(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物層を基板の表面に形成する工程と、
上記金属酸化物層に凹凸パターンを形成する工程と、
還元性気体を含有する雰囲気中において、上記凹凸パターンが形成された上記金属酸化物層を熱処理し、ランドのテーパ角と、ランドの上面および傾斜面の境界部の形状を調整して、光ディスク原盤を得る工程と
を備える光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
上記熱処理の工程では、上記金属酸化物層の表面に金属性皮膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項３】
上記還元性気体が水素であることを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項４】
上記金属酸化物層に含まれる金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする請求項１記載の光ディスク原盤の製造方法。
【請求項５】
上記金属酸化物層は、タングステン、モリブデンおよびバナジウムの少なくとも１種類を含有することを特徴とする請求項４記載の光ディスク原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光ディスク原盤の製造方法に関する。詳しくは、無機レジスト層を備える光ディスク原盤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、情報記録媒体として用いられる光ディスクにはその用途に応じて、ＭＤ（Mini Disc）、ＭＯ（Magneto Optical）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（登録商標）など様々なフォーマットが提案されている。いずれのフォーマットで使用される光ディスク基板も、一般的には樹脂材料の射出成形により作製される。
【０００３】
以下、図１４を参照しながら、光ディスク原盤の作製から光ディスク基板の作製までの従来の工程の概略について説明する。まず、図１４（ａ）示すように、円盤状のガラス基板１０１を作製する。次に、図１４（ｂ）に示すように、ガラス基板１０１を回転させながら、このガラス基板１０１上にレジスト１０２を塗布する。
【０００４】
次に、図１４（ｃ）に示すように、ガラス基板１０１を回転させながら、このガラス基板１０１上に塗布されたレジスト１０２を所定の波長のレーザ光１０３により露光する。これにより、所望とする光ディスクのランドおよびグルーブなどに応じた潜像パターンがガラス基板１０１上に形成される。次に、図１４（ｄ）に示すように、ガラス基板１０１を回転させながら、ガラス基板１０１上に現像液１０４を滴下して現像処理をする。これにより、所望とする光ディスクのランドおよびグルーブなどに応じた凹凸パターンがガラス基板１０１上に形成される。以上により、目的とする光ディスク原盤が得られる。
【０００５】
次に、図１４（ｅ）に示すように、メッキ処理により光ディスク原盤１１１上にニッケルなどの金属を析出させてメッキ層１０５を形成する。次に、図１４（ｆ）に示すように、このメッキ層１０５を光ディスク原盤１１１から剥離した後、図１４（ｇ）に示すように、トリミングを施して所定のサイズにすることにより、光ディスクスタンパ１０６が得られる。そして、図１４（ｈ）に示すように、この光ディスクスタンパ１０６を射出成形装置の金型１０７に装着し、金型１０７を閉じてキャビティを形成し、このキャビティ内に矢印ａに示す方向からポリカーボネート（ＰＣ）などの溶融樹脂を注入後、硬化させて金型１０７を開く。これにより、光ディスクスタンパ１０６の凹凸が転写させた光ディスク基板１０８が得られる。
【０００６】
ところで、従来、ガラス基板上に塗布されるレジストとしては、ノボラック樹脂系のポジ型フォトレジストが用いられている。このレジストにより形成可能な最短ピット長は、使用する露光用光源であるレーザの波長λと、レーザから出射された光束をレジストに収束させるための対物レンズの開口数ＮＡ（Numerical Aperture）とを用いて以下の式により決定される。
Ｐ＝Ｋ×λ／ＮＡ
この式中で、比例定数Ｋは、使用するレーザとフォトレジストとの組み合わせで決まる数値であり、およそ０．５〜０．８程度である。
【０００７】
したがって、光ディスクの高記録密度化に対応してより微細なパターンを形成するためには、（１）光源の短波長化と、（２）対物レンズの高ＮＡ化とが必要になる。そこで、（１）光源の短波長化については、紫外線レーザまたは電子ビーム露光などの光源を使用することが検討されているが、このような光源を露光装置に用いると、露光装置が従来のものに比べて複雑化し、安定性も低下してしまうという問題がある。また、（２）対物レンズの高ＮＡ化については、ＮＡはその定義上１以下であるため、その限界値に近い０．９前後の高ＮＡを有する対物レンズが一般的に用いられているが、０．９前後のＮＡを有する対物レンズと、可視レーザとを備えた系では、高記録密度に対応することは困難である。例えば、レーザ光の波長を４１３ｎｍ（ＤＶＤ用スタンパの露光で使用されるレーザ波長）、Ｋを０．５、ＮＡを０．９とすると、最短ピット長（スポット径）は３７０ｎｍ程度であり、高記録密度化にはこの系では対応できない。
【０００８】
そこで、ノボラック樹脂系の有機レジストに代えて、遷移金属の不完全酸化物からなる無機レジストを用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。この無機レジストでは、４０５ｎｍ程度の可視レーザ光による露光によっても、熱記録の特性によりスポット径より小さいパターンの露光が可能であるため、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃあるいはそれ以上の高記録密度化に対応した光ディスクのマスタリング技術に有用な技術として注目されている。
【０００９】
従来より遷移金属酸化物については種々の研究がなされており、例えば、遷移金属酸化物の還元処理としては以下のものが知られている。非特許文献１〜３では、遷移金属酸化物の薄膜に線状にイオンビームを照射し、アルカリ現像してネガ形状を作製し、８００℃で水素還元したときの線幅がイオン加速電圧との関係として示されている。これは遷移金属酸化物薄膜の製膜方法の違い、および薄膜へのイオンビーム照射量を、現像後の線幅との相関として求めて、これを膜の感度として規定し、さらに還元処理して前後の線幅変化を測定したものである。
【００１０】
また、特許文献２には、ポリバナジン酸化合物を還元して三酸化バナジウムを得る方法や、還元処理で生じる被膜について記載されている。ここで、被膜成分である三酸化バナジウムおよび四酸化バナジウムは、目的物である三酸化バナジウムを効率的に得るための障害になるものとして考えられている。このように金属酸化物を還元処理した場合、金属酸化物の表面は酸素含有比率が低下した金属酸化物被膜、または金属被膜で覆われる。この被膜によって還元が金属酸化物の内部にまで及ぶことが妨げられるため、金属酸化物を完全に還元して金属にする際には、金属酸化物を粒径制御した粉末に加工したり、充分に薄い膜に加工したりして、還元処理を行う方法が取られている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−３１５９８８号公報
【特許文献２】特開２００４−１６８５６０号公報
【非特許文献１】Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, No.10, page.2090-2094, 1989
【非特許文献２】Japanese Journal of Applied Physics, Vol.29, No.10, page.2299-2302, 1990
【非特許文献３】Japanese Journal of Applied Physics, Vol.30, No.11B, page.3246-3249, 1991
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、フォトリソグラフィにおいて、無機レジストは有機レジストと較べて高い熱安定性を有し、また、著しく高いγ特性が容易に得られることが知られている。たとえば、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリグリシジルメタクリレート・クロロスチレン共重合体（ＧＭＣ）、ポリ（ブテン−１−スルホン）（ＰＢＳ）、フェニルホルムアルデヒドノボラックなどの有機レジストは、紫外線を用いた場合では勿論のこと、細く収束させた電子線やイオンビームなどを用いた場合ですら現像後は、通常、３以下のγ特性しか得られない。なお、γ＝１／（logδ１−logδ０）（δ０：レジストを感光させるのに必要な最小露光量、δ１：レジストを完全に感光させるのに必要な露光量）である。これは、有機レジストでは分子量が大きいため露光部と未露光部の境界が不明瞭になるためである。これに対し、カルコゲナイドや金属酸化物などで作られる無機レジストでは、４を超えるγ特性、ときには８を超えるようなγ特性を得ることができる。このため、無機レジストでは有機レジストに較べて急峻なテーパ角が得られるようになる。
【００１３】
上述したように、光ディスク原盤は、ガラスやシリコンウエハに塗布したフォトレジストにレーザ照射して潜像を形成し、現像、メッキ処理を経て剥離し、トリミングを行うことで得られる。有機レジストは感光性レジストとして製品化され、有機レジストを用いた光ディスク原盤の生産技術は一連のプロセスとして確立されている。スタンパ用途として後発の無機レジストは、しばしば有機レジストで得られる形状特性に、敢えて形状を合わせ込まねばならないことがある。この場合、無機レジストで得られる急峻なテーパ角を有機レジストのそれに合わせ込むことが必要になる。すなわち、無機レジストで得られる急峻なテーパを低減させることが必要となる。
【００１４】
一方、無機レジストは有機レジストに較べて格段に硬度が高く、メッキ処理による光ディスク原盤の複製は、有機レジストでは１回だけしかできないのに対し、無機レジストでは光ディスク原盤を複数回にわたって複製することができる。しかしながら、メッキ処理と剥離を繰り返すうち、光ディスク原盤の表面に荒れが発生し、評価される信号特性にも劣化が生じてくる。
【００１５】
上述したように、従来、無機レジストの材料である金属酸化物について種々の研究がなされているが、上述の問題点に関しては検討されていない。例えば、上述の非特許文献１〜３では、線幅が還元により減少することが記載されているが、線幅が還元で単純に減少すると考えており、光ディスク原盤の凹凸パターンの形状や還元被膜の影響についてはもちろんのこと、凹凸パターンの形状制御に関する具体的な応用についても何ら記載されてはいない。また、上述の特許文献２では、還元処理で生じる被膜について記載されているが、光ディスク原盤を複製した場合に生じる表面の荒れに関しては何ら記載されてはいない。
【００１６】
したがって、この発明の第１の目的は、原盤を繰り返し複製した場合にも表面における荒れの発生を抑制できる光ディスク原盤の製造方法を提供することにある。
【００１７】
また、この発明の第２の目的は、金属酸化物で得られる急峻なテーパ角を低減できる光ディスク原盤の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述の課題を解決するために、この発明は、
金属酸化物層を基板の表面に形成する工程と、
金属酸化物層に凹凸パターンを形成する工程と、
還元性気体を含有する雰囲気中において、凹凸パターンが形成された金属酸化物層を熱処理し、ランドのテーパ角と、ランドの上面および傾斜面の境界部の形状を調整して、光ディスク原盤を得る工程と
を備える光ディスク原盤の製造方法である。
【００２２】
この発明では、金属酸化物層の表面における金属酸化物の酸化数は、該金属酸化物層の内部における金属酸化物の酸化数に比べて小さいので、金属酸化物層の表面は、金属の状態であるか、またはその内部に比して金属により近い状態になっている。したがって、光ディスク原盤または原盤の耐久性を向上できる。
【００２３】
この発明では、凸形状と基材とが密着する部分とは還元性気体に暴露されないのに対して、凸形状の表面は還元性気体に暴露されるので、凸形状と基材とが密着する部分と凸形状の表面とで体積収縮率に差が生じる。したがって、凸形状のテーパ角を低減させることができる。
【００２４】
また、この発明では、凹凸形状が設けられた光ディスク原盤を還元処理することで、光ディスク原盤の表面に金属性の被膜を形成し、表面の特性を改良することができる。
【００２５】
この発明において、基材上に設けられた金属酸化物層に目的とする形状を形成する方法としては、金属酸化物層に始めから形状を付与する方法、基材上に一様な金属酸化物層を形成し、エッチングや現像により形状を付与する方法、形状に合わせて金属酸化物層を変質させ、溶媒などに対する溶解度差をつけることにより形状を付与する方法などを用いることができる。
【００２６】
金属酸化物層に始めから形状を付与する方法としては、まず、目的とする形状に打ち抜いたマスクを基材の上に乗せ、金属酸化物層を形成した後、マスクを外す方法がある。複数のマスクを用意し、それぞれ異なった膜厚で金属酸化物層を形成してもよい。同様な方法で、マスクの変わりにレジストを使用することもでき、これは微細な形状を製造する際に特に有効である。すなわち、ポジまたはネガの有機レジスト膜を基材に形成したのち、目的とする形状にポジまたはネガの露光がなされるよう製造したマスクを通し、紫外線や電子線などの活性エネルギー線を照射した後、現像して形状・文字情報の部分の基材を露出させる。次に、この上から、金属酸化物層を形成し、最後に、レジストを溶解または剥離して金属酸化物層に目的とするパターンを得る。
【００２７】
エッチングによって形状を得る手段としては、基材上に金属酸化物層を形成した後、目的とする形状が遮蔽される構造のマスクを乗せ、露出した部分の一部または全部をエッチングで除去し、マスクを外すことで形状を形成するものである。エッチングはプラズマ・エッチングやイオン・エッチングなどのドライ・エッチング、金属酸化物層の種類に応じて化学的に溶解させるウエット・エッチング、サンド・ブラストなどを使って表層から削り取る方法などがある。ウエット・エッチングの例を挙げると、例えば金属酸化物として酸化ケイ素を用いた場合には、フッ化水素酸、またはフッ化水素酸と無機酸の混合液で処理することにより、マスクから露出した部分の一部または全部を除去することができる。
【００２８】
現像によって形状を得る手段としては、基材上に金属酸化物層を形成した後、目的とする形状が遮蔽される構造のマスクを乗せ、露出した部分の一部または全部を現像で除去し、マスクを外すことで形状を形成するものである。例えば金属酸化物として三酸化タングステンを用いた場合には、現像液としてアンモニア水や水酸化ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いることにより、マスクから露出した部分を溶解することができる。また、金属酸化物として炭酸カルシウムを用いた場合には、塩酸や硫酸などの酸性水溶液で処理することにより、マスクから露出した部分を溶解することができる。
【００２９】
ここで、現像によって目的とする形状を得るためのマスクは、例えば金属や樹脂などの形状に打ち抜いた板やフィルムの他、粘着テープを切り抜いたものを使う方法もある。これらのマスクは、形成した無機材料の被膜の上に密着させ、現像液の浸入を防ぐようにして利用する。現像液の浸入を防ぐ目的を達するものであれば、ロウ、グリス、ワセリン、ペトロラタム、ペースト状樹脂などを、目的とする形状・文字情報などの形状に塗布または印刷する方法を使うこともできる。また、レジストを使用することもでき、これは微細な形状・文字情報などを形成する際に特に有効である。これはポジまたはネガの有機レジストを無機材料の被膜の上に形成した後、目的とする形状が無機材料の被膜の上に残るよう、ポジまたはネガの露光がなされるマスクを通して紫外線や電子線などの活性エネルギー線で露光し、現像して形成するものである。
【００３０】
形状に合わせて金属酸化物層を変質させ、溶媒などに対する溶解度差をつける方法としては、金属酸化物を無機レジストとして基材上に製膜し、活性エネルギー線を照射した後、現像などのプロセスを経る方法がある。これらは活性エネルギー線の照射によって、照射部位の結晶・アモルファス間の相転移、または酸化反応などを起こさせ、現像液に対する溶解性を変化させることによって選択比を得るものである。活性エネルギー線の種類としては、レーザ光、イオンビーム、電子線、Ｘ線、紫外線、水素プラズマなどが挙げられる。
【００３１】
この発明で用いられる金属酸化物は、基材上に目的とする形状を製造するプロセスに応じて任意の素材を用いることができる。具体例を挙げると、一酸化チタン（ＴｉＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、三酸化タングステン（ＷＯ3）、二酸化タングステン（ＷＯ2）、一酸化タングステン（ＷＯ）、二酸化モリブデン（ＭｏＯ2）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、一酸化モリブデン（ＭｏＯ）、五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）、四酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ4）、三酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化セリウム（ＣｅＯ2）、酸化銅（ＣｕＯ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化スチビウム（Ｓｂ2Ｏ3）、フッ化カルシウム（ＣａＦ2）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ4）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ4）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、ケイ酸カルシウム（ＣａＳｉ2Ｏ5）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ3）、炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ3）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3）、炭酸ニッケル（Ｎｉ2ＣＯ3）、炭酸ビスマス（（ＢｉＯ）2ＣＯ3）、りん酸アルミニウム（ＡｌＰＯ4）、りん酸水素バリウム（ＢａＨＰＯ4）、りん酸リチウム（Ｌｉ3ＰＯ4）、クエン酸亜鉛（Ｚｎ3（Ｃ6Ｈ5Ｏ7）2）、ほう酸亜鉛（２ＺｎＯ・３Ｂ2Ｏ3）、ほう酸バリウム（ＢａＢ4Ｏ7）、酸化ウラン（Ｕ3Ｏ8）などを例として挙げることができる。これらの金属酸化物は単独で用いることも、２種類以上を混合して用いることもできる。
【００３２】
これらの中で、レーザ光、電子線、イオンビーム、水素プラズマ、紫外線、可視光線、赤外線などの活性エネルギー線によって、現像液に対する溶解度差（選択比）を生じる無機レジストとしては、金属酸化物のうち金属元素としてタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、タリウム（Ｔｌ）、ホウ素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、ケイ素（Ｓｉ）、ウラン（Ｕ）、テルル（Ｔｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、スズ（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）を含むものなどが知られている。これらの内でも金属元素として、好ましくはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、さらに好ましくは、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）を含む金属酸化物が無機レジストとして好適に用いられる。これらの金属は、単独の酸化物として用いることも、２種類以上の金属からなる酸化物として用いることもできる。
【００３３】
なお、金属元素に対する酸素の組成比は化学量論的なものである必要はなく、その金属元素が取り得る最大酸化数までの範囲内で、任意の値をとることができる。たとえばタングステンの場合、ＷＯxは０＜ｘ≦３の任意のｘの値を取ることができる。
【００３４】
現像液として用いる溶液は金属酸化物の薄膜を溶解するものであれば、どのようなものでも使用することができる。酸の例を挙げると、塩酸、硝酸、酢酸のような液体の酸を適宜、水で希釈した溶液のほか、リン酸、シュウ酸、クエン酸、酒石酸のような固体の酸を水に溶かした溶液も利用することができる。アルカリの例を挙げると、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、アンモニア水溶液、トリエタノールアミン水溶液、ジエタノールアミン水溶液などのほか、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニウム塩のような固体のアルカリを水に溶かしたものも利用することができる。現像液は現像速度の調整や現像残渣の効率的な除去などの目的で、適宜、水溶液に有機溶剤を混ぜて用いたり、浸透剤や界面活性剤などを添加したりすることができる。現像液の温度は特に制限されるものではないが、薄膜の溶解速度を調整するために適宜、温度を調整するなどの方法を採用することができる。
【００３５】
単位体積あたりの金属酸化物に含まれる酸素量が多いほど、還元による体積収縮率も大きくなるため、形状を制御できる範囲も広がる。たとえば、二酸化タングステン（ＷＯ2）からなる形状よりも、三酸化タングステン（ＷＯ3）からなる形状の方が、テーパ角を制御できる範囲が大きい。
【００３６】
この発明では還元で生じた金属性の被膜を、最終形態を還元条件によらず、ほぼ同一の形状に収束させるための手段として積極的に利用する。この発明の形状制御は、基材上に形成した金属酸化物の形状を還元処理するとき、金属酸化物と基材が密着する部分は還元の影響をほとんど受けないのに対し、金属酸化物の形状で還元性気体に曝露している部分が体積収縮することを利用し、テーパ角を減少させたり形状のエッジ角を広げて丸みを持たせたりするものである。形状表面の金属性やテーパ角は、サンプルを還元する処理温度、還元気体の濃度、処理時間によって制御される。目的とするサンプル処理状態、および還元する金属酸化物の種類に応じて、これらの組み合わせを適宜、調整して用いる。この中で還元に対する寄与が最も大きいのは処理温度で、高温ほど還元力が強くなる。処理温度は特に規定されるものではないが、一般的な金属酸化物の還元は、通常、２５０〜９００℃で行われ、高温ほど還元で生じる金属性の被膜によって表面が被覆されるまでの時間が短くなる。設定温度については、金属酸化物を形成した基材の耐熱温度に依存する部分が大きく、たとえばガラス基材は高温で変形することがあり、シリコンウエハは高温処理を経たものは応力に対して割れを生じやすくなることがある。これらは光ディスクの原盤作成のように精密加工が必要な場合には致命的になることもあるため、還元性気体の濃度や処理温度は、高温で短時間の処理を行うよりも低温で長時間の処理を行う方法を採用するなど適宜、調整する。温度の昇降速度についても、急速な昇降を加えることで基材の歪みやクラックを生じる可能性がある場合は、充分な時間をかけて温度制御を行う必要があるが、通常は１０分間あたり５〜１００℃程度で制御する。この発明の方法は、金属酸化物を還元処理して得られる形状が、これらの処理方法や経路に大きく影響されないことに特長がある。
【００３７】
還元性気体としては、硫化水素、一酸化炭素、二酸化硫黄、水素、ホルムアルデヒドなどを用いることができる。これらは単独、または２種類以上を混合して用いることができる。また、これらの還元性気体は、非酸化性の気体と混合することで濃度を調整して用いることができる。非酸化性の気体としては、ヘリウム、アルゴン、窒素などを好適に用いることができる。また、金属酸化物を還元する際、最初から純粋な還元性気体を流しても、還元性気体と非酸化性気体の混合比率を温度や時間に対応して変えながら流してもよい。金属酸化物を還元するときに発生する水は速やかに除去されることが望ましい。これらの水分は、還元炉の中を通す還元性気体または混合気体と一緒に系外に排出され、気体の流速を高めることで排出を効率化することができる。経済的な観点から、還元性気体と非酸化性気体の混合気体に占める還元性気体の含有量を減らし、流速を大きく取るなどの方法を使うことができる。混合気体に占める還元性気体の比率は任意で、流速は通常、１分間当たり０．１〜１０リットル程度で行う。
【００３８】
あるサンプルにおける還元の相対的な進行度合いは、還元処理前と処理途中または処理後の表面抵抗を測定・比較することで判断することができる。すなわち、還元は形状の表面から内部に向かって進行し、表面部分において高い金属性を示すようになる。このため、形状または形状と同じ条件で還元操作に付した金属酸化物の表面抵抗を測定することで、還元の度合いを知ることができる。
【００３９】
サンプルを還元処理することで、金属酸化物からなる形状に金属性の被膜が形成されてくる。これが形状の過剰な還元を防止する効果をもたらす。また、柔軟性を持った金属性の被膜が形成されることにより、高温での還元処理を行った場合でも形状が崩れることを防止することができる。
【００４０】
金属酸化物層を形成する基材の種類は、金属酸化物層を還元処理する温度に耐えるものであれば、どのようなものを用いることもできる。フィルム材としてはポリイミド、テフロン（登録商標）、液晶ポリマー、シリコン樹脂、板材としてはガラス、シリコンウエハ、金属板、セラミックスなどを用いることができる。
【００４１】
基材表面は金属酸化物層の形成を容易にしたり、金属酸化物層の剥離を防止したりする目的で、適宜、表面処理を行うことができる。表面処理の方法としては、加熱・焼成、紫外線などの活性エネルギー線照射、ＵＶ／オゾン処理、逆スパッタ、プラズマ・エッチング処理のほか、過酸化水素水、過マンガン酸アルカリ金属塩や重クロム酸アルカリ金属塩の水溶液、濃硫酸、濃硝酸などによる酸化処理、サンド・ブラストなどによる粗面化処理、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、シリル化剤などによる官能基修飾などの方法を挙げることができる。
【００４２】
金属酸化物層の形成方法としては、乾式法としては化学蒸着法（ＣＶＤ）の他、真空蒸着法、プラズマ援用蒸着法、スパッタなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）、湿式法としてはバーコート、スピンコート、スクリーン印刷などの塗布法、ＬＢ法、化学析出法、陽極酸化法、電解析出法などを用いることができる。
【００４３】
この発明の金属酸化物層は特に膜厚の範囲を規定するものではないが、還元処理によって形状パターン表面に金属性の薄膜が形成され、これが保護膜となって過剰な還元の進行を防止する性質を有するため、形状パターン側面のテーパ角を顕著に制御するためには、典型的には膜厚２００ｎｍ以下、好ましくは膜厚１００ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【００４４】
以上説明したように、この発明によれば、還元処理によって原盤の凹凸形状の表面に金属性の薄膜が形成されるので、原盤の耐久性を向上できる。したがって、原盤の複製を繰り返した場合にも表面における荒れの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、この発明を光ディスク原盤に適用した場合について説明する。図１〜２は、この発明の一実施形態による光ディスク原盤の製造方法を説明するための模式図である。図３は、この発明の一実施形態による光ディスクスタンパの製造方法を説明するための模式図である。図４は、この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法を説明するための模式図である。
【００４６】
（光ディスク原盤の製造方法）
まず、図１Ａに示すように、例えばシリコンなどからなる平滑な基板１を作製する。そして、図１Ｂに示すように、例えばスパッタリング法により中間層２を基板１上に製膜する。中間層２を構成する材料としては、例えば、硫化亜鉛と二酸化シリコンとの混合体（ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体）、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）を挙げることができ、良好な露光感度の点からすると、ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）が好ましい。下地層２をＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体により構成する場合には、硫化亜鉛（ＺｎＳ）の含有量は例えば７０ｍｏｌ％以上１００ｍｏｌ％以下の範囲から選ばれ、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）の含有量は例えば０ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下の範囲から選ばれる。
【００４７】
次に、図１Ｃに示すように、例えばスパッタリング法により無機レジスト層３を中間層２上に製膜する。この無機レジスト層３は、例えば、遷移金属酸化物などの金属酸化物からなる。遷移金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）などを用いることができる。この中でも、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニオブ（Ｎｂ）を用いることが好ましく、可視光または紫外線により大きな化学変化を得られる点からすると、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。また、これらの遷移金属を１種のみならず、２種以上用いることも可能である。
【００４８】
金属酸化物を無機レジスト材料として用いる場合には、無機レジスト層３の酸素含有量は、５３原子％以上７４原子％以下であることが好ましい。酸素含有量をこの範囲にすることで、良好な表面性を得ることができる。
【００４９】
基板１上に形成される無機レジスト層３の厚さは任意に設定可能であるが、所望のピットまたはグルーブの深さが得られるよう設定する必要がある。例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃの場合には無機レジスト層３の厚さが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲であることが好ましく、ＤＶＤ−ＲＷ（Digital Versatile Disc-ReWritable）の場合には２０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００５０】
次に、図２Ａに示すように、基板１を回転させると共に、露光ビーム３ｂを無機レジスト層３に照射して、無機レジスト層３を全面に渡って露光する。これにより、所望とする光ディスクのランドおよびグルーブなどに応じた潜像３ａが、無機レジスト層３の全面に渡って形成される。
【００５１】
次に、基板１を回転させながら、無機レジスト層３上に現像液を滴下して、図２Ｂに示すように、無機レジスト層３を現像処理する。これにより、無機レジスト層３に螺旋状または同心円状に微細な凹凸パターンが形成される。以下では、無機レジスト層３に形成された凸部をランド、凹部をグルーブと称する。ここで、無機レジスト層３をポジ型のレジスト材料により形成した場合には、レーザ光で露光した露光部は、未露光部に比較して現像液に対する溶解速度が増すので、レーザ光の露光に応じたパターンが無機レジスト層３に形成される。現像液としては、例えばテトラメチルアンモニウム水酸化溶液などのアルカリ現像液を用いることができる。
【００５２】
次に、図２Ｃに示すように、還元性気体を含有する雰囲気中において無機レジスト層３を熱処理し、無機レジスト層３の表面を還元する。これによりランドのテーパ角（傾斜角）が減少するとともに、ランドの上面と傾斜面との境界部がより丸くなる。この際、処理時間・処理温度・還元気体濃度より、ランドのテーパ角と、ランドの上面および傾斜面の境界部の形状とを調整することができる。以上により、目的とする光ディスク原盤を得ることができる。
【００５３】
（光ディスクスタンパの製造方法）
次に、図３Ａに示すように、現像後の光ディスク原盤の凹凸パターン上に、例えば無電界メッキ法によりニッケル被膜などの導電化膜４ａを形成する。その後、導電化膜４ａが形成された光ディスク原盤を電鋳装置に取り付け、電気メッキ法により導電化膜４ａ上に例えば３００±５［μｍ］程度の厚さになるようにメッキを施すことで、図３Ｂに示すように、凹凸パターンを有するメッキ層４を形成する。メッキ層４を構成する材料としては、例えば、ニッケルなどの金属を用いることができる。
【００５４】
次に、図３Ｃに示すように、例えばカッターなどにより光ディスク原盤からメッキ層４を剥離する。その後、このメッキ層４に対してトリミングを施して所定のサイズにした後、例えばアセトンなどを用いてメッキ層４の信号形成面に付着した無機レジストを洗浄する。以上により、目的とする光ディスクスタンパを得ることができる。
【００５５】
（光ディスクの製造方法）
次に、図４Ａに示すように、例えば射出成形法により、光ディスクスタンパ５の凹凸パターンをポリカーボネート（ＰＣ）などの樹脂材料に転写して、光ディスク基板１１を作製する。具体的には例えば、成型金型に光ディスクスタンパを配置し、金型を閉じてキャビティを形成し、このキャビティ内にポリカーボネートなどの溶融樹脂材料を注入し、硬化後に金型を開く。これにより、所望のピットおよびグルーブパターンが転写された光ディスク基板１１が作製される。
【００５６】
次に、図４Ｂに示すように、情報信号部１２を光ディスク基板１１上に形成する。情報信号部１２は、情報信号を記録可能および／または再生可能に構成され、その構成は、例えば、所望とする光ディスクが再生専用型、追記型および書換可能型のうちのいずれであるかに応じて適宜選択される。
【００５７】
所望とする光ディスクが再生専用型である場合には、情報信号部１２は、例えば反射膜からなり、この反射膜の材料としては、例えば、金属元素、半金属元素、これらの化合物または混合物が挙げられ、より具体的には例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体、またはこれらの単体を主成分とする合金が挙げられる。そして、実用性の面を考慮すると、これらのうちのアルミニウム（Ａｌ）系、銀（Ａｇ）系、金（Ａｕ）系、ケイ素（Ｓｉ）系またはゲルマニウム（Ｇｅ）系の材料を用いることが好ましい。また、所望とする光ディスクが追記型である場合には、情報信号部１２は、例えば、反射膜、有機色素膜を光ディスク基板１１上に順次積層してなる積層膜である。所望とする光ディスクが書換可能型である場合には、情報信号部１２は、例えば、反射膜、下層誘電体層、相変化記録膜、上層誘電体層を光ディスク基板１１上に順次積層してなる積層膜である。
【００５８】
次に、円環形状の光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）により、光ディスク基板１１上の情報信号部１２が形成された側に貼り合わせる。これにより、例えば厚さ１００μｍを有する光透過層１３が情報信号部１２上に形成される。以上により、目的とする光ディスクを得ることができる。
【００５９】
上述したように、この発明の一実施形態によれば、基板１上に金属酸化物からなる無機レジスト層３を形成し、露光・現像処理により微細な螺旋形状または同心円形状の凹凸パターンを無機レジスト層３に形成した後、さらに還元処理することで、凸形状を有するランドのテーパ角を低減することができる。また、テーパ角の減少に加えて、ランドのエッジ角を広げて丸みを帯びさせることができる。これによって、すでに信号評価と光ディスク製造方法が確立されている、有機レジストを用いる光ディスク原盤と同様の溝形状を、無機レジストを用いる光ディスク原盤においても作製することができるようになる。
【００６０】
また、還元処理を施していない光ディスク原盤では、無機レジストは有機レジストに較べて機械的強度が高いため、１つのメッキ原盤を使ってメッキ操作を繰り返すことにより、複数枚のスタンパを複製することができるが、複製を繰り返すうちに表面が荒れるため信号が劣化してしまうのに対して、還元処理を施した光ディスク原盤では、レジスト・パターンの表面に金属性の被膜が形成されているため、複製による表面荒れを低下させ、信号の劣化を防ぐことができる。
【００６１】
さらに、微細な凹凸パターンの表面に金属性の被膜を形成することで、還元の際の熱処理において凹凸パターンが崩れることを抑えることができる。特に、形状が細い線形の場合は収縮による断線を引き起こす場合があるが、昇温条件を制御して金属性被膜を徐々に形成させることにより、断線を防止することもできる。また、微細な凹凸パターンに弾性を付与することもできる。
【００６２】
さらにまた、微細な凹凸パターンの表面に金属性の被膜を形成することで、金属性の被膜が還元防止膜となり、微細な凹凸パターンが過剰に還元されることを抑えることができる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例によりこの発明を具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００６４】
以下の実施例では、光ディスク原盤に対する微細な凹凸パターンを形成するための手段として、無機レジスト層へのレーザ光照射による熱反応と、それに続くアルカリ現像とを用いた。また、無機レジスト層に照射されたレーザ光の熱が効率的に蓄積されるように、基板としてのシリコンウエハと無機レジスト層との間に中間層を設けた。
【００６５】
＜実施例１〜５＞
実施例１〜５は、還元処理の工程において、Ｈ2濃度９０［％］、処理時間１［ｈｒ］に保持し、処理温度を変化させたものである。
【００６６】
まず、８インチのシリコンウエハを用意し、このシリコンウエハ上にスパッタリング法により、膜厚１５ｎｍを有する中間層を製膜した。以下に、中間層の製膜条件について示す。
ターゲット材料：硫化亜鉛（ＺｎＳ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）＝８０／２０（ｍｏｌ％比率）
製膜ガス：アルゴン(Ａｒ)・３０［ＳＣＣＭ］
製膜開始ガス圧力：５．０×１０-4［Ｐａ］
製膜電力：ＲＦ１００［Ｗ］
【００６７】
次に、スパッタリング法により無機レジスト層を製膜した。成膜後の膜厚は２３ｎｍとした。以下に、無機レジスト層の製膜条件について示す。
ターゲット材料：タングステン（Ｗ）／モリブデン（Ｍｏ）／酸素（Ｏ）＝３２／８／６０（ｍｏｌ％比率）
製膜ガス：アルゴン(Ａｒ)・２６［ＳＣＣＭ］
製膜開始ガス圧力：５．０×１０-4［Ｐａ］
製膜電力：ＤＣ１３５[Ｗ]
【００６８】
次に、上述のようにして得られた光ディスク原盤に対して、以下の条件で露光および現像を行い、ＤＣグルーブパターンを作製した。
光源：半導体レーザ（波長４０５［ｎｍ］）
対物レンズ：ＮＡ＝０．９
光ディスク原盤送り速度：０．３２［μｍ／revolution］
スピンドル：ＣＬＶ(Constant Liner Velocity)方式４．９［ｍ／ｓｅｃ］
現像液：２．３８％テトラメチルアンモニウム・ハイドロオキサイド水溶液
【００６９】
次に、上述のようにして得られた光ディスク原盤をダイヤモンド・カッターで切断し、各実施例それぞれの還元処理条件で還元した。まず、サンプルをステンレス・バットに乗せ、還元炉に入れた。炉内を０．０５気圧まで減圧した後、窒素（Ｎ2）を充填した。炉内に窒素（Ｎ2）を流量１０[ＳＬＭ]で流しながら、昇温速度１０［℃／ｍｉｎ］で２００℃まで昇温した。ここで窒素（Ｎ2）を遮断し、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合気体を炉内に流しながら、各実施例それぞれの処理温度（還元温度）まで昇温した。なお、実施例１〜５の処理温度はそれぞれ、４００［℃］、５００［℃］、６００［℃］、７００［℃］、８００［℃］とした。また、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合気体の流量比は０．２５／２．２５［ＳＬＭ／ＳＬＭ］とした。この状態で１時間、定温を保ったのち、降温速度−１０［℃／ｍｉｎ］で２００℃まで制御冷却した。ここで窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合気体を遮断し、窒素（Ｎ2）を流量１０［ＳＬＭ］で炉内に流しながら、降温速度−１０［℃／ｍｉｎ］で室温付近まで冷却した。その後、光ディスク原盤を取り出し、表面抵抗測定装置により光ディスク原盤の表面抵抗を測定した。また、光ディスク原盤の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）で観察し、観察したＡＦＭ像に基づきテーパ角およびテーパ角変化率を求めた。なお、テーパ角変化率は以下の式により求めた。
テーパ角変化率（％）＝｛（還元処理前のテーパ角−還元処理後のテーパ角）／還元処理前のテーパ角｝×１００
但し、テーパ角は、基板であるシリコンウエハの製膜面を基準とした角度である。
【００７０】
＜比較例１＞
無機レジスト層の厚さを２３ｎｍとし、還元処理を省略する以外は実施例１〜５とすべて同様にして光ディスク原盤を得た。
【００７１】
＜比較例２＞
窒素のみを還元炉内に流して熱処理を行う以外は実施例１〜５とすべて同様にして光ディスク原盤を得た。
【００７２】
表１に、実施例１〜５、比較例１〜２のテーパ角およびその変化率、ならびに表面抵抗を示す。なお、表１中、比較例２の還元処理後の膜厚、テーパ角、テーパ角の変化率が空欄となっているのは、図９に示すように、パターン形状が熱分解して崩れ、測定不能となったためである。
【表１】
0004678325.tif 000002
【００７３】
図５に、実施例１〜５における処理温度と表面抵抗との関係を示す。図６に、実施例１〜５における処理温度とテーパ角との関係を示す。図７に、ＡＦＭによる実施例５の断面プロファイルを示す。図８に、ＡＦＭによる比較例１の断面プロファイルを示す。図９に、ＡＦＭによる比較例２の断面プロファイルを示す。なお、図７〜８中における直線ｌは、ランドのテーパ角（傾斜角）を示すものである。
【００７４】
表１および図５から、処理時間と水素濃度とを一定にした場合には、処理温度を高くするほど表面抵抗値が減少し、７００［℃］程度で一定の表面抵抗値に収束することが分かる。すなわち、還元温度を高くするほど表面の還元が進行し、光ディスク原盤の信号面に金属性被膜が形成されていることが分かる。また、表１および図６から、処理時間と水素濃度とを一定にした場合には、処理温度を高くするほどランドのテーパ角が減少し、２５［°］程度のテーパ角に収束すると考えられる。すなわち、ランドの形状が一定の形状に収束すると考えられる。以上により、処理時間と水素濃度を一定にした場合には、処理温度によってテーパ角と表面特性を制御でき、また、還元の進行度合いは表面抵抗で評価できることが分かる。
【００７５】
また、図７〜９から、水素を還元炉に導入せずに還元処理を行った場合には、ランドの形状に崩れが発生してしまうのに対して（図９参照）、水素を還元炉に導入しながら還元処理を行った場合には、ランドの形状に崩れが発生しない（図７参照）。すなわち、還元性気体として水素を還元炉に導入しながら還元処理を行うことが好ましいことが分かる。
【００７６】
＜実施例６〜１０＞
実施例６〜１０は、還元処理の工程において、処理温度５００［℃］、処理時間１［ｈｒ］に保持し、水素濃度を変化させたものである。
【００７７】
各実施例の処理温度を５００［℃］、処理時間を１時間とし、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合気体の混合比をそれぞれ２．２５／０．２５［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、２．００／０．５０［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、１．５０／１．００［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、０．５０／２．００［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、０．００／２．５０［ＳＬＭ／ＳＬＭ］として還元処理を行う以外は実施例１〜５とすべて同様にして光ディスク原盤を得た。そして、実施例１〜５とすべて同様にしてテーパ角およびその変化率、ならびに表面抵抗を求めた。
【００７８】
表２に、実施例６〜１０のテーパ角およびその変化率、ならびに表面抵抗を示す。
【表２】
0004678325.tif 000003
【００７９】
図１０に、実施例６〜１０における水素濃度と表面抵抗との関係を示す。図１１に、実施例６〜１０における水素濃度とテーパ角との関係を示す。表２および図１０から、処理温度と処理時間とを一定にした場合には、水素濃度が高くなるほど表面抵抗が徐々に低下し、１００［Ω／□］程度に収束することが分かる。また、表２および図１１から、処理温度と処理時間とを一定にした場合には、水素濃度が高くなるほどテーパ角が徐々に低下し、３２［°］程度に収束することが分かる。以上により、処理温度と処理時間とが一定である場合には、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合比でテーパ角と表面抵抗値とを微制御できることが分かる。
【００８０】
＜実施例１１〜１３＞
実施例１１〜１３は、処理温度８００［℃］、処理時間１［ｈｒ］に保持し、水素濃度を変化させたものである。
【００８１】
各実施例の処理温度を８００［℃］、処理時間１時間とし、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合気体をそれぞれ２．００／０．５０［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、１．２５／１．２５［ＳＬＭ／ＳＬＭ］、０．５０／２．００［ＳＬＭ／ＳＬＭ］］として還元処理を行う以外はすべて実施例１〜５と同様にして光ディスク原盤を得た。そして、実施例１〜５とすべて同様にしてテーパ角およびその変化率、ならびに表面抵抗を求めた。
【００８２】
表３に、実施例１１〜１３のテーパ角およびその変化率、ならびに表面抵抗を示す。
【表３】
0004678325.tif 000004
【００８３】
図１２に、実施例１１〜１３における水素濃度と表面抵抗との関係を示す。図１３に、実施例１１〜１３における水素濃度とテーパ角との関係を示す。表３および図１２から、処理温度を８００［℃］とした場合には、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合比によらず、ほぼ同じ表面抵抗値が得られることが分かる。表３および図１３から、処理温度を８００［℃］とした場合には、窒素（Ｎ2）／水素（Ｈ2）の混合比によらず、ほぼ同じテーパ角が得られることが分かる。以上により、表面に生成した金属性の被膜が金属酸化物の過剰な還元を阻害し、ランドの形状が一定の形状に収束するとともに、ランドの表面が一定の表面特性に収束することが分かる。
【００８４】
＜実施例１４＞
まず、８インチのシリコンウエハを用意し、このシリコンウエハ上にスパッタリング法により、膜厚１００ｎｍを有する中間層を製膜した。以下に、中間層の製膜条件について示す。
ターゲット材料：シリコン（Ｓｉ）＝１００（ｍｏｌ％）
製膜ガス：アルゴン２６［ＳＣＣＭ］
製膜開始ガス圧力：５．０×１０-4［Ｐａ］
製膜電力：ＤＣ１３５［Ｗ］
【００８５】
以上、この発明の実施形態および実施例について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００８６】
例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００８７】
また、上述の実施形態および実施例では、この発明を光ディスク原盤およびその製造方法に対して適用した場合について説明したが、この発明は光ディスク原盤およびその製造方法に限定さるものではなく、微細な凹凸パターンを有する種々のデバイス、例えば太陽電池における光反射防止構造、燃料電池における燃料流路などや、それらの製造方法に対して適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】この発明の一実施形態による光ディスク原盤の製造方法を説明するための模式図である。
【図２】この発明の一実施形態による光ディスク原盤の製造方法を説明するための模式図である。
【図３】この発明の一実施形態による光ディスクスタンパの製造方法を説明するための模式図である。
【図４】この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法を説明するための模式図である。
【図５】実施例１〜５における処理温度と表面抵抗との関係を示す。
【図６】実施例１〜５における処理温度とテーパ角との関係を示す。
【図７】ＡＦＭによる実施例５の断面プロファイルを示す。
【図８】ＡＦＭによる比較例１の断面プロファイルを示す。
【図９】ＡＦＭによる比較例２の断面プロファイルを示す。
【図１０】実施例６〜１０における水素濃度と表面抵抗との関係を示す。
【図１１】実施例６〜１０における水素濃度とテーパ角との関係を示す。
【図１２】実施例１１〜１３における水素濃度と表面抵抗との関係を示す。
【図１３】実施例１１〜１３のける水素濃度とテーパ角との関係を示す。
【図１４】光ディスク原盤作製から光ディスク基板作製までの従来の工程の概略を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００８９】
１    シリコン基板
２    中間層
３    無機レジスト層
４    メッキ層
５    光ディスクスタンパ
１１    光ディスク基板
１２    情報信号部
１３    光透過層
１０１    ガラス基板
１０２    レジスト
１０３    レーザ光
１０４    現像液
１０５    メッキ層
１０６    光ディスクスタンパ
１０７    金型
１０８    光ディスク基板
１１１    光ディスク原盤
【図１】
0004678325.tif 000005
【図２】
0004678325.tif 000006
【図３】
0004678325.tif 000007
【図４】
0004678325.tif 000008
【図５】
0004678325.tif 000009
【図６】
0004678325.tif 000010
【図７】
0004678325.tif 000011
【図８】
0004678325.tif 000012
【図９】
0004678325.tif 000013
【図１０】
0004678325.tif 000014
【図１１】
0004678325.tif 000015
【図１２】
0004678325.tif 000016
【図１３】
0004678325.tif 000017
【図１４】
0004678325.tif 000018