(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子がそれぞれ形成された複数の半導体素子領域を有し、前記複数の半導体素子領域の各々における接着剤形成予定領域の外側の周辺部に前記半導体素子の電極パッドが設けられている半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハの前記接着剤形成予定領域上に絶縁性の接着剤を設ける工程と、
前記絶縁性の接着剤を設ける工程の実行後、前記半導体ウエハから前記各半導体素子領域を有する半導体チップを分離する工程と
を含み、
前記接着剤は、紫外線を受けることにより接着強度が低くなる性質を有するものであり、
前記接着剤を設ける工程は、
セパレータを準備する工程と、
前記セパレータ上に紫外線硬化性接着剤を設ける工程と、
前記接着剤形成予定領域に対応する紫外線遮蔽領域を有する露光マスクを介して前記紫外線硬化性接着剤に紫外線を照射する工程と、
前記紫外線硬化性接着剤が前記各半導体素子領域における前記接着剤形成予定領域に接触するよう前記セパレータを前記半導体ウエハ表面上に載置する工程と、
前記セパレータを前記半導体ウエハから剥がすことにより、前記接着剤形成予定領域に位置する前記紫外線硬化性接着剤を前記各半導体ウエハ上に残存させて前記各接着剤形成予定領域上に前記接着剤を設ける工程と
を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハ表面に前記セパレータが載置された状態で前記半導体ウエハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
複数の半導体素子がそれぞれ形成された複数の半導体素子領域を有し、前記複数の半導体素子領域の各々における接着剤形成予定領域の外側の周辺部に前記半導体素子の電極パッドが設けられている半導体ウエハを準備する工程と、
前記半導体ウエハの前記接着剤形成予定領域上に絶縁性の接着剤を設ける工程と、
前記絶縁性の接着剤を設ける工程の実行後、前記半導体ウエハから前記各半導体素子領域を有する半導体チップを分離する工程と
を含み、
前記接着剤を設ける工程は、
複数の貫通穴を有するマスクを準備する工程と、
前記貫通穴が前記接着剤形成予定領域上に配置されるよう前記マスクを前記半導体ウエハ表面上に載置する工程と、
前記マスクの貫通穴に前記接着剤を設ける工程と、
前記マスクを前記半導体ウエハから剥がすことにより、前記接着剤形成予定領域上に位置する前記接着剤を前記各半導体素子領域上に残存させる工程と
を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウエハ表面に前記マスクが載置された状態で前記半導体ウエハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
回路基板を準備する工程と、
前記電極パッド上に金属バンプを形成する工程と、
前記分離された半導体チップ上の前記接着剤を前記回路基板に接触させる工程と、
前記接着剤を溶融させ、前記半導体チップと前記回路基板との間を前記接着剤で充填する工程と
をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウエハを準備する工程は、複数の第１の半導体素子が前記複数の半導体素子としてそれぞれ形成された第１の半導体ウエハおよび複数の第２の半導体素子が形成された第２の半導体ウエハを準備するものであり、
前記接着剤を設ける工程は、前記各第１の半導体素子上の前記各接着剤形成予定領域上に前記接着剤を設けるものであり、
前記各第１の半導体素子上の前記接着剤を前記各第２の半導体素子に接触させる工程と、前記接着剤を溶融させ、前記各第１の半導体素子と前記各第２の半導体素子を接着する工程とをさらに含み、
前記半導体チップを分離する工程は、接着された前記各第１の半導体素子および前記第２の半導体素子を前記第１および第２の半導体ウエハから分離するものである
ことを特徴とする請求項１または３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するもので、特にフリップチップ型の半導体チップ（半導体素子とも称される）を使用した半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は従来の半導体装置の製造工程を説明する図である。まず、図１１（ａ）は、半導体ウエハから個々のチップにダイシングされた半導体チップ１が示されている。この半導体チップ１の表面には、ＡＬ（アルミ）電極パッドが設けられており、このパッド上には金属バンプ２が形成されている。次に、図１１（ｂ）に示すように、半導体チップ１をフリップ（逆さまに回転）させ、金属バンプ２をマザーボード（回路基板）３上の金属電極に加熱接合する。次に、図１１（ｃ）に示すように、シリンダ４に充填された液状の封止樹脂５を、半導体チップ１の一方の側面に滴下する。このとき、封止樹脂５は、毛細管現象によって、半導体チップ１とマザーボード３との間の隙間に吸引される。封止樹脂５は、この隙間を半導体チップ１の他方の側面に向かって流動する。その結果、図１１（ｄ）に示すように、上記の隙間に充填される。その後、封止樹脂５を加熱することによって硬化させる。これによって、上記の隙間は封止され、半導体チップ１とマザーボード３は接着される。
【０００３】
しかしながら、図１１に示された従来の工程では、半導体チップ１とマザーボード３との間の距離ｔ１（図１１（ｃ）および図１２（ａ）参照）が短いと、封止樹脂５のずり摩擦力（半導体チップ１およびマザーボード３の表面との間に生じる摩擦力）が毛細管現象による吸引力に勝る。その結果、図１２に示したように、封止樹脂５が半導体チップ１とマザーボード３との間の隙間全体に充填されず、未充填部分６が発生する場合がある。未充填部分６が発生すると、外部雰囲気から半導体チップ１の表面を充分に保護することができないという問題点があった。従って、半導体チップ１とマザーボード３との間の距離ｔ１を単に短くすることができず、結果として半導体装置の薄型化が困難であった。
【０００４】
また、特開平１１−３４０２７８号公報、特開平１０−２４２２０８号公報、特開平９−９７８１５号公報、特開平６−１０４３１１号公報などには、半導体チップをマザーボード上に搭載する際に、半導体チップの表面に、まず絶縁性接着フィルム（絶縁性封止樹脂シート）を貼り付け、次に上記の絶縁性接着フィルムを加熱して溶融および硬化させる技術が記載されている。
【０００５】
また、上記公報などには、半導体チップをマザーボード上に搭載する際に、半導体チップとマザーボードとの間の隙間に、まず絶縁性接着フィルムを設け、次に絶縁性接着フィルムを加熱して溶融および硬化させる技術が記載されている。これらの技術によれば、半導体チップとマザーボードとの間の隙間全体を絶縁性の樹脂で充填することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、絶縁性接着フィルムを使用した上記従来の工程においては、絶縁性接着フィルムが、１つの半導体チップごとに設けられる。このことは、半導体装置の製造工程が長くなるということを意味する。また、個々の半導体チップに絶縁性接着フィルムを設ける工程、あるいは個々の半導体チップとマザーボードとの間に絶縁性接着フィルムを設ける工程を実行することは、半導体装置の製造工程が長くなるということを意味する。結果として半導体装置の製造コストが高くなる。
【０００７】
本発明の目的は、上記従来の問題を解決するために、製造歩留まりを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、製造工程時間を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。さらに本発明の他の目的は、製造コストを低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するためになされたものであり、本発明の代表的な半導体装置の製造方法は以下の通りである。複数の半導体素子がそれぞれ形成された複数の半導体素子領域を有し、前記複数の半導体素子領域の各々における接着剤形成予定領域の外側の周辺部に前記半導体素子の電極パッドが設けられている半導体ウエハを準備する工程と、前記半導体ウエハの前記接着剤形成予定領域上に絶縁性の接着剤を設ける工程と、前記絶縁性の接着剤を設ける工程の実行後、前記半導体ウエハから前記各半導体素子領域を有する半導体チップを分離する工程とを含む。
前記接着剤は、紫外線を受けることにより接着強度が低くなる性質を有するものであり、前記接着剤を設ける工程は、セパレータを準備する工程と、前記セパレータ上に紫外線硬化性接着剤を設ける工程と、前記接着剤形成予定領域に対応する紫外線遮蔽領域を有する露光マスクを介して前記紫外線硬化性接着剤に紫外線を照射する工程と、前記紫外線硬化性接着剤が前記各半導体素子領域における前記接着剤形成予定領域に接触するよう前記セパレータを前記半導体ウエハ表面上に載置する工程と、前記セパレータを前記半導体ウエハから剥がすことにより、前記接着剤形成予定領域に位置する前記紫外線硬化性接着剤を前記各半導体ウエハ上に残存させて前記各接着剤形成予定領域上に前記接着剤を設ける工程とを含むことを特徴とする。
あるいは、前記接着剤を設ける工程は、複数の貫通穴を有するマスクを準備する工程と、前記貫通穴が前記接着剤形成予定領域上に配置されるよう前記マスクを前記半導体ウエハ表面上に載置する工程と、前記マスクの貫通穴に前記接着剤を設ける工程と、前記マスクを前記半導体ウエハから剥がすことにより、前記接着剤形成予定領域上に位置する前記接着剤を前記各半導体素子領域上に残存させる工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
図１および図２は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す工程図である。なお、図２（ｇＡ）および図２（ｇＢ）は同一工程を示す図である。図２（ｇＡ）はこの工程における半導体装置の側面図であり、図２（ｇＢ）は上面図である。
【００１０】
まず、図１（ａ）に示すように、セパレータ９上に、絶縁性接着剤７を、厚さが均一になるように供給する（塗布する）。このセパレータ９としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートが用いられる。
【００１１】
この実施の形態１で使用される絶縁性接着剤７は、熱硬化成分およびＵＶ（紫外線）光硬化成分を含む。この接着剤７は、供給される前（塗布される前）および供給直後（塗布直後）には液状であり、供給されたあと（塗布されたあと）常温にさらされることによって半固型化する。上記の熱硬化成分は、加熱することによって、接着剤７をまず溶融させ、さらに加熱を継続することによって、接着剤７を硬化させる作用を有する。また、上記のＵＶ光硬化成分は、ＵＶ光が照射されることによって、接着剤７を硬化させる作用を有する（ＵＶ光が照射された表面のみ硬化する）。
【００１２】
例えば、絶縁性接着剤７として、リンテック社製のダイアタッチフィルム（型番３２３Ｅ）が用いられる。このダイアタッチフィルム３２３Ｅは、エポキシ樹脂（熱硬化成分）に光開始剤（ＵＶ光硬化成分）を添加したものである。このような絶縁性接着剤は、塗布されたあと常温にさらされることによって半固型化する。この絶縁性接着剤を加熱すると、上記の熱硬化成分の作用によって一度溶融し、その後さらに加熱すると、上記の熱硬化成分の作用によって硬化する。また、上記の半固型化した絶縁性接着剤にＵＶ光を照射すると、ＵＶ光が照射された表面は上記のＵＶ光硬化成分の作用によって硬化する。この硬化した表面の接着強度は、他の部分の表面の接着強度よりも低くなる。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、セパレータ９上に塗布され、半固型化された絶縁性接着剤７上に、露光マスク１１を載置する。そのあと図１（ｃ）の示すように、絶縁性接着剤７に、露光マスク１１を介し、ＵＶ光を照射する。そのあと図１（ｄ）に示すように、露光マスク１１を絶縁性接着剤７から取り除く。
【００１４】
図３は図１の露光マスク１１の構造を示す図であり、図３（Ａ）は側面図、図３（Ｂ）は上面図である。図３に示すように、露光マスク１１は、ガラス板１４と、ガラス板１４上に形成されたＵＶ光遮蔽膜１２とから構成される。ＵＶ光遮蔽膜１２は、ガラス板１４上の複数の互いに分離された領域に形成されている。ＵＶ光は、ＵＶ光遮蔽膜１２が設けられていない部分のガラス板１４を透過するが、ＵＶ光遮蔽膜１２を透過することはできない。このため、図１（ｃ）の工程において、ＵＶ光は、露光マスク１１のＵＶ光遮蔽膜１２を設けていない部分に対応する絶縁性接着剤７の表面領域にのみ照射され、ＵＶ光遮蔽膜１２直下の絶縁性接着剤７の表面領域には照射されない。なお、露光マスク１１のＵＶ光遮蔽膜１２が設けられた領域１ａは、半導体ウエハ１５に造り込まれたそれぞれの半導体素子１上の絶縁性接着剤を設ける予定の所定領域（以下、接着剤形成予定領域）に対応する。露光マスク１１のＵＶ光遮蔽膜１２が設けられていない領域は、半導体ウエハ１５表面における上記接着剤形成領域を除いた領域に対応している。
【００１５】
図１（ｃ）の工程のあとにおいては、ＵＶ光遮蔽膜１２が設けられていない部分の直下の絶縁性接着剤７の表面領域については、ＵＶ光によって光硬化成分が硬化しているため、接着強度が低くなっている。ＵＶ光遮蔽膜１２の直下の絶縁性接着剤７の表面領域については、ＵＶ光が照射されなかったので光硬化成分が硬化しておらず、接着強度が維持されている。従って、絶縁性接着剤７は、図１（ｄ）に示すように、接着強度が比較的低い部分Ｗと、接着強度が比較的高い部分Ｓで構成される。なお、絶縁性接着剤７の部分Ｓは、半導体ウエハ１５表面の接着剤形成領域に対応し、絶縁性接着剤７の部分Ｗは、半導体ウエハ１５表面の接着剤形成領域を除く領域に対応している。
【００１６】
セパレータ９と絶縁性接着剤７と半導体ウエハ１５との間の接着強度は、以下の関係にある。絶縁性接着剤７の部分Ｗとセパレータ９との間の接着強度は、この部分Ｗと半導体ウエハ１５との間の接着強度よりも大きく、絶縁性接着剤７の部分Ｓと半導体ウエハ１５との間の接着強度よりも小さい。
【００１７】
次に、図１（ｅ）に示すように、セパレータ９上に設けられた絶縁性接着剤７の表面を、裏面の研削（バックグラインド）が済んでいる半導体ウエハ１５の表面に貼り合わせる。このとき、絶縁性接着剤７の部分Ｓが、半導体ウエハ１５のそれぞれの半導体素子１表面の接着剤形成領域に貼り付くように、半導体ウエハ１５とセパレータ９とを位置合わせする。その結果、部分Ｓのみが上記の接着剤形成領域に貼り付き、部分Ｗは半導体ウエハ１５表面に貼り付かない。
【００１８】
次に、図１（ｆ）に示すように、セパレータ９を半導体ウエハ１５から剥がす。絶縁性接着剤７の部分Ｓの裏面とセパレータ９との間の接着強度は、部分Ｓの表面と半導体ウエハ１５との接着強度よりも小さい。さらに、絶縁性接着剤７の部分Ｗの裏面とセパレータ９との間の接着強度は、部分Ｗの表面と半導体ウエハ１５との間の接着強度よりも大きい。従って、セパレータ９を半導体ウエハ１５から剥がすと、絶縁性接着剤７の部分Ｗ（絶縁性接着剤７Ｂ）は、半導体ウエハ１５から一括して同時に剥がれる。一方、絶縁性接着剤７の部分Ｓ（絶縁性接着剤７Ａ）は、セパレータ９から一括して同時に剥がれる。すなわち、部分Ｓは上記の接着剤形成領域に残される。
【００１９】
以上の工程によって、図２（ｇＡ），図２（ｇＢ）に示すように、それぞれの半導体素子１表面の接着剤形成領域１ａに、絶縁性接着剤７Ａ（絶縁性接着剤７の部分Ｓ）が設けられた半導体ウエハ１５が得られる。
【００２０】
このあと、図２（ｈ）に示すように、半導体ウエハ１５を、スクライブライン１６に沿ってダイシングする。なお、図２（ｈ）において、太線はダイシングソーによって溝が形成されていることを示す。その結果、図４（ａＡ）および図４（ａＢ）に示すように、接着剤形成領域１ａに絶縁性接着剤７Ａが設けられた半導体チップ１Ａ（半導体素子１のチップ）が得られる。
【００２１】
上記の接着剤形成領域１ａの位置は、例えば、図４（ａＡ）および図４（ａＢ）に示すように、周辺部にＡＬ（アルミ）電極パッド８が設けられた半導体チップ１Ａの場合は、この半導体チップ１Ａの中央部の領域１ａで定義される。
【００２２】
以上詳細に説明したように、実施の形態１では、ダイシングの前の半導体ウエハに対して一括して同時に絶縁性接着剤７Ａを設けることができる。すなわち、複数の半導体素子１の複数の接着剤形成領域１ａに同時に絶縁性接着剤７Ａを設けることができる。従って、半導体チップの接着剤形成領域に絶縁性接着剤を設ける工程（実施の形態１では、半導体素子１の接着剤形成領域１ａに絶縁性接着剤７Ａを設ける工程に相当する）にかかる時間を従来よりも短縮することができる。これにより製造コストを低減することができる。
【００２３】
また、この実施の形態１では、複数の半導体素子上に複数の絶縁性接着剤７Ａが同時に形成される。すなわち、複数の絶縁性接着剤が半導体ウエハ単位で一括して同時に形成される。このことは、半導体装置の製造工程を短縮することができ、製造コストを低減することができるということを意味する。
【００２４】
図４は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程において、絶縁性接着剤が設けられた半導体チップをマザーボード（回路基板）上にフリップチップボンディングする工程を説明する図である。
【００２５】
まず、図４（ａＡ）、図４（ａＢ）に示すように、先に説明した工程を使用して、接着剤形成領域１ａに絶縁性接着剤７Ａを設ける。次に、半導体チップ１Ａ上のＡＬ電極パッド８に、図４（ｂ）に示すように金属バンプ２を設ける。なお、金属バンプ２は、半導体ウエハ１５をダイシングする前に、半導体ウエハ１５の半導体素子１上のＡＬ電極バッド８に設けておくことも可能である。
【００２６】
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁性接着剤７Ａおよび金属バンプ２が設けられた半導体チップ１Ａを、フリップ（逆さまに回転）させ、絶縁性接着剤７Ａによってマザーボード３に貼り付ける。
【００２７】
そして、図４（ｄ）に示すように、加熱によって、金属バンプ２がマザーボード３上の金属電極に接合するとともに、絶縁性接着剤７Ａが溶融する。溶融した絶縁性接着剤７Ａは、その一部が半導体チップ１Ａの中央部から周辺部に流動し、半導体チップ１Ａとマザーボード３との間の隙間が充填される。さらに加熱を継続することによって、絶縁性接着剤７は硬化し、半導体チップ１Ａとマザーボード３との間の隙間が封止されるとともに、半導体チップ１Ａがマザーボード３に接着される。
【００２８】
図１１に示された従来のフリップチップボンディング工程は、液状の絶縁性接着剤が半導体チップの一方の側面から半導体チップとマザーボードとの間の隙間に注入され、注入された絶縁性接着剤を毛細管現象を利用して半導体チップの他方の側面に向けて流動するというものであった。
【００２９】
これに対し、図４の実施の形態１のフリップチップボンディング工程は、半導体チップ１Ａとマザーボード３との間の隙間の中央部に絶縁性接着剤７Ａを挟み込み、溶融させる。その結果、溶融した絶縁性接着剤７Ａは半導体チップ１Ａの中央部から半導体チップ１Ａの周辺部に向けて流動するので、未充填部分（図１２の未充填部分６参照）の発生を防止できる。これは半導体装置の信頼性を向上させることができるということを意味する。また、未充填部分を発生させることなく、半導体チップ１Ａとマザーボード３との間の距離ｔ１（図４（ｄ）参照）を短くすることができるので、これにより金属バンプ２の高さｔ２（図４（ｃ）参照）を低くすることができる。よって、半導体装置の薄型化を実現できる。
【００３０】
以上のように実施の形態１によれば、セパレータ９および露光マスク１１を用い、ダイシング前の半導体ウエハに対して一括して同時に、それぞれの半導体素子１の接着剤形成領域１ａに絶縁性接着剤７Ａを設けることができる。従って、半導体素子の接着剤形成領域に絶縁性接着剤を設ける工程にかかる時間を短縮することができる。さらに半導体装置の製造コストを低減するとともに、製造歩留まりを向上させることができる。
【００３１】
実施の形態２
図５は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す工程図である。なお、図５において、図１または図２と同じものには、同じ符号を付してある。
【００３２】
まず、図５（ａ）に示すように、裏面の研削（バックグラインド）が済んでいる半導体ウエハ１５の表面に、複数の穴１７が設けられたマスク（接着剤塗工型）１８を載置する。次に、図５（ｂ）に示すように、マスク１８上に絶縁性接着剤７を供給する（マスク１８を介して半導体ウエハ１５上に絶縁性接着剤７を塗布する）。
【００３３】
この実施の形態２で使用される絶縁性接着剤７は、熱硬化成分を含む。この接着剤７は、供給される前（塗布される前）および供給直後（塗布直後）には液状であり、供給（塗布）されたあと常温にさらされることによって半固型化する。例えば、この実施の形態２では、絶縁性接着剤７として、エポキシ樹脂が用いられる。このような熱硬化成分を有する絶縁性接着剤は、塗布されたあと常温にさらされることにより半固型化し、この半固型化された絶縁性接着剤を加熱すると溶融し、溶融したあとさらに加熱を継続すると硬化する。なお、絶縁性接着剤７として、上記実施の形態１のようにＵＶ光硬化成分を含む絶縁性接着剤を用いることも可能である。
【００３４】
図６はマスク１８の構造を示す図であり、図６（Ａ）は側面図、図６（Ｂ）は上面図である。図６のように、複数の穴１７は、半導体ウエハ１５に造り込まれたそれぞれの半導体素子の表面の接着剤形成領域上に位置するように、マスク１８に設けられたものであって、絶縁性接着剤７を上記の接着剤形成領域に供給するための貫通穴である。
【００３５】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤７は、半導体ウエハ１５上にマスク１８を介して供給される。すなわち、絶縁性接着剤７は、穴１７を介して上記の接着剤形成領域にのみ供給され、半導体ウエハ１５表面の接着剤形成領域を除く領域には供給されない。その後、絶縁性接着剤７が常温にさらされることによって半固型化する。
【００３６】
次に、図５（ｃ）に示すように、マスク１８を半導体ウエハ１５から引き離す。これによって、マスク１８上に供給された絶縁性接着剤７の内、絶縁性接着剤７Ｂ（穴１７内に供給されなかった部分）は、マスク１８とともに半導体ウエハ１５上から取り除かれ、絶縁性接着剤７Ａ（この実施の形態２では、絶縁性接着剤７の内、穴１７内に供給された部分）のみが、半導体ウエハ１５のそれぞれの半導体素子の接着剤形成領域に残される。
【００３７】
以上の工程によって、図５（ｃ）に示すように、半導体ウエハ１５のそれぞれの半導体素子の接着剤形成領域に、絶縁性接着剤７Ａ（絶縁性接着剤７の内、穴１７内に供給された部分）が設けられた半導体ウエハ１５が得られる。
【００３８】
このあと、上記実施の形態１と同じように、半導体ウエハ１５をそれぞれの半導体素子にダイシングすることにより、接着剤形成領域に絶縁性接着剤７Ａが設けられた半導体チップが得られる。その後、上記実施の形態１と同じように、上記の半導体チップをマザーボードにフリップチップボンディングする。
【００３９】
なお、この実施の形態２においての上記の半導体素子、上記の接着剤形成領域、上記の半導体チップは、それぞれ上記実施の形態１においての半導体素子１（図２および図３参照）、接着剤形成領域１ａ（図２ないし図４参照）、半導体チップ１Ａ（図４参照）にそれぞれ相当する。
【００４０】
図５の（ａ）〜（ｃ）に示すように、この実施の形態２は次の工程を含む。すなわち、複数の穴１７が設けられたマスク１８を、穴１７が半導体ウエハ１５に造り込まれたそれぞれの半導体素子の表面の接着剤形成領域にそれぞれ位置するように、半導体ウエハ１５表面に載置する、マスク１８を介して半導体ウエハ１５表面に絶縁性接着剤７を供給する、マスク１８を半導体ウエハ１５から引き離すことによって、絶縁性接着剤７Ａ（絶縁性接着剤７の内、穴１７内に供給された部分）のみを接着剤形成領域に一括して同時に残し、絶縁性接着剤７Ｂ（絶縁性接着剤７の内、穴１７内に供給されなかった部分）を一括して同時に除去する。それによって、それぞれの半導体素子の接着剤形成領域に選択的に絶縁性接着剤７Ａが設けられる。
【００４１】
このように、実施の形態２では、ダイシング前の半導体ウエハに対して一括して同時に、半導体素子の接着剤形成領域に絶縁性接着剤７Ａを設けることができる。半導体チップの接着剤形成領域に絶縁性接着剤を設ける工程にかかる時間を従来よりも短縮することができ、これにより製造コストを低減することができる。
【００４２】
さらに、この実施の形態２では、マスク１８を用いることにより、セパレータ９および露光マスク１１を用いる上記実施の形態１よりも工程が簡略になる。従って、半導体素子の接着剤形成領域に絶縁性接着剤７Ａを設ける工程にかかる時間を上記実施の形態１よりも短縮することができ、これによりさらに製造コストを低減することができる。
【００４３】
実施の形態３
この実施の形態３では、上記実施の形態１の図１（ｆ）に示すようにセパレータ９を半導体ウエハ１５から剥がす前に、セパレータ９をバックグラインド保護テープとして半導体ウエハ１５の裏面の研削（バックグラインド）をする。従って、半導体ウエハ１５の裏面の研削は、上記実施の形態１では図１（ｅ）の工程の前に実施されるが、この実施の形態３では図１（ｅ）の工程と図１（ｆ）の工程の間に実施される。
【００４４】
図７は本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程を示す工程図である。なお、図７において、図１と同じものには同じ符号を付してある。
【００４５】
まず、図７（ａ）に示すように、上記実施の形態１の図１（ａ）〜図１（ｅ）の工程により、セパレータ９上に設けられた絶縁性接着剤７を半導体ウエハ１５の表面に貼り合わせる。
【００４６】
次に、図７（ｂ）に示すように、セパレータ９をバックグラインド保護テープとして、バックグラインダ１９によって半導体ウエハ１５の裏面の研削をする。
【００４７】
次に、図７（ｃ）に示すように、セパレータ９を半導体ウエハ１５から剥がす。セパレータ９を半導体ウエハ１５から剥がすと、絶縁性接着剤７の部分Ｗ（絶縁性接着剤７Ｂ）は、半導体ウエハ１５から一括して同時に剥がれる。一方、絶縁性接着剤７の部分Ｓ（絶縁性接着剤７Ａ）は、セパレータ９から一括して同時に剥がれる。すなわち、部分Ｓは上記の接着剤形成領域に残される。
【００４８】
なお、これ以降の工程（個々の半導体チップにダイシングする工程および半導体チップをマザーボードにフリップチップボンディングする工程）は、上記実施の形態１と同じである。
【００４９】
従来の裏面研削工程は、まず半導体ウエハ１５の表面にバックグラインド保護テープを貼り付け、次に半導体ウエハ１５の裏面の研削を実施するというものであった。
【００５０】
これに対し、この実施の形態３では、半導体ウエハ１５の表面に貼り付けられたセパレータ９をバックグラインド保護テープとして用い、半導体ウエハ１５の裏面の研削を実施する。従って、バックグラインド保護テープを半導体ウエハの表面に貼り付ける工程が不要である。これは半導体装置の製造コストおよび材料コストを低減させることができるということを意味する。
【００５１】
実施の形態４
この実施の形態４では、上記実施の形態２の図５（ｃ）に示すようにマスク１８を半導体ウエハ１５から引き離す前に、絶縁性接着剤７をバックグラインド保護テープとして半導体ウエハ１５の裏面の研削（バックグラインド）をする。従って、半導体ウエハ１５の裏面の研削は、上記実施の形態２では図５（ａ）の工程の前に実施されるが、この実施の形態４では図５（ｂ）の工程と図５（ｃ）の工程の間に実施される。
【００５２】
図８は本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程を示す工程図である。なお、図８において、図５と同じものには同じ符号を付してある。
【００５３】
まず、図８（ａ）に示すように、上記実施の形態２の図５（ａ），図５（ｂ）の工程により、半導体ウエハ１５上にマスク１８を介して絶縁性接着剤７を供給する。その後、絶縁性接着剤７が常温にさらされることによって半固型化する。
【００５４】
次に、図８（ｂ）に示すように、絶縁性接着剤７をバックグラインド保護テープとして、バックグラインダ１９によって半導体ウエハ１５の裏面の研削をする。
【００５５】
次に、図８（ｃ）に示すように、マスク１８を半導体ウエハ１５から引き離す。これによって、マスク１８上に供給された絶縁性接着剤７の内、絶縁性接着剤７Ｂ（穴１７内に供給されなかった部分）は、マスク１８とともに半導体ウエハ１５上から取り除かれ、絶縁性接着剤７Ａ（この実施の形態２では、絶縁性接着剤７の内、穴１７内に供給された部分）のみが、半導体ウエハ１５のそれぞれの半導体素子の接着剤形成領域に残される。
【００５６】
なお、これ以降の工程（個々の半導体チップにダイシングする工程および半導体チップをマザーボードにフリップチップボンディングする工程）は、上記実施の形態２と同じである。
【００５７】
このように実施の形態４では、マスク１８を介して半導体ウエハ１５の表面に供給された絶縁性接着剤７をバックグラインド保護テープとして用い、半導体ウエハ１５の裏面の研削を実施する。従って、バックグラインド保護テープを半導体ウエハの表面に貼り付けるという従来の工程が不要である。これは半導体装置の製造コストおよび材料コストを低減させることができるということを意味する。
【００５８】
実施の形態５
この実施の形態５では、上記実施の形態１の図１（ａ）〜図２（ｇＡ），図２（ｇＢ）の工程、または上記実施の形態２の図５の工程によって得られた半導体ウエハ１５を用いて、２チップ積層のマルチチップが製造される。
【００５９】
図９は本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程を示す工程図である。また、図１０は本発明の実施の形態５のマルチチップを備えたＭＣＰ（マルチチップパッケージ）の構造図である。ＭＣＰとは、積層構造の２つ以上の半導体チップ（マルチチップ）を備えた半導体装置である。なお、図９および図１０において、図１、図２、図４、図５と同じものには同じ符号を付してある。
【００６０】
まず、図９（ａ）に示すように、上記実施の形態１の図１（ａ）〜図２（ｇＡ），図２（ｇＢ）の工程、または上記実施の形態２の図５の工程により、各半導体素子１の接着剤形成領域に絶縁性接着剤７Ａが設けられた半導体ウエハ１５が準備される。なお、以下の説明において、半導体ウエハ１５を第１の半導体ウエハとし、第１の半導体ウエハ１５に造り込まれた半導体素子１を第１の半導体素子とする。
【００６１】
ここで、絶縁性接着剤７Ａは、第２の半導体ウエハ２０に造り込まれた第２の半導体素子２１（図９（ｂ）参照）とほぼ同じ大きさで設けられる。従って、第１の半導体素子１の表面の接着剤形成領域１ａ（図２（ｇＢ）および図４（ａＢ）参照）の大きさ、露光マスク１１のＵＶ光遮蔽膜１２（図３参照）の大きさ、およびマスク１８の穴１７の大きさは、第２の半導体素子２１の大きさとほぼ同じである。また、第１の半導体素子１は、上記実施の形態１の図４（ａＡ）に示すように、その表面の周辺部にＡＬ電極パッド８が配置され、中央部に接着剤形成領域１ａが確保されたものである。
【００６２】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１の半導体ウエハ１５の表面に設けられた絶縁性接着剤７Ａを第２の半導体ウエハ２０の裏面に貼り合わせる。
そして、加熱によって、絶縁性接着剤７Ａが溶融する。さらに加熱を継続することによって、絶縁性接着剤７は硬化し、第１の半導体素子１の表面の接着剤形成領域１ａに第２の半導体素子２１の裏面が接着される。
【００６３】
ここで、第２の半導体ウエハ２０には、複数の第２の半導体素子２１が間隔ｄをおいて造り込まれている。第２の半導体素子２１は、絶縁性接着剤７Ａ（第１の半導体素子１の接着剤形成領域１ａ）上に位置し、第２の半導体ウエハ２０の第２の半導体素子２１でない部分２２は、第１の半導体ウエハ１５表面の絶縁性接着剤７Ａが設けられていない領域上に位置する。従って、第２の半導体ウエハ２０の部分２２と第１の半導体ウエハ１５の間は空隙となる。
【００６４】
次に、図９（ｃ）に示すように、第２の半導体ウエハ２０がそのスクライブラインに沿ってダイシングされる。これによって、図９（ｄ）に示すように、第２の半導体ウエハ２０が各第２の半導体チップ２１Ａ（第２の半導体素子２１のチップ）に分離される。このとき、ダイシング装置のダイシングブレード２３は、第２の半導体ウエハ２０の厚さより深く（第２の半導体ウエハ２０の裏面に達し）、かつ第１の半導体ウエハ１５の表面に達しない位置で止まるように動作する。なお、上記のダイシングによって分離された半導体素子２１の間の部分２２は、除去される。
【００６５】
図９（ｃ）に示す、絶縁性接着剤７Ａが硬化したあとの第１の半導体ウエハ１５表面と第２の半導体ウエハ２０裏面の間隔ｔ３は、第１の半導体ウエハ１５をダイシングせずに第２の半導体ウエハ２０のみを確実にダイシングできる範囲内において、マルチチップを薄型化するためにできるだけ薄いことが望ましい。望ましい上記の間隔ｔ３は、例えば３０［μｍ］である。上記の間隔ｔ３が望ましい間隔になるように、絶縁性接着剤７Ａの厚さ、絶縁性接着剤７Ａの溶融および硬化のための加熱条件などが設定される。
【００６６】
次に、図９（ｅ）に示すように、第１の半導体ウエハ１５がそのスクライブラインに沿ってダイシングされる。これによって、図９（ｆ）に示すように、第１の半導体ウエハ１５が各第１の半導体チップ１Ａ（第１の半導体素子１のチップ）に分離される。
【００６７】
以上の工程によって、図９（ｆ）に示すように、第１の半導体チップ１Ａ上に、絶縁性接着剤７Ａを介して第２の半導体チップ２１Ａが積層されたマルチチップが得られる。
【００６８】
このあと、図９（ｆ）に示したマルチチップを用いて、図１０に示すマルチチップパッケージが製造される。例えば、まず、ガラスエポキシ樹脂あるいはポリイミドからなるマザーボード（回路基板）２７の表面に接着剤２４が設けられる。次に、接着剤２４によって、マザーボード２７表面に図９（ｆ）に示したマルチチップの第１の半導体チップ１Ａの裏面が接着される。次に、第１の半導体チップ１Ａ表面および第２の半導体チップ２１Ａ表面のＡＬ電極パッド８と、マザーボード２７表面のボンディングポスト２６とが、金属ワイヤ２５によってボンディングされる。その後、上記のマルチチップおよび金属ワイヤ２５がモールド樹脂２８によってモールドされる。そして、ボンディングポスト２６にスルーホールなどによって接続されている、マザーボード２７裏面の電極に、ハンダ２９が設けられる。
【００６９】
従来のマルチチップ製造工程は、まず第１の半導体ウエハを個々の第１の半導体チップにダイシングするとともに、第２の半導体ウエハを個々の第２の半導体チップにダイシングし、次に個々の半導体チップごとに、第１の半導体チップに第２の半導体チップを積層するというものであった。
【００７０】
これに対し、この実施の形態５のマルチチップ製造工程は、ダイシング前の半導体ウエハ単位で一括して同時に、第１の半導体素子１に第２の半導体素子２１を積層する。このことは、マルチチップ製造工程にかかる時間を短縮することができ、これにより製造コストを低減することができるということを意味する。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の代表的なものによれば、個々の半導体チップにダイシングする前の半導体ウエハに対して一括して同時に、複数の半導体素子の所定領域に絶縁性接着剤を設けることができるので、半導体装置の製造工程にかかる時間を短縮することができるとともに、これにより、製造コストの低減、製造歩留まりを向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す工程図である（その１）。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す工程図である（その２）。
【図３】図１の露光マスク１１の構造図である。
【図４】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す工程図である（その３）。
【図５】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図６】図５のマスク１８の構造図である。
【図７】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図８】本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図９】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図１０】本発明の実施の形態５のマルチチップを用いたマルチチップパッケージの構造図である。
【図１１】従来の半導体装置の製造工程を示す工程図である。
【図１２】図１１（ｃ）の工程を説明する図である。
【符号の説明】
１  半導体素子（第１の半導体素子）、  １ａ  接着剤形成領域、  １Ａ  半導体チップ（第１の半導体チップ）、  ３  マザーボード（回路基板）、  ７，７Ａ，７Ｂ  絶縁性接着剤、  ９  セパレータ、  １１  露光マスク、  １２  ＵＶ光遮蔽膜、  １５  半導体ウエハ（第１の半導体ウエハ）、  １７  穴、  １８  マスク、  ２０  第２の半導体ウエハ、  ２１  第２の半導体素子、  ２１Ａ  第２の半導体チップ。
【図１】
0004757398.tif 000002
【図２】
0004757398.tif 000003
【図３】
0004757398.tif 000004
【図４】
0004757398.tif 000005
【図５】
0004757398.tif 000006
【図６】
0004757398.tif 000007
【図７】
0004757398.tif 000008
【図８】
0004757398.tif 000009
【図９】
0004757398.tif 000010
【図１０】
0004757398.tif 000011
【図１１】
0004757398.tif 000012
【図１２】
0004757398.tif 000013