(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子制御装置（１０）に搭載されている不揮発性メモリ（１４）の記憶領域を初期化する際に、前記電子制御装置に関する各種パラメータの各種値を含む値を示す複数のデータであって書き込み装置（２０）の記憶部（２８）に記憶されているものを、当該データを記憶すべき前記電子制御装置の記憶領域に書き込むデータ書き込み方法において、
前記複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを前記記憶領域の全アドレスに一括で書き込み、その後、前記所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込むことを特徴とするデータ書き込み方法。
【請求項２】
請求項１において、前記所定データは、前記複数のデータのなかで最も数の多い同一データであることを特徴とするデータ書き込み方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記記憶領域の全アドレスに前記所定データを一括で書き込む前に、前記複数のデータを外部の不揮発性メモリに記憶することを特徴とするデータ書き込み方法。
【請求項４】
電子制御装置（１０）に搭載されている不揮発性メモリ（１４）の記憶領域を初期化する際に、前記電子制御装置に関する各種パラメータの各種値を含む値を示す複数のデータであって記憶部（２８）に記憶されているものを、当該データを記憶すべき前記電子制御装置の記憶領域に書き込むデータ書き込み装置において、
前記複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを前記記憶領域の全アドレスに一括で書き込む一括書き込み手段（ステップ１１６）と、
前記一括書き込み手段によって一括書き込みが終了した後に、前記所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む個別書き込み手段（ステップ１１８，１２０）と、を備えたことを特徴とするデータ書き込み装置。
【請求項５】
請求項４において、前記複数のデータを記憶する記憶装置（２８）と、
前記一括書き込み手段によって一括書き込みが行われる前に、前記複数のデータの全て又は一部を前記記憶手段に記憶するバックアップ手段（ステップ１２２）と、をさらに備えたことを特徴とするデータ書き込み装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記一括書き込み手段は、前記複数のデータのなかから最も数の多い同一データを所定データとして導出する機能も有することを特徴とするデータ書き込み装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ書き込み方法およびデータ書き込み装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、データ書き込み方法およびデータ書き込み装置としては、特許文献１に示されているように、外部装置から製品内の不揮発性メモリに製品機能を規定するパラメータを書込むことにより製品機能の設定あるいは変更を行う製品機能設定方法及び製品機能設定システムが知られている。
【０００３】
この場合、不揮発性メモリがＥＥＰＲＯＭである場合には、データの書き込み・消去は１バイト（１ワード）単位すなわち１データで行われるのが一般的である。また、所定領域（例えば同一ページ）へのデータ書き込みをまとめて（一括で）処理する機能を有するＥＥＰＲＯＭも知られている。
【特許文献１】特開２００５−１３５２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したデータ書き込み方法およびデータ書き込み装置においては、図６に示すように、書き込むデータの数が例えば１６個である場合には、１６アドレスにデータをそれぞれ1個ずつ書き込むため、１６ｔ（ｍｓｅｃ）の時間が掛かっていた。なお、ｔ（ｍｓｅｃ）は１つのデータを書き込むのに必要な時間である。
【０００５】
具体的には、図６（ａ）に示すように全アドレスにデータＦＦｈが書き込まれた状態のＥＥＰＲＯＭに、図６（ｂ）に示すようにアドレス００１０ｈ〜００１Ｆｈに各データ５３ｈ，５６ｈ，００ｈ，・・・，００ｈを書き込む場合には、まず、図６（ｃ）に示すように第１工程としてアドレス００１０ｈのデータＦＦｈにデータ５３ｈを書き込む（上書きする）。次に、第２工程としてアドレス００１１ｈのデータＦＦｈにデータ５６ｈを書き込む。次に、第３工程としてアドレス００１２ｈのデータＦＦｈにデータ００ｈを書き込む。そして、第１６工程としてアドレス００１ＦｈのデータＦＦｈにデータ００ｈを書き込む。
【０００６】
一方、電子制御装置による制御の高度化に伴って、取り扱うデータの数が増えてきており、増加した書き込むデータの数に応じてＥＥＰＲＯＭの使用領域を拡大している。例えば、図７に示すように、書き込むデータの数が図６に示す場合に比べて７倍となり使用領域も７倍となった場合には、１６×７アドレスにデータをそれぞれ1個ずつ書き込むため、１６×７ｔ（ｍｓｅｃ）の時間が掛かることになり、全データを書き込み時間が長くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した各問題を解消するためになされたもので、データ書き込み方法およびデータ書き込み装置において、不揮発性メモリの使用領域が拡大しても全データの書き込む時間を短時間化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係るデータ書き込み方法の特徴は、電子制御装置に搭載されている不揮発性メモリの記憶領域を初期化する際に、電子制御装置に関する各種パラメータの各種値を含む値を示す複数のデータであって書き込み装置の記憶部に記憶されているものを、当該データを記憶すべき電子制御装置の記憶領域に書き込むデータ書き込み方法において、複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを記憶領域の全アドレスに一括で書き込み、その後、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込むことである。
【０００９】
請求項２に係るデータ書き込み方法の特徴は、請求項１において、所定データは、複数のデータのなかで最も数の多い同一データであることである。
【００１０】
請求項３に係るデータ書き込み方法の特徴は、請求項１または請求項２において、記憶領域の全アドレスに所定データを一括で書き込む前に、複数のデータを外部の不揮発性メモリに記憶することである。
【００１１】
請求項４に係るデータ書き込み装置の特徴は、電子制御装置に搭載されている不揮発性メモリの記憶領域を初期化する際に、電子制御装置に関する各種パラメータの各種値を含む値を示す複数のデータであって記憶部に記憶されているものを、当該データを記憶すべき電子制御装置の記憶領域に書き込むデータ書き込み装置において、複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを記憶領域の全アドレスに一括で書き込む一括書き込み手段と、一括書き込み手段によって一括書き込みが終了した後に、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む個別書き込み手段と、を備えたことである。
【００１２】
請求項５に係るデータ書き込み装置の特徴は、請求項４において、複数のデータを記憶する記憶装置と、一括書き込み手段によって一括書き込みが行われる前に、複数のデータの全て又は一部を記憶手段に記憶するバックアップ手段と、をさらに備えたことである。
【００１３】
請求項６に係るデータ書き込み装置の特徴は、請求項４または請求項５において、一括書き込み手段は、複数のデータのなかから最も数の多い同一データを所定データとして導出する機能も有することである。
【発明の効果】
【００１４】
上記のように構成した請求項１に係る発明においては、まず、電子制御装置に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを、不揮発性メモリの記憶領域の全アドレスに一括で書き込む。その後、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む。これにより、２個以上同一のものが存在するデータを書き込む時間を確実に短縮することができるので、全てのアドレスにデータを一つずつ書き込む方法と比較して、全データの書き込み時間を短縮することができる。したがって、不揮発性メモリの使用領域が拡大しても全データを書き込む時間を短時間化することができる。
【００１５】
上記のように構成した請求項２に係る発明においては、請求項１に係る発明において、複数のデータのなかで最も数の多い同一データを不揮発性メモリの記憶領域の全アドレスに一括で書き込むので、データを書き込む時間を最も有効に短縮することができる。
【００１６】
上記のように構成した請求項３に係る発明においては、請求項１または請求項２に係る発明において、記憶領域の全アドレスに所定データを一括で書き込む前に、複数のデータを外部の不揮発性メモリに記憶するので、書き込み前または書き込み中にデータが喪失した場合であっても、外部の不揮発性メモリに記憶されているデータを使用して再び書き込みを実施することができる。
【００１７】
上記のように構成した請求項４に係る発明においては、一括書き込み手段が、複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを記憶領域の全アドレスに一括で書き込む。また、個別書き込み手段が、一括書き込み手段によって一括書き込みが終了した後に、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む。これにより、２個以上同一のものが存在するデータを書き込む時間を確実に短縮することができるので、全てのアドレスにデータを一つずつ書き込む方法と比較して、全データの書き込み時間を短縮することができる。したがって、不揮発性メモリの使用領域が拡大しても全データを書き込む時間を短時間化することができる。
【００１８】
上記のように構成した請求項５に係る発明においては、請求項４に係る発明において、バックアップ手段が、一括書き込み手段によって一括書き込みが行われる前に、複数のデータの全て又は一部を記憶装置に記憶するので、書き込み前または書き込み中にデータが喪失した場合であっても、記憶装置に記憶されているデータを使用して再び書き込みを実施することができる。
【００１９】
上記のように構成した請求項６に係る発明においては、請求項４または請求項５に係る発明において、一括書き込み手段は、複数のデータのなかから最も数の多い同一データを所定データとして導出する機能も有するので、容易かつ手間なく所定データを導出し、ひいては容易かつ手間なく全データの書き込み時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明に係るデータ書き込み方法およびデータ書き込み装置の一実施形態について図面を参照して説明する。データ書き込み装置２０は、電子制御装置１０に搭載されている不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭの記憶領域を初期化する際に、電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータを当該データを記憶すべき記憶領域に書き込むための装置である。電子制御装置１０は、車両に搭載されるものであり、当該車両の各車輪に独立して制動力を発生させるブレーキ液圧制御装置を制御するためのものである。
【００２１】
図１に示すように、電子制御装置１０は、車両の各車輪の回転速度を検出する車輪速度センサＳｆｌ，Ｓｆｒ，Ｓｒｌ，Ｓｒｒから車輪速度信号を入力する。電子制御装置１０は、アキュムレータの圧力を検出するアキュムレータ圧力センサＰ１、２つの油圧系統の各マスタシリンダ圧をそれぞれ検出するマスタシリンダ圧力センサＰＭＣ１，ＰＭＣ２、および４輪のホイールシリンダ圧をそれぞれ検出するホイールシリンダ圧力センサＰＷＣ１〜ＰＷＣ４から各圧力値を入力する。
【００２２】
電子制御装置１０は、ステアリングの操舵角を検出するステアリングセンサＳｓｔｅから操舵角信号を入力する。電子制御装置１０は、車両のヨーレートを検出するヨーレートセンサＳｙｒからヨーレート信号を入力する。電子制御装置１０は、車両の前後左右加速度を検出する加速度センサＳｇから前後左右加速度信号を入力する。電子制御装置１０は、ブレーキペダルのオン・オフ状態を検出するストップスイッチＳＷ１からブレーキペダルのオン・オフ信号を入力する。そして、電子制御装置１０は、ブレーキペダルストローク量を検出するストロークセンサＳｓｔｒからブレーキペダルストローク量を入力する。
【００２３】
電子制御装置１０は、上述した各センサおよびスイッチからの入力信号に基づいて、ブレーキアクチュエータを構成する各リニアソレノイドバルブＶ１〜Ｖ８、各切替ソレノイドバルブＶ９，Ｖ１０、およびポンプモータＭをそれぞれ必要に応じて駆動させて各種の車両挙動制御を実施する。リニアソレノイドバルブＶ１〜Ｖ８は、各車輪に対してそれぞれ設けられている一対の保持弁および減圧弁である。切替ソレノイドバルブＶ９，Ｖ１０は、２つの油圧系統にそれぞれ設けられるものであり、マスタシリンダとホイールシリンダの連通・遮断状態を切り換えるものである。ポンプモータＭは、アキュムレータとともに油圧源を構成し、所定値以上の油圧をアキュムレータに蓄圧するものである。本構成は一例であり、種々のブレーキ制御により構成は異なる。
【００２４】
車両挙動制御としては、ＥＳＣ制御、ＡＢＳ制御、ＥＢＤ制御などがある。ＥＳＣ（Electronic Stability Control）制御は、車両の横滑りを防止して車両の走行安定性を確保する制御であり、ＡＢＳ（Antilock Brake System）制御は、車両の制動時に起きる車輪ロックを防止する制御であり、ＥＢＤ（Electronic Brake force Distribution）制御は、前後輪および左右輪の制動力を適切に配分する制御である。
【００２５】
電子制御装置１０は、図２に示すように、バス１１を介してそれぞれ接続された入出力インターフェース１２、ＣＰＵ１３、ＥＥＰＲＯＭ１４、ＲＡＭ１５、ＲＯＭ１６を備えている。入出力インターフェース１２は、外部装置とデータを互いに通信するためのものである。例えば、データ書き込み装置２０の入出力インターフェース２２に接続されて、電子制御装置１０とデータ書き込み装置２０との間でデータの送受信をすることができる。ＣＰＵ１３は、電子制御装置１０のハードウェア各部を制御するとともに、ＲＯＭ１６に記憶されたプログラムに基づいて各種のプログラムを実行する。
【００２６】
ＥＥＰＲＯＭ１４は、電気的に消去可能なプログラマブル・リード・オンリ・メモリであり、１ワード単位で書き込み・消去ができるものである。このＥＥＰＲＯＭ１４は、所定領域へのデータ書き込みをまとめて（一括で）処理する機能を有する。なお、フラッシュメモリも電気的に消去可能であるからＥＥＰＲＯＭと言えるが、書込み単位が１ワードより非常に大きい単位となるので、本実施形態のＥＥＰＲＯＭにはフラッシュメモリを含めない。このＥＥＰＲＯＭ１４は、電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータが当該データを記憶すべき記憶領域に格納される。
【００２７】
ＲＯＭ１６は、全体のプログラムを起動するための起動プログラム、外部のデータ書込み装置２０からの書込みデータを受け取るための通信プログラム、書換え実行プログラム、メモリチェックプログラム等が格納される。
【００２８】
電子制御装置１０に関するパラメータは、例えば各リニアソレノイドバルブへの出力、各圧力センサからの入力に関するものなどである。パラメータの各種値は、パラメータの特性を測定する際に使用する初期値や、測定結果に基づいて算出されたパラメータの設定値の一つである補正値（例えばオフセット値、ゲイン値）などである。
ＲＡＭ１５は上記各プログラムの実行に必要な変数を一時的に記憶するものである。
【００２９】
データ書き込み装置２０は、図２に示すように、バス２１を介してそれぞれ接続された入出力インターフェース２２、ＣＰＵ２３、ＲＯＭ２４、ＲＡＭ２５、表示部２６、入力部２７、記憶装置２８を備えている。入出力インターフェース２２は、電子制御装置１０の入出力インターフェース１２に接続されて、電子制御装置１０とデータ書き込み装置２０との間でデータの送受信をすることができる。ＣＰＵ２３は、データ書き込み装置２０のハードウェア各部を制御するとともに、ＲＯＭ２４に記憶された図３および図４に示すプログラムを実行する。
【００３０】
ＲＡＭ２５は上記各プログラムの実行に必要な変数を一時的に記憶するものである。表示部２６は、液晶表示装置（ＬＣＤ）又はＣＲＴディスプレイ等の表示装置である。入力部２７は、データ書き込み装置２０を操作するためのキーボードである。記憶装置２８は、電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータを記憶する記憶手段であり、ハードディスクドライブなどで構成されている。
【００３１】
次に、このように構成されたデータ書き込み装置２０による電子制御装置１０の製品検査について図３および図４のフローチャートに沿って説明する。製品検査は４つの工程から構成されており、第１工程は常温（例えば２０℃）で実施する常温検査であり、ステップ１０２からステップ１２０の処理を実行するようになっている。第２工程は低温（例えば−４０℃）で実施する低温検査であり、ステップ１３２からステップ１４４の処理を実行するようになっている。第３工程は高温（例えば１２５℃）で実施する高温検査であり、ステップ１５６からステップ１６８の処理を実行するようになっている。第４工程は、常温で実施するパッケージ後の検査であり、ステップ１７０からステップ１８２の処理を実行するようになっている。なお、製品検査は基板状態の電子制御装置１０を検査する。
【００３２】
第1工程について詳述する。データ書き込み装置２０は、ステップ１０２において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域（電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータを記憶する領域）を初期化する指令を電子制御装置１０に出力する。すなわち、データ書き込み装置２０は、ＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に所定データである００ｈを一括で書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に所定データである００ｈを一括で書き込む（図５（ａ）参照）。この書き込みの後、一括でベリファイをしている。なお、全記憶領域は例えばアドレス００１０ｈからアドレス００７Ｆｈであるとする。
【００３３】
所定データは、電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである。また、所定データは、次の処理で書き込むべき複数のデータのなかで最も数の多い同一データであることが好ましい。ステップ１０２においては、所定データは、パラメータの初期値を示す複数のデータのなかから選ばれたものであり、００ｈが最も数が多い同一データである。パラメータの初期値は、データ書き込み装置２０の記憶装置２８やＲＯＭ２４に予め記憶されている。
【００３４】
また、所定データは、操作者が入力部２７から入力するようにしてもよいし、データ書き込み装置２０が書き込むべきデータのなかから自動的に導出するようにしてもよい。
【００３５】
データ書き込み装置２０は、ステップ１０４において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の特定のアドレスに各種パラメータの初期値を書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。すなわち、データ書き込み装置２０は、ステップ１０２にて一括で書き込んだ所定データ以外のデータであるパラメータの初期値を当該データを記憶すべき所定のアドレスに個々に書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の所定のアドレスにパラメータの初期値を示すデータを書き込む。例えば、ＥＥＰＲＯＭ１４のアドレス００１０ｈにデータ５３ｈを書き込み（図５（ｂ）参照）、次にアドレス００１１ｈにデータ５６ｈを書き込む（図５（ｃ）参照）。なお、この書き込むたびに、ベリファイをしている。
【００３６】
データ書き込み装置２０は、ステップ１０６において、電子制御装置１０と協働して電子制御装置１０に関する特性を測定し、その測定結果に基づいてパラメータの設定値を算出する。例えば、各リニアソレノイドバルブへの出力特性（ハードウェア上の特性）を測定し基準特性と比較して、オフセット値やゲイン値を算出する。
【００３７】
そして、データ書き込み装置２０は、ステップ１０８において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の特定のアドレスに、先にステップ１０６で算出した各種パラメータの設定値を書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の所定のアドレスにパラメータの設定値を示すデータを書き込む。例えば、ＥＥＰＲＯＭ１４のアドレス００４２ｈにデータ３Ｆｈを書き込み（図５（ｄ）参照）、次にアドレス００７Ｆｈにデータ５７ｈを書き込む（図５（ｅ）参照）。なお、この書き込むたびに、ベリファイをしている。
【００３８】
次に、データ書き込み装置２０は、ステップ１１０において、電子制御装置１０の特性検査を実施する。すなわち、電子制御装置１０の各入力および各出力を検査したり、電子制御装置１０のハードウェア部の作動を検査したりする。この特性検査を合格した電子制御装置１０は、次の工程に進むことができる。
【００３９】
特性検査が終了すると、データ書き込み装置２０は、ステップ１１２において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域（電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータを記憶する領域）に例えば０Ｆｈを一括で書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に例えば０Ｆｈを一括で書き込む。この書き込みの後、一括でベリファイをしている。
【００４０】
次に、データ書き込み装置２０は、ステップ１１４において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に例えばＦ０ｈを一括で書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に例えばＦ０ｈを一括で書き込む。この書き込みの後、一括でベリファイをしている。ステップ１１２とステップ１１４の処理により、全記憶領域の全ビットを反転処理することができ、両ベリファイで合格判定されれば全ビット正常であると判定することができる。
【００４１】
そして、データ書き込み装置２０は、上記ステップ１０２と同様に、ステップ１１６において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域を初期化する指令を電子制御装置１０に出力する。すなわち、データ書き込み装置２０は、ＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に所定データである００ｈを一括で書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域に所定データである００ｈを一括で書き込む（図５（ａ）参照）。この書き込みの後、一括でベリファイをしている。
【００４２】
このステップ１１６においては、所定データは、上述したパラメータの初期値および上記ステップ１０６で算出した設定値すなわち各種値のなかから選ばれたものであり、００ｈが最も数が多い同一データである。パラメータの各種値は、データ書き込み装置２０の記憶装置２８やＲＯＭ２４に予め記憶されている。
【００４３】
次に、データ書き込み装置２０は、上記ステップ１０４および１０６と同様に、ステップ１１８および１２０において、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４の特定のアドレスに各種パラメータの初期値および設定値を書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。すなわち、データ書き込み装置２０は、ステップ１１６にて一括で書き込んだ所定データ以外のデータであるパラメータの初期値および設定値を当該データを記憶すべき所定のアドレスに個々に書き込む指令を電子制御装置１０に出力する。電子制御装置１０は、その指令を受けてＥＥＰＲＯＭ１４の所定のアドレスにパラメータの初期値および設定値を示すデータを書き込む。なお、この書き込むたびに、ベリファイをしている。以上で第１工程が終了する。
【００４４】
次に、電子制御装置１０の雰囲気温度が低温のなかで、第２工程が実施される。まず、データ書き込み装置２０は、上記ステップ１２２と同様に、電子制御装置１０のＥＥＰＲＯＭ１４に記憶されているパラメータの設定値を読み出し、記憶装置２８に記憶するすなわちバックアップする（ステップ１３２）。そして、データ書き込み装置２０は、ステップ１３４〜ステップ１４４において、上記ステップ１１０〜ステップ１２０と同様な処理を実施する。
【００４５】
次に、電子制御装置１０の雰囲気温度が高温のなかで、第３工程が実施される。すなわち、データ書き込み装置２０は、ステップ１５６〜ステップ１６８において、上記ステップ１３２〜ステップ１４４と同様な処理を実施する。
【００４６】
そして、パッケージ後、常温で第４工程が実施される。すなわち、データ書き込み装置２０は、ステップ１７０〜ステップ１８２において、上記ステップ１５６〜ステップ１６８と同様な処理を実施する。
【００４７】
上述したステップ１０２，１１６，１４０，１６４，１７８がそれぞれ一括書き込み手段であり、上述したステップ１０４，１０８，１１８，１２０，１４２，１４４，１６６，１６８，１８０，１８２が個別書き込み手段であり、上述したステップ１３２，１５６，１７０がバックアップ手段である。
【００４８】
ＥＥＰＲＯＭ１４の全記憶領域が８５０データ分である場合に、同一データである所定データが６８０個（例えば００ｈが６８０個）であり所定データ以外のデータが１７０個であるとする。従来の方式では、８５０×ｔｍｓｅｃの時間（具体的には３．６秒）が掛かっていたが、本発明による方式では、（１７０×ｔ＋Ｔ）ｍｓｅｃの時間（具体的には０．７秒）に短縮することができる。ｔ（ｍｓｅｃ）は１つのデータを書き込むのに必要な時間であり、Ｔ（ｍｓｅｃ）は一括でデータを書き込むのに必要な時間であり、ｔとほとんど同一である。
【００４９】
上述した説明から明らかなように、本実施形態によれば、一括書き込み手段（例えばステップ１１６）が、複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを記憶領域の全アドレスに一括で書き込む。また、個別書き込み手段（例えばステップ１１８および１２０）が、一括書き込み手段（ステップ１１６）によって一括書き込みが終了した後に、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む。これにより、２個以上同一のものが存在するデータを書き込む時間を確実に短縮することができるので、全てのアドレスにデータを一つずつ書き込む方法と比較して、全データの書き込み時間を短縮することができる。したがって、不揮発性メモリの使用領域が拡大しても全データを書き込む時間を短時間化することができる。
【００５０】
また、バックアップ手段（例えばステップ１２２）が、一括書き込み手段（例えば１２６）によって一括書き込みが行われる前に、複数のデータを記憶装置２８に記憶するので、書き込み前または書き込み中にデータが喪失した場合であっても、記憶装置２８に記憶されているデータを使用して再び書き込みを実施することができる。
【００５１】
また、一括書き込み手段（例えばステップ１１６）が、複数のデータのなかから最も数の多い同一データを所定データとして導出する機能を有するので、容易かつ手間なく所定データを導出し、ひいては容易かつ手間なく全データの書き込み時間を短縮することができる。
【００５２】
また、データ書き込み方法においては、まず、電子制御装置１０に関する各種パラメータの各種値を含む複数のデータのなかで２個以上同一のものが存在するデータのうちのいずれか一つのデータである所定データを、不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１４の記憶領域の全アドレスに一括で書き込む。その後、所定データ以外のデータを、当該データを記憶すべきアドレスに個々に書き込む。これにより、２個以上同一のものが存在するデータを書き込む時間を確実に短縮することができるので、全てのアドレスにデータを一つずつ書き込む方法と比較して、全データの書き込み時間を短縮することができる。したがって、不揮発性メモリの使用領域が拡大しても全データを書き込む時間を短時間化することができる。
【００５３】
また、データ書き込み方法においては、複数のデータのなかで最も数の多い同一データを不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１４の記憶領域の全アドレスに一括で書き込むので、データを書き込む時間を最も有効に短縮することができる。
【００５４】
また、データ書き込み方法においては、記憶領域の全アドレスに所定データを一括で書き込む前に、複数のデータを外部の不揮発性メモリであるデータ書き込み装置２０の記憶装置２８に記憶するので、書き込み前または書き込み中にデータが喪失した場合であっても、外部の不揮発性メモリに記憶されているデータを使用して再び書き込みを実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明によるデータ書き込み方法およびデータ書き込み装置によりデータ書き込みを実施する電子制御装置の外部機器との接続関係を説明する図である。
【図２】互いに通信可能に接続されたデータ書き込み装置および電子制御装置の構成を示す概略ブロック図である。
【図３】データ書き込み装置による電子制御装置の製品検査を示すフローチャートである。
【図４】データ書き込み装置による電子制御装置の製品検査を示すフローチャートである。
【図５】本発明によってＥＥＰＲＯＭにデータを書き込む各工程を説明する図である。本図に示す値は全て１６進数で表されているが、１６進数を表すｈは省略する。
【図６】従来技術によってＥＥＰＲＯＭにデータを書き込む各工程を説明する図である。本図に示す値は全て１６進数で表されているが、１６進数を表すｈは省略する。
【図７】ＥＥＰＲＯＭにデータを書き込んだ状態を示す図である。本図に示す値は全て１６進数で表されているが、１６進数を表すｈは省略する。
【符号の説明】
【００５６】
１０…電子制御装置、１１…バス、１２…入出力インターフェース、１３…ＣＰＵ、１４…ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性メモリ）、１５…ＲＡＭ、１６…ＲＯＭ、
２０…データ書き込み装置、２１…バス、２２…入出力インターフェース、２３…ＣＰＵ、２４…ＲＯＭ、２５…ＲＡＭ、２６…表示部、２７…入力部、２８…記憶装置（外部の不揮発性メモリ）。
【図１】
0004844169.tif 000002
【図２】
0004844169.tif 000003
【図３】
0004844169.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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