(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接して間隔を空けて離れた金属ラインを有する半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法、ここで低ｋは３．５以下の誘電性材料の誘電率を定義する、であって、
該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び標準ｋ酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を、前記低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで、形成する工程、及び
ｂ）前記第一の層よりも高い堆積速度で、前記第一の層の上に、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する工程、
を含み、
前記第一の層を形成する前記低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の前記金属ラインの高さに達したときに、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層を形成する前記工程を止める、方法。
【請求項２】
前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する前記工程の後に、前記第一の層が、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する前記工程に先だって、平坦化される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層を平坦化する前記工程が、更に、ケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）工程を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法、ここで低ｋは３．５以下の誘電性材料の誘電率を定義する、であって、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び非炭素ドープ酸化ケイ素に匹敵する堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を形成するために、炭素置換シラン反応物と過酸化水素とを、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の反応生成物の得られる堆積が該酸化物層上の該金属ラインの少なくともトップのレベルに達するまで反応させることにより、前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する工程、
ｂ）低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を前記金属ラインのトップまで平坦化する工程、そして
ｃ）炭素ドープ低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を、前記平坦化された第一の層の上及び前記金属ラインのトップの上に、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって形成し、これにより、前記第一の層よりも高い堆積速度で、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が堆積される工程、を含む方法。
【請求項５】
低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が、前記第一の層の上に、ＰＥＣＶＤプロセスにおいて、シラン、Ｏ2、及びＣＨ4、Ｃ4Ｆ8及びＳｉＦ4からなる群より選ばれる１以上の反応物の反応によって形成される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法、ここで低ｋは３．５以下の誘電性材料の誘電率を定義する、であって、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び非炭素ドープ酸化ケイ素に匹敵する堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を形成するために、炭素置換シラン反応物と過酸化水素とを、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の反応生成物の得られる堆積が該酸化物層上の該金属ラインのトップのレベルに達するまで反応させることにより、前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する工程、及び
ｂ）炭素ドープ低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を、前記第一の層の上に、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって形成し、これにより、前記第一の層よりも高い堆積速度で、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が堆積される工程、を含み、
前記第一の層を形成する前記低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の前記金属ラインの高さに達したときに、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層を形成する前記工程を止める、方法。
【請求項７】
近接して間隔を空けて離れた金属ラインを有する半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法、ここで低ｋは３．５以下の誘電性材料の誘電率を定義する、であって、
該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び標準ｋ酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を、前記低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の金属ラインの少なくともトップのレベルに達するまで、形成する工程、
ｂ）低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を前記金属ラインのトップまで平坦化する工程、そして
ｃ）前記第一の層よりも高い堆積速度で、前記平坦化された第一の層の上及び前記金属ラインのトップの上に、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する工程、
を含む方法。
【請求項８】
前記第二の層が複合材低ｋ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで堆積される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層が、炭素置換シランと酸化剤との反応によって形成される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化剤が、過酸化水素を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記炭素置換シランが、モノメチルシラン、ジメチルシラン及びトリメチルシランからなる群より選ばれる請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記炭素置換シランが、炭素原子に結合した一級水素のみを有し且つ式：ＳｉＨx（（Ｃ）y（ＣＨ3）z）(4-x)（ここで、ｘは１〜３の範囲であり、ｙは分岐アルキル基のための１〜４の整数及び環状アルキル基のための３〜５の整数であり、ｚは分岐アルキル基のための２ｙ＋１及び環状アルキル基のための２ｙ−１である）を有する炭素置換シランを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層が、酸素と、炭素置換シラン、フッ素置換シラン又はこれらの混合物のいずれかとの高密度プラズマにおける反応によって形成される請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が、前記第一の層の上に、ＰＥＣＶＤプロセスにおけるシラン、Ｏ2、及びＣＨ4、Ｃ4Ｆ8及びＳｉＦ4からなる群より選ばれる１以上の反応物の反応によって形成され、これにより、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層が第一の層より高い堆積速度で堆積される請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明は、集積回路構造に関する。より詳細には、本発明は、集積回路構造の金属ライン上及び間に複合材低ｋ誘電性層を形成することに関する。
【０００２】
【関連技術の説明】
集積回路構造における規模の継続的な削減において、金属の相互連結又はラインの幅と、このような相互連結のいずれの特定のレベルについてのこのような金属ライン間の水平間隔との両方が、次第に小さくなってきている。その結果、水平静電容量がそのような伝導性要素間で増大してきている。この静電容量（capacitance）における増大は、異なる層上の金属ライン間に存在する垂直静電容量と共に、速度の損失及び増大したクロストークをもたらす。その結果、このような静電容量、特に水平静電容量、の削減は、多くの注目を受けてきている。この高静電容量の問題を解決するために提案されている１つの対策は、従来の酸化ケイ素（ＳｉＯ2）誘電性材料（約４．０の誘電率（ｋ）を有する）をより低い誘電率を有する別の誘電性材料で置き換えて、これにより、静電容量を低下させることである。
【０００３】
"Pursuing the Perfect Low-K Dielectric"と題するL.Petersによる論文（Semiconductor International, Volume 21, No.10, 1998年9月、６４〜７４頁）において、多くのこのような別の誘電性材料が開示され、検討されている。それら誘電性材料には、英国のGwent,Newportに所在するTrikon Technologiesによって開発された化学的蒸着（ＣＶＤ）プロセスを使用して形成される約３．０の誘電率を有する低ｋ誘電性材料の記載が含まれている。Trikonプロセスは、メチルシラン（ＣＨ3-ＳｉＨ3）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）とを反応させてモノシリシックアシッドを形成すると言われている。モノシリシックアシッドは、冷却水上でコンデンスし、アモルファスメチルドープ酸化ケイ素に変換される。このアモルファスメチルドープ酸化ケイ素は、４００℃でアニールされて湿分を除去する。この論文は、更に、メチルシランを超えて、研究が、Trikonプロセスにおいてジメチルシランを使用して２．７５の最大ｋを示すことを述べている。Petersの論文は、更に、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰ-ＣＶＤ）において、メチルシラン又はジメチルシラン及びＯ2から形成される誘電性材料は、２．７５もの低いｋを与えることができること、及び、トリメチルシラン（Dow Corningから入手できる）が低ｋ（２．６）誘電性フィルムを堆積することに使用され得ることを述べている。
【０００４】
この種の低ｋ材料の使用は、従来の酸化ケイ素の誘電率よりも低い誘電率を有する誘電性材料による、平行な、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域におけるボイドフリー充填の形成をもたらし、これにより、同じ金属配線レベル上のそのような隣接した金属ライン間の水平静電容量の実質的低下をもたらすことが見出されている。
【０００５】
しかしながら、従来の酸化ケイ素絶縁をこのような低ｋ誘電性材料に置換することは、それ自体問題がないというものではない。Trikonプロセスによる低ｋ炭素ドープ誘電性材料の形成は、従来のドープされない酸化ケイ素誘電性材料の形成よりもかなり遅い。例えば、単一のウェハー上にTrikonプロセスにより低ｋ誘電性材料の層を形成するのにかかる時間内には、５枚ものウェハー上に同じ厚さの従来の誘電性材料を堆積することが可能となるであろう。
【０００６】
しかしながら、より重要なことは、そのような低ｋ誘電性材料を通じてその下の伝導部（例えば、金属ライン）、即ちアクティブデバイス上の接点、へのバイア、即ち接点開口、の連続的な形成は、バイア被毒（via poisoning；この場合、続いてバイア内に堆積される充填材料（例えば、窒化チタンライナー及びタングステン充填材料）は、バイア表面に接着しない。）として知られる現象に寄与することができる。明らかに、Trikonプロセスにより形成される低ｋ誘電性材料において炭素の存在は、その材料を、続く構造の製造の間の損傷に対してより影響されやすくする。例えば、接点開口、即ちバイア、は、通常、レジストマスクを通じて誘電性層内にエッチングされる。レジストマスクが次にアッシングプロセスによって除去されるとき、損傷は低ｋ材料の新たに形成されたバイア表面に起こり得、このようなバイア被毒をもたらす。
【０００７】
Petersの論文で上述したように、高密度プラズマ（ＨＤＰ）は、また、ボイドフリー低ｋ誘電性材料を形成することにも使用されてきている。このプロセスでは、高密度プラズマは、メチルシラン又はジメチルシラン及びＯ2と共に使用され、２．７５と低いと言われる誘電率を有する低ｋ酸化ケイ素誘電性層を形成する。しかしながら、ＨＤＰ低ｋ誘電性材料の堆積速度は、Trikonプロセスのものと同様であり、低ｋ誘電性材料の層を形成するためには経済的に魅力的でないものとなっている。
【０００８】
他のプロセス（例えば、シラン、Ｏ2及びアルゴンガスの混合物と共に、ＣＨ4及び／又はＣ4Ｆ8及び／又は四弗化珪素（ＳｉＦ4）を使用したプラズマエンハンスド化学的蒸着（ＰＥＣＶＤ））によって、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を堆積することも提案されている。プラズマエンハンスド化学的蒸着は、"Silicon Processing for the VSLI Era"（Process Technology(1986)、第１巻、１７１〜１７４頁）中に、Wolf及びTauberによって、より詳しく記載されている。
【０００９】
ＰＥＣＶＤによる低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の形成は、Trikonプロセス又はＨＤＰ-ＣＶＤプロセスによる同じ厚さの低ｋ酸化ケイ素誘電性層の形成よりも非常に速い（即ち、従来の酸化ケイ素の堆積速度に迫る速度である）。その一方、ＰＥＣＶＤにより堆積される低ｋ酸化ケイ素誘電性材料は、高アスペクト比領域における乏しい充填特性を有しており、このような構造中の近接して間隔を空けて離れた金属ライン（closely spaced apart metal lines）間のスペースにおいて、ＰＥＣＶＤにより堆積される誘電性材料中にボイドを形成することとなる。
【００１０】
「バイア充填材料との改善された適合性を有する、集積回路構造のための、低誘電率の酸化ケイ素に基づく誘電性層、及びその製造方法」と題する共係属出願（Docket No.Ａ3-4318）は、本願と同じ日に、他の者と共に我々の内の一人によって出願され、本願と同じ譲受人に対して譲渡されている。Docket No.Ａ3-4318の実体的事項は、ここに、レファレンスによって挿入される。その出願の一態様において、高い炭素ドープレベルを有する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト領域に形成され、その後、より低い炭素含量を有する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を含む第二の層が第一の層及び金属ラインの上に堆積される。しかしながら、両層は、Trikonプロセスによって形成されるので、堆積速度は、根本的に変わっていない。
【００１１】
「低誘電率の材料を有し且つ近接して間隔を空けて離れた金属ライン上にシリコンオキシナイトライドのキャップを有する集積回路構造」と題する共係属出願（Docket No.99-060）も、本願と同じ日に、他の者と共に我々の内の一人によって出願され、本願と同じ譲受人に対して譲渡されている。Docket No.99-060の実体的事項は、ここに、レファレンスによって挿入される。その出願において、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）の層が金属ラインのトップ表面上に形成され、アンチ反射被覆（ＡＲＣ）、金属ラインの形成のためのハードマスク及びケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）のための緩衝層として寄与する。高い炭素ドーピングレベルを有する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料は、その後、シリコンオキシナイトライドのレベルまで、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト領域に形成される。ＣＭＰは、その後、エッチストップ（etch stop）としてのＳｉＯＮ層を使用して、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性層の上面を平坦化（planarize）するために、即ち、ＳｉＯＮ層のトップと共に、ボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性層のレベルをもたらすために、適用される。酸化ケイ素誘電性材料の従来の（非-低ｋ）層は、その後、プラズマエンハンスド化学的蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって、低ｋ層及びＳｉＯＮ層上に堆積される。バイアが、その後、第二の誘電性層及びＳｉＯＮを通って金属ラインのトップまで貫通する。バイアは決して金属ライン間の低ｋ層と接触しないので、バイアによる低ｋ層の露出によるバイア被毒は起こらない。
【００１２】
しかしながら、続いて低ｋ誘電性材料中に形成されるバイア被毒を緩和しつつ且つ堆積装置内でスループット（throughput）の減少が少ない、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域のためのボイドフリー充填特性を有する低ｋ誘電性材料の複合材層を形成することができ、そのような複合材層を形成するためのすべての工程が同じ減圧プロセッシング装置において行われ得るようなプロセスを使用する、低ｋ誘電性層を有する構造及びその製法を提供することが非常に好ましいであろう。即ち、堆積工程は、例えば、同様な減圧装置内の多数の区画（station）又は多数のチャンバーで行うことができ、堆積材料の汚染を低減し並びに設備投資及び要求される空間を含めたプロセス経済を改善する。
【００１３】
【発明の概要】
本発明によれば、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層が、近接して間隔を空けて離れた金属ラインを有する半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に形成される。この低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、標準ｋ酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度、及び低減されたバイア被毒特性を呈する。該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、酸化物層上に及び近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域に、ボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の得られる堆積が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで堆積することによって形成される。その後、前記第一の層よりも速い堆積速度を有する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層は、前記第一の層の上に、該低ｋ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで堆積される。好適な態様では、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の得られる複合材層を形成する工程は、すべて単一の減圧プロセッシング装置において、前記半導体基板を該減圧装置から移動することなく行われる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
最も幅広い形態では、本発明は、集積回路構造の酸化物層上に形成された低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を含む。この低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、標準ｋ酸化ケイ素に比する他の領域における堆積速度、及び低減されたバイア被毒特性を呈する。該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を、酸化物層及び金属ラインの上に、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の得られる堆積が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで堆積することによって形成される。その後、前記第一の層よりも速い堆積速度を有する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層は、前記第一の層の上に、該低ｋ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体（desired overall thickness）まで堆積される。
【００１５】
本明細書で使用する「低ｋ」との用語は、３．５以下の誘電性材料の誘電率（dielectric constant）を定義することを意図する。好ましくは、「低ｋ」材料の誘電率は、３．０以下である。
【００１６】
金属ライン間の高アスペクト領域中に形成される低ｋ誘電性材料の第一の層においてボイド（voids）が存在しないことを記載するために本明細書で使用する「ボイドフリー」との用語は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して断面中に認識できるボイドが存在しない材料を定義することを意図する。
【００１７】
さて、図１〜４を参照して、本発明の好適なプロセスを説明する。図１は、集積回路構造２上に形成された絶縁層１０（例えば、酸化物層（例えば、酸化ケイ素））と共に半導体基板（図示せず）上及び内に形成された、予め形成された集積回路構造２を示す。絶縁層１０は、集積回路構造２の一部を形成する金属相互連結（金属ライン）の下地層の上に形成されてもよいし、また、絶縁層１０は、半導体基板内に形成されたデバイス（例えば、ＭＯＳトランジスター）上に直接に形成されてもよい。絶縁層１０上に形成された、いくつかの平行な及び近接して間隔を空けて離れた金属ライン１４ａ〜１４ｃが、示されている。金属ライン１４ａ〜１４ｃは、通常、金属及び金属化合物の伝導層のスタック（例えば、チタンの底層、窒化チタンの層、アルミニウム（又はアルミニウム／銅）の主層及び窒化チタンのキャッピング層を含むスタック）を含む。各層は、特定の目的に寄与し、そのスタックは、集積回路構造のある部分と別の部分との電気的接続のために集合的に機能する。実施例として、金属ライン１４ａは、図１に示されており、これら金属ラインは、伝導性材料（例えば、タングステン）で満たされたバイア（即ち接点開口）１８によって下部の集積回路構造２に接続されている。
【００１８】
図２には、金属ライン１４ａ〜１４ｃ及び絶縁層１０が示されており、これらは、プラズマエンハンスド化学的蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって堆積された従来の（標準ｋ）酸化ケイ素の薄層などの絶縁の薄いコンフォーマルバリアー層２０で覆われている。バリアー層２０は、下部の酸化物層１８及び金属ライン１４ａ〜１４ｃからバリアー層２０上に適用されることになる第一の低ｋ誘電性層を分離するために寄与する。基層は、約５０ナノメーター（ｎｍ）の最小厚さ（好適な冶金分離を提供するのに十分な厚さ）から約５００ナノメーター（ｎｍ）の最大厚さまでの厚さの範囲を有する。バリアー層２０は、より厚くしてもよいが、バリアー層２０は、低誘電性材料を含まないので、酸化物層１８及び金属ライン１４ａ〜１４ｃを第一の低ｋ誘電性層から分離するのに必要な最小厚みよりも大きな厚みの使用が、構造の全体の静電容量についての不利な効果を有すると認められるであろう。
【００１９】
酸化物層１８及び金属ライン１４ａ〜１４ｃ上にバリアー層２０を堆積した後、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層２４は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン１４ａ〜１４ｃ間の高アスペクト比領域においてそれぞれボイドフリー低ｋ誘電性材料２４ａ及び２４ｂを形成するために、構造上に堆積される。これら領域を満たすために使用される低ｋ誘電性材料及びプロセスは、少なくとも２．５の高アスペクト比を有する開口中に３以下の誘電率を有するボイドフリー誘電性材料を形成できなければならない。
【００２０】
このようなボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料は、過酸化水素と炭素置換シラン（例えば、Dobson 米国特許第5,874,367号（この米国特許の実体的事項はリファレンスによりここに挿入される）に記載されていようなメチルシラン）との反応によって堆積されてもよい。ボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料は、また、マイルドな酸化剤（例えば、過酸化水素）と炭素置換シラン材料（Aronowitzらによる 1999年３月２２日に出願され、本願の譲受人に譲渡された出願番号第09/274,457号（この出願の実体的事項もリファレンスによりここに挿入される）に開示されたもの）との反応によって堆積されてもよい。
【００２１】
一方、ボイドフリー低ｋ誘電性材料は、高密度プラズマ（ＨＤＰ−ＣＶＤ）プロセスを使用することによって、形成されてもよい。ＨＤＰ−ＣＶＤプロセスでは、酸素（Ｏ2）は、シラン及びアルゴン及び炭素置換シランの混合物あるいはシラン及びアルゴン及びフッ素化シランの混合物のいずれか一方と反応する。高密度プラズマ化学的蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）は、低周波数パワー（例えば、４００ｋＨｚ）で行われるプラズマ堆積プロセス及び高周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）で行われるスパッタエッチングプロセスの上位に位置し、ボイドフリー堆積を与える。
【００２２】
近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域にボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を形成できる全ての他の堆積プロセスは、上述したプロセスのために置きかえることができる。
【００２３】
使用されるプロセスにかかわらず、本発明によれば、ボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料は、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の層２４が金属ライン１４ａ〜１４ｃの高さに達するまで堆積される。この時点で、堆積プロセスは、終了する。この終了点は、経験的に決定されてもよい。十分な低ｋ誘電性材料を、金属ライン１４ａ〜１４ｃのトップに達するために堆積できないと、誘電性材料中にボイドが存在しないか、或いは、隣接する金属ライン間に水平に発達された静電容量のいずれか一方について、負の衝撃が存在することになるだろう。一方、金属ライン１４ａ〜１４ｃの高さを超えて堆積されたボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の過剰量によっては、バイア被毒について不利な効果がもたらされ並びに構造を形成するためのスループット時間全体を小さくすることとなり得るであろう。しかしながら、図３に示されるように、２４ｃ〜２４ｅで、金属ライン１４ａ〜１４ｃのトップ上に、ボイドフリー低ｋ誘電性材料のやや過剰な堆積があるが、避け難いものでもよい。一般に、堆積されたボイドフリー低ｋ誘電性層の高さは、金属ラインの高さの約±５０ｎｍであるべきである。
【００２４】
さて、図４にもどって、低ｋ誘電性材料の第二の層３０は、複合材誘電性層の好適な厚みまで全構造上に堆積される。この低ｋ誘電性材料の第二の層は、少なくとも第一の層の堆積速度よりも速い速度で、好適には、従来の（非−低ｋ）誘電性材料の堆積速度に匹敵する堆積速度で、堆積されることができる低ｋ誘電性材料を含む。例えば、低ｋ炭素及び／又はフッ素ドープ酸化ケイ素誘電性層は、低ｋ酸化ケイ素誘電性層を非−低ｋ誘電性材料に匹敵する堆積速度で低ｋ酸化ケイ素誘電性層を堆積するＰＥＣＶＤプロセス中で、ＣＨ4及び／又はＣ4Ｆ8及び／又は四弗化ケイ素（ＳｉＦ4）を添加剤又はドーパントとして、シラン、Ｏ2及びアルゴンガスの混合物に添加することにより形成されてもよい。
【００２５】
第二の誘電性層３０の総厚さは、複合材層中の低ｋ誘電性材料（低ｋ誘電性層２４及び低ｋ誘電性層３０）の好適な総厚さに依存する。多くの半導体の誘電性用途は、約１．８マイクロメートル（μｍ）の厚い誘電性フィルムが初期に形成され、その後、ＣＭＰにより約７００ｎｍ（７ｋオングストローム）まで研磨されて、金属ラインの次の層のために所望の平滑な表面が提供されることを要求する。こうして、金属ライン１４ａ〜１４ｃの高さ（及び、それゆえ、誘電性材料の第一の低ｋ誘電性層２４）が、５６０ｎｍ（５．６ｋオングストローム）であり、層２４及び層３０を含む複合材低ｋ誘電性層の好適な総高さは、１８００ｎｍ（１８ｋオングストローム）であり、第二の低ｋ誘電性層３０の高さ又は厚みは、約１２４０ｎｍ（１２．４ｋオングストローム）となる。通常、複合材低ｋ誘電性層の総厚みは、約１６００ｎｍ（１６ｋオングストローム）〜約３０００ｎｍ（３０ｋオングストローム）の範囲であり、金属ラインの高さは、約５００ｎｍ（５ｋオングストローム）〜約１２００ｎｍ（１２ｋオングストローム）の範囲であり、第二の低ｋ誘電性層３０の厚みは、約１０００ｎｍ（１０ｋオングストローム）〜約２４００ｎｍ（２４ｋオングストローム）の範囲である。
【００２６】
第二の低ｋ酸化ケイ素誘電性層３０を形成した後、バイアは、第二の層３０を貫通して下の金属ラインへと達する（例えば、図４には、層３０を貫通して金属ライン１４ｂへと達する充填されたバイア３４が示されている）。第一の低ｋ誘電性層２４の高さが金属ライン１４ａ〜１４ｃの高さをやや上回るとき、第二の低ｋ誘電性層３０を貫通するバイア（例えばバイア３４）は、第一の低ｋ誘電性層２４（金属ライン１４ａ〜１４ｃより上である）の部分（例えば、２４ｃ〜２４ｅ）を貫通することは、注目されるであろう。金属ライン１４ａ〜１４ｃより上であるこの低ｋ誘電性層２４の部分が薄い（即ち、１００ｎｍ（１０００オングストローム）未満である）場合、バイアの形成による第一の低ｋ誘電性層２４のこの部分の露出に起因するすべての不利なバイア被毒効果が最小であるべきである。
【００２７】
図１〜４で説明され示された好適な態様において、得られた低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成する工程は、多数の区画又は多数の減圧チャンバーを有する単一の減圧プロセッシング装置において、全て行われてもよい。これにより、複合材低ｋ誘電性層を形成するプロセス全体が、ウェハーを該減圧装置から移動することなく行われる。これにより、スループットを増大させることができるので、プロセス経済における利点がもたらされ、単一の減圧装置を使用するのみなので、設備投資及び床スペースの節約が与えられる。また、単一の減圧装置内で全ての工程を行うことによって、大気に露出することによる汚染が低減され、フィルム特性及び粒子汚染についてこのような大気による汚染の効果の打撃を最小化する。
【００２８】
図５は、プロセスの工程が単一の減圧装置内で行われるときに使用してもよい、典型的な、市販された、多チャンバー減圧装置（例えば、Applied Materials, Inc. から入手できるEndura 多チャンバー減圧装置）を示す。減圧プロセス装置（その中心部は、通常、４０で示される）は、減圧ポンプ１１０によってポート１００を通じて減圧下に維持される。半導体基板（既に、酸化物層上に金属ラインを有する）は、第一のロードロック５０を通じて減圧装置内に導入される。中央減圧チャンバー６０内のロボットアーム５４は、中央チャンバー６０を通じてロードロック５０から半導体基板を、スリットバルブ６４を通じて第一減圧プロセスチャンバー６２へと移動する。第一減圧プロセスチャンバー６２は、例えば、ＰＥＣＶＤにより基板上の金属ライン及び酸化物層上にベース誘電性層２０を堆積するために、使用されることができるだろう。バリアー層２０の堆積の後、スリットバルブ６４を開けて、ロボットアーム５４が被覆された基板を中央減圧チャンバー６０へともどす。第二減圧プロセスチャンバー７２上のスリットバルブ７４は、その後、開かれ、基板は、ロボットアーム５４により第二プロセスチャンバー内に配置される。このチャンバーでは、ボイドフリー低ｋ誘電性材料が堆積され、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間のスペースを満たす。
【００２９】
この特定の堆積工程は、より多くのプロセス時間を要するので、次の減圧プロセスチャンバー８２は、また、金属ライン間にボイドフリー低ｋ材料を堆積することに使用されてもよい。即ち、チャンバー７２及び８２は、同時に、好ましくは、ずれているが重複している時間で、二つの異なる基板を製造するために、平行なプロセスチャンバーとして使用することができるだろう。ロボットアーム５４は、その後、チャンバー７２からスリットバルブ７４を通じて、或いは、チャンバー８２からスリットバルブ８４を通じて、基板を移動させ、スリットバルブ９４を通じて減圧プロセスチャンバー９２へと基板を挿入する。低ｋ誘電性材料の第二の層は、その後、例えば、ＰＥＣＶＤによって、基板上の金属ライン上に及び金属ライン間の低ｋ誘電性材料のボイドフリーな第一の層上に、複合材層の好適な厚みが達成されるまで、堆積される。この基板は、その後、チャンバー９２から移動されるが、その後、更なるプロセス（例えば、複合材層を通じたバイアの形成、及び複合材層の上に形成される更なる層又は金属相互連結のレベルの形成、のための準備におけるＣＭＰ工程を含んでもよい）のための減圧装置から移動されてもよい。
【００３０】
こうして、バリアー層２０、ボイドフリーの第一の低ｋ誘電性層２４及び第二の低ｋ誘電性層３０の形成は、全て同じ減圧装置の多チャンバー内で行われることができ、その結果、プロセス経済性及びプロセスの質の両方において改善がみられる。
【００３１】
単一の減圧チャンバー内において複合材低ｋ誘電性層を形成する堆積工程が全て行われることが好ましいと考えられる一方で、いくつかの用途では、金属ラインのトップ上のボイドフリー層のすべての部分を除去して、その結果、続いて金属ラインに下りて形成されるバイアが、第一の（ボイドフリー）低ｋ誘電性層を全く貫通しないようにすることが好ましいことも認識されるべきである。図６及び７にもどって、これら図には、この態様が示されている。図６において、平坦化工程（例えば、ＣＭＰ工程）の後の図３の構造が示されている。この平坦化工程は、ボイドフリー部分２４ａ’及び２４ｂ’を残して、ボイドフリーの第一の低ｋ誘電性層２４’の一部分２４ｃ〜２４ｅを、上部金属ライン１４ａ〜１４ｃから除去する。もちろん、これは、ボイドフリーの第一の低ｋ誘電性層２４’を形成する工程の後、減圧堆積装置から基板を取り出すことを要求する。しかしながら、図７に示すように、続く第二の低ｋ誘電性層３０’の堆積、及び満たされたバイア３４’として示されているようなそれを通じるバイアの形成は、ボイドフリーの第一の誘電性層２４’のいずれの部分をも通過しないバイアをもたらす。層２４’（バイアの側壁の一部として）の露出に起因するバイア被毒が、こうして、この態様においては全く生じることがない。もちろん、この態様は、平坦化工程を要求するにもかかわらず、ボイドフリーの低ｋ誘電性層２４’を堆積するとき、第一の工程において堆積されるボイドフリー低ｋ誘電性材料の形成のための堆積速度に比べて低ｋ誘電性材料の第二の層のより急速な堆積の第一の態様の利点をまだ享受する。
【００３２】
以下の記載は、本発明を更に説明することに寄与するだろう。
【００３３】
【実施例】
酸化物層上に形成された金属ラインと共に酸化物層を有する半導体基板（５６０ｎｍ（５．６ｋオングストローム）の金属ライン厚さ（高さ）及び約２７０ｎｍの金属ライン間の平均水平間隔）が提供されることができる。この基板は、第一プラズマＣＶＤ５リットル減圧堆積チャンバー内に配置されたとき、〜３５０ｍＴｏｒｒの圧力及び３５０℃の温度で維持される。１５０ｓｃｃｍのシランガス、３５００ｓｃｃｍのＮ2Ｏ、及び１５００ｓｃｃｍのＮ2ガスを、チャンバー内に流し、プラズマをチャンバー内に約１００ワットのパワーレベルで発生させることができる。堆積は、約５００オングストロームの厚さの酸化ケイ素のコンフォーマルベース層が金属ライン及び酸化物層の上に形成されるまで、約１１秒間続けてもよい。
【００３４】
その後、被覆された基板は、同じ減圧装置内で（基板を周囲大気に露出することなく）第二の５リットル減圧堆積チャンバーに移すことができる。このチャンバーでは、７０ｓｃｃｍのメチルシラン、１９ｓｃｃｍのシラン、及び０．７５グラム／分の過酸化水素が、このチャンバーに流される。このチャンバーは、９００ｍＴｏｒｒ及び〜５℃の温度で維持される。この堆積は、〜４０秒間行われ、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域がボイドフリー低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料で満たされる。
【００３５】
その後、基板は、減圧装置内で（再び、被覆された基板を周囲に露出することなく）第三の減圧チャンバーに移される。このチャンバーでは、更なる低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が、ＰＥＣＶＤによって、１５０ｓｃｃｍのテトラメチルシラン及び５００ｓｃｃｍのＯ2を、１０００ｍＴｏｒｒの圧力及び〜１７℃の温度で維持された５リットル減圧堆積チャンバーに流すことによって、前に堆積されたボイドフリーの低ｋ炭素ドープされた酸化ケイ素誘電性材料の上に堆積される。プラズマをチャンバー内に発生させ、堆積の間、〜１０００ワットのパワーで維持する。この堆積は、６０秒間行うことができ、約１４００ｎｍ（１４ｋオングストローム）の第二の低ｋ誘電性層が提供される。
【００３６】
被覆された基板は、その後、減圧チャンバーから取り出され、ＣＭＰにより平坦化されることができ、その後、バイアは、複合材低ｋ層を通って金属材料に下りて形成されてもよい。基板は、その後、バイア充填の完了のために、即ち、バイア被毒の量を確かめるために、試験されてもよい。実質的には、バイアの全てが充填されていることが判明し、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を通じてバイアの形成が、即ち、ＰＥＣＶＤにより堆積された層が、バイア被毒に寄与しないことを示している。基板を区分した後、ＳＥＭを使用した第一の低ｋ酸化ケイ素誘電性層の試験を行うことにより、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域中に堆積されたボイドフリー低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の形成が確認されるべきである。
【００３７】
こうして、本発明は、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を提供する。本発明では、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域に堆積される複合材低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の部分がボイドフリーである。一方、第一の部分の上に堆積された複合材低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の部分が、非常に速い堆積速度で堆積されることができるが、複合材層を通じて形成されたバイアの被毒に寄与することが今だに明らかでない。
本発明は以下の態様を含む。
１．  近接して間隔を空けて離れた金属ラインを有する半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法であって、
該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び標準ｋ酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を、前記低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで、形成する工程、及び
ｂ）前記第一の層よりも高い堆積速度で、前記第一の層の上に、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する工程、
を含む方法。
２．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成する前記工程が、すべて単一の減圧プロセッシング装置において、前記半導体基板を該減圧装置から移動することなく行われる１．に記載の方法。
３．  前記第二の層が複合材低ｋ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで堆積される２．に記載の方法。
４．  高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層が、炭素置換シランとマイルドな酸化剤との反応によって形成される２．に記載の方法。
５．  前記マイルドな酸化剤が、過酸化水素を含む４．に記載の方法。
６．  前記炭素置換シランが、モノメチルシラン、ジメチルシラン及びトリメチルシランからなる群より選ばれる４．に記載の方法。
７．  前記炭素置換シランが、炭素原子に結合した一級水素のみを有し且つ式：ＳｉＨx（（Ｃ）y（ＣＨ3）z）(4-x)（ここで、ｘは１〜３の範囲であり、ｙは分岐アルキル基のための１〜４の整数及び環状アルキル基のための３〜５の整数であり、ｚは分岐アルキル基のための２ｙ＋１及び環状アルキル基のための２ｙ−１である）を有する炭素置換シランを含む４．に記載の方法。
８．  高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層が、酸素と、炭素置換シラン、フッ素置換シラン又はこれらの混合物のいずれかとの高密度プラズマにおける反応によって形成される２．に記載の方法。
９．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が、前記第一の層の上に、ＰＥＣＶＤプロセスにおけるシラン、Ｏ2、及びＣＨ4、Ｃ4Ｆ8及びＳｉＦ4からなる群より選ばれる１以上の反応物の反応によって形成され、これにより、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層が第一の層より高い堆積速度で堆積される２．に記載の方法。
１０．  半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上に低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成するための方法であって、
該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び非炭素ドープ酸化ケイ素に匹敵する堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記工程：
ａ）前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料を形成するために、炭素置換シラン反応物と過酸化水素とを、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の反応生成物の得られる堆積が該酸化物層上の該金属ラインのトップのレベルに達するまで反応させることにより、前記酸化物層及び前記金属ラインの上に、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する工程、及び
ｂ）炭素ドープ低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を、前記第一の層の上に、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって形成し、これにより、前記第一の層よりも高い堆積速度で、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が堆積される工程、
を含む方法。
１１．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を形成する前記工程が、すべて単一の減圧プロセッシング装置において、前記半導体基板を該減圧装置から移動することなく行われる１０．に記載の方法。
１２．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第二の層が、前記第一の層の上に、ＰＥＣＶＤプロセスにおいて、シラン、Ｏ2、及びＣＨ4、Ｃ4Ｆ8及びＳｉＦ4からなる群より選ばれる１以上の反応物の反応によって形成される１１．に記載の方法。
１３．  前記近接して間隔を空けて離れた金属ライン間の高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層を形成する前記工程の後に、前記第一の層が、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層を形成する前記工程に先だって、平坦化される１．に記載の方法。
１４．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の前記第一の層を平坦化する前記工程が、更に、ケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）工程を含む１３．に記載の方法。
１５．  集積回路構造の酸化物層上の低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層であって、
該低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び標準ｋ酸化ケイ素に匹敵する他の領域における堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記：
ａ）低ｋ酸化ケイ素誘電性材料が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで堆積される、高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性を呈する低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層；及び
ｂ）前記第一の層の堆積速度よりも速い堆積速度で、前記第一の層の上に、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層の好適な厚み全体まで堆積される、低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層；
を含む複合材層。
１６．  低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層を含む前記第一及び第二の層が、すべて単一の減圧プロセッシング装置において、前記半導体基板を該減圧装置から移動することなく形成される１５．に記載の低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層。
１７．  半導体基板上の集積回路構造の酸化物層上の低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層であって、
該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の複合材層は、高アスペクト比領域においてボイドフリー堆積性、及び非炭素ドープ酸化ケイ素に匹敵する堆積速度を呈し、バイア被毒特性を呈することがなく、
下記：
ａ）炭素置換シラン反応物と過酸化水素との反応によって、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料反応生成物の得られる堆積が前記酸化物層上の金属ラインのトップのレベルに達するまで形成される、低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性材料の第一の層；及び
ｂ）前記第一の層の上に、プラズマエンハンスド化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって、該低ｋ炭素ドープ酸化ケイ素誘電性層の好適な厚み全体まで形成される、炭素ドープ低ｋ酸化ケイ素誘電性材料の第二の層；
を含む複合材層。
【図面の簡単な説明】
【図１】  酸化物層上に形成された金属ラインと共に集積回路構造上に形成された該酸化物層を有する集積回路構造の断片的な垂直断面図である。
【図２】  酸化物層及び金属ラインの上に堆積された誘電性材料の基礎層を有した後の図１の構造の断片的な垂直断面図である。
【図３】  金属ラインの高さにまで低ｋ誘電性材料の第一の層を堆積した後の図２の構造の断片的な垂直断面図である。
【図４】  低ｋ誘電性材料の第一の層上に低ｋ誘電性材料の第二の層を堆積した後の図３の構造の断片的な垂直断面図であり、この図は更に、金属ラインの内の１つのトップにまで下がった第二誘電性層を貫通するバイアを示している。
【図５】  本発明の実施に有用な多チャンバー減圧装置の上部断面図である。
【図６】  本発明の第二の態様に従った、酸化物層及び金属ラインの上に堆積された低ｋ誘電性材料の第一の層のケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）の後の図３の構造の断片的な垂直断面図である。
【図７】  低ｋ誘電性材料の研磨された第一の層上に低ｋ誘電性材料の第二の層を堆積した後の図６の構造の断片的な垂直断面図であり、この図は更に、金属ラインの内の１つのトップにまで下がった第二誘電性層を貫通するバイアを示している。
【図８】  本発明のプロセスを示すフローシートである。
【図１】
0004731670.tif 000002
【図２】
0004731670.tif 000003
【図３】
0004731670.tif 000004
【図４】
0004731670.tif 000005
【図５】
0004731670.tif 000006
【図６】
0004731670.tif 000007
【図７】
0004731670.tif 000008
【図８】
0004731670.tif 000009