【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線をデバイス材料に照射するための、該荷電粒子線を通過させる開口が形成された基板を含む、電子光学系と、
前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーと、
前記カバーの内部空間の圧力を調整する調整機構と、
前記内部空間の圧力変化に伴う前記基板の表裏の圧力差を緩和する緩和機構と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記緩和機構は、前記基板が面する空間を前記内部空間に通じさせる通路を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記緩和機構は、前記通路の端部又は途中にバルブを有することを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
前記バルブの開閉度を制御するコントローラを更に備えることを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
前記基板に関する情報を計測するセンサを有し、前記コントローラは該センサの出力に基づいて前記バルブの開閉度及び前記調整機構の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
前記センサは前記基板の表裏の圧力差を検知する圧力センサを有することを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
前記センサは前記基板の変形を光学的に検出する光学センサを有することを特徴とする請求項５記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項８】
前記電子光学系は、各々前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線を通過させる開口が形成された複数の基板を有し、前記緩和機構は各基板の表裏の圧力差を緩和することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項９】
前記緩和機構は、前記基板の表裏の圧力差が所定範囲を越えないように該圧力差を緩和することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、荷電粒子線露光装置の立ち上げ時、立ち下げ時、メンテナンス時、もしくは非常時に自動的に制御を実行することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１１】
前記基板は、それに形成された前記開口に電位を与える電極を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１２】
前記電子光学系は、
前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線を通過させる開口が各々形成され、該荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の基板と、
前記複数の基板の間隙の全部又は一部の間隙に配置されたスペーサと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１３】
前記スペーサは、前記複数の基板に形成された開口に対応する位置に開口を有することを特徴とする請求項１２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１４】
前記電子光学系は、前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線を通過させる開口が各々形成され、該荷電粒子線の経路に沿って配置された複数の基板を含み、該複数の基板の全部又は一部は、入れ子構造が形成されるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１５】
前記複数の基板は、各々、開口が形成されたメンブレンと、該メンブレンを支持する環状の支持体とを有し、
前記電子光学系は、前記入れ子構造を形成する基板の支持体を共通に支持するベース基板を更に含み、
前記ベース基板は、前記入れ子構造によって形成される空間を前記カバーの内部空間に通じさせる開口を有することを特徴とする請求項１４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項１６】
デバイスの製造方法であって、
荷電粒子線源が発生する荷電粒子線を、それを通過させる開口が形成された基板を含む電子光学系を介して、デバイス材料に照射することによって、該デバイス材料にパターンを描画する工程と、
前記基板の表裏の圧力差の変化を緩和する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１７】
前記圧力差の変化を緩和する工程は、前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーの内部空間の圧力を調整する工程、および前記基板が面する空間と前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーの内部空間との間に設けられたバルブを制御する工程の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項１８】
デバイス材料に感光剤を塗布する工程と、前記パターン描画されたデバイス材料に現像処理を施す工程をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
デバイスの製造方法であって、
荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置を工場に設置する工程と、
前記複数の半導体製造装置を用いて半導体デバイスを製造する工程と、
を含み、前記荷電粒子線露光装置は、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線をデバイス材料に照射するための、該荷電粒子線を通過させる開口が形成された基板を含む、電子光学系と、
前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーと、
前記カバーの内部空間の圧力を調整する調整機構と、
前記内部空間の圧力変化に伴う前記基板の表裏の圧力差を緩和する緩和機構と、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記複数の半導体製造装置をローカルエリアネットワークで接続する工程と、
前記ローカルエリアネットワークと前記工場外の外部ネットワークとを接続する工程と、
前記ローカルエリアネットワーク及び前記外部ネットワークを利用して、前記外部ネットワーク上のデータベースから前記荷電粒子線露光装置に関する情報を取得する工程と、
取得した情報に基づいて前記荷電粒子線露光装置を制御する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載のデバイスの製造方法。
【請求項２１】
半導体製造工場であって、該半導体製造工場は、
荷電粒子線露光装置を含む複数の半導体製造装置と、
前記複数の半導体製造装置を接続するローカルエリアネットワークと、
前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとを接続するゲートウェイとを備え、
前記荷電粒子線露光装置は、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線をデバイス材料に照射するための、該荷電粒子線を通過させる開口が形成された基板を含む、電子光学系と、
前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーと、
前記カバーの内部空間の圧力を調整する調整機構と、
前記内部空間の圧力変化に伴う前記基板の表裏の圧力差を緩和する緩和機構と、
を有することを特徴とする半導体製造工場。
【請求項２２】
荷電粒子線露光装置の保守方法であって、
荷電粒子線露光装置が設置された工場外の外部ネットワーク上に、該荷電粒子線露光装置の保守に関する情報を蓄積するデータベースを準備する工程と、
前記工場内のローカルエリアネットワークに前記荷電粒子線露光装置を接続する工程と、
前記外部ネットワーク及び前記ローカルエリアネットワークを利用して、前記データベースに蓄積された情報に基づいて前記荷電粒子線露光装置を保守する工程と、
を含み、
前記荷電粒子線露光装置は、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線をデバイス材料に照射するための、該荷電粒子線を通過させる開口が形成された基板を含む、電子光学系と、
前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーと、
前記カバーの内部空間の圧力を調整する調整機構と、
前記内部空間の圧力変化に伴う前記基板の表裏の圧力差を緩和する緩和機構と、
を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置の保守方法。
【請求項２３】
荷電粒子線を通過させる開口を有する基板と、
前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間を形成するように前記基板を覆うカバーと、
前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間の圧力差を緩和する緩和機構と、
を備えることを特徴とする電子光学系ユニット。
【請求項２４】
荷電粒子線を用いてパターニングを行なう荷電粒子線露光装置であって、
荷電粒子線源と、
電子光学系ユニットとを具備し、
前記電子光学系ユニットは、前記荷電粒子線を通過させる開口を有する基板と、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間を形成するように前記基板を覆うカバーと、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間の圧力差を緩和する緩和機構とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２５】
前記基板は、前記荷電粒子線の通過方向に垂直な面内に、前記荷電粒子線を通過させる開口を複数有することを特徴とする請求項２４に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項２６】
請求項２４に記載の荷電粒子線露光装置を用いて基板に所定のパターンを露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光装置において、前記基板に関する情報を計測するセンサを有し、前記コントローラは該センサの出力に基づいて前記バルブの開閉度及び前記調整機構の少なくとも一方を制御することが好ましい。ここで、前記センサは前記基板の表裏の圧力差を検知する圧力センサあるいは前記基板の変形を光学的に検出する光学センサであることが好ましい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の第５の側面に係る荷電粒子線露光装置の保守方法は、荷電粒子線露光装置が設置された工場外の外部ネットワーク上に、該荷電粒子線露光装置の保守に関する情報を蓄積するデータベースを準備する工程と、前記工場内のローカルエリアネットワークに前記荷電粒子線露光装置を接続する工程と、前記外部ネットワーク及び前記ローカルエリアネットワークを利用して、前記データベースに蓄積された情報に基づいて前記荷電粒子線露光装置を保守する工程とを含み、前記荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線源と、前記荷電粒子線源が発生する荷電粒子線をデバイス材料に照射するための、該荷電粒子線を通過させる開口が形成された基板を含む、電子光学系と、前記荷電粒子線源及び前記電子光学系を覆うカバーと、前記カバーの内部空間の圧力を調整する調整機構と、前記内部空間の圧力変化に伴う前記基板の表裏の圧力差を緩和する緩和機構とを有することを特徴とする。
本発明の第６の側面に係る電子光学系ユニットは、荷電粒子線を通過させる開口を有する基板と、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間を形成するように前記基板を覆うカバーと、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間の圧力差を緩和する緩和機構とを備えることを特徴とする。
本発明の第７の側面に係る、荷電粒子線を用いてパターニングを行なう荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線源と、電子光学系ユニットとを具備し、前記電子光学系ユニットは、前記荷電粒子線を通過させる開口を有する基板と、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間を形成するように前記基板を覆うカバーと、前記基板の表側空間と前記基板の裏側空間の圧力差を緩和する緩和機構とを備えることを特徴とする。
本発明の第７の側面において、前記基板は、前記荷電粒子線の通過方向に垂直な面内に、前記荷電粒子線を通過させる開口を複数有することが好ましい。
本発明の第８の側面に係るデバイス製造方法は、本発明の第７の側面に係る荷電粒子線露光装置を用いて基板に所定のパターンを露光する工程と、前記基板を現像する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１３は、補正電子光学系３を構成する複数の基板（アパーチャアレイＡＡ、ブランカーアレイＢＡ、要素電子光学系アレイユニットＬＡＵ、ストッパーアレイＳ）の各々に設けられた差圧センサである。差圧センサ１３は、該差圧センサが取り付けられた基板の表側の圧力と裏側の圧力との差圧を計測する圧力センサを含む。補正電子光学系３を構成する複数の基板（電極板を含む）は、互いに間隙をもって配置されており、その間隙を構成する空間７０は、鏡筒カバー６０内（更には、本体カバー８０内）の空間に対して、相応の断面積の通路によって通じている。この通路の断面積は、各基板に形成された複数の開口部の総面積よりも大きいことが好ましい。これにより、本体カバー８０内の空間の減圧又は昇圧時において、基板がその両側の圧力の差によって破損したり、変形により精度が低下したりする問題を解決することができる。更に、この通路或いは他の通路により、補正電子光学系３の上部の空間と下部の空間とをも連絡させることが好ましい。