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【手続補正書】
【提出日】平成15年7月11日(2003.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】素子基板および表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の１対の電極間に導電性薄膜の材料を含有する溶液の液滴が噴射付与され、前記導電性薄膜による素子が複数個形成されている素子基板において、前記素子が形成されている領域の面の裏面に物理的な線状形状が設けられていることを特徴とする素子基板。
【請求項２】
前記線状形状は、前記裏面平面に対して落ち込んだ形状であるとともに、該線状形状が、前記基板の端部まで設けられていることを特徴とする請求項１記載の素子基板。
【請求項３】
前記線状形状は、前記裏面平面に対して突き出した形状であることを特徴とする請求項１記載の素子基板。
【請求項４】
前記線状形状は、前記基板形成時に同時に形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の素子基板。
【請求項５】
前記裏面平面に対して落ち込んだ形状である線状形状は、前記基板形裏面に２次的な加工を施して形成される線状形状であることを特徴とする請求項２記載の素子基板。
【請求項６】
前記線状形状が、複数設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の素子基板。
【請求項７】
前記裏面平面に対して落ち込んだ形状である線状形状の落ち込み深さは、前記基板の厚さの５０分の１〜５分の１であることを特徴とする請求項２又は４乃至６のいずれかに記載の素子基板。
【請求項８】
前記裏面平面に対して突き出した形状である線状形状の突き出し高さは、前記基板裏面全体の平面度より大としたことを特徴とする請求項３，４又は６に記載の素子基板。
【請求項９】
前記素子は、１対の素子電極間に導電性薄膜の材料を含有する溶液の液滴が噴射付与することによって形成される電子放出素子であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の素子基板。
【請求項１０】
請求項９の素子基板と、該素子基板に対向して配置され、蛍光体を搭載したフェースプレートとを有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために、
第１に、基板上の１対の電極間に導電性薄膜の材料を含有する溶液の液滴が噴射付与され、前記導電性薄膜による素子が複数個形成されている素子基板において、前記素子が形成されている領域の面の裏面に物理的な線状形状を設けるようにしたものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２に、上記第１の素子基板において、前記線状形状は、前記裏面平面に対して落ち込んだ形状であるとともに、前記線状形状は、前記基板の端部まで設けられているようにしたものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第３に、上記第１の素子基板において、前記線状形状は、前記裏面平面に対して突き出した形状であるようにしたものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第４に、上記第１乃至第３のいずれかの素子基板において、前記線状形状は、前記基板形成時に同時に形成するようにしたものである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第５に、上記第２の素子基板において、前記裏面平面に対して落ち込んだ形状である線状形状は、前記基板形裏面に２次的な加工を施して形成される線状形状であるようにしたものである。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第６に、上記第１乃至第５のいずれかの素子基板において、前記線状形状を、複数設けるようにしたものである。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第７に、上記第２，第４乃至第６のいずれかの素子基板において、前記裏面平面に対して落ち込んだ形状である線状形状の落ち込み深さを、前記基板の厚さの５０分の１〜５分の１としたものである。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第８に、上記第３，第４又は第６の素子基板において、前記裏面平面に対して突き出した形状である線状形状の突き出し高さを、前記基板裏面全体の平面度より大としたものである。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第９に、上記第１乃至第８のいずれかの素子基板において、前記素子は、１対の素子電極間に導電性薄膜の材料を含有する溶液の液滴が噴射付与することによって形成される電子放出素子であるようにしたものである。
第１０に、上記第９の素子基板と、この素子基板に対向して配置され、蛍光体を搭載したフェースプレートとを有するような画像表示装置を提供するものである。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
請求項９に対応した効果
このような素子基板において、形成される素子は、１対の素子電極間に導電性薄膜の材料を含有する溶液の液滴を噴射付与することによって形成される電子放出素子としたので、簡単な製作原理によって、表面伝導型電子放出素子基板を製作できるようになった。
請求項１０に対応した効果
素子基板製作時に素子基板製造装置へ基板をセットしたり、はずしたりする際に、基板が素子基板製造装置の基板保持台に密着して動かなくなってしまうというようなことがなく、よって、基板の着脱、あるいは位置決め等による移動がスムーズに行え、基板製造効率が大変高いものである。よって、製造時に非常に作業効率の向上が図れるため、低コストな素子基板が得られるというメリットがある。したがって、このような、低コストな素子基板を画像表示装置に使用するようにしたので、低コストの画像表示装置が得られるようになった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、前述の増圧機構は、１系統内に液圧倍力装置と増圧機構とを配置したため、正常時においては増圧機構が働かず、緊急時に乗員がパニック状態となって発生するブレーキ踏力不足に対応することが出来ない。また、失陥補償機構が複雑であり、高価となる等の問題点がある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上の構成からなるブレーキ液圧制御装置の作動を説明する。
図１において、ブレーキぺダルが操作されるとブレーキブースタ（第１倍力装置）２によって助勢された力によりマスターシリンダで液圧が発生し、この液圧が第２倍力装置Ｂの流路遮断装置１１内の段付きピストン１３に形成した流路１７を通ってホールドバルブ５を介してホイールシリンダ４に伝達されブレーキが作動する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ブレーキぺダル１を開放すると、流路遮断装置１１内の第１液圧室１４ａ内の液圧が減圧し、段付きピストン１３が移動して図２状態となって流路１７を開き、ホイールシリンダ４内の液圧はホールドバルブ５→流路遮断装置１１を介してマスターシリンダに戻る。また、段付きピストン１３の移動によりスイッチＳも切れ、電磁弁１０が遮断位置に復帰するとともに液圧ポンプ８も停止する。
また、ブレーキ作動中に車輪がロック傾向になると、従来装置と同様に図示せぬセンサがこれを検知し、図示せぬ電子制御装置からの信号によってホールドバルブ５、ディケイバルブ６および液圧ポンプ８を作動してブレーキ液圧を制御し、車輪のロック傾向を回避する。なお、アンチロック制御中においてディケイバルブ６が開いている間は、電子制御装置からの指令により後述するように電磁弁１０は閉状態に維持される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースエステルを環状ジエーテル化合物を含有する溶媒に溶解した溶解液を支持体に流延させた後、剥離する工程を経て製膜するセルロースエステルフィルムの製造方法であって、該溶解液に、２重量％を越え１５重量％以下の水を含有せしめることを特徴とするセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項２】
前記剥離する工程開始時の溶媒残留量が５０〜４５０重量％であることを特徴とする請求項１記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項３】
前記溶解液の支持体上への流延開始からセルロースエステルフィルムを剥離する工程開始時までの時間が、３秒〜２分であることを特徴とする請求項１又は２記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記剥離する工程開始時の支持体の表面温度が−７０〜４０℃であり溶媒残留量が１００〜４５０重量％であることを特徴とする請求項１、２又は３記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項５】
前記支持体がキャスティングドラムであり、流延開始からセルロースエステルフィルムの剥離工程開始時までの時間が３〜４０秒であることを特徴とする請求項４記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程時の支持体の表面温度が０〜７５℃であり、溶媒残留量が５０〜１５０重量％であることを特徴とする請求項１、２又は３記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項７】
前記支持体がキャスティングベルトであり、流延開始から剥離工程開始時までの時間が２０〜１２０秒であることを特徴とする請求項４記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項８】
前記溶解液に含有されるアルコール、ジエーテル環状化合物、水の合計が３０％以下となる溶解液を使用することを特徴とする請求項１〜７の何れか１項記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項９】
前記溶解液の流延が重層キャスティングであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記溶解液を支持体上に流延させた後、剥離し、テンターで保持し乾燥する工程を経て、残留溶媒量を３．５重量％以下とすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項１１】
テンターで保持し乾燥する工程において、マイクロ波加熱することを特徴とする請求項１０記載のセルロースエステルフィルムの製造方法。
【請求項１２】
セルロースエステルを環状ジエーテル化合物を含有する溶媒に溶解した溶解液を支持体上に流延させた後、剥離する工程を経て製膜してセルロースエステルフィルムを製造する際、該溶解液が、２重量％を越え１５重量％以下の水を含有することを特徴とする製膜用溶解液組成物。
【請求項１３】
セルロースエステルを環状ジエーテル化合物を含有する溶媒に溶解した溶解液を支持体上に流延させた後、剥離する工程を経て製膜したセルロースエステルフィルムであって、該溶解液が、２重量％を越え１５重量％までの水を含有することを特徴とするセルロースエステルフィルム。
【請求項１４】
環状ジエーテル化合物を含有する溶媒を用いてセルロースエステルを溶解して製膜する際に、溶解液に可塑剤を含有させたことを特徴とする請求項１２記載の製膜用溶解液組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基準信号とフィードバック信号との間の位相差を検出して制御信号を出力する位相比較器と、前記制御信号に応じて、前記基準信号とフィードバック信号との間の位相差に応じたパルス幅を有する誤差信号を出力するチャージポンプと、前記誤差信号のパルス幅に応じた電圧レベルを有するコントロール信号を出力するループフィルタと、前記コントロール信号の電圧レベルに応じた発振周波数の前記フィードバック信号を出力する電圧制御発振器と、リセット信号の制御により、前記誤差信号および前記コントロール信号の少なくとも一方をディスチャージするディスチャージ回路とを有することを特徴とするＰＬＬ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基準信号とフィードバック信号との間の位相差を検出して制御信号を出力する位相比較器と、前記制御信号に応じて、前記基準信号とフィードバック信号との間の位相差に応じたパルス幅を有する誤差信号を出力するチャージポンプと、前記誤差信号のパルス幅に応じた電圧レベルを有するコントロール信号を出力するループフィルタと、前記コントロール信号の電圧レベルに応じた発振周波数の前記フィードバック信号を出力する電圧制御発振器と、リセット信号の制御により、前記誤差信号および前記コントロール信号の少なくとも一方をディスチャージするディスチャージ回路とを有することを特徴とするＰＬＬ回路を提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお、図示例のチャージポンプ１４において、ＰＭＯＳ２０およびＮＭＯＳ２６は、本発明のＰＬＬ回路１０において、ディスチャージ回路の一例を構成するものである。ディスチャージ回路は、誤差信号およびコントロール信号の少なくとも一方をディスチャージするもので、チャージポンプ１４の中に含まれるように構成してもよいし、あるいは、後述する図３のＰＬＬ回路４４のように、全く独立に構成してもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ＰＬＬ回路１０において、上述するように、基準信号と出力信号との周波数および位相が同期された後、図２のタイミングチャートに示されるように、基準信号を発振させて位相比較器１２に入力したままの状態で、イネーブル信号が非アクティブ状態であるローレベルとされると、まず、電圧制御発振器１８から出力されるフィードバック信号は、コントロール信号の電圧レベルに係わらず、その発振が停止されローレベルとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＰＧＡ内のプログラム可能なスイッチ要素の複数の設定間を時間多重化するためのメモリシステムであって、
プログラム可能なスイッチ要素の所定の設定を格納する複数のメモリセルと、
前記プログラム可能なスイッチ要素の各々から出力を受信し、前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するために、前記メモリセルからの出力のうちの１つを選択するタイムスライス・セレクタと、
前記タイムスライス・セレクタを制御し、前記複数のメモリセルのうちのいずれが選択されたかを判定して前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するタイムスライス・コントローラと、
からなり、
前記複数のメモリセルが半ＳＲＡＭセルを含み、前記タイムスライス・セレクタが前記複数の半ＳＲＡＭセルの各々に対応するＰチャネルトランジスタを含み、前記半ＳＲＡＭセルは対応するＰチャネルトランジスタがオンになったときに対応するプログラム可能なスイッチ要素の設定を判定し、
前記タイムスライス・セレクタがシフトレジスタを含む、メモリシステム。
【請求項２】
ＦＰＧＡ内のプログラム可能なスイッチ要素の複数の設定間を時間多重化するためのメモリシステムであって、
プログラム可能なスイッチ要素の所定の設定を格納する複数のメモリセルと、
前記プログラム可能なスイッチ要素の各々から出力を受信し、前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するために、前記メモリセルからの出力のうちの１つを選択するタイムスライス・セレクタと、
前記タイムスライス・セレクタを制御し、前記複数のメモリセルのうちのいずれが選択されたかを判定して前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するタイムスライス・コントローラと、
からなり、
パイプライン同期化装置によって、前記プログラム可能なスイッチ要素の設定を同期クロックに同期させることが可能である、メモリシステム。
【請求項３】
ＦＰＧＡ内のプログラム可能なスイッチ要素の複数の設定間を時間多重化するためのメモリシステムであって、
プログラム可能なスイッチ要素の所定の設定を格納する複数のメモリセルと、
前記プログラム可能なスイッチ要素の各々から出力を受信し、前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するために、前記メモリセルからの出力のうちの１つを選択するタイムスライス・セレクタと、
前記タイムスライス・セレクタを制御し、前記複数のメモリセルのうちのいずれが選択されたかを判定して前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するタイムスライス・コントローラと、
からなり、
前記複数のスイッチ要素が音声認識テンプレートの構成を判定し、前記複数のスイッチ要素の各々に対応する複数のメモリセルに、複数のデジタル音声認識テンプレートが格納される、メモリシステム。
【請求項４】
ＦＰＧＡ内のプログラム可能なスイッチ要素の複数の設定間を時間多重化するためのメモリシステムであって、
プログラム可能なスイッチ要素の所定の設定を格納する複数のメモリセルと、
前記プログラム可能なスイッチ要素の各々から出力を受信し、前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するために、前記メモリセルからの出力のうちの１つを選択するタイムスライス・セレクタと、
前記タイムスライス・セレクタを制御し、前記複数のメモリセルのうちのいずれが選択されたかを判定して前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するタイムスライス・コントローラと、
からなり、
前記複数のスイッチ要素が画像認識テンプレートの構成を判定し、前記複数のスイッチ要素の各々に対応する複数のメモリセルに、複数のデジタル画像認識テンプレートが格納される、メモリシステム。
【請求項５】
ＦＰＧＡ内のプログラム可能なスイッチ要素の複数の設定間を時間多重化するためのメモリシステムであって、
プログラム可能なスイッチ要素の所定の設定を格納する複数のメモリセルと、
前記プログラム可能なスイッチ要素の各々から出力を受信し、前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するために、前記メモリセルからの出力のうちの１つを選択するタイムスライス・セレクタと、
前記タイムスライス・セレクタを制御し、前記複数のメモリセルのうちのいずれが選択されたかを判定して前記プログラム可能なスイッチ要素を駆動するタイムスライス・コントローラと、
からなり、
前記複数のメモリセルが半ＳＲＡＭセルを含み、前記タイムスライス・セレクタが前記複数の半ＳＲＡＭセルの各々に対応するＰチャネルトランジスタを含み、前記半ＳＲＡＭセルは対応するＰチャネルトランジスタがオンになったときに対応するプログラム可能なスイッチ要素の設定を判定し、
レベルシフタによって、前記プログラム可能なスイッチ要素は２つの状態のうちの一方に確実に設定されることが保証される、メモリシステム。
【請求項６】
前記プログラム可能なスイッチ要素が参照テーブル入力である、請求項５のメモリシステム。
【請求項７】
前記プログラム可能なスイッチ要素がマルチプレクサ制御入力である、請求項５のメモリシステム。
【請求項８】
前記タイムスライス・コントローラが、所定数の状態を通じて前記タイムスライス・コントローラの刻時を行なうユーザ提供のクロックに接続される、請求項５のメモリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体にＸ線を照射するＸ線源と、このＸ線源と対向配置され前記Ｘ線源からのＸ線を検出するＸ線検出器と、これらＸ線源とＸ線検出器を予め設定した回転中心にて回転しうるように支持した支持装置を具備し、前記Ｘ線検出器より出力される透視画像のうちの血管造影像を画像データとして格納する画像記憶装置と、この画像記憶装置から画像データを読み出して予め設定されたしきい値以上の領域の形状、位置により前記Ｘ線画像診断装置の複数枚のフィルタ羽根から形成される濃度補償フィルタの挿入領域を算出するフィルタ挿入領域算出手段と、このフィルタ挿入領域算出手段によって算出されたフィルタの挿入領域へ濃度補償フィルタを挿入あるいは退避させるフィルタ制御装置と、を備えたフィルタ自動制御装置において、前記支持装置からの角度情報により制御対象の前記フィルタ羽根を割当てる割当情報を得、この割当情報を前記フィルタ挿入領域算出手段に出力するフィルタ割当手段を備えたことを特徴とするフィルタ自動制御装置。
【請求項２】
Ｘ線を発生するＸ線発生部と、このＸ線発生部のＸ線発生方向に設けたＸ線を減弱する濃度補償フィルタと、前記Ｘ線発生部と対向配置されたＸ線検出器によって前記Ｘ線を検出し、画像化し表示する検出画像表示系と、前記濃度補償フィルタを挿入あるいは退避の制御する請求項１に記載のフィルタ自動制御装置とを備えたことを特徴とするＸ線画像診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月29日(2003.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＡＷフィルタ


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿って少なくとも２個以上のＩＤＴを配置したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴにダミー電極を 形成すると共に該ダミー電極と電極指とを互いに連結する連結電極を設けたことを特徴とするトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記ダミー電極と電極指との間のスペースに電極を付着し、両者を一体化した部分を少なくとも一カ所もうけて電極指のオーミックロスを軽減したことを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
圧電基板の主表面上に互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極からなるＩＤＴを配置したＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴにダミー電極を形成すると共に該ダミー電極と前記電極指とを互いに連結する連結電極を設けたことを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極及びゲート電極どおしを接続するゲート配線を導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜で構成されたゲート電極と、前記半導体基板の前記ゲート電極の両端に対応した領域に形成されたソース・ドレインとからなるＭＯＳトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
マトリクス状に配列された複数のＭＯＳトランジスタと、これら複数のＭＯＳトランジスタの各ソースに接続された複数のキャパシタと、行方向に配列された前記複数のＭＯＳトランジスタのゲート電極どおしを接続する複数のワード線と、列方向に配列された前記複数のＭＯＳトランジスタのドレインどおしを接続する複数のビット線とを有し、
前記ゲート電極と同一の構成膜を用いて構成され複数の前記ＭＯＳトランジスタのゲート電極どおしを共通に接続するゲート配線と、複数のコンタクトを介して前記ゲート配線に接続された上部配線とにより前記ワード線が構成され、互いに隣り合った前記コンタクト間に少なくとも２個以上の前記ＭＯＳトランジスタが設けられた半導体装置において、
前記ゲート電極及び前記ゲート配線が導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記導電性金属酸化物膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）若しくは錫（Ｓｎ）のいずれかの金属の酸化物膜又はこれらの金属の合金の酸化物膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上のゲート絶縁膜上に導電性金属酸化物膜又は導電性金属酸化物膜及びこの上の金属膜からなる積層膜を用いたゲート構成膜を形成する工程と、このゲート構成膜をエッチングする工程とにより、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上のゲート絶縁膜上に導電性金属酸化物膜を形成する工程と、この導電性金属酸化物膜上に金属膜を形成する工程と、この金属膜を前記導電性金属酸化物膜に対して選択的にエッチングして前記導電性金属酸化物膜を露出させる工程と、この露出した前記導電性金属酸化物膜を前記ゲート絶縁膜に対して選択的にエッチングする工程とにより、ＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電性金属酸化物膜を前記ゲート絶縁膜に対して選択的にエッチングする工程は、酸素を含むガスを用いてエッチングするものであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記導電性金属酸化物膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、テクネチウム（Ｔｃ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）若しくは錫（Ｓｎ）のいずれかの金属の酸化物膜又はこれらの金属の合金の酸化物膜であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、積層膜を形成するために前記ゲート絶縁膜上に導電性金属酸化物膜を形成する工程と、前記積層膜をエッチングすることによりゲート電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、積層膜を形成するために前記ゲート絶縁膜上に導電性金属酸化物膜を形成する工程と、前記積層膜を酸素を含むガスを用いてエッチングすることによりゲート電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】強誘電体キャパシタの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウムで構成される第１の電極とチタン酸ジルコン酸鉛強誘電体膜とイリジウムで構成される第２の電極とを有する強誘電体キャパシタの製造方法であって、
チタン膜を形成するために上記第１の電極上に上記強誘電体膜の構成金属要素であるチタンを堆積する工程と、
上記チタン膜上に上記強誘電体膜の構成金属要素である酸化鉛を堆積する工程と、
上記第１の電極上に上記堆積された酸化鉛と上記チタン膜のチタンとを含むチタン酸鉛膜を形成する工程と、
上記強誘電体膜を形成するために、結晶核として用いられる上記形成されたチタン酸鉛膜上に上記チタン酸ジルコン酸鉛強誘電体膜の構成要素である物質を堆積する工程と、
上記強誘電体膜上に上記第２の電極を形成する工程と、
を有する強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】
上記チタン膜がスパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法又は真空蒸着法を用いて堆積された後に、上記酸化鉛が上記チタン酸鉛膜の結晶化温度以上の基板温度でのスパッタリング法を用いて堆積され、
上記チタン酸ジルコン酸鉛強誘電体膜の構成要素である物質がぺロプスカイト結晶成長温度以上の基板温度でのスパッタリング法を用いて堆積され、
その後、上記堆積膜の熱処理が行なわれる、
請求項１に記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】
上記第１の電極が上記キャパシタの下部電極である請求項１又は２に記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電体キャパシタ（特に、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜を有する半導体メモリセルのキャパシタ）の製造方法に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、イリジウムで構成される第１の電極とチタン酸ジルコン酸鉛強誘電体膜とイリジウムで構成される第２の電極とを有する強誘電体キャパシタの製造方法であって、チタン膜を形成するために上記第１の電極上に上記強誘電体膜の構成金属要素であるチタンを堆積する工程と、上記チタン膜上に上記強誘電体膜の構成金属要素である酸化鉛を堆積する工程と、上記第１の電極上に上記堆積された酸化鉛と上記チタン膜のチタンとを含むチタン酸鉛膜を形成する工程と、上記強誘電体膜を形成するために、結晶核として用いられる上記形成されたチタン酸鉛膜上に上記チタン酸ジルコン酸鉛強誘電体膜の構成要素である物質を堆積する工程と、上記強誘電体膜上に上記第２の電極を形成する工程とを有する強誘電体キャパシタの製造方法に係わるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月4日(2003.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建物の床下の地面を掘り下げ、底面と４側面とを板壁で囲って収納庫を形成し、収納庫の上部を開放して通気可能構造とし、また、収納庫の底に排水口を設けると共に、収納庫の下方地中に排水浸透桝を設けて、排水口と排水浸透桝とを逆流防止弁を介して連結してなる半地下式床下収納庫。
【請求項２】
建物の床下の地面を掘り下げ、底面と４側面を板壁で囲って収納庫を形成し、収納庫は上面開放状として、収納庫の上端と、収納庫上面の建物床面との間を、通気孔を有する継板で連結し、また、収納庫の底に排水口を設けてなる半地下式床下収納庫。
【請求項３】
収納庫上面の建物床面に、開閉自在な床蓋を設けた請求項１又は２記載の半地下式床下収納庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の収納庫の技術的手段は、建物の床下の地面を掘り下げ、底面と４側面とを板壁で囲って収納庫を形成し、収納庫の上部を開放して通気可能構造とし、また、収納庫の底に排水口を設けると共に、収納庫の下方地中に排水浸透桝を設けて、排水口と排水浸透桝とを逆流防止弁を介して連結してなることにある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の収納庫の技術的手段は、建物の床下の地面を掘り下げ、底面と４側面を板壁で囲って収納庫を形成し、収納庫は上面開放状として、収納庫の上端と、収納庫上面の建物床面との間を、通気孔を有する継板で連結し、また、収納庫の底に排水口を設けてなることにある。更に、収納庫上面の建物床面に、開閉自在な床蓋を設けてもよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の効果】
本発明の収納庫は、床下に設けるので、住宅のデッドスペースを有効に利用できる。また、半地下式であるので、比較的大形の収納庫を得ることができ、電気温水器のような大形の機器の収容も可能であり、庫内は半地下式である為、温度的に安定し、温水器の設置に好適である。また、収納庫は通気性を有するので、庫内の湿気を排除できる。更に、庫底には排水口があるので、庫底に溜まった水や、温水器などから出た水を自動的に排除できる。その上、排水口が逆流防止弁を介して排水浸透桝に繋がっているので、排水性が良く、その上、地下水位上昇時に地下水が庫内に流入するのを防止できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２のものでは、収納庫は上面開放状として、収納庫の上端と、収納庫上面の建物床面との間を、通気孔を有する継板で連結しているので、簡単な構造で、収納庫に通気性を持たせることができ、庫内の湿気を排除できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月19日(2003.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円筒状の固定子鉄心にコイルが巻回された固定子と、
この固定子の内側に設けられ、回転子鉄心と、この回転子鉄心に穿設された複数の磁石挿入孔と、この磁石挿入孔に挿入された永久磁石とを有する回転子と、
この回転子に設けられ、前記磁石挿入孔の外周側鉄心部の回転子磁極中心線より回転子反回転方向側のみに前記回転子磁極中心線方向に穿設されたスリットと、
を備えたことを特徴とする永久磁石型モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る永久磁石型モータは、円筒状の固定子鉄心にコイルが巻回された固定子と、この固定子の内側に設けられ、回転子鉄心と、この回転子鉄心に穿設された複数の磁石挿入孔と、この磁石挿入孔に挿入された永久磁石とを有する回転子と、この回転子に設けられ、磁石挿入孔の外周側鉄心部の回転子磁極中心線より回転子反回転方向側のみに回転子磁極中心線方向に穿設されたスリットとを備えたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
永久磁石型モータの発生トルクは、概略次式で表される。
Ｔ＝Ｔmagnet＋Ｔreluctance
＝ｋ・（Ｂｄ・Ｉ・ｎ・Ｌ）＋Ｔreluctance
ただし、Ｔはモータ発生トルク、Ｔmagnetはマグネットトルク、Ｔreluctanceはリラクタンストルク、Ｋは定数、Ｂｄはｄ軸磁束密度（永久磁石磁束密度）、Ｉは巻線電流、ｎは巻線巻数、Ｌは鉄心積厚である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
この発明に係る永久磁石型モータは、円筒状の固定子鉄心にコイルが巻回された固定子と、この固定子の内側に設けられ、回転子鉄心と、この回転子鉄心に穿設された複数の磁石挿入孔と、この磁石挿入孔に挿入された永久磁石とを有する回転子と、この回転子に設けられ、磁石挿入孔の外周側鉄心部の回転子磁極中心線より回転子反回転方向側のみに回転子磁極中心線方向に穿設されたスリットとを備えた構成にしたので、電機子反作用によって回転子位置検出が困難になる現象が発生しない。またリラクタンストルクは利用できるため、少ない電流で必要トルクを発生することができ、必要電流が減少した分モータ効率の向上がはかられる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッドの検査方法であって、外部磁界を印加した状態で、前記磁気抵抗効果素子のシールド層の初期磁化状態を変える電流を前記インダクティブ素子に流し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性を測定することを特徴とする複合型磁気ヘッドの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
磁気抵抗効果素子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッドの検査方法であって、外部磁界を印加した状態で、一方の極性を有する第１の電流を前記インダクティブ素子に流し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性を測定し、さらに、外部磁界を印加した状態で、他方の極性を有する第２の電流を前記インダクティブ素子に流し、前記磁気抵抗効果素子の出力特性を測定することを特徴とする複合型磁気ヘッドの検査方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
磁気抵抗効果素子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッドの検査装置であって、前記磁気抵抗効果素子のシールド層の初期磁化状態を変える電流を前記インダクティブ素子に流す第１の電流印加手段と、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す第２の電流印加手段と、前記第１の電流印加手段から前記インダクティブ素子へ前記電流を流し、外部からの磁界及び前記センス電流を印加した状態で前記磁気抵抗効果素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定する測定手段とを備えたことを特徴とする複合型磁気ヘッドの検査装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
磁気抵抗効果素子及びインダクティブ素子を備えた複合型磁気ヘッドの検査装置であって、一方の極性を有する第１の電流及び他方の極性を有する第２の電流をそれぞれ前記インダクティブ素子に流すことが可能な第１の電流印加手段と、前記磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す第２の電流印加手段と、前記第１の電流印加手段から前記インダクティブ素子へ前記第１の電流を流し、外部からの磁界及び前記センス電流を印加した状態で前記磁気抵抗効果素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定し、さらに、前記第１の電流印加手段から前記インダクティブ素子へ前記第２の電流を流し、外部からの磁界及び前記センス電流を印加した状態で前記磁気抵抗効果素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定する手段とを備えたことを特徴とする複合型磁気ヘッドの検査装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、外部磁界を印加した状態で、ＭＲ素子のシールド層の初期磁化状態を変える電流をインダクティブ素子に流し、ＭＲ素子の出力特性を測定する複合型磁気ヘッドの検査方法が提供される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明によれば、ＭＲ素子のシールド層の初期磁化状態を変える電流をインダクティブ素子に流す第１の電流印加手段と、ＭＲ素子にセンス電流を流す第２の電流印加手段と、第１の電流印加手段からインダクティブ素子へ上述の電流を流し、外部からの磁界及びセンス電流を印加した状態でＭＲ素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定する測定手段とを備えた複合型磁気ヘッドの検査装置が提供される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本発明によれば、外部磁界を印加した状態で、一方の極性を有する第１の電流をインダクティブ素子に流し、ＭＲ素子の出力特性を測定し、さらに、外部磁界を印加した状態で、他方の極性を有する第２の電流をインダクティブ素子に流し、ＭＲ素子の出力特性を測定する複合型磁気ヘッドの検査方法が提供される。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
またさらに、本発明によれば、一方の極性を有する第１の電流及び他方の極性を有する第２の電流をそれぞれインダクティブ素子に流すことが可能な第１の電流印加手段と、ＭＲ素子にセンス電流を流す第２の電流印加手段と、第１の電流印加手段からインダクティブ素子へ第１の電流を流し、外部からの磁界及びセンス電流を印加した状態でＭＲ素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定し、さらに、第１の電流印加手段からインダクティブ素子へ第２の電流を流し、外部からの磁界及びセンス電流を印加した状態でＭＲ素子の出力電圧を受け取りその出力特性を測定する手段とを備えた複合型磁気ヘッドの検査装置が提供される。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、外部磁界を印加した状態で、ＭＲ素子のシールド層の初期磁化状態を変える電流を書込みヘッド部のインダクティブ素子へ流し、ＭＲ素子の出力特性を測定している。単にＭＲ素子の出力特性を測定するのではなく、シールド層の初期磁化状態を変えるような電流を強制的に流すことによりＭＲ素子の出力不安定性が引き起こされるような状態を故意に作り出し、その出力特性の測定を行っている。このように、シールド層の初期磁化状態を変えるような電流を流すことによって初めて出力不安定性が起き易くなるのであり、従って、検査の繰り返し回数を増大させることなく、ＭＲ素子の出力不安定性を調べることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚水収納槽と、汚水収納槽に真空弁を介して接続される真空管路と、前記真空管路の真空を弁開閉用として真空弁に導く配管と、前記配管の途中に接続され該配管からの真空を供給することで真空弁を開閉する弁開閉用切換機構と、前記真空管路からの真空を蓄えておく補助真空槽とを具備する真空汚水処理装置において、
前記補助真空槽は真空管路と弁開閉用切換機構をつなぐ配管の途中に直列に接続されていることを特徴とする真空汚水処理装置。
【請求項２】
前記補助真空槽への前記真空管路側からの配管の接続位置は、前記補助真空槽への前記弁開閉用切換機構からの配管の接続位置よりも低い位置としたことを特徴とする請求項１記載の真空汚水処理装置。
【請求項３】
前記汚水収納槽は、各種施設から排出される排水を収納する汚水ます、或いは便器であることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空汚水処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、汚水収納槽と、汚水収納槽に真空弁を介して接続される真空管路と、前記真空管路の真空を弁開閉用として真空弁に導く配管と、前記配管の途中に接続され該配管からの真空を供給することで真空弁を開閉する弁開閉用切換機構と、前記真空管路からの真空を蓄えておく補助真空槽とを具備する真空汚水処理装置において、前記補助真空槽を真空管路と弁開閉用切換機構をつなぐ配管の途中に直列に接続した。
また本発明は、前記補助真空槽への前記真空管路側からの配管の接続位置を、前記補助真空槽への前記弁開閉用切換機構からの配管の接続位置よりも低い位置とした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月20日(2004.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明においては、樹脂製のプーリ本体にインサートされてウェブ部において少なくともその一部が外部に露出する放熱用の金属板は、プーリ本体のボス部の内周面に露出して転がり軸受の外輪の外周面および端面の双方に接触した状態で当該外輪に対して圧入されているため、外輪と放熱用の金属板の接触面積が大きく、転がり軸受の内部の熱を効率的に放熱することができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
放熱用金属板３は、プーリ本体２のボス部２１の内周面に露出する円筒部３１と、その円筒部３１の一端側から外方に向かって広がってプーリ本体２のリム部２２の近傍にまで至るフランジ部３２を主体として構成され、円筒部３１の他端側には、内側に曲がって折れ曲がる内フランジ部３１ａが形成されている。また、フランジ部３２は図３に示すように波板状に折り曲げられている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この実施の形態における特徴は放熱用金属板３０にあり、この放熱用金属板３０は、プーリ本体２のボス部２０１の内周面に露出する円筒部３０１とその一端部において内側に折り曲げられた内フランジ部３０１ａと、円筒部３０１から放射状に外側に伸びる複数のアーム部３０２からなっている。各アーム部３０２は、円筒部３０１の周囲から周方向一定の角度を開けて突出形成されているとともに、これらの各アーム部３０２は円筒部３０１に対する付け根部分において捩じ曲げられ、その板厚方向がプーリの軸方向に直交する方向に沿っている。すなわち、図７に放熱用金属板３０の半形成品の要部正面図を示すように、金属板を円筒部３０１と複数のアーム部３０２を備えた図７に示すような形状にプレス成形した後、その各アーム部３０２を図中矢印で示すように９０°捩じ曲げている。また、各アーム部３０２には、その中心部分に貫通孔３０２ａが形成されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001355711.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月8日(2003.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、前記エンジン２０を中心に車体右側には、図２に示すように、排気系を構成するマフラー３１に配設されている。前記シリンダブロック２１の下側に形成された排気口（図示省略）から下向きに延出した排気管３３は、車体方向右側に偏向し屈曲して後方へ向けて延設されて前記マフラー３１の膨出部に嵌挿されている。前記マフラー３１から後方へテールパイプ（図示省略）が突出して車体後方に排気している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001355512.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2001355512.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月2日(2003.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
1997124960.tif 000001
〔式中、
Ｒ１とＲ２とは、互いに独立的にＣ２−Ｃ２５アルキル（該アルキル基は置換されていないか、またはハロゲン、Ｃ６−Ｃ１０アリール、Ｃ５−Ｃ１０ヘテロアリールまたはＣ３−Ｃ１０シクロアルキルによって置換されている）、Ｃ３−Ｃ１０シクロアルキルまたは下記の式II乃至IVのいずれかの基であり、
【化２】
1997124960.tif 000002
ＡとＢとは、互いに独立的にＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、Ｃ６−Ｃ１０アリール、ハロゲン、シアノ、ニトロ、-OR６、-COR６ 、-COOR６、-OCOR６、-CONR６R７、-OCONR６R７、-NR６R７、-NR６COR７、-NR６COOR７、-NR６SO２R７、-SO２R７、-SO３R７、-SO２NR６R７または−Ｎ＝Ｎ−Ｒ６であり、
Ｒ３乃至Ｒ５は、互に独立的にハロゲン、Ｃ１−Ｃ１２アルキル、フェニルまたはトリルであり、ここにおいて１つのＲ５はさらに水素であることができ、
Ｒ６とＲ７とは、互に独立的にＣ１−Ｃ４アルキル、フェニルまたは４−トリルであり、
ｎとｍとは、互に独立的に０、１または２であり、
ｏは０乃至４の整数であり、
ｐは０乃至３の整数であり、そして
ｑは０または１である〕のナフタレンラクタムイミド。
【請求項２】
式Ｖ
【化３】
1997124960.tif 000003
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ａ、Ｂ、ｍおよびｎは請求項１において定義した通りであるが、Ｒ１とＲ２との両方ともがエチルまたはデシルであることはない）のナフタレンテトラカルボン酸ビスイミド。
【請求項３】
式VI
【化４】
1997124960.tif 000004
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ａ、Ｂ、ｍおよびｎは請求項１において定義した通りであり、そしてＭは水素またはアルカリ金属陽イオン、特に水素またはカリウムである）の１−アミノナフタレントリカルボン酸誘導体。
【請求項４】
請求項２に記載のナフタレンテトラカルボン酸ビスイミドと塩基との反応によって、請求項１に記載のナフタレンラクタムイミドを製造する方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載の化合物を含有するマス着色された高分子有機材料。
【請求項６】
請求項１または２に記載の化合物を用いて高分子有機材料をマス着色する方法。
【請求項７】
証券印刷における機械読取り可能なマーキング用蛍光染料として、レーザ染料として、印刷トナー（非衝撃印刷トナー）、カラーフィルター、有機光レセプター、エレクトロルミネセント素子およびフォトルミネセント素子、光情報記憶媒体またはソーラーコレクタの製造用に、請求項１または２に記載の化合物を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月19日(2003.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
下記式（Ia）：
【化２】
1997124962.tif 000001
［上式中、Ｘ’は−ＮＲ2aＲ3a又は−ＮＲ1a−Ｚ’（式中、Ｚ’は、下記式：
【化３】
1997124962.tif 000002
により表されるモノフルオロピリミジニル基、又は下記式（ａ）：
【化４】
1997124962.tif 000003
（上式中、Ｙ1 は、水素、塩素又はシアノであり、そして２つの基Ｙ2 は同一であり、且つ各Ｙ2 はフッ素又は塩素である）
により表される基である）
である；
Ｙ''は、フッ素又は塩素である；
Ｗ’は、−ＮＲ1a−Ｂ1 −ＮＲ1a−、
【化５】
1997124962.tif 000004
【化６】
1997124962.tif 000005
又は
【化７】
1997124962.tif 000006
（上式中、印の付いた窒素原子はトリアジン環の炭素原子に結合しており、そしてＢ1 は、Ｃ2-6 アルキレン、Ｃ3-6 ヒドロキシアルキレン、フェニレン、少なくとも１個のスルホ置換基を含むアリール基、又は前記スルホ置換アリール基を含む芳香族脂肪族基であり、好ましくは
【化８】
1997124962.tif 000007
【化９】
1997124962.tif 000008
（上式中、印の付いた炭素原子は、トリアジン環の炭素原子に結合している−ＮＲ1a−基に結合しており、Ｒ6 及びＲ7 は、互いに独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、Ｃ1-4 アルキル、Ｃ1-4 アルコキシ、カルボキシル又はスルホである）である）であり、Ｒ1bは、水素又はメチルであり、ただしＲ1aは、水素、メチル、エチル又は２−ヒドロキシエチルであり、Ｒ2a及びＲ3aは、互いに独立に、水素、メチル、エチル、２−ヒドロキシエチル、２−スルホエチル又は２−スルファトエチルであるか、又はＮＲ2aＲ3aは、ピロリジン、ピペリジン若しくはモルホリン、又は
【化１０】
1997124962.tif 000009
（上式中、Ｒ5 は、水素、メチル、エチル、２−ヒドロキシエチル又は２−アミノエチルである）
である］
により表される請求項１記載の化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
Ｗは、好ましくはＷ’（Ｗ’は、−ＮＲ1a−Ｂ1 −ＮＲ1a−、
【化１８】
1997124962.tif 000010
【化１９】
1997124962.tif 000011
又は
【化２０】
1997124962.tif 000012
（上式中、印の付いた窒素原子はトリアジン環の炭素原子に結合しており、そしてＢ1 は、Ｃ2-6 アルキレン、Ｃ3-6 ヒドロキシアルキレン、フェニレン、少なくとも１個、例えば１又は２個のスルホ置換基を含むアリール基、又は前記スルホ置換アリール基を含む芳香族脂肪族基であり、好ましくは
【化２１】
1997124962.tif 000013
【化２２】
1997124962.tif 000014
（上式中、印の付いた炭素原子は、トリアジン環の炭素原子に結合している−ＮＲ1a−基に結合しており、Ｒ6 及びＲ7 は、互いに独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、Ｃ1-4 アルキル、Ｃ1-4 アルコキシ、カルボキシル又はスルホである）である）
である。