(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ面に突起電極を有する電子部品の非アクティブ面をプレート状の被覆部に接着し、
この接着の後に上記電子部品の周囲の上記被覆部上に密閉材料を供給し、
その後、上記電子部品の上記突起電極に接合可能な電極を凸部に囲まれた凹部の底面に有する実装基板に対して、上記被覆部を、上記電子部品の上記突起電極と上記実装基板の上記電極を接合可能なように位置合わせをし、
上記実装基板に上記電子部品を接合すると同時に上記密閉材料と上記実装基板および上記被覆部により、上記電子部品の上記突起電極と上記実装基板の上記電極およびそれらの接合部分を密閉することを特徴とする電子部品組立体の製造方法。
【請求項２】
上記密閉材料を上記実装基板側、又は上記実装基板および上記被覆部の両側に供給する請求項１に記載の電子部品組立体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品が実装された実装基板のアクティブ面に密閉封止を施した電子部品組立体および電子部品組立体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子部品の生産量は増加し続け、それに伴い多種、多様なパッケージ形態が提案されている。特に小型、軽量を実現するチップサイズパッケージは重要なものとなると考えられる。従来、ＳＡＷフィルターなどの電子部品においてはアクティブ面に空気中の水分や異物が介在すると回路が腐食し、壊れてしまう危険性があるため、キャビティータイプのセラミック基板にＳＡＷフィルターをワイヤボンデイング工法、又は、フリップチップ工法で導通する接合を施した後、金属プレートである蓋をガラス材、又は半田でセラミック基板に施し、ＳＡＷフィルターを密閉するというものがあった。
【０００３】
以下図面を説明しながら、上述した従来の電子部品組立体および電子部品組立体の製造方法について説明する。
【０００４】
図８（ａ）〜（ｄ）は、フリップチップ工法による電子部品組立体の製造方法を示すものであり、４１はＳＡＷフィルターなどの電子部品、４２はセラミック材などの実装基板、４３は接続するためのＡｕ突起電極、４４は金属プレート等の密閉用の蓋、４５はガラス、又は半田等の密閉材料である。
【０００５】
まず、図８（ａ）において、四角形プレート状であるＳＡＷフィルター等の電子部品４１は、アクティブ面である下面に電極４１ａを有しており、この電極４１ａにＡｕ等の導電材料により形成された突起電極４３が接合されている。また、セラミック材等で形成された四角形プレート状の実装基板４２は、上面の外周部全体に凸部を有しており、この凸部で囲まれた凹部の底面が電子部品４１の取付部４２ｂとなっており、電子部品４１取付時に電子部品４１のアクティブ面に接合された突起電極４３と互いに接合可能なように、実装基板４２の電極４２ａがこの取付部４２ｂに設けられている。
【０００６】
次に、図８（ｂ）に示すように電子部品４１を突起電極４３が実装基板４２の電極４２ａに接合可能なように位置合わせした後、電子部品４１に接合されている突起電極４３と実装基板４２の電極４２ａを加圧しながら加熱することにより、突起電極４３と電極４２ａを接合する。次に、電子部品４１が実装された実装基板４２の上面の外周凸部の上部全体に、ガラスや半田等の密閉材料４５を印刷、転写、又はめっき方法等で供給する。
【０００７】
その後、図８（ｃ）に示すように、金属材料等で形成されたプレート状の蓋４４を、電子部品４１が実装された実装基板４２の上面外周凸部の上部に供給された密閉材料４５の上部に加熱しながら加圧し、取り付ける。これにより、蓋４４の下面と実装基板４２の上面凹部の内面および密閉材料４５で囲まれた空間は密閉されることとなり、この空間に取付けられた電子部品４１は密閉されることとなる。
【０００８】
次に、ワイヤボンディング工法の例について説明する。
【０００９】
図９（ａ）〜（ｄ）は、ワイヤボンディング工法による電子部品組立体の製造方法を示すものであり、５１はＳＡＷフィルターなどの電子部品、５２はセラミック材などの実装基板、５４は金属プレート等の密閉用の蓋、５５はガラス、又は半田等の密閉材料、５６はＡｕ線材等のワイヤ、５７はダイボンド材料である。
【００１０】
まず、図９（ａ）において、四角形プレート状であるＳＡＷフィルター等の電子部品５１は、アクティブ面である上面に電極５１ａを有している。また、セラミック材等で形成された四角形プレート状の実装基板５２は、上面の外周部全体に凸部を有しており、この凸部で囲まれた凹部の底面が電子部品５１の取付部５２ｂとなっている。また、実装基板５２の外周凸部とこの取付部５２ｂの間には、段部が取付部５２ｂの外周に形成されており、この段部の上部に実装基板５２の電極５２ａが設けられている。
【００１１】
次に、図９（ｂ）に示すように、電子部品５１の下面を実装基板５２の電子部品５１取付部５２ｂにダイボンド材料５７で接着する。その後、Ａｕ線材等のワイヤ５６の両端を電子部品５１の電極５１ａと実装基板５２の凹部内側の段部の電極５２ａに熱圧着する。次に、電子部品５１が実装された実装基板５２の上面の外周凸部の上部全体に、ガラスや半田等の密閉材料５５を印刷、転写、又はめっき方法等で供給する。
【００１２】
その後、図９（ｃ）に示すように、金属材料等で形成されたプレート状の蓋５４を、電子部品５１が実装された実装基板５２の上面外周凸部の上部に供給された密閉材料５５の上部に加熱しながら加圧し、取り付ける。これにより、蓋５４の下面と実装基板５２の上面凹部の内面および密閉材料５５で囲まれた空間は密閉されることとなり、この空間に取付けられた電子部品５１は密閉されることとなる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような構成では、電子部品の電極と実装基板の電極を接合した後、これらの接合部分および各々の電極を実装基板に蓋をすることにより密閉するという工程を設ける必要があるため、実装コストの削減を図ることが困難であるという問題点を有していた。
【００１４】
従って、本発明の目的は、上記問題点を解決することにあって、実装基板の電極に電子部品の電極を接合すると同時にこれらの接合部分および各々の電極を密閉部材で密閉することにより、製造工程を短縮化し、実装コストの削減を図り、低コストな電子部品組立体および電子部品組立体の製造方法を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００２１】
本発明の第１態様によれば、アクティブ面に突起電極を有する電子部品の非アクティブ面をプレート状の被覆部に接着し、この接着の後に上記電子部品の周囲の上記被覆部上に密閉材料を供給し、その後、上記電子部品の上記突起電極に接合可能な電極を凸部に囲まれた凹部の底面に有する実装基板に対して、上記被覆部を、上記電子部品の上記突起電極と上記実装基板の上記電極を接合可能なように位置合わせをし、上記実装基板に上記電子部品を接合すると同時に上記密閉材料と上記実装基板および上記被覆部により、上記電子部品の上記突起電極と上記実装基板の上記電極およびそれらの接合部分を密閉することを特徴とする電子部品組立体の製造方法を提供する。
【００２３】
本発明の第２態様によれば、上記密閉材料を上記実装基板側、又は上記実装基板および上記被覆部の両側に供給する第１態様に記載の電子部品組立体の製造方法を提供する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態にかかる電子部品組立体および電子部品組立体の製造方法について図面に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の参考例にかかる電子部品組立体１の断面図および実装基板１２を下面より透視した透視平面図である。
【００３０】
図１（ａ），（ｂ）において、四角形プレート状であるＳＡＷフィルター等の電子部品１１は、アクティブ面である下面に複数の電極１１ａを有しており、各電極１１ａに導電材料であるＡｕにより形成された突起電極１３が接合されている。また、セラミック材等で形成された四角形プレート状の実装基板１２は、上面に複数の電極１２ａを有しており、これらの各電極１２ａは各突起電極１３に接合されている。また、密閉部材である密閉材料１５は、実装基板１２の外周部全体と電子部品１１の外周部全体との間に配置されている。さらに、電子部品１１の各電極１１ａと各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａおよびそれらの接合部分は、密閉材料１５全体と電子部品１１のアクティブ面および実装基板１２の上面で囲まれ、密閉されている。
【００３１】
次に、本第１の参考例にかかる電子部品組立体１の製造方法について説明する。
【００３２】
図２（ａ）において、電子部品１１のアクティブ面を実装基板１２の上面に取付ける際に、実装基板１２の上面の各電極１２ａは、電子部品１１のアクティブ面に接合された各突起電極１３と互いに接合可能なように配置されている。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示すように、電子部品１１のアクティブ面外周部に、Ｓｎ−Ｐｂ系半田、Ｉｎ系半田、又は絶縁エポキシ樹脂等の密閉材料１５を、印刷、転写、又はめっき方法等により、密閉材料１５の供給高さが電子部品１１の電極１１ａと突起電極１３および実装基板１２の電極１２ａの合計高さとほぼ同じ若しくは少し高くなるように供給する。ここで、電子部品１１を実装基板１２に取付けた際に、電子部品１１のアクティブ面外周部に供給された密閉材料１５が、電子部品１１の各電極１１ａおよび電子部品１１に接合された各突起電極１３および実装基板１２の各電極１２ａと接触しない程度の距離を確保するように、密閉材料１５の供給領域が電子部品１１のアクティブ面および実装基板１２の上面に配置されている。
【００３４】
また、上記の密閉材料１５を電子部品１１のアクティブ面外周部にのみ供給する方法に代えて、電子部品１１を実装基板１２に取付けた際に、実装基板１２の上面における電子部品１１のアクティブ面外周部と密閉材料１５により接合可能な部分にのみ、又はこの電子部品１１のアクティブ面の部分とこの実装基板１２の上面の部分のそれぞれの部分に密閉材料１５を供給しても良い。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示すように、電子部品１１に接合されている各突起電極１３が実装基板１２の各電極１２ａに接合可能なように、電子部品１１を実装基板１２に対して位置合わせした後、各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａを加熱しながら加圧する。それと同時に、電子部品１１のアクティブ面外周部に供給された密閉材料１５と実装基板１２の上面の密閉材料１５に接合可能な部分を加熱しながら加圧する。これにより、図２（ｄ）に示すように、電子部品１１に接合されている各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａは接合され、かつ同時に密閉材料１５全体と電子部品１１のアクティブ面および実装基板１２の上面で囲まれた空間は密閉されることとなり、この空間内の電子部品１１の各電極１１ａと各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａおよびそれらの接合部分は密閉されることとなる。
【００３６】
また、電子部品１１の各電極１１ａと実装基板１２の各電極１２ａの接合方法において、突起電極１３に導電材料であるＡｕを用いる方法について説明したが、この突起電極１３に半田や導電性接着剤等を用い、電子部品１１の各電極１１ａと実装基板１２の各電極１２ａを接合することも可能である。
【００３７】
上記第１の参考例によれば、従来別々に行われていた２つの工程、即ち、電子部品の電極と実装基板の電極を接合する工程と、これらの接合部分および各々の電極を密閉するという工程を、同時に行うことができる。つまり、電子部品１１に接合されている各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａを加熱しながら加圧すると同時に電子部品１１のアクティブ面の外周部に供給された密閉材料１５と実装基板１２の上面を加熱しながら加圧することにより、電子部品１１に接合されている各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａは接合され、それと同時に電子部品１１の各電極１１ａと各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａおよびそれらの接合部分は、密閉材料１５全体と電子部品１１のアクティブ面および実装基板１２の上面で囲まれ、密閉されることとなる。よって、製造工程を短縮することが可能となり、実装コストの削減を図ることが可能となる。
【００３８】
さらに、この２つの工程の同時化により、電子部品１１の各電極１１ａと突起電極１３および実装基板１２の各電極１２ａは接合されると同時に密閉されることとなり、従来の電子部品の各電極と実装基板の各電極の接合工程から密閉工程までの間のように、これらの各電極およびそれらの接合部分が密閉されていない時間を無くすことができるため、電子部品１１の各電極１１ａと実装基板１２の各電極１２ａおよびそれらの接合部分を腐食等により劣化しにくくさせることが可能となる。
【００３９】
また、密閉材料１５の供給高さが、電子部品１１の電極１１ａと突起電極１３および実装基板１２の電極１２ａの合計高さとほぼ同じ若しくは少し高くなるように、密閉材料１５を電子部品１１のアクティブ面外周部に供給することにより、電子部品１１のアクティブ面外周部と実装基板１２の電子部品取付面との間を密閉材料１５で隙間無く埋めることができ、単に、電子部品１１のアクティブ面とプレート状の実装基板１２の電子部品取付面および密閉材料１５のみで電子部品１１と実装基板１２の接合部分および各々の電極を囲み、密閉することができるため、従来、電子部品と実装基板の接合部分および各々の電極を密閉するために用いられていた実装基板の凹凸部および蓋が不要となり、実装基板の形状を単純化することができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００４０】
さらに、例えば、従来のフリップチップ工法により製造される電子部品組立体においては、電子部品の各電極と実装基板の各電極の接合が、それらの接合のみであり、その他の部材により支持されていなかったが、上記第１の参考例によれば、電子部品１１の各電極１１ａに接合されている各突起電極１３と実装基板１２の各電極１２ａの接合は、それらの接合に加えて、電子部品１１と実装基板１２の密閉材料１５を介しての接合によっても支えられることとなるため、電子部品１１の各電極１１ａと実装基板１２の各電極１２ａの接合をより安定化させることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００４１】
なお、本発明は上記参考例に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の第２の参考例にかかる電子部品組立体として、キャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体について説明する。
【００４２】
図３（ａ），（ｂ）は、キャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体２の断面図および実装基板２２を上面より透視した透視平面図である。
【００４３】
図３（ａ），（ｂ）において、四角形プレート状であるＳＡＷフィルター等の電子部品２１は、アクティブ面である上面に複数の電極２１ａを有しており、各電極２１ａに導電材料であるＡｕにより形成された突起電極２３が接合されている。また、セラミック等で形成された四角形プレート状の実装基板２２は、下面に複数の電極２２ａを有しており、これらの各電極２２ａは、各突起電極２３に接合されている。また、セラミック等の耐湿性および耐熱性材料で形成された四角形プレート上の実装基板２４は上面の外周部全体に凸部２４ａを有しており、この凸部２４ａの上部全体と実装基板２２の下面の外周部全体との間に密閉材料２５が配置されている。さらに、実装基板２４の凸部２４ａで囲まれた凹部２４ｂの内面と実装基板２２の下面および密閉材料２５全体で、電子部品２１全体と各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａおよびそれらの接合部分は囲まれ、密閉されている。本第２の参考例においては密閉部材が密閉材料２５および被覆部である実装基板２４により構成されている。
【００４４】
次に、本第２の参考例にかかる電子部品組立体２の製造方法について説明する。
【００４５】
図４（ａ）において、電子部品２１のアクティブ面を実装基板２２の上面に取付ける際に、実装基板２２の上面の各電極２２ａは、電子部品２１のアクティブ面に接合されている各突起電極２３と互いに接合可能なように配置されている。電子部品２１を実装基板２２に対して位置合わせした後、各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａを加圧し、電子部品２１のアクティブ面を実装基板２２の上面に仮接合を行う。ここで仮接合とは、電子部品２１又は実装基板２２のいずれか一方を把持し移動させることで、電子部品２１および実装基板２２の両方を移動させることが可能で、かつ電子部品２１又は実装基板２２に外力を加えることにより、電子部品２１および実装基板２２を破壊すること無く、電子部品２１と実装基板２２の接合を解除することが可能な接合を示す。
【００４６】
次に、図４（ｂ）に示すように、実装基板２２の上面の外周部に、Ｓｎ−Ｐｂ系半田、Ｉｎ系半田、又は絶縁エポキシ樹脂等の密閉材料２５を印刷、転写、又はめっき方法等により、密閉材料２５を供給する。ここで、電子部品２１を実装基板２２に取付けた際に、実装基板２２の上面の外周部に供給された密閉材料２５は、電子部品２１の各電極２１ａおよび電子部品２１に接合された各突起電極２３および実装基板２２の各電極２２ａと接触しない程度の距離を確保するように、密閉材料２５の供給領域が実装基板２２の上面に配置されている。
【００４７】
次に、図４（ｃ）に示すように、四角形プレート状の実装基板２４の上面外周凸部２４ａの上部を、電子部品２１が仮接合された実装基板２２の下面外周部に供給された密閉材料２５と接合可能なように位置合わせした後、少なくとも実装基板２４の凸部２４ａの上部と密閉材料２５の下部を加熱しながら加圧する。それと同時に、実装基板２２に仮接合されている電子部品２１に接合されている各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａを加熱する。これにより、図４（ｄ）に示すように、電子部品２１に接合されている各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａは本接合され、かつ密閉材料２５と実装基板２２の下面および実装基板２４の凹部２４ｂ内面で囲まれた空間は密閉されることとなり、この空間内の電子部品２１全体と各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａおよびそれらの接合部分は密閉されることとなる。ここで本接合とは、上記仮接合の状態にある電子部品２１に接合されている各突起電極２３と実装基板２２の各電極２２ａに熱を加えることにより、各突起電極２３と各電極２２ａを接合させ、外力を加えることによりその接合状態を解除することが困難な接合を示す。
【００４８】
また、密閉材料２５の供給にあたっては、密閉材料２５の供給高さと実装基板２４の外周凸部２４ａ上面から凹部２４ｂ底面までの高さの合計が、電子部品２１の電極２１ａの高さと、突起電極２３の高さと、実装基板２２の電極２２ａの高さと、電子部品２１の厚さおよび実装基板２４の凹部２４ｂ底面より電子部品２１の非アクティブ面までの高さの合計とほぼ同じ若しくは少し高くなるようにする。
【００４９】
上記第２の参考例によれば、例えば、電子部品２１のアクティブ面の端部と各電極２１ａの間の領域が狭く、電子部品２１のアクティブ面の外周部に密閉材料２５を供給することができないような場合、又は電子部品２１と実装基板２２の接合部分および各々の電極のみを密閉するのではなく、電子部品２１全体も含めて密閉する必要があるような場合等において、キャビティータイプの実装基板２４と電極２２ａを有するプレート状の実装基板２２を用いることにより、従来別々に行われていた２つの工程、即ち、電子部品の電極と実装基板の電極を接合する工程と、これらの接合部分および各々の電極を密閉するという工程を、同時に行うことができる。つまり、電子部品２１の電極２１ａと実装基板２２の電極２２ａを接合すると同時に密閉材料２５の供給高さと実装基板２４の外周凸部２４ａ上面から凹部２４ｂ底面までの高さの合計が、電子部品２１の電極２１ａの高さと、突起電極２３の高さと、実装基板２２の電極２２ａの高さと、電子部品２１の厚さおよび実装基板２４の凹部２４ｂ底面より電子部品２１の非アクティブ面までの高さの合計と同じ若しくは少し高くなるように、密閉材料２５が実装基板２２の各電極２２ａを有する面の外周部に供給されているため、実装基板２４の凸部２４ａの上部全体と実装基板２２の各電極２２ａを有する面の外周部全体との間を密閉材料２５で隙間無く埋めることができ、密閉材料２５全体と実装基板２２の各電極２２ａを有する面および実装基板２４の凹部２４ｂ内面で、電子部品２１全体と実装基板２２の各電極２２ａおよびこれらの接合部分を囲み、密閉することが可能となる。よって、製造工程を短縮することが可能となり、実装コストの削減を図ることが可能となると共に、従来、電子部品と実装基板の接合部分および各々の電極を密閉するために用いられていた電極を有する実装基板の凹凸部が不要となり、実装基板の形状を単純化することができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００５０】
さらに、この２つの工程の同時化により、電子部品２１の各電極２１ａと各突起電極２３および実装基板２２の各電極２２ａは接合されると同時に密閉されることとなり、従来の電子部品の各電極と実装基板の各電極の接合工程から密閉工程までの間のように、これらの各電極およびそれらの接合部分が密閉されていない時間を無くすことができるため、電子部品２１の各電極２１ａと実装基板２２の各電極２２ａおよびそれらの接合部分を腐食等により劣化しにくくさせることが可能となる。
【００５１】
本発明の第１の実施形態にかかる電子部品組立体の製造方法として、キャビティータイプの実装基板を用いた別の場合について説明する。
【００５２】
図５（ａ），（ｂ）は、キャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体３の断面図および実装基板３２を下面より透視した透視平面図である。
【００５３】
図５（ａ），（ｂ）において、四角形プレート状であるＳＡＷフィルター等の電子部品３１は、アクティブ面である下面に複数の電極３１ａを有しており、各電極３１ａに導電材料であるＡｕにより形成された突起電極３３が接合されている。また、セラミック等で形成された四角形プレート状の実装基板３２は、上面の外周部全体に凸部３２ｂを有しており、この凸部３２ｂで囲まれた凹部３２ｃの底面に複数の電極３２ａを有しており、これらの各電極３２ａは、各突起電極３３に接合されている。また、セラミック等の耐湿性および耐熱性材料で形成された四角形プレート状の実装基板３４の下面に電子部品３１の非アクティブ面がダイボンド材料３７で接着されており、実装基板３４の下面の外周部全体と実装基板３２の凸部３２ｂの上部全体との間に密閉材料３５が配置されている。さらに、実装基板３４の下面と実装基板３２の凹部３２ｃの内面および密閉材料３５全体で、電子部品３１全体と各突起電極３３と実装基板３２の各電極３２ａおよびそれらの接合部分は囲まれ、密閉されている。本第１の実施形態においては密閉部材が密閉材料３５および被覆部である実装基板３４により構成されている。
【００５４】
次に、本第１の実施形態にかかる電子部品組立体３の製造方法について説明する。
【００５５】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、四角形プレート状の実装基板３４の上面にダイボンド材料３７で電子部品３１の非アクティブ面を接着する。その後、実装基板３４の上面の外周部全体に、Ｓｎ−Ｐｂ系半田、Ｉｎ系半田、又は絶縁エポキシ樹脂等の密閉材料３５を印刷、転写、又はめっき方法等により供給する。
【００５６】
次に、図６（ｃ）において、四角形プレート状の実装基板３２の上面の外周凸部３２ｂで囲まれた凹部３２ｃの底面が電子部品３１の接合部となっており、電子部品３１接合時に電子部品３１のアクティブ面に接合された各突起電極３３と互いに接合可能なように、実装基板３２の各電極３２ａがこの凹部３２ｃ底面に設けられている。また、実装基板３２の凸部３２ｂの上部は、電子部品３１が接着された実装基板３４の下面外周部に供給された密閉材料３５の下部と互いに接合可能なように形成されている。
【００５７】
また、密閉材料３５の供給にあたっては、密閉材料３５の供給高さと実装基板３２の外周凸部３２ｂ上面から凹部３２ｃ底面までの高さの合計が、電子部品３１の電極３１ａの高さと、突起電極３３の高さと、実装基板３２の電極３２ａの高さと、電子部品３１の厚さおよびダイボンド材料３７の厚さの合計とほぼ同じ若しくは僅かに高くなるようにする。
【００５８】
次に、実装基板３４に接着された電子部品３１に接合されている各突起電極３３が実装基板３２の各電極３２ａに接合可能なように、電子部品３１を実装基板３２に対して位置合わせした後、各突起電極３３と実装基板３２の各電極３２ａを加熱しながら加圧する。それと同時に、少なくとも実装基板３２の凸部３２ｂの上部と密閉材料３５の下部を加熱しながら加圧する。これにより、図６（ｄ）に示すように、電子部品３１に接合されている各突起電極３３と実装基板３２の各電極３２ａは接合され、かつ密閉材料３５と実装基板３４の下面および実装基板３２の凹部３２ｃ内面で囲まれた空間は密閉されることとなり、この空間内の電子部品３１全体と各突起電極３３と実装基板３２の各電極３２ａおよびそれらの接合部分は密閉されることとなる。
【００５９】
上記第１の実施形態によれば、例えば、電子部品３１のアクティブ面の端部と各電極３１ａの間の領域が狭く、電子部品３１のアクティブ面の外周部に密閉材料３５を供給することができないような場合、又は電子部品３１と実装基板３２の接合部分および各々の電極のみを密閉するのではなく、電子部品３１全体も含めて密閉する必要があるような場合等において、複数の電極３２ａを有するキャビティータイプの実装基板３２とプレート状の実装基板３４を用いることにより、従来別々に行われていた２つの工程、即ち、電子部品の電極と実装基板の電極を接合する工程と、これらの接合部分および各々の電極を密閉するという工程を、同時に行うことができる。つまり、電子部品３１の各電極３１ａと実装基板３２の各電極３２ａを接合すると同時に密閉材料３５の供給高さと実装基板３２の外周凸部３２ｂ上面から凹部３２ｃ底面までの高さの合計が、電子部品３１の電極３１ａの高さと、突起電極３３の高さと、実装基板３２の電極３２ａの高さと、電子部品３１の厚さおよびダイボンド材料３７の厚さの合計とほぼ同じ若しくは僅かに高くなるように、密閉材料３５が実装基板３４の電子部品３１接着面の外周部に供給されているため、実装基板３２の凸部３２ｂの上部全体と実装基板３４の電子部品３１接着面の外周部全体との間を密閉材料３５で隙間無く埋めることができ、密閉材料３５全体と実装基板３２の凹部３２ｃ内面および実装基板３４の電子部品３１接着面で、電子部品３１全体と実装基板３２の電極３２ａおよびこれらの接合部分を囲み、密閉することが可能となる。よって、製造工程を短縮することが可能となり、実装コストの削減を図ることが可能となる。
【００６０】
さらに、この２つの工程の同時化により、電子部品３１の各電極３１ａと各突起電極３３および実装基板３２の各電極３２ａは接合されると同時に密閉されることとなり、従来の電子部品の各電極と実装基板の各電極の接合工程から密閉工程までの間のように、これらの各電極およびそれらの接合部分が密閉されていない時間を無くすことができるため、電子部品３１の各電極３１ａと実装基板３２の各電極３２ａおよびそれらの接合部分を腐食等により劣化しにくくさせることが可能となる。
【００６１】
また、例えば、従来のフリップチップ工法を用いた電子部品組立体の製造方法のように、電子部品の各電極と実装基板の各電極の接合が、それらの接合のみであり、その他の部材により支持されていないような接合方法により製造される電子部品組立体においては、その電子部品組立体に温度サイクルテストを実施すると、電子部品と実装基板の間に熱膨張差が生じることにより応力が発生し、この応力が電子部品と実装基板との接合部分に集中し、温度サイクルテストにおける−４０℃〜８０℃という温度条件のもとでは、５００サイクルを超えると接合部分の接合が切れてしまう危険があるという問題を有していた。しかし、上記第１の実施形態によれば、電子部品３１の各電極３１ａに接合されている各突起電極３３と実装基板３２の各電極３２ａの接合は、それらの接合に加えて、実装基板３２に密閉材料３５を介して接合されている実装基板３４と電子部品３１のダイボンド材料３７を介しての接着によっても支えられることとなるため、温度変化により生じる電子部品３１と実装基板３２の間の熱膨張差により発生する応力を、電子部品３１の各電極３１ａと実装基板３２の各電極３２ａの接合部分に集中させることなく、実装基板３４と電子部品３１のダイボンド材料３７を介しての接合部分にも分散させることができ、電子部品３１の各電極３１ａと実装基板３２の各電極３２ａの接合をより安定化させることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００６２】
さらに、上記第２の参考例および第１の実施形態の変形例（参考例）を説明する。
【００６３】
図７（ａ）は、図３の上記第２の参考例におけるキャビティータイプの実装基板２４に代わって、四角形プレート状の実装基板２４を用いた電子部品組立体であり、図７（ｂ）は、図５の上記第１の実施形態におけるキャビティータイプの実装基板３２に代わって、四角形プレート状の実装基板３２を用いた電子部品組立体である。
【００６４】
上記の第２の参考例および第１の実施形態の変形例（参考例）によれば、キャビティータイプの実装基板を用いること無く、凹凸部の無い四角形プレート状の実装基板２２および２４、又は３２および３４を用い、密閉材料２５の供給高さが電子部品２１の電極２１ａの高さと、突起電極２３の高さと、実装基板２２の電極２２ａの高さと、電子部品２１の厚さおよび実装基板２４の上面より電子部品２１の非アクティブ面までの高さの合計とほぼ同じ若しくは僅かに高くなるように、密閉材料２５が実装基板２２の各電極２２ａを有する面の外周部に供給されること、又は、密閉材料３５の供給高さが電子部品３１の電極３１ａの高さと、突起電極３３の高さと、実装基板３２の電極３２ａの高さと、電子部品３１の厚さおよびダイボンド材料３７の厚さの合計とほぼ同じ若しくは僅かに高くなるように、密閉材料３５が実装基板３４の電子部品３１接着面の外周部に供給されることにより、実装基板２２の各電極２２ａを有する面の外周部全体と実装基板２４の上面外周部全体との間を密閉材料２５で隙間無く埋めること、又は実装基板３４の電子部品３１接着面の外周部全体と実装基板３２の各電極３２ａを有する面の外周部全体との間を密閉材料３５で隙間無く埋めることができ、電子部品２１、又は３１全体と各突起電極２３、又は３３と実装基板２２、又は３２の各電極２２ａ、又は３２ａおよびそれらの接合部分を密閉することが可能となる。
【００６５】
なお、上記様々な参考例及び実施形態のうちの任意の参考例及び実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の一の態様によれば、電子部品組立体が、電子部品の電極と実装基板の電極を接合すると同時的に上記電子部品の上記電極と上記実装基板の上記電極およびそれらの接合部分を密閉可能な密閉部材を備えることにより、従来、別々に行われていた２つの工程、つまり、電子部品の電極と実装基板の電極を接合する工程とこれらの接合部分および各々の電極を密閉するという工程を同時的に行うことにより、上記電子部品組立体を製造することができる。従って、電子部品組立体の製造工程を短縮することができ、実装コストの削減が図れ、低コストな電子部品組立体を提供することが可能となる。
【００６７】
さらに、この２つの工程が同時化されることにより、電極接合工程および密閉工程の際の加熱を同時的に行うことになるため、電子部品組立体の製造工程全体における加熱時間が短縮され、電子部品および実装基盤に対する熱影響を少なくすることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００６８】
また、電子部品組立体が実装基板の外周部全体と電子部品の外周部全体との間に配置された密閉部材である密閉材料を備えることにより、従来、電子部品と実装基板の接合部分および各々の電極を密閉するために用いられていた上記実装基板の凹凸部および蓋が不要となり、単に、上記電子部品のアクティブ面と上記実装基板の上記電子部品接合面および上記密閉材料で上記電子部品のアクティブ面を密閉することができるため、実装基板の形状を単純化することができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００６９】
また、例えば、電子部品のアクティブ面の外周部に密閉材料を供給することができないような場合、又は上記電子部品と実装基板の接合部分および各々の電極のみを密閉するのではなく、上記電子部品全体も含めて密閉する必要があるような場合等において、電子部品組立体が、上記電子部品の外面全体を覆う被覆部と、上記被覆部の端面と上記実装基板の外周部全体との間を密閉する密閉材料とより構成される密閉部材を備えることにより、上記電子部品の電極と上記実装基板の電極を接合すると同時に上記実装基板の電子部品接合面と上記被覆部および上記密閉材料で上記電子部品全体と実装基板の電極およびそれらの接合部分を密閉することが可能となる。
【００７０】
また、密閉材料に半田等の金属を用いることにより、耐湿性に優れ、加熱することにより容易に溶融することができ、上記密閉材料を用いた密閉性の高い接合を容易に行うことが可能となる。
【００７１】
本発明の別の態様によれば、従来、別々に行われていた２つの工程、つまり、電子部品の電極と実装基板の電極を接合する工程とこれらの接合部分および各々の電極を密閉するという工程を同時的に行うことにより、電子部品組立体を製造することができる。従って、電子部品組立体の製造工程を短縮することができ、実装コストの削減が図れ、低コストな電子部品組立体を提供することが可能となる。
【００７２】
さらに、この２つの工程が同時化されることにより、電極接合工程および密閉工程の際の加熱を同時的に行うことになるため、電子部品組立体の製造工程全体における加熱時間が短縮され、電子部品および実装基盤に対する熱影響を少なくすることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００７３】
また、上記の効果に付け加えて、上記電子部品の各電極と上記実装基板の各電極の接合は、それらの接合に加えて、上記電子部品と上記実装基板の上記密閉材料を介しての接合によっても支えられることとなるため、上記電子部品の各電極と上記実装基板の各電極の接合をより安定化させることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【００７４】
さらに、上記の効果に付け加えて、上記電子部品の各電極に接合されている上記各突起電極と上記実装基板の各電極の接合は、それらの接合に加えて、上記実装基板に上記密閉材料を介して接合されている上記被覆部と上記電子部品の接着によっても支えられることとなるため、温度変化により生じる上記電子部品と上記実装基板の間の熱膨張差により発生する応力を、上記電子部品の各電極と上記実装基板の各電極の接合部分に集中させることなく、上記被覆部と上記電子部品の接着による接合部分にも分散させることができ、上記電子部品の各電極と上記実装基板の各電極の接合をより安定化させることができ、電子部品組立体の品質の安定化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の参考例にかかる電子部品組立体を示す図であり、（ａ）は電子部品組立体の断面図、（ｂ）は電子部品組立体の実装基板を下面より透視した透視平面図である。
【図２】  本発明の第１の参考例にかかる電子部品組立体の製造方法を示す図であり、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は電子部品と実装基板の断面図、（ｄ）は電子部品組立体の断面図である。
【図３】  本発明の第２の参考例にかかるキャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体を示す図であり、（ａ）は電子部品組立体の断面図、（ｂ）は電子部品組立体の電極を有する実装基板を上面より透視した透視平面図である。
【図４】  本発明の第２の参考例にかかるキャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体の製造方法を示す図であり、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は電子部品と実装基板の断面図、（ｄ）は電子部品組立体の断面図である。
【図５】  本発明の第１の実施形態にかかるキャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体を示す図であり、（ａ）は電子部品組立体の断面図、（ｂ）は電子部品組立体の電極を有する実装基板を下面より透視した透視平面図である。
【図６】  本発明の第１の実施形態にかかるキャビティータイプの実装基板を用いた電子部品組立体の製造方法を示す図であり、（ａ）、（ｂ）、および（ｃ）は電子部品と実装基板の断面図、（ｄ）は電子部品組立体の断面図である。
【図７】  （ａ）は本発明の第２の参考例にかかる電子部品組立体の変形例（参考例）の断面図、（ｂ）は本発明の第１の実施形態にかかる電子部品組立体の変形例（参考例）の断面図である。
【図８】  従来のフリップチップ工法を用いた電子部品組立体の製造方法を示す図であり、（ａ）、（ｂ）は電子部品と実装基板の断面図、（ｃ）は電子部品組立体の断面図、（ｄ）は図４（ｃ）における電子部品組立体の実装基板を下面より透視した透視平面図である。
【図９】  従来のワイヤボンディング工法を用いた電子部品組立体の製造方法を示す図であり、（ａ）、（ｂ）は電子部品と実装基板の断面図、（ｃ）は電子部品組立体の断面図、（ｄ）は図５（ｃ）における電子部品組立体の蓋を上面より透視した透視平面図である。
【符号の説明】
１１…電子部品、１１ａ…電子部品１１の電極、１２…実装基板、１２ａ…実装基板１２の電極、１３…突起電極、１５…密閉材料、２１…電子部品、２１ａ…電子部品２１の電極、２２…実装基板、２２ａ…実装基板２２の電極、２３…突起電極、２４…実装基板、２４ａ…実装基板２４の外周凸部、２４ｂ…実装基板２４の凹部、２５…密閉材料、３１…電子部品、３１ａ…電子部品３１の電極、３２…実装基板、３２ａ…実装基板３２の電極、３２ｂ…実装基板３２の外周凸部、３２ｃ…実装基板３２の凹部、３３…突起電極、３４…実装基板、３５…密閉材料、３７…ダイボンド材料、４１…電子部品、４１ａ…電子部品４１の電極、４２…実装基板、４２ａ…実装基板４２の電極、４３…突起電極、４４…蓋、４５…密閉材料、５１…電子部品、５１ａ…電子部品５１の電極、５２…実装基板、５２ａ…実装基板５２の電極、５４…蓋、５５…密閉材料、５６…ワイヤ、５７…ダイボンド材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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