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【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置検出装置並びに露光方法及び装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに周波数の異なる２光束を生成する２光束生成手段と、該２光束生成手段からの２光束を集光して被検物体上に形成された回折格子状マークに対して所定の２方向から照射する対物光学系と、前記回折格子状マークから同一方向に発生する複数の回折光による干渉光を光電的に検出する検出器と、を有し、該検出器の検出結果に基づいて前記回折格子状マークの位置を検出する位置検出装置において、
前記２光束生成手段は、単色の光束又は複数波長の光を含む光束を供給する光源手段と、該光源手段からの光束を分割して互いに周波数の異なる２光束を生成する音響光学素子とを備え、
該音響光学素子は、回折効率に異方性を持ち前記２光束を互いに異なる方向に射出することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
請求項１記載の位置検出装置であって、
前記２光束生成手段中の音響光学素子は、それぞれ回折効率に異方性を有し互いに異なる周波数の超音波が印加される２個の音響光学素子よりなり、該２個の音響光学素子内での回折光の進行方向が互いに異なると共に、
該進行方向が互いに異なる回折光を前記周波数の異なる２光束として前記対物光学系へ導くことを特徴とする位置検出装置。
【請求項３】
請求項２記載の位置検出装置であって、
前記２個の音響光学素子の間に該２個の音響光学素子の超音波作用領域を共役にするためのリレー光学系を配置し、
該２個の音響光学素子に前記互いに異なる周波数の超音波を共役な状態で逆方向に印加することを特徴とする位置検出装置。
【請求項４】
請求項２記載の位置検出装置であって、
前記２個の音響光学素子を密着させて配置し、
該２個の音響光学素子に前記互いに異なる周波数の超音波を逆方向に印加することを特徴とする位置検出装置。
【請求項５】
請求項２、３、又は４記載の位置検出装置であって、
前記２個の音響光学素子中の前段の音響光学素子は入射した光束に対して０次光及び１次回折光を実質的に等しい割合で生成し、
後段の音響光学素子は前記前段の音響光学素子からの０次光に対して１次回折光の回折効率が最大になるように構成されていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項記載の位置検出装置であって、
前記２光束生成手段中の少なくとも１つの音響光学素子は、異方ブラッグ回折を起こす媒体よりなることを特徴とする位置検出装置。
【請求項７】
互いに周波数の異なる２光束を生成する２光束生成手段と、該２光束生成手段からの２光束を集光して被検物体に対して所定の２方向から照射する対物光学系と、前記被検物体からの複数の回折光による干渉光を光電的に検出する検出器とを有し、
前記２光束生成手段は、単色の光束又は複数波長の光を含む光束を供給する光源手段と、該光源手段からの光束を分割して互いに周波数の異なる２光束を生成する音響光学素子とを備え、
該音響光学素子は、回折効率に異方性を持ち前記２光束を互いに異なる方向に射出することを特徴とする位置検出装置。
【請求項８】
請求項１〜６の何れか一項記載の位置検出装置と、
感光基板を位置決めするステージと、を備え、該ステージで位置決めされた前記感光基板上にマスクパターンを転写する露光装置であって、
前記感光基板上に形成された回折格子状マークの位置を前記位置検出装置で検出し、該検出結果に基づいて前記感光基板の位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項７記載の位置検出装置と、
感光基板を位置決めするステージと、を備え、該ステージで位置決めされた前記感光基板上にマスクパターンを転写する露光装置であって、
前記感光基板の位置を前記位置検出装置で検出し、該検出結果に基づいて前記感光基板の位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の露光装置を用いて前記マスクパターンを前記感光基板上に転写する露光方法であって、
前記位置検出装置を用いて前記感光基板の位置合わせを行う工程を備えていることを特徴とする露光方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明による別の位置検出装置は、互いに周波数の異なる２光束を生成する２光束生成手段と、この２光束生成手段からの２光束を集光して被検物体（１，４）に対して所定の２方向から照射する対物光学系（１８ａ，１８ｂ，２１，２２，２６，２７，３７，３８，３）と、その被検物体からの複数の回折光による干渉光を光電的に検出する検出器（３３，３６）とを有し、その２光束生成手段は、単色の光束又は複数波長の光を含む光束を供給する光源手段（１０〜１３））と、この光源手段からの光束を分割して互いに周波数の異なる２光束を生成する音響光学素子（１７，６０）とを備え、この音響光学素子は、回折効率に異方性を持ちその２光束を互いに異なる方向に射出するものである。
本発明においても、簡単な構成で、且つ低い駆動電力で動作して、高い回折効率で周波数変調された光束を発生することができる。
また、本発明による露光装置は、上記の本発明の位置検出装置と、感光基板（４）を位置決めするステージ（５）と、を備え、このステージで位置決めされた感光基板（４）上にマスクパターン（１）を転写する露光装置であって、感光基板（４）上に形成された回折格子状マーク（ＷＭ）の位置をその位置検出装置で検出し、この検出結果に基づいて感光基板（４）の位置合わせを行うものである。
また、本発明による別の露光装置は、上記の本発明の別の位置検出装置と、感光基板（４）を位置決めするステージ（５）と、を備え、このステージで位置決めされたその感光基板上にマスクパターン（１）を転写する露光装置であって、その感光基板の位置をその位置検出装置で検出し、この検出結果に基づいてその感光基板の位置合わせを行うものである。
斯かる本発明の露光装置によれば、その位置検出装置を介して検出した回折格子状マーク（ＷＭ）の位置、又は感光基板の位置に基づいて感光基板（４）の位置決めを行った後、マスクパターン（１）が転写される。
また、本発明の露光方法は、本発明の露光装置を用いてそのマスクパターンをその感光基板上に転写する露光方法であって、その位置検出装置を用いてその感光基板の位置合わせを行う工程を備えているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１の実施形態ではマスクが導電性の場合について説明したが、マスクが非導電性の材質の場合にはマスク１を静電吸着で固定することはできない。その場合、例えば図６に示すように２枚のマスク保持部６ａ及び６ｂによってマスク１を挟み込むことにより、機械的に固定することが可能となる。
図６では２つのマスク保持部６ａ、６ｂを同一の形にして示したが、特に同じ形状にする必要はなく、例えばマスク保持部６ａには内枠を設けずに外枠のみにすることも可能である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1998050584.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月29日(2003.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アライメントを行うための基準マーク及び位置計測のための移動鏡が設けられたテーブルと、露光基板を保持するホルダとが、ステージ上に設けられている露光装置において、
前記ホルダ及び前記テーブルに、前記基準マーク及び前記移動鏡に対する熱の移動を制御するための温度制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
アライメントを行うための基準マーク及び位置計測のための移動鏡が設けられたテーブルと、露光基板を保持するホルダとが、ステージ上に設けられている露光装置において、
前記基準マーク及び前記移動鏡と前記テーブルとの間に共通基部を設けるとともに、この共通基部に、前記基準マーク及び前記移動鏡に対する熱の移動を制御するための温度制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
アライメントを行うための基準マーク及び位置計測のための移動鏡が設けられたテーブルと、露光基板を保持するホルダとが、ステージ上に設けられている露光装置において、
前記基準マーク及び前記移動鏡と前記テーブルとの接合部周囲に、前記基準マーク及び前記移動鏡に対する熱の移動を制御するための温度制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
前記露光基板に対する露光量を検出する露光量検出手段と、この露光量検出手段によって検出された露光量に基づいて、前記露光基板の温度変動の程度を予測する温度予測手段とを備え、
前記温度制御手段は、前記温度予測手段によって予測された温度に対応して温度制御を行うことを特徴とする請求項１，２又は３記載の露光装置。
【請求項５】
前記露光量検出手段は、前記露光基板側で露光量を検出する第１露光量検出手段と、前記露光基板に投影されるパターンが描かれたレチクル側で露光量を検出する第２露光量検出手段とを含むことを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
前記温度制御手段は、露光動作中の前記露光基板の温度上昇を予測して前記ホルダ及び前記テーブルの温度制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記温度制御手段は、前記ホルダ側の温度を制御する温度コントロールユニットと、前記テーブル側の温度を制御する温度コントロールユニットとを独立して備えていることを特徴とする請求項１又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記温度制御手段は、温度制御される制御対象中に設けられており、温度制御された熱媒体が循環する循環路を含むことを特徴とする請求項１〜７のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記温度制御手段は、温度制御される制御対象中に設けられたペルチェ素子を含むことを特徴とする請求項１〜７のうちの何れか一項に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に他の発明では、前記露光基板に対する露光量を検出する露光量検出手段と、この露光量検出手段によって検出された露光量に基づいて前記露光基板の温度変動の程度を予測する温度予測手段とが設けられ、前記温度制御手段は、前記温度予測手段によって予測された温度に対応して温度制御を行う。主要な態様によれば、前記露光量検出手段は、前記露光基板側で露光量を検出する第１露光量検出手段と、前記露光基板に投影されるパターンが描かれたレチクル側で露光量を検出する第２露光量検出手段とを含む。
他の態様によれば、前記温度制御手段が、露光動作中の前記露光基板の温度上昇を予測して前記ホルダ及び前記テーブルの温度制御を行うことを特徴とする。あるいは、前記ホルダ側の温度を制御する温度コントロールユニットと、前記テーブル側の温度を制御する温度コントロールユニットとを独立して備えていることを特徴とする。更に他の態様によれば、前記温度制御手段は、温度制御される制御対象中に設けられており、温度制御された熱媒体が循環する循環路，もしくはペルチェ素子を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、医療用の内視鏡などでは、撮像ユニットを小型にすることによって、内視鏡の挿入部そのものや、先端構成部を小型にすることで術者の操作性を向上させることや、患者の疲労を軽減するという重要な効果が得られる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このようにして各ランド４２ｂはＴＡＢテープ４８を介して外部リード４４と電気的に導通している。なお、絶縁テープ４９はＴＡＢテープ導体４８ｂが固体撮像素子チップ４２に意図しない接触によりショートすることを防止するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
信号ケーブル５６の各信号線５６ａの芯線５６ｂは基板５７のランド部５７ａ及び２列に配置した外部リード５５ｄにおける他方の側の外部リード（図１７（Ｂ）では右側の外部リード）５５ｄと接続されている。また、この撮像装置５１Ｂは絶縁カバー６１で覆われている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
（付記５，６の従来の技術の問題点）
このように従来例では長軸５８ａを有する第１の電子部としてのチップコンデンサ５８と、長軸５５ｅを有する固体撮像素子５５は同じ長手方向に設けられていた。
しかし、第２の電子部品を封止した封止樹脂５９が、撮像装置５１Ｂの光軸方向（長軸方向）にならんで設けられているため、撮像装置５１Ｂが長くなっていた。
なお、チップコンデンサ５８も、第２の電子部品（封止樹脂５９で封止されている）も固体撮像素子５５の駆動信号、又は出力信号を制御している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月10日(2003.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性セラミックからなる発光管の両端開口部と電極を備えた電極支持体とを封着材で気密に封止し、該発光管の内部に金属又は金属ハロゲン化物と水銀、不活性ガスを封入した金属蒸気放電灯において、前記封着材は珪化物を主体とすることを特徴とした金属蒸気放電灯。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月13日(2003.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料の燃焼によって作動するエンジンと電動モータとを車両走行用の動力源として備えており、該エンジンおよび電動モータの作動状態が異なる複数の運転モードで走行するとともに、該エンジンの停止時に該エンジンを動力伝達経路から切り離す遮断手段を有するハイブリッド車両の制御装置において、
前記エンジンの停止時に前記遮断手段により該エンジンを切り離す遮断時期を該エンジンの回転数に基づいて制御する遮断時期制御手段を設けたことを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【請求項２】
前記エンジンの停止は、該エンジンに対する燃料供給を停止することである
ことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車両の制御装置。
【請求項３】
前記遮断手段は、油圧によって動力伝達を接続、遮断するものである
ことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車両の制御装置。
【請求項４】
前記動力伝達経路には変速機が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車両の制御装置。
【請求項５】
前記電動モータに接続された蓄電装置を有するとともに、
前記遮断時期制御手段の制御にあたり前記蓄電装置の蓄電量を考慮する
ことを特徴とする請求項１に記載のハイブリッド車両の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
片側にフランジを有し、該フランジに少なくも２個の取付孔を備える軸流ファンのベンチュリーにおいて、吸込側もしくは吐出側何れか一方に形成されたフランジと、該フランジ背面から少なくも当該軸流ファンの厚さだけ軸方向に伸長する柱と、該柱に貫通形成された取付孔とを備えると共に、該柱の中間部位側壁に穿設される六角ナット嵌着口が形成されていること、を特徴とする軸流ファンのベンチュリー。
【請求項２】
前記六角ナット嵌着口は、その内面に六角ナット外周面を押圧保持する手段を備えること、を特徴とする請求項１に記載の軸流ファンのベンチュリー。
【請求項３】
前記六角ナットの保持手段が、嵌着口内面に突出する小突起であること、を特徴とする請求項２に記載の軸流ファンのベンチュリー。
【請求項４】
前記六角ナットの保持手段が、嵌着口内面に突出する弾性もしくは可撓性を有する小突起であること、を特徴とする請求項２に記載の軸流ファンのベンチュリー。
【請求項５】
前記複数の嵌着口の開口方向は、少なくも１個が逆向きで、他はいずれも同じ向きに形成されていること、を特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の軸流ファンのベンチュリー。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸受箱と一体を成すケーシングと、前記軸受箱外周面に保持される固定子と該固定子と空隙を介して対向し前記軸受箱に装着された含油軸受により回転自在に軸支される回転子と、該回転子と一体を成す羽根車とを有し、前記軸受箱の開口面が封止されるファンの軸受構造において、前記軸受箱が、内周面の前記含油軸受長さより長く軸方向に伸長する溝と、該溝および回転子軸を貫挿する軸受箱奥端部の小孔に連通する径方向溝とを備えること、を特徴とするファンの軸受構造。
【請求項２】
前記軸受箱奥端部には、回転子軸を貫挿する小孔よりも大きい径の浅い段差が形成され、前記径方向溝が、該段差の内周面に開口するように形成されていること、を特徴とする請求項１に記載のファンの軸受構造。
【請求項３】
前記軸方向に伸長する溝とこれに連通する径方向溝が、円周方向に４個ほぼ等配されていること、を特徴とする請求項１又は２に記載のファンの軸受構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真画像形成装置本体に用いられるトナーフレームであって、
（ａ）電子写真感光体に形成された潜像を現像するための現像部材に供給するトナーを収納するためのトナー収納部；
（ｂ）前記トナー収納部にトナーを充填するためのトナー充填開口、ここで、前記トナー充填開口は、前記収納部の長手方向と交差する側端部に設けられている；
（ｃ）前記トナー収納部に収納されたトナーを攪拌するための攪拌部材の一端部を支持するための支持部、ここで、前記支持部は、前記トナーフレームの長手方向から見て、前記トナー充填開口領域内であって前記トナー充填開口の中心からずれた位置に設けられている；
を有することを特徴とするトナーフレーム。
【請求項２】
前記トナー充填開口は、前記開口領域をまたがって第１リブを有している、ここで、前記支持部は、前記第１リブに設けられていることを特徴とする請求項１に記載のトナーフレーム。
【請求項３】
さらに、前記トナー充填開口は、前記開口領域をまたがって第２リブを有している、ここで、前記第２リブは、前記第１リブと交差していることを特徴とする請求項２に記載のトナーフレーム。
【請求項４】
さらに、前記トナー収納部は、前記トナー収納部に収納されたトナーが前記現像部材に供給される際に通過するための通過開口を有している、そして、前記支持部は、前記トナー充填開口の中心よりも前記通過開口の側にずれた位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のトナーフレーム。
【請求項５】
電子写真画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
（ａ）電子写真感光体；
（ｂ）前記電子写真感光体に形成された潜像を現像するための現像部材；
（ｃ）トナーフレーム、ここで、前記トナーフレームは、以下を有する、
・前記現像部材に供給するトナーを収納するためのトナー収納部；
・前記トナー収納部にトナーを充填するためのトナー充填開口、ここで、前記トナー充填開口は、前記トナーフレームの長手方向と交差する側端部に設けられている；
・前記トナー収納部に収納されたトナーを攪拌するための攪拌部材の一端部を支持している支持部、ここで、前記支持部は、前記トナーフレームの長手方向から見て、前記トナー充填開口領域内であって前記トナー充填開口の中心からずれた位置に設けられている；
を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項６】
前記トナー充填開口は、前記開口領域をまたがって第１リブを有している、ここで、前記支持部は、前記第１リブに設けられていることを特徴とする請求項５に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項７】
さらに、前記トナー充填開口は、前記開口領域をまたがって第２リブを有している、ここで、前記第２リブは、前記第１リブと交差していることを特徴とする請求項６に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項８】
電子写真画像形成装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジにおいて、
（ａ）電子写真感光体；
（ｂ）前記電子写真感光体に形成された潜像を現像するための現像部材；
（ｃ）トナーフレーム、ここで、前記トナーフレームは、以下を有する、
・前記現像部材に供給するトナーを収納するためのトナー収納部；
・前記トナー収納部にトナーを充填するためのトナー充填開口、ここで、前記トナー充填開口は、前記トナーフレームの長手方向と交差する側端部に設けられている；
（ｄ）前記トナー充填開口に取り外し可能に設けられた封止部材、ここで、前記封止部材は、前記トナーフレームの長手方向から見て、前記トナー充填開口領域内であって前記トナー充填開口の中心からずれた位置において、前記トナー収納部に収納されたトナーを攪拌するための攪拌部材の一端部を支持している；
を有することを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
記録媒体に画像を形成するための電子写真画像形成装置において、
（ａ）１．電子写真感光体；
２．前記電子写真感光体に形成された潜像を現像するための現像部材；
３．トナーフレーム、ここで、前記トナーフレームは、以下を有する、
・前記現像部材に供給するトナーを収納するためのトナー収納部；
・前記トナー収納部にトナーを充填するためのトナー充填開口、ここで、前記トナー充填開口は、前記トナーフレームの長手方向と交差する側端部に設けられている；
・前記トナー収納部に収納されたトナーを攪拌するための攪拌部材の一端部を支持している支持部、ここで、前記支持部は、前記トナーフレームの長手方向から見て、前記トナー充填開口領域内であって前記トナー充填開口の中心からずれた位置に設けられている；
を有するプロセスカートリッジを前記装置本体に取り外し可能に装着するための装着手段；
（ｂ）前記記録媒体を搬送するための搬送手段；
を有することを特徴とする電子写真画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧された製造装置系内において加工される被加工物の表面および／または前記製造装置系内を清浄化するために、前記製造装置系内に、少なくともＣＯあるいはそれを発生させる原料物質を導入することを特徴とする表面清浄化方法。
【請求項２】
減圧された製造装置系内において加工される被加工物の表面および／または前記製造装置系内を清浄化するために、前記製造装置系内に、ＣＯを導入することを特徴とする表面清浄化方法。
【請求項３】
前記原料物質が、脂肪族炭化水素とアルデヒド基を有する化合物とからなる群より選ばれる１種もしくは２種以上の炭素含有化合物と、酸素含有物質とを混合したものであることを特徴とする請求項１に記載の表面清浄化方法。
【請求項４】
前記炭素含有化合物と前記酸素含有物質とが、炭素原子と酸素原子換算のモル比で、Ｃ：Ｏ＝１：２００〜１：５の範囲となるように混合されたものであることを特徴とする請求項３に記載の表面清浄化方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の表面清浄化方法であって、前記ＣＯあるいは前記原料物質と、不活性ガスと水素含有ガスのいずれか１種もしくは両方を添加することを特徴とする表面清浄化方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の表面清浄化方法であって、前記製造装置系内に、さらに、放電、レーザー、光、および高熱のいずれか少なくとも１種によりエネルギーを加えることを特徴とする表面清浄化方法。
【請求項７】
前記被加工物に施される製造工程が、半導体製造工程であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表面清浄化方法。
【請求項８】
前記製造装置系内は、メンテナンス後の製造装置系内である請求項１〜７のいずれかに記載の表面清浄化方法。
【請求項９】
ロードロック室およびプロセスチャンバーを有する枚葉式製造装置を用い、複数枚の被加工物を１枚ずつ、前記ロードロック室を通して前記プロセスチャンバー内に搬送して連続処理するに当たって、
前記ロードロック室を通して前記被加工物を１枚ずつ前記プロセスチャンバー内に搬送する毎に、該プロセスチャンバー内に少なくともＣＯもしくはそれを発生させる原料物質を導入し、放電を行なうことを特徴とする連続処理方法。
【請求項１０】
ロードロック室およびプロセスチャンバーを有する枚葉式製造装置を用い、複数枚の被加工物を１枚ずつ、前記ロードロック室を通して前記プロセスチャンバー内に搬送して連続処理するに当たって、
前記ロードロック室を通して前記被加工物を１枚ずつ前記プロセスチャンバー内に搬送する毎に、該プロセスチャンバー内にＣＯを導入し、放電を行なうことを特徴とする連続処理方法。
【請求項１１】
前記製造装置が半導体製造装置であり、前記被加工物がウェハであることを特徴とする請求項９または１０に記載の連続処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体実装基板


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが突起電極を介してフェースダウンで配線基板に接続された半導体実装基板において、
前記配線基板の表面はソルダレジストで覆われており、かつ、少なくとも前記半導体チップが実装される前記配線基板上の部位について、前記半導体チップよりやや広い面積について前記ソルダレジストが存在せず、前記半導体チップと前記配線基板との間隙に絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする半導体実装基板。
【請求項２】
突起電極は、絶縁性樹脂の硬化温度よりも高い融点を有する金属であることを特徴とする請求項１記載の半導体実装基板。
【請求項３】
絶縁性樹脂は、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体実装基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体チップを配線基板に実装する半導体実装基板に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
特に、微細ピッチの接続においては、突起電極のサイズが小さくなり、僅かな外力あるいは熱応力で破断するため、この問題が重大になってくる。
この発明は前記事情に着目してなされたもので、第１の目的は、半導体チップと配線基板との間隙に絶縁性樹脂を充填して半導体チップを配線基板に対して強固に実装でき、電気的接続の信頼性が得られる半導体実装基板を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、前記目的を達成するために、請求項１は、半導体チップが突起電極を介してフェースダウンで配線基板に接続された半導体実装基板において、前記配線基板の表面はソルダレジストで覆われており、かつ、少なくとも前記半導体チップが実装される前記配線基板上の部位について、前記半導体チップよりやや広い面積について前記ソルダレジストが存在せず、前記半導体チップと前記配線基板との間隙に絶縁性樹脂が充填されていることを特徴とする。
請求項２は、請求項１の突起電極は、絶縁性樹脂の硬化温度よりも高い融点を有する金属であることを特徴とする。
請求項３は、請求項１の絶縁性樹脂は、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体チップと配線基板との間隙に絶縁性樹脂を充填して半導体チップを配線基板に対して強固に実装でき、電気的接続の信頼性が得られるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、エッチングガスに下記式（１）で表されるアシル基含有化合物を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
ＲＣＯＸ              （１）
（式中、Ｒは脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、あるいはこれらの誘導体を、Ｘは置換基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲートの側壁に形成されるサイドウォールが、前記基板から測った前記ゲートの上端の高さを１００％とし、前記サイドウォール表面上で高さが１５％に相当する点と３０％に相当する点を結んだ直線の基板と成す角度が７５°以下である断面形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にゲートを形成し、次いでサイドウォール膜を堆積してエッチバックを行い、前記ゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、
熱酸化膜とノンドープポリシリコン膜換算のエッチングレート比が２０以上の条件でエッチバックすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上にゲートを形成し、次いで堆積したサイドウォール膜をエッチングしてゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、
前記サイドウォール膜との反応性が低いガスを主体とするスパッタリングによりエッチバックを行ない、前記ゲートのコーナー部の前記サイドウォール膜を、前記ゲートの側壁に付着させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板上にゲートおよび該ゲート上の絶縁膜を形成し、次いで堆積したサイドウォール膜をエッチングしてゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、
前記サイドウォール膜との反応性が低いガスを主体とするスパッタリングによりエッチバックを行ない、前記ゲートのコーナー部のサイドウォール膜および前記ゲート上の前記絶縁膜を、前記ゲートの側壁に付着させる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上にゲートを形成し、次いでサイドウォール膜を堆積してエッチバックを行い、前記ゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、
前記ゲートの側壁に形成される前記サイドウォールの前記基板表面における幅であるサイドウォールスペースが、前記サイドウォール膜の堆積膜厚より大きくなるようにエッチバックを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチバックを、気相からポリマーを堆積しつつ行なうことにより、前記サイドウォールスペースを前記堆積膜厚よりも大きくすることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチバックを、前記サイドウォール膜との反応性が低いガスを主体とするスパッタリングにより行い、前記ゲートのコーナー部の前記サイドウォール膜を、前記ゲートの側壁に付着させることにより、前記サイドウォールスペースを前記堆積膜厚よりも大きくすることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上に形成されたゲートの側壁に形成されるサイドウォールが、前記基板から測った前記ゲートの上端の高さを１００％とし、前記サイドウォール表面上で高さが１５％に相当する点と３０％に相当する点を結んだ直線の基板と成す角度が７５°以下である断面形状を有することを特徴とする半導体装置を提供するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、基板上にゲートを形成し、次いでサイドウォール膜を堆積してエッチバックを行い、前記ゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、熱酸化膜とノンドープポリシリコン膜換算のエッチングレート比が２０以上の条件でエッチバックすることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明は、基板上にゲートを形成し、次いで堆積したサイドウォール膜をエッチングしてゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、サイドウォール膜との反応性が低いガスを主体とするスパッタリングによりエッチバックを行ない、前記ゲートのコーナー部の前記サイドウォール膜、または、前記サイドウォール膜およびゲート上の絶縁膜を、ゲート側壁に付着させる工程を含む半導体装置の製造方法を提供するものである。
また、本発明は、基板上にゲートを形成し、次いでサイドウォール膜を堆積してエッチバックを行い、前記ゲートの側壁にサイドウォールを形成するエッチバック工程において、前記ゲートの側壁に形成される前記サイドウォールの前記基板表面における幅であるサイドウォールスペースが、前記サイドウォール膜の堆積膜厚より大きくなるようにエッチバックを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
ここでエッチバックを、気相からポリマーを堆積しつつ行なうことにより、前記サイドウォールスペースを前記堆積膜厚よりも大きくすることが好ましい。また、エッチバックを、前記サイドウォール膜との反応性が低いガスを主体とするスパッタリングにより行い、前記ゲートのコーナー部の前記サイドウォール膜を、前記ゲートの側壁に付着させることにより、前記サイドウォールスペースを前記堆積膜厚よりも大きくしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタを有するとともに半導体チップの周縁に沿うように配置された入出力セル領域を備えた半導体装置において、
前記各入出力セル領域において、前記複数のトランジスタが前記半導体チップの周方向と直交する方向に並ぶように配置されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のトランジスタを有するとともに半導体チップの周縁に沿うように配置された入出力セル領域を備えた半導体装置において、
前記複数のトランジスタの各トランジスタは３つの電極を備え、
前記３つの電極は、前記各入出力セル領域において、半導体チップの周方向と直交する方向に並ぶように配置されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記複数のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであり、
前記３つの電極は、ソース、ドレイン及びゲートであること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のトランジスタは、バイポーラトランジスタであり、
前記３つの電極は、ベース、エミッタ及びコレクタであること
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
トランジスタに電源を供給するための電源配線が、
半導体チップの周方向に沿うように配置されるとともに、第１層の配線層に設けられていること
を特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
パッドと前記入出力セル領域に設けられた入出力回路内の配線とを接続する金属配線が第２層以上の配線層に設けられていること
を特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
ソース領域とドレイン領域とが形成された基板と、
基板上に配設されるとともに、ゲートが形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、
を備え、
前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、
前記第２の絶縁層には前記ソース領域と前記ドレイン領域とで構成される内部領域とパッドとを接続する金属配線が設けられること
を特徴とする半導体装置。
【請求項８】
コレクタ領域とベース領域とが形成された基板と、
基板上に配設されるとともに、コレクタ配線とベース配線が形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、
を備え、
前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、
前記第２の絶縁層には前記コレクタ領域とパッドとを接続する金属配線が設けられること
を特徴とする半導体装置。
【請求項９】
エミッタ領域とベース領域とが形成された基板と、
基板上に配設されるとともに、コレクタ配線とベース配線が形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、
を備え、
前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、
前記第２の絶縁層には前記エミッタ領域とパッドとを接続する金属配線が設けられること
を特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、請求項１の発明は、複数のトランジスタを有するとともに半導体チップの周縁に沿うように配置された入出力セル領域を備えた半導体装置において、前記各入出力セル領域において、前記複数のトランジスタが前記半導体チップの周方向と直交する方向に並ぶように配置した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２の発明は、複数のトランジスタを有するとともに半導体チップの周縁に沿うように配置された入出力セル領域を備えた半導体装置において、前記複数のトランジスタの各トランジスタは３つの電極を備え、前記３つの電極は、前記各入出力セル領域において、半導体チップの周方向と直交する方向に並ぶように配置した。
請求項３の発明は、前記複数のトランジスタは、ＭＯＳトランジスタであり、前記３つの電極は、ソース、ドレイン及びゲートであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４の発明は、前記複数のトランジスタは、バイポーラトランジスタであり、前記３つの電極は、ベース、エミッタ及びコレクタであることを特徴とする。
請求項５の発明は、トランジスタに電源を供給するための電源配線が、半導体チップの周方向に沿うように配置されるとともに、第１層の配線層に設けられていることを特徴とする。
請求項６の発明は、パッドと前記入出力セル領域に設けられた入出力回路内の配線とを接続する金属配線が第２層以上の配線層に設けられていることを特徴とする。
請求項７の発明は、ソース領域とドレイン領域とが形成された基板と、基板上に配設されるとともに、ゲートが形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、を備え、前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、前記第２の絶縁層には前記ソース領域と前記ドレイン領域とで構成される内部領域とパッドとを接続する金属配線が設けられることを特徴とする。
請求項８の発明は、コレクタ領域とベース領域とが形成された基板と、基板上に配設されるとともに、コレクタ配線とベース配線が形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、を備え、前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、前記第２の絶縁層には前記コレクタ領域とパッドとを接続する金属配線が設けられることを特徴とする。
請求項９の発明は、エミッタ領域とベース領域とが形成された基板と、基板上に配設されるとともに、コレクタ配線とベース配線が形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に配設された第２の絶縁層と、を備え、前記第１の絶縁層には電源配線が設けられ、前記第２の絶縁層には前記エミッタ領域とパッドとを接続する金属配線が設けられることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（作用）
請求項１〜９の発明によれば、トランジスタに電源を供給するための電源配線を第１層の金属配線層に設け、パッドと入出力回路内の配線とを接続するための金属配線を第２層以上の金属配線層に設けることにより、金属配線層第１層の配線領域の幅を縮小でき、入出力セル領域の配置ピッチを縮小して多ピン化を図ることが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、複数のエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたはデプレッション型ＭＯＳトランジスタを形成し、
第二のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたは前記デプレッション型ＭＯＳトランジスタの少なくとも一部をデプレッション型ＭＯＳトランジスタまたはエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタに変更して内部回路を構成する半導体装置の製造方法において、
前記第一のイオン注入用マスクによりエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタとして形成された出力端子に接続されされるトランジスタを、前記第二のイオン注入用マスクによりデプレッション型ＭＯＳトランジスタに変更することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第一のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、内部回路及び出力回路を構成する複数のエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたはデプレッション型ＭＯＳトランジスタを形成し、
第二のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、前記内部回路及び出力回路を構成する前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたは前記デプレッション型ＭＯＳトランジスタの一部をデプレッション型ＭＯＳトランジスタまたはエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタに変更することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域またはドレイン・ソース領域は、ゲート付近のドーズ量を低くして形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
出力端子に接続される出力トランジスタを有する出力回路を備え、
前記出力トランジスタをエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたはデプレッション型ＭＯＳトランジスタのいずれか一方で構成し、
前記出力トランジスタを前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタで構成した場合には、該出力トランジスタはオフし、
前記出力トランジスタを前記デプレッション型ＭＯＳトランジスタで構成した場合には、該出力トランジスタはオンすることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第一の出力端子と、第二の出力端子と、第一の出力端子に接続される出力トランジスタを有する出力回路を備え、
前記出力トランジスタをエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタまたはデプレッション型ＭＯＳトランジスタのいずれか一方で構成し、
前記出力トランジスタを前記エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタで構成した場合には、前記第一の出力端子と前記第二の出力端子とは切り離され、
前記トランジスタを前記デプレッション型ＭＯＳトランジスタ構成した場合には、前記第一の出力端子と前記第二の出力端子とは接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
深さがほぼ一定のソース領域またはドレイン領域を備える第一のトランジスタまたは深さがゲート近くでは浅くゲートから離れた部分では深くなるソース領域またはドレイン領域を備える第二のトランジスタを備える内部回路と、
出力端子に接続され、前記第二のトランジスタで構成される出力トランジスタを備える出力回路と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第二のトランジスタに接続されるプルダウン抵抗を備えることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
第一のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、チップ上に複数のエンハンスメント型またはデプレッション型ＭＯＳトランジスタが形成され、第二のイオン注入用マスクによる不純物イオンの注入により、前記複数のエンハンスメント型またはデプレッション型ＭＯＳトランジスタの一部がデプレッション型またはエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタに変更されて内部回路が構成される。前記チップの出力端子に電源電圧を超えた高電圧を印加するか否かを選択するスイッチ素子として、前記高電圧を印加しないときは、前記第一のイオン注入用マスクにより高耐圧エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタが形成され、前記高電圧を印加するときは、前記第一及び第二のイオン注入用マスクによりデプレッション型ＭＯＳトランジスタが形成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
デプレッション型ＭＯＳトランジスタと、エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタとが内部回路に備えられる半導体装置で、出力端子に電源電圧を超えた高電圧を印加するか否かを選択するスイッチ素子が出力回路に備えられ、前記スイッチ素子は、前記高電圧を印加しないとき前記内部回路のエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタの製造プロセスで形成される高耐圧エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタで構成され、前記高電圧を印加するとき前記内部回路のデプレッション型ＭＯＳトランジスタの製造プロセスで形成されるデプレッション型ＭＯＳトランジスタで構成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
エンハンスメント型ＭＯＳトランジスタで構成される前記スイッチ素子は、高電圧が印加されるドレイン領域またはドレイン・ソース領域において、ゲート付近を低ドーズ量とされる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（作用）
出力回路に備えられるスイッチ素子は、内部回路を構成するエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタ及びデプレッション型ＭＯＳトランジスタと同一プロセスで同時に形成される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
スイッチ素子を構成するエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタは、ゲート付近のドレイン領域またはドレイン・ソース領域が低ドーズ量とされて、耐圧が確保される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月26日(2003.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
釣り用リールの回転するハンドル軸の先端に固定されたハンドルであって、
前記ハンドル軸の先端に固定され、前記ハンドル軸の径方向に延びるアーム部材と、
前記アーム部材の先端に基端が前記ハンドル軸とほぼ平行な軸回りに回動自在に支持され、先端が前記ハンドル軸の軸方向外方に延びる回動部材と、
前記回動部材の先端部に基端部が固定され、前記回動部材が延びる方向と交差する方向に配置された棒状の把手部材と、
を備えた釣り用リールのハンドル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
発明１に係る釣り用リールのハンドルは、釣り用リールの回転するハンドル軸の先端に固定された構造であって、アーム部材と、回動部材と、把手部材とを備えている。アーム部材は、ハンドル軸の先端に固定され、ハンドル軸の径方向に延びている。回動部材は、アーム部材の先端に基端がハンドル軸とほぼ平行な軸回りに回動自在に支持され、先端がハンドル軸の軸方向外方に延びている。把手部材は、回動部材の先端部に基端部が固定され、回動部材が延びる方向と交差する方向に配置された棒状の部材である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
アーム部材３０は、ハンドル軸２１の径方向に延びる板状の部材であり、ハンドル軸２１の先端にねじ込まれたボルト３３によりその基端が固定されている。アーム部材３０の先端には、図４に示すように、丸孔４０が形成されており、この丸孔４０に筒状の回動支持部４１が嵌め込まれている。回動支持部４１は、キャップネジ４２によりアーム部材３０の先端に固定されている。回動支持部４１の内周面両端には軸受４３、４４が装着されており、この軸受け４３，４４により回動軸４５が回動支持部４１に回動自在に支持されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このとき、ハンドル３の把手本体５０には指に挟まれる部材はないので、力を入れて指が接近しても指が痛くなりにくい。また、親指が親指載置部５１に載置されているので、力を入れると、人差し指から小指までが親指側に近づき、把手部材３２をより強く握ることができる。さらに、一旦ハンドル軸２１の径方向に延びた回動部材３１が湾曲し、把手部材３２につながっていわゆる「半環状」をなすので、把手部材３２を握った手の中心と回動部材３１の回動中心とのずれが少なくなり、回動中心の回転軌跡と手の中心の回転軌跡とがあまりずれないようになり、ハンドル軸２１を効率よく回転させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月18日(2003.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシングとその内部に回転自在に軸支される多翼羽根車とを備え、前記ケーシングの一方の側壁に形成された入口から空気を吸入し、前記多翼羽根車の回転に拠り吸入空気に遠心力を与え、前記ケーシング外周面の一部に形成された出口から高圧空気を送出するように構成されている遠心ファンの羽根車で、その外径寸法が２５０ｍｍ以下でブレード数が５０以上のものにおいて、夫々のブレードの羽根車外周面が、吸い込み口側を径大としブレード保持基板側に向けて径小となる勾配を備えるように形成されていること、を特徴とする遠心ファンの羽根車。
【請求項２】
ケーシングとその内部に回転自在に軸支される多翼羽根車とを備え、前記ケーシングの一方の側壁に形成された入口から空気を吸入し、前記多翼羽根車の回転に拠り吸入空気に遠心力を与え、前記ケーシング外周面の一部に形成された出口から高圧空気を送出するように構成されている遠心ファンの羽根車で、その外径寸法が２５０ｍｍ以下でブレード数が５０以上のものにおいて、夫々のブレードの羽根車外周面が、吸い込み口側の径大円筒部と該径大円筒部に連接するブレード保持基板側の径小円筒部より成る２段構造の外周面となるように形成されていること、を特徴とする遠心ファンの羽根車。
【請求項３】
ケーシングとその内部に回転自在に軸支される多翼羽根車とを備え、前記ケーシングの一方の側壁に形成された入口から空気を吸入し、前記多翼羽根車の回転に拠り吸入空気に遠心力を与え、前記ケーシング外周面の一部に形成された出口から高圧空気を送出するように構成されている遠心ファンの羽根車で、その外径寸法が２５０ｍｍ以下でブレード数が５０以上のものにおいて、夫々のブレードの羽根車外周面が、吸い込み口側径大円筒部と該径大円筒部に連接しブレード保持基板側端面に向かって徐々に小さくなる勾配面で形成されていること、を特徴とする遠心ファンの羽根車。
【請求項４】
前記羽根車外周面の吸い込み口側径大円筒部とブレード保持基板側の径小円筒部とが、ほぼ同じ高さとなるように形成されていること、を特徴とする請求項２に記載の遠心ファンの羽根車。
【請求項５】
前記羽根車外周面のブレード保持基板側の勾配面が、円弧状を成すこと、を特徴とする請求項３に記載の遠心ファンの羽根車。
【請求項６】
前記羽根車外周面を形成する吸い込み口側端面の径大円筒部とブレード保持基板側の勾配面とが、ほぼ同じ高さとなるように形成されていること、を特徴とする請求項３又は５に記載の遠心ファンの羽根車。