【手続補正書】
【提出日】平成15年11月27日(2003.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
磁気特性の異なる２つ以上の磁性層を有する大バルクハウゼンジャンプ現象を起こす磁性素子の製造方法において、少なくとも１つの磁性層の磁性層厚さが実質的に１ミクロン以上で形成されており、磁性層厚さが実質的に１ミクロン以上で形成される磁性層の作成において、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、又は／及び硫酸鉄を含有するメッキ浴液を用いてメッキ法で作成される本発明の請求項４、７に記載された磁性素子膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
１）鉄―ニッケル比において３５：６５−６５：３５のパーマロイをターゲット材としたスパッタリング法、２）鉄―ニッケル比において３５：６５−６５：３５のパーマロイを蒸着材とした真空蒸着法、３）硫酸ニッケル、塩化ニッケル、又は／及び硫酸鉄を含有するメッキ浴液を用いるメッキ法のいずれかの方法で作成される磁性素子であって、磁性素子の基板材料として、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、鋼、鉄―ニッケル合金、鉄―コバルト合金、真鍮、銅―ニッケル合金、銅―錫合金、銅―アルミニウム合金、ステンレス鋼からなる金属箔又は金属薄板、および／またはポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニール、ポリスチレン、ポリアミド、紙、ポリアレレート、ポリアクリレートからなる単体膜、および／またはこれらを複合した高分子膜、および／または上記金属箔または金属薄板と上記高分子膜からなる複合材料膜を使用して作成される本発明の請求項４および請求項７―１０に記載された磁性素子膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の請求項１０に係わる発明においては、磁気特性の異なる２つ以上の磁性層を有する大バルクハウゼンジャンプ現象を起こす磁性素子の製造方法において、少なくとも１つの磁性層の磁性層厚さが実質的に１ミクロン以上で形成されており、磁性層厚さが実質的に１ミクロン以上で形成される磁性層の作成において、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、又は／及び硫酸鉄を含有するメッキ浴液を用いてメッキ法で作成される本発明の請求項４、７に記載された磁性素子膜の形成方法を提供する。
磁性素子膜の基板としては、本発明の請求項１１に記載した金属箔または金属薄板、または高分子膜、または上記金属箔または金属薄板と上記高分子膜からなる複合材料を用い、出発原料の基板膜は、メッキ工程に適した一定の大きさの基板に切断されるか又はロール状に巻かれており、工業的な可能なメッキ工程や方法を経て、この工程間に第一の磁性層、第二の磁性層を付与され、磁性素子膜が一定の大きさの基板状態で形成されるか又はロール状態で巻き取り形成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の請求項１１に係わる発明においては、１）鉄―ニッケル比において３５：６５−６５：３５のパーマロイをターゲット材としたスパッタリング法、２）鉄―ニッケル比において３５：６５−６５：３５のパーマロイを蒸着材とした真空蒸着法、３）硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄をメッキ液としたメッキ法のいずれかの方法で作成される磁性素子であって、磁性素子の基板材料として、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、鋼、鉄―ニッケル合金、鉄―コバルト合金、真鍮、銅―ニッケル合金、銅―錫合金、銅―アルミニウム合金、ステンレス鋼からなる金属箔又は金属薄板、および／またはポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニール、ポリスチレン、ポリアミド、紙、ポリアレレート、ポリアクリレートからなる単体膜、および／またはこれらを複合した高分子膜、および／または上記金属箔または金属薄板と上記高分子膜からなる複合材料膜を使用して作成される磁性素子膜の形成方法を提供する。
本発明による磁性素子膜の製造は、一定の大きさの基板に切断されるか又はロール状に巻き取られた供給ロールから連続的に金属箔または金属薄板、または高分子膜、またはこれらの複合材料を供給し、スパッタリング、または真空蒸着、またはメッキ処理によって磁性素子膜を形成し、一定の大きさの磁性素子基板として形成されるか、又は連続的に収納ロールへ巻き取ることによって低コストで大量生産が可能である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
実施例４
硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄をメッキ浴液組成として用いた。銅箔基板の上に第一の磁性層、この第一の磁性層の上に第二の磁性層を形成する。第一の磁性層と第二の磁性層は互いに磁気特性を異にしており、例えば保磁力および／または異方性を異にしている。
実施例４−１：
第一の磁性層の作成は、基板材料としてプリント実装基板材料として使用されている１３ミクロン膜厚の電解銅箔（日本電解株式会社製品）を用い、アノード電極としてＮｉ薄板を用い、カソード電極としては、１３ミクロン膜厚の電解銅箔を接触固定した銅板を用いた。
第一の磁性層の作成条件は、下記ニッケルメッキ浴液のｐＨを５．３、メッキ浴液温度５５℃に設定し、メッキ浴槽内を空気攪拌しながら、電流密度４Ａ／ｄｍ２のメッキ条件で、２０ミクロン膜厚の電解ニッケル層を形成し、これを第一の磁性層とした。このメッキ条件でのメッキ層膜形成速度は、電流密度１Ａ／ｄｍ２当たり０．２０６ミクロン／１分間であった。
ニッケルメッキ浴液の組成は、硫酸ニッケル２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル５０ｇ／Ｌ、硼酸４０ｇ／Ｌ、湿潤剤（荏原ユージライト株式会社製品：＃６３）１０ｍＬ／Ｌである。また、このニッケルメッキ浴液は、硫酸水溶液で所定のｐＨに調整したものを用いた。
ついで、この第一の磁性層の表面側に第二の磁性層を形成した。
第二の磁性層の作成条件は、アノード電極としてＮｉ薄板、Ｆｅ薄板を直線状に配置し、カソード電極としては、上記で形成した第一の磁性層を接触固定した銅板を、Ｎｉ薄板、Ｆｅ薄板に対面させて、ほぼＮｉ薄板、Ｆｅ薄板と等距離にある中央位置に設置した。
ニッケル鉄メッキ浴液のｐＨを３．５、メッキ浴液の温度を６０℃に設定し、浴槽内を空気攪拌しながら、電流密度４Ａ／ｄｍ２のメッキ条件で、５ミクロン膜厚の電解ＦｅＮｉ層を形成し、これを第二の磁性層として形成した。
ニッケル鉄メッキ浴液の組成は、硫酸ニッケル１０５ｇ／Ｌ、塩化ニッケル６０ｇ／Ｌ、硼酸４５ｇ／Ｌ、硫酸第一鉄１０ｇ／Ｌ、添加剤ＦＡＣ（荏原ユージライト株式会社製品）２０ｇ／Ｌ、添加剤ＦＡ３（荏原ユージライト株式会社製品）２５ｍＬ／Ｌ、添加剤ＦＡＲＡ（荏原ユージライト株式会社製品）２ｍＬ／Ｌ、添加剤ＦＡ４（荏原ユージライト株式会社製品）２０ｍＬ／Ｌ、湿潤剤（荏原ユージライト株式会社製品：＃８２）２ｍＬ／Ｌである。ニッケル鉄メッキ浴液は、硫酸水溶液で所定のｐＨに調整したものを用いた。
上記で作成した磁性素子は、磁化曲線による磁気ヒステリシス特性を測定することによって、大バルクハウゼンジャンプ現象を誘起するヒステリシスループを観測することができた。
実施例４−２：
第一の磁性層の作成条件は、実施例４−１と同一のメッキ条件で、２０ミクロン膜厚のメッキ法によるニッケル層を形成し、これを第一の磁性層とした。
ついで、この第一の磁性層の表面側に第二の磁性層を形成した。第二の磁性層の作成条件は、実施例４−１と同じ条件で、１ミクロン膜厚のメッキ法ＦｅＮｉ層を形成し、これを第二の磁性層とした。
上記で作成した磁性素子は、磁化曲線による磁気ヒステリシス特性を測定することによって、大バルクハウゼンジャンプ現象を誘起するヒステリシスループを観測することができた。
実施例４−３：
第一の磁性層の作成条件は、実施例４−２と同じメッキ条件で、１０ミクロン膜厚のメッキ法によるニッケル層を形成し、これを第一の磁性層とした。
ついで、この第一の磁性層の表面側に第二の磁性層を形成した。第二の磁性層の作成条件は、実施例４−２と同じ条件で、５ミクロン膜厚のメッキ法によるＦｅＮｉ層を形成し、これを第二の磁性層とした。
上記で作成した磁性素子は、磁化曲線による磁気ヒステリシス特性を測定することによって、大バルクハウゼンジャンプ現象を誘起するヒステリシスループを観測することができた。
実施例４−４：
第一の磁性層の作成条件は、実施例４−３の第二の磁性層を形成した時と同じメッキ条件を用い、１０ミクロン膜厚のメッキ法によるＦｅＮｉ層を形成し、これを第一の磁性層とした。
ついで、この第一の磁性層の表面に第二の磁性層を形成した。第二の磁性層の作成条件は、実施例４−３の第一磁性層の作成条件を用いた。５ミクロン膜厚のメッキ法によるＮｉ層を形成し、これを第二の磁性層とした。
上記で作成した磁性素子は、磁化曲線による磁気ヒステリシス特性を測定することによって、大バルクハウゼンジャンプ現象を誘起するヒステリシスループを観測することができた。
実施例４−５：
第一の磁性層の作成条件は、実施例４−３の第二の磁性層を形成したと同じメッキ条件で、１０ミクロン膜厚のメッキ法によるＦｅＮｉ層を形成し、これを第一の磁性層とした。
ついで、この第一の磁性層の表面に第二の磁性層を形成した。第二の磁性層の作成条件は、実施例４−３の第一磁性層の作成条件を用いた。１ミクロン膜厚のメッキ法によるＮｉ層を形成し、これを第二の磁性層とした。
上記で作成した磁性素子は、磁化曲線による磁気ヒステリシス特性を測定することによって、大バルクハウゼンジャンプ現象を誘起するヒステリシスループを観測することができた。