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【手続補正書】
【提出日】平成15年11月27日(2003.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】帳票処理装置又は帳票類および通帳類処理装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印字機能および光学式画像入力部を有する帳票類および通帳類処理装置において、取り込んだ紙葉類の前記印字機能によって印字された印字済み部分の多値データに基づいて印字濃度を算出する手段を有することを特徴とする帳票類および通帳類処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の帳票類および通帳類処理装置において、算出した印字濃度を表示する手段を有することを特徴とする帳票類および通帳類処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の帳票類および通帳類処理装置において、前記印字機能の印字濃度を予め設定する手段を有することを特徴とする帳票類および通帳類処理装置。
【請求項４】
帳票を処理する帳票処理装置において、帳票搬送部によって挿入された帳票の画像を読み取る光学式画像入力部と、処理の内容を印字する印字部と、前記印字部によって印字が終了した後に再度帳票の印字内容を前記光学式画像入力部によって多値画像データとして採取する手段と、多値画像データを２値化処理してパターンマッチングする手段と、パターンマッチングにより印字濃度を算出する手段とを有することを特徴とする帳票処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
終了後６文字分の印字濃度算出結果格納エリアをチェックしＮＧコードが２個以上あった場合は印字そのものが異常であると判断しインクリボン濃度格納エリアに印字濃度値ＰＣＳ＝０．００と格納する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿って配列する複数の吐出口と、これら吐出口から液体を吐出させるための複数の吐出エネルギー発生部とを有し、プリント媒体に対して相対移動する液体吐出ヘッドであって、
その配列方向両端部に位置する端部吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔は、その配列方向中央部に位置する中央吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔よりも広く設定されていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２】
前記端部吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔は、前記中央吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔よりも０.１から１０μm広く設定されていることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項３】
前記端部吐出口群を構成する前記吐出口の径は、前記中央吐出口群を構成する前記吐出口の径よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項４】
前記端部吐出口群および前記中央吐出口群をそれぞれ構成する前記吐出口から吐出されてプリント媒体にそれぞれ形成される液滴のドット径の差は、前記端部吐出口群および前記中央吐出口群をそれぞれ構成する前記吐出口の配列間隔の差に対応していることを特徴とする請求項３に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項５】
前記端部吐出口群を構成する前記吐出口の径は、前記中央吐出口群を構成する前記吐出口の径の２倍以下であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項６】
前記吐出口に液体をそれぞれ導く複数の液路をさらに有し、前記端部吐出口群を構成する前記吐出口に連通する前記液路の幅寸法は、前記中央吐出口群を構成する前記吐出口に連通する前記液路の幅寸法よりも広く設定されていることを特徴とする請求項３から請求項５の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項７】
前記端部吐出口群を構成する前記吐出口に連通する前記液路の幅寸法は、前記中央吐出口群を構成する前記吐出口に連通する前記液路の幅寸法の２倍以下であることを特徴とする請求項６に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項８】
第１の方向に沿って配列する複数の吐出口と、これら吐出口から液体を吐出させるための複数の吐出エネルギー発生部とを有し、プリント媒体に対して相対移動する液体吐出ヘッドであって、
その配列方向中央部および両端部に位置する中央吐出口群および端部吐出口群をそれぞれ構成する前記吐出口の配列間隔は相互に等しく設定され、前記中央吐出口群と前記端部吐出口群との間に位置する中間吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔は、前記中央吐出口群および前記端部吐出口群をそれぞれ構成する前記吐出口の配列間隔よりも広く設定されていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項９】
前記中間吐出口群を構成する前記吐出口の配列間隔は、前記中央吐出口群および前記端部吐出口群をそれぞれ構成する前記吐出口の配列間隔よりも０.１から１０μm広く設定されていることを特徴とする請求項８に記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記複数の吐出口の配列間隔が４２.３μm以下であることを特徴とする請求項１から請求項９の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１１】
前記吐出口から１回に吐出される液体の量がそれぞれ１０ピコリットル以下であることを特徴とする請求項１から請求項１０の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１２】
前記吐出エネルギー発生部は、前記吐出口に対向して配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１３】
前記吐出エネルギー発生部は、液体に膜沸騰を生じさせて前記吐出口から液体を吐出させるための熱エネルギーを発生する電気熱変換体を有することを特徴とする請求項１から請求項１２の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１４】
前記第１の方向がプリント媒体の搬送方向であり、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って液体吐出ヘッドが走査移動することを特徴とする請求項１から請求項１３の何れかに記載の液体吐出ヘッド。
【請求項１５】
請求項１から請求項１３の何れかに記載の液体吐出ヘッドの取り付け部と、
プリント媒体の搬送手段と
を具え、前記液体吐出ヘッドの吐出口から吐出される液体によってプリント媒体に画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月16日(2003.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記係合部材には、錠本体の係止部に側面から当接可能な側壁を設けた、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の地下構造物用蓋の施錠構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記係合部材を袋状バール穴を有する蓋本体の裏面に設けた、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の地下構造物用蓋の施錠構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月1日(2003.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
受枠内面には、当接部が解錠用係合部の下方の解錠位置に移動するのを抑制する弾性部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の地下構造物用蓋の施錠構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
錠本体と蓋本体との間に、錠本体を施錠方向に付勢する付勢部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の地下構造物用蓋の施錠構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
蓋本体には、該蓋本体の表面側のみが開放した袋状の開蓋用冶具挿入孔を設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の地下構造物用蓋の施錠構造。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回動体の回動により水流切換が可能で、エンジニアリングプラスチック製の受け部材と、該回動体の回動と連動して、該受け部材に係号、離脱する当接部材とによって、水流切換時にクリック感を付与する浄水器。
【請求項２】
回動体の回動により水流切換が可能で、受け部材と、該回動体の回動と連動して、該受け部材に係号、離脱する当接部材とによって、水流切換時にクリック感を付与する浄水器であって、該受け部材と該当接部材とが、該回動体の同一円周上に配された浄水器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００7】
【課題を解決するための手段】
本発明の浄水器では、上記課題を解決するため、以下の手段を採用した。請求項１記載の浄水器は、回動体の回動により水流切換が可能で、エンジニアリングプラスチック製の受け部材と、該回動体の回動と連動して、該受け部材に係号、離脱する当接部材とによって、水流切換時にクリック感を付与することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の浄水器は、回動体の回動により水流切換が可能で、受け部材と、該回動体の回動と連動して、該受け部材に係号、離脱する当接部材とによって、水流切換時にクリック感を付与する浄水器であって、該受け部材と該当接部材とが、該回動体の同一円周上に配されたことを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
当接部材と付勢部材にステンレスを用いることとしたので、耐腐食性に優れた浄水器を提供することが可能となる。そのため、さらに耐久性を向上させることが可能となる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
受け部材にエンジニアリングプラスチックを用いることにより、耐久性に優れた浄水器を提供することが可能となる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
エンジニアリングプラスチックとしてポリアセタール樹脂を用いることとしたので、より耐磨耗性に優れた受け部材を提供することが可能となる。
以上
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月17日(2003.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能なプリントヘッドのキャリッジを有するコンピュータで駆動されるプリンタにおける、プリンタのキャリッジに搭載されたインク槽のインクレベルを感知する方法で、
ａ．ハウジング、および前記インク槽内のインクの体積に関係するインクレベルを観察することができるインク視位置を含む前記ハウジング内の開口部を有するインク槽を設ける段階、
ｂ．前記インク槽が前記キャリッジと共に通って動くインク感知領域を設ける段階、
ｃ．前記インク槽が、前記インク体積感知領域の中を通って移動する段階、
ｄ．前記インク槽が前記インク体積感知領域の中を通る道を横切る向きで、前記槽が前記インク体積感知領域を通って移動するときに、前記インク槽のインク視位置に向いた光のビームを設ける段階、
ｅ．前記光のビームを検出するセンサを設ける段階、
ｆ．前記キャリッジおよび前記槽の位置を検出する段階、
ｇ．前記インク槽内のインクレベルによって検出される光が変わる前記光のビームを検出する段階とを
特徴とするインクレベルを感知する方法。
【請求項２】
前記インク槽内のインクレベルの感知において得られたインクレベル情報をベースにして前記インク槽内のインクの体積を決定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項３】
前記槽が前記インク体積感知領域の中を通って移動するとき、前記インク槽視位置に光ビームが向けられ前記インク感知領域を横切って投じられ検出された光における変化が前記光センサによって検出されるときのキャリッジの位置を決定することによって、前記インク槽内の前記インクレベルを感知する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項４】
前記インクレベルが、前記インク槽に関して、前記キャリッジおよび前記インク槽の動きと平行な方向に移動するように構成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項５】
ａ．その位置が前記槽内の前記インクレベルと関係する、移動可能な壁を設ける段階、
ｂ．前記槽が前記インク感知領域の中を通って移動するときに前記槽内の前記視位置における移動可能な壁の位置を感知する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１から請求項４のいずれかに記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項６】
ａ．前記インク感知領域における既知の固定位置に単一のフォトセンサを設ける段階、
ｂ．前記キャリッジおよび前記インク槽の位置を感知するエンコーダを設ける段階、
ｃ．前記移動可能な壁が前記光ビームを遮る点における、前記インク槽の相対的な位置および前記フォトセンサによって検出された前記移動可能な壁の既知の位置よりインクレベルを決定する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項７】
前記槽のハウジング内の前記インク視位置を通して見ることができる移動可能なばね壁を備えた柔軟性を有する袋を前記インク槽のハウジング内に設ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項８】
移動可能な壁を１つだけ備え柔軟性を有する袋を設ける段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項９】
ａ．移動可能な前記キャリッジ上以外に配置されている搭載されていない供給インクを設ける段階、
ｂ．前記インク槽内のインクの体積を、前記搭載されていない供給インクから、前記槽内の感知されたインクレベルをベースにして補充する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１０】
ａ．前記搭載されていない供給インクと前記インク槽の間をつなぐインク供給管路を設ける段階、
ｂ．前記インク槽と前記搭載されていない供給インクの間に圧力差を設け、インクが前記インク供給管路を通り前記搭載されていない供給インクから前記インク槽に流れるようにする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１１】
前記キャリッジ、インク槽、および供給管路の移動によって起こる圧力および流れの変動を最小にするために、前記柔軟性を有する管路を通り前記インク槽内へのインクの流れを制限し安定化する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１２】
前記インク槽内へのインクの補充の流れ、および圧力および流れの変動を制限するために、前記供給インク管路内で前記インク槽に隣接して狭窄を設ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１３】
ａ．前記管路内に、前記管路内の空気が前記インク槽に入る前に捕えられるように構成された立ち上がり管を設ける段階、
ｂ．前記立ち上がり管内に、空気が通って前記管路から出ることができるがインクが逃げることは防止されるように構成された通気孔を設ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１４】
前記通気孔内に、空気が通って前記管路から出ることはできるがインクが逃げることは防止されるように構成された膜を設ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１５】
ａ．前記インク槽内に、少なくともインクで覆われた１ページを印字するのに必要な体積と同じ大きさのインク体積の容量を設ける段階、
ｂ．それぞれのページが印字される毎に、前記インク槽内のインクの体積を感知する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９から請求項１４のいずれかに記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１６】
ａ．前記管路内で前記インク槽に隣接して空気タンクおよび一方向空気弁を設ける段階、
ｂ．空気を前記タンク内に蓄積することによって空気が前記インク槽に入ることを防止する段階、
ｃ．空気を前記一方向空気弁を通して前記タンクから押し出す段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９から請求項１５のいずれかに記載のインクレベルを感知する方法。
【請求項１７】
空気が通って流れることはできるがインクが通って流れることは防止する膜を備えた一方向空気弁を設ける段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１６に記載のインクレベルを感知する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月2日(2003.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
化合物ＩおよびＩＩ中の置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、連結因子（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）Ｚ、および指数ｑは以下のものを表す。
【手続補正書】
【提出日】平成15年8月13日(2003.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密な処理室内に導入した処理ガスをプラズマ化させて，前記処理室内に配置された被処理体に形成されたＳｉＯ２膜にエッチング処理を施すエッチング方法において，
前記処理ガスは，少なくともＣ５Ｆ８とＯ２とを含み，
前記ＳｉＯ２膜は，前記被処理体に形成されたＳｉＮＸ膜上に形成されていることを特徴とする，エッチング方法。
【請求項２】
気密な処理室内に導入した処理ガスをプラズマ化させて，前記処理室内に配置された被処理体に形成されたＳｉＯ２膜にエッチング処理を施すエッチング方法において，
前記処理ガスは，少なくともＣ５Ｆ８とＯ２とを含み，
前記Ｃ５Ｆ８と前記Ｏ２との流量比は，１≦（前記Ｃ５Ｆ８の流量／前記Ｏ２の流量）≦１．５に設定されることを特徴とする，エッチング方法。
【請求項３】
気密な処理室内に導入した処理ガスをプラズマ化させて，前記処理室内に配置された被処理体に形成されたＳｉＯ２膜にエッチング処理を施すエッチング方法において，
前記処理ガスは，少なくともＣ５Ｆ８とＯ２とを含み，
前記Ｃ５Ｆ８と前記Ｏ２との流量比は，１．３≦（前記Ｃ５Ｆ８の流量／前記Ｏ２の流量）≦１．６２５に設定されることを特徴とする，エッチング方法。
【請求項４】
前記処理室内の圧力雰囲気は，４５ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒに設定されることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記被処理体を載置する載置台の温度は，２０℃〜４０℃に設定されることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記処理ガスは，さらに不活性ガスを含むことを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記不活性ガスは，Ａｒであることを特徴とする，請求項６に記載のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，気密な処理室内に導入した処理ガスをプラズマ化させて，処理室内に配置された被処理体に形成されたＳｉＯ２膜にエッチング処理を施すエッチング方法において，処理ガスは，少なくともＣ５Ｆ８とＯ２とを含むことを特徴とする，エッチング方法が提供される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに，例えばＳｉＯ２膜が被処理体に形成されたＳｉＮＸ膜上に形成されている場合には，上記カーボン含有膜がＳｉＮＸ膜の露出面を覆ってエッチングから保護するので，選択比を向上させることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また，例えばＣ５Ｆ８とＯ２との流量比を１≦（Ｃ５Ｆ８の流量／Ｏ２の流量）≦１．５に設定すれば，上記従来の処理ガスを使用する場合と比較して，同等かそれ以上の高選択比を得ることができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに，例えばＣ５Ｆ８とＯ２との流量比を１．３≦（Ｃ５Ｆ８の流量／Ｏ２の流量）≦１．６２５に設定したり，処理室内の圧力雰囲気を４５ｍＴｏｒｒ〜５０ｍＴｏｒｒに設定したり，被処理体を載置する載置台の温度を２０℃〜４０℃に設定したり，処理ガスにさらに不活性ガス，例えばＡｒを含ませれば，垂直に近いエッチング形状を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月25日(2003.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタが形成される第１の素子領域および第２のトランジスタが形成される第２の素子領域の半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の材料膜を形成し、かつ第１の素子領域および第２の素子領域の周囲の素子分離領域にその上面が前記第１の材料膜の上面よりも低くなるように第２の絶縁膜を形成する工程と、
この第２の絶縁膜上に第２の材料膜を形成する工程と、
前記第１および第２の材料膜の一部を除去して前記第１および第２のトランジスタの第１および第２のゲート電極に対応する領域並びに第１および第２のゲート電極どうしを接続する接続部に対応する領域に第１および第２の材料膜を残置させる工程と、
この残置した第１の材料膜の両側の半導体基板に前記第１および第２のトランジスタのソース・ドレインとなる領域を形成する工程と、
前記第１および第２の材料膜が除去された領域に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の素子領域の第１の絶縁膜および第１の材料膜を除去してこの除去された領域に第４の絶縁膜を介して第１のゲート用導電膜を形成することにより、第１の素子領域では第１のゲート用導電膜によって構成される第１のゲート電極を第２の素子領域では第１の材料膜によって構成される第２のゲート電極を形成する工程と、
少なくとも前記接続部に残置した第２の材料膜を除去してこの除去された領域に前記第１のゲート電極と第２のゲート電極とを接続する接続用導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１のトランジスタが形成される第１の素子領域および第２のトランジスタが形成される第２の素子領域の半導体基板上に第１の絶縁膜を介して第１の材料膜を形成し、かつ第１の素子領域および第２の素子領域の周囲の素子分離領域にその上面が前記第１の材料膜の上面よりも低くなるように第２の絶縁膜を形成する工程と、
この第２の絶縁膜上に第２の材料膜を形成する工程と、
前記第１および第２の材料膜の一部を除去して前記第１および第２のトランジスタの第１および第２のゲート電極に対応する領域並びに第１および第２のゲート電極どうしを接続する接続部に対応する領域に第１および第２の材料膜を残置させる工程と、
この残置した第１の材料膜の両側の半導体基板に前記第１および第２のトランジスタのソース・ドレインとなる領域を形成する工程と、
前記第１および第２の材料膜が除去された領域に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の素子領域の第１の絶縁膜および第１の材料膜を除去してこの除去された領域に第４の絶縁膜を介して第１のゲート用導電膜を形成する工程と、前記第２の素子領域の第１の絶縁膜および第１の材料膜を除去してこの除去された領域に第５の絶縁膜を介して第２のゲート用導電膜を形成する工程とにより、第１の素子領域では第１のゲート用導電膜によって構成される第１のゲート電極を第２の素子領域では第２のゲート用導電膜によって構成される第２のゲート電極を形成する工程と、
少なくとも前記接続部に残置した第２の材料膜を除去してこの除去された領域に前記第１のゲート電極と第２のゲート電極とを接続する接続用導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接続用導電膜を形成する工程は、前記接続部に残置した第２の材料膜を除去し、この除去された領域に形成した前記接続用導電膜により前記第１および第２のゲート電極の側面どうしを接続するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接続用導電膜を形成する工程は、前記接続部に残置した第２の材料膜および前記第１および第２の素子領域に形成された第１および第２のゲート電極の上部を除去し、この除去された領域に形成した前記接続用導電膜により前記第１および第２のゲート電極の上面どうしを接続するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１のゲート電極及び第１の絶縁部を有する第１のトランジスタと第２のゲート電極及び第２の絶縁部を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のゲート電極と第２のゲート電極とが異なった材料又は異なった厚さで形成されている及び／又は第１の絶縁部と第２の絶縁部とが異なった材料又は異なった厚さで形成されている半導体装置の製造方法であって、
基板上に第１の絶縁膜及び第１のゲート膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜及び第１のゲート膜をパターニングして、第１のゲート電極及び第１の絶縁部を有する第１のゲート部とダミーゲート部とを形成する工程と、
前記第１のゲート部及びダミーゲート部をマスクとして用いることにより前記基板にソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記第１のゲート膜及び第１の絶縁膜を前記ダミーゲート部から除去する工程と、
前記第１のゲート膜及び第１の絶縁膜が除去されたダミーゲート部に第２の絶縁膜及び第２のゲート膜を形成して、第２のゲート電極及び第２の絶縁部を有する第２のゲート部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月1日(2003.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器の軸方向に独立に励起の可能な第１の領域と第２の領域を含む複数の領域を有する分布帰還型半導体レーザであって、共振器の軸方向に伸びる回折格子と活性層を有する導波路により異なる第１の偏波モードと第２の偏波モードが規定され、更に、動作時の共振器の軸方向の光強度分布が、第１の偏波モードと第２の偏波モードとで異なる様に導波路が構成されていることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
【請求項２】
動作時の共振器の軸方向の光強度分布の第１の偏波モードと第２の偏波モードの間での異なり方が、第１の領域と第２の領域の間で異なる様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項３】
第１の偏波モードでの発振時には第２の偏波モードの共振器軸方向の光強度分布が第１の領域で比較的強い分布を持ち、第２の偏波モードでの発振時には第１の偏波モードの共振器軸方向の光強度分布が第２の領域で比較的強い分布を持つ様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項４】
第１の領域の導波路では第１の偏波モード光に対する結合係数が第２の偏波モード光に対する結合係数より大きく、第２の領域の導波路では第１の偏波モード光に対する結合係数が第２の偏波モード光に対する結合係数より小さくなる様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１、２または３記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項５】
第１の領域と第２の領域の間で、第１の偏波モードと第２の偏波モードに対するブラッグ波長間の波長差が異なり、第１の領域の第１の偏波モードと第２の偏波モードのいずれか一方に対して最小発振しきい値を示す波長と第２の領域の該いずれか一方の偏波モードに対して最小発振しきい値を示す波長が一致した状態のときに、該一致した波長における発振しきい値利得が回折格子により生じる複数の共振モードの中で最も小さくなる様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項６】
第２の領域では、第２の偏波モードに対する回折格子の結合係数が充分大きく第１の偏波モードに対する結合係数がほぼ０である様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項７】
第１の領域の第２の偏波モードに対して最小発振しきい値を示す波長と第２の領域の第２の偏波モードに対して最小発振しきい値を示す波長が一致した状態のときに、該一致した波長における発振しきい値利得が回折格子により生じる複数の共振モードの中で最も小さく、そして第１の領域と第２の領域の第２の偏波モードに対する最小発振しきい値を示す波長が一致していない状態では、第１の偏波モードに対する発振しきい値利得が最も小さくなる様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項６記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項８】
第１の領域と第２の領域の一方の領域の導波路にのみ多重量子井戸光ガイド層を設けることで、前記結合係数の大小関係を確立していることを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項９】
第１の領域と第２の領域の導波路において共通に多重量子井戸光ガイド層を設け、第１の領域と第２の領域の一方の領域でのみ該多重量子井戸光ガイド層を混晶化させることで、前記結合係数の大小関係を確立していることを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１０】
第１の領域と第２の領域の一方の導波路ではバルク層に回折格子を設け、第１の領域と第２の領域の他方の導波路では多重量子井戸層に回折格子を設けることで、前記結合係数の大小関係を確立していることを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１１】
第１の領域と第２の領域の少なくとも一方において、回折格子が界面に形成されている２つの異なる半導体層の少なくとも一方に引っ張り歪み量子井戸及び圧縮歪み量子井戸の少なくとも一方が用いられることで、前記結合係数の大小関係を確立していることを特徴とする請求項４乃至７の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１２】
第１の領域と第２の領域の導波路において活性層は共通であり、該活性層は第１の偏波モード光と第２の偏波モード光に同程度の利得を与える様に構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１３】
第１の領域と第２の領域の導波路の回折格子に夫々位相シフト部が形成されて各偏波モードに対して最小発振しきい値を示す波長がブラッグ波長になることを特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１４】
第１の偏波モードがＴＥモードとＴＭモードの一方であり、第２の偏波モードがＴＥモードとＴＭモードの他方である様に導波路が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項１５】
第１の偏波モードで発振する請求項１乃至１４の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザに対して、第１の偏波モードの光強度分布の小さい或は第１の偏波モードに対する結合係数の小さい領域への電流注入を相対的に増すことで、第２の偏波モードヘ偏波スイッチングさせることを特徴とする半導体レーザの駆動方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４の何れかに記載の分布帰還型半導体レーザと偏光選択手段からなり、該分布帰還型半導体レーザの偏波スイッチングによる変調を行ってその出力端に偏光選択手段を配して一方の偏波モードの光のみを取り出すことを特徴とする半導体光源装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体光源装置からの光を、光伝送路に接続して信号をのせて伝送させ、受信装置において強度変調された光信号として受信することを特徴とする光伝送方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体光源装置を複数用いて異なる波長の光を発生させ、一本の光伝送路に接続して複数の波長の光に信号をのせてそれぞれ伝送させ、受信装置において波長可変バンドパスフィルタを通して所望の波長の光にのせた信号のみを取り出して信号検波することを特徴とする波長分割多重光伝送方法。
【請求項１９】
請求項１６記載の半導体光源装置と受信装置を１つにまとめ、請求項１７または１８の光伝送方法による光送受信を行なうことを特徴とする光−電気変換装置。
【請求項２０】
請求項１６記載の半導体光源装置と受信装置を１つにまとめ、請求項１７または１８の光伝送方法による光送受信を行なう光−電気変換装置を用いたことを特徴とする光伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月13日(2004.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップリングシャフトの下端に傾動可能に取付けられる基板把持装置であって、
基板を表面に把持する把持板と、
前記把持板の裏面側を覆って該把持板との間に気密な背圧空間を形成する被覆板とを備え、
前記被覆板は、該被覆板と前記把持板との間に介装した粘着性を有する弾性材を介して前記把持板に保持されていることを特徴とする基板把持装置。
【請求項２】
前記弾性材は、所定温度を境に可逆的に粘着性が変化する性質を有する粘着フィルムで構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板把持装置。
【請求項３】
前記弾性材は、前記被覆板に作用する押圧力を前記把持板に該把持板の径方向に所定の勾配をもつ分布加重として伝達するように設置されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板把持装置。
【請求項４】
前記把持板と前記被覆部部材は、前記弾性材の粘着力で一体化されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板把持装置。
【請求項５】
研磨面を有する研磨テーブルと、該研磨面に砥液を供給する砥液供給装置と、請求項１乃至４のいずれかに記載の基板把持装置とを有することを特徴とする研磨装置。
【請求項６】
トップリングシャフトの下端に傾動可能に取付けられる基板把持装置であって、
上下方向に連通する複数の吸着穴を有し、基板を表面に把持する把持板と、
前記把持板の裏面側に配置され該把持板との間に背圧空間を形成する被覆板と、
前記把持板に設けた前記複数の吸着穴の内の任意の吸着穴を塞ぐフィルムを有することを特徴とする基板把持装置。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月22日(2003.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターンテーブルとトップリングとドレッサとを具備し、ターンテーブルとトップリングの間にポリッシング対象物を介在してポリッシング対象物の表面を研磨すると共に、ドレッサをターンテーブルに押し付けることでターンテーブル表面の研磨クロス面を再生する研磨装置において、
前記ドレッサとドレッサを回転可能に支持する軸を含むドレッサユニットを、ドレッサ支持機構に対して取り付け、且つドレッサユニットとドレッサ支持機構との間にドレッサユニットを上向きの力で押し上げる押し上げ機構を取り付け、
ドレッサユニットの自重と、押し上げ機構によるドレッサユニットを上向きに押し上げる力のバランスによってドレッサのターンテーブルへの押し付け荷重を調整することを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記上向きの力は流体圧によることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】
前記軸はドレッサを回転駆動する駆動軸であることを特徴とする請求項１又は２記載の研磨装置。
【請求項４】
前記押し上げ機構は、ドレッサユニットとドレッサ支持機構との間に取り付けられるピストン・シリンダ機構からなる昇降機構と、この昇降機構に所要圧力の流体を供給する流体供給機構とを具備し、
前記流体供給機構は、前記昇降機構のピストンで仕切られたシリンダの一方の部屋に所要圧力の流体を供給するとともに他方の部屋を解放することでドレッサユニットに上向きの力を生じさせることを特徴とする請求項１又は２又は３記載の研磨装置。
【請求項５】
前記流体供給機構は、配管によって前記昇降機構のシリンダの一方の部屋に接続される圧縮流体源と、前記配管中に取り付けられて圧縮流体源から供給される圧縮流体の圧力を所要の圧力に減圧して前記シリンダの一方の部屋に供給する圧力コントロールユニットとを具備して構成されていることを特徴とする請求項４記載の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
即ち上記問題点を解決するため本発明は、ターンテーブルとトップリングとドレッサとを具備し、ターンテーブルとトップリングの間にポリッシング対象物を介在してポリッシング対象物の表面を研磨すると共に、ドレッサをターンテーブルに押し付けることでターンテーブル表面の研磨クロス面を再生する研磨装置において、前記ドレッサとドレッサを回転可能に支持する軸を含むドレッサユニットを、ドレッサ支持機構に対して取り付け、且つドレッサユニットとドレッサ支持機構との間にドレッサユニットを上向きの力で押し上げる押し上げ機構を取り付け、ドレッサユニットの自重と、押し上げ機構によるドレッサユニットを上向きに押し上げる力のバランスによってドレッサのターンテーブルへの押し付け荷重を調整することを特徴とする。ここで前記上向きの力は液体圧によることを特徴とする。また前記軸はドレッサを回転駆動する駆動軸であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月16日(2004.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インキ着けローラである、またはインキ着けローラに当接するローラ（７）に当接位置（１８．２）において当接する少なくとも１つの調量部材（１８）を有するインキ調量装置（１２；４７）を備える、印刷機（１）のインキユニットにおいて、
前記調量部材（１８）は、該調量部材に付属する振動装置（３１）によって、前記当接位置（１８．２）と遊離位置（１８．１）の間を往復振動可能に支持されていることを特徴とするインキユニット。
【請求項２】
前記振動装置（３１）は、前記調量部材（１８）を前記ローラ（７）に対してほぼ半径方向の振動方向に案内する案内部（３３）を有している、請求項１に記載のインキユニット。
【請求項３】
前記振動装置（３１）は、前記調量部材（１８）に駆動できるように接続された電磁的な振動駆動装置（３２）を有している、請求項１または２に記載のインキユニット。
【請求項４】
前記振動装置（３１）は、前記調量部材（１８）を前記ローラ（７）の方へ戻すばね（４１）を有している、請求項１から３のいずれか１項に記載のインキユニット。
【請求項５】
刃先（４３）で終わっている、前記調量部材（１８）の作用領域（４４）が、一定に保たれた断面厚さ（４５）を有している、請求項１から４のいずれか１項に記載のインキユニット。
【請求項６】
前記ローラ（７）とだけ転動するように接触している少なくとも１つの平滑ローラ（１４；１５；１６）が前記ローラ（７）の円周線に沿って前記調量部材（１８）の後に配置されている、請求項１から５のいずれか１項に記載のインキユニット。
【請求項７】
インキ供給装置（８；４８）が前記ローラ（７）の円周線に沿って前記調量部材（１８）の前に配置されている、請求項１から６のいずれか１項に記載のインキユニット。
【請求項８】
少なくとも１つの他の調量部材（１８’，１８’’，１８’’’）が前記ローラ（７）に付属している、請求項１から７のいずれか１項に記載のインキユニット。
【請求項９】
前記調量部材（１８，１８’，１８’’，１８’’’）は互いに交互に前記ローラ（７）から持ち上げることができるように支持されている、請求項８に記載のインキユニット。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に基づいて構成されたインキユニット（６）を備える印刷機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
調量部材が磨耗したときに、調量部材の掻取りエッジ、すなわち刃先の幾何学形状が変わらずに保たれるということに関して有利な他の態様では、調量部材は、薄板厚さ、すなわち断面厚さが一定である、刃先で終わっている作用領域を有している。断面厚さは、振動方向に相当する、調量部材の再調整方向に対して直角に、かつローラの回転軸に対して直角に測定される。再調整方向に沿って、断面厚さは作用領域の範囲内では変化しない。調量部材が調量ドクターとして構成されている場合、断面幅は調量ドクターの刃の厚さに相当する。刃先のほうに向かって尖って終わっている調量ドクターとは異なり、磨耗に起因する短縮によって、本発明による調量部材では、調量精度を低下させる、刃先の拡大は生じない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
振動方向１９とローラ７の接線２８は、調量部材１８がローラ７に載る接点２９で交わっている。接点２９に関する振動方向１９と接線２８との間の角度αは、振動方向１９が、ローラ７の半径方向を向くか（α＝９０°）、または、ローラ７の回転方向３０に関してわずかに逆方向を向く（９０°＞α≧７０°）ように７０から９０°であってよい。振動方向１９がわずかに逆方向を向いている場合、調量部材１８は、いわゆるネガティブドクターと呼ぶこともできる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
振動駆動装置３２は電動リニアモータとして構成されており、固定子３４と走行子３５から構成されている。筒状の固定子３４は、例えば永久磁石である磁石３６と、磁石３６上に載せられた磁極板３７とを含んでいる。走行子３５は、調量部材１８が取り付けられた、筒状部３８に接合された、または巻き付けられた電気コイル３９を支持する筒状部３８から構成されている。筒状部３８は、振動方向１９にスライド可能に固定子３４の案内ピン４０上に差し込まれており、それによって筒状部３８は案内ピン４０と共に案内部３３を構成している。固定子３４と走行子３５の間に押圧力を加えることによって応力をかけられて案内ピン４０に差し込まれているらせん形のばね４１も、同様に振動装置３１の構成部材である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図３（ａ）には、あまり磨耗していない状態の調量部材１８が示されている。これに対して図３（ｂ）には、作用領域４４がローラ７による磨耗のために短くなった、より大きく磨耗した状態の調量部材１８が示されている。調量部材１８の短縮が進行するのに比例して、遊離位置１８．１と当接位置１８．２の間を進むばね４１のばね経路が長くなり、それによって短縮が補償される。ばね経路の増大は、当接位置１８．２においてばね４１によって引き起こされる、ローラ７への調量部材１８の押圧と、遊離位置１８．１での通過高さとが、調量精度に顕著な影響を及ぼすほどには変化せず、実質的に維持されたままになる程に小さく、またばね４１のばね特性曲線がそのように選択されている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
インキ調量装置１２が一時的に第２の振動段階に相当する振動位置にくる第４の振動段階を経て、インキ調量装置１２は再び図５（ａ）に示す、振動の初期位置に達し、このような振動が前述したように継続されて周期的に反復される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図８には、インキパターン１３が生成されるローラ７が版胴４上ではなく、インキ着けローラとして構成されたローラ５６上で転動し、このローラ５６がさらに版胴４上で転動することによってのみ図１のローラ構成と異なっている、変更されたローラ構成が示されている。したがって、直径がローラ７および版胴４と一致しているローラ５６は、弾性ゴムまたはエラストマーの周囲表面を有している。版胴４とローラ５６は互い上で転動している間、互いに角度同期して同じ回転数で回転する。
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月14日(2003.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラテンと、このプラテンに対向するようにして配設されインクリボンのインクを部分的に溶融するための印刷幅分の発熱素子が前記プラテンの長手方向に整列配置されてなるラインサーマルヘッドと、印刷に供したインクリボンに当接され前記インクリボンを用紙から剥離するリボン剥離部材とを有する熱転写ラインプリンタであって、
前記リボン剥離部材は、前記インクリボンに当接する当接部のうちの紙送り方向の下流側に位置する部位が、前記インクリボンの幅方向の中央部分において最も凸となるように形成されていることを特徴とする熱転写ラインプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するため本発明に係る熱転写ラインプリンタの特徴は、リボン剥離部材は、インクリボンに当接する当接部のうちの紙送り方向の下流側に位置する部位が、インクリボンの幅方向の中央部分において最も凸となるように形成されている点にある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年1月19日(2004.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従来においては、ガイドシャフト９２と各スリーブ８０との間の摩擦力が大きい場合と小さい場合とでは、印字ユニット９０に対するバネ装置８の抵抗力が相違することとなり、印字ユニット９０の反転動作にも影響をきたしていた。プリンタは、印字ユニット９０が往復移動領域の終端近傍において反転動作を行っている際に記録紙の紙送りを行い、それ以外のときに記録紙への印字を行うように構成されているのが通例である。したがって、従来においては、印字ユニット９０の反転動作が本来予定する動作とは異なるものとなることに起因して、記録紙への適正な印字が困難となる場合もあった。さらに、従来においては、たとえばガイドシャフト９２と各スリーブ８０との間の摩擦力が不足気味になると、バネ装置８がガイド部９４と補助部材９５との間の中央部から容易に位置ずれする。このような位置ずれがあると、ガイド部９４と補助部材９５とのいずれか一方がバネ装置８の一端部に他方よりも先に当たるために、バネ装置８はその他方に向けて弾かれる。すると、バネ装置８は、この他方によってもさらに弾かれることとなり、ガイド部９４と補助部材９５とのそれぞれに多重衝突する。このような多重衝突は、大きな騒音の発生要因となり、回避する必要がある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第１スリーブ５１は、可撓性を有する合成樹脂製であり、図４によく表われているように、切欠部５１ａを有する断面略Ｃ字状である。切欠部５１ａは、この第１スリーブ５１の軸長方向の全長域にわたって設けられている。このため、この第１スリーブ５１は、半径方向に拡縮変形自在となっている。この第１スリーブ５１は、図４の仮想線に示すように、ガイドシャフト６に外嵌されていない自然状態においては、その内径Ｄ２がガイドシャフト６の外径Ｄ１よりも小さくなるように形成されている。この第１スリーブ５１は、その半径を上記自然状態よりも拡大させた状態でガイドシャフト６に外嵌されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
各第２スリーブ５２は、ガイドシャフト６および第１スリーブ５１のそれぞれに緩めに嵌合しているために、これらの部品に摩耗を生じ難くすることができる。また、仮にガイドシャフト６が摩耗するなどしてその表面状態に多少の変化が生じたり、あるいは温度上昇によってガイドシャフト６の直径が多少大きくなるような事態を生じても、各第２スリーブ５２がガイドシャフト６の長手方向に移動するときの摩擦力に大きな変動を生じないようにすることもできる。したがって、バネ装置Ａがガイド部１１や補助部材４によって圧縮されるときの各第２スリーブ５２の抵抗力、ならびにバネ装置Ａが圧縮状態から元の非圧縮状態に復帰するときに各第２スリーブ５２がガイド部１１や補助部材４を付勢する力のそれぞれも一定化されることとなり、印字ユニット１の加減速を含む往復動作全般が安定することとなる。したがって、このような印字ユニット１の往復動作の安定化により、記録紙へのプリント処理の適正化も達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月14日(2003.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面に活性領域が形成された半導体基板と、
前記主表面を覆い、前記活性領域に通ずるコンタクトホールを含む層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上に延在する第１配線部およびこの第１配線部の下面側から下方に向けて連続して前記コンタクトホール内に設けられ、前記活性領域に電気的に接続される第２配線部を有する配線層と、
を備え、
前記配線層の長手方向に延びる前記第１配線部および前記第２配線部のそれぞれの対応する側面同士が、同一面内において互いに連続するように形成された、半導体装置。
【請求項２】
前記第２配線部は、前記第１配線部の長手方向の一端の下面側に形成され、前記第１配線部の端部と前記第２配線部の前記第１配線部の長手方向の一端側の側面とが同一面内において互いに連続するように形成された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板の主表面に活性領域を規定する工程と、
前記半導体基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上に、前記活性領域の上方に溝形状の開口パターンを有する第１レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜を用いて前記絶縁膜のエッチングを行ない、前記層間絶縁膜の表面部に所定深さの溝部を形成する工程と、
前記第１レジスト膜の上に、前記第１レジスト膜に形成された前記溝形状の開口パターンの所定の領域を含む開口パターンを有する第２レジスト膜を形成する工程と、
前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜をマスクにして、前記層間絶縁膜に前記活性領域に通ずるコンタクトホールを開口する工程と、
前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜を除去した後、前記層間絶縁膜の溝部およびコンタクトホール内に前記活性領域に電気的に接続する配線層を形成する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１レジスト膜を形成する工程は、前記溝形状の開口パターンの端部が、前記活性領域の上方に位置するように形成される工程を含み、
前記第２レジスト膜を形成する工程は、前記第１レジスト膜に形成された前記溝形状の開口パターンの前記端部を開口領域内に含むように、前記第２レジスト膜の前記開口パターンが形成される工程を含む、
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。