【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持機構を備える反応容器と、この反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、前記反応容器の内部を排気する排気機構と、プラズマ生成機構を備え、前記基板保持機構上に置かれた基板の表面に処理を施すプラズマ処理装置において、
前記反応容器は金属材料で形成され、前記プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイルを含み、このコイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体で囲まれた状態で前記反応容器の内部に設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記コイルを囲む前記誘電体は、前記プラズマ生成空間を囲むように前記反応容器の側壁部に対して平行に配置される筒形誘電体壁と、前記反応容器の前記側壁部と前記筒形誘電体壁の間で両者に接触するように配置され、かつ前記コイルを支持する誘電体支持部とからなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記反応容器の上壁部は前記側壁部と回転支持部で開閉自在に結合されると共に、前記側壁部の端部にＯリングが設けられ、前記上壁部を閉じたとき前記上壁部と前記側壁部の前記端部は前記Ｏリングを介して気密に接触することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記上壁部はシャワー型反応ガス導入部を備え、前記反応ガス供給機構から供給された前記反応ガスは、前記シャワー型反応ガス導入部を通って前記プラズマ生成空間に導入されることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記反応容器の前記上壁部に前記コイルを囲む前記誘電体の配置領域に不活性ガスを導入するガス導入部を形成し、前記不活性ガスを隙間部分に流し当該隙間部分での成膜を阻止したことを特徴とする請求項３または４記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記コイルに高周波電力を供給する第１機構を有し、かつ前記基板保持機構に高周波電力を供給する第２機構を有していることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁膜用プラズマ成膜装置等に関し、特に、半導体デバイスの製造工程においてプラズマを利用して絶縁膜を基板上に作製するプラズマ成膜装置等のプラズマ処理装置に関する。さらに、このプラズマ成膜装置の基本構成はエッチングや膜改質にも応用される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、上記の問題を解決することにあり、誘導結合型プラズマ発生機構を備える高密度プラズマ成膜装置で、反応容器の側壁部の劣化を防止し、反応容器の安全性を高め、反応容器の上部からシャワー状に反応ガスを導入できるようにしたプラズマ処理装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】
第１の本発明（請求項１に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記の目的を達成するため、基板保持機構を備える反応容器と、この反応容器の内部に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応容器の内部を排気する排気機構と、プラズマ生成機構を備えて、基板保持機構上に置かれた基板の表面にプラズマ処理を施す装置であり、反応容器は金属材料で形成され、プラズマ生成機構は誘導電界を発生する少なくとも一巻きのコイルを含み、このコイルは、プラズマ生成空間の周囲に配置され、誘電体で囲まれた状態で前記反応容器の内部に設けられる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の本発明（請求項２に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記第１の発明において、好ましくは、コイルを囲む誘電体が、プラズマ生成空間を囲むように反応容器の側壁部に対して平行に配置される筒形誘電体壁と、反応容器の側壁部と筒形誘電体壁の間で両者に接触するように配置されかつコイルを支持する誘電体支持部とからなることを特徴とする。かかる構成によれば、プラズマに晒される筒形誘電体壁のみを必要に応じて交換でき、その後のメンテナンスの観点から好ましい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の本発明（請求項３に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記第１または第２の発明において、好ましくは、反応容器の上壁部は側壁部と回転支持部で開閉自在に結合されると共に、側壁部の端部にＯリングが設けられ、上壁部を閉じたとき上壁部と側壁部の端部はＯリングを介して気密に接触することを特徴とする。反応容器の側壁部に対してその上壁部を開閉自在にすることによって、例えば筒形誘電体壁の交換を行うときなどのメンテナンスを容易に行うことができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第４の本発明（請求項４に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記第３の発明において、好ましくは、上壁部がシャワー型反応ガス導入部を備え、反応ガス供給機構から供給された反応ガスは、シャワー型反応ガス導入部を通ってプラズマ生成空間に導入されることを特徴とする。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第５の本発明（請求項５に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記第３または第４の発明において、好ましくは、反応容器の上壁部にコイルを囲む誘電体の配置領域に不活性ガスを導入するガス導入部を形成し、不活性ガスを隙間部分に流してＯリングを腐食から保護しかつ当該隙間部分での成膜を阻止したことを特徴とする。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第６の本発明（請求項６に対応）に係るプラズマ処理装置は、上記第１の発明において、好ましくは、コイルに高周波電力を供給する第１機構を有し、かつ基板保持機構に高周波電力を供給する第２機構を有していることを特徴とする。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前述した第１から第６の本発明に係るプラズマ処理装置の特徴的構成は、エッチングや膜改質などのプラズマ処理を行う装置に適用することも可能である。この場合にも、誘導結合型プラズマ発生機構を備える高密度プラズマ処理装置において、反応容器を金属材料で作ることができ、それ故に反応容器の側壁部の劣化を防止し、反応容器の安全性を増加できる。また反応容器の上部にシャワー型反応ガス導入部を設けることができる。エッチングや膜改質などのプラズマ処理装置では、絶縁膜のみに限らず、金属膜にも用いることができる。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係るプラズマ処理装置によれば、プラズマ生成空間に誘導電界を生成するためのコイルを誘電体部材（絶縁体）で覆って保護しながら反応容器の内部に配置するようにしたため、反応容器そのものを金属材料で作ることができ、反応容器の劣化を防止し、反応容器の強度を高め、かつ反応容器の安全性を高めることができる。これにより再現性の良い絶縁膜の埋込み成膜を実現できる。また反応容器の大型化を可能にする。さらに、反応容器の安全性が高められたため、反応容器の反応ガス導入部としてシャワー型反応ガス導入部を採用できる。また反応容器の上壁部を開閉構造としたため、反応容器のメンテナンスが簡単である。