【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク上の複数の小領域に順次荷電粒子線を照射して、各小領域に設けられたパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、
前記マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域のうちで各小領域にそれぞれ対応した被転写領域へ導く投影処理とを有するパターン転写方法において、
前記走査処理の際に、前記複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減処理を実施し、
前記感応基板上で相互に隣接する一対の被転写領域のうち、前記照射量低減処理によって荷電粒子線の入射量が減少する領域の少なくとも一部が相互に重なるように前記マスクの前記小領域と前記感応基板の被転写領域とを対応させるように走査することを特徴とする荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項２】
前記感応基板の前記一対の被転写領域に対応した前記マスクの小領域内の前記周辺部に共通のパターンを設けることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項３】
前記照射量低減処理として、前記マスクに導かれる荷電粒子線を前記小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャの像を、前記マスクにデフォーカス状態で投影することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項４】
前記照射量低減処理として、前記マスクに導かれる荷電粒子線を、単一の小領域に対する照射中に前記マスク面と平行な方向に振動させることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法。
【請求項５】
マスク上の複数の小領域のそれぞれに対して荷電粒子線を択一的に照射可能な照射手段と、
前記マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板に導く投影手段と、
前記複数の小領域のそれぞれに対応した前記感応基板の被転写領域が相互に連続するように前記感応基板に対する荷電粒子線の入射位置を調整する入射位置調整手段とを有する荷電粒子線転写装置において、
前記複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減手段を設けたことを特徴とする荷電粒子線転写装置。
【請求項６】
前記マスクに向かう荷電粒子線を前記小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャを有し、
前記照射量低減手段は、前記アパーチャの像を前記マスクにデフォーカス状態で投影することを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線転写装置。
【請求項７】
前記照射量低減手段は、前記マスクに導かれる荷電粒子線を、単一の小領域に対する照射中に前記マスク面と平行な方向に振動させることを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線転写装置。
【請求項８】
前記マスクに導かれる荷電粒子線を前記小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャと、
前記アパーチャを通過して前記マスクに導かれる荷電粒子線を前記マスクと平行な方向に偏向する偏向器とを有し、
前記照射量低減手段は、前記偏向器による荷電粒子線の偏向量を周期的に変化させることを特徴とする請求項７記載の荷電粒子線転写装置。
【請求項９】
複数の小領域を有し、前記複数の小領域のそれぞれには、各小領域を通過する荷電粒子線に所定の変化を与えるパターンが設けられた荷電粒子線転写用マスクにおいて、
相互に接続されるべきパターンが設けられた一対の小領域内の周辺部では、前記パターンが重複していることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１０】
マスク基板と、
前記マスク基板を支持しつつ該マスク基板を複数の小領域に区分する支柱とを備え、
前記小領域には、荷電粒子線を透過させる第１の領域と、該第１の領域よりも荷電粒子線の散乱または吸収の程度が大きい第２の領域とが設けられた荷電粒子線転写用マスクにおいて、
前記小領域と前記支柱との境界位置に前記第１の領域が接していることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【請求項１１】
薄膜状のマスク基板と、
前記マスク基板を支持しつつ該マスク基板を複数の小領域に区分する支柱と、前記マスク基板の前記小領域に配置され、荷電粒子線の吸収または散乱の程度が前記マスク基板よりも大きい照射制限部材とを有する荷電粒子線転写用マスクにおいて、
前記照射制限部材の存在しない透過領域が前記小領域と前記支柱との境界位置に接するように設けられていることを特徴とする荷電粒子線転写用マスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、マスク上の複数の小領域に順次荷電粒子線を照射して、各小領域に設けられたパターンに相関した変化を荷電粒子線に生じさせる走査処理と、マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を、感応基板上に相互に連続させて設定された複数の被転写領域のうちで各小領域にそれぞれ対応した被転写領域へ導く投影処理と、を有するパターン転写方法に適用される。そして、上記走査処理の際に、複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減処理を実施し、感応基板上で相互に隣接する一対の被転写領域のうち、照射量低減処理によって荷電粒子線の入射量が減少する領域の少なくとも一部が相互に重なるようにマスクの小領域と感応基板の被転写領域とを対応させて走査することにより上述した目的を達成する。
請求項２の発明では、請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法において、感応基板の上記一対の被転写領域に対応したマスクの小領域内の周辺部に共通のパターンを設けている。
請求項３の発明では、請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法において、照射量低減処理として、マスクに導かれる荷電粒子線を小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャの像を、マスクにデフォーカス状態で投影する。請求項４の発明では、請求項１記載の荷電粒子線によるパターン転写方法において、照射量低減処理として、マスクに導かれる荷電粒子線を、単一の小領域に対する照射中にマスク面と平行な方向に振動させる。
請求項５の発明は、マスク上の複数の小領域のそれぞれに対して荷電粒子線を択一的に照射可能な照射手段と、マスクの各小領域を通過した荷電粒子線の少なくとも一部を感応基板に導く投影手段と、複数の小領域のそれぞれに対応した感応基板の被転写領域が相互に連続するように感応基板に対する荷電粒子線の入射位置を調整する入射位置調整手段とを有する荷電粒子線転写装置に適用される。そして、複数の小領域内のそれぞれの周辺部に対する荷電粒子線の照射量を各小領域の中心から離れるほど漸次減少させる照射量低減手段を設けて上述した目的を達成する。
請求項６の発明では、請求項５記載の荷電粒子線転写装置において、マスクに向かう荷電粒子線を小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャが設けられる。そして、照射量低減手段により、アパーチャの像がマスクにデフォーカス状態で投影される。
請求項７の発明では、請求項５記載の荷電粒子線転写装置において、照射量低減手段が、マスクに導かれる荷電粒子線を、単一の小領域に対する照射中にマスク面と平行な方向に振動させる。
請求項８の発明では、請求項７記載の荷電粒子線転写装置において、マスクに導かれる荷電粒子線を小領域に対応した断面形状に整形するアパーチャと、アパーチャを通過してマスクに導かれる荷電粒子線をマスクと平行な方向に偏向する偏向器とが設けられる。そして、照射量低減手段は、偏向器による荷電粒子線の偏向量を周期的に変化させる。
請求項９の発明は、複数の小領域を有し、複数の小領域のそれぞれには、各小領域を通過する荷電粒子線に所定の変化を与えるパターンが設けられた荷電粒子線転写用マスクに適用される。そして、相互に接続されるべきパターンが設けられた一対の小領域内の周辺部では、パターンが重複している。
請求項１０の発明は、マスク基板と、マスク基板を支持しつつマスク基板を複数の小領域に区分する支柱とを備え、小領域には、荷電粒子線を透過させる第１の領域と、第１の領域よりも荷電粒子線の散乱または吸収の程度が大きい第２の領域とが設けられた荷電粒子線転写用マスクに適用される。そして、小領域と支柱との境界位置に第１の領域が接している。
請求項１１の発明は、薄膜状のマスク基板と、マスク基板を支持しつつマスク基板を複数の小領域に区分する支柱と、マスク基板の小領域に配置され、荷電粒子線の吸収または散乱の程度がマスク基板よりも大きい照射制限部材とを有する荷電粒子線転写用マスクに適用される。そして、照射制限部材の存在しない透過領域が小領域と支柱との境界位置に接するように設けられている。