であるが、例えばＥＬ素子で発光素子を形成する場合には、モニター素子６０２ａ、６０２ｂのＥＬ素子と複数の副画素６１０ａ、６１０ｂ、６１０ｃのいずれかに設けられたＥＬ素子は同じＥＬ材料を、同じ条件で作製するようにする。本発明の表示装置では画素を構成する副画素と同じ大きさにモニター素子を作製し、表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がない。そのため、モニター素子を表示部の画素の大きさに比べ小型化することができる。
【００６１】
本構成の補償回路の動作について簡単に説明する。スイッチ６０６ａ又は６０６ｂが交互にオンするようにする。すると、必ずモニター素子６０２ａ又はモニター素子６０２ｂに電流が流れる。そして、これらのモニター素子のどちらかの陽極の電位をボルテージフォロワ回路６０３で検出し、その電位を発光素子６０５の陽極の電位に設定することができる。また、スイッチ６０６ａ及び６０６ｂがオンする期間を同じに設定すれば、モニター素子６０２ａ及び６０２ｂの経時劣化を遅らせることができる。
【００６２】
また、常にどちらかのモニター素子に電流を流し、そのモニター素子の陽極の電位を検出し、発光素子の陽極の電位を設定しているため、温度補償も常に行うことができる。
【００６３】
このように動作させることができるスイッチの一例を図７に示す。スイッチ７０１が図６におけるスイッチ６０６ａ及び６０６ｂの機能を果たす。スイッチ７０１の端子ａは電流源６０１に接続され、端子ｂはモニター素子６０２ａの陽極に、端子ｃはモニター素子６０２ｂの陽極に接続されている。モニター素子６０２ａに電流源６０１からの電流を流すときにはスイッチ７０１の端子ａと端子ｂが導通状態になり、モニター素子６０２ｂに電流を流すときには端子ａと端子ｃが導通状態になる。
【００６４】
スイッチ７０１の具体的構成の例を図８に示す。スイッチ７０１はアナログスイッチ８０１及び８０２並びにインバータ８０３を有する。制御信号がアナログスイッチ８０１及びアナログスイッチ８０２の制御入力端子に入力され、アナログスイッチ８０１又はアナログスイッチ８０２のいずれかがオンする。こうして、モニター素子６０２ａ又はモニター素子６０２ｂのいずれに電流を流すかを選択することができる。
【００６５】
また、スイッチ６０６ａ及びスイッチ６０６ｂの機能を図９に示すようにトランジスタを用いて実現することができる。Ｐチャネル型のスイッチング用トランジスタ９０１とＮチャネル型のスイッチング用トランジスタ９０２を用いる。スイッチング用トランジスタ９０１のソース端子と、スイッチング用トランジスタ９０２のドレイン端子とが電流源６０１に接続され、スイッチング用トランジスタ９０１のドレイン端子がモニター素子６０２ａの陽極と、スイッチング用トランジスタ９０２のソース端子がモニター素子６０２ｂの陽極と接続されている。これらのトランジスタのゲート端子に制御信号が入力される。するとスイッチング用トランジスタ９０１及び９０２は極性が異なることからどちらかがオンする。こうしてモニター素子６０２ａ又は６０２ｂを選択することができる。この構成を表示装置に適用したときの具体的な構成例を図１３に示す。図９のＰチャネル型のスイッチング用トランジスタ９０１が図１３のトランジスタ１３０２ｂに対応し、図９のＮチャネル型のスイッチング用トランジスタ９０２が図１３のトランジスタ１３０２ａに対応する。そして、制御信号が制御線１３０１からこれらのトランジスタのゲート端子に入力され、Ｐチャネル型のトランジスタ１３０２ｂとＮチャネル型のトランジスタ１３０２ａが交互にオンする。
【００６６】
なお、図１０に示すように同じ極性のトランジスタを用いても同様の機能を果たすことができる。一方のスイッチング用トランジスタ１００１の制御入力端子には制御信号をそのまま入力し、他方のスイッチング用トランジスタ１００２にはインバータを介して制御信号を入力する。すると制御信号が反転してスイッチング用トランジスタ１００２に入力されるため、どちらかのスイッチング用トランジスタを選択することができる。なお、図１０においてはＰチャネル型のスイッチング用トランジスタ１００１及びスイッチング用トランジスタ１００２を用いて説明したが、もちろんＮチャネル型のトランジスタのみを用いても同様の機能を果たすことができる。この構成を表示装置に適用したときの具体的な構成例を図１４に示す。図１０のスイッチング用トランジスタ１００１が図１４のトランジスタ１４０２ｂに対応し、図１０のスイッチング用トランジスタ１００２が図１４のトランジスタ１４０２ａに対応する。そして、制御信号が制御線１４０１から入力され、この信号がトランジスタ１４０２ｂのゲート端子に入力される。一方制御信号が反転された制御信号１４０１ａ及び反転しない制御信号１４０１ｂが、トランジスタ１４０２ｂとトランジスタ１４０２ａを交互にオンする。
【００６７】
なお、選択するモニター素子は二つに限られず複数を並列に配置して劣化進行をさらに遅くすることができる。したがって三つのモニター素子を並列に配置し、電流を流すモニター素子を順々に選択することにより、発光素子とモニター素子の劣化の進行を近づけることもできる。
【００６８】
さらに、劣化補償を高める構成を図１５に示す。画素１１０６の発光素子とモニター素子の劣化の進行を近づけるため、画素部１１０９の一列に信号を供給するソース信号線をトランジスタ１５０１ａ〜１５０１ｎのソース端子に接続し、トランジスタ１５０２ａ〜１５０２ｎのオンオフを制御するようにする。こうすることで、ある列の各発光素子と各モニター素子の発光期間と非発光期間の比を同等にすることができる。なお、図１５の構成では信号線Ｓ１を、モニター素子のオンオフを制御するトランジスタへ信号を伝えるスイッチング用のトランジスタ１５０１ａ〜１５０１ｎと接続している。
【００６９】
本実施の形態によれば、画素の発光素子とモニター素子の劣化の近づけておくことにより、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【００７０】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００７１】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた表示装置とは別の構成について述べる。本実施の形態では温度補償の精度を維持しつつ、劣化補償の精度を高めた表示装置の構成について図１６を用いて説明する。
【００７２】
図１６に示す本実施の形態の表示装置は、経時測定回路１６０１、記憶回路１６０２、補正データ作成回路１６０３、電源回路１６０４、電流源１６０５、発光素子１６１４及び駆動用トランジスタ１６１３を含む画素１６１６を有する。これらの回路は、発光素子１６１４とモニター素子１６０６と共に、同一の基板１６１０上に設けられていてもよいし、別の基板上に設けられていてもよい。
【００７３】
基板１６１０上に設けられた画素領域１６０９には、複数の画素１６１６がマトリクス状に設けられており、複数の画素の各々は第１の副画素１６１６ａ及び第２の副画素１６１６ｂを有する、また第１の副画素及び第２の副画素はそれぞれ発光素子１６１４とトランジスタ（図１６では駆動用トランジスタ１６１３のみを例示）とを有する。第１の副画素または第２の副画素に設けられた発光素子１６１４のいずれかとモニター素子１６０６は、同一の基板１６１０上に設けられている。つまり、同一の作製条件により、同一の工程で作成されたものであり、環境温度の変化と経時変化に対して同じ特性を有する。本発明の表示装置では画素を構成する副画素と同じ大きさにモニター素子を作製し、表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がない。そのため、モニター素子を表示部の画素の大きさに比べ小型化することができる。発光素子１６１４は、基板１６１０上に設けられたドライバ（ここでは第１のゲートドライバ１６０８と、第２のゲートドライバ１６１１と、ソースドライバ１６１２を例示）により、点灯と非点灯やその輝度が制御される。
【００７４】
モニター素子１６０６は、基板１６１０上に１つ又は複数設けられる。１つ又は複数のモニター素子１６０６を含むモニター用回路１６０７は、画素領域１６０９内に設けてもよいし、それ以外の領域に設けてもよい。但し、モニター用回路１６０７は、画像の表示に影響を及ぼさないように、画素領域１６０９以外の領域に設けると望ましい。
【００７５】
モニター素子１６０６には電流源１６０５により一定の電流が供給される。この状態で環境温度の変化と経時変化が生じると、モニター素子１６０６自体の抵抗値が変化する。そうすると、モニター素子１６０６の電流値は常に一定なため、モニター素子１６０６の両電極間の電位差が変化する。
【００７６】
上記構成の場合、モニター素子１６０６が含む２つの電極のうち、対向電極１６１５の電位は変化せず、モニター素子１６０６が含む２つの電極のうち、電流源１６０５に接続する側の電極（ここでは第１の電極とよぶ）の電位が変化する。変化したモニター素子１６０６の第１の電極の電位は、補正データ作成回路１６０３に出力される。
【００７７】
経時測定回路１６０１は、電源回路１６０４が発光素子１６１４を含むパネルに電源を供給していた時間を測定する機能、又は、画素領域１６０９内の各画素に供給するビデオ信号をサンプリングして、発光素子１６１４の点灯時間を測定する機能を有する。後者の機能の場合、画素領域１６０９には複数の発光素子１６１４が設けられており、各々の発光素子１６１４で点灯時間が異なる。従って、各々の発光素子１６１４の点灯時間を算出した後、その平均値を用いるとよい。また、複数の発光素子１６１４から選別したいくつかの発光素子１６１４の点灯時間を算出し、その平均値を用いるとよい。経時測定回路１６０１は、上記のどちらかの機能により得た経過時間に関する情報を含む信号を、補正データ作成回路１６０３に出力する。
【００７８】
記憶回路１６０２は、発光素子１６１４の電圧電流特性の経時変化を記憶する回路である。つまり、各経過時間における発光素子１６１４の電圧電流特性を記憶しており、好ましくは１万時間から１０万時間分のものを記憶する。記憶回路１６０２は、補正データ作成回路１６０３から供給される信号に基づき、その経過時間に対応した発光素子１６１４の電圧電流特性のデータを補正データ作成回路１６０３に出力する。
【００７９】
補正データ作成回路１６０３は、モニター素子１６０６の出力と、記憶回路１６０２の出力に基づき、発光素子１６１４を動作させる最適な電圧条件を算出する。つまり、所望の輝度が得られる最適な電圧条件を算出する。そして、その情報を含む信号を電源回路１６０４に出力する。
【００８０】
電源回路１６０４では、補正データ作成回路１６０３から供給された信号に基づき、補正した電源電位を発光素子１６１４に供給する。
【００８１】
なお、発光素子１６１４を含むパネルを用いてカラー表示を行う場合、発光波長帯の異なる電界発光層を画素毎に設けるとよく、典型的には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した電界発光層を設けるとよい。この場合、赤、緑、青の各色に対応したモニター素子１６０６を設けて、色毎に電源電位を補正するとよい。
【００８２】
なお、ＥＬ劣化の加速試験を行い、加速係数を算出する。そして、長期の劣化特性を推定したデータを記憶回路１６０２にいれておくとよい。
【００８３】
上記構成を有する本発明によると、モニター素子を用いて、発光素子の電圧条件を最適なものとすることで、温度変化と経時変化の両者に起因した発光素子の電流値の変化による影響を抑制することができる。また、本発明によると、ユーザーによる操作を必要としないため、エンドユーザに渡った後も継続して補正を続けることで、製品としての長寿命化が見込まれる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【００８４】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【００８５】
（実施の形態５）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた表示装置とは別の構成について述べる。本実施の形態では、実施の形態１乃至４で示した表示装置を用いて、表示をしていない期間に画素内の発光素子の経時劣化補正を行う方法について説明する。
【００８６】
発光素子の経時劣化の進行の度合いは、初期に大きく、時間と共に段々少なくなっていく。従って、発光素子を用いた表示装置では、発光素子の輝度調整前（例えば出荷前）に、全ての発光素子の初期の経時変化を生じさせてしまう初期エージング処理を行うとよい。このような初期エージング処理を行って、発光素子の初期の急減な経時変化を予め生じさせておけば、その後、経時変化が急激に進行することはないため、発光素子の経時変化を起因とした焼き付きなどの現象を軽減することができる。
【００８７】
なお、初期エージング処理は、発光素子をある期間だけ点灯させることで行うが、好ましくは、通常の使用時よりも高い電圧をかけるとよい。そうすれば、初期の経時変化が短時間で生じることになる。
【００８８】
また、本発明の表示装置を充電式の蓄電池を用いて動作させる場合には、表示装置の使用状態ではない充電中に、全ての画素を点灯又は点滅させる処理、標準画像（例えば待ち受け画像など）の明暗を反転させた画像を表示する処理、ビデオ信号をサンプリングすることにより、点灯頻度の低い画素を検出して、当該画素を点灯又は点滅させる処理などを行うとよい。上記のように、使用状態ではないときに、焼き付きの低減を目的として行う上記の処理は、フラッシュアウト処理とよぶ。このフラッシュアウト処理を行えば、当該処理後に、焼き付きが生じたとしても、その焼き付いた画像の一番明るい箇所と、一番暗い箇所との差を５階調以下、さらに好ましくは１階調以下に設定することができる。また、焼き付きを軽減するためには、上記の処理以外に、なるべく画像を長時間固定化しないようにする処理を行うとよい。
【００８９】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。すなわち、本実施の形態によれば、画像の焼き付きを軽減すると共に、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【００９０】
（実施の形態６）
本実施の形態においては、上記実施の形態で述べた表示装置とは別の構成について述べる。本実施の形態では、モニター素子がショートしたときにモニター制御用のトランジスタをオフとする回路構成及びその動作について説明する。
【００９１】
本実施形態は、モニター素子に接続されたモニター制御用のトランジスタ及びインバータを設ける。これはモニター素子の不良（初期不良や経時不良を含む）により生じる、モニター素子の動作不良を考慮して設けられている。例えば、電流源とモニター素子とが、その他のトランジスタ等を介さず接続されている場合、モニター素子が、作製工程中の不良等により、モニター素子が有する陽極と陰極とがショート（短絡）する場合を考える。すると、電流源からの電流は、ショートしたモニター素子へ多く供給されてしまう。その結果、適切なモニター素子の電位の変化を、発光素子へ供給することができなくなってしまう。
【００９２】
図１７を用いて、モニター素子周辺の回路の詳しい動作を説明する。図１７（Ａ）に示すように、モニター素子１７０１が有する電極において、高電位側を第１電極１７０１ａ、低電位側を第２電極１７０１ｃとすると、第１電極１７０１ａはインバータ１７０３の入力端子に接続され、第２電極１７０１ｃは接地電位（ＧＮＤ：グラウンド電位）に接続され、固定電位となる。そのため、モニター素子１７０１が有する陽極と陰極とがショートすると、第１電極１７０１ａの電位が、第２電極１７０１ｃの電位に近づく。その結果、インバータ１７０３には、第２電極１７０１ｃの電位に近い低電位が供給されるため、インバータ１７０３が有するｐチャネル型のトランジスタ１７０３ｐがオンとなる。すると、高電位側の電位（Ｖａ）がインバータ１７０３より出力され、モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電位となる。すなわち、モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲートに入力される電位はＶａとなり、モニター制御用のトランジスタ１７０２はオフとなる。
【００９３】
ここで、モニター素子１７０１に一定電流を流す順序に注意する。モニター制御用のトランジスタ１７０２がオンの状態で、モニター線１７０４（実施の形態１における電流源１０１、バッファアンプ１０３に接続される配線）に一定電流を流し始める必要がある。本実施の形態では、図１７（Ｂ）に示すようにＶａをＬｏｗにしたまま、モニター線１７０４に電流を流し始めている。そしてＶａは、モニター線１７０４の電位が飽和状態となった後、ＶＤＤとなるようにする。その結果、モニター制御用のトランジスタ１７０２がオンの状態であっても、モニター線１７０４を充電することができる。
【００９４】
一方、モニター素子１７０１がショートしていない場合、第１電極１７０１ａの電位がインバータ１７０３に供給されるため、ｎチャネル型のトランジスタ１７０３ｎがオンとなる。すると、低電位側の電位がインバータ１７０３より出力され、モニター制御用のトランジスタ１７０２はオンとなる。
【００９５】
このようにして、ショートしたモニター素子１７０１へは、電流源からの電流が、供給されないようにすることができる。従って、モニター用の発光素子が複数ある場合、そのモニター素子のうち少なくとも一個がショートしたとき、ショートしたモニター素子への電流供給を遮断することでモニター線１７０４の電位の変化を最小限に抑えることができる。その結果、適切なモニター素子１７０１の電位の変化を、画素部へ供給することができる。
【００９６】
また、モニター素子がショートしたときにモニター制御用のトランジスタをオフとする回路構成及びその動作として別の構成について説明する。
【００９７】
図１８（Ａ）に示すモニター素子周辺の回路は、ｐチャネル型の第１のトランジスタ１８０１、第１のトランジスタにゲート電極が共通し、並列に接続されているｎチャネル型の第２のトランジスタ１８０２、第２のトランジスタに直列に接続されているｎチャネル型の第３のトランジスタ１８０３を有する。モニター素子１７０１は、第１のトランジスタ１８０１及び第２のトランジスタ１８０２のゲート電極に接続されている。モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極は、第１のトランジスタ１８０１及び第２のトランジスタ１８０２が互いに接続されている電極に接続されている。その他の構成は図１７と同様である。
【００９８】
また、ｐチャネル型である第１のトランジスタ１８０１の高電位側の電位をＶａとし、ｎチャネル型である第３のトランジスタ１８０３のゲート電極の電位をＶｂとする。そして、モニター線１７０４の電位、Ｖａ、Ｖｂの電位を図１８（Ｂ）に示すように動作させる。
【００９９】
まず、モニター線１７０４の電位を飽和状態にさせ、その後、Ｖａの電位をＨｉｇｈとする。モニター素子１７０１がショートしている場合、モニター素子１７０１の第１電極側である陽極の電位、つまり点Ｄの電位は、モニター素子１７０１の陰極と、同程度にまで下がる。すると、第１のトランジスタ１８０１及び第２のトランジスタ１８０２のゲート電極には、低い電位、つまりＬｏｗが入力され、ｎチャネル型である第２のトランジスタ１８０２がオフとなり、ｐチャネル型である第１のトランジスタ１８０１がオンとなる。そして、第１のトランジスタ１８０１の一方の電位である、高い側電位が、モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極へ入力され、オフとなる。その結果、ショートしたモニター素子１７０１には、モニター線１７０４からの電流は供給されない。
【０１００】
このとき、ショートの状態がわずかであり、陽極の電位が微少に低下した場合であると、第１のトランジスタ１８０１及び第２のトランジスタ１８０２のいずれがオン、またはオフとなるか制御しづらいことがある。そこで、図１８に示すように、第３のトランジスタ１８０３のゲート電極へＶｂの電位を供給する。すなわち、図１８（Ｂ）に示すように、ＶａがＨｉｇｈとなっている間に、Ｖｂの電位をＬｏｗとする。すると、ｎチャネル型である第３のトランジスタ１８０３はオフとなる。その結果、陽極の電位が、ＶＤＤから第１のトランジスタのしきい値電圧分下がった電位なら、第１のトランジスタ１８０１をオンとすることができ、モニター制御用のトランジスタ１７０２をオフとすることができる。
【０１０１】
このようにＶｂの電位を制御することにより、陽極の電位が、微少に下がった場合であっても、モニター制御用のトランジスタ１７０２を正確にオフとすることができる。
【０１０２】
なおモニター素子が正常である場合、モニター制御用のトランジスタ１７０２がオンとなるように制御される。すなわち陽極の電位は、モニター線１７０４の高電位とほぼ同じとなるため、第２のトランジスタ１８０２がオンとなる。その結果、低電位がモニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極に印加されるため、オンとなる。
【０１０３】
また図１９（Ａ）に示すように、ｐチャネル型の第１のトランジスタ１９０１と、第１のトランジスタに直列に接続される、ｐチャネル型の第２のトランジスタ１９０２と、第２のトランジスタとゲート電極を共通とした、ｎチャネル型の第３のトランジスタ１９０３と、第１のトランジスタとゲート電極を共通とし、並列に接続されるｎチャネル型の第４のトランジスタ１９０４とを有する。モニター素子１７０１は、第２のトランジスタ１９０２及び第３のトランジスタ１９０３のゲート電極に接続されている。モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極は、第２のトランジスタ１９０２及び第３のトランジスタ１９０３が互いに接続されている電極に接続されている。さらにモニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極は、第４のトランジスタ１９０４の一方の電極に接続されている。その他の構成は図１７と同様である。
【０１０４】
まず、モニター線１７０４の電位を飽和状態にさせ、その後、Ｖｅの電位をＬｏｗとする。モニター素子１７０１がショートしている場合、モニター素子１７０１の陽極の電位、つまり点Ｄの電位は、モニター素子１７０１の陰極と、同程度にまで下がる。すると、第２のトランジスタ１９０２及び第３のトランジスタ１９０３のゲート電極には、低い電位、つまりＬｏｗが入力され、ｎチャネル型である第３のトランジスタ１９０３がオフとなり、ｐチャネル型である第２のトランジスタ１９０２がオンとなる。またＶｅの電位をＬｏｗとすると、第１のトランジスタ１９０１はオンとなり、第４のトランジスタ１９０４はオフとなる。そして、第２のトランジスタ１９０２を介して、第１のトランジスタの高い側電位が、モニター制御用のトランジスタ１７０２のゲート電極へ入力され、オフとなる。その結果、ショートしたモニター素子１７０１には、モニター線１７０４からの電流は供給されない。
【０１０５】
このようにゲート電極の電圧Ｖｅを制御することにより、モニター制御用のトランジスタ１７０２を正確にオフとすることができる。
【０１０６】
なお、本実施の形態は、本明細書中の実施例または実施の形態のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。すなわち、本実施の形態によれば、モニター素子がショートした場合であっても画素の発光素子の劣化の進行を補正することができると共に、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【実施例１】
【０１０７】
本実施例では、副画素を有する画素の等価回路と、その動作について説明する。
【０１０８】
図２０には、発光素子２００１と、ビデオ信号が入力される信号線２００２、ビデオ信号の画素への入力を制御するスイッチング用トランジスタ２００３、発光素子２００１の発光または非発光を制御する駆動用トランジスタ２００４、ビデオ信号の電位を保持するための容量素子２００５を有する副画素の等価回路を示す。各トランジスタの特性はエンハンスメント型、又はディプリーション型トランジスタを用いることができる。
【０１０９】
本実施例では、スイッチング用トランジスタ２００３をｎチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタ２００４をｐチャネル型トランジスタとする。
【０１１０】
容量素子２００５は、駆動用トランジスタ２００４のゲート容量が大きく、各トランジスタからのリーク電流が許容範囲である場合、設ける必要はない。
【０１１１】
このような画素構成の接続関係を示す。スイッチング用トランジスタ２００３のゲート電極は走査線２００６に接続され、第１の電極は信号線２００２に接続され、第２の電極は駆動用トランジスタ２００４のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ２００４の第１の電極は電源線２００７に接続され、駆動用トランジスタ２００４のゲート・ソース間には容量素子２００５が設けられている。容量素子２００５はスイッチング用トランジスタ２００３が非選択状態（オフ状態）にあるとき、駆動用トランジスタ２００４のゲート・ソース間の電位差を保持する、つまりビデオ信号の電位を保持するように接続されている。そのため、容量素子の一方の電極は駆動用トランジスタ２００４のゲート電極に接続され、他方の電極は電源線２００７に接続されている。
【０１１２】
このような副画素を多数有し、各発光素子からの発光面積を制御する面積階調表示を行なう。
【０１１３】
次に副画素における各トランジスタの具体的な動作について、図２１に示すタイミングチャートを用いて説明する。なお図２１（Ａ）は、縦軸は走査線、横軸は時間のときのタイミングチャートを示し、図２１（Ｂ）はｊ行目の走査線Ｇｊのタイミングチャートを示す。
【０１１４】
表示装置は、そのフレーム周波数を通常６０Ｈｚ程度とする。つまり、１秒間に６０回程度の画面の描画が行われ、画面の描画を１回行なう期間を１フレーム期間（単位フレーム期間）と呼ぶ。副画素は図２１（Ａ）に示すように、１フレーム期間に、書き込み期間Ｔａ、発光期間Ｔｓを行なう。
【０１１５】
書き込み期間Ｔａにおいて、順次走査線２００６が選択されると、走査線２００６に接続されているスイッチング用トランジスタ２００３がオンとなる。そしてスイッチング用トランジスタ２００３がオンとなると、信号線から入力されるビデオ信号によって容量素子２００５に電荷が蓄積される。この電荷が駆動用トランジスタ２００４のしきい値電圧Ｖｔｈ以上となると、駆動用トランジスタ２００４がオンとなり、発光素子２００１が発光する。
【０１１６】
そして発光素子２００１は、供給される電流に見合った輝度で発光し、発光期間Ｔｓとなる。
【０１１７】
発光期間Ｔｓでは、走査線２００６の電位を制御することでスイッチング用トランジスタ２００３をオフとし、書き込み期間Ｔａにおいて書き込まれたビデオ信号の電位を容量素子２００５により保持している。その結果、発光素子２００１は発光し続ける。
【０１１８】
また書き込み期間Ｔａにおいて、信号線から入力されるビデオ信号によって駆動用トランジスタ２００４がオフとなる場合、発光期間Ｔｓでは、容量素子２００５には電位が保持されていないため、発光素子は非発光となっている。
【０１１９】
すなわち、書き込み期間Ｔａにおいて駆動用トランジスタ２００４をオンとする場合、発光期間Ｔｓではビデオ信号の電位が容量素子２００５によって保持されているので、発光し続けている。逆に、書き込み期間Ｔａにおいて駆動用トランジスタ２００４をオフとする場合、発光期間Ｔｓではビデオ信号の電位は容量素子２００５によって保持されず、非発光となっている。
【０１２０】
このように、発光素子を発光、又は非発光とすることにより階調表示を行なう。特に、各副画素における発光素子からの発光面積に重みをつけた状態で、発光素子を発光、又は非発光とすることにより面積階調表示を行なう。
【０１２１】
本実施例によれば、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【０１２２】
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例２】
【０１２３】
本実施例では、実施例１と異なる副画素を有する画素の等価回路と、その動作について説明する。
【０１２４】
図２２に示す等価回路は、書き込まれたビデオ信号の電位を消去する消去用のトランジスタ２２０８（以下、消去用トランジスタと表記する）が設けられている構成が実施例１で示した図２０と異なる。すなわち図２２に示す副画素は、発光素子２２０１と、ビデオ信号が入力される信号線２２０２、ビデオ信号の画素への入力を制御するスイッチング用トランジスタ２２０３、発光素子２２０１の発光または非発光を制御する駆動用トランジスタ２２０４、書き込まれたビデオ信号の電位を消去する消去用トランジスタ２２０８、ビデオ信号の電位を保持するための容量素子２２０５を有する副画素の等価回路を示す。各トランジスタの特性はエンハンスメント型トランジスタを用いてもよいし、ディプリーション型トランジスタを用いてもよい。
【０１２５】
本実施例では、スイッチング用トランジスタ２２０３、及び消去用トランジスタ２２０８をｎチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタ２２０４をｐチャネル型トランジスタとする。
【０１２６】
容量素子２２０５は、駆動用トランジスタ２２０４のゲート容量が大きく、各トランジスタからのリーク電流が許容範囲である場合、設ける必要はない。
【０１２７】
このような画素構成の接続関係を示す。スイッチング用トランジスタ２２０３のゲート電極は第１の走査線２２０６ａに接続され、第１の電極は信号線２２０２に接続され、第２の電極は駆動用トランジスタ２２０４のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ２２０４の第１の電極は電源線２２０７に接続され、駆動用トランジスタ２２０４のゲート・ソース間には容量素子２２０５が設けられている。容量素子２２０５はスイッチング用トランジスタ２２０３が非選択状態（オフ状態）にある時、駆動用トランジスタ２２０４のゲート・ソース間の電位差を保持する、つまりビデオ信号の電位を保持するために設けられている。そのため、容量素子の一方の電極は駆動用トランジスタ２２０４のゲート電極に接続され、他方の電極は電源線２２０７に接続されている。
【０１２８】
消去用トランジスタ２２０８のゲート電極は、第２の走査線２２０６ｂに接続され、第１の電極、及び第２の電極は容量素子２２０５の両電極間と接続されている。つまり、消去用トランジスタ２２０８は、容量素子２２０５に保持されるビデオ信号の電位を消去する位置に設けられている。
【０１２９】
このような消去用トランジスタ２２０８を有する副画素では、面積階調方式に時間階調方式を組み合わせた階調表示を行なうことができる。時間階調方式とは、特開２００１−５４２６号公報にて示されているように、発光素子の発光期間を制御することにより、階調表示を行なう方式である。なお時間階調方式において、必ずしも消去用トランジスタは必要ではない。
【０１３０】
図２２に示す副画素の具体的な動作は、書き込み期間Ｔａ、発光期間Ｔｓに加えて、消去期間Ｔｅに分けることができる。以下にそれらの期間の動作を説明する。
【０１３１】
図２３には、１フレームを５つのサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ５に分割し、５ビット階調を表示するタイミングチャートを示す。サブフレームの分割数は階調ビット数に等しい場合が多いが、分割数と階調ビット数とが異なる場合もある。なお図２３（Ａ）は、縦軸は走査線、横軸は時間のときのタイミングチャートを示し、図２３（Ｂ）はｊ行目の走査線Ｇｊのタイミングチャートを示す。
【０１３２】
書き込み期間Ｔａと、発光期間Ｔｓとにおける動作は、実施例１で示した図２１と同様であるため説明を省略する。
【０１３３】
消去期間Ｔｅにおいては、第２の走査線２２０６ｂが選択されて消去用トランジスタ２２０８がオンとなり、電源線２２０７の電位が消去用トランジスタ２２０８を介して駆動用トランジスタ２２０４のゲートに与えられる。すると、消去用トランジスタ２２０８がオンとなると、容量素子２２０５に保持される電荷が放電し、駆動用トランジスタ２２０４がオフとなり、発光素子２２０１が消灯する状態を作り出すことができる。
【０１３４】
消去期間Ｔｅにより、全画素にビデオ信号を書き込むのを待たずに、次の書き込み期間を開始することができ、高階調表示を行なうことができる。なお、時間階調方式を用いる場合、消去期間Ｔｅは必要に応じて設ければよい。
【０１３５】
なお、表示階調数を増やしたい場合は、サブフレーム期間の分割数を増やせばよい。また、サブフレーム期間の順序は、必ずしも上位ビットから下位ビットといった順序である必要はなく、１フレーム期間中、ランダムに並んでいてもよい。さらにフレーム期間毎に、その順序が変化してもよい。また、あるサブフレーム期間をさらに分割していてもよい。
【０１３６】
面積階調表示では階調数が副画素数により制限されてしまったが、時間階調表示と組み合わせることにより、高階調表示を行なうことができる。さらに、必要に応じて消去用トランジスタを設けることにより、さらなる高階調表示を行なうことができる。
【０１３７】
本実施例によれば、面積階調表示と時間階調表示と組み合わせても、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【０１３８】
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例３】
【０１３９】
本実施例では、図２０、図１７に示す画素回路、モニター素子の周辺回路に対応する上面図について説明する。
【０１４０】
図２０に相当する上面図を示す図２４（Ａ）には、信号線２４０１、電源線２４０９、走査線２４０８、スイッチング用のトランジスタ２４０３、駆動用のトランジスタ２４０４、第１の副画素の発光素子の第１電極２４０７ａ、第１の副画素の発光素子２４１０ａ、第２の副画素の発光素子の第１電極２４０７ｂ、第２の副画素の発光素子２４１０ｂ、容量素子２４０６ａ、２４０６ｂ、グラウンド線ＧＮＤを示す。また、図２４（Ａ）に示す上面図に対応する回路図を図２４（Ｂ）に示す。なお、本実施例では容量素子について容量素子２４０６ａ、２４０６ｂの複数の構成としたがどちらか一方であってもよいし、設けなくてもよい。
【０１４１】
図２４において、各トランジスタがトップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、走査線、層間絶縁膜、信号線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、走査線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、信号線、の順で膜が構成される。
【０１４２】
図２４では、信号線２４０１と平行して、電源線２４０９が形成されている。そのため、信号線２４０１、電源線２４０９は同一導電膜をパターニングして得る。
【０１４３】
スイッチング用のトランジスタ２４０３は半導体膜に対して二つのゲート電極が設けられたダブルゲート型構造を有し、走査線２４０８の一部がこれらゲート電極として機能している。またスイッチング用のトランジスタ２４０３の第１の電極は、コンタクトホールを介して信号線２４０１と接続され、第２の電極は、容量素子２４０６ａ、２４０６ｂと接続している。さらに容量素子２４０６ｂの一方の電極は、駆動用のトランジスタ２４０４のゲート電極と同一導電膜から構成され、他方の電極に相当する半導体膜は、電源線２４０９とコンタクトホールを介して接続されている。
【０１４４】
駆動用のトランジスタ２４０４のゲート電極は、固定電位を有する電源線２４０９とコンタクトホールを介して接続され、第２の電極は、信号線と同一導電膜により形成された配線と接続され、当該配線上に発光素子の第１電極２４０７ｂが形成され、接続している。配線と陽極は、コンタクトホールを介して接続されてもよい。
【０１４５】
なお、スイッチングトランジスタ２４０３、及び駆動用のトランジスタ２４０４のチャネル形成領域が、各々２つ形成されるダブルゲート構造について説明したが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造または三つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。あるいは、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有するデュアルゲート型やその他の構造としてもよい。
【０１４６】
発光素子の陽極は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）を代表とする透明導電膜から形成され、その面積比は２４０７ａ：２４０７ｂ＝１：２となるように設けられ、陽極上には電界発光層、及び陰極を形成する。そして、信号線２４０１から入力されるビデオ信号に基づき、電界発光層は発光状態、又は非発光状態となる。その発光面積に１：２と重みをつけて、その選択により面積階調表示を行なう。
【０１４７】
また、図１７に相当する上面図を示す図２５には、モニター線２５０１、インバータの高電位側の電位を入力するための第１の配線２５０２、インバータの低電位側の電位を入力するための配線２５０３、モニター制御用のトランジスタ２５０４、インバータ２５０５、モニター素子の第１電極２５０６、モニター素子２５０７、モニター素子の第２電極２５０８、遮光膜２５０９を示す。
【０１４８】
図２５において、各トランジスタがトップゲート構造の場合は、基板、半導体層、ゲート絶縁膜、第１配線、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。ボトムゲート構造の場合は、基板、第１配線、ゲート絶縁膜、半導体層、層間絶縁膜、第２配線、の順で膜が構成される。
【０１４９】
モニター制御用のトランジスタ２５０４は半導体膜に対して二つのゲート電極が設けられたダブルゲート型構造を有する。またモニター制御用のトランジスタ２５０４の第１の電極は、コンタクトホールを介してモニター線２５０１と接続され、第２の電極は、モニター素子の第１電極及びインバータの入力端子と接続している。さらにインバータ２５０５の出力端子は、モニター制御用のトランジスタのゲートと接続している。
【０１５０】
なお、モニター制御用のトランジスタ２５０４のチャネル形成領域が、各々２つ形成されるダブルゲート構造について説明したが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造または三つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。あるいは、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有するデュアルゲート型やその他の構造としてもよい。
【０１５１】
モニター素子の陽極は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ：インジウム錫酸化物）を代表とする透明導電膜から形成され、陽極上には電界発光層、及び陰極が形成される。そして、モニター素子の面積は図２４における発光素子２４１０ａの面積と略々等しくなるように設けられる。そして、モニター素子はモニター線２５０１から入力される信号に基づき、電界発光層は発光状態、又は非発光状態を取る。本発明の表示装置においては、画素の面積と同じ大きさにモニター素子の面積を取る必要がない。故にモニター素子を小型化することができ、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【０１５２】
なお、本発明の表示装置の画素周辺、及びモニター素子周辺における配線の構成は多岐にわたり、本明細書に列挙した構成に特に限定されないものであることを付記する。
【０１５３】
本実施例によれば、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置の小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【０１５４】
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例４】
【０１５５】
本実施例では、副画素の断面の拡大図を示す。なお本実施の形態では、トランジスタとして多結晶シリコンを有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いる場合で説明する。勿論、本発明の表示装置において、トランジスタは多結晶シリコンで形成されたものに限定されるものではなく、アモルファスシリコン等の半導体特性を有する化合物であればよいことを付記する。
【０１５６】
図２８（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する基板２８００に設けられたｐチャネル型の駆動用のトランジスタ２８０１は、レーザ照射や加熱による結晶化処理、或いはニッケル、チタンなどの金属元素の触媒作用を用いて結晶化処理が行われた結晶性半導体膜を有する。半導体膜上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極及びゲート線が設けられており、ゲート電極下の半導体膜がチャネル形成領域となる。ゲート電極をマスクとして自己整合的にボロン等の不純物元素を半導体膜に添加し、ソース領域及びドレイン領域となる不純物領域が形成される。ゲート電極を覆うように第１の絶縁膜が設けられており、第１の絶縁膜には不純物領域上にコンタクトホールが形成されている。コンタクトホールには配線が形成され、ソース配線及びドレイン配線として機能している。ドレイン電極と電気的に接続するように、発光素子の第１電極２８１１が設けられる。そして、第１電極２８１１を覆うように第２の絶縁膜が設けられ、第２の絶縁膜の第１電極上に開口部を形成する。開口部には、電界発光層２８１２が設けられ、電界発光層や第２の絶縁膜を覆うように発光素子の第２電極２８１３が設けられる。
【０１５７】
電界発光層２８１２は、第１電極２８１１側から順に、ＨＩＬ（ホール注入層）、ＨＴＬ（ホール輸送層）、ＥＭＬ（発光層）、ＥＴＬ（電子輸送層）、ＥＩＬ（電子注入層）の順に積層されている。代表的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとしてＢＣＰ、ＥＩＬとしてＢＣＰ：Ｌｉをそれぞれ用いる。
【０１５８】
また、電界発光層２８１２として、フルカラー表示とする場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料を、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法などによって選択的に形成すればよい。具体的には、ＨＩＬとしてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、ＨＴＬとしてα−ＮＰＤ、ＥＴＬとしてＢＣＰやＡｌｑ３、ＥＩＬとしてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ２をそれぞれ用いる。また例えばＥＭＬは、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合ＤＣＭ等、Ｇの場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ３を用いればよい。なお、上記電界発光層の積層構造に限定されない。
【０１５９】
より具体的な電界発光層の積層構造は、赤色の発光を示す電界発光層２８１２を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α−ＮＰＤを６０ｎｍ形成した後、同一のマスクを用いて、赤色の発光層としてＤＣＭ２及びルブレンが添加されたＡｌｑ３を４０ｎｍ形成し、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ形成し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。また、緑色の発光を示す電界発光層２８１２を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α―ＮＰＤを６０ｎｍ形成した後、同一の蒸着マスクを用いて、緑色の発光層としてクマリン５４５Ｔが添加されたＡｌｑ３を４０ｎｍ、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ形成し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。また、青色の発光を示す電界発光層２８１２を形成する場合、例えば、ＣｕＰｃを３０ｎｍ形成し、α−ＮＰＤを６０ｎｍ形成した後、同一のマスクを用いて発光層としてビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛：Ｚｎ（ＰＢＯ）２を１０ｎｍ形成し、電子輸送層としてＢＣＰを４０ｎｍ形成し、電子注入層としてＬｉが添加されたＢＣＰを１ｎｍ形成する。
【０１６０】
以上、各色の電界発光層のうち、共通しているＣｕＰｃやα−ＮＰＤは、画素部全面に形成することができる。またマスクは、各色で共有することもでき、例えば、赤色の電界発光層を形成後、マスクをずらして、緑色の電界発光層、再度マスクをずらして青色の電界発光層を形成することができる。形成する各色の電界発光層の順序は適宜設定すればよい。
【０１６１】
また白色の発光を示す電界発光層を形成する場合、カラーフィルター、又はカラーフィルター及び色変換層などを別途設けることによってフルカラー表示を行なうことができる。カラーフィルターや色変換層は、第２の基板に設けた後、張り合わせればよい。
【０１６２】
また第１電極との仕事関数を考慮して材料を選択する。例えば、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とする場合で説明する。
【０１６３】
第１電極としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体例な材料としては、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いることができる。
【０１６４】
一方、第２電極としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的な材料としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）や化合物（ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２）の他、希土類金属を含む遷移金属を用いて形成することができる。但し、第２の電極は透光性を有するため、これら金属、又はこれら金属を含む合金を非常に薄く形成し、ＩＴＯ等の金属（合金を含む）との積層により形成する。
【０１６５】
これら第１電極、及び第２電極は蒸着法、スパッタリング法等により形成することができる。
【０１６６】
但し画素構成により、第１電極及び第２電極のいずれも陽極、又は陰極となりうる。例えば、駆動用のトランジスタの極性をｎチャネル型とし、第１の電極を陰極、第２の電極と陽極とすることができる。
【０１６７】
その後、窒素を含むパッシベーション膜２８１４をスパッタリング法やＣＶＤ法により形成し、水分や酸素の侵入を防止する。このとき形成される空間には、窒素を封入し、さらに乾燥剤を配置してもよい。また透光性を有し、吸水性の高い樹脂を充填してもよい。さらに第１電極、第２電極、その他の電極により、表示手段の側面を覆って酸素や水分の侵入を防ぐこともできる。その後、封止基板２８１５を張り合わせる。
【０１６８】
またコントラストを高めるため、偏光板又は円偏光板を設けてもよい。例えば、表示面の一面又は両面に偏光板、若しくは円偏光板を設けることができる。
【０１６９】
このように形成された副画素を有する表示装置は、第１電極２８１１及び第２電極２８１３が透光性を有する。そのため、信号線から入力されるビデオ信号に応じた輝度で発光素子から光が両矢印方向に射出する。
【０１７０】
図２８（Ａ）のように、発光素子を有する副画素の発光面積、つまり透明導電膜の面積に重みをつける面積階調表示であって、両方向に光が射出される表示装置は、設計上、透明導電膜の面積を大きくすることができる。その結果、非発光状態での透過率を高くすることができ好ましい。
【０１７１】
図２８（Ｂ）は、光の射出方向が封止基板２８１５側のみである。そのため第１電極２８１１は非透光性、好ましくは反射性の高い導電膜とし、第２電極２８１３は透光性を有する導電膜とする。その他の構成は図２８（Ａ）と同様であるため説明を省略する。
【０１７２】
図２８（Ｃ）は、光の射出方向が基板２８００側のみである。そのため第１電極２８１１は透光性を有する導電膜とし、第２電極２８１３は非透光性、好ましくは反射性の高い導電膜とする。その他の構成は図２８（Ａ）と同様であるため説明を省略する。
【０１７３】
図２８（Ｂ）、図２８（Ｃ）のように、光の射出方向とならない側に設けられた発光素子の電極に、反射性の高い導電膜を用いることにより光を有効利用することができる。
【０１７４】
本実施例において、透光性を有する導電膜を得るためには、非透光性を有する導電膜を、透光性を有するように薄く形成し、その上に透光性を有する導電膜を積層してもよい。
【０１７５】
本実施例によれば、環境温度の変化と経時変化に起因した、発光素子の電流値の変動による輝度のバラツキを抑制することができる。さらに、モニター素子を表示部の画素と同じ大きさに設ける必要がないため、モニター素子を小型化することができる。また、モニター素子を小型化することにより、表示装置における光の射出方向が基板側方向、封止基板側方向、あるいは基板側と封止基板側の両面方向の表示装置でも小型化、換言すれば表示装置の挟額縁化を達成することができる。
【０１７６】
なお、本実施例は、本明細書中の他の実施の形態、実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【実施例５】
【０１７７】
本実施例においては、本発明の表示装置を表示部に有する電子機器の構成例について説明する。
【０１７８】
発光素子を含む画素領域を備えた表示装置を用いた電子機器として、テレビジョン装置（テレビ、テレビジョン受信機）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置（携帯電話機）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。これらの電子機器の表示部に本発明の表示装置を適用することができる。その電子機器の具体例について、図２９を参照して説明する。
【０１７９】
図２９（Ａ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯情報端末は、本体９２０１、表示部９２０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。図２９（Ｂ）に示す本発明の表示装置を用いたデジタルビデオカメラは、表示部９７０１、９７０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。図２９（Ｃ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯端末は、本体９１０１、表示部９１０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。図２９（Ｄ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯型のテレビジョン装置は、本体９３０１、表示部９３０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。図２９（Ｅ）に示す本発明の表示装置を用いた携帯型のコンピュータは、本体９４０１、表示部９４０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。図２９（Ｆ）に示す本発明の表示装置を用いたテレビジョン装置は、本体９５０１、表示部９５０２等を含み、本発明により消費電力を削減し、表示装置部の小型化をすることができる。
【０１８０】
また本実施例は、上記実施の形態及び上記実施例のいかなる記載とも自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１８１】
なお、本発明のような補償機能を有する表示装置の駆動方法は、定輝度駆動方法（コンスタントブライトネス法、コンスタントルミネッセンス法、ブライトネスコントロール法、コントロールブライトネス法、ブライトコントロール法）と呼ぶことができる。この駆動方法は、上述の通り、補償機能による電流値の増加分と、経時変化による電流値の減少分とを予め求めておき、それらが丁度キャンセルされるような電圧条件で発光素子を駆動する駆動方法である。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明の表示装置を説明する図。
【図２】モニター素子の電圧電流特性の温度依存性を説明する図。
【図３】モニター素子の電圧電流特性の経時劣化を説明する図。
【図４】モニター素子と発光素子の劣化を説明する図。
【図５】本発明の温度補償機能を説明する図。
【図６】本発明の温度補償機能を説明する図。
【図７】本発明の温度補償機能を説明する図。
【図８】本発明に適用可能なスイッチの構成を説明する図。
【図９】本発明の温度補償機能を説明する図。
【図１０】本発明の温度補償機能を説明する図。
【図１１】本発明の表示装置を説明する図。
【図１２】本発明の表示装置を説明する図。
【図１３】本発明の表示装置を説明する図。
【図１４】本発明の表示装置を説明する図。
【図１５】本発明の表示装置を説明する図。
【図１６】本発明の表示装置を説明する図。
【図１７】本発明のモニター回路を示した図である。
【図１８】本発明のモニター回路を示した図である。
【図１９】本発明のモニター回路を示した図である。
【図２０】本発明の表示装置の画素の回路図を示す図。
【図２１】本発明の表示装置の画素におけるタイミングチャートを示す図。
【図２２】本発明の表示装置の画素の回路図を示す図。
【図２３】本発明の表示装置の画素におけるタイミングチャートを示す図。
【図２４】本発明の表示装置における画素の上面図。
【図２５】本発明の表示装置におけるモニター素子周辺回路の上面図。
【図２６】本発明の表示装置を説明するための図。
【図２７】本発明の表示装置を説明するための図。
【図２８】本発明の表示装置の画素における断面図。
【図２９】本発明の実施例５の電子機器の図。
【図３０】本発明の従来例を説明する図。
【符号の説明】
【０１８３】
１０１  電流源
１０２  モニター素子
１０３  バッファアンプ
１０４  トランジスタ
１０５  発光素子
１０６  画素
１０６ａ  副画素
１０６ｂ  副画素
１０６ｃ  副画素
１０７  ゲートドライバ
１０８  ソースドライバ
１０９  画素部
１１０  陰極
１１１  陽極
２０１  電圧電流特性の線
２０２  電圧電流特性の線
２０３  電圧電流特性の線
３０１  モニター素子の初期特性の線
３０２  劣化後の特性
４０１  モニター素子及び発光素子の電圧電流特性の初期特性の線
４０２  モニター素子及び発光素子の電圧電流特性の初期特性の線
４０３  モニター素子及び発光素子の電圧電流特性の初期特性の線
５０１  電流源
５０２  モニター素子
５０３  ボルテージフォロワ回路
５０４  駆動トランジスタ
５０５  発光素子
５０６  容量素子
５０７  第一のスイッチ
５０８  第二のスイッチ
５０９  陽極
５１０  画素
５１０ａ  副画素
５１０ｂ  副画素
５１０ｃ  副画素
６０１  電流源
６０２ａ  モニター素子
６０２ｂ  モニター素子
６０３  ボルテージフォロワ回路
６０４  駆動トランジスタ
６０５  発光素子
６０６ａ  スイッチ
６０６ｂ  スイッチ
６１０  画素
６１０ａ  副画素
６１０ｂ  副画素
６１０ｃ  副画素
７０１  スイッチ
８０１  アナログスイッチ
８０２  アナログスイッチ
８０３  インバータ
９０１  スイッチング用トランジスタ
９０２  スイッチング用トランジスタ
１００１  スイッチング用トランジスタ
１００２  スイッチング用トランジスタ
１００３  インバータ
１１０１  基本電流源
１１０２ａ  モニター素子
１１０２ｂ  モニター素子
１１０２ｎ  モニター素子
１１０３  ボルテージフォロワ回路
１１０４  駆動トランジスタ
１１０５  発光素子
１１０６  画素
１１０６ａ  第１の副画素
１１０６ｂ  第２の副画素
１１０７  ゲートドライバ
１１０８  ソースドライバ
１１０９  画素部
１１１０  第１のラッチ回路
１１１１  第２のラッチ回路
１１１２  スイッチング用トランジスタ
１１１３  保持容量
１１１９  パルス出力回路
１２０１ａ  基本電流源
１２０１ｂ  基本電流源
１２０１ｃ  基本電流源
１２０２ａ  モニター素子
１２０２ｂ  モニター素子
１２０２ｃ  モニター素子
１２０３ａ  ボルテージフォロワ回路
１２０３ｂ  ボルテージフォロワ回路
１２０３ｃ  ボルテージフォロワ回路
１３０１  制御線
１３０２ａ  トランジスタ
１３０２ｂ  トランジスタ
１４０１  制御線
１４０１ａ  制御信号
１４０１ｂ  制御信号
１４０２ａ  トランジスタ
１４０２ｂ  トランジスタ
１５０１ａ  トランジスタ
１５０１ｂ  トランジスタ
１５０１ｎ  トランジスタ
１５０２ａ  トランジスタ
１５０２ｂ  トランジスタ
１５０２ｎ  トランジスタ
１６０１  経時測定回路
１６０２  記憶回路
１６０３  補正データ作成回路
１６０４  電源回路
１６０５  電流源
１６０６  モニター素子
１６０７  モニター用回路
１６０８  第１のゲートドライバ
１６０９  画素領域
１６１０  基板
１６１１  第２のゲートドライバ
１６１２  ソースドライバ
１６１３  駆動用トランジスタ
１６１４  発光素子
１６１５  対向電極
１６１６  画素
１６１６ａ  第１の副画素
１６１６ｂ  第２の副画素
１７０１  モニター素子
１７０１ａ  第１電極
１７０１ｃ  第２電極
１７０２  トランジスタ
１７０３  インバータ
１７０３ｐ  ｐチャネル型のトランジスタ
１７０３ｎ  ｎチャネル型のトランジスタ
１７０４  モニター線
１８０１  第１のトランジスタ
１８０２  第２のトランジスタ
１８０３  第３のトランジスタ
１９０１  第１のトランジスタ
１９０２  第２のトランジスタ
１９０３  第３のトランジスタ
１９０４  第４のトランジスタ
２００１  発光素子
２００２  信号線
２００３  スイッチング用トランジスタ
２００４  駆動用トランジスタ
２００５  容量素子
２００６  走査線
２００７  電源線
２２０１  発光素子
２２０２  信号線
２２０３  スイッチング用トランジスタ
２２０４  駆動用トランジスタ
２２０５  容量素子
２２０６ａ  第１の走査線
２２０６ｂ  第２の走査線
２２０７  電源線
２２０８  トランジスタ
２４０１  信号線
２４０３  トランジスタ
２４０４  トランジスタ
２４０６ａ  容量素子
２４０６ｂ  容量素子
２４０７ａ  第１電極
２４０７ｂ  第１電極
２４０８  走査線
２４０９  電源線
２４１０ａ  発光素子
２４１０ｂ  発光素子
２５０１  モニター線
２５０２  第１の配線
２５０３  配線
２５０４  トランジスタ
２５０５  インバータ
２５０６  第１電極
２５０７  モニター素子
２５０８  第２電極
２５０９  遮光膜
２７０１  トランジスタ
２７０２  第１の電極
２７０３  電界発光層
２７０４  第２の電極
２７０５ａ  シュリンク部
２７０５ｂ  シュリンク部
２８００  基板
２８０１  トランジスタ
２８１１  第１電極
２８１２  電界発光層
２８１３  第２電極
２８１４  パッシベーション膜
２８１５  封止基板
９１０１  本体
９１０２  表示部
９２０１  本体
９２０２  表示部
９３０１  本体
９３０２  表示部
９４０１  本体
９４０２  表示部
９５０１  本体
９５０２  表示部
９７０１  表示部
９７０２  表示部
Ｓ１  信号線
Ｓ２  信号線
Ｓ３  信号線
Ｇｊ  走査線
Ｖ１  電源線
Ｖ２  電源線
Ｖ３  電源線
【図１】
0004757767.tif 000002
【図２】
0004757767.tif 000003
【図３】
0004757767.tif 000004
【図４】
0004757767.tif 000005
【図５】
0004757767.tif 000006
【図６】
0004757767.tif 000007
【図７】
0004757767.tif 000008
【図８】
0004757767.tif 000009
【図９】
0004757767.tif 000010
【図１０】
0004757767.tif 000011
【図１１】
0004757767.tif 000012
【図１２】
0004757767.tif 000013
【図１３】
0004757767.tif 000014
【図１４】
0004757767.tif 000015
【図１５】
0004757767.tif 000016
【図１６】
0004757767.tif 000017
【図１７】
0004757767.tif 000018
【図１８】
0004757767.tif 000019
【図１９】
0004757767.tif 000020
【図２０】
0004757767.tif 000021
【図２１】
0004757767.tif 000022
【図２２】
0004757767.tif 000023
【図２３】
0004757767.tif 000024
【図２４】
0004757767.tif 000025
【図２５】
0004757767.tif 000026
【図２６】
0004757767.tif 000027
【図２７】
0004757767.tif 000028
【図２８】
0004757767.tif 000029
【図２９】
0004757767.tif 000030
【図３０】
0004757767.tif 000031