(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
多層膜をロッドに巻き付けてプリフォーム構造にすること、
巻き付けられた多層膜に対応し、かつ周期的屈折率を有する周期的誘電体構造を含むファイバ導波路を形成すること、とを備え、前記ファイバ導波路を形成することは、前記プリフォーム構造から得られた固結されたプリフォームを延伸加工することを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記多層膜は高分子の膜を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記高分子は熱可塑性ポリマーである、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、前記高分子はポリ（エーテルスルフォン）を含む、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法において、前記高分子はポリエーテルイミドを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記多層膜は中空の前記ロッドの周りに巻き付けられる、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記中空のロッドをエッチングすることを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記多層膜は、カルコゲナイド・ガラスを高分子膜上に堆積することにより形成される、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記カルコゲナイド・ガラスは、前記高分子膜の片面に堆積される、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法において、前記カルコゲナイド・ガラスは、前記高分子膜の両面に堆積される、方法。
【請求項１１】
請求項８、９又は１０に記載の方法において、前記カルコゲナイド・ガラスは、熱蒸着、
化学蒸着、又はスパッタリングにより堆積される、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、前記固結されたプリフォームは、熱機械的に延伸加工される、方法。
【請求項１３】
請求項１又は１２に記載の方法において、前記固結されたプリフォームは、光ファイバ延伸加工タワーを用いて延伸加工される、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、前記プリフォーム構造から前記固結されたプリフォームを得ることは、前記プリフォーム構造を加熱することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１又は１４に記載の方法において、前記プリフォーム構造から前記固結されたプリフォームを得ることは、前記プリフォーム構造を低圧で加熱することを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１、１４又は１５に記載の方法において、前記プリフォーム構造から前記固結されたプリフォームを得ることは、前記プリフォーム構造を真空オーブンを用いて加熱することを含む、方法。
【請求項１７】
ファイバ導波路であって、
周期的屈折率を有する周期的誘電体構造を形成する、カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの交互層を備え、該交互層は、前記カルコゲナイド・ガラスおよび前記熱可塑性ポリマーからなる多層膜を巻き付けてプリフォーム構造にし、前記プリフォーム構造から得られた固結されたプリフォームを延伸加工することにより導波路構造を提供するように配置されている、ファイバ導波路。
【請求項１８】
請求項１７に記載のファイバ導波路において、前記導波路構造は、１７５μｍ〜５００μｍの外径を有する、ファイバ導波路。
【請求項１９】
請求項１７又は１８に記載のファイバ導波路において、前記導波路構造は２０以上の層を有する、ファイバ導波路。
【請求項２０】
請求項１７、１８又は１９に記載のファイバ導波路において、前記導波路構造は周期構造である、ファイバ導波路。
【請求項２１】
請求項１７、１８、１９又は２０に記載のファイバ導波路において、前記交互層はサブミクロンの厚さを有する、ファイバ導波路。
【請求項２２】
請求項１７に記載のファイバ導波路において、前記カルコゲナイド・ガラスは、三セレン化ヒ素を含む、ファイバ導波路。
【請求項２３】
請求項２２に記載のファイバ導波路において、前記カルコゲナイド・ガラスは、更にゲルマニウム、テルリウム、又は硫黄を含む、ファイバ導波路。
【請求項２４】
請求項１７、２２又は２３に記載のファイバ導波路において、前記熱可塑性ポリマーはポリ（エーテルスルフォン）を含む、ファイバ導波路。
【請求項２５】
請求項１７、２２又は２３に記載のファイバ導波路において、前記熱可塑性ポリマーはポリエーテルイミドを含む、ファイバ導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学の分野に関し、特にファイバのような反射誘電体ミラー構造の生成に関する。
【背景技術】
【０００２】
（優先権についての情報）
本出願は、２００１年７月１６日出願の仮特許出願第６０／３０５，８３９号、および２００２年１月２３日出願の仮特許出願第６０／３５１，０６６号の優先権を主張し、引用によってその全文を本明細書の記載に援用する。
【０００３】
ポリマー・ファイバは、その優れた機械的特性および低コストでの利用度、高容量処理技術により織物のようなあらゆる用途で使用されている。しかし、現在までその光学的特性についての制御は、比較的限定されている。逆に、誘電体ミラーは、高性能の光学的用途で光を正確に制御し、操作するために使用されているが、これらの脆弱なミラーの製造は、ほとんど平坦な幾何学的形状に限定されており、依然として高価なままである。
【０００４】
一次元フォトニック結晶として知られる平面誘電体ミラーは、電磁（ＥＭ）放射線を高い効率で反射し、正確な周波数選択性を有する。蒸着技術の進歩により、膜層の厚さを高度に制御することができるようになり、その結果、１オングストロームより高い絶対精度でこれらミラーのスペクトル応答を制御できるようになってきている。これにより、光通信の利得平坦化装置、高密度波長分割多重化システムのアッド−ドロップ・チャネル・フィルタ、レーザ共鳴装置の構成部品、又は単一高効率リフレクタのような特殊な用途が生まれた。任意の入射光の数パーセントを吸収する金属ミラーとは異なり、誘電体ミラーは、１００％近くの外部反射率を有するように製造することができる。
【０００５】
典型的な誘電体ミラーは、異なる屈折率を有する２つの交互に置かれた材料から製造された誘電体の平らなスタックである。これらのミラーは完全なフォトニックバンドギャップの幅を有していないが、広い選択可能な周波数領域にわたって、すべての入射角および偏光の光を反射するように設計することができることが最近分かった。この進歩により、光共振器又は中空導波路のような多くの角度での光の強力な閉じ込め、又は反射を必要とする用途での全方向誘電体ミラーの利用が注目を浴びている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
すべてのタイプの誘電体ミラーの使用の程度は、連続して多くの交互層の物理又は化学蒸着を含むその製造に関連するコストおよび複雑さにより、また非平坦な面上へのこれらミラーの堆積に関連する困難により今まで阻害されてきた。さらに、ミラー・フィルムは、通常、脆く、自立することができない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの態様によれば、本発明は、ミラー構造を提供する。ミラー構造は、指定のサイズの複数のフィーチャを含む。このフィーチャは、カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの交互空間ユニットを含み、構造が高度に光を反射するように規則正しい形に厳密に配置されている。
【０００８】
他の態様によれば、本発明は、ミラー構造を形成するための方法を提供する。方法は、指定のサイズの複数のフィーチャを形成することを含む。フィーチャは、カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの交互空間ユニットを含む。この方法は、さらに、構造が高度に光を反射するように、規則正しい形にフィーチャを厳密に配置することを含む。
【０００９】
他の態様によれば、本発明は、ミラー構造を提供する。ミラー構造は、指定のサイズの複数のフィーチャを含む。フィーチャは、カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの複数の空間ユニットを含む。また、この空間ユニットは、１ナノメートルから２００００ナノメートルの間の大きさを有する。
【００１０】
他の態様によれば、本発明はミラー構造の形成方法を提供する。方法は、指定のサイズの複数のフィーチャを形成することを含む。カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの複数の空間ユニットは、上記各フィーチャ上に形成される。また、空間ユニットは、１ナノメートルから２００００ナノメートルの間の大きさを有する。さらに他の態様によれば、本発明は、ミラー構造を提供する。ミラー構造は、指定のサイズの熱可塑性ポリマーの複数の層、および指定のサイズのカルコゲナイド・ガラスの複数の層を含む。熱可塑性ポリマーおよびカルコゲナイド・ガラスの複数の層は、構造が高度に光を反射するように、規則正しい形に配置されている。
【００１１】
さらに他の態様によれば、本発明は、ミラー構造の形成方法を提供する。方法は、指定のサイズのポリマー・プラスチックの複数の層、および指定のサイズのカルコゲナイド・ガラスの複数の層を形成することを含む。熱可塑性ポリマーおよびカルコゲナイド・ガラスの層は、規則正しい形に配置されている。上記形成プロセスのいくつかの時点で、熱可塑性ポリマーおよびカルコゲナイド・ガラスは、ミラー構造を形成するために同時に一緒に熱処理される。ある例の場合には、熱可塑性ポリマーおよびカルコゲナイド・ガラスの層は、巻き付けられるか又は積層され、特定の温度で、ポリマー・プラスチックおよびカルコゲナイド・ガラスの複数の層は、結果として得られる構造が高度に光を反射するように熱的に一緒に引っ張られるか、接着される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、その上又はその内部に複数の層の誘電体ミラー構造を有するポリマー・ファイバを製造する際に、２つの異なる材料の利点の中のいくつかを組み合わせる。肉眼的層状の誘電体構造を生成し、次にそれをサブミクロンの長さのスケールにし、ＩＲ領域の中央にフォトニックバンドギャップの幅を確立するために、熱処理技術が使用される。材料の選択は、かなり異なる屈折率を有しながら、ある熱処理ウィンドウ内で類似の熱機械的特性を有するポリ（エーテルスルフォン）（ＰＥＳ）および三セレン化ヒ素（ａｒｓｅｎｉｃ  ｔｒｉｓｅｌｅｎｉｄｅ）（Ａｓ2Ｓｅ3）のような一組の非晶質材料の経験的識別を含む。無機ガラスおよびいくつかの熱可塑性ポリマーのような非晶質材料は、結晶質材料と比較すると温度により粘度が次第に変化する。このような粘度の変化は、溶融状態からガラス状態に冷却した場合、非晶質材料においては、一次熱力学的転移が起こらないことによるものである。一次熱力学的転移が起こらないということは、粘度の制御要因である自由体積および構成エントロピー内での対応する連続的変化を意味する。それ故、粘度は温度変化により急激に変化しない。この連続的な粘度の変化は、延伸加工、フリーブロー成形、圧縮および押出し加工のような高速熱処理により無機ガラスおよび有機熱可塑性プラスチックを形成することができる最も重要な要因の中の１つである。
【００１３】
全方向ミラー構造の製造の際に、類似の粘性熱処理を使用するために、考慮しなければならない特性の一致には大きな困難がいくつかある。選択した材料は、広い共通の波長帯域にわたって光の吸収が小さいものでなければならない。これら材料は、複数の層が所望の相対的な厚さの比率を正確に維持するように、問題の処理温度において、非常によく似ている又は制御することができる粘度を有していなければならない。さらに、層は、急冷処理を受けた場合でも強力に接着していなければならないし、剥離してはならない。
【００１４】
Ａｓ2Ｓｅ3を使用する利点の１つは、Ａｓ2Ｓｅ3が安定しているガラスであるばかりでなく、解離を起こさないで熱による蒸発又はスパッタリングにより、薄膜内に容易に堆積することができる化学量論的化合物であることである。さらに、Ａｓ2Ｓｅ3は、約０．８〜１７μｍのＩＲ放射線に対して透明であり、ＩＲ領域の中央において約２．８の屈折率を有する。ＰＥＳは、１．５５の屈折率を有し、可視領域からＩＲの中央まで延びる範囲内で、ＥＭ波に優れた透明度を有する、高性能で寸法が安定している熱可塑性プラスチックである。上記の特性の一致を、ポリマーとガラスの組成物を選択的に調整することにより、さらに最適化できることが期待できる。種々のカルコゲニド、酸化物、ハロゲン化物、又はポリマーを含む他の材料の組合わせも類似の結果を達成するために潜在的に使用することができる。
【００１５】
図１は、本発明により選択された材料を使用して形成されたファイバの写真である。この実施形態の場合には、選択した材料は、本質的には最終ファイバの巨視的規模のバージョンである多層プリフォームのロッドである。誘電体ミラー・ファイバのプリフォームを製造するために、Ａｓ2Ｓｅ3の膜が、熱による蒸発により、自立構造のＰＥＳ膜のどちらかの面上に堆積される。ＰＥＳ膜の厚さは０．１〜１０，０００μｍである。次に、この大型の膜は、ＰＥＳおよびＡｓ2Ｓｅ3の約２０の交互層を有する構造を形成するために、２ｃｍの外径（ＯＤ）を有する長さ２５ｃｍの中空のＰＥＳロッドの外面上に手作業により巻き付けられる。このようにして、２０又はそれ以上の層を有する周期的誘電体構造が製造されるが、厳密には蒸着ステップを１回は行わなければならない。ＰＥＳおよびＡｓ2Ｓｅ3の層は、同じサイズおよび寸法のフィーチャを形成する。これらのフィーチャは規則正しい形に厳密に配列される。誘電体構造は、低圧高温で真空オーブン内で加熱することによりプリフォームに固結される。
【００１６】
より詳細に説明すると、誘電体構造は、材料が一定の制御された方法でフィーチャを形成するある規則又はデザインを有する。フィーチャは、カルコゲナイド・ガラスおよび熱可塑性ポリマーの空間ユニットから形成することができ、周期的疑似周期性を有する、技巧的な構造を有することができるし、又は周期性は厳密なものでなくてもよいが、フィーチャは意図的に配置される。重要不可欠な点は、最終構造の材料のフィーチャの配置はランダム又は確率的なものでなく、以下に説明する技術により技巧的になされ、設計されていることである。空間ユニットは、１〜２００００ナノメートルの大きさを有することができる。
【００１７】
結果として得られる多層ファイバ・プリフォームは、実質的に熱機械的に、光ファイバ延伸加工タワーによりサブミクロンの層の厚さを有する数百メートルの多層ファイバに延伸加工され、ＩＲ領域の中央にフォトニックバンドギャップの幅が確立される。目標値から１０μｍの典型的な標準偏差を有する、種々に変化する１７５〜５００μｍの外径を有するファイバが、熱的変形による反射率のスペクトルの調整を証明するために、同じプリフォームから延伸加工される。フォトニックバンドギャップの幅のスペクトルの位置は、延伸加工中にファイバの外径（ＯＤ）を光学的に監視することにより正確に制御されるが、この正確な制御は、後で異なる直径の１本のファイバ又は複数のファイバの反射率の測定値により確認される。複数のプリフォームを使用することにより、直径は同じであるが、全く異なるスペクトル特性を有する種々のファイバを延伸加工することもできる。結果として得られる誘電体ミラー・ファイバは、選択可能なＩＲ波長領域にて、金でコーティングしたファイバの反射率と同じかそれ以上の反射率を示す。
【００１８】
図２は、２．８と１．５５の間で交互に変化する周期的屈折率を有する一次元フォトニック結晶のフォトニックバンドである。理論上では、これらのファイバのスペクトル応答を予測できれば、無限の一次元フォトニック結晶に対応するフォトニックバンド構造を計算するのに便利である。そうすることにより、実および虚のブロッホ波数解法に対応する構造の伝搬モードおよびエバネッセントモードを分析することができる。電界ベクトルは、横方向の電気（ＴＥ）偏光モードに対するミラー層インタフェースに平行であり、同様に、磁界ベクトルは、横方向の磁気（ＴＭ）モードに対するインタフェースに平行である。平行な波数ベクトル（ｋy）は、層インタフェースに平行な入射ＥＭ波のベクトル成分である。外部の周囲の媒体からアクセス可能な位相空間は、視射角条件ω＝ｃｋy／ｎ0により決まる光の線の間に位置しており、３５度の線の間のモードは、実験的にサンプリングしたモードに対応する。軸は、１つの高い屈折率層および１つの低い屈折率層からなり、周期を有する１つの二重層の厚さａに対して正規化される。
【００１９】
図２は、本発明により製造したミラー構造に類似の周期および屈折率を有する無限構造のフォトニックバンドである。３つのフォトニックバンドギャップの幅２、４および６は、０〜３５度の角度の範囲内に高い反射率が予想される位置に存在しており、基本ギャップは、ある範囲の外部の全方向反射率を含む。グレイの領域は、構造内の伝搬モードを表し、一方、白い領域はエバネッセントモードを表す。低い黒い陰影の台形は、外部の全方向反射を表す。
【００２０】
図３Ａ〜図３Ｂは、それぞれ、同じ直径の金でコーティングしたファイバに対する、外径４００μｍおよび外径２００μｍの誘電体ファイバの測定反射率スペクトルのグラフである。ミラー・ファイバ反射率は、Ｎｉｃｏｌｅｔ／ＳｐｅｃｔｒａＴｅｃ  ＮｉｃＰｌａｎ赤外線顕微鏡およびフーリエ変換赤外線スペクトロメータ（Ｍａｇｎａ８６０）を使用して、１本のファイバおよび平行なファイバ・アレイから測定する。顕微鏡の対物レンズは、ファイバに焦点を結ぶためのもので、０．５８の開口数（ＮＡ）を有する。そのため、構造の垂直な面に対する反射角が垂直な入射角から、顕微鏡の対物レンズのＮＡにより決まる約３５度に変化することがある円錐形が検出される。
【００２１】
外径４００μｍに延伸加工したファイバは、図３Ａに示すように、３．５μｍの波長に中心を有する非常に強力な反射バンドを示す。測定した反射率のスペクトルは、反射率が両方の偏光モードを含む上記角度範囲内で平均化される伝達マトリックス法（ＴＭＭ）シミュレーションとよく一致する。
【００２２】
外径２００μｍに延伸加工したファイバは、図３Ｂに示すように、１．７μｍ近くに中心を有する類似の強力な基本反射バンドを示す。主要なフォトニックバンドギャップの幅のシフトによって、熱変形処理による広い周波数範囲にわたる反射率スペクトルの正確な技術設計であることが明らかに示される。強力な光学的性質は、少なくとも外径が２００μｍの細い１本のファイバから測定することができる。複数のファイバからの反射光のサンプリングを同時に行ったファイバ・アレイの測定は、図３Ｂに示すように、１本のファイバの結果と一致する。
【００２３】
これらの反射率の結果は、層の厚さが均等に制御されていること、層間の接着が優れていること、複数の熱処理による相互拡散が少ないことをはっきり示している。このことは、図４に示すように、ファイバの断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）検査により確認される。これについては以下に説明する。この実施形態の場合には、外径４００μｍのファイバの厚さａは０．４５であり、外径２００μｍのファイバの厚さａは０．４５μｍである。観察した層の厚さは、測定した反射率スペクトルとよく対応する。プリフォーム基板として中空のロッドを選択したために、ファイバは中心に穴を有する。ファイバ・ミラー層は、延伸加工中に均等に変形を受けている。ロールアップしたミラー構造は、機械的な保護のためのＰＥＳの二重の外部層を含んでおり、図３Ａに示すように、約３．２μｍにて反射率スペクトルのはっきりとした吸収のピークを形成する。
【００２４】
図４Ａ〜図４Ｃは、外径４００μｍのファイバの断面のＳＥＭ顕微鏡写真である。全ファイバはエポキシ内に埋設されている。図４Ａは、ＰＥＳのコアを囲んでいるミラー構造を含む全ファイバの断面図である。図４Ｂは、ファイバの外部の大部分に有意な欠陥がないこと、およびミラー構造がファイバ基板によく接着していることを示す。図４Ｃは、Ａｓ2Ｓｅ3（明るい層）およびＰＥＳ（暗い層）の交互層内の配列および接着を示す。切断中に発生する応力により、ファイバの界面のところで湾曲している装着エポキシ内にいくつかの亀裂ができ、さらに、これらミラー・ファイバの機械的な強度を証明している。このバッチからのファイバは、図３Ａにおいて反射率の測定中に使用される。
【００２５】
スペクトル・データと直接画像化データの組合わせは、図２のフォトニックバンド図と非常によく一致している。このことは、図２に示すように、外径４００μｍのファイバのフォトニックバンドギャップの位置を、ａ＝０．９０μｍのＳＥＭ測定層間隔と一緒に、図３Ａに示す経験的スペクトル反射データと比較することにより要約される。フォトニックバンド図内の２９％と比較した場合、外径４００μｍのファイバの基本的ギャップの領域の中央に対する測定したギャップの幅の範囲の比率は２７％である。
【００２６】
延伸加工温度における延伸の際の流動学的行動は、本発明の１つの要素である。延伸加工温度においては、材料は有意な応力を発生しないで延びることができるように十分な流動性を有していなければならないが、ミラー層がその配列された構造を失うほどに流動性を有してはならない。熱膨張係数（ＣＴＥ）は、任意の急冷手順中に薄膜の接着および一体化の役割を果たす。ＰＥＳは、５５×１０-6／℃の線形ＣＴＥを有し、一方、Ａｓ2Ｓｅ3は２５×１０-6／℃の線形ＣＴＥを有する。本明細書に記載するミラー・ファイバの幾何学的形状の場合には、このＣＴＥの違いは、通常のコーティングしたセラミック本体上の釉薬が高温の焼結から冷却する際に強化されるのと非常によく似た状況で、実際にファイバのバルクを含むＰＥＳ層が、Ａｓ2Ｓｅ3のガラス転移以下に冷却し、収縮すると、Ａｓ2Ｓｅ3層を圧縮し、外側のＡｓ2Ｓｅ3層を強化する効果を有する。
【００２７】
上記の材料およびプロセスのタイプは、同様に、平面誘電体ミラーのコストを低減するためにも、種々の高い処理能力処理技術により、種々様々の新しい等角ミラー幾何学的形状を形成するためにも適用することができる。これらのファイバは、高い反射率と明確なスペクトル特性を有する、柔軟で製織された構造を含む多くの新しいフォトニック結晶用途で使用することができる。
【００２８】
図５は、すべての誘電体キラル導波路を形成するために使用する膜の断面の略図である。この実施形態の場合には、キラル導波路構造は、全３６０度を除いて、任意の回転により同一でなくてもよい。ファイバに垂直な面が、１８０度回転させても再現できない場合には、ファイバは明らかな掌性を有する。
【００２９】
本発明の一態様では、その断面が変化するファイバが記述される。ファイバの断面を変化させる簡単な１つの方法は、上記の巻き付け方法を使用する方法である。柔軟な材料を使用する場合には、これらの材料を巻き付け、その後で延伸加工することができる。反対方向に巻き付け中の２つの同じ方法で延伸加工したファイバは、相互に鏡像になり、そのため対掌性(chirality)を有する。
【００３０】
導波路にするこの巻き付け延伸加工構造の場合には、電磁放射線を構造内に閉じ込めなければならない。ファイバ内に案内されたモードを生成するには、いくつかの方法を使用することができる。本発明は、制御された層構造の２つの誘電体の間に、大きな屈折率のコントラストを有するキラル・デバイスの機能を提供する。引用によって本明細書の記載に援用する米国特許第６，１３０，７８０号に、このような全方向リフレクタが記載されている。この設計は、任意の波長に調整することができ、そのため低損失の導波路を生成することができる。このことは金属面には当てはまらない。何故なら、金属面は、赤外線を大量に吸収するからである。巻き付けられ、延伸加工されるこのような全方向リフレクタの場合には、材料間の多くの特性は互換性をもっていなければならない。
【００３１】
キラル導波路は、ファイバについて説明したのと同じ技術により形成される。より詳細に説明すると、キラル導波路は、Ａｓ2Ｓｅ3のようなカルコゲナイド・ガラス、およびＰＥＳ又はポリエーテルイミド（ＰＥＩ）のようなポリマーを使用する。Ａｓ2Ｓｅ3の特性は、ＡSとＳｅの比率を変更することにより、およびゲルマニウム、テルリウムおよび硫黄を含むが、これらに限定されない種々の元素でドーピングすることにより調整することができる。ドーピングをすると、Ａｓ2Ｓｅ3のすべての特性が影響を受けるので、屈折率の低い材料との互換性を微調整するのに使用することができる。Ａｓ2Ｓｅ3の光学的特性は、その上に全方向リフレクタを生成することができる広範囲に及ぶ。ＰＥＳおよびＰＥＩの分子量が変化すると、これらの材料の特性が調整される場合がある。同じグループの他のポリマーおよび他の熱可塑性プラスチックも、これらファイバで使用するための優れた候補である。
【００３２】
ＰＥＩ又はＰＥＳの膜が入手され、Ａｓ2Ｓｅ3が一方の面に堆積される。次に、結果として得られる膜が加熱され、延伸加工される。延伸加工された膜は、コヒーレントな特性を維持する。何故なら、図５に示すように、Ａｓ2Ｓｅ3膜内にはっきりとした亀裂が見られないからである。より詳細に説明すると、図５は、その熱機械的互換性を示す延伸加工された膜の中の１つを示す。Ｇｏｏｄｆｅｌｌｏｗ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによれば、ＰＥＳの屈折率は１．６５である。ＰＥＩも類似の屈折率を有するものと予想される。
【００３３】
Ａｓ2Ｓｅ3は、熱蒸着、化学蒸着およびスパッタリングを含むが、これらに限定されない方法で堆積することができる。ＰＥＳおよびＰＥＩは、浸漬塗装およびスピン・コーティングされた薄い自立構造の膜にすることができる。種々の様々な処理技術により、これらの材料から種々のデバイスを作ることができる。例えば、非キラル全方向反射ファイバ導波路を生成するために、蒸着／浸漬塗装を使用することができる。一次元全方向反射スタックを生成するために、蒸着／スピン・コーティングを使用することができる。次に、このスタックを加熱し、種々の形に成形し、種々の周波数に後生産で調整することができる。二次元フォトニック結晶ファイバ・プリフォームを製造し、延伸加工することができる。
【００３４】
図６は、ＰＥＳ−Ａｓ2Ｓｅ3の延伸加工したファイバの顕微鏡写真である。ＰＥＳ又はＰＥＩのような薄い高分子膜の製造又は取得ステップを含み、Ａｓ2Ｓｅ3又は他のカルコゲナイド・ガラスのような高い屈折率の材料の薄い高分子膜上への以降の堆積を含む巻き付け方法を、プリフォームを形成するために使用することができる。上記膜はプリフォーム構造に巻き付けられる。次に、プリフォームは固結される。固結されたプリフォームは、図６に示すように、ファイバを形成するために加熱され、延伸加工される。選択される材料システムにより、上記ステップすべてを必要としない場合があるが、巻き付けファイバを製造するための一般的アプローチとしてこれらのステップを記載する。
【００３５】
図６に示すように、これらのステップの一例は、ＰＥＳおよびＡｓ2Ｓｅ3から形成したシステムにより与えられる。例示としての実施形態および他の実施形態は、異なる材料組成を使用することができることに注目するのは重要なことである。厚さ２５μｍのＰＥＳの自立構造高分子膜が入手され、熱蒸着により２μｍの厚さのＡｓ2Ｓｅ3の膜の両面にコーティングされる。厚さは変化する場合があり、コーティングは片面又は両面に行うことができる。また、３つ以上の材料を使用することもできる。次に、膜は、確実に巻き付けられ、次に、テフロン・テープの包装により一緒に保持される。膜を巻き付けるための多くの方法を使用することができ、これはこのような技術の一例にしか過ぎない。巻き付けフォトニック結晶ファイバに対して多くの他の方法を使用することができる。
【００３６】
巻き付けの後で、隣接する層の間の界面内の空気を除去するために、プリフォームは圧縮される。そうするために、プリフォームは、約１８分間約２５０℃で真空オーブン内で加熱される。次に、まだ熱いうちに真空オーブンは再加圧され、プリフォームが取り出され、フリーザ内で冷却される。このプロセスを行うためには、従来のオーブン又は他の冷却技術を使用する他の方法もある。
【００３７】
固結後、自立構造の多層巻き付けプリフォームを残して、毛細管がフッ化水素酸によりエッチングされる。エッチングは約１時間行われる。次に、キラルフォトニック結晶ファイバを形成するために、約２５０℃で約５回プリフォームが延伸加工される。断面図のサンプルがカットされ、検査のために、走査型電子顕微鏡によりコーティングされる。
【００３８】
図６は、延伸加工したファイバの断面の顕微鏡写真である。３６０度の倍数を越える回転を行うことにより断面を再現することができることははっきりしている。それ故、ファイバが軸方向に変化するとキラル構造ができる。
【００３９】
キラル導波路を製造するもう１つの方法は、順次薄膜を堆積する方法である。一組の熱機械的に互換性を有する材料の両方を薄膜処理技術で堆積することができる。この場合、円筒形の基板の小さな一部を露光するためにマスクを使用することができる。第１の材料を堆積することができ、マスクを回転しないで第２の材料を堆積することができる。次に、基板を回転し処理を反復することができる。最終構造は、巻き付けプリフォームと同じように見える。
【００４０】
軸方向に変化しない、巻き付けられるか又は延伸加工した簡単な導波路もいくつかの利点を有する。構造は、キラルではないが、この方法は、低損失光ファイバを製造するための容易でコスト・パフォーマンスのよい技術である。ファイバのコアのサイズが、光の波長と比べて大きい場合には、巻き付けた構造は完全な円筒形のフォトニック結晶ファイバより大きい影響を光に対して有することができる。コアの小さいファイバの場合には、ファイバ断面に無限の回転対称がないので、新規の効果が可能である。このように対称でないので、ファイバ内で新規のモード構造になる角運動量は保存されない。
【００４１】
いくつかの好適な実施形態について本発明を図示し、説明してきたが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、その形状および詳細に種々の変更、省略および追加を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による選択された材料を使用して形成される外径２００μｍのファイバの写真である。
【図２】２．８と１．５５の間で交互に変化する周期的屈折率を有する一次元フォトニック結晶用のフォトニックバンドの図である。
【図３Ａ】同じ直径の金でメッキしたファイバに対する、外径４００μｍの誘電体ファイバについて測定した反射率のグラフである。
【図３Ｂ】同じ直径の金でメッキしたファイバに対する、外径２００μｍの誘電体ファイバについて測定した反射率のグラフである。
【図４】Ａ、Ｂ、Ｃは、の外径４００μｍのファイバの断面のＳＥＭ顕微鏡写真である。
【図５】キラル導波路を形成するために使用した膜の断面顕微鏡写真である。
【図６】ＰＥＳ−Ａｓ2Ｓｅ3の絞り加工したファイバの顕微鏡写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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