(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動素子が形成された駆動素子基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記駆動素子は同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子から成り、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から前記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置であって、
前記第２のデータ線は、前記第１のデータ線の上層にあって前記第１のデータ線と絶縁膜を介して互いに重畳され、かつ、該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第２の駆動素子と電極接続される態様で、前記駆動素子基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
駆動素子が形成された駆動素子基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記駆動素子は同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子から成り、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から前記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置であって、
前記第２のデータ線は、絶縁膜を介して前記第１のデータ線の上層にあって、かつ、前記第１及び第２のデータ線は、互いに極性の同一の画素電圧を供給するもの同士が重畳される態様で、前記駆動素子基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、有機絶縁膜又は無機絶縁膜あるいは両絶縁膜の積層膜から成ることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の画素電極と、共通電極とが層間絶縁膜を介して相互に絶縁されるように前記駆動素子基板上に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の画素電極と、前記第１のデータ線とは同一の層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の画素電極と、前記第２のデータ線とは配向膜で覆われることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２のデータ線は、それぞれ異なる単位画素の第１及び第２の画素電極に前記画素電圧を供給することを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記駆動素子基板に色層が形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記共通電極は配向膜を介して前記液晶と接していることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２のデータ線は、前記第１のデータ線の上層にあって前記第１のデータ線とパッシベーション膜を介して互いに重畳されていることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２の画素電極と共通電極とが、前記第２のデータ線を覆う同一の層間絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
共通電極が前記対向基板上に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記単位画素は１Ｈ反転駆動方法、１Ｖ反転駆動方法あるいはドット反転駆動方法により駆動されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子を有し、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から前記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置の製造方法であって、
透明基板上に走査線を形成した後該走査線を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、該第１の層間絶縁膜上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層にドレイン電極及びソース電極を形成して第１及び第２の駆動素子を形成すると同時に、前記第１の層間絶縁膜上に第１及び第２の画素電極、一方の前記駆動素子の前記ドレイン電極と接続する第１のデータ線を形成する第２の工程と、
前記駆動素子を覆うように第２の層間絶縁膜を形成した後該第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して他方の前記駆動素子の前記ドレイン電極と接続する第２のデータ線を前記第１のデータ線と重畳するように形成する第３の工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の工程において、前記第２の層間絶縁膜として有機絶縁膜又は無機絶縁膜あるいは両絶縁膜の積層膜を形成することを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、詳しくは、同一走査線で駆動される２つの駆動素子を有し、互いに極性の異なる画素電圧が２つのデータ線から各駆動素子を介して印加される２つの画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の情報機器等のディスプレイ装置として液晶表示装置が広く用いられている。液晶表示装置は、表示すべき単位画素を選択するためにオン、オフのスイッチングを行うスイッチング素子（駆動素子）として動作するＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板（駆動素子基板）と、対向基板との間に液晶が封入された構成を基本としており、複数の単位画素がマトリクス状に配置されている。このような液晶表示装置は、表示方式の違いにより、ＴＮ(Twisted Nematic)形とＩＰＳ(In-Plane Switching)形とに大別される。
【０００３】
ＴＮ形の液晶表示装置は、ＴＦＴ基板上に形成した画素電極に画素電圧を印加するとともに、対向基板上に形成した共通電極に共通電圧を印加して、これら画素電圧と共通電圧との差電圧により、両基板表面に対して垂直方向に縦方向電界を発生させて液晶を駆動する。一方、ＩＰＳ形の液晶表示装置は、一方側の基板であるＴＦＴ基板上に画素電極と共通電極との両電極を層間絶縁膜を介して相互に絶縁されるように形成して、両電極に印加した両電圧の差電圧により、両基板表面に対して水平方向に横方向電界を発生させて液晶を駆動する。このような駆動方法において、特にＩＰＳ形の液晶表示装置では、両基板表面に沿って液晶分子の長軸が水平に配列されるので、液晶表示装置を観察するとき視角方向を変えても明るさの変化が小さくなるため、広い視野角が得られるという利点を有している。したがって、最近ではＩＰＳ形の液晶表示装置が好んで採用される傾向にある。
【０００４】
図３５は、従来のＩＰＳ形の液晶表示装置の構成を示す平面図、図３６は図３５のＬ−Ｌ矢視断面図である。なお、図３５及び図３６は、一つの単位画素１００のみを示している。同液晶表示装置は、図３５及び図３６に示すように、ＴＦＴ基板１０１と対向基板１０２との間に液晶１０３が封入され、ＴＦＴ基板１０１は、ガラス等から成る第１の透明基板１０６と、第１の透明基板１０６の裏面に形成された第１の偏光板１０７と、第１の透明基板１０６の表面の一部分に形成された走査線（ゲートバスライン）１０８と、第１の透明基板１０６の表面の他部分に形成された共通電極１０９と、走査線１０８及び共通電極１０９を覆うように形成されてゲート絶縁膜となる層間絶縁膜１１０と、層間絶縁膜１１０を介して走査線１０８の上部に形成された半導体層１１３と、半導体層１１３にそれぞれ接続されるように形成されたドレイン電極１１６及びソース電極１１７と、ドレイン電極１１６及びソース電極１１７と一体に層間絶縁膜１１０上に形成された画素電極１２１及びデータ線１２２と、画素電極１２１及びデータ線１２２を覆うように形成されたパッシベーション膜１２５と、パッシベーション膜１２５を介して画素電極１２１及びデータ線１２２を覆うように形成された第１の配向膜１２７とを備えている。ここで、走査線１０８、半導体層１１３、ドレイン電極１１６及びソース電極１１７によりＴＦＴ１２９が構成されている。
【０００５】
一方、対向基板１０２は、ガラス等から成る第２の透明基板１３１と、第２の透明基板１３１の裏面に静電気防止用の導電層１３２を介して形成された第２の偏光板１３３と、第２の透明基板１３１の表面に形成されたブラックマトリクス層１３４と、ブラックマトリクス層１３４を覆うカラーフィルタとなる色層１３５と、ブラックマトリクス層１３４及び色層１３５を覆う平坦化膜１３６と、平坦化膜１３６上に形成された第２の配向膜１３７とを備えている。また、符号１３９は液晶１０３のラビング方向を示している。
【０００６】
上述したような液晶表示装置を駆動させるには、従来から、液晶の長寿命化を図る観点から、各単位画素を構成している画素電極に対して周期的に互いに極性の異なる画素電圧を印加することが行われている。すなわち、図３５及び図３６において、データ線１２２からＴＦＴ１２９を介して画素電極１２１に対して、図３７に示すような周期的に互いに極性の異なる画素電圧Ｖeを印加することが行われている。同図において、符号Ｖcは共通電極１０９に印加される共通電圧を示し、図示しない走査電圧の印加タイミングで画素電圧Ｖeと共通電圧Ｖcとの差電圧Ｖd1、Ｖd2により液晶１０３が駆動されて、液晶１０３はこの駆動電圧に応じた電荷を保持する。
【０００７】
ここで、上述したように画素電極１２１に対して周期的に極性の異なる画素電圧Ｖｅを印加して液晶１０３を駆動するには、以下に説明するような３つの方法が主として行われている。第１の駆動方法は、図３８（ａ）に示すように、１Ｈ（Horizontal）反転駆動方法と称されるもので、画像を構成する画素の画像データを切り換えるときに、１水平線毎に画素の正極性と負極性とを反転させる方法である。第２の駆動方法は、図３８（ｂ）に示すように、１Ｖ（Vertical）反転駆動方法と称されるもので、画素の画像データを切り換えるときに、１垂直線毎に画素の正極性と負極性とを反転させる方法である。第３の駆動方法は、図３８（ｃ）に示すように、ドット反転駆動方法と称されるもので、画素の画像データを切り換えるときに、１ドット毎に市松模様状に画素の正極性と負極性とを反転させる方法である。
【０００８】
図３９は、従来の液晶表示装置の駆動回路を示す図、図４０は図３９の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す図である。マトリクス状に配置された画素１００の走査線１０８には走査線駆動回路１５１が接続されて走査線信号が入力されるとともに、データ線１２２にはデータ線駆動回路１５２が接続されてデータ線信号が入力される。また、共通電極配線１２０には共通電極配線駆動回路１５３が接続されて共通電位が入力される。
【０００９】
図４０から明らかなように、端子部Ａにおいては、データ線１２２に電位を供給するデータ線端子部１２２ＡがそれぞれＩＴＯ膜１２２ａで覆われている。また、端子部Ｂにおいては、走査線１０８に電位を供給する走査線端子部１０８ＡがＩＴＯ膜１０８ａで覆われるとともに、共通電極配線１２０に電位を供給する共通電極配線端子部１２０ＡがＩＴＯ膜１２０ａで覆われている。
【００１０】
しかしながら、上述したような従来の液晶表示装置では、表示画面上で同極性の画素のみを表示させるような必要が生じた場合には、フリッカが強く発生して表示画面が見にくくなるという欠点が発生する。例えば、図４１（ａ）に示したように、正極性の画素のみ、あるいは図４１（ｂ）に示したように、負極性の画素のみを表示させるように市松模様状に表示させる場合にはフリッカが強く発生するようになる。この理由は、従来の液晶表示装置では、前述したように互いに極性の異なる画素電圧を印加した複数の画素を同時に表示させて、見かけ上のフリッカを抑制するようにしているためである。この理由は、具体的には、データ線１２２と画素電極１２１との間に接続されているＴＦＴ１２９のオン特性と液晶１０３のデータ電圧保持特性とが、正極性と負極性とを印加する場合で、それぞれ異なるという事情に基づいている。すなわち、図３７において、差電圧Ｖd1、Ｖd2が等しい場合には問題がないが、実際には上述したような理由により、共通電圧Ｖcの大きさが変化するので、差電圧Ｖd1、Ｖd2が異なるようになるため、市松模様状に表示させる場合にはフリッカが強く発生するのが避けられない。
【００１１】
上述したような、同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制するようにした液晶表示装置が、例えば特開２０００−２３５３７１号公報に開示されている。図４２（ａ）は、同液晶表示装置を示す回路構成図、図４２（ｂ）は同液晶表示装置のレイアウト図である。同液晶表示装置は、図４２（ａ）、（ｂ）に示すように、走査線２０１ｃと、正のデータ線２０２ｃ及び副のデータ線２０２ｄと、走査線２０１ｃと正のデータ線２０２ｃとの交点に接続された正のＴＦＴ２０３ｃ及び走査線２０１ｃと副のデータ線２０２ｄとの交点に接続された副のＴＦＴ２０３ｄと、対向電極２１１と正の画素電極２０４ｃ及び副の画素電極２０４ｄとの間にそれぞれ封入されている液晶２１０ｃ、２１０ｄと、共通配線２０９と正副の画素電極２０４ｃ、２０４ｄとの間にそれぞれ形成されている蓄積容量２０８ｃ、２０８ｄとを備えている。
【００１２】
上述の構成によれば、例えば図３８（ａ）に示すように、画像を構成する１水平線の画素の画像データを切り換えるときに、単位画素毎に正副の画素電極２０４ｃ、２０４ｄに印加する画素電圧の正極性と負極性とを反転させることにより、単位画素毎に略同一輝度を表示する正極性の画素と負極性の画素とを必ず隣接させることができるので、前述したように表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができるようになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の液晶表示装置では、表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができるものの、単位画素の正副の画素電極にそれぞれ正極性及び負極性の画素電圧を印加する正副の２つのデータ線を平面的に形成しているので、単位画素の開口率が低下する、という問題がある。
すなわち、特開２０００−２３５３７１号公報に記載されている液晶表示装置は、図４２（ａ）、（ｂ）に示したように、正のＴＦＴ２０３ｃを介して画素電圧を正の画素電極２０４ｃに印加する正のデータ線２０２ｃと、副のＴＦＴ２０３ｄを介して画素電圧を副の画素電極２０４ｄに印加する副のデータ線２０２ｄとの２つのデータ線を平面的に形成しているので、単位画素内でデータ線が占有する面積が２倍になり、この分だけ光が透過する面積を減少させることになるため、開口率を低下させるようになる。
【００１４】
特に、ＩＰＳ形の液晶表示装置では、図３５及び図３６に示したように、遮光性金属から成る共通電極１０９及び画素電極１２１が平面的に配置される構成になっているので、もともと開口率が悪くなっているのに、さらに開口率が低下することは明るいディスプレイ装置の実現を困難にする。
【００１５】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、開口率を低下させることなく、表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができるようにした液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に係るこの発明の第１の構成は、駆動素子が形成された駆動素子基板と対向基板との間に液晶が封入され、上記駆動素子は同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子から成り、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から上記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置に係り、上記第２のデータ線は、上記第１のデータ線の上層にあって上記第１のデータ線と絶縁膜を介して互いに重畳され、かつ、該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記第２の駆動素子と電極接続される態様で、上記駆動素子基板上に形成されていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項２に係るこの発明の第２の構成は、駆動素子が形成された駆動素子基板と対向基板との間に液晶が封入され、上記駆動素子は同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子から成り、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から上記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置に係り、上記第２のデータ線は、絶縁膜を介して上記第１のデータ線の上層にあって、かつ、上記第１及び第２のデータ線は、互いに極性の同一の画素電圧を供給するもの同士が重畳される態様で、上記駆動素子基板上に形成されていることを特徴としている。
【００１８】
また、請求項１４に係るこの発明の第３の構成は、同一走査線で駆動される第１及び第２の駆動素子を有し、互いに極性の異なる画素電圧が第１及び第２のデータ線から上記第１及び第２の駆動素子を介して印加される第１及び第２の画素電極を有する単位画素から構成される液晶表示装置の製造方法に係り、透明基板上に走査線を形成した後該走査線を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、該第１の層間絶縁膜上に半導体層を形成する第１の工程と、上記半導体層にドレイン電極及びソース電極を形成して第１及び第２の駆動素子を形成すると同時に、上記第１の層間絶縁膜上に第１及び第２の画素電極、一方の上記駆動素子の上記ドレイン電極と接続する第１のデータ線を形成する第２の工程と、上記駆動素子を覆うように第２の層間絶縁膜を形成した後該第２の層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールを介して他方の上記駆動素子の上記ドレイン電極と接続する第２のデータ線を上記第１のデータ線と重畳するように形成する第３の工程とを含むことを特徴としている。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて具体的に行う。
◇第１実施例
図１は、この発明の第１実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は図２のＢ−Ｂ矢視断面図、図４は同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除いた構成を示す平面図、図５は第２のデータ線のパターンを示す平面図、また、図６はデータ線と画素電極との接続関係及び配置関係を概略的に示す図、図７はデータ線から供給される画素電圧の波形を示す図である。この例ではＩＰＳ形に適用した例で説明し、一つの単位画素５のみを示している。
この例の液晶表示装置は、図１〜図５に示すように、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間に液晶３が封入されている。ここで、ＴＦＴ基板１は、ガラス等から成る第１の透明基板６と、第１の透明基板６の裏面に形成された第１の偏光板７と、第１の透明基板６の表面の一部分に形成されたアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等から成りゲートバスラインとなる走査線８と、第１の透明基板６の表面の他部分に形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成る共通電極９と、走査線８及び共通電極９を覆うよう形成された酸化シリコン（ＳｉＯX）膜又は窒化シリコン（ＳｉＮX）膜、あるいは両膜の積層膜等から成りゲート絶縁膜となる第１の層間絶縁膜１０と、第１の層間絶縁膜１０を介して走査線８の上部に形成され表面に高濃度ｎ型アモルファスシリコン（ｎ+型α−Ｓｉ）等から成る第１の一対のオーミック層１１Ａ、１１Ｂ及び第２の一対のオーミック層１２Ａ、１２Ｂがそれぞれ形成された（α−Ｓｉ）等から成る第１の半導体層１３及び第２の半導体層１４と、第１の半導体層１３の第１の一対のオーミック層１１Ａ、１１Ｂにそれぞれ接続されるように形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成る第１のドレイン電極１６及び第１のソース電極１７と、第２の半導体層１４の第２の一対のオーミック層１２Ａ、１２Ｂにそれぞれ接続されるように形成されたＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ等から成る第２のドレイン電極１８及び第２のソース電極１９と、第１のドレイン電極１６及びソース電極１７と一体に第１の層間絶縁膜１０上に形成されたＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ（チタン）等から成る第１の画素電極２１及び第１のデータ線２２と、第２のドレイン電極１８及びソース電極１９と一体に第１の層間絶縁膜１０上に形成されたＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等から成る第２の画素電極２３と、第１のデータ線２２と重畳するようにパッシベーション膜２５を介して形成された第２のデータ線２４と、第１及び第２の半導体層１３、１４上のパッシベーション膜２５上に形成されたＳｉＯX膜又はＳｉＮX膜、両膜の積層膜、あるいは有機膜との複合膜等から成る第２の層間絶縁膜２６と、第１及び第２の画素電極２１、２３及び第２のデータ線２４を覆うように形成された第１の配向膜２７とを備えている。
【００３２】
一方、対向基板２は、ガラス等から成る第２の透明基板３１と、第２の透明基板３１の裏面に静電気防止用の導電層３２を介して形成された第２の偏光板３３と、第２の透明基板３３の表面に形成されたブラックマトリクス層３４と、ブラックマトリクス層３４を覆いカラーフィルタとなる色層３５と、ブラックマトリクス層３４及び色層３５を覆う平坦化膜３６と、平坦化膜３６上に形成された第２の配向膜３７とを備えている。また、符号３９は液晶３のラビング方向を示している。
【００３３】
上述したような構成において、走査線８、第１の半導体層１３、第１のドレイン電極１６及び第１のソース電極１７により第１のＴＦＴ２９が構成されるとともに、走査線８、第２の半導体層１４、第２のドレイン電極１８及び第２のソース電極１９により第２のＴＦＴ３０が構成されて、両ＴＦＴ２９、３０は第１の層間絶縁膜１０を介して共通の走査線８上に形成されることにより、同一走査線８で駆動される。第１及び第２のデータ線２２、２４は、互いに相似パターンに形成されているが、第１のデータ線２２は近接している第１のＴＦＴ２９の第１のドレイン電極１６に接続されている。一方、第２のデータ線２４は図５に示したようなパターンに形成されて、パッシベーション膜２５及び第２の層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール２８を介して、第１のＴＦＴ２９の外側の第２のＴＦＴ３０の第２のドレイン電極１８に接続されている。このような接続関係により、第１のデータ線２２から供給される画素電圧は第１のＴＦＴ２９を介して第１の画素電極２１に印加される。一方、第２のデータ線２４から供給される画素電圧は第２のＴＦＴ３０を介して第２の画素電極２３に印加される。図６は、第１及び第２の画素電極２１、２３に対する第１及び第２のデータ線２２、２４の接続関係及び配置関係を概略的に示している。
【００３４】
次に、図７の信号電圧波形を参照して、この例の液晶表示装置の駆動方法について説明する。図７において、符号Ｖe1は第１のデータ線２２から供給される第１の画素電圧の波形を、符号Ｖe2は第２のデータ２４から供給される第２の画素電圧の波形を示している。また、符号Ｖcは共通電圧を示している。第１の画素電圧Ｖe1は、共通電圧Ｖcを基準軸として時刻ｔ1で正方向にＶ1の大きさに、時刻ｔ2で正方向にＶ2の大きさに、時刻ｔ3で正方向にＶ3の大きさになるように変化している。一方、第２の画素電圧Ｖe2は、第１の画素電圧Ｖe1とは互いに極性が異なるように、共通電圧Ｖcを基準軸として時刻ｔ1で負方向に−Ｖ1の大きさに、時刻ｔ2で負方向に−Ｖ2の大きさに、時刻ｔ3で負方向に−Ｖ3の大きさになるように変化している。そして、第１のデータ線２２から第１の画素電圧Ｖe1を第１のＴＦＴ２９を介して第１の画素電極２１に印加すると同時に、第２のデータ線２４から第２の画素電圧Ｖe2を第２のＴＦＴ３０を介して第２の画素電極２３に印加する。これにより、第１及び第２の画素電極２１、２３には常に極性が異なる画素電圧が印加されて、液晶３は画素電圧に応じた電荷を保持する。
【００３５】
このように、単位画素毎に第１及び第２の画素電極２１、２３に印加する画素電圧の正極性と負極性とを反転させることにより、単位画素毎に略同一輝度を表示する正極性の画素と負極性の画素とを必ず隣接させることができるので、表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができる。この効果は、前述したいずれの駆動方法によっても得ることができる。しかも、この例の液晶表示装置によれば、第１及び第２の画素電圧Ｖe1、Ｖe2を供給する第１及び第２のデータ線２２、２４は、パッシベーション膜２５を介して重畳されるように形成されているので、単位画素内でデータ線が占有する面積を１つのデータ線の場合と幅変化がないように抑えることができるため、開口率が低下することはなくなる。特に、この例のようにＩＰＳ形の液晶表示装置では、第１及び第２の画素電極２１、２３及び共通電極９がＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等の遮光性金属により構成されているため、もともと開口率が悪くなっているので、大きな効果が得られる。
【００３６】
ここで、第１の配向膜２７を介して液晶３と対向している第１及び第２の画素電極２１、２３及び第２のデータ線２４は、第１の配向膜２７の膜厚が略５０ｎｍと薄いので、液晶３の影響を受けて溶解することがないような安定した金属を選択することが必要になる。この点で、前述したようなＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属あるいはこれらの組み合わせはその要求を満足することができる。また、第１及び第２のデータ線２２、２４の重畳する面積に比例して、両データ線２２、２４から供給される画素電圧が歪み易いので、いずれか一方の線幅を小さくすることが望ましい。また、このためには、第２のデータ線２４としてこの配線抵抗が第１のデータ線２２のそれよりも小さくなるような金属を用いることが望ましい。さらに、そのためには、第１及び第２のデータ線２２、２４間に用いるパッシベーション膜２５としては、膜厚を厚く形成し、あるいは誘電率の小さい有機材料から成る絶縁膜もしくはその積層膜を選択することが望ましい。このパッシベーション膜２５は、表１、表２及び表３に示したように、（１）無機膜のみにより、（２）無機膜と有機膜との積層により、あるいは（３）有機膜のみにより構成することができる。
【００３７】
【表１】
0004757393.tif 000002
【００３８】
【表２】
0004757393.tif 000003
【００３９】
【表３】
0004757393.tif 000004
【００４０】
また、この例のＩＰＳ形の液晶表示装置のように、第１及び第２の画素電極２１、２３及び共通電極９によって横方向電界を発生させる場合、この横方向電界が液晶３に加わり易くするために、図２に示したように、第１及び第２の画素電極２１、２３の表面にはパッシベーション膜２５を存在させない、あるいは存在させる場合でもその膜厚は薄く形成することが望ましい。
【００４１】
このように、この例の液晶表示装置の構成によれば、第１及び第２のＴＦＴ２９、３０を介して互いに極性の異なる画素電圧を第１及び第２の画素電極２１、２３に印加する第１及び第２のデータ線２２、２４は、パッシベーション膜２５を介して重畳されるように形成されているので、単位画素内で両データ線２２、２４が占有する面積を１つのデータ線の場合と幅変化がないように抑えることができる。
したがって、開口率を低下させることなく、表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができる。
【００４２】
◇第２実施例
図８は、この発明の第２実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図９は図８のＣ−Ｃ矢視断面図、図１０は同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除いた構成を示す平面図、図１１は第２のデータ線のパターンを示す平面図、図１２はデータ線と画素電極との接続関係及び配置関係を概略的に示す図である。この発明の第２実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、２つの画素電極に対する２つのデータ線の接続関係を維持したままで、両データ線の配置関係を変更するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図８〜図１１に示すように、第１実施例で用いられた第２のデータ線２４とは異なるパターンに形成された第２のデータ線４４を用いて、一の単位画素の第１の画素電極２１には第１のＴＦＴ２９を介してこの単位画素の第１のデータ線２２が接続されるように構成される一方、第２の画素電極２３には第２のＴＦＴ３０を介して隣接する単位画素の第２のデータ線４４が接続されるように構成されている。図１２は、この例における、第１及び第２の画素電極２１、２３に対する第１及び第２のデータ線２２、４４の接続関係及び配置関係を概略的に示している。
【００４３】
この例によれば、図１２から明らかなように、一の単位画素の第１の画素電極２１に第１の画素電圧を印加する第１のデータ線２２と、隣接する単位画素の第２の画素電極２３に第１の画素電圧と互いに極性の異なる第２の画素電圧を印加する第２のデータ線４４とが、パッシベーション膜２５を介して重畳するように配置されているので、重畳している第１のデータ線２２と第２のデータ線４４の画素電圧の極性を同一にできる。この結果、両データ線２２、４４同士が互いの電位へ与える影響を少なくすることができる。
これ以外は、上述した第１実施例と略同様である。それゆえ、図８〜図１０において、図１〜図４の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００４４】
このように、この例の構成によっても、第１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、２つのデータ線同士が互いの電位へ与える影響を少なくすることができる。
【００４５】
◇第３実施例
図１３は、この発明の第３実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図１４は図１３のＤ−Ｄ矢視断面図、図１５は図１３のＥ−Ｅ矢視断面図、また、図１６〜図２０は同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図、図２１は同液晶表示装置の駆動回路を示す図、図２２は図２１の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す図、図２３〜図２５は同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示す工程図である。この発明の第３実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、第１及び第２のデータ線を覆うように共通電極を配置し、かつ共通電極と画素電極とを同一層で同一工程で形成するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図１３〜図１５に示すように、第１及び第２の画素電極２１、２３及び第２のデータ線２４を覆うように第２のパッシベーション膜４０が形成され、第２のパッシベーション膜４０上には第２の層間絶縁膜２６及び第３の層間絶縁膜４２が形成されて、第３の層間絶縁膜４２上にはＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide)から成る第１及び第２の画素電極４１、４３及び共通電極９が形成されている。また、第１の画素電極４１は、パッシベーション膜２５、第２の層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホール３８を介して第１のソース電極１７に接続されている。また、第２の画素電極４３は、パッシベーション膜２５、第２、第３の層間絶縁膜２６、４２に形成されたコンタクトホールを介して第２のソース電極１９に接続されている。
【００４６】
この例によれば、図１４から明らかなように、第１の画素電極２１、４１及び第２の画素電極２３、４３及び共通電極９によって横方向電界を発生させる場合、第１の配向膜２７を介して液晶３に近い位置に第１及び第２の画素電極４１、４３及び共通電極９が形成されているので、横方向電界を液晶３に加わり易くすることができ、低駆動電圧化を図ることができる。また、データ線からの漏れ電界を最上層に形成された共通電極９でシールドすることができるので、ブラックマトリクス層３４の面積を縮小させることが可能となり、さらなる開口率の向上を図ることができる。
【００４７】
次に、図１６〜図２０を参照して、この例の液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。なお、以下の工程において、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ及びＯ−Ｏはそれぞれ図２２に示した対応部分の断面図を示している。
まず、図１６（ａ）に示すように、ガラス等から成る第１の透明基板６を用いて、スパッタ法により全面にＣｒ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＣｒ膜を所望の形状にパターニングして、走査線８及び共通電極９を形成する。
【００４８】
次に、図１６（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にゲート絶縁膜となるＳｉＯX膜とＳｉＮX膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜１０を形成する。次に、図１６（ｃ）に示すように、Ｐ（Plasma）−ＣＶＤ法により全面に（α−Ｓｉ）膜１２及び（ｎ+型α−Ｓｉ）膜１５を順次に形成する。
【００４９】
次に、図１６（ｄ）に示すように、ドライエッチング法により両膜１２、１５を所望の形状にパターニングして第２の半導体層１４を形成する。次に、図１６（ｅ）に示すように、スパッタ法により全面にＣｒ層を形成した後、ドライエッチング法によりＣｒ層を所望の形状にパターニングして第２のドレイン電極１８及びソース電極１９、第１及び第２の画素電極２１、２３、第１のデータ線２２を形成する。なお、図示において右側の第１のデータ線２２は隣接する単位画素のものである。次に、図１６（ｆ）に示すように、ドライエッチング法により第１の半導体層１４を選択的にエッチングしてチャネル掘り込み２０を形成する。以上により、第２のＴＦＴ３０が形成される。なお、図示は省略しているが、第１の透明基板６上の他の位置には第１のＴＦＴ２９が形成される。
【００５０】
次に、図１７（ｇ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にパッシベーション膜となるＳｉＮX膜４５を形成する。次に、図１７（ｈ）に示すように、スピンコート法により全面に第２の層間絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４６を形成する。次に、図１７（ｉ）に示すように、有機絶縁膜４６を露光、現像処理して、コンタクトホール２８Ａ、３８Ａを形成する。次に、図１８（ｊ）に示すように、ドライエッチング法によりＳｉＮX膜４５にコンタクトホール２８Ｂ、３８Ｂを形成する。以上により、各コンタクトホール２８Ａ、２８Ｂがつながってコンタクトホール２８が形成される。
【００５１】
次に、図１８（ｋ）に示すように、スパッタ法により全面にＭｏ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＭｏ膜を所望の形状にパターニングして、第２のＴＦＴ３０のドレイン電極１８に接続されるように第２のデータ線２４を形成する。次に、図１９（ｌ）に示すように、スピンコート法により全面に第３の層間絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４７を形成した後、図１９（ｍ）に示すように、有機絶縁膜４７を露光、現像処理してコンタクトホール３８Ｃを形成する。以上により、各コンタクトホール３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃがつながってコンタクトホール３８が形成される。また、有機絶縁膜４６、４７によりそれぞれ第２の層間絶縁膜２６及び第３の層間絶縁膜４２が形成される。
【００５２】
次に、図２０（ｎ）に示すように、スパッタ法により全面にＩＴＯ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングして、第１及び第２の画素電極４１、４３及び共通電極９を形成する。以上により、この例の液晶表示装置の主要部が形成される。
以上のような液晶表示装置の製造方法によれば、周知の導電膜及び絶縁膜を含む薄膜形成手段、及び周知の薄膜パターニング手段を組み合わせることで、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容易に製造することができる。
【００５３】
図２１は、この例の液晶表示装置の駆動回路を示す図、図２２は図２１の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す図である。マトリクス状に配置された単位画素５の走査線８には走査線駆動回路５１が接続されて走査線信号が入力されるとともに、第１及び第２のデータ線２２、２４にはデータ線駆動回路５２が接続されて互いに極性の異なるデータ線信号が入力される。また、共通電極配線４には共通電極配線駆動回路５３が接続されて共通電位が入力される。
【００５４】
図２２から明らかなように、端子部Ａには、一の単位画素の第１及び第２のデータ線２２、２４の第１及び第２のデータ線端子部２２Ａ、２４Ａ及び隣接する単位画素の第１及び第２のデータ線２２、２４（図示右側）の第１及び第２のデータ線端子部２２Ａ、２４Ａが接続されている。そして、第１及び第２のデータ線端子部２２Ａ、２４Ａには、それぞれＩＴＯで被覆された第１及び第２のデータ線端子部２２ａ、２４ａ、コンタクトホール部を有する第１及び第２のデータ線端子部２２ｂ、２４ｂが設けられている。
【００５５】
また、図２２から明らかなように、端子部Ｂには、走査線８の走査線端子部８Ａと共通電極配線４の共通電極配線端子部４Ａとを一対として、二対の構成が接続されている。そして、走査線端子部８ＡにはＩＴＯで被覆された走査線端子部８ａ及びコンタクトホール部を有する走査線端子部８ｂが設けられるとともに、共通電極配線端子部４ＡにはＩＴＯで被覆された共通電極配線端子部４ａ及びコンタクトホール部を有する共通電極配線端子部４ｂが設けられている。
【００５６】
次に、図２３〜図２５を参照して、無機膜と有機膜の積層膜により第２の層間絶縁膜を構成する場合のこの例の液晶表示装置の製造方法を工程順に説明する。なお、以下の工程において、Ｍ−Ｍ、Ｎ−Ｎ及びＯ−Ｏはそれぞれ図２２に示した対応部分の断面図を示している。
まず、図２３（ａ）に示すように、ガラス等から成る第１の透明基板６を用いて、スパッタ法により全面にＣｒ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＣｒ膜を所望の形状にパターニングして、走査線端子部８Ａ及び共通電極配線端子部４Ａを形成する。
【００５７】
次に、図２３（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にゲート絶縁膜となるＳｉＯX膜とＳｉＮX膜との積層膜から成る第１の層間絶縁膜１０を形成する。次に、図２３（ｃ）に示すように、Ｐ−ＣＶＤ法により全面に（α−Ｓｉ）膜１２及び（ｎ+型α−Ｓｉ）膜１５を順次に形成する。
【００５８】
次に、図２３（ｄ）に示すように、ドライエッチング法により両膜１２、１５を除去した後、ドライエッチング法によりＣｒ層を所望の形状にパターニングして第１のデータ線２２を形成する。次に、図２３（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法により全面にパッシベーション膜となるＳｉＮX膜４５を形成する。
【００５９】
次に、図２３（ｆ）に示すように、スピンコート法により全面に第２の層間絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４６を形成する。次に、図２４（ｇ）に示すように、有機絶縁膜４６を露光、現像処理して、コンタクトホール５５Ａ、５６Ａ、５７Ａを形成する。次に、図２４（ｈ）に示すように、ドライエッチング法によりＳｉＮX膜４５にコンタクトホール５５Ｂ、５６Ｂ、５７Ｂを形成する。
【００６０】
次に、図２５（ｉ）に示すように、スパッタ法により全面にＭｏ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＭｏ膜を所望の形状にパターニングして、第２のＴＦＴ３０のドレイン電極１８に接続されるように第２のデータ線２４を形成する。次に、図２５（ｊ）に示すように、スピンコート法により全面に第３の層間絶縁膜となる感光性の有機絶縁膜４７を形成した後、図２５（ｋ）に示すように、有機絶縁膜４７を露光、現像処理してコンタクトホール５５Ｃ、５６Ｃ、５７Ｃを形成する。以上により、各コンタクトホール５５Ａ〜５５Ｃ、５６Ａ〜５６Ｃ、５７Ａ〜５７Ｃがつながって、コンタクトホール５５、５６、５７が形成される。
【００６１】
次に、図２５（ｌ）に示すように、スパッタ法により全面にＩＴＯ膜を形成した後、ウエットエッチング法によりＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングして、それぞれＩＴＯで被覆された走査線端子部８ａ、共通電極配線端子部４ａ、第１のデータ線端子部２２ａ及び第２のデータ線端子部２４ａを形成する。以上により、この例の液晶表示装置の端子部Ａ、端子部Ｂが形成される。
【００６２】
このように、この例の構成によっても、第１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、液晶に近い位置に第１及び第２の画素電極及び共通電極が形成されているので、横方向電界を液晶に加わり易くすることができ、低駆動電圧化を図ることができる。
加えて、この例の構成によれば、データ線からの漏れ電界を最上層に形成された共通電極でシールドすることができるので、ブラックマトリクス層の面積を縮小させることが可能となり、さらなる開口率の向上を図ることができる。
さらに、加えて、この例における液晶表示装置の製造方法によれば、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容易に製造することができる。
【００６３】
◇第４実施例
図２６は、この発明の第４実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図２７は図２６のＦ−Ｆ矢視断面図、図２８は図２６のＧ−Ｇ矢視断面図である。この発明の第４実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、２つの画素電極を覆うようにパッシベーション膜を存在させるようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図２７に示すように、第１のデータ線２２の表面だけでなく第１及び第２の画素電極２１、２３の表面にもパッシベーション膜２５が形成されている。
【００６４】
この例によれば、第１及び第２の画素電極２１、２３は第１のデータ線２２と同様に膜厚の厚いパッシベーション膜２５で覆われているので、液晶３の影響を受けることが少なくなる。したがって、第１及び第２の画素電極２１、２３の金属としては、前述したようなＡｌ、Ｍｏ、Ｔｉ等の液晶２に対して安定な金属に制約されずに、液晶３の影響を受け易いと言われているＣｒ等の金属も用いることができる。したがって、画素電極として用いる金属の選択の範囲を広げることができるようになる。
【００６５】
このように、この例の構成によっても、第１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、画素電極として用いる金属の選択の範囲を広げることができる。
【００６６】
◇第５実施例
図２９は、この発明の第５実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図３０は図２９のＨ−Ｈ矢視断面図、図３１は図２９のＩ−Ｉ矢視断面図である。この発明の第５実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、ＴＦＴ基板に色層を形成するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図３０に示すように、ＴＦＴ基板１上の第１及び第２の画素電極２１、２３、第１のデータ線２２を覆っているパッシベーション膜２５上の略中央部には青色層３５Ｂが、この青色層３５Ｂの両側位置にはそれぞれ緑色層３５Ｇ、赤色層３５Ｒが形成されて、各色層の境界部にはブラックマトリクス層３４が形成されている。ブラックマトリクス層３４及び各色層３５Ｇ、３５Ｂ、３５Ｒを覆うように平坦化膜３６が形成されて、平坦化膜３６上には第１のデータ線２２と重畳するように第２のデータ線２４が形成されている。
【００６７】
この例によれば、色層及びブラックマトリクス層を形成したＴＦＴ基板１に平坦化膜３６を介して第１及び第２のデータ線２２、２４を重畳させるようにしたので、色層及びブラックマトリクス層を対向基板２側に形成されている構成に比較して、両基板１、２間に液晶３を封入して液晶表示装置を製造する場合に、両基板１、２のずれを考慮した重ね合わせマージンをとる必要がなくなるので、より開口率を高めることが可能となる。
【００６８】
このように、この例の構成によっても、第１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、より開口率を高めることが可能となる。
【００６９】
◇第６実施例
図３２は、この発明の第６実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図、図３３は図３２のＪ−Ｊ矢視断面図、図３４は図３２のＫ−Ｋ矢視断面図である。この発明の第６実施例である液晶表示装置の構成が、上述した第１実施例の構成と大きく異なるところは、ＴＮ形の液晶表示装置に適用するようにした点である。
すなわち、この例の液晶表示装置は、図３２〜図３４に示すように、ＴＦＴ基板１上の第１の層間絶縁膜１０上に形成された第１のデータ線２２は第１のＴＦＴ２９を介して第１の画素電極２１に接続されるとともに、パッシベーション２５を介して第１のデータ線２２と重畳するように形成された第２のデータ線２４は第２のＴＦＴ３０を介して第２の画素電極２３に接続されている。また、第２のデータ線２４を覆うように第１の配向膜２７が形成されている。
【００７０】
一方、対向基板２上の平坦化膜３６上にはＩＴＯから成る共通電極９が形成され、共通電極９を覆うように第２の配向膜３７が形成されている。
これ以外は、上述した第１実施例と略同様である。それゆえ、図３２〜図３４において、図１〜図４の構成部分と対応する各部には、同一の番号を付してその説明を省略する。
【００７１】
この例によれば、ＩＰＳ形に比較して開口率に優れているＴＮ形の液晶表示装置に適用して、ＴＦＴ基板１上でパッシベーション膜２５を介して第１及び第２のデータ線２２、２４を重畳させるようにしたので、開口率をより向上させることができるようになる。
【００７２】
このように、この例の構成によっても、第１実施例において述べたのと略同様の効果を得ることができる。
加えて、この例の構成によれば、ＴＮ形の液晶表示装置に適用したので開口率をより向上させることができる。
【００７３】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、実施例では表示すべき単位画素を選択するための駆動素子としてはＴＦＴを用いる例で説明したが、駆動素子はＴＦＴに限ることなくＭＩＭ（Metal Insulator Metal）型素子、ダイオード型素子、バリスタ型素子等の二端子素子を用いてもよい。また、実施例では駆動素子基板としてはガラス等の透明基板を用いる透明型の液晶表示装置の例で説明したが、駆動素子基板は透明基板に限ることなく多結晶シリコン等の不透明基板を用いてもよい。この場合には、液晶表示装置は反射型となり、画素電極が反射板を兼ねた反射電極として動作することになる。また、第１及び第２のデータ線間に形成するパッシベーション膜の絶縁膜材料、膜厚等の条件は一例を示したものであり、目的、要件と等に応じて変更が可能である。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の液晶表示装置の構成によれば、第１及び第２のＴＦＴを介して互いに極性の異なる画素電圧を第１及び第２の画素電極に印加する第１及び第２のデータ線は、絶縁膜を介して重畳されるように形成されているので、単位画素内でデータ線が占有する面積を１つのデータ線の場合と幅変化がないように抑えることができる。
また、この発明の液晶表示装置の製造方法の構成によれば、周知の薄膜形成手段、及び周知の薄膜パターニング手段を組み合わせることで、コストアップを伴うことなく液晶表示装置を容易に製造することができる。
したがって、開口率を低下させることなく、表示画面上で同極性の画素のみを表示させる場合でもフリッカが強く発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除いた構成を示す平面図である。
【図５】同液晶表示装置の第２のデータ線のパターンを示す平面図である。
【図６】同液晶表示装置のデータ線と画素電極との接続関係及び配置関係を概略的に示す図である。
【図７】同液晶表示装置のデータ線から供給される画素電圧の波形を示す図である。
【図８】この発明の第２実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図１０】同液晶表示装置から第２のデータ線を取り除いた構成を示す平面図である。
【図１１】同液晶表示装置の第２のデータ線のパターンを示す平面図である。
【図１２】同液晶表示装置のデータ線と画素電極との接続関係及び配置関係を概略的に示す図である。
【図１３】この発明の第３実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図１５】図１３のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１６】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図１７】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図１８】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図１９】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図２０】同液晶表示装置の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図２１】同液晶表示装置の駆動回路を示す図である。
【図２２】同駆動回路の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す図である。
【図２３】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図２４】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図２５】同液晶表示装置の他の製造方法を工程順に示す工程図である。
【図２６】この発明の第４実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図２７】図２６のＦ−Ｆ矢視断面図である。
【図２８】図２６のＧ−Ｇ矢視断面図である。
【図２９】この発明の第５実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図３０】図２９のＨ−Ｈ矢視断面図である。
【図３１】図２６のＩ−Ｉ矢視断面図である。
【図３２】この発明の第６実施例である液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図３３】図３２のＪ−Ｊ矢視断面図である。
【図３４】図３２のＫ−Ｋ矢視断面図である。
【図３５】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図３６】図３５のＬ−Ｌ矢視断面図である。
【図３７】液晶表示装置の駆動に用いる信号波形を示す図である。
【図３８】液晶表示装置の駆動方法を説明する図である。
【図３９】従来の液晶表示装置の駆動回路を示す図である。
【図４０】同駆動回路の端子部Ａ及び端子部Ｂを拡大して示す図である。
【図４１】従来の液晶表示装置の欠点を説明する図である。
【図４２】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１      ＴＦＴ基板
２      対向基板
３      液晶
４      共通電極配線
４Ａ      共通電極配線端子部
４ａ      ＩＴＯで被覆された共通電極配線端子部
４ｂ      コンタクトホール部を有する共通電極配線端子部
５      単位画素
６、３１      透明基板
７、３３      偏光板
８      走査線（ゲートバスライン）
８Ａ      走査線端子部
８ａ      ＩＴＯで被覆された走査線端子部
８ｂ      コンタクトホール部を有する走査線端子部
９      共通電極
１０、２６、４２      層間絶縁膜
１２      （α−Ｓｉ）膜
１１Ａ、１１Ｂ      第１の一対のオーミック層
１２Ａ、１２Ｂ      第２の一対のオーミック層
１３、１４    半導体層
１５      （ｎ+型α−Ｓｉ）膜
１６、１８      ドレイン電極
１７、１９      ソース電極
２０      チャネル掘り込み
２１、２３、４１、４３      画素電極
２２、２４、４４      データ線
２２Ａ      第１のデータ線端子部
２２ａ      ＩＴＯで被覆された第１のデータ線端子部
２２ｂ      コンタクトホール部を有する第１のデータ線端子部
２４Ａ      第２のデータ線端子部
２４ａ      ＩＴＯで被覆された第２のデータ線端子部
２４ｂ      コンタクトホール部を有する第２のデータ線端子部
２５、４０      パッシベーション膜
２７、３７      配向膜
２８、２８Ａ、２８Ｂ、３８、３８Ａ〜３８Ｃ、５５、５５Ａ〜５５Ｃ、５６Ａ〜５６Ｃ、５７Ａ〜５７Ｃ      コンタクトホール
２９、３０      ＴＦＴ（駆動素子）
３２      導電層
３４      ブラックマトリクス層
３５      色層
３６      平坦化膜
３９      ラビング方向
４５      ＳｉＮX膜
４６      有機絶縁膜
４７      有機絶縁膜
５１      走査線駆動回路
５２      データ線駆動回路
５３      共通電極配線駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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