Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月19日(2003.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス検出器において、
（ａ）  光検出器を有し、
（ｂ）  前記光検出器の光路に沿って進む光ビームを供給するための光源を有し、
（ｃ）  所定のガスの浸入に応答して前記光ビームを変えるように前記光路の中に配置された検出装置を有し、該検出装置は、
（ｉ）  間隔をおいた複数の部品を有し、それぞれの該部品は前記光路の中に配置され、
（ｉｉ）  前記所定のガスの浸入に応答するように化学部材を有するそれぞれの前記部品を含み、前記化学部材の光透過特性を可逆的に変え、前記部品の1つの化学部材は前記部品の第2の化学部材とは異なる、ガス検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
予め置かれた試薬を収容する可撓性の容器において、
前記容器内に分散配置された、一時的にシールされておりかつ破壊可能な複数の区画室であって、各区画室は免疫分析に有用である試薬を収容し、かつ各区画室は対向する区画壁を備え、前記区画壁の少なくとも一つが十分に可撓性で前記区画室が適当な外力の存在により圧縮されるようになっている、複数の区画室と、
大気に通じている、前記区画室の内容物のための前記容器の外側出口と、
前記複数の区画室の各々から前記外側出口へと延びる通路であって、前記外側出口の各々が垂下滴として少なくとも１０μＬの小滴を支持するプラットホームで終っている通路とを備え、
前記出口の中の少なくとも２つの出口におけるプラットホームは近接しており、一つの出口におけるプラットホームが前記少なくとも２つの出口の中のもう一つの出口におけるプラットホームと接触し、前記接触するプラットホームによって支持されつつ垂下する小滴を実質的に均一に混合させるのに十分に相互に対する外角を前記少なくとも２つのプラットホームの間に形成するように、前記プラットホームの各々がそれぞれの前記出口を越えて延びている、予め置かれた試薬を収容する可撓性容器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月7日(2003.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体燃料（４）およびガス燃料（６）により運転されるバーナ（１）の運転のためのエアブラスト噴霧ノズル（２）であって、該エアブラスト噴霧ノズルが、主として、霧化縁（１９）へ液体燃料を供給するための少なくとも１つの手段を下流側の端部に備えかつ中央部でノズル軸線（１１）の周りに配置された１つの液体燃料管（１２）と、空気供給導管（１５）から空気の供給を受ける２つの同軸的な空気通路（１３，１４）と、選択的にこれらの空気通路に対して同軸的に配置されたパイロットガス通路（２２）と、ノズル外套体（２３）とから成り、両方の空気通路（１３，１４）およびパイロットガス通路（２２）がそれぞれ中間壁（１８）により互いに仕切られており、空気通路（１３，１４）がエアブラスト噴霧ノズル（２）の霧化横断面（１６）でバーナ内室（１７）内へ開口しており、外側の空気通路（１３）がこの霧化横断面（１６）の手前で狭くなっており、かつ、内側の空気通路（１４）と外側の空気通路（１３）との間の中間壁（１８）が下流側の端部で前記霧化縁（１９）を形成していて、内側の空気通路（１４）と外側の空気通路（１３）との間の中間壁（１８）が、中間壁（１８）と液体燃料管（１２）との間に配置された内側の支持部材（２１）と、中間壁（１８）とノズル外套体（２３）との間に配置された外側の支持部材（２１）とにより保持されている形式のものにおいて、
霧化縁（１９）がその全長にわたって、ノズル軸線（１１）の方向に屈曲されていることを特徴とする、エアブラスト噴霧ノズル。
【請求項２】
液体燃料管（１２）が軸方向に摺動可能であり、ノズル外套体（２３）がバーナ（１）の構成部分を成していて不動に固定されている、請求項１記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項３】
エアブラスト噴霧ノズルの個々の構成部分が互いに不動に固定されており、かつエアブラスト噴霧ノズル（２）が全体としてのみ軸方向に摺動可能である、請求項１記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項４】
液体燃料管（１２）に設けられた内側の支持部材（２１）と、内側の空気通路（１４）および外側の空気通路（１３）の間の中間壁（１８）との間に、摺動個所（２８）が設けられている、請求項２記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項５】
液体燃料（４）を供給するための手段がオイル圧力噴霧器（２４）から成っている、請求項１記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項６】
オイル圧力噴霧器（２４）がホローコーン噴霧器である、請求項５記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項７】
オイル圧力噴霧器（２４）がフルコーン噴霧器である、請求項５記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項８】
液体燃料（４）を供給するための手段が、液体燃料管（１２）の閉じた端部に半径方向または斜めに配置された孔（２５）である、請求項１記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項９】
霧化縁（１９）に越流突起（２６）が配置されている、請求項８記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【請求項１０】
外側および／または内側の支持部材（２１）がスワール発生羽根のようなスワール発生器（２７）として形成されている、請求項１記載のエアブラスト噴霧ノズル。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主としてガスターボ装置団と、蒸気回路と、蒸気タービンとから構成された発電所設備の運転法であって、ガスターボ装置団の始動のための出力を生ぜしめるために蒸気回路に関連して第１の蒸気量（２８）を発生せしめ、この蒸気量を蒸気タービン（１４）へ供給し、蒸気タービンへのこの蒸気量の供給の結果得られる出力を直接又は間接的にガスターボ装置団へ伝達して所要の始動出力を提供する形式の運転法において、中間過熱器（２２）により熱ガス（３１）を生成し、この熱ガスを蒸気回路に付属する廃熱蒸気発生器（２０）を通して案内し、かつ、この廃熱蒸気発生器内で生成された第１の蒸気量（２８）を蒸気タービン（１４）内へ導入することを特徴とする、発電所設備の運転法。
【請求項２】
蒸気タービン（１４）からガスターボ装置団内への始動出力の伝達を、ガスターボ装置団に付属するロータ軸（１２）と蒸気タービン（１４）との連結により行う、請求項１記載の運転法。
【請求項３】
ガスターボ装置団に対して蒸気タービン（１４）を解離して自主的に運転する際には、第１の蒸気量（２８）により蒸気タービン（１４）に付属する発電機（１５）内で発生した電流をガスターボ装置団に付属する電気機械の運転のために伝達する、請求項１記載の運転法。
【請求項４】
ガスターボ装置団を逐次燃焼方式で運転する、請求項１記載の運転法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板生産設備との間で基板の搬送を行なう基板搬送装置であって、
上記基板生産設備にて処理されていない上記基板である未処理基板を搬送する未処理基板搬送経路を有し、かつ上記未処理基板搬送経路と上記基板生産設備との間を移動し上記未処理基板を上記基板生産設備に搬入する未処理基板搬入装置を有する未処理基板搬送装置と、
上記基板生産設備にて処理された上記基板である処理完了基板を搬送する処理完了基板搬送経路を有し、かつ上記処理完了基板搬送経路と上記基板生産設備との間を移動し上記基板生産設備から上記処理完了基板を搬出する処理完了基板搬出装置と、
上記未処理基板搬送経路と上記処理完了基板搬送経路との間を移動して上記未処理基板搬送経路と上記処理完了基板搬送経路との間で上記基板の移送を行なう移送装置と、
を備えたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
上記未処理基板及び上記処理完了基板の搬送方向に沿って、複数の上記基板生産設備が直列に設置されているとき、上記移送装置は、少なくとも１台設けられる、請求項１記載の基板搬送装置。
【請求項３】
上記未処理基板搬送装置、上記処理完了基板搬出装置、及び上記移送装置の動作制御を行う制御装置をさらに備えた、請求項１又は２記載の基板搬送装置。
【請求項４】
異なる処理を行なう複数の上記基板生産設備が上記未処理基板及び上記処理完了基板の搬送方向に沿って設置されるとき、上記移送装置は、互いに異なる処理を行なう第１基板生産設備と第２基板生産設備との間に設置され、上記制御装置は、上記移送装置に対し、上記第１基板生産設備から上記処理完了基板搬送経路に搬出された上記処理完了基板を上記未処理基板搬送経路へ移送させる動作制御を行う、請求項３記載の基板搬送装置。
【請求項５】
上記制御装置は、上記搬送方向に沿った上記基板生産設備の配置構成と上記基板に対して実行する処理プログラムとに基づいて、上記未処理基板搬送装置、上記処理完了基板搬送装置、及び上記移送装置の動作制御を行う、請求項４記載の基板搬送装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板搬送装置を備えたことを特徴とする部品実装装置。
【請求項７】
異なる処理を行なう複数の上記基板生産設備が上記未処理基板及び上記処理完了基板の搬送方向に沿って設置されるとき、互いに異なる処理を行なう第１基板生産設備及び第２基板生産設備は、部品供給装着機であり、上記未処理基板には第１部品及び第２部品にて全部品が実装されるとき、上記制御装置は、上記第１基板生産設備に対して上記第１部品を実装させ、当該第１部品が実装された処理完了基板を上記移送装置を介して上記第２基板生産設備に搬入して上記第２基板生産設備に対して上記第２部品を実装させる、請求項６記載の部品実装装置。
【請求項８】
基板生産設備にて処理されていない基板である未処理基板を未処理基板搬送経路から上記基板生産設備に搬入し、
上記基板生産設備にて処理後、処理された基板である処理完了基板を処理完了基板搬送経路へ搬出し、
上記処理完了基板搬送経路の上記処理完了基板を上記未処理基板搬送経路へ移動させる、
ことを特徴とする基板搬送方法。
【請求項９】
上記未処理基板及び上記処理完了基板の搬送方向に沿って、複数の上記基板生産設備が直列に設置されているとき、互いに異なる処理を行なう第１基板生産設備と第２基板生産設備との間にて、上記第１基板生産設備から上記処理完了基板搬送経路に搬出された上記処理完了基板を上記未処理基板搬送経路へ移送し、上記処理完了基板を上記第２基板生産設備に搬入する、
請求項８記載の基板搬送方法。
【請求項１０】
上記搬送方向に沿った上記基板生産設備の配置構成と上記基板に対して実行する処理プログラムとに基づいて、上記未処理基板搬送経路から上記基板生産設備への上記未処理基板の搬入、上記処理完了基板搬送経路から上記未処理基板搬送経路への上記処理完了基板の移送、及び上記処理完了基板の上記第２基板生産設備への搬入を制御される、請求項９記載の基板搬送方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月17日(2003.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項２】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項３】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去し、
前記結晶性珪素膜に対して、加熱又はレーザー光の照射を行うことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項４】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去し、
前記酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を除去し、
前記結晶性珪素膜に対して、加熱又はレーザー光の照射を行うことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項５】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を、ハロゲンを含有する雰囲気において移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項６】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を、ハロゲンを含有する雰囲気において移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項７】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する選択的に金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項８】
第１の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する選択的に金属元素を導入し、
前記第１の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜上に不純物を含有する第２の非晶質珪素膜を形成し、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させ、
前記第２の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項において、
前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕもしくはＡｕであることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項において、
前記第２の非晶質珪素膜の膜厚は、前記第１の非晶質珪素膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項において、
前記第２の非晶質珪素膜に含有された不純物の濃度は、前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度よりも高いことを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項において、
前記第２の非晶質珪素膜中に前記金属元素を移動させた後、前記第２の非晶質珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度は、前記結晶性珪素膜中の前記珪素の結晶化を助長する金属元素の濃度よりも高くなることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項において、
前記第２の非晶質珪素膜の代わりに非晶質のＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）を用いることを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の作製方法によって形成された結晶性珪素膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
請求項１４に記載の薄膜トランジスタを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の液晶表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式［１］
【化１】
1997291070.tif 000001
（式中、Ｒ1及びＲ2は夫々独立して低級アルキル基を表し、Ｒ3は炭素数２以上の飽和アルキル基を表す。）で示される、アゾアミド化合物。
【請求項２】
Ｒ1及びＲ2が、夫々独立して直鎖状、分枝状或いは環状の炭素数１〜６のアルキル基である、請求項１記載のアゾアミド化合物。
【請求項３】
Ｒ1及びＲ2が、夫々メチル基である、請求項２記載のアゾアミド化合物。
【請求項４】
Ｒ3が、直鎖状、分枝状或いは環状の炭素数２〜１０の飽和アルキル基である、請求項１〜３記載のアゾアミド化合物。
【請求項５】
Ｒ3が、直鎖状、分枝状或いは環状の炭素数２〜６の飽和アルキル基である、請求項４記載のアゾアミド化合物。
【請求項６】
Ｒ3が、直鎖状、分枝状或いは環状の炭素数３〜６の飽和アルキル基である、請求項４記載のアゾアミド化合物。
【請求項７】
請求項１〜６に記載のアゾアミド化合物を用いることを特徴とするモノマーの重合方法。
【請求項８】
請求項１〜６に記載のアゾアミド化合物を含んで成る重合開始剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロシアニジンを有効成分とする抗肥満剤。
【請求項２】
プロシアニジンを有効成分とする糖質分解消化酵素阻害作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項３】
プロシアニジンを有効成分とする血糖上昇抑制作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項４】
プロシアニジンを有効成分とする単糖吸収抑制作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項５】
プロシアニジンを有効成分とするコール酸吸着排泄作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項６】
プロシアニジンを有効成分とするコレステロール低下作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項７】
プロシアニジンを有効成分とする血中トリグリセリド低下作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項８】
プロシアニジンを有効成分とするリパーゼ阻害作用を有することを特徴とする抗肥満剤。
【請求項９】
プロシアニジンを有効成分とする抗肥満剤を含有する飲食物。
【請求項１０】
プロシアニジンを有効成分とする抗肥満剤を含有する食品添加剤。
【請求項１１】
肥満の抑制、改善及び予防のための飲食物製造へのプロシアニジンの使用。
【請求項１２】
プロシアニジンを有効成分とする抗肥満剤を含有する動物飼料。
【請求項１３】
プロシアニジンを有効成分とする抗肥満剤を含有する動物飼料用添加剤。
【請求項１４】
肥満の抑制、改善及び予防のための動物飼料製造へのプロシアニジンの使用。
【請求項１５】
請求項１ないし８に記載のプロシアニジンがタマリンド種皮よりの抽出物から得られたものであることを特徴とする抗肥満剤。
【請求項１６】
請求項１５に記載のプロシアニジンが、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、グリセリン、アセトン、酢酸エチル及びメチルエチルケトンから選ばれた１種又は２種以上の溶媒で、抽出されたものであることを特徴とする抗肥満剤。
【請求項１７】
請求項１ないし８に記載のプロシアニジンがタマリンド種皮抽出物であることを特徴とする抗肥満剤。
【請求項１８】
請求項１７記載のプロシアニジンが、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、グリセリン、アセトン、酢酸エチル及びメチルエチルケトンから選ばれた１種又は２種以上の溶媒による、タマリンド種皮抽出物であることを特徴とする抗肥満剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
液晶混合物が請求項１〜９のいずれか１項に記載のキラルベンゼン誘導体の少なくとも１種を含有することを特徴とするスーパーツィスト液晶ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
液晶混合物が請求項１〜９のいずれか１項に記載のキラルベンゼン誘導体の少なくとも１種を含有することを特徴とするアクティブマトリックス液晶ディスプレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究したところ、下記式Ｉで表わされる光学活性ベンゼン誘導体がチルト角を有するスメクティック液晶相におけるドープ剤として、少量で添加しても、コレステリック相に大きいねじれを生じさせることを見出した。  【化８】
1997291049.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
非常に特に好ましい媒体としては、式Ｉで表わされる化合物の少なくとも１種を含有し、Ｔ＝０℃〜５０℃の範囲において、好ましくは０．１％／℃より小さい、特に好ましくは０．０５％／℃よりも小さいコレステリックピッチの温度依存性を有する液晶媒体が挙げられる。特に好ましい媒体としては、０．０２％／℃よりも小さい温度依存性を有する液晶媒体が挙げられる。０．００１〜０．０５％／℃の温度依存性はまた、好ましい。上記温度依存性は絶対値（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  ｖａｌｕｅ）である。ピッチそれ自体の温度依存性は、本発明に従い正または負のどちらかであることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この種の液晶相の成分として適する最も重要な化合物は、下記式Ｉ´で表わすことができる特徴を有する：
Ｒ−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ´                    Ｉ´
この式において、ＬおよびＥはそれぞれ、１，４−ジ置換ベンゼンおよびシクロヘキサン環、４，４′−ジ置換ジフェニル、フェニルシクロヘキサンおよびシクロヘキシルシクロヘキサン系、２，５−ジ置換ピリミジンおよび１，３−ジオキサン環、２，６−ジ置換ナフタレン、ジ−およびテトラヒドロナフタレン、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾリンからなる群からの炭素環状環系および複素環状環系であり、
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効成分として、
Ａ）元素周期表の第４、第５又は第６族遷移金属のメタロセン錯体、
Ｂ）メタロセンイオンを形成する化合物及び
Ｃ）立体障害を有するアリールオキシアルミニウム化合物
を有するオレフィン性不飽和化合物の重合に適する重合系。
【請求項２】
前記成分Ｂ）が、Ｃ１〜Ｃ１０−アルミノキサンである請求項１記載の触媒系。
【請求項３】
前記立体障害を有するアリールオキシアルミニウム化合物Ｃ）が、フェノール誘導体、ナフトール誘導体又はヒドロキシアンスラセン誘導体であり、この誘導体のアルミノキシ基に接する置換可能な環位置に嵩高な基が存在する請求項１記載の触媒系。
【請求項４】
有効成分として、
Ａ）元素周期表の第４、第５又は第６族遷移金属のメタロセン錯体、
Ｂ）メタロセンイオンを形成する化合物及び
Ｃ）立体障害を有するアリールオキシアルミニウム化合物
を有する触媒系の存在下に、
０〜４５０℃及び０．１〜５００，０００ｋＰａの圧力で少なくとも２種類のオレフィン性不飽和モノマーを結合して重合体を製造する方法。
【請求項５】
前記成分Ｂ）が、Ｃ１〜Ｃ１０−アルミノキサンである請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記立体障害を有するアリールオキシアルミニウム化合物Ｃ）が、フェノール誘導体、ナフトール誘導体又はヒドロキシアンスラセン誘導体であり、この誘導体のアルミノキシ基に接する置換可能な環位置に嵩高な基が存在する請求項４又は５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月25日(2003.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
情報を無線で送信するワイヤレス送信装置と、
前記ワイヤレス送信装置から送信される情報を無線で受信するワイヤレス受信装置とを含み、
前記ワイヤレス送信装置は、
指示を入力する入力手段と、
前記ワイヤレス受信装置に情報を無線で送信するための送信装置側送信手段と、
前記入力手段および前記送信装置側送信手段に接続され、前記入力手段より継続して指示が入力されている場合に、前記送信装置側送信手段を介して、前記指示を所定の間隔で送信するための情報生成制御手段とを含み、
前記ワイヤレス受信装置は、
前記ワイヤレス送信装置から無線により送信される指示を受信するための受信装置側受信手段と、
前記受信装置側受信手段に接続され、前記受信装置側受信手段で受信された指示に従って動作するための動作手段とを含む、ワイヤレス情報伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
情報を無線で送信するワイヤレス送信装置と、前記ワイヤレス送信装置から送信される情報を無線で受信するワイヤレス受信装置とを含むワイヤレス情報伝送システムで用いられるワイヤレス送信装置であって、
指示を入力する入力手段と、
前記ワイヤレス受信装置に情報を無線で送信するための送信装置側送信手段と、
前記入力手段および前記送信装置側送信手段に接続され、前記入力手段より継続して指示が入力されている場合に、前記送信装置側送信手段を介して、前記指示を所定の間隔で送信するための情報生成制御手段とを含む、ワイヤレス送信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のある局面に従うワイヤレス情報伝送システムは、情報を無線で送信するワイヤレス送信装置と、ワイヤレス送信装置から送信される情報を無線で受信するワイヤレス受信装置とを含む。ワイヤレス送信装置は、指示を入力する入力手段と、ワイヤレス受信装置に情報を無線で送信するための送信装置側送信手段と、入力手段および送信装置側送信手段に接続され、入力手段より継続して指示が入力されている場合に、送信装置側送信手段を介して、指示を所定の間隔で送信するための情報生成制御手段とを含む。ワイヤレス受信装置は、ワイヤレス送信装置から無線により送信される指示を受信するための受信装置側受信手段と、受信装置側受信手段に接続され、受信装置側受信手段で受信された指示に従って動作するための動作手段とを含む。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の他の局面に従うワイヤレス送信装置は、情報を無線で送信するワイヤレス送信装置と、ワイヤレス送信装置から送信される情報を無線で受信するワイヤレス受信装置とを含むワイヤレス情報伝送システムで用いられる。ワイヤレス送信装置は、指示を入力する入力手段と、ワイヤレス受信装置に情報を無線で送信するための送信装置側送信手段と、入力手段および送信装置側送信手段に接続され、入力手段より継続して指示が入力されている場合に、送信装置側送信手段を介して、指示を所定の間隔で送信するための情報生成制御手段とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月18日(2003.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルと、前記液晶パネルに電気的に接続される回路基板とを具備し、
前記回路基板と前記液晶パネルの間には、一方の側が前記液晶パネルと対向して前記液晶パネルを支持し、他方の側が前記回路基板と対向する支持体が配置されており、
前記支持体には、前記回路基板と係合手段が形成されているとともに、前記接続部材を挿入する開口部が設けられてなり、
前記開口部には、前記液晶パネルと前記回路基板との間に挟まった状態で、前記液晶パネルと前記回路基板とを電気的に接続する接続部材が挿入されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記支持体の前記一方の側には、前記液晶パネルを押圧する押圧支持部が設けられてなり、
前記押圧支持部が前記液晶パネルを押圧して前記接続部材と前記回路基板とが導電接続されてなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記接続部材は弾性部材であり該接続部材の弾性力により前記回路基板に圧がかかっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記接続部材は、導電部と弾性の絶縁部を含み、該接続部材が加圧されることにより前記導電部と前記回路基板とが電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記接続部材はトーションバネ構造を有する弾性片からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置において、
前記接続部材は、前記液晶パネルに直接実装されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
平面形状の表示パネルと、前記表示パネルに電気的に接続される回路基板と、を具備し、
前記回路基板と前記液晶パネルとの間には、一方の側が前記表示パネルと対向して前記表示パネルを支持し、他方の側が前記回路基板と対向する支持体が配置されており、
前記支持体には、前記回路基板と係合する係合手段が形成されているとともに、前記接続部分を挿入する開口部が設けられてなり、
前記開口部には、前記表示パネルと前期回路基板との間に挟まった状態で、前記表示パネルと前期回路基板とを電気的に接続する接続部材が挿入されてなることを特徴とする平面型表示装置
【請求項８】
請求項７に記載の平面型表示装置において、
前記表示パネルに形成された複数の第１端子と、前記回路基板の前記接続部材との接続面に形成された第２端子と、を更に有し、
前記接続部材は弾性を有する絶縁部および導電部とが形成され、
前記第１端子は、対応する前記第２端子に、前記導電部を介して電気的に接続されてなることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項９】
表示部として平面型表示装置を備えた電子機器において、
前記平面型表示装置は、平面形状の表示パネルと、前記表示パネルに電気的に接続される回路基板と、を具備し、
前記回路基板と前記表示パネルとの間には、一方の側が前記表示パネルと対向して前記表示パネルを支持し、他方の側が前記回路基板と対向する支持体が配置されており、
前記支持体には、前記回路基板と係合する係合手段が形成されているとともに、前記接続部材を挿入する開口部が設けられてなり、
前記開口部には、前記表示パネルと前期回路基板との間に挟まった状態で、前記表示パネルと前記回路基板とを電気的に接続する接続部材が挿入されてなることを特徴とする電気機器
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月22日(2003.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔あるいは溝パターンが形成された基板の、一部の上記孔あるいは溝の部分に
開口を持つレジストパターンを形成する半導体装置の製造方法において、上記基板あるいは上記開口部の孔や溝に近接して配置された物質が、露光光の透過を妨げる性質を持ち、上記孔あるいは溝パターンが形成された基板上にネガレジストを形成する工程と、所望の開口部以外を露光する工程、および現像する工程からなることを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、上記基板に形成された孔あるいは溝パターンの最小幅が、
上記露光を行なうときの露光光の波長と同じかそれより小さいことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、上記基板に形成された孔あるいは溝パターンのアスペクト
比が３以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面が酸化膜であり、径が露光波長よりも小さい孔がマトリクス状に配置された基板を準備する工程と、前記孔を有する前記基板表面にネガレジストを塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜を露光、現像し、ライン状に前記孔が露出するネガレジストパターンを形成する工程と、その後前記ネガレジストパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記孔のアスペクト比は３以上であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
表面が酸化膜であり、径が露光波長よりも小さく、アスペクト比が３以上の孔が複数設けられた基板を準備する工程と、前記孔を有する前記基板表面にネガレジストを塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜を露光、現像し、複数の前記孔の内所望の幾つかが露出するネガレジストパターンを形成する工程と、その後前記ネガレジストパターンをマスクとして前記基板をエッチングし、所望の前記孔を深孔にする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細な幅（径）でアスペクト比の高い溝や孔を有する基板へ良好なパターン形成が行える半導体装置の製造方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【発明の効果】
本発明により、所望の開口を有するレジストパターンを形成することが可能となる。レジスト残り不良が発生しないことから歩留まりが向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月24日(2003.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の棒状光伝送体が平行配列され２枚の基板で挟み込まれた構造を有する光伝送体アレイ原板の製造方法であって、
棒状光伝送体を挟み込む側の面とは反対側の基板面にシート同士の自己密着性を有する樹脂製シートを被覆する工程と、該基板を２枚用いて樹脂製シートが被覆されていない面で複数の棒状光伝送体を挟み込んで光伝送体アレイ原板を仮組する工程と、仮組された光伝送体アレイ原板の２枚以上を樹脂製シート被覆面同士が相接するよう重ね合わせて積層体を形成する工程と、棒状光伝送体同士間および棒状光伝送体と基板間の空隙に接着剤を充填し、該接着剤を硬化させる工程と、前記積層体の樹脂製シート同士の接面を境に個々の光伝送体アレイ原板に分離する工程と、分離された個々の光伝送体アレイ原板の基板表面から樹脂製シートを除去する工程を有することを特徴とする光伝送体アレイ原板の製造方法。
【請求項２】
接着剤を充填する工程において、前記積層体の棒状光伝送体の露出端面の一方を液状接着剤に浸漬し、他方の露出端面側から減圧吸引して前記空隙に接着剤を充填する請求項１記載の光伝送体アレイ原板の製造方法。
【請求項３】
前記接着剤を硬化する工程が、光伝送体アレイ原板の積層方向から圧力をかけた状態で接着剤を硬化することを特徴とする請求項１または２記載の光伝送体アレイ原板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の棒状光伝送体が平行配列され２枚の基板で挟み込まれた構造を有する光伝送体アレイ原板の製造方法であって、棒状光伝送体を挟み込む側の面とは反対側の基板面にシート同士の自己密着性を有する樹脂製シートを被覆する工程と、該基板を２枚用いて樹脂製シートが被覆されていない面で複数の棒状光伝送体を挟み込んで光伝送体アレイ原板を仮組する工程と、仮組された光伝送体アレイ原板の２枚以上を樹脂製シート被覆面同士が相接するよう重ね合わせて積層体を形成する工程と、棒状光伝送体同士間および棒状光伝送体と基板間の空隙に接着剤を充填し、該接着剤を硬化させる工程と、前記積層体の樹脂製シート同士の接面を境に個々の光伝送体アレイ原板に分離する工程と、分離された個々の光伝送体アレイ原板の基板表面から樹脂製シートを除去する工程を有することを特徴とする光伝送体アレイ原板の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月9日(2003.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸中心に屈折率ｎ１を有し外径２ａである第１コア部と、この第１コア部を取り囲み屈折率ｎ２を有し外径２ｂである第２コア部と、この第２コア部を取り囲み屈折率ｎｃｌａｄを有するクラッド部とを備え、ｎ２＞ｎ１であり、ｎ２＞ｎｃｌａｄであり、比２ａ／２ｂが０．０５以上であり、波長１．５５μｍにおける波長分散が−１０ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であり、波長１．５５μｍにおいてシングルモードであることを特徴とする分散補償光ファイバ。
【請求項２】
前記クラッド部は、前記第２コア部を取り囲み屈折率ｎ３を有する第１クラッド部と、その第１クラッド部を取り囲み屈折率ｎ４を有する第２クラッド部とを備え、ｎ２＞ｎ４＞ｎ３であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項３】
前記クラッド部は、前記第２コア部を取り囲み屈折率ｎ３を有する第１クラッド部と、その第１クラッド部を取り囲み屈折率ｎ４を有する第２クラッド部と、その第２クラッド部を取り囲み屈折率ｎ５を有する第３クラッド部とを備え、ｎ２＞ｎ４＞ｎ３であり、ｎ４＞ｎ５であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項４】
波長１．５５μｍにおける分散スロープが負であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項５】
比２ａ／２ｂが０．６以下であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項６】
直径３２ｍｍφで１ターン巻いたときの波長１．５５μｍにおける損失増加が０．５ｄＢ以下であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項７】
波長１．５５μｍにおける波長分散が−４５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−１９ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項８】
波長１．５５μｍにおける実効断面積が１５μｍ２以上４０μｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項９】
波長１．５５μｍにおける分散スロープが−０．２５ｐｓ／ｎｍ２／ｋｍ以上−０．０５ｐｓ／ｎｍ２／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の分散補償光ファイバ。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載の分散補償光ファイバと、波長１．５５μｍにおいて波長分散が正である他の光ファイバとが、接続されていることを特徴とする光伝送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る分散補償光ファイバは、上記クラッド部が、上記第２コア部を取り囲み屈折率ｎ３を有する第１クラッド部と、その第１クラッド部を取り囲み屈折率ｎ４を有する第２クラッド部とを備え、ｎ２＞ｎ４＞ｎ３であることを特徴とする。この場合には、この分散補償光ファイバは、基底モード光の遮断波長が長いものとなり、波長１．５５μｍにおける分散スロープが負となる。そして、この分散補償光ファイバは、波長１．５５μｍにおける分散スロープが負であることにより、標準的なシングルモード光ファイバの波長分散および分散スロープの双方を補償することができる。
また、上記クラッド部が、上記第２コア部を取り囲み屈折率ｎ３を有する第１クラッド部と、その第１クラッド部を取り囲み屈折率ｎ４を有する第２クラッド部と、その第２クラッド部を取り囲み屈折率ｎ５を有する第３クラッド部とを備え、ｎ２＞ｎ４＞ｎ３であり、ｎ４＞ｎ５であるのも好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る分散補償光ファイバは、比２ａ／２ｂが０．６以下であることを特徴とする。この場合には曲げに因る損失増加が小さい。そして、直径３２ｍｍφで１ターン巻いたときの波長１．５５μｍにおける損失増加が０．５ｄＢ以下であることにより、ケーブル化等に因りマイクロベンドやマクロベンド等の外乱が生じたとしても、信号光波長帯域における伝送損失が上昇しない。
また、本発明に係る分散補償光ファイバは、波長１．５５μｍにおいて、波長分散が−４５ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以上−１９ｐｓ／ｎｍ／ｋｍ以下であるのが好適であり、実効断面積が１５μｍ２以上４０μｍ２以下であるのが好適であり、分散スロープが−０．２５ｐｓ／ｎｍ２／ｋｍ以上−０．０５ｐｓ／ｎｍ２／ｋｍ以下であるのが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月19日(2003.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射防止膜および光学部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高屈折率の基板に積層された６層の薄膜からなる交互多層膜を有し、該交互多層膜の前記基板側から第１層と第３層と第５層が前記基板より屈折率の低い高屈折率層であり、第２層および第４層がそれぞれ中屈折率層または低屈折率層であり、第６層が低屈折率層であることを特徴とする反射防止膜。
【請求項２】
第１層と第３層と第５層の高屈折率層の屈折率が１．８５以上であり、第２層および第４層の屈折率が１．３５〜１．８９であり、第６層の低屈折率層の屈折率が１．４０以下であることを特徴とする請求項１記載の反射防止膜。
【請求項３】
第１ないし第６層のそれぞれの光学的膜厚ｎｄ1 、ｎｄ2 、ｎｄ3 、ｎｄ4 、ｎｄ5 、ｎｄ6 が以下の式で表わされる範囲であることを特徴とする請求項２記載の反射防止膜。
０．２９λ0 ≦ｎｄ1 ≦０．３３λ0 
０．０１λ0 ≦ｎｄ2 ≦０．０６λ0 
０．４０λ0 ≦ｎｄ3 ≦０．４５λ0 
０．０１５λ0 ≦ｎｄ4 ≦０．０５λ0 
０．０４λ0 ≦ｎｄ5 ≦０．１３λ0 
０．２２λ0 ≦ｎｄ6 ≦０．２５λ0 
ここで、λ0 ＝５５０ｎｍ
【請求項４】
入射角度０〜１０°における分光反射率が、測定波長４００〜７００ｎｍの範囲内において、０．５％以下であることを特徴とする請求項３記載の反射防止膜。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項記載の反射防止膜を形成した表面を有することを特徴とする光学部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学部品に施される反射防止膜であって、特に、波長４００〜７００ｎｍの可視域用の反射防止膜および光学部品に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
光学部品に用いられる光学用基板の表面と入射媒質の界面における入射角度が０〜１０°の入射光は、例えば、特開平１０−２０１０２号公報で提案されているような一般的な光学ガラス基板を用いた反射防止膜の場合は、３〜４％程度の反射にとどまるが、基板の屈折率が例えば２．０以上と高くなると、１５〜２０％程度も反射するという現象が生じる。従って、この基板を光が透過すると、表面側と裏面側で３０〜４０％の光量損失となり、しかもその枚数が増加すると、光量損失は相乗的に増加する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、高屈折率の基板に対応できる可視域用広帯域の反射防止膜および光学部品を提供することを目的とするものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、第１ないし第６層のそれぞれの光学的膜厚ｎｄ1 、ｎｄ2 、ｎｄ3 、ｎｄ4 、ｎｄ5 、ｎｄ6 が以下の式で表わされる範囲であるとよい。
０．２９λ0 ≦ｎｄ1 ≦０．３３λ0 
０．０１λ0 ≦ｎｄ2 ≦０．０６λ0 
０．４０λ0 ≦ｎｄ3 ≦０．４５λ0 
０．０１５λ0 ≦ｎｄ4 ≦０．０５λ0 
０．０４λ0 ≦ｎｄ5 ≦０．１３λ0 
０．２２λ0 ≦ｎｄ6 ≦０．２５λ0 
ここで、λ0 ＝５５０ｎｍ
本発明の光学部品は、上記の反射防止膜を形成した表面を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
光学用基板が高屈折率の基板であっても、該基板より屈折率の低い成膜材料を用いて上記の膜構成にすることにより、可視域全域の波長４００〜７００ｎｍにおける反射率０．５％以下の反射防止膜を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月27日(2003.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像光を、ポリゴンミラー上で副走査方向について焦点を結び、ポリゴンミラーによって主走査方向について等角速度に偏向した後、補正手段を介して主走査方向について等速度に偏向して感光体の表面に結像させる画像形成装置において、
複数の画像光が、単一のポリゴンミラーの同一の反射面における副走査方向に近接する位置で、焦点を結ぶとともに、該複数の画像光のビームウェストが、副走査方向について一部又は全部において重複することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記複数の画像光を照射する複数の光源を備え、複数の光源を主走査方向について略同一の位置で、かつ、副走査方向については互いに異なる位置に配置したことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記ポリゴンミラーにおいて反射した複数の画像光を副走査方向について互いに平行な光に変換する単一の変換手段と、変換手段を通過した複数の画像光を主走査方向について等速度に偏向する単一の補正手段と、を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記補正手段と感光体との間に、複数の画像光を感光体の表面における同一位置に照射する光路設定手段を設けたことを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記複数の画像光において、副走査方向に互いに隣接する２つの画像光ａ及び画像光ｂに対し、画像光ａの副走査方向の幅をＢａ、画像光ｂの副走査方向の幅をＢｂ、画像光ａと画像光ｂとの副走査方向の間隔をＬ、ポリゴンミラーにおける焦点位置の副走査方向の誤差をＷ、ポリゴンミラーの面倒れによる副走査方向の最大誤差をＤとした時、
Ｌ−（Ｂａ／２）−（Ｂｂ／２）−Ｗ−Ｄ＞０
の関係を満たすように上記複数の光源及び変換手段が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記複数の画像光毎に個別の感光体を備え、互いに隣接する２つの感光体ａ及び感光体ｂについて、感光体ａと感光体ｂとの転写位置の間隔をＧ（ｍ）、感光体ａの露光位置と転写位置との距離をＴａ（ｍ）、感光体ｂの露光位置と転写位置との距離をＴｂ（ｍ）、プロセス速度をｖ（ｍ／ｓ）、ポリゴンミラーの回転数をｑ（ｒｐｍ）、任意の整数をｋとして、
Ｇ＋Ｔａ−Ｔｂ＝ｋ・６０・ｖ／ｑ
の関係を有することを特徴とする請求項１に記載した画像形成装置。
【請求項７】
前記複数の画像光毎に円柱形状を呈する感光体を個別に備え、互いに隣接する２つの感光体ａ及び感光体ｂについて、感光体ａ及び感光体ｂの半径をＲ（ｍ）、感光体ａと感光体ｂとの転写位置の間隔をＧ（ｍ）、感光体ａの露光位置と転写位置との間の角度をＳａ（ｒａｄ）、感光体ｂの露光位置と転写位置との間の角度をＳｂ（ｒａｄ）、プロセス速度をｖ（ｍ／ｓ）、ポリゴンミラーの回転数をｑ（ｒｐｍ）、任意の整数をｋとして、
Ｇ＋Ｒ・Ｓａ−Ｒ・Ｓｂ＝ｋ・６０・ｖ／ｑ
の関係を有することを特徴とする請求項１に記載した画像形成装置。
【請求項８】
複数の画像光を、単一のポリゴンミラーの同一の反射面における副走査方向に近接する位置で焦点を結ばせる第１の光学系と、
前記ポリゴンミラーが回転することにより主走査方向について等角速度に偏向した光を主走査方向について等速度に偏向する、ｆ−θレンズを含む第２の光学系と、
前記第２の光学系からの光を複数の画像光毎に分離して感光体に向けて偏向する偏向ミラーとを備え、
前記第２の光学系は、前記複数の画像光を副走査方向について平行光とする画像形成装置。
【請求項９】
前記偏向ミラーで偏向された光を集光して感光体の表面に結像させるレンズを備えた、請求項８記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
(1) 複数の画像光を、ポリゴンミラー上で副走査方向について焦点を結び、ポリゴンミラーによって主走査方向について等角速度に偏向した後、補正手段を介して主走査方向について等速度に偏向して感光体の表面に結像させる画像形成装置において、
複数の画像光が、単一のポリゴンミラーの同一の反射面における副走査方向に近接する位置で、焦点を結ぶとともに、該複数の画像光のビームウェストが、副走査方向について一部又は全部において重複することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、この構成においては、複数の画像光のポリゴンミラーにおける反射位置の副走査方向の誤差が、各画像光のビームウェストの範囲内にされる。したがって、複数の画像光の間におけるレジスト不良が１ドット以下の範囲に収まり、画像に著しいずれをを生じることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2003277377.tif 000001
〔式中、Ｗはハロゲン原子を示し、Ｒ１は低級アルキル基を示し、Ｒ２はホルミル基および置換されていてもよい水酸基から選ばれる置換基１ないし３個で置換されていてもよい低級アルキル基を示し、
Ｒ３は式
【化２】
2003277377.tif 000002
〔式中、ｘは１、２または３の整数を示し、ｙは０、１または２の整数を示し、
破線ａおよびｂは何れか一方が二重結合を示し、他方は一重結合を示し、Ｒ４は
水素原子または式  −（ＣＨ２）ｚ−Ｒ６〔式中、Ｒ６はエステル化されていてもよいカルボキシル基を示し、ｚは０、１、２または３の整数を示す。〕で表される基を示す。但し、破線ａが二重結合のとき、ｙは０でない。〕で表される基を示す。〕で表される化合物またはその塩、またはそのプロドラッグを含有してなる高密度リポタンパク−コレステロール上昇剤。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月27日(2003.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
各種ステンレス鋼板を素材とした製品について、耐衝撃試験を実施した。
耐衝撃試験は、温度を５℃に保持した製品に、φ２ｍｍのビーズを５ｋｇｆ／ｍｍ2で１時間吹き付けて割れ発生の状況を観察した。
その評価結果を表１に併せて示す。