(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射光が最小となる入射角度の照射光を、試料表面に照射させ、試料表面からの散乱光を、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された結像レンズにより、ＣＣＤに結像させた後、該ＣＣＤにより、結像された散乱光強度に応じた電気信号に変換させ、記録、解析し、マイクロラフネスを評価し、
散乱光強度が、試料表面への照射光強度と露光時間とを乗じて得られる値に対する比として標準化されることを特徴とする表面評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料表面からの散乱光を用いた表面評価方法に関し、さらに詳しくは、半導体、絶縁体、金属等の試料表面に、光線を照射させ、試料表面からの散乱光により、試料表面の微小な粒子、付着物等の異物、及び粗さ、キズ、線状の溝（「スクラッチ」という）等の微細な凹凸、並びに構造または組成の変化を高精度に評価する方法に関し、特に、例えばＳＴＭやＡＦＭによってのみ測定可能な微小周期を有する粗さであるマイクロラフネスを高精度に評価する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パターン未形成のシリコンウエハ試料表面の微粒子、付着物等の異物は、Ｈｅ−ＮｅレーザーやＡｒレーザーのようなレーザー光を用いて、集光させた照射光を、試料表面に対して比較的垂直に近い角度で入射させ、表面からの散乱光を、凹面鏡である積分球等を用いて捕捉し、ついで各測定点での散乱光強度を、光電子増倍管（以下、「ＰＭＴ」と略記する。）を用いて、電気信号に変換させることにより、測定していた。また、異物の位置は、シリコンウエハや照射光を走査させて、照射位置を移動させることにより、測定していた。
【０００３】
検出可能な異物の最小粒径は、照射光を絞った時のスポット内の照射光の強度及び異物からの散乱光強度に対するＰＭＴの感度に左右され、現状では検出可能な異物は、粒径１００ｎｍ（１ｎｍは、１０００分の１μｍである。）程度である。より微小な粒径の異物の検出を可能とするためには、ＰＭＴの感度向上またはＰＭＴへの光量を増やす必要があり、このため、各方向に出される散乱光を積分球等によりできるだけ効率的に捕捉し、かつ測定時間を長くしなくてはならなかった。また、検出できる最小の粒径を示す分解能を向上するためには、照射光のスポット径を絞り、スポット内の光強度を上げる必要があった。
【０００４】
上記従来装置では、散乱光を補足するための光路上に、積分球等の光学部品を配置する必要があり、該部品に起因する反射光が迷光となり、Ｓ／Ｎ比を低下させる。また、露光時間を長くしても、Ｓ／Ｎ比は変らなかった。また、単一レーザー光を用いて、試料表面からの散乱光強度のみを測定しているだけであり、異物と微細な凹凸とを識別することができず、シリコンウエハのミラー面のような非常に平滑な面を評価するには不都合であった。
【０００５】
最近、従来の垂直に近い角度からの照射光に加えて、斜め方向からの照射光を併用して、垂直に近い角度からの照射光による結果と比較して、異物と微細な凹凸とを識別する方法が提案されている。しかしながら、異物と微小な凹凸との識別はできるものの、分解能は、従来と同様であり、なお不十分であった。また、照射光が２種類あり、複雑な装置構成であった。さらに、散乱光を捕捉する光路上に配置した光学部品による反射光が迷光となり、Ｓ／Ｎ比を下げる要因となっていた。
【０００６】
特開平１１−２８１５４３号公報では、楕円面鏡集光器を備えた装置を用いることにより、散乱光を捕捉する工夫がなされ、ｎｍオーダーの異物の検出が可能となった。しかしながら、該装置を用いても、従来と同様、測定時間が極端に長くなってしまうという問題が残されており、また、照射光が単一であり、Ｓ／Ｎ比については、前記の従来技術と大きな違いはなく、シリコンウエハのミラー面のように非常に平滑な表面の粗さ、つまり極端に微細な凹凸（マイクロラフネス）を評価するためには不十分なものであった。
【０００７】
一方、ＡＦＭ、ＳＴＭ等の装置を用いた場合、試料表面の異物やマイクロラフネスとの識別、あるいは表面形状の測定はできるものの、測定領域が極めて狭い範囲に限られ、シリコンウエハ等の試料表面を、広い範囲にわたって、マイクロラフネスレベルで評価するには不都合であった。
【０００８】
上記のような問題点を解決し、試料表面の異物や微細な凹凸との識別が短持間かつ容易にでき、シリコンウエハのミラー面のような非常に平滑な試料表面を、広い範囲にわたって、短時間かつ容易に、マイクロラフネスレベルで、高精度に評価できる方法が望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記課題を解決し得る、試料表面の異物や微細な凹凸、あるいは構造または組成の変化を、広い範囲にわたり、短時間かつ容易に識別でき、マイクロラフネスレベルで、高精度に評価することができ、金属、絶縁体、半導体等の幅広い試料に対して非破壊測定が可能な表面評価方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究した結果、試料表面の異物や微細な凹凸、あるいは構造または組成の変化を、広い範囲にわたり、短時間かつ容易に識別し、マイクロラフネスレベルで、高精度に評価できる表面評価方法を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度の照射光を、試料表面に照射させ、試料表面からの散乱光を、試料表面に対して法線方向かつ対抗する位置に配置された結像レンズにより、ＣＣＤに収束させた後、該ＣＣＤにより、収束された散乱光強度に応じた電気信号に変換させ、記録、解析し、表面粗さであるマイクロラフネスを評価することを特徴とする表面評価方法である。
【００１２】
また、本発明は、反射光を最小限に抑え、散乱光のみを発生させる入射角度の照射光を、試料表面に照射させる光照射手段と、試料表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置された、試料表面からの散乱光を収束させる結像レンズ及び該結像を電気信号に変換させるＣＣＤからなる散乱光検出手段と、ＣＣＤからの電気信号を記録、解析する記録手段とを備えた表面評価装置を用いて、表面粗さであるマイクロラフネスを評価することを特徴とする表面評価方法である。
【００１３】
本発明は、光源からのレーザー光を偏光面調整させ、かつ試料表面に対してブリュースター角に近い角度で照射光を入射させ、結像レンズ及びＣＣＤへの反射光を最小限に抑えながら、散乱光のみを効果的に発生させると共に、さらに、試料の測定領域よりも小面積に集光させた照射光を走査させることにより、該測定領域を均一な光強度で照射し、測定時のノイズとなる迷光、反射光や光量のバラツキを最小限に抑えることによって行われる。
【００１４】
また、本発明は、試料表面の状態により大きく依存する散乱光強度の変化に対して、照射光の光量及び／またはＣＣＤへの露光時間を調整することにより、ＣＣＤへの露光量を常に最適化し、散乱光強度の変化への追従性がよく、ダイナミックレンジが広い。
【００１５】
【作用】
図１は、本発明の測定原理を示す模式図である。以下、図１を参照して、本発明の測定原理について説明する。
【００１６】
試料ステージ２の上に載置された試料３表面に対して斜め上方から入射させた照射光１は、ほとんどが試料３内部を進み、ごく一部が反射光として逆方向に出て行く。照射光１は、試料３表面に対し法線方向かつ対向する位置に配置した、結像レンズ４及びＣＣＤ５への反射光を最小限に抑えながら、散乱光のみを効果的に発生させる入射角度θで、試料３表面に照射される。照射光１の入射角度θは、具体的には、試料の種類により決まるブリュースター角に近い角度であり、シリコンの場合、７６度である。
【００１７】
図２は、シリコン試料における、Ｐ偏光（光偏光面が入射面に対して平行な光）及び／またはＳ偏光（光偏光面が入射面に対して垂直な光）の照射光１の入射角度θに対する反射光の反射率の理論値及び実験値である。図中、縦軸は、反射光の反射率を、横軸は、試料表面に対する照射光の入射角度θを表す。Ｓ偏光では、照射光の入射角度θを９０度まで漸増させるに従い、反射率は単調に増加するが、Ｐ偏光では、７６度までは、反射率が漸減し、７６度でほぼ０となった後、急激に１に上昇する。反射率は、理論値、実験値共に同様の挙動であった。すなわち、照射光にＰ偏光を用いて入射角度θを７６度付近とすることにより、迷光の原因となる反射光を最小限に抑えて、散乱光のみを効果的に発生させ、捕捉することが可能となり、非常にＳ／Ｎ比のよい状態での測定が可能となり、高感度な測定ができる。
【００１８】
試料３表面に、異物や微細な凹凸、あるいは構造や組成の変化等が存在する場合、照射光１が照射された部分より散乱光が発生する。発生した散乱光は、結像レンズ４により、ＣＣＤ５に結像される。ＣＣＤ５は、散乱光強度に応じた強さの電気信号を発生させると共に、各測定部分に対応する散乱光強度に対応する画像を、モニターに表示する。このＣＣＤ画像を記録、解析することにより、試料表面に存在する、異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布を測定し、例えばＳＴＭやＡＦＭによってのみ測定可能な微小周期を有する粗さであるマイクロラフネスレベルで、試料表面を評価することができる。
【００１９】
試料３表面がシリコンウエハのミラー面のように平滑な場合、表面粗さによる散乱光は、極めて微弱となり、一方、粗い場合には、大きくなる。散乱光強度は、試料３の表面状態により大きく依存するため、ＣＣＤ５からの電気信号が不十分であったり、逆に飽和してしまう恐れがある。このような場合には、照射光１の光量及び／またはＣＣＤ５への露光時間を調節して、ＣＣＤ５への露光量を、常に最適状態に保持することにより、常に高感度で高精度な測定ができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、実施例に基き、説明する。なお、本発明は、実施例によりなんら限定されない。
【００２１】
１．本発明に用いられる表面評価装置
図３は、上記測定原理を用いて構成した、本発明に用いられる表面評価装置である。また、図４は、試料と結像レンズとの間にスリットを配置させた時の模式図である。以下、図３を参照して、本発明について説明する。
【００２２】
光源であるＡｒイオンレーザー６（波長：４８８ｎｍ、出力：０．１〜１．６Ｗ可変）から射出させた単一レーザー光は、減光フィルター８により、光量を調節した後、２分の１波長板９により、Ｐ偏光またはＳ偏光に偏光面調整される。通常、Ｐ偏光を用いるが、試料表面からの散乱光が強い場合には、Ｓ偏光の成分も入れて調整される。
【００２３】
ついで、偏光面調整した単一レーザー光は、照射光１走査用のＸ−Ｙスキャナー７を経た後、集光レンズ１０により、試料３表面上で適当な大きさのスポットとなるように集光した照射光１を、試料ステージ２の上に載置した試料３表面に、反射光を最小限に抑えて、散乱光のみを効果的に発生させる、ブリュースター角に近い角度で、斜め上方より入射させる。
【００２４】
試料３表面への照射光１は、ほとんどが試料３内部を進行し、ごく一部のみが反射光となり、照射光１と逆方向に進む。反射光は、他の構造物に再反射して迷光となったり、試料３表面あるいは結像レンズ４やＣＣＤ５に再照射してノイズとなるため、迷光防止用遮蔽板１３が設置されている。
【００２５】
試料３表面から発生した散乱光を、試料３表面に対して法線方向かつ対向する位置に配置した、焦点可変の結像レンズ（口径１０ｍｍ）４により、ＣＣＤ５に結像させる。ついで、ＣＣＤ５に結像した散乱光を、その強度に応じた強さの電気信号に変換させる。ＣＣＤ５は、ノイズ低減のため、ペルチェ素子を用いて冷却させて、暗電流を抑制している
【００２６】
ＣＣＤ５により変換された電気信号は、パソコン１１により、画像処理され、モニター１２に、発生した散乱光の強度分布に対応したＣＣＤ画像が表示される。このＣＣＤ画像を記録、解析することにより、試料表面の異物、微細な凹凸、組成の変化やそれらの分布を測定し、マイクロラフネスレベルで、高精度な評価が行われる。
【００２７】
試料ステージ２は、該ステージ上に載置した試料３を、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向に位置調整し、試料３の測定位置を移動させるものである。
【００２８】
ガルバノ・ミラーを２段組み合わせたＸ−Ｙスキャナー７は、試料３表面の測定領域に、照射光１を走査させ、測定領域を均一照射するためのものである。Ｘ−Ｙスキャナーにより、試料３の測定領域（縦×横：６００ｎｍ）よりも小面積に集光させた照射光１を、該測定領域の約２倍の領域に走査させる。
【００２９】
図５は、シリコンウエハ表面の測定領域（縦×横：６００μｍ）に対して、縦×横１５００μｍの領域について、矩形に７６.７μｍピッチで、楕円形状の１００μｍ程度のＰ偏光の単一レーザー光（出力：０．４３Ｗ）を走査させて、シリコンウエハ表面の測定領域に均一照射させた時の散乱光のＣＣＤ画像（ａ）及び走査線上の散乱光強度分布である。１走査当りの走査時間は、１.０６秒であり、またＣＣＤ５露光時間は、６３.６秒であった。図５（ａ）のＣＣＤ画像は、１０１８×１０００画素で構成され、各画素の輝度は４０９６階調（「カウント数」とする。）である。また、図５（ｂ）及び（ｃ）中、縦軸がカウント数、横軸が（ｂ）Ｘ方向分布、（ｃ）Ｙ方向分布を示す。図５（ａ）のＣＣＤ画像では、散乱光の強度分布が明るさの分布として表示されている。また図５（ｂ）及び（ｃ）の散乱光の強度分布は平坦であり、測定領域を均一照射することができ、より高精度な測定ができることを示している。
【００３０】
Ｘ−Ｙスキャナー７としては、ガルバノ・ミラーの２段組合せ以外に、ポリゴンミラーを利用する方法やレーザーの直接振幅等が用いられる。
【００３１】
図６、図７は、上記と同様にして、他のシリコンウエハについて測定したＣＣＤ画像の例である。図６には、スクラッチによる線状の連続した輝点が多数見られる。これらは、シリコンウエハ表面に存在する微細な溝であり、シリコンウエハの加工工程での損傷によるものと考えられる。
【００３２】
図７の中心付近の輝点は、シリコンウエハ表面の異物による散乱光であり、線状の連続した輝点は、レーザー光の入射方向に対して、直角方向に近いスクラッチであり、粒径３０ｎｍまでの異物による点状散乱と、溝幅１ｎｍオーダーのスクラッチによる線状散乱とが容易に識別できる。
【００３３】
図８は、試料３表面に異物が存在する場合のＣＣＤ画像である。図８（ａ）は、ＣＣＤ５からの画像であり、また、図８（ｂ）は、（ａ）のＣＣＤ画像を拡大したもので、（ｂ）中の輝点は、試料表面の粒子による散乱光であり、異物の位置を示している。
【００３４】
また、図８（ｃ）は、図８（ｂ）のＣＣＤ画像内の各走査線上の散乱光の強度分布である。図中、縦軸がカウント数を、横軸がＸ方向分布を示しており、散乱光強度に応じた凸凹の波形が記録されている。図８（ｂ）のように試料３表面に異物がある時、異物の位置（Ａ１、Ａ２及びＡ３）に対応して、散乱光強度の極大値が現れる。この極大値の高さは、異物の粒径に対応しており、異物の粒径を推定することができる。
【００３５】
図９は、図８（ａ）の全測定領域における、走査線上の異物による散乱光強度別発生個数の度数分布である。図中、横軸の散乱光強度（ａ．ｕ．；任意尺度の意味である。）は、図８（ａ）のＣＣＤ画像より、異物による散乱光を識別し、つぎに、各輝点の最高カウント数の座標を求め、その座標を中心に７×７画素を積算した値から、適宜設定されるしきい値（この場合、１５０カウント）を引いた値であり、縦軸は、その発生個数を示している。図９により、試料の測定領域内に、どのような粒径の異物が何個存在しているか識別できる。
【００３６】
本発明に用いる表面評価装置において、図４に例示したように、試料３表面からの散乱光を結像するための結像レンズ４の前または後に、試料３表面及び照射光１の入射方向に対して平行に、幅１ｍｍのスリットを配置させた場合、照射光１の入射方向と試料３表面のスクラッチ方向の測定可能な相対角度が±５度程度となり、スリットなし時の±１５度程度と比べ、狭く制限されることと引き換えに、Ｓ／Ｎ比が向上し、スリットなしでは検出されなかったスクラッチが検出でき、好ましい。
【００３７】
従来のＳＴＭやＡＦＭでも、試料表面の溝幅が数十ｎｍ程度までのスクラッチが測定できるが、測定領域が極めて狭い範囲に限られてしまうという欠点を有していた。本発明では、シリコンウエハ等の試料の広い範囲にわたって、断面形状については分からないものの、上記よりさらに１桁以上の微細なスクラッチを、短時間かつ容易に識別することができる。
【００３８】
２．試料のマイクロラフネスの評価
本発明に用いられる上記装置を用いた場合に、前記「２．本発明に用いられる表面評価装置」で示したように、試料表面の異物や微細な凹凸の位置に対応する点状または線状の輝点が表示された図８のような（ａ）、（ｂ）「ＣＣＤ画像」、及び（ｃ）「走査線上の散乱光の強度分布」のデータが得られる。
【００３９】
以下、上記の測定データより、試料の表面粗さであるマイクロラフネスを評価する方法について、説明する。
【００４０】
図８（ｃ）「走査線上の散乱光の強度分布」データにおいて、図８（ｂ）の「ＣＣＤ画像」中、異物や微細な凹凸の位置に対応する点状または線状の輝点で表示された散乱光強度の極大値がある場合、図８（ｃ）中の該極大値の部分を取り除いたバックグラウンドレベルが、試料の表面粗さを反映している。なお、この場合、表面粗さに相応した散乱光強度が得られるということであり、散乱光強度の分布曲線が断面形状を表すものではない。
【００４１】
図８（ｃ）において、散乱光強度の極大値を取り除く補正をした後、散乱光強度分布の平均値を求めることにより、試料のマイクロラフネスが数値化されたデータとして得られる。
【００４２】
異物や線状の微細な凹凸による輝点の密度が小さい場合には、上記補正の影響が十分小さく、無視しても差支えなく、異物の付着が極めて少ない、清浄なシリコンウエハのミラー面等においては、実際上、補正しなくとも、十分に評価することができる。
【００４３】
マイクロラフネスは、散乱光強度の分布を表すカウント数で得られる。同一条件で測定した場合には、得られたカウント数を、そのまま比較することが可能であるが、測定条件が異なる場合には、入射角度θは一定として、照射光強度及び露光時間をもとに標準化したカウント数として、以下に示した数式により求め、比較される。
【００４４】
【数１】
0004808861.tif 000002
【００４５】
上記標準化により、測定条件が異なる場合における、表面粗さの比較が可能となり、また粗い面から平滑な面までの広い範囲を比較することができる。
【００４６】
図１０は、上記方法に準じて、標準化したカウント数を求め、種々のメーカーにより製造されたシリコンウエハまたは各工程別のシリコンウエハのマイクロラフネスを比較した結果である。
【００４７】
図１０（ａ）は、Ａ〜Ｆのメーカーにより製造された、同一仕様のシリコンウエハのミラー面のマイクロラフネスを、各々５箇所について、評価、比較したものである。各ウエハは、その結晶方位に対しての方向、位置決めを行うための直線部分（「オリフラ」という。）と平行な直径上で２ｃｍの間隔で等間隔に並ぶ５点（中心を含む）を、同一の測定条件（照射光強度：０．４３Ｗ、入射角度：７６度、露光時間：６３.３秒）で測定した。図１０（ａ）中、縦軸は、標準化したカウント数を示す。図１０（ａ）では、各メーカーによるシリコンウエハのマイクロラフネスの相違が、数値化されたデータとして明瞭に表されている。
【００４８】
また、図１０（ｂ）は、同一仕様のシリコンウエハについて、各工程におけるマイクロラフネスを、工程別に比較したものである。工程２は、最終研磨直後のシリコンウエハを評価したものであり、最も表面粗さが小さくなっている。工程３は、工程２のシリコンウエハを、温水及びエッチング作用の極めて少ない薬液で洗浄したものであり、また工程３＋２次洗浄は、工程３の後に通常のＳＣ１洗浄を行ったものである。図１０（ｂ）中、縦軸は、標準化したカウント数を示す。図１０（ｂ）では、各工程におけるシリコンウエハのマイクロラフネスの相違が、数値化されたデータとして明瞭に表されている。
【００４９】
また、本発明は、異物の検出や微細な表面の凹凸、表面粗さの評価以外にも、散乱光強度を変化させるものであれば、比較、評価可能である。
一例としては、同一の材料であっても、結晶、多結晶、非晶質（「アモルファス」という。）等のように結晶性の変化に伴い、反射率とともに散乱光強度が変化するものがあげられる。また、試料表面に付着している有機物等の変化、あるいは複数の原材料を混合させた試料における原材料の組成比率の変化により、散乱光強度が変化するものがあげられる。
【００５０】
本発明では、従来、ＡＦＭ，ＳＴＭ等の装置でしか評価できなかったシリコンウエハ等のマイクロラフネスが、広い範囲にわたって、簡単かつ容易に、非破壊で、定量的に評価することができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明は、従来と比べ、凹面鏡である積分球等の光学部品が不要の単純な光学系で光路上に光学部品がなく、かつ簡単な構成の装置を用いるので、迷光が発生せず、非常に優れたＳ／Ｎ比で測定でき、高精度の表面評価を行うことができる。
【００５２】
本発明は、試料表面の異物や微細な凹凸、あるいは構造または組成の変化が、広い範囲にわたり、短時間かつ容易に、各々識別することができる。本発明は、粒径３０ｎｍまでの異物が、高速でカウント、マッピングでき、また、溝幅が１ｎｍ程度までの、キズ、スクラッチを検出することができる。
【００５３】
本発明は、評価装置の感度調節が短時間かつ容易にでき、常にＣＣＤ露光量を最適化することができ、散乱光強度の変化に対して追従性がよく、ダイナミックレンジが広い。
【００５４】
本発明は、従来、不可能とされたシリコンウエハのミラー面等の、広い範囲にわたるマイクロラフネスの比較が、簡単かつ容易に、定量的に行うことができる。
【００５５】
本発明は、金属、絶縁体、半導体等の幅広い試料に対する非破壊測定が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の測定原理を示す模式図である。
【図２】シリコンウエハ試料における、照射光の入射角度に対応する反射光の反射率の理論値及び実験値を示す図である。
【図３】本発明の測定原理を用いて構成した表面評価装置を示す模式図である。
【図４】試料と結像レンズとの間に、スリットを挿入させた場合の模式図である。
【図５】Ｐ偏光の単一レーザー光を走査し、シリコンウエハ表面の測定領域を均一照射して測定した結果を示す図である。
【図６】Ｐ偏光の単一レーザー光を走査し、シリコンウエハ表面の測定領域を均一照射して測定したＣＣＤ画像である。
【図７】Ｐ偏光の単一レーザー光を走査し、シリコンウエハ表面の測定領域内を均一照射して測定したＣＣＤ画像である。
【図８】シリコンウエハ試料３表面の異物による散乱光を測定した「ＣＣＤ画像」及び図８（ｂ）の各「走査線上の散乱光の強度分布」を示す図である。
【図９】図８（ａ）の全測定領域における、異物による散乱光強度別発生個数の度数分布を示す図である。
【図１０】メーカー別シリコンウエハの表面粗さ、及び各工程におけるシリコンウエハのマイクロラフネスを比較した結果を示す図である。
【符号の説明】
１    照射光
２    試料ステージ
３    試料
４    結像レンズ
５    ＣＣＤ
５’  ＣＣＤ制御盤
６    光源（Ａｒイオンレーザー）
７    Ｘ−Ｙスキャナー
８    減光フィルター
９    ２分の１波長板
１０  集光レンズ
１１、１１’  パソコン
１２  モニター
１３  迷光防止用遮蔽板
１４  スリット
【図１】
0004808861.tif 000003
【図２】
0004808861.tif 000004
【図３】
0004808861.tif 000005
【図４】
0004808861.tif 000006
【図５】
0004808861.tif 000007
【図６】
0004808861.tif 000008
【図７】
0004808861.tif 000009
【図８】
0004808861.tif 000010
【図９】
0004808861.tif 000011
【図１０】
0004808861.tif 000012