Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月21日(2003.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
「新着」の項目を選択すると、携帯電話１１からポータルサイト１８のコンテンツサーバ１９ａに対して新着のサイトが見たい旨のデータが送信される。コンテンツサーバ１９ａは、新着のサイトが見たい旨のデータを受信すると、ゲートウェイサーバ１４を介して携帯電話１１に対して新規に登録されたサイトに関するページデータを送信する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
携帯電話１１は、図２に示すように、そのページデータに基づいて表示部１１ａに「キーワードで探す」、「カテゴリで探す」及び「ＵＲＬ直接入力」の３つ項目を示す表示画面２ｅを表示する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
又、「カテゴリで探す」の項目は、表示部１１ａに表示された分類されたカテゴリの中から欲しい項目を選択して目的のサイトにアクセスする場合に選択される。この分類されたカテゴリの中から欲しい項目を選択すると、検索エンジンを持つ検索サイトにアクセスされ、図２に示すようにその検索結果（サイト）を示す表示画面２ｇが表示部１１ａに表示される。そして、少なくともいずれか１つのサイトをブックマークとして登録する場合、ボタン操作にて選択するサイトを表示部１１ａに表示されたチェックボックス３５で指定した後に表示部１１ａに表示された「登録」を選択し、いずれのサイトもブックマークとして登録しない場合には、表示部１１ａに表示された「戻る」を選択する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに、「ＵＲＬ直接入力」の項目は、表示部１１ａに表示されたテキストボックス３３ｂに入力されたＵＲＬ（Uniform Resource Locator）のサイトにアクセスする場合に選択される。そして、テキストボックス３３ｂにＵＲＬを入力し表示部１１ａに表示された「ＯＫ」を選択すると、携帯電話１１からコンテンツサーバ１９ａにＵＲＬを登録したい旨のデータが送信される。ポータルサイト１８のコンテンツサーバ１９ａは、そのＵＲＬを登録したい旨のデータを受信すると、ゲートウェイサーバ１４を介して携帯電話１１に対してそのＵＲＬを登録させるためのページデータを送信する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
携帯電話１１は、図３に示すように、そのページデータに基づいて表示部１１ａに登録確認のための登録方法を示す表示画面３ｂを表示する。そして、表示部１１ａに表示された登録方法を見た後に表示部１１ａに表示された「登録メールを送信」の項目をボタン操作で選択すると、携帯電話１１はメール送信のためのメール画面を表示する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
そして、この状態から、携帯電話１１に備えられたブックマーク機能を使って該ホームページ３９のサイトを、携帯電話１１に備えられたブックマークに登録することによって、ポータルサイト１８のコンテンツサーバ１９ａに新規ブックマークを作成するための一連の処理動作は終了する。つまり、ユーザ自身のホームページの作成処理は終了する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
さらに、「検索」の項目を選択すると、携帯電話１１には前記新規ブックマークの作成と同様にコンテンツサーバ１９ａのページデータに基づいて図４に示すように表示部１１ａに「キーワードで探す」、「カテゴリで探す」及び「ＵＲＬ直接入力」の３つ項目を示す表示画面４ｄが表示される。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
さらに、「ＵＲＬ直接入力」の項目において、表示部１１ａに表示されたテキストボックス４１ｂにＵＲＬを入力し「ＯＫ」を選択すると、携帯電話１１には、前記と同様にコンテンツサーバ１９ａからのページデータに基づいて図４に示すように表示部１１ａにＵＲＬの登録名（サイト名）をテキストボックス４２に入力する旨を示す表示画面４ｇが表示される。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
携帯電話１１は、図５に示すように、そのページデータに基づいて表示部１１ａに追加登録確認のための登録方法を示す表示画面５ｂを表示する。そして、表示部１１ａに表示された登録方法を見た後に表示部１１ａに表示された「登録メールを送信」の項目をボタン操作で選択すると、携帯電話１１は図３に示すようにメール送信のためのメール画面３ｃを表示する。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
携帯電話１１は、図３に示すように、そのページデータに基づいて表示部１１ａに削除登録確認のための登録方法を示す表示画面３ｂを表示する。そして、表示部１１ａに表示された登録方法を見た後に表示部１１ａに表示された「登録メールを送信」の項目をボタン操作で選択すると、携帯電話１１はメール送信のためのメール画面を表示する。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】ポータルサイトの作成の手順を説明するための携帯電話の表示部に表示される表示画面の系統図


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】ブックマークの追加の手順を説明するための携帯電話の表示部に表示される表示画面の系統図


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】ブックマークの削除の手順を説明するための携帯電話の表示部に表示される表示画面の系統図
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆ってなる樹脂発泡体と、前記真空断熱体と前記樹脂発泡体とからなる断熱体の少なくとも相対する２面を覆った面材とからなり、前記面材間に配設されている真空断熱体の配設位置を前記面材の少なくとも１表面に明記したことを特徴とする建築用の断熱パネル。
【請求項２】
真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆ってなる樹脂発泡体と、前記真空断熱体と前記樹脂発泡体とからなる断熱体の少なくとも相対する２面を覆った面材とからなり、前記面材の少なくとも１表面に釘またはねじ等の接合部品の取り付け場所、あるいは切断場所のうち少なくともいずれかを明記したことを特徴とする建築用の断熱パネル。
【請求項３】
真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆ってなる樹脂発泡体とからなる建築用の断熱パネルに対し、前記断熱パネル内に含まれる前記真空断熱体の配設位置、あるいは前記断熱パネルにおける釘またはねじ等の接合部品の取り付け場所、あるいは切断場所のうち少なくともいずれかを記載した前記断熱パネル付随の梱包材あるいは仕様書。
【請求項４】
請求項１または２記載の断熱パネル、もしくは請求項３記載の梱包材あるいは仕様書が付随している断熱パネルを、釘またはねじ等の接合部品によって取り付けることを特徴とする断熱パネルの取り付け方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の断熱パネルの取り付け方法は、本発明の断熱パネルを、釘やねじ等の接合部品によって取り付けることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の断熱パネルは、真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆ってなる樹脂発泡体と、前記真空断熱体と前記樹脂発泡体とからなる断熱体の少なくとも相対する２面を覆った面材とからなり、前記面材間に配設されている真空断熱体の配設位置を前記面材の少なくとも１表面に明記したことを特徴とする建築用の断熱パネルである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の請求項２に記載の断熱パネルは、真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆ってなる樹脂発泡体と、前記真空断熱体と前記樹脂発泡体とからなる断熱体の少なくとも相対する２面を覆った面材とからなり、前記面材表面の少なくとも１面に釘またはねじ等の接合部品の取り付け場所、あるいは切断場所のうち少なくともいずれかを明記したことを特徴とする建築用の断熱パネルである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の請求項３記載の断熱パネル付随の梱包材あるいは仕様書では、真空断熱体と、前記真空断熱体の少なくとも１面を覆う樹脂発泡体とからなる建築用の断熱パネルに対し、前記断熱パネル内に含まれる前記真空断熱体の配設位置、あるいは前記断熱パネルにおける釘またはねじ等の接合部品の取り付け場所、あるいは切断場所のうち少なくともいずれかを記載していることを特徴としている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の請求項４に記載の断熱パネルの取り付け方法は、請求項１または２記載の断熱パネル、もしくは請求項３記載の梱包材あるいは仕様書が付随している断熱パネルを、釘またはねじ等の接合部品によって取り付けることを特徴としている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
また、本発明の断熱パネルの取り付け方法は、本発明の断熱パネルを、釘やねじ等の接合部品によって取り付けることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング内に収納された複数個のロータと、これらのロータのそれぞれに設けられた複数個の軸と、これらの軸の回転を支持する軸受と、前記複数個の軸をそれぞれ独立して回転駆動する複数個のモータと、この複数個のモータの回転数を同期制御する同期制御手段と、前記ハウジングに形成された吸入口及び吐出口とを備えた真空ポンプであって、前記同期制御手段は、前記モータの回転数を検出するエンコーダと、このエンコーダの出力回転数と予め設定された回転数との偏差値を示す位相差カウンターと、前記位相差カウンターからのカウント数をもとに前記モータへの負荷を判断し、このカウント数が設定値を超えた場合には前記位相差カウンターにカウンタのリセットを指示する過負荷検出装置を有することを特徴とする真空ポンプ。
【請求項２】
吐出口側及び吸入口側にそれぞれ容積式の第一のポンプ及び第二のポンプを備えたことを特徴とする請求項１記載の真空ポンプ
【請求項３】
第一のポンプは、ねじ溝式或いはスクリュー式であることを特徴とする請求項２記載の真空ポンプ。
【請求項４】
第二のポンプは、ねじ溝式或いはスクリュー式であることを特徴とする請求項２または３に記載の真空ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
３０６，３０７が下部ねじ溝であり第一のポンプ部分、３０８，３０９が上部ねじ溝であり第二のポンプ部分を構成している。これらのねじ溝とハウジング１で形成される密閉空間が、両回転軸の回転に伴い、吸気口３１０側から吐出口３１１側へ移動し、この空間の移動により、容積式ポンプとしての吸入・排気（吐出）作用が得られる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明にかかる真空ポンプは、ハウジング内に収納された複数個のロータと、これらのロータのそれぞれに設けられた複数個の軸と、これらの軸の回転を支持する軸受と、前記複数個の軸をそれぞれ独立して回転駆動する複数個のモータと、この複数個のモータの回転数を同期制御する同期制御手段と、前記ハウジングに形成された吸入口及び吐出口とを備えた真空ポンプであって、前記同期制御手段は、前記モータの回転数を検出するエンコーダと、このエンコーダの出力回転数と予め設定された回転数との偏差値を示す位相差カウンターと、前記位相差カウンターからのカウント数をもとに前記モータへの負荷を判断し、このカウント数が設定値を超えた場合には前記位相差カウンターにカウンタのリセットを指示する過負荷検出装置を有することを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明かかる広域型真空ポンプの一実施例を示す。第一回転軸１、第二回転軸２は上段、中段、下段で構成される各ハウジング３，４，５内に、軸受６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂによって支持され鉛直方向に収納されている。各回転軸の上側には筒型の上部ロータ８，９、下側には下部ロータ１０，１１が前記回転軸にかん合されている。前記各ロータの外周面にはピッチと溝深さの異なるねじ溝（スクリュー溝の一種）が、互いに噛み合うように形成されている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
第一回転軸１、第二回転軸２は、前記ＡＣサーボモータにより、実施例では数万ｒｐｍの高速で回転する。両軸の回転信号は、回転位置センサー２０，２１により検出される。図２において、２８，２９は位相差カウンター、３０は過負荷検出装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月10日(2003.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
試料の屈折率よりも開口数が大きい対物レンズを用いて、試料への照明光入射角度をさらに光軸に垂直に近くし、より薄い光で試料を照明することを特徴とする請求項１記載の光学系の薄層斜光照明法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】この発明の請求項２に係る光学系の薄層斜光照明法は、対物レンズを用いたレンズ光学系の斜光照明において、試料の屈折率よりも開口数が大きい対物レンズを用い、試料への照明光入射角度をさらに対物レンズ光軸に垂直に近い角度にし、照射領域を絞ることにより、より薄い層状の光で試料を照明する構成とした。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】これにより、開口数の大きい対物レンズを用いるほど照明光を薄くでき、試料の屈折率よりも開口数が大きい対物レンズを用いて、試料への照明光入射角度を更に光軸に垂直に近くすることで、より薄い光で照明することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】図２において、試料における照明光の厚さをｄ、試料における照明光の入射角をθ、レンズへの照明光入射位置、即ち、対物レンズ後焦点面における照明光のレンズ光軸からの距離をＸ、照明光の対物レンズへの入射角をφ、照明光の対物レンズ入射の開き角の半分をδφとすると、試料における照明光の厚さｄを与える式  ｄ＝２ｒ・ｃｏｓθにおいて、試料への照明光の入射角θはＸとφによって決まり、試料観察面での照射半径ｒはδφによって決まる値であることがわかる。従って、照明光の厚さｄを薄くすることは、ｃｏｓθおよびｒを小さくすることにより実現できる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】また、開口数の大きい対物レンズを用いるほど照明光を薄くできるが、試料の屈折率よりも開口数が大きい対物レンズを用いて、試料への照明光入射角度を更に光軸に垂直に近くすることで、より薄い光で照明することができる。対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど、図２においてＸを大きくすることができ、照明光の入射角θが大きくなるので、その結果として、照明光の厚さｄを薄くすることができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】図６（Ａ）は図２と同じ構成であるので説明は省略する。図６（Ｂ）は試料領域の照射光を上側からみた拡大図である。照明光の厚さｄを与える式  ｄ＝２ｒ・ｃｏｓθにおける、ｒはカバーガラスに平行な面による照明光の断面形状の、照明光進行方向の半径である。試料観察面を傾けている場合には、観察視野の大きさはｒには依存せず、ｒに垂直な方向の半径ｒ’によって決まる。従って、ｒ’は大きくし、ｒは小さくした細長い形の入射光を用いると、観察視野を狭めることなく、照明光の厚さｄを薄くすることができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】可変絞り径Ｒを変えて入射開き角δφを変化させ、照射半径ｒを調節する。ミラー１２と集光用レンズ１３を一体としてｔｘ方向に移動させることにより、入射位置Ｘを調節する。次に、ミラー１２へのレーザー光の入射位置をｔφ方向に移動すると、集光用レンズ１３を通過後の光路の傾きが変化するので、ｔφによって対物レンズ４への入射角φを調節する。以上の調節によって、試料における照明光の層の厚さ  ｄ＝２ｒ・ｃｏｓθを数ミクロンに設定することができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】また、他の適用例として、蛍光顕微鏡において、試料観察面を傾け、照明光を細長くし、高ＮＡ対物レンズを用いて、薄層照明光を薄くする例を説明する。図８の蛍光顕微鏡において、図５の結像レンズを傾ける方法により試料観察面を傾け、図６の細長い照明光を使う方法を用いる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】式  ｄ＝２ｒ・ｃｏｓθから、試料における照明光の層の厚さｄは、油浸６０倍  ＮＡ１．４の対物レンズを用いると、２ｒ＝３０μｍ、試料における照明光の入射角θ＝８６°でｄ＝２μｍとなる。但し、厚さｄが光の波長（可視光で０．４〜０．７μｍ）に近くなるため、回折現象により光の層の上下に光の広がりが見られ始める。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、樹脂モルタル層１１を有さない強化プラスチック管Ｐ、すなわち図２（ａ）に示す層構造を有する強化プラスチック管Ｐを製造する場合は、上記の方法において、上記樹脂モルタル層１５の巻き付けを除いて製造すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月24日(2003.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ここで、遊技制御装置６０は、記憶状態判定手段として機能して始動記憶の有無を判定すると共に、記憶量判定手段としても機能して始動記憶の量（入賞個数）を判定する。また、遊技制御装置６０は、上記した球量検出センサと共に残量検出手段として機能し、球貯留部２３に貯留されている遊技球の量を検出する。本実施形態では、２つの球量検出センサを球貯留部２３に配設しているため、「無し」，「少量」，「中量以上」の何れかであるかを検出する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
また、遊技アドバイス情報報知手段を、補助遊技が実行中か否かの判定結果を加味して遊技に対するアドバイスが必要か否かを判断するように構成した場合には、最後の補助遊技において大当たりしたとしても、特典を逃すことなく確実に享受させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月31日(2003.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出口から液体を吐出させるためのエネルギーを発生する液体吐出圧力発生素子が形成された基板と、
該基板上に接合され、前記液体吐出圧力発生素子上を通って前記吐出口に連通する流路を形成する流路構成部材と、
前記基板と前記流路構成部材との間の少なくとも一部に形成された、前記基板および前記流路構成部材との間の密着力が前記流路構成部材と前記基板との間の密着力よりも大きい密着層とを有し、
前記流路構成部材に前記基板から剥離する方向への応力が集中して生じる箇所で、前記密着層が前記流路構成部材と前記基板との接合面よりも広い平面領域にわたって形成されているインクジェットヘッド。
【請求項２】
前記流路構成部材によって、複数の前記吐出口に供給する前記液体を保持する共通液室が形成され、前記流路は、共通液室に向かって延びる流路壁によって区画されて、前記共通液室から各前記吐出口に連通するように複数形成されており、
前記流路壁の先端部に、該流路壁と前記基板との接合面よりも広い平面領域にわたって前記密着層が形成されている、請求項１に記載のインクジェットヘッド。
【請求項３】
前記流路壁の根元側の部分には、該流路壁の接合面内に含まれる平面領域内に前記密着層が形成されている、請求項２に記載のインクジェットヘッド。
【請求項４】
前記流路壁の根元側の部分には、前記密着層が形成されていない、請求項２に記載のインクジェットヘッド。
【請求項５】
複数の前記流路壁の先端部の接合面を通るように帯状に前記密着層が形成されている、請求項２から４のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項６】
前記流路の入口付近で、かつ前記流路を区画する流路壁が形成された平面領域から離れた平面領域内に、前記流路構成部材からなる柱が形成されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のインクジェットへッド。
【請求項７】
前記密着層は、前記柱が形成されている平面領域を通る平面領域にも形成されている、請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【請求項８】
前記密着層は、前記柱が占める平面領域を避けて形成されている、請求項７に記載のインクジェットヘッド。
【請求項９】
前記柱が占める平面領域内に、他の部分から独立した前記密着層が形成されている、請求項８に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１０】
前記柱は前記流路構成部材によって形成された天井部から前記基板に向かって、前記密着層との間に距離をおいた位置まで延びている、請求項７に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１１】
前記柱は前記密着層から前記流路構成部材によって形成された天井部に向かって、該天井部との間に距離をおいた位置まで延びている、請求項６に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１２】
前記基板には、前記共通液室に連通する液体供給口が開口されており、
前記柱が形成されている平面領域を通る平面領域に形成された前記密着層は、前記液体供給口の開口の縁の周りを囲む平面領域内に、該液体供給口内に一部はみ出して形成された、液体供給口縁部保護用の密着層である、請求項７から１１のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１３】
前記密着層は、前記液体吐出圧力発生素子上を避けた平面領域に形成されている、請求項１から１２のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１４】
前記密着層はポリエーテルアミド樹脂からなる、請求項１から１３のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１５】
前記密着層は熱可塑性のポリエーテルアミド樹脂からなる、請求項１から１４のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１６】
前記流路構成部材は樹脂からなる、請求項１から１５のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１７】
前記流路構成部材はエポキシ樹脂のカチオン重合化合物からなる、請求項１から１６のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドの製造方法であって、
前記基板上に前記密着層となる樹脂を塗布し、所定の平面形状を有するようにパターニングして前記密着層を形成する工程と、
さらにその上に、溶解可能な樹脂を塗布し、所定の平面形状を有するようにパターニングして流路パターンを形成する工程と、
さらにその上に、前記流路構成部材となる樹脂を塗布する工程と、
前記流路構成部材となる樹脂に前記吐出口を開口する工程と、
前記流路パターンを溶出する工程とを有する、インクジェットヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記密着層となる樹脂としてポリエーテルアミド樹脂を用い、前記基板上に塗布された前記ポリエーテルアミド樹脂からなる層を酸素プラズマアッシングによってパターニングする、請求項１８に記載の、インクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッドが搭載されるインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月30日(2003.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような問題を解決するために、触媒を用いて有害物質を分解除去する方法が考案されている。
有害物質の分解除去能を有する材料は各種知られているが、中でも酸化チタンに代表される光触媒材が近年大きな注目を集めている。例えば、Ｃｕｎｄａｌｌらは、Ｊ．Ｏｉｌ．Ｃｈｅｍ．Ａｓｓｏｃ．１９７８，６１，３５１において、酸化チタンに紫外線を照射した場合、水とアルコールの混合系でアルコールが分解されることを報告している。さらに特開昭６１−１３５６６９号公報においては、酸化亜鉛などの光触媒材に紫外光を照射すると、悪臭物質である硫黄化合物が分解されることが報告されている。これら光触媒材による分解反応においては、反応の進行に伴って光触媒材が消費されることはなく、光に曝露されている限りその分解能力は半永久的である。このような光触媒反応は界面反応であり、光触媒材と分解対象物との接触機会が多いほど効率的に進行する。従って、光触媒材の形状としては、比表面積を大きくとれる粉体であることが好ましいが、光触媒材を粉体のまま使用することは難しく、何らかの方法を用いて適当な支持体に担持固定する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月1日(2003.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
陽イオン界面活性剤またはアミンオキシド界面活性剤を０．５乃至２０重量％含有している請求項１記載の不透明な樹脂化ピグメントイエロー１２。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
アセトアセトアニリドとテトラアゾ化３、３１−ジクロロベンジジンとの反応を、陽イオン界面活性剤またはアミンオキシド界面活性剤の存在下において実施し、そしてこれによって得られた顔料スラリーを樹脂化することによる不透明な樹脂化ピグメントイエロー１２の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ジアリールイド顔料は油性インクに使用されており、そして有益な特性、たとえば良好な分散性、流動性および濃度を得るために、これらの顔料はしばしば樹脂化（樹脂処理）される。
高度な樹脂化は、透明性の高い顔料をも生じる。
いくつかの印刷用途、たとえば新聞印刷に使用されるコールドセットインクのためには不透明な顔料製品が好ましい。一般的には、高度に樹脂化されたジアリールイド顔料は、不透明顔料が必要な場合には余りにも透明すぎる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイ領域にメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴとこれに直列に接続された情報蓄積用容量素子とでメモリセルが構成され、周辺回路領域にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが形成され、前記メモリアレイ領域の上部にはビット線が、前記周辺回路領域の上部には第１配線が形成され、前記ビット線および第１配線の上部に第１絶縁膜が形成され、前記第１絶縁膜の上部に第２絶縁膜が形成され、前記メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの上部の前記第２絶縁膜に形成された溝の内部に前記情報蓄積用容量素子の下部電極が形成され、前記情報蓄積用容量素子の上部に形成された第３絶縁膜の上部の前記メモリセルアレイ領域に第２配線が形成され、前記周辺回路領域に第３配線が形成され、前記周辺回路領域の前記第３絶縁膜と第２絶縁膜と第１絶縁膜とを貫通する第１スルーホールに形成された第１プラグを通じて、前記第３配線と前記第１配線とが電気的に接続され、前記第２配線と第３配線の上部に形成された第４絶縁膜の上部に、前記情報蓄積用容量素子の上部電極に所定の電源を供給する給電用配線が形成され、前記第４絶縁膜と前記第３絶縁膜を貫通する第２スルーホールに形成された第２プラグを通じて、前記給電用配線と前記上部電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置であって、前記第２配線と第３配線の上部に形成された前記第４絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤ法によって形成された絶縁膜とプラズマＣＶＤ法によって形成された絶縁膜の積層膜であり、前記情報蓄積用容量素子の上部に形成された前記第３絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成された膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の主面のメモリアレイ領域にメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴを形成し、周辺回路領域に周辺回路のＭＩＳＦＥＴを形成する工程、
（ｂ）前記メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの上部にビット線を、前記周辺回路のＭＩＳＦＥＴの上部に第１配線を形成した後、前記ビット線および第１配線の上部に第１絶縁膜と前記第１絶縁膜の上部に堆積された第２絶縁膜とを形成する工程、
（ｃ）前記メモリアレイ領域の前記第２絶縁膜に溝を形成した後、前記溝の内部を含む前記第２絶縁膜上に形成した第１導電膜をパターニングすることにより、前記溝の内部に情報蓄積用容量素子の下部電極を形成する工程、
（ｄ）前記下部電極の上部に容量絶縁膜を介して形成した第２導電膜をパターニングすることにより、前記情報蓄積用容量素子の上部電極を形成する工程、
（ｅ）前記情報蓄積用容量素子の上部電極の上部に第３絶縁膜を形成した後、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜と第３絶縁膜とを貫通する第１スルーホールを形成し、前記第１スルーホール内に第１プラグを形成する工程、
（ｆ）前記第３絶縁膜の上部に形成した第３導電膜をパターニングすることにより、前記第１プラグを通じて前記第１配線と電気的に接続される第２配線を形成する工程、
（ｇ）前記第２配線の上部に第４絶縁膜を形成した後、前記情報蓄積用容量素子の上部の前記第３絶縁膜と第４絶縁膜とを貫通して形成した第２スルーホール内に第２プラグを形成し、前記第２配線の上部の前記第４絶縁膜に形成した第３スルーホール内に第３プラグを形成する工程、
（ｈ）前記第４絶縁膜の上部に形成した第４導電膜をパターニングすることにより、前記第２プラグを通じて前記情報蓄積用容量素子の上部電極と電気的に接続される給電用配線と、前記第３プラグを通じて前記第２配線と電気的に接続される第３配線とを形成する工程。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第２配線の上部に形成された前記第４絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤ法によって形成された絶縁膜と、プラズマＣＶＤ法によって前記絶縁膜上に形成された絶縁膜の積層膜であり、前記情報蓄積用容量素子の上部に形成された前記第３絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって形成された絶縁膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記高密度プラズマＣＶＤ法によって形成された絶縁膜は、モノシランと酸素と不活性ガスとを含むソースガスを用いた高密度プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記給電用配線と前記第３配線とを同一工程で同時に形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）半導体基板の主面のメモリアレイ領域にメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴを形成し、周辺回路領域に周辺回路のＭＩＳＦＥＴを形成する工程、
（ｂ）前記メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴおよび前記周辺回路のＭＩＳＦＥＴの上部に第１絶縁膜を形成した後、前記メモリアレイ領域の前記第１絶縁膜に溝を形成し、前記溝に前記メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴに接続する情報蓄積用容量素子を形成する工程、
（ｃ）前記情報蓄積用容量素子の上部に、前記メモリアレイ領域および周辺回路領域にわたって第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第２絶縁膜の上部に第１配線を形成する工程、
（ｅ）前記第１配線の上部に第３絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜および第３絶縁膜を貫通して前記情報蓄積用容量素子を露出する第１開口を形成する工程、
（ｇ）前記第３絶縁膜を貫通して前記第１配線を露出する第２開口を形成する工程、
（ｈ）前記第１開口の内部に第１プラグを形成し、前記第２開口の内部に第２プラグを形成する工程。
【請求項８】
請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１開口と第２開口は、同時に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、前記第１プラグの長さは、前記第２プラグの長さより長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】充電装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】充電制御基板及び冷却ファンを内蔵すると共に冷却ファンと連通した空気流入孔と空気流出孔を設けた外枠を有する充電器からなり、充電器の空気流出孔あるいは空気流入孔と連通可能な如く設けられた空気流入孔あるいは空気流出孔及び外部と連通した空気流出孔あるいは空気流入孔とを設けた外枠を有する電池パックを充電器に挿入して電池パック内の蓄電池を充電する充電装置であって、
前記充電器外枠及び電池パック外枠に夫々凸部あるいは凹部を互いに嵌合可能な如く設けると共に凸部上面に空気流出孔あるいは空気流入孔を、凹部内面に空気流入孔あるいは空気流出孔を設けたことを特徴とする充電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は充電時に蓄電池を冷却するための冷却ファンを内蔵した充電器と充電器により充電される電池パックの形状を工夫し、蓄電池の冷却性能を向上させるようにした充電装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の充電器及び電池パックの一例を図４〜図６に示す。
【０００３】
近年、電池工具等に使われている蓄電池は、大電流充電化及び大電流放電化が進み、使用中の自己発熱が大きくなっている。蓄電池は高温で使用されると内部部材である正極板、負極板及び正極板と負極板を絶縁するセパレータが劣化し充放電サイクル寿命が著しく低下してしまうため、充電時には充電開始温度と充電停止温度を充電器で制御する等して蓄電池の劣化を抑えていた。しかし、放電直後の熱くなった蓄電池を充電しようとすると、蓄電池が冷めて充電開始温度以下となるまでの長時間充電を行うことができないという問題や周囲温度が高い場合や蓄電池の温度が通常時よりも比較的高い場合には満充電となる前に充電が停止してしまうという問題等があった。これらの問題を解消するために図４に示すように充電器１内部に冷却ファン３を設け、充電時あるいは充電前に電池パック１１に冷却風を送り蓄電池１２を冷却するようにしたものがあった。
【０００４】
上記した従来の充電器及び電池パックを以下詳細に説明する。
【０００５】
充電器１は、蓄電池１２の充電を制御する充電制御基板２と、基板２の制御により駆動する冷却ファン３と、冷却ファン３を収納するファン室５を内部に備えると共にファン室５と連通した空気流入孔６と空気流出孔７、及び電池パック１１の一部を挿入する挿入口１０とを設けた外枠４を有する。電池パック１１は複数の蓄電池１２を内蔵すると共に下部に充電器１の挿入口１０に挿入される挿入部１５を有する外枠１４を備え、挿入部１５を挿入口１０に挿入した際に充電器１の空気流出孔７と連通するように設けられた空気流入孔１６と、空気流入孔１６から電池パック１１内部に送風された冷却風を外部に流出させる空気流出孔１７とを設けている。
【０００６】
電池パック１１の挿入部１５を充電器１の挿入口１０に挿入し基板２の制御により冷却ファン３が動作すると、ファン室５の空気流入孔６から空気を吸い込み、冷却風を起こす。この冷却風は、冷却ファン３→空気流出孔７→空気流入孔１６と流れ、電池パック１１内の蓄電池１２を冷却した後、空気流出孔１７から外部へと流出される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来の充電装置は、充電器１の外枠４及び電池パック１１の外枠１４に設けられた空気流出孔７、空気流入孔１６によって、冷却ファン３により発生させた冷却風を電池パック１１内に送風するものであったが、充電器外枠４と電池パック外枠１４との間にできる隙間から、冷却風が外部に流出してしまい蓄電池１２の冷却効率が悪いという欠点があった。また、電池パック１１の挿入部１５と挿入口１０との間のガタが大きいと、隙間が大きくなると共に充電器１の空気流出孔７と電池パック１１の空気流入孔１６との位置がずれてしまう場合があり、更に冷却効率が悪くなってしまうという欠点があった。
【０００８】
本発明の目的は上記欠点を解消し、効率良く蓄電池を冷却することができる充電装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は充電器外枠及び電池パック外枠に嵌合可能なように夫々凸部あるいは凹部を設けると共に凸部上面に空気流出孔あるいは空気流入孔を、凹部内面に空気流出孔あるいは空気流入孔を設けることにより達成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明充電装置の一実施形態を図１〜図３を用いて説明する。なお、従来の充電器１及び電池パック１１と同一構成の部位には同一の符号を付したので説明を省略する。
【００１１】
図に示すように、充電器１に電池パック１１が装着された時に電池パック１１の外枠１４と対面する充電器１の外枠４には凸部１８が設けられており、凸部１８の上面にはファン室５内の冷却ファン３と連通する空気流出孔７が設けられている。また、電池パック１１には充電器１の外枠４に設けられた凸部１８と嵌合可能な凹部１９が設けられており、凹部１９の内面には空気流入孔１６が設けられている。
【００１２】
このような構成とすることによって、図１に示すように充電器１に電池パック１１を装着すると充電器１の凸部１８と電池パック１１の凹部１９とが嵌合し、空気流出孔７と空気流入孔１６とが連通するようになるので、冷却ファン３により発生した冷却風が充電器１と電池パック１１との間から外部に漏れることなく電池パック１１内部に送風されるようになると共に充電器１の挿入口１０と電池パック１１の挿入部１５との間のガタが大きいとしても、充電器１の空気流出孔７と電池パック１１の空気流入孔１６との位置がずれることがないので、蓄電池１２の冷却効率を向上させることができる。
【００１３】
なお、上記実施形態では、充電器１側に凸部１８を、電池パック１１側に凹部１９を設けた構成としたが、逆に充電器１側に凹部１９を、電池パック１１側に凸部１９を設ける構成としても同様の効果を得ることができる。
【００１４】
また、上記実施形態では、充電器１内の冷却ファン３により電池パック１１内部に冷却風を送風するとしたが、冷却ファン３により電池パック１１を介して充電器１内部に冷却風を吸い込むとしても良く、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００１５】
【発明の効果】
上記したように本発明によれば、充電器外枠及び電池パック外枠に夫々凸部あるいは凹部を嵌合可能に設けると共に凸部上面に空気流入孔あるいは空気流出孔を、凹部内面に空気流出孔あるいは空気流入孔を設けることにより、効率良く蓄電池を冷却することができる充電装置を提供することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明充電装置の一実施形態を示す断面図。
【図２】本発明充電装置によって充電される電池パックの一実施形態を示す上面図。
【図３】本発明充電装置を構成する充電器の一実施形態を示す上面図。
【図４】従来の充電器及び電池パックの一例を示す断面図。
【図５】従来の電池パックの一例を示す上面図。
【図６】従来の充電器の一例を示す上面図。
【符号の説明】
１は充電器、３は冷却ファン、７は空気流出孔、１１は電池パック、１６は空気流入孔、１８は凸部、１９は凹部である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
段差のあるパターンの側壁に、自己整合的に、シリコン窒化膜のサイドウォールスペーサを形成するエッチング方法であって、
前記パターンを覆うように形成されたシリコン窒化膜を、ＣＨ２Ｆ２とＯ２を含む混合ガスのプラズマを用いてドライエッチングする工程を備えるエッチング方法。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜は、酸化膜を介在させて、前記パターンを覆うように形成されている、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記ＣＨ２Ｆ２に対する前記Ｏ２の混合比を、２５〜４０％にして、前記エッチングを行なう、請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記シリコン窒化膜をエッチングした後、前記酸化膜を、シリコン窒化膜に対する酸化膜の選択比を１以下にした条件でエッチングする、請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記シリコン窒化膜のエッチングを、その開孔径が０．１〜０．５μｍの開孔を有するエッチングマスクを用い、
開孔面積が小さくなるにつれて、シリコン窒化膜のエッチング速度が高くなるようなエッチング条件で行なう、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記エッチングは、メモリセル構造上の直接コンタクトの形成の際において行なわれる、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項７】
平行平板型エッチング装置を用いて、前記エッチングを行なう、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項８】
前記シリコン窒化膜は、酸化膜および酸化膜のサイドウォールスペーサを介在させて、前記パターンを覆うように形成されている、請求項１に記載のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1999186236.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
そこで、濾過体が目詰まりを起こし、入口と出口の差圧が一定圧力以上となったときに、濾過体を逆洗処理する。逆洗を行うべき差圧は濾過体の種類や除去すべき不溶性不純物の種類、粒径等により異なるが通常０．１〜１．０ＭＰａの範囲が好適に用いられる。逆洗処理の媒体としては２００〜５００℃の超臨界水または亜臨界水を用いる。逆洗処理媒体の温度が２００℃を下回るとテレフタル酸などの析出による濾過体の目詰まりが生じ５００℃を超えると例えばテレフタル酸の脱炭酸やエチレングリコールの縮合などの副反応を生じてモノマーの収率が低下する。逆洗処理の媒体として超臨界水または亜臨界水を用いることにより、テレフタル酸等の常温下で固体であるようなモノマーの固化が防止できるため、濾過面や配管を閉塞することがない。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
遠心分離器８で分離された液体分としての水は、蒸留器１０へ供給される。分離水は蒸留器１０で蒸留され、蒸留物は、メタノール等の低沸点有機溶媒および／または有機酸等の不純物を含む水と、重質分を含むエチレングリコールとに回収される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
水は、反応器３から分解生成物と共に処理流体として流出し、濾過体４、遠心分離器８、蒸留器１０、水処理装置１２、冷却器６、加熱ボイラ１５を経て、反応器３に送入され、この経路で循環する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、重縮合系ポリマーの分解処理装置から流出した廃水を河川または公共下水に排出するために、従来は必要であった廃水処理設備が不要になり、その設備費および運転費を省くことができるので、モノマーの回収コストを一層低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月27日(2003.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
４ＦｅＳＯ4＋２Ｈ2ＳＯ4＋Ｏ2→２Ｆｅ2(ＳＯ4)3＋２Ｈ2Ｏ    …(12)
４Ｆｅ(ＮＯ3)2＋４ＨＮＯ3＋Ｏ2→４Ｆｅ(ＮＯ3)3＋２Ｈ2Ｏ   …(13)


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2000178766.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月13日(2003.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
放熱フィンの表面積が、蓄電池表面積の０．５〜１．５倍であることを特徴とする請求項７に記載の蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月21日(2004.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、本製造方法では二段階に分けて水和処理を行うため、第一段階で形成した水酸化カドミウムの結晶配列と、第二段階の水和処理で形成される水酸化カドミウムの結晶配列が異なり、それぞれ互いに入り組んだ形となるので、緻密な結晶構造が得られる。この高い結晶密度によって、良好な機械的強度を持つ電極の作製が実現される。本製造方法では、水和処理に用いるアルカリ溶液の種類を変更することで水酸化カドミウムの結晶形態をβ型あるいはγ型に変えられるが（例えばKOH溶液ではβ型、NaOH溶液ではγ型）、このうちどちらの結晶形態においても高密度の結晶構造が形成されるので、同じように上記効果が奏される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
この発明の線幅変動評価機能を有する処理装置は、少なくともウエハＷの表面にレジスト液を供給するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）｛レジスト膜形成手段｝と、ウエハＷを加熱するホットプレートユニット（ＨＰ）｛第１の加熱手段｝と、ウエハＷにパターンを露光する露光装置４０（ＥＸＰ）｛露光手段｝と、露光後のウエハＷを加熱するチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）｛第２の加熱手段｝と、ウエハＷを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）｛現像処理手段｝と、を具備する。したがって、この発明に係る線幅変動評価機能を有する処理装置を例えば上述したレジスト液塗布・現像処理システム等の処理装置にて構成することができる。すなわち、処理装置は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）によってレジスト膜が形成され、ホットプレートユニット（ＨＰ）によって加熱されてレジスト膜中の溶剤（溶媒）を蒸発させた後、現像ユニット（ＤＥＶ）によって現像処理されるダミーウエハＤＷの現像処理前及び現像処理後のレジスト膜の膜厚を測定する膜厚測定器２５（膜厚測定手段）と、膜厚測定器２５により得られた測定値の差により減膜量を計算し、減膜量と、予め求められた減膜量と線幅の相関情報とに基づいて線幅変動を評価するＣＰＵ１００ａ（評価手段）とを具備し、線幅変動の評価に基づいて、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）、ホットプレートユニット（ＨＰ）、露光装置４０（ＥＸＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）、現像ユニット（ＤＥＶ）の各処理温度、処理雰囲気及び露光装置４０（ＥＸＰ）の露光量のいずれか１以上を制御可能に構成されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に照明手段５０を消灯し、照明手段５１を点灯した状態とすると、ツール５及び基準部材３０のＸ軸方向の像は、照明手段５１からの光に対する影として、ミラー４８、４７よりハーフミラー４６の反射面で反射し、続いてミラー４２、４３で反射し、レンズ４４を通ってミラー４５で反射し、レンズ２０より位置検出用カメラ１１でＸ軸方向の図４（ｂ）に示す画像が撮像される。この画像に適宜の画像処理を施すことにより、ツール５の軸心５ａと基準部材３０の軸心３０ａとのＸ軸方向のずれ量ΔＸ1 が算出される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
こうして試験電流が漏電遮断器用テスタ２０の２本の測定コード２１，２２間に流れて測定が開始されると、試験電流は、電源側電圧線１３ａ、入力端子Ｎ３、漏電遮断器１０の内部回路、出力端子Ｓ３、測定コード２２、漏電遮断器用テスタ２０の内部の定電流回路、測定コード２１、入力端子Ｎ２、電源側電圧線１２ａを通って流れる。この場合、入力端子Ｎ３と出力端子Ｓ３間、又は、入力端子Ｎ２と出力端子Ｓ２間のいずれかで、漏電遮断器１０の内部回路に電流が流れることで、図示しない漏電検出回路Ｐが動作して（例えば、入力端子Ｎ３と出力端子Ｓ３間、及び、入力端子Ｎ２と出力端子Ｓ２間の双方に電流が流れたか否かを監視する。）漏電の検出が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月16日(2003.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
これまで、ＬＳＩの絶縁膜材料としては、ＳｉＯ２やＳｉＮが用いられてきた。特に、ＳｉＯ２は主要な絶縁膜であり、ＳｉＮは、例えばＳｉＯ２をＲＩＥにより除去する時のマスクやストッパーとして、あるいは、水や金属の拡散バリア膜として用いられてきた。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
まず、半導体基板１００上に絶縁膜１０１を形成し、この絶縁膜１０１をパターニングして、深さ３０００オングストロームの溝１０２を形成した。絶縁膜１０１の構成は、膜厚６０００オングストロームの低誘電率絶縁膜（ＬＫＤ２７：ＪＳＲ社製）１０３と、膜厚５００オングストロームのＳｉＣＯ膜１０４の２層構造である。次いで、溝１０２が形成された絶縁膜１０１上に、膜厚１００オングストロームのＴａＮライナー１０５を形成し、更にその上に６０００オングストロームのＣｕ膜１０６を堆積し、溝１０２内をＣｕ膜で埋めた（図１（ａ））。なお、Ｃｕ膜１０６は、最初にスパッタ法によりシード層を形成し、次いでこのシード層上に鍍金法により形成した。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、ＴａＮライナー１０５の溝１０２の外側にある部分、およびＳｉＣＯ膜１０４を研磨により除去した。研磨の条件は、以下の通りである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
研磨スラリー：０．２ｗｔ％の過酸化水素（酸化剤）、１ｗｔ％のキノリン酸、および３ｗｔ％のコロイダルシリカ（平均粒径：２０ｎｍ）をＫＯＨにてｐＨを１０にコントロールした水分散液、
スラリー流量：２００ｃｃ／分、
研磨パッド：ＩＣ１０００（ＲＯＤＥＬ社）、
荷重：３００ｇ／ｃｍ２、
キャリアおよびテーブルの回転数：１００ｒｐｍ、
以上の研磨条件で２分間、研磨処理を行なったところ、ＳｉＣＯ膜１０４を容易に除去することが出来た。その結果、図１（ｃ）に示す構造の低誘電率の絶縁膜１０３に埋め込まれたＣｕダマシン配線を得た。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施例２
本発明を、上部にＳｉＣＮからなる拡散・酸化防止膜を有するＣｕダマシン配線の形成に適用した実施例について、図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、全面に８００オングストロームの厚さのＳｉＣＮ膜２０１を堆積した。その後、ＳｉＣＮ膜２０１の、Ｃｕダマシン配線１０６上を除く部分を研磨により除去した。研磨の条件は、以下の通りである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
研磨スラリー：１．５ｗｔ％のピコリン酸、および５ｗｔ％のコロイダルシリカ（平均粒径：１５ｎｍ）を含有する水分散液（ｐＨ：２）、
スラリー流量：２００ｃｃ／分、
研磨パッド：ＩＣ１０００（ＲＯＤＥＬ社）、
荷重：３００ｇ／ｃｍ２、
キャリアおよびテーブルの回転数：１００ｒｐｍ
以上の研磨条件で２分間、研磨処理を行い、図２（ｃ）に示す構造の、上部にＳｉＣＮからなる拡散・酸化防止膜２０１を有するＣｕダマシン配線を得た。  このようにして得たＣｕダマシン配線の層間容量は、全面にＳｉＣ膜がある構造に対し、５％の改善がみられた。


【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003197574.tif 000001