【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに投射型表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、
該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、
該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、
該平坦化された一の層間絶縁膜に溝を形成する工程と、
該溝内に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されるようにデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続されるように画素電極を形成する工程とを含み
前記溝を形成する工程では、前記溝の深さが前記データ線の膜厚に対応するように制御することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、所定種類のエッチャントに対して相対的にエッチングされ難い下側絶縁膜を形成し、該下側絶縁膜上に相対的にエッチングされ易いと共に前記データ線の膜厚に対応する膜厚を有する上側絶縁膜を形成することで多層構造を有する前記一の層間絶縁膜を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記下側絶縁膜に至るまで前記上側絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施すことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記一の層間絶縁膜を形成する工程の前に、所定種類のエッチャントに対してストッパとして機能するストッパ膜を少なくとも前記データ線を形成する予定の領域に形成する工程を更に含み、
前記一の層間絶縁膜を形成する工程では、前記データ線の膜厚に対応する膜厚を有する前記一の層間絶縁膜を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記データ線を形成する予定の領域において前記ストッパ膜に至るまで前記一の層間絶縁膜に対して前記所定種類のエッチャントを用いたエッチングを施すことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記一の層間絶縁膜の下に非光透過膜によるストッパ膜を形成する工程を有し、
前記溝を形成する工程では、前記データ線を形成する予定の領域において前記ストッパ膜に至るまで前記一の層間絶縁膜に対してエッチングを施すことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記溝は、前記非光透過膜の上面が前記溝の底部を構成するように形成され、
前記データ線を前記非光透過膜の上面と接触するように形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板上における前記データ線に対向する位置に遮光膜を形成する工程を有し、
前記遮光膜は、前記遮光膜の縁と前記画素電極の縁とが平面的に見て重なるように形成され、
且つ前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記一の層間絶縁膜を形成する工程と前記平坦化する工程との間に、前記一の層間絶縁膜に対し７００℃以上の熱処理を施す工程を更に含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記データ線を平面的に見て少なくとも部分的に覆う非光透過膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素スイッチング用素子を形成する工程と前記画素電極を形成する工程との間において前記非光透過膜を形成する工程と同時に且つ導電性を有する前記非光透過膜と同一膜から、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子の他の端子とを接続するための導電膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記非光透過膜を形成する工程と同時に且つ前記非光透過膜と同一膜から、前記画素スイッチング用素子を構成する薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域並びに該チャネル領域及びドレイン領域の接合部を平面的に見て覆う遮光膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記非光透過膜を形成する工程では、前記非光透過膜と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重なるように前記非光透過膜を形成し、
前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成することを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記溝を形成する工程と前記データ線を形成する工程との間に、前記一のコンタクトホールを開孔すると同時に前記データ線を形成する際のアラインメントマークとなる開孔部を開孔する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記溝を形成する工程において、前記平坦化された一の層間絶縁膜に対し前記データ線と同一膜から周辺回路の一部を形成する予定の領域にも前記溝を形成し、
前記データ線を形成する工程において、前記溝内に前記データ線と同一膜から前記周辺回路の一部をも形成することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素スイッチング用素子を形成する工程において、前記基板上に前記周辺回路の他部をも形成し、
前記一の層間絶縁膜を形成する工程において、前記周辺回路の他部上にも前記一の層間絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上に、
画素スイッチング用素子と、
該画素スイッチング用素子の上方に形成され且つ平坦化された一の層間絶縁膜と、
該平坦化された一の層間絶縁膜に形成された溝内に埋められ且つ一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されたデータ線と、
該データ線上に形成された他の層間絶縁膜と、
該他の層間絶縁膜上に形成され且つ他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続された画素電極とを備え、
前記データ線と同一膜からなると共に前記溝内に埋められた部分を含む周辺回路を更に備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法によって製造された電気光学装置を備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、該平坦化された一の層間絶縁膜に溝を形成する工程と、該溝内に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されるようにデータ線を形成する工程と、前記データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続されるように画素電極を形成する工程とを含み前記溝を形成する工程では、前記溝の深さが前記データ線の膜厚に対応するように制御することを特徴とする。