(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁性磁性体基板、第１の導電性磁性体基板、コイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層、第２の導電性磁性体基板、及び第２の絶縁性磁性体基板がこの順で積層された積層体と、
前記積層体の側面に形成され、前記引出電極導体に接続される端子電極と、
前記第１の導電性磁性体基板と前記端子電極との間に配置された第１の絶縁領域と、
前記第２の導電性磁性体基板と前記端子電極との間に配置された第２の絶縁領域とを有し、
前記端子電極と前記第１の導電性磁性体基板とは、前記第１の絶縁領域によって絶縁され、
前記端子電極と前記第２の導電性磁性体基板とは、前記第２の絶縁領域によって絶縁される
することを特徴とする積層トランス部品。
【請求項２】
前記第１及び第２の導電性磁性体基板の側面は、少なくとも前記端子電極に対向する部分において前記積層体の側面から後退しており、
前記第１の絶縁領域は前記後退によって前記第１の導電性磁性体基板の側面と前記端子電極との間に生ずる第１の空間内に設けられ、
前記第２の絶縁領域は前記後退によって前記第２の導電性磁性体基板の側面と前記端子電極との間に生ずる第２の空間内に設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の積層トランス部品。
【請求項３】
前記第１の絶縁性磁性体基板は前記第１の空間内に張り出した凸部を有し、
前記第２の絶縁性磁性体基板は前記第２の空間内に張り出した凸部を有し、
前記第１の絶縁領域は前記第１の絶縁性磁性体基板の前記凸部によって構成され、
前記第２の絶縁領域は前記第２の絶縁性磁性体基板の前記凸部によって構成される
ことを特徴とする請求項２に記載の積層トランス部品。
【請求項４】
前記第１及び第２の絶縁領域は前記積層体側面の一部に施された絶縁体コーティングによって構成されることを特徴とする請求項１に記載の積層トランス部品。
【請求項５】
前記コイル導体は第１スパイラル導体と第２スパイラル導体とを含み、
前記第１スパイラル導体と前記第２スパイラル導体とは互いに磁気結合するよう配置されていることを特徴とする請求項４に記載の積層トランス部品。
【請求項６】
前記引出電極導体は前記各スパイラル導体の間に配置されることを特徴とする請求項５に記載の積層トランス部品。
【請求項７】
前記各スパイラル導体の中央部分を貫通する導電性磁脚を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の積層トランス部品。
【請求項８】
端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、
第１の絶縁性磁性体基板上に、前記端子電極に対向する第１の側面が前記側面から後退している第１の導電性磁性体基板を形成する第１工程と、
前記第１工程により得られた積層体上に、コイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第２工程と、
前記絶縁性樹脂体層上に、前記端子電極に対向する第２の側面が前記側面から後退している第２の導電性磁性体基板を形成する第３工程と、
前記第３工程により得られた積層体上に第２の絶縁性磁性体基板を接着する第４工程と、
前記第４工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第５工程とを備え、
前記端子電極と前記第１の導電性磁性体基板とは、前記第１の側面の前記後退によって生ずる空間によって絶縁され、
前記端子電極と前記第２の導電性磁性体基板とは、前記第２の側面の前記後退によって生ずる空間によって絶縁される
ことを特徴とする積層トランス部品の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程は、スピンコート法を用いて、前記第１工程により得られた積層体上に前記絶縁性樹脂体層を形成することを特徴とする請求項８に記載の積層トランス部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第２工程は、前記絶縁性樹脂体層を形成し、形成した前記絶縁性樹脂体層を前記第１工程により得られた積層体上に接着することを特徴とする請求項８に記載の積層トランス部品の製造方法。
【請求項１１】
端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、
少なくとも前記端子電極に対向する部分に凸部を有する第１の絶縁性磁性体基板に、第１の導電性磁性体基板を嵌合させて第１のベース基板を生成する第１工程と、
少なくとも前記端子電極に対向する部分に凸部を有する第２の絶縁性磁性体基板に、第２の導電性磁性体基板を嵌合させて第２のベース基板を生成する第２工程と、
前記第１のベース基板の前記第１の導電性磁性体基板側の面上にコイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第３工程と、
前記第２のベース基板を、前記第２の導電性磁性体基板側の面を前記絶縁性樹脂体層に向けて該絶縁性樹脂体層に接着する第４工程と、
前記第４工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第５工程とを備え、
前記端子電極と前記第１の導電性磁性体基板とは、前記第１の絶縁性磁性体基板の前記凸部によって絶縁され、
前記端子電極と前記第２の導電性磁性体基板とは、前記第２の絶縁性磁性体基板の前記凸部によって絶縁される
ことを特徴とする積層トランス部品の製造方法。
【請求項１２】
端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、
第１の絶縁性磁性体基板と第１の導電性磁性体とを接着して第１のベース基板を生成する第１工程と、
第２の絶縁性磁性体基板と第２の導電性磁性体とを接着して第２のベース基板を生成する第２工程と、
前記第１のベース基板の前記第１の導電性磁性体側の面上にコイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第３工程と、
前記第２のベース基板を、前記第２の導電性磁性体側の面を前記絶縁性樹脂体層に向けて該絶縁性樹脂体層に接着する第４工程と、
前記第４工程によって得られる積層体側面の前記第１及び前記第２の導電性磁性体が露出した部分のうち少なくとも前記端子電極と対向する部分に絶縁体コーティングを施す第５工程と、
前記第５工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第６工程とを備え、
前記端子電極と前記第１及び第２の導電性磁性体のそれぞれとは、前記絶縁体コーティングによって絶縁される
ことを特徴とする積層トランス部品の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程は、スパッタリング法又はＣＶＤ法を用いて前記絶縁体コーティングを施すことを特徴とする請求項１２に記載の積層トランス部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層トランス部品及びその製造方法に関し、特に透磁率の高い材料を用いて好適に構成された積層トランス部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コイル部品はトロイダルコア等に導線を巻回することにより実現されてきた（例えば特許文献１のコモンモードチョークトランス。）が、近年は膜上にパターニングしたスパイラル導体を用いて実現されることも多くなっている。
【０００３】
図１７には、膜上に印刷したスパイラル導体を用いて構成されたトランス部品（積層トランス部品）のひとつの例として、コモンモードフィルタ１００を示している。
【０００４】
コモンモードフィルタ１００は上下に磁性体基板１０１，１０２を有しており、その間に絶縁層１１１〜１１５により構成される絶縁性樹脂体層１１０、磁性体シート１０３、及び接着剤層１２１を有している。また、コモンモードフィルタ１００の左側面には２つの端子電極１４１，１４２が、右側面には２つの端子電極１４３，１４４が、それぞれ配置されている。
【０００５】
絶縁層１１２，１１３にはそれぞれスパイラル導体１５１，１５２が印刷されている。スパイラル導体１５１の外周端は引出電極１６１を介して端子電極１４１と、スパイラル導体１５２の外周端は引出電極１６２を介して端子電極１４２とそれぞれ接続している。一方、スパイラル導体１５１の内周端はスルーホールを介して絶縁層１１１に印刷された引出電極１６３と接続し、引出電極１６３は端子電極１４３と接続している。同様に、スパイラル導体１５２の内周端はスルーホールを介して絶縁層１１４に印刷された引出電極１６４と接続し、引出電極１６４は端子電極１４４と接続している。以上の構成により、スパイラル導体１５１，１５２がコモンモードチョークコイルとして機能する。
【０００６】
また、絶縁層１１１〜１１５の中央部には磁性体シート１０３を構成する磁性体と同じ磁性体が充填されており、コモンモードチョークコイルの磁脚を構成する。
【０００７】
また、特許文献２には、膜上に印刷したスパイラル導体を用いて構成されたインダクタの例が開示されている。この例では、コイル導体パターンが形成された複数の磁性体シートを積層し、かつその上下にコイル導体が形成されていない磁性体シートを１枚ずつ積層してなるインダクタ部を、コイル導体が形成されていない複数の磁性体シートを積層してなる２つのマージン部により挟持している。そして、マージン部の各シートを比較的透磁率の高いＭｎ−Ｚｎ系フェライトで構成し、インダクタ部の各シートを比較的透磁率の低いＮｉ−Ｚｎ系フェライトで構成している。
【０００８】
特許文献２に開示される技術がこのように二種類のフェライトを用いているのは次の理由による。すなわち、透磁率が高いほど磁束効率がよいため、可能であれば全シートを透磁率の高いＭｎ−Ｚｎ系フェライトで構成することが好ましい。しかしながら、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは固有抵抗が低いためコイル導体と接触させられない（特許文献２の第００３２段落参照。）。そこで、コイル導体と接触するシート、すなわちインダクタ部の各シートのみ、ある程度の透磁率を持ちつつ固有抵抗が高いＮｉ−Ｚｎ系フェライトで構成している。
【特許文献１】特開平１１−１３５３３０号公報
【特許文献２】特開平６−１９６３３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
積層トランス部品においても、特許文献２のインダクタと同様に、磁路を構成する部材の材料を透磁率の高い材料で構成すると良い特性が得られる。例えば図１７に示したコモンモードフィルタ１００では、磁性体基板１０１，１０２や磁性体シート１０３を透磁率の高い材料で構成すると、カットオフ周波数を下げることができる。
【００１０】
しかしながら、図１７に示したコモンモードフィルタ１００において磁性体基板１０１，１０２や磁性体シート１０３を透磁率の高い材料で構成することにすると、これらの各シートの固有抵抗が低くなり、側面の端子電極との間で導通してしまうという問題が生ずる。このような問題はコモンモードフィルタに限って発生するものではなく、積層トランス部品全般において広く同様に発生する。
【００１１】
したがって、本発明の課題のひとつは、透磁率の高い材料を用いて好適に構成された積層トランス部品及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による積層トランス部品は、導電性磁性体基板とコイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層とが積層された積層体と、前記積層体の側面に配置され、前記引出電極導体に接続される端子電極と、前記導電性磁性体基板と前記端子電極との間に配置された絶縁領域とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、絶縁領域が導電性磁性体基板と端子電極との間での導通を妨げるので、透磁率の高い材料を用いて好適に構成された積層トランス部品を提供できる。
【００１４】
また、上記積層トランス部品において、前記導電性磁性体基板の側面は、少なくとも前記端子電極に対向する部分において前記積層体の側面から後退しており、前記絶縁領域は前記後退によって前記導電性磁性体基板の側面と前記端子電極との間に生ずる空間内に設けられることとしてもよい。これによれば、上記空間を利用して絶縁領域を設けることができる。
【００１５】
また、この積層トランス部品において、前記空間内には前記絶縁性樹脂体層が積層され、前記絶縁領域は前記空間内に積層した前記絶縁性樹脂体層によって構成されることとしてもよいし、前記積層体には絶縁性磁性体基板も積層され、前記導電性磁性体基板の一方面及び他方面はそれぞれ前記絶縁性磁性体基板及び前記絶縁性樹脂体層に接着し、前記絶縁性磁性体基板は前記空間内に張り出した凸部を有することとしてもよい。前者によれば、絶縁性樹脂体層の一部を絶縁領域として用いることができ、後者によれば、絶縁性磁性体基板の凸部を絶縁領域として用いることができる。
【００１６】
また、上記積層トランス部品において、前記絶縁領域は前記積層体側面の一部に施された絶縁体コーティングによって構成されることとしてもよい。これによれば、絶縁体コーティングにより絶縁領域を形成できる。
【００１７】
また、この積層トランス部品において、前記コイル導体は第１スパイラル導体と第２スパイラル導体とを含み、前記第１スパイラル導体と前記第２スパイラル導体とは互いに磁気結合するよう配置されていることとしてもよい。
【００１８】
さらに、この積層トランス部品において、前記引出電極導体は前記各スパイラル導体の間に配置されることとしてもよい。これによれば、絶縁体コーティングの面積を広くすることができる。
【００１９】
また、上記各積層トランス部品において、各スパイラル導体の中央部分を貫通する導電性磁脚を有することとしてもよい。これによれば、積層トランス部品の特性を向上できる。一例を挙げると、積層トランス部品によりコモンモードフィルタを構成した場合のカットオフ周波数を下げることができる。
【００２０】
また、本発明による製造方法は、端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、第１の絶縁性磁性体基板上に、前記端子電極に対向する側面が前記側面から後退している第１の導電性磁性体基板を形成する第１工程と、前記第１工程により得られた積層体上に、コイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第２工程と、前記絶縁性樹脂体層上に、前記端子電極に対向する側面が前記側面から後退している第２の導電性磁性体基板を形成する第３工程と、前記第３工程により得られた積層体上に第２の絶縁性磁性体基板を接着する第４工程と、前記第４工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第５工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、導電性磁性体基板と端子電極との間の空間に絶縁性樹脂体層を充填でき、充填した絶縁性樹脂体層を導電性磁性体基板と端子電極との間での導通を防ぐための絶縁領域とすることができる。
【００２２】
なお、上記製造方法において、前記第２工程は、スピンコート法を用いて、前記第１工程により得られた積層体上に前記絶縁性樹脂体層を形成することとしてもよいし、前記第２工程は、前記絶縁性樹脂体層を形成し、形成した前記絶縁性樹脂体層を前記第１工程により得られた積層体上に接着することとしてもよい。
【００２３】
また、本発明の他の一側面による製造方法は、端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、少なくとも前記端子電極に対向する部分に凸部を有する第１の絶縁性磁性体基板に、第１の導電性磁性体基板を嵌合させて第１のベース基板を生成する第１工程と、少なくとも前記端子電極に対向する部分に凸部を有する第２の絶縁性磁性体基板に、第２の導電性磁性体基板を嵌合させて第２のベース基板を生成する第２工程と、前記第１のベース基板の前記第１の導電性磁性体基板側の面上にコイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第３工程と、前記第２のベース基板を、前記第２の導電性磁性体基板側の面を前記絶縁性樹脂体層に向けて該絶縁性樹脂体層に接着する第４工程と、前記第４工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第５工程とを備えることを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、導電性磁性体基板と端子電極との間の空間に絶縁体（絶縁性磁性体基板）をはめ込み、はめ込んだ絶縁体を導電性磁性体基板と端子電極との間での導通を防ぐための絶縁領域とすることができる。
【００２５】
また、本発明のさらに他の一側面による製造方法は、端子電極が側面に配置される積層トランス部品の製造方法であって、第１の絶縁性磁性体基板と第１の導電性磁性体とを接着して第１のベース基板を生成する第１工程と、第２の絶縁性磁性体基板と第２の導電性磁性体とを接着して第２のベース基板を生成する第２工程と、前記第１のベース基板の前記第１の導電性磁性体側の面上にコイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層を形成する第３工程と、前記第２のベース基板を、前記第２の導電性磁性体側の面を前記絶縁性樹脂体層に向けて該絶縁性樹脂体層に接着する第４工程と、前記第４工程によって得られる積層体側面の前記第１及び前記第２の導電性磁性体が露出した部分のうち少なくとも前記端子電極と対向する部分に絶縁体コーティングを施す第５工程と、前記第５工程により得られた積層体の側面に、前記引出電極導体と接続するよう前記端子電極を形成する第６工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、絶縁体コーティングを導電性磁性体基板と端子電極との間での導通を防ぐための絶縁領域とすることができる。
【００２７】
なお、上記製造方法において、前記第５工程は、スパッタリング法又はＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition，化学気相成長)法を用いて前記絶縁体コーティングを施すこととしてもよい。こうすれば、必要最小限の材料で、かつ従来の薄膜積層工法の延長線上で簡単に絶縁体コーティングを施すことができる。
【発明の効果】
【００２８】
このように、本発明によれば、透磁率の高い材料を用いて好適に構成された積層トランス部品を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００３０】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の好ましい第１の実施形態によるコモンモードフィルタ１ａの外形及び構造を示す略分解斜視図である。また、図２は、図１に示したコモンモードフィルタ１ａのＡ−Ａ'線断面図である。以下、これらの図を参照しながら、コモンモードフィルタ１ａの構成について説明する。
【００３１】
図１及び図２に示すように、本実施形態によるコモンモードフィルタ１ａは、絶縁性磁性体基板１１ａ、導電性磁性体基板１３ａ、絶縁性樹脂体層２０ａ、導電性磁性体基板１４ａ、及び絶縁性磁性体基板１２ａがこの順で積層された積層体（以下、コモンモードフィルタ積層体という。）と、側面に配置された４つの端子電極４１ａ〜４４ａとを備えている。なお、実際には基板等を互いに接着するための接着剤層があるが、図１及び以下の各図においては省略している。
【００３２】
絶縁性磁性体基板１１ａ，１２ａの材料には、固有抵抗が比較的高く絶縁体とみなせる材料で、かつある程度の透磁率を有する材料、例えばＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いる。
【００３３】
一方、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの材料には、より高い透磁率を有する材料を用いる。これは、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの材料としてできるだけ高い透磁率の材料を用いることにより、コモンモードフィルタとして本来求められる磁気特性が高められるからである。なお一般に、透磁率の高い材料は固有抵抗が低い。このような材料の具体的な例としては、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトなどが挙げられる。
【００３４】
絶縁性樹脂体層２０ａは５つの絶縁層２１ａ〜２５ａがこの順に積層された積層体である。所定の絶縁層には導体パターンが形成されており、コイル導体及び該コイル導体に接続する引出電極導体が形成されている。絶縁層２５ａは導体パターンと導電性磁性体基板１４ａとを絶縁分離するために設けられているものである。絶縁層２１ａ〜２５ａの材料については特に限定されないが、ポリイミド樹脂などを用いることが好ましい。
【００３５】
以下、初めに絶縁性樹脂体層２０ａの内部構成について詳細に説明し、その後、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を防止するための構成について説明する。
【００３６】
図１に示すように、絶縁層に形成された導体パターンは、絶縁層２２ａ，２３ａの表面にそれぞれ形成されたスパイラル状のコイル導体（スパイラル導体）５１，５２及び引出電極導体６１，６２と、絶縁層２１ａ，２２ａの表面にそれぞれ形成された引出電極導体６３，６４とを含んでいる。スパイラル導体５１，５２は、いずれも基板１１ａ，１２ａの主面に対して平行な平面状コイルである。
【００３７】
スパイラル導体５１，５２は、絶縁層２３ａを介して向かい合うように配置されており、このため、両者は互いに磁気結合している。
【００３８】
スパイラル導体５１の外周端は同一層内で引出電極導体６１を介して端子電極４１ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６３を介して端子電極４３ａに接続されている。また、スパイラル導体５２の外周端は同一層内で引出電極導体６２を介して端子電極４２ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６４を介して端子電極４４ａに接続されている。そして、図１の図面上方からみて、スパイラル導体５１，５２は、いずれも外周端から内周端に向かっていずれも左回り（反時計回り）に巻回されている。したがって、端子電極４１ａ，４２ａを一対の入力端子とすれば、スパイラル導体５１，５２は、互いに同方向に磁気結合することになる。ここで、「互いに同方向に磁気結合」とは、同相成分に対しては互いに磁束を強め合い、差動成分に対しては互いに磁束を打ち消し合うように磁気結合していることを言う。これにより、本実施形態によるコモンモードフィルタ１ａは、コモンモードフィルタとして機能することになる。
【００３９】
絶縁層２１ａ〜２５ａは中央部分を貫通するスルーホール７１を有している。スルーホール７１内には導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの構成材料と同様の導電性及び磁性を有する材料（例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに樹脂を混ぜて流動性をもたせたもの）が充填されており、スパイラル導体５１，５２によって構成されるコモンモードチョークコイルの（導電性）磁脚を構成している。この磁脚を設けたことにより、磁脚を設けない場合に比べ、スパイラル導体５１，５２によって構成されるコモンモードチョークコイルのカットオフ周波数を下げることが可能になっている。
【００４０】
ここから、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を防止するための構成について説明する。
【００４１】
導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａの間には絶縁領域が配置される。本実施形態では、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの側面は、端子電極４１ａ〜４４ａと対向する部分（端子電極４１ａ〜４４ａが配置される側面）においてコモンモードフィルタ積層体の側面から後退しており、絶縁領域は、この後退によって導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの側面と端子電極４１ａ〜４４ａとの間に生ずる空間内に設けられる。図１では、この空間を符号Ｓ１，Ｓ２で示している。
【００４２】
空間Ｓ１内には絶縁性樹脂体層２０ａが積層しており、導電性磁性体基板１３ａと端子電極４１ａ〜４４ａの間の絶縁領域を構成する。図１では絶縁層２１ａに下方に張り出した凸部Ｔ１を示しており、この凸部Ｔ１が空間Ｓ１内にはめ込まれて上記絶縁層を構成する。
【００４３】
空間Ｓ２内には絶縁性の接着剤２６が充填され、導電性磁性体基板１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａの間の絶縁領域を構成する。この接着剤２６は、後述する製造工程において導電性磁性体基板１４ａと絶縁性磁性体基板１２ａとを接着するときに用いるものであってよい。
【００４４】
次に、コモンモードフィルタ１ａの製造方法について説明する。
【００４５】
図３，図４はコモンモードフィルタ１ａの製造方法の説明図である。図３の（ａ）〜（ｇ）は１つの円形絶縁性磁性体基板上に多数のコモンモードフィルタ１ａを製造する際の工程を順に示しており、図４の（ａ）〜（ｇ）は図３の（ａ）〜（ｇ）からコモンモードフィルタ１つ分を抜き出して記載したものである。図４（ｈ）は最終的に製造されるコモンモードフィルタ１ａを示している。以下、これらの図を参照しながら、コモンモードフィルタ１ａの製造方法について説明する。
【００４６】
まず、円形の絶縁性磁性体基板１１ａを用意し（図３（ａ），図４（ａ））、その上に、端子電極４１ａ〜４４ａに対向する側面が個々のコモンモードフィルタ積層体の側面から後退している導電性磁性体基板１３ａを形成する（図３（ｂ），図４（ｂ））。図３（ｂ）に示されるように、円形の絶縁性磁性体基板１１ａ上では短冊状の導電性磁性体基板１３ａを形成することになり、導電性磁性体基板１３ａ間の隙間が空間Ｓ１を構成することになる。短冊状の導電性磁性体基板１３ａの形成は、絶縁性磁性体基板１１ａ上に接着した円形状の導電性磁性体基板１３ａを、ダイサーを用いて切削すること（ダイシング）により行うことが好適である。以下では、ここまでの工程により得られた積層体を第１のベース基板ということにする。
【００４７】
次に、第１のベース基板上に、コイル導体及びコイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層２０ａを形成する。図３（ｃ）及び図４（ｃ）は絶縁性樹脂体層２０ａのうち絶縁層２１ａ，２２ａが形成された状態を示し、図３（ｄ）及び図４（ｄ）は絶縁層２２ａ上にスパイラル導体５１が形成された状態を示し、図３（ｅ）及び図４（ｅ）は絶縁性樹脂体層２０ａ全体が形成された状態を示している。
【００４８】
絶縁性樹脂体層２０ａを構成する各絶縁層の形成は、ポリイミド樹脂を原料溶液とするスピンコートによって行うことが好適である。この場合、空間Ｓ１にポリイミド樹脂が充分に行き渡るようにする必要がある。また、コイル導体や引出電極導体とするための導体パターンは、絶縁層上に、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法などのいわゆる薄膜プロセスによって形成することが好適である。
【００４９】
また、各スルーホールはフォトリソグラフィ及びエッチングにより形成することが好適である。スルーホール７１内への導電性磁性体の充填は、流動性のある導電性磁性体材料を流し込むことによって行う。また、コイル導体と引出電極導体間のスルーホールには、導体パターン形成時に導体を埋め込む。
【００５０】
なお、ここでは第１のベース基板上に順次各絶縁層を積層していく例を示しているが、後述する第５の実施形態で説明する製造方法と同様に、絶縁性樹脂体層２０ａを別体として形成し、第１のベース基板に接着することにより絶縁性樹脂体層２０ａを形成してもよい。この場合、接着に用いる接着剤を空間Ｓ１にも充填し、絶縁領域の構成材料とすることが好適である。
【００５１】
次に、絶縁性樹脂体層２０ａ上に、端子電極４１ａ〜４４ａに対向する側面が個々のコモンモードフィルタ積層体の側面から後退している導電性磁性体基板１４ａを形成する（図３（ｆ），図４（ｆ））。図３（ｆ）に示されるように、導電性磁性体基板１４ａは導電性磁性体基板１３ａと同様の短冊状となる。また、導電性磁性体基板１４ａ間の隙間が空間Ｓ２を構成する。短冊状の導電性磁性体基板１４ａの形成も、導電性磁性体基板１３ａと同様のダイシングにより行うことが好適である。
【００５２】
続いて、ここまでの工程により得られた積層体上に絶縁性磁性体基板１２ａを接着する（図３（ｇ），図４（ｇ））。このときに用いる接着剤は接着剤２６として空間Ｓ２にも充填され、絶縁領域を構成する。
【００５３】
ここまでの工程が完了したら次に、ダイシングによって個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出す作業を行う。図４（ｇ）に示される積層体はこうして切り出されたコモンモードフィルタ積層体である。そして、図４（ｈ）に示すように、各コモンモードフィルタ積層体の側面に、引出電極導体と接続するよう端子電極４１ａ〜４４ａを形成する。端子電極４１ａ〜４４ａの形成は、スパッタリング法又はＣＶＤ法及びエッチングを用いて行うことが好適である。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間に絶縁領域を設け、その絶縁領域が導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を妨げるので、透磁率の高い材料を用いて好適に構成されたコモンモードフィルタを提供できる。
【００５５】
また、本実施形態によれば、導電性磁性体基板の側面をコモンモードフィルタ積層体の側面から後退させていることによって生じた空間を利用して、絶縁領域を設けることができる。絶縁領域の具体的な構成材料としては、絶縁性樹脂体層２０ａと同一の材料か、若しくは接着剤２６を用いることができる。これらは絶縁領域を構成しないとしても使用する材料であるため、絶縁領域を構成するために材料点数や製造工程が増加してしまうといったデメリットを回避することが実現されている。
【００５６】
また、コモンモードフィルタは焼成によって生成することもあるが、コモンモードフィルタ１ａのようにＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトとＭｎ−Ｚｎ系フェライトが混在している場合、焼成雰囲気が互いに異なるため焼成によって生成することができない。すなわち、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは大気雰囲気焼成であるが、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは窒素雰囲気焼成であるため、これらを同時に焼成することはできない。しかしながら本実施形態によれば、薄膜工法を用い焼成を行わないため、焼成雰囲気が異なっていても問題なくコモンモードフィルタ１ａを生成することができる。
【００５７】
［第２の実施形態］
図５は、本発明の好ましい第２の実施形態によるコモンモードフィルタ１ｂの外形及び構造を示す略分解斜視図である。また、図６は、図５に示したコモンモードフィルタ１ｂのＢ−Ｂ'線断面図である。なお、図５及び図６において、第１の実施形態で説明したものと同一の構成要素には図１及び図２と同一の符号を付している。以下、これらの図を参照しながら、コモンモードフィルタ１ｂの構成について説明する。
【００５８】
コモンモードフィルタ１ｂは、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの側面をコモンモードフィルタ積層体の側面から後退させることによって空間を形成し、その空間に絶縁領域を形成する点でコモンモードフィルタ１ａと一致するが、絶縁領域の構成材料として絶縁性磁性体基板を用いる点がコモンモードフィルタ１ａと異なる。以下、相違点を中心に説明する。
【００５９】
図５及び図６に示すように、コモンモードフィルタ１ｂは、コモンモードフィルタ１ａにおいて絶縁性磁性体基板１１ａ，１２ａをそれぞれ絶縁性磁性体基板１１ｂ，１２ｂで置き換え、絶縁性樹脂体層２０ａを絶縁性樹脂体層２０ｂで置き換えた構成を有している。
【００６０】
絶縁性樹脂体層２０ｂは、絶縁性樹脂体層２０ａにおいて絶縁層２１ａを絶縁層２１ｂで置き換えた構成を有している。絶縁層２１ｂは、絶縁層２１ａから凸部Ｔ１を取り去った構成を有しており、その他の点は絶縁層２１ａと同一である。
【００６１】
絶縁性磁性体基板１１ｂは端子電極４１ａ〜４４ａに対向する部分に凸部Ｔ２を有している点が絶縁性磁性体基板１１ａと異なっている。この凸部Ｔ２は、絶縁性磁性体基板１１ｂと導電性磁性体基板１３ａとを貼り合わせた際ちょうど空間Ｓ１に張り出すことになるよう、絶縁性磁性体基板１１ｂ上に配置される。
【００６２】
絶縁性磁性体基板１２ｂも端子電極４１ａ〜４４ａに対向する部分に凸部Ｔ３を有している点が絶縁性磁性体基板１２ａと異なっている。この凸部Ｔ３は、絶縁性磁性体基板１２ｂと導電性磁性体基板１４ａとを貼り合わせた際ちょうど空間Ｓ２に張り出すことになるよう、絶縁性磁性体基板１２ｂ上に配置される。
【００６３】
以上より、凸部Ｔ２，Ｔ３はそれぞれ、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を防ぐための絶縁領域を構成することになる。
【００６４】
次に、コモンモードフィルタ１ｂの製造方法について説明する。
【００６５】
図７はコモンモードフィルタ１ｂの製造方法の説明図である。図７の（ａ）〜（ｄ）は１つの円形絶縁性磁性体基板上に多数のコモンモードフィルタ１ｂを製造する際の工程を順に示している。以下、図７を参照しながら、コモンモードフィルタ１ｂの製造方法について説明する。
【００６６】
まず、円形の絶縁性磁性体基板１１ｂを用意する（図７（ａ））。そして、絶縁性磁性体基板１１ｂの上半分を、ダイサーを用いて短冊状に切削する（図７（ｂ））。こうして得られる短冊部分は凸部Ｔ２を構成する。この凸部Ｔ２の間隙に導電性磁性体基板１３ａを嵌合させ、第１のベース基板を生成する（図７（ｃ））。
【００６７】
また、図示していないが、ここまでの工程と同様に、円形の絶縁性磁性体基板１２ｂを用意して上半分を短冊状に切削し、得られる凸部Ｔ３の間隙に導電性磁性体基板１４ａを嵌合させて第２のベース基板を生成する。
【００６８】
次に、第１のベース基板上に、コイル導体及びコイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層２０ｂを形成する（図７（ｄ））。絶縁性樹脂体層２０ｂの具体的な形成方法は絶縁性樹脂体層２０ａと同様である。
【００６９】
続いて、第２のベース基板を、導電性磁性体基板１４ａ側の面を絶縁性樹脂体層２０ｂに向けて該絶縁性樹脂体層２０ｂに接着する（図７（ｅ））。
【００７０】
ここまでの工程が完了したら、第１の実施形態で説明した工程と同様に、ダイシングによって個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出す作業を行う。そして、各コモンモードフィルタ積層体の側面に、引出電極導体と接続するよう端子電極４１ａ〜４４ａを形成する。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態によっても、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間に絶縁領域を設け、その絶縁領域が導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を妨げるので、透磁率の高い材料を用いて好適に構成されたコモンモードフィルタを提供できる。
【００７２】
また、本実施形態によっても、導電性磁性体基板の側面をコモンモードフィルタ積層体の側面から後退させていることによって生じた空間を利用して、絶縁領域を設けることができる。絶縁領域の具体的な構成材料としては、絶縁性磁性体基板１１ｂ，１２ｂを用いることができる。これらは絶縁領域を構成しないとしても使用する材料であるため、絶縁領域を構成するために材料点数や製造工程が増加してしまうといったデメリットを回避することが実現されている。
【００７３】
［第３の実施形態］
図８は、本発明の好ましい第３の実施形態によるコモンモードフィルタ１ｃの外形及び構造を示す略分解斜視図である。また、図９は、図８に示したコモンモードフィルタ１ｃのＣ−Ｃ'線断面図である。なお、図８及び図９において、第１の実施形態で説明したものと同一の構成要素には図１及び図２と同一の符号を付している。以下、これらの図を参照しながら、コモンモードフィルタ１ｃの構成について説明する。
【００７４】
コモンモードフィルタ１ｃでは、コモンモードフィルタ積層体の側面に絶縁体をコーティングし、導電性磁性体基板と端子電極との間での導通を防ぐための絶縁領域とする。以下、コモンモードフィルタ１ａ，１ｂとの相違点を中心に説明する。
【００７５】
図８及び図９に示すように、コモンモードフィルタ１ｃは、コモンモードフィルタ１ａにおいて導電性磁性体基板１３ａ，１４ａをそれぞれ導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃで置き換え、絶縁性樹脂体層２０ａを絶縁性樹脂体層２０ｃで置き換えた構成を有している。
【００７６】
絶縁性樹脂体層２０ｃは４つの絶縁層２１ｃ〜２４ｃがこの順に積層された積層体である。絶縁層２１ｃの表面にはスパイラル導体５１及び引出電極導体６１が形成される。絶縁層２２ｃの表面には引出電極導体６３，６４が形成される。絶縁層２３ｃの表面にはスパイラル導体５２及び引出電極導体６２が形成される。つまり引出電極導体６３，６４は２つのスパイラル導体の間に配置されている。なお、絶縁層２４ｃは導体パターンと導電性磁性体基板１４ｃとを絶縁分離するために設けられているものである。
【００７７】
スパイラル導体５１の外周端は同一層内で引出電極導体６１を介して端子電極４１ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６３を介して端子電極４３ａに接続されている。また、スパイラル導体５２の外周端は同一層内で引出電極導体６２を介して端子電極４２ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６４を介して端子電極４４ａに接続されている。
【００７８】
以上のような導体パターンを形成することにより、コモンモードフィルタ１ｃでは、コモンモードフィルタ積層体側面における引出電極導体６３，６４の露出領域と導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃとの距離が、コモンモードフィルタ１ａ，１ｂに比べて長くなっている。
【００７９】
導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃの主面のサイズは絶縁性磁性体基板１１ａ，１２ａと同一である。したがって、導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃの側面はコモンモードフィルタ積層体の側面と面一になっている。
【００８０】
コモンモードフィルタ積層体側面の一部には、絶縁体コーティング８１，８２が施される。このうち絶縁体コーティング８１は、導電性磁性体基板１３ｃの側面のうち各端子電極に対向する部分を覆うように設けられる。同様に、絶縁体コーティング８２は、導電性磁性体基板１４ｃの側面のうち各端子電極に対向する部分を覆うように設けられる。したがって、絶縁体コーティング８１，８２はそれぞれ、導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を防ぐための絶縁領域を構成することになる。
【００８１】
なお、絶縁体コーティング８１，８２は、引出電極導体６１〜６４の露出領域を覆わないように設けられる必要がある。この点、本実施形態では引出電極導体６３，６４の露出領域と導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃとの距離が長くなるようにしているので、端子電極４３ａ，４４ａ側の側面において、露出領域を覆わないように絶縁体コーティング８１，８２を設けることが比較的容易になっている。
【００８２】
次に、コモンモードフィルタ１ｃの製造方法について説明する。
【００８３】
図１０はコモンモードフィルタ１ｃの製造方法の説明図である。図１０の（ａ）〜（ｄ）は１つの円形絶縁性磁性体基板上に多数のコモンモードフィルタ１ｃを製造する際の工程を順に示している。図１０の（ｅ）〜（ｇ）は個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出した後の工程を順に示している。以下、図１０を参照しながら、コモンモードフィルタ１ｃの製造方法について説明する。
【００８４】
まず、円形の絶縁性磁性体基板１１ａを用意し（図１０（ａ））、その上に同形の導電性磁性体基板１３ｃを接着し、第１のベース基板を生成する（図１０（ｂ））。
【００８５】
また、図示していないが、ここまでの工程と同様に、円形の絶縁性磁性体基板１２ａを用意し、その上に同形の導電性磁性体基板１４ｃを接着し、第２のベース基板を生成する。
【００８６】
次に、第１のベース基板上に、コイル導体及びコイル導体に接続する引出電極導体を有する絶縁性樹脂体層２０ｃを形成する（図１０（ｃ））。絶縁性樹脂体層２０ｃの具体的な形成方法は絶縁性樹脂体層２０ａと同様である。
【００８７】
続いて、第２のベース基板を、導電性磁性体基板１４ｃ側の面を絶縁性樹脂体層２０ｃに向けて該絶縁性樹脂体層２０ｃに接着する（図１０（ｄ））。
【００８８】
ここまでの工程が完了したら、第１の実施形態で説明した工程と同様に、ダイシングによって個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出す作業を行う。図１０（ｅ）に示される積層体はこうして切り出されたコモンモードフィルタ積層体である。
【００８９】
次に、個々のコモンモードフィルタ積層体の側面の一部に絶縁体コーティング８１，８２を施す（図１０（ｆ））。コーティング処理はスパッタリング法又はＣＶＤ法のいずれかを用いて行うことが好適である。コーティングした後、導電性磁性体基板の側面のうち各端子電極に対向する部分を覆う部分のみを残してエッチングを行う。
【００９０】
最後に、各コモンモードフィルタ積層体の側面に、引出電極導体と接続するよう端子電極４１ａ〜４４ａを形成する（図１０（ｇ））。絶縁体コーティング８１，８２が存在する部分では、端子電極４１ａ〜４４ａは絶縁体コーティング８１，８２の上に形成されることになる。
【００９１】
以上説明したように、本実施形態によっても、導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃと端子電極４１ａ〜４４ａとの間に絶縁領域を設け、その絶縁領域が導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃと端子電極４１ａ〜４４ａとの間での導通を妨げるので、透磁率の高い材料を用いて好適に構成されたコモンモードフィルタを提供できる。
【００９２】
また、本実施形態では、コモンモードフィルタ積層体側面に施した絶縁体コーティングを絶縁領域の具体的な構成材料として用いることができる。これにより、第１及び第２の実施形態のように導電性磁性体基板を加工する必要がなくなるため、積層構造及び工法を単純化できるという効果も有している。
【００９３】
また、コモンモードフィルタ１ｄでは、コモンモードフィルタ１ａ，１ｂに比べると絶縁層が１層減っているので、低背化及び１層分の工程削減が実現されている。
【００９４】
ここで、コモンモードフィルタ１ｃのさらなる変形例について説明する。
【００９５】
図１１は、コモンモードフィルタ１ｃの変形例であるコモンモードフィルタ１ｄの外形及び構造を示す略分解斜視図である。同図に示すように、コモンモードフィルタ１ｄは、コモンモードフィルタ１ｃにおいて絶縁性樹脂体層２０ｃを絶縁性樹脂体層２０ｄで置き換えた構成を有している。
【００９６】
絶縁性樹脂体層２０ｄは４つの絶縁層２１ｄ，２２ｄ，２３ｄ，２４ｃがこの順に積層された積層体である。スパイラル導体５１，５２はそれぞれ絶縁層２１ｄ，２３ｄの表面に形成されるが、引出電極導体６１〜６４はすべて絶縁層２２ｄの表面に形成される。
【００９７】
スパイラル導体５１の外周端はスルーホール及び引出電極導体６１を介して端子電極４１ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６３を介して端子電極４３ａに接続されている。また、スパイラル導体５２の外周端はスルーホール及び引出電極導体６２を介して端子電極４２ａに接続されており、内周端はスルーホール及び引出電極導体６４を介して端子電極４４ａに接続されている。
【００９８】
このようにすることで、コモンモードフィルタ１ｄでは、コモンモードフィルタ積層体側面における引出電極導体６１〜６４すべての露出領域と導電性磁性体基板１３ｃ，１４ｃとの距離が、コモンモードフィルタ１ａ，１ｂに比べて長くなっている。したがって、端子電極４３ａ，４４ａ側の側面だけでなく端子電極４１ａ，４２ａ側の側面においても、露出領域を覆わないように絶縁体コーティング８１，８２を設けることが比較的容易になっている。
【００９９】
［第４の実施形態］
図１２は、本発明の好ましい第４の実施形態によるコモンモードフィルタ１ｅの外形及び構造を示す略分解斜視図である。また、図１３は、図１２に示したコモンモードフィルタ１ｅのＤ−Ｄ'線断面図である。なお、図１２及び図１３において、第１の実施形態で説明したものと同一の構成要素には図１及び図２と同一の符号を付している。
【０１００】
コモンモードフィルタ１ｅは、コモンモードフィルタ１ａにおいて絶縁性樹脂体層２０ａを絶縁性樹脂体層２０ｅで置き換えた構成を有している。絶縁性樹脂体層２０ｅは絶縁層２１ｅ〜２５ｅがこの順に積層された積層体である。
【０１０１】
絶縁層２１ｅ〜２５ｅはスルーホール７１を有しない点が絶縁性樹脂体層２０ａの絶縁層２１ａ〜２５ａと異なっている。このため、絶縁性樹脂体層２０ｅはスパイラル導体５１，５２によって構成されるコモンモードチョークコイルの磁脚を有せず、該コモンモードチョークコイルのカットオフ周波数の磁脚による低減効果を有しないが、求められる性能によってはこのような構成でも構わない。
【０１０２】
なお、スルーホール７１を設けないことによって各スパイラル導体の中央部に空きスペースができるので、このスペースを利用して各スパイラル導体の巻き数を増加させてもよい。そうすることで、カットオフ周波数をある程度下げることが可能になる。
【０１０３】
［第５の実施形態］
図１４は、本発明の好ましい第５の実施形態によるコモンモードフィルタ１ｆの外形及び構造を示す略分解斜視図である。また、図１５は、図１４に示したコモンモードフィルタ１ｆのＥ−Ｅ'線断面図である。なお、図１４及び図１５において、第４の実施形態で説明したものと同一の構成要素には図１２，図１３と同一の符号を付している。
【０１０４】
コモンモードフィルタ１ｆは、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの側面をコモンモードフィルタ積層体の側面から後退させることによって空間Ｓ１，Ｓ２を形成し、その空間Ｓ１，Ｓ２に絶縁領域を形成する点でコモンモードフィルタ１ｅと一致するが、絶縁領域の構成物質として空間に充満する空気を用いる点がコモンモードフィルタ１ｅと異なる。以下、具体的に説明する。
【０１０５】
図１４及び図１５に示すように、コモンモードフィルタ１ｆは、コモンモードフィルタ１ｅにおいて空間Ｓ２に充填していた接着剤２６を取り去り、かつ絶縁性樹脂体層２０ｅを絶縁性樹脂体層２０ｆで置き換えた構成を有している。絶縁性樹脂体層２０ｆは、凸部Ｔ１を有していた絶縁層２１ｅに代えて凸部Ｔ１を有さない絶縁層２１ｆを用いた点が絶縁性樹脂体層２０ｅと異なっている。
【０１０６】
したがって、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａの側面の後退によって生まれる空間Ｓ１，Ｓ２には空気以外の物質は充填されず、空気が、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極との間での導通を防ぐための絶縁領域を構成することになる。
【０１０７】
また、コモンモードフィルタ１ｆは、端子電極４１ａ〜４４ａに代えて端子電極４１ｆ〜４４ｆを備えている。端子電極４１ａ〜４４ａと端子電極４１ｆ〜４４ｆとの違いについては、コモンモードフィルタ１ｆの製造方法の説明の中で説明することにする。
【０１０８】
以下、コモンモードフィルタ１ｆの製造方法について説明する。
【０１０９】
図１６はコモンモードフィルタ１ｆの製造方法の説明図である。図１６の（ａ）〜（ｄ）は１つの円形絶縁性磁性体基板上に多数のコモンモードフィルタ１ｆを製造する際の工程を順に示している。。図１６の（ｅ）（ｆ）は個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出した後の工程を順に示している。以下、図１６を参照しながら、コモンモードフィルタ１ｆの製造方法について説明する。
【０１１０】
まず、円形の絶縁性磁性体基板１１ａを用意し（図１６（ａ））、その上に、端子電極４１ｆ〜４４ｆに対向する側面が個々のコモンモードフィルタ積層体の側面から後退している導電性磁性体基板１３ａを形成し（図１６（ｂ））、第１のベース基板とする。この工程は第１の実施形態で説明したものと同様である。
【０１１１】
また、図示していないが、ここまでの工程と同様に、円形の絶縁性磁性体基板１２ａを用意し、その上に、端子電極４１ｆ〜４４ｆに対向する側面が個々のコモンモードフィルタ積層体の側面から後退している導電性磁性体基板１４ａを形成し、第２のベース基板とする。
【０１１２】
さらに、絶縁性樹脂体層２０ｆを形成する（図１６（ｃ））。この形成は、別途基板を用意し、その上に絶縁層及び導体パターンを形成していくことによって行う。形成後には基板から絶縁性樹脂体層２０ｆを切り離しておく。
【０１１３】
次に、絶縁性樹脂体層２０ｆを第１のベース基板及び第２のベース基板で挟み込んで接着する。なお、第１のベース基板は、導電性磁性体基板１３ａ側の面を絶縁性樹脂体層２０ｆに向けて絶縁性樹脂体層２０ｆに接着する。同様に、第２のベース基板は、導電性磁性体基板１４ａ側の面を絶縁性樹脂体層２０ｆに向けて絶縁性樹脂体層２０ｆに接着する。
【０１１４】
ここまでの工程が完了したら、第１の実施形態で説明した工程と同様に、ダイシングによって個々のコモンモードフィルタ積層体を切り出す作業を行う。図１６（ｅ）に示される積層体はこうして切り出されたコモンモードフィルタ積層体である。
【０１１５】
次に各コモンモードフィルタ積層体の側面に端子電極を形成するのであるが、図１６（ｅ）に示されるように、本実施形態で得られるコモンモードフィルタ積層体の側面には凹凸がある。したがって、スパッタリング法又はＣＶＤ法を用いて端子電極を形成することはできない。そこで、端子電極４１ｆ〜４４ｆにはコの字型（直線を２箇所で直角に同方向に折り曲げた形状）の金具を用いる。図１６（ｆ）にはこのような端子電極４１ｆ〜４４ｆを装着したコモンモードフィルタ積層体を示している。
【０１１６】
以上説明したように、本実施形態によれば、導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ｆ〜４４ｆとの間に絶縁領域を設け、その絶縁領域が導電性磁性体基板１３ａ，１４ａと端子電極４１ｆ〜４４ｆとの間での導通を妨げるので、透磁率の高い材料を用いて好適に構成されたコモンモードフィルタを提供できる。
【０１１７】
また、本実施形態によれば、導電性磁性体基板の側面をコモンモードフィルタ積層体の側面から後退させていることによって生じた空間を利用して、絶縁領域を設けることができる。絶縁領域の具体的な構成材料としては、空気を用いることができる。
【０１１８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【０１１９】
例えば、上記実施の形態ではコモンモードフィルタを取り上げたが、本発明はコモンモードフィルタに限って適用され得るものではなく、積層トランス部品に広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の好ましい第１の実施形態によるコモンモードフィルタの外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図２】図１に示したコモンモードフィルタのＡ−Ａ'線断面図である。
【図３】本発明の好ましい第１の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法の説明図である。
【図４】本発明の好ましい第１の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法の説明図である。
【図５】本発明の好ましい第２の実施形態によるコモンモードフィルタの外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図６】図５に示したコモンモードフィルタのＢ−Ｂ'線断面図である。
【図７】本発明の好ましい第２の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法の説明図である。
【図８】本発明の好ましい第３の実施形態によるコモンモードフィルタの外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図９】図８に示したコモンモードフィルタのＣ−Ｃ'線断面図である。
【図１０】本発明の好ましい第３の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法の説明図である。
【図１１】本発明の好ましい第３の実施形態によるコモンモードフィルタの変形例の外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図１２】本発明の好ましい第４の実施形態によるコモンモードフィルタの外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図１３】図１２に示したコモンモードフィルタのＤ−Ｄ'線断面図である。
【図１４】本発明の好ましい第５の実施形態によるコモンモードフィルタの外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【図１５】図１４に示したコモンモードフィルタのＥ−Ｅ'線断面図である。
【図１６】本発明の好ましい第５の実施形態によるコモンモードフィルタの製造方法の説明図である。
【図１７】本発明の背景技術によるコモンモードフィルタ１００の外形及び構造を示す略分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１ａ〜１ｆ  コモンモードフィルタ
１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ  絶縁性磁性体基板
１３ａ，１３ｃ，１４ａ，１４ｃ  導電性磁性体基板
２０ａ〜２０ｆ  絶縁性樹脂体層
２１ａ〜２５ａ，２１ｂ，２１ｃ〜２４ｃ，２１ｅ〜２５ｅ，２１ｆ  絶縁層
２６  接着剤
４１ａ〜４４ａ，４１ｆ〜４４ｆ  端子電極
５１，５２  スパイラル導体
６１〜６４  引出電極導体
７１  スルーホール
８１，８２  絶縁体コーティング
Ｓ１，Ｓ２  空間
Ｔ１〜Ｔ３  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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