Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月23日(2004.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
前記第１の磁極層の外側に配置され、前記薄膜コイルに接続されたリード層と、
前記薄膜コイルと前記リード層とを接続する接続層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
全体的に平坦な上面を有し、前記第１の磁極層を形成するために用いられる磁性層を形成する工程と、
前記磁性層の上に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記リード層を形成する工程と、
前記薄膜コイルおよびリード層の形成後に、前記磁性層をパターニングして前記第１の磁極層を完成させる工程と、
前記第１の磁極層の磁極部分の上に前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層および薄膜コイルの上に前記第２の磁極層を形成する工程と、
前記第１の磁極層の完成後に前記接続層を形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、
前記第１の磁極層の磁極部分と前記第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、
少なくとも一部が前記第１および第２の磁極層の間に、前記第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、
前記薄膜コイルに接続されたリード層とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１の磁極層は、全体的に平坦な上面を有する磁性層を含み、
前記薄膜コイルは、前記磁性層の上に配置され、
前記リード層は前記第１の磁極層の外側に配置され、
薄膜磁気ヘッドは、更に、前記薄膜コイルおよび前記リード層の上に配置され、前記薄膜コイルと前記リード層とを接続する接続層を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の第４の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面側において互いに対向する磁極部分を含むと共に、互いに磁気的に連結された第１および第２の磁極層と、第１の磁極層の磁極部分と第２の磁極層の磁極部分との間に設けられたギャップ層と、少なくとも一部が第１および第２の磁極層の間に、第１および第２の磁極層に対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイルと、第１の磁極層の外側に配置され、薄膜コイルに接続されたリード層と、薄膜コイルとリード層とを接続する接続層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第１の磁極層は、全体的に平坦な上面を有する磁性層を含み、薄膜コイルは、磁性層の上に配置され、リード層は第１の磁極層の外側に配置され、本発明の薄膜磁気ヘッドは、更に、薄膜コイルおよびリード層の上に配置され、薄膜コイルとリード層とを接続する接続層を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月8日(2004.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークセグメント間でパケットを転送するための無線インタフェースを備えた無線ブリッジにおいて、
周辺に位置する通信可能な他の無線ブリッジの中から、通信品質によって接続すべきブリッジを選択し、各接続ブリッジに論理的なポート識別子を付与するための手段と、
ブリッジ内のネットワークセグメント用に割り当てられたポート番号と上記論理的なポート識別子に対応して用意された複数の送／受信バッファと、
上記各受信バッファに格納されたパケットを宛先アドレスによって特定される何れかの送信バッファに転送する転送制御手段と、
他のネットワークセグメントとの間で、上記何れかの送／受信バッファと上記無線インタフェースとを介して、パケットを送受信するための手段とを備えたことを特徴とする無線ブリッジ。
【請求項２】
前記付与手段が、周辺に位置する他の無線ブリッジの中から、信号受信レベルが予め設定された閾値以上のものを前記接続ブリッジとして選択し、ポート番号を付与することを特徴とする請求項１に記載の無線ブリッジ。
【請求項３】
前記付与手段が、信号受信レベルが前記閾値以上の周辺ブリッジの中から、予め指定された上限個数の範囲内で前記接続ブリッジを選択することを特徴とする請求項１に記載の無線ブリッジ。
【請求項４】
無線インタフェースを介して接続される周辺の特定の無線ブリッジに対して論理的なポート識別子を割り当て、該ポート識別子によってネットワークセグメント間のパケット転送を制御する無線ブリッジにおいて、
ブリッジ内のネットワークセグメント用に割り当てられたポート番号に対応して用意された送／受信バッファと、
上記周辺無線ブリッジ用に割り当てられた論理的なポート識別子に対応して用意された複数の送／受信バッファと、
同報通信用に割り当てられた論理的なポート識別子に対応して用意された送信バッファと、
上記各受信バッファに格納されたパケットを宛先アドレスによって特定される何れかの送信バッファに転送する転送制御手段と、
上記周辺無線ブリッジ用のポート番号と対応する送信バッファから読み出された送信パケットに対して該当する周辺無線ブリッジ宛のヘッダを付与し、上記同報通信用のポート識別子と対応する送信バッファから読み出されたパケットに対して同報通信用のヘッダを付与して、上記無線インタフェースに送出する送信処理手段とを備えたことを特徴とする無線ブリッジ。
【請求項５】
無線インタフェースとネットワークセグメント用のインタフェースを有し、無線区間では、ＩＥＥＥ８０２．１１に従ったＭＡＣフレーム形式でパケット通信し、ＩＥＥＥ８０２．１Ｄに規定されたスパニングツリープロトコルに従ってネットワークの構成を管理する無線ブリッジにおいて、
周辺の複数の無線ブリッジにブロードキャストまたはマルチキャストすべきパケットに対し、中継先アドレスとしてブロードキャストまたはマルチキャストアドレスを含むＭＡＣヘッダを付与し、上記無線インタフェースから同報パケットとして送出するための手段を備えたことを特徴とする無線ブリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月23日(2003.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０２  Ａ／Ｄ変換手段
１０４  伝送レート検出手段
１０６  信号変換手段
１０８  位相誤差検出手段
３０１  ゼロクロス検出回路
３０５  傾き検出回路
３０７  カウント回路
３０９  カウント最小値検出回路
３１２  微小間隔検出回路
３１４  加算器
３１５  平均化回路
３１６  ゼロクロス点間隔検出回路
４０１  遅延器
４０２，４０３，４０４，４０５  比較器
４０６，４０７  ＡＮＤ回路
４０８  ＯＲ回路
５０１  遅延器
５０２，５０３  減算器
５０４，５０５  選択器
５０６，５０７  比較器
５０８  ホールド付遅延器
５０９  ＡＮＤ回路
６０１  加算器
６０２，６０６  選択器
６０３  遅延器
６０４  比較器
６０５  ホールド付遅延器
７０１  比較器
７０２  選択器
７０３  遅延器
８０１，８１２  遅延器
８０２，８０３  減算器
８０４，８０５  除算器
８０６，８０７，８１０，８１１  選択器
８０８  ホールド付遅延器
８０９  加算器
９０１  極値検出回路
９０２  極値検出信号
１００１，１００４，１０１２  遅延器
１００２  減算器
１００３，１００５，１００８  比較器
１００６，１０１０，１０１１  選択器
１００７    絶対値回路
１００９    ＯＲ回路
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月17日(2003.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置用パッケージ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板上にその周囲を囲むように形成された金属フレームと、
該金属フレームを介して上記半導体基板に対向して設けられたパッケージ基板と
を備え、上記半導体基板をキャップとして上記パッケージ基板に実装するようにしたことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
【請求項２】
上記半導体基板は電極を有し、上記パッケージ基板は上記電極に対向して設けられた基板電極と、上記金属フレームに対向して設けられた金属フレーム受けプレートとを有し、上記電極と上記基板電極、および上記金属フレームと上記金属フレーム受けプレートをそれぞれ半田接合して上記半導体基板を上記パッケージ基板に向かい合わせで連結実装するようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項３】
上記半導体基板の外部への配線の取り出しを、上記パッケージ基板側に形成されたスルーホールを介して行うことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項４】
上記金属フレームは、塑性変形を生じさせるためのエッジを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項５】
上記半導体基板の外部への配線の取り出しを、上記パッケージ基板の代わりに多層配線基板を用いたことを特徴とする請求項３記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項６】
上記半導体基板の外部への配線の取り出しを、上記半導体基板側に形成されたビアホールを用いて行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項７】
上記金属フレームを、ソース電極で兼用するようにしたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
【請求項８】
上記半導体基板の電極および該電極のリセス部分を絶緑膜を介して被膜する、電気的にフローティングである金属膜を備えたことを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の半導体装置用パッケージ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置用パッケージに関し、特に、半導体装置の耐湿性を向上させるための半導体装置用パッケージに関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この発明は、このような従来の問題点を解決するためになされたものであり、半導体装置の耐湿性を高め、安価な製品にも適用できる汎用性のある半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成15年5月27日(2003.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに図６のＣＭＯＳ装置３０では、前記ｐ型領域Ａにおいて前記ゲート電極３３Ａを自己整合マスクにｎ型不純物をイオン注入することにより、前記ゲート電極３３Ａの両側に、前記突出部３１Ａをも含んでｎ型拡散領域３１ａおよび３１ｂが形成される。同様に、前記ｎ型領域Ｂにおいても前記ゲート電極３３Ｂの両側に、前記突出部３１Ｂをも含んでｐ型拡散領域３１ｃおよび３１ｄが形成される。その結果、前記Ｓｉ基板３１上には前記領域ＡにｎチャネルＭＯＳトランジスタが、また前記領域ＢにｐチャネルＭＯＳトランジスタが形成される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図６のＣＭＯＳ装置では、ｎチャネルＭＯＳトランジスタはゲート長ＬｇＡをまたｐチャネルＭＯＳトランジスタはゲート長ＬｇＢを有し、前記ゲート電極３３Ａは、Ｓｉ基板３１の平坦部を、前記突出部３１Ａのそれぞれの側において、ゲート幅Ｗ２Ａ／２で覆う。その結果、前記ゲート電極３３Ａの（１００）面上におけるゲート幅は、前記突出部３１Ａの頂部を含めて、Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａにより与えられる。これに対し、前記ゲート電極３３Ａの（１１０）面上におけるゲート幅ＷＡは両側壁面に形成されているので２ＨＡで与えられ、その結果、前記領域Ａに形成されるｎチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力は、式μｎ１（Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａ）＋２μｎ２ＨＡにより与えられる。ただしμｎ１は、（１００）面における電子移動度を、μｎ２は（１１０）面における電子移動度を表す。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
同様に、前記領域Ｂに形成されるｐチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力は、式μｐ１（Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａ）＋２μｐ２ＨＢにより与えられる。ただしμｐ１は、（１００）面におけるホール移動度を、μｐ２は（１１０）面におけるホール移動度を表す。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
そこで、本実施例のＣＭＯＳ装置３０では、ｎチャネルＭＯＳトランジスタも側壁部が両側壁面に形成されているので、その電流駆動能力とｐチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように、前記突出部３１Ａ，３１Ｂの幅および高さを、式
μｎ１（Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａ）＋μｎ２ＷＡ＝μｐ１（Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａ）＋μｐ２ＷＢ
が満足されるように設定する。ただし、ここでＷＡ＝２ＨＡ，ＷＢ＝２ＨＢの関係を使った。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
特にかかる構成では、前記突出部３１Ａ，３１Ｂの高さＨＡ，ＨＢを設定することにより、同一の素子面積でありながら、ｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタとの電流駆動能力を平衡させることが可能になる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、以上の説明ではゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂをシリコン酸化膜としたが、図２の基板処理装置においてＡｒあるいはＫｒガスよりなる希ガスとＮＨ３ガス、あるいは前記希ガスとＮ２ガスとＨ２ガスの混合ガスプラズマを形成することにより、ゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂとしてシリコン窒化膜を形成することも可能である。さらにこれにＯ２ガスを添加することにより、前記ゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂをシリコン酸窒化膜により形成することも可能である。この場合には、ｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタの代わりに、ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが得られる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2003188273.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003188273.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
別の態様として、放熱体は、充填材を含むことができる。前記充填材は、好ましくは、有機成分と熱伝導成分とを混合したものでなり、前記メッキ膜によって囲まれた前記サーマルビアの内部に充填される。この構造によれば、メッキ膜を、サーマルビアの孔を埋めるまでに要するメッキ処理時間を短縮し、製造効率を向上させながら、放熱特性を向上させることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１、図２に示す例は、Ｗ−ＣＤＭＡ対応のもであり、電力増幅モジュール２に要求される主な特性は以下のとおりである。
周波数（ｆｉｎ）＝１９２０〜１９８０ＭＨｚ
出力電力（Ｐｏｕｔ）＝２７ｄＢｍ
電力付加効率（ＰＡＥ）＝４０％以上
隣接チャンネル漏洩電力比（ＡＣＰＲ）
ＡＣＰＲ１＝−３８ｄＢｃ以下（ａｔ  ５ＭＨｚ）
ＡＣＰＲ２＝−４８ｄＢｃ以下（ａｔ  １０ＭＨｚ）
隣接チャンネル漏洩電力比（ＡＣＰＲ）とは、送信信号の中心周波数から５．０ＭＨｚ、または、１０．０ＭＨｚ離れた周波数におけるノイズレベルを、中心周波数の電力レベルに対する相対比で表した値である。電力付加効率（ＰＡＥ）とは、出力電力と消費電力との割合をパーセントで表示したもので、高いほど好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月22日(2003.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端に開口を備えた筒状部を有するコイルスプールと、前記筒状部に巻回された励磁コイルと、前記コイルスプールに嵌合するヨークと、前記筒状部内に移動可能に配置され、前記筒状部の一方の開口から先端が突出した状態で用いられるプランジャとを有し、
前記励磁コイルが励磁状態にある場合に前記プランジャの基端が前記筒状部の他方の開口から突出するように構成され、
前記ヨークには前記筒状部の他方の開口に臨む位置に形成された開口部が設けられ、該開口部は前記他方の開口から突出した前記プランジャの基端と接触しないように構成されていることを特徴とする電磁石装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記プランジャの外面からの距離が全開口縁に亘って略同一となるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁石装置。
【請求項３】
前記励磁コイルが励磁状態にある場合に前記プランジャの基端が前記開口部から突出するように構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電磁石装置。
【請求項４】
両端に開口を備えた筒状部を有するコイルスプールと、前記筒状部に巻回された励磁コイルと、前記コイルスプールに嵌合するヨークと、前記筒状部内に移動可能に配置され、前記筒状部の一方の開口から先端が突出した状態で用いられるプランジャと、前記筒状部の他方の開口を少なくとも部分的に閉塞し、前記コイルスプールと前記ヨークとの間に介在する非磁性シートとを有することを特徴とする電磁石装置。
【請求項５】
前記非磁性シートは、前記コイルスプール若しくは前記ヨークに接着されていることを特徴とする請求項４に記載の電磁石装置。
【請求項６】
前記筒状部の内部には内部コアが前記プランジャに対し軸線方向に対向配置され、前記ヨークと前記内部コアとの間に前記非磁性シートが介在していることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の電磁石装置。
【請求項７】
前記内部コアは、その外端面が前記他方の開口と略面一に配置された状態で前記他方の開口の開口縁に対し前記筒状部内にそれ以上移動しないように係合保持されていることを特徴とする請求項６に記載の電磁石装置。
【請求項８】
前記ヨークには、前記非磁性シートの一部を露出させる開口部が設けられていることを特徴とする請求項４乃至請求項７のいずれか１項に記載の電磁石装置。
【請求項９】
前記ヨークは、前記コイルスプールの両端部に重なる一対の端板部と、該一対の端板部を片側において前記コイルスプールの軸線方向に連結する連結部とを備えた略コ字型に構成されているとともに、前記コイルスプールの両端部に対して前記コイルスプールの軸線方向と直交する方向にスライド可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電磁石装置。
【請求項１０】
前記コイルスプールと前記ヨークとの間には、軸線方向両端部にそれぞれスライド深さを規制する位置決め手段を有することを特徴とする請求項９に記載の電磁石装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月1日(2003.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印字制御データを送信しヘッド状態データを受信する主ドライバ回路と、
前記印字制御データを受信し前記ヘッド状態データを送信するヘッド回路と、
前記主ドライバ回路と前記ヘッド回路とを繋ぐケーブルとを備え、
前記ケーブルは複数の信号線を含み、
前記信号線の少なくとも一が、前記印字制御データと前記ヘッド状態データの双方に共用される共通の信号路であり、
前記主ドライバ回路は、前記共通の信号路の信号伝達方向を、前記主ドライバ回路が前記印字制御データを前記ヘッド回路へ送信する第１の方向と、前記主ドライバ回路が前記ヘッド状態データを前記ヘッド回路から受信する第２の方向、のうちいずれかの方向に制御し、
前記ヘッド回路は、異常が発生した時に、前記主ドライバ回路をして、前記信号伝達方向を、前記第２の方向に強制的に切替えさせることを特徴とするプリンタヘッドの駆動回路。
【請求項２】
請求項１記載の駆動回路に於いて、前記主ドライバ回路が、前記信号伝達方向の制御において、前記第２の方向より前記第１の方向を優先させることを特徴とするプリンタヘッド駆動回路。
【請求項３】
請求項１記載の駆動回路において、
前記主ドライバ回路が、前記印字制御データを発生したとき、前記信号伝達方向を、前記第１の方向に制御し、かつ、前記印字制御データを発生していないインターバル期間には、前記第２の方向に制御することを特徴とするプリンタヘッドの駆動回路。
【請求項４】
請求項３記載の駆動回路に於いて、
前記主ドライバ回路及び前記ヘッド回路がそれぞれ、前記印字制御データ及び前記ヘッド状態データを前記共通の信号路上でシリアルデータの形で伝送するためのパラレルシリアル変換手段を有するプリンタヘッドの駆動回路。
【請求項５】
印字制御データを送信しヘッド状態データを受信する主ドライバ回路と前記印字制御データを受信し前記ヘッド状態データを送信するヘッド回路と前記主ドライバ回路と前記ヘッド回路とを繋ぐケーブルとを備え、前記ケーブルは複数の信号線を含み、前記信号線の少なくとも一が、前記印字制御データと前記ヘッド状態データの双方に共用される共通の信号路であるプリンタヘッド駆動回路におけるデータ転送制御方法において、
前記主ドライバ回路から前記ヘッド回路へ、前記印字制御データを、前記共通の信号路を通じて伝送する工程と、
前記ヘッド回路から前記主ドライバ回路へ、前記ヘッド状態データを、前記共通の信号路を通じて伝送する工程と、
前記主ドライバ回路が、前記共通の信号路の信号伝達方向を、前記主ドライバ回路が前記印字制御データを前記ヘッド回路へ送信する第１の方向と、前記主ドライバ回路が前記ヘッド状態データを前記ヘッド回路から受信する第２の方向、のうちいずれかの方向に制御する工程と、
前記ヘッド回路が、異常が発生した時に、前記主ドライバ回路をして、前記信号伝達方向を、前記第２の方向に強制的に切替えさせる工程と、
を有するデータ転送制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に従うプリンタヘッドの駆動回路は、印字制御データを送信しヘッド状態データを受信する主ドライバ回路と、前記印字制御データを受信し前記ヘッド状態データを送信するヘッド回路と、前記主ドライバ回路と前記ヘッド回路とを繋ぐケーブルとを備える。ここで、前記ケーブルは、複数の信号線とを含み、前記信号線の少なくとも一つが、前記印字制御データと前記ヘッド状態データの双方に共用されている共通の信号路を有する。さらに、前記主ドライバ回路は、前記共通の信号路の信号伝達方向を、主ドライバ回路が印字制御データをヘッド回路へ送信する第１の方向と、主ドライバ回路がヘッド状態データをヘッド回路から受信する第２の方向のうちいずれかの方向に制御し、ヘッド回路は、異常が発生した時に、主ドライバ回路をして、信号伝達方向を、主ドライバ回路がヘッド状態データをヘッド回路から受信する方向に強制的に切替えさせる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月24日(2003.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数種類の識別情報を変動表示可能な変動表示装置と、
遊技球が入賞しやすい開状態と入賞し難い閉状態とに変換可能な変動入賞装置と、
該変動入賞装置への遊技球の入賞に基づいて、前記変動表示装置において変動表示遊技を行い、該変動表示遊技の結果が、予め定められた特別表示態様となることに関連して、遊技者に有利な特別遊技状態を発生可能な制御を行う制御装置と、
を有する遊技機において、
前記制御装置は、
前記変動表示遊技の始動記憶を所定上限値までの範囲で記憶可能な始動記憶手段と、
特定条件の成立と関連して、前記変動入賞装置の開状態への変換に関わる制御を遊技者にとって有利な状態にした特定遊技状態を、当該特定遊技状態中の前記変動表示遊技の実行回数に所定回数の制限を付けて発生させる特定遊技状態発生手段と、
前記特定遊技状態の継続可能な変動表示遊技の回数を複数種類の変動表示遊技回数の中から選択決定する特定遊技状態継続可能回数決定手段と、
を備え、
前記始動記憶手段は、
前記特定遊技状態継続可能回数決定手段の選択決定と関連して、始動記憶の上限値を変更可能とする始動記憶上限値変更手段を備え、
前記始動記憶上限値変更手段は、前記特定遊技状態継続可能回数決定手段が決定した変動表示遊技の回数が多いほど、始動記憶の上限値を増加させることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、
請求項１記載の発明は、複数種類の識別情報を変動表示可能な変動表示装置と、
遊技球が入賞しやすい開状態と入賞し難い閉状態とに変換可能な変動入賞装置と、
該変動入賞装置への遊技球の入賞に基づいて、前記変動表示装置において変動表示遊技を行い、該変動表示遊技の結果が、予め定められた特別表示態様となることに関連して、遊技者に有利な特別遊技状態を発生可能な制御を行う制御装置と、
を有する遊技機において、
前記制御装置は、
前記変動表示遊技の始動記憶を所定上限値までの範囲で記憶可能な始動記憶手段と、
特定条件の成立と関連して、前記変動入賞装置の開状態への変換に関わる制御を遊技者にとって有利な状態にした特定遊技状態を、当該特定遊技状態中の前記変動表示遊技の実行回数に所定回数の制限を付けて発生させる特定遊技状態発生手段と、
前記特定遊技状態の継続可能な変動表示遊技の回数を複数種類の変動表示遊技回数の中から選択決定する特定遊技状態継続可能回数決定手段と、
を備え、
前記始動記憶手段は、
前記特定遊技状態継続可能回数決定手段の選択決定と関連して、始動記憶の上限値を変更可能とする始動記憶上限値変更手段を備え、
前記始動記憶上限値変更手段は、前記特定遊技状態継続可能回数決定手段が決定した変動表示遊技の回数が多いほど、始動記憶の上限値を増加させることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この請求項１記載の発明によれば、特定遊技状態継続可能回数決定手段が決定した変動表示遊技の回数が多いほど、始動記憶の上限値を増加させるため、例えば、特別遊技状態（大当たり状態）中や特定遊技状態中等の遊技球が始動入賞口に入賞しやすいときに、始動記憶の上限値を増やす等により、特別遊技状態状態中や特定遊技状態中の遊技球の始動入賞口への入賞をある程度生かすことができ、遊技に変化を持たせ、遊技の興趣を高めることができる。また、始動記憶の上限値を、特定遊技状態に関連した条件に基づいて変更可能としているため、特定遊技状態へ遊技者の関心を引くことができ、遊技の興趣を高めることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
以下、図７を用いて、発射装置が遊技球の発射を停止するか否かの判定を行う発射停止処理について詳しく説明する。なお、発射装置１０３は、前記制御装置によって制御されており、ここでは、遊技制御装置２０及び発射制御装置７０によって制御されている。
また、この実施の形態における発射停止処理は、時短変動表示遊技の表示可能回数（特定遊技状態の変動表示回数）が０になって、遊技状態が時短状態（特定遊技状態）から通常遊技状態に戻った後、始動記憶が１消化される毎に行われるようになっている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
【発明の効果】
本発明に係る遊技機によれば、特定遊技状態継続可能回数決定手段が決定した変動表示遊技の回数が多いほど、始動記憶の上限値を増加させるため、特別遊技状態状態中や特定遊技状態中の遊技球の始動入賞口への入賞をある程度生かすことができ、遊技に変化を持たせ、遊技の興趣を高めることができる。
また、始動記憶の上限値を、特定遊技状態に関連した条件に基づいて変更可能としているため、特定遊技状態へ遊技者の関心を引くことができ、遊技の興趣を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月27日(2003.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水及び還元性物質を含む被処理物を高温高圧下で電気分解するための水熱電解反応室を備え、該水熱電解反応室内に水熱電解反応用の電極が装填されている水熱電気分解装置であって、
上記水熱電解反応室内に装填される水熱電解用の電極が、気体状流体流に対して流れ抵抗を形成する形状を有する電極構造体により構成されていることを特徴とする水熱電気分解装置。
【請求項２】
平板に穴若しくは切り欠きを設けた形状の電極板を、水熱電解反応室内に、反応室の軸方向に対して概ね直角に複数枚設置し、その際、当該電極板が、上下で隣り合う平板において穴若しくは切り欠きの位置が上下で重ならないように配置することによって、電極構造体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の水熱電気分解装置。
【請求項３】
電極構造体が、メッシュ平板状の電極板によって構成されている請求項１に記載の水熱電気分解装置。
【請求項４】
陽極又は陰極として作用する複数の電極板が、陰陽極が交互に配置されるように設置されている請求項２又は３に記載の水熱電気分解装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の水熱電気分解装置を備えた連続水熱電解装置。
【請求項６】
水及び還元性物質を含む被処理物を高温高圧下で電気分解するための水熱電解反応室を備えた水熱電気分解装置の水熱電解反応室内において用いられる水熱電解用の電極であって、水熱電解反応室内に設置した際に、気体状流体流に対して流れ抵抗を形成する形状を有する電極構造体により構成されていることを特徴とする水熱電気分解装置用電極。
【請求項７】
平板に穴若しくは切り欠きを設けた形状の電極板を、水熱電解反応室内において、反応室の軸方向に対して概ね直角に複数枚設置し、その際、当該電極板が、上下で隣り合う平板において穴若しくは切り欠きの位置が上下で重ならないように配置することによって、電極構造体が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の水熱電気分解装置用電極。
【請求項８】
電極構造体が、メッシュ平板状の電極板によって構成されている請求項６に記載の水熱電気分解装置用電極。
【請求項９】
陽極又は陰極として作用する複数の電極板が、陰陽極が交互に配置されるように設置されている請求項７又は８に記載の水熱電気分解装置用電極。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月5日(2004.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密封したケーシングの両壁間に平行支持する主軸及び従動軸それぞれに固定した歯車を、前記ケーシング内において噛み合わせると共に、同ケーシング外において前記主軸及び従動軸の両端それぞれにペラを固定し、前記いずれかの歯車に係合した原動ピニオンを前記ケーシング外から回転して前記主軸及び従動軸を相反する方向に連動回転させる手段と、前記密封ケーシングの両壁外面において、前記主軸及び従動軸の回りにそれぞれ形成したエンドレス状の長円形溝カムと、これら各溝カムに係合した各ピンロールを前記各ペラでもって各溝カムに沿って循環させる手段と、前記主軸の両端の前記ペラでもって循環する前記ピンロールと連結する２本のメインガイドと、前記従動軸両端の前記ペラでもって循環する前記ピンロールと連結し且つ前記メインガイドにスライド自在に支持した従動スライダーと、前記両メインガイド間に架設する一側シールバー及び該シールバーと対向するように前記両従動スライダー間に架設した他側シールバーとにより構成する装置。
【請求項２】
密封ケーシングの両壁間に支持する補助軸に固定した補助歯車と、主軸に固定した歯車とを密封ケーシング内で係合すると共に、前記補助軸両端それぞれに固定した補助クランクと、前記主軸のクランクとでメインガイドを支持して同調回転する請求項２に記載の装置。
【請求項３】
密封ケーシング内に潤滑剤を貯留した請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
それぞれ架材に支持する上下一対のシールバーの相対ブロックモーションにより、これら両シールバーで一時的に包材を挟圧し且つ加熱するシール機構であって、前記いずれか一方の架材両端の軸受間に支持する軸の両端にメカハンドルを固定すると共に、これら両メカハンドル解放端のピンを機台に係合する一方、前記軸の両端近傍に固定するカム板の偏芯カム溝に、前記シールバーに備わる板刃の両端を係合し、前記シールバーのブロックモーションに伴う前記メカハンドルと一体の前記カム板の回転で、前記板刃を包材に向けて突き出すことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項５】
それぞれ架材に支持する上下一対のシールバーの相対ブロックモーションにより、これら両シールバーで一時的に包材を挟圧し且つ加熱するシール機構であって、前記いずれか一方の架材両端近傍のガイドレールにそれそぞれ支持したブロックを、前記シールバーのブロックモーション運動で水平往復動させる一方、同シールバーのブロックモーション運動により架材両端に立設したラック歯を上下運動させ、該ラック歯の上下運動を、前記ブロックに支持する歯車を通して一対のピニオンに伝え、これらピニオンにラック歯を介して係合する押し出し棒を前記包材の側面に押し込むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図３に示すごとく密封ケーシング内において３個の歯車２１、２２、２３を噛み合わせ、原動ピニオン２８から母体歯車２７に回転動力を加えると、同一歯数の前記３個の歯車２１，２２，２３はそれぞれ同速度で連動し、真ん中の主軸３１の端に固定するペラ２４は時計方向に回転し、従動軸３２のペラ２５及び補助軸３３のペラ２６は共に逆時計方向に同調回転する結果、３個のカム溝６１、６２、６３にそれぞれ係合するピンロール６４は前記各カム溝に沿って循環する。なおかかる蒲鉾型のカム溝６１〜６３を含めそれと類似する形のカム溝を長円形と象徴する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１に簡略的に示すごとく、主軸３１両端のペラ２４に係合するピンロール６４が支える両メインガイド４０は、その上端に一側のシールバー５１を架設支持し、一方従動軸３２の両端及び補助軸３３両端それぞれ上下のピンロール６４で支えるスライダー４１上端に他側のシールバー５２を支持する。なおより具体的には図４のごとく、前記のメインガイド４０は縦長な板材からなり、その上下両側に設けるスリーブ４２、４３は２本の棒材からなるスライダー４１をスライド自在に抱え込み、メインペラ２４の時計方向への回転運動により長円軌道６５に沿って変位するメインガイド４０に対し、従動ペラ２５と補助ペラ２６との回転運動で長円軌道６６、６７に沿い変位するスライダー４１は逆移動する。この結果上下両シールバー５１、５２はそれぞれ相対ブロックモーションで開閉し、僅かな領域で互いに圧接して熱可塑性フイルムを挟圧加熱シールするのである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月29日(2003.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を計数するとともに同計数結果をコード化し、同計数結果を直に所定の用紙に表示することなく同コード化した計数結果を含む確認用情報を所定の用紙に打ち出す計数手段と、
上記用紙に打ち出された上記確認用情報を入力して重複交換の有無を検出する確認手段とを具備することを特徴とする遊技球計数システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、遊技球を計数するとともに同計数結果をコード化し、同計数結果を直に所定の用紙に表示することなく同コード化した計数結果を含む確認用情報を所定の用紙に打ち出す計数手段と、上記用紙に打ち出された上記確認用情報を入力して重複交換の有無を検出する確認手段とを具備する構成としてある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記のように構成した請求項１にかかる発明においては、計数手段の側が計数結果に対応づけた所定の確認用情報を用紙に打ち出している。景品交換所などでは、確認手段に確認用情報を入力することにより重複交換の有無が確認できるので、重複交換がない場合にのみ景品交換すればよい。
計数手段が打ち出す確認用情報は、確認手段に入力することによって重複交換の有無が分かるようなものであればよい。そこで、計数手段は、計数結果をコード化し、同コード化した計数結果を含んだ計数結果に対応しつつユニークな問合せ番号を打ち出す。計数結果をコード化して確認用情報に計数結果が直に表れないようにしておくことにより、景品交換所では必ず確認用情報を入力せざるを得なくなり、重複交換の可能性をより低下させることになる。ただし、暗号化させて含ませておき、確認手段に入力したときに同暗号を解いて計数結果を読み出すようにしても良い。
計数手段が打ち出した計数結果に対応しつつユニークな問合せ番号を、この計数手段に接続された確認手段で入力すると当該計数手段に同問合せ番号が通知されるようにし、計数手段の側では同じ問合せ番号を二度以上通知された場合に重複交換であることを通知するようにすることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この場合も、計数手段や確認手段の数は必ずしも一つずつである必要はなく、確認用情報に計数手段の機器番号を付しておけば同確認用情報はユニークなものとなるし、確認手段の側だけでネットワークを組んで一度入力された確認用情報はいずれの確認手段からでも参照できるようにしておけばよい。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月15日(2003.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に利用するカードの個人情報を判断し、遊技量に関する情報を記録しつつ所定量を超えた場合には遊技機の発射モータへの通電を制御することにより遊技球を発射できないようにすることを特徴とするカード利用型遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる発明は、遊技に利用するカードの個人情報を判断し、遊技量に関する情報を記録しつつ所定量を超えた場合には遊技機の発射モータへの通電を制御することにより遊技球を発射できないようにする構成としてある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記のように構成した請求項１にかかる発明においては、カードを利用して球貸を行う現状より、このカードを個人とみなして遊技量に関する情報を記録する操作を行う。そして、同個人情報に基づいて遊技量が所定量を超えた場合には遊技機の発射モータへの通電を制御することにより遊技球を発射できないようにする。
利用されるカードは球貸に使用するため個人の情報を識別可能なものであれば良く、プリペイドカードであってもよいし、専用のＩＤカードであっても良い。プリペイドカードであれば、球貸毎に減算額をカードに記録しつつ、減算前に同遊技量を参照するようにする。そして、例えば、その日の球貸額が一定額以上となった場合には球貸を行わないようにして注意を促すようにする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
専用のＩＤカードを利用する場合にはより広範囲のバリエーションが適用可能である。その一例として、プリペイドカードと同様に例えば一日の球貸額を参照可能として球貸を制限することが可能である。一方、過度の遊技を防止するためには勝ちすぎ状態でも注意を促せるようにすることが好ましく、貸球と勝ち球との差の収支を判断可能とするようにしても良い。遊技機からの勝ち球の情報を逐次書き込むのは煩雑であるので、勝ち球の計数時にＩＤカードに基づいて記録するようにしても良い。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、現金を使用しないために金銭感覚が麻痺してしまう場合であってもカードの個人情報を参照することにより、遊技量が所定量以上となったときには遊技機の発射モータを非導通とするようにしたため、遊技者が意識しないうちに多額のお金を使ってしまうようなことを防止することが可能なカード利用型遊技機を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタおよびその製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にソース・ドレイン領域の一方となる第１領域と他方となる第２領域との間にチャネルを形成するチャネル形成領域、および該チャネル形成領域に対してゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、
前記チャネル形成領域は、アモルファス半導体膜に対する結晶化処理により形成されて前記基板の面外方向に柱軸を向ける柱状構造の多結晶半導体膜から構成され、
前記ゲート電極は、前記チャネル形成領域を構成する多結晶半導体膜の柱軸に略平行な側端面に対して前記ゲート絶縁膜を介して対峙していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、前記第１領域および前記第２領域は、前記チャネル形成領域を構成する多結晶半導体膜の下層側および上層側にそれぞれ形成された下層側半導体膜および上層側半導体膜から構成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、前記チャネル形成領域を構成する多結晶半導体膜と前記上層側半導体膜とは、同一のパターニング形状を有していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記チャネル形成領域を構成する多結晶半導体膜は、チャネルを形成する側端面が前記下層側半導体膜の形成領域上に位置し、
当該多結晶半導体膜の側端面と前記下層側半導体膜との間には、これらの膜間にわずかに割り込む絶縁膜を有していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１または２に規定する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記チャネル形成領域を形成するためのアモルファス半導体膜に結晶化処理を行って前記基板の面外方向に柱軸を向ける柱状構造の多結晶半導体膜を形成した後、該多結晶半導体膜をパターニングして柱軸に略平行な側端面を露出させ、しかる後に、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を順次形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項３に規定する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記チャネル形成領域および前記上層側半導体膜を形成するための各半導体膜をこの順に形成した後、該２つの半導体膜を一括してパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項４に規定する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記下層側半導体膜および前記絶縁膜をこの順に形成した後、該絶縁膜を所定の形状にパターニングした後に、前記基板の全面に前記チャネル形成領域を形成する前記多結晶半導体膜を形成し、しかる後に、当該多結晶半導体膜をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
基板上にソース・ドレイン領域の一方となる第１領域と他方となる第２領域との間にチャネルを形成するチャネル形成領域、および該チャネル形成領域に対してゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、
前記チャネル形成領域は、前記基板の面外方向に柱軸を向ける柱状構造の多結晶半導体膜から構成され、
前記ゲート電極は、前記チャネル形成領域を構成する多結晶半導体膜の柱軸に略平行な側端面に対して前記ゲート絶縁膜を介して対峙していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような構成の薄膜トランジスタの製造方法では、たとえば、前記チャネル形成領域を形成するためのアモルファス半導体膜に結晶化処理を行って前記基板の面外方向に柱軸を向ける柱状構造の多結晶半導体膜を形成した後、該多結晶半導体膜をパターニングして柱軸に略平行な側端面を露出させ、しかる後に、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を順次形成する（請求項５）。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタが形成されてなる薄膜半導体装置の製造方法であって、
基板上に半導体薄膜を形成する工程と、
該半導体薄膜上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜に対して水素，塩素あるいはフッ素のイオンをイオン注入する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、前記イオンの抜けを防止する金属薄膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜と前記半導体薄膜との界面に注入された水素，塩素あるいはフッ素を活性化させるための熱処理を施す工程と、
前記金属薄膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に薄膜トランジスタが形成されてなる薄膜半導体装置の製造方法であって、
基板上に半導体薄膜を形成する工程と、
該半導体薄膜上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜に対して水蒸気アニールを施す工程と、
前記ゲート絶縁膜上に前記水分、水素あるいは水酸基の抜けを防止する金属薄膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜中に導入された水分、水素あるいは水酸基を分解または活性化させるための熱処理を施す工程と、
前記金属薄膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記の金属薄膜は、Ｔａ，Ａｌ、Ａｌの合金もしくはＣｒからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理は、前記金属薄膜の上からレーザ光を照射することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理は、前記金属薄膜の上から赤外線を照射して３５０℃以上の加熱を行うことを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理は、Ｎ２ガス雰囲気の条件下で行うことを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上に薄膜トランジスタが形成されてなる薄膜半導体装置の製造方法であって、
基板上に半導体薄膜を形成する工程と、
該半導体薄膜上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜に対して水素，塩素あるいはフッ素のイオンをイオン注入する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、金属薄膜を形成する工程と、
前記基板に熱処理を施す工程と、
前記金属薄膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に薄膜トランジスタが形成されてなる薄膜半導体装置の製造方法であって、
基板上に半導体薄膜を形成する工程と、
該半導体薄膜上に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜に対して水蒸気アニールを施して、水分、水素あるいは水酸基を導入する工程と、
前記基板に熱処理を施す工程と、
前記金属薄膜をエッチングしてゲート電極を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
特に、前記金属薄膜によって、前記半導体薄膜および前記ゲート絶縁膜からの水素、塩素あるいはフッ素の抜けが防止されるため、水素，塩素またはフッ素の添加量を均一化することができ、確実に結晶欠陥を修復して、前記半導体薄膜と前記ゲート絶縁膜の界面状態を改善することができる。なお、前記金属薄膜は、エッチングされてゲート電極を形成するのに用いられるので工程数を徒に増やすことを防止できる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、前記の金属薄膜は、Ｔａ、Ａｌ、Ａｌの合金もしくはＣｒからなることを特徴とする。前記金属薄膜としては、スパッタ法等により形成される、一般的なゲート電極材料を用いることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記熱処理は、前記金属薄膜の上から赤外線を照射して３５０℃以上の加熱を行うことを特徴とする。従って、従来のランプアニール装置を有効に活用することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、前記熱処理は、Ｎ２ガス雰囲気中の条件下で行うことを特徴とする。