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【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納容器の斜め上方側に向けて、収納された錠剤ブリスターパックをスライドさせて取り出す方式の収納容器スライド面の一端部に、錠剤ブリスターパックを更に斜め上方側に向けて案内する案内面を備え、前記案内面の前方、下方端部側に端数の錠剤ブリスターパックを収納する端数収納部を設けた事を特徴とする錠剤ブリスターパック収納容器。
【請求項２】
前記収納容器を棚体に配置すると共に、収納容器を前方に引き出した時に収納容器が棚体から外れないようにするためのストッパーを設け、各棚体に前記ストッパー部を支持して収納容器が棚体から外れないように構成した請求項１に記載の錠剤ブリスターパック収納容器。
【請求項３】
収納容器の斜め上方側に向けて、収納された錠剤ブリスターパックをスライドさせ取り出す方式の収納容器スライド面の前方、下方端部側に端数の錠剤ブリスターパックを収納する端数収納部を設け、収納容器を棚体に配置すると共に、収納容器を前方に引出した時に収納容器が棚体から外れないようにするためのストッパーを設け、各棚体に前記ストッパー部を支持して収納容器が棚体から外れないように構成した錠剤ブリスターパック収納容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以上の課題を解決するため、収納容器の斜め上方側に向けて、収納された錠剤ブリスターパックをスライドさせて取り出す方式の収納容器スライド面の一端部に、錠剤ブリスターパックを更に斜め上方側に向けて案内する案内面を備え、前記案内面の前方、下方端部側に端数の錠剤ブリスターパックを収納する端数収納部を設けた。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、収納容器を棚体に配置すると共に、収納容器を前方に引き出した時に収納容器が棚体から外れないようにするためのストッパーを設け、各棚体に前記ストッパー部を支持して収納容器が棚体から外れないように構成した。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、収納容器の斜め上方側に向けて、収納された錠剤ブリスターパックをスライドさせ取り出す方式の収納容器スライド面の前方、下方端部側に端数の錠剤ブリスターパックを収納する端数収納部を設け、収納容器を棚体に配置すると共に、収納容器を前方に引出した時に収納容器が棚体から外れないようにするためのストッパーを設け、各棚体に前記ストッパー部を支持して収納容器が棚体から外れないように構成した。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【効果】
以上、本発明の棚体は、調剤薬局向けに設置スペースが６０％に設計できて、且、従来機能を越えた取出し易さが実現可能である。
また、コストも安く、収納容器にブリスターパックの補給を行う場合でも、この収納容器が棚体から外れて、残り少ないブリスターパックを散乱させたり、耳障りな落下音を立てる事のない錠剤ブリスターパック収納容器が提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗滌槽内に溜めた洗滌液や消毒液中に被洗滌物を漬けてその被洗滌物を洗滌・消毒する内視鏡洗滌消毒装置において、
洗滌槽内に溜めた洗滌液や消毒液に流れを作る流液発生手段を備えると共に、この流液発生手段は洗滌槽内の洗滌液や消毒液に流れの方向に変化を与える機能を有することを特徴とする内視鏡洗滌消毒装置。
【請求項２】
注水源からの洗滌水を洗滌槽内に噴出させる注水口を具備し、または前記注水口と洗滌槽内の洗滌水をポンプで吸引、加圧して洗滌槽に戻す噴出口を具備した内視鏡洗滌消毒装置において、
前記注水口と流液噴出口の少なくともどちらか一方が、洗滌槽内の内視鏡操作部の上方近傍に設けられ、その注水口または噴出口から出る洗滌水が内視鏡操作部に直接に当たり、かつ洗滌槽内に流液を生じさせるように構成したことを特徴とする内視鏡洗滌消毒装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（手段）
請求項１に係る発明は、洗滌槽内に溜めた洗滌液や消毒液中に被洗滌物を漬けてその被洗滌物を洗滌・消毒する内視鏡洗滌消毒装置において、
洗滌槽内に溜めた洗滌液や消毒液に流れを作る流液発生手段を備えると共に、この流液発生手段は洗滌槽内の洗滌液や消毒液に流れの方向に変化を与える機能を有することを特徴とするものである。
また、請求項２に係る発明は、注水源からの洗滌水を洗滌槽内に噴出させる注水口を具備し、または前記注水口と洗滌槽内の洗滌水をポンプで吸引、加圧して洗滌槽に戻す噴出口を具備した内視鏡洗滌消毒装置において、
前記注水口と流液噴出口の少なくともどちらか一方が、洗滌槽内の内視鏡操作部の上方近傍に設けられ、その注水口または噴出口から出る洗滌水が内視鏡操作部に直接に当たり、かつ洗滌槽内に流液を生じさせるように構成したことを特徴とするものである。
（作用）
本発明は、洗滌槽内の洗滌液や消毒液の流れ方向に変化を与えることによりその流液による洗滌・消毒作用を高める。
また、請求項２に係る発明によれば、内視鏡の複雑に入りくんだ形状の部分、特に操作部を強力に洗滌できると共に、洗滌槽内に液流を発生できるので、洗滌力が格段に向上し、内視鏡全体を、きれいに洗滌できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に外部接続端子が設けられた基板と、
前記基板の他の主面に搭載され、かつ前記外部接続端子と対応させて電気的に接続した半導体素子と、
前記外部接続端子と絶縁隔離して前記基板の一主面上に一体的に配置された前記基板の膨張緩和層とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の前記基板に対する接合部は、樹脂層で充填・封止されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板は方形の基板であって、前記基板の膨張緩和層は前記方形基板の対角線に沿って一体的に配置されていることを特徴とする請求項１もしくは請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する基板と、
前記基板の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続された半導体素子と、
前記外部接続端子とは絶縁隔離して前記基板の一主面に一体的に配置された前記基板の膨張緩和層を備えていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項５】
前記基板は方形の基板であって、前記膨張緩和層は前記方形基板の対角線に沿って一体的に配置されていることを特徴とする請求項４記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する半導体装置基板と、前記半導体基板の他主面の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続した半導体素子、および前記半導体素子の前記半導体装置基板に対する接続部を充填・封止する樹脂層を有する半導体装置と、
主面に所要の導電パッドを有し、前記導電パッドと前記半導体装置の前記外部接続端子を対応させ半田を介して接合・実装した配線基板とを有する実装回路装置であって、
前記半導体装置基板の外部接続端子が設けられた前記一主面に、前記外部接続端子とは絶縁隔離して前記配線基板の熱膨張率に近似した熱膨張率を有する膨張緩和層が一体的に配置されていることを特徴とする実装回路装置。
【請求項７】
一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する半導体装置基板と、前記基板の他主面の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続された半導体素子、および前記基板に対する接続部を充填・封止する樹脂層を有する半導体装置と、
前記半導体装置と、主面に所要の導電パッドを有する配線基板とを、前記導電パッドと前記半導体装置の基板の外部接続端子を対応させ半田を介して接合・実装した実装回路装置であって、
前記配線基板の前記主面に、前記導電パッドとは絶縁隔離して前記半導体基板の熱膨張率に近似した熱膨張率を有する膨張緩和層が一体的に配置されていることを特徴とする実装回路装置。
【請求項８】
一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する半導体装置基板と、前記半導体装置基板の他主面の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続された半導体素子、前記半導体素子の半導体基板に対する接続部を充填・封止する樹脂層、および前記外部接続端子が設けられた一主面に、前記外部接続端子とは絶縁隔離して一体的に配置された前記半導体装置用基板の膨張緩和層を備えている半導体装置と、
主面に、所要の導電パッドを有しかつ前記導電パッドとは絶縁隔離して一体的に配置された膨張緩和層を有する配線基板を、前記半導体装置に、前記導電パッドと前記半導体装置の基板の外部接続端子を対応するように、半田を介して接合・実装した実装回路装置であって、
前記半導体用基板の膨張緩和層および前記配線基板の膨張緩和層が、いずれも前記半導体用基板の熱膨張率および前記配線基板の熱膨張率の間の熱膨張率を有する材料により構成されていることを特徴とする実装回路装置。
【請求項９】
一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する半導体装置基板と、前記半導体装置基板の他主面の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続された半導体素子とからなる半導体パッケージと、
主面に、前記半導体装置基板の外部端子と対向するように配設された導電パッドを有する配線基板、および
前記配線基板の導電パッドと前記半導体装置基板の外部接続端子とを接続する接続手段からなる実装回路装置であって、
前記半導体用基板と前記配線基板のとの間に膨張緩和層が介挿され、前記膨張緩和層の熱膨張率は前記半導体装置基板の熱膨張率と前記配線基板の熱膨張率との間の熱膨張率を具備することを特徴とする実装回路装置。
【請求項１０】
前記半導体装置基板の一主面と前記配線基板の主面との間の間隙は、前記膨張緩和層の厚さと等しいことを特徴とする請求項９記載の実装回路装置。
【請求項１１】
前記半導体装置基板のは方形基板であって、前記膨張緩和層は、前記方形基板の対角線に沿って配設されていることを特徴とする請求項６乃至１０記載の実装回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】請求項９記載の発明は、一主面に外部接続端子が設けられ、他主面に半導体素子の搭載部を有する半導体装置基板と、前記半導体装置基板の他主面の搭載部に搭載され、かつ前記接続端子と対応させて電気的に接続された半導体素子とからなる半導体パッケージと、主面に、前記半導体装置基板の外部端子と対向するように配設された導電パッドを有する配線基板、および 前記配線基板の導電パッドと前記半導体装置基板の外部接続端子とを接続する接続手段からなる実装回路装置であって、前記半導体用基板と前記配線基板のとの間に膨張緩和層が介挿され、前記膨張緩和層の熱膨張率は前記半導体装置基板の熱膨張率と前記配線基板の熱膨張率との間の熱膨張率を具備することを特徴とする実装回路装置である。また請求項１０記載の発明は請求項９記載の実装回路装置において、半導体装置基板の一主面と配線基板の主面との間の間隙は、膨張緩和層の厚さと等しいことを特徴とする。さらにまた 請求項１１記載の発明は請求項６乃至１０いずれか１項記載の実装回路装置において、半導体装置基板は方形基板であって、膨張緩和層は、方形基板の対角線に沿って配設されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された信号光を増幅する光増幅媒体と、前記光増幅媒体を励起する励起手段とを含む光増幅装置であって、
少なくとも２．７μｍ程度の波長を有する制御光を前記光増幅媒体へ導入する制御光導入手段を備えたことを特徴とする光増幅装置。
【請求項２】
前記励起手段は、０．９８μｍ程度の波長の光で前記光増幅媒体を励起することを特徴とする請求項１に記載の光増幅装置。
【請求項３】
入力された光信号を増幅して出力する光増幅媒体と、前記光増幅媒体を励起する励起手段とを含む光増幅装置であって、
前記光増幅装置に入力される入力光の強度が所定値以下であることを検知する検知手段と、
前記検知手段からの制御信号を受けて、前記光増幅媒体で発生する光サージを制御する制御光を前記光増幅媒体へ導入する制御光導入手段とを備え、
前記制御光導入手段は、前記光増幅装置の雑音指数を１０ｄＢ以下に抑えて利得制御することを特徴とする光増幅装置。
【請求項４】
光増幅媒体と前記光増幅媒体を励起する励起手段とを含む光増幅装置であって、
前記光増幅装置に入力される入力光の強度が少なくとも１０μｓ以上の時間、所定値以下であることを検知する検知手段と、
前記検知手段からの制御信号を受けて、前記光増幅媒体で発生する光サージを制御する制御光を前記光増幅媒体へ導入する制御光導入手段とを備えたことを特徴とする光増幅装置。
【請求項５】
信号光が入力される光増幅媒体と、前記光増幅媒体を励起する励起手段とを含む光増幅装置であって、
前記光増幅装置は前記信号光に対し２８ｄＢ以上の最大利得を有し、
８０μＷ以上の強度の制御光を前記光増幅媒体へ導入する制御光導入手段を備えたことを特徴とする光増幅装置。
【請求項６】
前記制御光は、前記光増幅媒体からの自然放出光の波長を含む波長帯域を有することを特徴とする請求項３乃至５に記載の光増幅装置。
【請求項７】
前記制御光導入手段は、前記光増幅装置の雑音指数を１０ｄＢ以下に抑えて利得制御することを特徴とする請求項５又は６に記載の光増幅装置。
【請求項８】
励起光によりエネルギー供給され、前記供給エネルギーにより光を増幅する光増幅媒体を有する光増幅装置であって、
前記光増幅装置に入力される信号光の入力強度に応じて前記光増幅装置の利得を制御する利得制御手段を備え、
前記利得制御手段は、前記信号光入力強度の所定値で最大利得を有し、前記所定値以下の信号光入力強度に対し、前記最大利得以下の正の利得領域を有するよう制御することを特徴とする光増幅装置。
【請求項９】
前記所定値は−２０ｄＢｍ以下の値であることを特徴とする請求項８に記載の光増幅装置。
【請求項１０】
前記利得制御手段は、前記光増幅装置の雑音指数を１０ｄＢ以下に抑えて利得制御することを特徴とする請求項８又は９に記載の光増幅装置。
【請求項１１】
前記利得制御手段はさらに、前記光増幅媒体で発生する光サージを制御する制御光を前記光増幅媒体へ導入することを特徴とする請求項８乃至１０に記載の光増幅装置。
【請求項１２】
前記利得制御手段は、前記光増幅器からの出力光を用いることにより、前記光増幅器内で生じる光サージを制御することを特徴とする請求項８乃至１１に記載の光増幅装置。
【請求項１３】
前記光増幅装置の最大利得は２８ｄＢ以上であることを特徴とする請求項８乃至１２に記載の光増幅装置。
【請求項１４】
信号光を増幅して出力する光増幅器と、前記光増幅器からの増幅された信号光を受ける光受信器とを含む増幅機能付き光受信装置であって、
前記光増幅器はその内部で発生する光サージを制御するサージ制御手段を備えたことを特徴とする増幅機能付き光受信装置。
【請求項１５】
励起光によりエネルギー供給され、前記供給エネルギーにより信号光を増幅する光増幅媒体を有する光増幅装置であって、
前記光増幅装置に入力される前記信号光の入力強度に応じて前記光増幅装置の利得を制御する利得制御手段を備え、
前記利得制御手段は、前記信号光入力強度が所定値以下の値を所定時間以上示した時点から前記信号光入力強度が前記所定値以上の値を示すまでの間、前記光増幅装置の信号光出力強度を強制的に下げるよう制御することを特徴とする光増幅装置。
【請求項１６】
励起光によりエネルギー供給され、前記供給エネルギーにより光を増幅する光増幅媒体を有する光増幅装置であって、
前記光増幅装置から出力される信号光の出力強度に応じて前記光増幅装置の利得を制御する利得制御手段を備え、
前記利得制御手段は、前記信号光出力強度の所定値で最大利得を有し、前記所定値以下の信号光出力強度に対し、前記最大利得以下の正の利得領域を有するよう制御することを特徴とする光増幅装置。
【請求項１７】
前記所定値は−２０ｄＢｍ以下の値であることを特徴とする請求項１６に記載の光増幅装置。
【請求項１８】
励起光によりエネルギー供給され、前記供給エネルギーにより光を増幅する光増幅媒体を有する光増幅装置であって、
前記光増幅装置から出力される信号光の出力強度に応じて前記光増幅装置の利得を制御する第１の利得制御手段と、
前記光増幅装置に入力される信号光の入力強度に応じて前記光増幅装置の利得を制御する第２の利得制御手段とを備え、
前記第１の利得制御手段と第２の利得制御手段は、前記光増幅装置が前記信号光入力強度の所定値で最大利得を有し、前記所定値以下の信号光入力強度に対し、正の利得領域を有するよう制御することを特徴とする光増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣを装着した基板をケースに収納して略密閉する制御基板ボックスにおいて、
上記ケースにおける上記ＩＣに対向する部分を同ＩＣに近づくように凹ませることにより形成され、上記ＩＣの各足に対面した針状のプローブが下面から複数突出して形成されたプローブユニットと略同一外形とされた凹み部分と、
同凹み部分に上記プローブユニットを装着したときに上記プローブが上記ＩＣの各足に接触するように同プローブを挿入させるプローブ挿入口とを具備することを特徴とする制御基板ボックス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、ＩＣを装着した基板をケースに収納して略密閉する制御基板ボックスにおいて、上記ケースにおける上記ＩＣに対向する部分を同ＩＣに近づくように凹ませることにより形成され、上記ＩＣの各足に対面した針状のプローブが下面から複数突出して形成されたプローブユニットと略同一外形とされた凹み部分と、同凹み部分に上記プローブユニットを装着したときに上記プローブが上記ＩＣの各足に接触するように同プローブを挿入させるプローブ挿入口とを具備する構成としてある。制御基板ボックスはＩＣを装着した基板をケースに略密閉して収納するものの、ＩＣ検査用のプローブを挿入するためのプローブ挿入口を形成してあるため、制御基板ボックスを開かないままで当該プローブ挿入口よりプローブを挿入してＩＣに装着して検査する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記ケースにおける上記ICとの対向部分をICに近づくように凹ませて凹み部分を形成する。上記プローブユニットは上記凹み部分と略同一外形に形成されている。また、上記プローブユニットの下面からは上記ICの各足に対面した針状のプローブが多数突出される。そして、上記プローブユニットを上記凹み部分に装着したときに上記プローブが上記ＩＣの各足に接触する。これにより、上記プローブユニットさえ上記凹み部分に装着できれば自然に上記プローブと上記ICの足との位置合わせも完了させることができる。
制御基板ボックスは遊技機の制御基板に限定される必要はなく、装着後にも検査を要するＩＣを収容するものであればよい。ここにＩＣとは遊技機の制御プログラムを記録したＲＯＭの他、通常の各種のＩＣでも適用可能であり、このようなＩＣの場合は同ＩＣが正常に稼働しているか否かを調べる場合に好適である。むろん、ＩＣといってもいわゆる検査対象となるものであればよいので、他の電子素子も対象とすることができる。むろん、ＩＣは直付けでなく、ソケットを介して装着されているものであっても構わない。また、制御基板ボックスの形状、素材、略密閉の程度は特に限定される必要はなく、各種の形状、素材において適用可能である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月6日(2003.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電型の半導体層上に絶縁膜を介して形成される抵抗素子、
前記抵抗素子が形成される領域全体と対向してかつ前記抵抗素子形成領域に対応して前記半導体層表面に形成される第２導電型の半導体領域、および
前記半導体領域へ特定ノードの電圧を供給する電圧供給手段を備える、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記絶縁膜は、素子分離用のフィールド絶縁膜と同じ膜厚を有する、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層上に絶縁膜を介して形成される抵抗素子と、この抵抗素子が形成される領域全体と対向してこの抵抗素子形成領域に対応して半導体層表面に形成される第２導電型の半導体領域と、この半導体領域へ特定ノードの電圧を供給する電圧供給手段を備える。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
請求項６に係る半導体装置は、請求項１ないし４の装置における絶縁膜が、素子分離用のフィールド絶縁膜と同じ膜厚を有する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
請求項６に係る半導体装置においては、抵抗素子は、半導体層表面上に素子分離用のフィールド絶縁膜と同様の膜厚を有する絶縁膜上に形成される。この状態においては、従来と同じ絶縁膜および抵抗素子製造プロセスを用いて抵抗素子を実現することができ、また、抵抗素子の配置位置を従来と同様とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に共通の金属材料により形成されたソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極と、
前記ソース電極とドレイン電極との間の領域及びその領域の近傍に形成されたａ−Ｓｉよりなる半導体層と、
その半導体層のソース電極及びドレイン電極との間の界面に形成されたｎ＋ａ−Ｓｉよりなるオーミックコンタクト層と、
前記半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に共通の金属材料により形成されたゲート電極、ゲートバス及び第１のチャージコレクタと、
前記ゲート電極、ゲートバス及び中央部を除く第１のチャージコレクタ上を覆うように一面に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び第１のチャージコレクタ上に形成されたＩＴＯよりなる第２チャージコレクタと、
を具備し、
前記第１のチャージコレクタは、前記第１の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項２】
前記ゲート電極、ゲートバス及び第１のチャージコレクタが、Ａｌ層の上下に他のメタル層を配した３層膜か、又はＡｌ層の上に他のメタル層を配した２層膜で形成されていることを特徴とする請求項１記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項３】
前記ゲート電極、ゲートバス及び第１のチャージコレクタ上に形成された絶縁膜が感光性絶縁膜であることを特徴とする請求項１記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項４】
ガラス基板上にソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を共通の金属材料により形成し、
前記ソース電極とドレイン電極との間の領域及びその領域の近傍にａ−Ｓｉよりなる半導体層を形成すると共に、その半導体層のソース電極及びドレイン電極との間の界面にｎ＋ａ−Ｓｉよりなるオーミックコンタクト層を形成し、
前記半導体層、ソース電極、ソースバス、ドレイン電極及び蓄積容量電極を覆うように一面に第１の絶縁膜を形成した後、ドレイン電極上にコンタクトホールを形成し、
前記第１の絶縁膜上にゲート電極、ゲートバス及び第１チャージコレクタを共通の金属材料により形成すると共に、第１のチャージコレクタを前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極に接続し、
前記ゲート電極、ゲートバス及び中央部を除く第１チャージコレクタ上を覆うように感光性絶縁膜を一面に形成し、
前記感光性絶縁膜及び第１チャージコレクタ上にＩＴＯよりなる第２チャージコレクタを形成することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製法。
【請求項５】
前記ゲート電極、ゲートバス及び第１のチャージコレクタを、Ａｌ層の上下に他のメタル層を配した３層膜か、又はＡｌ層の上に他のメタル層を配した２層膜で形成することを特徴とする請求項４記載のＴＦＴアレイ基板の製法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高電気抵抗希土類永久磁石およびその製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ2Ｔ14Ｂ相および／またはＲ2Ｔ17相を有する磁石粉末（但しＲはＹを含む希土類元素のうち少なくとも１種、Ｔは遷移金属のうち少なくとも１種）とバインダーと絶縁物とを混合し、成形した後に脱バインダーを行い、緻密化することを特徴とする高電気抵抗希土類永久磁石の製造方法。
【請求項２】
絶縁物がアルカリ金属、アルカリ土類金属および希土類元素の内少なくとも１種の元素を含むフッ化物である請求項１に記載の高電気抵抗希土類永久磁石の製造方法。
【請求項３】
バインダーがパラフィン系炭化水素である請求項１または２に記載の高電気抵抗希土類永久磁石の製造方法。
【請求項４】
磁石粉末がＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石粉末、Ｒ2Ｔ14Ｂ相を有する超急冷磁石粉末、Ｒ2Ｔ14Ｂ系異方性磁石粉末、Ｒ−Ｃｏ系磁石粉末の内少なくとも１種である請求項１ないし３のいずれかに記載の高電気抵抗希土類永久磁石の製造方法。
【請求項５】
絶縁物がＣａＦ2，ＳｒＦ2，ＮｄＦ3の内少なくとも１種である請求項１ないし４のいずれかに記載の高電気抵抗希土類永久磁石の製造方法。
【請求項６】
Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金を粉砕・焼結・熱処理した高電気抵抗希土類永久磁石であり、電気抵抗率が０．７×１０−２Ω・ｃｍ超である高電気抵抗希土類永久磁石。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、回転機器、電子部品、電子機器等に使用される希土類永久磁石およびその製造方法に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら希土類永久磁石は金属磁石である為に電気抵抗が低く、回転機器等に組み込んだ場合渦電流損失が増大し、モータ効率を低下させるという問題が発生する。そこで希土類磁石材料の電気抵抗を高める試みがいくつか提案されている。例えば樹脂バインダーを使用した希土類ボンド磁石では１０-2Ω・ｃｍオーダーと希土類焼結磁石と比較して２オーダー高い電気抵抗を有するが、機械的強度が低く、冷凍機等コンプレッサ用モータに使用した際必要な耐冷媒性も低い。また特開平５−１２１２２０号には、ボンド磁石粉をゾル・ゲル法によりセラミックスバインダーをコートし、成形金型中で直接圧縮通電し、フル密度磁石を得る方法が提案されているが、十分な磁気特性と電気抵抗を得るに至っていない。したがって本発明は、十分な磁気特性および高電気抵抗を有する希土類永久磁石およびその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットプリントヘッドが左ノズル列及び右ノズル列を備え、該左ノズル列及び右ノズル列は、距離Ｄだけ互いに離間して長手軸に平行であり、通常は媒体前進軸と整列し、該媒体前進軸を基準にして回転位置合わせ不良となるものであり、前記左ノズル列には距離２Ｐだけ離間した複数のノズルがあり、前記右ノズル列には距離２Ｐだけ離間した複数のノズルがあり、前記左ノズル列のノズルが長手軸に沿って前記右ノズル列のノズルに対して互い違いに設置されて対角的に隣接するノズルの間の前記長手軸に沿う距離はＰであるようになっており、前記左ノズル列のノズル及び前記右ノズル列のノズルは第１のノズルから第Ｎのノズルまで順序付けられており、プリント媒体は媒体前進方向に進行するとき最初に前記第１のノズルに遭遇するように構成されたインクジェットプリントヘッドであって、キャリッジ軸に沿って可動であるキャリッジによって支えられるインクジェットプリントヘッドを用いたインクジェットプリント方法であって、
前記媒体走査軸に対する前記左ノズル列及び前記右ノズル列の回転位置合わせ不良の量及びその方向を決定するステップと、
最初にプリントするノズル列として前記左ノズル列と前記右ノズル列の一方を選択するステップと、
回転位置合わせ不良を補償する媒体前進補正量を決定するステップと、
前記キャリッジ軸に沿った前記キャリッジの最初のキャリッジ走査で最初にプリントするノズル列を用いて前記プリント媒体にドットをプリントするステップと、
前記プリント媒体を前記媒体前進補正量だけ移動させるステップと、
前記キャリッジ軸に沿った前記キャリッジの第２のキャリッジ走査で前記左ノズル列と前記右ノズル列の他方を用いて前記プリント媒体にドットをプリントするステップと、
を含むインクジェットプリント方法。
【請求項２】
前記媒体前進補正量決定ステップが、前記媒体前進補正量を約Ｄ×ｔａｎθzに設定し、該θzが回転位置合わせ不良の量であるステップを有し、
前記ノズル列選択ステップが、前記回転位置合わせ不良が反時計方向である場合には最初にプリントするノズル列として前記右ノズル列を選択し、前記回転位置合わせ不良が時計方向である場合には最初にプリントするノズル列として前記左ノズル列を選択するステップを有する請求項１に記載のインクジェットプリント方法。
【請求項３】
前記媒体前進補正量決定ステップが、前記媒体前進補正量を、（ａ）前記回転位置合わせ不良が反時計方向である場合には約２Ｐ−Ｄ×ｔａｎθzに設定し、（ｂ）前記回転位置合わせ不良が時計方向である場合には約Ｄ×ｔａｎθzに設定し、該θzが回転位置合わせ不良の量であるステップを有し、
前記ノズル列選択ステップが、最初にプリントするノズル列として前記左ノズル列を選択するステップを有する請求項１に記載のインクジェットプリント方法。
【請求項４】
前記媒体前進補正量決定ステップが、前記媒体前進補正量を、（ａ）前記回転位置合わせ不良が反時計方向である場合には約Ｄ×ｔａｎθzに設定し、（ｂ）前記回転位置合わせ不良が時計方向である場合には約２Ｐ−Ｄ×ｔａｎθzに設定し、該θzが回転位置合わせ不良の量であるステップを有し、
前記ノズル列選択ステップが、最初にプリントするノズル列として前記右ノズル列を選択するステップを有する請求項１に記載のインクジェットプリント方法。
【請求項５】
前記媒体前進補正量決定ステップが、前記媒体前進補正量を、（ａ）前記回転位置合わせ不良が反時計方向である場合には約−Ｄ×ｔａｎθzに設定し、（ｂ）前記回転位置合わせ不良が時計方向である場合には約Ｄ×ｔａｎθzに設定し、該θzが回転位置合わせ不良の量であるステップを有し、
前記ノズル列選択ステップが、最初にプリントするノズル列として前記左ノズル列を選択するステップを有する請求項１に記載のインクジェットプリント方法。
【請求項６】
前記媒体前進補正量決定ステップが、前記媒体前進補正量を、（ａ）前記回転位置合わせ不良が反時計方向である場合には約Ｄ×ｔａｎθzに設定し、（ｂ）前記回転位置合わせ不良が時計方向である場合には約−Ｄ×ｔａｎθzに設定し、該θzが回転位置合わせ不良の量であるステップを有し、
前記ノズル列選択ステップが、最初にプリントするノズル列として前記右ノズル列を選択するステップを有する請求項１に記載のインクジェットプリント方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池用の炭素材料であって、芯材黒鉛材料の結晶のエッジ部分の一部または全部が、トルエン不溶分が７．８〜３０％である石炭系あるいは石油系のタールまたはピッチからなる被覆形成用炭素材料により被覆されており、ほぼ球状乃至楕円体状であり、粉砕面を有しないことを特徴とする焼成した二層炭素材料。
【請求項２】
BET法により測定される比表面積が、5m2/g以下である請求項１に記載の焼成した二層炭素材料。
【請求項３】
芯材炭素材料に比して、被覆炭素材料の結晶化度が低い請求項１または２に
記載の焼成した二層炭素材料。【請求項４】芯材炭素材料が結晶性の高い炭素材料であって、(002)面の平均面間隔(d002)が0.335〜0.340nm、(002)面方向の結晶子厚み(Lc)が10nm以上、(110)面方向の結晶子厚み(La)が10nm以上である請求項１〜３に記載の焼成した二層炭素材料。
【請求項５】
炭素材料全体の真比重が、1.50〜2.26g/cm3である請求項１〜４に記載の焼成した二層炭素材料。
【請求項６】
粒度分布測定において、体積基準の積算値で、１μm以下の粒子が全体の10%以下である請求項１〜５のいずれかに記載の焼成した二層炭素材料。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の焼成した二層炭素材料を構成要素とすることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の焼成した二層炭素材料からなる負極材料とすることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項９】
リチウム二次電池が非水系リチウム二次電池であることを特徴とする請求項７または８に記載のリチウム二次電池。
【請求項１０】
リチウム二次電池が固体電解質リチウム二次電池であることを特徴とする請求項７または８に記載のリチウム二次電池。
【請求項１１】
リチウム二次電池の固体電解質が有機電解液であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明の熱可塑性樹脂組成物には、該組成物又はそれを成形して得られる成形品の物性を改善するための種々の物性改善剤の１種又は２種以上を、所望に応じて、本発明の効果を損わない程度において、配合してもよい。かかる物性改善剤としては、特に制限はなく、例えば、酸化防止剤、光安定剤、着色剤、難燃剤等、フィラー（例えば、無機充填剤等）、他の合成樹脂（例えば他のアクリル系多層構造重合体）等が挙げられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
上記表１から、実施例１〜３で得られた本発明に従う熱可塑性樹脂組成物は、成形品の離型性に優れるのみならず、透明性も優れている。
これに対して、滑剤無添加である点において本発明とは相違する比較例１の熱可塑性樹脂組成物、滑剤の添加量が本発明とは相違する比較例２及び３の熱可塑性樹脂組成物、及び滑剤の種類が本発明とは相違する比較例４〜６の熱可塑性樹脂組成物は、成形品の離型性及び透明性のいずれかが劣っている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
改変ＮＳ培地（３％グルコース、１％ペプトン、無機塩類、ｐＨ５．０）１０ｍｌを含む１００ｍｌ容三角フラスコに馬鈴薯寒天培地にて前培養した検索対象木材腐朽菌をコルクボーラーで打ち抜いたものを接種し、５日〜１週間２８℃で静置培養した。その後、最終基質濃度が１ｐｐｍとなるようにＤＭＳＯに溶かした基質（実施例２で得られたナフタレン型ダイオキシン類縁化合物）溶液を１００μｌ添加した。ＤＭＳＯ濃度は培地に対して１％で添加した。経時的（１，３，５日後）に培養液を採取し、その１００μｌに対してアルカリ緩衝液（１００ｍＭグリシン、１００ｍＭ水酸化ナトリウム  ｐＨ１０．０）１．９ｍｌを加え、励起光として長波長紫外線（３６５ｎｍ）を照射する事により蛍光を発するものを肉眼で選別した。その結果、最も発光強度の強い木材腐朽菌として、ウスヒラタケ（Pleurotus pulumonairus）が選別された。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月19日(2003.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（作用効果）
特に固定型エアー噴射手段と可動型エアー噴射手段とを組み合わせて用いる場合等、折板における紙粉の堆積が少ない場合には、このように一つの可動型エアー噴射手段により複数の（好ましくは全ての）折板に対するエアー噴射を順次行うように構成することで、設備コスト・ランニングコストを最小限に抑えることができるようになる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳説する。
（インターフォルダの例）
図１は、本発明が対象とする折板タイプのインターフォルダ１を示している。図中には、インターフォルダ１の原反ロール支持部２にセットされた原反ロールＲが示されている。この原反ロールＲは、必要数が図示平面と直交する方向に横並びでセットされるものであり、本例の場合予め図示しないプライマシンによって製品ティッシュペーパーの幅にスリットされ、製品ティッシュペーパーの複数倍幅、例えば２倍幅で巻き取られた原反ロールＲがセットされる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…インターフォルダ、２…原反ロール支持部、Ｒ…原反ロール、３Ａ，３Ｂ…連続シート、１０…可動型エアー噴射手段、２０…折畳機構部、４０…固定型エアー噴射手段。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データをカラー印刷する印刷手段を備えた薬袋印刷装置において、
薬剤毎の画像データ及び服薬指導文を記憶する記憶手段と、
患者毎の処方箋データに基づいて前記記憶手段から該当する画像データ及び服薬指導文を取得し、印刷データを作成し、前記印刷手段に送信する制御手段とを備え、
前記記憶手段は、薬剤本体画像とヒートシール包装画像とを記憶し、
前記制御手段は、患者毎の調剤データに基づいて薬剤本体画像とヒートシール包装画像とを区別して画像データを取得することにより印刷データを作成し、前記印刷手段に送信することを特徴とする薬袋印刷装置。
【請求項２】
前記制御手段は、複数種の薬剤を合包する場合、該当する薬剤の画像データを取得して合包印刷データを作成し、前記印刷手段に送信することを特徴とする請求項１に記載の薬袋印刷装置。
【請求項３】
前記制御手段は、画像データを服用順に並び替えることを特徴とする請求項１又は２に記載の薬袋印刷装置。
【請求項４】
前記記憶手段は、さらに、薬剤師毎の顔写真データを記憶し、
前記制御手段は、さらに、患者毎の薬剤情報に基づいて該当する顔写真データを取得して印刷データを作成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薬袋印刷装置。
【請求項５】
前記記憶手段は、さらに、薬剤師を選択するための薬剤師選択情報を記憶し、
前記制御手段は、さらに、患者毎の薬剤情報に基づいて前記薬剤師選択情報から該当する薬剤師を選定し、その顔写真データを取得して印刷データを作成することを特徴とする請求項４に記載の薬袋印刷装置。
【請求項６】
前記印刷手段は、複数台の外部プリンタを含み、
前記制御手段は、作成した印刷データに基づいていずれのプリンタで印刷させるのかを自動選択することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薬袋印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記画像データは、実際に患者に渡される状態の薬剤の画像データである。
前記記憶手段は、薬剤本体画像とヒートシール包装画像とを記憶し、
前記制御手段は、患者毎の調剤データに基づいて薬剤本体画像とヒートシール包装画像とを区別して画像データを取得することにより印刷データを作成し、前記印刷手段に送信する。
また、前記制御手段は、複数種の薬剤を合包する場合、該当する薬剤の画像データを取得して合包印刷データを作成し、前記印刷手段に送信する。
前記合包印刷データとしては、該当する複数種の薬剤の個別の画像データを、薬包紙を示す枠体で囲んだり、個別の画像データと共に一包化という文字を挿入することにより作成したものが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
版胴が圧胴に対して接離できる形式の印刷ユニットを有する印刷部のシート搬送装置において、上記圧胴の外周面に臨んで、シートの移送面を形成するシートガイド部材と、上記圧胴の外周面と上記シートガイド部材との間に形成された隙間と、上記シートを吸引するために上記隙間に接続された空気吸引装置とからなるシートを吸引する手段を、シート進行方向における少なくとも上記圧胴の前部または後部のいずれかに備えたことを特徴とする印刷部のシート搬送装置。
【請求項２】
上記シートを吸引する手段を、シート進行方向における上記圧胴の前部および後部に設け、それら２つのシートを吸引する手段を一体とし上記圧胴を取り囲むように配置したことを特徴とする請求項１記載の印刷部のシート搬送装置。
【請求項３】
上記シートガイド部材の上記圧胴に面した外縁が、該圧胴と対向するように板厚方向にテーパーされたことを特徴とする請求項１または２記載の印刷部のシート搬送装置。
【請求項４】
版胴が圧胴に対して接離できる形式の印刷ユニットを有する印刷部のシート搬送装置において、上記圧胴の外周面に臨んでシートの移送面を形成するとともに上記圧胴上に覆設されたシートガイド部材と、該シートガイド部材に該シートを吸引するために設けられた吸引口と、上記シートガイド部材が外壁面の一部を構成するサクションボックスと、該サクションボックスに接続された空気吸引装置とからなるシートを吸引する手段を、シート進行方向における少なくとも上記圧胴の前部又は後部のいずれかに備えたことを特徴とする印刷部のシート搬送装置。
【請求項５】
上記移送面が、上記圧胴表面の最高高さに対して、わずかに低く配置されたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の印刷部のシート搬送装置。
【請求項６】
版胴が圧胴に対して接離できる形式の印刷ユニットを有する、印刷部のシート搬送装置において、圧胴の表面部材よりも摩擦係数が大きくかつ耐磨耗性の高い部材を、該圧胴の外周面にコーティングまたは捲着させたことを特徴とする印刷部のシート搬送装置。
【請求項７】
圧胴の表面部材よりも摩擦係数が大きくかつ耐磨耗性の高い部材を、上記圧胴の外周面にコーティング又は捲着させたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の印刷部のシート搬送装置。
【請求項８】
シートを吸引しながら搬送するシート搬送用サクションコンベアが、シート進行方向における少なくとも上記圧胴の前部または後部のいずれかに上記シートを吸引する手段を介して配置されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のまたは請求項７に記載の印刷部のシート搬送装置。
【請求項９】
シートを移送するコンベア間に版胴と圧胴が設けられ、版胴が圧胴に対して接離できる形式を有する印刷部のシート搬送装置において、シート進行方向に対して少なくとも上記圧胴の前部または後部のいずれか一方と上記コンベアとの接続部に、シートの移送面を形成するシートガイド部材を設け、該シートガイド部材に前記シートを空気吸引する手段を設けたことを特徴とする印刷部のシート搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月30日(2003.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
両端の半導体素子近傍の半絶縁性基板を一部除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
半導体素子間の半絶縁性基板を一部除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
半導体素子の周囲の半絶縁性基板を除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記空隙領域は、半絶縁性基板を貫通して形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記空隙領域が、半絶縁性基板より熱伝導率の小さい材料で埋め込まれていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記空隙領域に埋め込まれる材料が、無機絶縁膜または有機絶縁膜であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
通信用の送受信装置の増幅器に用いられることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
両端の半導体素子近傍の半絶縁性基板を一部除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明は、半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
半導体素子間の半絶縁性基板を一部除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明は、半絶縁性基板上に、複数個の半導体素子が並列接続された半導体素子列を有する半導体装置において、
半導体素子の周囲の半絶縁性基板を除去して空隙領域を設け、半導体素子から発生する熱の広がりを防ぐことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられるセラミックフレームと、このセラミックフレーム上の回路パターンを形成する回路用導体と、前記セラミックフレームの前記スペースの開口を封止する蓋とを具備した高周波パッケージ装置において、前記ベースプレートおよび前記セラミックフレーム、前記回路用導体、前記蓋の各構成部品のうち、互いに接合される構成部品に、前記ベースプレートの面と並行な方向への動きを互いに規制し合う規制面が形成されている高周波パッケージ装置。
【請求項２】
規制面は、ベースプレートの面と交差する向きに形成されている請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項３】
規制面は、ベースプレートの面に対し垂直方向に形成されている請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項４】
規制面は、互いに接合される一方の構成部品では互いに並行な２つの平面を有し、互いに接合される他方の構成部品では、前記一方の構成部品の前記２つの平面の内側に挟まれる２つの平面を有している請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項５】
規制面は、互いに接合される一方の構成部品ではベースプレートの外側から内側を向いた内向面で形成され、互いに接合される他方の構成部品では前記ベースプレートの内側から外側を向いた外向面で形成されている請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項６】
内向面および外向面は、それぞれが、直交する向きの２つの平面を有する請求項５記載の高周波パッケージ装置。
【請求項７】
規制面は、隣り合う面が互いに直交する向きの４つの平面を有する請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項８】
互いに接合される一方の構成部品および互いに接合される他方の構成部品がＤＢＣ法で接合されている請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項９】
ベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられるセラミックフレームと、このセラミックフレーム上の回路パターンを形成する回路用導体と、前記セラミックフレームの前記スペースの開口を封止する蓋とを具備した高周波パッケージ装置において、前記ベースプレートに複数の凸部が形成され、セラミックフレームはその一部が前記ベースプレートの複数の凸部に挟まれて位置している高周波パッケージ装置。
【請求項１０】
ベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられるセラミックフレームと、このセラミックフレーム上の回路パターンを形成する回路用導体と、前記セラミックフレームの前記スペースの開口を封止する蓋とを具備した高周波パッケージ装置において、前記回路用導体に所定間隔の複数の凸部が形成され、前記セラミックフレームはその一部が前記回路用導体の複数の凸部の側面間に位置している高周波パッケージ装置。
【請求項１１】
ベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられるセラミックフレームと、このセラミックフレーム上の回路パターンを形成する回路用導体と、前記セラミックフレームの前記スペースの開口を封止する蓋とを具備した高周波パッケージ装置において、前記回路用導体に所定間隔の複数の凸部が形成され、前記蓋はその一部が前記回路用導体の複数の凸部の側面間に位置している高周波パッケージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ベースプレートと、回路素子を収納するスペースを有し前記ベースプレート上に設けられるセラミックフレームと、このセラミックフレーム上の回路パターンを形成する回路用導体と、前記セラミックフレームの前記スペースの開口を封止する蓋とを具備した高周波パッケージ装置において、前記ベースプレートおよび前記セラミックフレーム、前記回路用導体、前記蓋の各構成部品のうち、互いに接合される構成部品に、前記ベースプレートの面と並行な方向への動きを互いに規制し合う規制面が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月22日(2003.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースプレートと、伝送線路が貫通し上下面に接地導体が形成されたセラミック製の壁部分とを具備し、この壁部分の前記上面接地導体と前記下面接地導体とを電気的に接続する複数のビア・ホールが形成された高周波用パッケージ装置において、前記複数のビア・ホールのうち前記伝送線路の両側に隣接する対のビア・ホールが、前記伝送線路の延長方向と並行する長さ方向の長孔であることを特徴とする高周波用パッケージ装置。
【請求項２】
壁部分が矩形状の４つの側壁部分を有し、貫通孔が長孔に形成された対のビア・ホールが、前記壁部分の対向して位置する２つの側壁部分に設けられている請求項１記載の高周波用パッケージ装置。
【請求項３】
壁部分が、下方に位置する第１層およびこの第１層の上方に位置する第２層の２つの層を有し、前記第２層の一部に幅の狭い狭小部が設けられ、前記狭小部の下方を伝送線路が貫通している請求項１記載の高周波用パッケージ装置。
【請求項４】
壁部分が、下方に位置する第１層およびこの第１層の上方に位置する第２層の２つの層を有し、前記第２層の一部に幅の狭い狭小部が設けられ、前記狭小部の下方を伝送線路が貫通し、貫通孔が長孔に形成された対のビア・ホールが前記狭小部を挟んだ幅の広い部分に設けられている請求項１記載の高周波用パッケージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するために手段】
本発明は、ベースプレートと、伝送線路が貫通し上下面に接地導体が形成されたセラミック製の壁部分とを具備し、この壁部分の前記上面接地導体と前記下面接地導体とを電気的に接続する複数のビア・ホールが形成された高周波用パッケージ装置において、前記複数のビア・ホールのうち前記伝送線路の両側に隣接する対のビア・ホールが、前記伝送線路の延長方向と並行する長さ方向の長孔であることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンテトラシクロドデセンランダム共重合体及び／またはその誘導体であってエチレンとテトラシクロドデセンのモル比が２０：８０〜９５：５である重合体からなり、繊維比重が１．０より大きいことを特徴とするセメント補強用繊維。
【請求項２】
温度１４０℃の白水雰囲気中に７２０分間晒した後の単繊維強度が１．５ｃＮ／ｄｔｅｘ以上であることを特徴とする請求項１記載のセメント補強用繊維。
【請求項３】
温度１４０℃の白水雰囲気中に７２０分間晒した後の繊維の熱劣化強度低下率が４０％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のセメント補強用繊維。