【手続補正書】
【提出日】平成15年10月1日(2003.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面に形成された導電層、
前記導電層を含む前記半導体基板の主表面上に形成された絶縁膜、
前記導電層の表面を露出するように前記絶縁膜に設けられたコンタクトホール内に、該コンタクトホールの上端を越えないように導電体を埋込んで形成された柱状導電体部、
前記コンタクトホールの上方を含む前記絶縁膜上の所定の領域に形成されるとともに、少なくとも前記柱状導電体部の上端表面を露出する開口部を有する第１導電体部と、前記開口部内において該開口部の側面、前記絶縁膜の表面、前記柱状導電体部の上端表面に形成され、かつ、前記第１導電体部の上面に形成された、前記柱状導電体部と前記第１導電体部とを電気的に接続する第２導電体部とを含む下部電極、および、
前記下部電極の表面上に誘電体膜を介在させて形成された第３導電体部を含む上部電極
を備え、
前記第１導電体部の平面形状は略矩形をなし、前記開口部の開口径は矩形の短辺の長さよりも大きく設定されて、前記開口部は、前記第１導電体部を２つに分離するように形成された、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板の主表面に形成された第１導電型領域と、
前記第１導電型領域に、所定の間隔を隔てて形成された第２導電型の１対の不純物領域と、
前記１対の不純物領域によって挟まれた前記第１導電型領域上に、ゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と
をさらに有し、
前記導電層は、前記１対の不純物領域のうちの一方の領域を含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２導電体部は、該第２導電体部表面に微細な凹凸を有する、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の主表面に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層を覆うように、前記主表面上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記第１導電層の表面を露出するコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホール内を含む前記絶縁膜上の所定の領域に第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層に、前記絶縁膜の表面を露出するとともに、該絶縁膜の表面より下方において、前記コンタクトホール内に形成された前記第２導電層の上端表面を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部における該開口部の側面、前記絶縁膜の表面、および、前記第２導電層の上端表面ならびに前記第２導電層の上面に、第３導電層を形成する工程と、
前記第３導電層上に誘電体膜を介在させて第４導電層を形成する工程と
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口部を形成する工程は、前記絶縁膜上に形成された前記第２導電層を２つに分離するように形成する工程を含む、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板の主表面に第１導電型領域を形成する工程と、
前記第１導電型領域に、前記第１導電層として、所定の間隔を隔てて第２導電型の１対の不純物領域を形成する工程と、
前記１対の不純物領域によって挟まれた前記第１導電型領域上に、ゲート絶縁膜を介在させてゲート電極を形成する工程と
をさらに含む、請求項４または５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第３導電層を形成する工程は、表面に微細な凹凸を有するポリシリコン膜を形成する工程を含む、請求項４〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電層を形成する工程は、リンをドープしたポリシリコン膜を形成する工程を含む、請求項４〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の局面における半導体装置は、導電層、絶縁膜、柱状導電体部、下部電極、および、上部電極を備えている。導電層は、半導体基板の主表面に形成されている。絶縁膜は、導電層を含む半導体基板の主表面上に形成されている。柱状導電体部は、導電層の表面を露出するように絶縁膜に設けられたコンタクトホールに、そのコンタクトホールの上端を越えないように導電体を埋込んで形成されている。下部電極は、第１導電体部と第２導電体部とを含んでいる。上部電極は、第３導電体部を含んでいる。第１導電体部は、コンタクトホールの上方を含む絶縁膜上の所定の領域に形成されるとともに、少なくとも柱状導電体部の上端表面を露出する開口部を有している。第２導電体部は、開口部内においてその開口部の側面、絶縁膜の表面、柱状導電体部の上端表面に形成され、かつ、第１導電体部の上面に形成され、柱状導電体部と第１導電体部とを電気的に接続している。第３導電体部は、下部電極の表面上に誘電体膜を介在させて形成されている。第１導電体部の平面形状は略矩形をなし、開口部の開口径は矩形の短辺の長さよりも大きく設定されて、開口部は、第１導電体部を２つに分離するように形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この構成によれば、第１導電体部と第２導電体部を含む下部電極は、まず、第１導電体部が第２導電体部によって柱状導電体部と電気的に接続され、その柱状導電体部を介して導電層と電気的に接続されている。その導電層に接続される柱状導電層は、絶縁膜のコンタクトホール内に形成されている。第２導電体部は、第１導電体部に設けられた、少なくとも柱状導電体部の上端表面を露出する開口部を被覆するように形成されている。このため、開口部の深さは、第１導電体部の厚さにほぼ相当する深さであり、開口部を形成する際に、容易に形成することができる。その結果、下部電極と導電層との電気的接続が良好な半導体装置を容易に得ることができるとともに、半導体装置の電気的特性を向上することができる。そして、第１導電体部の平面形状は略矩形をなし、開口部の開口径は矩形の短辺の長さよりも大きく設定されて、開口部は、第１導電体部を２つに分離するように形成されている。これにより、半導体装置の高密度化に伴なって、デザインルールを縮小する必要がある場合、開口部やコンタクトホールのそれぞれの開口径を保ったまま下部電極の寸法を縮小することができ、下部電極の寸法が縮小されて開口部の開口径の方が相対的に大きくなり、下部電極が開口部を挟んで２つに分離されるような構造となっても、下部電極と導電層との良好な電気的接続を得ることができる。その結果、より電気的特性に優れた高密度の半導体装置が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
本発明の第１の局面における半導体装置によれば、第１導電体部と第２導電体部を含む下部電極は、まず、第１導電体部が第２導電体部によって柱状導電体部と電気的に接続され、その柱状導電体部を介して導電層と電気的に接続されている。その導電層に接続される柱状導電層は、絶縁膜のコンタクトホール内に形成されている。第２導電体部は、第１導電体部に設けられた、少なくとも柱状導電体部の上端表面を露出する開口部を被覆するように形成されている。このため、開口部の深さは、第１導電体部の厚さにほぼ相当する深さであり、開口部を形成する際に、容易に形成することができる。その結果、下部電極と導電層との電気的接続が良好な半導体装置を容易に得ることができるとともに、半導体装置の電気的特性を向上することができる。そして、第１導電体部の平面形状は略矩形をなし、開口部の開口径は矩形の短辺の長さよりも大きく設定されて、開口部は、第１導電体部を２つに分離するように形成されている。これにより、半導体装置の高密度化に伴なって、デザインルールを縮小する必要がある場合、開口部やコンタクトホールのそれぞれの開口径を保ったまま下部電極の寸法を縮小することができ、下部電極の寸法が縮小されて開口部の開口径の方が相対的に大きくなり、下部電極が開口部を挟んで２つに分離されるような構造となっても、下部電極と導電層との良好な電気的接続を得ることができる。その結果、より電気的特性に優れた高密度の半導体装置が得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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