(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光の吸収のある第１の層、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその光学的な大きさがλ／４の奇数倍とλ／４の偶数倍（０を含む）との間で、２値的あるいは連続的に変化可能な間隙部、および第２の層をこの順に配設した構造を有すると共に、前記間隙部の光学的な大きさを変化させる駆動手段を有し、前記間隙部の大きさを変化させることにより、前記第２の層側から入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させる光学多層構造体であって、
前記基板を、式（１）を満たすＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ，ｎS は屈折率，ｋS は消衰係数，ｉは虚数単位）の複素屈折率を有する基板とし、前記第１の層を、式（１）を満たすＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数）の複素屈折率を有する材料により形成し、前記第２の層を、式（１）を満たすｎ2 の屈折率を有する材料により形成してなる
【数１】
0004830183.tif 000005
（但し，入射媒質の屈折率を１．０とする）
光学多層構造体。
【請求項２】
前記第２の層は、透明材料により形成されたものである
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項３】
前記基板は、光の吸収のある基板若しくは光の吸収のある薄膜を成膜した基板である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項４】
前記基板は、透明材料若しくは半透明材料により形成されたものである
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項５】
前記第１の層および第２の層のうちの少なくとも一方の層は、互いに光学的特性の異なる２以上の層により構成された複合層である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項６】
前記第２の層は、窒化珪素膜よりなる
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項７】
前記第２の層は、窒化珪素膜および透明導電膜よりなる
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項８】
前記第１の層および第２の層のうちの少なくとも一方は、一部に透明導電膜を含み、前記駆動手段は、前記透明導電膜への電圧の印加によって発生した静電力により、前記間隙部の光学的な大きさを変化させるものである
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項９】
前記透明導電膜は、ＩＴＯ，ＳｎＯ2 およびＺｎＯのうちのいずれかにより形成されている
請求項８記載の光学多層構造体。
【請求項１０】
前記間隙部は、空気、または透明な気体若しくは液体で満たされている
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１１】
前記間隙部は、真空状態である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１２】
前記光の吸収のある第１の層は、金属，酸化金属，窒化金属，炭化物および半導体のうちのいずれかからなる
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１３】
前記光の吸収のある基板若しくは光の吸収のある薄膜は、金属，酸化金属，窒化金属，炭化物および半導体のうちのいずれかからなる
請求項３記載の光学多層構造体。
【請求項１４】
前記第２の層の光学的な膜厚が、λ／４（λは入射光の設計波長）以下である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１５】
前記第１の層がシリコンにより形成され、かつ、前記第２の層の光学的な膜厚が、λ／２（λは入射光の設計波長）以下である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１６】
前記基板は、カーボン，グラファイト，炭化物若しくは透明材料により形成され、かつ、前記第２の層の光学的な膜厚が、λ／４（λは入射光の設計波長）以下である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１７】
前記基板がカーボン，グラファイト，炭化物若しくは透明材料により形成されると共に、前記第１の層がシリコンにより形成され、かつ、前記第２の層の光学的な膜厚が、λ／２（λは入射光の設計波長）以下である
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１８】
前記駆動手段は、磁力を用いて前記間隙部の光学的な大きさを変化させるものである
請求項１記載の光学多層構造体。
【請求項１９】
基板上に、光の吸収のある第１の層、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその光学的な大きさがλ／４の奇数倍とλ／４の偶数倍（０を含む）との間で、２値的あるいは連続的に変化可能な間隙部、および第２の層をこの順に配設した構造を有すると共に、前記間隙部の光学的な大きさを変化させる駆動手段を有し、前記間隙部の大きさを変化させることにより、前記第２の層側から入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させる光スイッチング素子であって、
前記基板を、式（１）を満たすＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ，ｎS は屈折率，ｋS は消衰係数，ｉは虚数単位）の複素屈折率を有する基板とし、前記第１の層を、式（１）を満たすＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数）の複素屈折率を有する材料により形成し、前記第２の層を、式（１）を満たすｎ2 の屈折率を有する材料により形成してなる
【数１】
0004830183.tif 000006
（但し，入射媒質の屈折率を１．０とする）
光スイッチング素子。
【請求項２０】
１次元または２次元に配列された複数の光スイッチング素子に光を照射することで２次元画像を表示する画像表示装置であって、
前記光スイッチング素子が、
基板上に、光の吸収のある第１の層、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその光学的な大きさがλ／４の奇数倍とλ／４の偶数倍（０を含む）との間で、２値的あるいは連続的に変化可能な間隙部、および第２の層をこの順に配設した構造を有すると共に、前記間隙部の光学的な大きさを変化させる駆動手段を有し、前記間隙部の大きさを変化させることにより、前記第２の層側から入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させる光学多層構造体であって、
前記基板を、式（１）を満たすＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ，ｎS は屈折率，ｋS は消衰係数，ｉは虚数単位）の複素屈折率を有する基板とし、前記第１の層を、式（１）を満たすＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数）の複素屈折率を有する材料により形成し、前記第２の層を、式（１）を満たすｎ2 の屈折率を有する材料により形成してなる
【数１】
0004830183.tif 000007
（但し，入射媒質の屈折率を１．０とする）
画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射光を反射，透過若しくは吸収させる機能を有する光学多層構造体、およびこれを用いた光スイッチング素子並びに画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、映像情報の表示デバイスとしてのディスプレイの重要性が高まっており、このディスプレイ用の素子として、更には、光通信，光記憶装置，光プリンタなどの素子として、高速で動作する光スイッチング素子（ライトバルブ）の開発が要望されている。従来、この種の素子としては、液晶を用いたもの、マイクロミラーを用いたもの（ＤＭＤ；Digtal Micro Miror Device 、ディジタルマイクロミラーデバイス、テキサスインスツルメンツ社の登録商標）、回折格子を用いたもの（ＧＬＶ：Grating Light Valve,グレーティングライトバルブ、ＳＬＭ（シリコンライトマシン）社）等がある。
【０００３】
ＧＬＶは回折格子をＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems) 構造で作製し、静電力で１０ｎｓの高速ライトスイッチング素子を実現している。ＤＭＤは同じくＭＥＭＳ構造でミラーを動かすことによりスイッチングを行うものである。これらのデバイスを用いてプロジェクタ等のディスプレイを実現できるものの、液晶とＤＭＤは動作速度が遅いために、ライトバルブとしてディスプレイを実現するためには２次元配列としなければならず、構造が複雑となる。一方、ＧＬＶは高速駆動型であるので、１次元アレイを走査することでプロジェクションディスプレイを実現することができる。
【０００４】
しかしながら、ＧＬＶは回折格子構造であるので、１ピクセルに対して６つの素子を作り込んだり、２方向に出た回折光を何らかの光学系で１つにまとめる必要があるなどの複雑さがある。
【０００５】
簡単な構成で実現できるものとしては、米国特許公報５５８９９７４号や米国特許公報５５００７６１号に開示されたものがある。このライトバルブは、基板（屈折率ｎS ）の上に間隙部（ギャップ層）を挟んで、屈折率が√ｎS の透光性の薄膜を設けた構造を有している。この素子では、静電力を利用して薄膜を駆動し、基板と薄膜との間の距離、すなわち、間隙部の大きさを変化させることにより、光信号を透過あるいは反射させるものである。ここで、薄膜の屈折率は基板の屈折率ｎS に対して、√ｎS となっており、このような関係を満たすことにより、高コントラストの光変調を行うことができるとされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような構成の素子では、基板の屈折率ｎS が「４」などの大きな値でなければ、可視光領域においては実現することはできないという問題がある。すなわち、透光性薄膜としては、構造体であることを考えると、窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）（屈折率ｎ＝２．０）などの材料が望ましいので、その場合には基板の屈折率ｎS ＝４となる。可視光領域では、このような透明基板は入手が困難であり、材料の選択肢は狭い。赤外線等の通信用波長では、ゲルマニウム（Ｇｅ）（ｎ＝４）などを用いることにより実現可能であるが、ディスプレイなどの用途としては、現実的には適用することは難しいと思われる。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、簡単な構成で、小型軽量であると共に、構成材料の選択にも自由度があり、かつ可視光領域においても高速応答が可能であり、画像表示装置等に好適に用いることができる光学多層構造体を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第２の目的は、上記光学多層構造体を用いた高速応答が可能な光スイッチング素子および画像表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による光学多層構造体は、基板上に、光の吸収のある第１の層、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその光学的な大きさがλ／４の奇数倍とλ／４の偶数倍（０を含む）との間で、２値的あるいは連続的に変化可能な間隙部、および第２の層をこの順に配設した構造を有すると共に、前記間隙部の光学的な大きさを変化させる駆動手段を有し、前記間隙部の大きさを変化させることにより、前記第２の層側から入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させるものであり、前記基板を、式（２）を満たすＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ，ｎS は屈折率，ｋS は消衰係数，ｉは虚数単位）の複素屈折率を有する基板とし、前記第１の層を、式（２）を満たすＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数）の複素屈折率を有する材料により形成し、前記第２の層を、式（２）を満たすｎ2 の屈折率を有する材料により形成してなるものである（但し，入射媒質の屈折率を１．０とする）。
【００１１】
0004830183.tif 000002
【００１２】
本発明による光スイッチング素子は、本発明の光学多層構造体と、この光学多層構造体における間隙部の光学的な大きさを変化させるための駆動手段とを備えたものである。
【００１３】
本発明による画像表示装置は、本発明による光スイッチング素子を複数個、１次元あるいは２次元に配列したものであり、３原色の光を照射し、スキャナによって走査することで２次元画像を表示するものである。
【００１４】
本発明による光学多層構造体では、間隙部の大きさを、「λ／４」（λは入射光の設計波長）の奇数倍と「λ／４」の偶数倍（０を含む）との間で、２値的あるいは連続的に変化させると、入射光の反射、透過若しくは吸収の量が２値的あるいは連続的に変化する。
【００１５】
本発明の光学多層構造体では、また、間隙部の大きさを０に固定し、基板と、この基板に接して形成された、光の吸収のある第１の層と、この第１の層の前記基板とは反対側の面に接して形成された第２の層とを備えた構成とすることにより、反射防止膜として利用することが可能になる。
【００１６】
本発明による光スイッチング素子では、駆動手段によって、光学多層構造体の間隙部の光学的な大きさが変化することにより、入射光に対してスイッチング動作がなされる。
【００１７】
本発明による画像表示装置では、１次元あるいは２次元に配列された本発明の複数の光スイッチング素子に対して光が照射されることによって２次元画像が表示される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図１および図２は、本発明の一実施の形態に係る光学多層構造体１の基本的な構成を表すものである。図１は光学多層構造体１における後述の間隙部１２が存在し、高反射時の状態、図２は光学多層構造体１の間隙部１２がなく、低反射時の状態をそれぞれ示している。なお、この光学多層構造体１は具体的には例えば光スイッチング素子として用いられ，この光スイッチング素子を複数個１次元または２次元に配列することにより、画像表示装置を構成することができる。また、詳細は後述するが、図２のような構造に固定した場合には、反射防止膜として利用することができるものである。
【００２０】
本実施の形態の光学多層構造体１は、基板１０の上に、この基板１０に接する、光の吸収のある第１の層１１、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさを変化させることのできる間隙部１２、および第２の層１３をこの順で配設して構成したものである。
【００２１】
ここで、基板１０の複素屈折率をＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ，ｎS は屈折率，ｋS は消衰係数，ｉは虚数単位）、第１の層１１の複素屈折率をＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ，ｎ1 は屈折率，ｋ1 は消衰係数，ｉは虚数単位）、第２の層１３の屈折率をｎ2 、入射媒質の屈折率を１．０（空気）としたとき、次式（３）の関係を満たすように設定されている。なお、その意義については後述する。
【００２２】
0004830183.tif 000003
【００２３】
基板１０は、カーボン（Ｃ），グラファイト（黒鉛）などの非金属，タンタル（Ｔａ）などの金属，酸化クロム（ＣｒＯ）などの酸化金属，窒化チタン（ＴｉＮX ）などの窒化金属，シリコンカーバイド（ＳｉＣ）などの炭化物，シリコン（Ｓｉ）などの半導体等の、不透明で光の吸収のある材料により形成されたもの、あるいは、これら光の吸収のある材料の薄膜を透明基板上に成膜したものとしてもよい。基板１０は、また、例えばガラス，プラスチックなどの透明材料若しくは消衰係数ｋの値の低い半透明材料により形成されたものとしてもよい。
【００２４】
第１の層１１は、光の吸収のある層であり，例えばＴａ，Ｔｉ，Ｃｒなどの金属，ＣｒＯなどの酸化金属，ＴｉＮX などの窒化金属，ＳｉＣなどの炭化物，シリコン（Ｓｉ）などの半導体などにより形成されたものである。
【００２５】
第２の層１３は、透明材料により形成されたものであり、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）（ｎ2 ＝２．４），窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）（ｎ2 ＝２．０），酸化亜鉛（ＺｎＯ）（ｎ2 ＝２．０），酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）（ｎ2 ＝２．２），酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）（ｎ2 ＝２．１），酸化珪素（ＳｉＯ）（ｎ1 ＝２．０），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）（ｎ2 ＝２．０），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide) （ｎ2 ＝２．０）などにより形成されている。
【００２６】
なお、この第２の層１３は、スイッチング動作時においては、後述のように可動部として作用するため、特に、ヤング率が高く、丈夫なＳｉ3 Ｎ4 などで形成されたものであることが好ましい。また、静電気により駆動する場合には、第２の層１３の一部にＩＴＯなどの透明導電膜を含めるようにすればよい。Ｓｉ3 Ｎ4 とＩＴＯの屈折率は同等であるので、それぞれどの程度の膜厚にするかは任意である。また、第１の層１１と第２の層１３とが接触する場合には、接触時に電気的に短絡しないように、第２の層１３の基板側をＳｉ3 Ｎ4 、入射媒質側をＩＴＯとすることが望ましい。
【００２７】
第１の層１１の物理的な膜厚ｄ1 は、入射光の波長、その材料のｎとｋの値、基板および第２の層１３の光学定数により決まるもので、例えば５〜６０ｎｍ程度の値をとる。
【００２８】
第２の層１３の光学的な膜厚ｎ2 ・ｄ2 は、基板１０がカーボン，グラファイト，炭化物若しくはガラスなどの透明材料により形成されており、かつ、第１の層１１がタンタル（Ｔａ）などの消衰係数ｋ1 の大きな金属材料等により形成されている場合には、「λ／４」（λは入射光の設計波長）以下である。但し、基板１０がカーボン，グラファイト，炭化物若しくはガラスなどの透明材料により形成され、かつ、第１の層１１がシリコン（Ｓｉ）などの消衰係数ｋ1 の小さな材料により形成されている場合には、第２の層１３の光学的な膜厚ｄ2 は「λ／４」より大きく、「λ／２」以下である。これは第１の層１１をＳｉにより形成した場合の光学アドミッタンスの軌跡がアドミッタンスダイアグラム上で上方に移動するため、第２の層１２との交点が実軸よりも上側（虚軸上で＋側）となるためである。
【００２９】
なお、以上の膜厚ｄ1 ，ｄ2 は厳密に「λ／４」「λ／２」でなくとも、これらの近傍の値でもよい。これは、例えば、一方の層の光学膜厚がλ／４より厚くなった分、他方の層を薄くするなどして補完できるからであり、また、上式（３）から屈折率が多少ずれた場合でも、膜厚で調整可能な場合もあり、その際にはｄ1 ，ｄ2 がλ／４から多少ずれることになるからである。このことは他の実施の形態においても同様である。よって、本明細書においては、「λ／４」の表現には「ほぼλ／４」の場合も含まれるものとする。
【００３０】
なお、第１の層１１および第２の層１３は、互いに光学的特性の異なる２以上の層で構成された複合層としてもよいが、この場合には複合層における合成した光学的特性（光学アドミッタンス）が単層の場合と同等な特性を有するものとする必要がある。
【００３１】
間隙部１２は、後述の駆動手段によって、その光学的な大きさ（第１の層１１と第２の層１３との間隔）が可変であるように設定されている。間隙部１２を埋める媒体は、透明であれば気体でも液体でもよい。気体としては、例えば、空気（ナトリウムＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する屈折率ｎD ＝１．０）、窒素（Ｎ2 ）（ｎD ＝１．０）など、液体としては、水（ｎD ＝１．３３３）、シリコーンオイル（ｎD ＝１．４〜１．７）、エチルアルコール（ｎD ＝１．３６１８）、グリセリン（ｎD ＝１．４７３０）、ジョードメタン（ｎD ＝１．７３７）などが挙げられる。なお、間隙部１２を真空状態とすることもできる。
【００３２】
間隙部１２の光学的な大きさは、「λ／４の奇数倍」と「λ／４の偶数倍（０を含む）」との間で、２値的あるいは連続的に変化するものである。これにより入射光の反射、透過若しくは吸収の量が２値的あるいは連続的に変化する。なお、上記第１の層１１および第２の層１３の膜厚の場合と同様に、λ／４の倍数から多少ずれても、他の層の膜厚あるいは屈折率の多少の変化で補完できるので、「λ／４」の表現には、「ほぼλ／４」の場合も含まれるものとする。
【００３３】
このような間隙部１２を有する光学多層構造体１は、図３および図４に示した製造プロセスにより作製することができる。まず、図３（Ａ）に示したように例えばカーボンからなる基板１０の上に、例えばスパッタリング法によりＴａからなる第１の層１１を形成し、次いで，図３（Ｂ）に示したように例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長 )法により犠牲層としての非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜１２ａを形成する。続いて、図３（Ｃ）に示したように、間隙部１２のパターン形状を有するフォトレジスト膜１４を形成し、図３（Ｄ）に示したようにこのフォトレジスト膜１４をマスクとして、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching) により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜１２ａを選択的に除去する。
【００３４】
次に、図４（Ａ）に示したようにフォトレジスト膜１４を除去した後、図４（Ｂ）に示したように例えばスパッタリング法によりＳｉ3 Ｎ4 からなる第２の層１３を形成する。次いで、図４（Ｃ）に示したように、ドライエッチングにより非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜１２ａを除去する。これにより、間隙部１２を備えた光学多層構造体１を作製することができる。
【００３５】
本実施の形態の光学多層構造体１は、間隙部１２の光学的な大きさを、λ／４の奇数倍とλ／４の偶数倍（０を含む）との間（例えば、「λ／４」と「０」との間）で、２値的あるいは連続的に変化させることによって、入射した光の反射，透過若しくは吸収の量を変化させるものである。
【００３６】
次に、図５（Ａ），（Ｂ）および図６（Ａ），（Ｂ）を参照して、上記式（３）の意義について説明する。
【００３７】
上記のような光学多層構造体１のフィルタ特性は、光学アドミッタンスによって説明することができる。光学アドミッタンスｙは、複素屈折率Ｎ（＝ｎ−ｉ・ｋ、ｎは屈折率，ｋは消衰係数，ｉは虚数単位）と値が同じである。例えば、空気のアドミッタンスはｙ(air) ＝1 、ｎ(air) ＝1 、ガラスのアドミッタンスはｙ(glass) ＝1.５２、ｎ(glass) ＝1.５２である。
【００３８】
透明な基板上に透明な光学膜を形成すると、図５（Ｂ）に示したような光学アドミッタンスダイヤグラム上で、膜厚の増加に伴い円弧を描いて軌跡が移動する。ここに、横軸はアドミッタンスの実軸（Ｒe ），縦軸はアドミッタンスの虚軸（Ｉm ）をそれぞれ示している。例えば、ｎ＝ｙ＝１．５２のガラス基板上にｎ＝ｙ＝２．４０のＴｉＯ2 などを成膜すると、その合成光学アドミッタンスの軌跡は、膜厚の増加に伴ってｙ＝１．５２の点から円弧を描きながら移動する。もし、ＴｉＯ2 の光学的な膜厚がλ／４のときには、合成アドミッタンスの軌跡は実軸上の２．４2 ／１．５２の点、すなわち３．７９の点に帰着する（λ／４法則）。これはガラス基板（透明基板）上にλ／４の膜厚のＴｉＯ2 膜（第１の層）を成膜したときの合成アドミッタンスである。つまり、この構造体を上から見ると、あたかもｎ＝３．７９の一体の基板を見ているのと同じようになる。このときの反射率は、空気との界面では次式（４）で求まるので、反射率Ｒ＝３３．９％となる。
【００３９】
Ｒ＝（ｎ−１／ｎ＋１）2 ・・・（４）
【００４０】
次に、この光学多層構造体の上に、更に、例えばｎ＝ｙ＝１．９４７の膜を光学膜厚＝λ／４だけ成膜すると、光学アドミッタンスダイヤグラム上では、３．７９の点から右回りに軌跡が移動する。その合成アドミッタンスは、Ｙ＝１．０となり、実軸上の１．０の点となる。すなわち、これは合成アドミッタンス＝合成屈折率が１．０と同等、つまり空気と同等となるので、その界面では反射がなくなり、所謂Ｖコートの反射防止膜とみなすことができる。
【００４１】
一方、上記ＴｉＯ2 膜（ｎ＝２．４）の膜の上に、ｎ＝１（空気）の間隙部を光学膜厚＝λ／４だけ設けた場合には、その合成アドミッタンスは、図６（Ａ），（Ｂ）に示したように、Ｙ2 ＝０．２６３８となる。更に、その間隙部上にｎ＝ｙ＝１．９４７の膜が光学膜厚＝λ／４だけ存在すると、その合成アドミッタンスは、Ｙ3 ＝１４．３７となり、実軸上の１４．３７の点となる。そのときの反射率は上記（４）式のｎをＹ3 ＝１４．３７として求まり、このとき反射率Ｒ＝７６％となる。以上のことから、間隙部（空気層）１２の光学膜厚を「０」から「λ／４」まで変化させると、反射率は「０％」から「７６％」へと変化することがわかる。
【００４２】
以上は、ガラスなどの透明材料からなる基板の上に、光の吸収のない透明層（ＴｉＯ2 ）を形成した場合の説明であり、いずれも複素屈折率Ｎ＝ｎ−ｉ・ｋ（ｎは屈折率，ｋは消衰係数，ｉは虚数）において、ｋ＝０である。これに対して、本実施の形態では、基板１０および第１の層１１のうち少なくとも第１の層１１は、不透明な金属材料，酸化金属等の光の吸収のある材料により形成されている。すなわち、第１の層１１の複素屈折率Ｎ1 においては、ｋ≠０である。以下、本実施の形態の特徴について説明する。
【００４３】
光学アドミッタンスダイヤグラム上で、ｎ2 の屈折率を持つ第２の層がダイヤグラム上の（１，０）の点（空気アドミッタンス）を通る軌跡を描くと、図７に示したようになる。すなわち、実軸で１とｎ22を通り、中心が( ｎ22＋1)/ ２の円弧となる。基板１０の材料の光学アドミッタンス（複素屈折率Ｎと数値的には等しい）がこの円弧の中にある場合、円弧の外側に第１の層１１の材料の光学アドミッタンスがあれば、基板１０上に第１の層１１を成膜してゆくと、基板１０と第１の層１１との合成光学アドミッタンスは、アドミッタンスダイアグラム上で、基板１０の光学アドミッタンスの点（図中Ｎs で示す点）から出発し、緩いカーブを描きながら、膜厚の増加と共に、第１の層１１の光学アドミッタンスの点（図中Ｎ1 で示す点）へ到達する。
【００４４】
このとき、基板１０と第１の層１１の光学アドミッタンス（複素屈折率と同じ値）は第２の層１３の描く円弧の両側にあるので、その円弧を必ず横切る（Ａ点）。ここで、基板１０と第１の層１１との合成アドミッタンスがその交点Ａに丁度到達するように、第１の層１１の膜厚を決める。その交点Ａからは、第２の層１３の軌跡（円弧）に沿って合成アドミッタンスが移動する。
【００４５】
従って、基板１０と第１の層１１と第２の層１３との合成アドミッタンスが１となるような膜厚で第２の層１３を成膜すれば、この光学多層構造体１への入射光の反射は設計波長において０となる。すなわち、第２の層１３の光学特性に依存する円弧の両側に、基板１０と第１の層１１の光学アドミッタンスがあれば、反射が０となる膜厚の組み合わせが必ず存在することになる。
【００４６】
なお、この場合、基板１０の光学アドミッタンスは、円弧の内側でも外側でもかまわない。このような条件を満足するためには、基板１０の複素屈折率をＮS （＝ｎS −ｉ・ｋS ）、第１の層１１の複素屈折率をＮ1 （＝ｎ1 −ｉ・ｋ1 ）、第２の層１３の屈折率をｎ2 、入射媒質の屈折率を１．０（空気）としたとき、基板１０と第１の層１１の材料の光学定数の関係が、次式（５）、すなわち、この式を書き換えた前述の式（２）を満たせばよい。
【００４７】
0004830183.tif 000004
【００４８】
よって、このように構成した光学多層膜の第１の層１１と第２の層１３との間に、大きさが可変な間隙部１３を設けると、その間隔ｄ3 が「０」のときには反射防止膜（図２参照）、ｄ3 が設計波長λに対して光学的にほぼ「λ／４」のときには反射膜となる（図１参照）。つまり、間隙部１３の大きさを「０」と「λ／４」との間で可変とすることで、反射率を０と７０％以上とに変えることができる光学スイッチング素子を実現することが可能になる。
【００４９】
このような光学多層構造体１の材料としては、上記のような制約を満足すればよく、その選定の自由度は広い。また、その構成も、基板１０に間隙部１２を含めて３層構造を形成するだけでよいので、製作は容易である。以下、具体的な例を挙げて説明する。
【００５０】
〔具体例〕
図８は、基板１０として不透明なカーボン基板（ＮS ＝１．９０，ｋ＝０．７５）、第１の層１１としてＴａ層（Ｎ1 ＝２．４６，ｋ＝１．９０）、間隙部１２として空気層（ｎ＝１．００）、第２の層１３としてＳｉ3 Ｎ4 膜とＩＴＯ（Indium-Tin Oxide) 膜との積層膜（合成屈折率ｎ2 ＝２．０，ｋ＝０）を用いた場合の入射光の波長（設計波長５５０ｎｍ）と反射率との関係を表すものである。ここで、（ａ）は間隙部（空気層）の光学膜厚が「０」（低反射側）、（ｂ）は光学膜厚が「λ／４」（１３７．５ｎｍ）（高反射側）の場合の特性をそれぞれ表している。図９および図１０は、このときの光学アドミッタンスダイヤグラムを参考として表すもので、図９は低反射側、図１０は高反射側の場合をそれぞれ示している。
【００５１】
図８からも明らかなように、本実施の形態の光学多層構造体１では、間隙部（空気層）１２の光学膜厚が「λ／４」の場合には高反射特性、間隙部１２の光学膜厚が「０」の場合には低反射特性をそれぞれ示す。すなわち、間隙部１２の光学膜厚が「λ／４」の奇数倍と「λ／４」の偶数倍（０を含む）との間で切り替わると、高反射特性と低反射特性とを交互に示すことになる。
【００５２】
ところで、第１の層１１に消衰係数ｋ1 の大きな金属膜（例えばＴａ，ｋ1 ＝１．９０）を用いる場合には、第２の層１３の光学膜厚は「λ／４」となるが、第１の層１１にｋ1 の小さな半導体材料（例えばＳｉ，ｋ1 ＝０．６３）を用いる場合には、第２の層１３の光学膜厚は「λ／４」より大きくなる（但し，λ／２より小さい）。その具体例として、例えば、基板１０をグラファイト（屈折率ｎS ＝１．９０，ｋ＝０．７５）、第１の層１１をシリコン（屈折率ｎ1 ＝４．４０，ｋ＝０．６３，膜厚１３．０９ｎｍ）、第２の層１３をＳｉ3 Ｎ4 膜とＩＴＯ（Indium-Tin Oxide) 膜との積層膜（合成屈折率ｎ2 ＝２．０，ｋ＝０，膜厚８３．２１ｎｍ）により形成した場合の反射特性（設計波長５５０ｎｍ）を図１１に示す。ここでも、（ａ）は間隙部（空気層）の光学膜厚が「０」（低反射側）、（ｂ）は光学膜厚が「λ／４」（１３７．５ｎｍ）（高反射側）の場合の特性をそれぞれ表している。図１２および図１３はそのときの光学アドミッタンスダイヤグラムを表すものである。図１２は低反射側、図１３は高反射側の場合をそれぞれ示している。
【００５３】
上記２つの例では、基板１０として不透明なカーボンやグラファイトを想定している。カーボンやグラファイトの光学アドミッタンス（複素屈折率と同じ値）は、アドミッタンスダイアグラム上で屈折率が２．０の透明膜が（１，０）を通るように描いた円弧の軌跡の内側にあるので、基板１０として好適である。多くの金属材料の光学アドミッタンスはその円の外側に配置されるからである。
【００５４】
参考のために、図１４に各材料の光学アドミッタンスをプロットしたアドミッタンスダイアグラムを示す。図１４には、同時に、ｎ＝２およびＴｉＯ2 （ｎ＝２．４）が空気のアドミッタンス（１，０）を通る軌跡も示した。この円弧の中の材料を基板１０、円弧の外にある材料を第１の層１１、円弧上の材料を第２の層１３とすれば、反射率が低い（ほぼ０）の膜厚の組み合わせが必ずある。例えば、基板１０をカーボン（図中のＣ）、第１の層１１をｎ＝２の円弧の外側の材料（図中の殆ど全ての材料）、第２の層１３をｎ＝２の材料（Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｉ  ＴＯ，ＺｎＯなど）により形成すれば、良好な特性の光学スイッチング素子を実現することができる。
【００５５】
また、第２の層１３としてＴｉＯ2 を用いた場合には、基板１０をシリコン（Ｓｉ），カーボン（Ｃ），タンタル（Ｔａ），ゲルマニウム（Ｇｅ）フィルム，グラファイト，ガラスなどから選び、第１の層１１は図中のそれ以外の金属などから選べば、良好な特性の光学スイッチング素子を実現することができる。
【００５６】
なお、図１４には、代表的な金属材料、半導体などをプロットしたが、他の材料でもこの図にプロットし、円弧の中か外かに注目すると、良い組み合わせの材料を容易に選ぶことができる。
【００５７】
ところで、上述のような第２の層１３の円弧の内と外に基板１０と第１の層１１の光学特性があることは、良好な特性の光学構造を実現するための十分条件ではあるが、必要条件ではない。なぜならば、光の吸収のある（すなわち、ｋ≠０）膜をある基板１０に成膜するときの合成光学アドミッタンスの軌跡は、基板１０のアドミッタンスから直線的に成膜する材料の光学アドミッタンスへと向かうのではなく、大きく弯曲しながら、成膜材料の光学アドミッタンスへと向かう。そのために、湾曲度が大きいと、先の第２の層１３の円弧の内側に第１の層１１の光学アドミッタンスがあっても、合成光学アドミッタンスが第２の層１３の円弧を横切ることがある。
【００５８】
図１５はその例を表すものであり、カーボン（Ｃ）からなる基板１０の上に第１の層１１としてグラファイトを成膜していくと、弯曲してｎ＝２の円弧を２回横切る。このどちらかの点で、ｎ＝２の膜（例えばＳｉ3 Ｎ4 ，ＩＴＯ，ＺｎＯなど）に乗り換えるような膜厚の設定とすれば、特性の良い光学多層構造体１を実現することができる。
【００５９】
このように本実施の形態では、例えば５５０ｎｍなどの可視光領域においても、低反射時の反射率を殆ど０、高反射時の反射率を７０％以上とすることができるので、高コントラストな変調を行うことが可能である。しかも、構成が簡単であるので、ＧＬＶなどの回折格子構造やＤＭＤなどの複雑な３次元構造よりも容易に作製することができる。また、ＧＬＶは１つのピクセルに６本の格子状のリボンが必要であるが、本実施の形態では１本で済むので、構成が簡単であり、かつ小さく作製することが可能である。また、可動部分の移動範囲も高々「λ／２」であるため、１０ｎｓレベルの高速応答が可能になる。よって、ディスプレイ用途のライトバルブとして用いる場合には、後述のように１次元アレイの簡単な構成で実現することができる。
【００６０】
更に、本実施の形態の光学多層構造体１は、間隙部を金属薄膜や反射層で挟んだ構造の狭帯域透過フィルタ、すなわちファブリーペロータイプのものとは本質的に異なるものであるため、低反射帯の帯域幅を広くすることができる。よって、製作時の膜厚管理のマージンを比較的広くとることが可能であり、設計の自由度が増す。
【００６１】
また、本実施の形態では、基板１０および第１の層１１の屈折率はある範囲の任意の値であれば良いため、材料の選択の自由度が広くなる。また、基板１０を不透明な材料により構成した場合には、低反射時において入射光は基板１０に吸収されるので、迷光などが発生する心配はなくなる。
【００６２】
以上のように、本実施の形態の光学多層構造体１を用いることにより、高速で小型の光スイッチング素子および画像表示装置を実現することができる。これらの詳細については後述する。
【００６３】
なお、上記実施の形態では、光学多層構造体１の間隙部を一層としたが、複数層、例えば図１６に示したように２層設けるようにしてもよい。これは、基板１０上に、第１の層１１、第１の間隙部１２、第２の層１３、第２の間隙部３０、第３の透明層３１をこの順に形成し、第２の層１３および第３の透明層３１をそれぞれ例えば窒化シリコンからなる支持体１５，３２により支持する構成としたものである。
【００６４】
この光学多層構造体では、中間の第２の層１３が上下に変位し、第１の間隙部１２と第２の間隙部３０の一方の間隙が狭くなった分、他方の間隙部が広まることにより反射特性が変化する。
【００６５】
〔駆動方法〕
次に、上記光学多層構造体１における間隙部１２の大きさを変化させるための具体的な手段について説明する。
【００６６】
図１７は、静電気により光学多層構造体を駆動する例を示している。この光学多層構造体は、透明基板１０の上の第１の層１１の両側にそれぞれ例えばアルミニウムからなる電極１６ａ，１６ａを設けると共に、第２の層１３を例えば窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）からなる支持体１５により支持し、この支持体１５の電極１６ａ，１６ａに対向する位置に電極１６ｂ，１６ｂを形成したものである。
【００６７】
この光学多層構造体では、電極１６ａ，１６ａおよび電極１６ｂ，１６ｂへの電圧印加による電位差で生じた静電引力によって、間隙部１２の光学膜厚を、例えば「λ／４」と、「０」との間、あるいは「λ／４」と「λ／２」との間で２値的に切り替える。勿論、電極１６ａ，１６ａ、電極１６ｂ，１６ｂへの電圧印加を連続的に変化させることにより、間隙部１２の大きさをある値の範囲で連続的に変化させ、入射した光の反射、若しくは透過あるいは吸収等の量を連続的（アナログ的）に変化させるようにすることもできる。
【００６８】
光学多層構造体を静電気で駆動するものとしては、その他、図１８および図１９に示した方法によってもよい。図１８に示した光学多層構造体１は、透明基板１０の上の第１の層１１上に例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide) からなる透明導電膜１７ａを設けると共に、例えばＳｉＯ2 からなる第２の層１３を架橋構造に形成し、この第２の層１３の外面に同じくＩＴＯからなる透明導電膜１７ｂを設けたものである。
【００６９】
この光学多層構造体では、透明導電膜１７ａ，１７ｂ間への電圧印加による電位差で生じた静電引力によって、間隙部１２の光学膜厚を切り替えることができる。
【００７０】
図１９に示した光学多層構造体では、図１８の光学多層構造体の透明導電膜１７ａの代わりに、導電性のある第１の層１１として例えばタンタル（Ｔａ）膜を配したものである。
【００７１】
光学多層構造体の駆動は、このような静電気の他、トグル機構や圧電素子などのマイクロマシンを用いる方法、磁力を用いる方法や、形状記憶合金を用いる方法など、種々考えられる。図２０（Ａ），（Ｂ）は磁力を用いて駆動する態様を示したものである。この光学多層構造体では、第２の層１３の上に開孔部を有するコバルト（Ｃｏ）などの磁性材料からなる磁性層４０を設けると共に基板１０の下部に電磁コイル４１を設けたものであり、この電磁コイル４１のオン・オフの切り替えにより、間隙部１２の間隔を例えば「λ／４」（図２０（Ａ））と「０」（図２０（Ｂ））との間で切り替え、これにより反射率を変化させることができる。
【００７２】
〔光スイッチング装置〕
図２１は、上記光学多層構造体１を用いた光スイッチング装置１００の構成を表すものである。光スイッチング装置１００は、例えばカーボンからなる基板１０１上に複数（図では４個）の光スイッチング素子１００Ａ〜１００Ｄを一次元アレイ状に配設したものである。なお、１次元に限らず、２次元に配列した構成としてもよい。この光スイッチング装置１００では、基板１０１の表面の一方向（素子配列方向）に沿って例えばＴａ膜１０２が形成されている。このＴａ膜１０２が上記実施の形態の第１の層１１に対応している。
【００７３】
基板１０１上には、Ｔａ膜１０２に対して直交する方向に、複数本のＳｉ3 Ｎ4 膜１０５が配設されている。Ｓｉ3 Ｎ4 膜１０５の外側には透明導電膜としてのＩＴＯ膜１０６が形成されている。これらＩＴＯ膜１０６およびＳｉ3 Ｎ4 膜１０５が上記実施の形態の第２の層１３に対応するもので、Ｔａ膜１０２を跨ぐ位置において架橋構造となっている。Ｔａ膜１０２とＩＴＯ膜１０６との間には、スイッチング動作（オン・オフ）に応じてその大きさが変化する間隙部１０４が設けられている。間隙部１０４の光学膜厚は、入射光の波長（λ＝５５０ｎｍ）に対しては、例えば「λ／４」（１３７．５ｎｍ）と「０」との間で変化するようになっている。
【００７４】
光スイッチング素子１００Ａ〜１００Ｄは、Ｔａ膜１０２およびＩＴＯ膜１０６への電圧印加による電位差で生じた静電引力によって、間隙部１０４の光学膜厚を、例えば「λ／４」と「０」との間で切り替える。図２１では、光スイッチング素子１００Ａ，１００Ｃが間隙部１０４が「０」の状態（すなわち、低反射状態）、光スイッチング素子１００Ｂ，１００Ｄが間隙部１０４が「λ／４」の状態（すなわち、高反射状態）を示している。なお、Ｔａ膜１０２およびＩＴＯ膜１０６と、電圧印加装置（図示せず）とにより、本発明の「駆動手段」が構成されている。
【００７５】
この光スイッチング装置１００では、Ｔａ膜１０２を接地して電位を０Ｖとし、第２の層側に形成されたＩＴＯ膜１０６に例えば＋１２Ｖの電圧を印加すると、その電位差によりＴａ膜１０２とＩＴＯ膜１０６との間に静電引力が発生し、図２１では光スイッチング素子１００Ａ，１００Ｃのように第１の層と第２の層とが密着し、間隙部１０４が「０」の状態となる。この状態では、入射光Ｐ1 は上記多層構造体を透過し、更に基板２１に吸収される。
【００７６】
次に、第２の層側の透明導電膜１０６を接地させ電位を０Ｖにすると、Ｔａ膜１０２とＩＴＯ膜１０６との間の静電引力がなくなり、図２１では光スイッチング素子１００Ｂ，１００Ｄのように第１の層と第２の層との間が離間して、間隙部１２が「λ／４」の状態となる。この状態では、入射光Ｐ1 は反射され、反射光Ｐ3 となる。
【００７７】
このようにして、本実施の形態では、光スイッチング素子１００Ａ〜１００Ｄ各々において、入射光Ｐ1 を静電力により間隙部を２値に切り替えることによって、反射光がない状態と反射光Ｐ3 が発生する状態の２値に切り替えて取り出すことができる。勿論、前述のように間隙部の大きさを連続的に変化させることにより、入射光Ｐ1 を反射がない状態から反射光Ｐ3 が発生する状態に連続的に切り替えることも可能である。
【００７８】
これら光スイッチング素子１００Ａ〜１００Ｄでは、可動部分の動かなくてはならない距離が、大きくても入射光の「λ／２（あるいはλ／４）」程度であるため、応答速度が１０ｎｓ程度に十分高速である。よって、一次元アレイ構造で表示用のライトバルブを実現することができる。
【００７９】
加えて、本実施の形態では、１ピクセルに複数の光スイッチング素子を割り当てれば、それぞれ独立に駆動可能であるため、画像表示装置として画像表示の階調表示を行う場合に、時分割による方法だけではなく、面積による階調表示も可能である。
【００８０】
〔画像表示装置〕
図２２は、上記光スイッチング装置１００を用いた画像表示装置の一例として、プロジェクションディスプレイの構成を表すものである。ここでは、光スイッチング素子１００Ａ〜１００Ｄからの反射光Ｐ3 を画像表示に使用する例について説明する。
【００８１】
このプロジェクションディスプレイは、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）各色のレーザからなる光源２００ａ，２００ｂ，２００ｃと、各光源に対応して設けられた光スイッチング素子アレイ２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ、ダイクロイックミラー２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃ、プロジェクションレンズ２０３、１軸スキャナとしてのガルバノミラー２０４および投射スクリーン２０５を備えている。なお、３原色は、赤緑青の他、シアン，マゼンダ，イエローとしてもよい。スイッチング素子アレイ２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃはそれぞれ、上記スイッチング素子を紙面に対して垂直な方向に複数、必要画素数分、例えば１０００個を１次元に配列したものであり、これによりライトバルブを構成している。
【００８２】
このプロジェクションディスプレイでは、ＲＧＢ各色の光源２００ａ，２００ｂ，２００ｃから出た光は、それぞれ光スイッチング素子アレイ２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃに入射される。なお、この入射角は偏光の影響がでないように、なるべく０に近くし、垂直に入射させるようにすることが好ましい。各光スイッチング素子からの反射光Ｐ3 は、ダイクロイックミラー２０２ａ，２０２ｂ，２０２ｃによりプロジェクションレンズ２０３に集光される。プロジェクションレンズ２０３で集光された光は、ガルバノミラー２０４によりスキャンされ、投射スクリーン２０５上に２次元の画像として投影される。
【００８３】
このように、このプロジェクションディスプレイでは、複数個の光スイッチング素子を１次元に配列し、ＲＧＢの光をそれぞれ照射し、スイッチング後の光を１軸スキャナにより走査することによって、２次元画像を表示することができる。
【００８４】
また、本実施の形態では、低反射時の反射率を０．１％以下、高反射時の反射率を７０％以上とすることができるので、１，０００対１程度の高コントラストの表示を行うことができると共に、素子に対して光が垂直に入射する位置で特性を出すことができるので、光学系を組み立てる際に、偏光等を考慮にする必要がなく、構成が簡単である。
【００８５】
以上実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および変形例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、光源としてレーザを用いて一次元アレイ状のライトバルブを走査する構成のディスプレイについて説明したが、図２３に示したように、二次元状に配列された光スイッチング装置２０６に白色光源２０７からの光を照射して投射スクリーン２０８に画像の表示を行う構成とすることもできる。
【００８６】
また、上記実施の形態では、基板としてガラス基板を用いる例について説明したが、図２４に示したように、例えば厚さ２ｍｍ以内の柔軟性を有する（フレキシブルな）基板２０９を用いたペーパ−状のディスプレイとし、直視により画像を見ることができるようにしてもよい。
【００８７】
更に、上記実施の形態では、本発明の光学多層構造体をディスプレイに用いた例について説明したが、例えば光プリンタに用いて感光性ドラムへの画像の描きこみをする等、ディスプレイ以外の光プリンタなどの各種デバイスにも適用することも可能である。
【００８８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光学多層構造体および光スイッチング素子によれば、基板上に、光の吸収のある第１の層、光の干渉現象を起こし得る大きさを有すると共にその大きさが可変な間隙部、および第２の層を配設した構造を有するようにしたので、間隙部の大きさを変化させることにより、入射した光の反射、透過若しくは吸収の量を変化させることができ、簡単な構成で、特に可視光領域においても、高速応答が可能になる。また、間隙部をなくして基板上に第１の層および第２の層をこの順で接する構造とすることにより、反射防止膜として利用することができる。
【００８９】
また、本発明の画像表示装置によれば、本発明の光スイッチング素子を１次元に配列し、この１次元アレイ構造の光スイッチング装置を用いて画像表示を行うようにしたので、高コントラストの表示を行うことができると共に、素子に対して光が垂直に入射する位置で特性を出すことができるので、光学系を組み立てる場合に、偏光等を考慮にする必要がなく、構成が簡単となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る光学多層構造体の間隙部が「λ／４」のときの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した光学多層構造体の間隙部が「０」のときの構成を表す断面図である。
【図３】  図１に示した光学多層構造体の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を説明するための平面図である。
【図５】透明な基板と透明な膜を用いた光学多層構造体の間隙部が「０」の場合の特性を説明するための図である。
【図６】透明な基板と透明な膜を用いた光学多層構造体の間隙部が「λ／４」の場合の特性を説明するための図である。
【図７】基板および第１の層が金属により形成された場合のアドミッタンスダイアグラムである。
【図８】図１に示した光学多層構造体の一具体例の反射特性を表す図である。
【図９】図８の例の低反射時の光学アドミッタンスを説明するための図である。
【図１０】図８の例の高反射時の光学アドミッタンスを説明するための図である。
【図１１】図１の光学多層構造体の他の具体例の反射特性を表す図である。
【図１２】図１１の例の低反射時の光学アドミッタンスを説明するための図である。
【図１３】図１１の例の高反射時の光学アドミッタンスを説明するための図である。
【図１４】各材料の光学アドミッタンスをプロットしたアドミッタンスダイアグラムである。
【図１５】基板と第１の層の光学アドミッタンスが第２の層の内側にあっても反射を０とすることができる例を説明するための図である。
【図１６】第１の実施の形態の更に他の変形例を説明するための断面図である。
【図１７】光学多層構造体の静電気による駆動方法を説明するための断面図である。
【図１８】光学多層構造体の静電気による他の駆動方法を説明するための断面図である。
【図１９】光学多層構造体の静電気による更に他の駆動方法を説明するための断面図である。
【図２０】光学多層構造体の磁気による駆動方法を説明するための断面図である。
【図２１】光スイッチング装置の一例の構成を表す図である。
【図２２】ディスプレイの一例の構成を表す図である。
【図２３】ディスプレイの他の例を表す図である。
【図２４】ペーパー状ディスプレイの構成図である。
【符号の説明】
１，２…光学多層構造体、１０…基板、１１…第１の層、１２…間隙部、１３…第２の層、１００─光スイッチング装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0004830183.tif 000019
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004830183.tif 000023
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
0004830183.tif 000029
【図２３】
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【図２４】
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