【手続補正書】
【提出日】平成15年11月12日(2003.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法及び接続基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱状端子部となる基板の上面にリード部を形成すると共に、前記基板の下面に端子端部を形成してリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、
前記リードフレーム形成工程において形成されたリードフレームの基板上面の所定位置に、可溶性絶縁材を用いて半導体チップを搭載すると共に、該半導体チップと前記リード部とを電気的に接続する半導体チップ搭載工程と、
前記半導体チップ及び前記リード部を封止樹脂により封止する封止樹脂配設工程と、
前記端子端部の配設位置を残し前記基板及び前記可溶性絶縁材を除去する基板除去工程と、
前記基板除去工程を行うことにより露出された前記半導体チップの下面及び前記リード部の下面を前記外部接続端子部を除き絶縁部材で被覆する絶縁部材配設工程と、
前記絶縁部材より突出した前記柱状端子部及び前記端子端部よりなる外部接続端子部の表面に外装膜を形成する外装工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
柱状端子部となる基板の上面にリード部を形成すると共に、前記基板の下面に端子端部を形成してリードフレームを形成するリードフレーム形成工程と、
前記リードフレーム形成工程において形成されたリードフレームの基板上面の所定位置に、不可溶性絶縁材を用いて半導体チップを搭載すると共に、該半導体チップと前記リード部とを電気的に接続する半導体チップ搭載工程と、
前記半導体チップ及び前記リード部を封止樹脂により封止する封止樹脂配設工程と、
前記端子端部の配設位置を残し前記基板を除去する基板除去工程と、
前記基板除去工程を行うことにより露出された前記半導体チップの下面に位置する不可溶性絶縁材及び前記リード部の下面を前記外部接続端子部を除き絶縁部材で被覆する絶縁部材配設工程と、
前記絶縁部材より突出した前記柱状端子部及び前記端子端部よりなる外部接続端子部の表面に外装膜を形成する外装工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リード部及び前記端子端部の材質を前記基板の材質に対しレジスト作用を有する材料により形成し、
前記基板除去工程において、前記端子端部をレジスト材として機能させ、前記基板を溶解するエッチング液を用いて前記基板を溶解することにより前記柱状端子部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記エッチング液を用いて前記基板を溶解する前に、前記端子端部に所定の外部接続端子部形状に対応した切欠部を形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記外装工程において、前記外部接続端子部に対応した位置にディンプル部を形成したディンプルプレートを用意し、
先ず、前記ディンプルプレートのディンプル部に半田ペーストを充填し、
次に前記半田ペーストが充填されたディンプル部内に前記外部接続端子部を挿入し、
前記外部接続端子部を前記ディンプル部内に挿入した状態で加熱処理を行うことにより、前記外部接続端子部の表面に外装膜となる半田を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、前記基板上で封止樹脂が配設される領域の境界部に樹脂止め部を一体的に形成し、
かつ、前記封止樹脂配設工程において前記封止樹脂をポッティングにより配設し、
かつ、前記基板除去工程において前記樹脂止め部を前記基板と共に除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、先ず前記基板に前記リード部形成位置及び前記端子端部形成位置に対応する部位に開口を有するレジストを形成し、
続いて、前記開口部にめっき法を用いて前記リード部及び前記端子端部を形成し、
その後に前記レジストを除去することにより前記基板の所定位置に前記リード部及び前記端子端部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、先ず前記基板に前記リード部形成位置及び前記端子端部形成位置に対応する部位に開口が形成されたメタルマスクを配設し、
続いて、前記開口部に蒸着法を用いて前記リード部及び前記端子端部を形成し、
その後に前記メタルマスクを取り外すことにより前記基板の所定位置に前記リード部及び前記端子端部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、先ず前記基板の上面及び下面の全面にめっき法を用いて前記リード部及び前記端子端部となる導電材料を形成し、
続いて、前記基板の両面に形成された各導電材料に、前記リード部形成位置及び前記端子端部形成位置に対応する部位のみを被覆するレジストを形成し、
その後に前記レジストに被覆されていない導電材料をエッチングにより除去することにより、前記基板の所定位置に前記リード部及び前記端子端部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、１枚の基板に複数個の半導体装置に対応する前記リード部及び前記端子端部を形成し、
その後、１個分の半導体装置の領域毎に前記基板を分割することにより前記リードフレームを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
導電基板の上面にベース部材を形成すると共に、前記基板の下面にマスク部を形成するマスク形成工程と、
前記マスク部の配設位置を残して前記基板を除去することにより前記ベース部材上に前記マスク部に柱状端子を形成する基板除去工程とを具備することを特徴とする接続基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の接続基板の製造方法であって、
前記基板除去工程において、前記導電基板を溶解するエッチング液を用いて前記基板を溶解することにより前記柱状端子部を形成することを特徴とする接続基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２記載の接続基板の製造方法であって、
前記マスク形成工程において、１枚の基板に複数個の半導体装置に対応する前記マスク部を形成し、
その後、１個分の半導体装置の領域毎に前記ベース部材を分割することを特徴とする接続基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部端子を平面上で格子状に配列させた半導体装置の製造方法及び接続基板の製造方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項９記載の発明では、
前記請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、先ず前記基板の上面及び下面の全面にめっき法を用いて前記リード部及び前記端子端部となる導電材料を形成し、
続いて、前記基板の両面に形成された各導電材料に、前記リード部形成位置及び前記端子端部形成位置に対応する部位のみを被覆するレジストを形成し、
その後に前記レジストに被覆されていない導電材料をエッチングにより除去することにより、前記基板の所定位置に前記リード部及び前記端子端部を形成することを特徴とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、請求項１０記載の発明では、
前記請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレーム形成工程において、１枚の基板に複数個の半導体装置に対応する前記リード部及び前記端子端部を形成し、
その後、１個分の半導体装置の領域毎に前記基板を分割することにより前記リードフレームを形成することを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明は、
導電基板の上面にベース部材を形成すると共に、前記基板の下面にマスク部を形成するマスク形成工程と、
前記マスク部の配設位置を残して前記基板を除去することにより前記ベース部材上に前記マスク部に柱状端子を形成する基板除去工程とを具備することを特徴とするものである。
また、請求項１２記載の発明は、
請求項１１記載の接続基板の製造方法であって、
前記基板除去工程において、前記導電基板を溶解するエッチング液を用いて前記基板を溶解することにより前記柱状端子部を形成することを特徴とするものである。
また、請求項１３記載の発明は、
請求項１１または１２記載の接続基板の製造方法であって、
前記マスク形成工程において、１枚の基板に複数個の半導体装置に対応する前記マスク部を形成し、
その後、１個分の半導体装置の領域毎に前記ベース部材を分割することを特徴とするものである。