(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の端子と基板の電極とを接続させる半導体装置の製造方法において、
前記端子と前記電極との間に合成樹脂中に分散させたナノ粒径の金属粒子を介在させ、該金属粒子を焼結させ、前記合成樹脂を硬化させて前記端子と前記電極との電気的接続を得ることとし、前記端子と前記電極とを接続した後に、前記端子と前記電極との電気的接続が得られていない前記半導体素子と前記基板との間隙に封止用の合成樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属粒子として、前記端子及び／または前記電極と合金化する金属粒子を使用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記合成樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子の端子及び／または前記基板の電極は金であり、前記金属粒子として錫粒子を用いて、焼結時に金と錫との合金化層を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体素子の端子と基板の電極とを接続させる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のコンピュータシステムの回路基板は、高速化かつ大集積化に対応できることが要求されるため、その高密度化及び微細配線化が必要になってきている。そのため、従来のＩＣパッケージを基板に実装するのではなく、各半導体素子（ＬＳＩチップ）を基板に直接実装することが行われている。半導体素子と回路基板との接続手法として、半導体素子の金端子と回路基板の電極とのフリップチップ接合が提供されている。 
【０００３】
半導体素子の金端子と基板の電極とを接続するフリップチップ方式の接合の一つとして、接着剤を硬化させると同時に高荷重を印加し、半導体素子の金端子を押し潰すことによって基板の電極と接続させる圧接方式が提供されている。この接合方式は、接着剤を硬化させるときの収縮力と、金端子及び電極を押し潰したときの反発力とを利用して、接触を維持させることにより、両者の電気的接続を得る。
【０００４】
なお、本発明に関連する技術として、半田バンプを用いてＩＣチップを実装する方法（（例えば、特許文献１参照）、複合金属粒子を利用して基板上にＬＳＩチップを実装する方法（例えば、特許文献２参照）、超微粒子を含む層を介在させて基板の配線パターンとボンディングワイヤとを接続する方法（例えば、特許文献３参照）などが知られている。      
【特許文献１】特開昭５３−７９４６２号公報
【特許文献２】特開２００１−２９８０４９号公報
【特許文献３】特開２００５−１５８７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体素子の高性能化に伴って、金端子のピッチが狭小化しており、これにより金端子のサイズも小さくなる傾向にある。したがって、接合時に高荷重を必要とする上述したような圧接方式では、狭ピッチ用の小さな金端子を潰すことにより、基板が反って電気的接続領域以外の領域において半導体素子及び基板間のクリアランスが狭くなるため、製造中のパーティクルが挟み込まれてチップ回路が破損するという問題が生じている。これを防止するために、接合時の荷重を低くしてクリアランスを確保する場合には、金端子と基板の電極とを押し潰したときの反発力が不足し、隣り合う電極間で断線するという問題が生じる。この結果、狭ピッチな金端子が形成されている半導体素子に圧接方式を適用した場合、接合が離れてしまう接合限界が生じる。
【０００６】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子の端子と基板の電極との間に低温で焼結する金属ナノ粒子を介在させることにより、低荷重下においても、半導体素子の端子と基板の電極との間での良好な接合を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子の端子と基板の電極とを接続させる半導体装置の製造方法において、前記端子と前記電極との間に合成樹脂中に分散させたナノ粒径の金属粒子を介在させ、該金属粒子を焼結させ、前記合成樹脂を硬化させて前記端子と前記電極との電気的接続を得ることとし、前記端子と前記電極とを接続した後に、前記端子と前記電極との電気的接続が得られていない前記半導体素子と前記基板との間隙に封止用の合成樹脂を注入することを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法にあっては、半導体素子の端子と基板の電極との間に、合成樹脂中に分散させた例えば銀、錫などのナノ粒径の金属粒子を介在させ、その金属粒子を焼結し、その合成樹脂を硬化して、半導体素子の端子と基板の電極とを接続させる。金属粒子が焼結したときの材料強度により、端子の狭ピッチ化に対して要求される低荷重下においても、良好な接合が得られる。合成樹脂中にナノ粒径の金属粒子を分散させた構成としたため、基板上に特別な処理を施す必要がなく、容易に金属粒子を介在することができ、また、狭ピッチの端子に対して均一な量の金属粒子の供給が可能となる。更に、金属粒子が焼結したときの材料強度だけでなく、合成樹脂の硬化時の強度も加わることになり、接合強度がより向上する。半導体素子の端子と基板の電極とを接続させた後に、端子と電極との電気的接続が得られていない半導体素子と基板との間隙に封止用の合成樹脂を注入する。よって、端子と電極との接続状態が安定する。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記金属粒子として、前記端子及び／または前記電極と合金化する金属粒子を使用することを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法にあっては、例えば金と合金化する錫などのナノ粒径の金属粒子を用いる。ナノ粒径の金属粒子の特徴は、金属の融点以下で粒子間が焼結し、バルク状に近い状態にできることにある。例えば、銀ナノ粒子を用いた場合、銀の融点９６０．８℃に対して、銀ナノ粒子の焼結温度は、接合温度と同等な２００℃である。ミクロンサイズの粒径の銀フィラーを用いた場合には、端子下に捕捉された粒子を、高荷重を与えることにより変形させ、粒子間の接触面積を大きくさせなければ良好な導通を確保することができない。これに対して、ナノ粒子を用いた場合は、接合温度下で粒子間が焼結することにより、荷重を与えなくても端子と良好な接触状態が得られる。また、端子または基板電極と合金化できる錫などの金属を用いた場合、２００℃の低温下で合金化層が形成できるため、半導体素子の端子と基板の電極との接合はより強固になる。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記合成樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法にあっては、金属粒子を分散させる合成樹脂としてエポキシ樹脂を使用する。よって、金属粒子が焼結したときの材料強度だけでなく、エポキシ樹脂の硬化時の強度も加わり、接合強度がより向上する。
【００１６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記半導体素子の端子及び／または前記基板の電極は金であり、前記金属粒子として錫粒子を用いて、焼結時に金と錫との合金化層を形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法にあっては、錫粒子は金と合金化されながら焼結して合金化層を形成するため、より強力な接合が得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体素子の端子と基板の電極との間に合成樹脂中に分散させたナノ粒径の金属粒子を介在させ、金属粒子を焼結させ、合成樹脂を硬化させて、前記端子と前記電極との電気的接続を低荷重下で得るようにしたので、狭ピッチの端子を有する半導体素子についても、半導体素子及び基板間のクリアランスを損なうことなく、良好な電気的接続を実現することができる。また、合成樹脂中にナノ粒径の金属粒子を分散させた構成としたので、焼結した金属粒子による強度だけでなく、合成樹脂の硬化時の強度も加えることができ、半導体素子の端子と基板の電極との電気的接続をより良好にすることができる。また、半導体素子の端子と基板の電極とを接続した後に、端子と電極との電気的接続が得られていない半導体素子と基板との間隙に封止用の合成樹脂を注入するようにしたので、端子と電極との電気的接続状態を安定化することができる。
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体素子の端子及び／または基板の電極と合金化するナノ粒径の金属粒子を使用するようにしたので、合金化層によって、半導体素子の端子と基板の電極との電気的接続をより良好にすることができる。
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法では、合成樹脂としてエポキシ樹脂を使用するようにしたので、金属粒子が焼結したときの材料強度だけでなく、エポキシ樹脂の硬化時の強度も加わり、接合強度をより向上することができる。
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体素子の端子及び／または前記基板の電極は金であり、金属粒子として錫粒子を用いるようにしたので、錫粒子は金と合金化されながら焼結して合金化層を形成するため、より強力な接合を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２３】
まず、本発明の半導体装置の製造方法における接合原理について説明する。図１（ａ），（ｂ）は、この接合原理を説明するための図である。
【００２４】
図１（ａ）において、１は半導体素子としてのＬＳＩチップであり、ＬＳＩチップ１には端子としての金バンプ２が設けられている。この金バンプ２には、Ａｇナノ粒子またはＳｎナノ粒子からなるナノ粒径（５０〜２００ｎｍ程度）の金属粒子１１をエポキシ樹脂１２中に分散させてなる接合材料３が転写されている。また、４はシリコン製の基板であり、基板４には、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕの３層構造からなる電極５が設けられている。
【００２５】
このような構成の半導体素子１とを基板４とを、接合材料３と電極５とが対向するように位置決めして、２００℃で加熱しながら１９．６Ｎの荷重で接合させる（図１（ｂ）参照）。これにより、金属粒子１１はセラミックのように焼結し、粒子同士が結合して低温焼結による金属間結合が得られる。
【００２６】
本発明では、ナノ粒径の金属粒子１１の焼結によって、ＬＳＩチップ１の金バンプ２と基板４の電極との電気的接続を得るので、低荷重下にあっても良好な接合状態を容易に実現することが可能である。
【００２７】
次に、金属粒子１１としてＡｇナノ粒子を用いた場合とＳｎナノ粒子を用いた場合とにおける接合部の構造の違いについて説明する。図２（ａ）はＡｇナノ粒子を用いた場合の接合部の構造、図２（ｂ）はＳｎナノ粒子を用いた場合の接合部の構造をそれぞれ示している。
【００２８】
Ａｇナノ粒子を用いた場合には、図２（ａ）に示すように、金バンプ２（端子）のＡｕ領域２１と電極５のＡｕ層２２との間に、Ａｇナノ粒子（金属粒子１１）が焼結したＡｇ領域２３が介在している。これに対して、Ｓｎナノ粒子を用いた場合には、図２（ｂ）に示すように、金バンプ２（端子）のＡｕ領域２１と電極５のＮｉ層２４との間に、電極５のＡｕ層２２及びＳｎナノ粒子（金属粒子１１）が合金化して焼結したＡｕＳｎ領域２５と、Ｓｎナノ粒子（金属粒子１１）単体が焼結したＳｎ領域２６とが混在している。
【００２９】
このようにＳｎナノ粒子は、Ａｕと合金化してＡｕＳｎに変化しながら焼結する。Ｓｎナノ粒子を用いる場合には、合金化層を形成するため、Ａｕと合金化しないＡｇナノ粒子を用いる場合に比べて、より強力な接合を得ることができる。なお、上述した例では、Ｓｎナノ粒子が電極５のＡｕ層２２と合金化することとしたが、Ｓｎナノ粒子は焼結時に金バンプ２（端子）と合金化することも起こり得る。
【００３０】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の具体的な実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図３は、実施の形態１による製造方法の工程を示す図である。まず、粒子径：１００ｎｍの金属ナノ粒子（Ａｇナノ粒子またはＳｎナノ粒子）をエポキシ樹脂に分散させてなる接合材料３を、転写ステージ３１上に形成する（図３（ａ））。この転写ステージ３１には、スキージ（図示せず）が取り付けられており、転写ステージ３１とスキージとのギャップにより、接点材料３の厚さを制御できる。
【００３１】
ＬＳＩチップ１（半導体素子）は、１辺８．５ｍｍの矩形状であって、５０μｍ間隔で６８０個の金バンプ２（端子）が形成されている。また、金バンプ２（端子）の高さは３０μｍである。このため、転写ステージ３１とスキージとの間隔を１０μｍに設定し、ＬＳＩチップ１を４．９Ｎの荷重で転写ステージ３１上に押しつけ、ＬＳＩチップ１の各金バンプ２に接点材料３を転写する（図３（ａ））。
【００３２】
そして、フリップチップボンダ（ＦＣＢ−２、パナソニックＦＳエンジニアリング製）を用いて、接点材料３が転写されたＬＳＩチップ１を、電極５が設けられた基板４（ＢＴレジン製、厚さ０．３５ｍｍ）と位置合せし、加熱温度２００℃、荷重１９．６Ｎの条件で１０秒間の接合を行う（図３（ｂ））。
【００３３】
その後、ＬＳＩチップ１と基板４との間隙に、封止用の合成樹脂である封止樹脂３２（Ｕ８４４３、ナミックス製）を、６０℃に加熱したホットプレート上で注入し（図３（ｃ））、注入した封止樹脂３２を１５０℃で２時間硬化させる（図３（ｄ））。
【００３４】
（実施の形態２）
図４は、実施の形態２による製造方法の工程を示す図である。まず、実施の形態１と同一の条件にて、ＬＳＩチップ１の各金バンプ２に接点材料３を転写する（図４（ａ））。次に、１２０℃の温度で、接点材料３中の溶剤成分の除去と金属ナノ粒子の仮焼成とを行う（図４（ｂ））。
【００３５】
一方、電極５が設けられた基板４（ＢＴレジン製、厚さ０．３５ｍｍ）上に、塗布機（ＦＡＤ３２０ｓ、武蔵エンジニアリング製）を用いて、封止樹脂３３（ＵＦＲ１０７、ナガセケムテックス製）を塗布する（図４（ｃ））。
【００３６】
そして、フリップチップボンダ（ＦＣＢ−２、パナソニックＦＳエンジニアリング製）を用いて、接点材料３が転写されたＬＳＩチップ１と、封止樹脂３３が塗布された基板４とを位置合せし、加熱温度２００℃、荷重１９．６Ｎの条件で１０秒間の接合を行った後、恒温槽を用いて１５０℃で２時間、封止樹脂３３を硬化させる（図４（ｄ））。この封止樹脂３３の硬化時に、同時に金属ナノ粒子が焼成される。
【００３７】
上記第１実施の形態では、ＬＳＩチップ１（半導体素子）と基板４とを接合した後に、封止樹脂を注入するようにしているが、封止樹脂を注入して硬化させるまでの間、ＬＳＩチップ１（半導体素子）と基板４との熱膨張係数の差から生じる応力をサイズが小さい金バンプ２（端子）のみで支えなければならず、金バンプ２（端子）が破断する可能性が皆無とは言えない。これに対して、上記第２実施の形態では、予め基板４上に封止樹脂を塗布し、封止樹脂の硬化と金属ナノ粒子の焼結とを同時に行うようにしているので、接合部に加わる応力を封止樹脂内に分散させることにより、接合信頼性を向上することができる。
【００３８】
（比較例）
金バンプ（端子）に荷重をかけると同時に、合成樹脂（接着剤）の硬化を行う圧接方式を用いて、比較例を製造する。塗布機（ＦＡＤ３２０ｓ、武蔵エンジニアリング製）を用いて、実施の形態１，２と同様の基板上に封止樹脂（ＵＦＲ１０７、ナガセケムテックス製）を塗布し、フリップチップボンダ（ＦＣＢ−２、パナソニックＦＳエンジニアリング製）を用いて、実施の形態１，２と同様のＬＳＩチップ（半導体素子）と封止樹脂が塗布された基板とを位置合せし、加熱温度２００℃、荷重１９．６Ｎまたは荷重７８．４Ｎの条件で１０秒間の接合を行った後、恒温槽を用いて１５０℃で２時間、封止樹脂を硬化させる。
【００３９】
次に、以上のような実施の形態１，２及び比較例の製造方法によって製造した各半導体装置の特性を評価するために行った各種の評価試験の内容と結果とについて説明する。なお、以下では、実施の形態１の製造方法によって製造した半導体装置を実施例１、実施の形態２の製造方法によって製造した半導体装置を実施例２、接合時の荷重を１９．６Ｎとして比較例によって製造した半導体装置を比較例１、接合時の荷重を７８．４Ｎとして比較例によって製造した半導体装置を比較例２と略記する。
【００４０】
接合信頼性の評価には、接合信頼性試験項目である吸湿−リフロー性評価を模擬的に行う模擬吸湿リフロー試験を実施した。模擬吸湿−リフローの評価方法は、実装後の各サンプルを温度８５℃、湿度８５％、時間１２時間で吸湿させた後、リフロー工程の最大温度である２５０℃に維持したホットプレート上で２分間放置した。調査方法は、実装後及び模擬吸湿−リフロー後の電気的導通の変化を測定した。このときの合否判定は、導通抵抗の上昇率が５％以下とした。実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２のそれぞれについて、５０サンプルずつ、この接合信頼性の評価を行った。
【００４１】
この結果、実施例１及び実施例２に関しては、すべてのサンプルで導通抵抗の上昇率が５％以下であり、良好な接合信頼性が得られた。これに対して、比較例１に関しては、５０サンプル中２８サンプルが不良となり、比較例２に関しては、５０サンプル中３サンプルが不良となった。
【００４２】
上記各サンプルについて、超音波映像装置（ＦＳ２００、日立建機ファインテック製）を用いて接合部の状態を観察した。比較例２のサンプルでは、接合部のＬＳＩチップ（半導体素子）中央部に剥離が観察できた。このサンプルを断面研磨し、ＳＥＭを用いて観察した結果、接合部の中央に、異物（シリコンウェハをダイシングした際に生じる屑など）を起点とした剥離が生じていた。このときのＬＳＩチップ（半導体素子）と基板とのクリアランスは、４μｍしかなかった。
【００４３】
比較例１の不良サンプルを断面研磨し、観察した結果、金バンプ（端子）と基板の電極との接触部に浮きが見られた。金バンプの潰れ量が少なかったため、接合荷重不足により、接合部が断線したものと考えられる。また、このときのＬＳＩチップ（半導体素子）と基板とのクリアランスは平均で１３μｍであった。
【００４４】
接合信頼性が良好であった実施例１及び実施例２のサンプルについても、断面研磨した後に観察したが、剥離は発生しておらず良好な接合を維持できていた。また、このときのＬＳＩチップ（半導体素子）と基板とのクリアランスは約１４μｍであり、接合信頼性と半導体素及び基板のクリアランスとの確保を両立できた。
【００４５】
なお、上述した例では、ナノ粒子径の金属粒子としてナノＡｇ粒子またはナノＳｎ粒子を用いることとしたが、これらのナノＡｇ粒子及びナノＳｎ粒子を混有させても良く、Ａｇ，Ｓｎ以外に、Ｂｉ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｉｎなどの金属製のナノ粒子を使用するようにしても良い。
【００４６】
以上の本発明の実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  半導体素子の端子と基板の電極とを接続させる半導体装置の製造方法において、前記端子と前記電極との間にナノ粒径の金属粒子を介在させ、該金属粒子を焼結させて前記端子と前記電極との電気的接続を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。      
【００４７】
（付記２）  前記金属粒子として、前記端子及び／または前記電極と合金化する金属粒子を使用することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００４８】
（付記３）  前記金属粒子を合成樹脂中に分散させた材料を前記端子に転写することを特徴とする付記１または２記載の半導体装置の製造方法。
【００４９】
（付記４）  前記端子と前記電極とを接続した後に、前記半導体素子と前記基板との間に封止用の合成樹脂を注入することを特徴とする付記１乃至３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【００５０】
（付記５）  前記基板上に封止用の合成樹脂を予め形成しておき、前記端子と前記電極との接続、及び前記合成樹脂の硬化とを同時的に行うことを特徴とする付記１乃至３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【００５１】
（付記６）  前記金属粒子の構成金属は、銀，錫，ビスマス，亜鉛，ニッケル，インジウムからなる群から選ばれた金属を少なくとも１種類含むことを特徴とする付記１乃至５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【００５２】
（付記７）  前記金属粒子の焼結温度は２５０℃以下であることを特徴とする付記１乃至６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【００５３】
（付記８）  付記１乃至７の何れかに記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法における接合原理を説明するための図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法における接合部の構造を示す図である。
【図３】実施の形態１による製造方法の工程を示す図である。
【図４】実施の形態２による製造方法の工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  ＬＳＩチップ（半導体素子）
２  金バンプ（端子）
３  接合材料
４  基板
５  電極
１１  金属粒子
１２  エポキシ樹脂（合成樹脂）
３１  転写ステージ
３２，３３  封止樹脂
【図１】
0004731340.tif 000002
【図２】
0004731340.tif 000003
【図３】
0004731340.tif 000004
【図４】
0004731340.tif 000005