Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であって、前記光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の方向偏光成分の第一部分を通過させその一方の方向偏光成分の第二部分をモニタ光として反射する偏光分離手段と、前記偏光分離手段によって反射された前記モニタ光を受光して受光強度を示す光強度信号を生成する受光手段と、前記光強度信号に応じて前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源と前記偏光分離手段との間に配置され前記一方の方向偏光成分に対して垂直である方向偏光成分を遮断する光学素子と、を備えたことを特徴とするレーザ光強度制御装置。
【請求項２】
前記光源と前記偏光分離手段との間に前記光源から発せられたレーザビームを平行ビームに変換する変換手段を有することを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項３】
前記光学素子は、前記レーザビームの入射面がブルースター角度だけ傾けられたガラス平板であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項４】
前記光学素子は、偏光板であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項５】
前記光学素子は、前記光源と前記変換手段との間に前記一方の方向偏光成分に対して垂直である方向偏光成分を遮断する向きに配置されていることを特徴とする請求項２記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項６】
前記光学素子は、前記変換手段と偏光分離手段との間に設けられた偏光板グレーティングであることを特徴とする請求項２記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項７】
前記偏光板グレーティングは、入射されたレーザビームから３ビーム法のトラッキングサーボ制御用の高次光を分離生成させることを特徴とする請求項６記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項８】
前記光学素子はファラデー素子であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項９】
前記光学素子は１／２波長板であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１０】
前記変換手段は、コリメータレンズであることを特徴とする請求項２記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１１】
前記偏光分離手段は、偏光ビームスプリッタであることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１２】
前記駆動手段は、前記光強度信号が基準レベルになるように前記光源を駆動することを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１３】
前記基準レベルは可変にされていることを特徴とする請求項１２記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１４】
前記一方の方向偏光成分はＰ偏光成分であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【請求項１５】
前記光学素子は、付与される磁界の強さに比例した角度で前記レーザビームの偏光面を回転させるファラデー素子であることを特徴とする請求項１記載のレーザ光強度制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザ光強度制御装置は、光ピックアップ装置の光源の発光レーザビームの光強度を制御するレーザ光強度制御装置であって、光源から発せられたレーザビームの進行方向に垂直なｘ方向偏光成分及びその進行方向に平行なｙ方向偏光成分のいずれか一方の方向偏光成分の第一部分を通過させその一方の方向偏光成分の第二部分をモニタ光として反射する偏光分離手段と、偏光分離手段によって反射されたモニタ光を受光して受光強度を示す光強度信号を生成する受光手段と、光強度信号に応じて光源を駆動する駆動手段と、光源と偏光分離手段との間に配置され一方の方向偏光成分に対して垂直である方向偏光成分を遮断する光学素子と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタが設けられた基板上に形成された、開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部内に形成され前記トランジスタの不純物領域に接続する導電膜と、
前記導電膜上に形成され前記導電膜に接続される、第１の電極、前記第１の電極上の高強誘電体膜、前記高強誘電体膜上の第２の電極からなるキャパシタを有する半導体装置において、
前記高強誘電体膜は、鉛、バリウム、ビスマスから選ばれた少なくとも一つの元素を含有し、かつ前記第１の電極上から前記絶縁膜上に延在して形成され、
前記絶縁膜と前記高強誘電体膜との間には反応防止膜が設けられ、
前記導電膜と前記第１の電極との間には拡散防止膜が設けられ、前記拡散防止膜の側面は前記高強誘電体膜と接しておらず前記拡散防止膜は前記絶縁膜上に形成された前記反応防止膜の開口部に埋め込まれ、前記反応防止膜と前記拡散防止膜の上面は略面一で、前記反応防止膜と前記拡散防止膜の厚さはほぼ等しく、
前記第１の電極の側面が前記高強誘電体膜と接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記高強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、チタン酸ジルコニウム酸バリウム鉛、ニオブ酸バリウム鉛、タンタル酸ストロンチウムビスマス、チタン酸ビスマス、チタン酸ジルコニウム酸バリウムストロンチウムの何れかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
当該反応防止層が酸化チタン、アルミナ、または、ビスマスシリケイトの何れかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記拡散防止膜は、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＡｌxＴｉ1-xＮ、ＷＮの何れか、またはこれらを積層した膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４何れかに記載の半導体装置を基本単位とするダイナミックランダムアクセスメモリ。
【請求項６】
請求項１乃至４何れかに記載の半導体装置を基本単位とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
トランジスタを有する基板と、
前記基板上に形成され前記トランジスタの不純物領域を露出する開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部内に設けられ前記トランジスタの不純物領域に直接接続する拡散防止膜と、
前記拡散防止膜上に形成され前記拡散防止膜に接続される、第１の電極、前記第１の電極上の高強誘電体膜、前記高強誘電体膜上の第２の電極からなるキャパシタを有する半導体装置において、
前記高強誘電体膜は、鉛、バリウム、ビスマスから選ばれた少なくとも一つの元素を含有し、かつ前記第１の電極上から前記絶縁膜上に延在して形成され、
前記絶縁膜と前記高強誘電体膜との間には反応防止膜が設けられ、
前記拡散防止膜の側面は前記高強誘電体膜と接しておらず前記拡散防止膜は前記絶縁膜上に形成された前記反応防止膜の開口部内に埋め込まれ前記拡散防止膜の上面は前記反応防止膜の上面より低く、前記反応防止膜と前記第１の電極は自己整合的に形成され、前記第１の電極の側面が前記高強誘電体膜と接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記高強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、チタン酸ジルコニウム酸バリウム鉛、ニオブ酸バリウム鉛、タンタル酸ストロンチウムビスマス、チタン酸ビスマス、チタン酸ジルコニウム酸バリウムストロンチウムの何れかであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
当該反応防止層が酸化チタンであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記拡散防止膜は、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、ＡｌxＴｉ1-xＮ、 ＷＮの何れか、またはこれらを積層した膜であることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０何れかに記載の半導体装置を基本単位とするダイナミックランダムアクセスメモリ。
【請求項１２】
請求項７乃至１０何れかに記載の半導体装置を基本単位とする不揮発性メモリ。
【請求項１３】
トランジスタを有する基板上に、絶縁膜を形成し前記絶縁膜上に高強誘電体膜と絶縁膜の反応を防止するための反応防止膜を形成し、前記トランジスタの不純物領域を露出するように前記反応防止膜と前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部に導電膜を充填し、前記導電膜の上面を前記反応防止膜より低く形成する工程と、
前記反応防止膜より低く形成された導電膜上に拡散防止膜を形成し、前記拡散防止膜の上面を平坦化して前記反応防止膜と略面一の平面にする工程と、
前記反応防止膜と前記拡散防止膜上に電極材料を堆積して前記反応防止膜上に延在するようにパターニングして第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上および前記反応防止膜上に延在するように鉛、バリウム、ビスマスの少なくとも一つの元素を含有する高強誘電体膜を形成する工程と、
前記高強誘電体膜上に、第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
トランジスタを有する基板上に、絶縁膜を形成し前記トランジスタの不純物領域に接続するような開口部を前記絶縁膜に形成する工程と、
前記開口部に拡散防止膜を充填する工程と、
前記絶縁膜上と前記拡散防止膜上にＴｉ膜と前記Ｔｉ膜上に容量の下部電極材料を堆積する工程と、
前記Ｔｉ膜と下部電極材料をパターニングして前記拡散防止膜に接続する前記Ｔｉ膜と下部電極を形成する工程と、
前記基板表面を酸化雰囲気で熱処理することにより、下部電極とＴｉを反応させ合金化するとともに、下部電極以外の露出しているＴｉ膜をＴｉ酸化膜にする工程と、
前記下部電極上およびＴｉ酸化膜上に鉛、バリウム、ビスマスの少なくとも一つの元素を含有する高強誘電体膜を形成する工程と、
前記高強誘電体膜上に、第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、別の従来のメモリセル構造として、特開平７−１６９８５４号に記載されているように、図２６に示したとおり下部電極と拡散防止層を反応防止膜のなかに埋め込んでしまう構造が提案されている。この構造は、以下のようなプロセスによって得られる。まず、層間絶縁膜２４８、多結晶シリコン膜２４６を形成した後、チタン２６１を形成し、続いて拡散防止膜２４９，下部電極２５１を形成する。その後、高強誘電体膜２５２を形成する。この高強誘電体膜２５２堆積時に、Ｔｉ膜を酸化させ反応防止層のＴｉＯ2２６１を形成する。また特開平７−１４９９３には高誘電体膜と絶縁膜の間にＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３からなる密着層を設けて密着性を改善する開示がある。またＷＯ９８／１５０１３（特表２００１−５０１３７５）には下部プラグと容量下部電極の間にバリア層を入れ、誘電体膜と絶縁膜の間にＳｉＮ層をいれる開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
線路基板１０は、図２の(a),(b)に示すように、半絶縁性又は絶縁性（例えば、比抵抗が106Ωcm程度以上で、熱伝導率が140W/mK程度以上のＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイアモンド等）の平板基板１１の上面に、信号線路１２、その信号線路１２に直流バイアスを印加するチョーク部１３、その信号線路１２の端部に連続させた信号電極１４、その信号電極１４を挟むように配置した一対の表面接地電極１５が形成され、裏面には接地電極１６が形成され、表面接地電極１５は接地電極１６に対してヴィアホール１７により接続されている。この線路基板１０は、その信号線路１２の裏面に接地電極がなく、サスペンディド線路を形成している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
一例として、半導体基板２１は不純物濃度が１〜２×1018atom/cm3のｎ型ガリウム砒素からなり、第１のコンタクト層２２は不純物濃度が２×1018atom/cm3で厚さ1.5μmのｎ型ガリウム砒素からなり、活性層２３は不純物濃度が1.2×1016atom/cm3で厚さ1.6μmのｎ型ガリウム砒素からなり、第２のコンタクト層２４は不純物濃度が１×1018atom/cm3で厚さ0.3μmのｎ型ガリウム砒素からなる。ガリウム砒素に代えてインジウムリン等の他の化合物半導体を使用することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト計算機と接続される記憶装置システムであって、
複数の記憶装置と
前記複数の記憶装置に接続される制御装置とを有しており、
前記複数の記憶装置内には、前記ホスト計算機からアクセスされる正ボリュームと、ある時点において前記正ボリュームに格納されているデータのコピーが格納される副ボリュームが存在し、
前記制御装置は、前記ホスト計算機から前記正ボリュームを指定したペア分割要求を受信すると、前記ペア分割要求を受信した時点で前記正ボリュームに格納されているデータのうち、前記副ボリュームに格納されていないデータを、前記正ボリュームから前記副ボリュームにコピーし、
前記ペア分割要求を受信した後に前記ホスト計算機からライト要求を受信した場合に前記制御装置は、ライトデータを前記正ボリュームに格納して該ライトデータの格納位置を記憶し、
前記ホスト計算機から前記正ボリュームの一部記憶領域を指定したエクステントアップデート要求を受信した場合に前記制御装置は、前記ペア分割要求の受信後に正ボリュームに格納されたライトデータのうち、前記エクステントアップデート要求が示す一部記憶領域に格納されているライトデータを、前記副ボリュームにコピーすることを特徴とする記憶装置システム。
【請求項２】
請求項１記載の記憶装置システムであって、
前記制御装置は、前記正ボリュームに格納されているデータのうち、前記副ボリュームに格納されていないデータの格納位置を、ビットマップを用いて管理することを特徴とする記憶装置システム。
【請求項３】
請求項２記載の記憶装置システムであって、
前記エクステントアップデート要求には、開始アドレスと終了アドレスが含まれており、
前記制御装置は前記エクステントアップデート要求を受信した場合に、前記開始アドレスと前記終了アドレスとで挟まれる記憶領域に対応する前記ビットマップ上のデータを参照して、前記正ボリュームから前記副ボリュームへデータをコピーすることを特徴とする記憶装置システム。
【請求項４】
計算機と接続される記憶装置システムであって、
複数の記憶装置と
前記複数の記憶装置に接続される制御装置とを有しており、
前記複数の記憶装置は、前記計算機からアクセスされる正ボリュームと、前記正ボリュームに格納されているデータのコピーが格納される副ボリュームを有しており
前記制御装置は、前記正ボリュームに格納されているデータのうち前記副ボリュームに格納されていないデータの格納位置を示すビットマップを有しており、
前記制御装置は、前記計算機から前記正ボリュームの識別番号と、前記正ボリューム内の一部の記憶領域を指定する情報を有するコピー要求を受信すると、指定された記憶領域に対応する前記ビットマップ上のデータを参照して、前記正ボリュームに格納されているデータのうち前記副ボリュームに格納されていないデータであって、前記コピー要求によって指定される記憶領域に格納されているデータを、前記正ボリュームから前記副ボリュームにコピーし、
前記正ボリュームから前記副ボリュームにコピーされたデータに関する前記ビットマップ上のデータを更新し、
コピー処理の終了後に前記計算機からライト要求を受信した場合に前記制御装置は、ライトデータを前記正ボリュームに格納して該ライトデータの格納位置を前記ビットマップに記録することを特徴とする記憶装置システム。
【請求項５】
計算機と接続される記憶装置システムであって、
前記計算機からアクセスされる正ボリュームと前記正ボリュームに格納されるデータのコピーを格納する副ボリュームを有する記憶装置と、
前記記憶装置と接続される制御部とを有しており、
前記制御部は、前記正ボリュームに格納されているデータのうち前記副ボリュームには格納されていないデータの格納位置を記録するビットマップを有しており、
前記制御部は、前記計算機からライト要求を受信すると、ライトデータを前記正ボリュームに格納して、該ライトデータの格納位置に対応する前記ビットマップ上のデータを更新し、
前記計算機から前記正ボリュームの識別番号と、前記正ボリューム内の一部記憶領域を示す情報とを有するペア分割要求を受信した場合に前記制御部は、前記ペア分割要求によって指定される一部記憶領域に対応する前記ビットマップ上のデータを参照して、前記正ボリュームに格納されているデータの内前記副ボリュームに格納されていないデータであって、前記一部記憶領域に含まれる格納位置に格納されているデータを前記正ボリュームから前記副ボリュームにコピーし、
コピー処理に応じて前記ビットマップを更新することを特徴とする記憶装置システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月6日(2004.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットとなるコンピュータシステムの記憶装置に初期ソフトウェア構成をインストールする方法であって、この初期ソフトウェア構成はライブラリ記憶媒体に記憶されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールのライブラリから選択されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールを具備し、
起動記憶媒体に、ライブラリから選択されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを記憶するステップと、
前記起動記憶媒体からターゲットとなるコンピュータシステムを起動するステップと、
前記起動記憶媒体に記憶された選択データに基づいて、前記ライブラリ記憶媒体から前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを検索するステップと、
前記ターゲットとなるコンピュータシステムの記憶装置に、検索された前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データをインストールするステップと、
を備えることを特徴とする初期ソフトウェア構成をインストールする方法。
【請求項２】
検索された前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データをインストールするとき、前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールのコンポーネント特性に関する情報を利用するステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の初期ソフトウェア構成をインストールする方法。
【請求項３】
検索された前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データをインストールするステップを実行する前に、ターゲットとなるコンピュータシステムをフォーマットするステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の初期ソフトウェア構成をインストールする方法。
【請求項４】
検索された前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データをインストールするステップは、ネットワークを介して実行されるネットワーク接続を利用するステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の初期ソフトウェア構成をインストールする方法。
【請求項５】
ターゲットとなるコンピュータシステムの記憶装置に初期ソフトウェア構成をインストールするシステムであって、
ソフトウェア・コンポーネント・モジュールのライブラリにおける複数のソフトウェア・コンポーネント・モジュールを含むデータと、ユーザ・インタフェース・プログラムとを記憶するライブラリ記憶媒体を備え、
前記ライブラリ記憶媒体は、起動記憶媒体に記憶されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを検索し、かつ前記ライブラリ記憶媒体からターゲットとなるコンピュータシステムの記憶装置に前記ソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを初期ソフトウェア構成としてインストールする手段を有し、
前記起動記憶媒体は、ソフトウェア・コンポーネント・モジュールのライブラリから選択されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データと、ターゲットとなるコンピュータシステムを起動して前記ライブラリ記憶媒体から前記ユーザ・インタフェース・プログラムを実行するための手段とを有することを特徴とする初期ソフトウェア構成をインストールするシステム。
【請求項６】
前記ライブラリ記憶媒体はさらに、ソフトウェア・コンポーネント・モジュールのコンポーネント特性を記憶することを特徴とする請求項５記載の初期ソフトウェア構成をインストールするシステム。
【請求項７】
前記ライブラリ記憶媒体はさらに、起動記憶媒体生成プログラムと、前記ライブラリ記憶媒体からターゲットとなるコンピュータシステムを起動するための起動プログラムと、を記憶することを特徴とする請求項５記載の初期ソフトウェア構成をインストールするシステム。
【請求項８】
前記起動記憶媒体はさらに、ターゲットとなるコンピュータシステムにＢＩＯＳを設定するロジックを記憶することを特徴とする請求項５記載の初期ソフトウェア構成をインストールするシステム。
【請求項９】
一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムのための初期ソフトウェア構成をインストールする方法であって、
各ターゲットとなるコンピュータシステムは記憶装置を備えており、
ライブラリ記憶媒体に記憶されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールのライブラリから複数のソフトウェア・コンポーネント・モジュールを選択するステップと、
起動記憶媒体にソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを記憶するステップと、を有し、
前記起動記憶媒体は、一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムを起動し、かつ前記ライブラリ記憶媒体からユーザ・インタフェース・プログラムを実行する手段を有し、前記ライブラリ記憶媒体は、前記起動記憶媒体からソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを検索し、かつ前記ライブラリ記憶媒体から選択されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールを一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムの記憶装置に前記初期ソフトウェア構成としてインストールするロジックを有することを特徴とする初期ソフトウェア構成をインストールする方法。
【請求項１０】
記憶装置を有する一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムに初期ソフトウェア構成を自動インストールするための起動記憶媒体であって、該起動記憶媒体は、
ライブラリ記憶媒体に記憶されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールのライブラリから選択されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データと、
一つ以上のターゲットコンピュータシステムを起動し、かつ前記ライブラリ記憶媒体からユーザ・インタフェース・プログラムを実行するため一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムにより実行される手段と、を具備し、
前記ライブラリ記憶媒体は、前記起動記憶媒体からソフトウェア・コンポーネント・モジュールの選択データを検索し、かつ一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムの記憶領域に前記ライブラリ記憶媒体から検索されたソフトウェア・コンポーネント・モジュールを記憶するための、一つ以上のターゲットとなるコンピュータシステムにより実行される手段を有することを特徴とする起動記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更に、図１（ａ）（ｂ）の態様においては、電磁誘導発熱性有機導電層４，無機導電層５あるいは電磁誘導発熱性導電層７上に、フッ素樹脂又はＲＴＶ型若しくはＬＴＶ型のシリコーンゴムからなる離型層を具備させるようにしてもよいし、また、電磁誘導発熱性有機導電層４，無機導電層５あるいは電磁誘導発熱性導電層７上に、耐熱性エラストマー層を具備させるようにしてもよいし、また、電磁誘導発熱性有機導電層４，無機導電層５あるいは電磁誘導発熱性導電層７上に、耐熱性エラストマー層を介して離型層を具備させるようにしてもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、図１（ａ）（ｂ）に示すように、上述した加熱ベルト２と、加熱ベルト２に対向配置されて加熱ベルト２の電磁誘導発熱性有機導電層４，電磁誘導発熱性導電層７を加熱せしめる電磁誘導加熱装置１とを備えた画像記録装置をも対象とする。
尚、本発明に係る加熱ベルト２は、電磁誘導加熱装置１にて加熱せしめられるものであるが、電磁誘導加熱装置１にて加熱されない態様の画像記録装置において例えば中間転写ベルトとして使用することができることは勿論である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本実施の形態では、有機導電層１５ｂの上に、トナーに対する離型性を高めるために表面離型層１５ｃが設けられている。
この表面離型層１５ｃは、厚さ０．１μｍ〜３０μｍの離型性の高いコート層であることが好ましく、例えばテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン−シリコーン共重合体などが用いられる。
この表面離型層１５ｃにはトナーが当接されるため、その材料は画質に大きな影響を与える。表面離型層１５ｃの材料が弾性部材の場合は、トナーを包み込むような状態で密着するため、画像の劣化が少なく画像光沢も均一である。しかし、離型材料が樹脂などのように弾性がない部材である場合には、中間転写ベルト１５との圧接部でトナーが記録材に完全には密着しにくいため、転写定着不良や画像光沢むらが生じやすい。
特に、表面粗さの大きい記録材の場合は顕著である。従って、表面離型層１５ｃの材料は弾性体であることが望ましく、フッ素樹脂又はＲＴＶ型若しくはＬＴＶ型のシリコーンゴムからなる離型層が好ましい。尚、表面離型層１５ｃの材料に樹脂を用いる場合には、表面離型層１５ｃと有機導電層１５ｂとの間に弾性層を有していることが望ましい。そして、トナーを包み込む効果を発揮するには、いずれの場合も弾性体の厚さを１０μｍ、望ましくは２０μｍ以上とするのが好適である。
ここで、フッ素樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）等が挙げられる。また、表面離型層１５ｃの厚みは、通常、１０〜５０μｍ程度である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
従って、表皮抵抗Ｒｓを大きくするか、あるいは、中間転写ベルト１５中を流れる電流Ｉｆを大きくすれば、電力Ｐを増すことができ、発熱量を増やすことが可能となる。表皮抵抗Ｒｓを大きくするには、周波数ωを高くするか、透磁率μの高い材料又は固定抵抗ρの高いものを用いればよい。
上記のような加熱原理からすると、有機導電層１５ｂの厚さｔが表皮深さδより薄い場合には、次式（４）のようになるので、加熱が可能となる。
Ｒｓ≒ρ／ｔ                         ……（４）


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
一方、有機導電層１５ｂの厚さが５０μｍを超えると、中間転写ベルト１５の熱容量が大きくなりすぎると共に、有機導電層１５ｂ中の熱伝導によって熱が伝わり、表面離型層１５ｃが暖まりにくくなるという問題が生じる。従って、有機導電層１５ｂの厚さは１μｍ〜５０μｍが好ましい。
また、有機導電層１５ｂの発熱を増すためには、中間転写ベルト１５中を流れる電流Ｉｆを大きくすればよく、そのためには励磁コイル２２２によって生成される磁束を強くするか、あるいは、磁束の変化を大きくすればよい。この方法としては、励磁コイル２２２の巻き線数を増やすか、或いは励磁コイル２２２の鉄芯２２１をフェライト、パーマロイといった高透磁率で残留磁束密度の低いもので構成するとよい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明に係る加熱ベルト及びこれを用いた画像記録装置の概要を示す説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月2日(2003.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
つぎにリブ３２に取り付けられたクリップ本体１０を、図４で示すようにインストルメントパネル４０（取付け板）の取付け孔４２に挿入する。これによりクリップ本体１０の前記挿入部１２が弾性によって内側に撓みながら取付け孔４２を通過し、前記の両係止肩２４がインストルメントパネル４０の裏面４６において取付け孔４２の縁に弾性的に係合する。そしてこの状態においては前記の両スタビライザー２６がインストルメントパネル４０の表面４４に押し付けられて弾性的に係合している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
メンテナンスなどにおいて、インストルメントパネル４０からセンタクラスター３０を取り外す必要が生じた場合は、センタクラスター３０を強く引っ張ることにより、クリップ本体１０の挿入部１２が内側に撓んで前記取付け孔４２の縁に対する両係止肩２４の係合が外れる。これはセンタクラスターのリブ３２に対してクリップ本体１０が安定して取り付けられているためであり、これによって前記リブ３２にクリップ本体１０を取り付けたままでセンタクラスター３０をインストルメントパネル４０から取り外すことができる。したがってセンタクラスター３０をインストルメントパネル４０に対して再び装着するときにはクリップ本体１０をそのまま使用できる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
前記の両挟持部７６の相対向する内側は、前記挟持面５８とほぼ同様に広く平坦な挟持面７８となっている。これらの挟持部７６の先端部には、前記リブ３２の係合孔３４に対してその両側から係合可能な係合突部８２がそれぞれ形成されている。またクリップ本体７０の両側には、外側に張り出した係止肩８４がそれぞれ形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
物体側より順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、負の屈折力を有する第３レンズ群と、正の屈折力を有する第４レンズ群とからなり、
ズーミング時に、第１レンズ群と第４レンズ群を固定して第２レンズ群と第３レンズ群を移動させ、
下記条件式（１）を満足することを特徴とする高変倍ズームレンズ系。
（１）２．７３≦  （Ｄ３Ｗ−Ｄ３Ｔ  ）／ｆＷ  ＜６
但し、
Ｄ３Ｗ：短焦点距離端での第３レンズ群と第４レンズ群の間隔、
Ｄ３Ｔ：長焦点距離端での第３レンズ群と第４レンズ群の間隔、
ｆＷ  ：短焦点距離端での全系の焦点距離。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明の概要】
本発明の高変倍ズームレンズ系は、物体側より順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、負の屈折力を有する第３レンズ群と、正の屈折力を有する第４レンズ群とからなり、ズーミング時に、第１レンズ群と第４レンズ群を固定して第２レンズ群と第３レンズ群を移動させ、次の条件式（１）を満足することを特徴としている。
（１）２．７３≦  （Ｄ３Ｗ−Ｄ３Ｔ  ）／ｆＷ  ＜６
但し、
Ｄ３Ｗ：短焦点距離端での第３レンズ群と第４レンズ群の間隔、
Ｄ３Ｔ：長焦点距離端での第３レンズ群と第４レンズ群の間隔、
ｆＷ  ：短焦点距離端での全系の焦点距離、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が導通する光ファイバ内コア部と、この光ファイバ内コア部を挟んで形成された一対の電極と、を含むとともに、前記光ファイバ内コア部に、電気光学係数として１ｐｍ／Ｖ以上の光非線形性が、所定間隔をおいて周期的に付与されているガラス製の光ファイバと、
この光ファイバの端部に接続され、前記光ファイバ内コア部を導通する光を導通するコネクタ部内コア部と、一端が前記一対の電極にそれぞれ接続され、他端が半径方向外側に向けて伸びる接続用電極部と、を含むコネクタ部と、
を有することを特徴とするグレーティング素子。
【請求項２】
請求項１に記載のグレーティング素子の一対の電極間に所定の電圧を印加可能とし、この電極間への電圧印加を制御して、前記コア部を導通する光をオンオフする波長スイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るグレーティング素子は、所定の電界を印加した状態で、ガラス製の光導波路に対し、紫外線を所定の間隔をおいて複数領域に照射してポーリング処理し、紫外線を照射した領域の屈折率を変更すると共にここに光非線形性を付与することによって、光導波路に周期的に光非線形性を有する領域を形成して製造される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明では、上記ガラス製光導波路は、ガラス製の光ファイバのクラッド部に取り囲まれたコア部であり、上記ポーリング処理は、このコア部にその光導通方向に対し直交する方向に、周期的に強弱を付けて紫外線を照射することによって行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、本発明に係るグレーティング素子は、ガラス製の光ファイバのコア部に、所定間隔をおいて、電気光学係数として、１ｐｍ／Ｖ以上の光非線形性が周期的に付与されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、本発明に係るグレーティング素子は、上記光ファイバのコア部を挟んで一対の電極が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明に係る波長スイッチは、グレーティング素子の一対の電極間に所定の電圧を印加可能とし、この電極間への電圧印加を制御して、前記コア部を導通する光をオンオフする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そして、本発明に係るグレーティング素子は、前記光ファイバの端部に接続され、前記光ファイバ内コア部を導通する光を導通するコネクタ部内コア部と、一端が前記一対の電極にそれぞれ接続され、他端が半径方向外側に向けて伸びる接続用電極部と、を含むコネクタ部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月31日(2003.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスが流通する構造物にバルブを介して設けたガスセンサと、前記構造物に非腐食性ガスが流通する場合は前記バルブを開とし、前記構造物に腐食性ガスが流通する場合は前記バルブを閉とする様に前記バルブを制御する制御器とを有することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月2日(2003.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカをアルモキサンで処理する方法であって、
該シリカから水を除去し、
該シリカを非極性溶媒に入れてスラリーを生じさせ、
このシリカスラリーに溶媒中のアルモキサン溶液を加え、
このスラリーを還流に加熱した後、室温に冷却し、そして
アルモキサンで処理した固体状シリカをそのスラリーから分離する、
ことを含む方法。
【請求項２】
アルモキサンで処理した固体にメタロセンを支持させる方法であって、
一般式
【化１】
Ｒ”ｂ（ＣｐＲ５−ｂ）（ＣｐＲ’５−ｂ）ＭＲ＊ｖ−２
［式中、Ｒ”は、シクロペンタジエニル環２つを連結させて該メタロセンの構造に立体規則性を与えるブリッジであり、ｂは１または０であり、これによって該ブリッジが存在しているか否かを示し、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、ＲおよびＲ’は該シクロペンタジエニル環上の置換基でありそしてこれらは水素化物または１−９個の炭素原子を有するヒドロカルビルであってもよく、ここで、各ＲおよびＲ’は同じか或は異なり、そしてここで、各（ＣｐＲ５−ｂ）および（ＣｐＲ’５−ｂ）は（ＣｐＲ５−ｂ）と（ＣｐＲ’５−ｂ）の間に左右対称が存在するようにいろいろであり、ＭはＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり、Ｒ＊は水素化物、ハロゲンまたは１−２０個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、ｖはＭの原子価である］
で表されるメタロセンを非極性溶媒に入れて溶液を生じさせ、
アルモキサンで処理したシリカを非極性溶媒に入れてスラリーを生じさせ、
このスラリーに上記溶液を室温で加え、
その結果として生じるスラリーを撹拌し、
固体を分離し、
この固体を乾燥させる、
ことを含む方法。
【請求項３】
アルモキサンで処理したシリカに支持させたメタロセンを活性化する方法であって、
アルモキサンで処理したシリカに支持させたメタロセン触媒を不活性な液状担体に入れて懸濁液を生じさせ、そして
有機アルミニウムを加える、
ことを含む方法。
【請求項４】
オレフィン類の重合方法であって、
（ａ）支持メタロセン触媒であって一般式
【化２】
Ｒ”ｂ（ＣｐＲ５−ｂ）（ＣｐＲ’５−ｂ）ＭＲ＊ｖ−２
［式中、Ｒ”は、シクロペンタジエニル環２つを連結させて該メタロセンの構造に立体規則性を与えるブリッジであり、ｂは１または０であり、これによって該ブリッジが存在しているか否かを示し、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、ＲおよびＲ’は該シクロペンタジエニル環上の置換基でありそしてこれらは水素化物または１−９個の炭素原子を有するヒドロカルビルであってもよく、ここで、各ＲおよびＲ’は同じか或は異なり、そしてここで、各（ＣｐＲ５−ｂ）および（ＣｐＲ’５−ｂ）は（ＣｐＲ５−ｂ）と（ＣｐＲ’５−ｂ）の間に左右対称が存在するようにいろいろであり、ＭはＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり、Ｒ＊は水素化物、ハロゲンまたは１−２０個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、ｖはＭの原子価である］
で表されるメタロセンの支持触媒を有機アルミニウム化合物に接触させ、
（ｂ）オレフィンモノマーを用いて触媒に予備重合を受けさせ、
（ｃ）上記触媒をオレフィンモノマーが入っている重合反応ゾーンに導入する、
ことを含む方法。
【請求項５】
オレフィン重合用反応槽に触媒を供給する方法であって、
（ａ）支持メタロセン触媒であって一般式
【化３】
Ｒ”ｂ（ＣｐＲ５−ｂ）（ＣｐＲ’５−ｂ）ＭＲ＊ｖ−２
［式中、Ｒ”は、シクロペンタジエニル環２つを連結させて該メタロセンの構造に立体規則性を与えるブリッジであり、ｂは１または０であり、これによって該ブリッジが存在しているか否かを示し、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、ＲおよびＲ’は該シクロペンタジエニル環上の置換基でありそしてこれらは水素化物または１−９個の炭素原子を有するヒドロカルビルであってもよく、ここで、各ＲおよびＲ’は同じか或は異なり、そしてここで、各（ＣｐＲ５−ｂ）および（ＣｐＲ’５−ｂ）は（ＣｐＲ５−ｂ）と（ＣｐＲ’５−ｂ）の間に左右対称が存在するようにいろいろであり、ＭはＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり、Ｒ＊は水素化物、ハロゲンまたは１−２０個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、ｖはＭの原子価である］
で表されるメタロセンの支持触媒が入っている流動担体流れを樹立し、
（ｂ）この触媒が入っている担体流れにオレフィンモノマーを加え、
（ｃ）この触媒とオレフィンモノマーが入っている担体流れを細長い管状反応槽の中に通して流すが、上記管状反応槽が詰まることなくこの管状反応槽内で該モノマーと該触媒の予備重合が起こる温度条件下の上記管状反応槽における滞留時間が約３秒になるに充分な流量で流し、そして
（ｄ）この予備重合を受けさせた触媒が入っている担体流れを重合用反応槽に流す、
ことを含む方法。
【請求項６】
オレフィン類の重合方法であって、
（ａ）流動担体流れを樹立し、
（ｂ）支持メタロセン触媒であって一般式
【化４】
Ｒ”ｂ（ＣｐＲ５−ｂ）（ＣｐＲ’５−ｂ）ＭＲ＊ｖ−２
［式中、Ｒ”は、シクロペンタジエニル環２つを連結させて該メタロセンの構造に立体規則性を与えるブリッジであり、ｂは１または０であり、これによって該ブリッジが存在しているか否かを示し、Ｃｐはシクロペンタジエニル環であり、ＲおよびＲ’は該シクロペンタジエニル環上の置換基でありそしてこれらは水素化物または１−９個の炭素原子を有するヒドロカルビルであってもよく、ここで、各ＲおよびＲ’は同じか或は異なり、そしてここで、各（ＣｐＲ５−ｂ）および（ＣｐＲ’５−ｂ）は（ＣｐＲ５−ｂ）と（ＣｐＲ’５−ｂ）の間に左右対称が存在するようにいろいろであり、ＭはＩＩＩＢ、ＩＶＢ、ＶＢまたはＶＩＢ族の金属であり、Ｒ＊は水素化物、ハロゲンまたは１−２０個の炭素原子を有するヒドロカルビルであり、ｖはＭの原子価である］
で表されるメタロセンの支持触媒を加えるが、この触媒を有機アルミニウム化合物と一緒に熟成させておき、
（ｃ）この熟成させた触媒を共触媒およびオレフィンに接触させることでこの触媒に予備重合を受けさせ、そして
（ｄ）この予備重合を受けさせた触媒が入っている担体流れをオレフィンモノマーが入っている重合反応ゾーンに導入する、
ことを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月6日(2003.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状の球頭部（４）と該球頭部（４）から延出する柄部（３）とを有するボールスタッド（２）と、該ボールスタッド（２）の球頭部（４）を包持するベアリング（６）と、該ベアリング（６）を保持し、一方端部に内周から前記ボールスタッド（２）の柄部（３）を突出させる開口部を有するハウジング（１１）と、一方小開口部（１８）が前記ボールスタッド（２）の柄部（３）外周に、他方大開口部（１７）が前記ハウジング（１１）の外周側に装着されるダストカバー（１６）と、該ダストカバー（１６）の一方小開口部（１８）内側に位置し、軸線方向に延びる略円筒状の円筒部（２５）と該円筒部（２５）の前記ボールスタッド（２）の反球頭部側端部から外周方向に延びるフランジ部（２８）とから構成される取付部材（２４）とからなるボールジョイントにおいて、前記取付部材（２４）の円筒部（２５）は、前記フランジ部（２８）から連続し軸線に沿って延びる垂直部（２６）と該垂直部（２６）の反フランジ部側端部から外周方向に傾斜する傾斜部（２７）とよりなり、前記ダストカバー（１６）の小開口部（１８）の内周には複数のリップ部（１９，２０）が形成され、前記ボールスタッド（２）の球頭部（４）側のリップ部（２０）内径（Ｄ）は、他のリップ部（１９）内径（ｄ）より大径に形成されていることを特徴とするボールジョイント。
【請求項２】
前記ボールジョイントのダストカバー（１６）は小開口部（１８）内周に、球頭部（４）側から漸次小径となる複数のリップ部（７０）を有していることを特徴とする請求項１記載のボールジョイント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１は本発明の実施例によるボールジョイント１を表す。このボールジョイント１は、球状の球頭部４と、球頭部４から延出し反球頭部側端部に雄ねじ５を有する柄部３とからなるボールスタッド２と、ボールスタッド２の球頭部４を揺動回動自在に包持し、一端端部が開口するベアリング開口部７、他端が円弧状に閉じる底部３０を有するベアリング６と、ベアリング６を内包し、一端にベアリング開口部７側端部が開口するハウジング開口部１４ａを有するハウジング１１とを備える。ハウジング１１は、抜け止めのための環状の上リング１１ａと、ベアリング６の底部３０外周側に配置される下カップ１１ｂとより構成される。そして、ハウジング１１の下カップ１１ｂの下カップ開口部１４ｂ内周には、段状の第一段部１２と、第一段部１２に連続し小径となる第二段部１３が形成され、第二段部１３には、ベアリング６の外周に形成したベアリングフランジ８が着座し、第二段部１３には、下カップ開口部１４ｂ内周に配置される上リング１１ａの外周に形成した上リング鍔部４１が着座する。上リング１１ａの内周は、所望するベアリング６のベアリング開口部７外周曲率と同一曲率の曲内面４２を有し、その外周には上リング鍔部４１に連続し軸線方向に延びる立壁部４３が形成される。そしてゴム状弾性体からなるダストカバー１６の、補強環２２が内部に埋設される他方大開口部１７が上リング１１ａの立壁部４３に固定され、断面略Ｌ字状のＬ字環２３が内部に埋設され、断面略コの字状の取付部材であるフェルール２４が装着される一方小開口部１８がボールスタッド２の外周に固定される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
まず図４に示す如く、ハウジング１１の下カップ１１ｂの下カップ開口部１４ｂ側からベアリング６を挿入し、ベアリング６の底部３０を下カップ１１ｂの内周面に、ベアリング６のフランジ部８を下カップ１１ｂの第二段部１３に着座させ、続いてベアリング６のベアリング開口部７側からボールスタッド２の球頭部４を挿入する。次に図５に示す如く、下カップ１１ｂの下カップ開口部１４ｂ内周側に、上リング１１ａを挿入し、ベアリング６のベアリング開口部７を上リング１１ａの曲内面４２に倣って内周側に折曲させるとともに、上リング１１ａ鍔部４１を下カップ１１ｂの第一段部１２に着座させ、この状態で下カップ１１ｂの下カップ開口部１４ｂをかしめ加工し、図６に示す如き、予備組立体８１を組付ける。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例によるボールジョイントを表す部分断面平面図である。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】本発明の実施例によるボールジョイントのダストカバーを表す断面平面図である。
【図４】本発明の実施例によるボールジョイントを組付する第一段階を表す部分断面平面図である。
【図５】本発明の実施例によるボールジョイントを組付する第二段階を表す部分断面平面図である。
【図６】本発明の実施例によるボールジョイントの組付途中の予備組立体を表す部分断面平面図である。
【図７】本発明の実施例による取着部材をダストカバーに装着する工程を表す断面平面図である。
【図８】本発明の他の実施例によるボールジョイントを表す部分断面平面図である。
【図９】図５のＢ部拡大図である。
【図１０】従来のボールジョイントを表す部分断面平面図である。
【図１１】図７のＣ部拡大図である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2001323923.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2001323923.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に少なくとも電荷発生材と電荷輸送材とこれらを結着するバインダー樹脂からなる感光層を塗布により形成された電子写真感光体において、該塗布に用いる溶剤が２種以上であり、該溶剤の第一の溶剤が前記塗布液に含まれるバインダー樹脂及び電荷輸送材の双方に対し良好な溶解性を示し、第二以降の溶剤が前記バインダー樹脂及び電荷輸送材の双方に対し不溶性であって、かつ前記バインダー樹脂が下記構造式（１）〜（３）からなる繰り返し単位を有する化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種が混合されていることを特徴とする電子写真感光体：
【化１】
2001343765.tif 000001
。
【請求項２】
前記塗布液に用いる溶剤において、第一の溶剤がモノクロロベンゼンであり、第二以降の溶剤がメチラール、酢酸メチル及びアセトンからなる群より選ばれた少なくとも１種である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記塗布液により形成される塗布膜が、下記構造式（４）又は構造式（５）で示される化合物の１種以上を含む請求項１又は２に記載の電子写真感光体：
【化２】
2001343765.tif 000002
。
【請求項４】
前記塗布液に用いる溶剤のうち、前記第二以降の溶剤比率が全溶剤量に対し５〜５０質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体を、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写工程後の電子写真感光体上に残余するトナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも一つの手段と共に一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した電子写真感光体に対し露光を行い静電潜像を形成する露光手段、静電潜像の形成された電子写真感光体にトナーで現像する現像手段、及び電子写真感光体上のトナー像を転写材上に転写する転写手段を備えることを特徴とする電子写真装置。
【請求項７】
導電性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を有している電子写真感光体の製造方法であって、
該製造方法は、電荷輸送材、バインダー樹脂、第１の溶剤及び第２の溶剤を含んでいる塗布液を塗布することによって該電荷輸送層を形成する工程を含み、
該第１の溶剤が、該電荷輸送材及び該バインダー樹脂の良溶媒であり、該第２の溶剤が、該電荷輸送材料及び該バインダー樹脂の貧溶媒であり、
且つ該バインダー樹脂が、下記式（１）〜（３）で示される繰り返し単位から選ばれる少なくとも１つを有しているものであることを特徴とする電子写真感光体の製造方法：
【化３】
2001343765.tif 000003
。
【請求項８】
前記電荷輸送材料が、下記構造式（４）及び（５）で示される化合物の少なくとも一方であり、また該第１の溶剤がモノクロロベンゼンであり、該第２の溶剤がメチラール、酢酸エチル及びアセトンから選ばれる少なくとも１つである請求項７に記載の電子写真感光体の製造方法：
【化４】
2001343765.tif 000004
【化５】
2001343765.tif 000005
。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しくは製造効率に優れ、かつ環境安全性を配慮した上に優れた電子写真特性と画像品位を有した電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、これら電子写真感光体が抱える生産効率や塗膜膜厚の均一性や製造コスト、更には、環境基準、化学安全基準に対する課題を高い次元で改善し、かつ優れた性能、画像品位を有す電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、導電性支持体上に少なくとも電荷発生材と電荷輸送材とこれらを結着するバインダー樹脂からなる感光層を塗布により形成された電子写真感光体において、該塗布に用いる溶剤が２種以上であり、該溶剤の第一の溶剤が前記塗布液に含まれるバインダー樹脂及び電荷輸送材の双方に対し良好な溶解性を示し、第二以降の溶剤が前記バインダー樹脂及び電荷輸送材の双方に対し不溶性であって、かつ前記バインダー樹脂が下記構造式（１）〜（３）からなる繰り返し単位を有する化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種が混合されていることを特徴とする電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば、実施例に示すとおり、製造効率を損なわずに、且つ環境安全性も配慮した上で、画像品位に優れた電子写真感光体、この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することが可能である。また、画像品位に優れた電子写真感光体の製造効率に優れた電子写真感光体の製造方法を提供することが可能である。