【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ＭＯＳトランジスタを含む回路と、
切り替え信号を出力する切り替え回路と、
上記切り替え信号を受ける制御回路とを有し、
上記制御回路は上記切り替え信号の状態に応じて上記第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧を制御し、
上記切り替え信号が第１の状態にあるときは、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御され、
上記切り替え信号が第２の状態にあるときは、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスが印加され、
上記切り替え信号の状態は、上記回路の電源電圧または上記回路の遅延時間により決定される半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記切り替え信号が上記第２の状態にあるとき、
（１）上記第１ＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである場合には、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記第１ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも低い電位が印加され、
（２）上記第１ＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである場合には、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記第１ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも高い電位が印加される半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記制御回路はモード切り替え信号の状態に応じて上記第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧を制御し、
上記モード切り替え信号が第１の状態であるときには、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板電位として上記切り替え信号の状態に応じた基板電位が印加され、
上記モード切り替え信号が第２の信号であるときには、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として逆バイアスが印加される半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
上記モード切り替え信号が上記第２の状態にあるとき、
（１）上記第１ＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである場合には、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記第１ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも高い電位が印加され、
（２）上記第１ＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである場合には、上記第１ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記第１ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも低い電位が印加される半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記制御回路は、上記第１ＭＯＳトランジスタのソースとウェルとの間にソース・ドレイン経路を有する第２ＭＯＳトランジスタを有し、
上記切り替え信号が上記第１の状態にあるとき、上記第２ＭＯＳトランジスタはオン状態とされ、
上記切り替え信号が上記第２の状態にあるとき、上記第２ＭＯＳトランジスタはオフ状態とされる半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１において、
上記切り替え回路は、上記電源電圧と基準電圧とを比較する比較回路を含む半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１において、
上記切り替え回路は、上記電源電圧に応じた周波数の発振信号を出力する遅延モニタ回路と、上記発振信号と基準クロック信号とを比較する位相周波数比較回路とを含む半導体集積回路装置。
【請求項８】
ＭＯＳトランジスタを含む回路を有する半導体集積回路装置の消費電力制御方法であって、
上記回路の電源電圧または上記回路の遅延時間を基準値と比較し、
上記比較した結果が第１の状態にあるときは、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御し、
上記比較した結果が第２の状態にあるときは、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスを印加する消費電力制御方法。
【請求項９】
請求項８において、
上記回路の電源電圧値を基準電圧値と比較し、
上記回路の電源電圧値が上記基準電圧値よりも高いときには、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御し、
上記回路の電源電圧値が上記基準電圧値よりも低いときには、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスを印加する消費電力制御方法。
【請求項１０】
請求項８において、
上記半導体集積回路装置は、上記電源電圧に応じた周波数の発振信号を出力する遅延モニタ回路を有し、
上記遅延モニタ回路の上記発振信号の周波数を基準クロック信号の周波数と比較し、
上記発振信号の周波数が上記基準クロック信号の周波数を上回っているときには、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御し、
上記発振信号の周波数が上記基準クロック信号の周波数を下回っているときには、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスを印加する消費電力制御方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれかにおいて、
上記比較した結果が第２の状態にあるときは、
（１）上記ＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである場合には、上記ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも低い電位を印加し、
（２）上記ＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである場合には、上記ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも高い電位を印加する消費電力制御方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれかにおいて、
モード切り替え信号がスタンバイ状態にあるときには、上記ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として逆バイアスを印加する消費電力制御方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
上記モード切り替え信号が上記スタンバイ状態にあるときには、
（１）上記ＭＯＳトランジスタがＰＭＯＳトランジスタである場合には、上記ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも高い電位を印加し、
（２）上記ＭＯＳトランジスタがＮＭＯＳトランジスタである場合には、上記ＭＯＳトランジスタの基板電位に上記ＭＯＳトランジスタのソース電位よりも低い電位を印加する消費電力制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、第１ＭＯＳトランジスタを含む回路と、切り替え信号を出力する切り替え回路と、切り替え信号を受ける制御回路とを有し、制御回路は切り替え信号の状態に応じて第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧を制御し、切り替え信号が第１の状態にあるときは、第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御され、切り替え信号が第２の状態にあるときは、第１ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスが印加され、ここで、切り替え信号の状態は、回路の電源電圧または回路の遅延時間により決定される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、ＭＯＳトランジスタを含む回路を有する半導体集積回路装置の消費電力制御方法であって、回路の電源電圧または回路の遅延時間を基準値と比較し、比較した結果が第１の状態にあるときは、ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧はそのソース電圧と等しくなるように制御し、比較した結果が第２の状態にあるときは、ＭＯＳトランジスタの基板バイアス電圧として順バイアスを印加する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】