Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１及び第２基板間に液晶が封入されてなり、
前記液晶の周囲に位置すると共に前記液晶の注入口を除く所定のシール領域において前記第１及び第２基板を相互に貼り合せるシール材と、前記注入口を塞ぐ封止材とを備えており、
前記第１基板及び前記第１基板の前記液晶側の面上に形成される一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記注入口に対向する部分が凹状に形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１基板は、前記第２基板に対向しない張り出し部分を含み、該張り出し部分に面する側に前記注入口が配置されており、
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記張り出し部分上において前記注入口に隣接する滴下領域に対向する部分も凹状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記シール領域に対向する部分も凹状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記シール領域における前記第１及び第２基板間のギャップが、画像表示領域の輪郭を規定する額縁領域における前記第１及び第２基板間のギャップより大きいことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、画像表示領域の輪郭を規定する額縁領域のうち、前記シール領域の前記注入口が設けられていない各辺と前記画像表示領域との間にある領域に対向する部分は、凹状に形成されておらず、
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記額縁領域のうち、前記シール領域の前記注入口が設けられている一辺と前記画像表示領域との間にある領域に対向する部分は、凹状に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１基板上には、所定の平面パターンを有するパターン部が形成されており、
前記凹状に形成された部分に、前記パターン部が埋め込まれていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記パターン部は、前記注入口が設けられたシール領域の一辺に対して整列された複数のパターン部分を含み、
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記注入口に対向する部分のみならず前記シール領域の一辺に対向する部分が凹状に形成されており、前記複数のパターン部分は、前記凹状に形成された部分に一様に埋め込まれていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記パターン部は、前記液晶に対面する領域内に配線された内部配線と該内部配線から前記液晶の周囲に引き出される引き出し配線とを含み、
前記引き出し配線は前記注入口に対向する領域において埋め込まれていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記パターン部は、前記液晶に対面する領域内に配線されたデータ線と、前記シール領域の内側に沿って位置する額縁領域のうち前記注入口付近にある一辺に配置されており画像信号をサンプリングして前記データ線に供給するサンプリング回路とを含み、
前記第１基板及び前記一の絶縁膜のうち少なくとも一方は、前記サンプリング回路に対向する部分も凹状に形成されており、前記サンプリング回路は凹状に形成された部分に埋め込まれていることを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記シール材には、前記第１及び第２基板とを所定ギャップで貼り合わせるためのギャップ材が混入されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
一対の第１及び第２基板間に液晶が封入されてなる液晶装置を製造する液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板及び前記第１基板の前記液晶側の面上に形成される一の絶縁膜のうち少なくとも一方における前記液晶の注入口に対向する部分を凹状に形成する工程と、
前記液晶の周囲に位置すると共に前記注入口を除く所定のシール領域において前記第１及び第２基板をシール材により相互に貼り合せる工程と、
前記第１及び第２基板間に前記液晶を前記注入口を介して真空注入する工程と、
前記真空注入工程の後に封止材により前記注入口を塞ぐ封止工程と
を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の液晶装置において、前記凹状に形成された部分は画素表示領域にも延設されていることを特徴とする液晶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びにプロジェクタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、
該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、
該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、
該平坦化された一の層間絶縁膜上に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されるようにデータ線を形成する工程と、
該データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、
該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続されるように画素電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記一の層間絶縁膜を形成する工程と前記平坦化する工程との間に、前記一の層間絶縁膜に対し７００℃以上の熱処理を施す工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化前の一の層間絶縁膜の膜厚は２０００ｎｍであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記データ線を平面的に見て少なくとも部分的に覆う非光透過膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記画素スイッチング用素子を形成する工程と前記画素電極を形成する工程との間において非光透過膜を形成する工程と同時に且つ導電性を有する前記非光透過膜と同一膜から、前記画素電極と前記画素スイッチング用素子の他の端子とを接続するための導電膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
非光透過膜を形成する工程と同時に且つ前記非光透過膜と同一膜から、前記画素スイッチング用素子を構成する薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域並びに該チャネル領域及びドレイン領域の接合部を平面的に見て覆う遮光膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
非光透過膜を形成する工程では、前記非光透過膜と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重なるように前記非光透過膜を形成することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記データ線を形成する工程及び前記画素電極を形成する工程では、前記データ線と前記画素電極とが平面的に見て少なくとも部分的に重ならないように前記データ線と前記画素電極とを形成することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記平坦化する工程と前記データ線を形成する工程との間に、前記一のコンタクトホールを開孔すると同時に前記データ線を形成する際のアラインメントマークとなる開孔部を開孔する工程を更に含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板上の前記データ線に対向する位置に遮光膜を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記遮光膜は、前記画素スイッチング用素子を構成する薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域並びに該チャネル領域及びドレイン領域の接合部を平面的に見て覆うように形成することを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記遮光膜は、前記遮光膜の縁と前記画素電極の縁とが平面的に見て重なるように、且つ前記データ線の縁と前記画素電極の縁とが平面的に見て重ならないように、形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記データ線の膜厚と前記画素電極の膜厚がほぼ等しいことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に、
画素スイッチング用素子と、
該画素スイッチング用素子の上方に形成され且つ平坦化された一の層間絶縁膜と、
該一の層間絶縁膜上に形成され且つ一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されたデータ線と、
該データ線上に形成された他の層間絶縁膜と、
該他の層間絶縁膜上に形成され且つ他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続された画素電極と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法により製造された電気光学装置を備えることを特徴とするプロジェクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に画素スイッチング用素子を形成する工程と、該画素スイッチング用素子の上方に一の層間絶縁膜を形成する工程と、該一の層間絶縁膜を平坦化する工程と、該平坦化された一の層間絶縁膜上に一のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の一の端子に接続されるようにデータ線を形成する工程と、該データ線上に他の層間絶縁膜を形成する工程と、該他の層間絶縁膜上に他のコンタクトホールを介して前記画素スイッチング用素子の他の端子に接続されるように画素電極を形成する工程とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月3日(2003.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信端末を動作させるためのプログラム、及び該プログラムのバージョン情報を記憶するプログラムメモリと、
前記プログラムの実行の際に利用されるデータを記憶するデータメモリと、
前記データメモリに記憶されているデータが前記プログラムメモリに記憶されているプログラムによって実行可能であるとき、前記プログラムメモリに記憶されているバージョン情報を前記データメモリに書き込むメモリバージョン記憶手段と、
前記プログラムメモリに記憶されているバージョン情報と前記データメモリに記憶されているバージョン情報とが一致しているか不一致であるかを判定する判定手段と、
前記判定手段による判定の結果が不一致であるとき、前記データメモリに記憶されているデータを、前記プログラムメモリに記憶されているプログラムによって実行可能なデータ構成に再構築するメモリ管理手段と
を具備することを特徴とする移動通信端末装置。
【請求項２】
前記メモリ管理手段は、さらに、前記判定手段による判定の結果が不一致であるとき、前記プログラムメモリに記憶されているバージョン情報の無効を判定し、無効と判定すると前記データメモリを初期化することを特徴とする請求項１記載の移動通信端末装置。
【請求項３】
前記メモリ管理手段は、さらに、前記判定手段による判定の結果が不一致であるとき、前記プログラムメモリのメモリ管理項目に追加があるか否かを判定し、追加があると判定すると前記データメモリに項目を追加してデータ構成の再構築を行うことを特徴とする請求項１記載の移動通信端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月28日(2003.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の計算機、前記第１の計算機に接続された第２の計算機、前記第２の計算機に接続され、前記第２の計算機により利用される固定長記録形式のデータを格納した第１の記憶装置、及び、前記第１の計算機に接続され、可変長記録形式でデータを格納するバックアップ装置を有する情報処理システムにおいて、前記第１の記憶装置に格納されたデータを前記バックアップ装置にバックアップするためのバックアップ方法であって、
前記第１の計算機から前記第２の計算機に前記固定長記録形式のデータの読み出しを要求し、
前記要求に応答して、前記第２の計算機により前記第１の記憶装置から前記固定長記録形式のデータを読み出して前記第１の計算機に転送し、
前記第１の計算機において、前記固定長記録形式のデータを可変長記録形式のデータに変換し、
前記変換されたデータを前記バックアップ装置に格納する、バックアップ方法。
【請求項２】
前記第１の記憶装置における前記固定長記録形式のデータの先頭及び最後の位置を識別するためのボリューム情報を作成し、前記ボリューム情報を前記第１の記憶装置からアクセス可能な記憶装置に格納する処理を有する、請求項１記載のバックアップ方法。
【請求項３】
前記格納するステップは、前記ボリューム情報を前記第１の計算機が有する主記憶内の所定の領域に格納する、請求項２記載のバックアップ方法。
【請求項４】
第１の計算機、第２の計算機、前記第１の計算機と前記第２の計算機の双方に接続され、前記第２の計算機により利用される固定長記録形式のデータを格納した記憶装置、及び、前記第１の計算機に接続され、可変長記録形式のデータを格納するバックアップ装置を有する情報処理システムにおいて、前記記憶装置に格納されたデータを前記バックアップ装置にバックアップするためのバックアップ方法であって、
前記第１の計算機により、バックアップするためのデータの範囲を示すボリューム情報に基づいて、前記記憶装置から前記固定長記録形式のデータを読み出し、
前記第１の計算機において、前記固定長記録形式のデータを可変長記録形式のデータに変換し、
変換された可変長記録形式のデータを前記バックアップ装置に格納する、バックアップ方法。
【請求項５】
第１の計算機、前記第１の計算機に接続された第２の計算機、前記第２の計算機に接続され、前記第２の計算機により利用される固定長記録形式のデータを格納した第１の記憶装置、及び、前記第１の計算機に接続され、可変長記録形式でデータを格納するバックアップ装置を有する情報処理システムであって、
前記第１の計算機は、前記第２の計算機に前記固定長記録形式のデータの読み出しを要求する手段を備え、
前記第２の計算機は、前記要求に応答して、前記第１の記憶装置から前記固定長記録形式のデータを読み出して前記第１の計算機に転送する手段を備え、
前記第１の計算機は、更に、前記固定長記録形式のデータを可変長記録形式のデータに変換し、前記変換されたデータを前記バックアップ装置に格納する手段を備える、情報処理システム。
【請求項６】
前記第１の計算機は、前記第１の記憶装置における前記固定長記録形式のデータの先頭及び最後の位置を識別するためのボリューム情報を作成し、前記ボリューム情報を前記第１の記憶装置からアクセス可能な記憶装置に格納する手段を備える、請求項５記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記格納する手段は、前記ボリューム情報を前記第１の計算機が有する主記憶内の所定の領域に格納する手段を含む、請求項６記載の情報処理システム。
【請求項８】
第１の計算機、第２の計算機、前記第１の計算機と前記第２の計算機の双方に接続され、前記第２の計算機により利用される固定長記録形式のデータを格納した記憶装置、及び、前記第１の計算機に接続され、可変長記録形式のデータを格納するバックアップ装置を有する情報処理システムにおいて、
前記第１の計算機は、バックアップするためのデータの範囲を示すボリューム情報に基づいて、前記記憶装置から前記固定長記録形式のデータを読み出す手段と、
前記固定長記録形式のデータを可変長記録形式のデータに変換する手段と、
変換された可変長記録形式のデータを前記バックアップ装置に格納する手段を備える、情報処理システム。
【請求項９】
可変長記録形式でデータを格納するバックアップ装置と、第２の計算機に接続される第１の計算機であって、
前記第１の計算機は、前記第２の計算機に、前記第２の計算機が利用する第１の記憶装置に格納される固定長記録形式のデータの読み出しを要求する手段と、
前記要求したデータを前記第２の計算機から受信する手段と、
前記受信したデータを可変長記録形式のデータに変換する手段と、
前記変換されたデータを前記バックアップ装置に格納する手段を備える、第１の計算機。
【請求項１０】
前記第１の計算機は、前記第１の記憶装置における前記固定長記録形式のデータの先頭及び最後の位置を識別するためのボリューム情報を作成し、前記ボリューム情報を前記第１の記憶装置からアクセス可能な記憶装置に格納する手段を備える、請求項９記載の第１の計算機。
【請求項１１】
前記格納する手段は、前記ボリューム情報を前記第１の計算機が有する主記憶内の所定の領域に格納する手段を含む、請求項１０記載の第１の計算機。
【請求項１２】
可変長記録形式でデータを格納するバックアップ装置と、記憶装置に接続される計算機であって、
前記計算機は、バックアップするためのデータの範囲を示すボリューム情報に基づいて、前記記憶装置から前記固定長記録形式のデータを読み出す手段と、
前記固定長記録形式のデータを可変長記録形式のデータに変換する手段と、
変換された可変長記録形式のデータを前記バックアップ装置に格納する手段を備える、計算機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
通常、磁気ディスク装置は、ディスク制御装置とディスク装置とから構成されるディスクサブシステムとして、メインフレームの外部に設けられる。メインフレームは、ディスク装置にデータをリード／ライトする際、可変長記録形式に従ったコマンドをディスクサブシステムに送る。ディスクサブシステム内に設けられたディスク制御装置は、メインフレームから指示されたコマンドを受け取り、ディスク装置にアクセスするため、データを可変長記録形式から固定長記録形式に変換する。このような、可変長形式から固定長形式への変換については、例えば、特開平６−１５０５５７号公報に開示されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
オープンシステム２は、サーバ装置であり、中央処理装置（ＣＰＵ）２２、主記憶装置２１、及び、他系の情報処理装置との情報およびデータの授受を制御する通信装置（Ｉ／Ｏチャネル）２３、２４を有する。メインフレーム１とオープンシステム２は、Ｉ／Ｏチャネル１６とＩ／Ｏチャネル２４により、通信線３４を介して接続される。Ｉ／Ｏチャネル２３は、固定長アクセスインターフェースを持ち、外部記憶装置４と通信線３２を介して接続される。また、Ｉ／Ｏチャネル２３は、通信線３３を介して外部記憶装置５にも接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された第１基板と、
前記第１基板に対向して配置され、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに外部からの入射光を集光する第１マイクロレンズを含む第２基板と、
前記第２基板の前記第１基板側と反対側に設けられ、各前記画素に対応してマトリクス状に配置されるとともに前記入射光を集光する第２マトリクスレンズと
前記第１基板と前記第２基板の間に挟持された電気光学物質とを備え、
前記第２基板の第１マイクロレンズ間の境界には第１遮光膜を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは対向配置されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２マイクロレンズは、前記第２基板の前記第1基板と反対側に配置された第３基板上に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第３基板上に設けられた前記第２マイクロレンズは、前記第1基板と反対側に配置されてなることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第３基板上に設けられた前記第２マイクロレンズは、前記第２基板と直接接着されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２マイクロレンズは前記第３基板の前記第２基板側に配置されてなり、前記第３基板の厚さは前記第２基板の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項３又は請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第1マイクロレンズは前記第２基板の前記第1基板側に配置されてなり、前記第２マイクロレンズは前記第２基板の前記第1基板と反対側に配置されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１基板上には複数の走査線と、前記走査線に交差する複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有し、前記第１基板上において前記画素電極の周辺の画素開口領域を相互に区切る遮光領域を少なくとも部分的に規定する第２遮光膜を有し、前記第１遮光膜は、平面的にみて前記遮光領域に覆われていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載に電気光学装置。
【請求項９】
前記第２遮光膜は、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記第１基板の側からみて覆う位置に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界に沿って網目状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界に沿って縞状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１遮光膜は、前記複数の第１マイクロレンズの境界のうち前記走査線に沿った方向の境界に夫々沿って島状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記第１マイクロレンズと前記第２マイクロレンズとは同じ平面構造を有することを特徴とする請求項８乃至請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記画素電極上において前記第１マイクロレンズの集光領域にはみださないように前記第１マイクロレンズの集光角度に応じて前記遮光領域が規定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記第２マイクロレンズは入射光を平行光にするように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、光源と、前記光源から出射された光を集光しながら前記電気光学装置に導く集光光学系と、当該電気光学装置で光変調された光を投射面に拡大投影する拡大投影光学系とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記第１マイクロレンズ又は前記第２マイクロレンズの少なくとも一方は凹レンズであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記第１マイクロレンズ又は前記第２マイクロレンズの少なくとも一方は凸レンズであることを特徴とする電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
尚、第２接着剤５０４の屈折率と第２マイクロレンズ５０３の屈折率の関係が、
第２接着剤５０４の屈折率＜第２マイクロレンズ５０３の屈折率
となるように、当該第２接着剤５０４及び第２マイクロレンズ５０３の材質が設定されているとよい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このとき、投射光を画素電極９ａへ集光させるためには、第２マイクロレンズ５０３の屈折率と第２接着剤５０４の屈折率との関係について、
第２マイクロレンズ５０３の屈折率＜第２接着剤５０４の屈折率
となる関係にあり、一方、第１マイクロレンズ５００の屈折率と第１接着剤５０１の屈折率との関係については、
第１マイクロレンズ５００の屈折率＞第１接着剤５０１の屈折率
となる関係になる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
また、上述の実施形態では、第１マイクロレンズ５００で集光された光をさらに第２マイクロレンズ５０３により集光するようにしたが、入射光を第２マイクロレンズ５０３により平行光にすることも可能である。このように第１マイクロレンズで集光された光をさらに第２マイクロレンズにより平行光になるように集光すれば、入射光が画素領域に局部的に集光するのを緩和し、入射光による液晶あるいは配向膜等の劣化を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
著作物を管理する著作物管理サーバにおいて、
著作物を著作物識別情報と共に管理する管理手段と、
当該著作物に、当該著作物上で特定のイベントが発生した場合、当該著作物の複製を含むメニューの表示を無効化する旨のプログラムを付加する付加手段と、
当該著作物を、クライアントに対して送信する送信手段とを有する
ことを特徴とする著作物管理サーバ。
【請求項２】
著作物を管理する著作物管理サーバにおいて、
著作物を著作物識別情報及び利用許諾条件と共に管理する管理手段と、
当該著作物に、当該著作物上での特定のイベントが発生した場合に当該著作物についての利用許諾条件を表示する旨のプログラムを付加する付加手段と、
当該著作物を、クライアントに対して送信する送信手段とを有する
ことを特徴とする著作物管理サーバ。
【請求項３】
利用許諾条件には、当該著作物に対する対価を含み、
前記付加手段は、利用許諾条件に同意する旨の操作が行われた場合に、当該著作物の利用に対する対価に基づき、電子決済を行わせるプログラムを付加する
ことを特徴とする請求項２に記載の著作物管理サーバ。
【請求項４】
前記付加手段は、利用許諾条件に同意する旨の操作が行われた場合に、電子決済システムを行うための情報をクライアントに提供する旨のプログラムを付加する
ことを特徴とする請求項２に記載の著作物管理サーバ。
【請求項５】
著作物を管理する著作物管理サーバにおいて、
著作物を著作物識別情報と共に管理する管理手段と、
当該著作物に、クライアントのマウスカーソルが当該著作物上にある間、当該著作物上に、当該著作物についての著作権表示をする旨のプログラムを付加する付加手段と、
当該著作物を、前記クライアントに対して送信する送信手段とを有する
ことを特徴とする著作物管理サーバ。
【請求項６】
著作物を受信するクライアントにおいて、
サーバから、前記著作物上で特定のイベントが発生した場合、当該著作物の複製を含むメニューの表示を無効化する旨の情報を付加された当該著作物を受信する受信手段と、
著作物上で特定のイベントが発生した場合、前記著作物の複製を含むメニューの表示を無効化する処理手段とを有する
ことを特徴とするクライアント。
【請求項７】
著作物を受信するクライアントにおいて、
サーバから、前記クライアントのマウスカーソルが前記著作物上にある間、当該著作物上に、当該著作物についての著作権表示をする旨の情報を付加された著作物を受信する受信手段と、
前記クライアントのマウスカーソルが前記著作物上にある間、当該著作物上に、当該著作物についての著作権表示をする処理手段とを有する
ことを特徴とするクライアント。
【請求項８】
著作物を管理するプログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体において、
当該プログラムは、
前記著作物に、当該著作物上で特定のイベントが発生した場合、当該著作物の複製を含むメニューの表示を無効化する旨のプログラムを付加するプログラム・コード手段と、
前記著作物を送信する送信手段とを有する
ことを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【請求項９】
著作物を管理するプログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体において、
当該プログラムは、
前記著作物に、クライアントのマウスカーソルが当該著作物上にある間、当該著作物上に、当該著作物についての著作権表示をする旨のプログラムを付加するプログラム・コード手段と、
前記著作物を送信する送信手段とを有する
ことを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単数または複数の端末と複数のネットワークプリンタとをサーバーを介して接続したネットワークプリンタシステムにおいて、
前記端末からユーザーが印刷指示を行う際に、前記サーバーを介して使用可能な前記複数のネットワークプリンタ全ての稼動状況を端末へ伝達し、この伝達された全ネットワークプリンタの稼動状況を端末に表示することを特徴とするネットワークプリンタシステム。
【請求項２】
前記端末に稼動状況が表示されたプリンタの中からユーザーが任意のプリンタを出力先に選択できる選択手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載のネットワークプリンタシステム。
【請求項３】
稼動状況以外にプリンタ自体の情報も前記端末に表示することを特徴とする請求項１または請求項２記載のネットワークプリンタシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明では、単数または複数の端末と複数のネットワークプリンタとをサーバーを介して接続したネットワークプリンタシステムにおいて、前記端末からユーザーが印刷指示を行う際に、前記サーバーを介して使用可能な前記複数のネットワークプリンタ全ての稼動状況を端末へ伝達し、この伝達された全ネットワークプリンタの稼動状況を端末に表示することにより、前記目的を達成する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２記載の発明では、請求項１記載の発明において、前記端末に稼動状況が表示されたプリンタの中からユーザーが任意のプリンタを出力先に選択できる選択手段をさらに備えたことにより、前記目的を達成する。
請求項３記載の発明では、請求項１または請求項２記載の発明において、稼動状況以外にプリンタ自体の情報も前記端末に表示することにより、前記目的を達成する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
請求項１記載の発明では、各ユーザーが端末で使用可能な全ネットワークプリンタの稼動状況を確認できることで、ユーザーが自分の原稿をどのプリンタへ出力することが望ましいのか確認することができる。
請求項２記載の発明では、ユーザーが任意のプリンタを出力先に選択・指示できることによって、ユーザーの好みにあった出力先を選択することができる。
請求項３記載の発明では、稼動状況以外にプリンタの情報も表示することにより、自分の選択しようとしているプリンタが自分の原稿の出力先に適しているかユーザー自信が判断することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プログラム運用環境収集方法ならびに収集装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象プログラムの運用環境を示す定義情報を収集するプログラム運用環境収集方法において、
定義情報管理領域に蓄積されている定義情報から、前記対象プログラムが読み込んだ定義情報を識別し、
前記識別した定義情報を出力する、
ことを特徴とするプログラム運用環境収集方法。
【請求項２】
出力要求の信号を受信し、当該出力要求を契機に、ワーク領域あるいはメモリに保存されている前記定義情報を抽出し、当該定義情報を出力する、
ことを特徴とする請求項１記載のプログラム運用環境収集方法。
【請求項３】
対象プログラムの運用環境を示す定義情報を収集するプログラム運用環境収集装置において、
定義情報管理領域に蓄積されている定義情報から、前記対象プログラムが読み込んだ定義情報を識別する識別手段と、
前記識別した定義情報を出力する出力手段、
を有することを特徴とするプログラム運用環境収集装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上の課題を次のようにして解決する。
（１）対象プログラムの運用環境を示す定義情報を収集するプログラム運用環境収集方法において、定義情報管理領域に蓄積されている定義情報から、前記対象プログラムが読み込んだ定義情報を識別し、前記識別した定義情報を出力する。
（２）上記（１）において、出力要求の信号を受信し、当該出力要求を契機に、ワーク領域あるいはメモリに保存されている前記定義情報を抽出し、当該定義情報を出力する。
（３）対象プログラムの運用環境を示す定義情報を収集するプログラム運用環境収集装置において、定義情報管理領域に蓄積されている定義情報から、前記対象プログラムが読み込んだ定義情報を識別する識別手段と、前記識別した定義情報を出力する出力手段とを備える。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜、結晶性珪素膜の作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質半導体膜を加熱して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に酸化珪素膜又は窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜又は窒化珪素膜上に第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱することを特徴とする半導体膜の作製方法。
【請求項２】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜又は窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜又は窒化珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜及び前記第２の非晶質珪素膜を加熱して前記第２の非晶質珪素膜を結晶化し、
前記結晶化された第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜又は窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜又は窒化珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜と前記第２の非晶質珪素膜を加熱し、
前記第２の非晶質珪素膜を除去し、
前記酸化珪素膜又は窒化珪素膜を除去し、
前記結晶性珪素膜に加熱処理を行う又はレーザー光を照射することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の非晶質珪素膜の膜厚は、前記第１の非晶質珪素膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第２の非晶質珪素膜は、ＣＶＤ法又はスパッタ法を用いて形成されることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項６】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜と前記第２の非晶質珪素膜を加熱し、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項７】
第１の非晶質珪素膜上にマスクを形成して前記第１の非晶質珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈させた第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する元素を導入し、
前記マスクを除去し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜と前記第２の非晶質珪素膜を加熱し、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至６のいずれか一において、
前記結晶性珪素膜および前記第２の非晶質珪素膜の加熱後、前記第２の非晶質珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度よりも高くなることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕもしくはＡｕであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月19日(2003.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ又はＦｅから選ばれる少なくとも１種を表し、Ｂは、Ｍｇ又はＣａから選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されるリチウム遷移金属複合酸化物を含有することを特徴とする正極活物質。
【請求項２】
上記リチウム遷移金属複合酸化物は、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌを表し、Ｂは、Ｍｇを表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されることを特徴とする請求項１記載の正極活物質。
【請求項３】
正極と、負極と、正極と負極との間に介在される非水電解質とを備え、
上記正極は、正極活物質として、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ又はＦｅから選ばれる少なくとも１種を表し、Ｂは、Ｍｇ又はＣａから選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されるリチウム遷移金属複合酸化物を含有することを特徴とする非水電解質電池。
【請求項４】
上記リチウム遷移金属複合酸化物は、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌを表し、Ｂは、Ｍｇを表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されることを特徴とする請求項３記載の非水電解質電池。
【請求項５】
コバルト化合物と、リチウム化合物と、アルミニウム、クロム、バナジウム、マンガン又は鉄から選ばれる少なくとも１種の元素の化合物と、マグネシウム又はカルシウムから選ばれる少なくとも１種の元素の化合物とを所定の割合で混合する混合工程と、
上記混合工程で得られる混合物を焼成することにより、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ又はＦｅから選ばれる少なくとも１種を表し、Ｂは、Ｍｇ又はＣａから選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表される化合物を得る焼成工程とを有し、
上記混合工程において、マグネシウム又はカルシウムから選ばれる少なくとも１種の元素の化合物として、炭酸マグネシウム又は炭酸カルシウムを用いることを特徴とする正極活物質の製造方法。
【請求項６】
上記化合物は、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌを表し、Ｂは、Ｍｇを表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されることを特徴とする請求項５記載の正極活物質の製造方法。
【請求項７】
正極と、負極と、正極と負極との間に介在される非水電解質とを備えた非水電解質電池の製造方法であって、
上記正極を作製する際に、
コバルト化合物と、リチウム化合物と、アルミニウム、クロム、バナジウム、マンガン又は鉄から選ばれる少なくとも１種の元素の化合物と、マグネシウム又はカルシウムから選ばれる少なくとも１種の元素の化合物とを所定の割合で混合する混合工程と、
上記混合工程で得られる混合物を焼成することにより、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌ，Ｃｒ，Ｖ，Ｍｎ又はＦｅから選ばれる少なくとも１種を表し、Ｂは、Ｍｇ又はＣａから選ばれる少なくとも１種を表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表される化合物を得る焼成工程とを有し、
上記混合工程において、マグネシウム又はカルシウムから選ばれる少なくとも１種の元素の化合物として、炭酸マグネシウム又は炭酸カルシウムを用いることを特徴とする非水電解質電池の製造方法。
【請求項８】
上記化合物は、一般式ＬｉＣｏｘＡｙＢｚＯ２（式中、Ａは、Ａｌを表し、Ｂは、Ｍｇを表し、ｘ，ｙ，ｚは、それぞれ０．９≦ｘ＜１、０．００１≦ｙ≦０．０５、０．００１≦ｚ≦０．０５の範囲の数である。）で表されることを特徴とする請求項７記載の非水電解質電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月3日(2003.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
そして、本発明に係る燃料電池用複合触媒は、図２〜図４のように陽イオン交換樹脂がカーボン粒子個々の表面に備えられていてもよいし、図５〜図６のように二次粒子を形成したカーボン粒子の表面に備えられていてもよい。そして、陽イオン交換樹脂は、図３、図４、図６のように多孔性の構造であることが、三相界面近傍へのガスの拡散が良好となり好ましい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、１１１  カーボン粒子
２２、３２、４２、５２、６２、８３、１０１  陽イオン交換樹脂
７２、１１２  陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路
７３、１１３  陽イオン交換樹脂のテフロン骨格部
７５、８２、１１４、１１５、１１６  触媒金属
１０２ 触媒金属が坦持されたカーボン粒子
１０３  細孔
１０４  イオン交換膜


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2001319661.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月17日(2003.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油液が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、一端が該ピストンに連結され他端が前記シリンダの外部まで延ばされたピストンロッドと、前記ピストンの摺動によって油液を流通させる主通路と、前記主通路に設けられ、該主通路の流路面積を調整する主減衰弁と、該主減衰弁の弁体の背面部に設けられ該弁体の閉弁方向に内圧を作用させるパイロット室と、該パイロット室と接続される通路の流路面積を調整することによりパイロット室の内圧を調整する可変オリフィスとを備えてなる減衰力調整式油圧緩衝器において、
前記主減衰弁は、環状に突設された弁座と、該弁座に着座する円板状の弁体とを備え、前記弁体の外周部が前記弁座側へ延出されて該弁座の外周部との間に隙間を形成する円筒状の案内部が形成されており、前記弁体の開弁時における油液の噴流を前記弁座の外周部と前記案内部との間の隙間に向けて噴出させるようになっていることを特徴とする減衰力調整式油圧緩衝器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、油液が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、一端が該ピストンに連結され他端が前記シリンダの外部まで延ばされたピストンロッドと、前記ピストンの摺動によって油液を流通させる主通路と、前記主通路に設けられ、該主通路の流路面積を調整する主減衰弁と、該主減衰弁の弁体の背面部に設けられ該弁体の閉弁方向に内圧を作用させるパイロット室と、該パイロット室と接続される通路の流路面積を調整することによりパイロット室の内圧を調整する可変オリフィスとを備えてなる減衰力調整式油圧緩衝器において、
前記主減衰弁は、環状に突設された弁座と、該弁座に着座する円板状の弁体とを備え、前記弁体の外周部が前記弁座側へ延出されて該弁座の外周部との間に隙間を形成する円筒状の案内部が形成されており、前記弁体の開弁時における油液の噴流を前記弁座の外周部と前記案内部との間の隙間に向けて噴出させるようになっていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように構成したことにより、ピストンロッドのストロークにともなうピストンの移動によって主通路、通路に生じる油液の流動を主減衰弁、固定オリフィスおよび可変オリフィスによって制御して減衰力を発生させる。ピストン速度が小さく、主減衰弁の開弁前は、固定オリフィスおよび可変オリフィスの流路面積に応じて減衰力が発生し、ピストン速度が大きくなって主減衰弁が開弁すると、その開度に応じて減衰力が発生する。可変オリフィスの流路面積を調整することにより、通路の流路面積を直接調整するとともに、パイロット室の圧力を変化させて主減衰弁の開弁特性を調整する。主減衰弁の開弁時における油液の噴流は、弁体の案内部と弁座との隙間に向かって、弁座の外周部に沿うような噴出角度をもって噴出される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月27日(2004.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための第２の移動手段３８を具備している。第２の移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動せしめられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図示の実施形態のおけるレーザービームユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザビーム加工手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２２ａ、４２２ａに摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１ａ、５１ａが設けられており、この被案内溝５１ａ、５１ａを上記案内レール４２２ａ、４２２ａに嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。図示の実施形態におけるレーザービームユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２２ａ、４２２ａに沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための第４の移動手段５３を具備している。第４の移動手段５３は、上記第１乃至第３の移動手段と同様に一対案内レール４２２ａ、４２２ａの間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２２ａ、４２２ａに沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述したようにチャックテーブル３６がアライメント手段６の直下に位置付けられると、アライメント手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に形成されているストリートと、ストリートに沿ってレーザービームを照射するレーザービームユニット５のレーザビーム照射手段５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザビーム照射位置のアライメントが遂行される。このアライメントの際には、照明装置６１から照射された赤外線が顕微鏡６２を介してチャックテーブル３６上に裏面を上側に保持されている半導体ウエーハ１０に照射される。ここで、半導体ウエーハ１０に照射される赤外線の波長について検討する。図７は、半導体ウエーハの材料として用いられるシリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウム（ＩｎＰ）の結晶の光透過率を示すグラフであり、横軸が光の波長で縦軸が透過率を示している。図７から判るように、上述したいずれの材料も、波長が１〜１０μｍの赤外線領域で高い透過率である。従って、上記アライメント手段６を構成する照明装置６１の狭帯域フィルタ６１４および顕微鏡６２の狭帯域フィルタ６２４は、１〜１０μｍの赤外線のみを透過させる狭帯域フィルタであればよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
なお、上述した図示の実施形態においては、切断工程を遂行する際に、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を移動せしめているが、レーザビーム照射手段５２４を移動させてもよい。また図示の実施形態においては、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０を矢印Ｙ方向に割り出し移動する例を示したが、レーザビーム照射手段５２４を矢印Ｙ方向に割り出し移動する構成にすることもできる。しかしながら、レーザビーム照射手段５２４を移動せしめる場合には、振動等に起因して精度が劣化する虞があるので、レーザビーム照射手段５２４は静止せしめて、チャックテーブル３６、従ってこれに保持された半導体ウエーハ１０を適宜に移動せしめるのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
砥石車１は、図２および図３に示すように、研削ホイール１１と、該研削ホイール１１に装着された複数（図示例では２個）の研削砥石１２，１２とを主要部として構成されている。各研削砥石１２としては、図示のように径の相違する環状の砥石が用いられ、これらが砥石車１の回転軸（砥石軸）ｘを中心に研削ホイール１１に同心状に装着されている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
参考例４に記載した方法により測定した吸放湿試験によれば、参考例１のケイ酸カルシウムと比較して、吸湿量は若干小さく，放湿速度は若干大きかった。
参考例４
（吸放湿試験）
下記の測定方法により、参考例１および２で得られた建材について吸湿率および放吸湿速度を測定した。
（１）測定方法／装置
測定装置：Heiden  Analytical  Ltd.社製  「IGA  SORP」
測定方法：約１ｃｃの測定バスケットに、粉末試料はそのまま、塊状試料は２〜３      ｍｍ程度に調整して、充てんして測定。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この現状を鑑み、インクジェット記録用シートの改良が検討されている。例えば、特開平０８−２９５０７５号公報や特開平０７−２７６７９１号公報に代表されるように、アミノ酸の添加により色再現性やインク吸収性を向上させる方法が報告されている。また、画像の耐光性向上にはポリフェノール等の添加剤が効果があるとの報告もなされている。しかしながら、これらのアミノ酸のみの添加では、画像鮮明性の低下や、耐光性、耐湿性の低下等の弊害が確認され、ポリフェノールの添加では、経時黄変等の弊害が生じる等、印字濃度や画像鮮明性と保存性の両者を向上させるものはなかった。したがって、本発明は、画像鮮明性、印字濃度等の記録特性と、画像の耐光性、耐オゾンガス性等の保存性とを共に向上し得る、優れたインクジェット記録用シートを提供することを目的としている。