(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板上に酸化膜を形成するステップと、
前記酸化膜上に疏水性ソース電極及び前記ソース電極と離隔した疏水性ドレイン電極を形成するステップと、
前記ソース電極及びドレイン電極の一部をそれぞれ露出させる開口部を有する疏水性有機膜パターンを前記ベース基板上に形成するステップと、
露出した前記ソース電極及びドレイン電極を含む前記開口部を疏水性から親水性に変更して、前記ソース電極に親水性を有する第２ソース電極部及び前記ドレイン電極に前記親水性を有する第２ドレイン電極部を形成するステップと、
前記開口部を介して前記第２ソース電極及び第２ドレイン電極部を電気的に接続した親水性有機半導体パターンを形成するステップと、
前記親水性有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜を形成するステップと、
前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
露出した前記ソース電極及びドレイン電極は、酸素プラズマにより露出することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記有機半導体パターンを形成するステップは、
前記疏水性を有する前記疏水性有機膜上に流動性有機半導体パターンをなす物質を塗布するステップと、
前記有機半導体パターン物質で前記開口部内を満たすステップと、
前記有機半導体パターン物質を硬化させるステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ソース電極及びドレイン電極の間に対応する前記酸化膜の一部は、前記開口部により露出することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記疏水性有機膜パターンは、感光物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記疏水性有機膜パターンは、アクリル系合成樹脂を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタ、この製造方法及びこれを利用した表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近になって、半導体技術の開発につれて、極めて小さな寸法を有するスイッチング素子である薄膜トランジスタの製造が可能になった。また、薄膜トランジスタの技術開発により、フルカラー映像を表現することができる液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）などのような表示装置の研究及び開発が急速に進められている。
なお、最近では、表示画面をユーザが曲げたり開いたりすることのできるフレキシブル表示装置の開発が進められている。
【０００３】
このようなフレキシブル表示装置を製造するために、現在、ガラス基板で使用していた基板の代わりに、フレキシブルなプラスチック基板を使用し、かつ、無機材料を含むスイッチング素子の代わりに、有機半導体を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）が用いられている。
【０００４】
従来、有機薄膜トランジスタを製造するためには、薄い厚さを有するソース電極及びドレイン電極が基板上に形成される。次に、ソース電極及びドレイン電極を覆う有機半導体層を基板上に形成する。有機半導体層は、露光工程及び現像工程を含むフォト工程によりパターニングされて、基板上には有機半導体パターンが形成される。次に、有機半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。
【０００５】
しかしながら、従来の有機薄膜トランジスタの有機半導体層は、フォトレジストパターンを現像するための現像工程及びフォトレジストパターンを除去するためのアッシング工程及び／またはストリップ工程中に損傷するという問題を有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電気的特性をより向上させた有機半導体構造物を有する有機薄膜トランジスタを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、前記有機薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成すべく、本発明の有機薄膜トランジスタは、ベース基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に配置され、第１ソース電極部及び第２ソース電極部を有するソース電極と、前記酸化膜上に配置され、第１ドレイン電極部及び前記第２ソース電極部と隣接するように配置された第２ドレイン電極部を有するドレイン電極と、前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターンと、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。
【０００８】
また、上記の目的を達成すべく、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、ベース基板上に酸化膜を形成するステップと、前記酸化膜上に疏水性ソース電極及び前記ソース電極と離隔した疏水性ドレイン電極を形成するステップと、前記ソース電極及びドレイン電極の一部をそれぞれ露出させる開口部を有する疏水性有機膜パターンを前記ベース基板上に形成するステップと、露出した前記ソース電極及びドレイン電極を疏水性から親水性に変更して、前記ソース電極に親水性を有する第２ソース電極部及び前記ドレイン電極に前記親水性を有する第２ドレイン電極部を形成するステップと、前記開口部を介して前記第２ソース電極及び第２ドレイン電極部を電気的に接続した親水性有機半導体パターンを形成するステップと、前記親水性有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜を形成するステップと、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するステップとを含む。
【０００９】
また、上記の目的を達成すべく、本発明の表示装置は、第１ベース基板上に形成された酸化膜、前記酸化膜上に配置され、第１ソース電極部及び第２ソース電極部を有するソース電極、前記酸化膜上に配置され、第１ドレイン電極部及び前記第２ソース電極部と隣接するように配置された第２ドレイン電極部を有するドレイン電極、前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターン、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターン、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜、及び前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を備える第１表示基板と、前記第１ベース基板と対向する第２ベース基板上に形成され、前記画素電極と対応する部分に形成されたカラーフィルタを備える第２表示基板と、前記第１及び第２表示基板の間に介在される液晶層とを備える。
【００１０】
また、上記の目的を達成すべく、本発明の有機薄膜トランジスタは、ベース基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に配置されたソース電極と、前記酸化膜上に配置され、前記ソース電極と離隔したドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記ソース電極及びドレイン電極の一部を電気的に接続する有機半導体パターンと、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、より単純な方法により、有機薄膜トランジスタを製造することができ、構造的に安定化した薄膜トランジスタを製造することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態に係る有機薄膜トランジスタ並びにこの製造方法、及びこれを利用した表示装置について詳細に説明する。しかしながら、本発明は下記の実施形態により制限されるものではなく、該当分野における通常の知識を有した者であれば、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で本発明を様々な他の形態で具現することができる。添付した図面において、基板、層（膜）、領域、パターンまたは構造物の寸法は、本発明の明確性を期するために実際より拡大して示している。本発明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッドまたはパターンの「上に」、「上部に」、「下部」に形成されると言及される場合には、各層（膜）、領域、パッド、パターンまたは構造物が直接基板、各層（膜）、領域、またはパターン上に形成されるか、又は下に位置することを意味したり、他の層（膜）、他の領域、他のパッド、他のパターンまたは他の構造物が基板上に追加的に形成されたりすることができる。また、各層（膜）、領域、電極、パターンまたは構造物が、例えば、「第１」、「第２」、「第３」及び／または「第４」と言及される場合、これは、このような部材を限定するためのものではなく、単に各層（膜）、領域、パターンまたは構造物を区分するためのものである。したがって、例えば、「第１」、「第２」、「第３」及び／または「第４」のような記載は、各層（膜）、領域、電極、パッド、パターンまたは構造物に対して、それぞれ選択的にまたは交換的に用いられることができる。
【００１３】
有機薄膜トランジスタ
図１は、本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタを示す平面図である。図２は、図１に示すＩ−Ｉ´線の断面図である。
図１及び図２に示すように、有機薄膜トランジスタＯＴＦＴは、酸化膜（ｏｘｉｄｅ  ｌａｙｅｒ）ＯＸＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、疏水性有機膜パターン（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｐａｔｔｅｒｎ）ＯＬＰ、親水性有機半導体パターン（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｐａｔｔｅｒｎ）ＯＳＣ、ゲート絶縁膜（ｏｒｇａｎｉｃ  ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）ＯＧＩ、及びゲートラインＧＬから分岐したゲート電極ＧＥを備える。
【００１４】
本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタＯＴＦＴは、ベース基板ＢＳ上に形成される。本実施形態において、ベース基板ＢＳは、ガラス基板またはフレキシブル基板であることができ、ベース基板ＢＳは、ガラスと実質的に同じ光透過率を有することができる。
【００１５】
酸化膜ＯＸＬは、ベース基板ＢＳの上面上に配置され、酸化膜ＯＸＬは、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜であり得る。酸化膜ＯＸＬは、親水性を有する。
【００１６】
ソース電極ＳＥは、酸化膜ＯＸＬ上に配置される。ソース電極ＳＥとして用いられる物質の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、銅などを例に挙げることができる。
【００１７】
ソース電極ＳＥは、第１ソース電極部ＳＥ２及び第２ソース電極部ＳＥ１を備える。本実施形態において、第１ソース電極部ＳＥ２は、疏水性特性を有し、第２ソース電極部ＳＥ１に後述する有機半導体パターンＯＳＣが形成されるとき、第２ソース電極部ＳＥ１は、親水性を有する。
【００１８】
平面上から見たとき、ソース電極ＳＥの全体面積の約半分は、第１ソース電極部ＳＥ２であり、ソース電極ＳＥの全体面積の残りの半分は、第２ソース電極部ＳＥ１である。
【００１９】
本実施形態において、第２ソース電極部ＳＥ１及びドレイン電極ＤＥは、相互に近接して配置され、第１ソース電極部ＳＥ２は、ドレイン電極ＤＥに対して第２ソース電極部ＳＥ１に比べて遠くに配置される。
【００２０】
ドレイン電極ＤＥは、酸化膜ＯＸＬ上に配置される。本実施形態において、ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと同一の平面上に配置され、ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥから所定間隔離隔する。
【００２１】
本実施形態において、ドレイン電極ＤＥとして用いられる物質の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、銅などを例に挙げることができる。本実施形態において、ドレイン電極ＤＥとして用いられる物質は、ソース電極ＳＥとして用いられる物質と同じである。
【００２２】
ドレイン電極ＤＥは、第１ドレイン電極部ＤＥ２及び第２ドレイン電極部ＤＥ１を備える。本実施形態において、第１ドレイン電極部ＤＥ２は、疏水性を有し、第２ドレイン電極部ＤＥ１に後述する有機半導体パターンＯＳＣが形成されるとき、第２ドレイン電極部ＤＥ１は、親水性を有する。
【００２３】
本実施形態において、ドレイン電極ＤＥの第２ドレイン電極部ＤＥ１は、平面上から見たとき、ソース電極ＳＥの第２ソース電極部ＳＥ１と対向するように配置される。
本実施形態において、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、平面上から見たとき並列して配置される。
【００２４】
本実施形態において、酸化膜ＯＸＬ上に形成された第１ソース電極部ＳＥ２、第２ソース電極部ＳＥ１、第２ドレイン電極部ＤＥ１、第１ドレイン電極部ＤＥ２は、図１の左側からこれらの名称の順に配置される。
【００２５】
外部から印加される電圧レベルに対応して、導体の特性または不導体の特性を有する親水性有機半導体パターンＯＳＣは、シリコンのような半導体物質を含むことができる。
【００２６】
本実施形態において、有機半導体パターンＯＳＣは、親水性を有する。したがって、親水性を有する有機半導体パターンＯＳＣは、疏水性を有する第１ソース電極部ＳＥ２及び第１ドレイン電極部ＤＥ２には付着されず、一時的に親水性を有するソース電極ＳＥの第２ソース電極部ＳＥ１及びドレイン電極ＤＥの第２ドレイン電極部ＤＥ１に選択的に付着される。したがって、第２ソース電極部及び第２ドレイン電極部ＳＥ１、ＤＥ１は、有機半導体パターンＯＳＣに選択的に配置され、有機半導体パターンＯＳＣは、平面上から見たとき、島状を有する。すなわち、本実施形態において、有機半導体パターンＯＳＣは、セルフアラインメント方式により、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥに電気的に接続する。
【００２７】
一方、ソース電極ＳＥを第２ソース電極部ＳＥ１及び第１ソース電極部ＳＥ２に区分し、ドレイン電極ＤＥを第２ドレイン電極部ＤＥ１及び第１ドレイン電極部ＤＥ２に区分し、第２ソース電極部及び第２ドレイン電極部ＳＥ１、ＤＥ１に有機半導体パターンＯＳＣを電気的に接続するために、ベース基板ＢＳ上には、有機膜パターンＯＬＰが形成されることができる。
【００２８】
本実施形態において、有機膜パターンＯＬＰは、疏水性を有する。例えば、有機膜パターンＯＬＰは、アクリル系合成樹脂を含むことができる。これに加えて、有機膜パターンＯＬＰは、有機膜パターンＯＬＰを写真工程及び現像工程によりパターニングできるように、感光物質をさらに含むことができる。有機膜パターンＯＬＰは、プラズマなどによりドライエッチングして形成することができる。
【００２９】
本実施形態において、有機膜パターンＯＬＰは、ソース電極ＳＥの第２ソース電極部ＳＥ１及びドレイン電極ＤＥの第２ドレイン電極部ＤＥ１を開口する開口部ＯＰを有する。反対に、ソース電極ＳＥの第１ソース電極部ＳＥ２及びドレイン電極ＤＥの第１ドレイン電極部ＤＥ２は、有機膜パターンＯＬＰにより隠される。
【００３０】
疏水性を有する有機膜パターンＯＬＰにより有機半導体パターンＯＳＣをなす親水性半導体物質は、有機膜パターンＯＬＰの表面及び有機膜パターンＯＩＬの開口部ＯＰの側壁などに付着されず、一時的に親水性である第２ソース電極部ＳＥ１、第２ドレイン電極部ＳＥ２に選択的に付着される。
【００３１】
ゲート絶縁膜ＯＧＩは、有機膜パターンＯＬＰの上面に形成されて、有機膜半導体パターンＯＳＣを覆う。
ゲート電極ＧＥは、ゲート絶縁膜ＯＧＩ上に形成され、ゲート電極ＧＥは、有機半導体パターンＯＳＣと対応するゲート絶縁膜ＯＧＩ上に形成される。
【００３２】
有機薄膜トランジスタの製造方法
図３〜図９は、本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【００３３】
図３は、本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を示す断面図である。
図３に示すように、ガラス基板またはフレキシブル基板のようなベース基板ＢＳの上面には、全面積にわたって酸化膜ＯＸＬが形成される。本実施形態において、酸化膜ＯＸＬは、化学気相成長工程などにより、ベース基板ＢＳの上面全体に形成されることができる。これとは異なり、ベース基板ＢＳの上面に酸化膜ＯＸＬの代わりに窒化膜を形成するか、又はベース基板ＢＳの上面に酸化膜ＯＸＬ及び窒化膜を二重層で形成しても良い。本実施形態において、酸化膜は、シリコン酸化膜を使用することができ、窒化膜は、シリコン窒化膜を使用することができる。
【００３４】
ベース基板ＢＳの上面に酸化膜ＯＸＬを形成した後、酸化膜ＯＸＬ上には、金属層（図示せず）が形成される。金属層は、ＣＶＤ工程またはスパッタリング工程により形成されることができる。
金属層が形成された後、金属層上には、スピンコート工程またはスリットコート工程などにより、フォトレジストフィルム（図示せず）が形成される。
【００３５】
金属層上にフォトレジストフィルムが形成された後、フォトレジストフィルムは、露光工程により部分的に露光及び現像されて、金属層上には、フォトレジストパターンが形成される。このとき、フォトレジストパターンは、金属層のうち、保護する部分上に選択的に配置される。
【００３６】
金属層上にフォトレジストパターンが形成された後、金属層は、フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてエッチングされ、酸化膜ＯＸＬ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥがそれぞれ形成される。
【００３７】
本実施形態において、ソース電極ＳＥを形成する途中、データライン（図示せず）が共に形成され、ソース電極ＳＥ及びデータラインは、平面上から見たとき、垂直な方向に配置される。
【００３８】
一方、ドレイン電極ＤＥは、ソース電極ＳＥと平行に配置され、ソース電極ＳＥから所定間隔離隔する。
【００３９】
図４は、図３に示すソース電極及びドレイン電極を覆う有機膜を示す断面図である。
図４に示すように、酸化膜ＯＸＬ上にソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが形成された後、酸化膜ＯＸＬ上には、酸化膜ＯＸＬを覆う有機膜（図示せず）が形成される。本実施形態において、有機膜は、スピンコート工程またはスリットコート工程などにより、酸化膜ＯＸＬ上に形成されることができる。本実施形態において、有機膜は、アクリル系合成樹脂及び有機膜をパターニングするための感光物質を含むことができる。
【００４０】
図５は、図４に示すソース電極及びドレイン電極の一部を露出させる開口部を有する有機膜パターンを示す断面図である。
次に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの一部を有機膜から露出するために、感光物質を含む有機膜は、レチクルを通過した光により露光し、現像液によって現像される。これにより、酸化膜ＯＸＬ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの一部を露出させる開口部ＯＰを有する有機膜パターンＯＬＰが形成される。
【００４１】
図６は、図５に示す有機膜パターン及び開口部内を酸素プラズマで処理するのを示す断面図である。
図６に示すように、開口部ＯＰが形成された有機膜パターンＯＬＰを形成した後、ベース基板ＢＳは、有機膜パターンＯＬＰの上部からベース基板ＢＳに向ける酸素プラズマによりプラズマ処理される。
有機膜パターンＯＬＰに形成された開口ＯＰにより露出したソース電極ＳＥの一部、ドレイン電極ＤＥの一部は酸素プラズマにより処理される。
これにより、ソース電極ＳＥは、第１ソース電極部ＳＥ２及び第２ソース電極部ＳＥ１に分けられ、ドレイン電極ＤＥは、第１ドレイン電極部ＤＥ２及び第２ドレイン電極部ＤＥ１に分けられる。
【００４２】
図７は、図６に示すソース電極の第２ソース電極部及びドレイン電極の第２ドレイン電極部に有機半導体パターンを形成することを示す断面図である。
図７に示すように、酸素プラズマにより、ソース電極ＳＥに第２ソース電極部ＳＥ１を形成し、ドレイン電極ＤＥに第２ドレイン電極部ＤＥ１を形成した後、有機膜パターンＯＬＰの上面には、親水性有機半導体物質が提供される。本実施形態において、親水性有機半導体物質は、流動性を有し、電界により、導体の特性または不導体の特性を有することができる。
親水性有機半導体物質は、疏水性有機膜パターンＯＬＰ上には付着し難く、親水性である第２ソース電極部ＳＥ１及び第２ドレイン電極部ＤＥ１には容易に付着するため、有機半導体物質は、有機膜パターンＯＬＰの開口部ＯＰを満たし、開口ＯＰの内部に満たされた有機半導体物質は硬化して、有機半導体パターンＯＳＣが形成される。
【００４３】
図８は、図７に示す有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜を示す断面図である。
図８に示すように、有機半導体パターンＯＳＣが形成された後、有機半導体パターンＯＳＣを絶縁するために、有機膜パターンＯＬＰ及び有機半導体パターンＯＳＣ上には、ゲート絶縁膜ＯＧＩが形成される。本実施形態において、ゲート絶縁膜は、有機物を含むことができる。ゲート絶縁膜を有機物で形成する場合、ゲート絶縁膜は、スピンコート工程またはスリットコート工程により形成されることができる。
【００４４】
図９は、図８に示すゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を示す断面図である。
図９に示すように、有機膜パターンＯＬＰ及び有機半導体パターンＯＳＣ上にゲート絶縁膜ＯＧＩが形成された後、ゲート絶縁膜ＯＧＩ上には、全面積にわたってゲート金属層及びフォトレジストフィルムが形成される。次に、フォトレジストフィルムを写真−エッチング工程によりパターニングして、フォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをエッチングマスクとしてゲート金属層をエッチングして、ゲート絶縁膜ＯＧＩ上にゲート電極ＧＥを形成する。
【００４５】
表示装置
図１０は、本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
図１０に示すように、本発明による表示装置４００は、第１表示基板１００、第２表示基板２００、及び液晶層３００を備える。
第１表示基板１００は、有機薄膜トランジスタＯＴＦＴ、画素電極１４６を備える。
有機薄膜トランジスタＯＴＦＴは、酸化膜１２０、ソース電極１３０、ドレイン電極１４０、疏水性有機膜パターン１５５、親水性有機半導体パターン１５０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極１７０を備える。
【００４６】
有機薄膜トランジスタＯＴＦＴは、第１ベース基板１１０上に形成される。本実施形態において、第１ベース基板１１０は、ガラス基板及びプラスチック基板のような透明な基板を備える。
酸化膜１２０は、第１ベース基板１１０の一側面上に配置され、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を使用することができる。
【００４７】
ソース電極１３０は、酸化膜１２０上に配置される。ソース電極１３０として用いられる物質の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、銅などを例に挙げることができる。
【００４８】
ソース電極１３０は、第１ソース電極部１３２及び第２ソース電極部１３４を備える。本実施形態において、第１ソース電極部１３２は疏水性を有し、第２ソース電極部１３４は、親水性を有する。平面上から見たとき、ソース電極１３０の全体面積の半分は、第１ソース電極部１３２であり、ソース電極１３０の全体面積は、残りの半分は、第２ソース電極部１３４である。
【００４９】
例えば、第２ソース電極部１３４及びドレイン電極１４０は、相互に近接するように配置され、第１ソース電極部１３２は、ドレイン電極１４０に対して第２ソース電極部１３４に比べて遠くに配置される。
【００５０】
ドレイン電極１４０は、酸化膜１２０上に配置される。本実施形態において、ドレイン電極１４０は、ソース電極１３０と同一の平面上に配置され、ドレイン電極１４０は、ソース電極１３０から所定間隔離隔する。
本実施形態において、ドレイン電極１４０として用いられる物質の例としては、アルミニウム、アルミニウム合金、金、銀、銅などを例に挙げることができる。
【００５１】
ドレイン電極１４０は、第１ドレイン電極部１４４及び第２ドレイン電極部１４２を備える。本実施形態において、第１ドレイン電極部１４４は、疏水性を有し、第２ドレイン電極部１４２は、親水性を有する。
本実施形態において、ドレイン電極１４０の第２ドレイン電極部１４２は、ソース電極１３０の第２ソース電極部１３４と対向するように配置される。
したがって、ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、平面上から見たとき並列して配置され、したがって、酸化膜１２０上には、第１ソース電極部１３２、第２ソース電極部１３４、第２ドレイン電極部１４２、第１ドレイン電極部１４４が、これらの名称の順に配置される。
【００５２】
外部から印加される電圧レベルに対応して、導体の特性または不導体の特性を有する親水性有機半導体パターン１５０は、シリコンのような半導体物質を含むことができる。
【００５３】
本実施形態において、有機半導体パターン１５０は、親水性を有する。したがって、親水性を有する有機半導体パターン１５０は、疏水性を有する第１ソース電極部１３２及び第１ドレイン電極部１４４には付着されず、親水性を有するソース電極１３０の第２ソース電極部１３４及びドレイン電極１４０の第２ドレイン電極部１４２に選択的に付着される。したがって、第１及び第２親水性部１３４、１４２が、有機半導体パターン１５０により電気的に接続され、有機半導体パターン１５０は、平面上から見たとき、島状を有する。
【００５４】
一方、ソース電極１３０を第２ソース電極部１３４及び第１ソース電極部１３２に区分し、ドレイン電極１４０を第２ドレイン電極部１４２及び第１ドレイン電極部１４４に区分し、区分された第１及び２親水性部１３４、１４２に有機半導体パターン１５０を電気的に接続するために、第１ベース基板１１０上には、有機膜パターン１５５がさらに形成されることができる。
【００５５】
本実施形態において、有機膜パターン１５５は、疏水性を有する。例えば、有機膜パターン１５５は、アクリル系合成樹脂を含むことができる。これに加えて、有機膜パターン１５５には、有機膜パターン１５５を写真工程及び現像工程によりパターニングできるように、感光物質をさらに含むことができる。
【００５６】
本実施形態において、有機膜パターン１５５は、ソース電極１３０の第２ソース電極部１３４及びドレイン電極１４０の第２ドレイン電極部１４２を開口する開口部を有する。反対に、ソース電極１３０の第１ソース電極部１３２及びドレイン電極１４０の第１ドレイン電極部１４４は、有機膜パターン１５５により隠される。
【００５７】
疏水性を有する有機膜パターン１５５により、有機半導体パターン１５０をなす親水性半導体物質は、有機膜パターン１５５の表面及び有機膜パターン１５５の開口の側壁などに付着されず、親水性である第２ソース電極部１３４、第２ドレイン電極部１４２に付着される。
【００５８】
ゲート絶縁膜１６０は、有機膜パターン１５５の上面に形成されて、有機膜半導体パターン１５０を覆う。
【００５９】
ゲート電極１７０は、ゲート絶縁膜１６０上に形成され、ゲート電極１７０は、有機半導体パターン１５０と対応する所に形成される。
ゲート電極１７０の上面には、配向溝（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｇｒｏｏｖｅ）が形成された配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｆｉｌｍ）１８０が形成される。
【００６０】
このような構造を有する有機薄膜トランジスタＯＴＦＴのドレイン電極１４０の第１ドレイン電極部１４４には、画素電極１４６が電気的に接続される。本実施形態において、画素電極１４６は、透明かつ導電性である酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）またはアモルファス酸化インジウムスズ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などを含むことができる。
【００６１】
このような有機薄膜トランジスタＯＴＦＴ及び画素電極１４６を備える第１表示基板１００は、第２表示基板２００と対向するように配置される。本実施形態において、第２表示基板２００は、第２ベース基板２１０上に格子状に形成された遮光パターン２２０及びカラーフィルタ２３０を備える。本実施形態において、遮光パターン２２０は、クロム及び／またはクロム酸化膜、クロムと類似の光吸水率を有するブラックレジンのような物質を使用することができる。
【００６２】
本実施形態において、第１表示基板１００及び第２表示基板２００のエッジは、密封部材により密封され、密封部材、第１及び第２表示基板１００、２００らによって形成された空間には、液晶層３００が配置される。例えば、第１及び第２表示基板１００、２００の間には、液晶層３００のセルギャップを維持するためのボールスペーサ（ｂａｌｌ  ｓｐａｃｅｒ）またはカラムスペーサ（ｃｏｌｕｍｎ  ｓｐａｃｅｒ）などが配置されることができる。
【００６３】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタを示す平面図である。
【図２】図１に示すＩ−Ｉ´線の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機薄膜トランジスタの製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示装置を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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