【手続補正書】
【提出日】平成15年7月10日(2003.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に溝を有する半導体基板と、
前記溝に埋め込まれ側面の上部が前記基板の表面より高い第１と第２の絶縁体と、
前記基板の表面上に設けられ、一端が前記第１の絶縁体と接し、他端が前記第２の絶縁体と接する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の表面上に設けられ、一端面が前記第１の絶縁体と接し、他端面が前記第２の絶縁体と接する第１の導電体と、
前記第１の導電体の上方で、前記第１の導電体の前記一端面の近傍に設けられる第２の導電体と、
前記第１の導電体の上方で、前記第１の導電体の前記他端面の近傍に設けられる第３の導電体と、
前記第２の導電体の第１の側面と前記第３の導電体の第２の側面に接し、前記第１の導電体の上面と接する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜の上に設けられる第４の導電体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の導電体の第２の側面が前記第１の絶縁体と接し、前記第３の導電体の第１の側面が前記第２の絶縁体と接することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁体は縦方向に複数平行に配置され、前記第２の絶縁体は前記縦方向に複数平行に配置され、前記第４の導電体は横方向に複数平行に配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の導電体が前記第１の導電体と電気的に接続し、前記第３の導電体が前記第１の導電体と電気的に接続することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２と第３の導電体の断面幅が積み上げ方向下向きに広くなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁体の上方に形成された前記第４の導電体の底面は、前記第１の導電体の上面よりも高いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の導電体の前記第２の側面と前記第３の導電体の前記第１の側面の最大の間隔は前記第１の導電体の前記一端面と前記他端面の距離よりも大きく、前記第２の導電体の下面は前記第１の導電体の上面よりも低いことを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の導電体の前記第２の側面と前記第３の導電体の前記第１の側面の最大の間隔は前記第１の導電体の前記一端面と前記他端面の距離よりも小さいことを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の導電体の前記第２の側面と前記第３の導電体の前記第１の側面の間隔は上ほど狭いことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の導電体の前記第２の側面と前記第４の導電体の間に、前記第４の絶縁膜が配置されることを特徴とする請求項２乃至請求項９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の絶縁体は前記第１の絶縁体より幅が広く、前記第２の絶縁体の上面の高さは前記第１の絶縁体の上面の高さより高いことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１２】
表面に溝を有する半導体基板と、
前記溝に埋め込まれ上面が前記基板の表面より高い第１と第２の絶縁体と、
前記基板の表面上に設けられる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の表面上に設けられる第１の導電体と、
前記第１の導電体の表面上に設けられ、外側面部の上面の高さが内部の上面の高さより高く、第１の側面と第２の側面の間隔は上ほど狭い第２の導電体と、
前記第２の導電体の前記内部の上面と接する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜の上に設けられる第４の導電体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記第２の導電体の前記第１の側面が前記第２の絶縁体と接し、前記第２の導電体の前記第２の側面が前記第１の絶縁体と接することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁体は縦方向に複数平行に配置され、前記第２の絶縁体は前記縦方向に複数平行に配置され、前記第４の導電体は横方向に複数平行に配置されることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第２の導電体が前記第１の導電体と電気的に接続することを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第２の導電体の前記外側面部の断面幅が積み上げ方向下向きに広くなることを特徴とする請求項１２乃至請求項１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１の絶縁体の上方に形成された前記第４の導電体の底面は、前記第１の導電体の上面よりも高いことを特徴とする請求項１２乃至請求項１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第２の導電体の前記第１の側面と前記第２の側面の最大の間隔は前記第１の導電体の幅よりも大きく、前記第２の導電体の下面は前記第１の導電体の上面よりも低いことを特徴とする請求項１３乃至請求項１７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第２の導電体の前記第１の側面と前記第２の側面の最大の間隔は前記第１の導電体の幅よりも小さいことを特徴とする請求項１３乃至請求項１７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第２の導電体の前記第２の側面と前記第４の導電体の間に、前記第４の絶縁膜が配置されることを特徴とする請求項１３乃至請求項１９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記第２の絶縁体は前記第１の絶縁体より幅が広く、前記第２の絶縁体の上面の高さは前記第１の絶縁体の上面の高さより高いことを特徴とする請求項１２乃至請求項２０のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項２２】
半導体基板上に第１の絶縁膜、第１の浮遊ゲート膜、キャップを順に形成することと、
同一のパターンに、前記第１の絶縁膜、前記第１の浮遊ゲート膜、前記キャップと前記基板をエッチングすることと、
前記パターンに第２の絶縁膜を埋めることと、
前記キャップを除去することと、
第２の絶縁膜の側面と前記第１の浮遊ゲート膜の上面に、外側面部の上面の高さが内部の上面の高さより高い第２の浮遊ゲート膜を形成することとを有することを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
【請求項２３】
前記第２の浮遊ゲート膜を形成することの後に、その第２の絶縁膜をエッチングすることを特徴とする請求項２２に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項２４】
前記第２の絶縁膜の側面に第２の浮遊ゲート膜を形成することにおいて、前記第２の浮遊ゲート膜が一体であり、前記第１の浮遊ゲートの上に配置されることを特徴とする請求項２２又は請求項２３に記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項２５】
その第２の浮遊ゲート膜上及びその第２の絶縁膜上に第４の絶縁膜を形成することと、
その第４の絶縁膜上に第４の導電体膜を形成することとをさらに有することを特徴とする請求項２２乃至請求項２４のいずれか１つに記載の不揮発性メモリの製造方法。
【請求項２６】
表面に溝を有する半導体基板と、
前記溝に埋め込まれ上面が前記基板の表面より高い第１の絶縁体と、
前記溝に埋め込まれ上面が前記基板の表面より高く、幅が前記第１の絶縁体より大きく、上面が前記第１の絶縁体の上面より高い第２の絶縁体と、
前記基板の表面上に設けられる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の表面上に設けられる第１の導電体と、
前記第１の導電体の表面上に設けられ、第１の側面と第２の側面の間隔は上ほど狭い第２の導電体と、
前記第２の導電体の上面と接する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜の上に設けられる第４の導電体とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
前記第２の導電体の前記第１の側面が前記第２の絶縁体と接し、前記第２の導電体の前記第２の側面が前記第１の絶縁体と接することを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記第１の絶縁体は縦方向に複数平行に配置され、前記第２の絶縁体は前記縦方向に複数平行に配置され、前記第４の導電体は横方向に複数平行に配置されることを特徴とする請求項２６又は請求項２７に記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記第２の導電体が前記第１の導電体と電気的に接続することを特徴とする請求項２６乃至請求項２８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記第１の絶縁体の上方に形成された前記第４の導電体の底面は、前記第１の導電体の上面よりも高いことを特徴とする請求項２６乃至請求項２９のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記第２の導電体が前記第１の絶縁体の上面から除かれ、前記第３の導電体が前記第２の絶縁体の上面から除かれていることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１つに記載の半導体装置。