【手続補正書】
【提出日】平成15年8月11日(2003.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部や開孔部等の凹部を有する下地上に形成された非晶質薄膜と、この非晶質薄膜上に形成された導電体薄膜とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜を構成する材料の少なくとも面内の一方向に第１隣接原子間距離にある原子列を含むことにより規定される特定結晶面の面間隔とが略整合している
ことを特徴とする電気的固体装置。
【請求項２】
非晶質薄膜及びこの非晶質薄膜上に形成された導電体薄膜とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜を構成する材料の少なくとも面内の一方向に第１隣接原子間距離にある原子列を含むことにより規定される特定結晶面の面間隔とが略整合し、かつ、上記導電体薄膜を初めよりも後の方が温度が高い少なくとも２段階の温度で形成する
ことを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項３】
非晶質薄膜及びこの非晶質薄膜上に形成されたＡｌ又はＡｌ合金を用いた導電材料で構成される導電体薄膜とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜を構成する導電材料の少なくとも面内の一方向に第１隣接原子間距離にある原子列を含むことにより規定される特定結晶面の面間隔とが略整合し、かつ、上記導電体薄膜を１００℃以下の温度で成膜する工程とこの工程後の１５０℃以上の温度で成膜する工程とによって形成する
ことを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項４】
下地上に形成された非晶質薄膜と、上記非晶質薄膜上に形成された導電体薄膜とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜を構成する導電材料の少なくとも面内の一方向に第１隣接原子間距離にある原子列を含むことにより規定される特定結晶面の面間隔とが略整合している
ことを特徴とする電気的固体装置。
【請求項５】
上記原子間距離をｄｓ、上記面間隔をｄｆとしたとき、
｜ｄｆ−ｄｓ｜／ｄｓ≦０．２５
の関係を満たす
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項６】
上記下地は凹部を有し、上記非晶質薄膜は上記凹部の内壁に形成され、上記導電体薄膜は上記凹部内に上記非晶質薄膜を介して埋め込まれている
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項７】
上記非晶質薄膜は、上記導電体薄膜に含まれる少なくとも一つの元素と、４族、５族及び６族のなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項８】
上記非晶質薄膜は、Ｃ、Ｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ及びＧｅのなかの少なくとも一つの元素をさらに含む
ことを特徴とする請求項７に記載の電気的固体装置。
【請求項９】
上記非晶質薄膜は、４族、５族及び６族のなかの少なくとも一つの元素と、８族、９族及び１０族のなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項１０】
上記非晶質薄膜は、Ｃ、Ｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ及びＧｅのなかの少なくとも一つの元素をさらに含む
ことを特徴とする請求項９に記載の電気的固体装置。
【請求項１１】
上記非晶質薄膜は、上記導電体薄膜に含まれる少なくとも一つの元素と、１１族のなかの少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ及びＧｅのなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項１２】
上記導電体薄膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｗ及びＳｉのなかの少なくとも一つの元素を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項１３】
上記非晶質薄膜はＴａＡｌを含み、上記導電体薄膜はＡｌＣｕを含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項１４】
上記非晶質薄膜はＮｉＺｒを含み、上記導電体薄膜はＡｌＣｕを含む
ことを特徴とする請求項４に記載の電気的固体装置。
【請求項１５】
下地上に非晶質薄膜を形成する工程と、上記非晶質薄膜上に導電体薄膜を形成する工程とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜を構成する導電材料の少なくとも面内の一方向に第１隣接原子間距離にある原子列を含むことにより規定される特定結晶面の面間隔とが略整合しており、
上記導電体薄膜を形成する工程は、第１の温度で成膜を行う工程と、第１の温度よりも高い第２の温度で成膜を行う工程とを含む
ことを特徴とする電気的固体装置の製造方法。
【請求項１６】
上記第１の温度は１００℃以下であり、上記第２の温度は１５０℃以上である
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１７】
上記非晶質薄膜を形成する工程から上記導電体薄膜を形成する工程への移行が非酸化雰囲気中で行われる
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１８】
上記第１の温度で成膜を行う工程から上記第２の温度で成膜を行う工程への移行が非酸化雰囲気中で行われる
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項１９】
上記非晶質薄膜を形成する工程の前に上記下地に凹部を形成する工程と、
上記導電体薄膜の表面を平坦化して上記導電体薄膜を上記凹部内にのみ残す工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項２０】
上記非晶質薄膜は、上記導電体薄膜に含まれる少なくとも一つの元素と、４族、５族及び６族のなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項２１】
上記非晶質薄膜は、４族、５族及び６族のなかの少なくとも一つの元素と、８族、９族及び１０族のなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項２２】
上記非晶質薄膜は、上記導電体薄膜に含まれる少なくとも一つの元素と、１１族のなかの少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｎ、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ及びＧｅのなかの少なくとも一つの元素とを含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項２３】
上記導電体薄膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｗ及びＳｉのなかの少なくとも一つの元素を含む
ことを特徴とする請求項１５に記載の電気的固体装置の製造方法。
【請求項２４】
下地上に形成された非晶質薄膜と、上記非晶質薄膜上に形成された導電体薄膜とを備え、
上記非晶質薄膜の回折測定において現れるハローパターンのピーク位置から求められる原子間距離と、上記導電体薄膜の隣接する特定結晶面の面間隔とが略整合し、
上記導電体薄膜の結晶構造及び特定結晶面の配向面が、ｆｃｃ構造で且つ（１１１）、（２００）又は（２２０）であるか、ｂｃｃ構造で且つ（１１０）又は（２００）であるか、或いはｈｅｘ構造で且つ（１１０）である
ことを特徴とする電気的固体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【発明の効果】
また、本発明では、下地上に非晶質薄膜を介して高い結晶性を有する導電体薄膜が形成される。したがって、このような導電体薄膜を用いることにより、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性に優れた配線を得ることが可能となる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本発明では、導電体薄膜を少なくとも２段階の温度で形成することにより、導電体薄膜の高配向化と大粒径化とを両立させることが可能となる。したがって、このようにして形成された導電体薄膜を用いることにより、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性に優れた配線を形成することが可能となる。