【手続補正書】
【提出日】平成15年7月10日(2003.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置であって、
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成された、第１の不純物領域と第２の不純物領域と、
前記半導体基板上に形成され、前記第１の不純物領域の表面に達する第１の貫通孔を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の貫通孔を通じて前記第１の不純物領域に電気的に接続された第１の配線と、
前記第１の配線を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第２の配線とを備え、
前記第２の配線は、前記第１の絶縁膜、前記第１の配線および前記第２の絶縁膜を貫通するように形成された第２の貫通孔を通じて、前記第２の不純物領域に電気的に接続されており、
前記第１の不純物領域と前記第２の不純物領域との接続が、前記第１の配線、前記第２の配線および前記第２の不純物領域を前記第２の貫通孔内で接続することによってなされており、
前記第１の配線と前記第２の配線のいずれか一方の配線が多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線と第２の配線の他方の配線が多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の配線と第１の不純物領域の導電型がｐ型であり、第２の配線と第２の不純物領域の導電型がｎ型である請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体装置が、第１および第２の負荷トランジスタと、第１および第２のドライバトランジスタと、第１および第２のアクセストランジスタを備えたＳＲＡＭであって、
第１の配線が前記第１および前記第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第２の配線が前記第１および前記第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
第２の配線は、第１および第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第２の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第２の絶縁膜を介して前記接地配線と互いに立体的に重なって形成されており、前記第１の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第２の絶縁膜を介して前記第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の配線は、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、前記電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１の配線と第２の配線の接続部界面に薄い酸化膜を備えていることを特徴とする請求項３または請求項４記載の半導体装置。
【請求項８】
第１の配線と第２の配線の接続部界面に薄い金属膜を備えていることを特徴とする請求項３または請求項４記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の配線が、高融点金属膜と多結晶シリコン膜との複合膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
第２の配線が、金属配線であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１の配線と第１の不純物領域の導電型がｎ型であり、第２の配線と第２の不純物領域の導電型がｐ型である請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体装置が、第１および第２の負荷トランジスタと、第１および第２のドライバトランジスタと、第１および第２のアクセストランジスタを備えたＳＲＡＭであって、
第１の配線が前記第１および前記第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線であり、第２の配線が前記第１および前記第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線であることを特徴とする請求項１、請求項２および請求項１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１の配線は、第１および第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第１の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、前記接地配線が第２の絶縁膜を介して第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されており、前記第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線が前記第２の絶縁膜を介して前記第１の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
第２の配線は、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、前記電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されていることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
少なくとも２層の配線層が接続孔を通じて電気的に接続された配線接続構造を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の主表面に、第１の不純物領域と第２の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板表面を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に、前記第１の不純物領域の表面に達する第１の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に形成された前記第１の貫通孔を通じて、前記第１の不純物領域に電気的に接続するように、第１の配線を前記第１の絶縁膜上に形成する工程と、
前記第１の配線を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第１の配線と前記第２の絶縁膜に、前記第２の不純物領域の表面に達する第２の貫通孔を形成する工程と、
前記第２の貫通孔を通じて、前記第２の不純物領域に電気的に接続するように、第２の配線を前記第２の絶縁膜上に形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
第１の絶縁膜と第１の配線と第２の絶縁膜に、第２の不純物領域の表面に達する第２の貫通孔を形成する工程の後に、前記第２の貫通孔の形成により露出した前記第１の配線を含む露出表面にチタンを形成する工程と、前記チタンをアニール処理することによりチタンシリサイドを形成する工程とを含む、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらにまた、この発明に係る半導体装置は、第２の配線は、第１および第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第２の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第２の絶縁膜を介して接地配線と互いに立体的に重なって形成されており、第１の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線が第２の絶縁膜を介して第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、この発明に係る半導体装置は、第１の配線は、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
さらにまた、この発明に係る半導体装置は、第１の配線は、第１および第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で第１の絶縁膜上に形成された接地配線をさらに含み、接地配線が第２の絶縁膜を介して第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されており、第２のドライバトランジスタのドレイン領域引き出し配線が第２の絶縁膜を介して第１の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と互いに立体的に重なって形成されているものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、この発明に係る半導体装置は、第２の配線は、第１および第２の負荷トランジスタのドレイン領域引き出し配線と同一の製造工程で形成された電源配線をさらに含み、電源配線と接地配線とが互いに立体的に重なって形成されているものである。