【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺回路の電圧を供給する第１の内部電源ノードと、メモリセルに電圧を供給する第２の内部電源ノードを含む半導体記憶装置に備えられるものであって、
外部電源ノードと前記第１の内部電源ノードとの間に接続された第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記外部電源ノードと前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続された第１の抵抗素子と、
前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に直列に接続された少なくとも１つの第１のダイオード素子と、
前記外部電源ノードと前記第２の内部電源ノードとの間に接続された第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記外部電源ノードと前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続された第２の抵抗素子と、
前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記接地ノードとの間に直列に接続された少なくとも１つの第２のダイオード素子と、
前記外部電源ノードと前記第２の内部電源ノードとの間に接続された第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記外部電源ノードと前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記接地ノードとの間に接続される第３の抵抗素子と、
前記外部電源ノードと前記第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第４の抵抗素子と、
前記第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記接地ノードとの間に接続される第５の抵抗素子とを備える内部電源電圧発生回路。
【請求項２】
外部電源ノードと内部電源ノードとの間に接続され、かつ、ゲートとドレインが接続される第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記外部電源ノードと前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートとの間に接続される第１の抵抗素子と、
前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと接地ノードとの間に接続される第２の抵抗素子と、
前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと前記接地ノードとの間に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記外部電源ノードとの間に接続される第３の抵抗素子と、
前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記接地ノードとの間に接続される第４の抵抗素子とを備える内部電源電圧発生回路。
【請求項３】
外部電源ノードと内部電源ノードとの間に接続され、かつ、ゲートとドレインが接続される第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースと前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートとの間に接続される第１の抵抗素子と、
前記第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと接地ノードとの間に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、
前記外部電源ノードと前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第２の抵抗素子と、
前記第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと前記接地ノードとの間に接続される第３の抵抗素子とを備える内部電源電圧発生回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る内部電源電圧発生回路は、周辺回路の電圧を供給する第１の内部電源ノードと、メモリセルに電圧を供給する第２の内部電源ノードを含む半導体記憶装置に備えられるものであって、外部電源ノードと第１の内部電源ノードとの間に接続された第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、外部電源ノードと第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続された第１の抵抗素子と、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に直列に接続された少なくとも１つの第１のダイオード素子と、外部電源ノードと第２の内部電源ノードとの間に接続された第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、外部電源ノードと第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続された第２の抵抗素子と、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に直列に接続された少なくとも１つの第２のダイオード素子と、外部電源ノードと第２の内部電源ノードとの間に接続された第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、外部電源ノードと第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に接続される第３の抵抗素子と、外部電源ノードと第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第４の抵抗素子と、第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に接続される第５の抵抗素子とを備えるものである。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項２に係る内部電源電圧発生回路は、外部電源ノードと内部電源ノードとの間に接続され、かつ、ゲートとドレインが接続される第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、外部電源ノードと第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートとの間に接続される第１の抵抗素子と、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと接地ノードとの間に接続される第２の抵抗素子と、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと接地ノードとの間に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと外部電源ノードとの間に接続される第３の抵抗素子と、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に接続される第４の抵抗素子とを備えるものである。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項３に係る内部電源電圧発生回路は、外部電源ノードと内部電源ノードとの間に接続され、かつ、ゲートとドレインが接続される第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースと第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートとの間に接続される第１の抵抗素子と、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲートと接地ノードとの間に接続される第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタと、外部電源ノードと第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートとの間に接続される第２の抵抗素子と、第２のＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲートと接地ノードとの間に接続される第３の抵抗素子とを備えるものである。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ポリシリコン９のソースＳは、ポリシリコン１３とコンタクトホール２３を介して接続される。コンタクトホール２３にはポリシリコンにより導電層が形成される。ポリシリコン１１とメタル配線３とは絶縁膜１９に形成されたコンタクトホール５を介して接続される。コンタクトホール５には、メタルにより導電層が形成される。ポリシリコン１３とメタル配線３とは絶縁膜１９に形成されたコンタクトホール５を介して接続される。なお、絶縁膜１９としてはたとえば酸化膜である。しかしながら、上記のＴＦＴは、オン状態で使うかオフ状態で使うかで３桁以上の抵抗値の差があり、抵抗値の調整がしづらい。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ここで、ダイオードはＰ＋層４４からＮ−ウェル４１方向の１方向に電流が流れる。


【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
通常動作時（／ＢＭ＝Ｈ）は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ４がオンされることにより、実施の形態１に係る内部電源電圧発生回路と同様な動作を行なう。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
なお、この電圧Ｖ３は、抵抗Ｒ５，Ｒ６の比で決定される。さらに電圧が上がり電圧Ｖ２となると、実施の形態１のところで説明したように、ノードＮＧの電位が外部電源電圧Ｖｃｃよりも下がり始め、内部電源電圧Ｖｉｎｔは電圧Ｖｃｃ−α２−Ｖｔｈ（ＮＭＯＳ）となる。ただし、以下α２は、抵抗素子Ｒ３の両端の電圧の大きさとする。


【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
図２５に示されるように、本実施の形態に係る内部電源電圧発生回路は、外部電源ノード３０と内部電源ノード３１との間に接続され、かつ、ゲートとドレインが接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ７と、外部電源ノード３０とＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ７のバックゲートとの間に接続される抵抗素子Ｒ１０と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ７のバックゲートと接地ノードとの間に接続される抵抗素子Ｒ１１と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ７のバックゲートと接地ノードとの間に接続されるＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ８と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ８のゲートと外部電源ノード３０との間に接続される抵抗素子Ｒ８と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴ８のゲートと接地ノードとの間に接続される抵抗素子Ｒ９とを備えるものである。


【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
【発明の効果】
請求項１に係る内部電源電圧発生回路によれば、メモリセルと周辺回路とで高電圧時の降圧幅を変えることができ、メモリセルへ供給される内部電源電圧は、外部電源電圧が小さいときに外部電源電圧と等しくされる。


【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
請求項２および請求項３に係る内部電源電圧発生回路によれば、第１のＮチャネルＭＯＳトランジスタのバックゲート電位を制御することにより、降圧幅を調整することができる。