【手続補正書】
【提出日】平成15年10月10日(2003.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記支持基板の複数の孔が形成された領域において、前記半導体ウエハの主面側を前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記支持基板の第２面側から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、前記第１の接着層の接着力を低下させる工程；
ｆ）前記支持基板から、薄型化された前記半導体ウエハを剥離する工程を有し、前記工程ｃ）では、更に、溶剤により溶融する第２の接着層が、前記複数の孔を有する支持基板の前記第２面に前記複数の孔を塞ぐように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の孔は前記半導体ウエハの端部やその外側には存在しないように前記支持基板に配列されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記工程ｅ）では、前記複数の孔の有る支持基板の第２面に形成した前記第２の接着層を、溶剤によって溶融して消失させた後、前記支持基板の第２面側から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、前記孔の有る支持基板と前記半導体ウエハを接着する前記第１の接着層の接着力を低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、前記工程ｄ）の後、前記半導体素子を含む半導体チップ形成領域ごとに分割して複数の半導体チップを形成するために、前記半導体ウエハを裏面側から選択的にエッチングする工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成され、前記主面に、前記半導体素子を構成する所定電極に電気的に接続する導電体からなるエッチングストッパ層及び前記半導体チップ形成領域の周囲のスクライブ領域に重なって設けられる金属層を有する半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハを裏面側から選択的にエッチングする工程では、前記スクライブ領域の金属層に到達する第１溝及び前記エッチングストッパ層に到達する第２溝を形成し、
前記半導体ウエハの裏面側全域に電極層を形成し、
前記支持基板の第２面側から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、前記支持基板と前記半導体ウエハを接着する前記接着層の接着力を低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、前記工程ｄ）の除去は、前記半導体ウエハの裏面側を研削する工程と、前記研削により露出した表面を更にウエットエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、前記支持基板の孔は第１面から第２面に向かって徐々に直径が大きくなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、前記支持基板の各孔は溝で連通状態になっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、工程ｅ）では、超音波を加えながら前記支持基板の第２面側から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、前記支持基板と前記半導体ウエハを接着する前記第１の接着層の接着力を低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、前記支持基板はガラスで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記支持基板の複数の孔が形成された領域において、前記半導体ウエハの主面側を前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記支持基板の第２面側から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、前記第１の接着層の接着力を低下させる工程；
ｆ）前記支持基板から、薄型化された前記半導体ウエハを剥離する工程を有し、前記工程ｃ）では、孔の無い支持基板が、熱により溶融する第２の接着層により前記複数の孔を有する前記支持基板の第２面に前記複数の孔を塞ぐように接着され、その後、前記半導体ウエハの前記主面が、溶剤により溶融する第１の接着層
により前記支持基板の前記第１面に固定され、
前記工程ｅ）では、前記複数の孔を有する支持基板と前記孔を有さない支持基板とを互いに接着する前記第２の接着層が熱により溶融し、それにより前記孔の無い支持基板は前記複数の孔を有する支持基板から分離され、その後、溶剤が前記支持基板の前記第２面から前記複数の孔を通して供給され、それにより前記複数の孔を有する支持基板と前記半導体ウエハを互いに接着する前記第１の接着層の接着力が低下することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記複数の孔の一端は前記孔の無い支持基板により塞がれ、他端は前記半導体ウエハにより塞がれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記支持基板の複数の孔が形成された領域において、前記半導体ウエハの主面側を前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）孔の無い支持基板を前記複数の孔を有する支持基板の第２面に前記複数の孔を塞ぐように第２の接着層で固定する工程；
ｅ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｆ）前記第２の接着層を加熱して溶かし、前記複数の孔を有する支持基板から前記複数の孔の無い支持基板を分離する工程；
ｇ）前記複数の孔を通して前記複数の孔を有する支持基板の第２面から溶剤を供給し、前記第１の接着層の接着力を低下させる工程と、
ｈ）薄型化された前記半導体ウエハを前記複数の孔を有する支持基板から剥離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成され、前記主面に、前記半導体素子を構成する所定電極に電気的に接続する導電体からなるエッチングストッパ層及び前記半導体素子を含む半導体チップ形成領域の周囲のスクライブ領域に重なって設けられる金属層を有する半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記半導体ウエハの主面側を前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記スクライブ領域に対応する領域及び前記複数の半導体チップ形成領域の一部を露出するエッチング用マスクを、薄型化された前記半導体ウエハの裏面
に形成する工程；
ｆ）前記エッチング用マスクから露出する前記スクライブ領域に対応する領域及び前記複数の半導体チップ形成領域の一部に対応する領域の前記半導体ウエハを選択的にエッチングすることにより、前記スクライブ領域に対応する領域において前記金属層に達する第１溝を形成し、前記複数の半導体チップ形成領域内の各々に第２溝を形成する工程とを有し、
前記工程ｃ）では、更に、溶剤により溶融する第２の接着層が、前記複数の孔を有する支持基板の前記第２面に前記複数の孔を塞ぐように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体装置の製造方法において、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成され、前記主面に、前記半導体素子を構成する所定電極に電気的に接続する導電体からなるエッチングストッパ層及び前記半導体素子を含む半導体チップ形成領域の周囲のスクライブ領域に重なって設けられる金属層を有する半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記半導体ウエハの主面側を、前記複数の孔を有する前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記半導体ウエハを選択的にエッチングし、前記スクライブ領域の前記金属層に到達する第１の溝および前記エッチングストッパ層に到達する第２の溝を形成する工程；
ｆ）前記半導体ウエハの裏面側に電極層を形成する工程；
ｇ）前記複数の孔を通して前記支持基板の第２面から溶剤を供給し、前記支持基板と前記半導体ウエハの間での前記第１の接着層の接着力を低下する工程；
ｈ）前記電極層で接続され、板状に配列された半導体チップ群を前記支持基板から剥離する工程；
板状に配列された前記半導体チップ群の前記電極層の形成面側に支持テープを貼り付ける工程；
ｊ）板状に配列された前記半導体チップ群の各々の半導体チップを接続している前記電極層を切断し、個々の半導体チップに分離する工程とを有し、
前記工程ｃ）では、更に、溶剤により溶融する第２の接着層が、前記複数の孔を有する支持基板の前記第２面に前記複数の孔を塞ぐように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成され、前記主面に、前記半導体素子を構成する所定電極に電気的に接続する導電体からなるエッチングストッパ層及び前記半導体素子を含む半導体チップ形成領域の周囲のスクライブ領域に重なって設けられる金属層を有する半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記半導体ウエハの主面側を、前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記半導体ウエハを選択的にエッチングし、前記スクライブ領域の前記金属層に到達する第１の溝及び前記エッチングストッパ層に到達する第２の溝を形
成する工程；
ｆ）前記半導体ウエハの裏面側に電極層を形成する工程；
ｇ）前記スクライブ領域の前記金属層を切断し、前記支持基板上で互いに半導体チップとして独立した個々の半導体素子に分離する工程；
ｈ）各々の前記半導体チップの前記電極層が形成された表面側に支持テープを貼り付ける工程；
ｉ）前記支持基板と前記半導体チップとを接着している前記第１の接着層を溶剤により溶融し、前記支持基板と前記半導体チップとを分離する工程とを有し、
前記工程ｃ）では、更に、溶剤により溶融する第２の接着層が、前記複数の孔を有する支持基板の前記第２面に前記複数の孔を塞ぐように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記支持基板の複数の孔が形成された領域において、前記半導体ウエハの主面側を前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記半導体ウエハの裏面にメッキ液を用いたメッキ法により電極層を形成する工程；
ｆ）前記支持基板の第２面から前記複数の孔を通して溶剤を供給し、それにより前記第１の接着層の接着力を低下させる工程；
ｇ）薄膜化された前記半導体ウエハを前記支持基板から剥離する工程とを有し、前記工程ｅ）では、前記複数の孔が前記メッキ液には触れないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
ベース電極、コレクタ電極及びエミッタ電極を有するヘテロバイポーラトランジスタを含む半導体装置の製造方法において、
ａ）第１面と前記第１面に対向する第２面を有し、前記第１面から前記第２面に達する複数の孔を有する支持基板を準備する工程；
ｂ）主面と前記主面に対向する裏面を有し、複数の半導体素子が形成され、前記主面に、前記半導体素子を構成する所定電極に電気的に接続する導電体からなるエッチングストッパ層及び前記半導体素子を含む半導体チップ形成領域の周囲のスクライブ領域に重なって設けられる金属層を有する半導体ウエハを準備する工程；
ｃ）前記半導体ウエハの主面側を、前記支持基板の第１面に第１の接着層で固定する工程；
ｄ）前記半導体ウエハの裏面側を所定厚さ除去することによって、前記半導体ウエハの厚さを薄くする工程；
ｅ）前記半導体ウエハを選択的にエッチングし、前記スクライブ領域の前記金属層に到達する第１の溝および前記エッチングストッパ層に到達する第２の溝を形成する工程；
ｆ）前記半導体ウエハの裏面側に電極層を形成する工程；
ｇ）前記支持基板と前記半導体ウエハとを互いに接着している前記第１の接着層を溶剤により溶融し、前記支持基板から前記半導体チップを分離する工程を有し、
前記工程ｃ）では、更に、溶剤により溶融する第２の接着層が、前記複数の孔を有する支持基板の前記第２面に前記複数の孔を塞ぐように形成され、
前記工程ｆ）では、前記電極層と前記ヘテロバイポーラトランジスタのエミッタ電極とが電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。