【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の表面に形成されると共に、前記半導体チップとワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記ボンディングパッドと前記電極パターンとを配線パターンにより電気的に接続すると共に、
隣接して配設された一対の前記電極パターンの列の間に、前記ボンディングパッドを分散させて列設したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップに形成した前記電極パッドを千鳥状に配設したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置において、
隣接する前記ワイヤ間でワイヤ高さを異ならせた構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の表面に形成されると共に、前記半導体チップとワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記ボンディングパッドと前記電極パターンとを電気的に接続すると共に、
隣接して配設された一対の前記電極パターンの列の間に、前記ボンディングパッドを千鳥状に配設したことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置において、
前記半導体チップに形成した前記電極パッドを千鳥状に配設すると共に、
隣接する前記ワイヤ間でワイヤ高さを異ならせた構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記電極パッドと前記電極パターンとをワイヤにより電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記絶縁基板の前記半導体チップの搭載位置に対応する裏面に放熱用ボールバンプを形成し、該放熱用ボールバンプを前記半導体チップに熱的に接続した構成としたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、下記の手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明では、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の表面に形成されると共に、前記半導体チップとワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記ボンディングパッドと前記電極パターンとを配線パターンにより電気的に接続すると共に、
隣接して配設された一対の前記電極パターンの列の間に、前記ボンディングパッドを分散させて列設したことを特徴とするものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項４記載の発明では、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の表面に形成されると共に、前記半導体チップとワイヤにより電気的に接続されるボンディングパッドと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記ボンディングパッドと前記電極パターンとを電気的に接続すると共に、
隣接して配設された一対の前記電極パターンの列の間に、前記ボンディングパッドを千鳥状に配設したことを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項６記載の発明では、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に搭載されると共に、電極パッドが形成された半導体チップと、
前記絶縁基板の裏面にグリッド状に列設されたボールバンプと、
前記絶縁基板の表面上の前記ボールバンプの形成位置に対応するよう列設されており、前記絶縁基板に形成された孔部を介して前記ボールバンプと電気的に接続した電極パターンとを具備する半導体装置において、
前記電極パッドと前記電極パターンとをワイヤにより電気的に接続したことを特徴とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
更に、請求項７記載の発明では、
前記請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記絶縁基板の前記半導体チップの搭載位置に対応する裏面に放熱用ボールバンプを形成し、該放熱用ボールバンプを前記半導体チップに熱的に接続した構成としたことを特徴とするものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項３記載の発明によれば、
隣接するワイヤ間でワイヤ高さを異ならせた構成としたことにより、隣接するワイヤはその高低差により互いにワイヤーショートすることを防止することができる。
また、請求項４記載の発明によれば、
ボンディングパッドと電極パターンとを電気的に接続すると共に、隣接して配設された一対の電極パターンの列の間にボンディングパッドを千鳥状に配設したことにより、ボンディングパッドの実質的な配設ピッチが広がり、絶縁基板側におけるワイヤのボンディング位置に余裕を持たせることができる。これにより、ボンディングパッド数が増大しても確実にワイヤボンディングを行うことが可能となる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項６記載の発明によれば、
電極パッドと電極パターンとをワイヤにより電気的に接続したことにより、ボンディングパッドは不要となり、絶縁基板側におけるワイヤのボンディング位置に更に余裕を持たせることができ、配線パターンの配線幅及びパターン形状に更に自由度を持たせることが可能となる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
更に、請求項７記載の発明によれば、
絶縁基板の半導体チップの搭載位置に対応する裏面に放熱用ボールバンプを形成し、この放熱用ボールバンプを半導体チップに熱的に接続した構成としたことにより、半導体チップで発生した熱は放熱用ボールバンプを介して外部に放熱することができ、よって放熱効率の向上を図ることができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、請求項４記載の発明によれば、ボンディングパッドの実質的な配設ピッチが広がり絶縁基板側におけるワイヤのボンディング位置に余裕を持たせることができ、よってボンディングパッド数が増大しても確実にワイヤボンディングを行うことが可能となる。
また、請求項５記載の発明によれば、半導体チップ側においても多ピン化に対応することができ、かつワイヤ間におけるワイヤーショートの発生を防止することができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
また、請求項６記載の発明によれば、ボンディングパッドは不要となり絶縁基板側におけるワイヤのボンディング位置に更に余裕を持たせることができ、配線パターンの配線幅及びパターン形状に更に自由度を持たせることが可能となる。
更に、請求項７記載の発明によれば、半導体チップで発生した熱は放熱用ボールバンプを介して外部に放熱することができ、よって放熱効率の向上を図ることができる。