【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体デバイス用フューズおよび半導体デバイス
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体基板上に設けられた導電性薄膜をパターニングして形成された幅狭部と切断部とを有し、
上記切断部は、半導体基板に形成された電気素子に、上記幅狭部を介して接続された半導体デバイス用フューズにおいて、
上記切断部は、上記レーザビームが上記幅狭部に照射された場合には、そのレーザビームのうち、上記幅狭部では遮蔽できない部分も遮蔽できる形状に成形され、上記レーザビームが照射されると電気的接続が開放されるように構成されたことを特徴とする半導体デバイス用フューズ。
【請求項２】上記切断部の平面形状は、膨出部分を有することを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス用フューズ。
【請求項３】上記膨出部分の包絡線形状は、上記レーザビームの断面形状と合致した形状にされたことを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス用フューズ。
【請求項４】上記膨出部分の包絡線形状は円形であることを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス用フューズ。
【請求項５】半導体基板上に形成された集積電気回路と、
上記集積電気回路に接続されて上記半導体基板上に形成され、幅狭部と実質的に円形形状であるレーザービーム切断部とを有するフューズと、
を有し、
上記フューズが上記集積電気回路の少なくとも１つのアクティブ電気素子の上方に設けられている半導体デバイス。
【請求項６】上記切断部が上記幅狭部よりも大きい請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】半導体基板上に形成された集積電気回路と、
上記集積電気回路に接続されて上記半導体基板上に形成され、幅狭部と実質的に円形形状であるレーザービーム切断部とを有する複数のフューズと、
を有し、
上記フューズが上記集積電気回路の少なくとも１つのアクティブ電気素子の上方に設けられており、
上記複数のフューズが並んで配置されると共に上記複数のフューズが互いに近接して位置され得るように上記複数の切断部が千鳥状に配置されている半導体デバイス。
【請求項８】集積電気回路と、
第１の部分と上記第１の部分よりも広くレーザービームによって切断され得る第２の部分とを有するフューズと、
を有し、
上記第２の部分が上記レーザービームの形状に対応した形状を有し、
上記フューズが上記集積電気回路のアクティブ領域の上方に配置されている半導体デバイス。
【請求項９】集積電気回路と、
第１の部分と上記第１の部分よりも広くレーザービームによって切断され得る第２の部分とを有する複数のフューズと、
を有し、
上記第２の部分が上記レーザービームの形状に対応した形状を有し、
上記フューズが上記集積電気回路のアクティブ領域の上方に配置されており、
上記複数のフューズが並んで配置されると共に上記複数のフューズが互いに近接して位置され得るように上記複数の第２の部分が千鳥状に配置されている半導体デバイス。
【請求項１０】上記第２の部分が円形形状を有する請求項８又は９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】上記第２の部分が八角形又は六角形の形状を有する請求項８又は９に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上の配線パターンに設けられるフューズに関し、特に、製造工程で動作チェックの結果等に応じて適宜レーザを照射して切断し、不良回路を切離したり、予備回路を動作させる等の回路設定に使用される半導体デバイス用フューズに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造に際しては、ウエハ段階で回路の動作チェック等の検査を行って、その結果に応じて回路を適切に設定・修正するために、回路間を接続する配線パターンに半導体デバイス用フューズを設け、その一部を切断して回路を動作しないようにしたり、冗長回路を動作させるようにすることが行われている。
【０００３】
そのような半導体デバイス用フューズは一定幅の帯状に成形されており、それを電気的に切断するために、所定位置にレーザビームを照射して、部分的な熱的溶断・蒸発をさせる方法が一般的である。
【０００４】
そのようなレーザビームは半導体基板表面上に照射するが、製造工程に於いて、多数の半導体デバイス用フューズに対し、繰り返しレーザービームを照射すると、半導体デバイス用フューズの下層に、一定頻度でダメージが生じる場合のあることが知られている。かかる場合、半導体デバイス用フューズ直下位置に半導体電気素子が形成されていると、製品全体が不良になってしまう。
【０００５】
そこで従来技術では、半導体デバイスに、半導体デバイス用フューズを多数設ける際、一箇所のフューズ領域にまとめて配置し、各半導体デバイス用フューズの下には半導体電気素子を配置しないで無効領域とし、ダメージがあった場合でも不良品が発生しないようにすると共に、半導体デバイス用フューズの切断作業性を向上させていた。
【０００６】
しかしながら近年では、半導体デバイスの集積度の向上に伴って内部回路が大型化・複雑化し、回路の設定・修正に必要とされる半導体デバイス用フューズの本数も増加してきた。他方、半導体デバイス用フューズの大きさはレーザビームのスポット径や照射位置精度によって定まるため、回路が小型化する程には縮小できず、上述の従来技術で生じる無効領域が無視できない程の大きさになってきた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、レーザビームを照射して切断したときに下層にダメージを与えず、下層に電気素子や層間配線膜を形成できる半導体デバイス用フューズを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者等は、フューズ形状に工夫を施すことによって、レーザビームの照射により半導体デバイス用フューズを確実に溶断・蒸発させながら、その下層にはダメージを与えずに済むことを見出した。
【０００９】
本発明は上記知見に基づいて創作されたもので、その請求項１に記載された発明は、半導体基板上に設けられた導電性薄膜をパターニングして形成された幅狭部と切断部とを有し、上記切断部は、半導体基板に形成された電気素子に、上記幅狭部を介して接続された半導体デバイス用フューズにおいて、上記切断部は、上記レーザビームが上記幅狭部に照射された場合には、そのレーザビームのうち、上記幅狭部では遮蔽できない部分も遮蔽できる形状に成形され、上記レーザビームが照射されると電気的接続が開放されるように構成されたことを特徴とする。
【００１０】
このような構成により、レーザビームのうち、下層にダメージを与える程強度が強い部分が、確実に半導体デバイス用フューズに照射され、下層の薄膜に直接照射されることがなくなり、その結果、半導体基板や下層の薄膜がダメージを受けないようになる。
【００１１】
レーザービームがはみ出ないようにするために、その半導体デバイス用フューズの切断部の具体的な平面形状は、請求項２に記載した発明のように、膨出部分を有するようにしておくとよい。
【００１２】
その請求項２記載の半導体デバイス用フューズについては、請求項３記載の発明のように、上記膨出部分の包絡線形状は、上記レーザビームの断面形状と合致した形状にしておくと効果的である。
【００１３】
一般に、レーザビームの断面形状は円形である。従って、請求項３に記載された半導体デバイス用フューズでは、請求項４に記載した半導体デバイス用フューズのように、上記膨出部分の包絡線形状を円形にするとよい。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、半導体基板上に形成された集積電気回路と、上記集積電気回路に接続されて上記半導体基板上に形成され、幅狭部と実質的に円形形状であるレーザービーム切断部とを有するフューズとを有し、上記フューズが上記集積電気回路の少なくとも１つのアクティブ電気素子の上方に設けられている半導体デバイスに係わるものであり、フューズの直下位置に半導体電気素子を設けることができ、無効領域がなくなるので、チップサイズを小さくすることができる。
【００１５】
また、複数のフューズが並んで配置されると共に上記複数のフューズが互いに近接して位置され得るように上記複数の切断部が千鳥状に配置されているので、複数のフューズ間を近接させる際に切断部が邪魔にならず、チップサイズの縮小化上有利である。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の半導体デバイスであって、上記切断部が上記幅狭部よりも大きいことを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、半導体デバイスであって、半導体基板上に形成された集積電気回路と、上記集積電気回路に接続されて上記半導体基板上に形成され、幅狭部と実質的に円形形状であるレーザービーム切断部とを有する複数のフューズと、を有し、上記フューズが上記集積電気回路の少なくとも１つのアクティブ電気素子の上方に設けられており、上記複数のフューズが並んで配置されると共に上記複数のフューズが互いに近接して位置され得るように上記複数の切断部が千鳥状に配置されていることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、半導体デバイスであって、集積電気回路と、第１の部分と上記第１の部分よりも広くレーザービームによって切断され得る第２の部分とを有するフューズと、を有し、上記第２の部分が上記レーザービームの形状に対応した形状を有し、上記フューズが上記集積電気回路のアクティブ領域の上方に配置されていることを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、半導体デバイスであって、集積電気回路と、第１の部分と上記第１の部分よりも広くレーザービームによって切断され得る第２の部分とを有する複数のフューズと、を有し、上記第２の部分が上記レーザービームの形状に対応した形状を有し、上記フューズが上記集積電気回路のアクティブ領域の上方に配置されており、上記複数のフューズが並んで配置されると共に上記複数のフューズが互いに近接して位置され得るように上記複数の第２の部分が千鳥状に配置されていることを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載の半導体デバイスであって、上記第２の部分が円形形状を有することを特徴とする。
請求項１１に記載の発明は、請求項８又は９に記載の半導体デバイスであって、上記第２の部分が八角形又は六角形の形状を有することを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る半導体デバイス用フューズ(以下、単に「フューズ」と略す。)の実施形態を説明する。
図１(ａ)の符号２は、一実施形態のフューズの平面形状を示しており、スパッタリング工程や蒸着工程によって半導体基板上に導電性薄膜が全面成膜され、次いで、フォトリソグラフィ工程によってその導電性薄膜がパターニングされて形成されている。
【００１８】
そのパターニングによって、各フューズには幅狭部３と切断部４とが設けられる。切断部４の両側から伸びる幅狭部３は、半導体素子で構成された図示せぬ所定の回路部分とそれぞれ接続されている。
【００１９】
幅狭部３は幅０．５μｍの帯状に形成されており、他方、切断部４は、その幅狭部３の両側方に、ほぼ半円形状の膨出部分５a、５bが延出した形状で設けられて構成されており、切断部４のみの形状をみた場合には、その包絡線形状は、直径は２μｍの、ほぼ円形にされている。この切断部４にレーザビームが照射される。
【００２０】
このフューズ２を構成する導電性薄膜の構造を図１(ｂ)の断面図に示すと、図示しない絶縁膜上に、下層より順に、スパッタタング工程によって形成された厚さ５００Åのタングステン薄膜と、ＣＶＤ工程によってその表面に形成された厚さ１０００Åのタングステン薄膜と、更にスパッタリング工程によってその表面に形成された厚さ４０００ÅのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ薄膜と、その表面に形成された厚さ５００ÅのＴｉＮ薄膜とで構成されており、表面には図示しない保護膜が形成されている。
【００２１】
なお、上記のフォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスクにおいて、そのフォトマスク上に形成されたパターンの切断部３の形状は必ずしも円形である必要はなく、例えば８角形、あるいは６角形の形状であってもよい。なぜなら、フォトリソグラフィ工程におけるレジストのパターニングでは、パターンに角度を持った部分はダレて丸みをおびてしまうものである。一般的に、レジストを円形パターンにパターニングする場合は、８角形又は６角形のパターンが形成されたフォトマスクが用いられており、本実施形態のフューズの切断部をパターニングする場合であも、そのような８角形または６角形、あるいは他の多角形のフォトマスクパターンを用いることができる。
【００２２】
図２(ａ)は、本実施形態のフューズ２1〜２4を、それらの幅狭部３1〜３4を４．０μｍピッチで互いに平行にすると共に、各切断部４1〜４4を同一直線上に位置させて一つの半導体デバイス上に配列した様子を示している。このとき隣り合う切断部４1〜４4の最も近接する部分間の間隔は２．０μｍである。
【００２３】
他方、同図(ｂ)は、本実施形態のフューズ２11〜２15を、それらの幅狭部３11〜３15を平行にすると共に、各切断部４11〜４15を千鳥状のジグザグに位置させて一つの半導体基板上に配置した場合を示している。この切断部４11〜４15では、互いに隣り合う切断部同士は横一列に並んでおらず、図２(ａ)のフューズ２１〜２４の場合と同様に、隣接する切断部４11〜４15の端部と幅狭部３11〜３15の最も近接する部分間の間隔を２．０μｍとした場合に、幅狭部３11〜３15のピッチは３．７５μｍとなる。
【００２４】
フューズ同士の最小間隔が定められている場合、同図(ｂ)のフューズ２11〜２15の幅狭部３11〜３15間の方が、同図(ａ)のフューズ２1〜２4の幅狭部３1〜３4間よりも近接させることができ、フューズを密に配置できる。従って、切断部は、隣り合う切断部同士が横一列に位置しないように配置すると、フューズ領域の面積を少なくすることができる。
【００２５】
なお上述のフューズ２1〜２4、２11〜２15のように、複数のフューズを一ヶ所のフューズ領域にまとめて配置しておくと、レーザビームによる切断作業の効率を高くすることができる。但し、本発明のフューズでは、従来技術とは異なりフューズの下層にある層間配線薄膜やシリコン基板にはダメージが与えられないので、必ずしも集中配置する必要はない。また、特別なフューズ領域を設けずに、他の回路要素に混在させて任意の場所に配置することができる。このように、本発明のフューズによれば、フューズ下層に半導体素子を形成できるので、回路設計の自由度が大きくなる。
【００２６】
（実験結果）
同じ構成の導電性薄膜を用い、本発明のフューズと従来のフューズを同一の条件で作成し、レーザビームを照射し、切断したときの様子をＳＥＭにて観察した。
【００２７】
図３(ａ)、(ｂ)は、その切断を行った際に用いたフューズを示しており、同図(ａ)は、本発明のフューズ２21、２22、同図(ｂ)は比較例とした従来技術のフューズ１１２21、１１２22である。
【００２８】
比較例のフューズ１１２21、１１２22は、本発明のフューズ２21、２22のような切断部４21、４22を有しておらず、幅狭部３21、３22と同じ幅の帯状に成形されている。
【００２９】
同図(ｃ)は、本発明のフューズ２21、２22と比較例のフューズ１１２21、１１２22とを形成したウェハの断面構造図である。
このウェハは、図示せぬシリコン基板表面上に形成された酸化シリコンから成る絶縁膜１１上に、下層より順に、第１メタル層１２(厚さ２０００Å)、第１層間絶縁膜層１３(厚さ９０００Å)、第２メタル層１４(厚さ１５００Å)、第２層間絶縁膜層１５(厚さ９０００Å)、フューズ層１６(厚さ４０００Å)がこの順で形成され、フューズ層１６をパターニングしてフューズ２21、２22を形成した後、保護膜層１７(厚さ３０００Å)がその表面に形成されている。
【００３０】
なお、第１、第２メタル層１２、１４はタングステン薄膜によって、第１、第２層間絶縁膜層１３、１５はＢＰＳＧ膜によって、フューズ層１６は、前述のフューズ２と同じ積層膜によって、保護膜層１７(ＣＡＰ−ＯＸ)はシリコン酸化膜で構成されている。
【００３１】
本発明のフューズ２21、２22は、切断部４21、４22にレーザビームを照射して、切断部４21、４22を構成するフューズ層１６にエネルギーを吸収させ、その部分の溶断・蒸発によって切断するように構成されており、他方、比較例のフューズ１１２21、１１２22は、帯状の部分にレーザビームを照射して切断するように構成されている。その際、どちらのフューズでも、保護膜層１７のフューズ１６上に位置する部分は破壊され、フューズ層１６と一緒に除去されるようにされている。
【００３２】
ここでの実験は、レーザビームのパワーを種々の値に変えて照射して切断し、先ず、切断跡の様子をウェハの上方から観察し、次いで、保護膜層１７、フューズ層１６、保護膜層１５を除去し、第２メタル層１４のうち、フューズ２21、２22とフューズ１１２21、１１２22の直下に位置した部分の表面状態をそれぞれ観察した。
【００３３】
本発明と比較例のフューズのいずれもが、略０．３〜１．０μＪ程度の強度のレーザビームを照射した場合に切断できたが、どちらのフューズも、０．２μＪでは切断できなかった。
【００３４】
図４乃至図６は比較例のフューズ１１２21、１１２22にレーザビームを照射して切断した場合のＳＥＭ写真である。図７乃至図９は、本発明のフューズ２21、２22にレーザビームを照射して切断した場合のＳＥＭ写真である。
【００３５】
但し、比較例に於けるレーザビームの出力強度は、図４では０．３５μＪ、図５では０．４０μＪ、図６では０．５０μＪであり、本発明の場合は、図７では０．４０μＪ、図８では０．５０μＪ、図９では０．６０μＪである。
【００３６】
各図４乃至図９の(ａ)に示した写真は、切り跡の形状を平面図的に撮影したものであり、(ｂ)に示した写真は、保護膜層１７、フューズ層１６、保護膜層１５を除去し、フューズの下層位置にあった第２メタル層１４表面を撮影したものである。
【００３７】
これらの写真から分かるように、比較例のフューズ１１２21、１１２22を切断した場合、第２メタル層１４には、０．３５μＪのレーザビーム出力強度ではダメージは観察されないが、レーザビーム出力強度が０．４０μＪと０．５０μＪの場合には、ダメージが発生している。
【００３８】
これらの結果から、比較例のフューズに対するレーザビーム出力強度としては、０．３５μＪ以上０．４μＪ未満が使用可能な範囲であり、強度マージンは極めて狭い。
【００３９】
それに対し、本発明のフューズ２21、２22では、図７〜９のいずれのレーザビーム出力強度の場合でも、第２メタル層１４にはダメージは観察されない。図には示していないが、０．６０μＪを超えてレーザビーム出力強度を強くすると、０．６５μＪからダメージの発生が認められる。
【００４０】
従って、本発明のフューズに対するレーザビーム出力強度としては、０．４０以上０．６５μＪ未満が使用可能な範囲であり、本発明のフューズは比較例のフューズに比べると、レーザビームのパワーマージンが広い。
【００４１】
ところで、一般に用いられているレーザビーム発生装置では、レーザビーム出力強度を絞ると出力強度のバラツキが大きくなってしまうことが知られており、比較例に適した狭い強度範囲に制御するのは困難である。そのため、多数のフューズに繰り返しレーザビームを照射し続けると、強度バラツキによって許容強度を超えて出力されるレーザビームがあり、そのようなレーザビームがフューズに照射されると下層にダメージを与える場合が生じ得る。従って、従来技術のフューズに対し、下層にダメージを与えずに切断しようとした場合、レーザビーム出力強度が極めて精密に制御できる装置が必要となる。
【００４２】
それに対し本発明のフューズ２21、２22では、レーザビームの出力強度を大きく設定できるので、出力強度のバラツキも小さくなり、繰り替えし照射を行う場合でも、許容強度の０．６５μＪ未満に納めることは容易である。
従って、本発明のフューズ２21、２22に対しては、その下層にダメージを与える可能性は実質的にないと言える。
【００４３】
以上説明したように、本発明では、レーザビームが照射される切断部をレーザビームの形状と同じ形状の円形に膨出させることにより、下層にダメージを与えないようにすることができる。
【００４４】
なお、本発明のフューズによって下層のダメージを低減できる理由については、一応以下のように考えることができる。
【００４５】
この種のフューズを切断するのに使用されるレーザビームの直径は、一般的に最小で２．７μｍ程度、通常は４〜５μｍになっているが、ビーム断面内の強度は均一ではない。ビーム直径方向の強度分布は、よく知られるように、図１０(ａ)に示すようなガウス曲線状を呈しており、レーザビームの中心位置では強く、径方向の外周ほど弱くなっている。
【００４６】
このようなレーザビームが、例えばフューズが配置されていないところに照射された場合には、符号ａで示すような中心の強い部分にあっては、保護膜１７や第２の層間絶縁膜層１５を透過して、下層の薄膜(図３(ｂ)では、第２メタル層１４、第２メタル層１４が無い位置では第１メタル層１２、その第１メタル層１２が無い位置ではシリコン基板１１)にダメージを発生させてしまう場合がある、周辺の強度の弱い部分では、フューズが配置されていなくても、下層にダメージを発生させることはない。
【００４７】
フューズを溶断蒸発させるのに必要なエネルギーは、フューズの材質や厚さによっても異なるが、このような強度分布のレーザビームがフューズに照射された場合には、図１０(ａ)のグラフの、符号ａで示す中心の強度の強い部分は、必ずフューズに遮られ、殆どが吸収されるが、吸収されきれずに残り、下層に達するレーザビームは、符号ｂで示す程度の弱い強度となっていると考えられる。
【００４８】
他方、フューズからはみ出し、フューズに遮られずに下層に達するレーザビームは、レーザビームの周辺部分であり、当初より符号ｂで示す程度の弱い強度であると考えられる。
【００４９】
上述した比較例としての従来技術のフューズ１１２21、１１２22にレーザビームを照射する場合は、強度の強い符号ａの周辺部分がフューズの両側部においてそのまま基板に直射されてしまい、このため下層では、符号ｃの区域が比較的強い強度のレーザビームが照射される範囲となっていた。
【００５０】
但し、このｃの区域においても、レーザビームの出力強度と照射位置とが正確にコントロールされていれば、直接照射されても下層にダメージは発生することはないと考えられる。
【００５１】
しかしながら、ビームの照射位置がずれると、レーザビームのうちの予想以上に中心位置に近い部分がフューズに遮られずに下層に直接照射されてしまう事態が考えられる。特に、照射位置が図面左右方向にずれた場合、レーザビームの中心位置に比較的近い部分がフューズに遮ぎられないようになり、下層には相当強い強度のレーザビームが到達してしまう。また、レーザビームの出力強度がばらつくと、符号ｃの区域に直接照射されるレーザビーム強度もその分強くなってしまう。このような、位置制御や強度制御のバラツキが、悪い方向に重なった場合、下地にダメージが発生してしまうと考えられる。
【００５２】
それに対し、本発明では、図１０(ｃ)に示す如く、フューズの形状を工夫し、フューズが、レーザビーム強度の強い部分ａ全体を遮蔽できるようにした。更に、フューズ平面形状を、レーザビームの断面形状である円形にしたので、照射位置がどの方向にもずれてもレーザビームの中心位置に近い部分が直接下層に到達することがなくなり、ダメージが生じないようになったと考えられる。
【００５３】
但し、レーザビームの出力強度を強くして行くと、レーザビーム中心位置だけではなく、周辺領域の強度も上昇し、符号ｂの強度であった部分も、符号ａの強度に達するので、レーザビーム強度を強くすると下層にダメージが生じるようになると考えられる。
【００５４】
なお、実際のフューズの膨出部分の直径はレーザの出力やビームの径に対応して実験や計算によって求めることができる。また、レーザビームの断面形状が円形でない場合には、レーザビームの断面形状と同じ形状の相似形にすればよい。また、上述の幅狭部は直線状の帯に成形されたものについて説明したが、本発明のフューズの幅狭部は、それに限定されるものではない。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の半導体デバイス用フューズは、フューズ自身の溶断蒸発により、レーザビームのエネルギーを消耗させ、下層にダメージを与えないエネルギー量まで減衰させるように構成したので、下層の層間配線膜やシリコン基板にダメージが与えられることがなくなり、半導体デバイスの信頼性を高めることができる。
【００５６】
またフューズ下層にダメージが与えられないので、フューズ直下の位置にも半導体素子を形成できるようになり、無効領域がなくなるばかりでなく、回路設計の自由度が増す。
【００５７】
更に、レーザビームのパワーマージンが大きくなるばかりでなく、切断部が大きくなり、レーザビーム照射対象が広がってアラインメントマージンが大きくなり、また、レーザビームを遮蔽する領域が広がって照射位置精度にも余裕ができるので生産性が向上し、不良品の発生も少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】(ａ)：本発明のフューズの一例を示す平面図
(ｂ)：その断面構成図
【図２】(ａ)：本発明の半導体デバイスの一例を示す平面図
(ｂ)：本発明の半導体デバイスの他の例を示す平面図
【図３】(ａ)：表面観察に用いた本発明のフューズの平面図    (ｂ)：その断面構成図    (ｃ)：本発明のフューズ及び比較例のフューズを形成したウェハの断面構造図
【図４】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．３５μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図５】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．４μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図６】(ａ)：基板上に形成された比較例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．５μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図７】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．４０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図８】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．５０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図９】(ａ)：基板上に形成された本発明の実施例としての微細パターンのフューズをレーザビーム出力強度０．６０μＪで切断した場合の表面ＳＥＭ写真
(ｂ)：その下層位置にある金属薄膜表面を撮影した表面ＳＥＭ写真
【図１０】(ａ)〜(ｃ)：本発明の原理を説明するための図
【符号の説明】
２、２1〜２4、２11〜２15、２21〜２22……半導体デバイス用フューズ    ３、３1〜３4、３11〜３15、３21、３22……幅狭部    ４、４1〜４4、４11〜４15、４21、４22……切断部    ５a、５b……膨出部分