(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ及びＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）のうちの１つ以上、又はＡｌＮ及びＧａＮのうちの１つ以上の半導体膜をＣＶＤ法によって堆積する堆積方法であって、
処理ガスが水平方向に流れるように水平方向に順次配置されたガス入口(1)と、熱絶縁性耐熱材料からなる熱絶縁区間(2)と、加熱流体ダクトとを有するとともに、前記加熱流体ダクトをすべての側面から積極的に加熱する加熱装置(5)を有し、前記加熱流体ダクトにおける処理ガスに面する境界壁は、１８００℃までの高温に耐え水素ラジカルによって腐食されない不活性のＴａＣの皮膜を施され、かつ、前記加熱流体ダクトの下方側の境界壁に形成した基板容器(3a)内で回転するように基板が水平に設置される反応炉を用い、
前記加熱流体ダクトの直前までは、処理ガスの分解及びそれによるガス流の局部的過飽和を防止するべく、前記ガス入口(1)内は、処理温度より低い所定の温度に積極的に冷却し、前記熱絶縁区間(2)内は、処理ガスの流れる方向において処理温度より低い所定の温度から処理温度まで昇温される所定の温度勾配を形成し、そして前記加熱流体ダクト内は、その全体が、少なくとも処理ガスの流れる方向において温度勾配がなくかつ処理ガスが分解可能な１１００℃ないし１８００℃までの成膜可能な処理温度となるように加熱し、
前記ガス入口(1)及び前記熱絶縁区間(2)を経て前記加熱流体ダクト内に処理ガスを導入して前記基板の表面上に前記半導体膜をホモ成長またはヘテロ成長させることを特徴とする堆積方法。
【請求項２】
前記基板が前記基板容器内に設置される少なくとも１つの基板皿に配置され、かつ前記基板皿がガス支持回転によって回転駆動されることを特徴とする請求項１に記載の堆積方法。
【請求項３】
前記処理ガスとして、シラン（ＳｉＨ４）またはその他のＳｉを含有する無機若しくは有機化合物原料、並びにゲルマン（ＧｅＨ４）及びプロパン（Ｃ３Ｈ８）若しくはその他の炭化水素ガスのうちの何れか１つ以上を使用することを特徴とする請求項１または２に記載の堆積方法。
【請求項４】
前記基板容器の均等な温度分布に基づく基板の前または基板上での処理ガスの完全な分解によって、ＳｉＣ及びＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）のうちの何れか１つ以上の半導体膜について１０μｍまたはそれ以上の成長速度が達成されることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の堆積方法。
【請求項５】
前記基板に垂直な方向の温度勾配によってガス流内のＳｉクラスタ及びＳｉ核形成物の低減が達成されることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載の堆積方法。
【請求項６】
前記半導体膜が１０ないし１０００ｍｂａｒの処理圧力において堆積されることを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の堆積方法。
【請求項７】
ＳｉＣ及びＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）のうちの１つ以上、又はＡｌＮ及びＧａＮのうちの１つ以上の半導体膜をＣＶＤ法によって堆積する堆積装置であって、
処理ガスが水平方向に流れるように水平方向に順次配置されたガス入口(1)と、熱絶縁性耐熱材料からなる熱絶縁区間(2)と、加熱流体ダクトとを有するとともに、前記加熱流体ダクトをすべての側面から積極的に加熱する加熱装置(5)を有し、前記加熱流体ダクトにおける処理ガスに面する境界壁は、１８００℃までの高温に耐え水素ラジカルによって腐食されない不活性のＴａＣの皮膜を施され、かつ、前記加熱流体ダクトの下方側の境界壁に形成した基板容器(3a)内で回転するように基板が水平に設置される反応炉を備え、
前記加熱流体ダクトの直前までは、処理ガスの分解及びそれによるガス流の局部的過飽和を防止するべく、前記ガス入口(1)内は、処理温度より低い所定の温度に積極的に冷却され、前記熱絶縁区間(2)内は、処理ガスの流れる水平方向において処理温度より低い所定の温度から処理温度まで昇温される所定の温度勾配が形成され、そして前記加熱流体ダクト内は、その全体が、少なくとも処理ガスの流れる方向において温度勾配がなくかつ処理ガスが分解可能な１１００℃ないし１８００℃までの成膜可能な処理温度となるように加熱され、
前記ガス入口(1)及び前記熱絶縁区間(2)を経て前記加熱流体ダクト内に処理ガスを導入して前記基板の表面上に前記半導体膜をホモ成長またはヘテロ成長させることを特徴とする堆積装置。
【請求項８】
前記基板が前記基板容器内に設置される少なくとも１つの基板皿に配置され、かつ前記基板皿がガス支持回転によって回転駆動されることを特徴とする請求項７に記載の堆積装置。
【請求項９】
前記基板皿を回転する回転装置が、機械的な駆動軸を介して回転させるものであることを特徴とする請求項８に記載の堆積装置。
【請求項１０】
前記加熱流体ダクトにおける前記処理ガスに面する全境界壁としての上側の面、下側の面及び側面を、同一又は異なる温度にする、少なくとも一つの温度加熱装置または温度調整装置が設けられることを特徴とする請求項７ないし９の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１１】
前記加熱装置(5)として、高周波加熱装置、ランプ加熱装置及び抵抗加熱装置のうちの１又は複数を組み合わせて設けることを特徴とする請求項７ないし１０の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１２】
前記加熱流体ダクトにおける前記基板容器を形成した境界壁の温度と、これに対向する境界壁の温度とを別々に制御するため、それぞれ独自の制御ができる２つの分割された加熱回路を有することを特徴とする請求項７ないし１１の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１３】
前記加熱流体ダクトにおける前記処理ガスに面する境界壁が、グラファイトからなることを特徴とする請求項７ないし１２の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１４】
冷却装置が、液体または気体の媒体を用いて前記ガス入口(1)を積極的に冷却することを特徴とする請求項７ないし１３の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１５】
前記熱絶縁性耐熱材料が、発泡グラファイトからなることを特徴とする請求項７ないし１４の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１６】
前記加熱流体ダクトの下流側に、ＴａＣ塗装グラファイト、ＳｉＣ塗装グラファイト又は石英である不活性材料からなる出口区間を有することを特徴とする請求項７ないし１５の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１７】
高周波結合とそれによる局所的なエネルギー注入とに影響するために、前記基板容器より薄くかつこれと異なる電気伝導度をもつＴａ、Ｍｏ又はＷである不活性材料から構成される薄板を、前記基板容器上又は前記基板容器内に配置可能であることを特徴とする請求項７ないし１６の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１８】
前記加熱流体ダクトの基板に対向する境界壁が、前記加熱流体ダクトの基板側の境界に対し所定の距離で固定して取り付けられるか、または回転可能にこれに取り付けられることを特徴とする請求項７ないし１７の何れか１項に記載の堆積装置。
【請求項１９】
前記加熱流体ダクトの基板に対向する境界壁が、気体の媒体によって積極的に冷却できることを特徴とする請求項７ないし１８の何れか１項に記載の堆積装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半導体膜および、例えばＡｌＮまたはＧａＮのような広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する関連する材料を、特にＣＶＤ法により気相から堆積する方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
広い帯域ギャップを有する半導体はその物理的な特性から、ＳｉまたはＧａＡｓによる電子的半導体素子の使用範囲を超えた適用に適している。化学的気相成長法（ＣＶＤ）は、高温、高周波および高負荷の電子素子に使用されるＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）のような電気的に活性な膜を製造するのに最適な方法である。
【０００３】
例えばショットキーダイオードまたはｐｎダイオードのような垂直な空間電荷帯制御素子の場合は、典型的な適用負荷に対してＵ＞１０ｋＶの範囲の遮断電圧を備えなければならない。したがって１００μｍまでの厚さのエピタキシー堆積膜を持つ必要がある。
【０００４】
高い能力にはＩ＞１０Ａの大電流を遮断できることも含まれる。広い面積の素子だけがこの大電流を通過領域に導くことができる。このようにして絶えず高まる要求は最小直径４インチの基板を必要とし、エピタキシーのために大きな面積で均一な加熱特性の基板が要求される。
【０００５】
現在２インチの基板にＳｉＣ膜を堆積するため、普通は回転する基板ではない高温壁反応炉が使用される。
【０００６】
この反応炉は成長速度がガスの通路に沿って著しく低下する欠点がある。この効果を補正するため、従来の技術では均一な成長がウエハで可能となるよう、反応炉の高さを通路長さに沿って変化させる。
【０００７】
別の欠点は、壁の影響による流れの方向に垂直な不均一な成長である。壁において成長が生じ、その結果処理ガスが追加して消費される。さらに壁は反応炉の流れの分布に不利に作用する。従来の技術では、処理圧力および／または流れを変化させるか、または壁とウエハの間の距離を増加させることにより改善が可能である。
【０００８】
さらに別の欠点は、通路の方向および通路に直角な方向のドーピングの不均一性である。この場合は何よりも温度の不均一性が決定的な役割を果たし、回転のない高温壁反応炉では装置に多大な費用を掛けることだけによって解決できる。
【０００９】
ＥＰ−Ａ−Ｏ１６４９２８号により、基板が互いに上下に積み重ねられる垂直高温壁反応炉が開示されている。これは機械的な駆動を必要とする。
【００１０】
基板を回転させる機械的駆動には高温基板容器に対する機械的な通路が必要となる。この通路のため基板容器の温度が不均一となり、例えば歯車のような機械的要素は必要とする１４００℃を超える温度で駆動され、一方では粒子が生成され他方では材料が放出され、堆積される膜に好ましくないドーピング雰囲気を作り出す。
【００１１】
さらに別の欠点は、基板容器または基板保持体のグラファイトに処理されるグラファイト表面をガス気密とするための塗装である。この塗装は従来の技術ではＳｉＣが使用される。ＳｉＣを使用すると、処理に必要な１４００℃を超える温度でＳｉＣの塗装は反応性水素ラジカルによって腐食され、したがってグラファイトは短い寿命しか期待できない欠点がある。さらに基板の背面は、狭い空間のエピタキシーの結果、塗装されたグラファイト表面からのＳｉＣによって望ましくない膜を生ずることがある。材料の転移によってＳｉＣの塗装に穴が生じる。その上グラファイトのＳｉＣ塗装の穴から不純物が放散され、電気的に活性な異物原子として半導体膜に結合され、膜の電気的特性に影響を与える。高い処理温度の場合は、グラファイトのＳｉＣ塗装の穴から炭化水素が放出され、ＳｉＣエピクタシー用の気相の炭素の成分を増加させて処理の制御が困難となる。
【００１２】
さらに従来の技術に関連して、ここでは詳しく説明しなかったその他の詳細について下記の文書が明確に記述している；ＤＥ１９５２２５７４Ａ１号、ＷＯ９８／４２８９７号、ＷＯ９９／３１３０６号
【００１３】
【本発明が解決しようとする課題】
本発明は、特に、ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）膜を、高い成長速度かつ均一にホモ成長またはヘテロ成長して堆積させることができる方法および装置を提供することを課題としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この課題は、ＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）半導体膜および、例えばＡｌＮまたはＧａＮのような広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する関連する材料を、気相から堆積する方法および装置によって解決され、ここで堆積は全面が加熱される流体ダクト内で、同じ材料（ホモ成長）または例えばシリコン、絶縁体上のシリコン、サファイアなどの他の適切な材料（ヘテロ成長）の回転基板を使用して実施される。
【００１５】
本発明は関連する方法および関連する装置を基礎としている。
【００１６】
本発明は、基板を取り囲みすべての側面から加熱される流体ダクトとして構成され、グラファイトのような耐高温性の導電材料から成る基板容器または基板保持体内で、１つまたは多数の基板容器または基板皿が回転することを特徴としている。
【００１７】
別の実施態様において、回転する基板を有する加熱流体ダクトは半径方向流反応炉として構成される。この構成においては多数のウエハが同時に同じ処理条件で成膜できる利点がある。半径方向流反応炉として構成される形状において、処理ガスは中央から温度調整されたガス入口を通り、外側に向かって回転する基板の上を基板容器または基板保持体の外周の排ガス収集器に流れる。半径方向流反応炉は壁がなく、したがって前に説明した不利な高温流体ダクト反応炉の側壁効果が回避できる利点がある。
【００１８】
基板皿の回転は好都合にガス翼回転によって実施することができ、これによって機械的な磨耗および複雑な機械的支持および駆動を避けることができる。
【００１９】
基板の回転によって、通路長さで低下する成長速度の補正および通路長さと直角な方向に生じ得る基板容器または基板保持体の温度勾配を均等化する利点が達成される。
【００２０】
回転および特にガス翼回転による回転によって、膜厚およびドーピングの均等な成長および均等な温度分布の利点が達成される。さらに、一方ではガス翼回転の使用によって粒子の生成を非常に少なくすることができる。その上ガス翼回転によって、従来解決することができなかった温度の均一性および部品の寿命に悪影響のない高温における機械的回転の問題が解消される。
【００２１】
処理ガスに対面する隔離壁、特に基板容器および回転基板は高周波加熱、ランプ加熱、抵抗加熱またはそれら加熱法の任意の組み合わせによって１１００℃ないし１８００℃まで加熱される。この場合同一または異なった温度に加熱する都合の良い加熱回路または温度調整装置を使用することができる。これによって非常に特定の処理条件に制御するかまたは設定することができる。
【００２２】
加熱特に高周波加熱に対し、熱の伝達を最適化し、損失および制御または調整の問題を少なくするため、１つまたは多数のコイルをサセプタまたは基板容器の周囲または上下に配置することができる。
【００２３】
この場合、流体加熱ダクトの２つまたはそれぞれ向かい合う２つの境界壁の温度を別々に制御するため、それぞれが独自の制御ができる２つの分割した加熱回路を使用することも可能である。
【００２４】
特に、それぞれが専用に制御する２つに分けられた加熱回路を使用して、基板側の境界壁の温度をそれに対向する流体ダクトの境界壁に対して別に制御することによって、基板に垂直な温度勾配を好都合に設定できる。このようにしてガス流のＳｉクラスタおよびＳｉ核形成物の低減が達成される。
【００２５】
基板側の境界壁および対向する境界壁のそれぞれの温度に、２つの分割して制御される加熱回路を使用する場合は温度も別々に調整することができる。こうすることによって基板および対向する流体ダクトの境界壁の間に好都合に一定の温度勾配を設定することができる。
【００２６】
さらに処理ガスに面した加熱流体ダクトの境界壁、特に基板皿および基板容器を、水素ラジカルによって腐食されず１８００℃までの温度で昇華しない例えばＴａＣの塗装を基板皿または基板容器のグラファイトの上に施し、高温で長い使用時間においても塗装表面がそのまま残るようにすると好都合である。露出したグラファイト表面を防ぐことによってグラファイトからの不純物の放出が好都合に低減される。これによって好ましくないドーピング雰囲気を５×１０−１４ｃｍ−３に制限することができる。安定したガス気密の密封によって炭化水素の追加形成が都合よく抑制される。基板の直ぐ近くのシリコンおよび炭素から構成される気相の成分の制御が容易になる。
【００２７】
基板背面の近接空間エピタキシーは耐熱性があり水素ラジカルに対する耐食性のある塗装を使用することによって好都合に防止できる。グラファイト製の基板皿に対するこのような塗装は、特に例えばＴａＣから構成される。
【００２８】
流体ダクトとして形成される基板容器または基板保持体に進入するガスは、積極的に冷却される入口によって、入口の直ぐ手前まで処理ガスの分解温度のずっと下に保たれる。したがって処理ガスの分解は、好都合に基板の寸前まで回避される。したがって気相からの堆積は基板の上で始めて行われる。
【００２９】
冷却された入口およびは高温の基板容器または基板保持体は、高い熱絶縁性の短い区間だけによって熱的に分離され、互いに結合されることが好ましい。これは簡単なので有利な熱絶縁である。
【００３０】
この前述の両方の特徴によって、ガスは基板の寸前で分解されるので堆積される処理ガスの効率を高くすることができる。さらに急激な温度変化によって、ある種類のガスに対する特定の温度範囲における選択的な劣化が抑制され、基板の直ぐ傍の気相の成分の制御が容易になる。
【００３１】
高温の流体ダクト内での基板容器または基板保持体に垂直な方向の小さな温度勾配によって、原料ガスの効果的な分解が達成される。ガス入口および基板容器または基板保持体間の急激な温度変化、および基板容器または基板保持体に垂直な方向の小さな温度勾配は、ガス流中のＳｉクラスタまたはＳｉ核形成物の生成の確率を低減する。これによって成長速度の増加が好都合に達成される。
【００３２】
このような基板容器または基板保持体が内蔵された流体ダクトにおいて、１０μｍ／ｈを超える成長速度が達成される。
【００３３】
基板容器または基板保持体の下流側に別個の不活性材料から構成される出口区間を備えた流体ダクトの形態によって、流出するガスの反応は防止され、生産される材料の均一性はさらに改善される。処理条件は再現可能である。流出ガスの反応による制御できない影響は排除される。
【００３４】
別の伝導率を有する不活性材料（例えばＴａ、Ｍｏ）の薄い物体を基板容器上または基板容器内に取り付けることによって、コイル位置と関係なく温度分布に好都合な影響を与える。
【００３５】
半径方向流れ反応炉の形態の、回転基板を備えた加熱流体ダクトの別の実施態様では、さらに基板に対向する加熱流体ダクトの境界壁が、加熱流体ダクトの基板側の境界と一定の距離で回転するように結合されるという利点がある。これによって流体ダクト内で少なくとも１つの基板の回転運動が改善され、生産される半導体膜の最適な均一性が達成される。
【００３６】
さらに基板に対向する加熱流体ダクトの境界壁を、気体の媒体によって希望する温度勾配に積極的に冷却できるようにすると好都合である。このようにして温度勾配および温度の時間的経過に好都合な影響を与えることができる。
【００３７】
回転基板は加熱流体ダクトの任意の境界壁に配置される基板容器に置くことができるので、重力効果を処理を最適化するため好都合に利用することができる。
【００３８】
基板容器のガス出口がガス分配リングとして形成されると、ガスは均等に周囲から流体ダクトから放出される。異なる不活性材料からなるガス分配リングの導入は、温度勾配および温度の時間的経過に好都合な影響を与える。ここでも影響を与えることができる処理パラメータの数を有利な方法で増加させることができる。排出されたガスの反応はこうして防止される。
【００３９】
本発明による適切な方法において、適切な処理ガスおよび搬送ガスを使用して、適切な圧力と組み合わせた最適温度操作によって高い成長速度を有する膜が非常に均一に堆積するよう好都合に実施される。これにより、特にＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、またはＭＯＶＰＥ法のような既知の堆積方法が改善される。
【００４０】
処理温度よりずっと低く冷却された処理ガスおよび搬送ガスを高温の基板の直前に導入することによって、原料ガスの早期の分解および分解生成物によるガス流の局所的過飽和は回避される。
【００４１】
本発明による方法において、製作される半導体膜の品質に好都合な影響を与える選択された処理ガスおよび搬送ガスが使用される。
【００４２】
特に５×１０１４ｃｍ−３ないし５×１０１９ｃｍ−３のドーピングが達成される。
【００４３】
基板容器の均等な温度分布に基づく基板の前または基板上での原料ガスの完全な分解によって、１０μｍまたはそれ以上のＳｉＣおよび／またはＳｉＣｘＧｅ１−ｘ（ｘ＝０−１）の半導体膜の成長速度が達成される。
【００４４】
本発明による方法によって得られる基板に垂直な方向の小さな温度勾配によって、ガス流内のＳｉクラスタおよびＳｉ核形成物の低減が好都合に達成される。
【００４５】
ホモ成長またはヘテロ成長が可能となり好ましい。
【００４６】
本発明を以下本発明の一般的な考え方に制約されることなく、開示に関して文章では詳しく説明することができない本発明の詳細について明確に示した図面を参照して、代表的な実施例について説明する。
【００４７】
【発明の実施の形態】
図１による実施例において、本発明によるシステムまたは本発明による装置の下記の要素に参照符号を付ける。
【００４８】
参照符号１は積極的に冷却される入口を示す。参照符号２は低温の入口１および加熱流体ダクト間の高度な絶縁性の耐熱材料（たとえば発泡グラファイト）から構成される短い絶縁区間を示す。
【００４９】
参照符号３ａは、ガス翼回転によって回転する基板皿４を備えた基板容器または基板保持体を示し、これらは両者とも不活性で１８００℃まで水素ラジカルに対して抵抗のある塗装（たとえばＴａＣ）を備えた耐熱性および伝導性の材料（例えばグラファイト）から構成される。基板容器３ａに向かい合って設けられる流体ダクトの上部境界３ｂは、（図示しない）側壁とともにガスの流れの方向と垂直な閉鎖された流体ダクトを構成し、その内部に基板容器３ａが内蔵されている。基板容器３ａに別の境界壁に配置することもできる。参照符号５は１つまたは多数のコイルを示し、閉じられた基板容器３ａの周囲または上下に配置され、流体ダクト全体を積極的に加熱する。参照符号６は異なる材料から構成される１つまたは多数の出口区間を示し、基板容器およびガス出口の間の温度を連続的に低下させる。参照符号８は、コイルの位置と関係なく温度分布に影響を与えるため、基板容器と別の導電率を有し不活性である（例えばＭｏ、Ｔｅ）材料から構成される基板容器３ａに比べて薄い板を示す。
【００５０】
図２はシステム内部における場所と関連したシステムの処理ガスの温度分布を示す。このとき処理ガスは加熱される流体ダクトの入口まで冷却して導かれ、続いて非常に速く処理ガスの熱分解に必要な一定温度に加熱されることが分る。出口の後で出口区間によって連続的で制御された処理ガスの冷却が行われる。
【００５１】
図３は、二重回転の半径方向流反応炉として構成される本発明によるシステム、または本発明による装置の別の実施例を示す。反応炉は図３の左側の一点鎖線に対し対称に形成されるので半分だけが図示されている。ここでも参照符号１は積極的に冷却される入口を示す。参照符号２は低温の入口１および高温のサセプタ間の高度な絶縁性の耐熱材料（たとえば発泡グラファイト）から構成される短い絶縁区間を示す。参照符号３ａは、ガス翼回転によって回転する基板皿４を備えた基板容器または基板保持体を示し、これらは両者とも不活性で１８００℃まで水素ラジカルに対して抵抗のある塗装（たとえばＴａＣ）を施した耐熱性および伝導性の材料（例えばグラファイト）から構成される。基板容器３ａに向かい合って設けられる流体ダクトの上部境界３ｂは、（図示しない）側壁とともにガスの流れの方向と垂直な閉鎖された流体ダクトを構成し、その内部に基板容器３ａが内蔵されている。基板容器３ａは別の境界壁に配置することもできる。参照符号５は１つまたは多数のコイルを示し、閉じられた基板容器３ａの周囲または上下に配置され、流体ダクト全体を積極的に加熱する。参照符号６は異なる材料から構成される１つまたは多数の出口区間を示し、サセプタおよびガス出口の間の温度を連続的に低下させる。参照符号８は、コイルの位置と関係なく温度分布に影響を与えるため、基板容器と別の導電率を有し不活性である（例えばＭｏ、Ｔｅ）材料から構成される基板容器３ａに比べて薄い板を示す。
【００５２】
図１によるシステムとの相違は、参照符号７で示される二重回転の半径方向流反応炉としての形態に追加される出口リングで、基板容器の周囲の均等な流れの配分に寄与する。
【００５３】
図４は、二重回転の半径方向流反応炉として構成されたシステムの温度分布を示し、この温度分布は図２による温度分布の原理に相当する。
【発明の効果】
【００５４】
半導体膜の最適な均一性とともに高い膜の成長速度が達成される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】  気相からの膜を堆積する本発明による装置の断面図である。
【図２】  図１による装置内部の場所による温度分布を示す図である。
【図３】  気相からの膜を堆積するため二重回転の半径流反応炉として構成した、本発明による別の装置の断面図である。
【図４】  図３による装置内部の場所による温度分布を示す図である。
【図１】
0004731076.tif 000002
【図２】
0004731076.tif 000003
【図３】
0004731076.tif 000004
【図４】
0004731076.tif 000005