(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御回路であって、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行うことを特徴とする光出力制御回路。
【請求項２】
周囲温度を検出する温度センサと、
前記第１の光出力状態時に使用する第１のパルス電流の値を周囲温度に対応付けて管理し、前記温度センサにて検出した周囲温度に応じた前記第１のパルス電流の値を出力する第１の管理手段と、
前記第２の光出力状態時に使用する第２のパルス電流の値を周囲温度に対応付けて管理し、前記温度センサにて検出した周囲温度に応じた前記第２のパルス電流の値を出力する第２の管理手段と、
前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通に使用するバイアス電流の値を周囲温度に対応付けて管理し、前記温度センサにて検出した周囲温度に応じた前記バイアス電流の値を出力する第３の管理手段と、
前記第１のパルス電流の値と、前記第２のパルス電流の値と、の何れかのパルス電流の値を基に、前記パルス電流を決定し、該決定したパルス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行うパルス電流制御手段と、
前記バイアス電流の値を前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とにおいて共通の基準電圧値とし、前記光出力電流に応じた出力電圧値と、前記基準電圧値と、が等しい電圧値となるように前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行うバイアス電流制御手段と、
を有することを特徴とする請求項１記載の光出力制御回路。
【請求項３】
前記第１のパルス電流の値と、前記第２のパルス電流の値と、の何れかのパルス電流の値を選択する選択手段を有し、
前記パルス電流制御手段は、
前記選択手段により選択されたパルス電流の値を基に、前記パルス電流を決定することを特徴とする請求項２記載の光出力制御回路。
【請求項４】
前記モニタフォトダイオードは、
前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで異なる値の光出力電流を出力することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の光出力制御回路。
【請求項５】
前記バイアス電流制御手段は、
前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を、ｎ（ｎは、任意の正の実数）倍に増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換することを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の光出力制御回路。
【請求項６】
前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を出力する電流切替手段と、
前記電流切替手段から出力される光出力電流を基に、該光出力電流に応じた出力電圧値に変換する電流電圧変換手段と、
前記電流電圧変換手段により変換した出力電圧値と、前記基準電圧値と、を比較し、前記出力電圧値と前記基準電圧値との差分となる差分値を算出し、該算出した差分値を増幅した差分電圧値を出力する比較増幅手段と、を有し、
前記バイアス電流制御手段は、
前記比較増幅手段にて増幅した差分電圧値を基に、前記出力電圧値と、前記基準電圧値と、が等しい電圧値となるように前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行うことを特徴とする請求項２から５の何れか１項に記載の光出力制御回路。
【請求項７】
前記電流切替手段は、
固定抵抗と、可変抵抗と、を有し、
前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、を切り替えて、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を出力することを特徴とする請求項６記載の光出力制御回路。
【請求項８】
前記電流切替手段から出力される光出力電流の平均値を検出し、該検出した平均値の光出力電流を前記電流電圧変換手段に出力する平均値検出手段を有し、
前記電流電圧変換手段は、
前記平均値検出手段から出力される光出力電流に応じた出力電圧値に変換することを特徴とする請求項６または７記載の光出力制御回路。
【請求項９】
前記電流切替手段は、前記モニタフォトダイオードのカソード側に接続されてなることを特徴とする請求項６または７記載の光出力制御回路。
【請求項１０】
前記電流切替手段は、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、第２の固定抵抗と、前記固定抵抗または前記可変抵抗を選択するスイッチと、を有して構成し、
前記第１のトランジスタのコレクタ端子側は、前記モニタフォトダイオードのカソード側と接続し、前記第１のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第２の固定抵抗を介して電源に接続し、
前記第２のトランジスタのコレクタ端子側は、前記電流電圧変換手段と接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ端子側は、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、に接続し、前記スイッチにより選択された前記固定抵抗または前記可変抵抗を電源に接続して構成されてなることを特徴とする請求項９記載の光出力制御回路。
【請求項１１】
前記電流切替手段は、前記モニタフォトダイオードのアノード側に接続されてなることを特徴とする請求項６または７記載の光出力制御回路。
【請求項１２】
前記電流切替手段は、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、第２の固定抵抗と、第３の固定抵抗と、第４の固定抵抗と、前記固定抵抗または前記可変抵抗を選択するスイッチと、を有して構成し、
前記第１のトランジスタのコレクタ端子側は、前記モニタフォトダイオードのアノード側と接続し、前記第１のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第２の固定抵抗を介して接地に接続し、
前記第２のトランジスタのコレクタ端子側は、前記第３のトランジスタのコレクタ端子側と接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ端子側は、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、に接続し、前記スイッチにより選択された前記固定抵抗または前記可変抵抗を接地に接続し、
前記第３のトランジスタのコレクタ端子側は、前記第２のトランジスタのコレクタ端子側と接続し、前記第３のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第３の固定抵抗を介して、前記モニタフォトダイオードのカソード側と、電源と、に接続し、
前記第４のトランジスタのコレクタ端子側は、前記電流電圧変換手段と接続し、前記第４のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第４の固定抵抗を介して、前記モニタフォトダイオードのカソード側と、電源と、に接続してなることを特徴とする請求項１１記載の光出力制御回路。
【請求項１３】
前記電流切替手段は、
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、第２の固定抵抗と、第３の固定抵抗と、第４の固定抵抗と、前記固定抵抗または前記可変抵抗を選択するスイッチと、を有して構成し、
前記第１のトランジスタのコレクタ端子側は、前記モニタフォトダイオードのアノード側と接続し、前記第１のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第３の固定抵抗を介して接地に接続し、
前記第２のトランジスタのコレクタ端子側は、前記第３のトランジスタのコレクタ端子側と接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第４の固定抵抗を介して接地に接続し、
前記第３のトランジスタのコレクタ端子側は、前記第２のトランジスタのコレクタ端子側と接続し、前記第３のトランジスタのエミッタ端子側は、前記第２の固定抵抗を介して、前記モニタフォトダイオードのカソード側と、電源と、に接続し、
前記第４のトランジスタのコレクタ端子側は、前記電流電圧変換手段と接続し、前記第４のトランジスタのエミッタ端子側は、前記固定抵抗と、前記可変抵抗と、に接続し、前記スイッチにより選択された前記固定抵抗または前記可変抵抗を、前記モニタフォトダイオードのカソード側と、電源と、に接続してなることを特徴とする請求項１１記載の光出力制御回路。
【請求項１４】
前記第１の管理手段と、前記第２の管理手段と、前記第３の管理手段と、は共通のメモリ空間で管理されてなることを特徴とする請求項２記載の光出力制御回路。
【請求項１５】
請求項１から１４の何れか１項に記載の光出力制御回路を搭載し、通信を行う際に使用する光信号を前記光出力制御回路にて制御し、該制御した光信号を用いて通信を行うことを特徴とする光通信装置。
【請求項１６】
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御装置において行う光出力制御方法であって、
前記光出力制御装置は、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行う工程を、前記光出力制御装置が行うことを特徴とする光出力制御方法。
【請求項１７】
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御装置において実行させる光出力制御プログラムであって、
前記光出力制御装置は、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行う処理を、前記光出力制御装置に実行させることを特徴とする光出力制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザダイオードの光出力を制御する光出力制御回路、光出力制御方法及び光出力制御プログラムに関し、特に、光信号を用いて通信を行う光通信装置に好適な光出力制御回路、光出力制御方法及び光出力制御プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光信号を用いて通信を行う光通信装置に搭載される光出力制御回路として、例えば、図７に示す回路構成が挙げられる。光通信装置は、通信を行う際に使用する光信号を図７に示す光出力制御回路にて制御し、該制御した光信号を用いて通信を行うことになる。以下、図７を参照しながら、従来の光出力制御回路の回路構成について説明する。
【０００３】
従来の光出力制御回路は、図７に示すように、ＬＤ（Laser Diode）（１）と、モニタＰＤ（Photo Diode）（２）と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と、比較増幅器（１０）と、基準電圧（１１）と、バイアス電流制御回路（８）と、パルス電流制御回路（７）と、切替制御部（６）と、第１のスイッチ（５）と、第２のスイッチ（１９）と、温度センサ（１２）と、Ａ／Ｄ変換器（１３）と、メモリ（１４）と、複数のＤ／Ａ変換器（１５〜１８）と、を有して構成される。
【０００４】
この上記構成からなる光出力制御回路は、ＬＤ（１）から出力される少なくとも１部分の光信号をモニタＰＤ（２）が受光し、そのＬＤ（１）から出力される光信号の光出力状態に応じた光検出電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力する。Ｉ／Ｖ変換回路（９）は、モニタＰＤ（２）から出力された光検出電流を基に、その光検出電流値に応じた電圧値に変換し、その変換した電圧値を比較増幅器（１０）に出力する。
【０００５】
比較増幅器（１０）は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力された出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、を比較し、出力電圧値と、基準電圧値と、の差分値（｜出力電圧値−基準電圧値｜）を算出し、該算出した差分値を増幅した差分電圧値をバイアス電流制御回路（８）に出力する。
【０００６】
バイアス電流制御回路（８）は、比較増幅器（１０）から出力された差分電圧値を基に、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を制御する。
【０００７】
このように、図７に示す光出力制御回路は、モニタＰＤ（２）と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と、比較増幅器（１０）と、基準電圧（１１）と、バイアス電流制御回路（８）と、で負帰還制御回路を構成し、ＬＤ（１）は、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値に応じた光信号を出力することになる。
【０００８】
また、メモリ（１４）には、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うための管理テーブル（図８参照）が格納されている。
【０００９】
なお、管理テーブルは、図８（ａ）に示すように、パルス電流の設定データが周囲温度に対応したアドレス値と対応付けられて管理されており、また、図８（ｂ）に示すように、バイアス電流の設定データが周囲温度に対応したアドレス値と対応付けられて管理されている。なお、パルス電流、バイアス電流の設定データは、周囲温度の変動に対してＬＤ（１）の光出力状態と消光比とが一定になるように定められて管理される。これにより、温度センサ（１２）により検出した周囲温度を示す温度信号をデジタル変換したデジタル値がデジタルＡ／Ｄ変換器（１３）を介してメモリ（１４）に入力された際に、メモリ（１４）は、図８（ａ）に示す管理テーブルを用いて、そのデジタル値に応じたアドレス値に対応するパルス電流の設定データをＤ／Ａ変換器（１５、１６）に出力し、また、図８（ｂ）に示す管理テーブルを用いて、アドレス値に対応するバイアス電流の設定データをＤ／Ａ変換器（１７、１８）に出力することになる。
【００１０】
そして、第１のスイッチ（５）は、切替制御部（６）から出力される制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１５、１６）から出力されるパルス電流の設定データの何れかの設定データをパルス電流制御回路（７）に出力し、パルス電流制御回路（７）は、第１のスイッチ（５）から出力される設定データに応じたパルス電流をＬＤ（１）に出力し、ＬＤ（１）から出力する光信号の光出力状態を制御する。
【００１１】
また、第２のスイッチ（１９）は、切替制御部（６）から出力される制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１７、１８）から出力されるバイアス電流の設定データの何れかの設定データを基準電圧（１１）に出力し、基準電圧（１１）は、第２のスイッチ（１９）から出力された設定データに応じた基準電圧値に設定し、バイアス電流制御回路（８）は、その基準電圧（１１）に設定された基準電圧値と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を制御する。
【００１２】
なお、図７に示す光出力制御回路を構成するＬＤ（１）から出力される光信号の第１の光出力状態をＯＵＴ１とし、第２の光出力状態をＯＵＴ２と仮定する。この場合、ＬＤ（１）から出力されるＯＵＴ１に応じた光検出電流Ｉ１と、ＬＤ（１）から出力されるＯＵＴ２に応じた光検出電流Ｉ２と、の電流値が異なることになる。
【００１３】
このため、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うためには、ＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応付けられて管理されている管理テーブルと、ＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応づけられて管理されている管理テーブルと、ＯＵＴ１に対するバイアス電流（基準電圧）の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応付けられて管理されている管理テーブルと、ＯＵＴ２に対するバイアス電流（基準電圧）の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応付けられて管理されている管理テーブルと、をメモリ（１４）内に格納することになる。即ち、パルス電流の温度補償制御を行うための図８（ａ）に示す管理テーブルを、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態毎に用意し、また、バイアス電流の温度補償制御を行うための図８（ｂ）に示す管理テーブルを、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態毎に用意することになる。
【００１４】
そして、メモリ（１４）は、４つの管理テーブルを基に、温度センサ（１２）により検出した周囲温度のアドレス値に応じた設定データをそれぞれＤ／Ａ変換器（１５、１６、１７、１８）に出力することになる。この場合、メモリ（１４）は、Ｄ／Ａ変換器（１５）に対し、ＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データを出力し、Ｄ／Ａ変換器（１６）に対し、ＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データを出力し、Ｄ／Ａ変換器（１７）に対し、ＯＵＴ１に対するバイアス電流の設定データを出力し、Ｄ／Ａ変換器（１８）に対し、ＯＵＴ２に対するバイアス電流の設定データを出力することになる。
【００１５】
そして、第１のスイッチ（５）は、切替制御部（６）から出力される制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１５）から出力されるＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データと、Ｄ／Ａ変換器（１６）から出力されるＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データと、の何れかのパルス電流の設定データをパルス電流制御回路（７）に出力することになる。
【００１６】
また、第２のスイッチ（１９）は、切替制御部（６）から出力される制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１７）から出力されるＯＵＴ１に対するバイアス電流の設定データと、Ｄ／Ａ変換器（１８）から出力されるＯＵＴ２に対するバイアス電流の設定データと、の何れかのバイアス電流の設定データを基準電圧（１１）に出力することになる。
【００１７】
この第１のスイッチ（５）と第２のスイッチ（１９）との切替制御により、Ｄ／Ａ変換器（１５、１７）の組み合わせと、Ｄ／Ａ変換器（１６、１８）の組み合わせと、を切り替え、ＬＤ（１）から出力する光信号の光出力状態をＯＵＴ１とＯＵＴ２とに切り替えることになる。
【００１８】
このように、従来の光出力制御回路は、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うためのパルス電流を決定するための設定データと、周囲温度に応じたアドレス値と、を関連づけて管理する図８（ａ）に示す管理テーブルを、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態毎に用意し、また、ＬＤ（１）の温度補償性制御を行うためのバイアス電流を決定するための設定データと、周囲温度に応じたアドレス値と、を関連づけて管理する図８（ｂ）に示す管理テーブルを、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態毎に用意し、その４つの管理テーブルをメモリ（１４）内に格納し、そのメモリ（１４）内に格納した４つの管理テーブルを用いて、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態時に使用するパルス電流とバイアス電流とを決定し、その決定したパルス電流とバイアス電流とを用いてＬＤ（１）の温度補償制御を行うことになる。
【００１９】
このため、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うための管理テーブル数が多くなり、温度補償制御が複雑となってしまうことになる。また、４つの管理テーブルをメモリ（１４）内に格納することになるため、メモリ（１４）内のメモリ空間を多く確保しなければならないことになる。
【００２０】
なお、本発明より先に出願された技術文献として、レーザダイオードを、レーザダイオードの発光しきい電流値付近であるバイアス電流と発光させるためのパルス電流とを重畳した電流で駆動するレーザダイオード駆動回路において、バイアス電流とパルス電流を周囲温度に応じて調整し、光出力および消光比を一定に制御することで、レーザダイオードの経時劣化に対して光出力および消光比を一定に制御できるレーザダイオード駆動回路が開示された文献がある（例えば、特許文献１参照）。
【００２１】
また、レーザダイオード６の光出力を検出するフォトダイオード２と、フォトダイオードの出力電流を利得切り替え可能に増幅する電流増幅回路７と増幅した電流を電圧に変換するＩ／Ｖ変換回路８とからなる光出力モニタ電圧生成部９と、基準電圧を出力する基準電圧源３と、光出力モニタ電圧生成部の出力と基準電圧との差をレーザ駆動源に負帰還する比較整流回路４と、比較整流回路４の出力を基にレーザダイオードの駆動電流を生成するレーザ駆動回路５とで半導体レーザの光出力制御回路を構成し、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、光出力を低く設定した場合でも光出力設定値に対するばらつき量の割合を増大させずに安定した光出力を得られるようにした半導体レーザの光出力制御回路が開示された文献がある（例えば、特許文献２参照）。
【００２２】
また、レーザ光を出射する半導体レーザ出力制御部１１０と、この出射されたレーザ光を検出するフォトディテクタ１２０と、サンプル処理を行うサンプル処理部１４０と、消去電流パルス、書き込み電流パルスおよび読み出し電流パルスを生成するパルス電流生成部１６０と、上記各部を制御する制御部１８０と、を有し、予め設定されたＡＰＣタイミングに基づいてサンプル処理および各パルス電流を生成し、各パルス電流およびサンプル処理に基づいて半導体レーザ出力制御部を制御し、半導体レーザから出力されるレーザ光の強度レベルが変調される場合に、独立的にレーザ光の光強度を変更することができる光ピックアップ装置が開示された文献がある（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平１１−１３５８７１号公報
【特許文献２】特開２００３−８１３９号公報
【特許文献３】特開２００４−２２０６６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかしながら、上記特許文献１には、バイアス電流とパルス電流を周囲温度に応じて調整し、光出力および消光比を一定に制御することで、レーザダイオードの経時劣化に対して光出力および消光比を一定に制御できるレーザダイオード駆動回路について開示されているが、温度補償制御の複雑さを緩和することについては何ら考慮されたものではない。
【００２４】
また、上記特許文献２には、光出力のダイナミックレンジを広く確保し、光出力を低く設定した場合でも光出力設定値に対するばらつき量の割合を増大させずに安定した光出力を得られるようにした半導体レーザの光出力制御回路について開示されているが、温度補償制御の複雑さを緩和することについては何ら考慮されたものではない。
【００２５】
また、上記特許文献３には、半導体レーザから出力されるレーザ光の強度レベルが変調される場合に、独立的にレーザ光の光強度を変更することができる光ピックアップ装置について開示されているが、温度補償制御の複雑さを緩和することについては何ら考慮されたものではない。
【００２６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、温度補償制御の複雑さを緩和することを可能とする光出力制御回路、光通信装置、光出力制御方法及び光出力制御プログラムを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
かかる目的を達成するために、本発明は以下の特徴を有することとする。
【００２８】
本発明にかかる光出力制御回路は、
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御回路であって、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行うことを特徴とする。
【００２９】
本発明にかかる光通信装置は、
上記記載の光出力制御回路を搭載し、通信を行う際に使用する光信号を前記光出力制御回路にて制御し、該制御した光信号を用いて通信を行うことを特徴とする。
【００３０】
本発明にかかる光出力制御方法は、
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御装置において行う光出力制御方法であって、
前記光出力制御装置は、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行う工程を、前記光出力制御装置が行うことを特徴とする。
【００３１】
本発明にかかる光出力制御プログラムは、
周囲温度に応じて調整したバイアス電流とパルス電流とを用いてレーザダイオードの温度補償制御を行う光出力制御装置において実行させる光出力制御プログラムであって、
前記光出力制御装置は、
前記レーザダイオードの光出力状態に応じた光出力電流を出力するモニタフォトダイオードを有し、
前記レーザダイオードの光出力状態を第１の光出力状態と第２の光出力状態とに切り替えて前記レーザダイオードの光出力状態を制御する際に、前記モニタフォトダイオードから出力される光出力電流を増幅し、前記第１の光出力状態時と前記第２の光出力状態時とで共通の値の光出力電流に変換し、該変換した光出力電流を用いて前記バイアス電流を決定し、該決定したバイアス電流を用いて前記レーザダイオードの温度補償制御を行う処理を、前記光出力制御装置に実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００５２】
本発明によれば、温度補償制御を行う際に使用するバイアス電流を、第１の光出力状態時と第２の光出力状態時とで共通の基準電圧値を用いて決定することになるため、温度補償制御の複雑さを緩和することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
まず、図１を参照しながら、本実施形態における光出力制御回路の特徴について説明する。
【００５４】
本実施形態における光出力制御回路は、周囲温度に応じて調整したバイアス電流（８）とパルス電流（７）とを用いてレーザダイオード（１）の温度補償制御を行う光出力制御回路であり、レーザダイオード（１）の光出力状態を第１の光出力状態（ＯＵＴ１）と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）とに切り替えてレーザダイオード（１）の光出力状態を制御する際に、第１の光出力状態（ＯＵＴ１）時と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）時とにおいて共通の基準電圧値（１１）を用いてバイアス電流（８）を決定し、該決定したバイアス電流（８）を用いてレーザダイオード（１）の温度補償制御を行うことを特徴とするものである。これにより、温度補償制御を行う際に使用するバイアス電流（８）を、第１の光出力状態（ＯＵＴ１）時と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）時とで共通の基準電圧値（１１）を用いて決定することになるため、温度補償制御の複雑さを緩和することが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態における光出力制御回路について詳細に説明する。
【００５５】
まず、図１を参照しながら、本実施形態における光出力制御回路の構成について説明する。
【００５６】
本実施形態における光出力制御回路は、図１に示すように、ＬＤ（Laser Diode）（１）と、モニタＰＤ（Photo Diode）（２）と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と、比較増幅器（１０）と、基準電圧（１１）と、バイアス電流制御回路（８）と、パルス電流制御回路（７）と、切替制御部（６）と、第１のスイッチ（５）と、温度センサ（１２）と、Ａ／Ｄ変換器（１３）と、メモリ（１４）と、複数のＤ／Ａ変換器（１５〜１７）と、電流切替回路（３）と、を有して構成される。
【００５７】
なお、本実施形態における光出力制御回路は、図１に示すように、電流切替回路（３）を有し、モニタＰＤ（２）から出力された光出力電流を、ＬＤ（１）の光出力状態が第１の光出力状態（ＯＵＴ１）時と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）時とにおいて共通の値の光出力電流となるように制御し、該制御した光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力することで、第１の光出力状態（ＯＵＴ１）時と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）時とにおいて共通の基準電圧値（１１）を用いてバイアス電流（８）を決定し、該決定したバイアス電流（８）を用いてＬＤ（１）の温度補償制御を行うことになる。
【００５８】
なお、図１に示す電流切替回路（３）は、スイッチ（４）と、第１のトランジスタ（３Ａ）と、第２のトランジスタ（３Ｂ）と、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）と、第２の固定抵抗（３Ｃ）と、を有して構成される。
【００５９】
なお、図１に示す電流切替回路（３）は、第１のトランジスタ（３Ａ）と、第２のトランジスタ（３Ｂ）と、はカレント・ミラー回路を構成することになり、第１のトランジスタ（３Ａ）のエミッタ端子側は、第２の固定抵抗（３Ｃ）を介して電源（Ｖｃｃ）と接続し、コレクタ端子側は、モニタＰＤ（２）のカソード側と接続する。
【００６０】
また、第２のトランジスタ（３Ｂ）のエミッタ端子側は、固定抵抗（３Ｄ）と可変抵抗（３Ｅ）と接続する。なお、可変抵抗（３Ｅ）は、第１の光出力状態（ＯＵＴ１）時と第２の光出力状態（ＯＵＴ２）時とにおける光出力比を決定することになる抵抗である。
【００６１】
スイッチ（４）は、固定抵抗（３Ｄ）と可変抵抗（３Ｅ）と接続しており、切替制御部（６）から出力される制御信号を基に、固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）を選択し、その選択した抵抗を電源（Ｖｃｃ）と接続する。なお、切替制御部（６）がスイッチ（４）に出力する制御信号は、固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）の何れかの抵抗を電源（Ｖｃｃ）と接続させるための信号であり、この制御信号は、ユーザからの操作等により設定される。
【００６２】
また、第２のトランジスタ（３Ｂ）のコレクタ端子側は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と接続する。なお、Ｉ／Ｖ変換回路（９）には、電流切替回路（３）により制御されたモニタＰＤ（２）の光検出電流が出力され、Ｉ／Ｖ変換回路（９）は、その光検出電流値に応じた電圧値に変換し、その変換した電圧値を、比較増幅器（１０）に出力する。
【００６３】
比較増幅器（１０）は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力された出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力された基準電圧値と、の差分値（｜出力電圧値−基準電圧値｜）を算出し、その算出した差分値を増幅し、その増幅した差分電圧値をバイアス電流制御回路（８）に出力する。
【００６４】
バイアス電流制御回路（８）は比較増幅器（１０）から出力された差分電圧値を基に、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を制御する。
【００６５】
温度センサ（１２）は、周囲温度を検出し、該検出した周囲温度に応じた電圧値を発生し、その発生した電圧値に応じたアナログの温度信号をＡ／Ｄ変換器（１３）に出力する。
【００６６】
Ａ／Ｄ変換器（１３）は、温度センサ（１２）から出力されたアナログの温度信号をデジタル値に変換し、その変換したデジタル値をメモリ（１４）に出力する。
【００６７】
メモリ（１４）には、ＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応付けられて管理されている管理テーブルと、ＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応づけられて管理されている管理テーブルと、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とに対する共通のバイアス電流（基準電圧）の設定データと周囲温度に対応したアドレス値とが対応付けられて管理されている管理テーブルと、が格納されており、温度センサ（１２）により検出した周囲温度を示す温度信号をデジタル変換したデジタル値がデジタルＡ／Ｄ変換器（１３）を介してメモリ（１４）に入力された際に、メモリ（１４）は、そのデジタル値に応じたアドレス値に対応する設定データをそれぞれＤ／Ａ変換器（１５、１６、１７）に出力することになる。この場合、Ｄ／Ａ変換器（１５）に対し、ＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データを出力し、Ｄ／Ａ変換器（１６）に対し、ＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データを出力し、Ｄ／Ａ変換器（１７）に対し、ＯＵＴ１とＯＵＴ２とに対する共通のバイアス電流の設定データを出力することになる。
【００６８】
なお、第１のスイッチ（５）は、切替制御部（６）からの制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１５）から出力されるＯＵＴ１に対するパルス電流の設定データと、Ｄ／Ａ変換器（１６）から出力されるＯＵＴ２に対するパルス電流の設定データと、の何れかのパルス電流の設定データをパルス電流制御回路（７）に出力することになる。これにより、パルス電流制御回路（７）は、第１のスイッチ（５）から出力される設定データに応じたパルス電流を基に、ＬＤ（１）の光出力を制御することになる。なお、切替制御部（６）が第１のスイッチ（５）に出力する制御信号は、Ｄ／Ａ変換器（１５）またはＤ／Ａ変換器（１６）の何れかのＤ／Ａ変換器から出力されるパルス電流の設定データをパルス電流制御回路（７）に出力させるための信号であり、この制御信号は、ユーザからの操作等により設定される。
【００６９】
また、Ｄ／Ａ変換器（１７）から出力されるＯＵＴ１とＯＵＴ２とに対する共通のバイアス電流の設定データが基準電圧（１１）に出力されることになる。これにより基準電圧（１１）は、Ｄ／Ａ変換器（１７）から出力される設定データに応じた基準電圧値に設定し、バイアス電流制御回路（８）は、その基準電圧（１１）に設定された基準電圧値と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を調整し、その調整したバイアス電流を基に、ＬＤ（１）の光出力を制御することになる。
【００７０】
次に、図１を参照しながら、本実施形態における光出力制御回路における制御動作について説明する。
【００７１】
なお、以下の制御動作は、電流切替回路（３）を構成する第２の固定抵抗（３Ｃ）と、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）との抵抗比を、第２の固定抵抗（３Ｃ）：固定抵抗（３Ｄ）：可変抵抗（３Ｅ）＝１：１：ｎ（ｎ＞１）として説明する。
【００７２】
本実施形態における光出力制御回路は、ＬＤ（１）から出力される少なくとも１部分の光信号をモニタＰＤ（２）が受光し、そのＬＤ（１）から出力される光信号の光出力状態に応じた光検出電流を電流切替回路（３）に出力する。電流切替回路（３）は、モニタＰＤ（２）から出力された光検出電流を制御し、その制御した光検出電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力する。Ｉ／Ｖ変換回路（９）は、電流切替回路（３）から出力された光検出電流を基に、その光検出電流値に応じた電圧値に変換し、その変換した電圧値を比較増幅器（１０）に出力する。
【００７３】
比較増幅器（１０）は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、を比較し、その出力電圧値と基準電圧値との差分となる差分電圧値（｜出力電圧値−基準電圧値｜）をバイアス電流制御回路（８）に出力する。
【００７４】
バイアス電流制御回路（８）は比較増幅器（１０）から出力された差分電圧値を基に、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を制御することになる。
【００７５】
このように、本実施形態における光出力制御回路は、モニタＰＤ（２）と、電流切替回路（３）と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と、比較増幅器（１０）と、基準電圧（１１）と、バイアス電流制御回路（８）と、で負帰還制御回路を構成し、ＬＤ（１）は、基準電圧（１１）から出力される基準電圧値に応じた光信号を出力することになる。
【００７６】
＜固定抵抗３Ｄが電源（Ｖｃｃ）と接続している場合＞
この上述した負帰還制御回路を構成する光出力制御回路において、まず、切替制御部（６）からの制御信号を基に、スイッチ（４）が固定抵抗（３Ｄ）を選択し、固定抵抗（３Ｄ）が電源（Ｖｃｃ）と接続されている場合について説明する。
【００７７】
この場合、第１のトランジスタ（３Ａ）に流れるエミッタ電流と第２のトランジスタ（３Ｂ）に流れるエミッタ電流との比は、第２の固定抵抗（３Ｃ）と固定抵抗（３Ｄ）との抵抗値の比で決定することになり、本実施形態の場合では、第２の固定抵抗（３Ｃ）：固定抵抗（３Ｄ）＝１：１であるため、モニタＰＤ（２）の光検出電流とＩ／Ｖ変換回路（９）に流れる電流とが等しいことになる。
【００７８】
なお、負帰還制御により基準電圧（１１）から出力される基準電圧値と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、が等しくなっている状態時に、電流切替回路（３）からＩ／Ｖ変換回路（９）に流れる電流値をＩ１と仮定する。
【００７９】
＜可変抵抗３Ｅが電源（Ｖｃｃ）と接続している場合＞
次に、切替制御部（６）からの制御信号を基に、スイッチ（４）が可変抵抗（３Ｅ）を選択し、可変抵抗（３Ｅ）が電源（Ｖｃｃ）と接続されている場合について説明する。
【００８０】
この場合、第１のトランジスタ（３Ａ）に流れるエミッタ電流と第２のトランジスタ（３Ｂ）に流れるエミッタ電流との比は、第２の固定抵抗（３Ｃ）と可変抵抗（３Ｅ）との抵抗値の比で決定することになり、本実施形態の場合では、第２の固定抵抗（３Ｃ）：可変抵抗（３Ｅ）＝１：ｎであるため、第１のトランジスタ（３Ａ）に流れるエミッタ電流：第２のトランジスタ（３Ｂ）に流れるエミッタ電流＝ｎ：１となる。
【００８１】
なお、帰還制御により基準電圧（１１）から出力される基準電圧値に対し、Ｉ／Ｖ変換回路（９）に流れる電流値をＩ１とするためには、第１のトランジスタ（３Ａ）に流れるエミッタ電流、すなわち、モニタＰＤ（２）の光検出電流がｎ×Ｉ１である必要があり、ＬＤ（１）の光出力状態は、スイッチ（４）により固定抵抗（３Ｄ）が選択されている場合のｎ倍となる。この光出力比は、可変抵抗（３Ｅ）の抵抗値により任意に設定することが可能となり、温度センサ（１２）により検出される周囲温度によらず一定に保持されることになる。
【００８２】
即ち、モニタＰＤ（２）から出力される光検出電流をスイッチ（４）を用いてｎ（ｎは、任意の正の実数）倍に変換し、ＬＤ（１）の光出力状態がＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時で共通の値の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力するように制御することで、温度補償制御を行うためのバイアス電流を決定するための設定データを、周囲温度に対応したアドレス値と対応づけて、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態毎に管理テーブルにて管理することなく、温度補償制御を行うためのバイアス電流を決定するための設定データを、周囲温度に対応したアドレス値と対応づけて、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態共通の１つの管理テーブルにて管理することが可能となる。そして、そのＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態共通の１つの管理テーブルをメモリ（１４）に格納し、メモリ（１４）は、温度センサ（１２）により検出した周囲温度のアドレス値に応じたＯＵＴ１とＯＵＴ２とに対する共通のバイアス電流の設定データをＤ／Ａ変換器（１７）に出力し、そのＤ／Ａ変換器（１７）に出力された設定データが基準電圧（１１）に出力されることになる。これにより基準電圧（１１）は、Ｄ／Ａ変換器（１７）から出力される設定データに応じた基準電圧値を設定し、バイアス電流制御回路（８）は、その基準電圧（１１）に設定された基準電圧値と、Ｉ／Ｖ変換回路（９）から出力される出力電圧値と、が等しい電圧値となるように、ＬＤ（１）に流れるバイアス電流を調整し、その調整したバイアス電流を基に、ＬＤ（１）の光出力を制御することになる。
【００８３】
また、ＬＤ（１）の光出力状態がＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において所望の消光比を実現するためのパルス電流の設定データは、周囲温度に対応したアドレス値と対応づけて、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態毎に管理テーブルにて管理することになり、そのＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態毎の管理テーブルをメモリ（１４）に格納し、メモリ（１４）は、温度センサ（１２）により検出した周囲温度のアドレス値に応じたＯＵＴ１のパルス電流の設定データをＤ／Ａ変換器（１５）に出力し、温度センサ（１２）により検出した周囲温度のアドレス値に応じたＯＵＴ２のパルス電流の設定データをＤ／Ａ変換器（１６）に出力することになる。そして、第１のスイッチ（５）は、切替制御部（６）からの制御信号を基に、Ｄ／Ａ変換器（１５）から出力されるＯＵＴ１のパルス電流の設定データ、または、Ｄ／Ａ変換器（１６）から出力されるＯＵＴ２のパルス電流の設定データの何れかのパルス電流の設定データをパルス電流制御回路（７）に出力し、パルス電流制御回路（７）からＬＤ（１）に出力するパルス電流を決定することになる。
【００８４】
このように、本実施形態における光出力制御回路は、モニタＰＤ（２）から出力される光出力電流を電流切替回路（３）において変換し、ＬＤ（１）の光出力状態がＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力するように制御することで、ＬＤ（１）の光出力状態がＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通のバイアス電流の設定データを用いて、ＬＤ（１）から出力するＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時の光出力パワーの温度補償制御を行うことが可能となる。従って、温度補償制御を行うためのバイアス電流の設定データを管理するための管理テーブルを１つ用意するだけで良く、従来の光出力制御回路のように、温度補償制御を行うためのバイアス電流の設定データを管理するための管理テーブルをＯＵＴ１とＯＵＴ２とのそれぞれの光出力状態毎に用意する必要がないため、温度補償制御の複雑さを緩和することが可能となる。また、従来の光出力制御回路よりも１つ少ない管理テーブルをメモリ（１４）に格納するだけで、温度補償制御を行うことが可能となるため、メモリ空間の軽減を図ることが可能となる。
【００８５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
【００８６】
第１の実施形態における光出力制御回路は、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のカソード側に接続し、モニタＰＤ（２）から出力された光出力電流を変換し、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通の値の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力するように制御したが、第２の実施形態における光出力制御回路は、図２に示すように、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続し、モニタＰＤ（２）から出力された光出力電流を変換し、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通の値の光出力電流がＩ／Ｖ変換回路（９）に出力されるように制御することを特徴とするものである。これにより、第１の実施形態における光出力制御回路と同様に、温度補償制御の複雑さを緩和することが可能となると共に、メモリ空間の低減を図ることが可能となる。以下、図２を参照しながら、第２の実施形態における光出力制御回路について説明する。
【００８７】
第２の実施形態における光出力制御回路は、図２に示すように、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続して構成される。
【００８８】
なお、第２の実施形態における電流切替回路（３）は、図２に示すように、第１のトランジスタ（３Ａ）と、第２のトランジスタ（３Ｂ）と、第３のトランジスタ（３Ｆ）と、第４のトランジスタ（３Ｇ）と、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）と、第２の固定抵抗（３Ｃ）と、第３の固定抵抗（３Ｈ）と、第４の固定抵抗（３Ｉ）と、固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）を選択するスイッチ（４）と、を有して構成される。
【００８９】
なお、第１のトランジスタ（３Ａ）のコレクタ端子側は、モニタＰＤ（２）のアノード側と接続し、第１のトランジスタ（３Ａ）のエミッタ端子側は、第２の固定抵抗（３Ｃ）を介して接地（ＧＮＤ）に接続している。
【００９０】
また、第２のトランジスタ（３Ｂ）のコレクタ端子側は、第３のトランジスタ（３Ｆ）のコレクタ端子側と接続し、第２のトランジスタ（３Ｂ）のエミッタ端子側は、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）と、に接続し、スイッチ（４）により選択された固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）を接地（ＧＮＤ）に接続している。
【００９１】
また、第３のトランジスタ（３Ｆ）のコレクタ端子側は、第２のトランジスタ（３Ｂ）のコレクタ端子側と接続し、第３のトランジスタ（３Ｆ）のエミッタ端子側は、第３の固定抵抗（３Ｈ）を介して、モニタＰＤ（２）のカソード側と、電源（Ｖｃｃ）と、に接続している。
【００９２】
また、第４のトランジスタ（３Ｇ）のコレクタ端子側は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と接続し、第４のトランジスタ（３Ｇ）のエミッタ端子側は、第４の固定抵抗（３Ｉ）を介して、モニタＰＤ（２）のカソード側と、電源（Ｖｃｃ）と、に接続している。
【００９３】
このように、第２の実施形態における光出力制御回路は、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続して構成した場合でも、図２に示すような回路構成を設計することで、第１の実施形態と同様に、モニタＰＤ（２）から出力された光出力電流を変換し、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通の値の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力することが可能となる。
【００９４】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。
【００９５】
第３の実施形態における光出力制御回路は、図３に示すように、第２の実施形態における光出力制御回路と同様に、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続して構成し、更に、電源切替回路（３）を構成する可変抵抗（３Ｅ）及びスイッチ（４）を電源（Ｖｃｃ）側に接続するように構成したことを特徴とするものである。これにより、第１、第２の実施形態における光出力制御回路と同様に、温度補償制御の複雑さを緩和することが可能となると共に、メモリ空間の低減を図ることが可能となる。以下、図３を参照しながら、第３の実施形態における光出力制御回路について説明する。
【００９６】
第３の実施形態における光出力制御回路は、図３に示すように、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続して構成される。
【００９７】
なお、第３の実施形態における電流切替回路（３）は、図３に示すように、第１のトランジスタ（３Ａ）と、第２のトランジスタ（３Ｂ）と、第３のトランジスタ（３Ｆ）と、第４のトランジスタ（３Ｇ）と、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）と、第２の固定抵抗（３Ｃ）と、第３の固定抵抗（３Ｈ）と、第４の固定抵抗（３Ｉ）と、固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）を選択するスイッチ（４）と、を有して構成される。
【００９８】
なお、第１のトランジスタ（３Ａ）のコレクタ端子側は、モニタＰＤ（２）のアノード側と接続し、第１のトランジスタ（３Ａ）のエミッタ端子側は、第３の固定抵抗（３Ｈ）を介して接地（ＧＮＤ）に接続している。
【００９９】
また、第２のトランジスタ（３Ｂ）のコレクタ端子側は、第３のトランジスタ（３Ｆ）のコレクタ端子側と接続し、第２のトランジスタ（３Ｂ）のエミッタ端子側は、第４の固定抵抗（３Ｉ）を介して接地（ＧＮＤ）に接続している。
【０１００】
また、第３のトランジスタ（３Ｆ）のコレクタ端子側は、第２のトランジスタ（３Ｂ）のコレクタ端子側と接続し、第３のトランジスタ（３Ｆ）のエミッタ端子側は、第２の固定抵抗（３Ｃ）を介して、モニタＰＤ（２）のカソード側と、電源（Ｖｃｃ）と、に接続している。
【０１０１】
また、第４のトランジスタ（３Ｇ）のコレクタ端子側は、Ｉ／Ｖ変換回路（９）と接続し、第４のトランジスタ（３Ｇ）のエミッタ端子側は、固定抵抗（３Ｄ）と、可変抵抗（３Ｅ）と、に接続し、スイッチ（４）により選択された固定抵抗（３Ｄ）または可変抵抗（３Ｅ）を、モニタＰＤ（２）のカソード側と、電源（Ｖｃｃ）と、に接続している。
【０１０２】
このように、第３の実施形態における光出力制御回路は、電流切替回路（３）をモニタＰＤ（２）のアノード側に接続して構成した場合でも、図３に示すような回路構成を設計することで、第１の実施形態と同様に、モニタＰＤ（２）から出力された光出力電流を変換し、ＯＵＴ１とＯＵＴ２との光出力状態時において共通の値の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力することが可能となる。
【０１０３】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。
【０１０４】
第４の実施形態における光出力制御回路は、図４〜図６に示すように、電流切替回路（３）から出力される光出力電流の平均値を検出し、その検出した平均値の光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力する平均値検出器（２０）を有することを特徴とするものである。これにより、電流切替回路（３）から出力される光出力電流を平均化し、その平均化した光出力電流をＩ／Ｖ変換回路（９）に出力することが可能となる。
【０１０５】
なお、図４は、第１の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示し、図５は、第２の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示し、図６は、第３の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示すものである。
【０１０６】
なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。
【０１０７】
例えば、上述した実施形態における光出力制御回路において、メモリ（１４）内にて管理する管理テーブルのテーブル構成は、特に限定するものではなく、ＬＤ（１）の温度補償制御を行う際に使用するパルス電流、バイアス電流の設定データと、周囲温度に対応したアドレス値と、を対応付けて管理することが可能であれば、あらゆる管理方法を用いて、温度補償制御を行う際に使用するパルス電流、バイアス電流の設定データと、周囲温度に対応したアドレス値と、を対応付けて管理し、その管理した設定データを用いてＬＤ（１）の温度補償制御を行うことは可能である。
【０１０８】
また、上述した実施形態における光出力制御回路における制御動作は、ハード構成ではなく、コンピュータプログラム等のソフトウェアにより実行することも可能であり、また、上記のプログラムは、光記録媒体、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、または半導体等の記録媒体に記録し、その記録媒体から上記プログラムを、光出力制御を行う光出力制御装置に読み込ませることで、上述した制御動作を、光出力制御装置において実行させることも可能である。また、所定のネットワークを介して接続されている外部機器から上記プログラムを光出力制御装置に読み込ませることで、上述した制御動作を、光出力制御装置において実行させることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明にかかる光出力制御回路、光出力制御方法及び光出力制御プログラムは、光信号を用いて通信を行う光通信装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】第１の実施形態における光出力制御回路の構成を示す図である。
【図２】第２の実施形態における光出力制御回路の構成を示す図である。
【図３】第３の実施形態における光出力制御回路の構成を示す図である。
【図４】第４の実施形態における光出力制御回路の第１の構成を示す図であり、図１に示す第１の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示す図である。
【図５】第４の実施形態における光出力制御回路の第２の構成を示す図であり、図２に示す第２の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示す図である。
【図６】第４の実施形態における光出力制御回路の第３の構成を示す図であり、図３に示す第３の実施形態における光出力制御回路に対し、平均値検出器（２０）を搭載した場合の構成を示す図である。
【図７】従来の光出力制御回路の構成を示す図である。
【図８】光出力制御回路を構成するメモリ（１４）内に格納される管理テーブルのテーブル構成を示す図であり、（ａ）は、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うためのパルス電流の設定データが周囲温度に対応したアドレス値と対応付けられて管理されている図であり、（ｂ）は、ＬＤ（１）の温度補償制御を行うためのパルス電流の設定データが周囲温度に対応したアドレス値と対応付けられて管理されている図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１    ＬＤ（Laser Diode）
２    モニタＰＤ（Photo Diode）
３    電流切替回路
４    スイッチ
５    第１のスイッチ
６    切替制御部
７    パルス電流制御回路
８    バイアス電流制御回路
９    Ｉ／Ｖ変換回路
１０    比較増幅器
１１    基準電圧
１２    温度センサ
１３    Ａ／Ｄ変換器
１４    メモリ
１５、１６、１７、１８    Ｄ／Ａ変換器
１９    第２のスイッチ
３Ａ    第１のトランジスタ
３Ｂ    第２のトランジスタ
３Ｆ    第３のトランジスタ
３Ｇ    第４のトランジスタ
３Ｃ    第２の固定抵抗
３Ｄ    固定抵抗
３Ｅ    可変抵抗
３Ｈ    第３の固定抵抗
３Ｉ    第４の固定抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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