【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸留帯域を備える蒸留反応装置であって、該蒸留帯域は液排出帯域および精留帯域を備えておりかつ反応帯域とは該蒸留帯域の少なくとも一つの内側部分において組み合わされておりかつ少なくとも一つの触媒床を含んでおり、該蒸留帯域において、触媒および水素を含む少なくとも一つのガス流の存在下に仕込原料の転換を行う装置において、
前記反応帯域の内側部分の触媒床全体が前記ガス流と液体流とによる上昇並流で通過され、蒸留蒸気が実質上触媒と接触しないことを特徴とする、蒸留反応装置。
【請求項２】
・触媒を通って下から上に向かう液体の大部分の少なくとも一つの分配手段、
・蒸気が実質上触媒と接触しないようにする、触媒床を通って下から上に向かう蒸留蒸気の大部分の少なくとも一つの流通手段、および
・触媒を通って下から上に向かうガス流の大部分の少なくとも一つの分配手段を備える、請求項１による装置。
【請求項３】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、液体分配手段が触媒床の下に位置し、ガス流分配手段が触媒床の下あるいは触媒床内に位置する、請求項２による装置。
【請求項４】
触媒床全体内のガス流導入装置が、触媒床内の液体分配装置と同一である、すなわち液体の流通方向に対して液体分配装置の上流の液体中へのガス導入手段が存在する、請求項２または３による装置。
【請求項５】
ガス流導入装置が実質的に液体分配装置のレベルに配置され、ガスおよび液体が別々に触媒床内に導入される、請求項２または３による装置。
【請求項６】
ガス流導入装置が触媒床内に配置される、請求項５による装置。
【請求項７】
ガス流導入装置が触媒床の下に配置される、請求項５による装置。
【請求項８】
ガス流導入装置が液体分配装置から間隔をおかないで配置される、請求項６または７による装置。
【請求項９】
反応帯域が全体的に蒸留帯域の内側にある、請求項１〜８のいずれか１項による装置。
【請求項１０】
ガス流が大部分は水素を含む、請求項１〜９のいずれか１項による装置。
【請求項１１】
反応帯域の蒸溜帯域内側部分が精留帯域内に少なくとも一部組込まれる、請求項１〜１０のいずれか１項による装置。
【請求項１２】
１分子当り少なくとも炭素原子数５を有する炭化水素により大部分構成され、かつ１分子当り多くとも炭素原子数６を有する少なくとも一つの不飽和化合物、そのうちベンゼンを含む仕込原料の処理方法であって、
前記仕込原料を蒸留帯域内で処理し、該蒸留帯域は液排出帯域および精留帯域を備えておりかつ水素化反応帯域とは前記蒸留帯域の少なくとも一つの内側部分において組み合わされておりかつ少なくとも一つの触媒床を含んでおり、該蒸留帯域において、水素化触媒および水素を含む少なくとも一つのガス流の存在下に、仕込原料中に含まれかつ１分子当り多くとも炭素原子数６を有する不飽和化合物の少なくとも一部の水素化を実施し、最終的には蒸留帯域の頂部において、１分子当り多くとも炭素原子数６を有する不飽和化合物に非常にプアである流出物を排出し、蒸留帯域の底部において、１分子当り多くとも炭素原子数６を有する不飽和化合物にプアである流出物を排出するようにするに当り、
水素化帯域の内側部分の触媒床全体が前記ガス流と液体流とによる上昇並流で通過され、蒸留蒸気が実質上触媒と接触しないことを特徴とする、仕込原料の処理方法。
【請求項１３】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、液体が触媒床の下に位置する液体分配手段により分配され、ガス流が触媒床の下あるいは触媒床内に位置するガス流分配手段により導入される、請求項１２による方法。
【請求項１４】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、ガス流がガス流導入手段により触媒床内に導入され、液体が液体分配手段により触媒床内に分配され、２つの手段が同一である、請求項１２または１３による方法。
【請求項１５】
ガス流がガス流導入手段により触媒床内に導入され、液体が液体分配手段により触媒床内に分配され、ガス流導入手段が実質的に液体分配手段のレベルに配置され、ガスおよび液体が別々に触媒床内に導入される、請求項１２または１３による方法。
【請求項１６】
ガス流導入手段が触媒床内に配置される、請求項１５による方法。
【請求項１７】
ガス流導入手段が触媒床の下に配置される、請求項１５による方法。
【請求項１８】
ガス流導入手段が液体分配装置から間隔をあけないで配置される、請求項１６または１７による方法。
【請求項１９】
水素化帯域が全体的に蒸留帯域の内側にある、請求項１２〜１８のいずれか１項による方法。
【請求項２０】
前記ガス流が大部分は水素を含む、請求項１２〜１９のいずれか１項による方法。
【請求項２１】
蒸留帯域の底部の流出物が前記帯域の頂部の流出物と混合される、請求項１２〜２０のいずれか１項による方法。
【請求項２２】
このようにして得られた混合物が、場合による安定化後に、直接に、あるいは燃料留分に組込むことにより、気化燃料として使用される、請求項２１による方法。
【請求項２３】
反応帯域の内側部分が精留帯域内に少なくとも一部組込まれる、請求項１２〜２２のいずれか１項による方法。
【請求項２４】
１分子当り炭素原子数４を有するオレフィン系炭化水素の大部分のうちイソブテン、並びに1-ブテンおよび2-ブテンを熱力学平衡に実質的に一致する割合で含む仕込原料の処理方法であって、
前記仕込原料を蒸留帯域内で処理し、該蒸留帯域は液排出帯域および精留帯域を備えておりかつ少なくとも一つの水素化異性化反応帯域と組み合わされており、かつ少なくとも一つの触媒床を含んでおり、前記水素化異性化反応帯域の少なくとも一部は前記蒸留帯域の内側にあり、該水素化異性化反応帯域において、水素化異性化触媒および水素を含む少なくとも一つのガス流の存在下に、1-ブテンの少なくとも一部の水素化異性化を実施し、最終的には蒸留帯域の頂部において、イソブテンに富む流出物を排出し、蒸留帯域の底部において、2-ブテンに富む流出物を排出するようにするに当り、
水素化異性化帯域の内側部分の触媒床全体が前記ガス流と液体流とによる上昇並流で通過され、蒸留蒸気が実質には触媒と接触しないことを特徴とする、仕込原料の処理方法。
【請求項２５】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、ガス流がガス流導入手段により触媒床内に導入され、液体が液体分配手段により触媒床内に分配され、液体分配手段が触媒床の下に位置し、ガス流分配手段が触媒床の下あるいは触媒床内に位置する、請求項２４による方法。
【請求項２６】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、ガス流がガス流導入手段により触媒床内に導入され、液体が液体分配手段により触媒床内に分配され、２つの手段が同一である、請求項２４または２５による方法。
【請求項２７】
反応帯域の内側部分の各触媒床において、ガス流がガス流導入手段により触媒床内に導入され、液体が液体分配手段により分配され、ガス流導入手段が実質的に液体分配手段のレベルに配置され、ガスおよび液体が別々に触媒床内に導入される、請求項２４または２５による方法。
【請求項２８】
ガス流導入手段が触媒床内に配置される、請求項２７による方法。
【請求項２９】
ガス流導入手段が触媒床の下に配置される、請求項２７による方法。
【請求項３０】
ガス流導入手段が液体分配装置から間隔をおかないで配置される、請求項２８または２９による方法。
【請求項３１】
水素化異性化帯域が全体的に蒸留帯域の内側にある、請求項２３〜３０のいずれか１項による方法。
【請求項３２】
水素化異性化帯域の内側部分が少なくとも一部精留帯域内にある、請求項２３〜３１のいずれか１項による方法。
【請求項３３】
ガス流が大部分は水素を含む、請求項２４〜３２のいずれか１項による方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
蒸留帯域の内側の水素化異性化帯域の一部分の操作条件は、蒸留の操作条件に関連している。蒸留は、一般に本方法のイソブテン収率を最大限にするために、底部生成物中のイソブテン量を最小限にするようにし、また頂部で高純度イソブテンを有するために、頂部生成物中の2-ブテンおよび1-ブテン量を最小限にするようにして行われる。該蒸留は、一般に圧力２〜３０バール、好ましくは４〜１５バール、より好ましくは４〜１０バール下に、還流率１〜３０、好ましくは５〜２０で行われる。帯域の頂部温度は一般に０〜２００℃であり、帯域の底部温度は一般に５〜２５０℃である。水素化異性化反応は、蒸留帯域の頂部および底部において制定される条件間の一般に最も中間的である条件下に、温度２０〜１５０℃、好ましくは４０〜８０℃、圧力２〜３０バール、好ましくは４〜１５バール、より好ましくは４〜１０バールで行われる。水素化異性化に付される液体は、水素を好ましくは大部分含むガス流を供給される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
より軽質な炭化水素から成る留分のわずかな部分が、過剰水素とともに塔から排出されるが、これは計算に入れられない。流出物の分析から、仕込原料のオレフィンおよびベンゼンの水素化率は、各々100 ％と55％であると推論される。一方、トルエンは影響を受けない。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
蒸留操作を、内径１６３ｍｍおよび高さ１０ｍの断熱性塔内で行った。この塔は、仕込原料注入口の上部に位置しかつ商品名Ｍ５５０ＹでSulzer社から市販される装填物で満たした、高さ１．７８ｍの４床と、仕込原料注入口の下部に位置しかつポール・リングで満たした、高さ１ｍの２床とで構成した。