【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタおよび前記分離層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記画素電極を形成するべき領域における前記絶縁膜の少なくとも一部を選択的に除去する工程と、
前記絶縁膜の少なくとも一部が除去された領域において前記画素電極を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、
を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に、所定の中間層を形成する工程と、
前記中間層上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタおよび前記中間層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記画素電極を形成するべき領域において、少なくとも前記絶縁膜の一部を選択的に除去する工程と、
前記絶縁膜の少なくとも一部が選択的に除去された領域に前記画素電極を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、
を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかにおいて、
前記絶縁膜の少なくとも一部の選択的除去は、前記薄膜トランジスタに前記画素電極を電気的に接続するためのコンタクトホールの形成工程を兼用して行われることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記コンタクトホールは、前記画素電極を、前記薄膜トランジスタを構成する不純物層に直接に接続するために使用されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記コンタクトホールは、前記画素電極を、前記薄膜トランジスタを構成する不純物層に接続されている電極に接続するために使用されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかにおいて、
前記画素電極を形成する工程の後に、さらに、カラーフィルタまたは遮光膜の少なくとも一方を形成する工程を具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタを含んでなるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、前記アクティブマトリクス基板は外部接続端子を有してなり、
基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタおよび前記分離層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記外部接続端子を形成するべき領域における前記絶縁膜の少なくとも一部を選択的に除去する工程と、
前記絶縁膜の少なくとも一部が除去された領域において前記外部接続端子を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記絶縁膜の少なくとも一部が選択的に除去された前記外部接続端子が設けられるべき領域において、前記画素電極と同一の材料からなる導電層または前記薄膜トランジスタを構成する不純物層に接続されている電極と同一の材料からなる導電層を形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項９】
マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
透光性の基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上、または前記分離層上に形成された所定の中間層上に前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成する工程と、
透明な導電性材料からなる前記画素電極を、前記絶縁膜上に形成する工程と、
前記薄膜トランジスタと重なりを有し、かつ前記画素電極の少なくとも一部とは重なりを有しない形態で遮光層を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタおよび前記遮光層を、透光性の接着層を介して透光性の転写体に接合する工程と、
前記透光性の基板を前記分離層から離脱させる工程と、
前記透光性の基板が離脱した面上あるいは残存している前記分離層の除去後に現れる層の表面上にフォトレジストを形成する工程と、
前記転写体側から光を照射し、前記遮光層をマスクとして用いて前記フォトレジストの所定の部分のみを露光し、現像することにより所望のフォトレジストマスクを形成する工程と、
前記フォトレジストマスクを用いて、前記中間層ならびに前記絶縁膜の少なくとも一部、または前記絶縁膜の少なくとも一部を選択的に除去する工程と、
前記フォトレジストマスクを除去する工程と、
を有し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１０】
マトリクス状に配置された走査線と信号線とに接続された薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに接続された画素電極とを含んで画素部が構成されるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上または前記分離層上に形成された所定の中間層上に画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、その薄膜トランジスタの所定箇所を前記画素電極に接続する工程と、
前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、
を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを含んでなるアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、前記アクティブマトリクス基板は外部接続端子を有してなり、
基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上または前記分離層上に形成された所定の中間層上に導電性材料層を形成することにより前記外部接続端子を形成する工程と、
前記外部接続端子上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタを、接着層を介して転写体に接合する工程と、
前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、
を具備し、これにより、前記転写体を新たな基板とするアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれかにおいて、
前記基板の離脱後に、前記転写体側に残存している前記分離層を除去する工程をさらに有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１２のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により製造されたアクティブマトリクス基板を用いて構成された液晶表示装置。