(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測する特性に対応した波長を有する光を、照射光として、基板上に形成された透明導電膜へ照射する照射部と、
前記照射光が前記透明導電膜で反射された反射光を受光する検出部と、
前記照射光と前記反射光とから算出される反射率に基づいて、前記透明導電膜の前記特性を評価する制御部と
を具備し、
前記特性は、前記透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率であり、
前記波長は、それぞれ２．０μｍ以上３．０μｍ以下及び１．４μｍ以上１．８μｍ以下であり、
前記制御部は、前記シート抵抗及び前記抵抗率に基づいて前記透明導電膜の膜厚を算出する透明導電膜の評価装置。
【請求項２】
請求項１に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記波長は、前記反射率と前記特性との相関が０．７以上である透明導電膜の評価装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記制御部は、前記特性と前記反射率との関係を示す特性テーブルを備え、当該特性テーブルを参照して、前記特性を評価する透明導電膜の評価装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記基板を第１方向へ搬送する搬送部と、
前記照射部を含む複数の照射部と、
前記複数の照射部に対応して設けられ、前記検出部を含む複数の検出部と
を更に具備し、
前記複数の照射部は、前記第１方向と略直角な第２方向に並び、
前記複数の検出部は、前記第２方向に並び、
前記搬送部が前記基板を前記第１方向へ搬送するとき、
前記複数の照射部は、前記透明導電膜における前記第２方向に並んだ複数の位置へ前記照射光を照射し、
前記複数の検出部は、前記複数の位置からの前記反射光を受光し、
前記制御部は、前記複数の位置の前記反射率に基づいて、前記透明導電膜における前記複数の位置での前記特性を評価する透明導電膜の評価装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記基板を第１方向へ搬送する搬送部を更に具備し、
前記検出部は、前記反射光を集光する集光部を備え、
前記搬送部が前記基板を前記第１方向へ搬送するとき、
前記照射部は、前記透明導電膜における前記第１方向と略直角な第２方向の線状の領域へ前記照射光を照射し、
前記検出部は、前記線状の領域からの前記反射光を前記集光部で集光して受光し、
前記制御部は、前記線状の領域からの前記反射率に基づいて、前記透明導電膜における前記線状の領域での前記特性を評価する透明導電膜の評価装置。
【請求項６】
請求項５に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記検出部は、
前記反射光を受光し、前記第２方向に並んだ複数の受光部と、
前記複数の受光部が受光した前記反射光を検出する複数の副検出部と
を備える透明導電膜の評価装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価装置において、
前記透明導電膜の膜厚は、３００〜９００ｎｍである透明導電膜の評価装置。
【請求項８】
（ａ）計測する特性に対応した波長を有する光を、照射光として、基板上に形成された透明導電膜へ照射するステップと、
（ｂ）前記照射光が前記透明導電膜で反射された反射光を受光するステップと、
（ｃ）前記照射光と前記反射光とから算出される反射率に基づいて、前記透明導電膜の前記特性を評価するステップと
を具備し、
前記特性は、前記透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率であり、
前記波長は、それぞれ２．０μｍ以上３．０μｍ以下及び１．４μｍ以上１．８μｍ以下であり、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ１）前記透明導電膜の前記シート抵抗及び前記抵抗率に基づいて前記透明導電膜の膜厚を算出するステップを備える透明導電膜の評価方法。
【請求項９】
請求項８に記載の透明導電膜の評価方法において、
前記波長は、前記反射率と前記特性との相関が０．７以上である透明導電膜の評価方法。
【請求項１０】
請求項８又は９のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価方法において、
前記（ａ）ステップは、
（ａ１）前記透明導電膜における前記基板の搬送方向としての第１方向に略垂直な第２方向に並んだ複数の位置の各々へ前記照射光を照射するステップを備え、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記複数の位置の各々からの前記反射光を受光するステップを備え、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ２）前記複数の位置の各々の前記反射率に基づいて、前記透明導電膜における前記複数の位置の各々での前記特性を評価するステップを備える透明導電膜の評価方法。
【請求項１１】
請求項８又は９のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価方法において、
前記（ａ）ステップは、
（ａ１）前記透明導電膜における前記基板の搬送方向としての第１方向に略直角な第２方向の線状の領域へ前記照射光を照射するステップを備え、
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記線状の領域からの前記反射光を集光して受光するステップを備え、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ２）前記線状の領域からの前記反射率に基づいて、前記透明導電膜における前記線状の領域での前記特性を評価するステップを備える透明導電膜の評価方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の透明導電膜の評価方法において、
（ｄ）前記（ａ）ステップの前に、前記基板の前記第１方向への搬送を開始するステップと、
（ｅ）前記（ａ）ステップ、前記（ｂ）ステップ及び前記（ｃ）ステップを、前記透明導電膜の所定の領域での評価が終わるまで繰り返すステップと
を更に具備する透明導電膜の評価方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の透明導電膜の評価方法において、
前記透明導電膜の膜厚は、３００〜９００ｎｍである透明導電膜の評価方法。
【請求項１４】
（ａ）透光性基板上に透明導電膜を形成する工程と、
（ｂ）請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の透明電極膜の評価方法で、前記透明導電膜を評価する工程と、
（ｃ）前記評価の結果、所定の条件を満たさないものを取り除く工程と、
（ｄ）前記評価の結果、前記所定の条件を満たすものについて、前記透明導電膜上に光を電気に変換する光電変換層を形成する工程と、
（ｅ）前記光電変換層上に、裏面電極膜を形成する工程と
を具備する太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池や液晶ディスプレイなどに利用されている透明導電膜が知られている。その透明導電膜は、例えば、太陽電池工場で、太陽電池の製造工程の途中において、大面積の透光性の基板上に形成される。透明導電膜が基板上に形成される場合、その電気特性や膜厚が基板全体に均一であることが要求される。電気特性や膜厚が不均一な場合、太陽電池の歩留まりが低下するからである。したがって、透明導電膜が基板に形成された後、製品の製造ライン上で、その電気特性を短時間で的確に検査することが可能な技術が望まれる。
【０００３】
透明導電膜の電気特性のうち、シート抵抗や抵抗率の検査方法として、例えば、接触式四探針法がある。これは、透明導電膜に四探針を直接接触させて、その抵抗を測定する方法である。この方法は、接触方式のため接触抵抗による評価の誤差を含み得ること、探針による透明導電膜への損傷が発生し得ること、透明導電膜をパターンニングした後は計測が困難になること、探針の間隔が決まっており汎用性がなく大面積では非現実的であること、などの課題がある。
【０００４】
接触が不要な検査方法として、例えば、透過光量を用いる方法がある。例えば特開２００１−５９８１６号公報に透明導電薄膜の評価方法が開示されている。この透明導電薄膜の評価方法は、透明導電薄膜を形成した透光性基板の一方の表面に発光部から赤外光を入射し、前記基板を透過した赤外光を検出して透過率を求め、その透過率から前記薄膜の膜厚またはシート抵抗を求めることを特徴とする。この方法では、ガラスの種類を変更した場合など基板が変わった場合には校正を行なう必要があること、光路を確保するために装置構成に制限があること、大面積基板の分布計測では大量のダイオードなどが必要であること、などの課題がある。
【０００５】
したがって、接触式四探針法や透過光量を用いる方法に替わり、透明導電膜の電気特性を短時間で非接触で的確に検査することが可能な技術が望まれる。太陽電池のような製品の製造工程の途中において透明導電膜の電気特性を短時間で非接触に検査することが可能な技術が望まれる。
【０００６】
関連する技術として特開２００５−１３４３２４号公報に、透明導電膜分析方法および透明導電膜品質管理方法ならびに太陽電池が開示されている。この透明導電膜分析方法は、光を透明導電膜に照射し、反射した光を少なくとも２つの波長に分光し、これらの波長の光強度を演算することによって前記透明導電膜の膜厚を算出することを特徴とする。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−５９８１６号公報
【特許文献２】特開２００５−１３４３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、透明導電膜の電気特性を短時間で非接触で的確に検査することが可能な透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、太陽電池のような製品の製造工程の途中において透明導電膜の電気特性を短時間で非接触に検査することが可能な透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１１】
本発明の透明導電膜の評価装置は、照射部（３）と、検出部（２）と、制御部（７）とを具備する。照射部（３）は、計測する特性に対応した波長を有する光を、照射光（Ｌ１）として、基板（１１）上に形成された透明導電膜へ照射する。検出部（２）は、照射光（Ｌ１）が透明導電膜で反射された反射光（Ｌ２）を受光する。制御部（７）は、照射光（Ｌ１）と反射光（Ｌ２）とから算出される反射率に基づいて、透明導電膜の特性を評価する。透明導電膜の特性は、透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率であり、波長は、それぞれ２．０μｍ以上３．０μｍ以下及び１．４μｍ以上１．８μｍ以下であり、制御部（７）は、透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率に基づいて透明導電膜の膜厚を算出する。
本発明において、抵抗率及びシート抵抗を計測することで、膜厚＝抵抗率／シート抵抗により、膜厚を求めることができる。
上記の透明導電膜の評価装置において、波長は、反射率と特性との相関が０．７以上であることが好ましい。
本発明において、透明導電膜を非接触の反射光で評価しているので、透明導電膜を損傷する恐れが無く、短時間で評価することができる。評価に用いる光は、評価対象の特性（例示：シート抵抗、抵抗率）と反射率との相関の高い（相関係数０．７以上）波長を用いているので、反射率を測定するだけで、透明導電膜におけるその特性を的確に評価することができる。また、透明導電膜から直接反射される反射光で評価しているので、透過光で評価する場合に比較して、透明導電膜の製膜された基板や下地膜の影響を測定時に受けずに済む。更に、透明導電膜がパターンニングされていても、光学的に反射率を取得することで、パターンニング後の特性の評価が可能となる。
【００１５】
上記の透明導電膜の評価装置において、制御部（７）は、特性と反射率との関係を示す特性テーブルを備え、当該特性テーブルを参照して、特性を評価することが好ましい。
本発明において、特性テーブルを参照して評価すれば、評価時間を短縮できる。
【００１６】
上記の透明導電膜の評価装置は、搬送部（１）と、複数の照射部（３−１〜３−ｍ）と、複数の検出部（２−１〜２−ｍ）とを更に具備することが好ましい。その場合、搬送部（１）は、基板（１１）を第１方向（Ｙ）へ搬送する。複数の照射部（３−１〜３−ｍ）は、照射部（３）を含む。複数の検出部（２−１〜２−ｍ）は、複数の照射部（３−１〜３−ｍ）に対応して設けられ、検出部（２）を含む。複数の照射部（３−１〜３−ｍ）は、第１方向（Ｙ）と略直角な第２方向（Ｘ）に並ぶ。複数の検出部（２−１〜２−ｍ）は、第２方向（Ｘ）に並ぶ。搬送部（１）が基板（１１）を第１方向（Ｙ）へ搬送するとき、複数の照射部（３−１〜３−ｍ）は、透明導電膜における第２方向（Ｘ）に並んだ複数の位置へ照射光（Ｌ１）を照射する。複数の検出部（２−１〜２−ｍ）は、複数の位置からの反射光（Ｌ２）を受光する。制御部（７）は、複数の位置の反射率に基づいて、透明導電膜における複数の位置での特性を評価する。
本発明では、複数の照射部（３−１〜３−ｍ）と複数の検出部（２−１〜２−ｍ）とが基板（１１）の幅方向（Ｘ）に並んでいるので、基板（１１）の幅方向での特性の計測を一度に行うことができる。また、基板（１１）の搬送に対応して、次々に特性を計測することで、基板（１１）の略全面に形成された透明導電膜について特性の分布を求めることができる。
【００１７】
上記の透明導電膜の評価装置は、基板（１１）を第１方向（Ｙ）へ搬送する搬送部（１）を更に具備することが好ましい。その場合、検出部（２）は、反射光（Ｌ２）を集光する集光部（１４、１３）を備える。搬送部（１）が基板（１１）を第１方向（Ｙ）へ搬送するとき、照射部（３）は、透明導電膜における第１方向と略直角な第２方向（Ｘ）の線状の領域へ照射光（Ｌ１）を照射する。検出部（２）は、線状の領域からの反射光（Ｌ２）を集光部（１４、１３）で集光して受光する。制御部（７）は、線状の領域からの反射率に基づいて、透明導電膜における線状の領域での特性を評価する。
本発明では、線状の照射光（Ｌ１）を用いているので、反射率を評価する計測位置を増加させることができる。それにより、計測における位置の分解能を向上させることができる。また、基板（１１）の搬送に対応して、次々に特性を計測することで、透明導電膜の特性の分布をより詳細に求めることが出来る。
【００１８】
上記の透明導電膜の評価装置において、検出部（２）は、反射光（Ｌ２、Ｌ３）を受光し第２方向（Ｘ）に並んだ複数の受光部（１６−１〜１６−４）と、複数の受光部（１６−１〜１６−４）が受光した反射光（Ｌ２、Ｌ３）を検出する複数の副検出部（２−１〜２−４）とを備えることが好ましい。
本発明では、受光する素子に小さな複数の受光部（１６−１〜１６−４）を用いているので、それらを密に並べることで検出器（２）の検出能力を高めることができる。
上記の透明導電膜の評価装置において、透明導電膜の膜厚は、３００〜９００ｎｍであることが好ましい。
【００１９】
本発明の透明導電膜の評価方法は、（ａ）計測する特性に対応した波長を有する光を、照射光（Ｌ１）として、基板（１１）上に形成された透明導電膜へ照射するステップと、（ｂ）照射光（Ｌ１）が透明導電膜で反射された反射光（Ｌ２）を受光するステップと、（ｃ）照射光（Ｌ１）と反射光（Ｌ２）とから算出される反射率に基づいて、透明導電膜の特性を評価するステップとを具備する。透明導電膜の特性は、透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率であり、波長は、それぞれ２．０μｍ以上３．０μｍ以下及び１．４μｍ以上１．８μｍ以下であり、（ｃ）ステップは、（ｃ１）透明導電膜のシート抵抗及び抵抗率に基づいて透明導電膜の膜厚を算出するステップを備える。
本発明において、抵抗率及びシート抵抗を計測することで、膜厚＝抵抗率／シート抵抗により、膜厚を求めることができる。
上記の透明導電膜の評価方法において、波長は、反射率と特性との相関が０．７以上であることが好ましい。
本発明において、透明導電膜を非接触の反射光で評価しているので、透明導電膜を損傷する恐れが無く、短時間で評価することができる。評価に用いる光は、評価対象の特性（例示：シート抵抗、抵抗率）と反射率との相関の高い（相関係数０．７以上）波長を用いているので、反射率を測定するだけで、透明導電膜におけるその特性を的確に評価することができる。また、透明導電膜から直接反射される反射光で評価しているので、透過光で評価する場合に比較して、透明導電膜の製膜された基板や下地膜の影響を測定時に受けずに済む。更に、透明導電膜がパターンニングされていても、光学的に反射率を取得することで、パターンニング後の特性の評価が可能となる。
【００２３】
上記の透明導電膜の評価方法において、（ａ）ステップは、（ａ１）透明導電膜における基板（１１）の搬送方向としての第１方向（Ｙ）に略垂直な第２方向（Ｘ）に並んだ複数の位置の各々へ照射光（Ｌ１）を照射するステップを備える。（ｂ）ステップは、（ｂ１）複数の位置の各々からの反射光（Ｌ２）を受光するステップを備える。（ｃ）ステップは、（ｃ１）複数の位置の各々の反射率に基づいて、透明導電膜における複数の位置の各々での特性を評価するステップを備える。
本発明では、複数の照射部（３−１〜３−ｍ）と複数の検出部（２−１〜２−ｍ）とが基板（１１）の幅方向（Ｘ）に並んでいるので、基板（１１）の幅方向での特性の計測を一度に行うことができる。
【００２４】
上記の透明導電膜の評価方法において、（ａ）ステップは、（ａ１）透明導電膜における基板（１１）の搬送方向としての第１方向（Ｙ）に略直角な第２方向（Ｘ）の線状の領域へ照射光（Ｌ１）を照射するステップを備える。（ｂ）ステップは、（ｂ１）線状の領域からの反射光（Ｌ２）を集光して受光するステップを備える。（ｃ）ステップは、（ｃ１）、線状の領域からの反射率に基づいて、透明導電膜における線状の領域での特性を評価するステップを備える。
本発明では、線状の照射光（Ｌ１）を用いているので、反射率を評価する計測位置を増加させることができる。それにより、計測における位置の分解能を向上させることができる。
【００２５】
上記の透明導電膜の評価方法は、（ｄ）（ａ）ステップの前に、基板（１１）の第１方向（Ｙ）への搬送を開始するステップと、（ｅ）（ａ）ステップ、（ｂ）ステップ及び（ｃ）ステップを、透明導電膜の所定の領域での評価が終わるまで繰り返すステップとを更に具備する。
本発明では、基板（１１）の搬送に対応して、次々に特性を計測することで、基板（１１）の略全面に形成された透明導電膜について特性の分布を求めることができる。
上記記載の透明導電膜の評価方法において、透明導電膜の膜厚は、３００〜９００ｎｍであることが好ましい。
【００２６】
本発明の太陽電池の製造方法は、（ａ）透光性基板（１１）上に透明導電膜（２５）を形成する工程と、（ｂ）上記のいずれか一段落に記載の透明電極膜の評価方法で、透明導電膜（２５）を評価する工程と、（ｃ）評価の結果、所定の条件を満たさないものを取り除く工程と、（ｄ）評価の結果、所定の条件を満たすものについて、透明導電膜（２５）上に光を電気に変換する光電変換層（２６）を形成する工程と、（ｅ）光電変換層（２６）上に、裏面電極膜（２７）を形成する工程とを具備する。
本発明では、上記の透明導電膜の評価方法を用いているので、透明導電膜の製膜工程に異常が発生した場合でも、その異常を早期に把握することができる。それにより、当該異常に対して迅速に対応することができる。また、透明導電膜の異常により所望の特性を満たさない太陽電池が製造されることを防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、透明導電膜の電気特性を短時間で非接触で的確に検査することが可能な透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法を提供することができる。また、太陽電池のような製品の製造工程の途中において透明導電膜の電気特性を短時間で非接触に検査することが可能な透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。ここでは、太陽電池用に、透光性の基板（例示：ガラス基板）上に形成された透明導電膜に適用される透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法について説明する。しかし、本発明はそれに限定されるものではなく、他のディスプレイや窓ガラス等で使用される透明導電膜についても適用可能である。
【００２９】
（第１の実施の形態）
本発明の透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法の第１実施の形態について説明する。図１は、本発明の透明導電膜評価装置の第１の実施の形態の構成を示す概略図である。透明導電膜評価装置１０は、搬送コンベア１、検出器２、光源３、位置センサ５、ロータリーエンコーダ６、情報処理装置７、検出器固定具８（８ａ、８ｂ）、光源固定具９（９ａ、９ｂ）を具備している。
【００３０】
搬送コンベア１は、透明導電膜の形成された基板１１を搬送するための一対で構成された複数のローラ１ａ−１〜１ａ−ｎを備える。各々のローラ１ａ−ｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ、以下同じ）と、基板１１とは接する。複数のローラ１ａ−１〜１ａ−ｎは、基板１１の搬送方向Ｙに順に並び、それらが同時に所定の回転速度で、所定方向に回転することで、基板１１を搬送方向Ｙへ搬送することができる
【００３１】
検出器２は、複数の検出器２−１〜２−ｍを備える。搬送コンベア１のＸ方向の両側面に固定された検出器固定具８（８ａ、８ｂ）によって、搬送コンベア１の搬送面（基板１１の搬送される面）の上方（Ｚ方向）に固定されて設置されている。各々の検出器２−ｊ（ｊ＝１，２，…，ｍ、以下同じ）は、情報処理装置７が出力したトリガ信号Ｔ１に基づいて、基板１１上の透明導電膜から反射された反射光を受光する。そして、その反射光の強度ＰＳを情報処理装置７へ出力する。検出器２−ｊとしては、光源３−ｊから照射される光の波長に対応して当該波長の光を受光できるものを用いる。検出器２−ｊは、フォトディテクタやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）センサに例示される。
【００３２】
光源３は、複数の光源３−１〜３−ｍを備える。光源３−ｊと検出器２−ｊとは対応している（組になっている）。搬送コンベア１のＸ方向の両側面に固定された光源固定具９（９ａ、９ｂ）によって、搬送コンベア１の搬送面（基板１１の搬送される面）の上方（Ｚ方向）に固定されて設置されている。光源固定具９（９ａ、９ｂ）は、検出器固定具８（８ａ、８ｂ）よりも搬送方向Ｙにおける手前側２配置されている。ただし、光源固定具９（９ａ、９ｂ）と検出器固定具８（８ａ、８ｂ）との位置関係は逆でもよい。各々の光源３−ｊは、情報処理装置７が出力したトリガ信号Ｔ２に基づいて、基板１１上の透明導電膜へ所定の波長の光を照射光として照射する。光源３−ｊとしては、透明導電膜の特性のうち計測したいものに適した波長の光を出力できるものを用いる。光源３−ｊは、レーザー照射装置や発光ダイオード、蛍光管に例示される。
【００３３】
複数の光源３−１〜３−ｍの各々は、例えば、複数の単色光（例示：１．５μｍの単色光及び２．４μｍの単色光）をいずれも照射できるようにしてもよい。例えば、単色光を発する複数の発光ダイオードを有することで、それが実現できる。それに対応して、複数の検出器２−１〜２−ｍの各々は、複数の単色光のいずれも検出できるようにしてもよい。例えば、単色光を検出する複数のフォトディテクタを有することで、それが実現できる。
【００３４】
図２は、透明導電膜評価装置１０における一つの光源３とそれに対応する検出器２との位置関係を示す概略図である。光源３（３−ｊ）は、搬送コンベア１上を搬送される基板１１の表面上の計測領域に対して照射光Ｌ１を照射する。照射光Ｌ１は、基板１１の表面の垂線Ｌ３に対して角度α２で透明導電膜に入射し、垂線Ｌ３に対して角度α１で反射光Ｌ２として反射される。検出器２（２−ｊ）は、透明導電膜により反射された反射光Ｌ２を受光する。角度α１、角度α２の各々は、装置の構造により設定が可能である。好ましくは５〜８０°である。
【００３５】
図３は、透明導電膜評価装置１０における複数の光源３と複数の検出器４との位置関係を示す概略図である。複数の光源３−１〜３−ｍは、基板１１の搬送方向Ｙに対して略垂直なＸ方向に並んで配置されている。そして、基板１１上のＸ方向に並んだ計測位置Ｍ１〜Ｍｍに対して概ね同時に照射光Ｌ１を照射する。複数の検出器２−１〜２−ｍは、計測位置Ｍ１〜Ｍｍから反射された反射光Ｌ２を概ね同時に受光する。一組の光源と検出器とで見れば、光源３−ｊは、計測位置Ｍｊに対して照射光Ｌ１を照射する。検出器２−ｊは、その計測位置Ｍｊから反射された反射光Ｌ２を受光する。
【００３６】
図４は、基板における計測領域を示す概略図である。基板１１において、光源３（複数の光源３−１〜３−ｍ）と検出器２（複数の検出器２−１〜２−ｍ）とを用いた一度の計測で計測される領域は、一列の計測領域ｘｙｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）の各々のうち、いずれかに相当する。光源３と検出器２とは透明導電膜評価装置１０に固定されている。基板１１は、搬送コンベア１により光源３と検出器２に対して相対的に移動する。したがって、その移動に基づいて、光源３及び検出器２は、計測領域ｘｙ１から計測領域ｘｙｎまで順に計測を行う。
【００３７】
光源３は、情報処理装置７からトリガ信号Ｔ２を受信すると、基板１１の計測領域ｘｙｉへ照射光Ｌ１を照射する。検出器２は、情報処理装置７からトリガ信号Ｔ１を受信すると、基板１１の計測領域ｘｙｉから反射された反射光Ｌ２を受光する。そして、受光した反射光Ｌ２の強度ＰＳｉを情報処理装置７へ送信する。この計測領域ｘｙｉでの計測と、反射光Ｌ２の強度ＰＳｉの情報処理装置７への送信を含む一連の処理が繰り返されること（ｉ＝１からｎまで）で、最終的に基板１１上の透明導電膜の全体の特性を計測することができる。
【００３８】
このように、搬送コンベア１上を搬送される基板１１の計測領域ｘｙｉでの計測処理が順次行われることで、大面積の基板１１に対しても、全体を計測することが可能となる。光源３（３−１〜３−ｍ）については、計測領域ｘｙｉへの照射光Ｌ１の照射が可能であればよい。従って、大面積の基板１１全体の光照射を可能とするような大規模で、高価な装置は不要となる。それにより、製造コストを最小限に抑制することが可能となる。また、検出器２（２−１〜２−ｍ）については、計測領域ｘｙｉからの反射光Ｌ２の検出が可能であればよい。従って、大面積の基板１１の全体からの受光を可能とするような大規模で、高価な装置は不要となる。それにより、製造コストを最小限に抑制することが可能となる。
【００３９】
位置センサ５は、計測対象である基板１１が所定位置に所在するか否かを検出する。位置センサ５は、その検出を行ったときに、基板１１が所定位置にあることを通知する通知信号Ｎを情報処理装置７へ送信する。所定位置は、例えば、最初に計測される計測領域ｘｙ１が光源３（３−１〜３−ｍ）の照射範囲（照射光が照射される範囲）に達したときと定義される。但し、この定義形態は一例であり、この形態には限らない。
【００４０】
ロータリーエンコーダ６は、各々のローラ１ａ−ｉの中心に開けられた中心孔部１Ａ−ｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）のうち、いずれかに嵌め込まれることによってローラ１ａ−ｉと接続されており、ローラ１ａ−ｉの回転速度を検出する。また、ロータリーエンコーダ６は、ローラ１ａ−ｉの回転速度に対応して、ローラ１ａ−ｉの１回転当たりに数百パルス〜数パルス（予め設定される）のパルス信号Ｐを情報処理装置７に送信する。
【００４１】
情報処理装置７は、パーソナルコンピュータに例示される情報処理装置であり、プログラムとしての膜評価部１７を備える。
【００４２】
膜評価部１７は、位置センサ５から通知信号Ｎを受信し、また、ロータリーエンコーダ６からパルス信号Ｐを受信する。そして、１パルスのパルス信号Ｐを受信する毎に１回、トリガ信号Ｔ１を検出器２（２−１〜２−ｍ）へ、トリガ信号Ｔ２を光源３（３−１〜３−ｍ）へそれぞれ送信する。すなわち、膜評価部１７は、ローラ１ａ−ｉの１回転当たりに、トリガ信号Ｔ１、Ｔ２の送信が数百回〜数回行われる。ここで、ローラ１ａ−ｉの回転速度と、基板１１の計測領域ｘｙｉでの計測に対する速度とは対応している。ローラ１ａ−ｉの回転速度は、基板１１の搬送速度に対応している。
【００４３】
膜評価部１７は、各計測領域ｘｙｉについて、光源３−１〜３−ｍの照射光Ｌ１の強度ＩＬ１ｊ（予め設定され情報処理装置７の記憶部に記憶されている）と検出器２−１〜２−ｍでの反射光Ｌ２の強度ＩＬ２ｊとに基づいて、各計測位置Ｍ１〜Ｍｍについて反射率Ｒｊを以下の式で計算する。
Ｒｊ＝ＩＬ２ｊ／ＩＬ１ｊ×１００（％）
そして、膜評価部１７は、算出された各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの反射率Ｒｊに基づいて、情報処理装置７の記憶部に格納された計測対象の特性（例示：抵抗率、シート抵抗）と反射率との関係を参照して、各計測領域ｘｙｉにおける各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの透明導電膜の特性（例示：抵抗率、シート抵抗）を導出する。更に、この動作を全計測領域ｘｙ１〜ｘｙｎについて行うことにより、基板１１上の透明導電膜全体の特性を計測することができる。
【００４４】
膜評価部１７は、更に、計測対象の抵抗率及びシート抵抗に基づいて、各計測領域ｘｙｉにおける各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの膜厚を下式により求めることもできる。
膜厚＝抵抗率／シート抵抗
これにより、基板１１上の透明導電膜全体の膜厚（分布）を計測することができる。
【００４５】
なお、本実施の形態では、ロータリーエンコーダ６からの信号をトリガにして計測を行っているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、位置センサ５からの通知信号Ｎの受信後に、所定の時間間隔で計測を行う方法が考えられる。例えば、搬送コンベア１の側面に搬送方向Ｙに沿って複数の位置センサ（５−ｋ：ｋは自然数）を設け、基板１１の搬送に伴って各位置センサ（５−ｋ）から発せられる通知信号Ｎ−ｋの受信ごとに計測を行う方法が考えられる。
【００４６】
次に、本発明の透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法において用いる光の波長について説明する。図５は、一般的な透明導電膜の吸収率、透過率及び反射率の波長依存性を示すグラフである（出典：太陽光発電技術研究組合監修、小長井誠編著、「薄膜太陽電池の基礎と応用」、オーム社、平成１３年３月２０日）。左縦軸は吸収率Ａ（％）、透過率Ｔ（％）、右縦軸は反射率Ｒ（％）、横軸は波長（μｍ）である。透明導電膜中の電子が追随できる境界の波長であるプラズマ共鳴周波長：λｐは、以下のＤｒｕｄｅの式より求めることができる。
λｐ＝２πｃ（ｅ２ｎ／ε０εｇｍ＊−１／τ２）−１／２
ただし、ｃ：光速、ｎ：自由電子濃度、ε０：真空誘電率、εｇ：格子誘電率、ｍ＊：電子の有効質量、τ：緩和時間、である。このλｐより長い波長の光は反射される。この式より、自由電子濃度が高いと、λｐは短くなる。したがって、赤外線領域の光の反射率が高いことは、自由電子が多いことを意味する。すなわち、シート抵抗、抵抗率が低いことを示している。すなわち、シート抵抗や抵抗率が低い場合、赤外線領域の光の反射率が高く、シート抵抗や抵抗率が高い場合、赤外線領域の光の反射率が低くなる。このことから、赤外線領域の光の反射率を計測することで、シート抵抗や抵抗率を評価することが可能と考えられる。この図５を参照すると、透明導電膜の計測において、反射率が大きくなり始める波長１．４μｍ以上の赤外領域の光を用いると、その反射率の変化でシート抵抗や抵抗率を評価することが可能と考えられる。
【００４７】
図６は、黒体輻射の波長依存性を示すグラフである。縦軸は熱輻射強度（ｅｒｇ）であり、横軸は波長（μｍ）である。透明導電膜の計測時の温度として考え得る範囲（室温〜１００℃）では、波長３μｍ程度までの光は、ほとんど輻射されないことがわかる。また、透明導電膜の計測時の反射光Ｌ２のエネルギー（光量）が図６のエネルギー（光量）より大きくなるよう、例えば照射光Ｌ１の入射角度α２や、光源３の強度を変えることにより、黒体輻射の影響を無視することも可能と考えられる。すなわち、透明導電膜の計測時の温度として考え得る範囲では、温度による影響がないか、又はその影響を排除することが可能と考えられる。本発明では、光源３や図６を考慮して、３μｍ以下とすることが好ましいと考えられる。なお、透明導電膜は、キャリアの活性化率化高く、温度によるλｐの変化は少ないと予測される。
【００４８】
図７は、透明導電膜の計測時の波長による経路の相違を示す概略断面図である。抵抗率は透明導電膜の材料に固有の特性であるから、抵抗率を計測する場合には透明導電膜の表面からの反射光を計測すればよいと考えられる。表面付近の結晶粒は、粒径が比較的大きいので、透明導電膜の本来の特性を示すと考えられるからである。すなわち、透明導電膜の内部に入らず表面付近で反射するように、照射光Ｌ１（Ｌ１ａ）の波長（λａ）を、波長１．４μｍ以上３．０μｍ以下のうち相対的に低く設定する。これにより、表面付近の反射光Ｌ２ａを得ることができる。
【００４９】
一方、シート抵抗は製膜された状態を反映した透明導電膜の特性であるから、シート抵抗を計測する場合には透明導電膜の途中から底部までの領域に達した光の反射光を計測すればよいと考えられる（図では、透明導電膜の途中で反射される例を示している）。透明導電膜を膜厚方向全体に透過しているので、透明導電膜の製膜状態を反映していると考えられるからである。すなわち、透明導電膜の底部付近で反射するように、照射光Ｌ１（Ｌ１ｂ）の波長（λｂ）を、波長１．４μｍ以上３．０μｍ以下のうち相対的に高く設定する。これにより、底部付近の反射光Ｌ２ｂを得ることができる。
【００５０】
以上の考えを参考にして、抵抗率及びシート抵抗と反射率との関係を計測した結果の一例を図８及び図９に示す。ここでは、基準とする相関係数を０．７とし、それ以上の相関係数が得られた場合、相関が高いと判断することとする。図８は、抵抗率と反射率との関係の一例を示すグラフである。縦軸は規格化された抵抗率、横軸は規格化された反射率をそれぞれ示す。（ａ）は照射光Ｌ１の波長を２４００ｎｍとした場合である。この場合、抵抗率と反射率との相係数数は基準と比較して低く（０．４程度）、計測に必要な相関関係は得られないと判断した。（ｂ）は照射光Ｌ１の波長を１５００ｎｍとした場合である。この場合、抵抗率と反射率との相関係数は基準と比較して高く（０．９程度）、計測に必要な相関関係があると判断した。
【００５１】
図９は、シート抵抗と反射率との関係を示すグラフである。縦軸は規格化されたシート抵抗、横軸は規格化された反射率をそれぞれ示す。（ａ）は照射光Ｌ１の波長を２４００ｎｍとした場合である。この場合、シート抵抗と反射率との相関係数は基準と比較して高く（０．９程度）、計測に必要な相関関係があると判断した。（ｂ）は照射光Ｌ１の波長を１５００ｎｍとした場合である。この場合、抵抗率と反射率との相関係数は基準と比較して低く（０．２程度）、計測に必要な相関関係は得られないと判断した。
【００５２】
このような、抵抗率及びシート抵抗と反射率との関係を詳細に計測した結果、抵抗率と反射率との相関係数が高い波長は１．４μｍ以上１．８μｍ以下であり、その波長の範囲で相関が高い（相関係数０．７以上）ことが判明した。下限は図５のグラフにおける反射光の立ち上がりにより、上限は実験的に求められた相関係数から制限される。より好ましくは（相関係数０．８以上）１．５μｍ以上１．７μｍ以下である。一方、シート抵抗と反射率との相関係数が高い波長は２μｍ以上３．０μｍ以下であり、その波長の範囲で相関が高い（相関係数０．７以上）ことが判明した。下限は実験的に求められた相関係数により、上限は図６のグラフにおける黒体輻射の影響から制限される。より好ましくは（相関係数０．８以上）２．１μｍ以上３．０μｍ以下である。このことから、光源３の波長として二つの波長（１．４μｍ以上１．８μｍ以下、及び、２μｍ以上）を用いることで、シート抵抗および抵抗率を合わせて計測することができると考えられる。
【００５３】
上記計測結果に基づいた、抵抗率と反射率とを一対一に対応させた抵抗率算出用テーブルが、１．４μｍ以上１．８μｍ以下の波長について、例えば、０．１μｍの波長刻みで作成され、情報処理装置７の記憶部に格納されている。同様に、上記計測結果に基づいた、シート抵抗と反射率とを一対一に対応させたシート抵抗算出用テーブルが、２．０μｍ以上３．０μｍ以下の波長について、例えば、０．１μｍの波長刻みで作成され、情報処理装置７の記憶部に格納されている。膜評価部１７は、これらの抵抗率算出用テーブル及びシート抵抗算出用テーブルを参照して評価を行う。
【００５４】
次に、本発明の透明導電膜評価装置の第１の実施の形態の動作（本発明の透明導電膜の評価方法の第１の実施の形態）について説明する。図１０は、本発明の透明導電膜評価装置の第１の実施の形態の動作を示すフロー図である。
【００５５】
まず、前段の工程で基板１１上に透明導電膜が形成される。その後、その透明導電膜を形成された基板１１が、搬送コンベア１上を搬送方向Ｙに搬送される（ステップＳ１１）。
【００５６】
位置センサ５は、基板１１が所定位置に達したことを検出して、通知信号Ｎを情報処理装置７へ送信する。また、ロータリーエンコーダ６は、搬送コンベア１の搬送動作に伴うローラ１ａ−ｉの回転により、パルス信号Ｐを情報処理装置７へ送信する。情報処理装置７の膜評価部１７は、位置センサ５から通知信号Ｎを受信し、また、ロータリーエンコーダ６からパルス信号Ｐを受信する。そして、膜評価部１７は、通知信号Ｎ受信後において、１パルスのパルス信号Ｐを受信する毎に１回、トリガ信号Ｔ１を検出器２（２−１〜２−ｍ）へ、トリガ信号Ｔ２を光源３（３−１〜３−ｍ）へそれぞれ送信する（ステップＳ１２）。
【００５７】
複数の光源３−１〜３−ｍは、情報処理装置７からトリガ信号Ｔ２を受信すると、計測する特性に対応した波長（抵抗率：１．４〜１．８μｍ、シート抵抗：２．０〜３．０μｍ）を有する光を照射光Ｌ１として、基板１１上に形成された透明導電膜の計測領域ｘｙ１の計測位置Ｍ１〜Ｍｍへ照射する（ステップＳ１３）。
【００５８】
複数の検出器２−１〜２−ｍは、情報処理装置７からトリガ信号Ｔ１を受信すると、透明導電膜の計測領域ｘｙ１の計測位置Ｍ１〜Ｍｍが反射した照射光Ｌ１の反射光Ｌ２を受光する。そして、複数の検出器２−１〜２−ｍは、受光した反射光Ｌ２の強度ＰＳ１を情報処理装置７へ送信する（ステップＳ１４）。
【００５９】
膜評価部１７は、各計測領域ｘｙ１について、光源３−１〜３−ｍの照射光Ｌ１の強度ＩＬ１ｊと検出器２−１〜２−ｍでの反射光Ｌ２の強度ＩＬ２ｊとに基づいて、各計測位置Ｍ１〜Ｍｍについて反射率Ｒｊを計算する。そして、膜評価部１７は、算出された各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの反射率Ｒｊに基づいて、情報処理装置７の記憶部に格納された計測対象の特性（例示：抵抗率、シート抵抗）と反射率との関係（例示：抵抗率算出用テーブル、シート抵抗算出用テーブル）を参照して、各計測領域ｘｙ１における各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの透明導電膜の特性（例示：抵抗率、シート抵抗）を導出する。更に、膜厚を導出してもよい。膜評価部１７は、その結果を記憶部に格納する（ステップＳ１５）。
【００６０】
膜評価部１７は、残りの計測領域ｘｙ２〜ｘｙｎについて、上記ステップＳ１２（ただし、通知信号Ｎ受信後の動作）、ステップＳ１３、ステップＳ１４及びステップＳ１５を実行する。膜評価部１７は、全計測領域ｘｙ１〜ｘｙｎが終了したか否かについて、例えば、位置センサ５からの通知信号Ｎの受信後に受信するロータリーエンコーダ６からのパルス信号Ｐの数がｎ個に達したことで判断する（ステップＳ１６）。これにより、基板１１上の透明導電膜全体の特性を計測することができる。
【００６１】
膜評価部１７は、記憶部に格納された基板１１上の透明導電膜全体の特性に基づいて、透明導電膜が所望の特性を有しているかを判断する（ステップＳ１７）。判断方法としては、例えば以下のような方法が考えられる。まず、計測対象の特性の基準値（例示：所定の抵抗率の値、所定のシート抵抗の値、（所定の膜厚の値）；記憶部に格納）と各計測領域ｘｙ１〜ｘｙｎにおける各計測位置Ｍ１〜Ｍｍでの特性（、膜厚）の測定結果とを比較する。そして、基準を満たさない計測位置の数が所定の数（記憶部に格納）以上存在する場合、その透明導電膜が異常であると判断する。又は、基準値と各測定結果との変位の分布を統計処理して判断してもよい。また、抵抗率及びシート抵抗（及び膜厚）の少なくとも一つが基準を満たさない場合、異常と判断してもよい。なお、本発明は、これらの判断方法のみに限定されるものではない。異常がある場合、その透明導電膜を形成された基板１１は、製造工程から取り出され除去される。
【００６２】
以上のようにして、透明導電膜の評価を実行することができる。
【００６３】
本発明では、透明導電膜の特性の計測に光学的に反射率を取得する方法を用いることで、短時間で非接触でのシート抵抗及び抵抗率の算出が可能となる。また、反射率を用いることで、透過率を用いる場合と比較して、ガラス等の基板の影響を受け難くすることができる。更に、透明導電膜がパターンニングされていても、光学的に反射率を取得することで、パターンニング後のシート抵抗及び抵抗率が算出可能となる。
【００６４】
次に、上記本発明の透明導電膜の評価方法を適用した太陽電池の製造方法について説明する。
【００６５】
図１１は、本発明の透明導電膜の評価方法を適用して製造された太陽電池の構成の一例を示す断面図である。ここでは、タンデム型の太陽電池５０について説明する。ただし、本発明の透明電極膜は、それに限定されるものではなく、他の型の太陽電池（例示：アモルファス型太陽電池、結晶型太陽電池）にも適用可能である。
【００６６】
このタンデム型の太陽電池５０は、基板１１、アルカリバリア膜２１及び透明導電膜２５、電池層２６、裏面電極膜２７を具備する。電池層２６は、アモルファスシリコン系電池層３５と微結晶シリコン電池層４５とを備えている。アモルファスシリコン系電池層３５は、アモルファスｐ層膜３１、アモルファスｉ層膜３２及び微結晶ｎ層膜３３を含む。ただし、アモルファスｐ層膜３１とアモルファスｉ層膜３２との間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。微結晶シリコン系電池層４５は、微結晶ｐ層膜４１、微結晶ｉ層膜４２及び微結晶ｎ層膜４３を含む。微結晶ｎ層膜３３と微結晶ｐ層膜４１との間に、アモルファス層３５の光吸収の向上のために半反射膜となるＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ膜）などの中間層を膜厚：２０〜１００ｎｍでスパッタリング装置により製膜して設けても良い。
【００６７】
次に、図１１に示された太陽電池５０の製造方法について説明する。図１２は、本発明の太陽電池の製造方法の実施の形態を示すフロー図である。基板１１としてソーダフロートガラス基板（１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：４ｍｍ）を使用する。基板端面は破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。
【００６８】
まず、アルカリバリア膜２１である酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）を基板１１上に熱ＣＶＤ法により形成する。基板温度は５００℃であり、膜厚は２０〜５０ｎｍである。次に、透明導電膜２５としてＦドープの酸化錫膜（ＳｎＯ２膜）をアルカリバリア膜２１上に熱ＣＶＤ法により製膜する。基板温度は５００℃であり、膜厚は３００〜９００ｎｍである（ステップＳ０１）。
【００６９】
次に、本発明の透明導電膜の評価方法（ステップＳ１１〜ステップＳ１７）により、製膜された透明導電膜２５を評価する（ステップＳ０２）。ここでは、光源３として、１．５μｍの単色光及び２．４μｍの単色光をそれぞれ用いる。これにより、所望の基準を満たさない透明導電膜を有する基板１１は、製造工程から取り除かれる。これにより、透明導電膜の製膜工程に異常が発生した場合でも、その異常を早期に把握することができるので、所望の特性を満たさない透明導電膜が製膜された基板１１の発生を少なく抑えることができる。大型の基板を用いている場合、基板や製膜にかかるコストも非常に高いことから、それらの無駄なコストが発生することを防止することができる。
【００７０】
その後、基板１１をＸ−Ｙテーブルに設置する。そして、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を基板１１上の所定の位置に照射して、透明導電膜及びアルカリバリア膜を所定の短冊形状になるように加工する（ステップＳ０３）。
【００７１】
続いて、プラズマＣＶＤ装置により、減圧雰囲気：３０〜１５０Ｐａ、約２００℃にてアモルファスシリコン系電池層３５としてのアモルファスｐ層膜３１／アモルファスｉ層膜３２を順次製膜する。その後、減圧雰囲気：３０〜１５０Ｐａ、基板温度１８０ｏＣにて微結晶ｎ層膜３３を製膜する（ステップＳ０４）。アモルファスｐ層膜３１は、ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とし、膜厚１０〜３０ｎｍである。アモルファスｉ層膜３２は、アモルファスＳｉを主とし、膜厚２００〜３５０ｎｍである。微結晶ｎ層膜３３は、Ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし、膜厚３０〜５０ｎｍである。
【００７２】
次に、プラズマＣＤＶ装置により、減圧雰囲気：３０〜７００Ｐａ、基板温度１５０〜２５０ｏＣにて微結晶シリコン系電池層４５の微結晶ｐ層膜４１を製膜する。続いて、減圧雰囲気：９００〜３０００Ｐａ、基板温度１５０〜２５０ｏＣにて微結晶ｉ層膜４２を製膜する。そして、減圧雰囲気：３０〜７００Ｐａ、基板温度１５０〜２５０ｏＣにて、微結晶ｎ層膜４３を製膜する。（ステップＳ０５）。微結晶ｐ層膜４１は、Ｂドープした微結晶Ｓｉを主とし、膜厚１０〜５０ｎｍである。微結晶ｉ層膜４２は、微結晶Ｓｉを主とし、膜厚１．５〜３μｍである。微結晶ｎ層膜４３は、Ｐドープした微結晶Ｓｉを主とし、膜厚２０〜５０ｎｍである。
【００７３】
基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置する。そして、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を基板１１上の所定の位置に照射して、電池層２６を所定の短冊形状になるように加工する。（ステップＳ０６）。
【００７４】
スパッタリング装置により、裏面電極膜２７としてＡｇ膜及びＴｉ膜を減圧雰囲気：１〜５Ｐａ、約１５０℃にて順次製膜する（ステップＳ０７）。裏面電極膜２７は本実施の形態では、Ａｇ膜：２００〜５００ｎｍ、Ｔｉ膜：１０〜２０ｎｍをこの順に積層する。
【００７５】
基板５１をＸ−Ｙテーブルに設置する。そして、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を基板２０上の所定の位置に照射して、裏面電極膜２７を所定の短冊形状になるように加工する（ステップＳ０８）。
【００７６】
上記各工程により、本発明の太陽電池を製造することができる。
【００７７】
本発明の透明導電膜の評価方法を用いているので、透明導電膜の製膜工程に異常が発生した場合でも、太陽電池が完成する前に把握することができる。それにより、透明導電膜の異常により所望の特性を満たさない太陽電池が製造されることを防止することができる。また、太陽電池の製造工程の途中において透明導電膜の電気特性を短時間で非接触に検査することが可能となる。
【００７８】
（第２の実施の形態）
本発明の透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法の第２実施の形態について説明する。図１３は、本発明の透明導電膜評価装置の第２の実施の形態の構成を示す概略図である。透明導電膜評価装置１０ａは、搬送コンベア１、検出器２、アパーチャ１３、凹面鏡１４、光源３、位置センサ５、ロータリーエンコーダ６、情報処理装置７、検出器固定具８（８ａ、８ｂ）、光源固定具９（９ａ、９ｂ）を具備している。
【００７９】
本実施の形態の透明導電膜評価装置１０ａは、検出器２及び光源３が第１の実施の形態の透明導電膜評価装置１０とは異なり、それに伴い、アパーチャ１３及び凹面鏡１４を更に具備している。その他の構成及び動作（図２、図４〜図９）については、第１の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００８０】
図１４及び図１５は、本発明の透明導電膜評価装置の第２の実施の形態における検出器２及び光源３に関わる構成を示す概略図である。図１４は概略の上面図であり、図１５は概略の側面図である。検出器２は、ここでは、単一の検出機器である。搬送コンベア１のＸ方向の両側面に固定された検出器固定具８（８ａ、８ｂ）によって、搬送コンベア１の搬送面（基板１１の搬送される面）の上方（Ｚ方向）に固定されて設置されている。この検出器２は、情報処理装置７が出力したトリガ信号Ｔ１に基づいて、基板１１上の透明導電膜からの反射光Ｌ２が凹面鏡１４で反射した反射光Ｌ３を受光する。そして、その反射光Ｌ３の強度ＰＳを情報処理装置７へ出力する。検出器２としては、光源３から照射される光の波長に対応して当該波長の光を受光できるものを用いる。検出器２は、リニアＣＣＤセンサに例示される。検出器２のその他については、第１の実施の形態と同様である。
【００８１】
透明導電膜から反射された反射光Ｌ２は、凹面鏡１４で光路を変更された反射光Ｌ３となり、アパーチャ１３で絞られて検出器２へ到達する。これにより、凹面鏡１４で集光しているので、検出器２の大きさを小さくすることができる。また、凹面鏡１４で光路を変更しているので、検出器２の設置高さ（Ｚ方向）を低くすることができ、検出器２が余分な空間を占有せずに済む。凹面鏡１４は、レンズを用いてもよい。また、アパーチャ１３を用いているので、迷光（不要な光、ノイズ）を防止することができる。
【００８２】
光源３は、ここでは、単一の光照射装置である。搬送コンベア１のＸ方向の両側面に固定された光源固定具９（９ａ、９ｂ）によって、搬送コンベア１の搬送面（基板１１の搬送される面）の上方（Ｚ方向）に固定されて設置されている。ただし、光源３は、基板１１のＸ方向の幅と概ね等しいライン状である。そのため、光源３は、光照射装置が複数無くても、光源３からの照射光を基板１１のＸ方向の一端から他端まで照射することができる。光源３として一つの光照射装置を制御すればよいので、情報処理装置７の負担が軽減される。また、メンテナンスも容易となる。光源３は、情報処理装置７が出力したトリガ信号Ｔ２に基づいて、基板１１上の透明導電膜へ所定の波長の光を照射光として照射する。光源３としては、透明導電膜の特性のうち計測したいものに適した波長の光を出力できるものを用いる。光源３は、例えば、ライン状にレーザを発振する光源や、蛍光管に例示される。光源３のその他については、第１の実施の形態と同様である。
【００８３】
照射光がライン状なので、光源３は計測領域（ｘｙｉ）を隙間無く照射することができる。これにより、基板１１の幅方向（Ｘ方向）での計測位置をより細かくすることができる。更に、計測を連続的に行う（ロータリーエンコーダ６のパルス数を増加させる）ことで、基板の搬送方向Ｙでの計測領域をより細かくすることができる。そららの結果として、透明導電膜の特性（例示：抵抗率、シート抵抗）を、第１の実施の形態の場合と比較して、より高分解能に計測することができる。
【００８４】
光源３は、例えば、複数の単色光（例示：１．５μｍの単色光及び２．４μｍの単色光）をいずれも照射できるようにしてもよい。例えば、単色光を発する複数のライン状にレーザを発振する光源を有することで、それが実現できる。それに対応して、検出器は、複数の単色光のいずれも検出できるようにしてもよい。例えば、単色光を検出する複数のリニアＣＣＤセンサを有することで、それが実現できる。
【００８５】
本発明の透明導電膜評価装置の第２の実施の形態の動作（本発明の透明導電膜の評価方法の第２の実施の形態（図１０））、及び本発明の透明導電膜の評価方法を適用した太陽電池の製造方法（図１１、図１２）については、透明導電膜評価装置１０ａを用いる他は第１の実施の形態と同様である。したがって、その説明を省略する。
【００８６】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。加えて、基板１１の幅方向（Ｘ方向）及び搬送方向Ｙでの計測位置をより細かくすることができ、透明導電膜の特性を、第１の実施の形態の場合と比較して、より高分解能に計測することができる。
【００８７】
（第３の実施の形態）
本発明の透明導電膜評価装置及び透明導電膜の評価方法の第３実施の形態について説明する。図１６は、本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態の構成を示す概略図である。透明導電膜評価装置１０ｂは、搬送コンベア１、検出器２、アパーチャ１３、凹面鏡１４、光ファイバ１６、光源３、位置センサ５、ロータリーエンコーダ６、情報処理装置７、検出器固定具８（８ａ、８ｂ）、光源固定具９（９ａ、９ｂ）を具備している。
【００８８】
本実施の形態の透明導電膜評価装置１０ｂは、検出器２が第２の実施の形態の透明導電膜評価装置１０ａとは異なる。その他の構成及び動作（図２、図４〜図９）については、第２の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【００８９】
図１７及び図１８は、本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態における検出器２及び光源３に関わる構成を示す概略図である。図１７は概略の上面図であり、図１８は概略の側面図である。検出器２は、複数の光ファイバ１６−１〜１６−４と、複数の検出器２−１〜２−４とを備える。なお、ここでは、光ファイバ及び検出器が４個ずつの例を示しているが、その数がこの例に限定されるものではない。搬送コンベア１のＸ方向の両側面に固定された検出器固定具８（８ａ、８ｂ）によって、搬送コンベア１の搬送面（基板１１の搬送される面）の上方（Ｚ方向）に固定されて設置されている。この検出器２は、情報処理装置７が出力したトリガ信号Ｔ１に基づいて、基板１１上の透明導電膜からの反射光Ｌ２が凹面鏡１４で反射した反射光Ｌ３を複数の光ファイバ１６−１〜１６−４で受光し、検出器２−１〜２−４へ伝播する。そして、その反射光の強度ＰＳを情報処理装置７へ出力する。検出器２−１〜２−４としては、光源３から照射される光の波長に対応して当該波長の光を受光できるものを用いる。検出器２は、フォトディテクタやＣＣＤセンサに例示される。検出器２のその他については、第２の実施の形態と同様である。
【００９０】
なお、光ファイバの直径は非常に小さいので、その数を増やしてライン状に緻密に並べ、対応して検出器２の数を増やすことで、第２の実施の形態の場合と同様の高分解能の計測を行うことができる。また、光ファイバの数が十分多ければ、集光用の凹面鏡１４は不要となる（光路の変更用としてはあっても良い）。
【００９１】
本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態の動作（本発明の透明導電膜の評価方法の第３の実施の形態（図１０））、及び本発明の透明導電膜の評価方法を適用した太陽電池の製造方法（図１１、図１２）については、透明導電膜評価装置１０ｂを用いる他は第２の実施の形態と同様である。したがって、その説明を省略する。
【００９２】
本実施の形態においても、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】図１は、本発明の透明導電膜評価装置の第１の実施の形態の構成を示す概略図である。
【図２】図２は、透明導電膜評価装置における一つの光源とそれに対応する検出器との位置関係を示す概略図である。
【図３】図３は、透明導電膜評価装置における複数の光源と複数の検出器との位置関係を示す概略図である。
【図４】図４は、基板における計測領域を示す概略図である。
【図５】図５は、一般的な透明導電膜の吸収率、透過率及び反射率の波長依存性を示すグラフである
【図６】図６は、黒体輻射の波長依存性を示すグラフである。
【図７】図７は、透明導電膜の計測時の波長による経路の相違を示す概略断面図である。
【図８】図８は、抵抗率と反射率との関係の一例を示すグラフである。
【図９】図９は、シート抵抗と反射率との関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、本発明の透明導電膜評価装置の実施の形態の動作を示すフロー図である。
【図１１】図１１は、本発明の透明導電膜の評価方法を適用して製造された太陽電池の構成の一例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の太陽電池の製造方法の実施の形態を示すフロー図である。
【図１３】図１３は、本発明の透明導電膜評価装置の実施の形態の構成を示す概略図である。
【図１４】図１４は、本発明の透明導電膜評価装置の第２の実施の形態における検出器及び光源に関わる構成を示す概略上面図である。
【図１５】図１５は、本発明の透明導電膜評価装置の第２の実施の形態における検出器及び光源に関わる構成を示す概略側面図である。
【図１６】図１６は、本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態の構成を示す概略図である。
【図１７】図１７は、本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態における検出器及び光源に関わる構成を示す概略上面図である。
【図１８】図１８は、本発明の透明導電膜評価装置の第３の実施の形態における検出器及び光源に関わる構成を示す概略側面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１    搬送コンベア
１ａ−ｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）    ローラ
１Ａ−ｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）    中心孔部
２、２−１〜２−ｍ、２−ｊ（ｊ＝１，２，…，ｍ）、２−１〜２−４    検出器
３、３−１〜３−ｍ、３−ｊ（ｊ＝１，２，…，ｍ）    光源
５    位置センサ
６    ロータリーエンコーダ
７    情報処理装置
８、８ａ、８ｂ    検出器固定具
９、９ａ、９ｂ    光源固定具
１０、１０ａ、１０ｂ    透明導電膜評価装置
１１    基板
１３    アパーチャ
１４    凹面鏡
１６    光ファイバ
１７    膜評価部
２１    アルカリバリア膜
２５    透明導電膜
２６    電池層
２７    裏面電極膜
３１    アモルファスｐ層膜
３２    アモルファスｉ層膜
３３    微結晶ｎ層膜
３５    アモルファスシリコン系電池層
４１    微結晶ｐ層膜
４２    微結晶ｉ層膜
４３    微結晶ｎ層膜
４５    微結晶シリコン電池層
５０    太陽電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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