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【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで、上端および下端で軸受によって支持され、削孔ロッドの略軸心回りに回転自在とされるとともに、一側がわにウエイトが付設され、削孔ロッドの傾斜状態とは無関係に常に一定の向きに保持されるバランスホルダー構造を採用することにした。この構造であれば、上下の軸受によってバランスホルダーを堅固に保持できるためウエイト重量を増加させても構造的問題が生じない。また、スリップリングを介して電気的に接続しているため、リード線の影響による回転障害もなくなる。さらに、ロッドの回転の影響を小さくすることができ再現性を向上させることができるなどの理由によりほぼ満足のいく測定精度と再現性を得ることができるようになった。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このようにすれば、試験片載置面が水平方向に対して傾斜しているので、次のような利点が得られる。第１に、試験片載置面に試験片を載置することにより、試験片が重力により試験片載置面上を滑り、試験片の端縁と試験片載置面の最も低い位置とが自然に一致する。したがって、試験片載置面上における試験片の載置状態が常に一定し、試験片に付着している余剰試料液の除去率を一定にできる。第２に、試験片に付着している余剰試料液が重力により迅速に試験片載置面上の最も低い位置に流れ落ちるので、余剰試料液の除去を迅速に行え、しかも除去率が向上する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このようにすれば、試験片の裏面すなわち試薬パッドが貼着されていない面と試験片載置面とが全面にわたって密着することがないので、試験片の裏面に付着している余剰試料液を良好に除去できる。したがって、試験片を試験片載置面から呈色度合いの測定位置までハンドリングしたときに、試験片の裏面に付着している余剰試料液により測定位置付近を汚したり試験片が測定位置における載置面に張り付いたりするようなことがない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１は、本願発明に係る余剰試料液除去装置の一例としての余剰尿除去装置の外観斜視図、図２は、同平面図、図３は、同正面図、図４は、図２におけるIV−IV矢視断面図である。この余剰尿除去装置は、試験片保持部材１を有しており、尿検査装置に組み込まれた状態では、試験片保持部材１は所定の位置に固定されている。試験片保持部材１は、板状であり、長手方向一端部が幅広になされている。試験片保持部材１の上面には、幅方向中央部に、長手方向の溝２が形成されている。溝２は、試験片保持部材１の長手方向一端から他端近傍まで延びており、断面形状が三角形である。すなわち、図４によく表れているように、溝２は、水平面に対して角度θだけ傾斜した底壁と、この底壁に直交する側壁２ａ，２ｂとにより構成されており、溝２の底壁は、試験片保持部材１の幅方向一端側から他端側に向けて上り勾配になっている。この溝２の底壁は、試験片載置面３を構成しており、この試験片載置面３には、幅方向の多数の突条４が長手方向所定間隔おきに突設されている。この突条４は、試験片載置面３の幅方向一端から他端近傍まで延びている。試験片載置面３の傾斜角θは、１５度以上４５度以下の範囲であることが好ましく、１５度以上２５度以下の範囲であるのがさらに好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相対位置算出装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接走行車両とのデータの授受、通信を可能とする車車間通信による相対位置算出装置であって、
ＧＰＳ衛星からの電波を受信するＧＰＳ受信手段と、
前記ＧＰＳ受信手段で受信されたＧＰＳ衛星の情報とそのＧＰＳ衛星から送信されて自動車まで到達するまでのＧＰＳ電波伝搬時間のデータを、受信された衛星の全てについて、車車間通信手段を介して近接車両と互いに送受するＧＰＳ情報送受手段と、
近接車両と自分の車で共通に受信できているＧＰＳ衛星について、前記ＧＰＳ情報送受手段を介して得た近接車両でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータと自車でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータとの差分を求めると共に、これにより求められた３個以上のＧＰＳ電波伝搬時間差分値と未知数となる相対位置との関係式を連立させて解くことによって自車を基準とした近接車両の相対位置を求める、ＧＰＳ電波伝搬時間差分による相対位置算出手段と、
を備えたことを特徴とする車車間通信による相対位置算出装置。
【請求項２】
近接走行車両とのデータの授受、通信を可能とする車車間通信による相対位置算出装置であって、
ＧＰＳ衛星からの電波を受信するＧＰＳ受信手段と、
前記ＧＰＳ受信手段で受信されたＧＰＳ衛星の情報とそのＧＰＳ衛星から送信されて自動車まで到達するまでのＧＰＳ電波伝搬時間のデータを、受信された衛星に全てについて、車車間通信手段を介して近接車両と互いに送受するＧＰＳ情報送受手段と、
近接車両と自分の車で共通に受信できているＧＰＳ衛星について、前記ＧＰＳ情報送受手段を介して得た近接車両でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータと自車でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータとの差分を求めると共に、求められた３個以上のＧＰＳ電波伝搬時間差分値と未知数となる相対位置との関係式を連立させて解くことによって自車を基準とした近接車両の相対位置を求める第１の相対位置算出手段と、
近接走行車両を車載レーダにより捉えて自車と近接走行車両との相対距離、相対方位を検出することによって、自車を基準とした近接車両の相対位置を求める第２の相対位置算出手段と、
前記第１の相対位置算出手段で求めた相対位置付近の近接走行車両について、前記第２の相対位置算出手段の検出感度を上げたり、検出の重点度を上げたり、あるいは前記第２の相対位置算出手段で求めた相対位置を前記第１の相対位置算出手段で求めた相対位置によって補正することで相対位置算出の精度を向上させる探索性能及び精度向上手段と、
を備えたことを特徴とする車車間通信による相対位置算出装置。
【請求項３】
他機がＧＰＳ衛星からの電波を受信して得たＧＰＳ情報を無線によって受信する通信手段と、
ＧＰＳ衛星からの電波を受信してＧＰＳ情報を得るＧＰＳ受信手段と、
自機が前記ＧＰＳ情報受信手段で得たＧＰＳ情報と前記通信手段で取得した他機のＧＰＳ情報とに基づいて、同一のＧＰＳ衛星からの電波が自機と他機に到達する時間の差分値を算出し、前記差分値によって自機を基準とする他機の相対位置を求める相対位置算出手段を備えることを特徴とする相対位置算出装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さて、各近接走行車両の絶対位置もさることながら、自車の安全性確保の用途では、近接走行車両と自車との間の相対位置関係が重要である。例えば、衝突する、しないの予測も相対位置関係から予測できるからである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記問題点を解決するために本発明は、各車で個別に計算された絶対位置データを授受し合うのではなく、ＧＰＳ衛星から各近接走行車両（他車）までの電波伝搬時間とそのＧＰＳ衛星の情報（ＩＤ等）を授受し合い、各近接走行車両（他車）でのＧＰＳ電波伝搬時間と自車のＧＰＳ電波伝搬時間との差分を取り、３個以上のＧＰＳ電波伝搬時間差分値と未知数となる相対位置との関係式を連立させて解くことによって、自車を基準とした近接車両（他車）の相対位置を求める、ＧＰＳ電波伝搬時間差分による相対位置算出手段を備えることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようにすることにより、ＧＰＳ電波伝搬時間の誤差をキャンセルし、精度良く自車を基準とした近接走行車両（他車）の相対位置を算出できる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、近接走行車両とのデータの授受、通信を可能とする車車間通信による相対位置算出装置であって、ＧＰＳ衛星からの電波を受信するＧＰＳ受信手段と、前記ＧＰＳ受信手段で受信されたＧＰＳ衛星の情報とそのＧＰＳ衛星から送信されて自動車まで到達するまでのＧＰＳ電波伝搬時間のデータを、受信された衛星の全てについて、車車間通信手段を介して近接車両と互いに送受するＧＰＳ情報送受手段と、近接車両と自分の車で共通に受信できているＧＰＳ衛星について、前記ＧＰＳ情報送受手段を介して得た近接車両でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータと自車でのＧＰＳ電波伝搬時間のデータとの差分を求めると共に、これにより求められた３個以上のＧＰＳ電波伝搬時間差分値と未知数となる相対位置との関係式を連立させて解くことによって自車を基準とした近接車両の相対位置を求める、ＧＰＳ電波伝搬時間差分による相対位置算出手段と、を備えたことを特徴とする車車間通信による相対位置算出装置としたものであり、ＧＰＳ電波伝搬時間の誤差をキャンセルし、自車を基準とした近接走行車両の相対位置を精度良く得ることができるという作用を有する。これを総括すると、他機がＧＰＳ衛星からの電波を受信して得たＧＰＳ情報を無線によって受信する通信手段と、ＧＰＳ衛星からの電波を受信してＧＰＳ情報を得るＧＰＳ受信手段と、自機が前記ＧＰＳ情報受信手段で得たＧＰＳ情報と前記通信手段で取得した他機のＧＰＳ情報とに基づいて、同一のＧＰＳ衛星からの電波が自機と他機に到達する時間の差分値を算出し、前記差分値によって自機を基準とする他機の相対位置を求める相対位置算出手段を備えることを特徴とする相対位置算出装置であるということができ、この相対位置算出装置によればＧＰＳ電波伝搬時間の誤差をキャンセルし、自機を基準とした他機との相対位置を精度良く得ることができるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にプリント基板が配置され、ベースと本体を結合させてなる電子機器収納容器において、
前記ベースの内面から四角形に囲う枠部を立設し、該枠部に入出力配線を割り込ませるスリットを備えた構造としたことを特徴とする電子機器用収納容器。
【請求項２】
前記ベースの内面から立設した四角形に囲う枠部がスリットに向かって下り勾配を備えた構造としたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器用収納容器。
【請求項３】
前記ベースの内面側に添付するプリント基板の周縁端部の全ての位置を支持する基板支持部を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子機器用収納容器。
【請求項４】
前記本体に、前記入出力配線用として開口するノックアウトを設け、該ノックアウトを、前記本体の内面側の所望の範囲に沿って設けた溝の片方の側壁を溝底に向かって狭くなる傾斜のノックアウトから構成したことを特徴とする請求項１記載の電子機器用収納容器。
【請求項５】
前記本体に設けた覗き窓に透明板で形成した通電灯カバーを添設したことを特徴とする請求項１記載の電子機器用収納容器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターンテーブル上の研磨面に研磨液を供給しつつ基板上に形成された金属膜を研磨するポリッシング方法において、前記研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とするポリッシング方法。
【請求項２】
研磨液を供給しつつ基板上に形成された金属膜を研磨するポリッシング装置において、
研磨面を有したターンテーブルと、基板を保持し研磨面に対して押圧するトップリングと、前記研磨面に鉄酸化菌を含む培養液からなる研磨液を供給する供給手段とを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項３】
前記金属膜が銅あるいは銅合金であることを特徴とする請求項２記載のポリッシング装置。
【請求項４】
研磨中に研磨面側を陰極とし、基板側を陽極として、電界を印加する手段を備えたことを特徴とする請求項２記載のポリッシング装置。
【請求項５】
ターンテーブル上の研磨面に供給され基板上に形成された金属膜と接触して金属膜を研磨するための研磨液において、前記研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とする研磨液。
【請求項６】
金属膜を平坦化する方法において、研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とするポリッシング方法。
【請求項７】
研磨液を供給しつつ金属膜を平坦化するポリッシング装置において、基板を研磨面に対して保持する手段と、前記研磨面に鉄酸化菌を含む培養液からなる研磨液を供給する供給手段とを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項８】
金属膜と接触して前記金属膜を平坦化する研磨液において、前記研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とする研磨液。
【請求項９】
鉄酸化菌を含む培養液を用いて金属膜を平坦化するポリッシング装置において、金属膜研磨時と金属膜洗浄時の前記金属膜の電界極性を逆にする手段を備えたことを特徴とするポリッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明のポリッシング装置は、研磨液を供給しつつ基板上に形成された金属膜を研磨するポリッシング装置において、研磨面を有したターンテーブルと、基板を保持し研磨面に対して押圧するトップリングと、前記研磨面に鉄酸化菌を含む培養液からなる研磨液を供給する供給手段とを備えたことを特徴とするものである。
本発明の１態様によれば、研磨後に研磨時とは逆の電界をかけつつ、水洗浄することを特徴とするものである。
また、本発明の１態様によれば、基板と研磨面間に一定の電圧をかけ、流れる電流が急減した時点を研磨の終点とする終点検知手段を備えたことを特徴とするものである。
さらに本発明の研磨液は、ターンテーブル上の研磨面に供給され基板上に形成された金属膜と接触して金属膜を研磨するための研磨液において、前記研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とするものである。
本発明のポリッシング方法の他の態様は、金属膜を平坦化する方法において、研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とするものである。
本発明のポリッシング装置の他の態様は、研磨液を供給しつつ金属膜を平坦化するポリッシング装置において、基板を研磨面に対して保持する手段と、前記研磨面に鉄酸化菌を含む培養液からなる研磨液を供給する供給手段とを備えたことを特徴とするものである。
本発明の研磨液の他の態様は、金属膜と接触して前記金属膜を平坦化する研磨液において、前記研磨液として鉄酸化菌を含む培養液を用いることを特徴とするものである。
本発明のポリッシング装置の他の態様は、鉄酸化菌を含む培養液を用いて金属膜を平坦化するポリッシング装置において、金属膜研磨時と金属膜洗浄時の前記金属膜の電界極性を逆にする手段を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられた第１導電型の第１エピタキシャル半導体領域と、
上記第１エピタキシャル半導体領域内に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、
上記第２半導体領域上に設けられた第１導電型の第３半導体領域と、
上記第２半導体領域に直接接続され、該第２半導体領域の電位を制御する電極領域と、を有することを特徴とする受光素子。
【請求項２】
上記電極領域は、第２導電型の第４半導体領域であり、かつ該第４半導体領域と電気的に接続された配線手段を有することを特徴とする請求項１記載の受光素子。
【請求項３】
上記受光素子は、遮光層で規定される開口部を有し、
かつ上記第２半導体領域及び上記第３半導体領域の少なくとも一部は上記開口部内に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の受光素子。
【請求項４】
上記半導体基板は第２導電型であり、かつ上記第１エピタキシャル半導体領域の周囲に第２導電型の第５半導体領域を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の受光素子。
【請求項５】
上記半導体基板は第１導電型であり、かつ上記半導体基板と上記第１エピタキシャル半導体領域間に第１導電型の第６半導体領域を有し、該第６半導体領域の不純物濃度は上記半導体基板、及び上記第１エピタキシャル半導体領域よりも高いことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の受光素子。
【請求項６】
受光素子と、
上記受光素子をリセットするリセット手段と、
上記受光素子に蓄積された電荷を電圧信号に変換する電荷−電圧変換手段と、を有する光電変換装置において、
上記受光素子は、
上記半導体基板上に設けられた第１導電型の第１エピタキシャル半導体領域と、
上記第１エピタキシャル半導体領域内に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、
上記第２半導体領域上に設けられた第１導電型の第３半導体領域と、
上記第２半導体領域に直接接続され、該第２半導体領域の電位を制御する電極領域と、を有し、
上記光電変換装置の暗時、及び飽和出力時において、
上記第１エピタキシャル半導体領域と上記第３半導体領域の間の上記第２半導体領域が空乏化していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
上記受光素子は遮光層で規定される開口部を有し、かつ上記第２半導体領域及び上記第３半導体領域の少なくとも一部は上記開口部内に設けられていることを特徴とする請求項６記載の光電変換装置。
【請求項８】
上記半導体基板は第２導電型であり、かつ上記第１エピタキシャル半導体領域の周囲に第２導電型の第５半導体領域を有することを特徴とする請求項６又は請求項７記載の光電変換装置。
【請求項９】
上記半導体基板は第１導電型であり、かつ上記半導体基板と上記第１エピタキシャル半導体領域間に第１導電型の第６半導体領域を有し、上記第６半導体領域の不純物濃度は、上記半導体基板、及び上記第１エピタキシャル半導体領域よりも高いことを特徴とする請求項６又は請求項７記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、図５に示すように、半導体基板５１７上に設けられた第１導電型の第１エピタキシャル半導体領域５１９と、上記第１エピタキシャル半導体領域５１９内に設けられた第２導電型の第２半導体領域５０１、５０２、５０３と、上記第２半導体領域５０１、５０２、５０３上に設けられた第１導電型の第３半導体領域５２０と、上記第２半導体領域５０１、５０２、５０３に直接接続され、該第２半導体領域の電位を制御する電極領域５１１と、を有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明は、受光素子と、上記受光素子をリセットするリセット手段と、上記受光素子に蓄積された電荷を電圧信号に変換する電荷−電圧変換手段と、を有する光電変換装置において、上記受光素子は、上記半導体基板上に設けられた第１導電型の第１エピタキシャル半導体領域と、上記第１エピタキシャル半導体領域内に設けられた第２導電型の第２半導体領域と、上記第２半導体領域上に設けられた第１導電型の第３半導体領域と、上記第２半導体領域に直接接続され、該第２半導体領域の電位を制御する電極領域と、を有し、上記光電変換装置の暗時、及び飽和出力時において、上記第１エピタキシャル半導体領域５１９と上記第３半導体領域５２０の間の上記第２半導体領域５０１、５０２、５０３が空乏化していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記撮影光学系は、物体側から順に、第１レンズ群と第２レンズ群よりなり、第１レンズ群と第２レンズ群のそれぞれを独立に光軸方向に移動させることによって、観察対象の像の結像位置を所定の位置に合わせる合焦機構を有し、
次の条件式（１）、（２）を満足する請求項１に記載の撮影機能を有する観察装置。
(１)０．１＜ｆt／ｆo ＜０．７
(２)０．４ ＜｜ＴI ／ＴII｜ ＜２．５
但し、
ｆt ；撮影光学系の焦点距離、
ｆo ；観察光学系の対物光学系の焦点距離、
ＴI ；無限遠からある有限撮影距離までの第１レンズ群単独で合焦させた場合の合焦に要する撮影光学系第１レンズ群の移動量、
ＴII ；無限遠から前記有限撮影距離までの第２レンズ群単独で合焦させた場合の合焦に要する撮影光学系第２レンズ群の移動量。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記観察光学系は、少なくとも一部の光学系を光軸方向に移動させることによって観察対象の像の結像位置を所定の位置に合わせる観察光学系合焦機構を有し、該観察光学系合焦機構と撮影光学系の前記２つのレンズ群の合焦機構のいずれか一方が連動して作動するための合焦連動機構を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮影機能を有する観察装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の概要】
本発明の撮影機能を有する観察装置は、その第一の態様によると、正のパワーの対物光学系によって生じる観察対象の像を、正のパワーの接眼光学系を介して観察する観察光学系と；前記観察光学系とは独立した、該観察対象を撮影する撮影光学系と；を有し、前記撮影光学系は、２以上のレンズ群を有し、２つのレンズ群の光軸方向の絶対位置及び相対位置の双方を変化させる、独立して操作可能な２つの合焦機構を有することを特徴としている。
好ましくは前記撮影光学系は、物体側から順に、第１レンズ群と第２レンズ群よりなり、第１レンズ群と第２レンズ群のそれぞれを独立に光軸方向に移動させることによって、観察対象の像の結像位置を所定の位置に合わせる合焦機構を有し、次の条件式（１）、（２）を満足することを特徴としている。
(１)０．１＜ｆt／ｆo ＜０．７
(２)０．４ ＜｜ＴI ／ＴII｜ ＜２．５
但し、
ｆt ；撮影光学系の焦点距離、
ｆo ；観察光学系の対物光学系の焦点距離、
ＴI ；無限遠からある有限撮影距離までの第１レンズ群単独で合焦させた場合の合焦に要する撮影光学系第１レンズ群の移動量、
ＴII ；無限遠から前記有限撮影距離までの第２レンズ群単独で合焦させた場合の合焦に要する撮影光学系第２レンズ群の移動量、
である。
態様は、更に次の条件式（３）を満足することが好ましい。
(３)５＜ｆo／ｆe
但し、
ｆe ；観察光学系の接眼光学系の焦点距離、
である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
観察光学系は、少なくとも一部の光学系を光軸方向に移動させることによって観察対象の像の結像位置を移動させる観察光学系合焦機構を有し、この観察光学系合焦機構と、撮影光学系の前記２つのレンズ群の合焦機構のいずれか一方が連動して作動するための合焦連動機構を有することが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
条件式(２)は、合焦時の第１レンズ群と第２レンズ群の移動量を規定することで、第１レンズ群と第２レンズ群による合焦操作の操作性（オートフォーカスの精度と手動による合焦操作の操作性）を最適化するための条件である。
条件式(２)の下限を超えると、撮影光学系第１レンズ群の移動量に対する焦点外れ量の変動が大きくなりすぎ、図２の構成では第１レンズ群枠１２０の僅かな回転によって焦点外れ量が大きく変動するため、手動による合焦操作が困難になる。
また条件式(２)の上限を超えると、撮影光学系第２レンズ群の移動量に対する焦点外れ量の変動が大きくなりすぎ、図２の構成ではモータ１６４の僅かな回転によって焦点外れ量が大きく変動するため、オートフォーカス機構による合焦が困難になる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
条件式(５)は、第１レンズ群に色収差補正作用を集中させることで、合焦操作による移動によって第１レンズ群と第２レンズ群との位置関係が変化しても色収差の変動を抑えるための条件である。
条件式(５)の下限を超えると、第１レンズ群と第２レンズ群とで色収差補正作用のバランスをとることによって色収差を補正することになり、合焦操作によって色収差が変動してしまう。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
条件式(８)は、２つの合焦機構により全系と第１レンズ群を独立に光軸方向に移動させる態様において、第１レンズ群の移動量を規定することで、オートフォーカスの精度と手動による合焦操作の操作性を最適化するためのものである。
条件式(８)の上限を超えると、撮影光学系第１レンズ群の移動量に対する焦点外れ量の変動が大きくなりすぎ、図３の構成ではモータ１６４の僅かな回転によって焦点外れ量が大きく変動するため、オートフォーカス機構による合焦が困難になる。
また条件式(８)の下限を超えると、撮影光学系全系の移動量に対する焦点外れ量の変動が大きくなりすぎ、図１の構成では合焦操作ハンドル５５の僅かな回転によって焦点外れ量が大きく変動するため、手動による合焦操作が困難になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の駆動用電極および第１の基板間導通用端子が複数形成された第１の基板と、第２の駆動用電極および第２の基板間導通用端子が複数形成された第２の基板と、対向配置された前記第１基板と前記第２の基板との間をシールする矩形枠状のシール領域と、該シール領域で区画された領域内に保持された電気光学物質とを有し、前記シール領域には、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とを導通させる導電材を含有する第１のシール材と、導電材を含有しない第２のシール材とが塗布された電気光学装置において、
前記シール領域の４辺のうち、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とによる基板間導通を行う基板間導通領域が位置する辺上には、その全体にわたって前記第１のシール材が塗布されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記シール領域で区画された領域内から該領域外に導出される前記第１の電極および前記第２の電極の配線部分のうち、前記導通材によって短絡するピッチで形成された狭ピッチ配線部分は、前記シール領域の４辺のうち、前記基板間導通領域が形成されていない辺部分を通っており、
当該辺上には、その全体にわたって前記第２のシール材が塗布されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
第１の駆動用電極および第１の基板間導通用端子が複数形成された第１の基板と、第２の駆動用電極および第２の基板間導通用端子が複数形成された第２の基板とを準備した後、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板にシール材を矩形枠状に塗布し、しかる後に、前記シール材を挟んで前記第１基板と前記第２の基板とを貼り合わせる電気光学装置の製造方法において、
前記シール材を矩形枠状に塗布する際、当該シール材を塗布する４辺のうち、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とによる基板間導通を行う基板間導通領域が位置する辺上には、その全体にわたって、導通材を含有する第１のシール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の基板および前記第２の基板では、前記シール領域で区画された領域内から領域外に導出される前記第１の電極および前記第２の電極の配線部分のうち、前記導通材によって短絡するピッチで形成された狭ピッチ配線部分は、前記シール材を塗布する４辺のうち、前記基板間導通領域が形成されていない辺を通し、
当該辺上には、その全体にわたって、導通材を含有しない第２のシール材を塗布することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６において、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ここに示す液晶装置１Ａにおいて、第１の基板１０には、画像表示領域２で縦方向にストライプ状に延びた第１の電極パターン４０が形成され、その表面には配向膜１２が形成されている。第２の基板２０には、画像表示領域２で横方向にストライプ状に延びた第２の電極パターン５０が形成され、その表面には配向膜２２が形成されている。また、第２の基板２０において、第２の電極パターン５０の下層側には、遮光膜２３、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂ、および平坦化膜２１が形成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、第１の駆動用電極および第１の基板間導通用端子が複数形成された第１の基板と、第２の駆動用電極および第２の基板間導通用端子が複数形成された第２の基板と、対向配置された前記第１基板と前記第２の基板との間をシールする矩形枠状のシール領域と、該シール領域で区画された領域内に保持された電気光学物質とを有し、前記シール領域には、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とを導通させる導電材を含有する第１のシール材と、導電材を含有しない第２のシール材とが塗布された電気光学装置において、前記シール領域の４辺のうち、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とによる基板間導通を行う基板間導通領域が位置する辺上には、その全体にわたって前記第１のシール材が塗布されていることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、第１の駆動用電極および第１の基板間導通用端子が複数形成された第１の基板と、第２の駆動用電極および第２の基板間導通用端子が複数形成された第２の基板とを準備した後、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくとも一方の基板にシール材を矩形枠状に塗布し、しかる後に、前記シール材を挟んで前記第１基板と前記第２の基板とを貼り合わせる電気光学装置の製造方法において、前記シール材を矩形枠状に塗布する際、当該シール材を塗布する４辺のうち、前記第１の基板間導通用端子と前記第２の基板間導通用端子とによる基板間導通を行う基板間導通領域が位置する辺上には、その全体にわたって、導通材を含有する第１のシール材を塗布することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に配置され、開口部を有する反射層と、前記反射層上に配置された着色層と、前記着色層上に配置され、実質的に光が通過できる保護層とを備えるカラーフィルタ基板であって、
前記保護層は前記反射部から反射する光を通過させる部分は厚く、前記開口部から透過する光を通過させる部分は薄いことを特徴とする、カラーフィルタ基板。
【請求項２】
前記反射層の前記反射部と重なる領域が、前記反射層の前記開口部と重なる領域より厚いカラーフィルタ基板であって、
前記保護層が、表面に配向膜を備えていることを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルタ基板。
【請求項３】
前記基板において、前記反射層の前記反射部が配置されている部分は厚く、前記開口部が配置されている部分は薄いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のカラーフィルタ基板。
【請求項４】
前記基板の厚い部分と重なる領域における前記着色層と、前記基板の薄い部分と重なる領域における前記着色層は、各々の着色層にさらに堆積する層の厚みが異なるように配置されていることを特徴とする請求項３に記載のカラーフィルタ基板。
【請求項５】
前記基板上に配置され、開口部若しくは薄肉部を有する下地層を備え、前記下地層の前記開口部若しくは前記薄肉部上に前記反射層の前記開口部が配置され、前記反射層上に前記着色層が配置されるカラーフィルタ基板であって、
前記下地層の前記開口部または前記薄肉部上に配置する前記着色層と重なる領域における物質層は、前記反射層の前記反射部上に配置する前記着色層と重なる領域における物質層と厚みが異なることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のカラーフィルタ基板。
【請求項６】
液晶層と、着色層と、前記液晶層および前記着色層を通過する光を反射する反射部と開口部とを有する反射層と、前記着色層を覆い、実質的に光が通過できる保護層とを備える液晶装置であって、
前記開口部上の液晶層は前記反射部上の液晶層より厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板上に配置され、前記液晶層を通過した光を反射する反射部と開口部とを有する反射層と、前記反射層上に配置された着色層と、前記着色層を覆い、開口部もしくは薄肉部を有する実質的に光が通過できる保護層とを備えた液晶装置であって、
前記保護層の前記開口部もしくは前記薄肉部上にある前記液晶層は他の位置より厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板上に配置され、前記液晶層を通過した光を反射する反射部と開口部とを有する反射層と、前記一対の基板のうち他方の基板上に配置された着色層と、前記着色層を覆い、開口部もしくは薄肉部を有する実質的に光が通過できる保護層とを備えた液晶装置であって、
前記保護層の前記開口部もしくは前記薄肉部上にある前記液晶層は他の位置より厚いことを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
前記反射層の前記反射部と重なる領域における前記液晶層の厚さをａとし、前記反射層の前記開口部と重なる領域における前記液晶層の厚さをｂとしたとき、ｂがａよりも大きく２ａ以下であることを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記液晶層が所定のツイスト角Ｔｗを有するネマチック液晶で構成され、
(1)７０＜Ｔｗ≦９０のとき、ａ＜ｂ≦ａ＋１．０［μｍ］、
(2)５０＜Ｔｗ≦７０のとき、ａ＜ｂ≦ａ＋２．２［μｍ］、
(3)３０＜Ｔｗ≦５０のとき、ａ＜ｂ≦ａ＋３．５［μｍ］、
(4)０＜Ｔｗ≦３０のとき、ａ＜ｂ≦ａ＋５．０［μｍ］、
を満たすことを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記一対の基板の少なくとも一方の基板は、前記反射層の前記反射部と重なる領域が厚く、前記反射層の前記開口部と重なる領域が薄いことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記着色層は前記反射層の前記開口部と重なる領域に厚肉部を有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記一対の基板の少なくとも一方の基板表面に配置され、前記反射層の前記開口部に重なる領域に開口部または実質的に光が通過できる薄肉部を有する下地層を備えていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１４】
前記着色層は前記下地層の前記開口部または前記薄肉部上に厚肉部を有することを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置。
【請求項１５】
前記反射層上に配置され、前記反射層の前記開口部に重なる領域に開口部または薄肉部を有する実質的に光が通過できる透明層を備えていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１６】
前記着色層は前記透明層の前記開口部または前記薄肉部上に厚肉部を有することを特徴とする請求項１５に記載の液晶装置。
【請求項１７】
前記液晶層から見て前記反射層とは反対側に観察側の位相差板及び偏光板を有し、前記反射層から見て前記液晶層とは反対側に背面側の位相差板及び偏光板を有することを特徴とする請求項６乃至請求項１６のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１８】
請求項６乃至請求項１７のいずれか１項に記載された液晶装置と、該液晶装置を制御する制御手段とを備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ここで、第２の透光性基板２０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０とが対向する領域を囲むように、ブラックマトリクスなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。また、第２の透光性基板２０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０とが対向する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に、絶縁性の平坦化膜２１、第２の電極パターン５０、および配向膜２２がこの順に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、注入口としての途切れ部分を備える環状のシール材と、該シール材で区画された領域内に保持された電気光学物質と、前記注入口を封止する光硬化性の封止材とを有する電気光学装置において、
前記シール材は略矩形に形成されているとともに、当該矩形の角に相当する部分に前記注入口が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記注入口では、該注入口を挟む前記シール材の両端部が前記一対の基板の端縁に届く位置まで延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２において、前記一対の基板は略長方形であり、前記シール材の両端部は、当該一対の基板の長辺側の端縁に届く位置まで延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２において、前記一対の基板は略長方形であり、前記シール材の両端部は、当該一対の基板の短辺側の端縁に届く位置まで延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記一対の基板の少なくとも一方は、厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記電気光学物質は液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
第１元基板と第２元基板のうちの少なくとも一方の元基板にシール材を環状に塗布するシール材塗布工程と、前記第１元基板と前記第２元基板とを前記シール材を介して貼り合わせることによりパネル構造体を形成する貼り合わせ工程と、前記パネル構造体を切断予定線に沿って切断して切断面に前記シール材の途切れ部分からなる注入口を露出させる切断工程とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記シール材塗布工程では、前記シール材を略矩形に塗布するとともに、当該矩形の角に相当する部分に前記注入口を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、前記シール材塗布工程では、前記注入口を挟む前記シール材の両端部が前記切断予定線に届くように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記切断予定線は、前記パネル構造体から平面形状が略長方形の電気光学装置を切り出すときの当該電気光学装置の長辺側の切断位置を規定していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８または９において、前記切断予定線は、前記パネル構造体から平面形状が略長方形の電気光学装置を切り出すときの当該電気光学装置の短辺側の切断位置を規定していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６ないし１１のいずれかにおいて、前記一対の基板の少なくとも一方は、厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項６ないし１２のいずれかにおいて、前記切断工程は、前記第１元基板に対して前記切断予定線に沿ってスクライブ溝を形成する工程と、前記第２元基板側から前記第１元基板を押圧して当該第１元基板を破断する工程と、前記第２元基板に対して前記切断予定線に沿ってスクライブ溝を形成する工程と、前記第１元基板側から前記第２元基板を押圧して当該第２元基板を破断する工程とを有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面に対して、膜の形成工程と研削・研摩工程とを交互に１回以上の複数回繰り返すことによって、該基材表面に所定の厚さ分布を持つ膜を形成することを特徴とする膜厚調整方法。
【請求項２】
前記基材表面には微細な窪みが加工されており、前記膜の形成工程によって該微細な窪み内部に膜材料の充填が行なわれることを特徴とする請求項１記載の膜厚調整方法。
【請求項３】
前記膜の形成は、電解メッキ又は無電解メッキによって行なうことを特徴とする請求項１又は２記載の膜厚調整方法。
【請求項４】
前記基材は半導体ウエハであり、且つ前記膜材料は銅又は銅を主成分とする銅合金及び／又はニッケル合金であることを特徴とする請求項１又は２又は３記載の膜厚調整方法。
【請求項５】
前記膜の研削・研摩は、化学加工、電解加工、機械的研削・研摩加工、又はそれらの任意の２つ又はそれら全てを組み合わせた方法によって行なうことを特徴とする請求項１又は２又は３又は４記載の膜厚調整方法。
【請求項６】
少なくとも、基材を保持するサセプタと、
サセプタに保持した基材を浸漬して成膜する成膜液槽と、
サセプタに保持した基材を浸漬して内部に設置した研削・研摩台に基材表面を当接することによって該表面を研削・研摩する研削・研摩液槽とを具備することを特徴とする膜厚調整装置。
【請求項７】
前記成膜液槽及び研削・研摩液槽は、同一の槽内に成膜液供給手段と、研削・研摩液供給手段とを取り付けることによって構成されていることを特徴とする請求項６記載の膜厚調整装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細窪みの充填方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細窪みを有する基材の表面に超微粒子の材料を供給し、該超微粒子に超音波振動を印加しながら、前記微細窪みへの所定材料の充填を行うことを特徴とする微細窪みの充填方法。
【請求項２】
前記微細窪みは、幅が１μｍ以下、アスペクト比が１〜１０であることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項３】
前記超音波振動は、周波数が１〜１００ｋＨｚ、振幅が１〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項４】
前記超微粒子の平均粒径は３０Å〜０．１μｍであることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項５】
前記超微粒子の材料は、銅又は銀又は白金又はこれらの合金からなることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項６】
前記微細窪みの表面は、金属窒化物であることを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【請求項７】
前記材料を微細窪みに充填した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により充填された材料の表面を平坦化することを特徴とする請求項１記載の微細窪みの充填方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細窪みの充填方法に係り、特に半導体素子の配線用溝等の微細窪みに銅（Ｃｕ）等の金属を充填するための充填方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上述の事情に鑑みなされたもので、充填材料として銅又は銅合金等の電気比抵抗の小さい材料を用いることができ、かつ微細な配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の電気比抵抗の小さい材料を充填することができる微細窪みの充填方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成するため、本発明の充填方法は、微細窪みを有する基材の表面に超微粒子の材料を供給し、該超微粒子に超音波振動を印加しながら、前記微細窪みへの所定材料の充填を行うことを特徴とするものである。
本発明の充填方法の一態様は、前記微細窪みは、幅が１μｍ以下、アスペクト比が１〜１０であることを特徴とする。
本発明の充填方法の一態様は、前記超音波振動は、周波数が１〜１００ｋＨｚ、振幅が１〜１０００μｍであることを特徴とする。
本発明の充填方法の一態様は、前記超微粒子の平均粒径は３０Å〜０．１μｍであることを特徴とする。
本発明の充填方法の一態様は、前記超微粒子の材料は、銅又は銀又は白金又はこれらの合金からなることを特徴とする。
本発明の充填方法の一態様は、前記微細窪みの表面は、金属窒化物であることを特徴とする。
本発明の充填方法の一態様は、前記材料を微細窪みに充填した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により充填された材料の表面を平坦化することを特徴とする。
本発明の充填方法の好ましい態様では、前記基材は半導体基板である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の充填装置の好ましい態様は、微細窪みを有する基材の表面に超微粒子の材料を供給する供給ノズルと、前記基材又は超微粒子の少なくとも一方に超音波振動を付与する超音波振動子とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、従来は、図７に示したように、例えば基板１０１の上にレジスト膜１０２よりなるパターンを形成する場合、基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成したのち、その上に帯電防止用の導電膜１０３を形成し、この導電膜１０３を接地電位に保ちつつ電子線を照射して、レジスト膜１０２の帯電を防止するようにしていた。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの導電性重合体は、表面抵抗値が０．５〜１０ＭΩ／□程度と優れた帯電防止効果を有するものの、ｐＨ（水素イオン指数）が２〜４の強酸性または弱酸性であるという性質を有している。このため、導電膜１０３とレジスト膜１０２とが反応してしまい、図８に示したように、レジスト膜１０２と導電膜１０３との界面に難溶化層１０４が生じてしまっていた。その結果、この難溶化層１０４の一部が現像工程後においてもレジスト膜１０２のパターンの周囲に残留し、パターンの精度が悪くなってしまうという問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種のノイズ吸収装置では、一対の分割コア３０４，３０５の分割面３０４ａ，３０５ａ、すなわち両カバー３０１，３０２を閉じたときに分割コアが密接される密接面を広くとることがインピーダンス特性を高めてノイズ吸収効果を高めるものであると言われている。このため、分割コアの外径寸法を可及的に大きくすることが好ましいが、小型化が要求される場合にはその増大には限界がある。このため、その内径寸法を、ケーブルの外径に近い値にまで小径にすることが行われているが、これではノイズ吸収装置をケーブルに装着する際に、分割コア３０４，３０５の内径とケーブル３０６の外径との間の余裕が少ないため、図８（ａ）のように、分割コア３０４，３０５の分割面３０４ａ，３０５ａの間にケーブル３０６の被覆を挟み込み、カバー３０１，３０２が閉じ難くなるとともに、無理に力を加えてカバーを閉じたときには、ケーブル３０６の被覆を破損してしまうことがある。あるいは、カバー３０１，３０２を破損してしまうこともある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1999097875.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
多結晶シリコン膜３１を形成したのち、図２（ｃ）に示したように、その上にフォトレジスト膜３２を塗布形成し、フォトリソグラフィーによりｎＭＯＳ領域１０を開口する。そののち、このフォトレジスト膜３２をマスクとし、第１の不純物としてｎ型不純物の例えば燐を１０ＫｅＶ，５×１０15ｃｍ-2でイオン注入することにより、ｎＭＯＳ領域１０にｎ型多結晶シリコン層３１ａを選択的に形成する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ｎ型多結晶シリコン層３１ａを形成したのち、フォトレジスト膜３２を除去してから、図３（ａ）に示したように、シリコン基板１の全面に、例えばＣＶＤ法により第１の絶縁膜としての例えば膜厚が１５０ｎｍのシリコン酸化膜３３を形成する。ここで、シリコン酸化膜３３には、エッチング速度を変化させるために適宜な不純物（例えば燐）を添加する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
そののち、図３（ｂ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を用いて、ゲートパターンをフォトレジスト膜（図示せず）により形成し、このフォトレジスト膜をマスクとして異方性エッチングを行う。これにより、ｎＭＯＳ領域１０においては、シリコン酸化膜３３およびｎ型多結晶シリコン層３１ａが順次選択的に除去され、マスク層３３ａおよび多結晶シリコンゲート電極１６がそれぞれ形成される。また、ｐＭＯＳ領域２０においては、シリコン酸化膜３３および多結晶シリコン膜３１が順次選択的に除去され、マスク層３３ｂおよびゲート層３１ｂがそれぞれ形成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…シリコン基板、２…素子分離膜、３…ｐウエル領域、１０…ｎＭＯＳ領域、１１，２１…ドレイン領域（不純物層）、１２，２２…ドレイン領域（不純物層）、１３，１４，２３，２４…ＬＬＤ領域（低濃度不純物層）、１５，２５…ゲート絶縁膜、１６，２６…多結晶シリコンゲート電極（多結晶シリコン電極）、１７，２７…絶縁酸化膜、１８，２８…ゲート側壁、１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，２９ａ，２９ｂ，２９ｃ…シリサイド層、２０…ｐＭＯＳ領域、３１…多結晶シリコン膜、３１ａ…ｎ型多結晶シリコン層、３１ｂ…ゲート層、３２，３６，３７…フォトレジスト膜、３３…シリコン酸化膜（第１の絶縁膜）、３３ａ，３３ｂ…マスク層、３４…シリコン酸化膜、３５…シリコン窒化膜（第２の絶縁膜）、３８…シリサイド化膜


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999097554.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999097554.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999097554.tif 000003