(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽イオンと陰イオンとを含有し該陰イオンは、錯塩形成能を有する化合物がコバルト原子に配位したものであるコバルト含有錯塩染料を含むレジスト組成物であって、該陽イオンは式（３）：
【化３】
0004775585.tif 000060
（ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。）であることを特徴とする、コバルト含有錯塩染料を含むレジスト組成物。
【請求項２】
錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物が、式（１）：
【化１】
0004775585.tif 000061
（ただし、Ｘは置換又は未置換の環式化合物に由来する有機基を示す。）で示されるジヒドロキシアゾ構造を有するものである請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物が、式（２）：
【化２】
0004775585.tif 000062
で示されるピラゾールアゾ構造を有するものである請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
錯塩形成能を有する化合物が、スルホン酸基又はカルボキシル基を有するものである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
錯塩染料が、コバルトと錯塩形成能を有する化合物との割合が（コバルト）：（錯塩形成能を有する化合物）のモル比で１：２であるところの陰イオンを含有するものである請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
式（３）中のＲ１及びＲ２は少なくとも一方が含窒素有機基である請求項１乃至請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
式（３）中のＲ１及びＲ２は少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ５）を有する請求項１乃至請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項８】
Ｒ５が、置換又は未置換の芳香族基である請求項７に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
式（３）中のＲ３及びＲ４は少なくとも一方が水素原子である請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
錯塩染料の陽イオンが式（４）：
【化４】
0004775585.tif 000063
（但し、Ｒは水素原子又はメチルを示す。）である請求項１乃至請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項１１】
樹脂（Ａ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）、架橋性化合物（Ｃ）、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のレジスト組成物を、基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２の方法で製造されたカラーフィルターを含む液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項１２の方法で製造されたカラーフィルターを含むＬＥＤ表示装置。
【請求項１５】
請求項１２の方法で製造されたカラーフィルターを含む固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は染料含有レジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターに関する。
【背景技術】
【０００２】
色素を添加したフォトレジストは、微細なパターン形成ができることから、高精細なカラーフィルターを作製可能とする。このため、電荷結合素子（ＣＣＤ）又は液晶表示素子（ＬＣＤ）等の撮像素子用カラーフィルターは、主に、色素を添加したフォトレジストによりパターンを形成する方法を用いて作製されている。この方法では、色素と高分子樹脂とを含むレジスト組成物を用いて、それを基板上に塗布製膜した後、着色層をフォトリソグラフィー法でパターニング、現像することで一つの着色パターンを形成させ、各色毎にこの工程を繰り返し行い、カラーフィルターを作製する。【０００３】
その際、着色剤として用いられる色素には、一般的に耐熱性や耐光安定性に優れる顔料が用いられ、その一つとして顔料を分散させたレジストが提案されている。例えば、酸により硬化し得る樹脂系材料と、光酸発生剤と、顔料とを含有してなることを特徴とする感光性着色樹脂組成物が開示されている（例えば、特許文献１）。そこには樹脂系材料がフェノールを含む樹脂とＮ−メチロール構造を持つ架橋剤とからなることが開示されている。【０００４】
しかしながら、顔料は、それ自体が数十ｎｍ〜数百ｎｍ前後の粒子径を有する粒子を含んでいるため、顔料自体が異物となったり、分散が安定せず凝集を起こすという問題があった。そのため、従来の顔料を用いることによっては、高解像度が要求されるＣＣＤ用カラーフィルターの作成が困難な状況となってきている。【０００５】
これに対して、色素として染料を用いた場合、染料は有機溶剤に対して可溶であることから均一なレジスト組成物が得られる。そのため、顔料を分散させたレジスト組成物に比べて微細なパターンを形成することが可能である。例えば、酸により硬化し得る樹脂、架橋剤、光酸発生剤、染料及び溶剤を含有してなるネガ型レジスト組成物が開示されている（例えば、特許文献２）。【０００６】
また、酸性染料のアミン塩であり、有機溶媒及びアルカリ性水溶液に可溶なカラーフィルター用レジスト添加色素が開示されている（例えば、特許文献３）。【０００７】
一方、含窒素有機化合物による陽イオンを有する染料については、テトラキスアゾ染料に、脂肪族アミン類、脂環族アミン類、芳香族アミン類又は第４級アンモニウム塩類を作用させる方法による製造方法が開示されている。これらは、各種インキ、ラッカー用として、あるいは紙、合成樹脂、繊維材料その他一般合成樹脂材料、木材、油、天然及び合成ワックス用の着色剤、石油製品の着色剤として使用できることが記載されている。（例えば、特許文献４）。【０００８】
また、活性水素を有する水溶性染料、エポキシ化合物、アミン化合物の反応混合物を着色剤として含有するインキ組成物が開示されている。これらは筆記具用、印刷用、記録用、スタンプ用、紙着色に利用されることが記載されている（例えば、特許文献５）。【０００９】
さらに、水酸基を含有するピラゾールアゾ構造を有する化合物とクロムが、２：１で錯塩を形成した染料で着色されたカラーフィルターが開示されている（例えば、特許文献６、特許文献７）。【００１０】
このほか、スルホン酸基、ニトロ基を有する金属不含フタロシアニン等により着色されたカラーフィルターが開示されている（例えば、特許文献８，特許文献９、特許文献１０）。
【特許文献１】特開平４−１６３５５２号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平６−５１５１４号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開平６−５１１１５号公報（特許請求の範囲）
【特許文献４】特開昭６０−２２９９５３号公報（特許請求の範囲、及び実施例）
【特許文献５】特開昭６１−２０３１８２号公報（特許請求の範囲、及び実施例）
【特許文献６】特開平３−３８６０１号公報（特許請求の範囲）
【特許文献７】特開昭６３−２２６６０２号公報（特許請求の範囲）
【特許文献８】特開平１−３０３４０７号公報（特許請求の範囲）
【特許文献９】特開平２−１９８０３号公報（特許請求の範囲）
【特許文献１０】特開平２−１０８００４号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
カラーフィルターの薄膜化がさらに進んだ場合、所望の分光スペクトルを発現させるためには、レジスト組成物中の染料濃度を高める必要がある。本発明の目的は、カラーフィルターの薄膜化に対応すべく、染料濃度を高めた場合においても高い分光スペクトルの再現性、高い耐熱性及び耐光性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ち、さらに現像残渣のないカラーレジスト組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は第１観点として、陽イオンと陰イオンとを含有し陰イオンは、錯塩形成能を有する化合物がコバルト原子に配位したものであるコバルト含有錯塩染料を含むレジスト組成
物であって、陽イオンは式（３）：
【化３】
0004775585.tif 000002
（ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。）であることを特徴とする、コバルト含有錯塩染料を含むレジスト組成物、
第２観点として、錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物が、式（１）：
【００１３】
【化１】
0004775585.tif 000003
【００１４】
（ただし、Ｘは置換又は未置換の環式化合物に由来する有機基を示す。）で示されるジヒドロキシアゾ構造を有するものである第１観点に記載のレジスト組成物、
第３観点として、錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物が、式（２）：【００１５】
【化２】
0004775585.tif 000004
【００１６】
で示されるピラゾールアゾ構造を有するものである第１観点又は第２観点に記載のレジスト組成物、
第４観点として、錯塩形成能を有する化合物が、スルホン酸基又はカルボキシル基を有するものである第１観点乃至第３観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第５観点として、錯塩染料が、コバルトと錯塩形成能を有する化合物との割合が（コバルト）：（錯塩形成能を有する化合物）のモル比で１：２であるところの陰イオンを含有するものである第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
【００１８】
第６観点として、式（３）中のＲ1及びＲ2は少なくとも一方が含窒素有機基である第１観点乃至第５観点に記載のレジスト組成物、
第７観点として、式（３）中のＲ1及びＲ2は少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5
）を有する第１観点乃至第５観点に記載のレジスト組成物、
第８観点として、Ｒ5が、置換又は未置換の芳香族基である第７観点に記載のレジスト組
成物、
第９観点として、式（３）中のＲ3及びＲ4は少なくとも一方が水素原子である第１観点乃至第８観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物、
第１０観点として、錯塩染料の陽イオンが式（４）：
【００１９】
【化４】
0004775585.tif 000005
【００２０】
（ただし、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。）である第１観点乃至第５観点に記載のレジスト組成物、
第１１観点として、樹脂（Ａ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）、架橋性化合物（Ｃ）、第１観点乃至第１０観点のいずれか一つに記載の染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物、
第１２観点として、第１観点乃至第１１観点のいずれか一つに記載のレジスト組成物を、基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むカラーフィルターの製造方法、
第１３観点として、第１２観点の方法で製造されたカラーフィルターを含む液晶表示装置、
第１４観点として、第１２観点の方法で製造されたカラーフィルターを含むＬＥＤ表示装置、及び
第１５観点として、第１２観点の方法で製造されたカラーフィルターを含む固体撮像素子、である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のレジスト組成物は、カラーフィルターの薄膜化に対応できるようにしたものであって、染料濃度をレジスト組成物の全固形分中で３０質量％以上に高めることが可能であり、そして染料とフェノール樹脂との相互作用により、耐熱性及び耐光性を向上させることができる。さらに高いアルカリ現像性を示す樹脂とアルカリ現像性を示す染料とを組み合わせたレジスト組成物とすることにより、所望の分光スペクトルを発現でき、耐熱性、耐光性に優れ、高い解像性を示すカラーフィルターを作製できる。【００２２】
本発明のレジスト組成物は、レジスト組成物中の染料濃度を高めることにより、カラーフィルターを作成した際にその薄膜化が可能である。カラーフィルターの膜厚を０．３〜１．５μｍに設定するには、レジスト組成物中での染料濃度が３０質量％以上必要である。該染料分子を含有したレジスト組成物及びそれから製造されたカラーフィルターは、その染料分子に起因して４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と１０％以下の透過率を示す領域とを少なくとも有する分光スペクトルを示す。染料濃度が低濃度でこの透過率の値を示す場合は、単位体積当たりの染料分子の数が少なくてすむが、耐熱性や耐光性が十分に確保できない。また、染料濃度が高濃度でこの透過率を示す場合は、所望の分光スペクトルを得る上で単位体積当たりの染料分子の数が多くなり、解像度や密着性が十分に確保できない。従って、本発明のレジスト組成物は、可視光域（波長４００〜７５０ｎｍ）、特に４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と１０％以下の透過率を示す領域とを少なくとも有する分光スペクトルを示す染料を含有するものである。【００２３】
赤、緑、青等の染料は、各染料が吸収を示す特定領域（透過率が１０％以下の領域）と吸収を示さない領域（透過率が７０％以上の領域）を有しているものであり、吸収を示さない領域が他の染料の吸収を阻害するものであっては好ましくない。各染料が本来、吸収を示さない領域に吸収を示す場合は、その染料の耐熱性や耐光性が不十分な場合であることを示す。本発明のレジスト組成物に使用される上記染料は、吸収を示す特定領域で透過率が１０％以下であり、吸収を示さない領域では透過率が７０％以上であり、目的とする分光スペクトルを発現することにより、鮮明なカラーフィルターを得ることができる。【００２４】
本発明のレジスト組成物に用いられる特定構造を有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料は、レジスト組成物のその他主要成分、すなわち樹脂、光酸発生剤又は光塩基発生剤、架橋性化合物及び溶剤の各成分に対して高い溶解性と相溶性を有するものである。そしてこれら成分を含んだ本発明のレジスト組成物を基板に塗布し、硬化し、露光後、現像した際に得られるレジストパターンは高い現像性を有するものである。【００２５】
そして、本発明のレジスト組成物に用いる染料（Ｄ）は、コバルト含有錯塩染料であって、該染料（Ｄ）を用いることにより、クロム等の有害な金属を含有することなく、クロム含有錯塩染料を用いた場合と同等の耐熱性及び耐光性を有するカラーフィルターを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明のレジスト組成物は、レジスト組成物の樹脂（Ａ）を選択することにより、ネガ型、又はポジ型で使用することができる。【００２７】
更に詳しくは、本発明のレジスト組成物は樹脂（Ａ）を樹脂（ＡＮ）と樹脂（ＡＰ）から選択し、光酸発生剤又は光塩基発生剤（Ｂ）を光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）と光酸発生剤（ＢＰ）から選択することにより、ネガ型とポジ型に適用可能である。【００２８】
ここでネガ型レジスト組成物とは、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物を指す。【００２９】
また、ポジ型レジスト組成物とは、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）、及び溶媒（Ｅ）を含有するレジスト組成物を指す。【００３０】
ネガ型レジスト組成物に使用される樹脂（ＡＮ）は、熱若しくは光照射により発生する酸、又は熱若しくは光照射により発生する塩基により硬化する樹脂、熱又は光照射により架橋する感光性樹脂であり、該樹脂中の未露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。【００３１】
樹脂（ＡＮ）としては、例えば水酸基、又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。【００３２】
例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸およびポリメタクリル酸等のアクリル系樹脂、ポリアミド酸、ポリビニルフェノール及びその誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、水酸基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース、セルロース誘導体、スターチ、キチン、キトサン、ゼラチン、ゼイン、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。【００３３】
特に好ましくは、樹脂（ＡＮ）としては、ポリビニルフェノール及びその共重合体である。【００３４】
共重合モノマーとしてはアクリル系モノマーが挙げられ、たとえば（メタ）アクリル酸エステル及びエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。【００３５】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート及びグリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。【００３６】
エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、およびそれらの酸無水物やハーフエステルが用いられる。これらのなかでは、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及びヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートが好ましい。【００３７】
ポリビニルフェノール及びポリビニルフェノールと上記アクリル系モノマーとの共重合体は重量平均分子量（ポリスチレン換算）で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性及び密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー１種とを共重合して用いることや、ビニルフェノールと上記アクリル系モノマー２種類以上との組み合わせからなる共重合体を用いることが可能である。【００３８】
共重合に用いる他の化合物としては、アクリル酸誘導体、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン等のスチレン誘導体が挙げられる。これらのなかではスチレンが好ましい。【００３９】
ポリビニルフェノール又はその共重合体、即ちポリヒドロキシスチレン又はポリヒドロキシスチレン誘導体は重量平均分子量で１０００〜１０万であり、好ましくは、現像性及び密着性の点から、２０００〜３万である。これらは必要に応じて組み合わせることができ、単独で、又は２種類以上の共重合体を組み合わせて用いる事が出来る。【００４０】
ネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）を用いた際に使用する光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）の中で、光酸発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に酸を発生するものであれば特に限定されない。具体例としては、トリアジン系化合物、アセトフェノン誘導体化合物、ジスルホン系化合物、ジアゾメタン系化合物、スルホン酸誘導体化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、トリアリールホスホニウム塩、鉄アレーン錯体などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えばジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムメシレート、ジフェニルヨードニウムトシレート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムメシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトシレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムクロリド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムクロリド、ビス（ｐ−クロロフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムクロリド、トリフェニルスルホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）スルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルホスホニウムクロリド、トリフェニルホスホニウムブロミド、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−メトキシフェニル）ホスホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリ（ｐ−エトキシフェニル）ホスホニウムテトラフルオロボレートが挙げられる。【００４１】
また式（５）〜式（７１）に挙げる光酸発生剤も使用する事が出来る。【００４２】
【化５】
0004775585.tif 000006
【００４３】
【化６】
0004775585.tif 000007
【００４４】
【化７】
0004775585.tif 000008
【００４５】
【化８】
0004775585.tif 000009
【００４６】
【化９】
0004775585.tif 000010
【００４７】
【化１０】
0004775585.tif 000011
【００４８】
【化１１】
0004775585.tif 000012
【００４９】
【化１２】
0004775585.tif 000013
【００５０】
【化１３】
0004775585.tif 000014
【００５１】
光酸発生剤として前記式（５５）〜式（５８）、式（６３）〜式（６８）及び式（６９）〜式（７１）の化合物を使用したレジスト組成物は、より鮮明なレジストパターンが得られる。【００５２】
前記式に示した光酸発生剤は一例であり、これらの化合物に限定されるものではない。【００５３】
光酸発生剤は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られ難く、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、酸発生剤の導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。【００５４】
光塩基発生剤としては、光照射により直接もしくは間接的に塩基を発生するものであれば特に限定されない。例えば、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニルへキサン−１，６−ジアミン］、ニトロベンジルシクロへキシルカルバメート、ジ（メトキシベンジル）ヘキサメチレンジカルバメート、および以下の式（７２）〜式（７４）の構造の化合物が挙げられる。【００５５】
【化１４】
0004775585.tif 000015
【００５６】
（ただし、式（７２）〜式（７４）において、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は水素原子、置換又は無置換のアルキル基、および、置換又は無置換のフェニル基を示す。）【００５７】
これら光塩基発生剤は光酸発生剤と同様に、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。またその導入量は、上記光酸発生剤の場合と同様の理由で、樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２〜１００質量部であることが好ましい。【００５８】
さらに光増感剤として、従来から公知の光増感剤を用いることができる。例えば、チオキサンテン系、キサンテン系、ケトン系、チオピリリウム塩系、ベーススチリル系、メロシアニン系、３−置換クマリン系、３，４−置換クマリン系、シアニン系、アクリジン系、チアジン系、フェノチアジン系、アントラセン系、コロネン系、ベンズアントラセン系、ぺリレン系、メロシアニン系、ケトクマリン系、フマリン系、ボレート系が挙げられる。これらは、単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。【００５９】
ネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）に用いられる架橋性化合物（Ｃ）としては、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、低級アルコキシアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物を使用することができる。【００６０】
例えば、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えばメラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド−ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素−ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。【００６１】
この架橋性化合物（Ｃ）は例えば、アミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル基又はその両方で置換されたメラミン誘導体、ベンゾグアナミン誘導体又はグリコールウリルを用いることができる。このメラミン誘導体及びベンゾグアナミン誘導体は二量体又は三量体として存在することも可能である。これらはトリアジン環１個当たり、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以上６個以下有するものが好ましい。【００６２】
このようなメラミン誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販品のトリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均３．７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当たりメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ−３０（以上、（株）三和ケミカル製）や、サイメル３００、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカルボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベンゾグアナミン（以上、日本サイテックインダストリーズ（株）（旧三井サイアナミド（株））製）が挙げられる。また、グリコールウリルの例として、サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコールウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコールウリル等、パウダーリンク１１７４のようなメトキシメチロール化グリコールウリル（以上、日本サイテックインダストリーズ（株）（旧三井サイテック（株））製）等が挙げられる。【００６３】
また、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するベンゼンまたはフェノール性化合物として、例えば１，３，５−トリス（メトキシメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（イソプロポキシメチル）ベンゼン、１，４−ビス（ｓｅｃ−ブトキシメチル）ベンゼン、２，６−ジヒドロキシメチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。【００６４】
また、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有する化合物も使用できる。具体例としては、例えばビスフェノールアセトングリシジルエーテル、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルアミノジフェニレン、テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、テトラグリシジル−１，３−ビス（アミノエチル）シクロヘキサン、テトラフェニルグリシジルエーテルエタン、トリフェニルグリシジルエーテルエタン、ビスフェノールヘキサフルオロアセトジグリシジルエーテル、１，３−ビス（１−（２，３−エポキシプロポキシ）−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロメチル）ベンゼン、４，４−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）オクタフルオロビフェニル、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシレンジアミン、２−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−２−（４−（１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）エチル）フェニル）プロパン、１，３−ビス（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−（４−（１−（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチル）フェノキシ）−２−プロパノール等が挙げられる。【００６５】
これらの架橋性化合物（Ｃ）は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＮ）成分１００質量部に対して１〜３００質量部、好ましくは２０〜２００の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンが得られにくく、また３００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋剤の導入量は樹脂成分１００質量部に対して１〜３００質量部であることが好ましい。【００６６】
ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂（ＡＰ）は、熱により硬化する樹脂であり、熱又は光照射により発生する酸により樹脂が分解することで、極性や分子量が変化し、現像液に対して溶解性を示すようになるものであり、該樹脂中の露光部の塗膜が現像液により除去できるものであれば特に限定されない。【００６７】
樹脂（ＡＰ）としては、例えば水酸基又はカルボキシル基を有する樹脂等が挙げられる。具体的には、例えばポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレン誘導体、ポリメタクリレートとマレイン酸無水物との共重合体、フェノール樹脂およびノボラック樹脂、水酸基および／またはカルボキシル基を含むポリイミド、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリウレタンおよびポリシロキサンが挙げられる。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いる事が出来る。【００６８】
また、カルボキシル基含有アクリル系樹脂を用いることもできる。これはすなわち、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、エチレン性不飽和カルボン酸と必要に応じて他のモノマーを共重合したアクリル系共重合体である。これらの樹脂は、単独で、または２種類以上組み合わせて用いられる。【００６９】
ポジ型レジスト組成物に用いられる光酸発生剤（ＢＰ）は、ナフトキノンジアジド化合物が挙げられる。一般的に１，２−キノンジアジド化合物が用いられる。例えば、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、１，２−ベンゾキノンジアジドスルホン酸アミド、および１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド等が挙げられる。これらナフトキノンジアジド化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事も出来る。また、その導入量は、樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜５０質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また５０質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、ナフトキノンジアジド化合物の導入量は樹脂成分１００質量部に対して１〜５０質量部であることが好ましい。【００７０】
ポジ型レジスト組成物に用いられる架橋性化合物（Ｃ）としては前述の架橋性化合物が用いられ、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルキル基、及び低級アルコキシアルキル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の架橋形成基を有する化合物、または、エポキシ基、イソシアネート基を含み、架橋形成基を有するもの、さらに重合性不飽和基を有する化合物を使用することができる。【００７１】
これらの架橋性化合物は単独で用いる事も、２種類以上組み合わせて用いる事もできる。また、その導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部の範囲で選ばれる。この量が１質量部未満の場合では、架橋反応が十分に進行せず、所望のレジストパターンを得にくくなり、また２００質量部を超えた場合では、レジスト組成物の保存安定性に劣る。そのため、架橋性化合物（Ｃ）の導入量は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して１〜２００質量部であることが好ましい。【００７２】
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる染料（Ｄ）は、カラーフィルターとした時に望ましい分光スペクトルを有し、かつ溶剤にそのまま溶解するか、あるいは染料を変性した形で溶解するものを用いることができる。【００７３】
本発明のレジスト組成物に用いる染料は、コバルト含有錯塩染料である。【００７４】
錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物は、式（１）：【００７５】
【化１５】
0004775585.tif 000016
【００７６】
（ただし、Ｘは置換又は未置換の環式化合物に由来する有機基を示す。）で示されるジヒドロキシアゾ構造を有するものである。Ｘは５員環及び６員環の複素環式化合物に由来する有機基及び同素環式化合物、更にはそれら複素環同士の縮合環、同素環同士の縮合環、複素環と同素環の縮合環があげられ、これらの環に由来する有機基が例示される。具体的には、フラン、チオフェン、ピロール、ビリジン、アゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピリミジン、インドール、キノリン、プリン、プテリジン、フェニル、ナフタレン及びアントラセン等があげられる。これらの環は置換基を有することが可能である。この置換基は例えば、メチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基等のアルキル基、塩素、臭素等のハロゲン基、ニトロ基及びアミノ基等があげられる。更に上記の環を置換基とすることもできる。【００７７】
錯塩染料を生成する錯塩形成能を有する化合物は、式（２）：【００７８】
【化１６】
0004775585.tif 000017
【００７９】
で示されるピラゾールアゾ構造を有するものが好ましい。即ち、上記式（１）においてＸがピラゾールに由来する有機基を有する場合である。【００８０】
上記の錯塩形成能を有する化合物は、スルホン酸基又はカルボキシル基を有し、この錯塩染料において、錯体に基づく陰イオン性と、スルホン酸基又はカルボキシル基に基づく陰イオン性を有することが可能である。【００８１】
錯塩染料において、中心金属であるコバルト金属と、錯塩形成能を有する化合物とのモル比は、１：２〜４であり、好ましくは１：２である。【００８２】
本発明のレジスト組成物に用いられる錯塩染料は式（３）：【００８３】
【化１７】
0004775585.tif 000018
【００８４】
（ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。）の陽イオンを含有することができる。【００８５】
式（３）中でＲ1及びＲ2は少なくとも一方が含窒素有機基を有するものであり、特にＲ1及びＲ2の両方が含窒素有機基であることが好ましい。【００８６】
このＲ1及びＲ2の含窒素有機基は少なくとも一方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有するものであり、特にＲ1及びＲ2の両方がイミノ構造（−ＮＨ−Ｒ5）を有していることが好ましい。【００８７】
Ｒ5は置換又は未置換の芳香族基であり、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル及びプロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル及びブロム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。Ｒ5は好ましくは、フェニル基及びトリル基があげられる。【００８８】
Ｒ3及びＲ4は水素原子又はメチル、エチル及びプロピル等のアルキル基、又は置換又は未置換の芳香族基があげられる。この芳香族基は例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、及びこれらの芳香族基にメチル、エチル及びプロピル等のアルキル基、ニトロ基、クロル及びブロム等のハロゲン基が置換した芳香族基があげられる。特に、Ｒ3及びＲ4の両方が水素原子である場合、あるいは、Ｒ3及びＲ4の一方が水素原子で他方が上記芳香族基である場合が好ましい。【００８９】
本発明のレジスト組成物に用いられる染料（Ｄ）に含まれる陽イオンの具体例としては、式（７５）〜式（８０）が挙げられる。【００９０】
【化１８】
0004775585.tif 000019
【００９１】
本発明のレジスト組成物に用いられる染料（D）に含まれる陽イオンは、式（４）：【００９２】
【化１９】
0004775585.tif 000020
【００９３】
（ただし、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。）である場合が特に好ましい。【００９４】
また、前記式（３）及びその具体的化合物である式（４）の化合物は共鳴構造を有し、式（４）の化合物を例にあげて示すと式（８１）：【００９５】
【化２０】
0004775585.tif 000021
【００９６】
（ただし、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。）の構造を示す陽イオンも存在する。この陽イオンを本発明のレジスト組成物に用いることも可能である。【００９７】
上記の陰イオンと陽イオンからなる錯塩染料は、例えば式（８２）〜（９９）：【００９８】
【化２１】
0004775585.tif 000022
【００９９】
【化２２】
0004775585.tif 000023
【０１００】
【化２３】
0004775585.tif 000024
【０１０１】
【化２４】
0004775585.tif 000025
【０１０２】
【化２５】
0004775585.tif 000026
【０１０３】
【化２６】
0004775585.tif 000027
【０１０４】
【化２７】
0004775585.tif 000028
【０１０５】
【化２８】
0004775585.tif 000029
【０１０６】
【化２９】
0004775585.tif 000030
【０１０７】
【化３０】
0004775585.tif 000031
【０１０８】
【化３１】
0004775585.tif 000032
【０１０９】
【化３２】
0004775585.tif 000033
【０１１０】
【化３３】
0004775585.tif 000034
【０１１１】
【化３４】
0004775585.tif 000035
【０１１２】
【化３５】
0004775585.tif 000036
【０１１３】
【化３６】
0004775585.tif 000037
【０１１４】
【化３７】
0004775585.tif 000038
【０１１５】
【化３８】
0004775585.tif 000039
【０１１６】
の化合物を例示することができる。【０１１７】
本発明のレジスト組成物に用いられるこれら染料（Ｄ）は、市販品を使用することができる。【０１１８】
また、これら染料（Ｄ）は公知な方法で容易に合成することができる。例えば、前記式（３）〜式（４）及び前記式（７５）〜式（８０）の構造に対応するアミンと、スルホン酸基又はカルボン酸基を有する染料分子（母体）を反応させる方法により得られる。即ち、スルホン酸基又はカルボン酸基を有し且つ錯体構造を有する化合物の水溶液を、塩形成に必要な所望のモル比のアミンと反応させ、水に難溶の塩を沈殿させることにより合成できる。染料の塩が水に可溶性のときは塩析を行うことにより塩が得られる。【０１１９】
より具体的には、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有し且つコバルト錯体構造を有する上記染料の水溶液に、前記式（３）〜式（４）及び前記式（７５）〜式（８０）の構造を有するアンモニウム塩の水溶液を加えて反応させ、前記式（３）〜式（４）及び前記式（７５）〜式（８０）の陽イオンを有する錯塩染料を製造することができる。また、スルホン酸ナトリウム、又はカルボン酸ナトリウムを有し且つコバルト錯体構造を有する上記染料の水溶液に、前記式（３）〜式（４）及び前記式（７５）〜式（８０）の構造に対応するアミンの塩酸塩の水溶液を加えて反応させ、前記式（３）〜式（４）及び前記式（７５）〜式（８０）の陽イオンを有する染料を製造することができる。【０１２０】
本発明のレジスト組成物に用いられる上記染料（D）に加え、更に任意の染料を染料全体の６０質量％未満の割合で混合して用いることも可能である。これら任意の染料としては、酸性染料、油溶性染料、分散染料、反応性染料及び直接染料等が挙げられる。例えば、アゾ系染料、ベンゾキノン系染料、ナフトキノン系染料、アントラキノン系染料、シアニン系染料、スクアリリウム系染料、クロコニウム系染料、メロシアニン系染料、スチルベン系染料、ジフェニルメタン系染料、トリフェニルメタン系染料、フルオラン系染料、スピロピラン系染料、フタロシアニン系染料、インジゴ系染料、フルギド系染料、ニッケル錯体系染料、及びアズレン系染料が挙げられる。具体的には、カラーインデックス番号で以下のものが挙げられる。Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｙｅｌｌｏｗ２、３、７、１２、１３、１４、１６、１８、１９、２１、２５、２５：１、２７、２８、２９、３０、３３、３４、３６、４２、４３、４４、４７、５６、６２、７２、７３、７７、７９、８１、８２、８３、８３：１、８８、８９、９０、９３、９４、９６、９８、１０４、１０７、１１４、１１６、１１７、１２４、１３０、１３１、１３３、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１５７、１６０：１、１６１、１６２、１６３、１６７、１６９、１７２、１７４、１７５、１７６、１７９、１８０、１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６、１８７、１８９、１９０、１９１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｏｒａｎｇｅ１、２、３、４、５、７、１１、１４、２０、２３、２５、３１、４０：１、４１、４５、５４、５６、５８、６０、６２、６３、７０、７５、７７、８０、８１、８６、９９、１０２、１０３、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、１１２、１１３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｒｅｄ１、２、３、４、８、１６、１７、１８、１９、２３、２４、２５、２６、２７、３０、３３、３５、４１、４３、４５、４８、４９、５２、６８、６９、７２、７３、８３：１、８４：１、８９、９０、９０：１、９１、９２、１０６、１０９、１１０、１１８、１１９、１２２、１２４、１２５、１２７、１３０、１３２、１３５、１４１、１４３、１４５、１４６、１４９、１５０、１５１、１５５、１６０、１６１、１６４、１６４：１、１６５、１６６、１６８、１６９、１７２、１７５、１７９、１８０、１８１、１８２、１９５、１９６、１９７、１９８、２０７、２０８、２１０、２１２、２１４、２１５、２１８、２２２、２２３、２２５、２２７、２２９、２３０、２３３、２３４、２３５、２３６、２３８、２３９、２４０、２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４７、２４８、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｖｉｏｌｅｔ２、８、９、１１、１３、１４、２１、２１：１、２６、３１、３６、３７、３８、４５、４６、４７、４８、４ｍ９、５０、５１、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｂｌｕｅ２、３、４、５、７、１８、２５、２６、３５、３６、３７、３８、４３、４４、４５、４８、５１、５８、５９、５９：１、６３、６４、６７、６８、６９、７０、７８、７９、８３、９４、９７、９８、１００、１０１、１０２、１０４、���０５、１１１、１１２、１２２、１２４、１２８、１２９、１３２、１３６、１３７、１３８、１３９、１４３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｇｒｅｅｎ１、３、４、５、７、２８、２９、３２、３３、３４、３５、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｂｒｏｗｎ１、３、４、５、１２、２０、２２、２８、３８、４１、４２、４３、４４、５２、５３、５９、６０、６１、６２、６３、Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｂｌａｃｋｌ３、５、５：２、７、１３、２２、２２：１、２６、２７、２８、２９、３４、３５、４３、４５、４６、４８、４９、５０、C．I．Ａｃｉｄ  Ｒｅｄ  ６、１１、２６、６０、８８、１１１、１８６、２１５、Ｃ．Ｉ．Ａｃｉｄ  Ｇｒｅｅｎ  ２５、２７、C．I．Ａｃｉｄ  Ｂｌｕｅ  ２２、２５、４０、７８、９２、１１３、１２９、１６７、２３０、Ｃ．Ｉ．Ａｃｉｄ  Ｙｅｌｌｏｗ  １７、２３、２５、３６、３８、４２、４４、７２、７８、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ  Ｒｅｄ  １、２、１３、１４、２２、２７、２９、３９、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ  Ｇｒｅｅｎ  ３、４、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ  Ｂｌｕｅ  ３、９、４１、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ  Ｖｉｏｌｅｔ  １、３、１８、３９、６６、Ｃ．Ｉ．Ｂａｓｉｃ  Ｙｅｌｌｏｗ  １１、２３、２５、２８、４１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｒｅｄ  ４、２３、３１、７５、７６、７９、８０、８１、８３、８４、１４９、２２４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｇｒｅｅｎ  ２６、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ７１、７８、９８、１０６、１０８、１９２、２０１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  ５１、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ２６、２７、２８、３３、４４、５０、８６、１４２、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ２６、２９、３４、３７、７２、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ  Ｒｅｄ  ５、６、７、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ  Ｇｒｅｅｎ  ２、３、６、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ  Ｂｌｕｅ  ２、３、７、９、１３、１５、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ  Ｖｉｏｌｅｔ  ２、３、４、Ｃ．Ｉ．Ｓｕｌｐｈｕｒ  Ｙｅｌｌｏｗ  ４、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｒｅｄ  １３、２１、２３、２８、２９、４８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｇｒｅｅｎ  ３、５、８、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｂｌｕｅ  ６、１４、２６、３０、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｖｉｏｌｅｔ  １、３、９、１３、１５、１６、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｙｅｌｌｏｗ  ２、１２、２０、３３、Ｃ．Ｉ．Ｖａｔ  Ｏｒａｎｇｅ  ２、５、１１、１５、１８、２０、Ｃ．Ｉ．Ａｚｏｉｃ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  ２、３、４、５、７、８、９、１０、１１、１３、３２、３７、４１、４８、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｒｅｄ  ８、２２、４６、１２０、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｂｌｕｅ  １、２、７、１９、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｖｉｏｌｅｔ  ２、４、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｙｅｌｌｏｗ  １、２、４、１４、１６、Ｃ．Ｉ．Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｏｒａｎｇｅ  １、４、７、１３、１６、２０、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｒｅｄ  ４、１１、５４、５５、５８、６５、７３、１２７、１２９、１４１、１９６、２１０、２２９、３５４、３５６、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｂｌｕｅ  ３、２４、７９、８２、８７、１０６、１２５、１６５、１８３、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｖｉｏｌｅｔ  １、６、１２、２６、２��、２８、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｙｅｌｌｏｗ  ３、４、５、７、２３、３３、４２、６０、６４、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｏｒａｎｇｅ  １３、２９、３０。【０１２１】
染料（Ｄ）は、４００〜７００ｎｍの波長領域において、７０％以上の透過率を示す領域と、１０％以下の透過率を示す領域とを有する光学特性を示すものであり、そして２００℃以上の温度を経ても透過率変化が５％以内であることが好ましく、本発明のレジスト組成物及び、そのレジスト組成物から作製されたカラーフィルターにおいても同様の光学特性を示すものである。【０１２２】
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物は、基材に塗布後、５０〜１５０℃の温度で焼成し、露光、現像されるが、この焼成温度を２００〜２７０℃（２００℃では３０分、２７０℃では３０秒）の高温で焼成しても４００〜７００ｎｍの波長領域で７０％以上の透過率を示す部分の透過率の経時変化が高温焼成を行う前に比べて５％以内であることが好ましい。【０１２３】
本発明のネガ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。【０１２４】
また、ポジ型レジスト組成物では、染料（Ｄ）の導入量は、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）及び染料（Ｄ）からなる固形分全体（１００％）に対して、１〜９０質量％の範囲で選ばれる。染料の導入量が少ない場合、レジスト膜が薄膜化した際に所望の分光スペクトルを発現することが困難となり、染料の導入量が多い場合、レジスト組成物の保存安定性に劣る。しかし、本発明のレジスト組成物においては、特定構造の陽イオンを有する染料、更には特定構造の陽イオンと対イオンを組む陰イオンからなる染料を用いた事により、上記の染料の導入量（固形分全体中の染料濃度）が数質量％の低濃度で使用できることはもちろんであるが、３０〜９０質量％の高濃度に設定しても染料は充分に溶解性を確保できる。【０１２５】
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物に用いられる溶剤（Ｅ）は、例えばアセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、メトキシメチルペンタノール、ジペンテン、エチルアミルケトン、メチルノニルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノアセテートモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジアセテートエーテル、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジイソプロピルエーテル、エチルイソブチルエーテル、ジイソブチレン、アミルアセテート、ブチルブチレート、ブチルエーテル、ジイソブチルケトン、メチルシクロへキセン、プロピルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ｎ−へキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−オクタン、ジエチルエーテル、シクロヘキサノン、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルエチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、ジグライム、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンなどが挙げられる。これらは単独で、また２種類以上の組み合わせで使用することができる。【０１２６】
これらの溶媒の中でも本発明のレジスト組成物に用いられる上記染料（Ｄ）との相溶性はケトール系溶媒が特に好ましい。ケトールはβ−ヒドロキシケトンが挙げられ、具体的には４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノンが好ましく例示される。【０１２７】
本発明のレジスト組成物に用いられる上記染料（Ｄ）とケトール系溶媒との相溶性が特に好ましい理由として、ケトール系溶媒分子中の水酸基とカルボニル基の相対的な位置関係により、これらが染料イオン、特に染料の陽イオンに対する好都合な配位子として効果的に働くために非常に高い溶解性を示すことが考えられ、このため、これらの染料を使った場合に高い溶解性を有することになると考えられる。【０１２８】
本発明のレジスト組成物に用いられる溶媒（Ｅ）としては、このケトール系溶媒を単独で用いることができ、全溶媒中にケトール系溶媒を１０質量％以上の割合で含む溶媒を選択することが好ましい。【０１２９】
本発明のネガ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）および染料（Ｄ）が、樹脂（ＡＮ）、光酸発生剤又は光塩基発生剤（ＢＮ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）及び溶媒（Ｅ）中に含有する割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０質量％であり、好ましくは、１０〜３０質量％である。この割合が５質量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、要求される分光スペクトルが十分に発現しない。また、５０質量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。【０１３０】
また、本発明のポジ型レジスト組成物において、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）および染料（Ｄ）が、樹脂（ＡＰ）、光酸発生剤（ＢＰ）、架橋性化合物（Ｃ）、染料（Ｄ）及び溶媒（Ｅ）中に含有する割合、すなわち固形分濃度は、５〜５０質量％であり、好ましくは、１０〜３０質量％である。この割合が５質量％未満である場合には、塗膜の膜厚が過小になり、要求される分光スペクトルが十分に発現しない。また、５０質量％を超える場合には、レジスト組成物の粘度が過大となり、塗膜の膜厚均一性が損なわれる。【０１３１】
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物には、レジスト膜の塗れ性や平坦化性を高める目的で、界面活性剤を含有する事が出来る。このような界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。【０１３２】
より具体的には、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（ジェムコ（株）製））、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−３０（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ1０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等が挙げられる。【０１３３】
これらの界面活性剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。界面活性剤の含有量が２質量部よりも多くなるとレジスト膜がムラになりやすく、０．０１質量部未満では、レジスト膜にストリエーションが発生しやすくなる。【０１３４】
また、現像後の基板との密着性を向上させる目的で、密着促進剤を含有する事が出来る。このような密着促進剤の具体例としては、例えばトリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール類のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメチレンウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。【０１３５】
これらの密着促進剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、通常、２０質量部以下、好ましくは０．０５〜１０質量部、特に好ましくは１〜１０質量部である。【０１３６】
本発明のネガ型及びポジ型レジスト組成物には、さらにレジスト組成物と混和性のある添加物類を加えることができる。例えば、耐光性を高める紫外線吸収剤や酸化防止剤、染料の析出を抑制する相溶化剤などが挙げられる。染料の析出を抑制する相溶化剤として、具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１２〜１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１１〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンスルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１４〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ油硫酸化油化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物、セルロース、セルロース誘導体、糖骨格高分子化合物が挙げられる。【０１３７】
これら相溶化剤の使用割合は、樹脂（ＡＮ）又は樹脂（ＡＰ）成分１００質量部に対して、０．００１〜２０質量部である。使用量が少ない場合は染料の析出を抑制することができず、多い場合は良好なパターン形状が得られにくくなる。しかしながら、相溶化剤がパターン形状を阻害しない場合は２０質量部以上使用できる。【０１３８】
次に本発明の染料含有ネガ型及びポジ型レジスト組成物を用いたカラーフィルター作製方法を説明する。【０１３９】
本発明のレジスト組成物を、スピンナー法などで所望のレジスト膜厚を得る回転数でシリコンウエハーやガラス基板上に塗布し、ソフトベーク（焼成）を行う。ソフトベークは溶剤を蒸発させれば良く、５０〜１５０℃の温度範囲で、３０秒〜１０分間で行うことが好ましい。その後、マスクを介して、露光量１０〜３０００ｍＪ／ｃｍ2程度で露光する。露光には、例えば水銀ランプ等の紫外線、遠紫外線、電子線、もしくはＸ線等が用いられる。露光後、ネガ型レジスト組成物を用いてパターンを形成する場合、露光後加熱（ＰＥＢ、Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うことが好ましい。ＰＥＢにより、露光により発生した酸または塩基による架橋化がさらに進行し、より未露光部との現像溶液溶解度に対する差が広がり、解像コントラストが向上する。ＰＥＢは５０〜１７０℃の温度範囲で、３０秒から５分間行うのが好ましい。【０１４０】
次に現像を行う。現像方法としては特に制限はなく、パドル法、ディッピング法、スプレー法等の公知の方法により行うことができる。現像温度は２０℃〜３０℃の間が好ましく、現像液に１０秒〜１０分間浸漬することが好ましい。【０１４１】
現像液としては、有機溶剤またはアルカリ性水溶液などを用いることができる。具体的には、イソプロピルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチルアミン水溶液、ｎ−プロピルアミン水溶液、ジエチルアミン水溶液、ジ−ｎ−プロピルアミン水溶液、トリエチルアミン水溶液、メチルジエチルアミン水溶液、ジエタノールアミン水溶液、トリエタノールアミン水溶液、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、重炭酸ナトリウム水溶液、ケイ酸ナトリウム水溶液及びメタケイ酸ナトリウム水溶液などが挙げられる。【０１４２】
さらに、現像液には未露光部の除去性を高めるために、界面活性剤を添加することが好ましい。具体例としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１２〜１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキル（炭素数１３）エーテル化合物、ポリオキシエチレンセチルエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルエーテル化合物、ポリオキシエチレンデシルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１１〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレン２級アルキル（炭素数１２〜１４）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンセチルエーテル化合物等のアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイルアミノエーテル化合物等のアルキルアミノエーテル化合物、ポリオキシエチレンラウリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンステアリン酸アミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンオレイン酸アミドエーテル化合物、ラウリン酸ジエタノールアミド化合物、ステアリン酸ジエタノールアミド化合物、オレイン酸ジエタノールアミド化合物等のアルキルアミドエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンポリスチリルフェニルエーテルホルムアミド縮合物、ポリオキシエチレンモノスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンジスチリルフェニルエーテル化合物、ポリオキシエチレンナフチルエーテル化合物等のアリルフェニルエーテル化合物、グリセリンモノラウレート化合物、グリセリンモノステアレート化合物、グリセリンモノオレート化合物、グリセリントリオレート化合物等のグリセリン脂肪酸エステル化合物、ソルビタンモノラウレート化合物、ソルビタンモノパルミテート化合物、ソルビタンモノステアレート化合物、ソルビタントリステアレート化合物、ソルビタンモノオレート化合物、ソルビタントリオレート化合物等のソルビタン酸エステル化合物、ポリオキシエチレンジラウレート化合物、ポリオキシエチレンラウレート化合物、ポリオキシエチレンステアレート化合物、ポリオキシエチレンジステアレート化合物、ポリオキシエチレンジオレート化合物、ポリオキシエチレンオレート化合物等の脂肪酸エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンヒマシ油エーテル化合物、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油エーテル化合物等の植物油エーテルエステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレート化合物、ポリオキシエチレンスルビタントリオレート化合物等のソルビタンエーテルエステル化合物、ポリオキシアルキレンブチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンオクチルエーテル化合物、ポリオキシアルキレンアルキル（炭素数１４〜１５）エーテル化合物、ポリオキシアルキレンオレイルエーテル化合物等のモノオール型ポリエーテル化合物、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物等のジオール型ポリエーテル化合物、トリメチロールプロパントリス（ポリオキシアルキレン）エーテル化合物、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル化合物等のポリオール型ポリエーテル化合物、メチルラウレート化合物、メチルオレート化合物、イソプロピルミリステート化合物、ブチルステアレート化合物、オクチルパルミテート化合物、オクチルステアレート化合物、ラウリルオレート化合物、イソトリデシルステアレート化合物、オレイルオレート化合物、ジオレイルアジペート化合物、トリメチロールプロパントリデカノエート化合物、トリメチロールプロパントリラウレート化合物、ペンタエリスリトールジオレート化合物、ペンタエリスリトールモノステアレート化合物、ペンタエリスリトールジステアレート化合物等の脂肪酸アルキルエステル化合物、アルキルスルホネート化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホン酸化合物、分岐アルキルベンゼンスルホン酸化合物、長鎖アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルベンゼンスルホネート化合物、分岐アルキルジフェニルエーテルジスルホネート化合物、モノイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、トリイソプロピルナフタレンスルホネート化合物、ジブチルナフタレンスルホネート化合物、ジオクチルスルホサクシネート化合物等のスルホン酸型化合物、オレイン酸硫酸化油化合物、ヒマシ油硫酸化油化合物、オクチルサルフェート化合物、ラウリルサルフェート化合物、アルキルサルフェート化合物、アルキルエーテルサルフェート化合物等の硫酸エステル化合物が挙げられる。アルカリ現像液の好ましい濃度は、アルカリ成分が０．００１〜１０質量％、界面活性剤成分が０．００１〜１０質量％である。アルカリ成分が高すぎると現像能力が強すぎ、ネガ型では未露光部、ポジ型では露光部まで浸透してしまいパターン表面の荒れが起こりやすく、低すぎると現像能力が得られない。また、界面活性剤成分が高すぎると泡立ちやすくて現像ムラが発生しやすくなり、低すぎると現像能力が得られない。【０１４３】
現像後、水あるいは一般有機溶剤でリンスすることが好ましい。その後、乾燥することでパターンが形成される。染料含有ネガ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が硬化し未露光部が溶解するネガ型のパターンが形成され、染料含有ポジ型レジスト組成物を用いた場合には、露光部が溶解するポジ型のパターンが形成される。【０１４４】
以上の一連の工程を、各色およびパターンを替え、必要な数だけ繰り返すことで必要な色数が組み合わされた着色パターンを得ることができる。また、パターン形成後、またはパターン中に残存する重合あるいは縮合可能な官能基を完全に反応させるために、加熱（ポストベーク）を行っても良い。ポストベークは各色のパターンを形成する毎に行っても、すべての着色パターンを形成した後に行っても良く、１５０〜５００℃の温度範囲で、３０分〜２時間行うのが好ましい。
【実施例】
【０１４５】
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１４６】
（染料含有ネガ型レジスト組成物の調整）
樹脂Ａ１：ＶＰ８０００（日本曹達（株）製）、成分はポリビニルフェノールである。重量平均分子量８０００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ２：マルカーリンカーＣＨＭ（丸善石油化学（株）製）、成分はｐ−ビニルフェノール／メタクリル酸２−ヒドロキシエチル＝５０質量部／５０質量部の割合からなる重合体である。重量平均分子量１００００（ポリスチレン換算）。
樹脂Ａ３：ビニルフェノール／スチレン＝８０質量部／２０質量部の割合からなる重合体。重量平均分子量９０００（ポリスチレン換算）。【０１４７】
光酸発生剤Ｂ１：式（７０）（チバ  スペシャルティ  ケミカルズ社製）【０１４８】
【化３９】
0004775585.tif 000040
【０１４９】
光酸発生剤Ｂ２：式（６９）（チバ  スペシャルティ  ケミカルズ社製）【０１５０】
【化４０】
0004775585.tif 000041
【０１５１】
光酸発生剤Ｂ３：式（５６）ＴＡＺ−１０７（みどり化学（株）製）【０１５２】
【化４１】
0004775585.tif 000042
【０１５３】
光酸発生剤Ｂ４：式（６７）ＴＡＺ−１２３（みどり化学（株）製）【０１５４】
【化４２】
0004775585.tif 000043
【０１５５】
架橋性化合物Ｃ１：サイメル３０３（メトキシメチル化メラミン系架橋性化合物、日本サイテックインダストリーズ（株）（旧三井サイテック（株））製）。
架橋性化合物Ｃ２：サイメル３７０（メトキシメチル化メラミン系架橋性化合物、日本サイテックインダストリーズ（株）（旧三井サイテック（株））製）
架橋性化合物Ｃ３：サイメル１１７０（ブトキシメチル化グリコールウリル系架橋性化合物、日本サイテックインダストリーズ（株）（旧三井サイテック（株））製）。【０１５６】
染料Ｄ１：式（８９）【０１５７】
【化４３】
0004775585.tif 000044
【０１５８】
染料Ｄ２：式（９０）【０１５９】
【化４４】
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【０１６０】
染料Ｄ３：式（９４）【０１６１】
【化４５】
0004775585.tif 000046
【０１６２】
染料Ｄ４：式（９８）【０１６３】
【化４６】
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【０１６４】
染料Ｄ５：式（１００）【０１６５】
【化４７】
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【０１６６】
染料Ｄ６：式（１０１）【０１６７】
【化４８】
0004775585.tif 000049
【０１６８】
染料Ｄ７：ＯＲＡＳＯＬ  Ｙｅｌｌｏｗ  ４ＧＮ（非金属アゾ型染料、チバ  スペシャルティ  ケミカルズ社製）
染料Ｄ８：Ｓａｖｉｎｙｌ  Ｓｃａｒｌｅｔ  ＲＬＳ（クロム金属アゾ型染料、クラリアント社製）【０１６９】
実施例１
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１（１．２ｇ）、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（９．４３ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１７０】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（大日本インキ化学工業（株）製）（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１７１】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１７２】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤＳ）処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１１０℃で１分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０３μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）（キヤノン（株）社製）により、波長３６５ｎｍ、照射量６００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で２分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液（東京応化工業（株）製）で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１７３】
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（１）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布し、１１５℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０６μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量６００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．０１μｍの橙色薄膜（１）を形成した。【０１７４】
形成した橙色薄膜（１）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、橙色薄膜（２）を得た。【０１７５】
また、形成した橙色薄膜（１）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（３）を得た。【０１７６】
実施例２
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ１（１．７２ｇ）、染料Ｄ５（１．１５ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１７７】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．１２ｇ）、架橋性化合物Ｃ２（０．１５ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．１２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１７８】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１７９】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（２）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量５５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１８０】
実施例３
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ２（１．７６ｇ）、染料Ｄ１（０．９２ｇ）、染料Ｄ５（１．１６ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１８１】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．１５ｇ）、架橋性化合物Ｃ３（０．１５ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１２ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１８２】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１８３】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（３）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で１分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．１０μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量２５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１８４】
実施例４
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ３（１．７６ｇ）、染料Ｄ２（１．６５ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（９．４４ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１８５】
その後、架橋性化合物Ｃ２（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ４（０．１ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１８６】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１８７】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（４）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１１５℃で１分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．００μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１２０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１８８】
実施例５
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１.７６ｇ）、染料Ｄ３（０.９８ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１８９】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．２５ｇ）、光酸発生剤Ｂ３（０．１８ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１９０】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１９１】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（５）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量８００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１９２】
実施例６
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ４（２．６５ｇ）、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）およびエチルラクテート（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１９３】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３ｇ）、光酸発生剤Ｂ２（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．００９ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１９４】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１９５】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（６）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１１０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚０．９８μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量８００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０１９６】
実施例７
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１.７６ｇ）、染料Ｄ４（２．０ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４.７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０１９７】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０.３ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１５ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を得た。溶液中には不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０１９８】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０１９９】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０３μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで２μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０２００】
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（７）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０６μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚０．９８μｍの赤色薄膜（４）を形成した。【０２０１】
形成した赤色薄膜（４）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、赤色薄膜（５）を得た。【０２０２】
また、形成した赤色薄膜（４）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、赤色薄膜（６）を得た。【０２０３】
比較例１
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ６（１．９２ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０２０４】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０２０５】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０２０６】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０７μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量６５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０２０７】
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（８）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０５μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量６５０ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．００μｍの黄色薄膜（７）を形成した。【０２０８】
形成した黄色薄膜（７）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、赤色薄膜（８）を得た。【０２０９】
また、形成した黄色薄膜（７）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（９）を得た。【０２１０】
比較例２
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ７（２．０ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０２１１】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０２１２】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０２１３】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０２１４】
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（９）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布し、１２０℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０５μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．００μｍの黄色薄膜（１０）を形成した。【０２１５】
形成した黄色薄膜（１０）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、赤色薄膜（１１）を得た。【０２１６】
また、形成した黄色薄膜（１０）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（１２）を得た。【０２１７】
参考例１
５０ｍｌナス型フラスコに、樹脂Ａ１（１．７６ｇ）、染料Ｄ８（２．０ｇ）、溶媒として４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン（４．７２ｇ）およびプロピレングリコールモノメチルエーテル（４.７２ｇ）を入れ、室温で攪拌した。反応溶液中に不溶物は見られず、均一な溶液であった。【０２１８】
その後、架橋性化合物Ｃ１（０．３ｇ）、光酸発生剤Ｂ１（０．２ｇ）、界面活性剤としてメガファックＲ−３０（０．０１０ｇ）を加え、さらに室温で攪拌し、染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を得た。溶液中の不溶物は見られず、均一な溶液が得られた。【０２１９】
また、溶液の一部を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に室温で１週間放置したところ、目視観察において異物は見られなかった。【０２２０】
この染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を１００℃で１分間ＨＭＤＳ処理を行ったシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１２５℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０４μｍの塗膜を形成した。この塗膜にテストマスクを通して、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、ネガ型のパターンを形成した。パターンの解像度はライン／スペースで３μｍまでパターン剥離なく形成された。シリコンウエハー上に形成されたパターン塗膜上には、ナトリウムランプの下で目視観察を行ったところ異物は見られなかった。また、光学顕微鏡観察を行ったところ異物は見られなかった。【０２２１】
また、この染料含有ネガ型レジスト組成物（１０）を０．２μｍのフィルターを用いて濾過を行い、洗浄した試料瓶中に２日間放置した。その後、組成物を５×５ｃｍのガラス基板上にスピンコーターを用いて塗布し、１２５℃で２分間ホットプレート上でソフトベークし、膜厚１．０５μｍの塗膜を形成した。この塗膜全面に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量７００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射した。ついで、１３０℃で１分間ホットプレート上でＰＥＢを行った。その後、２３℃のＮＭＤ−３現像液で一定時間浸漬して現像し、さらに超純水流水洗浄を行った。その後、１８０℃で５分間ホットプレート上でポストベークを行い、膜厚１．００μｍの黄色薄膜（１３）を形成した。【０２２２】
形成した黄色薄膜（１３）を２２０℃で１０分間ホットプレート上で加熱し、赤色薄膜（１４）を得た。【０２２３】
また、形成した黄色薄膜（１３）に、紫外線照射装置ＰＬＡ−５０１（Ｆ）により、波長３６５ｎｍ、照射量３００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射し、黄色薄膜（１５）を得た。【０２２４】
分光スペクトルの評価は、島津自記分光光度計（ＵＶ−３１００ＰＣ）（島津製作所（株）製）を用い、測定波長３５０ｎｍから７５０ｎｍの透過率を測定した。【０２２５】
表１〜表１０には、得られた着色薄膜（１）乃至（１５）の分光スペクトルの測定結果として、測定波長４００ｎｍおよび５００ｎｍでの透過率とその変化率を示した。これら測定波長は、各着色薄膜の透過率変化に差がでやすい波長であるため選択した。【０２２６】
変化率とは、形成した着色薄膜とその着色薄膜に更に加熱処理や紫外線照射を行った場合の透過率の変化の度合を示し、その値が大きいほど加熱または紫外線処理に伴う変化が大きいことを示す。【０２２７】
【表１】
0004775585.tif 000050
【０２２８】
【表２】
0004775585.tif 000051
【０２２９】
【表３】
0004775585.tif 000052
【０２３０】
【表４】
0004775585.tif 000053
【０２３１】
【表５】
0004775585.tif 000054
【０２３２】
【表６】
0004775585.tif 000055
【０２３３】
【表７】
0004775585.tif 000056
【０２３４】
【表８】
0004775585.tif 000057
【０２３５】
【表９】
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【０２３６】
【表１０】
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【産業上の利用可能性】
【０２３７】
本発明のレジスト組成物はカラーフィルターの薄膜化に対応できるようにしたものであって、染料濃度を高めた場合においても高い分光スペクトルの再現性、高い耐熱性及び耐光性を示し、且つ、５μｍ以下の高い解像性を持ち、さらに現像残渣のないカラーレジスト組成物及びそれを用いるカラーフィルターに利用できる。