Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上の少なくとも一方にインク受容層を有するインクジェット記録用シートにおいて、該インク受容層が、ＢＥＴ法による比表面積が２００ｍ2／ｇ以上の気相法シリカ、該気相法シリカに対して１０〜３０重量％のポリビニルアルコール、及びポリビニルアルコールの水溶性可塑剤を含有することを特徴とするインクジェット記録用シート。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、加熱時反応して発色する感熱記録層を有し、更にその上に感熱記録層の側から高分子化合物を主成分とする第１および第２の保護層を有する感熱記録材料において、第２の保護層がＪＩＳ−Ｋ−５１０１によって測定した吸油量が２００ｍｌ／１００ｇ以上である多孔性顔料を含有することを特徴とする感熱記録材料。
【請求項２】
該第２の保護層に含有される多孔性顔料が合成非晶質シリカであることを特徴とする請求項１記載の感熱記録材料。
【請求項３】
該第１の保護層の主成分である高分子化合物がポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項１または２記載の感熱記録材料。
【請求項４】
該第２の保護層の主成分である高分子化合物が水分散性高分子化合物であることを特徴とする請求項３記載の感熱記録材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
以上の配合で調整した第２の保護層形成用塗工液を第１の保護層上に塗工量２ｇ／ｍ2になるように塗工、乾燥、スーパーカレンダー処理し、感熱記録材料を得た。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
実施例１において、第１の保護層に用いたポリビニルアルコール水溶液を４０％ポリ酢酸ビニル水性分散液２５部に変更した以外は実施例１と全く同様にして感熱記録材料を得た。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
比較例３
実施例１において、第２の保護層に用いたウレタン樹脂水分散液を４０％ポリ酢酸ビニル水性分散液２５部に変更し、分散液１を分散液７に変更した以外は実施例１と全く同様にして感熱記録材料を得た。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
（５）記録走行性
得られた感熱記録材料をＧ３感熱ファクシミリ装置（松下電器製、ＫＸ−ＰＷ３ＴＡ）を用いて印字した。画像電子学会ＮＯ．３ファクシミリチャートを送画し、スティッキング（印字部の横段状の白抜け）の発生状況を目視で判定した。評価は以下の指標に従った。
◎：スティッキングが殆どなく、良好である。
○：スティッキングが若干認められるが、実用上問題ない。
△：スティッキングが認められるが、実用可能である。
×：スティッキングが多く認められ、実用不可である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
図３は本発明が適用された画像形成装置の実施の一形態であり、本実施の形態ではレーザビームプリンタが示されている。
同図において、画像形成装置は、装置ケース１０の各ユニット受部２０に各種ユニット３１〜４０等を取り外し自在に装着し、用紙などのシートＰに画像を転写定着させた後に排出するようにしたものである。
本実施の形態において、装置ケース１０は、剛性枠体としてのフレーム１１と、このフレーム１１の周囲を覆うカバー１２とを備えており、カバー１２の上面部の一部には排出トレイ１４を兼用する開閉可能な開閉蓋を有し、カバー１２のフロント側面の一部にはシート取扱い開口１５を設けたものである。
そして、ユニット受部２０は、フレーム１１又はカバー１２のいずれか、あるいは、これらの適宜組み合せによってユニット３１〜４２等を受け止め保持するように構成されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
従って、本実施の形態における転写ユニット３５を取り外す場合には以下のような手順で行うようにすればよい（図８，図９参照）。
先ず、排出トレイ１４を開放した際の開口１４ａを通じてプロセスカートリッジ３１をプロセスガイドピース５２（図７参照）から取り外す。
次いで、手差しユニット３３の開閉蓋３３２を開けて手差しユニット３３をシートガイドピース５１から取り外す。
この状態において、プロセスカートリッジ３１及び手差しトレイ３３が取り除かれた空間が確保されるため、例えばドライバーなどの工具を手に持ち、プロセスカートリッジ３１に対応する空間ＳＰ(1)から転写ユニット３５の上側の止め具６３を取り外し、一方、手差しユニット３３に対応する空間ＳＰ(2)から転写ユニット３５の下側の止め具６３を取り外す。
この後、転写ユニット３５を縦方向フレーム１１３から離間させ、例えば排出トレイ１４を開放した際の開口１４ａを通じて転写ユニット３５を引き出すようにすればよい。
このように、転写ユニット３５の手前側に位置するユニットであるプロセスカートリッジ３１及び手差しユニット３３を取り外せば、それらのユニットが取り除かれた空間を利用して転写ユニット３５の取り外し操作が簡単に行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
更にまた、装置ケース１０のフレーム１１のうち、縦方向フレーム１１３の上端部には水平方向に延びる折曲部１１３ｂ（図７参照）を有し、この折曲部１１３ｂには、図１１に示すように、揺動自在なＬ字状カバー３７２を開閉自在とし、かつ、開度規制部材３７３にて開度を規制したシート排出ユニット３７が設けられており、例えば開度規制部材３７３によるネジなどの連結部３７４を取り外すことにより、このシート排出ユニット３７のＬ字状カバー３７２が取り外されるようになっている。
また、シート排出ユニット３７の内側には、図１２に示すように、定着ユニット３６が組み込まれており、この定着ユニット３６は、例えばシート排出ユニット３７の幅方向一側に対応した部位にはシート排出ユニット３７の固定側ユニットケース３７０に形成された位置決め孔３６４に係合する位置決めボス３６５を突設する一方、揺動自在に設けられた保持アーム３６６にて前記シート排出ユニット３７の幅方向他側に対応した部位を係脱自在に保持するようにしたものである。
よって、定着ユニット３６を取り外す場合には、シート排出ユニット３７のＬ字状カバー３７２を開放した後、保持アーム３６６による保持を解除し、定着ユニット３６を保持アーム３６６側にずらすことにより位置決め部（位置決め孔３６４，位置決めボス３６５）による位置決めを解除した後に、定着ユニット３６を上方へ外すようにすればよい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、高圧電源ユニット３９のユニット受部２０は、図３及び図１４に示すように、両面搬送ユニット３８のユニット受部２０に連通配置するものであり、両面搬送ユニット３８が取り除かれた空間を利用し、縦方向フレーム１１３及び外枠フレーム１１１にネジなどの止め具６３を介して止着されている高圧電源ユニットカバー１３１を取り外すことで、縦方向フレーム１１３にて区画される空間部である。
そして、高圧電源ユニット３９は、図１５に示すように、縦方向フレーム１１３のアッパリアカバー１２２（図１３参照）側にネジなどの止め具６３にて止着されている。尚、符号３９１は転写ユニット３５の転写ロール３５２に通じるハーネス３５５との連結コネクタ部（アース部を含む）、３９２は高圧電源ユニット３９の止め具６３の緩みによる脱落を防止する支持片である。
従って、高圧電源ユニット３９を取り外す場合には、図１３〜図１５に示すように、アッパリアカバー１２２を開放した後、両面搬送ユニット３８を取り外し、しかる後、高圧電源ユニットカバー１３１を取り外した後に、高圧電源ユニット３９を取り外すようにすればよい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、駆動ユニット４２のユニット受部２０は、図１８に示すように、装置ケース１０のカバー１２のサイドカバー（図示せず）を開放したときに、フレーム１１の外枠フレーム１１１の一側壁の取付孔１１５縁で区画される空間部である。
そして、駆動ユニット４２は、モータアッセンブリ４２１及びギアアッセンブリ４２２からなり、モータアッセンブリ４２１及びギアアッセンブリ４２２を前記取付孔１１５内に嵌合した状態で取付孔１１５縁にネジなどの止め具６３で止着されている。
従って、この駆動ユニット４２を取り外す場合には、前記止め具６３を取り外し、外枠フレーム１１１から駆動ユニット４２を離間させるようにすればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ印字を開始する前の電池電圧を検出する検出手段と、
印字動作が終了する毎にその時点の電池電圧で印字できた印字累計値を更新する更新手段と、
前記更新手段により更新された印字累計値を電池電圧に対応して記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記印字累計値に基づいて、現在の電池電圧で印字できる印字予測値を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された印字予測値を報知する報知手段と
を具備したことを特徴とする電池駆動式電子機器。
【請求項２】
前記算出手段は、前記記憶手段に記憶された前記印字累計値に基づいて、現在の電池電圧で印字できる印字可能性を印字予測値として算出することを特徴とする請求項１記載の電池駆動式電子機器。
【請求項３】
前記算出手段は、前記記憶手段に記憶された前記印字累計値に基づいて、現在の電池電圧で印字できる予め決められた単位分の印字データ量を印字予測値として算出することを特徴とする請求項１記載の電池駆動式電子機器。
【請求項４】
前記算出手段により電池電圧毎に算出された各印字予測値を記憶する予測情報記憶手段と、
前記算出手段により電池電圧に対応して算出された印字予測値と、その電池電圧に対応して前記予測情報記憶手段に記憶されている印字予測値とを比較し、その比較結果に基づいて当該電池電圧に対応する前記予測情報記憶手段の印字予測値を更新する予測情報更新手段とを設け、
前記報知手段は、前記検出手段により検出された電池電圧に対応して前記予測情報記憶手段に記憶された印字予測値を読み出して報知することを特徴とする請求項１記載の電池駆動式電子機器。
【請求項５】
コンピュータによって読み取られるプログラムコードを有する記録媒体であって、
データ印字を開始する前の電池電圧を検出する機能と、
印字動作が終了する毎にその時点の電池電圧で印字できた印字累計値を更新する機能と、
前記更新された印字累計値を電池電圧に対応して記憶する機能と、
前記記憶された印字累計値に基づいて、現在の電池電圧で印字できる印字予測値を算出する機能と、
前記算出された印字予測値を報知する機能と、
を実現するためのプログラムコードを有する記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、データ印字を開始する前の電池電圧を検出する検出手段と、印字動作が終了する毎にその時点の電池電圧で印字できた印字累計値を更新する更新手段と、前記更新手段により更新された印字累計値を電池電圧に対応して記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記印字累計値に基づいて、現在の電池電圧で印字できる印字予測値を算出する算出手段と、前記算出手段により算出された印字予測値を報知する報知手段とを具備したことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第１調整値は、記録紙の表面に画像を形成する場合の調整値であり、表面に画像が形成された記録紙を表裏反転して転写位置に向けて搬送する裏面画像形成用搬送手段及び、
記録紙のサイズの変化に対応した第２調整値を記憶している第２不揮発メモリを有し、前記制御手段は、記録紙の裏面に画像を形成する裏面画像形成において、前記第２調整値に基づいて、画像形成位置を制御することにより、各サイズの記録紙上の正規の位置に画像を形成することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（５）前記第１調整値は、記録紙の表面に画像を形成する場合の調整値であり、表面に画像が形成された記録紙を表裏反転して転写位置に向けて搬送する裏面画像形成用搬送手段及び、
記録紙のサイズの変化に対応した第２調整値を記憶している第２不揮発メモリを有し、前記制御手段は、記録紙の裏面に画像を形成する裏面画像形成において、前記第２調整値に基づいて、画像形成位置を制御することにより、各サイズの記録紙上の正規の位置に画像を形成することを特徴とする前記（３）項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月11日(2003.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像映像と共に日時やアラーム信号の有無、カメラ番号などの属性情報を記憶し、映像を検索する際、映像画像を縮小一覧表示（以下サムネール表示と称する）する映像記録システムにおいて、
サムネール表示される各画像に対し、その元の映像が持つ属性情報に基づいて、表示の形態をそれぞれ異なるようにすることを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【請求項２】
請求項１記載の映像データ検索表示方法において、
前記サムネール表示のうち、個々のサムネールの周りを枠で囲んで表示する、個々のサムネールに特定のマークを入れる、又は、個々のサムネールの背景色を変えて表示することで、前記表示の形態をそれぞれ異なるようにしたことを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【請求項３】
請求項２記載の映像データ検索表示方法において、
前記個々のサムネールの周りを囲む枠はその映像が持つ属性情報に基づいて色別又は模様別表示することを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【請求項４】
請求項１乃至３記載の映像データ検索表示方法において、
前記サムネール表示は、複数台のカメラの映像のサムネールをそれぞれ１つずつまとめた分割表示により行い、前記分割表示のいずれかを選択すると、該分割表示が拡大されることを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【請求項５】
請求項４記載の映像データ検索表示方法において、
前記分割表示の選択は、画面上に表示される前記分割表示の周囲を囲む枠を所望の前記分割表示上に移動し、該枠を該分割表示上で所定期間停止することにより行われることを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【請求項６】
請求項１記載の映像記録システムにおける映像データ検索表示方法において、
映像記録システムに格納された記憶内容を用いて検索を行う際に、該記録映像とその記録日時をディスプレイ上に表示し、該日時を変更・入力することで、該日時の映像を検査し表示することを特徴とする映像記録システムにおける映像データ検索表示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は前記の装置を用いて本映像データ検索法を実現するために、データベースの映像データ情報に対して所要の処理を行い、その結果得られる録画映像の日時やアラーム信号の有無、カメラ番号などの属性情報を基にしその種類などに対応して、サムネール表示の枠の色や模様を変える、映像上に特定のマークを入れる、背景色を変える等の表示をする。表示後、入力装置を操作して任意のサムネール表示を選択して、該画像を一時停止状態で拡大表示するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局を介して、複数の加入者局が交信し、上記加入者局は別の加入者局と基地局との間で交わされる信号を中継する中継機能をもつ加入者系無線アクセスシステムに使用される上記中継機能を備える加入者局であって、
下位加入者局を探索する探索期間を決定するタイマーと、
上記タイマーにより決定される探索期間において制御信号を送信する制御信号送信手段と、
上記送信した制御信号への応答として別の加入者から送信される応答信号の受信により該別の加入者局と基地局との間で交わされる信号を中継する必要の要否を判断する手段と、
中継する必要があるときに、該別の加入者局を下位加入者局として該加入者局と上記基地局との間の中継径路を設定する手段を有することを特徴とする加入者局。
【請求項２】
基地局を介して、複数の加入者局が制御チャネル、通信チャネル及び予約チャネルを持つフレームで交信する時分割多元接続方式の加入者系無線アクセスシステムに使用する加入者局であって、
アンテナを介して同一周波数で送受可能な無線部と、上記無線部と結合され受信信号の識別と送信信号の生成と無線チャネルの管理を行う通信制御部と、別の加入者局と上記基地局との間で交わされる信号を一時記憶するバッファと、自局の同期元となる無線局の情報と自局が中継に関わる下位加入者局との間の中継経路を特定するための中継径路情報とを登録する第一のテーブルと、フレームフォーマットを記録する第三のテーブルとを有し、上記通信制御部が、上記別の加入者局と基地局との間で交わされる信号を中継する必要の要否を判断する手段と、
中継する必要があるときの上記中継径路情報を自動的に設定する手段とを有することを特徴とする加入者局。
【請求項３】
請求項２記載の加入者局であって、更に上記受信信号の受信品質を測定する受信品質測定部を備えたことを特徴とする加入者局。
【請求項４】
請求項２記載の加入者局であって、更に同期元無線局の探索期間の上限と自局の下位加入者局の探索期間の上限とを報知する第１のタイマーとを備えたことを特徴とする加入者局。
【請求項５】
請求項２、３又は４記載の加入者局であって、上記通信制御部は更に送受に用いるアンテナの管理を行うアンテナ管理手段をもち、上記アンテナは上記アンテナ管理手段からの選択信号に基づいてアンテナを選択するアンテナ選択部と異なる方向にそれぞれ指向性を有する複数の指向性アンテナをもち、上記第一のテーブルは、上記複数の指向性アンテナをそれぞれ用いた際に自局の同期元となる無線局の情報と自局が中継に関わる下位加入者局との間の中継経路を特定するための中継経路情報とを登録しておくテーブルであることを特徴とする加入者局。
【請求項６】
請求項４記載の加入者局であって、上記第１のタイマーの報知する自局下位加入者局の探索期間の上限が、第２のタイマーの報知する同期元無線局の探索期間の上限値と、当該システムに含まれる加入者局の備える指向性アンテナ個数の最大値とを乗じた値以上となることを特徴とする加入者局。
【請求項７】
基地局を介して、複数の加入者局が制御チャネル、通信チャネル及び予約チャネルを持つフレームで交信する加入者系無線アクセスシステムのアクセス方法であって、上記複数の加入者局の少なくとも１つの加入者局が上記基地局もしくは上記システムに含まれ中継局として動作している別の中継加入者局を介して上記システムに同期する段階と、
上記システムに同期した同期加入者局が自局の基準無線局へ登録する段階と、
上記同期加入者局が中継路開設の要否を試験する段階と、
上記中継加入者局が自局の基準無線局より受信した制御チャネル信号を自局の下位加入者局へ中継する段階と、
上記中継加入者局が自局を基準無線局とする別の加入者局からの登録もしくは登録の中継を受け付けて自局の基準無線局へ上記登録もしくは上記登録の中継を中継する段階と、
上記中継加入者局が自局の下位加入者局の発着信を中継し基地局と上記下位加入者局との間の通信チャネル信号を中継する段階と、
上記中継加入者局が自局の下位加入者局から制御チャネルの予約もしくは当該予約の中継を受け付けて自局の基準無線局へ上記予約もしくは上記中継を中継する段階と、
上記中継加入者局が自局の下位加入者局から制御チャネル使用終了の告知もしくは当該告知の中継を受け自局の基準無線局へ上記告知もしくは上記中継を中継する段階と、
上記同期加入者局が自局の着信を受け付ける段階と、上記同期加入者局が自局より発信の処理をする段階と、上記同期加入者局が自局の基準無線局に対して再登録する段階と、
上記同期加入者局が自局の基準無線局とは別の無線局の送信する制御チャネル信号を監視し、上記監視の結果に応じて上記基準無線局から上記別の無線局と自局の基準無線局を変更する段階と、
上記基地局が加入者局から登録もしくは登録の中継を受け付ける段階と、
上記基地局が加入者局に対して制御チャネルを割り当てる段階と、
上記割り当てた制御チャネルを解放する段階と、
上記基地局が加入者局の発着信を処理する段階とを有することを特徴とする加入者系無線アクセスシステムの接続方法。
【請求項８】
加入者系無線アクセスシステムの使用方法であって、上記システムに含まれる加入者局に、別の加入者局と基地局との間で交わす信号を中継するための機能を付与し、上記基地局に対し上記基地局と上記基地局へ登録済みの任意の加入者局との間で信号を交わすために、上記基地局へ登録済みの別の加入者局を介すもしくは介さない経路を特定するための情報を登録することを用途としたテーブルを含めることによって、加入者の使用する加入者局が別の加入者局の中継局となることを示す上記のテーブルの登録内容に基づいて、上記加入者への差別的な課金を行う事を特徴とする加入者系無線アクセスシステムの使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディジタル化した映像信号を少なくとも１段中継して伝送するディジタル伝送システムにおいて、
所定の中継段に、受信した映像信号から、反射波混入状態、受信電界状態、復号エラー状態の少なくとも何れか１つの伝送状態情報を取り込み、映像信号化して上記映像信号の所定の期間に重畳し、当該重畳映像信号を送出する伝送状態映像重畳手段を設け、所定の受信段に、受信した上記重畳映像信号から、重畳された上記伝送状態情報を抽出し、当該抽出した伝送状態情報を映像表示する手段を設けたことを特徴とするディジタル伝送システム。
【請求項２】
請求項１記載のディジタル伝送システムにおいて、
取り込んだ上記伝送状態情報を、映像信号化して上記映像信号の有効期間外に重畳することを特徴とするディジタル伝送システム。
【請求項３】
請求項１記載のディジタル伝送システムにおいて、
取り込んだ上記伝送状態情報を、映像信号化して上記映像信号の有効期間内に重畳することを特徴とするディジタル伝送システム。
【請求項４】
請求項１乃至３記載のディジタル伝送システムにおいて、
上記反射波混入状態、上記受信電界状態、上記復号エラー状態の少なくとも何れか１つの伝送状態情報を、振幅レベルの大小により表現した形式の信号としたことを特徴とするディジタル伝送システム。
【請求項５】
請求項１乃至３記載のディジタル伝送システムにおいて、
上記受信電界状態と上記復号エラー状態の少なくとも何れか１つの伝送状態情報を、時間幅パルスの長短により表現した形式の信号としたことを特徴とするディジタル伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
核スピンＩが０と異なる（Ｉ≠０）原子核を含む固体、液体及び気体（以下“媒質”）を外部磁場、内部磁場の双方或いは片方の中に置いて、何等かの方法によるポンピング（ｐｕｍｐｉｎｇ）条件下で、媒質中の熱フォノン或いは外部から導入されるフォノン、或いは両者の重畳効果の作用で核スピンの量子状態間の遷移（ｓｐｉｎ  ｆｌｉｐ）を誘起し、それに伴うフォノンの誘導放射及び誘導放射されたフォノンの当該媒質による増幅によりエネルギーを発生させる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
しかし、技術的条件の選択によっては、スピン・格子緩和過程により媒質に伝達されるエネルギーが過剰熱になる事、更にその過剰熱が金属を融解に至らしめるほど媒質を加熱する事のメカニズムは認識されていなかった。即ち、それがフォノンの誘導放射及び増幅というメカニズムによる事は全く新しい認識である。（金属Ａｌを融解させる程のエネルギー発生がある事は申請者の幾つかの論文で既に発表されているが、それが過剰熱である事、及びその発生のメカニズムがスピン・格子緩和過程に関連したフォノンの誘導放射及び増幅によるものである事の認識は存在しなかった。）この特許申請は、この過剰熱発生に関する新しいメカニズムを基礎とし、且つそれが如何なる技術的方法で、より有効に実現出来るかを記述したものである。即ち、核スピン状態の遷移に伴うフォノンの発生、増幅による熱エネルギーの発生に関するもので、それを実現する為に、原子核スピンＩ≠０の原子核を含む媒質に外部から超音波、振動的電磁場、粒子線照射等により媒質中のフォノンの誘導放射、増幅を行う。それにより外部から加えられたエネルギー以上の過剰エネルギーを得、産業上のエネルギー源とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板または第１導電型半導体層の表面に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型ソース層と、
前記第１導電型ソース層を突き抜けて前記第２導電型ベース層に達するトレンチ溝と、
前記トレンチ溝の内側壁面にゲート酸化膜を介して、夫々、形成された第１及び第２のゲート電極とを有し、
チャネルが前記トレンチ溝の深さ方向となる縦方向に配設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１ゲート電極と第２ゲート電極との間に絶縁膜を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２導電型ベース層の接合深さは、前記トレンチ溝に比べて深いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチ溝の底部に、前記第１導電型半導体層よりも濃度が高い第１導電型電界緩和層を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電型電界緩和層は、正味のドーズ量が４×１０１２ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の底部と前記トレンチ溝との間の前記ゲート酸化膜の一部もしくは全部が、その他の部分の前記ゲート酸化膜よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１導電型ソース層に隣接して前記第２導電型ベース層表面に第２導電型ベースコンタクト層が設けられ、前記第２導電型ベースコンタクト層の接合深さが、前記第１導電型ソース層の接合深さよりも深いことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に第1導電型半導体層を形成する工程と、
前記第1導電型半導体層表面に第２導電型ベース層を形成する工程と、
前記第２導電型ベース層表面に選択的に第１導電型ソース層を形成する工程と、
前記第１導電型ソース層を突き抜けて前記第２導電型ベース層に達するトレンチ溝を形成する工程と、
前記トレンチ溝表面にゲート酸化膜を形成する工程と、
前記ゲート酸化膜形成工程後、前記トレンチ溝内にゲート電極材料を均一な厚さに堆積させる工程と、
前記ゲート電極材料を前記トレンチ溝内の側壁部分に残して、それ以外の前記ゲート電極材料を除去して、前記トレンチ溝側壁部分に、夫々、第１及び第２のゲート電極を形成する工程と、
前記第１及び第２のゲート電極間に絶縁膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記トレンチ溝を前記第２導電型ベース層の接合深さよりも浅く形成し、前記トレンチ溝を形成後、更に、前記トレンチ溝底部と前記第１導電型半導体基板または前記第１導電型半導体層との間に第１導電型電界緩和層を形成するにより、前記第２導電型ベース層の接合深さを前記トレンチ溝に比べて深くしてなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、第１導電型半導体基板または第１導電型半導体層の表面に形成された第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型ソース層と、前記第１導電型ソース層を突き抜けて前記第２導電型ベース層に達するトレンチ溝と、前記トレンチ溝の内側壁面にゲート酸化膜を介して、夫々、形成された第１及び第２のゲート電極とを有し、チャネルが前記トレンチ溝の深さ方向となる縦方向に配設されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の一態様によれば、半導体基板上に第1導電型半導体層を形成する工程と、前記第1導電型半導体層表面に第２導電型ベース層を形成する工程と、前記第２導電型ベース層表面に選択的に第１導電型ソース層を形成する工程と、前記第１導電型ソース層を突き抜けて前記第２導電型ベース層に達するトレンチ溝を形成する工程と、前記トレンチ溝表面にゲート酸化膜を形成する工程と、前記ゲート酸化膜形成工程後、前記トレンチ溝内にゲート電極材料を均一な厚さに堆積させる工程と、前記ゲート電極材料を前記トレンチ溝内の側壁部分に残して、それ以外の前記ゲート電極材料を除去して、前記トレンチ溝側壁部分に、夫々、第１及び第２のゲート電極を形成する工程と、前記第１及び第２のゲート電極間に絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月26日(2003.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、上述の説明では行列を構成する要素を格納するメモリ空間において、一つの行を構成する要素が連続するアドレスに格納される場合について説明したが、一つの列を構成する要素が連続するアドレスに格納されるメモリ空間についても本実施の形態を適用し得ることは明白である。その場合には上述の説明において行と列とを入れ換えて読めば良い。また、かかるメモリ空間について従来の技術を適用しても本願の効果を得ることができないのも明白である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
実施の形態４．
ジグザグ走査が行われるのは、ＤＣＴによって得られる変換値Ｆ（ｕ，ｖ）を、その対応する周波数成分が低い方から高い方へと順に１次元で並ぶようにするためである。従って、量子化を行うべく変換値Ｆ（ｕ，ｖ）をＮ×Ｎの行列に配置する場合に、周波数成分が低い方から高い方へと順に第０行第０列、…、第０行第（Ｎ−１）列、第１行第０列、…、第１行第（Ｎ−１）列、…、第（Ｎ−１）行第０列、…、第（Ｎ−１）行第（Ｎ−１）列へと配置することにより、ジグザグ走査は不要となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子制御機器および電子制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の制御対象回路に対してコマンドを送信して制御を行うメインコントローラと、
上記メインコントローラから送信されたコマンドを記憶する記憶手段と、
上記制御対象回路が上記コマンドに従い所定の動作を行っている間に上記制御対象回路に動作エラーが生じたことを検出する検出手段とを備え、
上記メインコントローラは、上記検出手段により動作エラーが検出された場合に、上記制御対象回路に対して初期化コマンドを送信するとともに、上記記憶手段に記憶された送信済みコマンドを上記制御対象回路に再送することを特徴とする電子制御機器。
【請求項２】
上記メインコントローラは、上記検出手段により動作エラーが検出され上記制御対象回路に対して初期化コマンドを送信した場合に、上記制御対象回路の初期化処理が完了したか否かを検出する初期化検出手段を有し、上記制御対象回路の初期化処理が完了した後に送信済みコマンドを上記制御対象回路に再送する構成とされたことを特徴とする、請求項１に記載の電子制御機器。
【請求項３】
上記メインコントローラは、上記制御対象回路の動作モードを示すコードを上記コマンドとして送信する構成とされたことを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子制御機器。
【請求項４】
上記制御対象回路は、機械的な駆動回路を制御するメカニカルコントローラであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電子制御機器。
【請求項５】
メインコントローラから所定の制御対象回路に対して送信されたコマンドを記憶する記憶ステップと、
上記制御対象回路が上記コマンドに従い所定の動作を行っている間に上記制御対象回路に動作エラーが生じたことを検出する検出ステップと、
上記検出ステップにより動作エラーが検出された場合に、上記メインコントローラから上記制御対象回路に対して初期化コマンドを送信するとともに、上記記憶された送信済みコマンドを上記制御対象回路に再送するコマンド再送ステップとを備えたことを特徴とする、電子制御方法。
【請求項６】
コマンド再送ステップは、上記制御対象回路の初期化処理が完了したか否かを検出する初期化検出サブステップを有し、上記制御対象回路の初期化処理が完了した後に送信済みコマンドを上記制御対象回路に再送することを特徴とする、請求項５に記載の電子制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数のコントローラを有する電子制御機器およびその電子制御方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
従って、この発明は、コントローラが一時的に制御不能になっても、回復後にもとの動作モードで動作することができるようにすることを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明は、所定の制御対象回路に対してコマンドを送信して制御を行うメインコントローラと、このメインコントローラから送信されたコマンドを記憶する記憶手段と、制御対象回路が上述コマンドに従い所定の動作を行っている間にこの制御対象回路に動作エラーが生じたことを検出する検出手段とを備え、上述メインコントローラは、検出手段により動作エラーが検出された場合に、制御対象回路に対して初期化コマンドを送信するとともに、記憶手段に記憶された送信済みコマンドを制御対象回路に再送するようにする。
なお、上述メインコントローラは、検出手段により動作エラーが検出され制御対象回路に対して初期化コマンドを送信した場合に、制御対象回路の初期化処理が完了したか否かを検出する初期化検出手段を有し、制御対象回路の初期化処理が完了した後に送信済みコマンドを制御対象回路に再送することが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータが使用するデータを記憶するためのシステムであって、
第一のディスクコントローラと、少なくとも一の第一のディスクとを有し、コンピュータに接続される第一のストレージシステムと、
前記第一のストレージシステムと接続され、第二のディスクコントローラと、少なくとも一の第二のディスクとを有する第二のストレージシステムとを有しており、
前記第一のディスクコントローラは前記コンピュータからライト要求を受信して、前記ライト要求に含まれる第一のディスク情報に基づいて、ライト対象のディスクが接続されているディスクコントローラを選択し、
選択されたディスクコントローラが前記第二のディスクコントローラである場合に、前記第一のディスクコントローラは、前記第二のディスクコントローラの識別情報とライト対象のディスクである第二のディスクを示す第二のディスク情報とを取得し、
前記第一のディスクコントローラは、前記第二のディスクコントローラの識別情報と前記第二のディスク情報とを用いて、ライト要求を前記第二のディスクコントローラに送信することを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記第一のディスクコントローラは、前記第一のディスク情報と、前記第二のディスクコントローラの識別情報と、前記第二のディスク情報との対応関係を記憶しており、
前記コンピュータから前記ライト要求を受信した場合に、前記対応関係に基づいて前記第一のディスク情報から、前記第二のディスクコントローラの識別情報と前記第二のディスク情報とを取得することを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項２記載のシステムにおいて、
前記対応関係は、前記第一のディスクコントローラに接続されるサービスプロセッサから前記第一のディスクコントローラに設定されることを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記第二のディスク情報は、前記第二のストレージシステムに割り当てられているディスク情報であることを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記第一のディスクコントローラは、前記第一のディスク情報が第一のディスクを示している場合に、該第一のディスクにデータを書き込むことを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記第二のディスクコントローラはコンピュータに接続されることを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項６記載のシステムにおいて、
前記第二のディスクコントローラは、コンピュータに接続するためのインタフェースと同じ種類のインタフェースを介して前記第一のストレージシステムに接続することを特徴とするシステム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムにおいて、
前記インタフェースはＳＣＳＩであることを特徴とするシステム。
【請求項９】
コンピュータによって使用されるデータを記憶する記憶装置システムであって、
コンピュータに接続される第一のディスクコントローラと、
前記第一のディスクコントローラに接続される第一のディスクとを有し、
前記記憶装置システムは、第二のディスクコントローラと第二のディスクとを有する他の記憶装置システムと接続され、
前記第一のディスクコントローラは前記コンピュータからライト要求を受信し、該ライト要求中に含まれる第一のディスク識別情報に対応するディスクと接続されているディスクコントローラを選択し、
選択されたディスクコントローラが前記第二のディスクコントローラである場合に、前記第一のディスクコントローラは、前記他の記憶装置システムを示す識別情報と、第二のディスクを示す第二のディスク識別情報とを取得し、前記他の記憶装置システムを示す識別情報と前記第二のディスク識別情報とを用いて、ライト要求を前記第二のディスクコントローラに送信することを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１０】
請求項９記載の記憶装置システムにおいて、
前記第一のディスクコントローラは、前記第一のディスク識別情報と、前記他の記憶装置システムを示す識別情報と、前記第二のディスク識別情報との対応関係を記憶しており、前記対応関係に基づいて、前記他の記憶装置システムを示す識別情報と前記第二のディスク識別情報とを取得することを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１１】
請求項１０記載の記憶装置システムにおいて、
前記対応関係は、前記第一のディスクコントローラに接続されるサービスプロセッサから設定されることを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１２】
請求項９記載の記憶装置システムにおいて、
第二のディスクを示す第二のディスク識別情報は、前記第二のディスクコントローラが第二のディスクを識別するために使用する識別情報であることを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１３】
請求項９記載の記憶装置システムにおいて、
前記第一のディスクコントローラは、前記第一のディスク識別情報が第一のディスクを示している場合に、該第一のディスクにデータを書き込むことを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１４】
請求項９記載の記憶装置システムにおいて、
前記第二のディスクコントローラはコンピュータに接続されており、
前記第一のディスクコントローラは、前記第二のディスクコントローラが前記コンピュータに接続するために用いているインタフェースと同じ種類のインタフェースを用いて前記第二のディスクコントローラに接続することを特徴とする記憶装置システム。
【請求項１５】
請求項１４記載の記憶装置システムにおいて、
前記インタフェースはＳＣＳＩであること特徴とする記憶装置システム。
【請求項１６】
コンピュータに接続される記憶装置システムであって、
前記コンピュータに接続される第一のディスクコントローラと、
前記第一のディスクコントローラに接続される第一のディスクとを有し、
前記第一のディスクコントローラは、第二のディスクコントローラと第二のディスクを有する他の記憶装置システムに接続され、
前記第一のディスクコントローラがディスクを識別するために使用する第一のディスク識別情報は、第一のディスク若しくは第二のディスクと対応付けられており、
前記コンピュータから前記第一のディスクコントローラが受信したライト要求に含まれる第一のディスク識別情報が、第一のディスクと対応付けられている場合には、前記第一のディスクコントローラは該第一のディスクにアクセスし、
前記ライト要求に含まれる第一の識別情報が、第二のディスクと対応付けられている場合には、前記第一のディスクコントローラは他の記憶装置システムを示す識別情報と第二のディスクを示す第二のディスク識別情報を用いて、ライト要求を前記他の記憶装置システムに送信することを特徴とする記憶装置システム。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月20日(2003.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このようなビデオプロジェクタに用いられる陰極線管、いわゆるプロジェクタ管としては、より高輝度の陰極線管であることが望まれている。
前記プロジェクタ管の蛍光面は、パネルの形状によりさまざまな作製方法が取られており、一般的にパネル・ファンネル一体型のものは沈殿法で、パネルとファンネルとが分離しているものではスラリー法、印刷法により作製されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
スラリー法では、パネル内面に蛍光体スラリーを注入した後、余剰蛍光体スラリーを排出するため、蛍光体の無駄が大きく、作製プロセスも露光・現像工程が必要でコスト的に不利である。また、蛍光体の充填密度を上げるのが難しく、電子線によるパネルガラスのブラウニングにより輝度劣化が大きい。
一方印刷法では、バインダー中に蛍光体粒子を分散させた蛍光体ペーストを用いるので、蛍光体の充填密度が高くなるが、その反面薄く平滑な中間膜を印刷で作製することが難しく、良好なメタルバック層が得にくく、輝度が低いという欠点がある。
本発明は、上述の点に鑑み、高輝度の陰極線管およびその蛍光面作製方法を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月16日(2003.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】ナットのネジ部に対し、合金被膜を施した状態の断面図。
【図２】袋ナットのネジ部に合金被膜を施した状態の断面図。
【図３】配管接続具のネジ部に合金被膜を施した状態の断面図。
【図４】配管のネジ部に合金を施した状態の断面図。
【図５】配管のネジ部に合金を施し、ネジ結合した状態の断面図。
【図６】ボルトのネジ部に対し、合金被膜を施した状態の外観図。
【図７】図６の一部拡大断面図。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図１】
2001349318.tif 000001
【図２】
2001349318.tif 000002
【図３】
2001349318.tif 000003
【図４】
2001349318.tif 000004
【図５】
2001349318.tif 000005
【図６】
2001349318.tif 000006
【図７】
2001349318.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、その共振面と基板分割面との間に、共振面とは異なるエッチング工程により形成されたエッチング端面を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記共振面と該共振面と異なるエッチング工程により形成されたエッチング端面に、誘電体多層膜を有する請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記誘電体多層膜は、ＳｉＯ２を含む請求項２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記誘電体多層膜は、ＴｉＯ２を含む請求項２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板の上に窒化物半導体層が成長されて、その窒化物半導体層の共振面がエッチングにより形成されており、その共振面と基板分割面との間に、共振面とは異なるエッチング工程により形成されたエッチング端面を有することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の窒化物半導体レーザ素子は、共振面とその共振面と異なるエッチング工程により形成されたエッチング端面に、誘電体多層膜を有することを特徴とする。また、誘電体多層膜は、ＳｉＯ２を含む、或いはＴｉＯ２を含むのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月2日(2003.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも内輪、外輪、転動体、保持器及びゴムシール装置を備える転がり軸受において、前記ゴムシール装置が、フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体及びテトラフルオロエチレン−プロピレン２元共重合体から選ばれるフッ素ゴムを含有するゴム組成物と、補強部材との一体成形物で構成されていることを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】
少なくとも内輪、外輪、転動体、保持器及びゴムシール装置を備える転がり軸受において、前記ゴムシール装置が、フッ化ビニリデンを２〜５モル％の割合で含むフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体を含有するゴム組成物と、補強部材との一体成形物で構成されていることを特徴とする転がり軸受。
【請求項３】
アミン系添加剤を含有するクーラントと接触する部位に使用されることを特徴とする請求項１または２記載の転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、少なくとも内輪、外輪、転動体、保持器及びゴムシール装置を備える転がり軸受において、前記ゴムシール装置が、フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体及びテトラフルオロエチレン−プロピレン２元共重合体から選ばれるフッ素ゴムを含有するゴム組成物と、補強部材との一体成形物で構成されていることを特徴とする転がり軸受、並びに少なくとも内輪、外輪、転動体、保持器及びゴムシール装置を備える転がり軸受において、前記ゴムシール装置が、フッ化ビニリデンを２〜５モル％の割合で含むフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体を含有するゴム組成物と、補強部材との一体成形物で構成されていることを特徴とする転がり軸受を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、転がり軸受のゴムシール装置を、フッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体あるいはテトラフルオロエチレン−プロピレン２元共重合体を含むゴム組成物と補強部材との一体成形物、あるいはフッ化ビニリデンを２〜５モル％の割合で含むフッ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン−プロピレン３元共重合体を含有するゴム組成物と補強部材との一体成形物で構成したことにより、アミン化合物に対して優れた耐薬品性を有するようになり、アミン系添加剤を多量に含有するソルブル型シンセティック切削クーラントや自動車用クーラントと接触するような環境で使用しても、リップ部の膨張や強度低下等の不具合を最小限に抑えることができ、高いシール性を維持し、転がり軸受の寿命を延長することができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月5日(2004.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化セリウムを主成分とする酸化セリウム粒子と、
前記酸化セリウム粒子の表面を覆う被覆物と、
を具備することを特徴とする半導体装置の研磨剤。
【請求項２】
前記被覆物は粒子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の研磨剤。
【請求項３】
半導体基板上に形成された薄膜の被研磨面を、酸化セリウムを主成分とする酸化セリウム粒子が被覆物にて覆われた研磨粒子によって研磨する工程を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記被研磨面を研磨する工程では、前記被研磨面に凹凸部が存在する場合は、前記研磨粒子が有する前記酸化セリウム粒子によって前記凹凸部の研磨を行い、前記被研磨面に凹凸部が存在しない場合は、前記研磨粒子が有する前記被覆物によって前記被研磨面の研磨を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記被研磨面を研磨する工程では、前記被研磨面に凹凸部が存在する場合は、前記被覆物が遊離した前記酸化セリウム粒子によって前記凹凸部の研磨を行い、前記被研磨面に凹凸部が存在しない場合は、前記酸化セリウム粒子を被覆する前記被覆物によって前記被研磨面の研磨を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。