Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラ及び所要のセンサとを接続してなる子機複数と、前記複数の子機それぞれと無線通信をなす一つの親機と、前記親機と接続されたモニタ部及びセンサ表示部とを備え、前記親機より送信した制御信号に基づき子機側より送信された所要のカメラ映像信号を前記モニタ部に表示し、又はセンサ検知信号を前記センサ表示部に表示するようにしてなるものにおいて、リモート制御部を設け、該リモート制御部より所要の信号を前記親機に送信し、同親機は同送信された信号に基づき前記複数の子機それぞれを制御するようにしてなることを特徴とするカメラ監視システム。
【請求項２】
カメラ及び所要のセンサとを接続してなる子機複数と、前記複数の子機それぞれと無線通信をなす一つの親機とを備え、前記親機より送信した制御信号に基づき子機側より所要のカメラ映像信号、又はセンサ検知信号を同親機へ送信するようにしてなるものにおいて、リモート制御部と、リモート変換部とを設け、前記リモート制御部より所要の制御信号を前記リモート変換部を介して前記親機へ送信し、同親機は同送信された制御信号に基づき前記複数の子機それぞれを制御する一方、同親機が受信した前記制御にもとづく子機側よりの所要のカメラ映像信号、又はセンサ検知信号を前記リモート変換部を介して前記リモート制御部へ送信し、同リモート制御部を介して同所要のカメラ映像信号をモニタ部に表示し、又は同センサ検知信号をセンサ表示部に表示するようにしてなることを特徴とするカメラ監視システム。
【請求項３】
前記リモート変換部が、前記親機よりのカメラ映像信号にセンサ検知信号を重畳するとともに、同カメラ映像信号に重畳されてなる前記制御信号を取り出し、同親機へ送信するリモート変換部側重畳処理手段を備えてなる一方、前記リモート制御部が、前記リモート変換部よりのカメラ映像信号に前記制御信号を重畳するとともに、同カメラ映像信号に重畳されてなる前記センサ検知信号を取り出すリモート制御部側重畳処理手段を備えてなり、前記リモート変換部と前記リモート制御部とを１本のケーブルで接続してなることを特徴とする請求項２記載のカメラ監視システム。
【請求項４】
前記リモート制御部側重畳処理手段が、所要帯域の映像成分を通過させ、カメラ映像信号を前記モニタ部へ送出するローパスフィルタと、前記ローパスフィルタよりのカメラ映像信号が分岐入力され、同カメラ映像信号に重畳されてなる前記センサ検知信号を取り出してデコードするデコード部と、前記ローパスフィルタよりのカメラ映像信号が分岐入力され、同カメラ映像信号から水平及び垂直の各同期信号を分離する同期分離部と、所要の制御信号を入力するキー入力部と、前記デコード部よりのセンサ検知信号を表示用のセンサ検知信号に変換処理する一方、前記同期分離部よりの同期信号を基にして、前記キー入力部よりの制御信号を前記カメラ映像信号に重畳するに要する信号形態に処理した重畳用の信号を出力する重畳信号処理部と、前記重畳信号処理部よりの前記重畳用の信号のレベルを所要レベルに設定するレベル設定部と、前記１本のケーブルを介して前記カメラ映像信号が入力され、前記ローパスフィルタへ同カメラ映像信号を送出するとともに、前記レベル設定部よりの重畳用の信号を同カメラ映像信号の垂直ブランキング期間の所定位置に重畳する重畳部とからなることを特徴とする請求項３記載のカメラ監視システム。
【請求項５】
前記リモート制御部側重畳処理手段に電源制御部が設けられ、同電源制御部を介し、外部より入力される所定の直流電圧を前記重畳部へ送出し、同重畳部が同直流電圧を前記カメラ映像信号に重畳するようにしてなることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のカメラ監視システム。
【請求項６】
前記リモート変換部側重畳処理手段が、前記親機よりのカメラ映像信号を増幅処理するアンプと、前記アンプよりのカメラ映像信号から水平及び垂直の各同期信号を分離する同期分離部と、カメラ映像信号に重畳されてなる前記制御信号を取り出してデコードするデコード部と、前記デコード部よりの前記制御信号を親機用の制御信号に変換処理する一方、前記同期分離部よりの同期信号を基にして、親機より入力されてなるセンサ検知信号を前記カメラ映像信号に重畳するに要する信号形態に処理した重畳用の信号を出力する重畳信号処理部と、前記重畳信号処理部よりの前記重畳用の信号のレベルを所要レベルに設定するレベル設定部と、前記アンプよりのカメラ映像信号の垂直ブランキング期間所定位置に前記レベル設定部よりの重畳用の信号を重畳し、同重畳後のカメラ映像信号を前記１本のケーブルを介して前記リモート制御部へ送出するとともに、同重畳後のカメラ映像信号を前記デコード部へ送出する重畳部とからなることを特徴とする請求項３記載のカメラ監視システム。
【請求項７】
前記リモート変換部側重畳処理手段にＤＣ抜取部が設けられ、前記重畳部を介して入力される、直流電圧が重畳されたカメラ映像信号から同直流電圧を抜き取るようにしてなることを特徴とする請求項３又は請求項６記載のカメラ監視システム。
【請求項８】
前記リモート制御部側重畳処理手段に、赤外線発光部及び赤外線受光部とを設け、前記キー入力部より入力した所要の制御信号を同赤外線発光部及び赤外線受光部とを介し前記重畳信号処理部に送出するようにしてなることを特徴とする請求項４記載のカメラ監視システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1999275555.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体素子の実装方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意し、この基板の表面に断面形状が同一である複数の溝を形成し、
直径が同一である複数の繊維状スペーサを用意し、上記溝上にこの複数の繊維状スペーサを配置し、
平坦な表面を有する光半導体素子を、その表面が上記複数の繊維状スペーサと接するよう、上記複数の繊維状スペーサ上に配置することを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体素子の実装方法において、
上記基板は、シリコンからなり、
上記溝の断面形状は、Ｖ字形状又は台形形状のいずれか一方であることを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光半導体素子の実装方法において、
上記繊維状スペーサは光ファイバであることを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項４】
平坦な表面を有する基板と、直径が同一である球状の粒状スペーサ，または短径が同一である扁平型の球状の粒状スペーサ，あるいは直径が同一である繊維状スペーサを同一の長さで短冊状に寸断してなる粒状スペーサのいずれかを複数有する固着材とを用意し、
平坦な表面を有する光半導体素子と上記基板とを、その表面同士が互いに対向するとともに、上記粒状スペーサとそれぞれの表面が接するように上記固着材を挟み込んで配置し、その表面同士を該固着材により固着することを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項５】
表面に反射膜を備えた基板を用意し、
光半導体素子の表面に反射膜を設け、
上記基板と光半導体素子とを、その表面同士が互いに対向するように、固着材を挟み込んで配置し、
上記光半導体素子の裏面側から、上記反射膜間の基板に対する高さ方向における距離をモニタしながら、上記基板表面と光半導体素子表面との高さ方向の距離が所定の距離となるようにし、
上記固着材で、上記基板と光半導体素子とを固着することを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項６】
請求項５に記載の光半導体素子の実装方法において、
上記高さ方向における距離のモニタは、上記光半導体素子の裏面側からレーザ光を上記各反射膜に照射し、それぞれの反射膜から得られる反射光の光強度を測定して行うことを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項７】
基板を用意し、
この基板と光半導体素子とを、その表面同士が互いに対向するように、固着材を挟み込んで配置し、
該基板の側面と光半導体素子の側面とからなる一側面に、所定の光を照射するとともに、この光の上記一側面による反射光の反射量をモニタしながら、この反射量があらかじめ定めた所定値となるように上記基板と光半導体素子との間隔を調整し、
上記固着材で、上記基板と光半導体素子とを固着することを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項８】
請求項７に記載の光半導体素子の実装方法において、
上記光の照射は、基板と半導体素子とが接近している領域近傍に行われることを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光半導体素子の実装方法に関し、特に高精度な実装が可能な光半導体素子の実装方法に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、基板の高さ方向において、位置精度よく光半導体素子を実装することができる光半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記光半導体素子の実装方法において、上記光の照射は、基板と半導体素子とが接近している領域近傍に行われるようにしたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月20日(2003.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各走査行が複数のピクセルを含む複数の走査行を持つ走査画像の内側に位置するドキュメント画像の傾きを決定する方法であって、上記走査画像の１つの走査行のピクセルを受け取るステップ(A)と、上記ドキュメント画像に属するピクセルの中から該走査行の最初および最後のドキュメント画像ピクセルの位置を特定するステップ(B)と、当該走査行の上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルが、前の走査行の最初および最後のドキュメント画像ピクセルを持つ稜線セグメントを継続するものであれば、上記稜線セグメントを当該走査行の上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルへ延伸させるステップ(C)と、処理すべき走査行すべてについて、ピクセルを受け取り、ピクセル位置を特定し、稜線セグメントを延伸する上記ステップ(A)、(B)および(C)を繰り返すステップと、上記稜線セグメントがあらかじめ決められた長さの値より長い場合該稜線セグメントの勾配を決定することによって上記傾き角度を決定するステップ(D)と、を含むドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項２】
上記走査画像が、ドキュメント画像のドキュメント画像ピクセルおよび走査画像の背景ピクセルを含み、上記ステップ(B)があらかじめ決められた背景ピクセルの走査行を受け取るステップ(B1)および走査画像の走査行ピクセルを対応する走査行の上記あらかじめ決められた背景ピクセルと比較して、上記ドキュメント画像に属するピクセルの中から該走査行の最初および最後のドキュメント画像ピクセルの位置を特定するステップ(B2)を更に含む、請求項１に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項３】
上記ステップ(B2)が、上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルのカラーをその対応する背景ピクセルのカラーと比較するステップ(i)、上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルの隣接ピクセルのカラーをその対応する背景ピクセルのカラーと比較するステップ(ii)、上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルのカラーがその対応する背景ピクセルのカラーと異なり、上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルの隣接ピクセルのカラーがその対応する背景ピクセルのカラーと異なる場合、該最初および最後のドキュメント画像ピクセルが実際に走査行に沿ったドキュメント画像の最初および最後のドキュメント画像ピクセルであると判断するステップ(iii)を更に含む、請求項２に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項４】
上記背景ピクセルの各々のカラーが約１／４の赤、１／２の緑および１／８の青である、請求項３に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項５】
上記ステップ(C)が、当該走査行の上記最初および最後のドキュメント画像ピクセルが稜線セグメントを継続するものでない場合、当該稜線セグメントの作成および延伸を終了し、当該走査行の最初および最後のドキュメント画像ピクセルを通る新しい稜線セグメントを生成するステップ(C1)および上記ステップ(A)および(B)を繰り返すステップ(C2)を更に含む、請求項１に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項６】
上記ステップ(D)が、当該稜線セグメントが前の稜線セグメントに対して垂直または平行であるか否かおよび当該稜線セグメントがあらかじめ決められた長さ値より長いか否かを判断することによってドキュメント画像が矩形形状を有するか否かを決定するステップ(a)、およびドキュメント画像が矩形形状を有していない場合傾き角度をゼロにセットするステップ(b)を更に含む、請求項５に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項７】
上記あらかじめ決められた長さ値が約２５個のピクセルに等しい、請求項６に記載のドキュメント画像傾き決定方法。
【請求項８】
各走査行が複数のピクセルから構成される複数の走査行を持つ走査画像の内側に位置するドキュメント画像の境界を決定する方法であって、走査行の各々を背景ピクセルのあらかじめ決められた走査行と照合し、当該ドキュメント画像の最初の走査行に関する最初および最後のドキュメント画像ピクセル、当該ドキュメント画像の最後の走査行に関する最初および最後のドキュメント画像ピクセル、当該ドキュメント画像の最左端の画像ピクセルおよび当該ドキュメント画像の最右端のドキュメント画像ピクセルのそれぞれの位置を特定するステップと、位置が特定された上記６個のドキュメント画像ピクセルを相互に接続して上記キュメント画像の境界を定義するステップと、を含むドキュメント画像境界決定方法。
【請求項９】
上記ドキュメント画像が複数の傾き角度を有するか否かを判断するステップを更に含む、請求項８に記載のドキュメント画像境界決定方法。
【請求項１０】
上記ドキュメント画像が複数の傾き角度を持つ場合、最初の走査行の最初および最後のドキュメント像ピクセルを通る第１の水平線、最後の走査行の最初および最後のドキュメント画像ピクセルを通る第２の水平線、最左端ドキュメント画像ピクセルを通る第１の垂直線、および最右端ドキュメント画像ピクセルを通る第２の垂直線を引くことによってドキュメント画像の境界を定義するステップを更に含む請求項９に記載のドキュメント画像境界決定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素毎に第１のビット数で表現される画像信号を各画素毎に第２のビット数に変換する第１の変換手段と、
前記第２のビット数による画像信号に対して画像処理を施して第３のビット数による画像信号を生成する画像処理手段と、
前記画像処理手段に対して画質調整指示を行う指示手段と、
該指示に応じて前記画像処理手段における画像処理方法を更新する更新手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理手段は、ＬＵＴ変換により画像処理を施し、
前記更新手段は、前記ＬＵＴを更新することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記更新手段は、第４のビット数による基本データに対して前記画像処理のための演算を施し、該演算結果を前記第３のビット数による画像データとして前記ＬＵＴを更新することを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第２のビット数は前記第１のビット数よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第３のビット数は前記第１のビット数よりも小さいことを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第３のビット数は前記第２のビット数に等しいことを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第４のビット数は前記第２のビット数よりも大きいことを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記第４のビット数は前記第１のビット数に等しいことを特徴とする請求項７記載の画像処理装置。
【請求項９】
更に、前記画像処理が施された第３のビット数による画像信号を第５のビット数による画像信号に変換する第２の変換手段と、
前記第５のビット数による画像信号を出力する出力手段とを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記第５のビット数は、前記出力手段において出力可能なビット数であることを特徴とする請求項９記載の画像処理装置。
【請求項１１】
第１階調の画像信号を第２階調に変換する変換手段と、
前記第２階調の画像信号に対して画像処理を施して第３階調の画像信号を生成する画像処理手段と、
前記画像処理手段に対して画質調整指示を行う指示手段と、
該指示に応じて前記画像処理手段における画像処理方法を更新する更新手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
各画素毎に第１のビット数で表現される画像信号を各画素毎に第２のビット数に変換する第１の変換工程と、
前記第２のビット数による画像信号に対して画像処理を施して第３のビット数による画像信号を生成する画像処理工程とを有し、
更に、前記画像処理工程に対して画質調整指示を行う指示工程と、
該指示に応じて前記画像処理工程における画像処理方法を更新する更新工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
即ち、各画素毎に第１のビット数で表現される画像信号を各画素毎に第２のビット数に変換する第１の変換工程と、前記第２のビット数による画像信号に対して画像処理を施して第３のビット数による画像信号を生成する画像処理工程とを有し、更に、前記画像処理工程に対して画質調整指示を行う指示工程と、該指示に応じて前記画像処理工程における画像処理方法を更新する更新工程とを有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月30日(2003.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップゲイト型構造のＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス回路を有する液晶表示装置であって、
前記アクティブマトリクス回路において、
一定の電位に固定された遮光膜を前記半導体層の下に有し、
前記遮光膜によって、ソースバスラインもしくはゲイトバスラインの少なくとも一方が遮光され、
前記遮光膜は前記半導体層のうち、画素電極に電気的に接続した領域の少なくとも一部と絶縁層を介して重なって、補助容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
他行のゲイトバスラインが、前記半導体層のうち、前記画素電極に電気的に接続した領域の一部と他の絶縁層を介して重なって、補助容量を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、その幅がソースバスラインもしくはゲイトバスラインよりも太いことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ソースバスラインの上層に、前記遮光膜とその一部が重なる別の遮光膜を有することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月16日(2003.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光管に非線形セラミックコンデンサを含む始動器を並列接続してなる始動器内蔵形であり、かつ外球内に窒素ガス等の不活性ガスが封入されたメタルハライドランプにおいて、前記始動器は非線形セラミックコンデンサを含む回路に並列に接続され、前記始動器動作時に前記非線形セラミックコンデンサの温度をキュリー温度まで加熱可能な加熱用抵抗体を前記非線形セラミックコンデンサに近接対向させて配置すると共に、前記非線形セラミックコンデンサの体積と前記加熱用抵抗体の消費電力の比が５１〜１７４ｍｍ３／ｗとなるように設定されていることを特徴とする始動器内蔵形メタルハライドランプ。
【請求項２】
前記非線形セラミックコンデンサの端子リードと前記加熱用抵抗体の端部との距離Ｌを１〜５ｍｍとし、かつ前記端子リードの溶接点と前記加熱用抵抗体のリードとの距離Ｄを１〜５ｍｍとすることを特徴とする請求項１項記載の始動器内蔵形メタルハライドランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成14年5月27日(2002.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
自転車又はオートバイ又は車椅子のリムに乾電池に発光ダイオード又は電球を取りつけた光るリム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の全体図
【符号の説明】
（１）は発光ダイオード又は電球
（２）はプラスチックカバー
（３）はゴムパッキン
（４）は乾電池入れケース（８）はリム
（５）はスイッチ        （９）は乾電池１．５ｖ
（６）はケース下ゴム  （１０）はスポーク
（７）はタイヤ        （１１）はネジ


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999020763.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【表１】
1999020036.tif 000001
これを、眼鏡レンズ加工用のエッジャーで切削、研磨したところ、本来有していた硫黄原子含有物質特有の悪臭は殆ど消え失せ、作業者が不快臭を感じることはなかった。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【表２】
1999020036.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の版胴回転監視手段は、版胴またはそれを駆動するモータの軸に連結されたエンコーダとすることが好ましい。上記の版胴の種類を検出する手段は、版胴の種類に応じて設定されるディップスイッチの情報に基づいて検出するものであってよく、又は、版胴の周縁に固定された第一の検知板と、前記版胴の種類に応じて前記第一の検知板と異なった角度だけ離隔して版胴の周縁に固定される別の検知板と、両検知板を検出する静止したセンサとから構成することもできる。後者の検知板としては、例えば、従来の製版印刷装置において、着版時に版胴の種類に応じた長さに孔版印刷用原紙を切断するタイミングでカッタを動作させるために版胴の周縁に設けられている検知板を利用することもできる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
従って、この第二の検知板８４の取付け位置をその版胴２の種類に応じて設定することにより、それぞれ版胴２の外周面に巻装される孔版印刷用原紙Ｓの切断長さを任意に選定することができる。例えば版胴２の種類が、Ｂ４の印刷領域を有するものであれば、図４に示されるように、その版胴２が有するＢ４サイズに応じたインキ通過領域を越える長さの所に第二の検知板８４を取付ければよく、Ａ３用であれば、その版胴２が有するＡ３サイズに応じたインキ通過領域を越えた地点に設けられた穴８４ａに第二の検知板８４をねじやリベットで取付ければよく、Ａ４用であれば、その版胴２が有するＡ４サイズに応じたインキ通過領域を越えた地点に設けられた穴８４ｂに第二の検知板８４をねじやリベットで取付ければよい。因みに、版胴２がＡ３用であれば、切断される孔版印刷用原紙Ｓの大きさは、３２０ｍｍ×５１５ｍｍであり、版胴２がＡ４用であれば、切断される孔版印刷用原紙Ｓの大きさは、３２０ｍｍ×３１０ｍｍである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
かくして、図１２にしたがって版胴の種類が判別された後は、図９にしたがって以降の製版処理（ＳＴ２）、排版処理（ＳＴ３）等が行われる。排版処理（ＳＴ３）は、図７のフローチャートにしたがって行われ、版胴が排版終了位置に達したことを判断する際は（ＳＴ３４）、版胴２又はそのメインモータ３に連結されたエンコーダ（図示せず）で版胴の回転角度を監視しつつ、版胴が図１２のフローチャートで抽出した排版終了位置θに達したときに排版ローラ対５６を停止させるようにすればよい（ＳＴ３５）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月28日(2004.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
螺子を被締付部品に仮保持するための仮保持部材が螺子軸部に設けられている螺子であって、前記仮保持部材は、螺子軸部の外周に形成された成形品で、螺子軸部の雄ねじ部に対応する雌ねじ部を有する短筒部の外周に弾性翼片が放射状に張設されたものであることを特徴とする螺子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためになされた本発明の螺子は、螺子を被締付部品に仮保持するための仮保持部材が螺子軸部に設けられている螺子であって、前記仮保持部材は、螺子軸部の外周に形成された成形品で、螺子軸部の雄ねじ部に対応する雌ねじ部を有する短筒部の外周に弾性翼片が放射状に張設されたものであることを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の螺子は、弾性翼片が短筒部の外周に放射状に張設された仮保持部材が螺子軸部の外周にインサート成形などにより設けられていることにより、螺子を被締付部品の螺子挿通孔に差し込んだ時に螺子が被締付部品から脱落することがない。また、仮保持部材を螺子軸部の中間でできるかぎり下寄りに設けることにより逃がし穴の長さを大幅に短くすることができて、カバーなどの取付部材の薄肉軽量化を図ることができる。また、本発明の螺子により被締付部品を取付部材に一体に締結した時には、仮保持部材が押し潰されて変形し仮保持部材を形成しているプラスチックが螺子軸部と被締付部品および取付部材との間の空隙を充填したり、プラスチックの一部が雄ねじと雌ねじの界面に噛み込まれたりするので、従来よりもシールを完全なものとして被締付部品を締結することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月29日(2004.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して互いに対向配置される基板と、
前記基板のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に、他方の基板を介して入射される外来光を反射させる画素電極とを備え、
前記画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されているとともに、
前記各凸部は前記画素電極を平面的に観た場合に異なる形状のものが２種以上あり、
前記画素電極の表面に形成される凸部は、前記画素電極の下層側に位置づけられる島状の多層の材料層によって形成され、
前記島状の多層の各材料層は、その一の層の形状の中心位置が他の層の形状の中心位置に対してずれていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して互いに対向配置される基板と、
前記基板のうち一方の基板の液晶側の各画素領域に、他方の基板を介して入射される外来光を反射させる画素電極とを備え、
前記画素電極はその表面に凸部が散在されて形成されているとともに、
前記各凸部は前記画素電極を平面的に観た場合に異なる形状のものが２種以上あり、
前記画素電極の表面に形成される凸部は、前記画素電極の下層側に位置づけられる島状の多層の材料層によって形成され、
前記島状の多層の各材料層は、その層の数が異なるものが存在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記島状の多層の各材料層は、その一の層の平面形状が他の島状の多層の材料層の一の層の平面形状と異なるものが存在することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記島状の多層の各材料層は、その側壁に形成されるテーパにて角度の異なるものが存在することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記一方の基板の液晶側の面に形成された複数のゲート信号線と、
前記一方の基板の液晶側の面に前記ゲート信号線と交差して形成された複数のドレイン信号線とを備え、
前記画素領域は、隣接して配置される前記ゲート信号線と隣接して配置される前記ドレイン信号線とで囲まれた領域であり、
前記画素領域に片側の前記ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを備え、
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタを介して片側の前記ドレイン信号線からの映像信号が供給されることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は前記画素領域の大部分に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素電極は前記画素領域の一部分に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記一方の基板の液晶側の面に形成された複数のゲート信号線と、
前記一方の基板の液晶側の面に前記ゲート信号線と交差して形成された複数のドレイン信号線とを備え、
前記画素領域は、隣接して配置される前記ゲート信号線と隣接して配置される前記ドレイン信号線とで囲まれた領域であり、
前記画素領域に片側の前記ゲート信号線からの走査信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタを備え、
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタを介して片側の前記ドレイン信号線からの映像信号が供給され、
前記島状の多層の材料層は、前記ゲート信号線と同一の材料層、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一の材料層、前記ドレイン信号線と同一の材料層、前記薄膜トランジスタを被う保護膜と同一の材料層のうち少なくとも２つの材料層の積層体によって形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記保護膜は有機材料、あるいは無機材料と有機材料の順次積層体を含むことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記島状の多層の材料層は、無機材料により形成されていることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記島状の多層の材料層は、前記画素電極よりも下層に位置づけられる他の構成要素と同一の無機材料により形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記画素電極と前記島状の多層の材料層との間に、有機材料の層、あるいは無機材料と有機材料の順次積層体を有することを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月18日(2003.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に不純物を導入して形成されたフォトダイオードと、前記半導体基板に不純物を導入して形成された複数のＭＯＳトランジスタとにより構成されるＣＭＯＳイメージセンサにおいて、
前記フォトダイオードの不純物領域と接続した不純物領域を有するＭＯＳトランジスタの少なくとも前記フォトダイオード側の前記不純物領域の表面にシリサイド膜がなく、他のＭＯＳトランジスタの不純物領域の表面にシリサイド膜が設けられていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項２】
半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
前記半導体基板に形成され、前記フォトダイオードの不純物領域に連続する不純物領域をドレインとする第１のＭＯＳトランジスタと、
前記半導体基板に形成され、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースに連続する不純物領域をソースとする第２のＭＯＳトランジスタと、
前記半導体基板に形成され、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインに連続する不純物領域をソースとする第３のＭＯＳトランジスタとを有し、
前記第１のＭＯＳトランジスタの前記ドレインの表面にはシリサイド膜がなく、前記第１のＭＯＳトランジスタのソースの表面、並びに前記第２のＭＯＳトランジスタ及び第３のＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項３】
前記半導体基板に、前記第３のＭＯＳトランジスタから出力される信号を処理するＭＯＳトランジスタ回路が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項４】
前記半導体基板に、前記第１のＭＯＳトランジスタ及び前記第３のＭＯＳトランジスタの各ゲートにそれぞれ所定のタイミングで信号を供給するタイミング回路と、前記第３のＭＯＳトランジスタから出力される信号を読み出す読出し回路とが形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項５】
前記第１乃至第３のＭＯＳトランジスタを被覆する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上に形成された配線と、
前記層間絶縁膜に埋め込まれ、前記１乃至第３のＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの少なくとも１つと前記配線とを電気的に接続する接続プラグと
を有することを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項６】
前記第１のＭＯＳトランジスタのソース、前記第２のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン、及び前記第３のＭＯＳトランジスタのソース・ドレインはいずれもＬＤＤ構造を有し、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインはＬＤＤ構造を有しないことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項７】
半導体基板に不純物を導入しフォトダイオードを形成する工程と、
前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板にＮ型不純物を導入して前記フォトダイオードのカソードに連続したＮ型不純物領域を有するリセットトランジスタを含む複数のＮチャネルＭＯＳトランジスタを形成する工程と、
少なくとも前記フォトダイオードの上から前記リセットトランジスタの前記フォトダイオード側の不純物領域の上までの領域を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板の上側に金属膜を形成し、該金属膜中の金属と前記シリコン基板の表面のシリコンとを反応させてシリサイド膜を形成する工程と
を有することを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項８】
前記シリサイド膜を形成する工程の後に、
前記金属膜を除去し、前記シリサイド膜のみを残す工程と、
前記半導体基板の上側に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、前記リセットトランジスタの前記フォトダイオード側不純物領域に到達するコンタクトホールと、前記シリサイド膜に到達するコンタクトホールとを選択的に形成する工程と、
前記コンタクトホールに導電体を埋め込み前記第２の絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングして配線を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項９】
前記フォトダイオードを形成する工程の前に、各素子領域間を電気的に分離するフィールド酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜中の金属がチタンであることを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の絶縁膜をシリコン酸化物で形成することを特徴とする請求項７に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜は、複数の絶縁体を積層して形成することを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【請求項１３】
前記第２の絶縁膜の表面にＳＯＧを塗布して表面を平坦化することを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳイメージセンサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月8日(2003.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、
上記ＭＯＳトランジスタのゲート電極が、ゲート絶縁膜上に下からシリコン膜，金属珪化膜，金属窒化膜及び金属膜の積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記シリコン膜中に、任意の導電型の不純物が注入されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属珪化膜の膜厚が、５〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属珪化膜がタングステンシリサイドであり、前記金属窒化膜が窒化タングステンであり、前記金属膜がタングステンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極がシリコン膜と該シリコン膜の上方に積層された金属膜と金属化合物の積層膜とから構成されたＭＯＳトランジスタを有する半導体装置において、
上記シリコン膜と上記金属膜と金属化合物との積層膜との間の、上記シリコン膜側には金属珪化膜を備え、上記金属膜側に金属窒化膜を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記シリコン膜中に、任意の導電型の不純物が注入されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属珪化膜の膜厚が、５〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記金属珪化膜がタングステンシリサイドであり、前記金属窒化膜が窒化タングステンであり、前記金属膜がタングステンであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板表面に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、
上記第１の絶縁膜上にシリコン膜を堆積する第２工程と、
上記シリコン膜上に第１の金属膜を堆積する第３工程と、
上記第１の金属膜上に金属窒化膜を堆積する第４工程と、
上記金属窒素化膜上に第２の金属膜を堆積する第５工程と、
上記シリコン膜，上記第１の金属膜，上記金属窒化膜及び上記第２の金属膜からなる積層膜をゲート電極形状に加工する第６工程と、
上記ゲート電極をマスクとして上記半導体基板表面に不純物をイオン打ち込みする第７工程と、
熱処理により、上記第１の金属膜を上記シリコン膜と反応させて、金属珪化膜とする第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第８の工程において、６５０℃以上の熱処理を施すことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第８工程において、前記第７工程でイオン打ち込みされた不純物が活性化することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記金属珪化膜がタングステンシリサイドであり、前記金属窒化膜が窒化タングステンであり、前記第１及び第２の金属膜がタングステンであることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板表面に第１の絶縁膜を形成する第１工程と、
上記第１の絶縁膜上にシリコン膜を堆積する第２工程と、
上記シリコン膜上に第１の金属膜を堆積する第３工程と、
上記第１の金属膜上に金属窒化膜を堆積する第４工程と、
上記金属窒素化膜上に第２の金属膜を堆積する第５工程と、
熱処理により、上記第１の金属膜を上記シリコン膜と反応させて、金属珪化膜とする第６工程と、
上記シリコン膜，上記金属珪化膜，上記金属窒化膜及び上記第２の金属膜からなる積層膜をゲート電極形状に加工する第７工程と、
上記ゲート電極をマスクとして上記半導体基板表面に不純物をイオン打ち込みする第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第６の工程において、６５０℃以上の熱処理を施すことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記金属珪化膜がタングステンシリサイドであり、前記金属窒化膜が窒化タングステンであり、前記第１及び第２の金属膜がタングステンであることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１６】
半導体基板表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
上記第１の絶縁膜上にシリコン膜を堆積する工程と、
上記シリコン膜上に金属珪化膜を堆積する工程と、
上記第１の金属膜上に金属窒化膜を堆積する工程と、
上記金属窒素化膜上に金属膜を堆積する工程と、
上記シリコン膜，上記金属珪化膜，上記金属窒化膜及び上記金属膜からなる積層膜をゲート電極形状に加工する工程と、
上記ゲート電極をマスクとして上記半導体基板表面に不純物をイオン打ち込みする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記金属珪化膜がタングステンシリサイドであり、前記金属窒化膜が窒化タングステンであり、前記金属膜がタングステンであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月30日(2003.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一方、例えば、特開平１１−１７８２７２号公報には、図９に示されているように、扇形状に形成された２つの平衡用部材５，５を、回転軸６に対して回転自在に装着した自動平衡装置が提案されており、上述した問題点を基本的には解消している。しかしながら、この提案装置では、平衡用部材５，５が極端な片持ち構造になされているために支持安定性に欠け、特に、低速回転領域で共振現象が発生し易いという問題がある。また、各平衡用部材５，５が平面略扇形の形状になされていることから、所定の質量を確保しようとすると外径が大きくならざるを得ず、装置全体も大型化してしまうという問題もある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらに、この提案装置では、共振回転数以下の低回転領域において両平衡用部材５，５を回転軸６と一体回転させるバネ板状の回転係止部材７，７の構造上、上記両平衡用部材５，５を一旦バランス位置に移動させたとしても、次の回転操作では、上記両平衡用部材５，５が予め定められた一定位置に再度移動して回転係止部材７，７により係止されることとなり、それらの両平衡用部材５，５は、再びアンバランスとなった状態で固定されてしまう。従って、このような平衡用部材５，５の回転係止構造の点からしても、低速回転領域における回転安定性が良好でないという問題を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  データの入力ストリームを複数のパケットに分割するステップと、
（Ｂ）  前記複数のパケットの内の特定のパケットに対し、それぞれのパケットヒストリー状態を少なくとも１つの受領確認ベクトルの関数として特定するステップと、
（Ｃ）  前記複数のパケットの内の特定のパケットを、関連するそれぞれのパケットヒストリーの関数として符号化するステップと、
（Ｄ）  前記複数のパケットを圧縮データストリームに圧縮するステップと
から成ることを特徴とするデータ通信方法。
【請求項２】
前記パケットに関連するそれぞれのパケットヒストリー状態を複数の受信したパケットの関数として特定する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数の受信したパケットは、受信器が伝送エラーなしで以前に受信したパケットを表す
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
各パケットは、それぞれパケットヘッダーを有し、
前記パケットヘッダーは、前記パケットのそれぞれのパケットヒストリー状態を特定する少なくとも１つのヒストリーベクトルを含む
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記受領確認ベクトルは、最後に受領した特定の受領パケットのシーケンス番号を含む
ことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項６】
通信チャネルを介して送信側と受信側との間で通信ストリームを送信する方法において、
（Ａ）  通信ストリームを複数のパケットに分割するステップと、
（Ｂ）  前記パケットの特定のパケットに対するそれぞれのパケットヒストリー状態を第１の受領確認ベクトルの関数として特定するステップと、
前記第１受領確認ベクトルは、受信側から送られて送信側が受領し、
（Ｃ）  前記パケットの内、特定のパケットはそれに関連するそれぞれのパケットヒストリーの関数として符号化するステップと、
前記各パケットは、それに関連するパケットヘッダーを有し、
前記パケットヘッダーは、パケットのそれぞれのパケットヒストリー状態を特定する少なくともヒストリーベクトルを含み、
（Ｄ）  複数のパケットを圧縮データストリームに圧縮するステップと、
（Ｅ）  通信チャネルを介してこの圧縮データストリームを送信側から受信側に送信するステップと
からなることを特徴とする通信ストリームの送信方法。
【請求項７】
圧縮されたデータストリームからデータを再生する方法において、
（Ａ）  圧縮されたデータストリームを受領するステップと、
前記圧縮されたデータストリームは、複数の符号化パケットを含み、
（Ｂ）  符号化パケットの内の特定のパケットに関連するそれぞれのパケットヒストリー状態を特定するステップと、
（Ｃ）  前記圧縮されたデータストリームを脱圧縮しデータを再生するステップと、
を有し、
前記符号化パケットの内の特定のパケットは、前記それぞれのパケットヒストリーの関数として脱圧縮される
ことを特徴とする圧縮されたデータストリームからデータを再生する方法。
【請求項８】
送信用に、複数のパケットを有するデータストリームを受領する受信器と、
前記パケットに関連する複数のパケットヒストリー状態を、少なくとも１つの受領確認ベクトルの関数として特定し、前記複数のパケットを複数のヒストリー状態の関数として符号化する符号化器と、
前記パケットを圧縮データストリームに圧縮する圧縮器と
から成ることを特徴とするデータ通信装置。
【請求項９】
通信チャネルから圧縮されたデジタル信号を受領する受信器と、
前記受信した圧縮デジタル信号を脱圧縮し、この脱圧縮されたデジタル信号からデジタルデータの入力ストリームを再生する脱圧縮器と
を有する圧縮されたデジタル信号を処理する装置において、
前記圧縮されたデジタル信号は、
（Ａ）  データの入力ストリームを複数のパケットに分割するステップと、
（Ｂ）  複数のパケットの内の特定のパケットに対し、それぞれのパケットヒストリー状態を少なくとも１つの受領確認ベクトルの関数として特定するステップと、
（Ｃ）  前記複数のパケットの内の特定のパケットをそれに関連するパケットヒストリーの関数として符号化し、
各パケットは、それぞれパケットヘッダーを有し、
前記パケットヘッダーは、前記パケットのそれぞれのパケットヒストリー状態を特定する少なくともヒストリーベクトルを含むステップと、
（Ｄ）  前記符号化されたパケットを圧縮デジタル信号に圧縮するステップと、
（Ｅ）  前記圧縮されたデジタル信号を通信チャネルに入力するステップとにより処理される
ことを特徴とする圧縮されたデジタル信号を処理する装置。
【請求項１０】
複数のインストラクションを記憶する記憶媒体において、
前記複数のインストラクションは、機械により実行されたときには、送信側と受信側との間で通信チャネルを介して、
（Ａ）  通信ストリームを複数のパケットに分割するステップと、
（Ｂ）  前記パケットの特定のパケットに対するそれぞれのパケットヒストリー状態を第１の受領確認ベクトルの関数として特定し、
前記第１受領確認ベクトルは、受信側から送られて送信側が受領するステップと、
（Ｃ）  前記パケットの内、特定のパケットはそれに関連するそれぞれのパケットヒストリーの関数として符号化し、
前記各パケットは、それに関連するパケットヘッダーを有し、
前記パケットヘッダーはパケットのそれぞれのパケットヒストリー状態を特定する少なくともヒストリーベクトルを含むステップと、
（Ｄ）  複数のパケットを圧縮データストリームに圧縮するステップと、
（Ｅ）  通信チャネルを介してこの圧縮データストリームを送信側から受信側に送信するステップと
により通信ストリームを送信する方法を実行する
ことを特徴とする複数のインストラクションを記憶する記憶媒体。