(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法であって、
該デバイス領域の裏面側を研削して凹部を形成し、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形成する凹状加工工程と、
該ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該リング状補強部の裏面を研削して該リング状補強部に被覆された金属膜を除去する金属膜除去工程と、
表面に形成されたデバイスのうち最も外周側に位置し外周余剰領域にはみ出ているものがある場合は該デバイスを裏面から赤外線撮像し、該デバイス内のターゲットパターンとアライメント手段に予め記憶させておいたターゲットパターンの画像とのパターンマッチングを行い、ストリートの最外側の外周余剰領域にアライメントマークが形成されている場合は該アライメントマークを裏面からパターンマッチングによって検出し、表面に形成されたストリートの位置を検出するストリート位置認識工程と、
該ストリート位置認識工程によって認識したストリートを裏面側から切削して個々のデバイスに分割する分割工程と
から構成されるウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記凹状加工工程と前記金属膜被覆工程との間に、該凹状加工工程によって研削面に形成された研削歪を除去する歪除去工程が遂行される
請求項１に記載のウェーハの分割方法。
【請求項３】
前記金属膜被覆工程と前記金属膜除去工程との間に、デバイスのテストを行うテスト工程が遂行される
請求項１または２に記載のウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハに形成されたストリートを分離させて個々のデバイスに分割する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが表面側に複数形成されたウェーハは、ダイシング装置等を用いて個々のデバイスに分割され、各種電子機器に組み込まれて広く使用されている。そして、電子機器の小型化、軽量化等を図るために、個々のデバイスに分割される前のウェーハは、研削装置のチャックテーブルにて表面側が保持されて裏面が研削され、その厚さが例えば２０μｍ〜１００μｍになるように形成される（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、ウェーハが薄く加工されると、紙のように湾曲してその後の工程での取り扱いが困難となると共に、破損しやすいという問題がある。そこで、本出願人は、ウェーハの裏面のうち、デバイス領域に相当する部分のみを研削して裏面に凹部を形成し、その外周側に研削前と同様の厚さを有するリング状補強部を形成する技術を提案した（特願２００５−１６５３９５号）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１９８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、裏面には金属膜が被覆されているため、赤外線を用いたとしても、裏面側から表面に形成されたストリートを検出することができず、裏面側から切削等してストリートを分離させることは不可能である。一方、表面側からストリートを検出するためには、表面に貼着された保護部材を剥離すると共に裏面側にダイシングテープを貼着する必要があるが、凹部と外周余剰領域との段差を吸収しなければならないため、ダイシングテープを特別な形状に形成しなければならず、経済性の点で問題がある。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、デバイス領域の裏面側に凹部が形成され裏面全面に金属膜が被覆されたウェーハを個々のデバイスに分割する場合において、裏面側から分離すべきストリートを検出できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ストリートによって区画されて複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの分割方法に関するもので、デバイス領域の裏面側を研削して凹部を形成し、凹部の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部を形成する凹状加工工程と、ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、リング状補強部の裏面を研削してリング状補強部に被覆された金属膜を除去する金属膜除去工程と、表面に形成されたデバイスのうち最も外周側に位置し外周余剰領域にはみ出ているものがある場合はそのデバイスを裏面から赤外線撮像し、デバイス内のターゲットパターンとアライメント手段に予め記憶させておいたターゲットパターンの画像とのパターンマッチングを行い、ストリートの最外側の外周余剰領域にアライメントマークが形成されている場合はアライメントマークを裏面からパターンマッチングによって検出し、表面に形成されたストリートの位置を検出するストリート位置認識工程と、ストリート位置認識工程によって認識したストリートを裏面側から切削して個々のデバイスに分割する分割工程とから構成される。
【０００８】
凹状加工工程と金属膜被覆工程との間では、凹状加工工程によって研削面に形成された研削歪を除去する歪除去工程が遂行されることが望ましい。また、金属膜被覆工程と金属膜除去工程との間では、デバイスのテストを行うテスト工程が遂行されることがある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、凹部が形成されたウェーハの裏面に金属膜を被覆した後に、リング状補強部に被覆された金属膜を除去するため、ストリート位置認識工程においてウェーハの裏面から表面にかけて赤外線を透過させることができ、これによって表面のストリートを検出することができる。したがって、裏面側から切削等して個々のデバイスに分割することができ、凹部とリング状補強部との段差を吸収する特別なダイシングテープも不要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１に示すウェーハＷの表面Ｗａにおいては、ストリートＳによって区画されて複数のデバイスＤが形成されており、デバイスＤが形成された部分がデバイス領域Ｗ１を構成している。また、デバイス領域Ｗ１の外周側には、リング状の外周余剰領域Ｗ２が形成されており、デバイス領域Ｗ１は外周余剰領域Ｗ２によって囲繞された構成となっている。ウェーハＷの表面Ｗａには、デバイスＤを保護するためにテープ等の保護部材１を貼着し、図２に示す状態とする。
【００１１】
次に、ウェーハＷの裏面Ｗｂのうちデバイス領域Ｗ１に相当する部分、すなわちデバイス領域Ｗ１の裏側を研削して所望の厚さにする。かかる研削には、例えば図３に示す研削装置２を用いることができる。
【００１２】
この研削装置２は、ウェーハを保持するチャックテーブル２０と、チャックテーブル２０に保持されたウェーハに対して研削を施す研削部２１とを備えている。研削部２１は、
垂直方向の軸心を有する回転軸２２と、回転軸２２の下端に装着されたホイール２３と、ホイール２３の下面に固着された砥石部２４とから構成される。ウェーハＷは、保護部材１側がチャックテーブル２０によって保持され、裏面Ｗｂが露出した状態となる。そして、チャックテーブル２０が回転すると共に、ホイール２３が回転しながら研削部２１が下降することにより、回転する砥石部２４がウェーハＷの裏面Ｗｂに接触して研削が行われる。このとき砥石部２４は、ウェーハＷの表面Ｗａに形成されたデバイス領域Ｗ１（図１参照）の裏側に接触させ、その外周側は研削しないようにする。そして、デバイス領域Ｗ１の裏側が所望量研削されると、研削を終了する。こうして、裏面Ｗｂのうちデバイス領域Ｗ１の裏側のみを研削することにより、図４及び図５にも示すように、裏面Ｗｂに凹部Ｗ３が形成され、その外周側には外周余剰領域Ｗ２を含み研削前と同様の厚さを有するリング状補強部Ｗ４が残存する（凹状加工工程）。例えば、リング状補強部Ｗ４の幅は２〜３ｍｍ程度あればよい。また、リング状補強部Ｗ４の厚さは数百μｍあることが望ましい。一方、デバイス領域Ｗ１の厚さは３０μｍ程度にまで薄くすることができる。
【００１３】
凹状加工工程においては、裏面の研削面に研削歪が生じるため、図６に示すように、フッ素系ガスをプラズマ化してドライエッチングを行うことにより、研削面の研削歪を除去することが望ましい（歪除去工程）。歪除去工程を遂行することにより、分割後のデバイスの抗折強度を高めることができる。
【００１４】
研削歪が除去された後は、ウェーハＷの裏面Ｗｂに金、銀、チタン等からなる金属膜を被覆する（金属膜被覆工程）。裏面Ｗｂに金属膜を形成する場合は、例えば図７に示す減圧成膜装置３を用いることができる。この減圧成膜装置３においては、チャンバー３１の内部に静電式にてウェーハＷを保持する保持部３２を備えており、その上方の対向する位置には、金属からなるスパッタ源３４が励磁部材３３に支持された状態で配設されている。このスパッタ源３４には、高周波電源３５が連結されている。また、チャンバー３１の一方の側部には、アルゴンガス等のスパッタガスを導入する導入口３６が設けられ、もう一方の側部には減圧源に連通する減圧口３７が設けられている。
【００１５】
保護部材１側が保持部３２において静電式にて保持されることにより、ウェーハＷの裏面がスパッタ源３４に対向して保持される。そして、励磁部材３３によって磁化されたスパッタ源３４に高周波電源３５から４０ｋＨｚ程度の高周波電力を印加し、減圧口３７からチャンバー３１の内部を１０−２Ｐａ〜１０−４Ｐａ程度に減圧して減圧環境にすると共に、導入口３６からアルゴンガスを導入してプラズマを発生させると、プラズマ中のアルゴンイオンがスパッタ源３４に衝突して粒子がはじき出されてウェーハＷの裏面に堆積し、図８に示すように、凹部Ｗ３及びリング状補強部Ｗ４の裏面に金属膜６が被覆される。この金属膜６は、例えば３０〜６０ｎｍ程度の厚さを有する。金属膜被覆工程は、デバイス領域Ｗ１の裏側が研削されて薄くなった状態で行われるが、ウェーハＷにはリング状補強部Ｗ４が形成されているため、膜形成工程におけるウェーハＷの取り扱いが容易となる。なお、金属膜被覆工程には、蒸着やＣＶＤ等を用いてもよい。
【００１６】
金属膜被覆工程終了後は、図９に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに貼着されていた保護部材１を剥離する。そして、図１０に示すように、金属膜６が形成された裏面側を保持テーブル５０において保持し、保持テーブル５０をアースに接続することにより、金属膜６を介してウェーハＷをアースに接続する。そして、表面側のデバイスＤに対してプローブ５１を接触させることにより、各デバイスの電気的特性を試験する（テスト工程）。ウェーハＷにはリング状補強部Ｗ４が形成されているため、テスト工程におけるウェーハＷの取り扱いが容易となる。
【００１７】
膜形成工程によって裏面側に金属膜６が形成されテスト工程を経たウェーハＷは、次に、図１１に示すように、表面ＷａがテープＴに貼着される。テープＴは、リング状のフレームＦに貼着され、ウェーハＷがテープＴを介してフレームＦに支持され、金属膜６が被覆された裏面が露出した状態となる。
【００１８】
フレームＦに支持されたウェーハＷは、図１２に示すように、研削装置７の保持テーブル７０においてテープＴ側が保持されて、金属膜６が被覆された裏面側が露出した状態となる。そして、保持テーブル７０が回転すると共に回転軸７１に取り付けられた円盤状の砥石７２が回転しながらリング状補強部Ｗ４に被覆された金属膜６のみに接触することにより、接触部分が研削され、図１３及び図１４に示すように、リング状補強部Ｗ４の金属膜６が除去される（金属膜除去工程）。金属膜除去工程では、図１３及び図１４に示すように、リング状補強部Ｗ４と凹部Ｗ３に被覆された金属膜６の上面とが面一となるまで研削することが望ましいが、リング状補強部６の金属膜６が除去されればよく、必ずしもリング状補強部Ｗ４と凹部Ｗ３に被覆された金属膜６の上面とが面一になる必要はない。
【００１９】
こうして外周余剰領域Ｗ４の金属膜６が除去されると、次に、例えば図１５に示す切削装置４を用い、ウェーハＷの表面に形成されたストリートＳ（図１参照）を分離して個々のデバイスＤに分割する。かかるウェーハＷの分割は、レーザ光をストリートＳに照射することによっても実現可能であるが、ここでは、例えば図１５に示す切削装置４を用いてストリートＳを切削する場合について説明する。
【００２０】
切削装置４は、ウェーハＷを保持するチャックテーブル４０と、チャックテーブル４０に保持されたウェーハＷに作用して切削を行う切削手段４１とを有している。チャックテーブル４０は、駆動源４００に連結されて回転可能となっている。駆動源４００は移動基台４０１に固定されており、移動基台４０１は、切削送り手段４２によってＸ軸方向に移動可能となっている。切削送り手段４２は、Ｘ軸方向に配設されたボールネジ４２０と、ボールネジ４２０の一端に連結されたパルスモータ４２１と、ボールネジ４２０と平行に配設された一対のガイドレール４２２とから構成され、ボールネジ４２０には移動基台４０１の下部に備えたナット（図示せず）が螺合している。ボールネジ４２０は、パルスモータ４２１に駆動されて回動し、それに伴って移動基台４０１がガイドレール４２２にガイドされてＸ軸方向に移動する構成となっている。
【００２１】
切削手段４１においては、ハウジング４１０によって回転可能に支持されたスピンドル４１１の先端に切削ブレード４１２が装着された構成となっており、ハウジング４１０は支持部４１３によって支持された構成となっている。
【００２２】
ハウジング４１０の側部には、ウェーハのストリートを検出するアライメント手段４３が固定されている。アライメント手段４３にはウェーハＷを撮像する赤外線カメラ４３０を備えており、赤外線カメラ４３０によって取得した画像に基づき、予め記憶させておいたキーパターンとのパターンマッチング等の処理によって、切削すべきストリートを検出することができる。赤外線カメラ４３０は、切削ブレード４１２のＸ軸方向の延長線上に位置している。
【００２３】
切削手段４１及びアライメント手段４３は、切り込み送り手段４４によってＺ軸方向に移動可能となっている。切り込み送り手段４４は、壁部４４０の一方の面においてＺ軸方向に配設されたボールネジ４４１と、ボールネジ４４１を回動させるパルスモータ４４２と、ボールネジ４４１と平行に配設されたガイドレール４４３とから構成され、支持部４１３の内部のナット（図示せず）がボールネジ４４１に螺合している。支持部４１３は、パルスモータ４４２によって駆動されてボールネジ４４１が回動するのに伴ってガイドレール４４３にガイドされてＺ軸方向に昇降し、支持部４１３に支持された切削手段４１もＺ軸方向に昇降する構成となっている。
【００２４】
切削手段４は、割り出し送り手段４５によってＹ軸方向に移動可能となっている。割り出し送り手段４５は、Ｙ軸方向に配設されたボールネジ４５０と、壁部４４０と一体に形成され内部のナットがボールネジ４５０に螺合する移動基台４５１と、ボールネジ４５０を回動させるパルスモータ４５２と、ボールネジ４５０と平行に配設されたガイドレール４５３とから構成され、移動基台４５１の内部のナット（図示せず）がボールネジ４５０に螺合している。移動基台４５１は、パルスモータ４５２によって駆動されてボールネジ４５０が回動するのに伴ってガイドレール４５３にガイドされてＹ軸方向に移動し、これに伴い切削手段４１もＹ軸方向に移動する構成となっている。
【００２５】
テープＴを介してフレームＦに支持され、リング状補強部Ｗ４の金属膜６が除去されたウェーハＷは、その裏面側が露出した状態でチャックテーブル４０に吸引保持される。そして、チャックテーブル４０が＋Ｘ方向に移動することにより、ウェーハＷのリング状補強部Ｗ４が赤外線カメラ４３０の直下に位置付けられる。
【００２６】
そして、リング状補強部Ｗ４の裏面側から赤外線カメラ４３０によって赤外線撮像を行うと、リング状補強部Ｗ４からは金属膜が除去されているため、ウェーハＷの内部を透過させて表面側のストリートの位置を認識することができる。例えば、表面Ｗ１に形成されたデバイスＤ（図１参照）のうち最も外周側に位置するものについては、外周余剰領域Ｗ２にはみ出ているものもあるため、そのはみ出たデバイスを赤外線撮像し、そのデバイス内のターゲットパターンとアライメント手段４３に予め記憶させておいたターゲットパターンの画像とのパターンマッチングを行う。ターゲットパターンとストリートとの距離は予めアライメント手段４３に記憶されており、また、赤外線カメラ４３０は切削ブレード４１２のＸ軸方向の延長線上に位置しているため、アライメント手段３２及び切削手段４１を、予め記憶されたターゲットパターンとストリートとの距離の分だけ、ターゲットパターンを検出したときの位置から移動させれば、切削すべきストリートと切削ブレード４１２とのＹ軸方向に位置合わせがなされる（ストリート位置認識工程）。なお、デバイスＤが外周余剰領域Ｗ２にはみ出ていない場合であっても、ストリートＳにアライメントマークが形成されていれば、そのアライメントマークをパターンマッチングによって検出すれば、ストリートを認識することができる。
【００２７】
ストリートＳと切削ブレード４１２とのＹ軸方向の位置合わせが行われた後は、切削送り手段４２によってチャックテーブル４０を＋Ｘ方向に移動させると共に、切削ブレード４１２を高速回転させながら切り込み送り手段４４によって切削手段４１を下降させ、検出されたストリートに向けて切削ブレード４１２を切り込ませ、当該ストリートを切削する。
【００２８】
また、割り出し送り手段４５によって切削手段４１をストリートの間隔ずつ割り出し送りさせながら順次同様の切削を行い、同方向のストリートをすべて切削する。更に、チャックテーブル４０を９０度回転させながら同様の切削を行うことにより、ウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される（分割工程）。各ストリートを切削する際は、図１６に示すように、ストリートＳの延長線上のリング状補強部Ｗ４も切削するようにすれば、後にリング状補強部Ｗ４を除去する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ウェーハ及び保護部材を示す斜視図である。
【図２】ウェーハの表面に保護部材が貼着された状態を示す斜視図である。
【図３】凹状加工工程の一例を示す斜視図である。
【図４】凹部及びリング状補強部が形成され保護部材が貼着されたウェーハを示す斜視図である。
【図５】凹部及びリング状補強部が形成され保護部材が貼着されたウェーハを示す断面図である。
【図６】歪除去工程の一例を示す斜視図である。
【図７】減圧成膜装置の一例を略示的に示す断面図である。
【図８】裏面に金属膜が形成され表面に保護部材が貼着されたウェーハを示す断面図である。
【図９】同ウェーハから保護部材を剥離する状態を示す斜視図である。
【図１０】テスト工程の一例を示す斜視図である。
【図１１】ウェーハがダイシングテープを介してダイシングフレームに支持された状態を示す斜視図である。
【図１２】金属膜除去工程の一例を示す斜視図である。
【図１３】金属膜除去工程後のウェーハの一例を示す断面図である。
【図１４】金属膜除去工程後のウェーハがテープを介してフレームに支持された状態を示す斜視図である。
【図１５】切削装置の一例を示す斜視図である。
【図１６】分割工程終了後のウェーハを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
Ｗ：ウェーハ
Ｗａ：表面
Ｓ：ストリート  Ｄ：デバイス  Ｗ１：デバイス領域  Ｗ２：外周余剰領域
Ｗｂ：裏面
Ｗ３：凹部
Ｗ４：リング状補強部
Ｔ：テープ  Ｆ：フレーム
１：保護部材
２：研削装置
２０：チャックテーブル  ２１：研削部  ２２：回転軸  ２３：ホイール
２４：砥石部
３：減圧成膜装置
３１：チャンバー  ３２：保持部  ３３：励磁部材  ３４：スパッタ源
３５：高周波電源  ３６：導入口  ３７：減圧口
４：切削装置
４０：チャックテーブル
４００：駆動源  ４０１：移動基台
４１：切削手段
４１０：ハウジング  ４１１：スピンドル  ４１２：切削ブレード
４１３：支持部
４２：切削送り手段
４２０：ボールネジ  ４２１：パルスモータ  ４２２：ガイドレール
４３：アライメント手段
４３０：赤外線カメラ
４４：切り込み送り手段
４４０：壁部  ４４１：ボールネジ  ４４２：パルスモータ
４４３：ガイドレール
４５：割り出し送り手段
４５０：ボールネジ  ４５１：移動基台  ４５２：パルスモータ
４５３：ガイドレール
５０：保持テーブル  ５１：プローブ
６：金属膜
７：研削装置
７０：保持テーブル  ７１：回転軸  ７２：砥石
【図１】
0004749849.tif 000002
【図２】
0004749849.tif 000003
【図３】
0004749849.tif 000004
【図４】
0004749849.tif 000005
【図５】
0004749849.tif 000006
【図６】
0004749849.tif 000007
【図７】
0004749849.tif 000008
【図８】
0004749849.tif 000009
【図９】
0004749849.tif 000010
【図１０】
0004749849.tif 000011
【図１１】
0004749849.tif 000012
【図１２】
0004749849.tif 000013
【図１３】
0004749849.tif 000014
【図１４】
0004749849.tif 000015
【図１５】
0004749849.tif 000016
【図１６】
0004749849.tif 000017