(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第２のエッチング液が、前記第１のエッチング液にアルコールを濃度が５〜１５％になるように添加したものであることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記金属層が金（Ａｕ）であることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記第２のエッチング液が、ヨウ化カリウムを含有していることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、前記異物を除去する工程は、バブリングされた前記第２のエッチング液中に前記シリコン基板を浸漬させることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかにおいて、前記異物を除去する工程は、前記第２のエッチング液中に前記シリコン基板を浸漬させ、当該シリコン基板を振動させながら行われることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかにおいて、前記異物を除去する工程は、前記配線の表面を保護膜により保護した状態で行われることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記保護膜が熱剥離テープであることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項９】
圧電素子を有する流路形成基板を複数具備する流路形成基板用ウェハと、圧電素子を保護する保護基板を複数具備する保護基板用ウェハとを少なくとも接合し、これを分割してノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドとする液体噴射ヘッドの製造方法において、表面に開口する細溝を少なくとも有する前記保護基板用ウェハ上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該保護基板用ウェハ上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット式記録装置などの部品として使われるシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、圧電素子、あるいは発熱素子等によって液体に圧力を付与することで、ノズルから液滴を吐出する液体噴射ヘッドが知られており、その代表例としては、インク滴を吐出するインクジェット式記録ヘッドが挙げられる。また、このようなインクジェット式記録ヘッドには、例えば、圧電素子の運動を阻害しない程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保持部を有する封止基板、及び封止基板上に設けられた圧電素子を駆動するための駆動ＩＣとリード電極を接続するための配線からなる構造がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上述の構造をもつインクジェット式記録ヘッドは、実際には、複数の封止基板を具備する封止基板用ウェハと、複数の流路形成基板を具備する流路形成基板用ウェハとを接合するなどして、複数個同時に組み立てられ、これを一つのチップサイズに分割することで一度に複数個製造される。
【０００４】
このようなインクジェット式記録ヘッドの部品として用いられる封止基板用ウェハは、その一方面上に金属層を形成し、この金属層をエッチングによりパターニングすることで、各封止基板上のそれぞれの駆動ＩＣが実装される領域に配線がそれぞれ形成されている。また、このような封止基板用ウェハには、インクジェット式記録ヘッドの製造時において、一つのチップ毎に分割し易いように、細溝等が形成されている。このため、封止基板用ウェハを製造する工程において、金属層をパターニングして配線を形成する際に、細溝内の金属層が完全に除去しきれずに、残留する場合がある。
【０００５】
このような金属層残留異物が存在していると、例えば、配線が設けられたシリコン基板を、エタノール洗浄、プライマ処理、及びイソプロピルアルコールの薬液層への浸漬などの工程で、シリコン基板の細溝内の残留異物がとれてしまい、配線表面などに再付着し、隣接する配線同士が短絡する等の不良が起きる虞があった。このため、細溝内の金属層も完全に除去することが好ましいが、金属層をエッチングして、配線を形成する際に細溝内の金属層を完全に除去するのは難しい。従来、インクジェット式記録ヘッドの製造工程などにおいては、異物の除去を試みても十分に除去しきれないでいた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−０５３０８０号公報（請求の範囲等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、細溝内の異物を完全に除去したシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第１の態様では、アルコール濃度が５〜１５％になるようにアルコールを添加した第２のエッチング液を用いてエッチングを行うことで、配線を形成する際に除去しきれない金属層の異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記第２のエッチング液が、前記第１のエッチング液にアルコールを濃度が５〜１５％になるように添加したものであることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第２の態様では、第１のエッチング液にアルコールを濃度が５〜１５％になるように添加してエッチングするだけで、配線を形成する際に除去しきれない金属層の異物を除去でき、異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様において、前記金属層が金（Ａｕ）であることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第３の態様では、アルコールを濃度が５〜１５％になるよう添加した第２のエッチング液でエッチングすることによって、異物である金（Ａｕ）が特に効果的に除去され、異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記第２のエッチング液が、ヨウ化カリウムを含有していることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第４の態様では、ヨウ化カリウムを含有し、アルコール濃度が５〜１５％になるようにアルコールを添加したエッチング液でエッチングすることによって、より効果的に金（Ａｕ）からなる異物が除去され、異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様において、前記異物を除去する工程は、バブリングされた前記第２のエッチング液中に前記シリコン基板を浸漬させることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第５の態様では、第２のエッチング液がバブリングされているため、第２のエッチング液がシリコン基板の細溝などの細部まで浸透し、効果的にエッチングを行うことができるため、異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様において、前記異物を除去する工程は、前記第２のエッチング液中に前記シリコン基板を浸漬させ、当該シリコン基板を振動させながら行われることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第６の態様では、第２のエッチング液中にシリコン基板を浸漬させ、振動させることで、第２のエッチング液がシリコン基板の細溝などの細部まで浸透し、効果的にエッチングを行うことができるため、異物が除去されたシリコンデバイスとなる。
【００１４】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れかの態様において、前記異物を除去する工程は、前記配線の表面を保護膜により保護した状態で行われることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第７の態様では、エッチングが必要のない配線が保護膜により保護されているので、必要な部分のみを効果的にエッチングすることができ、形成された配線が過剰エッチングされる虞のないシリコンデバイスとなる。
【００１５】
本発明の第８の態様は、第７の態様において、前記保護膜が熱剥離テープであることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第８の態様では、エッチングが必要のない配線が熱剥離テープによって保護されているので、必要な部分のみを効果的にエッチングすることができ、エッチング後に熱をかけることで熱剥離テープを容易にはがすことができ、形成された配線の剥離や過剰エッチングなどの虞がないシリコンデバイスとなる。
【００１６】
本発明の第９の態様は、圧電素子を有する流路形成基板を複数具備する流路形成基板用ウェハと、圧電素子を保護する保護基板を複数具備する保護基板用ウェハとを少なくとも接合し、これを分割してノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドとする液体噴射ヘッドの製造方法において、表面に開口する細溝を少なくとも有する前記保護基板用ウェハ上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該保護基板用ウェハ上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第９の態様では、アルコール濃度が５〜１５％になるようにアルコールを添加した第２のエッチング液を用いてエッチングを行うことで、配線を形成する際に除去しきれない金属層の異物が除去された保護基板用ウェハを有する液体噴射ヘッドとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、実施形態に基づいて本発明の詳細を説明する。
図１には、本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの概略を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びＡ−Ａ’断面図である。
【００１８】
流路形成基板１０は本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方面には二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。なお、この弾性膜５０は、本実施形態では、シリコン単結晶基板である流路形成基板１０を熱酸化することにより形成した酸化シリコンからなるアモルファス（非晶質）膜であり、流路形成基板１０の表面状態をそのまま維持した平滑な表面状態を有している。
【００１９】
この流路形成基板１０には、シリコン単結晶基板をその一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が幅方向に並設されている。また、圧力発生室１２の長手方向外側には、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通されている連通部１３が形成されている。また、この連通部１３は、各圧力発生室１２の長手方向一端部でそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。
【００２０】
流路形成基板１０の開口面とは反対側の弾性膜５０の上には、バッファ層５５、下電極６０、圧電体層７０、及び上電極８０が順に形成されている。
【００２１】
ここで、圧電素子３００は、下電極６０、圧電体層７０、及び上電極８０を含む部分からなる。圧電素子３００は、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極６０と、厚さが例えば、約１μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極８０とから形成されている。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。
【００２２】
このような圧電素子３００が設けられた側の流路形成基板１０上には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を確保する圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合され、圧電素子３００はこの圧電素子保持部３１内に形成されている。また、保護基板３０には、各圧力発生室１２に共通するリザーバ９０の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられ、このリザーバ部３２は、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されてリザーバ９０を構成している。
【００２３】
さらに、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間には、この保護基板３０を厚さ方向に貫通する接続孔３３が設けられており、各圧電素子３００から引き出されたリード電極８５の先端部はこの接続孔３３内に露出されている。また、保護基板３０の圧電素子保持部３１側とは反対側の表面には、例えば、図示しない二酸化シリコンからなる絶縁膜を介して例えば、金（Ａｕ）の金属層からなる接続配線３５が形成され、この接続配線３５上に圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ３４が実装されている。そして、この接続孔３３内に延設される接続配線３５によって各リード電極８５と駆動ＩＣ３４とが接続されている。
【００２４】
保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなる。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ９０に対向する領域には、厚さ方向に完全に除去された開口部４３が形成され、リザーバ９０の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２５】
このような液体噴射ヘッドは、図示しない外部液体供給手段から液体を取り込み、リザーバ９０からノズル開口２１に至るまで内部を液体で満たした後、図示しない駆動回路からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極６０と上電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、バッファ層５５、下電極６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１から液滴が吐出する。
【００２６】
ここで、本発明の一実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、上述したように、この二酸化シリコン膜５１は、アモルファス膜である。また、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２７】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０上にバッファ層５５を形成する。本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に、スパッタリング法によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃程度の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなるバッファ層５５を形成している。なお、このバッファ層５５の厚さは特に限定されないが、本実施形態では、振動板の剛性に合わせて２０〜５００ｎｍ程度で調整することとしている。
【００２８】
次いで、図３（ｃ）に示すようにバッファ層５５上に下電極６０を形成する。本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に、スパッタリング法によって白金（Ｐｔ）層６１を形成し、その後、この白金（Ｐｔ）層６１を所定形状にパターニングすることによって下電極６０を形成した。
【００２９】
次いで、図４（ａ）に示すように、この下電極６０上に、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層７０を形成する。本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。ここで、圧電体層７０は下電極６０の拘束を受けて結晶化する。なお、本実施形態では、圧電体層７０をゾル−ゲル法によって成膜するようにしたが、圧電体層７０の成膜方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）やＭＯＤ法等であってもよい。
【００３０】
また、このように圧電体層７０を形成した後は、図４（ｂ）に示すように、例えば、イリジウムからなる上電極８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。次いで、図４（ｃ）に示すように、圧電体層７０及び上電極８０を各圧力発生室に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。
【００３１】
次いで、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層８６を形成し、その後、この金属層８６を圧電素子３００毎にパターニングすることによりリード電極８５を形成する。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、例えば、厚さが４００ｎｍ程度のシリコンウェハからなり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。この保護基板用ウェハ１３０は、以下説明する方法により製造した。なお、図７及び図８は、保護基板用ウェハの長手方向の断面図である。
【００３３】
まず、図７（ａ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を異方性エッチングすることにより、保護基板用ウェハ１３０に、圧電素子保持部３１、リザーバ部３２、接続孔３３を形成する。また、後の工程で保護基板用ウェハ１３０を切断しやすくするために、保護基板用ウェハ１３０に細溝５を形成する。この細溝５は、保護基板用ウェハ１３０の端部まで連続的に延設され、保護基板用ウェハ１３０の端面（側面）に開口している。
【００３４】
次に、図７（ｂ）に示すように、スパッタリング法により保護基板用ウェハ１３０の一面に金（Ａｕ）からなる金属層３６を形成する。このとき、保護基板用ウェハ１３０に形成された細溝５に対応する部分にも金（Ａｕ）が塗布される。
【００３５】
図７（ｃ）に示すように、金（Ａｕ）からなる金属層３６をヨウ化カリウムからなる第１のエッチング液を用いてエッチングすることにより所定形状にパターニングし、圧電素子保持部３１に対向する領域に接続配線３５を形成する。なお、第１のエッチング液は、ヨウ化カリウムからなるエッチング液に限定されず、金（Ａｕ）からなる金属層３６を良好にエッチングできるものであればよい。また、接続配線３５は特に金（Ａｕ）に限定されるわけではなく、導電性を有する金属であればよい。
【００３６】
次いで、図８（ａ）に示すように、接続配線３５を熱剥離テープ３８で保護する。具体的には、保護基板用ウェハ１３０の各保護基板３０に対応する接続配線３５が設けられた配線領域の周縁部だけに熱剥離テープ３８を貼り付ける。これにより、保護基板用ウェハ１３０の接続配線３５は、熱剥離テープ３８で覆われ、後述する異物除去のエッチング処理において、接続配線３５がエッチングされてしまうのを保護することができる。なお、本実施形態では、熱剥離テープ３８を用いて接続配線３５を保護したが、接続配線３５を保護するものは、エッチングの影響を受けないもので且つ接続配線３５が剥離する虞がないものであれば特に限定されない。また、接続配線３５以外にも、エッチングする必要がない部分が存在する場合は、同様に保護すればよい。
【００３７】
図８（ｂ）に示すように、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液１００で満たされたエッチング槽１０００に、接続孔３３の開口から第２のエッチング液１００が浸入しないように保護基板用ウェハ１３０を浸漬させ、エッチングを行う。本実施形態では、保護基板用ウェハ１３０のエッチングは上述した第２のエッチング液１００を用いて常温で３分間行った。なお、ここで行うエッチングとは、一般的なパターニングのためのエッチングとは異なり、接続配線３５をパターニングした際に発生したパターン端部の残った異物や不要な部分に付着した異物等を除去するもので、洗浄に近いものである。
【００３８】
ここで、第２のエッチング液１００は、ヨウ化カリウムにアルコールを濃度５〜１５％になるように添加したものである。第２のエッチング液１００は、アルコールが濃度５〜１５％になるように添加されていることにより、エッチング液が細溝５などの保護基板用ウェハ１３０の細部まで浸透しやすくなり、エッチング残りを発生させることなくエッチングを行うことができる。アルコールを濃度５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液１００を用いてエッチングを行うことで、保護基板用ウェハ１３０の細溝５内などに付着した金（Ａｕ）からなる異物を効果的に除去することができる。エッチング液中のアルコール量が濃度５〜１５％と規定されているのは、エッチング液中のアルコール濃度が５％より少ないと、保護基板用ウェハ１３０の細溝５内などの細部への浸透性が低くなり、また、アルコール濃度が１５％より多いと、エッチング液のエッチング能力の低下が起こる虞があるからである。すなわち、エッチング液中のアルコール量を濃度５〜１５％と規定することで、エッチング液は、保護基板用ウェハ１３０の細溝５内などの細部への浸透性が高く、且つエッチング能力を十分に保持したものとなる。
【００３９】
なお、エッチング液１００は、ヨウ化カリウムにアルコールを添加したエッチング液を用いたが、金属層の異物を除去するためには、アルコールを５〜１５％濃度になるように添加されたエッチング液であればよく、特にヨウ化カリウムに限定されない。金属層が金（Ａｕ）である場合は、特にヨウ化カリウムを含有したエッチング液を用いることが好ましい。
【００４０】
さらに、第２のエッチング液１００はバブリングされていてもよく、第２のエッチング液１００がバブリングされている場合には、細溝５などの保護基板用ウェハ１３０の細部にまでエッチング液１００を浸透させることができ、エッチング残りを発生させることなく保護基板用ウェハ１３０をエッチングすることができる。また、保護基板用ウェハ１３０は、超音波装置等を用いて振動させていてもよく、振動させている場合には、細溝５などの保護基板用ウェハ１３０の細部にまで効果的に第２のエッチング液１００を浸透させることができ、エッチング残りを発生させることなく保護基板用ウェハ１３０をエッチングすることができる。つまり、エッチング液をバブリングさせ、且つ保護基板用ウェハ１３０を振動させてエッチングを行うと、より効果的にエッチング液を浸透させることができ、保護基板用ウェハ１３０の異物を完全に除去することができる。
【００４１】
また、第２のエッチング液１００の温度は、特に限定されないが、熱剥離テープを用いる場合、熱剥離テープが剥離しない程度、つまり１４０℃以下で行うことが好ましい。
【００４２】
次いで、図８（ｃ）に示すように、第２のエッチング液１００から保護基板用ウェハ１３０を取り出し、１４０℃以上の熱をかけることで、接続配線３５を保護していた熱剥離テープ３８を剥がす。熱剥離テープ３８は、熱をかけることで容易に剥がすことができ、且つ接続配線３５の材料を剥離する虞もない。
【００４３】
以上のように、配線のパターニングを行った後に、第２のエッチング液を用いてエッチングを行うという本発明のシリコンデバイスの製造方法により、接続配線３５のパターニングの際に完全には除去できずに保護基板用ウェハ１３０の細溝５や表面に付着している異物を、完全に除去することができる。
【００４４】
また、この後、特に図示しないが、流路形成基板用ウェハ１１０と接合するために、保護基板用ウェハ１３０は、エタノール洗浄、プライマ処理を行い、イソプロピルアルコールの薬液層内に浸漬させる。このとき、保護基板用ウェハ１３０は、細溝５などに付着した異物を除去しているので、前述した工程において異物が取れてしまい、保護基板用ウェハ１３０上に設けられた配線に再付着するという虞がなくなる。すなわち、配線に金属層の異物が再付着し、ショート等が起きる虞がなくなる。
【００４５】
以下、保護基板用ウェハ１３０を処理し、流路形成基板用ウェハ１１０と接合した後の、インクジェット式記録ヘッドの製造方法について述べる。
【００４６】
次いで、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。
【００４７】
次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００４８】
なお、その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによってインクジェット式記録ヘッドとする。
【００４９】
本発明の液体噴射ヘッド製造方法は、表面に開口する細溝５を少なくとも有する保護基板用ウェハ１３０上に形成された金属層３６を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該保護基板用ウェハ１３０上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液１００を用いて、少なくとも細溝５に付着している金属層３６の異物をエッチングにより除去する工程とを具備する。前述した工程を具備することにより、保護基板用ウェハ１３０のエタノール洗浄、プライマ処理、及びイソプロピルアルコールの薬液層への浸漬などの工程で、保護基板用ウェハ１３０の細溝５内などの細部に付着している金属層３６の異物が取れ、保護基板用ウェハ１３０上に形成された配線などに再付着する虞がなくなる。これにより、配線に金属層３６の異物が再付着してショート等が起きてしまうのを防ぐことができる。
【００５０】
本発明の噴射ヘッドの製造方法は、保護基板用ウェハの異物が完全に除去されているため、製品の歩留まりを低下させることなく、液体噴射ヘッドを製造できる。
【００５１】
また、このような本発明にかかる液体噴射ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、液体噴射装置に搭載される。
【００５２】
上述した実施形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを例示したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射するものにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００５３】
なお、本実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを一例として本発明を説明したが、勿論、これに限定されず、例えば、半導体等、シリコン基板上に薄膜パターンを有するシリコンデバイスの製造にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る圧力発生室の長手方向の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る圧力発生室の長手方向の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る圧力発生室の長手方向の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る圧力発生室の長手方向の断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る保護基板用ウェハの長手方向の断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る保護基板用ウェハの長手方向の断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
５  細溝、１０  流路形成基板、１１  隔壁、１２  圧力発生室、１３  連通部、２０  ノズルプレート、２１  ノズル開口、３０  保護基板、３１  圧電素子保持部、３２  リザーバ部、３３  接続孔、３５  接続配線、５０  弾性膜、５５  バッファ層、６０  下電極、７０  圧電体層、８０  上電極、８５  リード電極、９０  リザーバ、１００  エッチング液、３００  圧電素子、１０００  エッチング槽
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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