Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月18日(2003.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信回線に接続されたサーバと、前記サーバにアクセス可能なユーザとを有し、前記サーバは実行命令信号に従って各処理を行うシステムであり、前記サーバの各処理の状態に対してフラグが備えられており、前記フラグの任意の値には、この値に対してさらにイベント保持領域を備えたシステムにおいて、前記サーバが前記各処理を行う際、前記任意の値を保持する状態の処理を行った際には、前記イベント保持領域に、前記処理結果である任意の信号を保持することを特徴とする重複処理検知システム。
【請求項２】
前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とする請求項１に記載の重複処理検知システム。
【請求項３】
通信回線に接続されたサーバと、前記サーバにアクセス可能なユーザとを有し、前記サーバは実行命令信号に従って各処理を行うシステムであり、前記サーバの各処理の状態に対してフラグが備えられており、前記フラグの任意の値には、この値に対してさらにイベント保持領域を備えたシステムを用い、前記サーバが前記各処理を行う際、前記任意の値を保持する状態の処理を行った際には、前記イベント保持領域に、前記処理結果である任意の信号を保持することを特徴とするコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記録媒体。
【請求項４】
前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とする請求項３に記載のコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記録媒体。
【請求項５】
通信回線に接続されたサーバと、前記サーバにアクセス可能なユーザとを有し、前記サーバは実行命令信号に従って各処理を行うシステムであり、前記サーバの各処理の状態に対してフラグが備えられており、前記フラグの任意の値には、この値に対してさらにイベント保持領域を備えたシステムを用い、前記サーバが前記各処理を行う際、前記任意の値を保持する状態の処理を行った際には、前記イベント保持領域に任意の信号を保持することを特徴とするコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項６】
前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とする重複処理検知システムである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とするコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記録媒体である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記任意の値を保持する状態の処理を再度行う際、サーバ側で保持する現在の状態とクライアントが送信した実行命令信号が表す状態を比較し、これらの状態が異なるときに、前記イベント保持領域に保持された信号を読み出して、前回に同様の処理を行った情報を検出し、重複処理を行わないことを特徴とするコンピュータに実行させるためのプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月23日(2003.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ファイバケーブルの構造体とその布設方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が空洞のチューブ（１２）を有する光ファイバケーブル構造体（１０）であって、該光ファイバケーブル構造体（１０）の前記チューブ（１２）は、２５℃で弾性係数200,000psiかそれ以下である軟質樹脂からなり、かつチューブ（１２）の外表面の表面摩擦を減少させるため前記軟質樹脂内に無機充填材が充填されていることを特徴とする光ファイバケーブル構造体。
【請求項２】
前記充填材が前記軟質樹脂の容積の０．５重量％と４５重量％の間を占めることを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項３】
前記軟質樹脂は、ポリエチレン、耐衝撃性ポリプロピレン、ポリプロピレンベース熱可塑性オレフィン、エチレン−ビニルアセテート樹脂、プラスチック化された塩化ビニル、ポリエステルベース熱可塑性エラストマ、及びポリエーテルベース熱可塑性エラストマーのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項４】
前記充填材は針状であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項５】
前記充填材の縦横比は、５：１と１００：１の間であることを特徴とする請求項４記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項６】
前記充填材は球形であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項７】
前記チューブ（１２）は、チューブ（１２）の内部空洞の内表面に沿って配置された内層（１８）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項８】
前記チューブ（１２）は、前記チューブ（１２）の内部空洞内に、少なくとも１２の光ファイバ素子（１６）を含む寸法であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項９】
前記チューブ（１２）は、更に浸水阻止材料（１４）を含み、前記浸水阻止材料（１４）は前記光ファイバ素子（１６）を取り囲むことを特徴とする請求項８記載の光ファイバケーブル構造体。
【請求項１０】
光ファイバケーブルをダクト内に布設する方法において、
内部が空洞のチューブ（１２）を有する光ファイバケーブル構造体（１０）を提供するステップと、
前記チューブ（１２）は、２５℃で弾性係数が200,000psiかそれ以下である軟質樹脂からなり、かつ前記チューブ（１２）の外表面の表面摩擦を減少させ、且つ前記チューブ（１２）の圧縮抵抗を増加させるように前記軟質樹脂内に無機充填材が充填されており、
前記光ファイバケーブル構造体をダクト内に気送するステップとを含むことを特徴とする方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに請求項３記載の発明は、請求項１記載の光ファイバケーブルの構造において、前記軟質樹脂は、ポリエチレン、インパクト変性（耐衝撃性）ポリプロピレン、ポリプロピレン−ベース熱可塑性オレフィン、エチレン−ビニルアセテート樹脂、プラスチック化された塩化ビニール、ポリエステル−ベース熱可塑性エラストマー、及びポリエーテル−ベース熱可塑性エラストマーから選ばれることを特徴とするものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この発明の望ましいチューブ（１２）はチューブに押し出す事が出来る樹脂を含む。樹脂のタイプの可能な例は次の如くである。
この樹脂は、柔らかく、典型的なＰＴＢベースの光ファイバケーブルより可撓性のある材料を含む。望ましい具体例のチューブ（１２）のベース材として適当な押し出し可能な樹脂は、次が含まれる。
すなわち、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、線形低密度ポリエチレン、あるいは低密度ポリエチレンを含むポリエチレン、インパクト変性（耐衝撃性）ポリプロピレン、ポリプロピレン−ベースの熱可塑オレフィン、エチレン−ビニルアセテート樹脂、プラスチック化された塩化ポリビニル、ポリエステルベ−スの熱可塑性エラストマー。又は弾性係数（ヤング率）200,000psi又はそれ以下（２５℃にて）の他のベース樹脂である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融金属を収容することができ、内外の圧力差を調節することにより、内部へ溶融金属を導入し、または外部へ溶融金属を供給することが可能で、運搬車輌により搭載されてユースポイントまで搬送される容器であって、
フレームと、
前記フレームの内側に設けられる第１の熱伝導率及び第１の密度を有する第１のライニングと、
前記フレームと前記第１のライニングとの間に介挿され、前記第１の熱伝導率よりも低い第２の熱伝導率を有し、かつ、前記第１の密度より低い第２の密度を有する第２のライニングと、
配管とを有し、
前記第１のライニングは、容器内底部に近い位置から容器上面側の露出部まで溶融金属の流路を内在し、当該流路と前記容器内の溶融金属が貯留される空間とを分離するゾーンでかつ容器上面側の露出部まで充填され、
前記配管は、前記露出部の流路に接続され、先端の出入口が下向きである
ことを特徴とする容器。
【請求項２】
請求項１に記載の容器であって、
前記第１のライニングは、前記容器内の溶融金属が貯留される空間から前記流路への熱伝導が促進されるように充填されていることを特徴とする容器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の容器であって、
前記流路の内径は、６５ｍｍより大きく、８５ｍｍより小さいことを特徴とする容器。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の容器であって、
前記容器の上面部に開閉可能に設けられ、前記容器の内外を連通し、前記溶融金属を供給する際に前記容器内を加圧するための貫通孔が設けられたハッチを具備することを特徴とする容器。
【請求項５】
請求項４に記載の容器であって、
前記ハッチは、前記容器の上面部の中央に設けられていることを特徴とする容器。
【請求項６】
溶融金属を収容することができ、内外の圧力差を調節することにより、内部へ溶融金属を導入し、または外部へ溶融金属を供給することが可能で、運搬車輌により搭載されてユースポイントまで搬送される容器であって、
フレームと、
前記フレームの内側に設けられる第１の熱伝導率及び第１の密度を有する第１のライニングと、
前記フレームと前記第１のライニングとの間に介挿され、前記第１の熱伝導率よりも低い第２の熱伝導率を有し、かつ、前記第１の密度よりも低い第２の密度を有する第２のライニングと、
前記容器の上面部に開閉可能に設けられ、前記容器の内外を連通する内圧調整用の貫通孔が設けられたハッチとを有し、
前記第１のライニング内に溶融金属の流路が容器内底部に近い位置から容器上面側の露出部まで内在され、
前記容器外周の前記流路に対応する位置が、当該流路に応じて、溶融金属が貯留された空間から当該流路が設けられた分だけ突き出ていて、
前記流路と前記容器内の溶融金属が貯留される空間とを分離するゾーンでかつ容器上面側の露出部まで前記第１のライニングが充填されている
ことを特徴とする容器。
【請求項７】
溶融金属を収容することができ、内外の圧力差を調節することにより、内部へ溶融金属を導入し、または外部へ溶融金属を供給することが可能で、運搬車輌により搭載されてユースポイントまで搬送される容器であって、
溶融金属を貯留する貯留室と、
前記貯留室と外部との間の溶融金属の流路となるインターフェース部と、
前記貯留室下部と前記インターフェース部下部との間の連結口を有し、これらの間を仕切る壁と、
前記インターフェース部上部に接続された配管と
を具備し、
前記容器の外周は金属製のフレームにより覆われており、
前記貯留室及び前記インターフェース部と、前記フレームとの間には、第１の熱伝導率及び第１の密度を有する第１のライニングと、前記第１の熱伝導率よりも低い第２の熱伝導率を有し、かつ、前記第１の密度よりも低い第２の密度を有する第２のライニングとが前記第１のライニングを内側にして積層され、
前記壁は、前記連結口から前記インターフェース部の上部に向けて前記第１のライニングが充填されたゾーンを有し、
前記インターフェース部が当該インターフェース部と前記フレームとの間に介挿された前記第２のライニングにより保温されるとともに、前記ゾーンを介して前記貯留室内に貯留された前記溶融金属から前記インターフェース部側への熱伝導が促進されるように構成されていることを特徴とする容器。
【請求項８】
請求項７に記載の容器において、
前記壁は、耐火材からなることを特徴とする容器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上に構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、前記構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すステップと、
前記単結晶シリコン層の選択された区域を露光するステップと、
前記形成された構造物を解離するステップと、
を有する処理によって製作されるマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物。
【請求項２】
単結晶シリコン層の選択された区域を露光するステップは、前記選択された区域を覆う前記ポリシリコン層をエッチングして取り去るステップを有する請求項１に記載の構造物。
【請求項３】
前記単結晶シリコン層の前記選択された区域を酸化物保護層で覆うステップをさらに有する処理によって製作される請求項１に記載の構造物。
【請求項４】
前記ポリシリコン構造物が形成された後に酸化物の前記保護層を除去するステップをさらに有する処理によって製作される請求項３に記載の構造物。
【請求項５】
前記選択された区域を露光するステップは、前記マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を形成するステップとそれらの構造物の解離するステップとの間に行うことを特徴とする請求項１に記載の構造物。
【請求項６】
露光後にコーティングを前記選択された区域に塗布するステップをさらに有する処理によって製作される請求項１に記載の構造物。
【請求項７】
前記コーティングが、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択された金属である請求項６に記載の構造物。
【請求項８】
露光後に前記選択された区域上に追加の構造物を定義するステップをさらに有する処理によって製作される請求項１に記載の構造物。
【請求項９】
前記追加の構造物は、導電構造物、絶縁構造物、または導電部分と絶縁部分の両方を含む構造物を有する請求項８に記載の構造物。
【請求項１０】
前記選択された区域上に追加の構造物を定義するステップは、
フォトリソグラフィによって前記選択された区域上に前記追加の構造物のパターン形成するステップと、
前記選択された区域上にポリシリコン、酸化物、窒化物、または金属の層を蒸着およびエッチングするステップと、
を有する請求項８に記載の構造物。
【請求項１１】
前記単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層にフォトリソグラフィによってパターン形成し、ドライエッチングするステップを有する請求項１に記載の構造物。
【請求項１２】
絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上に構造物を定義するステップと、
前記単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、前記構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すステップと、
前記単結晶シリコン層の選択された区域を露光するステップと、
前記形成された構造物を解離するステップと、
を有するマイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を製造するための方法。
【請求項１３】
単結晶シリコン層の選択された区域を露光するステップは、前記選択された区域を覆う前記ポリシリコン層をエッチングして取り去るステップを有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記単結晶シリコン層の前記選択された区域を酸化物保護層で覆うステップをさらに有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリシリコン構造物が形成された後に酸化物の前記保護層を除去するステップをさらに有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記選択された区域を露光するステップは、前記マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を形成するステップとそれらの構造物を解離するステップとの間に行うことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
露光後にコーティングを前記選択された区域に塗布するステップをさらに有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記コーティングが、金、アルミニウム、クロミウム、プラチナからなる群から選択された金属である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
露光後に前記選択された区域上に追加の構造物を定義するステップをさらに有する請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記追加の構造物は、導電構造物、絶縁構造物、または導電部分と絶縁部分の両方を含む構造物を有する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記選択された区域上に追加の構造物を定義するステップは、
フォトリソグラフィによって前記選択された区域上に前記追加の構造物のパターン形成をするステップと、
前記選択された区域上にポリシリコン、酸化物、窒化物、または金属の層を蒸着およびエッチングするステップと、
を有する請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記単結晶シリコンを選択的にエッチングするステップは、前記単結晶シリコン層にフォトリソグラフィによってパターン形成し、ドライエッチングするステップを有する請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロメカニカルまたはマイクロオプトメカニカルな構造物を提供する。この構造物は、以下の段階を含む処理によって製作される。すなわち、絶縁層によって基板層から分離されている単結晶シリコン層上にパターンを定義すること、単結晶シリコン層に構造物を定義すること、単結晶シリコン層上にポリシリコン層を蒸着およびエッチングし、構造物の機械的要素または光学的要素を形成するポリシリコンを残すこと、形成された構造物を解離することである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は、本願明細書に記載される処理の実施形態の使用に適する絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウェーハ１０の一実施形態を示す。ＳＯＩウェーハ１０は、単結晶シリコンデバイスウェーハ薄層１２および基板層１４を含む。基板層１４はポリシリコンであることが好ましい。これらの２つの層１２，１４の間には、デバイス層１２と基板層１４を完全に結合させる埋め込み酸化（ＢＯＸ）層１６がある。この埋め込み酸化層１６は、薄膜を形成するためのウェットエッチングおよびドライエッチングの手順におけるエッチングストップとして使用することもできる。さらに、基板層１４の裏面上には裏面酸化層１８があり、デバイス層１２と基板層１４間のインタフェースへのエッチダウンを裏面から調節するために使用される。ウェーハは、直径１００ｍｍ±０．５ｍｍ、厚さ５２５±２５マイクロメートルの円形であることが好ましい。ウェーハの全体の厚さは、裏面酸化物２０の１±０．５マイクロメートル、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）の１±０．０５マイクロメートル、単結晶シリコンの５±０．５マイクロメートルから構成される。厚さの残りは基板から構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月30日(2004.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理方法において、該溶融スラグを粉砕処理することを特徴とする溶融スラグの処理方法。
【請求項２】
廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理方法において、該溶融スラグに、粉砕処理した溶融スラグの一部を混合することを特徴とする溶融スラグの処理方法。
【請求項３】
前記溶融スラグの粉砕処理は、１０００μｍ以下の粒子径が６０％以上になるように行うことを特徴とする請求項１又は２記載の溶融スラグの処理方法。
【請求項４】
前記粉砕処理又は混合処理した溶融スラグは、水洗処理することを特徴とする請求項１又は２記載の溶融スラグの処理方法。
【請求項５】
廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理装置において、次の（１）〜（５）のいずれか１つを有することを特徴とする溶融スラグの処理装置。
（１）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置、
（２）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置、
（３）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、篩分けした篩下物を水洗する洗浄装置、
（４）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、前記篩分けした篩上物を前記粉砕装置に供給する供給手段、
（５）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、篩分けした篩下物を水洗する洗浄装置と、前記篩分けした篩上物を前記粉砕装置に供給する供給手段、
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理方法において、該溶融スラグを粉砕処理することを特徴とする溶融スラグの処理方法としたものである。
また、本発明では、廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理方法において、該溶融スラグに、粉砕処理した溶融スラグの一部を混合することを特徴とする溶融スラグの処理方法としたものである。
前記溶融スラグの粉砕処理方法において、溶融スラグの粉砕処理は、処理後の粒子径が小さい程、効果が大きいが、処理費用を勘案すれば、１０００μｍ以下の粒子径が６０％以上、好ましくは８０％以上になるように行えば十分である。そして、前記粉砕処理又は混合処理した溶融スラグは、溶出液のｐＨが９以上、好ましくは、９．５以上であり、また、該粉砕処理又は混合処理した溶融スラグは、水洗処理することができる。
さらに、本発明では、廃棄物を高温処理して得られる溶融スラグの鉛の溶出を抑制する処理装置において、次の（１）〜（５）のいずれか１つを有することを特徴とする溶融スラグの処理装置。としたものである。
（１）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置、
（２）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置、
（３）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、篩分けした篩下物を水洗する洗浄装置、
（４）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、前記篩分けした篩上物を前記粉砕装置に供給する供給手段、
（５）前記溶融スラグを粉砕処理する粉砕装置と、該粉砕処理物を篩分けする篩分け装置と、篩分けした篩下物を水洗する洗浄装置と、前記篩分けした篩上物を前記粉砕装置に供給する供給手段、
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月19日(2003.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁膜及び絶縁膜の生成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなる絶縁膜であって、
光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在すること
を特徴とする絶縁膜。
【請求項２】
前記窒素は、前記基体との界面及びその近傍に存在すること
を特徴とする請求項１に記載の絶縁膜。
【請求項３】
前記基体との界面及びその近傍を電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が、光電子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであること
を特徴とする請求項１或いは請求項２記載の絶縁膜。
【請求項４】
熱処理装置内に基体を設置し、
前記熱処理装置内に酸素ガスを導入して前記基体の熱酸化処理を行ない、
前記酸素ガスの導入を停止して不活性ガスを導入し、
ＮＯガスと前記不活性ガスとを所定の割合で同時に導入して前記基体の酸窒化処理を行ない、
前記ＮＯガスの導入を停止して前記熱処理装置内の温度を降温すること
を特徴とする絶縁膜の生成方法。
【請求項５】
前記基体の酸窒化処理を行う際に、前記熱処理装置内の温度を所定温度に昇温することを特徴とする請求項４に記載の絶縁膜の生成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラッシュ・メモリのトンネル絶縁膜、或いは、通常の電界効果トランジスタに於けるゲート絶縁膜など薄膜の絶縁膜及び絶縁膜の生成方法の改良に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記したところから、本発明に依る絶縁膜及び絶縁膜の生成方法に於いては、
（ａ）
基体（例えばシリコンからなるウエハや基板）表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料（例えばシリコン酸窒化膜を構成できる材料）からなる絶縁膜であって、光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在することを特徴とするか、或いは、
（ｂ）
前記（ａ）に於いて、前記窒素は、前記基体との界面及びその近傍（例えば界面から約５〔Å〕程度）に存在することを特徴とするか、或いは、
（ｃ）
前記（ａ）又は（ｂ）に於いて、前記基体との界面及びその近傍を電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が、光電子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであることを特徴とするか、或いは、
（ｄ）
熱処理装置内に基体を設置し、前記熱処理装置内に酸素ガスを導入して前記基体の熱酸化処理を行ない、前記酸素ガスの導入を停止して不活性ガスを導入し、ＮＯガスと前記不活性ガスとを所定の割合で同時に導入して前記基体の酸窒化処理を行ない、前記ＮＯガスの導入を停止して前記熱処理装置内の温度を降温することを特徴とするか、或いは、
（ｅ）
前記（ｄ）に於いて、前記基体の酸窒化処理を行う際に、前記熱処理装置内の温度を所定温度に昇温することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【発明の効果】
本発明に依る絶縁膜及び絶縁膜の生成方法に於いては、少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなる絶縁膜であって、光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ3 Ｎ4 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在することを特徴とする絶縁膜を実現する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月15日(2003.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの形成された（１００）面を有するＳｉウエハ上に、選択成長用マスクが形成され、Ｓｉとは格子定数の異なる或はＳｉとほぼ等しい格子定数の第１のＩＩＩ−Ｖ材料から成る薄膜を成膜したあと、該第１のＩＩＩ−Ｖ材料より長い格子定数を有する第２のＩＩＩ−ＶＮ材料及び第１のＩＩＩ−Ｖ材料より短い格子定数を有する第３のＩＩＩ−ＶＮ材料から成る多層薄膜が歪み補償されながら積層され、その間、前記選択成長用マスク上を横方向成長することで選択的に成膜された、前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料とほぼ等しい格子定数を有する第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶を有し、且つ該第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶上に積層された化合物半導体光デバイスを有することを特徴とするＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項２】
前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料はＩＩＩ−ＶＮ材料であることを特徴とする請求項１記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項３】
前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料としてＧａＡｓに格子整合する（Ａｌ）ＧａＩｎＮＡｓを用い、第２及び第３のＩＩＩ−ＶＮ材料としてＧａＮＡｓ及びＡｌＮＡｓを用いることを特徴とする請求項２記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項４】
前記化合物半導体光デバイスは、前記第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶上に積層されたＡｌ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓからなる多層膜を反射ミラーとする面発光レーザ構造であることを特徴とする請求項３記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項５】
前記化合物半導体光デバイスは、前記第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶上に積層された第５のＩＩＩ−ＶＮ材料を主たる活性層材料とする半導体レーザ構造であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項６】
前記ＩＩＩ−ＶＮ材料は、Ｎ源にＲＦプラズマガンを用いたガスソースＭＢＥ法で成膜されることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造。
【請求項７】
電子デバイスの形成された（１００）面を有するＳｉウエハ上に、選択成長用マスクが形成され、Ｓｉとは格子定数の異なる或はＳｉとほぼ等しい格子定数の第１のＩＩＩ−Ｖ材料から成る薄膜を成膜したあと、該第１のＩＩＩ−Ｖ材料より長い格子定数を有する第２のＩＩＩ−ＶＮ材料及び第１のＩＩＩ−Ｖ材料より短い格子定数を有する第３のＩＩＩ−ＶＮ材料から成る多層薄膜が歪み補償されながら積層され、その間、前記選択成長用マスク上を横方向成長することで、前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料とほぼ等しい格子定数を有する第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶を選択的に成膜し、且つ該第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶上に化合物半導体光デバイスを積層することを特徴とするＳｉ基板上の光電融合デバイス構造の製造方法。
【請求項８】
前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料はＩＩＩ−ＶＮ材料であることを特徴とする請求項７記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造の製造方法。
【請求項９】
前記化合物半導体光デバイスは、前記第４のＩＩＩ−ＶＮ材料結晶上に積層された端面発光型半導体レーザであり、Ｓｉウエハ上にＣＭＯＳ等の電子デバイスが作製されていると同時に、該半導体レーザからの光を導波する光導波路がＳｉで形成されていることを特徴とする請求項７または８記載のＳｉ基板上の光電融合デバイス構造の製造方法。
【請求項１０】
（１００）面を有するＳｉウエハ上に、誘電体等からなる選択成長用マスクが形成され、Ｓｉとは格子定数の異なる或はＳｉとほぼ等しい格子定数の第１のＩＩＩ−Ｖ材料からなる薄膜を成膜したあと、該第１のＩＩＩ−Ｖ材料より長い格子定数を有する第２のＩＩＩ−ＶＮ材料及び第１のＩＩＩ−ＶＮ材料より短い格子定数を有する第３のＩＩＩ−ＶＮ材料からなる多層薄膜が歪み補償されながら積層され、その間、前記選択成長用マスク上を横方向成長することで、前記第１のＩＩＩ−Ｖ材料とほぼ等しい格子定数を持つ第４のＩＩＩ−ＶＮ結晶を選択的に成膜することを特徴とするＳｉ上に格子定数の異なるＩＩＩ−ＶＮ材料を選択的に形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同調器と、分波器及び変調器を具える分波器−変調器とを具える回路装置であって、前記分波器が、無線周波数入力信号を印加する無線周波数信号入力部と、無線周波数出力信号を供給する無線周波数信号出力部と、前記無線周波数入力信号を前記同調器に印加する第１ラインと、前記変調器から無線周波数出力信号を供給する第２ラインとを有し、前記同調器を、前記無線周波数入力信号を復調することに適合させ、前記変調器を、ベースバンド信号を前記変調器によって供給すべき前記無線周波数出力信号に変換することに適合させ、該回路装置が、前記同調器及び分波器−変調器に関する基準振動を発生する装置を具え、前記装置が、前記同調器及び分波器−変調器に関して共通の少なくとも１個の水晶と、前記同調器及び分波器−変調器に関して共通の位相ロックループとを有する、回路装置において、
前記同調器が、各々の周波数帯の前記無線周波数信号の周波数選択受信、増幅及び／又は周波数変換に関する少なくとも１つの信号処理分枝を具え、前記基準振動を発生する装置（振動発生器）が、各々の信号処理分枝ごとに別個の発振器段を具え、これらの発振器段のうち１つを、前記分波器−変調器に関する基準振動の発生にも使用することを特徴とする回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯端末装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線を介して公衆電話網に接続可能な通信手段を有する携帯端末装置において、汎用に使用される第１の表示手段と、前記通信手段が非稼動であることを表示可能な第２の表示手段とを有することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項２】
請求項２において、前記第２の表示手段は、前記第１の表示手段が設けられた該携帯端末装置の面と反対側の面に設けられていることを特徴とする携帯端末装置。
【請求項３】
無線を介して公衆電話網に接続可能な通信手段を有する携帯端末装置において、汎用に使用される第１の表示手段と、この第１の表示手段が設けられた該携帯端末装置の面と反対側の面に設けられた第２の表示手段とを有することを特徴とする携帯端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ＭＰＥＧに準拠して符号化された第１の符号化データ列を復号する前置復号器とその前置復号器で復号されたデータから映像ビデオ信号を生成する第１の表示回路とを含む第１の集積回路チップと、
前記第１の集積回路チップから出力された前記映像ビデオ信号をビデオデータ列に変換する映像入力回路とそのビデオデータ列を第２の符号化データ列に符号化する符号化器とを含む第２の集積回路チップと、
前記第２の集積回路チップから出力された前記第２の符号化データ列を復号する後置復号器とその復号されたデータから映像ビデオ信号を生成する第２の表示回路とを含む第３の集積回路チップと、
を一体的に搭載したことを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の別の態様もまた、画像処理装置に関する。この装置は、ＭＰＥＧに準拠して符号化された第１の符号化データ列を復号する前置復号器とその前置復号器で復号されたデータから映像ビデオ信号を生成する第１の表示回路とを含む第１の集積回路チップと、第１の集積回路チップから出力された映像ビデオ信号をビデオデータ列に変換する映像入力回路とそのビデオデータ列を第２の符号化データ列に符号化する符号化器とを含む第２の集積回路チップと、第２の集積回路チップから出力された第２の符号化データ列を復号する後置復号器とその復号されたデータから映像ビデオ信号を生成する第２の表示回路とを含む第３の集積回路チップと、を一体的に搭載する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月8日(2003.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
周波数（ｆｉｎ）＝１９２０〜１９８０ＭＨｚ
出力電力（Ｐｏｕｔ）＝２７ｄＢｍ
電力付加効率（ＰＡＥ）＝４０％以上
隣接チャンネル漏洩電力比（ＡＣＰＲ）
ＡＣＰＲ１＝−３８ｄＢｃ以下（ａｔ  ５ＭＨｚ）
ＡＣＰＲ２＝−４８ｄＢｃ以下（ａｔ  １０ＭＨｚ）
隣接チャンネル漏洩電力比（ＡＣＰＲ）とは、送信信号の中心周波数から５．０ＭＨｚ、または、１０．０ＭＨｚ離れた周波数におけるノイズレベルを、中心周波数の電力レベルに対する相対比で表した値である。電力付加効率（ＰＡＥ）とは、出力電力と消費電力との割合をパーセントで表示したもので、高いほど好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月5日(2003.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報信号に対応した静電潜像を像担持体に形成し、トナー粒子とキャリア粒子とを有する二成分現像剤を用いて前記静電潜像を現像して未定着画像を形成し、該未定着画像を転写材に転写する画像形成手段と、定着回転体及び加圧回転体を少なくとも有しこれらにより該転写材を挟持搬送して未定着画像を定着させる定着手段とを有する画像形成装置において、
前記キャリア粒子は、バインダー樹脂及び磁性金属酸化物を少なくとも含み、形状係数ＳＦ−１が１００〜１５０、ＳＦ−２が１００〜１５０の範囲であり、且つ、前記定着回転体は、弾性層とフッ素樹脂よりなる離型層とを有し、１ｋｇの荷重を与えたときのａｓｋｅｒ−Ｃ硬度が６０〜８５°であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記キャリア粒子は重合法により生成することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記定着手段は、前記定着回転体に接触し、定着回転体の温度を検知する定着回転体温度検知手段を有することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
画像情報信号に対応した静電潜像を像担持体に形成し、トナー粒子とキャリア粒子とを有する二成分現像剤を用いて前記静電潜像を現像して未定着画像を形成し、該未定着画像を転写材に転写し、定着回転体と加圧回転体とを有する定着手段により該転写材を挟持搬送して未定着画像を定着させる画像形成方法において、
前記キャリア粒子は、バインダー樹脂及び磁性金属酸化物を少なくとも含み、形状係数ＳＦ−１が１００〜１５０、ＳＦ−２が１００〜１５０の範囲であり、且つ、前記定着回転体は、弾性層と、フッ素樹脂よりなる離型層とを有し、１ｋｇの荷重を与えたときのａｓｋｅｒ−Ｃ硬度が６０〜８５°であることを特徴とする画像形成方法。
【請求項５】
前記キャリア粒子は重合法により生成することを特徴とする請求項４記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記定着手段は、前記定着回転体に接触し、定着回転体の温度を検知する定着回転体温度検知手段を有することを特徴とする請求項４記載の画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
この感光ドラム１上のイエロートナー像は、転写ドラム５ａに担持された記録材Ｐに転写される。記録材Ｐは、原稿画像に適した大きさの記録材Ｐであり、所定の給紙カセット８ａから給紙ローラ８ｂ、搬送ローラ、そしてレジストローラ８ｃ等を介して所定のタイミングで転写ドラム５ａに供給されたものである。このようにして供給された記録材Ｐは、転写ドラム５ａの表面に巻き付くように吸着されて矢印Ｒ５方向に回転し、転写帯電器５ｂによって感光ドラム１上のイエロートナー像が記録材Ｐに転写する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のゲートラインと、この複数の各ゲートラインに交差する複数のソースラインと、上記両ラインの交点に対応してマトリクス状に配置された複数の画素セルとを有する液晶表示装置であって、上記複数のゲートラインは複数のブロックに分割されており、それぞれのブロックにおいて、画像表示のために各ゲートラインを順次選択すると共に各ゲートラインに対応した画像データ信号を対応する各ソースラインに供給する画像データ書き込み動作に先行して、そのブロックのすべてのゲートラインを同時に選択すると共に非画像データ信号を対応する各ソースラインに供給する非画像データ書き込み動作を行うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置であって、上記複数のブロックのそれぞれに対応するゲートラインの信号処理において、上記各ブロックに上記画像データ書き込み動作を行なう直前に、次のブロックについて上記非画像データ書き込み動作が行われることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の液晶表示装置であって、上記複数のブロックのそれぞれに対応するソースラインの信号処理において、上記各ブロックに対応する各ソースラインのそれぞれに順次供給される上記画像データ信号が、１フレーム期間中または１フィールド期間中に、上記非画像データ書き込み動作の期間に対応して遅延されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置であって、上記複数のブロックのそれぞれに対応するソースラインの信号処理において、上記各ブロックに対応する各ソースラインのそれぞれに順次供給される上記画像データ信号が、複数のフレーム期間中または複数のフィールド期間中に、上記非画像データ書き込み動作の期間に対応して遅延されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
複数のゲートラインと、この複数の各ゲートラインに交差する複数のソースラインと、上記両ラインの交点に対応してマトリクス状に配置された複数の画素セルとを有する液晶表示装置であって、上記複数のゲートラインは複数のブロックに分割されており、この各ブロックにはそれぞれゲートライン駆動回路が設けられており、この各ゲートライン駆動回路は、対応するブロックの各ゲートラインのそれぞれを駆動する駆動素子を有し、この各駆動素子は、対応するブロックにおける画像データ書き込み動作に先行して、非画像データ書き込み動作のために、各ゲートラインを同時に駆動することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置であって、上記各ブロックには、さらにソースライン駆動回路が設けられ、このソースライン駆動回路は、それぞれのブロックに対応する各ソースラインに順次供給する画像データ信号を、上記非画像データ書き込み動作期間に対応して遅延させることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液晶表示装置に関するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明では、上記のような問題を解決し、残像の低減という目的を実現する液晶表示装置を提供することを目的とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る液晶表示装置は、複数のゲートラインと、この複数の各ゲートラインに交差する複数のソースラインと、上記両ラインの交点に対応してマトリクス状に配置された複数の画素セルとを有する液晶表示装置であって、上記複数のゲートラインは複数のブロックに分割されており、それぞれのブロックにおいて、画像表示のために各ゲートラインを順次選択すると共に各ゲートラインに対応した画像データ信号を対応する各ソースラインに供給する画像データ書き込み動作に先行して、そのブロックのすべてのゲートラインを同時に選択すると共に非画像データ信号を対応する各ソースラインに供給する非画像データ書き込み動作を行うことを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
またこの発明による液晶表示装置は、上記液晶表示装置において、上記複数のブロックのそれぞれに対応するゲートラインの信号処理において、上記各ブロックに上記画像データ書き込み動作を行なう直前に、次のブロックについて上記非画像データ書き込み動作が行われることを特徴とする。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
またこの発明による液晶表示装置は、上記液晶表示装置において、上記複数のブロックのそれぞれに対応するソースラインの信号処理において、上記各ブロックに対応する各ソースラインのそれぞれに順次供給される前記画像データ信号が、１フレーム期間中または１フィールド期間中に、上記非画像データ書き込み動作の期間に対応して遅延されることを特徴とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
またこの発明による液晶表示装置は、上記液晶表示装置において、上記複数のブロックのそれぞれに対応するソースラインの信号処理において、上記各ブロックに対応する各ソースラインのそれぞれに順次供給される上記画像データ信号が、複数のフレーム期間中または複数のフィールド期間中に、上記非画像データ書き込み動作の期間に対応して遅延されることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
またこの発明による別の液晶表示装置は、複数のゲートラインと、この複数の各ゲートラインに交差する複数のソースラインと、上記両ラインの交点に対応してマトリクス状に配置された複数の画素セルとを有する液晶表示装置であって、上記複数のゲートラインは複数のブロックに分割されており、この各ブロックにはそれぞれゲートライン駆動回路が設けられており、この各ゲートライン駆動回路は、対応するブロックの各ゲートラインのそれぞれを駆動する駆動素子を有し、この各駆動素子は、対応するブロックにおける画像データ書き込み動作に先行して、非画像データ書き込み動作のために、各ゲートラインを同時に駆動することを特徴とする。
また、上記各ブロックには、さらにソースライン駆動回路が設けられ、このソースライン駆動回路は、それぞれのブロックに対応する各ソースラインに順次供給する画像データ信号を、上記非画像データ書き込み動作期間に対応して遅延させることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置およびプロジェクタ


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
透明な画素電極と、
該画素電極にコンタクトホールを介して接続された薄膜トランジスタと、
前記画素電極と前記薄膜トランジスタとの間に層間絶縁膜を介して積層されて
おり前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を上方から覆うと共に平面的に見て前記コンタクトホールを避けるように切り欠かれている内蔵遮光膜と、
平面的に見て前記内蔵遮光膜が切り欠かれている領域を覆う部分遮光膜とを具備し、
前記内蔵遮光膜は、少なくとも遮光層と光吸収層とからなり、前記光吸収層は前記薄膜トランジスタに対向する側に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、前記画素電極に蓄積容量を付加するための容量線と同一膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記内蔵遮光膜は少なくとも部分的に、前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線と同一膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記部分遮光膜は、導電性の遮光膜からなると共に前記画素電極の直下に積層されており、
前記画素電極は、前記部分遮光膜を介して前記コンタクトホールにより接続されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記部分遮光膜は、平面的に見て前記内蔵遮光膜が切り欠かれている領域に加えてその周囲に広がる所定範囲を覆うことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを中継接続する中間導電層を更に備えており、
前記コンタクトホールは、前記画素電極と前記中間導電層とを接続することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタに接続されたデータ線を更に備えており、
前記内蔵遮光膜は、前記データ線に交差して伸びる本線部を含み、
前記内蔵遮光膜、前記部分遮光膜及び前記データ線により各画素の非開口領域が規定されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
基板上に、
透明な画素電極と、
該画素電極にコンタクトホールを介して接続された薄膜トランジスタと、
前記コンタクトホールに形成された遮光部材と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記遮光部材は、前記薄膜トランジスタと前記画素電極とを電気的に接続する導電性の遮光部材からなることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記遮光部材は、前記コンタクトホールの開口部から平面的に延びる縁部を備えることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を内蔵したことを特徴とするプロジェクタ。