【手続補正書】
【提出日】平成15年10月9日(2003.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無機ＥＬ蛍光体薄膜用ターゲット、蛍光体薄膜、無機ＥＬ素子および無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
II族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、
この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で３〜１００ mol％含有する無機ＥＬ蛍光体薄膜用ターゲット。
【請求項２】
前記II族-硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である請求項１の無機ＥＬ蛍光体薄膜用ターゲット。
【請求項３】
Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択される元素-硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料に対し、
硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で５〜５０ mol％含有する蛍光体薄膜。
【請求項４】
スパッタリング法により成膜されたものである請求項３の蛍光体薄膜。
【請求項５】
前記II族-硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である請求項３または４の蛍光体薄膜。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれかの蛍光体薄膜を有する無機ＥＬ素子。
【請求項７】
スパッタリング法により形成する無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法であって、
成膜される硫化物蛍光体薄膜のII族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料からなる母体材料組成に対し、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で５〜５０ mol％含有するターゲットを用いる無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。
【請求項８】
基板温度を３５０℃以上とする請求項７の無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記II族−硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である請求項７または８の無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これらの赤色、緑色、青色の３原色に発光する蛍光体薄膜は発光輝度、効率、色純度に問題があり、現在、カラーＥＬパネルの実用化には至っていない。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これらの課題を解決するための、高純度、高品質の硫化物蛍光体薄膜の製造方法の1つとして、形成しようとする組成の硫化物蛍光体の焼結体をターゲットとし、スパッタリング法により蛍光体薄膜を形成する方法がある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（９）のいずれかの構成により達成される。
（１）  II族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料と、
この母体材料組成に対し、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で３〜１００ mol％含有する無機ＥＬ蛍光体薄膜用ターゲット。
（２）  前記II族-硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である上記（１）の無機ＥＬ蛍光体薄膜用ターゲット。
（３）  Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択される元素-硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料に対し、
硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で５〜５０ mol％含有する蛍光体薄膜。
（４）  スパッタリング法により成膜されたものである上記（３）の蛍光体薄膜。
（５）  前記II族-硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である上記（３）または（４）の蛍光体薄膜。
（６）  上記（３）〜（５）のいずれかの蛍光体薄膜を有する無機ＥＬ素子。
（７）  スパッタリング法により形成する無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法であって、
成膜される硫化物蛍光体薄膜のII族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料からなる母体材料組成に対し、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、硫化カルシウム（ＣａＳ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のうちの１種類または２種類以上をＭｇＳ、ＣａＳおよびＺｎＳ換算で５〜５０ mol％含有するターゲットを用いる無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。
（８）  基板温度を３５０℃以上とする上記（７）の無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。
（９）  前記II族−硫黄化合物が硫化ストロンチウム（ＳｒＳ）である上記（７）または（８）の無機ＥＬ用蛍光体薄膜の製造方法。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、スパッタリング法により、II族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分とした母体材料からなる硫化物蛍光体薄膜を成膜するためのターゲット、前記薄膜の製造方法、これにより製造された薄膜、およびその薄膜を用いたＥＬ素子であって、高温の基板温度で再蒸発し易いＭｇＳ、ＣａＳ、ＺｎＳのうち１種類または２種類以上の硫化物を過剰に添加したターゲットを用いることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では、このようなＥＬ素子の蛍光薄膜に用いれる材料として、II族−硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物とは、主にＳｒＳに代表されるII−Ｓ系化合物または、主にＳｒＧａ2Ｓ4 に代表されるII−III2−S4系化合物（II=Zn、Cd、Ca、Mg、Be、Sr、Ba、III=Ｂ、Al、Ga、In、Tl）、希土類−III2−S4系化合物または、Ｙ2Ｓ3などの希土類硫化物、およびこれらの化合物を用いた複数成分の組み合わせの混晶または混合化合物が好ましい。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ここで、ターゲットへの過剰のＺｎＳ等の添加量は、スパッタ成膜条件、特に基板温度により最適値がある。成膜される硫化物蛍光体薄膜の母体材料組成に対し、ＭｇＳ、ＣａＳ、ＺｎＳのうち１種類または２種類以上を３ mol％〜１００ mol％、好ましくは５〜１００ mol％、特に５〜５０ mol％過剰に混合する。３ mol％程度から硫黄の供給効果が出始める。添加量が多すぎると、母体材料結晶の結晶性を損なう。混合薄膜、例えばＳｒＳ＋ＺｎＳ混合薄膜の形成には、基板温度を３００℃以下でＺｎＳの混合量を多くする。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、上記したように、基板温度が２５０℃付近または、それ以下であると母体材料に対してＭｇＳ、ＣａＳまたはＺｎＳから硫黄を供給しつつ、ＭｇＳ、ＣａＳまたはＺｎＳ自体も成膜され、混合薄膜が形成される。この場合、母体材料としては、Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択される元素-硫黄化合物、II族−III族−硫黄化合物、希土類−III族−硫黄化合物または希土類硫化物を主成分としたものが好ましい。成膜された硫化物蛍光体薄膜において、母体材料組成に対し、ＭｇＳ、ＣａＳ、ＺｎＳのうち１種類または２種類以上が、好ましくは５〜５０ mol％、より好ましくは１０〜５０ mol％混合されている。