Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月19日(2003.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の箱材を折り曲げて該箱材を所定の形状に形成する組箱の組立て方法において、
折り曲げた箱材の折り曲げ片を、該箱材に形成したヒンジ機構を有する舌片を利用して前記折り曲げ片の先端部を支持することにより固定するようにしたことを特徴とする組箱の組立て方法。
【請求項２】
箱材の折り曲げ時に互いに係合可能なロック穴とロック爪を備え、これらロック穴と前記ロック爪を利用して前記箱材を所定の形状に形成する組箱の組立て方法であって、
前記ロック穴の縁部に前記舌片を予め形成しておき、
前記舌片を利用して前記ロック爪を支持するようにしたことを特徴とする請求項１記載の組箱の組立て方法。
【請求項３】
シート状の箱材が折り曲げられて所定の形状に形成される組箱において、
折り曲げられた箱材の折り曲げ片が、その先端部を該箱材に形成されたヒンジ機構を有する舌片で支持されて固定されてなることを特徴とする組箱。
【請求項４】
箱材の折り曲げ時に互いに係合可能なロック穴とロック爪を備え、これらロック穴と前記ロック爪を利用して所定の形状に形成される組箱であって、
前記ロック穴の縁部に前記舌片を形成したことを特徴とする請求項３記載の組箱。
【請求項５】
前記舌片は前記ロック穴から延びる一対の切り込みとこれらの切り込みの終端間の支持部とにより形成されることを特徴とする請求項４記載の組箱。
【請求項６】
前記ロック爪は、組立てられた際にその先端が該ロック穴部外周面と同じかあるいは該ロック穴部外周面の内側に位置してなることを特徴とする請求項４または５記載の組箱。
【請求項７】
前記舌片は、少なくとも前記箱材の組立て時に前記折り曲げ片を支持することを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載の組箱。
【請求項８】
前記舌片のヒンジ機構は、該舌片を形成する切り込み終端間の支持部により構成されることを特徴とする請求項３から７のいずれかに記載の組箱。
【請求項９】
前記舌片は、その先端部側の幅がその支持部側の幅より幅広であることを特徴とする請求項３から８のいずれかに記載の組箱。
【請求項１０】
前記舌片は、台形状又は半円状であることを特徴とする請求項９記載の組箱。
【請求項１１】
内部に空間を形成するように折り曲げられる折り曲げ片を備えるものにおいて、
前記内部に空間を形成する折り曲げ片の先端にスペーサ片を設け、該スペーサ片を周囲の壁面に向けてその先端が該壁面とほぼ接するように折り返してなることを特徴とする請求項３から１０のいずれかに記載の組箱。
【請求項１２】
前記折り曲げ片の先端部が、組立てられた際に前記組箱の底面の内側に位置してなるものであることを特徴とする請求項３記載の組箱。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月10日(2003.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
繊維強化複合材料の表面を溶射法により耐紫外線被覆材を被覆したことを特徴とする紫外線耐性を有する繊維強化複合材料製搬送用部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月30日(2003.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナ手段とプリンタ手段とを具備する画像形成装置において、
上記スキャナ手段が出力する第１の画像データを記憶する記憶手段と；
上記第１の画像データを上記スキャナ手段により読み取った際に検知した特定情報に対応する第２の画像データを検索する検索手段と；
上記記憶手段に記憶した上記第１の画像データと、上記検索手段により検索された上記第２の画像データとを、記録用紙に画像形成させるように上記プリンタ手段を制御する制御手段と；
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記特定情報は、所定の一定の法則で配列され、上記第１の画像データ内に存在する情報であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記特定情報は、上記第１の画像データの中に存在するバーコード情報であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１項において、
上記第１の画像データと上記第２の画像データとは、縮小されて、記録用紙上に記録されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１項において、
上記第１の画像データは、上記記録用紙における第１の面に記録され、上記第２の画像データは、上記記録用紙における第１の面とは異なる第２の面に記録されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項において、
上記第２の画像データは、企業の広告画像データであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、スキャナ手段とプリンタ手段とを具備する画像形成装置において、上記スキャナ手段が出力する第１の画像データを記憶する記憶手段と、上記第１の画像データを上記スキャナ手段により読み取った際に検知した特定情報に対応する第２の画像データを検索する検索手段と、上記記憶手段に記憶した上記第１の画像データと、上記検索手段により検索された上記第２の画像データとを、記録用紙に画像形成させるように上記プリンタ手段を制御する制御手段とを有することを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月27日(2003.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図示の如く、２足歩行ロボット（以下「ロボット」という）１は左右それぞれの脚部（脚部リンク）２に６個の関節を備える（理解の便宜のために各関節をそれを駆動する電動モータで示す）。６個の関節は上から順に、股（腰部）の脚部回旋（回転）用の関節１０Ｒ，１０Ｌ（右側をＲ、左側をＬとする。以下同じ）、股（腰部）のロール方向（Ｘ軸まわり）の関節１２Ｒ，１２Ｌ、股（腰部）のピッチ方向（Ｙ軸まわり）の関節１４Ｒ，１４Ｌ、膝部のピッチ方向の関節１６Ｒ，１６Ｌ、足首のピッチ方向の関節１８Ｒ，１８Ｌ、同ロール方向の関節２０Ｒ，２０Ｌから構成される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図中に実線で表示された足平２２Ｒ（Ｌ）は、床反力を受けていないときの状態を示す。床反力を受けると、コンプライアンス機構４２においてばね機構３８と足底弾性体４０がたわみ、足平は図中に点線で表示された位置姿勢に移る。この構造は、着地衝撃を緩和するためだけでなく、制御性を高めるためにも重要なものである。尚、その詳細は特開平５−３０５５８４号に記載されているので、詳細な説明は省略する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３９６】
第１の実施の形態の積分ゲインＫｄｂｅｓｔｍに対して、第２の実施の形態の積分ゲインＫｄｂｅｓｔｍ’を
Ｋｄｂｅｓｔｍ’＝  Ｋｄｂｅｓｔｍ  ／  Ｃ・・・式２７
とすることにより、第１の実施の形態とほぼ同一の特性を持つ両脚間床傾斜偏差推定部１３８ａが得られる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３９９】
先ず、目標歩容の第１足平傾斜角を求め、これから想定第１足平床傾斜を減じたもののＸ成分を、想定第１足平干渉角Ｘ成分θ１ｉｎｔｃｍｄｘとする。次に、次式により前述の推定第１足平干渉角のＸ成分θ１ｉｎｔｘを求める。
θ１ｉｎｔｘ  ＝θ１ｘ’＋θｅｒｒｘ−θｆ１ｅｓｔｍｘ  ＋θ１ｉｎｔｃｍｄｘ・・・式２８


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１                            ２足歩行ロボット（脚式移動ロボット）
２                            脚部（脚部リンク）
１０，１２，１４Ｒ，Ｌ        股関節
１６Ｒ，Ｌ                    膝関節
１８，２０Ｒ，Ｌ              足関節
２２Ｒ，Ｌ                    足平（足部）
２４                          上体
２６                          制御ユニット
３４                          ６軸力センサ
３６                          傾斜センサ
４２                          コンプライアンス機構
６０                          第１の演算装置
６２                          第２の演算装置
１００                        歩容生成器
１０２                        目標床反力分配器
１０４                        姿勢安定化制御演算部
１０８                        実各足平床反力検出器
１１０                        ロボット幾何学モデル
１１２                        変位コントローラ
１１４                        複合コンプライアンス動作決定部
１３０，１３０ａ              床形状推定器
１３２（１３２ａ，１３２ｂ）  加算器
１３４，１３４ａ              機構コンプライアンスモデル
１３８，１３８ａ              両脚間床傾斜偏差推定部
１４０，１４０ａ              両脚間床傾斜偏差推定中断器
１４４，１４４ａ              足平床傾斜偏差推定部
１４６，１４６ａ              足平床傾斜偏差推定中断器
２００                        分布圧センサ
２０２                        接触センサ


【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2001322076.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2001322076.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月5日(2003.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、この反応で用いるメタノールの量はアルキレンナフタレンジカルボキシレート単位を含む重合体および／またはそのアルキレングリコール解重合生成物の重量を基準として２〜２５倍とすることが必要であり、好ましくは４〜１０倍である。この範囲にあるときには、エステル交換反応の平衡がナフタレンジカルボン酸ジメチル発生側に大きく移動し、且つ再結晶操作時に冷却した際にメタノールに溶解するナフタレンジカルボン酸ジメチル量も少ないので、高純度ナフタレンジカルボン酸ジメチルの結晶を高収率で得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月28日(2003.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば特開平６−２６５７２２号に示すように、従来の波長可変光フィルタ装置は、基板上に２種類の異なる屈折率を有する誘電体薄膜を交互に積層した多層膜を形成し、誘電体多層膜フィルタ素子とする。そして選択波長を変化させるために、誘電体多層膜の所定方向に沿って物理膜厚に傾斜分布を持たせる。このフィルタ素子を移動ステージ上に配置し、膜厚の変化する方向に移動自在とする。こうすれば、入射光信号に対してその透過光信号は移動ステージの位置に従い、連続的な波長可変性を示す。従来の波長可変光フィルタ装置において波長範囲λ1 からλ2 の範囲で波長可変性を実現するには、誘電体多層膜フィルタ素子の可動範囲において物理膜厚比（λ2 ／λ1 ）の傾斜分布を持たせればよい。例えば、光通信分野で使用される波長１５００ｎｍから１５３０ｎｍに渡り波長可変性を実現するには、膜厚分布比は可動範囲で最大１．０２（＝１５３０ｎｍ／１５００ｎｍ）あればよい。また移動方向の動作範囲が５０ｍｍの場合、１ｍｍあたりの波長可変率は０．６ｎｍに相当することが分かる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらこのような従来の方式では、以下の欠点があった。
（１）次数が２以上のマルチキャビティ構造の狭帯域バンドパスフィルタは、２ｍｍ角程度のチップ形状のフィルタとしては市販されているが、１次元方向に波長可変性を有する波長可変光フィルタは実現されていない。これは、狭帯域になればなるほど、異なる２種類の誘電体薄膜からなる誘電体多層膜フィルタの各薄膜層の膜厚比を均一に成膜することが要求されるからである。成膜プロセス中に膜厚分布が蒸着面積内で変化するために、波長可変光フィルタの可動部全域に渡り設計通りのフィルタ特性を具備させることが困難となっている。従って一般的にシングルキャビティのバンドパスフィルタに使用が制限される。単一キャビティで選択度が不十分な場合には、同一の単一キャビティ波長可変フィルタ装置を直列に複数台接続して、光信号の分離特性を向上させる必要がある。
（２）長手方向に膜厚勾配をもつ短冊形状の誘電体多層膜フィルタ素子を可動ステージで位置制御して波長可変性を実現するため、装置が大型化せざるを得ない。
（３）機械的に誘電体多層膜フィルタ素子を移動する必要があるため長期にわたる信頼性が劣る。
（４）波長可変速度は可動ステージの手動マイクロメータないしはモータでの駆動速度により制限されるため、応答特性は遅く、波長を変化するために１秒以上を要する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこのような従来に問題を解消するためになされたもので、機械的可動部のない高速で高性能な小型の波長可変光フィルタ装置を実現することを目的とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明では、機械的に可動部のない波長可変フィルタを実現するために、圧電アクチュエータを使用して誘電体多層膜の膜厚を一律に変化させることによって波長を変化させることとする。まず弾性効果による変形について、図２を用いて説明する。今、等方な３次元の物質におけるフックの法則によると、Ｘ，Ｙ及びＺの各方向に生じる歪み成分（strain）εX ，εY ，εZ は次式で表すことができる。
εX ＝αＴ＋［σX −ν（σY ＋σZ ）］／Ｅ    （１）
εY ＝αＴ＋［σY −ν（σZ ＋σX ）］／Ｅ    （２）
εZ ＝αＴ＋［σZ −ν（σX ＋σY ）］／Ｅ    （３）
ここで、αは熱膨張係数、Ｔは温度、σX ，σY ，σZ は応力成分（stress）である。νはポアソン比（Poisson ’s ratio ）、Ｅはヤング率(Elasticity of Modulus) である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
今、熱膨張効果（αＴ）は除いて、Ｙ方向より応力σY を印加する場合を考える。この場合（１）、（２）、（３）式は次式のように書き直せる。
εX ＝−（ν／Ｅ）σY     （４）
εY ＝  （１／Ｅ）σY     （５）
εZ ＝−（ν／Ｅ）σY     （６）
これらの式は、さらに、
εX ＝εZ＝−νεY        （７）
と書き表せる。
従って、図２に示すようにεY の圧縮歪みはＸ，Ｚ方向には（７）式で表せる大きさの膨張歪みとなって現れることが分かる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本願の請求項１〜３の発明によれば、従来のリニアスライド方式に比べて数ｍｍ角のチップ形状の誘電体多層膜フィルタ素子を使用することができ、スライド機構も不要となる。そして小型の圧電アクチュエータを使用するので、小型化が可能になる。更に任意の膜構造を有する通常の誘電体多層膜フィルタ素子を使用することができる。従って必要に応じてマルチキャビティ構造を用いることができ、より高性能な狭帯域特性を有することができる。成膜工程で基板上に膜厚勾配や屈折率分布を形成する必要がなく、成膜工程での精密な波長合わせが不要となり、歩留りが向上する。機械的可動部がないので長期に渡り信頼性に優れている。圧電アクチュエータは高速応答性に優れており、機械的振動等ノイズの発生がなく、ミリ秒程度の従来より速い応答性が得られる。更に装置構造が簡便なので安価になるという効果も得られる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
更に本願の請求項２の本発明によれば、バンドパスフィルタ、特に次数２以上の狭帯域バンドパスフィルタに対しても波長可変性を有し、小型で機械的可動部のない信頼性の高い高速応答可能な波長可変バンドパスフィルタを実現することができる。このため本発明の波長可変光フィルタ装置によれば、長期信頼性の要求されている光通信分野での使用に好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
該導電性弾性ローラー３０１（ａ）−２は、芯金上に可撓性部材としてのゴムあるいは発泡体の中抵抗層を形成することにより作成される。中抵抗層はウレタン等の樹脂、カーボンブラック等の導電性粒子からなる帯電粒子、硫化剤、発泡剤等により処方され、芯金の上にローラー状に形成後必要に応じて切削、表面研磨して作成することができる。該ローラー表面は導電性微粉体を介在させるために平均セル径が５〜３００μｍの微少なセルまたは凹凸を有していることが好ましい。該窪みを空隙部としたローラー部材表面の空隙率が１５〜９０％である事が好ましい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
同様にウレタンゴムを発砲させた導電性弾性ローラーや、シリコーンゴムを含有する導電性弾性ローラー等、種々の材質からなる弾性ローラーを、該帯電部材１０３として作成した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月9日(2003.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
しかして、本第２実施例によれば、前側の光ファイバー対Ｐ１間の光の導通と後側の光ファイバー対Ｐ３間の光の導通とが同時に許容されれば、レーダー装置Ｓｒの軸線Ｌの上下方向角度が所定の基準範囲内にあることが確認される。また前側の光ファイバー対Ｐ１間の光の導通が遮断されて後側の光ファイバー対Ｐ３間の光の導通が許容されれば、前記基準範囲を超えて軸線Ｌが上向きになっていることが確認され、逆に後側の光ファイバー対Ｐ３間の光の導通が遮断されて前側の光ファイバー対Ｐ１間の光の導通が許容されれば、前記基準範囲を超えて軸線Ｌが下向きになっていることが確認される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
尚、浮き部材３６が大きく前方に移動したときに二対の光ファイバー対Ｐ１，Ｐ３間の光の導通が共に許容され、かつ浮き部材３６が大きく後方に移動したときに二対の光ファイバー対Ｐ１，Ｐ３間の光の導通が共に許容されると、軸線Ｌの角度が正常であるのか、軸線Ｌが上向きに傾斜しているのか、軸線Ｌが下向きに傾斜しているのか識別できなくなるため、本第２実施例では浮き部材３６の前後方向の移動可能範囲を制限し、その移動により二対の光ファイバー対Ｐ１，Ｐ３間の光の導通が共に許容される状態が発生しないようにする必要がある。即ち、図１３において、ｃ＜ａ＜ｂとなるように設定すれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封入液を具備する差圧測定装置において、
前記差圧測定装置に設けられ前記封入液を加熱あるいは冷却しこの封入液の内圧を一時的に変化させる加熱冷却手段と、
この加熱冷却手段の動作時に生じる出力変化のパターンを差圧測定装置の正常時と比較し差圧測定装置の異常を検知する検知手段と
を具備したことを特徴とする差圧測定装置。
【請求項２】
導圧管を介して差圧測定装置本体に接続され受圧ブロックを有するダイアフラムシールユニットと、
前記受圧ブロックに設けられた加熱冷却室と前記受圧ブロックに設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備した事を特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項３】
導圧管を介して差圧測定装置本体に接続されるダイアフラムシールユニットと、
このダイアフラムシールユニットを測定対象物に取付ける取付けフランジと、
この取付けフランジと前記ダイアフラムシールユニットとの間に挟持された加熱冷却ブロックと、
この加熱冷却ブロックに設けられた加熱冷却室と前記加熱冷却ブロックに設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備した事を特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項４】
導圧管を介して差圧測定装置本体に接続されるダイアフラムシールユニットと、
このダイアフラムシールユニットに一面が接して設けられたアダプタブロックと、
このアダプタブロックの前記ダイアフラムシールユニットに接する面に設けられた凹部と、
この凹部の底面に設けられ前記アダプタブロックとアダプタ室を構成するアダプタダイアフラムと、
前記ダイアフラムシールユニットに設けられ前記凹部に挿入される凸部と、
この凸部の頂面に設けられ前記アダプタダイアフラムと板面状の接続封入液室を構成する接液ダイアフラムと、
前記接続封入液室に満たされた接続部封入液と、
前記アダプタブロックの前記ダイアフラムシールユニットに接する面に対向する面に設けられこの対向する面とアダプタ接液室を構成するアダプタ接液ダイアフラムと、
前記アダプタブロックに設けられ前記アダプタ室と前記アダプタ接液室とを連通するアダプタ連通孔と、
前記アダプタ室と前記アダプタ接液室と前記アダプタ連通孔とに満たされたアダプタ封入液と、
前記ダイアフラムシールユニットに設けられた加熱冷却室と前記ダイアフラムシールユニットに設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備した事を特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項５】
一方端側が差圧測定装置本体の一方の本体ダイアフラムを覆い一方の本体ダイアフラムと受圧室を構成するカバーブロックと、
このカバーブロックの他方端側に設けられた取付けフランジと、
この取付けフランジに設けられこの取付けフランジと接液室を構成する接液ダイアフラムと、
前記カバーブロックと前記取付けフランジとに設けられ前記受圧室と前記接液室とを導通する導通孔と、
この導通孔と前記受圧室と前記接液室とに満たされた導通孔封入液と、
前記取付けフランジに設けられた加熱冷却室と取付けフランジに設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備した事を特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項６】
差圧測定装置本体に設けられた加熱冷却室と前記差圧測定装置本体に設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備した事を特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項７】
導圧管を介して差圧測定装置本体に接続されるダイアフラムシールユニットと、
前記差圧測定装置本体に設けられた加熱冷却室と前記差圧測定装置本体に設けられこの加熱冷却室に熱媒体を導入する熱媒体導入管とを有する加熱冷却手段と
を具備したことを特徴とする請求項１記載の差圧測定装置。
【請求項８】
前記熱媒体として、電気ヒータが使用されたこと
を特徴とする請求項１乃至請求項７の何れかに記載の差圧測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明では、請求項１の差圧測定装置においては、
封入液を具備する差圧測定装置において、
前記差圧測定装置に設けられ前記封入液を加熱あるいは冷却しこの封入液の内圧を一時的に変化させる加熱冷却手段と、この加熱冷却手段の動作時に生じる出力変化のパターンを差圧測定装置の正常時と比較し差圧測定装置の異常を検知する検知手段とを具備したことを特徴とする差圧測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】追加
【補正の内容】
【請求項２】
多角形もしくは円形の枠に、複数の突起物を取り付け、それぞれの突起物に、ゴム管を差し込み、また同時に釣針付きのハリスを、ゴム管に通し、突起物の付け根に釣針付きのハリスを取り付け固定し、また、枠に道糸とつながる糸を取り付けた、複数のハリスに釣針を取り付けた釣り仕掛け。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月7日(2003.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この理由は、スピネル型ＬｉＭｎ2Ｏ4粒子と複合させるＬｉ2Ｍｎ2Ｏ4粒子もスピネル骨格を有しているので、両者を複合化させてもその界面はスピネル骨格を有する粒子同士なので、リチウムイオンの移動においても両者の結晶構造が崩れることがないためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月6日(2004.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の非水電解液二次電池が集積された蓄電池群と、蓄電池群で発生した異常発熱を検知するための異常発熱検知手段と、異常発熱を低減させるための手動式異常発熱低減手段とを備えたことを特徴とする蓄電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、複数の非水電解液二次電池が集積された蓄電池群と、蓄電池群で発生した異常発熱を検知するための異常発熱検知手段と、異常発熱を低減するための手動式異常発熱低減手段とを備えたことを特徴とする蓄電池装置の発明により、上記課題を解決するものである。また、その装置に異常発熱電池を特定するための異常発熱電池特定手段を備えることによっても上記課題を解決するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明にかかる蓄電池装置によれば、そのような電池の異常発熱を自動的に検知し、手動で異常発熱低減手段を作動させることができ、最小限の異常発熱や火災事故に止めることができる。また、この蓄電池装置を備えた産業設備は極めて安全性が改良されたものとなり、電力貯蔵用設備や、電気自動車・航空機及び宇宙空間航行機・船舶及び潜水航行船等の移動体などに好適である。異常発熱低減手段が自動式で作動する場合、異常発熱低減手段が誤作動すると同時に異常発熱低減手段が作動してしまい、蓄電池自体には異常がなかったにもかかわらず、異常発熱低減手段から放出された消化剤等により二次的に蓄電池が損傷を受ける可能性がある。仮にこのような事態に至った場合、実施例に記載した潜水航行船等や航空機の場合には致命的な事故に至る恐れがある。従って、異常発熱が実際に起こっているかどうかを確認した上で、手動で異常発熱低減手段を作動させる構成の有用性は非常に高い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
蓄電池群２１で電池の異常発熱が発生すると，異常発熱検知手段２２で検知され、異常発熱発生警報が、乗組員のいる警報装置２３に伝達される。異常発熱発生情報を認知した乗務員が起動操作手段２４のスイッチをいれると、電気信号が異常発熱低減手段用アクチュエータ２５に伝わり、異常発熱低減手段２６を作動させることにより、異常発熱低減活動が行われる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
電池異常発熱が検知された場合、あるいは異常発熱電池が特定された場合、手動で異常発熱低減手段が起動される。起動操作手段２４としては、例えば、プッシュスイッチ、キーロックスイッチ、シーソスイッチ、スライドスイッチ等を用い、これらを、有人移動体（例えば、電気自動車、宇宙空間航行機、船舶、潜水航行船等）の場合には操縦席に設置すればよいし、電力貯蔵用などの産業施設においては集中管理室に設置すればよい。起動信号は電気信号や無線信号などの形で異常温度低減手段のアクチュエーター２５に伝達される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明に係る蓄電池装置は、複数の非水電解液二次電池が集積された蓄電池群と、蓄電池群で発生した異常発熱を検知するための異常発熱検知手段と、手動式異常発熱低減手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質が導電性基体に保持された電極を備える非水電解液電池において、導電性基体表面に導電性基体よりも高い抵抗値を有する抵抗体層が形成され、前記抵抗体層の抵抗値が０．１〜１００Ω・ｃｍ 2であることを特徴とする非水電解液電池。
【請求項２】
前記抵抗体層の厚さが０．００１〜０．２ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の非水電解液電池。
【請求項３】
前記抵抗体層の比抵抗が２０Ωｃｍ〜１ＭΩｃｍであることを特徴とする請求項１もしくは２記載の非水電解液電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月7日(2004.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質を備えた電極を製造する第１の工程と、前記電極に高分子を保持させる第２の工程とを備え、前記第２の工程が、液体の状態で前記高分子に対して難溶解性である物質を、気体叉は液体として含む雰囲気中でおこなわれることを特徴とする電池用電極の製造法。
【請求項２】
第２の工程において、高分子を含む混合液を用いて電極に前記高分子を保持させることを特徴とする、請求項１記載の電池用電極の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
活物質を備えた電極を製造する第１の工程と、前記電極に高分子を保持させる第２の工程とを備え、前記第２の工程が、液体の状態で前記高分子に対して難溶解性である物質を、気体叉は液体として含む雰囲気中でおこなわれることを特徴とする電池用電極の製造法である第１の発明。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の発明において、第２の工程が、電極に保持された高分子に対して難溶性である液体を電極に保持された高分子に対して難溶性である液体を、気体叉は液体として０．１Ｗｔ％以上含む気体雰囲気中でおこなわれることが好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明において、第２の工程において、電極に保持された高分子に対して難溶性である液体が水であることが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の発明に係り、第２の工程において、高分子を含む混合液を用いて電極に前記高分子を保持させることを特徴とする第２の発明。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１もしくは第２の発明に係り、第１の工程により製造された電極の活物質層は有孔性であり、第２の工程により電極に保持された高分子は前記活物質層の孔中に保持されたものであることが好ましい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１もしくは第２の発明に係り、第２の工程において、電極に保持される高分子がポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリビニルスルホンもしくはポリイミド叉はそれらを主成分とする共重合体を含むことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の発明に係り、第２の工程において、高分子を含む混合液を用いて電極に前記高分子を保持させ、前記混合液がＮ−メチル−２−ピロリドン叉はジメチルホルムアミドを含むことが好ましい。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明による電池用電極の製造法は、活物質を備えた電極を製造する第１の工程と、前記電極に高分子を保持させる第２の工程とからなり、前記第２の工程が、液体の状態で前記高分子に対して難溶解性である物質を、気体叉は液体として含む雰囲気中でおこなわれることを特徴とする。つまり、本発明においては、高分子に対して難溶解性である物質を含まない、高分子を含む混合液を電極に塗布するために、高濃度の高分子混合液を電極に塗布することができる。そして、液体の状態で前記高分子に対して難溶解性である物質を、気体叉は液体として含む雰囲気中において、電極上の高分子混合液に、高分子に対して難溶解性である物質を浸透させる。そうすることによって、電極上の高分子混合液中の高分子の溶解度が低下し、混合液中の高分子鎖は、広がった場合よりも球状の方が安定に存在することができるようになる。その結果として、高分子鎖同士の絡み合いが減少し、混合液の粘度が大幅に低下して、活物質層の孔中に十分に深く、高分子を含む混合液を充填することができる。この場合、電極上の高分子混合液中の高分子の溶解度の低下による高分子の析出には時間がかかるために、高分子が固体として析出する前に高分子混合液を活物質層の孔中に挿入することができる。また、高分子混合液が活物質層の孔中に浸入する前に高分子が固体として析出する場合であっても、その際には、活物質層の孔に対して十分小さい大きさの粒子として高分子が析出するために、高分子を活物質層の孔中に十分に充填することができる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明による電池用電極の製造法は、活物質を備えた電極を製造する第１の工程と、前記電極に高分子を保持させる第２の工程とを備え、前記第２の工程が、液体の状態で前記高分子に対して難溶解性である物質を、気体叉は液体として含む雰囲気中でおこなわれることを特徴とし、電極の活物質粒子間の電子伝導性を十分に保ちながら、活物質層中に十分に深く均一に多量の高分子を充填することを可能にする。結果として、本発明による電極を備えた電池は、活物質層の孔中の遊離な電解液量を減らすことができる。従って、リチウム電池などにおける、釘刺しなどの電池の安全性試験の際に、最も発熱連鎖反応の開始しやすい活物質層内において、発熱連鎖反応の開始を抑止する効果が得られる。以上述べたように、本発明による電池用電極を用いることによって、より安全性に優れる電池を製作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子を保持させた電池用電極の製造法であって、有孔性活物質層を備えた電池用電極と、高分子と前記高分子に対して難溶解性である液体とを含む混合液とを用い、前記活物質層の孔中に前記混合液を保持させることを特徴とする電池用電極の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造法により製造された電極を備えた電池。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月12日(2003.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質を備えた電極を製造する第１の工程と、前記電極に高分子を保持させる第２の工程と、高分子を保持させた前記電極を所定の厚さに加工する第３の工程とを備えたことを特徴とする電極の製造法。
【請求項２】
第２の工程と第３の工程との間、もしくは第３の工程の後に、電解液によって高分子を湿潤させ高分子電解質とする工程を備えたことを特徴とする請求項１記載の電極の製造法。
【請求項３】
請求項１もしくは２記載の製造法により製造した電極を有することを特徴とする電池。
【請求項４】
請求項１もしくは２記載の製造法により製造した電極を有し、電極に保持させた高分子を電解質として機能させることを特徴とする電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明において、第３の工程における加工手段がプレス装置であることが好ましい。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の発明にかかり、第１の工程と第２の工程との間、もしくは第２の工程と第３の工程との間に、電解液によって高分子を湿潤させ高分子電解質とする工程を備えたことを特徴とする第２の発明。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第１もしくは２の発明にかかり、第１の工程により製造された電極の活物質は有孔性であり、第２の工程により電極に保持された高分子は前記活物質の孔中に保持されたものであることが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
第１もしくは２の発明にかかり、電極に保持された高分子が有孔性であることが好ましい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１もしくは２の発明にかかり、高分子を溶解した第１の溶媒を前記高分子に対し不溶性かつ第１の溶媒と相溶性のある第２の溶媒で置換することにより、電極に保持された高分子を有孔性とすることを特徴とすることが好ましい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第１もしくは２の発明により製造した電極を有する電池である第３の発明。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１もしくは２の発明により製造した電極を有し、電極に保持させた高分子を電解質として機能させることを特徴とする電池である第４の発明。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第３もしくは４の発明にかかる電池が非水電解質電池もしくはリチウム電池であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電源を受電しこれを整流する整流回路と、
この直流出力電圧を高周波の交流に変換するインバータと、
このインバータの出力電圧を昇圧する高電圧変圧器と、
この高電圧変圧器の出力を整流してＸ線管に印加する高電圧整流回路と、
目標管電圧を入力しこれと前記Ｘ線管の実際の管電圧が一致するように前記インバータを制御するＸ線制御装置と、
を備えてなるインバータ式Ｘ線高電圧装置において、
上記Ｘ線制御装置はＸ線曝射の動作中に制御ループのゲインを切り替える手段を制御ループ内に具備し、
該ゲイン切り替え手段は、管電圧の立ち上がりから立ち下がり完了までの時間を少なくとも二つ以上の時間領域に分割し、かつ各時間領域ごとに所定のゲインとなるようゲイン切り替えすること
を特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【請求項２】
上記Ｘ線の曝射条件制御の制御ループを、アナログ量であるインバータ入力電圧検出信号とＸ線管電圧検出信号とをディジタル量に変換するＡ／Ｄ変換器を含み、かつ上記変換されたディジタル信号を内蔵のマイクロプロセサにより処理された各信号と操作卓により設定された曝射条件とを比較し、上記整流回路、インバータ、Ｘ線曝射条件を制御する制御信号を予め設定されたプログラムで構成されたソフトウエアにより発生させるＸ線制御回路と、
上記ディジタル信号である制御信号を、整流回路、インバータの各回路の動作を制御するゲート回路、ドライブ回路に供給するためのアナログ量に変換するＤ／Ａ変換器とを含む回路で構成したことを特徴とする請求項１に記載のインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、
前記非晶質珪素膜の複数の領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入する工程と、
加熱処理により、前記金属元素が選択的に導入された複数の領域から、前記基板に平行な方向に結晶成長を行わせて結晶性珪素膜を得る工程と、
前記結晶性珪素膜をパターニングして、複数の島状結晶性珪素領域を形成する工程と、
を有し、
前記金属元素が選択的に導入された複数の領域の中の少なくとも１つから結晶成長を行わせることによって結晶性珪素膜を得た領域は、前記複数の島状結晶性珪素領域が形成されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属元素は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Auから選ばれた一種または複数種類のものであることことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記金属元素の導入は、イオン注入法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記金属元素の導入は、前記金属元素が溶解または分散された溶液を塗布して行われること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記金属元素が選択的に導入された複数の領域の中の少なくとも１つから結晶成長を行わせることによって結晶性珪素膜を得た領域は、前記金属元素が選択的に導入された複数の領域の中の別の１つからから結晶成長を行わせることによって結晶性珪素膜を得た領域の、結晶成長状態を制御するために設けられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記金属元素が選択的に導入された複数の領域間の間隔は、等間隔であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記結晶性珪素膜に加熱処理を行って、前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜を除去することにより、前記結晶性珪素膜中の金属元素を減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化を促進させる触媒元素を用いて、温度Ｔ0でのアニールにより横成長法による結晶化をおこなう方法であって、
前記アニールをおこなう時間は、前記触媒元素を用いない条件において、前記非晶質珪素膜が温度Ｔ0において自然結晶化を開始する時間ｔ0の９０％以上１００％未満であることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化を促進させる触媒元素を用いて、温度Ｔ0でのアニールにより横成長法による結晶化をおこなう方法であって、
前記アニールをおこなう時間は、前記触媒元素を用いない条件において、前記非晶質珪素膜が温度Ｔ0において結晶核を発生し始める時間ｔ0の９０％以上１００％未満であることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、該非晶質珪素膜が自然結晶化を開始する際のアニール温度とアニール時間の関係式、
ｔ＝ｆ（Ｔ）  （Ｔ：アニール温度、ｔ：アニール時間）
を得る過程と、
前記非晶質珪素膜に対して、結晶化を促進する触媒元素を用いて横成長させることによって、アニール温度と成長距離に関する関係式、
ｘ＝ｇ（Ｔ，ｔ）  （ｘ：成長距離）
を得る過程と、
目的とする成長距離をｘ0とするとき、上記２つの関係式を満たすアニール時間ｔ0とアニール温度Ｔ0を特定する過程と、
前記アニール温度Ｔ0以下の温度でアニールをおこなうことにより、前記触媒元素を用いた非晶質珪素膜の横成長をおこなう過程と、
を有することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、該非晶質珪素膜が自然結晶化を開始する際のアニール温度とアニール時間の関係式、
ｔ＝ｆ（Ｔ）  （Ｔ：アニール温度、ｔ：アニール時間）
を得る過程と、
前記非晶質珪素膜に対して、結晶化を促進する触媒元素を用いて横成長させることによって、アニール温度と成長距離に関する関係式、
ｘ＝ｇ（Ｔ，ｔ）  （ｘ：成長距離）
を得る過程と、
目的とする成長距離をｘ0とするとき、上記２つの関係式を満たすアニール時間ｔ0とアニール温度Ｔ0を特定する過程と、
前記アニール温度Ｔ0の９０％以上１００％未満の温度で、前記アニール時間ｔ0の９０％以上１００％未満の時間アニールをおこなうことにより、前記触媒元素を用いた非晶質珪素膜の横成長をおこなう過程と、
を有することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇまたはＦｅであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明は、基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化を促進させる触媒元素を用いて、温度Ｔ0でのアニールにより横成長法による結晶化をおこなう方法であって、前記アニールをおこなう時間は、前記触媒元素を用いない条件において、前記非晶質珪素膜が温度Ｔ0において自然結晶化を開始する時間又は結晶核を発生し始める時間ｔ0の９０％以上１００％未満であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化を促進させる触媒元素を用いて横成長法による結晶化をおこなう方法であって、
前記非晶質珪素膜の底面に接触する下地膜または前記基板の表面粗さの二乗平均の平方根が前記非晶質珪素膜の厚さよりも小さいことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質珪素膜を形成し、該非晶質珪素膜が自然結晶化を開始する際のアニール温度とアニール時間の関係式、
ｔ＝ｆ（Ｔ）  （Ｔ：アニール温度、ｔ：アニール時間）
を得る過程と、
前記非晶質珪素膜に対して、結晶化を促進する触媒元素を用いて横成長させることによって、アニール温度と成長距離に関する関係式、
ｘ＝ｇ（Ｔ，ｔ）  （ｘ：成長距離）
を得る過程とを有し、
アニール温度Ｔ0にてアニールをおこなうことにより前記触媒元素を用いた非晶質珪素膜の横成長をおこなう際、該非晶質珪素膜の底面に接触する下地膜または基板に存在する突起の密度が、上記２つの関係式より得られる前記アニール温度Ｔ0における成長距離の二乗の逆数、
ｇ（Ｔ，ｆ（Ｔ0））-2
以下であることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記触媒元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇまたはＦｅであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
以上の２式より、アニール温度Ｔ0における最大横成長距離ｘ0
ｘ0＝ｇ（Ｔ，ｆ（Ｔ0））
が得られる。なお、最大横成長距離というのは、結晶の欠陥が存在しないという概念的な意味であり、現実の横成長距離とは同一ではない。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月21日(2003.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀あるいは銅が存在する基板を紫外線で表面改質する紫外線処理方法において、酸素あるいはオゾンの存在する雰囲気中で、基板温度を５０℃以下で紫外線を照射して処理を行うことを特徴とする紫外線処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明紫外線処理方法は、銀あるいは銅が存在する基板を紫外線で表面改質する紫外線処理方法において、酸素あるいはオゾンの存在する雰囲気中で、基板温度を５０℃以下又は好ましくは２５℃〜５０℃の範囲で紫外線を照射して処理を行うことを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による紫外線処理方法は、銀あるいは銅が存在する基板の紫外線処理を、酸素あるいはオゾンの存在する雰囲気中で、基板温度を５０℃以下又は好ましくは２５℃〜５０℃の範囲で行う。このようにすることにより、オゾンの存在下でも、銀や銅の酸化をある程度抑制することができるとともに、基板上の有機物を効果的に除去することができる。