(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影領域を複数に分割して測光し、各分割領域毎に測光値を求める測光手段を備え、本発光前にフラッシュを予備発光させて前記測光手段が求めた予備発光時の測光値に基づきフラッシュの本発光量を制御するカメラにおいて、
前記測光手段は、
複数の受光素子を備え、前記各分割領域における被写体からの反射光を対応する受光素子で受光し、該受光輝度に応じた信号を各受光素子毎に出力する分割受光素子と、
前記複数の受光素子を１つずつ切り換えながら各受光素子毎に、該受光素子の出力信号を待機時間を設けず時間的に連続で複数回Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換処理を所定サイクル繰り返し、前記各分割領域について複数の変換データを求めるＡ／Ｄ変換手段と、
前記各分割領域についての複数の変換データに基づき、各分割領域の測光値を確定する測光値確定手段と、
を有することを特徴とするカメラ。
【請求項２】
請求項１記載のカメラにおいて、前記測光値確定手段は、前記各分割領域毎に、前記Ａ／Ｄ変換手段が求めた複数の変換データを平均し、該平均値を前記測光値とするカメラ。
【請求項３】
請求項２記載のカメラにおいて、前記測光値確定手段は、前記複数の変換データを平均するときに、該複数の変換データの中から最高輝度に対応する最大値を抽出し、前記複数の変換データのうち前記最大値との差が所定値以上ある変換データを除外するカメラ。
【請求項４】
請求項１記載のカメラにおいて、前記測光値確定手段は、前記各分割領域毎に、前記Ａ／Ｄ変換手段が求めた複数の変換データの中から最高輝度に対応する最大値を抽出し、該最大値を前記測光値とするカメラ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のカメラにおいて、
前記Ａ／Ｄ変換手段は、フラッシュ予備発光時間に応じて前記Ａ／Ｄ変換処理を繰り返すサイクル数を設定し、かつ、フラッシュ予備発光の開始時から所定時間が経過したときに前記Ａ／Ｄ変換処理を開始して、前記設定したサイクル数で前記Ａ／Ｄ変換処理を繰り返し、前記フラッシュ予備発光の終了前に前記Ａ／Ｄ変換処理を終了させるカメラ。
【請求項６】
請求項５記載のカメラにおいて、
前記Ａ／Ｄ変換手段は、フラッシュ予備発光波形に生じる既知のリップル周期の１／２周期内に、前記各受光素子の出力を待機時間なく時間的に連続で複数回Ａ／Ｄ変換するカメラ。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載のカメラにおいて、さらに、該カメラが備えた撮影レンズから、開放Ｆ値データ及び撮影距離データを含むレンズデータを得るデータ取得手段を備え、前記開放Ｆ値データと前記撮影距離データの和に基づいて予備発光時間を設定するカメラ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載のカメラと、複数のフラッシュを備え、本発光前に少なくとも一つのフラッシュを予備発光させ、該予備発光時の測光結果に基づいて一または複数のフラッシュの本発光量を制御するフラッシュ撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、予備発光時の測光結果に基づいて本発光量を適正に制御するカメラ、及びフラッシュ撮影システムに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
フラッシュ撮影が可能なカメラでは、撮影前にフラッシュを予備発光させ、被写体からの反射光を分割受光素子で各分割領域毎に受光して各分割領域の測光値を求め、各測光値に基づいて本発光量を適正に制御するものが知られている。従来では、分割受光素子が備えた複数の受光素子を１つずつ切り替えながら、各受光素子に対してその出力を１回ずつＡ／Ｄ変換する処理を複数回繰り返し、求めたＡ／Ｄ変換値を各分割領域毎に平均化して各測光値を得ている。このタイプでは、Ａ／Ｄ変換回数を増やして各受光素子のＡ／Ｄ変換値を多く得るほど測光値を正確に求めることができる。
しかし、各受光素子の切り替えには受光素子の出力が安定する切り替え安定時間２０μｓ程度待機する必要があるから、高速動作するＡ／Ｄ変換器を使用したとしても、Ａ／Ｄ変換回数は上記の切り替え安定時間によって制限される。そのため、Ａ／Ｄ変換回数を増やして測光精度の向上を図ろうとすると、Ａ／Ｄ変換に要する時間が長くなってしまい、好ましくない。
また上述の予備発光は、略均一な光量で所定時間フラッシュを発光させるフラット発光により行われるものがある。このタイプでは、フラット発光にリップルがのっているため、リップルのどの部分をＡ／Ｄ変換するかでＡ／Ｄ変換データが異なり、正確なデータが得られなかった。
【０００３】
【発明の目的】
本発明は、予備発光を正確に測光し、適正露出が得られるカメラ及びフラッシュ撮影システムを提供することを目的とする。
【０００４】
【発明の概要】
本発明は、撮影領域を複数に分割して測光し、各分割領域毎に測光値を求める測光手段を備え、本発光前にフラッシュを予備発光させて測光手段が求めた予備発光時の測光値に基づきフラッシュの本発光量を制御するカメラにおいて、測光手段は、複数の受光素子を備え、前記各分割領域における被写体からの反射光を対応する受光素子で受光し、該受光輝度に応じた信号を各受光素子毎に出力する分割受光素子と、前記複数の受光素子を１つずつ切り換えながら各受光素子毎に、該受光素子の出力信号を待機時間を設けず時間的に連続で複数回Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換処理を所定サイクル繰り返し、前記各分割領域について複数の変換データを求めるＡ／Ｄ変換手段と、前記各分割領域についての複数の変換データに基づき、各分割領域の測光値を確定する測光値確定手段とを備えたこと、に特徴を有している。
【０００５】
本発明は、上記カメラと複数のフラッシュを備え、本発光前に少なくとも一つのフラッシュを予備発光させ、該予備発光時の測光結果に基づいて一または複数のフラッシュの本発光量を制御するフラッシュ撮影システムに適用することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明を説明する。本フラッシュ撮影システムは、カメラボディ１０と、カメラボディ１０に着脱可能な複数のフラッシュ装置５０を備えている。フラッシュ装置５０のうち、カメラボディ１０に装着されて外部フラッシュとして機能するものは、カメラボディ１０との間で直接実行する通信により発光制御される。一方、カメラボディ１０に装着されずにスレーブフラッシュとして機能するものは、カメラボディ１０の内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの微少発光より、ワイヤレスで発光制御される。本システムを構成するフラッシュ装置の数、及びいずれのフラッシュ装置をカメラに装着してまたは装着せずに使用するかは、各使用者が自由に設定することができる。
【０００７】
以下では、図示した回路及び素子において、ロー（グランド）レベルの電圧は論理値“０”、ハイレベルの電圧は論理値“１”とする。
【０００８】
図１は、本システムを構成するカメラの制御系を示すブロック図である。カメラボディ１０は、カメラ全体の動作を統括的に制御する制御手段としてＣＰＵ１３を備えている。ＣＰＵ１３は、制御用プログラム等を格納したＲＯＭと、制御用データを一時的に格納するＲＡＭ１３ａを内蔵している。ＣＰＵ１３には電池１の電圧が昇降圧ボルテージレギュレータ２を介して定電圧Ｖｄｄとして供給される。この昇降圧ボルテージレギュレータ２の制御用端子であるＤＣ／ＤＣｏｎ端子はＣＰＵ１３のポートＰ３に接続されていて、その昇圧動作はＣＰＵ１３によって制御される。昇降圧ボルテージレギュレータ２の出力電圧Ｖｄｄはコンデンサー３にも供給される。
【０００９】
ＣＰＵ１３には、撮影に関する各種情報を表示する例えばＬＣＤなどの表示素子５、各種書き換え可能なパラメータ、モード等を書き込むＥＥＰＲＯＭ６、カメラボディ１０に装着される撮影レンズとの間で通信を行うためのレンズ通信インターフェース７、カメラボディ１０に装着された外部フラッシュとの間で通信を行うためのフラッシュ通信インターフェース８がそれぞれポート群Ｐｅ、Ｐｄ、Ｐｃ、Ｐｂを介して接続されている。
【００１０】
フラッシュ通信インターフェース８にはフラッシュ接続端子４が接続されている。フラッシュ接続端子４にはＣ，Ｒ，Ｑ，Ｘ，Ｇの５端子が設けられていて、Ｘ端子はフォーカルプレンシャッターの先幕走行完了に同期して“０”となるＸ接点端子、Ｇ端子はグランド端子、Ｃ端子は外部フラッシュへの制御信号を出力する制御端子、Ｒ端子はクロック信号を外部フラッシュへ出力するクロック端子、Ｑはカメラボディ１０‐外部フラッシュ間の双方向データ通信用と外部フラッシュへのクエンチ信号出力用の兼用端子である。
【００１１】
ＣＰＵ１３には、スイッチ類として、測光スイッチＳＷＳ、レリーズスイッチＳＷＲ、メインスイッチＳＷＭ、情報設定スイッチ群９がそれぞれポートＰ２、Ｐ１、Ｐ０、ポート群Ｐａを介して接続されている。
測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッチＳＷＲはレリーズボタン（不図示）に連動するスイッチであって、レリーズボタンの半押しによって測光スイッチＳＷＳがオンし、その全押しによってレリーズスイッチＳＷＲがオンする。
メインスイッチＳＷＭは、カメラの電源スイッチ（不図示）に連動し、電源スイッチがオン位置に操作されたときにオンする。
【００１２】
情報設定スイッチ群９には、例えばテスト発光を設定するテストＳＷのほか、ＤＸコード情報、撮影モード情報、ＷＬｉｎｔモード等を設定するスイッチを設けてある。
【００１３】
ここでＷＬｉｎｔモードとは、内蔵フラッシュの微少発光（ワイヤレス信号）によって、スレーブフラッシュをワイヤレス制御するためのモードである。このＷＬｉｎｔモードには、ワイヤレス制御を実行しないＷＬｏｆｆモード、ワイヤレス信号でスレーブフラッシュを通常発光させるＷＬＣモード、ワイヤレス信号でスレーブフラッシュをフラット発光させるＷＬＦＰモード、ワイヤレス信号でスレーブフラッシュを通常発光させるとともに、露光のために内蔵フラッシュを発光させるＷＬＭモードがある。
【００１４】
またＣＰＵ１３には、キセノン管２１を発光させるための内蔵フラッシュ回路１４、フィルム給送モータ・チャージモータ・ＡＦモータ等を駆動するモータ制御回路１５、位相差方式により被写体の焦点状態を検出するＡＦ回路１６、撮影レンズの絞りを開閉する絞り制御回路１７、シャッタ幕の走行を制御するシャッタ制御回路１８がそれぞれポート群Ｐｆ、Ｐｇ、Ｐｈ、Ｐｉ、Ｐｊを介して接続されている。本明細書において「内蔵フラッシュ」とは、キセノン管２１、またはキセノン管２１及び内蔵フラッシュ回路１４を指すものとする。
【００１５】
さらにＣＰＵ１３には、測光回路１９がポート群Ｐｋを介して接続されていて、ＴＴＬ測光回路２０がポート群Ｐｍを介して接続されている。
測光回路１９は、分割受光素子２２の出力を処理してＣＰＵ１３に出力する回路である。分割受光素子２２は、ファインダー光路内を通過する光を受光できるように、ペンタプリズム（不図示）周辺に配置されている。この分割受光素子２２は、受光素子２２_１〜２２_９に９分割されていて、撮影画面を９つの測光領域に分割して各測光領域毎に測光することができる（図８（ａ）参照）。
ＴＴＬ測光回路２０は、ＴＴＬ受光素子２３の出力を処理してＣＰＵ１３に出力する回路である。ＴＴＬ受光素子２３は、撮影レンズを通過してフィルム面にて反射された光を受光できる位置に配置されていて、露光中の被写体光を直接測光することができる。
【００１６】
本実施形態では、撮影前に実行する予備発光を分割受光素子２２で測光し、各受光素子２２_１〜２２_９の受光量に基づいてＴＴＬ補正量を算出する。そして、算出したＴＴＬ補正量に基づいて適正露出量を補正し、撮影時の本発光をＴＴＬ受光素子２３で測光して適正露出を得るようにしている。なお、フラッシュ照射範囲を確認するために実行するテスト発光は、分割受光素子２２にて測光される。
【００１７】
以上はカメラボディ１０の構成概要であるが、次に図２及び図３を参照し、測光回路１９、ＴＴＬ測光回路２０について具体的に説明する。
【００１８】
図２は測光回路１９の一実施の形態を示す回路図である。
分割受光素子２２の分割された各受光素子２２_１〜２２_９は、対応するオペアンプ１００ａ〜１００ｉの入力端子間に接続されている。オペアンプ１００ａ〜１００ｉの非反転入力端子には、基準電圧発生回路１１０で発生させた基準電圧Ｖｓが印加されている。
受光素子２２で受けた光は各受光素子２２_１〜２２_９毎に受光され、その受光量に対応する光電流が各受光素子２２_１〜２２_９から発生する。各受光素子２２_１〜２２_９の光電流は圧縮ダイオード１０１ａ〜１０１ｉにより対数変換されてセレクター１０２へ出力される。セレクター１０２では、ＣＰＵ１３のポート群Ｐｋ（Ｐｋ１、Ｐｋ２、Ｐｋ３、Ｐｋ４）の入力レベルに対応する受光素子２２_１〜２２_９、即ち受光素子２２_１〜２２_９の光電流（対数出力値）が一つ選択され、端子Ｖ１からオペアンプ１０５の非反転入力端子へ出力される。
【００１９】
オペアンプ１０５には、反転入力端子とグランド間に定電流源１０３が接続され、反転入力端子と出力端子の間に圧縮ダイオード１０４が接続されている。このオペアンプ１０５の出力Ｖ２は、式；Ｖ２＝Ｖｓ＋（ＫＴ／ｑ）（ｌｎ（Ｉｓ／Ｉｐ））により求められる。但し、Ｔ：絶対温度、Ｋ：ボルツマン定数、ｑ：電子の電荷、Ｉｓ：定電流源１０３の電流値、Ｉｐ：セレクター１０２で選択された受光素子２２_１〜２２_９の光電流値とする。
【００２０】
オペアンプ１０５の出力Ｖ２は、正係数温度抵抗器１０６を介してオペアンプ１０９の反転入力端子へ入力される。オペアンプ１０９は、非反転入力端子に基準電圧Ｖｓが印加され、反転入力端子−グランド間に抵抗１０７、反転入力端子−出力端子間に抵抗１０８が接続されている。
ここで正係数温度抵抗器１０６、抵抗１０８、抵抗１０７の抵抗値を各々Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３とすれば、オペアンプ１０９の出力Ｖ３は、式；Ｖ３＝Ｖｓ（１＋Ｒ２／Ｒ３）＋（ＫＴ／ｑ）（Ｒ２／Ｒ１）（ｌｎ（Ｉｓ／Ｉｐ））により求められる。この式において、絶対温度Ｋは抵抗値Ｒ１の温度係数によって相殺される。そのため、オペアンプ１０９の出力Ｖ３はセレクター１０２で選択した受光素子２２_１〜２２_９の光電流の対数出力に比例した電圧となる。
この出力Ｖ３は、測光信号として、ＣＰＵ１３のＡ／Ｄ変換ポートＰｋ５に入力されてＡ／Ｄ変換される。
【００２１】
図３はＴＴＬ測光回路２０の一実施の形態を示す回路図である。
ＴＴＬ受光素子２３が接続されたオペアンプ２０２の出力端子−反転入力端子間には、積分コンデンサー２０１とＭＯＳＦＥＴ（以下、「ＭＯＳ_ＳＷ」という）２００が並列接続されている。ＭＯＳ_ＳＷ２００は、ゲートがＣＰＵ１３のポート群ＰｍのポートＰｍ３に接続されていて、ＣＰＵ１３によってオン／オフ制御される。即ち、ポートＰｍ３の出力が“１”のとき、ＭＯＳ_ＳＷ２００はオンし、積分コンデンサー２０１が放電して蓄積電荷がはき出される。一方、ポートＰｍ３の出力が“０”のとき、ＭＯＳ_ＳＷ２００はオフする。この状態で本発光が行われると、フィルム面に反射した光がＴＴＬ受光素子２３で受光され、受光量に対応する光電流が積分コンデンサー２０１で積分され、その結果、オペアンプ２０２の出力電圧が上昇する。
【００２２】
オペアンプ２０２の出力は、コンパレータ２０３によって、ＣＰＵ１３のポート群ＰｍのＤ／Ａ変換ポートＰｍ１から出力された所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）と比較される。そして、オペアンプ２０２の出力が所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）以下であればコンパレータ２０３から“０”が出力され、逆にオペアンプ２０２の出力が所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）を超えていればコンパレータ２０３から“１”が出力される。
【００２３】
コンパレータ２０３の出力は、抵抗２０４を介して、トランジスタ２０６と抵抗２０７で構成されるエミッタホロア回路に入力する。トランジスタ２０６はエミッタがフラッシュ接続端子４のＱ端子に並列接続されていて、このエミッタ出力がクエンチ信号として機能する。つまり、トランジスタ２０６がローからハイに変化すると、Ｑ端子が“０”から“１”に変化し、外部フラッシュの発光を停止させる。またシンクロ指定に順次が設定されている場合（後述する）には、トランジスタ２０６がハイからローに変化する結果、Ｑ端子が“１”から“０”に変化すると、後発のフラッシュ発光が開始される。
なお、トランジスタ２０６のハイ／ローはポートＰｍ２を介してＣＰＵ１３が制御する。ＣＰＵ１３は、通常はポートＰｍ２の出力によりトランジスタ２０６のハイ／ローを制御し、調光モード指定がＴＴＬのときは、ポートＰｍ２を入力モードとし、コンパレータ２０３の出力によってトランジスタ２０６のハイ／ローを制御する。
【００２４】
図４は本システムを構成するフラッシュ装置の制御系を示すブロック図である。フラッシュ装置５０は、照射角を変更できるズームフラッシュであり、カメラボディ１０に装着可能である。フラッシュ装置５０は、カメラボディ１０に装着された場合にはカメラの外部フラッシュとして、カメラボディ１０に装着しない場合にはスレーブフラッシュとして機能する。
【００２５】
フラッシュ装置５０は、装置全体の動作を統括的に制御する制御手段としてフラッシュＣＰＵ６５を備えている。フラッシュＣＰＵ６５には、電池５１の電圧がショットキーダイオード５２及びレギュレータ５４を介して定電圧Ｖｄｄ１として供給される。電池５１の電圧はショットキーダイオード５２を介してコンデンサー５３にも供給される。
【００２６】
フラッシュＣＰＵ６５には、ズームモータ６１を駆動するモータドライブ回路６２、各種書き換え可能なパラメータ、モードを書き込むＥＥＰＲＯＭ６０、装着されたカメラとの間で通信を実行するためのカメラ通信インターフェース５９がそれぞれポート群Ｐｂ、Ｐｃ、Ｐｄを介して接続されている。
【００２７】
ズームモータ６１は、発光ユニット５５を移動させる駆動手段として機能する。発光ユニット５５は、キセノン管８２、リフレクタ５５ｃ、保護ガラス５５ｂを一体化させて形成したものである。ズームモータ６１により発光ユニット５５を移動させると、発光ユニット５５とフレネルレンズ５５ａの間隔が変化し、フラッシュの照射角が変化する。
【００２８】
カメラ通信インターフェース５９はカメラ接続端子５６を備えている。カメラ接続端子５６はＣ，Ｒ，Ｑ，Ｘ，Ｇの５端子で構成される。Ｃ端子はカメラからの制御信号を入力する制御端子、Ｒ端子はカメラボディ１０からのクロック信号を入力するクロック端子、Ｑはカメラボディ１０‐フラッシュ間の双方向データ通信用とクエンチ信号入力用の兼用端子、Ｘ端子はカメラボディ１０のＸ端子からの信号を入力する端子、Ｇ端子はグランド端子である。
カメラ接続端子５６を介してフラッシュ装置５０がカメラボディ１０に接続されているとき、フラッシュＣＰＵ６５は、Ｃ端子、Ｒ端子、Ｑ端子を介してカメラボディ１０のＣＰＵ１３との間でデータ通信を実行する。
【００２９】
カメラ接続端子５６のＣ，Ｒ，Ｑ端子は、それぞれフラッシュＣＰＵ６５のポート群ＰｄのＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３に接続される。Ｘ端子は、図３３に示すように、ダイオード４００を介してポートＰｄ４に接続される。これはＸ端子電圧として高電圧を有するフラッシュ装置が並列に接続されてもフラッシュＣＰＵ６５が破損しないようにするためである。
【００３０】
フラッシュＣＰＵ６５は、スイッチ類として、情報設定スイッチ群６３、メインスイッチ６４を備えている。
メインスイッチ６４はスライドスイッチでＯＦＦ、ＷＬ（ワイヤレス）、ＯＮの位置で停止する構成となっており、メインスイッチ６４のＷＬ端子、ＯＮ端子が各々ポートＰ１、Ｐ０に接続されている。
【００３１】
情報設定スイッチ群６３は、ポート群Ｐａを介してフラッシュＣＰＵ６５に接続されている。情報設定スイッチ群６３には、調光モード要求設定スイッチ、シンクロ要求設定スイッチ、ワイヤレスモード設定スイッチ、システム切替スイッチ等が含まれている。
調光モード要求設定スイッチは、1回押される毎にＴＴＬ、外光オート、マニュアルを切り換えて調光モード要求を設定する。
シンクロ要求設定スイッチは、先幕、順次、フラット発光（ＦＰ）のいずれかをシンクロ要求として設定する。先幕はシャッタ先幕の走行完了時に発光するモードである。順次は、先幕のフラッシュが発光した後、クエンチ信号の立下り時に発光するモードである。ＦＰは、ほぼ均一な光量で所定時間発光し続けるモードである。
【００３２】
ワイヤレスモード設定スイッチは、コントローラモード、マスターモード、スレーブモードのいずれかを設定する。コントローラモードは、スレーブフラッシュをワイヤレス制御するモードである。マスターモードは、スレーブフラッシュをワイヤレス制御するとともに露光のための発光を行うモードである。スレーブモードは、カメラには装着されず、ワイヤレス信号を受信することによって発光するモードである。つまり、コントローラモードまたはマスターモードは、フラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着されて外部フラッシュとして機能するときに設定可能であり、スレーブモードはフラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着しないスレーブフラッシュとして機能するときに設定可能である。
このワイヤレスモード設定は、メインスイッチ６４がＷＬ位置にある場合のみ、有効である。
【００３３】
システム切替スイッチは、フラッシュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合に有効であり、旧システム対応モードまたは新システム対応モードのいずれかを設定するためのスイッチである。なお、スレーブフラッシュは、旧システム対応モードでは内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの単発の微少発光により発光し、新システム対応モードでは複数のワイヤレス信号を順次受信することによって本発光を開始する（詳細は後述する）。
【００３４】
フラッシュＣＰＵ６５には、ワイヤレス受光素子５７の出力を処理するワイヤレス受光回路５８、外光オート受光素子７１の出力を処理する外光オート回路７０、調光確認情報など各種情報を表示するＬＣＤ表示器７２がそれぞれポート群Ｐｅ、Ｐｆ、Ｐｇを介して接続されている。ワイヤレス受光素子５７は、フラッシュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合に、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの発光を受光するための素子である。外光オート受光素子７１は調光モード指定が外光オートのとき、受光量を検出して発光制御するための素子である。
【００３５】
またフラッシュＣＰＵ６５には、電池５１の電圧を昇圧する昇圧回路６６がポートＰ２を介して接続されていて、充電検出回路６９のＲＬＳ出力端子がＡ／Ｄ変換ポートＰａｄを介して接続されている。昇圧回路６６によって昇圧された電圧は、ダイオード６７を介してメインコンデンサー７９に供給されるとともに、ダイオード６８を介して充電検出回路６９へ供給される。充電検出回路６９は、昇圧回路６６が駆動しているときのみ、メインコンデンサー７９の端子電圧Ｈｖと同等の電圧Ｈｖ´を入力し、メインコンデンサー７９の充電電圧を検出する。
【００３６】
またフラッシュＣＰＵ６５には、３０Ｖ発生回路７７、レベルシフト回路７８、トリガー回路８０がそれぞれポートＰ４、Ｐ５、Ｐ３を介して接続されている。３０Ｖ発生回路７７は、メインコンデンサー７９の端子電圧ＨＶを電源として３０Ｖｏｕｔ端子から３０Ｖの電圧を発生する回路である。３０Ｖ発生回路７７から出力された３０Ｖの電圧はレベルシフト回路７８に与えられる。
レベルシフト回路７８は、ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ信号）が“１”のとき、３０Ｖ発生回路７７から与えられた３０Ｖの電圧をＩＧＢＴ８３のゲートＩＧＢＴｇに印加し、ＩＧＢＴ８３をオンする。一方、ポートＰ５が“０”のとき、上記の電圧印加を止めてＩＧＢＴ８３をオフする。
トリガー回路８０は、キセノン管８２のトリガー電極ＸｅＴ端子に高圧の振動電圧を印加し、キセノン管８２内のキセノンガスを励起状態とする。この励起状態において、ＩＧＢＴ８３がオンしている場合はメインコンデンサー７９の蓄積電荷がコイル８１、キセノン管８２、ＩＧＢＴ８３を介して放電され、キセノン管８２が発光する。
【００３７】
さらにフラッシュＣＰＵ６５には、コンパレータ７５の非反転入力端子がＤ／Ａ変換ポートＰｄａを介して接続され、コンデンサー７３、抵抗７４がそれぞれポートＰ６、Ｐ７に接続されている。コンデンサー７３と抵抗７４の接続点はコンパレータ７５の反転入力端子に接続されている。コンパレータ７５の反転入力端子には、さらに発光量検出受光素子８５が接続されている。発光量検出受光素子８５は、発光ユニット５５の保護ガラス５５ｂを介してキセノン管８２の発光を直接受光できる位置に設けられていて、キセノン管８２から発せられた光を受光するとその受光量に対応する光電流を出力する。
コンパレータ７５は、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄａから入力した所定電圧ＦＰｌｖｌと発光量検出受光素子８５の出力に対応する電圧ＰＤｆｌとを比較し、電圧ＰＤｆｌが所定の電圧ＦＰｌｖｌ以下のときは“０”を、電圧ＰＤｆｌが所定の電圧ＦＰｌｖｌを超えているときは“１”を出力する。コンパレータ７５の出力は抵抗７６を介してレベルシフト回路７８に与えられる。レベルシフト回路７８は、ポートＰ５が入力モードに設定されているとき、コンパレータ７５の出力をＩＧＢＴｃｔｌ信号として入力し、ＩＧＢＴ８３をオン／オフする。
【００３８】
以上はフラッシュ装置５０の制御系の概要構成であるが、次に図３４を参照し、フラッシュＣＰＵ６５のポート群Ｐｄの構成について説明する。
【００３９】
図３４は、フラッシュＣＰＵ６５のポート群Ｐｄの各ポートＰｄ１，Ｐｄ２，Ｐｄ３，Ｐｄ４の内部構成を示す一実施例である。
入出力端子Ｐｄは、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０２，４０３、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４の各ドレインに接続される。ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０２のソースはプルアップ抵抗４０１を介して定電圧ラインＶｄｄ１に、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３のソースは定電圧ラインＶｄｄ１に、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４のソースはグランドに各々接続される。またＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０２とＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４のゲートは２入力ＮＯＲゲート４０６の出力に、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３のゲートは２入力ＮＡＮＤゲート４０５の出力に各々接続される。２入力ＮＯＲゲート４０６は、一方の入力がＩＮ／ＯＵＴ端子に接続され、他方の入力がＰｄＯＵＴ端子に接続される。２入力ＮＡＮＤゲート４０５は、一方の入力がＩＮ／ＯＵＴを入力とするインバータ４０８の出力に接続され、他方の入力がＰｄＯＵＴ端子に接続される。入出力端子Ｐｄはインバータ２０７を介してＰｄＩＮ端子に接続される。
【００４０】
上記構成において、ポートの入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子が“１”の状態においては、ＰｄＯＵＴ端子の状態に拘わらず、２入力ＮＯＲゲート４０６の出力は“０”となるから、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４はＯＦＦの状態にある。また、２入力ＮＡＮＤゲート４０５の出力は“１”であり、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３もＯＦＦの状態にある。よって、ＰｄＯＵＴ端子からの出力信号が入出力端子Ｐｄに出力されることはない。この場合、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０２はＯＮの状態にあるから、入出力端子Ｐｄはプルアップ抵抗４０１でプルアップされ、入出力端子Ｐｄの状態はインバータ４０７を介してＰｄＩＮ端子からフラッシュＣＰＵ６５内部に取り込まれる。
ポートの入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子が“０”の状態においては、Ｐｄｏｕｔ端子が“０”であればＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４はＯＮ、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３はＯＦＦであるから、入出力端子Ｐｄからは“０”が出力される。一方、Ｐｄｏｕｔ端子が“１”であれば、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ４０４はＯＦＦ、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４０３はＯＮであるから、入出力端子Ｐｄからは“１”が出力される。
即ちポート群Ｐｄは、入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子が“１”のときは入力モードとして、“０”のときは出力モードとして、それぞれ機能する。
【００４１】
以上の構成に基づき、先ずカメラボディ１０の動作について、図１０〜図１９に示されるフローチャートを参照して説明する。
『カメラボディ１０のメイン処理』
図１０はカメラのメイン処理に関するフローチャートである。カメラボディ１０に電池１が装填されると、ＣＰＵ１３はリセットされた後、メイン処理に入る。メイン処理に入ると先ず、各ポートを初期化し（Ｓ１００）、ＥＥＰＲＯＭ６０とのシリアル通信を実行してＥＥＰＲＯＭ６０の初期データを読み込み（Ｓ１０１）、メインスイッチＳＷＭがオンしているか否かをチェックする（Ｓ１０２）。
メインスイッチＳＷＭがオンしていないときは（Ｓ１０２；Ｎ）、メインスイッチオフ処理を実行し（Ｓ１０６）、表示素子５の表示を消灯する（Ｓ１０７）。メインスイッチオフ処理では、昇降圧ボルテージレギュレータ２の昇圧動作を停止させるほか、内蔵フラッシュ充電中であれば充電を停止する。そして、メインスイッチＳＷＭの割り込みを許可し（Ｓ１０８）、スリープ状態へ移行する（Ｓ１０９）。このスリープ状態では、メインスイッチＳＷＭの割り込みが許可されているため、メインスイッチＳＷＭが再度オンすると割り込みが発生し、Ｓ１００に戻ってメイン処理を開始する。
【００４２】
メインスイッチＳＷＭがオンしているときは（Ｓ１０２；Ｙ）、情報設定スイッチ群９の各スイッチ状態に基づいて各種モード・機能等を設定し（Ｓ１０３）、設定した各モード・機能のほか、調光確認情報などの撮影に関する情報を表示素子５に表示させ（Ｓ１０４）、内蔵フラッシュ充電処理を実行する（Ｓ１０５）。内蔵フラッシュ充電処理では、メインスイッチＳＷＭがオンしたとき、内蔵フラッシュが発光した直後、または内蔵フラッシュがポップアップしたとき等の所定条件を満たすか否かを判定し、所定条件を満たしたときに、内蔵フラッシュ回路１４が備えたフラッシュ発光用のコンデンサーを充電する処理である。
【００４３】
続いて、測光スイッチＳＷＳまたはレリーズスイッチＳＷＲがオンしているか否かをチェックし（Ｓ１１０）、測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッチＳＷＲがいずれもオンしていなかったときはメインスイッチオン処理を実行する（Ｓ１１０；Ｎ、Ｓ１１６）。メインスイッチオン処理では、内蔵フラッシュ充電中でなければ昇降圧ボルテージレギュレータ２の昇圧動作を停止する等の処理を行う。そして１２５ｍｓのタイマーＡをスタートさせ（Ｓ１１７）、タイマーＡの割り込みを許可し（Ｓ１１８）、スリープ状態へ移行する（Ｓ１１９）。Ｓ１１９のスリープ状態では、タイマーＡの割り込みが許可されているため、タイマーＡがタイムアップしたら割り込みが発生し、Ｓ１０２から処理が続行される。したがって、メインスイッチＳＷＭがオンしていて、測光スイッチＳＷＳ及びレリーズスイッチＳＷＲのいずれもがオフしている状態では上記Ｓ１０２〜Ｓ１１０、Ｓ１１６〜Ｓ１１９の処理が１２５ｍｓに１回実行される。
【００４４】
Ｓ１１０で測光スイッチＳＷＳ、レリーズスイッチＳＷＲのいずれかがオンしているときは（Ｓ１１０；Ｙ）、出力ポートＰ３を“０”にして昇降圧ボルテージレギュレータ２に昇圧を開始させ、電池１の電圧が降下しても昇降圧ボルテージレギュレータ２の出力電圧Ｖｄｄを一定に保持し（Ｓ１１１）、レンズ通信インターフェース７を介して撮影レンズ（不図示）とレンズ通信を実行してレンズ情報を読み込む（Ｓ１１２）。Ｓ１１２で読み込むレンズ情報としては、開放Ｆ値情報Ａｖｍｉｎ、測光補正情報Ａｖｃ、焦点距離情報ｆ、距離情報Ｄｖ等がある。レンズ通信処理を実行したら、フラッシュ接続端子４を介してカメラボディ１０に接続された外部フラッシュとの間で通信を行い、外部フラッシュへＣＦ情報を出力する一方、外部フラッシュからＦＣ情報を入力する（Ｓ１１３）。
【００４５】
続いて、位相差方式のＡＦ回路１６から被写体像のビデオ信号を入力してデフォーカス量を演算し、モータ制御回路１５を介してＡＦモータ（不図示）を駆動して撮影レンズの焦点調節レンズ群（不図示）を合焦位置まで移動させるＡＦ処理を実行する（Ｓ１１４）。ＡＦ処理を実行したら、測光回路１９から分割受光素子２２の出力に対応する測光信号を入力し、入力した測光信号や撮影モード情報、レンズ情報、フラッシュ情報等に基づいて適正シャッタ速度及び絞りを算出するＡＥ処理を実行する（Ｓ１１５）。このＡＥ処理では、さらに、フラッシュ発光が必要か否かが判断される。
【００４６】
ＡＥ処理を実行したら、レリーズスイッチＳＷＲがオンしているか否かをチェックし（Ｓ１２０）、レリーズスイッチＳＷＲがオンしていないときはＳ１０２へ戻る（Ｓ１２０；Ｎ）。レリーズスイッチＳＷＲがオンしているときは、所定のレリーズ条件を満たしているか否かを判定するレリーズ条件判定処理を実行する（Ｓ１２０；Ｙ、Ｓ１２１）。ここでレリーズ条件とは、例えばＡＦモードとして合焦優先モードが設定されている場合には合焦していること、撮影モードとして低輝度であって内蔵フラッシュの充電が完了していないときにレリーズ動作を禁止するモードが設定されている場合には、内蔵フラッシュの充電が完了していること、等である。
【００４７】
レリーズ条件を満たしていないときはＳ１０２へ戻り（Ｓ１２２；Ｎ）、レリーズ条件を満たしている場合には、レリーズ前の最終的なフラッシュ通信処理を行い（Ｓ１２３）、ＰｒｅＮｅｅｄフラグにより予備発光が必要か否かを判定する（Ｓ１２４）。ＰｒｅＮｅｅｄフラグに“１”が設定されているときは予備発光処理を実行し（Ｓ１２４；Ｙ、Ｓ１２５）、ＰｒｅＮｅｅｄフラグに“０”が設定されているときはＳ１２５をスキップする（Ｓ１２４；Ｎ）。
【００４８】
そして、モータ制御回路１５を介してミラーモータ（不図示）を駆動させてミラー（不図示）をアップさせ（Ｓ１２６）、絞り制御回路１７を介して撮影レンズの絞りを設定された絞り値まで絞り込み（Ｓ１２７）、シャッタ制御回路１８を介してシャッタ幕の走行を制御して露出させる（Ｓ１２８）。露出が終了したら、モータ制御回路１５を介してミラーモータ（不図示）を駆動させてミラーをダウンさせるとともにフィルムモータ（不図示）を駆動させてフィルムを１コマ分巻き上げてＳ１０２へ戻る（Ｓ１２９）。
【００４９】
『フラッシュ通信処理』
メイン処理のＳ１１３、Ｓ１２３で実行されるフラッシュ通信処理について、図１１を参照して詳細に説明する。この処理に入ると先ず、外部フラッシュとの間でＦＣ通信を実行し、ＦＣ情報を入力する（Ｓ１５０）（表１、表２参照）。なお、ＦＣ通信の初期データには規定コードが含まれている。この規定コードを正しく受信できないとき、ＣＰＵ１３はカメラボディ１０に装着された外部フラッシュはないと判断する。この場合、後述するＣＦ通信、モード４通信、モード３通信内の処理で通信を行わない構成となっている。
【００５０】
ＦＣ通信処理を実行したら、入力したＷＬｒｅｑフラグに“１”がセットされているか否かをチェックする（Ｓ１５１）。ＷＬｒｅｑフラグに“１”がセットされているとき、即ち外部フラッシュのメインスイッチ６４がＷＬ位置にあり、且つワイヤレスモード設定がコントローラかマスターであるときは（Ｓ１５１；Ｙ）、外部フラッシュを使ってワイヤレス制御する／しないを識別するＷＬｓｅｔフラグに“１”（する）をセットし（Ｓ１５３）、内蔵フラッシュを使ってワイヤレス制御する／しないを識別するＷＬｉｎｔフラグに“０”（しない）をセットしてＳ１５７へ進む（Ｓ１５６）。このようにＳ１５３でＷＬｓｅｔフラグに“１”がセットされたときは、必ずＳ１５６でＷＬｉｎｔフラグに“０”がセットされるので、ＷＬｓｅｔフラグとＷＬｉｎｔフラグが同時に“１”となることはない。また内部フラッシュを使用したワイヤレス制御は、外部フラッシュを使用したワイヤレス制御がない場合にのみ有効である。
【００５１】
ＷＬｒｅｑフラグに“１”がセットされていないとき、即ちカメラボディ１０に外部フラッシュが装着されていないか、または外部フラッシュのメインスイッチ６４がＷＬ位置にないときは（Ｓ１５１；Ｎ）、ＷＬｓｅｔフラグに“０”をセットし（Ｓ１５２）、ワイヤレス制御をしないＷＬｏｆｆモードが設定されていないかどうか、及び内蔵フラッシュの充電が完了しているか否かをチェックする（Ｓ１５４）。ＷＬｏｆｆモードが設定されておらず、且つ内蔵フラッシュの充電が完了していたときは、ＷＬｉｎｔフラグに“１”をセットする（Ｓ１５４；Ｙ、Ｓ１５５）。ＷＬｏｆｆモードが設定されているか、あるいは内蔵フラッシュの充電が完了していないときは、ＷＬｉｎｔフラグに“０”を設定してＳ１５７へ進む（Ｓ１５４；Ｎ、Ｓ１５６）。
【００５２】
Ｓ１５７では、ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが“０”か否かをチェックする。ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグがいずれも“０”のときは（Ｓ１５７；Ｙ）、ワイヤレス制御を行わないので、Ｓ１５０で入力した充電完了信号Ｃｈａｒｇｅフラグにより外部フラッシュの充電が完了しているか否かをチェックし（Ｓ１５８）、充電が完了していなければ調光モード指定にＴＴＬを設定し、予備発光が必要か否かを識別するＰｒｅＮｅｅｄフラグに“０”（不要）をセットしてＳ１６２へ進む（Ｓ１５８；Ｎ、Ｓ１６１）。
ＷＬｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグのいずれかが“０”でないとき（Ｓ１５７；Ｎ）、ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが両方とも“０”であっても外部フラッシュの充電が完了しているときは（Ｓ１５８；Ｙ）、ＰｒｅＮｅｅｄフラグに“１”（必要）をセットし（Ｓ１５９）、シンクロ要求情報、充電完了信号、ワイヤレス制御するか否か等に基づき、表４−１、表４−２、表４−３からシンクロモード指定、予備発光モードＰｒｅＭ、調光モード指定を決定する（Ｓ１６０）（詳細は後述する）。なお、予備発光モードＰｒｅＭには、全フラッシュ（内蔵フラッシュ除く）を同時に予備発光させる第１の予備発光モードと、全フラッシュ（内蔵フラッシュ除く）を規定の順番（先幕、順次）で予備発光させる第２の予備発光モードがある。予備発光モードＰｒｅＭには、第１の予備発光モードが選択されたとき“０”が、第２の予備発光モードが選択されたとき“１”が設定される。
【００５３】
各モード指定を決定したら、式；Ｔｆｐ＝１／２Tv＋Ｔｃｔｎにより求めたフラット発光時間Ｔｆｐ（ｍｓ）をセットし（Ｓ１６２）、式；Ｄｖｍａｘ＝Ｇｖ−Ａｖ＋（Ｓｖ−５）より求めた最長調光距離Ｄｖｍａｘをセットし（Ｓ１６３）、レンズ焦点距離情報にＳ１１２のレンズ通信処理で入力したレンズ焦点距離ｆをセットする（Ｓ１６４）。なお、Ｔｃｔｎはシャッタ先幕の走行時間である。またＴｖ，Ｄｖ，Ｇｖ，Ａｖ，Ｓｖは、シャッタ速度，距離，ガイドナンバー，絞り，フィルム感度のアペックス表示量である。
【００５４】
そして、以上の処理で設定したＣＦ情報を外部フラッシュに転送するＣＦ通信を実行する（Ｓ１６５）（表４参照）。ＣＦ通信を実行したら、発光モード指定に対応させてワイヤレス信号間隔（微少発光間隔）ＴＷ１ＭをＲＡＭ１３ａにセットする（Ｓ１６６−１〜Ｓ１６６−５）。先ず、シンクロ指定がＦＰか否かをチェックし（Ｓ１６６−１）、ＦＰであればＴＷ１Ｍに５．２ｍｓをセットする（Ｓ１６６−１；Ｙ、Ｓ１６６−２）。シンクロ指定がＦＰでないときは、予備発光モードＰｒｅＭをチェックする（Ｓ１６６−１；Ｎ、Ｓ１６６−３）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”であればＴＷ１Ｍに４．２ｍｓをセットし（Ｓ１６６−３；Ｙ、Ｓ１６６−４）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”でなければＴＷ１Ｍに３．２ｍｓをセットする（Ｓ１６６−３；Ｎ、Ｓ１６６−５）。
そして、情報設定ＳＷ群９のテストＳＷがオフからオンに変化したか否かをチェックし（Ｓ１６７）、変化があったときはテスト発光処理を実行してリターンする（Ｓ１６７；Ｙ、Ｓ１６８）。テストＳＷの変化がなかったときは、Ｓ１６８をスキップしてリターンする（Ｓ１６７；Ｎ）。
【００５５】
表１に、外部フラッシュからカメラボディ１０に送信されるＦＣ情報の一例を示す。
【表１】
0004714351.tif 000002
【００５６】
調光モード要求には、外部フラッシュで設定された調光モードに対応するデータがセットされる。ワイヤレス要求情報となるＷＬｒｅｑフラグには、外部フラッシュのワイヤレスモードがコントローラかマスターのときに“１”がセットされる。Ｇｎｏ情報にはフラッシュの画角に対応するガイドナンバーＧｎｏのアペックス表示量Ｇｖがセットされる。調光確認情報には、外部フラッシュが発光したときに、カメラから発光開始指令を入力してから発光停止指令を入力するまでの時間に応じて、「適正」、「近」、「遠」のいずれかがセットされる。バウンス情報となるＢｏｕｎｃｅフラグには、外部フラッシュの発光部がバウンスあるいは回転されたときに“１”がセットされる。
【００５７】
表２にシンクロ要求、充電完了信号のデータ内容の一例を示した。
【表２】
0004714351.tif 000003
【００５８】
シンクロ要求は、３ビットのデータであり、外部フラッシュで設定されたシンクロ要求に対応するビットに“１”がセットされる。また、充電完了信号は４ビットのデータであり、充電が完了していればシンクロ要求に対応するビットに“０”がセットされる。この充電完了信号は“１”が優先されるように構成されている。そして、例えば複数の外部フラッシュが同じシンクロ要求でカメラボディ１０に装着されている場合には、外部フラッシュが全て充電完了したときに初めて、シンクロ要求に対応する充電完了信号のビットに“０”がセットされる。充電完了信号のビット３は、ワイヤレス制御用として設けられていて、ワイヤレス制御可能なレベルまで充電が完了しているときに“０”がセットされる。なお、外部フラッシュのワイヤレスモードがコントローラのとき、充電完了信号はワイヤレス制御用に対応する位置にしかセットされない。これに対し、ワイヤレスモードがマスターのとき、充電完了信号はワイヤレス制御用のビットとシンクロ要求に対応するビットにセットされる。
【００５９】
表３に、カメラボディ１０から外部フラッシュへ送信されるＣＦ情報の一例を示した。
【表３】
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【００６０】
調光モード指定は、外部フラッシュから送信された調光モード要求よりも優先される。つまりフラッシュＣＰＵ６５は、例えば調光モード要求がマニュアルであっても、調光モード指定がＴＴＬであればＴＴＬを設定する。但し、調光モード指定がＮＡの場合には、調光モード要求に対応するモードを設定する。シンクロ指定は、複数の外部フラッシュがカメラボディ１０に装着された場合にカメラ（ＣＰＵ１３）が適切なモードを判断して通信するため、外部フラッシュのシンクロ要求よりも優先される。同様に、ワイヤレス指定もワイヤレス要求より優先される。
【００６１】
フラッシュ通信処理のＳ１６０で実行されるシンクロ指定、予備発光モードＰｒｅＭ、調光モード指定の決定処理について説明する。これら各モードは、シンクロ要求、充電完了信号、ワイヤレス制御の有無を判断要素とし、表４−１、表４−２、表４−３に基づいて設定される。表４の各々において、「充完あり」の場合、シンクロ要求に示した○印は充電完了信号があったとき、×印は充電完了信号がなかったとき、−印は充電完了信号があってもなくてもよいことを表している。一方の「充完なし」の場合は、シンクロ要求に示した○、×、−の全てに対して充電完了信号がなく、○印に対するシンクロ要求があり、×印に対するシンクロ要求がなく、−印に対するシンクロ要求があってもなくてもよいことを表している。なお、シンクロ要求、充電完了信号は外部フラッシュからカメラボディ１０へ送信される情報であり、一方のシンクロ指定、予備発光モードＰｒｅＭ、調光モード指定はカメラボディ１０から外部フラッシュへ送信される情報である。
【００６２】
【表４−１】
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【００６３】
表４−１はワイヤレス制御を行わない場合を示している。以下では、ワイヤレス制御を行わない場合について説明する。
シンクロ指定は、ワイヤレス制御を行わない場合であって、シンクロ要求が先幕のフラッシュと順次のフラッシュとがカメラボディ１０に装着され、且つ両方とも充電が完了している場合のみ、順次が設定される。これ以外の場合には通常、先幕が設定される。但し、シンクロ要求がＦＰである場合には、カメラのシャッタ速度がフラッシュ同調速度以上であればＦＰが設定され、フラッシュ同調速度未満であれば先幕が設定される。
【００６４】
調光モード指定は基本的にＴＴＬが設定される。これは、ＴＴＬが倍率と比較して、遠距離被写体、近距離被写体、高輝度被写体である場合に対しての特性に優れているためである。但し、シンクロ要求がＦＰである場合には、カメラのシャッタ速度がフラッシュ同調速度以上であれば倍率が設定され、フラッシュ同調速度未満であればＴＴＬが設定される。
【００６５】
予備発光モードＰｒｅＭは、シンクロ指定に基づいて設定される。即ち、シンクロ指定が順次である場合にのみ、予備発光モードＰｒｅＭに“１”が設定される。この予備発光モードＰｒｅＭが“１”の場合は、シンクロ要求が先幕のフラッシュを１回目に発光させ、シンクロ要求が順次のフラッシュを２回目に発光させる第２の予備発光モードが選択されている場合である。予備発光モードＰｒｅＭが“０”の場合には、全フラッシュ（内蔵フラッシュを除く）を同時に発光させる第１の予備発光モードが選択されている場合である。
【００６６】
なお、充電完了信号がなかった場合には、フラッシュを発光させないため、シンクロ指定及び調光モード指定にはＮＡモードが設定され、予備発光モードＰｒｅＭには“０”が設定される。また*１を付した項目では内蔵フラッシュでも同様の制御を行う。
【００６７】
【表４−２】
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【表４−３】
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【００６８】
表４−２は外部フラッシュを使ってワイヤレス制御する場合を示し、表４−３は内蔵フラッシュを使ってワイヤレス制御する場合を各ワイヤレスモード別に示したものである。この場合、シンクロ指定は基本的に先幕が設定されるが、シンクロ要求がＦＰである場合は、カメラのシャッタ速度がフラッシュ同調速度以上か否かに応じて先幕かまたはＦＰが前述の表４−１と同様に設定される。
【００６９】
調光モード指定は、基本的に倍率が設定されるが、内蔵フラッシュが露光のために発光するＷＬＭモードでワイヤレス制御が実行される場合には、内蔵フラッシュが予備発光できないためＴＴＬが設定される。但し、調光モード指定はカメラボディ１０に装着された外部フラッシュに対して有効であり、スレーブフラッシュはすべて倍率で制御される。
【００７０】
予備発光モードＰｒｅＭは、シンクロ指定に関わらず、内蔵フラッシュを露光のために発光させるか否かによって決定される。つまり、ＷＬＭモードでワイヤレス制御が実行される場合は予備発光モードＰｒｅＭに“０”が設定され、ＷＬＭモード以外でワイヤレス制御が実行される場合には予備発光モードＰｒｅＭに“１”が設定される。
【００７１】
『予備発光処理』
次に、メイン処理のＳ１２５で実行される予備発光処理について、図１２及び図１３を参照して説明する。予備発光処理は、本発光量を設定するためにフラッシュを発光させる処理であって、レリーズスイッチＳＷＲがオンすると、本発光（露出処理）の前に実行される。この処理に入ると先ず、ＷＬｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグに“１”がセットされているか否かをチェックする（Ｓ２００）。ＷＬｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグのいずれかに“１”がセットされているときは、スレーブフラッシュをワイヤレス制御するので、予備発光強度ＰｒｅＰに１をセットし、予備発光時間ＰｒｅＴに１をセットし、Ｓ２０４へ進む（Ｓ２００；Ｙ、Ｓ２０３）。
【００７２】
ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグのいずれも“１”でなかったときは、スレーブフラッシュをワイヤレス制御しないので、Ｓ１１２で入力した距離情報Ｄｖが３（２．８ｍ）を超えているか否か、Ｓ１１５で求めた外光下における被写体輝度Ｂｖが６を超えているか否かをチェックする（Ｓ２０１−１）。この距離情報Ｄｖ、被写体輝度Ｂｖはアペックス値である。
距離情報Ｄｖが３を超えているか、または被写体輝度Ｂｖが６を超えているときは、予備発光強度ＰｒｅＰに１をセットする（Ｓ２０１−１；Ｙ、Ｓ２０１−２）。遠距離の場合は一般的に反射光が強くないため、また、高輝度の場合は予備発光が外光に埋もれる可能性があるためである。
一方、距離情報Ｄｖが３を超えておらず、且つ被写体輝度Ｂｖが６を超えていないときは、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２をセットする（Ｓ２０１−１；Ｎ、Ｓ２０１−３）。近距離の場合は一般的に反射光が強く、低輝度の場合は予備発光強度が弱くても予備発光が外光に埋もれる可能性が低いから、予備発光強度を弱くして外部フラッシュの消費電力を低減させるためである。
【００７３】
続いて、距離情報Ｄｖとレンズの開放Ｆ値Ａｖｍｉｎの和が８未満か否かをチェックし（Ｓ２０２−１）、８未満であれば予備発光時間ＰｒｅＴに１をセットし（Ｓ２０２−１；Ｙ、Ｓ２０２−２）、８未満でなければ予備発光時間ＰｒｅＴに２をセットする（Ｓ２０２−１；Ｎ、Ｓ２０２−３）。
予備発光の受光量は、距離情報Ｄｖ及びレンズの開放Ｆ値Ａｖｍｉｎに比例するものであって、距離情報Ｄｖ、レンズの開放Ｆ値Ａｖｍｉｎが大きくなると受光量が小さくなるから、受光応答の遅れが生じる。したがって、距離情報Ｄｖとレンズの開放Ｆ値Ａｖｍｉｎの和が８以上のときは、応答遅れがあっても予備発光を正しく測光できるように、予備発光時間ＰｒｅＴを２倍としている。
【００７４】
そして発光モード指定に予備発光モードをセットし（Ｓ２０４）、外部フラッシュへ送信する（Ｓ２０５）。ＣＦ通信を実行したら、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ２０６）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”でないときは、内蔵フラッシュを使ってワイヤレス制御しないため、モード４通信を実行して４パルスの信号を外部フラッシュに送信し、Ｓ２１３−１へ進む（Ｓ２０６；Ｎ、Ｓ２０７）。外部フラッシュは、カメラ接続端子５６のＣ端子を介して４パルスの信号を入力すると、予備発光する。但し、ＷＬｓｅｔフラグが“１”の場合に外部フラッシュは、スレーブフラッシュに予備発光指令信号であるワイヤレス信号を送信するため２回微少発光し、その後、スレーブフラッシュとほぼ同時に予備発光を開始する。
【００７５】
図６（ｄ）には予備発光波形を示してある。予備発光モードＰｒｅＭが“０”である場合は、全フラッシュが同時に予備発光し、１回のみ予備発光が行われる（図６において左方）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”である場合は、各フラッシュが設定されたシンクロ要求で所定の順番で発光し、合計２回の予備発光が行われる。なお図６（ｄ）において、時間Ｔｉｎｔは上記２回の予備発光の間隔であり、本実施例では２．５ｍｓに設定されている。
【００７６】
一方、ＷＬｉｎｔフラグが“１”のときは（Ｓ２０６；Ｙ）、フラッシュ通信処理（図１１）でＲＡＭ１３ａにセットしたワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍからモード４通信処理に要する時間Ｔｍｏｄｅ４を減算した値をタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタートさせ（Ｓ２０８）、内蔵フラッシュ微少発光処理を実行し（Ｓ２０９）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ２１０；Ｎ）。内蔵フラッシュ微少発光処理は、スレーブフラッシュにワイヤレス信号を送信するため、内蔵フラッシュを３０μｓ微少発光させる処理である。タイマーＢオーバーフローフラグはタイマーＢがタイムアップすると“１”となるフラグである。
【００７７】
タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったら（Ｓ２１０；Ｙ）、モード４通信処理を実行して外部フラッシュに予備発光を開始させ（Ｓ２１１）、内蔵フラッシュ微少発光処理を再実行し、Ｓ２１３−１へ進む（Ｓ２１２）。
上記Ｓ２０９とＳ２１２の内蔵フラッシュの２回の微少発光（予備発光指令信号送信）は、ＲＡＭ１３ａにメモリされている間隔ＴＷ１Ｍで実行される。したがって、タイマーＢがタイムアップしてからＳ２１１のモード４通信を実行することにより、Ｓ２１２の微少発光とＳ２１１のモード４通信がほぼ同時に完了し、スレーブフラッシュの予備発光と外部フラッシュの予備発光が同期して行われる。
【００７８】
図６（ｅ）にはワイヤレス信号波形（発光、受光）及び予備発光波形を示してある。図中に示した間隔ＴＷ１は実際にワイヤレス受光素子５６が受光する間隔（実測値）である。なお、上述した間隔ＴＷ１Ｍは、ＲＡＭ１３ａにメモリしてあるメモリ値である。
【００７９】
スレーブフラッシュは、微少発光（ワイヤレス信号）の間隔ＴＷ１によって発光指令を認識する。即ち、間隔ＴＷ１が３．２ｍｓのときは、予備発光モードＰｒｅＭ“０”で予備発光させる予備発光指令であるから、全フラッシュが同時に予備発光し、１回のみ予備発光が行われる。間隔ＴＷ１が４．２ｍｓのときは、予備発光モードＰｒｅＭ“１”で予備発光させる予備発光指令であるから、各スレーブフラッシュはシンクロ要求モードで予備発光し、合計で２回予備発光が行われる。つまり、シンクロ要求が先幕のフラッシュが先に予備発光し、その後、順次のフラッシュが予備発光する。また間隔ＴＷ１が５．２ｍｓのときは、シンクロ指定＝ＦＰ及び予備発光モードＰｒｅＭ“１”で予備発光させる予備発光指令であり、間隔ＴＷ１が６．２ｍｓのときは、発光モード指定＝テスト及び予備発光モードＰｒｅＭ“１”でテスト発光を行うテスト発光指令である。
【００８０】
Ｓ２１３−１では、ＷＬｓｅｔフラグが“１”か否かをチェックする。ＷＬｓｅｔフラグが“１”であれば、外部フラッシュの微少発光（ワイヤレス信号送信）が終了するまで待つため、ＲＡＭ１３ａにメモリしてあるワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍだけ待機し（Ｓ２１３−１；Ｙ、Ｓ２１３−２）、ＷＬｓｅｔフラグが“１”でなければＳ２１３−２をスキップする（Ｓ２１３−１；Ｎ）。
【００８１】
そして予備発光データ取得処理を実行する（Ｓ２１４）。予備発光データ取得処理は、詳細は後述するが、予備発光時の分割受光素子２２の受光量に基づき、発光倍率Ｍｖ及びＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃを算出する処理である。予備発光データ取得処理を実行したら、シンクロ指定が順次か否かをチェックする（Ｓ２１５）。シンクロ指定が順次であるときは（Ｓ２１５；Ｙ）、１回目の発光量と２回目の発光量の比が（１／３）：（２／３）となるように、ＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃ１、Ｆｃ２に各々Ｆｃ１−１．５８、Ｆｃ２−０．５８の値を上書きメモリし、同様に発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２に各々Ｍｖ１−１．５８、Ｍｖ２−０．５８の値を上書きメモリする（Ｓ２１６）。
シンクロ指定が順次でないときは（Ｓ２１５；Ｎ）、内蔵フラッシュ発光条件を満たしているか否かをチェックする（Ｓ２１５−１）。内蔵フラッシュ発光条件を満たしている場合は（Ｓ２１５−１；Ｙ）、本発光時に内蔵フラッシュとスレーブフラッシュの光量比が（１／３）：（２／３）になるように、ＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃ１に−１．５８を上書きメモリし、発光倍率Ｍｖ１をＭｖ１−０．５８の値に上書きメモリする（Ｓ２１５−２）。
【００８２】
続いて、発光モード指定を倍率に設定して外部フラッシュに送信する（Ｓ２１７、Ｓ２１８）。ＣＦ通信を実行したら、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ２１９）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”のときは、ワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍ、ＴＷ２Ｍを各々ＴＷ１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ１＋５）×１２８／１０００（ｍｓ）、ＴＷ２Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ２＋５）×１２８／１０００（ｍｓ）から求め、ＲＡＭ１３ａに上書きメモリする（Ｓ２１９；Ｙ、Ｓ２２０）。
そして予備発光モードＰｒｅＭが“０”であれば、ＲＡＭ１３ａにメモリした間隔ＴＷ１Ｍで内蔵フラッシュを２回微少発光させて倍率信号としてのワイヤレス信号を送信し、リターンする（Ｓ２２１−１；Ｙ、Ｓ２２１−２）。この倍率信号を受信するとスレーブフラッシュは、発光倍率Ｍｖに発光倍率Ｍｖ１を設定する。一方、予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば、最初の間隔をＴＷ１Ｍ、後の間隔をＴＷ２Ｍとして内蔵フラッシュを３回微少発光させて倍率信号としてのワイヤレス信号を送信し、リターンする（Ｓ２２１−１；Ｎ、Ｓ２２１−３）。この倍率信号には発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２のデータが含まれており、スレーブフラッシュは設定されたシンクロ要求に応じて発光倍率Ｍｖを設定する。つまり、シンクロ要求に先幕が設定されているスレーブフラッシュは発光倍率ＭｖにＭｖ１を設定し、シンクロ要求に順次が設定されているスレーブフラッシュは発光倍率ＭｖにＭｖ２を設定する。
【００８３】
ＷＬｉｎｔフラグが“１”でないときは（Ｓ２１９；Ｎ）、ＷＬｓｅｔフラグをチェックする（Ｓ２２２）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”でないときは、ワイヤレス制御を行わないので、そのままリターンする（Ｓ２２２；Ｎ）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”のときは、倍率信号としてのワイヤレス信号をスレーブフラッシュに送信するため、モード４通信を実行して外部フラッシュを微少発光させ、（Ｓ２２２；Ｙ、Ｓ２２３）。
【００８４】
『予備発光データ取得処理』
次に、予備発光処理のＳ２１４で実行される予備発光データ取得処理について、図１４を参照して説明する。この処理に入ると先ず、変数ｍに１をセットし（Ｓ２５０）、プレＡ／Ｄ処理を実行する（Ｓ２５１）。プレＡ／Ｄ処理は、詳細は後述するが、分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９を切り換えながら各受光素子毎に該出力を複数回連続してＡ／Ｄ変換を行う処理を所定サイクル繰り返す処理である。
【００８５】
プレＡ／Ｄ処理を実行したら、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされているか否かをチェックし（Ｓ２５２）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされているときは、Ｓ２５１で求めたプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）（ｍ＝１〜９）に＋１加算した値をプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）として上書きメモリする（Ｓ２５２；Ｙ、Ｓ２５３）。Ｓ２５３の処理は、予備発光強度ＰｒｅＰ＝１／２で得られるＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）が予備発光強度ＰｒｅＰ＝１のときよりも１ＥＶ少ないのを補正するためである。予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされていないときはＳ２５３をスキップする（Ｓ２５２；Ｎ）。
【００８６】
続いて、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックし（Ｓ２５４）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないときは１回しか予備発光を実行ないのでＳ２５９へ進む（Ｓ２５４；Ｎ）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”のときは（Ｓ２５４；Ｙ）、２回目の予備発光による予備発光データを取得するため、変数ｍに１１をセットしてプレＡ／Ｄ処理を実行し（Ｓ２５５、Ｓ２５６）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされていれば、プレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）（ｍ＝１１〜１９）に＋１加算した値をプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ）として上書きメモリし（Ｓ２５７；Ｙ、Ｓ２５８）、予備発光強度ＰｒｅＰに１／２がセットされなければＳ２５８をスキップする（Ｓ２５７；Ｎ）。
【００８７】
続いて、予備発光なし（自然光）の状態におけるＡ／Ｄ変換データを得るため、変数ｍに２１をセットし（Ｓ２５９）、プレＡ／Ｄ処理を実行する（Ｓ２６０）。そして、変数ｍ＝１〜９に対してそれぞれ式；Ｂｖｐ（ｍ）＝ｌｎ（２Ad(m)―２Ad(m+20)）／ｌｎ２を実行して各測光領域１〜９についての予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を演算し、メモリする（Ｓ２６１）。つまり、このＳ２６１では、１回目の予備発光と自然光による光電流から自然光による光電流を減算して１回目の予備発光のみによる光電流を算出し、算出した値を再度対数圧縮して、自然光を含まない予備発光のみによる１回目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を得ている。
【００８８】
続いて、予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を用いて発光量演算処理を実行し（Ｓ２６２）、求めた発光倍率Ｍｖ、ＴＴＬ補正量のアペックス表示量ＦｃをそれぞれＭｖ１、Ｆｃ１としてメモリする（Ｓ２６３）。そして予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックし（Ｓ２６４）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないときはリターンする（Ｓ２６４；Ｎ）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”のときは（Ｓ２６４；Ｙ）、変数ｍ＝１〜９に対してそれぞれ式；Ｂｖｐ（ｍ）＝ｌｎ（２Ad(m+10)―２Ad(m+20)）／ｌｎ２を実行して２回目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を演算し、メモリする（Ｓ２６５）。即ちＳ２６５では、２回目のプレＡ／Ｄ処理で求めたプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（１１）〜Ａｄ（１９）に基づいて２回目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）（ｍ＝１〜９）が求められる。そして、Ｓ２６５で求めた２回目の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）を用いて発光量演算処理を実行し（Ｓ２６６）、求めた発光倍率Ｍｖ、ＴＴＬ補正量のアペックス表示量ＦｃをそれぞれＭｖ２、Ｆｃ２としてメモリしリターンする（Ｓ２６７）。
【００８９】
『プレＡ／Ｄ処理』
次に、予備発光データ取得処理のＳ２５１、Ｓ２５６、Ｓ２６０で実行されるプレＡ／Ｄ処理について、図１５を参照して説明する。この処理に入ると先ず、２．５ｍｓのタイマーＡをスタートさせ（Ｓ３００）、予備発光が安定するように５０μｓ間待機する（Ｓ３０１）。そしてＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅに予備発光時間ＰｒｅＴを１２倍した値をセットし（Ｓ３０２）、変数ｎ、ｋにそれぞれ０、１をセットし、ポート群ＰｋのＰｋ１〜Ｐｋ４を“０”にセットして出力する（Ｓ３０３）。ポート群Ｐｋ１〜Ｐｋ４は測光回路１９のセレクター１０２に接続されている。Ｐｋ１〜Ｐｋ４の出力がすべて“０”の状態では、分割受光素子２２の受光素子２２_１がセレクター１０２によって選択され、受光素子２２_１の光電流に対応する出力電圧がポートＰｋ５に出力される（図２参照）。
【００９０】
続いて、タイマーＢオーバーフローフラグに“０”セットし（Ｓ３０４）、３３μｓのタイマーＢをスタートさせ（Ｓ３０５）、変数ｎが８未満か否かをチェックする（Ｓ３０６）。変数ｎが８未満のときは、ポートＰｋ５の入力電圧のＡ／Ｄ変換を連続して４回行い、そのＡ／Ｄ変換結果をアドレスＡ（ｍ＋ｎ，ｋ）、Ａ（ｍ＋ｎ，ｋ＋１）、Ａ（ｍ＋ｎ，ｋ＋２）、Ａ（ｍ＋ｎ，ｋ＋３）にメモリする（Ｓ３０９）。なお、Ｓ３０９の変数ｍの値は、予備発光データ取得処理のＳ２５０、Ｓ２５５、Ｓ２５９でセットされた値に対応する。
【００９１】
Ａ／Ｄ変換結果をメモリしたら、変数ｎに＋１加算して（Ｓ３１０）、変数ｎに対応する４ビット信号をポートＰｋ１〜Ｐｋ４に出力して分割受光素子２２の受光素子２２_（ｎ＋１）を選択し（Ｓ３１１）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機して（Ｓ３１２；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったらＳ３０４へ戻る（Ｓ３１２；Ｙ）。Ｓ３０４へ戻ったら、Ｓ３０６で変数ｎが８未満でないと判断するまで、Ｓ３０４〜Ｓ３０６、Ｓ３０９〜Ｓ３１２の処理を繰り返す。これにより、分割受光素子２２の受光素子２２_１〜２２_９が３３μｓ周期で切り換えられ、各受光素子２２_ｎの光電流に対応する出力電圧が４回連続してＡ／Ｄ変換され、メモリされる。
【００９２】
そしてＳ３０６で変数ｎが８未満でないと判断したときは、変数ｋに＋４加算するとともに変数ｎに０をセットし（Ｓ３０６；Ｎ、Ｓ３０７）、変数ｋがＳ３０２でセットしたＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上か否かをチェックする（Ｓ３０８）。変数ｋがＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上でないときは、Ｓ３０９へ進み、Ｓ３０９〜Ｓ３１２、Ｓ３０４〜Ｓ３０８の処理を繰り返す（Ｓ３０８；Ｎ）。即ち、変数ｋがＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上となるまでは、再度、分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９が３３μｓ周期で切り換えられ、各受光素子２２_ｎ毎に４回連続してＡ／Ｄ変換される。ここで、予備発光時間ＰｒｅＴが１のときは、Ａ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅに１２がセットされるため各受光素子２２_ｎの４回連続するＡ／Ｄ変換が３サイクル実行され、各受光素子２２_ｎのＡ／Ｄ変換データは１２個得られる。なお、このＡ／Ｄ変換処理時間は約９００μｓとなり、上記Ａ／Ｄ変換は予備発光時間ＰｒｅＴ（１ｍｓ）の５０μｓ前に終了する。また予備発光時間ＰｒｅＴが２のときは、各受光素子２２_ｎの４回連続するＡ／Ｄ変換が６サイクル実行され、各受光素子２２_ｎのＡ／Ｄ変換データは２４個得られる。
【００９３】
変数ｋがＡ／Ｄ変換回数Ｔｉｍｅ以上になったときは（Ｓ３０８；Ｙ）、上記Ａ／Ｄ変換で得た分割受光素子２２の変換データＡ（ｍ＋ｎ、ｋ）の中から各受光素子２２_（ｎ＋１）（変数ｎ；０〜８）毎に最高輝度に対応する最大値を求め、それぞれアドレスＡ（ｍ＋ｎ）ｍａｘにメモリする（Ｓ３１３）。続いて、分割受光素子２２の変換データＡ（ｍ＋ｎ、ｋ）のうち、Ｓ３１３で求めた最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘとの差が１ＥＶ以内である変換データの平均値を各受光素子２２_（ｎ＋１）（変数ｎ；０〜８）毎に求め、それぞれプレＡ／Ｄ変換データＡｄ（ｍ＋ｎ）（変数ｎ；０〜８）にメモリする（Ｓ３１４）。ここで、最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘよりも１ＥＶ以上小さい変換データを除外するのは、距離情報Ｄｖと開放Ｆ値Ａｖｍｉｎの和が所定値よりも大きい場合には、被写体からの反射光量が少なく、その結果、受光光量が少なくなって応答遅れを生じ、正確なＡ／Ｄ変換データでないおそれがあるからである。
【００９４】
そして、タイマーＡオーバフローフラグが“１”になるまで待機し（Ｓ３１５；Ｎ）、タイマーＡオーバフローフラグが“１”になったらこの処理を抜けてリターンする（Ｓ３１５；Ｙ）。これにより、プレＡ／Ｄ変換処理は正確に２．５ｍｓで終了される。
【００９５】
上述のように本実施形態では、各受光素子２２_１〜２２_９をその出力毎に複数回連続してＡ／Ｄ変換してから切り換えるので、１回Ａ／Ｄ変換する毎に分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９を切り換える従来よりも、一定期間内にＡ／Ｄ変換できる回数が増え、より多くの変換データを得ることができる。求めた変換データ数が多ければ、変換データの平均値は信頼性が高くなるので、より正確なＡ／Ｄ結果を得ることができる。本実施形態では、分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９を切り換える周期が３３μｓであるから、切り換え安定時間Ｔｓは１７μｓとなる。
【００９６】
また本実施形態では、求めた各変換データＡ（ｍ＋ｎ）の平均値を求める際に、最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘとの差が１ＥＶ以下の変換データを除外するので、低輝度下における受光の応答遅れを除去することができる。したがって、予備発光時に分割受光素子２２の受光量が少ないときでも予備発光を正しく測光できる。
【００９７】
なお本実施形態では、最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘとの差が１ＥＶ以内の変換データのみを平均した値をＡ／Ｄ結果としてプレＡ／ＤデータＡｄ（ｍ＋ｎ）にメモリしているが、最大値Ａ（ｍ＋ｎ）ｍａｘをＡ／Ｄ結果としてプレＡ／ＤデータＡｄ（ｍ＋ｎ）にメモリしてもよい。
【００９８】
図３１に示す予備発光波形は図７に示すＰＤｆｌ波形の一部を拡大したものであって、そのリップル周期は２０μｓ〜４０μｓ程度である。上述のプレＡ／Ｄ処理において、１回のＡ／Ｄ変換の処理時間は約４μｓなので、４回連続してＡ／Ｄ変換した場合の処理時間は１６μｓである。この処理時間１６μｓは予備発光波形のリップル周期の１／２周期となっている。そのため、予備発光波形のピークからボトムまでを含む半周期間についてＡ／Ｄ変換が実行される可能性が高く、正確な値を得ることができる。したがって本実施形態では４回連続してＡ／Ｄ変換する構成としている。
【００９９】
『発光量演算処理』
次に、予備発光データ取得処理のＳ２６２、Ｓ２６６で実行される発光量演算処理について図１６を参照して説明する。この処理に入ると先ず、距離情報Ｄｖがあるか否かをチェックする（Ｓ３５０）。この距離情報Ｄｖは、レンズ通信可能な撮影レンズがカメラボディ１０に装着されている場合に、Ｓ１１２のレンズ通信処理で入力される情報である。したがって、距離情報Ｄｖがない場合にはレンズ通信の行えない旧撮影レンズがカメラボディ１０に装着されていると判定する。なお、距離情報Ｄｖはアペックス値である。
【０１００】
距離情報Ｄｖがある場合にはＢｏｕｎｃｅフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ３５０；Ｙ、Ｓ３５１）、Ｂｏｕｎｃｅフラグが“１”でないとき、即ち外部フラッシュの発光部がバウンスされていないときは、ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ３５１；Ｎ、Ｓ３５２）。ＷＬｓｅｔフラグ及びＷＬｉｎｔフラグが両方とも“１”でないとき、即ちワイヤレス制御を実行しないときは、距離情報Ｄｖが−１（０．７ｍ）未満か否かをチェックする（Ｓ３５２；Ｎ、Ｓ３５３）。
【０１０１】
距離情報ＤｖがあってＢｏｕｎｃｅフラグが“１”でなく、且つワイヤレス制御を実行しない場合であって、さらに距離情報Ｄｖが−１未満でないときは（Ｓ３５３；Ｎ）、基準反射率の被写体に予備発光した場合の基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを式；Ｂｖｐｃ＝Ｋｓ−Ａｖｍｉｎ−Ｄｖにより求める（Ｓ３５４）。ここで、Ａｖｍｉｎは撮影レンズの開放Ｆ値であり、Ｋｓは式；Ｋｓ＝Ｂｖｐｓ＋Ｄｖｓにより求められる定数である。なお、Ｄｖｓは基準の距離（アペックス値）であり、Ｂｖｐｓは基準の距離Ｄｖｓにおいて基準反射率の被写体に予備発光強度ＰｒｅＰ＝１で予備発光した場合の被写体輝度であり、Ｂｖｐｓ−Ａｖｍｉｎは、予備発光時の被写体輝度が上述のＢｖｐｓであるときに、受光素子２２で測光される基準の予備発光輝度である。
【０１０２】
一方、距離情報Ｄｖがないとき（Ｓ３５０；Ｎ）、Ｂｏｕｎｃｅフラグが“１”のとき（Ｓ３５１；Ｙ）、ＷＬｓｅｔフラグまたはＷＬｉｎｔフラグのうち少なくともいずれかが“１”のとき（Ｓ３５２；Ｙ）、距離情報Ｄｖが−１未満のとき（Ｓ３５３；Ｙ）のいずれかである場合は、距離情報Ｄｖと予備発光の関係が一致しない条件（バウンスあり、ワイヤレス制御あり、フラッシュ装置の撮影範囲外となる近距離等）があるので、距離情報Ｄｖを用いずに基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを算出する（Ｓ３５５、Ｓ３５６）。
即ち、分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）（変数ｍ；１〜９）の中から最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘを抽出し、その最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘとの輝度差が５ＥＶ以内となる分割受光素子２２の受光素子ナンバーをレジスタＸにメモリする（Ｓ３５５）。ここで、最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘとの輝度差の境界を設定する輝度値５ＥＶは、一般的なネガフィルムのラチチュードに相当する値である。この輝度値は、ポジフィルムの場合には３ＥＶにするなど、使用するフィルムに応じて適宜設定可能である。また、最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘとの輝度差が５ＥＶ以上ある受光素子が除外されるのは、その予備発光輝度部に対応する被写体が最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｍ）ｍａｘに対応する被写体よりもはるか遠距離にあると考えられ、フラッシュの影響が少ないと考えられるためである。
【０１０３】
そして、Ｓ３５５でレジスタＸにメモリされた受光素子ナンバーに対応する予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）の中から最小予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎを抽出し、基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを式；Ｂｖｐｃ＝（Ｂｖｐ（ｘ）ｍａｘ＋Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎ）／２により求める（Ｓ３５６）。なお、上記抽出した最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍａｘと最小予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎは、Ｓ３５５の処理によりフィルムのラチチュードに入る範囲となっている。またＳ３５６で最小予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍｉｎがない場合には、基準予備発光輝度Ｂｖｐｃ＝最大予備発光輝度Ｂｖｐ（ｘ）ｍａｘとする。
【０１０４】
基準予備発光輝度Ｂｖｐｃを算出したら、高反射率または基準距離よりもはるかに近距離の被写体、低反射率または基準距離よりもはるかに遠距離の被写体を除外するため、基準予備発光輝度Ｂｖｐｃとの輝度差が±２ＥＶ以内となる分割受光素子２２の受光素子ナンバーをＣＰＵ１３内のＹレジスタにメモリする（Ｓ３５７）。そしてＹレジスタに受光素子ナンバーがメモリされていれば、Ｙレジスタにメモリされた受光素子に対応する予備発光輝度Ｂｖｐ（ｙ）の平均値を求め、これを演算予備発光輝度（平均予備発光輝度）Ｂｖｐｔｙｐにメモリし（Ｓ３５８；Ｎ、Ｓ３５９）、Ｙレジスタに何もメモリされていないときは、演算予備発光輝度Ｂｖｐｔｙｐに基準予備発光輝度Ｂｖｐｃをメモリする（Ｓ３５８；Ｙ、Ｓ３６０）。
【０１０５】
そして、Ｔｖ＋Ａｖ＋Ａｖｃ−Ｓｖ−Ｂｖｐｔｙｐ−Ａｖｍｉｎにより発光倍率Ｍｖを算出する（Ｓ３６１）。ここで、Ｔｖは適正シャッタ速度のアペックス表示量（但し、シャッタ速度Ｔｖがフラッシュ同調速度Ｔｖｘ未満のときはＴｖ＝Ｔｖｘ）、Ａｖは適正絞り値のアペックス表示量、Ａｖｃは測光補正アペックス情報、Ｓｖはフィルム感度のアペックス表示量である。
【０１０６】
発光倍率Ｍｖを算出したら、ＴＴＬ補正演算を実行する（Ｓ３６２〜Ｓ３６５）。ＴＴＬ補正演算では先ず、２(Bvp(n)-Bvptyp)により比率データＤ（ｎ）を算出する（Ｓ３６２）。この比率データＤ（ｎ）は、分割受光素子２２の測光領域ｎ（ｎ；１〜９）の予備発光輝度Ｂｖｐ（ｎ）が演算予備発光輝度Ｂｖｐｔｙｐの何倍に相当するかを示している。次に、求めた各測距領域ｎの比率データＤ（ｎ）を【式１】に代入し、分割受光素子２２の各領域ｎの予備発光輝度Ｂｖｐ（ｎ）からＴＴＬ受光素子２３が受光するであろうと推測される推測受光量（相対出力）Ｆを求める（Ｓ３６３）。続いて、Ｙレジスタにメモリされていない測光領域ｎの比率データＤ（ｎ）を規定値１に設定し直し、全比率データＤ（ｎ）を【式１】に代入して基準受光量Ｆｔｙｐを算出する（Ｓ３６４）。
そして推測受光量Ｆと基準受光量Ｆｔｙｐの比（Ｆ／Ｆｔｙｐ）をＴＴＬ補正量とし、Ｆｃ＝ｌｎ（Ｆ／Ｆｔｙｐ）／ｌｎ２によりＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃを算出し、リターンする（Ｓ３６５）。
【式１】
Ｆ＝３６×Ｄ（５）＋１２×（Ｄ（２）＋Ｄ（４）＋Ｄ（６）＋Ｄ（８））＋４×（Ｄ（１）＋Ｄ（３）＋Ｄ（７）＋Ｄ（９））
なお、本明細書中では、【式１】における各測距領域ｎのデータＤ（ｎ）の係数を「重み付け係数」という。
【０１０７】
上述の重み付け係数は、ＴＴＬ受光素子２３の受光分布によって決定される。
図８（ｂ）にＴＴＬ受光素子２３のフィルム面測光における中央横方向の受光分布を示した。図８（ｂ）において縦軸はＴＴＬ受光素子２３の受光量であり、横軸は図８（ａ）に示す分割受光素子２２の測光領域４、５、６に対応する。なお、ＴＴＬ受光素子２３のフィルム面発光における中央縦方向の受光分布も中央横方向の受光分布と同様とする。つまり、図８（ｂ）の横軸を、図８（ａ）に示す分割受光素子２２の測光領域２、５、８に対応させると、図８（ｂ）と同様になる。
【０１０８】
図８（ｃ）は各受光素子２２_１〜２２_９の測光領域１〜９におけるＴＴＬ受光素子２３の受光量を、ＴＴＬ受光素子２３の全受光量に対するパーセンテージ（％）で示す図である。本実施形態では、このパーセンテージを重み付け係数として設定してある。即ち、測光領域５を測光した受光素子２２_５の出力に３６％の感度を与え、測光領域２、４、６、８を測光した受光素子２２_２、２２_４、２２_６、２２_８の出力には１２％の感度を与え、測光領域１、３、７、９を測光した受光素子２２_１、２２_３、２２_７、２２_９の出力に４％の感度を与えている。分割受光素子２２の各受光素子２２_１〜２２_９の出力データからＴ
ＴＬ受光素子２３の相対出力を求める関数は、上記の【式１】で示される。
【０１０９】
以下では、上述した発光量演算処理について、具体例を挙げて説明する。
図９（ａ）は主要被写体が中央のみ（測光領域５、８）にあって周辺が遠い場合の例であり、各測光領域１〜９の予備発光輝度は（ｂ）に示してある。この場合にＴＴＬ受光素子２３のみで測光して露出制御すると、周辺からの反射が少ないため、主要被写体は露出オーバーとなってしまう。
図９（ｃ）は主要被写体が大半（測光領域１、２、４、５、７、８）を占めていて、その周辺（測光領域３、６、９）に例えば金屏風のような反射率の高い被写体がある場合の例であり、各測光領域１〜９の予備発光輝度は（ｄ）に示してある。この場合にＴＴＬ受光素子２３のみで測光して露出制御すると、周辺からの反射が多いため、主要被写体は露出アンダーとなってしまう。
【０１１０】
この図９（ａ）（ｃ）の被写体条件では、上述の発光量演算処理により表５に示す結果が得られる。但し、Ｋｓ＝１２，Ａｖｍｉｎ＝４，Ｄｖ＝４，Ｔｖ＝7，Ａｖ＝６，Ａｖｃ＝０，Ｓｖ＝５として演算した場合である。
【表５】
0004714351.tif 000008
【０１１１】
この演算結果により、図９（ａ）の場合に主要被写体は０．７０Ｅｖアンダーに補正され、図９（ｂ）の場合に主要被写体は１．２６Ｅｖオーバーに補正され、いずれの場合の主要被写体に対しても適正露出を得ることができる。
【０１１２】
『露出処理』
次に、メイン処理のＳ１２８で実行される露出処理について、図１７及び図１８を参照して説明する。この処理に入ると先ず、出力ポートＰｍ２、Ｐｍ３をそれぞれ“０”、“１”にしてＴＴＬ測光回路２０へ出力する（Ｓ４００）。するとＴＴＬ測光回路２０では、ＭＯＳ_ＳＷ２００がオンし、積分コンデンサー２０１の電荷は放電する。この状態ではトランジスタ２０６はオフしているから、Ｑ端子は通信可能状態となっている。なおＳ４００の処理は、Ｓ１００のＣＰＵポート初期化でも実施されている。
【０１１３】
続いて、タイマーＢに露出時間１／２Tvをセットし（Ｓ４０１）、シンクロ指定がＦＰモードか否かをチェックする（Ｓ４０２）。以下では先ず、シンクロ指定がＦＰ以外の場合について説明する。
シンクロ指定がＦＰでないときは、タイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走行させ、モード３通信を実行する（Ｓ４０２；Ｎ、Ｓ４０３、Ｓ４０４）。モード３通信は、フラッシュ接続端子４のＣ端子を介して外部フラッシュに３パルスの通常発光指令信号を出力する処理である。この通常発光指令信号を入力すると外部フラッシュは、本発光（通常発光）に備える。図６（ａ）、（ｂ）にシンクロ指定が先幕の場合、順次の場合におけるタイミングチャートと発光波形をそれぞれ示す。
【０１１４】
モード３通信を実行したら、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機し（Ｓ４０５；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”となったらＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ４０５；Ｙ、Ｓ４２５）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”でなければ、Ｓ４２６及びＳ４２７をスキップする（Ｓ４２５；Ｎ）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”であれば、本発光指令信号としてのワイヤレス信号をスレーブフラッシュに送信するため、内蔵フラッシュを単発で微少発光させ、３ｍｓ待機する（Ｓ４２５；Ｙ、Ｓ４２６、Ｓ４２７）。本発光指令信号を受信するとスレーブフラッシュは、設定された発光倍率Ｍｖで通常発光を開始する。
【０１１５】
続いて、調光モード指定がＴＴＬか否かをチェックする（Ｓ４２８）。本実施形態では、シンクロ指定がＦＰ以外であって調光モード指定がＴＴＬである場合に、内蔵フラッシュ発光条件（Ｓ４３０−１）を満たしていれば、内蔵フラッシュを露光のために発光させる構成となっている。ここで内蔵フラッシュ発光条件とは、内蔵フラッシュがポップアップしていること及び内蔵フラッシュの充電が完了していることである。
【０１１６】
調光モード指定がＴＴＬでないときはＸ端子を“０”にする（Ｓ４２８；Ｎ、Ｓ４３６）。Ｘ端子が“０”になると、外部フラッシュの発光が開始される（図６（ａ）参照）。この場合の外部フラッシュの発光モードは、倍率発光、外光オート発光、マニュアル発光のうちのいずれかであり、既に通信された情報（ワイヤレス制御も含む）により決定されている。Ｓ４３６でＸ端子を“０”にしたら、１ｍｓ待機してからシャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４３７、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。
【０１１７】
調光モード指定がＴＴＬのときは、アペックス量ｘに対応したＤ／ＡデータテーブルＴ_ｔｔｌ（ｘ）から、アペックス量ｘがフィルム感度ＳｖとＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃ１の和であるときのＤ／ＡデータＴ_ｔｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ１）を読出してポート群ＰｍのＤ／ＡポートＰｍ１に出力し、出力ポートＰｍ３を“０”にし、ポートＰｍ２を入力モードにセットし、Ｘ端子を“０”にして外部フラッシュを発光させる（Ｓ４２８；Ｙ、Ｓ４２９、Ｓ４３０）。そして内蔵フラッシュ発光条件を満たしていれば、内蔵フラッシュ回路１４を介してキセノン管２１も発光させる（Ｓ４３０−１；Ｙ、Ｓ４３０−２）。
【０１１８】
Ｓ４２９で出力ポートＰｍ３が“０”になると、ＴＴＬ測光回路２０のＭＯＳ_ＳＷ２００がオフし、フラッシュ発光前であれば、オペアンプ２０２の出力が“０”であるからコンパレータ２０３の出力も“０”となっている。そしてＳ４３０で外部フラッシュ、Ｓ４３０−２で内蔵フラッシュが発光すると、被写体で反射された光が撮影レンズを通過し、その後フィルム面で反射されてＴＴＬ受光素子２３で受光され、その受光量に対応する光電流が発生して積分コンデンサー２０１で積分される。この結果、オペアンプ２０２の出力電圧が上昇する。そして、オペアンプ２０２の出力電圧がＳ４２９でセットしたポートＰｍ１の出力電圧Ｔ_ｔｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ１）に達すると、コンパレータ２０３の出力が“１”となってトランジスタ２０６の出力がハイとなり、Ｑ端子が“１”になって外部フラッシュ及び内蔵フラッシュの発光が停止される。
【０１１９】
Ｓ４３１では、シンクロ指定が順次か否かをチェックする。シンクロ指定が順次である場合は、ワイヤレス制御がなく、カメラに複数の外部フラッシュが装着されていて且つそのシンクロ要求に先幕と順次が混在する場合である。シンクロ指定が順次の場合は、シンクロ要求が先幕のものが１回目に、順次のものが２回目に発光し、１回目の発光量と２回目の発光量の比が（１／３）：（２／３）となるように制御される。なお内蔵フラッシュは、シンクロ要求が先幕の外部フラッシュと同時（１回目）に発光させる。図６（ｂ）にシンクロ指定が順次である場合のタイミングチャート及び発光波形を示す。
【０１２０】
シンクロ指定が順次のときは（Ｓ４３１；Ｙ）、３ｍｓ待機し（Ｓ４３２）、出力ポートＰｍ２を“１”にし、その後出力ポートＰｍ３を“１”にし、Ｄ／ＡデータテーブルＴ_ｔｔｌ（ｘ）からフィルム感度ＳｖとＴＴＬ補正量のアペックス表示量Ｆｃ２の和に対応するＤ／ＡデータＴ_ｔｔｌ（Ｓｖ−Ｆｃ２）を読み出してＤ／ＡポートＰｍ１に出力する（Ｓ４３３）。そして、２回目のフラッシュ発光を実行させるため、Ｑ端子を“１”の状態としたまま０．５ｍｓ待機し（Ｓ４３４）、出力ポートＰｍ３を“０”にし、ポートＰｍ２を入力モードにセットする（Ｓ４３５）。すると、Ｑ端子が“０”になって２回目のフラッシュ発光が実行される。この発光によってＴＴＬ測光回路２０のオペアンプ２０２の出力電圧がＤ／ＡポートＰｍ１に達すると、Ｑ端子が“１”になって外部及び内蔵フラッシュの発光は停止される。Ｓ４３５でポートＰｍ２、Ｐｍ３をセットしたら、１ｍｓ待機し、シャッタ後幕をスタートさせ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４３７、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。
【０１２１】
シンクロ指定が順次でないときは、２回目の発光は行わずにＳ４３７へ進み、１ｍｓ待機してからシャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４３１；Ｎ、Ｓ４３７、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。なお本実施形態においてワイヤレス制御する場合は、Ｓ４３１で必ずノーと判断され、Ｓ４３２〜Ｓ４３５をスキップしてＳ４３７へ進む。
【０１２２】
以上はシンクロ指定がＦＰ以外の場合の処理であるが、シンクロ指定がＦＰのときはＳ４０２からＳ４０６へ進む。そして、２＋（Ｔｆｐ×６４）／１０００（ｍｓ）により本発光指令信号としてのワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍを求めてＲＡＭ１３ａに上書きメモリし（Ｓ４０６）、ＷＬｓｅｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ４０７）。ＷＬｓｅｔフラグが“１”のときは、発光モード指定をＦＰにセットし、外部フラッシュに送信する（Ｓ４０７；Ｙ、Ｓ４０８、Ｓ４０９）。続いて、外部フラッシュに４パルスの信号を送信するモード４通信を行う（Ｓ４１０）。モード４通信が実行されると外部フラッシュは、Ｓ４０６で設定した間隔ＴＷ１Ｍで２回微少発光した後、スレーブフラッシュと同時にフラット発光を開始する。図６（ｃ）に本発光時のフラット発光波形を示した。フラット発光間隔は、Ｓ４０６で設定したワイヤレス信号間隔ＴＷ１Ｍに対応している。
【０１２３】
そして、（ＴＷ１Ｍ＋２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓだけ待機してからタイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走行させ、タイマーＢオーバフローフラグが“１”になったら、シャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４１１、Ｓ４１２、Ｓ４２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。なお、上記Ｔｃｏｐは先幕顔出し時間であり、Ｓ４１１で（ＴＷ１Ｍ＋２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓ待機するのは、シャッタ先幕顔出しの２ｍｓ前に、本発光指令信号の送信を完了させてフラット発光を開始させるためである。
【０１２４】
ＷＬｓｅｔフラグが“１”でないときは、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ４０７；Ｎ、Ｓ４１３）。ＷＬｉｎｔフラグが“１”のときは、タイマーＣに（ＴＷ１Ｍ−Ｔｍｏｄｅ４）時間をセットしてタイマーＣをスタートさせ、内蔵フラッシュを微少発光させ、タイマーＣオーバーフローフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ４１３；Ｙ、Ｓ４１４、Ｓ４１５、Ｓ４１６；Ｎ）。ここで、Ｔｍｏｄｅ４はモード４通信に要する時間である。タイマーＣオーバーフローフラグが“１”になったら、外部フラッシュにフラット発光の開始を指示するためモード４通信を実行し、内蔵フラッシュを再度微少発光させて本発光指令信号としてのワイヤレス信号をスレーブフラッシュに送信する（Ｓ４１６；Ｙ、Ｓ４１７、Ｓ４１８）。このＳ４１６〜Ｓ４１８により、モード４通信と本発光指令信号の送信とは同時に完了するから、外部フラッシュとスレーブフラッシュは同じタイミングでフラット発光を開始する。
【０１２５】
そしてタイマーＣに（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓをセットし、タイマーＣオーバーフローフラグを“０”にしてタイマーＣをスタートさせ、タイマーＣオーバーフローフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ４１９、Ｓ４２０；Ｎ）。なお、Ｓ４２０でタイマーＣがタイムアップするまで待機するのは、シャッタ先幕顔出しの２ｍｓ前に本発光指令信号の送信を完了させてフラット発光を実行させるためである。タイマーＣオーバーフローフラグが“１”になったら、Ｓ４０１でセットしたタイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走行させ（Ｓ４２０；Ｙ、Ｓ４２１）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったらシャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。
【０１２６】
Ｓ４１３にてＷＬｉｎｔフラグが“１”でないときは、ワイヤレス制御を実行しないから、モード４通信を実行して外部フラッシュにフラット発光を開始させ、（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓ待機し、Ｓ４０１でセットしたタイマーＢをスタートさせてシャッタ先幕を走行させる（Ｓ４１３；Ｎ、Ｓ４２２、Ｓ４２３−１、Ｓ４２３−２）。Ｓ４２３−１で（２ｍｓ−Ｔｃｏｐ）ｍｓ待機するのは、シャッタ先幕顔出しの２ｍｓ前に外部フラッシュのフラット発光を開始させるためである。そしてタイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったら、シャッタ後幕を走行させ、ポートＰｍ２、Ｐｍ３を初期化してリターンする（Ｓ４２４；Ｙ、Ｓ４３８、Ｓ４３９）。
【０１２７】
『テスト発光』
次に、Ｓ１６８で実行されるテスト発光処理について、図１９を参照して詳細に説明する。テスト発光処理は、フラッシュ照射有効距離範囲を確認するためだけにフラッシュ装置５０（外部フラッシュ、スレーブフラッシュ）を発光させる処理であり、テストＳＷがオフからオンに切り替わった場合に実行される。この処理に入ると先ず、予備発光強度ＰｒｅＰ及び予備発光時間ＰｒｅＴに“１”をセットし、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに６．２ｍｓをセットし、発光モード指定をテストに設定して外部フラッシュへ送信する（Ｓ４５０、４５１、Ｓ４５２）。ＣＦ通信を実行したら、ＷＬｉｎｔフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ４５３）、ＷＬｉｎｔフラグが“１”でなかったときは、外部フラッシュにテスト発光開始を指示するためモード４通信処理を実行し、Ｓ４６０−１へ進む（Ｓ４５３；Ｎ、Ｓ４５４）。
【０１２８】
一方、ＷＬｉｎｔフラグが“１”であったときは（Ｓ４５３；Ｙ）、Ｓ４５０でセットした間隔ＴＷ１Ｍからモード４通信に要する時間Ｔｍｏｄｅ４を減算した時間をタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタートさせ、ワイヤレス信号送信のために内蔵フラッシュを微少発光させ、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ４５５、Ｓ４５６、Ｓ４５７；Ｎ）。タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったら、モード４通信処理を実行し、ワイヤレス信号送信のために内蔵フラッシュを再度微少発光させ、外部フラッシュとスレーブフラッシュを同期させてテスト発光させ、Ｓ４６０−１へ進む（Ｓ４５７；Ｙ、Ｓ４５８、Ｓ４５９）。
【０１２９】
Ｓ４６０−１ではＷＬｓｅｔフラグが“１”か否かをチェックする。ＷＬｓｅｔフラグが“１”であれば、テスト発光指令信号としての外部フラッシュの微少発光が終了するのを待つため、ＲＡＭ１３ａにメモリされている間隔ＴＷ１Ｍだけ待機し（Ｓ４６０−１；Ｙ、Ｓ４６０−２）、ＷＬｓｅｔフラグが“１”でないときはＳ４６０−２をスキップし（Ｓ４６０−１；Ｎ）、予備発光データ取得処理を実行する（Ｓ４６１）。そして予備発光データ取得処理で求めた発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２を用いて、４−Ｍｖ１によりテスト倍率Ｌｅｖ１を算出するとともに、４−Ｍｖ２によりテスト倍率Ｌｅｖ２を算出し（Ｓ４６２）、算出したテスト倍率Ｌｅｖ１及びＬｅｖ２を表示素子５に表示してリターンする（Ｓ４６３）。
【０１３０】
以上はカメラボディ１０の動作説明であるが、次に、フラッシュ装置５０の動作について、図２０〜図２９に示されるフローチャートを参照して説明する。
『フラッシュＣＰＵ６５のメイン処理』
図２０はフラッシュ装置５０のメイン処理に関するフローチャートである。フラッシュ装置５０に電池５１が装填されると、フラッシュＣＰＵ６５はリセットされた後、メイン処理に入る。
メイン処理に入ると先ず、全ての割り込みを禁止し、各入出力ポート、変換ポートなどを初期化する（Ｓ５００）。次に、ポート群Ｐｃを介してＥＥＰＲＯＭ６と通信を行い、ＥＥＰＲＯＭ６の初期データを読み込む（Ｓ５０１）。続いて、１２５ｍｓのリロードタイマーをタイマーＡとしてセットし、タイマーＡをスタートさせる（Ｓ５０２）。そして、カメラ側からの通信割り込みを許可するとともに、ワイヤレス受光素子５７が受光する微少発光（ワイヤレス信号）の間隔を測るＰＷＣタイマー（カウンタ）割り込みを禁止し（Ｓ５０３）、メインコンデンサー７９の最大電圧までの充電を要求するか否かを識別するＦ_ＣRequestフラグに“１”（要求）をセットし、スレーブフラッシュの設定が完了しているか否かを識別するＦ_ＷＬｓフラグに“０”をセットする（Ｓ５０４）。
【０１３１】
続いて、メインスイッチ６４がオフか否かをポートＰ０、Ｐ１の入力レベルによってチェックする（Ｓ５０５）。メインスイッチ６４がオフ位置にあるときは、入力ポートＰ０及びＰ１がいずれも“１”となっている。メインスイッチ６４がオフしていたときは（Ｓ５０５；Ｙ）、出力ポートＰ２を“１”にして昇圧回路６６の昇圧動作を停止し（Ｓ５１６）、カメラ側からの通信割り込み及びＰＷＣ割り込みを禁止して（Ｓ５１７）、入力ポートＰ０、Ｐ１のオン割り込みを許可し（Ｓ５１８）、スリープ状態に移行する（Ｓ５１９）。このスリープ状態では入力ポートＰ０、Ｐ１のオン割り込みが許可されているため、メインスイッチ１１がオフ以外（オンまたはＷＬ）になると割り込みが発生し、Ｓ５００に戻ってメイン処理を開始する。
【０１３２】
メインスイッチ６４がオフ以外（オンかＷＬ）のときは、メインコンデンサー７９を充電する充電処理を実行する（Ｓ５０６）。充電処理では、出力ポートＰ２を“０”として昇圧回路６６を昇圧動作させ、ダイオード６７を介してメインコンデンサー７９を充電する。メインコンデンサー７９の充電が開始されると、充電検出回路６９にはメインコンデンサー２０の端子電圧Ｈｖに等しい電圧Ｈｖ´が入力される。この入力電圧Ｈｖ´は充電検出回路６９内の抵抗により分圧されてＲＬＳ端子に出力され、Ａ／Ｄ変換ポートＰａｄからフラッシュＣＰＵ６５に入力される。本実施形態では、Ｈｖ´＝３３０ＶのときＲＬＳ＝３．３Ｖ、またＨｖ´＝２７０ＶのときＲＬＳ＝２．７Ｖとなるように充電検出回路６９内の抵抗比を設定してある。また本実施形態では、ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが２．７Ｖ以上となったらＣｈａｒｇｅフラグを“１”（充電完了）にセットし、ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが３．３Ｖ以上となったら充電を停止する。なお、最高電圧までの充電を要求するか否かを識別するF_CＲequestフラグに“１”がセットされているときは、ＲＬＳ端子の出力電圧レベルが３．３Vになるまで一度は必ず充電される。
【０１３３】
充電処理を実行したら、情報設定ＳＷ群６３で設定されたスイッチ情報を入力する設定情報入力処理を実行し（Ｓ５０７）、通信情報処理を実行する（Ｓ５０８）。通信情報処理では、カメラから転送されるＣＦ情報に基づいて各モードなどを再設定し、設定したＦＣ通信情報をカメラに出力する。ＦＣ情報には、調光距離範囲を確認するための調光確認情報（「適正」、「近」、「遠」のいずれか）が含まれており（表１参照）、このＳ５０８にてカメラ側へ送信される。
続いて、通信情報処理で入力したワイヤレス指定に基づいてワイヤレスモードを設定するワイヤレスモード処理を実行し（Ｓ５０９）、Ｓ５０６〜Ｓ５０９で処理されたフラッシュに関する情報をＬＣＤ表示器７２に表示させる（Ｓ５１０）。Ｓ５１０で表示される情報としては、調光モード、シンクロモード、ワイヤレスモード、充電完了情報、調光確認情報、フラッシュ光がカバーできる焦点距離、最長調光距離及び最短調光距離などがある。
【０１３４】
表示処理を実行したら、カメラ通信により入力したレンズ焦点距離情報に基づいて発光ユニット５５の位置を移動させるズーム処理を実行し（Ｓ５１１−１）、旧フラッシュ処理を実行する（Ｓ５１１−２）。旧フラッシュ処理は、本フラッシュ装置５０との通信機能を有さない旧カメラのために、カメラ接続端子５６を介して充電完了信号と、フラッシュ装置５０でセットされるＦ値に対応したパルス信号をカメラに送信するための処理である。
旧フラッシュ処理を実行したら、低速モードに移行し（Ｓ５１２）、タイマーＡオーバーフラグが“１”になるまで待機する（Ｓ５１３；Ｎ）。タイマーＡオーバーフラグには、タイマーＡがタイムアップしたときに“１”がセットされる。そしてタイマーＡオーバーフローフラグが“１”になったときは、高速モードへ移行し、タイマーＡオーバーフラグを“０”にしてＳ５０５へ戻る（Ｓ５１３；Ｙ、Ｓ５１４、Ｓ５１５）。つまり、タイマーＡはタイムアップする毎に再スタートし、メインスイッチ６４のオンまたはＷＬ状態では、以上のＳ５０５〜Ｓ５１５の処理が１２５ｍＳ（ミリ秒）に１回実行される。
【０１３５】
『ワイヤレスモード処理』
次に、Ｓ５０９で実行されるワイヤレスモード処理について図２１を参照して説明する。この処理に入ると先ず、メインスイッチ６４がＷＬ位置にあるか否かをポートＰ１の入力レベルによってチェックする（Ｓ５５０）。メインスイッチ６４がＷＬ位置にあるときは、入力ポートＰ１が“０”となっている。
【０１３６】
メインスイッチ６４がＷＬ位置にあるときは、ＷＬｒｅｑフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ５５０；Ｙ、Ｓ５５１）。ＷＬｒｅｑフラグは、ワイヤレスモードがコントローラモードまたはマスターモードのときに“１”がセットされるから、ＷＬｒｅｑフラグが“１”であれば外部フラッシュとして機能している場合、ＷＬｒｅｑフラグが“１”でなければスレーブフラッシュとして機能している場合である。
【０１３７】
ＷＬｒｅｑフラグが“１”でないときは（Ｓ５５１；Ｎ）、前回記憶した調光モード要求ＢＬｏと現在の調光モード要求とを比較する（Ｓ５５２）。前回と現在の調光モード要求が異なる場合には（Ｓ５５２−１；Ｙ）、調光モードを更新するため、Ｆ_ＷＬｓフラグに“０”をセットする（Ｓ５５２−２）。前回と現在の調光モード要求が同じ場合には、Ｓ５５２−２をスキップする（Ｓ５５２−１；Ｎ）。そして、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ５５３）、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”のときは、ワイヤレスモード設定が完了しているので、リターンする（Ｓ５５３；Ｙ）。Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”でないときは（Ｓ５５３；Ｎ）、ワイヤレスモード設定を行うため、全通信割り込みを禁止し（Ｓ５５４）、カメラ接続端子５６、カメラ通信インターフェース５９、及びポート群Ｐｄによる通信ポートを入力ポートに変更するとともに、Ｘ端子のオンによる発光を禁止する（Ｓ５５５）。
【０１３８】
続いて、レンズ焦点距離情報に初期値２４ｍｍをセットし、予備発光強度ＰｒｅＰ及び予備発光時間ＰｒｅＴに１をセットし、現在の調光モード要求をＢＬｏにメモリし、調光モード要求がＴＴＬか否かをチェックする（Ｓ５５６、Ｓ５５７、Ｓ５５８）。調光モード要求がＴＴＬの場合は、カメラ側から送信される予備発光指令信号、倍率信号、本発光指令信号を順次受信することにより、予備発光量に応じて本発光量を制御する第一の発光制御モードで発光制御される。
【０１３９】
調光モード要求がＴＴＬであれば（Ｓ５５８；Ｙ）、ＰＷＣタイマーをワイヤレス信号の立ち下がりエッジ間隔測定モードにセットし（Ｓ５５９）、ＰＷＣタイマーの割り込みを許可してＰＷＣタイマーをスタートさせ（Ｓ５６０、Ｓ５６１）、ワイヤレス信号を受信可能な状態にする。そして、現在設定されているワイヤレスモードを示す変数ＷＬｍｏｄｅに１（ワイヤレススレーブを示す）をセットし、Ｆ_ＷＬｓに“１”をセットし、ワイヤレス信号の受信ステップを示す変数ＷＬｓｔｅｐに０（予備発光指令信号の受信待ちを示す）をセットしてリターンする（Ｓ５６２）。
上記Ｓ５５９〜Ｓ５６２実行後は、図６（ｅ）、（ｆ）に示すＷＬ受光波形の最初の立ち下がりエッジがワイヤレス受光素子５７、ワイヤレス回路５８を介してポートＰｅに与えられたとき、即ちワイヤレス受光素子５７の受光量が所定値に達したときに、ＰＷＣ割り込みが発生する。ＰＷＣ割り込みが発生すると、ＰＷＣ割り込み処理（図２７、図２８）が開始される。ＰＷＣ割り込み処理では、詳細は後述するが、ＷＬ受光波形の立ち下がりエッジ間のデータに基づき、受信したワイヤレス信号が予備発光指令、倍率発光指令、本発光指令、テスト発光指令のいずれであるかを判別し、各指令に応じた処理を行う。
【０１４０】
調光モード要求がＴＴＬ以外のとき、即ち外光オートかマニュアルのときは、旧カメラ対応か否かをチェックする（Ｓ５５８；Ｎ、Ｓ５６３）。
旧カメラ対応のときは、内蔵または外部フラッシュの単発の微少発光に同期して発光開始されるようにするため、ＰＷＣタイマーをカウンターモードに設定し、ＰＷＣカウンタの割り込みを許可し、ＰＷＣカウンタ値を示すレジスタＰＷＣＲにＦＦＦＦをセットしてＰＷＣカウンタをスタートさせ、ＷＬｍｏｄｅに２（旧カメラ対応を示す）をセットするとともにＦ_ＷＬｓフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ５６３；Ｙ、Ｓ５６４、Ｓ５６５、Ｓ５６６、Ｓ５６７）。この状態では、内蔵または外部フラッシュの微少発光をワイヤレス受光素子５７が受光したとき（図６（ｅ）（ｆ）に示すＷＬ受光波形の最初の立ち下がり）に、レジスタＰＷＣＲが＋１インクリメントされてＦＦＦＦから００００に変化する。この変化によってＰＷＣ割り込みが発生してＰＷＣ割り込み処理（図２７、図２８）が開始され、スレーブフラッシュが発光する。
旧カメラ対応でないときは、ワイヤレス信号（予備発光指令信号、倍率信号、本発光指令信号）を順次受信することにより本発光制御するため、上述したＳ５５９以降の処理を実行する（Ｓ５６３；Ｎ）。
【０１４１】
Ｓ５５１のチェックでＷＬｒｅｑフラグが“１”であったときは、ＷＬｓｅｔフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ５５１；Ｙ、Ｓ５６８）、ＷＬｓｅｔフラグが“１”のときは、ＷＬｍｏｄｅに３（スレーブフラッシュをワイヤレス制御するモード）をセットしてＳ５７１へ進む（Ｓ５６８；Ｙ、Ｓ５６９）。
Ｓ５５０のチェックでメインスイッチ６４がＷＬ位置になかったとき、またはＳ５６８のチェックでＷＬｓｅｔフラグが“１”でなかったときは、ＷＬｍｏｄｅに４（ワイヤレス制御を実行しないモード）をセットして、Ｓ５７１へ進む（Ｓ５５０；ＮまたはＳ５６８；Ｎ、Ｓ５７０）。
続いてＦ_ＷＬｓフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ５７１）、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”でないときはそのままリターンする（Ｓ５７１；Ｎ）。Ｆ_ＷＬｓが“１”のときは、スレーブフラッシュの状態を解除するため、通信ポートを初期化してカメラ−フラッシュ間の通信割り込みを許可し、Ｘ端子による発光を許可し、ＰＷＣカウンタ及びタイマーの割り込みを禁止し、Ｆ_ＷＬｓフラグを“０”としてリターンする（Ｓ５７１；Ｙ、Ｓ５７２、Ｓ５７３、Ｓ５７４、Ｓ５７５）。
【０１４２】
以上のワイヤレスモード処理では、フラッシュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合には、メインスイッチ６４がＷＬ位置にあってＷＬｒｅｑフラグには“０”がセットされているから、Ｓ５５２へ進み、Ｓ５５２〜Ｓ５６７の処理が実行される。
一方、フラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着されて外部フラッシュとして機能する場合であって且つ外部フラッシュを使ってワイヤレス制御する場合には、メインスイッチ６４がＷＬ位置にあってＷＬｒｅｑフラグには“１”がセットされているから、Ｓ５６８へ進み、Ｓ５６８以降の処理が実行される。
またフラッシュ装置５０が外部フラッシュとして機能する場合であって且つ外部フラッシュを使ってワイヤレス制御しない場合には、メインスイッチ６４がＷＬ位置にないから、Ｓ５７０へ進み、Ｓ５７０以降の処理が実行される。
【０１４３】
『通信割り込み処理』
メインスイッチ６４がオン位置またはＷＬ位置にある状態で実行される通信割り込み処理について、図５及び図６に示されるタイミングチャート、図２２に示されるフローチャートを参照してより詳細に説明する。
この処理は、Ｓ５０３（図２０）で通信割り込み（Ｃ端子の立下りと立上りで割り込みを許可する）が許可されているから、カメラ接続端子５６のＣ端子が“０”から“１”あるいは“１”から“０”に変化すると（図５参照）、実行される。この処理に入ると先ず、再度の割り込みを禁止するため通信割り込みを禁止し（Ｓ６００）、現在のＣＰＵ動作速度をメモリーＭ１にメモリして高速モードに移行し（Ｓ６０１）、Ｃ端子の入力波形をチェックする（Ｓ６０２）。フラッシュＣＰＵ６５はＣ端子の入力波形によって通信内容を識別し、以下のように処理を進める。
【０１４４】
Ｃ端子の入力波形が１パルスであれば（Ｓ６０３；Ｙ）、ＣＦ通信指令信号であるから、Ｒ端子に送られたクロック信号に同期したＣＦ通信データをＱ端子を介して取り込むＣＦ通信を実行する（Ｓ６０４）（図５（ｂ））。このＣＦ通信データは表３のＣＦ通信情報に対応している。ＣＦ通信を実行したら、入力したＣＦ通信データに基づいてフラッシュのモード等を再設定するＣＦ情報再処理を実行し、ＣＰＵ動作速度をＳ６０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ６０５、Ｓ６１７、Ｓ６１８）。
Ｃ端子の入力波形が２パルスであれば（Ｓ６０３；Ｎ、Ｓ６０６；Ｙ）、ＦＣ通信指令信号であるから、ＦＣ通信データをＲ端子のクロック信号に同期させ、Ｑ端子を介してカメラに送るＦＣ通信を実行し、Ｓ６１７へ進む（Ｓ６０７）（図５（ｃ））。このＦＣ通信データは表１のＦＣ通信情報に対応している。
【０１４５】
Ｃ端子の入力波形が３パルスであれば（Ｓ６０６；Ｎ、Ｓ６０８；Ｙ）、通常発光指令信号であるから、調光モードがＴＴＬまたは順次で発光する通常発光処理を実行し、Ｓ６１７へ進む（Ｓ６０９）（図６（ａ）（ｂ））。
Ｃ端子の入力波形が４パルスであれば（Ｓ６０８；Ｎ、Ｓ６１０；Ｙ）、特殊発光指令信号であるから、特殊発光処理を実行し、Ｓ６１７へ進む（Ｓ６１１）（図６（ｃ）〜（ｆ））。特殊発光処理では、詳細は後述するが、予備発光処理、テスト発光処理、ＦＰ発光処理、倍率発光処理のうち、発光モード指定に対応する処理を実行する。
【０１４６】
Ｃ端子の入力波形が立ち上がりだけであれば（Ｓ６１０；Ｎ、Ｓ６１２；Ｙ）（図５（ａ））、カメラが動作中か否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグを“１”（動作中）とし、メインコンデンサー７９の最高電圧までの充電を要求するＦ_ＣRequestフラグを“１”（要求）としてＳ６１７へ進む（Ｓ６１３、Ｓ６１４）。
Ｃ端子の入力波形が立ち下がりであれば（Ｓ６１２；Ｎ、Ｓ６１５；Ｙ）（図５（ｄ））、カメラが動作していないので、カメラが動作中か否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグを“０”（非動作）としてＳ６１７へ進む（Ｓ６１６）。なお、Ｆ_ＣＯｎフラグの“０”状態が所定時間（例えば５分）継続したときは、消費電力削減のため、フラッシュＣＰＵ６５はスリープモードに移行する。
Ｃ端子の入力波形が上記のいずれでもないときは、Ｓ６１７へ進み、ＣＰＵ動作速度をＳ６０１でメモリーＭ１に格納した速度に変更し、通信割り込みを許可してリターンする（Ｓ６１５；Ｎ、Ｓ６１７、Ｓ６１８）。
【０１４７】
『特殊発光処理』
次に、Ｓ６１１で実行される特殊発光処理について図６に示されるタイミングチャート、図２３及び図２４に示されるフローチャートを参照して詳細に説明する。この処理は、通信割り込み処理において４パルスの特殊発光指令信号を入力したときに実行される。この処理に入ると先ず、ＷＬｍｏｄｅに３（スレーブフラッシュをワイヤレス制御するモード）がセットされているか否かをチェックし（Ｓ６５０）、セットされているときは変数ｎｕｍに１をセットし（Ｓ６５０；Ｙ、Ｓ６５１）、発光モード指定に対応するワイヤレス信号を送信する（Ｓ６５２〜Ｓ６６７）。
【０１４８】
即ち、発光モード指定が予備のときは（Ｓ６５２；Ｙ）、シンクロ指定がＦＰであればワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに５．２ｍｓをセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５３−１；Ｙ、Ｓ６５３−２）。またシンクロ指定がＦＰでなく且つ予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに４．２ｍｓをセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５３−１；Ｎ、Ｓ６５３−３；Ｙ、Ｓ６５３−４）。シンクロ指定がＦＰでなく且つ予備発光モードＰｒｅＭが“１”でもなければ、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに３．２ｍｓをセットし（Ｓ６５３−３；Ｎ、Ｓ６５３−５）、Ｓ６６１へ進む。
【０１４９】
発光モード指定がテストのときは、ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍに６．２ｍｓをセットしてＳ６６１へ進む（Ｓ６５４；Ｙ、Ｓ６５５）。
発光モード指定がＦＰのときは、式；ＴＷ１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｔｆｐ×６４）／１０００（ｍｓ）から算出した値をワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍにセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５６；Ｙ、Ｓ６５７）。ここでＴｆｐはフラット発光時間である。発光モード指定がＦＰのときスレーブフラッシュには、ワイヤレス信号によってフラット発光時間が設定される。
発光モード指定が倍率のときは、式；ＴＷ１Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ１＋５）×１２８／１０００（ｍｓ）から算出した値を１回目のワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍにセットし、式；ＴＷ２Ｍ＝２ｍｓ＋（Ｍｖ２＋５）×１２８／１０００（ｍｓ）から算出した値を２回目のワイヤレス信号の間隔ＴＷ２Ｍにセットし、予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば変数ｎｕｍに２をセットし、Ｓ６６１へ進む（Ｓ６５８；Ｙ、Ｓ６５９、Ｓ６６０）。
【０１５０】
以上の処理で設定した各ワイヤレス信号の間隔ＴＷ１Ｍと、発光モード指定との対応関係を表６に示す。
【表６】
0004714351.tif 000009
【０１５１】
なお、表６において*１を付した項目は、通常発光で本発光させる場合の本発光指令信号を示している。この本発光指令信号は、予備発光指令信号、倍率信号を送信した後、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの単発の微少発光によってスレーブフラッシュへ送信される。図６（ｅ）（ｆ）では、１回目（図において最も左方）の発光波形が本発光指令信号に該当する。
【０１５２】
そして、上記処理で設定した間隔ＴＷ１ＭをタイマーＢにセットしてタイマーＢをスタートさせ（Ｓ６６１）、微少発光処理を実行する（Ｓ６６２）。微少発光処理は、ワイヤレス信号送信のためにキセノン管８２を微少発光させる処理であって、先ず、３０Ｖｏｎ信号（出力ポートＰ４）を“１”とし、ＩＧＢＴｃｔｌ信号（出力ポートＰ５）を“１”としてＩＧＢＴ８３をオンさせる。このＩＧＢＴ８３のオン状態でＴＲＩＧｏｎ信号（出力ポートＰ３）を“１”にしてキセノン管８２の発光を開始させる。そしてＩＧＢＴｃｔｌ信号を“１”にしてから３０μｓ経過後にＩＧＢＴｃｔｌ信号を“０”としてＩＧＢＴ８３をオフさせ、キセノン管８３の発光を停止させる。Ｓ６６２では、図６（ｅ）、（ｆ）に示す１回目（図６において左方（１））の微少発光が行われる。
【０１５３】
そしてタイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機し（Ｓ６６３；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったら微少発光処理を再実行する（Ｓ６６３；Ｙ、Ｓ６６４）。Ｓ６６４では、図６（ｅ）、（ｆ）に示す２回目（図６において右方（２））の微少発光が行われる。
続いて、変数ｎｕｍを１減算し、変数ｎｕｍが０か否かをチェックする（Ｓ６６５、Ｓ６６６）。変数ｎｕｍが０でないとき、即ち発光モードが倍率に設定されていて且つ予備発光モードＰｒｅＭ“１”のときは、３回目の微少発光を行うため、タイマーＢにワイヤレス信号間隔ＴＷ２ＭをセットしてタイマーＢをスタートさせ、Ｓ６６３へ戻る（Ｓ６６６；Ｎ、Ｓ６６７）。変数ｎｕｍが０のときは、ワイヤレス信号の送信が完了したので、Ｓ６６８へ進む（Ｓ６６６；Ｙ）。
【０１５４】
そして、発光モード指定が上述のいずれにも該当しないとき（Ｓ６５８；Ｎ）、または変数ｎｕｍが０になったときは（Ｓ６６６；Ｙ）、ワイヤレスモードにマスターがセットされているか否か及び発光モード指定が予備、ＦＰ、テストのいずれかに該当するか否かをチェックする（Ｓ６６８）。ワイヤレスモードがマスターであり、且つ発光モード指定が予備、ＦＰ、テストのいずれかに該当するときは、発光モード指定に基づいてフラット発光処理を実行する（Ｓ６６８；Ｙ、Ｓ６７０）。これは、ワイヤレスモードがマスターであって、且つ複数のフラッシュを使用する場合を考慮したためである。フラット発光処理を実行したら、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ６７１）。
【０１５５】
Ｓ６５０でＷＬｍｏｄｅが３でなかったときは、Ｓ６７０へ進み、ＣＦ通信ですでに受信した発光モード指定に基づいてフラット発光処理を実行し、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ６５０；Ｎ、Ｓ６７０、Ｓ６７１）。
【０１５６】
『フラット発光処理』
次に、Ｓ６７０で実行されるフラット発光処理について、図７に示されるタイミングチャート及び図２５に示されるフローチャートを参照して詳細に説明する。
【０１５７】
この処理に入ると先ず、式；Ｖｆｐ＝Ｖａ×Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）を実行してフラット発光レベル（予備発光レベル）Ｖｆｐを算出する（Ｓ７００）。
ここで、Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）は、式；Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）≒（Ｇｎｏｓ／Ｇｎｏ（ｚｏｏｍ））2により求められる値である。基準ガイドナンバーＧｎｏｓは任意に設定可能な定数である。本実施例では基準ガイドナンバーＧｎｏｓを３６に設定しており、これは表７の機種Ａのフラッシュをズーム位置８５ｍｍで最大発光させた場合の値であり、機種Ｂのフラッシュをズーム位置２８ｍｍで最大発光させた場合の値である。最大ガイドナンバーＧｎｏは、ズーム位置に応じて変化する変数であり、各機種のフラッシュを各ズーム位置で最大発光させた場合の値である。基準発光レベルＶａは、各フラッシュの発光量のばらつきを補正する調整定数であり、ＥＥＰＲＯＭ６０にメモリされている。この基準発光レベルＶａは、上記基準ズーム位置８５ｍｍでフラット発光を行う場合に、基準のフラット発光出力が得られるように設定される。
【０１５８】
表７にズーム位置（焦点距離）、ガイドナンバーＧｎｏ、Ｔ_ｆｉｒｅの関係を示した。機種Ｂは機種ＡよりもガイドナンバーＧｎｏの大きい機種である。
【表７】
0004714351.tif 000010
【０１５９】
上記ズーム位置とは、撮影レンズの焦点距離に適した照射角が得られる発光ユニット５５の位置である。本実施形態では、フレネルレンズ５５ａと発光ユニット５５の間隔（ｍｍ）を撮影レンズの焦点距離ｆに換算したズーム位置（ｍｍ）として表している。例えば、撮影レンズの焦点距離ｆ＝２４ｍｍであれば、ズーム位置２４ｍｍが設定され、発光ユニット５５は、フレネルレンズ５５ａとの間隔が撮影レンズの焦点距離２４ｍｍに対応する位置に移動される。なお、フラッシュ装置５０がカメラ１０に装着されていない場合には、ズーム位置を、使用者が任意に設定できるようになっている。
【０１６０】
表７からも分かるように、ズーム位置が長距離側に移るほど、ガイドナンバーＧｎｏは大きくなり、Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）の値は小さくなる。上記Ｓ７００によれば、発光レベルＶｆｐはＴ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）の値に反比例するので、発光レベルＶｆｐはズーム位置が長距離側に移るほど小さくなる。この結果、異なるズーム位置のフラッシュにおいても、所定距離の被写体に対する照度（各フラッシュと被写体の距離が同一であれば実効ガイドナンバー）は同一となる。また本実施形態では、フラッシュの機種に拘わらず基準ガイドナンバーＧｎｏｓは一定であるから、ガイドナンバーＧｎｏが機種Ａよりも大きい機種Ｂでは、Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）の値が機種Ａよりも小さくなる。この結果、ガイドナンバーの異なる機種Ｂのフラッシュにおいても、所定距離の被写体に対する照度（各フラッシュと被写体の距離が同一であれば実効ガイドナンバー）は同一となる。
【０１６１】
フラット発光レベルＶｆｐを設定したら、発光モード指定がＦＰ（フラット発光）か否かをチェックし（Ｓ７０１）、発光モード指定がＦＰであれば本発光のための設定をＳ７０２〜Ｓ７０７にて行い、発光モード指定がＦＰ以外であれば予備発光（テスト発光含む）のための設定をＳ７０８〜Ｓ７１３にて行う。
【０１６２】
つまり、発光モード指定がＦＰであれば、先ず、発光倍率ＭｖにＣＦ通信で入力した発光倍率Ｍｖ１をセットする（Ｓ７０２）。次に、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックする（Ｓ７０３）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”のとき、即ち複数のフラッシュの予備発光を規定の順番で実行するモードがセットされているときは（Ｓ７０３；Ｙ）、シンクロ要求が順次か否かをチェックする（Ｓ７０４）。シンクロ要求が順次であれば、発光倍率ＭｖにＣＦ通信で入力した発光倍率Ｍｖ２をセットし直してＳ７０６へ進む（Ｓ７０４；Ｙ、Ｓ７０５）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないとき（Ｓ７０３；Ｎ）、または予備発光モードＰｒｅＭが“１”であってもシンクロ要求が順次でないときは（Ｓ７０４）、発光倍率Ｍｖを変更せずに、Ｓ７０６へ進む。そして、式；ＦＰｌｖｌ＝Ｖｆｐ×２Mvにより求めた電圧ＦＰｌｖｌをＤ／Ａ変換ポートＰｄａから出力してコンパレータ７５の非反転入力端子に与え、タイマーＢにＴｆｐ＋３ｍｓをセットしてスタートさせる（Ｓ７０６、Ｓ７０７）。ここで、Ｔｆｐはフラット発光時間（ｍｓ）、３ｍｓはフラット発光時間Ｔｆｐに余裕を持たせるための時間である。
【０１６３】
一方、発光モード指定としてＦＰモード以外が設定されている場合は、先ず、発光モード指定がテスト発光モードか否かをチェックする（Ｓ７０８−１）。テスト発光モードであれば、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄａの出力レベルＦＰｌｖｌを電圧Ｖｂとして出力する（Ｓ７０８−１；Ｙ、Ｓ７０８−２）。この電圧Ｖｂは、フラッシュ装置５０の各ズーム位置において発光可能なフル発光量（Ｍｖ＝０ＥＶ）の１／規定倍、例えば１／１６倍の発光量（Ｍｖ＝−４ＥＶ）でフラッシュ装置５０を発光させるように設定された電圧値であって、ＥＥＰＲＯＭ６０にメモリされている。発光モード指定がテスト以外であれば、Ｄ／Ａ変換ポートＰｄａの出力レベルＦＰｌｖｌを、フラット発光レベルＶｆｐにＣＦ通信で入力した予備発光強度ＰｒｅＰを乗算した電圧値として出力する（Ｓ７０８−１；Ｎ、Ｓ７０８−３）。
続いて、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックし（Ｓ７０９）、予備発光モードＰｒｅＭが“１”であれば、規定の順番で予備発光を行うので、シンクロ要求が順次か否かをチェックする（Ｓ７０９；Ｙ、Ｓ７１０）。シンクロ要求が順次のときは（Ｓ７１０；Ｙ）、図６（ｄ）に示す２回目（図６において右方）の発光で予備発光を行うため、タイマーＢに２．５ｍｓをセットしてタイマーＢをスタートさせ（Ｓ７１１）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待機し（Ｓ７１２；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったらタイマーＢに発光時間ＰｒｅＴ（ｍｓ）をセットしてＳ７１４へ進む（Ｓ７１２；Ｙ、Ｓ７１３）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないとき（Ｓ７０９；Ｎ）、シンクロ要求が順次でないときは（Ｓ７１０；Ｎ）、図６（ｄ）に示す１回目（図６において左方）の発光で予備発光を行うため、Ｓ７１３でタイマーＢに発光時間ＰｒｅＴ（ｍｓ）をセットしてＳ７１４へ進む。
【０１６４】
図７の時間Ｔ０はＦＰ発光処理の初期状態を示している。この初期状態では、Ｓ５００の初期化によって出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）、及び出力ポートＰ７は“０”が設定されており、ポートＰ６は入力ポートに設定されている。そのため、ＩＧＢＴ８３はオフしていて、発光量検出受光素子８５の光電流は抵抗７に流れ込んでコンデンサー７３はオープンと同等になっている。またＤ／Ａ変換ポートＰｄａからはＳ７０６またはＳ７０８で設定された電圧ＦＰｌｖｌがコンパレータ７５の非反転入力端子に出力されている。この状態では、ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）の出力が“０”であるため、キセノン管８２のトリガー電極ＸｅＴに電圧は印加されず、キセノン管８２の発光は行われない。そのため、発光量検知受光素子８５からは光電流が出力されず、コンパレータ７５の反転入力端子の入力電圧ＰＤｆｌは“０”となり、コンパレータ７５の出力は“０”となっている。
【０１６５】
Ｓ７１４では出力ポート４（３０Ｖｏｎ）を“１”とする（図７；時間Ｔ１）。３０Ｖｏｎ信号が“１”になると、３０Ｖ発生回路７７の３０Ｖｏｕｔ端子から３０Ｖの電圧が出力され、レベルシフト回路７８に印加される。次に、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“１”とする（Ｓ７１５）（図７；時間Ｔ２）。ＩＧＢＴｃｔｌ信号が“１”に変化すると、レベルシフト回路７６は３０Ｖ発生回路７７から与えられた３０Ｖ電圧をＩＧＢＴ８３のゲートＩＧＢＴｇに印加してＩＧＢＴ８３をオンさせる。続いて、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“１”とする（Ｓ７１６）。ＴＲＩＧｏｎ信号が“１”になると、トリガー回路８０は高圧の振動電圧をキセノン管８２のトリガー電極ＸｅＴに与えてキセノン管８２内のキセノンガスを励起状態とする。キセノン管８２内が励起状態になると、Ｓ７１５で既にＩＧＢＴ８３がオンしているため、メインコンデンサー７９の蓄積電荷がコイル８１、キセノン管８２、ＩＧＢＴ８３を介して放電され、キセノン管８２の発光が開始される。
【０１６６】
そして、Ｓ７０７またはＳ７１３で設定したタイマーＢをスタートさせ（Ｓ７１７）、ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を入力ポートにセットし（Ｓ７１８）、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“０”にする（Ｓ７１９）。ここで、ポートＰ５を出力ポートから入力ポートに切り換えるのは、キセノン管８２のトリガー電極ＸｅＴへ印加した高圧の振動電圧によってコンパレータ７５等が誤動作したとしても安定に発光を開始させるためである。
【０１６７】
Ｓ７１８でポートＰ５を入力ポートに設定すると、ポートＰ５は非接続と等価となり、コンパレータ７５の出力がＩＧＢＴｃｔｌ信号としてレベルシフト回路７８へ出力される。キセノン管８２が発光すると、発光量検出受光素子８５の光電流はキセノン管８２の発光量に対応した値となり、コンパレータ７５の反転入力端子の入力電圧ＰＤｆｌもキセノン管８２の発光量に対応する電圧となる。そして電圧ＰＤｆｌが電圧ＦＰｌｖｌに達すると（図７；時間Ｔ４）、コンパレータ７５の出力（ＩＧＢＴｃｔｌ）は“０”となり、レベルシフト回路７８を介してＩＧＢＴ８３をオフする。ＩＧＢＴ８３がオフすると、ＩＧＢＴ８３経由の発光が止まり、発光時にコイル８１に流れた電流によってコイル８１に蓄積されたエネルギーがキセノン管８２、ダイオード８４を介して放電され、キセノン管８２の発光量は減少する。
【０１６８】
そして、キセノン管８２の発光量に対応する電圧ＰＤｆｌが所定電圧ＦＰｌｖｌより低くなると（図７；時間Ｔ５）、再びコンパレータ７５の出力（ＩＧＢＴｃｔｌ）が“１”となってＩＧＢＴ８３をオンし、ＩＧＢＴ８３を経由するキセノン管８２の発光が再開され、キセノン管８２の発光量が増加する。なお、時間Ｔ５では、時間Ｔ３の時点とは異なり、キセノン管２３の励起状態が継続されているため、キセノン管２３のトリガー電極ＸｅＴ端子への高圧の振動電圧印加は不要である。
【０１６９】
以上の処理は、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで繰り返し実行され（Ｓ７２０；Ｎ）、タイマーＢ（Ｔｆｐ＋３ｍｓ）時間内はキセノン管８２の発光量がほぼ一定範囲に保持される（図６（ｃ）参照）。
【０１７０】
タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったときは（Ｓ７２０；Ｙ）、ＩＧＢＴ８４が破壊されるのを防止するため、入力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）が“１”から“０”になるまで待ち（Ｓ７２１；Ｎ）、入力ポートＰ５が“０”になったら（Ｓ７２１；Ｙ）、ポートＰ５を出力ポートに変更して“０”を出力し、ＩＧＢＴ８４をオフし（Ｓ７２２）、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ７２３）。
【０１７１】
『通常発光処理』
次に、Ｓ６０９で実行される通常発光処理について、図６（ａ）、（ｂ）及び図２６を参照して詳細に説明する。この処理は、フラッシュ装置５０がカメラボディ１０に装着されて外部フラッシュとして機能する場合に、３パルスの通常発光指令信号をＣ端子を介して入力したとき、実行される（図６（ａ）（ｂ））。
【０１７２】
この処理に入ると先ず、Ｘ端子が“０”になるまで待機し（Ｓ７５０；Ｎ）、Ｘ端子が“０”になったらＣｈａｒｇｅフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ７５０；Ｙ、Ｓ７５１）。Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”でないときは充電が完了していないのでリターンする（Ｓ７５１；Ｎ）。Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”のときは、シンクロ指定が順次か否かをチェックし（Ｓ７５１；Ｙ、Ｓ７５３）、シンクロ指定が順次であればシンクロ要求が順次か否かをチェックする（Ｓ７５３；Ｙ、Ｓ７５４）。シンクロ要求が順次のときは、Ｑ端子の立下りによってフラッシュを発光させるため、Ｑ端子が“１”から“０”に変化するまで待ち（Ｓ７５４；Ｙ，Ｓ７５５；Ｎ）、Ｑ端子が“０”となったらＳ７５６へ進む（Ｓ７５５；Ｙ）。シンクロ指定が順次でないとき（Ｓ７５３；Ｎ）、シンクロ要求が順次でないときは（Ｓ７５４；Ｎ）、Ｘ端子の立下りによってフラッシュを発光させるため、そのままＳ７５６へ進む。
【０１７３】
Ｓ７５６のステップでは、調光モード指定がＴＴＬか否かをチェックする。調光モード指定がＴＴＬでないときはＳ７６８へ進む（Ｓ７５６；Ｎ）。一方、調光モード指定がＴＴＬのときは（Ｓ７５６；Ｙ）、出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）を“１”にして３０Ｖ発生回路７７から３０Ｖ電圧を発生させ、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“１”にしてレベルシフト回路７８を介してＩＧＢＴ８３をオンさせ、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“１”にしてキセノン管８２内を励起状態とし、キセノン管８２の発光を開始させる（Ｓ７５７）。
【０１７４】
続いて、フラッシュの最大発光時間を計時するタイマーＢに３．２ｍｓをセットしてスタートさせ（Ｓ７５８）、Ｑ端子が“１”か否かをチェックし（Ｓ７５９）、Ｑ端子が“１”でなければタイマーＢオーバーフローフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ７５９；Ｎ、Ｓ７６０）。タイマーＢオーバーフローフラグが“１”でなければ、Ｓ７５９へ戻る（Ｓ７６０；Ｎ）。そしてＱ端子が“１”になるか（Ｓ７５９；Ｙ）、あるいはＱ端子が“１”にならずにタイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったときは（Ｓ７６０；Ｙ）、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“０”としてＩＧＢＴ８３をオフし、出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）及び出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“０”に初期化して（Ｓ７６１）、メモリＭ１にタイマーＢの残り時間をメモリする（Ｓ７６２）。
【０１７５】
続いて、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ７６３）。タイマーＢオーバーフローフラグが“１”のときは、タイマーＢ時間内にＱ端子が“１”にならなかったので、調光確認情報に「遠」をセットする（Ｓ７６３；Ｙ、Ｓ７６４）。このタイマーＢ時間内にＱ端子が“１”にならないのは、カメラボディ１０のＴＴＬ受光素子２３の受光量が少なくオペアンプ２０２の出力が所定電圧Ｔ_ｔｔｌ（ｘ）に達しない場合であるから、被写体がフラッシュの調光制御距離範囲よりも遠い位置に存在する（または被写体反射率が標準反射率よりも低い）と判断できる。なお調光確認情報は、Ｓ５０８の通信処理でカメラボディ１０に送信される。
【０１７６】
タイマーＢオーバーフローフラグが“１”でないときは、メモリＭ１（タイマーＢの残り時間）が３０μｓ未満か否かをチェックする（Ｓ７６３；Ｎ、Ｓ７６５）。上記３０μｓは、発光を開始させてから比較的高精度で調光可能な最短時間（＝後述する発光制御時間Ｔｍ）である。メモリＭ１が３０μｓ未満のときは、被写体がフラッシュの調光制御距離範囲よりも近い位置に存在する（または被写体反射率が標準反射率よりも高い）とみなせるため、調光確認情報に「近」をセットする（Ｓ７６５；Ｙ、Ｓ７６７）。メモリＭ１が３０μｓ未満でなければ、被写体はフラッシュの調光制御距離範囲内の位置に存在する（または被写体反射率が標準反射率程度である）とみなせるため、調光確認情報に「適正」をセットする（Ｓ７６５；Ｎ、Ｓ７６６）。
【０１７７】
調光確認情報をセットしたら、ＷＬｍｏｄｅが３か否かをチェックする（Ｓ７６８）。ＷＬｍｏｄｅが３のときは、単発の微少発光による本発光指令信号をスレーブフラッシュに送信し（Ｓ７６８；Ｙ、Ｓ７６９）、ＷＬｍｏｄｅが３でないときはＳ７６９をスキップし（Ｓ７６８；Ｎ）、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ７７０）。なお本実施形態では、Ｓ７５７〜Ｓ７６１のＴＴＬ受光時に、ワイヤレス信号送信のための微少発光の影響を受けないようにするため、通常発光終了後のＳ７６９でワイヤレス信号を送信するようにしている。
【０１７８】
図３０は発光制御時間[μｓ]と発光量誤差[ＥＶ]の関係を示すグラフである。図３０に示すように発光量誤差は、キセノン管８２の発光オフの遅れ等により、発光制御時間を短くするほど増加する傾向にある。本実施例では、この発光量誤差が１ＥＶとなる発光制御時間Ｔｍを３０μｓとし、Ｓ７６５でメモリＭ１と比較してメモリＭ１が３０μｓ未満である場合には、調光確認情報に「近」をセットして調光オーバーを報知させる構成となっている。調光確認情報は、Ｓ５１０の表示処理で外部フラッシュ側に表示され、Ｓ５０８の通信処理でカメラボディ１０に送信されてＳ１０４の表示処理でカメラ側にも表示される。したがって、使用者は、これらの表示により調光が適正に行われたかどうかを確認することができる。
【０１７９】
『ＰＷＣ割り込み処理』
次に、ＰＷＣ割り込み処理について図２７及び図２８に示されるフローチャートを参照して詳細に説明する。ＰＷＣ割り込み処理は、フラッシュ装置５０がスレーブフラッシュとして機能する場合（メインスイッチ６４がＷＬ位置にあって、ワイヤレスモードにスレーブがセットされている場合）に、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの微少発光をワイヤレス受光素子５７が受光し、その受光量が所定値に達すると、割り込みが発生して実行される処理である。
【０１８０】
この処理に入ると先ず、再度のＰＷＣ割り込みを禁止してＰＷＣ割り込みフラグに“０”をセットする（Ｓ８５０）。次に、ＷＬｍｏｄｅが２か否かをチェックし（Ｓ８５１）、ＷＬｍｏｄｅが２であれば、旧カメラ対応の場合であるから、外光Ａ，マニュアル発光処理を実行して本発光する（Ｓ８５１；Ｙ、Ｓ８５２）。この外光Ａ，マニュアル発光処理は、調光モード要求が外光オートであれば、外光オート受光素子７１の受光量を外光オート受光回路７０で積分し、規定量に達したときに出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を制御して発光を停止し、調光モード要求がマニュアルであれば、規定時間で発光を停止する処理である。外光Ａ，マニュアル発光処理を実行したら、ＰＷＣカウンター割り込みを許可してリターンする（Ｓ８５３）。
【０１８１】
ＷＬｍｏｄｅが２でなければ、ＷＬｓｔｅｐが２か否かをチェックし（Ｓ８５１；Ｎ、Ｓ８５４）、ＷＬｓｔｅｐが２でないときはＷＬｓｔｅｐが１か否かをチェックする（Ｓ８５４；Ｎ、Ｓ８６５）。ＷＬｓｔｅｐが１でないとき、即ちＷＬｓｔｅｐが０のときは（Ｓ８６５；Ｎ）、予備発光指令信号の受信待ち状態であるから、シンクロ要求をシンクロ指定にセットし（Ｓ８７７）、ＰＷＣカウンター値を示すレジスタＰＷＣＲの値に対応する処理を実行する（Ｓ８７８〜Ｓ８９０）。レジスタＰＷＣＲの値は、予備発光指令信号としてのワイヤレス信号の立下りエッジ間隔を計時したものであり、カメラボディ１０（ＣＰＵ１３）が指定した予備発光モードＰｒｅＭ及びシンクロ指定に応じて異なる値になる（表６参照）。
【０１８２】
レジスタＰＷＣＲの値が３．２±０．１ｍｓの範囲内であれば（Ｓ８７８；Ｙ）、予備発光モードＰｒｅＭ“０”及びシンクロ指定＝ＦＰ以外を指定する予備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅＭに“０”をセットし（Ｓ８７９−１）、シンクロ指定がＦＰモードであれば先幕に変更して（Ｓ８７９−２；Ｙ、Ｓ８７９−３）、ＷＬｓｔｅｐに１をセットし、発光モード指定を予備に設定する（Ｓ８８４）。そしてＦＰ発光処理を実行して予備発光を行い（Ｓ８８７）、ＰＷＣタイマーの割り込みを許可してリターンする（Ｓ８８８）。ＷＬｓｔｅｐに１がセットされているときは、予備発光完了状態であり、倍率信号受信待ちであることを示している。
【０１８３】
レジスタＰＷＣＲの値が４．２±０．１ｍｓの範囲内であれば（Ｓ８８０；Ｙ）、予備発光モードＰｒｅＭ“１”及びシンクロ指定＝ＦＰ以外を指定する予備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅＭに“１”をセットとし（Ｓ８８１−１）、シンクロ指定がＦＰであれば先幕に変更して（Ｓ８８１−２；Ｙ、Ｓ８８１−３）、Ｓ８８４以降の処理を実行して予備発光を行う。
レジスタＰＷＣＲの値が５．２±０．１ｍｓの範囲内であれば（Ｓ８８２；Ｙ）、予備発光モードＰｒｅＭ“１”及びシンクロ指定＝ＦＰを指定する予備発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅＭに“１”をセットし（Ｓ８８３−１）、シンクロ指定が先幕、順次であればＦＰに変更して（Ｓ８８３−２；Ｙ、Ｓ８８３−３）、Ｓ８８４以降の処理を実行して予備発光を行う。
【０１８４】
レジスタＰＷＣＲの値が６．２±０．１ｍｓの範囲内であれば（Ｓ８８５；Ｙ）、テスト発光指令信号を受信したので、予備発光モードＰｒｅＭに“１”をセットし、倍率信号受信は必要ないのでＷＬｓｔｅｐに０をセットし、発光モード指定をテストに変更して（Ｓ８８６）、ＦＰ発光処理を実行してテスト発光を行い（Ｓ８８７）、ＰＷＣタイマー割り込みを許可してリターンする（Ｓ８８８）。このようにテスト発光指令信号を受信したときは、テストのためだけに発光する。
【０１８５】
レジスタＰＷＣＲの値が上記の範囲以外であるときは（Ｓ８８５；Ｎ）、予備発光指令信号またはテスト発光指令信号のいずれも受信していないので、ＷＬｓｔｅｐに０をセットし（Ｓ８８９）、ＰＷＣタイマーをワイヤレス信号の立下りエッジ間測定モードとし、ＰＷＣタイマー割り込みを許可し、ＰＷＣタイマーをスタートさせてリターンする（Ｓ８９０）。通常はＳ８７８、Ｓ８８０、Ｓ８８２、Ｓ８８５のいずれかでＹｅｓと判断され、Ｓ８８５でＮｏと判断されるのは例えば蛍光灯の光などノイズを受光した場合である。
【０１８６】
Ｓ８８４を経てリターンした後、再びＰＷＣ割り込み処理に入ったときは、ＷＬｓｔｅｐに１がセットされている（予備発光が完了していて倍率信号受信待ちとなっている）ため、Ｓ８６５でＹｅｓと判断されてＳ８６６へ進み、以降の処理で発光倍率Ｍｖ１、Ｍｖ２を受信する（Ｓ８６５；Ｙ）。
Ｓ８６６では、レジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６ｍｓの範囲になるか否かをチェックし（Ｓ８６６）、範囲内でなければ倍率信号ではないのでＳ８７７以降の処理を実行する（Ｓ８６６；Ｎ）。レジスタＰＷＣＲ値が範囲内であれば、（（ＰＷＣＲ−２ｍｓ）／１６μｓ）／８−５により発光倍率Ｍｖ１を求める（Ｓ８６６；Ｙ、Ｓ８６７）。例えば、レジスタＰＷＣＲ＝２．６４０ｍｓのとき発光倍率Ｍｖ１＝０（ＥＶ）である。
【０１８７】
続いて、タイマーＢに３．１ｍｓをセットしてスタートさせ（Ｓ８６８）、タイマーＢオーバーフローフラグが１か否かをチェックする（Ｓ８６９）。タイマーＢオーバーフローフラグが１でなければＰＷＣ割り込みフラグが“１”か否かをチェックし（Ｓ８６９；Ｎ、Ｓ８７０）、ＰＷＣ割り込みフラグが“１”でなければＳ８６９へ戻る（Ｓ８７０；Ｎ）。ＰＷＣ割り込みフラグはワイヤレス信号を受信したか否かを識別するフラグである。ここでは割り込み禁止状態となっているので、ＰＷＣ割り込みフラグにより、倍率信号となる３回目の微少発光（図６（ｆ）の最も右方（３））を受信したか否かを判断している。
【０１８８】
ＰＷＣ割り込みフラグが“１”であれば、３回目の微少発光を受信したので、ＰＷＣＲ値が２．５±０．６ｍｓの範囲内か否かをチェックし、範囲内であれば（（ＰＷＣＲ−２ｍｓ）／１６μｓ）／８−５により発光倍率Ｍｖ２を設定する（Ｓ８７０；Ｙ、Ｓ８７１；Ｙ、Ｓ８７２）。タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったとき（Ｓ８６９；Ｙ）、Ｓ８７１でレジスタＰＷＣＲ値が上記範囲外であったとき、即ち倍率信号としてのワイヤレス信号を受信しなかったか、または正しく受信できなかったときは（Ｓ８７１；Ｎ）、発光倍率Ｍｖ２に−５ＥＶを設定する（Ｓ８７３）。
【０１８９】
Ｓ８７２またはＳ８７３により発光倍率Ｍｖ２を設定したら、ＷＬｓｔｅｐに２（本発光指令信号の受信待ち状態）をセットし（Ｓ８７４）、シンクロ指定がＦＰか否かをチェックする（Ｓ８７５）。本実施形態では、予備発光指令信号で指定されたシンクロ指定に基づき本発光時の発光モードが設定され、設定された発光モードに対応する本発光指令信号が送信される。
【０１９０】
シンクロ指定がＦＰでなければ、本発光は通常発光（倍率）で行なわれる。この場合には、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの単発の微少発光によって本発光指令信号が送信されるから、ＰＷＣタイマーをカウンターモードにセットし、ＰＷＣカウンター割り込みを許可し、ＰＷＣカウンター値を格納するレジスタＰＷＣＲにＦＦＦＦをセットしてＰＷＣＲカウンターをスタートさせ、リターンする（Ｓ８７５；Ｎ、Ｓ８７６）。このＳ８７６を経てリターンした場合は、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュが微少発光するとＰＷＣカウンター割り込みが発生し、Ｓ８５６へ進む。Ｓ８５６では発光倍率ＭｖとしてＳ８６７で受信したＭｖ１を設定し、予備発光モードＰｒｅＭが“１”か否かをチェックする（Ｓ８５７）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”であればシンクロ要求が順次か否かをチェックする（Ｓ８５７；Ｙ、Ｓ８５８）。順次であれば発光倍率ＭｖをＳ８７２またはＳ８７３で受信したＭｖ２に変更する（Ｓ８５８；Ｙ、Ｓ８５９）。予備発光モードＰｒｅＭが“１”でないとき（Ｓ８５７；Ｎ）、シンクロ要求が順次でないときは（Ｓ８５８；Ｎ）、Ｓ８５９をスキップし、倍率発光処理を実行して本発光を行う（Ｓ８６０）。
【０１９１】
シンクロ指定がＦＰであれば、本発光はフラット発光（ＦＰ）で行なわれる。この場合には、内蔵フラッシュまたは外部フラッシュの２回の微少発光によって本発光指令信号が送信され、その微少発光間隔がフラット発光を継続させるフラット発光時間Ｔｆｐに対応するから、ＰＷＣタイマー割り込みを許可してリターンする（Ｓ８７５；Ｙ、Ｓ８８８）。このＳ８８８を経てリターンした場合は、１回目の微少発光を受信したときにＰＷＣタイマー割り込みが発生し、Ｓ８６１へ進む。そしてＳ８６１では、ＰＷＣタイマーのカウント値、即ち本発光指令信号（２回の微少発光）の信号間隔を示すレジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲にあるか否かをチェックする（Ｓ８６１）。レジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲内でなければ、フラット発光時間に対応していないので、フラット発光を実行せずにＳ８６５へ進む（Ｓ８６１；Ｎ）。一方、レジスタＰＷＣＲ値が２．５±０．６（ｍｓ）の範囲内であれば、（ＰＷＣＲ―２ｍｓ）／６４μｓ（ｍｓ）によりフラット発光時間Ｔｆｐを決定する（Ｓ８６１；Ｙ、Ｓ８６２）。例えば、ＰＷＣＲ＝２．６４ｍｓのときＴｆｐ＝１０ｍｓとなる。そして、発光モード指定をＦＰに変更し、ＦＰ発光処理を実行して本発光（フラット発光）を行う（Ｓ８６３、Ｓ８６４）。
【０１９２】
Ｓ８６０またはＳ８６４により本発光を実行したら、ＷＬｓｔｅｐに０を設定し（Ｓ８８９）、ＰＷＣタイマーをワイヤレス信号の立下りエッジ間隔測定モードとし、ＰＷＣタイマー割り込みを許可し、ＰＷＣタイマーをスタートさせてリターンする（Ｓ８９０）。
【０１９３】
『倍率発光処理』
次に、ＰＷＣ割り込み処理のＳ８６０で実行される倍率発光処理について、図２９を参照して詳細に説明する。この処理に入ると先ず、ポートＰ５、Ｐ６、Ｐ７を出力ポートとし、これら各ポートから“０”を出力する（Ｓ８００）。この状態において、コンデンサー７３の蓄積電荷は抵抗７４を介して放電される。次に、式；Ｖｆｐ＝Ｖａ×Ｔ_ｆｉｒｅ（ｚｏｏｍ）によりフラット発光レベルＶｆｐを求め（Ｓ８０１）、求めたフラット発光レベルＶｆｐに定数Ｋｆと２の発光倍率Ｍｖ乗倍２Mvを乗算した値をＤ／Ａ変換ポートＰｄａの出力レベルＦＰｌｖｌとして求め、この出力電圧ＦＰｌｖｌをコンパレータ７５の非反転入力端子へ出力する（Ｓ８０２）。そして、出力ポートＰ４（３０Ｖｏｎ）を“１”として３０Ｖ発生回路７７に３０Ｖ電圧を発生させ（Ｓ８０３）、出力ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を“１”にして（Ｓ８０４）、ポートＰ７を入力ポートに切り換える（Ｓ８０５）。出力ポートＰ５が“１”になると、３０Ｖ発生回路７７で発生された３０Ｖ電圧がレベルシフト回路７８を介してＩＧＢＴ８３のゲートＩＧＢＴｇに印加され、ＩＧＢＴ８３がオンする。ポートＰ７が入力ポートとして機能する状態では、発光量検出受光素子８５で発生した光電流がコンデンサー７３で積分される。
【０１９４】
続いて、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“１”としてキセノン管８２内を励起状態とし、キセノン管８２の発光を開始させ（Ｓ８０６）、タイマーＢに３．２ｍｓをセットしてスタートさせ（Ｓ８０７）、ポートＰ５（ＩＧＢＴｃｔｌ）を入力ポートに設定し（Ｓ８０８）、出力ポートＰ３（ＴＲＩＧｏｎ）を“０”とする（Ｓ８０９）。
キセノン管８２が発光すると、発光量検出受光素子８５から発光量に対応する光電流が発生する。発生した光電流はコンデンサー７３で積分され、コンパレータ７５の反転入力端子の電圧ＰＤｆｌが高くなる。そして電圧ＰＤｆｌが電圧ＦＰｌｖｌに達すると、コンパレータ７５の出力は“１”から“０”に変化し、レベルシフト回路７８を介してＩＧＢＴ８３をオフし、キセノン管８２の発光を停止する。なお、Ｓ８０２で電圧ＦＰｌｖｌを発光倍率Ｍｖ乗倍に比例して設定しているので、キセノン管８２の発光量は２の発光倍率Ｍｖ乗倍２Mvに比例したものとなる。
【０１９５】
そして、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になるまで待ち（Ｓ８１０；Ｎ）、タイマーＢオーバーフローフラグが“１”になったら（Ｓ８１０；Ｙ）、ポートＰ５、Ｐ７を出力モードにセットしてポートＰ５、Ｐ７を“０”とし、出力ポートＰ４を“０”とし、ポートＰ６を入力モードにセットし（Ｓ８１１）、Ｆ_ＣRequestフラグに“１”をセットしてリターンする（Ｓ８１２）。
【０１９６】
『旧フラッシュ処理』
次に、Ｓ５１１−２で実行される旧フラッシュ処理について、図３２に示されるフローチャートを参照してより詳細に説明する。
この処理に入ると先ず、カメラが動作中か否かを識別するＦ_ＣＯｎフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ９００）。Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”であれば、本フラッシュ装置５０との通信機能を有するカメラとの通信状態にあるから（図２２；Ｓ６１３参照）、この処理を抜ける（Ｓ９００；Ｙ）。Ｆ_ＣＯｎフラグが“１”でなければ、Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ９００；Ｎ、Ｓ９０１）。Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”であれば、スレーブフラッシュとして機能している状態であるから（図２１；Ｓ５６２参照）、この処理を抜ける（Ｓ９０１；Ｙ）。Ｆ_ＷＬｓフラグが“１”でなければ、ポート群ＰｄのポートＰｄ２、Ｐｄ３を出力モードにする（Ｓ９０１；Ｎ、Ｓ９０２）。ここで、ポートＰｄ２、Ｐｄ３を出力モードにするとは、図３４に示す入出力切り換え信号ＩＮ／ＯＵＴ端子を“０”にすることである。
【０１９７】
続いて、Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”か否かをチェックする（Ｓ９０３）。Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”であれば（Ｓ９０３；Ｙ）、メインコンデンサー７９の充電が完了しているため、ポートＰｄ２を“１”として出力する（Ｓ９０４）。Ｓ９０４の処理により、充電完了信号“１”がＲ端子を介してカメラ側へ出力される。一方、Ｃｈａｒｇｅフラグが“１”でなければ、ポートＰｄ２を“０”とし出力する（Ｓ９０３；Ｎ、Ｓ９０５）。Ｓ９０５の処理により、充電完了信号“０”がＲ端子を介して出力される。
充電完了信号を出力したら、フラッシュでセットされたカメラのＦ値に比例した周波数のパルスＦｐｕｌｓｅをポートＰｄ３に出力し、この処理を抜ける（Ｓ９０６）。このＳ９０６の処理により、Ｆ値信号がＱ端子を介してカメラ側に出力される。
【０１９８】
フラッシュ装置５０では、図３５に示すように、カメラ接続端子５６のＣ端子が“０”の状態において充電完了信号Ｃｈａｒｇｅ＝“１”になると、Ｒ端子が“１”となって、Ｑ端子からＦｐｕｌｓｅ信号が出力される（図３５；（ａ））。そしてフラッシュ装置５０が外部フラッシュとして機能する場合には、Ｘ端子が“１”から“０”に変化したときに（図３５（ｂ））、フラッシュ発光が開始されるとともにＱ端子が入力モードになり、カメラからＱ端子を介して送られてくるクエンチ信号に基づいてフラッシュ発光が停止される（図３５（ｃ））。
【０１９９】
【発明の効果】
本発明によれば、分割受光素子が備えた複数の受光素子を１つずつ切り換えながら、各受光素子の出力を複数回連続してＡ／Ｄ変換するＡＤ処理を所定サイクル繰り返すので、Ａ／Ｄ変換回数が増えて各分割領域に対してより多くの変換データを得ることができ、より正確な測光値を得ることができる。
また本発明によれば、各分割領域に対応する複数の変換データに基づいて各分割領域の測光値を求めるが、この際に、各分割領域に対応する複数の変換データの中から最大値を抽出し、この最大値との差が所定値以上となる変換データを除外するので、受光応答の遅れを除去できる。また撮影レンズの開放Ｆ値Ａｖと撮影距離Ｄｖの和が所定値以上あるときは、予備発光時間を長く設定しているから、予備発光時に分割受光素子の受光量が少なく受光応答遅れが生じる場合でも、予備発光を正しく測光できる。
さらに本発明によれば、分割受光素子の各受光素子の出力を、該出力にリップルが含まれるときに複数回連続してＡ／Ｄ変換するので、リップルを除去して正確な変換データを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を適用したフラッシュ撮影システムを構成するカメラの制御系の構成を示すブロック図である。
【図２】  同カメラが備えた測光回路の回路構成を示す図である。
【図３】  同カメラが備えたＴＴＬ測光回路の回路構成を示す図である。
【図４】  本発明を適用したフラッシュ撮影システムを構成するフラッシュ装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図５】  カメラ−フラッシュ間の通信シーケンス（通常時）を示す図である。
【図６】  カメラ−フラッシュ間の通信シーケンス（発光時）を示す図である。
（ａ）及び（ｂ）はモード３通信を示しており、（ａ）は発光モード指定がＴＴＬの場合、（ｂ）はシンクロ指定が順次モードの場合をそれぞれ示している。（ｃ）〜（ｆ）はモード４通信処理を示しており、（ｃ）は発光モード指定がフラット発光モードの場合、（ｄ）は発光モード指定が予備発光モードの場合、（ｅ）はＷＬ信号によって予備発光、テスト発光、フラット発光時間時間を指示する場合、（ｆ）は発光モード指定が倍率の場合をそれぞれ示している。
【図７】  同フラッシュ装置のフラット発光制御におけるタイミングチャートを示した図である。
【図８】  （ａ）は同カメラが備えた分割受光素子の測光領域を示している。（ｂ）は同カメラが備えたＴＴＬ受光素子のフィルム面測光における中央横方向の受光分布を示している。（ｃ）は（ａ）に示した各測光領域におけるＴＴＬ受光素子の受光量を示す図である。
【図９】  （ａ）は主要被写体が中央のみにあって周辺が遠い場合、（ｃ）は主要被写体の周辺に高反射率の被写体がある場合の撮影画面を示している。（ｂ）、（ｄ）は、（ａ）、（ｂ）における各測光領域の予備発光輝度を示している。
【図１０】  同カメラのメイン処理に関するフローチャートである。
【図１１】  同カメラのフラッシュ通信処理に関するフローチャートである。
【図１２】  同カメラの予備発光処理に関するフローチャートの一部である。
【図１３】  同カメラの予備発光処理に関するフローチャートの一部である。
【図１４】  同カメラの予備発光データ取得処理に関するフローチャートである。
【図１５】  同カメラのプレＡＤ処理に関するフローチャートである。
【図１６】  同カメラの発光量演算処理に関するフローチャートである。
【図１７】  同カメラの露出処理に関するフローチャートの一部である。
【図１８】  同カメラの露出処理に関するフローチャートの一部である。
【図１９】  同カメラのテスト発光処理に関するフローチャートである。
【図２０】  同フラッシュ装置のメイン処理に関するフローチャートである。
【図２１】  同フラッシュ装置のワイヤレスモード処理に関するフローチャートである。
【図２２】  同フラッシュ装置の通信割り込み処理に関するフローチャートである。
【図２３】  同フラッシュ装置の特殊発光処理に関するフローチャートの一部である。
【図２４】  同フラッシュ装置の特殊発光処理に関するフローチャートの一部である。
【図２５】  同フラッシュ装置のフラット発光処理に関するフローチャートである。
【図２６】  同フラッシュ装置の通常発光処理に関するフローチャートである。
【図２７】  同フラッシュ装置のＰＷＣ割り込み処理に関するフローチャートの一部である。
【図２８】  同フラッシュ装置のＰＷＣ割り込み処理に関するフローチャートの一部である。
【図２９】  同フラッシュ装置の倍率発光処理に関するフローチャートである。
【図３０】  同フラッシュ装置の発光制御時間[μｓ]と発光量誤差[ＥＶ]の関係を示すグラフである。
【図３１】  同カメラが実行するブレＡ／Ｄ処理のシーケンスを説明する図である。
【図３２】  同フラッシュ装置の旧フラッシュ処理に関するフローチャートである。
【図３３】  同フラッシュ装置のカメラ接続端子を説明する図である。
【図３４】  同フラッシュ装置が備えたフラッシュＣＰＵの入出力端子構成の一実施例を示す図である。
【図３５】  同フラッシュ装置が出力するＦｐｕｌｓｅ信号を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
１  ５１  電池
２  昇降圧ボルテージレギュレータ
３  ５３  ７３  コンデンサー
４  フラッシュ接続端子（Ｃ、Ｒ、Ｑ、Ｘ、Ｇ）
５  表示素子
６  ６０  ＥＥＰＲＯＭ
７  レンズ通信インターフェース
８  フラッシュ通信インターフェース
９  ６３  情報設定スイッチ群
１０  カメラ
１３  ＣＰＵ
１４  内蔵フラッシュ回路
１５  モータ制御回路
１６  ＡＦ回路
１７  絞り制御回路
１８  シャッタ制御回路
１９  測光回路
２０  ＴＴＬ測光回路
２１  Ｘｅ管
２２  分割受光素子
２３  ＴＴＬ受光素子
５０  フラッシュ装置
５２  ショットキーダイオード
５４  レギュレータ
５５  発光ユニット
５６  カメラ接続端子（Ｃ、Ｒ、Ｑ、Ｘ、Ｇ）
５７  ワイヤレス受光素子
５８  ワイヤレス受光回路
５９  カメラ通信インターフェース
６１  ズームモータ
６２  モータドライブ回路
６５  フラッシュＣＰＵ
６６  昇圧回路
６７  ６８  ８４  ダイオード
６９  充電検出回路
７０  外光オート回路
７１  外光オート受光素子
７２  ＬＣＤ表示器
７４  ７６  抵抗
７５  ２０３  コンパレータ
７７  ３０Ｖ発生回路
７８  レベルシフト回路
７９  メインコンデンサー
８０  トリガー回路
８１  コイル
８２  Ｘｅ管
８３  ＩＧＢＴ
８５  発光量検出受光素子
１００  １０５  １０９  ２０２  オペアンプ
１０１  １０４  圧縮ダイオード
１０２  セレクター
１０３  定電流源
１０６  正系数温度抵抗器
１１０  基準電圧発生回路
２００  ＭＯＳ_ＳＷ（ＭＯＳＦＥＴ）
２０１  積分コンデンサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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