【手続補正書】
【提出日】平成15年8月6日(2003.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パタン形成方法および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有する感放射線組成物の塗膜を所定の基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像する工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。
【化１】
2001174993.tif 000001
ただし、上記化学式（１）において、Ｒ１，Ｒ２は水素原子またはメチル基であり、ｘ，ｙはそれぞれｘ＋ｙ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項２】
化学式（２）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有する感放射線組成物の塗膜を所定の基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像する工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。
【化２】
2001174993.tif 000002
ただし、上記化学式（２）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は水素原子またはメチル基、Ｒ４は少なくとも共役した不飽和結合を持たない脂環族構造であり、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項３】
化学式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有する感放射線組成物の塗膜を半導体基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化１】
2001174993.tif 000003
ただし、上記化学式（１）において、Ｒ１，Ｒ２は水素原子またはメチル基であり、ｘ，ｙはそれぞれｘ＋ｙ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項４】
化学式（２）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有する感放射線組成物の塗膜を半導体基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化２】
2001174993.tif 000004
ただし、上記化学式（２）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は水素原子またはメチル基、Ｒ４は少なくとも共役した不飽和結合を持たない脂環族構造であり、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法において、上記活性放射線に波長２５０ｎｍ以下の遠紫外光を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、上記活性放射線はＡｒＦエキシマレーザ光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法において、上記現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む水溶液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
化学式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含有する感放射線組成物の塗膜を半導体基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像してライン状のパタンを形成する工程と、前記塗膜を有する前記半導体基板をドライエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化１】
2001174993.tif 000005
ただし、上記化学式（１）において、Ｒ１，Ｒ２は水素原子またはメチル基であり、ｘ，ｙはそれぞれｘ＋ｙ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項９】
化学式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体を含有する感放射線組成物の塗膜を半導体基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像してライン状のパタンを形成する工程と、前記塗膜を有する前記半導体基板をドライエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化２】
2001174993.tif 000006
ただし、上記化学式（２）において、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は水素原子またはメチル基、Ｒ４は少なくとも共役した不飽和結合を持たない脂環族構造であり、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜ｘ≦１，０≦ｙ＜１，０＜ｚ＜１を満たす任意の数であり、重合体の重量平均分子量は１，０００〜５００，０００とする。
【請求項１０】
化学式（５）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有する感放射線組成物の塗膜を半導体基板上に形成する工程と、活性放射線を前記塗膜に照射する工程と、前記塗膜をアルカリ水溶液からなる現像液で現像してライン状のパタンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化５】
2001174993.tif 000007
ここで、化学式（５）において、Ｒ１，Ｒ２は水素原子またはメチル基、Ｒ４は少なくとも共役した不飽和結合を持たない脂環族構造であり、ｘ，ｙはそれぞれｘ＋ｙ＝１，０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１を満たす任意の数である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
発明の目的は、ＡｒＦエキシマレーザの波長１９３ｎｍを含む遠紫外光領域で透明、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、水性アルカリ現像液で微細パタンが膨潤することなく現像できる解像性能の優れた感放射線組成物を用いたネガ型のパタン形成方法を提供することである。他の目的は、そのようなパタン形成方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に用いる感放射線組成物は、少なくとも化学式（１）で示される繰り返し単位を有する重合体と、酸発生剤とを含有するようにしたものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明のパタン形成方法は、上記記載のいずれかの感放射線組成物からなる塗膜を、所定の基板上に形成する工程と、その塗膜に所定のパタンの活性化学線を照射する工程、活性放射線の照射後に基板を加熱する工程、基板の加熱後に塗膜をアルカリ水溶液にさらして活性放射線の未照射部を除去する工程を含むものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に上記記載のいずれかのパタン形成方法によりレジストパタンを形成し、それをもとに、基板をエッチング加工する工程か、もしくは基板にイオンを打ち込む工程を含むようにしたものである。