(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板より濡れない非濡れ性材料により少なくとも部分的に囲まれた目標領域をもつ前記基板を用意すること、
前記目標領域内に所定の体積のインプリント可能媒体を堆積させること、
前記インプリント可能媒体が圧縮されるようにインプリントテンプレートを前記インプリント可能媒体に接触させること、
前記目標領域における前記インプリント可能媒体のメニスカスによって加えられる界面張力を利用して、かつ、前記非濡れ性材料によって制限されることにより、前記インプリントテンプレートを前記基板の目標領域に対してアライメントすること、
前記インプリント可能媒体を化学線で照明すること、
を含むデバイス製造方法。
【請求項２】
前記目標領域が、前記基板上の複数の目標領域の１つであり、前記非濡れ性材料が、前記複数の目標領域をそれぞれ少なくとも部分的に囲む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記インプリントテンプレートが、複数のインプリントテンプレートの１つであり、異なるインプリントテンプレートが前記基板の目標領域に対してアライメントされるように構成される、請求項２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記基板が、前記インプリント可能材料に対して濡れる平坦化層を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記基板を用意する工程は、
前記基板に光酸発生剤を含むポリマの層を設け、
前記基板の選択された区域を化学線で照明し、
前記選択された区域に前記非濡れ性材料を形成するために、前記ポリマ層をシリコン含有物質と反応させる、
ことを含む請求項１〜４のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
前記ポリマがポリ（ｔ−ブトキシカルボニル）−ヒドロキシスチレンである、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記シリコン含有物質がアルキルジメチル（ジメチルアミノ）シランまたはフッ素処理したアルキルジメチル（ジメチルアミノ）シランである、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記非濡れ性材料の区域の縁部の位置が、レーザを使用して前記材料の一部を焼き取ることによって調節される、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記基板を用意する工程は、
前記基板をモノマに露出し、
前記モノマが前記基板と反応するように、前記基板の選択された区域を化学線で照明する、
ことを含む請求項１〜４のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記モノマがアルキルアクリレートまたはフッ素処理したアルキルアクリレートである、請求項９に記載のデバイス製造方法。
【請求項１１】
ダイ区域およびけがき線インプリント区域を有するように、前記目標領域が配置構成される、請求項１〜１０のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記目標領域は非濡れ性材料の少なくとも１つの中間区域を備える、請求項１〜１１のいずれかに記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
基板より濡れない非濡れ性材料により少なくとも部分的に囲まれた目標領域をもつ前記基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリントテンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、
前記テンプレートホルダを保持し、前記テンプレートホルダを動作可能なアクチュエータと、
を備え、
前記テンプレートホルダ又は前記アクチュエータは、前記インプリントテンプレートが、前記目標領域における前記基板と前記インプリントテンプレート間のインプリント可能媒体のメニスカスによって加えられる界面張力の作用の下で、かつ、前記非濡れ性材料による制限の下で、前記基板の表面上で横方向に動くことを許容するために、前記インプリントテンプレート又は前記テンプレートホルダを解放するように構成される、
リソグラフィ装置。
【請求項１４】
複数の目標領域がそれぞれ基板より濡れない非濡れ性材料により部分的に囲まれた基板を用意すること、
１つの前記目標領域内に所定の体積のインプリント可能媒体を堆積させること、
前記インプリント可能媒体が圧縮されるようにインプリントテンプレートを前記インプリント可能媒体に接触させること、
前記目標領域における前記インプリント可能媒体のメニスカスによって加えられる界面張力を利用して、かつ、前記非濡れ性材料によって制限されることにより、前記インプリントテンプレートを前記基板の目標領域に対してアライメントすること、
前記インプリント可能媒体をＵＶ線で照明すること、
を含むデバイス製造方法。
【請求項１５】
複数の目標領域がそれぞれ基板より濡れない非濡れ性材料により部分的に囲まれた基板を保持するように構成された基板テーブルと、
インプリントテンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダと、
前記テンプレートホルダを保持し、前記テンプレートホルダを動作可能なアクチュエータと、
を備え、
前記テンプレートホルダ又は前記アクチュエータは、前記インプリントテンプレートが、前記目標領域における前記基板と前記インプリントテンプレート間のインプリント可能媒体のメニスカスによって加えられる界面張力の作用の下で、かつ、前記非濡れ性材料による制限の下で、前記基板の表面上で横方向に動くことを許容するために、前記インプリントテンプレート又は前記テンプレートホルダを解放するように構成される、
リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はインプリントリソグラフィのアライメントに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、従来、例えば集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイおよび微細構造体を含む他のデバイスの製造に使用されている。
【０００３】
[0003]  リソグラフィパターンの特徴（feature：特徴形体）のサイズを小さくすることが望ましいのは、これによって任意の基板区域上の特徴の密度を上げることができるからである。フォトリソグラフィでは、より短い波長の放射を使用することにより、解像度の増大を達成することができる。しかし、このような小型化に伴う問題がある。現在のシステムは、１９３ｎｍの領域の波長の光源を採用し始めているが、このレベルでも、回折限界が障害になる。さらに小さい波長では、材料の透明度が非常に低い。解像度の増強可能な光学リソグラフィ機械は、複雑な光学系および希少材料を必要とし、その結果、非常に高価になる。
【０００４】
[0004]  １００ｎｍ未満の特徴を印刷するための代替法は、インプリントリソグラフィとして知られ、物理的型またはテンプレートを使用してインプリント可能な媒体にパターンをインプリントすることにより、パターンを基板に転写することを含む。インプリント可能媒体とは基板、または基板の表面に塗布された媒体でよい。インプリント可能媒体は機能的であるか、「マスク」として使用して、パターンを下にある表面に転写することができる。インプリント可能媒体は、例えば半導体材料などの基板上に堆積させたレジストとして提供することができ、これにテンプレートによって画定されたパターンを転写する。したがって、インプリントリソグラフィは基本的に、ミクロンまたはナノメートル規模の成形プロセスであり、テンプレートの微細構造が基板上に生成されるパターンを画定する。パターンは、光学リソグラフィプロセスと同様に層状にすることができ、したがって原則として、インプリントリソグラフィはＩＣ製造のような用途に使用することができる。
【０００５】
[0005]  インプリントリソグラフィの解像度は、テンプレート製作プロセスの解像度によってのみ制限される。例えば、インプリントリソグラフィを使用して、従来の光学リソグラフィプロセスで達成可能なものと比較すると大幅に改善された解像度および線のエッジ粗さで、５０ｎｍ未満の範囲の特徴を生成することができる。また、インプリントプロセスは、光学リソグラフィプロセスで通常必要とされる高価な光学系、先進の照明ソース、または専用のレジスト材料を必要としない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
[0006]  現在のインプリントリソグラフィプロセスは、以下で述べるように、特にオーバレイ精度および／または高いスループットを達成することに関して、１つまたは複数の欠点を有することがある。しかし、インプリントリソグラフィで達成可能な解像度および線のエッジ粗さの大幅な改善は、以上および他の問題に対応する強力な駆動力である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[0007]  本発明の第一の態様によれば、インプリントテンプレートを基板の目標領域に対してアライメントする方法が提供され、この方法は、目標領域内に所定の体積のインプリント可能媒体を堆積させ、インプリント可能媒体が圧縮されるようにインプリントテンプレートをインプリント可能媒体に接触させ、インプリントテンプレート、目標領域、またはそれらの両方が、目標領域とインプリントテンプレートの間の界面張力の下で、相互に対して横方向に動くことを許容することからなり、そこで、基板より濡れない材料が基板の目標領域を少なくとも部分的に囲む構成で設けられている。
【０００８】
[0008]  本発明の第二の態様によれば、リソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、インプリントテンプレートを保持するように構成されたテンプレートホルダとからなり、インプリントテンプレート、基板、またはそれらの両方が、基板とインプリントテンプレート間に設けられるインプリント可能媒体から生じる界面張力の作用の下で、前記界面張力が相互に実質的に打ち消し合う平衡位置に到達するまで、相互に対して横方向に動くことができるように構成される。
【０００９】
[0009]  本発明の第三の態様によれば、インプリントリソグラフィで使用するために基板上に前記基板よりも濡れない材料を設ける方法が提供され、この方法は、基板に光酸発生剤（photo-acid generator）を含むポリマの層を設け、化学線で基板の選択された区域を照明し、選択された区域に非濡れ性材料を形成するために、ポリマの層をシリコン含有物質と反応させることからなる。
【００１０】
[0010]  本発明の第四の態様によると、インプリントリソグラフィで使用するために基板上に前記基板よりも濡れない材料を提供する方法が提供され、この方法は、基板をモノマに露出し、モノマが基板と反応するように、化学線で基板の選択区域を照明することからなる。
【００１１】
[0011]  本発明の１つまたは複数の実施形態は、パターン形成したテンプレートを流動状態のインプリント可能媒体にインプリントする任意のインプリントリソグラフィプロセスに適用可能であり、例えば以下で説明するようにホットおよびＵＶインプリントリソグラフィに適用することができる。
【００１２】
[0012]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
[0020]  インプリントリソグラフィには、熱インプリントリソグラフィおよびＵＶインプリントリソグラフィと呼ばれる２つの主なアプローチがある。これらの例を図１ａから図１ｃで示す。
【００１４】
[0021]  図１ａはソフトリソグラフィプロセスを概略的に示したものであり、これは、分子の層１１（通常はチオールなどのインク）を可撓性テンプレート１０（通常はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）から製作）から基板１２および平坦化および転写層１２’上に支持されたレジスト層１３へと転写することを含む。テンプレート１０は、その表面上に特徴(凸部)パターンを有し、分子層１１はこの特徴上に配置される。テンプレート１０をレジスト層１３に押しつけると、分子層１１がレジストに付着する。テンプレート１０をレジストから外すと、分子層１１がレジストに付着し、レジストの残りの層がエッチングされ、したがって転写された分子層に覆われていないレジストの区域が、基板までエッチングされる。
【００１５】
[0022]  ソフトリソグラフィに使用されるテンプレートは、容易に変形され得るので、したがって例えばナノメートル規模のような高解像度の用途に適していない。というのは、テンプレートの変形がインプリントされたパターンに悪影響を及ぼし得るからである。さらに、同じ領域に複数回重ねる多層構造体を製作する場合、ソフトインプリントリソグラフィはナノメートル規模のオーバレイ精度を提供しないことがある。
【００１６】
[0023]  熱インプリントリソグラフィ（または熱エンボス）は、ナノメートル規模で使用される場合、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）としても知られる。このプロセスは、例えばシリコンまたはニッケルなどから作成した比較的硬質のテンプレートを使用し、これの方が磨耗および変形に対する抵抗力が大きい。これは例えば米国特許第６，４８２，７４２号に記載され、図１ｂに図示されている。典型的な熱インプリントプロセスでは、固体テンプレート１４を、基板１２の表面上で成形されている熱硬化性または熱可塑性ポリマ樹脂１５内にインプリントする。樹脂は、例えば基板表面上に、または（図示の例のように）さらに一般的には平坦化および転写層１２’上にスピンコーティングし、ベークすることができる。「硬質」という用語は、インプリントテンプレートを説明する場合、例えば「硬質」ゴムのように、一般的に「硬質」材料と「軟質」材料の間と見なされている材料を含むことを理解されたい。インプリントテンプレートとして使用するための特定の材料の適性は、その用途の要件によって決定される。
【００１７】
[0024]  熱硬化性ポリマ樹脂を使用する場合は、テンプレートと接触すると、樹脂がテンプレート上に画定されたパターン特徴に流入するほど十分な流動性を有するような温度まで樹脂を加熱する。次に、樹脂の温度を上げて樹脂を熱硬化（例えば架橋）して固化し、不可逆的に所望のパターンが樹脂に採り入れられる。次に、テンプレートを除去し、パターン形成した樹脂を冷却することができる。
【００１８】
[0025]  熱インプリントリソグラフィプロセスに使用する熱可塑性ポリマ樹脂の例は、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリスチレン、ポリ（ベンジルメタクリレート）またはポリ（シクロヘキシルメタクリレート）である。熱可塑性樹脂は、テンプレートでインプリントする直前に自由に流動可能な状態であるように加熱される。通常、熱可塑性樹脂は、樹脂のガラス転移温度より十分上の温度まで加熱する必要がある。テンプレートを流動性樹脂に押し込み、十分な圧力を加えて、確実にテンプレート上に画定されたパターン特徴の全てに樹脂を流入させる。次に、テンプレートが所定の位置にある状態で、樹脂をガラス転移温度の下まで冷まし、これで樹脂は不可逆的に所望のパターンを採り入れる。パターンは、パターン特徴のみを残すために次に適切なエッチングプロセスで除去することができる樹脂の残留層から浮き彫りになった特徴で構成される。
【００１９】
[0026]  固化した樹脂からテンプレートを除去すると、通常は図２ａから図２ｃに示すような２ステップのエッチングプロセスを実行する。基板２０は、図２ａに示すように、そのすぐ上に平坦化および転写層２１を有する。平坦化および転写層の目的は２つある。これは、テンプレートの表面にほぼ平行な表面を提供するように作用し、これはテンプレートと樹脂との接触面が平行であることを保証し、本明細書で説明するように印刷された特徴の縦横比を改善するのにも役立つ。
【００２０】
[0027]  テンプレートを除去した後、固化した樹脂の残留層２２は、所望のパターンに成形されて、平坦化および転写層２１の上に残る。第一エッチングは等方的であり、残留層２２の一部を除去し、その結果、図２ｂに示すように特徴のアスペクト比が不良になる（ここで、Ｌ１は特徴２３の高さである。）。第二エッチングは異方性（または選択的）であり、アスペクト比を改善する。異方性エッチングは、固化した樹脂で覆われていない平坦化および転写層２１の部分を除去し、図２ｃに示すように特徴２３のアスペクト比を（Ｌ２／Ｄ）に上げる。エッチング後に基板上に残された結果物のポリマの厚さ比は、例えばインプリントされたポリマに十分な耐性がある場合には、ドライエッチング用のマスクとして、例えばリフトオフプロセスのステップとして使用することができる。
【００２１】
[0028]  熱インプリントリソグラフィには、パターンの転写を比較的高温で実行することばかりでなく、テンプレートを除去する前に樹脂が十分に固化していることを保証するために比較的大きい温度差を必要とすることがあるという欠点もある。３５℃から１００℃の温度差が必要なこともある。したがって、例えば基板とテンプレート間などで熱膨張が異なり、転写されたパターンが歪むことがある。これは、インプリント可能な材料が粘性の性質であるせいで、インプリントステップに必要な比較的高い圧力によって悪化し、基板の物理的変形を誘発する可能性があり、これもパターンを歪ませる。
【００２２】
[0029]  他方で、ＵＶインプリントリソグラフィはこのような高い温度および温度変化を伴わず、このような粘性の印刷可能材料も必要としない。むしろ、ＵＶインプリントリソグラフィは、部分的または全体的に透明なテンプレート、およびＵＶ硬化性液体、通常はアクリレートまたはメタクリレートのようなモノマを使用する。ＵＶインプリントリソグラフィは、例えばJ. Haismaの「Mold-assisted nanolithography: A process for reliable pattern replication」（J. Vac. Sci. Technol. B 14(6), Nov/Dec 1996）で検討されている。概して、モノマと開始剤の混合物のような任意の光重合性材料を使用することができる。硬化性液体は、例えばジメチルシロキサン誘導体を含んでよい。このような材料は、熱インプリントリソグラフィで使用する熱硬化性および熱可塑性樹脂より粘性が低く、その結果、これより素早く移動して、テンプレートのパターン特徴を充填する。低温および低圧の作業も、より高いスループット能力に都合がよい。「ＵＶインプリントリソグラフィ」という名称は、常にＵＶ放射を使用していることを暗示するが、任意の適切な化学線を使用してよい（例えば可視光線を使用してよい）ことを当業者は承知している。したがって、本明細書でＵＶインプリントリソグラフィ、ＵＶ放射、ＵＶ硬化性材料などに言及した場合、それは任意の適切な化学線を含むものと解釈されるものとし、ＵＶ放射のみに限定されると解釈してはならない。
【００２３】
[0030]  ＵＶインプリントプロセスの例が図１ｃに図示されている。石英テンプレート１６を、図１ｂのプロセスと同様の方法でＵＶ硬化性樹脂１７に適用する。熱硬化性樹脂を使用する熱エンボスのように温度を上昇させるか、熱可塑性樹脂を使用する場合の温度循環ではなく、樹脂を重合し、したがって硬化するために、石英テンプレートを通してそれにＵＶ放射を与える。テンプレートを除去したら、レジストの残留層をエッチングする残りのステップは、本明細書で説明する熱エンボスプロセスと同じであるか、同様である。通常使用されるＵＶ硬化性樹脂は、典型的な熱可塑性樹脂よりはるかに粘度が低く、したがってより低いインプリント圧力を使用することができる。より低い圧力のせいで物理的変形が減少し、さらに高い温度および温度変化のせいで変形が少ないので、ＵＶインプリントリソグラフィは、高いオーバレイ精度を必要とする用途に適している。また、ＵＶインプリントテンプレートの透明な性質は、インプリントと同時に光学アライメント技術に対応することができる。
【００２４】
[0031]  このタイプのインプリントリソグラフィは主にＵＶ硬化性材料を使用し、したがって通常はＵＶインプリントリソグラフィと呼ばれるが、適切に選択した材料を硬化する（例えば重合または架橋反応を活性化する）ために他の波長の放射を使用してもよい。概して、適切なインプリント可能材料が使用可能であれば、このような化学反応を開始可能な任意の放射を使用することができる。代替的「活性化放射」は、例えば可視光、赤外線放射、Ｘ線放射および電子ビーム放射を含んでよい。本明細書の一般的記述では、ＵＶインプリントリソグラフィへの言及およびＵＶ放射の使用は、以上および他の活性化放射の可能性を排除しないものとする。
【００２５】
[0032]  基板表面にほぼ平行に維持された平面テンプレートを使用するインプリントシステムの代替品として、ローラインプリントシステムが開発されている。熱およびＵＶローラインプリントシステムの両方が提示され、ここではローラ上にテンプレートを形成するが、それ以外、インプリントプロセスは平面テンプレートを使用するインプリントと非常に類似している。他の状況で必要とされていない限り、インプリントテンプレートへの言及は、ローラテンプレートへの言及を含む。
【００２６】
[0033]  ステップアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィ（ＳＦＩＬ）として知られるＵＶインプリント技術が特に開発されており、これは、例えばＩＣの製造などに従来使用されている光学ステッパと同様の方法で小さいステップにて基板にパターンを形成するために使用することができる。これは、テンプレートをＵＶ硬化性樹脂にインプリントすることによって１回で基板の小さい区域に印刷し、テンプレートを通してＵＶ放射を「フラッシュ」させてテンプレートの下の樹脂を硬化し、テンプレートを除去して、基板の隣接領域へとステップし（進み）、作業を繰り返すことを含む。このようなステップアンドリピート式プロセスの小さいフィールドのサイズは、パターンの歪みおよびＣＤの変動を減少させるのに役立ち、したがってＳＦＩＬはＩＣおよび高いオーバレイ精度を必要とする他のデバイスの製造に特に適している。米国特許出願公報第ＵＳ２００４−０１２４５６６号は、ステップアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィ装置の例を詳細に説明している。
【００２７】
[0034]  原則的にＵＶ硬化性樹脂は例えばスピンコーティングなどによって基板の表面全体に適用可能であるが、これはＵＶ硬化性樹脂が揮発性の性質であるために、問題となることがある。
【００２８】
[0035]  この問題に対応する１つのアプローチは、いわゆる「オンデマンド滴下」プロセスであり、ここではテンプレートでインプリントする直前に樹脂を小滴にて基板のターゲット部分に配量する。液体の配量は、特定のボリュームの液体を基板の特定のターゲット部分に配置するように制御される。液体は、様々なパターンで配量することができ、液体のボリュームを注意深く制御することと、パターンを配置することとを組み合わせて使用し、パターンの形成を目標区域に限定することができる。
【００２９】
[0036]  言及したようにオンデマンドで樹脂を配量することは、些細な事柄ではない。小滴のサイズおよび間隔を注意深く制御して、テンプレートの特徴を充填するのに十分な樹脂があることを確認し、それと同時に圧延されて望ましくないほど厚い、または不均一な残留層になる余分な樹脂を最小量に抑える。というのは、隣接する滴が流体に接触すると、樹脂には流れる場所がないからである。
【００３０】
[0037]  本明細書では基板上へのＵＶ硬化性液体の配置について言及しているが、液体はテンプレートにも配置することができ、概して同じ技術および考慮事項が当てはまる。
【００３１】
[0038]  図３は、テンプレート、インプリント可能材料（硬化性単量体、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など）および基板の相対的寸法を示す。硬化性樹脂層の厚さｔに対する基板の幅ｄの比率は、１０6のオーダである。特徴がテンプレートから突出して基板を損傷するのを回避するために、寸法ｔはテンプレート上に突出する特徴の深さより大きくなければならないことが理解される。
【００３２】
[0039]  スタンピング（stamping）後に残る残留層は、下にある基板を保護する上で有用であるが、本明細書で述べるように、特に高い解像度および／または最小のＣＤ（最小寸法）の変動が望ましい場合に、問題の源となることもある。最初の「ブレークスルー」エッチングは等方性（非選択的）であり、したがってある程度、インプリントされた特徴、さらに残留層を腐食させてしまう。これは、残留層が過剰に厚いか、不均一である、あるいはその両方の場合に悪化することがある。この問題は、例えば下にある基板に最終的に形成される線の太さの変動（つまり最小寸法の変動）につながる。第二異方性エッチングで転写層にエッチングされる線の太さの均一性は、樹脂に残った特徴のアスペクト比および形状の完全さに依存する。残留樹脂層が不均一な場合は、非選択的な第一のエッチングがこれらの特徴の一部に「丸まった」頂部を残すことがあり、したがって第二およびその後の全てのエッチングプロセスで線太さの良好な均一性を保証するために、十分に良好に画定されない。原則的に、上記の問題は、残留層が可能な限り薄いことを保証することによって軽減することができるが、これには望ましくないほど大きい圧力（基板の変形を増大させることがある）および比較的長いインプリント時間（スループットを減少させることがある）の適用を必要とすることがある。
【００３３】
[0040]  テンプレートは、インプリントリソグラフィシステムの重大な構成要素である。本明細書で述べるように、テンプレート表面上の特徴の解像度は、基板上に印刷される特徴で達成可能な解像度に対する制限要素である。熱およびＵＶリソグラフィに使用するテンプレートは通常、２段階のプロセスで形成される。最初に、例えば電子ビームの書き込みを使用して（例えば電子ビームパターン発生装置で）所望のパターンを書き込み、レジストに高い解像度のパターンを与える。次に、レジストパターンをクロムの薄い層に転写し、これは最終的な異方性エッチングステップのためのマスクを形成して、パターンをテンプレートの支持材料に転写する。例えばイオンビームリソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、極ＵＶリソグラフィ、エピタキシャル成長、薄膜付着、化学エッチング、プラズマエッチング、イオンエッチングまたはイオンミリングなどの他の技術を使用することができる。一般的に、転写されるパターンの解像度がテンプレート上のパターンの解像度によって制限された状態で、テンプレートが事実上、１ｘのマスクであるので、非常に高い解像度が可能な技術を使用する。
【００３４】
[0041]  テンプレートの剥離特性も考慮事項になり得る。テンプレートは、例えば表面処理材料で処理して、テンプレート上に低い表面エネルギを有する薄い剥離層を形成することができる（基板上に薄い剥離層を配置してもよい）。
【００３５】
[0042]  インプリントリソグラフィの開発における別の考察事項は、テンプレートの機械的耐久性である。テンプレートは、レジストのスタンピング中に大きい力を受けることがあり、熱リソグラフィの場合は、極端な圧力および温度も受けることがある。これはテンプレートの磨耗を引き起こし、基板上にインプリントされるパターンの形状に悪影響を及ぼすこともある。
【００３６】
[0043]  熱インプリントリソグラフィでは、テンプレートと基板の間の熱膨張率の差を減少させるために、基板と同じ、または同様の材料のテンプレートを使用することに潜在的利点がある。ＵＶインプリントリソグラフィでは、テンプレートは化学線に対して少なくとも部分的に透明であり、したがって石英テンプレートを使用する。
【００３７】
[0044]  本文ではＩＣの製造におけるインプリントリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、記載されたインプリント装置および方法には、例えば集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、硬質ディスク磁気媒体、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造のように、他の用途もある。
【００３８】
[0045]  本明細書では、実質的にレジストとして作用するインプリント可能樹脂を介してテンプレートのパターンを基板に転写するためにインプリントリソグラフィを使用することに言及しているが、状況によってはインプリント可能材料自体が機能性材料でよく、例えば特に電導性または熱伝導性、光学的線形または非線形応答などの機能を有する。例えば、機能性材料は伝導層、半導体層、誘電層または別の望ましい機械的、電気的または光学的特性を有する層を形成してよい。適切な機能性材料である有機物質もある。このような用途は本発明の実施形態の範囲内である。
【００３９】
[0046]  図４は、基板テーブル１０１によって支持された基板１００の一部を断面図で概略的に示したものである。例えばポリ（メチルメタクリレート）またはポリスチレンなどからなる平坦化層１０２が、基板の上面に設けられる。基板１００は、非濡れ性材料１０４の２つの区域と、インプリント可能媒体１０６の小滴のアレイを備える。インプリント可能媒体１０６は平坦化層１０２に対して濡れている。
【００４０】
[0047]  図５は、基板１００を上から見た略図である。基板上には３７の正方形が図示され、それぞれがインプリントすべき目標領域１０８を表す。目標領域１０８は、非濡れ性材料１０４のグリッド（図４で示した区域がこのグリッドの一部を形成する）で囲まれる。
【００４１】
[0048]  非濡れ性材料１０４のグリッドは、非濡れ性材料の分子を平坦化層１０２の頂部にグラフトさせることによって設けることができる（分子は、例えば（過）フッ素処理したアクリレートでよい）。これは、例えば基板１００を密封されたチャンバに入れ、ＵＶ放射を使用して基板上の良好に画定された位置を照明して、これに非濡れ性分子を取り付けることによって達成することができる。例えば、ＵＶ放射のスポットは、記憶され、目標領域１０８の正確な位置を反映するパターンを使用して、基板１００の表面上で誘導することができる。その結果、非濡れ性材料１０４を、１００ｎｍ、５０ｎｍ、または１０ｎｍより良好な精度で位置決めすることができる。場合によっては、デュアルステージまたはマルチステージシステムを使用することができ、ここでは目標領域１０８の位置の測定をリソグラフィ装置の第一位置で実行し、基板１００のインプリントはリソグラフィ装置内の第二位置で実行することができる。非濡れ性材料１０４の適用は、例えば第一位置または第二位置で実行するか、これもリソグラフィ装置内にあってよい他の何らかの位置で実行することができる。
【００４２】
[0049]  上述した非濡れ性材料１０４は、ＵＶ放射で適切な材料を照明し、次にこの材料を低い表面エネルギを提供する基を含むシリコン含有物質と反応させることによって提供することができる。
【００４３】
[0050]  一実施形態では、光酸発生剤を含む平坦化層で基板をスピンコーティングする。平坦化層は、小さい分子基によってブロックされた反応基があるポリマからなる。例えば、ポリマのポリ（ｔ−ブトキシカルボニル）−ヒドロキシスチレンは、ｔ−ブトキシカルボニル基によって保護された反応性ヒロドキシ（−ＯＨ）基を有する。非濡れ性であるように予定されたポリマの選択区域がＵＶ放射で照明され、その際光酸発生剤が照明された区域の酸を解放する。酸は小さい保護基（つまりｔ−ブトキシカルボニル基）の非ブロック化に触媒作用を及ぼす。この非ブロック化は、照明した領域のみで実行され、ポリマ内に反応座（−ＯＨ基）を生成する。
【００４４】
[0051]  反応基は、少なくとも、（１）平坦化層の反応基と結合する能力、および（２）低い表面エネルギを提供する、つまり非濡れ性特性を有する基を含む分子と反応することができる。適切な材料の例は、ｎ−オクタデシルジメチル（ジメチルアミノ）シランである。この分子は、ポリマとの共有結合を形成し、オクタデシル基は図８に示すように低い表面張力を提供する。追加的または代替的に、フッ素処理したアルキルジメチル（ジメチルアミノ）シランを使用してもよい。
【００４５】
[0052]  一実施形態では、光酸発生剤を有するポリマを、既存の平坦化層、例えばポリ（メチルメタクリレート）またはポリスチレン上に薄い層としてスピンコーティングする。層の厚さは、例えば５０ｎｍより薄くてよい。
【００４６】
[0053]  平坦化層上に非濡れ性材料を形成するために使用する照明は、例えばレーザライタを使用して実行することができる。あるいは、フォトマスクを介した照明を使用してよい。
【００４７】
[0054]  インプリント可能媒体１０６の小滴は、例えばインクジェットのノズルのようにディスペンサのアレイによって提供することができる。あるいは、単一のノズルを使用してよい。インプリント可能媒体１０６の小滴は、全てが同じ体積を有するものとして図４に図示されている。しかし、場合によっては、インプリントすべきパターン内で他の位置より多くのインプリント可能媒体を必要とする位置を考慮するために、小滴の体積を調整することができる。
【００４８】
[0055]  図６を参照すると、テンプレートホルダ１２２によって保持されたインプリントテンプレート１２０が、基板１００上に配置されている。インプリントテンプレート１２０は、隆起したパターン形成部分１２３（メサと呼ばれる）を備える。インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成部分１２３を、インプリント可能媒体１０６と接触させる。
【００４９】
[0056]  インプリントテンプレート１２０をこの位置へと運ぶことができる１つの方法は、アクチュエータ（図示せず）を使用してテンプレートホルダ１２２を移動することである。リソグラフィ装置は、インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成部分１２３がインプリント可能媒体１０６の小滴と接触したら、インプリントテンプレート１２０がテンプレートホルダ１２２から解放されるように配置構成することができる。インプリントテンプレート１２０がテンプレートホルダ１２２から解放されたら、これは自身の重量および／または界面張力によって駆動され、基板１００に向かって自由に動く。「界面張力」という用語は、インプリント可能媒体１０６内で作用する引力から生じる力を指す。これは表面張力に類似しているが、表面張力とは異なり、気体と接触する液体に限定されない。
【００５０】
[0057]  基板１００に向かうインプリントテンプレート１２０の運動は、インプリントテンプレート１２０と基板１００の間に位置するガス（例えば空気）が逃げるまで継続する。代替構成では、テンプレートホルダ１２２からインプリントテンプレート１２０を解放するのではなく、テンプレートホルダ１２２をアクチュエータから解放してよい。
【００５１】
[0058]  インプリント可能媒体１０６は、その外周にメニスカスを有し、これは非濡れ性材料１０４によって制約される。インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成部分１２３の外周は、鋭い縁部１２４を備える。これは、インプリント可能媒体１０６のメニスカスがインプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成部分１２３に強く付着したようになるように配置構成される。インプリント可能媒体１０６のメニスカスによって加えられる界面張力は、インプリントテンプレート１２０が、非濡れ性材料から等距離である平衡位置になるまで、インプリントテンプレート１２０をｘおよびｙ方向に変位するように作用する。場合によっては、非濡れ性材料１０４間の距離はｘ方向とｙ方向で異なってよく、その結果、インプリントテンプレート１２０はｘ方向で非濡れ性材料からほぼ等距離になり、ｙ方向で非濡れ性材料から（異なる距離で）ほぼ等距離になる。
【００５２】
[0059]  図７は、インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成部分１２３が基板の平坦化層１０２上に不正確に配置された場合に生じる一例の状況を示す。伸張したメニスカス１２６が生じ、インプリントテンプレート１２０を引っ張る力を与えて、これを横方向に（つまり基板１００の表面を横切って）動かし、この場合、運動はマイナスのｘ方向である。メニスカス１２６およびインプリントテンプレート１２０の反対側に形成されるメニスカスが加えられる力が相互を強制的に打ち消す平衡状態へと到達するまで、力を加え続ける。
【００５３】
[0060]  非濡れ性材料１０４が適正に配置されたとすると、インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成領域１２３が、例えば以前に基板上に設けられているパターンに対して、基板１００上に適正に配置される。したがって本発明のこの実施形態は、インプリントテンプレート１２０の隆起したパターン形成領域１３を以前に基板上に設けたパターンにアライメントすることができる技術的に単純で都合のよい方法を提供する。
【００５４】
[0061]  インプリントテンプレート１２０が非濡れ性材料１０４の細片に対して平衡位置に到達するように十分な期間が経過したら、インプリントテンプレート１２０およびテンプレートホルダ１２２を通して化学線を誘導し、それによってインプリント可能媒体を硬化して、インプリントしたパターンをインプリント可能媒体に固定する。次に、テンプレートホルダ１２２（またはアクチュエータ）をインプリントテンプレート１２０（またはテンプレートホルダ）に再度接続し、インプリントテンプレートを硬化したインプリント可能媒体から外すために使用する。
【００５５】
[0062]  場合によっては、インプリントテンプレート１２０の平衡位置が不正確であると判明することがある。これが生じた場合、例えばレーザを使用して、インプリントテンプレート１２０の平衡位置を調節するように、非濡れ性材料１０４の一部を焼き取ることができる。
【００５６】
[0063]  上述した方法および装置は、単なる１つのインプリントテンプレートではなく、インプリントテンプレートのアレイのために提供できることを理解されたい。
【００５７】
[0064]  一実施形態では、同じ電子ビームツールを使用し、ほぼ同じ温度で（温度は厳密に制御される）１セットのインプリントテンプレートのために全てオリジナルのテンプレートを作成する。平行インプリント（つまり複数のテンプレートを同時にインプリントすること）に必要な幾つかのインプリントテンプレートを作成するために必要な全ての複製ステップは、電子ビームツールによって書かれたインプリントテンプレートの精度を維持するように配置構成される。（処理による基板の寸法変化のせいで）補正が必要である場合、これは電子ビームツールによって書かれたパターンを再画定することによって実行することができる。
【００５８】
[0065]  アライメント装置（図示せず）は、インプリントテンプレート１２０上に設けたアラインメントマークの位置を基板１００上に設けたアラインメントマークと比較して、ＵＶ放射での照明を実行する前にインプリントテンプレートが正確にアライメントされていることを保証するように配置構成することができる。アライメント装置を使用することは必要不可欠ではない。というのは、インプリント可能媒体１０６のメニスカスを介してアライメントが自動的に実行されるからである。アライメント装置は、例えばアライメントが適正に実行されているという検証を得るために使用することができる。
【００５９】
[0066]  上記したように、ＵＶ放射での照明に言及した場合、これは適宜、他の波長の放射を使用することを排除するものではない。
【００６０】
[0067]  上述した実施形態では、非濡れ性材料１０４を基板１００上のグリッド１０２に設ける。非濡れ性材料１０４は幾つかの他の構成で設けてもよいことが理解される。例えば、目標領域１０８を非濡れ性材料で完全に囲む必要がないことがある。目標領域１０８は、例えば非濡れ性材料１０４で少なくとも部分的に囲むか、例えば非濡れ性材料１０４で実質的に囲んでもよい。
【００６１】
[0068]  基板１００は通常、複数のダイを備えることが当業者には認識される。ダイは、製造中の完全な機能的デバイス（例えば集積回路）を含む基板の区域である。処理の最終段階で、基板を個々のダイに（例えば各ダイに１つのデバイスがある状態で）分離する。
【００６２】
[0069]  個々のダイの分離に対応するために、隣接するダイを基板上の隔置された位置に位置決めすることが知られている。隣接ダイの間隔は、個々のダイを損傷せずに例えばソーイング、切断または破断などによってダイを分離できるように十分なサイズにしなければならない。隣接ダイの間隔は「けがき線（scribe lane）」として知られる（本明細書ではそう呼ぶ）。１つの基板には、基板全体にｘ方向とｙ方向の両方に複数のダイを設けることができ、したがってｘ方向とｙ方向の両方で隣接ダイ間にけがき線を設けることができる。したがって、各ダイは、ｘ方向とｙ方向の両方で周縁に沿って延在する隣接けがき線で境界を区切ることができる。
【００６３】
[0070]  けがき線を形成する基板の区域を他の目的に使用することが有用なこともある。例えば、機能的特徴または基準特徴をけがき線に形成することができる（例えば試験構造体またはアライメントマークをけがき線に形成してよい）。基板上にパターンを形成するために光学リソグラフィを使用する場合は、同じプロセスを使用してけがき線に特徴を形成すると都合がよいことがある。
【００６４】
[0071]  したがって、（以下で詳細に説明するような）本発明の実施形態では、ダイ区域にパターンを形成する間にけがき線内の構造にパターンを形成することができる配置構成で、非濡れ性材料を基板上に設けることができる。基板より濡れない材料は、例えば基板の目標領域を少なくとも部分的に囲む構成などで設けられることができ、目標領域はダイ区域およびけがき線インプリント区域を有するように配置構成される。ダイ区域は単に、ダイを形成するよう意図される基板の区域を有する。あるいは、ダイ区域は既に、基板の区域上に１つまたは複数の処理済み層（例えば集積回路を形成する層）を有してよい。けがき線インプリント区域は、（以下でさらに詳細に説明するように）ダイ区域に隣接するけがき線の少なくとも１つの少なくとも一部を有する。
【００６５】
[0072]  図９を参照すると、ある実施形態では基板１００（例えばシリコンウェーハ）は幾つかのダイ区域２５０を有し、各ダイ区域はけがき線２００によって隣接するダイ区域から分離される。ダイ区域２５０は、例えば基板の長方形領域でよい。ダイ区域２５０は、２つの直角方向（図９では基板全体でｘ方向とｙ方向にアライメントされる）に延在する列状に配置構成された基板１００の表面上に設けることができる。したがって、この実施形態ではｘ方向とｙ方向の両方に延在するけがき線２００を設ける。けがき線２００は、（図９に示すように）グリッド構成の形態で設けることができる。例えば、第一方向に延在する第一複数の隔置された平行けがき線２００ａを、基板１００上に設けることができ、（例えば第一方向に対して直角である）第二方向に延在する第二複数の隔置された平行けがき線２００ｂを、基板１００上に設けることができる。
【００６６】
[0073]  本発明のこの実施形態では、非濡れ性材料２０４（図６および図７に関して上述したのと同じ方法で、基板１００上にインプリントテンプレートをアライメントするために設けられる）を概ねけがき線２００に沿って延在するストライプ上に設ける。非濡れ性材料２０４の各ストライプは、例えば複数のダイ区域２５０の列全体に隣接するけがき線に沿って延在することができる（例えば、各けがき線２００のほぼ全長に沿って延在する非濡れ性材料２０４のストライプを設けることができる）。各けがき線２００に沿って延在する非濡れ性材料２０４のストライプを設けることにより、非濡れ性材料２０４のストライプを、グリッド構成の形態で設けることができる。例えば、第一方向（例えばｘ方向）に延在する非濡れ性材料２０４の第一複数の隔置された平行ストライプを、基板上に設けることができ、第二方向（例えばｙ方向）に延在する非濡れ性材料２０４の第二複数の隔置された平行ストライプを、基板上に設けることができる。
【００６７】
[0074]  幾つかの実施形態では、図９で示すように概ね各けがき線２００の中心領域に沿って延在する非濡れ性材料２０４を設けることができる。例えば、非濡れ性材料２０４のストライプは、概ね隣接するダイ区域２５０間の中間に位置決めすることができる（例えば非濡れ性材料２０４のストライプは、けがき線のいずれかの側に位置決めされたダイ区域の外縁から等距離でよい）。この配置構成では、各目標領域は、ダイ区域２５０の全周に延在する境界線の形態で、追加のけがき線インプリント区域２６０を含む（したがって目標領域は、ダイ区域２５０の４辺全部にけがき線インプリント区域２６０を有する）。けがき線インプリント区域２６０は、例えばダイ区域２５０の全周を囲むほぼ一定の幅の境界線でよく、インプリントすべき目標領域の総面積は（２ｘ＋ｙ）2である（ここでｘはダイ区域２５０の縁部と非濡れ性材料２０４のストライプ間の距離であり、ｙはダイ区域２５０の幅である）。
【００６８】
[0075]  特定のデバイスを製造する場合、ダイ区域２５０のサイズは（例えば製造中のデバイスの形態および機能によって）固定されるようである。けがき線２００の必要とされる幅も（例えば基板切断プロセスで必要とされるダイ間のクリアランスによって）固定されるようである。したがって、設けられる非濡れ性材料２０４のストライプの幅は、けがき線インプリント区域２６０のサイズを決定する際の主要変数になり得る（例えばけがき線インプリント区域２６０のサイズを最大にするために、非濡れ性材料２０４のストライプの幅を最小にすることができる）。
【００６９】
[0076]  インプリントテンプレートのアライメント方法が有効であることを保証するために、非濡れ性材料２０４のストライプの最小幅を制限する必要があることがある。例えば、インプリントテンプレートを基板上に配置したインプリント可能媒体と接触させることができる（幅測定方向の）初期配置精度を、考慮する必要があることがある。例えば、非濡れ性材料２０４のストライプに、少なくともテンプレートの初期配置精度の２倍の幅を設けることができる。これは例えば、インプリントテンプレートがその精度の限界で位置決めされていても、テンプレートの外周にメニスカスが形成され（および非濡れ性材料２０４によって境界を区切られ）るために、インプリントテンプレートの縁部（例えば以上で説明したように鋭い縁部でよい）が、非濡れ性材料２０４のストライプに十分アライメントされていることを保証することができる。例えばインプリントテンプレートを最初に１から１０ミクロンの精度で配置する場合、非濡れ性材料は２から２０ミクロンの最小幅を有していなければならない。
【００７０】
[0077]  図９は、同じ幅を有するものとしてｘ方向とｙ方向に延在する非濡れ性材料２０４のストライプを示しているが、インプリントテンプレートをインプリント可能媒体に接触させる装置が、一方の軸線に他方の軸線と比較して異なる配置精度を有する場合は、非濡れ性材料のストライプの幅が相応して変動することが理解される。
【００７１】
[0078]  図１０は、目標領域がダイ区域３５０の２辺にのみけがき線インプリント区域３６０を有する代替実施形態を示す。例えば、目標区域は、ダイ区域３５０が目標領域の隅部に配置されるように構成することができる。ダイ区域３５０の２つの辺は、例えば目標領域の２つの辺と概ね一致してよい（さらに、ダイ区域３５０の前記辺と目標の前記辺が合う隅部も、例えば概ね一致してよい）。この実施形態の目標領域の構成は、けがき線３００の１つの辺付近に非濡れ性材料３０４のストライプを設けた結果である（つまり非濡れ性ストライプが１つのダイ区域３５０に隣接し、次のダイ区域からはけがき線によって隔置される）。ダイ区域の任意のサイズ、けがき線の幅および非濡れ性ストライプの幅について、この配置構成は、図９の実施形態のけがき線インプリント区域２６０より広いけがき線インプリント区域３６０を提供する。例えば、けがき線インプリント区域３６０は、けがき線３００の全幅とほぼ等しい幅を有してよく、これに対して図９のけがき線インプリント区域２６０は、けがき線２００の幅の半分にほぼ等しい幅を有することができる。この実施形態でインプリントすべき目標領域の総面積は（ａ＋ｂ）2である（ここで、ａはダイ区域３６０の縁部と非濡れ性材料３０４のストライプとの間の距離であり、これはけがき線の幅とほぼ等しく、ｂはダイ区域３５０の幅である）。
【００７２】
[0079]  図１１のさらなる実施形態では、少なくとも部分的に目標領域を囲み、少なくとも部分的にダイ区域４５０も囲む構成で、非濡れ性材料４０４を設ける。目標領域は、（例えば非濡れ性材料４０４ａの各ストライプが、けがき線４００の全長にほぼ沿って延在する状態で）例えばけがき線４００に沿って延在する非濡れ性材料４０４ａのストライプによって囲むことができる。目標領域は、例えば（図１０の実施形態のように）ダイ区域４５０の２つの辺が概ね目標領域の２つの辺と一致し、したがって非濡れ性材料４０４ａのストライプが両方とも目標領域を囲み、ダイ区域４５０の２辺の境界を区切る構成で配置構成することができる。したがって、この配置構成では目標領域とダイ区域４５０が両方とも非濡れ性材料によって少なくとも部分的に囲まれる配置構成を提供するために、ダイ区域４５０の２辺に隣接する追加の非濡れ性材料４０４ｂを提供するだけでよい。この配置構成の結果、例えば非濡れ性材料４０４が、けがき線インプリント区域４６０とダイ区域４５０の両方の周囲にほぼ完全な境界を提供することができる。
【００７３】
[0080]  図１２を参照すると、図１１の構成は、目標領域に非濡れ性材料４０４ｂの少なくとも１つの中間区域を設ける配置構成で、非濡れ性材料４０４を提供する。例えば、非濡れ性材料４０４ｂの中間区域は、目標領域４５０を少なくとも部分的に囲む非濡れ性材料４０４ａのストライプ間に横方向に位置決めすることができる。図１２では、例えば非濡れ性材料４０４ｂの中間区域を、ｘ方向で非濡れ性材料４０４ａの間（またはその中間）に設ける（例えば非濡れ性材料４０４ｂのさらなる中間区域を、ｙ方向に設けることができる）。非濡れ性材料４０４ｂの中間区域は、例えばダイ区域とけがき線インプリント区域との間の境界に設けることができる。非濡れ性材料４０４ｂの中間区域は、例えば（図１１のように）目標領域のダイ区域４５０の縁部に沿って配置構成された非濡れ性材料のストライプまたは帯の形態でよい。
【００７４】
[0081]  （図６および図７に関して）上述したように、非濡れ性材料４０４は、インプリントテンプレート４２０が（例えばテンプレートホルダによって）インプリント可能媒体４０６に接触する場合に、インプリント可能媒体４０６を制限するために設けられる。非濡れ性材料４０４ｂの中間区域は、テンプレート４２０の目標区域内にあり、したがってこれもインプリント可能媒体４０６を制限するように作用する。その結果、インプリント可能媒体が２つの別個の領域４０６ａおよび４０６ｂを形成し（例えばダイ区域４５０およびけがき線インプリント区域４６０上に個々に配置することができる）、それぞれがインプリントテンプレートと基板の間に形成されるメニスカス４２６によって境界を区切られる。図１２の場合、２つの領域はｘ方向に沿って分離される。しかし、同じ配置構成をｙ方向にも設けてよいことが認識される。メニスカス４２６は、目標領域の外周では非濡れ性材料４０４ａによって、および目標領域内は非濡れ性材料４０４ｂの中間区域によって制限される。
【００７５】
[0082]  上述したように、インプリント可能媒体４０６のメニスカスは、インプリントテンプレートが平衡位置になるまで、インプリントテンプレート４２０をｘ方向およびｙ方向に変位するように作用する界面張力を加える。非濡れ性材料４０４ｂの中間区域の結果、インプリント可能媒体４０６ａおよび４０６ｂの２つの別個の領域が生じるので、両方の領域のメニスカスによってインプリントテンプレートに力が加えられる。力は、領域４０６ａの対向する辺のメニスカス４２６ａと４０６ｂの対向する辺のメニスカス４２６ｂが平衡状態に到達するまで加えられる。平衡状態では、メニスカス４２６ａによって領域４０６ａ全体に加えられる力が相互に打ち消し合い、メニスカス４２６ｂによって領域４６０ａ全体に加えられる力が相互に打ち消し合う。
【００７６】
[0083]  インプリント可能媒体の両方の領域４０６ａおよび４０６ｂのメニスカス４２６は、アライメント（したがって平衡）が達成されるまでインプリントテンプレート４２０に力を加えるので、この実施形態は、（非濡れ性材料４０４ｂの中間区域がない同等の配置構成と比較すると）インプリントテンプレートにさらに大きいアライメント力を加えることができることが認識される。幾つかの実施形態では、２倍のメニスカス（例えば図６の実施形態で２つのメニスカスであるのとは対照的に、図１２の実施形態では４つのメニスカス）を設けるので、補正力を例えば２倍にすることができる。補正力の増大が望ましいのは、アライメント時間が短縮され、したがってインプリントリソグラフィ装置のスループットを増大することができるからである。
【００７７】
[0084]  けがき線区域４６０に特徴を印刷するために、テンプレート４２０には、例えばインプリント可能媒体４０６ａ（ダイ区域４５０に設けられる）にパターンを形成する第一パターン形成済み領域４２３ａ、およびインプリント可能媒体４０６ｂ（けがき線インプリント区域４６０に設けられる）のパターンを形成する第二パターン形成済み領域４２３ｂを設けることができる。
【００７８】
[0085]  テンプレート４２０を正確にアライメントするために、基板の表面からインプリント可能媒体４０６ａおよび４０６ｂの２つの領域までの高さは、ほぼ同一でなければならない。例えば、この高さに変動がある場合は、テンプレート４２０が基板１００に対して平行でないことがある。例えば目標領域の各区域（例えばダイ区域４５０およびけがき線インプリント区域４６０）内に適正なボリュームのインプリント可能媒体が確実に配置されていることが重要である。ダイ区域４５０はけがき線インプリント区域４６０より非常に大きい面積を有することができ、したがってけがき線インプリント区域４６０に設けたインプリント可能媒体４０６ｂのボリュームは、テンプレートのアライメント精度により大きい影響を及ぼし得る。したがって、例えばインプリント可能媒体の適正な数の小滴を、基板１００上で（けがき線領域を画定する）非濡れ性材料４０４ａと４０４ｂのストライプ間に設ける必要がある。例えば、けがき線インプリント区域４６０の面積が比較的大きい面積（例えばけがき線のほぼ全面積）であることを保証することが有利である。けがき線インプリント区域４６０に、それに配置すべきインプリント可能媒体の体積と比較して比較的大きい表面積を設ける場合は、例えば体積が変動すると、インプリント可能媒体４０６ｂの高さに比較的小さい変動をもたらすことがある。
【００７９】
[0086]  例えば図１１の実施形態では、けがき線インプリント区域４６０の面積は２ａｂ＋ａ2である（ここで、ａはダイ区域４５０の縁部と非濡れ性材料４０４のストライプとの間の距離であり、けがき線の幅とほぼ等しく、ｂはダイ区域４５０の幅である）。したがって、この領域に必要なインプリント可能な流体の体積はｈ（２ａｂ＋ａ2）である（ここで、ｈは基板とテンプレートの間のインプリント可能な流体の高さである）。ａ（８０μｍ）、ｂ（２５ｍｍ）およびｈ（１００ｎｍ）という典型的な例示的値を使用すると、けがき線インプリント区域にあるインプリント可能媒体の総体積は、例えば４００ｐｌの領域に入る。インプリント可能媒体は、例えば１０ｐｌの体積を有する小滴にて基板上に配置することができるので、この体積では、例えば４０の小滴をけがき線インプリント区域に配置する必要がある。したがって、けがき線の区域を充填する間に１つの小滴がなくなると、例えば２．５％の誤差に対応することになる。つまり２．５ｎｍの高さである。したがって、既知の方法を使用して、配置される小滴の数を正確に測定し、監視しなければならないことが、当業者には認識される。
【００８０】
[0087]  図９から図１１の非濡れ性材料２０４、３０４および４０４のストライプは、連続的な線として図示されているが、本明細書で「ストライプ」に言及した場合、それはその長さに沿って連続的な（または中断していない）線または帯に制限されない。例えば、非濡れ性材料２０４、３０４または４０４は、目標領域が少なくとも部分的に非濡れ性材料１０４で囲まれる配置構成を提供するように、不連続ストライプ（例えば断続線、点線、または破線の構成）にて提供することができる。
【００８１】
[0088]  本明細書では、インプリントテンプレートを基板に向かって動作させることについて述べてきたが、基板をインプリントテンプレートに向かって動作させるか、インプリントテンプレートと基板の両方の動作の組合せを使用してよいことが認識され、本発明の実施形態はこれも包含する。
【００８２】
[0089]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。この説明は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】[0013]  図１ａから図１ｃは、それぞれ従来のソフト、ホットおよびＵＶリソグラフィプロセスの例を示した図である。
【図２】[0014]  レジスト層にパターンを形成するためにホットおよびＵＶインプリントリソグラフィを使用する場合に使用される２ステップのエッチングプロセスを示した図である。
【図３】[0015]  基板上に付着させたテンプレートおよび典型的なインプリント可能レジスト層を概略的に示した図である。
【図４】[0016]  本発明の実施形態によりインプリント可能媒体および非濡れ性材料を設けた基板のインプリントを概略的に示した図である。
【図５】[0016]  本発明の実施形態によりインプリント可能媒体および非濡れ性材料を設けた基板のインプリントを概略的に示した図である。
【図６】[0016]  本発明の実施形態によりインプリント可能媒体および非濡れ性材料を設けた基板のインプリントを概略的に示した図である。
【図７】[0016]  本発明の実施形態によりインプリント可能媒体および非濡れ性材料を設けた基板のインプリントを概略的に示した図である。
【図８】[0017]  非濡れ性材料を形成するために本発明の実施形態で使用する化学反応を示した図である。
【図９】[0018]  本発明の実施形態により基板上に非濡れ性材料を設けるために可能なレイアウトを示した図である。
【図１０】[0018]  本発明の実施形態により基板上に非濡れ性材料を設けるために可能なレイアウトを示した図である。
【図１１】[0018]  本発明の実施形態により基板上に非濡れ性材料を設けるために可能なレイアウトを示した図である。
【図１２】[0019]  本発明の実施形態によりインプリント可能媒体および非濡れ性材料を設けた基板のインプリントを概略的に示した図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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