(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンと、
前記金属支持基板の表面、前記絶縁層の表面、および、前記導体パターンの表面に連続して形成される半導電性層とを備え、
隣接する少なくとも２つの前記配線間において、前記絶縁層には、前記金属支持基板が露出する溝部が形成されており、
前記溝部において、前記半導電性層が、前記金属支持基板に接触していることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記半導電性層は、前記溝部において、互いに隣接する前記絶縁層間に連続するように、形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
複数の前記配線は、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層に、１対毎に設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、電気機器や電子機器に装備される配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、通常、ポリイミドからなるベース層と、そのベース層の上に形成された銅箔からなる導体回路と、ベース層の上および導体回路の上に形成されたポリイミドからなるカバー層とを備えており、電子部品を実装して、各種の電気機器や電子機器に搭載されている。
このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、半導電性層を、カバー層の上に形成することが知られている。例えば、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によってカバー層の静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１５８４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
また、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、半導電性層を、導体回路の上に形成することも検討されている。
図６は、回路付サスペンション基板の長手方向に直交する幅方向の断面図であって、例えば、この図６に示すように、金属支持基板２２と、金属支持基板２２の上に形成されるベース絶縁層２３と、ベース絶縁層２３の上に形成され、並列配置される複数の配線２７を有する導体パターン２４と、導体パターン２４を被覆するように、ベース絶縁層２３の上に形成されるカバー絶縁層２５とを備える回路付サスペンション基板２１において、半導電性層３０を、ベース絶縁層２３の幅方向両外側における金属支持基板２２の表面、導体パターン２４から露出するベース絶縁層２３の表面、および、導体パターン２４の表面に、幅方向に沿って連続して形成して、その半導電性層３０によって導体パターン２４の静電気の帯電を除去することが試案される。
【０００４】
しかし、上記した回路付サスペンション基板２１では、半導電性層３０が、金属支持基板２２に接地しているものの、その接地部分が、ベース絶縁層２３の幅方向両外側のみであるため、半導電性層３０と金属支持基板２２との接触面積が狭く、静電気の除去が不十分となる場合がある。
しかも、半導電性層３０が、エッチングによってパターンに形成される場合には、そのエッチングの精度によって、上記した接触面積が変動しやすく、電荷の安定した減衰性能を得ることができず、導体パターン２４における静電気の帯電の除去が不安定となる場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、半導電性層と金属支持基板との接触面積を十分に確保して、確実に導体パターンの静電気を除去して、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、複数の配線を有する導体パターンと、前記金属支持基板の表面、前記絶縁層の表面、および、前記導体パターンの表面に連続して形成される半導電性層とを備え、隣接する少なくとも２つの前記配線間において、前記絶縁層には、前記金属支持基が露出する溝部が形成されており、前記溝部において、前記半導電性層が、前記金属支持基板に接触していることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層は、前記溝部において、互いに隣接する前記絶縁層間に連続するように、形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板では、複数の前記配線は、前記溝部を隔てて設けられる各前記絶縁層に、１対毎に設けられていることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板によれば、少なくとも２つの配線間に形成される絶縁層の溝部において、半導電性層が、金属支持基板に接触しているので、半導電性層と金属支持基板との接触面積を十分に確保することができる。そのため、電荷の安定した減衰性能を得ることができ、導体パターンに帯電する静電気を確実かつ安定して除去することができる。その結果、配線回路基板に実装される電子部品の静電破壊を防止することができ、配線回路基板の接続信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図、図２は、図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。なお、図１において、金属支持基板２に対する導体パターン４の相対配置を明確に示すために、後述するベース絶縁層３、半導電性層７およびカバー絶縁層５は省略されている。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド（図示せず）を実装して、その磁気ヘッドを、磁気ヘッドと磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持する金属支持基板２に、磁気ヘッドと、リード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン４が一体的に形成されている。
【００１０】
なお、導体パターン４は、後述するが、磁気ヘッドの接続端子に接続するための磁気ヘッド側接続端子１５と、リード・ライト基板の接続端子に接続するための外部側接続端子１６と、磁気ヘッド側接続端子１５および外部側接続端子１６（以下、単に「端子部１０」と総称する場合がある。）を接続するための複数の配線９とを一体的に備えている。
この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と、外部側接続端子形成領域１８と、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部側接続端子形成領域１８との間に配置される配線形成領域１９とを一体的に備えている。
【００１１】
磁気ヘッド側接続端子形成領域１７は、回路付サスペンション基板１の先端部に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７には、複数の配線９の先端部から連続して、幅広のランドとして並列配置される磁気ヘッド側接続端子１５と、磁気ヘッド側接続端子１５を挟んで、金属支持基板２を切り抜くことによって形成される、磁気ヘッドを実装するためのジンバル８とが設けられている。
【００１２】
外部側接続端子形成領域１８は、回路付サスペンション基板１の後端部に配置され、平面視略矩形状に形成されている。また、外部側接続端子形成領域１８には、複数の配線９の後端部から連続して、幅広のランドとして並列配置される外部側接続端子１６が設けられている。
配線形成領域１９は、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部ヘッド側接続端子領域１８との間において、これらと連続するように、回路付サスペンション基板１の長手方向に配置され、平面視略矩形平帯形状に形成されている。また、配線形成領域１９には、長手方向に沿って延びる複数の配線９が幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
【００１３】
複数の配線９は、幅方向一方側に並列配置される一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、幅方向他方側に並列配置される他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとから形成されている。なお、一方の１対の配線９ａおよび９ｂのうち、一方の配線９ａは、幅方向外側の配線であり、他方の配線９ｂは、幅方向内側の配線である。また、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄのうち、一方の配線９ｃは、幅方向内側の配線であり、他方の配線９ｄは、幅方向外側の配線である。
【００１４】
これら一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとは、幅方向に間隔を隔てて配置されている。
これら複数の配線９は、磁気ディスクのデータを読み込むためのリード配線と、磁気ディスクにデータを書き込むためのライト配線とのいずれかであって、その組合せにおいて、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂはともにリード配線、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄはともにライト配線である組合せ、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂはともにライト配線、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄはともにリード配線である組合せ、例えば、一方の１対の配線９ａおよび９ｂにおいて、一方の配線がリード配線で他方の配線がライト配線であるかまたはその逆であり、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄにおいて、一方の配線がリード配線で他方の配線がライト配線であるかまたはその逆である組合せのうちの、いずれかの組合せが選択される。
【００１５】
この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、配線形成領域１９においては、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される絶縁層としてのベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成される導体パターン４と、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面、および、導体パターン４の表面に、連続して形成される半導電性層７とを備えている。また、この回路付サスペンション基板１は、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に形成されるカバー絶縁層５を備えている。
【００１６】
また、この回路付サスペンション基板１は、図示しないが、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７と外部ヘッド側接続端子領域１８においては、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成され、配線９および端子部１０が一体的に形成される導体パターン４と、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に形成されるカバー絶縁層５と備えている。
【００１７】
金属支持基板２は、上記した回路付サスペンション基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の薄板から形成されている。
金属支持基板２は、その幅が、通常、０．２〜２．０ｍｍであり、配線形成領域１９においては、例えば、０．４３〜１．２８ｍｍ、好ましくは、０．５〜１．０ｍｍである。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍ、好ましくは、１８〜２５μｍである。
【００１８】
ベース絶縁層３は、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成されている。ベース絶縁層３は、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂに対応する第１ベース絶縁層３ａと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄに対応する第２ベース絶縁層３ｂとを備えている。これによって、ベース絶縁層３には、配線形成領域１９において、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間には、金属支持基板２が露出する溝部６が、形成されている。また、ベース絶縁層３は、配線形成領域１９において、金属支持基板２の外周縁部１１の上面を、露出させている。
【００１９】
ベース絶縁層３は、配線形成領域１９において、第１ベース絶縁層３ａの幅が、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２１０〜６３０μｍであり、第２ベース絶縁層３ｂの幅が、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２１０〜６３０μｍである。
溝部６の幅は、例えば、３０〜５００μｍ、好ましくは、３０〜２００μｍ、さらに好ましくは、３０〜７０μｍである。
【００２０】
ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。
導体パターン４は、上記したように互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線９と、各配線９の先端部および後端部にそれぞれ接続される各端子部１０とを一体的に備える配線回路パターンとして形成されている。
この導体パターン４では、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとが、それぞれ、溝部６を隔てて設けられる第１ベース絶縁層３ａの上と第２ベース絶縁層３ｂの上とに、１対毎に設けられている。また、各端子部１０の表面には、必要に応じて、図示しない金属めっき層が形成されている。
【００２１】
導体パターン４において、各配線９の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜７０μｍである。
一方の１対の配線９ａおよび９ｂ間の間隔と、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄ間の間隔とは、それぞれ、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜４０μｍである。また、一方の１対の配線９ａおよび９ｂのうちの、幅方向内側の配線９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄのうちの、幅方向内側の配線９ｃとの間の間隔は、例えば、５０〜５４０μｍ、好ましくは、７０〜２４０μｍである。
【００２２】
導体パターン４の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、３〜１７μｍである。
半導電性層７は、配線形成領域１９において、金属支持基板２の外周縁部１１、すなわち、ベース絶縁層３の幅方向両外側における金属支持基板２の上面、および、溝部６における金属支持基板２の上面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、導体パターン４の上面および側面とに幅方向に沿って連続するように、形成されている。また、半導電性層７は、溝部６において、金属支持基板２と接触され、互いに隣接するベース絶縁層３間、すなわち、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間に、連続するように形成されている。
【００２３】
半導電性層７は、外周縁部１１において、ベース絶縁層３の幅方向両外側における金属支持基板２の上面に形成されている部分の幅が、例えば、１５〜５００μｍ、好ましくは、２５〜２５０μｍである。
半導電性層７の厚みは、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下、さらに好ましくは、０．００１〜０．０１μｍである。
【００２４】
カバー絶縁層５は、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に、パターンとして形成されている。また、カバー絶縁層５は、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、図示しないが、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、パターンとして形成されている。
カバー絶縁層５の幅は、配線形成領域１９において、例えば、０．１５〜１．９５ｍｍ、好ましくは、０．３８〜１．２３ｍｍである。また、カバー絶縁層５の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
【００２５】
図３および図４は、回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図である。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図３および図４を参照して、説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属箔が用いられる。好ましくは、ステンレス箔が用いられる。
【００２６】
この方法では、次いで、図３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成する。
ベース絶縁層５を形成する絶縁体としては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、パターンでベース絶縁層５を形成するためには、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００２７】
ベース絶縁層３を、感光性ポリイミドから形成する部分には、例えば、まず、図３（ｂ）に示すように、感光剤を含むポリイミド前駆体（以下、感光性ポリアミック酸樹脂という。）のワニスを調製して、そのワニスを、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、金属支持基板２の表面に均一に塗布し、乾燥して、ベース皮膜３３を形成する。
【００２８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ベース皮膜３３を、フォトマスク３４を介して露光する。ネガ画像でパターンニングする場合には、ベース絶縁層３を形成しない部分には、遮光部分３４ａが対向し、ベース絶縁層３を形成する部分には、光透過部分３４ｂが対向するように、フォトマスク３４を配置して、露光する。
次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図３（ｄ）に示すように、ベース皮膜３３における遮光部分３４ａが対向していた未露光部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ現像液などを用いて、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、ベース皮膜３３が、上記したパターンに形成される。
【００２９】
なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、図示しないが、上記した逆、すなわち、ベース絶縁層３を形成しない部分には、光透過部分３４ｂが対向し、ベース絶縁層３を形成する部分には、遮光部分３４ａが対向するように、フォトマスク３４を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
その後、図３（ｅ）に示すように、ベース皮膜３３を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、ベース絶縁層３を形成する。
【００３０】
これによって、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に、導体パターン４が形成される部分に対応するパターンとして形成する。
この方法では、次いで、図４（ｆ）に示すように、導体パターン４を、ベース絶縁層３の上に、形成する。
導体パターン４を形成するための導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの金属箔が用いられ、導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅箔が用いられる。
【００３１】
導体パターン４を形成するには、ベース絶縁層３の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン４を、上記した端子部１０および配線９が一体的に形成される配線回路パターンとして形成する。
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、必要により接着剤層を介して導体を積層し、次いで、この導体の上に、配線回路パターンと同一パターンのエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体をエッチングして導体パターン４を形成し、その後に、エッチングレジストを除去する。
【００３２】
アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の全面に、導体薄膜からなる種膜を形成し、次いで、この種膜の表面に、配線回路パターンと逆パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する種膜の表面に、電解めっきにより、配線回路パターンとして導体パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の種膜を除去する。
【００３３】
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、半導電性層７を、配線形成領域１９において、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面、および、導体パターン４の表面に、連続するように、形成する。
半導電性層７を形成する半導体は、例えば、１０5〜１０11Ω／□の表面抵抗値を有する金属または樹脂が用いられる。
【００３４】
金属は、例えば、酸化金属などが用いられ、酸化金属としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの金属酸化物が用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。
酸化金属からなる半導電性層７の形成は、特に制限されないが、例えば、金属をターゲットとしてスパッタリングした後、必要に応じて、加熱により酸化する方法、反応性スパッタリングする方法、酸化金属をターゲットとしてスパッタリングする方法などが用いられる。このような半導電性層７は、例えば、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠して形成することができる。
【００３５】
樹脂としては、例えば、導電性粒子が分散される半導電性樹脂組成物などが用いられる。
半導電性樹脂組成物は、例えば、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子および溶媒を含有している。
イミド樹脂としては、公知のイミド樹脂を用いることができ、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが用いられる。
【００３６】
イミド樹脂前駆体としては、例えば、特開２００４−３５８２５号公報に記載されるイミド樹脂前駆体を用いることができ、例えば、ポリアミック酸樹脂が用いられる。
導電性粒子としては、例えば、導電性ポリマー粒子、カーボン粒子、金属粒子、酸化金属粒子などが用いられる。
導電性ポリマー粒子としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの粒子、またはこれらの誘導体の粒子が用いられる。好ましくは、ポリアニリン粒子が用いられる。なお、導電性ポリマー粒子は、ドーピング剤によるドーピングによって、導電性が付与される。
【００３７】
ドーピング剤としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ノボラック樹脂、ｐ−フェノールスルホン酸ノボラック樹脂、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物などが用いられる。
ドーピングは、予め導電性ポリマー粒子を分散（溶解）する溶媒中に配合させておいてもよく、また、半導電性層７を形成した後、半導電性層７が形成された製造途中の回路付サスペンション基板１をドーピング剤の溶液に浸漬してもよい。
【００３８】
カーボン粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバーなどが用いられる。
金属粒子としては、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、ジルコニウム、インジウム、アルミニウム、亜鉛などの粒子が用いられる。
酸化金属粒子としては、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などの粒子、または、これらの複合酸化物の粒子、より具体的には、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの粒子が用いられる。
【００３９】
これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ＩＴＯ粒子が用いられる。
導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。
【００４０】
溶媒は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子を分散（溶解）できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が用いられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４１】
そして、半導電性樹脂組成物は、上記したイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、導電性粒子、および、溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体１００重量部に対して、例えば、１〜３００重量部、好ましくは、５〜１００重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、導電性が十分でない場合がある。また、これより多いと、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体の良好な膜特性が損なわれる場合がある。
【００４２】
また、溶媒は、これらイミド樹脂またはイミド樹脂前駆体、および、導電性粒子の総量が、半導電性樹脂組成物に対して、例えば、１〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより少なくても多くても、目的の膜厚に制御することが困難となる場合がある。
上記調製した半導電性樹脂組成物を、配線形成領域１９における、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面、および、導体パターン４の表面に、幅方向に沿って連続するように、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法により、均一に塗布する。その後、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱して乾燥する。
【００４３】
また、半導電性樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
これにより、半導電性層７を、配線形成領域１９において、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面、および、導体パターン４の表面に、連続するように、形成する。
【００４４】
このようにして形成された半導電性層７の表面抵抗値は、例えば、１０5〜１０11Ω／□、好ましくは、１０6〜１０9Ω／□の範囲に設定される。半導電性層７の表面抵抗値がこれより小さいと、実装される電子部品の誤作動を生じる場合がある。また、半導電性層７の表面抵抗値がこれより大きいと、静電破壊を防止することができない場合がある。
次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、カバー絶縁層５を、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、形成する。
【００４５】
カバー絶縁層５を形成する絶縁体としては、ベース絶縁層３と同様の絶縁体を用いられ、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
カバー絶縁層５を、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、形成するには、まず、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子形成領域１７および外部ヘッド側接続端子領域１８においては、配線９を被覆するように、ベース絶縁層３の上に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布されたワニスを、上記と同様に、乾燥して、カバー皮膜を形成する。
【００４６】
その後、上記と同様の方法により、カバー皮膜を、フォトマスクを介して露光した後、必要により所定温度で加熱後、上記と同様の方法により、カバー絶縁層５を形成しない部分を、現像により除去する。その後、カバー皮膜を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、カバー絶縁層５を形成する。
これにより、カバー絶縁層５を、配線形成領域１９においては、半導電性層７の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域１７および外部側接続端子領域１８においては、配線９を被覆し、かつ、端子部１０を開口するように、ベース絶縁層３の上に、形成する。
【００４７】
次いで、この方法では、図４（ｉ）に示すように、カバー絶縁層５から露出する半導電性層７をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、カバー絶縁層５をエッチングレジストとして、ウエットエッチングする。
これにより、半導電性層７を、配線形成領域１９において、カバー絶縁層５から露出させることなく、外周縁部１１におけるベース絶縁層３の幅方向両外側における金属支持基板２の上面、および、溝部６における金属支持基板２の上面と、導体パターン４から露出するベース絶縁層３の上面および側面と、導体パターン４の上面および側面とに幅方向に沿って連続するように、形成することができる。
【００４８】
その後、この方法では、端子部１０の表面に、必要に応じて、図示しない金属めっき層を形成した後、図１に示すように、金属支持基板２を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバル８を形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、この回路付サスペンション基板１によれば、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間に形成されている溝部６において、半導電性層７が、金属支持基板２に接触しているので、半導電性層７と金属支持基板２との接触面積を十分に確保することができる。
【００４９】
また、溝部６における半導電性層７と金属支持基板２との接触面積は、一定となる。つまり、外周縁部１１では、ベース絶縁層３の幅方向両外側における半導電性層７がエッチングにより形成されるのに対し、この溝部６における半導電性層７は、エッチングされず、そのため、半導電性層７は、金属支持基板２との接触面積がエッチングにより変動することなく、形成されている。
【００５０】
そのため、この回路付サスペンション基板１では、電荷の安定した減衰性能を得ることができるとともに、導体パターン４に帯電する静電気を確実かつ安定して除去することができる。その結果、回路付サスペンション基板１に実装される電子部品の静電破壊を防止することができ、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を図ることができる。
また、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層７は、溝部６において、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間に、連続するように、形成されている。そのため、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間における、半導電性層７と金属支持基板２との接触面積をより一層十分に確保することができる。とりわけ、一方の１対の配線９ａおよび９ｂのうちの、幅方向内側の配線９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄのうちの、幅方向内側の配線９ｃとの間隔が大きく、溝部６の幅が大きい場合には、特に上記した接触面積を十分に確保することができる。その結果、回路付サスペンション基板１に実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を確実に図ることができる。
【００５１】
さらにまた、この回路付サスペンション基板１では、配線形成領域１９においては、一方の１対の配線９ａおよび９ｂと、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄとが、それぞれ、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとに、１対毎に設けられている。そのため、一方の１対の配線９ａおよび９ｂに帯電する静電気と、他方の１対の配線９ｃおよび９ｄに帯電する静電気とを、バランスよく除去することができる。その結果、回路付サスペンション基板１に実装される電子部品の静電破壊を確実に防止することができ、回路付サスペンション基板１の接続信頼性の向上を確実に図ることができる。
【００５２】
なお、上記の説明において、半導電性層７は、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間に、連続するように、形成されているが、図５に示すように、半導電性層７は、第１ベース絶縁層３ａと第２ベース絶縁層３ｂとの間で、幅方向において分離するように、形成されていてもよい。また、この場合には、半導電性層７に対応してカバー絶縁層５も、幅方向において分離されている。
【実施例】
【００５３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を用意した（図３（ａ）参照）。
次いで、その金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、スピンコーターを用いて均一に塗布し、次いで、塗布されたワニスを、９０℃で１５分加熱することにより、ベース皮膜を形成した（図３（ｂ）参照）。その後、そのベース皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ（図３（ｃ）参照）、１９０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像した（図３（ｄ）参照）。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるベース絶縁層を、配線形成領域に、第１ベース絶縁層と第２ベース絶縁層とを備え、導体パターンが形成される部分に対応するパターンで形成した（図３（ｅ）参照）。第１ベース絶縁層の幅は２４０μｍ、第２ベース絶縁層の幅は５２０μｍ、溝部の幅は５０μｍであった。ベース絶縁層の厚みは、１０μｍであった。
【００５４】
次いで、銅箔からなる厚み１０μｍの導体パターンを、アディティブ法により、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線と、各配線の先端部および後端部からそれぞれ接続される各端子部とを備える配線回路パターンとして形成した（図４（ｆ）参照）。配線形成領域においては、各配線の幅は４０μｍであった。一方の１対の配線間の間隔と、他方の１対の配線間の間隔とは、それぞれ、２５μｍ、一方の１対の配線のうちの、幅方向内側の配線と、他方の１対の配線のうちの、幅方向内側の配線との間隔は１５０μｍであった。
【００５５】
次いで、配線形成領域において、金属支持基板の表面、ベース絶縁層の表面、および、導体パターンの表面に、幅方向に沿って連続するように、クロムをターゲットとするスパッタリングによって、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜を形成した（図４（ｇ）参照）。
なお、スパッタリングは、特開２００４−３３５７００号公報の記載に準拠する方法で、下記の条件で実施した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１．３３×１０-3Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：２．０×１０-3ｍ3／ｈ
動作圧：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１８０Ｗ
スパッタリング時間：４秒
スパッタリング皮膜の厚み：０．１μｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、クロム薄膜からなるスパッタリング皮膜の表面を酸化して、酸化クロム層からなる酸化金属層（半導電性層）を形成した。酸化金属層の厚みは、０．１μｍであった。
【００５６】
なお、酸化金属層が形成されていることはＥＳＣＡにて確認した。また、この酸化金属層の表面抵抗値を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、Ｈｉｒｅｓｔａ−ｕｐ  ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、温度２５℃、湿度１５％で測定したところ、１０7Ω／□であった。
次いで、上記した感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを、配線形成領域においては、半導電性層の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子形成領域および外部ヘッド側接続端子領域においては、配線を被覆するように、ベース絶縁層の上に、スピンコーターを用いて均一に塗布し、９０℃で１０分加熱することにより、厚み７μｍのカバー皮膜を形成した。その後、そのカバー皮膜を、フォトマスクを介して、７００ｍＪ／ｃｍ2で露光させ、１８０℃で１０分加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、カバー皮膜をネガ画像でパターンニングした。その後、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で硬化させることにより、感光性ポリイミドからなるカバー絶縁層を、配線形成領域においては、半導電性層の上に、かつ、磁気ヘッド側接続端子領域および外部側接続端子領域においては、配線を被覆し、かつ、端子部を開口するように、ベース絶縁層の上に、パターンとして形成した。（図４（ｉ）参照）。カバー絶縁層の厚みは、５μｍであった。
【００５７】
その後、金属支持基板を、化学エッチングによって切り抜いて、ジンバルを形成するとともに、外形加工することにより、回路付サスペンション基板を得た（図１参照）。
比較例１
実施例１において、ベース絶縁層の形成において、溝部を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た（図６参照。）。
【００５８】
（評価）
帯電減衰性能
実施例１および比較例１により得られた回路付サスペンション基板を、ナノクーロンメータ（春日電機（株）製）により、帯電減衰性能を評価した。その結果、０．１ｎＣ（ナノクーロン）の電荷が減衰するのに、実施例１の回路付サスペンション基板では、減衰時間が０．５秒で、その標準偏差が０．２であった。一方、比較例１の回路付サスペンション基板では、減衰時間が１．４秒で、その標準偏差が１．９であった。
【００５９】
実施例１の回路付サスペンション基板は、比較例１の回路付サスペンション基板に比べて、安定した減衰性能を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す概略平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上にベース皮膜を形成する工程、（ｃ）は、ベース皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程（ｄ）は、ベース皮膜の未露光部分を現像により除去する工程（ｅ）は、ベース皮膜を硬化させてベース絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図３に続いて、回路付サスペンション基板の製造工程を示す、工程図であって、（ｆ）は、ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程、（ｇ）は、配線形成領域において、金属支持基板の表面、ベース絶縁層の表面、および、導体パターンの表面に、半導電性層を幅方向に沿って連続して形成する工程、（ｈ）は、配線形成領域において、半導電性層の上にカバー絶縁層を形成する工程、（ｉ）は、カバー絶縁層から露出する半導電性層を除去する工程を示す。
【図５】本発明の配線回路基板の他の実施形態である回路付サスペンション基板の長手方向に直交する幅方向の断面図である。
【図６】回路付サスペンション基板（溝部のない態様）の長手方向に直交する幅方向の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１            回路付サスペンション基板
２            金属支持基板
３            ベース絶縁層
３ａ          第１ベース絶縁層
３ｂ          第２ベース絶縁層
４            導体パターン
６            溝部
７            半導電性層
９            配線
９ａ、９ｂ    一方の１対の配線
９ｃ、９ｄ    他方の１対の配線
【図１】
0004749166.tif 000002
【図２】
0004749166.tif 000003
【図３】
0004749166.tif 000004
【図４】
0004749166.tif 000005
【図５】
0004749166.tif 000006
【図６】
0004749166.tif 000007