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【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、少なくとも下記一般式（１）で示される構成単位を有するポリアリレート樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体:
【化１】
2000227668.tif 000001
（上記式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、アリール基を示す。ただし、少なくともＲ1とＲ2の一つ、かつ少なくともＲ3とＲ4の一つは水素原子以外とする）。
【請求項２】
前記感光層が、少なくとも下記一般式（２）で示される構成単位を有するポリアリレート共重合体を含有する請求項１に記載の電子写真感光体：
【化２】
2000227668.tif 000002
（上記式（２）中、Ｒ5〜Ｒ8は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、アリール基を示す。ただし、少なくともＲ5とＲ6の一つ、かつ少なくともＲ7とＲ8の一つは水素原子以外とする。Ｒ9〜Ｒ12は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハロゲン原子を示す。また、Ｘ1は単結合、−ＣＲ13Ｒ14−を示す。Ｒ13及びＲ14は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はＲ13及びＲ14が結合することによって形成させるアルキリデン基を示す）。
【請求項３】
前記感光層が、少なくとも下記一般式（３）で示されるポリアリレート共重合体を含有する請求項１又は２に記載の電子写真感光体：
【化３】
2000227668.tif 000003
。
【請求項４】
前記感光層が、少なくとも前記一般式（１）で示される構成単位と、下記一般式（５）で示される構成単位と、の共重合体を構成単位として有するポリアリレート共重合体樹脂を含有する請求項１に記載の電子写真感光体：
【化４】
2000227668.tif 000004
（上記式（５）中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハロゲン原子を示し、Ｘ３は単結合、若しくは−ＣＲ２５Ｒ２６−を示し、Ｒ２５及びＲ２６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はＲ２５及びＲ２６が結合することによって形成させるアルキリデン基を示す）。
【請求項５】
前記一般式（１）で示される構成単位が下記式（１−４）で示される構成単位であり、且つ前記一般式（５）で示される構成単位が下記式（５−２）で示される構成単位である請求項４に記載の電子写真感光体：
【化５】
2000227668.tif 000005
。
【請求項６】
前記感光層が、更に下記一般式（４）で示される構成単位を有するポリカーボネート樹脂を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体：
【化６】
2000227668.tif 000006
（上記式（４）中、Ｒ15〜Ｒ18は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハロゲン原子を示す。また、Ｘ2は単結合、−ＣＲ19Ｒ20−を示す。Ｒ19及びＲ20は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はＲ19及びＲ20が結合することによって形成させるアルキリデン基を示す）。
【請求項７】
電子写真感光体に接触配置された帯電部材から直流電圧を印加して該感光体を帯電するプロセスに用いられる請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写工程後の感光体上に残余するトナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれた少なくとも一つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した電子写真感光体に対し露光を行い静電潜像を形成する露光手段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像する現像手段、及び転写材上のトナー像を転写する転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が、少なくとも下記一般式（１）で示される構成単位を有するポリアリレート樹脂を含有する電子写真感光体、この電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置が提供される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【化７】
2000227668.tif 000007
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【化８】
2000227668.tif 000008
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基、炭素数１〜５のアルコキシ基、ハロゲン原子を示す。また、Ｘ３は単結合、若しくは−ＣＲ２５Ｒ２６−を示す。Ｒ２５及びＲ２６は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基又はＲ２５及びＲ２６が結合することによって形成させるアルキリデン基を示す。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【化９】
2000227668.tif 000009
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
【化１０】
2000227668.tif 000010
下記構造式のアミン化合物１部


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【化１１】
2000227668.tif 000011
バインダー樹脂として構成単位例（１−２）で示される化合物（Ｍｗ＝７５０００）１０部をモノクロロベンゼン５０部／ジクロロメタン５０部の混合溶剤に溶解し、電荷輸送層用の塗布液を得た。塗布液を浸漬塗布法で塗布し、１２０℃にて１時間乾燥し、膜厚２７μｍの電荷輸送層を形成した。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【化１２】
2000227668.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月12日(2003.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差に対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極とからなる画素を駆動する電気光学装置の駆動回路であって、
前記走査線の本数よりも少ない段数の単位回路からなるシフトレジスタであって、所定周期のクロック信号に基づいて各段の単位回路からの転送信号を順次出力するシフトレジスタと、
前記各段の単位回路から出力された転送信号を時間軸上で複数に分割して、それぞれを走査信号として前記走査線に順次出力する出力手段と
を備えることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
【請求項２】
前記出力手段は、
前記単位回路にそれぞれ対応して設けられ、各々は、対応する単位回路から出力された転送信号を複数本に分岐する分岐配線と、
前記分岐配線による分岐に対応して設けられ、各々は、前記分岐配線により分岐された転送信号と、所定のイネーブル信号との論理積信号を走査信号として出力するイネーブル回路とを備え、
同一の分岐配線によって分岐された転送信号が供給されるイネーブル回路同士においては、アクティブ期間が互いに重複しないイネーブル信号が個別に供給される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項３】
隣接するイネーブル回路はデータ線の配列方向に沿って、互い違いに配置されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項４】
前記イネーブル回路の各々は、
前記転送信号と前記所定のイネーブル信号とを入力するＮＡＮＤゲートと、その出力を反転するインバータとの直列接続からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項５】
前記イネーブル回路の各々は、
前記転送信号が入力され、かつ、前記所定のイネーブル信号が入力されたとき、前記走査信号を出力するトランスミッションゲートである
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項６】
前記イネーブル回路の各々は、
前記転送信号が入力され、かつ、前記所定のイネーブル信号が入力されたとき、前記走査信号を出力する薄膜トランジスタであって、Ｐ型またはＮ型のうち、いずれか一方のチャネル型からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項７】
前記駆動回路は、
前記画素電極の形成領域を挟んで両側に形成されて、
前記両側のうち、一方に形成された駆動回路は、前記複数の走査線のうち、奇数本目の走査線に対して走査信号を出力し、他方に形成された駆動回路は、偶数本目の走査線に対して走査信号を出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路。
【請求項８】
請求項１に記載の電気光学装置の駆動回路を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月14日(2004.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のポンプを負荷水量に応じて並列又は単独で運転し、少なくとも１台のポンプを所要の目標圧力となるように可変速運転を行う給水装置の運転制御方法において、
複数のポンプの１台を固定速度で運転し、他の１台を可変速運転中に、該可変速運転中の１台のポンプを解列するに際して、前記可変速運転中のポンプの回転速度における締切圧力と、実際の吐出圧力とを参照して、解列を決定することを特徴とする給水装置の運転制御方法。
【請求項２】
前記ポンプの解列は、実際のポンプ吐出圧力を、その時の可変速運転中のポンプの回転速度に対応したポンプ締切圧力と比較して、実際のポンプ吐出圧力が対応するポンプ締切圧力よりも高くなった場合に、実行するものであることを特徴とする請求項１に記載の給水装置の運転制御方法。
【請求項３】
複数のポンプと、該ポンプを可変速運転する制御装置と、前記複数のポンプの吐出集合管に設けられた圧力センサと、前記ポンプの回転速度に対応した締切圧力のテーブルとを備え、実際吐出圧力とその時のポンプ回転速度に対応した前記テーブルの締切圧力とから、複数運転中のポンプの一台を解列することを特徴とする給水装置。
【請求項４】
前記ポンプの解列は、実際のポンプ吐出圧力を、その時の可変速運転中のポンプの回転速度に対応したポンプ締切圧力と比較して、実際のポンプ吐出圧力が対応するポンプ締切圧力よりも高くなった場合に、実行するものであることを特徴とする請求項３に記載の給水装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ｘ，ｙ方向に配置されたボイスコイルモータからの動力を、スピンドルを介して細管部と太管部とを含むスキャナ部に伝達する構成を有するプローブ走査装置において、
前記細管部と同軸の弾性を有する円筒状管と、
該円筒状管を前記太管部に選択的に連結するスイッチ手段を具備し、
該スイッチ手段により、前記円筒状管を前記太管部に連結することによりズーミングさせるようにしたことを特徴とするプローブ走査装置。
【請求項２】
請求項１記載のプローブ走査装置において、
前記スイッチ手段は、外周に加熱部材が設けられかつ熱絶縁部材を介して前記細管部に取り付けられた熱伝導部材と、
該熱伝導部材の一部が収容される凹部を有する熱絶縁部材と、
該熱絶縁部材の凹部に収容される低融点金属とを具備したことを特徴とするプローブ走査装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプローブ走査装置において、
前記スイッチ手段から発生される熱がスキャナ部に伝わるのを防止するための送風手段を具備したことを特徴とするプローブ走査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月25日(2003.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基質が存在する反応系に対して、活性化状態において前記基質に作用し所定の反応を遂行するメディエータを、前記活性化状態である活性メディエータとして投入することを特徴とする反応方法。
【請求項２】
前記反応方法に対して、メディエータをメディエータ活性化手段である酵素により活性化する活性化ステップを前置し、該活性化ステップにより得られた活性メディエータを前記反応系への投入に供することを特徴とする請求項１に記載の反応方法。
【請求項３】
前記活性メディエータが安定な物質である場合において、前記活性化ステップをマイルドな条件下に酵素とメディエータとを接触させて行い、前記活性メディエータと基質との反応を高反応効率が得られる厳しい条件下に行うことを特徴とする請求項２に記載の反応方法。
【請求項４】
前記メディエータを、前記活性化状態である活性メディエータよりも更に活性及び／又は安定性が向上した高活性化状態の高活性メディエータとして前記反応系に投入することを特徴とする請求項１に記載の反応方法。
【請求項５】
前記高活性メディエータが、前記活性メディエータよりも更に高活性な励起状態にあり、あるいは少なくとも錯体を含むメディエータの高次化合物であることを特徴とする請求項４に記載の反応方法。
【請求項６】
前記活性メディエータ又は高活性メディエータが、前記メディエータに対する酵素作用，触媒作用，光照射，電磁波照射，電圧印加又はプラズマ化によって調製されたものであることを特徴とする請求項１、請求項４又は請求項５に記載の反応方法。
【請求項７】
前記酵素が酸化酵素であり、前記基質がパルプ漂白のために分解されるべきリグニンであることを特徴とする請求項２，請求項３又は請求項６のいずれかに記載の反応方法。
【請求項８】
反応媒介物質であるメディエータが酵素により活性化されて活性メディエータとなり、次いで該活性メディエータが基質に作用して所定の反応を遂行すると言う反応機序の酵素反応に関与する前記メディエータを利用する反応方法であって、
前記基質が存在しない環境下でメディエータ活性化手段の作用によりメディエータを活性化させる活性化ステップと、活性メディエータを前記メディエータ活性化手段から分離して基質が存在する環境下に移動させたもとで該基質に作用させる基質反応ステップとを含むことを特徴とする反応方法。
【請求項９】
前記メディエータ活性化手段が酵素であり、前記活性メディエータが安定な低分子物質である場合において、
前記活性化ステップがマイルドな条件下に酵素とメディエータとを接触させて行われ、前記基質反応ステップが高反応効率の厳しい条件下に活性メディエータと基質とを接触させて行われることを特徴とする請求項８に記載の反応方法。
【請求項１０】
前記酵素が酸化酵素であり、前記基質がパルプ漂白のために分解されるべきリグニンであることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の反応方法。
【請求項１１】
前記請求項２、請求項３、請求項８、請求項９又は請求項１０のいずれかに記載の反応方法を行うための反応装置であって、
活性メディエータと分離可能な形態のメディエータ活性化手段を備え、前記活性化ステップを遂行可能な活性化反応場と、活性メディエータの輸送手段を介して前記活性化反応場に連絡され、前記活性メディエータと基質との反応を遂行可能な基質反応場とを備えることを特徴とする反応装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層導電層と下層導電層がコンタクトホールによって接続された半導体装置であって、
第１の下層導電層と、
前記第１の下層導電層を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上であって、前記第１の下層導電層とは水平方向にずれた位置に設けられた第２の下層導電層と、
前記第２の下層導電層を覆うように前記第１の層間絶縁膜の上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第１および第２の層間絶縁膜を貫通し、前記第１の下層導電層の表面を露出させるための第１のコンタクトホールと、
前記第２の層間絶縁膜中に設けられ、前記第２の下層導電層を露出させるための第２のコンタクトホールと、
前記第２の層間絶縁膜の上に設けられ、前記第１および第２のコンタクトホールを通って前記第１および第２の下層導電層に接続された上層導電層と、
前記第２の下層導電層の下方位置であって、前記第１の層間絶縁膜中に設けられた、シリサイドで形成されたストッパ層と、を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記ストッパ層はＷＳｉで形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ストッパ層はＴｉＳｉで形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ストッパ層は、ＷＳｉ／ポリシリコンの２層で形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ストッパ層は、前記上層導電層と同電位にされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ストッパ層は、フローティングな状態にされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の下層導電層および前記ストッパ層それぞれは、半導体基板の表面の上方に設けられ、
前記ストッパ層と前記半導体基板の表面との間の距離と、前記第１の下層導電層と前記半導体基板の表面との間の距離とは、同一である、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、上層導電層と下層導電層がコンタクトホールによって接続された半導体装置にかかる。当該半導体装置は、第１の下層導電層を備える。上記第１の下層導電層を覆うように第１の層間絶縁膜が設けられている。上記第１の層間絶縁膜の上であって、第１の下層導電層とは水平方向にずれた位置に第２の下層導電層が設けられている。上記第２の下層導電層を覆うように上記第１の層間絶縁膜の上に、第２の層間絶縁膜が設けられている。また、当該半導体装置は、上記第１および第２の層間絶縁膜を貫通し、上記第１の下層導電層の表面を露出させるための第１のコンタクトホールが設けられている。上記第２の層間絶縁膜中に、上記第２の下層導電層の表面を露出させるための第２のコンタクトホールが設けられている。上記第１および第２のコンタクトホールを通って、上記第１および第２の下層導電層に接続されるように、上記第２の層間絶縁膜の上に上層導電層が設けられている。上記第２の下層導電層の下方位置であって、上記第１の層間絶縁膜中に、シリサイドで形成されたストッパ層が設けられている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明によれば、上記第２の下層導電層の下方位置に、シリサイドで形成されたストッパ層が設けられているので、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けても、ストッパ層で、それ以上の突き抜けは止められる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に係る半導体装置によれば、ストッパ層は、上層導電層と同電位にされている。したがって、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けてストッパ層にまで延びても、ショートが防止される。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項６に係る半導体装置によれば、ストッパ層は、フローティングな状態にされている。したがって、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けてストッパ層にまで延びても、ショートは生じない。
請求項７に係る半導体装置は、第１の下層導電層およびストッパ層それぞれは、半導体基板の表面の上方に設けられ、ストッパ層と半導体基板の表面との間の距離と、第１の下層導電層と半導体基板の表面との間の距離とが、同一である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
請求項１に係る半導体装置によれば、第２の下層導電層の下方位置であって、第１の層間絶縁膜中に、シリサイドで形成されたストッパ層が設けられているので、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けても、ストッパ層で、それ以上の突き抜けは止められる。その結果、上層導電層と基板とのショートまたは上層導電層と他層とのショートは生じないという効果を奏する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項５に係る半導体装置によれば、ストッパ層が、上層導電層と同電位にされているので、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けてストッパ層にまで延びても、ショートが防止されるという効果を奏する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項６に係る半導体装置によれば、ストッパ層はフローティングな状態にされているので、第２のコンタクトホールが第２の下層導電層を突き抜けてストッパ層にまで延びても、ショートは生じないという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号を中間周波数信号に変換する受信系の混合回路と、
入力信号を搬送周波数の送信信号に変換する送信系の混合回路と、
上記受信系の混合回路に供給されて上記受信信号に混合されると共に、上記送信系の混合回路に供給されて上記入力信号に混合される単一周波数の発振信号を生成する発振回路と、
受信及び送信が時分割で切り替えられる切り替え回路であって、受信時にはアンテナにより受信された上記受信信号を上記混合回路に供給するよう制御され、送信時には上記送信信号をアンテナに供給するよう制御される切り替え回路と、
少なくとも上記受信系の混合回路の後段に設けられ送信時には上記受信系の混合回路からの出力信号を遮断するよう制御されるスイッチ手段と
を備える通信装置。
【請求項２】
請求項１記載の通信装置において、
上記受信系の混合回路からの中間周波数信号について所定周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタ及び該バンドパスフィルタを通過した信号を復調する復調回路をさらに備え、
上記スイッチ手段は上記バンドパスフィルタの前に設けられることを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項１記載の通信装置において、
上記スイッチ手段はＰＩＮダイオードを用いて構成したことを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の実施の形態】
すなわち本発明においては、受信信号を中間周波数信号に変換する受信系の混合回路と、入力信号を搬送周波数の送信信号に変換する送信系の混合回路と、受信系の混合回路に供給されて受信信号に混合されると共に送信系の混合回路に供給されて入力信号に混合される単一周波数の発振信号を生成する発振回路と、受信及び送信が時分割で切り替えられる切り替え回路であって受信時にはアンテナにより受信された受信信号を混合回路に供給するよう制御され送信時には送信信号をアンテナに供給するよう制御される切り替え回路と、少なくとも受信系の混合回路の後段に設けられ送信時には受信系の混合回路からの出力信号を遮断するよう制御されるスイッチ手段とを備えてなるものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
こうして上述の通信装置によれば、受信信号を中間周波数信号に変換する受信系の混合回路と、入力信号を搬送周波数の送信信号に変換する送信系の混合回路と、受信系の混合回路に供給されて受信信号に混合されると共に送信系の混合回路に供給されて入力信号に混合される単一周波数の発振信号を生成する発振回路と、受信及び送信が時分割で切り替えられる切り替え回路であって受信時にはアンテナにより受信された受信信号を混合回路に供給するよう制御され送信時には送信信号をアンテナに供給するよう制御される切り替え回路と、少なくとも受信系の混合回路の後段に設けられ送信時には受信系の混合回路からの出力信号を遮断するよう制御されるスイッチ手段とを備えることにより、簡単な構成で発振回路の負荷の変動を防止し、且つ通信の際に自身の送信系の送信信号が受信系に混入して受信を妨害する恐れも解消することができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号を分岐する出力端子を有する受信装置であって、
上記受信信号を増幅した増幅信号を出力する増幅手段と、
上記増幅手段からの増幅信号を二つに分配する方向性結合器であって、上記増幅信号のレベルの大部分が分配される一方に対する上記増幅信号のレベルを設定することにより、分配される他方に対する上記増幅信号の減衰度を調整可能とする方向性結合器と、
上記方向性結合器から上記増幅信号のレベルの大部分が分配される同調手段と
を備え、
上記出力端子には、上記方向性結合器により減衰度が調整された増幅信号が分配されることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
上記同調手段は、発振器を含む同調手段であって、
上記方向性結合器は、上記発振器からの信号による上記出力端子への妨害を抑えることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
すなわち本発明においては、受信信号を分岐する出力端子を有する受信装置であって、受信信号を増幅した増幅信号を出力する増幅手段と、増幅手段からの増幅信号を二つに分配する方向性結合器であって増幅信号のレベルの大部分が分配される一方に対する増幅信号のレベルを設定することにより分配される他方に対する増幅信号の減衰度を調整可能とする方向性結合器と、方向性結合器から増幅信号のレベルの大部分が分配される同調手段とを備え、出力端子には方向性結合器により減衰度が調整された増幅信号が分配されてなるものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
こうして上述の受信装置によれば、受信信号を分岐する出力端子を有する受信装置であって、受信信号を増幅した増幅信号を出力する増幅手段と、増幅手段からの増幅信号を二つに分配する方向性結合器であって増幅信号のレベルの大部分が分配される一方に対する増幅信号のレベルを設定することにより分配される他方に対する増幅信号の減衰度を調整可能とする方向性結合器と、方向性結合器から増幅信号のレベルの大部分が分配される同調手段とを備え、出力端子には方向性結合器により減衰度が調整された増幅信号が分配されることにより、余分のアッテネータ回路等を設ける必要がなく、簡単な回路構成で良好な受信、及び他の装置への出力を行うことができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月25日(2003.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実態の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、それに先立って、本発明を適用する空気動圧軸受を備えた軸固定型のポリゴンミラー駆動用モータの構造を、図面に基づいて詳細に説明しておく。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月10日(2003.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属酸化物キャパシタの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極上に金属酸化物膜及び第２の電極が順次積層された金属酸化物キャパシタを製造するに際し、
前記金属酸化物膜の成膜後に、１気圧よりも高い酸素圧力の雰囲気中で熱処理を行う、
金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項２】
２〜１００気圧の酸素圧力の雰囲気中で前記熱処理としてのポストアニールを行う、請求項１に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項３】
前記熱処理を５５０℃以下で行う、請求項１又は２に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項４】
バリア金属上に前記第１の電極を形成し、この第１の電極上に酸素雰囲気中で前記金属酸化物膜を成膜し、この金属酸化物膜上に前記第２の電極を形成し、しかる後に前記熱処理を行う、請求項１に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項５】
バリア金属上に前記第１の電極を形成し、この第１の電極上に酸素雰囲気中で前記金属酸化物膜を成膜し、しかる後に前記熱処理を行う、請求項１に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記バリア金属に金属窒化物を使用し、前記第１の電極及び前記第２の電極に貴金属を使用し、前記金属酸化物膜に（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3又はＴａ2Ｏ5を使用する、請求項４又は５に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に第１のキャパシタ電極を形成する工程と、
上記第１の電極に対して金属酸化膜をつける工程と、
キャパシタを形成するために上記金属酸化膜上に第２の電極を形成する工程と、
上記第２の電極の形成の後に１気圧よりも高い圧力の酸素の雰囲気中で６００℃よりも低い温度で上記金属酸化膜を熱処理する工程と、
を有する金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項８】
上記熱処理が２〜１００気圧の雰囲気中で行なわれる請求項７に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項９】
上記熱処理がおおよそ５５０℃以下の温度で行なわれる請求項７又は８に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
上記熱処理がおおよそ３５０℃の温度で行なわれる請求項７又は８に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
上記第１の電極が金属窒化物を有するバリア金属上に形成されている請求項７、８、９又は１０に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項１２】
上記バリア金属がＴｉＮである請求項１１に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【請求項１３】
上記第２の電極が貴金属であり、上記金属酸化膜が（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3及びＴａ2Ｏ5から選ばれた物質を有する請求項７、８、９、１０、１１又は１２に記載の金属酸化物キャパシタの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化物キャパシタ（特に、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3の如き高誘電体キャパシタ又はＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3の如き強誘電体キャパシタ）の製造方法に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ポストアニール温度の如き熱処理温度を低減させつつ、バリア金属の如き下地金属の酸化を効果的に抑制できるＢＳＴ等の金属酸化物キャパシタの製造方法を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
即ち、本発明は、第１の電極上に金属酸化物膜及び第２の電極が順次積層された金属酸化物キャパシタを製造するに際し、前記金属酸化物膜の成膜後に、１気圧よりも高い（特に２〜１００気圧の）酸素圧力の雰囲気中で熱処理（高圧酸素ポストアニール）を行なう金属酸化物キャパシタの製造方法に係るものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の金属酸化物キャパシタの製造方法（以下、これらを本発明の方法と総称することがある。）による高圧酸素ポストアニールは、ポストアニール温度の低減化に極めて有効であり、従来からバリア金属として用いられているＴｉＮやＴａＮのポストアニール中に発生する酸化の問題を回避する上で極めて有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月10日(2003.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース、ドレイン及びソース・ドレイン間の導通状態を制御するゲート電極を有する半導体素子を含む半導体装置において、前記半導体素子のゲート電極の底面及び側面がゲート絶縁膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上のゲート形成予定域にダミーゲートパターンを形成する工程と、このダミーゲートパターンをマスクとして前記半導体基板に不純物を導入してソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記ダミーゲートパターンの周囲に絶縁膜を形成する工程と、前記ダミーゲートパターンを選択的に除去する工程と、前記ダミーゲートパターンが除去された凹部の底面及び側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜が形成された前記凹部に導電材を埋め込んだゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記ゲート電極の底面及び側面を覆うゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、を備え、
前記ゲート電極、前記層間絶縁膜、前記ゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆う第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆い且つ前記第１のゲート絶縁膜とは膜厚が異なり且つシリコン酸化膜以外の絶縁材料で形成された第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆う第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆い且つ前記第１のゲート絶縁膜とは異なった絶縁材料で形成された第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆う第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成され且つ前記第１のゲート電極とは異なった材料で形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆う第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記ゲート電極の底面及び側面を覆い且つＴａ2 Ｏ5 膜で形成されたゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、を備え、
前記ゲート電極、前記層間絶縁膜、前記ゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆い且つＴａ2 Ｏ5 膜で形成された第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆い且つ前記第１のゲート絶縁膜とは膜厚が異なり且つシリコン酸化膜以外の絶縁材料で形成された第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆い且つＴａ2 Ｏ5 膜で形成された第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆い且つ前記第１のゲート絶縁膜とは異なった絶縁材料で形成された第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に形成された第１のゲート電極と、前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記第１のゲート電極の底面及び側面を覆い且つＴａ2 Ｏ5 膜で形成された第１のゲート絶縁膜と、前記層間絶縁膜と前記第１のゲート絶縁膜との間に形成された側壁絶縁膜と、前記基板上に形成され且つ前記第１のゲート電極とは異なった材料で形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極の底面及び側面を覆う第２のゲート絶縁膜と、を備え、
前記第１のゲート電極、前記層間絶縁膜、前記第１のゲート絶縁膜及び前記側壁絶縁膜の上面は同一平面内にあり、前記側壁絶縁膜は前記層間絶縁膜とは異なった材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電荷転送半導体装置およびその作製方法並びにイメージセンサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いた電荷転送半導体装置であって、
前記結晶性珪素膜は、棒状あるいは柱状の結晶を有し、
前記結晶性珪素膜の結晶粒界が延在した方向と電荷を転送する方向とが一致するように電荷結合素子が配列されていることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜を用いた電荷転送半導体装置であって、
入射光に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子が配列された電荷蓄積手段と、
前記電荷蓄積手段に蓄積された電荷を転送する手段とを有し、
前記結晶性珪素膜は、棒状あるいは柱状の結晶を有し、
前記電荷を転送する方向と前記結晶性珪素膜の結晶粒界が延在した方向とが一致していることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記入射光は前記基板の側から行われることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、前記基板上に前記電荷結合素子とアクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス回路とが集積化されていることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、前記基板上に前記電荷を転送する手段とアクティブマトリクス型表示装置のアクティブマトリクス回路とが集積化されていることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板は石英であることを特徴とする電荷転送半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項の電荷転送半導体装置を有することを特徴とするイメージセンサ。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成し、
非晶質珪素膜の所定の領域に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
加熱処理を施し棒状あるいは柱状の結晶を有する珪素膜を形成し、
ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において加熱処理を施し前記珪素膜の表面に熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜を除去し、
前記結晶性珪素膜の結晶粒界が延在した方向に合わせて電荷を転送する機能を有する電荷結合素子を形成することを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、絶縁表面を有する基板は、石英基板であることを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、珪素の結晶化を助長する金属元素として、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類のものが利用されることを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中における加熱処理を８００℃〜１１００℃の温度で行うことを特徴とする電荷転送半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、
二層ゲート電極型メモリセルの第１のゲート電極となる第１のポリシリコン層を前記ゲート絶縁膜の一部上に形成し、
前記第１のポリシリコン層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に二層ゲート電極型メモリセルの第２のゲート電極及び周辺回路の一部を成すトランジスタのゲート電極となる第２のポリシリコン層、及び金属シリサイド層を順次形成し、
前記金属シリサイド層上にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次堆積し、
前記シリコン酸化膜上に前記第２のゲート電極、及び前記トランジスタのゲート電極を形成する領域を選択的に覆うレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をエッチングし、
前記金属シリサイド層上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして、前記金属シリサイド層、及び前記第２のポリシリコン層をエッチングし、前記第２のゲート電極、及びトランジスタのゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして前記絶縁膜及び前記第１のポリシリコン層をエッチングし、前記第１のゲート電極を形成し、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして前記半導体基板上のゲート絶縁膜をエッチングして第１のソース領域を形成し、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜をマスクとして前記第１のソース領域に不純物を導入し、ソース線を形成する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上にフィールド酸化膜及びゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の一部上に、二層ゲート電極型メモリセルの第１のゲート電極となる第１のポリシリコン層を形成し、この第１のポリシリコン層上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記フィールド酸化膜上に、二層ゲート電極型メモリセルの第２のゲート電極、周辺回路の一部を成すトランジスタのゲート電極、及びワード線となる第２のポリシリコン層、及び金属シリサイド層を順次形成し、
前記金属シリサイド層上にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次堆積し、
前記シリコン酸化膜上に前記第２のゲート電極、前記トランジスタのゲート電極、及びワード線を形成する領域を選択的に覆うレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜をエッチングし、
前記金属シリサイド層上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして、前記金属シリサイド層、及び前記第２のポリシリコン層をエッチングし、前記第２のゲート電極、トランジスタのゲート電極、及びワード線を同時に形成し、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜をマスクとして前記絶縁膜及び前記第１のポリシリコン層をエッチングし、及び前記第１のゲート電極を形成する工程と、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして前記半導体基板上の前記ゲート絶縁膜をエッチングして第１のソース領域を形成し、
前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜をマスクとして前記第１のソース領域に不純物を導入し、ソース線を形成する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン窒化膜をエッチングストッパーとして、前記フィールド酸化膜をエッチングし、前記ワード線と自己整合的に前記第１のソース領域と接続された第２のソース領域を形成することを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン窒化膜の膜厚ＴN は、前記フィールド酸化膜の膜厚をＴF 、フィールド酸化膜のエッチングレートをＡ、このエッチング時のシリコン窒化膜のエッチングレートをＢとした場合、
ＴN ＞（ＴF ／Ａ）×Ｂ
であることを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン酸化膜の膜厚をＴS 、前記第２のゲート電極を構成する金属シリサイド膜の膜厚をＴCW、前記金属シリサイド膜のエッチングレートをＡCW、前記第２のポリシリコン膜のエッチングレートをＡCP、前記シリコン酸化膜をマスクとして前記金属シリコン膜と前記第２のポリシリコン膜をエッチングする際の前記シリコン酸化膜のエッチングレートをＡS1、前記第１のポリシリコン層上の絶縁膜のエッチング時間をｔ、このときのシリコン酸化膜のエッチングレートをＡS2、前記第１のポリシリコン膜の膜厚をＴFP、前記第１のポリシリコン膜のエッチングレートをＡFP、このときのシリコン酸化膜のエッチングレートをＡS3とした場合、これらの関係は、
ＴS ＞［（ＴCW）／（ＡCW）＋（ＴCP／ＡCP）］×ＡS1＋ｔ×ＡS2
＋（ＴFP／ＡFP）×ＡS3
であることを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明の態様に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、二層ゲート電極型メモリセルの第１のゲート電極となる第１のポリシリコン層を前記ゲート絶縁膜の一部上に形成し、前記第１のポリシリコン層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に二層ゲート電極型メモリセルの第２のゲート電極及び周辺回路の一部を成すトランジスタのゲート電極となる第２のポリシリコン層、及び金属シリサイド層を順次形成し、前記金属シリサイド層上にシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を順次堆積し、前記シリコン酸化膜上に前記第２のゲート電極、及び前記トランジスタのゲート電極を形成する領域を選択的に覆うレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクとして、前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をエッチングし、前記金属シリサイド層上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして、前記金属シリサイド層、及び前記第２のポリシリコン層をエッチングし、前記第２のゲート電極、及びトランジスタのゲート電極を形成し、前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして前記絶縁膜及び前記第１のポリシリコン層をエッチングし、前記第１のゲート電極を形成し、前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜をマスクとして前記半導体基板上のゲート絶縁膜をエッチングして第１のソース領域を形成し、前記第２のゲート電極上の前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜をマスクとして前記第１のソース領域に不純物を導入し、ソース線を形成することを特徴とする。