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【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸構造を有する太陽電池において、少なくともＣｌＦ3ガスを室温〜４００℃の大気圧中の反応室に導入し、半導体材料または金属材料をエッチングし、基板表面に凹凸を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
凹凸構造を有するシリコン系太陽電池において、請求項１記載による方法でｐ型シリコン基板表面に凹凸構造を形成する工程と、Ｐ元素またはＡｓ元素を含むガスを用いて基板にＰまたはＡｓを拡散させて基板表面をＮ型化してｐｎ接合を形成する工程とを同一反応室内でかつ連続して行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
凹凸構造を有するシリコン系太陽電池において、請求項１記載による方法でｎ型シリコン基板表面に凹凸構造を形成する工程と、Ｂ元素を含むガスを用いて基板にＢを拡散させて基板表面をＰ型化してｐｎ接合を形成する工程とを同一反応室内でかつ連続して行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項４】
基板としてシリコン系材料を用いることを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
基板として金属材料を用いることを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池には、太陽光線の入射光の反射を少なくするため、基板表面に凹凸構造が設けられている。従来の製造方法では凹凸構造の形成はアルカリ水溶液（ＫＯＨ）での異方性エッチングで行われる。もう一つの凹凸構造の形成は反応室にエッチングガスを導入し、反応室内に放電をかけ、プラズマによる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ，reactive  ion  etching）で行われている。また、これらのエッチングによる凹凸形成過程とは別に、ｐｎ接合は主に拡散炉を用いて作製する。その他、本願に関連する先行例としては、特開平５−０５５６１１号公報、特開平５−１９８５３８号公報、および特開昭５５−１５８６７９号公報を挙げることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ＣｌＦ3ガスによるエッチング後、ＣｌＦ3ガスを止めて、同一の拡散炉に、Ｐの拡散源としてＰＯＣｌ3ガスボンベ１６からＰＯＣｌ3ガスとＮ2とＯ2ガスを拡散炉１３に導入すると、凹凸のｐ−ｔｙｐｅシリコン表面１７にｎ型シリコン１８が形成される。Ｐ（リン）拡散の条件は拡散炉１３の温度が８５０℃であり、Ｎ2ガスの流量は３リットル／分、ＰＯＣｌ3の流量は０．３リットル／分である。今回の製造方法は凹凸構造を気相反応エッチングで形成することによって、同一の拡散炉１３で凹凸構造１７の形成やｐｎ接合１８の形成を可能にする。その様子を図２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、（Ｂ）導体パターンが形成されていない層および（Ｃ）接着剤層をそれぞれ１層以上有する半導体集積回路接続用基板であって、（Ｃ）接着剤層を構成する接着剤組成物が必須成分として熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする半導体集積回路接続用基板。
【請求項２】
接着剤層を構成する接着剤組成物の加熱硬化後の貯蔵弾性率および線膨張係数が、−５０〜１５０℃の温度範囲において、それぞれ０．１〜１００００ＭＰａおよび０．１×１０-5〜５０×１０-5℃-1の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項３】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、加熱硬化後に、２５℃において、破壊エネルギーが、５×１０5Ｎ ｍ-1以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項４】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、加熱硬化後に、２５℃において、破断強度が１×１０2Ｎ ｃｍ-2以上であり、かつ破断伸度が５０％以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項５】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とする共重合体を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項６】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とし、かつカルボキシル基を有する共重合体を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項７】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、エポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項８】
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層を構成する絶縁体層が、１層以上のポリイミドフィルムから構成され、かつ導体パターンが銅を含有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路接続用基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の半導体集積回路接続用基板を用いた半導体装置。
【請求項１０】
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層および（Ｃ’）保護フィルム層を有する接着剤層をそれぞれ１層以上有する半導体集積回路接続用基板の部品であって、（Ｃ’）接着剤層を構成する接着剤組成物が必須成分として熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１１】
（Ｂ）導体パターンが形成されていない層および（Ｃ’）保護層を有する接着剤層をそれぞれ１層以上有する半導体集積回路接続用基板の部品であって、（Ｃ’）接着剤層を構成する接着剤組成物が必須成分として熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１２】
接着剤層を構成する接着剤組成物の加熱硬化後の貯蔵弾性率および線膨張係数が、−５０〜１５０℃の温度範囲において、それぞれ０．１〜１００００ＭＰａおよび０．１×１０-5〜５０×１０-5℃-1の範囲にあることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１３】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、加熱硬化後に、２５℃において、破壊エネルギーが、５×１０5Ｎ ｍ-1以上であることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１４】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、加熱硬化後に、２５℃において、破断強度が１×１０2Ｎ ｃｍ-2以上であり、かつ破断伸度が５０％以上であることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１５】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とする共重合体を含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１６】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とし、かつカルボキシル基を有する共重合体を含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１７】
接着剤層を構成する接着剤組成物が、エポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１８】
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層を構成する絶縁体層が、１層以上のポリイミドフィルムから構成され、かつ導体パターンが銅を含有することを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項１９】
（Ｂ）導体パターンが形成されていない層が、金属板であることを特徴とする請求項１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項２０】
（Ｃ’）接着剤層の保護フィルム層が、離型処理された有機フィルムであることを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体集積回路接続用基板の部品。
【請求項２１】
（Ａ）絶縁体層および導体パターンからなる配線基板層、（Ｂ）導体パターンが形成されていない層および（Ｃ）接着剤層をそれぞれ１層以上有する半導体集積回路接続用基板の（Ｃ）接着剤層を形成する半導体装置用接着剤組成物であって、該接着剤組成物が必須成分として熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂をそれぞれ１種類以上含むことを特徴とする半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２２】
接着剤組成物の加熱硬化後の貯蔵弾性率および線膨張係数が、−５０〜１５０℃の温度範囲において、それぞれ０．１〜１００００ＭＰａおよび０．１×１０-5〜５０×１０-5℃-1の範囲にあることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２３】
加熱硬化後の接着剤組成物の２５℃における破壊エネルギーが、５×１０5Ｎ ｍ-1以上であることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２４】
加熱硬化後の接着剤組成物の２５℃における破断強度が１×１０2Ｎ ｃｍ-2以上であり、かつ破断伸度が５０％以上であることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２５】
接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とする共重合体を含むことを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２６】
接着剤組成物が、ブタジエンを必須共重合成分とし、かつカルボキシル基を有する共重合体を含むことを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２７】
接着剤組成物が、エポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂を含むことを特徴とする請求項２１記載の半導体装置用接着剤組成物。
【請求項２８】
請求項２１〜２７のいずれか記載の半導体装置用接着剤組成物を接着剤層とし、かつ１層以上の剥離可能な保護フィルムを有する半導体装置用接着剤シート。
【請求項２９】
保護フィルム層が離型処理されていることを特徴とする請求項２８記載の半導体装置用接着剤シート。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチャンバに対して基板の搬送処理を行う基板搬送装置を備えた半導体製造装置において、
前記基板搬送装置は、
基板を保持して搬送を行う基板保持手段と、
基板保持手段を移動させてチャンバに対する基板の搬送を行わせる駆動手段と、
各チャンバ毎に設定された搬送速度及び搬送加速度の少なくとも一方の制御条件に基づいて、各チャンバ毎に駆動手段による基板保持手段の移動を制御する駆動制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のレベル変換回路によれば、比較手段において、第１のレベル信号から第１の短形信号および当該第１の矩形信号と逆相の第２の短形信号が生成される。
そして、生成された第１の矩形信号は出力手段の出力トランジスタのベースに供給され、第２の短形信号は、その少なくとも立ち下がりタイミングに相当する立ち上がり領域が抽出され、制御信号として出力手段の第１の電流源に供給される。
これにより、レベル調整され、また立ち下がりのスルーレートの良好な矩形信号が出力手段から次段のたとえばＣＭＯＳ回路に出力される。
このとき、出力矩形信号の立ち下がり時のみに第１の電流源による電流が増量されるから、従来回路より少ない電流量で立ち下がりのスルーレートが良好な信号を出力できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月5日(2003.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、複数の対物光学系と、それらの対物光学系によって結像された複数の像を１回伝送する像伝送光学系と、固体撮像素子とからなる内視鏡撮像光学系において、前記像伝送光学系の略瞳位置で前記対物光学系側と前記固体撮像素子側とが、着脱自在になっていることを特徴とする内視鏡撮像光学系。
【請求項２】
前記複数の対物光学系の入射瞳が、夫々、異なる位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡撮像光学系。
【請求項３】
前記複数の対物光学系は、夫々の視野方向が異なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の内視鏡撮像光学系。
【請求項４】
前記複数の対物光学系が、二つの同じ構成の光学系から成っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の内視鏡撮像光学系。
【請求項５】
前記像伝送光学系には前記瞳位置の前側に前群光学系が配置されていて、その前群光学系の前側焦点位置と、前記対物光学系の結像面に位置する視野マスクの位置とが略同じであり、また、前記前群光学系の後側焦点位置と、前記瞳位置とが略同じであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の内視鏡撮像光学系。
【請求項６】
前記対物光学系は、テレセントリック光学系であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の内視鏡撮像光学系。
【請求項７】
前記像伝送光学系には前記瞳位置の前側に前群光学系が配置されていて、光軸を中心としたその前群光学系の平面形状は、前記固体撮像素子の長手方向に対応させて上下方向をカットした小判状をしていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の内視鏡撮像光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、物体側から順に、複数の対物光学系と、それらの対物光学系によって結像された複数の像を１回伝送する像伝送光学系と、固体撮像素子とからなる内視鏡撮像光学系において、前記像伝送光学系の略瞳位置で前記対物光学系側と前記固体撮像素子側とが、着脱自在になっているようにする。
また、本発明の内視鏡撮像光学系においては、好ましくは、前記複数の対物光学系の入射瞳が、夫々、異なる位置に形成されるようにする。
また、本発明の内視鏡撮像光学系においては、好ましくは、前記複数の対物光学系は、夫々の視野方向が異なっているようにする。
また、本発明の内視鏡撮像光学系においては、好ましくは、前記複数の対物光学系が、二つの同じ構成の光学系から成っているようにする。
また、本発明の内視鏡撮像光学系においては、前記像伝送光学系には前記瞳位置の前側に前群光学系が配置されていて、その前群光学系の前側焦点位置と、前記対物光学系の結像面に位置する視野マスクの位置とが略同じであり、また、前記前群光学系の後側焦点位置と、前記瞳位置とが略同じであることを特徴とする。
また、本発明の内視鏡撮像光学系においては、前記対物光学系は、テレセントリック光学系であることを特徴とする。
更に、本発明の内視鏡撮像光学系においては、前記像伝送光学系には前記瞳位置の前側に前群光学系が配置されていて、光軸を中心としたその前群光学系の平面形状は、前記固体撮像素子の長手方向に対応させて上下方向をカットした小判状をしていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月12日(2003.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、負の屈折力の第１レンズ群と正の屈折力の第２レンズ群を有し、第１レンズ群と第２レンズ群との間に中間結像面が形成されるレンズ系で、前記第２レンズ群が物体側に凹面を向けた正のメニスカス単レンズと少なくとも１枚の正の単レンズを含み全体として正の屈折力を持つ第１レンズ成分と、負レンズと正レンズの接合レンズを含み正の屈折力の第２レンズ成分と、物体側に強い屈折力を有する面を向けた正レンズを含み正の屈折力を持つ第３レンズ成分とよりなることを特徴とする接眼レンズ。
【請求項２】
下記条件（１）、（２）、（３）、（４）、（５）を満足する請求項１の接眼レンズ。
（１）    ０．２＜ｆ２  ／ｆ２１＜０．６
（２）    ０．３５＜ｆ２  ／ｆ２３＜０．５５
（３）    −３．０＜ｆ・φ＜−０．４
（４）    ν２２ａ  −ν２２ｂ  ＜−２５．０
（５）    ｎ２３＞１．６５
ただし、ｆ２  は第２レンズ群の焦点距離、ｆ２１は第２レンズ群中の第１レンズ成分の焦点距離、ｆ２３は第２レンズ群の第３レンズ成分の焦点距離、ｆは接眼レンズ全系の焦点距離、φは第１レンズ群と第２レンズ群の間の空気レンズの屈折力、ν２２ａ  は第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズのアッベ数、ν２２ｂ  は第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの正レンズのアッベ数、ｎ２３は第２レンズ群中の第３レンズ成分の物体側に強い屈折力を有する面を向けた正レンズの屈折率である。
【請求項３】
少なくとも一つのレンズ面が非球面であることを特徴とする請求項１又は２の接眼レンズ。
【請求項４】
条件（１）の代りに下記条件（１−１）を満足することを特徴とする請求項２の接眼レンズ。
（１−１）    ０．２５＜ｆ２  ／ｆ２１＜０．５
【請求項５】
条件（２）の代りに下記条件（２−１）を満足する請求項２または４の接眼レンズ。
（２−１）    ０．４＜ｆ２  ／ｆ２３＜０．５
【請求項６】
条件（３）の代りに下記条件（３−１）を満足する請求項２、４または５の接眼レンズ。
（３−１）    −２．０＜ｆ・φ＜−０．５
【請求項７】
条件（４）の代りに下記条件（４−１）を満足することを特徴とする請求項２、４、５または６の接眼レンズ。
（４−１）    ν２２ａ  −ν２２ｂ  ＜−３０．０
【請求項８】
条件（５）の代りに下記条件（５−１）を満足することを特徴とする請求項２、４、５、６または７の接眼レンズ。
（５−１）    ｎ２３＞１．７０
【請求項９】
条件（５）の代りに下記条件（５−２）を満足することを特徴とする請求項２、４、５、６または７の接眼レンズ。
（５−２）    ｎ２３＞１．７５
【請求項１０】
レンズ系中に少なくとも１面非球面を設けたことを特徴とする請求項４乃至９のいずれか１項に記載の接眼レンズ。
【請求項１１】
下記条件（６）、（７）を満足することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の接眼レンズ。
（６）  −３．０＜｛（φ２２ａ／ν２２ａ）／（φ２２ｂ／ν２２ｂ）｝＜−１．０１
（７）  ０．１０＜φ２２・ｆ＜０．４０
ただしφ２２は第２レンズ群中の第２レンズ成分の屈折力、φ２２ａは第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズの屈折力、φ２２ｂは第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの正レンズの屈折力、ｆは接眼レンズ全系の焦点距離である。
【請求項１２】
下記条件（８）、（９）を満足することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の接眼レンズ。
（８）    α２２ａ−α２２ｂ＜３０
（９）    １．６５＜ＡＶＥ（ｎ２２ａ，ｎ２２ｂ）＜１．９３
ただしα２２ａは第２レンズ群の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズの硝材の平均線膨張係数、α２２ｂは第２レンズ群の第２レンズ成分の接合レンズの正レンズの硝材の平均線膨張係数、ｎ２２ａは第２レンズ群の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズの屈折率、ｎ２２ｂは第２レンズ群の第２レンズ成分の接合レンズの正レンズの屈折率、ＡＶＥ（ｎ２２ａ．ｎ２２ｂ）は第２レンズ群の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズの屈折率ｎ２２ａと正レンズの屈折率ｎ２２ｂの平均値である。
【請求項１３】
条件（８）の代りに下記条件（８−１）を満足することを特徴とする請求項１２の接眼レンズ。
（８−１）    α２２ａ−α２２ｂ＜２３
【請求項１４】
下記条件（１０）を満足することを特徴とする請求項１、２または３の接眼レンズ。
（１０）    −０．２５＜ｆ／ｆ１＜−０．０５
ただし、ｆ１は第１レンズ群の焦点距離、ｆは接眼レンズ全系の焦点距離である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図９は、アイレリーフと接眼レンズの径との関係を示す概略図である。この図よりわかるように、同じ見掛け視界αを有する接眼レンズ同士で比較した場合、アイレリーフＥＲと接眼レンズ最大径ＤＭとの比（アイレリーフに接眼レンズ最大径の逆数を乗じた値）が大きいほど小型な接眼レンズであるといえる。尚図においてＥは接眼レンズである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
又、条件（９）は、第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの負レンズの屈折率ｎ２２ａと正レンズの屈折率ｎ２２ｂの平均値を規定するもので、条件（９）の下限の１．６５を超えて前記屈折率の平均値が小になると、第２レンズ群中の第２レンズ成分の接合レンズの屈折力を確保するために屈折面の曲率半径を小さくしなければならず、軸外収差特に倍率の色収差と非点収差の補正が困難になる。条件（９）の上限の１．９３を超えると使用し得る硝材が存在せず実用性がない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）活性光線または放射線の照射により、スルホン酸を発生する下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）及び（Ａ−７）で表される化合物のうち少なくとも１種、及び
（ｂ）下記一般式（Ｉ）、一般式（II）及び一般式(III) で表される構造の繰り返し単位を含む、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
1999109612.tif 000001
式（Ａ−１）、（Ａ−２）中、Ｒ1 〜Ｒ5 は各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ6 基を示す。Ｒ6 はアルキル基、又はアリール基を示す。Ｘ- は、分岐状又は環状の炭素数８個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有するか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
【化２】
1999109612.tif 000002
式（Ａ−３）中、Ｒ7 〜Ｒ10は各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、又はハロゲン原子を示す。Ｘ- は、分岐状又は環状の炭素数８個以上のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有するか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基及びアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。ｍ、ｎ、ｐ及びｑは、各々１〜３の整数を示す。
【化３】
1999109612.tif 000003
式（Ａ−４）中、Ｒ11〜Ｒ13は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−Ｓ−Ｒ6 基を示す。Ｒ6 、Ｘ- は前記と同義である。
ｌ、ｍ及びｎは、同じでも異なってもよく、１〜３の整数を示す。ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２〜３個のＲ11〜Ｒ13のうちの各々の２個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環を含む５〜８個の元素から成る環を形成しても良い。
【化４】
1999109612.tif 000004
式（Ａ−５）中、Ｒ14〜Ｒ16は、同じでも異なってもよく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は−Ｓ−Ｒ6 基を示す。Ｒ6 、Ｘ- は前記と同義である。ｌ、ｍ及びｎは、同じでも異なってもよく、１〜３の整数を示す。ｌ、ｍ及びｎが各々２又は３の場合、２〜３個のＲ14〜Ｒ16のうちの各々の２個が互いに結合して、炭素環、複素環又は芳香環を含む５〜８個の元素から成る環を形成しても良い。
【化５】
1999109612.tif 000005
式（Ａ−６）中、Ｙは置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、置換されていてもよいアラルキル基、
【化６】
1999109612.tif 000006
で表される基を示す（Ｒ31〜Ｒ51は同一でも異なっていてもよく水素原子、置換基を有していてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アシロキシ基、アラルキル基もしくはアルコキシカルボニル基、又はホルミル基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、水酸基、もしくはシアノ基を示し、Ｒ31〜Ｒ35、Ｒ36〜Ｒ42及びＲ43〜Ｒ51はそれぞれの群のうちの２つが結合して炭素及び／又はヘテロ原子からなる５〜８員環を形成していもよい）。また、Ｙは別のイミドスルホネート化合物の残基と結合していてもよい。
Ｘは置換基を有していてもよい直鎖、分岐アルキレン基、置換基を有していてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アルキレン基、置換されていてもよい直鎖、分岐アルケニレン基、置換されていてもよくヘテロ原子を含んでいてもよい単環又は多環環状アルケニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、置換されていてもよいアラルキレン基を示す。また、Ｘは別のイミドスルホネート残基と結合していてもよい。
Ａｒ1 −ＳＯ2 −ＳＯ2 −Ａｒ2       （Ａ−７）
式（Ａ−７）中、Ａｒ1 、Ａｒ2 は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
【化７】
1999109612.tif 000007
式（Ｉ）〜(III）中、Ｒ21は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ22は酸の作用により分解する基を表し、Ｒ23は酸の作用により分解しない基を表し、Ｒ24は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アシル基又はアシロキシ基を表す。ｎは１〜３の整数を表す。
【請求項２】
前記一般式（II）で示される繰り返し構造単位が、下記一般式（II−Ａ）で示される繰り返し構造単位であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【化８】
1999109612.tif 000008
式（II−Ａ）中、Ｒ52は水素原子、置換されていてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ａは、置換されていてもよい直鎖、分岐、環状アルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。また、ＡとＲ52が結合して５〜６員環を形成してもよい。
【請求項３】
酸により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する、分子量３０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性平版印刷版と保護紙とを重ねあわせたものであって、感光性平版印刷版の感光層表面と保護紙の接触面との間の静摩擦係数が０．３以上であることを特徴とする感光性平版印刷版包装体。
【請求項２】
感光性平版印刷版と保護紙とを重ねあわせたものであって、感光性平版印刷版の感光層と反対側の面と保護紙の接触面との静摩擦係数が０．３以上であることを特徴とする感光性平版印刷版包装体。
【請求項３】
感光性平版印刷版と保護紙とを重ねあわせたものであって、感光性平版印刷版の感光層面と保護紙の接触面との間の静摩擦係数が０．３以上であるとともに、感光性平版印刷版の感光層と反対側の面と保護紙の接触面との静摩擦係数が０．３以上であることを特徴とする感光性平版印刷版包装体。
【請求項４】
前記感光層表面と接触する保護紙の接触面の平滑度が５秒以上である請求項１記載の感光性平版印刷版包装体。
【請求項５】
感光層に平均高さ２μｍ以上の凸部が１００個／ｃｍ2以上形成されるとともに、感光層と反対側の面の平均表面粗さが０．１５以上であることを特徴とする感光性平版印刷版。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び
（Ｂ）下記一般式（Ｉ），（II），（III ）又は（IV）で表される多環型の脂環式基のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
1999109628.tif 000001
一般式（Ｉ）〜（IV）中、Ｒは水素原子、置換基を有していてもよい直鎖又は分岐型のアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、もしくはアシル基を表す。Ｘは単結合、もしくはエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基を表す。Ｍｅはメチル基を表す。
【請求項２】
（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）で表される多環型の脂環式基を有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基とを有する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【化２】
1999109628.tif 000002
一般式（Ｖ）〜（VII ）中、Ｒ1 〜Ｒ2 ，Ｒ4 〜Ｒ6 は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ3 はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ7 、−ＣＯ−ＮＲ8 Ｒ9 を表す。Ｘ1 〜Ｘ3 は同じでも異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ10−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ11−、−ＣＯ−ＮＲ12−Ｒ13−を表す。Ｒ7 は水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、もしくは酸の作用により分解する基を表す。Ｒ8 〜Ｒ9 ，Ｒ12は各々水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基を表す。またＲ8 ，Ｒ9 が結合して環を形成しても良い。Ｒ10〜Ｒ11，Ｒ13は単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基を有しても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基を表す。Ｙは請求項１に記載の一般式（Ｉ）〜（IV）で表される多環型の脂環式基を表す。
【請求項３】
（Ｂ）成分の樹脂が、請求項２に記載の一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、更に一般式（Ｖ），（VI）又は（VII ）とは異なる多環型の脂環式基を有する下記一般式（VIII），（IX）又は（Ｘ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有する樹脂であることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性組成物。
【化３】
1999109628.tif 000003
一般式（VIII）〜（Ｘ）中、Ｒ14〜Ｒ15，Ｒ17〜Ｒ19は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ16はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ7 、−ＣＯ−ＮＲ8 Ｒ9 を表す。Ｘ4 〜Ｘ6 は同じでも異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ10−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ11−、−ＣＯ−ＮＲ12−Ｒ13−を表す。Ｒ7 〜Ｒ13の定義は請求項２の場合と同一である。Ｐは一般式（Ｉ）〜（IV）とは異なる多環型の脂環式基を表す。
【請求項４】
（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（Ｖ），（VI）又は（VII)で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、一般式（VIII），（IX）又は（Ｘ）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つと、更に下記一般式（XI），（XII)又は（XIII）で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる樹脂であることを特徴とする請求項１〜３に記載のポジ型感光性組成物。
【化４】
1999109628.tif 000004
一般式（XI）〜（XIII）中、Ｒ20〜Ｒ21，Ｒ23〜Ｒ25は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、Ｒ22はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ7 、−ＣＯ−ＮＲ8 Ｒ9 を表す。Ｘ7 〜Ｘ9 は同じでも異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ10−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ11−、−ＣＯ−ＮＲ12−Ｒ13−を表す。Ｒ7 〜Ｒ13の定義は請求項２の場合と同一である。Ｂは酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。
【請求項５】
（Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル基を有することを特徴とする請求項１〜４に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項６】
（Ｂ）成分の樹脂が、更にカルボキシル基を有する下記一般式（XIV)，（XV）又は（XVI)で表される繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを含有することを特徴とする請求項５に記載のポジ型感光性組成物。
【化５】
1999109628.tif 000005
一般式（XIV)〜（XVI)中、Ｒ26〜Ｒ27，Ｒ29〜Ｒ31は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、Ｒ28はシアノ基、カルボキシル基、−ＣＯ−ＯＲ7 、−ＣＯ−ＮＲ8 Ｒ9 を表す。Ｘ10〜Ｘ12は同じでも異なっていてもよく、単結合であるか、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ10−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ11−、−ＣＯ−ＮＲ12−Ｒ13−を表す。Ｒ7 〜Ｒ13の定義は請求項２の場合と同一である。
【請求項７】
酸の作用により分解し得る基を有し、アルカリ現像液中での溶解性が酸の作用により増大する、分子量３，０００以下の低分子酸分解性溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項１〜６に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項８】
露光光源として、２５０ｎｍ以下の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜７に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項９】
露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜８に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月28日(2003.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋳造品の外形に相当するキャビティを形成し、そのキャビティ内に突出配置され前記鋳造品の凹部或いは穴部を形成するための突出部を有する金型と、
この金型に形成され前記キャビティ内に開口する湯口を有する湯道とを備え、前記湯道を通して湯口より前記キャビティ内に金属溶湯が射出充填されるものであって、
前記湯口から射出された金属溶湯が、前記キャビティの前記突出部以外の内壁部に当たった後に前記突出部に到達するように、前記湯道及び湯口が配置されていることを特徴とするダイカスト鋳造用金型装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、前記固定型１２には、図６に示すように、基体２３の四隅部に位置してその表面部から図５の左方に突出する４本のガイドポスト３２が設けられている。また、固定型１２には、基体２３及び型材２４の双方を前後方向に貫通するように、型材２４の温度調整用の流体が循環する循環路３３が上下に位置して設けられている。詳しく図示はしないが、固定型１２には、鋳造品を押出すための複数の押出ピン及びそれら押出ピンを駆動する機構等からなる押出装置３４（図５に一部のみ図示）が設けられている。尚、基体２３には、２か所に位置して吸引口３５が表面に開口するように形成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記のようにして鋳造された切換作動体１は、中空部３ａを有した筒状部３を一体に備えると共に、その筒状部３に小孔５が予め形成されたものとなる。このとき、中子４５及び中子ピン４６に、抜き勾配を設ける必要がなくなったので、筒状部３の中空部３ａの内周面及び小孔５の内周面に対する寸法精度も高いものとなり、図１３に示されているように、外径を抜き勾配なく高精度に仕上げされた中子４５及び中子ピン４６を用いれば、精密機械加工と同等の高精度の筒状部３の中空部３ａ及び小孔５の内径寸法を確保できるので、その後の寸法を出すための精密な切削加工等を不要とすることができるのである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このように本実施例によれば、金型１４にキャビティ２７及び湯道２８を形成するに際し、中子４５及び中子ピン４６が、湯口２８ａからの溶湯の噴射角度θから外れて位置され、湯口２８ａから射出された金属溶湯がキャビティ２７の他の内壁部に当たった後に中子４５及び中子ピン４６部分に到達するように構成したので、金属溶湯の温度がある程度低下すると共に、その流れの勢いも低下した状態で、中子４５及び中子ピン４６の周囲に充填させることができた。突出部は熱容量が比較的小さいので熱のこもり現象が生じ、温度が上がりやすいが、金型のキャビティ内壁は、金型自体としては熱容量が大きいので温度の移行が早く、温度降下も突出部に比べて大きい。この結果、溶湯が直接的に噴射されることによる中子４５及び中子ピン４６の過大な温度上昇を防ぐことができ、ひいては、それらの焼付き，溶着等を未然に防止することができるという優れた効果を奏する。このように焼付き、溶着等を防止することにより、鋳放しのままでも高精度を維持することを可能とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、特に本実施例では、中空部３ａを有した筒状部３及びそれと交差する小孔５を有する鋳造品（切換作動体１）を製造するにあたって、金型１４のキャビティ２７内に、抜き勾配を有しない中空部３ａ形成用の中子４５を配置すると共に、金型１４の型締め状態で、抜き勾配を有しない小孔５形成用の中子ピン４６を中子４５の嵌合孔４５ａに挿通された状態で配置させるようにし、金属溶湯の凝固収縮前の半凝固状態にて、中子ピン４６を鋳造品から抜出すと共に、鋳造品を中子４５から脱出させるようにした。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
これにより、鋳造において正規の寸法の筒状部３の中空部３ａを形成することを可能とすると共に小孔５についての形成をも可能とし、鋳造品の筒状部３の中空部３ａの内面及び小孔５の内周面に対する寸法を出すための精密な切削加工が不要となり、しかも、鋳造後の面倒な孔明け等の機械加工を不要とすることができるようになったのである。従って、取出された鋳造品（切換作動体１）に対して何ら後加工をせずにあるいはゲート残りの処理、バリ取り等の外観を整える程度の僅かな仕上げを施すだけで済み、製造コストの大幅な低減を図るというメリットを得ることができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の板状体を所定間隔を隔てて対面させ、上記両板状体の間に挿入したワークを切削して粉砕する粉砕機に用いられる粉砕機用工具であって、板状体の板面に全体として略ブロック状を呈する複数の切削用突部が形成され、上記切削用突部に形成された切刃がワーク移動方向に対して傾斜されていることを特徴とする粉砕機用工具。
【請求項２】
上記切削用突部の頂部にワーク移動方向に傾斜する傾斜面が設けられるとともに、上記傾斜により板面からの高さが高くなった端縁に切刃が形成されている請求項１記載の粉砕機用工具。
【請求項３】
上記切刃が、中央付近がワーク移動方向に対して突出する曲線状に形成されている請求項１または２記載の粉砕機用工具。
【請求項４】
板状体のワーク移動方向と略直交する方向の両端部に形成された切削用突部の切刃が内向き傾斜状に形成され、それ以外の切削用突部の切刃が、中央付近がワーク移動方向に対して突出する曲線状に形成されている請求項１または２記載の粉砕機用工具。
【請求項５】
上記板状体が切削用突部形成面を内側にして一端に向かって徐々に狭くなるよう所定間隔を隔てて対面され、上記両板状体の間を一端に向かって進むことにより上記両板状体の間でワークを押し込む押込み部材を備えた粉砕機に用いられるものである請求項１〜４のいずれか一項に記載の粉砕用工具。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スメクチック液晶性を有し、且つ、電子輸送速度が１０-5cm2 ／V.S 以上であることを特徴とする、液晶性電荷輸送材料。
【請求項２】
スメクチック液晶性を有し、且つ、正孔輸送速度１０-5cm2 ／V.S 以上であることを特徴とする、液晶性電荷輸送材料。
【請求項３】
（６π電子系芳香環）ｌ、（１０π電子系芳香環）ｍ、（１４π電子系芳香環）ｎ（ｌ＋ｍ＋ｎ＝１〜４、ｌ、ｍ、ｎは夫々０〜４の整数を表す）のコアを有する、請求項１または２に記載の液晶性電荷輸送材料。
【請求項４】
６π電子系芳香環、１０π電子系芳香環、１４π電子系芳香環が、炭素−炭素二重結合、又は炭素−炭素三重結合を有する連結基で連結されている、請求項３に記載の液晶性電荷輸送材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、画像表示素子。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、光導電体。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、空間光変調素子。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、温度センサ。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の材料を駆動経路に有することを特徴とする、光センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
光学記録媒体、例えばＲＯＭ（Read Only Memory) 型の光ディスク、あるいは相変化記録層を有する書き換え可能型の光ディスク等においては、所要のフォーマットによるピットもしくは（および）グルーブ、すなわち微細凹凸パターンが形成される。
この微細凹凸パターンの形成は、この微細凹凸パターンの反転パターンによる凹凸パターンが形成されたスタンパを用いて射出成形することによって光ディスクの成型と同時に微細凹凸パターンを形成するとか、あるいは２Ｐ法（フォトポリマリゼーション：Photopolymerization 法) によって、すなわち基板上に紫外線硬化樹脂を塗布し、これに上述のスタンパを押圧して微細凹凸パターンを転写形成し紫外線照射するという方法が採られる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明においては、前述した記録波長３５１ｎｍにおける記録スポット径の８５％以下程度の長さの、０．４０μｍ未満のきわめて短いピットを含む微細凹凸パターンを有する光学記録媒体においても、ピット幅のばらつきの改善をはかることができるようにし、またＲＦ信号の劣化を改善することができるようにする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明においては、微細凹凸パターンが、上述した８５％以下程度の長さの、０．４０μｍ未満のきわめて短いピットを含むことのない、例えばグルーブのみによる微細凹凸パターンである場合においても、そのグルーブ幅を、上述の記録露光のスポット径に比して充分小さくする場合において有益な光学記録媒体作製用スタンパ、スタンパ用原盤、および光学記録媒体の製造方法を提供するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明による光学記録媒体の製造方法においては、上述した各本発明による、すなわち凹凸パターンの凹凸表面に沿って薄膜を堆積して縮小凹凸パターンを形成する工程を経て得たスタンパによってフォトポリマー法もしくは射出成形法によって光学記録媒体を得る。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述の本発明方法によれば、光学記録媒体を得るためのスタンパを形成する原盤もしくはマザー盤における凹凸パターンに薄膜の成膜を行うことによって縮小凹凸パターンを形成するようにしたことから、原盤形成の露光記録においては、その幅を大に形成することができる。つまり、例えばピット長が、記録波長３５１ｎｍにおける露光スポット径の８５％未満に相当する０．４０μｍ未満のピット長を含むフォーマットによる光学記録媒体を得る場合においても、その原盤形成の露光記録における凹凸パターンの幅を大に形成することができることから、その露光強度を充分大きくすることができ、図２３で説明したように、凹凸パターンの幅のばらつきを改善できる。また、露光強度を充分大きくすることができることから、いわゆる“きれ”のよいパターンとして形成することがでる。したがって、最終的に得る光学記録媒体における微細凹凸パターンは、その幅のばらつきが改善され、さらにパターンのいわゆる“きれ”がよい微細凹凸パターンとして形成されることからＲＦ特性の改善が図られる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明による光学記録媒体の製造方法においては、上述した各本発明による、すなわち凹凸パターンの凹凸表面に沿って薄膜を堆積して縮小凹凸パターンを形成する工程を経て得たスタンパによってフォトポリマー法もしくは射出成形法によって光学記録媒体を得る。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このようにして得たスタンパ９を、図示しないが、射出成形用金型内に配置して、ポリカーボネート等の樹脂の注入を行って、スタンパ９の凹凸パターン２４が転写された微細凹凸パターン３４が形成された目的とする光学記録媒体１０例えば光ディスクを得る。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
このようにして得たスタンパ７０を、図示しないが、射出成形用金型内に配置して、ポリカーボネート等の樹脂の注入を行って、スタンパ７０の凹凸パターン７４が転写された目的とする微細凹凸パターン３４が形成された光学記録媒体１０例えば光ディスクを得る。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）多環型の脂環式基とカルボキシル基を有する樹脂、及び（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される基を少なくとも２個有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
1998312060.tif 000001
式（Ｉ）中、Ｒ1 〜Ｒ3 は同じでも異なっていても良く、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。また、Ｒ1 〜Ｒ3の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成しても良い。Ｚは酸素原子、イオウ原子、−ＳＯ2 −又は−ＮＨ−を示す。
【請求項２】
（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（II）、（III)又は（IV）で表される多環型の脂環式基を有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
1998312060.tif 000002
式（II）〜（IV）中、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ7 〜Ｒ9 は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよい、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ6 はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ10又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ11）（Ｒ12）を表す。Ｘ1 〜Ｘ3 は同じでも異なっていてもよく、単結合、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ13−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ14−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ15）−Ｒ16−を表す。Ｒ10は水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基あるいはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ11、Ｒ12、Ｒ15は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。またＲ11とＲ12とが結合して環を形成しても良い。Ｒ13、Ｒ14、Ｒ16は同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基あるいはシクロアルキレン基を表す。Ｙは多環型の脂環式基を表す。
【請求項３】
（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（Ｖ）、（VI）又は（VII)で表されるカルボキシル基を有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
1998312060.tif 000003
式（Ｖ）〜（VII)中、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ20〜Ｒ22は同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよい、アルキル基又はハロアルキル基を表す。Ｒ19はシアノ基、−ＣＯ−ＯＲ23又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ24）（Ｒ25）を表す。Ｘ4 〜Ｘ6 は同じでも異なっていてもよく、単結合、置換基を有していても良い２価のアルキレン基、アルケニレン基もしくはシクロアルキレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ2 −、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ26−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ27−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ28）−Ｒ29−を表す。Ｒ23は水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロアルキル基もしくはアルケニル基、又は酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を表す。Ｒ24、Ｒ25、Ｒ28は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。またＲ24とＲ25とが結合して環を形成しても良い。Ｒ26、Ｒ27、Ｒ29は同じでも異なっていてもよく、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基あるいはシクロアルキレン基を表す。
【請求項４】
（Ｂ）成分の樹脂が、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
（Ｂ）成分の樹脂における酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基が、下記一般式（VIII）又は（IX）で表される基であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
1998312060.tif 000004
式（VIII）、（IX）中、Ｒ30〜Ｒ32は同じでも異なっていてもよく、水素原子、又は置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アシル基もしくはアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ33は、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。但し、式（VIII）のＲ30〜Ｒ32の内少なくとも２つは水素原子以外の基である。また式（VIII）のＲ30〜Ｒ32の内の２つ、又は式（IX）のＲ30、Ｒ31、Ｒ33の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成しても良い。
【請求項６】
（Ｂ）成分の樹脂が、水酸基を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
（Ｃ）成分の化合物が、下記一般式（Ｘ）で示される化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５】
1998312060.tif 000005
式（Ｘ）中、Ｒ1 〜Ｒ3 、Ｚは各々請求項１に記載のものと同義である。Ｒはヘテロ原子を含んでいてもよい、ｍ価のアルキレン基、ｍ価のシクロアルキレン基あるいはこれらの基を２つ以上組み合わせて得られるｍ価の基を表し、更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基の少なくとも１つとともに２価以上の連結基を形成してもよい。ｍは２以上の整数を表す。
【請求項８】
（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物が塗膜形成時に熱により架橋してアルカリ現像液に対し不溶化し、その（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物の架橋物が活性光線又は放射線の照射時に発生した酸により分解して、アルカリ現像液に対する溶解性が向上することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
露光光源として、２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするポジ型パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに本例では、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１の組み合わせと、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ３の組み合わせの設定をかえるのみで、第１のリミッタ回路部と第２のリミッタ回路部で電圧検出回路３ｂを共用できるようにしており、これにより回路構成の簡易化、部品点数の削減を実現している。