【手続補正書】
【提出日】平成16年1月26日(2004.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、該複数の層の各々をパターニングするために用いられるレジストの露光工程で、前記基板本体を複数の露光領域に分割して、前記レジストを露光する工程を有する薄膜積層基板の製造方法であって、
前記複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、
前記複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第２の継ぎ目とを異なる位置とし、
前記相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、前記相隣接する露光領域の第２の継ぎ目との離間距離を５ｍｍ以上とすることを特徴とする薄膜積層基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、該複数の層の各々をパターニングするために用いられるレジストの露光工程で、前記基板本体を複数の露光領域に分割して、前記レジストを露光する工程を有する薄膜積層基板の製造方法であって、
前記複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、  
前記複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第２の継ぎ目とを異なる位置とし、
前記複数の各層を形成する際に、露光工程において、前記各露光領域を露光するために使用するマスクとして、パターン幅に分布があるものを用いることを特徴とする薄膜積層基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割される露光領域の数は、前記複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割される露光領域の数より多いことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜積層基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割される露光領域の数は、前記複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割される露光領域の数と等しいことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の薄膜積層基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数の層から、２端子型素子又は３端子型素子が構成されてなることを特徴とする請求項１から請求項４までにいずれか１項記載の薄膜積層基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数の層が、２端子型素子の第１の導電膜と第２の導電膜であることを特徴とする請求項５記載の薄膜積層基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜のうち一方がタンタル膜もしくはタンタル合金膜、もう一方がクロム膜であることを特徴とする請求項６記載の薄膜積層基板の製造方法。
【請求項８】
少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、
該複数の層をパターニングするために用いるレジストの露光工程で、前記基板本体を複数の露光領域に分割して前記レジストが露光される薄膜積層基板であって、
前記複数の層のうち任意の１層の露光領域の第１の継ぎ目と、
前記複数の層のうち他層の露光領域の第２の継ぎ目とが異なる位置であり、
前記第１の継ぎ目と、前記第２の継ぎ目との離間距離を５ｍｍ以上であることを特徴とする薄膜積層基板。
【請求項９】
少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、
該複数の層をパターニングするために用いるレジストの露光工程で、前記基板本体を複数の露光領域に分割して前記レジストが露光される薄膜積層基板であって、
前記複数の層のうち任意の１層の露光領域の第１の継ぎ目と、
前記複数の層のうち他層の露光領域の第２の継ぎ目とが異なる位置であり、
前記複数の各層が、前記各露光領域において、パターン幅に分布を有するものであることを特徴とする薄膜積層基板。
【請求項１０】
前記複数の層が、２端子型素子又は３端子型素子の層であることを特徴とする請求項９又は請求項１２に記載の薄膜積層基板。
【請求項１１】
前記複数の層が、２端子型素子の第１の導電膜と第２の導電膜であることを特徴とする請求項１０記載の薄膜積層基板。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１までのいずれか１項記載の薄膜積層基板を備えることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
請求項８から請求項１２までのいずれか１項記載の薄膜積層基板を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明が講じた手段は、少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、該複数の層がレジストの露光工程において、前記基板本体を複数の露光領域に分割して分割露光することにより形成されてなる薄膜積層基板の製造方法において、前記複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、前記複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割された前記複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第２の継ぎ目とを異なる位置に配置することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
そして、前記相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、前記相隣接する露光領域の第２の継ぎ目との離間距離を５ｍｍ以上とすることを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、前記複数の各層を形成する際に、露光工程において使用するマスクがパターン幅に分布を有している場合に有効である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記の手段によれば、複数の層をフォトリソグリソフィー法により形成する際に、パターン幅に分布を有するマスクを用いて、分割露光を行う場合においても、複数の層のうち任意の１層を形成する際に、露光工程において分割された複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第１の継ぎ目と、複数の層のうち他層を形成する際に、露光工程において分割された複数の露光領域のうち、相隣接する露光領域の第２の継ぎ目とを異なる位置に配置することにより、基板本体上において、同じ位置ですべての層のパターン幅が大きく変化することを防止することができるので、継ぎ目近傍における性能の劣化を防止することができる薄膜積層基板の製造方法を提供することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以上の薄膜積層基板の製造方法により、少なくとも基板本体と、該基板本体上にフォトリソグラフィー法により形成される複数の層とを有し、該複数の層がレジストの露光工程において、前記基板本体を複数の露光領域に分割して露光されてなる薄膜積層基板において、前記複数の層のうち任意の１層の露光領域の第１の継ぎ目と、前記複数の層のうち他層の第２の継ぎ目とが異なる位置に配置されたことを特徴とする薄膜積層基板を提供することができる。この薄膜積層基板は、継ぎ目近傍において性能が向上されたものとなる。