(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面に塗布膜を形成する処理を行う基板処理方法において、
塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布膜を形成する塗布工程と、
上記被処理基板を回転させて被処理基板に塗布された塗布液が乾燥する前に、上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給してベベル部の塗布液を除去する洗浄工程と、を有し、
上記洗浄工程は、上記被処理基板の端部側に配設され、洗浄液を溜めるノズルを用いて、ベベル部にのみ洗浄液を接液させて洗浄を行う、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理方法において、
上記塗布工程は、塗布液を被処理基板表面から振り切る工程を含み、上記洗浄工程は、上記塗布液を振り切る工程から５秒以内に開始する、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程は、被処理基板の裏面側からベベル部に向けて洗浄液を供給して行うことを含む、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程の被処理基板の回転数は、５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲である、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程の時間は、塗布液の種類，粘度及び、洗浄液の溶剤種類，粘度，温度によって設定される、ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
被処理基板を保持して回転させる回転保持手段と、
上記被処理基板の表面に塗布液を滴下する塗布液供給手段と、
上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給するベベル洗浄ノズルと、
上記被処理基板の端部側に配設され、被処理基板の周縁部に接液する洗浄液を溜めるノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の基板処理装置において、
上記被処理基板の上記ベベル部に連なる下面に洗浄液を供給する裏面洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルを、被処理基板の対向する２箇所の裏面側に配設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項６又は８記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルは、被処理基板におけるベベル部の内方近傍領域の直下位置からベベル部の内方近傍領域に洗浄液を供給する複数の補助洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６又は８記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルにおける洗浄液の噴射角度を、被処理基板に対して調整可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項６，８，９又は１０に記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルと洗浄液供給源とを接続する管路に、洗浄液の温度を調整する温度調整器を介設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハに例えばレジストを塗布し、ウエハ周縁部に付着する余分なレジストを除去する基板処理方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ（以下にウエハという）の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、ウエハにフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程において、レジスト塗布に関しては、例えば、レジストを滴下したウエハを回転させ、その遠心力によりウエハ表面にレジスト膜を塗布する回転塗布が一般的に行われている。このレジスト塗布処理によってウエハの側縁部に付着した余分なレジストを除去するために、例えばレジストを塗布し、振り切り乾燥した後に、ウエハの周縁部に付着したレジストを除去する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、ウエハの裏面側から表面側に洗浄液を回り込ませる工程を複数回行ってウエハの周縁部に付着するレジスト等の塗布液を除去する方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−４５７８８号公報（特許請求の範囲、図９，図１４）
【特許文献２】特許第２９４８５０１号公報（特許請求の範囲、図２，図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前者すなわち特開２００３−４５７８８号公報に記載のように、ウエハに塗布されたレジストが乾燥した後に、ウエハ裏面から洗浄液を供給してレジストを除去する方法においては、ウエハの周縁部に付着するレジストを除去するために多くの時間を要し、洗浄液残りが発生する虞があった。特に、洗浄液として例えばシクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）を使用すると、レジストの除去に多くの時間を要するという問題があった。
【０００６】
また、後者すなわち特許第２９４８５０１号公報に記載の技術においては、洗浄液がウエハの周縁部の表面側にも回り込むため、レジストが飛散してウエハ上に再付着し、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００７】
また、歩留まりの向上を図るべくチップをウエハの周縁部の極限まで多くとるために、近年では従来から用いられていたＥＢＲ（エッジ・ビード・リムーバ）処理、すなわち、ウエハの周縁から３ｍｍ程度レジストを除去する処理が行われない。しかし、このＥＢＲ処理を行わないと、ウエハの保持アームがレジストで汚れ、ウエハに再付着する虞があった。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、被処理基板の周縁部に付着する塗布液の除去を確実にすると共に、処理時間の短縮が図れ、かつ、塗布液の被処理基板への再付着の防止を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項１記載の基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する処理を行う基板処理方法において、  塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布膜を形成する塗布工程と、  上記被処理基板を回転させて被処理基板に塗布された塗布液が乾燥する前に、上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給してベベル部の塗布液を除去する洗浄工程と、を有し、 上記洗浄工程は、上記被処理基板の端部側に配設され、洗浄液を溜めるノズルを用いて、ベベル部にのみ洗浄液を接液させて洗浄を行う、ことを特徴とする。ここで、ベベル部とは、被処理基板の周縁端部の上下角となる部分を面取りした部分で、側端面と、該側端面に連なる側端上部面及び側端下部面とで形成される部分をいう。
【００１０】
請求項１記載の基板処理方法において、上記塗布工程は、塗布液を被処理基板表面から振り切る工程を含み、上記洗浄工程は、上記塗布液を振り切る工程から５秒以内に開始する方がよい（請求項２）。
【００１１】
また、請求項１又は２記載の基板処理方法において、上記洗浄工程は、被処理基板の裏面側からベベル部に向けて洗浄液を供給して行うことを含む方がよい（請求項３）。
【００１２】
また、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法において、上記洗浄工程の被処理基板の回転数は、５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲である方が好ましい（請求項４）。このように構成することにより、ベベル部の近傍に供給される洗浄液をベベル部の側端上部面まで回り込ませることができ、それより被処理基板の中心側には回り込まないようにすることができる。
【００１３】
また、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理方法において、上記洗浄工程の時間を、塗布液の種類，粘度及び、洗浄液の溶剤種類，粘度，温度によって設定する方がよい（請求項５）。
【００１４】
また、請求項６記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理方法を具現化するもので、被処理基板を保持して回転させる回転保持手段と、  上記被処理基板の表面に塗布液を滴下する塗布液供給手段と、  上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給するベベル洗浄ノズルと、  上記被処理基板の端部側に配設され、被処理基板の周縁部に接液する洗浄液を溜めるノズルと、を具備することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７記載の基板処理装置は、請求項６記載の基板処理装置において、上記被処理基板の上記ベベル部に連なる下面に洗浄液を供給する裏面洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８記載の発明は、請求項３記載の基板処理方法を具現化するもので、上記ベベル洗浄ノズルを、被処理基板の対向する２箇所の裏面側に配設してなる、ことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９記載の発明は、請求項６又は８記載の基板処理装置において、上記ベベル洗浄ノズルは、被処理基板におけるベベル部の内方近傍領域の直下位置からベベル部の内方近傍領域に洗浄液を供給する複数の補助洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０記載の発明は、請求項６又は８記載の基板処理装置において、上記ベベル洗浄ノズルにおける洗浄液の噴射角度を、被処理基板に対して調整可能に形成してなる、ことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１１記載の発明は、請求項６，８，９又は１０に記載の基板処理装置において、上記ベベル洗浄ノズルと洗浄液供給源とを接続する管路に、洗浄液の温度を調整する温度調整器を介設してなる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
この発明は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２１】
（１）請求項１〜６記載の発明によれば、塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する際、被処理基板に塗布された塗布液が乾燥する前に、被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給して塗布液を除去することにより、被処理基板の表面側への影響を少なくして塗布液を除去することができる。したがって、被処理基板の周縁部に付着する塗布液の除去を確実にすることができると共に、処理時間の短縮が図れる。
【００２２】
（２）請求項７記載の発明によれば、塗布液が乾燥した後、被処理基板の周縁部におけるベベル部に連なる下面（裏面）に洗浄液を供給することにより、被処理基板の裏面に回り込んだ塗布液を除去することができるので、上記（１）に加えて更に被処理基板表面への再付着を防止することができ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００２３】
（３）請求項８記載の発明によれば、ベベル洗浄工程における洗浄液の供給を、被処理基板の対向する２箇所の裏面側から回り込ませるようにして行うことにより、洗浄液の供給を効率よく行うことができるので、上記（１），（２）に加えて更に塗布液の被処理基板への再付着を確実に防止することができ、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００２４】
（４）請求項９記載の発明によれば、被処理基板におけるベベル部の内方近傍の直下位置に設けられた複数の補助洗浄ノズルによってベベル部の内方近傍領域に洗浄液を供給することができるので、上記（１）〜（３）に加えて更に安定したベベル洗浄性能の向上を図ることができると共に、洗浄時間の短縮を図ることができ、また、ベベル部の内方近傍に形成された例えばレーザーマーク等のマーク形成部の洗浄液残りやマーク形成部が起因する洗浄液の乱流を防止することができる。
【００２５】
（５）請求項１０記載の発明によれば、ベベル洗浄ノズルにおける洗浄液の噴射角度を、被処理基板に対して調整可能に形成することにより、上記（１）〜（４）に加えて更に異なる種類の被処理基板に対応した塗布液の除去が可能である。
【００２６】
（６）請求項１１記載の発明によれば、ベベル洗浄工程における洗浄液の温度を塗布液に応じた温度に調整することにより、洗浄液の温度による塗布膜への影響をなくすことができるので、上記（１）〜（５）に加えて更に塗布膜の膜厚の均一性を図ることができる。
【００２７】
（７）請求項１，６記載の発明によれば、被処理基板の端部に配設され、洗浄液を溜めるノズルを用いて、洗浄工程時に、ベベル部にのみ洗浄液を接液させて洗浄を行うことにより、被処理基板の周縁部に残留する塗布液を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布装置に適用した場合について説明する。
【００２９】
◎第１実施形態
図１は、上記レジスト塗布装置の第１実施形態を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部拡大図（ｂ）である。
【００３０】
上記レジスト塗布装置は、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を保持して回転させる回転保持手段であるスピンチャック１０と、ウエハＷの表面に塗布液例えばレジスト液を滴下する塗布液供給手段であるレジスト塗布ノズル２０と、ウエハＷの周縁部におけるベベル部４に洗浄液である溶剤例えばシクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）を供給するベベル洗浄ノズル３０と、を具備している。ここで、ベベル部４とは、図１（ｂ）に示すように、ウエハＷの周縁端部の上下角となる部分を面取りした部分で、側端面１と、該側端面１に連なる側端上部面２及び側端下部面３とで形成される部分をいう。
【００３１】
また、レジスト塗布装置には、ウエハＷの周縁側端から５０ｍｍの下面に洗浄液である溶剤例えばシクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）を供給する裏面洗浄ノズル４０が設けられている。
【００３２】
上記スピンチャック１０は、昇降可能な外カップ５１と内カップ５２とからなるカップ５０内に収容されており、内カップ５２の内周を塞ぐ円盤状の底部５３を昇降可能に貫通する回転軸１１を介してモータ１２に連結されている。モータ１２は図示しないコントローラからの制御信号に基づいて所定の回転数で回転するようになっている。また、スピンチャック１０は図示しない昇降手段によって昇降可能に形成されている。このスピンチャック１０は、スピンチャック１０の上方に移動される水平のＸ−Ｙ方向，垂直のＺ方向及び水平回転可能な搬送アーム（図示せず）からウエハＷを受け取ってウエハＷを吸着保持し、レジスト塗布が終了した後、上昇してスピンチャック１０の上方に移動される搬送アームにウエハＷを受け渡すように構成されている。
【００３３】
上記レジスト塗布ノズル２０は、図示しない供給管路を介してレジスト供給源に接続されると共に、図示しないアームによってウエハＷの中心部上方とカップの外部待機位置とに移動可能に形成されている。
【００３４】
また、上記ベベル洗浄ノズル３０と裏面洗浄ノズル４０は、図１及び図２に示すように、それぞれ底部５３の中心部に関して対向する２箇所の位置に配設されている。この場合、各ベベル洗浄ノズル３０は、図１に示すように、分岐供給管６０及び主供給管６１を介して洗浄液供給源である洗浄液貯留タンク６２に接続されている。すなわち、一端が洗浄液貯留タンク６２に接続される主供給管６１の他端に継手６３を介して連結される分岐供給管６０を介して洗浄液貯留タンク６２に接続されている。この場合、主供給管６１における継手６３側に近接する部位には、コントローラ（図示せず）からの制御信号に基づいて開閉動作する開閉弁６４が介設されている。なお、洗浄液貯留タンク６２内に貯留された洗浄液Ｌは圧送用不活性ガス例えば窒素（Ｎ2ガス）の加圧によって供給されるようになっている。
【００３５】
また、主供給管６１の一部には、該主供給管６１内を流れる洗浄液｛シクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）｝をレジストの温度に応じて温度調整する温度調整器７０が配設されている。この温度調整器７０は、図１に示すように、主供給管６１を気水密に包囲する温調室７１の両端部に２箇所に設けられた供給口７２と排出口７３に接続する循環路７４を介して熱媒体例えば水を循環供給することで、洗浄液を所定温度例えば室温に温度調整するように構成されている。
【００３６】
また、上記ベベル洗浄ノズル３０は、図２及び図３に示すように、底部５３の上面に対して半径方向に移動可能な保持基体３１に設けられた起立片３１ａに回転自在に装着されるノズル保持体３２によって垂直方向に角度変位可能に取り付けられている。このように構成されるベベル洗浄ノズル３０は、スピンチャック１０によって保持されるウエハＷと平行な底部５３に対して１７°〜４５°の範囲で角度調整が可能に保持され、また、ウエハＷの周縁部の側端面からウエハＷの中心側に向かって３ｍｍ〜６３ｍｍの位置に移動調整可能に保持されている。
【００３７】
上記のように構成されるベベル洗浄ノズル３０によれば、径の異なるウエハや異なる形状のノッチ等を有するウエハに対しても、角度調整や位置調整によってウエハＷの周縁部のベベル部４に向かって噴射（供給）される洗浄液を、図４（ｂ）に示すように、周縁部における側端面１及び該側端面１に連なる側端下部面３に供給するか、あるいは、図４（ｂ′）に示すように、ベベル部４の近傍すなわちベベル部４に連なる下面における側端から２〜５ｍｍに供給することができる。このように洗浄液をウエハＷの側端から２〜５ｍｍの位置に供給することにより、ノッチを有するウエハＷの場合に、ノッチに洗浄液が当って跳ね（スプラシュ）を発生させることを回避することができる。
【００３８】
上記裏面洗浄ノズル４０は、図２に示すように、底部５３の上面におけるベベル洗浄ノズル３０の設置位置に対して９０°ずれた位置にノズル保持体４１によって保持されている。この裏面洗浄ノズル４０は、ウエハＷの裏面に回り込んだレジスト液の汚れを洗浄するノズルで、ウエハＷの側端から５０ｍｍの下面（裏面）に供給されるように設定されている（図４（ｃ）参照）。
【００３９】
◎第２実施形態
図６は、この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第２実施形態を示す概略断面図である。
【００４０】
第２実施形態は、スピンチャック１０によって保持されたウエハＷの周縁端部側の対向する２箇所に配設されて、ウエハＷの周縁部に接液する洗浄液を溜めるアシストノズル８０を更に設けた場合である。この場合、アシストノズル８０は、図示しない移動機構によって水平及び垂直方向に移動可能に形成されており、移動機構の駆動によってウエハＷの周縁端部側の使用位置と待機位置に移動される。
【００４１】
アシストノズル８０は、図７に示すように、矩形状の膨隆頭部８１の外側下端に矩形状脚部８２を有する略逆Ｌ字状のノズルブロック８３を有し、脚部８２における膨隆頭部８１の直下近傍位置の内側面に洗浄液受け溝８４を開設してなり、かつ、膨隆頭部８１の頂部から洗浄液受け溝８４の上方に貫通する複数（図面では３個の場合を示す）の貫通路８５を穿設してなる。
【００４２】
上記のように構成されるアシストノズル８０によれば、例えば、図８（ａ）に示すように、貫通路８５を介して供給される洗浄液Ｌと同じ溶剤を洗浄液受け溝８４内に溜めた状態でウエハＷの周縁部に洗浄液を接触させることにより、ウエハＷの周縁部に残留するレジストを除去することができる。また、アシストノズル８０の別の使用例として、図８（ｂ）に示すように、ベベル洗浄ノズル３０から供給される洗浄液Ｌを洗浄液受け溝８４内に供給する一方、図示しない吸引手段によって貫通路８５を吸引することで、洗浄液受け溝８４内に一時的に溜まった洗浄液をウエハＷの周縁部のベベル部４のみに接液させて、ウエハＷの周縁部に残留するレジストを除去することができる。
【００４３】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００４４】
次に、この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第１実施形態の動作態様について、図４及び図５に示すフローチャートを参照して説明する。まず、図４（ａ）に示すように、ウエハＷをスピンチャック１０によって保持した状態で、レジスト塗布ノズル２０からレジストを滴下すると共に、スピンチャック１０を回転しているウエハ表面にレジストＲを塗布する（レジスト塗布工程；ステップ５−１）。レジスト塗布後、ウエハＷに塗布されたレジストＲが振り切られてウエハＷ上から余剰レジストが飛散しなくなる時間、すなわち５秒（ｓｅｃ）以内の所定時間例えば１ｓｅｃ以内に、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷに塗布されたレジストＲが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の側端下部面３及び側端面１、又は、ノッチを有するウエハＷの場合は、図４（ｂ′）に示すように、周縁端部から２〜５ｍｍ内方に噴射（供給）して、ベベル部４に付着するレジストを除去する（ベベル洗浄工程；ステップ５−２）。なお、この場合、レジストの材料（組成）によって乾燥する時間を予め知ることができるので、レジストの材料（組成）に応じてベベル洗浄ノズル３０から洗浄液Ｌを供給するタイミングを設定することができる。ベベル部４に付着するレジストを除去するベベルリンスを所定時間（例えば、１０．０ｓｅｃ）行って、ベベル部４のレジストＲを除去した後、図４（ｃ）に示すように、ベベル洗浄ノズル３０からの洗浄液Ｌの供給を停止し、ベベルリンス時と同じ回転数（例えば、２０００ｒｐｍ）でスピンチャック１０を回転して一次乾燥を行う（ステップ５−３）。一次乾燥を所定時間（例えば、３０．０ｓｅｃ）行った後、スピンチャック１０を低速回転（例えば、１０００ｒｐｍ）にして、裏面洗浄ノズル４０から洗浄液Ｌを、ウエハＷの周縁部におけるベベル部４に連なる下面（裏面）における側端から５０ｍｍに噴射（供給）して裏面に付着するレジストＲを除去する（裏面洗浄工程；ステップ５−４）。裏面に付着するレジストＲを除去するバックリンスを所定時間（例えば、１０．０ｓｅｃ）行った後、裏面洗浄ノズル４０からの洗浄液の供給を停止し、その後、スピンチャック１０を高速回転（例えば、２０００ｒｐｍ）してウエハＷ上に付着する洗浄液を振り切り乾燥（二次乾燥）して、レジスト塗布を終了する（ステップ５−５）。
【００４５】
◎第３実施形態
図９は、レジスト塗布装置の第３実施形態を示す概略断面図（ａ）、（ａ）のII部拡大図（ｂ）及び洗浄液の供給位置を示す概略底面図（ｃ）である。
【００４６】
第３実施形態は、ベベル部４に洗浄液（Ｃ6Ｈ10Ｏ）を供給するノズルを、上記ベベル洗浄ノズル３０と、複数例えば２本の補助ベベル洗浄ノズル３３（以下に補助洗浄ノズル３３という）とで構成した場合である。
【００４７】
この場合、補助洗浄ノズル３３は、ウエハＷの裏面におけるベベル部４の内方近傍領域（例えばウエハＷの外周より３ｍｍの領域）の直下位置にある内カップ５２の頂部に直立に起立した状態に取り付けられている。なお、補助洗浄ノズル３３を内カップ５２の頂部以外の箇所に取り付けてもよい。この補助洗浄ノズル３３からウエハＷにおけるベベル部４の内方近傍領域に向かって洗浄液Ｌを噴射（供給）することにより、ベベル洗浄ノズル３０から噴射（供給）される洗浄液Ｌと相俟ってベベル部４に付着するレジストを除去することができる。なお、この場合、図９（ｃ）に示すように、ベベル洗浄ノズル３０から噴射（供給）される洗浄液Ｌと、補助洗浄ノズル３３から噴射（供給）される洗浄液Ｌは、異なる供給位置Ｌ１，Ｌ２に供給される。
【００４８】
上記のようにベベル洗浄ノズル３０及び補助洗浄ノズル３３から洗浄液Ｌを噴射（供給）することにより、洗浄時間の短縮が図れる。更にまた、ウエハＷのベベル部４の内方近傍領域に形成（刻設）されるレーザーマークＬＭがある場合には、補助洗浄ノズル３３から噴射（供給）される洗浄液ＬによってレーザーマークＬＭ部に滞留する洗浄液の残りを除去することができると共に、レーザーマークＬＭが起因する洗浄液の乱流を防止することができる。これにより、洗浄性能の向上を図ることができる。
【００４９】
なお、第３実施形態において、その他の部分は第１，第２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００５０】
次に、第３実施形態の動作態様について、図１０ないし図１２を参照して説明する。第３実施形態においては、図１０に示すように、レジスト塗布工程（ステップ１０−１）のレジスト塗布直後、具体的には、レジスト塗布後、ウエハＷに塗布されたレジストＲが振り切られてウエハＷ上から余剰レジストが飛散しなくなる時間、すなわち５秒（ｓｅｃ）以内の所定時間例えば１ｓｅｃ以内に、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷに塗布されたレジストＲが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０及び補助洗浄ノズル３３から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の側端下部面３又は側端面１、及びベベル部４の内方近傍領域に噴射（供給）して、ベベル部４に付着するレジストを除去する（ベベル洗浄工程；ステップ１０−２）。このベベル洗浄工程後は、第１実施形態と同様に、一次乾燥（ステップ１０−３）→裏面洗浄工程（ステップ１０−４）→二次乾燥（ステップ１０−５）を行ってレジスト塗布を終了する。
【００５１】
また、別のレジスト塗布における洗浄処理の手順としては、図１１に示すように、レジスト塗布工程（ステップ１１−１）のレジスト塗布後に一次乾燥（ステップ１１−２）を行い、レジストＲが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０及び補助洗浄ノズル３３から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の側端下部面３又は側端面１、及びベベル部４の内方近傍領域に噴射（供給）して、ベベル部４に付着するレジストを除去する（ベベル洗浄工程；ステップ１１−３）。ベベル洗浄工程後は、第１実施形態と同様に、裏面洗浄工程（ステップ１１−４）→二次乾燥（ステップ１１−５）を行ってレジスト塗布を終了する。
【００５２】
更にまた、別のレジスト塗布における洗浄処理、例えばウエハＷにレーザーマークＬＭが形成されている場合のレジスト塗布における洗浄処理の手順としては、図１２に示すように、レジスト塗布工程（ステップ１２−１）のレジスト塗布直後、具体的には、レジスト塗布後、ウエハＷに塗布されたレジストＲが振り切られてウエハＷ上から余剰レジストが飛散しなくなる時間、すなわち５秒（ｓｅｃ）以内の所定時間例えば１ｓｅｃ以内に、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷに塗布されたレジストＲが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル３０から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の側端下面３又は側端面１、又は、ノッチを有するウエハＷの場合は、図４（ｂ′）に示すように、周縁端部から２〜５ｍｍ内方に噴射（供給）して、ベベル部４に付着するレジストを除去する（１回目のベベル洗浄工程；ステップ１２−２）。この１回目のベベル洗浄工程においては、レジストＲが乾燥する前にベベル部４の洗浄を行うので、レジストＲが溶解し易い状態で除去することができる。なお、この１回目のベベル洗浄工程の際に補助洗浄ノズル３３から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の内方近傍領域に噴射（供給）してもよい。
【００５３】
１回目のベベル洗浄（ベベルリンス）を所定時間（例えば、１０ｓｅｃ）行って、ベベル部４のレジストＲを除去した後、ベベル洗浄ノズル３０、又はベベル洗浄ノズル３０及び補助洗浄ノズル３３からの洗浄液Ｌの供給を停止し、ベベルリンス時の回転数（例えば、１０００ｒｐｍ）より高速の回転数（例えば、１５００ｒｐｍ）でスピンチャック１０を回転して一次乾燥を行う（ステップ１２−３）。一次乾燥を所定時間（例えば、３０．０ｓｅｃ）行った後、一次乾燥時の回転数と同じ回転数（例えば、１５００ｒｐｍ）でスピンチャック１０を回転して補助洗浄ノズル３３から洗浄液ＬをウエハＷのベベル部４の内方近傍領域に噴射（供給）してウエハＷに形成されたレーザーマークＬＭ部に滞留する洗浄液残りを除去すると共に、レーザーマークＬＭが起因する洗浄液の乱流を防止する（２回目のベベル洗浄工程；ステップ１２−４）。この２回目のベベル洗浄工程においては、レジストＲが一次乾燥後にベベル部４の表面に薄く汚れとして残るものを洗浄除去することができる。２回目のベベル洗浄工程後は、第１実施形態と同様に、裏面洗浄工程（ステップ１２−５）→二次乾燥（ステップ１２−６）を行ってレジスト塗布を終了する。
【００５４】
なお、ベベル洗浄ノズル３０と補助洗浄ノズル３３の吐出流量（供給流量）を調整することで、１回目のベベル洗浄では、ベベル洗浄ノズル３０のみを使用し、２回目のベベル洗浄で補助洗浄ノズル３３のみを使用するように分けてもよい。
【００５５】
なお、上記実施形態では、塗布液がレジストである場合について説明したが、レジスト以外の塗布液例えばＳＯＧ（Spin On Glass）液においても同様に適用できることは勿論である。
【実施例】
【００５６】
この発明に係る基板処理装置を適用した上記レジスト塗布装置と従来のレジスト塗布装置におけるレジスト除去処理工程及びレジスト除去処理時間を以下の条件の下で比較実験した。
【００５７】
実験条件
・レジスト：ＰＡＲ（商品名）
・溶剤：シクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）
・ベベルリンス流量：１００ｍｌ／ｍｉｎ（２本合計）
・バックリンス流量：１００ｍｌ／ｍｉｎ（２本合計）
上記条件で実験を行ったところ、従来のレジスト除去処理では、表１に示すような結果が得られ、この発明に係るレジスト除去処理においては、表２に示すような結果が得られた。
【表１】
0004757126.tif 000002
【表２】
0004757126.tif 000003
【００５８】
上記実験の結果、洗浄液にシクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）を用いてレジスト乾燥後にバックリンスを行う従来のレジスト除去処理に要する時間は、通常約１２０ｓｅｃであるが、この発明に係るレジスト除去処理に要する時間はベベルリンス時間とバックリンス時間とを足しても３０ｓｅｃ程度となり、大幅に時間を短縮することができる。
【００５９】
また、第３実施形態における２本のベベル洗浄ノズル３０と２本の補助洗浄ノズル３３を用いて以下の実験条件で実験を行ったところ、表３，表４に示すような結果が得られた。
【００６０】
実験条件
・レジスト：ＰＡＲ（商品名）
・溶剤：シクロヘキサノン（Ｃ6Ｈ10Ｏ）
・ベベルリンス流量：１６０ｍｌ／ｍｉｎ（４本合計）
・ベベル洗浄ノズル３０：５０ｍｌ／ｍｉｎ（１本）
・補助洗浄ノズル３３：３０ｍｌ／ｍｉｎ（１本）
・バックリンス流量：１００ｍｌ／ｍｉｎ（２本合計）
【表３】
0004757126.tif 000004
【表４】
0004757126.tif 000005
【００６１】
上記実験の結果、この発明の第３実施形態においては、レジスト除去処理に要する時間は、ベベルリンス時間とバックリンス時間とを足しても２５ｓｅｃ以下となり、大幅に時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第１実施形態を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部拡大図（ｂ）である。
【図２】この発明におけるベベル洗浄液ノズルと裏面洗浄液ノズルの取付状態を示す要部斜視図である。
【図３】この発明におけるベベル洗浄液ノズルの取付状態を示す断面図である。
【図４】この発明に係る基板処理方法の工程を示す概略断面図である。
【図５】この発明に係る基板処理方法の工程を示すフローチャートである。
【図６】この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第２実施形態を示す概略断面図である。
【図７】この発明におけるアシストノズルを示す斜視図である。
【図８】上記アシストノズルの異なる仕様形態を示す概略断面図である。
【図９】この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第３実施形態を示す概略断面図（ａ）、（ａ）のII部拡大図（ｂ）及び洗浄液の供給位置を示す概略底面図（ｃ）である。
【図１０】この発明に係る基板処理方法の別の工程を示すフローチャートである。
【図１１】この発明に係る基板処理方法の更に別の工程を示すフローチャートである。
【図１２】この発明に係る基板処理方法の更に別の工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６３】
１  側端面
２  側端上部面
３  側端下部面
４  ベベル部
１０  スピンチャック（回転保持手段）
２０  レジスト塗布ノズル（塗布液供給手段）
３０  ベベル洗浄ノズル
３１  保持基体
３２  ノズル保持体
３３  補助洗浄ノズル
４０  裏面洗浄ノズル
７０  温度調整器
８０  アシストノズル
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
Ｌ  洗浄液
Ｒ  レジスト（塗布液）
ＬＭ  レーザーマーク
【図１】
0004757126.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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