【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の表面に第１の半導体チップが搭載され，前記基板の第２の表面に複数のバンプが設けられた半導体装置において，
前記基板の第２の表面における，バンプが設けられていない中央の領域に第２の半導体チップを搭載することを特徴とする，半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体チップは，前記基板の第１の表面にフリップチップ接続されていることを特徴とする，請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体チップは，前記基板の第２の表面にフリップチップ接続されていることを特徴とする，請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の半導体チップは，複数の接続端子が設けられた第１の面と，前記第１の半導体チップにおける第１の面と平行する第２の面を有し，前記第１の半導体チップにおける第１の面は，前記基板の第１の表面と対向しており，前記第１の半導体チップにおける第１の面と前記基板の第１の表面との間及び前記第１の半導体チップに設けられた前記複数の接続端子の周囲は樹脂により封止され，前記第１の半導体チップにおける第２の面は露出していることを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体チップは，複数の接続端子が設けられた第１の面と，前記第２の半導体チップにおける第１の面と平行する第２の面を有し，前記第２の半導体チップにおける第１の面は，前記基板の第２の表面と対向しており，前記第２の半導体チップにおける第１の面と前記基板の第２の表面との間及び前記第２の半導体チップに設けられた前記複数の接続端子の周囲は樹脂により封止され，前記第２の半導体チップにおける第２の面は露出していることを特徴とする，請求項１，２，３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板における，前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間に位置する部分には貫通孔が設けられ，前記貫通孔には，前記樹脂が充填されていることを特徴とする，請求項５に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，ＣＳＰ（チップサイズパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などと呼ばれる半導体装置に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の目的は，高密度実装が可能であり，また樹脂封止が容易な半導体装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために，本発明にあっては，基板の第１の表面に第１の半導体チップが搭載され，基板の第２の表面に複数のバンプが設けられた半導体装置において，前記基板の第２の表面における，バンプが設けられていない中央の領域に第２の半導体チップを搭載することを特徴とする，半導体装置が提供される。
例えば，前記第１の半導体チップは，前記基板の第１の表面にフリップチップ接続されている。
また例えば，前記第２の半導体チップは，前記基板の第２の表面にフリップチップ接続されている。
また例えば，前記第１の半導体チップは，複数の接続端子が設けられた第１の面と，前記第１の半導体チップにおける第１の面と平行する第２の面を有し，前記第１の半導体チップにおける第１の面は，前記基板の第１の表面と対向しており，前記第１の半導体チップにおける第１の面と前記基板の第１の表面との間及び前記第１の半導体チップに設けられた前記複数の接続端子の周囲は樹脂により封止され，前記第１の半導体チップにおける第２の面は露出している。
また例えば，前記第２の半導体チップは，複数の接続端子が設けられた第１の面と，前記第２の半導体チップにおける第１の面と平行する第２の面を有し，前記第２の半導体チップにおける第１の面は，前記基板の第２の表面と対向しており，前記第２の半導体チップにおける第１の面と前記基板の第２の表面との間及び前記第２の半導体チップに設けられた前記複数の接続端子の周囲は樹脂により封止され，前記第２の半導体チップにおける第２の面は露出している。
また例えば，前記基板における，前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとの間に位置する部分には貫通孔が設けられ，前記貫通孔には，前記樹脂が充填されている。
基板表面に第１の半導体チップが搭載され，基板裏面に複数のバンプが形成された半導体装置において，前記基板裏面の中央に形成されたバンプの無い領域に第２の半導体チップが搭載されていることを特徴としている。この半導体装置にあっては，基板表面に第１の半導体チップが搭載され，基板裏面に第２の半導体チップが搭載されているので，従来の半導体装置に比べて，同じ実装面積で２倍の高密度実装が可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記基板の表裏面の間で封止樹脂を通過させる貫通孔が，前記基板に設けられていることが好ましい。そうすれば，基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することができるようになる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また，前記基板表面に対する前記第１の半導体チップの電気的な接続及び／又は前記基板裏面に対する前記第２の半導体チップの電気的な接続が，フリップチップ接続であることが好ましい。そうすれば，半導体装置全体の厚さを薄くできるようになる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
基板の表裏面に第１の半導体チップと第２の半導体チップを搭載する工程と，基板表面と第１の半導体チップの間と基板裏面と第２の半導体チップの間を樹脂で封止する工程とを含むことを特徴とする，半導体装置の製造方法が例示される。この製造方法によって，本発明の半導体装置を製造することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
例えば，前記基板表面に対する前記第１の半導体チップの電気的な接続や前記基板裏面に対する前記第２の半導体チップの電気的な接続を，フリップチップ接続で行うことが好ましい。そうすれば，半導体装置全体の厚さを薄くできるようになる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また例えば，前記基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することが好ましい。そうすれば，製造時間短縮とコストダウンがはかれるようになる。この場合，前記樹脂の供給を行わない基板の表面又は裏面において第１の半導体チップの周囲近傍又は第２の半導体チップの周囲近傍を閉塞するための横漏れ防止治具を用いることにより，基板表面と第１の半導体チップの間からの樹脂の漏出又は基板裏面と第２の半導体チップの間からの樹脂の漏出を防ぐことが好ましい。また，前記横漏れ防止治具は，第１の半導体チップの周囲近傍又は第２の半導体チップの周囲近傍に温風を吹き付けることにより樹脂を硬化させるようにしても良い。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また，前記基板裏面と第２の半導体チップの間を樹脂で封止する工程を，半導体装置をマザーボード上に電気的に接続した後に行うようにしても良い。そうすれば，半導体装置の樹脂封止と，半導体装置とマザーボードとの間の樹脂により押さえ込みが同時にでき，封止工程を短縮できる。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば，従来の半導体装置に比べて，同じ実装面積で２倍の高密度実装が可能になる。そして，基板の表裏面のいずれか一方側において樹脂を供給して，基板に設けられた貫通孔に該樹脂を通過させることにより，基板表面と第１の半導体チップの間及び基板裏面と第２の半導体チップの間を同時に樹脂で封止することができるようになる。また，半導体装置全体の厚さを薄くできる。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は，本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の裏面図であり，（ｂ）は，図１（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図４】第３の実施の形態の半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５】第２の半導体チップの周囲近傍を閉塞するための横漏れ防止治具を用いた製造方法の説明図である。
【図６】エア吹き出し口を設けた横漏れ防止治具を用いた製造方法の説明図である。
【図７】製造方法の説明図である。
【図８】図７の製造方法によって製造した半導体装置の断面図である。
【図９】従来の半導体装置の断面図である。