(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が収容されるチャンバーと、
チャンバー内に相対向するように平行に設けられた上部電極および下部電極と、
前記上部電極に２７ＭＨｚ以上の周波数の高周波を印加する高周波印加手段と、
前記上部電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
前記下部電極に１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの高周波を印加する高周波印加手段と、
前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と
を具備し、
前記下部電極に被処理基板を支持させた状態で、前記上部電極および下部電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、かつ前記上部電極に前記直流電圧印加手段からの直流電圧を印加することにより、前記上部電極表面の自己バイアス電圧を上昇させ、このプラズマにより被処理基板にプラズマエッチング処理を施すことを特徴とする容量結合型平行平板プラズマエッチング装置。
【請求項２】
被処理基板が収容されるチャンバーと、
チャンバー内に相対向するように平行に設けられた上部電極および下部電極と、
前記上部電極に２７ＭＨｚ以上の周波数の高周波を印加する高周波印加手段と、
前記下部電極に１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの高周波を印加する高周波印加手段と、
前記上部電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と
を具備した容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を用いてプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法であって、
前記下部電極に被処理基板を支持させた状態で、前記上部電極および下部電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成するとともに、前記上部電極に前記直流電圧印加手段からの直流電圧を印加して前記上部電極表面の自己バイアス電圧を上昇させ、被処理基板にプラズマエッチング処理を施すことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記上部電極と前記直流電圧印加手段との間に、ローパスフィルタを設けたことを特徴とする請求項１に記載の容量結合型平行平板プラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記上部電極は、前記下部電極との対向面を構成する電極板と、この電極板を支持する電極支持体とによって構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の容量結合型平行平板プラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記電極板は複数の吐出孔を有し、前記処理ガスは前記複数の吐出孔を通って、前記上部電極と前記下部電極間に吐出されることを特徴とする請求項４に記載の容量結合型平行平板プラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記上部電極と前記直流電圧印加手段との間に、ローパスフィルタを設けることを特徴とする請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記上部電極は、前記下部電極との対向面を構成する電極板と、この電極板を支持する電極支持体とによって構成されていることを特徴とする請求項２又は請求項６に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
前記電極板は複数の吐出孔を有し、前記処理ガスは前記複数の吐出孔を通って、前記被処理基板に吐出されることを特徴とする請求項７に記載のプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板等の基板にプラズマエッチング処理を施す容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハに回路を形成するためにプラズマエッチング処理が採用されている。プラズマエッチング処理を行う装置としては、種々のものが用いられているが、その中でも容量結合型平行平板プラズマエッチング装置が主流である。
【０００３】
容量結合型平行平板プラズマエッチング装置は、チャンバー内に一対の平行平板電極（上部および下部電極）を配置し、処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、電極の一方に高周波を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成して半導体ウエハに対してプラズマエッチング処理を施す。
【０００４】
このような容量結合型平行平板プラズマエッチング装置により半導体ウエハ上の膜、例えば酸化膜をエッチングする場合には、チャンバー内を中圧にして、中密度プラズマを形成することにより、最適ラジカル制御が可能であり、それによって適切なプラズマ状態を得ることができ、高い選択比で、安定性および再現性の高いエッチングを実現している。
【０００５】
しかしながら、近年、ＵＳＬＩにおけるデザインルールの微細化がますます進み、ホール形状のアスペクト比もより高いものが要求されており、酸化膜のエッチング等において従来の条件では必ずしも十分とはいえなくなりつつある。
【０００６】
そこで、印加する高周波電力の周波数を上昇させ、良好なプラズマの解離状態を維持しつつ、高密度プラズマを形成することが試みられている。これにより、より低圧の条件下で適切なプラズマを形成することができるので、さらなるデザインルールの微細化に適切に対応することが可能となると考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本発明者の検討結果によれば、このようにプラズマを高密度化するとプラズマの非線形性の特性が顕著に現れ、プラズマからの反射波の高調波が増加し、電極径がφ２５０〜φ３００の場合には、このような高調波により電極表面に定在波が生成され、電極表面の電界分布が不均一になることが判明した。
【０００８】
このように電界分布が不均一になるとプラズマ密度が不均一となり、結果としてエッチングレート分布が不均一となるため、上記電界分布不均一の原因を取り除いてエッチングレート分布を均一にすることが必要となる。
【０００９】
しかしながら、従来、このような高密度プラズマを用いた場合の問題点が必ずしも明確に認識されていたわけではなく、上記のような電界分布不均一を解消しようとする試みは未だ十分にはなされていない。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマエッチング処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくしてプラズマ密度を均一化することが可能であり、エッチングレート分布が均一な容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、被処理基板が収容されるチャンバーと、
チャンバー内に相対向するように平行に設けられた上部電極および下部電極と、
前記上部電極に２７ＭＨｚ以上の周波数の高周波を印加する高周波印加手段と、
前記上部電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
前記下部電極に１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの高周波を印加する高周波印加手段と、
前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と
を具備し、
前記下部電極に被処理基板を支持させた状態で、前記上部電極および下部電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成し、かつ前記上部電極に前記直流電圧印加手段からの直流電圧を印加することにより、前記上部電極表面の自己バイアス電圧を上昇させ、このプラズマにより被処理基板にプラズマエッチング処理を施すことを特徴とする容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を提供する。
【００１５】
本発明はさらにまた、被処理基板が収容されるチャンバーと、
チャンバー内に相対向するように平行に設けられた上部電極および下部電極と、
前記上部電極に２７ＭＨｚ以上の周波数の高周波を印加する高周波印加手段と、
前記下部電極に１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの高周波を印加する高周波印加手段と、
前記上部電極に直流電圧を印加する直流電圧印加手段と、
前記チャンバー内を所定の減圧状態に維持する排気手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを導入する処理ガス導入手段と
を具備した容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を用いてプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法であって、
前記下部電極に被処理基板を支持させた状態で、前記上部電極および下部電極間に高周波電界を形成することにより処理ガスのプラズマを形成するとともに、前記上部電極に前記直流電圧印加手段からの直流電圧を印加して前記上部電極表面の自己バイアス電圧を上昇させ、被処理基板にプラズマエッチング処理を施すことを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
【００１７】
上述したように、プラズマからの高調波が上部電極（第１の電極）の面内に定在波を形成するため、上部電極表面の電界分布が不均一となる。そのため上部電極のプラズマシースが電極中央部で薄くなるとともに、電極表面の自己バイアス電圧が不均一になる。つまり、定在波は電極の中央で振幅が大きくなるから、定在波が上部電極の電界分布に影響を及ぼし、上部電極近傍のプラズマに寄与することにより、上部電極中央部のシースが端部に比較して薄くなる。このとき、上部電極に印加する周波数が比較的低い場合、つまり２７ＭＨｚ未満の場合には、自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）が大きく、プラズマシースが厚いので、定在波がプラズマの均一性に与える影響は小さい。また、高周波の波長が大きく、高調波の波長も大きいので、プラズマ処理に影響を与える定在波が発生しにくい。
ところが、上部電極に印加する高周波の周波数が２７ＭＨｚ以上と高くなると、電極表面の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）も小さくなり、その結果プラズマシースの全体の厚さが薄くなるため、定在波により自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一に起因して電極中央部のプラズマシースがさらに薄くなることによって、プラズマシース厚の変化の割合が大きくなり、プラズマの均一性が悪くなる。
これに対して、本発明においては、第１の電極に２７ＭＨｚ以上の周波数の高周波を印加するとともに、この第１の電極にさらに直流電圧を印加するので、その直流電圧分だけ自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）が上昇して、プラズマシースが厚くなり、自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一によるプラズマシースの不均一の程度も小さくすることができる。このため、プラズマ密度を均一化することができ、エッチングレート分布を均一にすることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るエッチング処理装置を模式的に示す断面図である。このエッチング処理装置１は、電極板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量型平行平板エッチング装置として構成されている。
【００１９】
このプラズマエッチング装置１は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形状に成形されたチャンバー２を有しており、このチャンバー２は接地されている。前記チャンバー２内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、被処理体、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ支持台４が設けられており、さらにこのサセプタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５が設けられている。このサセプタ５には後述の６０ＭＨｚの高周波を通すためのハイパスフィルター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００２０】
前記サセプタ支持台４の内部には、冷媒室７が設けられており、この冷媒室７には、例えば液体窒素などの冷媒が冷媒導入管８を介して導入されて循環し、その冷熱が前記サセプタ５を介して前記ウエハＷに対して伝熱され、これによりウエハＷの処理面が所望の温度に制御される。
【００２１】
前記サセプタ５は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャック１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材の間に電極１２が介在されており、電極１２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより、例えばクーロン力によってウエハＷを静電吸着する。
【００２２】
そして、前記絶縁板３、サセプタ支持台４、サセプタ５、さらには前記静電チャック１１には、被処理体であるウエハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨｅガスなどを供給するためのガス通路１４が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ５の冷熱がウエハＷに伝達されウエハＷが所定の温度に維持されるようになっている。
【００２３】
前記サセプタ５の上端周縁部には、静電チャック１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフォーカスリング１５が配置されている。このフォーカスリング１５はシリコンなどの導電性材料からなっており、これによりエッチングの均一性が向上される。
【００２４】
前記サセプタ５の上方には、このサセプタ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。この上部電極２１は、絶縁材２５を介して、チャンバー２の上部に支持されており、サセプタ５との対向面を構成し、多数の吐出孔２４を有する電極板２３と、この電極板２３を支持し、導電性材料、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる水冷構造の電極支持体２２とによって構成されている。なお、下部電極であるサセプタ５と上部電極２１とは、例えば１０〜６０ｍｍ程度離間している。
【００２５】
前記上部電極２１における電極支持体２２にはガス導入口２６が設けられ、このガス導入口２６には、ガス供給管２７が接続されており、さらにこのガス供給管２７には、バルブ２８、およびマスフローコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接続されている。処理ガス供給源３０から、エッチングのための処理ガスが供給される。
【００２６】
処理ガスとしては、従来用いられている種々のものを採用することができ、例えばフロロカーボンガス（ＣｘＦｙ）やハイドロフロロカーボンガス（ＣｐＨｑＦｒ）のようなハロゲン元素を含有するガスを好適に用いることができる。他にＡｒ、Ｈｅ等の希ガスやＮ２を添加してもよい。
【００２７】
前記チャンバー２の底部には排気管３１が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、このゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるようになっている。
【００２８】
上部電極２１には、整合器４１を介してプラズマ形成用の高周波電源４０が接続されている。この高周波電源４０は、２７ＭＨｚ以上の高い周波数を有しており、このように高い周波数を印加することによりチャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ、低圧条件下のプラズマ処理が可能となる。この例では、高周波電源４０として６０ＭＨｚのものを用いている。また、上部電極２１には、直流のみを通すローパスフィルター（ＬＰＦ）４４を介して上部電極２１の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を上昇させるための直流電源４３が接続されている。また、整合器４１内には直列にコンデンサ（図示せず）が設けられているので、高周波電源４０と直流電源４３とが衝突することはない。
【００２９】
下部電極としてのサセプタ５には、イオン引き込み用の高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合器５１が介在されている。この第２の高周波電源５０は１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。この例では、２ＭＨｚのものを用いている。
【００３０】
次に、以上のように構成されるプラズマエッチング装置１における処理動作について説明する。
まず、被処理体であるウエハＷは、ゲートバルブ３２が開放された後、図示しないロードロック室からチャンバー２内へと搬入され、静電チャック１１上に載置される。そして、高圧直流電源１３から直流電圧が印加されることによって、ウエハＷが静電チャック１１上に静電吸着される。次いで、ゲートバルブ３２が閉じられ、排気装置３５によって、チャンバー２内が所定の真空度まで真空引きされる。
【００３１】
その後、バルブ２８が開放されて、処理ガス供給源３０から処理ガスがマスフローコントローラ２９によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２６を通って上部電極２１の内部へ導入され、さらに電極板２３の吐出孔２４を通って、図１の矢印に示すように、ウエハＷに対して均一に吐出され、チャンバー２内の圧力が所定の値に維持される。
【００３２】
そして、その後、高周波電源４０から２７ＭＨｚ以上、例えば６０ＭＨｚの高周波が上部電極２１に印加される。これにより、上部電極２１と下部電極としてのサセプタ５との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化し、このプラズマにより、ウエハＷに対してエッチング処理が施される。
【００３３】
他方、高周波電源５０からは、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ、例えば２ＭＨｚの高周波が下部電極であるサセプタ５に印加される。これにより、プラズマ中のイオンがサセプタ５側へ引き込まれ、イオンアシストによりエッチングの異方性が高められる。
【００３４】
このように、上部電極２１に印加する高周波の周波数を２７ＭＨｚ以上とすることにより、プラズマ密度を上げることができるが、これだけでは、プラズマからの反射波の高調波により電極板２３下面に定在波が生成されることによって、電極板２３下面での電界の不均一が生じる。
【００３５】
すなわち、高周波電源４０のみの場合には、プラズマからの高調波が上部電極２１の表面に定在波を形成するため、上部電極表面の電界分布が不均一となる。上部電極に印加する高周波の周波数が２７ＭＨｚ以上と高くなると、電極表面の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）も小さくなり、その結果、図２の（ａ）に示すように、上部電極２１のプラズマシースＳの全体の厚さが薄くなるため、定在波による電界分布の不均一に起因して電極中央部のプラズマシースがさらに薄くなることによって、プラズマシース厚の変化の割合が大きくなるとともに、電極表面の自己バイアス電圧が不均一となる。この結果、プラズマの均一性が悪くなる。
【００３６】
これに対して、上述のように上部電極２１に対して、高周波電源４０から２７ＭＨｚより高い周波数の高周波を印加するとともに、直流電源４３から直流電圧を印加することにより、図２の（ｂ）に示すように、その直流電圧分だけ自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）が上昇して、その寄与分Ｓ１により、より厚いプラズマシースＳ’が形成され、自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一およびプラズマシースの不均一の程度も小さくすることができる。このため、プラズマ密度を均一化することができ、エッチングレート分布を均一にすることができる。
【００３７】
例えば、高周波電源４０から電極２１へ、６０ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電力が印加された場合には、Ｖｄｃ＝−１００Ｖ程度であり、Ｖｄｃのばらつきを±１０Ｖ程度とすると、ばらつきの割合は±１０％とかなり大きくなって、プラズマの均一性が低くなる。
【００３８】
しかし、直流電源４３から、例えば−４００Ｖを印加した場合、全体のＶｄｃは−（１００＋４００）Ｖ±１０Ｖとなり、Ｖｄｃのばらつきの割合は±２％となってＶｄｃの均一性が向上する。その結果、プラズマの均一性も改善される。
【００３９】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図３は本発明の第２の実施形態に係るプラズマエッチング装置を模式的に示す断面図である。このプラズマエッチング装置１’も、第１の実施形態と同様、電極板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量型平行平板エッチング装置として構成されており、図３において、図１と同じものには基本的に同じ符号を付して説明を省略する。
【００４０】
本実施形態においては、第１の実施形態とは異なり、上部電極２１に２つの高周波電源を接続する。すなわち、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６２、整合器６１を介してプラズマ形成用の第１の高周波電源６０を接続し、さらにローパスフィルター６５、整合器６４を介して第２の高周波電源６３を接続する。
【００４１】
第１の高周波電源６０は、２７ＭＨｚ以上の高い周波数を有しており、このように高い周波数を印加することによりチャンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ、低圧条件下のプラズマ処理が可能となる。この例では、第１の高周波電源６０として６０ＭＨｚのものを用いている。
【００４２】
第２の高周波電源６３は、第１の高周波電源６０の周波数よりも低い周波数であり、好適には２〜１０ＭＨｚとされ、この例では２ＭＨｚのものを用いている。第２の高周波電源６３は、このように第１の高周波電源６０よりも周波数が低いことから、上部電極２１の自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を上昇させる機能を有している。
【００４３】
なお、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）６２は第２の高周波電源６３の周波数以下の周波数をカットするためのものであり、ローパスフィルター（ＬＰＦ）６５は第１の高周波電源６０の周波数以上の周波数をカットするものである。
【００４４】
このように構成されるプラズマエッチング装置１’においては、基本的に第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置１と同様にエッチング処理が行われる。この場合に、第１の実施形態と同様、上部電極２１に印加する高周波の周波数を２７ＭＨｚ以上とすることにより、プラズマ密度を上げることができるが、これだけでは、プラズマからの反射波の高調波により電極板２３下面に定在波が生成されることによって、電極板２３下面での電界の不均一が生じる。
【００４５】
そこで、本実施形態では直流電源から直流電圧を印加する代わりに、第２の高周波電源６３から第１の高周波電源６０よりも低い周波数の高周波を上部電極２１に印加する。第２の高周波電源６３から印加される高周波による自己バイアス電圧は、第１の高周波電源６０から印加される高周波による自己バイアス電圧よりも大きいため、第１および第２の高周波電源６０，６３からの高周波が重畳されることにより、第１の高周波電源６０からのみ高周波を印加する場合よりも極めて高い自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を得ることができ、その寄与分により、図２の（ｂ）の場合と同様に、より厚いプラズマシースが形成され、自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一およびプラズマシースの不均一の程度を小さくすることができる。このため、プラズマ密度を均一化することができ、エッチングレート分布を均一にすることができる。
【００４６】
例えば、第１の高周波電源６０から電極２１へ、６０ＭＨｚ、１ｋＷの高周波電力が印加された場合には、Ｖｄｃ＝−１００Ｖ程度であり、Ｖｄｃのばらつきを±１０Ｖ程度とすると、ばらつきの割合は±１０％とかなり大きくなって、プラズマの均一性が低くなる。
【００４７】
しかし、第２の高周波電源６３から電極２１へ、例えば２ＭＨｚ、５００Ｗの高周波電力を重畳させた場合には、第２の高周波電源６３によるＶｄｃは−４００Ｖ程度となり、全体のＶｄｃは−（１００＋４００）Ｖ±１０Ｖとなり、Ｖｄｃのばらつきの割合は±２％となってＶｄｃの均一性が向上する。その結果、プラズマの均一性も改善される。
【００４８】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、上下電極に高周波を印加したが、上部電極のみに高周波を印加するタイプであってもよい。また、被処理基板として半導体ウエハを用い、ウエハ上の酸化膜にエッチングを施す場合について説明したが、これに限らず、酸化膜以外の絶縁膜やポリシリコン等、他のエッチングにも適用することができる。さらに、ウエハに限らず処理対象としては液晶表示装置（ＬＣＤ）基板等の他の基板であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第１の電極に２７ＭＨｚより高い周波数の高周波を印加するとともに、この第１の電極にさらに直流電圧を印加するので、その直流電圧分だけ自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）が上昇して、プラズマシースが厚くなり、自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一によるプラズマシースの不均一の程度も小さくすることができる。このため、プラズマ密度を均一化することができ、エッチングレート分布を均一にすることができる。
【００５０】
また、第１の電極に第１の高周波印加手段から２７ＭＨｚより高い周波数の高周波を印加するとともに、この第１の電極に第２の高周波印加手段から第１の高周波印加手段の周波数よりも低い周波数の高周波を印加する場合には、第２の高周波印加手段から印加される高周波による自己バイアス電圧は、第１の高周波印加手段から印加される高周波による自己バイアス電圧よりも大きいため、これらが重畳されることにより、第１の高周波印加手段から印加された高周波のみの場合よりも極めて大きい自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）を得ることができ、プラズマシースが厚くなり、定在波による自己バイアス電圧（Ｖｄｃ）の不均一によるプラズマシースの不均一の程度を小さくすることができる。このため、プラズマ密度を均一化することができ、エッチングレート分布を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】本発明の原理を説明するための模式図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図。
【符号の説明】
１，１’；エッチング装置
２；チャンバー
５；サセプタ（第２の電極）
６，６２；ハイパスフィルタ
２１；上部電極（第１の電極）
３０；処理ガス供給源
３５；排気装置
４０，５０，６０，６３；高周波電源
４１，５１，６１，６４；整合器
４３；直流電源
４４，６５；ローパスフィルタ
Ｓ，Ｓ’；プラズマシース
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
0004831853.tif 000002
【図２】
0004831853.tif 000003
【図３】
0004831853.tif 000004