【手続補正書】
【提出日】平成15年12月16日(2003.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性表面を有する半導体基板の該絶縁性表面上に、導電性材料からなる第１の配線、該第１の配線の上に配置された第１の絶縁膜、及び該第１の絶縁膜の上に配置され、該第１の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第２の絶縁膜からなる積層構造を形成する工程と、
前記積層構造の上面及び側面を含む基板表面上に等方的に、前記第２の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる絶縁材料からなる第１のスペーサ絶縁層を堆積し、該第１のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングして前記積層構造の側面上に、第１のスペーサ領域を残す工程と、
前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記第１のスペーサ領域の表面を含む基板表面上に、第２のスペーサ絶縁層を堆積し、該第２のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングし、前記第１のスペーサ領域の側面上に第２のスペーサ領域を残す工程と、
前記第１及び第２のスペーサ領域と前記第１の絶縁膜とにより前記第１の配線と電気的に絶縁された第２の配線を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記積層構造を形成する工程が、前記絶縁性表面上の前記積層構造の形成されていない領域に、前記第１の配線と同一材料からなる第３の配線、及び該第３の配線の上に配置され、前記第２の絶縁膜と同一材料からなる第３の絶縁膜を含む他の積層構造を形成する工程を含み、
前記第１のスペーサ領域を形成する工程が、前記他の積層構造の側面上に、前記第１のスペーサ絶縁層からなる第３のスペーサ領域を残す工程を含み、
前記第２の絶縁膜を除去する工程が、前記第３の絶縁膜を除去する工程を含み、
前記第２のスペーサ領域を残す工程が、前記第３のスペーサ領域の側面上に、前記第２のスペーサ絶縁層からなる第４のスペーサ領域を残す工程を含み、
前記第２の配線を形成する工程において、前記第３の配線に前記第２の配線が電気的に接続されるように該第２の配線を形成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板が前記絶縁性表面以外の領域にシリコン表面を有し、
前記第２の絶縁膜を除去する工程の後、前記第２の配線を形成する工程の前に、さらに前記シリコン表面をシリサイド化する工程を含み、
前記第２の配線を形成する工程において、前記第２の配線がシリサイド化された前記シリコン表面と前記第３の配線とを接続するように前記第２の配線を形成する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜を除去する工程の前に、さらに、前記半導体装置のシリコン表面を熱酸化する工程を含む請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のスペーサ領域を残す工程において、前記第１のスペーサ絶縁層のエッチング速度が、前記第２の絶縁膜のエッチング速度の４倍以上となるエッチング条件で、前記第１のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
絶縁性表面を有する半導体基板と、
前記絶縁性表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線の上面上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の配線と第１の絶縁膜との積層構造の両側の側面上に形成された絶縁材料からなる第１のスペーサ領域であって、その最上端が前記第１の絶縁膜の上面よりも高い前記第１のスペーサ領域と、
前記第１のスペーサ領域の外側の側面上、及び前記第１の絶縁膜の上面よりも上方に位置する内側の側面上に形成された絶縁材料からなる第２のスペーサ領域と、
前記第２のスペーサ領域の表面の一部の領域上、及び前記第１の絶縁膜の上面の一部の領域上に配置された第２の配線と
を有する半導体装置。
【請求項７】
さらに、前記絶縁性表面の前記第１の配線の形成されていない領域上に形成された第３の配線と、
前記第３の配線の両側の側面上に形成され、前記第１のスペーサ領域と同一材料からなる第３のスペーサ領域であって、その最上端が前記第３の配線の上面よりも高い前記第３のスペーサ領域と、
前記第３のスペーサ領域の外側の側面上、及び前記第３の配線の上面よりも上方に位置する内側の側面上に形成され、前記第２のスペーサ領域と同一材料からなる第４のスペーサ領域とを有し、
前記第２の配線が、前記第３の配線の上面領域まで延在し、第３の配線と電気的に接続されている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板が、前記絶縁性表面とは異なる領域に金属シリサイド領域を有し、
前記第２の配線が前記金属シリサイド領域と前記第３の配線とを接続する請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
絶縁性表面を有する半導体基板の該絶縁性表面上に、導電性材料からなる第１の配線、該第１の配線の上に配置された第１の絶縁膜、及び該第１の絶縁膜の上に配置され、該第１の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第２の絶縁膜からなる積層構造を形成する工程と、
前記積層構造の上面及び側面を含む基板表面上に等方的に、前記第２の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる絶縁材料からなる第１のスペーサ絶縁層を堆積し、該第１のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングして前記積層構造の側面上に、第１のスペーサ領域を残す工程と、
前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記第１の配線、第１の絶縁膜、第１のスペーサ領域を覆うように、基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、前記第１の配線と交差する溝を形成し、該溝の底面に、前記絶縁性表面の一部、前記第１の絶縁膜の表面の一部及び第１のスペーサ領域の表面の一部を露出させる工程と、
前記溝内を埋め尽くすように、前記層間絶縁膜の上に導電性材料からなる配線層を形成する工程と、
前記配線層をエッチバックして、前記溝の中に配線層の一部を残す工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜が、前記第１の絶縁膜及び前記第１のスペーサ領域とエッチング耐性の異なるエッチング停止膜、及び該エッチング停止膜の上に形成され、エッチング停止膜とはエッチング耐性の異なる層間絶縁膜上層部を含む請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記層間絶縁膜が、さらに、前記エッチング停止膜の下に配置され、エッチング停止膜とはエッチング耐性の異なるエッチング保護膜を含む請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
絶縁性表面を有する半導体基板と、
前記絶縁性表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線の上面上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の配線と第１の絶縁膜との積層構造の両側の側面上に形成された絶縁材料からなるスペーサ領域であって、その最上端が前記第１の絶縁膜の上面よりも高い前記スペーサ領域と、
前記第１の絶縁膜及び前記スペーサ領域を覆うように基板上に形成され、前記第１の配線と交差する溝を有する層間絶縁膜であって、前記溝の底面の一部に前記第１の絶縁膜の表面の一部と前記スペーサ領域の表面の一部が露出する前記層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の溝内に埋め込まれた第２の配線とを有する半導体装置。
【請求項１３】
前記層間絶縁膜が、前記第１の絶縁膜及び前記スペーサ領域とエッチング耐性の異なるエッチング停止膜、及び該エッチング停止膜の上に形成され、エッチング停止膜とはエッチング耐性の異なる層間絶縁膜上層部を含む請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記層間絶縁膜が、さらに、前記エッチング停止膜の下に配置され、エッチング停止膜とはエッチング耐性の異なるエッチング保護膜を含む請求項１３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、絶縁性表面を有する半導体基板の該絶縁性表面上に、導電性材料からなる第１の配線、該第１の配線の上に配置された第１の絶縁膜、及び該第１の絶縁膜の上に配置され、該第１の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる第２の絶縁膜からなる積層構造を形成する工程と、前記積層構造の上面及び側面を含む基板表面上に等方的に、前記第２の絶縁膜とはエッチング耐性の異なる絶縁材料からなる第１のスペーサ絶縁層を堆積し、該第１のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングして前記積層構造の側面上に、第１のスペーサ領域を残す工程と、前記第２の絶縁膜を除去する工程と、前記第１のスペーサ領域の表面を含む基板表面上に、第２のスペーサ絶縁層を堆積し、該第２のスペーサ絶縁層を異方的にエッチングし、前記第１のスペーサ領域の側面上に第２のスペーサ領域を残す工程と、前記第１及び第２のスペーサ領域と前記第１の絶縁膜とにより前記第１の配線と電気的に絶縁された第２の配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の観点によると、絶縁性表面を有する半導体基板と、前記絶縁性表面上に形成された第１の配線と、前記第１の配線の上面上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の配線と第１の絶縁膜との積層構造の両側の側面上に形成された絶縁材料からなる第１のスペーサ領域であって、その最上端が前記第１の絶縁膜の上面よりも高い前記第１のスペーサ領域と、前記第１のスペーサ領域の外側の側面上、及び前記第１の絶縁膜の上面よりも上方に位置する内側の側面上に形成された絶縁材料からなる第２のスペーサ領域と、前記第２のスペーサ領域の表面の一部の領域上、及び前記第１の絶縁膜の上面の一部の領域上に配置された第２の配線とを有する半導体装置が提供される。