【手続補正書】
【提出日】平成15年7月23日(2003.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜領域と非成膜領域とが設定された被処理基板の上方に配置され、前記被処理基板に対して一定量の液体を連続的に吐出する液体吐出部と、
前記被処理基板と前記液体吐出部とを相対的に移動させる移動部と、
前記液体吐出部と前記被処理基板との間に配置され、前記移動部により前記被処理基板及び前記液体吐出部の少なくとも１つが移動されて、前記液体吐出部から吐出された液体が前記非成膜領域に供給される状態になったとき、前記液体が前記非成膜領域に供給されるのを、前記液体を吸引するかもしくはガスを吹き付けることで遮断する液体遮断部と、
を具備することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
記液体遮断部が、前記液体吐出部から吐出された液体の側面から前記液体を吸引する液体吸引部と、この液体吸引部の下方に配置され、吸引された液体を回収する液体回収部とを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記液体遮断部が、前記液体吐出部から吐出された液体の側面に対してガスを吹き付けるガス吹き付け部と、このガス吹き付け部の下方で、かつ吐出された液体を前記ガス吹き付け部と挟むように配置され、ガスが吹き付けられた前記液体を回収する液体回収部とを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記液体遮断部が、
ガス発生材を反応させるための光を発射する光発射部と、
前記光発射部により発射された光を受けて反応しガスを発生させるガス発生材を有し、発生した前記ガスを前記液体吐出部から吐出された液体の側面に吹き付けるガス吹き付け部と、
このガス吹き付け部の下方で、かつ吐出された液体を前記ガス吹き付け部と挟むように配置され、ガスが吹き付けられた前記液体を回収する液体回収部とを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記液体遮断部が、
前記液体吐出部と前記被処理基板との間に配置され、前記液体吐出部から吐出された液体の軌道を変更する遮蔽板と、
前記液体吐出部から吐出された液体の軌道上に前記遮蔽板を出し入れする遮蔽板駆動部と、
前記遮蔽板により軌道が変更された液体を回収する液体回収部とを含んで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記液体遮断部には、前記液体吐出部の進行方向前方に設置され、前記被処理基板上の画像情報を取得する画像取得部が接続されており、前記液体遮断部は取得した前記画像情報及び予め設定されたパターン設計情報のいずれかに基づいて前記非成膜領域を認識し、前記液体の供給を遮断することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項７】
被処理基板上で一定量広がるように調整された液体を液体吐出ノズルから連続的に吐出させる工程と、
前記液体吐出ノズルを前記被処理基板上で行方向に相対的に移動させ、前記被処理基板上の第１の領域に前記液体を供給する第１の工程と、
前記液体吐出ノズルを前記前記被処理基板に対して列方向に相対的に移動させる第２の工程と、
前記被処理基板上の第１の領域に供給され広がった前記液体に対して、前記液体吐出ノズルから供給され前記被処理基板上で広がる液体が少なくとも接続するように、前記液体吐出ノズルを前記被処理基板上で行方向で第１の工程とは逆の方向に相対的に移動させ、前記被処理基板上の第２の領域に前記液体を供給する第３の工程と、
前記液体吐出ノズルを前記被処理基板に対して列方向に相対的に移動させる第４の工程と、
を具備することを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
前記被処理基板の表面に凹凸が形成されているとき、前記凹凸の割合に応じて前記被処理基板上に供給される前記液体の量を変化させることを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項９】
前記被処理基板上に供給される前記液体の量の変化は、前記液体吐出ノズルからの吐出量を変化させることによって行われることを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記吐出量の変化は、前記液体吐出ノズルの上流側に設置された液体輸送ポンプからの輸送量を変化させることによって行うことを特徴とする請求項９に記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記被処理基板上に供給される前記液体の量の変化は、前記液体吐出ノズルからの吐出量を一定にし、かつ前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との相対的な移動速度を変化させることによって行われることを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記被処理基板上に供給される前記液体の量の変化は、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に液体遮断機能を有する液体遮断部を配置し、この液体遮断部により前記液体の遮断を行い遮断量を調整することによって行われることを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記液体の遮断は、吐出された液体の側面で前記液体を吸引し、この液体吸引部の下方で吸引された液体を回収することで行うことを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記液体の遮断は、吐出された液体の側面に対してガスを吹き付けて液体の軌道を変更し、この下方で、かつガスを吹き付けた位置と対向する位置で液体を回収することで行うことを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１５】
前記液体の遮断は、吐出された液体の側面から液体の軌道を変更する遮断板を液体に挿入し、軌道が変更された液体を回収することで行うことを特徴とする請求項１２に記載の成膜方法。
【請求項１６】
前記被処理基板上の内部から前記第１の工程から第４の工程を繰り返すことで、前記被処理基板の内部から外周の一端側に向かって薬液の供給を行い第一の液膜を形成する工程と、
前記被処理基板の内部から外周の前記一端側と異なる他端側に向かって、前記第１の液膜と重ならないように供給を行い、かつ前記被処理基板上で広がる液体と少なくとも接続するように、前記第１の工程から第４の工程を繰り返し行い第２の液膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１７】
前記液体の広がり量の調整は、前記液体中に含まれる固形分量、前記液体の粘度、前記液体の吐出速度、及び前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との相対的な移動速度のうちの少なくとも１つを調整することによって行うことを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項１８】
前記凹凸の割合は、前記被処理基板のパターン設計情報から決定されることを特徴とする請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１９】
前記凹凸の割合は、前記液体吐出ノズルの進行方向前方に設置された画像取得部によって取得された前記被処理基板の表面画像から決定されることを特徴とする請求項８に記載の成膜方法。
【請求項２０】
前記被処理基板上には成膜領域と非成膜領域とが設定されており、前記被処理基板の非成膜領域では前記液体の被処理基板への供給を遮断することを特徴とし、前記遮断は液体吐出ノズルから吐出された液体の側面で前記液体を吸引し、この下方で吸引された液体を回収することを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項２１】
前記被処理基板上には成膜領域と非成膜領域とが設定されており、前記被処理基板の非成膜領域では前記液体の被処理基板への供給を遮断することを特徴とし、前記遮断は液体吐出ノズルから吐出された液体の側面に対してガスを吹き付けて液体の軌道を変更し、この下方で、かつガスを吹き付けた位置と対向する位置で液体を回収することを特徴とする請求項７に記載の成膜方法。
【請求項２２】
前記非成膜領域が、露光工程の位置合わせに用いられるアライメントマークを含む領域、及び前記被処理基板の被処理領域、基板外周部のうちの少なくともいずれかの領域であることを特徴とする請求項２０または２１に記載の成膜方法。
【請求項２３】
表面に凹凸を有する被処理基板上に液状膜を形成する成膜方法において、
液体吐出ノズルから液体を連続的に吐出する工程と、
前記被処理基板上の一定領域内における凹凸の割合を取得する工程と、
前記液体吐出ノズルと前記被処理基板とを相対的に移動させ、検出した前記凹凸の割合に応じて、前記一定領域に供給する前記液体の量を変化させる工程と、
を具備することを特徴とする成膜方法。
【請求項２４】
表面に凹凸を有する被処理基板上に液状膜を形成する成膜方法において、
液体吐出ノズルから液体を連続的に吐出する工程と、
前記被処理基板上の第１の領域及び第２の領域内における凹凸の割合を取得する工程と、
前記液体吐出ノズルと前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処理基板上の前記第１の領域内における凹凸の割合に応じて、前記第１の領域に供給する前記液体の量を変化させることにより、前記液体が前記第１の領域上で一定量広がって第１の線状液膜となる工程と、
前記液体吐出ノズルと前記被処理基板とを相対的に移動させ、前記被処理基板上の前記第２の領域内における凹凸の割合に応じて、前記第２の領域に供給する前記液体の量を変化させることにより、前記液体が前記第２の領域上で一定量広がって第２の線状液膜となり、前記第２の線状液膜は前記第１の線状液膜に接続される工程と、
を具備することを特徴とする成膜方法。
【請求項２５】
前記液体の量を変化させる動作は、前記液体吐出ノズルからの前記液体の吐出量を一定にし、かつ前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との相対的な移動速度を変化させることを特徴とする請求項２３または２４に記載の成膜方法。
【請求項２６】
前記液体の量を変化させる動作は、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に配置された液体遮断部を用いて、前記液体の遮断量を変化させることを特徴とする請求項２３または２４に記載の成膜方法。
【請求項２７】
前記液体の量を変化させる動作は、前記液体吐出ノズルから連続的に吐出される液体を前記移動方向に線状に滴下する動作と、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に配置された液体遮断部を用いて前記液体の滴下を遮断する動作とによって行うことを特徴とする請求項２３または２４に記載の成膜方法。
【請求項２８】
前記液体の量を変化させる動作は、前記液体吐出ノズルからの前記液体の吐出量を変化させることを特徴とする請求項２３または２４に記載の成膜方法。
【請求項２９】
前記液体の前記吐出量の変化は、前記液体吐出ノズルの上流側に設置された液体輸送ポンプからの前記液体の輸送量を変化させることによって行うことを特徴とする請求項２８に記載の成膜方法。
【請求項３０】
前記液体の量を変化させる動作は、前記一定領域に前記液体を滴下する動作と前記液体の滴下を遮断する動作とを繰り返すことを特徴とする請求項２３に記載の成膜方法。
【請求項３１】
前記凹凸の割合を取得する工程は、前記被処理基板のパターン設計情報に基づいて前記一定領域内の凹凸の割合を求めることを特徴とする請求項２３に記載の成膜方法。
【請求項３２】
前記凹凸の割合を取得する工程は、前記液体吐出ノズルの進行方向前方に設置された画像取得部によって取得した前記被処理基板上の一定領域の表面画像を用いて、前記一定領域内の凹凸の割合を求めることを特徴とする請求項２３に記載の成膜方法。
【請求項３３】
前記凹凸の割合を取得する工程は、前記被処理基板のパターン設計情報に基づいて、前記第１の領域及び第２の領域内における凹凸の割合を求めることを特徴とする請求項２４に記載の成膜方法。
【請求項３４】
前記凹凸の割合を取得する工程は、前記液体吐出ノズルの進行方向前方に設置された画像取得部によって取得した前記被処理基板上の前記第１の領域の表面画像を用いて前記第１の領域内の凹凸の割合を求め、前記第２の領域の表面画像を用いて前記第２の領域内の凹凸の割合を求めることを特徴とする請求項２４に記載の成膜方法。
【請求項３５】
被処理基板上に液体を吐出して液膜を形成する成膜方法において、
前記被処理基板上で一定量広がるように調整された前記液体を、点状の吐出口を具備した液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、第２の速度で直線状の第１の移動を生じさせて、前記液体を前記被処理基板上に留めつつ第１の線状液膜を形成する第１の工程と、
前記液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して前記液体を前記第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、前記第１の移動と方向が異なる第２の移動を生じさせる第２の工程と、
前記液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して前記液体を前記第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、前記第１の移動と平行な直線状でかつ相反する方向に前記第２の速度で第３の移動を生じさせて、前記液体を前記被処理基板上に留めつつ、前記液体が液の流動性により広がったときに前記第１の線状液膜に接続するように、第２の線状液膜を形成する第３の工程と、
前記液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して前記液体を前記第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、前記第３の移動と方向が異なる第４の移動を生じさせる第４の工程と、
前記被処理基板を放置して、前記第１の線状液膜と前記第２の線状液膜とを液の流動性により接続させる第５の工程と、
を具備することを特徴とする成膜方法。
【請求項３６】
被処理基板上に液体を吐出して液膜を形成する成膜方法において、
前記被処理基板上で一定量広がるように調整された前記液体を、点状の吐出口を具備した液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、第２の速度で直線状の第１の移動を生じさせて、前記液体を前記被処理基板上に留めつつ第１の線状液膜を形成する第１の工程と、
前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に配置された液体遮断部を用いて、前記液体吐出ノズルから前記第１の速度で連続的に吐出される前記液体が前記被処理基板に達するのを遮断しつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、前記第１の移動と方向が異なる第２の移動を生じさせる第２の工程と、
前記液体吐出ノズルから前記被処理基板に対して前記液体を前記第１の速度で連続的に吐出させつつ、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に、前記第１の移動と平行な直線状でかつ同一方向に前記第２の速度で第３の移動を生じさせて、前記液体を前記被処理基板上に留めつつ、前記液体が液の流動性により広がったときに前記第１の線状液膜に接続するように、第２の線状液膜を形成する第３の工程と、
前記被処理基板を放置して、前記第１の線状液膜と前記第２の線状液膜とを液の流動性により接続させる第４の工程と、
を具備することを特徴とする成膜方法。
【請求項３７】
前記第２の移動では、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に配置された液体遮断部を用いて、前記液体吐出ノズルから連続的に吐出される前記液体が前記被処理基板に達するのを遮断することを特徴とする請求項３５に記載の成膜方法。
【請求項３８】
前記第１の線状液膜を形成する第１の工程、前記第２の移動を生じさせる第２の工程、及び前記第２の線状液膜を形成する第３の工程が複数回繰り返されるものであって、その時の前記第１の移動、第２の移動、及び第３の移動とで形成される軌跡がジグザグであることを特徴とする請求項３５乃至３７のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項３９】
前記液体は固形分が添加された溶剤であり、前記第１の線状液膜及び第２の線状液膜から前記溶剤を除去して固形膜を形成することを特徴とする請求項３５乃至３８のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４０】
前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に生じる前記第１の移動時の前記第２の速度と、前記液体吐出ノズルからの前記液体の連続的な吐出量と、前記液体吐出ノズルと前記被処理基板との間に相対的に生じる前記第２の移動時の移動間隔が、
前記液体吐出ノズルから吐出される前記液体の固形分濃度と、前記第１の線状液膜及び第２の線状液膜から溶剤を除去して最終的に得られる膜の膜厚及び比重により決定されることを特徴とする請求項３５乃至３９のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４１】
前記成膜方法は、露光用マスク、半導体デバイス、半導体レーザー、及び液晶デバイスのいずれかの製造工程における、絶縁膜形成工程、配線形成工程、強誘電体膜形成工程、及びリソグラフィ工程のいずれかに用いられることを特徴とする請求項３５乃至４０のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４２】
前記液体吐出ノズルから吐出される前記液体の粘度は、前記液体が前記被処理基板上に静止した状態で、互いに隣接する前記第１の線状液膜と第２の線状液膜とが接続するような流動性を生じる範囲で決定されることを特徴とする請求項３５乃至４１のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４３】
前記液体は固形分が添加された溶剤であり、前記固形分量は３％以下であることを特徴とする請求項３５乃至４２のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４４】
前記液体は固形分が添加された溶剤であり、前記溶剤はＥＬ（乳酸エチル）を含むことを特徴とする請求項３５乃至４３のいずれか１つに記載の成膜方法。
【請求項４５】
前記液体として、低誘電体材料，絶縁材料，反射防止材，レジスト材，及び配線材料のうちのいずれかが溶媒に添加されたものを用いることを特徴とする請求項７乃至４４のいずれか１つに記載の成膜方法。