(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体層を含む積層体と、
前記積層体の外面上に配置され、信号の入力と出力の少なくとも一方のために用いられる信号端子と、
前記積層体の外面上に配置されたグランド端子と、
前記積層体と一体化され、前記信号端子に接続された共振器とを備えた積層型電子部品であって、
前記共振器は、前記積層体の外面上に配置され、前記信号端子およびグランド端子に接続されたインダクタとして機能する共振器用導体層を有し、
前記積層体の外面は、前記信号端子およびグランド端子が配置された底面と、前記共振器用導体層が配置され、前記底面に対して垂直な１つの端面とを含み、
前記端面は、前記底面に接する第１の辺と、前記第１の辺とは反対側の第２の辺と、前記第１の辺の一端と前記第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、前記第１の辺の他端と前記第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記共振器用導体層は、第１の部分と、前記第１の部分に連結された第２の部分と第３の部分の少なくとも一方とを有し、
前記第１の部分は、前記第１の辺よりも前記第２の辺の方に近い位置に配置され、前記第２の辺に平行な方向に延び、
前記第２の部分は、前記第１の部分のうちの前記第３の辺の近傍に配置された部分から前記第３の辺に沿って前記第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記信号端子を構成するものであり、
前記第３の部分は、前記第１の部分のうちの前記第４の辺の近傍に配置された部分から前記第４の辺に沿って前記第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記グランド端子を構成するものであることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
積層された複数の誘電体層を含む積層体と、
前記積層体の外面上に配置され、信号の入力のために用いられる入力端子と、
前記積層体の外面上に配置され、信号の出力のために用いられる出力端子と、
前記積層体の外面上に配置された第１および第２のグランド端子と、
前記積層体と一体化され、前記入力端子に接続された第１の共振器と、
前記積層体と一体化され、前記出力端子に接続された第２の共振器とを備えた積層型電子部品であって、
前記第１の共振器は、前記積層体の外面上に配置され、前記入力端子および第１のグランド端子に接続されたインダクタとして機能する第１の共振器用導体層を有し、
前記第２の共振器は、前記積層体の外面上に配置され、前記出力端子および第２のグランド端子に接続されたインダクタとして機能する第２の共振器用導体層を有し、
前記積層体の外面は、前記入力端子、出力端子、第１のグランド端子および第２のグランド端子が配置された底面と、互いに反対側を向き、且つ前記底面に対して垂直な第１の端面および第２の端面とを含み、前記第１の共振器用導体層は前記第１の端面に配置され、前記第２の共振器用導体層は前記第２の端面に配置され、
前記第１および第２の端面は、それぞれ、前記底面に接する第１の辺と、前記第１の辺とは反対側の第２の辺と、前記第１の辺の一端と前記第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、前記第１の辺の他端と前記第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第１および第２の共振器用導体層は、それぞれ、第１の部分と、前記第１の部分に連結された第２の部分と第３の部分の少なくとも一方とを有し、
前記第１の共振器用導体層の第１の部分は、前記第１の端面において第１の辺よりも第２の辺の方に近い位置に配置され、前記第２の辺に平行な方向に延び、
前記第１の共振器用導体層の第２の部分は、前記第１の共振器用導体層の第１の部分のうちの前記第１の端面の第３の辺の近傍に配置された部分から前記第３の辺に沿って前記第１の端面の第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記入力端子を構成するものであり、
前記第１の共振器用導体層の第３の部分は、前記第１の共振器用導体層の第１の部分のうちの前記第１の端面の第４の辺の近傍に配置された部分から前記第４の辺に沿って前記第１の端面の第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記第１のグランド端子を構成するものであり、
前記第２の共振器用導体層の第１の部分は、前記第２の端面において第１の辺よりも第２の辺の方に近い位置に配置され、前記第２の辺に平行な方向に延び、
前記第２の共振器用導体層の第２の部分は、前記第２の共振器用導体層の第１の部分のうちの前記第２の端面の第３の辺の近傍に配置された部分から前記第３の辺に沿って前記第２の端面の第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記出力端子を構成するものであり、
前記第２の共振器用導体層の第３の部分は、前記第２の共振器用導体層の第１の部分のうちの前記第２の端面の第４の辺の近傍に配置された部分から前記第４の辺に沿って前記第２の端面の第１の辺まで延び、前記第１の辺の位置に配置された端部が前記第２のグランド端子を構成するものであることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項３】
前記第１および第２の共振器は、回路構成上、前記入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現することを特徴とする請求項２記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器を備え、積層された複数の誘電体層を含む積層体を用いて構成された積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ブルートゥース規格の通信装置、無線ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）用の通信装置、携帯電話機等の無線通信装置では、小型化、薄型化の要求が強いことから、それに用いられる電子部品の小型化、薄型化が要求されている。上記無線通信装置における電子部品の一つに、受信信号を濾波するバンドパスフィルタがある。このバンドパスフィルタにおいても、小型化、薄型化が要求されている。そこで、上記の無線通信装置における使用周波数帯域に対応でき、且つ小型化、薄型化を実現可能なバンドパスフィルタとして、例えば特許文献１に示されるように、積層基板における導体層を用いて構成された複数の共振器を備えた積層型のフィルタが提案されている。以下、共振器を構成する導体層を共振器用導体層という。
【０００３】
特許文献１には、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板の両主面に形成されたアース電極と、誘電体基板内に形成された共振電極とを備え、共振電極は、その一主面がアース電極に対して垂直になるように形成された積層型誘電体フィルタが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９９９０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば特許文献１に記載されているような従来の積層型のフィルタでは、共振器用導体層は積層基板の内部に設けられ、共振器用導体層の外面のうち、他の導体層に接続される部分以外の部分は誘電体によって覆われている。このような従来の積層型のフィルタでは、小型化、薄型化に伴って、共振器用導体層が小さくなると共に、共振器用導体層とグランドとの間の距離が小さくなり、これらに起因して共振器のＱが小さくなるという問題点がある。共振器のＱが小さくなると、積層型のフィルタの通過帯域における伝送品質が劣化する。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、共振器を備え、積層された複数の誘電体層を含む積層体を用いて構成された積層型電子部品であって、共振器のＱを大きくすることができるようにした積層型電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の積層型電子部品は、積層された複数の誘電体層と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含む積層体と、積層体の外面上に配置され、信号の入力と出力の少なくとも一方のために用いられる信号端子と、積層体と一体化され、信号端子に接続された共振器とを備えている。共振器は、積層体の外面上に配置され、信号端子に接続されたインダクタとして機能する共振器用導体層を有している。
【０００８】
本発明の第１の積層型電子部品において、積層体の外面は、共振器用導体層が配置された１つの端面を含み、この端面に垂直な方向から見たときに、共振器用導体層の外縁の一部は、端面の外縁の一部に重なっていてもよい。
【０００９】
本発明の第２の積層型電子部品は、積層された複数の誘電体層と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含む積層体と、積層体の外面上に配置され、信号の入力のために用いられる入力端子と、積層体の外面上に配置され、信号の出力のために用いられる出力端子と、積層体と一体化され、入力端子に接続された第１の共振器と、積層体と一体化され、出力端子に接続された第２の共振器とを備えている。第１の共振器は、積層体の外面上に配置され、入力端子に接続されたインダクタとして機能する第１の共振器用導体層を有し、第２の共振器は、積層体の外面上に配置され、出力端子に接続されたインダクタとして機能する第２の共振器用導体層を有している。
【００１０】
本発明の第２の積層型電子部品において、積層体の外面は、互いに反対側を向いた第１の端面および第２の端面を含み、第１の共振器用導体層は第１の端面に配置され、第２の共振器用導体層は第２の端面に配置されていてもよい。この場合、第１の端面に垂直な方向から見たときに、第１の共振器用導体層の外縁の一部は、第１の端面の外縁の一部に重なり、第２の端面に垂直な方向から見たときに、第２の共振器用導体層の外縁の一部は、第２の端面の外縁の一部に重なっていてもよい。
【００１１】
また、本発明の第２の積層型電子部品において、第１および第２の共振器は、回路構成上、入力端子と出力端子との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現してもよい。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の第１の積層型電子部品では、共振器用導体層が積層体の外面上に配置されていることから、共振器用導体層が積層体の内部に配置されている場合に比べて、共振器用導体層を大きくすることが可能であると共に、共振器用導体層とグランドとの間の距離を大きくすることが可能である。これにより、本発明の第１の積層型電子部品によれば、共振器のＱを大きくすることが可能になるという効果を奏する。
【００１３】
また、本発明の第１の積層型電子部品において、積層体の外面は、共振器用導体層が配置された１つの端面を含み、この端面に垂直な方向から見たときに、共振器用導体層の外縁の一部は、端面の外縁の一部に重なっていてもよい。この場合には、特に、共振器用導体層を大きくして、共振器のＱを大きくすることが可能になるという効果を奏する。
【００１４】
本発明の第２の積層型電子部品では、第１および第２の共振器用導体層が積層体の外面上に配置されていることから、第１および第２の共振器用導体層が積層体の内部に配置されている場合に比べて、第１および第２の共振器用導体層を大きくすることが可能であると共に、第１の共振器用導体層とグランドとの間の距離、および第２の共振器用導体層とグランドとの間の距離を大きくすることが可能である。これにより、本発明の第２の積層型電子部品によれば、第１および第２の共振器のＱを大きくすることが可能になるという効果を奏する。
【００１５】
また、本発明の第２の積層型電子部品において、積層体の外面は、互いに反対側を向いた第１の端面および第２の端面を含み、第１の共振器用導体層は第１の端面に配置され、第２の共振器用導体層は第２の端面に配置され、第１の端面に垂直な方向から見たときに、第１の共振器用導体層の外縁の一部は、第１の端面の外縁の一部に重なり、第２の端面に垂直な方向から見たときに、第２の共振器用導体層の外縁の一部は、第２の端面の外縁の一部に重なっていてもよい。この場合には、特に、第１および第２の共振器用導体層を大きくして、第１および第２の共振器のＱを大きくすることが可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図５を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る積層型電子部品の回路構成について説明する。本実施の形態に係る積層型電子部品（以下、単に電子部品と記す。）１は、バンドパスフィルタの機能を有している。図５に示したように、電子部品１は、信号の入力のために用いられる入力端子２と、信号の出力のために用いられる出力端子３と、第１の共振器４と、第２の共振器５と、キャパシタ１５とを備えている。
【００１７】
共振器４は、インダクタ１１とキャパシタ１３とを有している。共振器５は、インダクタ１２とキャパシタ１４とを有している。共振器４，５は互いに誘導性結合する。また、インダクタ１１，１２も互いに誘導性結合する。図５では、インダクタ１１，１２間の誘導性結合を、記号Ｍを付した曲線で表している。
【００１８】
インダクタ１１の一端とキャパシタ１３，１５の各一端は、入力端子２に接続されている。インダクタ１１の他端とキャパシタ１３の他端はグランドに接続されている。インダクタ１２の一端、キャパシタ１４の一端および出力端子３は、キャパシタ１５の他端に接続されている。インダクタ１２の他端とキャパシタ１４の他端はグランドに接続されている。
【００１９】
共振器４，５は、回路構成上、入力端子２と出力端子３との間に設けられ、バンドパスフィルタの機能を実現する。共振器４，５はいずれも、一端が開放され他端が短絡された１／４波長共振器である。入力端子２と出力端子３は、いずれも、本発明における信号端子に対応する。
【００２０】
本実施の形態に係る電子部品１では、入力端子２に信号が入力されると、そのうちの所定の周波数帯域内の周波数の信号が選択的に、共振器４，５を用いて構成されたバンドパスフィルタを通過し、出力端子３から出力される。
【００２１】
次に、図１ないし図４を参照して、電子部品１の構造の概略について説明する。図１は、電子部品１の主要部分を示す斜視図である。図２は、電子部品１および実装基板の上面を示す斜視図である。図３は、図１におけるＡ方向から見た電子部品１の主要部分を示す説明図である。図４は、図１におけるＢ方向から見た電子部品１の主要部分を示す説明図である。
【００２２】
電子部品１は、電子部品１の構成要素を一体化するための積層体２０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体２０は、積層された複数の誘電体層と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含んでいる。
【００２３】
積層体２０は、外面として上面２０Ａと底面２０Ｂと４つの側面２０Ｃ〜２０Ｆとを有する直方体形状をなしている。上面２０Ａと底面２０Ｂは互いに反対側を向き、側面２０Ｃ，２０Ｄも互いに反対側を向き、側面２０Ｅ，２０Ｆも互いに反対側を向いている。側面２０Ｃ〜２０Ｆは、上面２０Ａおよび底面２０Ｂに対して垂直になっている。積層体２０において、側面２０Ｃ，２０Ｄに垂直な方向が、複数の誘電体層の積層方向である。図１では、複数の誘電体層の積層方向を、記号Ｔを付した矢印で示している。
【００２４】
電子部品１は、更に、積層体２０の外面上に配置された第１の共振器用導体層２１、第２の共振器用導体層２２、導体層２３，２４およびグランド用導体層２５を備えている。第１の共振器用導体層２１は側面２０Ｃ上に配置されている。第２の共振器用導体層２２は側面２０Ｄ上に配置されている。導体層２３は側面２０Ｅ上に配置されている。導体層２４は側面２０Ｆ上に配置されている。導体層２５は底面２０Ｂ上に配置されている。
【００２５】
第１の共振器用導体層２１は、第１の部分２１Ａと、この第１の部分２１Ａに連結された第２の部分２１Ｂおよび第３の部分２１Ｃを有している。第１の部分２１Ａは、側面２０Ｃと底面２０Ｂとの間の稜線よりも側面２０Ｃと上面２０Ａとの間の稜線の方に近い位置に配置され、側面２０Ｃと上面２０Ａとの間の稜線に平行な方向に延びている。第１の部分２１Ａの長手方向の一端部２１Ａａは、側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の位置に配置され、第１の部分２１Ａの長手方向の他端部２１Ａｂは、側面２０Ｃと側面２０Ｆとの間の稜線の位置に配置されている。
【００２６】
第２の部分２１Ｂは、側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分２１Ａのうちの側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第２の部分２１Ｂは、側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の位置に配置された端部２１Ｂａと、側面２０Ｃと底面２０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部２１Ｂｂとを有している。第２の部分２１Ｂの端部２１Ｂｂは、入力端子２を構成している。このように、入力端子２は、積層体２０の外面上に配置されている。入力端子２は、本発明における信号端子に対応する。
【００２７】
第３の部分２１Ｃは、側面２０Ｃと側面２０Ｆとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分２１Ａのうちの側面２０Ｃと側面２０Ｆとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第３の部分２１Ｃは、側面２０Ｃと側面２０Ｆとの間の稜線の位置に配置された端部２１Ｃａと、側面２０Ｃと底面２０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部２１Ｃｂとを有している。第３の部分２１Ｃの端部２１Ｃｂは、グランド端子６を構成している。
【００２８】
第２の共振器用導体層２２は、第１の部分２２Ａと、この第１の部分２２Ａに連結された第２の部分２２Ｂおよび第３の部分２２Ｃを有している。第１の部分２２Ａは、側面２０Ｄと底面２０Ｂとの間の稜線よりも側面２０Ｄと上面２０Ａとの間の稜線の方に近い位置に配置され、側面２０Ｄと上面２０Ａとの間の稜線に平行な方向に延びている。第１の部分２２Ａの長手方向の一端部２２Ａａは、側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の位置に配置され、第１の部分２２Ａの長手方向の他端部２２Ａｂは、側面２０Ｄと側面２０Ｅとの間の稜線の位置に配置されている。
【００２９】
第２の部分２２Ｂは、側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分２２Ａのうちの側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第２の部分２２Ｂは、側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の位置に配置された端部２２Ｂａと、側面２０Ｄと底面２０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部２２Ｂｂとを有している。第２の部分２２Ｂの端部２２Ｂｂは、出力端子３を構成している。このように、出力端子３は、積層体２０の外面上に配置されている。出力端子３は、本発明における信号端子に対応する。
【００３０】
第３の部分２２Ｃは、側面２０Ｄと側面２０Ｅとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分２２Ａのうちの側面２０Ｄと側面２０Ｅとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第３の部分２２Ｃは、側面２０Ｄと側面２０Ｅとの間の稜線の位置に配置された端部２２Ｃａと、側面２０Ｄと底面２０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部２２Ｃｂとを有している。第３の部分２２Ｃの端部２２Ｃｂは、グランド端子７を構成している。
【００３１】
導体層２３は、側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の位置において第１の共振器用導体層２１に接続されている。導体層２４は、側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の位置において第２の共振器用導体層２２に接続されている。導体層２５は、第１の共振器用導体層２１の第３の部分２１Ｃの端部２１Ｃｂであるグランド端子６と、第２の共振器用導体層２２の第３の部分２２Ｃの端部２２Ｃｂであるグランド端子７とを接続している。
【００３２】
第１の共振器用導体層２１が配置された側面２０Ｃは、本発明における第１の端面に対応する。第２の共振器用導体層２２が配置された側面２０Ｄは、本発明における第２の端面に対応する。側面２０Ｃに垂直な方向から見たときに、第１の共振器用導体層２１の外縁の一部は、側面２０Ｃの外縁の一部に重なっている。側面２０Ｄに垂直な方向から見たときに、第２の共振器用導体層２２の外縁の一部は、側面２０Ｄの外縁の一部に重なっている。
【００３３】
図２に示したように、電子部品１が実装される実装基板３０の上面には、入力用導体層３１、出力用導体層３２およびグランド用導体層３３，３４が形成されている。電子部品１は、入力端子２が入力用導体層３１に接続され、出力端子３が出力用導体層３２に接続され、グランド端子６がグランド用導体層３３に接続され、グランド端子７がグランド用導体層３４に接続されるように、実装基板３０に実装される。
【００３４】
次に、図６を参照して、積層体２０および共振器用導体層２１，２２について詳しく説明する。図６において（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、上から１層目ないし４層目の誘電体層の上面を示している。図６において（ｅ）は、上から４層目の誘電体層およびその下の共振器用導体層２２を、上から見た状態で表したものである。
【００３５】
図６（ａ）に示した１層目の誘電体層４１の上面には、第１の共振器用導体層２１が形成されている。図６（ｂ）に示した２層目の誘電体層４２の上面には、キャパシタ用導体層４２１が形成されている。この導体層４２１は導体層２３に接続される。図６（ｃ）に示した３層目の誘電体層４３の上面には、グランド用導体層４３１が形成されている。この導体層４３１はグランド用導体層２５に接続される。図６（ｄ）に示した４層目の誘電体層４４の上面には、キャパシタ用導体層４４１が形成されている。この導体層４４１は導体層２４に接続される。図６（ｅ）に示したように、４層目の誘電体層４４の下面には、第２の共振器用導体層２２が形成されている。導体層４２１，４３１，４４１は、本発明における内部導体層に対応する。
【００３６】
第１の共振器用導体層２１は、入力端子２に接続されたインダクタ１１として機能する。第２の共振器用導体層２２は、出力端子３に接続されたインダクタ１２として機能する。導体層４３１は、誘電体層４２を介してキャパシタ用導体層４２１に対向していると共に、誘電体層４３を介してキャパシタ用導体層４４１に対向している。導体層４２１，４３１および誘電体層４２は、図５におけるキャパシタ１３を構成する。導体層４４１，４３１および誘電体層４３は、図５におけるキャパシタ１４を構成する。導体層４２１，４４１および誘電体層４２，４３は、図５におけるキャパシタ１５を構成する。
【００３７】
図６に示した誘電体層４１〜４４および複数の導体層のうち共振器用導体層２１，２２を除いたものが積層されて、図１および図２に示した積層体２０が形成される。図１および図２に示した導体層２１〜２５は、この積層体２０の外面上に形成される。
【００３８】
誘電体層４１〜４４の材料としては、樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料等、種々のものを用いることができる。積層体２０としては、特に、誘電体層４１〜４４の材料をセラミックとして低温同時焼成法によって作製したものが、高周波特性に優れるため好ましい。低温同時焼成法を用いる場合には、積層体２０は以下のようにして作製される。まず、後に誘電体層４２，４３，４４となる各セラミックグリーンシート上に、それぞれ、後に導体層４２１，４３１，４４１となる焼成前の導体層を形成する。次に、これら導体層が形成されたセラミックグリーンシートと、後に誘電体層４１となるセラミックグリーンシートとを積層し、セラミックと導体を低温同時焼成工程によって焼成して、積層体２０を完成させる。
【００３９】
積層体２０の外面上に導体層２１〜２５を形成する方法としては、例えば、積層体２０の外面上に、導体ペーストを印刷することによって、後に導体層２１〜２５となる焼成前の導体層を形成した後、この導体層を焼成して導体層２１〜２５を形成する方法がある。積層体２０の外面上に導体層２１〜２５を形成する他の方法としては、例えば、スパッタ法等を用いて積層体２０の外面上に金属の薄膜を形成する方法や、金属の薄膜を導電接着剤によって積層体２０の外面上に接着する方法がある。
【００４０】
なお、低温同時焼成法を用いて積層体２０を作製する場合には、後に誘電体層４１となるセラミックグリーンシートの上面に、後に共振器用導体層２１となる焼成前の導体層を形成しておくと共に、後に誘電体層４４となるセラミックグリーンシートの下面に、後に共振器用導体層２２となる焼成前の導体層を形成しておき、これら共振器用導体層２１，２２となる焼成前の導体層を低温同時焼成工程によって焼成して、積層体２０と同時に共振器用導体層２１，２２を形成してもよい。ただし、この方法で共振器用導体層２１，２２を形成するよりも、前述のように、積層体２０の完成後に積層体２０の外面上に共振器用導体層２１，２２を形成する方が、容易に共振器４，５のＱを大きくすることが可能である。その理由は、積層体２０の完成後に積層体２０の外面上に共振器用導体層２１，２２を形成する方が、容易に共振器用導体層２１，２２の厚みを大きくすることができると共に、共振器用導体層２１，２２を構成する金属が誘電体層に拡散することを抑制することができるためである。
【００４１】
以上説明したように、本実施の形態に係る電子部品１は、積層された複数の誘電体層４１〜４４と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含む積層体２０と、積層体２０の外面上に配置された入力端子２および出力端子３と、積層体２０と一体化され、入力端子２に接続された第１の共振器４と、積層体２０と一体化され、出力端子３に接続された第２の共振器５とを備えている。第１の共振器４は、積層体２０の外面上に配置され、入力端子２に接続されたインダクタ１１として機能する共振器用導体層２１を有している。第２の共振器５は、積層体２０の外面上に配置され、出力端子３に接続されたインダクタ１２として機能する共振器用導体層２２を有している。
【００４２】
本実施の形態では、共振器用導体層２１，２２が積層体２０の外面上に配置されている。そのため、本実施の形態によれば、共振器用導体層２１，２２が積層体２０の内部に配置されている場合に比べて、共振器用導体層２１，２２を大きくすることが可能であると共に、共振器用導体層２１，２２の各々とグランド（クランド用導体層４３１）との間の各距離を大きくすることが可能である。これにより、本実施の形態によれば、インダクタ１１，１２のＱを大きくすることが可能になり、その結果、共振器４，５のＱを大きくすることが可能になる。
【００４３】
また、本実施の形態では、積層体２０の側面２０Ｃに垂直な方向から見たときに、側面２０Ｃ上に配置された共振器用導体層２１の外縁の一部は、側面２０Ｃの外縁の一部に重なっている。同様に、積層体２０の側面２０Ｄに垂直な方向から見たときに、側面２０Ｄ上に配置された共振器用導体層２２の外縁の一部は、側面２０Ｄの外縁の一部に重なっている。これにより、本実施の形態によれば、特に、共振器用導体層２１，２２を大きくして、共振器４，５のＱを大きくすることが可能になる。
【００４４】
また、本実施の形態において、低温同時焼成法を用いて積層体２０を作製する場合には、積層体２０の完成後に積層体２０の外面上に共振器用導体層２１，２２を形成することにより、積層体２０と同時に共振器用導体層２１，２２を形成する場合に比べて、容易に共振器４，５のＱを大きくすることが可能になる。
【００４５】
本実施の形態に係る電子部品１は、例えば、通過帯域がおよそ２．４〜２．５ＧＨｚのバンドパスフィルタとして機能するように設計される。なお、２．４〜２．５ＧＨｚという周波数帯域は、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるバンドパスフィルタの通過帯域に対応する。
【００４６】
［変形例］
次に、図７および図８を参照して、本実施の形態に係る電子部品の第１および第２の変形例について説明する。図７は、第１の変形例の電子部品１０１および実装基板の上面を示す斜視図である。この第１の変形例の電子部品１０１は、図１および図２に示した共振器用導体層２１，２２の代りに、共振器用導体層１２１，１２２を備えている。共振器用導体層１２１は、共振器用導体層２１から第２の部分２１Ｂを除いた形状を有している。共振器用導体層１２１は、側面２０Ｃと側面２０Ｅとの間の稜線の位置において、側面２０Ｅ上に配置された導体層２３に接続されている。第１の変形例では、導体層２３の下端部が、入力端子２を構成し、実装基板３０の入力用導体層３１に接続される。また、共振器用導体層１２２は、共振器用導体層２２から第２の部分２２Ｂを除いた形状を有している。共振器用導体層１２２は、側面２０Ｄと側面２０Ｆとの間の稜線の位置において、側面２０Ｆ上に配置された導体層２４に接続されている。第１の変形例では、導体層２４の下端部が、出力端子３を構成し、実装基板３０の出力用導体層３２に接続される。第１の変形例の電子部品１０１のその他の構成、作用および効果は、図１ないし図６に示した電子部品１と同様である。
【００４７】
図８は、第２の変形例の電子部品２０１および実装基板の上面を示す斜視図である。この第２の変形例の電子部品２０１は、図１および図２に示した共振器用導体層２１，２２の代りに、共振器用導体層２２１，２２２を備えている。共振器用導体層２２１は、共振器用導体層２１から第３の部分２１Ｃを除いた形状を有している。共振器用導体層２２２は、共振器用導体層２２から第３の部分２２Ｃを除いた形状を有している。
【００４８】
また、第２の変形例の電子部品２０１は、図１および図２に示した導体層２３，２４の代りに導体層２２３，２２４を備えている。導体層２２３は、側面２０Ｅ上に配置され、積層体２０の内部の導体層には接続されず、側面２０Ｄと側面２０Ｅとの間の稜線の位置において、共振器用導体層２２２に接続されている。導体層２２４は、側面２０Ｆ上に配置され、積層体２０の内部の導体層には接続されず、側面２０Ｃと側面２０Ｆとの間の稜線の位置において、共振器用導体層２２１に接続されている。また、第２の変形例の電子部品２０１では、共振器用導体層２２１とキャパシタ用導体層４２１は、積層体２０内に形成された図示しないスルーホールを介して接続され、共振器用導体層２２２とキャパシタ用導体層４４１も、積層体２０内に形成された図示しない他のスルーホールを介して接続されている。
【００４９】
第２の変形例では、導体層２２４の下端部と導体層２２３の下端部がそれぞれグランド端子を構成する。図示しないが、積層体２０の底面２０Ｂ上に配置された導体層２５は、導体層２２４の下端部と導体層２２３の下端部とを接続している。導体層２２４の下端部は実装基板３０のグランド用導体層３３に接続され、導体層２２３の下端部は実装基板３０のグランド用導体層３４に接続される。第２の変形例の電子部品２０１のその他の構成、作用および効果は、図１ないし図６に示した電子部品１と同様である。
【００５０】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電子部品について説明する。本実施の形態に係る電子部品５１の回路構成は、第１の実施の形態に係る電子部品１と同じである。図９は、電子部品５１の主要部分を示す斜視図である。図１０は、電子部品５１および実装基板の上面を示す斜視図である。図１１は、図９におけるＡ方向から見た電子部品５１の主要部分を示す説明図である。図１２は、図９におけるＢ方向から見た電子部品５１の主要部分を示す説明図である。
【００５１】
電子部品５１は、電子部品５１の構成要素を一体化するための積層体７０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体７０は、積層された複数の誘電体層と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含んでいる。
【００５２】
積層体７０は、外面として上面７０Ａと底面７０Ｂと４つの側面７０Ｃ〜７０Ｆとを有する直方体形状をなしている。上面７０Ａと底面７０Ｂは互いに反対側を向き、側面７０Ｃ，７０Ｄも互いに反対側を向き、側面７０Ｅ，７０Ｆも互いに反対側を向いている。側面７０Ｃ〜７０Ｆは、上面７０Ａおよび底面７０Ｂに対して垂直になっている。積層体７０において、側面７０Ｃ，７０Ｄに垂直な方向が、複数の誘電体層の積層方向である。図９では、複数の誘電体層の積層方向を、記号Ｔを付した矢印で示している。
【００５３】
電子部品５１は、更に、積層体７０の外面上に配置された第１の共振器用導体層７１、第２の共振器用導体層７２およびグランド用導体層７５を備えている。第１の共振器用導体層７１は側面７０Ｃ上に配置されている。第２の共振器用導体層７２は側面７０Ｄ上に配置されている。導体層７５は底面７０Ｂ上に配置されている。
【００５４】
第１の共振器用導体層７１は、第１の部分７１Ａと、この第１の部分７１Ａに連結された第２の部分７１Ｂおよび第３の部分７１Ｃを有している。第１の部分７１Ａは、側面７０Ｃと底面７０Ｂとの間の稜線よりも側面７０Ｃと上面７０Ａとの間の稜線の方に近い位置に配置され、側面７０Ｃと上面７０Ａとの間の稜線に平行な方向に延びている。第１の部分７１Ａの長手方向の一端部７１Ａａは、側面７０Ｃと側面７０Ｅとの間の稜線の位置に配置され、第１の部分７１Ａの長手方向の他端部７１Ａｂは、側面７０Ｃと側面７０Ｆとの間の稜線の位置に配置されている。
【００５５】
第２の部分７１Ｂは、側面７０Ｃと側面７０Ｅとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分７１Ａのうちの側面７０Ｃと側面７０Ｅとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第２の部分７１Ｂは、側面７０Ｃと側面７０Ｅとの間の稜線の位置に配置された端部７１Ｂａと、側面７０Ｃと底面７０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部７１Ｂｂとを有している。第２の部分７１Ｂの端部７１Ｂｂは、入力端子２を構成している。このように、入力端子２は、積層体７０の外面上に配置されている。
【００５６】
第３の部分７１Ｃは、側面７０Ｃと側面７０Ｆとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分７１Ａのうちの側面７０Ｃと側面７０Ｆとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第３の部分７１Ｃは、側面７０Ｃと側面７０Ｆとの間の稜線の位置に配置された端部７１Ｃａと、側面７０Ｃと底面７０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部７１Ｃｂとを有している。第３の部分７１Ｃの端部７１Ｃｂは、グランド端子６を構成している。
【００５７】
第２の共振器用導体層７２は、第１の部分７２Ａと、この第１の部分７２Ａに連結された第２の部分７２Ｂおよび第３の部分７２Ｃを有している。第１の部分７２Ａは、側面７０Ｄと底面７０Ｂとの間の稜線よりも側面７０Ｄと上面７０Ａとの間の稜線の方に近い位置に配置され、側面７０Ｄと上面７０Ａとの間の稜線に平行な方向に延びている。第１の部分７２Ａの長手方向の一端部７２Ａａは、側面７０Ｄと側面７０Ｅとの間の稜線の位置に配置され、第１の部分７２Ａの長手方向の他端部７２Ａｂは、側面７０Ｄと側面７０Ｆとの間の稜線の位置に配置されている。
【００５８】
第２の部分７２Ｂは、側面７０Ｄと側面７０Ｅとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分７２Ａのうちの側面７０Ｄと側面７０Ｅとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第２の部分７２Ｂは、側面７０Ｄと側面７０Ｅとの間の稜線の位置に配置された端部７２Ｂａと、側面７０Ｄと底面７０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部７２Ｂｂとを有している。第２の部分７２Ｂの端部７２Ｂｂは、出力端子３を構成している。このように、出力端子３は、積層体７０の外面上に配置されている。
【００５９】
第３の部分７２Ｃは、側面７０Ｄと側面７０Ｆとの間の稜線の近傍に配置され、第１の部分７２Ａのうちの側面７０Ｄと側面７０Ｆとの間の稜線の近傍に配置された部分に連結されている。第３の部分７２Ｃは、側面７０Ｄと側面７０Ｆとの間の稜線の位置に配置された端部７２Ｃａと、側面７０Ｄと底面７０Ｂとの間の稜線の位置に配置された端部７２Ｃｂとを有している。第３の部分７２Ｃの端部７２Ｃｂは、グランド端子７を構成している。
【００６０】
導体層７５は、第１の共振器用導体層７１の第３の部分７１Ｃの端部７１Ｃｂであるグランド端子６と、第２の共振器用導体層７２の第３の部分７２Ｃの端部７２Ｃｂであるグランド端子７とを接続している。
【００６１】
第１の共振器用導体層７１が配置された側面７０Ｃは、本発明における第１の端面に対応する。第２の共振器用導体層７２が配置された側面７０Ｄは、本発明における第２の端面に対応する。側面７０Ｃに垂直な方向から見たときに、第１の共振器用導体層７１の外縁の一部は、側面７０Ｃの外縁の一部に重なっている。側面７０Ｄに垂直な方向から見たときに、第２の共振器用導体層７２の外縁の一部は、側面７０Ｄの外縁の一部に重なっている。
【００６２】
図１０に示したように、電子部品５１が実装される実装基板８０の上面には、入力用導体層８１、出力用導体層８２およびグランド用導体層８３が形成されている。電子部品５１は、入力端子２が入力用導体層８１に接続され、出力端子３が出力用導体層８２に接続され、グランド端子６，７がグランド用導体層８３に接続されるように、実装基板８０に実装される。
【００６３】
次に、図１３を参照して、積層体７０および共振器用導体層７１，７２について詳しく説明する。図１３において（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、上から１層目ないし４層目の誘電体層の上面を示している。図１３において（ｅ）は、上から４層目の誘電体層およびその下の共振器用導体層７２を、上から見た状態で表したものである。
【００６４】
図１３（ａ）に示した１層目の誘電体層９１の上面には、第１の共振器用導体層７１が形成されている。また、誘電体層９１には、第１の部分７１Ａの端部７１Ａａの近傍において共振器用導体層７１に接続されたスルーホール９１１が形成されている。図１３（ｂ）に示した２層目の誘電体層９２の上面には、キャパシタ用導体層９２１が形成されている。この導体層９２１には、スルーホール９１１が接続されている。従って、導体層９２１は、スルーホール９１１を介して共振器用導体層７１に接続されている。図１３（ｃ）に示した３層目の誘電体層９３の上面には、グランド用導体層９３１が形成されている。この導体層９３１は導体層７５に接続される。図１３（ｄ）に示した４層目の誘電体層９４の上面には、キャパシタ用導体層９４１が形成されている。また、誘電体層９４には、導体層９４１に接続されたスルーホール９４２が形成されている。図１３（ｅ）に示したように、４層目の誘電体層９４の下面には、第２の共振器用導体層７２が形成されている。この共振器用導体層７２における第１の部分７２Ａの端部７２Ａａの近傍の部分には、スルーホール９４２が接続されている。従って、導体層９４１は、スルーホール９４２を介して共振器用導体層７２に接続されている。導体層９２１，９３１，９４１は、本発明における内部導体層に対応する。
【００６５】
第１の共振器用導体層７１は、入力端子２に接続されたインダクタ１１として機能する。第２の共振器用導体層７２は、出力端子３に接続されたインダクタ１２として機能する。グランド用導体層９３１は、誘電体層９２を介してキャパシタ用導体層９２１に対向していると共に、誘電体層９３を介してキャパシタ用導体層９４１に対向している。導体層９２１，９３１および誘電体層９２は、図５におけるキャパシタ１３を構成する。導体層９４１，９３１および誘電体層９３は、図５におけるキャパシタ１４を構成する。導体層９２１，９４１および誘電体層９２，９３は、図５におけるキャパシタ１５を構成する。
【００６６】
図１３に示した誘電体層９１〜９４および複数の導体層のうち共振器用導体層７１，７２を除いたものが積層されて、図９および図１０に示した積層体７０が形成される。図９および図１０に示した導体層７１〜７５は、この積層体７０の外面上に形成される。
【００６７】
誘電体層９１〜９４の材料の材料は、第１の実施の形態における誘電体層４１〜４４の材料と同様である。また、積層体７０の作製方法は、第１の実施の形態における積層体２０の作製方法と同様である。
【００６８】
以上説明したように、本実施の形態に係る電子部品５１は、積層された複数の誘電体層９１〜９４と、隣接する誘電体層の間に配置された１つ以上の内部導体層とを含む積層体７０と、積層体７０の外面上に配置された入力端子２および出力端子３と、積層体７０と一体化され、入力端子２に接続された第１の共振器４と、積層体７０と一体化され、出力端子３に接続された第２の共振器５とを備えている。第１の共振器４は、積層体７０の外面上に配置され、入力端子２に接続されたインダクタ１１として機能する共振器用導体層７１を有している。第２の共振器５は、積層体７０の外面上に配置され、出力端子３に接続されたインダクタ１２として機能する共振器用導体層７２を有している。
【００６９】
第１の実施の形態と同様に、本実施の形態に係る電子部品５１は、例えば、通過帯域がおよそ２．４〜２．５ＧＨｚのバンドパスフィルタとして機能するように設計される。また、本実施の形態においても、第１の実施の形態における第１および第２の変形例と同様の変形が可能である。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００７０】
次に、第２の実施の形態に係る電子部品５１と比較例の電子部品とで、共振器のＱを比較した実験結果について説明する。まず、図１４を参照して、比較例の電子部品の構成について説明する。図１４は、比較例の電子部品３０１の主要部分を示す斜視図である。比較例の電子部品３０１は、実験で使用した電子部品５１とは、以下の点で異なっている。まず、比較例の電子部品３０１では、共振器用導体層７１，７２が積層体７０の内部に配置されている。すなわち、比較例の電子部品３０１では、共振器用導体層７１と積層体７０の側面７０Ｃの間と、共振器用導体層７２と積層体７０の側面７０Ｄの間に、それぞれ誘電体層が配置されている。なお、実験で使用した電子部品５１と電子部品３０１とで、積層体７０の大きさは等しい。
【００７１】
また、比較例の電子部品３０１における導体層９２１，９３１，９４１の形状は、図１３（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示した導体層９２１，９３１，９４１とは異なっている。これは、実験で使用した電子部品５１と電子部品３０１とで、共振器４，５の共振周波数を合わせるためである。なお、実験で使用した電子部品５１，３０１は、いずれも、共振器４，５の共振周波数が２．４５ＧＨｚとなるように設計されている。
【００７２】
上述のように、実験で使用した電子部品５１と電子部品３０１とで積層体７０の大きさは等しいが、電子部品５１では共振器用導体層７１，７２は積層体７０の外面上に配置されているのに対し、電子部品３０１では共振器用導体層７１，７２は積層体７０の内部に配置されている。そのため、電子部品３０１における共振器用導体層７１，７２の各々とグランド（グランド用導体層９３１）との間の各距離は、電子部品５１における共振器用導体層７１，７２の各々とグランド（グランド用導体層９３１）との間の各距離よりも小さくなっている。
【００７３】
図１５は、実験で使用した比較例の電子部品３０１における１つの共振器（共振器４または共振器５）の通過・減衰特性を示している。図１６は、実験で使用した第２の実施の形態に係る電子部品５１における１つの共振器（共振器４または共振器５）の通過・減衰特性を示している。図１５および図１６において、横軸は周波数、縦軸は減衰量である。ここで、図１５、図１６に示した通過・減衰特性において、減衰量が３ｄＢとなる２つの周波数の間隔をΔｆとし、共振周波数をｆ０とする。また、共振器の無負荷のＱをＱｕと表す。Ｑｕは、ｆ０／Δｆとして求めることができる。実験で使用した比較例の電子部品３０１における共振器のＱｕは３０．５であった。これに対し、実験で使用した第２の実施の形態に係る電子部品５１における共振器のＱｕは３４．５であった。この結果から分かるように、第２の実施の形態に係る電子部品５１によれば、比較例の電子部品３０１に比べて、共振器４，５のＱを大きくすることができる。
【００７４】
また、第２の実施の形態に係る電子部品５１では、共振器用導体層７１，７２が積層体７０の外面上に配置されているため、比較例の電子部品３０１のように共振器用導体層７１，７２が誘電体層に挟まれている場合に比べて、共振器用導体層７１，７２の表面が平滑になり、共振器用導体層７１，７２の抵抗が小さくなり、共振器用導体層７１，７２における損失も小さくなる。このことによっても、第２の実施の形態に係る電子部品５１によれば、比較例の電子部品３０１に比べて、共振器４，５のＱを大きくすることができる。第２の実施の形態において、特に、焼成により積層体７０を完成させた後に積層体７０の外面上に共振器用導体層７１，７２を形成した場合には、より一層、共振器用導体層７１，７２の表面が平滑になり、共振器用導体層７１，７２の抵抗が小さくなり、共振器用導体層７１，７２における損失も小さくなり、その結果、共振器４，５のＱをより大きくすることが可能になる。
【００７５】
以上の実験結果を参照して説明した効果は、第１の実施の形態にも当てはまることは言うまでもない。
【００７６】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の電子部品は、バンドパスフィルタに限らず、１つ以上の共振器を備えた電子部品全般に適用することができる。例えば、本発明に係る電子部品は、１つの共振器と、この共振器に接続され、信号の入力および出力のために用いられる端子とを備えたノッチフィルタであってもよい。また、本発明に係る電子部品は、隣接する２つの共振器同士が誘導性結合するように設けられた３つ以上の共振器を備えていてもよい。
【００７７】
本発明の電子部品は、ブルートゥース規格の通信装置や無線ＬＡＮ用の通信装置において用いられるフィルタ、特にバンドパスフィルタとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品の主要部分を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品および実装基板の上面を示す斜視図である。
【図３】図１におけるＡ方向から見た電子部品の主要部分を示す説明図である。
【図４】図１におけるＢ方向から見た電子部品の主要部分を示す説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る電子部品の回路構成を示す回路図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態における積層体と第１および第２の共振器用導体層を示す説明図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態における第１の変形例の電子部品および実装基板の上面を示す斜視図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態における第２の変形例の電子部品および実装基板の上面を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品の主要部分を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品および実装基板の上面を示す斜視図である。
【図１１】図９におけるＡ方向から見た電子部品の主要部分を示す説明図である。
【図１２】図９におけるＢ方向から見た電子部品の主要部分を示す説明図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態における積層体と第１および第２の共振器用導体層を示す説明図である。
【図１４】比較例の電子部品の主要部分を示す斜視図である。
【図１５】比較例の電子部品における共振器の通過・減衰特性を示す特性図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る電子部品における共振器の通過・減衰特性を示す特性図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…電子部品、２…入力端子、３…出力端子、４，５…共振器、１１，１２…インダクタ、１３〜１５…キャパシタ、２０…積層体、２１…第１の共振器用導体層、２２…第２の共振器用導体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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