【手続補正書】
【提出日】平成15年10月20日(2003.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に薄膜が形成された基板を準備する工程と、
前記基板の裏面側をホルダーで保持する工程と、
前記ホルダーに設置された電極部材により前記基板の裏面側の所望の箇所を局所的に加圧することにより前記基板表面を平坦に矯正する工程と、
前記基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】
表面に薄膜が形成された基板を準備する工程と、
前記薄膜を研磨するための砥石を準備する工程と、
前記基板表面の面粗さ曲線の山頂線と前記砥石表面の面粗さ曲線の山頂線とが接触するように、前記基板表面を平坦に矯正する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項３】
表面に薄膜が形成された基板を準備する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記基板を真空吸引することにより前記基板の裏面側から前記基板を平坦に保持する工程と、
前記基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項４】
前記砥石の縦弾性係数が３０００Ｋｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項３記載の研磨方法。
【請求項５】
前記薄膜は有機ＳＯＧ薄膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨方法。
【請求項６】
表面に薄膜が形成された基板を準備する工程と、
前記基板の裏面側をホルダーで保持する工程と、
前記基板の表面側に前記基板の表面を平坦にするための矯正板を押し当てる工程と、
前記基板表面を平坦に保ったまま前記基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項７】
表面に薄膜が形成された基板を準備する工程と、
前記基板を裏面側からホルダーで保持する工程と、
前記基板の表面側に突起部を有する矯正板を押し当て、前記突起部の隙間を排気して前記基板の表面を吸引して前記基板の表面を平坦に保つ工程と、
前記基板表面を平坦に保ったまま前記基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項８】
表面の凹凸が±５０ｎｍ以下に平坦化された基板を準備する工程と、
前記基板表面に薄膜を形成する工程と、
前記基板の裏面側をホルダーで保持する工程と、
前記基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板表面に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項９】
基板を準備する工程と、
表面に突起を有する第１のホルダーで前記基板の裏面側を保持する工程と、
前記基板の裏面と前記第１のホルダーとの隙間に流動化した第１の媒体を供給する工程と、
前記第１の媒体を固化する工程と、
砥石を用いて前記基板表面を研磨する工程と、
その後、表面に突起を有する第２のホルダーで前記基板の表面側を保持する工程と、
前記基板の表面と前記第２のホルダーとの隙間に、固化温度が前記第１の媒体と異なる流動化した第２の媒体を供給する工程と、
前記第２の媒体を固化する工程と、
前記第１の媒体を液化させ、前記第１のホルダーを取り外す工程と、
砥石を用いて前記基板の裏面側を研磨する工程と、
前記第２の媒体を液化させ、前記第２のホルダーを取り外す工程と、
前記基板に薄膜を形成する工程と、
その後、砥石を用いて前記基板に形成された薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする研磨方法。
【請求項１０】
電荷蓄積用の容量と前記容量への電荷の出し入れ用のスイッチトランジスタとを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記容量およびスイッチトランジスタを形成した半導体基板上部に薄膜を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、砥石を用いて前記薄膜を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面に溝を形成する工程と、
前記溝を有する半導体基板表面に絶縁膜を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、前記溝内に前記絶縁膜を残すように、砥石を用いて前記絶縁膜を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
スイッチング用トランジスタと容量とを備えた半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
砥石を用いて前記絶縁膜を平坦に研磨する工程と、
その後、前記平坦化された絶縁膜に、前記トランジスタと容量とを電気的に接続するための開口部を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
トランジスタと容量とを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板表面に容量及びトランジスタを形成する工程と、
前記容量及びトランジスタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
砥石を用いて前記絶縁膜を研磨する工程と、
その後、前記絶縁膜を有する前記半導体基板上に配線層となる金属層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ上に絶縁膜を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、縦弾性係数が３０００Ｋｇ／ｃｍ2以上である砥石を用いて前記絶縁膜を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部を有する半導体基板上に金属層を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、前記開口部内に金属層が残るように、砥石を用いて前記金属層を研磨する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
トランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ上にコンタクトホール用の開口部を有する第１の絶縁膜を形成し、前記コンタクトホールを露出するように配線用の溝部を有する第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜上に形成する工程と、
前記第１及び第２の絶縁膜を有する半導体基板上に金属層を形成する工程と、
表面に突起部を有するホルダーを用い、前記半導体基板の裏面を真空吸引することにより前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板を平坦に保持する工程と、
前記半導体基板の裏面と前記ホルダーとの隙間に流動化した媒体を供給する工程と、
前記媒体を固化する工程と、
その後、前記コンタクトホール及び溝内に金属層が残るように、砥石を用いて前記金属層を研磨して前記第２絶縁膜上の金属層を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。