(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１以上のレチクル上に形成される少なくとも２つのパターンをそれぞれ、スリット長手方向に延びる断面形状を各々がもつ少なくとも２つのスリット照明ビームによって前記スリット長手方向に直交するスキャン方向に同時にスキャンすることを可能にする動きの範囲を有し、該範囲で該１以上のレチクルを制御するスキャニングステージと、
（ｂ）該１以上のレチクルに関連して位置付けられ、前記少なくとも２つのスリット照明ビームによる前記１以上のレチクル上の少なくとも２つの照射領域のイメージを射出ピューピルに、各イメージがその長手方向に垂直な方向に沿って並ぶよう作製し、該少なくとも２つのパターンに対応するイメージを同時に投影する投影光学系と、
（ｃ）該投影光学系に関連して位置付けられ、該投影光学系から同時に投影される該少なくとも２つのパターンに対応する該イメージを受け取る基板ステージと
を備えたリソグラフィックシステムであって、
（ｄ）前記少なくとも２つのパターンの少なくとも２つのイメージは、前記少なくとも２つのスリット照明ビームを前記少なくとも２つのパターンの異なる位置に同時に照射することにより前記射出ピューピルに作製される、前記異なる位置のそれぞれに対応する少なくとも２つのイメージであり、
（ｅ）該スキャニングステージが該少なくとも２つのパターンのスキャンを制御し、前記基板ステージがイメージ領域のスキャンを制御することにより、該基板ステージの該イメージ領域での露光の前に該イメージの投影を組み合わせることが必要とされないように該基板ステージ上のイメージ領域に該イメージのそれぞれを同時に投影して前記少なくとも２つのパターンへの１回のスキャニング動作で前記基板ステージに前記少なくとも２つのパターンを重ね合わせた１つのパターンを形成する、リソグラフィックシステム。
【請求項２】
前記基板ステージ上にあるキャリブレーション検出器であって、前記スキャニングステージから前記少なくとも２つのパターンに対応する前記イメージを受け取るキャリブレーション検出器をさらに備え、リアルタイムシステムキャリブレーションが得られる、請求項１に記載のリソグラフィックシステム。
【請求項３】
前記基板ステージは、少なくとも１つのレジスト被膜ウェハを含む、請求項１に記載のリソグラフィックシステム。
【請求項４】
前記１以上のレチクル上に形成される前記少なくとも２つのパターンに対応する前記イメージの少なくとも１つは、集積回路パターンのイメージを含む、請求項１に記載のリソグラフィックシステム。
【請求項５】
前記１以上のレチクル上に形成される前記少なくとも２つのパターンのうちの１つは、位相シフトパターンを含む、請求項１に記載のリソグラフィックシステム。
【請求項６】
前記スキャニングステージは、前記少なくとも２つのパターンに対応する前記イメージを独立に条件付けする１以上のピューピルフィルタを含む、請求項１に記載のリソグラフィックシステム。
【請求項７】
リソグラフィックシステムを使用して、少なくとも１つのレチクル上に形成される少なくとも２つのパターンからのイメージを利用して、基板ステージ上の領域を露光する方法であって、前記リソグラフィックシステムは、
１以上のレチクル上に形成される少なくとも２つのパターンをそれぞれ、スリット長手方向に延びる断面形状を各々がもつ少なくとも２つのスリット照明ビームによって前記スリット長手方向に直交するスキャン方向に同時にスキャンすることを可能にする動きの範囲を有し、該範囲で該１以上のレチクルを制御するスキャニングステージと、
該１以上のレチクルに関連して位置付けられ、前記少なくとも２つのスリット照明ビームによる前記１以上のレチクル上の少なくとも２つの照射領域のイメージを射出ピューピルに、各イメージがその長手方向に垂直な方向に沿って並ぶよう作製し、該少なくとも２つのパターンに対応するイメージを同時に投影する投影光学系と、
該投影光学系に関連して位置付けられ、該投影光学系から同時に投影される該少なくとも２つのパターンに対応する該イメージを受け取る基板ステージと、を備え、
該方法は、
ａ）該少なくとも１つのレチクルを含むスキャニングステージを位置付けることと、
ｂ）基板ステージ上に、投影光学系によって生じるイメージ領域を位置付けることと、
ｃ）該スキャニングステージが該少なくとも２つのパターンのスキャンを制御し、前記基板ステージが該イメージ領域のスキャンを制御することにより、該基板ステージの該イメージ領域での露光の前に該イメージの投影を組み合わせることが必要とされないように該基板ステージ上の該イメージ領域での該イメージのそれぞれを同時に投影して前記少なくとも２つのパターンへの１回のスキャニング動作で前記基板ステージに前記少なくとも２つのパターンを重ね合わせた１つのパターンを形成することと
を包含し、
前記少なくとも２つのパターンの少なくとも２つのイメージは、前記少なくとも２つのスリット照明ビームを前記少なくとも２つのパターンの異なる位置に同時に照射することにより前記射出ピューピルに作製される、前記異なる位置のそれぞれに対応する少なくとも２つのイメージである、方法。
【請求項８】
ｅ）前記基板ステージ上に位置付けられるレジスト被膜ウェハに露光することをさらに包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
スキャニングステップｃ）を提供することは、前記少なくとも２つのパターンに対応する前記イメージを独立に条件付けするステップをさらに包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも２つのパターンのうちの少なくも２つを提供することは、同じパターンである、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも２つのパターンのうちの少なくとも１つを提供することは、集積回路パターンを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも２つのパターンのうちの１つを提供することは、位相シフトパターンである、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の背景）
（発明の分野）
本発明は、フォトリソグラフィに関する。
（背景技術）
種々のフォトリソグラフィック技術あるいはマイクロリソグラフィック技術は、金属、絶縁体および半導体（すなわち、デバイス）の微細パターンの製造で利用される。フォトリソグラフィックプロセスあるいはマイクロリソグラフィックプロセスにおいて、レチクル上に含まれるパターン（例えば、回路パターン）は、ウェハ上に投影される（すなわち、イメージングされる）。ウェハは、一般にフォトレジスト基板であり、このフォトレジスト基板は、単数あるいは複数のデバイスを形成するために、さらに加工される。
【０００２】
細部の特徴を益々小さくすることが要求されるに従って、位相シフトレチクルの利用が増加している。位相シフトレチクルは、リソグラフィックシステムの解像度を効果的に増加させる位相シフト技術を利用するためには、一般に、始めに位相シフトレチクル、次にトリムレチクルを利用してウェハ上の同一の領域またはエリアに露光することが要求される。トリムレチクルは、インプリメンテイションに基づく位相シフトレチクルとは異なり得る。
【０００３】
この２ステップイメージングなどの技術は、位置調整問題を引き起こし得る。この２ステップイメージングのような技術はまた、システムの全体的なウェハ処理量を減少し得る（すなわち、ウェハ各々が２度露光される必要があるため、システムの動作は、スローになる。）。各レチクルは、所望のウェハ上で露光されるように設定されるため、精密位置調整プロセスは更なる時間を要し、しばしば効率が悪くなり、そして、システムの歩留まりを低下させる。
【０００４】
必要とされるのは、少なくとも２つの異なるレチクルを同時に利用して同じ領域に露光するための方法およびシステムである。さらに必要とされるのは、少なくとも２つの異なるレチクルを同時に利用して同じ領域に露光し、位置調整問題およびキャリブレーション問題を防ぎ得る方法およびシステムである。
（発明の要旨）
本発明は、上記要求を達成する方法およびシステムを提供する。本発明の方法およびシステムは、露光システムおよび／あるいはキャリブレーションシステムの投影光学系の射出ピューピルで並行して２つのレチクルイメージを作製する。
【０００５】
ある実施形態では、露光システムは、ステップ／スキャンウェハ露光システムである。そのような実施形態では、ウェハを露光中、露光ツールのスキャニング動作は、効果的に２つのイメージを重ね合わせる。次に、各イメージは、レチクルのスキャニングと同時にウェハがイメージ領域を通ってスキャンされるように、フォトレジストに露光される。言い換えれば、イメージスキャンは、２つの要求されるレチクルイメージが重ね合わされるように同時に行われる。本発明の更なる実施形態では、システムは、２つのイメージを個々にフォーカスし、最後に位置調整する。
【０００６】
本発明のある実施形態では、システムは、照射スリットの２つのイメージをスキャニングステージ上に備え付けられた２つの別個のレチクルから投影する。
【０００７】
他の実施形態では、システムは、照射スリットの２つのイメージをスキャニングステージ上に備え付けられた単一レチクル上の２つの別個の位置から投影する。
【０００８】
さらに、本発明の実施形態と、特徴と、利点ならびに本発明の種々の実施形態の構造と作用が、添付の図面を参照して以下に詳細に記載される。
【０００９】
本明細書に組み入れられ、本明細書の一部を成す添付の図面は、詳細な説明と共に本発明を説明し、さらに発明の原理を説明するために役立ち、当業者によって本発明が実施され得、利用され得る。
【００１０】
本発明は、添付の図面を参照して記載される。図面において、同様の参照番号は、同一の構成要素あるいは機能的に同様な構成要素を示す。さらに、参照番号の上一桁目は、その参照番号が最初に示された図面を示す。
【００１１】
（発明の詳細な説明）
本発明は、本明細書中で特定の用途に関する具体例を参照して記載されるが、本発明は、それらに限定されないことが理解されるべきである。本明細書中で提供される技術に関する当業者は、その技術の領域内の更なる変更、応用および実施形態ならびに本発明が有意に利用される更なる分野を認知する。
【００１２】
一対のレチクルの同時の露光
本発明は、リソグラフィックツール（本明細書では、システムとして参照される）の処理量を増加し、位置調整を向上するためのスキャニングステージおよび方法に関する。ある実施形態では、スキャニングステージは、少なくとも２つのレチクル、またはスキャニングステージ上に形成される２つのイメージパターンを有する単一のレチクルを含む。以後、本発明の説明では、簡潔のため、少なくとも２つのレチクルまたは２イメージアプローチを一対のレチクル（デュアルレチクル）と呼ぶが、同等の本発明の権利範囲を限定しない。本発明の実施形態において、スキャニングステージは、一対のレチクルの同一部分が同時にスキャンされ得るような動作範囲を有する。スキャニングステージは、一対のレチクルの各々のパターンを利用して領域に露光する。
【００１３】
本発明のある実施形態では、リソグラフィックツールは、ステップ／スキャンシステムである。本発明の他の実施形態では、リソグラフィックツールは、修正ステップ／繰り返しシステムであり、このシステムには、スキャニングは含まれ得ない。他の実施形態では、修正屈折ステップ／スキャンシステムである。
【００１４】
本発明の実施形態では、投影光学系は、屈折、反射またはカタジオプトリックであり得る。
【００１５】
当業者が、少なくとも本明細書の教示に基づいて認識するように、利用される任意の投影光学システムの構成は、この明細書の内容の応用に基づく。本発明に関して、本明細書で記載の実施形態は、カタジオプトリック投影光学システムを採用する。このことは、本発明の用途をカタジオプトリック投影光学システムに限定することを意図しない。当業者は、本明細書に開示の実施形態を検討後、本発明を実施する他のタイプの種々の投影光学システムを構築し得るであろう。
【００１６】
図１Ａは、本発明の実施形態における露光システムのブロック図である。システム１００は、範囲１１６に沿ってスキャン可能なスキャニングステージ１０３を含む。スキャニングステージ１０３は、一対のレチクル１０４ａと１０４ｂとを各々含む。システム１００は、光学要素１０６ａと第２光学要素１０６ｂとをまた含む。光学要素１０６ａと光学要素１０６ｂとは、フォーカシング、位置調整、およびオフセット調整機能を提供する。本発明のある実施形態において、光学要素１０６ａと光学要素１０６ｂとは、折りたたみ鏡であり得る。
【００１７】
システム１００は、第１光学中継器１０８ａと第２光学中継器１０８ｂとをさらに含む。第１光学中継器１０８ａと第２光学中継器１０８ｂとは、光学的に光学要素１０６ａと光学要素１０６ｂとの各々を中央プリズム１１０に結合する。本発明のある実施形態において、中央プリズム１１０は、入射ビーム１２８ａおよび入射ビーム１２８ｂを入射し、入射ビーム１２８ａおよび入射ビーム１２８ｂがビーム１３３ａおよびビーム１３３ｂとして投影光学系１１２に入射されるように形成された鏡であり得る。他の実施形態において、中央プリズム１１０は、ビームスプリッタまたはビームコンバイナであり得る。更なる実施形態において、中央プリズム１１０は、少なくとも中央プリズム１１０の一側面および／または表面に位相シフト特性を含み得る。
【００１８】
本発明によれば、ウェハ（図示されていないが、以下で記載の基板ステージ１１４上に位置している）は、同時に露光されるレチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂからのイメージを一度利用した露光順序を通過する。システムの処理量は、標準単一パス処理量レベルで効果的に維持され、結果的には、従来のシステムの２倍の処理量になる。ある実施形態において、本発明は、ステップ／スキャンシステムの光学系の射出ピューピルで並行に２つのイメージを作製する。露光ツールのスキャニング動作が、効果的に、ウェハの露光中、２つのイメージを重ね合わせる。各イメージは、ウェハのフォトレジストに露光するとともに、レチクルのスキャンを同時に利用して、イメージ領域を通って（すなわち、ウェハの表面領域は、スキャンされている）スキャンされる。ある実施形態によれば、イメージスキャンが同時に行われ、２つの必要なイメージが、重ね合わされる。
【００１９】
他の実施形態によれば、２つのイメージは、個々に、フォーカスされ、位置調整され得る。さらに他の実施形態によれば、２つのイメージの照射状態は個々に設定され、制御され得る。例えば、構成要素１０４ａ、１０６ａおよび１０８ａが、フォーカスされ、位置調整され得ると共に、構成要素１０４ｂ、１０６ｂおよび１０８ｂが、個々に制御（スキャン）され得、結果としてのイメージが、より正確に決定され得る。
【００２０】
ある実施形態によれば、図１Ａに示すように、リソグラフィックシステム１００は、スキャニングステージ１０３を含む。スキャニングステージ１０３は、レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂを各々調整して、制御する。さらに、スキャニングステージ１０３は、動作範囲１１６で、一対のレチクルを同時にスキャニング可能である。システム１００は、レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂの少なくとも部分的な一対のイメージ１３６ａおよびイメージ１３６ｂを同時に投影するように配置される投影光学系１１２をまた含む。システム１００は、射出ピューピル１３４で投影光学系１１２から投影された少なくとも２つのイメージ１３６ａとイメージ１３６ｂを受け取るように位置調整される基板ステージ１１４をまた含む。ある実施形態では、スキャニングステージは、基板ステージ上の領域に露光するためにその一対のレチクルの各々の少なくとも部分的な２つのイメージを位置付け可能である。
【００２１】
図１Ａで示すように、光学的に光学中継器１０８ａに位置調整され、次に光学的に中央プリズム１１０に位置調整されるレチクル１０４ａは、光学的に光学要素１０６ａに位置調整される。レチクル１０４ａと同様に、レチクル１０４ｂもまた、光学的に光学要素１０６ｂに位置調整され、光学的に光学中継器１０８ｂに位置調整され、次に光学的に中央プリズム１１０に位置調整される。本発明のシステム１００の光学要素の各々は、個々に、または連帯して位置調整され得ることが留意される。
【００２２】
中間イメージ面１３２は、中央プリズム１１０と投影光学系１１２との間で定義される。他の実施形態（図示せず）では、中間イメージ面１３２は、光学中継器１０８と中央プリズム１１０との間に位置付けられ、また、光学中継器１０８および／または中央プリズム１１０の両側に位置付けられる。中間イメージ面１３２は、システム１００の位置調整演算、フォーカシング演算およびオフセット演算に関する基準を提供する。システム１００の射出ピューピル１３４によって、基板ステージ１１４にエネルギーが放出され得る。基板ステージ１１４は、１以上のウェハを含み得、範囲１１８に沿って、スキャニング可能である。
【００２３】
レチクル１０４ａとレチクル１０４ｂとは、各々、照射源によって、露光され得る。好適な実施形態において、照射源は、「スリット」の形状で開口を有する各レチクルに衝突する。照射スリットの製造は、本発明の範囲外である。システム１００のレチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂからのスリットの照射は、各々イメージ１２４ａおよびイメージ１２４ｂを提供する。既に述べたように、一対のレチクルイメージは、システム１００の構成要素各々に含まれる。図１Ａで示されたように、イメージは、システム１００の各要素を通過する。ビーム１２４ａの光線は、レチクル１０４ａから光学要素１０６ａへ伝わる。光学要素１０６ａで、ビーム１２４ａは、ビーム１２６ａとして光学中継器１０８ａへ再位置調整される。光学中継器１０８ａは、ビーム１２６ａをビーム１２８ａとして中央プリズム１１０に通過するように位置調整さする。ビーム１２４ｂ、ビーム１２６ｂおよびビーム１２８ｂに関して、同様のビーム経路が続く。
【００２４】
本発明の実施形態に関して、システム１００は、スキャニングステージ１０３上に取り付けられたレチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂ各々から形成されたイメージ１２４ａおよびイメージ１２４ｂのイメージを加工する。他の実施形態において、少なくとも２つのイメージは、同じレチクル上で少なくとも２つの別個のパターンから形成される。
【００２５】
ある実施形態では、ビーム１２４ａおよびビーム１２４ｂのイメージの微細な位置調整および位置付けは、システムの端部の基板ステージ１１４上で、自動キャリブレーション領域検出器１４０を利用して達成される。そのような実施形態では、イメージの位置調整は、レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂ上で、位置調整マークを利用してモニタされる。
【００２６】
本発明の実施形態によれば、図１Ｂは、ピューピルフィルタを利用した露光システムのブロック図を示す。図１Ｂでは、第１光学中継器１０８ａおよび第２光学中継器１０８ｂが、第１ピューピルフィルタ１０８ｃおよび第２ピューピルフィルタ１０８ｄに各々置き換えられ、図１Ｂで示される。実施形態によれば、ピューピルフィルタ１０８ｃおよびピューピルフィルタ１０８ｄは、入射ビームの条件に合わせて開口を収縮させ得られる。例えば、ピューピルフィルタは、入射ビームのフォーカスおよび強度を変更し得る。ピューピルフィルタは、ビーム１２６ａおよびビーム１２６ｂのような入射ビームの各チャネルを個々に調整するために利用され得る。
【００２７】
図１Ｃは、本発明の実施形態におけるピューピルフィルタおよび光学中継器の双方を利用する露光システムのブロック図を示す。図１Ｃにおいて、第１組合せ構成要素１０８ｅおよび第２組合せ構成要素１０８ｆが、図１Ａの光学中継器１０８ａおよび光学中継器１０８ｂから置き換わる。ある実施形態では、構成要素１０８ｅおよび構成要素１０８ｆは、光学中継器（例えば、１０８ａ）とピューピルフィルタ（例えば、１０８ｃ）との双方の機能を含む。
【００２８】
図１Ｄは、本発明の他の実施形態におけるピューピルフィルタおよび光学中継器の双方を利用した露光システムのブロック図を示す。図１Ｄでは、図１Ｃの露光システムの投影光学系および射出イメージ面をさらに詳細に図示している。図１Ｄを参照して、投影光学系１１２は、ビーム条件付けおよび初期縮小を鏡要素１１２ｂへ提供する第１光学ブロック１１２ａを含む。鏡要素１１２ｂは、光学ブロック１１２ｃにビームを提供する。ここで、ブロック１１２ｃは、射出面１３４へビームの最終の縮小を提供する。射出面１３４は、図２および図３に、さらに記載されている。
【００２９】
図２は、本発明のある実施形態におけるパターンマッチング加工のブロック図を示す。ある実施形態では、射出ピューピル１３４の光学系は、レチクルイメージ双方の照射領域の各々のイメージ１３６ａおよびイメージ１３６ｂを並行して生成する。これらの実施形態において、ステップ／スキャンシステムのスキャニング動作は、基板ステージ１１４のイメージ領域での一対のレチクルイメージの重ね合わせとなる。
【００３０】
図３で示すように、本発明のある実施形態における投影光学系の射出ピューピルのブロック図が示される。２つのレチクル間のパターンマッチングの目的上、一対のレチクル上の照射位置間のオフセットによって、射出ピューピルのイメージの位置変位が可能となる。レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂは、図３の「ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫ」のようなパターンを有する。このパターンは、例示目的である。これらのパターンは、射出ピューピル１３４で目視可能となり、基板ステージ１１４にパターンの重ね合わせを指し示す。
【００３１】
ある実施形態では、２つのレチクルは同一である。そのような実施形態では、イメージの位置のオフセットは、露光光学系の縮小率によって増加した射出ピューピルのイメージスリットのオフセットと同等である。特に、レチクル１０４ａとレチクル１０４ｂは、射出ピューピル１３４でイメージ付けされ、このイメージは、基板ステージ１１４上に露光される。各照射スリットで照射強度を調整することで、各レチクルに伝わる露光が個々に制御され得る。
【００３２】
本発明のある実施形態では、レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂの各々の少なくとも部分的なイメージは、レチクル１０４ａおよびレチクル１０４ｂの１つの異なった位置からのイメージである。
【００３３】
すでに述べたように、キャリブレーション検出器１４０は、基板ステージ１１４で利用され、スキャニングステージ１０３からイメージを受け取る。キャリブレーション検出器１４０によって、リアルタイムシステムは、スキャニングステージ１０３と基板ステージ１１４との間のキャリブレーションを可能とする。
【００３４】
本発明のある実施形態では、基板ステージ１１４は、レジスト被膜ウェハなどの少なくとも１つの基板、あるいは少なくとも１つのフラットパネルディスプレイを含む。
【００３５】
本発明のある実施形態では、一対のレチクルは、集積回路のイメージを含む。
【００３６】
さらなる本発明のある実施形態では、一対のレチクルの１つは、そのレチクルから照射されたイメージを位相シフトするために利用される位相シフトレチクルである。
【００３７】
図４は、本発明のある実施形態における露光方法のフロー図である。一対のレチクル１０４ａおよび１０４ｂからのイメージを利用して基板ステージの領域に露光する手順は、ステップ４０２で始まり、すぐにステップ４０６に進む。
【００３８】
ステップ４０６では、システム１００は、１つ以上のレチクルを含むスキャニングステージの位置を合わせる。システムは、ステップ４０８に進む。他の実施形態では、ステップ４０６の後、ステップ４０８の前に、システム１００は、１以上のレチクルから入射されたビームを調整する。実施形態において、システム１００は、ピューピルフィルタを利用してビームを調整する。
【００３９】
ステップ４０８では、システム１００は、基板ステージ上でイメージ領域の位置を合わせる。基板ステージは、ウェハなどの基板を含む。システムは、ステップ４１０に進む。
【００４０】
ステップ４１０では、システム１００は、１つ以上のレチクルのイメージをスキャニングし、基板ステージでイメージ領域に露光する。本発明のある実施形態では、領域が、一対のレチクル各々からの少なくとも２つのイメージを利用して同時に露光される。任意的に、システムは、ステップ４１２に進む。
【００４１】
任意のステップ４１２では、本発明のある実施形態において、システム１００は、領域のイメージを基板ステージ上に重ね合わせ得る。手順４００は、ステップ４１４に進み、終了する。または、手順４００は、点線の矢印４１６によって描かれているようにステップ４１４からステップ４０２までを繰り返し得る。
【００４２】
図５は、ダブル露光技術を示す。図５に示されるように、一般に、ダブル露光技術は、位相境界で隙間が残り、本明細書の他の部分で述べられたように、問題であり得る。図５は、このことが問題であることを例示する。図５では、位相０マスク５０４と位相１８０マスク５０８は、位相境界５０６を残す。プリントでは、これは、隙間５１０になる。
【００４３】
図６は、本発明の実施形態におけるダブル露光技術を示し、１つ以上のレチクルからの追加のイメージ（いわゆるプラグ／トリムマスク）が、向上された全体のパターンを提供する。図６を参照して、パターンＡは、位相０マスク６０４と位相１８０マスク６０８とを含む。追加のプラグ／トリムパターン６１２は、隙間５１０を被ることのない高解像度パターン６１０を提供する。
【００４４】
図７は、Ｕイメージプリンティングに関するダブル露光を利用するプラグ／トリムマスク／レチクル技術を示す。図７は、図６で述べられたプラグパターンを利用して効果的に追加のイメージを露光した２つの写真を含む。プラグを利用しないパターン７０４とトリムを利用したパターン７０６との違いを示している。
【００４５】
図８は、位相エッジ除去に関するプラグ／トリムマスク第２露光技術を示す。図８では、位相エッジは、図６で述べられたようにプラグパターンの利用によって除去される。位相エッジ８０４は、除去なしを示し、位相エッジ８０６は、本発明の実施形態によるプラグマスク露光によって除去された後を示す。
【００４６】
結論
本発明の特定の実施形態が上述される一方で、これらは、例示された方法によってのみ、しかし限定されることなく提示されることが理解される。他の実施形態も可能であり、これらは本発明の範囲内に含まれる。このような実施形態は、本明細書中に含まれる教示に基づいて当業者に明らかである。従って、本発明の範囲は、上述のいずれの例示的な実施形態によって限定されるべきではなく、上記の特許請求の範囲およびその均等物によってのみ限定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】    図１Ａは、本発明の実施形態における光学中継器を利用した露光システムのブロック図である。
【図１Ｂ】    図１Ｂは、本発明の実施形態におけるピューピルフィルタを利用した露光システムのブロック図である。
【図１Ｃ】    図１Ｃは、本発明の実施形態におけるピューピルフィルタおよび光学中継器の双方を利用した露光システムのブロック図である。
【図１Ｄ】    図１Ｄは、本発明の他の実施形態におけるピューピルフィルタおよび光学中継器の双方を利用した露光システムのブロック図である。
【図２】  図２は、本発明のある実施形態における露光光学系の射出ピューピルのブロック図である。
【図３】  図３は、本発明のある実施形態におけるパターンマッチングプロセスのブロック図である。
【図４】  図４は、本発明のある実施形態における露光方法のフロー図である。
【図５】  図５は、ダブル露光技術を示す図である。
【図６】  図６は、本発明の実施形態におけるダブル露光技術を示す図である。
【図７】  図７は、本発明のある実施形態におけるＵイメージプリンティングに関するダブル露光を利用したプラグ／トリムマスク／レチクル技術を示す図である。
【図８】  図８は、本発明のある実施形態における位相エッジ除去に関するプラグ／トリムマスク第２露光技術を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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