Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月15日(2003.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータがプリンタに印刷をさせる方法であって、
ネットワークを介して他のコンピュータからアクセスを受けると、
印刷条件を指定する情報および印刷すべき印刷データを受け付ける受付画面を表示させるための情報を記憶した記憶手段から、前記受付画面を表示させるための情報を取得して前記他のコンピュータに対して送信し、
前記他のコンピュータから、前記受付画面が受け付けた前記印刷条件を指定する情報および前記印刷データを受信すると、前記プリンタを制御して、前記印刷条件を指定する情報に従った前記印刷データの印刷を前記プリンタに行わせること
を特徴とする印刷サービス提供方法。
【請求項２】
印刷サービスを提供する装置において、
印刷条件を指定する情報および印刷すべき印刷データを受け付ける受付画面を表示させるための情報を記憶する手段と、
前記記憶手段から前記受付画面を表示させるための情報を取得して、送信する手段と、
前記受付画面が受け付けた前記印刷条件を指定する情報および前記印刷データを受信する手段と、
受信した前記印刷条件を指定する情報に従って前記印刷データの印刷を行うプリンタと、を備えること
を特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項３】
請求項２記載の印刷サービス提供装置であって、
前記受付画面は、さらに、当該印刷データの印刷を行った印刷物の配送先を示す情報を受け付けるものであって、
前記受信する手段は、さらに、前記受付画面が受け付けた前記印刷物の配送先を示す情報を受信し、
前記プリンタは、さらに、前記印刷物の配送先を示す情報に基づいて、配送先を示す情報を印刷すること
を特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項４】
請求項２および３のいずれか一項に記載の印刷サービス提供装置であって、
前記印刷データを前記プリンタが実行するプリンタ制御コマンドへ変換する変換手段を、さらに備え、
前記プリンタは、
前記変換手段により変換された前記プリンタ制御コマンドを実行することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項５】
請求項２および３のいずれか一項に記載の印刷サービス提供装置であって、
前記受信手段が受信する前記印刷データは、プリンタが実行するプリンタ制御コマンドであって、
前記プリンタは、
前記受信手段が受信した前記プリンタ制御コマンドを実行することを特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項６】
印刷サービスを提供するためのプログラムを記録した記録媒体において、
前記プログラムは、
ネットワークを介していずれかのコンピュータからアクセスを受けると、
印刷条件を指定する情報および印刷すべき印刷データを受け付ける受付画面を表示させるための情報を前記コンピュータに対して送信する処理と、
前記コンピュータから、前記受付画面が受け付けた前記印刷条件を指定する情報および前記印刷データを受信すると、プリンタを制御して、前記印刷条件を指定する情報に従って前記印刷データの印刷を前記プリンタに行わせる処理とを、当該プログラムを読み取ったコンピュータに実行させること
を特徴とするプログラムを記録した記録媒体。
【請求項７】
ネットワークを介した印刷サービスのために、第１のコンピュータが第２のコンピュータへ情報を提供する方法であって、
前記第１のコンピュータが、
ネットワークを介して、前記第２のコンピュータからアクセスを受け付けた後、
印刷すべき印刷データ、印刷条件を指定するための情報、および、印刷物配送先を示す情報を含む印刷依頼の入力を受け付ける領域を含む受付画面を表示させるための情報を記憶した記憶手段から前記受付画面を表示させるための情報を取得し、
前記取得した前記受付画面を表示させるための情報と、前記印刷依頼の送信先のコンピュータを指定する情報とを、前記第２のコンピュータに対して送信する情報提供方法。
【請求項８】
ネットワークを介した印刷サービスのために情報を提供するシステムであって、
ネットワークを介して、いずれかのコンピュータからアクセスを受け付ける手段と、
印刷すべき印刷データ、印刷条件を指定するための情報、および、印刷物配送先を示す情報を含む印刷依頼の入力を受け付ける領域を含む受付画面を表示させるための情報を記憶する手段と、
前記コンピュータに対して、前記記憶手段から取得した前記受付画面を表示させるための情報と、当該印刷依頼の送信先のコンピュータを指定する情報とを送信する手段と、を備える情報提供システム。
【請求項９】
ネットワークを介した印刷サービスのためのコンピュータプログラムを記録した記録媒体であって、
前記プログラムがコンピュータに実行されると、
ネットワークを介して他のコンピュータからアクセスを受け付けた後、
印刷すべき印刷データ、印刷条件を指定するための情報、および、印刷物配送先を示す情報を含む印刷依頼の入力を受け付ける領域を含む受付画面を表示させるための情報を記憶した記憶手段から前記受付画面を表示させるための情報を取得し、
前記取得した前記受付画面を表示させるための情報と、前記印刷依頼の送信先のコンピュータを指定する情報とを、前記第２のコンピュータに対して送信する情報提供のためのプログラムを記憶した記録媒体。
【請求項１０】
印刷サービスを提供する装置であって、
印刷すべき印刷データを受け付ける手段と、
前記印刷データの印刷を行うための印刷条件を指定する情報を受け付ける手段と、
前記印刷データとともに広告を印刷することの可否を指定する広告印刷可否情報を受け付ける手段と、
広告コンテンツを記憶する記憶手段と、
印刷を行う印刷装置と、を備え、
前記印刷装置は、
前記印刷条件を指定する情報に従って前記印刷データの印刷を行い、かつ、前記広告印刷可否情報が広告印刷可であれば、前記記憶手段に記憶した前記広告コンテンツを印刷すること
を特徴とする印刷サービス提供装置。
【請求項１１】
印刷サービスを提供する装置であって、
印刷すべき印刷データを受け付ける手段と、
前記印刷データの印刷を行うための印刷条件を指定する情報を受け付ける手段と、
広告コンテンツを記憶する記憶手段と、
当該印刷サービスの印刷代金を計算する代金計算手段と、
印刷を行う印刷装置と、を備え、
前記印刷装置が、前記印刷条件を指定する情報に従って前記印刷データの印刷を行い、かつ、前記記憶手段に記憶した前記広告コンテンツを印刷したとき、
前記代金計算手段は、
前記印刷装置が印刷した前記広告コンテンツに応じて印刷代金を減額すること
を特徴とする印刷サービス提供装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月9日(2003.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分濃度が１０ｐｐｍ以下であるアンモニアを参照ガスとして用い、アンモニアを一定の流量で多重反射長光路セルに導入し、アンモニアと水分の赤外吸収が重ならない波数で水分の赤外吸収強度を測定することを特徴とするアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項２】
測定波数として４０００ｃｍ−１〜３５００ｃｍ−１、３１００ｃｍ−１〜２６００ｃｍ−１または２４００ｃｍ−１〜１９００ｃｍ−１の範囲にある波数を用いる請求項１に記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項３】
前記測定波数が、３６００、３６０９、３６１２、３６１９、３６２９、３６３４、３６４９、３６５６、３６７０、３６７５、３６８８、３６９１、３７０１、３７０９、３７１２、３７１９、３７２２、３７２７、３７３２、３７３６、３７４１、３７４４、３７４９、３７５２、３７５６、３７５９、３７６６、３７７０、３７７９、３７８５、３７９６、３８０１、３８０７、３８１６、３８２１、３８２６、３８３１、３８３５、３８３７、３８４０、３８４３、３８５４、３８６２、３８６５、３８７０、３８７４、３８８０、３８８５、３８９１、３８９４、３８９９、３９０２および３９０４ｃｍ−１（変動幅±１ｃｍ−１）からなる群より選ばれる１種以上である請求項２に記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項４】
前記測定波数が、３８０１、３８０７、３８１６、３８２１、３８３７および３８５４ｃｍ−１（変動幅±１ｃｍ−１）からなる群より選ばれる１種以上である請求項２または３に記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項５】
前記アンモニアが液化アンモニアを気化させたものである請求項１〜４のいずれかに記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項６】
前記アンモニア中の水分濃度が１０ｐｐｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項７】
前記アンモニア中の水分濃度が１ｐｐｍ以下である請求項６に記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項８】
前記アンモニア中の水分濃度が０．１ｐｐｍ以下である請求項６または７に記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項９】
アンモニアガスを前記多重反射長光路セルに０．１〜５Ｌ／ｍｉｎの流量で導入する請求項１〜８のいずれかに記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項１０】
赤外光路長を１〜４０ｍになるように多重反射させる請求項１〜９のいずれかに記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項１１】
水分濃度が１０ｐｐｍ以下である液化アンモニアの気相部を参照ガスとして用いる請求項１〜１０のいずれかに記載のアンモニア中の水分濃度の測定方法。
【請求項１２】
赤外分光器、長光路ガスセル、流量調整器および気化器を備え、気化器で気化したアンモニアガスを流量調整器に送り、流量調整器からアンモニアガスを一定の流速で長光路ガスセルに導入し、赤外分光器により長光路ガスセル中のアンモニアの水分を測定する赤外測定装置。
【請求項１３】
前記長光路ガスセルの容量が０．１〜５Ｌである請求項１２に記載の赤外測定装置。
【請求項１４】
前記流量調整器により長光路ガスセルに導入するアンモニアガスの流量が、０．１〜５Ｌ／ｍｉｎである請求項１２または１３に記載の赤外測定装置。
【請求項１５】
粗アンモニアを蒸留する工程、および請求項１〜１１のいずれかに記載の測定方法を用いてアンモニア中の水分濃度を測定する工程を含む水分含有量が低減されたアンモニアの製造方法。
【請求項１６】
粗アンモニアを、金属、金属酸化物およびゼオライトからなる群から選ばれる少なくとも１種の精製剤と接触させて精製する工程、および請求項１〜１１のいずれかに記載の測定方法を用いてアンモニア中の水分濃度を測定する工程を含む水分含有量が低減されたアンモニアの製造方法。
【請求項１７】
水分含有量が１ｐｐｍ以下のアンモニアを製造する請求項１５または１６に記載のアンモニアの製造方法。
【請求項１８】
水分含有量が０．１ｐｐｍ以下のアンモニアを製造する請求項１７に記載のアンモニアの製造方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法で製造された水分含有量が１ｐｐｍ以下に低減されたアンモニア。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法で製造された水分含有量が０．１ｐｐｍ以下に低減されたアンモニア。
【請求項２１】
請求項１５〜１８のいずれかに記載の製造方法により得られる水分含有量が低減されたアンモニアを用いて製造された半導体窒化膜。
【請求項２２】
請求項１５〜１８のいずれかに記載の製造方法により得られる水分含有量が低減されたアンモニアを用いて製造されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体。
【請求項２３】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体がＧａＮ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ、ＢｘＧａ１−ｘＮ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、ＧａＮｐＡｓ１−ｐ、ＧａＮｐＡｓｑＰ１−ｐ−ｑ、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｐＡｓ１−ｐ（ただし、ｘ，ｙ，ｐ，ｑはそれぞれ０＜ｘ，ｙ，ｐ，ｑ＜１を満たす数）である請求項２２に記載のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月29日(2003.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面および両側面、背面を有し、底面上に切断機などの切断工具を載せ切断工具使用時に発生する粉じんを捕集する集じん装置であって、前記背面に底面から上方に離れた位置に吸引装置に接続される吸込口を設けたことを特徴とする集じん装置。
【請求項２】
前記吸込口の上方に下方に向いた送風口を設けたことを特徴とする請求項１記載の集じん装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、底面および両側面、背面を有し、底面上に切断機などの切断工具を載せ切断工具使用時に発生する粉じんを捕集する集じん装置の背面に底面から上方に離れた位置に吸引装置に接続される吸込口を設けることにより達成される。また前記吸込口の上方に下方に向いた送風口を設けることにより浮遊する粉じんを効率よく集じんできるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月5日(2003.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１記載の発振回路において、
上記負性インピーダンス発生回路と上記コレクタ負荷の少なくとも一方に関連して可変インピーダンス回路を設けて発振周波数を可変とした
ことを特徴とする発振回路。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月22日(2003.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全体として直方体である扁平導体箱と、当該導体箱の内部空間の共振軸方向に沿い、かつ、扁平導体と絶縁して配設された細長い帯状導体と、扁平導体箱の上面に帯状導体と交差して形成された電波送受用のスロットとからなり、当該帯状導体に設定された結合部と扁平導体箱の壁面との間で高周波電力の給電が行われる同軸共振型スロットアンテナにおいて、帯状導体の結合部から遠い方の端を含むその近傍の一点（以下「容量接続部」という）と扁平導体箱の壁面との間に可変容量素子が接続されていることを特徴とする同調型スロットアンテナ。
【請求項２】
前記可変容量素子は、当該素子の両端に印加する直流電圧によって容量値が変化するものであることを特徴とする請求項１に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項３】
可変容量素子に印加する直流電圧の供給部位が前記結合部と一致していることを特徴とする請求項２に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項４】
扁平導体箱上面の導体面にあけた小孔の中に島状導体が形成され、かつ、当該島状導体と前記容量接続部とが線状の導体によって電気的に接続されており、島状導体と当該島状導体の近傍の扁平導体箱壁面の一点との間に可変容量素子が接続されていることを特徴とする請求項３に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項５】
高周波電流の流出を阻止する素子の一方の端子が前記結合部に接続され、当該素子の他方の端子が可変容量素子に印加する直流電圧の供給端子であることを特徴とする請求項４に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項６】
前記扁平導体箱の内部が誘電体材料で充填されていることを特徴とする請求項５に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項７】
回路基板を積層して上から順に第１層、第２層、第３層が形成されている多層回路基板からなり、扁平導体箱の上面が第１層に形成した第１の導体面と当該導体面の一部を削除して形成したスロットとからなり、帯状導体が第２層に形成した第３の導体面からなり、導体箱の底面が第３層に形成した第２の導体面からなり、導体箱の側面が第１層と第３層の間に第２層を貫いて設けた複数の側壁スルーホールからなるアンテナであって、
前記第１の導体面に島状導体が形成されると共に可変容量素子が実装され、かつ、島状導体と容量接続部を電気的に接続するための線状の導体が第１層と第２層の間に形成した容量接続用のスルーホールからなり、更に、一方の端子を結合部に接続した前記高周波電流流出阻止用の素子の他方の端子に前記直流電圧を生成する電圧可変直流電源が接続され、当該直流電源は、電源電圧を制御する電圧制御回路からの制御信号を受ける制御端子を備えていることを特徴とする請求項６に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項８】
第１層を有する回路基板の裏面と第２層との間に別の回路基板が介在し、当該別の基板に前記複数の側壁スルーホールが貫通しており、当該別の基板の上面裏面とも全面が絶縁物で覆われていることを特徴とする請求項７に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項９】
前記結合部に高周波電力及び直流電圧の給電を行なうための給電線が接続されており、当該給電線が第２の導体面に形成された小孔を介して引出されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の同調型スロットアンテナ。
【請求項１０】
前記給電線は、第２の導体面にあけた小孔の中に形成された島状導体と、当該島状導体と結合部の間に形成された引出用スルーホールとからなることを特徴とする請求項９に記載の同調型スロットアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層をウエル層として含む多重量子井戸構造を具えた半導体発光素子を、高出力化するに当たり、
バリア層としてＩｎＧａＡｌＡｓ層を用いることを特徴とする半導体発光素子の高出力化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
ウエル層としてＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層を含み、かつ、バリア層としてＩｎＧａＡｌＡｓ層を含むことを特徴とする多重量子井戸構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
ＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層をウエル層として含む多重量子井戸構造を具えた半導体発光素子において、
バリア層としてＩｎＧａＡｌＡｓ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
したがって、この出願の半導体発光素子の高出力化方法によれば、ＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層をウエル層として含む多重量子井戸構造を具えた半導体発光素子を、高出力化するに当たり、バリア層としてＩｎＧａＡｌＡｓ層を用いることを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【発明の効果】
上述した説明から明らかなように、この出願の半導体発光素子の高出力化方法によれば、ＩｎＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓＰ層をウエル層として含む多重量子井戸構造を具えた半導体発光素子を高出力化するに当たり、バリア層としてＩｎＧａＡｌＡｓ層を用いる。そのため、バリア層としてＩｎＧａＡｓＰを用いる場合に比べ、δＥｖを小さくできかつδＥｃを大きくすることが出来る。そのため、内部微分量子効率を高めることができ、かつ、半導体発光素子に高電流注入をしたり、半導体発光素子が高温になった場合での量子井戸からの電子のオーバーフローの起こり易さ（光出力の飽和し易さ）を低減することができる。これらのことから、多重量子井戸構造を含む半導体発光素子の高出力化が期待出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月12日(2003.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
半導体基体表面に、多段階陽極化成とアニールとによって、複数の柱状体が分散して存在する空洞層と、該空洞層上の単結晶半導体層と、該単結晶半導体層上の多孔質層とを形成する工程と、
上記多孔質層を除去する工程と、
上記多孔質層の除去によって露呈した上記単結晶半導体層上に、半導体膜を成膜する工程と、
該半導体膜が成膜された単結晶半導体層を、上記空洞層における分離によって上記半導体基体から分離する工程とを有する
ことを特徴とする薄膜半導体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
上記多段階陽極化成を、少なくとも１種類以上の低電流密度の通電と、その後の高電流密度の間欠的通電とによって行う
ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜半導体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、半導体基体は、ｎ型もしくはｐ型の不純物がドープされた半導体基体あるいは、不純物を含まない半導体基体によって構成することができる。しかし、陽極化成を行う場合は、ｐ型の不純物が高濃度にドープされた低比抵抗の半導体基体いわゆるｐ+Ｓｉ基体を用いることが望ましい。この半導体基体としてｐ+型Ｓｉ基体を用いるときは、ｐ型不純物の例えばボロンＢが、約１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度にドープされ、その抵抗が０．０１〜０．０２Ωｃｍ程度のＳｉ基板を用いることが望ましい。そして、このｐ+型Ｓｉ基体を陽極化成すると、基板表面とほぼ垂直方向に細長く伸びた微細孔が形成され、結晶性を維持したまま多孔質化するため、望ましい多孔質層が形成される。
したがって、この多孔質層上に、半導体膜のエピタキシャル成長を行うことができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
次に、この実施例においては、エピタキシャル半導体膜１３上に表面熱酸化によってＳｉＯ2膜すなわち透明の絶縁膜２６を形成し、フォトリソグラフィによるパターンエッチングを行って電極ないしは配線とのコンタクトを行う開口２６Ｗを形成する。この開口２６Ｗは、所要の間隔を保持して図において紙面と直交する方向に伸びるストライプ状に平行配列して形成することができる。このように形成したＳｉＯ2膜により、界面でのキャリア発生や再結合を極力少なくすることが可能である。
そして、全面的に金属膜の蒸着を行い、フォトリソグラフィによるパターンエッチングを行って所要のパターン、この例では、ストライプ状の開口２６Ｗに沿ってストライプ状の電極ないしは配線３７を形成する（図１４Ｂ）。この電極ないしは配線３７を形成する金属膜は、例えば厚さ３０ｎｍのＴｉ膜、厚さ５０ｎｍのＰｄ、厚さ１００ｎｍのＡｇを順次蒸着し、さらにこれの上にＡｇメッキを行って形成した多層構造膜によって構成し得る。その後、４００℃で２０〜３０分間のアニールを行った。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
上述の各実施例３〜８において、空洞層１３における分離後に残された半導体基体１１は、再びそれぞれの薄膜半導体、半導体集積回路装置、太陽電池等を構成する陽極化成を行う半導体基体１１として繰り返し利用を行うことができる。また、この繰り返し利用によってその厚さが薄くなった半導体基体１１は、これ自体に回路素子もしくは集積回路を形成する薄膜半導体もしくは半導体集積回路装置を構成することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
その後、担持基板１９に接合された半導体膜１７を単結晶半導体層１４と共に、脆弱な空洞層１３の破壊によって半導体基体１１から分離する（図１６Ｇ）。このようにすると、担持基板１９に絶縁層１８を介して半導体膜１７および単結晶半導体層１４が接合された薄膜半導体を有するＳＯＩ基板２０が形成されるとともに、これと分離された上述の空洞層１３より下層の半導体基体１１Ｓ1が分離される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
このようにして、図１６Ａ〜図１６Ｇで説明した一連の工程による作業の複数を、順次直列的に、あるいは並列的に行う。つまり、図１６Ａ〜図１６Ｇで説明した一連の工程による第１の作業と、同様に図１６Ａ〜図１６Ｇで説明した一連の工程による他の第２の作業、更に同様に図１６Ａ〜図１６Ｇで説明した一連の工程による第３の作業・・・を行うものであり、この場合、第１の作業における図１６Ｆで示した担持基板１９を、これより前、あるいは一部並行して行った他の上述したと同様の一連の作業で分離された半導体基体１１ｓ0によって構成する。そして、第２の作業における図１６Ｆで示した担持基板１９を、これより前、あるいは並行して行った第１の作業で分離された半導体基体１１ｓ1によって構成する。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
上述した本発明による半導体基体（半導体基板１６）においては、半導体基体１１に、柱状体１５が、いわば支持柱として存在する空洞層１３を介して単結晶半導体層１４が形成された構造を有するものであるが、この空洞層１３の強度は、その連結柱状体１５の太さ等の選定によって確実に設定できることから、或る場合は、この空洞層１３もしくは柱状体１５自体の各種使用態様が可能となり、またこの空洞層１３を例えば単結晶半導体層１４との剥離分離層として用いる場合においても、例えばハンドリングにおいて、この空洞層１３が不用意に破壊するような不都合を効果的に回避でき、また、分離を必要とするに際してはこの空洞層１３の全域に渡って確実にその分離を行うことができるという過不足のない強度に選定することができるものである。したがって、この半導体基板１６を用いて薄膜半導体や、これによるＳＯＩ、太陽電池、集積回路等の半導体装置を、容易かつ確実に、したがって、高い歩留りをもって構成することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】Ａ〜Ｃは、本発明による太陽電池の製造方法の一例の工程図（その１）である。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】ＤおよびＥは、本発明による太陽電池の製造方法の一例の工程図（その２）である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月21日(2003.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回転体の動バランス調整装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体と、前記回転体の回転バランスを調整するために、前記回転体を回転駆動する駆動装置と、前記回転体及び駆動装置を保持する保持部材と、前記保持部材を弾性的に支持するバネと、を有する振動系の固有振動数を調整する調整手段を備えていることを特徴とする回転体の動バランス調整装置。
【請求項２】
前記調整手段は、前記バネの張力を調整可能となっていることを特徴とする請求項１に記載の回転体の動バランス調整装置。
【請求項３】
前記調整手段は、前記バネのバネ常数を調整可能となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回転体の動バランス調整装置。
【請求項４】
前記調整手段は、前記バネの個数を調整可能となっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回転体の動バランス調整装置。
【請求項５】
前記調整手段は、前記振動系の質量を調整可能となっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回転体の動バランス調整装置。
【請求項６】
前記調整手段は、前記振動系の重心位置を調整可能となっていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回転体の動バランス調整装置。
【請求項７】
回転体と、
前記回転体を保持する保持部材と、
前記保持部材を弾性的に支持するバネと、
前記回転体の回転バランスを調整するために、前記回転体を回転駆動する駆動装置と、を有する回転体の動バランス調整装置において、
前記駆動装置は、前記バネを介して前記保持部材を支持している取り付け部側に配置されていることを特徴とする回転体の動バランス調整装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成する本発明は、
回転体と、前記回転体の回転バランスを調整するために、前記回転体を回転駆動する駆動装置と、前記回転体及び駆動装置を保持する保持部材と、前記保持部材を弾性的に支持するバネと、を有する振動系の固有振動数を調整する調整手段を備えていることを特徴とする回転体の動バランス調整装置、
を要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータが回転動作して気体を移送する気体移送機において、
前記気体を移送するポンプロータと、前記ポンプロータを回転駆動するモータとを備え、
前記モータはモータロータが耐腐食性の磁性材の突極部を有するリラクタンス形であり、ステータが、ステータ内径より内側まで樹脂モールドされ、ステータとロータ室内とを隔離した構造となっていて、
前記モータロータの突極部が前記ステータによって発生する磁気力によって吸引され回転することを特徴とする気体移送機。
【請求項２】
前記モータロータを構成する磁性材料は、鉄ニッケル合金であることを特徴とする請求項１記載の気体移送機。
【請求項３】
前記モータロータを構成する磁性材料は、パーマロイ材であることを特徴とする請求項１記載の気体移送機。
【請求項４】
前記樹脂モールドとして、キャン形状の樹脂、もしくは非導電性材を用いたことを特徴とする請求項１記載の気体移送機。
【請求項５】
前記気体移送機は、腐食性気体を気密容器内で循環させる循環ファンを備えた循環気流装置であることを特徴とする請求項１記載の気体移送機。
【請求項６】
前記気体移送機は、真空ポンプであることを特徴とする請求項１記載の気体移送機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、ロータが回転動作して気体を移送する気体移送機において、前記気体を移送するポンプロータと、前記ポンプロータを回転駆動するモータとを備え、前記モータはモータロータが耐腐食性の磁性材の突極部を有するリラクタンス形であり、ステータが、ステータ内径より内側まで樹脂モールドされ、ステータとロータ室内とを隔離した構造となっていて、前記モータロータの突極部が前記ステータによって発生する磁気力によって吸引され回転することを特徴とする気体移送機である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月24日(2003.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通流媒体の磁気誘導式流量測定方法であって、
磁界を発生する磁気コイルの励磁を間欠的に生じさせ、測定期間がそれぞれ正確に磁界の１つの正の半周期と磁界の１つの負の半周期を含んでおり、さらに、
測定期間が付加的に、磁界の第１の半周期の前と磁界の第２の半周期の後に、それぞれ１つの領域を含んでいる形式のものにおいて、
測定信号が磁界の正の半周期期間中と磁界の負の半周期期間中に順方向積分され、これによって部分測定値（Ｕ１，Ｕ２）が導出され、
測定信号が磁界の最初の半周期直前の１つの半周期持続時間に相応する期間中と、磁界の第２の半周期直後の１つの半周期持続時間に相応する期間中に順方向積分され、これによって部分測定値（Ｕ１ａ，Ｕ２ｂ）が導出され、さらにそのつどの測定期間に対応付けされた測定値Ｗが以下の式、
Ｗ＝Ｕ１−Ｕ２−１／３（Ｕ１ａ−Ｕ２ａ）
に従って算出される、ことを特徴とする、磁気誘導式流量測定方法。
【請求項２】
通流媒体の磁気誘導式流量測定方法であって、
磁界を発生する磁気コイルの励磁を間欠的に生じさせ、測定期間がそれぞれ磁界の１つの正の半周期と磁界の１つの負の半周期を含んでいる形式のものにおいて、
測定期間がそれぞれ同じ偶数個の半周期を有しており、これらの順次連続する測定期間は、磁界の正の半周期ないしは磁界の負の半周期でもって交互に開始され、測定信号が、順次連続する測定期間中に測定された値の平均化に基づいて求められることを特徴とする方法。
【請求項３】
通流媒体の磁気誘導式流量測定方法であって、
磁界を発生する磁気コイルの励磁を間欠的に生じさせ、測定期間がそれぞれ磁界の１つの正の半周期と磁界の１つの負の半周期を含んでいる形式のものにおいて、
測定期間が、それぞれ磁界の正確に３つの半周期からなり、測定信号はそれぞれ磁界の３つの半周期の期間中に順方向積分され、これによって部分測定Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３が導出され、それぞれの測定期間に対応付けされた測定値Ｗは、測定期間が２つの正の半周期を含んでいる場合には以下の式、
Ｗ＝０．５（Ｕ１−２Ｕ２＋Ｕ３）
に従って算出され、
測定期間が２つの負の半周期を含んでいる場合には以下の式、
Ｗ＝０．５（−Ｕ１＋２Ｕ２−Ｕ３）
に従って算出されることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁界を発生する磁気コイルの励磁を間欠的に生じさせ、測定期間がそれぞれ正確に磁界の１つの正の半周期と磁界の１つの負の半周期を含んでおり、さらに測定期間が付加的に、磁界の第１の半周期の前と磁界の第２の半周期の後に、それぞれ１つの領域を含んでいる、通流媒体の磁気誘導式流量測定方法に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題は本発明により、測定信号が磁界の正の半周期期間中と磁界の負の半周期期間中に順方向積分され、これによって部分測定値が導出され、測定信号が磁界の最初の半周期直前の１つの半周期持続時間に相応する期間中と、磁界の第２の半周期直後の１つの半周期持続時間に相応する期間中に順方向積分され、これによって部分測定値が導出され、さらにそのつどの測定期間に対応付けされた測定値Ｗが以下の式、
Ｗ＝Ｕ１−Ｕ２−１／３（Ｕ１ａ−Ｕ２ａ）
に従って算出されるようにして解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月3日(2003.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図中のGK discoveryとは、ＥＰ３０がＧＫを動的に発見するための手順（オプション）である。通常、ＥＰ３０からはマルチキャストでＧＫを検出するためのメッセージが送信される。そして、そのメッセージに対して、同一ゾーン（ＧＫが管理対象とするＥＰの範囲）内のＧＫが応答する。ＥＰ３０は、この応答メッセージにてalternate GK（及びprimary GK）の存在を知ることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ここで、primary GK１０が復旧したときの自動復帰については、通信不可能となったprimary GK１０に対して、ＥＰ３０のクライアントアドレス情報登録通知部３２は、RRQメッセージを定期的に送信し続け（ただし、トラフィック量や負荷を抑えるために、RRQメッセージの送信間隔は長く設定する）、RCFメッセージを受信した時点で復旧したと判断する。その後、alternate GK２０から、復旧したprimary GK１０へ接続が切り替わり、ＥＰ３０とprimary GK１０との通信が再開する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図１２は第４の実施の形態におけるクライアントアドレス情報の通知手順を示すシーケンス図である。
〔Ｓ２１〕ＥＰ３０ｂ−ａとprimary GK１０ｂ間で、RRQ／RCFメッセージの通信を行う。
〔Ｓ２２〕primary GK１０ｂのクライアントアドレス情報通知部１０ｂ−１は、システム起動時から一定時間（図では３６００秒）経過後に、登録済みのクライアントアドレス情報をＥＰ３０ｂ−ａへ一括して送信する。ＥＰ３０ｂ−ａのクライアントアドレス情報取得部３０ｂ−ａは、クライアントアドレス情報を一括して取得する。
〔Ｓ２３〕ＥＰ３０ｂ−ｂとprimary GK１０ｂ間で、RRQ／RCFメッセージの通信を行う（あらたにＥＰ３０ｂ−ｂが登録要求をしてきた状態）。
〔Ｓ２４ａ〕primary GK１０ｂの差分情報通知部１０ｂ−２は、あらたにクライアントアドレス情報が登録されたので、このクライアントアドレス情報（差分情報）のみを、すでに登録済みのＥＰ３０ｂ−ａへ通知する。
〔Ｓ２４ｂ〕primary GK１０ｂのクライアントアドレス情報通知部１０ｂ−１は、クライアントアドレス情報を一括してＥＰ３０ｂ−ｂへ通知する。
〔Ｓ２５〕ＥＰ３０ｂ−ｂとprimary GK１０ｂ間で、RRQ／RCFメッセージの通信を行う（あらたにＥＰ３０ｂ−ｃが登録要求をしてきた状態）。
〔Ｓ２６ａ〕primary GK１０ｂの差分情報通知部１０ｂ−２は、あらたにクライアントアドレス情報が登録されたので、このクライアントアドレス情報（差分情報）のみを、登録済みのＥＰ３０ｂ−ａ、３０ｂ−ｂへ通知する。
〔Ｓ２６ｂ〕primary GK１０ｂのクライアントアドレス情報通知部１０ｂ−１は、クライアントアドレス情報を一括してＥＰ３０ｂ−ｃへ通知する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
次にＥＰ３０の機能ブロックについて説明する。図１５はＥＰ３０の機能ブロックを示す図である。画像コーデック(Ｈ．２６１，Ｈ．２６３)３ａは、画像信号の符号化／復号化を行う。音声コーデック(Ｇ７００シリーズ，特にＧ．７１０−７２９)３ｂは、音声信号の符号化／復号化を行う。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
ＲＴＰ（Real-Time Transport Control Protocol）／ＲＴＣＰ制御部３ｄは、符号化された音声や画像を送受信するために、ＩＰパケットにカプセリングする機能やそのＩＰパケットを制御（モニタ等）する機能を提供する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2003258837.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月17日(2003.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上に設けられたＭＳｉx 膜（ただし、Ｍはタングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素、ｘ＞１）を含む第１のゲート電極と、を備えたｎ型ＭＩＳトランジスタと、
第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上に設けられたＭＳｉy 膜（ただし、０≦ｙ＜１）を含む第２のゲート電極と、を備えたｐ型ＭＩＳトランジスタと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｘ≧２であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ｎ型ＭＩＳトランジスタが形成される第１の領域内の第１のゲート絶縁膜上及びｐ型ＭＩＳトランジスタが形成される第２の領域内の第２のゲート絶縁膜上に、ＭＳｉy 膜（ただし、Ｍはタングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素、０≦ｙ＜１）を形成する工程と、
前記第１の領域内の前記ＭＳｉy 膜をシリコンと反応させて第１の領域内にＭＳｉx 膜（ただし、ｘ＞１）を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ＭＳｉx 膜を形成する工程は、前記第１の領域内のＭＳｉy 膜上にシリコン膜を形成する工程と、熱処理によって前記第１の領域内のＭＳｉy 膜を前記シリコン膜と反応させる工程とを含む
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ｎ型ＭＩＳトランジスタが形成される第１の領域内の第１のゲート絶縁膜上及びｐ型ＭＩＳトランジスタが形成される第２の領域内の第２のゲート絶縁膜上に、ＭＳｉx 膜（ただし、Ｍはタングステン及びモリブデンの中から選択された金属元素、ｘ＞１）を形成する工程と、
前記第２の領域内の前記ＭＳｉx 膜に含有されたシリコンを抽出して第２の領域内にＭＳｉy 膜（ただし、０≦ｙ＜１）を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、表面波伝送線路に用いられる金属の熱膨張係数と実質的に同一とすることが好ましい。熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを熱処理することにより金属の熱膨張係数と実質的に同一にすることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、ヒートサイクルに対する信頼性をより高めるためには、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに接合する金属の熱膨張係数をＰ×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃としたときに、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの面方向の熱膨張係数が、（Ｐ−１０）×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃から（Ｐ＋１０）×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃の範囲内になるように調節することが好ましい。この範囲から外れると、金属板と熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる誘電体との間の界面剥離が発生し易くなる。ここで、銅、アルミニウムなどの代表的な金属板のＰ値は１１〜３０である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の表面波伝送線路は、図１（ａ）に示したように、熱可塑性液晶ポリマーからなる誘電体単独であってもよいし、図１（ｂ）〜（ｄ）に示したように、熱可塑性液晶ポリマーからなる誘電体が金属からなる支持体上に接合されたものであってもよい。
金属としては、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウム、すず、鉛などが挙げられるが、銅が好ましい。また、金属としては、ジュラルミン、真鍮などの合金を使用することも可能である。金属からなる支持体には、通常銅箔に対して施される酸洗浄などの化学的処理が施されていてもよい。
金属からなる支持体の形状には特に制限はないが、筒状、または平面状の形状を有しているのが好ましく、表面波伝送線路の製造が容易となることから、金属からなる支持体は平面状の形状を有していることがより好ましい。平面状の形状を有する支持体としては、板、シート、フィルムなどが挙げられる。これらの支持体は、貫通した孔を有していてもよいし、網目状の構造を有していてもよい。平面状の支持体は、厚さが１０〜１０００μｍの範囲内であることが好ましく、２０〜３５０μｍの範囲内であることがより好ましい。金属からなる支持体は公知の方法で製造することができる。例えば、平面状の形状を有する支持体の製造方法としては、圧延法、電解法などの公知の方法を採用することができる。また、金属からなる支持体は、所望により、金属線を織り上げて製造してもよい。金属からなる支持体が平面状の形状を有している場合、表面波伝送線路の形状としては、図１（ｃ）に示されるように、１枚の金属板上の片面に誘電体が接合された形状、図１（ｄ）に示されたように、２枚の金属板の間に誘電体が挟み込まれた形状、または１枚の金属板上の両面上に誘電体が接合された形状などが可能である。かかる構造を有する表面波伝送線路は、高周波回路などの基板として利用できるという利点を有するものであり、特に、１枚の金属板の片面または両面に誘電体が接合されてなる形状のものはより好ましいものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図２（ａ）は、図１（ｃ）の表面波伝送線路を真空熱プレス装置により製造する際の状態を示しており、１は内部に凹状の成形面１１が形成された金型、２は成形面１１の開放側に設ける加熱盤である。金属板８の上に所定形状に裁断された複数枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルム４を重ねて置き、これらのフィルム４が成形面１１と対向するように、金属板８とフィルム４を金型１と加熱盤２との間にセットする。セット後には、真空熱プレス装置にセットして加熱盤２を加熱することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルム４を互いに積層一体化させて金属板８の上に接合する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
参考例
ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物で、融点が２８３℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出し、インフレーション成形法により、融点が２８０℃、膜厚が５０μｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０３のフィルムを得た。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
実施例１
参考例で得た熱可塑性液晶ポリマーフィルム（厚さ５０μｍ）を幅５ｍｍの短冊状に裁断し、得られた短冊状のフィルムの５枚を金属板８(銅箔)の上に重ね合わせて、真空熱プレス装置を用いて、２９０℃、３０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加熱圧着して、５枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルム４を積層一体化してなる誘電体６（幅５ｍｍ、長さ１０ｃｍ）が金属板８上に接合された表面波伝送線路５を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
１次光源である光源手段と、
該光源手段からの出射光を集光して２次光源を形成する集光手段と、
入射端面が前記２次光源の形成される位置近傍に配置され、出射端面から均一性の高い強度分布を有する発散光束を出射する均一化手段と、
前記均一化手段の出射光を集光して、光路中に複数の３次光源を形成する第１のレンズ手段と、
前記複数の３次光源の形成される位置近傍に配置され、前記第１のレンズ手段の出射光を所望の方向へ反射する反射光学素子とを備えた光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
反射光学素子は複数の３次光源に対応した複数の微小反射面を有し、
該複数の微小反射面はそれぞれ配置及び形状が独立に設定されることを特徴とする請求項１記載の光学装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光源装置は、１次光源である光源手段と、該光源手段からの出射光を集光して２次光源を形成する集光手段と、入射端面が前記２次光源の形成される位置近傍に配置され、出射端面から均一性の高い強度分布を有する発散光束を出射する均一化手段と、前記均一化手段の出射光を集光して、光路中に複数の３次光源を形成する第１のレンズ手段と、前記複数の３次光源の形成される位置近傍に配置され、前記第１のレンズ手段の出射光を所望の方向へ反射する反射光学素子とを備えたものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
【発明の効果】
本発明に係る光源装置は、１次光源である光源手段と、該光源手段からの出射光を集光して２次光源を形成する集光手段と、入射端面が前記２次光源の形成される位置近傍に配置され、出射端面から均一性の高い強度分布を有する発散光束を出射する均一化手段と、前記均一化手段の出射光を集光して、光路中に複数の３次光源を形成する第１のレンズ手段と、前記複数の３次光源の形成される位置近傍に配置され、前記第１のレンズ手段の出射光を所望の方向へ反射する反射光学素子とを備えたので、被照明面の法線方向に対して所定の傾きを持った方向から照明光束を入射させた場合に、前記均一化手段の出射端面の像が形成される位置近傍に配置された被照明面において、均一かつ対称性に優れた照度分布を得ることができるという効果を奏する。


【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
灰溶融炉排ガスを２００℃以下に冷却し、更に集塵装置で集塵後、２５０〜１５０℃において酸化触媒を接触させ排ガス中のＤＸＮを分解することを特徴とする灰溶融排ガス中の有機塩素化合物の処理方法。
【請求項２】
灰溶融炉より排出された排出ガスを２００℃以下に冷却する冷却工程と、該冷却後の排出ガスを除塵装置でダストを除去させるダスト除去工程と、前記ダスト除去された排ガスを触媒反応塔で温度１５０〜２５０℃のもとに触媒と接触させＤＸＮを分解させる分解工程とを有し、該ダスト除去工程との後段でＤＸＮ分解工程との組み合わせにおいて酸性ガスを吸収除去する酸性ガス除去工程が存在することを特徴とする灰溶融炉の排ガス処理方法。
【請求項３】
灰溶融炉を還元雰囲気で運転して排ガス処理を行なう排ガス処理方法において、
前記灰溶融炉の後段に燃焼室を設け、排ガス中のＣＯの燃焼とＤＸＮ等の有機塩素化合物を分解させるようにしたことを特徴とする請求項１若しくは２記載の灰溶融炉の排ガス処理方法。
【請求項４】
前記有機塩素化合物の分解工程の前段に加熱装置を設け、排ガスの１００℃以下の低温による水滴発生を防止するようにしたことを特徴とする請求項１若しくは２記載の灰溶融炉の排ガス処理方法。
【請求項５】
スクラバ等の脱硫装置を有機塩素化合物を分解する触媒反応塔の前段に設け、灰溶融炉より排出される酸性ガス（ＳＯｘ）を除去し、触媒への被毒を防止するようにしたことを特徴とする請求項１若しくは２記載の灰溶融炉の排ガス処理方法。
【請求項６】
排ガスの冷却過程でＤＸＮの再合成反応が顕著な場合において、スクラバ等の脱硫装置による酸性ガスの吸収を、排ガスの除塵や冷却の前段にて行ないＤＸＮの再合成を抑圧するようにしたことを特徴とする請求項１記載の灰溶融炉の排ガス処理方法。
【請求項７】
排ガスの冷却過程でＤＸＮの再合成反応が顕著で且つダスト負荷が小なる場合に、スクラバ等の脱硫装置による酸性ガスの吸収を、排ガスのＣＯ燃焼前に行なうようにしたことを特徴とする請求項１記載の灰溶融炉の排ガス処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そこで、請求項１記載の灰溶融炉排ガス中の有機塩素化合物の処理方法は、灰溶融炉排ガスを２００℃以下に冷却し、更に集塵装置で集塵後、２５０〜１５０℃において酸化触媒を接触させ排ガス中のＤＸＮを分解することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項２記載の発明は、灰溶融炉より排出された排出ガスを２００℃以下に冷却する冷却工程と、該冷却後の排出ガスを除塵装置でダストを除去させるダスト除去工程と、前記ダスト除去された排ガスを触媒反応塔で温度１５０〜２５０℃のもとに触媒と接触させＤＸＮを分解させる分解工程とを有し、該ダスト除去工程との後段でＤＸＮ分解工程との組み合わせにおいて酸性ガスを吸収除去する酸性ガス除去工程が存在することを特徴とする灰溶融炉の排ガス処理方法である。