Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置および記録方法、並びに記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク型記録媒体にデータを記録する記録装置において、
各セクタの前記データを複数のフレームデータに分割するとともに、前記フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号を付加して記録データを生成するデータ生成手段と、
前記データ生成手段により生成された前記記録データをセクタごとに前記ディスク型記録媒体に記録するとともに、前記記録データに付加された前記フレーム同期信号と同一の前記フレーム同期信号を有するリンクエリアを前記ディスク型記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録手段により記録される前記記録データのセクタ間に、前記リンクエリアが記録されるように、前記記録手段を制御する制御手段と
を備えることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記記録手段により前記ディスク型記録媒体に記録される前記リンクエリアは、１セクタからなる
ことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記データ生成手段により生成される記録データに付加される前記フレーム同期信号は、複数種類の信号からなり、前記セクタ内において、あらかじめ決められたパターンで前記フレームデータのそれぞれに付加される
ことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記記録手段により前記ディスク型記録媒体に記録される前記リンクエリアは、ポストアンブルデータ、ポストガードデータ、または、Ｓｌｉｃｅ／ＰＬＬデータのうちの少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項３に記載の記録装置。
【請求項５】
前記記録手段により前記ディスク型記録媒体に記録される複数の前記セクタでＥＣＣブロックが構成されるとともに、２つの前記フレームデータで１つの符号系列が完結されるように前記符号系列が付加されている
ことを特徴とする請求項３に記載の記録装置。
【請求項６】
ディスク型記録媒体にデータを記録する記録装置の記録方法において、
各セクタの前記データを複数のフレームデータに分割するとともに、前記フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号を付加して記録データを生成し、
生成された前記記録データをセクタごとに前記ディスク型記録媒体に記録するとともに、前記記録データに付加された前記フレーム同期信号と同一の前記フレーム同期信号を有するリンクエリアを前記ディスク型記録媒体の前記記録データのセクタ間に記録する
ことを特徴とする記録方法。
【請求項７】
データが記録される記録媒体であって、
各セクタの前記データが複数のフレームデータに分割されているとともに、前記フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号が付加されている記録データと、前記記録データに付加された前記フレーム同期信号と同一の前記フレーム同期信号を有するリンクエリアとが記録されているとともに、前記記録データの前記セクタ間に、前記リンクエリアが記録されている
ことを特徴とする記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録装置および記録方法、並びに記録媒体に関し、特に、書き換え可能なディスクに、より高密度にデータを記録または再生することができるようにした、記録装置および記録方法、並びに記録媒体に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の記録装置は、各セクタのデータを複数のフレームデータに分割するとともに、フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号を付加して記録データを生成するデータ生成手段と、データ生成手段により生成された記録データをセクタごとにディスク型記録媒体に記録するとともに、記録データに付加されたフレーム同期信号と同一のフレーム同期信号を有するリンクエリアをディスク型記録媒体に記録する記録手段と、記録手段により記録される記録データのセクタ間に、リンクエリアが記録されるように、記録手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項６に記載の記録方法は、各セクタのデータを複数のフレームデータに分割するとともに、フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号を付加して記録データを生成し、生成された記録データをセクタごとにディスク型記録媒体に記録するとともに、記録データに付加されたフレーム同期信号と同一のフレーム同期信号を有するリンクエリアをディスク型記録媒体の記録データのセクタ間に記録することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項７に記載の記録媒体は、各セクタのデータが複数のフレームデータに分割されているとともに、フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号が付加されている記録データと、記録データに付加されたフレーム同期信号と同一のフレーム同期信号を有するリンクエリアとが記録されているとともに、記録データのセクタ間に、リンクエリアが記録されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の記録装置および請求項６に記載の記録方法においては、各セクタのデータが複数のフレームデータに分割されるとともに、フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号が付加されて記録データが生成され、生成された記録データがセクタごとにディスク型記録媒体に記録されるとともに、記録データに付加されたフレーム同期信号と同一のフレーム同期信号を有するリンクエリアがディスク型記録媒体に記録され、記録される記録データのセクタ間に、リンクエリアが記録されるように記録が制御される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項７に記載の記録媒体においては、各セクタのデータが複数のフレームデータに分割され、フレームデータのそれぞれにフレーム同期信号が付加されている記録データと、記録データに付加されたフレーム同期信号と同一のフレーム同期信号を有するリンクエリアとが記録され、記録データのセクタ間に、リンクエリアが記録される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【発明の効果】
以上の如く、請求項１に記載の記録装置および請求項６に記載の記録方法によれば、データを記録することができ、特に、再生専用のディスクと互換性を保持しつつ、書き換え可能なディスクの容量を増加させることができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
請求項７に記載の記録媒体によれば、データを記録することができ、特に、より高密度にデータを記録することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月16日(2003.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する第１導電型の半導体基板と、
前記主表面から前記半導体基板内に延在し、チャネル形成領域を規定するように間隔をあけて形成された第２導電型の第１と第２の高濃度不純物領域と、
前記チャネル形成領域上に第１の絶縁層を介在して形成されたフローティングゲートと、
前記フローティングゲート上に第２の絶縁層を介在して形成されたコントロールゲートと、
前記第１の高濃度不純物領域を取囲むように前記主表面から前記第１の高濃度不純物領域下にまで延在する第１導電型の不純物領域と、
前記第１の高濃度不純物領域の直下に前記不純物領域と接して形成された第２導電型の第１の低濃度不純物領域とを備え、
前記第１の高濃度不純物領域における前記チャネル形成領域側の側端部は、前記第１の低濃度不純物領域における前記チャネル形成領域側の側端部よりも前記チャネル形成領域側に張り出す、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記コントロールゲートと前記フローティングゲートの側壁を覆うように側壁絶縁層が形成され、
前記第２の高濃度不純物領域直下には第２導電型の第２の低濃度不純物領域が形成され、
前記第１と第２の高濃度不純物領域の前記チャネル形成領域側の側端部は前記フローティングゲート直下に位置し、
前記第１と第２の低濃度不純物領域の前記チャネル形成領域側の側端部は前記側壁絶縁層直下に位置する、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板の主表面上に、第１の絶縁層，フローティングゲート，第２の絶縁層およびコントロールゲートを順次積層してなる積層構造を形成する工程と、
前記積層構造をマスクとして用いて第２導電型の不純物を前記半導体基板内に選択的に注入することにより、前記主表面から前記半導体基板内に延在する第２導電型の第１と第２の高濃度不純物領域を前記積層構造の両側に形成する工程と、
前記積層構造をマスクとして用いて第１導電型の不純物を前記半導体基板内に選択的に注入することにより、前記第１の高濃度不純物領域を取囲むように前記主表面から前記第１の高濃度不純物領域の下にまで延在する第１導電型の不純物領域を形成する工程と、
前記積層構造の側壁を覆うように側壁絶縁層を形成する工程と、
前記積層構造と前記側壁絶縁層とをマスクとして用いて第２導電型の不純物を前記半導体基板内に選択的に注入することにより、前記不純物領域と接するように前記第１の高濃度不純物領域の直下に第２導電型の第１の低濃度不純物領域を形成する工程と、
を備えた、不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の高濃度不純物領域の直下には第２導電型の第２の低濃度不純物領域が形成され、前記第１の低濃度不純物領域を形成する工程は、該第１の低濃度不純物領域の形成と同時に、前記第２の高濃度不純物領域の直下に前記第２の低濃度不純物領域を形成する工程を含む、請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の低濃度不純物領域の形成のための不純物は、前記第１の高濃度不純物領域の形成のための不純物と異なる種類のものであり、
前記第１の低濃度不純物領域の形成のための不純物の拡散係数は、前記第１の高濃度不純物領域の形成のための不純物の拡散係数よりも大きい、請求項３または４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の低濃度不純物領域の形成のための不純物と前記第１の高濃度不純物領域の形成のための不純物の種類は同じであり、
前記第１の低濃度不純物領域の形成のための前記不純物の注入エネルギは、前記第１の高濃度不純物領域の形成のための前記不純物の注入エネルギよりも大きい、請求項３または４に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、主表面を有する第１導電型の半導体基板と、第２導電型の第１と第２の高濃度不純物領域と、フローティングゲートと、コントロールゲートと、第１導電型の不純物領域と、第２導電型の第１の低濃度不純物領域とを備える。第１と第２の高濃度不純物領域は、上記の主表面から半導体基板内に延在し、チャネル形成領域を規定するように間隔をあけて形成される。フローティングゲートは、チャネル形成領域上に第１の絶縁層を介在して形成される。コントロールゲートは、フローティングゲート上に第２の絶縁層を介在して形成される。不純物領域は、第１の高濃度不純物領域を取囲むように主表面から第１の高濃度不純物領域下にまで延在する。第１の低濃度不純物領域は、第１の高濃度不純物領域の直下に上記の不純物領域と接して形成される。そして、第１の高濃度不純物領域におけるチャネル形成領域側の側端部は、第１の低濃度不純物領域におけるチャネル形成領域側の側端部よりもチャネル形成領域側に張り出す。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法では、まず、第１導電型の半導体基板の主表面上に、第１の絶縁層，フローティングゲート，第２の絶縁層およびコントロールゲートを順次積層してなる積層構造を形成する。この積層構造をマスクとして用いて第２導電型の不純物を半導体基板内に選択的に注入することにより、主表面から半導体基板内に延在する第２導電型の第１と第２の高濃度不純物領域を積層構造の両側に形成する。また、積層構造をマスクとして用いて第１導電型の不純物を半導体基板内に選択的に注入することにより、第１の高濃度不純物領域を取囲むように主表面から第１の高濃度不純物領域の下にまで延在する第１導電型の不純物領域を形成する。積層構造の側壁を覆うように側壁絶縁層を形成する。積層構造と側壁絶縁層とをマスクとして用いて第２導電型の不純物を半導体基板内に選択的に注入することにより、不純物領域と接するように第１の高濃度不純物領域の直下に第２導電型の第１の低濃度不純物領域を形成する。なお、上記の積層構造をマスクとして用いることには、半導体基板上に積層構造以外にマスク層を形成し、このマスク層とともに積層構造をマスクとして用いる場合も含まれる。また、第１と第２の高濃度不純物領域は、同時に形成されるものであってもよく、別工程で形成されるものであってもよい。さらに、上記の不純物領域は、第１と第２の高濃度不純物領域のいずれか一方の形成の前後のいずれに形成されるものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
なお、複数の保持体は、各々個別に取付け部に取り付けてもよく、また複数個の保持体を、それぞれのフランジ部が同一平面上に広がるようにして一体化して保持ブロックを構成し、この状態において保持体を取付け部に取り付けるようにしてもよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
傘立て本体１０は、金属製の角パイプなどによって構成された底枠１４および一対の横枠１２からなる。各横枠１２は、上辺部１２ａが底枠に対して傾斜状とされており、これらの横枠１２が起立状に互いに対向配置され、各々の上辺部１２ａどうしが、たとえば互いに３本のフレーム材１３によって繋げられている。各フレーム材１３は、一定間隔隔てた平行状に、かつ上下に位置ずれして配置されており、これらのフレーム材１３によって、上辺部１２ａの傾斜に対応した傾斜状の取付け部１１が設定されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
筒状部２１の内面には、筒状部２１の軸方向に延びるようにして、たとえば４つのリブ２１ａが設けられている。傘挿入孔２４は、半径方向に広がる平面に対して傾斜状に、すなわち筒状部２１を斜めに切断した恰好で形成されている。このため、フランジ部２２は、筒状部２１の半径方向に広がる平面に対して傾斜状に突出形成されている。また、平面視においては、フランシ部２２が全体として矩形状を呈するように形成されている。このような保持体２０は、隣り合う保持体２０のフランジ部２２どうしにおいて一体化されており、保持ブロック２全体としても平面視において矩形状とされている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000225050.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドットを所定の解像度で２次元的に配列された画素ごとに形成して印刷媒体上に画像を印刷する印刷装置であって、
前記配列の一の方向の最大幅が他の方向の最大幅よりも小さい扁平ドットを形成可能なヘッドと、
前記画像のデータを前記解像度で設定する設定手段と、
該設定されたデータに基づいて前記ヘッドを駆動して、前記解像度でドットを形成するドット形成手段とを備え、
前記解像度は、
前記一の方向においては、該方向のドットの間隔が、前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない範囲で設定され、
前記他の方向においては、該方向のドットの間隔が前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない範囲、かつ前記一の方向の解像度よりも低い範囲で設定された解像度である印刷装置。
【請求項２】
前記ヘッドは、前記扁平ドットを面積が最大のドットとして、面積の異なる２種類以上のドットを形成可能なヘッドである請求項１記載の印刷装置。
【請求項３】
請求項１記載の印刷装置であって、
前記ヘッドを一方向に往復動する主走査手段と、
該往復動とは交差する方向に前記印刷媒体を前記ヘッドに対して相対的に移動する副走査手段とを備え、
前記往復動の方向は、前記他の方向であり、
前記相対的な移動の方向は、前記一の方向である印刷装置。
【請求項４】
請求項１記載の印刷装置であって、
前記他の方向における解像度は、さらに、全画素のドットのオン・オフを特定するデータ量が印刷速度に基づいて定められた所定値以下となる範囲で設定された解像度である印刷装置。
【請求項５】
前記扁平ドットは、一画素に対して前記ヘッドを複数回駆動して形成されるドットである請求項１記載の印刷装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記一の方向および他の方向の双方に極端な偏りなく誤差を拡散して行われる誤差誤差拡散法により、前記解像度で構成された各画素ごとにドットのオン・オフを、設定する手段である請求項１記載の印刷装置。
【請求項７】
請求項１記載の印刷装置であって、
印刷媒体ごとに解像度を記憶する記憶手段と、
前記印刷媒体の種類を検出する検出手段とを備え、
前記設定手段における解像度は、前記記憶手段を参照して印刷媒体に応じて設定される解像度である印刷装置。
【請求項８】
ドットを形成して印刷媒体上に画像を印刷するプリンタであって、
配列の一の方向の最大幅が他の方向の最大幅よりも小さい扁平ドットを面積の異なる２種類以上のドットを形成可能なヘッドと、
該ヘッドを駆動して、ドットを所定の解像度で２次元的に配列して形成可能な駆動手段とを有し、
前記所定の解像度は、
前記一の方向においては、該方向のドットの間隔が、前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない解像度であり、
前記他の方向においては、前記一の方向の解像度よりも低く、該方向のドットの間隔が前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない解像度であるプリンタ。
【請求項９】
前記配列の一の方向の最大幅が他の方向の最大幅よりも小さい扁平ドットを面積が最大のドットとして面積の異なる２種類以上のドットを形成可能なヘッドにより、所定の解像度で２次元的に配列された画素ごとにドットを形成して印刷媒体上に画像を印刷する印刷方法であって、
（ａ）前記画像のデータを前記解像度で設定する工程と、
（ｂ）該設定されたデータに基づいて前記ヘッドを駆動して、前記解像度でドットを形成する工程とを備え、
前記解像度は、
前記一の方向においては、該方向のドットの間隔が、前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない範囲で設定され、
前記他の方向においては、該方向のドットの間隔が前記扁平ドットの該方向の最大幅を超えない範囲、かつ前記一の方向の解像度よりも低い範囲で設定された解像度である印刷方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月6日(2003.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム入出力（ＩＯ）機能ブロックと非同期転送モード（ＡＴＭ）機能ブロックとの間のデータ転送の調和をとる方法であって、
（ａ）システム入出力機能ブロックからＡＴＭ機能ブロックへのデータの読取りを要求する第１の信号をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップと、
（ｂ）転送すべきデータに関係する位置情報をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップと、
（ｃ）データを読み取る要求を肯定する第２の信号をシステム入出力機能ブロックからＡＴＭ機能ブロックに供給するステップと
を含み、ステップ（ｂ）がステップ（ｃ）から独立しており、システム入出力機能ブロックは第１クロックに同期し、ＡＴＭ機能ブロックは第１クロックのクロック早さとは異なる早さの第２クロックに同期し、第１及び第２信号は第２クロックに同期することを特徴とする方法。
【請求項２】
（ｄ）ＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックへのデータの書込みを要求する第３の信号をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップと、
（ｅ）転送すべきデータに関係する位置情報をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップと、
（ｆ）データを書き込む要求に肯定応答する第４の信号をシステム入出力機能ブロックからＡＴＭ機能ブロックに供給するステップと
をさらに含み、ステップ（ｅ）がステップ（ｆ）から独立し、ステップ（ａ）ないし（ｃ）がステップ（ｄ）ないし（ｆ）から独立していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｄ）システム入出力機能ブロックからデータを読み取り、ＡＴＭ機能ブロックにデータを供給するステップをさらに含み、データを読み取るステップがステップ（ａ）ないし（ｃ）とは非同期的であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｅ）ＡＴＭ機能ブロックに配置されたデータをシステム入出力機能ブロックに書き込むステップをさらに含み、書込みステップが、ステップ（ｄ）に並行して行われることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
最後のデータ・ワードがシステム入出力機能ブロックから読み取られたことを示す最後の読取り信号をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
最後のデータ・ワードがシステム入出力機能ブロックに書き込まれたことを示す最後の書込み信号をＡＴＭ機能ブロックからシステム入出力機能ブロックに供給するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
データを転送するインタフェースであって、
第１のバッファと第２のバッファとを有するシステム入出力機能ブロックと、
システム入出力機能ブロックからＡＴＭ機能ブロックへのデータの読取りを要求する第１の信号をシステム入出力機能ブロックに供給し、転送すべきデータに関係する位置情報もシステム入出力機能ブロックに供給するＡＴＭ機能ブロックとを備え、
システム入出力機能ブロックが、データを読み取る要求を肯定する第２の信号をＡＴＭ機能ブロックに供給し、位置情報が第２の信号の提供とは独立に供給され、
システム入出力機能ブロックは第１クロックに同期し、ＡＴＭ機能ブロックは第１クロックのクロック早さとは異なる早さの第２クロックに同期し、第１及び第２信号は第２クロックに同期することを特徴とするインタフェース。
【請求項８】
非同期転送モード・ネットワークにおいてデータを転送するシステムであって、
ホスト・プロセッサと、
ホスト・プロセッサに結合されたメモリと、
ホスト・プロセッサに結合されたシステム入出力バスと、
インタフェースとを備え、このインタフェースが、
システム入出力バスに結合され、第１のバッファと第２のバッファとを有するシステム入出力機能ブロックと、
システム入出力機能ブロックに結合され、システム入出力機能ブロックからＡＴＭ機能ブロックへのデータの読取りを要求する第１の信号をシステム入出力機能ブロックに供給し、転送すべきデータに関係する位置情報もシステム入出力機能ブロックに供給するＡＴＭ機能ブロックとを備え、
システム入出力機能ブロックが、データを読み取る要求を肯定する第２の信号をＡＴＭ機能ブロックに供給し、位置情報が第２の信号の提供とは独立に供給され、
システム入出力機能ブロックは第１クロックに同期し、ＡＴＭ機能ブロックは第１クロックのクロック早さとは異なる早さの第２クロックに同期し、第１及び第２信号は第２クロックに同期することを特徴とするシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1997265439.tif 000001
【図２】
1997265439.tif 000002
【図３】
1997265439.tif 000003
【図４】
1997265439.tif 000004
【図５】
1997265439.tif 000005
【図６】
1997265439.tif 000006
【図７】
1997265439.tif 000007
【図８】
1997265439.tif 000008
【図９】
1997265439.tif 000009
【図１０】
1997265439.tif 000010
【図１１】
1997265439.tif 000011
【図１２】
1997265439.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月29日(2003.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体材料界面を少なくとも２つ備え、前記少なくとも２つの界面に情報が与えられまたは与えられ得る、少なくとも１つの固体材料特性の局部変調によって前記情報がストアされ、前記少なくとも２つの界面での電磁放射の特性反射は前記固体材料特性に依存し、
前記２つの固体材料界面の間に少なくとも１つの中間層をさらに備え、前記中間層は前記放射を透過し、前記情報は、予め定められた波長の放射を用いて前記固体材料界面のうちの少なくとも１つから読出可能であり、前記中間層は少なくとも１つの層を有する誘電層システムを含み、前記層システムは、少なくとも第１の近似ではｍ・λｏ  ／４である光学的厚さを有し、ここで、ｍは整数で、少なくとも１および奇数であり、λｏ  は前記誘電層システムの前記少なくとも１つの誘電層を透過する前記放射の波長を示し、前記ｍを、整数から最大０．６分だけ減らすかまたは最大０．２分だけ増やしてもよい、情報キャリア。
【請求項２】
前記誘電層システムは少なくとも主にＳｉｘ  Ｃｙ  およびＳｉｖ  Ｎｗ  のうちの少なくとも１つからなる、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項３】
前記局部変調される特性は、前記固体材料界面のうちの少なくとも１つを規定する固体材料体の厚さである、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項４】
前記情報の供給および前記情報の読出のうちの少なくとも１つのための電磁放射は、４００  ｎｍ≦λｓ  ≦８００  ｎｍの波長帯域内の波長を有する、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項５】
前記波長帯域は、  ６３０  ｎｍ≦λｓ  ≦６５５  ｎｍであり、より特定的には、６３３  ｎｍ≦λｓ  ≦６５０  ｎｍである、請求項４に記載の情報キャリア。
【請求項６】
前記固体材料界面のうちの少なくとも１つの反射率は、前記放射が予め定められた波長を有する場合２０％以上４０％以下である、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項７】
前記反射率は、前記固体材料界面のうちの第１の固体材料界面での第１の波長と、第２の固体材料界面での第２の波長とに対して有効であり、前記第１の固体材料界面での前記第２の波長の放射の反射率は前記第１の波長の放射の反射率よりもかなり少ない、請求項６に記載の情報キャリア。
【請求項８】
前記第１の波長は約６３５ｎｍまたは約６５０ｎｍである、請求項７に記載の情報キャリア。
【請求項９】
前記中間層は、前記第１および第２の波長のうちの一方の波長の４分の１の少なくともほぼ奇数倍でありかつ前記第１および第２の波長のうちの他方の波長の４分の１の少なくともほぼ偶数倍である光学的厚さを有する少なくとも１つの誘電層を含む、請求項７に記載の情報キャリア。
【請求項１０】
前記第２の波長は約７８５ｎｍである、請求項７に記載の情報キャリア。
【請求項１１】
前記第１の固体材料界面での前記第２の波長での前記放射の前記反射率は１０％以下である、請求項７に記載の情報キャリア。
【請求項１２】
（ａ）  前記中間層の屈折率ｎ１  が、
２．５９≦ｎ１  ≦４．６  であること、および
（ｂ）  前記中間層の消衰係数ｋが、
ｋ３００ｎｍ  ≦３．０  より特定的にはｋ３００ｎｍ  ≦１．５  、および／または
ｋ３５０ｎｍ  ≦２．７  、および／または
ｋ６００−７００ｎｍ  ≦０．５  のうちの少なくとも１つであること、
のうちの少なくとも１つが有効である、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項１３】
前記中間層はスペーサ層を含む、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項１４】
前記スペーサ層は、ラッカーおよび接着剤のうちの少なくとも１つからなる、請求項１３に記載の情報キャリア。
【請求項１５】
前記固体材料界面のうちの１つは、前記中間層とプラスチック材料との間、前記中間層とスペーサ層との間、または前記中間層と高反射被覆層との間に形成される、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項１６】
（ａ）  前記プラスチック材料がポリカーボネートおよびＰＭＭＡのうちの１つであること、
（ｂ）  前記スペーサ層が少なくとも主にラッカーおよび接着剤のうちの少なくとも１つからなること、および
（ｃ）  前記高反射被覆層が少なくとも主にＡｌ、ＡｕおよびＡｇのうちの少なくとも１つからなること、
のうちの少なくとも１つが有効である、請求項１５に記載の情報キャリア。
【請求項１７】
前記高反射被覆層は少なくとも主にＡｌからなる、請求項１６に記載の情報キャリア。
【請求項１８】
前記固体材料界面のうちの１つはラッカー表面に形成される、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項１９】
前記ラッカーは紫外線によって硬化可能である、請求項１８に記載の情報キャリア。
【請求項２０】
前記中間層は少なくとも１つの半導体ドーピング材料を含む、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２１】
前記ドーピング材料はボロンおよびリンのうちの少なくとも１つである、請求項２０に記載の情報キャリア。
【請求項２２】
前記中間層は、Ｃを含み、Ｃを含む別の材料とともに前記固体材料界面のうちの少なくとも１つを形成する、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２３】
４００  ｎｍ≦λｓ  ≦５００  ｎｍの青色スペクトル範囲での放射によって、前記情報の読出および書込のうちの少なくとも１つが行なわれる、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２４】
前記中間層の、前記キャリア中の隣接する固体材料への付着は、エイチ・パルカーによる「ガラス上のコーティング」、エルセビア、１９８４、ｐ．３５８  に規定されるようなＭＩＬ−Ｍ−１３５０８ＣおよびＭＩＬ−Ｃ−００６７５Ｂに従ったテストのうちの少なくとも１つに耐える、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２５】
キャリア基板の一方側に少なくとも３つの前記固体材料界面が設けられる、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２６】
円形のキャリアの直径が１２０ｍｍの場合、キャリア基板の１面当たりの情報記憶容量は少なくとも１１Ｇバイトである、請求項１に記載の情報キャリア。
【請求項２７】
前記記憶容量は１３Ｇバイトである、請求項２６に記載の情報キャリア。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月7日(2003.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像編集装置及び方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を再生する画像再生手段と、
前記再生画像に対する所望の色操作を表わす表現を含む音声信号の入力を可能とする音声認識ユーザインタフェースと、
前記音声認識インタフェースから出力された認識結果を解釈する解釈手段と、
前記解釈手段に応答して、ユーザが必要とする色操作を行うべく、前記再生画像の１つ以上の部分の色を変化させる変化手段とを備えることを特徴とする画像編集装置。
【請求項２】
前記画像再生手段は表示装置を備え、当該装置は、変化されるべき表示画像の１つ以上の領域を指定する指定手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像編集装置。
【請求項３】
前記指定手段は、変化されるべき領域を移動するポインティングデバイスであり、前記変化手段は、前記ポインティングデバイスによってたどられる画素の色相値の統計的特徴を決定し、決定された統計的特徴と類似する色相値を有する画像のすべての画素の色相値を変化させることを特徴とする請求項２に記載の画像編集装置。
【請求項４】
前記変化手段は、前記ポインティングデバイスによってたどられた画素の平均値および標準偏差値を決定し、該決定された平均値を中心とした該決定された標準偏差の範囲内にある色相値を有する当該画像内のすべての画素を、前記変化手段によって変化させることを特徴とする請求項３に記載の画像編集装置。
【請求項５】
色相変化の量が、所望の色変化の色相値に依存することを特徴とする請求項３または４記載の画像編集装置。
【請求項６】
ユーザの発声に従って音声信号を入力し、入力された音声信号を音声認識処理により認識し、該音声認識処理の認識結果を解釈することにより色操作に関する入力を取得し、該取得された色操作に関する入力に応じて表示画面上に表示された画像の色を変化させることを特徴とする画像編集方法。
【請求項７】
前記表示画面上に表示された画像の中からユーザによって指示された画像の色を変化させることを特徴とする請求項６に記載の画像編集方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様による画像編集装置は、画像を再生する画像再生手段と、前記再生画像に対する所望の色操作を表わす表現を含む音声信号の入力を可能とする音声認識ユーザインタフェースと、前記音声認識インタフェースから出力された認識結果を解釈する解釈手段と、前記解釈手段に応答して、ユーザが必要とする色操作を行うべく、前記再生画像の１つ以上の部分の色を変化させる変化手段とを備える。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の他の態様による画像編集方法は、ユーザの発声に従って音声信号を入力し、入力された音声信号を音声認識処理により認識し、該音声認識処理の認識結果を解釈することにより色操作に関する入力を取得し、該取得された色操作に関する入力に応じて表示画面上に表示された画像の色を変化させる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月4日(2003.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
図柄等を表示する表示装置と、遊技の制御を行う主制御基板と、その主制御基板から送信される制御用コマンドに基づいて前記表示装置により図柄の変動表示を行わせる表示用制御基板とを備えた遊技機の制御装置において、
停止図柄の指定を変動表示が開始した後に行っても、その指定した停止図柄で変動表示を終了させることを特徴とする遊技機の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面を有した研磨テーブルと、研磨対象物を保持しかつ研磨対象物を前記研磨面に押圧する少なくとも二個のトップリングとを有した研磨処理部を備え、
前記少なくとも二個のトップリングはそれぞれ揺動軸により支持され、研磨テーブル上で研磨対象物の研磨を行う研磨位置と研磨対象物を受け渡しする受け渡し位置との間を移動可能になっており、前記少なくとも二個のトップリングは前記研磨位置に同時に位置することができることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
前記研磨面のドレッシングを行うドレッサーを備えたことを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項３】
前記トップリングおよびドレッサー毎に液体供給用のノズルが設けられていることを特徴とする請求項２記載のポリッシング装置。
【請求項４】
前記受け渡し位置にはトップリングとの間で研磨対象物の受け渡しを行うためのロードアンロード兼用プッシャが配置されていることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項５】
一つのロードアンロード兼用プッシャと一つのトップリングを対応させ、その組合せを一つの研磨テーブルに対し２組以上持つことを特徴とする請求項４記載のポリッシング装置。
【請求項６】
一つのロードアンロード兼用プッシャで二つのトップリングとの間で、研磨対象物を受け渡し可能としたことを特徴とする請求項４記載のポリッシング装置。
【請求項７】
第一のトップリングが前記研磨位置で研磨している最中に、第二のトップリングが前記受け渡し位置で研磨対象物を受け取った後待機し、第一のトップリングによる研磨終了と同時に、第二のトップリングによる研磨を行うことができる第一の研磨方法と、第一のトップリングが前記研磨位置で研磨している最中に、第二のトップリングが前記研磨位置で第二の研磨対象物の研磨を行うことができる第二の研磨方法を選択可能であることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項８】
前記第二の研磨方法において、第一のトップリングと第二のトップリングで異種材料を表面に有した研磨対象物を研磨し、第二のトップリングによる第二の研磨時間が第一のトップリングによる第一の研磨時間と同じかそれより短いことを特徴とする請求項７記載のポリッシング装置。
【請求項９】
複数の研磨処理部を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、研磨面を有した研磨テーブルと、研磨対象物を保持しかつ研磨対象物を前記研磨面に押圧する少なくとも二個のトップリングとを有した研磨処理部を備え、前記少なくとも二個のトップリングはそれぞれ揺動軸により支持され、研磨テーブル上で研磨対象物の研磨を行う研磨位置と研磨対象物を受け渡しする受け渡し位置との間を移動可能になっており、前記少なくとも二個のトップリングは前記研磨位置に同時に位置することができることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数色のカラーフィルタが所定のピッチをもって形成された基板の表面側に対してフレキソ印刷により塗膜を形成するフレキソ印刷工程を有する電気光学装置の製造方法において、
前記フレキソ印刷工程で用いたアニロックスローラの表面に形成されているメッシュのピッチ、当該アニロックスローラから転写された塗液を前記基板に転写する凸版において凸部表面に形成されているメッシュのピッチ、および前記カラーフィルタにおける同色のカラーフィルタのピッチのうち、少なくとも２つのピッチが略同一寸法であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記アニロックスローラのメッシュのピッチ、前記凸版の前記凸部表面に形成されているメッシュのピッチ、および前記の同色のカラーフィルタのピッチのいずれもが略同一寸法であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記塗膜は、前記基板を前記電気光学装置に用いたとき、電気光学物質の配向状態を制御する配向膜であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記電気光学装置に用いる前記基板の表面側にフレキソ印刷により前記塗膜を形成する前に、ダミー基板に対して前記塗膜をフレキソ印刷によって形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の少なくとも片面に、微粒子を含有する樹脂皮膜層であって、かつ表面に微粒子によって形成されている微細凹凸形状を有する樹脂皮膜層からなる光拡散層が形成されている光拡散性シートにおいて、当該光拡散性シートのヘイズ値が４０％以上であって、かつＪＩＳ  Ｋ７１０５における０．５ｍｍ幅の光学くしで測定した像鮮明性が３５以上であることを特微とする光拡散性シート。
【請求項２】
微粒子が有機系微粒子であることを特徴とする請求項１記載の光拡散性シート。
【請求項３】
樹脂皮膜層が紫外線硬化型樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光拡散性シート。
【請求項４】
樹脂皮膜層がチクソトロピー剤を含有していることを特微とする請求項１〜３のいずれかに記載の光拡散性シート。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光拡散性シートの樹脂皮膜層の凹凸形状表面に、樹脂皮膜層の屈折率よりも低い屈折率の低屈性率層が設けられていることを特徴とする光拡散性シート。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の光拡散性シートが、光学素子の片面又は両面に設けられていることを特徴とする光学素子。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の光拡散性シート、または請求項６記載の光学素子が用いられていることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、透明基板の少なくとも片面に、微粒子を含有する樹脂皮膜層であって、かつ表面に微粒子によって形成されている微細凹凸形状を有する樹脂皮膜層からなる光拡散層が形成されている光拡散性シートにおいて、当該光拡散性シートのヘイズ値が４０％以上であって、かつＪＩＳ  Ｋ７１０５における０．５ｍｍ幅の光学くしで測定した像鮮明性が３５以上であることを特微とする光拡散性シート。。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記光拡散性シートにおいて、樹脂皮膜層に含有される微粒子は有機系微粒子であることが好ましい。また、樹脂皮膜層が紫外線硬化型樹脂により形成されていることが好ましい。さらには、樹脂皮膜層がチクソトロピー剤を含有していることが好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
微細凹凸構造表面を有する樹脂皮膜層２は、透明基板１上に、図１のように樹脂皮膜層２に微粒子３を分散含有させて微細凹凸構造を付与する方法により形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
当該樹脂皮膜層２を形成する樹脂としては微粒子３の分散が可能で、樹脂皮膜層形成後の皮膜として十分な強度を持ち、透明性のあるものを特に制限なく使用できる。前記樹脂としては熱硬化型樹脂、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、二液混合型樹脂などがあげられるが、これらのなかでも紫外線照射による硬化処理にて、簡単な加工操作にて効率よく光拡散層を形成することができる紫外線硬化型樹脂が好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月22日(2004.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及び投射型表示装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に設けられた電気光学物質と、
前記一対の基板の一方に形成された画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
前記画素電極に対応して設けられた蓄積容量と、
前記蓄積容量の容量電極の内の下電極と上電極の少なくとも一方として設けられた光吸収層と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記光吸収層は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する主材料を主材とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記光吸収層は、導体化したシリコン膜からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆って、前記蓄積容量より上層に設けられた遮光層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光層は、前記上電極の直上に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光層は、金属を含む膜からなることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記光吸収層の一方は、前記蓄積容量における容量線の側の電極からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記容量線は、画像表示領域内で前記データ線に交差する方向に伸びるストライプ状に形成されており且つ前記画像表示領域の周辺に位置する周辺領域で定電位源に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記容量線は、前記周辺領域で相互に接続されており、前記定電位源に対して一又は複数のコンタクトを介して複数まとめて接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記容量線は、前記周辺領域で相互に接続されており、前記定電位源に対して複数のコンタクトを介して冗長的に接続されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記遮光層は、容量線からなり、
前記光吸収層の他方は、画素毎に島状に分断された容量電極からなることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記遮光層は、
前記薄膜トランジスタに接続されており第１方向に夫々伸びる複数のデータ線と、
前記画素電極に接続されており前記第１方向に交差する第２方向に夫々伸びる複数の容量線と
からなることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記基板上における前記薄膜トランジスタの下側に配置されており前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆う他の遮光層を備えたことを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記他の遮光層と前記薄膜トランジスタとの間に配置されており前記薄膜トランジスタのチャネル領域を形成する主材料を主材とする他の光吸収層を更に備えたことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記遮光層は、前記光吸収層よりも熱伝導率が高いことを特徴とする請求項４から１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記薄膜トランジスタと前記光吸収層との層間距離は、前記光吸収層と前記遮光層との層間距離よりも大きいことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記遮光層は、前記光吸収層上に絶縁膜を介して積層され且つ前記光吸収層よりも平面的に見て一回り大きく形成されることを特徴とする請求項４から１７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
光源と、
クレーム１から１７のいずれか１つの電気光学装置でなるライトバルブと、
前記光源から発光した光を前記ライトバルブに導光する導光部材と、
前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部材と
を有することを特徴とする投射型表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、前記一対の基板間に設けられた電気光学物質と、
前記一対の基板の一方に形成された画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、
前記画素電極に対応して設けられた蓄積容量と、
前記蓄積容量の容量電極の内の下電極と上電極の少なくとも一方として設けられた光吸収層と、
を備える。
さらに本発明の電気光学装置によれば、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を覆って、前記蓄積容量より上層に設けられた遮光層をさらに備える。
さらに本発明の電気光学装置によれば、前記遮光膜は、前記上電極の直上に設けられている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（３）本発明の電気光学装置の他の態様では、前記光吸収層は、導体化したシリコン膜からなる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の電気光学装置は、前記光吸収層の少なくとも一層は、前記蓄積容量における容量線の側の層からなる。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光層は、容量線からなり、前記光吸収層の少なくとも一層は、画素毎に島状に分断された容量電極からなる。
（７）前記遮光膜が上側に配置された態様では、前記遮光層は、データ線と前記薄膜トランジスタとの間に配置された容量線からなり、前記光吸収層は、前記容量線に誘電体膜を介して対向配置され且つ画素毎に島状に分断された容量電極からなってもよい。