Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成14年11月7日(2002.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルマン渦により発生する交番信号を検出し、この交番信号にフィルタを通過させアナログ／デジタル変換器でアナログ／デジタル変換して得た渦流量信号をマイクロプロセッサを用いて信号処理し、測定流体の流量を測定する渦流量計において、
通過帯域が異なるフィルタを組み合わせて構築され、各フィルタで帯域を分割して渦流量信号の周波数成分を抽出し、分割段が後段へいくに従って周波数成分を抽出するサンプリング周波数を低周波数にしていく帯域分解回路と、
この帯域分解回路で抽出した信号の中で信号強度が最大の成分を信号成分とし、この信号成分をもとに流量を測定する演算手段と、
を具備したことを特徴とする渦流量計。
【請求項２】
カルマン渦により発生する交番信号を検出し、この交番信号にフィルタを通過させアナログ／デジタル変換器でアナログ／デジタル変換して得た渦流量信号をマイクロプロセッサを用いて信号処理し、測定流体の流量を測定する渦流量計において、
コーナー周波数がｆｍ（ｆｍは渦流量信号の最大周波数）の前段ローパスフィルタと、
０〜ｆｍの帯域を１／２ずつに区切り、上半分の帯域の周波数成分をハイパスフィルタ、下半分の帯域の周波数成分をローパスフィルタでそれぞれ抽出し、さらに０〜ｆｍ／２の帯域を１／２ずつに区切り、上半分の帯域の周波数成分をハイパスフィルタ、下半分の帯域の周波数成分をローパスフィルタでそれぞれ抽出し、以下同様に帯域を１／２ずつ細分化していき周波数成分を抽出するとともに、０〜ｆｍの帯域を１／２ずつに区切って抽出した周波数成分はサンプリング周波数ｆｓ／２（ｆｓは前記アナログ／デジタル変換器の変換周波数）でサンプリングし、０〜ｆｍ／２の帯域を１／２ずつに区切って抽出した周波数成分はサンプリング周波数ｆｓ／４でサンプリングし、以下同様に帯域を１／２ずつ細分化する毎にサンプリング周波数を１／２倍にしていく帯域分解回路を有する帯域分割フィルタと、
前記帯域分解回路で抽出した信号の中で信号強度が最大の成分を信号成分とし、この信号成分をもとに流量を測定する演算手段と、
を具備したことを特徴とする渦流量計。
【請求項３】
前記帯域分割フィルタは、等しいサンプリング周波数で抽出した信号どうしを加算し、加算を行う毎にサンプリング周期を２倍ずつしていき、前記帯域分解回路で分割して抽出した信号をもとの信号に再現する再構成回路を有することを特徴とする請求項２記載の渦流量計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）カルマン渦により発生する交番信号を検出し、この交番信号にフィルタを通過させアナログ／デジタル変換器でアナログ／デジタル変換して得た渦流量信号をマイクロプロセッサを用いて信号処理し、測定流体の流量を測定する渦流量計において、
通過帯域が異なるフィルタを組み合わせて構築され、各フィルタで帯域を分割して渦流量信号の周波数成分を抽出し、分割段が後段へいくに従って周波数成分を抽出するサンプリング周波数を低周波数にしていく帯域分解回路と、
この帯域分解回路で抽出した信号の中で信号強度が最大の成分を信号成分とし、この信号成分をもとに流量を測定する演算手段と、
を具備したことを特徴とする渦流量計。
（２）カルマン渦により発生する交番信号を検出し、この交番信号にフィルタを通過させアナログ／デジタル変換器でアナログ／デジタル変換して得た渦流量信号をマイクロプロセッサを用いて信号処理し、測定流体の流量を測定する渦流量計において、
コーナー周波数がｆｍ（ｆｍは渦流量信号の最大周波数）の前段ローパスフィルタと、
０〜ｆｍの帯域を１／２ずつに区切り、上半分の帯域の周波数成分をハイパスフィルタ、下半分の帯域の周波数成分をローパスフィルタでそれぞれ抽出し、さらに０〜ｆｍ／２の帯域を１／２ずつに区切り、上半分の帯域の周波数成分をハイパスフィルタ、下半分の帯域の周波数成分をローパスフィルタでそれぞれ抽出し、以下同様に帯域を１／２ずつ細分化していき周波数成分を抽出するとともに、０〜ｆｍの帯域を１／２ずつに区切って抽出した周波数成分はサンプリング周波数ｆｓ／２（ｆｓは前記アナログ／デジタル変換器の変換周波数）でサンプリングし、０〜ｆｍ／２の帯域を１／２ずつに区切って抽出した周波数成分はサンプリング周波数ｆｓ／４でサンプリングし、以下同様に帯域を１／２ずつ細分化する毎にサンプリング周波数を１／２倍にしていく帯域分解回路を有する帯域分割フィルタと、
前記帯域分解回路で抽出した信号の中で信号強度が最大の成分を信号成分とし、この信号成分をもとに流量を測定する演算手段と、
を具備したことを特徴とする渦流量計。
（３）前記帯域分割フィルタは、等しいサンプリング周波数で抽出した信号どうしを加算し、加算を行う毎にサンプリング周期を２倍ずつしていき、前記帯域分解回路で分割して抽出した信号をもとの信号に再現する再構成回路を有することを特徴とする（２）記載の渦流量計。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月10日(2003.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数域を許可する手段を具備した広帯域私設ネットワーク上でマルチメディアサービスを配付する方法であって、
周波数域の一部のチャンネルは、アナログサービスの往路伝送のため使用され、この周波数域の他のチャネルは、ディジタルサービスの往路伝送のため使用され、
ディジタルサービスに対応するディジタルデータはディジタル変調され、得られた信号は周波数に関し変換され、
アナログサービスに対応するアナログデータは周波数に関し変換され、
変換された信号は、該ネットワークに伝送される前に周波数分割によって多重化され、
該ディジタルサービスはディジタル電話サービスを含み、
ディジタルサービスの往路伝送用の該チャンネルのうちの少なくとも一つのチャンネルは、該電話サービスに専用のチャンネルであり、
帰路の少なくとも一つのチャンネルは、該電話サービスのインタラクティブ性を保証するためのディジタル信号の帰路伝送に専用のチャンネルである、
方法。
【請求項２】
該周波数域の一部は該帰路のため確保されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該帰路に専用の該チャネルはユーザ間で共有されている、請求項１記載の方法。
【請求項４】
該帰路に専用の該チャンネルは時分割多重アクセス（ＴＤＭＡ）技術を適用することによって共有されている、請求項３記載の方法。
【請求項５】
該ディジタル変調は、直交位相シフトキーイング（ＱＰＳＫ）タイプの変調である請求項１記載の方法。
【請求項６】
該ディジタル変調は、直交振幅変調（ＱＡＭ）タイプの変調である請求項１記載の方法。
【請求項７】
該ディジタル変調は、直交周波数多重分割（ＯＦＤＭ）タイプの変調である請求項１記載の方法。
【請求項８】
少なくとも該ディジタル電話サービスを含む幾つかのディジタルサービスのディジタルデータ、又は、少なくとも一つのディジタルサービスの成分は、変調される前に時分割多重化される、請求項１記載の方法。
【請求項９】
時分割多重化とこの時分割多重化のため要求されるラベリングは、動画像専門家グループ（ＭＰＥＧ）によって定められた標準規格に準拠して行なわれる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
時分割多重化とこの時分割多重化のため要求されるラベリングは、非同期転送モード（ＡＴＭ）標準規格に準拠して行なわれる、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該ネットワークのトポロジーは、バス形、星形又はバス−星形である、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
広帯域私設ネットワーク上でマルチメディアサービスを搬送し配布する装置であって、
ディジタルサービスからのディジタル信号をディジタル変調する回路と、
上記変調された信号を周波数変換する回路と、
アナログサービスからの変調されたアナログ信号を周波数変換する回路と、
該変換された信号をネットワークへ送信するため、該変換された信号を周波数多重化する手段と、
を具備し、
ディジタル電話サービスに由来するディジタルサービスを対象としている、
装置。
【請求項１３】
帰路チャンネルを処理する回路を更に具備し、
帰路チャンネルを処理する回路は、ネットワークに接続され該帰路チャンネル上で該電話サービスに対応した少なくとも一つのチャンネルを選択することができる少なくとも一つのチューナ、及び、該チャンネルと関連したディジタル情報を復調するディジタル復調手段と関連付けられている、
請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
広帯域私設ネットワーク上のマルチメディアサービスの受信器であって、
アナログサービス又はディジタルサービスに対応するチャンネルを選択するため使用される少なくとも一つのチューナと、
上記ディジタルサービスに対応するチャンネルの信号を復調する少なくとも一つのディジタル復調器と、
上記アナログサービスに対応するチャンネルの信号を復調するアナログ復調器と、
を具備し、
電話サービスを含むディジタルサービスを対象としている、
受信器。
【請求項１５】
帰路チャンネル上で該電話サービスに対応するデータを伝送する変調器及び変換器を更に有する請求項１４記載の受信器。
【請求項１６】
該ネットワークは、アナログサービス及びディジタルサービスの伝送のための周波数域を可能にさせる手段を具備し、
該変調器及び変換器は、該周波数域の帰路で該データを伝送するために設けられている、
請求項１５記載の受信器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月25日(2003.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファ回路（２０）であって、
所定の入力電圧を受けるための入力端子、および前記所定の入力電圧の電圧レベルに対応するデジタルコードを提供するための複数の出力端子を有するアナログ−デジタル変換器（２２）、そして
各々電源電圧端子に結合された第１の電流電極、前記デジタルコードの対応するビットの所定の論理状態に応じてデータ信号を受けるために選択的に結合される制御電極、および出力端子に結合されて出力信号を提供するための第２の電流電極を有する、複数の２進重み付け出力トランジスタ（１５０，１５１，１５２）を有する出力ドライバ回路（５３）、
を具備することを特徴とするバッファ回路（２０）。
【請求項２】
可変出力インピーダンスを有するバッファ回路（２０）であって、
前記バッファ回路（２０）の入力端子（３０）に結合された抵抗素子（３２）、
電源電圧端子に結合された第１の電流電極、制御電極、および前記バッファ回路（２０）の入力端子（３０）に結合された第２の電流電極を有する第１のトランジスタ（３３）、
前記抵抗素子（３２）の第１の端子に結合された第１の入力端子、基準電圧を受けるための第２の入力端子、および前記第１のトランジスタ（３３）の制御電極に結合された出力端子を有するフィードバック増幅器（４０）、
前記電源電圧端子に結合された第１の電流電極、前記フィードバック増幅器（４０）の出力端子に結合された制御電極、および第２の電流電極を有する第２のトランジスタ（３４）、
前記第２のトランジスタ（３４）の第２の電流電極に結合され入力電圧を受けるための入力端子、および前記入力電圧の電圧レベルに対応するデジタルコードを提供するための複数の出力端子を有するアナログ−デジタル変換器（２４）、そして
各々前記電源電圧端子に結合された第１の電流電極、前記デジタルコードの対応するビットの所定の論理状態に応じてデータ信号を受けるために選択的に結合される制御電極、そして前記出力ドライバ回路の出力端子に結合されて出力信号を提供するための第２の電流電極を有する、複数の２進重み付けトランジスタ（１５０，１５１，１５２）を有する出力ドライバ回路（５３）、
を具備することを特徴とする可変出力インピーダンスを有するバッファ回路（２０）。
【請求項３】
可変出力インピーダンスを有するバッファ回路（２０）であって、
第１の所定の入力電圧を受けるための入力端子、および前記第１の所定の入力電圧の電圧レベルに対応するプルアップデジタルコードを提供するための複数の出力端子を有するプルアップアナログ−デジタル変換器（２２）、
第２の所定の入力電圧を受けるための入力端子、および前記第２の所定の入力電圧の電圧レベルに対応するプルダウンデジタルコードを提供するための複数の出力端子を有するプルダウンアナログ−デジタル変換器（２４）、そして
出力ドライバ回路（５３）であって、
各々第１の電源電圧端子に結合された第１の電流電極、前記プルアップデジタルコードの対応するビットの所定の論理状態に応じて第１のデータ信号を受けるよう選択的に結合される制御電極、そして出力端子に結合され出力信号をプルアップするための第２の電流電極を各々有する、複数の２進重み付けプルアップトランジスタ（１５０，１５１，１５２）、そして
各々第２の電源電圧端子に結合された第１の電流電極、前記プルダウンデジタルコードの対応するビットの所定の論理状態に応じて第２のデータ信号を受けるよう選択的に結合される制御電極、そして前記出力端子に結合され前記出力信号をプルダウンするための第２の電流電極を有する、複数の２進重み付けプルダウントランジスタ（１５３，１５４，１５５）、
を具備する前記出力ドライバ回路（５３）、
を具備することを特徴とする可変出力インピーダンスを有するバッファ回路（２０）。
【請求項４】
バッファ回路の出力インピーダンスを変える方法であって、
所定の抵抗値を有する抵抗器を提供する段階、
前記抵抗器において検知されたアナログ信号をデジタルコードに変換する段階、
複数の２進重み付けトランジスタを提供する段階、そして
前記デジタルコードを使用して前記バッファ回路の出力インピーダンスを調整するために前記複数の２進重み付けトランジスタの内の少なくとも１つを選択する段階、
を具備することを特徴とするバッファ回路の出力インピーダンスを変える方法。自発
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月18日(2003.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通ベースモード若しくは共通ゲートモードで動作する上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）と、
上側トランジスタのコレクタ若しくは対応した電界効果トランジスタ電極と上側電位（ＶＤＤ）の間に設けられ、出力信号（ＵＯＵＴ１，ＵＯＵＴ２）を生成する負荷抵抗（ＲＬ）と、
上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）と下側電位（ＧＮＤ）の間にコレクタ−エミッタ路若しくはソース−ドレイン路が設けられている下側トランジスタ（Ｔ２，Ｍ２）と、
を有し、
一定バイアス電圧又は一定ゲート電圧が供給される上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）のエミッタ若しくは対応した電界効果トランジスタ電極により信号入力（ＩＩＮ）が形成される、
入力インピーダンスが一定である受信器回路であって、
上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）と下側トランジスタ（Ｔ２，Ｍ２）は同一のトランジスタであり、下側トランジスタ（Ｔ２，Ｍ２）はダイオードとして接続されていることを特徴とする受信器回路。
【請求項２】
第１の負帰還抵抗（Ｒ１）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）が上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）と下側トランジスタ（Ｔ２，Ｍ２）の間に接続され、
信号入力（ＩＩＮ）は、第１の負帰還抵抗（Ｒ１）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）の間に設けられている、
ことを特徴とする請求項１記載の受信器回路。
【請求項３】
下側トランジスタ（Ｔ２，Ｍ２）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）の順序が入れ替えられていることを特徴とする請求項２記載の受信器回路。
【請求項４】
信号分岐（１）の回路の複製であるミラー分岐（２）が電流ミラーの原理に従って更に設けられ、
ミラー分岐（２）は、上側トランジスタ（Ｔ３，Ｍ３）、下側トランジスタ（Ｔ４，Ｍ４）、及び、二つの負帰還抵抗（Ｒ３，Ｒ４）を含み、
ミラー分岐（２）には、上側トランジスタ（Ｔ１，Ｍ１）のベース電圧又はゲート電圧を一定に保つ一定零入力電流（Ｉ０）が印加される、
ことを特徴とする請求項３記載の受信器回路。
【請求項５】
上側トランジスタ（Ｔ１）と下側トランジスタ（Ｔ２）はバイポーラトランジスタであり、
第１の負帰還抵抗（Ｒ１）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）は同一の抵抗である、
ことを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項記載の受信器回路。
【請求項６】
第１の負帰還抵抗（Ｒ１）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）は互いに異なることを特徴とする請求項２乃至４のうちいずれか１項記載の受信器回路。
【請求項７】
第１の負帰還抵抗（Ｒ１）は、入力抵抗（ＲＩＮ）の略３分の２に一致する抵抗であることを特徴とする請求項５又は６項記載の受信器回路。
【請求項８】
零入力電流（Ｉ０）はＰＴＡＴ電流源により発生され、零入力電流（Ｉ０）は絶対温度に比例することを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか１項記載の受信器回路。
【請求項９】
上側トランジスタ（Ｍ１）と下側トランジスタ（Ｍ２）はＭＯＳトランジスタであり、
第１の負帰還抵抗（Ｒ１）と第２の負帰還抵抗（Ｒ２）は無しで済ますことができる、
ことを特徴とする請求項２記載の受信器回路。
【請求項１０】
基準抵抗（ＲＲＥＦ）及び基準電圧（ＵＲＥＦ）を伴う付加的な増幅器（４）を更に有し、
付加的な増幅器（４）は、
Ｕ０＝ＵＲＥＦ＋ＲＲＥＦ・Ｉ０
が満たされるように零入力電流（Ｉ０）を制御する、
ことを特徴とする請求項９記載の受信器回路。
【請求項１１】
付加的な増幅器（４）は差動増幅器（５）を含むことを特徴とする請求項１０記載の受信器回路。
【請求項１２】
信号分岐（１）の更なる複製が信号分岐（１）とミラー分岐（２）の間に基準分岐（３）として設けられ、
基準分岐（３）は、更なる上側トランジスタ（Ｔ５）及び下側トランジスタ（Ｔ６）と、該更なる上側トランジスタ（Ｔ５）と下側トランジスタ（Ｔ６）の間に設けられた２個の抵抗（Ｒ５，Ｒ６）とを含み、
基準分岐（３）の上側トランジスタ（Ｔ５）のベースは一定電圧に保たれ、
出力信号（ＵＯＵＴ）は、負荷抵抗（ＲＬ１）を介して上側電位（ＶＤＤ）に接続された、信号分岐（１）の上側トランジスタ（Ｔ１）のコレクタと、負荷抵抗（ＲＬ２）を介して上側電位（ＶＤＤ）に接続された、基準分岐（３）の上側トランジスタ（Ｔ５）のコレクタの間でタップされる、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項記載の受信器回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月30日(2003.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高速ディジタル／アナログ変換、デシメーションおよび記憶システム並びに方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号を受信し、周期Ｘ＊Ｔを有し（ｊ−１）＊Ｔだけ時間遅延されたサンプリングクロック信号に応答してｊ番目のアナログディジタル変換器が前記アナログ信号のディジタルサンプルを生成するＸ個のアナログディジタル変換器と、
ユーザーが定義するデシメーション係数Ｎを受信する手段と、
前記Ｘ個のアナログディジタル変換器の少なくとも１つを前記デシメーション係数Ｎの関数として起動する手段と、
出力を有し、前記ｊ番目の前記アナログディジタル変換器が活動状態である時は前記ｊ番目のアナログディジタル変換器から前記ディジタルサンプルを受信し、前記ｊ番目のアナログディジタル変換器が活動状態でない時は（ｊ−１）番目の前記アナログディジタル変換器から前記ディジタルサンプルを受信するＸ個の記憶要素と、
前記記憶要素から出力を受信するメモリセルアレーと、
前記記憶要素の全てに前記ディジタルサンプルがロードされる時に前記記憶要素の出力を任意の先のメモリ書き込みに続けて前記メモリセルアレーに書き込む手段と、
を備え、
前記メモリセルアレーに書き込まれる前記ディジタルサンプルは、（１／Ｎ）＊（Ｘ／Ｔ）のレートでサンプリングされた前記アナログ信号を表す、
ことを特徴とする高速アナログ／ディジタル変換、デシメーションおよび記憶システム。
【請求項２】
前記デシメーション係数ＮがＮ≦Ｘであるとき、
Ｘ／Ｎは整数であり、
前記アナログディジタル変換器の少なくとも１つを起動する手段は、ｊ＝［（ｋ−１）＊Ｎ］＋１  （ｋは１からＸ／Ｎまでの整数）であるとき前記ｊ番目のアナログディジタル変換器を起動し、
前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器が活動状態であれば［（ｊ−１）＊Ｔ］だけ時間遅延された前記サンプリングクロック信号に応答して前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器からの前記ディジタルサンプルが前記ｊ番目の記憶要素にロードされ、
前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器が活動状態でなければ前記（ｊ−１）番目の記憶要素からのクロック信号に応答して前記（ｊ−１）番目の記憶要素からの前記ディジタルサンプルが前記ｊ番目の記憶要素にロードされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の高速アナログ／ディジタル変換、デシメーションおよび記憶システム。
【請求項３】
出力を有し、ｊ番目のプリセット可能なディバイダが設定Ｓに初期化され、［（ｊ−１）＊Ｔ］だけ時間遅延された前記サンプリングクロックを受信し、係数Ｒで分周するプリセット可能な複数のディバイダをさらに備え、
前記デシメーション係数ＮがＮ≦Ｘであるとき、係数ＲはＲ＝１であり、
前記デシメーション係数ＮがＮ＞Ｘであるとき、（Ｒ＊Ｘ）／Ｎは整数であり、
前記Ｘ個のアナログディジタル変換器の少なくとも１つを起動する手段は、ｊ＝［（ｋ−１）＊Ｎ  ｍｏｄ  Ｘ］＋１  （ｋは１からＲ＊Ｘ／Ｎまでの整数）であるとき前記ｊ番目のアナログディジタル変換器を起動する手段を備え、
前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器が活動状態であるとき前記ｊ番目のプリセット可能なディバイダの出力に応答して前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器からの前記ディジタルサンプルが前記ｊ番目の記憶要素にクロック（記録）され、
前記ｊ番目のディジタルアナログ変換器が活動状態でなければ前記（ｊ−１）番目の記憶要素からのクロック信号に応答して前記（ｊ−１）番目の記憶要素からの前記ディジタルサンプルが前記ｊ番目の記憶要素にクロックされる、
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高速アナログ／ディジタル変換、デシメーションおよび記憶システム。
【請求項４】
Ｘ個のアナログディジタル変換器を用いてアナログ信号をサンプリングすることによりディジタルサンプルを生成するステップであって、前記Ｘ個のアナログディジタル変換器の少なくとも１つはデシメーション係数Ｎの関数に応じて活動状態に設定され、ｊ番目の前記アナログディジタル変換器は周期Ｘ＊Ｔを有し（ｊ−１）＊Ｔだけ時間遅延されたサンプリングクロック信号にクロックされる第一のステップと、
Ｘ個の記録要素に前記ディジタルサンプルをクロックするステップであって、ｊ番目の前記記録要素は、前記ｊ番目のアナログディジタル変換器に応答し、前記ｊ番目の記録要素は、前記ｊ番目のアナログディジタル変換器が活動状態であれば前記ｊ番目のアナログディジタル変換器により生成された前記ディジタルサンプルを受信し、前記ｊ番目のアナログディジタル変換器が活動状態でなければ（ｊ−１）番目の前記記録要素の出力を受信する第二のステップと、
前記記憶要素の全てに前記ディジタルサンプルがクロックされる時に前記Ｘ個の記録要素に格納された前記ディジタルサンプルを任意の先のメモリ書き込みに続けてシステムメモリに書き込むステップであって、前記システムメモリに書き込まれる前記ディジタルサンプルは、（１／Ｎ）＊（Ｘ／Ｔ）のレートでサンプリングされた前記アナログ信号を表す第三のステップと、
を含み、
高速アナログジタル変換し、ユーザー定義のデシメーション係数Ｎによりデシメーションし、アナログ信号のディジタルサンプルを記憶する方法。
【請求項５】
前記デシメーション係数ＮはＮ≦Ｘであり、
Ｘ／Ｎは整数であり、
前記第一のステップにおいて、前記アナログディジタル変換器の少なくとも１つは、ｊ＝［（ｋ−１）＊Ｎ］＋１  （ｋは１からＸ／Ｎまでの整数）であるとき前記ｊ番目のアナログディジタル変換器をオンすることにより活動状態に設定される、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
活動状態のADC（Aj）と活動状態のADCに対応するディバイダの初期状態（Sj）は次の式から与えられる。
Aj = [(j-1)*N mod X]+1 （j = 1....E）
Sj = (R-1)-[(j-1)*N div X] （j = 1....E）
これらの式において、“x mod y”はxをｙで割った結果の整数の剰余、“x div y”はxをyで割った結果の整数の商と定義される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月4日(2003.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自由端に接続プラグを具備する接続要素が、その基板部分において、ガラス表面上に転写されたアンテナ導体の接続面に結合される、接続要素を具備する自動車用ダイバーシチ受信アンテナウィンドウであって、複数のアンテナ線ならびに場合によってはシールド線またはアース線（１６、１７、１８；４９、５０）の接続面（６、８、１１、１３、２１、２２；６、８、４６、４８、５２）が、ウィンドウの辺縁部分に位置する一カ所に相互に近接して局所的に束ねられており、多重接続プラグ（４０、４１；５７、５８）を具備する接続要素（２５、５４）がその基板端部に、接合面（２９、３１、３３、３５、３７、３９；６１、６３、６５、６７、７２）を含む平坦な支持体を有し、これら接合面が、ウィンドウ上の接続面の局所的配置に対応する局所的配置に従い配設され、その結果、接続面と接合面の接合が、一回の作業で同時に行われることを特徴とするアンテナウィンドウ。
【請求項２】
接続要素（２５、５４）として、破断強度が高いポリマーから成る支持ストリップをもつ平坦ストリップ導体、および支持ストリップ内に埋め込んだあるいはその上に転写した導体を使用することを特徴とする請求項１に記載のウィンドウ。
【請求項３】
接続要素（２５、５４）として、ポリイミドなど熱的に安定なポリマーから成る支持ストリップをもつ平坦なストリップ導体を使用することを特徴とする請求項２に記載のウィンドウ。
【請求項４】
信号中継線に加え、信号中継線の面内、および／または信号中継線の面の上方および／または下方に位置する面内に配設された平坦なシールド線を含む平坦なストリップ導体を使用することを特徴とする請求項２または３に記載のウィンドウ。
【請求項５】
接続要素（２５、５４）の接合面を、ウィンドウ上の接続面に溶接することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のウィンドウ。
【請求項６】
ウィンドウの接続面との接続要素（２５、５４）の接合面の接合を、導電接着剤を使用して行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のウィンドウ。
【請求項７】
接合点から引張り力を解放するため、接続要素（２５、５４）の平坦な支持ストリップを、接合面に近接して位置する部位のウィンドウに接着することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のウィンドウ。
【請求項８】
引張り力の解放に使用する接着を、電気接合点の溶接と同時に溶融可能な接着剤を用いて行うことを特徴とする請求項７に記載のウィンドウ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信セッションをサポートする能力を持つ通信システム内で使用されるための端末であって、この端末が：
第一のパーティと少なくとも第二のパーティとの間で前記の通信システムを介して通信信号を受信および送信するための手段を含み；
特徴として：
スケジューリング信号を受信するためのインタフェース；および
前記のスケジューリング信号の受信に応答して第一のデータセットあるいは第二のデータセットの少なくとも一つを選択的に修正するための回路がさらに含まれ、この第一のデータセットが前記の第一のパーティが通信信号の受信に応答するための使用状況を表し、第二のデータセットが第一のパーティから少なくとも前記の第二のパーティに送信される特定の通信信号と関連する緊急度を表すことを特徴とする端末。
【請求項２】
一つあるいは複数のデータセットを格納するためのメモリであって、前記の第一のデータセットあるいは前記の第二のデータセットの少なくとも一つを含むメモリがさらに含まれることを特徴とする請求項１の端末。
【請求項３】
前記の特定の通信データセットを前記の第一のパーティから少なくとも前記の第二のパーティに送信するために前記の第二のデータセットの少なくとも一部分が使用されることを特徴とする請求項１の端末。
【請求項４】
前記のインタフェースと前記の回路を含む第一の装置、および前記の通信手段を含む第二の装置がさらに含まれ、この第一の装置と第二の装置が互いに通信する能力を持つことを特徴とする請求項１の端末。
【請求項５】
前記の第一の装置が携帯装置であり、この携帯装置が前記の第二の装置と無線通信する能力を持つことを特徴とする請求項４の端末。
【請求項６】
前記の受信および送信手段が音声通信信号あるいはデータ通信信号の少なくとも一つを前記の通信システムを介して受信することを特徴とする請求項１の端末。
【請求項７】
第一の通信信号の受信を示すための手段がさらに含まれることを特徴とする請求項１の端末。
【請求項８】
前記のスケジューリング信号が前記の第一のパーティあるいはスケジューリング装置のいずれかの一つから受信されることを特徴とする請求項１の端末。
【請求項９】
通信セッションのスケジューリングをサポートする能力を持つ通信システムの端末を操作する方法であって、前記の端末が第一のパーティと少なくとも第二のパーティとの間で通信信号を前記の通信システムを介して受信および送信し、この方法が：
前記の端末のインタフェースを通じてスケジューリング信号を受信するステップ；および
前記のスケジューリング信号の受信に応答して、第一のデータセットあるいは第二のデータセットの少なくとも一つを選択的に修正するステップを含み、
前記の第一のデータセットが第一のパーティが受信された通信信号に応答するための使用状況を表し、
前記の第二のデータセットが前記の第一のパーティから少なくとも前記の第二のパーティに送信される特定の通信信号と関連する緊急度を表すことを特徴とする方法。
【請求項１０】
メモリ内に一つあるいは複数のデータセットを格納するステップがさらに含まれることを特徴とする請求項９の方法であって、前記データセットは前記の第一のデータセットあるいは前記の第二のデータセットの少なくとも一つを含むデータセットである方法。
【請求項１１】
前記の特定の通信データセットを前記の第一のパーティから少なくとも前記の第二のパーティに送信するために前記の第二のデータセットの少なくとも一部分が使用されるステップをさらに含むことを特徴とする請求項９の方法。
【請求項１２】
第一の通信信号が受信されたことを示すステップがさらに含まれることを特徴とする請求項９の方法。
【請求項１３】
前記の第一の通信信号が音声通信信号あるいはデータ通信信号の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記の第一のパーティあるいはスケジューリング装置の一つから前記のスケジューリング信号を受信するステップがさらに含まれることを特徴とする請求項９の方法。
【請求項１５】
複数の処理インストラクションがメモリ内に格納され、前記の方法がさらに前記の複数の処理インストラクションを読出し、実行し、一つあるいは複数の通信セッションのスケジュールを遂行するステップを含むことを特徴とする請求項９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理方法であって，
基板に層間絶縁膜を形成する工程と，
処理室内で前記基板上の層間絶縁膜に対して電子線を照射し，当該層間絶縁膜を硬化させる工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項２】
前記層間絶縁膜を硬化させる工程において，基板が所定温度に加熱されることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記層間絶縁膜を硬化させる工程は，少なくとも大気よりも酸素濃度の低い低酸素雰囲気で行われることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項４】
少なくとも前記基板周辺の雰囲気を酸素よりも分子量の小さい気体に置換することによって，前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする，請求項３に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記処理室内を減圧することによって，前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする，請求項３又は４のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記層間絶縁膜を形成する工程は，基板に層間絶縁膜となる塗布液を塗布する工程を有し，
当該塗布工程と前記層間絶縁膜を硬化させる工程との間に，基板を加熱するプレ加熱工程が行われることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記プレ加熱工程が終了してから基板に電子線が照射されるまでの時間が一定に制御されることを特徴とする，請求項６に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記プレ加熱は，前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも低い温度で行われることを特徴とする，請求項６又は７のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記層間絶縁膜を硬化させる工程後に，基板を加熱するポスト加熱工程を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記ポスト加熱は，前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも高い温度で行われることを特徴とする，請求項９に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
電子線を照射して層間絶縁膜を硬化させた後，前記処理室内でプラズマを発生させる工程を有することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
前記プラズマは電子線の照射によって発生させることを特徴とする，請求項１１に記載の基板の処理方法。
【請求項１３】
前記プラズマは高周波電力の供給によって発生させることを特徴とする，請求項１１に記載の基板の処理方法。
【請求項１４】
基板の処理方法であって，
基板に層間絶縁膜となる塗布液を塗布するの塗布工程と，前記塗布工程の後，基板を加熱するプレ加熱工程とを繰り返し行い，
最終の塗布工程の後，処理室内で前記基板上の複数の層間絶縁膜に対して電子線を照射して当該複数の層間絶縁膜を同時に硬化する工程とを有することを特徴とする，基板の処理方法。
【請求項１５】
基板の処理装置であって，
処理室内で基板を載置する載置台と，
前記載置台上の基板に電子線を照射する装置と，
前記載置台と電子線を照射する装置との間に配置されるグリッド電極と
を有していることを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項１６】
基板の処理装置であって，
処理室内で基板を載置する載置台と，
前記載置台上の基板に電子線を照射する装置と，
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と
を有していることを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項１７】
前記載置台は，基板に対して逆バイアス電圧を印加することが可能であることを特徴とする，請求項１５又は１６に記載の基板の処理装置。
【請求項１８】
基板に絶縁膜を形成する基板の処理装置であって，
基板に絶縁膜となる塗布液を塗布する塗布ユニットと，前記絶縁膜が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットとを有する第１処理ステーションと，
前記加熱ユニットで加熱処理された基板の絶縁膜に対し電子線を照射して当該絶縁膜を硬化させる硬化処理ユニットを有する第２処理ステーションと，
前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で基板を搬送する基板搬送体と，を備えたことを特徴とする，基板の処理装置。
【請求項１９】
前記硬化処理ユニットは，処理室内の雰囲気を少なくとも大気の酸素濃度よりも低い所定の低酸素雰囲気に維持できるように構成されていることを特徴とする，請求項１８に記載の基板の処理装置。
【請求項２０】
前記硬化処理ユニットは，処理室内で基板を載置する載置台と，電子線を照射する電子線管に対向する位置で前記載置台を回転させる回転手段とを備えていることを特徴とする，請求項１８又は１９のいずれかに記載の基板の処理装置。
【請求項２１】
前記載置台には，前記載置台を前記加熱ユニットの加熱処理の温度よりも高い所定温度に昇温し維持する加熱手段が設けられていることを特徴とする，請求項２０に記載の基板の処理装置。
【請求項２２】
前記載置台は，前記電子線管との距離を調節可能にする距離調節手段を備えていることを特徴とする，請求項２０又は２１のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記した各基板の処理装置における載置台は，基板に対して逆バイアス電圧を印加することが可能なように構成してもよい。これによって電子線の入射速度を弱めて基板に対する電子線のエネルギーを制御することが可能である。
本発明は，基板に絶縁膜を形成する基板の処理装置であって，基板に絶縁膜となる塗布液を塗布する塗布ユニットと，前記絶縁膜が塗布された基板を加熱処理する加熱ユニットとを有する第１処理ステーションと，前記加熱ユニットで加熱処理された基板の絶縁膜に対し電子線を照射して当該絶縁膜を硬化させる硬化処理ユニットを有する第２処理ステーションと，前記第１処理ステーションと前記第２処理ステーションとの間で基板を搬送する基板搬送体と，を備えたことを特徴とする。
上記基板の処理装置の前記硬化処理ユニットは，処理室内の雰囲気を少なくとも大気の酸素濃度よりも低い所定の低酸素雰囲気に維持できるように構成されていてもよい。
また，前記硬化処理ユニットは，処理室内で基板を載置する載置台と，電子線を照射する電子線管に対向する位置で前記載置台を回転させる回転手段を備えていてもよい。
さらに，前記載置台には，前記載置台を前記加熱ユニットの加熱処理の温度よりも高い所定温度に昇温し維持する加熱手段が設けられていてもよい。
前記載置台は，前記電子線管との距離を調節可能にする距離調節手段を備えていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品に当接して電子部品を被圧着面に押圧しながら振動を付与して被圧着面に圧着する電子部品のボンディングツールを備えた電子部品のボンディング装置であって、前記ボンディングツールが、振動子によって振動するホーンと、このホーンに形成され電子部品を被圧着面に押圧する圧着面と、この圧着面から前記ホーンの両端側へ等距離隔てられた位置において前記ホーンより突出する連結部と、この連結部の先端部に形成され前記ホーンをボンディング装置の昇降部材に固定する固定部とを備え、前記固定部を前記ホーンと一体的に設け、かつ前記固定部の上部を前記昇降部材に固定したことを特徴とする電子部品のボンディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品のボンディング装置は、電子部品に当接して電子部品を被圧着面に押圧しながら振動を付与して被圧着面に圧着する電子部品のボンディングツールを備えた電子部品のボンディング装置であって、前記ボンディングツールが、振動子によって振動するホーンと、このホーンに形成され電子部品を被圧着面に押圧する圧着面と、この圧着面から前記ホーンの両端側へ等距離隔てられた位置において前記ホーンより突出する連結部と、この連結部の先端部に形成され前記ホーンをボンディング装置の昇降部材に固定する固定部とを備え、前記固定部を前記ホーンと一体的に設け、かつ前記固定部の上部を前記昇降部材に固定した。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、ボンディングツールのホーンより突出する連結部と、この連結部の先端部に形成されホーンをボンディング装置の昇降部材に固定する固定部とを備え、前記固定部を前記ホーンと一体的に設け、かつ前記固定部の上部を前記昇降部材に固定したことにより、固定部に励起された曲げ振動のホーン本体への伝達を抑制し、ホーンの曲げ振動による上下方向の変位の発生を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンド配向を呈することが可能な液晶層を有する液晶セルと、前記液晶セルの視角依存性を低減させる少なくとも一つの光学異方素子と、を備えた液晶電気光学装置において、
前記光学異方素子は、Ｚ＝（ｎｄx−ｎｄz）／（ｎｄx−ｎｄy）としたとき、７≦Ｚ≦１０（ｎｄx  ，ｎｄy  ，ｎｄzは、前記液晶セルと前記光学異方素子をほぼ平行に配置したときの前記液晶セルの法線方向における前記光学異方素子の厚み（単位：μｍ）と前記光学異方素子との屈折率の積の総和のｘ，ｙ，ｚ方向の屈折率を表す。ｎｄx  ，ｎｄyは前記光学異方素子の厚み方向とほぼ垂直である面の面内方向における前記光学異方素子の屈折率成分を表し、ｎｄx  ，ｎｄyは互いに垂直である。ｎｄzは、前記光学異方素子の厚み方向の前記光学異方素子の屈折率成分を表す。）を満たすことを特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項２】
ベンド配向を呈することが可能な液晶層を有する液晶セルと、前記液晶セルの視角依存性を低減させる少なくとも一つの光学異方素子と、を有する液晶電気光学装置において、
前記光学異方素子の面内方向のリタデーションの比Ｍを
Ｍ＝ΔｎLC・ｄLC／（ｎｄx−ｎｄy）
としたとき、
７．５＜Ｍ＜１８
（ｎｄx  ，ｎｄy  は、前記液晶セルと前記光学異方素子をほぼ平行に配置したときの前記液晶セルの法線方向における前記光学異方素子の厚み（単位：μｍ）と前記光学異方素子との屈折率の積の総和のｘ，ｙ方向の屈折率を表し、ｘ，ｙ方向とは前記光学異方素子の面内方向であって互いに垂直である。また、前記液晶層の厚み（単位：μｍ）をｄLC、前記液晶層の電界無印加の状態における面内方向の直交する屈折率どうしの差をΔｎLCとする。）を満たすことを特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項３】
ベンド配向を呈することが可能な液晶層を有する液晶セルと、前記液晶セルの視角依存性を低減させる少なくとも一つの光学異方素子と、を有する液晶電気光学装置において、
前記光学異方素子は、Ｚ＝（ｎｄx−ｎｄz）／（ｎｄx−ｎｄy）としたとき、
７≦Ｚ≦１０、
且つ、
前記光学異方素子の面内方向のリタデーションの比Ｍを、Ｍ＝ΔｎLC・ｄLC／（ｎｄx−ｎｄy）としたとき、７．５＜Ｍ＜１８
（ｎｄx  ，ｎｄy  ，ｎｄzは、前記液晶セルと前記光学異方素子をほぼ平行に配置したときの前記液晶セルの法線方向における前記光学異方素子の厚み（単位：μｍ）と前記光学異方素子との屈折率の積の総和のｘ，ｙ，ｚ方向の屈折率を表す。ｎｄx  ，ｎｄyは前記光学異方素子の厚み方向とほぼ垂直である面の面内方向における前記光学異方素子の屈折率成分を表し、ｎｄx  ，ｎｄyは互いに垂直である。ｎｄzは、前記光学異方素子の厚み方向の前記光学異方素子の屈折率成分を表す。また、前記液晶層の厚み（単位：μｍ）をｄLC、前記液晶層の電界無印加の状態における面内方向の直交する屈折率どうしの差をΔｎLCとする。）となることを特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項４】
前記光学異方素子は、８≦Ｚ≦１０を満たすことを特徴とする請求項１または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項５】
前記液晶層の液晶分子のうち、前記液晶セルを構成する基板に隣接している液晶分子は、電界無印加の状態で前記基板面に対し３°〜８°傾いて形成されていることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項６】
前記光学異方素子は、１軸の光軸からなる２枚以上の位相差板の組み合わせからなり、前記少なくとも２枚の位相差板の光軸が異なることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項７】
前記光学異方素子は、１軸の光軸からなる少なくとも１枚の位相差板と、２軸の光軸からなる少なくとも１枚の位相差板とからなることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項８】
前記光学異方素子は、前記液晶セルと前記光学異方素子をほぼ平行に配置したときの前記液晶セルの法線方向に光学異方性が負である少なくとも１枚の位相差板であることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項９】
前記光学異方素子の光軸が前記液晶セルの面内方向にねじれていることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項１０】
前記光学異方素子の光軸が前記液晶セルの法線方向にねじれていることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項１１】
前記光学異方素子の光軸が前記液晶セルの面内方向にねじれかつ前記液晶セルの法線方向にもねじれていることを特徴とする請求項１、２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項１２】
前記液晶層の液晶分子は前記液晶セル内でねじれを有し、前記光学異方素子は前記液晶分子のねじれによる視野角を補償するように光軸がねじれていることを特徴とする請求項１，２または３いずれか記載の液晶電気光学装置。
【請求項１３】
前記光学異方素子は、ポリカーボネイト、ポリアリレート、コレステリック液晶ポリマー、ディスコティック液晶ポリマーのいずれかからなることを特徴とする請求項９、１０または１１いずれか記載の液晶電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶電気光学装置は、
ベンド配向を呈することが可能な液晶層を有する液晶セルと、前記液晶セルの視角依存性を低減させる少なくとも一つの光学異方素子と、を備えた液晶電気光学装置において、
前記光学異方素子は、
Ｚ＝（ｎｄx−ｎｄz）／（ｎｄx−ｎｄy）としたとき、７≦Ｚ≦１０（ｎｄx  ，ｎｄy  ，ｎｄzは、前記液晶セルと前記光学異方素子をほぼ平行に配置したときの前記液晶セルの法線方向における前記光学異方素子の厚み（単位：μｍ）と前記光学異方素子との屈折率の積の総和のｘ，ｙ，ｚ方向の屈折率を表す。ｎｄx  ，ｎｄyは前記光学異方素子の厚み方向とほぼ垂直である面の面内方向における前記光学異方素子の屈折率成分を表し、ｎｄx  ，ｎｄyは互いに垂直である。ｎｄzは、前記光学異方素子の厚み方向の前記光学異方素子の屈折率成分を表す。）を満たすことを特徴とする液晶電気光学装置を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】低基準電圧回路およびその動作方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準電圧回路であって：
大きさが温度に比例する温度依存基準電圧（６１０）を生成する絶対温度比例電圧発生器（６０２）；
接合基準電圧（６１２）を生成する順方向バイアス・バイポーラ接合基準電圧回路（６０４）；および
前記絶対温度比例電圧発生器（６０２）および前記順方向バイアス・バイポーラ接合基準電圧回路（６０４）に結合された加算回路網（６０６）であって、前記温度依存基準電圧を第１の所定の量だけ変更して修正された基準電圧（６２２）を与えることにより、および前記接合基準電圧を第２の所定の量だけ変更して、修正された接合基準電圧（６１６）を与え、その後、前記修正された基準電圧（６２２）と前記修正された接合基準電圧（６１６）とを合成して出力基準電圧（６１４）を生成することにより、バイポーラ半導体接合のバンドギャップ電圧よりも大きさが小さい出力基準電圧（６１４）を生成する、加算回路網（６０６）；
を具備することを特徴とする基準電圧回路。
【請求項２】
ある温度範囲において実質的に一定の基準電圧を与える方法であって：
温度に比例する電圧（１０３６）を抵抗素子の両端に与える段階であって、温度に比例する前記電圧は、前記抵抗素子（１０１０）の両端で与えられることにより第１電流が第１導電経路を介して流れる、段階；
前記第１電流に実質的に比例する第２電流を、第２導電経路を介して印加する段階；
バイポーラ接合デバイス（１０１４）の両端で接合電圧（１０３８）を生成する段階；
前記接合電圧を抵抗素子（１０３０）の両端に印加して第３導電経路を介する第３電流を生成する段階であって、前記第２および第３導電経路は、共通ノード（１０４２）に結合され、第４導電経路が前記共通ノードに結合され、前記第２電流および前記第３電流の和に等しい第４電流を流す、段階；および
前記第４電流に実質的に比例する電流を抵抗素子（１０３４）に印加して、前記温度範囲にわたって実質的に一定の基準電圧を与える段階；
を具備することを特徴とする方法。
【請求項３】
基準電圧回路であって：
大きさが温度に比例する温度依存基準電圧を生成する電圧発生器（６０２）；
接合基準電圧を生成する順方向バイアス・バイポーラ接合基準電圧回路（６０４）；
前記電圧発生器に結合され、前記温度依存基準電圧を受ける電圧乗算回路（６３０）であって、該電圧乗算回路は前記温度依存基準電圧をある乗数で乗算して乗算された基準電圧を生成するもの；
前記順方向バイアス・バイポーラ接合基準電圧回路に結合され、前記接合基準電圧を受ける分圧回路（６２０）であって、該分圧回路は前記接合基準電圧をある除数で除算して分圧された接合基準電圧を生成するもの；および
前記電圧乗算回路および前記分圧回路に結合された加算回路（６１８）であって、該加算回路は前記乗算された基準電圧を前記分圧された接合基準電圧に加算して出力基準電圧を生成するもの；
を具備することを特徴とする基準電圧回路。
【請求項４】
基準電圧回路であって：
大きさが温度に比例する温度依存基準電圧を生成する電圧発生器（６０２）；
前記電圧発生器に結合され前記温度依存基準電圧に比例する電流を生成する第１電圧−電流発生回路；
接合基準電圧を生成するための順方向バイアス・バイポーラ基準電圧回路（６０４）；
前記順方向バイアス・バイポーラ接合基準電圧回路に結合され前記接合基準電圧に比例する電流を生成する第２電圧−電流発生回路；
前記温度依存基準電圧に比例する前記電流および前記接合基準電圧に比例する前記電流を受けるよう結合された加算回路（６１８）であって、該加算回路は前記温度依存基準電圧に比例する電流および前記接合基準電圧に比例する電流を加算して加算された電流を生成するもの；および
前記加算回路に結合され前記加算された電流に基づき電圧を生成する出力段（１０３２，１０３４）であって、該電圧は実質的に温度変化に対して一定でありかつバンドギャップ電圧よりも小さいもの；
を具備することを特徴とする基準電圧回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月9日(2003.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記のマトリックスを構成する（ａ）成分と改質剤としての（ｂ）成分及び／又は（ｃ）成分の混合物からなり、各成分の割合が重量比で（ａ）／｛（ｂ）＋（ｃ）｝＝７５〜９０／２５〜１０、かつ（ｃ）≦１５であることを特徴とするポリオレフィン系樹脂シート。
（ａ）成分; 結晶融解ピーク温度が１３０℃以上にのみ存在する結晶性ポリプロピレン系樹脂
（ｂ）成分; 13Ｃ−ＮＭＲスペクトルによるメソペンタッド分率とラセモペンタッド分率の和（ｍｍｍｍ＋ｒｒｒｒ）が３０〜７０％の範囲にあり、分子鎖中に結晶性のブロックと非晶性のブロック部分が混在している立体規則性を制御された軟質ポリプロピレン系樹脂
（ｃ）成分;ガラス転移温度が０℃以下のビニル芳香族化合物と共役ジエンとの共重合体またはその水素添加誘導体