【手続補正書】
【提出日】平成15年10月24日(2003.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備え、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分は、前記コア部分の上下面で前記コア部分とほぼ接するまで前記表面部分に埋設され、
前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一である回路基板。
【請求項２】
３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層において、前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分が、前記コア部分の上下面で前記コア部分とほぼ接するまで前記表面部分に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記ランド部分の埋設深さは、２〜５０μｍの範囲である請求項１〜２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記ランド部分は、前記有機樹脂の表面部分より突出している請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記ランド部分の突出長さが２〜５０μｍの範囲である請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記コア部分が、無機繊維の織布、無機繊維の不織布および合成樹脂フィルムから選ばれる少なくとも一つである請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記無機繊維がガラスである請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記合成樹脂フィルムが、ポリイミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール）および全芳香族ポリエステルから選ばれる少なくとも１種のフィルムである請求項６に記載の回路基板。
【請求項９】
前記コア部分に、さらに無機フィラーを含む請求項６に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記無機フィラーが、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーである請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記合成樹脂フィルムが多孔質体である請求項６に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記多孔質体に、無機フィラーと有機樹脂の組成物が含浸されている請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記多孔質体が、フッ素樹脂からなり、前記無機フィラーが、水酸化アミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーである請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記有機樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノールレゾール樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂及びフッ素樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂である請求項１に記載に回路基板。
【請求項１５】
前記有機樹脂に、さらに水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、二酸化珪素（シリカ）および窒化珪素から選ばれる少なくとも１種のフィラーを含有させた請求項１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記インナービア導電体が、導電性フィラーと有機樹脂との組成物からなる請求項１に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記導電性フィラーが、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫、インジウムおよびビスマスから選ばれる少なくとも１種の金属、あるいはこれらの合金、又は混合物からなるフィラーである請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記インナービア導電体が充填されている貫通孔が、断面から見てテーパー状であり、広い方から導電体が充填されている請求項１６に記載の回路基板。
【請求項１９】
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備えた回路基板の製造方法であって、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて導電性物質を充填し、
前記絶縁体層の両側に金属箔を配置する際、前記インナービアホールの導電性物質充填部に合致するように所定の部分に凸部を設けた金属箔を配置し、
前記金属箔の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金属箔の凸部を前記絶縁体層のコア部分とほぼ接するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部分の厚みと略同一とし、
その後、前記金属箔をエッチングして前記凸部をランド部分として残す、
回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記金属箔の凸部を、エッチングでパターン形成して作成する請求項１９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２１】
前記金属箔が銅箔であり、所定の厚みまでエッチングでパターン形成を行った厚手金属箔のエッチングで除去した凹部に、黒化処理及びクロメート処理から選ばれる防錆処理を行う請求項１９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２２】
所定の厚みまでエッチングでパターン形成を行った厚手金属箔のエッチングで除去した凹部に、粗化処理を行う請求項１９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２３】
前記インナービアホールが、断面から見てテーパー状であり、広い方から導電性ペーストが充填されている請求項１９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２４】
前記導電性物質が導電体ペーストである請求項１９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２５】
電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備えた回路基板の製造方法であって、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記絶縁体層の厚さ方向にインナービアホールを開けて導電性物質を充填し、
前記絶縁体層の両側に、前記インナービアホールの導電性物質充填部に合致するように、所定の部分に金属箔をパターニングした転写基材を配置し、
前記転写基材の外側から熱プレスで加熱加圧し、前記金属箔を前記絶縁体層のコア部分とほぼ接するまで押し込み、前記インナービア導電体の厚みを、前記コア部分の厚みと略同一とする、
回路基板の製造方法。
【請求項２６】
前記インナービアホールが、断面から見てテーパー状であり、広い方から導電性物質が充填されている請求項２５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２７】
前記導電性物質が導電性ペーストである請求項２５に記載の回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の回路基板は、電気的に絶縁するための絶縁体層と、
前記絶縁体層の厚さ方向に形成され、かつ前記絶縁体層の上下面を電気的に接続するためのインナービア導電体と、
前記絶縁体層の上下面に配置され、かつ前記インナービア導体と電気的に接続しているランド部分と、を備え、
前記絶縁体層は、有機樹脂と、前記有機樹脂よりも熱膨張係数の小さい材料を含む複合材料であり、
前記有機樹脂の構成比が高い表面部分と、前記有機樹脂の構成比が低いコア部分とが、表面部分／コア部分／表面部分の順に形成されており、
前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分は、前記コア部分の上下面で前記コア部分とほぼ接するまで前記表面部分に埋設され、
前記インナービア導電体の厚みは、前記コア部分の厚みと略同一である
という構成からなる。
また、本発明の回路基板は３層以上の絶縁体層を有する回路基板において、内層のうち少なくとも１層の絶縁体層において、前記絶縁体層の上下面に配置された前記ランド部分が、前記コア部分の上下面で前記コア部分とほぼ接するまで前記表面部分に埋設されているという構成からなる。