【手続補正書】
【提出日】平成15年7月22日(2003.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置、電気光学装置の製造方法並びにＴＦＴアレイ基板、電気光学装置、液晶プロジェクタ及び電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように配置された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に配置されたデータ線と、
前記データ線を含む前記平坦化膜を覆うように配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記平坦化膜上に配置された遮光膜と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように配置され凹部を有する第１絶縁膜と、前記凹部に配置され前記第１絶縁膜の表面と同一平面を成すデータ線と、
前記データ線を含む前記第１絶縁膜を覆うように配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜と
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光膜の幅は、前記凹部の幅より広いことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記半導体層と前記画素電極との間に介在し、前記半導体層と電気的に接続され且つ前記画素電極と電気的に接続された、前記遮光膜と同一膜からなる導電層とを更に具備することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように配置された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に配置されたデータ線と、
前記データ線を含む前記平坦化膜を覆うように配置された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記平坦化膜上に配置された遮光膜と
を具備することを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆うように配置され凹部を有する第１絶縁膜と、前記凹部に配置され前記第１絶縁膜の表面と同一平面を成すデータ線と、
前記データ線を含む前記第１絶縁膜を覆うように配置された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に配置された画素電極と、
前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜と
を具備することを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項７】
光源と、
前記光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を有するライトバルブと、
前記ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段と、
を具備したことを特徴とする液晶プロジェクタ。
【請求項８】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子の上に絶縁層を介して遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜上に第１絶縁膜を形成し、平坦化する工程と、
前記第１絶縁膜に選択的に凹部を形成する工程と、
前記凹部内にデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを有し、
前記遮光膜は少なくとも前記凹部と対向するように形成されてなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜は、ＣＭＰ法（ケミカルメカニカルポリッシング法）により形成されてなることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記遮光膜を、前記凹部の幅よりも広い幅で形成することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子の上層に絶縁層を介して遮光膜及び該遮光膜と同一膜からなる導電膜を形成する工程と、
前記遮光膜上に第１絶縁膜を形成し、平坦化する工程と、
前記第１絶縁膜上にデータ線を形成する工程と、
前記データ線上に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第２絶縁膜に形成されたコンタクトホール及び前記導電層を介して前記スイッチング素子に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを有し、
前記遮光膜は少なくとも前記凹部と対向するように形成されてなることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２絶縁膜を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うように配置された平坦化膜と、前記平坦化膜上に配置されたデータ線と、前記データ線を含む前記平坦化膜を覆うように配置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置された画素電極と、前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記平坦化膜上に配置された遮光膜とを具備することを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の電気光学装置は、基板と、前記基板上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆うように配置され凹部を有する第１絶縁膜と、前記凹部に配置され前記第１絶縁膜の表面と同一平面を成すデータ線と、前記データ線を含む前記第１絶縁膜を覆うように配置された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に配置された画素電極と、前記データ線に沿って配置され、前記画素電極の端部と重なり合うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜とを具備することを特徴とする。このような構成とすることにより、基板表面のデータ線による凹凸を小さくすることができ、データ線を挟んで隣り合う画素電極間領域に生じる液晶の配向不良度合いを小さくすることができ、更に表示品位を向上させるという効果を有する。更に、画素電極を覆うように液晶を配向させるための配向膜を形成する場合に、配向膜形成時のラビング処理の際に、配向膜の表面平滑性が高くなるため、ラビング処理による配向不良を小さくすることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記半導体層と前記画素電極との間に介在し、前記半導体層と電気的に接続され且つ前記画素電極と電気的に接続された、前記遮光膜と同一膜からなる導電層とを更に具備することを特徴とする。このような構成によれば、画素電極と半導体層との間に導電層を設けることにより、画素電極と半導体層とを１つのコンタクトホールにより直接接続する場合と比べ、コンタクトホール形成時に半導体層を突き破ることを防止できるという効果を有する。更に、この導電層を遮光膜と同一膜で形成することにより製造工程を削減できる。また、導電層を半導体層と重なり合うように形成することにより、電気光学装置に入射する光が半導体層に入射しないためバリア層として、導電層を用いることができる。また、導電層と平面的に重なりあうように絶縁膜を介して別の導電層を配置することにより、蓄積容量を設けることもできる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の液晶プロジェクタは、光源と、前記光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す、前記電気光学装置を有するライトバルブと、前記ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段と、を具備したことを特徴とする。このような構成によれば、表示品位の高い液晶プロジェクタを得るという効果を有する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上にスイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチング素子の上に絶縁層を介して遮光膜を形成する工程と、  前記遮光膜上に第１絶縁膜を形成し、平坦化する工程と、前記第１絶縁膜に選択的に凹部を形成する工程と、前記凹部内にデータ線を形成する工程と、前記データ線上に第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続されるように画素電極を形成する工程とを有し、前記遮光膜は少なくとも前記凹部と対向するように形成されてなることを特徴とする。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のかかる構成によれば、データ線が第１絶縁膜の凹部内に埋め込まれるように形成できる。従って、たとえデータ線上に画素電極の端部が重なるように配置されたとしても、データ線が凹部に形成されているため、データ線が突出することを防ぎ、画素電極の端部はデータ線上でも凹凸を緩和させることができる。従って、本発明を液晶装置に適用した場合、画素電極の端部での液晶の配向不良を抑えることができる。また、遮光膜が凹部に対向して形成されているため、画素電極の端部の液晶の配向不良を遮光膜で隠すことができ、表示品位を向上させることができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第１絶縁膜は、  ＣＭＰ法（ケミカルメカニカルポリッシング法）により形成されてなることを特徴とする。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のかかる構成によれば、第１絶縁膜はＣＭＰ法により平坦度の高い絶縁膜を形成することができる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記遮光膜を、前記凹部の幅よりも広い幅で形成することを特徴とする。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第２絶縁膜を平坦化する工程を有することを特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のかかる構成によれば、第２絶縁膜も平坦化膜からなるため、その上に形成される画素電極をさらに平坦に形成することができ、画素電極の段差に起因する配向不良を抑えることができ、表示品位を向上させることができる。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図３、図４に示すように、本実施形態の液晶装置ではデータ線６ａは第２層間絶縁膜４と第３層間絶縁膜７との間に配設されている。この例では第２層間絶縁膜４は例えばＣＭＰ法（ケミカルメカニカルポリッシング法）などにより平坦化処理され、データ線６ａはこの平坦化された第２層間絶縁膜上に形成されている。第３層間絶縁膜７はこのデータ線６ａなどの導電層に起因して凹凸を有し、この凹凸上に配設される画素電極９ａ、配向膜１６も、第３層間絶縁膜７の形状に追随した凹凸を有している。例えば、配向膜１６の凹凸領域１６ｂおよびこの近傍領域は、ラビング不良となりやすく液晶層５０の配向不良が生じることになる。