(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備え、前記半導体レーザ光源の光出力を低出力状態と高出力状態の少なくとも２つの状態に切り替える光源装置の制御方法であって、
まず、前記半導体レーザ光源が高出力状態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生デバイスの最適波長にするための較正を行い、
その後、前記半導体レーザ光源が高出力状態での、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正と、前記半導体レーザ光源が低出力状態での、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正とを順次行うことを特徴とする光源装置の制御方法。
【請求項２】
前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生デバイスの最適波長にするための較正は、前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に注入する電流量を調節して行われる請求項１に記載の光源装置の制御方法。
【請求項３】
前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正は、前記活性層領域と前記位相調整領域に注入する電流量を調節して行われる請求項１に記載の光源装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置の制御方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体レーザ光源と第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクの高密度化、及びディスプレイの高繊細化を実現するためには、小型の短波長光源が必要とされる。小型の短波長光源として、半導体レーザと擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）を用いたコヒーレント光源が注目されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
図２１に、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成を示す。図２１に示すように、半導体レーザとして、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と記す）領域を有する波長可変ＤＢＲ半導体レーザ５４が用いられている。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ５４は、０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザであり、活性層領域５６と位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８とにより構成されている。そして、位相調整領域５７とＤＢＲ領域５８への注入電流を或る一定の比率で制御することにより、連続的に発振波長を変化させることができる。
【０００４】
第２高調波発生デバイスである光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５は、Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５９上に形成された、光導波路６０と周期的な分極反転領域６１とにより構成されている。光導波路６０は、ピロリン酸中でプロトン交換することによって形成される。また、周期的な分極反転領域６１は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板５９上に形成し、電界を印加することによって作製される。
【０００５】
図２１に示すＳＨＧ青色光源においては、１００ｍＷのレーザ出力に対して７５ｍＷのレーザ光が光導波路６０に結合する。そして、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ５４の位相調整領域５７及びＤＢＲ領域５８への注入電流量を制御することにより、発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５５の位相整合波長許容幅内に固定される。このＳＨＧ青色光源を用いることにより、波長４２５ｎｍの青色光が２５ｍＷ程度得られているが、得られた青色光は、横モードがＴＥ00モードで回折限界の集光特性を有し、ノイズ特性も相対雑音強度が−１４０ｄＢ／Ｈｚ以下と小さく、光ディスクの再生に適した特性を有する。
【非特許文献１】山本他、Optics Letters Vol.16, No.15, 1156 (1991)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第２高調波発生デバイスである光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスは、基本波光の波長に対する青色光出力特性を評価すると、その青色光出力が半分になる波長幅（位相整合に対する波長許容幅）が０．１ｎｍ程度と小さいことが分かる。これは、青色光出力を安定に得るためには大きな問題となる。この問題を解決するために、従来においては、基本波光として波長可変ＤＢＲ半導体レーザが用いられ、基本波光の波長（発振波長）を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスの位相整合波長許容幅内に固定し、安定な青色光出力を実現している。
【０００７】
一般に、半導体レーザ光源の発振波長は周囲温度によって変化し、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスの最適波長も周囲温度によって変化する。このため、従来においては、半導体レーザ光源及び光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを、ペルチエ素子等を利用してその温度を一定に保つことにより、青色光の出力安定化を図っていた。
【０００８】
しかし、光ディスクやレーザプリンタ等の光情報処理機器への搭載を考えた場合、稼働状態において、平均的な出力パワーは時々刻々と変化する。このとき、半導体レーザ光源の発生する熱量が変化し、ペルチエ素子等を利用して周囲温度を一定に保っている場合であっても、半導体レーザ光源自体の温度が変化し、ひいては発振波長が変化するために、安定な青色光出力が得られないという問題がある。
【０００９】
また、装置の小型化のためにペルチエ素子等の温度制御装置を用いない場合には、周囲温度の変動はより大きくなり、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスの出力変動を引き起こすことになる。
【００１０】
本発明は、従来技術における前記課題を解決するためになされたものであり、半導体レーザ光源と第２高調波発生デバイスとを備え、安定した高調波光出力を得ることのできる光源装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記目的を達成するため、本発明に係る光源装置の制御方法は、少なくとも活性層領域と位相調整領域と分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）領域を有する半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源の出射光から第２高調波を発生させる第２高調波発生デバイスと、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を検出する手段とを備え、前記半導体レーザ光源の光出力を低出力状態と高出力状態の少なくとも２つの状態に切り替える光源装置の制御方法であって、まず、前記半導体レーザ光源が高出力状態で、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生デバイスの最適波長にするための較正を行い、その後、前記半導体レーザ光源が高出力状態での、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正と、前記半導体レーザ光源が低出力状態での、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正とを順次行うことを特徴とする。
【００１５】
また、前記本発明の光源装置の制御方法においては、前記半導体レーザ光源の出射光の波長を前記第２高調波発生デバイスの最適波長にするための較正は、前記位相調整領域と前記ＤＢＲ領域に注入する電流量を調節して行われるのが好ましい。
【００１６】
また、前記本発明の光源装置の制御方法においては、前記第２高調波発生デバイスからの光出力を制御目標値にするための較正は、前記活性層領域と前記位相調整領域に注入する電流量を調節して行われるのが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、リトライ処理を行うことなく、レーザパワー較正処理を終えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【００１９】
図１は本発明の一実施の形態における光源装置を示す概略構成図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施の形態の光源装置においては、基本波として用いられる半導体レーザ光源として、分布ブラッグ反射器（以下『ＤＢＲ』と記す）領域１と、注入電流によってレーザ内の光の位相を調整する位相調整領域２と、注入電流によってその出力パワーを制御する活性層領域３とを有する０．８５μｍ帯の１００ｍＷ級ＡｌＧａＡｓ系波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源４が用いられている。
【００２１】
また、第２高調波発生デバイスとしては、擬似位相整合（以下『ＱＰＭ』と記す）方式の光導波路型第２高調波発生（以下『ＳＨＧ』と記す）デバイス（光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス）５が用いられている。すなわち、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いた光学結晶基板（０．５ｍｍ厚のＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板）１１の上面に形成された、光導波路１２と、基本波と高調波の伝搬定数差を補償するための、光導波路１２と直交する周期的な分極反転領域とにより構成されている。光導波路１２は、ピロリン酸中でプロトン交換することによって形成される。また、周期的な分極反転領域は、櫛形の電極をＸ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板１１上に形成し、電界を印加することによって作製される。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、大きな非線形光学定数を利用することができ、また、光導波路型であり、長い相互作用長とすることが可能であるため、高い変換効率を実現することができる。
【００２２】
半導体レーザ光源４と光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、Ｓｉサブマウント６上で一体化され、ペルチエ素子によって温度コントロールされている。基本波光である半導体レーザ光は、レンズを用いることなく、直接結合によって光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５の光導波路１２に結合する。すなわち、半導体レーザ光源４から出射された基本波光は、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５に入射され、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５に入射した基本波光は、光導波路１２の内部に閉じ込められて伝搬する。光導波路１２内を伝搬する基本波光は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 ）が有する非線形性によって第２高調波に変換され、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５の出射端面から基本波光の２分の１の波長を有する高調波光が出射される。
【００２３】
上記の構造を有する光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス５は、光学結晶（Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 ）が有する波長分散特性により、入射される基本波光の波長に対して、図２に示すような波長特性を有する。図２は、入射した基本波光の波長に対して出射される高調波光の出力パワーを示している。高調波光は、基本波光の最適波長λ０をピークとして、基本波光の波長λに対して、下記（数１）に示すようなＳＩＮＣ関数によって表される出力特性を示す。
［数１］
ｙ＝Sinc｛（λ−λ０）×π／ａ｝
＝sin｛（λ−λ０）×π／ａ｝／｛（λ−λ０）×π／ａ｝
ここで、高調波出力パワーが最大値の半分になる波長幅によって表される波長許容度は、約０．１ｎｍの幅を有し、安定に青色出力を得るためには、基本波光の波長を正確かつ安定にλ０に制御する必要がある。
【００２４】
以下、図１に示す半導体レーザ光源４の発振波長を制御する方法について説明する。
【００２５】
半導体レーザ光源においては、一般に、前後の反射面の光学的距離Ｌに対して下記（数２）を満たす波長λの光のみが励振される。
［数２］
２Ｌ＝ｎλ（ｎ：整数）
上記（数２）を満たす波長λの列は『縦モード』と呼ばれ、この場合の発振波長は離散的な値をとる。図１に示す半導体レーザ光源４においては、ＤＢＲ領域１と半導体レーザ光源４の出射端面との間に位相調整領域２が設けられており、位相調整領域２に印加される電流によって半導体レーザ光源４の光学的距離Ｌを変化させて、縦モードの波長λを変化させることができる。このように位相調整領域２に印加される電流によって半導体レーザ光源４の発振波長を制御することができる。
【００２６】
しかし、この波長制御方法では、以下に述べる理由により、波長制御範囲が制限される。すなわち、図１に示す半導体レーザ光源４のＤＢＲ領域１にはグレーティングが形成されており、その周期によって規定される波長の光のみが反射される。具体的には、ＤＢＲ領域１の屈折率をｎdbr 、ＤＢＲ領域１のグレーティング周期をΛとしたとき、ＤＢＲ領域１で反射され得る光の波長の範囲は、２Λ／ｎdbr ±０．１ｎｍ程度であり、この範囲内の波長制御しか行うことができない。
【００２７】
本実施の形態においては、上記の波長制御範囲を拡大するために以下の方法が採られる。すなわち、ＤＢＲ領域１には電極が形成されており、この電極に印加される電流によって、ＤＢＲ領域１の実効的なグレーティング周期が変化すると共に、ＤＢＲ領域１での最適波長が変化する。位相調整領域２に印加される電流による縦モードの波長の変化に追従するように、ＤＢＲ領域１の最適波長を変化させることにより、連続的に発振波長を制御することが可能となる。実際には、ＤＢＲ領域１と位相調整領域２に、一定比率の電流を印加することになる。
【００２８】
図３は本発明の一実施の形態における光源装置の制御回路を示すブロック図である。図３において、３００は半導体レーザ光源としての波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源であり、この波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００は、発光部（活性層領域）３０１と位相可変部（位相調整領域）３０２と波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３とにより構成されている。また、３０４は第２高調波発生デバイスとしての導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスであり、この導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４からの第２高調波出力は、フォトディテクタ３０５によって検出される。そして、この第２高調波出力の検出結果は、Ｉ／Ｖアンプ３０６によってモニタ電圧ＦＳmon として光出力／波長制御手段３４０にフィードバックされる。
【００２９】
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１は、発光部駆動電流源３１０によって駆動される。ここで、発光部駆動電流源３１０は、ピーク電流源３１１とバイアス電流源３１２とＤＣ電流源３１３とにより構成されている。ピーク電流源３１１とバイアス電流源３１２とＤＣ電流源３１３の電流値は、光出力／波長制御手段３４０により、それぞれＩopＰＫ、ＩopＢＳ、ＩopＤＣで設定される。
【００３０】
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２は、位相可変部駆動電流源３２０によって駆動される。ここで、位相可変部駆動電流源３２０は、ピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２とＤＣ電流源３２３とにより構成されている。ピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２とＤＣ電流源３２３の電流値は、光出力／波長制御手段３４０により、それぞれＩphＰＫ、ＩphＢＳ、ＩphＤＣで設定される。そして、記録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭＤ、ＢＳＭＤによってピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２をそれぞれスイッチングすることにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力変調が高速に実現される。
【００３１】
以下、位相可変部駆動電流源３２０の動作について説明する。記録動作時においては、高いレーザパワーで変調するために、当然、発光部３０１に注入される電流は増加するが、そのときの発熱によって発光部３０１の温度が上昇する。発光部３０１も導波路構造となっているため、発熱による屈折率変化が位相及び波長のずれを引き起こす。その結果、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の変換効率の低下やモードホッピングが発生する。これを防止するために、本実施の形態においては、発光部３０１に注入されるのとほぼ逆相の電流を位相可変部駆動電流源３２０によって位相可変部３０２に供給している。すなわち、まず、反転手段３６０によって記録波形生成手段３５０からの変調信号ＰＫＭＤ、ＢＳＭＤを反転し、ピーク電流源３２１とバイアス電流源３２２を変調する。その結果、図４に示すように、発光部３０１に注入される電流が増加する一方、位相可変部（ヒータ）３０２に注入される電流が減少し、全体として、発熱量は、記録動作時・消去動作時・再生動作時にかかわらず、一定に保たれる。
【００３２】
波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長可変部３０３は、波長可変部駆動電流源３３０によって駆動され、波長可変部駆動電流源３３０の電流値を変化させることにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の最適な発振波長を変化させることができる。波長可変部駆動電流源３３０の電流値は、光出力／波長制御手段３４０によりＩdbr で設定される。
【００３３】
図５は、図３の光出力／波長制御手段３４０を詳細に示すブロック図である。図５に示すように、光出力／波長制御手段３４０は、レジスタブロック５２０と、プリセット値記憶部５１０と、光出力／波長制御部５３０とにより構成されている。ここで、レジスタブロック５２０は、各々の電流源の電流値を設定するためのものである。
【００３４】
記録動作時においては、発光部駆動電流源３１０に対して、ＩopＤＣ、ＩopＢＳ、ＩopＰＫは所望のボトムパワー、バイアスパワー、ピークパワーを実現するように決定される。ここで、ＩopＤＣは、下記（数３）によって定義される。
［数３］
ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop
上記（数３）中、右辺第１項目のＩopＢＭは、ボトムパワーを実現するように決定される。尚、右辺第２項目のΔＩopは、光出力／波長制御部５３０による光出力制御成分である。
【００３５】
また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＰＫは、下記（数４）によって定義され、発光部駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の動作による波長変化を相殺するように決定される。
［数４］
ＩphＰＫ＝β3 ×ＩopＰＫ
また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＢＳは、下記（数５）によって定義され、発光部駆動電流源３１０のバイアス電流源３１２の動作による波長変化を相殺するように決定される。
［数５］
ＩphＢＳ＝β2 ×ＩopＢＳ
また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＤＣは下記（数６）によって定義される。
［数６］
ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ
−γ2 ×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop＋ΔＩph
上記（数６）中、右辺第１項目のＩphＭＡＩＮは、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるように決定される。尚、右辺第２項目のγ3 ×β3 ×ＩopＰＫは、ＩopＰＫを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右辺第３項目のγ2 ×β2 ×ＩopＢＳは、ＩopＢＳを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩphＤＣを変化させる成分である。また、右辺第４項目のβ1 ×ΔＩopは、光出力／波長制御部５３０による光出力制御成分ΔＩopを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩopＤＣを変化させる成分である。また、右辺第５項目のΔＩphは、波長制御時にＩphＤＣを変化させる成分である。
【００３６】
さらに、波長可変部駆動電流源３３０に対して、Ｉdbr は下記（数７）によって定義される。
［数７］
Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ＋α×ΔＩph
上記（数７）中、右辺第１項目のＩdbr ＩＮは、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるように決定される。右辺第２項目のα×ΔＩphは、波長制御時にΔＩphを変化させたときに波長の連続可変を可能とするように、Ｉdbr とΔＩphを一定比率αで変化させる成分である。
【００３７】
再生動作時おいては、発光部駆動電流源３１０に対して、ＩopＤＣは、下記（数８）によって定義される。
［数８］
ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ＋ΔＩop＋ＩopＲＤ
上記（数８）中、右辺第１項目のＩopＢＭと右辺第２項目のΔＩopは、記録動作時と同様にして決定される。また、右辺第３項目のＩopＲＤは、リードパワーを実現するように決定される。
【００３８】
また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＰＫ、ＩphＢＳは、記録動作時と同様に定義される。
【００３９】
また、位相可変部駆動電流源３２０に対して、ＩphＤＣは下記（数９）によって定義される。
［数９］
ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ−γ3 ×β3 ×ＩopＰＫ
−γ2 ×β2 ×ＩopＢＳ−β1 ×ΔＩop
＋ΔＩph−β1 ×ＩopＲＤ
上記（数９）中、右辺第１項目から第５項目までは、記録動作時と同様にして決定される。また、右辺第６項目のβ1 ×ＩopＲＤは、ＩopＲＤを増減させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長を追従するようにＩphＤＣを変化させる成分である。
【００４０】
さらに、波長可変部駆動電流源３３０に対して、Ｉdbr は、記録動作時と同様に定義される。
【００４１】
それぞれの電流値ＩopＰＫ、ＩopＢＳ、ＩopＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉdbr ＩＮ、及びそれぞれのパラメータα、β1 、β2 、β3 、γ2 、γ3 は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００が所望の光出力で発光するように、光源装置の製造工程において調整されている。そして、そのときの値が、それぞれＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2 （ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）としてプリセット値記憶部５１０に記憶されている。これらの値は、後述する『起動時レーザ処理』と『初期レーザパワー較正処理』に使用される。
【００４２】
光出力／波長制御部５３０は、Ｉ／Ｖアンプ３０６（図３）からフィードバックされるモニタ電圧ＦＳmon にしたがって、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００が常に所望の光出力で発光するように、それぞれの電流値を制御する。
【００４３】
また、図３、図５に示すように、光出力／波長制御手段３４０は、発光部駆動電流源３１０と位相可変部駆動電流源３２０と波長可変部駆動電流源３３０に対して、それぞれの動作を許可するイネーブル信号ＣＥ_Ｉop、ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を出力する。
【００４４】
次に、本発明の光源装置を起動する場合において、短時間で波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を、導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に到達させるための起動手順（以下『起動時レーザ処理』と呼ぶ）と、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００を所望の光出力で発光させるための較正（以下『初期レーザパワー較正処理』と呼ぶ）を短時間で行う方法ついて説明する。
【００４５】
〈起動時レーザ処理〉
光源装置の起動時において、図５に示す光出力／波長制御手段３４０のレジスタブロック５２０の各々のレジスタには、プリセット値記憶部５１０に記憶されたそれぞれのプリセット値：ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2 （ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）が格納されている。尚、それぞれの電流源の電流値は、これらのプリセット値から演算される値によって決定されている。
【００４６】
起動時レーザ処理において、発光部駆動電流源３１０と位相可変部駆動電流源３２０と波長可変部駆動電流源３３０は、図３、図５、図６に示すように、まず、光出力／波長制御手段３４０からそれぞれイネーブル信号ＣＥ_Ｉop、ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を受信する。そして、発光部駆動電流源３１０は、イネーブル信号ＣＥ_Ｉopを受信すると同時に、下記（数１０）によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始する。
［数１０］
ＩopＤＣ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋ＩopＲＤ（ｐｒ）
また、位相可変部駆動電流源３２０は、イネーブル信号ＣＥ_Ｉphを受信すると同時に、下記（数１１）によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始する。
［数１１］
ＩphＤＣ＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）
−γ3 （ｐｒ）×β3 （ｐｒ）×ＩopＰＫ（ｐｒ）
−γ2 （ｐｒ）×β2 （ｐｒ）×ＩopＢＳ（ｐｒ）
−β1 （ｐｒ）×ＩopＲＤ（ｐｒ）
また、波長可変部駆動電流源３３０は、イネーブル信号ＣＥ_Ｉdbr を受信すると同時に、下記（数１２）によって表記されるプリセット電流値で駆動を開始する。
［数１２］
Ｉdbr ＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）
以上のように、起動時レーザ処理において、それぞれの電流源は、光源装置を製造する際に波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００が所望の光出力で発光するように調整され、プリセット値記憶部５１０に記憶された（すなわち、予め決められた）プリセット電流値で駆動を開始することになる。光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長は、必ず常温における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長よりも長波長側にある。常温の状態から、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００への電流注入が開始されると、注入電流によって発光部３０１、位相可変部３０２、波長可変部３０３の温度が上昇し、これにより発光部３０１、位相可変部３０２、波長可変部３０３の屈折率が変化して、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が長波長側に変化する。図７に示すように、この波長の変化は、温度上昇に依存し、１次遅れ系の過渡応答特性を示し、一定時間が経過した後にほぼ整定する。
【００４７】
起動時レーザ処理の後に、初期レーザパワー較正処理を行い、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長にほぼ等しくなるようにＩdbr 波長探査処理を行う。
【００４８】
Ｉdbr 波長探査処理において、波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化させ、逐次変化に対応した光出力の検出値の増加分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_llと、光出力の検出値の減少分が最大となるときの注入電流値Ｉdbr_ulを求め、波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への注入電流を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定する。
【００４９】
この波長可変部（ＤＢＲ領域）３０３への注入電流Ｉdbr を所定の範囲で逐次変化させたときに注入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に必ず含まれるように、プリセット値が設定されている。尚、注入電流値Ｉdbr_llとＩdbr_ulが前記所定の範囲に含まれない場合には、Ｉdbr を変化させる範囲を変えて再度Ｉdbr 波長探査処理を行わなければならず（『リトライ処理』）、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
【００５０】
プリセット電流値で電流の注入を開始することにより、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長にほぼ等しくすることができるので、一度のＩdbr 波長探査処理で確実に光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長にほぼ等しい波長を得ることができる。
【００５１】
以上の説明では、起動時レーザ処理において、位相可変部駆動電流源３２０は、上記（数１１）によって表記される再生動作時のプリセット電流値で駆動を開始するとしている。しかし、図８に示すように、位相可変部駆動電流源３２０のＤＣ電流源３２３が、まず、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流値よりも大きな電流値で駆動を開始し、所定時間経過後に、上記（数１１）によって表記されるプリセット電流値に切り替えるようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【００５２】
また、図９に示すように、光源装置の起動後に、起動時レーザ処理よりも先に位相可変部駆動電流源３２０と波長可変部駆動電流源３３０を動作させるようにすれば、すなわち、位相可変部駆動電流源３２０及び波長可変部駆動電流源３３０がそれぞれイネーブル信号ＣＥ_Ｉph、ＣＥ_Ｉdbr を受信し、所定時間経過後に、発光部駆動電流源３１０がイネーブル信号ＣＥ_Ｉopを受信するようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長の整定時間を短くすることができ、素早く波長探査処理に切り替わることが可能となるので、起動時間の短縮を図ることができる。
【００５３】
〈初期レーザパワー較正処理〉
光源装置は、起動して所定時間が経過した後に、初期レーザパワー較正処理を行う。初期レーザパワー較正処理は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００を所望の光出力で発光させることができるように、それぞれの電流値ＩopＰＫ、ＩopＢＳ、ＩopＢＭ、ＩopＲＤ、ＩphＭＡＩＮ、Ｉdbr ＩＮを求める処理である。初期レーザパワー較正処理においては、以下のような処理が行われる。まず、Ｉdbr 波長探査処理が行われる。これは、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を、おおよそ光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に近づけるために、波長可変部駆動電流源３３０の電流値Ｉdbr を最適化するものであり、いわば波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長の粗調整である。次に、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理が行われる。これは、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長にするために、ＩphＭＡＩＮの値を最適化するものであり、いわば波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長の微調整である。次に、記録パワー較正、再生パワー較正が行われる。記録パワー較正には、ボトムパワー較正とバイアスパワー較正とピークパワー較正が含まれる。ボトムパワー較正は、所望のボトムパワーが得られるように、ＩopＢＭの電流値を較正するものであり、バイアスパワー較正は、所望のバイアスパワーが得られるように、ＩopＢＳの電流値を較正するものであり、ピークパワー較正は、所望のピークパワーが得られるように、ＩopＰＫの電流値を較正するものである。ここで、記録パワー較正のための光強度検出手段について、詳細に説明する。
【００５４】
記録動作時においては、図１０に示すように、ピーク電流源とバイアス電流源を高速スイッチングさせて、レーザの光強度をピークパワー−ボトムパワー間で高速に変調する動作と、図１６に示すように、バイアス電流源のみを常時オンさせてレーザの光強度を一定のバイアスパワーにする動作とを繰り返す。その結果、ピークパワー−ボトムパワー間で光強度を高速変調しているときにはマークが形成され、光強度を一定のバイアスパワーにしているときにはマークが消去される（このマークが存在しない箇所を『スペース』と呼ぶ）。
【００５５】
ここで、ピークパワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度を有する光をフォトディテクタ３０５で受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳmon の平均値を求めることを『マーク部平均値検出』と呼び、バイアスパワーの光をフォトディテクタ３０５で受光したときに得られるモニタ電圧ＦＳmon を求めることを『スペース部検出』と呼ぶ。
【００５６】
以後、ピークパワー較正時など、ピークパワー−ボトムパワー間で高速変調しているときの光強度を得たいときには、マーク部平均値検出を行い、バイアスパワー較正時など、バイアスパワーを得たいときには、スペース部検出を行う。
【００５７】
以上の記録パワー較正がなされた後、再生パワー較正が行われる。これは、所望のリードパワーが得られるように、ＩopＲＤの電流値を較正するものである。以上の処理を経て、所望の光出力が得られるようになる。
【００５８】
初期レーザパワー較正処理を開始するにあたって、それぞれの電流源の電流値は、図５に示す光出力／波長制御手段３４０のレジスタブロック５２０の各々のレジスタに格納されているそれぞれのプリセット値：ＩopＰＫ（ｐｒ）、ＩopＢＳ（ｐｒ）、ＩopＢＭ（ｐｒ）、ＩopＲＤ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）、α（ｐｒ）、β1 （ｐｒ）、β2 （ｐｒ）、β3 （ｐｒ）、γ2 （ｐｒ）、γ3 （ｐｒ）から演算される値によって決定されている。
【００５９】
また、初期レーザパワー較正処理を開始するにあたっては、それぞれの電流源は、図１０に示すようなテストパターン（以下『テストパターン１』と呼ぶ）を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておく。
【００６０】
（Ｉdbr 波長探査処理）
まず、Ｉdbr 波長探査処理を行う。図１１に示すように、このＩdbr 波長探査処理においては、Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変化させる。Ｉdbr ＩＮの値をステップ状に変化させると、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モードが変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６からフィードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）の変化を検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モードにおける発振波長がおおよそ光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に近くなるＩdbr ＩＮの値を求める（以下、この発振モードのことを『最適モード』と呼ぶ）。同時に、最適モードからモードホップしないようにＩdbr ＩＮの中心値を求める。
【００６１】
Ｉdbr ＩＮを変化させる中心値をＩdbr ＩＮ（ｐｒ）、Ｉdbr ＩＮを変化させる範囲をＩdbr ＩＮ（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩdbr ＩＮの変化分をΔＩdbr ＩＮとする。ここで、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振モードを１モード変化させるために必要なＩdbr ＩＮの典型的な値を、Ｉdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）と定義する。すると、Ｉdbr ＩＮを変化させる範囲であるＩdbr ＩＮ（ａｍｐ）は、Ｉdbr 波長探査処理を行ったときに必ず最適モードを求めることができるように、Ｉdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に対して十分大きくなければならない。また、同時に、最適モードからモードホップしないＩdbr ＩＮの中心値を求めることができるように、ΔＩdbr ＩＮはＩdbr ＩＮ（１ｍｏｄｅ）に対して十分小さくなければならない。
【００６２】
以下、Ｉdbr 波長探査処理の手順について、図１１を参照しながら図１２に示すフローチャートを用いて、より詳細に説明する。
【００６３】
最初、それぞれの電流源は、テストパターン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態となっている（Ｓ１）。
【００６４】
この状態で、まず、波長可変部駆動電流源３３０の電流値Ｉdbr ＩＮを下記（数１３）で表記されるＩdbr ＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長可変部３０３を駆動する（Ｓ２）。
［数１３］
Ｉdbr ＩＮ（０）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）
−Ｉdbr ＩＮ（ａｍｐ）／２
そして、このときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon （０）とする。次いで、１ステップにつきＩdbr ＩＮの値をΔＩdbr ＩＮずつ増加させて、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、ステップｔにおけるモニタ電圧をＦＳmon （ｔ）とする。ここで、下記（数１４）によって表記されるモニタ電圧ＦＳmon （ｔ）の時間変化量ΔＦＳmon （ｔ）を求める。
［数１４］
ΔＦＳmon （ｔ）＝ＦＳmon （ｔ）−ＦＳmon （ｔ−１）
以上の処理を、Ｉdbr ＩＮが下記（数１５）によって表記されるＩdbr ＩＮ（ｔ）となるまで繰り返す（Ｓ３）。
［数１５］
Ｉdbr ＩＮ（ｔ）＝Ｉdbr ＩＮ（ｐｒ）
＋Ｉdbr ＩＮ（ａｍｐ）／２
このようにＩdbr ＩＮを変化させた場合、図１１に示すように、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードが最適モードに始めて到達したときに増加分が最大となる（ΔＦＳmon （ｔ）が正の値となる範囲で、その絶対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、最適モードからモードホップしないＩdbr ＩＮの下限となる。この値を、Ｉdbr_llと定義する。また、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードが最適モードから次のモードにモードホップしたときに減少分が最大となる（ΔＦＳmon （ｔ）が負の値となる範囲で、その絶対値が最大値となる）。このときのＩdbr ＩＮの値が、最適モードからモードホップしないＩdbr ＩＮの上限となる。この値を、Ｉdbr_ulと定義する。
【００６５】
ここで、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定する（Ｓ４）。このようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードを最適モードに選択することができる。以後、この電流値Ｉdbr ＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長可変部３０３を駆動する。
【００６６】
尚、本実施の形態においては、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulとの間の値に決定するようにしているが、Ｉdbr ＩＮの値を、Ｉdbr_llとＩdbr_ulのほぼ平均値に等しくなるような値とするのが望ましい。このようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ３００の発振モードが最適モードからモードホップしない上限、下限の両側から均等にマージンを保持することが可能となる。
【００６７】
（ＩphＭＡＩＮ波長探査処理）
次に、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行う。ＩphＭＡＩＮの値を変化させると、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が変化する。このとき、Ｉ／Ｖアンプ３０６からフィードバックされるモニタ電圧ＦＳmon （図３参照）を、マーク部の平均値として検出する。この検出結果に基づき、そのときの波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長となるように、ＩphＭＡＩＮの値を求める（以下、この発振波長のことを『最適波長』と呼ぶ）。
【００６８】
ＩphＭＡＩＮを変化させる中心値をＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲をＩphＭＡＩＮ（ａｍｐ）、１ステップにおけるＩphＭＡＩＮの変化分をΔＩphＭＡＩＮとする。ここで、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力が、光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の効率が最大効率のときの光出力の１／２となる波長の許容幅をλ（１／２）、ＩphＤＣを変化させたときに波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の波長がλ（１／２）だけ変化するＩphＤＣの典型的な値をＩphＤＣ（１／２）と定義する。すると、ＩphＭＡＩＮを変化させる範囲であるＩphＭＡＩＮ（ａｍｐ）は、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行ったときに必ず最適波長が得られるように、ＩphＤＣ（１／２）に対して十分大きくなければならない。また、ΔＩphＭＡＩＮは、最適波長の検出精度を向上させるために、ＩphＤＣ（１／２）に対して十分小さくなければならない。
【００６９】
以下、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理の手順について、図１３に示すフローチャートを用いて、より詳細に説明する。
【００７０】
最初、それぞれの電流源は、テストパターン１（図１０）を用いることにより、記録動作時の駆動形態に近い駆動形態となっている（Ｓ５）。
【００７１】
この状態で、まず、位相可変部駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを下記（数１６）で表記されるＩphＭＡＩＮ（０）として、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動する（Ｓ６）。
［数１６］
ＩphＭＡＩＮ（０）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）
−ＩphＭＡＩＮ（ａｍｐ）／２
そして、このときのマーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon （０）とする。次いで、１ステップにつきＩphＭＡＩＮの値をΔＩphＭＡＩＮずつ増加させて、マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、ステップｔにおけるモニタ電圧をＦＳmon （ｔ）とする。
【００７２】
以上の処理を、ＩphＭＡＩＮが下記（数１７）によって表記されるＩphＭＡＩＮ（ｔ）となるまで繰り返す（Ｓ７）。
［数１７］
ＩphＭＡＩＮ（ｔ）＝ＩphＭＡＩＮ（ｐｒ）
＋ＩphＭＡＩＮ（ａｍｐ）／２
ＩphＭＡＩＮをこのように変化させた場合、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が最適波長となったときにＦＳmon （ｔ）が最大となる。位相可変部駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときのＩphＭＡＩＮの値に決定する（Ｓ８）。この時点で、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の最適波長が選択されている。以後、この電流値ＩphＭＡＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２を駆動する。
【００７３】
以上のように、位相可変部駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを所定の範囲で逐次変化させ、この逐次変化に対応した光出力の検出値が最大となるときの電流値を求め、位相可変部駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮをこの値に決定するようにすれば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に確実に等しくすることができる。
【００７４】
［ボトムパワー較正］
次に、ボトムパワー較正を行う。
【００７５】
以下、ボトムパワー較正の手順について、図１５に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【００７６】
それぞれの電流源は、図１４に示すようなテストパターン２を用いることにより、定常動作するものとする（Ｓ２１）。
【００７７】
ボトムパワー較正の開始時点においては、ＩopＢＭはプリセット値ＩopＢＭ（ｐｒ）となっている。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力を検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここで、ボトムパワーの制御目標値をＢＭref とする。また、ＢＭref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数１８）で表記する（Ｓ２２）。
［数１８］
ｅ＝ＢＭref −ＦＳmon
そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＭ（ｐｒ）に加算して、下記（数１９）を得る。
［数１９］
ＩopＢＭ＝ＩopＢＭ（ｐｒ）＋Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ
上記（数１９）中、Ｋｂｍは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【００７８】
それと同時に、ＩphＭＡＩＮから誤差ｅの積分値にβ1 を乗じた値を減算して、下記（数２０）を得る。
［数２０］
ＩphＭＡＩＮ＝ＩphＭＡＩＮ−β1 ×Ｋｂｍ×∫ｅｄｔ
以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ２３）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＢＭを、このときのＩopＢＭに決定する（Ｓ２４）。以後、この電流値ＩopＢＭで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１を駆動する。それと同時に、位相可変部駆動電流源３２０の電流値ＩphＭＡＩＮを、このときのＩphＭＡＩＮに決定する（Ｓ２４）。以後、この電流値ＩphＭＡＩＮで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１を駆動する。
【００７９】
以上のような処理を行えば、ＩopＢＭの加算による波長変化を、ＩphＭＡＩＮの減算によって相殺することができるので、常時波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に保ちながら、所望のボトムパワーを得ることができる。
【００８０】
［バイアスパワー較正］
次に、バイアスパワー較正を行う。
【００８１】
以下、バイアスパワー較正の手順について、図１７に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【００８２】
それぞれの電流源は、図１６に示すようなテストパターン２を用いることにより、バイアス−ボトム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ９）。
【００８３】
バイアスパワー較正の開始時点においては、ＩopＢＳはプリセット値ＩopＢＳ（ｐｒ）となっている。波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力をスペース部のみ検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここで、バイアスパワーの制御目標値をＢＳref とする。また、ＢＳref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数２１）で表記する（Ｓ１０）。
［数２１］
ｅ＝ＢＳref −ＦＳmon
そして、この誤差ｅの積分値をＩopＢＳ（ｐｒ）に加算して、下記（数２２）を得る。
［数２２］
ＩopＢＳ＝ＩopＢＳ（ｐｒ）＋Ｋｂｓ×∫ｅｄｔ
上記（数２２）中、Ｋｂｓは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【００８４】
このＩopＢＳの加算に伴い、レジスタブロック５２０の演算にしたがって、ＩphＢＳには、発光部駆動電流源３１０のバイアス電流源３１２の波長変化を位相可変部駆動電流源３２０のバイアス電流源３２２の波長変化で相殺するように、−β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔの値が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従するように、−γ2 ×β2 ×Ｋｂｓ×∫ｅｄｔの値が加算される。
【００８５】
以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ１１）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＢＳを、このときのＩopＢＳに決定する（Ｓ１２）。以後、この電流値ＩopＢＳで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１を駆動する。
【００８６】
以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させながら、ＩopＢＭを変化させて所望のバイアスパワーを得ることができる。
【００８７】
［ピークパワー較正］
次に、ピークパワー較正を行う。
【００８８】
以下、ピークパワー較正の手順について、図１８に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【００８９】
それぞれの電流源は、テストパターン１（図１０）を用いることにより、ピーク−バイアス−ボトム間でスイッチング動作するものとする（Ｓ１３）。
【００９０】
ピークパワー較正の開始時点においては、ＩopＰＫはプリセット値ＩopＰＫ（ｐｒ）となっている。マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここで、マーク部平均値の制御目標値をＡＣref とする。また、ＡＣref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数２３）で表記する（Ｓ１４）。
［数２３］
ｅ＝ＡＣref −ＦＳmon
そして、この誤差ｅの積分値をＩopＰＫ（ｐｒ）に加算して、下記（数２４）を得る。
［数２４］
ＩopＰＫ＝ＩopＰＫ（ｐｒ）＋Ｋｐｋ×∫ｅｄｔ
上記（数２４）中、Ｋｐｋは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【００９１】
このＩopＰＫの加算に伴い、レジスタブロック５２０の演算にしたがって、ＩphＰＫには、発光部駆動電流源３１０のピーク電流源３１１の波長変化を位相可変部駆動電流源３２０のピーク電流源３２１の波長変化で相殺するように、−β3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値が加算される。さらに、ＩphＤＣには、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従するように、−γ3 ×β3 ×Ｋｐｋ×∫ｅｄｔの値が加算される。
【００９２】
以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ１５）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＰＫを、このときのＩopＰＫに決定する（Ｓ１６）。以後、この電流値ＩopＰＫで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１を駆動する。
【００９３】
以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させながら、ＩopＰＫを変化させて所望のピークパワーを得ることができる。
【００９４】
［再生パワー較正］
次に、再生パワー較正を行う。
【００９５】
以下、再生パワー較正の手順について、図２０に示すフローチャートを用いて、詳細に説明する。
【００９６】
最初、それぞれの電流源は、図１９に示すようなテストパターン３を用いることにより、再生動作時の駆動形態となっている（Ｓ１７）。
【００９７】
再生パワー較正の開始時点においては、ＩopＲＤはプリセット値ＩopＲＤ（ｐｒ）となっている。マーク部における波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の光出力の平均値を検出し、そのときのモニタ電圧をＦＳmon とする。ここで、リードパワーの制御目標値をＲＤref とする。また、ＲＤref とＦＳmon との誤差ｅを下記（数２５）で表記する（Ｓ１８）。
［数２５］
ｅ＝ＲＤref −ＦＳmon
そして、この誤差ｅの積分値をＩopＲＤ（ｐｒ）に加算して、下記（数２６）を得る。
［数２６］
ＩopＲＤ＝ＩopＲＤ（ｐｒ）＋Ｋｒｄ×∫ｅｄｔ
上記（数２６）中、Ｋｒｄは比例定数であり、光出力の制御特性が最適化されるように設計される。
【００９８】
このＩopＲＤの加算に伴い、レジスタブロック５２０の演算にしたがって、ＩphＤＣには、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長が光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従するように、−β1 ×Ｋｒｄ×∫ｅｄｔの値が加算される。
【００９９】
以上の処理を、誤差ｅが０となるまで繰り返し（Ｓ１９）、発光部駆動電流源３１０の電流値ＩopＲＤを、このときのＩopＲＤに決定する（Ｓ２０）。以後、この電流値ＩopＲＤで波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発光部３０１を駆動する。
【０１００】
以上のような処理を行えば、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の発振波長を光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス３０４の最大効率波長に追従させながら、ＩopＲＤを変化させて所望の再生パワーを得ることができる。
【０１０１】
以上のように、本実施の形態においては、まず、記録動作時の駆動形態でＩdbr 波長探査処理とＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正と再生パワー較正を行ったが、以下にその効果を述べる。
【０１０２】
まず、再生動作時の駆動形態でＩdbr 波長探査処理とＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行った場合、最適波長となるＩphＭＡＩＮの値は、波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の複数のモードに対して複数個存在し得る。そして、記録動作時の位相可変部駆動電流源３２０から波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２に供給される電流は再生動作時よりも低くなるため、再生動作時のＩphＭＡＩＮの値を低い値に決定してしまうと、位相可変部駆動電流源３２０から波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源３００の位相可変部３０２に供給される電流が、０ｍＡ以下になってしまうか、位相可変部３０２のダイオード特性の低電流領域における非線形な領域に到達してしまう。このような場合には、所望の光出力が得られない。従って、かかる場合には、リトライ処理により、Ｉdbr 波長探査処理、ＩphＭＡＩＮ波長探査処理、再生パワー較正、記録パワー較正を再び繰り返す必要があり、起動時間の大幅なロスに繋がってしまう。
【０１０３】
これに対し、本実施の形態においては、まず、記録動作時の駆動形態でＩdbr 波長探査処理とＩphＭＡＩＮ波長探査処理を行い、その後、記録パワー較正と再生パワー較正を順次行うようにしたので、ＩphＭＡＩＮとして記録動作時に必要な高い値が必然的に求められる。従って、リトライ処理を行うことなく初期レーザ較正処理を終えることができる。
【０１０４】
また、上記したレーザパワーの較正方法において決定されたそれぞれの電流値を、プリセット値記憶部５１０に記憶しておき、これらの電流値を次回の起動時に用いるようにすれば、起動時間をより短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の一実施の形態における光源装置を示す概略構成図
【図２】本発明の一実施の形態における基本波光の波長に対して出射される高調波光の出力パワーを示す図
【図３】本発明の一実施の形態における光源装置の制御回路を示すブロック図
【図４】本発明の一実施の形態における発光部駆動電流と位相可変部駆動電流との関係を示す図
【図５】図３の光出力／波長制御手段を詳細に示すブロック図
【図６】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態を示す図
【図７】本発明の一実施の形態における起動時レーザ処理の効果を説明するための図
【図８】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態の他の例を示す図
【図９】本発明の一実施の形態の起動時レーザ処理における各電流源の電流印加状態のさらに他の例を示す図
【図１０】本発明の一実施の形態のＩdbr 波長探査処理における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図１１】本発明の一実施の形態のＩdbr 波長探査処理における波長可変部駆動電流波形を示す図
【図１２】本発明の一実施の形態におけるＩdbr 波長探査処理の手順を示すフローチャート
【図１３】本発明の一実施の形態におけるＩphＭＡＩＮ波長探査処理の手順を示すフローチャート
【図１４】本発明の一実施の形態のボトムパワー較正における定常動作させるためのテストパターンを示す図
【図１５】本発明の一実施の形態におけるボトムパワー較正の手順を示すフローチャート
【図１６】本発明の一実施の形態のバイアスパワー較正における記録動作時の駆動形態に近い駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図１７】本発明の一実施の形態におけるバイアスパワー較正の手順を示すフローチャート
【図１８】本発明の一実施の形態におけるピークパワー較正の手順を示すフローチャート
【図１９】本発明の一実施の形態のリードパワー較正における再生動作時の駆動形態にしておくためのテストパターンを示す図
【図２０】本発明の一実施の形態における再生パワー較正の手順を示すフローチャート
【図２１】従来技術における光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイスを用いたＳＨＧ青色光源の概略構成図
【符号の説明】
【０１０６】
１  ＤＢＲ領域
２  位相調整領域
３  活性層領域
４  半導体レーザ光源
５、３０４  光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス
１１  Ｘ板ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 基板
１２  光導波路
３００  波長可変ＤＢＲ半導体レーザ光源
３０１  発光部（活性層領域）
３０２  位相可変部（位相調整領域）
３０３  波長可変部（ＤＢＲ領域）
３０５  フォトディテクタ
３０６  Ｉ／Ｖアンプ
３１０  発光部駆動電流源
３１１、３２１  ピーク電流源
３１２、３２２  バイアス電流源
３１３、３２３  ＤＣ電流源
３２０  位相可変部駆動電流源
３３０  波長可変部駆動電流源
３４０  光出力／波長制御手段
３５０  記録波形生成手段
３６０  反転手段
５１０  プリセット値記憶部
５２０  レジスタブロック
３４０  光出力／波長制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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