Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、画像データを蓄えるメモリを持った撮像表示装置において、
上記メモリ上の領域を撮像素子から出力される静止画像データおよびその加工データの書込みおよび読み出しを行う撮像データ格納領域と、表示用の静止画像データを格納する表示データ格納領域に分け、表示データ格納領域に格納された静止画像データを読み出して表示データとして出力することを特徴とする撮像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記撮像データ格納領域に蓄えた高解像度静止画データを読み出す高解像度静止画データ読み出し手段と、読み出した高解像度静止画データに縮小処理を施して低解像度の縮小静止画データを作成する静止画縮小処理手段と、縮小静止画データを上記メモリ上の表示データ格納領域に書込む縮小静止画データ書込み手段を備えていることを特徴とする撮像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記メモリは動画像の予測符号化に必要な複数フレームの動画像データを蓄えるか、または、撮像データ格納領域に動画像データよりも高解像度の静止画像データ、表示データ格納領域に動画像データと同程度の解像度の表示用静止画像データを蓄えるメモリであって、上記撮像素子により撮像された動画像の予測符号化による符号化か、または上記撮像素子により撮像された動画像データよりも高解像度の静止画像の符号化のどちらかを選択して行うことができる符号化手段と、動画像データと上記メモリ上の表示データ格納領域に格納された静止画像データを切替えて表示データとして出力する表示データ切替え手段を備えていることを特徴とする撮像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月19日(2003.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
樹脂の２３℃における皮膜物性において、抗張力は２００ｋｇｆ／ｃｍ2以上、より好ましくは３００ｋｇｆ／ｃｍ2以上、且つ破断伸度は２００％以上、より好ましくは３００％以上である。抗張力が２００ｋｇｆ／ｃｍ2未満の場合、被着体への密着性及び耐衝撃性は向上するが、皮膜の凝集力が低下し耐ブロッキング性が悪くなるため適さない。又、伸度が２００％未満の場合、皮膜の凝集力は向上するが、皮膜の可撓性、及び耐衝撃性が低下するため適さない。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
又、樹脂の８０℃における皮膜物性において、抗張力は３０ｋｇｆ／ｃｍ2以上、より好ましくは５０ｋｇｆ／ｃｍ2以上、且つ破断伸度は３００％以上、より好ましくは４００％以上である。抗張力が３０ｋｇｆ／ｃｍ2未満の場合、皮膜の凝集エネルギーが低くなり、ボイル（あるいはレトルト）処理後のプラスチックフィルム、及び被着体に対する接着強度が著しく低下するため適さない。又、伸度が３００％未満の場合、高温・高湿下では皮膜の可撓性が低下し、様々な応力に対する緩和性が著しく低下するため基材及び被着体の熱膨張（収縮）に追従できない為、界面での接着力が不十分になり本発明の耐ボイル・レトルト性の効果は得られない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
該ポリエステルポリウレタン樹脂中に含まれる「芳香族化合物及び脂環族化合物」とは、（１）ポリエステル中の、フェニル基、ビフェニル基、ナフタレン基、シクロヘキシル基等の芳香環、あるいは脂環を含有するポリカルボン酸、ポリオール、（２）ポリエステルポリウレタン樹脂中の芳香族ポリイソシアネート、あるいは脂環族ポリイソシアネート、（３）ポリエステルポリウレタン樹脂中の芳香環もしくは脂環構造を持つ鎖伸長剤をいう。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に少なくとも、下記式（１）及び（２）
【化１】
2000026145.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は同一又は異なって水素原子又はメチル基を示し、Ｒ4は炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを示し、Ｙは−ＣＨ2Ｏ−又は−ＣＯＯ−を示し、ｎは３０〜１０９の数を示す）
で表される構成単位を有する（メタ）アクリレート系セメント分散剤並びに水を含有する混合物を、乾燥粉末化することを特徴とする粉末状セメント分散剤の製造方法。
【請求項２】
（メタ）アクリレート系セメント分散剤が、式（１）及び（２）の構成単位を式（１）＝４０〜８０モル％、式（２）＝１〜４５モル％の範囲で有するものである請求項１記載の製造法。
【請求項３】
分子内に少なくとも、下記式（１）及び（２）
【化２】
2000026145.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は同一又は異なって水素原子又はメチル基を示し、Ｒ4は炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを示し、Ｙは−ＣＨ2Ｏ−又は−ＣＯＯ−を示し、ｎは２０〜１０９の数を示す）
で表される構成単位を有する（メタ）アクリレート系セメント分散剤並びに水を含有する混合物を、混練攪拌しながら乾燥粉末化することを特徴とする粉末状セメント分散剤の製造方法。
【請求項４】
（メタ）アクリレート系セメント分散剤が、式（１）及び（２）の構成単位を、式（１）＝４０〜８０モル％、式（２）＝１〜４５モル％の範囲で有するものである請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
混合物に、更に、無機粉体を添加する請求項１〜４のいずれか１項記載の粉末状セメント分散剤の製造方法。
【請求項６】
混合物の硬度が予め３０°以上になるまで濃縮した後、０．５kw／ｍ3／rpm 以上の馬力で混練攪拌しながら乾燥粉末化することを特徴とする請求項４又は５記載の粉末状セメント分散剤の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項記載の製造方法により得られた粉末状セメント分散剤。
【請求項８】
平均粒子径が５〜２０００μｍである請求項７記載の粉末状セメント分散剤。
【請求項９】
請求項７又は８記載の粉末状セメント分散剤及びセメントとを含有するセメント組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
家庭用ラップフィルムは、主として冷蔵庫や冷凍庫での保存用に、又電子レンジでの加熱用に、容器に盛った食品をオーバーラップするのに使用されている。このため、家庭用ラップフィルムには、透明性は勿論のこと、包装・冷蔵保存・加熱時に適度の弾性率を有し、加熱中でも溶融穿孔、大きな変形、容器への融着、それ自身の変質などが誘起しない安定性、及びラップ同士或いは容器などに対する低温から高温域までの適度な密着性、セット性等が要求されている。現在市販されている家庭用ラップフィルムとしては、最も使い勝手の良いポリ塩化ビニリデン系樹脂を主体とした延伸フィルム、その他、ラップ適性が大幅に劣るものではあるがポリエチレン系樹脂、可塑化ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ４−メチルペンテン−１系樹脂等のフィルムを主成分とし、押し出しキャストしてフイルム化したもの等がある。しかしながら、あらゆる面でより安全性が高いと思われる脂肪族ポリエステル系樹脂からなり、使い勝手も良く、且つ環境・衛生的にもより優れており、塩化ビニリデン系樹脂製ラップフィルムを越えるものは未だかつて存在しない。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
該樹脂（Ａ）は、乳酸系単量体に、必要により上述の単量体を組み合わせて得られる乳酸系脂肪族ポリエステルを主体とし、これらは、結晶融点（ここではＤＳＣ法に準じてスキャンスピード１０℃／分で測定）が１２０〜２５０℃の樹脂である。その結晶構造は重合に用いる触媒などにより制御でき、アイソタクチック、シンジオタクテック、両者の混合する結晶構造、ブロック的結晶構造、その他種々のものが得られるが、要するに、主として上記結晶融点の範囲内で耐熱性を発揮する結晶融点成分であれば良い。
該樹脂の結晶融点が１２０℃未満ではラップフィルムの耐熱性、剛性が不足し、また結晶融点が２５０℃を超えると、融点が分解温度に近くなり、押出成形性や延伸性、熱処理等の加工性が悪くなるため好ましくない。又、より好ましいこれらの範囲は、同じ理由で、下限が１３０℃上限が２４５℃であり、更に好ましくは下限が１４０℃上限が２４０℃である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更にフイルム化する原料としての該脂肪族ポリエステルの飽和結晶化度の範囲は通常２０〜８０％程度であり、好ましくは３０〜７０％である。又、フイルムの結晶化度の範囲は、通常２０〜７０％程度であり、好ましくは２５〜６０％である。これらの下限はフイルムの耐熱性より制限され、上限は原料の成形加工性不足、柔軟性不足（それ自身でも柔軟性が不足する他に、可塑剤を均一に含有し難くなり、有効な密着性を付与せしめ難くなる）、又はフイルムの透明性等より制限される。但し、原料の特性で加工条件（急冷等）、及び添加剤（結晶制御）等の影響によりフイルムに加工した後、上述より更に結晶化度が低くなるが、これを加熱使用（例えば調理）時、結晶化速度が速くて即座に結晶し、結果として有効に耐熱性がでる（フイルムが局部的にメルト、穿孔しない）場合は、使用前フイルム結晶化度の制限値下限は、この限りでない。この場合上記の脂肪族ポリエステルの内、生分解性機能を有するが、結晶化度が高い結果として（廃棄処理時、生ゴミと一緒にコンポスト化した場合）生分解し難いタイプの樹脂の廃棄物処理を容易にさせるのに好ましい場合もある。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明で使用される液状添加剤（Ｂ）は、ラップフィルムの引張弾性率の調整で取り扱い時のしなやかさ、密着性（同仕事量）付与等を好適な範囲にコントロールするために必要なもので、又使用後の廃棄処理（コンポスト化した場合）時に生分解性を高める為に有用なもので、その主成分の５０℃での粘度（以後、Ｂ型粘度計での測定値）が５センチポイズ以上、１００℃での粘度が５００センチポイズ以下、好ましくは１００℃での粘度が３００センチポイズ以下であり、かつその主成分の沸点が１７０℃以上の液体が好適に使用可能である。
その添加量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対し、１〜２０重量部の範囲であり、好ましくは１〜１９重量部であり、より好ましくは２〜１９重量部の範囲である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（４）密着性（同仕事量）
密着性（同仕事量）とは、２３℃、関係湿度６５％の恒温室で、円面積が２５平方センチメートルの、二つの円柱の各一端側に、しわの入らないように該フィルムを緊張させて固定し、その該フィルム面の相互が重なり合うように２本の円柱をあわせ、荷重５００ｇで１分間圧着した後、引張試験機で該フィルム面を互いに垂直な方向に５ｍｍ／分のスピードで、引き剥がしたときの仕事量（ｇ・ｃｍ／２５ｃｍ2 、以後単位の一部は略す）で表す。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明における樹脂組成物（Ｃ）は、乳酸系脂肪族ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部あたり、液状添加剤（Ｂ）を１〜２０重量部含んでいる。その好ましい範囲は１〜１９重量部であり、より好ましくは２〜１９重量部である。液状添加剤（Ｂ）の添加量が上記下限より少ないと、ラップフィルムの引張弾性率の調整、使い勝手（滑り性、ロール巻きよりの引き出し性、静電気発生制御、密着面積自己増大性、刃切れ性等）性、密着仕事量（密着力）等を、好適な範囲にコントロールできないので好ましくなく、又延伸安定性も良くない場合が多い。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表４】
2000026623.tif 000001
これらのフイルムを、実施例１と同様に評価した。いずれも同様に大きな問題は無く良好に、包装及び加熱処理が出来、好ましい範囲内の性能であった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月15日(2003.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】当否判定装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のタイミングで当否を判定する当否判定装置であって、
前記所定のタイミングで乱数取得信号を出力する乱数取得信号出力手段と、
該出力された乱数取得信号を入力したときに所定のクロック周波数に基づいてカウントアップするカウンタの各ビットの値をラッチするラッチ回路と、
該ラッチ回路によりラッチした各ビットの順列を該ラッチ回路の順列とは異なる順列に変更するビット順列変更手段と、
該順列の変更された各ビットの値からなる乱数が該乱数の上限値以下の範囲内に設定された当たり範囲に属するか否かにより当否を判定する当否判定手段と、
を備える当否判定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子的な証明書である電子証明書を利用する電子証明書システムにおいて、
前記電子証明書の被発行者が用いる第１の利用者装置と、
前記第１の利用者装置とネットワークを介して接続され、前記第１の利用者装置から送信される、所定のデータおよび前記電子証明書を受信する第２の利用者装置と、
前記ネットワークと接続され、
前記第２の利用者装置から送信される、前記電子証明書の有効性の確認を要求する要求情報を受信し、
前記要求情報に関連した条件であって、前記第１の利用者装置の処理に起因した前記第２の利用者装置に対して電子証明書の有効性を確認する処理を実行するための条件を検知し、
送信された前記要求情報が検知された前記条件を満たす場合には、前記電子証明書の有効性を確認する処理を実行し、
前記第２の利用者装置に対して、前記確認する処理の結果を送信する証明書有効性確認装置とを有することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項２】
請求項１に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第１の利用者装置は、前記第２の利用者装置に、前記電子証明書の有効性を確認する処理を許可することを示す有効性確認許可情報を送信し、
前記第２の利用者装置は、前記証明書有効性確認装置に、受信された前記有効性確認許可情報を送信し、
前記証明書有効性確認装置は、前記第２の利用者装置から前記有効性確認情報を受信した場合、前記条件を満たす場合として、前記電子証明書の有効性を確認する処理を実行することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項３】
請求項２に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第１の利用者装置は、前記ネットワークを介して送信される前記有効性確認許可情報を受信し、受信された前記有効性確認許可情報を前記第２の利用者装置に送信することを特徴とする電子証明書利用システム。
【請求項４】
請求項３に記載の電子証明書システムにおいて、
前記ネットワークは、前記電子証明書を前記第１の利用者装置に送信する証明書発行装置と接続し、
前記第１の利用者装置は、前記証明書発行装置から送信される前記電子証明書および前記有効性確認許可情報を受信することを特徴とする電子証明書システム
。
【請求項５】
請求項３に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第１の利用者装置は、前記有効性確認装置から送信される前記電子証明書および前記有効性確認許可情報を受信することを特徴とする電子証明書システム
。
【請求項６】
請求項１に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第１の利用者装置は、前記有効性確認装置へ、前記電子証明書の有効性を確認する処理を許可する情報処理装置を識別する識別情報を送信し、
前記有効性確認装置は、送信された前記識別情報を記憶し、記憶された前記識別情報で識別される情報処理装置に、前記第２の利用者装置が含まれる場合には
、前記条件を満たす場合として、前記電子証明書の有効性を確認する処理を実行することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項７】
請求項６に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第１の利用者装置は、前記有効性確認装置へ、前記電子証明書の発行要求および当該発行要求に応じて発行される電子証明書の有効性を確認する処理を許可する情報処理装置を識別する前記識別情報を送信し、
前記有効性確認装置は、前記識別情報を記憶し、前記電子証明書を前記第１の利用者装置からの要求に応じて発行して、発行された前記電子証明書を前記第１の利用者装置に送信することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項８】
請求項６に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第２の利用者装置は、前記有効性確認装置へ、前記要求情報および当該第２の利用者装置を識別する利用者装置識別情報を送信し、
送信された前記利用者装置識別情報が、記憶された識別情報に含まれる場合に
、前記条件を満たす場合として、前記電子証明書の有効性を確認する処理を実行することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項９】
請求項１に記載の電子証明書システムにおいて、
前記有効性確認装置は、前記第２の利用者装置から前記要求情報を受信した場合に、前記電子証明書の有効性を確認する処理の要否を問い合わせる問合せ情報を送信し、
前記第１の利用者装置は、前記有効性確認装置へ、前記問合せ情報に対応する前記電子証明書の有効性を確認する処理の要否を示す回答情報を送信し、
前記有効性確認装置は、前記回答情報に従って、前記電子証明書の有効性を確認する処理を実行することを特徴とする電子証明書システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子証明書システムにおいて、
前記第２の利用者装置は、前記有効性確認装置へ、前記要求情報および当該第２の利用者装置を識別する利用者装置識別情報を送信し、
前記有効性確認装置は、前記第１の利用者装置へ、前記問合せ情報および前記利用者装置識別情報を送信することを特徴とする電子証明書システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベース管理システムが稼動する少なくとも１台以上の計算機と、
前記データベース管理システムにより管理されるデータベースデータを格納した少なくとも１台以上の記憶装置と、
前記計算機と前記記憶装置との間に接続され、前記計算機と前記記憶装置との間でデータの転送を制御する記憶制御手段と、
前記記憶装置における前記データの配置を管理するデータ位置管理サーバとを有する計算機システムにおけるデータの再配置方法において、
前記データ位置管理サーバが、前記計算機から前記データベース管理システムにより管理されるデータベースに関する情報を取得し、
前記データ位置管理サーバが、前記データベースに関する情報を含む取得情報に基づいて、前記データベースデータの前記計算機システム内での配置を決定し、
前記データ位置管理サーバから前記決定されたデータ配置を実現するためのデータ移動を前記記憶制御手段に指示し、
前記記憶制御手段は、前記指示に従って、前記記憶装置内に格納された前記データの配置を変更することを特徴とするデータの再配置方法。
【請求項２】
前記データ位置管理サーバは、前記記憶制御手段からデータの記憶位置に関する情報を取得することを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項３】
前記データ位置管理サーバの機能が、所定の前記データベースが稼動する計算機上で実現されることを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項４】
前記データ位置管理サーバの機能が、所定の前記記憶制御手段上で実現されることを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項５】
前記データ位置管理サーバの機能が、所定の前記記憶装置上で実現されることを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項６】
前記記憶制御手段が、前記計算機上で実施されるプログラムにより実現されることを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項７】
前記データ位置管理サーバから前記記憶制御手段に決定されたデータの配置を指示する前に、前記決定されたデータの配置を管理者に提示し、管理者にデータの配置変更を実施するか確認することを特徴とする請求項１記載のデータの再配置方法。
【請求項８】
前記データベースに関する情報は、前記データベース管理システムのスキーマにより定義される表・索引・ログを含むデータ構造に関する情報と、前記データベースデータを前記スキーマにより定義されるデータ構造毎に分類した前記記憶装置における記録位置に関する情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のデータの再配置方法。
【請求項９】
データベース管理システムが稼動する少なくとも１台以上の計算機と、
前記データベース管理システムにより管理されるデータベースデータを格納した少なくとも１台以上の記憶装置と、
前記計算機と前記記憶装置との間に接続され、前記計算機と前記記憶装置との間でデータの転送を制御する記憶制御手段と、
前記記憶装置における前記データの配置を管理するデータ位置管理サーバとを有する計算機システムにおいて、
前記データ位置管理サーバは、前記計算機から前記データベース管理システムにより管理されるデータベースに関する情報を取得する情報取得手段と、
前記データベースに関する情報を含む取得情報に基づいて、前記データベースデータの前記計算機システム内での配置を決定する配置決定手段と、
前記データ位置管理サーバから前記記憶制御手段により決定されたデータの配置を実現するためのデータ移動を指示するデータ配置指示手段を有し、
前記記憶制御手段は、前記データ位置管理サーバからの指示に従って、前記複数の記憶装置内に格納された前記データの配置を変更するデータ配置変更手段を有することを特徴とする計算機システム。
【請求項１０】
前記データ位置管理サーバは、前記記憶制御手段からデータの記憶位置に関する情報を取得するデータ位置取得手段を有することを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１１】
前記データ位置管理サーバと所定の前記データベースが稼動する計算機が同一の計算機であることを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１２】
前記データ位置管理サーバと前記記憶制御手段が同一の装置であることを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１３】
前記データ位置管理サーバと所定の前記記憶装置が同一の装置であることを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１４】
前記記憶制御手段が、前記計算機上で実施されるプログラムにより実現されることを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１５】
前記配置決定手段により決定したデータの配置を管理者に提示する手段と、前記管理者からデータの配置変更の可否を取得する手段を有することを特徴とする請求項９記載の計算機システム。
【請求項１６】
前記データベースに関する情報は、前記データベース管理システムのスキーマにより定義される表・索引・ログを含むデータ構造に関する情報と、前記データベースデータを前記スキーマにより定義されるデータ構造毎に分類した前記記憶装置における記録位置に関する情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９に記載の計算機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置、それを用いた投射型液晶表示装置並びに電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を挟持する第１および第２の基板のうちの第１の基板上には、画素電極および該画素電極を駆動する薄膜トランジスタを備える画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣接する画素電極の境界部分に沿って配線が形成されてなる電気光学装置において、
前記第１の基板上には、当該第１の基板に入射した光のうち、前記画素の開口領域から外れようとする光を当該開口領域に導く光学面が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記光学面は、前記開口領域から外れて前記配線又は前記薄膜トランジスタに向かおうとする光を前記開口領域に導くように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記光学面は、前記開口領域の外周縁に沿って形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記光学面は、前記開口領域と重なる領域に少なくとも一部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記光学面は、該光学面に向かってきた光を屈折させて前記開口領域に導くことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記光学面は、該光学面に向かってきた光を反射して前記開口領域に導くことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記光学面は、層間絶縁膜と該層間絶縁膜と異なる屈折率を有する透明膜との界面によって構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７において、前記光学面は、前記透明膜より下層側に位置する前記層間絶縁膜に形成された凹部内に前記透明膜が形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に規定する電気光学装置において、
前記凹部の側面部と底部に前記光学面が設けられ、
前記凹部の側面部に設けられた前記光学面は、前記開口領域の外周縁に沿って前記基板面に垂直な光学面であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項７において、前記光学面は、前記透明膜に形成された凹部内に前記層間絶縁膜が形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項７ないし９のいずれかにおいて、前記透明膜は、前記層間絶縁膜よりも屈折率が高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜であり、前記透明膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに規定する電気光学装置をライトバルブとして用いたことを特徴とする投射型液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに規定する電気光学装置を表示装置として用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において、前記光学面は、前記開口領域の外周縁に沿って形成されていることが好ましい。
本発明において、前記光学面は、前記開口領域と重なる領域に少なくとも一部が形成されていることが好ましい。このように構成すると、開口領域に形成されるのは、透明膜であるため、入射した光の利用効率が低下することがなく、ＴＦＴの誤動作を防止できる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明において、前記光学面は、例えば、前記透明膜より下層側に位置する層間絶縁膜に形成された凹部内に前記透明膜が形成されてなる。このような構成を採用すると、エッチング工程や成膜工程などといった極めて一般的な半導体プロセスを利用して光学面を容易に形成できる。すなわち、前記第１の基板上に前記画素電極を形成する前に、前記層間絶縁膜に形成されている前記凹部内に前記層間絶縁膜と異なる屈折率を有する前記透明膜を形成し、該透明膜と前記層間絶縁膜との界面によって、前記画素の開口領域から外れようとする光を当該開口領域に導く光学面を形成する。
本発明において、前記凹部の側面部と底部に前記光学面が形成され、前記凹部の側面部に形成された前記光学面は、前記開口領域の外周縁に沿って前記基板面に垂直な光学面であることを特徴とする。このような構成によれば、開口領域から外れようとする光は、側面部の光学面で反射作用を受けて開口領域に導かれ、また、凹部の底部に形成された光学面に対しては光の入射角が大きいので光は光学面を透過する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月29日(2003.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置および電圧信号形成回路


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される各基板と、これら各基板のうち一方の基板の液晶側の面の画素領域に形成された画素電極と、前記各基板のうちいずれかの基板の液晶側の面に互いに電気的に接続された各画素領域毎の対向電極とを備え、
前記各対向電極に電圧信号が第１の可変抵抗と第２の可変抵抗とを介して供給され、
第２の可変抵抗は第１の可変抵抗と比べて調整幅が小さくなっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１の可変抵抗および第２の可変抵抗はボリュームから構成され、第２のボリュームは第１のボリュームと比べてそれらの回転調整に対して抵抗値変化が小さくなっていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
電圧供給源とアースとの間に抵抗Ｒ１、第１のボリュームＶＲ１、第２のボリュームＶＲ２、抵抗Ｒ２が直列に接続され、対向電極に供給される電圧信号は第２のボリュームＶＲ２と抵抗Ｒ２の接続点から取り出されることを特徴とする電圧信号形成回路。
【請求項４】
前記電圧信号形成回路がプリント基板に搭載され、その出力が透明基板の対向電極に供給されることを特徴とする請求項３記載の電圧信号形成回路。
【請求項５】
前記第１のボリュームＶＲ１は抵抗値が比較的大きく、第２のボリュームＶＲ２は抵抗値が比較的小さいことを特徴とする請求項３あるいは請求項４記載の電圧信号形成回路。
【請求項６】
前記第１のボリュームＶＲ１をある範囲で回転させた場合その抵抗値の変化が大きく、第２のボリュームＶＲ２を同様の範囲で回転させた場合その抵抗値の変化が小さくなっていることを特徴する請求項３あるいは請求項４記載の電圧信号形成回路。
【請求項７】
対向電極に供給する電圧信号の値を第１のボリュームＶＲ１によって荒調整した後に第２のボリュームＶＲ２によって微調整できるようになっていることを特徴とする電圧信号形成回路。
【請求項８】
前記請求項３ないし請求項８のうちいずれかの電圧信号形成回路を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
透明基板の対向電極に出力を供給する電圧信号形成回路を有し、該電圧信号は第１の可変抵抗と第２の可変抵抗とを介して供給され、第２の可変抵抗は第１の可変抵抗に比べて調整幅が小さくなっていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置が液晶表示装置であることを特徴とする請求項８あるいは請求項９のいずれかに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、図１（ａ）に示すように、像担持体１上の画像を記録材２に転写する転写装置３において、像担持体１との間で記録材２がニップ搬送せしめられる転写部材４を有し、この転写部材４の表面をポリイミド樹脂５で構成したことを特徴とする転写装置である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本実施の形態にあっては、転写装置３０は転写ロール３１を具備したものであるが、これに限られるものではなく、例えば図４（ａ）（ｂ）に示すような転写ベルト３３，３５を具備した態様であってもよい。
例えば図４（ａ）に示す転写ベルト３３は、張架ロール３３１，３３２間に少なくとも表面がポリイミド樹脂製のベルト部材３３３を掛け渡したものであり、中間転写ドラム１８の対向部位にはベルト部材３３３を挟んで転写バイアスが印加されるバイアスロール３３４を配設したものである。
そして、転写ベルト３３の張架ロール３３２に対向する部位にはベルトクリーナ３４（金属製スクレーパ３４２を具備）が配設され、転写ベルト３３表面に金属製スクレーパ３４２を接触配置し、転写ベルト３３表面をクリーニングするようになっている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
従って、本実施の形態によれば、作像過程は、各色成分サイクル毎に感光体ドラム６１上に各色成分トナー像を形成し、中間転写ベルト７０に順次一次転写した後、転写装置３０にて中間転写ベルト７０上の多重転写トナー像を記録材２０に一括（二次）転写するようにしたものである。
本実施の形態にあっては、転写装置３０は、実施の形態１，２と同様な作用を奏するほか、更に、中間転写ベルト７０とベルトクリーナ７４との関係を見ると、中間転写ベルト７０がポリイミド樹脂で構成されているため、金属製スクレーパ７４２によるポリイミド樹脂の表面摩耗は小さく抑えられる。
また、両者間の摩擦抵抗も小さく抑えられるため、中間転写ベルト７０の回転トルクを小さくすることができ、しかも、中間転写ベルト７０の回転駆動時における金属製スクレーパ７４２の振動を小さく抑えることができる。このため、金属製スクレーパ７４２によるクリーニング性が安定したものに保たれる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、本発明の別の態様によれば、中間転写型の画像形成装置において、中間転写体表面をポリイミド樹脂で構成すると共に、この中間転写体表面には清掃用の金属製スクレーパを接触配置するようにしたので、中間転写体を傷つけることなく、低トルクで中間転写体表面をクリーニングすることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002091201.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造化記述言語で記述された文書データを物理ページにレイアウトする画像処理装置であって、
前記文書データから特定データを検出し、該検出された特定データをレイアウトするための変倍率を算出する算出手段と、
前記文書データに対して、物理ページへのレイアウトが可能となるように前記変倍率に基づく変換を施す変換手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記特定データは、前記文書データ中における最小文字サイズであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記特定データは、前記文書データ中における最大オブジェクト幅であることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記特定データは、前記文書データ中における最頻出文字サイズであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記算出手段は、前記特定データのサイズを所定サイズとするための変倍率を算出することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項６】
更に、ユーザ指示に基づいてレイアウト方式を選択する選択手段を備え、
前記算出手段は、前記選択手段における選択結果に基づいて前記変倍率の算出方法を決定することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記算出手段は、前記選択手段における選択結果に基づいて、前記文書データから検出すべき特定データの種類を決定することを特徴とする請求項６記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記算出手段は、前記選択手段における選択結果に基づいて、前記特定データとして前記文書データ中における最小文字サイズ、最大オブジェクト幅、最頻出文字サイズのうちいずれかを決定することを特徴とする請求項７記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記構造化記述言語はＨＴＭＬであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記構造化記述言語はＸＭＬであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１１】
更に、前記変換手段によって変換された文書データを描画する描画手段を有することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１２】
更に、前記描画手段によって描画されたデータを記録媒体上に可視像化する画像形成手段を有することを特徴とする請求項１１記載の画像処理装置。
【請求項１３】
構造化記述言語で記述された文書データを物理ページにレイアウトする画像処理方法であって、
前記文書データから特定データを検出し、該検出された特定データをレイアウトするための変倍率を算出する算出ステップと、
前記文書データに対して、物理ページへのレイアウトが可能となるように前記変倍率に基づく変換を施す変換ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
構造化記述言語で記述された文書データを物理ページにレイアウトする画像処理プログラムを記録した記録媒体であって、該プログラムは、
前記文書データから特定データを検出し、該検出された特定データをレイアウトするための変倍率を算出する算出ステップのコードと、
前記文書データに対して、物理ページへのレイアウトが可能となるように前記変倍率に基づく変換を施す変換ステップのコードと、
を有することを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月10日(2003.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】グループ分けによるソート処理方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
大量のデータを範囲ごとに複数のグループに分割するグループ分けの手順において、それぞれのグループごとの格納領域の上限および下限を配列変数に求め（図６）、次に、任意の位置からデータを取り出しこれを取得データとする。取得データの属するグループを算出して然るべき格納領域へ格納し（Ａ）、そこにもともと入っていたデータを新たな取得データとする（Ｂ）（図８）。ＡとＢの処理を繰り返すことによりグループ分けを行うことを特徴とするグループ分け処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異機種毎に設置され、主たる制御を行う主制御部と、
異機種毎に対応する表示パターンに関する情報を記憶してなる記憶部を具備し、前記主制御部からの指令に基づいて、表示パターンに基づく表示制御を行う表示制御部と
を備えた遊技機であって、
前記主制御部は、当該機種特有の表示制御指令を送信するものであり、かつ、前記表示制御部は、前記主制御部からの表示制御指令に基づいて、該表示制御指令に対応する表示パターンを導出する表示パターン導出手段を備え、
前記表示パターン導出手段は、前記表示制御指令に基づく確定表示されるべき図柄に応じた表示制御を開始させるものであり、
さらに、前記主制御部からの表示制御指令に基づいて図柄が確定表示させられるようにし、
前記主制御部は、図柄の変動表示に関する所定の条件を満たした場合に、前記表示制御指令を送信するものであることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、市中から回収した古紙パルプには、塩素漂白パルプが多く含まれている。したがって、古紙パルプを原料パルプに含有させて得た再生紙の利用後、ゴミ焼却場等において焼却すると、含有する塩素が一要因となりダイオキシン類を発生する虞がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月20日(2003.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、シート状磁石としては焼結磁石（例えば  バリウムフェライト系磁石、ストロンチウムフェライト系磁石、希土類系磁石など）、磁石材料粉末と有機高分子粘結材を主成分とするボンド磁石（例えば  バリウムフェライト系ゴム磁石、ストロンチウムフェライト系ゴム磁石、ストロンチウムフェライト系プラスチック磁石など）等、市販のものが利用できる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下、図面にしたがって、本発明の具体的実施例について説明する。なお、下記実施例では複合タイルの外形が矩形の場合について説明しているが、これに限らず、平行な２辺を有する形状の複合タイルも同様に形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本体部２は、この実施の形態では、円筒状の真鍮で構成され、その後端側にステッピングモータ３の回転軸３４を回転自在に支持する軸受け部２１が内部に圧入された状態で固定される。また、本体部２の後端部分には、本体部２に対して接合された鍔状プレート２２が設けられ（接合部分をＷとして示す）、その鍔状プレート２２にはステッピングモータ３のロータ部３３を収納するロータ収納ケース２３が３本の固着ピン２２ａを利用して固定されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この軸受け部２１は、確実な結合状態を得るために、本体部２への取り付けを行う際、本体部２に対してたたき込むようにして圧入される。このとき、軸受け部２１の側面（外径ｄ２を有する側の側面）の先頭部分（この外径ｄ２を有する側面の先頭部分をｚとして示す）が、本体部２の内面を削り取りながら圧入されて行くことになり、そのときに生じる磨耗粉を磨耗粉受け溝２１ｂ内で受けるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
他方、シリンダロッド７Ａには第２弁体２０が遊嵌され、この第２弁体２０は第２弁座２に対向配置されている。第２弁体２０は、第１弁体１０を座とする反発スプリング３０により第２弁座２側に付勢されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次いで、第１弁体移動用シリンダ７を作動させ、第１弁体１０により第１弁座１を閉塞した状態で、図３に示すように、加圧エア供給路６を通して、反発スプリング３０の付勢力に勝る加圧エアＡを供給すれば、第２弁体２０が第２弁座２から離間して、ケーシング３Ａ内に入り込み、搬送路４内に残留するグラウトＧを加圧エアＡにより押し出して目的の個所への搬送が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
梁及び柱の構造部材を、コンクリート強度５００ｋｇｆ／ｃｍ2以上のプレキャストプレストレストコンクリート部材とし、構造部材の交差部はプレストレスが導入してある圧着接合構造にすることにより、接合目地部は上下端が開いて回転可能である超耐久構造物。
【請求項２】
請求項１において、プレキャストコンクリート部材のコンクリートは、スランプ１０ｃｍ以下である超耐久構造物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかにおいて、プレストレス導入用のＰＣ鋼より線は素線が防食処理してある超耐久構造物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、構造部材の接合目地部には、弾性を有する目地コンクリートが充填してある超耐久構造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
建築物の構造部材である梁及び柱を、コンクリート強度５００ｋｇｆ／ｃｍ2以上のプレキャストコンクリート部材とするとともに、柱、梁の構造部材の交差部には２次プレストレスを導入する圧着接合構造とすることにより、地震等の大きな外力が作用しても構造部材の接合目地部を関節のように回転させることにより衝撃を吸収して構造物の破壊を防止するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
構造部材の接合目地部には、弾性を有する目地コンクリートを充填することにより、目地部の回転を保証し、構造部材の変位による破壊を防止し、外力が除去されれば、２次プレストレスの作用と相俟って部材を元の位置関係に戻すように作用する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
プレキャストコンクリート部材には、プレストレス（１次プレストレス）を導入すると共に２次プレストレッシング用のＰＣ鋼より線を通すための孔を設けておく。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
柱部材１には、梁部材３を組み付けるときに梁部材３を受けて組立てやすくする突起（以下コーベル）２を設ける。梁部材３を柱部材１のコーベル２に載せ、ＰＣ鋼より線４１、４２を柱部材１と梁部材３に予め設けておいた孔に挿入して通し、プレストレス（２次プレストレス）を導入し柱部材１と梁部材３を圧着接合する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
２次プレストレスの導入方法及び部材の端部の処理については、特公昭５５−２９２２１号公報、特公平６−８４６８６号公報、特開平１−１６５８４０号公報などの本出願人が先に開発した技術を使用する。
さらに、構造部材の接合目地部には無収縮プレミックスタイプの目地モルタル、または、合成樹脂、ラテックス、ゴムなどを混入した弾性を有する目地モルタルを使用することにより目地部の回転を保証し、構造部材の変位による破壊を防止する。外力が除去されれば、２次プレストレスの作用と相俟って部材の位置関係を元の状態に戻すように作用する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の効果】
本発明は、高強度のコンクリートと接合部の回転を許容する圧着接合を採用することにより、表１に従来の構造と対比して示したように、地震等の大きな外力が加わっても破壊に至ることがなく、部材を構成するコンクリート自体にも高度の品質管理によって耐久性が高いものとなるので総合的に見ると、従来の技術で示した推定耐用年数のパラメータを比較すると、その推定寿命は大幅に大きくなる。従って、構造物の耐久性を大幅に向上させることが可能となった。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＰＣ構造物の接合部を示す断面図
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月19日(2003.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
１６枚の基板２を収容したカセットケースをロードロック室１に収め、該室１内を排気系９により１０−６Ｐａ台以下の高真空にまで排気し、同時に搬送室７を排気系１１により１０−７Ｐａ台の超真空に排気し、前処理室３を排気系１４により１０−６Ｐａ台以下の高真空に排気する。これにより基板２に付着した水分やガス成分が排除される。続いてロードロック室１の仕切バルブを開き、搬送室７内の搬送装置の搬送腕１９を該ロードロック室１に進入させてこれでカセットケースから１枚の基板２を取り出し、前処理室３の仕切りバルブを開いてその内部の図示していない保持装置上に置く。そして、該前処理室３を密閉し、３％の酸素ガスを混入したＡｒガスを導入して圧力を例えば１０−２Ｐａ台程度に調整したのち３００Ｖの加速電圧を与えてイオンビームエッチング装置４を作動させ、該基板２の下面の成膜面をエッチングしてクリーニングし、必要な場合、導電部等を０．３μｍ程度の幅でエッチングする。この例でのエッチング時間は３０分で、エッチングレートは１００Å／ｍｉｎ、一様性は±５％である。この前処理により基板２の成膜面が完全にクリーニングされる。尚、導入ガスはＡｒガスのみ或いは他の希ガスでもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
こうして磁化の向きが揃った下層の２膜が形成されると、これらの基板２を予め１０−７Ｐａ台以下の超高真空に排気しておいた次の真空成膜室５ｂに搬送腕１９で搬送し、前記真空成膜室５ａの場合と同様の受け渡しを行ってターンテーブル３２の１８０°離れた位置に基板２を載せる。この真空成膜室５ｂの４基のスパッタ装置にはＣｕとＦｅのターゲットが交互に用意され、ますＣｕターゲットの各スパッタ装置上に各基板２を夫々位置させ、各基板２に上記スパッタレートで２０．９Åの厚さにＣｕ膜をシャッター３１を開閉制御して成膜する。一つの成膜室内に４基のスパッタ装置２８を配置することで膜の成膜する際の時間差を極力少なくすることができる。膜の表面状態がアクティブのままスパッタを行うために、同一成膜内に４基以上のカソードを配置することが有効である。続いて各基板２をターンテーブル３２の９０°の旋回でＮｉＦｅターゲットのスパッタ装置上に位置させると共に各基板２の背後に前記下層の２膜と同方向の磁化の向きを与えるように永久磁石４５、４６を位置させ、膜厚を監視しながらシャッター制御して上記スパッタレートで１８ÅのＮｉＦｅ膜を該Ｃｕ膜に重層形成する。ターンテーブルを旋回させてこのＣｕとＮｉＦｅの成膜を８回繰り返すことにより、磁気抵抗ヘッド用の磁化の向きが揃った磁気多層膜を有する基板が得られ、これをロードロック室１のカセットケースに該搬送腕１９で戻し、必要ならば、該基板２を更に他の真空成膜室５ｄに搬送腕１９で運び込んで保護膜を形成したのち該ロードロック室１へ戻すこともできる。各高真空成膜室５の排気系１７には１５Ｋ程度の極低温のトラップ１５が設けられており、わずかな水分子も確実に該成膜室５から排除してクリーンな超高真空が得られ、界面のきれいな膜若しくは層を形成できる。また、ジャイアント磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を作製するにあたりクリーンなガスを超高真空の各室に供給することが重要である。本装置では、ガスの純化及び、フィルターはもとよりガス配管やバルブ等の部品に至るまで公知の不動態処理やＮｉメッキ処理などの内面処理を施し、配管を極力丸曲げして角部をつくらないようにし、ベントアンドランにてスパッタリング時以外でもスパッタガスを捨てラインに流し続けることを行うようにした。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【実施例】
直径６インチの１６枚の熱酸化膜付シリコンウエハの磁気抵抗ヘッド基板２をカセットケースに載せてロードロック室１に収め、該ロードロック室１、搬送室７、前処理室３及び真空成膜室５を夫々１０−６Ｐａ台、１０−７Ｐａ台、１０−６Ｐａ台及び１０−７Ｐａ台に排気し、搬送腕１９によりまず１枚の基板を真空の搬送室を介して前処理室３に搬送した。該前処理室３に３％の酸素ガスを混入したＡｒガスを導入して１．３×１０−２Ｐａに圧力を調整し、イオンビームエッチング装置４に３００Ｖの加速電圧を与え５０Å／ｍｉｎのエッチングレートで±５％の一様性のエッチングを施した。続いて該基板２を１０−７Ｐａ台に排気した真空成膜室５ａに搬入した。これを繰り返して該真空成膜室５ａのターンテーブルに２枚の基板が載ると、該室５ａにＡｒガスを導入して７×１０−２Ｐａに調整した。そして、ＦｅターゲットとＮｉＦｅターゲットを設けた２基のカソード電極３８に夫々ＤＣ６０Ｗ、ＲＦ誘導コイル３９に７０Ｗの高周波電力を投入し、永久磁石４５、４６で基板２の成膜面に１００エルステッドの磁界を与えながら０．１〜０．８Å／ｓｅｃのスパッタレートで順次に１００ÅのＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜を成膜した。これはシャッター開閉速度が機械的に数百ミリ秒〜１秒であるので、スパッタリングレートが０．１Å／ｓｅｃのときは１秒で０．１Åの膜厚が制御できるからである。例えばＳｉ原子１層の膜厚は３Åであるので、この例では０．１モノレーヤ（０．１層）以下の制御を行えることを可能にしているのである。これら２枚の基板を更にＣｕとＮｉＦｅのターゲットを２基ずつ設けた上記の真空成膜室５ｂへ搬送し、Ｃｕターゲット上のターンテーブル上に載せ、真空成膜室５ａと圧力等を同条件としてターンテーブルを間欠的に旋回させて２０．９ÅのＣｕ膜と１８Åのセット層を８層形成し、図１７の膜構成の磁気抵抗ヘッド用基板を２枚作製した。
これらの基板２を３ｍｍ幅にカットしてＭＲ素子とし、各素子を端子間５ｍｍの４端子プローブを用いて直流端子法によりＭＲ特性を評価したところ、各素子はいずれもＭＲストライプの抵抗率の変化量／ＭＲストライプの抵抗率で表されるＭＲ比が５．８３％を示し、均質で十分に磁気抵抗ヘッドに使用できるものであった。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1998183347.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1998183347.tif 000002