【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子に対応する配線層と、前記画素スイッチング素子にそれぞれ対応する画素電極が形成された電気光学装置において、
前記配線層は前記画素スイッチング素子に対応する走査線を含み、
前記画素スイッチング素子および前記走査線の少なくとも一部は、当該画素スイッチング素子および当該走査線の下層側で凹む凹部内に相当する部分に形成され、
前記走査線の少なくとも一部が前記凹部内の側壁部に相当する部分に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記画素電極に対して蓄積容量を付与する容量素子が形成され、
前記配線層には、前記容量素子の電極を形成する容量線が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記凹部は、底部から４５°以上の角度で立ち上がるテーパ面からなる側壁部を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記凹部の開口縁は、湾曲した断面形状を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記凹部は、前記基板の表面に対して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記凹部は、前記基板の表面に形成された絶縁膜の表面に対して形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、さらに、前記凹部の底部および側壁部を覆うように絶縁膜が形成され、該絶縁膜の上層側に前記画素スイッチング素子および前記配線層の少なくとも一部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、前記配線層には、前記スイッチング素子に対応するデータ線が含まれていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記凹部は、前記画素電極が複数、形成されている前記基板の画像表示領域における前記配線層の形成領域の全領域と重なる領域に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記画像表示領域における前記配線層の形成領域の幅寸法は、当該配線層の下層側に形成された前記凹部の開口幅から該凹部内で当該配線層の下層側に形成された層間絶縁膜の膜厚の２倍に相当する寸法を差し引いた値よりも狭いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記画像表示領域における前記各種の配線層の形成領域の幅寸法は、前記凹部の開口幅と略等しい寸法、あるいは当該凹部の開口幅よりも１０μｍ以下だけ狭い寸法であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかにおいて、前記画素スイッチング素子は薄膜トランジスタであり、前記凹部は、前記薄膜トランジスタの能動領域を形成する半導体膜の形成領域の全領域と重なる領域に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記半導体膜の形成領域の幅寸法は、当該半導体膜の下層側に形成された前記凹部の底部の幅寸法から該凹部内で当該半導体膜の下層側に形成された層間絶縁膜の膜厚の２倍に相当する寸法を差し引いた値よりも狭いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記半導体膜の形成領域の幅寸法は、前記凹部の開口幅と略等しい幅寸法、あるいは当該凹部の開口幅よりも１０μｍ以下だけ狭い寸法であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項２において、前記容量素子を構成する電極の一部は、前記凹部の側壁部に相当する部分に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１２ないし１４のいずれかにおいて、前記基板の表面側には、前記凹部の形成領域のうち、少なくとも前記基板からみて前記薄膜トランジスタのチャネル領域を覆う領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１６において、前記遮光膜は、前記凹部が形成されている層の下層側に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１６において、前記遮光膜は、前記凹部内に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１８において、前記遮光膜は、前記凹部内のうち、当該凹部の底部および側壁部と重なる領域に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれかにおいて、前記基板には、前記凹部と同時形成されたアライメント用凹部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２１】
請求項１ないし２０のいずれかに規定する電気光学装置を備えたことを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、マトリクス状に配置された画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子に対応する配線層と、前記画素スイッチング素子にそれぞれ対応する画素電極が形成された電気光学装置において、
前記配線層は前記画素スイッチング素子に対応する走査線を含み、
前記画素スイッチング素子および前記走査線の少なくとも一部は、当該画素スイッチング素子および当該走査線の下層側で凹む凹部内に相当する部分に形成され、
前記走査線の少なくとも一部が前記凹部内の側壁部に相当する部分に形成されていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、基板では、データ線、走査線、容量線などといった各種の配線層の少なくとも一部、あるいは画素スイッチング素子の少なくとも一部が、下層側に形成された凹部内に形成されているので、これらの配線層あるいは画素スイッチング素子が形成されている領域と、これらの配線層あるいは画素スイッチング素子が形成されていない領域との間で、それぞれの領域に形成された各膜厚の総和に差があっても、このような差は凹部が吸収、緩和してくれる。また、配線層の相重なって最も膜厚の総和が厚くなる領域を、その他の領域における膜厚の総和との差分だけ凹部によって低くすれば、これらの領域間に段差が形成されるのを防止できる。さらに、画素電極は形成されているが配線層や画素スイッチング素子が形成されていない開口領域では、配線層や画素スイッチング素子が形成されている非開口領域と比較して膜厚の総和がかなり薄いが、配線層や画素スイッチング素子が形成されている非開口領域を凹部によって低くすれば、これらの領域間に段差が形成されるのを防止できる。従って、本発明によれば、例えば、基板の最も上層側を平坦化できるので、その表面に配向膜を形成するためのポリイミド膜などを平坦に形成できる。それ故、電気光学物質を挟んだ一対の基板のそれぞれにラビング処理を適正に行うことができるので、一対の基板を貼り合わせた後、この基板間に液晶などの電気光学物質を封入すると、電気光学物質は適正に配向する。それ故、コントラストの向上、および表示の高精彩化を図ることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明においては、前記画素電極に対して蓄積容量を付与する容量素子が形成され、前記配線層には、前記容量素子の電極を形成する容量線が含まれていることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明において、前記凹部は、前記基板の表面に対して直接、形成されている構成、あるいは前記基板の表面に形成された絶縁膜の表面に対して形成されている構成のいずれであってもよい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明において、前記配線層には、前記スイッチング素子に対応するデータ線が含まれていることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明において、前記凹部は、前記画素電極が複数、形成されている前記基板の画像表示領域における前記配線層の形成領域の全領域と重なる領域に形成されていることが好ましい。このように構成すると、配線層が形成されている領域と、配線層が形成されていない領域との間の段差を凹部によって完全に解消することができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明において、前記画素スイッチング素子は薄膜トランジスタであり、前記凹部は、前記薄膜トランジスタの能動領域を形成する半導体膜の形成領域の全領域と重なる領域に形成されていることが好ましい。このように構成すると、前記薄膜トランジスタの能動領域が形成されている領域と、この半導体膜が形成されていない領域との間の段差を凹部によって完全に解消することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明において、前記基板に、前記画素電極に対して蓄積容量を付与する容量素子が形成されると、容量素子によって画素電極の電位を保持できるので、各画素電極に画像信号を供給する際のデューティー比が小さくてもフリッカやクロストークが発生しない。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この場合に、前記配線層に前記容量素子の電極を形成する前記容量線が含まれていると、容量素子を追加して画像の品位を向上しても、基板の最上層に、容量線に起因する凹凸が形成されることがない。それ故、容量線を追加しても、配向膜を平坦に形成できるので、電気光学物質を適正に配向させることができる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明において、前記基板の表面側には、前記凹部の形成領域のうち、少なくとも前記基板からみて前記薄膜トランジスタのチャネル領域を覆う領域に遮光膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、基板を透過した光が反射してきて、の基板の裏面側から入射しても、この光は遮光膜に遮られて、ＴＦＴのチャネル領域に入射することがない。それ故、ＴＦＴに光リークが発生することを防止できる。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
これらの構成のうち、前記遮光膜が前記凹部内に形成されている場合には、前記遮光膜は、前記凹部内のうち、当該凹部の底部および側壁部と重なる領域に形成されている場合がある。このように構成すると、基板の裏面側から光が斜めに入射したときでも、側壁部と重なる領域に形成された遮光膜がこの光を遮断してくれる。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明において、前記基板には、前記凹部と同時にアライメント用凹部を形成することが好ましい。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明を適用した電気光学装置を用いた表示装置では、基板において、電気光学物質と接する側の面が平坦であるので、この面全体を均一、かつ、適正にラビング処理できる。それ故、電気光学物質を挟んだ一対の基板間で電気光学物質は適正に配向することになるので、各種の表示装置において品位の高い表示を行うことができる。とりわけ、投射型表示装置では、電気光学物質の配向状態の乱れに起因するコントラスト低下などがそのまま拡大表示されるので、液晶を適正に配向させることが強く求められるので、本発明は、投射型表示装置においてコントラストの向上、および表示の高精彩化を図るのに効果的である。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
このように、本形態では、データ線６ａ下の領域および走査線３ａに沿って電気光学物質のディスクリネーションが発生しやすい領域に容量線３ｂを形成することにより、開口領域を外れたスペースを有効に利用して容量素子１５を形成し、画素電極９ａに蓄積容量を付加してある。このため、本形態の電気光学装置１は、小型でありながら、高精細で、かつ、明るい表示を行うことができるとともに、コントラスト比も高い。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】なお、本形態では凹部５０と略重なるような広い領域にわたって遮光膜１６を形成したが、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域３３ａを選択に覆うような領域のみに遮光膜１６を島状に形成した構成であってもよい。このような構成であれば、格子状やストライプ状に設けられた遮光膜の場合と比較して、遮光膜１６が一体として形成される部分の面積が遥かに小さいため、遮光膜１６とそれに隣接する膜との間の物性の相違により遮光膜１６に発生するストレスを大幅に緩和できる。その結果、遮光膜１６における膜剥がれや膜変形、或いはクラックの発生を防止できる。また、遮光膜１６自身のストレスにより画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化する事態を未然に防ぐことができる。