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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式１で表される光学活性化合物。
Ｒ１−Ａ１−ＣＨＸ−Ｙ−Ａ２−（Ａ３）ｍ−Ｒ２  ・・・式１
ただし、式１中の記号は、以下の意味を示す。
Ａ１  ：非置換の１，４−フェニレン基。
Ａ２  、Ａ３  ：相互に独立して、非置換の１，４−フェニレン基、１個以上のハロゲン原子が置換した１，４−フェニレン基、非置換のトランス−１，  ４−シクロヘキシレン基、または１個以上のハロゲン原子が置換したトランス−１，  ４−シクロヘキシレン基。
Ｒ１  、Ｒ２  ：炭素数１〜１０の１価脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１０のフッ素化１価脂肪族炭化水素基、水素原子、ハロゲン原子、またはシアノ基であり、炭素数１〜１０の１価脂肪族炭化水素基または炭素数１〜１０のフッ素化１価脂肪族炭化水素基である場合には、該基中の炭素−炭素結合間にエーテル性の酸素原子が挿入されていてもよく、該基と、Ａ１  またはＡ３  とを連結する炭素−炭素結合間にエーテル性の酸素原子が挿入されていてもよく、該基中の−ＣＨ２  −部分がカルボニル基に置換されていてもよい。
Ｘ：−ＣＨ３  または−ＣＦ３  。
Ｙ：−ＣＯＯ−、−ＣＨ２  ＣＯＯ−、−ＣＨ２  Ｏ−、または−ＣＨ２  ＣＨ２  Ｏ−。
ｍ：０または１。
【請求項２】
Ａ２  が非置換の１，４−フェニレン基または１個以上のハロゲン原子が置換した１，４−フェニレン基であり、かつ、ｍが０である請求項１に記載の光学活性化合物。
【請求項３】
Ａ２  およびＡ３  が、それぞれ、非置換の１，４−フェニレン基または１個以上のハロゲン原子が置換した１，４−フェニレン基であり、かつｍが１である請求項１に記載の光学活性化合物。
【請求項４】
請求項１、２または３に記載の光学活性化合物を含む液晶組成物。
【請求項５】
液晶組成物中に請求項１、２または３に記載の光学活性化合物を０．１〜１０重量％含む液晶組成物。
【請求項６】
請求項４または５に記載の液晶組成物を用いた液晶電気表示素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、Ｙは、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２  ＣＯＯ−、−ＣＨ２  Ｏ−、または−ＣＨ２  ＣＨ２  Ｏ−を示し、これらの向きは記載したとおり、すなわち、左側が−ＣＨＸ−であり、右側がＡ２  である向き、である。
ｍは０または１であり、０である場合にはＡ２  とＲ２  とは直接結合していることを意味する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
まず、環の数が２個の化合物について説明する。
環の数が２個の化合物としては、下式２で表される化合物である。ただし、式２中のＲ１  、Ａ１  、Ｘ、Ｙ、Ａ２  、Ｒ２  は、式１における意味と同じ意味を示す。
Ｒ１−Ａ１−ＣＨＸ−Ｙ−Ａ２−Ｒ２  ・・・式２


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
式２で表される化合物のうち、本発明においては、Ａ２  が非置換の１，４−フェニレン基または１個以上のハロゲン原子が置換した１，４−フェニレン基である場合の下式４で表される化合物が好ましい。ただし、式４中のＲ１  、Ｘ、Ｙ、Ｒ２  は、式１における意味と同じ意味を示し、Ｐｈ１  は非置換の１，４−フェニレン基を示し、Ｐｈ２  は、非置換の１，４−フェニレン基または１個以上のハロゲン原子が置換した１，４−フェニレン基を示す。Ｘ１  はハロゲン原子、ｎは０〜４の整数を示す。
Ｒ１−Ｐｈ１−ＣＨＸ−Ｙ−Ｐｈ２−Ｒ２  ・・・式４


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
方法１は、光学活性カルボン酸（式Ａ）を塩化チオニルで酸クロリド化し、さらにフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）と反応させて目的化合物を得る方法である。光学活性カルボン酸（式Ａ）の酸クロリド化反応、および、光学活性酸クロリド化合物（式Ｂ）とフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）との反応において、それぞれ式中の不斉炭素原子の絶対配置は保持される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
方法２は、光学活性カルボン酸（式Ａ）をＬｉＡｌＨ４  にて還元して光学活性アルコール化合物（式Ｄ）とし、次にこれを塩化パラトルエンスルホニルによってトシル化（Ｔｓはトシル基を示す。）し、これとフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）と反応させ目的化合物を得る方法である。光学活性カルボン酸（式Ａ）の還元反応および光学活性アルコール化合物（式Ｄ）のトシル化反応および光学活性トシレート化合物（式Ｅ）とフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）との反応において、それぞれ式中の不斉炭素原子の絶対配置は保持される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
方法４は、光学活性カルボン酸（式Ｆ）をＬｉＡｌＨ４にて還元して光学活性アルコール化合物（式Ｈ）とし、次にこれを塩化パラトルエンスルホニルによってトシル化し、これとフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）と反応させ目的化合物を得る方法である。光学活性カルボン酸（式Ｆ）の還元反応および光学活性アルコール化合物（式Ｈ）のトシル化反応および光学活性トシレート化合物（式Ｉ）とフェノール類またはアルコール類（式Ｃ）との反応において、それぞれ式中の不斉炭素原子の絶対配置は保持される。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
他の材料として挙げた上記化合物は単なる例示であり、該化合物の環構造を、シクロヘキサン環またはベンゼン環等の他の六員環、ピリジン環またはジオキサン環等の他の六員環に置換してもよく、また、化合物の末端水素原子をハロゲン原子、シアノ基、メチル基等に置換してもよく、また、環と環の間の結合基を他の結合基に変更してもよい。これらは所望の性能に合わせて適宜変更されうる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月3日(2003.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
ｐＨが９乃至１１の範囲内である、請求項１、２または３のいずれかに記載の軽金属用洗浄剤組成物の水溶液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１の軽金属用洗浄剤組成物を泡洗浄に適用することを特徴とする軽金属の洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月3日(2003.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１または２のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いることを特徴とする衣料の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明によれば、一般式
【化５】
1998251696.tif 000001
（ただし、式中、Ｒは炭素数８乃至１６のアルキル基、ｎは１．２乃至１．８の数を表す。）を有するアルキルポリグリコシドと、一般式
【化６】
1998251696.tif 000002
（ただし、式中Ｍｅはナトリウム、カリウムまたはアルカノールアミンを表す。）を有するグルタミン酸イミノ二酢酸アルカリ塩とを含有してなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月11日(2003.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
1998251374.tif 000001
（式中、Ｇはグリシジル基を示す。複数存在するＲは独立して水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。複数存在するＸは独立して酸素原子または硫黄原子を示す。複数存在するＱは独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｎは平均値であり、１〜１５の実数を示す。複数存在するｙは独立して１〜２の整数を示す。複数存在するｉは独立して１〜６の整数を示す。複数存在するｊは独立して１〜３の整数を示す。）で表されるエポキシ樹脂。
【請求項２】
式（２）
【化２】
1998251374.tif 000002
（式中、Ｇはグリシジル基を示す。複数存在するＲは独立して水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。Ｘは酸素原子または硫黄原子を示す。複数存在するＱは独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｍは平均値であり、０．０３〜０．０８の実数を示す。複数存在するｈは独立して１〜４の整数を示す。複数存在するｊは独立して１〜３の整数を示す。）で表されるエポキシ樹脂。
【請求項３】
請求項１または２記載のエポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項３記載のエポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
【請求項５】
請求項３記載のエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置。
【請求項６】
フェノール類と下記式（４）
1998251374.tif 000003
（式中、Ｘは酸素原子または硫黄原子を示す。複数存在するＱは独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｊは１〜３の整数を示す）で表される化合物を縮重合し、下記式（３）
1998251374.tif 000004
（式中、複数存在するＲは独立して水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示す。複数存在するＸは独立して酸素原子、硫黄原子を示す。複数存在するＱは独立して水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示す。ｎは平均値であり、１〜１５の実数を示す。複数存在するｙは独立して１〜２の整数を示す。複数存在するｉは独立して１〜６の整数を示す。複数存在するｊは独立して１〜３の整数を示す。）で表される化合物を調整し、これとエピハロヒドリン類を反応させることを特徴とするエポキシ樹脂の製造方法。
【請求項７】
式（３）におけるｎが１の化合物を使用する請求項６記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被めっき物を還元型無電解金めっき液に浸漬した状態で、該被めっき物の表面に気泡を当てつつ金めっきを行うとともに、
前記めっき液中に浸漬する被めっき物の面積は、めっき液１リットルに対して０．３〜３．０ｄｍ2であることを特徴とする還元型無電解金めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載の還元型無電解金めっき方法を実施するための装置において、
還元型無電解金めっき液を入れためっき槽と、
複数の気孔を有し前記めっき槽の下方に配設された散気管と、
前記散気管に気体を送り込む送気装置と
を備えたことを特徴とする還元型無電解金めっき装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態、及び発明の効果】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は、還元型無電解金めっき方法であり、被めっき物を還元型無電解金めっき液に浸漬した状態で、該被めっき物の表面に気泡を当てつつ金めっきを行うとともに、前記めっき液中に浸漬する被めっき物の面積は、めっき液１リットルに対して０．３〜３．０ｄｍ2であることを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような作用を効率的に果たすためには、気泡はできるだけ微小であることが好ましい。微小な気泡を発生させるには、例えば、気孔を通して還元型無電解金めっき液にバブリングしてもよく、その場合、気孔径は２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。気孔径が２０μｍを超える場合であっても過剰な金析出反応を抑制する効果は得られるがその効果の度合いが十分でない場合があるため、気孔径は２０μｍ以下であることが好ましく、更に効果を際立って顕著に得るためには気孔径が１０μｍ以下であることが好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、気泡が酸素を含有している（例えば空気など）場合には、上記作用に加えてめっき液中に溶存酸素を供給することにより還元剤の自己分解を防ぐという作用も奏するため、好ましい。尚、溶存酸素の供給効率を考慮すれば、気泡はできるだけ微小であることが好ましく、上記と同様、気孔径が２０μｍ以下、特に１０μｍ以下の気孔を通じて生成される気泡であることが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の還元型無電解金めっき方法を実施するための還元型無電解金めっき装置であり、還元型無電解金めっき液を入れためっき槽と、複数の気孔を有し前記めっき槽の下方に配設された散気管と、前記散気管に気体を送り込む送気装置とを備えたことを特徴とする。この装置は、上述の還元型無電解金めっき方法を実施するうえで適するものである。この装置の使用法は、被めっき物をめっき槽内の還元型無電解めっき液に例えば上から懸架することにより浸漬した状態で、ポンプ等の送気装置によりめっき槽の下方に配設された散気管に気体を送り込む。この散気管へ送り込まれた気体は、散気管の複数の気孔を介してめっき液中にバブリングされて気泡となる。この気泡はめっき液中を下方から上方へと浮遊していき、懸架された被めっき物の表面に当たる。すると、被めっき物の表面に当たる気泡は、上述した通り、金析出反応により発生する水素ガスを効率よく被めっき物表面から排除するため、被めっき物の表面で還元雰囲気が加速されることはなく、過剰な金析出反応が抑制される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、気孔径は上述した理由からできるだけ微小であることが好ましく、例えば、２０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。また、気体が酸素を含有している場合、めっき液中に溶存酸素を供給することにより還元剤の自己分解を防ぐので好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式の化合物であって、
【化１】
1998251228.tif 000001
ここで、各ｉおよびｊが、１および２からなる群より独立して選択され；
各ｎが、０、１、２および３からなる群より独立して選択され；そして各ｎ’が、１、２および３からなる群より独立して選択され；
ここで、ＡおよびＡ’は一緒になって＝Ｏ、＝Ｓ；または＝Ｎ−Ｒ４であり；ＸがＯ、ＣＯ、Ｃ（Ｒ，Ｒ１）、Ｃ＝Ｃ（Ｒ１，Ｒ８）、ＮＲ１、およびＳ（Ｏ）ｅ（ここで、ｅは０、１、または２である）からなる群より選択され；
ＲがＨ、ＯＲ８、ＣＯＮ（Ｒ８）２、ＣＮ、Ｓ（Ｏ）ｅＲ８、ＳＯｅＮ（Ｒ８）２、ＣＯ２Ｒ８、およびＮＲ４ＣＯＲ８からなる群より選択され；
Ｒ１が、Ｈ、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、（Ｃ３−Ｃ８）−シクロ−アルキル、
【化２】
1998251228.tif 000002
からなる群より選択され；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６およびＲ７は、Ｈ、ハロゲン、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、ＯＲ８、ＣＯＲ８、ＣＯ２Ｒ８、ＣＯＮ（Ｒ８，Ｒ８）、Ｎ（Ｒ８，Ｒ８）、Ｎ（Ｒ８）ＣＯＲ８、Ｓ（Ｏ）ｅＲ８、ＯＣ（Ｏ）Ｒ４、ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ８，Ｒ４）、ＮＲ８ＣＯ２Ｒ４、ＮＲ８（ＣＯ）Ｎ（Ｒ８，Ｒ８）、Ｒ１５−フェニル、Ｒ１５−ベンジル、ＮＯ２、ＮＲ８ＳＯ２Ｒ４、−Ｓ（Ｏ）２Ｎ（Ｒ８）２からなる群より独立して選択され、もしくはＲ２およびＲ３、またはＲ５、Ｒ６およびＲ７のうちのいずれか２つが隣接した炭素上にある場合、これらは−Ｏ−ＣＨ２−Ｏ−基を形成し得；
各Ｒ４が、アルキル、置換されたアルキル、および置換されたベンジルからなる群より独立して選択され；
各Ｒ８が、Ｈ、アルキル、置換されたアルキル、Ｒ１５−フェニル、および置換されたベンジルからなる群より独立して選択され；
各Ｒ１５が、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシからなる群より独立して選択され；
そして
Ｕが、
【化３】
1998251228.tif 000003
であり；
ｎ”が、０、１、２および３からなる群より独立して選択され；
破線は、任意の炭素−炭素結合であり；
Ｒ１６が、Ｈ、（Ｃ１−Ｃ６）−アルキル、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ４、ＣＯＲ８、ＣＯ２Ｒ４であり、ここでＲ４は、Ｈ、ＣＯＮ（Ｒ８）２、Ｒ１５−フェニル、およびＲ１５−ベンジルのいずれでもなく；
ここで「置換された」は、Ｈ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、ＯＣＦ３、ＣＦ３、およびＣ２Ｆ５からなる群より選択される置換基により置換されることを意味する、化合物。
【請求項２】
【化４】
1998251228.tif 000004
1998251228.tif 000005
1998251228.tif 000006
1998251228.tif 000007
1998251228.tif 000008
からなる群より選択される、請求項１に記載の化合物、またはその薬学的に受容可能な塩。
【請求項３】
ニューロキニン拮抗に有効な量の請求項１に記載の化合物、および薬学的に受容可能なキャリア物質を含有する、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
日時を計時するタイマ管理部と、
半導体製造装置から送信される装置の情報を、装置が半導体を生産していることを示す「生産時間」か、生産をしていない「非計画時間」か、装置が故障中又は停止中であることを示す「ダウンタイム」かに分別し、１日ごとに装置がそれぞれの状態にある時間を前記タイマ管理部から入力される日時を利用して計時し、故障が起きた回数と装置がダウンした回数とをカウントする装置データ収集部と、
前記計時された時間と、カウントされた回数とを格納する装置データ・入力データ格納メモリと、
前記装置データ・入力データ格納メモリに格納されている情報に基いて、MTBF、MTTR、MTOL、装置稼動利用性、装置総合利用性の内少なくとも一つを計算によって求める画面制御部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置の制御装置。
【請求項２】
半導体を生産していることを示す「生産時間」か、生産をしていない「非計画時間」か、装置が故障中又は停止中であることを示す「ダウンタイム」かに分別する装置の情報を前記装置データ収集部に送信する請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
半導体製造装置から送信される装置の情報を、装置データ収集部により装置が半導体を生産していることを示す「生産時間」か、生産をしていない「非計画時間」か、装置が故障中又は停止中であることを示す「ダウンタイム」かに分別し、１日ごとに装置がそれぞれの状態にある時間を計時し、故障が起きた回数と装置がダウンした回数とをカウントし、
前記計時された時間と、カウントされた回数に基いて、、MTBF、MTTR、MTOL、装置稼動利用性、装置総合利用性の内少なくとも一つを求めるようにした半導体製造装置の装置性能の計算方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月25日(2003.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層と上層配線と、これらを分離するとともに、該上層配線を形成する配線溝および該上層配線を下層と連結する接続孔を有する層間絶縁膜とからなる半導体装置の配線形成方法において、
前記層間絶縁膜に対し、前記下層への接続孔形成以前に前記配線溝を形成する工程と、該配線溝の形成された層間絶縁膜上に第１の配線材料を堆積する工程と、
該第１の配線材料と層間絶縁膜を一貫して抜いて、前記下層への接続孔を形成する工程と、
該接続孔内に第２の配線材料を埋め込む工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
【請求項２】
請求項１において、前記配線溝の断面テーパ角を、６０°以上９０°未満としたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記接続孔内に配線材料を埋め込む際に、該接続孔の形成後に該接続孔上部を前記第２の配線材料で閉塞し、その後、加温、加圧することにより、該接続孔内に該第２の配線材料を埋め込むようにしたことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下層と上層配線と、これらを分離するとともに、該上層配線を形成する配線溝および該上層配線を下層と連結する接続孔を有する層間絶縁膜とからなる半導体装置の配線形成方法において、前記層間絶縁膜に対し、前記下層への接続孔形成以前に前記配線溝を形成する工程と、該配線溝の形成された層間絶縁膜上に第１の配線材料を堆積する工程と、該第１の配線材料と層間絶縁膜を一貫して抜いて、前記下層への接続孔を形成する工程と、該接続孔内に第２の配線材料を埋め込む工程と、を含むことにより、前記課題を解決したものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
又、前記接続孔内に配線材料を埋め込む際に、該接続孔の形成後に該接続孔上部を前記第２の配線材料で閉塞し、その後、加温、加圧することにより、該接続孔内に該第２の配線材料を埋め込むようにして、配線材料が容易に埋め込まれるようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板装填位置を有するボートに処理対象の基板とダミー基板とを装填し、前記ボートを反応管内に導入して処理を施す基板処理装置において、
処置対象の基板とダミー基板とを格納する基板ストッカと、
前記基板装填位置に対して前記処理対象の基板又はダミー基板を装填する際の優先順序情報を格納する記憶手段と、
前記基板ストッカに格納された処理対象の基板の格納状況を検知する検知手段と、
前記基板の格納状況と前記優先順序情報とに基いて移載パラメータを作成するパラメータ作成手段と、
前記移載パラメータに基いて基板をボートへ移載する移載手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記優先順序情報とは、前記各基板装填位置に対して、前記反応管上部及び反応管下部の位置に集中させてダミー基板を装填するという優先順序であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数の基板装填位置を有するボートに処理対象の基板とダミー基板とを装填し、前記ボートを反応管内に導入して処理を施す基板処理装置において、
前記基板装填位置に対して前記処理対象の基板又はダミー基板を装填する際の優先順序情報に基いて、処理対象の基板とダミー基板とを装填するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
複数の基板装填位置を有するボートに処理対象の基板とダミー基板とを装填し、前記ボートを反応管内に導入して処理を施す基板処理装置において、
ボートの基板装填位置に装填できる枚数の基板を収容できるカセット数よりも処理対象のカセットの数が少ない場合に、
ボートの基板装填位置をカセットに収容できる基板枚数を単位として分けた各領域の内、最上部又は最下部の領域をダミー基板優先領域とするようにした基板処理方法。
【請求項５】
複数の基板装填位置を有するボートに処理対象の基板とダミー基板とを装填し、前記ボートを反応管内に導入して処理を施す基板処理装置において、
処理対象の基板を収容しており、かつ空きの基板収容位置をもつカセット内からボートへ前記処理対象の基板を移載する際に、
前記処理対象の基板はボートの中央部に集中させて装填し、
前記カセット内で処理対象の基板が欠けていた分についてはダミー基板をボートの上部または下部に集中させて装填する様にしたことを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜素子の転写方法，薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法であって、
前記基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、
前記薄膜素子を含む被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する工程と、
前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および／または界面において剥離を生じせしめる工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は透光性の基板であり、
前記分離層への前記光の照射は、前記透光性の基板を介して行われることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記転写体に付着している前記分離層を除去する工程を、さらに有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかにおいて、
前記転写体は、透明基板であることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、
前記転写体は、被転写層の形成の際の最高温度をＴmaxとしたとき、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点が前記Ｔmax以下の材料で構成されていることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項４のいずれかにおいて、
前記転写体は、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点が、前記薄膜素子の形成プロセスの最高温度以下であることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかにおいて、
前記転写体は、合成樹脂またはガラス材で構成されていることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかにおいて、
前記基板は、耐熱性を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかにおいて、
前記基板は３１０ｎｍの光を１０％以上透過する基板であることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれかにおいて、
前記基板は、被転写層の形成の際の最高温度をＴmaxとしたとき、歪み点が前記Ｔmax以上の材料で構成されていることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記分離層は、アモルファスシリコンで構成されていることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記アモルファスシリコンは、水素（Ｈ）を２原子％以上含有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記アモルファスシリコンは、水素（Ｈ）を１０原子％以上含有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記分離層が窒化シリコンからなることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記分離層が水素含有合金からなることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記分離層が窒素含有金属合金からなることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１０のいずれかにおいて、
前記分離層は、セラミックス，金属，有機高分子材料の少なくとも一種から構成されていることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１８】
請求項１〜請求項１７のいずれかにおいて、
前記光はレーザー光であることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記レーザー光の波長が、１００ｎｍ〜３５０ｎｍであることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項２０】
請求項１８において、
前記レーザー光の波長が、３５０ｎｍ〜１２００ｎｍであることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項２１】
請求項１〜請求項２０のいずれかにおいて、
前記薄膜素子は薄膜トランジスタであることを特徴とする薄膜素子の転写方法。
【請求項２２】
請求項１〜請求項２１のいずれかに記載の転写方法を用いて前記転写体に転写された薄膜素子を含んで構成される薄膜集積回路装置。
【請求項２３】
マトリクス状に配置された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタの一端に接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板であって、
請求項１〜請求項２１のいずれかに記載の方法を用いて前記画素部の薄膜トランジスタを転写することにより製造されたアクティブマトリクス基板。
【請求項２４】
請求項２３に記載のアクティブマトリクス基板を用いて製造された液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより島状の結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記島状の結晶性珪素膜中の前記金属元素をゲッタリング除去し、
前記第２の加熱処理によって形成された酸化膜を除去し、
第３の加熱処理によってゲイト絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を、前記基体と概略平行な針状または柱状結晶が複数集合して形成された結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより島状の結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記島状の結晶性珪素膜中の前記金属元素をゲッタリング除去し、
前記第２の加熱処理によって形成された酸化膜を除去し、
第３の加熱処理によってゲイト絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより島状の結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記島状の結晶性珪素膜中の前記金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、
前記非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する金属元素を選択的に保持させ、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を、前記基体と概略平行な針状または柱状結晶が複数集合して形成された結晶性珪素膜にし、
前記マスク絶縁膜を除去し、
パターニングにより島状の結晶性珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより前記島状の結晶性珪素膜中の前記金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置に作製方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、
前記非晶質珪素膜の成膜方法は減圧熱ＣＶＤ法によることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項において、
結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか一項において、
ハロゲン元素を含む雰囲気は酸素雰囲気中にＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、ＣｌＦ3、ＢＣｌ3、ＮＦ3、Ｆ2、Ｂｒ2を含む化合物から選ばれた一種または複数種類のガスが添加されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか一項において、
第１の加熱処理は４５０〜７００℃の温度範囲で行われ、
第２または第３の加熱処理は７００℃を超える温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、
前記活性層表面に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、を有する絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記活性層中には結晶化を助長する金属元素が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の平均濃度で存在し、
前記半導体装置の電気特性を表すＳ値の標準偏差がＮチャネル型で１０ｍＶ／ｄｅｃ以内および／またはＰチャネル型で１５ｍＶ／ｄｅｃ以内に収まることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、
前記活性層表面に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、を有する絶縁ゲイト型の半導体装置であって、
前記活性層中には結晶化を助長する金属元素が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の平均濃度で存在し、
前記半導体装置の電気特性を表すＳ値がＮチャネル型で８０±３０ｍＶ／ｄｅｃ以内および／またはＰチャネル型で８０±４５ｍＶ／ｄｅｃ以内に収まることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、
前記活性層表面に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、を有した構造でなり、
前記活性層中には結晶化を助長する金属元素が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の平均濃度で存在し、かつ、電気特性を表すＳ値の標準偏差がＮチャネル型で１０ｍＶ／ｄｅｃ以内および／またはＰチャネル型で１５ｍＶ／ｄｅｃ以内に収まる絶縁ゲイト型半導体装置を有して構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層と、
前記活性層表面に形成されたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上のゲイト電極と、を有した構造でなり、
前記活性層中には結晶化を助長する金属元素が１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下の平均濃度で存在し、かつ、電気特性を表すＳ値がＮチャネル型で８０±３０ｍＶ／ｄｅｃ以内および／またはＰチャネル型で８０±４５ｍＶ／ｄｅｃ以内に収まる絶縁ゲイト型半導体装置を有して構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２において、
前記ゲイト絶縁膜は熱酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１２において、
前記活性層中のチャネル形成領域の長さが０．０１〜２μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１２において、
前記活性層中にはＣｌ、Ｆ、Ｂｒから選ばれた一種または複数種類の元素が１×１０15〜１×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１２において、
前記活性層中にはＣｌ、Ｆ、Ｂｒから選ばれた一種または複数種類の元素が含まれ、
前記元素は前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との界面に高濃度に分布することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１２において、
前記結晶化を助長する金属元素とはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項９乃至請求項１２において、
前記結晶性珪素膜は減圧熱ＣＶＤ法により成膜した非晶質珪素膜を結晶化して得られることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源と、これに接続される倍電圧回路と、該交流電源と該倍電圧回路に接続される半導体三相モジュールと、該半導体三相モジュールに接続されその出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、該高電圧変圧器の出力を整流する整流回路とを有し、該整流回路の出力電圧をＸ線管に印加してＸ線を発生させるインバータ式Ｘ線高電圧装置において、上記半導体三相モジュールはダイオードとスイッチング素子の両端同士が逆方向へ導通するように接続された回路要素が2つ直列に接続された回路要素列が３つ並行配置された構成となっており、上記交流電源側からみて最初の回路要素列の中点と上記交流電源の一端が接続され、上記交流電源の他端と上記倍電圧回路の中点が接続され、上記倍電圧回路の両端が上記最初の回路要素列の両端に接続されることで交流電圧を直流電圧に倍化するコンバータとして機能し、上記半導体三相モジュール中の他の２つの回路要素列は交流電圧を直流電圧に変換するインバータとして機能し、そのそれぞれの中点と上記高電圧変圧器の両端が接続されるよう構成されたことを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
上記倍電圧回路は、上記最初の回路要素列およびこれに並行して接続された2つ直列のコンデンサーからなり、該２つのコンデンサの中点が上記交流電源の他端と接続されることを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項３】
上記倍電圧回路は、上記最初の回路要素列およびこれに並行して接続された１つのコンデンサーおよび同様に並行して接続された2つ直列のダイオードからなり、該２つのダイオードの中点が上記交流電源の他端と接続されることを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
交流電源と、これに接続される倍電圧回路と、該交流電源と該倍電圧回路に接続される半導体三相モジュールと、該半導体三相モジュールに接続されその出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、該高電圧変圧器の出力を整流する整流回路とを有し、該整流回路の出力電圧をＸ線管に印加してＸ線を発生させるインバータ式Ｘ線高電圧装置において、上記半導体三相モジュールはダイオードとスイッチング素子の両端同士が逆方向へ導通するように接続された回路要素が2つ直列に接続された回路要素列が３つ並行配置された構成となっており、上記交流電源側からみて最初の回路要素列の中点と上記交流電源の一端が接続され、上記交流電源の他端と上記倍電圧回路の中点が接続され、上記倍電圧回路の両端が上記最初の回路要素列の両端に接続されることで交流電圧を直流電圧に倍化するコンバータとして機能し、上記半導体三相モジュール中の他の２つの回路要素列は交流電圧を直流電圧に変換するインバータとして機能し、そのそれぞれの中点と上記高電圧変圧器の両端が接続されるよう構成されたインバータ式Ｘ線高電圧装置。
また、上記倍電圧回路は、上記最初の回路要素列およびこれに並行して接続された2つ直列のコンデンサーからなり、該２つのコンデンサの中点が上記交流電源の他端と接続される上記のインバータ式Ｘ線高電圧装置である。
また、上記倍電圧回路は、上記最初の回路要素列およびこれに並行して接続された１つのコンデンサーおよび同様に並行して接続された2つ直列のダイオードからなり、該２つのダイオードの中点が上記交流電源の他端と接続される上記のインバータ式Ｘ線高電圧装置。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
交流電源１の正の半サイクル間は、スイッチング素子１４１,１４２は常にオフにしておくと、ダイオード２４２が導通し、交流電源１→ダイオード２１→コンデンサ３１→ダイオード２４２→交流電源１という回路で電流が流れ、コンデンサ３１にエネルギーを蓄える。そして、交流電源１の負の半サイクル間は、スイッチング素子１４１,１４２は常にオフにしておくので、ダイオード２４１が導通し、交流電源１→ダイオード２４１→コンデンサ３１→ダイオード２２→交流電源１という回路で電流が流れ、コンデンサ３１にエネルギーを蓄える。このように交流電源１の正の半サイクル間と負の半サイクル間の動作を繰り返すことによって、平滑コンデンサ３１の正極と負極間には交流電源１の波高値の約２倍の電圧が充電される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源と、この直流電源を高周波の交流に変換するインバータ回路と、このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の主力を整流してＸ線管に印加する高電圧整流回路とを備えてなるインバータ式Ｘ線高電圧装置において、前記インバータ回路のスイッチング素子を熱伝導率の高い金属を素材とする前記高電圧変圧器タンクの一外壁面に取り付けて前記スイッチング素子の発熱を前記高電圧変圧器タンク内の絶縁油に伝導することを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
前記インバータ回路のスイッチング素子を熱伝導率の高い金属板に固定し、さらにその金属板を前記高電圧変圧器タンクの一外壁面に密着させるよう取り付けることを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項３】
前記直流電源は、商用電源を受電してこれを整流する整流回路からなり、この整流回路のスイッチング素子を前記高電圧変圧器のタンクの一外壁面に取り付けて前記スイッチング素子の発熱を前記高電圧変圧器タンク内の絶縁油に伝導することを特徴とする請求項１または２に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかし、上述したように絶縁油及び高電圧変圧器タンク１２の温度上昇は非常に小さく、単に冷却という目的からのみ見れば、注入される絶縁油は必要以上に多量であり、その意味でオーバースペックであった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、一方において最近の医用Ｘ線装置においては、診断能の高い、鮮鋭なＸ線写真を撮るためにＸ線高電圧装置には高精度で再現性の良い大電流、短時間制御が要求されており、立ち上がりが高速で脈動の無い管電圧波形が求められている（図７に理想的な管電圧波形と実際の管電圧波形とを比較して示す）。したがって、管電圧の立ち上がり、立ち下がりの高速化は同時に写真効果の向上及び軟Ｘ線による被爆低減の意味からも強く要求されており、それらを実現する手段としてインバータ回路の動作周波数の高周波化が進んでいる。ところが、その高周波化の障害になる一つの要因として、インバータ回路から高電圧変圧器に至る配線の存在がある。もしこのインダクタンスが大きいままにインバータ回路の動作周波数を高くすると、インダクタンスのインピーダンスは周波数に比例するから、負荷に電流が十分に流れず、所定のＸ線出力が得られなくなってしまうことになる。従って、高周波化のためにはこのインダクタンスの低減が不可欠の課題となっていた。さらに、最近の医用Ｘ線装置は、上述したような性能面だけでなく、設置面積の縮減、小型軽量化、低価格化に対する要求が益々強まる一方であり、中でも高電圧変圧器が装置体積に占める割合は高く、高電圧変圧器を小型化するためにも高周波化が求められている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、直流電源と、この直流電源を高周波の交流に変換するインバータ回路と、このインバータ回路の出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の出力を整流してＸ線管に印加する高電圧整流回路とを備えてなるインバータ式Ｘ線高電圧装置において、前記インバータ回路のスイッチング素子を熱伝導率が高い金属などを素材とする前記高電圧変圧器タンクの一外壁面に取り付けて、前記スイッチング素子での発熱を前記高電圧変圧器タンク内の絶縁油に効率よく伝導させ並びに前記インバータ回路と前記高電圧変圧器との間の配線距離を短縮することによって達成される。
また、スイッチング素子を熱伝導率の高い金属板などに固定してから前記高電圧変圧器タンクの一外壁面に取り付けることによって達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記直流電源は、商用電源をＩＧＢＴを用いたパルス幅変調制御方式のコンバータ（特願平６−７１３０３号）やダイオードあるいはサイリスタによる整流回路等を用いて直流に変換する場合において、上記ＩＧＢＴやダイオード、サイリスタ等の発熱が問題になる場合も上記と同様に伝導率が高い金属などを素材とする前記高電圧変圧器タンクの一外壁面に取り付けして、前記スイッチング素子での発熱を前記高電圧変圧器タンク内の絶縁油に効率よく伝導させことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月14日(2003.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時系列的に再生対象とされ、その各々が一定時間範囲内で再生される複数のデータユニットであって、そのデータユニット列が圧縮されたビデオデータと少なくともオーディオデータおよび副映像データのいずれかを含む再生データをパケットヘッダを付与してパケット化した複数のデータパック列から構成されている記録媒体からそのパック単位の再生データを取出す取出手段と、
この取出手段により取出されたパックのパケットヘッダにビデオデータを示す第１の識別子が付与されているか否かにより、ビデオデータとそれ以外のデータとを切分ける第１の切分手段と、
この第１の切分手段により切分けられたビデオデータを伸長処理する処理手段と、
この処理手段により伸長処理されたビデオデータを再生信号に変換する第１の変換手段と、
上記第１の切分手段により切分けられたビデオデータ以外のデータを、そのパックのパケットヘッダに続いて副映像データあるいはオーディオデータを示す第２の識別子が付与されているか否かにより、副映像データとそれ以外のデータとを切分ける第２の切分手段と、
この第２の切分手段により切分けられた副映像データを再生信号に変換する第２の変換手段と、
上記第１の変換手段により変換された再生信号と上記第２の変換手段により変換された再生信号とを合成する合成手段と、
この合成手段により合成された再生信号により映像を再生する第１の再生手段と、
上記第２の切分手段により切分けられたオーディオデータを再生信号に変換する第３の変換手段と、
この第３の変換手段により変換された再生信号により音声を再生する第２の再生手段と、
を具備したことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
上記第１の切分手段と上記処理手段とにより第１の処理回路を構成し、上記第１の変換手段と上記第２の切分手段と上記第２の変換手段と上記合成手段とにより第２の処理回路を構成することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
時系列的に再生対象とされ、その各々が一定時間範囲内で再生される複数のデータユニットであって、そのデータユニット列が圧縮されたビデオデータと少なくともオーディオデータおよび副映像データのいずれかを含む再生データをパケットヘッダを付与してパケット化した複数のデータパック列から構成されている記録媒体からそのパック単位の再生データを取出し、
この取出されたパックのパケットヘッダにビデオデータを示す第１の識別子が付与されているか否かにより、ビデオデータとそれ以外のデータとを切分け、
この切分けられたビデオデータを伸長処理し、
この伸長処理されたビデオデータを再生信号に変換し、
上記切分けられたビデオデータ以外のデータを、そのパックのパケットヘッダに続いて副映像データあるいはオーディオデータを示す第２の識別子が付与されているか否かにより、副映像データとそれ以外のデータとを切分け、
この切分けられた副映像データを再生信号に変換し、
上記ビデオデータの再生信号と上記副映像データの再生信号とを合成し、
この合成された再生信号により映像を再生し、
上記切分けられたオーディオデータを再生信号に変換し、
この変換された再生信号により音声を再生する、
ことを特徴とする再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の再生装置は、時系列的に再生対象とされ、その各々が一定時間範囲内で再生される複数のデータユニットであって、そのデータユニット列が圧縮されたビデオデータと少なくともオーディオデータおよび副映像データのいずれかを含む再生データをパケットヘッダを付与してパケット化した複数のデータパック列から構成されている記録媒体からそのパック単位の再生データを取出す取出手段、この取出手段により取出されたパックのパケットヘッダにビデオデータを示す第１の識別子が付与されているか否かにより、ビデオデータとそれ以外のデータとを切分ける第１の切分手段、この第１の切分手段により切分けられたビデオデータを伸長処理する処理手段、この処理手段により伸長処理されたビデオデータを再生信号に変換する第１の変換手段、上記第１の切分手段により切分けられたビデオデータ以外のデータを、そのパックのパケットヘッダに続いて副映像データあるいはオーディオデータを示す第２の識別子が付与されているか否かにより、副映像データとそれ以外のデータとを切分ける第２の切分手段、この第２の切分手段により切分けられた副映像データを再生信号に変換する第２の変換手段、上記第１の変換手段により変換された再生信号と上記第２の変換手段により変換された再生信号とを合成する合成手段、この合成手段により合成された再生信号により映像を再生する第１の再生手段、上記第２の切分手段により切分けられたオーディオデータを再生信号に変換する第３の変換手段、およびこの第３の変換手段により変換された再生信号により音声を再生する第２の再生手段から構成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】