(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に読み取り可能な情報を記録及び／又は再生でき、少なくとも、有機色素からなる第１記録層と半透過性の第１反射層が積層された第１基板と、少なくとも、第２反射層と有機色素からなる第２記録層が積層された第２基板とが、透明中間層を介して両基板が外側になるように設けられ、第２記録層にランド記録がなされる片面二層型光記録媒体において、第１基板及び第２基板にウォブルグルーブ及びランドプリピットが形成されており、第２基板のランドプリピットは、ウォブルグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成されているとともに、蛇行部分を形成するウォブルグルーブの凹陥部の最大凹陥幅をＡｗ（ｉｎ）、蛇行部分を形成するウォブルグルーブの突出部の最大突出幅をＡｗ（ｏｕｔ）としたとき、「Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）」が８０〜１６０ｎｍの範囲にあることを特徴とする片面二層型光記録媒体。
【請求項２】
ウォブルグルーブの蛇行部分における半径方向（トラック方向に対して垂直な方向）の最大蛇行幅であるＡｗ＝〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２が、１００〜１８０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載の片面二層型光記録媒体。
【請求項３】
前記第２基板のランドプリピットの、トラック方向の長さＬｗが６００〜１３００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は２記載の片面二層型光記録媒体。
【請求項４】
前記第２基板のランドプリピットが、半径方向に外側に向かって突出していることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
【請求項５】
第２基板のウォブルグルーブの深さが２８〜３８ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
【請求項６】
第２基板のウォブルグルーブの幅が２５０〜３５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は片面二層型光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体として、例えばＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＭＤ（Ｍｉｎｉ  Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）など各種のものが提案されている。これらの光記録媒体は、一般的にＰＣ（ポリカーボネート）等より成る光透過性の基板上に、例えば記録トラックに沿ってグルーブ（案内溝）、ピットなどが形成され、その上に、例えば反射層、各種の記録層、保護層などが形成された構成とされる。
従来、色素材料を記録層とするＤＶＤ−Ｒなどにおいては、グルーブのウォブル振幅に対応してランド部にピットを形成する、いわゆるランドプリピット（ＬＰＰ：Ｌａｎｄ  Ｐｒｅ  Ｐｉｔ）を設け、このＬＰＰにより、データ記録時の高精度の位置決めを行ったり、記録アドレスやその他の記録に必要な情報の取得を行うフォーマットを採用している（例えば特許文献１〜２参照。）。
しかし、ＬＰＰの側方（グルーブ）に記録マークが形成されると、ＬＰＰからの信号が小さくなる傾向にある。その結果、プリピット信号を正確に得にくくなって未記録の場合よりもプリピット信号のエラーが増加し、アドレス情報を正確に得ることが困難になる。そこで、各ＬＰＰを長くし、プリピット信号のエラー増加を抑えることが考えられるが、そうすると記録マークから得られた再生信号を変換して得られるデータエラーが増加してしまう。従って、プリピット信号とデータエラー特性を両立すべく、ＬＰＰの形状を最適化することが求められている。
また、ＤＶＤ−Ｒにおいては、ＬＰＰを設けることによるＰＩ（Ｐａｒｉｔｙ  ｏｆ  Ｉｎｎｅｒ−ｃｏｄｅ）エラーの悪化が問題となっている。その対策として、ＬＰＰの形状を特異的に微小化するフォーマットも考えられるが、ＬＰＰ自体の変調度（ＬＰＰｂ）の低下、あるいはＡＲ特性（記録後再生波形特性）の安定性の確保が困難となる。
【０００３】
図１（ａ）〜（ｃ）にＬＰＰの形状の例を概略的に示す。なお、図面の見やすさを考慮してグルーブがウォブリングしている様子は省略し、直線的に描いてある。
（ａ）ＬＰＰをランドの略中央に独立して形成した例（特許文献３参照）
（ｂ）ＬＰＰを内周側にずらして形成した例（特許文献４参照）
（ｃ）ＬＰＰをグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成した例（特許文献５参照）
ＬＰＰの大きさは、図１に示すように、トラック方向の長さをＬｗ、半径方向（トラック方向に対して垂直な方向）の長さ（幅）をＡｗとしている。但し、図１（ｃ）では、蛇行部分における半径方向の最大蛇行幅をＡｗとする。
一般に、図１（ａ）のようにＬＰＰがランドの略中央に独立して形成された基板を製造する場合や、図１（ｂ）ように、ＬＰＰが内周側にずれて形成された基板を製造する場合、製造に用いる光記録媒体用原盤は、グルーブを形成するためのレーザビームとは別に、ＬＰＰを形成するためのレーザビームを用いてカッティングされたフォトレジスト原盤の転写によって作製される。このように、グルーブ形成用のレーザビームとＬＰＰ形成用のレーザビームの２つのレーザビームを用いてフォトレジスト原盤をカッティングし、光記録媒体用原盤を作製する方法は「２ビームカッティング法」と呼ばれることがある。
【０００４】
これに対し、図１（ｃ）に示すように、ＬＰＰがグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成された基板を製造する場合には、基板の製造に用いる光記録媒体用原盤は、単一のレーザビームを用いてカッティングされたフォトレジスト原盤の転写によって作製される。この場合、ＬＰＰを形成すべき部分においては、レーザビームの照射位置が外周側に大きくずらされ、これによりグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドをＬＰＰとすることができる。このように、単一のレーザビームを用いてフォトレジスト原盤をカッティングし、光記録媒体用原盤を作製する方法は、「１ビームカッティング法」と呼ばれることがある。
上記のように、ＬＰＰを備えた光記録媒体を製造する場合、その基板の製造に用いる光記録媒体用原盤は、２ビームカッティング法又は１ビームカッティング法によって作製することが可能である。
こうした光記録媒体用原盤（スタンパ）から射出成形によって成形された基板上に記録層、反射層を作製し光記録媒体を作製する。
【０００５】
ところで、読み出し専用ＤＶＤでは、記録容量を増大させるために、二層の記録層を有するものが提案されている。図２はこのようなＤＶＤの構造を示す断面図である。
基板１と基板２は、紫外線硬化樹脂で形成された透明中間層５を挟むことにより貼り合わされている。基板１の内側の面には、凸凹状の記録マークが形成された第１記録層である半透過層３が形成されており、基板２の内側の面には第２記録層である反射層４が形成されている。半透過層３は誘電体膜又は薄い金属膜を用いて形成され、反射層４は金属膜などから形成されている。各記録層に記録された情報は、再生レーザー光を反射・干渉する効果により読み取る。二層の記録層から信号を読み取るため、最大８．５ＧＢ程度の記憶容量が得られる。基板１及び基板２の厚みはそれぞれ０．６ｍｍであり、透明中間層５の厚みは約４０μｍである。
半透過層３は、その反射率が３０％程度となるように形成されており、第２記録層の情報を再生するために照射されるレーザー光は、第１記録層で全光量の約３０％が反射して減衰したのち、第２記録層である反射層４で反射し、更に半透過層３で減衰を受けた後、ディスクから出ていく。再生光であるレーザー光を第１又は第２記録層上に焦点が来るように絞り、反射光を検出することにより各記録層の信号を再生することができる。なお、ＤＶＤの場合、記録再生に用いるレーザー光波長は約６５０ｎｍである。
【０００６】
また、片面二層記録再生タイプの光記録媒体は記録層が二層あり、光学ピックアップから奥側の第２記録層に焦点を当てて書き込み用レーザ光を照射し信号を記録するとき、手前側の第１記録層がレーザー光を減衰させるため、第２記録層の記録に必要な光吸収と光反射の両立が困難になってくる。そこで、ＤＶＤ−Ｒの二層ディスクでは、ＬＰＰ信号とＰＩ（Ｐａｒｉｔｙ  ｏｆ  Ｉｎｎｅｒ−ｃｏｄｅ）エラーの両立が一層ディスク以上に困難になる。
特許文献６には、ＬＰＰ形状が図１（ａ）のタイプで、第１記録層及び第２記録層を有し、奥側に位置する第２記録層からも良好な記録信号特性が得られる片面二層記録再生タイプの光記録媒体が開示されているが、ＰＩエラー情報についての開示がなく、ＬＰＰ信号とＰＩエラーの両立が出来ているかどうか不明である。また、高速対応（３０．６４ｍ／ｓ以上）になった場合には更なる改良が望まれるのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３５３３４２号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１２８３号公報
【特許文献３】特開２００２−３２９１８号公報
【特許文献４】特開２００１−１１８２８８号公報
【特許文献５】特開２００２−２５１２１号公報
【特許文献６】特開２００７−４９５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
二層光記録媒体の製造方法として２Ｐ法（フォトポリマー法）とＩＳ法（インバーテッドスタック法）が知られている。通常、二層光記録媒体は、第１基板、第１記録層と半透過性の第１反射層を備えた第１情報層（Ｌ０）、透明中間層、第２反射層と第２記録層を備えた第２情報層（Ｌ１）、及び、第２基板を有する。光入射側からみて手前側がＬ０、奥側がＬ１であるが、Ｌ１記録（第２記録層への記録）について、２Ｐ法による媒体では従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ±Ｒ  ＳＬと同様に溝段差を利用し、溝部（グルーブ部）に記録するのに対して、ＩＳ法による媒体ではＬ１の溝が光入射方向の反対側に配置されるため、溝間部（ランド部）に記録を行う。即ち、図３に示すように、Ｌ１において、２Ｐ法による媒体ではグルーブ記録が為され、ＩＳ法による媒体ではランド記録が為される。
そしてＩＳ法の場合、第２記録層では、第２基板のランドに形成される色素記録層膜厚が、トラック間であるグルーブに形成される色素記録層膜厚とほぼ同じか又は若干薄いだけであるため、連続するトラックに記録した場合に、記録光照射による加熱及び色素分解時の発熱が隣接トラックに伝達し、記録マークが過度に広がってしまう（熱変形）。このため、記録マークが広がりにくい有機色素を用いることが考えられているが、その場合でも、第１記録層と第２記録層とでは、記録マークの形状が異なることになる。
したがって、第１基板のランドプリピットと同形状のプリピットを第２基板に形成したとしても、第２記録層に形成される記録マークの形状は、第１記録層に形成される記録マークの形状とは異なることになり、Ｌ１に関して適切なプリピット信号やデータエラー特性を得られるわけではない。
そこで、本発明は、ＩＳ法で製造された片面二層型光記録媒体において、光入射側からみて奥側に位置する第２記録層からも良好なＬＰＰ特性とＰＩエラーが得られ、高速記録（３０．６４ｍ／ｓ以上）可能な片面二層型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、次の１）〜６）の発明によって解決される。
１）  光学的に読み取り可能な情報を記録及び／又は再生でき、少なくとも、有機色素からなる第１記録層と半透過性の第１反射層が積層された第１基板と、少なくとも、第２反射層と有機色素からなる第２記録層が積層された第２基板とが、透明中間層を介して両基板が外側になるように設けられ、第２記録層にランド記録がなされる片面二層型光記録媒体において、第１基板及び第２基板にウォブルグルーブ及びランドプリピットが形成されており、第２基板のランドプリピットは、ウォブルグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成されているとともに、蛇行部分を形成するウォブルグルーブの凹陥部の最大凹陥幅をＡｗ（ｉｎ）、蛇行部分を形成するウォブルグルーブの突出部の最大突出幅をＡｗ（ｏｕｔ）としたとき、「Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）」が８０〜１６０ｎｍの範囲にあることを特徴とする片面二層型光記録媒体。
２）  ウォブルグルーブの蛇行部分における半径方向（トラック方向に対して垂直な方向）の最大蛇行幅であるＡｗ＝〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２が１００〜１８０ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）記載の片面二層型光記録媒体。
３）  前記第２基板のランドプリピットの、トラック方向の長さＬｗが６００〜１３００ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）又は２）記載の片面二層型光記録媒体。
４）  前記第２基板のランドプリピットが、半径方向に外側に向かって突出していることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
５）  第２基板のウォブルグルーブの深さが２８〜３８ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
６）  第２基板のウォブルグルーブの幅が２５０〜３５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の片面二層型光記録媒体。
【００１０】
以下、上記本発明の実施の形態について詳しく説明する。
図４に本発明に係る片面二層型光記録媒体の層構成例を示す。
光案内溝を有する表面に、有機色素からなる第１記録層２３と半透過性の第１反射層２４を順次積層した第１情報層（Ｌ０）を有する第１基板２１と、光案内溝（ウォブルグルーブ）を有する表面に、第２反射層２８、有機色素からなる第２記録層２７、保護層（無機保護層）２６を順次積層した第２情報層（Ｌ１）を有する第２基板２２とが、透明中間層２５を介して、積層膜が互いに対向するように記録層を内側にして貼り合わされており、第１基板側からレーザー光を照射することにより、第１及び第２記録層に対して信号情報の記録再生を行うことができる光記録媒体である。
【００１１】
第１及び第２記録層を有する片面二層型光記録媒体においては、第１記録層及び第１反射層で減衰した記録再生光で第２記録層に記録マークを形成する必要があり、片面二層型ＲＯＭ（ＤＶＤ−ＲＯＭなど）に比べて、第２記録層での記録感度を得にくい。
また第２記録層では光学収差によりフォーカスオフセットが発生しやすく、記録マークが広がって隣接トラックへのクロストークが増加し易いという問題がある。
更に、クロストークについては、第２基板の溝形状がクロストーク増加の要因となる。即ち、第２記録層では入射面から見た凸凹の極性を合わせた場合、溝間部（凸部）に記録マークを形成する（ランド記録）ので、溝による記録マークの広がり防止効果が得られない。
また、記録マークを形成した場合も、第２記録層の主反射面は第２記録層と第２反射層の界面になるために、第１記録層と同様の反射率を得るためには、第１基板に比べて溝深さを浅くする必要があり、クロストークが増加し易い傾向がある。このクロストークの増加により、ＬＰＰに対する記録マークの形成位置によっても記録マークの広がり方が異なってくるため、ＬＰＰ信号の振幅の大きさのばらつきやＬＰＰ自体の変調度（ＬＰＰｂ）の低下を招き、またＡＲ特性（記録後再生波形特性）の安定性能の確保が困難となる。また、ＬＰＰ形状を大きくすることによりＬＰＰ特性を確保しようとすると、今度はＲＦ信号の信号変動が大きくなるため、ＰＩエラーの悪化が問題になる。
従って本発明では、第２基板のＬＰＰ形状、更には溝形状を最適化することで、ＬＰＰ信号特性とＰＩエラーの両立を図る。
【００１２】
以下、本発明の光記録媒体に用いる基板及び構成層について具体的に説明する。
＜基板（第１、第２基板）＞
基板は、基板側から記録再生を行なう場合には使用レーザに対して透明でなければならないが、記録層側から記録再生を行なう場合には透明である必要はない。
基板材料としては、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などのプラスチック、或いは、ガラス、セラミック、金属などを用いることができる。
第１基板と第２基板に形成するＬＰＰ形状／溝形状は同一ではないので順に説明する。
【００１３】
〔第１基板のＬＰＰ形状／溝形状について〕
ＬＰＰ形状については、図１（ｃ）に示すように、ＬＰＰがグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成されており、この図では突出部は外側に突出している（なお、突出部は内側に突出していてもよい）。このＬＰＰの長さＬｗは、７００〜１４００ｎｍの範囲が好ましく、９００〜１１５０ｎｍの範囲が更に好ましい。また、蛇行部分を形成する一方のランドの突出部の最大凹陥幅をＡｗ（ｉｎ）、蛇行部分を形成する他方のランドの凹陥部の最大突出幅をＡｗ（ｏｕｔ）としたとき、ＬＰＰの最大蛇行幅Ａｗ、即ち、〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２は、１００〜１８０ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、１２５〜１６５ｎｍの範囲が更に好ましい。また、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）は、６０〜１６０ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、８０〜１４０ｎｍの範囲が更に好ましい。
Ｌｗ、〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２が下限値よりも小さいとＬＰＰ信号特性を得難く、上限値を超えるとＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化し易い。
また、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）が下限値よりも小さいと、ＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化するし、上限値を超えるとＬＰＰ信号特性が得られず、特にＡＲ特性（記録後再生波形特性）が十分得られない。
溝形状については、図５に示す場合において、溝深さ（ウォブルグルーブの深さ）は、１３０〜１８０ｎｍの範囲が好ましく、１４５〜１７０ｎｍの範囲が更に好ましい。溝幅（ウォブルグルーブの幅）は、２００〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、２３０〜２７０ｎｍの範囲が更に好ましい。溝深さ、溝幅が下限値よりも小さいと、ＬＰＰ信号が得られず、上限値を超えると、ＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化する。
【００１４】
〔第２基板のＬＰＰ形状／溝形状について〕
ＬＰＰ形状については、図１（ｃ）に示すように、ＬＰＰがグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成されており、この図では突出部は外側に突出している（なお、突出部は内側に突出していてもよい）。このＬＰＰの長さＬｗは、６００〜１３００ｎｍの範囲が好ましく、９５０〜１１５０ｎｍの範囲が更に好ましい。また、蛇行部分を形成する一方のランドの突出部の最大凹陥幅をＡｗ（ｉｎ）、蛇行部分を形成する他方のランドの凹陥部の最大突出幅をＡｗ（ｏｕｔ）としたとき、ＬＰＰの最大蛇行幅Ａｗ、即ち、〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２は、１００〜１８０ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、１２０〜１６０ｎｍの範囲が更に好ましい。また、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）は８０〜１６０ｎｍ、好ましくは１００〜１４０ｎｍの範囲に設定する。更に、Ａｗ（ｉｎ）は４５〜１３０ｎｍの範囲に設定することが好ましい。
Ｌｗ、〔Ａｗ（ｉｎ）＋Ａｗ（ｏｕｔ）〕／２が下限値よりも小さいとＬＰＰ信号特性を得難く、上限値を超えるとＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化し易い。
また、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）が下限値よりも小さいと、ＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化するし、上限値を超えるとＬＰＰ信号特性が得られず、特にＡＲ特性（記録後再生波形特性）が十分得られない。
溝形状については、図５に示す場合において、溝深さは、２８〜３８ｎｍの範囲が好ましく、３２〜３６ｎｍの範囲が更に好ましい。溝幅は、２５０〜３５０ｎｍの範囲が好ましく、２７０〜３３０ｎｍの範囲が更に好ましい。溝深さ、溝幅が下限値よりも小さいとＬＰＰ信号が得られず、上限値を超えると、ＲＦ信号の信号変動が大きくなりＰＩエラーが悪化する。
【００１５】
＜記録層（第１、第２記録層）＞
記録層はレーザ光の照射により何らかの光学的変化を生じさせ、その変化により情報を記録するものであり、その材料としては有機色素を主成分とするものを用いる。ここで、主成分とは、記録再生に必要十分な量の有機色素を含有することを意味するが、通常は、必要に応じて適宜添加する少量の添加剤を除き、有機色素のみを用いる。
有機色素の例としては、アゾ系、ホルマザン系、ジピロメテン系、（ポリ）メチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、テトラアザポルフィリン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン系（インダンスレン系）、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系色素、或いはそれらの金属錯体などが挙げられる。中でも好ましいのは、アゾ（金属キレート）色素、ホルマザン（金属キレート）色素、スクアリリウム（金属キレート）色素、ジピロメテン（金属キレート）色素、トリメチンシアニン色素、テトラアザポルフィリン色素である。
また、前記一般式（Ｉ）で表されるシアニン色素と一般式（II）で表されるスクワリリウム金属キレート化合物はＤＶＤ用記録材料として優れた性能を有する。特に一般式（Ｉ）で表されるシアニン色素のアニオン部がＰＦ６−の化合物は、熱分解特性が高速記録に適しているため、一般に採用されている。
なお、本発明におけるシアニン化合物としては、公知のシアニン化合物、例えば、特許第２５９４４４３号公報、特許第３６５９９２２号公報、特許第３６９８７０８号公報などに記載のものも用いることができる。
上記色素は熱分解特性として、分解開始温度２００〜３５０℃のものが好ましく、特に２２０〜２８０℃のものが好ましい。分解開始温度が３５０℃を越えると、記録時のピット形成がうまく行われずジッタ特性が悪くなる。また、２００℃未満であるとディスクの保存安定性が悪化する。
【００１６】
【化１】
0004796555.tif 000002
〔式中、環Ａ及び環Ｂは置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を表し、Ｒ１〜Ｒ４は、炭素数１〜４のアルキル基、又は置換基を有していてもよいベンジル基を表し、Ｒ１とＲ２或いはＲ３とＲ４が連結して３〜６員環を形成していてもよく、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも一つが置換基を有するベンジル基であり、Ｙ１及びＹ２は、各々独立に、エーテル結合又はチオエーテル結合で中断されていてもよく、ニトロ基、シアノ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ａｎｍ−は、ｍ価のアニオンを表し、ｍは１又は２であり、ｐは電荷を中性に保つ係数である。〕
【００１７】
【化２】
0004796555.tif 000003
（式中、Ｒ５及びＲ６は、互いに同一でも異なっていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を表し；Ｑは、配位能を有する金属原子を表し；ｑは、２又は３を表し；Ｒ７及びＲ８は、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ７とＲ８は、互いに結合して脂環式炭化水素環又は複素環を形成してもよく；Ｒ９は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表し；Ｒ１０は、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を表し；ｐは０〜４の整数を表し；ｐが２〜４の場合、Ｒ１０は同一でも異なっていてもよく、更に互いに隣り合う２つのＲ１０が隣接する２つの炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい芳香族環を形成してもよい。）
【００１８】
前記一般式（Ｉ）において、環Ａ及び環Ｂで表される置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環の置換基としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン基；メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二（ｓｅｃ−）ブチル、第三（ｔｅｒｔ−）ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等のアルキル基；フェニル、ナフチル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、４−ビニルフェニル、３−イソプロピルフェニル等のアリール基；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、第二ブトキシ、第三ブトキシ等のアルコキシ基；メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ等のアルキルチオ基；ニトロ基、シアノ基等が挙げらる。
【００１９】
Ｒ１〜Ｒ４で表される炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル等が挙げられる。
Ｒ１とＲ２あるいはＲ３とＲ４が連結して形成される３〜６員環の基としては、シクロプロパン−１，１−ジイル、シクロブタン−１，１−ジイル、２，４−ジメチルシクロブタン−１，１−ジイル、シクロヘキサン−１，１−ジイル、テトラヒドロピラン−４，４−ジイル、チアン−４，４−ジイル、ピペリジン−４，４−ジイル、Ｎ−置換ピペリジン−４，４−ジイル、モルホリン−２，２−ジイル、モルホリン−３，３−ジイル、Ｎ−置換モルホリン−２，２−ジイル、Ｎ−置換モルホリン−３，３−ジイル等が挙げられ、そのＮ−置換としては、環Ａ及び環Ｂの置換基として例示のものが挙げられる。
また、Ｒ１〜Ｒ４で表される基のうち、少なくとも一つが置換基を有していてもよいベンジル基である。置換ベンジル基の置換基の数は１〜５であり、該置換基としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン基；メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、ｎ−オクチル、イソオクチル、第三オクチル、２−エチルヘキシル等のアルキル基；これらのアルキル基のハロゲン置換体、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、第二ブトキシ、第三ブトキシ等のアルコキシ基；これらのアルコキシ基のハロゲン置換体、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチルチオ等のアルキルチオ基；ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。
【００２０】
置換ベンジル基の置換基が大きいとシアニン化合物のモル吸光係数が小さくなり、感度に影響を及ぼす場合があるため、置換基の数は１又は２が好ましく、例えば、置換基として、水酸基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のハロゲン置換アルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又は炭素数１〜４のハロゲン置換アルコキシ基が挙げられ、置換基は同一でも、異なっていてもよい。
上記置換ベンジル基の置換基におけるハロゲン基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基としては、前記環Ａ及び環Ｂで記載した基が挙げられる。また、炭素数１〜４のハロゲン置換アルキル基としては、例えば、クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、ブロモメチル、ジブロモメチル、トリブロモメチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、パーフルオロメチル、パーフルオロプロピル、パーフルオロブチル等が挙げられる。炭素数１〜４のハロゲン置換アルコキシ基としては、例えば、クロロメチルオキシ、ジクロロメチルオキシ、トリクロロメチルオキシ、ブロモメチルオキシ、ジブロモメチルオキシ、トリブロモメチルオキシ、フルオロメチルオキシ、ジフルオロメチルオキシ、トリフルオロメチルオキシ、パーフルオロプロピルオキシ、パーフルオロブチルオキシ等が挙げられる。
【００２１】
また、Ｙ１又はＹ２で表される炭素数１〜３０の有機基としては、前記環Ａ及び環Ｂの置換基で記載したアルキル基やアリール基の他、例えば、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエチル、ノニル、イソノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル等のアルキル基；４−イソプロピルフェニル、４−ブチルフェニル、４−イソブチルフェニル、４−第三ブチルフェニル、４−ヘキシルフェニル、４−シクロヘキシルフェニル、４−オクチルフェニル、４−（２−エチルヘキシル）フェニル、４−ステアリルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，５−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，４−ジ第三ブチルフェニル、シクロヘキシルフェニル等のアリール基が挙げられる。更に、ビニル、１−メチルエテニル、２−メチルエテニル、プロペニル、ブテニル、イソブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ペンタデセニル、１−フェニルプロペンー３−イル等のアルケニル基；ベンジル、フェネチル、２−フェニルプロパンー２−イル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、スチリル、シンナミル等のアラルキル基、及びこれらの炭化水素基がエーテル結合、チオエーテル結合で連結したもの、例えば、２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、４−メトキシブチル、２−ブトキシエチル、メトキシエトキシエチル、メトキシエトキシエトキシエチル、３−メトキシブチル、２−フェノキシエチル、２−メチルチオエチル、２−フェニルチオエチルが挙げられる。これらの基は、前述のアルコキシ基、アルケニル基、ニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。
上記Ｙ１及びＹ２は、置換基が大きいとシアニン化合物のモル吸光係数が小さくなり、感度に影響を及ぼす場合があるので、炭素数１〜８の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより好ましい。
【００２２】
また、Ａｎｍ−で表されるアニオンとしては、例えば、塩素アニオン、臭素アニオン、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ジフェニルアミン−４−スルホン酸アニオン、２−アミノ−４−メチル−５−クロロベンゼンスルホン酸アニオン、２−アミノ−５−ニトロベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸アニオン；オクチルリン酸アニオン、ドデシルリン酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン、フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニルリン酸アニオン、２，２−メチレンビス（４，６−ジ第三ブチルフェニル）ホスホン酸アニオン等の有機リン酸系アニオン等の一価のアニオンや、ベンゼンジスルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン酸アニオン等の二価のアニオンが挙げられる。ｐは電荷を中性に保つ係数であり、Ａｎｍ−のｍに応じて変わる。
【００２３】
前記一般式（II）において、アルキル基及びアルコキシ基におけるアルキル部分としては、直鎖若しくは分岐状の炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜８の環状アルキル基等が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数７〜１９のものが好ましく、より好ましいのは７〜１５のものであり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜１８のものが好ましく、より好ましいのは６〜１４のものであり、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
配位能を有する金属原子Ｑとしては、例えば、アルミニウム、亜鉛、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、マンガン、イリジウム、バナジウム、チタン等が挙げられる。
【００２４】
互いに隣り合う２つのＲ１０がそれぞれ隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成される芳香族環としては、炭素数６〜１４のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられる。
複素環基などにおける複素環としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員又は６員の単環性芳香族あるいは脂環式複素環、３〜８員の環が縮合した二環又は三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族あるいは脂環式複素環等が挙げられ、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、テトラヒドロカルバゾール環等が挙げられる。
【００２５】
前記アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、複素環基、及び互いに隣り合う２つのＲ１０がそれぞれ隣接する２つの炭素原子と一緒になって形成される芳香族環の置換基としては、同一又は異なる１〜５個の置換基、例えば、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、置換又は非置換のアミノ基等が挙げられ、ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基としては、前記と同様なものが挙げられる。
前記アルキル基の置換基としては、同一又は異なって１〜３個の置換基、例えば、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子及びアルコキシ基としては、前記と同様なものが挙げられる。
前記アミノ基の置換基としては、同一又は異なる１〜２個のアルキル基等が挙げられ、この場合のアルキル基は前記と同様である。
【００２６】
前記一般式（II）において、金属原子Ｑはアルミニウムであることが好ましい。また、Ｒ５がフェニル基で、Ｒ６がハロゲン置換又は非置換のアルキル基、或いは、分岐鎖を有するアルキル基であることが好ましい。更に、Ｒ６がトリフルオロメチル基であることがより好ましい。また、Ｒ７及び／又はＲ８は、置換基を有していてもよいアラルキル基が好ましく、ベンジル基がより好ましい。また、Ｒ９は、ベンジル基又はエチル基が好ましく、Ｒ１０は、アルキル基が好ましい。ここで、アラルキル基の置換基は前記と同様である。
中でも、アルミニウム錯体を用いると光学特性に優れるし、インドリニウム基の３位にベンジル基を有するアルミニウム錯体を用いると、クロストークが小さくなるので特に好ましい。
前記一般式（II）で表されるスクアリリウム化合物は、国際公開０２／０５０１９０号パンフレットに準じて製造することができる。
【００２７】
上記色素には光学特性、記録感度、信号特性などの向上の目的で他の有機色素、金属、金属化合物を混合してもよく、或いは色素層と他の有機色素、金属、金属化合物からなる層を積層しても良い。
このような金属、金属化合物の例としては、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどが挙げられ、それぞれを分散混合するか或いは積層して用いることができる。
更に、上記色素中に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料、或いはシランカップリング剤などを分散混合しても良いし、特性改良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などを一緒に用いることも出来る。
【００２８】
記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、溶剤塗布などの通常の手段によって行うことができる。塗布法を用いる場合には、上記染料などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティグ、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法によって行うことが出来る。用いられる有機溶媒としては一般にメタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
好ましい色素膜厚は、第１記録層（溝部）で４〜１００ｎｍであり、第２記録層（溝間部）で５０〜１００ｎｍである。色素膜厚がこの範囲よりも薄いと信号変調度（コントラスト）が得難く、反対に厚いとマークの形状が揃い難くジッターが増加し易いためである。
【００２９】
＜反射層（第１、第２反射層）＞
半透過性の第１反射層材料としては、レーザー光波長に対する反射率の高い物質が好ましく、その例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｉｎから選ばれた少なくとも１種の金属及び半金属を挙げることができるが、中でも、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの何れかを主成分とし、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｉｎから選ばれた少なくとも１種を０．１〜１０重量％添加した合金が好ましく、特にＩｎが好ましい（合金であるから、当然ながらＡｕとＡｕ、ＡｇとＡｇ、ＣｕとＣｕの組合せは除く）。０．１重量％以上添加することにより、結晶粒が微細化し耐蝕性に優れた薄膜となる。しかし、１０重量％を超えて添加すると反射率が低下するため好ましくない。母材としてはスパッタレートが高いＡｇが最も好ましく、添加物としては屈折率ｎが小さく吸収係数ｋが大きいＡｕ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｉｎが特に好ましい。
Ａｇは全元素中で最もｎが小さく光利用効率が最も高いので、その特性を損なわないようにするためには添加物の総量を５重量％以下にすることが特に好ましい。
【００３０】
第１反射層材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕの何れかを主成分とする合金を用いる場合には、母材となる高反射率金属に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｉｎから選ばれた少なくとも１種を１〜１０重量％添加したターゲットを用いて、圧力０．０１Ｐａから数ＰａのＡｒ雰囲気下、１〜２０Ｗ／ｃｍ２のパワーでスパッタリングすることにより合金反射層を形成することができる。
また、半透過性の第１反射層の材料として、上記の合金と、金属又は半金属の酸化物及び／又は窒化物との混合物を用いる場合、或いは、金属又は半金属の単体、酸化物、窒化物から選ばれた少なくとも２種の混合物を用いる場合には、各材料を所定の比率で混合したターゲットを用いてスパッタリングにより形成することができる。また、混合物の各材料をセットした複数のターゲットを同時に放電してスパッタリングさせることにより混合物薄膜を形成することもできる。
【００３１】
第１反射層には補助層を積層してもよい。補助層に用いられる金属又は半金属の酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化カルシウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫などが挙げられる。同じく金属又は半金属の窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化シリコン、窒化ジルコニウムなどが挙げられる。
金属又は半金属からなる第１反射層と金属又は半金属の酸化物又は窒化物からなる補助層を積層する場合には、まず、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒなどの何れかからなる膜をスパッタリングにより形成し、続いて酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化カルシウム、酸化錫、酸化インジウムなどの少なくとも１種からなるターゲットを用いたスパッタリングにより積層膜を形成しても良いし、上記金属又は半金属からなるスパッタ膜の上にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｉｎ、ＩＴＯなどの少なくとも１種をターゲットにして、Ａｒ、Ｏ２混合ガスを用いた反応性スパッタリングにより酸化膜を形成しても良い。
【００３２】
同様に、上記金属又は半金属からなるスパッタ膜の上に、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化シリコン、窒化ジルコニウムなどの少なくとも１種をターゲットにして窒化膜を積層することもできるし、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒなどの少なくとも１種をターゲットにしてＡｒとＮ２混合ガスで窒化膜を形成することもできる。
更に、前述したＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの何れかを主成分とする合金からなる第１反射層上に上記と同様の補助層を積層する場合には、まず合金からなる反射層をスパッタリングにより形成し、続いて上記と同様にして補助層を積層すればよい。
第２反射層についても基本的には上記記載の材料を用いるが、欠陥が少なく信頼性が高い光記録媒体を得るためには、合金が好ましい。
第１反射層の膜厚は、通常５〜３０ｎｍである。５ｎｍより薄くなると、第１記録層の特性の劣化防止が難しくなるし、３０ｎｍを超えると、上記光透過率を満足させることが難しくなる。また、第２反射層の膜厚は、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜３００ｎｍである。５ｎｍより薄いと充分なウォブル特性が得られず、５００ｎｍより厚いとジッタ特性が悪くなる。
【００３３】
＜保護層（無機保護層）＞
保護層は、第２記録層と透明中間層の間に、有機色素を主成分とする第２記録層を化学的及び物理的に保護する目的で設けられ、材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等の光透過性が高い無機物質が用いられる。
保護層膜厚は５〜３０ｎｍ又は１２０〜１６０ｎｍの範囲にすることが好ましい。この範囲を外れると片面二層型ＤＶＤ−ＲＯＭとの反射率互換性の維持が難しくなる。
上記保護層の他に、案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形成を目的として、第２記録層と第２反射層の間に保護層を設けてもよい。その材料としては、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の混合物が好ましい。
【００３４】
＜透明中間層＞
透明中間層は接着層として用いることが好ましく、その材料としては既存のアクリレート系、エポキシ系、ウレタン系の紫外線硬化型又は熱硬化型接着剤等が使用できる。更に透明シートにより貼り合わせる方法でも良い。好ましい膜厚は４５〜７０μｍの範囲である。この範囲を外れると、再生光であるレーザー光を第１又は第２情報記録層上に焦点が来るように絞り、反射光を検出して各情報層の信号を再生することが難しくなる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、光入射側からみて奥側に位置する第２記録層から良好なＬＰＰ特性とＰＩエラーが得られる、高速対応（３０．６４ｍ／ｓ以上）可能な片面二層型光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は重量部を表わす。
【００３７】
＜実施例１〜１８、比較例１〜３＞
トラックピッチ０．７４μｍの案内溝凸凹パターンを有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．５７ｍｍのポリカーボネート樹脂製第２基板を用意し、その上に、Ａｒをスパッタガスとして、スパッタリング法により膜厚１５０ｎｍのＡｇＩｎ（Ｉｎ：０．５原子％）からなる第２反射層を成膜した。表１に第２基板のＬＰＰ形状及び溝形状を示す。なお、ＬＰＰ形状については電界放射型走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）、溝形状については原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定した。
次に、第２反射層の上に、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに色素を溶解させて作製した色素濃度１．４重量％の塗布液を用いて、スピンコート法により膜厚９０ｎｍの第２記録層を成膜した。色素化合物は、下記〔化３〕で表されるシアニン色素化合物と下記〔化４〕で表されるスクアリリウム金属キレート化合物を重量比４０：６０で混合したものを用いた。
次に、第２記録層上に、Ａｒをスパッタガスとして、スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＣ（モル比８：２）からなる保護層を膜厚１５ｎｍになるように成膜し、第２情報層を作製した。上記第２記録層の光吸収スペクトルは、最大吸収波長が６００ｎｍ、最大吸収波長での吸光度（Ａｂｓ）が１．０４であった。なお、第２記録層の膜厚は断面透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により測定した。
一方、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝凸凹パターンを有する直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍのポリカーボネート樹脂製の第１基板を用意した。第１基板のＬＰＰ形状及び溝形状は以下のとおりである。
溝深さ：１６０ｎｍ、溝幅：２５０ｎｍ、Ｌｗ：１０００ｎｍ、Ａｗ＝〔Ａｗ（ｏｕｔ）＋Ａｗ（ｉｎ）〕／２：１４５ｎｍ、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）：１１０ｎｍ
第１基板上に、下記〔化３〕で表されるシアニン色素化合物と下記〔化４〕で表されるスクアリリウム金属キレート化合物と下記〔化５〕で表されるホルマザン金属キレート化合物を、重量比で５０：３０：２０となるように混合し、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解して作成した塗布液をスピンコートして、膜厚６０ｎｍの第１記録層を成膜した。
次に、第１記録層上に、Ａｒをスパッタガスとして、スパッタリング法により膜厚９ｎｍのＡｇＩｎ（Ｉｎ：０．５原子％）からなる第１反射層を成膜し、第１情報層を作製した。
次いで、上記第１情報層及び第２情報層を、紫外線硬化型接着剤（日本化薬株式会社製、ＫＡＲＡＹＡＤ  ＤＶＤ５７６）で貼り合わせ、図４に示す層構成の片面二層型光記録媒体を得た。
【００３８】
次に、上述の実施例１〜１８及び比較例１〜３の各光記録媒体に対し、ＤＶＤ−Ｒ対応の評価装置、即ち、再生用光の波長λが６５０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．６０±０．０５の評価装置を用いて、ジッター（％）、ＰＩエラー、ＡＲ特性、ＬＰＰｂ（変調度）を測定した。評価条件は速度８ｘ（３０．６４ｍ／ｓ）でＤＶＤ（８−１６）信号を記録した。記録条件はＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ規格に準じたパルス発光パターンを採用した。
これらの結果を表１に示す。なお、例えばＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ規格では、ジッター≦８％、ＰＩエラー≦２８０、ＡＲ特性≧０．１０、０．１８≦ＬＰＰｂ≦０．２８である。
表１の結果から、上述の各実施例の光記録媒体は、規格内の良好なエラー特性、再生特性を示すことが分かる。中でも実施例３、４、８は、ＰＩエラー５０以下で、かつＡＲ特性０．２以上であり、特に良好なエラー特性と再生特性を示した。
表１の比較例１から分かるように、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）が上限値１６０ｎｍよりも大きいと、十分なＬＰＰ信号特性が得られず、特にＡＲ特性が悪化した。また、比較例２〜３から分かるように、Ａｗ（ｏｕｔ）−Ａｗ（ｉｎ）が下限値８０ｎｍよりも小さいと、ＰＩエラーが悪化した。
【表１】
0004796555.tif 000004
【００３９】
【化３】
0004796555.tif 000005
【化４】
0004796555.tif 000006
【化５】
0004796555.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】ＬＰＰの形状を概略的に示す図。（ａ）ＬＰＰをランドの略中央に独立して形成した例、（ｂ）ＬＰＰを内周側にずらして形成した例、（ｃ）ＬＰＰをグルーブの一部である蛇行部分と該蛇行部分に対応するランドによって構成した例。
【図２】二層の情報記録層を有する読み出し専用ＤＶＤの構造を示す断面図。
【図３】二層光記録媒体のＬ１層の構成を示す図。（ａ）２Ｐ法の場合、（ｂ）ＩＳ法の場合。
【図４】本発明に係る片面二層型光記録媒体の層構成例を示す図。
【図５】溝形状の説明図。
【符号の説明】
【００４１】
Ｌｗ  ランドプリピット（ＬＰＰ）のトラック方向の長さ
Ａｗ  ランドプリピット（ＬＰＰ）の半径方向（トラック方向に対して垂直な方向）の長さ（幅）、或いは、ウォブルグルーブの一部である蛇行部分における半径方向の最大蛇行幅
Ｗ（Ｇ）  グルーブ幅
Ｗ（ＬＰＰ）  蛇行部分の半径方向の最大幅
Ａｗ（ｉｎ）  蛇行部分を形成する一方のランドの突出部の最大凹陥幅
Ａｗ（ｏｕｔ）  蛇行部分を形成する他方のランドの凹陥部の最大突出幅
Ｌ  ランド
Ｇ  グルーブ
Ｌ０  第１情報層
Ｌ１  第２情報層
【図２】
0004796555.tif 000008
【図４】
0004796555.tif 000009
【図５】
0004796555.tif 000010
【図１】
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【図３】
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