(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＨ基含有量が５０ｐｐｍ以下で、水素分子含有量が１×１０17個／ｃｍ3以上であり、還元型欠陥を実質的に含まない合成石英ガラスに、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光を照射して波長１６５ｎｍ以下の波長域の透過率を改善し、波長１５７ｎｍにおける吸収係数が０．７０ｃｍ-1以下である光学部材用合成石英ガラスを得る、光学部材用合成石英ガラスの製造方法であって、
前記真空紫外光の総照射エネルギー量が３００〜５００００Ｊ／ｃｍ2である、光学部材用合成石英ガラスの製造方法。
【請求項２】
波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光が、キセノンエキシマランプ（主波長１７２ｎｍ）光である請求項１に記載の光学部材用合成石英ガラスの製造方法。
【請求項３】
波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光が、フッ素レーザ（主波長１５７ｎｍ）光である請求項１に記載の光学部材用合成石英ガラスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部材用合成石英ガラスとその製造方法および使用方法、特に、波長１６５ｎｍ以下の真空紫外光に対して高透過率を示す光学部材用合成石英ガラスとその製造方法および使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、光リソグラフィ技術において、より線幅の狭い微細な描画技術が要求され、露光波長の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のｇ線（波長４３６ｎｍ）やｉ線（波長３６５ｎｍ）から進んで、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が用いられようとしている。また、さらに微細な描画技術を必要とする次世代の光源としてフッ素レーザ（波長１５７ｎｍ）が候補に挙げられている。
【０００３】
ＫｒＦエキシマレーザやＡｒＦエキシマレーザを光源とする光学系には、近赤外域から真空紫外域までの広範囲の波長域にわたって透明で、熱膨張係数が極めて小さく寸法安定性に優れ、高純度である等の諸特性に優れることから、合成石英ガラスが用いられる。しかし、ＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザに用いられるＯＨ基含有量が多い合成石英ガラスは、波長１６５ｎｍ以下の波長域における透過率が低く、次世代の光源として考えられているフッ素レーザには不向きである。
また、波長１６５ｎｍ以下の波長域における透過率を向上させるためにＯＨ基含有量を低減させた合成石英ガラスでは、透過光の波長が１７０ｎｍ付近から短波長になるにつれて、透過率が急激に低下する。
したがって、フッ素レーザを光源として用いる光学系に光学部材として合成石英ガラスを用いる場合には、その透過率の改善が重要な課題となる。
【０００４】
また、光リソグラフィ技術に用いる光学装置の光学系は、多数のレンズ、プリズム等の光学部材が組み合わされて構成されている。したがって、光学部材の一枚あるいは一個あたりの透過率の向上が、光学系全体で積算されれば、大きな透過率の向上をもたらすことになる。
【０００５】
しかし、フッ素レーザの波長域である波長１６５ｎｍ以下の波長領域での透過率を改善し、高い透過率を有する光学部材用合成石英ガラスを、効率的かつ簡便に製造する方法は、未だ提案されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、波長１６５ｎｍ以下の波長領域での透過率が改善された光学部材用合成石英ガラスを、効率的かつ簡便に製造できる方法の提供を目的とする。
本発明は、また、波長１５７ｎｍにおける透過率が高い光学部材用合成石英ガラスおよびその使用方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＯＨ基含有量が５０ｐｐｍ（重量ｐｐｍ、以下も同様）以下の合成石英ガラスに、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光を照射して波長１６５ｎｍ以下の透過率を改善する工程を有する光学部材用合成石英ガラスの製造方法を提供する。
【０００８】
また、本発明は、波長１５７ｎｍにおける吸収係数が０．７０ｃｍ-1以下である光学部材用合成石英ガラスを提供する。
さらに本発明は、ＯＨ基含有量が５０ｐｐｍ以下の光学部材用合成石英ガラスの使用方法であって、光学部材として使用する前に、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光を照射する工程を有する光学部材用合成石英ガラスの使用方法を提供する。
本発明において、光学部材とは、合成石英ガラスを、露光装置用レンズ（例えば投影系レンズや照明系レンズ等）、プリズム（例えばレーザ光源内のビームエキスパンダ等）、エタロン、フォトマスク、フォトマスクブランクス、窓材、分光フィルタなどに製品化したものまたは半製品化したものをいう。特に、レンズ、フォトマスク、フォトマスクブランクスが好ましい。なお、前記の露光装置とは、例えば、半導体製造用、ＬＣＤ製造用、磁気ヘッド製造用、プリント基板製造用の露光装置等をいう。
【０００９】
本発明者らは、合成石英ガラスの波長１６５ｎｍ以下の透過率を改善するためには、ＯＨ基含有量および水素分子含有量を制御した合成石英ガラスに波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光を照射処理すれば、波長１６５ｎｍ以下の透過率が改善されることを知見した。
【００１０】
そこで、照射処理前の合成石英ガラス（以下、「照射前合成石英ガラス」という）におけるＯＨ基含有量および水素分子含有量が、照射処理後の合成石英ガラスの波長１６５ｎｍ以下の透過率に及ぼす影響を検討した。その結果、照射前合成石英ガラス中のＯＨ基含有量は真空紫外域における光透過性に影響を及ぼし、ＯＨ基含有量が高いほど光透過性が低下するが、５０ｐｐｍ以下であれば、真空紫外光の照射によって波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善を得ることができ、特に３０ｐｐｍ以下（さらには１０ｐｐｍ以下）であれば、波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善に有効であることを知見した。
【００１１】
上記波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善機構については定かではないが、次のように考えられる。合成石英ガラス中のＯＨ基の存在状態には２種類ある。一つは孤立した状態で存在する場合、一つは隣接するＯＨ基同士が水素結合した状態で存在する場合である。ＯＨ基含有の真空紫外光透過性に対する影響はＯＨ基の存在状態によって異なり、前者の方が後者よりも影響が大きい。すなわち、孤立した状態のＯＨ基を等量含有する合成石英ガラスの透過率と比較して、水素結合した状態のＯＨ基を含有する合成石英ガラスの波長１６５ｎｍ以下の透過率は高い。合成した合成石英ガラス中のＯＨ基のほとんどは通常水素結合することなく孤立した状態で存在しており、波長１８０ｎｍ以下の光を照射することによりＯＨ基の存在状態は水素結合した状態に変化して、波長１６５ｎｍ以下の透過率が向上するものと考えられる。
【００１２】
また、合成石英ガラス中の水素分子含有量が３×１０16分子／ｃｍ3 以上であると、より少量の紫外光照射により真空紫外光透過性を向上することができる。透過率改善効果に関して、紫外線照射の最適値があり、少なすぎると透過率はあまり改善せず、また多すぎると欠陥が生成し、逆に透過率が低下する。また、合成石英ガラス中の水素分子は、紫外線照射によるＥ’センターやＮＢＯＨＣなどの欠陥生成を抑制する作用もある。水素分子含有量が１×１０17個／ｃｍ3 以上であれば、波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善により有効であり、特に、１×１０18個／ｃｍ3 以上であれば、光学部材用合成石英ガラスとして使用される際の耐紫外線性（紫外線照射により透過率が著しく低下しない性能）の観点から好ましい。
【００１３】
また、本発明において。照射前合成石英ガラスは、還元型欠陥を実質的に含まないことが好ましい。本発明において、還元型欠陥とは≡Ｓｉ−Ｓｉ≡のことをさし、波長１６３ｎｍを中心とする吸収帯を有する。１６３ｎｍにおける内部透過率Ｔ163 （％／ｃｍ）は、合成石英ガラス中のＯＨ基含有量ＣOH（ｐｐｍ）により次式（３）のように推測される。
Ｔ163 （％／ｃｍ）≧ｅｘｐ（−０．０２ＣOH0.85）×１００    （３）
本発明において、還元型欠陥を実質的に含有しないとは、１６３ｎｍにおける内部透過率に関する式（３）を満足することを意味する。
しかし、還元型欠陥があると、１６３ｎｍを中心とした吸収帯があるため、実際の波長１６３ｎｍにおける透過率（Ｔ163 ）は、式（３）の右辺の値よりも小さくなる。そこで、還元型欠陥を実質的に含有しなければ、より高い波長１６５ｎｍ以下の透過率を得るために有効である。
【００１４】
また、本発明に用いられる照射前合成石英ガラス中に、フッ素は含有されていてもよい。フッ素が照射前合成石英ガラス中に含まれている場合には、フッ素は、照射前合成石英ガラス中の不安定な構造を低減し、波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善に有効である。照射前合成石英ガラス中のフッ素含有量は１００〜２０００ｐｐｍが好ましい。より好ましくは、１００〜６００ｐｐｍの範囲である。
【００１５】
照射前合成石英ガラス中のアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属等の金属不純物は、紫外域から真空紫外域における透過率を低下させるだけでなく、耐紫外線性を低下させる原因ともなるため、その含有量は極力少ない方が好ましい。具体的には金属不純物の合計量が１００ｐｐｂ以下、特に５０ｐｐｂ以下が好ましい。
【００１６】
本発明における、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光の照射には、表面洗浄による波長１６５ｎｍ以下の波長域の透過率改善の効果もある。洗浄の効果は以下のようにして評価できる。
すなわち、以下の式（１）および式（２）で定められるＴa とＴb との差が小さくなるほど、洗浄効果が高い。ただし、Ｒは波長１５７ｎｍにおける光学部材用合成石英ガラスの反射率、ｎは波長１５７ｎｍにおける光学部材用合成石英ガラスの屈折率である。Ｔb は理論透過率に相当する。
Ｔa ＝（１−Ｒ）2 ／（１＋Ｒ）2                     （１）
Ｔb ＝（１−ｎ）2 ／（１＋ｎ）2                     （２）
【００１７】
このうち、波長１５７ｎｍにおける合成石英ガラスの反射率Ｒは、厚さの異なる３枚以上の合成石英ガラスの、反射損失を含む波長１５７ｎｍ透過率Ｔc を真空中で測定することにより、下記の算出式（４）より波長１５７ｎｍ吸収係数αとともに求めることができる。
Ｔc ＝（１―Ｒ）2 ｅｘｐ（−αｔ）／（１―Ｒ2 ｅｘｐ（−２αｔ））（４）
Ｔc ：反射損失を含む波長１５７ｎｍ透過率
Ｒ：波長１５７ｎｍ反射率
α：波長１５７ｎｍ吸収係数［１／ｃｍ］
ｔ：試料厚さ［ｃｍ］
本発明の光学部材用合成石英ガラスは、上記Ｔa とＴb との差が０．０３以下、特に０．０１以下の光学部材用合成石英ガラスであることが好ましい。また、ＯＨ基含有量が５０ｐｐｍ以下の光学部材用合成石英ガラスを、光学部材として使用する前に、波長１８０ｎｍ以下の真空紫外光を照射して、上記Ｔa とＴb との差を０．０３以下とすることにより、表面の清浄度が高く、波長１６５ｎｍ以下における透過率が高い合成石英ガラスを各種光学部材として使用できる。
【００１８】
本発明において、照射前合成石英ガラスの製造方法としては、ＯＨ基含有量が前記所定の範囲となる製造方法であれば、特に限定されない。例えば、直接法、スート法（ＶＡＤ法、ＯＶＤ法）、プラズマ法等を挙げることができる。製造時の温度が低く、塩素および金属などの不純物の混入を避けることができる観点で、スート法が特に好ましい。
【００１９】
本発明において、照射する真空紫外光の波長は、１８０ｎｍ以下、好ましくは１７５ｎｍ以下である。また。真空紫外光は、連続光でもよいし、単色光でもよい。
照射する真空紫外光の強さは１ｍＪ／ｃｍ2 以上が好ましい。より短時間で効果を得るためには５ｍＪ／ｃｍ2 以上であることが好ましい。照射時間は用いる光源により適宜決定される。紫外光の総照射エネルギー量は、少なすぎると透過率はあまり向上せず、また多すぎると欠陥が生成し、逆に透過率が低下することがある。一般的には総照射エネルギー量で３００〜５００００Ｊ／ｃｍ2 程度であることが好ましい。総照射エネルギー量は１０００ｍＪ／ｃｍ2 以上、特に３０００ｍＪ／ｃｍ2 以上が好ましい。水素分子含有量が多いと、紫外光の総照射エネルギー量が多くても、欠陥が発生しにくい傾向がある。
照射処理の雰囲気は、雰囲気中に酸素分子、水分等が多く含まれると真空紫外光を吸収するため、窒素雰囲気もしくはＨｅ雰囲気等とするのが好ましい。
【００２０】
真空紫外光源の具体例としては、キセノンを媒質とするキセノンエキシマランプ（主波長１７２ｎｍ）、フッ素を媒質とするフッ素レーザ（主波長１５７ｎｍ）等が挙げられる。広範囲の領域にわたって波長１６５ｎｍ以下の透過率の改善が必要な場合にはキセノンエキシマランプが好ましい。また、生産性の観点からはフッ素レーザが好ましい。
【００２１】
本発明において、照射処理は、合成石英ガラスを光学部材にするために経る各工程の前後のいずれの段階で行ってもよい。なお、各工程とは、加熱工程、切断工程、研磨工程、または、仕上げ工程などをいう。光学部材として完成した後に照射処理してもよい。また、照射処理は、光透過領域（光が透過する光路に相当する領域）のみに施しても良い。表面洗浄の目的で照射処理を行う場合は、光学部材として使用する前、特に直前に照射処理することが好ましい。
【００２２】
本発明においては、波長１５７ｎｍにおける吸収係数が０．７０ｃｍ-1以下である光学部材用合成石英ガラスであることが好ましい。波長１５７ｎｍにおける吸収係数は０．３０ｃｍ-1以下であることがより好ましい。
また、ＳｉＯＨ基の伸縮振動に基づく赤外吸収ピークを略３６４０ｃｍ-1に有するものが好ましい。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの例により限定されるものではない。
【００２４】
（例１）
公知のスート法により、ＳｉＣｌ4 を酸水素火炎中で加熱加水分解させ、形成された石英ガラス微粒子を基材に堆積させて、直径３５ｃｍ、長さ１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を作製した。得られた多孔質石英ガラス体を雰囲気制御可能な電気炉に設置し、室温にて１０Ｔｏｒｒまで減圧して１時間保持した後、Ｈｅ／ＳｉＦ4 ＝９９／１（体積比）の混合ガスを常圧になるまで導入した。この雰囲気中、常圧および室温で数時間保持することにより、フッ素ドープを行った。続いて、Ｈｅ１００％雰囲気下に１４５０℃まで昇温し、この温度で５時間保持して、フッ素を含有した透明ガラス体を得た。
【００２５】
得られた透明石英ガラス体から、１００φ×３０ｍｍの円板状のブロックを切り出した。ブロックを、水素１００％、１０気圧、５００℃の雰囲気下で２５０時間保持し、水素ドープ処理を行い、照射前合成石英ガラスを得た。得られた合成石英ガラスのＯＨ基含有量及び水素分子含有量は、それぞれ４．８ｐｐｍ、１７．４×１０17個／ｃｍ3 であった。また、前記式（３）により、還元型欠陥の有無に関し評価した結果、還元型欠陥を実質的に含有しないことが確認された。
さらに、円板状の合成石英ガラスの両面を光学研磨した後、窒素雰囲気下、キセノンエキシマランプ（主波長１７２ｎｍ）で６５０時間照射処理（総照射エネルギー量：約１３０００Ｊ／ｃｍ2 ）を施し光学部材用合成石英ガラスを得た。
このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍの紫外光に対する吸収係数（「波長１５７ｎｍの紫外光に対する吸収係数」を以下、単に「波長１５７ｎｍ吸収係数」という）、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ伸縮振動に基づく赤外吸収ピーク（「ＳｉＯＨ伸縮振動に基づく赤外吸収ピーク」を以下、単にＳｉＯＨ吸収ピークという）の位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００２６】
（例２）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が１９ｐｐｍ、水素分子含有量が１０．３×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でフッ素レーザを照射して光学部材用合成石英ガラスを得た。照射条件は、１０ｍＪ／ｃｍ2 ×４０Ｈｚ×１５０ｍｉｎであった。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００２７】
（例３）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が３１ｐｐｍ、水素分子含有量が２．１×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンを媒質とするエキシマランプを６５０時間照射処理（合計照射エネルギー量：約１３０００Ｊ／ｃｍ2 ）を施し、光学部材用合成石英ガラスを得た。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００２８】
（例４）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が３３ｐｐｍ、水素分子含有量が０．８×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを６５０時間照射処理（総照射エネルギー量：約１３０００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００２９】
（例５）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が５４ｐｐｍ、水素分子含有量が３２．５×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを１０００時間照射処理（総照射エネルギー：約２００００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３０】
（例６）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が６３ｐｐｍ、水素分子含有量が０．５×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを１０００時間照射処理（総照射エネルギー：約２００００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３１】
（例７）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が５．２ｐｐｍ、水素分子含有量が１７．４×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを７５時間照射処理（総照射エネルギー量：約１５００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３２】
（例８）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が１２ｐｐｍ、水素分子含有量が１０．３×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを７５時間照射処理（総照射エネルギー量：約１５００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３３】
（例９）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が３２ｐｐｍ、水素分子含有量が０．８×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを７５時間照射処理（総照射エネルギー量：約１５００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３４】
（例１０）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が５．２ｐｐｍ、水素分子含有量が１７．４×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを３５時間照射処理（総照射エネルギー量：約７００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３５】
（例１１）
例１と同様の方法で、ＯＨ基含有量が５．２ｐｐｍ、水素分子含有量が１７．４×１０17個／ｃｍ3 で、還元型欠陥を実質的に含有しない照射前合成石英ガラスを準備し、窒素雰囲気内でキセノンエキシマランプを３００時間照射処理（総照射エネルギー量：約６０００Ｊ／ｃｍ2 ）を施した。このとき、照射処理前後の合成石英ガラスの波長１５７ｎｍ吸収係数、照射後の合成石英ガラスにおけるＳｉＯＨ吸収ピークの位置（ｃｍ-1）を測定した。
【００３６】
（評価方法）
得られた光学部材用合成石英ガラスブロックの中心部より、３０φ×１０ｍｍの評価用サンプルを切り出し、研磨加工後、以下の方法で水素分子含有量、ＯＨ基含有量、ＳｉＯＨ吸収ピーク、および波長１５７ｎｍ吸収係数を求めた。
水素分子含有量）ラマン分光測定を行い、レーザラマンスペクトルの４１３５ｃｍ-1の散乱ピークにより検出した強度Ｉ4135と、ケイ素と酸素との間の基本振動である８００ｃｍ-1の散乱ピークの強度Ｉ800 との強度比（＝Ｉ4135／Ｉ800 ）より、水素分子含有量（分子／ｃｍ3 ）を求めた（Ｖ．Ｓ．Ｋｈｏｔｉｍｃｈｅｎｋｏ  ｅｔ．ａｌ．，Ｚｈｕｒｎａｌ  Ｐｒｉｋｌａｄｎｏｉ  Ｓｐｅｋｔｒｏｓｋｏｐｉｉ，４６（６），９８７〜９９７（１９８６））。
【００３７】
ＯＨ基含有量及びＳｉ−ＯＨ吸収ピーク）一般的な合成石英ガラスは、赤外分光法の透過スペクトルにおいて、ＯＨ基を含むと３６７３ｃｍ-1にピークが出現する。このピークの吸収率から、実質的なピーク高さ（Ｈ）を求め、さらに、測定時に赤外光が透過する合成石英ガラスの厚さ（Ｌ、単位ｃｍ）を求め、次式よりＯＨ基含有量を求める。
ＯＨ基含有量（ｐｐｍ）＝９５×Ｈ／Ｌ
この手法は、β−ＯＨと呼ばれ、ガラス中のＯＨ基含有量を求める際に一般的に用いられている（例えば、Ｊ．Ｐ．Ｗｉｉｌｉａｍｓｅｔ．ａｌ．，Ｃｅｒａｍ．Ｂｕｌｌ．，５５（５），５２４（１９７６））。
【００３８】
波長１５７ｎｍ吸収係数）真空紫外分光光度計を用いて、厚さ１０ｍｍの試料と厚さ２ｍｍの試料の波長１５７ｎｍにおける透過率を測定し、これらの透過率から波長１５７ｎｍ吸収係数を算出した。波長１５７ｎｍ吸収係数の値が小さい方が高い透過率を示す。例３における真空紫外光照射処理前後での分光透過率測定結果を図１に示す。
例１〜１１の評価結果を表１にまとめて示す。例５および例６はＯＨ基含有量が多いため、波長１５７ｎｍ吸収係数が大きい例である。また、例４は、水素分子含有量が少ないわりに紫外光の総照射エネルギー量が大きいため、欠陥が発生し、紫外光照射により波長１５７ｎｍ吸収係数が増大した例である。
【００３９】
【表１】
0004701469.tif 000002
【００４０】
（例１２〜１６）
ＯＨ基含有量が１．５ｐｐｍである合成石英ガラスについて、２５ｍｍφ×２ｍｍ厚、２５ｍｍφ×１０ｍｍ厚、２５ｍｍφ×２０ｍｍ厚、２５ｍｍφ×３０ｍｍ厚の厚さの異なる４種類のサイズの試料をそれぞれ５個ずつ準備し、各試料について対向する２５ｍｍφの２面を平行平面度１０秒以下、表面粗さ５Å以下の精度で鏡面研磨した。これらの試料を、以下に示す手順で湿式洗浄した。
１）硫酸：過酸化水素水：水＝１：１：８の比率の混合液（液温１００℃）中に１０分間浸漬
２）イオン交換水にて５分間流水リンス
３）アンモニア：過酸化水素水：水＝１：１：８の比率の混合液（液温２５℃）中に１０分間浸漬
４）イオン交換水にて５分間流水リンス
５）イオン交換水（液温４０℃）にて１０分間超音波洗浄
６）フロン蒸気乾燥
【００４１】
次いで、表２に示す条件にて窒素ガス雰囲気下でキセノンエキシマランプ光（照度１０ｍＷ／ｃｍ2 ）を試料に照射し、様々な照射時間で洗浄を実施した。乾式洗浄後直ちに試料を真空紫外分光光度計（分光計器製、ＵＶ２０１Ｍ）にセットし、窒素雰囲気下にて波長１５７ｎｍ透過率を測定した。測定して得られた厚さ２ｍｍ（＝ｔ1 ）、１０ｍｍ（＝ｔ2 ）、２０ｍｍ（＝ｔ3 ）、３０ｍｍ（＝ｔ4 ）の試料の波長１５７ｎｍ透過率Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 、Ｔ4 、を式（５）に代入し、最小二乗法により波長１５７ｎｍ反射率Ｒおよび波長１５７ｎｍ吸収係数αを求めた。
Ｔi ＝（１―Ｒ）2 ｅｘｐ（−αｔi ）／（１―Ｒ2 ｅｘｐ（−２αｔi ））
（ｉ＝１，２，３，４）                                    （５）
Ｔi ：反射損失を含む波長１５７ｎｍ透過率
Ｒ：波長１５７ｎｍ反射率
α：波長１５７ｎｍ吸収係数［１／ｃｍ］
ｔi ：試料厚さ［ｃｍ］
得られた波長１５７ｎｍ反射率Ｒを用いて式（１）より透過率Ｔa を求め、波長１５７ｎｍにおける屈折率ｎ（＝１．６６１）より式（２）を用いて計算される理論透過率Ｔb （＝０．８８４）との差ΔＴ（＝Ｔb −Ｔa ）を求めることにより、表面の清浄度を評価した。結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
0004701469.tif 000003
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、波長１６５ｎｍ以下の透過率が改善された光学部材用合成石英ガラスを、高効率かつ簡便に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の例３における照射処理前後での分光透過率測定結果を示す図である。
【図１】
0004701469.tif 000004