【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびそのパッケージ


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に形成された半導体回路と、
第１の表面に形成された電極構造と、
を備える半導体装置であって、
前記電極構造は、
第１の金属で形成され、前記半導体回路に接続された第１の電極層と、
前記第１の電極層の上に第２の金属で形成された金属メッキ層と、
を含み、
前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能である、
半導体装置。
【請求項２】
前記第１の表面に形成された保護膜をさらに備え、
前記金属メッキ層は、前記保護膜をマスクとして前記第１の電極層の一部の領域に選択的に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の金属は、ＡＬ（アルミニウム）であり、前記第１の電極層は、０．５μｍ以上の層厚を有する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属メッキ層は、湿式無電解メッキにより形成される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の金属は、少なくともＮｉ（ニッケル）とＣｕ（銅）のいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記保護膜は、ＰＩ（ポリイミド樹脂）で形成されることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、前記第１の表面とは反対の面である第２の表面に第３の金属で形成された第２の電極層をさらに備えるＭＯＳ型大電力用半導体装置であり、
前記第１の電極層は、ゲート電極およびソース電極のうち少なくとも１つの電極をなし、
前記第２の電極層は、ドレイン電極をなす、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
内部に形成された半導体回路と第１の表面に形成された電極構造とを含む半導体装置と、
前記半導体装置を支持する支持基板と、
リード端子と、
金属板と、
を備える半導体装置のパッケージであって、
前記電極構造は、第１の電極層と金属メッキ層とを有し、
前記第１の電極層は、第１の金属で形成され前記半導体回路に接続され、
前記金属メッキ層は、前記第１の電極層の上に第２の金属で形成され、
前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能であり、
前記リード端子は、第３の金属で形成され、前記第１の電極層に接続され、
前記金属板は、第４の金属で形成され、前記取り出し電極をなす金属板であって、前記リード端子を前記第１の電極層に前記金属メッキ層を介して接続する、
パッケージ。
【請求項９】
前記半導体装置は、前記第１の表面とは反対の面である第２の表面に第３の金属で形成された第２の電極層をさらに備えるＭＯＳ型大電力用半導体装置であり、
前記第１の電極層は、ゲート電極およびソース電極のうち少なくとも１つの電極をなし、
前記第２の電極層は、ドレイン電極をなす、
請求項８に記載のパッケージ。
【請求項１０】
内部に形成された半導体回路と第１の表面に形成された電極構造とを含むＭＯＳ型大電力用半導体装置と、
フレーム板と、
リード端子と、
金属板と、
を備える半導体装置のパッケージであって、
前記電極構造は、第１の金属で形成され前記半導体回路に接続された第１の電極層と、前記第１の電極層の上に第２の金属で形成された金属メッキ層と、前記第１の表面とは反対の面である第２の表面に第３の金属で形成された第２の電極層と、を有し、前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能であり、前記第１の電極層と前記金属メッキ層は、ゲート電極およびソース電極のうち少なくとも１つの電極をなし、前記第２の電極層は、ドレイン電極をなし、
前記フレーム板は、第４の金属で形成され、前記半導体装置を前記第２の表面側で支持するとともに前記第２の電極層に接続され、
前記リード端子は、第５の金属で形成され、前記第１の電極層に接続され、
前記金属板は、第６の金属で形成され、前記取り出し電極をなす金属板であって、前記リード端子を前記第１の電極層に前記金属メッキ層を介して接続する、
パッケージ。
【請求項１１】
前記半導体装置は、前記第１の表面に形成された保護膜をさらに備え、
前記金属メッキ層は、前記保護膜をマスクとして前記第１の電極層の一部の領域に選択的に形成される、請求項８乃至１０のいずれかに記載のパッケージ。
【請求項１２】
前記第１の金属は、ＡＬ（アルミニウム）であり、前記第１の電極層は、０．５μｍ以上の層厚を有する、請求項８乃至１１のいずれかに記載のパッケージ。
【請求項１３】
前記金属メッキ層は、湿式無電解メッキにより形成される、請求項８乃至１２のいずれかに記載のパッケージ。
【請求項１４】
前記第２の金属は、少なくともＮｉ（ニッケル）とＣｕ（銅）のいずれかを含む、請求項８乃至１３のいずれかに記載のパッケージ。
【請求項１５】
前記保護膜は、ＰＩ（ポリイミド樹脂）で形成される、請求項１１乃至１４のいずれかに記載のパッケージ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
まず、本発明の第１の態様によれば、
内部に形成された半導体回路と、
第１の表面に形成された電極構造と、
を備える半導体装置であって、
前記電極構造は、
第１の金属で形成され、前記半導体回路に接続された第１の電極層と、
前記第１の電極層の上に第２の金属で形成された金属メッキ層と、
を含み、
前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能である、
半導体装置が提供される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記半導体装置によれば、上記電極構造が上記第１の電極層の上に第２の金属で形成された金属メッキ層を含むので、上記第１の電極層の抵抗値を簡単に減少させることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明の第２の態様によれば、
内部に形成された半導体回路と第１の表面に形成された電極構造とを含む半導体装置と、
前記半導体装置を支持する支持基板と、
リード端子と、
金属板と、
を備える半導体装置のパッケージであって、
前記電極構造は、第１の電極層と金属メッキ層とを有し、
前記第１の電極層は、第１の金属で形成され前記半導体回路に接続され、
前記金属メッキ層は、前記第１の電極層の上に第２の金属で形成され、
前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能であり、
前記リード端子は、第３の金属で形成され、前記第１の電極層に接続され、
前記金属板は、第４の金属で形成され、前記取り出し電極をなす金属板であって、前記リード端子を前記第１の電極層に前記金属メッキ層を介して接続する、
パッケージが提供される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本発明の第３の態様によれば、
内部に形成された半導体回路と第１の表面に形成された電極構造とを含むＭＯＳ型大電力用半導体装置と、
フレーム板と、
リード端子と、
金属板と、
を備える半導体装置のパッケージであって、
前記電極構造は、第１の金属で形成され前記半導体回路に接続された第１の電極層と、前記第１の電極層の上に第２の金属で形成された金属メッキ層と、前記第１の表面とは反対の面である第２の表面に第３の金属で形成された第２の電極層と、を有し、前記第２の金属は、半導体装置の外部における取り出し電極とはんだ付け可能であり、前記第１の電極層と前記金属メッキ層は、ゲート電極およびソース電極のうち少なくとも１つの電極をなし、前記第２の電極層は、ドレイン電極をなし、
前記フレーム板は、第４の金属で形成され、前記半導体装置を前記第２の表面側で支持するとともに前記第２の電極層に接続され、
前記リード端子は、第５の金属で形成され、前記第１の電極層に接続され、
前記金属板は、第６の金属で形成され、前記取り出し電極をなす金属板であって、前記リード端子を前記第１の電極層に前記金属メッキ層を介して接続する、
パッケージが提供される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】