(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を化学機械的に研磨するためのスラリーであって、前記スラリーは、
前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属を錯化する第一の部分と、
前記金属のオーバーエッチングを最小限度に抑え、ポリエチレングリコールを含む第二の部分と、
を有する試薬を含む、スラリー。
【請求項２】
金属を化学機械的に研磨するためのスラリーであって、前記スラリーは、
前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属を錯化し、ペルオキシカルボン酸基あるいはペルオキシカルボキシレート基を含む第一の部分と、
前記金属のオーバーエッチングを最小限度に抑え、ポリエチレングリコールを含む第二の部分と、
を有する試薬を含む、スラリー。
【請求項３】
前記第一の部分は、前記金属あるいは酸化された金属に対して錯化剤に還元される、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項４】
前記ポリエチレングリコールは、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項５】
前記第一の部分は、少なくとも１つのペルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレート基を含む、請求項４に記載のスラリー。
【請求項６】
前記試薬は、ポリエチレングリコールペルオキソ酸である、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項７】
前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸は、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項６に記載のスラリー。
【請求項８】
塩基をさらに含む、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項９】
前記塩基は、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムを含む、請求項８に記載のスラリー。
【請求項１０】
前記試薬は、前記スラリーの０．００５重量％から２５重量％の量で含まれている、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項１１】
前記試薬は、前記スラリーの０．５重量％から５重量％の量で含まれている、請求項１０に記載のスラリー。
【請求項１２】
前記試薬は、前記スラリーの０．５重量％から２．５重量％の量で含まれている、請求項１１に記載のスラリー。
【請求項１３】
抑制剤をさらに含む、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項１４】
前記抑制剤は、ベンゾトリアゾールあるいは５−メチルベンゾトリアゾールである、請求項１３に記載のスラリー。
【請求項１５】
前記抑制剤の量は、０．００５重量％から０．５重量％である、請求項１３に記載のスラリー。
【請求項１６】
研磨粒子をさらに含む、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項１７】
前記研磨粒子の量は、前記スラリーの０．０１重量％から３０重量％である、請求項１６に記載のスラリー。
【請求項１８】
前記金属は、銅あるいは銅合金である、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項１９】
金属を含む層の表面を平坦化する方法であって、前記方法は、
前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属を錯化する第一の部分と、
前記金属のオーバーエッチングを最小限度に抑え、ポリエチレングリコールを含む第二の部分と、
を含む試薬を含むスラリーを使用して前記表面を化学機械的に研磨することを含む、方法。
【請求項２０】
金属を含む層の表面を平坦化する方法であって、前記方法は、
前記金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属を錯化し、ペルオキシカルボン酸基あるいはペルオキシカルボキシレート基を含む第一の部分と、
前記金属のオーバーエッチングを最小限度に抑え、ポリエチレングリコールを含む第二の部分と、
を含む試薬を含むスラリーを使用して前記表面を化学機械的に研磨することを含む、方法。
【請求項２１】
前記第一の部分は、前記金属あるいは酸化された金属に対して錯化剤に還元される、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ポリエチレングリコールは、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記第一の部分は、少なくとも１つのペルオキシカルボン酸あるいはペルオキシカルボキシレート基を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記試薬は、ポリエチレングリコールペルオキソ酸である、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸は、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記スラリーは、塩基をさらに含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記塩基は、水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記試薬は、前記スラリーの０．００５重量％から２５重量％の量で含まれている、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２９】
前記試薬は、前記スラリーの０．５重量％から５重量％の量で含まれている、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記試薬は、前記スラリーの０．５重量％から２．５重量％の量で含まれている、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記スラリーは、抑制剤をさらに含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項３２】
前記抑制剤は、ベンゾトリアゾールあるいは５−メチルベンゾトリアゾールである、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記抑制剤の量は、０．００５重量％から０．５重量％である、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記スラリーは、研磨粒子をさらに含む、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項３５】
前記研磨粒子の量は、前記スラリーの０．０１重量％から３０重量％である、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記金属は、銅あるいは銅合金である、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項３７】
金属を化学機械的に研磨するためのスラリーであって、
ポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
研磨粒子と、
抑制剤と、
脱イオン水と、
を含む、スラリー。
【請求項３８】
前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸は、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項３７に記載のスラリー。
【請求項３９】
前記スラリーは、
前記スラリーの０．５重量％から５重量％の量の前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
前記スラリーの０．０１重量％から３０重量％の量の前記研磨粒子と、
前記スラリーの０．００５重量％から０．５重量％の量の前記抑制剤と、
を含む、請求項３７に記載のスラリー。
【請求項４０】
前記抑制剤は、ベンゾトリアゾールあるいは５−メチルベンゾトリアゾールである、請求項３９に記載のスラリー。
【請求項４１】
前記試薬としてのポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
研磨粒子と、
抑制剤と、
脱イオン水と、
を含む、請求項１又は２に記載のスラリー。
【請求項４２】
前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸は、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項４１に記載のスラリー。
【請求項４３】
前記スラリーは、
前記スラリーの０．５重量％から５重量％の量の前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
前記スラリーの０．０１重量％から３０重量％の量の前記研磨粒子と、
前記スラリーの０．００５重量％から０．５重量％の量の前記抑制剤と、
を含む、請求項４１に記載のスラリー。
【請求項４４】
前記抑制剤は、ベンゾトリアゾールあるいは５−メチルベンゾトリアゾールである、請求項４３に記載のスラリー。
【請求項４５】
金属を含む層の表面を平坦化する方法であって、前記方法は、
ポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
研磨粒子と、
抑制剤と、
脱イオン水と、
を含む、方法。
【請求項４６】
前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸は、１５の反復単量体単位ＣＨ2ＣＨ2Ｏを含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記スラリーは、
前記スラリーの０．５重量％から５重量％の量の前記ポリエチレングリコールペルオキソ酸と、
前記スラリーの０．０１重量％から３０重量％の量の前記研磨粒子と、
前記スラリーの０．００５重量％から０．５重量％の量の前記抑制剤と、
を含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記抑制剤は、ベンゾトリアゾールあるいは５−メチルベンゾトリアゾールである、請求項４７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
関連出願
本出願は、１９９９年１０月２７日に出願され、参考文献として本明細書に包含される同時継続中の米国特許出願第０９／４２８，３０４号［ＡＭＡＴ／３９２１］の一部継続出願である。
【０００２】
本発明は、改良された平坦性を有する化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって金属を平坦化するためのスラリーに関する。本発明は、サブミクロンデザインフィーチャ及び高導電率素子間配線構造を有する高速集積回路の高生産スループットでの製造に適用可能である。
【０００３】
【従来の技術】
集積回路及び他の電子デバイスの製造においては、導体材料、半導体材料及び誘電材料の複数の層が、基板の表面上に堆積され、あるいは基板の表面から除去される。導体材料、半導体材料及び誘電材料の薄い層は、多くの堆積技術により堆積することができる。最近のプロセスにおける通常の堆積技術には、スパッタリングとして公知の物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、及び最近では電気化学的めっき（ＥＣＰ）を含む。
【０００４】
材料の層が順次堆積され除去されるにつれて、基板の最上部表面は、その表面の全体にわたって平坦でなくなる恐れがあり、平坦化を必要とする。表面の平坦化、あるいは表面の「研磨」とは、全体として、なめらかな、平坦な表面を形成するために、基板の表面から材料が除去されるプロセスである。でこぼこの表面、塊状化された材料、結晶格子損傷、スクラッチ及び汚染された層あるいは材料のような、不要な表面トポグラフィー及び表面欠陥を除去するために平坦化は有用である。フィーチャを充填し後続するレベルの配線作成及び処理のために平坦な表面を供給するために使用された、過剰に堆積された材料を除去することにより、基板の上にフィーチャを形成するにも、平坦化は有用である。
【０００５】
化学機械的平坦化すなわち化学機械的研磨（ＣＭＰ）は、基板を平坦化するために使用される通常の技術である。基板から材料を選択的に除去するために、ＣＭＰは通常、スラリーあるいは他の流体媒体である化学的組成を利用する。従来のＣＭＰ技術においては、基板キャリアあるいはポリシングヘッドが、キャリア組立体の上に搭載され、ＣＭＰ装置のポリシングパッドと接触して配置されている。キャリア組立体は、基板に制御可能な圧力を供給し、ポリシングパッドに対して基板を押し付ける。外部の駆動力によって、パッドは基板に対して動かされる。したがって、ＣＭＰ装置は、化学的作用及び機械的作用の両方を生じさせるために、研磨剤すなわちスラリーを散布しながら、基板の表面とポリシングパッドの間に研磨すなわち摩擦運動を生じさせる。
【０００６】
従来のＣＭＰプロセスは、研磨粒子を含む研磨剤すなわちスラリーのような研磨アーティクルを使用して、反応性溶液内で、従来のポリシングパッドを使用して、実行されている。あるいは、研磨アーティクルは、固定された研磨ポリシングパッドのような固定研磨アーティクルでも良く、研磨ポリシングパッドは研磨粒子を含まないＣＭＰ組成あるいはスラリーと共に使用されても良い。固定研磨アーティクルは、それに接着された複数の幾何学的形状の研磨複合要素 (geometric abrasive composite element) を有する背面補強材薄板を通常有する。
【０００７】
ＣＭＰに使用される化学的組成は、酸化剤及び錯化剤のような複数の成分を通常含んでいる。組成物は、コロイドシリカのような研磨粒子を、研磨剤成分としてさらに含んでいても良い。成分は、研磨のためにパッドへ組成物を供給する前に、通常混合される。さまざまな成分は、相互に作用し、ないしは劣化して、有効な薬剤でなくなる恐れがある。一定の研磨性能必要条件の下では、通常のポットライフ、たとえば、スラリーの有効期限は２４時間以下の可能性がある。
【０００８】
したがって、より長いポットライフを有し、有効な研磨結果を維持する方法とＣＭＰの組成が必要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の態様は、全体として、ディッシングの減少、改良された表面平坦性、スループットの増加、及び製造コストの減少を伴う、銅及び銅合金のような金属の平坦化を含む基板表面を平坦化するための方法及び組成物を提供する。
【００１０】
一つの態様において本発明は、金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属と錯体を形成するための第一の成分と、前記金属のオーバーエッチィングを最小限度に抑えるための第二の成分を有する試薬を有する金属を化学機械的に研磨するためのスラリーを提供する。スラリーは、研磨粒子、抑制剤、ｐＨ調整剤、及びそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。
【００１１】
他の態様において本発明は、金属を酸化させ、前記金属及び／または酸化された金属と錯体を形成するための第一の成分と、前記金属のオーバーエッチィングを最小限度に抑えるための第二の成分を有する試薬を有するスラリーを使用して、化学機械的に表面を研磨することによって、金属層の表面を平坦化するための方法を提供する。スラリーは、研磨粒子、抑制剤、ｐＨ調整剤、及びそれらの組み合わせをさらに含んでもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明は、ディープサブミクロン領域のフィーチャーサイズを有する高信頼性の素子間配線パターンに対する増加し続けている要求に一致し、ディッシングを排除あるいは減少する一方で、高い生産スループットで、銅及び銅合金のような金属を平坦化するための組成及び方法を全体として提供する。さらに、本発明の態様は、低製造コストと延長された組成のポットライフを有する金属の効果的なＣＭＰを可能にする。本開示の全体を通して使用される記号Ｃｕは、高純度の元素状態の銅及び銅を主成分とする合金、たとえば、少なくとも約８０重量％の銅を含む銅を主成分とする合金を含むものと解される。
【００１３】
本発明の態様は、研磨粒子の有無にかかわらず、ＣｕのようなＣＭＰ金属に対して、最大限の効果が得られるように処方されたスラリーを使用することにより実現される。換言すれば、本発明によるスラリーは、固定研磨研磨装置に使用することができる。本発明の実施形態によれば、酸化剤としてのみではなく酸化された金属を有する錯体 (complex) としても機能する試薬がスラリーに混合され、その結果、オーバーエッチィングを防止し、酸化された金属を可溶性にすることにより除去率を高める。本発明は、したがって、酸化成分 (oxidizing moiety) 及び金属のオーバーエッチィングを防止する成分 (moiety) を含む有機試薬を有する。通常、酸化物成分は過酸化物基を有する親水性頭部であり、尾部は疎水性尾部である。
【００１４】
本発明による試薬が機能する方法を支えている正確なメカニズムは、確実なところは判っていない。しかし、本発明において使用される試薬は、酸化剤として機能するのみならず、酸化の時には、錯化剤 (complexing agent) を生成すると確信されている。たとえば、本発明による試薬の過酸化物親水性頭部は、金属の表面を酸化させると確信されている。結果として生ずる副産物、たとえば、有機酸はＣｕあるいは酸化されたＣｕ（Ｃｕ2+）と反応し、カルボン酸錯体を形成すると確信されている。
【００１５】
試薬分子は疎水性尾部のために金属の表面で停止するので、ディッシングは大幅に減少すると確信されている。このように、酸化物層の厚さは制御され、ディッシングは減少される。
【００１６】
単一の化合物が酸化物試薬及び錯化剤試薬の両方を供給し、限定されたポットライフを示す過酸化水素含有薬剤より高い安定性を示すという点で、本発明は従来のＣＭＰスラリーに対して別の利点をもたらす。さらに、単一化合物の酸化−錯化剤の使用は、別の錯化剤の使用を避けることになり、関連する化学薬品の数を減少させ、その結果プロセスを単純化し、材料費を減少させる。
【００１７】
本発明の実施形態によるＣＭＰスラリーに使用する酸化及び錯化機能を実現するために、さまざまな試薬が使用され、あるいは処方されることができる。たとえば、酸化物成分は過酸化物基、たとえば、ペルオキシカルボン酸基あるいはペルオキシカルボキシレート基を有することができ、その場合、結果として生ずる錯化剤はカルボン酸あるいはカルボキシレートを有する。錯化成分 (complexing moiety) は、ポリエチレングリコールのようなアルキル基あるいはその誘導体、あるいは、ベンゼンあるいはその誘導体のようなアリール基を有することができる。したがって、適切な試薬は、ペルオキシ安息香酸、クロロベンゼン酸、ペルオキシ酢酸及びペルオキシギ酸のようなペルオキソ酸を含んでいる。過酸化ベンゾイルのような他の有機過酸化物も、酸化剤及び錯化剤として使用することができる。さらに、適切な試薬は、ｎが約１５であるＨＯＯＯＣ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）nＣＯＯＯＨのような、ポリエチレングリコールペルオキソ酸を含み、ポリエチレングリコールから合成することが可能である。
【００１８】
本明細書の開示と目的によれば、試薬及び付加的な成分の適切な量は、所定の状況において決定され、最適化することができる。一般的には、アルミニウム、Ｃｕ、チタン、タンタル、その窒化物及びシリコン酸窒化物のようなさまざまな金属のＣＭＰに対して、本発明は適用可能である。本発明の実施形態によるＣＭＰスラリーは、約０．５から約５重量％、たとえば、約０．５から約２．５重量％のような、約０．００５重量％から約２５重量％の試薬を通常含むことができる。都合の良いことに、５−メチルベンゾトリアゾール、あるいはベンゾトリアゾールのような抑制剤は、約０．００５重量％から約０．５重量％の分量、たとえば、約０．００１から約０．１重量％で存在し得る。本発明において使用されるスラリーは、約０．０１から約３０重量％の量の、アルミナあるいはシリカのような、研磨粒子を含むことができる。
【００１９】
本発明の他の実施形態において、たとえば試薬のカルボン酸成分が約７以上の炭素原子を含む、分子量の多い脂肪族あるいは芳香族カルボン酸成分を使用する場合のように、試薬の溶解度を増加するために必要ならば、塩基 (base) のようなｐＨ調整剤が導入される。ｐＨ調整剤の例は、水酸化アンモニウムあるいは水酸化カリウムを含む。ｐＨ調整剤、特に塩基の量は、試薬の塩を形成するために十分な量が存在するように調整される。たとえば、塩基は試薬に対して約１対１から１対２のモル比率 (molar ratio) で存在し得る。ｐＨ調整剤の量は、ほぼ中性のｐＨを与えるように調整することもできる。たとえば、本発明の一つの態様において、約７から約８の間のｐＨが塩基により与えられる。
【００２０】
本明細書において説明されるスラリーの例は、約０．０１重量％から約０．１重量％の間の過酢酸、約０．０５重量％から約０．３重量％の間のベンゾトリアゾール、約５重量％から約２０重量％の間の研磨剤、及び約７から約８の間のｐＨを与えるために十分な量の水酸化カリウムを有する。
【００２１】
付加的な従来のスラリー添加物を、それらの公知の効果を実現するために、たとえば、チタン、タンタル及びそれらの窒化物のようなウェハ内の障壁層の研磨速度をさらに改善し、あるいは増加させるために、本発明によるスラリーの実施形態に混合することができる。研磨剤が使用される本発明の実施形態において、このような研磨剤には、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア (germania) 、シリカ、セリア及びそれらの混合物を含むことができる。研磨剤は、他の試薬とは別々に貯蔵され輸送されることが可能であり、あるいは他の試薬と組み合わせることができる。本明細書において説明された試薬を含む組成物に安定剤を加えると、研磨剤と他の試薬が組み合わされたときに、ポットライフを延長させることが発見された。
【００２２】
本発明の他の態様において、処方に際してスラリーを酸化剤と錯化剤に分離する試薬が使用され、その結果、都合の良いことにスラリーを処方するときに必要とされる別々な化学薬品の数を減少させ、さらに、酸化成分 (oxidizing component) の貯蔵寿命を増加させる。酸化剤と錯化剤に分離するための本発明の実施形態による適切な試薬は、尿素−過酸化水素(urea hydrogen peroxide) のようなさまざまなアミン−ペルオキソ酸について任意のものを含む。したがって、そのような試薬を含むスラリーの使用は、金属のＣＭＰに対して現場での化学反応作用を生ずる。
【００２３】
アミン−ペルオキソ酸成分、たとえば、尿素−過酸化水素は、たとえば、約０．５から約２．５重量％の、０．５から約５重量％のような、約０．００５から約２５重量％の量で存在し得る。都合の良いことに、別の錯化剤はスラリーから除外することができる。したがって、本発明の実施形態によるスラリーは、酸化剤と錯化剤に分離する試剤を含み、固定された研磨剤要素が使用されない状態では最高３０重量％の量のような研磨粒子、ならびに、５メチルベンゾトリアゾールあるいはベンゾトリアゾールのような、たとえば、約０．００１から約０．１重量％の、約０．００５から約０．５重量％の量のような抑制剤のみを含むことを必要とする。
【００２４】
本発明の実施形態によれば、Ｃｕ金属膜は、ディッシング無し、あるいは、ディッシングを大幅に減少させて効率的に平坦化され、その結果、ディープサブミクロン領域の寸法を有する金属フィーチャを形成するために、従来のフォトリソグラフィの使用を可能にする。代表的なＣｕ配線作成あるいは素子間配線システムは、ダマシンにより、しかしダマシンに限定されないが、形成された素子間配線を有し、また、基板に重なっている層間絶縁膜を堆積することと、層間絶縁膜内に開口部たとえばダマシン開口部を形成することと、ＴａＮあるいはＴａのような拡散障壁を堆積することと、開口部をＣｕで充填することを含む。都合の良いことに、初めにシード層を堆積し、次に通常約８，０００から約１８，０００オングストロームの厚さにＣｕ層を電気メッキあるいは無電解メッキすることにより、層間絶縁膜内の開口部を充填することができる。ダマシン開口部は、摂氏約５０度から摂氏約１５０度の温度におけるＰＶＤによって、あるいは摂氏約２００度以下の温度におけるＣＶＤによつて、Ｃｕで充填することもできる。
【００２５】
従来の基板及び層間絶縁層は、本発明に包含される。たとえば、基板は不純物を添加された単結晶シリコンあるいはガリウム砒素でも良い。層間絶縁膜は、半導体デバイスの製造に通常使用されるさまざまな誘電材料の任意のものを含むことができる。たとえば、二酸化珪素、リンをドープしたシリコンガラス（ＰＳＧ）、硼素−リンをドープしたシリコンガラス（ＢＰＳＧ）、及びテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）あるいはシランからプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）によって導出された二酸化珪素のような誘電材料が、使用できる。本発明による層間絶縁膜は、ポリイミドのようなポリマー及び炭素を含有する二酸化珪素を含む低い比誘電率の材料を含むこともできる。開口部は、従来の光露光技術及びエッチング技術によって、層間絶縁膜の中に形成される。
【００２６】
本発明は、たとえば毎分５，０００オングストロームを超える高い除去速度で、ディッシングを減少させながら、Ｃｕのような金属を平坦化するためのＣＭＰスラリーを提供し、それにより、結果として作成される集積回路の速度と歩留りの改良を可能にする。本発明の実施形態は、したがって、銅の素子間配線の拡張された断面積を有する半導体デバイスの製造を可能とし、その結果、素子間配線の抵抗を減少させることにより、電気的性能を改善する。本発明によるスラリーは二酸化珪素に対してＣｕの高い選択性を示し、その結果、本発明によるスラリーはダマシン技術に特に適用できる。本発明によるスラリーは、スラリーに使用される化学薬品の量の減少を可能にし、その結果、製造コストを減少させ、プロセスを単純化させる。本発明の実施形態によるスラリーは、貯蔵寿命が限定されている過酸化水素を含有するスラリーよりも、大幅に高い安定性を示す。
【００２７】
本発明は、半導体製造のさまざまな段階における平坦化に適用できる。本発明は、ディープサブミクロン領域の金属フィーチャを有する高密度半導体デバイスの製造に、特別に適用できる恩恵を有する。
【００２８】
前述の事項は本発明の推奨実施形態に重点を置いているが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに本発明のさらに他の実施形態を考案することが可能であり、本発明の範囲は以下に続く特許請求の範囲により決定される。