【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記一方の基板上のコモン線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成された画素電極及びコモン電極とを有し、
前記コモン電極と前記コモン線とは前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して互いに接続され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に前記一対の基板表面に概略平行に電界が印加されることによって、前記液晶層の液晶分子の配向状態が制御され、光が変調されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記一方の基板上のコモン線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成された画素電極及びコモン電極と、
前記画素電極及び前記コモン電極を覆うように形成された平坦化膜とを有し、
前記コモン電極と前記コモン線とは前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して互いに接続され、
前記画素電極と前記コモン電極との間に前記一対の基板表面に概略平行に電界が印加されることによって、前記液晶層の液晶分子の配向状態が制御され、光が変調されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記一方の基板上のコモン線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成された１つの画素電極及び一対のコモン電極とを有し、
前記複数の画素の１つにおいて、１つの前記画素電極は一対の前記コモン電極に挟まれて設けられ、
１つの前記画素電極と一対の前記コモン電極との間に前記一対の基板表面に概略平行に電界が印加されることによって、前記液晶層の液晶分子の配向状態が制御され、光が変調されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタには前記画素電極が電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記液晶表示装置はパッシブ駆動するものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記コモン電極と前記画素電極は前記絶縁膜上で平行であり、且つ同一材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記コモン電極と前記画素電極は、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする金属、Ｓｉ、Ｔｉとアルミニウムとの積層のうちいずれかでなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記コモン線と同一材料からなるゲイト線をさらに有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項２において、前記平坦化膜は、有機物、窒化珪素または酸化珪素からなる無機物、前記有機物と前記無機物との積層のうちいずれかでなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜からゲイト線とコモン線を形成し、
前記結晶性半導体膜にドーピングを行い、
前記基板上の全面に第１の層間膜を形成し、
前記第１の層間膜にコンタクトホールを形成した後、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜から画素電極と、コモン電極と、ソース線を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜からゲイト線とコモン線を形成し、
前記結晶性半導体膜にドーピングを行い、
前記基板上の全面に第１の層間膜を形成し、
前記第１の層間膜にコンタクトホールを形成した後、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜から画素電極と、コモン電極と、ソース線を形成し、
前記画素電極と前記コモン電極と前記ソース線及び前記第１の層間膜上に平坦化膜を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜からゲイト線とコモン線を形成し、
前記結晶性半導体膜にドーピングを行い、
前記基板上の全面に第１の層間膜を形成し、
前記第１の層間膜にコンタクトホールを形成した後、
前記第１の層間膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜から画素電極と、コモン電極と、ソース線を形成し、
５枚以下のマスクにより作製されることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記平坦化膜は、有機物、窒化珪素または酸化珪素からなる無機物、前記有機物と前記無機物との積層のうちいずれかでなることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を第１配線端子の形状にし、
前記基板上の全面に第１の層間絶縁膜を形成し、
前記第１の配線端子上の第１の層間絶縁膜を除去した後、
前記第１の配線端子上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を第２配線端子の形状にし、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第２配線端子上に第２の層間絶縁膜を形成し、
前記第２の層間絶縁膜の表面を削ることによって前記第２配線端子の表面を露出させて、外部装置との配線接続端子を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方上のコモン線及びゲイト線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成された画素電極及びコモン電極とを有し、
並列して隣合う前記コモン線及び前記ゲイト線の間に存在する領域を遮光するように前記画素電極及び前記コモン電極が設けられ、
並列して隣合う前記画素電極及びコモン電極の間に存在する領域を遮光するように前記コモン線及び前記ゲイト線が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方にマトリクス状に配置された複数の画素と、
前記一方の基板上のコモン線及びゲイト線を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成された１つの画素電極及び一対のコモン電極とを有し、
前記複数の画素の１つにおいて、前記画素電極は前記コモン電極に挟まれて設けられ、
前記コモン電極と隣合うように設けられたソース線と前記コモン電極との間に存在する領域を遮光するように前記コモン線が設けられ、
前記ゲイト線と隣合う前記コモン線との間に存在する領域を遮光するように前記画素電極が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
請求項１５又は請求項１６において、前記コモン線と前記ゲイト線の両方と前記画素電極との間で保持容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
請求項１５又は請求項１６において、前記一対の基板の他方は対向基板であり、前記対向基板は前記コモン電極よりも小さなブラックマトリックスを複数有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
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【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
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