(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線および薄膜トランジスタが形成された素子基板と、前記素子基板に対向して配置される対向基板とによって液晶層が挟持され、前記素子基板に反射電極が形成されている反射領域および光を透過する透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記反射領域および前記透過領域の液晶分子配向のモードが、領域毎に設定されてなり、前記薄膜トランジスタに積層して第２のカラーフィルタが形成され、前記第２のカラーフィルタに積層して前記反射電極が形成され、前記対向基板に第１のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記透明電極は前記反射電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載された液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶層の液晶分子配向のモードが、ホモジニアス型、ホメオトロピック型、ＴＮ型、ＨＡＮ型、ＯＣＢ型の何れかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された液晶表示装置。
【請求項４】
配線および薄膜トランジスタが形成された素子基板と、前記素子基板に対向して配置される対向基板とによって液晶層が挟持され、前記素子基板に反射電極が形成されている反射領域および光を透過する透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記反射領域および前記透過領域の液晶分子配向のモードが、領域毎に設定されてなり、前記反射領域の液晶分子配向のモードがＨＡＮ型であり、前記透過領域の液晶分子配向のモードがホモジニアス型またはＴＮ型であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
配線および薄膜トランジスタが形成された素子基板と、前記素子基板に対向して配置される対向基板とによって液晶層が挟持され、前記素子基板に反射電極が形成されている反射領域および光を透過する透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記反射領域および前記透過領域の液晶分子配向のモードが、領域毎に設定されてなり、前記対向基板の前記液晶層側に、四分の一波長板を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記四分の一波長板の、前記透過領域に開口部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載された液晶表示装置。
【請求項７】
前記素子基板の前記液晶層の反対側に、コレステリック液晶を設けたことを特徴とする請求項５に記載された液晶表示装置。
【請求項８】
前記素子基板の前記液晶層側に、第２の四分の一波長板を設けたことを特徴とする請求項５に記載された液晶表示装置。
【請求項９】
前記素子基板の前記液晶層の反対側に、コレステリック液晶を設け、前記コレステリック液晶と前記素子基板の間に第２の四分の一波長板を設けたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載された液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置に関し、特に、外部からの入射光を反射して表示光源とするとともに、後背部の光源からの光を透過させる液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、装置内部に反射板を有し、この反射板により外部からの入射光を反射して表示光源とすることにより、光源としてのバックライトを備える必要のない反射型の液晶表示置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、および、光源としてバックライトを備えた透過型液晶表示装置が知られている。
【０００３】
反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置よりも低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できるため、主に携帯端末用として利用されている。その理由は、外部から入射した光を装置内部の反射板で反射させることにより表示光源として利用できるので、バックライトが不要になるからである。一方で透過型液晶表示装置は、周囲の光が暗い場合において反射型液晶表示装置よりも視認性が良いという特性を持つ。
【０００４】
現在の液晶表示装置の基本構造は、ＴＮ（ツイステッドネマテッィク）方式、一枚偏光板方式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマテッィク）方式、ＧＨ（ゲストホスト）方式、ＰＤＬＣ（高分子分散）方式、コレステリック方式等を用いた液晶と、これを駆動するためのスイッチング素子と、液晶セル内部又は外部に設けた反射板またはバックライトとから構成されている。これらの一般的な液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又は金属／絶縁膜／金属構造ダイオード（ＭＩＭ）をスイッチング素子として用いて高精細及び高画質を実現できるアクティブマトリクス駆動方式が採用され、これに反射板またはバックライトが付随した構造となっている。
【０００５】
従来の反射型液晶表示装置と透過型液晶表示装置の利点を併せ持つ液晶表示装置として、図１４に示すように、アクティブマトリクス基板の画素電極３の周囲を通り互いに直交するようにゲート配線４とソース配線５が設けられ、画素電極３に薄膜トランジスタ６が設けられ、薄膜トランジスタ６のゲート電極およびソース電極にゲート配線４およびソース配線５が接続され、画素電極３に金属膜からなる反射領域７とＩＴＯからなる透過領域８が形成された半透過型液晶表示装置が開示されている（特許第２９５５２７７号公報参照）。
【０００６】
上記のように、画素電極に透過領域と反射領域を設けることにより、周囲の光が明るい場合にはバックライトを消して反射型液晶表示装置として使用可能であり、低消費電力という反射型液晶表示装置の特性が発揮される。また、周囲の光が暗い場合にバックライトを点灯させて透過型液晶表示装置として使用すると、周囲が暗い場合での視認性向上という透過型液晶表示装置の特性が発揮される。以下、反射型液晶表示装置としても透過型液晶表示装置としても使用可能な液晶表示装置を、半透過型液晶表示装置と呼ぶことにする。
【０００７】
しかし従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域７では入射光が液晶層を往復し、透過領域８では入射光が液晶層を通過するために、液晶層における光の経路差が発生してしまい、両領域でのリタデーションの相異によって出射光強度を最適化できないという問題が存在した。その問題を解決するために特許第２９５５２７７号公報に記載された液晶表示装置には、図１５に示す液晶表示装置の断面図のように、反射領域７の透明電極９下に絶縁層１０設けることで、反射領域７での液晶層の厚さｄｒと透過領域８での液晶層の厚さｄｆに差を設ける構造が開示されている。
【０００８】
反射領域の液晶層厚さｄｒと透過領域の液晶層厚さｄｆの比率を１：２程度にすることにより、反射領域７と透過領域８との光の経路差を解消して出射光の特性が近似される。しかし、絶縁層１０の厚さが液晶層の厚さの半分程度であり、数μｍもの厚さが必要とされるため、製造工程は増加し透明電極９の平坦性は悪化する。液晶分子を配向させるために透明電極９上に形成される配向膜も、透明電極９の平坦性の影響を受けるため、ラビング工程での効果的な配向が困難になるという問題が存在した。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って本願発明は、反射モードと透過モードでの光の経路差を相殺して、両モードにおいて出射光強度を極大にすることが可能であり、かつ、アクティブマトリクス基板表面の平坦性が良い半透過型液晶表示装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、配線および薄膜トランジスタが形成された素子基板と、前記素子基板に対向して配置される対向基板とによって液晶層が挟持され、前記素子基板に反射電極が形成されている反射領域および光を透過する透明電極が形成されている透過領域とが設けられ、前記反射領域および前記透過領域の液晶分子配向のモードが、領域毎に設定されてなることを特徴とする。
【００１１】
反射モードと透過モードで液晶分子配向を異なるモードとすることで、反射モードと透過モードの液晶層のリタデーションを変化させることができ、両モードにおいて出射光強度を高めることが可能となる。ここで、液晶分子配向が異なるモードとは、リタデーションが異なるものであればよく、例えばＴＮモードであっても、ねじれ角度が異なるものは異なるモードとする。
【００１６】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタに積層して第２のカラーフィルタが形成され、前記第２のカラーフィルタに積層して前記反射電極が形成され、前記対向基板に第１のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする。
【００１７】
対向基板と素子基板とにカラーフィルタが形成されていることにより、反射モードでは対向基板側のカラーフィルタを光が二度通過し、透過モードでは素子基板と対向基板のカラーフィルタを光が一度ずつ通過する。これにより、両モードでの色の変化を低減することが可能となる。また、透過モードと反射モードでの色合いをそれぞれ設定することも可能となる。さらに、カラーフィルタに積層して反射電極が形成されていることにより、素子基板の液晶層と接触する面の平坦性が良好となり、ラビング工程で効果的に配向方向を制御することが可能となる。
【００１８】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記透明電極は前記反射電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１９】
透過領域に透明電極が形成されていることにより、透過領域の液晶層にも十分な電圧を印可することが可能となる。
【００２０】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記液晶層の液晶分子配向のモードが、ホモジニアス型、ホメオトロピック型、ＴＮ型、ＨＡＮ型、ＯＣＢ型の何れかであることを特徴とする。
【００２１】
液晶層の液晶分子配向のモードに関わらず、反射モードおよび透過モードの液晶表示の輝度を高めることが可能であるので、用途や製造コストに応じて液晶モードの選択を行うことができる。
【００２２】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記反射領域の液晶分子配向のモードがＨＡＮ型であり、前記透過領域の液晶分子配向のモードがホモジニアス型またはＴＮ型であることを特徴とする。
【００２３】
液晶分子配向のモードを反射領域で垂直方向への配向であるＨＡＮ型とし、透過領域で水平方向への配向であるホモジニアス型またはＴＮ型とすることにより、光の経路差に起因する両モードでのリタデーションの相異を相殺し、出射光強度を高めることが可能となる。
【００２４】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記対向基板の前記液晶層側に、四分の一波長板を設けたことを特徴とする。
【００２５】
四分の一波長板を対向基板の液晶層側に設けることにより、紫外線や湿度などの外的要因による四分の一波長板の劣化を防ぐことが可能となり、液晶表示装置の長寿命化を図ることが可能となる。また、四分の一波長板そのものが、液晶性を示す材料が配向して形成されているため、液晶を配向させるための配向膜塗布およびラビング工程が不要となり、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００２６】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記四分の一波長板の、前記透過領域に開口部が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
反射モードに最適化された液晶層の厚さでは、四分の一波長板を用いる透過モードよりも四分の一波長板を用いない透過モードの方が、高い出射光強度を得ることができるため、四分の一波長板の透過領域に開口部を形成することで、透過モードでは四分の一波長板の無い表示とすることができ、透過モードの輝度を高めることが可能となる。
【００２８】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記素子基板の前記液晶層の反対側に、コレステリック液晶を設けたことを特徴とする。
【００２９】
コレステリック液晶は、偏光板と四分の一波長板を合わせた特性を示すため、偏光板と四分の一波長板の代わりにコレステリック液晶を用いることにより、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００３０】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記素子基板の前記液晶層側に、第２の四分の一波長板を設けたことを特徴とする。
【００３１】
四分の一波長板を素子基板の液晶層側に設けることにより、紫外線や湿度などの外的要因による四分の一波長板の劣化を防ぐことが可能となり、液晶表示装置の長寿命化を図ることが可能となる。また、四分の一波長板そのものが、液晶性を示す材料が配向して形成されているため、液晶を配向させるための配向膜塗布およびラビング工程が不要となり、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることが可能となる。
【００３２】
また、前記課題を解決するための本願発明の液晶表示装置は、前記素子基板の前記液晶層の反対側に、コレステリック液晶を設け、前記コレステリック液晶と前記素子基板の間に第２の四分の一波長板を設けたことを特徴とする。
【００３３】
素子基板の液晶層の反対側に、コレステリック液晶と四分の一波長板を配置することにより、反射モードにおいても透過モードにおいても液晶表示装置の出射光強度を高めることが可能となる。
【００３４】
【実施の形態１】
図１は、本願発明の一実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図である。図１に示すように、半透過型液晶表示装置は、装置内部に、下部側基板１１、下部側基板１１に対向して配置された対向基板１２、及び下部側基板１１と対向基板１２の間に挟み込まれた液晶層１３を有している。この半透過型液晶表示装置は、例えば、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）をスイッチング素子として各画素毎に設けた、アクティブマトリクス方式を採用している。
【００３５】
下部側基板１１は、絶縁性基板１４、絶縁保護膜１５、ＴＦＴ１６、絶縁層１７、反射電極１８及び透明電極１９を有している。絶縁性基板１４の上には、絶縁保護膜１５が積層され、絶縁保護膜１５の上には、ＴＦＴ１６が形成されている。ＴＦＴ１６は、絶縁性基板１４上のゲート電極１６ａ、ゲート電極１６ａを覆う絶縁保護膜１５上のドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ、及びソース電極１６ｄを有している。
【００３６】
絶縁層１７には、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに達するコンタクトホール２０が開けられている。更に、コンタクトホール２０と共に絶縁層１７を覆って、反射電極１８および透明電極１９が積層されている。反射電極１８は、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに接続され、反射板及び画素電極としての機能を有する。透明電極１９は反射電極１８と電気的に接続されて、画素電極としての機能を有する。
【００３７】
反射電極１８および透明電極１９を覆って、液晶分子を配向させるためのポリイミド等の配向膜が積層され、反射電極１８の領域は垂直配向膜２１を有し垂直配向に、透明電極１９の領域は水平配向膜２２を有し水平配向になっている。対向基板１２の液晶層１３と接する面も配向膜で覆われており水平配向となっているため、液晶層１３の配向モードは、反射電極１８領域がＨＡＮ配向、透明電極１９領域がホモジニアス配向またはＴＮ配向となっている。
【００３８】
また、下部側基板１１の周縁部に設けられた端子領域には、絶縁性基板１４上のゲート端子部２３と共に、ゲート端子部２３を覆う絶縁保護膜１５上のドレイン端子部２４が形成されている。
【００３９】
対向基板１２は、液晶層１３側から順番に積層された、透明電極２５、カラーフィルタ２６及び絶縁性基板２７を有している。この絶縁性基板２７から対向基板１２に入射した入射光は、対向基板１２から液晶層１３を経て下部側基板１１に達し、反射電極１８に反射されて反射光となり、再び液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。
【００４０】
また、下部側基板１１の液晶層１３と反対側には、バックライト２８が設けられている。このバックライト２８からの光は、絶縁性基板１４および絶縁保護膜１５および絶縁層１７および透明電極１９を透過して液晶層１３に達し、液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。
【００４１】
図２は、図１に示す半透過型液晶表示装置の製造工程における反射電極製造工程を示す説明図である。図２に示すように、先ず、絶縁性基板１４の上に、ゲート電極１６ａを形成して絶縁保護膜１５を積層し、絶縁保護膜１５の上に、ドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ及びソース電極１６ｄをそれぞれ形成して、スイッチング素子としてのＴＦＴ１６の基板を形成する（（ａ）参照）。
【００４２】
更に、ＴＦＴ１６を覆って絶縁層１７を積層し、ソース電極１６ｄまで通じるコンタクトホール２０を絶縁層１７に形成する（（ｂ）参照）。なお、スイッチング素子としてＴＦＴ１６に限るものではなく、例えば、ダイオード等、その他のスイッチング素子の基板を形成しても良い。
【００４３】
次に、絶縁層１７を覆ってＩＴＯで透明電極１９を積層し、コンタクトホール２０を介してソース電極１６ｄと透明電極１９を電気的に接触させる（（ｃ）参照）。
【００４４】
更に、透明電極１９にマスクを施してＡｌ膜である反射電極１８を形成する。または、透明電極１９前面にＡｌ膜を形成した後に、マスクを施してエッチングを行い反射電極１８を形成してもよい。なお、反射電極１８の材料は、Ａｌに限るものではなく、他の導電性材料により形成しても良い（（ｄ）参照）。
【００４５】
次に、反射電極１８および透明電極１９上に、９０度近いプレチルト角を発現するポリイミド配向膜を塗布し、加熱乾燥させ、反射電極１８の領域にマスク２９を施して紫外線をポリイミド配向膜に照射する（（ｅ）参照）。ポリイミド配向膜の長鎖アルキル基が紫外線照射によって分解し、液晶のプレチルト角を発現している部分が消失していくために、透明電極１９上のポリイミド配向膜のプレチルト角が小さくなる。
【００４６】
紫外線照射をした後、液晶を配向させたい方向にラビングを行う。反射電極１８上のポリイミド配向膜には紫外線が照射されず、プレチルト角は９０度近いままであり、ラビングによりプレチルト角が大きく変わることはないので垂直配向膜２１となる。透明電極１９上ののポリイミド配向膜は紫外線照射によってプレチルト角が小さくなっているため、ラビングにより水平配向膜２２となる（（ｆ）参照）。なお、紫外線照射でプレチルト角が変化する配向膜は、ラビングした後に紫外線を照射しても効果は同じであるので、紫外線を照射する前にラビングを行ってもよい。
【００４７】
対向基板１２を水平配向になる配向膜で処理してラビングを行って水平配向とすることで、図３に示すように、透明電極１９の領域がホモジニアス配向あるいはＴＮ配向、反射電極１８の領域がＨＡＮ配向となる。
【００４８】
液晶分子の配向方向が異なるために屈折率がそれぞれ異なることを利用して、上記図２のような方法を使って、反射電極１８と透明電極１９での液晶モードを変化させる。それにより、液晶モードによる屈折率の相異を利用してリタデーション（△ｎ・ｄ）の値を変化させ、ほぼ同じセル厚であっても、反射モード、透過モードともに極大の明るさを得ることが可能である。
【００４９】
ここで、液晶分子配向が異なるモードとは、リタデーションが異なるものであればよく、例えばＴＮモードであっても、ねじれ角度が異なるものは異なるモードとする。その作成方法は、例えば、対向基板を一方向にラビングし、ＴＦＴ側の基板の配向膜を光配向で配向させればよい。すなわち、対向基板のラビング方向に対し、約７０度ねじれる方向にＴＦＴ基板の配向膜に直線偏光を照射し、その後、反射部のみをマスクで覆い、ほぼ０度のねじれになる方向に直線偏光を照射する。多くの光配向膜は、２度目の配向処理の方向に液晶が配向するので、反射部では７０度のねじれが実現でき、透過部では０度のねじれが実現できる。これにより、反射部と透過部でリタデーションが異なる状態を実現することができる。
【００５０】
【実施の形態２】
図４は、別の実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図である。図４に示すように、半透過型液晶表示装置は、装置内部に、下部側基板１１、下部側基板１１に対向して配置された対向基板１２、及び下部側基板１１と対向基板１２の間に挟み込まれた液晶層１３を有している。この半透過型液晶表示装置は、例えば、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）をスイッチング素子として各画素毎に設けた、アクティブマトリクス方式を採用している。
【００５１】
下部側基板１１は、絶縁性基板１４、絶縁保護膜１５、ＴＦＴ１６、カラーフィルタ３０、反射電極１８及び透明電極１９を有している。絶縁性基板１４の上には、絶縁保護膜１５が積層され、絶縁保護膜１５の上には、ＴＦＴ１６が形成されている。ＴＦＴ１６は、絶縁性基板１４上のゲート電極１６ａ、ゲート電極１６ａを覆う絶縁保護膜１５上のドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ、及びソース電極１６ｄを有している。
【００５２】
カラーフィルタ３０には、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに達するコンタクトホール２０が開けられている。更に、コンタクトホール２０と共にカラーフィルタ３０を覆って、反射電極１８および透明電極１９が積層されている。反射電極１８は、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに接続され、反射板及び画素電極としての機能を有する。透明電極２０は反射電極１８と電気的に接続されて、画素電極としての機能を有する。
【００５３】
反射電極１８および透明電極１９を覆って、液晶分子を配向させるためのポリイミド等の配向膜が積層され、反射電極１８の領域は垂直配向膜２１を有し垂直配向に、透明電極１９の領域は水平配向膜２２を有し水平配向になっている。対向基板１２の液晶層１３と接する面も配向膜で覆われており水平配向となっているため、液晶層１３の配向モードは、反射電極１８領域がＨＡＮ配向、透明電極１９領域がホモジニアス配向またはＴＮ配向となっている。
【００５４】
また、下部側基板１１の周縁部に設けられた端子領域には、絶縁性基板１４上のゲート端子部２１と共に、ゲート端子部２３を覆う絶縁保護膜１５上のドレイン端子部２４が形成されている。
【００５５】
対向基板１２は、液晶層１３側から順番に積層された、透明電極２５、カラーフィルタ２６及び絶縁性基板２７を有している。この絶縁性基板２７から対向基板１２に入射した入射光は、対向基板１２から液晶層１３を経て下部側基板１１に達し、反射電極１８に反射されて反射光となり、再び液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。
【００５６】
また、下部側基板１１の液晶層１３と反対側には、バックライト２８が設けられている。このバックライト２８からの光は、絶縁性基板１４および絶縁保護膜１５および絶縁層１７および透明電極１９を透過して液晶層１３に達し、液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。実施の形態１との相違点は、絶縁層１７がカラーフィルタ３０に置き換えられたことのみである。
【００５７】
図５は、図４に示す半透過型液晶表示装置の製造工程における反射電極製造工程を示す説明図である。図５に示すように、先ず、絶縁性基板１４の上に、ゲート電極１６ａを形成して絶縁保護膜１５を積層し、絶縁保護膜１５の上に、ドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ及びソース電極１６ｄをそれぞれ形成して、スイッチング素子としてのＴＦＴ１６の基板を形成する（（ａ）参照）。
【００５８】
更に、ＴＦＴ１６を覆ってアクリル系の感光性ポリマー中に赤・緑・青・黒などの所望の色の顔料を分散したレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングしてカラーフィルタ３０を形成する。このときソース電極１６ｄまで通じるコンタクトホール２０をカラーフィルタ３０に形成する（（ｂ）参照）。なお、スイッチング素子としてＴＦＴ１６に限るものではなく、例えば、ダイオード等、その他のスイッチング素子の基板を形成しても良い。
【００５９】
次に、カラーフィルタ３０を覆ってＩＴＯで透明電極１９を積層し、コンタクトホール２０を介してソース電極１６ｄと透明電極１９を電気的に接触させる（（ｃ）参照）。
【００６０】
更に、透明電極１９にマスクを施してＡｌ膜である反射電極１８を形成する。または、透明電極１９前面にＡｌ膜を形成した後に、マスクを施してエッチングを行い反射電極１８を形成してもよい。なお、反射電極１８の材料は、Ａｌに限るものではなく、他の導電性材料により形成しても良い（（ｄ）参照）。
【００６１】
次に、反射電極１８および透明電極１９上に、９０度近いプレチルト角を発現するポリイミド配向膜を塗布し、加熱乾燥させ、反射電極１８の領域にマスク２９を施して紫外線をポリイミド配向膜に照射する（（ｅ）参照）。ポリイミド配向膜の長鎖アルキル基が紫外線照射によって分解し、液晶のプレチルト角を発現している部分が消失していくために、透明電極１９上のポリイミド配向膜のプレチルト角が小さくなる。
【００６２】
紫外線照射をした後、液晶を配向させたい方向にラビングを行う。反射電極１８上のポリイミド配向膜には紫外線が照射されず、プレチルト角は９０度近いままであり、ラビングによりプレチルト角が大きく変わることはないので垂直配向膜２１となる。透明電極１９上ののポリイミド配向膜は紫外線照射によってプレチルト角が小さくなっているため、ラビングにより水平配向膜２２となる（（ｆ）参照）。なお、紫外線照射でプレチルト角が変化する配向膜は、ラビングした後に紫外線を照射しても効果は同じであるので、紫外線を照射する前にラビングを行ってもよい。
【００６３】
対向基板１２を水平配向になる配向膜で処理してラビングを行って水平配向とすることで、図３に示すように、透明電極１９の領域がホモジニアス配向あるいはＴＮ配向、反射電極１８の領域がＨＡＮ配向となる。
【００６４】
液晶分子の配向方向が異なるために屈折率がそれぞれ異なることを利用して、上記図５のような方法を使って、反射電極１８と透明電極１９での液晶モードを変化させる。それにより、液晶モードによる屈折率の相異を利用してリタデーション（△ｎ・ｄ）の値を変化させ、ほぼ同じセル厚であっても、反射モード、透過モードともに極大の明るさを得ることが可能である。
【００６５】
反射モードの表示では、対向基板１２から入射した光が出射光となるまでに、対向基板１２に設けられたカラーフィルタ２６を二回通過し、透過モードの表示では、バックライト２８からの光が出射光となるまでに、下部側基板１１に設けられたカラーフィルタ３０と、対向基板１２に設けられたカラーフィルタ２６を通過する。両モードにおいて、カラーフィルタを二回通過することにより、実施の形態２の液晶表示装置は、反射モードと透過モードにおける色表現を同一にすることが可能となる。また、透過モードと反射モードで独立して表示の色バランスを決定することも可能となる。
【００６６】
【実施の形態３】
図６は、別の実施の形態に係る半透過型液晶表示装置の部分断面図である。図６に示すように、半透過型液晶表示装置は、装置内部に、下部側基板１１、下部側基板１１に対向して配置された対向基板１２、及び下部側基板１１と対向基板１２の間に挟み込まれた液晶層１３を有している。この半透過型液晶表示装置は、例えば、薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）をスイッチング素子として各画素毎に設けた、アクティブマトリクス方式を採用している。
【００６７】
下部側基板１１は、絶縁性基板１４、絶縁保護膜１５、ＴＦＴ１６、カラーフィルタ３０、反射電極１８及び透明電極１９を有している。絶縁性基板１４の上には、絶縁保護膜１５が積層され、絶縁保護膜１５の上には、ＴＦＴ１６が形成されている。ＴＦＴ１６は、絶縁性基板１４上のゲート電極１６ａ、ゲート電極１６ａを覆う絶縁保護膜１５上のドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ、及びソース電極１６ｄを有している。
【００６８】
反射電極１８は、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに接続され、反射板としての機能を有する。カラーフィルタ３０には、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｄに達するコンタクトホール２０が開けられている。更に、コンタクトホール２０と共にカラーフィルタ３０を覆って、透明電極１９が積層されている。透明電極２０は反射電極１８とコンタクトホールを介して電気的に接続されて、画素電極としての機能を有する。
【００６９】
透明電極１９を覆って、液晶分子を配向させるためのポリイミド等の配向膜が積層される。反射電極１８の領域は垂直配向膜２１を有し垂直配向に、透明電極１９の領域は水平配向膜２２を有し水平配向になっている。対向基板１２の液晶層１３と接する面も配向膜で覆われており水平配向となっているため、液晶層１３の配向モードは、反射電極１８領域がＨＡＮ配向、透明電極１９領域がホモジニアス配向またはＴＮ配向となっている。
【００７０】
また、下部側基板１１の周縁部に設けられた端子領域には、絶縁性基板１４上のゲート端子部２１と共に、ゲート端子部２３を覆う絶縁保護膜１５上のドレイン端子部２４が形成されている。
【００７１】
対向基板１２は、液晶層１３側から順番に積層された、透明電極２５及び絶縁性基板２７を有している。この絶縁性基板２７から対向基板１２に入射した入射光は、対向基板１２から液晶層１３を経て下部側基板１１に達し、反射電極１８に反射されて反射光となり、再び液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。
【００７２】
また、下部側基板１１の液晶層１３と反対側には、バックライト２８が設けられている。このバックライト２８からの光は、絶縁性基板１４および絶縁保護膜１５およびカラーフィルタ３０および透明電極１９を透過して液晶層１３に達し、液晶層１３を経て透明電極２５から対向基板１２の外に出射される。
【００７３】
図７は、図６に示す半透過型液晶表示装置の製造工程における反射電極製造工程を示す説明図である。図７に示すように、先ず、絶縁性基板１４の上に、ゲート電極１６ａを形成して絶縁保護膜１５を積層し、絶縁保護膜１５の上に、ドレイン電極１６ｂ、半導体層１６ｃ及びソース電極１６ｄをそれぞれ形成して、スイッチング素子としてのＴＦＴ１６の基板を形成する。さらに、反射電極１８を、ソース電極１６ｄ又はドレイン電極１６ｂに接続してパターニング形成する（（ａ）参照）。
【００７４】
更に、ＴＦＴ１６を覆ってアクリル系の感光性ポリマー中に赤・緑・青・黒などの所望の色の顔料を分散したレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングしてカラーフィルタ３０を形成する。このとき反射電極１８まで通じるコンタクトホール２０をカラーフィルタ３０に形成する（（ｂ）参照）。なお、スイッチング素子としてＴＦＴ１６に限るものではなく、例えば、ダイオード等、その他のスイッチング素子の基板を形成しても良い。
【００７５】
次に、カラーフィルタ３０を覆ってＩＴＯで透明電極１９を積層し、コンタクトホール２０を介して反射電極１８と透明電極１９を電気的に接触させる（（ｃ）参照）。
【００７６】
次に、透明電極１９上に、９０度近いプレチルト角を発現するポリイミド配向膜を塗布し、加熱乾燥させ、反射電極１８の存在する領域にマスク２９を施して紫外線をポリイミド配向膜に照射する（（ｄ）参照）。ポリイミド配向膜の長鎖アルキル基が紫外線照射によって分解し、液晶のプレチルト角を発現している部分が消失していくために、反射電極１８の無い領域でのポリイミド配向膜のプレチルト角が小さくなる。
【００７７】
紫外線照射をした後、液晶を配向させたい方向にラビングを行う。反射電極１８が存在する領域上のポリイミド配向膜には紫外線が照射されず、プレチルト角は９０度近いままであり、ラビングによりプレチルト角が大きく変わることはないので垂直配向膜２１となる。反射電極１８の無い領域でのポリイミド配向膜は紫外線照射によってプレチルト角が小さくなっているため、ラビングにより水平配向膜２２となる（（ｅ）参照）。なお、紫外線照射でプレチルト角が変化する配向膜は、ラビングした後に紫外線を照射しても効果は同じであるので、紫外線を照射する前にラビングを行ってもよい。
【００７８】
対向基板１２を水平配向になる配向膜で処理してラビングを行って水平配向とすることで、図３に示すように、透明電極１９の領域がホモジニアス配向あるいはＴＮ配向、反射電極１８の領域がＨＡＮ配向となる。
【００７９】
液晶分子の配向方向が異なるために屈折率がそれぞれ異なることを利用して、上記図５のような方法を使って、反射電極１８が存在する領域と存在しない領域での液晶モードを変化させる。それにより、液晶モードによる屈折率の相異を利用してリタデーション（△ｎ・ｄ）の値を変化させ、ほぼ同じセル厚であっても、反射モード、透過モードともに極大の明るさを得ることが可能である。
【００８０】
反射モードの表示では、対向基板１２から入射した光が出射光となるまでに、下部側基板１１に設けられたカラーフィルタ３０を２回通過し、透過モードの表示では、バックライト２８からの光が出射光となるまでに、下部側基板１１に設けられたカラーフィルタ３０を１回通過する。両モードにおいて、反射領域のカラーフィルタ３０の厚さは反射電極１８の厚さ分だけ、透過領域のカラーフィルタより薄くなっており、反射領域のカラーフィルタの厚さを調節することにより、実施の形態３の液晶表示装置は、反射モードと透過モードにおける色表現を同一にすることが可能となる。また、対向基板１２にカラーフィルタを設ける必要が無く、製造コストの低減を図ることができる。さらに、対向基板１２にカラーフィルタを設ける際の重ね合わせ誤差を無くし、高精度な表示を行うことが可能となる。
【００８１】
【実施の形態４】
実施の形態１乃至実施の形態３の半透過型液晶表示装置において、液晶層１３のモードがＴＮ型である場合、偏光板および四分の一波長板を下部側基板１１および対向基板１２に配置する。図８に実施の形態４に係る液晶表示装置の断面図を示す。
【００８２】
下部側基板の絶縁性基板１４とバックライト２８との間に偏光板３１を配置し、絶縁性基板１４と絶縁層１７またはカラーフィルタ３０との間に四分の一波長板３２を配置する。また、対向基板の絶縁性基板２７の液晶層１３側に四分の一波長板３２を配置し、絶縁性基板２７の液晶層１３と反対側に偏光板３１を配置する。また、下部側基板の偏光板３１の透過軸は下部側四分の一波長板３２の光軸と＋４５度または−４５度をなすように設置され、対向基板の偏光板３１の透過軸は対向側四分の一波長板３２と＋４５度または−４５度を成すように設置されている。ここでは図示しないが、下部側基板の四分の一波長板３２上には、ＴＦＴ１６および絶縁保護膜１５およびゲート端子部２２およびドレイン端子部２３が形成され、対向基板の四分の一波長板３２と液晶層１３との間にはカラーフィルタ３０および／または透明電極２５が形成されている。
【００８３】
反射モードのねじれ配向時では、対向基板の外側から入射した光が偏光板３１を通過して直線偏光となり、直線偏光が四分の一波長板３２を通過して右円偏光となる。右円偏光の入射光はねじれ配向の液晶層１３を通過して直線偏光となり、反射電極１８によって反射された直線偏光の反射光はねじれ配向の液晶層１３を通過して右円偏光となる、右円偏光となっている反射光は四分の一波長板３２を通過して直線偏光となって出射光となる。
【００８４】
反射モードの垂直配向時では、対向基板の外側から入射した光が偏光板３１を通過して直線偏光となり、直線偏光が四分の一波長板３２を通過して右円偏光となる。右円偏光の入射光は垂直配向の液晶層１３を通過して反射電極１８によって反射され、反対回転の左円偏光の反射光となる。左円偏光の反射光は垂直配向の液晶層１３を通過して四分の一波長板３２を通過して直線偏光となるが、偏光板３１の偏光方向とは異なる偏光であるので反射光は偏光板３１を通過しない。
【００８５】
透過モードのねじれ配向時では、バックライト２８から入射した光が偏光板３１を通過して直線偏光となり、直線偏光が四分の一波長板３２を通過して左円偏光となる。左円偏光の入射光はねじれ配向の液晶層１３を通過して反対回転の右円偏光の透過光となり、右円偏光の透過光は対向基板の四分の一波長板３２を通過して直線偏光となって出射光となる。
【００８６】
透過モードの垂直配向時では、バックライト２８から入射した光が偏光板３１を通過して直線偏光となり、直線偏光が四分の一波長板３２を通過して左円偏光となる。左円偏光の入射光は垂直配向の液晶層１３を通過し、対向基板の四分の一波長板３２を通過して直線偏光となるが、偏光板３１の偏光方向とは異なる偏光であるので透過光は偏光板３１を通過しない。
【００８７】
図８に示したように、四分の一波長板３２が絶縁性基板１４および絶縁性基板２７よりも液晶層１３側に配置されていることにより、一度作成してしまえば紫外線および湿度の影響を受けなくなり、耐候性に好ましい効果が得られる。すなわち、紫外線は偏光板３１のみでなく、厚いガラスまたはプラスチック基板である絶縁性基板に吸収され、四分の一波長板３２に到達する紫外線はほとんど無くなる。このため、液晶層１３の反対側に四分の一波長板３２が配置された場合と比べて、紫外線による劣化を著しく防ぐことができる。また、湿度の影響は受けなくなる。
【００８８】
また、偏光板と四分の一波長板を接着する接着剤は、湿度により剥がれるなどの問題を生じることがあったが、液晶層１３側に四分の一波長板３２が配置されていることにより、偏光板３１と四分の一波長板３２の間の接着剤が不要になるために、この問題は解決される。従って、四分の一波長板３２の材料選択の幅が広がり、透過率など他の性能を向上させることが容易となる。
【００８９】
また、四分の一波長板３２そのものが、液晶性を示す材料が配向して形成されているため、液晶材を配向させる効果がある。したがって、透明電極２５や反射電極１８よりも液晶層１３側に四分の一波長板３２を配置することにより、液晶を配向させるための配向膜塗布およびラビング工程が不要となる。特に、９０度ツイスト構造であれば下部側基板および対向基板での配向処理が不要となる。また、ＨＡＮ型でも、液晶を配向させるためのラビング工程は不要となる。
【００９０】
偏光板３１を液晶層１３側に配置することも可能である。絶縁性基板は５００〜７００μｍ程度の厚さであるので、隣接する画素から絶縁性基板を介して出射光が出てきてしまう可能性がある。偏光板３１を液晶層１３側に配置することで、非表示状態の画素の光が絶縁性基板に到達することがないため、隣接する画素の光を視認する可能性が減少し、視認性が向上する。図９（ａ）〜（ｉ）に、偏光板３１および四分の一波長板３２と絶縁性基板との配置関係の組み合わせを示す。ここでは絶縁性基板との位置関係だけを示し、液晶表示装置の他の構成要素は図示しない。
【００９１】
【実施の形態５】
実施の形態１乃至実施の形態３の半透過型液晶表示装置において、液晶層１３のモードがＴＮ型である場合、偏光板および四分の一波長板３２を対向基板１２に配置し、偏光板３１を下部側基板１１に配置する。対向基板の透過部に対応する領域では四分の一波長板３２を除去する。図１０に実施の形態５に係る液晶表示装置の断面図を示す。
【００９２】
下部側基板の絶縁性基板１４とバックライト２８との間に偏光板３１を配置する。また、対向基板の絶縁性基板２７の液晶層１３側に四分の一波長板３２を配置し、絶縁性基板２７の液晶層１３と反対側に偏光板３１を配置する。また、下部側基板の偏光板３１と対向基板の偏光板３１の偏光方向は直交する用に配置されている。ここでは図示していないが、下部側基板の四分の一波長板３２上には、ＴＦＴ１６および絶縁保護膜１５およびゲート端子部２３およびドレイン端子部２４が形成され、対向基板の四分の一波長板３２と液晶層１３との間にはカラーフィルタ３０および／または透明電極２５が形成されている。
【００９３】
ここで、対向基板に配置する四分の一波長板３２は、下部側基板１１に反射電極１８を形成する際に用いたマスクを利用して、フォトレジスト工程およびエッチング工程により透明電極１９と対応する領域が除去されている。
【００９４】
バックライトからの光が下部側基板の偏光板および四分の一波長板を通過し、液晶層を通過して対向基板の四分の一波長板および偏光板を通過した場合の出射光の強度Ｉλは、光の波長をλとし、液晶層のリタデーションを△ｎ・ｄとし、液晶分子がねじれ角φで一様にねじれているとし、  Γ＝２π△ｎ・ｄ／λ、  Χ＝｛φ２＋（Γ／２）２｝１／２  とすると
Ｉλ＝１／２｛（Γ／２）（１／Χ・ｓｉｎΧ）｝２
と表される。一方、四分の一波長板を透過せず、バックライトからの光が下部側基板の偏光板を通過し、液晶層を通過して対向基板の偏光板を通過した場合の出射光の強度Ｉｐは、
Ｉｐ＝（１／２）（１／Χ・ｓｉｎΧ）２［φ２・ｃｏｓ２φ＋ｓｉｎ２φ（Γ／２）２］＋ｓｉｎ２φｃｏｓ２Χ―φｓｉｎ２φｃｏｓΧ（１／Χ・ｓｉｎΧ）
と表される。
【００９５】
図１１は液晶層の厚さに基づいて、透過モードでの四分の一波長板を透過した出射光の強度Ｉλと、四分の一波長板を透過していない出射光の強度Ｉｐを計算した結果を示したグラフである。反射モードで出射光の強度が極大となる液晶層厚さｄｒは３μｍ程度であるので、反射モードを基準として液晶表示装置の設計を行うと、液晶層厚さが３μｍ程度となるため、透過モードでは四分の位置波長板が存在する透過光Ｉλよりも、偏光板のみを通過する出射光の強度Ｉｐのほうが大きくなることがわかる。
【００９６】
従って図１０に示したように、下部側基板には四分の一波長板を配置せず、対向基板に配置する四分の一波長板の透過部と対向する領域を除去することにより、反射モードにおいても透過モードにおいても液晶表示装置の出射光強度を高めることが可能となる。
【００９７】
【実施の形態６】
図１２は本願発明の別の実施の形態を示す図であり、下部側基板の液晶層と反対側にコレステリック液晶を配置したものである。コレステリック液晶は、螺旋の周期構造を有する分子配列をもつ液晶であり、らせん周期＝Ｐの分子配列を有している場合、らせん軸に平行に入射された光のうち波長λ＝ｎＰ（ここでｎは液晶の平均屈折率）を中心とした波長幅Δλ＝ＰΔｎ（Δｎ＝屈折率の異方性）の光のみが選択的に反射され、その他の波長域の光は透過する。左巻きコレステリック液晶では波長条件を満足する光が左円偏光と右円偏光に分割され前者のみが反射され、後者はそのまま透過する。右巻きコレステリック液晶ではその逆である。
【００９８】
下部側基板の絶縁性基板１４とバックライトとの間にコレステリック液晶３３を配置する。また、対向基板の絶縁性基板２７の液晶層１３側に四分の一波長板３２を配置し、絶縁性基板２７の液晶層１３と反対側に偏光板３１を配置する。ここでは図示していないが、下部側基板上には、ＴＦＴ１６および絶縁保護膜１５およびゲート端子部２２およびドレイン端子部２３が形成され、対向基板の四分の一波長板３２と液晶層１３との間にはカラーフィルタ２５および／または透明電極２５が形成されている。コレステリック液晶３３はＲＧＢ各色の波長に対応した螺旋周期を持つ３層からなり、３層とも同一方向の円偏光を反射するとする。
【００９９】
実施の形態４において、下部側基板に偏光板３１および四分の一波長板３２を配置する代わりに、コレステリック液晶３３を配置することにより、実施の形態４と同様の効果を得ることが可能である。しかし、コレステリック液晶３３のみでは透過領域において円偏光の反射が見えてしまう。これを防ぐために、コレステリック液晶３３の液晶側に四分の一波長板３２を２枚入れ、円偏光を一度直線偏光に変換してから再度円偏光に戻す。これを図１２（a）に示す。また、下部基板に設置する四分の一波長板３２を一枚にし、対向基板の四分の一波長板３２をとることも可能である。これを図１２（ｂ）に示す。
【０１００】
【実施の形態７】
図１３は本願発明の別の実施の形態を示す図であり、下部側基板の液晶層と反対側に四分の一波長板およびコレステリック液晶を配置し、対向基板に偏光板および四分の一波長板を配置したものである。対向基板の四分の一波長板は、透明電極１９と対応する領域が除去されている。
【０１０１】
下部側基板の絶縁性基板１４とバックライト２８との間にコレステリック液晶３３を配置する。絶縁性基板１４とコレステリック液晶３３の間に四分の一波長板３２を配置する。また、対向基板の絶縁性基板２７の液晶層１３側に四分の一波長板３２を配置し、絶縁性基板２７の液晶層１３と反対側に偏光板３１を配置する。ここでは図示していないが、下部側基板の四分の一波長板３２上には、ＴＦＴ１６および絶縁保護膜１５およびゲート端子部２２およびドレイン端子部２３が形成され、対向基板の四分の一波長板３２と液晶層１３との間にはカラーフィルタ２６および／または透明電極２５が形成されている。
【０１０２】
対向基板に配置する四分の一波長板３２は、下部側基板１１に反射電極１８を形成する際に用いたマスクを利用して、フォトレジスト工程およびエッチング工程により透明電極１９と対応する領域が除去されている。
【０１０３】
下部側基板に偏光板３１を配置する代わりに、コレステリック液晶３３と四分の一波長板３２を配置することにより、実施の形態５と同様に、反射モードにおいても透過モードにおいても液晶表示装置の出射光強度を高めることが可能となる。
【０１０４】
【発明の効果】
反射モードと透過モードで液晶分子配向を異なるモードとすることで、反射モードと透過モードの液晶層のリタデーションを変化させることができ、両モードにおいて出射光強度を高めることが可能となる。
絶縁層やカラーフィルタに積層して反射電極が形成されていることにより、素子基板の液晶層と接触する面の平坦性が良好となり、ラビング工程で効果的に配向方向を制御することが可能となる。
透過領域に透明電極が形成されていることにより、透過領域の液晶層にも十分な電圧を印加することが可能となる。
対向基板と素子基板とにカラーフィルタが形成されていることにより、反射モードでは対向基板側のカラーフィルタを光が二度通過し、透過モードでは素子基板と対向基板のカラーフィルタを光が一度ずつ通過する。これにより、両モードでの色の変化を低減することが可能となる。また、透過モードと反射モードでの色合いをそれぞれ設定することも可能となる。
【０１０５】
反射電極に積層してカラーフィルタが形成されていることにより、反射モードの表示では、対向基板から入射した光が出射光となるまでに、下部側基板に設けられたカラーフィルタを２回通過し、透過モードの表示では、バックライトからの光が出射光となるまでに、下部側基板に設けられたカラーフィルタを１回通過する。反射領域のカラーフィルタの厚さを調節して透過領域のカラーフィルタより薄くすることにより、反射モードと透過モードにおける色表現を同一にすることが可能となる。また、対向基板にカラーフィルタを設ける必要が無く、製造コストの低減を図ることができる。さらに、対向基板にカラーフィルタを設ける際の重ね合わせ誤差を無くし、高精度な表示を行うことが可能となる。
【０１０６】
液晶層の液晶分子配向のモードに関わらず、反射モードおよび透過モードの液晶表示の輝度を高めることが可能であるので、用途や製造コストに応じて液晶モードの選択を行うことができる。
液晶分子配向のモードを反射領域で垂直方向への配向であるＨＡＮ型とし、透過領域で水平方向への配向であるホモジニアス型またはＴＮ型とすることにより、光の経路差に起因する両モードでのリタデーションの相異を相殺し、出射光強度を高めることが可能となる。
【０１０７】
四分の一波長板を対向基板の液晶層側や素子基板の液晶層側に設けることにより、紫外線や湿度などの外的要因による四分の一波長板の劣化を防ぐことが可能となり、液晶表示装置の長寿命化を図ることが可能となる。また、四分の一波長板そのものが、液晶性を示す材料が配向して形成されているため、液晶を配向させるための配向膜塗布およびラビング工程が不要となり、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることが可能となる。
反射モードに最適化された液晶層の厚さでは、四分の一波長板を用いる透過モードよりも四分の一波長板を用いない透過モードの方が、高い出射光強度を得ることができるため、四分の一波長板の透過領域に開口部を形成することで、透過モードでは四分の一波長板の無い表示とすることができ、透過モードの輝度を高めることが可能となる。
【０１０８】
コレステリック液晶は、偏光板と四分の一波長板を合わせた特性を示すため、偏光板と四分の一波長板の代わりにコレステリック液晶を用いることにより、製造時間の短縮および製造コストの削減を図ることが可能となる。
素子基板の液晶層の反対側に、コレステリック液晶と四分の一波長板を配置することにより、反射モードにおいても透過モードにおいても液晶表示装置の出射光強度を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１に係る半透過型液晶表示装置の断面図。
【図２】  図１に示す半透過型液晶表示装置の反射電極製造工程を示す説明図。
【図３】  液晶分子配向のモードを示す図。
【図４】  実施の形態２に係る半透過型液晶表示装置の断面図。
【図５】  図４に示す半透過型液晶表示装置の反射電極製造工程を示す説明図。
【図６】  実施の形態３に係る半透過型液晶表示装置の断面図。
【図７】  図６に示す半透過型液晶表示装置の反射電極製造工程を示す説明図。
【図８】  実施の形態４に係る半透過型液晶表示装置の模式的断面図。
【図９】  偏光板と四分の一波長板と絶縁性基板との配置関係を示す図。
【図１０】実施の形態５に係る半透過型液晶表示装置の模式的断面図。
【図１１】四分の一波長板の有無で出射光の強度を計算した結果を示したグラフ。
【図１２】実施の形態６に係る半透過型液晶表示装置の模式的断面図。
【図１３】実施の形態７に係る半透過型液晶表示装置の模式的断面図。
【図１４】従来の半透過型液晶表示装置の一画素の平面図。
【図１５】従来の半透過型液晶表示装置の断面図。
【符号の説明】
１…反射板
２…凸部
３…画素電極
４…ゲート配線
５…ソース配線
６…薄膜トランジスタ
７…反射領域
８…透過領域
９、１９、２５…透明電極
１０…絶縁層
１１…下部側基板
１２…対向基板
１３…液晶層
１４、２７…絶縁性基板
１５…絶縁保護膜
１６…ＴＦＴ
１６ａ…ゲート電極
１６ｂ…ドレイン電極
１６ｃ…半導体層
１６ｄ…ソース電極
１７…絶縁層
１８…反射電極
２０…コンタクトホール
２１…垂直配向膜
２２…水平配向膜
２３…ゲート端子部
２４…ドレイン端子部
２６…カラーフィルタ
２８…バックライト
２９…マスク
３０…カラーフィルタ
３１…偏光板
３２…四分の一波長板
３３…コレステリック液晶
【図１】
0004831721.tif 000002
【図２】
0004831721.tif 000003
【図３】
0004831721.tif 000004
【図４】
0004831721.tif 000005
【図５】
0004831721.tif 000006
【図６】
0004831721.tif 000007
【図７】
0004831721.tif 000008
【図８】
0004831721.tif 000009
【図９】
0004831721.tif 000010
【図１０】
0004831721.tif 000011
【図１１】
0004831721.tif 000012
【図１２】
0004831721.tif 000013
【図１３】
0004831721.tif 000014
【図１４】
0004831721.tif 000015
【図１５】
0004831721.tif 000016