(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記発熱手段は，上記支持プレートの内部に埋め込まれており，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
また，該カーボン材料は異方比が１．２５以下の等方性カーボンであり，
更に，該カーボン材料はショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９０であり，
かつ，該カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項２】
請求項１において，上記カーボン材料は，圧縮強度が７８ＭＰａ以上で，かつ曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項３】
請求項１又は２において，上記カーボン材料は，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が２×１０-8ｍ3／ｇ〜２．５×１０-7ｍ3／ｇであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記ガラス基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記ガラス基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項において，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項において，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持すると共に加熱するための加熱装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
液晶表示板はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成したガラス基板とカラーフィルタを形成したガラス基板とを貼り合せることにより製造する。
上記ガラス基板（ＴＦＴ側基板）にＴＦＴを形成する際には，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
例えば，上記プラズマＣＶＤ装置によって，シリコン窒化膜，シリコン酸化膜，シリコンオキシナイトライド膜等からなる絶縁膜や，アモルファスシリコン，Ｐドープアモルファスシリコン等からなる半導体層を形成する。
【０００３】
また，上記スパッタリング装置により，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔａ等の金属膜からなる導体配線や，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極，或いはＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
また，上記ガラス基板（カラーフィルタ側基板）にカラーフィルタを形成する際にも，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
例えば，上記スパッタリング装置により，Ｃｒ／ＣｒＯX膜等からなるブラックマトリックスや，ＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
更に，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板を貼り合せる際には，貼り合せ装置を用いる。即ち，該貼り合せ装置により，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを貼り合せ，加圧，加熱することにより，所定の間隔をもって両者を接合する。
【０００４】
ところで，上記スパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，及び貼り合せ装置には，上記ガラス基板を支持すると共に加熱する加熱装置が配設されている（図４〜図６参照）。該加熱装置は，ガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する。
【０００５】
例えば，上記貼り合せ装置には，一対の定盤が配設されており，該一対の定盤によって上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板をそれぞれ支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する。これにより，両者を接合する。
以上のごとく，液晶表示板の製造工程において使用される各装置には，ガラス基板を加熱するための加熱装置が設けてある。
【０００６】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の液晶表示板用のガラス基板の加熱装置には，以下の問題がある。
即ち，上記加熱装置の支持プレートは，ステンレス鋼，アルミニウム，鉄等の金属からなる。
金属は熱膨張率が大きいため，上記支持プレートを発熱させると，歪みが生じるおそれがある。そのため，上記支持プレートに支持されたガラス基板に反りが発生するおそれがある。
【０００７】
また，反った状態のガラス基板に成膜されると，ガラス基板表面における位置によって膜厚が不均一となるおそれがある。また，歪みの生じた支持プレートによって押圧された一対のガラス基板は，その押圧力が不均一となり，ガラス基板間のスペースの厚みが不均一となる。それ故，高品質の液晶表示板を得ることができないおそれがある。
【０００８】
また，金属は比重が大きいため，特に大型の液晶表示板製造用の支持プレートをプラズマＣＶＤ装置等へ据え付ける際に，据え付け作業が困難となるという問題もある。
【０００９】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題の解決手段】
請求項１に記載の発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成するガラス基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記ガラス基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記発熱手段は，上記支持プレートの内部に埋め込まれており，
上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなり，
また，該カーボン材料は異方比が１．２５以下の等方性カーボンであり，
更に，該カーボン材料はショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９０であり，
かつ，該カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1であることを特徴とする液晶表示板用のガラス基板の加熱装置にある。
【００１１】
本発明において最も注目すべきことは，上記発熱手段は上記支持プレートの内部に埋め込まれており，上記支持プレートの一部又は全部がカーボン材料からなること，該カーボン材料は異方比が１．２５以下の等方性カーボンであること，及びショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９０の範囲にあること及び２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1であることである。
上記カーボン材料としては，例えば黒鉛質のもの，炭素質のもの，或いはＣ／Ｃコンポジット（炭素結合炭素繊維複合材料）等がある。
また，上記発熱手段としては，上記支持プレートに埋め込まれたニクロム線等を用いる。
また，上記液晶表示板を構成するガラス基板としては，例えばその表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成するもの（ＴＦＴ側基板）や，カラーフィルタを形成するもの（カラーフィルタ側基板）がある。
【００１２】
次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の加熱装置は，上記液晶表示板を製造する際の種々の工程において，種々の装置に組み込まれて使用される。このとき，上記加熱装置は，上記支持プレートにより上記ガラス基板を支持する。そして，上記発熱手段を発熱させ，その熱を上記支持プレートに伝える。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレートに支持されたガラス基板を加熱する。
そして，本発明においては，上記発熱手段は上記支持プレートの内部に埋め込まれている。そのため，発熱手段からの熱は全て支持プレートに伝わり上記ガラス基板を効率良く加熱することができる。
また，本発明においては，支持プレートへの発熱手段の埋め込みと併用して，上記支持プレートであるカーボン材料として，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1のものを用いている。
そのため，加熱時において一層歪みの生じ難い支持プレートを有する加熱装置を得ることができる。
また，発熱手段を埋め込む支持プレートはカーボン材料であり，該カーボン材料は加工し易いため，発熱手段を任意の位置に配設することができる。
上記平均熱膨張係数が６．０×１０-6℃-1を超える場合には，上記支持プレートを発熱させて高温としたとき，歪みを生ずるおそれがある。一方，上記平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1未満の場合には，材料費が高くなり，安価な加熱装置を得ることが困難となるおそれがある。
【００１３】
ここで，上述のごとく，上記支持プレートは，その一部又は全部がカーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレートを発熱させて高温とした場合にも，熱膨張が殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置は，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。
それ故，上記加熱装置により上記ガラス基板を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，ガラス基板が反ったり，押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレートからガラス基板への熱伝導を均一に行なうことができる。従って，高品質の液晶表示板を製造することができる。
【００１４】
また，上記支持プレートはカーボン材料により形成されているため，加工が容易である。そのため，例えば上記ガラス基板の形状や寸法に容易に合せることができるなど，所望の支持プレートを容易に製造することができる。そのため，安価な加熱装置を得ることができる。
【００１５】
また，上記支持プレートを構成するカーボン材料は軽量であるため，軽量な加熱装置を得ることができる。それ故，例えば大型の液晶表示板用のガラス基板を製造する際に必要な，大型の加熱装置の取扱い等が容易となる。
【００１６】
以上のごとく，本発明によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【００１７】
また，請求項１に記載の発明においては，上記カーボン材料は，異方比が１．２５以下の等方性カーボンを用いる。
上記等方性カーボンは，例えば静水圧加圧のラバープレス機を用いて得ることができる。上記等方性カーボンは，機械的性質，熱的性質等の諸特性がどの方向においても略一定である。そのため，上記支持プレートを作製する際の材料取りが効率的に行なえる。
【００１８】
また，上記等方性カーボンは，緻密で強度も高い。そのため，強度の高い支持プレートを有する加熱装置を得ることができる。また，これにより，上記支持プレートの薄板化，軽量化を図ることもできる。
上記カーボン材料の異方比，例えば曲げ強度や熱膨張係数の異方比が１．２５を超える場合には，上記支持プレートの強度が不充分となるおそれがある。また，熱特性のばらつきが大きくなり，均一な加熱を行なうことが困難となるおそれがある。
【００１９】
なお，上記異方比が１．２５とは，方向によって物性の違いが最大で１．２５倍であることをいう。例えば，カーボン材料の熱膨張係数が方向によって異なる場合に，最も熱膨張係数が高い方向におけるその値が，最も熱膨張係数が小さい方向におけるその値の１．２５倍であることを示す。
【００２０】
次に，請求項２に記載の発明のように，上記カーボン材料は，圧縮強度が７８ＭＰａ以上で，かつ曲げ弾性率が１０ＧＰａ以上であることが好ましい。
これにより，一層歪みの生じ難い支持プレートを有する加熱装置を得ることができる。
上記圧縮強度が７８ＭＰａ未満の場合には，例えば上記支持プレートにより上記ガラス基板を加圧する際に，該支持プレートが変形するおそれがある。
また，上記曲げ弾性率が１０ＧＰａ未満の場合にも，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがある。
【００２１】
また，請求項１に記載の発明においては，上記カーボン材料は，ショアー硬度（ＨＳ）が４０〜９０のものを用いる。
これにより，上記支持プレートに一層歪みが生じ難く，かつ一層安価な加熱装置を得ることができる。
上記ショアー硬度が４０未満の場合には，上記支持プレートに傷がつく割合が増え，歪みが生ずるおそれがある。一方，上記ショアー硬度が９０を超える場合には，上記支持プレートの加工が困難となり，安価な加熱装置を得ることが困難となるおそれがある。
【００２２】
次に，請求項３に記載の発明のように，上記カーボン材料は，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が２×１０-8ｍ3／ｇ〜２．５×１０-7ｍ3／ｇであることが好ましい。
これにより，強度が高く一層軽量な支持プレートを有する加熱装置を得ることができる。
【００２３】
上記微細気孔の占める容積が２×１０-8ｍ3／ｇ未満の場合には，上記支持プレートの重量が大きくなるおそれがある。一方，上記容積が２．５×１０-7ｍ3／ｇを超える場合には，上記支持プレートの強度が不充分となるおそれがある。また，上記支持プレート全体に均一に熱が伝わらないおそれがある。
なお，上記微細気孔の半径の値は，水銀圧入法により測定される値である。
【００２４】
次に，請求項１に記載の発明において，上記カーボン材料は２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1〜６．０×１０-6℃-1である。
これにより，加熱時において一層歪みの生じ難い支持プレートを有する加熱装置を得ることができる。
【００２５】
上記平均熱膨張係数が６．０×１０-6℃-1を超える場合には，上記支持プレートを発熱させて高温としたとき，歪みを生ずるおそれがある。一方，上記平均熱膨張係数が３．０×１０-6℃-1未満の場合には，材料費が高くなり，安価な加熱装置を得ることが困難となるおそれがある。
【００２６】
次に，請求項４に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記ガラス基板を支持するものとすることができる。
上記液晶表示板の製造工程の一例につき簡単に説明すると，まず，上記ＴＦＴ側基板であるガラス基板の表面にＴＦＴを形成する。次いで，該ＴＦＴの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
【００２７】
一方，上記カラーフィルタ側基板であるガラス基板の表面に，カラーフィルタを形成する。次いで，該カラーフィルタの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる（図２参照）。
【００２８】
そして，上記ガラス基板へのＴＦＴの形成やカラーフィルタの形成には，上記スパッタリング装置を用いることができる（実施形態例２参照）。
上記スパッタリング装置には，本発明にかかる加熱装置が配設されている。そして，該加熱装置により上記ガラス基板を加熱しながら成膜を行なう。
この場合に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板が反ったりするおそれもない。それ故，均一な成膜を実現することができる。
そのため，品質の高い液晶表示板を製造することができるスパッタリング装置が得られる。
【００２９】
次に，請求項５に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記ガラス基板を支持するものとすることもできる。
即ち，上述したＴＦＴやカラーフィルタの形成には，上記プラズマＣＶＤ装置を用いることもできる。
【００３０】
この場合，上記プラズマＣＶＤ装置により上記ガラス基板に成膜する際に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，上記支持プレートに歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板が反ったりするおそれもなく，均一な成膜を実現することができる。
そのため，品質の高い液晶表示板を製造することができるプラズマＣＶＤ装置が得られる。
【００３１】
次に，請求項６に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記ガラス基板を支持して貼り合せる定盤とすることもできる。
即ち，上述した上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板との貼り合せには，上記貼り合せ装置を用いることができる。
【００３２】
この場合，上記張り合わせ装置により一対の上記ガラス基板を貼り合せる際に，上記加熱装置により該ガラス基板を加熱しても，上記定盤に歪みを生ずるおそれがない。そのため，上記ガラス基板の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板の間に形成される隙間の厚みが均一となる。
それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。
【００３３】
次に，請求項７に記載の発明のように，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板を含めることもできる。
この場合には，ＴＦＴを構成する絶縁膜や半導体膜等を，ガラス基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができる。
【００３４】
次に，請求項８に記載の発明のように，上記ガラス基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板を含めることもできる。
この場合には，カラーフィルタを構成するブラックマトリックス等を，ガラス基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
実施形態例１
本発明の実施形態例にかかる液晶表示板用のガラス基板の加熱装置につき，図１〜図３を用いて説明する。
即ち，図１に示すごとく，上記加熱装置１は，液晶表示板の製造工程において，図２に示す液晶表示板２０を構成するガラス基板２を支持するための支持プレート１１を有する。更に，上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレート１１を発熱させることにより上記ガラス基板２を加熱するための発熱手段１２を有する。
そして，上記支持プレート１１はカーボン材料からなる。
【００３６】
また，上記発熱手段１２はニクロム線であり，上記支持プレート１１の内部に埋め込まれいる。なお，上記支持プレート１１にコイルを取付けることにより誘導加熱を発熱手段とすることもできる。
また，上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２としては，その表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３を形成するもの（ＴＦＴ側基板２１）とカラーフィルタ４を形成するもの（カラーフィルタ側基板２２）がある。
【００３７】
上記加熱装置１は，後述する上記液晶表示板２０の製造工程において用いられるスパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，或いは貼り合せ装置に配設されている。なお，上記各装置についての詳細は，実施形態例２〜４において説明する。
【００３８】
また，上記支持プレート１１の材料であるカーボン材料は，異方比が１．０５の等方性カーボンである。
また，上記カーボン材料は，圧縮強度が９０ＭＰａ，曲げ弾性率が１０．５ＧＰａ，ショアー硬度（ＨＳ）が５２，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が８×１０-8ｍ3／ｇ，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が４．０×１０-6℃-1である。
なお，上記微細気孔の半径や容積の値は，水銀圧入法（水銀ポロシメーター）により測定される値である。
【００３９】
次に，上記液晶表示板２０の製造工程につき，図２，図３を用いて説明する。
まず，上記ＴＦＴ側基板２１の表面にＴＦＴ３を形成する（ステップＴ１）。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の表面に絶縁層，半導体層，導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成することによりＴＦＴ３を形成する。
次いで，該ＴＦＴ３の上面から透明電極層３１を形成する（ステップＴ２）。次いで，該透明電極層３１の上から配向膜３２を形成し（ステップＴ３），該配向膜３２にラビング処理を施す（ステップＴ４）。
【００４０】
一方，上記カラーフィルタ側基板２２の表面に，カラーフィルタ４を形成する（ステップＣ１）。即ち，上記カラーフィルタ側基板２２の表面にブラックマトリックス等を形成することにより，上記カラーフィルタ４を形成する。
次いで，該カラーフィルタ４の上面から透明電極層４１を形成する（ステップＣ２）。次いで，該透明電極層４１の上から配向膜４２を形成し（ステップＣ３），該配向膜４２にラビング処理を施す（ステップＣ４）。
【００４１】
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板２１とカラーフィルタ側基板２２とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる。即ち，上記ＴＦＴ側基板の配向膜上にシール材２５を印刷すると共にプラスチックビーズ２６を撒布した後（ステップＳ５，Ｓ６），上記カラーフィルタ側基板２２を貼り合せる（ステップＳ７）。
【００４２】
次いで，両ガラス基板２を両面から加圧して，該ガラス基板２間の間隔（図２の符号Ｄ）が上記プラスチックビーズ２６の直径（１０μｍ程度）に等しくなるまで押圧する（ステップＳ８）。次いで，加熱することにより上記シール材２５を両ガラス基板２に融着させると共に硬化させる（ステップＳ９）。
その後，上記２枚のガラス基板２間に液晶２７を注入する（ステップＳ１０）。次いで，上記２枚のガラス基板２の両面に，偏向板２８を貼り付けることにより（ステップＳ１１），液晶表示板２０を製造する（図２）。
【００４３】
上述したガラス基板２へのＴＦＴ３の形成やカラーフィルタ４の形成には，実施形態例２において説明するスパッタリング装置５（図４），或いは実施形態例３において説明するプラズマＣＶＤ装置６（図５）を用いる。また，上記ＴＦＴ側基板２１と上記カラーフィルタ側基板２２との貼り合せには，実施形態例４において説明する貼り合せ装置７（図６）を用いる。
そして，上記各装置には，上記ガラス基板２を支持すると共に加熱する加熱装置１が配設されている。そして，上記各装置は，上記加熱装置１によりガラス基板２を加熱しながら成膜あるいは加圧する。
【００４４】
次に，本例の作用効果につき説明する。
上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレートにより上記ガラス基板２を支持する。そして，上記発熱手段１２であるニクロム線に通電して発熱させ，その熱を上記支持プレート１１に伝える。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレート１１に支持されたガラス基板２を加熱する。
【００４５】
ところで，上述のごとく，上記加熱装置１における支持プレート１１は，カーボン材料からなる。
カーボン材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレート１１を上記発熱手段１２により発熱させて高温とした場合にも，熱膨張が殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置１は，上記支持プレート１１に歪みを生ずるおそれがない。
それ故，上記加熱装置１により上記ガラス基板２を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，ガラス基板２が反ったり，押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。従って，高品質の液晶表示板２０を製造することができる。
【００４６】
また，上記支持プレート１１はカーボン材料により形成されているため，加工が容易である。そのため，上記ガラス基板２の形状や寸法に容易に合せることができるなど，所望の上記支持プレート１１を容易に製造することができる。そのため，安価な加熱装置１を得ることができる。
【００４７】
また，上記支持プレート１１を構成するカーボン材料は軽量であるため，軽量な加熱装置１を得ることができる。それ故，例えば大型の液晶表示板用のガラス基板を製造する際に必要な，大型の加熱装置１の取扱いが容易となる。
【００４８】
また，上記カーボン材料は，異方比が１．０５の等方性カーボンであるため，上記支持プレート１１を作製する際の材料取りが効率的に行なえる。それ故，安価な加熱装置１を得ることができる。
また，上記等方性カーボンは，緻密で強度も高い。そのため，強度の高い支持プレート１１を有する加熱装置１を得ることができる。また，これにより，上記支持プレート１１の薄板化，軽量化を図ることもできる。
【００４９】
また，上記カーボン材料の圧縮強度は９０ＭＰａで，かつ曲げ弾性率は１０．５ＧＰａであるため，一層歪みの生じ難い支持プレート１１を得ることができる。
また，上記カーボン材料のショアー硬度（ＨＳ）は５２であるため，上記支持プレート１１に一層歪みが生じ難く，かつ一層安価な加熱装置１を得ることができる。
【００５０】
また，上記カーボン材料は，７．５×１０-9ｍ〜７．５×１０-6ｍの半径を有する微細気孔の占める容積が８×１０-8ｍ3／ｇであるため，強度が高く一層軽量な支持プレート１１を得ることができる。
また，上記カーボン材料は，２０℃〜４００℃における平均熱膨張係数が４．０×１０-6℃-1であるため，加熱時において一層歪みの生じ難い支持プレート１１を得ることができる。
【００５１】
以上のごとく，本例によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【００５２】
実施形態例２
本例は，図４に示すごとく，スパッタリング装置５に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記スパッタリング装置５においてガラス基板２を支持すると共に加熱する基板電極治具５１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００５３】
まず，上記スパッタリング装置５の構成につき説明する。
上記スパッタリング装置５は，図４に示すごとく，上記基板電極治具５１と該基板電極治具５１に対向配置されたカソード板５２を，チャンバー５０内に配設している。上記カソード板５２における上記基板電極治具５１に対向する面には，Ａｌなど上記ガラス基板２に成膜するための材料からなるターゲット５３が保持されている。
また，上記チャンバー５０には，Ａｒガスを導入するためのガス導入管５４と，チャンバー５０内を真空引きするための排気管５５が配設されている。
【００５４】
上記スパッタリング装置５によりスパッタリングを行なうに当っては，排気管５５から上記チャンバー５０内を真空引きした後，上記ガス導入管５４からＡｒガスを導入する。次いで，電源５６を用いて上記カソード板５２に電圧を印加することにより，Ａｒイオンを，上記カソード板５２に保持されたターゲット５３に衝突させる。これにより，ターゲット５３のＡｌがはじき出され，上記基板電極治具５１に支持されているガラス基板２の表面に付着する。
これにより，上記ガラス基板２の表面にＡｌ膜を成膜する。
【００５５】
上記スパッタリング装置５は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴ３の形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタ４の形成（ステップＣ１），あるいは透明電極層３１，４１の形成（ステップＴ２，Ｃ２）に用いられる。
即ち，ＴＦＴ３における導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成する際には，例えばＡｌ金属をスパッタリング装置５により上記ガラス基板２にスパッタリングして成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，各配線，電極を形成する。
【００５６】
同様に，上記透明電極層の形成においては，ＩＴＯをスパッタリングする。また，カラーフィルターの形成においては，Ｃｒ／ＣｒＯXをスパッタリングしてブラックマトリックスを形成する。
【００５７】
上記のごとくスパッタリングを行なうに当っては，発熱手段１２により上記基板電極治具５１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００５８】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，スパッタリングによりＡｌ等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００５９】
実施形態例３
本例は，図５に示すごとく，プラズマＣＶＤ装置６に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記プラズマＣＶＤ装置６においてガラス基板２を支持すると共に加熱するサセプター６１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００６０】
まず，上記プラズマＣＶＤ装置６の構成につき説明する。
上記プラズマＣＶＤ装置６は，上記サセプター６１と，該サセプター６１に対向配置された高周波電極６２とをチャンバー６０内に配設している。上記高周波電極６２には，原料ガスを導入するためのガス導入管６３，及び原料ガスを通過させるスリット６４１を多数有するシャワーヘッド６４が設けてある。
また，上記チャンバー６０には，チャンバー内を真空引きするための排気管６５が設けてある。
【００６１】
上記プラズマＣＶＤ装置６により成膜を行なうに当っては，成膜する材料の構成元素を含む原料ガス６９を，上記ガス導入管６３，シャワーヘッド６４を通じて上記チャンバー内に導入する。このとき，上記高周波電極６２における電圧により，シャワーヘッド６４を通過する原料ガス６９をプラズマ状態にする。プラズマ状態となった上記原料ガス６９は，上記サセプター６１に支持されたガラス基板２の表面に供給され，該ガラス基板２上において化学反応が起こり，成膜が行われる。
【００６２】
上記プラズマＣＶＤ装置６は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴの形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタの形成（ステップＣ１）に用いられる。
【００６３】
即ち，上記ＴＦＴ３における絶縁膜や半導体層は，例えばシリコン窒化膜や，アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ装置６により上記ガラス基板２の表面に成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，絶縁膜や半導体層を形成する。
【００６４】
上記のごとく成膜を行なうに当っては，発熱手段１２により上記基板電極治具６１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００６５】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，プラズマＣＶＤ装置６によりシリコン窒化膜等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００６６】
実施形態例４
本例は，図６に示すごとく，貼り合せ装置７に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記貼り合せ装置７において一対の上記ガラス基板２を各１枚支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する一対の定盤が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００６７】
まず，上記貼り合せ装置７の構成につき説明する。
即ち，図６に示すごとく，上記貼り合せ装置７は，機枠７０と，該機枠７０の下枠７０１に固定された固定定盤７１と，該固定定盤７１に対向配置されると共に上記機枠の上枠７０２に上下動可能に取付けられた可動定盤７２とからなる。
上記可動定盤７２の上下動は，上記上枠７０２に固定されたエアシリンダー７３によって行なう。
【００６８】
上記貼り合せ装置７は，実施形態例１で示した液晶表示板２０の製造工程において，一対のガラス基板２の貼り合せ（図３のステップＳ７）に用いられる。
上記貼り合せ装置７により，一対のガラス基板２を貼り合せるに当っては，ＴＦＴ側基板２１を上記固定定盤７１にセットすると共に，カラーフィルム側基板２２を上記可動定盤７２にセットする。次いで，上記可動定盤７２を下降させ（図６の矢印Ｚ），上記ＴＦＴ側基板２１上に上記カラーフィルム側基板２２を貼り合せる。
【００６９】
次いで，上記エアシリンダ７３によって，両ガラス基板２の間隔が１０μｍ程度になるまで加圧する。次いで，上記固定定盤７１及び可動定盤７２に設けられた発熱手段１２によって，上記固定定盤７１及び可動定盤７２を発熱させて上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
これにより，上記一対のガラス基板２の間のシール材を融着すると共に硬化させて，貼り合せを完了する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００７０】
上記支持プレート１１は，上述のごとくカーボン材料からなるため，熱によって歪みを生ずることがない。
そのため，貼り合せ装置７により一対のガラス基板２を両面から加圧する際に，上記ガラス基板２の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板２の間に形成される隙間が均一となる。それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００７１】
【発明の効果】
上述のごとく，本発明によれば，支持プレートに歪みを生ずることがなく，かつ安価で軽量な，液晶表示板用のガラス基板の加熱装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１における，加熱装置の説明図。
【図２】実施形態例１における，液晶表示板の断面説明図。
【図３】実施形態例１における，液晶表示板の製造工程のフロー図。
【図４】実施形態例２における，スパッタリング装置の説明図。
【図５】実施形態例３における，プラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図６】実施形態例４における，貼り合せ装置の説明図。
【符号の説明】
１．．．加熱装置，
１１．．．支持プレート，
１２．．．発熱手段，
２．．．ガラス基板，
２１．．．ＴＦＴ側基板，
２２．．．カラーフィルム側基板，
３．．．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ），
３１，４１．．．透明電極層，
３２，４２．．．配向膜，
４．．．カラーフィルタ，
５．．．スパッタリング装置，
６．．．プラズマＣＶＤ装置，
７．．．貼り合せ装置，
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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