【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料と、
前記材料上に形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜にはコンタクトホールが形成され、
前記材料は前記コンタクトホールにおいて配線と電気的に接続しており、
前記材料と前記配線との界面およびその近傍において、１２〜１５族に属する元素が前記材料と前記配線の他の領域に比較して高濃度に存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料と、
前記材料上に形成された絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜にはコンタクトホールが形成され、
前記材料は前記コンタクトホールにおいてアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする配線と電気的に接続しており、
前記材料と前記配線との界面およびその近傍において、１２〜１５族に属する元素が前記材料と前記配線の他の領域に比較して高濃度に存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記１２〜１５族に属する元素は、ゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、インジウム、アンチモンから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなる配線電極を有し、
前記配線電極は４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす元素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなる配線電極を有し、
前記配線電極は４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす、１２〜１５属に属する元素から選ばれた一種または複数種の元素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなる配線電極を有し、
前記配線電極は４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす、ゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、鉛、インジウム、アンチモンから選ばれた一種または複数種の元素を含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料からなる配線電極を有し、
前記配線電極は４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらすゲルマニウムが２０〜４０原子％の濃度で含有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することによって前記コンタクトホールの底部において前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料を露呈させ、
少なくとも前記コンタクトホールの底部において１２〜１５族に属する元素でなる膜、または当該元素を含有する膜を形成し、
前記膜上に配線材料を形成し、
加熱処理を施すことによって前記１２〜１５族に属する元素を流動化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体材料上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することによって前記コンタクトホールの底部において前記半導体材料を露呈させ、
少なくとも前記コンタクトホールの底部において１２〜１５族に属する元素でなる膜、または当該元素を含有する膜を形成し、
前記膜上に配線材料を形成し、
加熱処理を施すことによって前記１２〜１５族に属する元素を流動化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することによって前記コンタクトホールの底部において前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料を露呈させ、
少なくとも前記コンタクトホールの底部において１２〜１５族に属する元素でなる膜、または当該元素を含有する膜を形成し、
前記膜上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする配線材料を形成し、
加熱処理を施すことによって前記１２〜１５族に属する元素を流動化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記１２〜１５族に属する元素としてゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、インジウム、アンチモンから選ばれた一種または複数種類のものが用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記加熱処理はＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）によることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、  層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらし、
前記配線電極には、４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす一種または複数種の元素が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらし、
前記配線電極には、４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす、１２族〜１５族に属するものから選ばれた一種または複数種の元素が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらし、
前記配線電極には、４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらす、ゲルマニウム、スズ、ガリウム、亜鉛、鉛、インジウム、アンチモンから選ばれた一種または複数種の元素が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらし、
前記配線電極には、４５０℃以下の温度で前記配線電極に流動性をもたらすゲルマニウムが２０〜４０原子％の濃度で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるゲルマニウムを主成分とする薄膜およびアルミニウムを主成分とする薄膜でなる積層膜を形成し、
前記積層膜を加熱処理することによって前記積層膜に流動性をもたらすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体装置の少なくとも一部と電気的に接続されるゲルマニウムを主成分とする薄膜およびアルミニウムを主成分とする薄膜でなる積層膜を形成し、
前記積層膜をＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）によって加熱処理することによって前記積層膜に流動性をもたらすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
２０〜４０原子％の濃度でゲルマニウムを含有せしめたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極をＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）によって加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
２０〜４０原子％の濃度でゲルマニウムを含有せしめたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を、成膜ガスの一種としてＧｅＨ4を用いたプラズマＣＶＤ法により形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法であって、
２０〜４０原子％の濃度でゲルマニウムを含有せしめたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料でなる配線電極を形成し、
前記配線電極を加熱処理することによって前記配線電極に流動性をもたらし、
前記配線電極を形成する前または後にチタンを主成分とする金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。